Brevet FR2581249A1 — publié le 19861031

La présente inrvertionr concterne un disDosi.tif de mortage d'un dissipateur de chaleur pour un semi-cornductetur et plus particulibrement un dispositif de montage de cer- tairns semi-conducteurs -mballs, tels que ceux du type T0-220, dans une relation d'échange thermique sure av:ec ur, dissipateur de chaleur. La chaleur produite par divers semi-conducteurs, tel que les transistors de puissance ou composants similaires, doit être êvacu4 au moyen d'un dissipateur de chaleur efficace afin de maintenir une température acceptable l'endroit de la jonction du transistor. Les transistors de puissance sont emballés suivant une grande variété de confi- guratiorns géométriques et cependant l'emballage Tn-220 est représentatif d'une forme d'emballage qui est souvent uti- lisse. L'emballage To-220 assure l'encapsulation du transis- tor au moyen d'un bloc ou d'un corps moulé rel!ativem.mnt. mince, rectiligne, en une matière d'enrobage non conductrice de l'électricité, telle qu'une résine.poxy ou similaire. Uine patte ou plaquette de montage métallique plane est éga- lement incluse dans le bloc et elle s'étend h partir de ce bloc pour former un côté de l'emballage. Le semi-conducteur ainsi emballé est placé ensuite normalement dans une bonne relation d'échange thermique avec un dissipateur de cha- leur, afin d'évacuer la chaleur indésirable. Une grande 2-5 variété de dispositifs ont 4té conçus pour assurer le mon- tage de tels transistors emballés sur des dissipateurs de chaleur. Les figures 1 et 2 illustrent deux techniques uIti- lisées ant4rieurement pour monter un transistor de puissan- ce, tel que contenu dans un emballage Tq-9220, sur urn dissi- pateur de chaleur. Si on se r4fère la figure 1l on y voit un transistor de puissance 110 dans un emballage Tq-??fl, dans lequel le semi-conducteur est enfermé danrs un bloc 112 non conducteur de l'4lectricité qui comporte une plaquette m- tallique 114 s'étendant i partir de ce bloc. La plaquette 114 comporte habituellement une ouverture 116 percée ? tra- vers elle pour permettre de monter le transistor emballé]10 z JnaOiR4 ap ZnaledTssFp aT la JoIsIuedJ al aaqua ag6fxa:uepuadao;sa ZZ aeueTosi Sú eTIunaJ aun sTuw 'I ain6j ea ap bZ aquelosi aTTapuoi el ap qualeAinbg,l JasTT4n,p aatessaoau sed Isau Iz 'UTc elleqwa JolsisueJl np inalonpuoo uou ZIZ sdaoo al no aoq ael oaae quawanbiun oeluoa ua Isa UúZ dilo aT anbsTnd 'ZZ analepqo ap inaledTssip aT aa^e anbTwia4q a6ueu4o,p o08uOa un suep Gú XZ pltsqwa JolsTsucl al jiua-eai q Tsue A Jaas q la OZZ inaleqo ap anajudissip np a:naialsod aoejans el aaluoo Doeuoo ua JaTuea^ aTuew ap 'jZz inale4o ap JnaqedTs -sip np 6ZZ'UZZ snoJl sael sJaa^eJ salTnpoOqui sJole aial luanad úZ anbilseTP d-To unp sasoddo sa4oueaq sael -ied gZ ua jaed ap spoaed ZZ la 8ZZ s oedsa snoa4 ap eaJTed aun,p nA. -anod aJia Inad UZZ Jnaleqa ap ainaedTssTp un 'Z aean6FJ el ans pguaspadaa a6eluow ap jzTlsodsip aalne un sueo * Zî aquelosi e8eTpuod aeaw el la ZZI aquelost alltnaJ ewmm al lueÀoldwa OZ ua la sesnapneJea- olne sTA sap luesTTIfn ua 'lied ue ljed ep spoied sno;a sap no seu6aoq snoai sap oaae aeieTnow ap jueuaA anale4o ap inaledTssip un ans gluow aia Inad LlT jolstsuel al a4uetia aun lueAtnS gzl SiA.e azToAaai jTOA -nod anod 'uZI inaleqa ap nealedisstp eaT sJaa^J B 'quel Sl -aodwT snTd Isa Tnb ao '1a ZZ aeuelosT aq4noa et saa^aal k Joad no pJoj Icos noil un,nb a6Txe 9ppooad a 'V *T aeanb -erd el la 9ZI siA aun,p aie el ailua ITnoaoa- lnoo un al -TAP r aJtuuw ap '&Z[ aeuseos aT eTnop aun no ellapuoa aun oaae ' ZI Jneae4O ap analudTssTp eaT ans 011t a Teqwal 0l ap VT aeaenbeTd el lueuuolnoq ua sTnd 'jZT anaue4o ap anal -edTssip ael la 01I plluqwa aolsTsuea aet aua ZZI auooiTTs ne ono4olrnoeo un,p no armbilsueld aJqçjew ap no psspea6 DoTw ap alueTosT aTTrnaJ aouum aun juejasuT ua psilega Isa Taaa luewaeuju,'u 'b-l anazeqo ap analedTsstp np quaewanbTiloaw eToST z@ ITop b[l inalonpuoo-Twas np abelleqwa,1 'suoit -uotTdde sap jaud-r-d eT surJ ' e11 alanbe[d e1 oaAu unwwoo uJa luaue'lbtj aluai;.;uuuoa luawal-r- 4-tquL4 se Jo0STSueJl riP &Jjp apa[ un ou i Jinae4lo ap inalud-ccTEp un aris _.. __ Une autre forme d'un encemble de dissipation de chaleur pour des dispositifs semi-conducteurs est décrite dans le brevet IJS-4 167 031. Dnris ce hrevet un semi-conduc- teur est monté sur une plaque de circuit imprimé et ii est ensuite acdouplé, dans une relation d'échange thermique. avec ure structure d'un dissipateur de chaleur. Cependant le dispositif d'accouplement du transistor au dissipateur de chaleur est complexe et il comporte une vis s'étendant t travers le dissipateur de chaleur et en contact avec une petite pièce métallique qui sollicite h son tour un ressort pour le comprimer contre le semi-conducteur. Un organe de maintien métallique relativement grand est également prévu pour entourer la plus grande partie du dispositif d'accou- plement. Un autre dispositif pour accoupler des semi-cornduc- teurs h un ensemble de plaques de refroidissement est d'écrit dans le brevet 115U-3 436 6n3. Dans ce brevet des plaques de refroidissement en forme de feuilles, formant ressort, sont disposées par paires en une pile, les deux plaques d'une même paire étant formées et placées suffisamment proches 1'une de l'autre de manière à recevoir et h retenir un em- ballage de semi-conducteur entre elles, dans une relation d'échange thermique. Une telle structure repose sur une détermination précise de l'espacement entre les plaques de Z5 refroidissement adjacentes et elle exige l'assemblage des diverses plaques de refroidissement suivant le r6seau dé- siré. Un inconvénient de certains des procédés précités de montage de transistors de puissance est qu'ils exigent que des trous soient formés dans le dissipateur de cha- leur. Les profiles extrudés en aluminium constituent habi- tuellement les dissipateurs de chaleur les plus économi- ques et des trous peuvent être alors uniquement prévus en faisant appel à des opérations d'usinage secondaires qui augmentent le coût de l'él4ément. Le coût de la manipulation de plusieurs éléments pour chaque transistor devant être monte rend les divers ensembles vissés ou houlonnés très onéreux pour une production en grande série. En outre,ans al suep vuaoJ teuBs al *uoTin -xaep- erwaoj sap laednid el SUe u Uz-ul amUoa ce snos eIluqua' a-Ies-BTnd ap aolssUeJi un auawatibTdú jsa - Teqwa anaIorpuoDTveas ao -xna aauea oTaadwoo luela ua 'anaanpuoa-iewas np a6eTleq ú -wa& ae aTejie Toaed ap saoejans ap aated eT ap aoejans aun aaqua qsodaauTi quel ua inaTe4o ap anaaedçssTp np leueo al suep qso&sTp qsa laossai un îa analeqa ap ana;edis -sip np Teueo aT suep poeud Isa pT[eqwa nalsonpuoaTwas un aainaTalue Twal aixa uos, lSaafnD lue> la analeqo ap anal Cú eadssTp np sagsoddo satealel sioied ap saoaejans ap aTed sun aed tuiJpp iueJq jeue a 4 'S8ee es SUep qmioj leueo un a3uasead anaeeqa ap analedTssTp- al enb as ua sTaq -oeaez Isa anale4s ap anaaedTsscp un ans analonpuoo-Twas unp a6e'uow ap jTaTsodsTp ao uoYiuau.T lusARnS -sZ *aazqwasse r la aanbiaqej g anbiwouoao la aldmis juamaA^Telaa Isa Tnb analonpuoa-Tuas unp la JinaTLeq ap analedTssip un.p aGeil -uow ap JTITsodsrp unp uoTstAyJd el luamaTe6b asT. lnq a3 -jnaeonpuo-Tuas un ans jnale4o ap analadTssip un.p a6eluot oZ el anod paOuTipe JTlTSodsip un aTuanoj 'ap qsa uorluaRu aquasaid el ap TedouTlad Inq un luanbgsuoo aed ae5Tqmasse.1 quaeAap j-caiTJJTp snTd *xna.lqwou quos seuJaouoa sluaStW s"t snjcd la gIToiú sQaa aail anad uoilexTJ ap no abeTdnoo ap seaue6ao sae anod sqo 5 -oe,1 'anaîat ap inaledTssip al oaae lUalaquToruoo spuawe îuos iTJadwT lnaaJTo ap anbsed et ans sluoua saoluTsueiq sal anbsaoy '&TsuTv -naneso ap anaaedissip ne syxlj 3uaços au saolsTxsuea sal anb aueAu pnbtldde eale Inad lî 'ç6Txa Isa aumaojuoa auauaae.aa un tS 'saeenluaSA suoTIeaedga sap 01 anod saiqTssoaoe luos squesodwoo sal snoa anb siaole laîdwoa ITnaTia np TauuoTxlaouoj sa un aaalaawad anod la sa'anuee a6upnos ap suoTle ido sap jaaTA9 anod 'sanbTuoaqoa s sques - odmoo saalne sal snoj aaAe quamaluxoCuoo 'PwtadwT lTnoaJi ap anbeld eT ans aouesscnd ap saos-Tsueaî sal.an6eA el q aapnos ap alquaijpad asa il - pwTadwt lTnoiaT ap anbeîd aun suep la als spprnos luamoaqaleead 9p luo SaolsTsUeil sao anb sade lua'anbiun analeq3 ap anaqedTssTp al ans sguow quos uaolslSuji4 sar saoedwoo sanbTuoiloaîl salnpow ap dnooneaq 6VL 8 dissipateur de chaleur a une longueur suffisante pour rece- voir sur sa longueur une pluralité d'emballages de semi-con- ducteurs discrets et un ou plusieurs ressorts à lame, inter- venant indépendamment, sont de préférence associés ' chaque emballage de transistor. Dans une forme d'exécutiorn préférée les ressortstà lame multiples qui sont associés aux embal- lages. de transistors multiples placés dlans un canal du dis- sipateur de chaleur, sont reliés en commun, i une extré- mité de chacun des ressorts, en constituant une sorte de peigne, afin de faciliter la manipulation et l'assemblage. La dimension et l'espacement des ressorts adjacents sont tels que, pour un espacement minimal prédéterminé entre les emballages de transistors adjacents, aucun ressort indivi- duel n'est en contact avec plus d'un emballage de transis- tors, tandis que deux ou trois ressorts à lame sont en con- tact avec chaque'emballaqe. Chaque ressort est réalisé de préférence sous la forme d'un ressort à lame convexe dont les extrémités opposées sont en contact avec l'une des sur- faces de paroi latérale du canal du dissipateur de chaleur, tandis que sa portion médiane est en contact avec le bloc non conducteur qui encapsule le semi-conducteur. Les extré- mités de chaque ressort à lame peuvent être légèrement re- courbées de manière à faciliter sa flexion h l'intérieur duj canal du dissipateur de chaleur. Un matériau mince, iso- lant électriquement, peut être disposé entre la portion de base formant plaquette ou patte du semi-conducteur emballé et l'autre paroi latérale du canal du dissipateur de cha- leur, si une telle isolation est exigée. Le semi-conducteur emballé est typiquement pr6assemblé sur une plaque de cir- cuit imprimé avant de monter l'ensemble sur le dissipateur de chaleur. In décrira ci-après, titre d'exemple non limitatif, une forme d'exécution de la pr4sente invention,en référernce au dessin annex. sur lequel: La figure 1 est une vue en perspective éclatée d'un dispositif de montage d'un transistor de puissance sur un dissipateur de chaleur suivant la technique antérieure. el suep giuupw xnaao un aed OZ anate4o ap anajedissip al suep Vmioj aale Inad bi Teueo al -obú puoj ap acejans aun aed aTuxjgp aanailaqsod mapilxa *uos q gwaaj Isa IF la aa -na aaue gI;wgalxa uos t laaAno sa 8ú Teueo a *q8ú la e8k 5 saiQieaed luawalqlsuas sioied ap aaied aun aaîua Z Jnal eqo ap analedtsstp al suep gwaoj 4uawal6ua qsa çú ieueo unno aquaj aufl *9ú saelqllaed luawassipooajaa ap saqaal -îep qtiTeanîd aun quelaodwoo wnututnfe ua ppn.lxa piïjoad un aed enl;gsuo lsa IsJnai[S40 ap anaqedissip al Q. -eatessaau Ts nqfAaa no/la aiedga saole ala Inad I la 'aatessaouu Isa elao ts 'aouessind ap saoi -sisueal xne anaieqo ap sjnaledxssip sap luawaaieaodual quexiJ ua 'luawallauuotlouoj plsal alae Inad Tl qa alld -woo qsa OT saolissueaî sal quesTITTIn anbTuoiloael 1- Snoao gZ al a6spnos sqadV -jç pwuaduiT znoaTa ap anbeld el g,,anbe. q. s9pnos quos To-xnao anb sipuel 'aaelnoitpuadaad uo'qTsod ua U! saolsisueal sal anod laoddns un anITIsuoo (t aan ij eT ans luawaaiteo snTd aioA Inad uo,T anb) tc 91now analoauuoo unp Zú quasa6uoload un *Uú gmiwadwx qnoazo ap anbeîd aun OZ q uaweaTelTnoTpuadaad quepuaq1,s VI sanbTTeélaw salqanbeyd sanai 'sa,6uea sanaisnld no aun ua s9auow quos 'cUl sa6ûe -Teqwa sap suep '01 aouessind ap saolsTsueal op aTais aun,nb aoA Inad uo 'ú aan6bj et ans agluasadaa -qsa ala,nb aatal uoiqua^ux aauasqad et queuaquTew aaoqpsuoo uo IS Si -aanatiauT anbiuqo3l eT queAins GZZ'gZI sjTnoadsaa anaîeqo ap sanaledissip sap anris 'i1Z'11 aouessnd ap saolsisueaa sap anb s8al 'sanaq -onpuoo-cwas ap a6equow ap sjlsodsup sap quaaisnîiu z la I saan6bj saI 'quawwpapoiad qnbipui pl e IF,nb isuçi VI a6elqwasse sçade 'uoiUGAUT'al JUDBA - ns aolsTsuual np la anaeq3o ap ana4edTssip np a6eluow ap jTlrsodsip np jijoad ap anA aun isa - aan6Tj el ÀuoTluaAux,I lueATns:'anaueqo ap jna]edissip un,p la aolsTsuval un,p abequow ap jTqTsodsip ç rip ayjejoe aeAtadsaad ua arinA aun asa ú aJin6bJ el aanaTakque anbluqoal eT 'UATns anraieqo op anaq -udTssip un ans auuesscnd ap aos-csueal un,p aûeuuow ap Jl -lsodsip dalne unp adnoo uo anA aun qsa z aarinj el 6ZkLSZ 9 masse principale du dissipateur de chaleur, ou bien encore il peut être cornstitué par une paire dJe parois lnhSral.es s'.tendant ? partir de cette masse, comme cela est le cas de la forme d'exécution "illustrée, ou biern encore par une com- binaison de ces deux formes d'exécution. L'espacement entre les parois latérales opposées 38a,38b du canal 38 du dis- sipateur de chaleur est contrôlé de manière à pouvoir re- cevoir l'4paisseur des transistors lé et ure barnde de mica 92, ainsi qu'un ensemble h ressort 4n à verrouillage t.las- tique. Suivant l'invention l'ensemble h ressort 4n est constitué de préférence d'une s6rie de doigts ou ressorts à lame 42 parallèles les uns aux autres et espacés les uns des autres, en formant une s.rie le long d'une barre de conne- xion commurne 44, à la manière d'un peigne. La barre de corn- nexion 44 relie chacun des ressorts à lame -42 -i une extré- mité, en laissant l'autre extrémité du ressort à lame libre. Bien que les ressorts à lame 42 soient illustrés et décrits dans le cas d'un réseau de lames reliées par la 29 barre de connexion 44, on conçoit aisément que l'on pourrait 4galement utiliser dans certain cas des lames de ressort individuelles 42. L'ensemble à ressort 40 est réalisé en acier à res- sort ou en matière similaire et chaque ressort à lame 42 a une forme générale convexe telle que- ses extrémités oppose.es ou pieds soient en contact avec la surface de la paroi laté- rale 38a du canal, tandis que la partie médiane ou "genou" s'étend vers l'intérieur du canal 38 pour venir en contact avec la partie 12 constituant le bloc ou le corps d'encapsu- lation du transistor 10. Les extrémités opposées de chacun des ressorts à lame 42 sont recourbés légèrement pour faci- liter la flexion du ressort sans que celui-ci "morde" dans la paroi 39a du canal 38. Ern fabriquant les ressorts h lame 42 en tant que parties d'un ensemble relié par la barre de connexion 44, il est possible de couper l'ensemble à la longueur désirée et de mettre enr place les ressorts i lame dans le canal 38 en un seul bloc. Dans la forme d'exécutiorn illustr4e, les doigts ou de ressorts 't lame individuels 42 ornt une larqeur d' environ Imm et ils sont espac4s les uns des autres d'en- viron O,7mm. La longueur d'une extrémité à l'autre d'unr ressort à -lame est d'ernviron l8mm tandis que la profondeur de la partie convexe formant le "genou" est d'environ 2,6mm. Chacun des transistors emballés l1 a une largeur d'environ 9mm et les transistors sont espacés latéralement entre eux d'environ 3mm de telle façorn que deux ou trois ressorts à lame 42 puissent venir en contact avec un transistor parti- culier 10. Cependant, avec de telles dimensions des res- sorts à lame 42 et du transistor ln, un ressort à lame in- dividuel 42 ne peut normalement venir en contact avec une paire de transistors adjacents 10 et on est ainsi sûr qu'au- cun ressorts à lame unique 42 n'est nécessaire pour fournir la force de rétention principale pour une paire de transis- tors adjacents 10. Une, telle disposition s'accomode de va- riations dans les dimensions et l'épaisseur de transistors adjaoents. La figure 4 représente les transistors in assemblés avec le dissipateur de chaleur 20 en utilisant le disposi- tif de montage suivant l'invention. Pour l'assemblage on recouvre la bande de mica isolante 22, sur ses deux faces, avec une graisse thermique afin de faciliter le transfert de chaleur. Dans le cas o une isolation 22 n'est pas exig4e, la graisse thermique peut être appliquie directement soit sur la plaquette 14 du transistor soit la paroi 38b du canal 38. L'ensemble à ressort 40 est ensuite dispose dans le canal 38 de telle façon que la barre de connexion 44 soit située le plus à l'intérieur (comme il est représenté) ou le plus à l'extérieur dans le canal, les portions médianes formant des "genoux" s'étendant en direction du centre du canal. Les transistors emballés ln, ayant été préassemblés sur la plaque de circuit imprimée 30, sont alors insérés dans le canal 3e entre l'ensemble h ressort 4n et l'isola- teur 22. La forme convexe des ressorts h lame individuels 42 constitue une surface formant rampe pour faciliter l'inser- tion des transistors. Tandis que les transistors 10 sont pousses vers et dans le canal 33, en direction de sa paroi postérieure ou de son fond 39c, la forme de ramne des res- sorts h lame 42 entraîne une compression de ces ressorts entre le corps des transistors 10 et la paroi 38a du canal. Lorsque les transistors 10 sont poussés complètement i 1'intérieur du canal 38, le corps 12 dje chaque transistor emballé 10 eat en contact avec la partie médiane ou "genou" des ressorts à lame 42 et les transistors sont presses en contact intime contre la paroi 38b du canal 39, par l'inter- médiaire de l'isolateur graissé 22. On a trouvé que la force In de compression des ressorts à lame 42 assure une bonne relation de transfert thermique entre les transistors 10 et le dissipateur de chaleur 20 et qu'une telle relation de transfert thermique se maintient pendant de nombreux cycles extrêmes. T1 convient de noter que la longueur d'au moins tin des éléments con.stituant les parois opposées 30a,3Rb du canal 38 du dissipateur de chaleur est telle que cet élé- ment vient en contact avec une partie de la structure du connecteur 34 avant que les plaquettes 14 des emballages de transistors 10 atteignent la paroi de fond 38c du canal 38, en empêchant ainsi un contact métal sur métal conducteur de l'électricité entre les plaquettes 14 et le dissipateur de chaleur 20. Le montage assembld représenté sur la figure 4 permet non seulement d'obtenir un maintien en position des transistors 10 dans une bonne relation de transfert thermi- que avec le dissipateur de chaleur 20, mais encore il auto- rise ces transistors à être enlevés simplement h des fins de réparation et/ou remplacement ou réinstallation. 2581249 REVENDTCATTIONS I.- Dispositif de montage d'un semi-conducteur sur unr dissipateur de chaleur caractérisé en ce que le dissi- pateur de chaleur présente un carnal (3e) form6 dans sa masse, ce canal étant défini par une paire de surfaces de parois latérales opposées (3Ra,38b) du dissipateur de cha- leur et étant ouvert à son extrémité antérieure, un semi- conducteur emballé (1T) est placé dans le canal (38) du dissipateur de chaleur et un ensemble à ressort (40) est l1 disposé dans le canal (39) du dissipateur de chaleur en étant interposé entre une surface (38a) de la paire de sur- faces de paroi latérale et le semi-conducteur (It), en étant comprimé entre eux. 2.- Dispositif de montage d'un semi-conducteur sur un dissipateur de chaleur suivant la revendication 1 caractérisé ern ce que le semiconducteur emballé comporte un semi-conducteur (10) emballé dans un corps (12) non conduc- teur de l'électricité et ce corps (12) est fixé à une pla- quette métallique de base (14) conductrice de l'électricité. 3.- Dispositif de montage d'un semi-conducteur sur un dissipateur de chaleur suivant la revendication 2 caractérisé en ce que la plaquette de base (14) de l'embal- lage du semi-conducteur (12) est située à proximité de l'autre surface (38b) de la paire de surfaces de parois latérales du canal (38) du dissipateur de chaleur et une couche mince (22) d'un matériau isolant électriquement est disposée entre l'autre surface (38b) de la paire de surfa- ces de parois latérales et la plaquette de base (14). 4.- Dispositif de montage d'un semi-conducteur sur 3l un dissipateur de chaleur suivant la revendication 3 caractérisé en ce que l'ensemble à ressort (40) est en con- tact uniquement avec le corps non conducteur (12) de l'em- ballage du semi-conducteur (tO). 5.- Dispositif de montage d'un semi-conducteur sur un dissipateur de chaleur suivant la revendication 2 caractérisé en ce que l'ensemble à ressort (4n) comprend au moins un ressort (42) de forme générale convexe dont les extrémités opposées sont en contact avec la première surface (33a) de paroi latérale du dissipateur de chaleur et. d-or, la partie médiane est en contact avec l'emballane (1.2l du semi-conducteur. 6.Dispositif de montage d'un semi-conducteur sur un dissipateur de chaleur suivant la revendication t caractériséjen ce que-le canal (38) du dissipateur de cha- leur est allongé et il comporte une pluralit4 de semi-con- ducteurs (1^) disposés le long de ce canal et l'ensemble 'I ressort (40) comprend une pluralité de ressorts à lame (42) 1P reliés en commun, à l'une de leurs extrémités, en formant un peigne, chacun des ressorts à lame ('4.) étant associé ' uniquement a un semi-conducteur respectif dans l'ensemble des semi-conducteurs. 7.- Dispositif de montage d'un semi-conducteur sur un dissipateur de chaleur suivant la revendication 4 caractérisé en ce que les semiconducteurs emballés (10) sont prémontés sur une plaque de circuit (30). 8.- Dispositif de montage d'un semi-conducteur sur un dissipateur de chaleur suivant la revendication 6 caractérisé en ce que chacun des ressorts à lame (42) a une forme convexe et il est disposé de telle façon, après sa mise en place dans le canal (38), qu'il constitue une sur- face de rampe pour guider l'entrée des semi-conducteurs res- pectifs (10). 9.- Dispositif- de montage d'un semi-conducteur sur un dissipateur de chaleur suivant la revendication 8 caractérisé en ce que chaque ressort à lame (42) est re- courbé à ses extrémités opposées pour faciliter sn flexion à l'intérieur du canal (38) du dissipateur de chaleur. 1n.- Dispositif de montaqe d'un semi-conducteur sur un dissipateur de chaleur suivant la revendication 7 caractérisé en ce-que les semiconducteurs emballés (l!) sont chacun du type T.-220. Il.- Dispositif de montage d'un semi-conducteur sur urn dissiDateur de chaleur suivant la revendiication l caractdrisé en ce que le semiconducteur emballé (10) est du type TO-220.