Brevet FR2588144A1 — publié le 19870403

La présente invention se rapporte à des commutateurs, et plus particulièrement à des commutateurs appropriés au traitement des hautes fréquences élevées telles que celles utilisées pour les ondes porteuses de télévision. Dans des systèmes de télévision, il est fréquemment pratique de coupler une source choisie parmi un certain nombre de sources de signaux, comme une antenne, un enregistreur sur cassettes vidéo ou une sortie de télévision par câble à un dispositif de charge tel qu'un récepteur de télévision ou un enregistreur sur cassette vidéo. Il est également pratique de coupler une source non choisie parmi un certain nombre de sources à un point de sortie afin de la rendre disponible pour une application à un autre dispositif de charge. Des commutateurs utilisant des diodes en série et en dérivation sont couramment employés pour la commutation haute fréquence entre un orifice d'entrée et un orifice de sortie. Lorsque le commutateur est "hors circuit", c'est-à-dire qu'il ne laisse pas passer de signal, les diodes en série sont polarisées en inverse et présentent une faible capacité tandis que les diodes en dérivation sont polarisées en direct et présentent une faible résistance. Une forte atténuation en condition "hors circuit" est souhaitable entre l'orifice d'entrée et l'orifice de sortie et pour obtenir cela, la capacité des diodes polarisées en inverse doit être très faible. Cependant, cela nécessite généralement une haute tension de polarisation inverse. Par ailleurs, la résistance de la diode en dérivation doit être très faible. La résistance est diminuée en utilisant un courant relativement important de polarisation en direct, bien que cela présente l'inconvénient de nécessiter une dissipation relativement importante de puissance. Dans certains cas, on trouve qu'une résistance encore plus faible en dérivation est nécessaire, pour obtenir la haute atténuation requise pour un commutateur de signaux à haute fréquence, que celle que l'on peut de manière pratique obtenir en utilisant une diode en dérivation seule. Selon un aspect de l'invention, un appareil commutateur pour le couplage sélectif d'un signal entre un orifice d'entrée et un orifice de sortie dans un premier mode de fonctionnement sélectionnable et pour ne pas coupler un signal entre l'orifice d'entrée et l'orifice de sortie dans un second mode de fonctionnement sélectionnable, comprend deux diodes ayant des premières électrodes respectives d'un premier type et des secondes électrodes respectives d'un second type, les diodes étant en série. Les premières électrodes respectives sont couplées à un point du circuit et les secondes électrodes respectives sont couplées à l'orifice d'entrée et à l'orifice de sortie respectivement. Une diode en dérivation et une première électrode du premier type et une seconde électrode du second type sont couplées respectivement à un point de potentiel de référence et au point du circuit. Un transistor ayant une électrode de commande, a son trajet de conduction principale réglable couplé entre le point de circuit et le point de potentiel de référence. Un agencement de commande est couplé à une entrée de commande pour recevoir un signal de sélection de mode. L'agencement de commande répond au signal de sélection de mode choisissant le premier mode de fonctionnement pour appliquer le potentiel de polarisation tendant à polariser la paire de diodes en direct et tendant à polariser en inverse la diode en dérivation. L'agencement de commande est également couplé à l'électrode de commande du transistor pour appliquer un potentiel de commande à l'électrode de commande du transistor pour rendre son trajet de conduction principale réglable sensiblement non conducteur. L'agencement de commande répond au signal de sélection de mode choisissant le second mode de fonctionnement pour appliquer un potentiel de polarisation tendant à polariser la diode en dérivation en direct et tendant à polariser la paire de diodes en inverse. L'agencement de commande applique également un potentiel de commande à l'électrode de commande du transistor pour rendre sensiblement conducteur son trajet de conduction principale réglable. Selon un autre aspect de l'invention, l'agencement de commande comprend de plus un montage de commande de polarisation qui répond à l'état de conduction du trajet de conduction principale réglable du transistor. Le montage de commande de polarisation applique une polarisation directe à la paire de diodes et une polarisation inverse à la diode en dérivation lorsque le trajet de conduction principale réglable est sensiblement non conducteur et applique une polarisation directe à la diode en dérivation et une polarisation inverse à la paire de diodes lorsque le trajet de conduction principale réglable est sensiblement conducteur. Selon un autre aspect de l'invention, l'une des premières électrodes respectives de la paire de diodes est couplée au point de circuit par un filtre passe-bas. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence au dessin schématique annexé donné uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention et dans lequel: U83144 la figure unique montre, sous forme schématique de circuit, un appareil commutateur pour la commutation de signaux haute fréquence selon les principes de l'invention. En se référant à la figure, 10 est une borne de commande pour forcer l'appareil commutateur à être à l'un de ses deux modes de fonctionnement. Lorsqu'une tension de commande dépassant un premier niveau logique est appliquée à la borne de commande 10, un signal appliqué à une première borne d'entrée 12 n'est pas appliqué plus loin et un signal appliqué à une seconde borne d'entrée 14 est appliqué à une première borne de sortie 16. Lorsque la tension de commande appliquée à la borne de commande 10 est inférieure à un second niveau logique, à peu près égal au potentiel de la masse, un signal d'entrée appliqué à la borne d'entrée 12 est appliqué à la borne de sortie 16 et un signal d'entrée appliqué à la borne d'entrée 14 est appliqué à une seconde borne de sortie 18. Le couplage et découplage de signaux est accompli par trois sections de commutateurs de base qui sont indiquées sur la figure par les contours en pointillés 20, 21 et 22, respectivement, la configuration des sections de commutateurs est sous la forme d'une section "en T". Dans la section 20, les bras en série du T comprennent des diodes respectives 62 et 64 qui sont couplées "dos-à-dos" tandis que le bras en dérivation comprend la combinaison en parallèle d'une diode 66 et du trajet collecteur-émetteur d'un transistor 24 qui est de préférence un transistor bipolaire. Les diodes 62, 64 et 66 sont de préférence des diodes PIN (p-intrinsèque-p), qui sont connues comme produisant des caractéristiques souhaitables pour la commutation aux hautes fréquences élevées. Lorsqu'un signal doit être appliqué par la section de commutateur 20, les diodes en série 62 et 64 sont polarisées en direct pour présenter une relativement faible impédance, la diode en dérivation 66 est polarisée en inverse et le transitor 24 est hors circuit, forçant ainsi le bras en dérivation à présenter une haute impédance. Lorsqu'un signal ne doit pas être appliqué par la section 20, une polarisation est appliquée qui a tendance à polariser en inverse les diodes en série 62 et 64 et qui a tendance à polariser en direct la diode en dérivation 66, comme on l'expliquera ciaprès en plus de détail. Le transistor 24 est mis en saturation, c'est-àdire que ses deux jonctions sont polarisées en direct de façon que sa tension collecteur-émetteur soit très faible, forçant ainsi Ies diodes 62 et 64 à être sous une haute polarisation inverse et la diode 66 à être fortement polarisée en direct, comme on l'expliquera également ultérieurement en plus de détail. La combinaison en parallèle de la diode 66 polarisée en direct et du trajet collecteur-émetteur du transistor saturé 24 présente une relativement faible impédance, produisant ainsi un degré relativement élevé d'atténuation du signal en coopération avec l'impédance relativement élevée des diodes polarisées en inverse 62 et 64. Le transistor 24 contrôle ainsi l'impédance des diodes en série et en dérivation de la section de commutateur 20 tout en faisant lui-même partie de l'impédance du bras en dérivation. La section de commutateur 21 contient des diodes 86, 82 et 94 et un transistor 42 qui correspondent aux diodes 62, 64 et 66 et au transistor 24 de la section 20, respectivement. Cependant, la section 21 diffère quelque peu par le fait qu'un filtre passe-bas, comprenant une inductance en série 54 et des capacités en dérivation 53 et 55, est interposé dans le bras en série du T. Comme on l'expliquera en plus de détail ultérieurement, le filtre passe-bas n'a pas d'effet significatif lorsqu'un signal doit être appliqué par la section de commutateur 21 tandis qu'il augmente l'atténuation lorsqu'un signal ne doit pas être appliqué. La section de commutateur 22 est essentiel- lement semblable à la section 20 et elle comprend des diodes 88, 100 et 102, et un transistor 108 correspondant aux diodes 62, 64, 66 et au transistor 24 respectivement. Le mode de réalisation illustré sera maintenant décrit en plus de détail. La borne de commande 10 est couplée à la base d'un transistor 19 du type PNP par une résistance 11 de limitation de courant et elle est également couplée à la base du transistor 24 du type NPN par une résistance 26 de limitation de courant. L'émetteur du transistor 19 est dérivé vers la masse par un condensateur 13 et est couplé au p8le positif d'une alimentation en tension de fonctionnement (non représentée), par exemple de 12 volts en courant continu, par une première borne d'alimentation 30. L'émetteur du transistor 24 est couplé à une masse 32, la masse étant également couplée au p8le négatif de l'alimentation en tension de fonctionnement par une seconde borne d'alimentation 34. Les transistors 19 et 24 contrôlent le potentiel d'un premier conducteur 36 qui est couplé à leurs collecteurs respectifs comme on l'expliquera en plus de détail ci-après. Lorsque la tension de commande appliquée à la borne de commande 10 dépasse le premier niveau logique, à peu près le potentiel à la borne 30, le courant au collecteur du transistor 19 est coupé et le transistor 24 est mis en saturation. En conséquence, le potentiel du conducteur 36 est bas, à peu près le potentiel de la masse, car le transistor 24 est saturé. Lorsque la tension de commande appliquée à la borne de commande 10 est inférieure au second niveau logique, le courant de collecteur du transistor 24 est coupé et le transistor 19 est mis en saturation, forçant ainsi le potentiel au conducteur 36 à être haut, à peu près le potentiel à la borne 30. Le conducteur 36 est dérivé vers la masse pour les signaux en courant alternatif par les condensateurs 38 et 40. Le conducteur 36 est de plus couplé aux bases respectives de transistors 42 et 44 par des résistances respectives de limitation de courant 46 et 48. Les émetteurs des transistors 42 et 44 sont couplés à la masse et à la borne d'alimentation positive 30. Un second conducteur 50 est couplé au collecteur du transistor 44 et au collecteur du transistor 42 par une résistance 52 en série avec l'inductance 54. Lorsque la tension de commande appliquée à la borne 10 dépasse le premier niveau logique, le potentiel bas au conducteur 36 provoque une coupure du courant de collecteur du transistor 42 et met le transistor 44 en saturation. En conséquence, le potentiel au conducteur 50 est haut, s'approchant du potentiel à la borne 30. Lorsque la tension de commande appliquée à la borne de commande 30 est inférieure au second niveau logique, le potentiel au conducteur 36 provoque une coupure du courant de collecteur du transistor 44 et met le transistor 42 en saturation. En conséquence, le potentiel au conducteur 50 est relativement bas, s'approchant du potentiel de la masse. Le conducteur 50 est dérivé vers la masse pour les signaux en courant alternatif par les condensateurs 56 et 58. La borne d'entrée 12 est couplée en courant alternatif, par un condensateur 60, à la cathode de la première diode 62 dont l'anode est couplée à l'anode de la seconde diode 64 et à la cathode de la troisième diode 66 à un point de circuit 68. Le point de circuit 68 est également couplé au conducteur 36 par une résistance 70 R et est directement couplé au collecteur du transistor 24. La cathode de la diode 62 est également couplée à la masse par une résistance 72 et au conducteur 50 par une résistance 74. L'anode de la diode 66 est couplée au conducteur 50 par une résistance 76 et est dérivée vers la masse par un condensateur 78. La borne de sortie 16 est couplée à la masse par une résistance 80 et est également couplée en courant alternatif, par un condensateur 61, aux cathodes respectives de la diode 64 et d'une quatrième diode 82 dont l'anode est couplée au collecteur du transistor 42. La borne d'entrée 14 est couplée en courant alternatif par un condensateur 84, aux cathodes respectives de la cinquième diode 86 et de la sixième diode 88 à un point de circuit 90 qui est couplé à la masse par une résistance 92. L'anode de la diode 86 est couplée à la jonction de la résistance 52 et de l'inductance 54 et à la cathode de la septième diode 94. La bobine d'inductance 54 a une inductance suffisamment faible pour être facilement formée d'une petite longueur de conducteur, comme une bande conductrice sur une planche de circuit imprimé. La capacité associée à l'inductance 54 est indiquée sur la figure par les condensateurs 53 et 55, coupl entre les extrémités respectives de la bobine d'inductance 54 et la masse. Les condensateurs 53 et 55 ne doivent pas nécessairement représenter des condensateurs réels car la capacité souhaitée peut être obtenue par les capacités parasites associées à la bobine d'inductance 54 et par exemple les motifs des conducteurs sur la planche de circuit imprimé. L'anode de la diode 94 est couplée au conducteur 36 par une résistance 96 et est dérivée la masse par un condensateur 98. L'anode de la diode 88 est couplée à l'anode de la huitième diode 100 et à la cathode de la neuvième diode 102 en un point de circuit 104. Le point de circuit 104 est couplé au conducteur 36 par une résistance 106 et au collecteur du transistor 108 dont l'émetteur est à la masse. La base du transistor 108 est couplée au conducteur 50 par une résistance 110. L'anode de la diode 102 est couplée au conducteur 50 par une résistance 112 et est dérivée vers la masse par un condensateur 114. La cathode de la diode 100 est couplée au conducteur 50 par une résistance 116. Elle est également couplée à la masse par une résistance 118 et couplée de manière capacitive à la borne de sortie 18 par un condensateur 120. En fonctionnement, le niveau logique appliqué à la borne 10 est choisi pour le mode de fonctionnement souhaité. Pour la description, on suppose d'abord que le niveau logique appliqué à la borne 10 dépasse, c'est-à-dire est plus positif que, le premier niveau logique. Comme on l'a expliqué, cela met le transistor 24 en saturation et force le conducteur 36 à être à peu près au potentiel de la masse et le conducteur 50 à être à peu près au potentiel de la borne 30. La diode 62 est par conséquent polarisée en inverse et la diode 66 est polarisée en direct par le potentiel du conducteur 50 et le potentiel de la masse du collecteur du transistor 24. La diode 82 est polarisée en direct par le potentiel du conducteur 50 qui est couplé à son anode par la résistance 52, la bobine d'inductance 54 et la résistance 80. Cela force les cathodes des diodes 64 et 82 à être à un potentiel positif qui force la diode 64 à 8tre polarisée en inverse car son anode est à peu près au potentiel de la masse par le collecteur du transistor 24. Le trajet de la borne d'entrée 12 à la borne de sortie 16 a par conséquent la forme d'une "section en T" o les bras en série sont les diodes 62 et 64 polarisées en inverse et qui par conséquent présentent des hautes 2588144 impédances respectives. Le bras en dérivation comprend la combinaison en parallèle de la diode 66 polarisée en direct et du transistor saturé 24, les deux présentant de faibles impédances respectives et formant une combinaison en parallèle d'une particulièrement faible impédance. Le trajet de la borne d'entrée 12 à la borne de sortie 16 present ee par onséquent une atténuation particulièrement élevée, qui est souhaitable dans un commutateur haute fréquence à sa condition "hors circuit". Un signal d'entrée à la borne 12 est par conséquent sensiblement empêché d'atteindre la borne de sortie 16 et également d'atteindre la borne de sortie 18, à laquelle la borne 16 est couplée par la diode 82. Il faut noter que le transistor 24 accomplit un triple r8le pour atteindre une haute atténuation lorsqu'il se sature. D'abord, la tension saturée de collecteur du-transistor 24 établit les tensions de polarisation inverse pour obtenir la condition de haute impédance des diodes en série 62 et 64. Deuxièmement, le transistor 24 établit la tension de polarisation directe pour obtenir la condition de faible impédance de la diode en dérivation 66. Troisièmement, la résistance de faible saturation du transistor 24 est couplée en parallèle à celle de la diode 66 en dérivation pour obtenir la combinaison en parallèle d'une particulièrement faible impédance. De même, la diode 100 est polarisée en inverse et la diode 102 est polarisée en direct par le potentiel du conducteur 50 et le collecteur du transistor 108 qui est à peu près au potentiel de la masse parce que le transistor 108 est saturé par l'attaque de base qu'il reçoit par la résistance 110, du conducteur 50. La diode 86 est polarisée en direct par le potentiel au conducteur à travers la résistance 52 et la résistance 92. Cela force les cathodes des diodes 86 et 88 à être à un il 2 52588144 potentiel positif qui force la diode 88 à être polarisée en inverse car son anode est à peu près au potentiel de la masse par le collecteur du transistor 108. Le trajet de la borne d'entrée 14 à la borne de sortie 18 a de même la forme d'une "section en T" o les bras en série sont les diodes 88 et 100 polarisées en inverse et qui par conséquent présentent de hautes impédances. Le bras en dérivation comprend la combinaison en parallèle de la diode 102 polarisée en direct et du transistor saturé 108, les deux éléments présentant de faibles impédances respectives et formant une combinaison en parallèle de particulièrement faible impédance. Le trajet de la borne d'entrée 14 à la borne de sortie 18 présente par conséquent une atténuation particulièrement forte. Le transistor 108 accomplit des fonctions multiples, d'une manière identique au transistor 24, comme on l'a précédemment expliqué. La borne d'entrée 14 est couplée à la borne de sortie 16 par la connexion en série des diodes 86 et 82 polarisées en direct et de l'inductance 54. Le transistor 42 qui est dépolarisé par le potentiel à peu près à la masse au conducteur 36 qui est couplé à la base du transistor 42 par la résistance 46, présente une haute impédance vis-à-vis de la masse à son collecteur qui, par conséquent n'a sensiblement pas d'effet sur le trajet couplant la borne d'entrée 14 à la borne de sortie 16. L'inductance de la bobine 54 est choisie pour former une section passebas en " "en conjonction avec les condensateurs 53 et 55 ayant une fréquence de coupure au-delà de la plus haute fréquence des signaux d'intérêt. Pour la description, on suppose maintenant que le niveau logique appliqué à la borne 10 est moins que le second niveau logique, c'est-à-dire est plus négatif que lui. Comme on l'a expliqué, cela force le conducteur 36 à être à peu près au potentiel de la borne 30 et le 12 2588144 conducteur 50 à être à peu près au potentiel de la masse. Le potentiel positif appliqué au point de circuit 68 par le conducteur 36 par la résistance 70 polarise la diode 66 en inverse, car son anode est à peu près au potentiel de la masse. Le transistor 24 est dépolarisé par le potentiel s'approchant de la masse à la borne 10, appliqué à sa base par la résistance 26. Les diodes 62 et 64, dont les cathodes sont couplées à la masse par les résistances 74 et 80 respectivement, sont polarisées en direct par le potentiel positif du point de circuit 68. Le transistor 42 est mis en saturation par le potentiel positif au conducteur 36 appliqué à sa base par la résistance 46. Cela force son collecteur à appliquer à peu près le potentiel de la masse à l'anode de la diode 82 dont la cathode est maintenue à un potentiel positif par la diode 64 polarisée en direct. La diode 82 est par conséquent polarisée en inverse. Un signal à la borne d'entrée 12 est par conséquent appliqué à la borne de sortie 16 par les diodes polarisées en direct 62 et 64 et n'est pas appliqué à la borne 18. La diode 94 est polarisée en direct par le potentiel positif au conducteur 36 appliqué à son anode par la résistance 96 et approximativement le potentiel de la masse appliqué à sa cathode par la résistance 52. Les diodes 88 et 100 sont polarisées en direct par le potentiel positif au conducteur 36 appliqué par la résistance 106 et à peu près au potentiel de la masse appliqué par les résistances 92 et 116, respectivement. - Letransistor 108 est dépolarisé par le potentiel s'approchant de la masse appliqué à sa base par la résistance 110. L'anode de la diode 86 est couplée par la bobine d'inductance 54 au collecteur du transistor 42 qui est en saturation et les rapports de résistance des résistances 106, 92 et 116 sont tels que la différence de potentiel qui est appliquée entre l'anode et la cathode de la diode 86 provoque sa polarisation en inverse. La diode 102 est polarisée en inverse par le potentiel positif au conducteur 36 appliqué à sa cathode par la résistance 106 et au potentiel s'approchant de la masse appliqué à son anode par la résistance 112. Un signal à la borne d'entrée 14 est par conséquent appliqué à la borne de sortie 18 par les diodes 88 et 110 couplées en direct. Le couplage parasite d'un signal de la borne d'entrée 12 à la borne de sortie 18 et d'un signal de la borne d'entrée 14 à la borne de sortie 16 est réduit à une très faible quantité par l'action de la bobine d'inductance 54 qui forme l'élément en série d'un réseau d'atténuation. L'inductance 54 présente une relativement forte réactance dans la plage des fréquences d'intérêt en comparaison avec l'impédance correspondante en dérivation pour chaque direction de couplage de signaux parasites. Pour une direction de couplage de signaux parasites, l'impédance en dérivation est formée par la faible impédance du transistor saturé 42. Dans l'autre direction de couplage de signaux parasites, l'impédance en dérivation est formée par la faible impédance de la diode 94 polarisée en direct qui est dérivée vers la masse par le condensateur 98. On notera que l'invention peut être utilisée avec un nombre différent d'orifices d'entrée et de sortie. Par ailleurs, des sections supplémentaires de filtre passe-bas peuvent être introduites lorsque l'atténuation à l'état "hors circuit" doit 8tre particulièrement importante. Ces modifications sont considérées comme faisant partie du cadre de l'invention. 14 2588144 REVENDICATIONS 1. Appareil commutateur de signaux dans un système comprenant un orifice d'entrée de signaux et un orifice de sortie de signaux, ainsi qu'une entrée de commande pour la réception d'un signal de sélection de mode, pour le couplage d'un signal entre ledit orifice d'entrée et ledit orifice de sortie lorsqu'un premier mode de fonctionnement est choisi en réponse audit signal de sélection de mode et ne couplant sensiblement pas ledit signal entre lesdits orifices lorsque ledit second mode de fonctionnement est choisi en réponse audit signal de sélection de mode, du type comprenant: une paire de diodes ayant des premières électrodes respectives d'un premier type et des secondes électrodes respectives d'un second type, lesdites diodes étant couplées en série, lesdites premières électrodes respectives étant couplées à un point de circuit et lesdites secondes électrodes respectives étant couplées à l'un de l'orifice d'entrée et de l'orifice de sortie respectivement; une diode en dérivation ayant une première électrode dudit premier type et une seconde électrode dudit second type, lesdites première et seconde électrodes de ladite diode en dérivation étant couplées à un point de potentiel de référence et audit point de circuit, respectivement; caractérisé par un moyen formant transistor (24) ayant une électrode de commande et ayant un trajet de conduction principale réglable couplé entre ledit point de circuit et ledit point de potentiel de référence; et un moyen de commande (19) couplé à ladite entrée de commande et répondant audit signal de sélection de mode choisissant ledit premier mode de fonctionnement pour appliquer un potentiel de polarisation tendant à polariser ladite paire de diodes (62, 64) en direct et tendant à polariser ladite diode en dérivation (66) en inverse, et pour appliquer un potentiel de commande à l'électrode de commande dudit moyen formant transistor (24) pour rendre sensiblement non conducteur son trajet de conduction principale réglable; ledit moyen de commande répondant auxdits signaux de sélection de mode choisissant ledit second mode de fonctionnement pour appliquer un potentiel de polarisation tendant à polariser en direct ladite diode en dérivation et tendant à polariser en inverse ladite paire de diodes et pour appliquer un potentiel de commande à l'électrode de commande dudit moyen formant transistor pour rendre sensiblement conducteur son trajet de conduction principale réglable. 2. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen de commande précité comprend de plus un moyen de contrôle de polarisation (70, 74, 76, 80) répondant à l'état de conduction dudit trajet de conduction principale réglable dudit moyen formant transistor pour appliquer une polarisation directe à ladite paire de diodes et pour appliquer une polarisation inverse à ladite diode en dérivation lorsque ledit trajet de conduction principale réglable est sensiblement non conducteur et pour appliquer une polarisation directe à ladit diode en dérivation et appliquer une polarisation inverse à ladite paire de diodes lorsque ledit trajet de conduction principale réglable est sensiblement conducteur. 3. Appareil selon la revendication 2, caractérisé en ce que le moyen formant transistor (24) précité comprend un transistor bipolaire et les diodes précitées sont des diodes PIN. 4. Appareil selon la revendication 2, caractérisé en ce que le potentiel de commande précité appliqué à l'électrode de commande précitée du moyen formant transistor pour rendre sensiblement conducteur son trajet de conduction principale réglable provoque la saturation dudit transistor. 5. Appareil selon la revendication 4, caractérisé en ce que les secondes électrodes respectives sont couplées respectivement à l'orifice d'entrée et à l'orifice de sortie par des capacités respectives (60, 61, 84, 120). 6. Appareil selon la revendication 5, caractérisé en ce que la seconde électrode précitée de la diode en dérivation est couplée de manière capacitive au point de potentiel de référence. 7. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'une des premières électrodes respectives de la première paire de diodes est couplée au point de circuit par un moyen formant filtre passe-bas (53, 54, 55). 8. Appareil selon la revendication 7, caractérisé en ce que le moyen formant filtre passe-bas comprend un moyen formant inductance en série (54) et un moyen formant condensateur en dérivation (53, 55). 9. Appareil selon la revendication 8, caractérisé en ce que le moyen formant filtre passe-bas (53, 54, 55) présente une fréquence de coupure suffisamment haute pour le passage des signaux qui sont appliqués. 10. Appareil selon la revendication 9, caractérisé en ce que le moyen de commande précité comprend de plus un moyen de commande de polarisation (19, 36, 70, 76, 50, 44) répondant à l'état de conduction dudit trajet de conduction principale réglable dudit moyen formant transistor pour appliquer une polarisation 17 2588144 directe à ladite paire de diodes et pour appliquer une polarisation inverse à ladite diode en dérivation lorsque ledit trajet de conduction principale réglable est sensiblement non conducteur et pour appliquer une polarisation directe à ladit diode en dérivation et une polarisation inverse à ladite paire de diodes lorsque ledit trajet de conduction principale réglable est sensiblement conducteur. 11. Appareil selon la revendication 10, caractérisé en ce que les diodes respectives précitées sont des diodes PIN et en ce que le moyen formant transistor précité comprend un transistor bipolaire. 12. Appareil selon la revendication 11, caractérisé en ce que le potentiel de commande appliqué à l'électrode de commande précitée du moyen formant transistor (24) pour rendre sensiblement conducteur son trajet de conduction principale réglable provoque la saturation dudit transistor. 13. Appareil selon la revendication 2, caractérisé en ce que le potentiel de polarisation précité est appliqué par le moyen de commande précité par l'intermédiaire d'un moyen formant résistance (26). 14. Appareil selon la revendication 13, caractérisé en ce que les secondes électrodes respectives de la paire de diodes (62, 64) sont couplées de manière capacitive à certains desdits orifices d'entrée et de sortie respectifs.