Brevet FR2596070A1 — publié le 19870925

-1 DISPOSITIF COMPRENANT UN SUSCEPTEUR PLAN TOURNANT PARALLELEMENT A UN PLAN DE REFERENCE AUTOUR D'UN AXE PERPENDICULAIRE A CE PLAN L'invention concerne, un dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallèlement à un plan de référence autour d'un axe perpendiculaire à ce plan et comportant des moyens pour obtenir la stabilité du suscepteur en sustentation 05 et des moyens pour obtenir son entraînement en rotation. L'invention concerne également une chambre de réacteur d'épitaxie en phase vapeur munie d'un tel dispositif. L'invention trouve son application dans la réalisation de porteéchantillons plans tournants pour chambre 10 d'épitaxie en phase vapeur, tout particulièrement pour la croissance épitaxiale en phase vapeur de couches de composés du groupe III-V pour former des dispositifs semiconducteurs. L'utilisation de porte-échantillons rotatifs dans le domaine de la croissance épitaxiale en phase vapeur des 15 composés du groupe III-V est connue de la publication intitulée "Multi-Wafer Growth of Extremely Uniform GaAs Layers by organometallic Vapor Phase Epitaxy" faite lors du: 1985, Electronic Materials Conference, U6iversity of Colorado, June 19/21, 1985" par S. Komeno, H.Tanaka, I.Itoh, et alii. Cette 20 publication montre qu'il est d'importance, lors de la croissance de couches épitaxiales en phase vapeur, de faire tourner les échantillons afin d'obtenir des couches uniformes permettant de réaliser des composants de bonne qualité, tels que transistors à effet de champ, diodes, etc. Mais les conditions dans lesquelles sont réalisées ces couches, conditions qui impliquent des hautes températures de l'ordre de 850 C, et une atmosphère contrôlée par exemple d'hydrogène, font que l'utilisation de méthodes classiques d'entraînement par moteur extérieur à la chambre est 30 difficile à mettre en oeuvre. -2 En effet, dans cette application, le porte-échantillon doit se trouver en bon contact thermique avec un dispositif de chauffage afin de prévenir les variations de température dans l'échantillon, ces dernières entrainant des varia05 tions de l'homogénéité des couches épitaxiales réalisées en surface. C'est pourquoi la présente invention propose un suscepteur tournant, appicable à une chambre d'épitaxie en phase vapeur, qui permet de résoudre ces problèmes. Selon l'invention, ces problèmes sont résolus par un suscepteur tel que défini dans le préambule, caractérisé en ce que ces moyens sont formés par les structures du suscepteur, de l'axe de rotation et du plan de référence, qui coopèrent sous l'action d'un ou plusieurs flux gazeux. Le suscepteur selon l'invention présente alors, entre autres, les avantages suivants: - l'absence de pièces mécaniques qui traversent la paroi de référence est d'une part favorable au travail à des températures élevées, et d'autre part favorable à l'intro20 duction dans la chambre de gaz polluants tels que l'arsine ou la phosphine, sans crainte de fuites; un bon contact thermique, par conduction dans le gaz, avec la paroi de référence. En effet, l'épaisseur de lacouche de gaz entre le suscepteur et cette paroi est généra25 lement très faible. Ceci est également favorable à l'application de ce suscepteur comme porte-échantillon de chambre d'épitaxie; - la mise en rotation et l'arrêt du mouvement sont aisés h commander, du fait qu'ils dépendent simplement de 30 la mise en circulation d'un flux gazeux; - la technique proposée est particulièrement adaptée à la mise en oeuvre de mouvements planétaires par simple superposition de plusieurs plateaux tournants sur un plus grand plateau tournant. La réalisation d'un tel mouvement 35 par des moyens mécaniques classiques, par exemple à l'aide -3 d'engrenages serait extrêmement compliqué, du fait que le choix des matériaux est limité par la nécessité de pureté imposée par l'application envisagée à la chambre d'un réacteur. Ainsi dans une réalisation qui incluerait l'utilisation d'en05 grenage, on serait amené, pour cette application qui implique en outre de hautes températures, à utiliser des matériaux réfractaires non graissés. l'ensemble présenterait alors une usure très rapide, génératrice de poussières fines particulièrement néfastes à l'application envisagée. De plus, par de 10 tels moyens classiques une faible distance entre plateau et surface de référence est difficile à obtenir car elle amène toujours à un contact mécanique générateur de poussière. Avec de tels moyens classiques, une plus mauvaise conduction thermique serait donc obtenue. La description sera mieux comprise à l'aide de la description suivante, illustrée par le figures annexées dont: - la figure la qui représente en coupe un dispositif selon l'invention, la figure lb qui représente en coupe un second 20 exemple de réalisation d'un dispositif selon l'invention, - la figure lc qui représente vu du dessus le plan de référence d'un troisième exemple de réalisation d'un dispositif selon l'invention, - la figure Id qui représente une coupe du dispo25 sitif illustré par la figure lc, - la figure 2 qui représente le schéma équivalent des résistances appliquées aux flux de gaz dans les différentes parties du système formé par un de ces dispositifs, - la figure 3 qui représente les isobares corres30 pondant à un flux de gaz issu d'une ouverture du plan de référence, - la figure 4a qui représente un exemple de réalisation d'un suscepteur muni d'un axe de rotation, - la figure 4b qui représente un second exemple 35 de réalisation d'un suscepteur muni d'un axe de rotation, -4 - la figure 5a qui représente un suscepteur muni d'un axe de rotation de forme jugée préférable, et muni d'un système de mise en rotation selon un exemple de réalisation mettant en oeuvre une force de viscosité, - la figure 5b qui représente un suscepteur muni d'un axe de rotation de forme jugée préférable, et muni d'un système de mise en rotation selon un second exemple de réalisation mettant en oeuvre une force de viscosité, - la figure 5c qui représente la surface de 10 référence selon la figure 5b, vue du dessus, - la figure 6a qui représente un suscepteur muni d'un axe de rotation de forme considérée comme préférable et muni d'un système d'entraînement en rotation selon un exemple de réalisation mettant en oeuvre des forces d'inertie, - la figure 6b qui représente un suscepteur muni d'un axe de rotation de forme jugée préférable et muni d'un système de mise en rotation selon un autre exemple de réalisation mettant en oeuvre des forces d'inertie, - la figure 7a qui représente une vue éclatée et 20 en perspective d'un dispositif permettant la rotation planétaire de plusieurs suscepteurs, dans une des réalisations conforme à l'invention, - la figure 7b qui représente la surface supérieure du suscepteur de base dans le cas d'une rotation plané25 taire dans un exemple de réalisation. - la figure 8 qui montre un dispositif permettant de faciliter l'arrêt de la rotation dans une position choisie, appliqué aux suscepteurs à rotation planétaire. Tel que représenté sur la figure la, le suscep30 teur selon l'invention est constitué d'un plateau tournant 20, autour d'un axe 30, parallèlement à un plan de référence 10, l'axe 30 étant perpendiculaire à ce plan. Dans la description suivante, on choisira de préférence un plateau en forme de disque. Selon l'invention, ce plateau 20 est à la fois - 5 maintenu en sustentation au-dessus de la surface 10, et mis en rotation autour de l'axe 30 par l'action d'un flux de gaz ou de plusieurs flux de gaz. La 'figure la, montre en coupe que le plateau 20 05 est en sustentation à une distance h de la surface de référence 10. La sustentation est obtenue dans l'exemple de réalisation représenté figure la, par des arrivées de gaz la, lb,... ln telles que le système est en équilibre, le flux 10 d'arrivée de gaz étant d'autre part perpendiculaire au plan du plateau 20 et du plan 10. En situation de sustentation, le gaz injecté par les arrivées la, lb,... ln, dans l'intervalle entre le plateau 20 et la surface de référence 10, va trouver une résis15 tance aux flux dans la fente 4 de hauteur h, provoquant une augmentation de pression sur la surface 22 du disque 20, par rapport à la pression ambiante. Le flux de gaz sera prévu suffisamment important pour que la différence entre cette pression et la pression ambiante intégrée sur la surface 22, soit 20 au moins égale à la force de gravité sur le disque 20. Dans un état stationnaire de sustentation, cette différence de pression est fixée par le poids du disque 20 et ne peut augmenter. En effet, pour toute augmentation lente du flux, le plateau tend à se soulever et la hauteur h tend à 25 s'agrandir. La résistance de la fente 4 diminue alors, et l'équilibre des faces se rétablit. Dans l'application réelle, le plateau 20 doit supporter une masse, par exemple un échantillon 100, lequel peut être décentré. Dans ce cas, le système est dissymétrique 30 et il faut s'assurer que la hauteur h de la fente 4 reste en tout point différente de 0, c'est-à-dire que la distribution de la pression sur la surface inférieure 22 du plateau 20 prend également une allure dissymétrique correspondante, auquel cas la sustentation peut être dite stable. Lorsque l'arrivée de gaz 1 est unique, et placée -6 de telle sorte qu'elle coïncide avec l'axe de symétrie du plateau non chaIgé, étant dans le cas o le plateau est un disque, en coïncidence avec l'axe de rotation 30, alors le système est totalement symétrique et la hauteur de la fente h est donnée par la relation: h = r3n/ 7pD)(1 - d2 /d2). Debi 1/ relation dans laquelle: est la viscosité du gaz PD est la masse par unité de surface du disque 20 g est l'accélération de la pesanteur 10 dl est le diamètre du disque d2 est ici le diamètre de l'arrivée du gaz Deb est le débit du gaz Ce système est représenté sur la figure lb. Dans le cas o ce système à alimentation unique 15 est chargé de façon dissymétrique, le domaine de stabilité dépendant du rapport des diamètres d1 et d2 et du débit de gaz, il apparaît que le domaine de stabilité est assez réduit, ce qui se traduit par le fait que le décentrage de la masse supportée par le plateau 20 ne peut pas être grand. Selon l'invention, une autre disposition d'arrivée du gaz est jugée préférable pour agrandir le domaine de stabilité. Cette disposition préférentielle comprend l'arrivée du gaz par n > 2 ouvertures non alignées la, lb,...ln. De préférence, ces orifices la...ln, se déduisent 25 les uns des autres par une rotation de 2r /n. Dans les exemples de réalisation de la présente invention décrits ciaprès, une disposition d'arrivée de gaz comprenant trois ouvertures la, lb, lc placées aux sommets d'un triangle équilatéral dont le centre de symétrie coïncide 30 avec l'axe de rotation, a été choisie. Cette disposition est -7 illustrée par la figure lc qui représente vu du dessus la surface 10 de la paroi de référence. La trace du disque sustenté est représentée en 21 par un trait discontinu. La figure ld montre le même système, en coupe se05 lon l'axe II' passant par le centre de deux des ouvertures lb et lc. Cette figure montre que ces ouvertures lb et lc sont raccordées à une ligne d'alimentation 40 en gaz, par l'intermédiaire des tubes 41b et 41c. L'ouverture la, qui ne se trouve pas dans le plan de la figure ld, est de même raccordée à 10 la ligne 40 par le tube 41a. En outre les alimentations 41a, 41b, 41c sont munies de restrictions Rla, Rlb, RIc, constituant des résistances Ri. Chaque résistance Ri est de valeur supérieure ou au moins équivalente à la résistance R de la fente 4 dans la partie de cette fente de hauteur h située 15 entre l'arrivée du gaz, par exemple la, localisée dans le plan de référence 10, et l'ambiante située autour du système formé par le disque. Ces résistances Ri ont pour effet de stabiliser la valeur du flux 1 au niveau du débouché des arrivées de gaz 20 la, lb, lc. La figure 2 donne le schéma équivalent du système muni de résistances Rla, Rlb, Rlc. Sur ce schéma PA représente la pression d'alimentation de l'un des tubes, Ri la résistance placée sur ce tube, R la résistance dans la fente près de l'arrivée de gaz et p5 la pression de sustentation. Pour une arrivée de gaz, par exemple la fortement décentrée par rapport à l'axe de symétrie (ou de rotation 30) les isobares de pression de sustentation, représentées figure 3, montrent que, dans le cas o la hauteur h de la fente 4 est la même en tout point, la pression de sustentation s'applique 30 de façon prépondérante près de ladite ouverture la. La plus grande partie du flux, dont la valeur locale est donnée par la distance entre deux isobares, passe dans la région située entre l'orifice la d'arrivée de gaz, et le bord 21 du disque 20. I1 est donc clair que s'il apparaît une variation - 8 de la hauteur h d'un bord à l'autre du disque 20, c'est principalement la hauteur locale près de l'orifice d'arrivée de gaz qui détermine la résistance R. Si une masse est placée sur le plateau 20, en 05 coïncidence avec la localisation d'un orifice d'arrivée de gaz, par exemple la, la valeur de h diminue à-cet emplacement et la valeur de la résistance R augmente. Il s'ensuit (voir figure 2) que la pression de sustentation p5 augmente également et contribue sélectivement à la sustentation au voisi10 nage dudit orifice la. Au moyen de ce mécanisme, une bonne stabilité de sustentation est obtenue à l'aide du flux gazeux. Cependant, pour éviter le déplacement latéral du disque sustenté, il est nécessaire de le localiser, sans tou15 tefois empêcher sa rotation autour de son axe de symétrie. A cet effet, plusieurs méthodes peuvent être utilisées. Les figures 4a et 4b montrent chacune une réalisation possible de cette localisation par un profil découpé de la surface de référence 10 et un profil complémentaire de la 20 surface 22 du disque 20. Ce type de localisation peut être associé à plusieurs méthodes de mise en rotation du disque exposées plus loin. Toutefois, pour obtenir un dispositif moins critique dans son élaboration, il est jugé préférable pour appli25 quer au mieux l'invention à une chambre d'épitaxie, de choisir une localisation du disque par un axe de rotation cylindrique 30. Les diverses méthodes de mise en rotation du disque selon l'invention sont exposées dans des exemples de 30 réalisation incluant ce dernier procédé de localisation (figures 5a et suivantes). L'entratnement en rotation peut alors être obtenu au moyen d'une méthode choisie parmi les deux méthodes décrites ci-après ou au moyen d'une composition de ces deux 35 méthodes. -9 La première méthode consiste en un entraînement en rotation par une force de viscosité. Selon cette méthode, une force FV est appliquée sur une partie de la surface 22 du disque en sustentation. Cette force provoque au voisinage 05 de cette surface 22 un courant de gaz montrant une composante de vitesse dans la direction de rotation illustrée par la flèche T, comme il est représenté sur les figures 5, qui montrent deux dispositifs conformes à cette méthode. La partie de la surface 22 du disque sur laquelle s'exerce cette force, 10 étant essentiellement lisse, la force s'applique part un effet de viscosité du gaz. Cette force s'exprime par la relation: FV = n. a V/ a Z 2/ dans laquelle: Fv est la force par unité de surface, DV/ ô Z la dérivée de sa vitesse dans la di15 rection perpendiculaire à la surface 22. Cette force peut encore s'exprimer par la relation de proportionnalité = FV dans laquelle Deb est le débit. Dans le cas o le système est utilisé à une tem20 pérature élevée, le volume du gaz augmente. En ce qui concerne d'autre part la viscosité n elle-même, elle augmente pour tous les gaz lorsque la température croît. Donc pour obtenir une même force de viscosité appliquée sur le disque à une température plus élevée, il est besoin d'un débit massique moins 25 grand. Le système est donc parfaitement adapté aux températures élevées. Un exemple de réalisation mettant en oeuvre la force de viscosité d'un gaz pour obtenir la rotation du disque 20 précédemment décrit, est montré en perspective figure 5a, 30 en vue éclatée afin de mettre en évidence les moyens de la mise en rotation. Tel que représenté sur la figure 5a, le suscepteur selon l'invention comprend donc un disque 20 muni d'un axe 30. La face 22 du disque est, comme il a été dit, essen35 tiellement lisse. L'entraînement en rotation est obtenu dans - 10 le sens de la flèche T du fait qu'un flux de gaz D 2 est introduit dans la rainure 5 pratiquée dans la surface de référence 10 par l'arrivée 2. Cette rainure 5 est de forme arrondie et de rayon inférieur à celui du disque, afin que lç 05 flux e2 puisse agir sur ce dernier par viscosité. La dimension transversale de la rainure peut être de 0,1 mm à plusieurs centimètres. La surface 10 comprend en outre comme il a été dit précédemment au moins 3 orifices la, lb, lc pour l'arrivée du flux de gaz el servant à la sustentation. En fonctionnement le disque 20 est placé par rapport à la surface 10, de la manière qui est montrée sur la figure la. Un ou plusieurs flux de gaz peuvent être utilisés pour la mise en rotation du disque 20. L'alimentation des 15 arrivées la, lb, lc peut être faite selon une méthode illustrée par la figure ld. L'alimentation de l'arrivée 2 peut également être faite selon cette méthode. Un second exemple de réalisation mettant en oeuvre la force de viscosité d'un gaz pour obtenir la rotation 20 du disque 20 précédemment décrit, est montré en perspective figure 5b, en vue éclatée, afin de mettre en évidence les moyens de la mise en rotation. Tel que représenté sur la figure 5b, le suscepteur selon l'invention comprend donc un disque 20 muni d'un 25 axe 30. La face 22 du disque 20 est ici encore essentiellement lisse. L'entraînement en rotation est obtenu dans le sens de la flèche T du fait qu'un flux de gaz I 3 est introduit dans les rainures 51a, 51b, 51c, pratiquées dans la surface de référence 10, par les arrivées respectivement la, lb, le. Ces 30 rainures 51a, 51b, 51c sont de forme arrondie et ne s'étendent pas au-delà de la trace 21 du bord du disque, afin que le flux 0 3 puisse agir sur ce dernier par viscosité. La figure 5c représente un exemple de réalisation de ces rainures vu du dessus. Le nombre des rainures 51 peut ne pas être limité - 11 à trois, tout comme le nombre des arrivées 1. La dimension transversale des rainures peut être de 0,1 mm à plusieurs centimètres et leur profondeur de 10/um à plusieurs millimètres. Dans l'exemple de réalisation illustré par la figure 5b, la fonction de mise en rotation et la fonction de sustentation stable sont combinées, puisque chaque orifice la, lb, lc d'arrivée de gaz pour la sustentation correspond à une rainure 51a, 51b, 51c pour la mise en rotation. Il a été montré plus haut que des variations de température sur le porteéchantillon d'une chambre d'épitaxie pouvaient engendrer des variations de l'homogénéité des couches épitaxiales. L'homme du métier sait que, en outre, si des structures telles que des rainures sont pratiquées sur la face 15 arrière du porte-échantillon, alors l'image thermique de ces structures apparaît sur les couches épitaxiales terminées, sous la forme de défaut d'homogénéité. C'est pourquoi ces structures devront, autant que faire se peut, être évitées pour une telle application, ou bien leur présence devra être 20 restreinte au bord du disque, dans une zone non destinée à recevoir un échantillon. Dans les exemples illustrés par les figures 5a et 5b, ces rainures sont donc pratiquées de façon avantageuse dans le plan de référence 10, plutôt que dans la surface 22. La seconde méthode d'entraînement en rotation citée précédemment, consiste en un entraînement par des forces d'inertie. En effet, il est possible d'exercer un mouvement angulaire sur le disque sustenté, en faisant buter un flux de 30 gaz sur une structure quelconque, solidaire du disque. Différentes structures, aptes à mettre le disque en mouvement lorsqu'elles reçoivent un flux de gaz, sont possibles. Une structure préférable pour l'application à une chambre d'épitaxie est présentée plus loin. Au moyen d'une telle structure, le gaz transmet - 12 alors au disque une partie de sa quantité de mouvement, cette quantité de mouvement est proportionnelle à p.v2, p étant la masse du gaz par unité de volume, ce qui s'écrit: Fi o utilisables aux températures élevées. Un exemple de réalisation, mettant en oeuvre les forces d'inertie d'un gaz pour obtenir la rotation du disque précédemment décrit, est montré sur les figures 6a et 6b. La figure 6a montre la disposition de rainures 61, 62, 63, 64 pratiquées dans la surface 22 du disque 20 et qui constituent les structures contre lesquelles vient buter le flux de gaz '4. Pour l'application à une chambre d'épitaxie, ces 20 structures seront réalisées de préférence à la périphérie du disque 20, comme il a été dit précédemment. Ces rainures 61, 62, 63, 64 sont, dans cet exemple de réalisation, globalement en forme d'U et débouchent sur le bord 21 du plateau 20. Ces rainures sont ici au nombre 25 de n' = 4 et se déduisent les unes des autres par une rotation de 2 1/4. Ces rainures 61, 62, 63, 64 sont alimentées par une rainure circulaire 7, qui peut être pratiquée soit dans le plan de référence 10, comme il est montré figure 6a, soit dans 30 la surface 22 du disque comme il est montré figure 6b, ob elle débouche alors directement sur lesdites rainures 61, 62, 63, 64. Ainsi selon l'invention un ou plusieurs flux de gaz sont suffisants pour mettre en sustentation et entraîner 35 en rotation un disque. - 13 En ce qui concerne le comportement à des pressions différentes de la pression ambiante pour les deux méthodes d'entraînement préconisées par l'invention, les relations données précédemment pour les forces en permettent une 05 évaluation. Pour l'entraînement par viscosité, en effet, on peut écrire que: Fv c n À Deb =. Debo. p/ Po 3/ relation dans laquelle Debo est le débit à la pression am10 biante Po est la pression ambiante p est la pression de travail. La viscosité n n'est pas, en premier ordre, fonction de la pression, et ceci pour tous les gaz, pourvu que 15 cette pression soit suffisamment élevée pour que le libre parcours des molécules n'excède pas la dimension caractéristique de la structure parcourue, ici l'épaisseur de la fente 4 qui est h (typiquement 50/um à 100/um). Cette méthode d'entraînement et de sustentation est applicable à tous gaz à 20 toutes pressions au-delà de cette limite, c'est-à-dire en pratique au-dessus de 0,1 mbar. Pour réaliser la même force d'entraînement par viscosité à une pression diminuée d'un facteur K, on peut donc diminuer le débit massique du même facteur K. Une analyse analogue, en partant de la relation: Fi Pour des pressions très basses, l'entraînement 30 par viscosité est donc plus économe en débit de gaz. Cette invention peut être appliquée de façon avantageuse à la réalisation de porte-échantillons pour chambre d'épitaxie en phase vapeur. On a vu que le comportement des différents sys35 tèmes proposés, lorsque la température croît, est excellent. - 14 On a vu aussi que la disposition des structures de sustentation ou d'entraînement en rotation est très favorable à l'obtention de couches homogènes. Des conditions supplémentaires pour obtenir des 05 couches homogènes sont d'une part un bon contact thermique entre le suscepteur d'échantillon et le plan de référence qui forme la source de chaleur, et d'autre part, une rotation uniforme des échantillons comme il a été enseigné par la publication considérée comme état de la technique. Dans l'application particulière à la réalisation de couches épitaxiales de matériaux du groupe III-V, le porteéchantillon est porté à une température de l'ordre 600C à 850'C, par proximité du plan de référence 10 constitué par la paroi inférieure de la chambre d'épitaxie qui transmet la cha15 leur d'une source. Le dépôt en phase gazeuse se fait à l'aide de matériaux sous forme gazeuse mêlés par exemple à de l'hydrogène qui constitue alors un gaz vecteur. Il est alors particulièrement avantageux d'appliquer l'invention à la réalisation du porte-échantillon de la 20 chambre d'épitaxie en choisissant ce même gaz vecteur pour constituer le flux de gaz provoquant la sustentation et l'entrainement en rotation. La mise en oeuvre de la sustentation et de l'entrainement en rotation est alors particulièrement simple. Pour améliorer encore l'homogénéité des couches, il peut être prévu d'équiper la surface supérieure du disque 20 de plusieurs disques supports d'échantillons, tournant chacun par rapport au disque 20, selon une des méthodes décrites précédemment, et constituant ainsi une rotation dite "plané30 taire" pour les échantillons. La figure 7a montre un exemple de réalisation dans lequel un nombre n" = 3 disques tournent selon un principe déjà décrit, et illustré par la figure 5b. Dans cet exemple de réalisation le disque 20 est 35 mis en sustentation et en rotation respectivement par un flux - 15 de gaz arrivant par les ouvertures la, lb, lc non alignées et se propageant dans les rainures arrondies 51a, 51b, 51c. Autour de l'axe 30 de rotation du plateau 20 est prévu l'arrivée d'un flux D5 se propageant jusque dans l'épaisseur du plateau 05 20, épaisseur dans laquelle sont ménagées des canalisations pour amener le flux '5 jusqu'à au moins trois orifices sous chacun des disques secondaires 201, 202, 203. Le disque 201 est ainsi associé aux orifices 201a, 201b, 201c. Les disques 202 et 203 sont eux-mêmes asso10 ciés chacun à trois orifices non représentés sur la figure 7a pour des raisons de simplicité du dessin. A chacun des orifices correspond une rainure courbe par exemple telle que montrée sur la figure 7b qui est une représentation de la surface 23 du disque 20. Pour les 15 orifices 201a, 201b et 201c les rainures correspondantes sont notées 251a, 251b, et 251c. Dans ce système, représenté figure 7a, les échantillons sont placés sur les surfaces 223 des disques 201, 202, 203. Le principe de mise en rotation est celui qui est illus20 tré par la figure 5b, et décrit précédemment. Il est clair que chacun des principes illustrés par les figures 5a ou 6a, 6b aurait pu être utilisé, ou même combinés. Les différents suscepteurs conformes à l'inven25 tion peuvent être réalisés en tous matériaux durs à faible déformation, y compris des polymères. Dans l'application à une chambre d'épitaxie, ces matériaux doivent en outre être réfractaires. Ce peut être: le graphite, des métaux, des matériaux céramiques, des 30 matériaux cristallins tels que le silicium, l'arséniure degallium, le saphir. Tous ces matériaux conviennent aussi bien pour le disque, l'axe ou le support. Les gaz appropriés peuvent être choisis parmi 35 l'hydrogène, l'azote et tous gaz neutres. Mais d'autres gaz peuvent être choisis pour des applications particulières non citées. - 16 Un dispositif conforme à l'invention est particulièrement avantageux pour obtenir l'arrêt de la rotation dans une position déterminée. Ceci est particulièrement utile pour le chargement et le déchargement des échantillons dans le cas05 de la rotation planétaire. Ce dispositif est illustré par la figure 8. Cette figure représente les orifices et les rainures pratiquées dans la surface de référence 10, d'une part, et les rainures prati-quées dans la surface 22 du disque suscepteur d'autre part. La surface 10 de référence comporte l'axe de rotation 30, et trois rainures 51a, 51b et 51c réalisées à proximité de la trace 21 du bord du disque. Cette surface comporte en outre, débouchant dans ces trois rainures, trois rainures radiales 52a, 52b et 52c respectivement. Les rainures 15 52a, 52b et 52c sont alimentées par les trois orifices la, lb, lc respectivement comme déjà décrit précédemment. La surface 22 du disque 20 comporte une rainure circulaire 53 concentrique à l'axe de rotation et située à proximité de ce dernier, qui est dite rainure centrale. La 20 surface 22 comporte en outre trois rainures radiales 71a, 71b, 71c. Dans une variante, la rainure centrale 53 peut être réalisée dans la surface de référence 10. Dans la surface 10 est réalisé un orifice 54, relié à un tuyau fermé par une vanne. Cet orifice 54 dit orifice 25 central est pratiqué vis à vis, ou débouchant dans la rainure centrale 53. Lorsque le(s) flux de gaz arrivant par les orifices la, lb, lc est(sont) coupé(s), et lorsque la vanne fermant l'orifice central 54 est ouverte, le disque 20 s'immobi30 lise dans la position o l'une des rainures 71a, 71b, 71c est en coïncidence avec l'une des rainures 52a, 52b, 52c. Cette structure permet donc trois positions angulaires d'arrêt du disque 20, ces positions étant espacées de 120'. Dans le cas de la rotation planétaire, il est 35 avantageux d'appliquer cette structure au plateau 20 et à la surface 10. 25960'70 - 17 REVENDICATIONS: 1. Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallèlement à un plan de référence autour d'un axe perpendiculaire à ce plan et comportant des moyens pour obtenir la 05 stabilité du suscepteur en sustentation et des moyens pour obtenir son entraînement en rotation, caractérisé en ce que ces moyens sont formés par les structures du suscepteur, de l'axe de rotation et du plan de référence, qui coopèrent sous l'action d'un ou plusieurs flux gazeux. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure du suscepteur est celle d'un disque. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la structure de l'axe de rotation est celle d'un cylindre de petit diamètre devant le diamètre du disque, mis en 15 place dans l'épaisseur du disque et du plan de référence au centre de symétrie du disque. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que pour obtenir la stabilité du disque en sustentation, la structure du plan de référence comprend n > 2 orifices non 20 alignés, réalisés dans la région délimitée par la projection du bord externe du suscepteur, orifices par lesquels est appliqué, perpendiculairement à la surface du suscepteur en regard du plan de référence, au moins un flux gazeux, en sorte qu'une fente de dimension h non nulle est obtenue entre le 25 suscepteur et le plan de référence. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que ces orifices se déduisent les uns des autres par une rotation de 2 7 / q. 6. Dispositif selon les revendications 4 ou 5, ca30 ractérisé en ce que pour obtenir la mise en rotation du disque sustenté, par une force de viscosité, la structure du plan de référence comprend en outre un orifice par lequel est appliqué un flux de gaz supplémentaire débouchant dans une rainure de forme arrondie, laquelle, dans la région délimitée par la pro35 jection du bord externe du suscepteur, suit ce bord de - 18 suscepteur, en tournant dans le sens choisi pour la rotation, et laquelle Se termine hors de la région délimitée par le bord externe du suscepteur. 7. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que pour obtenir la mise en rotation du disque sustenté, par une force de viscosité, la structure du plan de référence comprend en outre n rainures dans lesquelles débouchent respectivement les n orifices par lesquels est appliqué le(s) flux servant à la sustentation, ces rainures étant de forme 10 arrondie et tournant à partir des orifices dans le sens prévu pour la rotation, en restant dans la région délimitée par la projection du bord externe du suscepteur. 8. Dispositif selon les revendications 4 ou 5 caractérisé en ce que pour obtenir la mise en rotation du disque 15 sustenté, par une force d'inertie, la structure du plan de référence comprend en outre une rainure circulaire de diamètre inférieur au diamètre du disque, concentrique à ce dernier, et en ce que la structure du suscepteur comprend n' rainures en forme d'U, se déduisant les unes des autres par une rotation 20 de 2 /n', et débouchant d'une part au niveau de la rainure circulaire du plan de référence, et d'autre part sur le bord du disque. 9. Dispositif selon les revendications 4 ou 5, caractérisé en ce que pour obtenir la rotation du disque sus25 tenté, par une force d'inertie, la structure du suscepteur comprend d'une part une rainure circulaire de diamètre inférieur au diamètre du disque concentrique à ce dernier, et comprend d'autre part n' rainures en forme d'U, se déduisant les unes des autres par une rotation de 2 r /n', et débouchant 30 d'une part dans la rainure circulaire et d'autre part sur le bord du disque. 10. Dispositif selon les revendications 8 ou 9, caractérisé en ce que n' = 4. 11. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que pour obtenir la rotation du disque sustenté, par une - 19 force de viscosité, la structure du plan de référence comprend en outre: a) n rainures disposées radialement dans la région délimitée par la projection du bord du disque, de dimen05 sion inférieure au rayon du disque, rainures dans lesquelles débouchent respectivement les n orifices par lesquels est appliqué le(s) flux servant à la sustentation, et comprend encore b) n rainures disposées parallèlement au bord du 10 disque et débouchant dans les n rainures radiales, c) une rainure concentrique à l'axe de rotation et située à proximité de ce dernier, dite rainure centrale, d) un orifice dit orifice central raccordé à une sortie fermée par une vanne, débouchant dans la rainure cen15 trale, en ce que la structure du suscepteur comprend réalisée sur la face en regard du plan de référence, n rainures radiales de. dimension inférieure au rayon des n rainures du plan de référence parallèles au bord du disque, ces dites n rainures ra20 diales débouchant au niveau de la rainure centrale, et en ce que pour obtenir l'arrêt du suscepteur dans les n positions possibles o les rainures radiales du suscepteur sont en coïncidence avec les rainures radiales du plan de référence, le(s) flux appliqué(s) sur les n orifices du plan de référence est 25 (sont) coupés, en même temps que la vanne correspondant à l'orifice central est ouverte. 12. Dispositif selon l'une des revendications 6 à 11, caractérisé en ce que le suscepteur comporte, sur sa surface opposée au plan de référence, n'' suscepteurs dits secondaires 30 dont la position se déduit par une rotation de 2 r/n", ce suscepteur muni de l'un des n" suscepteurs secondaires formant lui-même un dispositif selon l'une des revendications 6 à 11. 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que n"' = 3. 14. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que n = 3. - 20 15. Chambre de réacteur d'épitaxie en phase vapeur, caractérisée en ce qu'elle comporte au moins un dispositif selon l'une des revendications 1 à 14 pour constituer un porte-échantillon. 16. Procédé de réalisation d'un dispositif semiconducteur, caractérisé en ce qu'il inclut le dépôt de' couches épitaxiales au moyen de la chambre selon la revendication 15.