Brevet FR2563048A1 — publié le 19851018

PROCEDE DE REALISATION DE CONTACTS D'ALUMINIUM A TRAVERS UNE COUCHE ISOLANTE EPAISSE DANS UN CIRCUIT INTEGRE Il est fréquent, dans la réalisation de circuits intégrés, que l'on utilise une couche d'interconnexion en aluminium (bon conducteur, facile à déposer et à graver) pour relier entre eux les divers éléments du circuit intégré; cette couche repose généralement sur une couche isolante relativement épaisse (de l'ordre de un micron ou plus) au-dessous de laquelle se trouvent les éléments du circuit intégré. La couche isolante est ouverte avant le dépôt de l'alu- minium pour mettre à nu les surfaces avec lesquelles on désire établir une interconnexion métallique; ces surfaces peuvent être des surfaces de silicium monocristallin (sources et drains, col- lecteurs, bases, émetteurs de transistors), ou de silicium polycristal- lin (grilles de transistors à effet de champ), ou encore, pourquoi pas, des surfaces métalliques d'une autre couche d'interconnexion. L'épaisseur importante de la couche isolante résulte de la nécessité de réduire les capacités parasites entre les conducteurs d'interconnexion et les éléments de circuit au-dessus desquels il passent. Malheureusement, cette épaisseur rend difficile l'obtention de surfaces de contacts très petites et très rapprochées entre la couche d'interconnexion et les éléments de circuit. En effet, si on désire des surfaces de contact étroites et rapprochées, on est amené à graver directivement (verticalement) les ouvertures de contact dans la couche isolante. Mais alors, si on ne prend pas des précautions spéciales, cette gravure directive donne aux bords des ouvertures une forme abrupte qui risque de provoquer des cassures de l'aluminium lors de son dépôt par évapo- ration. Les précautions que l'on peut prendre consistent notamment en un dépôt de la couche isolante en deux étapes et une gravure de la couche également en deux étapes; mais ces précautions con- duisent à un accroissement du pas entre conducteurs (pas = largeur + espacement) au niveau des contacts. La présente invention propose une solution pour, d'une part, éviter le risque de cassure de l'aluminium et, d'autre part, éviter l'augmentation du pas entre conducteurs ou même réduire oe pas. Cette invention est d'ailleurs plus généralement applicable à la formation d'une couche d'interconnexion en métal autre que l'alumi- nium, mais déposé comme lui par évaporation et donc sujet comme lui à un risque important de cassure au niveau d'un bord abrupt. Le procédé selon l'invention consiste, après dépôt d'une couche isolante servant de support à la couche d'interconnexion, à graver des ouvertures de contact étroites, à déposer par décomposition chimique en phase gazeuse un matériau conducteur (notamment du silicium polycristallin dopé) ayant un fort pouvoir couvrant sur les surfaces verticales comme sur les surfaces horizontales de substrat, le dépôt étant fait sur une épaisseur suffisante pour que la totalité du volume des ouvertures de contact étroites soit remplie et pour que l'épaisseur de ce matériau à l'aplomb des ouvertures soit nettement supérieure à l'épaisseur au-dessus de la couche isolante, à éliminer le matériau conducteur en dehors des ouvertures de contact étroites par gravure anisotrope verticale uniforme, sur une épaisseur correspondant à l'épaisseur déposée sur Pl'ensemble de la surface de la couche isolante en dehors des ouvertures étroites, de manière à éliminer le matériau conducteur en dehors de ces ouvertures en ne l'éliminant que dans une faible proportion à l'intérieur des ouver- tures, et enfin à déposer par évaporation puis graver une couche métallique d'interconnexion (notamment de l'aluminium ou un alliage d'aluminium). Le matériau conducteur que l'on peut déposer est de préfé- renoe du silicium polycristallin. Ce peut être aussi du titane, du tungstène, du molybdène. On peut même envisager de déposer comme matériau conducteur, dans certains cas, une première cou- che d'aluminium, à condition de la.déposer par décomposition chimique en phase gazeuse et non pas par évaporation. Les dimensions latérales des ouvertures étroites sont de préfé- rence de l'ordre de un à deux microns environ. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaî- tront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels: - la figure 1 représente une ouverture de contact montrant le risque de cassure de l'aluminium; la figure 2 représente une solution connue pour limiter le risque de cassure; - les figures 3 à 7 montrent les étapes successives de réali- sation des interconnexions selon l'invention; - la figure 8 représente schématiquement la diminution d'en- combrement permise par l'invention pour une largeur de contact minimale déterminée. Sur la figure 1, un substrat semiconducteur (silicium) incor- porant des éléments de circuit non représentés est désigné par la référence 10. Ce substrat a été recouvert d'une couche isolante (oxyde de silicium) 12 dans laquelle on a gravé une ouverture de contact avant de déposer, par évaporation, une couche conductrice d'interconnexion 14 en aluminium destinée à être gravée pour définir un motif d'interconnexion. Si l'épaisseur de la couche isolante 12 est importante (et en particulier du même ordre de grandeur que la couche métallique 14), l'aluminium déposé par évaporation se dépose sur la couche isolante et au fond de l'ouveture de contact, avec un amincissement ou même un risque de rupture totale entre les deux, car l'aluminium déposé par évaporation passe très mal les marches abruptes (faible pouvoir couvrant sur les bords verticaux). Pour éviter ce risque, on a par exemple adopté un procédé expliqué en référence à la figure 2: la couche isolante 12 est déposée en deux ou plusieurs couches d'épaisseur beaucoup moins importante que l'épaisseur finale désirée. Par exemple, une première couche ayant la moitié de l'épaisseur finale désirée est déposée et gravée de manière à former une ouverture de contact ayant la largeur a désirée; puis une deuxième couche isolante est déposée pour obtenir l'épaisseur totale désirée; cette deuxième couche est gravée (pendant une durée contrôlée pour ne pas attaquer la première couche, les deux couches ayant de préférence des dopages en impuretés différents de manière que la première couche soit plus difficile à graver que la seconde); la gravure de la deuxième couche se fait au-dessus de la première ouverture de contact mais sur une largeur b plus grande que la largeur a avec une marge suffisante pour assurer de tous les côtés de l'ouverture de contact, malgré les dispersions de positionnement, une double marche au lieu d'une marche unique comme dans le cas de la figure 1. Puis, l'aluminium est déposé et passe relativement bien ces doubles marches d'épais- seur beaucoup plus faible (la moitié) qu'à la figure 1. L'aluminium peut être gravé mais en conservant au-dessus de l'ouverture de contact une largeur c supérieure à la largeur b pour assurer, malgré les dispersions de positionnement, que l'aluminium recouvre tota- lement les deux marches de la couche isolante. Si l'espacement minimum entre deux conducteurs voisins est d, le pas des conduc- teurs est nécessairement p = c + d. Le procédé selon la présente invention va maintenant être décrit. A la figure 3, on a représenté le substrat semiconducteur 10 sans les éléments de circuit qu'il incorpore, sur lequel on a déposé, en une seule fois, la couche isolante 12 (épaisseur d'environ un micron) devant servir de support à la couche d'interconnexion. Une ouverture de contact 16 de largeur a, correspondant à la largeur de contact désirée, a été creusée dans la couche isolante, de préférence par gravure anisotrope verticale. Cette largeur a est de préférence comprise entre un et deux microns environ pour une épaisseur de couche isolante 12 de un micron environ. On dépose, par décomposition chimique en phase gazeuse, une couche conductrice 18 ayant un fort pouvoir de recouvrement des surfaces verticales comme des surfaces horizontales. L'épaisseur e déposée est telle que la totalité du volume de l'ouverture 16 soit remplie de matière conductrice et que cette épaisseur, telle qu'elle apparaît à l'aplomb de la couche isolante soit bien inférieure à l'épaisseur E présente à l'aplomb de l'ouverture de contact 16 (figure 4). Le matériau conducteur déposé par décomposition chimique est de préférence du silicium polycristallin dopé. Il peut être aussi un autre métal (tungstène, molybdène, titane, voire de l'aluminium). Ce matériau est alors gravé uniformément, par gravure aniso- trope verticale sans masque, donc aussi bien au-desus de la couche 0 isolante 12 qu'au-dessus de l'ouverture de contact 16. La gravure est faite de manière à éliminer une épaisseur e seulement, de sorte qu'on dénude la couche isolante en laissant pratiquement remplie d'une épaisseur E-e l'ouverture de contact 16 (figure 5). L'arrêt de la gravure est défini soit par un contr8le précis de la durée de gravure soit par une détection de fin d'attaque par un moyen quelconque (variation de pression ou de couleur des gaz résultant de l'attaque). On dépose alors classiquement par pulvérisation la couche d'interconnexion proprement dite 14 (en aluminium ou alliage d'alu- minium notamment); il n'y a plus de passage abrupt de marche (figure 6). Cette couche peut être gravée (figure 7) pour définir le motif d'interconnexion désiré. Si on veut réduire au minimum la largeur et le pas entre conducteurs voisins, on peut très bien prévoir avec le procédé selon l'invention que le conducteur ne recouvre pas totalement, après sa gravure, la largeur de l'ouverture de contact: ceci est illustré à' la figure 8. Ainsi, si pour des raisons de résistivité des conducteurs, de résistivité du contact, et de finesse de gravure, on prévoit que la largeur minimale du conducteur est a et l'espacement entre deux conducteurs voisins est d, on peut très bien prévoir que l'ouverture de contact a une largeur a' supérieure àa a, avec une marge suffisante tenant compte des imprécisions de superposition des masques successifs définissant les ouvertures de contact et les conducteurs passant au-dessus de ces conducteurs. Par exemple a' = b; dans ce cas, on voit que le pas entre conducteurs voisins peut être a + d alors qu'il était c + d à la figure 2 et que c était nettement supérieur à a. Enfin, on peut noter que le procédé selon l'invention permet, si on le désire, de réduire Pépaisseur de métal d'interconnexion, car cette épaisseur n'est plus nécessairement égale a l'épaisseur de la couche isolante comme c'était le cas dans la technique antérieure. Il permet aussi la prise de contacts entre un deuxième niveau d'interconnexion d'aluminium et le substrat, contact qu'il est diffi- cile de réaliser à cause de la grande épaisseur d'isolant qui sépare le substrat du deuxième niveau d'aluminium. Ceci n'est toutefois possible que si le dépôt par décomposition chimique en phase gazeuse est effectué à une température compatible avec l'inté- grité des couches sous jacentes. 7- REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une couche d'interconnexion (14) dans un circuit intégré, comprenant les étapes consistant à déposer une couche isolante (12) relativement épaisse sur un substrat (10) incorporant des éléments de circuit intégré déjà réalisés, graver une ouverture de contact étroite (16) dans cette couche, déposer par évaporation et graver un métal d'interconnexion (14), caractérisé en ce que, après la gravure des ouvertures de contact étroites (16) et avant dépôt par évaporation du métal d'interconnexion (14), - on dépose, par décomposition chimique en phase gazeuse, un matériau conducteur (18) ayant un fort pouvoir couvrant sur les surfaces verticales comme sur les surfaces horizontales du substrat, le dépôt étant effectué sur une épaisseur (e) suffisante pour que la totalité du volume de l'ouverture de contact étroite soit remplie de matériau conducteur et pour que l'épaisseur (E) de ce matériau à l'aplomb de l'ouverture soit nettement supérieure à l'épaisseur (e) audessus de la couche isolante, - on grave alors ce matériau par gravure anisotrope verticale, sur une épaisseur uniforme (e) correspondant sensiblement à l'épais- seur déposée sur l'ensemble de la couche isolante, de manière à éliminer le matériau conducteur en dehors de l'ouverture en ne l'éliminant que dans une faible porportion à l'intérieur de l'ouverture. 2. Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau conducteur est du silicium polycristallin, ou du tungstène, ou du molybdène, ou du titane. 3. Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que les dimensions latérales des ouvertures étroites sont comprises entre un et deux microns environ pour une épaisseur de couche isolante de un micron environ.