Brevet FR2580116A1 — publié le 19861010

La présente invention concerne la fabrication de dispositifs à semiconducteurs comprenant un composé semicon- ducteur du type III-V, ainsi que des dispositifs à semicon- ducteurs correspondants. La technologie des semiconducteurs a fait de grands progrès au cours des dernières années, et ces progrès sont dûs dans une large mesure à la découverte de nouvelles ma- tières et à l'invention de nouveaux procédés pour fabriquer de meilleures matières. Ces progrès ont conduit à des appli- cations à de nouveaux dispositifs pour des matières semicon- ductrices, et ces applications exigent souvent des techniques de fabrication différentes. Ces techniques visent de façon caractéristique à obtenir une plus petite taille, un posi- tionnement plus précis des divers éléments géométriques dans le dispositif, des formes plus précises pour divers éléments géométriques dans la structure, une plus grande adhérence de substances métalliques sur des surfaces de semiconducteurs, etc. Un domaine particulièrement important consiste dans le développement de dispositifs à semiconducteurs (par exem- ple des circuits intégrés, des dispositifs à semiconducteurs optoélectroniques, des mémoires) faisant intervenir des com- posés semiconducteurs du type III-V. De telles matières semi- conductrices ont un certain nombre de propriétés avantageuses parmi lesquelles des mobilités plus élevées, des caractéris- tiques optiques avantageuses, etc. Dans la fabrication de dispositifs avec des composés semiconducteurs du type III-V, il est hautement souhaitable de former des régions à résisti- vité élevée à proximité immédiate de régions ayant une con- ductivité de type n. On peut utiliser ceci pour former diver- ses sortes de circuits ou de dispositifs intégrés, ainsi que pour isoler un type de circuit ou une partie d'un circuit par rapport à une autre partie d'un circuit. La fabrication rapi- de et commode de tels éléments est effectivement hautement souhaitable dans de nombreuses applications. Il existe à l'heure actuelle un intérêt considérable pour l'incorporation d'hydrogène dans des semiconducteurs (voir par exemple les documents suivants: T. S. Shi et col., Physica Status of SolidiA, Vol. 74, pages 329-341 (1982); W. L. Hansen et col., IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. NS-29, N .1 pages 738-744 (février 1982); J. W. Corbett et col., Physics Letters, Vol. 93A, N .6, pages 303-304 (24 janvier 1983); et P. S. Peercy, Nuclear Instruments and Methods, Vol.182, pages 337-349 (1981)).Un certain nombre de documents ont décrit des travaux portant sur l'utilisation d'hydrogène atomique pour neutraliser divers centres profonds dûs à des défauts linéaires ou ponctuels dans des divers semiconducteurs (voir par exemple les documents suivants: J. L. Benton et col., Applied Physics Letters, Vol. 36, N .8, pages 670-671 (15 avril 1980); S. J. Pearton et col., Physical Review B., Vol.26, N .12, pages 7105-7108 (15 décembre 1982); S. J. Pearton, Applied Physics Letters, Vol. 40, N .3, pages 253-255 (ler février 1982); J. Lagowski et col., Applied Physics Letters, Vol.41, N .11, pages 1078-1080 (ler décembre 1982); S. J. Pearton, Journal of Applied Physics, Vol.53, N .6, pages 4509-4511 (juin 1982); et C. H. Seager et col., Journal of Applied Physics, Vol.52, N .2, pages 1050-1055 (1981)). On a en outre décrit des expériences de neutralisation par de l'hydrogène atomique d'accepteurs à niveau d'énergie peu profond, consistant en bore, dans du si- licium (voir par exemple les documents: C. Sah et col., Ap- plied Physics Letters, Vol.43, N .2, pages 204-206 (15 juillet 1983), et J. I. Pankove et col., Physical Review Letters, Vol.51, N .24, pages 22242225 (12 décembre 1983)), mais on a montré que ces résultats étaient dûs à des ions hydroxyle et non à des atomes d'hydrogène (voir le document: W. L. Hansen et col., Applied Physics Letters, Vol.44, N .6, pages 606-608 (15 mars 1984)). Dans la fabrication de dispositifs semiconducteurs avec des composés semiconducteurs III-V, il est hautement souhaitable de disposer d'une procédure pour neutraliser des donneurs dans des composés III-V, afin de créer des régions à résistivité élevée, et en particulier d'une procédure per- mettant de définir de façon précise l'emplacement d'une telle région neutralisée. Il est également hautement souhaitable de disposer d'une procédure de fabrication permettant de recon- vertir partiellement une région neutralisée en une région de type donneur, ici encore avec une précision élevée en ce qui concerne la région de type donneur. L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs comprenant un composé semi- conducteur dopé de type III-V, dans lequel certaines au moins des zones dopées sont converties en zones à résistance rela- tivement élevée, par diffusion d'hydrogène atomique. Seuls les dopants à niveau d'énergie peu profond présentent un in- térêt (par exemple le silicium, le soufre, l'étain, le tellu- re, le sélénium, etc,)à cause de leur utilisation dans le dopage des matières semiconductrices du type III-V et de leur effet important sur les propriétés semiconductrices de ces matières. De façon caractéristique, l'intérêt se porte essen- tiellement sur des dopants qui produisent des niveaux d'éner- gie dans une plage d'environ 25 meV à partir de la bande de conduction, bien qu'on puisse également employer un niveau de meV. De plus, l'intérêt est centré sur des situations dans lesquelles les atomes d'hydrogène neutralisent les do- pants, du fait que ceci produit des zones résistives très stables. On accomplit habituellement l'introduction d'hydro- gène atomique par l'utilisation d'un plasma d'hydrogène, mais on peut également utiliser d'autres procédures (par exemple l'insertion électrolytique d'hydrogène atomique). On pense que l'hydrogène atomique se lie à un atome donneur, en for- mant un niveau profond qui est empli par l'électron qui dans le cas contraire aurait été donné et se serait ajouté à ceux de la bande de conduction. Ceci réduit la densité de porteurs libres et donc laconductivité électrique dans les zones trai- tées. A titre d'exemple, avec du GaAs(Si) de type n, l'expo- sition à un plasma d'hydrogène à 250 C diminue de plusieurs ordres de grandeur la conductivité par porteurs libres. On peut inverser l'effet en exposant la zone affectée à des tem- pératures élevées (de façon caractéristique environ 420 C) pendant de courtes durées (environ 3 minutes). Dans la mise en oeuvre de l'invention, on peut souvent délimiter la zone exposée au plasma d'hydrogène par divers moyens, comprenant l'utilisation d'un masque, etc. On peut également effectuer une délimitation dans la procédure d'inversion, comme par exemple par l'utilisation d'un masque réfléchissant la cha- leur ou l'utilisation d'un faisceau de rayonnement (par exem- ple un faisceau laser ou un faisceau d'électrons), pour pro- duire un chauffage local. La procédure ci-dessus permet de fabriquer une grande variété de dispositifs parmi lesquels des lasers à configuration géométrique en ruban et des cir- cuits intégrés de diverses sortes. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation et en se référant aux dessins annexes sur lesquels: La figure 1 montre une vue en perspective d'un la- ser à double hétérostructure et à configuration géométrique en ruban, qu'on peut utilement fabriquer conformément à l'invention; et La figure 2 montre une vue latérale d'un circuit à transistorsà effet de champ sur une puce de semiconducteur sur laquelle l'isolation du circuit est avantageusement réa- lisée conformément à l'invention. L'invention est basée sur l'observation selon la- quelle de l'hydrogène atomique diffusé dans des composés se- miconducteurs III-V de type n neutralise le dopage et augmen- te considérablement la résistivité de la zone affectée. De façon générale, une telle procédure est accomplie le plus favorablement à une température supérieure à 200 C, jusqu'à une limite supérieure qui est déterminée par la stabilité du semiconducteur. On observe également que le chauffage à des températures élevées (généralement supérieures à environ 275 C) d'une zone dopée particulière, neutralisée avec de l'hydrogène atomique, ramène la zone à son état semiconducteur de type n d'origine. - L'invention est applicable à des composés semicon- ducteurs de type III-V qui sont dopés par des donneurs super- ficiels. Les dopants donneurs superficiels sont des dopants qui créent des niveaux d'énergie proches de la bande de con- duction. De façon générale, des niveaux dans une plage d'en- viron 25 meV ( milliélectrons-volts ou électrons-volts X 10-3) à partir de la bande de conduction sont préférables pour ob- tenir un rendement de dopage élevé, et des niveaux dans une plage de 9 ou même 6 meV sont encore plus préférables. On peut mettre en oeuvre l'invention sur une matière de substrat (de façon caractéristique GaAs et InP) ou sur une couche épitaxiale (consistant souvent en une matière binaire, ternaire ou quaternaire) formée par croissance sur un substrat. On peut citer en tant que matières épitaxiales caractéristiques sur l'arséniure de gallium: l'arséniure de gallium, l'arsé- niure d'aluminium-gallium et le phosphure de gallium-indium avec un réseau cristallin adapté à celui de l'arséniure de gallium. On peut citer à titre de matières épitaxiales carac- téristiques sur le phosphure d'indium: le phosphure d'indium, l'arséniure d'indium-gallium (par exemple In0 53Ga0,47As), et l'arséniure d'aluminium-indium (par exemple A1 0,47In0,53As). On peut citer à titre de dopants caractéristiques pour des composés semiconducteurs III-V de type n: le silicium, le soufre, l'étain et le tellure. Pour InP et des couches épitaxiales contenant du phosphore (par exemple InGaAsP), on doit prendre des mesures visant à éviter une perte de phosphore à la surface pendant l'exposition à l'hydrogène atomique. On peut utiliser dans ce but soit une couche protectrice mince sur le InP, qui est perméable à l'hydrogène atomique mais non au phosphore, soit une source de phosphore à l'état gazeux, pour empêcher la perte de phosphore par la surface du InP. D'autres composés nécessitent également une protection; c'est par exemple le cas pour InGaAs, dans lequel l'arsenic est moins fortement lié que dans GaAs. De façon générale, la procédure de neutralisation de donneurs superficiels dans des semiconducteurs composés du type III-V consiste à introduire de l'hydrogène atomique dans la zone dans laquelle se trouvent les donneurs superfi- ciels. La température préférée du composé semiconducteur du type III-V est comprise entre 200 et 400 C, et la plage la plus préférable est de 225 à 300 C. Au-dessous d'environ C, la neutralisation des donneurs se produit trop lente- ment, ce qui est malcommode; au-dessus d'environ 400 C, l'effet a tendance à s'auto-détruire, ce qui fait qu'il est quelquefois difficile d'obtenir l'effet complet de neutrali- sation des donneurs. La plage de température de 225 à 300 C produit une neutralisation rapide et maximale des dopants donneurs. Comme indiqué ci-dessus, la procédure est applica- ble à une matière massive et à une matière en couches. Les applications caractéristiques relatives à une matière massive consistent habituellement dans la formation de couches de surface isolantes (par exemple sur des substrats de GaAs). Pour des structures en couches, il faut faire attention à la profondeur de pénétration de l'hydrogène atomique. Pour une matière faiblement dopée, la neutralisation de l'hydrogène s'effectue jusqu'à une profondeur considérable (par exemple 2 pm pour une concentration de porteurs d'environ 2 x 1015 -3 cm. Avec des couches plus fortement dopées, la pénétration est un peu moindre (de façon caractéristique 0,6 pm pour des concentrations de porteurs de 2,4 x 1017 cm-3 et environ 0,4 pm pour 2 x 1018 cm-3). Une pénétration plus profonde est possible à des températures plus élevées ou avec de plus courtes durées d'exposition. On obtient des résultats exceptionnellement bons avec de l'arséniure de gallium dopé au silicium, en employant une profondeur de dopage inférieure à environ 100 nm ou même nm. On fabrique de façon caractéristique de tels échantil- lons en déposant des couches minces d'arséniure de gallium dopé sur un substrat isolant telque de l'arséniure de gallium semi-isolant. On peut également utiliser des échantillons soumis à une implantation ionique superficielle. De tels échantillons, en particulier lorsqu'ils sont dopes avec des concentrations de porteurs supérieures à environ 1017 cm -3 manifestent de fortes variations de résistivité et peuvent servir à délimiter des circuits ou à isoler diverses parties d'un circuit ou d'un réseau intégré. Une procédure caractéristique utilisant un plasma d'hydrogène est décrite dans un article de R. P. H. Chang et col. intitulé "Hydrogen Plasma Etching of Semiconductors and Their Oxides", Journal of Vacuum Science and Technology, Vol.20, N .1 (janvier 1982). L'introduction électrochimique d'hydrogène atomique est également utile pour neutraliser l'activité électrique de donneurs superficiels dans des com- posés semiconducteurs III-V. La procédure électrochimique est également accomplie dans la plage de température de 200- 400 C, et la plage située autour de 250 C (par exemple 225- 300 C)est la plus préférable. - On a exposé divers échantillons à de l'hydrogène atomique et on a mesuré leurs propriétés avant et après le traitement pour démontrerl'effet de l'hydrogène atomique sur les propriétés électriques de ces échantillons et pour dé- montrer que l'effet est dû à l'hydrogène atomique. On a désigné les échantillons par "A, B, C..." Tous les échantillons consistaient en arséniure de gallium d'orientation (100). Les trois premiers échantillons étaient constitués par des couches formées par épitaxie par jets mo- léculaires; l'échantillon A consistait en une couche de 3 -3 pm avec une concentration de porteurs de 2,2 x 1015 cm3; l'échantillon B consistait en une couche de 1,2 pm avec un niveau de dopage initial de 2,4 x 1017 cm- 3; et l'échantillon C consistait en une couche de 50 nm avec une concentration de porteurs de 2 x 1018 cm 3. L'échantillon D consistait en un cristal massif d'arséniure de gallium dopé au silicium, formé par la technique de Bridgman horizontale. La concentration de porteurs était de 1,4 x 1018 cm 3. L'échantillon E consistait en un échantillon soumis à une implantation de silicium. On a effectué l'implantation sur de l'arséniure de gallium non do- pé, semi-isolant, qu'on a fait croître par la technique de Czochralski sous encapsulation par liquide. Dans le traite- ment d'implantation, on a exposé les échantillons à des ions 29 12 -2 29Si de 60 keV avec une dose de 3 x 1012 cm, et on effectué un recuit dans une atmosphère de As-H2 ayant des caractéris- tiques définies, à 850 C pendant 20 minutes. On a effectué l'exposition à un plasma d'hydrogène dans un réacteur à plaques parallèles et à couplage capacitif (Technics PEII) fonctionnant à une fréquence basse (environ kHz). Cette fréquence basse produit un bombardement ioni- que énergétique du substrat (par exemple par H2,H), ainsi qu'une exposition du substrat à l'hydrogène atomique. On a effectué l'exposition à 250 C pendant 30 minutes, à une pres- sion de H de 98,9 Pa et avec une densité de puissance du 2 2 plasma de 0,08W.cm 2. L'amplitude de la tension RF apparais- sant sur l'électrode excitée était de 280 V. On a utilisé un écoulement de H2 purifié avec un débit de 100 cm3/mn (ramené aux conditions normales) . On a nettoyé des tranches de GaAs dans des solvants organiques et on les a plongées dans du HF dilué pour enlever l'oxyde naissant, immédiatement avant le chargement sur le plateau de supportfrid.Ona effectué le chauffage jusqu'à 250 C dans un écoulement de N2 à environ 66, 7 Pa. Après exposition au plasma, on a laissé refroidir les tranches de GaAs dans une atmosphère de H2, sous une pression de quelques Pa. On a mesuré la valeur de l'attaque par plasma du GaAs et on a trouvé qu'elle était inférieure à 10 nm. On a accompli l'exposition à un plasma d'hélium dans des conditions identiques, à l'exception du fait que l'ampli- tude RF était légèrement supérieure à 300 V. On a effectué l'insertion d'hydrogène par voie électrochimique à la même température, à partir d'un électro- lyte consistant en H3PO4, dans une cellule simple à deux électrodes comprenant une cathode en GaAs avec implantation de Si et une anode en carbone. On a utilisé une densité de -2 -2 courant constante d'environ 10 A.cm, mais avec la majeure partie de la charge transportée passant dans le dégagement de H2.Un 1 traitement a dés été utilisé pour neutraliser des centres à des niveaux profonds dans du silicium cristallin (S. J. Pearton et col.,Journal of Applied Physics, Vol. 55, pages 1221-1223 (1984)). On a effectué des mesures de Hall sur la couche B à 300 K et 77 K, en utilisant la méthode de Van der Pauw. On a déduit la résistivité de la couche C de mesures I-V, en utilisant la technique de la ligne de transmission. On a ef- fectué des mesures de capacité-tension à 20 kHz et à 300 K, pour étudier le profil d'activation du silicium dans tous les échantillons (sauf la couche C) avant et après l'hydro- génation. Pour les profils C-V, on a utilisé une sonde au mercure MSI modèle 102, en association avec un appareil de mesure de paramètresLCR, du type HP 4275A. Dans des échan- tillons implantés non hydrogénés, les profils électriquement actifs suivent de près le profil attendu, avec des densités de dopage maximales d'environ 3,5 x 1017 cm-3 à 0,05 pm dé la surface. Après le traitement d'hydrogénation d'échantil- lons implantés, dans le plasma ou dans la cellule électroly- tique, l'activité électrique du dopant consistant en sili- cium a été complètement neutralisée, et les régions implan- tées avaient la même résistivité que des tranches non im- plantées. En outre, les profils C-V d'échantillons A et B formés par épitaxie par jets moléculaires, ainsi que du + cristal n massif, indiquent une forte réduction de la con- centration de porteurs dans la partie de la couche qui est proche de la surface. La profondeur à laquelle la concentration de porteurs est modifiée varie en fonction inverse du niveau de dopage par Si. Dans le cas des deux échantillons les plus fortement dopés, il s'est produit une diminution de plus d'un ordre de grandeur de la concentration de porteurs dans la région proche de la surface. Il est impossible de déterminer la valeur exacte très près de la surface, à cause de la grande largeur de charge d'espace pour une polarisation appliquée égale à zéro, ce qui est une preuve supplémentaire de l'exis- tance d'une couche de surface fortement résistive. L'exposition à un plasma d'hélium des échantillons implantés avec du sili- cium ne produit aucun changement du profil de concentration de porteurs. Ces résultats montrent clairement que l'introduction d'hydrogène dans GaAs(Si) est capable de désactiver les don- neurs consistant en silicium. On a effectué diverses mesures pour déterminer l'effet de neutralisation par l'hydrogène de porteurs de type donneur. Parmi ces mesures figurent des mesures de Hall et des mesures de conductivité avant et après la diffusion d'hy- drogène, et à diverses températures. La densité de porteurs et la mobilité des porteurs avant et après la diffusion d'hy- drogène sont particulièrement importantes. Le tableau I montre quelques-uns des résultats des mesures de HaR et des mesures de conductivité qui ont été ef- fectuées sur les échantillons B et C à la température ambiante et à la température de l'azote liquide. Les épaisseurs des couches de l'échantillon B et de l'échantillon C sont respec- tivement de 1,2 pm et 0,05 pm. Avant l'exposition au plasma d'hydrogène, le niveau de dopage de la couche B était de 2,4 x 1017 cm-3; et celui de la couche C était de 2 x 1018 cm. Le symbole n(300 K) désigne la densité de porteurs à 300 K; p(300 K) désigne la mobilité des porteurs à 300 K; et ?(300 K) désigne la résistivité à 300 K. TABLEAU I Couche B Couche C n(300K) 1(300K) n(77K) p(77K) f(300K) (cm -3) (cm2/V.s.) (cm-3) (cm3/V.s) (XL.cm) Avant le plasma de H 2,4xlO10 3390 2,3xlO10 3250 10-3 Après le plasma de H 1,4x1017 3430 1,3x1017 3430 103-104 Pour l'échantillon B, la concentration de porteurs indiquée est une moyenne sur l'épaisseur totale de 1,2 um. Cette valeur est environ deux fois inférieure à la valeur initiale. Ce rapport est en accord avec le fait que l'hydro- gène désactive les atomes de silicium dans les 0,5 premiers microns de cette couche. Du fait que la mobilité mesurée est la mobilité de porteurs dans la région qui n'est pas atteinte par l'hydrogène, le paramètre p est le même avant et après l'hydrogénation, comme il est prévu. Pour la couche mince fortement dopée (couche C), on observe une augmentation de la résistivité d'au moins 6 ordres de grandeur, ce qui repré- sente une diminution extrêmement importante de la concentra- tion des porteurs libres. Les mesures et les résultats ci-dessus montrent clairement que l'implantation d'hydrogène atomique dans un composé semiconducteur III-V dopé avec des donneurs superfi- ciels peut réduire considérablement la conductivité du semi- conducteur dans la zone affectée, et peut produire des zones à résistance élevée dans des composés semiconducteurs III-V dopés. L'invention est particulièrement bien illustrée par une description de certains dispositifs qu'on peut avan- tageusement fabriquer en utilisant le procédé de l'invention. La figure 1 montre un laser à double hétérostructure (DH) 10, à configuration géométrique en ruban, dans lequel la région active 19 est confinée à un canal étroit par l'utilisation d'une diffusion d'hydrogène. La structure de laser 10 est constituée par un substrat 11 en GaAs de type p, avec une électrode métallique 12, et par une série de couches épita- xiales consistant en AlxGal_ xAs de type p, 13, en GaAs de type n ou en GaAs de type p, 14, en AlxGa xAs de type n, 15, et en GaAs de type n+, 16. On utilise de l'hydrogène atomique pour rendre les couches résistives dans les parties 17 et 18 à l'extérieur de la région active, en laissant inchangée la région active 19. On utilise habituellement un masque pour empêcher que l'hydrogène atomique (provenant par exemple d'un plasma) atteigne la région active. On peut également utiliser la procédure de l'inven- tion pour établir une isolation électrique entre des compo- sants sur la même puce de semiconducteur. On réalise souvent une telle isolation électrique à l'aide d'une structure mesas c'est-à-dire par enlèvement effectif de matière pour empêcher qu'une influence électrique d'une structure de transistor à effet de champ (TEC) atteigne un TEC voisin. L'utilisation d'une neutralisation par l'hydrogène atomique procure une procédure beaucoup plus commode avec un effet d'endommagement moindre sur la tranche de semiconducteur, tout en conservant une surface de tranche plane qui convient mieux pour un trai- tement ultérieur (par exemple l'application d'une matière de réserve photographique). La figure 2 montre un exemple caractéristique. Cet- te figure montre une représentation latérale d'une partie d'un circuit à semiconducteurs. Le circuit 30 est constitué par une paire de TEC avec une électrode commune; l'un fonc- tionne en mode d'enrichissement et l'autre fonctionne en mode de déplétion. Cette paire de circuits à TEC constitue un cir- cuit inverseur connu et on l'utilise largement dans divers dispositifs comprenant des dispositifs numériques. Les TEC de la paire sont isolés électriquement d'autres paires de TEC se trouvant sur la même puce. Le circuit 30 consistant en une paire de TEC est formé sur un substrat (non représenté) en arséniure de gal- lium semi-isolant. Une couche épitaxiale tampon 31 en arsé- niure de gallium non dopé est formée sur le substrat. Au- dessus de la couche tampon se trouventunecouche de AlGaAs de type n+, 32 (consistant de façon caractéristique en Al 0,28Ga0,72As dopé avec du silicium à une concentration d'environ 1,5 x 1018 cm3 (à +50 %)) et ensuite une couche de GaAs de type n+ 33 (qui est de façon caractéristique dopée avec du silicium à une concentration d'environ 2,0 x 1018 2 580116 -3 cm3 (à +50%)). Les épaisseurs caractéristiques des couches sont de 300400 nm pour la couche de AlGaAs 32 et d'environ nm pour la couche de GaAs 33. Cette structure produit une région étroite 34 d'un gaz d'électrons bidimensionnel dans le substrat semi-isolant non dope, dans laquelle les éléments dopants ne limitent pas la mobilité des électrons. La structure de TEC est constituée par deux cir- cuits à TEC (TEC à mode d'enrichissement et TEC à mode de déplétion), avec une électrode commune 35 constituant le drain du TEC à mode d'enrichissement et la source du TEC à mode de déplétion. Les autres électrodes du TEC à mode d'enrichissement sont l'électrode de grille 36 et l'électrode de source 37. La figure montre également l'électrode de gril- le 38 et l'électrode de drain 39 pour le TEC à mode de déplé- tion. Cette paire de TEC est isolée de paires similaires sur la puce de semiconducteur au moyen d'une région 40, 41 dans laquelle les donneurs ont été neutralisés par l'utilisation d'hydrogène atomique. On utilise de façon caractéristique une technique de masquage en association avec un plasma d'hydro- gène, pour confiner l'imprégnation d'hydrogène à la région diffusée, afin de former une région à résistivité élevée en- tre des paires de TEC adjacentes. Un autre aspect important de l'invention réside dans l'utilisation d'une procédure de récupération ou de re- conversion, qui reconvertit la région neutralisée par l'hy- drogène en une région ayant la conductivité de type n. On réalise ceci par chauffage, généralement dans une plage su- périeure à 275 C, pendant des durées comprises entre une seconde et une heure. On désire souvent une reconversion complète, et à des températures supérieures à environ 385 C, ceci est réalisé en quelques minutes. On peut commodément utiliser une température-d'environ 420 C pour une reconver- sion très rapide. Bien que des températures plus élevées produisent également une reconversion rapide, il convient d'éviter des températures excessivement élevées (par exemple supérieures à 800 C), pour ne pas endommager des matières ou des éléments de circuit. On peut utiliser diverses procédures pour mettre en oeuvre cet aspect de l'invention. On peut utiliser un écran contre la chaleur ou le rayonnement pour protéger des régions à résistivité élevée, et pour reconvertir seulement certaines régions prédéterminées du semiconducteur de type III-V. Il est particulièrement intéressant d'utiliser un la- ser, ayant de façon caractéristique une fréquence telle que la pénétration produise un chauffage rapide en profondeur de la région soumise à la neutralisation par l'hydrogène. L'utilisation d'un laser permet "d'écrire" les régions acti- * ves (en utilisant le faisceau laser) sur la surface du semi- conducteur. Le laser à configuration géométrique en ruban qui est représenté sur la figure 1 constitue un exemple caracté- ristique. Il est dans ce cas souhaitable de limiter la ré- gion semiconductrice à un ruban 19 descendant jusqu'au mi- lieu de la structure. Pour réaliser ceci, on expose à de l'hydrogène atomique les couches qui se trouvent au sommet de la structure (13, 14, 15, 16), et on utilise ensuite un laser pour chauffer un ruban 19 jusqu'à une profondeur des- cendant au milieu de la structure de laser, pour convertir le ruban en matière semiconductrice. Il va de soi que de nombreuses modifications peu- vent être apportées au procédé décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé pour produire un dispositif à semiconduc- teurs de type III-V à partir d'au moins un composé semiconduc- teur de type III-V comprenant une région dopée avec un ou plusieurs dopants de type donneur, convenant spécialement à la fabrication de lasers à hétérostructure à configuration géométrique en ruban, ou de transistors à effet de champ, comprenant la neutralisation d'une partie au moins des dopants de type donneur dans une partie désirée (par exemple 19) de la région dopée, de façon à augmenter la résistivité de cette partie de la région dopée, caractérisé en ce que les dopants de type donneur sont des dopants donneurs superficiels qui produisent des niveaux d'énergie tels que la différence entre ces niveaux d'énergie et la bande de conduction est comprise entre 0 et 150 meV, et on accomplit l'opération de neutralisa- tion par l'incorporation d'hydrogène atomique dans la partie désirée. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la différence précitée est comprise entre 0 et en- viron 25 meV, et de préférence entre 0 et 6 meV. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'on accomplit l'incorporation de l'hydrogène atomique avec la région dopée à une température supérieure à 200 C, et de préférence à une température com- prise entre 225 et 300 C. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'on sélectionne le composé semi- conducteur de type III-V parmi l'arséniure de gallium, l'ar- séniure d'aluminium-gallium et le phosphure d'indium-gallium, ou parmi le phosphure d'indium, l'arséniure de gallium-indium, le phosphure d'indiumaluminium et l'arsénio-phosphure de gallium-indium. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le dopant donneur superficiel est au moins un élé- ment choisi parmi le silicium, le soufre, l'étain, le sélé- nium et le tellure. 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le dopant est le silicium. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 6, caractérisé en ce que l'origine de l'hydrogène atomique qui est incorporé dans la région dopée consiste en un plasma d'hydrogène. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 6, caractérisé en ce que l'hydrogène atomique est incorporé dans la région dopée par une procédure électrochi- mique. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on rend à nouveau semiconductrice une partie au moins de la partie traitée par de l'hydrogène atomique, par chauffage à une température supérieure à 275 C pendant au moins une seconde. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la plage de température est comprise entre 385 et 800 C et la durée est comprise entre une seconde et une heure. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'on effectue le chauffage avec un faisceau laser ou un faisceau d'électrons.