Brevet FR2587840A1 — publié le 19870327

-1 COMPOSANTS ELECTRONIQUES SCELLES DE FACON HERMETIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un appareil et un procédé pour fabriquer des composants électroniques et plus particulière- ment pour sceller hermétiquement un couvercle de verre ou de céra- mique à un substrat de verre ou de céramique en scellant un maté- riau de verre qui est fondu à chaud au couvercle et au substrat. Les technologies de microélectronique utilisent couram- ment des micro-circuits à couches minces et épaisses sur un substrat de verre ou de céramique; les couches minces ayant généralement une épaisseur inférieure à cinq micromètres (selon la norme Mil 883-C et la définition de l'"International Society of Hybrid Microelectronics") et les couches épaisses étant considéra- blement plus épaisses. Ces couches, comprenant des motifs de ré- sistances, de conducteurs, et parfois de condensateurs appliques par les techniques de traitement de couches classiques, peuvent comprendre des composants discrets "rajoutés" tels que des tran- sistors, des diodes, etc. qui sont fixés à la partie de conducteur et/ou de résistance du motif par soudure, liaison par fil, ou au- tre technique. Dans le cas o une encapsulation de couche de ré- sistance est souhaitée, ces composants discrets rajoutés ne sont pas prévus. Dans la technologie des résistances en couches minces, les composants de résistance/conducteur sont couramment formés de Nichrome déposé sous vide, Nichrome étant une marque déposée de la société Driver-Harris Co., et comprenant 80 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome. Les configurations de couches minces sont généralement photolithogravées pour avoir une forme longue et serpentine de façon à présenter un nombre suffisant de carrés pour fournir la résistance requise, alors que des motifs en couches épaisses sont souvent rectangulaires, et utilisent des couches épaisses de résistivités diverses. Quand une résistance en couche mince est déposée, il est souvent souhaitable de recuire l'élément résistif à haute tempéra- ture pour régler son coefficient de température de résistance (TCR). Typiquement, l'élément/substrat résistif est recuit pendant une heure ou analogue à une température d'environ 350 C. Il est alors souvent souhaitable de soumettre l'élément/substrat résistif à un recuit de stabilisation au cours duquel l'élément résistif est chauffé à une température élevée pendant une durée de quelques jours de façon à ce qu'il maintienne sa valeur de résistance souhaitée quand il est soumis à des cycles thermiques dans un cir- cuit en fonctionnement. Après le recuit de stabilisation, le substrat est rayé selon des rangées et des colonnes de façon à ce qu'on puisse le séparer facilement en puces individuelles. Des conducteurs d'encapsulation sont alors soudés à des plots" con- ducteurs situés sur la surface de substrat et ces conducteurs d'encapsulation peuvent alors être fixés au substrat par une résine d'époxy. D'autres composants, tels que des transistors, des diodes, etc. sont incorporés en tant qu'éléments du circuit, si on le souhaite. Des composants en technologie en couche épaisse sont fabriqués selon une multitude d'étapes en commençant par la for- mation d'un motif ou 'masque' qui assure un contour pour déposer le matériau de résistance/conducteur sur le substrat. Des matériaux de masque couramment utilisés comprennent un métal attaqué ou des écrans à émulsion. Des écrans à émulsion sont typi- quement constitués d'un réseau tissé en acier inoxydable en utili- sant un pas de tissage d'environ 40 à 156 par centimètre. Les écrans sont revêtus d'une émulsion qui est durcie selon une con- figuration prédéterminée par exposition à la lumière ultra- violette, l'émulsion restante non durcie étant enlevée de la partie de l'écran o le motif doit être imprimé. Après nettoyage du substrat, typiquement par frottement mécanique ou par traitement aux ultrasons en utilisant de l'eau désionisée ou un savon convenable, le susbstrat est soumis à un soufflage par de l'azote et sa surface est déshydratée en le faisant cuire dans un four pendant une durée spécifiée. Après préparation du substrat, l'écran est placé par rapport au substrat et la composition à imprimer sur le substrat, souvent appelée 'encre", est appliquée à l'écran. Les matériaux -actifs" présents dans la composition de l'encre dépendent du but dans lequel on a l'intention d'utiliser la couche. Les matériaux actifs peuvent comprendre des métaux électrochimiques ou des alliages pour des couches risistives, ou des matériaux diélectri- ques pour des couches isolantes. L'écran est placé à une distance précise au-dessus du substrat dite "distance d'écartement". Une raclette actionnée mécaniquement est déplacée -à une vitesse prédéterminée au- dessus de l'écran selon un angle prédéterminé pour pousser la composition d'encre à travers l'écran et sur la surface du substrat. Après que la raclette est passée au-dessus d'une partie de l'écran, l'écran s'écarte rapidement de la surface du substrat revenant à sa position initiale. La consistance de l'encre est importante car elle doit avoir une viscosité suffisamment faible pour passer à travers l'écran et ensuite pour rester sur le substrat en remplissant les intervalles laissés par l'écran, cependant elle doit avoir une viscosité suffisante pour maintenir sa forme fondamentale après que l'écran est revenu à sa position d'écartement. Un véhicule organique est normalement inclus comme partie de la composition d'encre pour assurer la consistance souhaitée. Les caractéristi- ques d'écoulement de la composition d'encre sont très complexes et sont généralement fonction du taux de cisaillement de la com- position tandis qu'elle est poussée à travers l'écran. L'encre est séchée, et ensuite elle est cuite dans un four o le véhicule organique et des liants sont éliminés par cuisson et l'encre est liée au substrat. La fixation des conducteurs d'encapsulation au circuit électronique à l'intérieur du bo'tier est réalisée en utilisant un scellement par compression thermique ou par ultrasons de conduc- teurs en aluminium ou en fil d'or. Un fil d'or ou d'aluminium de petit diamètre constitue un facteur d'erreur notable dans la valeur d'ensemble de l'élément résistif, en particulier quand ces conducteurs sont appliqués à des résistances de faibles valeurs. Pour protéger le circuit électronique en couche mince ou épaisse, ainsi que pour fournir un moyen de dissipation thermique, des réseaux de couches sont encapsulés, généralement dans du métal, de la céramique ou de la matière plastique; la matière plastique étant le matériau le plus utilisé en raison de son fai- ble coût. Si toutefois, l'environnement de fonctionnement prévu pour l'encapsulation doit être difficile, une enceinte ou revêtement hermétique est requis pour enfermer le composant électronique dans 5 une atmosphère inerte sèche. Des températures élevées et de l'humidité accélèrent des processus chimiques tels que l'oxydation, la corrosion et une action électrolytique qui érodent les éléments métalliques tandis que l'absorption de l'humidité crée des contraintes mécaniques qui font varier la valeur de résistance 10 des éléments résistifs. Les matériaux de liaison normalement utilisés pour assurer des scellement hermétiques dans des environnements dif- ficiles sont des soudures à eutectique or-étain ou un verre de soudure tel que PbO-ZnO-Pb203; ces soudures sont destinées à sceller essentiellement des encapsulations en céramique et ne sont pas souhaitables pour des composants de précision en raison des effets de couplage en alternatif. Du verre n'est généralement pas utilisé comme matériau d'encapsulation. Ceci est dû au fait que les verres faciles à sceller n'assurent pas un scellement complètement hermétique alors que des verres à scellement complètement hermétique présentent des températures de scellement élevées qui affectent de façon néfaste le composant électronique. Comme on l'a noté ci-dessus, un souci principal en ce qui concerne la fabrication des éléments résistifs en couche est le maintien des valeurs absolues, ainsi que relatives, des résistances formées. La précision absolue est définie comme la différence entre la valeur réelle de la résistance et la valeur visée de la résistance; tandis que la précision relative, qui est critique quand les résistances constituent un diviseur de tension, est la différence entre le rapport réel des valeurs de résistances et le rapport visé des valeurs de résistances. Les instruments électroniques modernes nécessitent souvent des précisions de résistances absolues et relatives de quelques parties par million. Une excellente précision absolue peut être atteinte par un réglage au laser du motif de résistance. Classiquement, un réglage par découpe au laser est réalisé avant l'encapsulation finale de l'élément résistif. Toutefois, l'encapsulation qu'elle soit en plastique ou en métal, peut souvent affecter de façon néfaste les valeurs précises de résistances r4alisées par ajuste- ment au laser par suite du dépôt de matériaux sur l'élément résistif, ainsi qu'en raison des hautes températures utilisées lors du processus d'encapsulation. D'autres procédés et -appareils classiques comprennent ceux décrits dans le brevet américain n 3 845 443 de Fisher qui décrit un thermomètre résistif revêtu de verre comprenant un élément résistif supporté sur un substrat d'alumine et recouvert d'un prèrevêtement de verre. L'élément r9sistif et le prérevête- ment de verre sont tous deux revêtus d'un revêtement supérieur d'alumine qui est brasé" au prérevêtement de verre et à l'élément résistif. Dans le brevet américain n 3 926 502 de Tanaka et al, il est décrit une cellule d'affichage à cristaux liquides compre- nant deux substrats de verre disposés parallèlement et espacés l'un par rapport à l'autre, et hermétiquement scellés ensemble selon leurs bords par une couche de verre ayant un point de fusion d'environ 450 C, formant ainsi un espace entre les plaques pour recevoir une substance de cristaux liquides. - Dans le brevet américain n 3 412 462 au nom de Stutzman et al, il est décrit un procédé pour fabriquer des modules de couches minces hermétiquement scellés dans lesquels une galette de substrat de verre est fondue sur un substrat métallique pour former un scellement hermétique verre-métal. Dans le brevet américain n 4 207 604 de Bell et al, il est décrit un transducteur de pression capacitif comprenant une paire d'éléments en forme de disques maintenus selon une relation parallèle et adjacente par de la fritte de verre cuite pour fondre de façon permanente les deux éléments selon ladite relation. Bien que l'on ait noté que des matériaux- de verre peuvent être fondus en tant que "couvercles" directement sur des substrats de métal et d'alumine, pour assurer un scellement hermétique pour des circuits électroniques supportés sur des substrats, il n'a jusqu'à présent pas été possible de fondre du verre vitrifié sur une surface à des températures suffisamment basses pour éviter d'affecter de façon néfaste le circuit électronique. Du verre vitreux est un matériau thermoplastique qui fond et flue à la même température chaque fois qu'il est traité thermiquement. Du verre d4vitrifié est un matériau thermodurcis- sable qui cristallise par nucléation de surface selon une relation donnée durée-température. Du verre dévitrifié a été utilisé dans des substrats car sa stabilité thermique et sa durée de vie chimique sont améliorés par rapport au verre initial. En outre, il fondra à des températu- res beaucoup plus basses que du verre vitrifié. Malheureusement, il est beaucoup plus perméable à l'humidité que le verre vitrifié. En outre, aucun appareil et procédé classique n'a permis - _ lunréglage laser d'un élément résistif scellé hermétiquement après achèvement des étapes du procédé qui peuvent affecter la valeur absolue de l'élément résistif. En conséquence, un objet général de la présente inven- tion est de prévoir un composant électronique perfectionné scellé hermétiquement et un procédé de fabrication d'un tel composant. Il est également prévu une composition de scellement de verre vitreux pour sérigraphier à l'écran un verre de scellement fusible à chaud sur les composants d'encapsulation dans lequel la composition de scellement présente des bonnes caractéristiques de sérigraphie tout en maintenant sa consistance. La présente invention prévoit en outre un composant électronique amélioré sur un substrat de céramique fermé par un couvercle hermétiquement scellé par un matériau de scellement sous forme d'un verre vitreux. Dans l'un de ses aspects plus détaillés, la présente invention prévoit un dispositif de scellement hermétique - perfectionné qui comprend un substrat de céramique fournissant une base pour supporter un circuit électronique et un procédé de fabrication de celui-ci. Le dispositif de scellement hermétique comprend également un couvercle en verre vitreux pour recouvrir le circuit lectronique et un agent pour lier le couvercle en verre transparent au substrat. L'agent de liaison assure un scellement entre le couvercle et le substrat pour fermer hermétiquement le circuit électronique. L'agent de liaison comprend une composition de verre de scellement chauffée à une température suffisante sous une pression suffisante pour amener le verre de scellement à fondre sur le couvercle de verre et sur le substrat. La différence entre les coefficients de dilatation thermique du substrat et du verre de scellement fondu est choisie pour être de moins de deux parties par million. La composition de verre de scellement est fondue avec le substrat et le couvercle de verre à une température inférieure à 380 C tandis que le verre de scellement est comprima entre le couvercle de verre et le substrat à une pression comprise entre 100 psi (7x105 pascals) et environ 1500 psi (107 pascals). Dans un mode de réalisation particulier, le verre de scellement est fondu sur le substrat et sur le couvercle de verre à une température comprise entre environ 370 C et environ 375 C, tandis que le verre de scellement est comprimé entre le couvercle de verre et le substrat à une pression d'environ 200 psi (14x pascals). A la pression atmosphérique, le verre de scellement présente une température de fusion inacceptablement élevée d'environ 415 C. Dans une variante de réalisation, il est décrit un dispositif scellé hermétiquement comprenant un substrat de céramique servant de base pour supporter un circuit électronique. Le dispositif scellé hermétiquement comprend un couvercle de céramique pour recouvrir le circuit électronique et un agent pour lier le couvercle de céramique au substrat de céramique. L'agent de liaison assure un scellement hermétique entre le couvercle et le substrat pour enfermer de façon hermétique le circuit électronique. L'agent de liaison comprend une composition de verre de scellement chauffée à une température suffisante pour amener le verre de scellement vitreux à fondre sur le couvercle et sur le substrat. La différence entre le coefficient de dilatation ther- mique du substrat et du verre de scellement vitreux est choisie pour être inférieure à environ deux parties par million. La différence entre le coefficient de dilatation thermique du couvercle de céramique et du verre de scellement vitreux fondu est également choisie pour être inférieure à environ deux parties par million. Dans un autre mode de réalisation de la présente inven- tion, il est décrit un dispositif scellé hermétiquement comprenant un substrat de verre vitreux pour servir de base pour supporter un circuit électronique. Le dispositif scellé hermétiquement comprend un matériau de verre pour couvrir le substrat de verre et le cir- cuit électronique. Le matériau de verre comprend un verre de scellement vitreux chauffé à une température suffisante pour fondre le verre de scellement sur le substrat. La différence entre le coefficient de dilatation thermique du verre vitreux fondu et du substrat de verre vitreux est choisie pour être inférieure à deux parties par million. Dans un autre mode de réalisation de la présente inven- tion, il est décrit un procédé pour fabriquer un dispositif scellé hermétiquement comprenant les étapes consistant à prévoir un substrat de céramique pour recevoir des circuits électroniques et prévoir un couvercle de verre vitreux pour couvrir le circuit électronique. Le couvercle de verre est lié au substrat par une composition de scellement qui comprend un verre de scellement vitreux. Le couvercle de verre est fondu sur le substrat de céramique par chauffage de la composition de scellement à une température inférieure à environ 380 C puis par compression de la composition de scellement, pendant l'étape de chauffage, entre le couvercle de verre et le substrat de céramique à une pression comprise entre environ 100 psi (7x105 pascals) et environ 1 500 psi (107 pascals). La composition de scellement comprend une quantité effective de matériau de verre vitreux sous forme granulaire et une quantité effective de liant de cellulose et une quantité effective d'un produit de liquéfaction choisie dans le groupe com- prenant l'huile de pin ou un alcool dihydrique ayant la formule: R--- C--- C---R l l OH OH o R est H ou un alkyle en Cl à C3. Le liant de cellulose comprend de préférence une cellulose hydroxypropyle et le produit de liqué- faction comprend de préférence de l'huile de pin. Le circuit électronique comprend de préférence un élément résistif en couche mince. En recouvrant l'élément résistif d'un verre vitreux le recouvrant qui est transparent aux fréquences lumineuses d'un laser, un faisceau laser peut être dirigé à travers le couvercle de verre, après l'étape de fusion, pour ajuster l'élément résistif à une valeur de résistance prédéterminée. Il en résulte un ajustement de précision de la résistance car l'opération d'ajustement est effectuée après les étapes du traitement qui peuvent affecter la valeur de l'élément résistif. Dans un autre mode de réalisation de la présente inven- tion, il est décrit un procédé de fabrication d'un dispositif hermétiquement scellé comprenant les étapes consistant à prévoir un substrat de verre vitreux pour recevoir un circuit électronique, et à couvrir le circuit électronique et le substrat de verre vitreux d'une composition de scellement comprenant un matériau de verre de scellement vitreux. Le verre de scellement vitreux est fondu au substrat de verre et au circuit électronique de façon à sceller hermétiquement le circuit électronique en chauffant la composition de scellement à une température inférieure à environ 380 C et en comprimant, pendant l'étape de chauffage, la composition de scellement contre le substrat de verre à une pression comprise entre environ 100 psi (7x105 pascals) et environ 1 500 psi (107 pascals). Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront illustrés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers (et non limitatifs) faite en relation avec les dessins joints parmi lesquels: La figure 1 est une vue de dessus d'une encapsulation de résistance comprenant un couvercle de verre scellé hermétiquement à un substrat contenant un élément résistif en couche mince; La figure 2 est une vue de côté de l'encapsulation de résistance de la figure 1; La figure 3 est un organigramme indiquant un processus pour sceller hermétiquement un couvercle de verre à un substrat de céramique; et La figure 4 est une vue de dessus d'une encapsulation de résistance comprenant un substrat de verre supportant un élément résistif en couche mince dans lequel l'élément résistif et le substrat sont recouverts d'un matériau de verre fondu. La présente invention s'adapte tout particulièrement au scellement hermétique d'un élément résistif supporté par un substrat de céramique ou de verre avec un couvercle de verre ou de céramique. Par le terme "élément résistif" on entend une résistance individuelle ainsi qu'une pluralité de résistances qui peuvent comprendre un réseau diviseur de tension à couche mince ou à couche épaisse ou analogue. L'invention ci- après sera décrite en relation avec des éléments résistifs à couche mince scellés hermétiquement qui constituent un mode de réalisation particulier ainsi qu'en relation avec (i) les processus utilisés pour fabriquer de tels éléments résistifs scellés hermétiquement et (ii) les compositions utilisées pour sceller hermétiquement les éléments résistifs. Il faut toutefois noter que la présente inven- tion présente des applications plus générales à d'autres bottiers scellés hermétiquement telles que des circuits intégrés, compre- nant des circuits intégrés monolithiques bipolaires et MOS (métal- oxyde-semiconducteur). La figure 1 représente un mode de réalisation par- ticulier de la présente invention comprenant une encapsulation de résistance à couche mince désignée par la référence 10, comprenant un élément résistif en couche mince 12 supporté sur un substrat de céramique 14. L'élément résistif 12 est enfermé et hermétiquement scellé par un couvercle de verre vitreux 18 qui est lié à la sur- face du substrat 14 par un verre de scellement vitreux fusible à chaud 20 (mieux représenté en figure 2), situé autour de l'élément résistif 12. L'encapsulation de résistance 10 comprend des con- ducteurs d'encapsulation 24 faisant saillie vers l'extérieur à partir du bord du substrat 14 parallèlement au plan de celui-ci pour connecter l'encapsulation de résistance 10 à un circuit électronique (non représenté). Les conducteurs d'encapsulation 24 entrent en contact avec un plot de liaison conducteur 28, situé sur la surface du substrat 14, qui est connecté à l'élément résistif 12- par l'intermédiaire de conducteurs 26 qui sont supportés sur la surface du substrat 14. Pour fournir un élément de base approprié à supporter les métaux élémentaires formant les circuits électroniques en couche mince selon la présente invention et en particulier l'élément résistif 12, le substrat de céramique 14 est choisi pour avoir une conductivité thermique, une constante diélectrique, une non-conductivité électrique, une surface lisse et une rigidité mécanique souhaitables, quand il est soumis à des températures extrêmes allant d'environ -55 C (température de fonctionnement minimale) à environ 380 C (température de fabrication maximale). Le terme "céramique" est utilisé pour désigner des matériaux non métalliques, non organiques, formés par traitement thermique qui sont typiquement utilisés dans des substrats de composants micro- électroniques et des éléments de composants. Le substrat de céramique 14 est de façon générale choisi dans le groupe de céramique comprenant l'alumine, l'oxyde de béryllium, la stéatite, le dioxyde de titane, le silicate d'alumine magnésium, le carbure de silicium et du zircon ou des combinaisons de ces éléments. Toutefois, de préférence, le substrat de céramique 14 est consti- tué d'alumine ou d'oxyde de béryllium et de préférence d'alumine. De préférence, la composition en alumine du substrat 14 est supé- rieure à 90 %; de préférence encore la composition en alumine du substrat 14 est supérieure à 96 %; et de préférence encore la composition en alumine du substrat 14 est supérieure à 99 %. Le couvercle de verre 18 est un mélange dispersé de silice, de cendre de soude et de chaux, et est souvent combiné avec des oxydes métalliques tels que par-exemple, de bore, de calcium, de plomb, de lithium, de titane et de cérium, selon les propriétés particulières souhaitées, qui sont chauffés à une température de fusion et ensuite refroidis à un état rigide; de préférence le couvercle de verre 18 est constitué du produit dit Micro Sheet, marque déposée de Corning Glass Works, code Verre 0211, qui est un verre au borosilicate vitreux. Le verre du cou- vercle en verre 18 est choisi pour être transparent pour une énergie laser qui permet un ajustement par découpe laser classique de l'élément résistif 12 d'une façon qui sera décrite plus en détail ci-après. En outre, il est préférable que le couvercle de verre 18 soit transparent pour la lumière visible pour permettre une vérification normale de l'élément résistif 12. Le verre du couvercle en verre 18 est choisi pour avoir un coefficient de dilatation thermique sensiblement analogue au coefficient de dilatation thermique du substrat 14 jusqu'aux températures extrSmes, et pour présenter une température de ramollissement d'environ 50 C au-dessus de la température de fusion du verre de scellement vitreux 20 à la même pression (par exemple 420 C à 200 psi -14x105 pascals-). Par température de "ramollissement" on entend la température à laquelle le verre présente une perte de sa rigidité structurelle; par le terme de température de "fusion' on entend la température à laquelle les granules du verre de scellement vitreux 20 se lient les uns aux autres ainsi qu'à tout matériau avec lequel ils sont en contact. Le verre de scellement vitreux 20, un verre de c6rami- que, comprend un mélange dispersé uniformément de silice, de cendre de soude et de chaux, souvent combiné avec des oxydes métalliques tels que du bore, du calcium, du plomb, etc. selon les propriétés spécifiques souhaitées. Le verre 20 a une température de fusion basse et, dans son état non fondu, la composition de scellement est granulaire par nature et comprend des particules d'une taille spécifique. Il appartient à cette classe de matériaux connus sous l'appellation "fritte de verre" qui sont couramment utilisés pour lier des matériaux tels que des céramiques et des métaux quand ils sont chauffés à la température de fusion. Pour réduire les contraintes mécaniques entre le verre de scellement 20, le couvercle de verre 18 et le substrat 14 par suite des températures extrêmes qui peuvent résulter pour l'encapsulation 10 en une perte de son scellement hermétique, la différence des coefficients de dilatation thermique entre le verre de scellement fondu 20 et le couvercle de verre 18 et entre le verre de scellement fondu 20 et le substrat 14 doit de préférence se trouver à moins de deux parties par million (ppm), et encore de préférence à moins d'une partie par million. La différence totale entre le couvercle de verre 8 et le substrat 14 ne doit pas être supérieure à quatre ppm. Le pourcentage désiré d'alumine dans le substrat 14 est fonction de la différence des coefficients de dilatation thermique entre le substrat 14 et le verre de scelle- ment fondu 20, ainsi que de la capacité du verre de scellement 20 à se lier au substrat 14. En se référant maintenant à la figure 3, celle-ci représente un organigramme décrivant un processus préféré pour fabriquer une encapsulation de résistance 10 illustrée en figures 1 et 2. Les matériaux de départ comprennent le substrat 14 dans le bloc 100, le couvercle de verre 18 dans le bloc 102, et la fritte de verre 20 dans le bloc 104. Pour appliquer la fritte de verre 20 au couvercle 18 qui est nettoyé dans le bloc 106, un matériau liant est utilisé pour maintenir les particules granulaires de verre ensembles. Un produit de liquéfaction est introduit dans le matériau liant pour réduire sa viscosité pour former la com- position de scellement 23 dans le bloc 108. La viscosité doit être suffisamment basse pour permettre à la composition de scellement 23 du mélange de verre, de liant et de produit liquéfiant d'être déposée sur un appareil de sérégraphie et poussé à travers l'écran de sérigraphie, préparé dans le bloc 110, sur le couvercle 18. Le produit de liquéfaction ne doit pas être assez volatil pour s'évaporer entre des applications successives de la composition de scellement. Cependant, il doit être suffisamment volatil pour s'évaporer quand il est élevé à la température de fusion du verre de scellement 20. Une composition de scellement préférée 23 comprend une quantité effective d'un liant de cellulose; de préférence le liant est de la cellulose hydroxyalkyle dans laquelle le groupe alkyl contient de 1 à 4 atomes de carbone; et de préférence, le liant comprend de la cellulose hydroxypropyle. La composition de scellement est formée en ajoutant, à une quantité effective de liant, une quantité effective de produit de liquéfaction choisi dans le groupe comprenant de l'huile de pin ayant une plage de distillation comprise entre environ 200 C et 225 C et comprend des alcools de terpène secondaires et tertiaires ou des alcools dihydriques ayant la formule: R--- C---C- ---R Il OH OH o R est H ou un alkyle en C1 à C3 et de préférence le liquéfiant est de l'huile de pin. Le mélange liant/liqu6fiant, quand il est combiné avec la fritte de verre 21 fournit une composition de scellement 23 qui présente une consistance excellente quand elle est disposée sur un dispositif de sérigraphie, qui passe à travers l'écran du dispositif quand elle est soumise à une force de pression et qui reprend sa consistance quand elle est déposée sur le substrat 14, gardant ainsi la forme du motif d'écran. Pour ne pas affecter de façon néfaste l'élément résistif 12, la com- position liquéfiant/liant se décompose en une heure à des températures de recuit inférieures à 420 C et de préférence inférieures à 350 C. Il faut noter que la quantité de verre en granulés utilisée dépendra de la surface du substrat 14 que l'on désire couvrir ainsi que de l'épaisseur souhaitée du verre de scellement 20. D'autre part, les quantités relatives de liant et de liqué- -riant aepeudeu. beaucouuyde-la-maille de l'écran de sérigraphie utilisé pour le dép8t de la composition. Une dimension de maille d'écran plus grande requiert normalement un rapport plus petit liquéfiant/liant alors qu'une dimension de maille d'écran plus faible requiert un rapport plus important liquéfiant/liant. Cepen- dant quand on utilise un liant de cellulose hydroxypropyle et un liquéfiant d'huile de pin avec une dimension de maille d'écran de 165, le rapport en parties en poids liant/liquéfiant par rapport au verre de scellement est d'environ 1 à 2 à environ 1 à 9 alors que le rapport des parties par poids total de liquéfiant au liant est d'environ 25 à 1 à 250 à 1; une composition de scellement préférée comprend un rapport en parties en poids de liquéfiant/ liant par rapport au verre de scellement d'environ 1125 à 166, le rapport des parties en poids total de liquéfiant au liant étant d'environ 165 à 1. La composition de scellement 23 est disposée sur le couvercle de verre 18 en utilisant un procédé de sérigraphie de couche épaisse dans lequel un motif d'écran est préparé en utili- sant des techniques classiques décrites précédemment. La com- position de scellement est déposée sur un écran positionné horizontalement au-dessus du couvercle de verre 18 et ensuite poussé à travers l'écran sur le couvercle de verre 18 par une raclette propulsée horizontalement d'une façon connue de l'homme de l'art. Des réglages de la pression de raclette, de la vitesse horizontale et de la distance d'écartement, sont effectués pour obtenir le motif le plus aigu possible quand on observe le dépôt. Il faut noter que la composition de scellement 23 peut être sérigraphiée à l'écran sur le substrat 14 au lieu du couvercle de verre 18, bien que la sérigraphie de la composition de scellement 23 sur le couvercle de verre 18 soit préférable. Souvent, le substrat 14 comprendra une couche d'oxyde protecteur, telle que l'oxyde de silicium quand le substrat 14 comprend une composition d'alumine, de sorte que le verre de scellement 20 est fondu direc- tement sur la couche d'oxyde du substrat. Dans un mode de réalisation à titre d'exemple de la présente invention, représenté en figure 1, un motif d'écran est prévu pour déposer des motifs annulaires de composition de scelle- ment 23 sur une feuille de couvercle de verre, dite puce, de sorte quand un couvercle 18 est lié à un substrat 14, le verre de scellement 20 entoure un élément résistif 12 et recouvre une par- tie des conducteurs 26. L'épaisseur de la composition de scelle- ment déposée sur le couvercle de verre 18 dépend du caractère lisse de la surface du couvercle de verre 18 et du substrat 14. Il est important que suffisamment de verre de scellement 20 soit déposé sur le couvercle de verre 18 pour remplir toute imperfec- tion ou "vallée" qui pourraient exister ultérieurement quand le substrat 14 et le couvercle de verre 18 sont liés. En outre, il est préférable d'atteindre une épaisseur de verre de scellement 20 telle que, quand le substrat 14 et le couvercle de verre 18 sont pressés l'un contre l'autre un petit intervalle rempli de verre de scellement 20 existe entre leurs surfaces parallèles respectives. Pour atteindre ces résultats souhaités, la composition de scelle- ment 23 est appliquée à la puce de couvercle de verre dans le bloc 112 selon une épaisseur d'environ 6 millièmes de pouce (0,15 mm); ensuite, quand elle est fondue, la composition de scellement sera comprimée à environ 3 millièmes de pouce (0,075 mm) quand une pression est appliquée pour amener le couvercle de verre 18 et le substrat 14 l'un contre l'autre. Pour déposer l'épaisseur désirée de composition de scellement sur le couvercle de verre 18, il est préférable d'utiliser un processus additif double dans lequel une couche de composition de scellement est déposée et séchée et une seconde couche est déposée sur la première cbuche et ensuite sé- chée sur celle-ci. Le couvercle de verre 18 est alors recuit pour enlever le liant et le véhicule de la composition de scellement 23. Après nettoyage de la puce de substrat dans le bloc 114, l'élément résistif 12 est ajouté à celui-ci dans le bloc 116. Le terme "ajouté" est utilisé pour englober un processus additif et soustractif de couche mince et de couche épaisse tel que, mais non limitativement, un dép8t sous vide, une sérigraphie, une attaque chimique humide, une attaque chimique sèche telle qu'une attaque par pulvérisation, une attaque par plasma, une attaque par fais- ceau électronique ainsi que d'autres processus de formation de motifs en microëlectronique connus de l'homme de l'art dans le domaine. Apres que la puce de couvercle de verre et la puce de substrat ont été rayées et séparées en un couvercle de verre individuel 18 et des substrats individuels 14 dans des blocs 118 et 120, respectivement, le couvercle de verre 18 est placé contre le substrat 14, prenant en sandwich le verre de scellement 20 entre eux de façon préparatoire à la fusion dans le bloc 122. L'élément résistif 12, en particulier s'il est formé de Nichrome, est sensible à la température de sorte que des températures supérieures à 380 C peuvent amener l'élément résistif 12 à devenir instable et à modifier sa valeur résistive souhaitée. Des verres de scellement vitreux classiques, constituant le verre de scellement vitreux de scellement 20, ne fondront pas en dessous de 400 C. Il s'est toutefois avéré, selon la présente invention, qu'une compression du verre de scellement vitreux 20 entre le cou- vercle de verre 18 et le substrat 14 pendant une durée comprise entre 5 minutes et 2 heures, et de préférence 1/2 heure, à une pression de compression appliquée au couvercle de verre 18 et au substrat 14 comprise entre environ 100 psi (7x105 pascals) et environ 1 500 psi (107 pascals) et de préférence à environ 200 psi (15x105 pascals) provoquera une fusion du verre de scellement 20 sur le couvercle de verre 18 et le substrat 14 à des températures inférieures à 380 C. A des températures comprises entre environ 370 C et environ 375 C et à environ 200 psi (15x105 pascals) il est possible d'obtenir un scellement de verre vitreux hermétique imperméable entre le couvercle de verre 18 et le substrat 14. Comme le verre de scellement 20 est fondu à des températures simi- laires à celles utilisées pour régler le coefficient de températu- re de résistance (TCR) de l'élément résistif 12, il n'est pas nécessaire de prévoir une étape de réglage de TCR séparée comme cela est absolument nécessairement utilisé pour la fabrication classique de résistances. Un verre de scellement fondu 20 forme un scellement hermétique au travers des fils conducteurs 26 pour maintenir l'herméticité de l'encapsulation 10. L'air piégé dans l'espace défini par les surfaces opposées du couvercle de verre 18 et du substrat 14 et par le verre de scellement 20 est relativement sec de façon à ne pas affecter de façon néfaste l'élément résistif 12 qui y est enfermé hermétiquement. Le verre de scellement 20, bien qu'en contact avec les fils conducteurs 26 est non conducteur et en conséquence n'interfère pas avec la conductivité des conduc- teurs 26. En outre, l'interface verre-métal entre le verre fondu et les fils conducteurs 26 n'accroUt pas de façon notable le couplage capacitif quand l'encapsulation de résistance 10 est utilisée dans des applications à haute fréquence. Après avoir joint le couvercle de verre 18 au substrat 14, une étape de recuit de stabilisation peut être réalisée dans le bloc 124 pour stabiliser l'élément résistif 12 par rapport à des changements de résistivité quand il est éventuellement placé dans un environnement de fonctionnement et soumis à des cycles thermiques divers. Le recuit de stabilisation est effectué à des températures comprises entre 100 et 200 C qui sont suffisamment basses pour éviter d'affecter de façon néfaste les propriétés de résistivité telles que le TCR de l'élément résistif 12. Après le recuit de stabilisation, les conducteurs de l'encapsulation 24 sont soudés aux plots 28 et ensuite fixés à l'époxy au substrat 14 dans le bloc 126. Le nombre et 1'emplace- ment des conducteurs d'encapsulation 24 est fonction de l'utilisa- tion visée de l'encapsulation rfsistive 10; toutefois il faut noter que les conducteurs d'encapsulation peuvent être placés sur le substrat 14 comme cela est représenté en figure 1 pour former un bottier à une seule rangée conducteurs (SIP); ou sur les c8tés opposés du substrat 14 pour former un bottier à deux rangées de conducteurs en parallèle (DIP); ou de tous les côtés du substrat 14. En outre, des plots soudables peuvent être prévus pour un mon- tage en surface. De plus, les conducteurs du bottier 24 peuvent être montés perpendiculairement ainsi que parallèlement au plan du substrat 14. Les fils de connexion 26 qui relient l'élément résistif 12 aux conducteurs de bottier 24 sont des motifs de métal élémen- taire déposés sur le substrat 14 dont la résistivité est détermi- née par la forme du motif de conducteurs ainsi que par le matériau choisi pour former les conducteurs. En conséquence, quand l'élé- ment résistif 12 comprend une résistance de faible valeur, le motif choisi pour connecter les conducteurs 26 est agrandi pour réduire sa résistivité et réduire ainsi toute erreur susceptible d'être introduite dans la valeur de l'élément résistif 12. De préférence, les fils de connexion 24 comprennent un sandwich de - --- -dpSt---itallique comprenant -une couche initiale de Nichrome dépo- sée sur le substrat 14 et une couche de nickel d6posée au-dessus de la couche de Nichrome. Une couche d'or peut être déposée sur la couche de nickel pour atteindre une très faible résistivité. On peut noter que beaucoup des étapes précédemment exposées pour fabriquer le bottier de résistance 10, telles que la fusion thermique du verre de scellement au couvercle de verre 18 et au substrat 14 ainsi que la soudure des conducteurs de bottier 24 aux plots de liaison 28, tendent à introduire des changements dans les valeurs de l'élément résistif 12 quand ces processus sont mis en oeuvre avant le réglage de précision de l'élément résistif 12. Le couvercle de verre transparent 18 utilisé selon la présente invention permet toutefois un ajustement au laser dans le bloc 128 de l'élément résistif 12 en tant que l'une des étapes finales de fabrication du bottier de résistance 10, après achèvement des étapes du processus qui affectent la valeur de l'élément résistif 12 et après achèvement de l'étape de traitement de recuit de sta- bilisation. Selon la présente invention, le réglage au laser est effectué après l'encapsulation hermétique en dirigeant le faisceau laser à travers le couvercle de verre 18 et sur l'élément risistif 12 pour enlever, de façon bien connue dans la technique, divers shunts qui affectent la résistance. Une précision de réglage plus importante est réalisée selon la présente invention car les étapes du processus qui affectent la valeur de l'élément résistif 12 ont été achevées avant l'ajustement au laser. Il s'est avéré au niveau des essais finaux dans le bloc 130 que l'enlèvement de très peti- tes parties de l'élément résistif 12 pendant l'opération d'ajustement dans un espace scellé hermétiquement a très peu ou pas d'effet nUfaste sur la résistance. Quand le couvercle est constitué d'un matériau non transparent, les étapes de stabilisation et d'ajustement au laser sont réalisées avant de fondre le couvercle 18 avec le substrat 14 comme cela sera clair pour l'homme de l'art. * Dans un autre mode de réalisation de la présente inven- tion, il est représenté en figure 4, un bottier de résistance désigné par la référence 32 comprenant un substrat de verre vitreux transparent 34 supportant l'élément résistif en couche mince 36. Le substrat 34 est un mélange dispersé de silice de cendre de soude et de chaux, souvent combiné à des oxydes métalliques tels que du bore, du calcium, du plomb, etc., selon les propriétés particulières souhaitées. Un exemple typique en est K le verre dit Pyrex type n 7740, un verre au borosilicate fabriqué par la société dite Corning Glass Works. L'élément résistif 36 est encapsul6 dans un couvercle de verre vitreux 38 qui est identique à la composition du verre de scellement qui a été fondu à chaud pour former le verre de scellement fondu 20 (figure 2) utilisé dans la fabrication du bottier de résistance 10. Ce couvercle de verre 38 a une for- mulation identique à celle de la composition de scellement utilisée pour la fabrication du bottier de résistance 10. Le bottier de résistance 32 comprend des conducteurs d'encapsulation faisant saillie vers l'extérieur par rapport au bord du substrat 34 parallèlement au plan de celui-ci pour connecter le bottier de résistance 32 à un circuit électronique (non représenté). Chacun des conducteurs de bottier 40 est en contact avec un plot de liaison conducteur 42 situé sur la surface du substrat 34 qui est connecté à un élément résistif 36 par l'intermfdiaire de conducteurs respectifs 44 qui sont supportés sur la surface du substrat 34. Les étapes de traitement reprisentés en figure 3 pour fabriquer le bottier 10 sont identiques à celles décrites pour la fabrication du bottier de résistance 32 sauf que: (i) le motif d'écran utilisé pour déposer le verre de scellement 20 selon une configuration annulaire est modifié pour fournir un dépôt de revêtement de verre 38 sur toute la surface de l'élément résistif 36 et une partie du substrat environnant 34; et (ii) on n'utilise pas de couvercle séparé 18 dans ce mode de réalisation, en consé- quence le couvercle de verre 38 est sérigraphie directement sur le substrat de verre 34 o il est soumis aux paramètres d'un cycle temps/température décrits dans le mode de réalisation précédent pour fournir un verre vitreux scellé lié au substrat 34. Il s'est avéré que la pression n'est pas une exigence absolue dans ce mode de réalisation. Le processus de recuit de stabilisation et les étapes d'ajustement au laser sont effectués comme cela a été décrit précédemment pour fabriquer un bottier de résistance 10 bien que, dans leur séquence, elles puissent réalisées avant le dépôt du revêtement de verre 38. Quand on souhaite effectuer un ajustement laser en tant que l'une des étapes finales du processus, l'ajuste- ment au laser est réalisé en dirigeant le faisceau laser à travers le substrat de verre transparent 34. En conséquence, le matériau du substrat 34 doit être transparent pour la fréquence du faisceau laser utilisé pour l'ajustement. La présente invention a été décrite précédemment en relation avec un mode de réalisation particulier. Il est clair que de nombreuses variantes et modifications pourraient être intro- duites par l'homme de l'art sans sortir du domaine de l'invention qui est définie par les revendications ci-après. REVENDICATIONS 1. Dispositif scellé hermétiquement comprenant un substrat servant de base pour supporter des circuits électroni- ques, des circuits électroniques déposés sur ce substrat, et caractérisé en ce qu'il comprend en outre un couvercle de verre vitreux (18-38) d6posé sur et scellant hermétiquement le circuit électrique, ce couvercle de verre vitreux étant scellé sur le substrat (14-34). 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le couvercle de verre vitreux a une température de scelle- ment inférieure à 380 C. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que le couvercle de verre vitreux a une température de scelle- ment comprise entre 370 et 375 C. 4. Dispositif selon la revendication 1, caractéris& en ce que le coefficient de dilatation thermique différentiel entre le substrat et le couvercle de verre vitreux est inférieur à deux parties par million. 5. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est choisi dans un groupe comprenant l'alumine, l'oxyde de béryllium, la stéatite, le silicate d'alumine magné- sium, le dioxyde de titane, le carbure de silicium et le zircon; et en ce que le couvercle de verre vitreux est un mélange dispersé de façon uniforme de silice, de cendre de soude, et de chaux, combiné à des oxydes métalliques choisis dans le groupe comprenant le bore, le calcium, le plomb, le lithium, le titane et le cérium. 6. Dispositif scellé hermétiquement comprenant: un substrat (14) servant de base pour supporter un cir- cuit électronique; un circuit électronique disposé sur ce substrat; un couvercle (18) disposé sur ce circuit électronique; et caractérisé en ce qu'il comprend en outre un joint de verre vitreux (20) disposé autour du circuit électronique fondu sur le couvercle et le substrat pour sceller hermétiquement le circuit électronique. 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le scellement de verre vitreux (20) a une température de fusion inférieure à 380 C à des pressions supérieures à environ psi (7x105 pascals). 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que le couvercle est en un verre vitreux ayant une température de ramollissement supérieure d'au moins 50 C à la température de fusion du scellement de verre vitreux à la même pression. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que la différence de coefficient de dilatation thermique entre le couvercle de verre vitreux (18) et le scellement de verre vitreux (20) est inférieure à deux parties par million. 10. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 9, caractérisé en ce que le couvercle de verre vitreux est transpa- rent à la lumière aux fréquences laser. 11. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le substrat est une céramique constituée d'un matériau choisi dans le groupe comprenant l'alumine, l'oxyde de béryllium, la stéatite, le dioxyde de titane, le silicate d'alumine magnésium, le carbure de silicium et le zircone. 12. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que le couvercle est une céramique constituée d'un matériau choisi dans le groupe comprenant l'alumine, l'oxyde de béryllium, la stéatite, le dioxyde de titane, le silicate d'alumine magnésium, le carbure de silicium et le zircone. 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que le substrat et le couvercle sont constitués du même matériau et en ce que le coefficient de dilatation thermique du matériau est différent de moins de deux parties par million du coefficient de dilatation thermique du scellement de verre vitreux. 14. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le scellement de verre vitreux est un mélange dispersé de façon uniforme de silice, cendre de soude, et de chaux combiné à des oxydes métalliques appartenant au groupe comprenant le bore, le calcium, le plomb, le lithium, le titane et le cérium. 15. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que le couvercle est constitué du même matériau que le joint. 16. Dispositif scellé hermétiquement selon la reven- dication 6, dans lequel ledit couvercle est en un verre-vitreux. 17. Dispositif selon la revendication 16, caractérisé en ce que le joint de verre vitreux a une température de fusion comprise entre 370 C et 375 C à sensiblement 200 psi (15x105 pascals). 18. Dispositif selon la revendication 17, caractérisé en ce que le couvercle est un verre vitreux ayant une température de ramollissement supérieure à 420 C à environ 200 psi (15x105 pascals). 19. Dispositif selon la revendication 18, caractérisé en ce que la différence de coefficient de dilatation thermique entre le couvercle de verre vitreux et le joint de verre vitreux est inférieure à une partie par million. 20. Dispositif selon la revendication 19, caractérisé en ce que le couvercle de verre vitreux est un verre au borosilicate et est transparent à la lumière aux fréquences laser. 21. Dispositif selon la revendication 16, caractérisé en ce que le substrat est une céramique constituée d'alumine et a un coefficient de dilatation thermique distinct de moins d'une partie par million du coefficient de dilatation thermique du joint de verre vitreux et de deux parties par million du couvercle de verre vitreux. 22. Procédé de fabrication d'un dispositif scellé hermétiquement comprenant les étapes suivantes: (a) disposer un circuit électronique sur un substrat, et caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes suivantes (b) recouvrir le circuit électronique et le substrat d'un verre servant de joint vitreux sous forme granulaire dans un liant et un liquéfiant; (c) recuire le circuit électronique, le substrat et le verre de scellement vitreux pour décomposer le liant et le liquéfiant; et (d) fondre le verre de scellement vitreux à une température inférieure à 380 C. 23. Procédé de fabrication d'un dispositif scellé hermétiquement comprenant les étapes suivantes: (a) disposer un circuit électronique sur un substrat; et caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes suivantes (b) mélanger un verre de scellement vitreux sous forme granulaire à un liant et un liquéfiant pour former un mélange de verre de scellement; (c) recouvrir une partie annulaire d'un couvercle par le mélange de verre de scellement, cette partie annulaire étant dimensionnée pour être plus grande que le circuit électronique; (d) recuire le couvercle de verre vitreux pour décomposer le liquéfiant et le liant du mélange de scellement en verre pour laisser en place le verre de scellement vitreux; (e) placer le couvercle sur le substrat et le verre de scellement vitreux entourant le circuit électronique et butant contre le substrat; et (f) fondre le verre de scellement vitreux pour former un joint hermétique du verre de scellement vitreux fondu sur le couvercle et le substrat. 24. Procédé pour fabriquer un dispositif joint herméti- quement selon la revendication 23, caractérisé en ce que: - le mélange de verre de scellement est un mélange uniformément dispersé de silice, de cendre de soude et de chaux combiné à des oxydes métalliques choisis dans le groupe comprenant le bore, le calcium, le plomb, le lithium et le cérium avec un liant de cellulose hydroxyalkyle, dans lequel le groupe alkyle contient de un à trois atomes de carbone, et un liquéfiant choisi dans le groupe comprenant l'huile de pin et l'alcool dihydrique; - le couvercle est un couvercle de verre vitreux; - l'étape de recuit est effectuée pendant au moins une heure à une température non supérieure à 420 C; et - l'étape de fusion est effectuée en dessous de 380 C à une pression supérieure à 100 psi (7x105 pascals) pendant au moins minutes. 25. Procédé de fabrication d'un dispositif scellé hermé- tiquement selon la revendication 23, caractérisé en ce que: - le substrat est un substrat d'alumine; - le mélange de verre de scellement est un mélange dispersé uniformément de silice, de cendre de soude et de chaux combiné avec de l'oxyde de bore au moyen d'un liant de cellulose hydroxypropyle et d'un liquéfiant d'huile de pin; - l'étape de couverture est effectuée en sérigraphiant par l'intermédiaire d'un écran à mailles, et le couvercle est un couvercle de verre vitreux; - l'étape de recuit est effectuée pendant au 10 moins une heure à une température non supérieure à 420 C; et - l'étape de fusion est effectuée pendant au moins 1/2 heure à une température comprise entre environ 370 et 375 C à une pression de 200 psi (15x105 pascals). 26. Procédé selon l'une des revendications 22 ou 23, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) cuire le circuit électronique et le substrat après avoir fondu le verre de scellement vitreux pour stabiliser le cir- cuit électronique; et (b) ajuster le circuit électronique après recuit. 27. Procédé selon l'une des revendications 22 ou 23, caractérisé en ce que le recouvrement est réalisé en sérigraphiant le verre de scellement vitreux, le liant et le liquéfiant, sur le circuit électronique et le substrat. 28. Procédé selon l'une des revendications 22, 23, ou 24 caractérisé en ce que dans l'étape de dépot on dépose une pluralité de circuits électroniques sur le substrat et en qu'elle comprend les étapes suivantes: (a) rayer le substrat en une pluralité de substrats individuels dont chacun contient un circuit électronique unique; et (b) casser le substrat en une pluralité de dispositifs. 29. Procédé selon l'une des revendications 24 ou 25, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes. (a) recuire le circuit électronique et le substrat entre C et 200 C après fusion du verre de scellement vitreux pour stabiliser le circuit électronique; et (b) ajuster au laser le circuit électronique après recuit. 30. Procédé selon la revendication 25, caractérisé en ce que l'étape (c) est réalisée par sérigraphie du verre de scelle- ment vitreux selon des rapports allant de 2 à 1, à 9 à 1 parties de verre par rapport au liant et par rapport au liquéfiant par poids total, dans lequel le liant et le liquéfiant sont dans un rapport allant de 1 à 25, à 1 à 250 parties de liant par rapport au liquéfiant en poids sur le circuit électronique et le substrat à travers un écran d'une maille de 165 selon une épaisseur de 6 mils (0,15 mm). 31. Procédé selon la revendication 25, caractérisé en ce que l'étape consistant à disposer un circuit électronique consiste à disposer une pluralité de circuits électroniques sur le substrat et l'étape de sérigraphie consiste à former une pluralité de par- ties annulaires du mélange de verre de scellement vitreux sur le couvercle de verre vitreux incluant les étapes suivantes: (a) rayer le substrat en une pluralité de substrats individuels comprenant un circuit électronique unique; (b) casser le substrat en une pluralité de substrats individuels; (c) rayer le couvercle de verre vitreux en une pluralité de couvercles individuels dimensionnés pour recouvrir un circuit électronique unique; (d) casser le couvercle de verre vitreux en une pluralité de couvercles individuels; (e) placer les couvercles individuels sur les substrats individuels; et (f) appliquer une pression aux couvercles individuels et aux substrats individuels avant l'étape de fusion.