Brevet FR2583221A1 — publié le 19861212

-1 -: DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR POUR LA REALISATION DES CAPACITES DE DECOUPLAGE PLACEES ENTRE L'ALIMENTATION ET LA MASSE DES CIR- CUITS INTEGRES L'invention concerne un dispositif semiconducteur, incluant au moins un transistor à effet de champ monolithique- ment intégré, sur un substrat semiconducteur fsolant en un ma- tériau du groupe III-V, avec une diode Schottky formant un élément capacitif, ce transistor comprenant une grille Schot- tky et un contact de drain de type ohmique réalisés sur une première couche de type N formée en surface du substrat semi- isolant, et cette diode comprenant un contact de type Schottky réalisé sur une seconde couche de type N formée en surface du substrat semi-isolant. L'invention trouve son application dans la réali- sation des capacités de découplage placées entre l'alimenta- tion continue et la masse, dans des circuits intégrés en arsé- niure de gallium par exemple. Une diode Schottky formant un élément capacitif monolithiquement intégré avec un transistor à effet de champ en arséniure de gallium est connue de l'art antérieur par le brevet japonais 59-112 645 (A) de 1984. Ce document décrit une diode formée par une première couche de type-N réalisée sur un substrat semi-isolant en arséniure de gallium, cette couche portant un contact Schottky et étant adjacente à une première couche de type N+. Le transistor monolithiquement intégré avec cette diode comprend un contact de grille de type Schottky réalisé en surface d'une seconde couche de type N adjacente d'une part à la première couche N+ et d'autre part à une se- conde couche type N+ qui porte le contact de drain de type ohmique. Ainsi réalisée, cette structure devrait constituer l'association entre un transistor à effet de champ à grille Schottky, et une diode, faisant fonction de capacité, dont la -2- cathode est commune avec la source du transistor. Il faut noter que le contact commun de source et de cathode n'est pas concrétisé par la réalisation d'une couche ohmique en surface de la première couche N. Ce dispositif présente un inconvénient majeur. En effet, tel qu'il est réalisé, il ne peut fonctionner, car une diode de type Schottky ne peut être conçue qu'avec une cathode de type ohmique. Ainsi, dans le document cité la diode n'est pas entièrement formée du fait qu'elle ne sort pas sur un contact ohmique. D'autre part, dans un transistor à effet de champ de type Schottky, une source Schottky ne peut être envisagée. Or dans le but d'éviter la génération de bruits de commutation dans les circuits intégrés, il est impératif de prévoir une capacité de découplage placée entre l'alimentation continue de ces circuits et la masse. Si le circuit intégré est à transitions lentes ( terne au circuit et reliée à l'alimentation continue et à la masse par des fils fins. Mais si le circuit intégré est à transitions rapides ( >50 ps) l'impédance des fils souples de liaison, qui est alors très élevée, nuit à l'efficacité du dé- couplage par une capacité extérieure ainsi reliée. C'est pourquoi, pour l'application envisagée aux circuits intégrés sur semiconducteurs du groupe III-V qui permettent des transitions extrêmement rapides, la capacité de découplage de l'alimentation continue doit être intégrée avec le micro-circuit afin de supprimer les fils de liaison souples. Le but de la présente invention est donc de ré- soudre ce problème. Selon l'invention, la solution est fournie par un dispositif semiconducteur tel que décrit dans le préam- bule, caractérisé en ce qu'il inclut également au moins une ligne d'alimentation continue et au moins une ligne de masse, cette dernière présentant une grande surface, en ce que le transistor comprend en outre un contact de source de type - 3 - ohmique réalisé sur la première couche de type N du côté op- posé au drain par rapport à la grille, et une charge à travers laquelle le drain est relié à l'alimentation continue, en ce que a18 diode comprend en outre un contact ohmique réalisé sur la seconde couche N formant la cathode et reliée à l'alimen- tation continue, en ce que le contact Schottky de la diode est la ligne de masse de grande surface, en sorte que en fonction- nement, cette diode est polarisée en inverse et constitue une capacité de grande valeur du fait que cette valeur est propor- tionnelle à la surface de la ligne de masse. Selon la présente invention, le découplage permet- tant d'éviter les bruits de commutation est donc réalisé sans éléments extérieur au circuit, sans augmenter la surface de ce dernier, et des très grandes vitesses de fonctionnement ou bien un fonctionnement en hyperfréquences peut être obtenu avec un dispositif de réalisation particulièrement simple. L'invention sera mieux comprise à l'aide de la description suivante, illustrée par les figures annexées dont: - la figure 1 qui représente le schéma électrique du dispositif selon l'invention; - la figure 2 qui représente en coupe une mise en oeuvre de l'invention selon ce schéma électrique; - la figure 3 qui représente le schéma électrique d'un dispositif particulier conforme à l'invention; - la figure 4 qui représente en coupe la mise en oeuvre de l'invention selon ce schéma électrique particulier. Tel que représenté schématiquement sur la figure 1, le dispositif selon l'invention comprend un transistor à effet de champ T, dont le drain D est relié à l'alimentation continue VDD à travers une charge R. Ce transistor montre une grille G et une source S qui peut être par exemple reliée à la masse M. L'alimentation continue VDD est découplée par rapport à la masse M par une diode A dont la cathode K est -4- reliée à l'alimentation VDD alors que l'autre électrode, l'anode A est reliée à la masse. La grille G du transistor à effet de champ T peut recevoir par exemple un signal d'entrée IN, et le signal de sortie OUT du dispositif est alors disponible sur le drain D. Ce dispositif peut être monolithiquement intégré sur une plaquette de semiconducteur, comme il est représenté sur la figure 2. Dans un exemple de réalisation le semiconduc- teur peut être l'arséniure de gallium, matériau du groupe III-V, dont les propriétés permettent de réaliser des circuits soit ultrarapides, soit fonctionnant en hyperfréquences. Tel que représenté sur la figure 2, le dispositif selon l'invention comprend un substrat semi-isolant 10 en un matériau du groupe III-V en surface duquel sont réalisées une première couche de type N 111 et une seconde couche de type N 112, ces couches présentant un paramètre de maille compatible avec le substrat. Ces couches sont limitées d'une part, et se- parées l'une de l'autre d'autre part, par des zones semi-iso- lantes 12. * Le transistor à effet de champ T est formé de la première couche N 111, du contact ohmique 21 de source S, du contact ohmique 22 de drain D et du contact Schottky 23 de grille G éventuellement réalisé dans une zone amincie 25 de la couche 111, formant dans ce cas un transistor à effet de champ dit à canal creusé. La source S et le drain D peuvent être épaissis par des couches métalliques respectivement 53 et 52, dites se- condes couches d'interconnexion, qui relient respectivement la source S par exemple à la masse M et le drain D à la charge R, non représentée ici, la figure 2 correspondant à la partie F2 de la figure 1 délimitée par un trait discontinu. La diode A est formée de la seconde couche N 112, du contact ohmique 2 formant la cathode K, du contact Schottky 3 formant l'anode A. Sur la zone 12 semi-isolante qui sépare les couches N 111 et 112 peut être réalisée par exemple une - 5 - ligne d'alimentation continue VDD. La cathode K de la diode est reliée alors à cette ligne par une couche métallique 51 de seconde couche d'interconnexion. En ce qui concerne par ailleurs l'anode A, elle est prévue pour cohïncider avec une ligne de masse de grande surface. Ainsi réalisée la diode A, lors du fonctionnement du micro-circuit, est polarisée en inverse. Elle constitue une capacité de valeur: C W o e est la permitivité W est l'épaisseur de la zone désertée sous le contact Schottky 3 formant l'anode A et S est la surface de ce contact Schottky. La tension d'alimentation continue VDD est choi- sie inférieure à la tension de désertion de la couche N 112, ce qui est facilement réalisable sans diminuer les perfor- mances du transistor T en prévoyant de réaliser le contact de grille de ce dernier dans la zone amincie 25 de la couche N 111 comme il a été dit précédemment. Dans ces conditions, comme la ligne de masse présente une grande surface 5, ce qui est d'ailleurs avantageux pour le circuit, la capacité C ainsi formée est de grande valeur. Dans l'exemple de réalisation o le matériau constituant le substrat et les couches N, est l'arséniure de gallium (GaAs), la tension d'alimentation continue VDD est de l'ordre de 1,2 V, et la capacité est de l'ordre de -15F//um2. Pour une ligne de masse présentant une surface: S:10.000 em2 alors C 10 pF = 10-1l F l'impédance Z = 1c o w = 2 n f, f étant la fréquence de CW fonctionnement qui peut atteindre 10 GHz, correspondant à des transitions de l'ordre de 50 ps - 6 - f = 10.109 Hz. Alors 1 10 Z = = 1,5 n -11 x 2e x 10. 1019 2 Un tel résultat est extrêmement avantageux si on le compare avec les résultats qui seraient obtenus si l'on réalisait le découplage par une capacité extérieure au circuit et reliée à l'alimentation continue et à la masse par des fils fins. Dans le cas des transitions rapides de l'ordre de 50 ps envisagées, la selfinductance L des fils fins de raccord est de l'ordre de lnH par mm. Pour une fréquence correspondante de GHz, l'impédance est alors Z' telle que: L = 10-9 H f = 10.109 Hz Z' L Z' = 1.10-9 x 2 r x 10.109 = 60 On note donc que l'impédance Z = 1,5 n obtenue dans le cas de l'invention est extrêmement petite devant l'im- pédance Z': 60 n obtenue seulement pour les fils de liaison dans le cas d'utilisation d'une capacité extérieure. Ce calcul montre bien qu'il est impossible d'utiliser une capacité ex- térieure aux fréquences supérieurs ou égales à 10 GHz. En revanche la capacité formée selon l'invention est d'une grande utilité. Dans un autre exemple de réalisation représenté schématiquement figure 3, la charge R du transistor T est de type résistif. Une mise en oeuvre avantageuse de l'invention est alors représentée en coupe figure 4, correspondant à l'en- semble du circuit F4 délimité par un trait discontinu sur la figure 3. Tel que représenté sur cette figure 4, le disposi- tif comprend une seule couche N 11, réalisée en surface du substrat semi-isolant 10 et limitée par les zones semi-iso- lantes 12. Le transistor T, la résistance R et la diode A sont réalisés dans cette même couche N 11. Le transistor T comprend, comme dans l'exemple précédent illustré par la figure 2, un contact ohmique 21 de source S relié par une métallisation 53 de seconde couche d'interconnexion à la masse M, un contact de grille G de type Schottky 23 éventuellement réalisé dans une zone amincie 25 de la couche N et un contact de drain D de type ohmique 22 par exemple recouvert d'une métallisation 52 de seconde couche d'interconnexion. La grille G peut alors recevoir un signal d'entrée IN, un signal de sortie OUT étant disponible sur le drain. La résistance R est réalisée entre le contact oh- mique de drain 22 et un second contact ohmique 2, lequel cons- titue en outre la cathode K de la diode A. Le contact 2 est couvert par une seconde couche d'interconnexion 51 qui permet sa liaison à l'alimentation continue VDD. La diode A com- prend enfin, de même que précédemment un contact Schottky 3 constituant à la fois l'anode A et la ligne de masse M de grande surface. Le fonctionnement et les performances du circuit sont identiques è ceux de l'exemple précédent illustré par la figure 2. Cependant le dispositif selon l'invention illustré par la figure 4 est d'une mise en oeuvre particulièrement ai- sée et avantageuse. Dans le cas o le dispositif semiconducteur est réalisé en arséniure de gallium (GaAs) les contacts ohmiques peuvent être réalisés en un alliage or-germanium (Au-Ge = /60) et les contacts de type Schottky ainsi que les métalli- sations de seconde couche d'interconnexion ou de ligne d'ali- mentation VDD sur zone semi-isolante peuvent être consti- tuées d'une superposition de couches titane-platine-or (Ti-Pt- Au) ou titane-platine-nickel (Ti-Pt-Ni). La couche ou les couches de type N et les zones semi-isolantes peuvent être obtenues par de nombreuses méthodes telles que la croissance épitaxiale associée à l'implantation ionique par exemple, ou l'implantation ionique seule, toutes méthodes connues de l'homme de l'art et ne faisant pas à proprement parler partie de l'invention. C'est pourquoi il est évident que de nombreuses variantes peuvent être imaginées sans pour autant sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications ci-après annexées. -9- REVENDICATIONS: 1. Dispositif semiconducteur incluant au moins un transistor à effet de champ T monolithiquement intégré, sur un substrat (10) semi-isolant en un matériau du groupe III-V, avec une diode Schottky a formant un el4ment capacitif, ce transistor T comprenant une grille Schottky (6) et un contact de drain D de type ohmique réalisés sur une première couche (25) de type N (111) formée en surface du substrat (10) semi-isolant, et cette diode A comprenant un contact de type Schottky A réalisé sur une seconde couche de type N (112) formée en surface du substrat semi-isolant, caractérisé en ce qu'il inclut également au moins une ligne d'alimentation con- tinue VDD et au moins une ligne de masse M, cette dernière présentant une grande surface, en ce que le transistor com- prend en outre un contact de source S de type ohmique réalisé sur la première couche de type N du côté opposé au drain D par rapport à la grille G, et une charge R à travers laquelle le drain est relié à l'alimentation continue VDD, en ce que la diode A comprend en outre un contact ohmique K réalisé sur la seconde couche N formant la cathode et reliée à l'alimenta- tion continue VDD, en ce que le contact Schottky A de la diode A est la ligne de masse M de grande surface, en sorte que, en fonctionnement cette diode A est polarisée en inverse et constitue une capacité de grande valeur, du fait que cette valeur est proportionnelle à la surface de la ligne de masse. 2. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche N (11) et la se- conde couche N (112) ont la même épaisseur. 3. Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le transistor à effet de champ T est du type dit à canal creusé (25). 4. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendi- cations 1 à 3, caractérisé en ce que le transistor à effet de champ T est à charge R résistive. 5. Dispositif semiconducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la résistance de charge R est formée dans une prolongation de la première couche de type N (111), -10- en ce que les contacts d'extrémités de cette résistance R sont d'une part le contact ohmique de drain D du transistor et d'autre part un second contact ohmique K réalisé également en surface de cette première couche N (11) et relié à la ligne d'alimentation VDD. 6. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendi- cations 1 à 5, caractérisé en ce que la première couche N (111) et la seconde couche N (112) sont séparées par une zone semi-isolante (12). 7. Dispositif semiconducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la ligne d'alimentation continue VDD est formée par une couche métallique (1) en surface de la zone semi-isolante (12) et reliée au contact ohmique (2) de cathode K de la diode A et éventuellement au second contact ohmique de la résistance de charge par une couche métallique superposée dite seconde couche d'interconnexion (51). 8. Dispositif semiconducteur selon la revendication , caractérisé en ce que la premièere couche N et la seconde couche N sont jointives (11). 9. Dispositif semiconducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que le contact ohmique (2) formant la cathode K de la diode A et le second contact ohmique (2) de la résistance R de charge n'en font qu'un et sont reliés à la ligne d'alimentation continue VDD par une couche métallique de seconde couche d'interconnexion (51). 10. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendi- cations précédentes caractérisé en ce que le substrat est en arséniure de gallium (GaAs). 11. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendi- cations précédentes caractérisé en ce que les contacts ohmi- ques sont en alliage or-germanium (Au/Ge = 40/60). 12. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendi- cations précédentes caractérisé en ce que les contacts Schot- tky sont formés par la superposition de couches de titane-pla- tine-or (Ti-Pt-Au) ou de titane-platine-nickel (Ti-Pt-Ni), de même la seconde couche d'interconnexion éventuellement.