Brevet FR2581482A1 — publié le 19861107

PHOTODIODE PIN A FAIBLE COURANT DE FUITE L'invention concerne une photodiode PIN à faible courant de fuite, constituée d'un substrat en phosphure d'in- dium (InP) dopé n+ sur la première face duquel est réalisée une couche de phosphure d'indium (InP) dopé n- surmontée d'une structure MESA formée à l'aide d'une couche d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) dopée n-, constituée en outre d'une couche de type p+ réalisée en surface, sur les flancs et sur le pourtour de la structure MESA, et constituée enfin d'une part d'un contact métallique réalisé sur la seconde face du substrat et d'autre part d'un contact de type ohmique réa- lisé sur une partie de la couche de type p+. L'invention trouve son application dans la détec- tion de rayonnement dans le domaine des longueurs d'onde si- tuées entre l/um et 1,7/um et en particulier aux longueurs d'onde 1,3 et 1,55/um pour les applications aux télécommuni- cations par exemple. Une telle photodiode est connue de l'art antérieur par la publication de Katsuya Hasegawa et alii dans "extended Abstracts of the 16th International Conference on Solid State Devices and Materials, Kobe, 1984, pp. 579,582, C-10-1" inti- tulée "InGaAs PIN Photodiode with Low-Dark Current". Ce document décrit une photodiode PIN constituée d'un substrat en phosphure d'indium (InP) dopé n+ sur la pre- mière face duquel est réalisée par épitaxie en phase liquide une couche de phosphure d'indium (InP) dopée n- dont la con- centration en porteurs est de l'ordre de 5.1015 cm-3. Une cou- che d'arséniure de gallium et d'indium dopée n-, dont la con- centration en porteurs est également de l'ordre de 5.1015 cm-3, est déposée par la même méthode d'épitaxie en phase li- quide sur la couche de phosphure d'indium (InP) n- et gravée 258148 2 - 2 - de manière à constituer une structure MESA. Une couche de type p+ est ensuite formée par diffusion d'ions Zn non seulement en surface de la structure MESA mais encore sur les flancs et sur tout le pourtour. La profondeur de diffusion est de O,5/um en surface de la structure MESA dans la couche d'InP. Un con- tact ohmique de forme annulaire est alors réalisé à l'aide d'un alliage Ti/Au en surface de la structure MESA, et un con- tact métallique Au/Sn/Au est formé sur la surface du substrat opposée à la structure MESA. Enfin une couche de passivation de nitrure de silicium Si3N4, servant également de revêtement antiréfléchissant est déposée au centre du contact ohmique an- nulaire en surface de la structure MESA et sur les flancs et le pourtour de cette dernière. Ces photodiodes présentent trois avantages sur les dispositifs qui leurs étaient antérieurs. Premièrement comme le bord extérieur de la région p+ est situé en surface de la couche d'InP, le courant de fuite est diminué. Deuxièmement, la passivation par une couche de nitrure de silicium étendue jusqu'au pourtour de la diode permet d'obtenir une meilleure efficacité quantique et une bonne durée de vie de la diode. Troisièmement, la formation d'une couche relativement épaisse de type p+ autour de la structure MESA constitue un anneau de garde de réalisation simpliée et diminue l'effet Tunnel. Or les photodiodes réalisées à l'aide de semicon- ducteurs du groupe III-V sont actuellement d'une grande impor- tante industrielle dans les dispositifs optiques ou électro- optique fonctionnant dans le domaine des longueurs d'onde comprises entre l/um et 1,7/um. Pour les applications aux télécommunications qui utilisent les longueurs d'onde 1,3/um et 1,55/um, les normes imposées, qui sont assez sévères, poussent à améliorer encore les résultats obtenus avec les diodes décrites dans le document cité. En effet, ces diodes connues présentent, en de- hors des qualités énumérées plus haut, un certain nombre d'in- convénients. En particulier, il est nécessaire d'avoir une -3- épaisseur d'au moins 0,5/um entre la surface sur laquelle on prend le contact ohmique -en l'occurence la surface de la cou- che d'InGaAs du MESA- et la jonction de manière à éviter -la dégradation de la jonction. Mais, comme cette distance est grande, l'absorption due au matériau InGaAs type p+ est égale- ment grande et par conséquent le rendement faible. De plus la capacité intrinsèque de la diode est élevée. Enfin dans les couches réalisées par épitaxie en phase liquide, le dopage n- est difficile à contrôler et on obtient le plus souvent un do- O10 page n- dans la couche d'InP qui se révèle être supérieur au dopage n- obtenu dans la couche d'InGaAs. C'est pourquoi, la présente invention propose une solution à ces problèmes au moyen d'une diode telle que défi- nie dans le préambule, caractérisée en ce que le dopage n- de la couche de phosphure d'indium (InP) est réalisé plus faible que le dopage n- de la couche d'arséniure de gallium et d'in- dium (InGaAs), et en ce que le contact ohmique est pris sur une partie de la zone p+ localisée dans la couche de phosphure d'indium (InP) sur le pourtour de la structure MESA. Selon l'invention, la capacité intrinsèque de la diode est diminuée par rapport à l'art antérieur cité, du fait que le dopage n- de la couche d'InP sur laquelle est pris le contact ohmique est inférieur au dopage nde la couche d'InGaAs formant la structure MESA. Selon une réalisation préférentielle de l'inven- tion, cette photodiode est en outre caractérisée en ce que l'épaisseur de la couche p+ formée en surface de la couche d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) est inférieure à l'épaisseur de la zone p+ formée sous le contact ohmique dans la couche de phosphure d'indium (InP). Du fait que le contact ohmique n'est plus placé au sommet du MESA comme selon l'art antérieur, l'épaisseur de la couche p+ sous le contact ohmique peut être différente de celle de la couche p+ sur le MESA et chacune de ces épaisseurs peut être optimisée. -4- Selon cette réalisation, l'épaisseur de la couche p+ en surface de la couche d'arséniure de gallium et d'indium peut être réduite, ce qui procure l'avantage d'augmenter le rendement de la diode, car le matériau d'arséniure de gallium et d'indium de type p+ est fortement absorbant dans les lon- gueurs d'onde envisagées. Au contraire l'épaisseur de la cou- che p+ dans le phosphure d'indium sous le contact ohmique peut être prévue de grandeur suffisante à rendre le contact plus facile à réaliser et plus stable dans le temps. - Selon une variante de cette réalisation préféren- tielle, cette photodiode est caractérisée de plus en ce que la structure MESA ainsi constituée est surmontée d'une couche de phosphure d'indium (InP) de type p+. Une photodiode conforme à ces réalisation préfé- rentielles peut être caractérisée en ce que l'épaisseur de la couche de phosphure d'indium (InP) type n- et d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) est de l'ordre de 3/um, en ce que le dopage n- de la couche de phosphure d'indium (InP) est environ 2.1014 cm-3, le dopage n- de la couche d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) est de l'ordre de 1 à 2.1015 cm-3, en ce que l'épaisseur de la zone p+ réalisée dans la couche de phosphure d'indium (InP) sur le pourtour de la structure MESA est supérieure à 0,5/um, alors que l'épais- seur de la couche d'arséniure de gallium et d'indium type p+ réalisée en surface de la couche d'arséniure de gallium et d'indium type n- est de l'ordre de 0,1 à 0,2/um. Dans cette forme de réalisation de la photodiode, toutes les valeurs des dopages et des épaisseurs de couches sont optimales et permettent d'obtenir la capacité la plus faible, le rendement le meilleur et l'efficacité quantique la plus élevée possible. Un procédé de réalisation d'une photodiode selon l'invention est proposé. Les photodiodes réalisées au moyen de ce procédé présentent à la fois un faible courant d'obscurité, une faible capacité de jonction, une bonne efficacité quan- tique et une grande durée de vie. -5-- Un second procédé de réalisation,permettant d'ob- tenir une photodiode conforme à la variante de l'invention est également proposé. Les photodiodes obtenues selon ce procédé sont d'une réalisation particulièrement aisée. L'existence de la couche de phosphure d'indium type p+ au sommet du MESA, couche qui est parfaitement transparente au rayonnement de longueur d'onde 1 à 1,7/um envisagé, permet de contrôler fa- cilement et donc de mieux limiter l'épaisseur de la couche p+ en surface de la couche d'arséniure de gallium et d'indium qui est, quant à elle, fortement absorbante à ces longueurs d'on- de. D'autre part, la localisation de la jonction p-n sous le contact ohmique en pourtour du MESA, est selon ce procédé éga- lement particulièrement aisée à contrôler. L'invention sera mieux comprise à l'aide de la description suivante illustrée par les figures annexées dont: - la figure la qui représente en coupe la photo- diode selon l'invention, - la figure lb qui représente en coupe la photo- diode selon la variante de l'invention, - la figure 2 qui représente l'une ou l'autre pho- todiode vue du dessus, - l'ensemble des figures 3 qui illustre les diffé- rentes étapes du procédé de réalisation permettant d'obtenir une diode conforme à la diode représentée figure la, - l'ensemble des figures 4 qui illustre les diffé- rentes étapes du procédé de réalisation permettant d'obtenir une diode conforme à la diode représentée figure lb. Telle que représentée en coupe sur la figure la, la photodiode PIN selon l'invention comprend un substrat 10 de phosphure d'indium (InP) de type n+, une couche 11 de phos- phure d'indium (InP) de type n- réalisée sur une première face 1 du substrat, une structure MESA 12 formée d'une couche d'ar- séniure de gallium et d'indium (InGaAs) de type n-, une couche 13, 113 et 213, de type p+ réalisée dans les zones de type n- de manière à constituer une jonction p-n, et deux contacts, -6- l'un 21 pris sur la zone 213 de type p+ et l'autre 22 pris sur la seconde face 2 du substrat 10. Cette photodiode PIN reçoit le rayonnement 4 sur la face supérieure de la structure MESA. Les matériaux utilisés d'InP/InGaAs permettent l'utilisation de la diode dans le domaine des longueurs d'onde compris entre l/um et 1,7/um, et plus particulièrement aux longueurs d'onde utilisées en télécommunications telles que 1,3/um et 1,55/um. La couche 13, 113, 213 de type p+ est réalisée de telle sorte qu'elle couvre la surface (pour la partie 13), les flancs (pour la partie 113) et le pourtour (pour la partie 213) du MESA. Dans ces conditions, le bord de la jonction p-n apparaît dans la couche de phosphure d'indium (InP) 11, et non pas dans la couche 12 d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs), comme il est courant de le rencontrer dans de nom- breux dispositifs connus de l'homme de l'art, et la configu- ration de la diode selon l'invention entraîne que le courant de fuite est particulièrement faible. Cet avantage était déjà connu de la publication citée comme art antérieur. Mais, selon l'invention le dopage de la couche 11 de phosphure d'indium (InP) est réalisé de manière à être in- férieur au dopage de la couche 12 d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs), et d'autre part le contact 21 de type oh- mique est réalisée en surface de la zone 213 p+ située sur le pourtour du MESA. le dopage de la couche 11 d'InP pourra être de l'ordre de 2.1014 porteurs par cm3 alors que le dopage de la couche 12 d'InGaAs sera de préférence de l'ordre de 1 à 2.1015 porteurs par cm3. Ce taux de dopage est très différent du taux de dopage des couches de la photodiode décrite dans le document cité comme art antérieur, o les taux étaient à peu près équivalents pour les deux couches et de l'ordre de 5.1015 cm-3. Pour obtenir le taux de dopage désiré à la mise en oeuvre de la présente invention, on choisira de préférence, au lieu de la croissance épitaxiale en phase liquide préco- nisée par l'art antérieur, une méthode de croissance en phase -7 - vapeur aux organo-métalliques. Selon cette méthode, en effet, les taux de dopage résiduel de chacune des couches, d'InP et de InCaAs respectivement, sont précisément de l'ordre de gran- deur des taux désirés, ce qui constitue une mise en oeuvre particulièrement aisée de l'invention. Au contraire, la mé- thode de croissance en phase liquide selon l'art antérieur, fournit des couches dont les taux de dopage sont le plus sou- vent inversés par rapport aux taux voulus pour les couches constituant la photodiode selon l'invention. Du fait que le contact ohmique 21 est pris au- dessus de la couche d'InP dont le dopage est inférieur à celui de la couche d'InGaAs, alors la capacité de jonction de la photodiode ainsi formée est considérablement réduite par rap- port à la capacité de la photodiode selon l'art antérieur. D'autre part, en plaçant le contact ohmique 21 sur le pourtour du MESA, on obtient encore deux avantages supplémentaires. En premier lieu, il est aisé d'obtenir une bonne efficacité quantique. Cette dernière est liée à l'épaisseur de la couche 13 de type p+ en surface du MESA. Une très bonne efficacité quantique est obtenue pour une épaisseur de cette couche de l'ordre de 1 à 2/um. Selon l'art antérieur, la couche p+ devait présen- ter en surface du MESA une épaisseur d'au moins O,5/um puis- que le contact y était localisé. Cette disposition procurait un inconvénient du fait que le matériau InGaAs p+ est juste- ment très absorbant aux longueurs d'onde de fonctionnement de la diode (1 à 1,7/um). Il est donc tout à fait désavantageux d'être obligé d'avoir une couche d'InGaAs p±aussi épaisse que 0,5/um ensurface du MESA. C'est pourquoi selon la présente invention on obtient la structure désirée, en réalisant par exemple une diffusion p+ telle qu'elle progresse moins vite dans le matériau InGaAs que dans le matériau InP. En sorte que, lorsque cette diffusion p+ atteint l'épaisseur supérieure à -8 - 0,5/um, nécessaire à la réalisation d'un contact ohmique fiable, dans InP, l'épaisseur de la diffusion p+ dans InGaAs en surface du MESA n'est encore qu'environ 0,1 à 0,2/um, ce qui diminue l'absorption et améliore le rendement. Dans un exemple de réalisation de l'invention, les concentrations des composants du matériau InGaAs formant le MESA sont tels que celui-ci présente la formule InO.53GaO.47As. L'épaisseur de chacune des couches d'InP et de InGaAs est de l'ordre de 3/um. Le contact ohmique 21 est formé par la superposition de couches de chrome-platine- or, ou bien encore de titane-platine-or. Le contact 22 réalisé sur la face 2 arrière du substrat est formé par la super- position de couches d'or-germanium-nickel. Il peut être réalisé, en outre, en surface de la structure MESA une couche de diélectrique d'épaisseur appro- priée à former une couche anti-reflet 14 pour le domaine des longueurs d'onde de fonctionnement de la photodiode. Ce dié- lectrique peut être la silice (SiO2) ou le nitrure de silicium (Si3N4) par exemple. Et il peut être enfin réalisé, sur les flancs de la structure MESA une couche de diélectrique 15 des- tinée à constituer une couche de passivation pour le dispo- sitif. Ce diélectrique peut être la silice (SiO2), le nitrure de silicium (Si3N4) ou encore le polyimide par exemple. Dans ces conditions la photodiode selon l'inven- tion présente non seulement les avantages connus de l'art an- térieur cité, c'est-à-dire un très faible courant de fuite, une bonne durée de vie, un faible effet tunnel mais encore les avantages supplémentaires dus à la structure caractéristique de l'invention, c'està-dire une capacité de jonction plus faible, une meilleure efficacité quantique et un meilleur rendement aux longueurs d'onde utilisées. A titre d'exemple, un procédé de réalisation de la photodiode correspondant à cette figure la est alors proposé. Ce procédé illustré par les différentes figures 3 comprend les étapes successives de: -9- a) formation d'un substrat 10 en phosphure d'indium (InP) dopé n+ par des atomes de soufre S+ par exemple (figure 3a). Ce matériau peut être obtenu par croissance Czochralski par exemple; b) dépôt sur la première face 1 de ce subs- trat d'une couche 11 de phosphure d'indium (InP) de type n-, d'épaisseur environ 3/um. Le niveau de dopage préférentiel est de l'ordre de 2.1014 porteurs par cm3 et peut être obtenu comme dopage résiduel lorsque la couche d'InP est élaborée par une méthode de croissance épitaxiale en phase vapeur aux orga- no-métalliques (figure 3b); c) dépôt sur la couche 11 d'InP, d'une couche 12 d'arséniure de gallium et d'indium (Ino.53Gao.47As par exemple) dont le paramètre de maille est adapté au paramètre de maille de la couche précédente, de type n-, d'épaisseur en- viron 3/um. Le niveau de dopage préférentiel est de l'ordre de i à 2.1015 et peut être constitué par le dopage résiduel obtenu lorsque la couche de InGaAs est élaborée par une mé- thode de croissance épitaxiale en phase vapeur aux organo- métalliques. En tous les cas, le niveau de dopage de la couche d'InP doit être réalisé inférieur au niveau de dopage de la couche de InGaAs pour obtenir la diminution de la capacité de jonction du dispositif final (figure 3c); d) protection par exemple par un masque 30 de la surface destinée à constituer le MESA, et gravure sélective de la couche d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) en dehors de la zone protégée, de manière à faire apparaître la couche 11 d'InP autour du MESA, lequel est constitué de la partie protégée de la couche 12 d'InGaAs (figure 3d), puis élimination du masque 30. La gravure sélective du matériau InGaAs peut être faite chimiquement par une solution d'acide sulfurique puis rinçage à l'eau; e) dépôt sur la couche 11 de phosphure d'in- dium (InP) d'une couche diélectrique 31 définissant une ouver- ture de diamètre supérieur au diamètre du MESA, autour du - 10 - MESA. Cette ouverture est destinée à délimiter la diffusion de la région p+. Le diélectrique peut être la silice (SiO2) ou le nitrure de silicium (Si3N4), ces composés étant cités à titre d'exemple non limitatif (figure 3e); f) diffusion, dans l'ouverture de la couche diélectrique 31, d'atomes tels que Zn par exemple, pour former la couche de type p+, cette couche étant notée 13 en surface du MESA, 113 sur les flancs et 213 sur le pourtour du MESA, par une méthode d'ampoule scellée, de manière à ce que la pro- o10 fondeur de diffusion dans la couche de InGaAs en surface du MESA soit inférieure à la profondeur de diffusion dans la cou- che d'InP sur le pourtour du MESA. De manière préférentielle, la profondeur de diffusion dans la couche d'InP sur le pour- tour du MESA atteindra au moins 0,5/um alors que la profon- deur de diffusion dans la couche de InGaAs en surface du MESA sera de l'ordre de 0,1 à 0,2/um (figure 3f); g) réalisation d'un contact métallique 22 sur la face arrière 2 du substrat 10, par exemple par évaporations successives d'or, de germanium et de nickel pour former une superposition de couches (figure 3g); h) réalisation sur la partie 213 de la zone p+ située dans la couche d'InP sur le pourtour du MESA, d'un contact de type ohmique 21. Ce contact peut être réalisé par évaporation successive de chrome, de platine et d'or ou encore de titane, de platine et d'or pour former des couches super- posées (figure 3h); i) réalisation à l'aide d'un diélectrique tel que par exemple la silice (SiO2), le nitrure de silicium (Si3N4) d'une couche antireflet 14 en surface du MESA, l'épaisseur de cette couche étant telle qu'elle présente un maximum de transmission dans le domaine des longueurs d'onde de fonctionnement de la photodiode (figure 3i); j) réalisation sur les flancs du MESA d'une couche diélectrique 15 destinée à constituer une couche de passivation pour la photodiode. Cette couche peut être du même - 1i - matériau que ou compatible avec la couche antireflet (figure 3i). Ce peut donc être par exemple la silice, le nitrure de silicium ou le polyimide. Ce procédé de réalisation est donné tout à fait à titre d'exemple, car il est bien évident que les couches 13, 113, 213 d'arséniure de gallium et d'indium de type p+ peuvent être réalisées encore par l'association d'une croissance épi- taxiale pour une partie (couche 13) et d'une diffusion pour une autre partie (couches 113 et 213). Dans le but de réaliser une photodiode pour la- quelle la localisation de la jonction p-n est plus facile à contrôler, une variante de la diode selon l'invention est pro- posée. Cette variante est représentée sur la figure lb. Selon cette variante, la couche 13 d'arséniure de gallium et d'in- dium, de type p+, est surmontée sur la surface plane du MESA, d'une couche de phosphure d'indium (InP) 130, de type p+. Dans le domaine des longueurs d'onde o la photodiode est utilisée, c'est-à-dire 1 à 1,7/um, le matériau InP type p+ est parfai- tement transparent au rayonnement, alors que, comme il a été dit précédemment le matériau InGaAs type p+ est fortement ab- sorbant. C'est pourquoi il est extrêmement important de dimi- nuer autant que faire se peut, et en tous cas de bien contrô- ler, l'épaisseur de la couche 13 d'InGaAs type p+. L'existence de la couche 130 d'InP de type p+ permet de diminuer au maxi- mum l'épaisseur de la couche d'InGaAs de type p+. Cette va- riante représentée sur la figure lb offre l'avantage de pou- voir être réalisée à l'aide d'un procédé selon lequel la loca- lisation de la jonction p-n est facilement contrôlable. Ce procédé de réalisation est proposé à titre d'exemple ci- après. Il comprend tout d'abord des étapes, notées a', b' et c' tout à fait identiques aux étapes a,b,c du procédé précé- demment décrit. Ces 4tapes a',b',c' sont illustrées respecti- vement par les figures 4a, 4b, 4c, la couche 11 constituant dans ce procédé une première couche de phosphure d'indium (InP). Ces opérations sont suivies des étapes ultérieures de: - 12 - d') dépôt d'une couche d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) 13 de type p+, d'épaisseur environ 0,1 à 0,2/um, sur la couche d'arséniure de gallium et d'indium 12 (InGaAs) de type n- précédente, par exemple par croissance épitaxiale en phase vapeur, le dopant étant par exemple le zinc (figure 4d); e') dépôt d'une seconde couche de phosphure d'indium 130 (InP), de type p+, d'épaisseur environ 1/um, par exemple par épitaxie en phase vapeur, le dopant étant par exemple le zinc (figure 4e); f') protection de la surface destinée à cons- tituer le MESA par exemple par un masque 40, gravure sélective de la seconde couche de phosphure d'indium 130 (InP) et des couches 12 et 13 d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs), par exemple par voie chimique (figure 4f); g') dépôt sur la première couche 11 de phos- phure d'indium, d2une couche diélectrique 31, telle que par exemple de la silice (SiO2) ou du nitrure de silicium (Si3N4), définissant une ouverture de diamètre supérieur à celui du MESA, autour du MESA (figure 4g); h') diffusion d'atomes, comme par exemple Zn, dans une ampoule scellée dans la première couche de phosphure d'indium 11 (InP) autour du MESA sur une profondeur d'au moins 0,5/um, sur les flancs du MESA et en surface du MESA, cette opération constituant une couche de type p+ notée 113 sur les flancs, et 213 sur le pourtour du MESA, dans l'ouverture de la couche diélectrique 31 précédemment réalisée (figure 4h); i') réalisation-d'une métallisation 22 sur la face arrière du substrat, par exemple à l'aide d'une superpo- sition de couches or-germanium-nickel (Au-Ge-Ni) (figure 4i); j') réalisation sur la zone 213 p+ formée dans la première couche de phosphure d'indium (InP) 11 sur le pourtour du MESA, d'un contact de type ohmique 21, par exemple à l'aide d'une superposition de couches de chrome- platine-or, ou de titane-platine-or (figure 4j); - 13 - k') réalisation, à l'aide d'un diélectrique tel que par exemple la silice (SiO2), ou le nitrure (Si3N4) d'une couche antireflet 14 à la surface du MESA, couche cen- trée sur la longueur d'onde d'utilisation de la photodiode; 1') réalisation sur les flancs du MESA d'une couche de passivation 15 à l'aide d'un diélectrique analogue à et compatible avec le diélectrique constituant la couche anti- reflet (figure lb). Ce diélectrique peut donc être la silice (SiO2), le nitrure de silicium (Si3N4) ou encore le po- lyimide. La figure 2 montre vue du dessus l'une ou l'autres des diodes représentées respectivement en coupe figure la et figure lb. La structure MESA 14 est circulaire et de diamètre environ 100/um. le contact ohmique 21 est circulaire et d'un diamètre d'environ 60/um, il est décentré par rapport au MESA pour être pris sur la couche d'InP. La zone 213 de type p+ située sous le contact 21 et sur le pourtour du MESA forme donc un anneau de garde. Les procédés de réalisation cités à titre d'exem- ple mettent en oeuvre, entre autres, des procédés de masquages et de dépôts qui ne sont pas décrits ici, comme ne faisant pas à proprement parler partie de l'invention, et étant supposés facilement accessibles à, ou connus de, l'homme de l'art. Il est évident que les matériaux et les procédés de réalisation cités à titre d'exemple pour réaliser la photo- diode selon l'invention ne sont pas limitatifs et que des ma- tériaux équivalents et des procédés de réalisation similaires peuvent être envisagés pour réaliser cette photodiode sans pour autant sortir du cadre de la présente invention tel que défini par les revendications ci-après annexées. 258 1 482 - 14 - REVENDICATIONS 1. Photodiode PIN à faible courant de fuite, consti- tuée d'un substrat (10) en phosphure d'indium (InP) dopé n+ sur la première face (1) duquel est réalisée une couche (11) de phosphure d'indium (InPY dopée n- surmontée d'une structure MESA (12) formée à l'aide d'une couche d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) dopée n-, constituée en outre d'une cou- che de type p+ réalisée en surface (13), sur les flancs (113) et sur le pourtour (213) de la structure MESA, et constituée enfin d'une part d'un contact métallique (22) réalisé sur la seconde face (2) du substrat et d'autre part d'un contact de type ohmique (21) réalisé sur une partie de la couche p+, ca- ractérisé en ce que le dopage n- de la couche (11) de phos- phure d'indium (InP) est réalisé plus faible que le dopage n- de la couche (12) d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs), et en ce que le contact ohmique (21) est pris sur une partie (213) de la zone p+ localisée dans la couche de phosphure d'indium (InP) sur le pourtour de la structure MESA. 2. Photodiode selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'épaisseur de la.couche p+ formée en surface (13) de la couche (12) d'arséniure de gallium et d'indium (InCaAs) est inférieure à l'épaisseur de la zone p+ formée sous le con- tact ohmique (21) dans la couche (11) de phosphure d'indium (InP) sur le pourtour (213) du MESA. 3. Photodiode selon la revendication 2, caractérisé en ce que la structure MESA (12) ainsi constituée (12,13) est surmontée d'une couche (130) de phosphure d'indium (InP) de type p+. 4. Photodiode selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisée en ce que l'épaisseur de la couche (11) de phos- phure d'indium (InP) type n- et de la couche (12) d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) est de l'ordre de 3/um, le dopage n- de la couche (11) de phosphure d'indium (InP) est de l'ordre de 2.1014 porteurs par cm3, le dopage n- de la couche (12) d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) est de - 15 - l'ordre de 1 à 2.1015 porteurs par cm3, l'épaisseur de la zone p+ réalisée dans la couche (11) de phosphure d'indium (InP) sur le pourtour (213) de la structure MESA est supérieure à 0,5/um, alors que l'épaisseur de la couche (13) d'arséniure de gallium et d'indium type p+, réalisée en surface de la cou- che (12) du même matériau type n-, est de l'ordre de 0,1 à 0,2/um. 5. Photodiode selon la revendication 4 dans la mesure o cette dernière dépend de la revendication 3, caractérisée en ce que la couche (130) de phosphure d'indium de type p+ réalisée en surface de la couche (13) d'arséniure de gallium et d'indium de type p+ a une épaisseur de l'ordre de l/um. 6. Procédé de réaliation d'une diode conforme à la revendication 2 ou à la revendication 4 dans la mesure o cette dernière dépend de la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: - a) formation d'un substrat (10) de phosphure d'indium (InP) dopé n+, par des atomes de soufre et obtenu par croissance Czochralski par exemple; b) dépôt d'une couche (11) de phosphure d'in- dium, de type n- d'épaisseur environ 3/um, par exemple par une méthode d'épitaxie en phase vapeur aux organo-métalliques (OMVPE), le niveau de dopage de l'ordre de 2.1014 porteurs par cm3 étant par exemple le dopage résiduel obtenu par cette mé- thode de croissance êpitaxiale employée; c) dépôt d'une couche (12) d'arséniure de gallium et d'indium, de type n-, de niveau de dopage supérieur à celui de la couche précédente, d'épaisseur environ 3/um, par exemple par une méthode d'épitaxie en phase vapeur aux or- gano-métalliques (OMVPE), le niveau de dopage de l'ordre de 1 à 2 1015 porteurs par cm3 étant par exemple le dopage résiduel obtenu par cette méthode de croissance épitaxiale employée. d) Protection (30) de la surface destinée à constituer le MESA, gravure sélective de la couche d'arséniure de gallium et d'indium (InCaAs) par exemple par voie chimique - 16 - à l'aide d'une solution d'acide sulfurique et rinçage à l'eau, puis élimination de la protection (30) de la surface du MESA. e) dépôt sur la couche (11) de phosphure d'indium d'une couche diélectrique (31), telle que par exemple de la silice (SiO2) ou du nitrure de silicium (Si3N4), défi- nissant une ouverture de diamâtre supérieur à celui du MESA, autour du MESA; f) diffusion d'atomes, comme par exemple Zn dans une ampoule scellée, de manière telle que la profondeur de diffusion dans la couche (11) de phosphure d'indium (InP) soit plus grande que la profondeur de diffusion dans la couche (12) d'arséniure de gallium et d'indium, en sorte que la pro- fondeur de diffusion dans la couche (11) (InP) est au moins égale à 0, 5/um et que la profondeur de diffusion dans la couche (12) (InGaAs) est de l'ordre de 0,1 à 0,2/um, cette opération constituant une couche de type p+ à la surface (13), sur les flancs (113) et sur le pourtour (213) du MESA, dans l'ouverture de la couche diélectrique (3) précédemment réa- lisée; g) réalisation d'une métallisation (22) sur la face arrière du substrat, par exemple à l'aide d'une super- position de couches or-germanium-nickel (Au-Ce-Ni); h) réalisation sur la zone p+ formée dans la couche (11) de phosphure d'indium (InP) sur le pourtour (213) du MESA d'un contact (21) de type ohmique par exemple à l'aide d'une superposition de couches de chrome-platine-or ou de ti- tane-platine-or; i) réalisation, à l'aide d'un diélectrique tel que par exemple la silice (SiO2) ou le nitrure de silicium (Si3N4), d'une couche antireflet (14) à la surface du MESA, couche centrée sur la longueur d'onde d'utilisation de la pho- todiode; j) réalisation sur les flancs du MESA d'une couche (15) de passivation à l'aide d'un diélectrique analogue à et compatible avec le diélectrique constituant la couche - 17 - antireflet. 7. Procédé de réalisation d'une diode conforme à la revendication 3 ou à la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: - a') formation d'un substrat (10) en phosphure d'indium (InP) dopé n+, par des atomes de soufre et obtenu par croissance Czochralski par exemple; b') dépôt d'une première couche (11) de phos- phure d'indium (InP), de type n-, d'épaisseur environ 3/um, par exemple par une méthode d'épitaxie en phase vapeur aux or- ganométalliques (OMVPE), le niveau de dopage de l'ordre de 2.1014 porteurs par cm3 étant par exemple le dopage résiduel obtenu par cette méthode de croissance épitaxiale employée; c') dépôt d'une couche (12) d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) de type n-, de niveau de dopage supérieur à celui de la couche précédente, d'épaisseur environ 3/um, par exemple par une méthode d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (OMVPE) le niveau de dopage de l'ordre de 1 à 2 1015 porteurs par cm3 étant par exemple le dopage ré- siduel obtenu par cette méthode de croissance épitaxiale em- ployée; d') dépôt d'une couche (13) d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) de type p+, d'épaisseur environ 0,1 à 0,2/um, sur la couche (12) d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) de type n- précédente, par exemple par croissance épitaxiale en phase vapeur, le dopant étant par exemple le zinc; e') dépôt d'une seconde couche (130) de phos- phure d'indium (InP), de type p+, d'épaisseur environ 1/um, par exemple par épitaxie en phase vapeur, le dopant étant par exemple le zinc; f') protection (40) de la surface destinée à constituer le MESA, gravure sélective de la seconde couche (130) de phosphure d'indium (InP) et de la couche (12,13) d'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs), par-exemple par - 18 - voie chimique, puis élimination de la protection (40); g') dépôt sur la première couche (11) de phosphure d'indium, d'une couche diélectrique (31) , telle que par exemple de la silice (SiO2) ou du nitrure de silicium (Si3N4), définissant une ouverture de diamètre supérieur à celui du MESA, autour du MESA; h') diffusion d'atomes, comme par exemple Zn, dans une ampoule scellée, dans la première couche (11) de phosphure d'indium (InP) autour du MESA sur une profondeur d'au moins 0,5/um, et sur les flancs et la surface du MESA, cette opération constituant une couche de type p+ sur les flancs (113) et le pourtour (213) du MESA, dans l'ouverture de la couche diélectrique (31) précédemment réalisée; i') réalisation d'une métallisation (22) sur la face arrière du substrat par exemple à l'aide d'une super- position de couches or-germanium-nickel (Au-Ge-Ni); j') réalisation sur la zone (213) p+ formée dans la première couche de phosphure d'indium (InP) sur le pourtour du MESA, d'un contact (21) de type ohmique, par exem- ple à l'aide d'une superposition de couches de chrome-platine- or, ou de titane-platine-or; k') réalisation, à l'aide d'un diélectrique tel que par exemple la silice (SiO2) ou le nitrure de sili- cium (Si3N4), d'une couche antireflet (14) à la surface du MESA, couche centrée sur la longueur d'onde d'utilisation de la photodiode; 1') réalisation sur les flancs du MESA d'une couche de passivation (15) à l'aide d'un diélectrique analogue à et compatible avec le diélectrique constituant la couche antireflet.