Brevet FR2585879A1 — publié le 19870206

La présente invention concerne en général un procédé pour le dépôt des matériaux constituant l'électrode de grille dans un transistor inversé a effet de champ a couche mince. Plus particulièrement, la présente invention concerne l'utilisation de matériaux et de procédés spécifi- ques dans la fabrication de transistor à effet de champ utilisés dans des dispositifs de visualisation à cristaux liquides adressés par matrice. Plus spécifiquement, la présente invention concerne un procédé simplifié pour le dépôt de la grille, dans lequel le problème de la gravure sousjacente est simplifié et le matériau de la grille en titane est durci de sorte qu'il est moins affecté par l'at- taque et les étapes ultérieures du procédé servant à la formation des îles en silicium. Un dispositif de visualisation à cristaux liquides comprend typiquement une paire de panneaux plats scellés de manière étanche à leurs bords extérieurs et renfermant une certaine quantité de cristaux liquides. On divise typique- ment en deux catégories les matériaux pour cristaux liqui- des: les colorants dichroïques et un système "invité/hÈte" ou matériaux nématiques soumis à torsion. Les panneaux plats comprennent généralement un matériau transparent d'électrode qui est disposé sur leurs surfaces intérieures suivant des motifs prédéterminés. Il est fréquent qu'un panneau soit totalement recouvert d'une seule électrode transparente -2formant le "plan de masse". Le panneau opposé comporte un réseau d'électrodes transparentes qu'on appelera ici élec- trodes d'éléments d'image. Ainsi, une cellule typique dans un dispositif de visualisation à cristaux liquides comporte un matériau pour cristaux liquides disposé entre une élec- trode d'élément d'image et une électrode de masse formant, de fait, une structure semblable à un condensateur qui est disposée entre des panneaux avant et arrière transparents. Cependant, en général, la transparence n'est nécessaire que pour l'un des deux panneaux et pour les électrodes disposées dessus. En marche, l'orientation du matériau des cristaux liquides est affect6e par les tensions appliqu6es aux bornes des électrodes de chaque côté du matériau constituant les cristaux liquides. Typiquement, la tension appliquée à l'électrode d'élément d'image provoque un changement des propriétés optiques du matériau constituant les cristaux liquides. Ce changement optique a pour effet d'afficher une information sur l'écran du dispositif de visualisation à cristaux liquides. Dans les montres numériques classiques et dans les tout nouveaux écrans de visualisation à cristaux liquides qu'on utilise dans certains récepteurs miniatures de télévision, l'effet visuel est typiquement produit par des variations de la lumière réfléchie. Cependant, l'utili- sation de panneaux avant et arrière transparents et d'élec- trodes transparentes permet également de produire les effets visuels par des effets de transmission. Ces effets de trans- mission peuvent être facilités par des sources lumineuses alimentées séparément destinées au système de visualisation, dont les dispositifs du type à lampe fluorescente. On peut également utiliser des écrans de visualisation à cristaux liquides pour produire des images en couleur grâce à l'in- corporation de mosaïques de filtres en couleur qui sont cadrées avec le réseau d'électrodes d'éléments d'image. Certaines structures peuvent employer des filtres polari- sants soit pour améliorer soit pour fournir l'effet visuel désiré. On fait appel à des mécanismes électriques divers pour mettre en service et hors service, tour à tour, les éléments individuels d'image dans un dispositif de visuali- sation à cristaux liquides. Par exemple, on a employé à cet effet des dispositifs à varistor en oxyde métallique. Cepen- dant, l'utilisation d'éléments de commutation en semi-conduc- teur à couche mince est des plus appropriée dans le cas pré- sent. En particulier, l'élément de commutation de la présente invention comporte un transistor à effet de champ à couche mince employant une couche de silicium amorphe. On préfère de tels dispositifs dans les systèmes de visualisation à cristaux liquides à cause de leurs dimensions potentiellement faibles, de leur faible consommation d'énergie, des vitesses de commu- tation, de la facilité de fabrication, et de la compatibilité avec les structures classiques de visualisation à cristaux liquides. La fabrication de ces structures s'exécute typique- ment avec des méthodes de traitement de circuits intégrés qui font appel à diverses étapes de masquage pour dépôt et d'at- taque de matériaux. En général, on souhaite que le nombre d'étapes du procédé soit faible car chaque addition d'étape a pour effet d'augmenter les risques de défauts. En particulier, on souhaite que le nombre des étapes de masquage soit faible car, généralement, plus la complexité du procédé est grande, moins la fiabilité du dispositif obtenu et le rendement de la production sont élevés. En particulier, la présente invention a pour objet un procédé pour le dépôt du matériau de l'élec- trode de grille dans de tels dispositifs de façon que le procédé soit non seulement simplifié mais encore présente des avantages lors des dernières étapes de traitement. Dans la fabrication de transistors à effet de champ inversés à couche mince, l'une des premiers couches qu'on dépose et forme en motif est la couche décrivant les motifs de l'électrode de grille et de la ligne de grilles. Dans le - 4 - passé, l'exécution de la formation du motif de la grille en titane s'effectuait en procédant a une opération d'attaque a l'état humide. Cependant, il était difficile de maîtriser l'agent d'attaque a l'état humide à cause de la couche super- ficielle d'oxyde de titane qui s'attaquait plus lentement que le titane lui-même. Cela se traduisait souvent par une gravure sous-jacente variable et parfois très importante. Par exemple, dans une grille d'une largeur de 10 micromètres, il se produi- sait une gravure sous-jacente atteignant 2 micromètres. De plus, l'attaque humide du titane nécessitait le dépôt d'une couche initiale de nitrure de silicium de manière à éviter l'attaque du bioxyde de silicium sous-jacent ou du substrat sous-jacent par l'agent d'attaque du titane à l'état humide à base de fluorure d'hydrogène. L'attaque de la couche de bi- oxyde de silicium pendant la formation de la grille augmentait la hauteur du gradin que l'isolant de la grille avait à recou- vrir. Elle avait également un effet néfaste sur la surface du verre dont les propriétés optiques se trouvaient altérées. L'attaque de ce substrat est minimalisée par le dépôt supplé- mentaire d'une couche de nitrure de silicium qui est attaquée plus lentement que le couche de bioxyde de silicium. Cepen- dant, même l'utilisation de l'étape de dépôt de nitrure de silicium n'est pas souhaitable car ce dépôt peut être affecté par des particules et est plus lent a réaliser que le procédé décrit ici. La gravure sous-jacente de la structure de la grille est particulièrement indésirable dans les transistors A effet de champ employés dans les dispositifs de visualisation à cristaux liquides qu'on envisage ici. Par suite de la gravure sous-jacente de la structure de la grille, il peut s'avérer difficile d'aligner le masque de la source et du drain avec la structure de la grille. Cela peut provoquer un mauvais chevau- chement de la source et du drain et dans la plupart des cas aucun chevauchement du tout, ce qui détruit les performances du dispositif. Il en résulte un faible rendement de la fabri- -5 - cation. Cette réduction du rendement est en outre influencée par l'amincissement de la ligne de grilles pendant l'attaque des îles en silicium amorphe dans les dispositifs de visuali- sation. On a également trouvé que plusieurs tranches sont à mettre au rebut à cause de l'amincissement extrême de la grille en titane dû à la variabilité et au temps d'attaque des îles en silicium. Une telle marginalité dans une étape d'un procédé est extrêmement néfaste pour le rendement global. Selon un mode de réalisation préféré de la présente invention, un procédé de dépôt du matériau constituant l'élec- trode de grille dans un transistor inversé à effet de champ à couche mince comprend les étapes suivantes. On dépose une couche de bioxyde de silicium sur un substrat isolant, puis une couche de titane sur la couche de bioxyde de silicium. On revêt la couche de titane d'une photo-réserve positive qui est exposée par l'intermédiaire d'un masque désiré du motif de manière à créer un motif du matériau de la réserve exposé. On développe ce matériau conformément aux processus classiques. Plus particulièrement, s'agissant de la présente invention, on attaque alors la tranche au plasma, de préférence dans une atmosphère de tétrafluorure de carbone et d'oxygène afin d'enlever le titane du substrat. On polit au disque toile la tranche sous plasma et en atmosphère d'oxygène de manière à enlever la réserve restante et aussi dans le but de durcir le matériau de la grille en titane de manière à le rendre davan- tage durable pour les étapes suivantes du procédé. Par conséquent, la présente invention a pour objet un procédé pour la fabrication de transistors à effet de champ a couche mince. La présente invention a pour autre objet une struc- ture et un procédé pour la fabrication de transistors à effet de champ à couche mince en conjonction avec la réalisation de dispositifs de visualisation à cristaux liquides. La présente invention a encore pour objet un dispo- sitif de visualisation à cristaux liquides à matrice active. - 6 - La présente invention a encore pour objet de prévoir des matériaux, structures et procédés permettant de réduire l'apparition d'une gravure sous-jacente dans la fabrication d'électrodes de grille pour dispositifs à transistor à effet de champ à couche mince. La présente invention a pour autre objet un procédé d'attaque à sec pour le dépôt du titane de l'électrode de grille. La présente invention a encore pour objet de durcir le titane afin d'éviter l'amincissement de la ligne de grilles dans les étapes ultérieures de traitement. Enfin, mais sans que cela soit limitatif, la pré- sente invention a pour objet un procédé pour la fabrication de la couche d'électrodes de grille dans des circuits à transis- tors à effet de champ à couche mince et des dispositifs de visualisation associés à cristaux liquides, de manière à obtenir un plus grand rendement de production et des compo- sants et dispositifs plus fiables. La suite de la description de réfère aux figures annexées qui représentent respectivement: Figure 1, un diagramme schématique des circuits électriques illustrant le contexte dans lequel on emploie les transistors à effet de champ à couche mince de la présente invention; figure 2, une vue en élévation de côté, en coupe, d'une partie d'une cellule d'éléments d'image dans un disposi- tif de visualisation à cristaux liquides, comprenant la struc- ture de transistor à effet de champ de la présente invention; figure 3A, une vue en plan d'un transistor à effet de champ et d'une partie d'une électrode d'éléments d'image, selon la présente invention; figure 3B, une vue en élévation de côté, en coupe, illustrant plus particulièrement l'alignement de la structure du transistor à effet de champ avec des parties représentées dans la vue en plan de la figure 3A; et -7- figure 4A, une vue en élévation de côté, en coupe, représentant plus particulièrement le résultat du procédé de la présente invention; et figures 4B-4J, des vues en élévation de côté, en coupe, illustrant d'autres étapes de la fabrication des struc- tures du transistor à effet de champ et du dispositif de visualisation à cristaux liquides. La figure 1 illustre, sous forme schématique, un circuit de visualisation à cristaux liquides adressé par matrice. Plus particulièrement, on a représente un réseau N x M d'électrodes 16 d'éléments d'image, ainsi que les éléments associés de commutation 50 à transistor à effet de champ. Les électrodes de grille des éléments de commutation de la rangée i sont reliées à une ligne G. d'attaque de grille. D'une i manière identique, l'électrode de source dans chaque colonne j est connectée à une ligne de données ou de sources S.. Dans J la figure représentée, j va de 1 à M et i de 1 à N. Cependant, on remarquera que de nombreuses structures de transistor à effet de champ sont symétriques en ce qui concerne les pro- priétés de la source et du drain et que dans de nombreux cas les connexions de la source et du drain peuvent être inver- sées. Néanmoins, la figure 1 indique plus particulièrement que chaque électrode 16 d'éléments d'image est reliée au drain de son transistor à effet de champ de commutation associé. En fonctionnement, l'élément d'image de la ieme rangée et de la eme j3 colonne est mis en service en appliquant simultanément des signaux appropriés a la ligne de grilles G. et à la i ligne de données S.. Cela a pour effet d'appliquer une tension aux électrodes 16 d'éléments dDimage qui agit pour modifier les propriétés optiques des matériaux constituant les cristaux liquides disposés entre l'électrode 16 et le plan de masse ou contre-électrode (non visible en figure 1). Les électrodes 16 d'éléments d'image comprennent un matériau conducteur transparent tel que l'oxyde d'étain et d'indium. La figure 2 illustre une partie d'un dispositif de visualisation à cristaux liquides selon la présente invention. Plus particulièrement, la figure 2 représente le panneau supérieur et le panneau inférieur d'un dispositif de visuali- sation à cristaux liquides. Plus particulièrement, on a égale- ment illustré dans la figure la relation physique entre la structure de transistor à effet de champ et une électrode d'éléments d'image. En figure 2, on a représenté le panneau supérieur 70 du dispositif de visualisation, qui est typique- ment constitué d'un matériau tel que le verre. Disposée sur la surface inférieure du panneau 70, une fine couche d'un maté- riau tel que l'oxyde d'étain et d'indium 76 agit en contre- électrode transparente, ou électrode plane de masse. Les différences de potentiel électrique apparaissant entre l'élec- trode 76 et l'électrode 16 produisent des variations optiques dans le matériau 60 des cristaux liquides qui est disposé entre ces électrodes. Ce sont les effets optiques produits par cette différence de potentiel qui provoquent l'affichage de l'information sur le dispositif à cristaux liquides. Le tran- sistor à effet de champ 50 et l'électrode 16 d'élément d'image sont disposés sur une couche isolante 12, elle-même placée sur le panneau inférieur 10 du dispositif de visualisation. Le revêtement 12 est typiquement constitué d'un matériau tel que le bioxyde de silicium. Le panneau 10 est typiquement consti- tué d'un matériau tel que le verre. En général, le panneau 70, les électrodes de panneau 76, l'électrode 16 d'élément d'image, le revêtement 12 et le panneau 10 peuvent tous être constitués d'un matériau transparent. Cela est particulière- ment utile dans le cas des dispositifs de visualisation à cristaux liquides dans lesquels la lumière renvoyée est em- ployée pour former l'image souhaitée. Cependant, il est seule- ment nécessaire que soit le panneau supérieur 70 soit le substrat inférieur 10, en même temps que le revêtement de l'électrode associée, soit transparent. Comme on l'a indiqué ci-dessus, les électrodes 16 sont disposées sur l'un des panneaux du dispositif de visua- - 9 - lisation. Il est également nécessaire de relier chaque élec- trode 16 a son élément associé de commutation en semi-conduc- teur. Dans la présente application, l'élément de commutation en semiconducteur comprend un transistor A effet de champ A base de silicium amorphe qui comporte une électrode de grille 14 de préférence en titane. Au-dessus de l'électrode 14, se trouve disposée une couche isolante 18 constituée typiquement d'un matériau tel que le nitrure de silicium. Au-dessus de la couche isolante 18, se trouve une couche active de silicium amorphe 20. En général, il est souhaitable de disposer les électrodes de source et de drain en contact direct avec du silicium actif. Néanmoins, des matériaux tels que le molybdène qu'on emploie dans la couche de métallisation de la source et du drain peuvent ne pas former un bon contact électrique avec du silicium amorphe intrinsèque, en particu- lier si la surface du silicium est exposée à des étapes ulté- rieures de traitement avant le dépôt du métal source-drain. Par conséquent, il est souhaitable d'employer un métal de contact intermédiaire, qui peut être du molybdène ou de l'alu- minium, afin de faciliter et améliorer la liaison électrique avec le silicium amorphe. Cela comprend l'utilisation de revêtements 22a et 22b en aluminium pour les électrodes de source et de drain 24a et 24b, respectivement. En même temps, on fabrique et dispose l'électrode de drain 24b et l'électrode de source 24a de manière A fournir un contact électrique avec l'électrode 16 d'éléments d'image, comme cela est représenté. Enfin, on place une couche de matériau de passivation 26, par exemple en nitrure de silicium, sur le substrat inférieur du dispositif de visualisation A cristaux liquides. La présente invention comprend également le cas o le silicium amorphe du type N+ est employé pour faciliter le contact avec la couche de silicium amorphe au lieu d'une fine couche d'aluminium. À. On remarquera également en figure 2 que l'électrode de grille 14, ainsi que les lignes associées d'attaque de la - 10 - grille, sont en contact avec la couche 12, comme cela est aussi le cas de la couche 16 d'oxyde d'étain et d'indium. Si l'on doit déposer ces couches approximativement lors de la même étape du processus de fabrication, les matériaux choisis pour constituer ces couches doivent présenter un certain degré de compatibilité. Cela est particulièrement vrai lorsqu'il s'agit des agents de gravure qu'on emploie pour réaliser les motifs formés par les couches. Par conséquent, la structure et le procédé de la présente invention font appel à du titane pour constituer le matériau de l'électrode de grille et à de l'oxyde d'étain et d'indium pour le matériau formant l'élec- trode transparente d'éléments d'image. Cependant, ces pro- blêmes de compatibilité ne concernent pas l'électrode de masse disposée sur le substrat supérieur 70. La figure 3A est une vue en plan de la structure physique d'un élément de commutation 50 et de son électrode associée 16 d'éléments d'image au voisinage de l'intersection de la ligne G. d'attaque de grilles et de la ligne S. d'attaque de données. Pour être complet, en figure 3B on a illustré en coupe les structures correspondantes. En parti- culier, la figure 3A représente la présence d'une le isolante constituée principalement de la couche isolante 18 et de la couche 20 de silicium amorphe. Cette île assure l'isolement entre la ligne de données S. et la ligne de grilles G.. On peut voir aussi que la ligne de données S. peut également servir directement d'électrode de source (ou d'électrode de drain dans une situation inverse) pour un transistor à effet de champ à couche mince. On peut voir également que l'élec- trode de grille 14 est de préférence prévue comme une exten- sion de la ligne G. d'attaque de grilles. Les lignes d'at- i taque de grilles et les électrodes de grille sont de préfé- rence fabriquées au cours de la même étape du procédé et comprennent le même matériau et, dans la présente invention, on emploie du titane pour assurer la compatibilité avec l'électrode 16 en oxyde d'étain et d'indium. - 11 - Comme l'électrode de grille est fabriquée au début du procédé, et est disposée sur le substrat isolant sous- jacent, et étant donné que la couche isolante de la grille isole également les électrodes de grille et de source, on décrit les structures de transistor a effet de champ repré- sentées en figures 2 et 3B comme des transistors à effet de champ inversés. Cependant, cette expression ne s'applique qu'à leurs propriétés physiques et non à leurs propriétés élec- triques. Bien qu'il puisse sembler que la structure repré- sentée en figures 1, 2 et 3 soit facilement réalisable, on remarquera également qu'il y a des problèmes importants de compatibilité entre matériaux et agents de gravure des maté- riaux qui sont soulevés par la fabrication de la structure représentée. Le procédé de la présente invention fait appel à des matériaux et à des étapes qui permettent de surmonter ces problèmes de compatibilité, tout en se traduisant par un processus de fabrication dans lequel les opérations de mas- quage sont réduites au minimum. En général, il y a lieu d'éviter d'avoir à employer un grand nombre d'opérations de masquage à cause des problèmes de fiabilité des dispositifs et des rendements de production. Par conséquent, les figures 4A-4J illustrent les diverses étapes de la fabrication du dispositif représenté en figures 1 à 3. Plus particulièrement, le procédé de fabrication illustré dans ces figures concerne la production de dispositifs à éléments de commutation a transistor à effet de champ à base de silicium amorphe à couche mince qui sont compatibles avec l'emploi d'oxyde d'étain et d'indium comme matériau constituant les électrodes transparentes. Selon un mode de réalisation préféré de la présente invention, le motif de l'électrode de grille illustré en figure 4A ainsi qu'en figure 3A est formé ou fabriqué au moyen d'attaque à plasma à l'état sec. Dans ce procédé, un substrat isolant. de préférence en verre, est revêtu d'une couche de - 12 - bioxyde de silicium suivant une épaisseur d'environ 120nm. Avant le revêtement du substrat avec le silicium, on nettoie le substrat de manière à conférer à la tranche ou bus la qualité permettant son traitement. Une couche 12 de bioxyde de silicium est alors de préférence déposée sur son dessus par pulvérisation ou dépôt par vapeur chimique amélioré par plasma. Cependant, des études récentes ont montré que la couche 12 est facultative. On nettoie alors de préférence la tranche et la recouvre d'une couche de titane suivant une épaisseur d'en- viron 80nm. Ce dépôt est de préférence exécuté par évaporation par faisceau électronique. On nettoie alors le substrat résul- tant de préférence a l'eau et le revêt d'une photoréserve positive. On expose alors la photoréserve par l'intermédiaire du masque du motif désiré afin de créer un motif de la réserve exposée. Une réserve appropriée est le type dit Shippley 1450J. On développe alors cette réserve. On souligne que dans les procédés antérieurs utilisés pour le dépôt du matériau de la grille, il fallait une étape de dépôt de nitrure de sili- cium de manière à éviter que les agents de gravure employés à l'état humide dans l'enlèvement de la grille n'attaquent la couche sous-jacente d'oxyde de silicium. On évite cette étape dans la présente invention ainsi que l'étape nécessaire de nettoyage. En liaison plus particulièrement avec la présente invention, on attaque maintenant par plasma le substrat résul- tant de manière à enlever le titane présent au-dessous du motif de la réserve exposée. Cette attaque se produit de préférence sous atmosphère de tétrafluorure de carbone avec 4% d'oxygène. L'utilisation de ce procédé pour l'attaque du titane de la grille permet d'éliminer la couche de protection de nitrure de protection qu'on a signalée ci-dessus car le bioxyde de silicium arrête plus efficacement un agent de gravure que le nitrure de silicium pour le plasma en tétra- fluorure de carbone. Les grilles attaquées par plasma rédui- sent la gravure sous-jacente de 2,0 micromètres (valeur qu'on rencontre fréquemment dans les attaques à l'état humide) a - 13 - environ 0,5 micromètre, ce qui se traduit par un rendement plus élevé par suite de la meilleure maîtrise du chevauchement source/drain. En outre, le substrat résultant dans le procédé de la présente invention est alors poli sous plasma en atmo- sphère d'oxygène pour enlever la photoréserve restante. Ce polissage est de préférence exécuté à une température comprise entre 80 C et 150 C dans une atmosphère d'oxygène pur à une pression comprise entre environ 13Pa et environ 1300 Pa et avec une puissance RF comprise entre environ 50 et 300 watts. Ce procédé présente l'avantage annexe que le titane de la grille est exposé à une atmopshère d'oxygène qui a tendance à durcir ce matériau et a le rendre moins sujet à érosion dans les étapes ultérieures du procédé, en particulier lors de la formation des îles en nitrure et en silicium, comme on le décrit ci-dessous. Enfin, dans le procédé de la présente invention, on détache du substrat la réserve restante. La figure 4B illustre l'étape suivante du procédé de la présente invention. Dans cette étape, on d6pose par pul- vérisation le matériau 16 de l'électrode d'éléments d'image en oxyde d'étain et d'indium, et procède à une attaque à l'état humide. L'étape illustrée en figure 4B représente par consé- quent la seconde étape de masquage employée dans la présente invention. La formation des électrodes d'éléments d'image s'effectue après la formation du motif de métallisation de la grille de manière à éviter l'exposition à l'agent de gravure utilisé à l'état humide pour la métallisation de lagrille. Le matériau de l'électrode 16 est de préference déposé par pul- verisation d'oxyde d'étain et d'indium suivant une épaisseur d'environ 90nm. La figure 4C illustre l'étape suivante du procédé de la présente invention, laquelle concerne le d6pôt de la couche isolante 18. Cette couche comprend de préférence du nitrure de silicium qu'on forme de préférence par dépôt par vapeur chimi- que amélioré par plasma suivant une épaisseur d'environ 150nm. Ensuite, on dépose d'une manière identique une couche de - 14 - silicium amorphe suivant une épaisseur d'environ 200nm. On notera que la formation des couches de nitrure de silicium et de silicium amorphe est de préférence effectuée au cours d'une seule opération, c'est-à-dire que les couches sont déposées la suite en changeant simplement les gaz employés dans le récipient sous vide sans rompre son étanchéité. On trouvera une description générale du procédé de dépôt par vapeur chimi- que amélioré par plasma dans l'article intitulé "Plasma-pro- moted Deposition of Thin Inorganic Films" (Dépôt favorisé par plasma de fines pellicules minérales), de M. Rand dans J. Vac. Sci. Tech., Vol. 16, page 420 (1979). Bien que sensiblement moins souhaitable, il est également possible de former la couche de silicium amorphe par pulvérisation, puis hydrogéna- tion. Un aspect important du procédé de la présente invention est qu'il y a lieu de déposer la couche suivante d'aluminium immédiatement après le dépôt du silicium amorphe dans le but d'obtenir un contact fiable. Cela est très souhaitable à cause de l'oxydation et de la contamination de la surface de sili- cium qui pourraient alors se produire. S'agissant de l'aspect immédiat du dépôt de l'aluminium, on remarquera que ce dépôt a lieu avant tout autre traitement de surface. Par exemple, il est fâcheux de retarder le dépôt de l'aluminium de plus de 2 heures environ si la surface du substrat est exposée à l'air. Le maintien du substrat en atmosphère inerte prolongerait, évidemment, ce laps de temps. Néanmoins, étant donné que l'un des objets de la présente invention est d'assurer un bon contact avec le silicium amorphe, il est généralement préfé- rable de déposer la couche d'aluminium dès que cela s'avère pratique sans traitement ultérieur de la surface. En figure 4D on a illustré le dépôt de la couche 20 de silicium amorphe et en figure 4E l'évaporation par faisceau électronique de la couche d'aluminium 22. On dépose typiquement l'aluminium suivant une épaisseur d'environ 50nm. On dépose de préférence par plasma la couche de silicium amorphe suivant une épaisseur d'environ 200nm. En figure 4E, on a illustré la structure - 15 - ainsi obtenue. Alors qu'on a plus particulièrement décrit le pro- cédé de formation de la grille de la présente invention en conjonction avec l'emploi d'une couche d'aluminium pour faci- liter le contact électrique avec la couche de silicium amorphe intrinsèque, on emploie aussi le procédé de la présente inven- tion lorsqu'on utilise à sa place une couche de silicium amorphe N+ pour assurer la même fonction. Cette couche de silicium amorphe N+ se forme essentiellement dans la même étape du procédé que les couches de nitrure de silicium et de silicium amorphe intrinsèque en changeant simplement les gaz appropriés dans la chambre du procédé sans rompre l'étanchéité à l'air. La figure 4F illustre l'étape suivante du procédé qui consiste à réaliser le motif de la couche d'aluminium 22 de manière que cette couche soit découpée dans la structure désirée de l'1île (plus complètement formée dans le traitement ultérieur), ce qu'on a plus particulièrement représenté par les références 20 et 18 en figure 3A. La présence de la couche d'aluminium 22 satisfait les impératifs de contact, et comme elle est attaquée avec l'oxyde d'étain et d'indium recouvert par le niture de la grille, on n'observe aucune attaque de la couche 16 de l'électrode d'éléments d'image et donc aucun "fromage suisse". La figure 4G illustre l'étape suivante du procédé, dans laquelle on réalise les motifs des úles en silicium amorphe et en nitrure de silicium. Cette opération represente Ia quatrième étape de masquage. Le masque employé peut être le même que celui utilisé dans la réalisation des îles d'alumi- nium. De manière à utiliser le même masque, on procède à une double exposition, au cours de laquelle le masque est animé d'un mouvement de vaet-vient dans la même direction diagonale et cela deux fois de manière à assurer un plus grand enlève- ment de l'aluminium. Cependant, en général, il est préférable d'employer un masque séparé pour la réalisation du motif des - 16 - parties en silicium et en nitrure de la structure de l'île. Le but de cette découpe de la couche d'aluminium est d'éviter une gravure sousjacente qui pourrait avoir pour origine des taux d'attaque différentiels de l'aluminium et des autres consti- tuants de l'ile. L'agent de gravure par plasma qu'on emploie pour enlever les couches de nitrure de silicium et de silicium amorphe n'attaque pas la couche d'oxyde d'étain et d'indium. La figure 4H illustre l'étape suivante du procédé de la présente invention, au cours de laquelle on dépose sur le substrat une couche de molybdène. Par exemple, on peut déposer une couche de molybdène 24 ayant une épaisseur de 300nm. Comme représenté en figure 4I, on procède à l'obtention du motif de cette couche en utilisant un agent de gravure à l'état humide avec un mélange d'acides phosphorique, acétique et nitrique faible, avec aucune attaque de l'oxyde d'étain et d'indium. L'agent de gravure constitué des acides précédents enlève également la petite quantité d'aluminium du canal entre les pastilles de source et de drain. Le dépôt source-drain en molybdène forme un siliciure autour du bord de l'île qui se traduit par une fuite du drain, de la source et de la grille. Cependant, cela est éliminé en procédant à une attaque par plasma de la surface exposée du silicium (attaque du canal) et on dépose alors sur le dispositif un nitrure à basse tempéra- ture pour assurer la protection et la passivation de la sur- face exposée du silicium (se reporter à la figure 4J). D'après ce qui précède, on remarquera que le procédé de dépôt d'une électrode de grille selon la présente invention fournit un processus simplifié pour la fabrication d'un tran- * sistors inversés à effet de champ à couche mince. On voit en outre que ce procédé se traduit par la formation d'unmatériau durci pour la grille, qui a tendance à être beaucoup moins sujet à une attaque de la part des agents de gravure employés dans les étapes ultérieures de traitement. On voit en outre que le procédé de la présente invention élimine la nécessité de disposer une couche de nitrure de silicium de protection. - 17 - 2585879 On remarque également que le procédé de dépôt d'une électrode de grille qu'on a décrit ici élimine sensiblement le problème de la gravure sousjacente qu'on rencontre dans les procédés classiques d'attaque à l'état humide. Cependant, on voit que le procédé décrit ici est, en général, compatible avec le procédé classique de traitement à intégration à très grande échelle. On remarquera aussi dans la présente invention que le procédé de traitement permet une fabrication plus fiable et de plus grand rendement dans la construction de dispositifs sensibles de visualisation à cristaux liquides à haute résolu- tion. - 18 - REVENDICATIONS 1. Procédé de dépôt du matériau constituant l'élec- trode de grille dans un transistor inversé a effet de champ à couche mince, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: disposer une couche d'oxyde de silicium sur un substrat isolant (10); disposer une couche de titane sur la couche d'oxyde de silicium; revêtir la couche de titane avec une photor6serve positive; exposer la photoreserve par l'intermédiaire d'un masque du profil désiré afin de créer un profil de réserve exposée; développer la couche de réserve; attaquer par plasma le titane au-dessous de la réserve exposée; polir au plasma la réserve restante sous atmosphère d'oxygène; et détacher la réserve restante. 2. Procédé selon selon la revendication 1, caracté- risé en ce que l'oxyde de silicium est déposé par pulvérisa- tion. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'oxyde de silicium est déposé suivant une épaisseur d'environ 120 nm. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat isolant comprend du verre. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt d'oxyde de silicium comprend le nettoyage du substrat avant le dépôt de l'oxyde. 6. Procédé selon la revendication 1, caract6risé en ce que le titane est d6pose par évaporation par faisceau électronique. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en - 19 - ce que le titane est disposé suivant une épaisseur d'environ nm. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre le nettoyage du substrat après dépôt de l'oxyde de silicium. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape de nettoyage du substrat après le dépôt de la couche de titane. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'attaque au plasma du titane se produit sous atmo- sphère de tétrafluorure de carbone et d'oxygène. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'oxygène constitue 4% en volume de l'atmosphère. 12. Proc6dé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le polissage au plasma se produit à des températures comprises entre environ 80 C et environ 150 C. 13. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le polissage au plasma se produit à des pressions comprises entre environ 13 Pa et environ 1300 Pa. 14. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le polissage au plasma se produit à des puissances en haute fréquence comprises entre environ 50 et environ 300 watts. 15. Procédé de d6pÈt du matériau constituant l'élec- trode de grille dans un transistor inversé A effet de champ à couche minice, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant: disposer une couche de titane sur une couche d'un substrat isolant; revêtir la couche de titane avec une photoréserve positive; exposer la photoréserve par l'intermédiaire d'un masque du profil désire afin de créer un profil de réserve exposée; développer la couche de réserve; - 20 - attaquer par plasma le titane au-dessous de la réserve exposée; polir au plasma la réserve restante sous atmosphère d'oxygène; et détacher la réserve restante. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que le polissage au plasma se produit à des températures comprises entre environ 80 C et environ 150'C. 17. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que le polissage au plasma se produit à des pressions comprises entre environ 13 Pa et environ 1300 Pa. 18. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que le polissage au plasma se produit à des puissances en haute fréquence comprises entre environ 50 et environ 300 watts.