Brevet FR2591349A1 — publié le 19870612

La présente invention concerne un procédé de vérification du bon fonctionnement, ou de test, d'une plaquette de traitement des courants de sortie de diodes d'une plaquette de détection, ainsi que la plaquette de traitement agencée pour ce test. Si on considère, par exemple, la plaquette de détection d'une caméra thermique pour analyse de paysages en temps réel, cette plaquette contient une mosaïque de plusieurs centaines, voire d'un millier, de photodiodes infrarouge: elle est donc d'un prix de revient très élevé. Cette pla- quette de détection est à superposer sur une plaquette de traitement, généralement en silicium semi-conducteur, dans lequel sont intégrés des circuits de traitement à transfert de charges, et chaque diode de détection est à connecter à un circuit d'entrée de la plaquette de trai- tement à l'aide d'une connexion par exemple du type "poutre" (beam-lead). La superposition et l'interconnexion des deux plaquettes constituent ce qu'on appelle l'hy- bridation. Il va de soi qu'avant de procéder à une telle hybridation, il est préférable de s'assurer du bon fonctionnement de la plaquette de traitement qu'il convient donc de tester. Car si le test était réalisé après hybridation, et s'il s'avérait négatif, non seulement la plaquette de traite- ment serait à écarter mais la plaquette de détection éga- lement. Or cette dernière, rappelons le, coûte cher. La présente invention concerne plus particulièrement les plaquettes de traitement à circuits d'entrée à injection directe, comprenant, par exemple, un transistor d'entrée à effet de champ FET (field effect transistor). Il est exclu de vouloir tester un à un tous les circuits d'entrée, par injection d'un signal à l'entrée de chacun des circuits d'entrée et donc par connexion multiple de tous ces circuits d'entrée. Après hybridation, le problème serait simple à résoudre, mais avec le risque de perdre la plaquette de détection, on l'a déjà dit. Il suffirait de ne pas refroidir les dé- tecteurs, qui ne seraient plus alors semi-conducteurs et constitueraient des courts-circuits, et de relier les substrats des plaquettes de traitement et de détection par l'intermédiaire dtun, générateur de tension. La présente invention vise donc à résoudre le problème de la mise en oeuvre du test d'une plaquette de traitement à circuits d'entrée à injection directe comprenant une pluralité de transistors à effet de champ. A cet effet, la présente invention concerne un procédé de test d'une plaquette de traitement à circuits d'entrée à injection directe comprenant une pluralité de transistors d'entrée à effet de champ en parallèle, à associer à une pluralité de photodiodes infrarouge correspondantes d'une plaquette de détection, caractérisé par le fait qu'on mesure la dispersion des tensions de seuil respectives des transistors d'entrée et on la compare à un gradient de seuils tolérable. Les plaquettes présentant une dispersion de tensions de seuil égale ou supérieure au gradient maximal tolérable sont donc, grâce au procédé de l'invention, considérées comme rebut. De préférence, on injecte des courants dans les transis- tors d'entrée à l'aide d'une pluralité de transistors de test, on intègre les courants de sortie des transistors d'entrée pour obtenir des quantités de charges qu'on multiplexe, qu'on convertit en potentiels et qu'on conver- tit logarithmiquement, on mesure et on isole la plus grande et la plus petite de ces quantités de charges, et on en fait la différence. Avantageusement, on polarise les transistors de test et les transistors d'entrée de manière que la différence entre les potentiels de la grille et de la source des transistors d'entrée soit légèrement inférieure à leur tension de seuil. L'invention concerne également une plaquette de traitement à circuits d'entrée à injection directe comprenant une pluralité de transistors d'entrée à effet de champ en parallèle, à associer à une pluralité de photodiodes infra- rouge d'une plaquette de détection, et agencée pour la mise en oeuvre du procédé de test de l'invention, caracté- risée par le fait qu'une deuxième pluralité de transistors de test à effet de champ sont connectés en série avec les transistors d'entrée, respectivement, les drains des tran- sistors de test étant confondus avec les sources des tran- sistors d'entrée, les sources, d'une part, et les grilles de polarisation, d'autre part, des transistors de test étant réunies entre elles, respectivement. Ainsi, les transistors de test peuvent se comporter comme des générateurs de courant pour les transistors d'entrée. Avantageusement, les transistors de test et d'entrée sont implantés sur un substrat silicium, les uns à c8té des autres, respectivement, la diode de sortie des transistors de test étant la diode d'entrée des transistors d'entrée, agencée pour être connectée à la photodiode correspondante de la plaquette de détection. L'invention sera mieux comprise à l'aide de la description suivante de la plaquette de traitement et du procédé de test de l'invention, en référence aux dessins annexés, sur lesquels - la figure 1 représente schématiquement un transistor à effet de champ; - la figure 2 représente le schéma électrique du transistor de la figure 1; - la figure 3 représente schématiquement la plaquette de traitement agencée selon l'invention, avec le schéma élec- trique des barrettes de transistors de test et d'entrée, et - la figure 4 représente schématiquement l'implantation des transistors de test et d'entrée de la plaquette de trai- tement de l'invention. Rappelons brièvement d'abord ce qu'est un transistor à effet de champ FET (field effect transistor) à structure MOS (metal oxyd semi-conductor), représenté sur la figure 1 et, par son schéma électrique, sur la figure 2. Un substrat 1, d'un type de conductivité, comporte deux zones 2 de dopage, de l'autre type de conductivité, dif- fusées à partir de deux ouvertures pratiquées dans une couche d'oxyde 3. Deux bornes de contact 4 connectées aux deux zones de dopage 2 constituent le drain et la source. Une couche métallique 5, sur la couche d'oxyde entre les deux ouvertures de dopage, constituant la grille de pola- risation, et connectée à une troisième borne de contact, assure la polarisation du transistor. Quand la grille 5 est sous tension, il se crée sous celle-ci une charge d'espace qui comble en porteurs minoritaires l'espace s'étendant entre les deux zones de dopage 2 et qui connec- te la source et le drain 4, 4. C'est dans cette technolo- gie qu'est réalisée la forme préférée de la plaquette de traitement de l'invention, dont tous les circuits et composants sont intégrés sur un substrat en silicium semi-conducteur. Un transistor à effet de champ FET ne devient passant qu'à partir d'une différence, entre la tension grille V et la g tension source V, déterminée. Cette différence de tension est appelée tension de seuil Vs. Tant que Vg-Ve est infé- rieure à VS, il ne passe en théorie, aucun courant dans le transistor. En fait, si on applique à la source d'un transistor FET une tension V telle que V -V soit très e g e légèrement inférieure à VS et égale à VS- E, il passe quand même un courant faible I, dont l'amplitude est proportion- nelle à e-, le nombre e étant la base du logarithme népé- rien, I = Ke-E. L'intégration de ce courant sur une période T fournit une quantité de charges Q Q = kTet Cette quantité de charges Q et la tension de sortie Vo sont égales, à une grandeur capacitive C près V =q o C 3o :kTt O C VO Keú Après conversion logarithmique, la tension de sortie est donc proportionnelle à -e. En outre, il faut ici souligner la relation E= VS -(Vg-Ve). Dans ces conditions, et pour son test avant hybridation, on agence la plaquette de traitement de la manière décrite ci-dessous. En référence tout d'abord au schéma électrique de la figure 3, la plaquette de traitement 10 de l'invention comporte une pluralité, ou une barrette, de transistors d'entrée à effet de champ 11 en parallèle, connectés respectivement à une pluralité de plots d'accès 12 par leurs sources 13. C'est à ces plots 12 que seront ulté- rieurement reliées des connexions de la plaquette 2 et d'une plaquette de photodiodes infrarouge de détection. A une photodiode de détection sera donc associé un tran- sistor d'entrée 11. Les grilles de polarisation 18 des transistors d'entrée sont reliées entre elles et connec- tées à un plot d'accès 19. En série avec les transistors d'entrée 11 sont implantés une pluralité, ou une barrette, de transistors de test 20 à effet de champ, en nombre égal, dont les drains sont confondus avec les sources 13 des transistors d'entrée. Les sources 14 des transistors de test 20 sont réunies entre elles et connectées à un plot d'accès 15. Il en est de même des grilles 16 des transistors de test 20, qui sont réunies entre elles et connectées à un autre plot d'accès 17. Chaque transistor d'entrée 11 est suivi d'un circuit qui comporte un intégrateur 21, connecté au drain 22 du tran- sistor 11, d'un côté, et à un multiplexeur 23, de l'autre c8té. Le multiplexeur 23 reçoit les informations de sortie de tous les intégrateurs 21. Pour tester la plaquette 10 dans son ensemble ainsi défini, et en particulier les transistors d'entrée l, on met sous tension les sources et les grilles des tran- sistors de test 20, par les plots 15 et 17, respectivement, pour qu'ils fonctionnent en régime de saturation. Dans ces conditions, o la différence entre les potentiels grille et source est beaucoup plus grande que leur tension de seuil, ils présentent une très faible résistance, en pratique de l'ordre de quelques kjL. Les sources 13 des transistors d'entrée l, qui sont les drains des transis- tors de test, sont ainsi mises à un même potentiel Ve. On met sous tension les grilles 18 des transistors d'entrée, par le plot 19, à un potentiel commun V tel que la dif- g férence Vg-Ve soit très légèrement inférieure,deE,à ur ten- sion de seuil Vs. Il circule dans les transistors d'entrée ll des courants de l'ordre de quelques nA, si bien que la tension source Ve est de l'ordre de quelques kV. Même si les tensions qource V des transistors d'entrée ne sont e pas rigoureusement les mêmes, cela est sans importance, puisque la valeur de la dispersion des tensions de seuil (VS max- VS min) de ces transistors d'entrée, qu'on veut appréhender, est de l'ordre de quelques mV. Les courants de sortie des transistoisd'entrée 11 sont intégrés dans les intégrateurs 21 et les quantités de charges délivrées en sortie des intégrateurs sont multi- plexés dans le multiplexeur 23. Après mesure de toutes les valeurs absolues de quantités de charges ú converties en potentiels et converties dans un convertisseur logarithmi- que 27, on isole la plus grande max et la plus petite max min de ces quantités de charges dans des tampons 24, 25 montés en parallèle, respectivement, avant de déterminer, dans le soustracteur 26 relié aux sorties des deux tampons, la différence entre ces deux valeurs. Comme les potentiels Vg et Ve sont communs à tous les transistors d'entrée 11, conformément à la relation soulignée plus haut on peut écrire E max = VSmax - (V - Ve) et in = VSmin -(V - Ve). La différence ( max - min) minSmin emx Min est donc égale à la différence entre les tensions de seuil maximale VSmax et minimale VSmint soit la disper- sion VSmax - VSmin' qu'on compare au gradient maximal tolérable pour garder ou rejeter la plaquette testée. Abordons maintenant la réalisation concrète, en technolo- gie MOS de la plaquette de l'invention, au niveau seulement des deux barrettes des transistors de test et d'entrée et en ne considérant qu'un seul des circuits de test et d'entrée (figure 4) et la modification apportée par l'in- vention à la plaquettede la figure 1. La source 30 du transistor d'entrée, reliée à la diode d'entrée 31 du transistor d'entrée 11 est normalement connectée à la photodiode de détection associée 32. Pour le test, la connexion est rompue, comme représenté sur la figure 4. Le transistor de test 20, associé au transis- tor d'entrée 11, est implanté à côté du transistor 11, la diode de sortie du transistor 20 étant la diode d'entrée 31 du transistor d'entrée 11. La source 33 du transistor de test 20 est reliée à sa diode d'entrée 34, et une grille de polarisation 35 peut créer une charge d'espace entre les deux diodes 34, 31 du transistor de test 20. Le transistor de test 20 permet donc, comme un générateur de courant, d'injecter du courant dans lespuits de poten- tiel du transistor d'entrée 11 par l'intermédiaire de la diode d'entrée 31 et de la grille de polarisation 36 du transistor d'entrée 11. Le transistor de test 20 est bien en série avec le transistor d'entrée à tester, par la source de celui-ci, et en parallèle sur la diode de détec- tion destinée à être connectée au transistor d'entrée considéré. Bien entendu, d'autres composants sont intégrés sur la plaquette de traitement, mais ils ne seront pas ici décrits, car ils n'ont aucun lien avec l'invention. En ce qui concerne, par ailleurs, le convertisseur quantités de charges - tensions, le convertisseur loga- rithmique 27, l'élément de mesure, les tampons 24, 25 et le soustracteur 26, montés en série, il s'agit d'élé- ments de test et de mesure, de structure classique. Revendications 1. Procédé de test d'une plaquette de traitement à cir- cuits d'entrée à injection directe comprenant une plura- lité de transistors d'entrée à effet de champ en parallèle, à associer à une pluralité de photodiodes infrarouge correspondantes d'une plaquette de détection, caractérisé par le fait qu'on mesure la dispersion des tensions de seuil respectives des transistors d'entrée et on la compare à un gradient de seuils tolérable. 2. Procédé de test selon la revendication 1, dans lequel on injecte des courants dans les transistors d'entrée à l'aide d'une pluralité de transistors de test, on intègre les courants de sortie des transistors d'entrée pour obte- nir des quantités de charges qu'on multiplexe, qu'on convertit en potentiels et qu'on convertit logarithmiquement, on mesure et on isole la plus grande et la plus petite de ces quantités de charges, et on en fait la différence. 3. Procédé de test selon la revendication 2, dans lequel on polarise les transistors de test et les transistors d'entrée de manière que la différence entre les potentiels de la grille et de la source des transistors d'entrée soit légèrement inférieure à leur tension de seuil. 4. Plaquette de traitement à circuits d'entrée à injection directe comprenant une pluralité de transistors d'entrée (11) à effet de champ en parallèle, à associer à une plu- ralité de photodiodes infrarouge d'une plaquette de détec- tion, et agencée pour la mise en oeuvre du procédé de test selon la revendication 1, caractérisée par le fait qu'une deuxième pluralité de transistors de test (20) à effet de champ sont connectés en série avec les transistors d'entrée (11), respectivement, les drains des transistors de test (20) il étant confondus avec les sources (13) des transistors d'entrée (11), les sources (14), d'une part, et les grilles de polarisation (16), d'autre part, des transistors de test (20) étant réunies entre elles, respectivement. 5. Plaquette de traitement selon la revendication 4, dans laquelle les transistors de test (20) et d'entrée (11) sont implantés sur un substrat silicium (1), les uns à côté des autres, respectivement, la diode (31) de sortie des transistors de test (20) étant la diode d'entrée des transistors d'entrée (11), agencée pour 8tre connectée à la photodiode correspondante (32) de la plaquette de détection. 6. Plaquette de traitement selon l'une des revendications 4 et 5, dans laquelle chaque transistor d'entrée (11) est connecté à un intégrateur (21), raccordé à un multiplexeur (23), commun à tous les intégrateurs (21). 7. Plaquette selon la revendication 6, dans laquelle le multiplexeur (23) est relié, en série, à un convertisseur de tension, à un convertisseur logarithmique (27), à un appareil de mesure, à deux tampons (24, 25) en parallèle, et à un soustracteur (26) relié aux sorties des deux tampons (24, 25).