Brevet FR2583933A1 — publié le 19861226

-1 ALIMENTATION ELECTRIQUE La présente invention a principalement pour objet une alimen- tation électrique, par exemple une alimentation électrique pour dispositif de commutation rapide à diodes PIN. Les antennes à balayage électronique comportent une ou des sources primaires de rayonnement et un réseau de déphaseurs associé à des sources élémentaires. On utilise fréquemment des déphaseurs comportant des diodes PIN. Le déphasage est obtenu, soit en effectuant une commutation entre des chemins de longueur différente, soit en faisant varier les réactances des diodes PIN, suivant qu'elles sont dans leur état passant ou dans leur état bloqué. Avec une antenne à balayage électronique, on dirige les faisceaux d'énergie électromagnétique, en formant un plan équi- phase perpendiculaire à la direction du faisceau. L'agilité spatiale du faisceau est limitée par le temps nécessaire au changement des déphasages de chaque source élémentaire de l'antenne. Une augmen- tation de la vitesse de changement de phase des diverses sources élémentaires de l'antenne permet d'effectuer la poursuite d'un nombre plus élevé de cibles. La transition, dite commutation, entre l'état de non- conduction et l'état de conduction des diodes PIN déphaseuses s'effectue rapidement. Par contre, la commutation inverse, dans le sens de la nonconduction ne s'effectue pas instantanément. De ce fait, avec une source de tension aux bornes des diodes PIN au 2.5 moment de la commutation, chaque diode PIN commence à se 2.5 comporter comme un court-circuit o le courant inverse devient important, puis se bloque. A ce moment lorsqu'on inverse la polarité de la tension appliquée à la jonction de chaque diode PIN le courant dans la diode croît rapidement. Ce courant inverse est dO au déplacement des porteurs minoritaires, préalablement stockés pendant la période de conduction directe au niveau de la jonction. La quantité des charges stockées est fonction des caractéristiques de la diode, de la durée de vie des porteurs minoritaires et du courant direct avant la commutation. L'écoulement de ces charges est assuré par des moyens de blocage qui débitent un courant inverse réalisé par élimination des porteurs de charges. Ainsi la rapidité de la commutation est liée à l'intensité du courant débité par les moyens de blocage. Selon l'art connu les moyens de blocage qui délivrent un courant inverse dès que l'on veut établir le blocage des diodes sont constitués d'une source haute tension associée à une résistance élevée. L'alimentation en haute tension est volumineuse et doit débiter un courant important. De ce fait la puissance d'alimentation est considérable, la dissipation thermique est grande. Il en résulte des élévations de température du dispositif de blocage des diodes. Le dispositif selon la présente invention permet d'améliorer la commutation des diodes déphaseuses de leur état passant à leur état bloqué. De plus, le dispositif selon l'invention permet de réduire les puissances électriques nécessaires à la commutation des diodes déphaseuses. Le dispositif selon l'invention comporte une boucle d'amplification dans laquelle le courant croit exponentiellement avec le temps. Ainsi pendant les périodes de commutation on dispose quasi instantanément d'un courant très élevé. Par contre en dehors des périodes de commutation, la consommation électrique du dispo- sitif selon l'invention est extrêmement réduite. Avantageusement, le dispositif selon l'invention comporte un générateur basse tension permettant l'élimination des porteurs minoritaires ainsi qu'un générateur de haute tension permettant d'amener les diodes déphaseuses PIN à leur état de blocage final. Les générateurs de haute tension comportent des boucles d'amplifi- cation permettant la montée exponentielle du courant débité. L'invention à principalement pour objet une alimentation élec- trique, caractérisée par le fait qu'elle comporte une boucle d'ampli- fication réactive susceptible de fournir, sur commande, quasi instan- tanément le courant désiré tout en limitant la consommation électrique au repos. L'invention sera mieux comprise au moyen de la description ci- après et des figures annexées données comme des exemples non limitatifs parmi lesquels - la figure 1 est un schéma d'un exemple de réalisation de l'invention comportant des composants discrets; - la figure 2 est un shéma d'un dispositif selon l'invention réalisé sous forme d'un circuit monolithique; - la figure 3 est un schéma général d'un dispositif selon l'invention associé à une diode PIN. Sur les figures I à 3 on a utilisé les mêmes références pour désigner les mêmes éléments. Sur la figure 1, on peut voir un premier exemple de réalisation du dispositif selon l'invention. L'exemple illustré est adapté à une réalisation comportant des composants électroniques discrets. L'exemple de réalisation illustré sur la figure I d'un dispositif d'alimentation I en courant électrique de commutation d'une diode PIN 2 comporte quatre transistors PNP 11, 12, 13 et 14, quatre transistors NPN 16, 17, 18 et 19, une diode 7, un générateur de courant 9, huit résistances 51, 52, 53, 54, 56, 57, 58 et 59, un commutateur 45. Le commutateur 45 est par exemple un transistor. La connection 5 du dispositif 1 est alimentée en courant continu, par exemple porté à un potentiel de 40 volts. Les émetteurs de transistors 11, 12 et 13 sont connectés à la sortie 5 respectivement par les résistances 51, 52 et 53. Le collecteur du transistor 11 est connecté à sa base. Les bases des transistors 11, 12 et 13 sont reliées électriquement. Le collecteur du transistor 13 est relié à l'émetteur du transistor 14. La base du transistor 14 est reliée au collecteur du transistor 12 à travers la diode 7. Le collecteur du transistor 12 est d'autre part relié à la sortie 24 du dispositif d'alimentation 1. Le collecteur du transistor 11 est connecté au collecteur du transistor 16 à travers un commutateur 45. Le collecteur du transistor 14 est relié à la base du transistor 16 et au collecteur et à la base du transistor 17. La base du transistor 17 est reliée à un générateur de courant 9 alimenté par une entrée 6 portée par exemple à une tension de 5 volts. Les émetteurs des transistors 16 et 17 sont reliés au collecteur du transistor 19 respectivement par les résistances 54 et 56. Les bases des transistors 19 et- 18 sont reliées. Le collecteur et la base du transistor 18 sont connectés. L'émetteur du transistor 19 est mis à la masse 4 au travers d'une résistance 59. Les bases des transistors 18 et 19 sont reliées à une basse tension par exemple 5V au travers d'une résistance 58, l'émetteur du transistor 18 est relié à la masse 4 au travers d'une résistance 57. La diode de commutation PIN 2 est alimentée par la sortie 24 du dispositif 1. Avantageusement le découplage de la diode PIN 2 du champ hyperfréquence est assuré par un condensateur 3 monté en parallèle. Les transistors 11, 12 et 13 forment un premier miroir de courant 22. Les transistors 16 et 17 forment un second miroir de courant 23. Au démarrage de la commutation le commutateur 45 est fermé. A ce moment là, le double miroir de courant 22 et 23 fonctionne en boucles amplificatrices. Le courant dans la boucle monte de façon exponentielle. Et quasi instantanément on dispose sur le collecteur du transistor 12 du courant Important nécessaire à la commutation de la diode PIN 2. Le courant maximal est limité par le couple de transistors 19 et 18. Le générateur de courant 9 assure l'amorçage de la boucle de courant. L'arrivée du transistor 12 à un état proche de la saturation provoque le blocage du transistor 14. Il en est de même des transistors 16 et 17. Soit R52, R53, R54, R56, respectivement les valeurs des résistances 52, 53, 54 et 56. Le gain G de la boucle d'amplification est égal à: RS1 R56 R53 x R54 Le dispositif illustré sur la figure 2 comporte cinq transistors PNP 11, 12, 13, 14 et 20, cinq transistors NPN 15, 16, 17, 18 et 19, 3O une diode 7, un générateur de courant 9, deux résistances 8 et 10. Dans une variante de réalisation, la diode 7 est remplacée par un transistor dont la base et l'émetteur sont reliés. Sur la figure 2, on peut voir un schéma d'un exemple du dispositif selon l'invention particulièrement bien adapté à la réali- sation sous forme de circuit monolithique par exemple en techno- logie bipolaire. Le dispositif d'alimentation 1 comporte une entrée d'alimentation 5 en courant continu, portée par exemple à 40 volts. L'entrée 5 est reliée aux émetteurs de trois transistors 11, 12 et 13. La base du transistor 11 est relié à son collecteur. Les bases des transistors 12 et 13 sont reliées, le collecteur du transistor 13 est relié aux émetteurs des transistors 14 et 20. Le collecteur du transistor 12 est relié d'une part à travers une diode 7 aux bases des transistors 14 et 20. D'autre part, le collecteur du transistor 12 est relié à la diode PIN 2 et au condensateur 3 placé en parallèle. La base du transistor 11 est reliée au collecteur du transistor 15. Le transistor 15 est relié à une entrée 21 de commande. Le collecteur du transistor 20 est relié par une résistance 8 à la masse 4. Le collecteur du transistor 14 est relié à un générateur de courant 9, au collecteur du transistor 17 et aux bases des transistors 17 et 16. L'émetteur du transistor 15 est relié au collecteur du transistor 16. Le générateur de courant 9 est relié à une entrée 6 d'alimentation en courant continu par exemple portée à une tension de 5 volts. Les émetteurs des transistors 16 et 17 sont reliés au collecteur du transistor 18. Les bases des transistors 18 et 19 sont reliées au travers d'une résistance 10 à une entrée d'alimentation en courant continu par exemple sur une tension de 5 volts. La base du transistor 19 est reliée à son collecteur. Les émetteurs des transistors 18 et 19 sont reliés à la masse 4. Le dispositif illustré sur la figure 2 comporte deux miroirs de courant 22 et 23. Leur interconnexion permet d'obtenir une boucle d'amplification qui au démarrage présente une croissance exponen- tielle du courant disponible à la sortie 24 du dispositif 1. Le courant maximal débité est limité par le couple des transistors 18 et 19. L'arrivée du transistor 12 près de sa zone de saturation provoque le blocage du transistor 14. Le générateur de courant 9 assure l'amor- çage de la boucle d'amplification. Le démarrage est obtenu par une commande sur l'entrée 21 du transistor 15. Le transistor 20 ainsi que la résistance 8 permettent de contrôler le bon fonctionnement de la diode PIN 2. Si la diode 2 présente un courant de fuite il est impossible de l'amener à la tension de blocage par exemple 40 volts. La détection d'une diode presentant une fuite de courant peut se faire par une mesure de tension aux bornes de la résistance 8. Le dispositif I illustré sur la figure 2 est particulièrement bien adapté à la réalisation en circuit intégré. La réalisation du dispositif monolithique est rendue difficile par l'apparition de transistors parasites augmentant la consommation desdits dispositifs. Le substrat d'un circuit monolothique joue le rôle d'un collecteur branché en parallèle sur un transistor PNP désiré. Le dispositif selon l'invention permet de limiter le courant parasite. Notamment l'utilisation d'un courant I délivré par le générateur 9 faible permet de minimiser la consommation électrique au repos du dispositif. Dans un exemple non limitatif du dispositif selon l'invention le courant I débité par le générateur de courant 9 est égal à 10 liA. Sur la figure 3, on peut voir un dispositif d'alimentation d'une diode PIN 2 de commutation mettant en oeuvre le dispositif selon l'invention. Comme on l'a vu la commutation d'une diode PIN de leur état passant à leur état bloqué nécessite l'élimination de porteurs minoritaires suivie de l'élévation de la tension à la jonction de la diode à la tension de blocage. L'élimination de porteurs minoritaires exige un courant important tandis que le blocage de la diode nécessite une tension plus élevée par exemple 40 volts. Le dispositif illustré sur la figure 3 comporte un générateur basse tension 60, un circuit de commande 61, un générateur de haute tension 1, une diode de blocage 63. Le générateur haute tension 1 est semblable à un dispositif illustré sur la figure 1 ou 2. Sur la figure 3 sont également illustrées la diode PIN 2 à commuter montée en parallèle avec un condensateur 3, ainsi que l'arrivée du signal de commande 68 connecté au circuit de commande 61. Le circuit de commande 61 est connecté au générateur basse tension 60 ainsi qu'à la porte 21 du générateur haute tension. La sortie du générateur basse tension est reliée à la diode 2 et au condensateur 3 à travers une diode 63, le générateur haute tension 1 est relié à la diode 2 et au condensateur 3. Le circuit de commande est relié à l'entrée de la diode 2 d'une part et à la masse d'autre part. Le circuit de commande 61 comporte des moyens de mesure de tension ainsi que des compa- rateurs. Dans un premier temps le générateur basse tension 60 débite un courant important assurant l'élimination des porteurs minori- taires. Quand la tension aux bornes de la diode 2 s'élève, une fois les porteurs minoritaires éliminés, le circuit de commande 61 active le circuit d'alimentation I délivrant une haute tension nécessaire au blocage de la diode. La haute tension polarise la diode 63 isolant le générateur basse tension 60 du générateur haute tension 1. L'utilisation d'un générateur basse tension permet d'utiliser le générateur haute tension pendant un temps plus réduit. Ainsi il est particulièrement avantageux de réduire la consommation au repos du circuit du générateur haute tension I. Il est bien entendu que le dispositif de la figure 3 est associé à chaque diode PIN de chaque déphaseur de l'antenne. L'invention s'applique principalement aux radars comportant des antennes à balayage électronique. REVENDICATIONS 1. Alimentation (1) électrique, caractérisée par le fait qu'elle comporte une boucle d'amplification susceptible de fournir, sur commande, quasi instantanément le courant désiré tout en limitant la consommation électrique au repos. 2. Alimentation (1) selon la revendication 1, caractérisée par le fait qu'elle comporte deux miroirs de courant (22, 23). 3. Alimentation (1) selon la revendication 1 ou 2, caractérisée par le fait qu'elle comporte des transistors (18, 19) susceptibles de limiter le courant maximal débité. 4. Alimentation (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée par le fait qu'elle est réalisée sous forme d'un circuit intégré. 5. Dispositif de commutation rapide pour diodes PIN (2), caractérisé par le fait qu'il comporte une alimentation (1) selon l'une 1 quelconque des revendications précédentes. 6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé par le fait qu'il comporte un transistor (20) alimentant une résistance (8) avec une tension proportionnelle à la tension présente aux bornes de la diode PIN (2). 7. Dispositif selon la revendication 5 ou 6, caractérisé par le fait que l'alimentation (1) comportant une boucle d'amplification est associée à une alimentation basse tension (60) assurant l'élimination des porteurs minoritaires; l'alimentation (1) comportant une boucle d'amplification assurant le blocage de la diode PIN (2). 8. Déphaseur à diodes PIN (2), caractérisé par le fait qu'à chaque diode PIN (2) est associé un dispositif de commutation selon l'une quelconque des revendications 5, 6 ou 7. 9. Antenne à balayage électronique, caractérisée par le fait qu'il comporte des déphaseurs selon la revendication 8. 10. Radar, caractérisé par le fait qu'il comporte une antenne selon la revendication 9.