Brevet FR2594856A1 — publié le 19870828

- 1 - Procédé d'obtention de cristaux de silicium pour applications photovol- talques La présente invention concerne un procédé d'obtention de cristaux de silicium pour applications photovoltalques. D'après l'enseignement des brevets français n 2 438 499 du 13 octobre 1978, n0 2 455 921 du 8 mai 1979, et no 2 487 808 du 1er août 1980, on sait purifier du silicium métallurgique en vue d'applications photovoltaiques, en dirigeant sur le lingot à purifier un jet de plasma chaud obtenu par excitation haute fréquence; on déplace l'un par rapport à l'autre le jet et le lingot pour faire circuler la zone fondue le long du lingot. Le gaz utilisé est constitué d'un mélange d'argon, d'hydrogène et d'oxygène, la teneur en oxygène étant suffisamment faible pour ne pas oxyder le silicium de façon appréciable. A titre d'exemple, on traite par le procédé précédent un lingot de silicium métallurgique à 2% d'impuretés qui sont réparties comme indiqué dans le tableau I ci-après: TABLEAU I Nature de taux Nature de taux l'impureté l'impureté Al 3000 * Mn 43 As 0. 08 Mo 10 Ag 0.2 Na 7.8 Ba 20 Ni 80 C 1900 * 0 4000 Ca 2000 * Sb 0.07 Co 5 Sc 0.62 Cr 40 Ta 0,002 Cu 40 Ti 160 Fe 1800 * Zn 40 Ga 1.5 Zr 0.3 La 10 -2- Les taux sont exprimés en ppm atomiques, l'analyse ayant été faite par radioactivation. Les nombres assortis d'un astérisque correspondent à une analyse par spectrométrie de masse. On observe après plusieurs traitements de purification que bon nombre des impuretés ont été éliminées du lingot, mais que son rendement de conversion photovoltalque ne dépasse pas 7%. On rappelle que le ren- dement de conversion photovoltaique ( I) est le rapport entre la puissance électrique maximale de sortie et le produit de la surface du dispositif photovoltaique par l'éclairement incident mesuré dans des conditions d'essai définies, ce rapport étant exprimé sous forme de pourcentage (cf.terminologie CEI, CT 82, Systèmes photovoltaiques). Le but de la présente invention est d'obtenir, de manière économique, du silicium destiné à des applications photovoltaiques, et présentant un rendement de conversion photovoltaique au moins égal à 10%. On a découvert que, d'une manière surprenante, on pouvait obtenir un tel résultat en traitant par le procédé de fusion précédemment décrit, non pas de silicium métallurgique, mais des rejets de silicium de type P ou de N, tels que des rejets de l'industrie électronique, ou des rebuts issus des procédés de cristallisation du silicium, à condition que leur résistivité soit au moins égale à 0,05 ohm.cm. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront au cours de la description suivante d'exemples de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, donnés à titre illustratif mais nullement limitatif. EXEMPLE 1 On part d'un rejet quelconque de silicium de l'industrie électronique. On lui applique un traitement de recristallisation par le procédé dit "POLYX". Ce procédé est décrit notamment par "1985. Photo- voltaic Solar Energie" relatant la conference de Londres (15-19 avril 1985), dans un article intitulé "Growth of silicon ingots by the POLYX PROCESS". - 3 - Après ce traitement on a un échantillon dont la résistivité est de 0,065 ohm.cm et dont le rendement photovoltaique h est nul. Après une fusion par plasma selon le procédé précité, on obtient un rendement 1 égal à 11,5%. EXEMPLE 2 On part d'un déchet- de l'industrie électronique constitué d'une plaque de silicium ayant subi une oxydation. Après traitement de fusion par plasma le rendement t devient égal à 11,2%. EXEMPLE 3 On prend du silicium de qualité électronique dégradé et on l'uti- lise dans le procédé POLYX. La résistivité'est alors de 1 ohm.cm et le rendement de 9,5%. Après une fusion par plasma, ce rendement devient égal à 10,9%. EXEMPLE 4 On part d'un matériau issu d'une recristallisation par le procédé POLYX. Le matériau est de type N et sa résistivité est voisine de 7 ohm.cm. Après une fusion par plasma selon le procédé précité, le ren- dement photovoltaique est de 10,36% et la résistivité de type P égale à 2 ohm.cm. Le procédé selon l'invention présente un avantage économique énorme car il permet d'utiliser certains rebuts de l'industrie habituel- lement détruits et d'obtenir un composant de bonne qualité et beaucoup moins coQteux pour les cellules photovoltaiques. Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux exemples qui ont été décrits. On pourra, sans sortir du cadre de l'invention remplacer tout moyen par un moyen équivalent. _4_ REVENDICATIONS 1/ Procédé d'obtention de cristaux de silicium pour applications photo- voltaIques selon lequel on réalise une purification du silicium par passage dans un Jet de plasma, et caractérisé par le fait que, pour obtenir un rendement photovoltalque au moins égal à 10%, on part de déchets de silicium recyclables de type P ou de type N, mono ou polycris- tallins présentant un taux d'impuretés et un état de cristallisation tels que leur résistivité soit au moins égale à 0,05 ohm.cm. 2/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdits déchets sont constitués par des rebuts de l!'industrie électronique ou photovoltalque sous forme de plaquettes de silicium. 3/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdits déchets sont constitués par des rebuts de l'industrie électonique ou photovoltaique sous forme de boues de sciage.