Brevet FR2561048A1 — publié le 19850913

OSCILLATEUR HYPERFREQUENCES A TRANSITOR, COMMANDE PAR CAPACITE VARIABLE La présente invention concerne la structure de réalisation d'un oscil- lateur à transistor à effet de champ, commandé en fréquence par une tension continue. L'invention s'applique à tous les types d'oscillateurs basés sur un transistor à effet de champ, mais elle est plus particulièrement avantageuse dans les hyperfréquences, en bande X par exemple, domaine dans lequel sont utilisés des transistors en GaAs ou plus généralement en matériaux de type I1-V. En effet, à ces fréquences, la longueur des connexions entre composants de l'oscillateur intervient grandement pour modifier la fréquence: la structure retenue pour l'oscillateur selon l'inven- tion permet de stabiliser la puissance de sortie de l'oscillateur avec une bonne linéarité de fréquence, dans une bande de 1 GHz environ, ce qui constitue une bande étroite, mais cependant plus large que celle des oscillateurs à diodes par exemple. Dans l'état actuel de la technologie, les oscillateurs travaillant en bande X,soit 5,2 à 11 GHz, sont réalisés en circuits hybrides, c'est-àdire par l'association sur un substrat ou dans un boîtier de composants discrets, reliés entre eux par des métallisations sur le substrat ou des fils métalliques dans l'air. A ces fréquences, la longueur des fils n'est pas indifférente, et, par la self qu'ils présentent, elle peut modifier la fréquence de l'oscillateur. En outre, les oscillateurs connus sont souvent basés sur une diode à effet Gunn et un varactor, c'est-à-dire une capacité variable de forte puissance, commandée par une tension. Ils présentent l'inconvénient d'avoir un mauvais rendement hyperfréquence, de l'ordre de 3 % seulement, et de n'être linéaires en fréquence, en fonction de la tension de commande, que dans une bande très étroite, de l'ordre de 300 MHz. Le manque de linéarité en sortie oblige, si une large bande est requise, à utiliser plusieurs oscillateurs en parallèle, et/ou des discriminateurs, lesquels provoquent des pertes d'insertion supplémentaires dans un dispositif dont le rendement n'est déjà pas élevé. L'oscillateur selon l'invention utilise un transistor à effet de champ, commandé par un varicap, c'est-à-dire une capacité variable de faible puissance. Aux fréquences considérées, le transistor est préférentiellement réalisé en matériaux de type III-V, tel que GaAs, et le varicap est hyperabrupt, en silicium ou GaAs. Le rendement hyperfréquence de cet oscillateur atteint 20 à 30 %, c'est-à-dire qu'il est 10 fois meilleur que celui d'un oscillateur à diode Gunn, et son circuit d'accord lui communique une bonne linéarité en fréquence et en puissance dans une bande de I GHz environ. Le problème des longueurs de connexions est résolu selon l'invention en disposant les pastilles du transistor, du varicap et d'au moins une capacité d'accord en un empilement, à l'intérieur d'un boîtier prévu pour un tran- sistor. Les liaisons sont assurées par le contact direct entre les pastilles, ou, pour celles qui sont côte à côte, par des longueurs minimales de fils métalliques, notamment pour les entrée-sortie du boTtier. Une secoride capacité d'accord est disposée à l'intérieur du bottier, à une distance variable, telle que la longueur du fil de connexion permet de régler partiellement la fréquence de l'oscillateur. Celle-ci est commandée essen- tiellement par la tension de commande du varicap, qui sert également de tension de polarisation du transistor. De façon plus précise, l'invention concerne un oscillateur hyper- fréquence à transistor commandé par capacité variable de type varicap, comportant un transistor à effet de champ dont la grille est mise à la masse à travers une self et dont la source est réunie à un circuit d'accord constitué par un varicap en parallèle avec une self d'accord, le circuit. oscillant comportant en outre une première capacité connectée entre varicap et masse en vue d'isoler de la masse la tension de commande Vp appliquée au varicap, et, connecté entre la self d'accord et la masse, un circuit d'auto- polarisation formé par une résistance découplée par un seconde capacité, cet oscillateur étant caractérisé en ce que le transistor, le varicap et la première capacité sont intégrés dans un même boîtier hyperfréquence, sous forme d'un micromodule, la pastille du transistor et la pastille du varicap étant fixées côte à côte sur la pastille de la première capacité. L'invention sera mieux comprise par la description d'une forme de réalisation d'oscillateur hyperfréquence, cette description s'appuyant sur les 2 5 6 1 0 4 8 figures jointes en annexe, qui représentent - figure I: circuit oscillant, à transistor à effet de champ, selon l'art coninu, - figure 2: circuit oscillant utilisé dans l'oscillateur selon l'invention, - figure 3: schéma d'implantation des composants de l'oscillateur dans un boîtier, selon une première forme de l'invention, - figure 4: schéma d'implantation des composants de l'oscillateur dans un boîtier, selon une variante de l'invention, - figure 5: courbes caractéristiques de l'oscillateur selon l'invention fréquence en fonction de la tension de commande, et puissance en fonction de la fréquence. La figure I représente le schéma, connu, d'un oscillateur à transistor à effet de champ. Ce schéma est très simplifié et, par exemple, les tensions de polarisations n'y sont pas représentées. Dans cet oscillateur, le transistor à effet de champ 1 est monté en grille commune: la self 4 par laquelle sa grille est mise à la masse n'est autre qu'un fil de connexion pour relier la grille, sur la pastille du transistor, à la masse du circuit, ce fil présentant une inductance d'environ 2 n H. Le circuit accordé est constitué par un varicap 2, ou diode à capacité variable, en parallèle avec une self 3, monté sur la source du transistor 1. Le varicap a une capacité moyenne de l'ordre de 0, 8 pF, et la self 3 a une inductance d'environ 2 n H. Le point délicat dans un tel oscillateur est celui de la longueur,- repérée L, de la connexion entre le varicap 2 et la source du transistor 1. Sachant que les selfs 3 et 4, de 2 n H chaque, sont créées par des fils de 2 mm de longueur, la connexion de longueur L, doit être la plus courte possible, sinon la largeur de bande dans laquelle l'oscillateur a une réponse linéaire rétrécit. C'est ainsi que, pour un tel oscillateur réalisé en fixant les composants les uns à côté des autres sur un substrat, c'est-à-dire avec une longueur L de connexion importante, la linéarité en fonction de la tension de commande est limitée à 300 MHz. Pour augmenter la largeur de la bande de linéarité, on associe à l'oscillateur un circuit intégré dans lequel sont mises en mémoire plusieurs tensions de commande. La figure 2 représente le circuit oscillant utilisé dans l'oscillateur 6 1048 selon l'invention: cette figure permet d'identifier les composants des figures 3 et 4. Le schéma de base de la figure précédente se retrouve dans celui de la figure 2: le transistor à effet de champ 1 a sa grille mise à la masse par un fil qui présente une inductance 4, et un circuit accordé, constitué par un varicap 2 et une self 3 est monté sur la source du transistor 1. Une capacité 5, d'une valeur de 45 pF montée entre le varicap 2 et la masse, permet d'isoler la tension continue de polarisation Vp du varicap. Appliquer la tension de polarisation Vp entre le varicap 2 et la masse plutôt qu'entre le varicap 2 et la source du transistor I permet de supprimer une capacité de découplage entre varicap et transistor, et donc de raccourcir la longueur L de connexion. Une autre capacité 6, de 45 pF également, est connectée entre l'extrémité de la self d'accord 3 et la masse: du point de vue hyperfréquences, la self 3 est quasiment à la masse. Mais cette capacité 6 découple une résistance 7, d'une valeur de 50 ohms, ajoutée pour autopo- lariser le transistor 1, et n'avoir qu'une seule tension d'alimentation de l'oscillateur, soit la tension de polarisation Vp. La self 8 représente la connexion par fil entre la capacité de découplage 6 et la résistance 7: la self 3 étant quasiment mise à la masse - en hyperfréquences - par la capacité 6, la longueur du fil et de la self 8 n'a pas grande importance pour l'oscillateur. Le signal de sortie est recueilli sur une connexion extérieure 9, sur le drain du transistor 1. Ce drain est par ailleurs alimenté, de façon conven- tionnelle, par une tension VDD découplée par une self et une capacité à la masse. Le circuit de polarisation du drain peut être extérieur au boîtier d'encapsulation de l'oscillateur lui-même. La figure 3 représente un premier exemple d'implantation de l'oscil- lateur selon l'invention. Cet oscillateur est réalisé dans un boîtier céramique - métal rectangu- laire, d'un modèle bien connu pour les transistors discrets hyperfréquences. L'embase de ce boîtier est métallique, et constitue le plan de masse. Le transistor, ou dans le cas présent l'oscillateur, est contenu dans une cavité céramique dont seul est représenté le contour interne 10. A travers les parois latérales de la cavité céramique 10 passent deux languettes métal- liques qui, avec l'embase du boîtier, constituent les connexions extérieures 6 1O48 de l'oscillateur, une première languette 11 apporte la tension de polarisation Vp, une seconde languette 9 constitue la sortie de l'oscillateur. A l'intérieur de la cavité 10, qui constitue un espace de 5 x 1 mm et dont le fond est le plan de masse, est disposé, entre les deux languettes 9 et 11, un micromodule compact constitué par une pastille de capacité 5 sur laquelle sont soudées, côte à côte, une pastille de transistor 1 et une pastille de varicap 2. La nature des pastilles fait que le varicap 2 est en contact ohmique avec la face supérieure de la capacité 5, cette face constituant une première armature de la capacité, tandis que la face inférieure de cette même capacité est en contact ohmique avec le fond du bottier, constituant la masse. Par contre, le transistor I est, compte-tenu de la bande de fréquence, un transistor en matériaux 11-V tel que GaAs, son substrat est semi-isolant, et l'embase de la pastille du transistor est isolée de la pastille de la capacité 5. Les dimensions de la pastille de la capacité 5 sont plus grandes que les dimensions des deux pastilles côte à côte du transistor 1 et du varicap 2 ceci permet de thermocomprimner sur la face supérieure de la pastille de la capacité 5 un fil métallique qui, relié à la languette 11, apporte la tension de polarisation Vp. Les métallisations de source, grille et drain du transistor 1 étant apparentes, un fil métallique est thermocomprimié sur le drain et sur la languette de sortie 9: la longueur de ce fil n'est pas critique. Un autre fil métallique est thermocomprimé sur la grille et sur le fond du bottier, à la masse: il constitue la self 4, et sa longueur est calculée, soit 2 mm pour 2 n H si c'est un fil d'or de 18 pm de diamètre, d'inductance I n H/mm. Un deuxième fil métallique est thermocomprimé entre la source - ou les sources si le transistor est interdigité - du transistor 1 et le varicap 2: les deux pastilles du transistor et du varicap étant côte à côte, la longueur L de ce fil, qui constitue le point sensible de l'oscillateur, est réduite au minimum, une fraction de millimètre. C'est parce que cette longueur L-de fil est minimale que l'oscillateur a une réponse linéaire dans une bande trois fois plus large que les oscillateurs connus. A côté du micromodule sont fixés sur l'embase du boîtier le circuit d'autopolarisation du transistor 1. Il est constitué par une pastille de capacité 6 et une pastille de résistance 7, réunies par un fil thermo- comprimé 8. Comme en ce qui concerne le micromodule, ces pastilles 6 et 7 sont en contact ohmique avec le bottier, et elles sont donc connectées à la masse. La position de la pastille de résistance 7 et la longueur du fil de connexion 8 n'ont pas d'importance vis-à-vis de la fréquence de l'oscillateur. Par contre, la position de la pastille de capacité 6 a de l'importance, car elle règle la longueur du fil de connexion entre le varicap 2 et la capacité 6, et cette longueur constitue la self 3, d'une valeur de 1 n H, soit I mm. L'éloignement de la capacité 6, par rapport au varicap 2, augmente la self, et diminue la fréquence de l'oscillateur. Et réciproquement. En figure 3, le micromodule transistor-varicap-capacité est fixé longitudinalement par rapport au bottier. En figure 4, il est fixé transver- salement, ce qui permet de raccourcir, entre autre, la connexion de sortie 9. De façon plus générale, si l'oscillateur est réalisé dans un un boîtier de forme différente, il est important que le varicap 2 soit intégré à l'intérieur du boîtier, ainsi que le circuit d'autopolarisation, ce qui permet de réduire au minimum la liaison L varicap-source du transistor, pour avoir une large bande de réponse linéaire, et de régler la self 3 entre varicap et circuit d'autopolarisation, ce qui permet de régler la fréquence centrale d'oscil- lation. La figure 5 représente la courbe de réponse en fréquence de l'oscil- lateur selon l'invention, en fonction de la tension de commande Vp, ainsi que la courbe de puissance en fonction de la fréquence. Ces courbes mettent en évidence la parfaite linéarité de fréquence entre 7,5 et 8,5 GHz, pour une tension de commande variant entre 7,5 et 12 V, et une bonne linéarité de puissance à 20 mW soit 13 dBm + 0,3 dBm dans cette même bande de fréquence. Bien entendu, l'oscillateur selon l'invention qui a été décrit en s'ap- puyant sur un cas d'oscillateur en bande X, utilisant un transistor en GaAs, et un boîtier rectangulaire, peut être réalisé dans d'autres modèles de boîtiers hyperfréquences, pour d'autres bandes de fréquences, et avec des composants en d'autres matériaux et d'autres valeurs de selfs et capacités. 25610 4.8 REVENDICATIONS 1/ Oscillateur hyperfréquence à transistor commandé par capacité variable de type varicap, comportant un transistor à effet de champ (1) dont la grille est mise à la masse à travers une self (4) et dont la source est réunie à un circuit d'accord constitué par un varicap (2) en parallèle avec une self d'accord (3), le circuit oscillant comportant en outre une première capacité (5) connectée entre varicap (2) et masse en vue d'isoler de la masse la tension de commande Vp appliquée au varicap (2), et, connecté entre la self d'accord (3) et la masse, un circuit d'autopolarisation formé par une résistance (7) découplée par une seconde capacité (6), cet oscillateur étant caractérisé en ce que le transistor (1), le varicap (2) et la première capacité (5) sont intégrés dans un même boîtier hyperfréquence (10), sous forme d'un micromodule, la pastille du transistor (1) et la pastille du varicap (2) étant fixées côte à côte sur la pastille de la première capa- cité (5). 2/ Oscillateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la tension de commande Vp du varicap (2) est également la tension de polarisation de la source du transistor (1), le circuit d'autopolarisation (6+7) étant intégré à l'intérieur du même boîtier (10) que le micromodule (1+2+ 5). 3/ Oscillateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que, la longueur (L) de liaison entre le varicap (2) et la source du transistor (1) étant minimale, la largeur de bande de fréquences est maximale, et linéaire en fonction de la tension de commande Vp. 4/ Oscillateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la longueur de la connexion (3) entre le varicap (2) et la seconde capacité (6), règle la fréquence centrale de l'oscillateur, en règlant l'inductance de la self d'accord (3).