Brevet FR2589275A1 — publié le 19870430

La présente invention concerne les structures de condensateurs en général destinées à être utilisées dans des circuits intégrés analogiques. Plus particulièrement, elle concerne l'utilisation de métaux réfractaires comme couche intermédiaire dans la production de condensateurs présentant des caractéristiques électriques maîtrisées avec précision. On emploie actuellement dans de nombreuses appli- cations des circuits intégrés analogiques. Celles-ci com- prennent des dispositifs de conversion analogique-numérique, des dispositifs de conversion numérique-analogique, des filtres, des modulateurs, des décodeurs, et autres disposi- tifs similaires. Il est naturellement souhaitable de cons- truire des circuits analogiques de ce type sur de petites puces de circuits intégrés qui sont généralement compatibles avec les motifs et règles de réalisation à intégration à très grande échelle. Alors qu'on a gén&ralement trouvé très difficile d'incorporer dans de tels dispositifs des éléments de circuit inducteurs, il s'est avéré nécessaire et souhai- table d'employer des dispositifs capacitifs intégrés. Cepen- dant, la petite échelle employée dans de tels dispositifs a eu pour conséquence de rendre difficile la maîtrise de leurs caractéristiques. Actuellement, les dispositifs à circuits intégrés analogiques utilisent soit des structures de con- densateurs dans lesquelles les "plaques" conductrices du -2- condensateur comprennent du polysilicium dans chacune d'elles soit une structure comportant une "plaque" métal- lique en combinaison avec une structure de silicium dopé formant la plaque opposée. Ces dispositifs au silicium dopé par métal ne forment pas des structures isolées électrique- ment; ainsi, ils présentent des inconvénients dans cer- taines applications, en particulier dans les applications analogiques. Les dispositifs de ce type ont également des coefficients de tension élevés. Un autre problème soulevé par les deux types de dispositifs est qu'ils ont des valeurs "Q" plus faibles pour le circuit électrique, car le silicium ou le polysilicium a une résistivité plus élevée, par rap- port aux métaux, suivant un facteur d'environ 100. D'une façon similaire, les contacts entre métal et polysilicium ou silicium dopé ont des impédances plus élevées suivant un facteur d'environ 100, par rapport aux contacts métal-métal. Une autre difficulté majeure associée à certains des dispo- sitifs de cette nature est que la valeur de leur capacité est déterminée soit par une découpe d'oxyde dans un diélec- trique inter-niveau épais, soit par la formation d'un motif d'un second métal à l'intérieur de cette découpe. Comme ces deux alternatives nécessitent la formation d'un motif d'une couche épaisse, la reproductibilité et la précision de la valeur résultante de la capacité sont faibles. Selon un mode de réalisation préféré de la pré- sente invention, une structure de condensateur qui est plus particulièrement utile dans des dispositifs à circuits intégrés analogiques à très grande échelle comprend une structure qui comporte une couche intermédiaire de métal réfractaire. Le métal réfractaire est déposé suivant une couche de fine épaisseur sur la partie supérieure d'une couche plate en matériau diélectrique. La présence d'une couche en métal réfractaire de fine épaisseur est importante dans la pratique de la présente invention car elle se tra- duit par une couche thermiquement stable, à grains fins, -3- présentant une surface lisse avec l'absence de formation de monticules. C'est la finesse de cette couche qui permet la formation précise du motif de cette couche métallique inter- médiaire. De plus, l'utilisation de métaux réfractaires joue un rôle important car ces matériaux présentent une faible réflectivité, ce qui permet également d'augmenter la préci- sion pour l'exposition du motif de l'agent photorésistant. Il est des plus important pour la pratique de la présente invention que cette couche forme la plaque supérieure de la structure du condensateur. Cependant, on remarquera qu'un métal réfractaire peut également être employé pour consti- tuer la plaque inférieure de la structure du condensateur. Une structure de condensateur selon la présente invention comprend un substrat isolant sur lequel est dis- posée une première couche métallique. Une couche diélec- trique est déposée sur cette première couche métallique et est, à son tour, recouverte d'une seconde couche de métal réfractaire, comme on l'a décrit ci-dessus. Une couche isolante est disposée sur la couche en métal réfractaire et présente une ouverture pour liaison à la seconde couche métallique, cette liaison étant faite avec une couche métal- lique d'interconnexion,ou conducteur en bande, disposé sur la couche isolante et s'étendant à travers l'ouverture. Dans la présente invention, on peut employer des métaux réfrac- taires tels que le chrome, le titane, le tungstène, le molybdène, le nickel et leurs alliages tels que le nichrome. Selon un autre mode de réalisation de la présente invention, un procédé pour la production précise de struc- tures de condensateurs dans des dispositifs à circuits intégrés comprend une série d'étapes de traitement qui sont généralement compatibles avec les techniques classiques de fabrication des circuits intégrés. En particulier, une première couche métallique est disposée sur un substrat isolant. Une couche diélectrique est alors placée sur cette première couche métallique de façon que la couche diélec- -4 2589275 trique présente une surface supérieure pratiquement plate dans la zone située au-dessus de la première couche métal- lique. C'est sur cette surface plate qu'on dispose la couche en métal réfractaire de la présente invention. Une couche isolante est alors disposée sur la seconde couche métallique et un conducteur d'interconnexion est relié à la couche en métal réfractaire par l'intermédiaire d'une ouverture ména- gée dans la couche isolante. Dans la présente invention, le dépôt de la couche en métal réfractaire peut s'effectuer soit par pulvérisation, soit par dépôt par vapeur chimique, soit par évaporation ou un autre moyen. De plus, on remar- quera que la couche en métal réfractaire de la présente invention peut être disposée de manière à constituer un composant résistant électriquement en plus de la structure de condensateur de la présente invention. Cette possibilité est une conséquence directe de la présence d'une couche métallique supplémentaire. En conséquence, la présente invention a pour objet des structures de condensateurs pour utilisation dans des dispositifs à circuits intégrés qui présentent des valeurs de capacité qu'on peut maîtriser avec précision. La présente invention a pour autre objet des structures capacitives, pour circuits intégrés, qui peuvent être isolées électriquement des autres composants du circuit et de la masse. La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication de condensateurs dans des dispositifs à circuits intégrés d'une manière qui assure des caractéris- tiques électriques déterminées avec précision. La présente invention a encore pour objet des structures de condensateurs employant des composants en métal réfractaire de manière à permettre la formation d'élé- ments de circuit résistifs et capacitifs montés en série et à obtenir une couche supplémentaire de circuit employant des composants conducteurs et résistifs. -5- Enfin, mais sans que cela soit limitatif, la présente invention a pour objet des plaques pour condensa- teurs de circuits intégrés, qui soient fines, présentent une faible réflectivité, et soient formées en motifs de manière à répondre à des dimensions maîtrisées spécifiquement. La suite de la description se réfère aux figures annexées qui représentent respectivement. Figures lA-lC, des vues en élévation de côté, en coupe, illustrant les étapes suivies dans l'art antérieur pour la fabrication d'éléments capacitifs pour circuits intégrés; figures 2A-2G, des vues en élévation de côté, en coupe, illustrant les étapes suivies dans la fabrication d'éléments de circuit capacitifs selon la présente inven- tion, laquelle est plus particulièrement représentée en figure 2G; figure 3, une vue en plan illustrant un mode de réalisation de la présente invention dans lequel le métal réfractaire employé est disposé de manière à conférer les caractéristiques désirées pour la résistance électrique. Les figures lA-lC illustrent la suite des étapes de fabrication qu'on emploie dans l'art antérieur pour la formation de structures de condensateurs dans des disposi- tifs à circuits intégrés à grande échelle. Plus particu- lièrement, on voit que la structure de condensateur est disposée sur la partie supérieure d'une couche isolante sous-jacente 10. Typiquement, cette couche comprend un matériau diélectrique inter-niveau, tel que l'oxyde de silicium ou le nitrure de silicium, ou une combinaison de ces composés. Une couche métallique 30 est disposée sur la partie supérieure de la couche 10. Dans le passe, la couche métallique 30 était typiquement constituée d'un matériau tel que l'aluminium. Cependant, le coefficient de dilatation thermique de l'aluminium et des matériaux employés d'une manière similaire est à l'origine de problèmes de maîtrise 25892ZS -6 - des paramètres. Par exemple, l'utilisation d'aluminium dans la couche 30 peut se traduire par la formation de bossages ou monticules de dimensions diverses et de configurations dont la présence rend difficile une maîtrise précise des paramAtres électriques des dispositifs ainsi obtenus, en particulier des condensateurs. En outre, des matériaux tels que l'aluminium, présentent des réflectivités aussi élevées que 90%. Cela rend plus difficile qu'on ne le voudrait la formation des motifs de l'agent photorésistant. De nouveau, en liaison avec la figure LA, on voit que le traitement classique dispose une seconde couche isolante 20 sur la couche 10 de maniAre à recouvrir complèA- tement la couche métallique 30 qui finalement forme la plaque inférieure d'une structure de condensateur. Naturel- lement, la couche isolante 20 présente une ouverture 35. Cependant, comme la couche 20 est relativement épaisse, l'attaque du matériau à partir de cette couche ne se prête pas d'elle-même à un contrôle précis de la surface de la couche 30 qui est exposée par l'intermédiaire de l'ouver- ture. A cet égard, il est important de remarquer qu'en général la capacité d'un dispositif est directement propor- tionnelle à la surface des plaques et inversement propor- tionnelle A la distance entre plaques. Dans le présent contexte, la distance entre les éléments conducteurs de l'électricité d'une structure de condensateur (c'est-à-dire les plaques) est égale à l'épaisseur du diélectrique. Cepen- dant, le point important à noter en figure 1A est que la forme et la profondeur de l'ouverture 35 ne débouchant pas sur la formation de surfaces maîtrisées avec précision. La figure lB illustre l'étape suivante de la formation classique d'une structure capacitive. Plus parti- culiArement, la figure lB illustre le fait qu'on ajoute une couche diélectrique, typiquement par dépôt. On voit qu'une couche diélectrique 40 est déposée de maniAre à remplir l'ouverture 35. Les parties en excès de la couche 40 sont -7- alors enlevées, typiquement par attaque, laissant la struc- ture représentée en figure lB. On remarquera que la couche diélectrique 40 confère à la structure capacitive son maté- riau diélectrique et que le choix de ce matériau détermine, au moins en partie, la capacité résultante du dispositif. Cependant, là encore, on remarquera également que les dimen- sions et la forme de l'ouverture 35 jouent aussi, au moins en partie, un rôle important pour la détermination de la forme, de l'épaisseur, et de la disposition réelles du matériau diélectrique. On notera aussi que les déformations ou monticules présents dans la couche 30 ont un effet né- faste sur la maîtrise de toute structure capacitive résul- tante. Dans un autre mode classique de réalisation d'une formation de condensateur, tel que cela est illustré en figure 1C, une couche métallique d'interconnexion ou bande sert à compléter la structure capacitive. Plus particu- lièrement, la structure capacitive comprend une couche conductrice classique 30, une couche diélectrique 40, et une couche 50 de métallisation d'interconnexion. La couche d'interconnexion 50 comprend typiquement une couche d'alu- minium relativement épaisse. Plus particulièrement, cette couche a souvent une épaisseur d'environ 500 nm. Comme cela est bien connu, la formation précise d'un motif de couches épaisses est difficile. Cependant, on voit également d'après la figure 1C que la formation du motif du métal d'intercon- nexion 50 au fond de l'ouverture-35 est déterminante quant à la capacité de la structure car la surface de la plaque supérieure de la structure capacitive est due à cette couche épaisse du métal d'interconnexion qui, par suite de son épaisseur, est difficile à realiser de manière précise. Ainsi, on voit qu'il est difficile de former des structures capacitives dans des circuits intégrés en procédant au traitement classique car la valeur de la capacité est déter- minée soit par une découpe d'oxyde dans un diélectrique inter-niveau épais (couche 20) soit par la formation d'un motif d'une seconde couche métaliique (couche supérieure) à l'intérieur d'une petite ouverture. Comme ces deux alterna- tives nécessitent la formation d'un motif d'une couche épaisse, la reproductibilité ou la précision de la valeur de la capacité ne sont pas élevées. Ainsi, cette formation est rendue encore plus difficile par l'utilisation de métaux classiques tels que l'aluminium dans la couche 30 qui a tendance à former des monticules. De plus, des métaux tels que l'aluminium ont tendance à être instables sur le plan dimensionnnel. On doit noter également que, alors que la couche a été décrite ci-dessus et représentée en hachures dans les figures pour illustrer la composition métallique, il est également de pratique courante d'employer du polysilicium dopé comme matériau conducteur de l'électricité pour former la plaque inférieure d'une structure capacitive. Cela est plus particulièrement vrai dans le cas o la couche conduc- trice 30 fonctionne également comme liaison directe avec les électrodes de grille d'un transistor. On notera de plus le fait que la couche conductrice 30 est en réalité connectée à d'autres éléments du circuit, bien que ce fait n'apparaisse pas facilement dans la vue en coupe. Cependant, une vue en plan ferait typiquement ressortir la bande ou couche conduc- trice 30 dans sa liaison avec d'autres éléments du circuit. On portera maintenant son attention à la formation de la structure capacitive selon la présente invention. Plus particulièrement, les figures 2A-2G illustrent les diverses étapes du procédé de la présente invention. En particulier, O 1a fîgure- 2QY_illustre-la structure obtenue avec le procédé de la présente invention. Dans la présente invention, une première couche de métal 130 est déposée sur un substrat isolant 100. Typique- ment, la couche 100 est constituée d'un diélectrique inter- niveau d'oxyde de silicium, de nitrure de silicium, ou une 9 - combinaison de ces composés dans un circuit intégré, bien que la constitution de cette couche ne soit pas limitée à ces matériaux. Par exemple, la couche 100 peut être consti- tuée d'oxyde d'aluminium. Comme illustré en figure 2B, une couche diélectrique 140 est alors disposée sur la couche métallique 130. On notera ici que, alors que la couche 130 est de préférence métallique, il est également possible d'employer du polysilicium dopé pour constituer cette couche. Ensuite, la couche diélectrique 140 est disposée de manière à couvrir la couche 130. Alors qu'on préfère certai- nement que la couche 140 recouvre entièrement la couche 130, on ne considère pas cela comme étant essentiel dans la pratique de la présente invention. Puis, comme représenté en figure 2C, une seconde couche métallique 150 est disposée de manière à couvrir la couche 130. Selon la présente inven- tion, il est important de remarquer que la couche 150 est constituée d'un métal réfractaire. De tels métaux compren- nent le titane, le tungstène, le molybdène, le chrome, le nickel, et leurs alliages. La couche 150 peut être formée 2C soit par pulvérisation, soit par dépôt par vapeur chimique, par évaporation ou par un autre moyen. Ces procédés de formation se traduisent par le dépôt de fines couches de métal réfractaire. La faible réflectivité de ces métaux et la finesse des couches qui peuvent être formées permettent une formation de motifs qu'on peut contrôler avec précision. C'est cette formation contrôlée qui confère les avantages principaux rencontrés dans la structure et le procédé de la présente invention. La structure résultante est plus parti- culièrement représentée en figure 2C. L'homme du métier spécialisé dans les circuits intégrés remarquera que la couche 150 est typiquement formée par le dépôt d'un matériau sur la totalité du dispositif, puis par attaque sélective des parties non désirées selon un motif prédéterminé. Les caractéristiques essentielles de la structure capacitive de la présente invention sont déjà présentes en figure 2C. Plus - 10 - particulièrement, on peut remarquer les éléments conducteurs et 150 avec le matériau diélectrique 140 les séparant. Cependant, on voit que le paramètre capacitif du dispositif résultant peut être contrôlé avec précision en procédant à la formation d'un motif précis pour la couche 150. Comme on l'a signalé ci-dessus, la formation d'un motif précis pour cette couche est favoris6e par sa faible reflectivité et par la finesse de sa structure. En variante, on remarque égale- ment que la couche 150 peut être obtenue en appliquant les procédés de dépôt par vapeur chimique. La figure 2D montre que la couche diélectrique 140 est de préférence disposée suivant des dimensions appro- priées et peut ne pas s'étendre jusqu'à des parties éloi- gnées de la puce de circuit. La figure 2E fait ressortir qu'une couche isolante 160 est alors disposée sur la tota- lité de la surface de la puce et en particulier, recouvre la couche 150. Dans la couche 160 on ménage alors une ouverture comme on peut le voir plus particulièrement en figure 2F. Pour compléter la structure préférable de la présente invention, une couche métallique d'interconnexion 170 est alors déposée et l'objet de la formation d'un motif pour fournir une liaison entre la structure capacitive et les autres éléments du circuit. Cela est plus particulièrement illustré en figure 2G. On remarquera plus particulièrement dans cette figure que la formation d'un motif du métal d'interconnexion relativement épais 170 n'a aucun effet important sur la valeur de la capacité de la structure représentée. Cette valeur est déterminée avec précision en contrôlant la formation du motif de la couche 150, et en s'assurant simultanément que la couche diélectrique 140 présente une surface supérieure sensiblement plate. Dans le mode de réalisation préféré de la présente invention, le caractère plat de cette surface est facilité par l'emploi de métaux réfractaires pour constituer la couche 130. Dans un mode de réalisation préférée de la pré- - 11 - sente invention, la couche conductrice 130 a typiquement une épaisseur de 500 nm. La couche 150 comprend une fine struc- ture de métal réfractaire qui, typiquement, a une épaisseur inférieure à 300 nm. L'épaisseur de la couche 150 joue un rôle particulièrement important pour la maîtrise des dimen- sions du condensateur. Comme une maîtrise précise de la capacité est souhaitée pour les applications aux circuits analogiques, le contrôle dimensionnel souhaité est possible avec une couche très fine du métal supérieur. Une épaisseur préférable est d'environ 200 nm. L'épaisseur et la composi- tion de la couche conductrice 170 ne sont pas critiques dans la présente invention. Cependant, sa caractéristique la plus souhaitable est son aptitude à pénétrer l'ouverture ménagée dans la couche 160 et à réaliser un contact avec la couche 150 d'une qualité raisonnablement bonne. La couche dielec- trique 140 de la présente invention comprend typiquement de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, ou des combi- naisons de ces deux composés. De plus, on peut également employer des couches multiples de ces matériaux. La couche diélectrique elle-même a de préférence environ 300 nm d'é- paisseur et peut être déposée par les procédés de dépôt avec plasma assistés par haute fréquence. Un avantage supplémentaire de la structure de la pésente invention est dû au fait que la couche métallique intermédiaire 150 est constituée d'un métal réfractaire et que de tels métaux présentent typiquement des résistivités électriques supérieures à la moyenne. Cette caracteristique concernant une résistivité plus élevée peut être avanta- geusement employée comme cela est représenté en figure 3 dans laquelle on peut voir que la couche en métal réfrac- taire 150 a une configuration telle qu'on obtient un élément résistif de circuit contrôlé avec précision. Cet élément est représenté comme connecté en série avec la structure capaci- tive de la présente invention. Cependant, on remarquera aussi que l'emploi de la couche de métal réfractaire permet - 12 - également la fabrication d'autres structures conductrices, telles que des résistances, dans la même couche de la puce. Ces autres structures conductrices ne sont pas nécessaire- ment reliées électriquement à la structure capacitive. D'après ce qui précède, on remarquera que la présente invention prévoit une structure capacitive destinée à être utilisée dans des dispositifs à circuits intégrés. Le procédé de fabrication de cette structure est en accord complet avec les procédés classiques de fabrication des semiconducteurs. En outre, on voit que le procédé de la présente invention permet d'obtenir une structure de conden- sateur dans laquelle les paramètres électriques sont con- trôlables avec précision. Par conséquent, la présente inven- tion se traduit par la possibilité d'obtenir des puces perfectionnées de circuits analogiques pour filtres, démodu- lateurs, codeurs, convertisseurs et autres dispositifs de cette sorte dans lesquels il est particulièrement souhai- table d'employer des éléments capacitifs précis de circuit. On voit également que la présente invention fournit le moyen pour former une structure de condensateur à faible fuite avec des caractéristiques électriques pouvant être deter- minées avec précision. La présente invention permet aussi l'emploi de matériaux ayant une résistivité plus élevée, tels que le nichrome, pour constituer la plaque supérieure du condensateur de sorte que des résistances précises peu- vent être également fabriquées à partir de ce niveau du circuit. Par conséquent, on voit que tous les objets de la présente invention sont satisfaits par le procédé et le dispositif venant d'être divulgués. - 13 - REVENDICATIONS 1. Structure de condensateur, plus particulière- ment utile dans des dispositifs à circuits intégrés analogi- ques, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat (100) sur lequel est disposée une couche isolante; une première couche de matériau conducteur (130) disposée sur la couche isolante du substrat; une couche diélectrique (140) déposée sur la première couche; une couche de métal (150) déposée sur la couche diélectrique, cette couche de métal étant constituée d'un métal réfractaire; une couche isolante (160) disposée sur la couche de métal réfractaire, cette couche isolante présentant une ouverture (135) à un endroit contigu à au moins une partie de la couche en métal réfractaire et; une couche de métal d'interconnexion (170) dispo- sée sur la couche isolante et s'étendant à travers l'ouver- ture ménag6e dans la couche isolante de manière à réaliser un contact avec le métal réfractaire. 2. Structure de condensateur selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que la couche diélectrique (140) comporte une surface supérieure pratiquement plate dans la zone située au-dessus de la première couche conductrice. 3. Structure de condensateur selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que le métal d'interconnexion (170) est l'aluminium. 4. Structure de condensateur selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que le métal réfractaire (150) comprend un matériau choisi dans le groupe constitué du chrome, du titane, du molybdène, du tungstène, du nickel, et de leurs alliages. 5. Structure de condensateur selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que la couche de métal réfrac- - 14 - taire est obtenue par dépôt par vapeur chimique. 6. Structure de condensateur selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que la couche de métal réfrac- taire est formée par pulvérisation. 7. Structure de condensateur selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que la couche de métal réfrac- taire est formée par évaporation. 8. Structure de condensateur selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que la couche de métal réfrac- taire a une épaisseur inférieure à environ 300 nm. 9. Structure de condensateur selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que la première couche conduc- trice (130) a une épaisseur d'environ 500 nm. 10. Structure de condensateur selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que le matériau isolant du subs- trat (100) comprend un matériau choisi dans le groupe cons- titué de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, et de leurs combinaisons. 11. Structure de condensateur selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que la couche diélectrique com- prend un matériau choisi dans le groupe constitué de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, de leurs combinaisons, et de leurs couches. 12. Structure de condensateur selon la revendica- tion L, caractérisée en ce que la couche isolante (140) comprend un matériau choisi dans le groupe constitué de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, et de leurs combinaisons. 13. Structure de condensateur selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que la couche de métal réfrac- taire a une configuration telle qu'on obtient en plus au moins un élément de circuit résistif (150). 14. Procédé pour la fabrication précise de conden- sateurs dans des circuits intégrés, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes constituant à: disposer une première couche conductrice (130) sur - 15 - un substrat (100) sur lequel est placée une couche isolante, disposer une couche diélectrique (140) sur la première couche conductrice de façon que cette couche dié- lectrique présente une surface supérieure pratiquement plate dans la zone située au-dessus de la première couche conduc- trice, disposer une couche de métal réfractaire (150) sur la couche diélectrique, faire un motif de la couche de métal réfractaire, disposer une seconde couche isolante (160) sur la couche de métal réfractaire et, connecter, par l'intermédiaire d'une ouverture (135) ménagée dans la seconde couche conductrice, un conduc- teur de liaison (170) à la douche de métal réfractaire (150). 15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le métal réfractaire est déposé par pulvérisation. 16. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le métal réfractaire est déposé par dépôt par vapeur chimique. 17. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le métal réfractaire est disposé par évaporation. 18. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le métal réfractaire est disposé suivant un motif en serpentin (Figure 3). 19. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la couche de métal réfractaire (150) comprend un matériau choisi dans le groupe constitué du chrome, du titane, du tungstène, du molybdène, du nickel, et de leurs alliages.