Brevet FR2594621A1 — publié le 19870821

Dispositif et procédé de production d'un rayonnement dans un bêtatron. La présente invention concerne un dispositif et un procédé de production d'un rayonnement 'Y- dans un bêtatron. L'invention s'applique à tous Les domaines nécessitant la production d'un rayonnement 'Y et en particulier au domaine des études physiques, biolo- giques, médicales, au domaine de la détection de défauts dans des matériaux et au domaine de l'irradia- tion de produits alimentaires ou industriels. 10. Un bêtatron est un accélérateur d'électrons circulaires. La figure 1 représente schématiquement, en coupe, la structure d'un bêtatron classique. Il comprend une pièce ferromagnétique 1 comportant deux parties distinctes 3, 4 en regard, correspondant aux pôles Nord et Sud de la pièce, un solénolde 5 au centre de la pièce reliant les deux parties 3, 4 et une cavité torique 7 sous vide dans le plan médian de la pièce. Cette cavité contient des électrons produits classiquement à partir d'une source d'élec- trons telle qu'un filament ou un plasma introduits dans la cavité. Entre les deux parties distinctes de la pièce règne un champ magnétique f perpendiculaire au plan médian. Les électrons présents dans la cavité, sous l'effet du champ magnétique l sont entraînés en rotation suivant une trajectoire circulaire 9 de rayon R dans un plan perpendiculaire à la direction du champ magnétique. Ce rayon R est fonction de la vitesse v des électrons et de l'intensité de l'induc- tion magnétique B, selon l'égalité R = mv/(eB) o e représente La charge des électrons et m leur masse. Pour accélérer les électrons qui ont initia- lement une vitesse faible, on fait croître l'intensité de l'induction magnétique. En effet, lorsque l'induc- tion magnétique B augmente, Le rayon R de La trajec- toire restant fixe, La vitesse v des électrons augmente (t) = Re B(t)). L'augmentation de L'induction magnétique dépend de La tension appliquée aux bornes du soténorde 5. PLus cette tension est éLevée, plus le champ induit est grand. Les électrons accélérés dans un bêtatron sont notamment utilisés pour L'étude de la matière. Pour focaliser Le faisceau d'électrons, un bobinage toroîdal aux bornes duquel une tension est appliquée, peut être introduit dans la cavité de façon à ce que le faisceau d'électrons traverse ce bobinage. Ce type de bêtatron est généralement appelé "bêtatron modifié"; il est décrit par exemple par N Rostoker de l'Université de Californie dans la publication "Comments plasma physics", 1980, vol. 6, n 2, p.91-100. Dans les bêtatrons connus, le faisceau d'électrons accéléré ne peut être facilement extrait de ceux-ci du fait de la présence du champ magnétique. Aussi, le faisceau d'électrons ne peut être utilisé classiquement pour produire un rayonnement d'irra- diation par interaction de ces électrons avec une cible. Les bêtatrons connus ne peuvent donc pas avoir d'application industrielle. L'invention a pour but de remédier à cet inconvénient et notamment de réaliser un bêtatron dans la cavité duquel on infroduit directement une cible pour produire un rayonnement Y dans le bêtatron; le rayonnement > étant insensible au champ magnétique induit dans La cavité, ceLui-ci peut donc s'échapper du bêtatron et être utilisé. Par ailleurs le champ magnétique induit dans la cavité de ce bêtatron varie de façon à ce que les électrons présents dans celle-ci soient périodiquement accélérés et interagissent périodiquement avec La cible introduite dans la cavité. De cette façon, on obtient un rayonnement Y pratique- ment continu, pouvant être utilisé par exemple dans des processus d'irradiations de produits alimentaires ou industriels. De façon plus précise, l'invention a pour objet un dispositif de production d'un rayonnementT dans un bêtatron comportant dans une pièce ferromagné- tique une cavité circulaire contenant des électrons entraînés en rotation sur une trajectoire circulaire sous l'action d'un champ magnétique induit par la pièce ferromagnétique et par des moyens d'induction d'un champ magnétique, caractérisé en ce qu'il comprend: - des moyens pour interagir périodiquement avec les électrons sur leur trajectoire circulaire afin de produire un rayonnement, et - des moyens pour faire varier le champ magnétique dans la cavité, cesdits moyens étant syn- chronisés sur la période des moyens d'interaction et étant reliés aux moyens d'induction magnétique. De préférence, les moyens d'interaction comprennent une cible circulaire en rotation dans un plan perpendiculaire à celui de la trajectoire des électrons, l'extrémité de la cible traversant périodiquement ladite trajectoire. Selon un mode préféré de réalisation, l'ex- trémité de la cible est formée de dents réparties régulièrement sur l'ensemble de sa périphérie. Ces dents peuvent être aussi bien contenues dans le plan de la cible que dans un plan perpendiculaire ou incliné par rapport à celui-ci. La forme de la dent est quel- conque. En effet, il suffit d'un matériau filiforme pour interagir avec les électrons. Par ailleurs, la cible est réalisée dans un matériau lourd tel que le tantale ou le tungstène. De façon avantageuse, les moyens pour faire varier le champ magnétique comprennent: - des moyens pour détecter la position des moyens d'interaction par rapport à la trajectoire circulaire des électrons, - des moyens de traitement des signaux produits par les moyens de détection, ces moyens de traitement étant reliés d'une part aux moyens de détection et d'autre part aux moyens d'induction magnétique. Selon un mode de réalisation des moyens de détection, ils comprennent une source lumineuse et un détecteur photoélectrique disposés de part et d'autre du plan formé par la cible des moyens d'interaction et en regard de l'extrémité de celle-ci, ledit détecteur étant relié aux moyens de traitement. La source lumineuse est par exemple une diode et le détecteur photoélectrique, un phototransistor. Selon une variante du mode de réalisation des moyens de détection, ils comprennent un matériau ferromagnétique tel que du fer déposé à L'extrémité de la cible des moyens d'interaction et un circuit magnétique fixe disposé en regard de l'extrémité de la cible, ledit circuit magnétique étant relié aux moyens de traitement. Ce circuit magnétique com- prend de façon avantageuse un aimant en forme de "U" et un solénolde autour d'une branche en U dudit aimant, le solénolde étant relié aux moyens de traite- ment. De préférence, les moyens de traitement comprennent: - des moyens pour générer des séquences successives de signaux parallèles à partir des signaux issus des moyens de détection, - des moyens pour alimenter les moyens d'induction magnétique à partir des signaux parallèles, lesdits moyens d'alimentation étant reliés d'une part aux moyens pour générer des signaux parallèles et d'autre part aux moyens d'induction magnétique. Selon un mode de réalisation, les moyens d'induction magnétique comprenant au moins un solénocde enroulé sur une partie de la pièce ferromagnétique, les moyens d'alimentation comprennent quatre transis- tors reliés respectivement aux moyens pour générer des signaux parallèles, un premier et un deuxième transistors étant par ailleurs reliés entre eux et à une borne du solénoide et un troisième et un qua- trième transistors étant reliés entre eux et à l'autre borne du solénoide, les premier et troisième transis- tors étant reliés en outre à une source d'alimentation en tension continue et les deuxième et quatrième transistors à une masse. Selon une variante, les moyens d'induction magnétique comportant au moins deux solénoides enroulés de façon distincte sur une partie de la pièce ferroma- gnétique, les moyens d'alimentation comprennent une première source d'alimentation en tension continue alimentant le premier solénoide, une deuxième source d'alimentation en tension continue reliée au point milieu du deuxième solénoide et deux ensembles d'au moins un transistor reliés respectivement aux moyens pour générer des signaux parallèles à une borne dis- tincte du deuxième solénoide et à une masse. L'invention a aussi pour objet un procédé de production d'un rayonnement 'Y par interaction d'électrons avec des moyens d'interaction d'un disposi- tif tel que celui décrit précédemment; ce procédé est caractérisé en ce qu'on induit périodiquement dans la cavité un champ magnétique constant au moins pendant l'interaction entre les électrons et Les moyens d'interaction, décroissant après L'interaction puis croissant avant l'interaction. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre donnée à titre purement illustratif et non limitatif, en référence aux figures annexées dans lesquelles: - la figure 2 représente schématiquement l'interaction d'électrons avec une cible placée sur la trajectoire circulaire de ces électrons; - la figure 3 représente schématiquement un exemple de réalisation d'un bêtatron avec une cible tournante selon l'invention; - la figure 4 représente schématiquement un exemple de réalisation de moyens pour faire varier le champ magnétique dans le bêtatron, comportant des moyens de détection optoélectronique; la figure 5 représente schématiquement un autre exemple de réalisation de moyens pour faire varier le champ magnétique dans le bêtatron, comportant des moyens de détection magnétique; - la figure 6 représente schématiquement un exemple de réalisation de moyens d'induction magné- tique associés à des moyens d'alimentation; - la figure 7 représente les principaux chronogrammes des moyens représentés figure 6; - la figure 8 représente schématiquement un autre exemple de réalisation de moyens d'induction magnétique associés à des moyens d'alimentation; - la figure 9 représente les principaux chronogrammes des moyens représentés figure 8. La figure 2 représente une trajectoire circulaire 10 d'électrons I entraînés en rotation par un champ magnétique B perpendiculaire au plan de cette trajectoire. Une cible 11 est placée sur La trajectoire des électrons pour interagir avec eux. L'interaction électrons-cible provoque l'émission d'un rayonnement Y, pratiquement tangent à la trajectoire circulaire des électrons. Le rayon- nement ' est insensible à la présence du champ magné- tique, il n'est donc pas entraîné sur une trajectoire circulaire. Un faisceau de rayonnement Y produit dans un bêtatron peut donc s'échapper du bêtatron et être utilisé. La figure 3 représente schématiquement un bêtraton comportant selon l'invention une cible circulaire 23, en rotation, réalisée par exemple en tantale ou en tungstène. Le bêtatron représenté comprend une pièce ferromagnétique 20 constituée de huit éléments dis- tincts 21 combinés les uns avec les autres de façon à former une croix, chaque branche de la croix étant formée par deux de ces éléments. Au centre de la pièce ferromagnétique 20 et dans le plan de la croix est située une cavité circulaire 25, d'extrémité 26 globalement conique. Cette cavité n'est pas fermée, elle comporte des ouvertures 28 sur les côtés latéraux des branches de la croix. Des moyens d'induction d'un champ magné- tique tels que des solénoides 47 sont enroulés sur une partie des éléments 21 en regard de la cavité. Lorsqu'un champ magnétique est induit dans la cavité par la pièce ferromagnétique et par les solénoides 47, suivant une direction perpendiculaire au plan de la croix, les électrons présents dans la cavité sont entraînés en rotation sur une trajec- toire circulaire 24 située dans un plan perpendiculaire à la direction du champ magnétique. Par ailleurs, la cible est pLacée entre deux éléments d'une branche de la croix, grâce à un léger décrochement réalisé dans ces éléments pour recevoir la cible. Cette cible est mue en rotation dans un plan perpendiculaire à celui de la trajectoire 24 des électrons. Cette cible comporte à son extrémité des dents 27 réparties régulièrementà la périphérie de la cible. Ces dents traversent périodiquement la trajectoire des -électrons et interagissent donc périodiquement avec les électrons. L'interaction électrons-cible provoque comme on l'a vu précédemment l'émission d'un rayonnement Y (non représenté sur cette figure) qui s'échappe tangentiellement à la trajectoire 24 par les ouvertures 28 de la cavité. L'ensemble formé par la pièce ferromagnétique et la cible 23 représenté sur cette figure est placé dans une enceinte sous vide (non représentée), pour ne pas perturber le mouvement des électrons et l'interaction électrons-cible. La pièce ferromagnétique 20 représentée figure 3 a la forme d'une croix mais elle peut -être de forme quelconque. Par ailleurs, l'extrémité de la cavité est de forme conique pour des raisons de dissipation d'énergie mais n'importe quelle forme divergente peut être utilisée. Comme dans le cas des bêtatrons appelés bêtatrons modifiés, une bobine toroidale (non repré- sentée)peut être disposée dans la cavité du bêtatron, de manière à ce que la trajectoire circulaire 24 des électrons traverse cette bobine; comme on l'a vu précédemment, cette bobine aux bornes de laquelle une tension est appliquée permet de focaliser le faisceau d'électrons. La vitesse des électrons sur la trajectoire 24 dépend du champ magnétique induit dans la cavité. Selon l'invention, on fait varier le champ magnétique dans la cavité de façon à ce qu'il augmente avant chaque interaction des électrons avec une dent 27 de la cible 23. Au cours de chaque interaction, ce champ magnétique doit être constant, les électrons étant arrêtés par la cible. Et enfin, après chaque interaction, on fait décroître le champ magnétique pour éliminer toute induction magnétique dans la cavité, afin de permettre une nouvelle augmentation du champ magnétique et donc une nouvelle interaction électrons-cible. Cette décroissance du champ peut avoir lieu aussi bien à la fin du passage d'une dent dans la trajectoire 24 qu'au début de la traversée de la trajectoire par l'espace situé entre deux dents. Pour faire varier la valeur du champ magné- tique, notée Bm(t), induit dans la cavité, on fait varier la tension appliquée aux bornes des solénoides 47. Pour obtenir des séquences continues o le champ Bm(t) est successivement croissant, constant et décroissant, en accord avec la position des dents 27 de la cible sur la trajectoire 24 des électrons, on utilise des moyens de détection de la position des dents et des moyens de traitement reliés aux moyens de détection et aux solénoides 47. La figure 4 représente un exemple de réali- sation de moyens de détection associés à des moyens de traitement. Ces moyens de détection comprennent une source lumineuse 35 teLLe qu'une diode et un détecteur photélectrique 37 tel qu'un phototransistor. La source et le détecteur 37 sont placés de part et d'autre de la cibLe 23, en regard de l'extrémité de La cible. Par aiLleurs, Le détecteur 37 est relié aux moyens de traitement 40 eux-mimes reliés à des moyens 47 d'induction magnétique tels que des soLé- noides. Ces moyens de traitement 40 comprennent des moyens 41 pour générer des séquences successives de signaux séquentiels paralLèles à partir des signaux issus du détecteur 37. Ces moyens 40 comprennent également des moyens 45 pour aLimenter les moyens 47 en fonction des signaux parallèLes, issus des moyens 41, généralement amplifiés par des amplifi- cateurs 43. Les signaux générés par le détecteur 37 sont constitués d'une suite d'impulsions périodiques; chaque front de montée d'une impulsion correspond au passage de la lumière de la source 35 au détecteur et chaque front de descente correspond à l'arrêt de la lumière par une dent 27 de la cible. Les moyens 41 sont constitués par tous moyens connus tels qu'un séquenceur permettant de déclencher des séquences de signaux séquentiels paral- lèles sur un front de montée ou de descente des signaux générés par le détecteur. Si les moyens de détection , 37 sont placés en regard des dents de la cible à chaque interaction électrons-cible, les moyens 41 devront déclencher sur un front de descente. Par contre, si les moyens 35, 37 sont placés en regard de l'espace situé entre deux dents de la cible à chaque interaction, les moyens 41 devront déclencher sur un front de montée. Des exemples de moyens 45 pour alimenter des moyens 47 d'induction magnétique et des exemples de signaux parallèles appliqués à ces moyens 45 seront décrits en référence aux figures 6, 7, 8 et 9. La figure 5 représente un autre exemple de réalisation de moyens de détection. Ces moyens de détection sont reliés également aux moyens de traitement 40, eux-mêmes connectés aux moyens 47 d'induction magnétique. Ces moyens de détection comprennent un matériau ferromagnétique 51 tel que du fer disposé à l'extrémité de chaque dent 27 de la cible 23 et un circuit magnétique en regard de l'extrémité de la cible. Ce circuit magnétique comporte par exemple un aimant 53 en forme de "U" sur une branche duquel est enroulé un soLénoide 55. Les bornes du solénoide sont reliées respectivement aux moyens de traitement et à une masse. Le circuit magnétique 53, 55 et le matériau ferromagnétique 51 peuvent être aussi bien dans le plan de la cible que dans un plan quel- conque du moment que lorsqu'une dent de la cible passe au voisinage du circuit magnétique, le matériau 51 et l'aimant 53 forment un circuit magnétique fermé. Ainsi, lors de la rotation de la cible, la réluctance du circuit magnétique est plus ou moins importante suivant que le matériau 51 déposé sur les dents ferme plus ou moins le circuit. La tension résultante aux bornes du solénoide 55 comporte donc des fronts successifs de montée et de descente, un front de montée correspondant au passage d'une dent devant l'aimant 53 et un front de descente corres- pondant à un espace entre deux dents passant devant cet aimant 53. Comme précédemment, le séquenceur des moyens 40 devra déclencher chaque séquence de signaux paral- lèLes soit sur un front de montée soit sur un front de descente, suivant que ces fronts correspondent ou non au passage d'une dent dans la trajectoire 24 des électrons. La figure 6 représente un exemple 'de réali- sation de moyens 45 d'alimentation de moyens 47 d'in- duction magnétique. Sur cette figure, est représentée en coupe la pièce ferromagnétique 20 à L'intérieur de laquelle se trouve la cavité circulaire 25. A l'extrémité de la pièce ferromagnétique en regard de la cavité sont enroulés deux solénoides distincts S1 et 52 Ces solénoides forment les moyens 47 d'induction magnétique. Les bornes du solénoide S1 sont reliées respectivement à une source de tension continue 61 et à une masse. Les bornes du solénoide 52 sont reliées respectivement à des transistors T11, T12 et le point milieu de ce solénoide à une source d'aLimetnation en tension continue 63. Dans cet exemple de réalisation, le champ magnétique Bm(t) est la superposition de deux champs magnétiques Bsl et Bs2 (t). Le premier champ Bs1 est constant, iL est induit par la pièce ferromagnétique et par le solénoide S1 alimenté par une tension continue à travers une inductance 65 de façon à ce que le champ Bsl ait la valeur Bo. Cette tension continue est générée par la source de tension 61. Le rôle de l'inductance est d'absorber la tension alternative induite par les variations du champ Bm(t) aux bornes de S1. D'autre part un condensateur 67 relié d'une part entre la source de tension 61 et l'inductance 65 et d'autre part à une masse permet de protéger la source de tension 61. Le deuxième champ B52(t) est variable, iL est induit par La pièce ferromagnétique et par Le solénoide S2 dont Le point milieu est alimenté par une tension continue V1 par la source de tension 63 et dont Les bornes vont respectivement aux collec- teurs des transistors T11 et T12. D'autre part, les émetteurs des transistors T11 et T12 sont reliés à une masse et les bases de ces transistors sont reliées respectivement à un séquenceur 41 du type de celui décrit précédemment, délivrant des signaux séquentiels paraLlèLes synchronisés sur la position de La cible tournante 23. Pour un circuit d'alimentation tel que celui représenté figure 6, le séquenceur délivre deux signaux parallèles VT1-1 et VT12 qui attaquent les bases respectivement des transistors Tll et T12. De tels signaux sont représentés sur la figure 7 (c, d). Le transistor T11 respectivement T12 est à l'état passant lorsque le signal VT11 respectivement VT12 est non nul. La tension VS2 résultant aux bornes du solénoide S2 est représentée en e, figure 7. Cette tension VS2 fluctue autour de la tension V1: VS2 est inférieur à V1 lorsque VT11 est non nul, VS2 est supérieur à V1 lorsque VT12 est non nul, et VS2 est égal à V1 lorsque VT11 et VT12 sont nuls. La valeur de la tension V1 est choisie de façon à ce que le champ magnétique BS2(t) induit par la pièce fer- romagnétique et par le solénoide S2 (figure 7, b) varie dans le temps entre la valeur -Bo et une valeur nulle. Ainsi, le champ BS2(t) croit lorsque la tension VS2 est supérieure à V1, il est nul lorsque la tension VS2 est égale à V1 et il décroît lorsque la tension VS2 est inférieure à-V1. Le champ Bm(t) résultant dans la cavité (figure 7, a) est la superposition du champ BS1 et du champ BS2(t); il subit les mêmes variations que le champ Bs2(t). Dans le cas représenté figures 6 et 7, le champ Bm(t) est positif et le champ BS2(t) est négatif, mais l'inverse est bien entendu possible. Le temps tb pendant lequel le champ Bm(t) est constant correspond au temps maximum pendant lequel les électrons interagissent avec une dent de la cible, le temps tc de décroissance du champ peut avoir lieu assi bien en fin de traversée de la trajectoire par la dent qu'en début de traversée de la trajectoire par un espace entre deux dents. Par contre, le temps ta de croissance du champ a lieu au cours de la traversée de -La trajectoire par un espace entre deux dents. Pour une cible interagissant toutes les 10-4 s avec les électrons, la période T de variation du champ Bm(t) est égale à: T = 10-4 s. Dans ces conditions, on choisit par exemple des temps ta = 251s, tb = 50Fs et tc = 25gs. Entre les temps tc et ta, il peut exister un temps mort. La largeur de chaque dent et l'espacement entre deux dents sont calculés en fonction des temps ta, tb et tc nécessaires pour obtenir un rayonnementY pratiquement continu. Pour les temps ta, tb et tc décrits précédemment, la largeur de chaque dent est prise par exemple égaLe à 10 mm et l'espace entre deux dents, à 30 mm. Comme représenté figure 7, les transistors Tll et T12 ne conduisent que pendant une faible partie de la période T correspondant respectivement aux temps tc et ta. Ceci a pour avantage de limiter la puissance que les transistors doivent dissiper et donc d'accroître le rendement global du bêtatron. D'autre part, Les puissances requises pour le fonctionnement d'un bêtatron étant très importantes, il est avantageux de placer un grand nombre de transis- tors en parallèle respectivement de Til et de T12. De plus, pour ne pas avoir à associer à ces ensembles de transistors des circuits d'équilibrage qui consomment généralement beaucoup d'énergie, on peut utiliser autant de solénoïdes S2 que de transis- tors en parallèle des transistors T11, T12, chaque solénoide étant relié par ses bornes à un transistor en parallèle de T11 et à un transistor en parallèle de T12. Ces solénoides sont enroulés en regard de la cavité 25 par exemple sur une partie de chaque élément 21 de la pièce ferromagnétique 20. La figure 8 représente un autre exemple de réalisation de moyens 45 d'alimentation de moyens 47 d'induction magnétique. Ces moyens 47 comprennent un solénoide S3 enroulé sur une partie de la pièce ferromagnétique 20 en regard de la cavité 25. Les moyens 45 comprennent quatre transistors T21, T22, T23 et T24 reliés par leur base à un séquen- ceur 41 du type de celui décrit précédemment, attaquant les bases de ces transistors respectivement par quatre signaux parallèles. Le transistor T21 est relié en outre par son collecteur à une source de tension continue 80 et par son émetteur au collecteur du transistor T22 et à une borne du solénoide S3, l'émetteur du transis- tor T22 étant relié par ailleurs à une masse. Le transistor T23 est relié également par son collecteur à la source de tension 80 et par son émetteur au collecteur du transistor T24 et à l'autre borne du solénoide S3, l'émétteur du transistor T24 étant relié en outre à la masse. Un condensateur 81 relié en parallèle aux transistors T21, T22 et T23, T24 permet de protéger la source de tension continue 80. La source de tension continue 80. délivre une tension V1 teLLe que le champ Bm(t) induit par la pièce ferromagnétique et par le solénoide S3 varie entre la valeur +Bo et zéro. Les signaux parallèles VT21, VT22, VT23 et VT24 appliqués par le séquenceur à chacune des bases des transistors T21, T22, T23 et T24 sont repré- sentés respectivement en c, d, e et f de la figure 9. Les signaux VT21 et VT22 ainsi que les signaux VT23 et VT24 sont complémentaires. En effet, lorsque VT21 (respectivement VT23) est nul, VT22 (respective- ment VT24)est non nul et inversement. De ce fait, lorsque.les transistors T21 et T24 sont conducteurs (pendant le temps ta), les transistors T22 et T23 ne conduisent pas et la tension VS3 aux bornes du solénoide S3 (b, figure 9) est positive (+ Vl). Lorsque les transistors T22 et T23 conduisent (pendant le temps tc), les transistors T21 et T24 ne conduisent pas et la tension VS3 est négative (- Vl). Et enfin, lorsque les transistors T22 et T24 conduisent (pendant le temps tb) les transistors T21 et T23 ne conduisent pas et la tension VS3 est nulle. La tension VS3 aux bornes du solénoide S3 varie donc entre V1 et -Vl, et le champ magnétique Bm(t) résultant dans la cavité (a, figure 9) a la même allure que celui décrit figure 7 en a: il varie entre la valeur +Bo et zéro. Pour diminuer la tension à appliquer sur chaque transistor, il est avantageux, comme décrit précédemment, de fractionner le solénoîde S3 en plu- sieurs solénoîdes, les bornes de ces solénoldes étant reliées respectivement entre les transistors T21 et T22 et entre les transistors T23 et T24. Les diffé- rents solénoldes sont constitués par exemple par huit solénoides 47 enroulés sur chaque élément 21 de la pièce 20, suivant un seul tour, comme représenté figure 3. Des modifications des différents moyens décrits en référence aux figures 3 à 9 peuvent être envisagées sans sortir du cadre de L'invention. On peut notamment utiliser d'autres moyens d'aLimentation permettant d'obtenir des tensions du type de VS2 et VS3. IL en est de même des moyens de détection. REVENDICATIONS 1. Dispositif de production d'un rayonnement ' dans un bêtatron comportant dans une pièce ferromagnétique (20) une cavité circuLaire contenant des électrons entraÂnés en rotation sur une trajectoire circulaire (24) sous L'action d'un champ magnétique induit par La pièce ferromagnétique et par des moyens (47) d'induction d'un champ magnétique, caractérisé en ce qu'il comprend: - des moyens (23) pour interagir périodi- quement avec les électrons sur leur trajectoire circu- laire (24)afin de produire un rayonnement À, et - des moyens (35, 37, 51, 53, 55, 40) pour faire varier le champ magnétique (Bm(t)) dans la cavité (25), cesdits moyens étant synchronisés sur la période des moyens (23) d'interaction et étant reliés aux moyens (47) d'induction. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens d'interaction compren- nent une cible circulaire (23) en rotation dans un plan perpendiculaire à celui de la trajectoire (24) des électrons, l'extrémité de la cible traversant périodiquement ladite trajectoire. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'extrémité de la cible (23) est formée de dents (27) réparties régulièrement sur l'ensemble de sa périphérie. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications I à 3, caractérisé en ce que les moyens pour faire varier le champ magnétique comprennent: - des moyens (35, 37, 51, 53, 55) pour détecter la position des moyens (23) d'interaction par rapport à la trajectoire circulaire (24) des électrons, - des moyens (40) de traitement des signaux produits par les moyens de détection, ces moyens de traitement étant reliés d'une part aux moyens de détection et d'autre part aux moyens (47) d'induc- tion magnétique. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens de détection compren- nent une source lumineuse (35) et un détecteur photo- électrique (37)disposés de part et d'autre du plan formé par la cible (23) des moyens d'interaction et en regard de l'extrémité (27)de celle-ci, ledit détec- teur étant relié aux moyens (40)de traitement. 6. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens de détection compren- nent un matériau ferromagnétique (51) déposé à l'extré- mité (27)de la cible (23) des moyens d'interaction et un circuit magnétique (53, 55) fixe disposé en regard de l'extrémité de la cible, ledit circuit magnétique étant relié aux moyens (40) de traitement. 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit magnétique comprend un aimant (53) en forme de "U" et un soLénoide (55) autour d'une branche en U dudit aimant, le solénoide étant relié aux moyens de traitement. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, caractérisé en ce que les moyens de traitement comprennent: - des moyens (41) pour générer des séquences successives de signaux parallèles à partir des signaux issus des moyens (35, 37, 51, 53, 55) de détection, - des moyens (45) pour alimenter les moyens (47)d'induction magnétique à partir des signaux paral- leles, lesdits moyens d'alimentation étant reliés d'une part aux moyens (41) pour générer des signaux parallèles et d'autre part aux moyens d'induction magnétique. 9. Dispositif selon La revendication 8, caractérisé en ce que Les moyens (47) d'induction magnétique comportant au moins un solénoide (53) enrouLé sur une partie de la pièce ferromagnétique (20); les moyens (45)d'aLimentation comprennent quatre transistors (T21, T22, T23, T24) reliés respectivement aux moyens (41) pour générer des signaux parallèLes, un premier et un deuxième transistors (T21, T22) étant par ailleurs reliés entre eux et à une borne du soLénoide et un troisième et un quatrième transis- tors (T23, T24) étant reLiés entre eux et à l'autre borne du soLénoide, les premier et troisième transis- tors étant reliés en outre à une source d'alimentation (80) en tension continue et les deuxième et quatrième transistors à une masse. 10. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que les moyens d'induction magnétique comportant au moins deux solénoides (S1, S2) enroulés de façon distincte sur une partie de la pièce ferroma- gnétique (20), les moyens (45) d'alimentation compren- nent une premiere source d'alimentation (61) en tension continue alimentant le premier solénoide (S1), une deuxième source d'alimentation (63)en tension continue reliée au point milieu du deuxième solénoide (S2) et deux ensembles d'au moins un transistor reliés respectivement aux moyens (41) pour générer des signaux parallèles, à une borne distincte du deuxième solénoide et à une masse. 11. Procédé de production d'un rayonnementY par interaction d'électrons avec des moyens (23) d'interaction selon l'une quelconque des revendications I à 10, caractérisé en ce que l'on induit périodique- ment dans la cavité (25) un champ magnétique (Bm(t)) constant au moins pendant l'interaction entre les électrons et les moyens d'interaction, décroissant après l'interaction puis croissant avant l'interaction.