Brevet FR2584826A1 — publié le 19870116

- 1 - ELEMENT DE COMMUTATION OPTIQUE ENTRE DEUX GUIDES DE LUMIERE ET MATRICE DE COMMUTATION OPTIQUE FORMEE DE CES ELEMENTS DE COMMUTATION L'invention concerne un élément de commutation op- tique incluant deux guides de lumière parallèles, dont les pa- rois en regard sont séparées par une faible distance dite dis- tance de couplage, ces guides de lumière étant constitués cha- O cun d'un ruban en un matériau semiconducteur d'un premier in- dice de réfraction réalisé sur un substrat semiconducteur en un matériau d'un second indice de réfraction inférieur tel que la lumière est confinée dans le ruban formant le guide, les dimensions de ces guides étant telles qu'ils transportent chacun une onde monomode, et la commutation étant déclenchée par l'effet de potentiels auxquels sont portés des moyens de polarisation appliqués sur les guides. L'invention concerne en outre une matrice de com- mutation optique formée d'un nombre nxn de ces éléments de commutation. L'invention trouve son application dans la commu- tation de signaux optiques transportés par fibres optiques, par exemple dans le domaine des télécommunications, domaine dans lequel la commutation entre de nombreuses fibres optiques doit être rendue possible pour éviter de devoir convertir les signaux optiques transportés par les fibres en signaux élec- triques lors de la commutation entre les différents abonnés. Un élément de commutation optique apte à former une matrice de commutation, tel que défini dans le préam- bule, est connu de la publication intitulée "Low-loss GaAs-GalxAlxAs double-heterostructure directional coupler" par A. Carenco, P. Sansonetti et alii dans "Technical Digest, Orlando Hyatt Hotel, Kissimee, Florida, April 24-26, 1984" sous la référence "Th B 4-1". Ce document décrit un élément de commutation formé - 2 - de deux guides de lumière constitués par des rubans en GaAs. Ces rubans sont parallèles et réalisés côte à côte en surface d'une couche de GalxAlxAs qui sert de couche de confinement entre ces guides de lumière et le substrat plan en GaAs. Une autre couche de GalxAlxAs couvre chacun des rubans formant les guides. Ceux-ci sont d'autre part réalisés en relief sur le substrat par gravure d'une couche de départ. Des électrodes de type Schottky sont enfin réalisées en surface de chacun des guides, tandis que la face opposée du substrat est munie d'une couche formant un contact ohmique. Les guides transportent chacun une onde monomode et, du fait de la petite distance qui les sépare latéralement, une polarisation appliquée sur l'un ou l'autre des guides per- met de changer le couplage des deux guides monomodes, assurant ainsi la commutation souhaitée. Une matrice de commutation peut être réalisée à partir des tels éléments de commutation en réunissant les gui- des d'un élément aux guides d'un autre élément par des tron- çons de guide courbes. Mais une telle structure présente plusieurs incon- v6nients. Tout d'abord, par distance de couplage entre les guides il faut entendre la distance latérale entre les rubans sur le substrat. Cette distance est un facteur extrêmement critique pour le comportement de l'élément de commutation. Or la distance latérale entre deux rubans semiconducteurs réa- lisés sur un plan est difficilement contrôlable et en tous les cas toujours grande. Dans le dispositif décrit dans le docu- ment cité, cette distance latérale de couplage est de l'ordre de 2 à 3/um. Comme la longueur de couplage, c'est-à-dire la dimension longitudinale des guides de lumière, est liée à la distance latérale de couplage, cette dimension longitudinale est dans ce cas de plusieurs mm, ce qui est réellement énorme en termes de dimensions de dispositifs intégrés. De plus, les tronçons de guide courbes qui rac- cordent les éléments de commutation entre eux pour former - 3 - une matrice, effectuent obligatoirement ce raccordement sous un angle faible, ce qui entraîne qu'une telle matrice occupe une très grande surface. D'autre part les procédés de gravure ou de croissance épitaxiale employés pour réaliser ces tron- çons sont toujours anisotropes, ce qui entraînent que les pa- rois externes de ces tronçons sont rugueuses ou présentent des marches provoquant des pertes dans ces tronçons. Or, dans le domaine envisagé de l'application aux télécommunications, la demande est pour des circuits électro- optiques toujours plus performants, toujours plus miniatu- risés, et toujours moins coOteux c'est-à-dire d'une réalisa- tion plus aisée. La présente invention permet de résoudre ces pro- blèmes à l'aide d'un élément de commutation tel que défini dans le préambule, caractérisé en ce que le ruban constituant l'un des guides dit premier guide de lumière est réalisé en une première couche uniforme sur le substrat, en ce que ce ruban constituant le premier guide est couvert par une couche uniforme d'un matériau semiconducteur compatible, dite couche intermédiaire, dont l'indice de réfraction est inférieur à celui des guides, dont l'épaisseur est appropriée à constituer la distance de couplage entre les deux guides de lumière, en ce que le ruban constituant l'autre guide, dit second guide de lumière, est réalisé en une autre couche uniforme en surface de la couche intermédiaire, et en ce que par l'effet des potentiels auxquels sont portés les moyens de polarisation appliqués sur les guides, la lumière qui est introduite dans l'un des guides parallèlement à son axe optique à une première distance du substrat est amenée à se propager dans l'autre guide parallèlement à l'axe optique de ce dernier à une se- conde distance du substrat, l'ensemble du premier guide dit guide inférieur formant avec le second guide dit guide supé- rieur et avec la couche intermédiaire une structure dite pre- mière structure empilée. Dans ces conditions, la couche intermédiaire peut - 4 - être très mince. En effet le contrôle de dimensions de couches perpendiculairement au substrat est toujours beaucoup plus fa- cile à réaliser que le contrôle des dimensions latérales, né- cessaire pour la mise en oeuvre du dispositif connu de la pu- blication citée comme état de la technique. La distance de couplage entre les guides est alors très petite, ce qui en- traine que la longueur de couplage est aussi proportionnel- lement petite. Le dispositif réalisé selon la présente inven- tion est donc plus petit que le dispositif réalisé selon l'art antérieur. De plus il est plus performant, le couplage étant amélioré à la fois par la faible distance qui sépare les guides et par l'uniformité de cette distance. Cet élément de commutation peut également être caractérisé en ce qu'un miroir plan, dit premier miroir, est placé sur le trajet du faisceau transporté par le second guide de lumière de la première structure empilée, perpendicu- lairement au substrat et faisant avec l'axe optique de ce se- cond guide un angle différent de la normale, et en ce qu'un troisième guide de lumière formé par un ruban identique à ce- lui qui forme le second guide, transporte le faisceau issu de ce second guide et réfléchi par le miroir à la même distance du substrat que le second guide. L'avantage présenté par cet élément est que le mi- roir utilisé pour dévier le faisceau du second guide est à ré- flexion totale et donc que la séparation des chemins suivis par les faisceaux issus de l'élément de commutation se fait sans pertes. Cet élément de commutation peut encore être carac- térisé en ce qu'un quatrième guide de lumière forme avec une couche itermédiaire et le troisième guide de lumière une structure dite seconde structure empilée et dans laquelle le quatrième guide est dit guide inférieur et le troisième guide est dit guide supérieur, en ce que cette seconde structure est munie de moyens de polarisation identiques à ceux de la pre- mière structure empilée, et en ce qu'un miroir plan, dit -5- second miroir, parallèle au premier miroir et de structure identique, est placé sur le trajet du faisceau du guide supé- rieur de la seconde structure empilée, à l'extrémité de cette structure. Dans une forme de réalisation, cet élément de com- mutation est caractérisé en ce que les couches formant les guides et la couche intermédiaire sont des couches épitaxiales formées à partir d'un substrat monocristallin. Dans cette forme de réalisation, la mise en oeuvre de l'éldment de commutation selon l'invention est particuliè- rement aisée, car l'épaisseur des couches épitaxiales est fa- cilement contrôlable. Dans une telle forme de réalisation, cet élément de commutation peut être en outre caractérisé en ce qu'il est réalisé à l'aide d'un technologie mettant en oeuvre la gravure anisotrope associée à la croissance épitaxiale anisotrope lo- calisée, selon des directions cristallographiques privilégiées du substrat monocristallin de telle manière que les guides présentent des faces longitudinales constituées par des fa- cettes cristallographiques et que les miroirs sont également constitués par des facettes cristallographiques. Dans cette dernière forme de réalisation, la lu- mière est particulièrement bien confinée dans les guides de lumière et les pertes sont particulièrement faibles. En effet, comme il a été vu lors de l'étude de l'état de la technique, tous les procédés de r6alisation qui s'appliquent aux dispo- sitifs semiconducteurs sont plus ou moins anisotropes. Il est donc avantageux d'utiliser cette propriété pour faire en sorte que les faces longitudinales des guides et les miroirs soient des faces cristallographiques. Un élément de commutation selon l'invention, lors- qu'il inclut une première et une seconde structure empilée, et un premier et un second miroir, est alors particulièrement avantageux pour réaliser une matrice de commutation à n en- trées et n sorties, comprenant un nombre nxn de ces éléments - 6 - de commutation juxtaposés. Cette matrice offre alors l'avantage d'être d'une faible surface et d'une réalisation aisée. De plus elle assure une commutation du type large bande qui ne pourrait être ob- tenue à l'aide d'une commutation purement électrique. L'invention sera mieux comprise à l'aide de la description suivante illustrée par les figures annexées dont: - la figure la qui représente vu du dessus un élé- ment de commutation selon l'invention; - la figure lb qui représente en coupe selon l'axe z'o cet élément de commutation; - la figure le qui représente en coupe selon l'axe oz cet élément de commutation. - la figure ld qui représente, en coupe transver- sale, une structure empilée; - les figures 2a, 2b, 2c, 2d qui représentent, dans différentes mises en oeuvre de l'élément de commutation, une coupe transversale d'une structure empilée; - la figure 3 qui représente un exemple de matrice de commutation réalisée à l'aide de 4x4 de ces éléments de commutation; - l'ensemble des figures 5 qui illustrent les dif- férentes étapes d'un procédé de réalisation d'un élément de commutation selon l'invention. Tel que représenté vu du dessus, sur la figure la, et en coupe respectivement selon les axes z'o et oz sur les figures lb et lec, l'élément de commutation selon l'invention est formé d'un premier ruban semiconducteur formant un premier guide de lumière G1 réalisé en surface d'un substrat plan 1 en un matériau semiconducteur compatible, dont l'indice de ré- fraction nS est inférieur à l'indice ng du matériau formant le premier guide Gl. L'élément de commutation est ensuite formé d'une couche I, dite couche intermédiaire, en un matériau semicon- ducteur d'indice de réfraction ni inférieur à l'indice du - 7 - matériau formant le guide, réalisée en surface de ce dernier. Cette couche est de faible épaisseur d. Elle est destinée à permettre le couplage entre le premier guide de lumière GI et un second guide de lumière G2 constitué par un second ruban de matériau semiconducteur de même nature que celui qui constitue le premier guide Gl. La section des guides de lumière G1 et G2 peut être rectangulaire. Dans ce cas les guides présentent perpen- diculairement au substrat une dimension e, et parallèlement au substrat une dimension w, comme il est montré en coupe trans- versale sur la figure ld. Ces guides sont prévus pour transporter des ondes monomodes. Leur dimension e perpendiculairement au substrat est donnée par la relation: 2 2 dans laquelle mS = 1, constante qui correspond au mode d'or- dre premier, et Xo est la longueur d'onde de propagation. Cette relation exprime le fait que cette dimension e doit être suffisante pour que le guide transporte le mode fondamental, mais cependant limitée, afin d'éviter la propa- gation du mode d'ordre premier qui lui est supérieur. Cette relation est connue de la publication "Integrated Optics: Theory and Technology" par Robert G. Hunsperger aux éditions Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New-York. La structure représentée figure ld, formée par l'empilement sur le substrat du ruban semiconducteur consti- tuant le premier guide G1, de la couche intermédiaire I, et du ruban semiconducteur constituant le second guide G2, est dite structure empilée. Elle est fondamentalement différente de la structure selon l'art antérieur o les deux guides parallèles reposaient sur la même surface du substrat et o le couplage était latéral. En imposant, par des moyens de polarisation qui - 8 - seront décrits plus loin, une différence de potentiel sur les guides G1 et G2, on crée un champ électrique important au ni- veau de l'un des guides. Ce champ permet, par effet électro- optique linéaire, de modifier l'indice du guide dans la région o la polarisation est appliquée et d'induire dans ce guide une différence d'indice: Ang = ng x r x E o r est une constante électro-optique du matériau et E est le champ électrique. Ainsi, suivant la polarisation appliquée sur les guides de la structure empilée, un faisceau lumineux de longueur d'onde X0 introduit dans le premier guide de lumière G1, ou bien continue son trajet dans le guide G1, ou bien passe dans le guide G2. La longueur 9 de la structure empilée, nécessaire au couplage des guides G1 et G2 est fonction d'une part de l'indice ni de la couche intermédiaire I, mais aussi de son épaisseur d. Selon l'art antérieur cité précédemment, les gui- des de lumière réalisés en surface d'un substrat étaient sépa- rés par une distance d'environ 3/um. Dans ces conditions, la longueur de couplage variait de 4 à 8 mm, suivant le procédé de réalisation utilisé. Au contraire, selon la présente invention, la couche intermédiaire, qui peut être une couche épitaxiale par exemple, est d'une épaisseur très facilement contrôlable. Une épaisseur extrêmement uniforme et aussi faible que 0,5/um peut être facilement obtenue. Avec une telle épaisseur, l'or- dre de grandeur de la longueur 9 de couplage pour un matériau semiconducteur du groupe III-V, sera de l'ordre de Z 1 mm. On évalue immédiatement combien le dispositif se- lon l'invention est avantageux dans le domaine de l'électro- optique intégrée o la demande est pour des dispositifs tou- jours petits miniaturisés. - 9 - Tel que représenté sur les figures 1, la structure empilée S1 constitue donc un élément de commutation entre les guides G1 et G2. Afin de diriger le faisceau transporté par le guide G2 vers une direction différente du faisceau transporté par le guide G2, un miroir plan M1 est placé sur le trajet du faisceau du guide G2, à l'extrémité de la première structure empilée 51- Ce miroir M1 est constitué par une portion plane de la paroi latérale du guide G2, cette portion plane étant perpendiculaire au substrat et faisant un angle 0 par rapport à l'axe optique z'o du guide G2. Ce miroir M1 réfléchit donc le faisceau transporté par le guide G2 sous un angle 20. Comme il est montré sur les figures la et lc, cette dernière étant une coupe du dispositif de la figure la selon l'axe oz de réflexion par le miroir M1, le faisceau ré- fléchi par M1 peut être transporté par un troisième guide de lumière G3, de même dimension et composition que le guide G2. D'autre part, dans le but d'appliquer un tel élé- ment de commutation à la réalisation d'une matrice de commu- tation, un quatrième guide G4 peut encore être associé au gui- de G3 avec une couche intermédiaire I, pour former une struc- ture empilée $'1 identique à la première structure 51' Cette seconde structure empilée S'1 sera en outre munie de moyens de polarisation identiques à ceux de la pre- mière structure empilée 51, ainsi que d'un miroir M2, de structure identique au miroir M1, parallèle à ce dernier et placé sur le trajet du faisceau transporté par le guide G3 comme il est montré figure la et lc. Dans ce qui suit, les guides G1 et G4 des struc- tures empilées S1 et S'1 seront dits guides inférieurs, tandis que les guides G2 et G3 seront dits guides supérieurs (figure ld). Ainsi par l'effet des polarisations appliquées sur les structures empilées 51 et 5'1, il est possible, à partir - 10 - d'un faisceau monomode appliqué sur l'entrée E du guide infé- rieur de la structure S1, de disposer: - ou bien d'un faisceau monomode qui continue son trajet dans le guide inférieur de la première structure S1; - ou bien d'un faisceau monomode qui se propage dans le guide supérieur de la première structure 51, est ré- fléchi par le premier miroir M1 et continue son chemin dans le guide supérieur de la seconde structure S'1- Ce dernier faisceau peut alors, par effet des po- larisations: - ou bien être réfléchi par le second miroir M2; - ou bien passer dans le guide inférieur de la se- conde structure 5'1. A partir de l'élément de commutation formé par les deux structures empilées S1 et 5'1, il peut être réalisé une matrice de commutation optique comportant un nombre n d'en- trées IN1, IN2,... INn, et un nombre n de sorties 0i, 02,... On, entre lesquelles s'opère la commutation. Cette matrice est formée de nxn de ces éléments de commutation juxtaposés et placés de telle sorte que les co- lonnes de la matrice, définies comme étant dans le prolonge- ment des entrées IN1, IN2,... INn, sont formées par lesdites premières structures empilées des éléments, et numérotées dans ce cas respectivement S11, S12, 513,...Sln pour la première colonne, S21, S22, S23...etc pour la seconde colonne et ainsi de suite jusqu'à Snl, Sn2... pour la nième colonne. Ces pre- mières structures empilées sont elles-mêmes placées les unes par rapport aux autres de telle sorte que les guides infé- rieurs sont dans le prolongement les uns des autres. D'autre part, les lignes de la matrice, définies comme étant dans le prolongement des sorties 01, 02,...0n sont formées par lesdites secondes structures empilées des élé- ments, numérotées dans ce cas respectivement S'll, S'12,... S'ln pour la première ligne, S'21, S'22...S'2n pour la seconde ligne et ainsi de suite jusqu' 'ni.. S'nn pour la dernière - 11 - ligne. Ces secondes structures empilées sont en outre placées les unes par rapport aux autres de telle sorte que les guides inférieurs sont dans le prolongement les uns des autres. Enfin ces éléments sont juxtaposés de telle sorte que le premier miroir d'un élément forme avec le second miroir d'un élément adjacent, une lame à faces parallèles dont les faces externes sont totalement réfléchissante. Une matrice de commutation réaliséee selon ce mo- dèle et comportant quatre entrées et quatre sorties est re- présentée figure 3. Ces lames à faces parallèles sont alors numérotées Lll...*Lnn. Les moyens de polarisation de chaque structure em- pilée sont notés sur la figure 3 par la référence E affectée du même indice que la structure empilée à laquelle ils sont appliqués. Pour réaliser les éléments de commutation selon l'invention, ou matrices formées à partir de ces éléments, il est avantageux de choisir un matériau semiconducteur du groupe III-V, car ce matériau permet la propagation des ondes aux longueurs d'onde 1,3/um et 1,55/um envisagées pour les applications dans le domaine des télécommunications. Quatre formes de réalisation d'éléments de commu- tation incluant de tels matériaux sont données ici à titre d'exemple. Exemple I Dans cette forme de réalisation illustrée par la figure 2a, le substrat i peut être en arséniure de gallium (GaAs) de type n+, ainsi que la (ou les) couche(s) intermé- diaire(s) I. Les guides inférieurs et supérieurs (Gl et G2 par exemple) sont en arséniure de gallium (GaAs) de type n-. En effet l'arséniure de gallium de type n- présente un indice de réfraction de valeur supérieure à celui de l'arséniure de gallium de type n+, ce qui permet- d'obtenir le confinement de la lumière dans les guides. - 12 - Les moyens de polarisation, pour chaque structure empilée ainsi constituée, sont formés par une première élec- trode 12 de type Schottky dont le contact est pris sur le gui- de supérieur et d'une seconde électrode de type contact ohmique 100 pris sur le substrat 1. La commutation de l'un à l'autre des guides de la structure empilée est obtenue en appliquant une différence de potentiel V entre le première électrode 12 et le contact oh- mique 100 pris sur le substrat. *Exemple II Dans cette forme de réalisation illustrée par la figure 2b, le substrat 1 peut être en arséniure de gallium (GaAs) de type n+, les guides inférieur et supérieur (GI et G2 par exemple) peuvent être en arséniure de gallium (GaAs) de type n- et la (ou les) couche(s) intermédiaire(s) I peuvent être en arséniure de gallium et d'aluminium (GaAlAs) de type n-. Les moyens de polarisation, pour chaque structure empilée ainsi constituée, sont formés par une première élec- trode 100 de type contact ohmique pris sur le substrat 1, ou bien sur la couche intermédiaire I, et par une seconde élec- trode 12 de type Schottky dont le contact est pris sur le gui- de supérieur. La commutation de l'un à l'autre des guides de la structure empilée est obtenue en appliquant une différence de potentiel V entre les électrodes 100 et 12. Exemple III Dans cette forme de réalisation illustrée par la figure 2c, le substrat 1 peut être en arséniure de gallium (GaAs) de type n+, les guides peuvent être en arséniure de gallium (GaAs) de type n-, la couche intermédiaire peut être choisie parmi l'arséniure de gallium (GaAs) de type p+, ou l'arséniure de gallium et d'aluminium (GaAlAs) de type p+, - 13 - l'utilisation de ce dernier matériau diminuant les pertes op- tiques. Une couche d'un tel matériau peut également être in- terposée entre le substrat (alors semi-isolant) et le guide inférieur. Dans ces conditions le guide supérieur est encore surmonté d'une couche 2 d'arséniure de gallium (GaAs) de type n+. De plus dans le but de confiner la lumière et de rendre le dispositif symétrique, les guides peuvent être en- terrés dans un matériau 10 tel que l'arséniure de gallium et d'aluminium de type n-. Les moyens de polarisation, pour chaque structure empilée ainsi constituée, sont formés par une première élec- trode 21 de type contact ohmique pris sur la couche intermé- diaire I, par une seconde électrode 100 de type contact oh- mique pris sur le substrat, et par une troisième électrode 22, de type contact ohmique pris suir la couche supérieure 2 d'ar- séniure de gallium d'e type n+. La commutation de l'un à l'autre des guides de la structure empilée est obtenue en portant la première électrode 21 dont le contact est pris sur la couche intermédiaire à un potentiel de référence, et en appliquant des différences de potentiel symétriques entre la seconde et la première àlec- trode d'une part respectivement 100 et 21, od biúen entre la troisième et la première électrode d'autre part respective- ment 22 et 21, suivant le sens dà la commmtatLoim dsiré.-. Exemple IV Dans cette forme de réalisatioa illustrée par la figure 2d, le substrat 1 peut être en phosphure d'indium (InP) de type n+, de même que la (ou les) eouche(s) interm&diaire(s) I. Les guides inférieurs et supérieurs peuvent être en phos- phure d'indium (InP) de type n-. Les moyens de commutation, pour chaque structure empilée ainsi constituée, sont formés par un contact ohmique - 14 - pris sur la couche intermédiaire I ou bien sur le subs- trat, et par un contact 23 de type MIS (Métal-Isolant-Semicon- ducteur). La commutation de l'un à l'autre des guides de la structure empilée est obtenue en appliquant une différence de potentiel V entre les électrodes 100 et 23. Procédé de réalisation d'un élément de commutation ou d'une matrice composée de tels éléments D'une façon avantageuse, les couches constituant l'élément de commutation selon l'invention seront des couches épitaxiales formées à partir d'un substrat monocristallin. En effet de telles couches sont d'une réalisation aisée, et de plus leur dimension perpendiculairement au substrat est fa- cilement contrôlable. En particulier, il est aisé d'obtenir une distance de couplage d concrétisée par l'épaisseur de la couche intermédiaire I, telle qu'elle est très faible de l'or- dre de 0,5/um comme il a été dit précédemment. D'une façon encore plus avantageuse, l'élément de commutation ou la matrice sera réalisée à partir d'un procédé mettant en oeuvre la gravure anisotrope, associée à la crois- sanaa épitaxiale snisotrope localisée, selon des directions cristallographiques privilégiées du substrat monocristallin. En effet comme il a été vu lors de l'étude de Li'"t&t de la technique, tous les procédés de réalisation qui "%appliquent aux dispositifs semiconducteurs sont plus ou moins anisotropes. Il est donc particulièrement avantageux d'utiliser cette propriété pour faire en sorte que les guides de lumière et les miroirs ou lames à faces parallèles réflé- chissantes soient des facettes cristallographiques. La lumière est alors mieux confinée dans les guides ou mieux réfléchie par les miroirs. L'ensemble des dispositifs selon l'invention est de préférence réalisé à partir de guides de lumière enterrés dans le substrat. En effet ces guides sont monomodes - 15 - perpendiculairement au substrat. Mais ils sont aussi monomodes parallèlement au substrat. Cet effet est plus facilement ob- tenu si un matériau de même nature que le substrat vient noyer les faces latérales des guides de lumière. Les différentes figures 4 illustrent un procédé de réalisation qui remplit ces conditions et qui est conforme à l'exemple I. Ce procédé comprend les étapes de: a) formation d'un substrat 1 monocristallin en arséniure de gallium (GaAs) de type n+, dopé par exemple à 6.1017 porteurs par cm3 et présentant une face plane 3 orien- tée selon le plan cristallographique (100) (figure 4a); b) délimitation par un masque 4 de sillons de largeur w selon les axes cristallographiques [iIO] et L10 I perpendiculaires sur les emplacements prévus pour les structures empilées S1 et S'1. Ce masque peut être en silice (SiO2) et la largeur w des sillons peut être de 3 à 4/um. La surface (100) du substrat 1 est donc dégagée dans ces sil- lons (figure 4b); c) gravure du substrat dans les sillons par une méthode chimique ou bien par une méthode dite RIE (Reac- tive Ion Etching) par exemple. Cette méthode présente sur les autres méthodes l'avantage de former des flancs de gravure bien perpendiculaires au substrat et dénués de sous-gravure du masque. On obtient ainsi dans les sillons 5 des cannelures 6 en creux dans le substrat (figure 4c). Ces cannelures 6 sont réalisées sur une faible profondeur, par exemple 0,5/um. Elimination du masque 4. d) introduction de l'échantillon ainsi pré- paré dans un réacteur d'épitaxie en phase vapeur et léger dé- capage "in situ" pour mieux faire apparaître les faces cris- tallines développées dans les cannelures par RIE. On notera en effet que selon les conditions thermodynamiques, le réacteur d'épitaxie peut permettre un décapage ou bien une croissance épitaxiale. Les faces longitudinales des cannelures sont des - 16 - faces (110) et (110). e) croissance épitaxiale de préférence en phase vapeur, à partir des faces cristallographiques des can- nelures d'une couche 7 du matériau constituant les guides in- férieurs, par exemple dans la mise en oeuvre décrite ici, l'arséniure de gallium de type n- dopé par exemple à un niveau de porteur inférieur à 1015 par cm3, cette couche couvrant à la fois le substrat et la cannelure 6 d'une façon plane. L'épaisseur de la couche dans la région de la cannelure est e (figure 4d); f) croissance épitaxiale de préférence en phase vapeur, sur la couche 7, d'une couche 8 plane du maté- riau constituant la couche intermédiaire I, ici l'arséniure de gallium de type n+ d'épaisseur d par exemple 0,5/um, puis croissance épitaxiale de préférence en phase vapeur, sur la couche 8, d'une couche 9 d'épaisseur e du matériau constituant les guides pour former le guide supérieur, suivant la struc- ture illustrée par la figure 4e; g) gravure par exemple par RIE, dans l'ou- verture d'un nouveau masque, de la dernière couche 9, sur une petite épaisseur, de manière à faire apparaître en relief les guides supérieurs comme il est montré sur la figure 4f; h) gravure par exemple par RIE dans les ou- vertures d'un nouveau masque de cannelures dont les faces constituent ou bien les miroirs dans le cas d'un élément de commutation ou bien les lames à faces parallèles réfléchis- santes dans le cas d'une matrice (figure 4g); i) réalisation des électrodes en surface des guides supérieurs et d'un contact ohmique dans une ouverture pratiquée dans les couches jusqu'à la surface du substrat (figure 4f). Dans un autre exemple de réalisation (exemple III) il faudrait en outre réaliser des contacts ohmiques sur la couche intermédiaire dans des ouvertures pratiquées dans les couches jusqu'à cette dernière, à proximité des structures empilées. - 17 - En ce qui concerne la réalisation des guides de lumière par épitaxie localisée on se reportera avec profit à l'article intitulé "Structural analysis and optical charac- terization of low loss GaAs waveguides fabricated by selective epitaxy" par N. VODJDANI, M. ERMAN et J.B. THEETEN dans "Journal of Crystal Growth 71 (1985) 141-148, North Holland, Amsterdam". A titre d'exemple également sont donnés ici les fourchettes pour la dimension des guides de lumière perpen- diculairement au substrat. Avec un indice ng: 3,5 correspondant à un substrat en arséniure de gallium dopé à 6.1017 porteurs par cm3 (type n+), une différence entre les indices ng-nS i10-3 et une longueur d'onde X0 - 1,3/um alors O peut être de l'ordre de l/um. La longueur. de couplage est comme on l'a vu pré- cédemment de l'ordre de 1 mm pour une épaisseur de la couche intermédiaire d 0,5/um La gravure propre à constituer les lames L ou les miroirs est évidemment faite sur une profondeur de l'ordre de e. Les électrodes constituant les moyens de polarisa- tion peuvent toutes être réalisées sur la même face 3 du subs- trat 1 que le dispositif, même lorsqu'un contact ohmique des- tiné à recevoir le potentiel de référence est pris sur le substrat. A cet effet une ouverture est dégagée dans les couches supérieures jusqu'à laisser apparaître la couche ou le substrat sur laquelle ou lequel doit être réalisé l'élec- trode. L'électrode est alors réalisée dans cette ouverture qui est par ailleurs mise en place à proximité de la structure - 18 - empilée qui doit être ainsi polarisée. D'une façon générale, les contacts de type ohmique pourront être réalisés à l'aide d'un alliage Or-Germanium- Nickel (Au-Ge-Ni), et les électrodes de type Schottky par un dépôt de Titane-Platine-Or (Ti-Pt-Au). Il est évident que d'autres formes et procédés de réalisation des dispositifs selon l'invention sont possibles sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les re- vendications ci-après annexées. -19 - REVENDICATIONS 1. Elément de commutation optique incluant deux gui- des de lumière parallèles sur une longueur dite longueur de couplage, dont les parois en regard sont séparées par une fai- ble distance, dite distance de couplage, ces guides de lumière étant constitués chacun par un ruban en un matériau semicon- ducteur d'un premier indice de réfraction réalisé sur un subs- trat semiconducteur en un matériau d'un second indice de ré- fraction inférieur tel que la lumière est confinée dans le ru- ban formant le guide, les dimensions de ces guides étant telles qu'ils transportent chacun une onde monomode, et la commutation étant déclenchée par l'effet de potentiels aux- quels sont portés des moyens de polarisation appliqués sur les guides, caractérisé en ce que le ruban constituant l'un des guides dit premier guide de lumière est réalisé en une pre- mière couche uniforme sur le substrat, en ce que ce ruban constituant ce premier guide est couvert par une couche uni- forme d'un matériau semiconducteur compatible, dite couche in- termédiaire, dont l'indice de réfraction est inférieur à celui des guides, dont l'épaisseur est appropriée à constituer la distance de couplage entre les deux guides de lumière, en ce que le ruban constituant l'autre guide dit second guide de lu- mière est réalisé en une autre couche uniforme en surface de la couche intermédiaire, et en ce que par l'effet des poten- tiels auxquels sont portés les moyens de polarisation appli- qués sur les guides, la lumière qui est introduite dans l'un des guides parallèlement à son axe optique à une première dis- tance du substrat est amenée à se propager dans l'autre guide parallèlement à l'axe optique de ce dernier à une seconde dis- tance du substrat, l'ensemble du premier guide dit guide infé- rieur formant avec le second guide dit guide supérieur et avec la couche intermédiaire une structure dite première structure empilée dont la dimension longitudinale est égale à la lon- gueur de couplage. 2. Elément de commutation selon la revendication 1, - 20 - caractérisé en ce qu'un miroir plan dit premier miroir est placé sur le trajet du faisceau transporté par le second guide de lumière de ladite première structure empilée à l'extrémité de cette structure, perpendiculairement au substrat et faisant avec l'axe optique de ce second guide un angle différent de la normale, et en ce qu'un troisième guide de lumière formé par un ruban identique à celui qui forme le second guide, trans- porte le faisceau issu de ce second guide et réfléchi par le miroir, à la même distance du substrat que ce second guide. 3. Elément de commutation selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'un quatrième guide de lumière forme avec une couche intermédiaire et le troisième guide de lumière une structure dite seconde structure empilée, identique à la pre- mière structure empilée et dans laquelle le quatrième guide est dit guide inférieur et le troisième guide est dit guide supérieur, et en ce que cette seconde structure empilée est munie de moyens de polarisation identiques à ceux de la pre- mière structure empilée. 4. Elément de commutation selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'un miroir plan, dit second miroir, pa- rallèle au premier miroir et de structure identique, est placé sur le trajet du faisceau du guide supérieur de la seconde structure empilée, à l'extrémité de cette structure. 5. Elément de commutation selon l'une des revendica- tions 1 à 4, caractérisé en ce que les couches formant les guides et la (ou les) couche(s) intermédiaire(s) sont des cou- ches épitaxiales formées à partir d'un substrat monocris- tallin. 6. Elément de commutation selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il est réalisé à l'aide d'un technolo- gie mettant en oeuvre la gravure anisotrope associée à la croissance épitaxiale anisotrope localisée, selon des direc- tions cristallographiques privilégiées du substrat monocris- tallin, de telle manière que les guides présentent des faces longitudinales constituées par des facettes cristallogra- phiques et de telle manière que les miroirs sont également - 21 - constitués par des facettes cristallographiques. 7. Elément de commutation selon la revendication 6, caractérisé en ce que le plan du substrat sur lequel sont réa- lisés les guides est le plan (100), en ce que les guides sont réalisés parallèlement aux axes cristallographiques Co10] et/ou ilio], et en ce que le (ou les) miroir(s) est/sont réa- lisé(s) selon une face cristallographique (010) ou (001). 8. Elément de commutation selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce qu'il est réalisé, à partir du plan du substrat, par gravure de cannelures de la profondeur de la (ou des) structure(s) empilée(s), sur l'emplacement de cel- le(s)-ci, puis par croissance épitaxiale des couches formant l'empilement dans les cannelures, suivie d'une gravure d'une (ou de) cannelure(s) de la profondeur du premier guide de ma- nière telle que les faces latérales de cette (ou ces) canne- lure(s) constitue(nt) la/les face(s) du/des miroirs, étant orientées selon l'angle approprié par rapport à l'axe optique des guides. 9. Elément de commutation selon les revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le substrat est en arséniure de gallium (GaAs) de type n+, ainsi que la (ou les) couche(s) in- termédiaire(s), en ce que les guides sont en arséniure de gal- lium (GaAs) de type n-, et en ce que les moyens de polarisa- tion sont constitués pour la (ou chacune des) structure(s) em- pilée(s), par une première électrode de type Schottky dont le contact est pris sur le guide supérieur et par une électrode de type contact ohmique pris sur le substrat ou sur la couche intermédiaire, une différence de potentiel étant alors appli- quée entre cette électrode et type Schottky et ce contact ohmique. 10. Elément de commutation selon les revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le substrat est en arséniure de gallium (GaAs) de type n+, en ce que les guides sont en arsé- niure de gallium (GaAs) de type n- et la/les couche(s) inter- médiaire(s) est/sont en arséniure de gallium et d'aluminium - 22 - (GaAlAs) de type n-, et en ce que les moyens de polarisation sont constitués, pour la(chacune des) structure(s) empilée(s), par une première électrode de type contact ohmique pris sur le substrat, et par une seconde électrode de type Schottky dont le contact est pris sur le guide supérieur, une différence de potentiel étant appliquée entre ces deux électrodes. 11. Elément de commutation selon les revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le substrat est en arséniure de gallium (GaAs) de type n+, les guides sont en arséniure de gallium (GaAs) de type n-, la couche intermédiaire est en ar- séniure de gallium (GaAs) de type p+, en ce que le guide supé- rieur est encore surmonté d'une couche d'arséniure de gallium (GaAs) de type n+, et en ce que les moyens de polarisation sont constitués, pour la (ou chacune des) structure(s) empi- lée(s), par une première électrode de type contact ohmique pris sur la couche intermédiaire et portée à un potentiel de référence, par une seconde électrode de type contact ohmique pris sur le substrat, et par une troisième électrode de type contact ohmique pris dans la couche supérieure d'arséniure de gallium de type n+, des différences de potentiel symétriques étant appliquées entre la seconde et la première électrode d'une part, ou entre la troisième et la première électrode d'autre part, suivant le sens de la commutation désirée. 12. Elément de commutation selon les revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le substrat est en phosphure d'in- dium (InP) de type n+, ainsi que la (ou les) couche(s) inter- médiaire(s), en ce que les guides sont en phosphure d'indium (InP) de type n-, et en ce que les moyens de polarisation sont constitués, pour la(ou chacune des) structure(s) empilée(s), par un contact ohmique pris sur la couche intermédiaire ou le substrat et d'un contact de type MIS (Métal-Isolant-Semicon- ducteur), une différence de potentiel étant appliquée entre ces deux électrodes. 13. Matrice de commutation optique comportant un nombre n d'entrées IN1, IN2,... INn, et un nombre n de sorties - 23 - 01, 02,...On, entre lesquelles s'opère la commutation, carac- térisé en ce qu'elle est formée de nxn éléments de commutation selon la revendication 4, ou de nxn élément de commutation se- lon l'une des revendications 5 à 12 dans la mesure o elles dépendent de la 4, et en ce que ces éléments sont juxtaposés de telle manière que les colonnes de la matrice, dans le pro- longement de ses entrées IN1, In2,...INn, sont formées par lesdites premières structures des éléments dont les guides in- férieurs sont dans le prolongement les uns des autres, et de telle manière que les lignes de la matrice, dans le prolonge- ment de ses sorties 01, 02,...0n, sont formées par lesdites secondes structures des éléments dont les guides inférieurs sont dans le prolongement les uns des autres, ledit premier miroir d'un élément formant avec ledit second miroir d'un autre élément juxtaposé une lame à faces parallèles dont les faces externes sont totalement réfléchissantes.