Brevet FR2595509A1 — publié le 19870911

COMPOSANT EN MATERIAU SEMICONDUCTEUR EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT A PARAMETRE DE MAILLE DIFFERENT ET APPLICATION A DIVERS COMPOSANTS EN SEMICONDUCTEURS. L'invention concerne un composant en matériau semi- conducteur épitaxié sur un substrat à paramètre de maille différent et son application à divers composants en semiconducteurs tels que diode, photorésistance, guide optique intégré, isolateur optique, circulateur optique, détecteur magnétique. L'invention est notamment applicable à un composant en matériau de type III-V implanté sur un substrat. La réalisation d'un tel composant est souvent difficile car il faut choisir un matériau semiconducteur dont le paramètre de maille soit adapté au paramètre de maille du substrat. C'est ainsi que le paramètre de maille d'un substrat en Grenat de Gadolinium et Gallium, dont la valeur est 12,383 Angstroems, est totalement désadapté par rapport aux matériaux semiconducteurs connus. Dans le domaine des diodes émettrices/réceptrices de lumière, la demande de brevet français N 84 18928 déposée le 1H décembre 1984 apportait une solution en proposant à titre d'exemple une composition de matériau semiconducteur à base de Gallium, d'Indium, d'Aluminium et d'Antimoine (GalnAlSb) dont le paramètre de maille de 6,19 Angstroems s'ajuste sensiblement à la moitié du paramètre de maille du grenat en Gadolinium et Gallium. Cependant, l'ajustement des paramètres de maille à un multi- ple ou un sous-multiple du paramètre de maille du substrat demande un dosage des différents métalorganiques utilisés très précis. De plus, ce dosage implique un matériau de caractéristiques physiques déterminées qui pourrait être déterminantes pour le domaine d'ap- plication. L'invention fournit un composant plus facile.à réaliser et évite donc ces inconvénients. Pour cela elle utilise un procédé connu de croissance épi- taxiale d'une succession de couches. Ce procédé utilise une techni- que récente de croissance épitaxiale appelée épitaxie en phase vapeur d'organométalliques, MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition en terminologie anglo-saxonne). Une telle succession de couches obtenues par ce procédé est appelée super-réseau (superlattice en terminologie anglosaxonne) et est décrite dans l'article "Croissance et caractérisation de l'hétérojonction et de structures à puits quantiques GalnAs-InP obtenues par MOCVD "de Manijeh RAZEGHI publié dans la Revue Technique THOMSON-CSF - Vol. 16 - N I - mars 1984 pages 5 à 27 ainsi que dans le chapitre 5 "LowPressure Metallo-Organic Chemical Vapor Deposition of Gaxlnl xAsyPl y Alloys" de Manijeh RAZEGHI (paragraphe IV, pages 317 à 345) publié dans l'ouvrage "Semiconductors and Semimetals", vol. 22, part A, par Bell Telephone Laboratories. Le composant obtenu présente l'avantage de ne pas être perturbé par les éventuels défauts dus à des dislocations à l'inter- face composant-substrat et se présente sous la forme d'un mono- cristal. L'invention concerne donc un composant en matériau semi- conducteur épitaxié sur un substrat à paramètre de maille différent, caractérisé en ce qu'il comporte réalisé sur un substrat possédant un paramètre de maille déterminé, une succession alternée d'un pre- mier type de couches et d'un deuxième type de couches ainsi qu'un composant réalisé sur ladite succession de couches, le premier type de couches étant réalisé en un premier matériau semiconducteur dont le paramètre de maille est sensiblement adapté à un multiple ou un sousmultiple du paramètre de maille du substrat, le deuxième type de couches étant réalisé en un deuxième matériau semi- conducteur dont le paramètre de maille est adapté à un multiple ou un sous-multiple du paramètre de maille du premier matériau du premier type de couches, le composant étant réalisé avec un matériau de même paramètre de maille que celui du deuxième matériau semiconducteur, les gaps d'énergie du premier type de couches et du deuxième type de couches étant différents. 259550! Les différents objets et caractéristiques de l'invention appa- raîtront plus clairement à l'aide de la description qui va suivre, faite en se reportant aux figures annexées qui représentent: - la figure 1, un exemple de réalisation du composant selon l'invention; - la figure 2, un schéma explicatif du fonctionnement du composant selon l'invention; - la figure 3, un exemple de réalisation d'une photorésistance selon l'invention; - la figure 4, un exemple de réalisation d'un isolateur intégré selon l'invention; - la figure 5, un exemple de réalisation d'un détecteur magné- tique selon l'invention; - la figure 6, une variante de réalisation de l'invention dans laquelle on prévoit plusieurs super-réseaux. En se reportant à la figure 1, on va donc décrire un exemple de réalisation selon l'invention. Sur un substrat 1, on fait crottre une succession de couches MI àMietNI à Ni. Le substrat est un matériau semiconducteur tel que par exemple de l'arséniure de Gallium (GaAs) ou un grenat de Gadolinium et Gallium (GGG). Le substrat peut être également un matériau ferriélectrique et d'une manière générale tout matériau sur lequel on doit faire croître un composant semiconducteur. Les couches M1, M2,... Mi sont réalisées avec un matériau semiconducteur ayant un paramètre de maille a2 sensiblement adapté au multiple ou au sous-multiple du paramètre de maille al du substrat. Les couches Ni, N2,.. . Ni sont réalisées avec un matériau semiconducteur ayant un paramètre de maille a3 adapté au para- mètre de maille a2 des couches Mi, M2,... Mi. Les couches MI, M2,... Mi ont des gaps d'énergie nettement différents des gaps d'énergie des couches Ni, N2,... Ni. On aura donc des couches MI à M2 présentant une affinité électronique très différente de celle des couches NI à Ni. On observe alors à l'interface entre chaque couche N et la couche M qui lui est superposée, à une séparation spatiale entre électrons et impuretés créant une couche d'accumulation de haute densité. Les dissymétries cristallographiques entre le substrat 1 et la couche MI et les différences de paramètres de mailles créent des défauts de dislocations dus aux désadaptations des paramètres cristallins entre le substrat et la première couche épitaxiale. Pour supprimer ces défauts, chaque transition entre une couche M et une couche N a pour effet de créer une déviation de l'angle de dislo- cation. Comme cela est indiqué par des flèches sur la figure 2, à chaque interface entre une couche N et une couche M, il y a donc absorption de défauts. En prévoyant un nombre de couches suffisantes, on obtient un amortissement des défauts qui ne parvient pas au composant C. A titre d'exemple, avec des couches de 50 à 150 Angstroems d'épaisseur et avec au total environ une vingtaine de couches, on obtient une bonne absorption des défauts. Le composant C est réalisé en matériau semiconducteur dont le paramètre est adapté au paramètre de maille a3 de la couche Ni, voire égal au paramètre de maille a3. La croissance des différentes couches et du composant C se fait par épitaxie selon un procédé appelé croissance par épitaxie en phase vapeur et décrit notamment dans les documents précé- demment cités. La présente invention s'applique à divers composants tels que diodes, laser, guide d'onde, transistors intégrés, isolateurs optiques, détecteurs optiques, réalisés en matériaux semiconducteurs. A titre d'exemple d'application de l'invention, la figure 3 représente une photorésistance dont le composant C est réalisé en Arséniure de Gallium et d'Indium (GainAs) et dont les caracté- ristiques électriques (impédances) varient sous l'effet d'un rayon- nement de longueur d'onde compris entre 1,3 micromètres et 1,5 micromètres. La partie supérieure de la photorésistance comporte 259550i deux électrodes de connexions électriques permettant de connecter la photorésistance vers des circuits utilisateurs. De plus, la face supérieure de la photorésistance est éclairée par un rayonnement F de longueur d'onde détectable par la photorésistance. 3 La photorésistance C est en GaInAs et est réalisée sur une succession de couches Ml à M3 et Nl à N3, lesquelles sont réalisées sur un substrat 1. Le substrat 1 est en Arséniure de Gallium. Les couches Mi à M3 sont en phosphore d'indium. Les couches NI à N3 sont en Arséniure de Gallium et d'Indium. La photorésistance C peut être réalisée en un autre matériau sensible à d'autres longueurs d'ondes comme expliqué précédem- ment, il faudra alors choisir des couches intermédiaires Ml à M3 et NI à N3 permettant un bon amortissement des défauts. La figure 4 représente un isolateur intégré tel que décrit dans la demande de brevet français N 84 18928 déposée le Il décembre 1984. Cet isolateur comporte sur un grenat de Gadolinium et Gallium S, une couche I d'un matériau ferrimagnétique tel qu'un grenat d'Yttrium et de fer (YIG). Ce matériau ferrimagnétique possède un paramètre de maille s'adaptant convenablement au grenat de Gadolinium et Gallium S. Une zone 3 de la couche 1 a été usinée et porte une diode émettrice C. L'autre zone de la couche 1 possède un guide usiné dans la couche de YIG. Les dimensions (L, b) du guide sont telles que la lumière émise par la diode C ne puisse se réfléchir vers la diode 2_5 et perturber son fonctionnement, d'o la désignation "isolateur intégré". La diode C est réalisée sur la couche I de YIG après réalisation d'une succession de couches ou super-réseau M, N. Les couches M et N seront réalisées comme décrit précédemment à l'aide de matériaux III-V choisis en fonction de leur paramètre de maille et de leur gap d'énergie. Selon la même technique que le présent isolateur, on peut réaliser un circulateur appliquant l'invention en prévoyant plusieurs diodes émettrices/réceptrices reliées deux à deux par de tels isolateurs réalisés sur le mime substrat. La figure 5 représente un détecteur magnétique de capteur à effet magnéto résistif linéaire. Ce capteur est constitué princi- palement d'une couche d'un matériau semiconducteur C portant sur une face une couche d'un matériau ferrimagnétique 1 et, sur l'autre face, au moins un couple d'électrodes (4) disposées selon un axe OX. Ce capteur est disposé de telle façon que sa couche de matériau ferrimagnétique 1 est placé à proximité d'un support magnétique 8 à lire de telle façon qu'une information magnétique 70 à 72 induise un champ magnétique dans la couche de matériau semiconducteur C selon une direction OY perpendiculaire à l'axe OX du couple d'électrodes. Pour que le fonctionnement d'un tel capteur soit correct, il convient que la couche de matériau semiconducteur C soit adaptée à la couche de matériau ferrimagnétique 1. En prévoyant une succes- sion de couches M, N ou super-réseau, on se prémunit contre les défauts dus à des risques de désadaptation. L'invention est applicable comme cela est expliqué précé- demment à d'autre type de composants sans sortir du cadre de l'invention. Selon une variante de l'invention, on prévoit une succession de superréseaux tels que décrits précédemment superposés les uns sur les autres. Par exemple, comme cela est représenté sur la figure 6, sur un substrat 1, on réalise un premier super-réseau M1-Mi, Nl-Ni qui permet de réaliser un premier composant C1. Pour réaliser sur le composant C1 un deuxième composant C2 de nature différente du composant C1, on réalise un deuxième super-réseau Pl-Pj, QI-Qj sur le composant CI. La nature des matériaux des couches PI-Pj d'une part, et des couches Q1-Qj d'autre part est choisie en fonction de leurs paramètres de mailles et des gaps d'énergie, comme cela a été décrit précédemment pour les couches MI-Mi, NI-Ni. De cette façon, il est possible de réaliser un composant C2 sur le composant Cl. Il est bien évident, qu'il est alors possible de réaliser plusieurs composants tels que C2 sur le composant CI. Selon ce qui a été décrit pour le premier super-réseau MI-Mi, NI-Ni. Le paramètre de maille des couches M I-Mi est sensiblement adapté au multiple ou sous-multiple du paramètre de maille du composant CI. Le paramètre de maille des couches NI-Ni est, lui, adapté voire égal au paramètre de maille des couches Ml-Mi. Le paramètre de maille du composant C2 est égal au paramètre de maille des couches NI-Ni. De même, sans sortir du cadre de l'invention, on prévoit de réaliser sur un composant tel que C2, un ou plusieurs composants, non représentés, sur la figure, par l'intermédiaire d'un autre super- réseau permettant de réaliser l'adaptation. L'invention est applicable à des composants utilisables aussi bien dans le domaine de l'optoélectronique, que celui des télé- communications optiques ou celui des hyperfréquences. REVENDICATIONS 1. Composant en matériau semiconducteur épitaxié sur un substrat à paramètre de maille différent, caractérisé en ce qu'il comporte réalisé sur le substrat possédant un paramètre de maille déterminé (ai), une succession alternée d'un premier type de cou- ches (MI, Mi) dont le nombre (i) est compris entre 1 et n, et d'un deuxième type de couches (NI, Ni) dont le nombre (i) est également compris entre 1 et n, ainsi qu'un composant (C) réalisé sur ladite succession de couches, le premier type de couches (M1, Mi) étant réalisé en un premier matériau semiconducteur dont le paramètre de maille (a2) est sensiblement adapté à un multiple ou un sous- multiple du paramètre de maille (al) du substrat, le deuxième type de couches (N1, Ni) étant réalisé en un deuxième matériau semi- conducteur dont le paramètre de maille (a3) est adapté à un multiple ou un sous-multiple du paramètre de maille (a2) du premier matériau du premier type de couches, le composant (C) étant réalisé avec un matériau de même paramètre de maille (a3) que celui du deuxième matériau semiconducteur, les gaps d'énergie du premier type de couches et du deuxième type de couches étant différents. 2. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le deuxième type de couche (Ni) est réalisé en un deuxième matériau semiconducteur dont le paramètre de maille (a3) est égal au paramètre de maille (a2) du premier matériau du premier type de couches (Mi). 3. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (1) est un grenat de Gadolinium et Gallium, ledit premier matériau est du phosphore d'Indium (InP), ledit deuxième matériau est de l'Arséniure de Gallium et d'Indium (GaInAs). 4. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (1) est en matériau ferrimagnétique. 5. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (1) est de l'Arséniure de Gallium. 6. Composant selon la revendication 3, caractérisé en ce que le matériau ferrimagnétique est un grenat d'Yttrium et de fer. 7. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de chaque couche est d'environ 50 Angstroems à 150 Angstroems. 8. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le nombre de couches est supérieur à dix couches. 9. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composant (C) est une diode laser. 10. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composant (C) est une photoreésistance. I1l. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composant (C) est un guide optique intégré. 12. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composant (C) est un isolateur optique intégré. 13. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composant (C) est un circulateur optique. 14. Composant selon la revendication 3, caractérisé en ce que le composant (C) est un détecteur magnétique. 15. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composant (C) est une photorésistance en Arséniure de Gallium et d'Indium réalisée sur un substrat en Arséniure de Gallium, la succession alternée du premier type de couches (Ml à M5) et du deuxième type de couches (NI à N5) étant, pour le premier type de couches, en phosphore d'indium et pour le deuxième type de couches en Arséniure de Gallium et d'Indium. 16. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte sur un premier composant (Ci) une succession alternée d'un troisième type de couches (PI-Pj) et d'un troisième type de couches (QI-Qj) ainsi qu'au moins un deuxième composant (C2) réalisé sur cette dite succession de couches, le paramètre de maille du matériau du troisième type de couche (Pl-Pj) étant sensiblement adapté au multiple ou au sous-multiple du paramètre de maille du matériau du premier composant (C1), le paramètre de maille du matériau du quatrième type de couches (QI-Qj) étant adapté au multiple ou au sous-multiple du paramètre de maille du matériau du troisième type de couches (PI-Pj), le paramètre de maille du deuxième composant (C2) étant adapté au paramètre de maille du matériau de la quatrième couche (QI-Qj). 17. Composant selon la revendication 16, caractérisé en ce que plusieurs composants tels que le deuxième composant (C2) peuvent être réalisés sur la succession de couches des troisièmes (PI-Pj) et quatrième (QI-Qj) types de couches. 18. Composant selon la revendication 16, caractérisé en ce que plusieurs successions de couches peuvent être réalisées sur le deuxième composant (C2) pour réaliser d'autres composants.