Brevet FR2590406A1 — publié le 19870522

PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES A GRILLE AUTO-ALIGNEE PAR RAPPORT AU DRAIN ET A LA SOURCE DE CELUI-CI. La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un transistor en couches minces à grille auto-alignée par rapport au drain et à la source de celui-ci. D'une façon générale, elle permet la fabrica- tion des composants semi-conducteurs en couches minces pouvant servir au multiplexage de tels composants dispo- sés sous forme matricielle, ainsi qu'à la réalisation de dispositifs à transfert de charge (DTC en abrégé). Plus particulièrement, elle permet la fabri- cation de transistors en couches minces pouvant servir en optoélectronique à la réalisation de matrices actives pour les écrans plats à cristaux liquides. On connaît déjà bon nombre de procédés de fabrication de transistors en couches minces (TCM en abrégé), pour lesquels deux types de techniques sont essentiellement utilisés: la technique "grille dessus" o la grille est réalisée en dernier sur la structure semi-conductrice et la technique "grille dessous" o la grille est réalisée en premier sur le substrat. La première technique, décrite par OKADA et al. et publiée dans "Electronics Letters" 21, N 15, p.633, utilise un procédé microélectronique du silicium monocristallin pour l'implantation ionique. Malheureu- sement, cette technique est trop lourde pour la réalisa- tion de TCM destinés à être utilisés dans la fabrication d'écrans d'affichage plat à grande surface. La publication du brevet français FR-A-2 553 579 et intitulé "Procédé de fabrication d'un transistor en film mince à grille auto-alignée" illustre la seconde technique qui offre les meilleures caractéristiques pour La fabrication de composants servant à La réaLisation de matrices actives pour les écrans plats à cristaux liqui- des. Dans ce procédé de fabrication de TCM, les phases d'irradiation et de développement de la résine sont suivies d'un dépôt d'une couche de silicium amorphe + hydrogéné de type n effectué à une température basse, de l'ordre de 120 C pour ne pas provoquer un fluage trop important de la couche de résine, laquelle sert de mas- que au dépôt. Mais, ce dépôt à basse température a l'in- convénient de conduire à un matériau et une interface silicium amorphe hydrogéné/silicium amorphe hydrogéné + de type n, de mauvaise qualité. La présente invention a justement pour objet un procédé de fabrication d'un TCM permettant de remé- dier à ces inconvénients. Elle utilise la technique "grille dessous" et permet notamment de réaliser des matériaux et des interfaces isolant/première couche de silicium et première couche de silicium/seconde couche de silicium de qualité supérieure à celle des matériaux obtenus par les techniques précédentes. De façon plus précise, l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un transistor en cou- ches minces à grille auto-alignée par rapport au drain et à la source de celui-ci comprenant dans l'ordre les étapes de: - réalisation sur un substrat de la grille du transis- tor, - dépôt d'une couche d'isolant sur le substrat et la grille, - dépôt d'une première couche de silicium amorphe hydro- géné sur la couche d'isolant, - dépôt d'une seconde couche de silicium amorphe hydro- + géné de type n sur la première couche de silicium, et - réalisation du drain et de La source du transistor, caractérisé en ce que l'on dépose de façon successive la couche d'isolant, la première et la seconde couches de silicium dans une même étape sous vide à une température de l'odre de 300 C. De façon avantageuse, la première couche de silicium amorphe hydrogéné présente une épaisseur infé- rieure ou égale à 100 nm. Les résistances d'accès du transistor, préju diciables au fonctionnement des TCM réalisés dans du si- cilium amorphe hydrogéné parce qu'elles introduisent une augmentation du temps de réponse du composant et une diminution du courant "on", varient de façon connue d'une part comme l'épaisseur de la couche de silicium a la puissance 3 et, d'autre part, comme la surface de recouvrement de la gilLe du TCM par les électrodes du drain et de la source de celui-ci. L'utilisation, selon l'invention, d'une épaisseur de couche de silicium amorphe hydrogéné, envi- ron trois fois plus mince que dans une structure classi- que (100 nm selon l'invention au lieu de 300 nm classi- quement) réduit par conséquent Le recouvrement nécessai- re de la grille du TCM par rapport à la source et au drain de celui-ci, d'un facteur égal à 27 (33) sans al- térer les performances du TCM. Le développement de la résine après une irra- diation homogène à travers le substrat, la grille ser- vant de masque à ladite irradiation fait apparaître un léger décrochement par rapport au droit de la grille de largeur proportionnelle, de façon connue, à la longueur d'onde de l'irradiation divisée par deux, soit selon un exemple préférentiel de l'invention 0,45 um/2 = 0,225 pm. Ce léger décrochement est le siège du recou- vrement ultérieur de la grille du TCM par La source et le drain de celui-ci. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif mais non limitatif, en référence aux figures I à 4 annexées, qui illustrent les différentes étapes du orocédé selon l'invention. Comme représenté sur la figure 1, La première étape du procédé consiste à réaliser, sur un substrat en verre 2, la grille 4 du transistor en utilisant Les pro- cédés classiques de la photolithographie sous vide (mas- quage et gravure). Cette grille 4, présentant par exem- pie une épaisseur de 100 nm, est réalisée de préférence en chrome. On dépose ensuite, sur le substrat 2 et La grille 4 du transistor, une couche d'isolant 6, réalisée de préférence en oxyde de silicium. Cette couche d'iso- lant présentant par exemple une épaisseur de 120 nm peut être obtenue par La technique de dépôt chimique en phase vapeur, à basse pression ou non, ou bien par la techni- que de décharge luminescente, dans un appareil à radio- fréquence, en utilisant un mélange gazeux de SiH4 et de 2 Toutefois, quelle que soit la technique utilisée, la température de dépôt est de préférence de l'ordre de 3000 C. On dépose ensuite et dans le même vide, sur la couche d'isolant 6, une couche de silicium amorphe hydrogéné 8 présentant avantageusement une épaisseur va- riant de 50 nm à 100 nm. De préférence, l'épaisseur de la couche de silicium est voisine de 80 nm et la tempé- rature de dépôt de l'ordre de 300 C. Cette couche de silicium peut être obtenue par la technique de décharge luminescente en utilisant le gaz SiH4. Sur l'ensemble de la structure, on dépose en- suite et dans le même vide, une couche de silicium amor- + phe 10 de type n, hydrogéné ou non, présentant par exemple une épaisseur de 15 nm. Cette couche de silicium 10, déposée par la même technique et dans les mêmes conditions de dépôt que Le silicium amorphe hydrogéné, permet La réalisation de contacts ohmiques pour la source et le drain du TCM. L'une des étapes nouveLLes et essentieLLes de L'invention par rapport à L'enseignement de La publica- tion FR-A-2 553 579 est ce dépôt successif de la couche d'isolant, de la première et de la seconde couches de silicium dans une même étape sous vide à une température de l'ordre de 300 C. L'étape suivante du procédé consiste à dépo- ser, sur la couche de silicium amorphe hydrogéné de type + n 10, une couche de résine photosensible positive 12, sensible à la lumière ayant une longueur d'onde de l'or- dre de 450 nm. Cette couche de résine peut être notam- ment déposée par centrifugation. Comme résine, on peut utiliser des résines à base de phénolformaldéhyde comme celle vendue par la Société HUNT sous La référence HPR 204. Comme représenté sur la figure 2, la couche de résine photosensible 12 est ensuite irradiée à travers le substrat 2, la grille 4 servant alors de masque à l'irradiation. L'utilisation d'une résine sensible dans le visible permet de diminuer la durée de L'irradiation. Le développement de la couche de résine permet de ne garder de cette couche que la zone 12a, située presque au droit de la grille du transistor, les zones irradiées étant éliminées. Le retrait de la résine ne se fait pas au droit de la grille mais avec un léger décrochement 11 de largeur proportionnelle de façon connue, à La Longueur d'onde de l'irradiation divisée par 2, soit dans L'exem- ple décrit une largeur de l'ordre de 0,225 pm. Ce Léger décrochement 11 est le siège du - recouvrement ultérieur de La grille du TCM par La source et le drain de celui-ci. Comme représenté sur la figure 3, on dépose ensuite sur l'ensemble de la structure une couche con- ductrice 14, présentant par exemple une épaisseur de nm, et obtenue par dépôt, par exempLe par évapora- tion sous vide ou par pulvérisation cathodique. La cou- che conductrice 14 est décomposée en deux parties: la première partie 14a recouvrant la seconde couche de si- Licium 10 non occupée par la résine restante 12a et la seconde partie 14b recouvrant la résine restante 12a. Comme représenté sur la figure 4, au moyen de la technique connue sous l'expression anglo-saxonne "Lift-off", on élimine la résine restante 12a et la cou- che conductrice 14b déposée sur cette dernière. On réalise, dans la couche conductrice restan- te 14a, les électrodes de la source et du drain du tran- sistor par les procédés classiques de photolithographie (masquage et gravure). On grave ensuite la couche de silicium amorphe + hydrogéné de type n jusqu'à mise à nu de la couche de silicium amorphe hydrogéné par ces mêmes procédés de photolithographie o le masque de la gravure est ici défini par les électrodes du drain et de la source du TCM. De cette gravure, qui attaque chimiquement la se- conde couche de silicium située dans le canal du TCM, il ne reste qu'une couche de silicium 10a. Le procédé décrit précédemment permet d'ali- gner la grille par rapport à La source et au drain du transistor; mais il ne permet pas d'obtenir une struc- ture électriquement coplanaire comme celle obtenue dans les transistors MOS, dans laquelle le canal du transis- tor et les électrodes du drain et de la source sont situés dans le même plan. L'emploi d'une couche de silicium amorphe hy- drogéné mince permet toutefois de réduire les résistan- ces d'accès du transistor. Enfin, le procédé de l'inven- tion améliore la qualité des matériaux déposés et ne présente pas d'étapes critiques. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un transistor en couches minces à grille autoalignée par rapport à la source et au drain de celui-ci, comprenant dans l'ordre les étapes suivantes: - réalisation sur un substrat (2) de La grille (4) du transistor, - dépôt d'une couche d'isolant (6) sur Le substrat (2) et la grille (4), - dépôt d'une première couche de silicium amorphe hydro- géné (8) sur la couche d'isolant (6), - dépôt d'unbe seconde couche de silicium amorphe hydro- + géné de type n (10) sur la première couche de sili- cium (8), - réalisation du drain et de la source du transistor, caractérisé en ce que l'on dépose, de façon successive, la couche d'isolant (6), la première (8) et la seconde (10) couches de silicium dans une même étape sous vide à une température de l'ordre de 300'C. 2. Procédé de fabrication selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de La première couche de silicium amorphe hydrogéné (8) est de 50 à nanomètres.