Brevet FR2580670A1 — publié le 19861024

PROCEDE DE DEPOT D'AU MOINS UNE COUCHE D'UN COMPOSE HOMO#Fi\ III-Y OU Il-Vi, EN PARTICULIER Ca As E SUBSTRAT REVETU D'UN TEL DEPOT L'invention concerne un procédé de dépôt sur substrat d au moins une couche d'un composé homogène, t binaire, d'éléments des familles III et V ou Il et -3'appli particulier pour effectuer un dépôt é avec un élément As ou P, posé peut être constitué des reférentiellement contenir de dépôt certaines propriétés e les composés sus-évoqués électriques notamment semi t intéressants pour de multiples les électroniques. plusieurs procédés pour réaliser composé binaire du type précité aire ; épitaxie en phase liquide ; dépôt chimique en phase vapeur...). al de mise en oeuvre onéreuse, soit nême de mise en oeuvre (températures soit en raison de la nature du strat monocristallin...). De plus, il difficile avec ces procédés d'obtenir des coub d'épaisseur uniforme prédéterminée (de l'ordre de 50 à 100 angstroms par exemple), qui sont recherchées pour certains composants électroniques. Par ailleurs, une technique de pulvérisation cathodique a été mise au point pour la réalisation de dépôt en laboratoire ; on pourra se référer aux publications suivantes décrivant cette technique - - "Vibrational properties of hydrogenated amorphous Ce As" D.K. PAUL et al. "Journal of Non-Crystalline Solids" 35 et 35 (1980) 501-506, - "Influence of Hydrogen Partial Pressure on Deposition...11 L. ALOI MOUSSA et al. "Journal de Physique" 42 C4-683 (1981), Cette technique consiste à bombarder par des ions de gaz neutre une électrode constituée par le composé binaire, généralement l'arséniure de gallium, mono ou polycristallin, de façon à arracher des atomes ou groupements d'atomes dudit composé pour les amener à se déposer sur le substrat ; le film obtenu sur le substrat peut être amorphe ou polycristallin selon les conditions de mise en oeuvre. Toutefois, ce procédé est de portée purement académique, son intérêt se limitant à l'obtention de dépôts pour une étude scientifique ; en effet le matériau de départ constituant l'électrode est le composX binaire lui-même et, en conséquence, a du être fabriqué au moyen d'un autre procédé tel que ceux précités. L'invention se propose de fournir un nouveau procédé de dépôt d'un composé homogène III-V ou II-VI, exempt des défauts des procédés connus précités. Un objectif essentiel de l'invention est de fournir un procédé dont le coût industriel de mise en oeuvre soit sensiblement inférieur à celui de la plupart des procédés connus. Un autre objectif est d'autoriser la réalisation . de couches minces uniformes, d'épaisseur ajustable. Un autre objectif est de permettre d'effectuer des dépôts sous forme amorphe, ayant des propriétés semitconductrices intéressantes, grâce à l'adjonction d'hydrogène en quantité ajustable dans le dépôt. Un Un autre objectif est d'autoriser le dépôt de composés binaires de formule A(l#x) Ex, avec ajustement du paramètre x à une valeur désirée entre û et 1, de façon que le dépôt présente des propriétés conductrices fonction de x, adaptées à l'application concernée. Un autre objectif est d'autoriser la formation d'un dépôt de plusieurs couches de composés binaires A ### x) 8x avec x différent d'une couche à l'autre, en vue d'obtenir un composant à caractéristiques électroniques ou opto-électroniques données. A cet effet, le procédé visé par l'invention comprend les étapes suivantes connues en soi - on dispose le substrat en regard d'une électrode dans une chambre à vide, - on admet dans la chambre à vide un gaz neutre, de sorte que la pression totale dans la chambre soit approximativement comprise entre 10-2 et 103 pascals, - on polarise négativement l'électrode à un potentiel de chute cathodique adapté pour ioniser le gaz afin de créer un plasma dans la chambre et conditionner un bombardement de l'électrode par les ions du plasma avec une énergie supérieure à 20 électrons-volts environ. Selon la présente invention, ledit procédé est caractérisé en ce qu'il consiste à à choisir une électrode constituée par un des éléments du composé à déposer, - et à admettre dans la chambre à vide au moins un autre gaz, dit gaz réactif, contenant l'autre élément du composé, de façon que le rapport de la pression partielle dudit gaz réactif à la pression partielle du gaz neutre soit comprise entre 10- et 3.10il. Ainsi, le dépit s'effectue dans le procédé de l'invention par la combinaison de plusieurs phénomènes simultanés. D'une part, des atomes de l'élément provenant du gaz réactif se déposent sur les parois en contact avec le plasma et plus particulièrement sur l'électrode et sur le substrat. D'autre part, le bombardement de l'électrodè par les ions provenant essentiellement du gaz neutre engendre un arrachement des atomes ou groupements d'atomes présents à la surface de cette électrode : en premier lieu atomes de l'élément constituant ladite électrode et également atomes de l'autre élément déposé s sur celle-ci.En conséquence, sont ainsi présents dans le plasma des atomes provenant du gaz réactif et des atomes arrachés ; le dépôt sur le substrat est ainsi engendré par l'ensemble de ces atomes (ou groupements d'atomes), leur densité respective conditionnant la composition du composé obtenu. La faible valeur de la pression partielle de gaz réactif par rapport à celle du gaz neutre évite que l'électrode se recouvre entièrement de l'élément provenant du gaz réactif, car la vitesse d'arrachement est plus élevée que la vitesse de dépôt. Le coût d'un tel procédé est réduit en raison du faible coût des matières premières (gaz réactif commercial, électrode formé par un élément et non par un composé cristallin ou polycristallin). En outre, les expérimentations ont montré qu'un vide secondaire ou même éventuellement primaire suffit. De plus, le procédé peut généralement être mis en oeuvre dans des conditions douces de température, en particulier pour l'obtention d'un dépit amorphe. En régime établi, les flux d'atomes ou de groupements d'atomes qui atteignent le substrat sont homogènes et uniformes et la vitesse de dépôt est la même sur toute la surface du substrat de sorte que l'on peut obtenir des dépôts en couche mince, d'épaisseur parfaitement ajustée en réglant convenablement la durée du dépôt. Le procédé de l'invention est utilisable pour réaliser des dépôts de composés binaires, en introduisant un seul gaz réactif dans la chambre à vide ; il est également possible d'obtenir des composés à nombre d'éléments plus élevés, notamment des composés ternaires en introduisant deux gaz réactifs dans la chambre à vide. Par ailleurs, lorsqu'au moins un des éléments du composé est de nature à former un hydrure, on choisit de préférence cet élément pour former le gaz réactif et on l'admet dans la chambre à vide sous forme de phase gazeuse constituée par l'hydrure dudit élément. Ce mode de mise en oeuvre est particulièrement intéressant dans le cas de dépôts semi-conducteurs amorphes (Ga As, In P, Ga P, In As..) car l'hydrogène se fixe sur les liaisons pendantes et améliore ainsi la mobilité des porteurs libres. En outre la présence d'hydrogène introduit par l'hydrure modifie la largeur de la "bande interdite" du semi-conducteur formé, ce qui peut être recherché dans certaines applications opto-électroniques. Les expérimentations ont montré que le procédé de l'invention permettait d'obtenir un dépôt de composé binaire de composition ajustable. Ainsi, pour obtenir un dépôt A(l-x) Bx avec une valeur prédéterminée de x entre û et 1, il suffit de régler le rapport des pressions partielles du gaz réactif et du gaz neutre dans la plage précitée en fonction de la valeur désirée de x, la grandeur x étant une fonction croissante dudit rapport de pressions partielles (B étant l'élément contenu dans le gaz réactif). L'élévation de la pression partielle de gaz réactif accroît le pourcentage de l'élément B par rapport à l'élément A dans le dépôt ; en effet dans la compétition entre le phénomène d'arrachement sur l'électrode et le phénomène de dépôt de l'élément B, on favorise alors ce dernier phénomène, ce qui tend à enrichir le composé déposé sur le substrat en cet élément ; au surplus, le phénomène de dépôt accéléré enrichit l'électrode en élément B (et donc les atomes ou groupements d'atomes arrachés), ce qui tend à aller dans le même sens. A la connaissance des inventeurs, aucun procédé existant ne permet d'obtenir (en particulier dans le cas des éléments Ga, In et As, P) des composés autres que les composés stoechiométriques ou très proches de la stoechiomêtrie (Ga As, In P, Ga P, In As dans l'exemple cité). On comprendra plus loin l'intérêt de ces composés non stoechiométriques dont les propriétés électriques et électroniques sont directement influencées par la valeur de x. Au surplus, le procédé de l'invention permet, le cas échéant, d'obtenir plusieurs couches superposées et/ou juxtaposées de composés binaires A(l#x) Bx avec x différent d'une couche à l'autre. La mise en oeuvre du procédé consiste alors - dans une première phase, à admettre dans la chambre à vide le gaz réactif à une pression partielle telle que le rapport de cette pression à celle du gaz neutre corresponde à la valeur de x de la première couche, - puis dans une deuxième phase, à admettre ce gaz réactif de façon que ce rapport corresponde à la valeur de x de la deuxième couche et ainsi de suite pour chaque autre éventuelle couche. Il est ainsi possible -de fabriquer des composants ayant des fonctions multiples et ce, dans une même chambre à vide sans manipulation du substrat. Selon un mode de réalisation préféré, le réglage du rapport des pressions partielles du gaz réactif et du gaz neutre est effectué, au cours d'une phase préalable, en réalisant un mélange de composition contrôlée par spectrométrie de masse. Le mélange peut être effectué soit directement dans la chambre à vide en admettant le gaz neutre et le gaz réactif dans celle-ci, soit dans une chambre auxiliaire de mélange. Un prélèvement dans cette chambre à vide ou cette chambre auxiliaire permet de connaître de façon précise le rapport des pressions partielles et donc d'asservir les débits de gaz neutre et gaz réactif pour ajuster ce rapport à la valeur désirée. De plus, selon un mode de réalisation préféré, la polarisation négative de l'électrode est réalisée au moyen d'une alimentation radio-fréquence couplée capacitivement avec ladite électrode. Cette polarisation est classique et présente l'avantage d'impliquer des moyens électriques simples, bien connus en eux-mêmes ; la fréquence habituellement utilisée est de 13,56 mégahertz. En outre, dans le cas ou l'électrode ou le substrat présente des caractéristiques isolantes (par recouvrement pour l'électrode et par nature pour le substrat), cette polarisation demeure efficace et écarte les risques d'auto-extinction du plasma. Il est à noter que le substrat peut, le cas échéant, être polarisé à un potentiel de chute anodique pour jouer dans certains cas sur les vitesses de dépôt. Les expérimentations ont montré que les conditions suivantes fournissaient en pratique de bons résultats - rapport des pressions partielles entre gaz réactif et gaz neutre ajusté à une valeur comprise entre 10-3 et 5.1De2, - polarisation de l'électrode la portant à un - polarisation de I'électrode la portant 8 un potentiel de chute cathodique approximativement compris entre 100 et 300 volts, - électrode refroidie afin de maintenir sa température entre 0 C et 250 C environ. En outre, le procédé conforme à l'invention permet d'obtenir aussi bien des composés amorphes que des composés cristallins ou polycristallins. La forme obtenue est déterminée par les conditions de mise en oeuvre, et essentiellement par la température du substrat et également par sa nature. Les composés amorphes sont préférentiellement obtenus à basse température sur des substrats homogènes ; si l'on recherche cette forme de composé, l'on maintiendra la température du substrat à une température de préférence inférieure à 500 C. Si, au contraire, l'on recherche une forme cristalline ou polycristalline, le substrat sera chauffé pour le porter à une température de préférence comprise entre 200P et 5000 C. Une application intéressante du procédé de l'invention réside dans le dépit d'un composé hydrogéné d'un élément Ca ou In combiné avec un élément As ou P. Le gaz réactif introduit dans la chambre à vide est alors l'arsine As H3 ou la phosphine PH3. Par exemple, dans le cas du dépôt d'un composé binaire hydrogéné de gallium et d'arsenic, les conditions opératoires suivantes conduisent à de bons résultats - l'électrode est recouverte d'un film de gallium pur et est polarisée par une alimentation de densité de puissance comprise entre 0,5 et 5 watts/cm2, - le gaz réactif introduit est l'arsine, - le gaz neutre est de l'argon et sa pression est ajustée entre 1 et 10 pascals, - le rapport des pressions du gaz réactif et du gaz neutre est ajusté entre 5,10'3 et 1,5.10-2* L'invention s'étend en tant que produit nouveau à des substrats comportant au moins une couche de composé hydrogéné non stoechiométrique de gallium et d'arsenic ; ces composés Ga(l x) Asx ont des propriétés électriques qui varient avec la valeur de x.Comme l'illustreront les exemples fournis plus loin, ces composés à l'état amorphe sont . semi-conducteurs pour 0,30 semi-isolants pour 0,60 . et conducteurs pour O Dans certaines applications électroniques, il est ainsi possible d'obtenir des superpositions et/ou juxtapositions de couches (au moyen de masques) en faisant varier le rapport des pressions partielles dans la chambre à vide, afin de réaliser des composants électroniques de caractéristiques souhaitées. Le procédé de l'invention est illustré par les exemples qui suivent ; ces exemples ont été mis en oeuvre au moyen d'une installation telle que représentée sur les dessins annexés - la figure 1 est une vue d' ensembie schématique de cette installation, - la figure 2 en est une coupe partielle par un plan vertical axial, - la figure 3 représente une courbe de variation de composition, illustrant les résultat#s obtenus, - la figure 4 représente la courbe de variation de conductivité des composés déposés. L'installation représentée à titre d'exemple aux figures 1 et 2 comprend un réacteur de dépôt 1 délimitant dans sa partie supérieure une chambre à vide la. Cette chambre à vide contient une électrode supérieure 2 située dans un plan horizontal et, en regard, un porte-sub#strat 3 sur lequel est posé le substrat 4 à revêtir. L'électrode 2 est portée par un support métallique 5 qui forme le couvercle du réacteur ; elle est isolée par rapport à ce support 5 par des pièces annulaires telles que 6 en polytétrafluoroéthylène. Un anneau de garde 7 est fixé sur le support 5 à la périphérie de l'électrode. Cette électrode est alimentée à travers un systbme d'adaptation d'impédance 8 par un générateur radiofréquence 9 apte à délivrer une puissance variant entre O et 500 watts, à une fréquence de 13,56 mégahertz. Cette électrode couplée capacitivement au générateur est ainsi soumise à un phénomène bien connu d'autopolarisation, fonction entre autres de la puissance débitée par le générateur 9. L'anneau de garde 7 et le bâti du réacteur sont reliés au potentiel de masse du générateur 9. En outre, l'électrode 2 est refroidie par une circulation d'alcool à travers des conduits 10. La température de cet alcool est régulée par un système externe non représenté. Dans les exemples qui suivent, la température de régulation choisie est de 100 C. Dans ces exemples, l'électrode 2 est en laiton et est recouverte sur sa face inférieure active d'une couche de gallium pur (pureté 6N) d'épaisseur de l'ordre de 2 mm. Le porte-substrat 3 peut être refroidi au moyen d'une circulation d'eau courante à travers des conduits 11 ou chauffé par une résistance électrique 12. Un cache 13 associé à. un système de pivotement à câble 14 permet de masquer le substrat ou de le découvrir. Dans les exemples de mise en oeuvre qui suivent, le substrat est constitué par un disque de silice amorphe ayant un état de surface poli-optique. Par ailleurs, le réacteur est associé à un système d'introduction de gaz, à un système de contrôle de la pression partielle des gaz admis et à des groupes de pompage. Le système d'introduction comprend un conduit 15 débouchant en partie haute du réacteur au-dessus du niveau de l'électrode supérieure. Ce conduit 15 sort en partie basse du réacteur et est relié à une chambre de mélange externe 16 qui est elle-même reliée à un circuit d'argon 17 et à un circuit d'arsine 18. Ces circuits comprennent des vannes qui permettent de faire varier les débits des gaz admis. Le système de contrôle de la pression partielle des gaz comprend un capillaire 19 communiquant avec la base du réacteur de façon à prélever une faible quantité de mélange gazeux. Ce capillaire est relié par l'entremise de vannes à un spectromètre de masse 20 associé à une pompe ionique 21. La perte de charge introduite par le capillaire permet de respecter la pression de travail du spectromètre. De façon classique, le spectromètre fournit pour chaque expérience des spectrogrammes qui donnent le rapport -R- des pressions partielles des gaz du mélange et permettent de l'ajuster de façon précise à la valeur souhaitée. Les groupes de pompage comprennent une pompe primaire 22 apte à réaliser un vide d'environ 0,1 pascal et une pompe secondaire 23 apte à réduire la pression jusqu'à environ 10-4 pascals ; cette pompe permet un dégazage préalable du réacteur. Exemple 1 Le réacteur est amené à un vide de 10-4 pascals et de l'argon seul est introduit dans celui-ci afin de le porter à une pression de travail de 2,7 pascals. Le cache 13 masque le substrat 4. Cette pression est ensuite maintenue par la pompe primaire 22 (la vanne de la pompe secondaire étant fermée). Le générateur 9 est mis en-circuit avec une puissance de 60 watts, en vue d'alimenter l'électrode avec une densité de puissance de 0,8 watts/cm2. Pour amorcer le plasma, on ferme provisoirement la vanne de la pompe primaire en vue d'accroître la pression dans le réacteur et on rétablit ensuite la pression de travail. On laisse le système fonctionner avec de l'argon seul pendant une période de quelques dizaines de minutes en vue de décaper l'électrode. On coupe ensuite l'alimentation de l'électrode afin d'éteindre le plasma et on introduit l'arsine. Le spectromètre de masse 20 permet de fixer le rapport R des pressions partielles entre l'arsine et l'argon. Ce rapport R a été mesuré dans les exemples à partir du rapport des intensités des pics As H+ et Ar+, fournies par le spectromètre. Le plasma est ensuite ré allumé dans les mêmes conditions que précédemment. Au bout de quelques dizaines de minutes de fonctionnement permettant une stabilisation du plasma, le cache est oté. Dans l'exemple 1 visé, les paramètres ont été fixés aux valeurs suivantes - rapport R = 9.10-3, - pression totale de travail : 2,7 pascals, - potentiel de chute cathodique : 180 volts, - température du substrat : 180 C, - distance entre électrode et substrat 4,5 cm, - diamètre de l'électrode et du portesubstrat : 10 cm. Au bout d'une heure de fonctionnement après retrait du cache, on arrête l'expérience et le substrat est analysé par fluorescence et diffraction des rayons X pour déterminer la composition et la structure du dépôt, au moyen d'un mesureur d'épaisseur ("Talystep"), par décapage ionique-en vue de déterminer le profil de composition dans l'épaisseur du dépôt, et par mesure de conductivité (méthode "Planar"). Le dépôt obtenu est de structure amorphe, homogène en épaisseur et en composition. Son épaisseur est de 2400 Sa composition est GaO,54 As0,46 ; ce composé est hydrogéné mais la quantité d'hydrogène n'a pas été mesurée Ce composé est semi-conducteur, sa conductivité étant de 0,7 ohm'l cm~l ; la mesure de conductivité est faite après un recuit à 1600 C du substrat. L'énergie d'activation du dépit et sa conductivité intrinsèque (facteur pré-exponentiel) ont été déterminées au moyen de la théorie classique de "Mptt-Davis" et présentent respectivement les valeurs suivantes : 0,1 électron-volt (à 200 C) ; 2,5 ohm'l cm~l. La conduction due aux états délocalisés semble donc être prépondérante. Exemple 2 Dans cet exemple, plusieurs essais ont été exécutés dans les mêmes conditions que précédemment mais avec des rapports de pressions partielles R différents. Pour la même durée de fonctionnement, l'épaisseur du dépôt obtenu reste inchangée, de même que la structure amorphe. Le tableau ci-dessous fournit en fonction du rapport R la composition du substrat obtenu, sa conductivité, son énergie dactivation et sa conductivité intrinsèque. 2,5.10-3 Ga0,81 As0,19 288 0 288 6,4.10-3 Ga0,76 As0,24 163 0,06 1750 6,6.10- 3 Ga0,70 As0,30 0,38 0,074 15,4 8,2.10-3 Ga0,53 As0,47 7,6.10-2 0,09 2,5 1,2.10-2 Ga0,27 As0,73 7.10-7 0,46 54 1,5.10-2 Ga0,20 As0,8 1.10-7 0,64 9,3.10 Ces résultats sont illustrés par les courbes de la figure 3 et de la figure 4 (abscisse logarithmique pour la figure 3). Le procédé de l'invention permet d'obtenir tous les composés hydrogénés Ga(1-x) Asx avec O Le rapport des pressions R possède une influence plus sensible autour de la stoechiométrie. La figure 4 permet de séparer les composés en trois types, les uns ayant un caractère conducteur (x 0,60). (Les mesures de conductivité pour tracer la figure 4 ont été effectuées à 200 C après un recuit à 1600 C). REVENDICATIONS 1/ - Procédé de dépôt sur un substrat d'au moins une couche d'un composé homogène d'au moins deux éléments des groupes III et V ou Il et VI, dans lequel on dispose le substrat en regard d'une électrode dans une chambre à vide, on admet dans la chambre à vide un gaz neutre, de sorte que la pression totale dans la chambre soit approximativement comprise entre 10-2 et 103 pascals, on polarise négativement l'électrode à un potentiel de chute cathodique adapté pour ioniser le gaz afin de créer un plasma dans la chambre et conditionner un bombardement de l'électrode par les ions du plasma avec une énergie supérieure à 20 électrons-volts environ, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste :: 8 à choisir une électrode constituée par un des éléments du composé à déposer, et à admettre dans la chambre à vide au moins un autre gaz, dit gaz réactif, contenant l'autre élément du composé, de façon que le rapport de la pression partielle dudit gaz réactif à la pression partielle du gaz neutre soit comprise entre 10-5 et 3.10-1. 2/ - Procédé de dépit selon la revendication 1, dans lequel au moins un des éléments du composé est de nature à former un hydrure, caractérisé en ce qu'on admet dans la chambre à vide un gaz réactif constitué par l'hydrure précité, l'électrode étant constituée par l'autre élément (ou un des autres éléments). 3/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1 ou 2, en vue d'obtenir un composé binaire de formule A(l~x) Bx où x présente une valeur prédéterminée telle que O 4/ - Procédé de dépôt selon la revendication 3, en vue d'obtenir au moins deux couches de composés binaires A(1 x) Bx avec x différent d'une couche à l'autre, caractérisé en ce que, dans une première phase, on admet dans la chambre à vide le gaz réactif à une pression partielle telle que le rapport de cette pression à celle du gaz neutre corresponde à la valeur de x de la première couche, puis, dans une deuxième phase, on admet le gaz réactif de façon que ce rapport corresponde à la valeur de x de la deuxième couche, et ainsi de suite pour chaque autre éventuelle couche. 5/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que le réglage du rapport des pressions partielles du gaz réactif et du gaz neutre est effectué, au cours d'une phase préalable, en réalisant un mélange de composition contrôlée par spectrométrie de masse. 6/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4 ou 5, dans lequel la polarisation négative de l'électrode est réalisée au moyen d'une alimentation radio-fréquence couplée capacitivement avec ladite électrode. 7/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5 ou 6, dans lequel le substrat est polarisé à un potentiel de chute anodique. 8/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5, 6 ou 7, caractérisé en ce que le rapport des pressions partielles de gaz réactif et de gaz neutre est ajusté à une valeur comprise entre 10-3 et #.îo-2. 9/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5, 6 ou 7 ou 8, caractérisé en ce que la polarisation de l'électrode est réalisée de façon à la porter à un potentiel de chute cathodique approximativement compris entre 100 et 300 volts. 10/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 ou 8 ou 9, caractérisé en ce que l'on refroidit l'électrode de façon à la maintenir à une température approximativement comprise entre 0 C et 250 C. 11/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 ou 9 ou 10, en vue d'obtenir un composé binaire amorphe sur un substrat homogène, caractérisé en ce que l'on maintient le substrat à une température inférieure à 50D C. 12/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 ou 9 ou 10, en vue d'obtenir un composé binaire cristallin ou polycristallin sur un substrat poli-optique, caractérisé en ce que l'on maintient le substrat à une température comprise entre 2000 C et 5000 C. 13/ - Procédé de dépôt selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le composé binaire est un composé hydrogène d'un élément Ga ou In combiné avec un élément As ou P, caractérisé en ce que le gaz réactif introduit dans la chambre à vide est l'arsine AsH3 ou la phosphine PH3. 14/ - Procédé selon la revendication 13, en vue de déposer un composé binaire hydrogéné de gallium et d'arsenic, caractérisé en ce que : . l'électrode est recouverte d'un film de gallium pur et est polarisée par une alimentation de densité de puissance comprise entre 0,5 et 5 watts/cm2, . le gaz réactif introduit est l'arsine, . le gaz neutre est de l'argon et se pression est ajustée entre 1 et 10 pascals, le rapport des pressions du gaz réactif et du gaz neutre est ajusté entre S.10-3 et l,5.10-2. 15/ - Substrat comportant une couche semiconductrice amorphe de composé Ga(l,,) Asx hydrogéné ob 0,30 16/ - Substrat comportant une couche semiisolante amorphe de composé Ga(l~x) As, hydrogéné oh 0,60 17/ - Substrat comportant une couche conductrice amorphe de composé Ga(l,,) Asx hydrogéné où 0 18/ - Substrat comportant au moins deux couches de composés Ga(l x) Asx avec x différent d'une couche à l'autre.