Brevet FR2571543A1 — publié le 19860411

Suscepteur à utiliser pour le dépôt d'une couche sur une plaquette de silicium par un procédé de HpSôt en phase vapeur La présente invention concerne un suscepteur pour supporter une plaquette de silicium, et plus précisément, elle concerne un suscepteur pour supporter une plaquette de silicium pendant une application ou un dépôt en continu sur la plaquette de silicium par un procédé chimique de dépôt en phase gazeuse (CVD). En général, dans le cas de l'application d'un revêtement en continu par un procédé CVD sur une plaquette de silicium, la plaquette de silicium est montée dans un creux de support d'un suscepteur fixé à la bande transporteuse d'un appareil d'application et une couche, par exemple de silicium, est déposée sur la surface de la plaquette, par exemple par chauffage de la plaquette dans un réacteur ou dans une chambre réactionnelle de l'appareil d'application, et par apport de vapeur contenant du silicium dans le réacteur ou la chambre réactionnelle. Le suscepteur utilisé habituellement pour la formation de la pellicule de revêtement par le procédé CVD présente une structure stratifiée, comprenant par exemple un substrat constitué d'un métal résistant à la chaleur d'Inconel (marque commerciale), etc. et d'une couche de revêtement telle que du Cr203 appliqué sur la surface du substrat. Comme le suscepteur de ce type est composé d'un matériau ayant un coefficient d'expansion thermique élevé, ce qui conduit à une déformation thermique du suscepteur, il est à craindre que la pellicule de revêtement produite par le procédé CVD ne présente pas une épaisseur uniforme lors de l'application ou du dépôt sur la plaquette de silicium par le procédé CVD (l'épaisseur de la pellicule déposée par le procédé CVD conduit à une erreur d'environ 8 %). A titre d'exemple, dans une structure à couche double constituée d'une pellicule de Cr203 et du substrat d'Inconel, comme la conductivité thermique de la pel- licule de Cr203 est très inférieure à celle du substrat d'Inconet, la conduction thermique à travers la pel- licule de Cr203 n'est pas suffisante. Par conséquent, lorsque le suscepteur présentant la structure à couche double est chauffé par le dessous, il est à craindre que la température à la surface de la plaquette de silicium puisse varier de façon sensible en fonction des positions à sa surface et/ou du temps, en raison de la dissipation de la chaleur par la plaquette de si- licium, par exemple du fait du courant gazeux s'écoulant sur la plaquette de silicium. En outre, il est difficile de réguler l'épais- seur de la pellicule de Cr203, et plus particulièrement, de réguler l'épaisseur de la pellicule afin qu'elle soit uniforme pour chacun des suscepteurs. Par conséquent, il est à craindre que la température à la surface de la plaquette puisse varier sur chaque suscepteur. De ce fait, il est à craindre que le procédé CVD conduise à une erreur ou à une différence d'épaisseur de la pel- licule sur la plaquette de silicium, en fonction des positions dans la plaquette, des plaquettes individuelles ou des plaquettes disposées sur chaque suscepteur. En outre, cette structure double peut éventuel- lement provoquer une exfoliation de la pellicule de Cr203 du fait de la différence entre les coefficients d'expansion thermique du substrat d'Inconel et de la pellicule de Cr203, et une déformation thermique peut également être provoquée dans le suscepteur, le degré de déformation étant d'autant plus important que la taille du suscepteur est grande. Par conséquent, le contact thermique avec La plaquette montée dans le creux du récepteur devient incomplet et provoque une variation de la température à la surface de la plaquette, ou bien la direction de la plaquette varie sur chaque plaquette, ce qui conduit à une différence de contact entre le courant gazeux et la plaquette ou à la dissipation de chaleur par la surface de la plaquette du fait du courant gazeux sur chaque plaquette. Cela provoque une erreur ou une différence d'épaisseur et d'uniformité de l'épaisseur de la pellicule produite par le procédé CVD, formée sur la surface de la plaquette. Un suscepteur est généralement fabriqué par utilisation d'une plaque d'Inconel, par exemple d'une épaisseur d'environ 1 à 2 mm en tant que substrat et formation d'un creux de support de la taille nécessaire pour recevoir et supporter la partie inférieure d'une plaquette de silicium sur la surface du substrat, par exemple par pressage. Comme décrit précédemment, les variations ou les différences de dimensibns sont provo- quées par la déformation thermique sur le creux supportant la plaquette de silicium, cette variation devenant d'autant plus importante que la taille du suscepteur est grande. Par conséquent, il n'est pas toujours facile de produire un suscepteur ayant un creux de support d'un diamètre important pouvant être utilisé pour revêtir une plaquette de silicium par le procédé CVD, en parti- culier lorsque sa taille est supérieure à 12,7 cm. En outre, on souhaite que le suscepteur à utiliser dans un revêtement en continu d'une plaquette de silicium par le procédé CVD, ait une résistance thermique et une résistance en rouleau plus élevées ainsi qu'une résistance mécanique élevée. En outre, on préfère que le matériau constituant le suscepteur ne dégage pas de gaz. Plus précisément, la pénétration d'impuretés indésirables si elle est faible dans l'ap- pareil d'application en continu par le procédé CVD, doit de préférence être évitée. La propreté et le contrôle des impuretés sont extrêmement importants pour obtenir les propriétés électriques de base souhaitées d'un élément semi-conducteur préparé à partir de la plaquette. La présente invention a été réalisée dans le but d'éliminer au moins partieLLement les problèmes mentionnés ci-dessus et/ou au moins partiellement satisfaire Les exigences ci-dessus, et le but de l'in- vention est de fournir un suscepteur à utiliser pour l'application en ligne ou en continu par un procédé CVD capable d'appliquer une pellicule uniforme par le procédé CVD. Conformément à la présente invention, le but mentionné ci-dessus peut être atteint par un suscepteur à utiliser pour L'application en ligne ou en continu sur une plaquette de silicium par un procédé CVD sur une plaquette de silicium comprenant une céramique Si-SiC contenant du silicium métallique. Dans le présent mémoire, Les termes "Si-SiC" ou "céramique Si-SiC" désignent les matériaux qui comportent un mélange de SiC et de Si métallique. En outre, Le terme "en Ligne" ou "en continu" appliqué à l'appareiLt CVD désigne ici-un type autre que le système en discontinu, dans lequel le procédé CVD est effectué en continu dans un réacteur et qu'il n'est pas interrompu lorsque la plaquette est introduite et déchargée. Conformément à la présente invention, la céramique Si-SiC constituant le suscepteur est de pré- férence formée par imprégnation des pores d'un SiC fritté avec du silicium métallique fondu à température élevée. La taille des particules de SiC constituant le corps fritté est de préférence d'environ 10 à environ Am, et compte tenu des exigences de résistance mécanique qui peut cependant avoir une épaisseur d'en- viron 300 gm. La taille des pores du SiC fritté est de préférence de 50 gm pour satisfaire les exigences de résistance mécanique, mais elle peut être d'environ 1 mm. Dans le suscepteur de l'invention, le rapport du Si métalLique à la céramique Si-SiC ne dépasse de préférence pas 7 % en poids. Lorsque la quantité de Si métallique dans la céramique Si-SiC est inférieure à 7 % en poids, les produits de décomposition d'un liant organique qui a été utilisé pour la préparation du SiC fritté à partir d'une poudre de SiC, c'est-à-dire le carbone restant dans le SiC fritté sous forme de carbone libre; ou les pores non remplis restant dans le SiC fritté peuvent éventuellement provoquer un effet indésirable sur la plaquette de silicium lors du revêtement de la plaquette de silicium en ligne ou en continu par le procédé CVD. Plus précisément, il est à craindre que dans la céramique Si-SiC, le carbone libre restant dans le SiC fritté diffuse dans la plaquette de silicium pour contaminer celle-ci. En outre, il est à craindre que le matériau qui contamine la plaquette de silicium soit adsorbé sur les pores du SiC fritté dans la céramique SiSic et que le matériau ainsi adsorbé soit désorbé lors de l'application par CVD en contaminant la plaquette de silicium. Dans le suscepteur de l'invention, le rapport du Si métallique dans la céramique Si-SiC ne dépasse de préférence pas 25 % en poids. L6rsque la quantité de Si métallique dans la céramique Si-SiC dépasse 25 % en poids, la résistance mécanique de la céramique Si-SiC est faible et pose un problème de manipulation mécanique du suscepteur lorsque le matériau est utilisé pour former le suscepteur en vue d'un procédé CVD en ligne ou en continu. Conformément à la présente invention, la pureté du Si métallique dans la céramique Si-SiC du suscepteur, c'est-à-dire La pureté du Si métallique utilisé pour la préparation de la céramique Si-SiC, n'est de préférence pas inférieure à 99 % en poids et, mieux encore, n'est pas inférieure à 99,9 % en poids. Le suscepteur à utiliser pour le dépôt en ligne ou en continu par le procédé CVD du mode de réali- sation préféré de l'invention, comprend une céramique Si-SiC préparée par imprégnation des pores du SiC fritté par du Si métallique fondu ayant une pureté élevée, supérieure à 99 % en poids et mieux encore, supérieure à 99,9 % en poids, de façon à ce que la proportion pondérale de Si soit de 7 à 25 %. Le suscepteur est de préférence imperméable aux gaz. Dans le suscepteur à utiliser pour le dép6t en ligne ou en continu par le procédé CVD d'un mode de réalisation préféré de l'invention, la céramique Si-SiC constituant le suscepteur présente une résistance thermique et une résistance en bobine élevées, ainsi qu'un coefficient d'expansion thermique pratiquement égal à celui de la plaquette de silicium. Le suscepteur est imperméable aux gaz, permet l'application d'une pellicule très régulière par le procédé CVD sans conta- miner la plaquette de silicium et présente un creux de support ayant une stabilité dimensionnelle accrue et permet une précision de taille ou de forme élevée de la plaquette de silicium. En général, le suscepteur à utiliser dans cette invention a une taille appropriée qui permet de l'utiliser pour application ou un dépôt en ligne ou en continu par un procédé CVD. Le suscepteur présente à sa surface au moins un creux de support pour le montage d'une plaquette. Le creux de support du suscepteur de l'inven- tion peut être formé par des moyens habituels, par exemple par usinage, ou par un procédé de ce type. Lorsque cela est nécessaire, le creux de support peut également être formé par pressage. La taille du creux de support dépend de la taille de la plaquette de silicium qui y est montée. En particulier, comme le suscepteur est constitué de céramique Si-SiC conformément à la présente invention, il est exempt des défauts physiques qui conduisaient jusqu'à présent à la structure stratifiée classique, en outre, peut conserver La précision dimensionelle extrémement élevée du creux de support lors de l'appli- cation, en particulier, dans le cas d'un suscepteur ayant un creux de support plus grand appliqué à une plaquette de silicium d'une taille de 12,7 cm ou davantage. En outre, dans un mode de réalisation préféré de l'invention, le suscepteur est formé par imprégnation du SiC par une quantité prédéterminée de silicium métallique ayant une pureté élevée et le suscepteur présente une résistance mécanique et une imperméabilité aux gaz élevées. Par consequent, il n'est pas à craindre que le matériau du suscepteur conduise soit à l'émission de gaz qui introduirait des impuretés dans l'atmosphère, soit empêche de conférer à la plaquette de silicium les propriétés électriques souhaitées. L'invention sera bien comprise à la lecture de la description détaillée ci-après, faite en référence aux dessins annexés, dans lesquels: - la figure 1 est une vue en coupe transversale schématique permettant l'explication d'un appareil pour procédé CVD en ligne ou en continu utilisant un suscepteur d'un mode de réalisation de l'invention; et - la figure 2 est une vue en perspective ser- vant à l'explication du suscepteur utilisé dans l'appareil pour procédé CVD représenté dans la figure 1. On se fondera sur les dessins pour expliquer la formation d'une pelticule CVD sur une plaquette de silicium 2 par un appareil de revêtement par procédé CVD en ligne ou en continu I utilisant un suscepteur d'un mode de réalisation préféré de L'invention. Dans la figure 1, un suscepteur 3 conformé- o10 ment à un mode de réalisation de l'invention, est monté de façon fixe ou amovible sur un système transpor- teur 5 qui traverse un réacteur 4 de l'appareit CVD 1. Une courroie de transport 5 est disposée autour d'une paire de cylindres entraînés en rotation 6 et 7, et est entraînée de façon à ce que la partie en déplacement supérieure 8 de La courroie transporteuse se déplace dans le sens d'une fLèche B, suivant Le sens de rotation du cylindre d'entraînement 6 ou 7 dans la direction d'une flèche A. Chacun des suscepteurs 3 fixé à L'extérieur de la courroie transporteuse sans fin 5 a La forme d'une plaque, par exemple d'une largeur de 175 mm w, d'une longueur de 400 mm. et d'une épaisseur de 5 mm d et présente des creux de support 10 et 11 ayant des diamè- tres de 12,7 cm respectivement, et une profondeur de 0,3 mm sur leur bord extérieur 9 (Le bord qui n'est pas en contact avec la courroie transporteuse 5). Les creux 10 et 11 sont par exemple formés par usinage. Le suscepteur 3 est constitué d'un matériau comprenant du SiC fritté imprégné de 7 à-25 % en poids d'une substance simple ou de Si métallique, par rapport au poids total. Avant d'introduire le suscepteur 3 dans le réacteur CVD de l'appareil CVD 1, les plaquettes de silicium 2 qui ont un diamètre pratiquement identique (12,7 cm) à celui des creux respectifs 10 ou 11 du suscepteur et une épaisseur d'environ 0,6-à 0,7 mm, sont montées dans les creux de façon automatique (par un mécanisme non illustré) ou manuellement. Comme le suscepteur comprend une céramique Si-SiC, il présente pratiquement le-même coefficient d'expansion thermique que la plaquette de silicium 2. Par conséquent, le diamètre des creux 10 ou 11 du suscepteur 3 peut être pratiquement identique au diamè- tre de la plaquette de silicium 2, de façon à ce que la plaquette de silicium 2 puisse être ajustée exactement au creux. La plaquette de silicium 2 montée dans les creux 10 ou 11 du suscepteur 3 dans la station de montage C, est introduite dans le réacteur 4 par dépla- cement de la courroie 5 dans le sens de la flèche B accompagnant la rotation des cylindres 6, 7, dans le sens de la flèche A. A titre d'exemple, du SiH4, H2 ou d'autres gaz de ce type, sont introduits par le méca- nisme d'introduction 13 dans le réacteur 4, et sont mis en circulation par un mécanisme de circulation de gaz approprié (non représenté) dans le réacteur 4, puis sont évacués par un mécanisme d'évacuation approprié (non illustré) afin de revêtir la plaquette de silicium 2 dans le réacteur 4 par le procédé CVD, par exemple, de Si. Dans le suscepteur 3 du mode de réalisation préféré de l'invention, comme les pores du SiC fritté sont imprégnés de silicium métallique d'une pureté élevée à raison d'au plus 7 % en poids par rapport au poids total du suscepteur 3, et qu'une substance simple constituée par du Si remplit presque complètement les pores, il ne se produit effectivement désorption des impuretés provenant des pores et le gaz atmosphérique dans le réacteur 4 est très peu contaminé. En outre, dans Le suscepteur 3 du mode de réalisation préféré de l'invention, comme le Si remplissant les pores du SiC fritté est limité à une proportion ne dépassant pas % en poids par rapport au poids total du suscepteur 3. la résistance mécanique du suscepteur 3 est relativement élevée. Par conséquent, lorsque une force est appliquée au suscepteur 3, par exemple au point représenté en 3a, 3b, ou en une position analogue à proximité des cylindres 6 ou 7 de la figure 1, il n'est pas à craindre que le suscepteur 3 puisse se déformer ou être endommagé. Un dispositif de chauffage 14 est disposé de façon à chauffer la plaquette de silicium 2 à une température prédéterminée depuis l'intérieur du système transporteur 4 au moyen du suscepteur 3, et le dispositif de chauffage 14 comprend une source de chaleur 15 et une plaque de diffusion de la chaleur 16 qui sert de source de dégagement de chaleur fournissant une tempé- rature uniforme sur une zone étendue lorsqu'elle est chauffée par la source de chaleur 15. La source de chaleur 15 peut être une source de chaleur du type à induction, une source de chaleur du type à résistance ou une source de chaleur du type à rayonnement infrarouge. La plaque de diffusion de chaleur 16 est par exemple constituée d'un verre de quartz. Dans l'appareil de CVD 1, comme le suscepteur 3 comprend une céramique SiSiC pratiquement uniforme, c'est-à-dire un matériau uniforme macroscopiquement conformément à l'invention, il est moins probable qu'il se produise une déformation ou une modification de ce type du suscepteur 3 et le suscepteur peut assurer la conduction thermique pour chauffer la plaquette de silicium 2 dans le creux 10 ou 11 du suscepteur 3 jusqu'à une température prédéterminée. En outre, confor- mément à l'invention, comme le suscepteur 3 comprend une céramique Si-SiC uniforme macroscopiquement, le 1 1 suscepteur 3 présente pratiquement la même conductivité thermique que la plaquette de silicium 2. Par conséquent, la plaquette de silicium 2 peut être chauffée entière- ment et de façon uniforme par le côté du suscepteur 3. En outre, dans l'appareil de CVD 1, comme chacun des suscepteurs 3 peut avoir une forme pratiquement régulière ou homogène, les caractéristiques de chacun des suscepteurs 3 peuvent être pratiquement identiques les unes aux autres et les températures de chacune des plaquettes 2 peuvent être ajustées à des valeurs prati- quement identiques. Par conséquente dans l'appareil de CVD 1, la surface de la plaquette 2 montée et soutenue dans le creux de support 11 du suscepteur 3 peut être ajustée de façon sûre et être régulée jusqu'à une tempé- rature. prédéterminée, à laquelle une pellicule appliquée par le procédé CVD, d'une composition prédéterminée peut être formée et présentée une épaisseur prédéterminée de façon uniforme et fiable. La plaquette de silicium 2 sur laquelle est déposée la pellicule CVD dans Le réacteur 4 est évacuée en même temps que le suscepteur 3 du réacteur 4, ete par la suite, est retirée du suscepteur 3, par exemple dans la partie de déchargement ou d'évacuation ou dans la station de déchargement ou d'évacuation D. Dans l'appareil de CVD 1, une source de chauffage par rayonnement infrarouge, ou une source de ce type, peut facultativement être placée à la position 17 du mécanisme 13 représenté sur le dessin, de façon à ce qu'un chauffage puisse être réalisé en plus par le dessus, ou uniquement par le dessus. Dans le cas de la formation d'une pellicule de silicium sur la plaquette de silicium 2, la température de la plaquette de silicium 2 peut être ajustée à environ 1 2000C, afin qu'une réaction est lieu entre SiCl4 et H2 ou entre SiH2Cl2 et H2 En outre, dans le cas de l'ajustement de la température de la plaquette de silicium ou du substrat 2 à environ 800 C, la réaction entre SiH4 et NH3, SiH2Cl2 et NH3, ou des produits de ce type, peut être utilisée pour. former une pellicule de Si3N4, et une réaction entre SiH4, C02 et H2 ou une réaction entre SiC14, C02 et H2 peut être utilisée dans le cas de la formation de la pellicule de Si02. On peut facultativement faire varier le type de gaz réactionnels et la température de la plaquette de silicium selon le type de pellicule à déposer. EXEMPLES ET EXEMPLE COMPARATIF. On utilise de plaque de céramique Si-SiC d'une largeur de 175 mm, d'une longueur de 400 mm et d'une épaisseur de 5 mm contenant 12 % en poids de silicium métallique, et l'on forme à sa surface par usinage au moins un creux de support d'un diamètre de 12,7 cm pour fabriquer le suscepteur 3 ayant des creux 10 ou 11 à utiliser pour l'application par procédé CVD en ligne ou en continu telle qu'elle est représentée dans la figure 2 (exemple 1). De la même manière, on prépare le suscepteur d'un exemple comparatif I à partir d'un substrat de la même dimension que ci-dessus et sur lequel on a appliqué une pellicule de Cr203 à titre de comparaison. De la même manière, on prépare des suscepteurs pour l'application par procédé CVD en ligne ou en continu ayant des creux de support de 10,16 cm de diamè- tre (exemple 2), et des suscepteurs pour une application par procédé CVD en ligne ayant des creux de support d'un diamètre de 15,24 cm chacun (exemple 3). En utilisant le suscepteur (exemples 1, 2, 3) de l'invention et le suscepteur de l'exemple comparatif préparés de la façon décrite ci-dessus, on effectue une application par procédé CVD en ligne ou en continu sur la plaquette de silicium au moyen de l'appareil de CVD représenté dans la figure 1. Cela conduit au résultat que dans tous les suscepteurs de l'exemple comparatif 1, le revêtement de pellicule de Cr203 subit une exfoliation partielle au bout de dix utilisations et que les suscepteurs peuvent difficilement être utilisés. Par ailleurs, dans tous les suscepteurs constitués de plaques de carbure de silicium conformément à l'invention, aucune modification du matériau n'a été observée en ce qui concerne les onze suscepteurs, même après 1 000 utilisations. En outre, en ce qui concerne les modifications ou les différences de dimension affectant les creux de support, alors qu'il se produit des modifications ou des différences significatives affectant les creux de support d'une taille supérieure à 12,7 cm au bout de dix utilisations dans les suscepteurs de l'exemple comparatif 1, aucune modification ou différence de dimensions n'a été observée dans l'ensemble des suscep- teurs de l'invention. Lorsqu'on forme une pellicule CVD sur la plaquette de silicium au moyen de l'appareil CVD 1 et lorsqu'on remplace le suscepteur par celui de l'exemple comparatif 1 qui présente une variation très importante des dimensions des creux de support, il est impossible de former facilement une pellicule CVD d'épaisseur uniforme, car le contact entre la plaquette et le suscep- teur devient incomplet et provoque la variation de la température à la surface de chacune des plaquettes, ou la variation de la direction des plaquettes, ce qui conduit à une différence de contact entre. le courant gazeux et la plaquette. En outre, bien que les diffé- rentes épaisseurs de la pellicule CVD d'une plaquette à l'autre puisse atteindre 6 à 9 % dans le cas des suscep- teurs de l'exemple comparatif 1, principalement en raison du fait qu'il n'est pas facile de former des creux dont les dimensions ou les formes sont ajustées avec précision dans le suscepteur, et par ce qu'il est inévitable que les suscepteurs de l'exemple compara- tif I présentent des creux de dimensions ou de formes différentes les unes par rapport aux autres, ce qui peut conduire à des différences de contact des creux avec les plaquettes qui y sont contenues, les différences sont seulement de 2 à 4 % et une pellicule CVD uniforme et de meilleure qualité peut être formée avec une dis- persion moins élevée dans Les suscepteurs 3 comprenant la plaque et le carbure de silicium de l'invention. On produit, ensuite, à titre de comparaison, un suscepteur Si-SiC contenant 35 % en poids de silicium métallique (exemple comparatif 2) et un suscepteur Si-SiC comprenant 3 % en poids de silicium métallique (exemple comparatif 3), ayant la même taille que le suscepteur de l'exemple 1 précédent, et on effectue une application par procédé CVD en ligne ou en continu de la même manière que dans l'exemple précédent 1 sur la plaquette de silicium. Le résultat est qu'on n'observe aucune modi- fication ou différence du matériau et de la forme dans le suscepteur des exemptes de l'invention, même après une utilisation d'environ 100 heures. Cependant, dans le suscepteur de l'exemple comparatif 2, il se produit une fissuration à son extrémité en raison de l'importante teneur en Si métal- lique et de la résistance mécanique inférieure, et en raison du fait que le suscepteur n'est pas ajusté ou que la plaquette n'est pas fixée au suscepteur de façon adéquate, celui-ci ne pouvant plus être utilisé au bout de plusieurs dizaines de fois. En outre, dans le suscepteur de l'exemple comparatif 3, comme la proportion du Si métallique est faible le carbone libre résiduel dans le matériau soumis à réaction avec la plaquette de silicium lors du procédé CVD, produit un effet indésirable sur les propriétés électriques la plaquette de silicium utilisée comme micro-circuit. Comme décrit ci-dessus en détaiL, Le suscep- teur du mode de réalisation préféré de l'invention présente une résistance mécanique et une stabilité dimen- sionnelle accrue, peut être utilisé de nombreuses fois, permet l'application ou le dépôt d'une pellicule uni- forme sur la plaquette de silicium par le procédé CVD et est extrêmement imperméable aux gaz, ce qui permet la production d'une plaquette de silicium ayant des propriétés électriques souhaitées sans contamination de-la pla- quette. REVENDICATIONS 1. Suscepteur (3) à utiliser pour le dépôt en ligne sur une plaquette de silicium (2) par un procédé de dépôt en phase gazeuse, caractérisé en ce qu'.il est constitué par une céramique Si-SiC contenant du Si métal- lique de pureté élevée. 2. Suscepteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que La céramique Si-SiC comprenant du SiC fritté dont les pores sont imprégnés de Si métallique. 3. Suscepteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que La céramique Si-SiC ne contient pas moins de 7 X en poids de Si métallique. 4. Suscepteur selon La revendication 3, caractérisé en ce que La céramique Si-SiC ne contient pas pLus de 25 Z en poids de Si métatLLique. 5. Suscepteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pureté du Si métallique n'est pas inférieure à 99 % en poids. 6. Suscepteur selon la revendication 5, carac- térisé en ce que la pureté du Si métallique n'est pas inférieure à 99,9 Z en poids. 7. Suscepteur selon La revendication 1, caractérisé en ce que La céramique Si-SiC est imperméa- ble aux gaz. 8. Suscepteur selon La revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un creux permettant d'y monter une plaquette ayant un diamètre égal ou supérieur à 10,16 cm. 9. Suscepteur selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un creux permet- tant d'y monter une plaquette ayant un diamètre égal ou supérieur à 12,7 cm. 10. Suscepteur selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un creux permet- tant d'y monter une plaquette ayant un diamètre égal ou supérieur à 15,24 cm.