Brevet FR2587731A1 — publié le 19870327

La présente invention concerne la formation de couches minces uniformes sur de nombreux substrats plans. Plus particulièrement, l'invention se rap- porte à un procédé de formation d'une couche mince uniforme en épaisseur et en composition sur de nom- breux substrats plans en une seule opération de dépôt chimique à partir d'un mélange gazeux réactif et à un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé. Les mécanismes physico-chimiques qui régis- sent les conditions de dépôt chimique à partir d'un mélange gazeux réactif sont de mieux en mieux connus. Les différentes étapes susceptibles de régler le pro- - cessus de dépôt sont principalement le transfert de masse en phase gazeuse et la cinétique chimique homo- gène et surtout hétérogène. Lorsque le transfert en phase gazeuse est intrinsèquement plus rapide que la cinétique chimique, des conditions d'écart important à l'équilibre sont établies à l'interface gaz-solide, ces conditions conduisant à un dépôt de solides amor- phes ou polycristallins. Ces conditions sont favora- bles à l'obtention de couches déposées homogènes en épaisseur et en composition sur de grandes surfaces. Dans le cas contraire, lorsque la cinétique chimique hétérogène devient intrinsèquement plus rapide que le transfert en phase gazeuse, des condi- tions se rapprochant des conditions d'équilibre hété- rogène à l'interface gaz-solide sont obtenues qui conduisent à un dépôt de solides monocristallins. Ces conditions sont très défavorables à l'obtention de couches minces d'épaisseur uniforme et de composition constante sur de grandes surfaces. Les difficultés rencontrées proviennent des variations de composition de la phase gazeuse en divers points de la surface l d'un ou de nombreux substrats, ces variations étant dues aux conditions variables de transport en phase gazeuse, à l'appauvrissement en réactifs et à l'enri- chissement en produits de réaction. On connait dans l'état de la technique une solution à ce problème. Cette solution consiste à com- penser l'appauvrissement en réactifs par une augmenta- tion de la vitesse des gaz avec la distance parcourue dans un réacteur, ceci étant obtenu, par exemple, par un rétrécissement progressif d'une veine gazeuse. Les dispositifs de mise en oeuvre de cette solution sont bien connus. Ce sont les réacteurs tubulaires horizon- taux avec inclinaison du suscepteur et les réacteurs cylindriques verticaux avec suscepteur en forme de py- ramide tronquée à n faces. Il s'agit alors de réac- teurs à parois froides et les substrats plans sont placés sur les suscepteurs qui sont chauffés par in- duction ou par rayonnement. Les principaux inconvénients de ces disposi- tifs proviennent de la limitation nécessaire du rende- ment en réactifs transformés en solide déposé, pour que les vitesses de dépôt soient égales sur tous les substrats, d'une limitation de la surface totale revê- tue due au même problème d'uniformité, mais aussi au coût énergétique élevé de tels réacteurs à parois froides. Des problèmes d'uniformité en composition ou en dopage sont également inhérents aux techniques mi- ses en oeuvre par ces dispositifs. Le but de l'invention est donc de résoudre les problèmes évoqués ci-dessus. A cet effet, la présente invention a pour objet un procédé de formation de couches minces uni- formes en épaisseur et composition sur de nombreux substrats plans par dépôt chimique à partir d'un mé- lange gazeux réactif, caractérisé en ce qu'on effectue le traitement dans un espace réactif compris entre des parois extérieures chaudes sur lesquelles sont placés les substrats et mobiles en rotation autour d'un in- jecteur-éjecteur de gaz intérieur de forme générale cylindrique, fixe et refroidi, de façon que chaque substrat positionné sur les parois extérieures, ait une position équivalente, pendant le dépôt, par rap- port à l'entrée et a la sortie des gaz de l'espace réactif, la pression totale dans l'espace réactif étant au plus égale à la pression atmosphérique et la température des substrats revêtus étant maintenue constante pendant le traitement, en régulant la tempé- rature des parois extérieures. Selon une autre caractéristique du procédé selon l'invention, plusieurs couches minces uniformes en épaisseur et en composition sur de nombreux subs- trats plans sont déposées successivement en changeant la composition du mélange gazeux réactif et éventuel- lement la pression totale et la température des subs- trats. Selon une autre caractéristique du procédé selon l'invention, les changements de composition du mélange gazeux réactif sont séparés par l'introduction dans l'espace réactif d'un gaz réducteur ou inerte seul et/ou par une opération de pompage. Selon un autre aspect, la présente invention a également pour objet un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé tel que défini précédemment. carac- térisé en ce qu'il comprend une enceinte cylindrique étanche, d'axe horizontal, des moyens de chauffage disposés autour de cette enceinte, un porte-substrats, de paroi extérieure cylindrique, disposé dans ladite enceinte et dont la paroi intérieure, destinée à rece- voir les substrats plans constitue un prisme droit ré- gulier, ledit porte-substrats étant entraîné en rota- tion par des moyens d'entraînement autour d'un injec- teur-éjecteur de gaz, fixe et refroidi, de forme géné- rale cylindrique, et disposé à l'intérieur du porte- substrats, comprenant un premier cylindre permettant d'injecter le mélange gazeux dans un espace réactif délimité par le porte-substrats et l'injecteur-éjec- teur de gaz, par une série d'ouvertures centrées sur la génératrice la plus basse dudit premier cylindre et un second cylindre disposé autour du premier cylindre et concentrique à celui-ci, permettant d'évacuer là mélange gazeux de l'espace réactif, par une série. d'ouvertures centrées sur la génératrice la plus haute dudit second cylindre, ce second cylindre comprenant des canaux dans lesquels circule un fluide de refroi- dissement, les sections cylindriques de l'injecteur- - eéjecteur de gaz et les ouvertures des premier et se- cond cylindres étant telles que le rapport entre la surface des sections cylindriques et la somme des sur- faces des ouvertures, soit toujours au moins supérieur à deux. L'invention sera mieux comprise à l'aide de la description qui va suivre donnée uniquement à titre d'exemple et faite en se référant aux dessins annexés sur lesquels: - la Fig. 1 est une vue schématique générale d'un dispositif selon l'invention; - la Fig. 2 représente une vue en coupe suivant la ligne A-A de la Fig. 1; - la Fig. 3 représente schématiquement un injecteur entrant dans la constitution d'un dispositif selon l'invention; - la Fig. 4a représente un développement de la surface prismatique interne d'un porte-substrats entrant dans la constitution d'un dispositif selon l'invention; - les Fig. 4b et 4c représentent respective- ment des vues en coupe suivant les lignes B-8 et C-C du porte-substrats représenté sur la Fig. 4a; - la Fig. 4d représente une vue à échelle agrandie d'un détail des Fig. 4a, 4b et 4c; et, - la Fig. 5 représente une vue schématique en coupe d'une variante de réalisation d'un injecteur- éjecteur et d'un porte-substrats entrant dans la cons- titution d'un dispositif selon l'invention. Comme on peut le voir sur la Fig. 1, un dis- positif selon l'invention comporte une enceinte étan- che 1 d'axe horizontal X-X comprenant une première partie cylindrique 2 autour de laquelle sont disposés des moyens de chauffage 3. Ces moyens de chauffage 3 sont montés déplaçables suivant l'axe X-X par rapport à ladite enceinte de façon à dégager la première par- tie cylindrique 2 de celle-ci et ainsi donner accès à cette partie cylindrique. L'enceinte 1 comporte éga- lement une seconde partie cylindrique 4 sur laquelle est fixée de manière amovible la première partie cy- lindrique 2 de sorte que cette première partie cylin- drique peut être déplacée horizontalement pour dégager les éléments qui sont disposés à l'intérieur de celle- ci. Les moyens de chauffage 3 sont constitués par un inducteur connecté à un générateur haute fréquence. par un four chauffé par résistance ou par des moyens de chauffage par rayonnement. Ces moyens de chauffage sont commandés de manière classique pour réguler la température de la première partie de l'enceinte. Un porte-substrats 5 présentant une paroi extérieure cylindrique est rendu solidaire d'un organe cylindrique 6 par l'intermédiaire de tiges métalliques 7 également fixées de manière amovible sur celui-ci, en 8. Le porte-substrats 5 peut avantageusement être constitué de graphite revêtu ou non de carbure de silicium. L'organe cylindrique 6 et donc les éléments qui en sont solidaires, c'est-à-dire le porte-substrat par l'intermédiaire des tiges 7, sont montés i rota- tion à l'intérieur de la partie cylindrique 2 de l'en- ceinte par exemple par l'intermédiaire de galets 9 et d'une couronne dentée 10 solidaire de l'organe cylin- drique 6 coopérant avec une roue dentée 11 solidaire d'un arbre 12 monté à rotation dans un palier étanche 13 ménagé dans une des parois de la seconde partie cylindrique 4 de l'enceinte. Cet arbre 12 est relié à des moyens mécaniques appropriés qui peuvent être constitués par tout moyen d'entrainement connu, de façon à imprimer un mouvement de rotation à l'ensem- ble. Le dispositif selon l'invention comporte également un injecteur-éjecteur de gaz 14 dont une ex- trémité est placée à l'intérieur du porte-substrats et dont l'autre extrémité est fixée sur la seconde partie cylindrique 4 de l'enceinte. Il est à noter que cet injecteur-éjecteur de gaz traverse l'organe cylindri- que 6 sur lequel est fixé le porte-substrats 5. Il est également à noter que cet injecteur-éjecteur de gaz présente une forme générale cylindrique et est coaxial au porte-substrats. Cet injecteur-éjecteur présente, à son extrémité opposée à son extrémité disposée à l'in- _ --térieur du porte-substrats 5. des moyens 15 de type connu permettant d'introduire des mélanges réactifs 16 à l'intérieur de cet injecteuréjecteur de gaz et i l'intérieur d'un espace réactif 17 comme cela sera dé- crit plus en détail par la suite, cet espace réactif étant délimité en outre par le porte-substrats 5 et l'injecteur-éjecteur de gaz 14. D'autre part, ces moyens 15 permettent également de pomper des gaz 18 de cet espace réactif et de faire circuler un fluide de refroidissement 19, comme cela sera décrit par la suite, à l'intérieur de l'injecteur-éjecteur. La partie de cet injecteur-éjecteur 14 dis- posée à l'intérieur du porte-substrats 5 comporte deux flasques 20 et 21 délimitant, avec le porte-substrats et la'partie cylindrique correspondante de l'injec- teur-éjecteur. l'espace de réaction 17 dans lequel s'effectuera le traitement et éventuellement un passa- ge de gaz réducteur ou inerte additionnel introduit au-delà du flasque 21 dans la première partie cylin- drique de l'enceinte, ce gaz étant alors évacué par une ouverture 20a ménagée dans la seconde partie cy- lindrique de celle-ci. Selon une variante de réalisation du dispo- sitif selon l'invention, les flasques 20 et 21 sont indépendants de l'injecteur-éjecteur de gaz 14. Ces flasques sont alors fixés sur le porte-substrats 5 qui est dans ce cas totalement fermé à son extrémité oppo- sée à celle par laquelle l'injecteur-éjecteur de gaz pénètre dans ce porte-substrats. Il est à noter qu'une jauge de pression 22 peut également être prévue sur la seconde partie cylindrique de l'enceinte de façon à déterminer la pression régnant à l'intérieur de celle- ci. Il est également à noter que la première partie de l'enceinte dont l'une des extrémités commu- nique avec la seconde partie de celle-ci, est fermée à son autre extrémité. D'autre part, le dispositif comporte des moyens que l'on recontre habituellement dans ce genre d'appareils et qui ne sont pas représentés sur cette figure. Ces moyens peuvent être constitués par exemple par un dispositif de régulation de température des moyens de chauffage 3 ou du porte-substrats 5, un sys- tème de mesure et de régulation des débits gazeux, un système de piégeage et de pompage associé à une régu- lation de pression commandée par la jauge 22 et divers accessoires de type connu nécessaires à l'utilisation de gaz dangereux dans les dispositifs de dépôt chimi- que. Selon une variante de réalisation du dispo- sitif selon l'invention, l'extrémité de la première partie cylindrique de l'enceinte, opposée à celle qui est fixée sur la seconde partie de celle-ci, communi- que avec un poste de chargement permettant de manipu- ler et de charger les substrats sur le porte-subs- trats, comme cela sera décrit par la suite. Ainsi qu'il est représenté sur la Fig. 2, le porte-substrats 5 présente une paroi extérieure cylin- drique et une paroi intérieure prismatique de façon à pouvoir supporter des substrats plans 23 sur chacune de ses faces. L'injecteur-éjecteur de gaz 14 comporte un cylindre extérieur 24 et un cylindre intérieur 25. Le cylindre intérieur 25 par lequel arrive le mélange réactif 16 présente une série d'ouvertures 26 ménagées sur la génératrice la plus basse dudit cylindre inté- rieur par lesquelles le mélange réactif est introduit dans l'espace réactif 17. A cet effet, le cylindre ex- térieur 24 présente une partie évasée 27 prolongeant ces ouvertures en direction de l'espace réactif. Le cylindre extérieur 24 présente également une série d'ouvertures 28 ménagées sur la génératrice la plus haute de ce cylindre et permettant l'évacua- tion du mélange réactif 18 de l'espace réactif 17. Ce cylindre extérieur comporte également des canaux 29 dans lesquels circule un liquide de refroidissement 19. Une réalisation d'un tel dispositif a permis de positionner neuf substrats de 76,2 mm de diamètre dans un polygone inscrit dans un cercle de 25 cm de diamètre. Des diamètres différents et notamment plus grands peuvent être utilisés sans pour cela sortir du cadre de l'invention. Il est en particulier avantageux d'opérer avec des prismes réguliers, d'un nombre de faces élevé de façon que le côté du polygone soit aussi petit que possible par rapport au diamètre du cercle dans lequel ce polygone s'inscrit. Celà permet à la fois d'augmenter le nombre de substrats, le ren- dement du processus de dépôt et d'approcher des conditions d'écoulement dans un cylindre. Le diamètre de l'injecteur-éjecteur est évidemment modifié en conséquence. D'autre part, la vitesse de rotation du por- te-substrats 5 est choisie en fonction des conditions de dépôt chimique à partir de la phase gazeuse. Lors- que la vitesse de déplacement des substrats est très inférieure à la vitesse d'écoulement des gaz, un seul sens de rotation du porte-substrats est employé. Ce- pendant, il est nécessaire que la vitesse de rotation de celui-ci soit suffisante pour que l'épaisseur dépo- sée à chaque tour soit faible par rapport à l'épais- seur totale de la couche, de façon à: - obtenir des vitesses de dépôt égales sur tous les substrats, - minimiser les différences de concentration dans l'épaisseur du dépôt, dans le cas d'un dopage ou d'un dépôt d'un alliage; les variations éventuelles de composition du solide déposé en des points situés à des distances différentes de l'entrée des réactifs, qui se retrouvent sur un substrat à chaque tour, seront donc d'autant plus facilement éliminées par diffusion dans le solide. Tous les substrats ayant une position équi- valente, par rapport à l'entrée et à la sortie des mélanges gazeux réactifs, en moyenne pendant le dépôt et les critères ci-dessus étant respectés, l'invention permet d'augmenter de façon importante le rendement en réactif transformé en solide par rapport aux techni- ques connues o les positions ne sont pas équivalentes et ceci sans affecter l'homogénéité des couches de substrat à substrat. Il est également à noter que l'écoulement de la phase gazeuse s'effectue sur un même substrat dans deux directions opposées à chaque tour, correspondant aux phases ascendante et descendante du substrat, ce qui permet, avec l'appoint en général non nécessaire d'un contrôle de la vitesse de dépôt en face de l'in- jecteur, d'homogénéiser parfaitement l'épaisseur dépo- sée sur chaque substrat. Un transfert élevé de masse en phase gazeuse est obtenu en face du jet lorsqu'une surface est placée à une distance du jet telle qu'elle se situe dans la zone o la vitesse des gaz se conser- ve lorsqu'il n'y a pas d'obstacle. La longueur de cette zone dépend du nombre de Reynolds dans les ouvertures de l'injecteur. Cepen- dant, elle est toujours inférieure à dix fois leur diamètre et devient très faible pour NRe 100. Ainsi, sur cette FiS. 2, la distance entre les ouvertures 26 et les substrats est supérieure à 25 fois le diamètre de ces ouvertures de façon à minimi- 1 1 ser le transfert en face du jet. Ceci est également nécessaire pour déposer des couches monocristallines en face de celui-ci. Selon une variante de réalisation de l'in- vention, le jet de mélange réactif est brisé par l'in- terposition d'un obstacle en regard des ouvertures du cylindre 25 et cet obstacle peut être constitué par un tube non refroidi permettant par exemple d'amener un gaz du type PH3, dans l'espace réactif, de façon à le chauffer préalablement à son mélange avec les autres réactifs. L'injection homogène sur toute la longueur de l'espace de réaction est basée sur les mêmes prin- cipes de fonctionnement que l'injecteur principal. Dans une autre variante, l'injecteur central est composé de deux cylindres concentriques disposés l'un à l'intérieur de l'autre. Le cylindre intérieur permet d'injecter les gaz dans un espace annulaire situé entre les deux cylindres, par l'intermédiaire d'une série d'ouvertures ayant les mêmes caractéristi- ques que les ouvertures 26 évoquées précédemment, mais disposées suivant la génératrice la plus haute du cy- lindre intérieur. Les gaz sortent alors de l'espace annulaire par une fenêtre rectangulaire de faible lar- geur de un à quelques millimètres, centrée sur la gé- nératrice la plus basse du cylindre intérieur. L'uni- formité de l'injection des gaz dans l'espace de réac- tion est alors améliorée et la vitesse des gaz à la sortie de l'injecteur est d'autant plus diminuée que la fenêtre rectangulaire est large, évitant ainsi l'effet des "multi-jets" obtenu avec le dispositif de la Fig.2. Comme il est représenté sur la Fig. 3, les ouvertures 26 sont ménagées sur la génératrice infé- rieure du cylindre intérieur 25. Ces ouvertures peu- vent présenter, comme il a déjà été décrit, le même diamètre le long de l'injecteur. Cependant, selon un autre mode de réalisation, ce diamètre croit lorsque l'on se rapproche de l'extrémité de l'injecteur-éjec- teur de gaz la plus éloignée de l'arrivée de mélange réactif 16. Ces ouvertures peuvent également être cons- tituées par des trous percés éventuellement dans une barrette massive soudée à l'intérieur du cylindre de façon que le rapport longueur/diamètre des ouvertures soit égal ou supérieur à 2. Les diamètres des cylindres constituant l'injecteur-éjecteur et des ouvertures 26 sont tels que le rapport entre la surface de la section du cy- lindre et la somme des surfaces des sections des ou- vertures soit aussi grand que possible, et toujours au moins supérieur à 2. Si, par exemple on utilise une zone d'injec- tion de 50 cm de longueur. des ouvertures de 0,5 mm de diamètre espacées de 0,5 mm et un cylindre de diamètre égal à 10 cm, le rapport des deux surfaces est de 80. Pour des trous de 1 mm de diamètre espacés de 1 mm, ce rapport est de 40. Pour des trous de 2 mm de diamètre espacés de 1 mm, ce rapport n'est plus que de 15. Dans une variante de réalisation du disposi- tif selon l'invention, on peut employer un rapport plus faible à condition d'augmenter le diamètre des ouvertures, comme on l'a déjà décrit. Cependant, dans tous les cas, le flux de gaz éjecté le long du cylin- dre doit être uniforme. Ainsi qu'il a déjà été décrit, l'évacuation des gaz de l'espace de réaction 17 est réalisée suivant le même principe que l'injection. i travers une série d'ouvertures 28. Cette évacuation des gaz s'effectue par l'intermédiaire d'un dispositif de pompage classique. Le fluide de refroidissement 19 est acheminé dans les canaux 29 et, après avoir effectué un ou plu- sieurs trajets dans ces canaux agencés autour du cy- lindre extérieur 24, est évacué de façon à-assurer une bonne homogénéité en température sur toute la longueur de la paroi extérieure de l'injecteur-éjecteur. * Un gradient de température faible peut s'é- tablir suivant une demi-circonférence de la paroi ex- térieure de celui-ci, de façon à produire une convec- tion naturelle le long de cette paroi dans le même sens que la convection forcée dans l'espace de réac- tion 17. A cet effet, divers liquides sont classique- ment employés dont l'eau aux températures les plus basses. Il est également intéressant d'employer des températures de la paroi extérieure de l'injecteur- éjecteur relativement élevées pouvant aller jusqu'à une valeur d'environ 200' inférieure à la température du porte-substrats pour que la cinétique des réactions chimiques au niveau de l'injecteur soit suffisamment lente pour être négligée par rapport à la cinétique chimique dans l'espace réactif et à la surface des substrats. La paroi extérieure de l'ensemble est alors la paroi du cylindre 24 relié au dispositif de pompage et le refroidissement est assuré dans la partie cen- trale de l'injecteur-éjecteur éventuellement sans contact direct avec les parois du cylindre 25 consti- tuant l'injecteur. dans la zone chaude du dispositif. L'ensemble du dispositif permet ainsi de choisir et de contrôler au mieux le gradient de tempé- rature dans l'espace de réaction 17. D'autre part, l'injection de gaz frais s'effectuant dans la partie inférieure de celui-ci la convection naturelle assiste l'écoulement vers le haut par convection forcée. La Figure 4a représente un développement de la surface prismatique interne du porte-substrats 5 avec les substrats circulaires 23 et un exemple non limitatif de dispositifs permettant de maintenir ces substrats sur le porte-substrats. Ces dispositifs de maintien peuvent par exemple être constitués par des réglettes 30 fixées sur le porte-substrat pour retenir les substrats en position. Les Fig. 4b et 4c représen- tent deux vues en coupe du porte-substrats dans les- quelles on peut s'apercevoir que les réglettes 30 sont disposées dans des rainures ménagées à cet effet entre chaque face de celui-ci. La Fig. 4d représente une vue à échelle agrandie de la réglette 30 permettant la fixation des substrats 23 sur le porte-substrats. Le porte-substrats 5 tel que représenté sur la Fig. 2 est monobloc. Dans ce cas, sa longueur est égale ou inférieure à environ deux fois le diamètre du cylindre dans lequel s'inscrit le polygone de façon à faciliter le chargement des substrats. Ainsi qu'il est représenté sur les Fig. 3 et 4. par exemple cinq ran- gées de neuf substrats de 76,2 mm de diamètre sont po- sitionnées dans un prisme s'inscrivant dans un cylin- dre de 25 cm de diamètre. Selon une variante de réalisation, le porte- substrats est composé d'une partie cylindrique exté- rieure sur la surface intérieure de laquelle sont fixées de manière amovible des plaques de support des substrats correspondant aux n faces du prisme inté- rieur. Les substrats peuvent alors être chargés sur ces plaques à l'extérieur du porte-substrat, ces pla- ques étant ensuite replacées à l'intérieur de la par- tie cylindrique de celui-ci. Le chargement des subs- trats sur les plaques peut par exemple s'effectuer dans un poste de chargement, comme décrit précédem- ment, relié à l'une des extrémités de ladite enceinte. Dans ce cas, les moyens de chauffage 3 pré- sentent une ouverture à chaque extrémité et l'enceinte se prolonge pour communiquer avec ce poste de charge- ment soit d'un porte-substrats monobloc soit des pla- ques amovibles qui seront ensuite replacées dans ce- lui-ci. Ce poste est conçu de façon que l'enceinte puisse être isolée et qu'aucune remise à l'air de celle-ci n'intervienne entre deux opérations de dépôt. Dans les modes de réalisation qui viennent d'être décrits, l'injecteur-éjecteur de gaz 14 de for- me générale cylindrique est coaxial au porte-substrat. Selon une autre variante de réalisation de l'invention, un injecteur-éjecteur de gaz 31 représen- té schématiquement sur la Fig. 5 est monté déplaçable verticalement dans un porte-substrats 32. L'injecteur- éjecteur 31 est alors monté déplaçable dans un plan vertical passant par le centre des ouvertures d'injec- tion de gaz et de pompage, de sorte que l'on peut ré- gler sa hauteur dans le porte-substrats. Dans ce cas, la vitesse d'écoulement des gaz dans un espace de ré- action 33. entre l'injecteur-éjecteur 31 et le porte- substrats 32, augmente avec la distance parcourue dans cet espace de réaction, de l'entrée des gaz par les ouvertures ménagées dans la génératrice la plus basse du cylindre d'injection, jusqu'à l'évacuation de ces gaz par les ouvertures ménagées sur la génératrice la plus haute du cylindre d'éjection. Ceci permet d'augmenter la vitesse de dépôt dans la partie haute de l'espace de réaction de façon 2587731 1 à obtenir des vitesses de dépôt plus proches dans les différentes zones de l'espace réactif 33. L'uniformité des couches de substrat à substrat est alors obtenue pour une vitesse de rotation du porte-substrats 32 plus lente que précédemment. En conséquence, quel que soit le mode de réalisation adopté, on dispose d'un procédé et d'un dispositif de dépôt chimique sous pression atmosphé- rique ou pression réduite qui présente, entre autres avantages: - celui de diminuer le coût énergétique par rapport aux réacteurs à parois froides et suscepteur chauffé par induction; - celui de permettre un meilleur contrôle et une meil- leure uniformité de la température des substrats; - celui de permettre une augmentation importante du rendement de conversion des réactifs en dépôt solide, en maintenant l'homogénéité sur un substrat, et de substrats à substrats; - celui de pouvoir être extrapolé à de grandes dimen- sions par augmentation de la longueur et du diamètre du porte-substrat et augmentation du diamètre de l'in- jecteur-éjecteur, et donc de permettre le dépôt sur des grandes surfaces. Plusieurs couches minces uniformes en épais- seur et composition peuvent ainsi être déposées en changeant la composition du mélange gazeux réactif et éventuellement la pression totale et la température des substrats. Ces changements de composition du mé- lange gazeux réactif sont réalisés, par exemple, après l'introduction dans l'espace réactif d'un gaz réduc- teur ou inerte seul et/ou après une opération de pom- page comme il a été décrit. - I1 est- à -noter que, durant chaque traite- ment, la pression totale dans l'espace réactif est au plus égale à la pression atmosphérique et la tempéra- ture des substrats revêtus est maintenue constante en régulant la température des moyens de chauffage. L'invention trouve son application particu- lièrement dans les dépôts chimiques dont le processus est contrôlé principalement par le transfert en phase gazeuse, c'est-à-dire le dépôt des couches épitaxi- ques. Parmi les exemples les plus importants, on peut citer le dépôt du silicium, les composés II-IV et II1-V qu'ils soient binaires, ternaires, etc... par exemple Ga As ou Ga Al As. D'autre part, l'invention trouve également son application dans le dépôt de ces derniers à partir des organométalliques et des hydrures alors que des réacteurs classiques ne permettent pas d'obtenir une homogénéité suffisante sur de grandes surfaces. Dans le cas de plaquettes de Ga As de 4 x 2 cm, il est possible de positionner seize plaquettes suivant une circonférence d'un-cylindre de 25 cm de diamètre et quinze plaquettes bord à bord sur une longueur utile d'un cylindre de 30 cm. On peut ainsi traiter 240 plaquettes de 4 x 2 cm2 dans un "petit" réacteur conforme à l'invention (320 dans une longueur utile de 40 cm). A fortiori, l'invention s'applique aux dé- pôts chimiques dont le processus est contrôlé au moins en partie par la cinétique hétérogène c'est-à-dire le dépôt des couches polycristallines. Parmi celles-ci on peut citer le silicium polycristallin à partir de si- lane mais également les métaux réfractaires, les sili- ciures, nitrures, borures, oxydes, etc... REVENDICATIONS 1.- Procédé de formation de couches minces uniformes en épaisseur et composition sur de nombreux substrats plans par dépôt chimique à partir d'un mé- lange gazeux réactif, caractérisé en ce qu'on effectue le traitement dans un espace réactif compris entre des parois extérieures chaudes sur lesquelles sont placés les substrats et mobiles en rotation autour d'un in- jecteur-éjecteur de gaz intérieur de forme générale cylindrique, fixe et refroidi, de façon que chaque substrat positionné sur les parois extérieures, ait une position équivalente, pendant le dépôt, par rap- port à l'entrée et à la sortie des gaz de l'espace ré- actif, la pression totale dans l'espace réactif étant au plus égale à la pression atmosphérique et la tempé- rature des substrats revêtus étant maintenue constante pendant le traitement, en régulant la température des parois extérieures. 2.- Procédé selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'on dépose plusieurs couches minces uniformes en épaisseur et composition sur de nombreux substrats plans en changeant la composition du mélange gazeux réactif et éventuellement la pression totale et la température des substrats. 3.- Procédé selon la revendication 2, carac- térisé en ce que les changements de composition du mé- lange gazeux réactif sont séparés par l'introduction dans l'espace réactif d'un gaz réducteur ou inerte seul et/ou par une opération de pompage. 4.- Dispositif pour la mise en oeuvre du procédé tel que défini dans les revendications précé- dentes, caractérisé en ce qu'il comprend une enceinte cylindrique étanche (1), d'axe horizontal (X-X), des moyens (3) de chauffage disposés autour de cette en- ceinte, un porte-substrats (5; 32), de paroi exté- rieure cylindrique, disposé dans ladite enceinte et dont la paroi intérieure destinée à recevoir les subs- trats plans (23) constitue un prisme droit régulier, ledit portesubstrats étant entrainé en rotation par des moyens d'entrainement autour d'un injecteur-éjec- teur (14; 31) de gaz, fixe et refroidi, de forme gé- nérale cylindrique. et disposé à l'intérieur du porte- substrats, comprenant un premier cylindre (25) permet- tant d'injecter le mélange gazeux dans un espace réac- tif (17; 33) délimité par le porte-substrats et l'in- jecteur-éjecteur de gaz, par une série d'ouvertures (26) centrées sur la génératrice la plus basse dudit premier cylindre et un second cylindre (24) disposé autour du premier cylindre et concentrique à celui-ci, permettant d'évacuer le mélange gazeux de l'espace réactif, par une série d'ouvertures (28) centrées sur la génératrice la plus haute dudit second cylindre, ce second cylindre (24) comprenant des canaux (29) dans lesquels circule un fluide de refroidissement (19), les sections cylindriques de l'injecteur-éjecteur de gaz et les ouvertures des premier et second cylindres étant telles que le rapport entre la surface des sec- tions cylindriques et la somme des surfaces des ouver- tures, soit toujours au moins supérieur à deux. 5.- Dispositif selon la revendication 4, ca- ractérisé en ce que ladite enceinte cylindrique (1) est constituée de silice, d'un métal ou d'un alliage métallique. 6.- Dispositif selon la revendication 4 ou , caractérisé en ce que les moyens de chauffage (3) sont constitués par un inducteur connecté à un généra- teur haute fréquence. 7.- Dispositif selon la revendication 4 ou , caractérisé en ce que lesdits moyens de chauffage (3) sont constitués par un four chauffé par résistan- ce. 8.- Dispositif selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que lesdits moyens de chauffage (3) sont constitués par des moyens de chauffage par rayonnement. 9.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 8, caractérisé en ce que le por- te-substrat (5) est constitué de graphite revêtu de carbure de silicium. 10.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 a 9, caractérisé en ce que le porte- substrat (5) est monobloc. 11.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 10, caractérisé en ce que la paroi -interne du porte-substrat comporte n parties amovibles correspondant aux n faces du prisme droit régulier in- térieur. 12.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 11, caractérisé en ce que les ou- vertures (26, 28) du premier (25) et du second (24) cylindres sont circulaires et d'égales dimensions tout au long de l'injecteur-éjecteur de gaz. 13.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 11, caractérisé en ce que les ou- vertures (26, 28) des premier (25) et second (24) cy- lindres sont circulaires et présentent un diamètre qui croit quand elles s'éloignent de l'extrémité de l'in- jecteur-éjecteur de gaz par laquelle le mélange gazeux arrive dans celui-ci. 14.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 13, caractérisé en ce que l'injec- teur-éjecteur de gaz (14) est coaxial audit porte- substrats (5). 15.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 14, caractérisé en ce que l'injec- teur-éjecteur de gaz (31) est monté déplaçable verti- calement dans ledit porte-substrats (32) de façon à pouvoir être disposé à une hauteur quelconque à l'in- térieur du porte-substrats. 16.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 15, caractérisé en ce que l'une des extrémités de ladite enceinte (1) communique avec un poste de chargement fixé de manière étanche sur celle- ci, de manière à permettre le chargement des substrats sur le porte-substrats à partir de ce poste. 17.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 16, caractérisé en ce que des moyens destinés à briser le jet de réactif dans l'es- pace réactif sont disposés en regard des ouvertures (26) ménagées dans ledit premier cylindre (25). 18.- Dispositif selon la revendication 17, caractérisé en ce que lesdits moyens sont constitués par un tube permettant d'injecter un réactif particu- lier dans l'espace réactif.