Brevet FR2589281A1 — publié le 19870430

La présente invention concerne un dispositif à laser semi-conducteur qui fait osciller une lumière laser avec une longueur d'onde d'oscillation rentrant dans le domaine visible, notamment un dispositif à laser semiconducteur de haute qualité qui puisse être réalisé par épitaxie par faisceau moléculaire. On va maintenant définir l'art antérièhk; Ces dernières années, des procédés de croissance de film de cristal mince unique, comme un procédé d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) et un procédé de dépôt organo- chimique en phase vapeur (MO-CVD) ont rapidement progressé. Par ces procédés de croissance, il est possible de pro- duire par croissance épitaxiale des couches d'une minceur o extrême, de l'ordre de 10 A. Du fait des progrès obtenus dans ces techniques de croissance de cristaux, il est possible de réaliser des dispositifs à lasers qui sont basés sur des structures comportant des couches très minces, qui ne pourraient pas être aisément réalisés par des procédés d'épitaxie en phase liquide classiques. Un exemple typique de ces dispQsitifs à lasers est le laser a couche a puits de quantum (QW) dans lequel la o couche active a une épaisseur de 100 A ou moins, en donnant lieu ainsi à la formation de niveaux de quantum, alors que la couche active du laser à double hétéro- structure (DH) classique a une épaisseur de plusieurs centaines d'angstr8ms ou plus. En conséquence, ce laser QW est avantageux par rapport aux laser DH classique par le fait que le niveau de courant de seuil est réduit, que les caractéristiques de température sont excellentes et que les caractéristiques transitoires sont très bonnes. Cela a été rapporté par W.T. Tsang, "Applied Physics Letters", vol. 39, No. 10, page 786 (1981); N.K. Dutta, "Journal of Applied Physics", vol. 53, No. 11, page 7211 (1982); et H. Iwamura, T. Saku, T. Ishibashi, K. Otsuka, Y. Orikoshi, "Electronics Letters", vol. 19, No. 5, page 180 (1983). Comme mentionné ci-dessus, par utilisation de procédés de croissance de film à cristal mince unique, tels que les procédés MBE et MO-CVD, il est maintenant possible d'utiliser en pratique des lasers semi-conduc- teurs de haute qualité ayant une nouvelle structure à couches multiples. Une structure typique de lasers QW classiques est le laser à AlGaAs qui comporte une hétéro-structure avec confinement-séparation et gradation d'index (GRIN-SCH). La fraction molaire AlAs située dans la zone active de ces lasers semi-conducteurs est représentée sur la Figure 5. Les lasers à GaAs-GaAlAs contenant GaAs comme une couche à puits de quantum est produite par un procédé MBE de la façon suivante: La région GRIN 42 est formée par crois- sance avec réduction de la température de cellule Ai à partir de la surface extérieure de la couche de revête- ment 41, qui constitue une double-hétéro-structure formée par interposition de la couche active entre les couches de revêtement. Ensuite, par fermeture de l'obturateur de cellule Ai, la couche 43 à puits de quantum en GaAs est formée par croissance. Ensuite, l'obturateur de cellule A1 est à nouveau ouvert et la température de cellule A1 est augmentée de manière à produire une croissance de la région GRIN 44 sur la couche 43 à puits de quantum en GaAs, cette étape étant suivie par une croissance de la couche de revêtement 45 sur la région GRIN 44. En conséquence, par régulation de la température de cellule A1 et par ouverture et fermeture de l'obturateur, on peut réaliser une croissance de cristal en utilisant seulement une cellule A1, ce qui signifie que l'appareillage MBE néces- saire n'est pas compliqué. Cependant, lorsque cette struc- ture est placée sur un dispositif à laser en lumière vi- sible comportant une couche à puits de quantum en AlGaAs, la fraction molaire de AlAs se trouvant dans la zone active est conforme à ce qui est représenté sur la Figure 6, et deux cellules Ai doivent être utilisées. Une des cel- lules est ouverte de façon à produire une fraction mo- laire d'AlAs de 0,3, tandis que l'autre cellule Ai contrôle les couches de revêtement 3 et 7 et les régions GRIN 4 et 6. Cela explique pourquoi deux cellules A1 sont nécessaires. En outre, on utilise du AlGaAs en vrac comme couche à puits de quantum, ce qui crée des difficultés pour maintenir le rendement de radiation à un niveau élevé. Le dispositif à laser semi-conducteur de cette invention, qui remédie aux inconvénients mentionnés ci- dessus et à de nombreux autres inconvénients et déficiences de l'art antérieur, contient une zone de fonctionnement oscillant de laser qui comprend: une région à. puits de quantum supra-réticulée qui est constituée de couches alternées se composant de couches de GaAs et de couches minces de AlxGalxAs (0 part et d'autre de ladite région à puits de quantum supra- réticulée, la fraction molaire de AlAs (c'est-à-dire x) de chacune desdites couches de guidage optique étant continuellement modifiée, et des couches de revêtement étant respectivement superposées sur lesdites couches de guidage optique. Dans une réalisation préférée, toute l'étendue de chacune desdites couches de guidage optique est cons- tituée par une région GRIN, dont la fraction molaire de AlAs varie en correspondance à la distribution parabolique. En variante, l'étendue de chacune desdites couches de guidage optique, positionnées au voisinage de l'interface entre les couches de guidage optique et les couches de revêtement, est constituée par une région GRIN, dont la fraction molaire de AlAs est fortement différente de celle de ladite région à puits de quantum, tandis que la fraction molaire de AlAs se trouvant dans la zone de chacune desdites couches de guidage optique positionnées au voisinage de ladite région à puits de quantum est la même que celle de ladite région à puits de quantum. Le procédé de fabrication du dispositif à laser semi-conducteur de cette invention comprend les étapes consistant à: (1) former par croissance des couches de guidage optique, dont la fraction molaire de AlAs est continuellement _ -- - _modifiée, par épitaxie par faisceau moléculaire, (2) ouvrir et fermer de façon répétée l'obturateur d'une cellule Al de façon à produire une croissance de couches alternées se composant d'une pluralité de couches de GaAs, comportant chacune une épaisseur de plusieurs couches moléculaires ou moins, ainsi qu'une pluralité de couches de AlxGal xAs (Ox 1), ayant chacune une épaisseur de plusieurs couches moléculaires ou moins, par épitaxie par faisceau moléculaire, afin d'obtenir finalement une région à puits de quantum supra-réticulée de manière à - - -l'interposer entre lesdites couches de guidage optique, et (3) faire croître respectivement des couches de revêtement sur les côtés extérieurs desdites couches de guidage optique par épitaxie par faisceau moléculaire, lesdites couches de guidage optique, ladite région à puits de quantum et lesdites couches de revêtement constituant la zone de fonctionnement oscillant de laser dudit dispositif à laser semi-conducteur. Dans une réalisation préférée, toute l'étendue de chacune desdites couches de guidage optique est cons- tituée par une région GRIN, dont la fraction molaire de AlAs varie en correspondance à la distribution parabolique. En variante, l'étendue de chacune desdites couches de gui- dage optique positionnées au voisinage de l'interface entre les couches de guidage optique et les couches de revêtement est constituée par une région GRIN, dont la fraction molaire AlAs est fortement différente de celle de ladite région à puits de quantum, tandis que la fraction molaire de AlAs se trouvant dans la région desdites couches de guidage optique et positionnée au voisinage de ladite région à puits de quantum est la même que celle de cette région à puits de quantum. En conséquence, l'invention décrite ici permet d'atteindre les objectifs consistant à: (1) fabriquer un dispositif à laser semi-conducteur de haute qualité qui produise une oscillation de lumière visible pour un faible niveau de courant de seuil; (2) réaliser un dispositif à laser semi-conducteur qui puisse être produit par une seule cellule Al par utilisation de la possibilité de contrôle de l'épais- seur de couche par épitaxie par faisceau moléculaire; et (3) mettre en oeuvre un procédé de fabrication du dispositif à laser mentionné ci-dessus. D'autres caractéristiques et avantages de l'in- vention apparaltront à la lecture de la suite de la des- cription, donnée à titre d'exemple non limitatif et sur les dessins annexés dans lesquels: La Figure 1 est une vue en coupe de face mon- trant un dispositif à laser semi-conducteur conforme à cette invention; la Figure 2 est un graphique donnant la frac- tion molaire de AlAs (c'est-à-dire x) dans un cristal mixte en AlxGalxAs se trouvant dans la région active du dispo- sitif à laser semi-conducteur représenté sur la Figure 1; la Figure 3 est un graphique donnant la frac- tion molaire de AlAs (c'est-a-dire x) dans un cristal mixte en AlxGa _xAs se trouvant dans la zone active d'un autre dispositif à laser semiconducteur conforme à cette invention; la Figure 4 est un graphique représentant la fraction molaire de AlAs (c'est-à-dire x) dans un cristal mixte en AlxGa xAs se trouvant dans la région active d'un autre dispositif à laser semi-conducteur conforme à cette invention; la Figure 5 est un graphique donnant la frac- tion molaire de AlAs (c'est-à-dire x) dans un cristal mixte en AlxGalxAs d'un dispositif à laser semi-conduc- teur GRIN-SCH classique ayant une longueur d'onde d'os- cillation rentrant dans le domaine infrarouge; la Figure 6 est un graphique montrant la frac- tion molaire de AlAs (c'est-à-dire x) dans un cristal mixte en AlxGalxAs d'un dispositif à laser semi-conducteur GRIN-SCH classique ayant une longueur d'onde d'oscillation rentrant dans le domaine visible. On va maintenant donner une description des réalisations préférées. Le dispositif à laser semi-con- ducteur à puits de quantum conforme à cette invention produit une lumière visible, le dispositif comportant des couches de guidage optique dans lesquelles sont pré- vues des régions GRIN, ainsi qu'une couche à puits de quantum qui est interposée entre les couches de guidage optique. La couche à puits de quantum est constituée par une couche semi-conductrice supra-réticulée qui est composée de couches alternées se composant d'une pluralité de couches de GaAs et d'une pluralité de couches de AlGaAs, ou bien d'une pluralité de couches de GaAs et d'une plu- ralité de couches d'AlAs, et en outre chaque couche constituant la couche semi-conductrice supra-réticulée est extrêmement mince (par exemple d'une épaisseur de plusieurs angstr5ms), de telle sorte que le dispositif à laser semi-conducteur de cette invention peut être produit en utilisant une seule cellule Al par épitaxie par faisceau moléculaire. La structure du dispositif à laser semi-conducteur conforme à cette invention,qui a été mentionnée ci-dessus,est tout à fait différente de celle d'un dispositif à laser semi-conducteur classique comprenant une couche à puits de quantum qui est composée uniquement d'AlGaAs. En outre, puisqu'un porteur existe théoriquement dans une condition tridimensionnelle dans un b9281 super-réseau, puisque la structure à puits de quantum est formée par des couches semi-conductrices ayant une structure de bande d'énergie qui est différente de. celle de cristaux en vrac, le porteur a tendance à exister dans une condition bidimensionnelle à l'intérieur du super- réseau, ce qui permet la réduction du niveau du courant de seuil dans la zone de courtes longueurs d'ondes. Exemple 1 La Figure 1 représente un dispositif à laser semi-conducteur conforme à cette invention qui est pro- duit de la façon suivante: Sur un substrat en n-GaAs (densité de porteur Si = 1018 cm-3) 1, on forme succes- sivement par croissance par épitaxie par faisceau molé- culaire une couche-tampon 2 en n-GaAs (Si = 1018 cm-3, dont l'épaisseur est de 0,5 pm), une couche de revêtement 3 en n-A10,7Ga0 3As (Si = 1O18 cm-3), dont l'épaisseur est de 1,5 pm), une couche GRIN 4 en AlxGalxAs non-dopée (dont l'épaisseur est de 0,2 pm), une couche 15 à puits de quantum supra-réticulée en GaAs/110, 28Ga0 72As non- dopée ayant une épaisseur de vingt-six couches moléculaires O ou de 73,58 A (qui est composée de couches alternées se composant de quatre couches GaAs ayant chacune une épais- seur de cinq couches moléculaires et trois couches de A1 0,28Ga0,72As ayant chacune une épaisseur de deux couches moléculaires), une couche GRIN 6 en AlxGal As non-dopée (dont l'épaisseur est de 0,2 pm), une couche de revêtement 7 en p-Al 0,7Ga0,3As ((Be = 1018 cm3, dont l'épaisseur est de 1,5 pm), une couche de recouvrement 8 en p-GaAs (Be = 1018 cm 3, dont l'épaisseur est de 0,5 pm), et une couche de blocage de courant 9 en n-A10,5Gao,5As (Si = 101 cm3, dont l'épaisseur est de 0,3 pm). La Figure 2 montre la fraction molaire de AlAs (c'est-à-dire x) dans un cristal mixte en AlxGa lxAs au voisinage de la couche à puits de quantum 15. 2589281'l Apres la croissance de la couche de revêtement 3 en n-A10 7Ga0, 3As, l'obturateur d'une cellule Si pour fournir des molécules de Si est fermé, et la tempéra- ture de la cellule Al servant à fournir des molécules d'Al est réduite, ce qui fait en sorte que la région GRIN 4 fonctionne comme une couche de guidage optique dans laquelle la fraction molaire d'AlAs (c'est-à-dire x) varie de 0,7 à 0,28 en correspondance à la distribution parabolique. Ensuite, une ouverture et une fermeture de l'obturateur de la cellule Ai sont répétées de façon à produire une croissance de la région à puits de quantum supra-réticulée 15 servant à l'oscillation du laser et qui est composée de couches alternées comprenant une pluralité de couches de GaAs (l'épaisseur de chaque couche étant égale à l'épaisseur de cinq couches molé- culaires) et une pluralité de couches de A10,28Ga0,72As (l'épaisseur de chaque couche correspondant à deux couches moléculaires). Ensuite l'obturateur de la cellule A1 est ouvert, et la température de la cellule Al est augmentée, en faisant en sorte que la région GRIN 6 fonctionne comme une couche de guidage optique dans la- quelle la fraction molaire de AlAs (c'est-à-dire x) varie de 0,28 à 0,7 conformément à la distribution parabolique. Ensuite, l'obturateur d'une cellule de Be servant à four- nir des molécules de Be est ouvert de façon à produire une croissance de la couche de revêtement 7 en p-A10,7Ga0,3As. Conformément au procédé de croissance épitaxiale par faisceau moléculaire qui a été mentionné ci-dessus, on peut réaliser une zone de fonctionnement oscillant de laser en lumière visible en utilisant une seule cellule d'Al, de telle sorte que la région à puits de quantum supra- réticulée 15 soit interposée entre les régions GRIN 4 et 6, sur les côtés extérieurs desquelles sont formées les couches de revêtement 3 et 7. Ensuite, un canal en forme de bande, ayant une largeur de 5 pm, est formé dans la couche de blocage de courant 9 par une technique de gravure en utilisant un agent de gravure constitué par de l'acide fluorhydrique HF, ce qui permet d'obtenir une structure en forme de bande dans laquelle le courant est confiné. La position de la zone de fonctionnement oscillant de laser mentionnée ci-dessus correspond à cette structure en forme de bande de confinement de courant. Ensuite, la face arrière du substrat 1 en nGaAs et la face supérieure de la couche de blocage de courant 9 comportant la couche de recouvre- ment 8 en p-GaAS sont soumises à un traitement de dépôt en phase vapeur en utilisant respectivement des matières constituées par Au-Ge-Ni et Au- Zn, cette opération étant suivie par un chauffage pour former une électrode négative constituée d'un alliage de Au-Ge-Ni et une électrode positive constituée d'un alliage de Au-Zn, ce qui permet d'obtenir finalement un dispositif à laser semi-conducteur. Lorsqu'un courant d'excitation est injecté dans le dispositif à laser semi-conducteur par l'intermé- diaire de l'électrode positive et de l'électrode négative, une lumière laser visible ayant une longueur d'onde de 785 nm est continuellement émise par la zone de fonction- nement oscillant de laser pour un courant de seuil de 48 mA à la température ambiante. De la même manière que mentionné ci-dessus, un dispositif à laser semiconducteur ayant une longueur de cavité de 250 pm (toute l'étendue de la face supérieure de la pastille est recouverte par une électrode positive) a également été réalisé. Le dispositif à laser semi- conducteur a produit une lumière laser pour un niveau de courant de seuil extrêmement bas de 368 A/cm2. Exemplte 2 La Figure 3 montre la fraction molaire d'AlAs 2589'81 dans la région active d'un autre dispositif à laser semi- conducteur de cette invention, dans lequel la région à puits de quantum supra-réticulée 25 est constituée par une couche supra-réticulée de GaAs/AlAs ayant une épais- O seur d'environ 76 A, qui est constituée de couches alter- nées se composant de huit couches de GaAs ayant chacune o une épaisseur de 6 A et de sept couches d'AlAs ayant cha- O cune une épaisseur de 4 A. De la même manière que dans l'Exemple 1, après que la région GRIN 4 a été formée par croissance, quand l'obturateurde la cellule d'Al est fermé, O la couche de GaAs ayant une épaisseur de 6 A est formée. Ensuite, quand l'obturateur de la cellule d'Al est ouvert et quand simultanément l'obturateur de la cellule de Ga O est fermé, la couche de AlAs ayant une épaisseur de 4 A est formée. Par réptition de l'ouverture et de la fermeture des obturateurs de la cellule d'Al et de la cellule de Ga, il est possible de former la couche supra-réticulée de GaAs/AlAs. La zone de fonctionnement oscillant de laser obtenue a une structure dans laquelle la région à puits de quantum supra-réticulée 25 est interposée entre les régions GRIN 4 et 6, sur les côtés extérieurs desquelles sont en outre disposées respectivement les couches de revêtement 3 et 7. La structure des autres parties du dispositif à laser semi-conducteur est la même que celle du dispositif à laser de l'Exemple 1. Comme mentionné ci-dessus, les couches (ayant chacune une épaisseur correspondant à plusieurs molécules ou moins), constituant une structure supra-réticulée, sont sélectionnées à partir d'un cristal de AlGaS ou d'un cristal de AlAs et elles ont alternativement des épaisseurs différentes, ce qui permet le contrôle de la structure de bande d'énergie à créer dans la couche supra- réticulée, en vue d'empêcher ainsi une diminution du ren- dement d'injection des porteurs dans la couche à puits de quantum supraréticulée. Au contraire, avec une structure à puits multiples de quantum classique qui est constituée par des couches ayant chacune une épaisseur de plusieurs dizaines d'angstr8ms, une telle-diminution du rendement d'injection des porteurs ne peut pas être obtenue. En outre, conformément à l'invention, en changeant l'épais- seur totale de la couche a puits de quantum, le niveau de quantification à former à l'intérieur de la couche supra-réticulée peut être contrôlé de telle sorte que la valeur optimale de la longueur d'onde d'oscillation et/ou du courant de seuil puisse être maintenue de façon contrôlée dans la bande large. En outre, le dispositif à laser semi-conducteur est produit par épitaxie par fais- ceau moléculaire en utilisant une seule cellule d'Al, ce qui simplifie la structure de l'appareil de croissance épitaxiale par faisceau moléculaire. ExemptLe 3 Bien que toute l'étendue de la couche de gui- dage optique ait été constituée par la couche GRIN dans les Exemples 1 et 2, cet exemple décrit un dispositif à laser semi-conducteur conçu de telle sorte que seulement une partie de la couche de guidage optique soit constituée par la couche GRIN. La Figure 4 représente un autre dispositif à laser semi-conducteur conforme à cette invention, dans lequel une partie de chacune des couches de guidage optique 34 et 36 est constituée par la couche GRIN, et o la fraction molaire d'AlAs intervenant dans la zone de chacune des couches de guidage optique 34 et 36 qui entre en contact avec la région à puits de quantum supra- réticulée 35 est diminuée autant que celle de la région à puits de quantum supra-réticulée 35, ce qui rend possible la croissance du cristal par une seule cellule d'Al. La région à puits de quantum 35 représentée sur la Fig.4 est formée par une structure supra-réticulée qui est 25928 1 constituée de couches alternées se composant d'une plu- ralité de couches de GaAs (ayant chacune une épaisseur de cinq couches moléculaires) et d'une pluralité de couches de Al 0,28Ga0 72As (ayant chacune une épaisseur de deux couches moléculaires). Sur cette région à puits de quantum 35 sont superposées les couches de guidage optiques 34 et 36. La fraction molaire d'AlAs de chacune des couches de guidage optique 34 et 36 varie dans la gamme comprise entre 0,28 et 0,7. La zone de la couche de guidage optique 34 qui est positionnée à proximité de l'interface entre la couche de guidage optique 34 et la couche de revêtement 3 est constituée par une couche GRIN, dont la fraction molaire d'AlAs varie fortement. La zone de la couche de guidage optique 36 qui est posi- tionnée à proximité de l'interface entre la couche de guidage optique 36 et la couche de revêtement 7 est également constituée par une couche GRIN, dont la frac- tion molaire d'AlAs varie fortement. D'autre part, la fraction molaire d'AlAs intervenant dans la zone de cha- cune des couches de guidage optique 34, 36 et positionnée à proximité de la région à puits de quantum 35 est réglée de façon à être presque la même que celle existant dans la région à puits de quantum 35. Bien entendu, la présente invention n'est nul- lement limitée aux modes de réalisation décrits et repré- sentés; elle est susceptible de nombreuses variantes ac- cessibles à l'homme de l'art, suivant les applications envisagées et sans que l'on ne s'écarte de l'esprit de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à laser semi-conducteur contenant une zone de fonctionnement oscillant de laser, caracté- risé en ce qu'il comprend: -- une région à puits de quantum supraréticulée (15; 25; 35) qui est constituée de couches alternées se composant de couches de GaAs et de couches minces de AlxGalxAs (0 de quantum supra-réticulée (15; 25; 35), la fraction mo- laire de AlAs (c'est-à-dire x) de chacune desdites couches de guidage optique étant continuellement modifiée, et - des couches de revêtement (3, 7) étant respec- tivement superposées sur lesdites couches de guidage optique (4, 6; 34, 36). 2. Dispositif à laser semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que toute la zone de chacune desdites couches de guidage optique (4, 6; 34, 36) est constituée par une région GRIN (4) dont la fraction molaire de AlAs varie en correspondance à la distribution parabolique. 3. Dispositif à laser semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone de chacune desdites couches de guidage optique (34, 36) positionnée au voisinage de l'interface entre les couches de guidage optique (34, 36) et les couches de revêtement (3, 7) est constituée par une région GRIN (4), dont la fraction mo- laire de AlAs est fortement différente de celle de ladite région à puits de quantum (35), tandis que la fraction molaire de AlAs dans la zone de chacune desdites couches de guidage optique (34, 36) positionnées au voisinage de ladite région à puits de quantum (35) est la même que celle de ladite région à puits de quantum (35). 4. Procédé de fabrication d'un dispositif à laser semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: (1) former par croissance des couches de guidage optique (34, 36), dont la fraction molaire de AlAs est con- tinuellement modifiée, par épitaxie par faisceau moléculaire, (2) ouvrir et fermer de façon répétée l'obturateur d'une cellule Al de façon à produire une croissance de couches alternées se composant d'une pluralité de couches de GaAs, comportant chacune une épaisseur de plusieurs couches moléculaires ou moins, ainsi qu'une pluralité de couches de AlxGal xAs (O (3) faire crottre respectivement des couches de revê- tement (3, 7) sur les côtés extérieurs desdites couches de guidage optique (34, 36) par épitaxie par faisceau moléculaire, lesdites couches de gui- dage optique (34, 36), ladite région à puits de quantum (35) et lesdites couches de revêtement (3, 7) constituant la zone de fonctionnement oscillant de laser dudit dispositif à laser semi-conducteur. 5. Procédé de fabrication d'un dispositif à laser semi-conducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que toute la zone de chacune desdites couches de gui- dage optique (34, 36) est constituée par une région GRIN (4) dont la fraction molaire de AlAs varie en correspon- dance à la distribution parabolique. 6. Procédé de fabrication d'un dispositif à laser semi-conducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la zone de chacune desdites couches de guidage optique (34, 36) positionnée au voisinage de l'interface entre les couches de guidage optique (34, 36) et les couches de revêtement (3, 7) est constituée par une région GRIN (4, 6), dont la fraction molaire de AlAs est forte- ment différente de celle de ladite région à puits de quantum (35), tandis que la fraction molaire de AlAs dans la zone de chacune desdites couches de guidage optique (34, 36) positionnées au voisinage de ladite région à puits de quantum (35) est la même que celle de ladite région à puits de quantum (35).