Brevet FR2578482A1 — publié le 19860912

L'invention a trait en général à un procédé et un appareil pour net- toyer des moules et, plus particulièrement, à un procédé et un appareil pour nettoyer les parties supérieure et inférieure d'un moule utilisé pour encapsuler ou noyer le circuit intégré et la partie dite "à conducteurs" d'un ensemble de chRssis ou supports de conducteurs dans une matière plastique, le nettoyage s'effectuant par bombardement ionique au cours d'une opération de pulvérisation inverse. L'art antérieur comporte différents procédés et types d'appareils pour fabriquer des circuits intégrés et pour réaliser des chasis ou sup- ports de conducteurs destinés à porter ces circuits intégrés. Dans de tels systèmes, le circuit intégré est placé généralement au centre et à l'in- térieur du châssis conducteur pour constituer un ensemble de chassis à conducteurs et les bornes d'entrée et de sortie du circuit intégré pro- prement dit sont reliées électriquement aux conducteurs dudit ensemble. La partie centrale de l'ensemble de chassis à conducteurs, qui comprend la partie de circuit intégré et les bornes d'entrée et de sortie de ce cir- cuit, sont ensuite noyées ou encapsulées dans une matière plastique, céra- mique ou autre matière similaire de moulage, de façon que seules les fi- ches ou bornes de connexion fassent saillie hors de cette matière de mou- lage. On peut adopter divers procédés et types d'appareils pour réaliser l'opération d'encapsulage. Un système continu et en série comprend les phases qui consistent à placer le circuit intégré préalablement réalisé à l'intérieur de la partie centrale du châssis à conducteurs, puis à ef- fectuer les connexions électriques nécessaires. Ensuite, on place l'en- semble de ce châssis à conducteurs dans une partie inférieure de moule que l'on recouvre ensuite avec la partie supérieure de celui-ci. On in- troduit la matière plastique ou d'enrobage dans l'empreinte ou cavité du moule, et l'on applique la chaleur et la pression nécessaires pour faire fondre la matière plastique, de manière à recouvrir le circuit intégré central et la partie conductrice de l'ensemble du chassis à conducteurs. Cet ensemble ainsi noyé est ensuite vulcanisé, puis on sépare la partie supérieure du moule de la partie inférieure avant de démouler l'ensemble du chassis à conducteurs. Les parties supérieure et inférieure du moule sont ensuite soumises a un certain type d'opération de nettoyage physique et/ou mécanique, et/ou chimique, avant d'être réutilisé dans des opéra- tions ultérieures de moulage par encapsulage. L'ensemble du chassis à con- ducteurs extrait de la partie inférieure du moule est ensuite transféré à d'autres postes pour y subir des traitements ultérieurs ou opérations -2analogues. Les techniques adoptées dans l'art antérieur pour le nettoyage mé- canique et/ou chimique des moules posent souvent de nombreux problèmes im- portants, surtout lorsqu'on doit assurer une production continue en série. Les moules utilisés dans une opération d'encapsulage peuvent être réalisés à partir de différentes sortes de métaux, bien que l'acier ino- xydable soit généralement préféré. Le nettoyage des parties constitutives de tels moules métalliques implique généralement l'élimination de matières de moulage indésirables, saletés, poussière, graisse, huile, etc. qui adhèrent aux différentes surfaces du moule. Le nettoyage doit comporter non seulement l'élimination de toute matière visible d'encrassement sur les surfaces du moule, mais aussi l'élimination ultérieure de tous les agents polluants et impuretés qui collent ou adhèrent physiquement à ces surfaces, tels que huile, graisse, poussière, et similaire, ou les subs- tances polluantes ou contaminantes pouvant résulter d'une réaction chimi- que, telles que oxydes, sulfures et similaires. Le degré de propreté doit Atre très élevé lorsqu'il s'agit de circuits à semiconducteurs car toute contamination antérieure à l'encapsulage se traduit fréquemment par l'ob- tention d'un produit inférieur, voire inopérant. Les oxydes et autres couches superficielles similaires peuvent être enlevés par des procédés mécaniques et/ou chimiques, par exemple par souf- flage de particules abrasives (sablage), brossage à la brosse métallique, décapage et l'action d'acides. Le nettoyage visant à éliminer les huiles et les graisses dépend de la nature particulière de ces substances et aus- si selon que l'on a affaire à des huiles de saponification d'origine ani- male ou végétale, ou à des huiles minérales non saponifiables. Les huiles et graisses saponifiables peuvent être éliminées en les transformant par hydrolyse en acides gras et en faisant réagir ces acides avec des solu- tions alcalines afin d'obtenir des savons solubles dans l'eau. Par ailleurs, on peut éliminer les huiles minérales en les dissolvant dans des solvants organiques et, dans certains cas particuliers, on peut les laver avec des solutions alcalines contenant des détergents. Attendu que la nature des agents de pollution est le plus souvent inconnue, une opération unique et fiable de nettoyage doit comporter au moins les phases successives de dé- graissage à l'aide de solvants organiques, suivi d'un dégraissage de type alcalin. La séquence d'opérations de nettoyage commence généralement par un nettoyage mécanique, suivi d'ordinaire d'un décapage, d'un nettoyage par l'action d'un détergent, et enfin d'un dégraissage. Les méthodes de net- -3- toyage mécanique fréquemment utilisées dans l'art antérieur dans le but d'enlever des écailles d'oxyde, des résidus de matière plastique et subs- tances similaires comportent souvent un sablage ou un brossage à la bros- se métallique de la surface du moule. Cela risque évidemment de détériorer les parties du moule ainsi traitées, et d'engendrer des défauts de surface qui peuvent endommager le circuit encapsulé ou réduire la durée utile du moule. Une opération de décapage consiste à éliminer par action chimique les oxydes, sulfures, CF4 et autres couches superficielles, laissant une pièce propre ayant un aspect métallique généralement brillant. La solution de décapage à adopter en particulier dépend du métal utilisé pour la fa- brication des parties du moule et aussi de la nature des substances pri- maires à enlever. Après le décapage, il faut presque toujours effectuer un rinçage à fond des pièces et ensuite les neutraliser dans un bain alca- lin, puis les sécher dans un courant d'air chaud et exempt d'huile. Il en résulte une grande perte de temps, un accroissement des coûts, et la des- truction ou tout au moins une atteinte à tout procédé envisagé de moulage continu en serie. Le nettoyage par agent détergent alcalin s'effectue par immersion ou par des procédés d'électro-nettoyage. Le procédé de nettoyage par im- mersion utilise généralement des solutions chaudes. Pour des métaux fer- reux, la solution contient d'ordinaire de la soude caustique, des savons et des agents mouillants et pour l'électro-nettoyage on peut adopter une solution alcaline avec le métal à nettoyer qui sert de cathode ou d'anode, la cuve étant l'autre électrode. Dans le nettoyage anodique, on libère de l'oxygène à la surface du métal en cours de nettoyage, et le procédé utili- se une tension relativement basse. Dans le cas du nettoyage cathodique, on libère de l'hydrogène sur la surface nettoyée, et le procédé utilise éga- lement une tension relativement réduite. Pour l'acier inoxydable et métaux analogues, il est recommandé d'utiliser le nettoyage anodique, mais là en- core il est très onéreux, lent et nuisible d'entretenir un processus de moulage continu et en série. Le nettoyage par l'usage de solvants a été mis en oeuvre en utili- sant le solvant à l'état soit liquide, soit de vapeur. Le nettoyage par liquide peut s'effectuer avec de la benzine, du xylène ou des solvants inflammables tels que le tétrachlorure de carbone, le trichloroéthylène, le perchloroéthylène ou le dichloroéthylène. Le dégraissage à la vapeur est beaucoup plus efficace que le nettoya- ge par solvant liquide, mais là aussi il faut envisager un cott supplémen_ -4 - taire, une perte de temps et un appareillage complexe. Le solvant doit 9tre chauffé jusqu'à ébullition et les pièces à nettoyer doivent être sus- pendues dans l'enceinte suspendue à son tour dans la vapeur chaude qui se condense sur les surfaces métalliques, dissout les substances polluantes superficielles et s'écoule ou retombe ensuite dans le récipient contenant le solvant. Des systèmes utilisant la pulvérisation sous forte pression de solvants liquides ou des procédés similaires ont également été proposés, mais ils prolongent la durée de l'opération et augmentent son coût. Par conséquent, les différents procédés de nettoyage mécanique et/ou chimique selon l'art antérieur n'aboutissent pas à la qualité de propreté que l'on exige lorsqu'il s'agit de circuits semiconducteurs; en outre, ces procédés ne permettent guère d'opérer de façon continue et en série; ils sont trop onéreux, trop compliqués du point de vue mécanique et/ou électri- que, nécessitent un entretien excessif et enfin se traduisent par une dété- rioration cumulative des parties supérieure et inférieure relativement coû- teuses, du moule à nettoyer. Le phénomène appelé "pulvérisation par courant continu ou par effet cathodique" se rapporte à la dislocation ou à l'extraction d'atomes ou mo- lécules à partir de la surface d'un matériau grâce à l'énergie d'impact de ions gazeux qui sont accélérés dans un champ électrique. La pulvérisation cathodique s'obtient en créant une décharge luminescente ou de plasma en- tre une anode et une cathode, le courant entre ces électrodes étant cons- titué par un flux d'électrons vers l'anode et un flux de ions positif vers la cathode. Les ions sont générés par la ionisation de molécules gazeuses existant à l'intérieur de la zone de décharge luminescente entre l'anode et la cathode. Une telle ionisation est due à la collision produite entre les particules gazeuses et le fiux d'électrons entre la cathode et l'anode. La pulvérisation est largement utilisée pour déposer par exemple de minces couches de matière semiconductrice, de métal et similaires sur différentes surfaces. L'élimination des agents polluants superficiels par pulvérisation ca- thodique est connue dans l'art, du moins pour des opérations théoriques ou à l'échelle du laboratoire, et on la désigne couramment par l'expression "pulvérisation inverse", puisqu'elle est le contraire du procédé de pulvé- risation cathodique proprement dit o l'on dépose des substances sur la surface d'un matériau. Par exemple, la pulvérisation inverse enlève de la matière sur une surface, ainsi qu'on l'observe dans des appliactions de soudage par arc électrique dans un gaz inerte o l'on élimine des subs- tances polluantes ou de contamination de la surface des matériaux % souder -5 - avant d'effectuer le soudage proprement dit. La pulvérisation inverse a déjà été utilisée pour nettoyer des zo- nes superficielles relativement étendues de matériaux semiconducteurs en tant que phase préliminaire à la fabrication de dispositifs semiconduc- teurs tels que cellules photoélectriques et similaires. En outre, on a eu recours à la pulvérisation inverse pour nettoyer des appareils actuelle- ment utilisés dans des opérations de pulvérisation cathodique et dans di- verses applications telles que le nettoyage d'accélérateurs, d'anneaux de stockage et de machines à plasma. L'art antérieur enseigne également l'usage de techniques o l'on adopte des caches de masquage pourvus d'ouvertures relativement délica- tes pour nettoyer sélectivement de petites zones sélectionnées de matiè- re, tout en masquant ou protégeant d'autres zones pour empocher le bom- bardement ionique des surfaces masquées ou protégées. En raison non seulement de l'extrgme délicatesse qu'exigent le pro- cédé et l'équipement de nettoyage par pulvérisation ou pulvérisation in- verse pour nettoyer des circuits semiconducteurs, et objets similaires, mais aussi du manque de précision des procedes techniques de masquage, les tentatives faites jusqu'à présent dans ce domaine ont généralement abouti à un retour aux techniques connues de nettoyage physique par sa- blage et/ou aux techniques de nettoyage chimique utilisant par exemple des décapants, des micro-tissus abrasifs, et autres moyens similaires. Toutefois, ces méthodes d'une part ne permettent guère d'obtenir un nettoyage uniforme de la surface à traiter, et d'autre part sont par- ticulièrement inefficaces, peu satisfaisantes ou difficles à mettre en oeuvre dans, le cas de moules dont les empreintes présentent des zones bien déterminées relativement confinées, compliquées, resserrées, de dimensions réduites et très difficiles à nettoyer par les méthodes de l'art antérieur. De plus, de tels procédés de nettoyage sont fréquemment la cause de détériorations des composants et par conséquent des produits que l'on doit y fabriquer. Le procédé et l'appareil suivant la présente invention permettent de résoudre pratiquement la totalité des problèmes énoncés ci-dessus et de réaliser un système relativement économique, extrêmement simples, d'un entretien facile, à rendement élevé, utilisable dans des installa- tions de fabrication continue en série par moulage et encapsulage. L'un des buts de la présente invention consiste à prévoir un pro- cédé et un appareil pour éliminer les résidus de matière plastique qui subsistent sur les parties supérieure et inférieure d'un moule utilisé -6 - pour encapsuler dans une matière plastique le circuit intégré et la par- tie conducteurs ou bornes d'un ensemble de chassis à conducteurs, cette élimination s'effectuant avant la réutilisation du moule. Un autre but de la présente invention consiste à utiliser une opé- S ration de pulvérisation inverse pour nettoyer des moules dans une exploi- tation continue et en série pour le moulage d'un ensemble de châssis à conducteurs. Par ailleurs, la présente invention a pour but de prévoir un pro- cédé et un appareil utilisables dans un processus continu et en série pour le moulage de matière plastique autour de certaines parties d'un ensemble de châssis à conducteurs pour noyer ces parties dans la matière plastique, afin de nettoyer les surfaces du moule après le démoulage de cet ensemble et avant de réutiliser le moule. Cependant, l'invention a également pour but de prévoir un procédé et un appareil perfectionnés pour nettoyer des surfaces de moule par bombardement ionique produit à partir d'une opération de pulvérisation inverse. En outre, l'invention a pour but d'éliminer les procédés et appa- reils de nettoyage mécanique et/ou chimique, qui sont coûteux, provoquent des pertes de temps, sont d'un entretien onéreux et la cause de détério- ration des moules, en les remplaçant par un procédé et un appareil à haut rendement pour effectuer une pulvérisation inverse afin de nettoyer les moules avant de les réutiliser dans un système de moulage par enrobage ou encapsulage de matière plastique. D'autre part, la présente invention a pour objet un procédé et un appareil perfectionnés de pulvérisation inverse, pour effectuer l'élimi- nation uniforme et contr8lée des substances polluantes superficielles sur des zones sélectionnées de moules utilisés dans un système de moulage par enrobage ou encapsulage de matière plastique. L'invention a aussi pour objet d'appliquer la méthode de pulvérisa- tion inverse dans le but d'éliminer des agents polluants superficiels, y compris des résidus de matière plastique, des oxydes et similaires m9me dans de petites cavités restreintes dans une surface de moule et qui sont difficiles à nettoyer par le recours aux techniques classiques de nettoyage mécanique et/ou chimique. Enfin, l'invention a pour but de prévoir un procédé et un appareil pour nettoyer des ensembles de moulage par une opération de pulvérisation inverse, de manière à prolonger la durée utile des moules, à augmenter la propreté de leur surface, et à réduire très sensiblement le nombre -7- de pièces défectueuses fabriquées dans de tels ensembles de moulage. La présente invention a pour objet un procédé et un appareil pour nettoyer au moins des zones sélectionnées de la surface d'un ensemble de moulage selon la technique de la pulvérisation inverse. Le système suivant la présente invention enseigne un procédé de nettoyage de moules, et plus particulièrement des parties supérieure et inférieure du moule qui servent à encapsuler des ensembles de chassis à conducteurs dans une matière plastique, ce procédé comprenant les phases qui consistent à prévoir une enceinte sous vide, à transporter une partie de moule à nettoyer dans cette enceinte, à évacuer l'encein- te, à introduire un gaz ionisable dans cette enceinte, et à bombarder la surface du moule à nettoyer avec des ions de manière à en éliminer les agents polluants et similaires, grâce à l'action de cette pulvéri- sation inverse. Ce procédé peut comporter les phases complémentaires qui consistent à prévoir une anode et mune cathode, et/ou à brancher le moule à nettoyer de manière qu'il constitue la cathode ou soit proche de la cathode, à établir un potentiel électrique entre l'anode et la cathode, à amorcer et entretenir une décharge de pulvérisation dans l'enceinte sous vide, et à nettoyer les zones superficielles désirées du moule par bombarde- ment ionique avec des ions accélérés par le potentiel électrique. De plus, le procédé peut comprendre les phases qui consistent à masquer certaines parties de la surface du moule pour les protéger con- tre une pulvérisation indésirable. En outre, on peut ajouter la phase qui consiste à transporter le moule nettoyé hors de l'enceinte sous vi- de, à réduire le vide, ouvrir l'enceinte et en extraire le moule nettoyé. La présente invention prévoit également d'apporter au procédé d'en- capsulage dans une matière plastique, d'une partie de circuit intégré disposé dans un-chassis à conducteurs pour former un ensemble de chas- sis à conducteurs, des perfectionnements comprenant les phases qui con- sistent à placer avec précision l'ensemble de châssis à conducteurs dans la partie inférieure du moule, à recouvrir cette partie inférieure avec la partie supérieure du moule, à introduire de la matière plastique dans l'empreinte ou cavité du moule, à chauffer et mettre sous pression-la matière plastique afin de produire un écoulement de matière plastique fondue sur la zone à encapsuler, à vulcaniser la partie encapsulée, à séparer les parties supérieure et inférieure du moule, à nettoyer ces parties de moule en vue de leur réutilisation, et ensuite à traiter les ensembles de châssis à conducteurs noyés dans la résine et extraits du -8moule. Le perfectionnement envisagé se situe dans la phase de nettoyage et comprend le transport des parties séparées du moule et la pulvérisa- tion inversée de ces parties de moule pour en nettoyer au moins les sur- faces sélectionnées avant de réutiliser le moule. Le procédé perfectionné prévoit également l'agencement d'une en- ceinte sous vide et l'opération de pulvérisation inverse prévoit la mise sous vide de cette enceinte, l'introduction d'un gaz ionisable dans l'en- ceinte, la création d'un champ électrique entre deux électrodes, et le bombardement de la surface du moule à nettoyer pour en éliminer les im- lO puretés qui comprennent des excédents de matière plastique, des oxydes et d'autres substances polluantes superficielles analogues. Le procédé perfectionné peut consister en outre à prévoir une ano- de, à utiliser le moule en tant que cathode, et à générer un champ élec- trique entre l'anode et la cathode. Il peut également comporter le fait de prévoir une anode et une cathode, et de placer le moule dans un en- droit sélectif entre l'anode et la cathode pour assurer un nettoyage optimal. Cependant, le procédé perfectionné suivant l'invention peut égale- ment comprendre la phase qui consiste à créer un champ de décharge de plasma ou luminescent entre la cathode et l'anode, ou toute autrephiase telle que réduire le vide, ouvrir l'enceinte, et en extraire le moule nettoyé en vue de sa réutilisation ultérieure. De plus, le procédé peut comprendre la phase qui consiste à masquer ou protéger sélectivement des parties déterminées de la surface du moule qui ne sont pas destinées à recevoir le bombardement par ions afin d'éviter de les endommager. La présente invention a également pour but de prévoir un système perfectionné d'encapsulage en continu du circuit intégré et de la partie conducteurs d'un ensemble de chassis à conducteurs, ce système comprenant un moyen pour placer correctement l'ensemble de châssis dans une partie inférieure du moule, un moyen pour placer la partie supérieure du moule sur la partie inférieure afin de former un moule complet, un moyen pour introduire de la matière plastique d'encapsulage dans l'empreinte ou ca- vité du moule, un moyen pour chauffer le moule et le mettre sous pres- sion de manière à faire pénétrer la matière plastique fondue dans toutes les parties devant être enrobées ou noyées dans cette matière plastique, un moyen pour vulcaniser la matière encapsulée, un moyen pour séparer la partie supérieure du moule par rapport à la partie inférieure, un moyen pour extraire l'ensemble de chassis à conducteurs ainsi encapsulê de la partie inférieure du moule, un moyen pour éliminer soit physiquement, --9soit chimiquement au moins une partie de l'exc6dent de matière plastique des surfaces des parties supérieure et inférieure du moule, et un moyen pour replacer les parties nettoyées du moule en vue de leur réutilisa- tion ultérieure. Le perfectionnement apporté au système réside dans le moyen d'éliminer physiquement ou chimiquement l'excédent de matière plastique et les résidus de celle-ci, ce moyen comprenant un dispositif perfectionné de nettoyage destiné à éliminer toute matière plastique en excédent, tout résidu de matière plastique, et autres agents de contami- nation superficielle tels que les produits de l'oxydation, le CF4, la poussière, la graisse, l'huile, et substances similaires, et comprend une enceinte et un moyen pour placer une partie du moule à nettoyer dans cette enceinte; un moyen pour produire un vide poussé dans cette enceinte est prévu ainsi qu'un moyen pour introduire un gaz inerte ioni- sable dans la même enceinte; un moyen pour engendrer un champ de plasma par le bombardement de surfaces sélectionnées de la partie de moule à nettoyer avec des ions par pulvérisation inverse, afin d'éliminer les agents de contamination superficiels, est également prévu. De plus, le moyen de génération d'un champ de plasma peut compren- dre une anode, une cathode éventuellement constituée par la partie du moule ou excluant au contraire cette partie du moule, un moyen pour a- morcer et entretenir une opération de pulvérisation inverse pour élimi- ner les agents de contamination, et similaires. En outre, on peut pre- voir des moyens pour transporter les ensembles de moule vers l'enceinte sous vide, pour extraire ces ensembles de moule hors de l'enceinte, pour entretenir le fonctionnement de ce procédé d'encapsulage en tant que procédé continu et en série, ou pour entretenir le fonctionnement du procédé d'encapsulage sous forme d'une opération pas-à-pas et en série, dans lequel les ensembles de moule sont réutilisés après nettoyage et passage dans le caisson de chauffage. D'autres avantages et caractéristiques propres à l'invention se- ront mieux compris à la lecture de la description qui suit et se rappor- te aux dessins annexés qui montrent un mode préféré de réalisation de l'invention. Sur les dessins: La FIGURE 1 est un schéma d'écoulement montrant un procédé conti- nu et en série d'encapsulage de pièces dans une matière plastique, o l'on utilise les perfectionnements apportés par la présente invention; La FIGURE 2 est également un schéma d'écoulement, montrant de fa- çon synoptique le déroulement de l'opération de pulvérisation inverse perfectionnée comprise dans le schéma de la Figure 1; - 10 - La FIGURE 3 est une représentation schématique d'une forme simpli- fiée d'appareil pour la mise en oeuvre du perfectionnement apporté par la présente invention, o l'on voit l'environnement dans lequel le pro- cédé pourrait être mis en application; La FIGURE 4 est une vue partielle en perspective d'un ensemble de chassis à conducteurs destiné à être encapsulé grâce au système que mon- tre la Figure 1; La FIGURE 5 est une vue en perspective avec arrachements partiels d'une partie de l'ensemble encapsulé de châssis à conducteurs obtenu grâce au procédé de la Figure 1; La FIGURE 6 est une vue en perspective des parties supérieure et inférieure du moule qui sont utilisées pour réaliser les ensembles en- capsulés de châssis à conducteurs par le procédé de la Figure 1, et La FIGURE 7 est une coupe verticale faite à travers les parties supérieure et inférieure du moule de la Figure 6, l'ensemble de ces par- ties de moule étant représenté en position fermée avec fixation de ces parties l'une à l'autre comme cela se voit pendant le processus d'en- capsulage. La Figure 1 montre la partie dite d'encapsulage du procédé desti- né à former un ensemble semiconducteur. L'entrée 11 du système représen- te l'entrée en provenance de phases précédentes selon l'art antérieur pour la fabrication d'un circuit intégré et la réalisation d'une struc- ture de châassis à conducteurs. Le bloc 12 représente la phase qui con- siste à placer un circuit intégré dans la partie centrale du châssis à conducteurs et à relier électriquement les entrées et sorties du circuit intégré aux fiches correspondantes de connexion de ce chassis. Le bloc 13 représente la phase qui consiste à placer l'ensemble de chassis à con- ducteurs dans la partie inférieure du moule, tandis que la phase 14 re- présente la phase qui consiste à- fixer en place la partie supérieure du moule sur la partie inférieure, afin de réaliser une structure complète de moule autour du dispositif à chassis muni de conducteurs. Le bloc 15 représente la phase qui consiste à introduire, par alimentation ou in- jection, la matière plastique dans la cavité centrale du moule, tandis que le bloc 16 représente la source de matière plastique ainsi injectée. Le bloc 17 représente les phases qui consistent à chauffer et comprimer la matière plastique dans la cavité du moule afin de recouvrir ou noyer le circuit intégré et les ensembles de châssis à conducteurs avec la ma- tière plastique en fusion. Le bloc 18 représente une source de chaleur de traitement, tandis que le bloc 19 représente une source de pression - il - de traitement. Le bloc 20 représente la phase qui consiste à vulcaniser l'ensem- ble des chassis à conducteurs encapsulés, et le bloc 21 représente la phase de séparation de la partie supérieure du moule par rapport à la partie inférieure de ce moule. Le bloc 22 représente la partie supérieure * du moule qui a été retirée ou séparée de la partie inférieure et se trou- ve en cours de transfert vers un poste de nettoyage. Le bloc 23 repré- sente la phase d'enlèvement de l'ensemble de châssis à conducteurs avec le circuit intégré encapsulé ou noyé dans la matière plastique, avec ses conducteurs, par rapport à la partie inférieure du moule, et le bloc 24 représente le transfert de la partie inférieure du moule vers un pos- te de nettoyage. Le bloc 25 représente tout traitement ultérieur de l'en- semble encapsulé de châssis à conducteurs, par exemple le pliage des À % À fiches de connexion ou bornes suivant un angle déterminé, le soudage par immersion, le stockage, ou autre opération similaire, ainsi qu'il est bien connu dans l'art. L'opération de nettoyage qui se déroule dans le bloc 26 peut être soit incluse, soit excluse du processus, selon les besoins du système, et représente au moins quelques-unes des opérations de nettoyage physi- que et/ou chimique de l'art antérieur. Le présent système prévoit soit d'exécuter l'opération de nettoyage mécanique et/ou chimique lorsque ce- la est nécessaire, soit de court-circuiter le bloc 26 en traits interrom- pus en dirigeant la partie supérieure du moule du bloc 22 et la partie inférieure du moule du bloc 24 directement vers l'opération de pulvéri- sation inverse représentée par le bloc 27. Ce bloc 27 représente la phase de pulvérisation inverse appliquée au moins à des parties sélec- tionnées de la surface du moule, dans le but d'en éliminer la matière plastique, les résidus de matière plastique et d'autres agents polluants superficiels tels que saletés, huile, graisse, poussière, et similaires, et aussi des agents de contamination ou impuretés tels que les produits d'oxydation tels qu'oxydes, sulfures et similaires, ainsi que le CF4, etc. La sortie de l'opération de pulvérisation effectuée dans le bloc 27 ali- mente en parties supérieure et inférieure du moule, prates pour une nou- velle utilisation, le bloc 29 de réception de la partie inférieure du moule et le bloc 28 de réception de la partie supérieure du moule. En fonctionnement normal, le procédé de la Figure 1 représente un système fonctionnant soit en continu, soit pas-à-pas et en série, dans lequel des ensembles de châssis à conducteurs sont produits de façon continue et les parties supérieure et inférieure du moule sont nettoyées -2578482 - 12 - après usage et recyclées en vue d'une réutilisation afin de conserver la continuité du processus. La Figure 2 représente plus en détail le processus qui se déroule, en tant qu'opération de pulvérisation inverse, dans le bloc 27 de la Fi- gure 1. Sur la Figure 2, l'opération de pulvérisation inverse du bloc 27 est représentée comme comprenant la phase qui consiste à prévoir une enceinte sous vide (bloc 31) ainsi qu'une anode dans cette enceinte (blos 32). Un premier trajet de traitement, représenté par la lettre "A" encerclée et désignée par le chiffre de référence 30, assure la pha- se de branchement de la partie de moule en tant qu'électrode cathodique représentée par le bloc 33, puis la phase d'évacuation de ladite enceinte conformément au bloc 34. Le système assure ensuite l'introduction d'un gaz ionisable dans l'enceinte sous vide, comme l'indique le bloc 35, puis l'établissement d'un champ électrique entre les électrodes pour produire une décharge luminescente ou de plasma entre ces électrodes, comme le montre le bloc 36. La phase d'accélération- des ions positifs vers la partie de moule à nettoyer par bombardement ionique est représentée par le bloc 37, tan- dis que la phase de transport de la partie de moule ainsi nettoyée vers un poste d'utilisation est représentée par le bloc 38. La flèche de sor- tie 39 représente des opérations ultérieures appliquées aux parties net- toyées du moule, telles que le recyclage ou la réutilisation des moules dans les processus continu de la Figure 1. Le bloc 44 représente la phase d'introduction d'au moins une par- tie du moule dans l'enceinte sous vide, alors que la flèche en traits interrompus 45 indique que la phase illustrée par ce bloc 44 constitue une variante de réalisation que l'on peut inclure ou non dans le proces- sus avant la phase qui consiste à prévoir une anode dans l'enceinte sous vide, comme dans le cas du bloc 32. De mtme, la phase de masquage ou de protection de zones sélectionnées de la partie de moule pour emp9cher le bombardement ionique des surfaces qui ne doivent pas 8tre nettoyées est représentée par le bloc 46, et la flèche en traits interrompus 47 indique que cette phase constitue une variante de réalisation que l'on peut ajouter au processus avant la phase qui consiste à incorporer une anode dans le bloc 32. Le second trajet ou trajet alternatif provenant de la phase qui consiste à incorporer une anode selon le bioc 32 est repzéste. par la lettre "B" et désigné par le chiffre de référence 41; ce trajet 41 abou- tit à la phase d'incorporation d'une cathode, comme le montre le bloc - 13 - 42. La phase d'incorporation de la cathode est suivie de celle qui con- siste à brancher une partie du moule dans un endroit déterminé entre les électrodes anode et cathode, comme indiqué par le bloc 43, et le système revient ensuite à la phase d'évacuation de l'enceinte, représentée par le bloc 34. Enfin, la variante de la phase qui consiste à rétablir la pression normale dans ladite enceinte sous vide est représentée par le bloc 48; l'ouverture de cette enceinte est-représentée par le bloc 49, et le re- trait de la partie de moule nettoyée hors de l'enceinte sous vide est représenté par le bloc 50. Ces phases sont représentées en tant que va- riantes de réalisation que l'on peut introduire suivant le trajet de la flèche en traits interrompus 51 avant la phase de transfert que montre le bloc 38. En résumé, l'opération de pulvérisation inverse que montre la Fi- gure 2 et les différentes variantes de réalisation qu'elle comporte per- mettent d'obtenir un système à haut rendement et faible coût pour effec- tuer le nettoyage par pulvérisation inverse de zones sélectionnées de la surface des parties de moule, ce qui permet de les réutiliser dans un procédé continu, en série, de moulage ou d'encapsulage. La Figure 3 représente schématiquement un système à vide illustrant le concept de la présente invention et de l'environnement dans lequel il fonctionne. La m9me Figure 3 montre l'appareil 52 de pulvérisation in- verse suivant l'invention, lequel comprend une cloche, enceinte ou cham- bre sous vide 53 comportant un socle-support 54 et un joint annulaire d'étanchéité 55. Le socle-support 54 présente une lumière 56 pour pro- duire la dépression et qui est reliée par une conduite 57 à une pompe à vide 58. Dans cette conduite 57 on a interposé une valve de dépression et un manomètre formant un ensemble représenté schématiquement en 59, ainsi qu'il est connu dans l'art. Des quantités contrôlées de l'air atmosphérique contenu dans l'enceinte 53 peuvent être extraites par la pompe à vide 58 à travers la lumière 56 et la conduite 57 pour produire tout degré voulu de dépression ou de vide dans cette enceinte. Le socle-support 54 comprend également une lumière 61 pour l'ad- mission de gaz dans l'enceinte, laquelle est reliée par une conduite 62 à un réservoir 63 contenant un gaz inerte. Dans cette conduite 62 on a interposé une valve à gaz inerte et un manomètre 64 formant un ensemble que l'on peut utiliser pour contr8ler la quantité de gaz inerte intro- duite dans l'enceinte sous vide 53. La valve et le manomètre 64 pour le gaz inerte peuvent 9tre, par exemple, de tout type connu; ainsi, la 2;78482 - 14 - valve peut être une valve à aiguille micrométrique d'un modèle bien connu en soi, par exemple une valve à aiguille Whitney ou similaire, mais, quel que soit le type de valve utilisé, celle-ci doit être capa- ble de mesurer des pressions relativement basses. L'appareil 52 de pulvérisation inverse de la Figure 3 comprend éga- lement un ensemble-support 65 pour supporter une cathode creuse, ce sup- port 65 comportant une borne d'entrée 66 pour haute tension, un joint d'étanchéité 67 et un support 68 proprement dit pour la cathode creuse. Ce support 68 est destiné à supporter la cathode qui peut être dans le cas particulier envisagé ici, la partie supérieure ou inférieure d'un moule à nettoyer, désigné par le chiffre de référence 69. La surface 71 du moule que l'on doit nettoyer peut présenter des cavités ou empreintes, des dentelures, et d'autres parties creuses similaires et difficiles à atteindre, que désigne de façon sommaire le chiffre de référence 72. De même, la surface 71 peut comprendre des agents de contamination 73 et des substances telles qu'un excédent de matière plastique 74. L'appareil 52 comporte en outre un ensemble support d'anode 75 formé d'une borne d'entrée à haute-tension 76, d'un joint étanche 77 et d'un porte-électrode creux 78. Ce porte-électrode renferme et main- tient en position correcte ou de travail une anode 79 dans la cavité interne de l'enceinte sous vide 53, a une certaine distance de la cathode ou partie de moule 69. Une partie intermédiaire de l'anode 79 et de la cathode ou partie de moule 69 est représentée par les traits en diagonale 82 qui corres- pondent à une zone de décharge luminescente ou de plasma dans le champ électrique établi entre l'anode 79 et la cathode 69. Des ions positifs 81 sont ainsi produits par le champ électrique entre l'anode 79 et la cathode 69, de manière a ioniser le gaz ionisable 70 provenant du réser- voit 63, et ces ions positifs sont accélérés par le champ électrique produit entre l'anode 79 et la cathode 69 vers la surface 71 de la ca- thode 69 afin de bombarder la surface 71 et de nettoyer à la fois cette surface 71 et les cavités 72. Le chiffre de référence 83 représente la "zone sombre" bien connue de chaque c8té de la zone de décharge 82 et qui peut être importante pour placer correctement le moule par rapport à une cathode individuelle, s'il y a lieu. Une source de courant conti- nu 84 peut 9tre branchée de manière lque sa borne positive soit reliée à l'électrode ou borne d'entrée 76 pour alimenter l'anode 79, tandis que la borne négative est reliée par l'électrode ou borne d'entrée 66 à la cathode 69. - 15 - Bien que l'on puisse utiliser divers gaz inertes dans l'appareil de pulvérisation 52, il est préférable d'adopter un gaz totalement iner- te chaque fois que cela est possible. Le gaz préféré suivant la présente invention est l'argon. Sélectivement, une pression prédéterminée d'envi- ron 5 x 106 millimtres de mercure sera établie, bien que des pressions soit supérieures, soit inférieures peuvent 9tre adoptées selon l'appli- cation particulière envisagée, la dimension des surfaces à nettoyer, etc. En outre, bien que l'on puisse utiliser tout gaz inerte pour former l'at- mosphère ionisable 70 dans l'enceinte sous vide 53, l'argon est préféré car il s'agit d'un gaz "lourd" qui procure une masse d'ions relativement importante en comparaison d'autres gaz inertes qui pourraient 9tre uti- lisés pour la pulvérisation inverse. Etant donné que plus il y a d'ions, plus l'action de nettoyage par pulvérisation inverse est efficace, c'est l'argon qui a été choisi dans le present exemple. La source de courant 84 fournit de préférence une tension continue comprise entre 1000 et 2000 V, bien que l'on puisse augmenter ou réduire la tension, à volonté, selon le courant requis et le temps pendant lequel la décharge luminescnete ou de plasma doit être entretenue pour obtenir un nettoyage complet et total. On décrira maintenant brièvement le fonctionnement du système 52 de pulvérisation inverse de la Figure 3. L'enceinte sous vide 53 est munie de l'électrode 79 et le moule 69 est placé sur le porte-cathode 68 de manière à constituer la cathode 69 comme le montre la Figure 3. A titre de variante, on pourrait prévoir une cathode distincte sur le support 68 et placer le moule 69 dans une position déterminée entre - l'anode 79 et la nouvelle cathode placée sur le support porte-cathode 68, afin de permettre un nettoyage maximal des surfaces du moule. Toutefois, dans les deux cas l'enceinte 53 est ensuite fermée, et la pompe à vide 58 en aspire l'atmosphère, après quoi on introduit un gaz inerte provenant du réservoir 63 afin de former un gaz ionisable dans l'enceinte. Une source 84 de courant continu établit un potentiel ou champ électrique entre l'anode 79 et la cathode 69, et ce champ élec- trique entretient l'état ionisé du gaz inerte de manière à créer une dé- charge luminescente, ou en arc, ou de plasma dans une partie de la zone qui se trouve entre l'anode 79 et la cathode 69. A mesure que le gaz est ionisée les ions positifs sont accélérés par le champ électrique à tra- vers le plasma afin de bombarder des zones superficielles sélectionnées 71 du moule et les cavités 72 qui s'y trouvent, et de les nettoyer au de les débarrasser des impuretés, contaminants de surface et similaires de - 16toute nature, jusqu'à ce que l'opération de nettoyage par pulvérisation inverse soit achevée. Lorsque cette opération est terminée, la pompe à vide 58 rétablit l'atmosphère normale dans la chambre 53, la chambre sous vide est ouverte de nouveau et le moule 69 en est extrait pour une nou- velle utilisation, comme le montrent les schémas de procédé des Figures 1 et2. Bien que l'appareil de pulvérisation inverse 52 représenté sur la Figure 3 soit une cloche sous vide, et cela pour simplifier la représen- tation, il est évident pour tout spécialiste qu'une exploitation en sé- rie ou continue du procédé de pulvérisation inverse nécessitera une ins- tallation totalement différente tant par sa forme que par son aspect, et l'on pourrait mwme prévoir des systèmes séparés pour les parties supé- rieure et inférieure du moule, dans le cas d'une exploitation industriel- le. La Figure 3 n'est donc donnée qu'à titre d'exemple et d'illustration, et ne doit pas 8tre considérée comme une version définitive de la struc- ture de l'appareil de pulvérisation inverse envisagée par la présente invention. I La Figure 4 montre un ensemble 86 de châssis à conducteurs suivant la présente invention, et l'on y voit un chassis ou cadre conducteur 87 sur lequel un circuit intégré 88 est fixé, monté ou disposé en condition de travail, approximativement au centre du chassis 87. En fait, la par- tie circuit intégré 88 est reliée ou connectée électriquement à plusieurs conducteurs d'entrée ou de sortie 89 qui se terminent par des bornes ou fiches de connexion 91. Des fiches de connexion adjacentes prévues sur un c8té sont désignées par le chiffre de référence 92 et sont associées à un c8té adjacent du circuit intégré (non représenté), tandis que des fiches de connexion adjacentes 93 du côté opposé sont associées à une seconde partie adjacente de circuit intégré, non représentée. Ainsi qu'il apparatt clairement sur la Figure 4, l'ensemble de châssis conducteur 86 comporte en fait de nombreux sous-ensembles de châssis à conducteurs qui comprennent chacun leur propre circuit intégré ou partie de circuit ainsi que plusieurs conducteurs qui se terminent par des fiches de con- nexion, bornes ou autre moyen de raccordement. La Figure 5 montre une partie de l'ensemble 86 de la Figure 4 après l'opération de moulage ou d'encapsulage, l'ensemble ainsi moulé étant désigné par le chiffre de référence 95. Cet ensemble 95 comprend une partie 96 noyée ou encapsulée dans un corps en matière pAstique et qui surmonte la partie circuit intégré 88 et les conducteurs 89 du chbs- sis à conducteurs 86 de la Figure 4, de telle sorte que seules les fiches - 17 - de connexion ou bornes 97 émergent de la matière plastique d'encapsula- ge 96. L'ensemble 95 est représenté comme comprenant la partie chassis à conducteurs 87 et les fiches de connexion 97. D'une manière analogue, étant donné que l'on procède simultanément au moulage ou encapsulage d'un grand nombre de circuits semblables, les fiches de connexion adja- centes 99 sont représentées avec une partie adjacente 98 de circuit en- capsulé. Par ailleurs, la Figure 5 montre certains des résidus de matière plastique ou la matière plastique en excédent laissée par l'appareil de moulage entre des chassis à conducteurs adjacents. Le chassis à conduc- teurs 102 est représenté comme étant relié au châssis à conducteurs ad- jacent 87 par un élément de raccrodement 101 formé par un résidu de ma- tière plastique. Cet élément de raccordement 101 comprend une partie annulaire 103, plusieurs branches de liaison 104 et une ouverture cen- trale 105. Or, toute cette matière plastique doit 9tre brisée et évacuée, donc séparée des chassis à conducteurs, avant d'utiliser ces châssis. D'une façon analogue, les chassis à conducteurs proprement dits, avec leurs circuits encapsulés, formant des éléments individuels de circuit, par exemple des doubles rangées de semiconducteurs alignés, etc. La Figure 6 montre la partie inférieure 107 et partie supérieure 114 du moule. La partie inférieure 107 comprend un corps de moule 106, une surface supérieure 108 de cette partie et une surface 109 de châssis à conducteurs 109. Une cavité pour résidu de matière plastique est dési- gnée en 111 et constitue le moyen de raccordement de résidu 103 de la Figure 5, qui a été décrit plus haut. Les cavités 112 pour châssis à conducteurs reçoivent les parties adjacentes des chassis à conducteurs, tandis que les surfaces intermédiaires 113 du moule sont disposées en- tre des châssis adjacents à conducteurs. La partie supérieure 114 du moule comprend un corps supérieur 114 muni d'une surface 121. En outre, ce corps supérieur 114 renferme une surface 122 de châssis à conducteurs, pourvue de plusieurs cavités 117 destinées à recevoir ces châssis. Les cavités 115 correspondent aux ca- vités 111 de la partie inférieure 107 du moule et ont une fonction ana- logue. Des cavités latérales 116 sont prévues dans la surface 121 de m%- me que des parties intermédiaires de surface 118 entre des cavités ad- jacentes 117 pour chassis à conducteurs. D'autres part, la partie supérieure 114 du moule peut être placée en position de travail sur la partie inférieure 107 du moule dès que les chassis à conducteurs y ont été logés et fixés, comme le montre la Fi- - 18- gure 7. Cette Figure 7 montre l'ensemble fermé du moule que l'on utilise pour encapsuler ou noyer dans la matière plastique les ensembles de chas- sis à conducteurs décrits plus haut. Cet ensemble de moule comprend une partie ou unité inférieure 107 renfermant un corps de moule 106 et une partie ou unité supérieure 114 renfermant un corps de moule 119. La cavité 112 pour châssis à conducteurs de la partie inférieure 107 du moule est placée en position de travail immédiatement au-dessous de la cavité correspondante 117 de la partie supérieure 114 du moule. Une cavité cen- trale 111, destinée à former un anneau, est représentée sous forme d'un collet rétréci 125 qui comporte un alésage cylindrique 123 destiné à re- cevoir un organe de pression 124. L'ensemble de moulage de la Figure 7 pourrait, par exemple, être alimenté en matière plastique à travers l'a- lésage 123 et chauffé pendant qu'il est soumis à une pression de moulage, grâce à l'organe 124, afin de faire fondre la matière plastique et de la faire couler sous pression dans les différentes cavités et empreintes du moule pour obtenir l'encapsulage désiré. C'est l'excédent de matière d'encapsulage et aussi les résidus de matière plastique qui adhèrent aux différentes parties de surface, ou m9me qui se soudent chimiquement à ces parties, qui doivent être éli- minés par l'opération de pulvérisation inverse suivant la présente in- vention, avant de pouvoir réutiliser les parties du moule dans une pro- duction continue et en série d'articles encapsulés suivant la présente invention. L'incorporation de l'appareil de pulvérisation inverse dans le système suivant la présente invention et/ou l'incorporation du procédé de nettoyage des différentes surfaces du moule par l'application de tech- niques de pulvérisation inverse permettent d'utiliser les moules dans-un processus de fabrication continue et en série oh l'on noye ou enrobe les châssis à conducteurs ou tout composant à semiconducteurs, tout en ga- rantissant la qualité de propreté nécessaire pour de tels dispositifs, la cadence requise de fabrication et l'économie propre à permettre une production compétitive. Bien que l'on ait décrit et représenté ici des appareils particu- liers et des phases particulières de procédés dans le but d'illustrer le mode préféré de réalisation de l'invention, il apparaîtra clairement à tout spécialiste dans l'art que diverses variantes et modifications pour- ront être apportées tant a l'appareil qu'au procédé sans s'écarter ce- pendant des principes de base de l'invention. -19- R E V E N D I C AT I ON S 1. Procédé de nettoyage de moules, comprenant les phases qui- consistent à prévoir une enceinte sous vide, à transporter un un moule à nettoyer dans cette enceinte, et à évacuer l'en- ceinte, caractérisé par le fait que l'on introduit un gaz io- nisable dans l'enceinte sous vide, et que l'on bombarde les surfaces du moule à nettoyer avec des ions pour enlever les substances polluantes ou de contamination superficielle en procédant à une pulvérisation invrerse. 2. Procédé selon la Revendication 1, caractérisé par le fait que les phases qui consistent A bombarder les surfaces du moule à nettoyer sont les suivantes: - on prévoit une anode; - on branche électriquement le moule à nettoyer de façon qu'il constitue la cathode; - on établir un champ de potentiel électrique entre l'a- node et la cathode pour entretenir une décharge luminescente dans l'enceinte sous vide; - on ionise le gaz dans l'enceinte sous vide, et - on accélre les ions positifs vers la cathode pour net- toyer la surface de celle-ci par bombardement ionique. 3. Procédé selon la Revendication 2, caractérisé par la phase qui consiste à protéger sélectivement certaines par- ties du moule contre un bombardement ionique indésirable. 4. Procédé selon la Revendication 3, caractérisé par la phase qui consiste à rétablir l'atmosphère normale dans l'enceinte sous vide, à ouvrir cette enceinte et à en ex- traire le moule nettoyée 5. Procédé selon la Revendication 1, caractérisé par le fait que l'on bombarde les surfaces du moule et qu'il comprend les phases qui consistent: - à prévoir une cathode séparée par une distance déter- minée de l'anode; - à placer le moule à nettoyer dans une position déter- minée entre l'anode et la cathode; - à appliquer un potentiel de courant électrique continu entre l'anode et la cathode pour amorcer et entretenir un plasma entre ces électrodes; - à ioniser le gaz introduit dans l'enceinte sous vide,et - 20 - - à accélérer les ions positifs vers la surface du moule à nettoyer, grace au champ électrique généré entre 1 'anode et la cathode. 6. Procédé selon la Revendication 5, caractérisé par la phase qui consiste à masquer sélectivement des parties de la surface du moule pour en empêcher une pulvérisation in- verse indésirable. 7. Procédé selon la Revendication 5, caractérisé par le ré- tablissement de la pression atmosphérique dans l'enceinte sous vide, par l'extraction du moule nettoyé de l'enceinte après ouverture de celle-ci, en vue d'une réutilisation. 8. Un système pour encapsuler de façon continue la partie circuit intégré et la partie conducteurs d'entrée et de sor- tie d'un ensemble de châssis à conducteurs, en appliquant le procédé selon l'une quelconque des Revendications 1 à 7, ce système comportant un moyen pour loger l'ensemble de châssis à conducteurs dans une partie inférieure (107) du moule, un moyen pour mettre en place et fixer une partie supérieure (114) du moule sur ladite partie inférieure (107) afin de constituer un ensemble de moulage, un moyen pour introduire de la matière plastique d'encapsulage dans une empreinte du moule, un moyen (124) pour chauffer et mettre sous pression la matière plastique de manière qu'elle s'écoule sur les parties de l'ensemble de châssis à conducteurs que l'on dé- sire noyer ou encapsuler dans la matière plastique, un moyen pour vulcaniser l'ensemble du châssis à conducteurs ainsi encapsulé, un moyen pour séparer la partie supérieure du moule de la partie inférieure, un moyen pour extraire l'en- semble encapsulé de chassis à conducteurs de la partie in- férieure du moule, et un moyen pour nettoyer les parties du moule avant leur réutilisation ultérieure, un moyen perfec- tionné de nettoyage (52) pour éliminer l'excédent de matiè- re plastique et les agents polluants superficiels tels que saleté, huile, graisse, poussière, produits d'oxydation, CF4 et similaires d'au moins certaines surfaces sélotion- nées des parties de moule avant leur réutilisation ult6rieu- re, ces moyen comprenant une enoeinte sous vide (53), un moyen (68) pour mettre en position correcte une partie du moule (69) à nettoyer dans ladite enceinte sous vide (53), - 21 - un moyen (57, 58, 59) pour produire uin vide mportant dana l'enceinte sous vide, ce système étant en outre aZac sé par le fait qu'il comprend: - un moyen (62, 63, 64) pour introduire un gaziere ionisable dans ladite enceinte sous vide (53); - un moyen (84, 85, 86) pour engendrer un champ de plasma (82) à l'intérieur de l'enceinte sous vide (53) afin de io- niser ledit gaz, et - un moyen (81, 69, 79) pour bombarder les zones super- ficielles sélectimonnées de la surface des parties de moule à nettoyer avec des ions pour enlever de ces surfaces les agents de contamination qui les recouvrent. 9. Système selon la Revendication 8, caractérisé par le fait que le moyen destiné à engendrer un champ de plasma comprend: - une anode (69); - une cathode (79) qui comprend ladite partie de moule à nettoyer, et - un moyen (84, 85, 86) pour engendrer un champ électri- que entre l'anode et la cathode afin d'amorcer et d'entre- tenir ledit plasma et permettre à l'opération de pulvérisa- tion inverse de nettoyer les surfaces des parties de moule en les débarrassant des agents de contamination. 10. Système selon la Revendication 9, caractérisé par le fait qu'il comprend un moyen pour transporter les parties de moule à nettoyer vers ladite enceinte sous vide, et pour transférer les ensembles de moule de ladite enceinte à un poste pour une réutilisation ultérieur. 11. Système selon la Revendication 10, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre un moyen pour masquer sélec- tivemekt des zones sélectionnées de la surface desdites parties de moule pour les protéger contre l'opération de pulvérisation inverse. 12. Système selon la Revendication 8, caractérisé par le fait que le moyen générateur de plasma comprend: - une anode (69); - une cathode (79) espacée de l'anode (69); -un moyen pour mettre sélectivement en position cor- recte ladite partie de moule à nettoyer dans un endroit - 22 - déterminé entre l'anode et la cathode, afin d'obtenir un rendement maximal, et - un moyen (84) pour engendrer un champ électrique entre l'anode et la cathode afin d'amorcer et d'entretenir une opération de pulvérisation inverse pour nettoyer au moins des zones sélect.ionnées de la surface de la partie du moule à nettoyer par bombardement ionique. 13. Système selon la Revendication 12, caractérisé par le fait qu'il comprend un moyen pour transporter des parties de moule à nettoyer vers ladite enceinte et un moyen pour transporter lesdites parties nettoyées du moule vers un poste de travail en vue d'une réutilisation ultérieure. 14. Système selon la Revendication 11, caractérisé par le fait qu'il comprend un moyen pour masquer sélectivement certaines parties de la surface du moule pour empacher leur bombardement ionique pendant l'opération de pulvérisation inverse.