Brevet FR2588093A1 — publié le 19870403

POLARISEUR PAR ABSORPTION DIFFERENTIELLE, SON PROCEDE DE REALISATION ET DISPOSITIF METTANT EN OEUVRE LEDIT PROCEDE L'invention concerne un polariseur par absorption différen- tielle permettant notamment de réaliser un polariseur en optique intégrée. Elle concerne donc également le procédé de réalisation d'un tel polariseur et un appareil mettant en oeuvre ce procédé. Plusieurs techniques ont été proposées et expérimentalement verifiées pour réaliser un élément polariseur en optique intégrée. Schématiquement, celles-ci peuvent se regrouper en deux caté- gories: - L'élimination de l'une des polarisations transverse électrique TE ou transverse magnétique TM par absorption différentielle; - la séparation spatiale des deux polarisations, l'une restant guidée et l'autre étant placée à la coupure. En général, le deuxième type de polariseur conduit à des configurations complexes dont certaines ne sont pas toujours compa- tibles avec la géométrie planaire de l'optique intégrée. A ce titre, on peut citer, comme exemple, l'utilisation à la surface du guide d'ondes d'un cristal anisotrope dont l'un des indices de réfraction serait, pour l'une des polarisations optiques, supérieur à l'indice de réfraction du guide d'ondes. On trouvera une description d'un tel système dans l'article "ANISOTROPIC POLARIZERS FOR Ti:LiNb03 STRIP WAVEGUIDES" de M. PAPUCHON et al publié dans Technical Digest le 24-26 avril 1984 (KISSIMMEE, Floride 7ème topical meeting INTEGRATED AND GUIDED-WAVE OPTICS-WC5). Dans d'autres cas, on peut utiliser les propriétés d'anisotropie du substrat lui-même (ex.: LiNbO3) pour obtenir in situ l'effet désiré. On peut en effet montrer que, dans le cas de LiNbO3, si l'axe optique est dans le plan du substrat, pour certains angles, des guides d'ondes avec cet axe optique, la propagation des ondes "quasi TE" s'effectue avec des pertes pouvant être très importantes (>50 dB sur 10 mm démontrées en laboratoire). Cette configuration peut constituer un inconvénient lors de l'intégration d'autres fonctions aux caractéristiques particulières. L'invention utilise donc l'élimination de l'une des polarisations transverse magnétique TM ou transverse électrique TE par absorp- tion différentielle. Des polariseurs utilisant cet effet sont connus dans la techni- Dans ces polariseurs, un effet de polarisation est obtenu en créant une absorption différentielle entre les modes polarisés quasi TE et quasi TM grâce à la forte atténuation qui peut être induite sur l'onde TM, et cela en utilisant une couche métallique. Pour augmen- ter l'efficacité de l'interaction, on doit insérer une couche tampon diélectrique entre le métal et le guide d'ondes. Les paramètres optogéométriques de cette couche dépendent en général de façon critique des constantes optiques du métal utilisé. C'est le cas en particulier de l'épaisseur de la couche tampon de diélectrique qui doit être définie avec une grande précision (environ 100 A) L'article de K. THYAGARA3AN et al ayant pour titre "EXPERIMENTAL DEMONSTRATION OF TM MODE-ATTENUATION RESONANCE IN PLANAR METAL-CLAD OPTICAL WAVEGUIDES" publié dans Optics Letters volume 10, number 6, en juin 1985, pages 288 à 290, met en évidence l'importance de l'épaisseur de la couche tampon de diélectrique pour obtenir un rendement efficace de la polarisation. L'obtention de cette épaisseur particulière est en général difficile à réaliser. Pour essayer de remédier à cet inconvénient, une disposition connue prévoit de biseauter la couche tampon de diélectrique comme cela est décrit dans l'article "EXPERIMENT STUDIES OF METAL-CLAD TAPERED OPTICAL WAVEGUIDES" de C. NGUYEN et al publié dans Electronics Letters du 24 mai 1984, volume 20, N I11, p. 439. De cette façon, le mode à absorber trouvera dans l'épaisseur biseautée de la couche diélectrique une épaisseur adaptée à une meilleure absorption. Cependant une telle structure biseautée est difficile à obtenir et, de plus, ne permet pas toujours d'obtenir un bon rendement. C'est pourquoi l'invention fournit un polariseur facile à réaliser et permettant d'obtenir une polarisation efficace. L'invention concerne donc un polariseur par absorption diffé- rentielle réalisé en optique intégrée caractérisé en ce qu'il com- porte: - un substrat d'un premier indice portant sur une face, une première couche d'un matériau de guidage d'un deuxième indice, permettant de guider au moins un mode de polarisation transverse magnétique TM d'une onde S; - une deuxième couche d'un matériau diélectrique d'un troi- sième indice dont la face opposée à la face commune avec la première couche de matériau de guidage possède plusieurs zones inclinées par rapport au plan de la face, pour chacune desdites zones inclinées, la valeur de l'épaisseur la plus faible du matériau diélec- trique et la valeur de l'épaisseur la plus élevée du même matériau diélectrique encadrant la valeur de l'épaisseur de résonance du matériau diélectrique pour ledit mode de polarisation transverse magnétique TM; une troisième couche d'un matériau métallique déposée sur la face de la couche de diélectrique possédant des zones inclinées. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un polariseur par absorption différentielle comportant une première phase de dépôt sur un substrat d'une couche d'un matériau de guidage permettant de guider un mode de polarisation transverse magnétique d'une onde, une deuxième phase de dépôt sur la couche de matériau de guidage d'une couche d'un matériau diélectrique, une troisième phase de dépôt sur la couche de matériau diélectrique d'une couche de matériau métallique, caractérisé en ce qu'il com- porte entre lesdites deuxième et troisième phases, une phase supplé- mentaire de formage d'une pluralité de zones inclinées par rapport à la surface de la couche de matériau diélectrique. Enfin, l'invention concerne également un dispositif pour l'atta- que ionique de ladite couche de diélectrique comportant un canon à ions émettant un faisceau d'ions vers ladite face de la couche de diélectrique, caractérisé en ce qu'il comporte une grille interposée entre le canon à ions et ladite face de la couche de diélectrique. Les différents objets et caractéristiques de l'invention vont être détaillés dans la description qui va suivre faite à titre d'exem- pie, en se reportant aux figures annexées qui représentent: - La figure 1, un polariseur de l'art connu possédant une couche tampon de diélectrique d'épaisseur uniforme; - la figure 2, un polariseur de l'art connu possédant une couche __ - de diélectrique en forme de biseau; - la figure 3, un exemple de réalisation d'un polariseur selon l'invention; - la figure 4, une courbe de transmission illustrant le fonc- tionnement en absorption d'un polariseur pour différentes épaisseurs de la couche diélectrique tampon, - la figure 5, un exemple d'une variante de réalisation d'un polariseur selon l'invention; - la figure 6, un exemple de réalisation d'un appareil mettant en oeuvre le procédé de l'invention; - la figure 7, une vue en coupe AA de la figure 6; - la figure 8, un schéma détaillé montrant le r8le de chaque fil de la grille de masquage de l'appareil des figures 6 et 7. En se reportant à la figure 1, on va tout d'abord décrire un polariseur d'un type connu dans la technique. Ce polariseur possède sur une face 10 d'un substrat, une couche 2 d'un matériau de guidage. Dans cette couche est injectée, par des moyens non représentés et qui sortent du cadre de l'inven- tion, une onde lumineuse S possédant des modes de polarisation transverse électrique (TE) et transverse magnétique (TM). Ces modes de polarisation sont orthogonaux et sont représentés sur la gauche de la figure 1. La couche 2 est revêtue d'une couche tampon de diélectrique 3 laquelle est revêtue sur sa face 30 d'une couche métallique 4. L'indice de réfraction ni du matériau de guidage de la couche 2 est supérieur à l'indice de réfraction nO du substrat et supérieur à l'indice de réfraction n2 de la couche de diélectrique 3: nIni ' nO > n2 Dans ces conditions, une onde lumineuse est guidée dans la couche de guidage 2. On sait dans la technique, que selon la valeur de l'indice de réfraction n2 du diélectrique 3 et pour une épaisseur e déterminée de la couche 3, la composante transverse magnétique TM de l'onde S est partiellement absorbée. L'absorption est d'autant plus efficace que l'épaisseur e de la couche 3 se rapproche d'une épaisseur er appelée épaisseur de résonance. Cette épaisseur de résonance pour conduire à une bonne absorp- tion doit être obtenue de façon très précise avec des tolérances de réalisation difficiles à respecter. C'est pourquoi il a été prévu au lieu de prévoir une épaisseur constante de la couche 3, de prévoir un élément en matériau diélectrique 35 possédant une face inclinée par rapport à la face 31 en contact avec la couche guide d'onde 2. Les dimensions de l'élément 35 sont telles que, compte-tenu de son indice de réfraction n2, son épaisseur maximale est légèrement supérieure à l'épaisseur de résonance er. r Lors de la transmission de l'onde, la composante transverse magnétique sera absorbée avec un maximum d'absorption dans la section de l'élément 35 correspondant à cette épaisseur de réso- nance. Cependant, un tel élément 35 ne fournit pas toujours un rendement d'absorption suffisant et l'invention fournit un polariseur facile à réaliser et permettant une amélioration nette du rendement de l'absorption et donc un polariseur plus efficace. En se reportant à la figure 3, on va donc maintenant décrire un exemple de réalisation d'un polariseur selon l'invention. Comme les polariseurs décrits précédemment en se reportant aux figures 1 et 2, le polariseur de l'invention comporte sur un substrat 1 d'indice de réfraction nO, une couche d'un matériau de guidage 2 d'indice nl. Selon l'invention, le polariseur de la figure 3 possède une couche 3 d'un matériau diélectrique dont une face 31 est commune avec la couche de matériau de guidage 2 et la face opposée 30 possède une pluralité de zones inclinées telle que la zone 32. La face a donc une allure irrégulière qui procure à la section du polariseur, selon la direction de propagation d'une onde S, un profil présentant plusieurs zones inclinées successives. Les ondulations obtenues sont telles que l'épaisseur minimale em existant entre un creux de la face 30 et la face opposée 31, et l'épaisseur maximale eM existant entre une bosse de la face 30 et la face opposée 31, encadrent la valeur de l'épaisseur de résonance er em variable encadrant l'épaisseur de résonance er du matériau. La face 31 est ensuite métallisée par une couche 4 comme précédemment. Une onde S se propageant dans la couche guide d'onde 2 verra donc sa composante transverse magnétique susceptible d'être absor- bée plusieurs fois, c'est-à-dire à chaque passage sous une zone inclinée telle que 32 de la couche diélectrique 3. En effet, les courbes de la figure 4 mettent en évidence que pour une épaisseur e de la couche de diélectrique 3, la transmission de la composante transverse magnétique TM est minimale et son absorption est donc maximale. Par contre, la transmission de la composante transverse électrique n'est pas affectée et ne subit pas d'absorption. Dans ces conditions, le polariseur de l'invention fournit une efficacité améliorée par rapport aux polariseurs de type connu. Sur la figure 3, la surface 30 de la couche de matériau électrique 30 est irrégulière. Cependant, selon un autre exemple de réalisation elle peut présenter l'allure d'une ondulation régulière ayant un pas p constant, voire même une ondulation sinusoïdale, déterminant des épaisseurs minimale em et maximale eM de la couche 3 répondant à la condition: em A titre d'exemple, la couche 2 peut être en matériau cristallin du type LiNbO3 d'épaisseur 2,5 à 3 iim. La couche de matériau diélectrique 3 peut être un oxyde d'Yttrium d'indice de réfraction n2 = 1,85. Pour cet indice de réfraction, l'épaisseur de résonance est o environ er = 929 A. Pour réaliser un tel polariseur, l'invention prévoit un procédé comportant les phases suivantes: - dépôt sur un substrat I d'une couche 2 de guidage LiNbO3, par tout procédé connu dans la technique telle qu'une hétéroépitaxie en phase vapeur ou une croissance épitaxiale ou un dopage par un ion métallique adéquat tel que le titane; - dépôt d'une couche d'un liquide organométallique contenant par exemple du titane ou du silicium ou une proportion de ces deux matériaux; - chauffage par évaporation et oxygénation de la couche liquide pour obtenir une couche 3 d'oxyde; formage dans la couche 3 de zone inclinée 32; - dépôt sur la couche 3 d'une couche 4 métallique par projection ou évaporation par exemple. Le formage de la couche 3 en zones inclinées 32 peut se faire par matriçage de la surface 30 après chauffage préliminaire de la couche liquide et avant durcissement complet de cette couche. Le formage peut se faire également après durcissement de la couche 3, par usinage ionique. Dans le cas o la couche 3 est composée d'oxyde d'Yttrium ou de tout autre matériau adéquat réalisé par dépôt sous vide, le formage de cette couche est effectué par usinage ionique. Le procédé de l'invention prévoyant un usinage ionique de la couche 3 peut être mis en oeuvre par l'appareil conforme à l'invention et représenté par les figures 6 et 7. Cet appareil comporte un bâti 7 permettant de supporter l'élément à traiter. Ce bâti est disposé selon un axe XX'. L'élément à traiter repose sur le bâti 7 par des cales 70 de telle façon que la face 30 de l'élément à traiter soit sensiblement perpendiculaire à l'axe XX'. Disposé selon cet axe XX', un canon à ions permet de diriger un faisceau d'ions vers la face 30 de la couche 3 de l'élément à traiter. De plus, une grille de masquage 5 constituée de fils 50 en matériau tel que du tungstène est disposée entre le canon à ions et l'élément à traiter, sur le trajet du faisceau d'ions. Ainsi, comme représenté en figure 8, un fil 50 placé sur le faisceau d'ions diffracte ce faisceau et procure à une distance déterminée OXI de la grille, sur la surface 30 de la couche 3 une attaque plus ou moins importante. C'est ainsi que dans la zone 37 on aura un usinage différent que dans les zones 36 et 38 et on obtient une surface usinée avec la grille 5 sensiblement d'allure sinusoïdale. Si la surface 30 est placée plus près de la grille 5, à une distance OX2 du fil 50, on observe une zone d'ombre (39) dans laquelle la surface n'est pas attaquée. A titre d'exemple, on a réalisé un polariseur possédant une surfacenpo^ssda.tune -o.luluatizon de forme sinusoTdale à l'aide d'un implanteur ionique 6 fonctionnant sous une haute tension de 1000 volts et procurant une densité ionique de 0,5 mA/cm2 avec une pression de la source ionique de 5x10-4 T en utilisant comme gaz de l'Argon. La distance OXI entre la surface 30 de la couche 3 et la grille de masquage 5 a été prise égale à 16 cm. La grille utilisée était constituée de fils de tungstène recti- lignes et parallèles de diamètre 0,1 mm disposés selon un pas de 0,4 mm. Le liquide organométallique utilisé comprenait deux volumes de liquide à base de titane pour un volume de liquide à base de silicium. Avec une durée d'usinage de 3 minutes, on a obtenu dans ces conditions de fonctionnement une gravure sensiblement sinusoïdale dont la profondeur crête à crête est d'environ 500 Angstroems. Ces exemples numériques n'ont été donnés qu'à titre d'exemple et d'autres réalisations peuvent être envisagées dans d'autres condi- tions de manipulation. REVENDICATIONS 1. Polariseur par absorption différentielle réalisé en optique intégrée caractérisé en ce qu'il comporte: - un substrat (1) d'un premier indice portant sur une face (10), une première couche d'un matériau de guidage (2) d'un deuxième indice (nl), permettant de guider au moins un mode de polarisation transverse magnétique TM d'une onde S; - une deuxième couche d'un matériau diélectrique (3) d'un troisième indice (n2) dont la face (30) opposée à la face (31) commune avec la première couche de matériau de guidage (2) possède plusieurs zones (32) inclinées par rapport au plan de la face (30), pour chacune desdites zones (32) inclinées, la valeur de l'épaisseur (em) la plus faible du matériau diélectrique et la valeur de l'épaisseur (eM) la plus élevée du même matériau diélectrique encadrant la valeur de l'épaisseur de résonance (er) du matériau diélectrique (3) pour ledit mode de polarisation transverse magné- tique TM; - une troisième couche (4) d'un matériau métallique déposée sur la face (30) de la couche de diélectrique (3) possédant des zones (32) inclinées. 2. Polariseur par absorption selon la revendication 1, carac- térisé en ce que les zones inclinées (32) ont sensiblement la même pente et la même forme. 3. Polariseur par absorption selon la revendication 1, caracté- risé en ce que les zones inclinées (32) présentent à la surface du diélectrique (3) un pas régulier (p). 4. Polariseur par absorption selon l'une quelconque des reven- dications précédentes, caractérisé en ce que les zones inclinées (32) constituent une surface ondulée (33) sur la couche de matériau diélectrique (3). 5. Polariseur par absorption selon la revendication 4, caracté- risé en ce que la surface ondulée (33) a une forme générale sinusoïdale. 6. Polariseur par absorption selon la revendication 1, caracté- risé en ce que la couche (3) de matériau diélectrique comporte un oxyde. 7. Polariseur par absorption selon la revendication 6, caracté- risé en ce que ledit oxyde est un mélange de silice et d'oxyde de titane. 8. Procédé de réalisation d'un polariseur par absorption diffé- rentielle selon l'une quelconque des revendications précédentes comportant une première phase de dépôt sur un substrat (1) d'une couche d'un matériau de guidage (2) permettant de guider un mode de polarisation transverse magnétique (TM) d'une onde, une deuxième phase de dépôt sur la couche de matériau de guidage (2) d'une couche d'un matériau diélectrique (3), une troisième phase de dépôt sur la couche de matériau diélectrique (3) d'une couche de matériau métallique, caractérisé en ce qu'il comporte entre lesdites deuxième et troisième phase, une phase supplémentaire de formage d'une pluralité de zones inclinées (32) à la surface (30) de la couche de matériau diélectrique (3). 9. Procédé de réalisation d'un polariseur selon la revendication 6, caractérisé en ce que la deuxième phase de dépôt d'une couche d'un matériau diélectrique comporte une étape de dépôt d'une couche d'un liquide organométallique suivie d'une étape d'évapo- ration et d'oxydation par chauffage de ladite couche de liquide. 10. Procédé de réalisation d'un polariseur selon la reven- dication 9, caractérisé en ce que la phase supplémentaire de formage comporte une opération d'estampage de ladite couche de matériau diélectrique après chauffage préliminaire de la couche liquide et avant son durcissement complet. 11. Procédé de réalisation d'un polariseur selon la reven- dication 8, caractérisé en ce- que la phase supplémentaire de formage comporte une opération d'usinage ionique. 12. Procédé de réalisation d'un polariseur selon la reven- dication 11, caractérisé en ce que l'opération d'usinage ionique se fait à travers une grille de masquage de façon que l'attaque des ions à la surface de la couche de diélectrique (3) se fasse de façon non uniforme. 13. Procédé de réalisation d'un polariseur selon la reven- dication 9, caractérisé en ce que le liquide organométallique com- porte du titane. 14. Procédé de réalisation d'un polariseur selon la reven- dication 9, caractérisé en ce que le liquide organométallique com- porte du silicium. 15. Procédé de réalisation d'un polariseur selon la reven- dication 9, caractérisé en ce que le liquide organométallique com- porte du titane et du silicium. 16. Dispositif d'attaque ionique de ladite couche de diélec- trique (3) selon l'une quelconque des revendications 8 à 15, compor- tant un canon à ions (6) émettant un faisceau d'ions vers ladite face (30) de la couche de diélectrique (3), caractérisé en ce qu'il comporte une grille (5) interposée entre le canon à ions et ladite face (30) de la couche de diélectrique (3). 17. Dispositif d'attaque ionique selon la revendication 16, caractérisé en ce que ladite grille (5) comporte une série de fils (50) rectilignes disposés parallèlement dans un plan sensiblement paral- lèle au plan de la face (30) de la couche (3) de diélectrique. 18. Dispositif d'attaque ionique selon la revendication 17, caractérisé en ce que les fils (50) sont en tungstène.