Brevet FR2581227A1 — publié le 19861031

L'invention concerne un dispositif à cristal liquide appliqué à un dispositif d'affichage à cristal liquide, un réseau obturateur optique à cristal liquide, etc., et plus particulièrement un dispositif à cristal liquide présentant des caractéristi- ques améliorées d'affichage et de commande grâce à une orientation ou un alignement initial amélioré des molécules du cristal liquide. Clark et Lagerwall ont proposé un dispositif à cristal liquide dans lequel la transmission des rayons lumineux est commandée par l'utilisation de l'anisotropie de l'indice de réfraction des molécules d'un cristal liquide ferro-électrique en combinaison avec des éléments polarisants (par exemple brevet des Etats-Unis d'Amérique N 4 367 924 et demande de brevet japonais N 107216/1981). Le cristal liquide ferro- électrique présente généralement une phase smectique chirale C (SmC*) ou H (SmH*) dans une plage particulière de températures et, dans cet état, il est bistable, c'est-à-dire qu'il possède la propriété de pouvoir prendre soit un premier état stable, soit un second état stable sous l'effet d'un champ électrique qui lui est appliqué, et de conserver l'état résultant en l'absence du champ électrique. Le dispositif à cristal liquide ferro-électrique présente en outre une vitesse de réponse élevée à une variation du champ électrique et on peut donc en envisager une large utilisation comme dispositif d'affichage à vitesse élevée d'un type de mémoire. Cependant, pour qu'un cristal liquide ferro-électrique bistable puisse présenter les caracté- ristiques de commande souhaitées, il faut que le cristal liquide disposé entre deux plaques de base parallèles possède un agencement moléculaire tel qu'il soit possible de faire basculer efficacement les molécules entre les deux états stables indépendamment de l'application d'un champ électrique. Par exemple, en ce qui concerne des cristaux liquides ferro-électri- ques de phase SmC* ou SmH*, il faut qu'il soit formé une région (domaine unique) o des couches de cristaux liquides de phase SmC* ou SmH* sont perpendiculaires aux surfaces des plaques de base, c'est-à-dire que les axes des cristaux liquides sont sensiblement parallèles aux surfaces. Cependant, avec les dispositifs de modulation optique dans lesquels un cristal liquide bistable est utilisé, l'alignement du cristal liquide possédant une telle structure à domaine unique ne se forme pas de façon satisfaisante, ce qui ne permet pas d'obtenir des caractéristiques d'affichage suffisan- tes. Comme procédé de commande de l'alignement du cristal liquide ferroélectrique, il a été proposé de disposer un film organique ou un film inorganique déposé à l'état de vapeur, présentant des stries ou des gorges, sur les surfaces intérieures des plaques de base d'une cellule à cristal liquide afin de comman- der l'alignement moléculaire par frottement ou dépôt oblique de vapeur d'une manière similaire à celle utilisée dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides classiques du type TN. Par exemple, on met en oeuvre un procédé de frottement en formant d'abord des électrodes transparentes sur des plaques de verre et en revêtant les électrodes d'un film de polymère organique, puis en frottant le film de polymère organique avec une étoffe, par exemple du velours, pour aligner les molécules de cristal liquide sous l'effet de fines stries formées sur la surface du film. Un disposi- tif à cristal liquide ainsi conçu est décrit dans le brevet européen (EPA) N? 91-661-. Cependant, le dispositif à cristal liquide ainsi formé ne peut pas présenter une phase smectique chirale dans laquelle des couches verticales de molécules de cristal liquide smectique chiral sont alignées sur une grande étendue afin de former une seule normale, et l'état d'alignement n'est pas adapté à une utilisation pratique. Par ailleurs, dans un procédé de dépôt de vapeur oblique, un film inorganique, par exemple de SiO, est formé à la place d'un film de polymère organique par dépôt de vapeur sur une plaque de base inclinée, c'est-à-dire par dépôt de vapeur oblique. Ce procédé est décrit par Yoshino dans Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 18 (1979), pages 427-433. Cependant, le dispositif à cristal liquide formé par l'utilisation du procédé de commande d'alignement décrit par Yoshino a pour résultat un état d'alignement non uniforme dans lequel des couches verticales de phase smectique chirale forment des normales partielle- ment différentes et il n'est donc pas non plus adapté à une utilisation pratique. En plus des procédés ci-dessus, CLark et collaborateurs ont proposé un procédé de déplacement de deux plaques de base l'une par rapport à l'autre pour aligner des molécules de cristal liquide (brevet des E.U.A. N 4 367 924), et Yoshino a proposé un procédé pour former des entretoises de téréphtalate de polyéthylène afin d'établir un intervalle de cellule, et pour utiliser la caractéristique d'orientation des bords des entretoises. Cependant, dans chacun de ces procédés, il est comme précédemment difficile d'obtenir un état d'alignement dans lequel des couches verticales de phase smectique chirale sont alignées de façon à former une seule normale. L'invention a pour objet principal un dispositif à cristal liquide ferroélectrique possédant des caractéristiques améliorées d'affichage et de commande, par l'établissement d'un état d'alignement initial dans lequel des couches verticales d'une phase smectique, en particulier une phase smectique chirale, s'alignent pour former une seule normale sur une grande étendue. Conformément à la présente invention, il est proposé un dispositif à cristal liquide possédant une structure de cellule comprenant deux plaques de base et un cristal liquide smectique ayant une phase cholestérique du c8té des températures plus élevées; le rapport (P/d) du pas de spirale de la phase cholestérique (P) à l'écartement des deux plaques de base (d) est de 0,5 ou plus. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemple nullement limitatif et sur lesquels: - la figure 1 est une vue schématique en perspective d'un dispositif à cristal liquide selon l'invention; - la figure 2 est un graphique montrant la relation d'une caractéristique d'alignement avec l'épaisseur (d) d'une couche de cristal liquide et le pas de spirale (P) d'une phase cholestérique (Ch); et - la figure 3 est un graphique montrant la relation entre le pas de spirale (P) d'une phase cholestérique et la température. Lorsque le procédé de commande d'alignement mentionné ci-dessus est utilisé pour aligner un cristal liquide ferro-électrique, l'état d'alignement résultant varie notablement suivant les propriétés physiques du cristal liquide ferro-électrique. On peut mettre en avant, comme propriété physique affectant l'alignement, la différence des séries de transitions de phase. Les quatre diagrammes suivants de séries de transitions de phase sont connus pour des cristaux liquides ferro- électriques. SERIES DE TRANSITION Côté de température plus élevée - -7 Côté de température plus basse (i) Iso -+ CH -t SmA - SmC* (ii) Iso SmA. SmC* (iii) Iso Ch - SmC* (iv) Iso _. SmC* (dans ce cas, Iso désigne une phase isotrope; Ch une phase cholestérique; SmA une phase smectique A). Une étude des caractéristiques d'alignement du cristal SmC* en regard des séries de transitions de phase mentionnées ci-dessus a montré qu'un cristal liquide possédant la série de transitions de phase (i) indiquée ci-dessus présente une meilleure caractéris- tique d'orientation ou d'alignement que ceux possédant les autres séries de transitions de phase. Plus particulièrement, lors d'une série d'essais mettant en oeuvre le procédé de frottement comme procédé de commande de l'alignement uniaxe, un cristal liquide ferro-électrique, présentant la série de transitions de phase (ii), tel que DOBAMBC (p-décyloxybenzylidène-p'-amino-2méthylbutylcinnamate), un cristal liquide présentant la série de transitions de phase (iii), tel que le cristal 80B mentionné ci-dessous, ou un cristal liquide présentant une série de transitions de phase (iv), tel que le cristal MORA 8, ne présentent pas aisément un état d'orientation satisfaisant, même lorsque des conditions quelconques de frottement sont choisies. Par contre, il est apparu qu'un cristal liquide en mélange approprié, présentant la série (i) de transitions de phase, possède un état d'alignement nettement meilleur que ceux des cristaux des autres séries de transitions de phase. On peut considérer qu'une raison pour laquelle la différence entre les séries de transitions de phase a pour résultat une différence remarquable des caractéristiques d'aligne- ment est que, dans le cours d'une transition de phase d'une phase isotropique à une phase SmC* ou SmH* possédant une structure de couche chirale, un cristal liquide présentant une transition de phase telle que la série de transitions de phase (i), impliquant des phases ayant des degrés de symétrie décroissant sucessivement, peut réaliser relativement aisément l'alignement moléculaire d'une phase smectique. Cependant, d'autres études ont montré que tous les cristaux liquides ayant la série de transitions de phase (i) ci-dessus ne présentent pas toujours une bonne caracté- ristique d'alignement; le fait qu'un cristal liquide présente simplement la série de transitions de phase (i) ne constitue pas une condition suffisante. D'autres études ont permis d'observer qu'un cristal liquide ayant une plage de températures suffisamment large, avantageusement une plage de C ou plus, pour les deux phases Ch et SmA parmi celles présentant la série de transitions de phase (i), possède une caractéristique d'alignement ou d'orientation particulièrement améliorée. Sur la base des observations précédentes, on a procédé à d'autres études portant sur la relation entre la caractéristique d'alignement d'une phase smectique chirale et celle d'une phase Ch tout en notant la phase Ch qui est considérée comme étant un état intermédiaire entre une phase isotrope et une phase smectique chirale comprenant une phase SmA et qui possède une fonction de modération d'un changement brusque de l'agencement moléculaire. On a donc constaté que la caractéristique d'alignement dans une phase smectique chirale dépend de la valeur du pas de spirale de la phase Ch et de la relation entre le pas de spirale de phase Ch et l'épaisseur d'une couche de cristal liquide. Plus particulièrement, la caractéristique d'alignement est notablement améliorée dans des conditions dans lesquelles le pas de spirale d'une phase Ch est de 0,8 pm ou plus et le rapport (P/d) du pas de spirale (P, en gm) à l'écartement (d, en pm) est de 0,5 ou plus, avantageusement entre 0,5 et 10. Une forme de réalisation de l'invention sera à présent décrite en regard des dessins. La figure 1 est une vue schématique en perspective d'un exemple de la cellule à cristal liquide selon l'invention. Cette cellule a été composée suivant un système de matrice de points simple et elle comprend deux plaques de verre parallèles 11a et 1lb sur lesquelles sont formés des dessins d'électro- des transparentes 12a et 12b en, par exemple ITO (oxyde d'indium-étain) se croisant mutuellement à peu près perpendiculairement. Les surfaces des plaques de base portant les dessins d'électrodes sont recouver- tes d'un film de revêtement (non représenté), par exemple un polymère organique tel qu'un polyimide, de l'alcool polyvinylique ou un polyamide, qui a été soumis à un frottement en tant que traitement d'orientation uniaxe. En outre, l'écartement d entre les deux plaques de base est maintenu par des entretoises (non représentées) disposées entre les surfaces des plaques de base. Plusieurs types de cristaux liquides smectiques chiraux, comprenant des mélanges, ont été scellés à l'intérieur des cellules à cristal liquide ainsi composées. La température des cellules a été portée à une valeur produisant une phase isotrope puis abaissée progressivement (à une vitesse de 0,5 C/h), 2581Z27 par exemple) afin de provoquer des transitions de phase successives de la phase isotrope, de la phase cholestérique, de la phase SmA et d'une phase smectique chirale telle que SmC* (ou SmH*), après quoi l'état d'alignement de la phase smectique chirale a été examiné. Le cristal liquide smectique chiral à utiliser à cet effet peut également être en phase SmG* ou SmF*. Les résultats de l'essai ci-dessus sont donnés en détail ci-après. Les cristaux liquides particuliers utilisés dans cet exemple sont indiqués dans le tableau suivant. Tableau Cristal liquide Pas de spirale (P en!lm) (1) LC-1 0,7 (2) (LC-1)90(80B)10 1,5 (3) (LC-1)80/(80B)20 7,1 (4) (LC-1)70/(80B)30 1,3 (5) (LC-1)60/(80B)40 0,5 (6) 80SI* 0,5 (7) MIX-1 9,2 Tous ces cristaux liquides présentent la série de transitions de phase (i) mentionnée ci- dessus. En outre, les cristaux LC-1 et 80B indiqués dans le tableau possèdent des directions de spirale mutuellement différentes dans leur phase cholestérique. Ainsi qu'il ressort du tableau, le pas de spirale (P) dans la phase cholestérique peut être augmenté par mélange d'un crisal liquide de spirale dextrogyre à un cristal liquide de spirale lévogyre. Dans le tableau ci-dessus, les cristaux liquides LC-1, 80B et 80SI* sont des composés représentés par les formules structuralles suivantes, et MIX- 1 est un mélange de cristaux liquides ayant la composi- tion donnée ci-dessous. En outre, le suffixe indiqué dans le tableau désigne des proportions en poids des constituants respectifs qu'ils suivent. LC-- 3 tfCi- : J -..-À d,k_ \- X. 2 , _D : jB CH 0 C,)C-(0 o- cc8H17 SCSI* CH{CCW,--0 CH7 - * t C -H 17Q/ Q C-O - CHCHCH 8 17 >IIX-1 Une composition de cristal liquide constitués principalement de l'ester p'-(2-méthylbutyl- oxy)phényle de l'acide p-n-octyloxybenzoîque et de l'ester p'-(2méthylbutyloxy)phényle de l'acide p-n-nonyloxybenzo3que. La figure 2 montre les résultats d'un changement de la caractéristique d'alignement en association au pas de spirale (P) de la phase cholestéri- que des cristaux liquides respectifs et sous l'effet d'une variation des écartements (d) entre les deux plaques de base. Le symbole O désigne un bon état d'alignement (un état d'alignement uniforme dans lequel les couches verticales d'une phase smectique chirale sont alignées de façon à former une seule normale sur toute la cellule); le symbole A désigne un état d'alignement relativement moins bon (c'est- à-dire un état d'alignement dans lequel les couches verticales d'une phase smectique chirale sont alignées pour former des domaines différents ayant des normales différentes); et le symbole X désigne un état d'alignement inférieur (c'est-à-dire un état d'alignement dans lequel les couches verticales d'une phase smectique chirale sont alignées de façon aléatoire, donnant un agencement des normales manquant totalement d'unifor- mité). -Le pas de la spirale d'une phase Ch a été mesuré par la méthode Grandjean-Cano telle que décrite à la page 265 de l'article "The Physics of Liquid Crystals", écrit par P.G. de Gennes, publié en 1974 par Oxford University Press Ely House, Londres. Plus particulièrement, le pas de spirale d'une phase Ch a été mesuré par l'utilisation d'une cellule en forme de coin dont l'angle d'inclinaison a été préalable- ment mesuré, et par mesure des distances comprises entre les franges apparaissant dans la phase Ch, correspondant au pas de la spirale. Les angles d'inclinaison des cellules en forme de coin possédaient tous une tangente O de -3 (1,34 + 0,07) x 10, selon une mesure consistant à faire appel à une lumière monochromatique (ligne D du sodium) et utilisant l'interférence de la lumière sur les surfaces de verre des cellules en forme de coin. En outre, le pas de spirale d'une phase Ch dépend en général de la température et varie comme montré sur la figure 3, par exemple pour la composition (LC-1)60/(80B)40. Le pas de spirale utilisé ici est celui mesuré au milieu d'une plage de températures établissant la phase Ch pour les cristaux liquides 1 1 concernés. Les valeurs ainsi mesurées du pas de spirale de la phase Ch sont indiquées dans le tableau. Les droites 21 et 22 de la figure 2 représen- tent les relations P = 0,5d et P = 10d, respectivement. Ainsi qu'il ressort de la figure 2, alors que les cellules à cristaux liquides comprises dans la zone définie entre les lignes 21 et 22 présentent une meilleure caractéristique de formation de domaine unique de la phase smectique en comparaison avec celles extérieures à la zone, les cellules à cristaux liquides présentes dans la zone comprise entre les lignes 23 et 22 présentent un état d'alignement avec une reproductibilité encore meilleure. Plus particulière- ment, comme montré sur la figure 2, le cristal MIX- 1 mentionné précédemment, possédant un pas de spirale de la phase Ch de 9, 2 pm, ne présente pas un état d'alignement - suffisamment bistable, demandé pour une commutation dans une cellule à cristal liquide ayant un écartement de 0,25 pm entre les plaques de base, bien qu'il puisse former un domaine unique de phase smectique ayant une bonne bistabilité dans des cellules à cristaux liquides présentant des écarte- ments de 1 pm et 2 im. On comprend aisément que les autres cristaux liquides, par exemple (LC-1)90/(80B)10 et (LC-1)70/(80B)30 présentent la même tendance. De cette manière, conformément à la présente invention, on peut obtenir un état d'alignement remarqua- blement bon lorsqu'une cellule à cristaux liquides est formée de façon à satisfaire la relation suivant laquelle le rapport (P/d) du pas de spirale de la phase Ch (P en pm) et de l'écartement entre les plaques de base (d en pm) est de 0,5 à 10, avantageuse- ment 0,5 à 4. Une raison pour laquelle la relation ci-dessus est demandée pour une bonne caractéristique d'alignement de la phase smectique peut être la suivante: étant donné que l'axe de la spirale de la phase Ch est considéré comme étant sensiblement parallèle à la direction de l'épaisseur d'une couche de cristal liquide, le rapport du pas de spirale de la phase Ch à l'écartement entre les plaques de base (épaisseur d'une couche de cristal liquide) peut être considéré comme étant un paramètre représentant lenombre de spirales dans la phase Ch. Par conséquent, dans le cas o le nombre de spirales de la phase Ch satisfait la relation ci-dessus, la transition de phase de la phase Ch à la phase SmA lors d'une diminution de la température peut être provoquée en douceur pour établir un bon état d'alignement dans la phase smectique chirale. En outre, lors des essais, il est également apparu que, lorsqu'un cristal liquide smectique présen- tant une phase Ch d'un pas de spirale n'atteignant pas 0,8 Um est utilisé, on ne peut pas obtenir un état d'alignement satisfaisant, demandé pour la commuta- tion, à moins que le traitement de commande d'orientation soit mené dans des conditions extrêmement bonnes. Une raison en est que, en ce qui concerne un cristal liquide smectique ayant un pas de spirale de la phase Ch aussi faible que moins de 0,8 pm, la structure en spirale de la phase Ch ne peut pas être suffisamment déroulée par un simple réglage de l'épaisseur de la couche de cristal liquide, de sorte qu'il devient difficile de former une structure de couche uniformément de phase SmA, car un cristal liquide ayant un pas de spirale très court possède essentiellement une force d'enroulement élevée dans la phase Ch. En consé- quence, dans une cellule à cristal liquide se trouvant dans la zone délimitée par une ligne 24 correspondant à P = 0,8 pm et les lignes 21 et 22, avantageusement dans la zone délimitée par les lignes 24, 23 et 22, on peut obtenir un état d'alignement d'un domaine unique de phase smectique. En outre, lorsque l'application d'un cristal liquide ferro-électrique à un élément de commutation optique représenté par un élément d'affichage et un réseau obturateur linéaire est prise en considéra- tion, on considère que la cellule de mémoire du type à stabilisation de surface, telle que décrite par Clark et Lagerwall dans Applied Physics Letters Vol. 36, N 11, pages 899-901, "Submicrosecond bistable electrooptic switching in liquid crystals", 1er juin 1980) est la plus efficace, cellule dans laquelle les couches d'une phase smectique chirale à structure en spirale déroulée, même en l'absence d'un champ électrique, sont formées perpendiculairement aux faces des plaques de base et les molécules du cristal liquide sont alignées parallèlement aux faces de la plaque de base de façon à être bistables. Selon les essais auxquels on a procédé, il est apparu nécessaire que l'écartement d entre les plaques de base (c'est-à-dire l'épaisseur d'une couche de cristal liquide) soit de 3 pm ou moins pour préparer la cellule de mémoire du type à stabilisa- tion de surface mentionnée ci-dessus. En conséquence, pour préparer une cellule de mémoire du type à stabilisa- tion de surface, on peut obtenir un dispositif à cristal liquide ayant un état d'alignement et une bistabilité extrêmement bons lorsqu'un cristal liquide est préparé de façon à être conforme à la zone hachurée délimitée par les quatre droites 21, 22, 24 et 25 (la ligne 25 correspondant à d = 3 pm), avantageusement dans la zone délimitée par les quatre lignes 23, 22, 24 et 25 sur la figure 2. Comme expliqué précédemment, dans la préparation d'une cellule à cristal liquide, l'épaisseur (d) de la couche de cristal liquide et le pas de spirale (P) de la phase Ch sont choisis avantageusement de façon à ce que l'on tombe dans la zone hachurée sur la figure 2, afin qu'un domaine unique à alignement axial uniforme et bistabilité puisse être réalisé, et qu'un dispositif à cristal liquide ferro-électrique possédant d'excellentes caractéristiques d'affichage et de commande puisse être obtenu. REVENDICATIONS 1. Dispositif à cristal liquide, caractérisé en ce qu'il comporte une structure de cellule comprenant deux plaques de base (11a, 11b) et un cristal liquide smectique possédant une phase cholestérique à une température plus élevée, le rapport (P/d) du pas de spirale de la phase cholestérique (P) à l'écartement des deux plaques de base (d) étant de 0,5 ou plus. 2. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 1, caractérisé en ce que le pas de spirale de la phase cholestérique est de 0,8 gm ou plus au milieu d'une plage de températures établissant la phase cholestérique. 3. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'écartement des deux plaques de base (d) est de 3 Vm ou moins. 4. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 1, caractérisé en ce que le rap.port (P/d) est de 0,5 à 10. 5. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 1, caractérisé en ce que le rapport (P/d) est de 0,5 à 4. 6. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 1, caractérisé en ce que le cristal liquide smectique est un cristal liquide ferro-électrique. 7. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 6, caractérisé en ce que le cristal liquide ferro-électrique est un cristal liquide smectique chiral. 8. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 6, caractérisé en ce que le cristal liquide ferro-électrique est un cristal liquide smectique chiral dont la spirale est déroulée en l'absence d'un champ électrique. 9. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 7, caractérisé en ce que le cristal liquide smectique chiral possède successivement une phase smectique A, une phase cholestérique et une phase isotrope du côté des températures plus élevées. 10. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 1, caractérisé en ce que le cristal liquide smectique est formé par une transition de phase à partir de la phase cholestérique et est aligné en présence d'au moins une surface des plaques de base soumise à un traitement d'orientation uniaxe. 11. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 10, caractérisé en ce que le traitement d'orientation uniaxe est un traitement de frottement. 12. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite surface est formée d'une matière isolante. 13. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 12, caractérisé en ce que la matière isolante est un polyimide, de l'alcool polyvinylique ou un polyamide. 14. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 1, caractérisé en ce que le cristal liquide smectique est une composition comprenant un cristal liquide ayant une spirale dextrogyre en phase cholestérique et un cristal liquide ayant une spirale lévogyre en phase cholestérique. 15. Dispositif à cristal liquide, caractérisé en ce qu'il comporte deux plaques de base (11a, 11b) et un cristal liquide smectique chiral qui a été formé par des transitions de phase successives d'une phase cholestérique, d'une phase smectique A et d'une phase smectique chirale, la phase cholestérique et la phase smectique A ayant une plage de températures de 5 C ou plus. 16. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 15, caractérisé en ce que le cristal liquide smectique chiral a été aligné pendant la diminution de température à partir de la phase cholesté- rique qui est située du côté des températures plus élevées que la phase smectique A en présence d'une face de plaque de base soumise à un traitement d'orienta- tion uniaxe. 17. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 16, caractérisé en ce que le traitement d'orientation uniaxe est un traitement de frottement. 18. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 16, caractérisé en ce que ladite face de la plaque de base est formée d'une matière isolante. 19. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 18, caractérisé en ce que la matière isolante est un polyimide, de l'alcool polyvinylique, ou un polyamide. 20. Procédé de commande de l'alignement d'un cristal liquide, caractérisé en ce qu'il consiste à soumettre une composition d'un cristal liquide cholestérique, comprenant un cristal liquide ayant une spirale dextrogyre et un cristal liquide ayant une spirale lévogyre en contact avec une face de plaque de base à traitement d'orientation uniaxe, à une transition de phase pendant une diminution de température. 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que le traitement d'orientation uniaxe est un traitement de frottement. 22. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que la face de la plaque de base est formée d'une matière isolante. 23. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que la matière isolante est un polyimide, de l'alcool polyvinylique ou un polyamide.