Brevet FR2598032A1 — publié le 19871030

i La présente invention concerne des boîtiers pour semiconducteurs à haute tension, et elle porte en particulier sur des bottiers convenant spécialement pour contenir des amplificateurs d'isolation à haute tension, et encore 5 plus particulièrement sur de tels bottiers utilisant des condensateurs à structure en spirale en tant que barrières d'isolation transmettant de petits signaux, entre des parties d'entrée et de sortie d'amplificateurs d'isolation. Il existe de nombreuses applications pour un type de circuit amplificateur que les spécialistes appellent un "amplificateur d'isolation". Des circuits amplificateurs d'isolation ont des étages d'entrée et de sortie électriquement isolés qui sont séparés par des "barrières d'isolation" qui peuvent supporter des différences de ten15 sion d'au moins plusieurs centaines de volts, et dans certains cas de plusieurs milliers de volts, et qui sont capables d'amplifier de petits signaux d'entrée alternatifs, pour produire des signaux de sortie alternatifs plus élevés, malgré la différence élevée de tension conti20 nue ou de mode commun qui existe entre les bornes d'entrée et de sortie. Des applications caractéristiques d'amplificateurs d'isolation comprennent des systèmes de mesure industriels, des équipements électroniques médicaux, des équipements de tests électroniques et de nombreuses autres 25 applications dans lesquelles il est nécessaire de transmettre des signaux avec une excellente isolation. On considère généralement les amplificateurs d'isolation comme des composants coûteux. Les amplificateurs d'isolation seraient plus largement utilisés dans l'industrie électro30 nique si on pouvait fabriquer des dispositifs de ce type plus économiques. Cependant, jusqu'à présent, personne n'a été capable de fabriquer un amplificateur d'isolation à haute tension de haute précision, en particulier un amplificateur en bottier hermétique, d'une manière suffisamment 35 économique pour "ouvrir le marché" en vue d'une large uti- lisation de tels dispositifs dans des produits électroniques de coût peu élevé. Dans le passé, la plupart des amplificateurs d'isolation ont utilisé en tant que barrières d'isolation soit des transformateurs toroldaux, soit des dispositifs optoélectroniques. Dans l'état actuel de la technique, les dispositifs optoélectroniques sont trop chers ou trop lents pour de nombreuses applications, bien qu'ils offrent un degré élevé d'isolation électrique entre leurs étages d'en10 trée et de sortie. Les amplificateurs d'isolation utilisant des transformateurs à tore de ferrite en tant que barrières d'isolation sont volumineux et sont difficiles à intégrer dans des bottiers de circuits intégrés hybrides, et ils sont très coûteux. Il n'existe à l'heure actuelle dans le commerce aucun amplificateur d'isolation en circuit intégré hybride en bottier hermétique de ce type. Le brevet des E.U.A. n 4 292 595, cédé à la Demanderesse, introduit le principe de l'utilisation de condensateurs en tant que barrières d'isolation pour des 20 amplificateurs d'isolation à haute tension. La technique décrite exige l'utilisation de condensateurs de capacité élevée (50 picofarads) qui occuperaient une aire considérable sur un substrat de circuit intégré hybride, et se prête mal à une mise en oeuvre pratique. On connaît des amplificateurs d'isolation antérieurs qui utilisent des transformateurs toroidaux pour transmettre de petits signaux alternatifs à travers une barrière d'isolation et pour transmettre simultanément à travers une barrière d'isolation des signaux d'alimenta30 tion continus de forte puissance, entre les mêmes étages d'entrée et de sortie. De tels circuits sont coûteux. Des condensateurs constitués par des associations de bandes métallisées ont été décrits dans l'art antérieur. Par exemple, les brevets des E.U.A. n 4 188 651, 3 764 938, 35 3 675 095 et 3 104 377, décrivent des structures de conden- sateurs coplanaires interdigitées. Cependant, aucun de ces condensateurs n'est présenté en tant que composant capable de fonctionner avec une tension élevée, et aucun d'eux ne serait utile dans une structure de barrière d'isolation à haute tension (c'est-à-dire plus de 1500 volts), pour un amplificateur d'isolation. En outre, aucun ne serait compatible avec des techniques classiques de fabrication de circuits intégrés hybrides. On connaît dans la technique divers boîtiers pour 10 circuits intégrés à cavités multiples, comme par exemple celui qui est représenté dans le brevet des E.U.A. n 4 038 488. La structure décrite dans ce brevet n'est pas utile pour des amplificateurs d'isolation, du fait qu'il n'y a aucune barrière d'isolation entre les deux cavités. Le but indiqué de la structure est d'éviter tout couplage électrique entre les deux cavités. L'invention a donc pour but de procurer un boîtier pour semiconducteurs économique et perfectionné, prévu pour des amplificateurs d'isolation à haute tension, utili20 sant des condensateurs à structure coplanaire en spirale en tant que barrières-d'isolation. Un autre but de l'invention est de procurer un bottier pour semiconducteurs hermétique, pour un amplificateur d'isolation à haute tension de type économique. Un autre but de l'invention est de procurer un amplificateur d'isolation à haute tension et économique, utilisant des techniques de fabrication compatibles avec les techniques de fabrication classiques de circuits intégrés hybrides. Un autre but de l'invention est de procurer une structure perfectionnée de boîtier pour semiconducteurs, comprenant une barrière d'isolation capacitive à haute tension pour les petits signaux, et une barrière d'isolation de forte puissance dans le même circuit. En résumé, et conformément à un mode de réalisa- tion, l'invention procure une structure de boîtier de circuit intégré hybride, comprenant un condensateur plan sur un substrat isolant, qui comporte des premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques sur le substrat, 5 qui comportent des parties parallèles et espacées de façon précise avec un couplage capacitif entre elles, une couche diélectrique sur les parties parallèles et entre les sections séparées des parties parallèles, avec des parties à nu des premier et second conducteurs sous forme de pellicu10 les métalliques qui s'étendent au-delà de la couche diélectrique et forment des première et seconde bornes du condensateur plan. Dans un mode de réalisation de l'invention qui est décrit, les premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques sont en métal réfractaire, le substrat est en céramique, et la couche diélectrique comprend une couche de céramique dont la cuisson est effectuée en même temps que celle du substrat, de façon que cette matière céramique emplisse l'espace situé entre les premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques, 20 empêchant ainsi l'amorçage d'arcs à des tensions élevées entre les bornes du condensateur. La couche de céramique comprend des première et seconde ouvertures qui définissent des première et seconde cavités dans lesquelles sont disposés des circuits d'entrée et des circuits de sortie d'un amplificateur d'isolation à haute tension. Les première et seconde cavités sont disposées de part et d'autre du condensateur, qui forme une barrière d'isolation de l'amplificateur d'isolation. Un second condensateur apparié est formé en compagnie du premier. Les bornes des deux condensa30 teurs s'étendent dans les première et seconde cavités et sont respectivement connectées électriquement à l'étage d'entrée et à l'étage de sortie de l'amplificateur d'isolation. Des parties d'extrémité des premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques de chaque con35 densateur définissent une paire de pistes ayant une forme générale en spirale, dont les extrémités sont arrondies pour réduire les champs électriques à ce niveau et pour empêcher ainsi l'amorçage d'arcs électriques. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les premier et second condensateurs formant la barrière d'isolation pour l'amplificateur d'isolation sont des condensateurs à plaques parallèles. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, l'étage d'entrée et l'étage de sortie de l'amplificateur d'isolation sont disposés à l'intérieur d'une seule cavité de grandes dimensions, avec un transformateur toroidal carré placé dans la cavité, entre les première et seconde régions. Le torolde carré comprend un ensemble de spires primaires, avec la partie inférieure de chaque spire primaire formée par une bande de métallisation sur un substrat en céramique, et la partie restante de chaque spire formée par une boucle de conducteur en forme de fil qui entoure le torolde et qui est fixée par une technique de fixation de fil aux extrémités opposées de bandes de métallisation adjacentes, pour former ainsi un enroulement pri20 maire continu. L'enroulement secondaire du transformateur est formé de la même manière autour d'une branche parallèle opposée du torolde carré. Une paire de condensateurs coplanaires à structure en hélice sont formés à l'intérieur du toroide carré, au-dessous d'une couche isolante. La struc25 ture permet la transmission de petits signaux alternatifs à travers la barrière d'isolation à condensateurs à structure en spirale, et la transmission de signaux continus de forte puissance par le transformateur toroïdal. La structure toroldale carrée procure un grand nombre de spires pri30 maires et un grand nombre de spires secondaires, qui sont toutes espacées mutuellement de façon suffisante pour empêcher l'amorçage d'arcs électriques entre les spires primaires et secondaires, et elle procure ainsi des tensions d'isolation très élevées et des inductances d'enroulements 35 élevées, conduisant à des circuits d'attaque plus économi- ques pour cette structure. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, on utilise un cadre de montage comportant des sections séparées destinées à supporter les circuits d'entrée et les circuits de sortie de l'amplificateur 5 d'isolation. Un substrat portant une paire de condensateurs à structure en spirale appariés est suspendu entre les deux sections du cadre de montage. Après connexion des bornes des condensateurs à structure en spirale aux circuits d'entrée et de sortie appropriés, par des opérations de conne10 xion de fils, les circuits et les parties de support du cadre de montage sont encapsulés dans une matière plastique. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, et en 15 se référant aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est une vue en perspective d'un boîtier d'amplificateur d'isolation conforme à l'invention; la figure 1A est une coupe selon la ligne 1-1 de la figure 1; la figure 2 est une vue de dessus partielle du bottier de la figure 1 avec certaines parties enlevées; la figure 3 est une vue en perspective éclatée d'un autre bottier d'amplificateur d'isolation conforme à l'invention; la figure 4 est une vue en perspective d'un bottier d'amplificateur d'isolation à une seule cavité, comprenant une barrière d'isolation à transformateur toroidal carré et une barrière d'isolation à condensateurs coplanaires à structure en spirale; la figure 5 est une vue de dessus détaillée du bottier à une seule cavité de la figure 4; la figure 6 est un schéma synoptique de l'amplificateur d'isolation contenu dans le bottier à haute tension de la figure 1; et la figure 7 est une vue en plan montrant un autre mode de réalisation de l'invention, dans lequel un substrat supportant une paire de condensateurs à structure en spirale est suspendu entre des sections séparées du cadre de montage d'un amplificateur d'isolation. En considérant maintenant les dessins, et en particulier les figures 1 et 2, on voit un boîtier d'amplificateur d'isolation 1 qui comprend un corps en céramique 2 contenant une première cavité 3 et une seconde cavité 4 à ses extrémités opposées. Une région intermédiaire 16 du 10 corps 2 sépare les cavités 3 et 4. Le corps 2 est constitué par une structure multicouche, comme la figure lA le montre le mieux. Plus précisément, le corps 2 comprend quatre couches d'alumine superposées, désignées par les références 2A, 2B, 2C et 2D. Des 15 ouvertures dans les deux couches supérieures 2C et 2D définissent les cavités 3 et 4. Des premier et second condensateurs à structure en spirale 10 et 13 sont intercalés entre les parties intermédiaires des couches 2A et 2C. Un codeur 75 (voir la figure 6) et un circuit d'attaque différentiel 76 ayant une entrée connectée à la sortie du codeur 75, tout ceci étant représenté sur la figure 6, sont logés dans la cavité 3. Une sortie du circuit d'attaque différentiel 76 est connectée à une borne 11 d'un condensateur à structure en spirale 10. Une sortie 25 complémentaire du circuit d'attaque différentiel 76 est connectée à une borne 14 d'un condensateur à structure en spirale 13. Une seconde borne 12 du condensateur à structure en spirale 10 est connectée à l'entrée positive d'un amplificateur différentiel 77. La seconde borne du conden30 sateur à structure en spirale 13, c'est-à-dire la borne 15, est connectée à l'entrée négative de l'amplificateur différentiel 77. L'amplificateur différentiel 77, deux comparateurs 78 et 79 et un décodeur 80 sont disposés dans la seconde cavité 4. La structure détaillée et le fonctionne35 ment détaillé du circuit représenté sur la figure 6 sont décrits dans la demande de brevet des E.U.A. n 856 763, déposée le 28 avril 1986. La figure 2 montre le mieux la configuration du condensateur à structure en spirale 10. Le condensateur à 5 structure en spirale 10 comprend deux conducteurs métalliques 18 et 20, de forme générale allongée, enroulés en spirale et équidistants. Chacun d'eux est placé sur la surface supérieure de la couche d'alumine 2A, en étant intercalé entre cette couche et des parties intermédiaires 16 de la 10 couche d'alumine 2C. Le conducteur 18 comporte une partie 18A qui est recouverte par la partie 16 de la couche 2C, et une partie qui s'étend au-delà de la section 16, dans la cavité 3, pour former la borne 11 du condensateur à structure en spirale 10. Le conducteur 18 comporte également une 15 partie d'extrémité circulaire agrandie 19, dans le but de réduire le champ électrique dans cette partie. Le condensateur à structure en spirale 10 comprend également un second conducteur allongé 20, ayant une partie parallèle au conducteur 18. Le conducteur 20 compor20 te une partie d'extrémité circulaire agrandie 21, qui est également arrondie pour réduire le champ électrique dans cette partie. Une partie 20A du conducteur 20 s'étend sous la partie 16 de la couche 2C, de façon à pénétrer dans la cavité 4, pour former la borne 12 du condensateur à struc25 ture en spirale 10. De façon similaire, le second condensateur à structure en spirale 13 comporte des premier et second conducteurs métalliques coplanaires 21 et 22, chacun d'eux comportant des parties parallèles, et chacun d'eux se ter30 minant par une partie d'extrémité circulaire agrandie, pour réduire les champs électriques dans ces parties. Le conducteur 21 s'étend sous la partie 16 de la couche 2A et pénètre dans la cavité 3 pour former la borne 14. Le conducteur 22 s'étend dans la cavité 4 pour former la borne r5 du con35 densateur à structure en spirale 13. Un certain nombre d'autres conducteurs métalliques sont formés sur la surface supérieure de la couche de céramique 2A, comme il est classique dans des circuits intégrés hybrides, pour assurer les interconnexions entre diverses puces contenues dans ces circuits. A titre d'exemple, les conducteurs 24 forment des pistes conductrices vers des broches de bottier telles que les broches 5 (figure 1) qui sont brasées sur le côté du corps en céramique 2. Des métallisations carrées 25, 26 et 27 constituent des sites pour le soudage de trois plaquettes de circuit intégré sur la surface de la couche de céramique 2A. Des conducteurs de bords tels que le conducteur 23 facilitent la connexion électrique aux broches 5. Le procédé de fabrication de l'amplificateur d'isolation en circuit intégré représenté sur les figures 1, 1A, 2 et 6 consiste à imprimer sur la surface supérieure de la couche d'alumine 2A le motif de métallisation en tungstène qui est représenté sur la figure 2. De plus, comme le montre la figure 1, deux métallisations de ferme20 ture 71 et 72 de forme annulaire prévues pour des couvercles, sont formées sur la couche d'alumine 2D, après que les ouvertures 3 et 4 des cavités ont été formées par poinçonnage dans les couches 2C et 2D. Après que la métallisation a été appliquée au moyen d'un masque sur les cou25 ches 2A et 2D, les quatre couches 2A-2D sont pressées ensemble. La métallisation est formée par du tungstène ou un autre métal réfractaire pouvant supporter une température élevée. En pratique, les couches de céramique ne 30 mesurent qu'environ 0,5 mm d'épaisseur. Après que les quatre couches, avec la métallisation de tungstène formée sur elles au moyen d'un masque, ont été alignées et pressées ensemble, elles sont soumises à une cuisson conjointe à environ 2000 C, conformément à 35 des procédés connus de l'homme de l'art. La métallisation de tungstène est revêtue de nickel, en utilisant un traitement de revêtement métallique chimique qui est bien connu et qu'on ne décrit donc pas en détail. Le revêtement de nickel est également formé sur les bords du corps en céramique 2, dans les zones rectangulaires désignées par la référence 8 sur la figure 1, pour permettre le brasage ultérieur de broches 5 sur le corps. L'étape suivante de la procédure consiste à aligner les broches 5, qui sont accouplées à des cadres de mon10 tage appropriés, avec les régions de fixation en nickel 8. On notera que chaque cadre de montage comprend deux groupes de conducteurs alignés avec les cavités 3 et 4, mais ne comporte pas de conducteurs fixés à la région intermédiaire 16. Cet écartement est nécessaire pour empêcher l'amorçage 15 d'un arc électrique entre l'étage d'entrée comprenant le codeur 75 et le circuit d'attaque différentiel 76, et l'étage de sortie comprenant l'amplificateur différentiel 77, les comparateurs 78 et 79 et le décodeur 80. L'étape suivante dans le processus de fabrication 20 consiste à braser les têtes agrandies 7 des broches 5 sur les régions de fixation 8, revêtues de nickel, sur les c8tés opposés du corps en céramique 2. Les références 82 sur la figure 1A désignent des points brasés. L'étape suivante consiste à effectuer un revête25 ment d'or sur toutes les métallisations à nu en nickel et sur les broches. Deux opérations de dorure, l'une électrolytique et l'autre chimique, sont nécessaires s'il existe des régions de métallisation à l'intérieur d'une cavité ou de l'autre qui ne sont pas connectées à l'un des deux cadres de montage. Les procédures de dorure électrolytique et chimique sont bien connues de l'homme de l'art et ne sont pas décrites en détail. La dorure électrolytique est cependant supérieure et on l'utilise pour dorer la plus grande partie possible de la métallisation. Une fois que toute la métallisation à nu dans les il cavités 3 et 4 est revêtue, on soude sur les zones de soudage de plaquettes 25, 26 et 27 (figure 2) les diverses puces de circuits intégrés monolithiques comprenant les composants qui sont représentés sur la figure 6. Une fois que le souda5 ge de plaquettes a été terminé, on soude des fils entre les plots de soudage des puces de circuits intégrés et les extrémités intérieures des divers conducteurs de métallisation 24 dans les cavités 3 et 4. On fixe ensuite des couvercles en métal sur les métallisations de fermeture 71 et 72, en utilisant des cordons d'alliage fusible annulaires pré-formés. Ceci est une étape classique qu'il n'est pas nécessaire de décrire en détail. Les largeurs des lignes de métallisation repré15 sentées sur la figure 2 peuvent être d'environ 250 pm. La séparation ou l'écartement entre les conducteurs formant le condensateur à structure en spirale 10 peut être d'environ 510 îum si on désire une isolation d'environ 1500 volts entre l'étage d'entrée et l'étage de sortie de l'amplifica20 teur d'isolation. Si une isolation supérieure à environ 3500 volts est nécessaire, l'écartement entre les conducteurs 18 et 20 doit être d'environ 640 pm. Dans le mode de réalisation présent de l'invention, la longueur du substrat 16 sur la figure 2 est de 30,5 mm et sa largeur est de 15,2 mm. La largeur de la partie centrale entre les cavités 3 et 4 est de 9,65 mm. L'épaisseur du revêtement de nickel est de façon caractéristique de 12,7 pm et l'épaisseur du revêtement d'or formé sur le nickel est de façon caractéristique d'en30 viron 7,6 pm. On utilise de façon caractéristique des anneaux d'alliage fusible or/étain pour souder hermétiquement des couvercles en métal sur les métallisations de fermeture 71 et 72. La structure décrite ci-dessus présente l'avantage qui consiste en ce qu'on peut former les conden35 sateurs à structure en spirale de barrière d'isolation, 10 et 13, pendant l'opération de masquage au cours de laquelle on forme également les autres pistes de métallisation. La seule différence qui intervient dans la procédure de fabrication du bottier décrit ci-dessus réside dans la configura5 tion des motifs des diverses métallisations et des motifs des trous poinçonnés pour définir les cavités, ce qui fait qu'aucune étape de traitement supplémentaire n'est nécessaire. Bien que les condensateurs à structure en spirale nécessitent une aire de substrat supérieure à celle que nécessitent des condensateurs à plaques parallèles ayant la même capacité, du fait qu'il est souhaitable de séparer les deux cavités 3 et 4 dans le corps en céramique, il existe une aire de substrat qui ne serait de toute manière pas utilisée effectivement. Avec un écartement de 510 um entre leurs éléments constitutifs, les condensateurs à structure en spirale ont une capacité d'environ 1,2 picofarad par centimètre. Comme il est expliqué dans la demande de brevet n 856 763 précitée, on obtient de bonnes performances pour le circuit amplificateur d'isolation décrit dans cette demande avec seulement environ 3 picofarads de capacité pour les condensateurs à structure en spirale de barrière d'isolation 10 et 13. Les deux condensateurs à structure en spirale sont appariés de façon précise, bien que leur valeur absolue 25 puisse varier d'environ 20%. L'invention décrite ci-dessus procure un amplificateur d'isolation à haute tension économique, compatible avec les techniques de fabrication de circuits intégrés hybrides, dans une structure de bottier hermétique. Jusqu'à présent, aucun fabricant n'a mis sur le marché un tel produit. Bien que la structure de barrière d'isolation à condensateurs à structure en spirale et à double cavité décrite ci-dessus constitue un mode de réalisation actuel35 lement préféré de l'invention, on pourrait utiliser des condensateurs à plaques parallèles au lieu de condensateurs coplanaires à structure en spirale, comme le montre la figure 3. Sur la figure 3, trois couches de céramique 30, 35 et 40 sont cuites de façon conjointe, après que les motifs en tungstène représentés ont été déposés sur ces couches par masquage, et après formation des ouvertures 3 et 4 indiquées dans les couches de céramique 35 et 40. Plus précisément, les références 31 et 32 désignent la plaque inférieure en 10 tungstène des deux condensateurs de barrière d'isolation respectifs 10 et 13 (figure 6). Les prolongements minces pénètrent dans la cavité 3. Les ouvertures 3 et 4 formées dans la couche de céramique intermédiaire 35 définissent les cavités 3 et 4 15 précitées. Les couches de métallisation en tungstène 36 et 37 définissent les plaques supérieures des deux condensateurs de barrière d'isolation, et les extensions vers la droite en direction de trous de traversée respectifs 38 et 39 dans lesquels sont logés des éléments de traversée en tungstène, pour établir des connexions avec des points respectifs 43 et 42 sur le substrat en céramique 30. La couche de céramique supérieure 40 comporte deux ouvertures 3 et 4 définissant les cavités 3 et 4. Les métallisations annulaires de fermeture 71 et 72, en tungstène, sont formées par 25 masquage sur la face supérieure de la couche de céramique , comme mentionné précédemment en relation avec la figure 1. Pendant l'opération d'application à travers un masque d'une "encre" contenant du tungstène, les trous de traversée 38 et 39 s'emplissent de tungstène, ce qui établit des 30 traversées électriques qui établissent une continuité électrique avec les plaques capacitives supérieures 36 et 37 et les conducteurs inférieurs 42 et 43. L'assemblage est cuit conjointement à environ 2000 C. Les étapes ultérieures sont exactement celles décrites ci-dessus pour le mode de réali35 sation de la figure 1. Ce mode de réalisation de l'invention sera utile dans des cas o il sera nécessaire d'avoir des valeurs des condensateurs de barrière d'isolation 10 et 13 plus élevées que celles qu'on peut obtenir en utilisant les condensateurs à structure en spirale de la figure 1. En considérant maintenant les figures 4 et 5, on voit un autre mode de réalisation de l'invention, dans lequel il existe une seule cavité, contenant à la fois l'étage d'entrée et l'étage de sortie du circuit amplificateur d'isolation. Ce mode de réalisation de l'invention comprend deux circuits de barrière d'isolation, le premier comprenant des condensateurs à structure en spirale 58 et 59, fondamentalement similaires à ceux décrits ci-dessus. Ainsi, chacun d'eux comporte une borne qui pénètre dans la région de l'étage d'entrée de l'amplificateur d'isolation et une autre borne qui pénètre dans la région du circuit de sortie de l'amplificateur d'isolation. Conformément à l'invention, des signaux alternatifs ou de petits signaux sont transmis entre l'étage d'entrée et l'étage de sortie de l'amplificateur d'isolation en maintenant un niveau élevé d'isolation électrique (au moins 1500 volts). Sur les figures 4 et 5, les condensateurs à structure en 8pirale 58 et 59 sont formés dans une région carrée qui est entourée par un toroide de ferrite carré 67. Le 25 toroîde carré 67 repose sur une couche mince de verre de passivation 60, qui recouvre et emplit les espaces entre les conducteurs en spirale qui forment les condensateurs à structure en spirale 58 et 59. La couche de verre de passivation 60 recouvre également un ensemble de bandes conduc30 trices coplanaires 65 et 66, formées sur un substrat en céramique 46, conformément à ce qu'indique le brevet des E. U.A. n 4 103 267. Les bandes conductrices coplanaires 65 forment les parties inférieures des spires secondaires d'un transformateur d'isolation comprenant le toroide carré 67. Les conducteurs coplanaires 66 forment les parties inférieu- res des spires primaires de ce transformateur. Les motifs de métallisation sont en or, plutôt qu'en tungstène, du fait que l'assemblage n'est pas soumis à une cuisson conjointe, comme c'est le cas pour le dispositif des figures 1 et 3. Les divers motifs de métallisation formés sur la surface du substrat encéramique 46 peuvent être de façon générale similaires à ceux décrits cidessus en relation avec la figure 1, bien qu'un certain nombre de transistors à effet de champ 57 soient prévus pour transmettre des signaux con10 tinus à l'enroulement primaire. L'enroulement secondaire est formé par les bandes coplanaires 65 et par un ensemble de boucles de fil 68, chaque boucle de fil étant soudée de façon à être connectée à l'un au moins des conducteurs 65 et à passer par-dessus le toroide carré 67. La plupart des con15 ducteurs 68 sont connectés aux extrémités opposées de conducteurs coplanaires 65 adjacents. Des boucles de fil 69 sont soudées de façon similaire aux extrémités opposées de conducteurs coplanaires 66 adjacents pour former un enroulement primaire continu autour de la branche parallèle opposée 20 du torolde 67. On utilise des transistors à effet de champ tels que le transistor 57 pour commuter l'enroulement primaire du transformateur résultant, sous la dépendance d'un oscillateur 56. Le convertisseur tension-fréquence est décrit en détail dans la demande de brevet des E.U.A. n 856 733 précitée, et il est désigné ici par les références 50 et 55, tandis que le circuit codeur à boucle de verrouillage de phase est désigné par la référence 54. Une paroi en céramique 47 est fixée sur les parties de surface périphérique 30 supérieure du substrat 46. Un élément en céramique approprié (non représenté) est collé par un adhésif époxy sur le bord supérieur de la paroi en céramique 47 pour fermer la cavité. Comme décrit dans le brevet des E.U.A. n 4 103 267 précité, le toroide 67 est fixé par un adhésif sur la surface supérieure de la couche de passivation qui recouvre les parties centrales des conducteurs coplanaires 65 et 66. Le torolde est recouvert d'un revêtement isolant pour éviter que les boucles de connexion soient courtS circuitées sur lui. La figure 7 montre encore un autre mode de réalisation de l'invention, dans lequel un cadre de montage 84 comporte deux sections 85 et 86. Un ensemble de broches 5 pénètrent dans la section 85. Un ensemble de broches 6 pénè0 trent dans la section 86. Un substrat en céramique 87 fabriqué à l'avance porte des condensateurs à structure en spirale 10 et 13, de 3 picofarads, du type décrit ci-dessus, formés par n'importe quelle technique appropriée. Une couche de passivation (non 5 représentée) recouvre les condensateurs à structure en spirale 10 et 13, sauf au niveau des parties d'extrémité qui forment des bornes 11, 12, 14 et 15. Le substrat en céramique 87 est fixé par un adhésif aux éléments intérieurs de chacune des sections 85 et 86, et il s'étend donc dans l'intervalle ouvert entre ces éléments. Des circuits amplificateurs d'isolation appropriés, comprenant des puces de convertisseur tension-fréquence 50 et 56 et un circuit à boucle de verrouillage de phase 55,sont soudés sur divers éléments métalliques dans les régions 85 et 86. Des conne25 xions par fils appropriées sont formées, comme il est représenté, et comprennent des connexions par fil entre les diverses puces et les bornes des condensateurs à structure en spirale. L'ensemble du circuit est ensuite encapsulé dans une matière plastique, par une opération de moulage par 30 transfert appropriée, et les parties inutilisées du cadre de montage sont supprimées. Ce mode de réalisation de l'invention procure un amplificateur d'isolation encapsulé en boîtier plastique qui est plus économique. Sa tension de claquage d'isolation est cependant inférieure à celle des modes 35 de réalisation de l'invention décrits précédemment. Bien qu'on ait décrit l'invention en considérant plusieurs modes de réalisation particuliers, l'homme de l'art pourra apporter diverses modifications aux modes de réalisation décrits, sans sortir du cadre de l'invention. 5 On considère que le cadre de l'invention englobe des boltiers qui sont équivalents à ceux décrits ici dans la mesure o ils remplissent pratiquement la même fonction, pratiquement de la même manière, pour obtenir le même résultat. A titre d'exemple, on pourrait utiliser des matières de substrats isolants autres que celles décrites ici. On pourrait utiliser des matières réfractaires autres que le tungstène pour les modes de réalisation des figures 1 à 3. REVENDICATIONS 1. Condensateur à structure plane, incorporé dans un circuit intégré hybride, caractérisé en ce qu'il comprend, en combinaison: (a) un substrat en céramique (2A); 5 (b) des premier et second conducteurs sous. forme de pellicules métalliques (18, 20) sur le substrat (2A), les premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques (18, 20) comportant chacun une partie parallèle à une partie de l'autre conducteur, avec un écartement faible et précis, 10 ayant un couplage capacitif prédéterminé avec la partie correspondante de l'autre conducteur; (c) une couche diélectrique (16) sur la partie parallèle et sur le substrat (2A) entre les parties parallèles; et (d) des parties à nu des premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques (18, 20) qui s'étendent au-delà de la couche diélectrique (16) et forment respectivement des première et seconde bornes (11, 12) du condensateur à structure plane. 2. Condensateur à structure plane incorporé dans un circuit intégré hybride selon la revendication 1, carac20 térisé en ce que la couche diélectrique comprend une couche épaisse de verre (60). 3. Condensateur à structure plane incorporé dans un circuit intégré hybride selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques (18, 20) sont en un métal réfractaire, et la couche diélectrique comprend une couche de céramique (16, 2C) qui est cuite conjointement avec le substrat en céramique (2A) et le métal réfractaire, de façon à emplir de céramique l'espace situé entre les parties parallèles des premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques (18, 20). 4. Condensateur à structure plane incorporé dans un circuit intégré hybride selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche de céramique (2C) comprend des première et seconde ouvertures qui mettent à nu des première et seconde zones du substrat en céramique (2A) et définissent respectivement des première et seconde cavités (3, 4), la première borne (11) s'étendant dans la première cavité (3) et la seconde borne (12) s'étendant dans la seconde cavité (4). 5. Condensateur à structure plane incorporé dans un circuit intégré hybride selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première cavité (3) contient un circuit 10 d'entrée (75, 76) destiné à convertir un signal d'entrée en un signal sous forme d'impulsions apparaissant sur la première borne (11), et la seconde cavité (4) contient un circuit de sortie (77-80) destiné à recevoir un signal sous forme d'impulsions transmis par le condensateur à structure 15 plane (10) vers la seconde borne (12), et à produire un signal de sortie sous la dépendance du signal sous forme d'impulsions. 6. Condensateur à structure plane incorporé dans un circuit intégré hybride selon la revendication 5, carac20 térisé en ce que le couplage capacitif prédéterminé est d'environ trois picofarads. 7. Condensateur à structure plane incorporé dans un circuit intégré hybride selon la revendication 6, caractérisé en ce que les parties parallèles des premier et 25 second conducteurs sous forme de pellicules métalliques (18, 20) définissent respectivement une paire de pistes en spirale mutuellement espacées, dont les extrémités (19, 21) sont arrondies pour éviter l'amorçage d'arcs électriques. 8.. Condensateur à structure plane incorporé dans 30 un circuit intégré hybride selon la revendication 7, caractérisé- en ce que les premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques (18, 20) mesurent environ 0,25 mm de largeur et en ce que l'écartement entre eux est supérieur à 0,51 mm pour établir une isolation électrique 35 d'au moins 1500 volts entre les première et seconde bornes (11, 12). 9. Circuit intégré hybride caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison: (a) un substrat en céramique (2A); (b) un premier condensateur à structure plane (10) comprenant des premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques (18, 20) sur le substrat en céramique (2A), ayant chacun une partie parallèle à une partie correspondante de l'autre conducteur, avec un écartement mutuel faible et précis, présentant un couplage capacitif 10 prédéterminé avec cette autre partie; (c) une couche diélectrique (16) sur les premières parties parallèles et sur le substrat (2A) entre les premières parties parallèles des premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques (18, 20); (d) des première et seconde bornes 15 (11, 12) du premier condensateur à structure plane (10) comprenant des parties à nu respectives des premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques (18, 20), le premier condensateur à structure plane (10) formant une barrière d'isolation entre les première et seconde bornes (11, 12); (e) un circuit d'entrée (75, 76) destiné à produire un premier signal sous forme d'impulsions sur la première borne (11) sous la dépendance d'un signal d'entrée, le premier signal sous forme d'impulsions étant transmis par'la barrière d'isolation de façon à pro25 duire un second signal sous forme d'impulsions sur la seconde borne (12); et (f) un circuit de sortie (77-80) destiné à produire un signal de sortie sous la dépendance du second signal sous forme d'impulsions présent sur la seconde borne (12). 10. Circuit intégré hybride selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend un second condensateur à structure plane (13) comportant des troisième et quatrième conducteurs sous forme de pellicules métalliques (21, 22) sur le substrat en céramique (2A), ces conducteurs 35 comportant des secondes parties parallèles avec un écarte- ment faible et précis entre elles, ayant mutuellement le couplage capacitif prédéterminé, les troisième et quatrième bornes (14, 15) du second condensateur à structure plane (13) comprenant des parties à nu respectives des troisième 5 et quatrième conducteurs sous forme de pellicules métalliques (21, 22), le second condensateur à structure plane (13) étant incorporé dans la barrière d'isolation, et les première, seconde, troisième et quatrième bornes (11, 12, 14, 15) s'étendant toutes au-delà de la couche diélectrique 10 (16). 11. Circuit intégré hybride selon la revendication 10, caractérisé en ce que le circuit d'entrée (75, 76) produit un troisième signal sous forme d'impulsions sur la troisième borne (14) sous la dépendance du signal d'entrée, 15 le troisième signal sous forme d'impulsions étant transmis par la barrière d'isolation pour produire un quatrième signal sous forme d'impulsions sur la quatrième borne (15), et le circuit de sortie (77-80) produit le signal de sortie sous la dépendance du quatrième signal sous forme d'impul20 sions qui est présent sur la quatrième borne (15). 12. Circuit intégré hybride selon la revendication 11, caractérisé en ce que le couplage capacitif prédéterminé est d'environ trois picofarads. 13. Circuit intégré hybride selon la revendica25 tion 11, caractérisé en ce que les parties mutuellement parallèles avec un écartement faible et précis comprennent des parties en spirale des premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques (21, 22). 14. Circuit intégré hybride selon la revendica30 tion 13, caractérisé en ce que les parties d'extrémité des premier et second conducteurs sous forme de pellicules métalliques (21, 22) sont arrondies pour éviter l'amorçage d'arcs électriques. 15. Circuit intégré hybride selon la revendica35 tion 14, caractérisé en ce que la couche diélectrique est en céramique (16) et elle comprend des ouvertures qui mettent à nu des première et seconde zones du substrat en céramique (2A) et définissent des première et seconde cavités (3, 4), et le circuit d'entrée (75, 76) se trouve dans la première 5 cavité (3) et le circuit de sortie (77-80) se trouve dans la seconde cavité (4). 16. Circuit intégré hybride selon la revendication , caractérisé en ce que les première et seconde cavités (3, 4) sont disposées de part et d'autre de la barrière 10 d'isolation (10, 13).