Brevet FR2582446A1 — publié le 19861128

DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR PHOTOSENSIBLE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur photosensible. E!!e concerne éga!ement un procédé de fabrication d'un te! dispositif. I! est connu de réaliser des dispositifs semi-conducteur photo- sensibles en utilisant des grilles en silicium, en particulier en silicium po!ycrista!!in. Ces grilles donnent entièrement satisfaction si 'on considère leurs caractéristiques MOS ou leur transparence, au rayonnement visible en particulier. Par contre, ces grilles pré- sentent Pinconvénient d'avoir une résistivité relativement élevée, de lordre de 800ju.Vl/.cm. Cette résistivité ne permet pas de réaliser des dispositifs à forte intégration, c'est-à-dire avec des grilles de très faibles dimensions, fonctionnant à des fréquences élevées. Pour obtenir des grilles de faible résitivité, i! faut utiliser du si!iciure ou des métaux comme!'a!uminium. De telles grilles ne sont donc pas transparentes. La présente invention se propose de résoudre le problème de la réalisation de dispositifs semi-conducteur photosensib!es, munis par conséquent de grilles transparentes au rayonnement à ana!yser, et présentant une très faible résistivité qui permet une très grande intégration. La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur photosensible comportant des grilles transparentes au rayonnement à ana!yser, caractérisé en ce que les parois latérales de ces grilles sont en si!iciure, et hormis leurs parois latéra!es, ces grilles sont constituées de silicium. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: - 1) on dépose sur le substrat semi-conducteur, une couche de diélectrique, une couche de silicium puis une couche de diélectrique; - 2) on grave par photolithogravure la couche de silicium recouverte de la couche de diélectrique; - 3) on deépose une couche métallique pouvant donner un siliciure par alliage thermique avec du silicium; - 4) on réalise par traitement thermique la transformation de la couche métallique et d'une faible épaisseur de la couche de silicium avec lequel elle se trouve en contact en siliciure; - 5) on retire la couche métallique qui n'a pas été transformée en siliciure. D'autres objets, caractéristiques et résultats de l'invention ressortiront de la description suivante, donnée à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les figures annexées qui représentent: - les figures I à 4, Jes étapes d'un procédé de fabrication d'un mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention à un seul niveau de grilles; - la figure 5, un mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention à deux niveaux de grilles. Sur les différentes figures, les mêmes repères désignent les mêmes éléments, mais, pour des raisons de clarté, les cotes et proportions des divers éléments ne sont pas respectées. Sur les figure I à 4, on a représenté schématiquement diverses étapes d'un procédé de fabrication d'un mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention à un seul niveau de grilles. La figure 1 montre qu'on utilise un substrat semi-conducteur 1. Ce substrat peut être du silicium mono-cristallin. Il peut aussi s'agir de la couche de silicium d'une structure SOS, ou de tout autre semi- conducteur. On dépose sur ce substrat semi-conducteur une couche 2 de diélectrique. Ce diélectrique peut, par exemple, être constitué par une couche d'oxyde, une couche de nitrure, ou par la superposition d'une couche d'oxyde et d'une couche de nitrure. Sur la couche de diélectrique, on dépose une couche 3 de silicium destiné à la réalisation des grilles. On peut utiliser du silicium micro-cristallin ou du silicium amorphe par exemple. On utilise cependant de préférence, du silicium polycristallin car on en a une bonne maîtrise technologique. On recouvre cette couche de silicium 3 par une couche de diélectrique 4. IJ peut s'agir d'une couche d'oxyde, obtenue par croissance d'oxyde ou par dépôt, pyrolitique par exemple. Il peut aussi s'agir d'une couche de nitrure. La figure- 2 illustre l'étape suivante du procédé pendant laquelle on grave par photo-lithogravure la couche de silicium 3 recouverte de la couche de diélectrique 4. On dépose ensuite à la surface du dispositif une couche métallique 5 susceptible de donner un siliciure par alliage thermique avec le silicium. Cette couche métallique peut être par exemple du tantale, du titane ou du tungstène. La figure 3 représente le résultat obtenu après formation des zones en siliciure 6. Le siliciure 6 ne se forme que dans les endroits o la couche métallique 5 est en contact direct avec le silicium polycristallin 3, c'est-à-dire uniquement sur les flancs des grilles. La partie supé- rieure des grilles conserve les deux couches de diélectrique 4 et de métal 5 superposées, sans qu'il y ait alliage. Le traitement thermique qui permet la transformation de la couche métallique 5 et d'une faible épaisseur de la couche de silicium 3 avec lequel elle se trouve en contact en siliciure peut être, par exemple, réalisé en utilisant un four, à une température de 900 à 1000 C et sous atmosphère d'Argon. On voit sur la figure 3 que, sur les parois latérales des grilles, la transformation en siliciure de la couche métallique 5 se fait en diminuant légèrement l'épaisseur de la couche de silicium polycris- tallin 3. L'étape suivante du procédé qui est représentée sur la figure 4 consiste à retirer la couche métallique 5 qui n'a pas été transformée en siliciure. Cela peut se faire chimiquement ou par gravure plasma. Le dispositif qui est finalement obtenu et qui est représenté su la figure 4 comporte donc des grilles transparentes au rayonnement dont les parois latérales sont en siliciure 6 et qui, hormis ces parois latérales, sont constitutées de silicium 3. Les parois latérales en siliciure permettent une diminution importante de la résistivité de la grille par rapport à une grille entièrement en silicium. Ainsi, dans un exemple de réalisation la résistivité est diminuée par 7 de par l'utilisation de parois latérales en siliciure. Ces parois latérales en siliciure ne masquent qu'une faible partie de la zone photosensible du dispositif tout en diminuant fortement sa résistivité. Hormis leurs parois latérales, les grilles sont en silicium et conservent donc les caractéristiques MOS usuelles des grilles en silicium. Il est bien entendu que le dispositif de la figure 4 peut être obtenu par un procédé différent de celui qui a été décrit. Il faut signaler un avantage du procédé décrit qui est de pouvoir être appliqué quel que soit le relief du substrat semi- conducteur 1 utilisé, et en particulier qu'il soit planarisé ou non. Le procédé décrit peut bien sûr s'appliquer lorsque plusieurs niveaux de grilles sont utilisés. Sur la figure 5, à titre d'exemple, on a représenté le dispositif obtenu après utilisation de ce procédé lorsque deux niveaux de grilles sont utilisés avec dissymétrie par implantation d'ions. On applique le procédé représenté sur les figures 1 à 4, ensuite on dépose une couche de silicium 7 de façon à réaliser les grilles du second niveau. On applique ensuite le procédé aux grilles du second niveau, avec dépôt d'une couche de diélectrique 8, puis d'une couche métallique qui est transformée en siliciure 9 sur les parois latérales des grilles du second niveau et qui est retirée par ailleurs. On constate sur la figure 5 que les zones en siliciure opaques à la lumière sont disposées sensiblement à la verticale les unes des autres. Une variante du dispositif selon l'invention consiste à utiliser une couche de diélectrique 4 dont l'indice optique est choisi de façon à ce qu'elle serve de couche anti-reflet. 258244t REVENDICATIONS 1. Dispositif semi-conducteur photosensible comportant des grilles transparentes au rayonnement à analyser, caractérisé en ce que les parois latérales de ces grilles sont en siliciure (6), et hormis leurs parois latérales, ces grilles sont constitués de silicium (3). 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que, hormis leurs parois latérales, les grilles sont réalisées en silicium polycristallin (3), en silicium micro-cristallin ou en silicium amorphe. 3. Dispositif selon l'une des revendications I ou 2, caractérisé en ce que le substrat semi-conducteur (1) sur lequel est réalisé ce dispositif est du silicium mono-cristallin ou la couche de silicium d'une structure SOS. 4. Dispositif selon l'une des revendications I à 3, caractérisé en ce que le substrat semi-conducteur (1) est recouvert d'une couche de diélectrique (2) constituée par une couche d'oxyde, une couche de nitrure, ou par la superposition d'une couche d'oxyde et d'une couche de nitrure. 5. Dispositif selon l'une des revendications I à 4, caractérisé en ce que la partie des grilles en silicium (3) est recouverte d'une couche de diélectrique (4), constituée par une couche d'oxyde ou par une couche de nitrure. 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, hormis leurs parois latérales, les grilles sont constituées de silicium (3), recouvert d'une couche de diélectrique (4,8) dont l'indice optique est choisi de façon qu'elle serve de couche anti- reflet. 7. Dispositif selon l'une des revendications I à 6, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs niveaux de grilles. 8. Procédé de fabrication d'un dispositif selon l'une des reven- dications I à 7, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: 1) on dépose sur le substrat semi-conducteur (1), une couche de diélectrique (2), une couche de silicium (3) puis une couche de diélectrique (4); - 2) on grave par photolithogravure la couche de silicium (3) recouverte de la couche de diélectrique (4); - 3) on dépose une couche métallique (5) pouvant donner un siliciure par alliage thermique avec du silicium; - 4) on réalise par traitement thermique la transformation de la couche métallique (5) et d'une faible épaisseur de la couche de silicium (3) avec lequel elle se trouve en contact en siliciure; - 5) on retire la couche métallique (5) qui n'a pas été trans- formée en siliciure. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le retrait de la couche métallique (5) est réalisé par gravure chimique ou par attaque plasma. 10. Procédé selon l'une des revendications 8 ou 9, caractérisé en ce que: 1) on dépose sur lé substrat semi-conducteur (1) recouvert de la couche de diélectrique (2) une autre couche de silicium (7) que l'on recouvre d'une couche de diélectrique (8); 2) on applique ensuite les étapes 2 à 5 du procédé à cette dernière couche de silicium (7) recouverte de diélectrique (8).