Brevet FR2592524A1 — publié le 19870703

L'invention concerne un dispositif électronique à structure multicouche, tel qu'un dispositif semiconducteur à couches minces, un dispositif photovoltaique, un élément de formation d'image-pour électrophotographie, etc., ainsi qu'un procédé pour sa production. Dans l'art antérieur, des films ou couches fonctionnels, c'est-à-dire des films minces semiconducteurs pour des dispositifs électroniques tels que des dispositifs semiconducteurs à couches minces, des d .ispo- sitifs de formation d'image, etc., en particulier des films semiconducteurs amorphes ou polycristallins, sont formés individuellement par des procédés de formation de film appropriés du point de vue des caractéristiques physiques souhaitées, des utilisations prévues, etc. Par exemple, pour la formation d'un film de silicium déposé tel qu'un film de silicium amorphe ou polycristallin, c'est-à-dire un film de silicium cristallin non simple, dont les paires d'électrons libres peuvent être facultativement compensées par un agent de compensation tel que des atomes d'hydrogène (H) ou des atomes d'halogènes (X), etc: (cette matière étant désignée c-i-aplès par l'abré.viation "E4QN..Si (H,X)", en particulieT, "A-Si (H,X)" pour-#désigner.4u silicium amorphe et "pofy-S-i Cependant, le processus de réaction pour la formation d'un film de silicium déposé conformément au procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, qui a été généralisé dans l'art antérieur, est beaucoup plus compliqué que le procédé de déposition chimique en phase vapeur de l'art antérieur, et son mécanisme de réaction implique un grand nombre de points obscurs. De plus, il existe un grand nombre de paramètres pour la formation d'un film déposé (par exemple la température du substrat, les débits d'écoulement et les proportions des débits d'écoulement des gaz introduits, la pression pendant la formation, la puissance de la haute fréquence, la structure des électrodes, la structure du récipient de réaction, la vitesse d'évacuation, le système générateur de plasma, etc.).En raison de la dépendance vis-à-vis de ce grand nombre de paramètres, le plasma formé peut parfois devenir instable, ce qui conduit souvent à des effets nuisibles marqués sur le film déposé formé. En outre, ces paramètres, caractéristiques de chaque appareil, doivent être choisis individuellement. Dans la situation actuelle, il est donc difficile de normaliser les conditions de production. Par ailleurs, pour qu'un film de silicium déposé présente des caractéristiques électriques ou optiques suffisamment satisfaisantes pour les utilisations respectives, il est à présent reconnu que la meilleure façon de le former est d'utiliser le procédé de déposition chimique.en phase vapeur sous plasma. Cependant, suivant l'utilisation prévue pour un film de silicium déposé, une production en masse, de façon reproductible, peut être demandée, avec satisfaction complète en ce qui concerne l'élargissement de l'étendue, l'uniformité de l'épaisseur du film ainsi que l'uniformité de la qualité du film et, par conséquent, dans la formation du film de silicium déposé par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, un investissement d'installation énorme est indispensable pour un appareil de production en masse et la maîtrise d'une telle production en masse est compliquée, les limites de tolérance de commande étant étroites et la maitrise de l'appareil étant difficile. Il s'agit de problèmes à résoudre dans le futur. De plus, dans le cas du procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, étant donné qu'un plasma est produit directement par haute fréquence, micro-ondes, etc., dans un espace de formation de film dans lequel un substrat, sur lequel un film doit être formé, est placé, des électrons ou un certain nombre d'espèces ioniques générées peuvent détériorer un film en cours de formation dans le procédé de formation de film, ce qui entraîne une diminution de la qualité du film ou un manque d'uniformisation de cette qualité. Dans le cas, en particulier, de la production d'un dispositif électronique â structure multicouche, les défauts de l'interface formée entre les couches peuvent nuire aux caractéristiques du dispositif électronique obtenu. La figure 4 des dessins annexés et décrits ci-après représente un élément de formation d'image pour électrophotographie, à titre d'exemple. Cet élément présente une constitution en couche sur un substrat 400 réalisé en aluminium, comprenant une couche de prévention d'injection de charges (première couche de silicium amorphe dopé au bore B) 401, une couche photosensible (deuxième couche amorphe non dopée avec des impuretés telles que B) 402 et une couche superficielle de protection (troisième couche de carbure de silicium amorphe) 403, déposées respectivement.Si toutes les couches peuvent être formées par -le procédé PCVD, étant donné que les types des matières gazeuses de départ, les débits d'écoulement et l'intensité de décharge du plasma pour la formation des couches déposées diffèrent extrêmement, des efforts doivent être produits pour atténuer l'influence des interfaces formées entre les couches déposées respectives, habituellement par un arrêt de la décharge entre les étapes de formation de la première couche et de la deuxième couche ou de formation de la deuxième couche et de la troisième couche pour un remplacement complet des gaz ou, si une production continue doit être utilisée, par la formation d'une couche à variation obtenue par changement progressif des types de gaz, des débits d'écoulement et de l'intensité de décharge du plasma, ou encore par l'utilisation de chambres de déposition pour la formation séparée des couches déposées respectives. Dans tous les cas, des ions générés dans le plasma entrent en collision avec la couche formée, ce qui accroît les défauts. En particulier, dans la production d'un dispositif électronique à constitution multicouche, l'influence de la collision des ions dans le plasma est particulièrement grave sur les interfaces des couches respectives. C'est la raison pour laquelle une amélioration satisfaisante est ici indispensable. Comme décrit précédemment, dans la formation d'un film de silicium déposé en série, il subsiste des points à résoudre et on a souhaité fortement mettre au point un procédé pour former un film déposé, qui soit capable d'une production en masse en économisant de l'énergie, par l'utilisation d'un appareil à bon marché, tout en maintenant les caractéristiques ainsi que l'uniformité du film à un niveau applicable en pratique. Il a été en particulier fortement souhaité d'améliorer les caractéristiques d'interface d'un dispositif électronique à structure multicouche, tel qu'un transistor à couches minces, un dispositif photovoltai- que, un élément photosensible pour électrophotographie, etc. Un objet de l'invention est. d'éliminer ces inconvénients d'un procédé pour former un film déposé, comme décrit ci-dessus, tout en proposant simultanément un procédé nouveau pour la production d'un dispositif électronique sans utiliser le procédé de formation de l'art antérieur, 1 invention ayant également pour objet un dispositif électronique ainsi-obtenu. Un autre objet de l'invention est de proposer un procédé pour former un film déposé, permettant d'obtenir un film déposé présentant de meilleures caractéristi- ques d'interface sur une grande étendue, avec une maîtrise de la qualité du film et en économisant de l'énergie. Un autre objet de l'invention est de proposer un procédé de production d'un dispositif électronique à structure multicouche, ayant une excellente productivi-. té et une excellente productivité en masse ou en grande série, une qualité élevée ainsi que d'excellentes caractéristiques physiques telles que les caractéristiques électriques, optiques et semiconductrices. Conformément à la présente invention, il est proposé un procédé pour produire un dispositif électronique à structure multicouche, comprenant une ou plusieurs couches minces semiconductrices à bande interdite déterminée, formées sur un substrat, lequel procédé consiste à former au moins l'une des couches minces semiconductrices, à bande interdite déterminée, par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma et à former l'une des autres couches constitutives par le procédé qui consiste à introduire une matière gazeuse de départ pour la formation d'un film déposé et un oxydant gazeux contenant un halogène, ayant pour propriété de produire une action d'oxydation sur la matière de départ, à l'intérieur d'un espace réactionnel, afin d'établir un contact chimique entre la matière de départ et l'oxydant pour former ainsi un certain nombre de précurseurs comprenant un précurseur dans un état excité, et à transférer au moins l'un de ces précurseurs dans un espace de formation de film en communication avec l'espace réactionnel, ce précurseur constituant une source d'alimentation pour l'élément constitutif du film- déposé, ce procédé étant appelé ci-après procédé FOCVD, l'invention proposant également un dispositif électronique ainsi obtenu. Conformément au procédé de production d'un dispositif électronique selon l'invention, on obtient un film déposé, ayant une constitution multicouche et dont les caractéristiques d'interface sont améliorées, et on peut simplifier la maîtrise et la production en masse en satisfaisant totalement l'élargissement de la surface, l'uniformité de l'épaisseur du film et l'uniformité de la qualité du film, tout en économisant de l'énergie et sans nécessiter un investissement d'installation énorme pour l'appareil de production en masse, en même temps que la maîtrise de la production en masse apparaît de façon plus claire, ce qui permet d'élargir les limites des tolérances et de simplifier la commande de l'appareil. l'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels - la figure 1 est une illustration schématique d'un appareil pour former un film déposé par le procédé de la présente invention - la figure 2 est une coupe transversale schématique montrant la constitution en couches d'une pile solaire produite par le procédé de l'invention; - la figure 3 est une coupe transversale schématique montrant la constitution en couches d'un élément de formation d'image pour électrophotographie produit par le procédé de l'invention ; - la figure 4 est une coupe transversale schématique montrant la constitution en couches d'un transistor à couches minces produit par le procédé de l'invention ; et - la figure 5 est une vue schématique illustrant un appareil pour la formation d'un film déposé par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma. Dans le procédé de production d'un dispositif électronique selon l'invention, la matière gazeuse de départ à utiliser pour la formation d'un film déposé (film mince semiconducteur par le procédé FOCVD) est destinée à recevoir une action d'oxydation par contact chimique avec l'oxydant gazeux contenant un halogène, et elle peut être choisie convenablement comme souhaité suivant le type, les caractéristiques, l'utilisation, etc. d'un film déposé à obtenir. Dans la présente invention, la matière gazeuse de départ et l'oxydant gazeux contenant un halogène, mentionnés ci-dessus, doivent seulement être rendus gazeux pendant le contact chimique, une fois introduits dans un espace réactionnel, et ils peuvent être liquides ou solides à l'état normal. Lorsque la matière de départ pour la formation d'un film déposé ou l'oxydant contenant un halogène est liquide ou solide, il est introduit dans un état gazeux dans l'espace réactionnel par barbotage au moyen d'un gaz porteur tel que Ar, He, N2, 112, etc., facultativement avec application de chaleur. Au cours de cette opération, les pressions partielles et les proportions de mélange de la matière gazeuse de départ et de l'oxydant gazeux contenant un halogène, mentionnés ci-dessus, peuvent être établies par réglage du débit d'écoulement du gaz porteur et des pressions de la matière de départ pour la formation d'un film déposé et de l'oxydant gazeux contenant un halogène. Comme matière de départ pour la formation d'un film déposé à utiliser dans le procédé FOCVD de la présente invention, par exemple si des films déposés du type tétraèdre, tels que des films semiconducteurs ou électriquement isolants en silicium déposé ou en germanium déposé, etc., sont souhaités être obtenus, on peut utiliser efficacement des silanes à chaînes droites ou ramifiées, des silanes cycliques, des composés de germanium en chaîne, etc. En particulier, des exemples de composés du type silane à chaîne droite peuvent comprendre Si H (n = 7, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8), des n 2n+2 exemples de composé du type silane à chaîne. ramifiée comprennent SiH3SiH(SiH3)SiH2SiH3 et des exemples de composé du type silane cyclique comprennent SinH2n(n = n 2n - 3, 4, 5, 6). Ces matières de départ peuvent évidemment être utilisées soit seules, soit en mélange de deux types ou plus, et elles peuvent également être utilisées comme matière gazeuse de départ dans le cas de la formation d'un film déposé par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma. L'oxydant contenant un halogène utilisé dans la présente invention doit être rendu gazeux lorsqu'il est introduit dans l'espace réactionnel et il possède en même temps la propriété d'oxyder efficacement la matière gazeuse de départ pour la formation d'un film déposé, introduite dans l'espace réactionnel par simple contact avec cette matière, l'oxydant contenant un halogène pouvant comprendre des halogènes gazeux tels que F2, Cl2, Br2, I2 etc., et du fluor, du chlore, du brome, etc., à l'état naissant, ces matières étant efficaces. L'oxydant contenant un halogène est introduit dans l'espace réactionnel à l'état gazeux, en même temps que le gaz de la matière de départ pour la formation d'un film déposé comme décrit ci-dessus, à un débit d'écoulement souhaité et une pression d'alimentation donnée, espace dans lequel il se mélange et entre en collision avec la matière de départ précitée devant être mise en contact avec lui, afin d'oxyder cette matière de départ pour générer efficacement plusieurs types de précurseurs dont un précurseur dans un état chimiquement excité. Parmi les précurseurs dans un état excité et d'autres précurseurs générés, au moins l'un d'eux se comporte comme une source d'alimentation pour l'élément constitutif du film déposé formé. Les précurseurs générés peuvent subir une décomposition ou une réaction afin d'être convertis en d'autres précurseurs dans un état excité ou en précurseurs dans un autre état excité ou bien, en variante, ils peuvent être laissés dans leus formes initiales, quoiqu'en libérant, si cela est souhaité, de l'énergie pour le contact avec la surface du substrat placé dans l'espace de formation de film, afin qu'un film déposé, possédant une structure en réseau tridimensionnel, soit préparé lorsque la température de la surface du substrat est relativement basse, ou bien qu'un film cristallin déposé soit formé lorsque la tempe rature de la surface du substrat est plus élevée. Dans la présente invention, pour que le processus de formation du film déposé puisse se dérouler en douceur afin de former un film de haute qualité, présentant les caractéristiques souhaitées, les facteurs de formation du film, c'est-à-dire les types et l'association de la matière de départ et de l'oxydant contenant un halogène, la proportion de mélange de ces matières, la pression régnant pendant le mélange, le débit d'écoulement, la pression inférieure de l'espace de formation du film, la vitesse d'écoulement des gaz et la température de formation du film (température du substrat et température de l'atmosphère) sont convenablement choisis comme souhaité. Ces facteurs de formation de film sont liés de façon organique les uns aux autres et ils ne sont pas déterminés individuellement, mais sont déterminés respectivement dans des relations mutuelles.Dans la présente invention, le rapport de la matière gazeuse de départ pour la formation d'un film déposé à l'oxydant gazeux contenant un halogène, introduits dans l'espace réactionnel, peut être déterminé convenablement en relation avec certains facteurs appropriés de formation du film, parmi les facteurs de formation de film mentionnés ci-dessus, mais ce rapport est avantageusement de 1/20.-à 100/1, plus avantageusement de 1/5 à 50/1, exprimé par le rapport des débits d'écoulement introduits. La pression exercée pendant le mélange, lors de l'introduction dans l'espace réactionnel, peut avantageusement être supérieure afin d'accroître la probabilité d'un contact chimique entre la matière gazeuse de départ précitée et l'oxydant gazeux contenant un halogène, précité, mais il est plus avantageux de déterminer la valeur optimale appropriée, comme souhaité en tenant compte de la réactivité.Bien que la pression pendant le mélange puisse être déterminée comme décrit ci-dessus, la pression exercée pendant l'introduction peut être avantageusement comprise entre 1 x 10-2 pa et 500 kPa, plus avantageusement 1 entre 1 plus avantageusement La pression réonant dans I'espace de formation du film, à savoir la pression de l'espace dans lequel un substrat, sur lequel un film doit être formé, est placé, peut être convenablement établie comme souhaité afin que les précurseurs (E) dans l'état excité, générés dans l'espace réactionnel et, parfois, des précurseurs (D) formés comme produits secondaires à partir des précurseurs (E), puissent contribuer efficacement à la formation du film. La pression intérieure de l'espace de formation du film, lorsque cet espace est en communication avec l'espace réactionnel, peut être réglée en relation avec les pressions d'introduction et les débits d'écoulement de la matière gazeuse de départ pour la formation d'un film déposé et l'oxydant gazeux contenant un halogène, dans l'espace réactionnel, par exemple par l'utilisation d'un moyen tel qu'une évacuation différentielle ou par l'utilisation d'un dispositif d'évacuation à grande échelle. En variante, lorsque la transmismissiori par 'a partie de communication entre l'espace réactionnel et l'espace de formation d'un film est faible, la pression régnant dans l'espace de formation de film peut être réglée par la présence d'un dispositif approprié d'évacuation relié à l'espace de formation du film et par un réglage de la vitesse d'évacuation du dispositif. Par ailleurs, lorsque l'espace réactionnel et l'espace de formation de film sont intégrés l'un à l'autre et que la position de réaction et la position de formation du film sont seulement différentes dans l'espace, il est possible d'effectuer une évacuation différentielle ou d'utiliser un dispositif d'évacuation à grande échelle ayant une capacité d'évacuation suffisante, comme décrit ci-dessus. Comme décrit précémemment, la pression régnant dans l'espace de formation de film peut être déterminée en relation avec les pressions de la matière gazeuse de départ et de l'oxydant gazeux contenant un halogène, introduits dans l'espace réactionnel, mais cette pression est avantageusement comprise entre 0,133 et 13 300 Pa, plus avantageusement entre 1,33 et 3990 Pa, et de valeur optimale entre 6,65 et 1330 Pa. La vitesse d'écoulement du gaz doit être établie en tenant compte de l'agencement géométrique de l'orifice d'introduction de gaz, du substrat et de l'orifice de décharge de gaz afin que la matière de départ pour la formation d'un film déposé et l'oxydant contenant un halogène puissent être mélangés efficacement pendant qu'ils sont introduits dans l'espace réactionnel, que les précurseurs (E) mentionnés précédemment puissent être produits efficacement et que la formation d'un film puisse être effectuée de façon convenable, sans problèmes. Un exemple avantageux de l'agencement géométrique est illustré sur la figure 1. La température du substrat (Ts) pendant la formation du film doit être convenablement réglée comme souhaité, en dépendance individuelle sur les espèces de gaz utilisées et les types et les caractéristiques demandés au film déposé à former,musdmnslecasdel'ctte"tiond'un film amorphe, cette température est avantageusement comprise entre la température ambiante et 450 C, plus avantageusement entre 50 et 400 C. Dans le cas, en particulier, de la formation d'un film de silicium déposé présentant de meilleures caractéristiques semiconductrices et photoconductrices, etc., la température du substrat (Ts) est avantageusement comprise entre 70 et 3500C. Par ailleurs, dans le cas de l'obtention d'un film polycristallin, elle est de préféren~#omprise entre 200 C et 7()00C, plus avantageusement entre 300 et 600oC. La température de l'atmosphère (Tat) dans l'espace de formation du film doit être déterminée convenablement comme souhaité en relation avec la température du substrat afin que les précurseurs précités (E) générés et les précurseurs précités (D) ne soient pas transformés en espèces chimiques impropres à la formation du film, et que, de plus, les précurseurs précités (E) puissent être générés efficacement. La figure 1 montre un exemple d'un appareil avantageux de mise en oeuvre du procédé pour la formation d'un film déposé selon l'invention. L'appareil de formation d'un film déposé montré sur la figure 1 est globalement divisé en un corps principal (chambre à vide), un système d'évacuation et un système d'alimentation en gaz. Dans le corps principal, il est prévu un espace réactionnel et un espace de formation de film. Les références numériques 101 à 108 désignent respectivement des bouteilles remplies des gaz-à utiliser pendant la formation d'un film, les références 101a à 108a désignent respectivement des conduits d'alimentation en gaz, les références 101b à 108b désignent respectivement des régulateurs de débit d'écoulement massique destinés à régler les débits d'écoulement des gaz à partir des bouteilles correspondantes, les références 101c à 108c désignent respectivement des manomètres à pression gazeuse, les références 101d à 108d et 101e à 108e désignent respectivement des robinets et les références 101f à 108f désignent respectivement des manomètres indiquant les pressions régnant dans les bouteilles de gaz correspondantes. La référence numérique 120 désigne une chambre à vide équipée, à la partie supérieure, d'un moyen d'introduction de gaz, ayant une structure pour la formation d'un espace réactionnel en aval de ce moyen, et ayant également une structure pour constituer un espace de formation d'un film dans lequel un support 112 de substrat est prévu afin qu'un substrat 118 puisse être placé en opposition à l'orifice d'introduction de gaz dudit moyen. Ce dernier présente une structure tubulaire concentrique triple ayant, à partir de l'intérieur, un premier tuyau 109 d'introduction de gaz destiné à introduire des gaz provenant des bouteilles de gaz 101 et 102, un deuxième tuyau 110 d'introduction de gaz destiné à l'introduction de gaz provenant des bouteilles 103 à 105, et un troisième tuyau 111 d'introduction de gaz destiné à introduire des gaz provenant des bouteilles 106 à 108. Pour l'introduction de gaz dans l'espace réactionnel à partir de chaque tuyau d'introduction, chaque position est établie de façon que son écartement de la surface du substrat soit d'autant plus grand que le tuyau est plus proche du côté intérieur. En d'autres termes, les tuyaux d'introduction de gaz sont disposés de façon que le tuyau situé du côté extérieur puisse entourer le tuyau présent à l'intérieur. Les gaz provenant des bouteilles respectives sont amenés aux tuyaux respectifs d'introduction par l'intermédiaire des conduites 123 à 125 d'alimentation en gaz, respectivement. Les tuyaux respectifs d'introduction de gaz, les conduites d'alimentation en gaz et la chambre à vide 120 sont évacués jusqu'au vide par l'intermédiaire d'un robinet principal 119 à vide au moyen d'un dispositif d'évacuation (non représenté). Le substrat 118 est placé à une distance souhaitée convenable des positions des tuyaux respectifs d'introduction de gaz, par déplacement vertical du support 112 de substrat. Dans le cas de la présente invention, la distance comprise entre le substrat et l'orifice d'introduction de gaz des moyens d'introduction de gaz peut être déterminée convenablement en fonction des types et des caractéristiques souhaités du film déposé à former, des débits d'écoulement de gaz, de la pression régnant à l'intérieur de la chambre à vide, etc., mais elle est avantageusement comprise entre quelques millimètres et 20 cm, plus avantageusement entre 5 mm et environ 15 cm. La référence numérique 113 désigne un élément chauffant destiné à chauffer le substrat pour le porter à une température appropriée pendant la formation d'un film, ou à préchauffer le substrat 118 avant la formation du film, ou encore pour recuire le film après qu'il a été formé. L'élément 113 chauffant le substrat est alimenté en énergie par l'intermédiaire d'un film conducteur 114, à partir d'une source 115 d'alimentation. La référence numérique 116 désigne un thermocouple destiné à mesurer la température du substrat (Ts) et connecté électriquement à un dispositif 117 d'affichage de température. La référence numérique 126 désigne un dispositif de génération~ d'un plasma dans la chambre à vide 120, comprenant une électrode destinée à émettre une fréquence et connectée à une source d'alimentation 127 pour la génération de la haute fréquence. La matière gazeuse destinée à fournir des composés contenant des éléments pour l'élargissement de la bande interdite, telle que la substance de détermination de la bande interdite à utiliser dans la présente invention, peut comprendre des composés contenant du carbone, des composés de l'oxygène, des composés de l'azote, etc. En particulier, des. exemples de composés contenant du carbone peuvent comprendre des composés représentés par la formule CnH2n+2 (n étant un nombre par n+2 entier) telsque CH4 C2H6, C3H8, C4 etc., des composés représentés par CnH2n (n étant un nombre entier) tels que C2H4, C3H6, C4H8, etc., des composés tels que C2H2, C6H6, etc. Des exemples de composds contenant de l'oxygène peuvent comprendre des composés tels que 02, C02, NO, NO2, N20, 03, CO, H20, CH30H, CH3CH20H, etc. Des exemples de composés contenant de l'azote peuvent comprendre N2, NH3, N2H5N3, N2H4, NH4N3, etc. Par ailleurs, la matière gazeuse pour fournir des composés contenant des éléments destinés à réduire la bande interdite, telle que la substance de détermination de la bande interdite, peuvent comprendre des composés de germanium en chaîne, des composés d'étain, etc., en tant que composés efficaces. En particulier,-des exemples de composés de germanium en chaîne peuvent comprendre GemH 2m+2 (m=1, 2, 3, 4,5), etc., et des exemples de composés d'étain peuvent comprendre de l'étain hydrogéné tel que SnH4, etc. Dans la présente invention, le procédé de formation d'un film déposé à bande interdite déterminée est essentiellement différent du procédé de formation d'un film déposé à bande interdite non déterminée, mais les deux moyens de formation d'un film déposé peuvent être agencés dans le même appareil pour former un film déposé. Dans ce cas, lorsque l'un des moyens de formation d'un film déposé travaille, l'autre moyen doit être arrêté. Il est en outre possible de raccorder entre eux les deux moyens de formation d'un film déposé par l'intermédiaire d'un robinet d'arrêt, etc., et de procéder à la formation des deux films déposés en continu. La substance déterminant le nombre d'électrons de valence, à utiliser dans le cas de la formation d'un film déposé à électrons de valence déterminés, en tant que l'une des couches constituant une structure multicouche, peut comprendre, dans le cas de films semiconducteurs du type silicium et de films semi-conducteurs du type germanium, une substance de type p, à savoir des composés contenant des éléments du groupe III du tableau périodique, se comportant comme l'impureté dite du type p, telsque B, Al, Ga, In, Tl, etc., et une substance de type n, à savoir des composés contenant des éléments du groupe V du tableau périodique, se comportant comme une impureté dite du type n, tels que N, P, As, Sb, Bi, etc. En particulier, la matière destinée à fournir la substance déterminant les électrons de valence peut comprendre NH3, HN3, N2H5N3, N2H4, NH4N31 4 3 AsH3, 3, SiH?, B2H6, B4H10, B5Hg, Bru,11 B6H1D' B6H12' Al(CH3)3, Al(C2H5)3, Ga(CH3)3, In(CH3)3, et en tant que matières efficaces Ces substances déterminant le nombre d'électrons de valence peuvent être utilisées également comme substances de détermination de la bande interdite en étant ajoutées en grandes quantités. Le substrat à utiliser dans la présente invention peut être électroconducteur ou électriquement isolant, pourvu qu'il soit choisi comme souhaité en fonction de l'utilisation du film déposé formé. Comme substrat électroconducteur, on peut mentionner des métaux tels que NiCr, l'acide inoxydable, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, etc., ou leurs alliages. Comme substat isolant, on peut utiliser classiquement des films ou des feuilles-de résines synthétiques, comprenant des polyesters, poiyéthyle'ne, polycarbonate, acétate de cellulose, polypropylène, polj(chlorure de vinyle), poly(chlorure de vinylidène), polystyrène, polyamides, etc., verre, céramiques et ainsi de suite. Au moins une surface latérale de ces substrats est avantageusement soumise à un traitement la rendant électroconductrice, et il est souhaitable d'appliquer d'autres couches sur la face à laquelle ce traitement électroconducteur a été appliqué. Par exemple, le traitement électroconducteur d'un substrat de verre peut être effectué par l'application d'un mince film -de NiCr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In203, SnO2, ITO (In203 + SnO2) sur ce substrat. En variante, un film de résine synthétique, tel qu'un film de polyester, peut être soumis, sur sa surface, au traitement électroconducteur par déposition de vapeur sous vide, déposition par faisceau d'électrons ou pulvérisation d'un métal tel que NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, etc., ou encore par un traitement de stratification avec de tels métaux, rendant ainsi la surface électroconductrice. On peut façonner le substrat suivant toute forme quelconque, telle que des cylindres, des courroies, des plaques ou autres, et sa forme peut être déterminée comme souhaité. Le substrat doit être avantageusement choisi parmi ceux indiqués ci-dessus en tenant compte de l'adhérence de la réactivité entre le substrat et le film. En outre, si la différence de dilatation thermique entre les deux est grande, des contraintes importantes peuvent être engendrées dans le film et lui donner parfois une mauvaise qualité, et il est donc préférable d'utiliser un substrat tel que la différence de dilatation thermique entre ce dernier et le film soit faible. De plus, l'état de la surface du substrat est lié directement à la structure du film (orientation) ou à la génération de structures en stylet, et il est donc souhaitable de traiter la surface du substrat afin de donner au film une structure et une texture permettant d'obtenir les caractéristiques souhaitées. La couche à former par le procédé PCVD est avantageusement formée par l'utilisation d'un appareil tel qu'il est adapté pour la mise en oeuvre à la fois du procédé FOCVD et du procédé PCVD, comme montré sur la figure 1. Cependant, la couche peut être formée par l'utilisation d'un appareil classique à procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma (PCVD). La figure 5 illustre schématiquement le dispositif destiné à former un film déposé conformément au procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma. La référence numérique 501 désigne une chambre de déposition destinée à former un film déposé et la référence 502 désigne un socle destiné à supporter un substrat 503 placé à l'intérieur de la chambre de déposition. La référence numérique 504 désigne un élément chauffant destiné à chauffer le substrat et alimenté en énergie par l'intermédiaire d'un fil conducteur 505 afin de générer de la chaleur. Les références numériques 506 à 509 désignent des sources d'alimentation en gaz et elles correspondent aux types de gaz comprenant des composés contenant du silicium, de l'hydrogène, des composés halogénés, des gaz inertes et des composés contenant, en tant que constituant, un élément d'impureté pour déterminer la bande interdite. Parmi ces composés de départ, lorsque ceux qui sont liquides à l'état normal sont utilisés, il est prévu un dispositif convenable de gazéification. Sur la figure, les références numériques 506 à 509, désignant les sources d'alimentation en gaz, lorsqu'elles sont suivies par la lettre a, désignent des conduits de branchement, par la lettre b, des débitmètres, par la lattre c, des manomètres destines à mesurer les pressions du côté à haute pression des ddbiter.ètre5 correspondants et par la lettre d ou e, des robinet destinés à régler les débits d'écoulement respectifs des gaz. Les gaz des composés de départ sont introduits par l#intermédiaire du tuyau 510 d'introduction dans la chambre 501 de formation de film. La référence numérique 511 désigne un dispositif de génération d'un plasma et le plasma provenant de ce dispositif 511 agit sur la matière gazeuse de départ s'écoulant dans la direction des flèches afin d'exciter et de décomposer cette matière gazeuse de départ pour former un film déposé, à bande interdite déterminée, sur le substrat 503, par la réaction chimique des composés décomposés. La référence numérique 512 désigne un robinet d'évacuation et la référence 513, un tuyau d'évacuation qui est raccordé à un dispositif d'évacuation (non représenté) pour établir le vide à l'intérieur de l'espace de formation de film. Lorsque, par exemple, un film déposé, à bande interdite déterminée à l'aide d'une substance de détermination de la bande interdite, doit être formé par l'utilisation d'un tel appareil, on place un substrat convenable sur le socle de support et on évacue l'intérieur de la chambre de formation du film jusqu'à une pression réduite par l'intermédiaire du tuyau d'évacuation et au moyen d'un dispositif d'évacuation (non représenté). Ensuite, le substrat étant chauffé, si cela est souhaité, des matières gazeuse de départ, telles que SiH4, H2, etc., et les matières gazeuses de départ pour la substance déterminant la bande interdite, telles que 2' GeH4, CH4, etc., sont introduites à partir des bouteilles d'alimentation en gaz et par l'intermédiaire du tuyau 510 d'introduction de gaz dans la chambre 501 de formation du film, et un plasma est généré dans cette chambre par le dispositif générateur de plasma, la pression à l'intérieur de l'espace de formation du film étant maintenue à une valeur prédéterminée afin qu'il se forme un film déposé, à bande interdite déterminée, sur le substrat 503. A présent, on décrira en détail la production d'une pile solaire, d'un dispositif photosensible pour électrophotographie et d'un transistor à couches minces (appelé ci-après TCM), conformément à l'invention. Exemple 1 La figure 2 illustre schématiquement un exemple de la pile solaire produite conformément à l'invention. Sur cette figure, il est formé sous la forme d'un stratifié, sur un substrat 200 de verre, une électrode tranparente (non représentée), une couche 201 de carbure de silicium amorphe de type p (première couche d'une épaisseur de 30 nanomètres), une couche 202 de silicium amorphe de type i (deuxième couche d'une épaisseur de 1 #m), une couche 203 de silicium amorphe de type n (troisième couche d'une épaisseur de 20 nanomètres) et une électrode 204 d'Al. Pour déposer la couche 201 de carbure de silicium amorphe de type p, le SiH4 gazeux contenu dans la bouteille 101 est introduit à un débit d'écoulement de 20 cm3/min, dans les conditions normales, au moyen du tuyau 109 d'introduction de gaz, du B2H6/He gazeux (concentration de B2H6 égale à 10 000 millionièmes) contenu dans la bouteille 103 est introduit à un débit d'écoulement 3/min et du CH4 gazeux contenu dans la bouteille 105 est introduit à un débit d'écoulement de 100 cm3/min au moyen du tuyau 110 d'introduction de gaz, et du He gazeux contenu dans la bouteille 107 est introduit à un débit d'écoulement de 20 cm3/min au moyen du tuyau 111 d'introduction de gaz, tous ces gaz étant introduits dans la chambre à vide 120.Du plasma est généré par l'appli- cationd'une haute fréquence (13,56 MHz, puissance efficace de sortie de 30 W) à l'électrode 126 afin qu'elle émette une haute fréquence. Dans le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, une couche 201 de carbure de silicium amorphe de type p, à bande interdite élargie par le carbone, est formée. C'est la raison pour laquelle l'effet de fenêtre est accru pour améliorer le rendement de la conversion photoélectrique. La couche 202 de silicium amorphe de type i et la couche 203 de silicium amorphe de type n sont déposées par mélange et mise en réaction d'une matière gazeuse de départ pour la formation d'un film déposé et d'un oxydant gazeux contenant un halogène, ayant pour propriété de produire une action d'oxydation sur la matière de départ, dans la chambre à vide 120 (les dépositions s'effectuant par le procédé FOCVD). Autrement dit, dms le cas de la couche 202 de silicium amorphe de type i, du SiH4 gazeux contenu dans la bouteille 101 est introduit à un débit d'écoulement de 30 cm3/min, dans des conditions normales, au moyen du tuyau 109 d'introduction de gaz, du F2 gazeux contenu dans la bouteille 106 est introduit à un débit d'écoulement de 20 cm3/min et du He gazeux contenu dans la bouteille 107 est introduit à un débit d'écoulement de 3 100 cm3/min au moyen du tuyau 111 d'introduction de gaz, dans la chambre à vide 120. Au cours de cette opération, la pression à l'intérieur de la chambre à vide 120 est maintenue à 93,1 Pa par réglage de l'ouverture du robinet à vide 119. La distance comprise entre le tuyau 111 d'introduction de gaz et le substrat est réglée à 3 cm. Dans la zone de mélange du SiH4 gazeux et du F2 gazeux, une forte luminescence blanc bleuté est observée. Dans le cas de la couche 203 de silicium amorphe de type n, du SiH4 gazeux contenu dans la bouteille 101 est introduit à un débit d'écoulement 3 de 20 cm /min dans des conditions normales, au moyen du tuyau 109 d'introduction de gaz, du PH3/He gazeux contenu dans la bouteille 104 (concentration de PH3 égale 81000 milimiemes)~est introcfiit à un débit d'écoulement de 3 3 cm3/min au moyen du tuyau 110 d'introduction de gaz, du F2 gazeux contenu dans la bouteille 106 est introduit à un débit d'écoulement de 15 cm3/min et du He gazeux contenu dans la bouteille 107 est introduit à un débit d'écoulement de 80 cm /min au moyen du tuyau 111 d'introduction de gaz, dans la chambre à vide 120.La pression dans la chambre à vide 120 est réglée à 53,2 Pa par réglage de l'ouverture du robinet à vide 119. Lors de la formation des couches respectives, la température du substrat est réglée à 2500C. La pile solaire ainsi obtenue présente un rendement de conversion photo-#électrique supérieur de 18 % à celui du produit de l'art antérieur. Exemple 2 La figure 3 illustre schématiquement un exemple d'un élément de formation d'image pour électro- photographie produit conformément à l'invention. Sur cette figure, on forme sur un substrat 300 d'Al un stratifié comprenant une couche 301 de prévention de réflexion de la lumière (première couche, de germanium ou de silicium amorphe, à bande interdite déterminée par Ge, d'une épaisseur de 0,5 um), une couche 302 de prévention d'injection de charge (deuxième couche de silicium amorphe dopé avec du bore, d'une épaisseur de 0,5 #m), une couche photosensible 303 (troisième couche de silicium amorphe d'une épaisseur de 18 m), une couche superficielle de protection et une couche 304 d'accroissement de l'absorption de la lumière (quatrième couche de carbure de silicium amorphe, à bande interdite déterminée par C, d'une épaisseur de 0,1 Wm). L'élément de formation d'image tel que décrit ci-dessus a été produit à l'aide de l'appareil destiné à former un film déposé, montré sur la figure 1, dans les conditions de formation de film illustrées sur le T-a#leau#I. L'élément de formation d'image pour électrophotographie obtenu dans cet exemple s'est avéré présenter des caractéristiques de charge augmentées de 25 DO ou plus, une réduction d'environ 10 o du nombre de défauts de l'image et aussi une amélioration de sensibilité de 15 Ó ou plus en comparaison avec le produit de l'art antérieur. TABLEAU I (Tespérature du substrat: 250 C Structure Matière Débit Procédé de Pression des Matière Pression (Pa) SiH4 SiH4 30 39,9 couche 4 a-SiGe PCVD 5 He 20 SiH4 39,9 couche 4 PCVD type p N20 He 25 roisiRme S iH4 80 FOCVD 106 , 4 F2 F2 50 He 50 temple 3 La figure 4 illustre schématiquement un exemple de TCM selon l'invention. Sur cette figure, on forme sur un substrat de verre 400, une couche 401 de silicium amorphe (première couche d'une épaisseur de 800 nanomètres), une couche 402 de silicium amorphe dopé au phosphore à une concentration élevée (deuxième couche d'une épaisseur de 80 nanomètres), une couche isolante 403 (troisième couche d'une épaisseur de 200 nanomètres) et une électrode 404 de gachette, et des électrodes de source et de drain 405 et 405' en Al. Le TCM tel que décrit ci-dessus est préparé par l'utilisation de l'appareil destiné à former un film déposé tel que montré dans l'exemple 1, dans les conditions indiquées dans le tableau Il. Le TCM préparé dans cet exemple présente un rapport de résistance état passant/état coupé amélioré d'environ 13 % en comparaison avec le produit de l'art antérieur. TABLEAU Température du substrat : 3000C Structure Matièrede Débit Procédé de Pression des départ d'écou- déposition (Pa) couches lement (cnr/nmi Première 20 MCVD 93,1 couche F2 15 Deuxième SiH4 15 FOCVD 79,8 couche ~ ~ ~ PH3/He 3 couche C 2H4 50 PCVD He 100 Comme décrit en détail précédemment, la présente invention permet d'économiser de l'énergie tout en pouvant produire un dispositif électronique comportant un film déposé qui présente des caractéristiques physiques uniformes sur une grande surface, avec une gestion aisée de la qualité du film. De plus, on peut obtenir aisément un dispositif électronique à structure multicouche ayant d'excellentes caractéristiques physiques telles que les caractéristiques électriques, optiques, semi-conductrices, etc., avec une grande productivité et en grande série. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de production d'un dispositif électronique à structure multicouche comprenant une ou plusieurs couches minces semi-conductrices (201, 202, 203 301, 302, 303, 304 ; 401, 402, 403), à bande interdite déterminée, formées sur un substrat (200 ; 300 ; 400), caractérisé en ce qu'il consiste à former au moins l'une desdites couches minces semi-conductrices, à bande inte#rdite. #détermin#e, par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma et à former au moins l'une des autres couches constitutives par le procédé qui consiste à introduire une matière gazeuse de départ pour la formation d'un film déposé et un oxydant gazeux contenant un halogène, ayant pour propriété de produire une action d'oxydation sur la matière de départ, dans un espace réactionnel, afin d'établir un contact chimique entre la matière gazeuse et l'oxydant gazeux pour former ainsi un certain nombre de précurseurs comprenant un précurseur dans un état excité, et à transférer au moins l'un de ces précurseurs dans un espace de formation de film, communiquant avec l'espace réactionnel, le précurseur constituant une source d'alimentation pour l'élément constitutif du film déposé. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la mince couche semi-conductrice à bande interdite déterminée est un film déposé du type tétraédrique. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière gazeuse de départ est un composé du type silane à chaîne. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le composé du type silane à chaîne est un composé du type silane à chaîne droite. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le composé du type silane à chaîne droite est représenté par la formule SinH2n+2, n étant un entier de 1 à 8. 6. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le composé du type silane à chaîne est un composé du type silane à chaîne ramifiée. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière gazeuse de départ est un composé du type silane présentant une structure cyclique de silicium. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière gazeuse de départ est un composé de germanium en chaîne. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le composé de germanium en chaîne est représenté par la formule GemH2m+2, m étant un entier de 1 à 5 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière gazeuse de départ est un composé du type tétraèdre. 11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'oxydant gazeux contenant un halogène contient un halogène gazeux. 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'oxydant gazeux contenant un halogène contient du fluor à l'état gazeux. 13. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'oxydant gazeux contenant un halogène contient du chlore à 1'état gazeux. 14. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'oxydant gazeux contenant un halogène est un gaz contenant des atomes de fluor en tant qu'élément constitutif. 15. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'oxydant gazeux contenant un halogène contient un halogène à l'état naissant. 16. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est placé dans une position opposée à la direction dans laquelle la matière gazeuse de départ et l'oxydant gazeux contenant un halogène sont introduits dans ledit espace réactionnel. 17. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une matière gazeuse destinée à fournir une substance déterminant la bande interdite est introduite dans ledit espace réactionnel. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la matière gazeuse est choisie parmi des composés contenant du carbone, des composés contenant de l'oxygène et des composés contenant de l'azote. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que la matière gazeuse choisie est l'une des matières choisies dans le groupe constitué de CH4, 2 C3H8', C4H10, C2H4, C3H6, C4H8, C2H2, C6H6, o CO 2 03, CO, H201 CH30H, CH3CH20H, N2, NH3, N2H5N3, N2H4 et NH4N3. 20. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une matière gazeuse destinée à fournir une substance déterminant le nombre d'électrons de valence est introduite dans ledit espace réactionnel. 21. Dispositif électronique, caractérisé en ce qu'il est produit par le procédé selon la revendication 1.