Brevet FR2590596A1 — publié le 19870529

La présente invention concerne la purification par fusion de zone du cadmium et du tellure et plus préci- sément un procédé de purification de cadmium et de tellure par fusion de zone en présence d'une substance de piégeage. Au cours de la fabrication des composés semi-conduc- teurs CdTe et CdHgTe, il est nécessaire d'utiliser des éléments dont la pureté est aussi élevée que possible. Les impuretés iso-électroniques peuvent en général être tolérées à des concentrations relativement élevées, de l'ordre de quelques parties par million, mais les impuretés qui peuvent former des porteurs de charge doivent être réduites à une concentration qui donne de préférence moins de 1015 porteurs/cm3 dans le semi-conducteur final. Par exemple, une détection infrarouge efficace nécessite une faible concentration des porteurs dans CdHgTe, une mobilité élevée et une durée de vie importante des états excités. La présence d'impuretés dans les éléments de CdHgTe a un effet négatif sur ces caractéristiques. La purification de Cd, Te et Hg est décrite par Hirsch, H.E., et al. ("Preparation of High Purity Cadmium, Mercury and Tellurium", chapitre 2 de "Semiconductors and Semimetals", vol. 18, Edité par Willardson, R.K. et Beer, A.C., Academic Press, 1981). L'un des procédés de prépara- tion de cadmium et de tellure de pureté élevée, c'est- à-dire à six 9 ou mieux, est la fusion de zone. Le cadmium est l'un des métaux à faible température de fusion dont la fusion de zone est la plus difficile car il possède une faible température de fusion, une conductibilité ther- mique élevée et une dilatation importante en volume. Comme de nombreuses impuretés ont des coefficients de ségrégation proches de 1,0; la ségrégation obtenue est partielle seule- ment. Ceci s'applique en particulier au zinc, au cuivre, au potassium et au magnésium. Le tellure convient mieux à la purification par fusion de zone car la plupart des impuretés ont de très faibles coefficients de partage et peuvent être facilement retirées. Celles dont les coeffi- cients de partage sont proches de l'unité, c'est-à-dire le mercure, le sélénium, le chrome, le sodium et le cadmium, ne sont pas retirées aussi efficacement. En conséquence, le cadmium et le tellure sont habituellement soumis à une ou plusieurs opérations de purification par fusion de zone donnant des qualités purifiées après une, deux, trois ou quatre fusions de zone (désignées dans la suite du présent mémoire par SZR, DZR, TZR et QZR). La matière première formée par le cadmium et le tellure subit une fusion de zone jusqu'à ce qu'un équilibre des impuretés s'établisse. Le matériau affiné est alors coupé, c'est-à-dire que le tronçon qui a une pureté correspondant à six 9 est séparé des extrémités antérieure et postérieure, et est soumis à la même opération de purification par fusion de zone afin qu'il forme un produit DZR ayant une teneur réduite en impuretés. La répétition de l'opération donne le matériau TZR et la purification de celui-ci donne le matériau de qualité QZR. Le cadmium et le tellure ayant subi une puri- fication poussée de cette manière et du mercure très pur, lorsqu'ils sont utilisés pour la fabrication de CdHgTe, donnent de manière fiable CdxHglxTe (x = 0,2) avec une concentration des porteurs comprise entre 104 et 10. Bien que ces concentrations conviennent à la fabrication de la plupart des dispositifs, une réduction supplémentaire de la concentration des porteurs est souhaitable et néces- site cependant la production de matériaux ayant des puretés encore plus élevées. La purification des éléments tels que Sn, Si, Ge et Zn peut être réalisée par fusion de zone avec un agent soluble ou d'alliage avec les impuretés, convenablement ajouté, ou avec une substance ajoutée de piégeage. Pfann (Zone melting, John Wiley & Sons, Inc., 1959) indique qu'une substance contenant une impureté peut être purifiée par dissolution dans un solvant et permet une meilleure sépara- tion de l'impureté. Le seul exemple donné par Pfann est le système Sn-Si dans lequel une petite quantité de Si diffuse dans un lingot de Sn et Sn pur est récupéré. Selon le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 2 739 088, la fusion de zone utilise un système à deux solutés dans lequel la zone fondue s'établit à la concentration voulue du soluté. Des jonctions p-n et p-n-p sont formées par addition d'une quantité notable de soluté à la zone fondue sous forme solide, liquide ou vapeur et sous forme pure, alliée ou d'un composé. Ce procédé concerne le dopage et l'établissement de gradients de concentration d'un soluté. Selon le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 2 835 612, des matériaux à température élevée de fusion tels que le silicium et le germanium, peuvent être purifiés par fusion de zone avec un agent d'alliage assurant un alliage des impuretés si bien que la substance se dissout au flanc antérieur de la région liquide et se dépose à partir du flanc postérieur avec des concentrations diffé- rentes des impuretés. Selon le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 3 047 380, le germanium est purifé par fusion de zone par addition d'un élément qui a pour l'oxygène une affinité supérieure à celle qu'il a pour le germanium, qui forme un oxyde et qui a une constante relativement faible de ségrégation, l'élément balayant le germanium et l'oxyde étant retiré. Le brevet australien n 273 393 indique que les impuretés sujettes à ségrégation peuvent être retirées par purification par fusion de zone des éléments par appli- cation d'une matière de piégeage à faible coefficient de diffusion à l'état solide à l'extrémité du corps vers laquelle les impuretés sujettes à ségrégation sont dirigées. Plus précisément, l'indium est utilisé comme matière de piégeage du cuivre pour la purification du germanium. L'in- dium est introduit à l'extrémité postérieure et la distri- bution finale de l'indium est atteinte rapidement (on sup- pose que la rétrodiffusion du cuivre est négligeable). Selon le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 165 249, une couche d'un matériau relativement pur de piégeage (Si) est appliquée sur le germanium et le germanium subit une fusion de zone avec plusieurs passages. -2590596 Un article russe (Chemical Abstracts, volume 84; 109005r, 1976) décrit la fusion de zone du zinc avec addition d'un constituant actif tel que le germanium, le silicium, l'indium, l'antimoine, le bismuth ou le calcium, le rendement le plus élevé étant donné par une combinaison de germanium, d'étain et d'antimoine. Des éléments ayant des coefficients de partage inférieurs à 0,5 conviennent le mieux étant donné leur interaction forte avec les impuretés. Ainsi, la technique antérieure comprend d'une part la purification du cadmium et du tellure par fusion de zone, et l'utilisation de la purification par fusion de zone en présence d'une substance de piégeage dans le cas de métaux autres que le cadmium et le tellure. On a constaté selon l'invention que le cadmium et le tellure pouvaient aussi être purifiés par fusion de zone en présence d'une substance de piégeage. Plus précisé- ment, le cadmium et le tellure subissent la purification par fusion de zone en présence d'une très faible quantité de tellure et de cadmium respectivement ou avec une petite quantité de Cd ou Te constituant une substance de-piégeage. La quantité de cadmium, de tellure ou de CdTe est inférieure à la quantité de l'eutectique de Cd ou Te dans le cadmium ou le tellure qui doit subir la fusion de zone. Le cadmium, le tellure ou CdTe est ajouté à l'extrémité antérieure du lingot de cadmium ou de tellure et les lingots sont purifiés par fusion de zone avec plusieurs passages en une ou plusieurs étapes donnant le cadmium et le tellure sous forme SZR, DZR, TZR ou QZR. L'addition de cadmium, de tellure ou de CdTe augmente la concentration du cadmium dans le tellure ayant subi la fusion de zone et du tellure dans le cadmium ayant subi la fusion de zone. Cependant, cette augmentation n'affecte pas les caractéristiques électriques des composés semi-conducteurs tels que CdTe et CdHgTe formés à partir de cadmium et de tellure purifiés. Le cadmium et le tellure ayant subi une telle purification par fusion de zone ont une teneur en impuretés inférieure à celle du cadmium et du tellure ayant subi une fusion de zone sans addition de cadmium, de tellure ou de CdTe comme substance de piégeage et, en outre, le rendement en nombre de tranches de, CdHgTe obtenu à partir du cadmium et du tellure ainsi puri- fiés, satisfaisant aux spécifications de concentration et de mobilité des porteurs, augmente considérablement. Ainsi, l'invention concerne un procédé de purifica- tion d'un métal choisi dans le groupe qui comprend le cadmium et le tellure, le procédé comprenant l'addition,à un lingot du métal, d'une quantité d'une substance de piégeage choisie dans le groupe qui comprend le tellure, le cadmium et CdTe, et la purification par fusion de zone à plusieurs passages du métal auquel la substance de piégeage a été ajoutée, la quantité de tellure ou la quantité de tellure ajoutée dans CdTe, pendant la purification par fusion de zone du cadmium étant inférieure à la quantité de tellure de la composition eutectique riche en cadmium formée par le cadmium et le tellure, et la quantité de cadmium ou la quantité de cadmium dans CdTe ajoutée dans la purification par fusion de zone du tellure étant inférieure à la quantité de cadmium contenue dans la composition eutectique riche en tellure formée par le cadmium et le tellure. De préférence, la quan- tité de tellure ou la quantité de tellure dans CdTe est ajoutée à l'extrémité antérieure d'un lingot de cadmium avant la purification par fusion de zone, en quantité infé- rieure à 10 ppm en poids environ du lingot de cadmium, et la quantité de cadmium ou de cadmium dans CdTe est ajoutée à l'extrémité antérieure d'un lingot de tellure avant la purification par fusion de zone, en quantité inférieure à 1 % en poids environ du lingot de tellure. Pendant la purification par fusion de zone, une courte zone fondue se déplace dans un lingot relativement long d'un matériau solide, et entraîne avec elle les impure- tés solubles. L'action des zones fondues successives de déplaçant dans le même sens est destinée à répartir les impuretés en fonction du rapport de leurs solubilités en phases solide et liquide. La répartition finale des impuretés dépend de la vitesse, de la fréquence et du sens de déplacement de la zone ainsi que de la propriété intrinsèque de chaque impureté connue comme étant son coefficient de partage ko. La valeur du coefficient k peut être modifiée en fonction de la lar- o geur de la zone et de l'intensité et de la nature du mélange dans la zone. Ces critères affectent la répartition du soluté dans la zone. Le terme keff décrit la ségrégation des impu- retés dans les conditions réelles de travail. Lorsque le coefficient keff est supérieur à 1,0, les impuretés s'accu- mulent au flanc intérieur du lingot. Lorsque ce coefficient keff est inférieur à 1,0, l'impureté a une plus grande solu- bilité en phase liquide et est transportée vers l'extrémité postérieure du lingot. L'impureté ne se sépare pas indépendamment des autres impuretés et il est donc important de considérer l'interaction des impuretés. Von Kujawa (Z. fu Phys. Chem., 232 (5-6), 1966, p.425-31) explique que "lorsque plusieurs impuretés sont simultanément présentes, l'impureté présente en plus grande quantité a une influence sur la ségrégation des autres impuretés qui ne sont présentes qu'à l'état de traces étant donné la formation de systèmes à plusieurs constituants". Cependant, dans l'étude de Von Kujawa, l'effet de chaque impureté importante était une réduction du degré de ségrégation des impuretés secondaires. Il n'a constaté aucune augmentation de la ségrégation. Le diagramme des phases cadmium-tellure est carac- téristique des composés II-VI ayant une température maximale de liquidus correspondant à un composé ayant un pourcentage atomique voisin de 50/50. La valeur de l'eutectique pour le côté riche en tellure du diagramme est connue comme étant d'environ 1 % de cadmium. La composition eutectique du côté riche en cadmium n'est pas connue avec précision et on a indiqué qu'elle était très proche du cadmium pur (Zanio, K., "Cadmium Telluride", Chapitre 1, Semiconductor and Semi- metals, vol. 13, édité par Willardson et Beer, Academic Press, 1978). La purification par fusion de zone du Cadmium et celle du tellure sont réalisées selon des procédés bien établis à l'aide d'un appareil de type classique. Les appa- reils de purification par fusion de zone comprennent un tube destiné à délimiter la chambre de purification, un panneau de commande de circulation de gaz destiné à régler l'atmophère ambiante et des organes indépendants de réglage d'énergie dans chaque four. Plus précisément, un lingot de cadmium ou de tellure est placé dans un creuset de quartz ayant une longueur de 1300 mm et une section semi-circulaire de 75 mm de diamètre. Le creuset est placé au centre d'un tube de quartz de 2400 mm de longueur et de 100 mm de diamè- tre. Des capuchons d'extrémité formés d'acier inoxydable sont fixés à chaque extrémité du tube par des joints tori- ques. Des fours circulaires sont montés sur un chariot mobile et régulièrement espacés. Le déplacement du chariot est commandé par un moteur électrique et la distance parcourue est délimitée par deux microcontacts. La température de chaque four est réglée indépendamment. La circulation des gaz est commandée par une série de soupapes. Les gaz utilisés comprennent l'argon et l'hydrogène ayant diffusé sur du palladium et de l'argent. Dans l'appareil de purification par fusion de zone du cadmium, un blindage thermique formé d'aluminium est monté sur le chariot afin qu'il délimite un volume fermé autour des fours si bien que le courant d'air formé par convection autour du four est réduit au minimum et permet la formation de zones liquides relativement stables. Dans l'opération de purification par fusion de zone, un lingot de cadmium ou de tellure est placé dans le creuset et une certaine quantité d'une substance de piégeage choisie dans le groupe comprenant le cadmium, le tellure et CdTe est ajoutée au lingot. La quantité ajoutée est inférieure à la quantité présente dans les compositions eutectiques du côté riche en cadmium et du côté riche en tellure du diagramme des phases. Lorsque la quantité ajoutée est égale ou supérieure à la quantité des compositions eutec- tiques, la ségrégation accrue des impuretés n'est pas obtenue. Lors de la purification du cadmium, la quantité de tellure ajoutée ou la quantité de tellure dans CdTe ajoutée est inférieure à 10 ppm en poids environ (10 parties par mil- lion en poids) par rapport au lingot de cadmium. Lors de la purification du tellure, la quantité de cadmium ajoutée ou la quantité de cadmium dans CdTe ajoutée est inférieure à 1 % en poids environ du lingot de tellure. Le cadmium, le tellure ou CdTe est ajouté de préférence avant la puri- fication par fusion de zone à l'extrémité antérieure ou de tête du lingot. L'addition de CdTe comme substance de piégeage est préférable. Le cadmium ou le tellure avec la substance ajoutée de piégeage est alors soumis à une purification par fusion de zone avec plusieurs passages, en une ou plusieurs opéra- tions donnant les produits SZR, DZR, TZR ou QZR. La pureté du cadmium ou de tellure affiné est déter- minée par spectroscopie d'émission ou spectroscopie de masse avec une source d'étincelles. La pureté peut être déterminée indirectement par formation de -CdHgTe à partir de cadmium et de tellure (et de mercure) et par détermina- tion des caractéristiques électriques des tranches de CdHgTe et du rendement en tranches satisfaisant aux spécif- cations pour ces caractéristiques. On a constaté que la pureté du cadmium et de tellure produits selon l'invention augmentait et que le rendement en tranches de CdHgTe corres- pondant aux spécifications pour la mobilité et la concen- tration des porteurs, était notablement accru. L'invention est maintenant illustrée par les exem- ples suivants donnés à titre non limitatif. Exemple 1 Un lingot initial de cadmium de qualité du commerce à cinq 9 a été placé dans le creuset d'un appareil du type décrit précédemment. Une quantité de CdTe équivalant à ppm en poids du lingot, a été ajoutée sous forme d'une poudre à l'extrémité antérieure du lingot. Le creuset a été recouvert d'une couche de carbone destinée à empêcher la réaction entre le quartz et le cadmium. Le lingot a subi une purification par fusion de zone à une vitesse de mm/h. La largeur de la zone était de 60 mm et 54 passages ont été réalisés. Les résultats d'analyse des échantillons par spectrométrie d'émission (Es) et par spectrométrie de masse avec source d'étincelles (SSMS), obtenus après ce premier jeu de passes et à différents emplacements le long du lingot, ne présentaient pas beaucoup de différence avec les résultats des analyses du produit SZR classique, mis à par une concentration bien supérieure de tellure. Le barreau a alors été coupé et attaqué chimiquement avant une second série de passages dans les mêmes conditions, mais le nombre total de passages était égal à 42. Des échan- tillons ont été prélevés à la fin du traitement. Des analyses ES et SSMS de ces échantillons ont indiqué la ségrégation du tellure à l'extrémité postérieure, de manière prévue, et une concentration élevée d'indium. La concentration de l'indium dans le lingot initial était inférieure aux limites de détection. L'indium est rarement détecté dans le cadmium affiné par fusion de zone, ayant une grande pureté. Les concentrations élevées de l'indium dans le tronçon postérieur du lingot DZR indiquent une concen- tration réduite de l'indium dans le corps du lingot. Le lingot a subi un traitement supplémentaire jus- qu'à la qualité QZR. On a noté que, pour chaque série sup- plémentaire de passages, la ductilité du lingot de cadmium augmentait. La ductilité est souvent fonction de la quantité d'impuretés solubles et bien qu'on n'ait observé que la ségrégation de l'indium par rapport à la partie centrale du barreau, la concentration des autres impuretés solubles en traces peut aussi avoir diminué. Les analyses ES et SSMS ont donné les résultats indiqués dans le tableau I. 1.0 TABLEAU I Impureté Te In SSMS ES SSMS ES Position de l'échantillon (valeurs en ppm en poids) SZR- 75 mm de TE* 0,4 5** ND*** ND SZR-150 mm de TE 0,4 ND ND ND SZR-300 mm de TE 0,04 NA**** ND NA DZR- 75 mm de TE 0,7 10 0,1 1,0 DZR-150 mm de TE 0,03 ND 0,02 0,1 DRZ-300 mm de TE 0,02 NA ND NA TZR- 75 mm de TE NA ND NA 0,1 TZR-150 mm de TE NA ND NA ND QZR- 75 mm de TE ND ND ND ND QZR-150 mm de TE ND ND ND ND QZR-300 mm de TE ND NA ND NA * TE = extrémité postérieure ou partie du lingot qui est la dernière a se solidifier ** La limite de détection du tellure dans le cadmium est de 5 dans le cas de ES *** ND = non détecté **** NA = non analysé Les résultats indiquent que, dans un lingot SZR, l'indium ne peut pas étre détecté au-delà de la limite de détection, c'est-a-dire que l'indium ne donnait pas une ségrégation détectable; dans DZR, le tellure interagit avec l'indium et l'indium s'est associé avec le tellure, et le cadmium était spectroscopiquement dépourvu de tellure et d'indium à la fin du traitement QZR. Exemple 2 Un lingot initial de tellure à quatre 9 a été placé dans le creuset de l'appareil représenté sur la figure 1. Une certaine quantité de CdTe en poudre équivalant à 0,5% du poids du lingot, a été ajoutée à l'extrémité antérieure du lingot. Le lingot a subi une purification par fusion de zone avec une vitesse de zone de 55 mm/h. La largeur de la zone était de 70 mm et 68 passages ont été réalisés. Le lingot de tellure a été purifié jusqu'à la quali- té QZR, et des échantillons ont été prélevés dans le barreau après les traitements SRZ, DRZ et QZR. Les résultats figu- rent dans le tableau II. Les valeurs indiquées pour le cadmium ajouté avec CdTe sont données en pourcentage pondé- ral, toutes les autres valeurs étant exprimées en ppm en poids. Erplacenment de 1 'échant illon Cd pas de CdTe CdTe ajouté TABLEAU II Ga pas de CdTe CdTe ajouté Ca K pas de CdTe Pas de CdTe ajouté CdTe SZR75 rmmn de TE SZR-150 mm de TE SZR-300 mm de TE ND ND ND 0,2 % 0,3 % ND 1 ND 0,2 0,2 % ND 0,1 DZR- 75 rmn de TE DZR-150 mm de TE DZR-300 mm de TE ND 2,0 % ND 7,0 % ND 2,0 % ND 0,7 ND 1,0 ND 0,1 QZR- 75 rnm de TE QZR-150 mm de TE ND 3,0 ND 2,0 % CdTe ajouté 0,03 ' ND ND 0,3 0,02 0,02 0,01 0,6 0,3 0,03 ND 0,06 ND 0,2 ND 0,01 0,02 0,01 0, 02 0,01 0,6 0,03 0,01 0,1 ND ND 0,06 0,06 ND 0,3 0,02 0,02 0,02 F-. [l vi LAz ca no os UN O Toutes les valeurs ont été obtenues par des analyses SSMS, sauf celle du gallium dans le cas d'addition de tellure sous forme CdTe. Ces dernières valeurs ont été obtenues par spectroscopie d'émission (ES) étant donné une interfé- rence possible du maximum de masse du gallium pour les concentrations élevées de cadmium. Les analyses par spectro- scopie d'émission ES du tellure purifié, sans addition de CdTe n'indiquent pas de trace de Ga. Les résultats indi- quent une plus grande purification dans le cas du gallium, du calcium et du potassium par rapport à du tellure ayant subi une fusion de zone sans addition de CdTe comme subs- tance de piégeage. On a constaté que la concentration du cadmium dans la partie centrale du lingot de tellure QZR était de 5 ppm en poids. Les concentrations élevées de cadmium dans les échantillons de l'extrémité postérieure indiquent la très forte ségrégation présentée par le cadmium dans le tellure. L'augmentation de la ségrégation du calcium et du potassium est tout à fait évidente. Ces deux éléments présentent un déplacement léger à l'extrémité inférieure, accentué par la présente du cadmium dans le tellure fondu. Exemple 3 Un certain nombre de monocristaux de Cd0,21Hg0 79Te a été préparé avec du cadmium et du tellure comme précurseur, afin que la qualité de ces éléments purifiés par fusion de zone avec addition de CdTe soit déterminée. La synthèse de CdHgTe a été réalisée par chargement de quantités stoé- chiométriques de cadmium et de tellure de qualité QZR et de mercure de qualité sept 9 dans une ampoule propre de quartz, fermée sous vide. L'ampoule a été chauffée au- delà de la température de liquidus de l'alliage x = 0,21, et a été refroidie dans un gradient thermique destiné à donner une composition homogène d'alliage convenant à une recristallisation donnant une croissance monocristalline. Des tranches ont été découpées dans les monocristaux et les tranches ont été recuites en présence d'une surpression de mercure afin que les tranches formées par croissance passent de la conductivité de type p à celle de type n. Les paramètres électriques de la concentration et le la mobilité des porteurs, mesurés à 77K par la technique de Van der Pauw ont été utilisés pour la caractérisation de la pureté des tranches de CdHgTe. A titre comparatif, la concentration et la mobilité des porteurs a été déterminée pour un nombre analogue de tranches découpées dans des cristaux de fabrication normale, c'est-à-dire des cristaux fabriqués à partir de cadmium et de tellure ayant subi une purification par fusion de zone sans addition de substances de piégeage. Les valeurs moyennes de la concentration et de la mobilité des porteurs à 77 K, pour la fraction de 50% de plus grande pureté des tranches produites formées de CdHgl1xTe (x = 0,21) étaient de 2,00.10 14cm-3 et 2, 01.105cm2 V-1 s- respectivement. Le rendement en tranches de CdHgTe ayant des carac- téristiques égales ou supérieures à ces valeurs, était supérieur de 70 % pour les tranches formées de cadmium et de tellure fabriquées selon l'invention, par rapport aux tranches de CdHgTe fabriquées à partir de cadmium et de tellure ayant subi une purification par fusion de zone sans addition d'une substance de piégeage. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux procédés qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limita- tifs sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de purification d'un métal choisi dans le groupe qui comprend le cadmium et le tellure, caractérisé en ce qu'il comprend l'addition, à un lingot du métal, d'une quantité d'une substance de piégeage choisie dans le groupe qui comprend le tellure, le cadmium et le tellu- rure de cadmium, et le traitement du métal, avec la subs- tance de piégeage ajoutée, par purification par fusion de zone à plusieurs passages, la quantité de tellure ou la quantité de tellure présente dans le tellure de cadmium ajoutée dans la purification par fusion de zone du cadmium étant inférieure à la quantité de tellure présente dans la composition eutectique riche en cadmium formée par le cadmium et le tellure, et la quantité de cadmium ou la quantité de cadmium présente dans le tellurure de cadmium ajoutée pendant la purification par fusion de zone du tellure étant inférieure à la quantité de cadmium présente dans la composition eutectique riche en tellure formée par le cadmium et le tellure. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal à purifier est le cadmium, la substance de piégeage est le tellure, le tellure est ajouté à l'extré- mité antérieure du lingot de cadmium avant la purification par fusion de zone, et la quantité de tellure ajoutée est inférieure à 10 ppm en poids par rapport au lingot de cad- mium. 3. Procédé selon la revendication l,caractérisé en ce que le métal à purifier est le cadmium, la substance de piégeage est le tellurure de cadmium, le tellurure de cadmium est ajouté à l'extrémité antérieure du lingot de cadmium avant la purification par fusion de zone, et la quantité de tellure présente dans le tellurure de cadmium ajouté est inférieure à 100 ppm en poids environ par rapport au lingot de cadmium. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal à purifier est le tellure, la substance de piégeage est le cadmium, le cadmium est ajouté à l'extré- mité antérieure du lingot de tellure avant la purification par fusion de zone, et la quantité de cadmium ajoutée est inférieure à 1 % environ en poids par- rapport au lingot de tellure. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal à purifier est le tellure, la substance de piégeage est le tellurure de cadmium, le tellurure de cadmium est ajouté à l'extrémité antérieure du Jingot de tellure avant la purification par fusion de zone, et la quantité de cadmium présente dans le tellurure de cadmium ajouté est inférieure à 1 % environ du poids du lingot de tellure.