Brevet FR2577073A1 — publié le 19860808

DISPOSITIF MATRICIEL DE DETECTION D'UN RAYONNEMENT LUMINEUX A ECRANS FROIDS INDIVIDUELS INTEGRES DANS UN SUBSTRAT ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un disposi- tif matriciel de détection d'un rayonnement lumineux à écrans froids individuels intégrés dans un substrat et son procédé de fabrication. L'invention s'applique notamment à un sys- tème d'imagerie infra-rouge tel qu'une caméra ou une lunette infra-rouge qui utilise une matrice de détec- teurs infra-rouges comportant i détecteurs lignes et j détecteurs colonnes, i et j étant compris indépendam- ment entre 1 et 256; la matrice est éclairée par sa face arrière à travers un substrat transparent aux rayonnements. La figure 1 représente un système connu d'imagerie infra-rouge. Ce système est constitué de façon connue par deux matrices dont l'une, 1, assure la détection de rayonnements 8, et l'autre, 3, la lec- ture. Ces deux matrices 1, 3 sont reliées entre elles mécaniquement et électriquement par des plots métalli- ques 5. Les détecteurs 2 de la matrice de détection 1 sont par exemple des photodiodes réalisées dans un ma- tériau semi-conducteur 7 par implantation ionique ou par diffusion d'atomes dans ledit matériau. Le maté- riau semi-conducteur 7 est un semi-conducteur de fai- ble largeur de bande interdite comme le Hgl_xCdxTe, x allant de O à 1. Il permet en ajustant la valeur de x, de couvrir un large domaine de longueur d'onde. Ce matériau semi-conducteur 7 est déposé en couches min- ces, d'épaisseur de l'ordre de 10 pm, par épitaxie sur un substrat transparent 6 aux rayonnements 8 à détec- ter. Pour un rayonnement 8 situé dans l'infra-rouge, on utilise un matériau tel que le tellurure de cadmium (CdTe), le saphir, l'arséniure de gallium (AsGa) ou -2 l'antimoniure d'indium (InSb). La matrice 3 de lecture est réalisée dans un matériau semi-conducteur 9 tel que du silicium mono- cristallin, en utilisant les techniques couramment em- ployées dans la fabrication des circuits intégrés. Elle stocke les informations relatives à chaque détec- teur 2, les lit séquentiellement et délivre des si- gnaux électriques transmis par des conducteurs 11 à des moyens de traitement. Pour réduire le flux de pho- tons incidents sur la matrice 1 de détecteurs, on as- socie généralement un écran unique à l'ensemble de la matrice 1 de détecteurs ou un écran à chaque détecteur 2 de cette matrice 1, ces écrans étant refroidis pour limiter le rayonnement thermique. Ces écrans permet- tent ta réduction du flux incident, de telle sorte que chaque détecteur 2 constituant la matrice 1 ait un angle de vue aussi proche que possible de l'ouverture numérique de l'optique d'o proviennent les rayonne- ments 8. La réduction du flux de photons permet de réduire ainsi le bruit de fond des détecteurs et d'améliorer leur rendement. Elle permet également de réduire le courant continu délivré par chaque détec- teur 2 et donc d'augmenter le temps d'intégration par la matrice 3 de lecture, pour une quantité de charge stockable donnée des éléments de ladite matrice 3 de lecture. La figure 2 représente une matrice 1 de dé- tecteurs associée de façon connue, à un écran froid unique. Celui-ci est généralement constitué par une céramique 10, refroidie par un gaz liquéfié; au cen- tre de cette céramique, est placée la matrice 1 de détecteurs et autour de ladite céramique sont dispo- sées les parois 12 de l'écran refroidi 4a par contact thermique avec cette céramique 10. L'écran froid 4a percé d'une ouverture 15a en regard de la matrice 1 de détecteurs est placé à une distance d au-dessus de ceLle-ci. L'ouverture numérique de l'optique d'o proviennent les rayonne- ments est représentée par l'angle 2eS, tandis que l'angle 2eF représente l'angle sous lequel le centre de la matrice 1 de détecteurs voit Le rayonnement incident. Le rendement d'écran froid est défini comme étant le rapport entre les angles soLides efficaces = Tsin2e correspondant à l'angle eS et F = sin2 6F correspondant à l'angle eF. Ainsi, le rendement d'écran froid y, est égal à: s i n2e sin 2 e F q représente donc le rapport entre le rayonnement lu- mineux incident arrivant sur l'ouverture de l'écran froid et le rayonnement lumineux détecté par la matri- ce de détection. Avec un tel dispositif, il est d'autant plus difficile d'avoir un bon rendement T, que la dimension de la matrice 1 de détecteurs est grande et que l'ou- verture 15a de L'écran froid 4a est petite. Par ail- à5 leurs, le rayonnement détecté n'est pas uniforme sur toute la matrice 1 de détecteurs; il est plus faible sur les bords qu'au centre de la matrice 1. Pour paLier ces inconvénients, on a envisagé d'associer à chacun des détecteurs d'une matrice 1 de détection un écran froid individuel. Ces écrans froids individuels apparaissent comme un réseau de trous réalisés dans un matériau et disposés au même pas que les détecteurs. De tels écrans froids individuels sont no- tamment décrits dans le brevet américain n 3 963 926 du 9 janvier 1975 et dans le brevet américain n 4 446 372 du 1er juillet 1981. Par rapport à l'écran froid collectif, les écrans froids individuels présentent un certain nombre d'avantages tels que: - la possibilité d'augmenter les dimensions de la matrice sans changer la géométrie des trous et donc dé conserver le même rendement; - un éclairement homogène sur toute la ma- trice de détection; il n'y a pas d'atténuation sur les bords de la matrice; - la consommation et la vitesse de mise à froid sont moins grandes. Dans le brevet américain n 3 963 926, il est décrit un procédé de fabrication d'écran froid individuel associé à des détecteurs définis cans une tranche d'un matériau absorbant tel que du silicium dopé P+. Ce silicium est gravé sur toute son épaisseur par une solution d'attaque, suivant des lieux privilé- giés définis par des masques. Le silicium ainsi percé de trous est fixé à un substrat par une résine époxyde. Ce substrat supporte sur sa face supérieure une matrice de détecteurs, chaque trou étant en face d'un détecteur de la matrice. Ce procédé de fabrication présente certains inconvénients. En particulier, les écrans froids ainsi fabriqués constituent une pièce rapportée ausystème de détection. Par ailleurs, si le matériau constituant ces écrans est trop épais, les parois des ouvertures arrêtent une partie du rayonnement et le rendement de ces écrans froids est médiocre. De plus, les ouvertu- res créées dans le silicium de façon rapprochée fragi- lisent la structure de ces écrans froids. Le brevet américain n 4 446 372 décrit un procédé de fabrication d'écrans froids individuels, associés à des détecteurs définis dans un substrat transparent aux rayonnements lumineux à détecter. Les détecteurs sont formés par exemple par implantation ionique, dans un matériau de conduction épitaxié sur le substrat transparent. Sur la face supérieure du substrat est déposé un film mince opaque d'un matériau absorbant ou réfléchissant possédant des ouvertures, Ainsi, les détecteurs sont situés en regard de l'opti- que d'o proviennent les rayonnements lumineux à travers le substrat et les ouvertures du dépôt opaque. Ce film opaque protège les détecteurs des rayonnements électro-magnétiques et améliore la détection. Ce sys- tème de détection a une application très limitée à cause de la grande ouverture de l'angle de vue des détecteurs. En effet, un rayon extrême d'un faisceau arrivant sur une ouverture, peut atteindre un détec- teur voisin de celui en regard de l'ouverture. La présente invention a justement pour objet un dispositif matriciel de détection d'un rayonnement lumineux comportant une matrice de détecteurs associée à des écrans froids individuels et son procédé de fabrication, permettant de remédier aux inconvénients des différents dispositifs de détection décrits ci- dessus. Ce procédé permet en particulier d'obtenir, par un ensemble d'opérations simples, un dispositif de détection rigide, sans pièce rapportée, ayant un bon rendement d'écran froid. De façon plus précise, l'invention a pour objet un dispositif matriciel de détection d'un rayon- nement lumineux comprenant des détecteurs, répartis en matrice et définis dans un matériau de détection, et des écrans froids individuels, caractérisé en ce qu'il comprend: - un substrat transparent aux rayonnements, déposé sur le matériau de détection et comportant dans sa partie supérieure des trous répartis en matrice, chaque trou étant disposé en regard d'un détecteur, - une couche de matériau anti- réfléchissant recouvrant la face supérieure du substrat, les parois et le fond des trous, permettant d'améliorer la photo- réponse des détecteurs, et - une couche d'un matériau absorbant les rayonnements recouvrant la couche de matériau anti- réfléchissant sur la face supérieure du substrat et les parois des trous, permettant d'améliorer le rende- ment d'écran froid. De façon avantageuse, une couche d'un maté- riau opaque aux rayonnements recouvre au moins par- tiellement la périphérie du fond des trous permettant ainsi de délimiter avec précision la surface sensible de détection. L'invention a également pour objet un procé- dé de fabrication d'un dispositif matriciel de détec- tion d'un rayonnement lumineux comprenant des détec- teurs et des écrans froids répartis en matrice, ca- ractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: a) dépôt d'un matériau de détection sur la face inférieure d'un substrat transparent aux rayonne- ments, b) réalisation des détecteurs dans la couche du matériau de détection, c) réalisation d'un masque sur la face supé- rieure du substrat, opposée à la face inférieure afin de masquer les parties du substrat non en regard des- dits détecteurs, d) gravure de la partie supérieure du substrat, à travers le masque, pour former des trous, e) dépôt d'une couche d'un matériau anti- réfléchissant sur la face supérieure gravée du substrat, les parois et le fond des trous, f) dépôt d'une couche d'un matériau absor- bant le rayonnement, sur la couche du matériau anti- réfléchissant, au-dessus de la face supérieure du substrat et des parois des trous. Selon un mode préféré de mise en oeuvre du procédé de l'invention, le rayonnement étant un rayon- nement infrarouge, le substrat est du tellurure de cadmium. Selon un autre mode préféré de mise en oeu- vre du procédé de l'invention, le matériau de détec- tion d'un rayonnement infrarouge est du HglxCdxTe. Selon un autre mode de mise en oeuvre du procédé de L'invention, l'étape c) consiste à: - déposer sur la face supérieure du substrat une couche protectrice résistant à la gravure, - réaliser sur la couche protectrice un mas- que en résine et - graver la couche protectrice, à travers le masque de résine. Selon un mode préféré de mise en oeuvre du procédé de l'invention, la couche protectrice est une couche d'alumine. Selon un autre mode de mise en oeuvre du procédé de l'invention, la couche protectrice est une couche de métal. Selon un mode de mise en oeuvre du procédé de l'invention, l'étape d) est effectuée par usinage ionique. Selon un autre mode de mise en oeuvre du procédé de l'invention, le matériau anti-réfléchis- sant est du sulfure de zinc. De façon avantageuse, le matériau absorbant est un semi-conducteur absorbant ou un métal. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre donnée à titre purement illustratif et non limitatif. L'ensemble des figures annexées suivantes représente: - la figure 1 déjà décrite: un dispositif d'imagerie infra-rouge, d'un type connu; - La figure 2 déjà décrite: une matrice de détecteur associée à un écran froid collectif, d'un type également connu; - la figure 3: un dispositif de détection en perspective, formé d'une matrice de détecteurs as- sociée à des écrans froids individuels conformément à l'invention. - la figure 4: une matrice de détecteurs aérée avec déplacement bidirectionnel de chaque détec- teur selon neuf positions élémentaires, - la figure 5 dans sa partie a: l'éclaire- ment du dispositif de la figure 3 et dans sa partie b: le profil de l'éclairement obtenu avec un tel dis- positif, - les figures 6a à 6g: les différentes éta- pes du procédé de fabrication de la matrice de détec- teurs avec écrans froids individuels intégrés dans un substrat transparent. Sur la figure 3, on a représenté un disposi- tif conforme à l'invention comprenant une matrice 1 de détecteurs 2 associée à des écrans froids 4b indivi- duels. Sur cette figure, les détecteurs 2 notamment de forme parallélépipède rectangle, sont implantés dans un matériau semiconducteur 7 tel que du HglxCdxTe, x allant de 0 à 1, d'une dizaine de pm d'épaisseur. Ce matériau 7 est épitaxié sur la face inférieure 14 d'un substrat 13 transparent aux rayon- nements lumineux 8 à détecter. Ce substrat 13 est constitué notamment par du CdTe d'une centaine de pm d'épaisseur. Dans ce substrat 13, un réseau de trous b d'une cinquantaine de pm de profondeur, sont ré- partis au même pas que les détecteurs 2; autrement dit, en regard de chaque détecteur 2, se trouve un unique trou 15b. Ces trous 15b constituent en partie les écrans froids individuels 4b. Ces trous 15b doi- vent avoir la plus grande surface possible compatible avec le pas des détecteurs 2 pour permettre une surfa- ce sensible éLevée par détecteur 2. La forme des trous 15b est fonction de celle des détecteurs 2. Dans le cas représenté, elle peut être circulaire, carrée ou intermédiaire. La forme circulaire favorise l'efficacité d'écran froid, tandis qu'elle diminue la surface sensible de détec- tion. Sur la face supérieure 17 du substrat transpa- rent 13, sur les parois 19 et le fond 16 des trous 15b, on a déposé une couche anti-reflet 29 pour améliorer la photo-réponse des détecteurs 2. Pour améliorer le rendement de ces écrans froids, les parois verticales 19 des trous 15b ainsi que la face supérieure 17 du substrat transparent 13, sont recouverts d'une deuxiè- me couche 31 d'une substance absorbant le rayonnement lumineux 8. De plus, pour délimiter avec précision la surface sensible de chaque détecteur qui peut fluctuer d'un détecteur à l'autre, une couche 33 d'un matériau opaque aux rayonnements lumineux peut être prévue à la périphérie du fond 16 de chaque trou 15b. Cette couche 33 peut être réalisée en un matériau absorbant ou ré- fléchissant. Sur la figure 3 décrite ci-dessus, les écrans froids sont associés-à des détecteurs 2 fixes, mais ils peuvent également être appliqués à une matri- ce de détecteurs beaucoup plus espacés que précédem- ment, utilisée dans des systèmes à balayage opto- mécanique unidirectionneL ou bidirectionnel connus. Une matrice de détecteurs avec balayage bidirectionnel est représentée sur la figure 4. Dans de telles matri- ces, chaque détecteur 18 est déplacé dans une ou deux directions x ou y contenues dans le plan de la matrice par action mécanique selon n ou n x n positions élé- mentaires, respectivement pour un balayage unidirec- tionnel ou bidirectionnel. Il reçoit successivement pendant un temps d'image, les informations relatives aux n ou n points d'images élémentaires, respective- ment pour un balayage unidirectionnel ou bidirection- neL. Sur la figure 4, représentant une matrice de détecteur avec balayage bidirectionnel, n est égal à 3. Chaque détecteur 18 a donc de ce fait neuf posi- tions élémentaires de 18a à 18i. Par suite de l'espa- cement plus important entre détecteurs, les trous effectués dans un substrat transparent aux rayonne- ments lumineux à détecter, peuvent être plus profonds, de l'ordre d'une centaine de pm, afin que l'angle de vue de chaque détecteur soit beaucoup plus fermé. La figure 5 représente schématiquement, dans sa partie a: une coupe longitudinale d'un dispo- sitif selon la figure 3 d'une matrice 1 de détecteurs 2 associée à des écrans froids 4b individuels, et dans sa partie b: le profil de l'éclairement obtenu avec une telle structure. On retrouve dans la partie a, les détecteurs 2 implantés dans un matériau conducteur 7, celui-ci étant épitaxié sur la face inférieure 14 d'un substrat 13 transparent aux rayonnements lumineux 8 à détecter. La face supérieure 17 du substrat 13, les parois 19 et le fond 16 des trous 15b sont recouverts d'une couche 29 d'un matériau antiréfléchissant. Cette couche 29 est recouverte, sauf au fond 16 des trous 15b, d'une couche 31 d'un matériau absorbant le rayonnement 8 à détecter. Sur la périphérie des trous 15b est déposée une couche 33 d'un matériau opaque aux rayonnements. L'ouverture de l'optique d'o proviennent les rayonne- ments est représentée par L'angLe 2eS, tandis que l'angle 2eF représente l'angle sous lequel le centre d'un détecteur voit le rayonnement lumineux 8. Les rayons lumineux extrêmes 27, transmis par le substrat 13, délimitent la zone de sensibilité maximale d'un détecteur 2. Avec cette structure, on voit dans la partie b de la figure 5 que l'éclairement issu de l'optique d'o proviennent ces rayonnements 8, norma- lisé à l'unité, est maximal sur la surface centrale de chaque détecteur, représentant environ la moitié de sa surface. l'éclairement décroîtensuite sur les bords des détecteurs 2 jusqu'à 50% de sa valeur maximale. Le rendement q des écrans froids indivi- duels 4b est calculé à partir de la formule: sin2Os sin2 2e si F Ainsi, avec un substrat en CdTe de 100 pm d'épaisseur, des trous de 50 pm de profondeur et une ouverture de l'optique d'o proviennent les rayonne- ments correspondant à un angle 6s = 10 , on a un ren- dement d'écrans froids de l'ordre de 26% pour une épaisseur entre parois 19 inférieure à 3 pm et de 23% pour une épaisseur entre parois 19 de 3 pm. Pour une matrice de détecteurs espacés, comme représentée sur la figure 4, associés à des écrans froids indivuduels, la profondeur des trous étant plus importante et l'angle eF étant de ce fait plus fermé, le rendement i des écrans froids est plus important. Les figures 6a à 6g représentent les diffé- rentes étapes du procédé de fabrication d'un disposi- tif matriciel de détection d'un rayonnement lumineux comprenant des détecteurs en matrice associés à des écrans froids individuels. La première étape du procédé, comme repré- senté sur la figure 6a, consiste à définir une matrice 1 de détecteurs 2 par implantation d'ions ou diffusion d'atomes dans un matériau semiconducteur 7 épitaxié sur la face inférieure 14 d'un substrat 13 transparent aux rayonnements lumineux 8 à détecter et d'épaisseur désirée. Cette matrice de détecteurs peut se faire, soit avant la réalisation des écrans froids indivi- duels, comme décrit ici, soit à la fin de la réalisa- tion de ces écrans froids. Dans le cas d'un dispositif de détection infrarouge, le matériau semi-conducteur 7, peut être du Hg1 Cd Te, x allant de 0 à 1, d'une 7, peuttre du-x x épaisseur de 10 pm, épitaxié sur un substrat 13 de CdTe transparent aux rayonnements infra-rouges. Le substrat d'origine, -en CdTe, a une épaisseur moyenne de 500 pm; il est donc préalablement aminci par des moyens mécaniques et chimiques classiques jusqu'à une centaine de pm. L'étape suivante, comme illustré sur la fi- gure 6b, consiste à déposer sur la face supérieure 17 de ce substrat 13 une première couche protectrice 21 d'un matériau résistant à la gravure ionique ou ioni- que réactif suivant le type d'usinage utilisé pour la gravure du substrat 13. La couche protectrice 21 peut être une couche d'alumine d'une épaisseur de 2 pm ou une couche d'un métal tel que le platine, le nickel, le chrome, d'une épaisseur d'un pm par exemple. Cette couche protectrice 21 peut être déposée par pulvérisa- tion cathodique. On dépose ensuite sur la couche protectrice 21 une deuxième couche 23 d'une résine photosensible positive ou négative, par exemple une résine positive telle que la résine AZ 1350, de 4 pm d'épaisseur. L'étape suivante, comme illustrée sur la fi- gure 6c consiste à réaliser un masque 26 en résine comportant des ouvertures 24 situées en face de chaque détecteur 2, par insolation locale de La couche de résine photosensible 23 puis développement de celle- ci. Les ouvertures 24 à réaliser, sont alignées en face de chaque détecteur 2, par exemple par position- nement des détecteurs 2 par rapport à un -réticule, l'ensemble détecteur 2 plus substrat 13 étant fixé, puis retourné pour aligner les ouvertures 24 à réali- ser dans la résine 23 sur des repères placés à l'exté- rieur du réticule. On peut également aligner les dé- tecteurs 2 et les ouvertures 24 à créer en une seule opération, au moyen de deux microscopes face à face, comportant le même axe optique: l'alignement se fait alors au moyen de moniteurs vidéo. L'étape suivante, comme illustrée sur la fi- gure 6d, consiste à graver, à travers le masque 26, la couche protectrice 21 sur toute son épaisseur, par une * attaque chimique ou un usinage ionique. Pour une cou- che protectrice en alumine, la gravure peut être ef- fectuée par attaque chimique avec une solution de H3P04 et d'alcool isopropylique à une température de C ou bien avec une solution de H2SO4 à 10% à une température de 40 ou 60 C. Pour une couche protectrice 21 métallique, cette gravure peut être faite par usi- nage ionique. La coucbe 21 ainsi gravée et le masque de résine 26 constituent un masque bicouche 28 pour la gravure du substrat 13. L'étape suivante, illustrée par la figure 6e, consiste alors à graver des trous 15b dans la par- tie supérieure 13a du substrat transparent 13, par un usinage ionique ou ionique réactif, aux endroits non masqués par la couche de résine 23 et la couche pro- tectrice 21 gravées, celles-ci disparaissant lors de la gravure des trous 15b. Avec les vitesses de gravure suivantes: alumine: 100 A/mn, résine AZ 1350: 0 O 300 A/mn et CdTe: 1500 A/mn, la couche 21 de résine de 4 pm d'épaisseur ajoutée à la couche 23 d'alumine de 2 pm d'épaisseur mettront le même temps à se graver que 50 pm de substrat 13 en CdTe. Dans le cas o la couche protectrice 21 est une couche métallique, on grave le substrat 13 sous pression partielle d'oxygène pour ralentir la vitesse de gravure du métal qui passe O O de 500 A/mn à moins de 50 A/mn. L'étape suivante, illustrée par la figure 6f consiste à déposer sur toute la surface crénelée par les trous 15b du substrat 13, c'est-à-dire sur la face supérieure 17 du substrat 13, sur les parois 19 et le fond 16 des trous 15b, une première couche 29 d'un matériau anti-réfléchissant, puis une deuxième couche mince 31 d'un matériau absorbant le rayonnement lumi- neux 8 à détecter. Le matériau anti-réfléchissant est constitué par exemple par du sulfure de zinc, de 1 pm d'épaisseur environ pour des rayonnements infra-rou- ges dont la longueur d'onde est comprise entre 8 et 12 pm et de 0,5 pm d'épaisseur pour des rayonnements infra-rouges dont la longueur d'onde est comprise en- tre 3 et 5 pm. La couche 31 d'un matériau absorbant les rayonnements infra-rouges est déposée en couche mince, inférieure à 1 pm, sur la couche 29 du matériau anti-réfléchissant par évaporation d'un semi-conduc- teur absorbant ou d'un métal tel que l'or, sous pres- sion résiduelle d'oxygène ou par voie chimique. La dernière étape du procédé de fabrication représentée sur la figure 6g, consiste à graver la couche absorbante 31 de façon à éliminer le matériau absorbant de toute la surface ou de la surface centra- le du fond des trous 15b pour obtenir la surface sen- sible détectrice désirée. Les gravures dans le fond des trous 15b de la couche absorbante 31 sont réa- lisées par exemple par des techniques de gravure ioni- que réalisée à travers un masque de résine. Celui-ci peut être obtenu par dépôt d'une rêsine, insolation puis développement de cette résine. Le dépôt de la résine est effectué par exemple à l'aide d'une machine de dépôt par brouillard de particules chargées de façon électrostatique. L'insolation de La résine au fond des trous 15b peut être effectuée avec une machi- ne par projection qui donne une précision bien supé- rieure à l'utilisation d'un positionneur classique par contact. La couche absorbante 31 peut être déposée directement sur la face supérieure du substrat 17 et les parois 19 des trous 15b par évaporation du maté- riau absorbant sur le substrat 13. Celui-ci est alors disposé sur un support rotatif, incliné de telle ma- nière que les particules du matériau absorbant se déposent jusqu'au bas des parois 19 des trous 15b. Lorsqu'il n'y a pas de matériau absorbant au fond des trous 15b, on peut déposer une couche 33 d'un matériau opaque aux rayonnements tel qu'un matériau réfléchissant ou absorbant, à la périphérie du fond des trous 15b pour délimiter la surface sensible de détection. Dans le dispositif de détection de l'inven- tion, les écrans froids individuels sont notamment intégrés dans le substrat, ils ne sont donc pas cons- titués par une pièce rapportée contrairement à l'art antérieur. De plus, les différentes étapes de mise en oeuvre de ces écrans utilisent des techniques de gravure et de dépât bien connues faciles à mettre en oeuvre. REVENDICATIONS 1. Dispositif matriciel de détection d'un rayonnement lumineux comprenant des détecteurs (2) répartis en matrice (1) et définis dans un matériau de détection (7), et des écrans froids individuels, ca- ractérisé en ce qu'il comprend: - un substrat (13) transparent aux rayonne- ments (8), déposé sur le matériau de détection (7) et comportant dans sa partie supérieure (13a)des trous (15b) répartis en matrice, chaque trou (15b) étant disposé en regard d'un détecteur (2), - une couche de matériau anti-réfLéchi'ssant (29) recouvrant la face supérieure (17) du substrat (13), les parois (19) et le fond (16-) des trous (15b),- et - une couche d'un matériau (31) absorbant les rayonnements recouvrant la couche de matériau an- tiréfléchissant (29) sur la face supérieure (17) du substrat (13) et les parois (19) des trous (15b). 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une couche d'un maté- riau opaque (33) recouvrant au moins partiellement la périphérie du fond (16) des trous (15b). 3. Procédé de fabrication d'un dispositif matriciel de détection d'un rayonnement lumineux com- prenant des détecteurs et des écrans froids répartis en matrice, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: a) dép8t d'un matériau de détection (7) sur la face inférieure (14) d'un substrat (13) transparent. aux rayonnements (8), b) réalisation des détecteurs (2) dans La courhe du matériau de détection (7), c) réalisation d'un masque (28) sur la -face supérieure (17) du substrat (13), opposée à la face inférieure (14) afin de masquer les parties du substrat (13) non en regard desdits détecteurs (2), d) gravure de la partie supérieure (13a) du substrat (13), à travers le masque (28), pour former des trous (15b), e) dépôt d'une couche d'un matériau anti- réfLéchissant (29) sur la face supérieure (17) gravée du substrat (13), les parois (19) et le fond (16) des trous (15b), f) dépôt d'une couche d'un matériau (31) absorbant le rayonnement, sur la couche du matériau anti-réfléchissant (29), au-dessus de la face supé- rieure (17) du substrat (13) et des parois (19) des trous (15b). 4. Procédé selon la revendication 3, carac- térisé en ce que, le rayonnement (8) étant un rayonne- ment infra-rouge, le substrat (13) est du tellurure de cadmium. 5. Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 3 et 4, caractérisé en ce que le matériau de détection (7) d'un rayonnement infra-rouge est du HglxCdxTe. 6. Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 3 à 5, caractérisé en ce que l'étape (c) consiste à: - déposer sur la face supérieure (17) une couche protectrice (21) résistant à la gravure, - réaliser sur la couche protectrice (21), un masque (26) en résine, et - graver la couche protectrice (21), à tra- vers le masque (26). 7. Procédé selon la revendication 6, carac- térisé en ce que la couche protectrice (21) est une couche d'alumine. 8. Procédé selon la revendication 7, carac- térisé en ce que la gravure de La couche d'alumine (21) est effectuée avec une solution d'attaque com- prenant de l'acide orthophosphorique et de l'alcool isopropylique à 80 C. 9. Procédé selon la revendication 7, carac- térisé en ce que la gravure de La couche d'alumine (21) est effectuée avec une solution d'acide suLfuri- que 0,1 molaire à une température comprise entre 40 et 60 C. 10. Procédé selon la revendication 6, carac- térisé en ce que la couche protectrice (21) est une couche de métal. 11. Procédé selon la revendication 10, ca- ractérisé en ce que la gravure de la couche métallique (21) est effectuée par un usinage ionique. 12. Procédé selon l'une quelconque des re- vendications 3 à 11, caractérisé en ce que l'étape d) est effectuée par usinage ionique. 13. Procédé selon l'une quelconque des re- vendications 3 à 12, caractérisé en ce que le matériau anti-réfléchissant (29) est du sulfure de zinc. 14. Procédé selon l'une quelconque des re- vendications 3 à 13, caractérisé en ce que le matériau absorbant (31) est un semi-conducteur absorbant. 15. Procédé selon l'une quelconque des re- vendications 3 à 13, caractérisé en ce que le matériau absorbant (31) est un métal.