Brevet FR2580958A1 — publié le 19861031

Procédé d'application de structures à sélection de polarisation sur un réflecteur d'une antenne directive L'invention se rapporte à un procédé pour l'application de structures à sélection de polarisation sur un réflecteur d'une antenne directive. Dans la technique d'émission et de réception haute fréquence, il est depuis longtemps usuel de fabriquer des réflecteurs pour antennes avec trajet des rayons fortement concentré en métal. Pour les réflecteurs, il est par ailleurs connu d'utiliser des matériaux composites fibreux constitués de fibres, telles que fibres de verre, kevlar ou fibres de carbone, qui sont noyées dans des résines époxy ou polyimide, et qui sont enduites d'un feuil métallique ou dont les fibres sont métallisées. Le progrès accompli dans la technique démission et de réception a conduit à une utilisation rnultiple des différentes fréquences au moyen d'ondes polarisées perpendiculairement les unes par rapport aux autres. Par le brevet américain 4 001 8XE, on connaît un réflecteur parabolique qui agit sélectivement pour un sens de polarisation et qui comporte une surface réfléchissante à structure en bandes. Ces bandes, au cours d'une opération compliquée, sont tout d'abord découpées au moyen d'un procédé d'attaque chimique photographique dans une feuille recouverte de métal, puis collées dans la coque du réflecteur. Abstraction faite du fait que des structures compliquées comme des dipôles ne peuvent être que très difficilement réalisées avec c procédé, il n'est, en outre, pas certain que les grandes variations de température intervenant lors de l'utilisation de tels réflecteurs ne provoqueront pas des déformations de la structure sous l'effet des contraintes de cisaillement se produisant. D'autre part, par la bibliographie (IEEE Transactions on Antennas and Propagation, Vol. AP-27, No. 4, Juillet 1979 > pages 466-473 et par "The Handbook of Antenna Design" Vol. 1, Peter Peregrinus Ltd., 1982, pages 184, 185), on connalt,pour des structures de résonateurs, un procédé de fabrication dans lequel on réalise, par voie photochimique, des structures de résonateurs sur une feuillesupport, puis on colle la feuille-support terminée dans le réflecteur de forme parabolique. Outre qu'une structure de résonateurs ainsi construite a, par nature même, une épaisseur considérable, elle présente à son tour le grand inconvénient que, lors de la pose et du collage de la feuille-support, il se produit d'énormes imprécisions qui sont inévitables avec ce procédé. Pour l'application de structures à sélection de polarisation sur un réflecteur, l'invention a par conséquent pour objet d'indiquer un procédé qui, d'une part, permette une application simple et extrêmement précise des structures sur la surface du réflecteur et, d'autre part, empêche efficacement l'apparition de contraintes thermiques entre le matériau-support et la structure. Ce résultat est atteint selon l'invention avec un procédé caractérisé par les opérations suivantes a) application d'une laque de masquage sur une surface préparée du réflecteur b) découpage du feuil de laque le long des lignes périphériques des structures à sélection de polarisation ; c) enlèvement des profilés structurels découpés d) dépôt par évaporation sous vide d'un métal sur la surface; e) dép8t par évaporation sous vide de dioxyde de silicium sur la surface f) enlèvement de la laque de masquage restante. L'invention sera mieux comprise à l'aide de la description d'un mode de réalisation pris comme exemple, mais non limitatif, et illustré par le dessin annexé, sur lequel la figure i est une coupe d'un réflecteur préparé préalablement avec profilés structurels découpés la figure 2 est une coupe d'un réflecteur revêtu conformément au procédé selon l'invention. La figure 1 est une coupe d'un réflecteur 1 déjà recouvert d'une laque de masquage 3 dans laquelle on a déjà enlevé les endroits au niveau desquels les structures doivent être réalisées. De tels réflecteurs sont par exemple employés dans les satellites de télécommunications. A cet effet, on utilise des réflecteurs à double coque qui sont disposés les uns derrière les autres et qui doivent présenter des structures métalliques déterminées - comme des bandes ou dipôles, comme cela a par exemple été proposé dans le brevet ............ (demande P 34 31 986.7) - d'une largeur type d'environ 0 > 5 mm et une division d'environ 22 mm pour une tolérance de l'ordre de grandeur de 0,05 mm. Par ailleurs, on exige que ces réflecteurs aient une faible masse et une grande stabilité thermique.Or, précisément en cas de fortes variations de température, des bandes métalliques épaisses appliquées sur un matériau composite fibreux - comme par exemple de la résine époxy avec garniture en fibres de kevlar, de carbone, ou fibres de verre, engendrent des contraintes de cisaillement importantes qui peuvent déformer considérablement la géométrie du réflecteur ou même détruire le réflecteur. On va décrire maintenant un exemple de mise en oeuvre conformément au procédé revendiqué qui supprime les inconvénients cités ci-dessus. Pour la preparation du procédé d'enduction3 après le dégraissage, on nettoie tout d'abord la coque du réflecteur par brûlage sans flamme. Cela signifie que l'on brûle sans flamme la surface du réflecteur d'après le principe du nettoyage ionique selon lequel on fait, par exemple, passer sur la coque du réflec teur une cathode soumise à haute tension. Par évaporation sous vide, on recouvre alors le cas échéant la surface du réflecteur d'une couche 7 de SiO2 d'environ i500 A d'épaisseur pour obtenir une surface plane 2. Sur celle-ci on dépose un mince feuil (environ 30 um) d'une laque de masquage 3. On découpe ce feuil 3 - par exemple au moyen d'une machine-outil à commande numérique - le long des lignes périphériques 4 des structures désirées 5 à sélection de polarisation.On enlève maintenant les profilés structurels découpés 8 de la laque de masquage 3 aux endroits qui doivent ensuite être revêtus d'un métal. Après cette opération, on nettoie éventuellement la coque du réflecteur à l'aide d'un procédé de nettoyage connu. Dans la chambre à vide, on recouvre alors le réflecteur par évaporation d'une couche d'aluminium 5 d'une épaisseur d'environ 2000 à 3000 A. Sur la couche d'aluminium, on vaporise une couche de protection en dioxyde de silicium d'une épaisseur d'environ 1500 avant de retirer les parties restant encore de la laque de masquage 3. Après le dernier dépôt par évaporation sous vide d'encore une couche de dioxyde de silicium d'environ 1500 A d'épaisseur en tant que feuil de protection et d'une couche de protection UV, on obtient la structure de couche définitive telle qu'elle est représentée à la figure 2. Ltavantage particulier du procédé d'enduction selonl'invention pour réflecteurs à sélection de polarisation réside dans le fait qu'il permet d'appliquer de façon simple sur les surfaces des réflecteurs une structure en bandes ou en dipôles extrêmement précise et en même temps aussi thermiquement stable et légère en raison de sa faible épaisseur. Les distorsions qui apparaissent obligatoirement lorsque l'on dépose sur des surfaces de réflecteurs des structures appliquées sur des feuilles-supports, peuvent notamment être complètement supprimées. REVENDICATIONS 1. Procédé d'application de structures à sélection de polarisation sur un réflecteur d'une antenne directive, caractérisé par les opérations suivantes a) application d'une laque de masquage (3) sur une surface préparée (2) du réflecteur (1) b) découpage du feuil de laque (2) le long des lignes périphériques (4)des structures à sélection de polarisation c) enlèvement des profilés structurels découpés (8) ; d) dépôt par évaporation sous vide d'un métal sur la surface (2) e) dépôt par évaporation sous vide de dioxyde de silicium sur la surface (2) f) enlèvement de la laque de masquage restante. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on nettoie la surface (2) du réflecteur (1) avant l'application de la laque de masquage (3). 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on nettoie tout d'abord la surface (2) du réflecteur (1) avant l'application de la laque de masquage ()) et qu'on dépose ensuite le dioxyde de silicium par évaporation sous vide. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on nettoie la surface (2) du réflecteur (1) après l'enlèvement des profilés structurels découpés. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que l'on recouvre la surface (2) du réflecteur (1) de dioxyde de silicium par évaporation sous vide après l'enlèvement de la laque de masquage restante.