Brevet FR2572739A1 — publié le 19860509

Procédé d'inhibition de la corrosion après gravure de l'aluminium Cette invention concerne la fabrication de circuits intégrés (dispositifs CI) et d'autres dispositifs semi-conducteurs à l'état solide, et plus particulièrement un nouveau procédé de traitement des circuits in- tégrés et d'autres dispositifs semi-conducteurs à l'état solide au cours de leur fabrication de manière à inhiber la corrosion de l'aluminium après que ce dernier ait été soumis à une gravure par plasma. En fait chaque procédé de fabrication de circuit intégré contient une étape de métallisation à l'aluminium et une étape de gravure de l'alu- minium. L'aluminium sert de couche d'interconnection pour tous les disposi- tifs sur le substrat (généralement, les circuits intégrés sont formés de substrats de silicium ou de saphir qui ont de manière typique une forme cir- culaire et sont appelés "pastilles" ou "puces"). L'étape de gravure de l'a- luminium a pour but de créer des motifs dans la couche d'aluminium selon un modèle prédéterminé. Les motifs de la couche d'aluminium sont réalisés grâce à l'emploi de matières photosensibles qui sont traitées pour servir de masques de gravure. Les motifs peuvent être obtenus avec des matières photosensibles positives ou négatives, mais on préfère généralement des matières photosensibles positives pour un meilleur contr8le dimensionnel des motifs. Une couche de métallisation à l'aluminium peut être gravée au moyen d'agents de gravure secs ou humides. Ces dernières années, la gravure par plasma a rapidement supplanté la gravure à l'état humide dans la techno- logie de production des circuits intégrés. Malheureusement, le procédé type de fabrication des circuits in- tégrés est handicapé par le fait que les couches d'aluminium sur les sub- trats sont vulnérables à la corrosion après avoir subi la gravure par plas- ma. La corrosion est la conséquence des matériaux utilisés pour la gravure par plasma. La gravure par plasma de l'aluminium peut être réalisée avec différents matériaux. Le système de gravure par plasma le plus classique pour graver l'aluminium sur des circuits intégrés en silicium utilise un mélange de gaz SiC14 et C12, généralement en présence d'un gaz inerte tel que l'argon ou l'hélium. Dans l'étape de gravure par plasma utilisant le mélange précédent, il se forme habituellement AlCl3 comme produit de la réaction. SiC14, C12 et AlCl3 sont tous très réactifs en présence 2572 739 d'humidité, en réagissant avec l'humidité pour former HCl très corrosif qui rapidement corrodera l'aluminium même à des températures et des pres- sions ambiantes. Après gravure appropriée de l'aluminium par plasma, une partie au moins d'un ou plusieurs des gaz réactifs SiCl4, C12 et AlCl3 a tendance à être adsorbée sur les surfaces des pastilles ou puces. Ces matériaux réactifs sont adsorbés sur toutes les surfaces de la pastille ou puce c'est-à-dire qu'ils sont adsorbés sur toutes les surfaces exposées du substrat ou des matériaux présents sur le substrat, par exemple, sur les surfaces de l'aluminium ou de n'importe quelle matière photosensible résiduelle, ou sur n'importe quel autre dép6t (tel que le verre ou SiO2) présent sur le substrat. Dans les procédés classiques de fabrication des circuits intégrés à haut rendement, les pastilles ou puces qui doivent être traitées se dé- placent de manière continue d'une étape à l'autre, et de manière habituelle les pastilles ou puces sont soumises au traitement ultérieur relativement rapidement après la réalisation de la gravure de l'aluminium. Cependant, même l'exposition relativement brève des pastilles à l'humidité de l'en- vironnement entraînera la formation de HCl par les gaz réactifs adsorbés, et par conséquent la corrosion des couches d'aluminium par HCl sur les pastilles se produira à un taux très élevé. Dans une telle éventualité, la corrosion peut rendre les dispositifs résultants présents sur les pastil- les incapables de fonctionner, ou inacceptables ou non fiables. Le premier objet de cette invention est la mise au point d'un procédé pour protéger les couches de métallisation des circuits intégrés, de la corrosion due aux matériaux réactifs du procédé de gravure adsorbés sur les surfaces des dispositifs. Un autre objet important de cette invention est la mise au point d'un procédé de traitement des pastilles ou puces semi-conductrices de manière à inhiber la corrosion des couches d'aluminium après que les couches d'aluminium aient subi une gravure par plasma. Un autre objet de cette invention est la mise au point d'un traitement par voie sèche de passivation anti-corrosion pour les pastilles de circuits intégrés de manière à les protéger de la corrosion après gravure par plasma de leurs couches de métallisation à l'aluminium. Un autre objet encore de l'invention est la mise au point d'un procédé rapide et fiable pour éliminer les gaz réactifs adsorbés des pastilles mises en oeuvre dans la fabrication des circuits intégrés après gravure par plasma des couches d'aluminium des pastilles, de manière à inhiber la corrosion des couches d'aluminium. Un objet supplémentaire de l'invention est un nouveau procédé d'inhibition de la corrosion des couches d'aluminium formées sur les pastil- les utilisées dans la fabrication des circuits intégrés, ledit procédé possédant l'avantage de pouvoir être intégré dans un procédé conventionnel de fabrication des circuits intégrés sans nécessiter des quantités impor- tantes d'appareillage de production supplémentaire ou des modifications im- portantes dans le procédé de fabrication. Un objet supplémentaire de cette invention est un procédé pour inhiber la corrosion de l'aluminium sur les circuits intégrés en utilisant un appareillage de gravure par plasma normal. Un objet supplémentaire de l'invention est un procédé pour inhiber la corrosion de l'aluminium par des gaz réactifs adsorbés contenant du chlore, qui puisse être mis en oeuvre aux températures ambiantes. Ces objets et d'autres sont atteints grâce à un nouveau procédé qui consiste à soumettre les pastilles ou puces de circuits intégrés à un traitement par voie sèche de passivation anti-corrosion qui fait intervenir le remplacement des gaz réactifs adsorbés par une nouvelle espèce gazeuse adsorbée qui est pratiquement inerte et donc ne corrodera pas les couches d'aluminium sur les pastilles ou puces -des circuits intégrés. Le nouveau procédé fait intervenir le remplacement de l'espèce gazeuse réactive adsorbée sur la pastille par une espèce gazeuse non corrosive possèdant un poids moléculaire plus élevé. D'autres objets, caractéristiques et avantages de l'invention sont développés par la suite dans la description détaillée ci-après qui doit être considérée en rapport avec les dessins annexés dans lesquels: - les figures 1A-1F illustrent de manière schématique une séquence classique de gravure de l'aluminium; et - la figure 2 illustre un appareil conventionnel qui peut être utilisé dans la mise en pratique de la présente invention. Principalement,l'invention implique le traitement de pastilles ou puces utilisées dans la réalisation des circuits intégrés après métal- lisation à l'aluminium et gravure de l'aluminium par plasma, pour (a) éli- miner les gaz corrosifs adsorbés, et (b) remplacer les gaz corrosifs adsorbés par un adsorbant non-corrosif, ce qui permet de passiver les couhes d'aluminium d'une manière rapide et facile. Alors qu'il est concevable de pouvoir éliminer certains, des gaz corrosifs adsorbés avant la mise en contact des puces ou pastilles avec l'adsorbant de substitution non-corrosif, on pense qu'un tel traitement préalable n'est pas pratique. Par conséquent, selon cette invention, la passivation est réalisée en utilisant l'adsorbant non- corrosif pour déplacer les gaz corrosifs adsorbés. Dans tous les cas le traitement prévu par cette invention est effectué de manière à ne pas in- terrompre le traitement rapide des circuits intégrés après la réalisation de la gravure de l'aluminium. La présente invention est basée sur le concept, préalablement utilisé en chromatographie, du remplacement d'une espèce adsorbée par une autre espèce de poids moléculaire plus élevé. C'est un principe général et un phénomène général de la chromatographie qu'une espèce gazeuse adsorbée est facilement remplacée par une espèce gazeuse qui possède un poids molé- culaire plus élevé. La présente invention utilise ce phénomène pour éliminer les gaz réactifs adsorbés des puces de circuits intégrés et les remplacer par une ou plusieurs espèces gazeuses qui soient inertes par rapport à l'a- luminium et donc ne corrodent pas les couches d'aluminium sur les puces de circuits intégrés. Une exigence primordiale de l'invention est que l'espèce gazeuse de poids moléculaire plus élevé qui remplace l'espèce gazeuse réac- tive adsorbée, doit être un matériau qui n'attaque aucune des matières photo- sensibles restant sur la puce des circuits intégrés. D'une manière générale, l'invention implique que la puce du cir- cuit intégré soit exposée, immédiatement après la gravure de l'aluminium, à une atmosphère contenant une espèce gazeuse qui (a) est chimiquement inerte vis-à-vis de la puce, de son (ses) dépôt(s) d'aluminium, et de toute matière photosensible restant sur la pastille, et (b) possède un poids molé- culaire supérieur à celui des gaz corrosifs adsorbés. Les figures 1A à 1F illustrent une séquence de gravure de l'alu- minium typique de la technique connue. En se reportant sur la figure 1A, un substrat ou une puce de silicium 2, présente sur l'une de ses surfaces des parties recouvertes par des il8ts 4 de SiO2, et à leur tour des parties des ilSts 4 de SiO2 sont recouvertes par un verre 6. Sur la figure lB, une couche 8 d'aluminium a été déposée sur le verre et sur les surfaces de silicium exposées. Sur la figure 1C, une matière photosensible 10 a été déposée sur les couches d'aluminium. Sur la figure 1D, la matière photosensible a été préparée selon un motif et développée, en conséquence de quoi certaines parties de la matière photosensible ont été éliminées, d'autres parties 10A de ladite matière ayant subsisté. Sur la figure 1E, les parties d'aluminium exposées ont été retirées par gravure. Sur la figure IF, la matière photosensible a été retirée et il en résulte que des portions de la couche de verre 6 et de la couche d'alumi- nium 8 sont exposées. En admettant, par exemple, que l'étape de gravure par plasma de la couche d'aluminium implique un environnement gazeux comprenant SiCi4 et Cl2 dans un gaz inerte tel que l'argon ou l'hélium, et si le traitement ultérieur du substrat représenté sur la figure 1F implique une exposition à une atmosphère contenant de l'humidité (par exemple, les substrats sont exposés à l'air d'un laboratoire en "salle blanche"), alors l'humidité réagira avec les composés gazeux adsorbés constitués de ou contenant du chlore pour former HC1 et le HC1 attaquera rapidement l'aluminium. La même activité de corrosion apparaîtra même si la matière photosensible 10 repré- sentée sur la figure 1E est conservée sur le dispositif lorsqu'il subit le traitement ultérieur (bien que l'étendue de la corrosion de l'aluminium puisse être réduite si l'aluminium est protégé par une couche de matière photosensible résiduelle). Selon cette invention, après la réalisation de la gravure de la couche d'aluminium (gravure qui peut être effectuée plusieurs fois si plusieurs couches de métallisation en aluminium sont déposées), le circuit intégré est soumis à une atmosphère contenant un gaz choisi d'adsorption de substitution, à une température à laquelle le gaz d'adsorption de substi- tution remplacera les gaz réactifs qui ont été adsorbés par l'aluminium, la matière photosensible ou les autres parties de la puce du circuit intégré. La durée pendant laquelle la puce du circuit intégré est exposée à une atmosphère contenant le gaz d'adsorption de substitution variera en fonction de la température, de l'espèce gazeuse corrosive particulière qui est adsor- bée par la puce et du gaz d'adsorption particulier qui est présent dans l'atmosphère. Cependant, d'une manière habituelle, le déplacement des gaz corrosifs adsorbés se produit sur une période de trente à quatre vingt dix secondes. Diverses compositions d'agent de gravure gazeuses sont généralement utilisées dans la gravure par plasma de l'aluminium. La composition la plus classique comprend SiC14 et Cl2, qui comme cela est indiqué ci- dessus entraîne généralement la formation de AlCl3. Ce dernier réagit assez facilement avec l'humidité pour former HC1. D'autres compositions gazeuses qui ont été utilisées dans la gravure par plasma de l'aluminium sont: SC16, SiC14, BCl3 plus C12, BC13, CC14, CHC13, et C2HC13. On peut également utiliser dans la gravure par plasma de l'aluminium ou d'autres métaux, des composés d'autres halogènes, par exemple des composés de brome et du fluor. De tels autres composés halogènes (et les produits formés par ces composés au cours de l'étape de gravure) ont également tendance à réagir avec l'humi- dité pour former un acide qui est corrosif pour l'aluminium. Cependant, en pratique, dans la gravure par plasma de l'aluminium ou d'autres métaux, on utilise des composés du chlore dans beaucoup plus de cas que des composés du brome et du fluor car ces derniers ont tendance à entraîner une gravure moins efficace et moins contrôlable que les composés du chlore. Conformément à cette invention, les espèces gazeuses d'adsorption de substitution peuvent être n'importe lesquelles parmi les suivantes: 3 8' 3 8' 2 C4 2' C2C16, C2C15H, CHBr3, CH2Br2, SC6 C2C1 3F3, B6 F8 C2Br3H3 et (C3H7)3Si-O-Si(C2H5)3 Bien entendu, on considère que d'autres composés organiques, par exemple des homologues supérieurs et certains des composés précédents, peu- vent convenir pour être utilisés comme agents de passivation d'anti- corrosion dans la pratique de cette invention. Cette invention peut être réalisée grâce à différents appareillages classiques pour la gravure par plasma. Un exemple d'un appareillage convenable est le "Model SWE654 Cassette-to-Cassette Single Wafer Etching System" vendu par Balzers AG de Balzers, Lichtenstein. L'appareillage "Model SWE654" de Balzers est illustré de manière schématique sur la figure 2. En général, il comporte un sas 20 de chargement pour l'émission, une chambre de traitement pour la gravure par plasma 22, un sas 24 de chargement pour la réception, et un système transporteur 26 par bande de transport mobile pour transporter les pastilles du sas 20 de chargement pour l'émission au sas 24 de chargement pour la réception, via la chambre de traitement 22. La chambre de traitement 22 contient une électrode supérieure 30 et une électrode inférieure 32. L'appareillage com- porte également-des moyens de blocage 34 pour bloquer de manière dégageable une pastille contre l'électrode inférieure. Les sas de chargement 20 et 26 sont reliés à la chambre de traitement 22 par des chambres à soupapes à clapet 36 et 38 qui contiennent des soupape à clapet (non représentées) qui permettent de manière automatique le transport des pastilles à travers le système. Le sas de chargement 20 possède un dispositif à cassette 40 pour recevoir un nombre déterminé de pastilles à graver, par exemple 10 pastilles. Le sas de chargement 24 possède un dispositif à cassette similaire 42 pour recevoir un nombre semblable de pastilles amenées par le transpor- teur et venant de la chambre de traitement 22, par exemple 10 pastilles. Les deux sas de traitement possèdent des élévateurs de cassette 44 et 46 pour élever et abaisser le dispositif à cassette d'une manière commandée dans le temps. Le fonctionnement de l'appareil est commandé par un program- mateur électronique (non représenté) qui permet à l'appareil de fonctionner de telle sorte que les pastilles soient gravées une à une dans la chambre de traitement 22. - Dans la chambre de traitement 22, l'aluminium sur les pastilles est soumis à une gravure par plasma en utilisant l'une des compositions gazeuses d'agents de gravure, décrites ci-dessus, par exemple SiCl et C12. 4 2 Bien qu'ils ne soient pas représentés, des moyens sont prévus pour amener la chambre de traitement 22 à une pression réduite au cours de l'étape de gravue par plasma. Dans un montage classique, seuls des gaz inertes tels que l'azote et/ou l'argon sont amenés dans les sas de traite- tement et déchargés de ceux-ci. Au début d'une opération de gravure, le dispositif à cassette est chargé avec des pastilles à graver tandis que le dispositif à cas- sette 42 ne contient pas de pastilles et le dispositif à cassette 40 est en position élevée tandis que le dispositif à cassette 42 est en position abaissée. Ensuite, d'une manière continue, une pastille est amenée par le système transporteur 26 du dispositif à cassette 40 vers la chambre de traitement 22 pour la gravure, et ensuite lorsque la gravure est terminée, la même pastille est transféréeau dispositif à cassette 42. Chaque fois que le transporteur 26 fonctionne, il (a) amène une pastille gravée de la chambre de traitement 22 au dispositif à cassette 42 et (b) simultanément il amène une nouvelle pastille non gravée du dispositif à cassette 40 à la chambre de traitement 22. Chaque fois qu'un tel cycle se produit, les élévateurs 44 et 46 abaissent et élèvent respectivement les dispositifs à cassettes et 42 de manière (a) à permettre le retrait par le système transporteur 26 d'une pastille de la cassette 40 et (b) à permettre le transport par le système transporteur 26 d'une pastille de la chambre de traitement 22 vers le dispositif à cassette 42. Le programmateur de l'appareil amène les sou- papes à clapet (non représentées) des chambres-à soupapes 36 et 38 à (a) s'ouvrir automatiquement pour permettre le passage des pastilles vers et hors de la chambre de traitement et (b) se fermer automatiquement lorsque le transfert a été réalisé; alors l'appareil est réglé pour effectuer une autre opération de gravure. Bien que non représentés,les sas de chargement et 24 sont adaptés pour être purgés d'une manière continue avec de l'azote ou de l'argon pratiquement pur pour égaliser la pression de sas de chargement avec celle de la chambre de traitement 22, une exigence nécessaire pour accomplir le transfert des pastilles vers et hors de la chambre de traitement. A la fin du programme du procédé, les sas de chargement sont vidés des gaz et purgés avec de l'azote. - Cependant, dans la mise en pratique de là présente invention, un ou plusieurs gaz sélectionnés pour inhiber la corrosion sont subtitués aux gaz réactifs adsorbés sur les pastilles après le transport des pastilles- de la chambre de traitement 22 vers le-sas de chargement de réception 24. Conformément à cette invention, au moins un gaz choisi inhibant la corro- sion est injecté dans le sas de chargement 24 pour une période de temps déterminée, calculée pour permettre aux gaz inhibant la corrosion de dé- placer les gaz réactifs corrosifs adsorbés sur les pastilles. Le ou les gaz inhibiteurs de la corrosion peuvent être injectés seuls, mais de pre- férence ils sont injectés simultanément avec un gaz inerte tel que de l'azote ou de l'argon. Suivant les gaz particuliers utilisés, le sas de chargement 24 peut être ou peut ne pas être chauffé au-dessus de la tempé- ture ambiante. Il faut noter que les gaz inhibiteurs de la corrosion peuvent être injectés dans le sas de chargement 24 chaque fois qu'une pastille est réceptionnée à partir de la chambre de traitement 22 ou seulement une fois que le dispositif à cassette 42 est totalement chargé de pastilles. Cepen- dant, de préférence le gaz inhibiteur de la corrosion est seulement injecté une fois que le dispositif à cassette 42 est totalement chargé de pastilles. Conformément à cette invention, divers matériaux peuvent être utilisés pour passiver les pastilles ou puces de circuit intégré de manière à empêcher ou inhiber la corrosion de l'aluminium par les agents de gravure adsorbés. C'est une exigence de cette invention que le matériau utilisé pour inhiber la corrosion soit un matériau qui (a) possède un poids moléculaire supérieur à celui de l'espèce réactive adsorbée, (b) ne réagisse pas avec l'aluminium pour provoquer la corrosion (ou réagisse avec l'aluminium moins rapidement que l'espèce réactive adsorbée qu'il a déplacée), (c) réagisse lentement ou pas du tout avec la pastille semi-conductrice ou avec la ma- tière photosensible organique restant sur la pastille, et (d) ne réagisse pas ou réagisse relativement lentement avec l'humidité pour former un com- posé qui corrodera facilement l'aluminium ou réagira avec la pastille semi- conductrice ou n'importe quelle matière photosensible organique restant sur la pastille. En outre, le matériau inhibiteur de la corrosion doit être un matériau qui déplace les espèces corrosives adsorbées à des températures situées au-dessous d'environ 220 C, de préférence à des températures comprises entre environ 20 et 220 C. Le matériau gazeux inhibiteur de la corrosion préféré et utilisé dans la pratique de cette invention est C3F8. On préfère cette espèce gazeuse particulière car elle est peu ou pas réactive avec l'aluminium en présence d'humidité et en outre, elle n'est pas réactive avec le silicium ou avec les matières photosensibles organiques typiques qui sont utilisées dans les procédés de gravure de l'aluminium. Un autre avantage à utiliser C3F8 est qu'il se substitue lui-même facilement aux gaz réactifs adsorbés à des températures ambiantes, par exemple 25 C. En utilisant C3F8, la température de l'étape à laquelle se déroule la substitution des espèces gazeuses, par exemple la température dans le sas 24, peut être comprise entre environ 20 et 220 C mais de préférence elle est comprise entre 70 et 200 C. La tempéra- ture de 220 C est la limite supérieure car au-dessus de cette température toute matière photosensible sur la pastille a tendance à subir une décom- position ou une pyrolyse. A 100 C, lorsqu'on utilise C3F8, l'échange est très rapide, et d'une manière typique il ne faut pas plus de 30 à 60 secondes pour totalement éliminer SiCl4, Cl2 et AlCl3 et remplacer ces espèces par C3F8- Bien entendu, C3F8 peut également être utilisé pour passiver les substrats portant l'aluminium, ayant subi la gravure par plasma avec d'au- tres agents de gravure à l'halogène. La seule exigence est que les gaz réactifs adsorbés à éliminer des substrats doivent posséder un poids molé- culaire inférieur à celui de C3F8. Les autres matériaux énumérés ci-dessus qui peuvent être utilisés à la place de C3F8 diffèrent quelque peu par la vitesse à laquelle ils remplacent les gaz de réaction adsorbés sur le substrat. Cependant, en général, ils peuvent être utilisés pour déplacer les gaz de réaction adsor- bés et pour passiver les pastilles dont l'aluminium a subi une gravure, à des températures comprises dans l'intervalle allant d'environ 200C à 2200C. Comme pour C3F8, ces autres matériaux de passivation doivent possèder un poids moléculaire inférieur à celui des espèces réactives adsorbées qu'il faut déplacer. Bien entendu, il n'est pas nécessaire que le procédé soit effec- tué dans un appareillage tel que celui représenté sur la figure 2. Le pro- cédé peut être effectué dans une grande diversité d'appareillage et les pastilles peuvent être passivées à sec conformément à ce procédé soit par fournées entières comme décrit ci-dessus, soit individuellement. Un exemple particulier indiquant comment effectuer la présente invention est donné ci-après. Exemple Plusieurs substrats de silicium métallisés avec de l'aluminium sont insérés l'un après l'autre dans une chambre de traitement de gravure par plasma, similaire à celle représentée en 22 sur la figure 2 et ils sont maintenus là dans une atmosphère de SiCl, C12 et d'hélium sous une 9' 2 pression d'environ 0,5.10 Pa à environ 1,5.10 Pa pendant environ 45 secondes tandis que les élecgdes 30 et 32 sontcouplées à une source d'alimenta- tandis que les élecZroodes 30 et 32 sont Co ule a une source d'alimenta- 1 1 tion HF de 13,56 MHz fonctionnant à environ 100 à 250 watts. Les électrodes dans la chambre de traitement de gravure 22 sont espacées d'environ 7-14 mm et la gravure est réalisée à une vitesse d'environ 12000.10 10m par minute. Une fois la gravure terminée, chaque substrat est transféré dans un sas de chargement de réception tel que celui représenté en 24 sur la figure 2 dans lequel il est mis en contact avec C3F8 pendant une durée déterminée dans des conditions de pression et de température déterminées. Les diffé- rents substrats sont soumis à une passivation dans différentes conditions de fonctionnement comme indiqué dans le tableau suivant, le gaz de passiva- tion circulant en continu à travers le sas de chargement de réception au cours de la période pendant laquelle le substrat y est présent pour réaliser l'élimination, hors du sas de chargement de réception, des espèces réactives qui sont déplacées par l'atmosphère de passivation. Une fois que le laps de temps choisi pour la passivation s'est écoulé, les substrats sont retirés du sas de chargement de réception et exposés à de l'air contenant de l'humi- dité à une température d'environ 250C et sous la pression atmosphérique. Après plusieurs heures d'exposition à l'air chargé d'humidité, on détermine qu'aucun des films d'aluminium présents sur les divers substrats n'a subi de corrosion. Le tableau suivant montre les différentes conditions de fonction- nement utilisées dans le sas de chargement de réception 24 pour passiver les substrats avec C 3F8 conformément à l'exemple précédent. Tableau 1 Durée Pression Température Débit (sec) (Pa) (degré C) (Sccm) 20.105 20 500 3.105 100. 200 760 - 3. 105 20 - 186 6.105 20 450 760.5 2.10 20- 160 60 2,5.105 20 175 Il faut noter que l'on peut obtenir des résultats similaires en utilisant C3F8 comme matériau de passivation lorsque les pastilles ou les substrats ont été gravés -par plasma en utilisant d'autres compositions d'agents de gravure, pourvu cependant que les espèces réactives adsorbées aient des poids moléculaires inférieurs à celui de C3F8. On a effectué des expériences supplémentaires en utilisant les mêmes conditions que celles indiquées dans le tableau 1 précédent en utili- sant les gaz mentionnés dans le tableau suivant pour la passivation anti- corrosion des surfaces des pastilles après une gravure de l'aluminiumutili- sant SiCl4 et Cl2. Tableau 2 1. C3c8 2. C2C16 3. C2Cl5H 4. C2Cl 4H2 5. CHBr3 6. CH2Br2 7. SCl6 8. C 3C 3 9. B6F8 10. (C3H7)3Si-O-Si(C2H 5)3 257 5 Dans ces expériences supplémentaires chacun des gaz du tableau 2 est utilisé seul pour passiver les films d'aluminium sur les substrats de silicium. Les films d'aluminium passives en utilisant les gaz précédents dans les conditions mentionnées dans le tableau 1 ne présentent pas de corrosion après avoir été exposés à de l'air chargé d'humidité pendant plusieurs heures à environ 25 C et sous la pression atmosphérique. Il faut noter que des résultats similaires seront obtenus avec les autres matériaux de passivation précédents, si les pastilles ou substrats sont gravés en utilisant les autres compositions d'agents de gravure men- tionnés ci-dessus. Bien entendu, le choix du gaz de passivation doit satis- faire à l'exigence que le gaz de passivation possède un poids moléculaire supérieur à celui des espèces réactives adsorbées qui doivent être déplacées des substrats. Bien que l'on préfère que les gaz de passivation soient utilisés à l'état non dilué, ils peuvent être utilisés en mélange avec un gaz inerte tel que l'hélium ou l'argon, ou avec un gaz tel que l'azote. On estime également qu'un mélange de deux ou plusieurs des gaz de passivation précédents peut être utilisé dans la mise en pratique de cette invention. Tels qu'ils sont utilisés ici, les termes "puces", "pastilles" et "substrats" sont considérés synonymes les uns des autres. De plus, ces termes doivent couvrir les puces, pastilles et substrats dans leur forme d'origine ou après qu'ils aient subi une ou plusieurs étapes de traitement dans la fabrication des circuits intégrés. -2739 REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication de circuits intégrés ou d'autres dis- positifs semi-conducteurs à l'état solide comprenant (1) une métallisation à l'aluminium et (2) une gravure par plasma de l'aluminium impliquant l'uti- lisation ou la formation d'au moins un élément du groupe SiClI, Cl2 et AlCl3 et l'adsorption d'une ou plusieurs desdites espèces SiCl4, Cl2 et AlCl3, sur les surfaces desdits circuits ou dispositifs ou sur les substrats des- dits circuits ou dispositifs, caractérisé en ce qu'il consiste en outre à inhiber la corrosion des couches d'aluminium formées par ladite métallisa- tion: (a) en exposant lesdits circuits, dispositifs ou substrats à une atmosphère gazeuse comprenant au moins une substance qui possède un poids moléculaire supérieur à celui des espèces SiC14, Cl2 et AlCl3 adsorbées et n'est pas réactive avec l'aluminium en présence d'humidité, (b) en poursui- vant ladite exposition pendant une durée et à une température suffisantes pour permettre à ladite substance de déplacer pratiquement toutes lesdites espèces adsorbées, et (c) en plaçant lesdites espèces déplacées hors de con- tact desdits circuits, dispositifs ou substrats. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite substance est un composé organique. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite substance est pratiquement inerte vis-à-vis dudit circuit, disposi- tif ou substrat. 4. Procédé selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que ladite substance est capable de déplacer lesdites espèces adsorbées, à des températures comprises dans un intervalle d'environ 20 C à environ 2200C. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite substance est un élément du groupe comprenant C3F8, C3Cl8, C2C16, C2Cl5H, C2C14H2, CHBr3, CH2Br2 SCl6 C2C3 F3 6F8 C2Br3H3et (C3H7) Si-0-Si(C2H5)3. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite substance est capable de dépltacer lesdites espèces adsorbées, à une tempé- rature comprise entre environ 20 C et environ 220 C. 7. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite substance est capable de déplacer presque complètement lesdites espèces adsorbées, à environ la température ambiante, c'est-à-dire à environ 25 C. 8. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite substance est C3F8 et en ce que ledit circuit dispositif ou substrat est exposé à ladite atmosphère entre environ 700C et environ 200 C pendant une période comprise entre environ 35 secondes et environ 120 secondes. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que lesdits circuits dispositifs ou substrats sont exposés à ladite atmos- phère immédiatement après avoir été soumis au processus de gravure de l'alu- minium. 10. Procédé de production d'un circuit intégré ou d'un autre dis- positif semi-conducteur, impliquant le dépSt d'une ou plusieurs couches d'aluminium suivi par la gravure par plasma de ladite ou desdites couche(s) d'aluminium dans une chambre de traitement avec (a) utilisation ou formation d'au moins une espèce gazeuse comprenant des atomes de chlore et (b) adsorp- tion de ladite espèce gazeuse sur une ou plusieurs surfaces dudit circuit ou dispositif, caractérisé en ce qu'ilyconsiste en outre à mettre en con- tact ledit circuit ou dispositif avec un gaz choisi comprenant une substance qui possède un poids moléculaire supérieur à celui de ladite espèce gazeuse, à une température et pendant une durée qui permettent à ladite substance de déplacer pratiquement la totalité de ladite espèce gazeuse adsorbée sur-ou par ledit circuit ou dispositif. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la gravure réalisée dans ladite chambre de traitement implique l'utilisation d'au moins SiCl4, et en ce qu'en outre ledit circuit ou dispositif est mis en contact avec unenvironnement gazeux comprenant un composé halogéné organi- que qui ne réagit pas avec l'humidité, l'aluminium ou une matière photo- sensible organique. 12. Procédé selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce qu'avant ladite gravure, (a) ledit circuit dispositif est-recouvert avec une matière photosensible et (b) ladite matière photosensible est préparée selon un motif et développée. - 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'au moins une partie dudit circuit ou dispositif est recouverte par la matière photosensible lorsque ledit circuit ou dispositif est mis en contact avec ledit gaz choisi. 14. Procédé selon l'une des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que ladite substance est un composé halogéné organique. 15. Procédé selon l'une des revendications 10 à 14, caractérisé en ce que ladite substance est un composé halogéné organique qui est gazeux à la pression normale et à une température comprise entre environ 20 C et environ 220 C. 16. Procédé selon l'une des revendications 10 à 15, caractérisé en ce que ladite substance est un élément du groupe comprenant C3F8, C3C18, C2C16, C2Cl5H, C2C14H2, CHBr3, CH2Br2 SCl6, C2C3F3 B6 8 CBr3H3 et (C3H7)3Si-0-Si(C2H5)3