Brevet FR2568060A1 — publié le 19860124

La présente invention concerne un élément détecteur d'image de grande dimension, des photodétecteurs utilisés- dans cet élément détecteur et un procédé de fabrication des photodétecteurs. Jusqu'à présent, dans un appareil de conversion photoélectrique qui est utilisé en tant que partie d'entrée opti- que d'un appareil de traitement d'informations d'image tel qu'un dispositif de fac-similé, une machine à reproduire numérique, un appareil de lecture de caractères, etc.,il est généralement bien connu d'utiliser un photodétecteur en tant qu'élément de conver- sion photoélectrique. En particulier, ces dernières années, on a adopté un agencement tel que des photodétecteurs sont disposes unidimensionnellement pour former un détecteur de ligne de grande dimension et qu'un appareil de traitement d'image de haute sensibilité est constitué en utilisant ce détecteur de ligne. A titre d'exemple de photodétecteurs constituant un tel détecteur de ligne de grande dimension, on peut mentionner un photodétecteur du type photoconducteur, du type plan, muni d'une paire d'électrodes, constituées de métal en film mince ou analogue, disposées sur une couche photoconductrice comprenant du silicium amorphe (ci- après désigné par a-Si (H,X)) ou analogue contenant des atomes d'hydrogène et des atomes d'halogènes tels que des atomes de fluor ou analoguesen tant que matériau photoconducteur de sorte que ces électrodes se font face en formant entre elles un intervalle ser- vant de partie de photodétection. Comme procédé pour fabriquer du a-Si (H,X) qui constitue un tel photodétecteur, il existe un procédé de dépôt chimique en phase vapeur(CVD) assisté par plasma, un procédé de pulvérisation réactive, un procédé de dépôt ionique, etc. Dans tous ces procé- dés, la réaction est facilitée par une décharge luminescente. Cependant, dans certains cas, il est nécessaire de former le film en présence d'une puissance de décharge relativement faible pour obtenir un film de a-Si (H,X) de haute qualité ayant une photoconductivité élevée. Cependant, la couche photoconductrice obtenue par formation d'un film mince en utilisant une telle énergie de décharge faible présente des difficultés en ce que les propriétés d'adhérence à un substrat constitue de verre, de céramique ou analogue sont insuffisantes et que cette couche est susceptible de se décoller du support quand on met en oeuvre les processus de photolithographie ultérieurs ou analogues pour former les électrodes. En conséquence, de façon classique, pour empêcher le décollement du film, un procédé par lequel du a-Si (H,X) est déposé après que la surface du substrat a été rendue rugueuse est utilise. En pratique, la surface du substrat est tout d'abord attaquée chimiquement, par exemple au moyen d'acide fluorhydrique, ou analogue ou est physiquement frottée par une brosse ou analo- gue. Cependant, un tel procédé présente les inconvénients suivants. (1) Dans le cas o on utilise un produit chimique tel que de l'acide fluorhydrique ou analogue, l'appareil dans la chatne de nettoyage devient complexe et coeteux; (2) Il est difficile de contrôler le degré de rugosité de la surface du substrat; (3) Des micro-défauts sont couramment provoqués quand la surface du substrat est rendue rugueuse et une variation des caractéristiques est susceptible de prendre place car les caractéristiques de la couche de a-Si (H,X) qui est déposée sur ces micro-défauts diffèrent. En conséquence, dans le cas o l'on constitue le' détecteur d'image de grande dimension en utilisant des photo- détecteurs tels que mentionnés ci-dessus, il se produit une grande variation entre les signaux de bits respectifs de sorte qu'il est nécessaire de prévoir en outre un circuit de correction pour corriger ces variations et il en résulte à nouveau une augmen- tation des coûts. Un objet de la présente invention, est de fournir un élément détecteur d'image de grande dimension qui peut résoudre les inconvénients classiques sus-mentionnés. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un détecteur d'image de grande dimension d'un faible coGt dans lequel l'uniformité des caractéristiques des photodétecteurs respectifs dans le réseau de détecteurs d'image de grande dimen- sion est améliorée,réduisant ainsi la variation du signal entre bits, d'o il résulte qu'il n'est pas nécessaire d'utiliser de circuit de correction. Un autre objet de la présente invention est de fournir un élément détecteur d'image de grande dimension dans lequel l'uniformité des caractéristiques des photodétecteurs respectifs dans le réseau de photodétecteurs est améliorée, permettant ainsi, dans un appareil de lecture d'image, de réaliser de façon simple et précise une commande matricielle. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un appareil de lecture d'image dans lequel l'uniformité des caractéristiques des photodétecteurs respectifs dans le réseau de photodétecteurs est améliorée et dans lequel une lecture a vitesse élevée peut être obtenue. Un autre objet de la présente invention est de fournir des photodétecteurs ayant des performances uniformes et satis- faisantes qui puissent être fabriqués à faible coat et dans lesquels le décollement du film de la couche photoconductrice survient difficilement par rapport au cas de la technologie classique sus- mentionnée. Un autre objet de la présente invention est de fabriquer uniformément les photodétecteurs precédents a faible coût. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un élément détecteur d'image de grande dimension comprenant: un réseau de photodétecteurs consistant en plusieurs photodétecteurs disposes en réseau, chacun des photodétecteurs comprenant: une couche photoconductrice contenant du silicium amorphe prévue sur un substrat, cette couche photoconductrice con- sistant en films minces de deux ou plusieurs couches ayant des indices de réfraction différents et l'indice de réfraction de la couche inférieure n'étant pas supérieur à 3,2 pour de la lumière d'une longueur d'onde de 632,8 nm, une paire d'électrodes prévues en contact électrique avec la couche photoconductrice, et une partie de photodétection; et une source lumineuse pour éclairer un original. Un autre objet de la présente invention est de fournir un photodétecteur comprenant: une couche photoconductrice contenant du silicium amorphe prévue sur un substrat, cette couche photoconductrice con- sistant en films minces de deux-ou plusieurs couches ayant des indices de réfraction différents et l'indice de réfraction de la couche inférieure des films minces n'étant pas supérieur a 3,2 pour de la lumière d'une longueur d'onde de 632,8 nm; une paire d'électrodes prévues en contact électrique avec la couche photoconductrice; et une partie de photodétection. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite en relation avec les figures annexées sur lesquelles: la figure 1 représente schématiquement l'agencement d'un appareil utilisé dans un procédé de fabrication selon la présente invention; la figure 2 est une vue partielle en plan d'un photo- détecteur selon la présente invention; La figure 3 est une vue en coupe selon la ligne X-Y de la figure 2 les figures 4 et 5 sont des graphiques indiquant les caractéristiques d'une sous-couche; la figure 6 est une vue en coupe partielle d'un autre photodétecteur selon la présente invention; la figure 7 est une vue en plan partielle d'un réseau de photodétecteurs selon la présente invention; les figures 8 et 9 sont des graphiques indiquant les caractéristiques du photocourant et du courant d'obscurité du réseau de phodétecteurs de la figure 7; la figure 10 est une vue en plan partielle de la partie de connexion matricielle la figure 11 est une vue en coupe selon la ligne X-Y de la figure 10 la figure 12 représente schématiquement un circuit de commande matriciel; la figure 13 montre des graphiques représentant le photocourant de sortie du circuit de la figure 12; la figure 14 est une vue en perspective d'un élément détecteur d'image de grande dimension selon la présente invention dont une partie est arrachée; la figure 15 est une vue en coupe selon la ligne XIII- XIII de la figure 14; les figures 16 et 17 sont des schémas représentant cha- cun un exemple de circuit de l'élément détecteur d'image de grande dimension selon la présente invention; les figures 18A a 18I représentent des tableaux tem- porels ou diagrammes des temps; la figure 19 représente schématiquement une forme modifiée partielle de la figure 17; la figure 20 est une vue en perspective partielle d'un autre réseau de photodétecteurs de l'appareil selon la présente invention; la figure 21 est une vue en coupe selon la ligne II-II de la figure 20; les figures 22 et 25 sont des schémas de circuits de commande matriciels, respectivement; les figures 23 et 24 sont des graphiques indiquant les caractéristiques du photocourant dans le réseau de photo- détecteurs; la figure 26 est une vue en plan partielle d'un autre réseau de photodétecteurs de l'appareil selon la présente inven- tion; la figure 27 est une vue en coupe selon la ligne XXV-XXV de la figure 26; et la figure 28 est une vue en coupe d'un autre réseau de photodétecteurs selon la présente invention. Des modes de réalisation pratiques de la présente inven- tion vont être décrits ci-après. Dans cette description, la couche inférieure d'une couche photoconductrice constituant un photodétecteur peut également être appelée sous-couche de a-Si (H,X) tandis qu'une ou plusieurs des couches au-dessus de cette sous-couche peuvent également être appelées couches de a-Si (H,X). La figure 2 est une vue en perspective partielle d'un photodétecteur dans un mode de réalisation d'un élément détecteur d'image de grande dimension selon la présente invention. La figure 3 est une vue en coupe selon la ligne X-Y de la figure 2. Dans ces figures, la référence 1 désigne un substrat; la référence 2 une sous-couche de a-Si (H,X); et la référence 3 une couche de a-Si (H,X); et ces couches constituent la couche photocon- ductrice. La référence 4 désigne une couche N+ consistant en a-Si (H,X) qui sert de couche de contact ohmique; la référence 5 désigne une électrode commune; et la référence 6 une électrode individuelle. Comme substrat approprié à être utilisé dans le photo- détecteur selon la présente invention, il est possible d'utiliser les produits tels que N 7059 ou 7740 fabriqués par Corning Glass Works Co., Ltd, SCG fabriqué par Tokyo Applied Chemistry Co, Ltd, un verre tel qu'un verre de quartz ou analogue, ou une céramique telle qu'une céramique partiellement émaillée ou analogue, etc. La couche photoconductrice du photodétecteur selon la présente invention consiste en plusieurs films minces et la couche la plus basse, à savoir la couche adjacente au substrat a un indice de réfraction non supérieur à 3,2. Cette couche est formée en choisissant convenablement les conditions de fabrication quand la décharge luminescente est réalisée au moyen d'un procédé tel qu'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, un procédé de pulvérisation réactive, un procédé de revêtement ionique, ou analogue. Selon la présente invention, il est souhaitable qu'une couche ayant une forte photoconductivité soit incluse dans la couche de a-Si (H,X). Dans le procédé de fabrication des photodétecteurs selon la présente invention, quand la couche de a-Si (H,X) est formée après la sous-couche de a-Si (H,X), la source d'alimen- tation est interrompue une première fois pour arrêter la décharge luminescente et ensuite la source d'alimentation est remise en route, et alors la décharge luminescente peut etre réalisée avec une puissance de décharge souhaitée. Toutefois, il est préferable de réaliser continûment la décharge luminescente en commutant simplement la valeur choisie de la puissance de décharge sans couper la source d'alimentation. L'indice de réfraction de la couche 3 de a-Si (H,X) est supérieur à 3,2, de préférence environ 3,4. La couche photocon- ductrice est formée par le procédé CVD assisté par plasma, le procédé de pulvérisation réactive, le procédé de revêtement ioni- que, ou analogue. En particulier, elle peut être formée par le procédé CVD assisté par plasma. Dans la couche photoconductrice formée de cette façon, une contrainte est générée en raison de la présence d'atomes d'hydrogène et/ou d'atomes d'halogènes qui sont inclus dans la couche lors de sa formation. Si ces contraintes sont trop importantes, les propriétés d'adhésion au substrat se détériorent de sorte qu'un décollement du film est suscep- tible de survenir. L'amplitude des contraintes de la couche photo- conductrice peut atre commandée en choisissant de façon appropriée les conditions de formation de la couche, par exemple la puissance de décharge de la décharge luminescente, la température du substrat, la composition des matériaux gazeux, et la pression des matériaux gazeux. Comme sous-couche 2 de a-Si (H,X) adjacente au substrat 1, par-exemple, une couche ayant une faible contrainte est formée en réalisant la décharge luminescente par utilisation d'une énergie de décharge relativement élevée, rendant ainsi possible de maintenir de bonnes propriétés d'adhérence au substrat 1. D'autre part, il est connu de façon générale qu'il existe une corrélation importante entre les contraintes de la couche photoconductrice et l'indice de réfraction de cette couche et que l'indice de réfraction est faible quand les contraintes sont faibles. En outre, il est également connu qu'il est nécessaire de réaliser la décharge luminescente par une énergie de décharge relativement faible pour obtenir une excellente photoconductivité de la couche photoconductrice. En conséquence, il est souhaitable que la sous-couche 2 de a-Si (H,X) ayant un indice de réfraction relativement faible, par exemple non supérieur à 3,2, soit d'abord formée sur le substrat 1 en réalisant la décharge luminescente avec une énergie de décharge relativement importante et, ensuite, la couche 3 de a-Si (H,X) ayant un indice de réfraction relativement élevé,-par exemple d'environ 3,4, et une photoconductivité élevée, est formée en réalisant une décharge luminescente avec une énergie de décharge relativement faible. L'électrode commune 5 et l'électrode individuelle 6 con- sistent en des films conducteurs, par exemple en aluminium ou analogue. La figure 20 est une vue en perspective partielle d'un réseau de photodétecteurs dans un mode de réalisation approprié d'un appareil de lecture d'image selon la présente invention. La figure 21 est une vue en coupe prise selon la ligne II-II de la figure 20. Dans les schémas, la référence numérique 2001 désigne un substrat. La référence 2002 désigne une sous-couche de a-Si (H,X) et la référence 2003 une couche de a-Si (H, X), et ces couches constituent une couche photoconductrice. La réference 2004 désigne une couche N+ consistant en a-Si (H,X) qui sert de contact ohmique; la référence 2005 désigne une électrode de bloc commune; la référence 2006 désigne une électrode individuelle; la référence 2007 une couche d'isolement; la référence 2008 un trou de passage; et la référence 2009 une électrode supérieure d'un câblage matriciel. La couche d'isolement 2007 est un film consistant en un matériau mineral isolant tel que SiN:H ou analogue ou un film consistant en divers types de matériaux de résines organiques iso- lantes. L'électrode supérieure 2009 consiste en un film con- ducteur tel que de l'aluminium ou analogue, de façon similaire à l'électrode commune 2005 et a l'électrode individuelle 2006. Le reste de la structure de ce-mode de réalisation est sensiblement identique à celui du photodétecteur représenté aux figures 2 et 3. La figure 26 est une vue en plan partielle d'un réseau de photodétecteurs dans un autre mode de réalisation approprié de l'appareil de lecture d'image selon l'invention. La figure 27 est une vue en coupe effectuée selon la ligne XXVII-XXVII de la figure 26. Dans les schémas, la référence numérique 2601 désigne un substrat. La référence 2602 désigne une sous-couche de a-Si (H,X) et la référence 2603 désigne une couche de a-Si (H,X), et ces couches constituent une couche photoconductrice. La référence 2604 désigne une couche N+, consistant en a-Si (H,X) qui sert de couche de contact ohmique; la référence 2605 désigne une électrode com- mune; 2606 une électrode individuelle; 2607 et 2608 des couches conductrices; 2609 une couche isolante; 2610 une couche semicon- ductrice; 2611 une couche de type N+ consistant en a-Si (H,X) qui sert de couche de contact ohmique; et 2612 une ligne de prise de signal. Dans ce réseau sont prévues une partie de condensateur 2613 pour accumuler des charges et une partie de transistor de commutation 2614 pour extraire les charges stockées dans la partie de condensateur 2613. La référence 2615 désigne une partie de con- version photoélectrique. Chacune des couches conductrices 2607 et 2608 consistent en un film conducteur tel que du chrome,Cr,ou analogue. La couche isolante 2609 est une couche de matériau minéral isolant tel que SiN:H ou analogue ou divers types de films de résines organiques isolantes. La ligne d'extraction de signal 2612 consiste en un film conduc- teur tel que, par exemple, de l'aluminium,Al,et analogue. Le reste de la structure est sensiblement similaire au photodétecteur représenté en figures 2 et 3. La ptt#tUe invention va maintenant etre expliquée en détail ci-après à l'aide d'exemples. EXEMPLE 1' Le processus de nettoyage classique a été réalisé en utilisant un détergent neutre ou un détergent du type alcali organique pour le substrat de verre (appellation 7059 fabriqué par Corning Glass Works Co., Ltd.) dont les deux faces ont auparavant été polies. Ensuite, le substrat de verre 1 a été placé dans un appareil de décomposition à décharge luminescente du type à couplage capacitif tel que représenté en figure 1 et a été main- tenu a 230 'C sous un vide de 133,3.10-6 Pa.Puis, un gaz SiH épitaxial de qualité pure (Komatsu Electronics Co., Ltd) a été autorisé à circuler dans l'appareil à une vitesse de 10 cm3 /min, et la pression gazeuse a été établie à 9,33 Pa Ensuite, la décharge luminescente a été réalisée en utilisant une source d'alimentation haute fréquence à 13s56 MHz pendant deux minutes à une tension de 2,0 kV en utilisant une puissance de décharge radio- fréquence (RF) de 120 W, et la sous-couche de silicium amorphe (ci-après désignée par a-Si:H) contenant des atomes d'hydrogène ayant une épaisseur d'environ 40 nm a été formée. La tension d'en- trée a ensuite été immédiatement réduite à 0,3 kV et la décharge luminescente a été mise en oeuvre pendant 4,5 heures en utilisant une puissance de décharge de 8 W pour former la couche de a-Si:H d'une épaisseur d'environ 0,8 micromètre. Ensuite, la couche N+ (ayant une épaisseur d'environ 0,15 micromètre) servant de couche de contact ohmique a été déposée au moyen d'une puissance de décharge de 30 W en utilisant les gaz mélangés à titre de matériaux bruts, dans lesquels du SiH4 dilué A % dans H2 et du PH3 dilué A 100 ppm dans H2 ont été mélangés dans une proportion de 1 A 10. Ensuite, de l'aluminium a été déposé selon une épaisseur de 0,3 micromètre au moyen d'un procédé d'évaporation par faisceau électronique pour former la couche conductrice. Ensuite, un motif de produit photorésistant de forme désirée a été formé en utilisant un produit photorésistant de type positif (AZ-1370 fabrique par Shiplay Co., Ltd). Ensuite, la couche conductrice dans la partie exposée a été enlevée par un liquide dans lequel étaient mélangés de l'acide phosphorique (solution aqueuse A 85 % en volume), de l'acide nitrique (solution aqueuse à '0% en volume), de l'acide acétique pur cris- tallisable, et de l'eau selon un rapport volumétrique de 16/1/2/1 (ciaprès, ce -liquide- mélangé. est appelé "liquide d'attaque 1") Ensuite, la couche N+dans la partie exposée a été enlevée en réalisant un processus d'attaque à sec utilisant une puissance de décharge RF de 120 W et une pression gazeuse de 9,33 Pa par du CF4 gazeux par un procédé d'attaque par plasma utilisant un appareil du type à plaques parallèles planes. Ensuite, le produit photorésistant a été décollé. Les figures 2 et 3 représentent un photodétecteur ayant un agencement similaire à un photodétecteur de type plan obtenu de cette façon. D'autre part, dans un but de comparaison, ce photo- détecteur de type plan (ci-après ce détecteur est appelé "photo- détecteur de comparaison A") a été fabriqué de façon similaire au processus sus-mentionné sauf que la surface du même substrat de verre que le précédent a été traitée pendant trente secondes en utilisant un liquide dans lequel de l'acide fluorhydrique (solu- tion aqueuse à 49 % en volume), de l'acide nitrique (solution aqueuse à 60 % en volume) et de l'acide acétique ont été mélangés selon une proportion volumétrique de 1/5/40 et que la sous-couche de a-Si:H n'est pas formée. En ce qui concerne les deux types sus-mentionnés de photodétecteurs, les valeurs des photocourants qui ont été obtenues en permettant à de la lumière de longueur d'onde maximale de 565 nm d'entrer du côté du substrat de verre 1 dans les mêmes con- ditions ont été comparées, de sorte que sensiblement les mêmes valeurs ont été obtenues dans les deux cas. On a trouvé à partir de ce résultat que la caractéristique du photocourant n'était pas dégradée par l'existence de la sous-couche 2 de a-Si:H dans le photodétecteur selon la présente invention. Ensuite, des tests de durabilité au moyen d'un cycle thermique ont été réalisés dans les mêmes conditions avec les deux types de photodétecteurs précédents. Il s'est alors avéré que le décollement du film n'est pas susceptible de survenir et qu'une propriété d'adhérence suffisante s'est présentee. EXEMPLE 2 Dans les procédés de fabrication de photodétecteurs de l'exemple 2, des procédés similaires à ceux de l'exemple 1 ont été mis en oeuvre sauf que la décharge luminescente a été réalisée 12. dans des conditions basées sur les combinaisons indiquées dans le tableau I ci-après, en ce qui concerne la puissance de décharge et la durée de décharge pour la formation de la sous-couche 2 de a- Si:H. - TABLEAU I Puissance de décharge (W) j 80 I 50 30 8 | 4 (minutes) l l l l l Durée de décharge 1 3 1 41 61 18 1 40 (minutes) I I I I Ainsi les photodétecteurs concernés pourraient être obte- nus sans provoquer de décollement du film quand la puissance de décharge est de 80 W et de 50 W. Toutefois, dans les cas o la puissance de décharge est de 30W, 8W et 4W, le décollement du film survient pendant le processus de photolithographie (comprenant le nettoyage par un appareil de nettoyage à ultrasons) en utilisant le produit photorésistant AZ-1370, de sorte que les bons photodétecteurs recherchés ne peuvent être obtenus. EXEMPLE 3 De même que dans les exemples 1 et 2, le substrat 1 est prélevé après formation de la sous-couche 2 de a-Si:H. Ensuite les indices de réfraction de la sous-couche 2 de a-Si:H formée sur le substrat 1 ont été mesurés. La figure 4 indique la relation entre la puissance de décharge de la décharge luminescente et l'indice de réfraction de la sous-couche 2 de a-Si:H. La propriété d'adhérence du substrat et de la couche photoconductrice dépend de la puissance de la décharge lumi- nescente lors de la formation du film. On considère que le décollement est provoque par la contrainte synthétisée totale de la contrainte intrinsèque qui est induite en fonction de la struc- ture interne de la couche mince et de la contrainte interne qui dépend de la différence de coefficients de dilatation entre la couche photoconductrice et le substrat. En conséquence, la contrainte totale de la sous-couche 2 de a-Si:H formée sur le substrat 1 a été mesurée. La figure 5 indique la relation entre la puissance de décharge de la décharge luminescente et la contrainte totale de la sous-couche 2 de a- Si:H. La contrainte apparatt comme une contrainte de compression et présente une valeur maximale quand la puissance de décharge est proche de 10 W. Mais la contrainte devient faible quand la puissance de décharge augmente. On considère que la raison principale de la diminution de la contrainte quand la puissance de décharge augmente est que les lacunes qui augmentent dans le film produisent des contraintes de tension et déplacent les contraintes de compression. Comme on l'a décrit ci-dessus la photoconductivité de la couche photoconductrice est liée à la puissance de décharge lors de la formation du film et il est nécessaire de réaliser le depOt avec une puissance de décharge relativement faible pour obtenir la caractéristique de photoconductivité souhaitée. En conséquence, la couche 3 de a-Si (H,X) dans les exemples 1 et 2 précedents a été déposée à une puissance de décharge relativement faible. On notera a partir de ce qui précède que la sous- couche 2 de a-Si:H du photodétecteur selon la présente invention a une fonction de couche de relaxation de contraintes et a pour effet d'améliorer la propriété d'adhérence entre le substrat et la couche photoconductrice. En outre, dans le photodétecteur selon la présente invention, il est souhaitable que l'épaisseur de la sous- couche 2 de a-Si:H ne soit pas trop grande pour fournir la bonne caractéristique de photoconductivité dans le cas o l'on utilise la souscouche 2 de a-Si:H par illumination du cotg du substrat 1, par exemple il est préférable que l'épaisseur ne soit pas choisie à plus de 100 nm. Au contraire, dans le cas o la lumière entre du cOté opposé au substrat 1, il n'est pas nécessaire de considérer l'influence de la caractéristique de conversion photoélectrique due à l'absorption lumineuse dans la sous-couche 2 de a-Si:H; en conséquence, la sous-couche 2 de a-Si:H peut être très épaisse. EXEMPLE 4 Dans les processus de fabrication de photodétecteurs de l'exemple 4, des processus similaires à ceux de l'exemple 1 ont été mis en oeuvre, sauf que la décharge luminescente a été appliquée pendant 25 minutes en élevant la puissance de décharge à W après formation de la couche 3 de a- Si (H,X) et en outre la couche de a-Si:H a été formée. La figure 6 est une vue en coupe partielle du photodétecteur de type plan obtenu de cette façon et représente une partie similaire à celle de la figure 3. A la figure 6, les parties et las composants similaires à ceux de la figure 3 sont désignés par les mêmes références numériques, et la référence 3A désigne la couche de a-Si:H. L'épaisseur de la couche 3A de a- Si:H est de 0,3 micromètre et la vitesse de formation par unité d'épaisseur de la couche 3A est remarquablement plus élevée que celle de la couche 3 de a-Si (H,X) car la puissance de décharge a augmenté. Dans le photodétecteur obtenu selon cet exemple, la couche photoconductrice est constituée de la sous-couche 2 de a- Si:H, de la couche 3 de a-Si (H,X) et de la couche 3A de a-Si:H. Avec le photodétecteur de cet exemple, le photocourant obtenu était supérieur à celui de l'exemple 1 grace à l'augmentation d'épaisseur de la couche de a-Si:H. EXEMPLE 5 Dans les processus de fabrication de photodétecteur de l'exemple 5, un processus similaire à celui de l'exemple 1 a été mis en oeuvre sauf que la température du substrat était maintenue à 70 C lors de la formation de la sous-couche 2 de a-Si:H et que la décharge luminescente a été réalisée pendant 15 minutes avec une puissance de décharge de 8 W. Le substrat 1 a été prélevé quand la sous-couche 2 de a- Si:H a été formée dans les memes conditions et l'indice de réfraction de la sous-couche 2 de a-Si:H a été mesuré:il était de 3,10. Le photodétecteur obtenu dans cet exemple était aussi bon que celui de l'exemple 1. EXEMPLE 6 Dans les processus de- fabrication de photodétecteur de l'exemple 6, un processus similaire à celui de l'exemple 1 a été mis en oeuvre sauf que du SiH4 dilué à 5 % dans H2 a été utilisé comme gaz de départ lors de la formation de la sous-couche 2 de a- Si:H et que la décharge luminescente a été réalisée pendant 10 minutes avec une puissance de décharge de 30 W. Le substrat 1 a été prélevé quand la sous-couche 2 de a- Si:H a été formée dans les mêmes conditions et l'indice de réfraction de la sous-couche 2 de a-Si:H a été mesuré: il était de 3,02. Le photodétecteur obtenu dans cet exemple était aussi bon que celui de l'exemple 1. EXEMPLE 7 Dans les processus de fabrication de photodétecteur de l'exemple 7, un processus similaire à celui de l'exemple 1 a été mis en oeuvre sauf que la pression gazeuse a 4té établie à 40 Pa lors de la formation de la souscouche 2 de a-Si:H et que la décharge luminescente a été réalisée pendant 5 minutes avec une puissance de décharge de 50 W. Le substrat 1 a été prélevé quand la sous-couche 2 de a- Si:H a été formée dans les mêmes conditions et l'indice de réfraction de la sous-couche 2 de a-Si:H a et4 mesuré: il 4tait de 3,12. Le photod4tecteur obtenu dans cet exemple était aussi bon que celui de l'exemple 1. EXEMPLE 8 De façon similaire à celle de l'exemple 1, un réseau de photodétecteurs a été fabrique en disposant 864 photodétecteurs sous forme de réseau sur le même substrat. Ce réseau peut etre facilement fabriqué en choisissant de façon appropriée des masques dans un processus de photolithographie. La figure 7 représente une vue en plan partielle du réseau de photodétecteurs de grande di- mension obtenu de cette façon. En figure 7, la référence 11 dési- gne une électrode individuelle et la référence 12 une électrode commune. La densité de surface de photodétection de ce réseau de photodétecteurs de grande de dimension est de 8 bits/mm et a une longueur égale à la largeur du format A6. Les défauts d'uniformité du photocourant et du courant d'obscurité entre les bits de ce réseau de photodétecteurs obtenus selon cet exemple ont tté mesurés. Les résultats sont indiqués en figure 8. D'autre part, à titre de comparaison et en utilisant le procédé dans lequel un processus de traitement acide du substrat a été effectué mais o aucune sus-couche n'existe,comme pour le photodétecteur de com- paraison A décrit dans l'exemple 1, les non-uniformités du photo- courant et du courant d'obscurité entre les bits du réseau de photodétecteurs de grande dimension fabriqué en disposant 864 photodétecteurs en réseau sur le même substrat ont été mesurées. Le résultat est indiqué à la figure 9. A partir d'une comparaison entre les figures 8 et 9, dans le photodétecteur de l'invention, on notera qu'aucun micro- défaut n'existe sur le substrat et que la sous-couche de a-Si:H agit comme une couche de relaxation de contrainte, de sorte que l'uniformité de la caractéristique de la photoconduction est extremement bonne. EXEMPLE 9 On a essayé de diviser le réseau de photodétecteurs de grande dimension de 864 bits tel qu'obtenu dans l'exemple 8 en 27 blocs contenant chacun 32 bits et de les commander matriciellement. En pratique, le réseau de photodétecteurs de grande dimension a été fabrique au moyen de processus similaires à ceux de l'exemple 8 et ensuite une résine de polyimide (PIQ fabriquée par Hitachi Chemical Co, Ltd) a été déposée sur toute la surface de ce réseau et a 4té recuite. Ensuite, un motif de forme souhaitée a été formé en utilisant un produit photorésistant de type négatif (OMR-83 fabriqué par Tokyo Applied Chemical Co, Ltd) et, ensuite, le PIQ dans les endroits non nécessaires a été enlevé en utilisant un liquide d'attaque de résine de polyimide (PIQ Etchant fabriqué par Hitachi Chemical Co, Ltd) et le OMR-83 a été enlevé. Ensuite, ce réseau a été cuit à 300 C pendant une heure sous une atmosphère d'azote, formant ainsi une couche d'isolement puis des trous de de passage pour le cablage matriciel. Ensuite, une couche d'alumi- nium d'une épaisseur de 2 micromètres a été déposée par évaporation par faisceau électronique et les électrodes supérieures du câblage matriciel ont été formées en utilisant un produit photorésistant de type positif AZ1370 et le liquide d'attaque 1. La figure 10 représente une vue en plan partielle schématique de la partie de câblage matriciel du réseau de photo- détecteurs de grande dimension obtenu comme cela a été mentionné cidessus. La figure 11 représente une vue en coupe prise selon la ligne X-Y de la figure 10. En figures 10 et 11, la référence 21 désigne un substrat; la référence 22 une sous-couche de Si:H; la référence 23 une couche de aSi (H-X); la référence 24 une couche N+; la référence 25 une électrode commune; la référence 26 une électrode individuelle; la référence 27 une couche isolante; la référence 28 un trou de passage; et la référence 29 une électrode supérieure de c&blage matriciel. La figure 12 représente un schéma de circuit de commande pour commander le réseau de photodétecteurs de grande dimension ayant un pas de 8 bits/mm et la largeur d'un format A6 qui a été obtenue de cette façon. En figure 12, la référence 31 désigne une couche photoconductrice du photodétecteur; la référence 32 un commutateur de sélection de bloc; la référence -33 un commutateur commun; et la référence 34 un amplificateur. Apres achèvement de la commande matricielle du réseau de grande dimension de la façon exposée précédemment, l'uniformité du photocourant de sortie entre les bits a été mesurée 100 microseeon- des après application de la tension. Le résultat en est repré- sente en figure 13. On notera à partir de la figure 13 que le photocou- rant de sortie de chaque bit présente une extrêmement bonne uniformité et que le signal peut 4tre suffisamment lu par la commande matricielle. La figure 14 représente une vue en perspective de l'élément détecteur d'image utilisé dans cet exemple avec une partie arrachée. La figure 15 est une vue en coupe selon la ligne XIII-XIII de la figure 14. Dans ces figures, la référence 41 désigne le substrat du réseau de photodétecteurs. Un réseau de 256B060 fibres optiques 42 est prévu sous le substrat 41 et des réseaux de diodes photoémettrices (LED) 43 sont disposés des deux cdtés du réseau 42. Un circuit intégré de commande 44 est électriquement connecté à la partie de cablage matriciel sur le substrat 41 au moyen d'un matériau conducteur flexible 45. La référence 46 désigne un original à lire; la référence 47 des rouleaux d'ali- mentation pour fournir cet original; la référence 48 une ailette de radiateur; la référence 49 une plaque de radiateur. Le circuit intégré de commande 44 est thermiquement connecté à la plaque de radiateur 49. Le réseau de photodétecteurs, le réseau de fibres optiques 42 et le réseau de LED 43 sont disposés parallèlement les uns aux autres. EXEMPLE 10 L'élément détecteur d'images de grande dimension a été constitué en utilisant le réseau de photodétecteurs décrit à l'exemple 9. La figure 16 représente schématiquement le circuit de cet élément. En figure 16, chaque ensemble de trois photodétecteurs E1 à E9 constitue un bloc et trois blocs constituent le réseau de photodétecteurs. Ceci s'applique aux condensateurs C1 à C9, et aux transistors de commutation T1 à T9, respectivement, correspon- *dant aux photodétecteurs E1 à E9. Une première électrode (électrode commune) de chacun des photodétecteurs E1 à E9 est connectée à une source d'alimentation 101 et l'autre électrode (électrode individuelle) est mise à la masse par l'intermédiaire de chacun des condensateurs C1 à C9. Les électrodes individuelles ayant le même ordre dans chaque bloc de photodétecteurs E1 à E9 sont connectées à l'une des lignes communes 102 à 104 par l'intermédiaire des transistors de commutation respectifs T1 à T9. De façon détaillée, les premiers-transistors de com- mutation T1, T4 et T7 de chaque bloc sont connectés à la ligne commune 102; les seconds transistors de commutation T2, T5 et T8 de chaque bloc sont connectés à la ligne commune 103; et les troisièmes transistors de commutation T3, T6 et T9 de chaque bloc sont connectés à la ligne commune 104, respectivement. Les lignes communes 102 à 104 sont connectées à un amplificateur 105 par l'intermédiaire de transistors de commutation To10 à T12, respectivement. Les électrodes de grilles des transistors de com- mutation T1 à T9 sont connectées en commun par blocs et sont con- nectées à des bornes de sorties parallèles d'un registre l décalage 106, respectivement. Des signaux à niveau haut sont séquentiellement fournis à des instants prédéterminés à partir des bornes de sortie parallèles du registre à décalage 106, de sorte que les transistors de commutation T1 à T9 sont s4quentiellement mis en conduction par blocs. En outre, les électrodes de grilles respectives des tran- sistors de commutation To10 à T12 sont connectées aux bornes de sortie parallèles d'un registre à décalage 107. Des signaux à niveau haut sont séquentiellement fournis à des instants pré- déterminés à partir de ces bornes de sortie parallèles, de sorte que les transistors de commutation To10 à T12 sont sequentiellement mis en conduction. En outre, les bornes connectées en commun des transistors de commutation T10 T12 sont mises à la masse par l'intermédiaire d'un transistor de commutation T13 pour une décharge. L'électrode de grille du transistor de commutation T13 est connectée à une borne 108. Le fonctionnement d'un appareil de lecture d'image classique disposé de cette façon va maintenant être décrit simplement. Quand de la lumière entre dans les photodetecteurs E1 à E9, des charges s'accumulent dans les condensateurs C1 C9 l par- tir de la source d'alimentation 101 en fonction de l'intensité lumineuse. Ensuite, des signaux à niveau haut sont séquentiellement fournis l partir des registres à décalage 106 et 107 à des ins- tants respectifs. On suppose maintenant que les signaux à niveau haut sont fournis à partir des premières bornes de sortie en parallèle de ces deux registres à décalage. Dans ce cas, les transistors de commutation T1 à T3 dans le premier bloc et le transistor de commutation To10 connecté à la ligne commune 102 sont mis en conduction de sorte que les charges stockées dans le condensateur C1 sont introduites dans l'amplifi- cateur 105 par l'intermédiaire du transistor de commutation T1, de la ligne commune 102 et du transistor de commutation TO10. Ces charges sont fournies en tant qu'informations d'image. Quand les charges stockées dans le condensateur C1 sont lues, un signal à niveau haut est fourni 1 la borne 108 de sorte que le transistor de commutation T13 est mis en conduction. Puis, les charges résiduelles dans le condensateur C1 sont complètement déchargées par l'intermédiaire du transistor de com- mutation T1, de la ligne commune 102, du transistor de commutation T10o et du transistor de commutation T13. Ensuite, le registre à décalage 107 est décalé séquentiellement, les premières sorties parallèles du registre à décalage 106 étant maintenues à un niveau haut, permettant ainsi aux transistors de commutation Tll et T12 d' tre séquentiellement ren- dus conducteurs. De cette façon, les opérations de lecture et de décharge sus-mentionnées sont réalisées en ce qui concerne les condensateurs C2 et C3, lisant ainsi séquentiellement les infor- mations mémorisées dans ces condensateurs. Après achèvement de la lecture des informations dans le premier bloc, le registre à décalage 106 est séquentiellement décalé et les informations dans les second et troisième blocs sont lues de façon similaire à ce qui précède. Comme cela a été décrit ci-dessus, les informations accumulées dans les condensateurs C1 à C9 sont lues en série et four- nies en tant qu'informations d'image à partir de l'amplifi- cateur 105. L'appareil de lecture d'image représenté en figure 15 comprend les condensateurs pour mémoriser les charges, de sorte que le signal de sortie peut etre amplifié. D'une part, si les photodétecteurs E1 à E9, les conden- sateurs C1 à C9, et les transistors de commutation T1 à T9 sont formés sur le même substrat au moyen d'un semiconducteur en film mince, il se présente l'avantage que le nombre de points de connexion aux circuits externes peut être réduit, ou analogue. EXEMPLE 11 Un appareil de lecture d'image a été constitué en utili- sant les photodétecteurs selon l'invention décrits dans l'exemple 9. La figure 17 représente le schéma de circuit d'un tel appareil. Toutefois, dans cet exemple, l'agencement des photo- détecteurs E1 à E9, des condensateurs C1 à C9, des transistors de commutation T1 a T12, et des registres à décalage 106 et 107, etc, est sensiblement identique à celui représenté en figure 16; en conséquence, sa description est omise. En figure 17, les électrodes individuelles des photo- détecteurs E1 a E9 sont mises à la masse par des transistors de commutation ST1 à ST9, respectivement. Ainsi, les transistors de commutation ST1 à ST9 sont respectivement connectés en parallèle aux condensateurs C1 à C9. Les électrodes de grille des transistors-de commutation ST1 à ST9 sont connectées en commun par bloc, de même que les électrodes de grille des transistors de commutation T1 à T9 et sont connectées à des bornes de sortie parallèles du registre à décalage 201 par bloc. En conséquence, les transistors de commutation T1 à T9 sont rendus conducteurs par bloc aux instants de décalage du registre à décalage 201. Le fonctionnement de cet exemple ayant un tel agencement va maintenant être expliqué en utilisant les tableaux temporels représentés en figures 18A à 18I pour les transistors de com- mutation T1 à T12 et ST1 à ST9 représentés en figure 17. D'abord, quand de la lumière entre dans les photo- détecteurs E1 à E9, les charges sont accumulées dans les conden- sateurs C1 A C9 à partir de la source d'alimentation 101 en fonction de l'amplitude de la lumière. Les signaux à niveau haut sont d'abord fournis à partir des premières bornes de sortie parallèles du registre à décalage 106, de sorte que les transistors de commutation T1 à T3 sont ren- dus conducteurs (état EN) (figure 18A). Pendant cet intervalle, le registre à décalage 107 est décalé et les transistors de commutation TlO à T12 sont séquen- tiellement rendus conducteurs (figures 18D à 18F). En d'autres termes, les informations optiques mémorisées dans les conden- sateurs C1 à C3 du premier bloc sont lues séquentiellement. Après achèvement de la lecture des informations dans le dernier condensateur C3 dans le premier bloc, le registre à décalage 106 est décalé et des signaux à niveau haut sont fournis à partir des secondes bornes de sortie parallèles, de sorte que les transistors de commutation T4 à T6 sont rendus conducteurs (figure 18B). Simultanément, les signaux à niveau haut sont fournis à partir des premières bornes de sortie parallèles du registre à décalage 201, permettant ainsi aux transistors de commutation ST1 à ST3 d'être rendus conducteurs. Ainsi, les charges rési- duelles dans les condensateurs C1 à C3 sont complètement déchar- gées (figure 18G). En parallèle avec cette opération de décharge, les tran- sistors de commutation To10 à T12 sont sequentiellement rendus con- ducteurs par suite du décalage du registre à décalage 107, tandis que les transistors de commutation T4 à T6 sont dans l'état con- ducteur (EN), de sorte que les informations optiques mémorisées dans les condensateurs C4 à C6 du second bloc sont lues séquen- tiellement (figures 18D à 18F). Ensuite, en parallèle avec l'opération de lecture de l'information lumineuse dans le troisième bloc (figure 18C), les charges dans les condensateurs C4 à C6 du second bloc sont déchar- gées (figure 18H). L'op4ration ci-dessus est répétee par blocs. Comme cela a été décrit ci-dessus, en parallèle avec la lecture du bloc suivant, les condensateurs dans le bloc dont la lecture des informations optiques est achevée sont autorisés a se décharger, permettant ainsi de réduire la durée d'opération dans son ensemble. La figure 19 représente un autre exemple de la présente invention, dans lequel seule la partie A de la figure 17 change. Ainsi, des amplificateurs 202 à 204 sont connectés aux lignes communes 102 à 104, respectivement, et les sorties respectives des amplificateurs 202 à 204 sont connectées aux bornes d'entrée parallèles d'un registre à décalage 205. Les informations d'image sont fournies en série à partir des bornes de sortie série du registre à décalage 205. En conséquence, dans cet agencement, les informations dans un bloc sont simultanément introduites dans le registre à décalage 205, et, ensuite, les informations d'image série sont fournies en raison du décalage du registre 1 décalage 205. Dans cet exemple également, quand les informations dans un bloc sont fournies à partir du registre à décalage 205, la décharge des condensateurs de ce bloc et la lecture du bloc suivant peuvent être réalisées en parallèle. D'autre part, comme transistors de commutation ST1 à ST9, des transistors à film mince peuvent être utilisés de même que les transistors à commutation T1 à T9. Dans ce cas, ils peuvent être formés sur le même substrat en même temps que les autres éléments du circuit. L'utilisation de transistors à film mince comme tran- sistors de commutation ST1 à ST9 permet aussi de réaliser simultanément la décharge des condensateurs dans un certain bloc et la lecture à partir du bloc suivant. En conséquence, la durée de lecture totale est réduite en comparaison du cas de l'appareil de l'exemple 10. EXEMPLE 12 La figure 22 représente un schéma de circuit de commande dans le cas ou un réseau de photodétecteurs de grande dimension (représenté en figures 20 et 21), fabriqué sensiblement de la même façon que dans le cas de l'exemple 9, est divisé en une matrice de 32 bits X 27 blocs et est commandé matriciellement. En figure 22, la référence 2211 désigne une couche photoconductrice du réseau de photodétecteurs; la référence 2212 un registre à décalage; la référence 2213 un amplificateur de courant; la référence 2214 un moyen d'échantillonnage-maintien; et la référence 2215 un réseau de commutateurs. La figure 23 indique les valeurs des photocourants pour des intensités lumineuses de 100 lx et 10 lx incidentes du côté du substrat 2001 quand le réseau de photodétecteurs sus-mentionné a été commandé matriciellement par le circuit de la figure 22. On notera à partir de ce schéma que la variation du photocourant d'un bit à l'autre est faible. D'autre part, dans un but de comparaison, un réseau de photodétecteurs de type plan (ciaprès ce réseau est appelé "réseau de photodétecteurs de comparaison B") a été fabriqué de façon similaire aux processus precédents sauf que la surface du même substrat de verre que celle sus-mentionnée a été traitée pen- dant 30 secondes par un liquide mélangé dans lequel de l'acide fluorhydrique (solution aqueuse à 49 % en volume), de l'acide nitrique (solution aqueuse & 60 % en volume) et de I'acide acétique ont été mélangés selon un rapport volumétrique de 1/5/40, et la sous-couche de a-Si:H n'a pas été formée. La figure 24 représente les valeurs des photocourants pour des lumières incidentes de 100 lx et 10 lx du côté du substrat 2001 dans le cas o le réseau de photodétecteurs de comparai- son B a été commandé matriciellement par le circuit de la figure 22. On notera à partir de ce schema qu'il existe une grande variation de photocourant de bit à bit. Comme on le notera en comparant les figures 23 et 24, les valeurs des photocourants obtenus sont presque égales dans les deux cas. A partir de ce résultat, on notera que la caractéris- tique de photocourant n'est pas détériorée par l'existence de la souscouche 2 de a-Si:H dans le réseau de photodétecteurs de l'appareil selon l'invention. Ensuite, des tests de durabilité thermique ont été réalisés dans les mêmes conditions en ce qui concerne les deux types de réseaux photodétecteurs, de sorte que l'on a trouvé de facon similaire que le décollement du film ne survenait pas et qu'une propriété d'adhérence suffisante existait. EXEMPLE 13 Un nettoyage ordinaire a été effectué en utilisant un détergent neutre ou un détergent organique alcalin appliqué au substrat de verre (appellation 7059 fabriquée par Corning Glass Works Co, Ltd) dont les deux côtés ont déjà été polis. Ensuite du chrome, Cr, a été déposé à une épaisseur de 0, 15 micromètre par le procédé d'évaporation par faisceau électronique et un motif photo- résistant de forme souhaitée a été formé en utilisant un produit photoresistant de type positif (marque AZ-1370 fabriqué par Shiplay Co., Ltd.). Ensuite, la partie non nécessaire de Cr a été enlevée en utilisant une solution aqueuse mixte formée de nitrate double de cérium et d'ammonium et d'acide perchlo- rique, de sorte que l'électrode de couche inférieure 2607 et l'électrode de grille 2608 du condensateur ont été formées. Ensuite, le substrat de verre 2601 a été recouvert d'un masque de configuration désirée et a été placé dans un appareil de décomposition à décharge luminescente du type à couplage capacitif (représenté en figure 1) et a été maintenu à 230 C sous un vide de 133,3.10-6Pa. Ensuite, du gaz SiH4 épitaxial de qualité pure (fabriqué par Komatsu Electronics Co. Ltd) a été autorisé a cir- culer dans l'appareil a une vitesse de 10 cm3 /min et la pression gazeuse a été établie à 9,33 Pa. Ensuite, la décharge lumi- nescente a été établie pendant deux minutes à une tension d'entrée de 2,0 kV en utilisant une puissance de décharge RF (radio- fréquence) de 120 W, en utilisant une source d'alimentation haute fréquence à 13,56 MHz, formant ainsi la sous-couche de a-Si:H 2602 ayant une épaisseur d'environ 40 nm. Puis, la tension d'entrée a immédiatement été réduite à 0,3 kV et la décharge luminescente a été mise en oeuvre pendant 4,5 heures en utilisant une puissance de décharge de 8 W, de sorte que la couche 2603 de a-Si (H,X) d'une épaisseur d'environ 0,8 micromètre a été formée. Ensuite, la couche N+ 2604 (d'une épaisseur d'environ 0,15 micromètre) servant de couche de contact ohmique a été déposée sous une puissance de décharge de 30 W en utilisant comme matériau de départ un mélange de gaz dans lequel du SiH4 dilué a 10 % dans H2 et du PH3 dilué à 100 ppm dans H2 ont été mélangés avec un taux de mélange de 1/10. Ensuite du SiH4 dilué à 10 % dans H2 a été amené à cir- culer à une vitesse de 5 cm3/min et de NH3 a été amené à circuler à une vitesse de 20 cm3/min.Puis la décharge luminescente a été établie pendant deux heures en utilisant une puissance de décharge de 15 W, de sorte que la couche isolante 2609 constituée de nitrure de silicium a été formée selon une épaisseur de 0,3 micromètre. Ensuite, de façon similaire au cas de la formation de la couche 2603 de aSi (H,X) dans la partie de conversion photo- électrique précédente, du SiH4 dilué à 10 % dans H2 a été amené à circuler à une vitesse de 20 cm3/min et la décharge luminescente a été établie pendant une heure et demie en utilisant une puissance de décharge de 20 W de sorte que la couche semiconductrice 2610 de a-Si:H d'une épaisseur de 0,20 micromètre a été formée. D'une part, la couche N+ 2611 d'une épaisseur de O,1 micromètre a été formée comme dans le cas de la couche N+ 2604 dans la section de conversion photoélectrique. Ensuite, un motif souhaité a été formé et une attaque chimique par du CF4 gazeux a été effectuée en utilisant une puissance de décharge RF de 100 W et une pression gazeuse de 40 Pa par le procédé d'attaque par plasma, enlevant ainsi la couche N+ 2611 et la couche semiconductrice 2610 dans les parties non nécessaires. Alors, le masque dans la section de conversion photo- électrique a été enlevé et de l'aluminium a été déposé par le procédé d'évaporation par faisceau électronique pour obtenir une épais- seur de 0,5 micromètre et la couche conductrice a été formée. Ensuite, un motif photorésistant de forme souhaitée a été formé en utilisant un produit photorésistant de type positif (AZ-1370 fabriqué par Shiplay Co., Ltd.). Après cela, la couche conductrice dans la partie exposée a été enlevée par un liquide d'attaque dans lequel de l'acide phosphorique (solution aqueuse à 85 % en volume), de l'acide nitrique (solution aqueuse à 60 % en volume), de l'acide acétique pur, et de l'eau ont été mélangés dans une proportion de 16/1/2/1, de sorte que l'électrode commune 2605, l'électrode individuelle 2606 et la ligne de sortie de signal 2612 ont été formées. Alors, l'attaque à sec a été réalisée par du CF4 gazeux en utilisant une puissance de décharge RF de 120 W et une pression gazeuse de 9,33 Pa par le procédé d'attaque par plasma, en uti- lisant un appareil du type à plaques planes parallèles, enlevant ainsi la couche N+ dans les parties exposées. Ainsi, les couches N+ 2604 et 2611 ont été formées. Alors, le produit photorésistant a été enlevé. De cette façon, un réseau de photodétecteurs ayant 864 photodétecteurs, tel que représenté en figures 26 et 27 a été obtenu. D'autre part,dans un but de comparaison, un réseau de photodétecteurs de type plan (ci-après ce réseau est appelé "réseau de photodétecteurs de comparaison C") a été fabriqué de façon similaire aux processus précedents sauf que la surface du même substrat de verre que celle sus-mentionnée a été traitée pen- dant 30 secondes par un mélange liquide dans lequel de 1 'acide fluorhydrique (solution aqueuse à 49 % en volume), de l'acide nitrique (solution aqueuse à 60 % en volume) et de l'acide acétique ont été mélangés selon un rapport volumétrique de 1/5/40, et la sous-couche de a-Si:H n'a pas été formée. En ce qui concerne les deux types sus-mentionnés de réseaux de photodétecteurs, les valeurs des photocourants qui auraient été obtenues en permettant a de la lumière de longueur d'on- de maximale de 565 nm d'entrer du cOté du substrat de verre 1 dans les mêmes conditions ont été comparées, de sorte que sen- siblement les mêmes valeurs ont été obtenues dans les deux cas. On a trouvé à partir de ce résultat que la caractéristique du pho- tocourant n'était pas dégradée par l'existence de la sous-couche 2602 de a-Si:H dans le réseau de photodétecteurs de l'appareil selon la présente invention. Ensuite, des tests de durabilité au moyen d'un cycle thermique ont Lté réalisés dans les mêmes conditions avec les deux types de réseaux de photodétecteurs précédents. Il s'est avéré que le décollement du film n'était pas susceptible de sur- venir et qu'une propriété d'adhérence suffisante était présente. REVENDICATIONS 1. Elément détecteur d'image de grande dimension caractérisé en ce qu'il comprend: un réseau de photodétecteurs consistant en plusieurs photodétecteurs disposés en réseau, chacun des photodétecteurs comprenant: une couche photoconductrice contenant du silicium amorphe prévue sur un substrat(l), cette couche photoconductrice consistant en films minces de deux ou plusieurs couches (2, 3) ayant des indices de réfraction différents et l'indice de réfraction de la couche inférieure (2) n'étant pas supérieur à 3,2 pour de la lumière d'une longueur d'onde de 632,8 nm, une paire d'électrodes (5, 6) prévues en contact électrique avec la couche photoconductrice, et une partie de photodétection; et une source lumineuse pour éclairer un original. 2. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la source lumineuse est une source lumineuse LED en réseau. 3. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la source lumineuse est une lampe fluorescente. 4. Elgment détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un réseau de formation d'image optique du type convergent est disposé dans le chemin optique entre l'original et le réseau de photodétecteurs. 5. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche inférieure (2) de la couche photoconductrice n'est pas supérieure à 100 nm. 6. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la paire d'électrodes est disposée en main- tenant une distance prédéterminée du côté de la même surface de la couche photoconductrice. 7. Elément détecteur d'image selon la revendication 1,- caractérise en ce que le silicium amorphe est du silicium amorphe hydrogéné. 8. Elément détecteur d'image selon la revendication l, caractérisé en ce que des atomes d'hydrogène sont contenus dans la couche photoconductrice. 9. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la paire d'électrodes a une configuration du type en peigne. 10. Element détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'une des deux électrodes (5) est électri- quement commune dans chacun des photodétecteurs. 11. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen de rayonnement de chaleur (48, 49). 12. Elément détecteur d'image selon la revendication 2, caractérisé en ce que la source lumineuse comprend une pluralité de sources lumineuses LED. 13. Appareil de lecture d'image caractérisé en ce qu'il comprend un élément détecteur d'image selon la revendication 1. 14. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen de circuit de commande matricielle commandant chacun des photodétecteurs. 15. Element détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que le réseau de photodétecteurs est divisé en une pluralité de blocs parmi lesquels chaque bloc est constitué d'un ensemble d'un nombre prédéterminé de photodétecteurs à partir de l'extrémité du réseau de photodétecteurs. 16. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: des moyens d'accumulation correspondant à chaque photodétecteur pour accumuler chaque signal de sortie des photodétecteurs; et des moyens de commutation pour extraire séquentiellement les signaux accumulés dans les moyens d'accumulation. 17. Photodétecteur caractérisé en ce qu'il comprend: une couche photoconductrice contenant du silicium amorphe prévue sur un substrat, cette couche photoconductrice consistant en films superposes de deux ou plusieurs couches ayant des indices de réfraction différents et l'indice de réfraction de la couche inférieure des films minces n'étant pas supérieur à 3,2 pour de la lumière d'une longueur d'onde de 632,8 nm; une paire d'électrodes prévues en contact électrique avec la couche photoconductrice; et une partie de photodétection. 18. Procédé de fabrication du photodétecteur selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant, lors du dépôt de la couche photoconductrice par un procédé de décomposition à décharge luminescente, à: réaliser d'abord le dépôt en utilisant une puissance de décharge relativement élevée pour réaliser la couche inférieure d'indice de réfraction non supérieur à 3,2; et réduire ensuite la puissance de décharge et déposer une ou plusieurs couches, formant ainsi la couche photoconductrice consistant en une superposition de deux ou plusieurs couches.