Brevet FR2578986A1 — publié le 19860919

TRANSDUCTEUR OPTO-ELECTRONIQUE INTEGRE ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention a pour objet un trans- ducteur opto-éLectronique intégré et son procédé de fabrication. Elle trouve une application notamment dans le domaine des traitements de signaux radar en temps réel par exemple dans des corrélateurs, analy- seurs de spectres ou interférométres, dans le domaine des télécommunications par voie optique par exemple pour démultiplexage de signaux lumineux et dans le domaine des capteurs à fibre optique. Un transducteur opto-électronique est un dispositif qui permet de détecter un ou plusieurs si- gnaux lumineux provenant d'un dispositif optique no- tamment intégré tel qu'un interféromètre, un analyseur de spectre, ou un multiplexeur et à transformer ce ou ces signaux lumineux en un signal électrique corres- pondant. Ces dispositifs optiques intégrés sur un substrat semiconducteur monocristalLin notamment en silicium ou en composé III-V tel que GaAs sont d'un grand intérêt, d'une part à cause de la technologie disponible et d'autre part à cause d'un couplage pos- sible avec les circuits électroniques de traitement correspondant; ceci permet d'intégrer à la fois les composants optiques et les circuits électroniques de traitement sur un même substrat. Actuellement, le problème du couplage entre les composants optiques et les composants étectroni- ques se heurte à la façon d'effectuer Le transfert des informations entre la partie optique et la partie électronique. Sur la figure 1, on a représenté schémati- quement, en coupe, un transducteur opto-électronique intégré selon l'art antérieur. Ce transducteur est formé dans un guide de lumière 2 surmontant un substrat 4 par exempte en si- licium monocristallin de type n. Ce guide de lumière 2 est formé d'une couche 5 d'oxyde de silicium d'environ lpm et d'une couche de verre 6 d'environ lpm consti- tuant la couche guidante du guide de lumière 2. La couche guidante 6 présente un indice de réfraction d'environ 1,57 qui est supérieur à celui de La couche d'oxyde. L'air, d'indice de réfraction inférieur à celui de la couche guidante 6, complète la structure du guide de lumière 2. Ce transducteur opto-électronique comprend une zone de détection 8, formée par exemple par une jonction PN, servant à transformer un signal lumineux 9, provenant d'un dispositif optique quelconque, en un signal électrique correspondant. Des électrodes 10 et 11 disposées de part et d'autre du substrat 4 et en regard de la zone de détection permettant de récupérer le signal électrique formé dans La zone détectrice afin de Le traiter dans un circuit électronique de traitement approprié. Dans une telle structure, le signal lumineux à détecter est, dans la partie optique, isolé du substrat semiconducteur par la couche d'oxyde 5 épais- se, alors que dans la partie électronique de détec- tion, le signal lumineux doit interagir avec le subs- trat semiconducteur. Le problème est donc de transfé- rer le signal Lumineux à détecter du guide de lumière au substrat. L'une des techniques actuellement utilisée pour permettre ce transfert du signal lumineux est, comme représenté sur la figure 1, de diminuer l'épais- seur de la couche d'oxyde de silicium 5 se trouvant entre la couche guidante 6 du guide de lumière et le substrat 4 sur lequel celui-ci est réalisé, jusqu'à ce qu'elle s'annule en regard de la zone détectrice 8. Cette technique est notamment décrite dans un article de Appl. Phys. Lett. vol.22 n 9 du 1er mai 1973, p.463-464, de D.B. OSTROWSKY et al., intitulé "Inte- grated optical photodetector". Afin d'obtenir un bon transfert du signal Lumineux de la couche guidante 6 du guide de lumière à la zone détectrice intégrée au substrat, la pente 5a de la couche d'oxyde de silicium 5, intercalée entre la couche guidante 6 et le substrat 4, doit posséder un certain nombre de qualités. Premièrement, cette pente doit être suffi- samment douce afin d'éviter les problèmes de diffrac- tion de la lumière entraînant la perte d'informations lumineuses et la formation de lumières parasites. Deuxièmement, cette pente doit être correctement posi- tionnée par rapport à la zone détectrice, c'est-à-dire que La couche d'oxyde de silicium doit présenter une épaisseur nulle ou très faible (10 nm) en regard de la zone détectrice. Troisièmement, la pente de la couche d'oxyde de silicium doit être réalisée de la façon la plus simple possible et suivant une technologie reproducti- ble aisément. Enfin, cette technologie doit être com- patible avec Les techniques d'obtention des disposi- tifs optiques intégrés et de celles de la partie électronique de détection. Ces différentes conditions sont malheureu- sement difficiles à satisfaire. En particulier, la couche d'oxyde de silicium est réalisée, dans le cas d'un substrat semiconducteur en silicium, par oxyda- tion thermique du substrat à une température comprise entre 1 000 et 12000C, à une pression de une atm et pendant une durée de plusieurs dizaines d'heures. Cette oxydation à haute température et de longue durée entraîne généralement La destruction des profils de diffusion de la zone de détection. La pente de cette couche d'oxyde peut être obtenue par attaque chimique de Ladite couche en re- gard de La couche de détection; cette attaque est notamment réaLisée en utilisant une solution d'acide fluorhydrique. Le positionnement précis de cette pente d'oxyde de silicium par rapport à ta zone détectrice est difficile à réaliser, lorsque L'on désire transfé- rer un seul signal lumineux de La couche guidante du guide de -Lumière dans La zone détectrice. Par ail- leurs, te positionnement de plusieurs pentes est pra- tiquement impossible à réaliser, ceci est Le cas lorsque L'on désire détecter plusieurs signaux lumi- neux, provenant de différents dispositifs optiques, dans des zones de détection différentes. En plus de ce problème de positionnement, les différentes pentes d'oxyde de silicium à réaliser, généralement une pente par signal à détecter, sont techniquement difficiles à reproduire. La présente invention a justement pour objet un transducteur opto-électronique intégré et son pro- cédé de fabrication permettant de remédier aux diffé- rents inconvénients cités ci-dessus. En particulier, eLle permet de détecter plusieurs signaux lumineux, provenant de différents dispositifs optiques intégrés ou non, dans une même zone de détection, réalisée dans un substrat sur lequel est formé le transducteur. Le transducteur opto-électronique selon l'invention comprend un organe de couplage optique, servant à amener Le ou les faisceaux à détecter se propageant dans Le guide de lumière, dans la zone dé- tectrice, réalisée dans Le substrat sur lequel est formé le guide, qui peut être correctement positionné par rapport à la zone de détection et réalisable de façon simple et reproductible en utilisant une technoe logie compatible avec celle utilisée pour la réalisa- tion des dispositifs optiques intégrés et des circuits intégrés, servant au traitement du signal électrique fourni par la zone de détection. De façon plus précise, l'invention a pour objet un transducteur opto-électronique intégré com- portant un guide de lumière, réalisé sur un substrat, servant au transport au moins d'un signal lumineux provenant d'un dispositif optique, une zone détectrice du signal lumineuxe réalisée dans ledit substrat, transformant le signal lumineux en un signal électri- que et un organe de couplage optique servant à amener le signal lumineux, se propageant selon une première direction dans le guide de lumière, dans la zone dé- tectrice, se caractérisant en ce que l'organe de cou- plage se compose d'une structure périodique, réalisée dans le guide de lumière, comportant une alternance de zones d'indices de réfraction différents, orientées parallèlement tes unes aux autres selon une seconde direction formant un angle e par rapport à La première direction de propagation du signal lumineux dans le guide de lumière. La structure périodique constituant l'orga- ne de couplage optique permet d'accorder les vitesses des modes vibratoires du signal lumineux à détecter dans le guide de lumière avec celles des modes vibra- toires de ce même signal lumineux à l'intérieur du substrat. De façon avantageuse, cette structure pé- riodique est constituée.d'un réseau de diffraction se composant par exemple, de sillons parallèles réguliè- rement espacés, gravés dans le guide de lumière. De façon avantageuse, te guide de lumière est formé d'une couche de nitrure de silicium interca- Lée entre deux couches d'oxyde de silicium. Le nitrure de silicium est un matériau présentant un indice de réfraction voisin de 2 et l'oxyde de silicium un maté- riau présentant un indice de réfraction voisin de 1,45, pour une longueur d'onde de 0,8 pm; un tel guide de Lumière est donc un guide à forte différence d'indice de réfraction. Pour éviter que le phénomène de diffraction, engendré par la structure périodique tel qu'un réseau, provoque une diffraction dans une autre région que celle désirée, entraînant ainsi une perte de rende- ment, l'angle e doit être choisi convenablement afin que les faisceaux diffractés par le réseau correspon- dent à des modes de propagation dont les indices ef- fectifs sont dans tous les cas supérieurs à 1. On rap- pelle que l'indice effectif est défini par le produit de l'indice de réfraction et du sinus de L'angLe de réfraction. Pour un guide de lumière formé d'une couche de nitrure de silicium intercalée entre deux couches - d'oxyde, l'angle e est compris entre 30 et 47 . Selon un mode préféré de réalisation du dis- positif de l'invention, ceLui-ci comprend au moins un microguide d'entrée servant au guidage du signal lumi- neux vers l'organe optique. La présente invention a aussi pour objet un procédé de fabrication d'un transducteur opto-éLec- tronique intégré, servant à détecter un ou plusieurs signaux lumineux provenant d'un dispositif optique intégré ou non. Selon l'invention, ce procédé comprend les étapes suivantes: - réalisation dans un substrat d'une zone détectrice servant à transformer le signal lumineux en un signaL électrique, - réalisation sur te substrat d'un guide de Lumière par recouvrement successif du substrat d'une première couche de matériau, d'une seconde couche de matériau, et éventueLLement d'une troisième couche de matériau, La seconde couche de matériau d'indice de réfraction supérieur à celui des première et troisième couches constituant la couche guidante du guide, - réalisation dans l'une au moins des cou- ches du guide de lumière, et au moins partiellement 1o au-dessus de La zone détectrice, d'une structure pé- riodique comportant une alternance de zones d'indices de réfraction différents, orientées parallèlement Les unes aux autres selon une direction formant un angle O par rapport à la direction de propagation du signal Lumineux, - réalisation, en regard de La zone détec- trice et en dehors de La structure périodique d'une ouverture dans le guide de Lumière afin de mettre à nu une partie de la zone détectrice, et - réalisation en un matériau conducteur d'un contact électrique dans ladite ouverture et d'une ligne d'interconnexion. La troisième couche peut en fait être L'air surmontant la structure du transducteur. Les différentes étapes de ce procédé, prises isolément, sont bien connues de L'homme du métier; elles sont simples à mettre en oeuvre et reproducti- bles. Par ailleurs, dans ce procédé, La prise de contact électrique sur La zone de détection ainsi que la ligne d'interconnexion, servant notamment à connec- ter cette zone de détection au circuit électronique de traitement, sont réalisées en fin de procédé, ce qui évite toute destruction de ce contact et de cette ligne, lors des différentes étapes de gravures néces- saires à La fabrication du transducteur opto-éLectro- nique intégré conformément à L'invention. Selon un mode préféré de mise en oeuvre du procédé de l'invention, Le substrat est réalisé en silicium monocristaLlin. Dans une telle mise en oeu- vre, on forme avantageusement la première couche de matériau par oxydation thermique du substrat en sili- cium à une température comprise entre 800 et 850 C et à une pression comprise entre 5.105 et 3.106 Pa. Ce procédé de dépôt à basse température permet d'éviter toutes détériorations de la zone de détection. De façon avantageuse, Le signal Lumineux à détecter ayant une Longueur d'onde Xo dans Le vide et La structure périodique étant représentée par un vec- teur K, o Le module de t est égalt à 2i/p, p étant Le pas de La structure périodique, on réaLise La structu- re périodique de façon qu'il existe au moins un entier m pour Lequel L'extrémité du vecteur mi correspondant se trouve dans une zone, déterminée en traçant trois cercles concentriques, un cercle interne de rayon 2zl/o, un cercle médian de rayon 2in s/Xo, o ns repré- sente L'indice de réfraction du substrat, et un cercle externe de rayon 2n e/Xo, o ne représente L'indice effectif du guide de Lumière puis en traçant, à partir d'un point appartenant au cercle externe, une tangente au cercle interne et une tangente au cercle médian, l'aire délimitée par les deux tangentes et le cefcle médian définissant Ladite zone. Par ailleurs, le vec- teur K doit être choisi de façon qu'il n'existe pas de vecteur nK, n étant un entier différent de m, qui cor- respondrait à des faisceaux diffractés dont La cons- tante de propagation serait égale à ceLtte d'un des modes du guide; c'est-à-dire que l'extrémité du vec- teur nK ne doit pas se trouver sur le cercle externe. Ces conditions du vecteur K contribuent à éviter les diffractions dans les régions autres que celles de la zone de détection. Selon une mise en oeuvre préférée du procédé de l'invention, on réalise la structure périodique en gravant au moins une partie du guide de lumière afin de former des sillons parallèles, régulièrement espa- cés. Selon un autre mode préféré de mise en oeu- vre de L'inventions on réalise une gravure dans La première couche de matériau afin de former au moins un microguide d'entrée pour le guidage du signal lumineux vers la structure périodique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de La description qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limita- tif. La description est faite en référence aux figures annexées, sur lesquelles: - la figure 1, déjà décrite, représente schématiquement, en coupe longitudinale, un transduc- teur opto-électronique intégré selon l'art antérieur, - la figure 2 représente, en perspective, le principe du transducteur opto-électronique conformé- ment à l'invention, - la figure 3 représente schématiquement, en perspective, un mode de réalisation d'un transducteur opto-électronique selon l'invention, et - la figure 4 est un diagramme illustrant l'accord des vitesses des modes vibratoires des si- gnaux lumineux à détecter dans le guide de lumière avec celles de ces signaux dans le substrat. En se référant à la figure 2, le transduc- teur opto-électronique intégré selon l'invention comporte un guide de lumière 12 réalisé sur un subs- trat 14, notamment un semiconducteur monocristatlin. Comme matériau semiconducteur, on peut utiliser par exemple du silicium ou un matériau III-V tel que le GaAs. Le guide de lumière 12 peut être constitué de trois couches superposées respectivement 16, 18 et 20. La couche 18, intercalée entre Les couches 16 et , constitue la couche guidante du guide de Lumière 12. ElLe présente un indice de réfraction supérieur à celui des couches 16 et 20. La différence d'indice entre la couche guidante 18 et les deux autres couches 16 et 20 est au moins égale à 10-3 pour des couches de 2 à 10 m. Par exemple, la couche inférieure 16 surmon- tant le substrat 14 est réalisée en oxyde de silicium, la couche guidante 18 en nitrure de silicium et la couche supérieure 20 en oxyde de silicium; l'indice de réfraction de la couche 18 est égale à 2 et l'indi- ce de réfraction des couches 16 et 20 à environ 1,45 pour une longueur d'onde de 0,8 pm. Le transducteur opto-électronique de l'in- vention comprend une zone de détection 22 définie dans le substrat semiconducteur 14. Celte-ci permet de dé- tecter un signal lumineux 24, provenant d'un disposi- tif optique intégré ou non (interférométre, multiple- xeur, analyseur de spectre). Cette zone de détection est par exemple, comme représenté sur les figures 2 et 3, une jonction PN. Elle pourrait aussi être consti- tuée par une diode Schottky ou une diode à avalanche dont les réalisations sont bien connues de l'homme du métier. Une structure périodique 26, réalisée dans l'une au moins des couches du guide de lumière 12, par exemple la couche supérieure 20, permet d'amener le signal lumineux 24 à détecter, se propageant dans la couche guidante 18 du guide de Lumière, dans La zone de détection 22. L'absorption du signal lumineux 24 par La zone de détection 22 entraîne dans ceLLe-ci La forma- tion de paires électrons-trous et donc la formation d'un courant électrique qui peut être récolté à l'aide d'une ligne conductrice 28, réalisée à la surface du guide de Lumière. La prise de contact électrique de la ligne conductrice 28 sur la zone de détection 22 est réalisée grâce à une ouverture 30 pratiquée dans les différentes couches du guide de lumière 12, sur toute leur hauteur, les bords de l'ouverture 30 étant recou- verts du matériau conducteur constituant la ligne 28. Cette prise de contact est réalisée en aval de la structure périodique 26. Cette structure périodique 26, servant à amener le signal lumineux 24 à détecter dans La zone de détection 22, est constituée notamment par un ré- seau de diffraction comportant une alternance de zones d'indices de réfraction différents. Dans le cas repré- senté sur les figures 2 et 3, ces zones d'indices de réfraction différents sont formées d'une alternance de bosses 32 et de creux 34, l'indice de réfraction des bosses 32 étant par exemple celui de la couche supé- rieure 20 du guide dans laquelle elles sont réalisées et l'indice de réfraction des creux 34 étant celui de l'air. Ces zones 32 et 34 d'indices de réfraction différents présentent la forme de bandes orientées parallèlement entre elles selon une direction D (figu- re 2). Cette direction D forme un angle e par rapport à la direction de propagation du signal lumineux 24 à détecter. Dans le cas d'un guide de lumière 12 compor- tant une couche 18 en nitrure de silicium intercalée entre deux couches 16 et 20 en oxyde de silicium, cet angle e peut être compris entre 30 et 47 pour une couche de nitrure de silicium de 0,16 pm et un signal lumineux 22 de 0,8 pm en longueur d'onde; cet angle e est par exemple pris voisin de 40 . La structure périodique 26 de type réseau permet de transférer te signal lumineux 24 à détecter de la couche guidante 18 dans la zone de détection 22 réalisée dans le substrat 14 par diffraction de ce faisceau lumineux. Le transducteur opto-électronique selon l'invention peut, comme représenté sur la figure 3, être avantageusement utilisé pour détecter plusieurs signaux lumineux 1, I2, I3... dans la même zone de détection 22. Dans ce cas, afin de faciliter le guida- ge des différents signaux Lumineux sur la structure périodique 26, le transducteur opto-électronique peut être équipé de plusieurs microguides d'entrée tels que 36 au lieu d'un guide de lumière unique 12 (figure 2). Ces microguides d'entrée 36 sont par exemple définis par gravure de la couche supérieure 20 notam- ment en oxyde de silicium, le guide "principal" 12a n'étant alors formé que de deux couches 16 et 18 par exemple en oxyde de silicium et en nitrure de sili- cium, l'air complétant la structure de ce guide prin- cipal 12a. Dans une telle structure, la couche supé- rieure 20 est uniquement présente aux emplacements des microguides 36 et de la structure périodique 26. (fi- gure 3). En conséquence, la Ligne conductrice 28 ser- vant à collecter le courant produit dans la zone de détection 28 est réalisée sur la couche guidante 18 et non sur la couche supérieure 20. Il est à noter que l'emploi de microguides est particulièrement intéressant pour la détection de plusieurs signaux lumineux. Cependant, il est aussi possible de réaliser un transducteur n'ayant qu'un seul microguide pour détecter un seul signal lumineux. La structure périodique ou réseau de dif- fraction 26 permet de diffracter les signaux Lumineux à détecter Il 2> I33oD uniquement en direction de la zone de détection 22. Cette diffraction unidirection- * nettlle est possible avec un guide de lumière 12 à forte variation d'indice permettant d'accorder les vitesses des modes vibratoires des signaux lumineux dans le guide de lumière 12 et celles des modes vibratoires de ces mêmes signaux dans le substrat 14, o est réalisée la zone de détection 22. Cet accord des vitesses,- dans le cas d'un transducteur opto-électronique dont la structure est celle représentée sur la figure 3, est illustré sur la figure 4 Sur cette figure 4, sont représentés trois cercles centres en un même point O de rayor différen& Le cercle interne A représente te lieu des extrémités du vecteur d'onde ka de l'air, le cercle médian S re- présente le lieu des extrémités du vecteur d'onde ks s du substrat 14 et le cercle externe G représente le lieu des extrémités du vecteur d'onde e de la couche g guidante 18 du guide de lumière; les rayons des trois cercles sont donc égaux respectivement aux modules des vecteurs a, s, g Si À représente la longueur d'onde dans le o vide du signal lumineux à détecter, ns l'indice de réfraction du substrat 14 et n l'indice effectif du e guide de lumière, les rayons des cercles A, S et G sont égaux respectivement à 2/Io, 2Tns/Xo et 2Tne/ o. On rappelle que l'indice effectif du guide est fonc- tion des indices de réfraction des couches le consti- tuant ainsi que de leur épaisseur. Sur la figure 4, on a tracé, à partir d'un point M situé sur Le cercle externe G deux droites TA et Ts tangentes respectivement au cercle interne A et au cercle médian S. Ces deux droites TA et Ts déLimi- tent avec Le cercLe S une zone H, hachurée. Cette zone H représente, pour le vecteur t représentatif de La structure périodique ou du réseau 26, La zone dans laquelle doit se trouver l'extrémité d'au moins un vecteur m de Ladite structure afin que la diffraction du faisceau lumineux à détecter n'ait lieu que vers le substrat et la zone détectrice réalisée dans celuici, et non pas dans l'air. Par ailleurs, l'extrémité d'au moins un vecteur n ne doit pas se trouver sur le cercle externe G, ce qui entraînerait la diffraction vers la couche guidante. Le module du vecteur K du réseau est relié au pas p ou période de celui-ci par L'expression lKI=2r/p. De plus, m et n représentent des ordres différents du réseau; ce sont des entiers positifs, négatifs ou nuis. On va maintenant décrire un procédé de fa- brication du transducteur opto-électronique intégré tel que décrit précédemment, dans le cas d'un substrat en silicium monocristallin de type n. La première étape du procédé consiste à réa- liser la zone de détection 22, comme représenté sur la figure 2, dans le substrat 14 en silicium monocristal- lin. Cette zone détectrice 22 est par exemple une jonction PN obtenue par diffusion ou implantation d'ions locale dans le substrat- 14. Comme matériau dopant, on peut utiliser le bore pour un substrat de type n. Afin de réarranger le réseau cristallin du substrat 14, perturbé lors de la diffusion ou de L'im- plantation d'ions, on effectue un recuit du substrat, par exemple un recuit au four à une température com- prise entre 800 et 1100 C. Les étapes suivantes consistent à réaliser sur te substrat 14 le guide de lumière 12. La couche inférieure du guide de lumière 12 est réatisée avanta- geusement en oxyde de silicium par oxydation thermique du substrat à basse température. Cette croissance peut être obtenue entre 800 et 850 C sous une pression comprise entre 5.105 et 3.106 Pa, et par exempte égale à 2.106 Pa. Cette couche d'oxyde de silicium 16 pré- sente une épaisseur d'environ 2 pm et un indice de réfraction d'environ 1, 45 pour une longueur d'onde de 0,8 pm. On recouvre ensuite la couche d'oxyde de silicium 16 d'une couche par exemple de nitrure de silicium 18 ayant une épaisseur d'environ 0,16 pm. Cette couche est par exemple obtenue par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur basse pression (LPCVD). La température de dépôt est de l'ordre de 800 C. Cette couche de nitrure de silicium 18 présente un indice de réfraction égal à 2. On recouvre alors la couche de nitrure de silicium 18 d'une couche d'oxyde de silicium 20, obte- nue par exempte par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse température (LPO); la températu- re de dépôt est voisine de 450 C. Cette couche d'oxyde de silicium 20 présente une épaisseur d'environ 1 pm et un indice de réfraction de l'ordre de 1,45 pour une Longueur d'onde de 0,8 pm. Après obtention du guide de lumière, on réa- Lise La structure périodique ou réseau 26. Cette structure 26 peut être obtenue, comme représenté sur La figure 3, en gravant localement, à travers un mas- que de résine approprié obtenu selon les procédés classiques de photolithographie, une partie du guide de lumière 12, par exempte la couche supérieure 20 de ce guide. Cette gravure peut être réalisée de façon anisotrope par un procédé de gravure ionique réactive (GIR) utilisant comme agent d'attaque du tétrafluorure de carbone ou du trifluorométhane pour une couche 20 en oxyde de silicium. Lorsque Le transducteur opto-électronique est muni de plusieurs microguides d'entrée 36, comme représenté sur la figure 3, la gravure de la couche supérieure 20 du guide de lumière, pour former le ré- seau 26, peut être mise à profit pour former ces mi- croguides. La gravure de la couche supérieure 20 est alors réalisée de façon à ne garder de cette couche que la région du réseau de diffraction 26 et celles des microguides 36. L'étape suivante du procédé consiste à réa- liser, en regard de la zone détectrice 22 et en aval de la structure périodique 26, une ouverture 30 dans le guide de lumière jusqu'à mise à nu de La zone de détection 22, comme représenté sur la figure 2. Cette ouverture 30 peut être réalisée -en gravant, par un procédé de gravure ionique réactive, les couches 18 et constituant le guide principal de lumière 12a en utilisant notamment comme agent d'attaque de l'hexa- fluorure de soufre pour les trois couches. On réalise ensuite le contact électrique de la zone de détection 22 ainsi que la ligne conductrice 28, servant à relier ladite zone de détection au cir- cuit électronique de traitement en déposant une couche conductrice notamment en aluminium par pulvérisation cathodique, puis en gravant celle-ci, à travers un masque de résine obtenu selon les procédés classiques de photolithographie, afin de ne garder du matériau conducteur que dans les zones du contact électrique et de la ligne conductrice. Cette couche présente par exemple une épaisseur comprise entre 0,1 et 1m. Le procédé de fabrication conformément à l'invention d'un transducteur opto-électronique inté- gré présente une mise en oeuvre simple et reproducti- ble, compatible avec les technologies généralement utilisées pour la fabrication des dispositifs optiques intégrés et des circuits électroniques de traitement associés. Le positionnement correct de la structure périodique par rapport à La zone de détection ne pose aucun problème. Ce procédé permet de fabriquer un transduc- teur opto-éLectronqiue utilisable pour la détection de plusieurs signaux lumineux provenant de différents dispositifs optiques par une même zone de détection, contrairement à l'art antérieur. La description donnée précédemment n'a bien entendu été donnée qu'à titre explicatif et non limi- tatif, toutes modifications dans la réalisation du transducteur optoélectronique de l'invention pouvant être envisagées sans pour autant sortir du cadre de l'invention. En particulier, la nature du substrat et des différentes couches constituant le guide de lumière peuvent être modifiées à condition toutefois que la couche guidante présente un indice de réfraction supé- rieur à celui des deux couches adjacentes. Il est en effet possible de réaliser un guide de lumière à partir d'un substrat en phosphore d'indium; les différentes couches de ce guide sont alors réalisées en un matériau quaternaire du type GalxInyAslyPx, x et y étant compris entre 0 et 1, l'indice de réfraction des différentes couches du guide étant modifiable suivant la composition de cel- les-ci. Il est de même possible de réaliser un guide de lumière à partir d'un substrat en arséniure de gaL- lium, les différentes couches étant alors en un maté- riau ternaire du type Gal zAlzAs, z étant compris entre O et 1. On peut aussi utiliser un substrat en verre. Par aitLleurs, le réseau de diffraction peut être obtenu en gravant une, deux ou trois couches du guide de lumière sur toutou partie de Leur épaisseur, La hauteur des silLons 34 du réseau de diffraction définit sa force; plus la hauteur des silltons est importante plus la force du réseau L'est. En outre, Les différentes gravures pour former le réseau, les microguides et le trou de con- tact peuvent aussi être réalisées par attaque chimique. Par ailleurs, la structure périodique peut aussi être définie en implantant localement, à travers un masque approprié, des ions de façon à modifier localement l'indice de réfraction de l'une des couches formant le guide de lumière. Une solution consiste à implanter des ions de bore, d'hélium, d'oxygène à des doses comprises entre 1014 et 1016 a-tomes/cm2 et des énergies de 50 à 500keV dans la couche guidante en nitrure de silicium. Dans ce cas, en l'absence de microguide, la structure du transducteur opto-éLec- tronique peut alors être définie dans un guide de lu- mière dont La couche supérieure est en fait l'air surmontant la structure. REVENDICATIONS 1. Transducteur opto-électronique intégré comportant un guide de lumière (12, 12a) réalisé sur un substrat (14), servant au transport d'au moins un signal lumineux (24, I1, I2,.o.) provenant d'un dis- positif optique, une zone détectrice (22) du signal lumineux, réalisée dans ledit substrat (14), transfor- mant ce signal lumineux en un signal électrique, et un organe de couplage optique (26) servant à amener le signal lumineux (24, I1, I2,-...), se propageant selon une première direction dans le guide de lumière (12, 12a) , dans la zone détectrice (22), caractérisé en ce que l'organe de couplage (26) se compose d'une struc- ture périodique (26), réalisée dans le guide de lumiè- re (12, 12a) comportant une alternance de zones (32, 34) d'indices de réfraction différents, orientées pa- rallèlement les unes aux autres selon une seconde di- rection (D) formant un angle 6 par rapport à la pre- mière direction de propagation du signal lumineux (24) dans le guide de lumière (12). 2. Transducteur opto-électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure périodique (26) est un réseau de diffraction. 3. Transducteur opto-électronique selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la struc- ture périodique (26) se compose de sillons (34) paral- tètes, régulièrement espacés, gravés dans le guide de lumière (12). 4. Transducteur opto-électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le guide de lumière (12) est formé d'une couche de nitrure de silicium (18) intercalée entre deux couches d'oxyde de silicium (16, 20). 5. Transducteur opto-électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que Le substrat (14) est réaLisé en silicium monocristaLin. 6. Transducteur opto-électronique seLon La revendication 4, caractérisé en ce que L'angLe e est compris entre 30 et 47 . 7. Transducteur optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la zone détectrice (22) est une jonction PN ou une diode avalanche. 8. Transducteur opto-électronique selon L'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'iL comprend au moins un microguide d'entrée (36) servant au guidage du signal lumineux (24, I1, I2...) vers L'organe de couplage optique (26). 9. Procédé de fabrication d'un transducteur opto-électronique intégré servant à détecter au moins un signal Lumineux (24, I1, I2,...) provenant d'un dispositif optique, se propageant dans une première direction, caractérisé en ce qu'iL comprend Les étapes suivantes: - réalisation dans un substrat (14) d'une zone détectrice (22) servant à transformer le signal Lumineux (24) en un signal électrique, - réalisation sur Le substrat (14) d'un guide de Lumière (12) par recouvrement successif du substrat (14) d'une première couche de matériau (16), d'une seconde couche de matériau (18), et éventuelle- ment d'une troisième couche de matériau (20), la se- conde couche de matériau (18) d'indice de réfraction supérieur à ceLui des première et troisième couches (16, 20) constituant la couche guidante du guide, - réalisation dans l'une au moins des cou- ches du guide de Lumière (12), et au moins partieLLe- ment au-dessus de La zone détectrice (22), d'une structure périodique (26) comportant une alternance de zones (32, 34) d'indices de réfraction différents, orientées parallèLement les unes aux autres selon une direction (D) formant un angle 8 par rapport à la pre- mière direction de propagation du signal lumineux (24), -.réalisation en regard de la zone détectri- ce (22) d'une ouverture (30) dans le guide de lumière (12) afin de mettre à nu une partie de la zone détec- trice (22), et - réalisation en un matériau conducteur, d'un contact électrique dans ladite ouverture (30) et d'une ligne d'interconnexion (28). 10. Procédé de fabrication selon La revendi- cation 9, caractérisé en ce que l'on réalise la struc- ture périodique (26) en gravant au moins une partie du guide de lumière (12) afin de former des sillons (34) parallèles, régulièrement espacés. 11. Procédé de fabrication selon la revendi- cation 9 ou 10, caractérisé en c-e que, le signal Lumi- neux (24) à détecter ayant une longueur d'onde Xo dans le vide et la structure périodique (26) étant repré- sentée par un vecteur K, o le module de K est égal à 2m/p, p étant le pas de la structure périodique, on réalise la structure périodique (26) de façon qu'il existe un entier m pour lequel l'extrémité du vecteur m correspondant se trouve dans une zone (H), détermi- née en traçant trois cercles concentriques, un cercle interne (A) de rayon 2t/Ào, un cercle médian (S) de rayon 2uns/X0 o ns représente l'indice de réfraction du substrat (14), et un cercle externe (G) de rayon 2tne/lo, o ne représente l'indice effectif du guide de lumière, puis en traçant à partir d'un point (M) appartenant au cercle externe (G), une tangente (TA) au cercle interne (A) et une tangente (TS) au cercle médian, l'aire délimitée par les deux tangentes et le 2578986- cercle médian définissant ladite zone (H), et de façon qu'il n'existe pas d'entier n, différent de m, pour lequel l'extrémité du vecteur nK correspondant ne se trouve pas sur le cercle externe (G). 12. Procédé de fabrication selon l'une quel- conque des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que la première et la troisième couches de matériau (16, 20) sont réalisées en oxyde de silicium et La seconde couche de matériau (18) en nitrure de sili- cium. 13. Procédé de fabrication selon L'une quel- conque des revendications 9 à 12, caractérisé en ce que le substrat (14) est réalisé en silicium monocris- taLLin ou en arséniure de gallium. 14. Procédé de fabrication selon l'une quel- conque des revendications 9 à 13, caractérisé en ce que l'on réalise une gravure de La première couche de matériau (20) afin de former au moins un microguide d'entrée (36) pour le guidage du signal lumineux (24) vers la structure périodique (26). 15. Procédé de fabrication selon la revendi- cation 13, caractérisé en ce que l'on forme La premiè- re couche de matériau (16) par oxydation thermique du substrat en silicium à une température comprise entre 800 et 850 C et à une pression comprise entre 5.105 et 3.106 Pa. 16. Procédé de fabrication selon L'une quel- conque des revendications 9 à 15, caractérisé en ce que l'on réalise la zone de détection (22) par diffu- - sion ou implantation d'ions Locale dans le substrat (14).