Brevet FR2582021A1 — publié le 19861121

La présente invention concerne, d'une manière générale, un appareil de formation de dépôt chimique en phase vapeur et, plus particulièrement, un diffuseur refroidi servant à distribuer des vapeurs actives dans le voisinage d'un ou de plusieurs substrats placés dans une chambre de réaction. La formation de dép8t chimique en phase vapeur est une méthode bien connue pour déposer des films ou des revêtements sur des substrats. En pratique, dans une chambre de réaction (qu'on appelle couramment réacteur), les substrats sont chauffés à une température de réaction prédéterminée appropriée dans une atmosphère comprenant une ou plusieurs vapeurs actives. Les vapeurs sont formées de composés chimiques qui réagissent sur les surfaces des substrats chauffés en y déposant un film ou un revêtement. Par exemple, des réacteurs du type cloche sont utilisés, habituellement, pour déposer des revêtements résistants sur des substrats tels que des outils, des verres optiques, etc. De tels réacteurs sont également courants pour déposer divers types de revêtements sur des substrats semiconducteurs, comme on le décrira plus en détail dans la suite. Les vapeurs sont introduites en continu dans le réacteur et les vapeurs résiduelles (c'est-à-dire les sous-produits de réaction gazeux) sont purgées en continu hors du réacteur de façon à maintenir une circulation constante de vapeurs actives sur les surfaces des substrats. Les substrats sont chauffés selon des méthodes bien connues, telles que par conduction, rayonnement, induction, etc. En pratique, pour la fabrication en grandes séries, une grande quantité de substrats sont disposés en rangée, de manière classique, dans un creuset oblong à l'intérieur du réacteur. Le réacteur est alors chauffé au moyen d'un four extérieur dont la chaleur est transmise par rayonnement du four aux substrats, à travers les parois du réacteur. Ce dispositif est appelé communément réacteur de formation de dépôt chimique en phase vapeur à parois chaudes. En pratique, la pression dans le réacteur est établie par l'introduction des vapeurs actives, de telle façon que les vapeurs résiduelles s'échappent par une sortie vers un espace à pression réduite. En variante, une pompe d'évacuation peut être montée sur la porte de sortie pour maintenir une pression faible dans le réacteur. Dans ce cas, le réacteur est considéré comme un système de formation de dép8t chimique en phase vapeur sous pression réduite. Il est connu d'utiliser un diffuseur comportant une pluralité d'ouvertures pour distribuer les vapeurs actives dans le réacteur. Un diffuseur offre comme avantage que le dép8t est uniforme sur tous les substrats. En fait, certaines vapeurs agissent si rapidement qu'on ne peut obtenir un dép8t suffisamment uniforme sans l'aide d'un diffuseur, comme on va l'expliquer plus en détail dans la suite. Cependant, comme le diffuseur est placé à l'intérieur du réacteur, il est chauffé approximativement à la même température que les substrats. On a alors constaté que les vapeurs actives agissaient prématurément dans le diffuseur en y formant des dép8ts sur ses parois internes. A cause de cette réaction prématurée, des vapeurs épuisées ou résiduelles circulent sur les substrats, ce qui entraîne une formation de film ou de revêtement non satisfaisante sur ceux-ci. En pratique, dans les procédés de formation de dép8t chimique en phase vapeur, quand on utilise un mélange de vapeurs, l'une d'entre elles est plus active que les autres. Dans le diffuseur chaud, la vapeur la plus active se décompose plus rapidement que les autres et il en résulte qu'un mélange de vapeur modifié est appliqué aux substrats. En conséquence, le film déposé sur les substrats est déficient au niveau du composant de la vapeur la plus active qui s'est déposée prématurément sur les parois internes du diffuseur. Un autre inconvénient des diffuseurs chauds est que le film qui se développe sur les parois internes peut s'épaissir jusqu'à atteindre une épaisseur substantielle qui modifie les dimensions internes du diffuseur et les ouvertures par lesquelles les vapeurs sont distri- buées dans le réacteur. Il peut en résulter une distribution non uniforme des vapeurs actives dans le voisinage du substrat. Selon la présente invention, on utilise un diffuseur refroidi pour éliminer les inconvénients des diffuseurs chauds connus sus- mentionnés et pour avoir une bonne uniformité dans la formation du dép8t et un bon contr8le de la composition du film sur les substrats. D'une manière générale, l'invention consiste en un appareil de formation de dép8t chimique en phase vapeur, comprenant un réacteur étanche à l'air, une structure pour supporter un ou plusieurs substrats ayant des surfaces exposées à l'intérieur du réacteur, un appareil pour chauffer les substrats à une température de réaction prédéterminée, et un diffuseur placé dans le réacteur, pour recevoir une ou plusieurs vapeurs actives et comportant une pluralité d'ouvertures pour distribuer uniformément les vapeurs reçues dans le voisinage des substrats, afin que les vapeurs réagissent sur les surfaces des substrats à la température de réaction prédéterminée pour y faire se déposer un film. L'invention comprend encore un appareil pour évacuer les vapeurs résiduelles du réacteur, et un appareil de refroidissement enveloppant pratiquement le diffuseur, dans lequel circule un fluide de refroidissement, pour maintenir le diffuseur à une température inférieure à la température de réaction, afin que les vapeurs actives ne réagissent pas prématurément à l'intérieur du diffuseur. L'invention consiste également en un procédé de formation de dép8t chimique en phase vapeur, comprenant les phases suivantes: chauffer un ou plusieurs substrats supportés à l'intérieur d'un réacteur étanche à l'air à une température de réaction prédéterminée; recevoir une ou plusieurs vapeurs actives dans un diffuseur; refroidir les vapeurs à l'intérieur du diffuseur à une température inférieure à la température de réaction, afin que les vapeurs refroidies ne puissent agir prématurément à l'intérieur du diffuseur; distribuer uniformément les vapeurs à partir du diffuseur dans le voisinage des substrats, de sorte que les vapeurs réagissent à la température de réaction pour former une couche de dép8t sur les substrats; et évacuer lés vapeurs résiduelles du réacteur. On comprendra mieux l'invention en se référant à la description détaillée qui suit, celle-ci étant faite en relation avec les dessins joints, parmi lesquels: la Fig. 1 est une vue en coupe d'un réacteur, d'un diffuseur et de substrats selon la technique antérieure, la Fig. 2 est une vue en coupe d'un dispositif diffuseur selon un premier exemple de réalisation de l'invention, la Fig. 3 est une vue en coupe d'un dispositif diffuseur selon un second exemple de réalisation de l'invention, et la Fig. 4 est une vue en coupe d'un exemple de réalisation préféré de l'invention. La Fig. 1 montre une pluralité de substrats 1 supportés à l'intérieur d'un réacteur en forme de cloche 2, par une structure appropriée non montrée, telle que le creuset oblong déjà mentionné. Comme on l'a déjà noté, les substrats sont des outils, des verres optiques ou des semi-conducteurs. Un appareil de chauffage 3, tel qu'un four ou une pluralité de tubes chauffants, est placé près de la face extérieure d'une paroi 4 du réacteur 2 pour chauffer celle-ci qui, en réponse, rayonne de la chaleur vers les substrats 1. Les vapeurs actives, qui portent la-référence numérique 5, entrent dans un diffuseur 6 comportant une pluralité d'ouvertures 7. Les vapeurs s'échappent par les ouvertures 7 et Vagissent à la surface des substrats 1 en faisant s'y déposer un film. Les vapeurs résiduelles sont extraites par une sortie 8, afin d'établir un courant continu de vapeurs actives sur les substrats 1. Comme on l'a décrit ci-dessus, en pratique, le diffuseur 6 est chauffé sensiblement à la température qui règne à l'intérieur du réacteur 2, si bien qu'en fait, les vapeurs actives 5 réagissent prématurément et provoquent le dépôt d'un film sur les parois internes du diffuseur 6 et qu'il passe les ouvertures 7 des vapeurs épuisées ou résiduelles, provoquant un manque d'uniformité du film qui se dépose sur les substrats 1. La Fig. 2 montre un dispositif diffuseur qui comprend un diffuseur tubulaire 6 entouré ou enveloppé par deux tubes concentri- ques 10 et 11 dont les parois sont soudées par écrasement autour des ouvertures 7 du diffuseur. En pratique, à la fabrication, des trous sont percés dans les parties des tubes soudées par écrasement, de façon à former les ouvertures de diffuseur 7. Le fluide de refroidissement, portant la référence numérique 12, passe entre le diffuseur 6 et le tube concentrique voisin 10. Il entre par un conduit d'entrée 15 et sort par un conduit de sortie 16. En pratique, on fait le vide entre les tubes 10 et 11 pour réaliser un moyen d'isolation thermique. Le tube 10 est scellé dans les parois 4 du réacteur (tel que le réacteur 2 de la Fig. 1) avec un joint approprié, par exemple un joint torique 17 à section en "0". En fonctionnement, les vapeurs actives entrent dans le diffuseur 6 par l'entrée 18 et sont distribuées par les ouvertures 7 pour réagir sur les surfaces des substrats placés dans leur voisinage, comme on l'a décrit à propos de la Fig. 1. Le fluide de refroidissement 12 circule autour du diffuseur 6, pour y maintenir à l'intérieur les vapeurs actives à une température inférieure à leur température de réaction. On peut se passer du tube -thermiquement isolant 11 si le transfert de chaleur entre le réacteur (2 à la Fig. 1) et le dispositif diffuseur est négligeable, ce qui est souvent le cas. La quantité de chaleur transmise par les vapeurs à l'intérieur du réacteur est faible, particulièrement dans les réacteurs à pression réduite. Le plus souvent, cette conduction de chaleur est suffisamment faible pour que le milieu de vapeur entourant le dispositif diffuseur agisse, en réalité, comme un manchon thermiquement isolant à travers lequel ne passe que la chaleur rayonnée, et qu'on n'ait donc pas besoin du tube thermiquement isolant 11, comme on l'expliquera plus en détail dans la suite, à propos de l'exemple de réalisation préféré de l'invention, illustré à la Fig. 4. Toutefois, si la transmission de chaleur au dispositif diffuseur n'est pas négligeable (c'est-à-dire si le rapport de la surface du réacteur à la surface du diffuseur n'est pas suffisamment grand), le tube isolant thermique 11 est nécessaire. La Fig. 3 illustre un autre dispositif diffuseur dans lequel les deux extrémités du diffuseur tubulaire 6 passent à travers les parois 4 du réacteur. Un tube de refroidissement hélicoïdal 21 est enroulé autour du diffuseur 6 en laissant les ouvertures de distribution de vapeur à découvert. Le fluide de refroidisseent entre dans le tube 21 par une entrée 22 à l'extérieur des parois 4 du réacteur, et sort par une sortie 23. Des joints en toriques 17, entourent les parties entrante et sortante du tube 21 et les extrémités du diffuseur 6 pour assurer que l'intérieur du réacteur 2, Fig. 1, soit étanche aux gaz. Les vapeurs actives entrent dans le diffuseur 6 par le conduit 18 pour 8tre distribuées par les ouvertures 7, comme on l'a expliqué ci-dessus. Le fluide de refroidissement passe dans le tube hélicoïdal 21, maintenant, à l'intérieur du diffuseur 6, la vapeur active à une température prédéterminée inférieure à leur température de réaction. Le diffuseur refroidi selon la présente invention est parti- culièrement utile dans des systèmes de production de dépôt chimique en phase vapeur à parois chaudes, comme le montre l'exemple suivant. Exemple La formation de dép8t de verre de silice au bore et au phosphore à partir d'hydrures de bore (B2H6), de phosphore (PH3) et de silicium (SiH4) est bien connue et largement utilisée dans la fabrication industrielle de dispositifs semi-conducteurs. En pratique, des substrats de silicium sont placés en rangée le long de l'axe d'un réacteur tubulaire, dans un creuset oblong partiellement fermé. Un diffuseur s'étend sur la longueur du réacteur, délivrant de l'oxygène aux pastilles. Un autre diffuseur semblable distribue les hydrures sus-mentionnés. En pratique, la pression de gaz dans le réacteur tubulaire est réduite à moins de 1,36 g/cm2 par évacuation des vapeurs résiduelles au moyen d'une pompe à vide et celui-ci est chauffé dans un four tubulaire à une température comprise entre 300 C et 450 C. Les hydrures de silicium (SiH4) et de phosphore (PH3) sont stables à la température du réacteur comprise entre 300 et 450 C, quel que soit le rapport du mélange. Par contre, l'hydrure de bore (B2H6) se décompose en bore et en hydrogène à partir de 200 C. Donc, en faisant passer un mélange en phase vapeur d'hydrures de silicium et de bore, avec ou sans hydrure de phosphore, le long d'un diffuseur chaud, il se forme un dép8t métallique de bore sur les parois internes du diffuseur. A partir de 200 C, la décomposition de l'hydrure de bore est tellement rapide qu'il en passe seulement une petite quantité intacte dans les ouvertures du diffuseur pour atteindre les substrats de silicium. On a constaté que le dép8t de verre de silice au bore et au phosphore est inefficace et difficile à contr81er dans les réacteurs de formation de dép8t chimique en phase vapeur à parois chaudes classiques, quand on utilise de l'hydrure de bore. Cependant, avec le diffuseur refroidi de la présente invention, on peut obtenir efficacement et précisément le dép8t de verre de silice au phosphore et au bore à partir d'une composition contr8lée des hydrures. La Fig. 4 montre un exemple de réalisation préféré de l'invention. Un tube de réacteur 25 (fabriqué en pratique à partir de quartz) contient une pluralité de substrats 26 et il est placé à l'intérieur d'un four cylindrique 27 o il est chauffé à une température comprise entre 300 et 450 C. Une sortie 28 du tube 25 est reliée à une pompe à vide, non montrée, pour évacuer les vapeurs résiduelles ou épuisées. Un diffuseur d'hydrures 29 comporte des ouvertures de distribution de vapeur 30 dans le voisinage des substrats, pour assurer une distribution de vapeur uniforme aux substrats et la formation sur ceux-ci d'un dép8t uniforme. Un diffuseur d'oxygène, non montré, est placé à c8té du diffuseur 29, d'une manière connue. Une paire de tubes concentriques 31A et 31B enveloppe le diffuseur 29 et comporte des ouvertures correspondant aux ouvertures de distribution de vapeur 30. Une porte de chargement 35 est prévue pour introduire et retirer les substrats 26 et elle est maintenue fermée de façon étanche sur le tube 25 avec des moyens connus tels que des joints toriques 36. De plus, un joint d'étanchéité 37 assure le vide entre la paire de tubes concentriques 31A et 31B et le tube en quartz 25. En fonctionnement, le mélange d'hydrures en phase vapeur entre dans le diffuseur 29 par une entrée 32 et est évacué par les ouvertures 30. Le mélange hydrures en phase vapeur réagit avec l'oxygène à la surface des substrats 26, en y formant un revêtement comme on l'a déjà expliqué. Les vapeurs résiduelles sont évacuées par la sortie 28 au moyen d'une pompe aspirante. Du fluide de refroidisse- ment passe dans les tubes concentriques 31A et 31B. Il entre par une entrée 33 et sort par une sortie 34 pour refroidir la vapeur d'hydrure de bore à une température inférieure à 2000C. On a constaté que dans les appareils de formation de dép t chimique en phase vapeur à parois chaudes, la transmission de chaleur dans les réacteurs se faisait presque entièrement par rayonnement, même à des températures faibles telles que 330 C. Comme l'absorption de chaleur par rayonnement est proportionnelle à la surface, un dispositif diffuseur de petite surface n'absorbe qu'une petite quantité de chaleur. Ainsi, comme on l'a expliqué ci-dessus à propos de la Fig. 2, il importe qu'on ait un rapport élevé entre la surface du réacteur et la surface du diffuseur pour maintenir la température uniforme à l'intérieur du réacteur. Selon un exemple de réalisation satisfaisant de l'invention, le rapport de la surface interne du tube de réaction 25 à la surface du dispositif diffuseur (c'est-à-dire le diffuseur 29 entouré des tubes concentriques 31A et 31B) était environ de 100. En d'autres termes, le diamètre du tube 25 était environ dix fois plus grand que celui du dispositif diffuseur. On a constaté que l'absorption de chaleur par le dispositif diffuseur refroidi à partir de l'atmosphère ambiante était négligeable. En particulier, en utilisant de l'eau comme fluide de refroidissement, avec un débit dans les tubes 31A et 31B de un litre par minute, la température de l'eau augmentait de moins de 250C pour une température du réacteur de 400 C. Ainsi, il y avait une absorption de chaleur minimale, de sorte qu'il n'y avait pas besoin d'isolation thermique supplémentaire (telle que le tube concentrique 1l de la Fig. 2) autour des tubes concentriques 31A et 31B. L'uniformité de température dans le voisinage des substrats était modifiée de façon négligeable en présence du dispositif diffuseur refroidi. De plus, on a constaté qu'il ne se formait pas de dépôt notable à la surface intérieure du diffuseur refroidi 29 et, qu'en réalité, la composition du film déposé sur les substrats 26 était directement proportionnelle à la composition gazeuse d'origine entrant dans le diffuseur 29 par l'entrée 32. En pratique, les diffuseurs connus étaient fabriqués en matériau transparent tel que du quartz. A l'usage, on a constaté que des photons infra-rouges sont émis à travers les diffuseurs connus et absorbés par les vapeurs actives. En réponse, les vapeurs se retrouvent au-dessus du niveau d'énergie thermique d'excitation à l'intérieur des diffuseurs, la formation de dépôt chimique en phase vapeur s'en trouve accélérée et la réaction des vapeurs prématurée. Il s'est avéré qu'en prévoyant le dispositif diffuseur en un matériau qui réfléchit les photons (tel que de l'acier inoxydable), ou qu'en utilisant un liquide de refroidissant ayant la propriété d'absorber les photons, on réduisait sensiblement la formation de dép8t à l'intérieur du diffuseur. En pratique, il se trouve que l'eau présente des caractéristiques d'absorption de photons satisfaisantes. De nombreuses variantes ou d'autres exemples de réalisation peuvent être conçus par un homne de métier connaissant la présente invention. Par exemple, bien que l'exemple décrit illustre l'utilisation de la présente invention pour effectuer des dépôts chimiques en phase vapeur en utilisant des composants particuliers, l'invention ne se limite pas à l'usage de ces composants, et elle permet de réaliser le dépôt de nombreux autres films ou revêtements. Par exemple, on peut l'utiliser pour appliquer des revêtements de silicium polycristallin dopé, des revêtements en film de bore résistant à l'usure et à la corrosion, ou des revêtements d'aluminium obtenus à partir de triisobutylaluminidum appliqué à un ou plusieurs substrats. En variante, des semi-conducteurs intermétalliques (arséniure de gallium, phosphure de gallium, etc.) peuvent être obtenus à partir de composants organométalliques (Ga(CH3)3, Al(C2H5)3, etc.) et déposés sur les substrats. Ces exemples de réalisation et tous les autres, ou variantes dans lesquels on utilise les principes décrits ici sont considérés comme faisant partie de la sphère ou du domaine de l'invention, comme défini dans les revendications jointes. REVENDICATIONS 1) Appareil de formation de dépôt chimique en phase vapeur, comprenant: a) un réacteur étanche à l'air (2), b) un moyen pour supporter un ou plusieurs substrats ayant des surfaces exposées dans ledit réacteur, c) un moyen pour chauffer lesdits substrats à une température prédéterminée, d) un moyen diffuseur disposé à l'intérieur du réacteur (2), pour recevoir une ou plusieurs vapeurs actives et comportant une pluralité d'ouvertures pour distribuer uniformément lesdites vapeurs reçues dans le voisinage desdits substrats, afin que lesdites vapeurs agissent sur les surfaces desdits substrats à ladite température de réaction prédéterminée en faisant s'y déposer un film, e) un moyen pour évacuer les vapeurs résiduelles dudit réacteur, et f) un moyen de refroidissement enveloppant pratiquement ledit moyen diffuseur, dans lequel circule du liquide de refroidissement, pour maintenir ledit moyen diffuseur à une température inférieure à ladite température de réaction, de telle façon que lesdites vapeurs actives ne réagissent pas prématurément à l'intérieur du moyen diffuseur. 2) Appareil de formation de dépôt chimique en phase vapeur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen diffuseur et le moyen de refroidissement sont fabriqués en matériau réfléchissant la chaleur. 3) Appareil de formation de dép8t chimique en phase vapeur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit fluide de refroidis- sement a une capacité calorifique suffisante pour absorber la chaleur produite par ledit moyen de chauffage. 4) Appareil de formation de dépôt chimique en phase vapeur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit moyen de refroidissement comprend un premier tube concentrique (10) entourant le moyen diffuseur (6), soudé par écrasement avec le moyen diffuseur (6) autour des ouvertures (7), pour définir un espace dans lequel circule ledit fluide de refroidissement. ) Appareil de formation de dépôt chimique en phase vapeur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit moyen de refroidissement comprend un premier tube concentrique (10) entourant le moyen diffuseur (6) pour définir un espace dans lequel circule le fluide de refroidissement, et un second tube concentrique (11) entourant le premier tube (10) pour définir entre eux un espace vide et réaliser une isolation thermique entre le premier tube (10) et ledit moyen de chauffage, les premier et second tubes concentriques (10, 11) étant soudés par écrasement avec le moyen diffuseur (6) autour des ouvertures (7). 6) Appareil de formation de dép8t chimique en phase vapeur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit moyen de refroidissement comprend un tube hélicoïdal (21) enroulé autour du moyen diffuseur (6), dans lequel circule ledit fluide de refroidis- sement. 7) Appareil de formation de dép8t chimique en phase vapeur selon une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit moyen de refroidissement comprend une paire de tubes concentriques (31A, 31B) entourant ledit moyen diffuseur (29) et présentant une pluralité d'ouvertures correspondant avec les ouvertures (30), pour définir des passages concentriques dans lesquels circule ledit fluide de refroi- dissement, autour du moyen diffuseur (29). 8) Appareil de formation de dép8t chimique en phase vapeur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le fluide de refroidissement est de l'eau. 9) Appareil de formation de dépôt chimique en phase vapeur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit moyen diffuseur et ledit moyen de refroidissement sont en acier inoxydable. ) Appareil de formation de dép8t chimique en phase vapeur selon la revendication 1, comprenant un autre moyen diffuseur à l'intérieur dudit réacteur pour recevoir de l'oxygène et présentant une pluralité d'ouvertures pour distribuer uniformément l'oxygène reçu dans le voisinage desdits substrats, afin que lesdites vapeurs réagissent avec l'oxygène sur les surfaces desdits substrats à ladite température de réaction prédéterminée en faisant s'y déposer ledit film. 11) Appareil de formation de dép8t chimique en phase vapeur selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite température de réaction est comprise entre 300 C et 450 C, et en ce que lesdites vapeurs actives sont SiH4, PH3 et B2H6 qui réagissent avec l'oxygène pour déposer un film de verre de silice au bore et au phophore sur lesdites surfaces de substrats à ladite température de réaction. 12) Appareil de formation de dép8t chimique en phase vapeur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit moyen de chauffage consiste en un moyen pour rayonner de la chaleur à travers les parois (4) du réacteur (2) dont la surface est suffisamment grande par rapport à la surface du moyen de refroidissement pour que la transmission de chaleur soit pratiquement négligeable entre le réacteur (2) et ledit moyen diffuseur. 13) Appareil de formation de dép8t chimique en phase vapeur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit moyen de chauffage comprend un moyen pour-rayonner de la chaleur à travers les parois (4) du réacteur (2) dont la surface est environ cent fois plus grande que celle du moyen de refroidissement, afin de rendre négligeable la transmission de chaleur entre le réacteur (2) et le moyen diffuseur. 14) Procédé de formation de dép8t chimique en phase vapeur, caractérisé en ce qu'il comprend les phases suivantes: a) chauffer un ou plusieurs substrats supportés dans un réacteur étanche à l'air à une température de réaction prédéterminée, b) recevoir une ou plusieurs vapeurs actives à l'intérieur d'un diffuseur, c) refroidir lesdites vapeurs à l'intérieur du diffuseur à une température inférieure à leur température de réaction, afin que lesdites vapeurs refroidies ne puissent n'agir préma- turément à l'intérieur dudit diffuseur, d) distribuer lesdites vapeurs à partir du diffuseur uni- formément dans le voisinage desdits substrats, de telle façon que lesdites vapeurs n'agissent à la température de réaction pour former une couche de dép8t sur lesdits substrats, et e) évacuer les vapeurs résiduelles dudit réacteur.