Brevet FR2591404A1 — publié le 19870612

Amplificateur de courant et application de cet amplificateur à un inverseur bipolaire ou à une charge dans laquelle circule un courant de sens quelconque La présente invention concerne un amplifica- teur de courant ainsi que l'application de cet amplifi- cateur à un inverseur bipolaire ou à une charge dans laquelle circule un courant de sens quelconque. Cet am- plificateur s'applique plus particulièrement à la régu- lation de l'intensité d'un courant électrique circulant dans une charge. La figure 1 représente schématiquement un montage amplificateur connu dans l'état de la technique et permettant de réguler la valeur de l'intensité d'un courant circulant dans une charge Z, au moyen d'un am- plificateur de courant 1, comprenant une entrée et une sortie 2, 3 de courant. La sortie de l'amplificateur 1 est reliée à une première borne de la charge Z. Le cou- rant est fourni par un générateur G ayant une première borne d'alimentation 4 reliée à l'entrée 2 de l'amplifi- cateur, et une deuxième borne d'alimentation 5 reliée à une deuxième borne de la charge Z. Ce type connu d'am- plificateur (montage DARLINGTON) comprend généralement un étage 6 amplificateur de puissance constitué par un transistor T1 de type NPN par exemple, dont Le collec- teur est relié à l'entrée 2 de l'amplificateur, et dont l'émetteur est relié à la sortie 3 de cet amplificateur. Cet amplificateur comprend aussi un étage 7 de commande du transistor T1 de l'étage de puissance; ce transistor bipolaire de commande est -de même type que celui du transistor de l'étage de puissance (type NPN dans l'exemple considéré). Le collecteur du transistor de commande T2 est relié à l'entrée 2 de l'amplificateur, tandis que l'émetteur de ce transistor est relié à la base du transistor de puissance T1. La base 8 du tran- sistor T2 de commande reçoit un courant d'intensité i 2 2591404 qui permet de commander la valeur du courant I circulant dans la charge Z. On suppose bien entendu que la borne 4 d'alimentation du générateur G est une borne de tension positive, tandis que la borne 5 est une borne de tension négative. Dans ce type connu d'amplificateur de courant, les transistors de puissance et de commande sont de même type et sont alimentés par la tension aux bornes du gé- nérateur G ou par une fraction du courant débité par ce générateur. Ce type d'amplificateur présente des incon- vénients importants: lorsque le transistor de puissance T1 est à l'état saturé, la chute du potentiel entre les bornes d'entrée et de sortie 2, 3 de l'amplificateur (chute de potentiel entre l'émetteur et le collecteur du transistor de puissance T1) est supérieure à celle qui apparaît normalement entre l'émetteur et le collecteur de ce transistor lorsque sa base n'est pas reliée à un autre transistor pour former un circuit de type Darlington. Cette chute de potentiel devient encore plus importante lorsque plusieurs étages de type Darlington sont montés en cascade, comme représenté schématiquement en exemple sur la figure 2. Les mêmes éléments portent les mêmes références sur cette figure et sur la figure 1. Dans ce montage de type connu, l'amplificateur 1, dont les bornes d'entrée et de sortie sont représentées en 2, 3 comprend un étage de puissance 6 constitué par un transistor de puissance T1 dont le collecteur est relié à l'entrée 2 (borne positive 4 du générateur G), et dont l'émetteur est relié à la charge Z, elle-même reliée à la borne négative 5 du générateur G. Cet ampli- ficateur comprend aussi un étage de commande 7 constitué par un montage Darlington à deux transistors T2, T3 re- liés en cascade. Dans ce type de montage, les chutes de potentiel entre l'émetteur et la base de chaque transis- tor de l'étage de commande s'ajoutent, ce qui fait appa- raitre entre La base et le collecteur du transistor T1 de l'étage de puissance, une tension au moins égaLe à la somme de ces chutes de potentiel. Il en résulte que le transistor T1 ne peut fonctionner à son maximum de satu- ration. Comme c'est précisément à travers le transistor T1 que passe la plus grande fraction du courant I qui alimente la charge Z, et que l'effet Joule dans le tran- sistor T1 est égal au produit du courant qui le traverse par la chute de tension émetteur-collecteur, il en ré- suIte dans les jonctions du transistor T1, un effet Joule considérable pour les valeurs élevées du courant I. De plus, dans un montage Darlington, la diffé- rence de potentiel base-émetteur du transistor T1 de puissance est diminuée du fait de la chute de tension supplémentaire introduite par le transistor de commande T2, et est encore diminuée du fait de la présence du transistor T3 (et des transistors d'étages précédents s'il y a lieu). Il en résulte que le transistor de puis- sance est en général mal saturé. L'invention a pour but de remédier à ces in- convénients et notamment d'éviter toute dissipation thermique trop importante dans les jonctions d'un tran- sistor de puissance d'un amplificateur de courant. Elle a aussi pour but d'améliorer le fonctionnement de ce transistor de puissance, notamment à saturation. Ces buts sont atteints notamment en utilisant pour commander l'intensité du courant fourni par le transistor de puis- sance, au moins un transistor de commande, de type oppo- sé à celui du transistor de puissance et en introduisant une résistance ou une diode en série dans le collecteur du transistor de puissance; ceci permet de diminuer la chute de potentiel émetteur-collecteur du transistor de puissance, notamment lorsque celui-ci fonctionne à satu- rat i on. L'invention a pour objet un amplificateur de courant comprenant une entrée et une sortie de courant, La sortie étant reliée à une première borne d'une char- ge, le courant étant fourni par un générateur ayant une première borne d'alimentation reliée à l'entrée de l'amplificateur et une deuxième borne d'alimentation reliée à une deuxième borne de la charge, comportant un étage amplificateur de puissance comprenant un transis- tor bipolaire d'un premier type (NPN ou PNP) dont le collecteur est relié à l'entrée de L'amplificateur, et l'émetteur est relié à la sortie de cet amplificateur, ou vice versa, caractérisé en ce qu'il comporte un étage de commande du transistor de l'étage de puissance, cet étage de commande comprenant au moins un transistor bi- polaire de commande d'un deuxième type (PNP ou NPN) opposé au premier type, dont l'émetteur est relié à ladite entrée ou à ladite sortie et dont le collecteur est relié à la base du transistor de l'étage de puissan- ce, la base du transistor de commande recevant un cou- rant de commande déterminant l'intensité du courant d'alimentation de la charge, l'impédance de l'étage am- plificateur variant en sens inverse de la valeur du courant de commande. Selon une autre caractéristique, le collecteur du transistor de l'étage de puissance est relié à ladite entrée par une impédance de faible va- leur. Selon une autre caractéristique, ladite impé- dance est une résistance ou une diode dont le sens de conduction est celui de la jonction collecteur-émetteur du transistor de L'étage de puissance. Selon une autre caractéristique, une diode relie le collecteur et l'émetteur du transistor de puis- sance, cette diode étant reliée en inverse par rapport à la jonction collecteur-émetteur de ce transistor de puissance. Selon une autre caractéristique, une résis- tance de valeur élevée relie la base et l'émetteur du transistor de l'étage de puissance pour fixer la tension base émetteur du transistor de puissance lorsque le transistor de l'étage de commande est à l'état bloqué. Par "résistance de valeur élevée", on entend une résistance telle que le courant qu'elle dévie est faible par rapport au courant émetteur-base du transis- tor correspondant, lorsque celui-ci est passant. Selon une autre caractéristique, l'étage de commande comporte au moins un autre transistor bipolaire d'un premier type (NPN ou PNP) dont le collecteur est relié à la base du transistor de commande et dont l'émetteur est relié à ladite sortie, une résistance de valeur élevée reliant éventuellement la base et l'émet- teur du transistor de commande, le courant de commande étant appliqué à la base de cet autre transistor bipo- laire. Selon une autre caractéristique, une autre résistance de valeur élevée relie la base et l'émetteur de l'autre transistor bipolaire de premier type de l'étage de commande. Les caractéristiques et avantages de l'inven- tion ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée en référence aux dessins annexés dans lesquels: - les figures 1 et 2, déjà décrites, représen- tent des amplificateurs de courant, de types connus dans l'état de la technique, - la figure 3 représente un premier mode de réalisation d'un amplificateur de courant conforme à l'invention, - la figure 4 représente un autre mode de réa- lisation de l'amplificateur de l'invention, - la figure 5 représente différentes variantes d'un autre mode de réalisatior d'un amplificateur con- forme à l'invention, - la figure 6 représente un autre mode de réa- lisation de l'amplificateur de l'invention, - la figure 7 représente schématiquement un moyen permettant de fournir le courant de commande dans l'amplificateur de l'invention, - la figure 8 représente schématiquement un montage inverseur bipolaire dans lequel interviennent des amplificateurs conformes à celui de l'invention, - la figure 9 représente schématiquement un montage permettant de faire circuler un courant de sens quelconque dans une charge, à l'aide d'un amplificateur conforme à l'invention. La figure 3 représente schématiquement un mode de réalisation d'un amplificateur 1 de courant, conforme à l'invention. Cet amplificateur présente une entrée 2 et une sortie 3, la sortie étant reliée à une première borne d'une charge Z. Le courant est fourni par un géné- rateur G ayant une première borne positive d'alimen- tation 4 reliée à l'entrée 2 de l'amplificateur, et une deuxième borne négative 5, reliée à une autre borne de la charge Z. Cet amplificateur comprend un étage ampli- ficateur de puissance 6 comportant un transistor T1 bi- polaire d'un premier type (NPN par exemple). Le collec- teur de ce transistor est relié à l'entrée 2 de l'ampli- ficateur, et l'émetteur est relié à la sortie 3 de cet amplificateur. L'amplificateur comprend aussi un étage 7 de commande du transistor de l'étage de puissance; cet étage de commande est constitué par au moins un transis- tor bipolaire T4 de commande. Ce transistor T4 est d'un deuxième type (PNP par exemple), opposé au premier type. Il est bien évident que si le transistor de puissance est de type PNP, le transistor T4 est de type opposé, 259t404 c'est-à-dire NPN. L'émetteur du transistor T4 est relié à l'entrée 2 de l'amplificateur et le collecteur de ce transistor est relié à la base 10 du transistor T1 de puissance. La base du transistor de commande T4 reçoit un courant de commande i qui détermine l'intensité du courant d'alimentation I de la charge Z. L'impédance de l'étage amplificateur varie en sens inverse de la valeur du courant de commande, comme on le verra plus loin en détail. Dans ce type de montage, c'est-à-dire lorsque les transistors sont de types alternés, les chutes de tension émetteur-base de chaque transistor ne s'ajoutent pas les unes aux autres. Dans ce montage, chaque tran- sistor est alimenté par la totalité de la différence de potentiel existant entre l'entrée 2 et la sortie 3 de l'amplificateur, diminuée d'une seule chute de tension émetteur-base pour tous les transistors de commande. Ainsi dans le cas de la figure 3, la différence de po- tentiel émetteur-base du transistor de puissance T1 se retranche de la différence de potentiel alimentant la jonction émetteur-collecteur du transistor de commande T4. Il en résulte que le transistor de puissance T1 dans l'invention, fonctionne bien mieux à saturation que dans les amplificateurs connus de l'état de la technique. La figure 4 représente schématiquement un autre mode de réalisation de l'amplificateur de l'inven- tion. Les mêmes éléments portent les mêmes références sur cette figure et sur la figure 3. L'amplificateur 1 comprend ici l'étage 6 amplificateur de puissance, cons- titué par le transistor T1 de type NPN par exemple. L'amplificateur comprend aussi un étage 7 de commande du transistor T1 de l'étage de puissance. L'étage de com- mande 7 comprend ici deux transistors T4 et T5 de types alternés. Le transistor T4 est de type PNP (puisque le transistor T1 est de type NPN par exemple), tandis que le transistor T5 est de type NPN. Le collecteur du 8 2591404 transistor T4 est relié à ta base du transistor T1 et collecteur dutransistorT5 est reLié à la basedutransistorT4. L'émet. teur du transistor T4 est relié à la borne positive 4 du générateur 5. Cetype de montage évitele cumuL deschutesdetension émetteur-base observé dans le montage Darlington de l'état de ta technique. - La figure 5 représente schématiquement un autre mode de réalisation de l'amplificateur de l'inven- tion, pour différentes variantes de cet amplificateur. Les mêmes éléments portent les mêmes références sur cette figure et sur la figure 3. Dans cet autre mode de réalisation, l'amplificateur 1 présente comme dans le montage de la figure 3, une entrée 2 et une sortie 3. La sortie 3 est reliée à une borne de la charge Z. Le géné- rateur G est relié par sa borne positive 4 à l'entrée 2 de l'amplificateur et par sa borne négative 5 à une autre borne de la charge Z. Cet amplificateur comprend un étage de puissance 6 comportant notamment le transis- tor T1, et un étage de commande 7 comportant notamment le transistor T4. Dans ce mode de réalisation, le fonc- tionnement du transistor T1 à saturation est encore amé- lioré en connectant entre le collecteur du transistor de puissance T1 et la borne d'entrée 2 de l'amplificateur, une impédance de faible valeur. Cette impédance peut être constituée selon deux différentes variantes, soit par une résistance R de faible valeur, soit par une diode D dont le sens de conduction est celui de la jonc- tion collecteur-émetteur du transistor Tl de l'étage de puissance. Cette impédance de faible valeur introduit une faible chute de potentiel sur le collecteur du tran- sistor de puissance T1, et il en résulte que ce transis- tor est alors polarisé par une différence de potentiel émetteur-base, supérieure à la différence de potentiel émetteur-collecteur; dans ce cas en effet, la différen- ce de potentiel émetteur-base du transistor de puissance T1 est égale à la différence de potentiel émetteur-col- lecteur de ce transistor, augmentée de la chute de po- tentiel introduite par l'impédance de faible valeur. Il en résulte une meilleure saturation du transistor T1 qui se traduit par une plus faible chute de potentiel émet- teur-collecteur de ce transistor et donc, par une dimi- nution de l'effet Joule dans le transistor T1. Il appa- rait par contre un effet Joule dans la résistance R ou dans la diode D, mais cet effet Joule n'est pas gênant car il est facile à dissiper. On n'est pas limité dans ce cas à une aussi faible élévation de température que celle qu'il est interdit de dépasser dans une jonction semiconductrice, sous peine de la détruire. Il est pos- sible d'admettre pour des résistances, des élévations de température beaucoup plus importantes, sans risquer de les endommager. Il est possible notamment dans le cas o la faible impédance est une résistance R, de trouver une valeur optimale de cette résistance. Selon une variante de cet autre mode de réali- sation, une diode D' relie le collecteur et l'émetteur du transistor de puissance T1. Cette diode est reliée en inverse par rapport à la jonction collecteur-émetteur de ce transistor. Cette diode permet de protéger le tran- sistor de puissance contre tout courant de sens inverse. Selon une autre variante de ce mode de réali- sation, une résistance R1 de valeur élevée relie la base_ et l'émetteur du transistor T1 de l'étage de puissance; cette résistance permet de fixer la tension base-émet- teur de ce transistor TI lorsque le transistor T2 de l'étage de commande est à l'état bloqué. De la même manière, une résistance R2 de valeur élevée peut aussi relier la base et l'émetteur du transistor T2 de l'étage de commande, pour fixer la tension base-émetteur de ce transistor. La figure 6 représente schématiquement un autre mode de réalisation de l'amplificateur de l'inven- tion. Les mêmes éléments portent les mêmes références sur cette figure et sur la figure 4. Dans ce mode de réalisation, l'amplificateur 1, dont les bornes d'entrée et de sortie sont représentées en 2 et 3, comprend un étage de puissance 6; cet étage est constitué par le transistor T1 dont le collecteur est relié à l'entrée 2 de l'amplificateur par une résistance R de faible va- leur, et dont le collecteur est relié à une borne de la charge Z. Le transistor T1 est d'un premier type (NPN par exemple). Le générateur G a une borne positive 4 qui est reliée à l'entrée 2 de l'amplificateur, tandis que la borne négative 5 de ce générateur est reliée à une autre borne de la charge Z. Cet amplificateur comprend aussi un étage de commande 7 qui comprend, dans ce mode de réalisation, deux transistors T4, T5 reliés en casca- de, respectivement de types complémentaires alternés. C'est ainsi que dans l'exemple représenté sur cette figure, si le transistor T1 est de type NPN, le transis- tor T4 de l'étage de commande, qui précède le transistor T1 est de type PNP, le transistor T5 qui précède le transistor T4 est de type NPN. Pour les raisons indi- quées plus haut, une résistance R1 relie la base et l'émetteur du transistor de puissance T1, une résistance R2 relie la base et l'émetteur du transistor T4, une résistance R3 relie la base à l'émetteur du transistor T5 et une résistance R relie le collecteur du transistor T1 à l'entrée 2 de l'amplificateur; cette résistance est, comme indiqué plus haut, destinée à introduire une faible chute de tension sur l'émetteur du transistor de puissance T1. Dans ce montage, les transistors de types complémentaires sont alternés. Le nombre des transistors de types complémentaires dans les étages de puissance et de commande a été limité à trois sur la figure. Il est évident que ce nombre peut être beaucoup plus important 1 1 et qu'il dépend essentiellement du gain en courant que l'on souhaite obtenir (ce gain en courant est le rapport I T' I étant le courant circulant dans la charge et i le courant de commande appliqué à ta base du transistor de commande T5). Chacun des transistors autres que T1 est toujours alimenté par la différence de potentiel entre l'entrée 2 de l'amplificateur et la sortie 3 de celui- ci, diminuée de la seule chute de potentiel émetteur- base du transistor commandé. Quel que soit le nombre de transistors constituant l'amplificateur, la tension qui apparaît à saturation entre l'entrée et la sortie de cet amplificateur est indépendante du nombre de transis- tors; il en résulte que t'effet Joule mentionné plus haut n'est pas modifié, ce qui n'est pas du tout Le cas dans le montage amplificateur de type Darlington en cascade. Le courant i de commande peut être fourni par n'importe quel type de générateur. Cet amplificateur peut être utilisé comme régulateur de tension ou de courant, selon la nature du générateur G, lorsque Les transistors de l'amplificateur fonctionnent sur une partie intermédiaire de leurs caractéristiques. Tous les transistors sont alimentés par la totalité du courant I débité par le générateur G, de façon que La totalité de ce courant traverse la charge Z. Cet amplificateur peut s'intercaler en n'importe quel point de n'importe quel circuit électrique, sans nécessiter de modification de ce circuit, puisqu'il ne nécessite pas d'alimentation en tension bien définie, pour fonctionner. Il ne possède pas de limite inférieure pour les valeurs de tension ou de courant à commander. Il fonctionne jusqu'à un courant I nul, ce qui n'est pas du tout le cas des montages Darlington par exemple. Cet amplificateur est flottant puisqu'il ne nécessite pas de potentiel fixe par rapport à une masse de référence. Il peut ainsi, lorsqu'il fonc- tionne en commutation, remplacer des relais électroméca- niques. Il permet de réaliser un gain en courant aussi élevé qu'on le souhaite puisque le rapport i entre le courant I fourni à la charge, et le courant de commande i ne dépend que du nombre de transistors reliés en cascade. Lorsque les transistors sont saturés, cet am- plificateur dissipe sous forme de chaleur, une énergie inférieure à celle qui serait dissipée par un montage de type Darlington car, les polarités des transistors uti- lisés étant alternées, les chutes de tension dans les transistors nes'ajoutent pas les unes aux autres, chaque transistor utilisant au contraire la totalité de la différence de potentiel apparaissant aux bornes du transistor de puissance, et de la résistance R ou de la diode D s'il y a lieu, diminuée de la seule chute de potentiel émetteur-base du transistor qu'il commande. La majeure partie de l'énergie dissipée sous forme de chaleur est dissipée dans l'impédance de faible valeur qui relie le collecteur du transistor de puissance avec l'entrée de l'amplificateur. Cette impédance tolère des élévations de température bien supérieures à celles que peuvent tolérer les jonctions semiconductrices. Il est intéressant de mentionner que le courant de base i du premier transistor de commande peut être engendré par un faisceau lumineux; il suffit dans ce cas, de remplacer le premier transistor de commande par un phototransistor sans rien changer dans le montage qui se comporte de la même façon. Ce type de montage est représenté schématiquement sur la figure 7. Les mêmes éléments portent les mêmes références sur cette figure et sur la figure 6. Le premier transistor T5 de l'étage de commande est un phototransistor qui fournit, lors- qu'il est éclairé, le courant de commande i. La figure 8 représente schématiquement un inverseur bipolaire de courant dans une charge Z. Cet inverseur bipolaire comprend quatre amplificateurs 20, 21, 22, 23, disposés respectivement dans quatre branches d'un pont. La charge Z est reliée, dans une diagonale du pont, entre deux bornes 24, 25 de ce pont. Le générateur G est relié par ses bornes positive et négative 4, 5 à deux autres bornes 26, 27 d'une autre diagonale du pont. Les amplificateurs 20, 21, 22, 23 sont identiques à l'un des amplificateurs des figures 3 à 5 décrites plus haut. Si un courant de commande est appliqué au premier transistor de l'étage de commande de chacun des amplifi- cateurs 21 et 23 par exemple, il est possible de saturer les transistors correspondants (transistors qui sont bloqués en l'absence de courant); tout se passe alors comme si la borne 24 à laquelle est reliée la charge se trouvait reliée au pôle positif 4 du générateur G, et que la borne 25 du pont à laquelle est reliée la charge se trouvait reliée au pôle 5 négatif du générateur. Au contraire, en appliquant un courant de commande sur la base du premier transistor de l'étage de commande de chacun des amplificateurs 20, 22, tout se passe comme si la borne 24 à laquelle est reliée la charge Z se trou- vait reliée au pôle négatif 5 du générateur G, et comme si la borne 25 du pont à laquelle est reliée la charge se trouvait reliée au pôle positif 4 du générateur G. Le dispositif fonctionne donc comme un inverseur du sens du courant à travers la charge Z. Si aucun courant n'est appliqué sur les bases des transistors de commande de chaque amplificateur, la charge Z n'est pas alimentée et l'inverseur ainsi réalisé est un inverseur à trois états. La figure -9 représente schématiquement un circuit dans lequel un amplificateur 30 conforme à l'in- vention (l'un des amplificateurs des figures 3 à 5) est utilisé pour faire circuler dans la charge Z un courant alternatif ou un courant de sens quelconque. L'amplifi- cateur 30 est relié entre deux bornes 31, 32 d'une dia- gonale d'un pont redresseur à quatre diodes 33, 34, 35, 36. Un générateur G d'un courant de sens quelconque ou d'une tension alternative est relié en série avec la charge Z, entre deux autres bornes 37, 38 d'une autre diagonale du pont redresseur. Dans ce montage, bien que le courant fourni par le générateur G soit de sens quel- conque ou que la tension fournie par ce générateur soit alternative, l'amplificateur 30 est parcouru par un courant de sens constant, tandis que la charge Z est parcouru par un courant de sens variable. On remarquera que chacun des montages repré- sentés comporte un transistor de puissance de type NPN. Il faut signaler que des montages selon l'invention peuvent être réalisés avec des transistors depuissancede type PNP; dans ce cas, l'impédance R ou D de faible valeur relie le collecteur T1 à la sortie 3, son émet- teur étant réuni à l'entrée 2. Pour mieux situer l'invention on peut signaler que la chute de potentiel ainsi obtenue aux bornes du transistor de puissance et donc l'effet Joule, est beaucoup plus faible (facteur pouvant aller de 3 à 5) qu'avec un transistor de puissance à effet de champ. L'intérêt de l'invention est que l'on peut obtenir le gain en courant souhaité en alternant le nombre de transistors nécessaire sans que les propriétés intéressantes de l'arplificateur ainsi que son fonction- nement correct ne se dégradent (ce qui ne serait pas possible avec des montages Darlington en cascade). On peut obtenir des gains en courant pratiquement voisins de ceux des amplificateurs à transistors à effet de champ. D'autre part, quel que soit le nombre de transis- tors ainsi reliés, chacun des transistors se trouve alimenté par la différence de potentiel qui apparait aux bornes du transistor de puissance (augmentée s'il y a 259'1404 lieu de celle aux bornes de la résistance R ou de la diode D) diminuée de la seule chute de potentiel émet- teur-base du transistor directement commandé. Il en résulte que, quel que soit le nombre de transistors de commande, la différence de potentiel aux bornes du tran- sistor de puissance (et donc l'effet Joule) n'augmente pas, suite à un mauvais fonctionnement éventuel des transistors qui le commandent. Tous les transistors fonctionnent correctement jusqu'à un courant I nul, sans qu'il soit nécessaire de faire appel à unealimentation extérieure supplémentaire. Le montage à thyristors par exemple ne fonctionne plus au 1/10e de leur courant mi- nimal. Le fait de pouvoir obtenir le gain en courant souhaité évite l'utilisation d'un amplificateur de courant extérieur qui, lui, nécessiterait alors une alimentation supplémentaire et poserait des problèmes de liaisons (masse commune, etc...). REVENDICATIONS 1. Amplificateur de courant comprenant une entrée (2) et une sortie (3) de courant, La sortie (3) étant reliée à une première borne d'une charge (Z), le courant étant fourni par un générateur (G) ayant une première borne (4) d'alimentation reliée à l'entrée (2) de L'amplificateur (1), et une deuxième borne (5) d'ali- mentation reliée à une deuxième borne de la charge (Z), comportant un étage amplificateur (6) de puissance com- prenant un transistor bipolaire (T1) d'un premier type (NPN ou PNP) dont le collecteur est relié à l'entrée (2) de l'amplificateur et l'émetteur est reLié à la sortie (3) de cet amplificateur, ou vise versa, caractérisé en ce qu'il comporte un étage de commande (7) du transistor (T1) de l'étage de puissance, cet étage de commande comprenant au moins un transistor bipolaire de commande (T4) d'un deuxième type (PNP ou NPN) opposé au premier type, dont l'émetteur est relié à ladite entrée (2) ou à ladite sortie (3) et dont le collecteur est relié à la base du transistor (T1) de l'étage de puissance, la base du transistor de commande recevant un courant (i) de commande déterminant l'intensité du courant d'alimenta- tion (I) de la charge (Z), l'impédance de l'étage ampli- ficateur (6) variant en sens inverse de la valeur du courant de commande. 2. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le collecteur du transistor (T1) de l'étage de puissance est relié à ladite entrée (2) ou sortie (3) par une impédance (R ou D) de faible valeur. 3. Amplificateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite impédance est une résistan- ce (R) ou une diode (D) dont le sens de conduction est celui de la jonction collecteur-émetteur du transistor (T1) de l'étage de puissance. 4. Amplificateur selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'une diode (D') relie le collecteur et l'émetteur du transistor de puissance (T1), cette diode étant reliée en inverse par rapport à la jonction collecteurémetteur de ce transistor de puissance. 5. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'une résistan- ce (R1) de valeur élevée relie la base et l'émetteur du transistor (T1) de l'étage de puissance, pour fixer la tension base-émetteur du transistor de puissance (T1) lorsque le transistor de l'étage (T4) de commande est à l'état bloqué. 6. Amplificateur selon la revendication 5, ca- ractérisé en ce que l'étage de commande comporte au moins un autre transistor bipolaire (T5) d'un premier type (NPN ou PNP) dont le collecteur est relié à la base du transistor de commande (T4) et dont l'émetteur est relié à ladite sortie, une résistance (R2) de valeur élevée reliant éventuellement la base et l'émetteur du transistor de commande (T4), le courant de commande étant appliqué à la base de cet autre transistor bipo- laire (T5). 7. Amplificateur selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'une autre résistance de valeur élevée R3 relie la base et l'émetteur de l'autre tran- sistor bipolaire (T5) de premier type, de l'étage de commande. 8. Amplificateur selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étage de commande comporte au moins un autre transistor (T5), de type phototransistor, d'un premier type (NPN ou PNP) dont le collecteur est relié à la base du transistor de commande (T4), une ré- sistance (R2) de valeur élevée reliant la base et l'émetteur du transistor de commande (T4), une autre résistance de valeur élevée reliant la base et l'émet- teur du phototransistor, le courant de commande étant fourni par le phototransistor. 9. Application de l'amplificateur à un inver- seur bipolaire de courant dans une charge, cet inverseur comprenant quatre amplificateurs conformes à l'une quel- conque des revendications 1 à 8, disposés respectivement dans quatre branches d'un pont, la charge étant située dans une diagonale du pont, et le générateur étant disposé dans une autre diagonale du pont. 10. Application de l'amplificateur conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 8 à une charge dans laquelle circule un courant de sens quelconque ou un courant alternatif, l'amplificateur étant connecté entre deux bornes d'une diagonale d'un pont redresseur à quatre diodes, un générateur de courant de sens quelcon- que ou un générateur de tension alternative étant relié en série avec la charge entre deux autres bornes d'une autre diagonale du pont redresseur.