Brevet FR2560797A1 — publié le 19850913

L'invention a trait en général à un système perfectionné pour nettoyer des parties sélectionnées d'un ensemble de semiconducteurs avant soudage, et plus particulièrement à des procédé et appareil perfectionnés pour nettoyer au moins des zones superficielles sélectionnées d'un ensemble de semiconducteurs disposés par doubles rangées, y compris les fiches de connexion en métal électriquement conducteur de cet ensemble, ce nettoyage s'effectuant par pulvérisation inverse avant de procéder aux opérations de soudage. Un exemple-type de procédé selon l'art antérieur pour la fabrication d'ensembles semiconducteurs comprend la préparation d'un chassies conducteur comportant une partie pour l'entrée et la sortie, ainsi que plusieurs fiches de connexion qui prennent naissance sur cette partie. Un circuit intégré est fixé mécaniquement et connecté électriquement aux conducteurs du châssis conducteur, et aussi bien la partie circuit intégré que les conducteurs d'entrée et de sortie sont noyés ou encapsulés dans une ma- tière plastique isolante au cours d'une opération de moulage.Après séparation des parties du moule, des fragments et résidus de matière plastique subsistent fréquemment sur les surfaces du châssis conducteur en meme temps que des substances polluantes ou impuretés telles que saletés, poussière, huile,graisse, produits d'oxydation tels qu'oxydes, sulfures et similaires, et des produits complémentaires du traitement tels que du CF4. On a constaté que toutes ces impuretés doivent être éliminées avant de procéder aux opérations ultérieures de soudage, attendu que la pré- sence de telles impuretés détruit l'intégrité du contact électrique et mécanique réalisé lorsqu'on enfonce les fiches dans les ouvertures destinées à les recevoir, tels que les trous ou douilles d'une planche ou plaque de circuit imprimé, pour y être soudées. Des procédés complémentaires apportent même d'autres complications puisque les conducteurs sont nettoyés avant ou après le pliage des fiches et avant ou après leur séparation. Le pliage des fiches s'effectue après que les ensembles de chassies conducteurs encapsulés individuels, qui sont destinés à constituer les ensembles de doubles rangées de semiconducteurs alignés, ou structures similaires, aient été détachés des bandes d'ensembles multiples de châssis conducteurs qui constituent leur mode de fabrication. L'art antérieur a utilisé de nombreux méthodes et systèmes différents pour nettoyer des zones sélectionnées d'un ensemble de semiconducteurs et en particulier pour nettoyer les fiches individuelles de connexion avant leur engagement dans les réceptacles ou douilles d'une plaque ou planche de circuit imprimé en vue de procéder à leur soudage par immersion, induction, action manuelle ou tout autre procédé classique de soudage. Les techniques de nettoyages normalement utilisées dans l'art antérieur se réfèrent à diverses autres applications visant à nettoyer des surfaces métalliques dans le but d'atteindre un degré élevé de pureté. Ce nettoyage exige en général l'élimination des matières indésirables telles que résidus de matière plastique, d'oxydes et de substances similaires qui subsistent sur la surface du dispositif semiconducteur ou sur au moins une partie de cette surface, par exemple sur les surfaces des fiches de connexion proprement dites.Le-nettoyage doit comprendre non seulement l'éli- mination de la saleté visible, telle que crasse, huile, graisse, poussière et similaires sur les surfaces considérées, mais aussi l'élimination ultérieure de tous les autres agents polluants physiques qui adhèrent à ces surfaces, ainsi que les substances polluantes qui résultent d'une réaction chimique, comme c'est le cas pour les oxydes, les sulfures et substances similaires. Cette élimination s'effectue en général en utilisant un processus mécanique et/ou chimique, tel que le sablage aux abrasifs, le brossage métallique, le décapage et l'attaque à l'acide. Le nettoyage d'huiles et de graisses s'effectue en fonction de la nature particulière de ces substances. Si les polluants sont des huiles ou graisses de saponification telles que les huiles et graisses d'origine animale ou végétale, on peut les éliminer en transformant les polluants par hydrolyse en acides gras et en faisant réagir ces derniers avec des solutions alcalines pour obtenir des savons solubles dans l'eau. L'élimination d'huiles minérales s'obtient par dissolution dans des solvants organiques et l'on peut, du moins dans certains cas, les laver avec des solutions alcalines contenant des détergents afin que cette élimination soit totale.Toutefois, étant donné que la nature des agents polluants est généralement inconnue, une méthode fiable de nettoyage doit comporter au moins deux phases successives comprenant (lo) un dégraissage par des solvants organiques, et (20) le recours à un dégraissage alcalin. La séquence d'opérations de nettoyage normalement adoptée dans l'art antérieur pour nettoyer des surfaces métalliques ou similaires commence par un nettoyage mécanique, suivi d'opérations de décapage, de nettoyage (par l'action de détergents) et de dégraissage. Les méthodes de nettoyage mécanique ne sont pas particulières à un mode quelconque dans l'art antérieur, car elles sont bien connues dans plusieurs domaines technologiques. Dans le but de nettoyer ou d'éliminer de nombreux agents polluants superficiels, on utilise fréquemment le soufflage de particules abrasives (sablage), le brossage ou des moyens similaires. Le decapage est une élimination chimique d'oxydes et d'autres couches superficielles et il confère généralement à la partie nettoyée un aspect métallique brillant et lustré, et une finition soit lisse, soit rugueuse, selon la concentration de la solution et la durée du décapage. Les solutions décapantes sont bien connues dans l'art et peuvent être choisies en fonction du métal particulier à nettoyer. L'attaque chimique ou le nettoyage par électrolyse implique le traitement anodique (ou cathodique) des surfaces métalliques dans des solutions d'attaque de composition appropriée. Dans ce cas également, les techniques d'attaque électrolytique sont bien connues dans l'art et par conséquent il est inutile de les décrire en détail ici. Le nettoyage par l'action de détergents alcalins s'effectue soit par émersion, soit par un procédé d'électromnettoyage. te nettoyage par émersion s'effectue d'ordinaire avec des solutions chaudes et des métaux ferreux se nettoyant généralement avec des agents nettoyants relativement forts utilisant de la soude caustique, des savons et des agents mouillants dans des concentrations relativement importantes. Des techniques d'électronettoyage dans des solutions alcalines peuvent astre adoptées en reliant la partie métallique particulière à nettoyer, en tant que cathode ou anode, à la cuve proprement dite qui constitue alors l'autre électrode.Un nettoyage anodique libère de l'oxygène à la surface du métal en cours de nettoyage, alors qu'un nettoyage cathodique libère de l'hydrogène à la surface en cours de nettoyage. te nettoyage anodique est normalement recommandé pour des métaux ferreux, bien que l'on pourrait également utiliser le nettoyage cathodique dans ce cas. Toutefois, les deux procédés sont onéreux, lents, peu fiables et ne permettent guère d'effectuer des operations continues en série. Le nettoyage par l'action de solvants s'effectue selon l'art antérieur en utilisant le solvant soit sous forme liquide, soit sous forme de vapeur. Le nettoyage par liquide permet d'utiliser des substances telles que le benzène, le xylène, ou des solvants inflammables tels que le dichloroéthylène, le tétrachlorure de carbine, le trichloroéthylène, le perchloroéthylène, ou autres produits similaires. Le dégraissage à la vapeur est plus efficace que le nettoyage par l'action de solvants liquides et l'on chauffe normalement le solvant jusqu'au point d'ébullition avec les pièces à nettoyer qui sont suspendues ou supportées dans l'enceinte de nettoyage jusqu'à ce que la vapeur chaude qui se condense sur les surfaces métalliques dissolve la graisse huileuse qui les recouvre et la fasse s'écouler pour revenir dans le récipient contenant le solvant. Certains procédés techniques plus évolués enseignent l'usage de solvants appliqués par pulvérisation sous forte pression. Tous ces procédés de nettoyage selon l'art antérieur présentent de nombreux inconvénients, surtout lorsqu'il s'agit de nettoyer des circuits semiconducteurs et des zones superficielles relativement restreintes. Le nettoyage physique énergique se traduit souvent par la corrosion de la partie encapsulée de l'ensemble semiconducteur, la rupture ou l'affaiblissement de la connexion mécanique et/ou électrique entre la partie noyée dans la résine et les fiches de connexion qui en émergent, et souvent ce nettoyage plie, entame, raie ou abtme de toute autre façon la surface des fiches métalliques électriquement conductrices ou éléments de connexion à nettoyer. D'une manière analogue, la présence d'agents chimiques trop puissants dans des appareils de nettoyages risque de dissoudre non seulement les résidus de matière plastique que l'on désire enlever de la surface des fiches conductrices, mais aussi la matière plastique qui recouvre certái- nes parties du circuit intégré encapsulé proprement dit. Cela peut aussi détruire l'intégrité du circuit lorsqu'on utilise des circuits intégrés complexes.En outre, les différentes techniques de nettoyage selon l'art antérieur sont d'une durée excessive, entratnent trop de dépenses et nécessitent beaucoup trop d'entretien pour en justifier l'usage dans un système de fabrication en série de composants semiconducteurs et de soudage de ces composants dans des plaques de circuits imprimés en vue d'une utilisation ultérieure dans des circuits déterminés. Le phénomène de pulvérisation cathodique se rapporte à la dislocation d'atomes de molécules à partir de la surface d'une matière par la force d'impact d'ions gazeux qui sont accélérés dans un champ électrique. La pulvérisation cathodique s'obtient par la création d'une décharge luminescente, d'une décharge en arc, ou d'un plasma entre les électrodes anode et cathode, où le courant produit entre ces électrodes est composé d'un flux d'électrons négatifs vers l'anode et d'un flux d'électrons négatifs vers la cathode. Les ions sont générés par la ionisation des molécules de gaz inerte qui existent à l'intérieur de la zone de décharge luminescente entre l'anode et la cathode, et cette ionisation provoque des collisions entre les particules gazeuses et le flux d'électrons qui circule entre la cathode et l'anode. L'élimination d'agents polluants de surface par pulvérisation cathodigue est connu dans l'art et peut être considéré en général comme étant une "pulvérisation inverse", attendu qu'elle est le contraire du processus de pulvárisation cathodique dans laquelle on dépose des substances sur la surface d'un matériau. Par exemple, on a observé une telle pulvérisation inverse dans des applications de soudage à l'arc sous gaz inerte où l'on élimine des agents polluants des surfaces des matériaux à souder avant de procéder au soudage proprement dit. On a utilisé la pulvérisatior inverse, du moins à l'échelle du laboratoire, pour nettoyer des zones superficielles relativement étendues d'une puce de serniconducteur non-métallique en tant que phase préliminaire à la fabrication d'un dispositif semiconducteur tel qu'une cellule photoélectrique. De même, on a adopté la pulvérisation inverse avec un succès limité pour nettoyer divers composants métalliques à une échelle réduite, par exemple dans le cas d'accélérateurs, d'anneaux de stockage et de ma- chines à plasma. L'art antérieur enseigne également l'usage de différents dispositifs ou caches de protection afin de masquer certaines parties de la surface qui ne doivent pas recevoir un bombardement indésirable d'ions. Cependant, la plupart des techniques de protection selon l'art antérieur sont conçues pour des zones extramement réduites de semiconducteurs et non pour de grandes surfaces métalliques ou similaires. Les problèmes et inconvénients exposés ci-dessus sont pratiquement résolus par le procédé et l'appareil suivant la présente invention, pour le nettoyage d'ensembles de châssis conducteurs et, plus particulièrement, pour nettoyer les fiches métalliques électriquement conductrices ou broches de connexion de doubles ensembles de semiconducteurs fabriqués par rangées continues, ou produits analogues, en exécutant une opération de pulvérisation inverse avant de souder les fiches conductrices dans les douilles réceptrices disposées à cet effet sur une plaque ou planche de circuit imprimé ou structure similaire. Tous ces problèmes, pratiquement, sont résolus ou tout au moins réduits au minimum par le recours aux moyens techniques proposés par la présente invention. A cet effet, la présente invention prévoit un procédé et un appareil pour le nettoyage d'au moins des parties sélectionnées d'un ensemble de châssis conducteur ou d'un système de semiconducteurs avant d'effectuer des opérations ultérieures telles que le soudage, en utilisant la technique de la pulvérisation inverse. L'invention prévoit un procédé et un appareil pour nettoyer, par le recours à la technique de la pulvérisation inverse, des fiches ou broches conductrices alignées d'un système semiconducteur à double rangée et à conducteurs multiples noyés dans une masse isolante, avant de procéder au soudage des conducteurs dans des douilles réceptrices de fiches ou broches qui sont prévues dans une plaque de circuit imprimé.De plus, l'invention a trait à un procédé perfectionné d'encapsulage d'ensembles de chassies conducteurs, suivant lequel les ensembles finis sont nettoyés par pulvérisation inverse avattleur utilisation; enfin, l'invention a pour objet un procédé perfectionné de soudage des fiches conductrices dans les douilles dlune plaque de circuit imprimé, ce procédé comprenant la phase qui consiste à nettoyer les fiches conductrices par pulvérisation inverse avant d'effectuer l'opération de soudage. Par ailleurs, la présente invention a pour objet un appareil destiné à effectuer le nettoyage d'au moins certaines parties de surfaces métalliques d'un appareil à fiches ou broches conductrices ou d'un ensemble ou système de semiconducteurs, par exemple les fiches conductrices de cet ensemble ou système, avant leur utilisation ultérieure, ainsi qu'un système perfectionné de fabrication de plaques de circuits imprimés dans lequel les châssis conducteurs préalablement fabriqués sont nettoyés par pulvérisation inverse avant d'engager les fiches conductrices dans des douilles prévues dans la plaque de circuit imprimé pour y souder ces fiches. Un procédé de nettoyage des fiches conductrices d'une double rangée de semiconducteurs multiples avant le soudage des fiches conductrices dans des douilles réceptrices d'une plaque de circuits imprimés comprend les phases qui consistent à prévoir une enceinte sous vide; à disposer en position d'utilisation un ensemble à double rangée de semiconducteurs dans ladite enceinte sous vide; à débarrasser par nettoyage la surface des fiches conductrices de l'ensemble à double rangée de semiconducteurs d'éventuelles substances polluantes par pulvérisation inverse, et à extraire l'ensemble de semiconducteurs nettoyés de l'enceinte sous vide pour procéder aux opérations ultérieures de soudage. L'invention prévoit également que l'opération de nettoyage comprend les phases qui consistent à utiliser une électrode anodique; à brancher en condition de travail au moins les bornes de l'ensemble à double rangée de semiconducteurs en tant qu'électrode cathodique; à réaliser le vide dans ladite enceinte; à introduire un gaz inerte ionisable dans cette enceinte sous vide; à appliquer un potentiel électrique entre les électrodes anodique et cathodique afin d'établir un champ électrique entre ces électrodes et de produire une décharge luminescente pour ioniser ledit gaz inerte, et à accélérer les ions positifs produits par l'ionisation du gaz inerte à travers le champ électrique pour bombarder au moins des surfaces sélectionnées des fiches conductrices afin de les nettoyer. Le système prévoit également une opération de pliage des fiches conductrices en certains points, soit avant, soit après le nettoyage, et de préférence avant l'opération de nettoyage, ainsi que la phase qui consiste à séparer des ensembles à doubles rangées individuelles de semiconducteurs par rapport aux bandes d'ensemble de chassies conducteurs qui avaient été noyés ou encapsulés dans la matière plastique isolante pendant l'opération de moulage.En outre, l'invention envisage la phase qui consiste à masquer la partie noyée de l'ensemble série de semiconducteurs pour la protéger d'un bombardement ionique indésirable, ainsi que les phases finales de rétablissement de la pression atmosphérique dans ladite enceinte sous vide, l'ouverture de cette enceinte, et le transport de l'ensemble double et en série de semiconducteurs nettoyés en vue de l'insertion des fiches de connexion dans les douilles réceptrices d'une plaque de circuit imprimé avant de procéder à une opération de soudage. De plus, cependant, on peut avoir recours à n'importe quel type d'opération de soudage, tel que le soudage par immersion, par induction, manuel, automatique ou autre, Différentes techniques de protection ou de masquage sont également envisagées. La présente invention comprend par ailleurs un procédé de nettoyage d'au moins de parties sélectionnées de l'ensemble des chtssis conducteurs comportant une partie à semiconducteurs noyés dans la matière isolante de moulage ainsi que plusieurs fiches conductrices prenant naissance dans cette partie encapsulée, ce procédé comprenant les phases qui consistent à prévoir une enceinte sous vide et une électrode anodique, à insérer un ensemble de chassies conducteurs à nettoyer dans ladite enceinte sous vide, à réaliser une électrode cathodique, à réaliser le vide dans ladite enceinte te, à introduire un gaz inerte ionisable dans l'enceinte sous vide, à appliquer un potentiel électrique sous forme de courant continu entre les électrodes anodique et cathodique pour former un champ électrique entre ces électrodes, à amorcer et entretenir une décharge luminescente dans ce champ électrique pour ioniser le gaz précité, à accélérer les ions positifs en direction au moins de certaines surfaces sélectives de l'ensemble des chassies conducteurs à nettoyer de manière à les bombarder et à les débarrasser des agents polluants et autres impuretés qu'elles portent, à rétablir une pression normale dans l'enceinte sous vide, à extraire de celle-ci l'ensemble de châssis conducteurs nettoyés en vue d'un traitement ultérieur ou pour d'autres opérations. Le procédé comprend l'utilisation de la partie conductrice de l'en semble de châssis conducteurs en tant que cathode proprement dite ou l'u- tilisation de cet ensemble conjointement à la cathode dans des dispositifs de masquage afin de protéger la partie encapsulée contre tout bombardement ionique indésirable. L'invention prévoit également un procédé perfectionné d'encapsulage d'un ensemble de chassis conducteurs, dans lequel le perfectionnement apporté réside dans la phase qui consiste à nettoyer au moins les fiches conductrices par pulvérisation inverse avant tout traitement ultérieur. Les phases effectives du procédé de nettoyage sont analogues à celles décrites ci-dessus et le traitement ultérieur envisagé est celui de soudage par immersion, induction, manuel ou similaire. Enfin, l'invention prévoit un procédé de soudage des fiches métalliques conductrices d'un ensemble formé d'une double rangée de semiconducteurs dans des douilles réceptrices d'une plaque de circuit imprimé avant de procéder au soudage des fiches dans ces douilles, et l'utilisation ultérieure du circuit imprimé, avec le perfectionnement qui comprend la phase de nettoyage de la surface au moins des fiches conductrices de lten- semble de semiconducteurs pour la débarrasser des agents polluants qui s'y trouvent, avant d'engager ces fiches dans les douilles du circuit imprimé. Les phases de ce procédé de nettoyage sont semblables à celles décrites plus haut et par conséquent elles ne seront pas répétées ici. La présente invention envisage aussi des systèmes et appareils pour permettre l'utilisation ou la mise en oeuvre du système de procédés décrits plus haut. D'autres avantages et des caractéristiques particulières de la présente invention ressortiront plus clairement à la lecture de la description qui suit des dessins annexés et du mode préféré de réalisation. Sur les dessins : La FIGURE 1 montre un diagramme d'écoulement résumant de façon synoptique une partie du procédé de réalisation d'un ensemble de semiconducteurs et son mode d'utilisation suivant un mode particulier de réalisation d'un circuit imprimé; La FIGURE 2 est un diagramme d'écoulement, également sous forme synoptique, de l'opération de pulvérisation inverse qui se déroule dans les blocs 14 et 22 de la Figure 1; La FIGURE 3 est une représentation schématique d'une forme simplifiée de réalisation d'un appareil pour la mise en oeuvre de la présente invention où l'on a fait figurer l'environnement dans lequel se déroule le procédé;; La FIGURE 4 est une représentation schématique partielle d'une forme simplifiée de réalisation d'un ensemble cathodique et de dispositif de masquage que l'on peut utiliser dans l'appareil à enceinte sous vide de la Figure 3; La FIGURE 5 est une vue en perspective et arrachement partiel d'une partie d'une bande d'ensembles de châssis conducteurs encapsulés que l'on doit nettoyer par le procédé et l'appareil de la présente invention;; La FIGURE 6 est une vue en perspective et arrachement partiel d'un ensemble formé d'une double rangée de semiconducteurs alignés dont font saillie les fiches conductrices qu'il convient de nettoyer par le procédé et l'appareil de la présente invention, et La FIGURE 7 est une vue en perspective d'un ensemble formé d'une double rangée de semiconducteurs alignés et finis, dont les fiches conductrices ont été coudées suivant l'angle d'insertion désiré dans un circuit imprimé sur plaque en vue d'un soudage ultérieur. Le diagramme d'écoulement selon la Figure 1 montre une partie du processus de fabrication et d'utilisation d'un ensemble formé d'une double rangée de semiconducteurs alignés, à partir de la phase qui consiste à extraire cet ensemble du fond du moule, représenté par le bloc 12. La flèche de ce procédé 11 peut se rapporteur1 par exemple, au processus d'en- capsulage ou de moulage d'ensembles de châssis conducteurs qui est décrit dans une demande de brevet conjointe, intitulée "Procédé et Appareil pour le Nettoyage de Moules par Pulvérisation Inverse", déposée à la meme date que la présente, et à laquelle il convient de se référer à toutes fins utiles. Lorsque les ensembles de chassies conducteurs sont démoulés après le processus d'encapsulage, il subsiste des résidus de matière plastique polluante ou non sur la surface du châssis conducteur et des fiches métalliques individuelles et électriquement conductrices. En outre, des agents polluants et des impuretés complémentaires peuvent se trouver sur la surface des fiches, tels que huiles, graisses, poussières, oxydes, sulfures, ou autres produits d'oxydation, CF4, etc. L'une quelconque de ces substances, ou leur totalité peut être nuisible au fonctionnement du dispositif à semiconducteurs pour les utilisations envisagées et par conséquent un nettoyage est une nécessité absolue avant de procéder aux opérations de soudage. La première branche du procédé est représentée par la lettre "A" encerclée et désignée par le chiffre de référence 13, cette branche aboutissant à la phase de procédé du bloc 14 où les bandes ensembles de châs- sis conducteurs sont séparées en plusieurs ensembles individuels de chas- sis conducteurs encapsulés. Ensuite, on applique le processus de pulvérisation inverse pour nettoyer les fiches conductrices afin de les débarrasser des résidus de matière plastique et d'autres agents polluants de surface, comme l'indique le bloc de traitement 15. Le procédé se poursuit par des phases ultérieures que résume le bloc 16.Le bloc 17 représente le pliage des fiches conductrices suivant l'angle désiré, cette phase#pouvant avoir lieu avant l'opération de pulvérisation, comme l'indique la flèche 18, ou de préférence après cette opération de pulvérisation, comme l'indique la flèche 19. La seconde branche de ce circuit de traitement suit le parcours désigné par la lettre encerclée B, portant le chiffre de référence 21, et passe d'abord par la phase de pulvérisation inverse afin de nettoyer les fiches conductrices pour les débarrasser des résidus de matière plastique et d'autres agents polluants superficiels, comme l'indique le bloc 22, avant toute phase de séparation. Cette phase de traitement dans le bloc 22 débouche directement sur la phase suivante indiquée par le bloc 16. La phase de séparation de l'ensemble des châssis conducteurs en plusieurs ensembles de châssis conducteurs encapsulés est représentée par le bloc 25 et la flèche en tirets 26 indique que la phase de séparation peut être exécutée après la phase de nettoyage du bloc 22 ou avant la phase de pliage du bloc 17. Les différentes phases suivantes du traitement, représentées par le bloc 16, comprennent le premier trajet suivant du traitement, désigné par la lettre encerclée "C" et le chiffre de référence 29. Dans le parcours de traitement 29, la phase qui consiste à insérer les fiches conductrices individuelles dans les douilles réceptrices d'une plaque de circuit imprimé est représentée par le bloc 31. Ensuite, les fiches logées dans les douilles du circuit imprimé sont soudées par immersion, par induction, manuellement et/ou par robot, etc., comme l'indique le bloc ou la phase de traitement 32. Enfin, le bloc 33 représente l'utilisation ultérieure de la plaque soudée de circuit imprimé dans tout dispositif ou circuit, selon toute application voulue, ainsi qu'il est connu dans l'art. Le parcours de traitement 34, représenté par la lettre encerclée "D", aboutit au bloc 35 qui représente le stockage du dispositif semiconducteur nettoyé. Comme l'indique le troisième parcours de traitement 37, désigné par la lettre encerclée "E", le traitement ultérieur relevant du bloc 16 peut comprendre la phase d'emballage du bloc 38, suivie de la phase d'expédition et de la phase de vente représentée par le bloc 39. Le bloc de stockage 35 comporte une voie à double sens 34 qui indique que des pièces peuvent être mises en stock et extraites pour les renvoyer aux traitements décrits ci-dessus afin que des châssis conducteurs entiers ou des ensembles de tels châssis puissent être stockés, retirés du stock, séparés, pliés et nettoyés avant de les insérer dans des plaques de circuits imprimés ou dispositifs similaires. D'une manière analogue, on peut fournir des ensembles à semiconducteurs conservés en stock, comme l'indique la flèche en tirets 36 qui aboutit à la phase d'insertion du bloc 31, avec ou sans nettoyage supplémentaire.Le trajet 42 indique en traits interrompus et qui relie la phase de stockage du bloc 35 à la phase d'expédition du bloc 39, indique que les ensembles de semiconducteurs peuvent être extraits du point de stockage et expédiés pour être mis en vente, ou soumis à toute autre opération similaire. Enfin, le trajet en traits interrompus 41 indique que les dispositifs emballés en 38 peuvent être renvoyés au stockage 35 avant leur utilisation ou leur vente. La Figure 2 montre sensiblement plus en détail les différentes phases impliquées dans les phases de pulvérisation inverse et de nettoyage des blocs 15 et 22 de la Figure 1. Le procédé de pulvérisation inverse que montre la Figure 2 comporte la phase qui consiste à prévoir une enceinte sous vide comme l'indique le bloc 101, ainsi qu'une électrode anodique dans cette enceinte, comme l'indique le bloc 102. Deux trajets de traitement divergent de la phase qui consiste à prévoir un bloc anodique 102 et le premier de ces trajets est représenté par la lettre encerclée "A" sur la voie 103. Celle-ci aboutit à la phase de branchement d'un ensemble de chassies conducteur à nettoyer, en tant que cathode, à l'intérieur de l'enceinte sous vide, comme l'indique le bloc 104, tandis que le bloc 105 indique la phase d'évacuation de ladite enceinte. La phase 106 représente l'introduction d'un gaz inerte ionisable tel que l'argon dans l'enceinte sous vide, tandis que le bloc 107 représente l'établissement d'un champ électrique entre les électrodes anode et cathode. Le bloc 108 illustre la phase d'accélération des ions positifs vers les surfaces des ensembles de chtssis conducteurs à nettoyer, y compris les fiches de connexion, afin d'en débarrasser la surface des agents polluants par bombardement ionique.Le bloc 109 représente la phase de transport de l'ensemble des châssis conducteurs en vue d'un traitement ultérieur et le trajet de traitement 111 indique la voie aboutissant à des opérations complémentaires comme le montre la Figure 1, ce qui peut comprendre les opérations de pliage, de séparation, d'emballage, d'expédition, de stockage et/ou de soudage, et autres opérations similaires. Le second trajet d'écoulement partant du bloc 102 est représenté par la lettre encerclée B et désigné par le chiffre de référence 112. Ce trajet 112 aboutit à la phase qui consiste à prévoir une électrode cathodique du bloc 113 ainsi qu'à la phase qui consiste à relier un ensemble de chassie conducteurs à nettoyer à un endroit désiré situé entre les électrodes, comme le montre le bloc 114 qui revient ensuite au trajet de traitement original à la phase d'évacuation du bloc 105. Ce traitement peut comprendre la phase de transport d'un ensemble de chassies conducteurs vers l'enceinte sous vide, et à son introduction dans cette enceinte, comme indiqué par le bloc 15 et la flèche en tirets 116. De plus, le procédé peut également comprendre la phase qui consiste à masquer des zones sélectionnées de l'ensemble des chassies conducteurs à nettoyer afin de les protéger contre un bombardement ionique non désiré. Cette phase est représentée par le bloc 117 lequel est relié par la flèche en tirets 118 qui revient au processus #qui fait suite à la phase qui consiste à prévoir une enceinte sous vide du bloc 101. Les phases alternatives que lton peut introduire entre la phase d'accélération du bloc 108 et de transport du bloc 109 comprennent: le rétablissement de la pression normale dans l'enceinte sous vide, comme l'indique le bloc 119; l'ouverture de l'enceinte, représentée par le bloc 122, et l'extraction de l'ensemble des châssis conducteurs hors de cette enceinte comme le montre le bloc 122. La flèche en tirets 123 indique l'inclusion des phases des blocs 119, 121 et 122 dans le processus avant la phase de transport du bloc 109. La Figure 3 montre un appareil 52 pour pulvérisation inversée, lequel comprend une enceinte ou chambre sous vide, ou cloche sous vide 53. L'enceinte sous vide 53 comprend un socle ou support 54 et des joints d'étanchéité 55 résistant à la pression extérieure tout autour du bord inférieur de l'enceinte 53, afin d'empêcher toute fuite d'air par ce bord. Le socle 54 comprend une lumière d'évacuation 56 qui communique par une tubulure 57 avec une pompe à vide 58. La dépression est mesurée et contrôlée par une valve à vide 59 associée à un manomètre, ainsi qu'il est classique dans l'art. te socle 54 comprend également une lumière d'admission 61 pour gaz inerte, laquelle est reliée par une tubulure 62 à un réservoir 63 contenant le gaz inerte. Dans le mode préféré de réalisation, ce réservoir 63 pour gaz inerte peut contenir tout gaz inerte ionisable, bien qu'il soit préférable d'utiliser un gaz inerte "lourd" tel que l'argon, attendu que ce gaz engendre davantage d'ions et assure ainsi un meilleur rendement de nettoyage pendant le processus de ionisation. La quantité de gaz inerte introduite dans ladite enceinte sous vide 53 est contrôlée par une vanne et un manomètre 64 de type classique pour gaz inerte, lesquels sont insérés dans la tubulure 62 entre la lumière d'admission 61 et le réservoir 63 pour gaz inerte. On peut utiliser tout type connu de valve à aiguille micrométrique, par exemple une valve à aiguille micrométrique Whitney, à condition qu'elle soit capable de mesurer la pression par de très faibles unités de mercure. L'appareil cathodique 65 représenté comprend une borne d'entrée 66 à haute tension, un joint d'étanchéité 67 et un organe-support 68 de cathode de type creux et non-conducteur. Ce support 68 supporte la cathode 69 et en assure la connexion électrique avec la borne d'entrée 66 à travers l'intérieur creux du support 68 de la cathode 69. Cette cathode 69, dans le mode préféré de réalisation de la présente invention, est branchée électriquement de telle sorte que les surfaces métalliques de l'ensemble de chassies métalliques ou de fiches conductrices individuelles à nettoyer constituent en fait les cathodes. Sur la Figure 3, par exemple, la cathode 69 ne comprend pas effectivement la partie encapsulée 86 de l'ensemble semiconducteur, mais elle comprend au moins les fiches conductrices 87 de cet ensemble. L'ensemble anodique 75 comprend une borne d'entrée 76 à haute tension, un joint 77 et un organe-support anodique sensiblement creux 78. Cette anode 79 est fixée physiquement au support 78 et elle est reliée électriquement à la borne haute-tension 76 à travers l'intérieur creux du support 78. Une source de courant 84, par exemple une source de courant continu à haute tension, est reliée par sa borne positive à la borne d'entrée 76 de l'anode et par sa borne négative à la borne d'entrée 66 de la cathode. Cela crée un champ électrique entre l'anode 79 et l'ensemble de la cathode 69. Ce champ électrique produit une décharge luminescente, en arc, ou de plasma 82 entre les électrodes 69 et 79, ce qui ionise le gaz inerte 70 à l'intérieur de l'enceinte sous vide 53, libérant ainsi des ions positifs 81 ainsi que des électrons (non représentés). Les ions positifs 81 sont ensuite accélérés par le champ électrique produit entre l'anode 79 et la cathode 69, en direction de cette dernière, et bombardent par conséquent les surfaces des fiches électriquement conductrices de manière à éliminer toute substance polluante superficielle qui pourrait s'y trouver, telle que résidus de matière plastique, oxydes et similaires. La Figure 4 montre une variante du procédé de masquage d'un ensemble de châssis conducteurs ou de doubles rangées de semiconducteurs alignés de manière à éviter que le bombardement par les ions puisse frapper des par ties de surfaces que l'on désire protéger ou masquer, par exemple la partie encapsulée dans la matière plastique, afin de les protéger contre toute détérioration. Sur cette Figure 4, les mêmes chiffres de référence désignent des éléments identiques à ceux de la Figure 3 et l'on a représenté lten- ceinte sous vide 53 comme étant équipée d'un système de protection ou de masquage supplémentaire 135. Ce système 135 comprend une borne d'entrée 136, un joint d'étanchéité 137, et un support creux 138.A ce support creux 138 est fixé un masque conducteur 139 relié électriquement à la borne d'entrée 136 par l'intermédiaire de l'intérieur creux du support 138. Le masque conducteur 139 comprend plusieurs parties creuses ou ouvertures 141 à travers lesquelles les ions positifs peuvent passer pour frapper et nettoyer des surfaces sélectionnées de l'ensemble de chassies conducteurs destinés à être nettoyés. Les parties pleines 142 empochent le passage des ions et par conséquent le bombardement par ces ions de certaines parties de l'ensemble de chassies conducteurs qui risqueraient d'#tre endommagées par ce bombardement. Le circuit que montre la Figure 4 comprend un ensemble de chtssis conducteurs 131 relié mécaniquement et électriquement au support creux 68 de la cathode ainsi qu'un masque ou cache 132, isolant, non-conducteur et relativement mince, monté au-dessus et à proximité dudit ensemble de châs- sis conducteurs 131. Le masque 132 peut présenter des ouvertures 133 à travers lesquelles les ions peuvent passer pour assurer le nettoyage de parties sélectionnées de l'ensemble de chassies conducteurs, par exemple les fiches métalliques électriquement conductrices, tandis que les parties pleines 134 du masque 132 protègent les parties encapsulees en matière plastique dudit ensemble de chassies contre le bombardement ionique. La Figure 5 montre une partie d'une bande porteuse d'ensembles de cassis conducteurs dont les châssis individuels comportent des éléments de circuits intégrés qui se présentent à nu sur cette bande après une opération de moulage et d'encapsulage au cours de laquelle les parties conductrices d'entrée et de sortie de ces éléments ainsi que des parties de circuits intégrés ont été encapsulées, c'est-à-dire noyées dans la matière plastique de moulage, comme le montrent les parties pleines 153 et 154. Les chassies métalliques latéraux 152 continuent cependant de maintenir les bandes porteuses solidaires entre elles et chacun des ensembles 153 et 154 de semiconducteurs encapsulés comporte respectivement plusieurs fiches de connexion électriquement conductrices 155, 157, disposées en alternance ou t8te-bêche d'une rangée à la rangée adjacente. A leur tour, les fiches 156 situées sur le côté opposé du circuit encapsulé 153 et les fiches 158 situées sur le côté opposé de la partie encapsulée 154 sont associées à d'autres rangées d'éléments encapsulés (non représentés) le long de la bande porteuse. Après avoir mené à terme l'opération d'encapsulage ou de moulage, il subsiste de la matière plastique et des résidus de matière plastique sur la surface des fiches conductrices 155, 156, 157, 158, ainsi que des agents polluants tels que poussière, graisse, huile, saletés diverses et sousproduits chimiques de l'oxydation, tels qu'oxydes, sulfures et des substances dues au traitement, telles que le CF4 et similaires. Les fiches doivent par conséquent 8tre nettoyées avant d'utiliser les dispositifs, quelle qu'en soit l'application envisagée, attendu que la présence de ma tière plastique ou de résidus de celle-ci, ou de substances polluantes, rend impossible tout soudage correct et risque de nuire très sensiblement au rendement ou au fonctionnement des circuits. La Figure 6 montre un ensemble distinct de chtssis conducteur 161 dont une partie 165 entoure toujours l'ensemble des fiches de connexion 164 formant deux rangées qui émergent de part et d'autre d'une partie encapsulée ou noyée 163 du chSssis. Dans ce cas également, les fiches de connexion 164 doivent titre nettoyées avant leur utilisation. Enfin, la Figure 7 représente un ensemble 166 à double rangée de fiches de connexion à l'état terminé, dans lequel le corps moulé 167, dans lequel est noyé le circuit intégré proprement dit, présente de chaque coté une rangée de fiches de connexion 168.Dans le mode préféré de réalisation, les fiches de connexion 168 sont normalement coudées suivant un angle déterminé de manière que la partie supérieure 169 se trouve seulement à une courte distance du caté correspondant du corps isolant 167, tandis que la partie allongée 171 de chaque fiche, qui doit s'engager dans la douille correspondante du circuit intégré, est orientée vers le bas de façon à pouvoir aisément s'enfoncer dans une douille, ouverture ou autre moyen de connexion prévu par exemple sur une plaque de circuit imprimé ou dispositif similaire, avant d'y être soudée ou reliée électriquement de toute autre façon appropriée. Le procédé et l'appareil suivant la présente invention constituent un moyen nettement supérieur, opérant à sec, économique, à faible co & de revient et d'entretien, qui permet de débarrasser au moins des parties sélectionnées d'ensembles semiconducteurs, de chassies conducteurs, et d'éléments analogues, de tous agents polluants de surface, avant de procéder aux opérations de soudage ou autres.La technique de pulvérisation inverse utilisée à cet effet constitue une méthode très efficace de nettoyage que l'on peut appliquer dans une installation fonctionnant en continu ou en série à grande vitesse pour de grandes quantités d'objets, tout en garantissant un degré élevé de pureté de surface, de manière à améliorer sensiblement les connexions réalisées par soudage, avec un faible pourcentage de rebuts ou de ratés, et un meilleur rendement en circuits de haute qualité utilisant de tels ensembles semiconducteurs. On évite ainsi les rudes traitements tant chimiques que mécaniques adoptés dans l'art antérieur, donc la détérioration des ensembles, tout en réduisant le coût de l'opération et en augmentant la vitesse d'exécution de l'opération. Bien que la description qui précède et les dessins annexés se rapportent essentiellement à un mode préféré de réalisation du procédé et de l'appareil suivant l'invention, il est évident pour tout spécialiste dans l'art que diverses variantes et modifications pourront y être apportées sans s'écarter des principes de base de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de nettoyage des fiches ou broches conductrices de connexion d'un ensemble à double rangée de semiconducteurs en série pour souder ces fiches dans les douilles réceptrices d'une plaque de circuit imprimé ou similaire, comportant les phases qui consistent à prévoir une enceinte à vide (53) et à disposer ledit ensemble à semiconducteurs (84) dans cette enceinte, ce procédé étant caractérisé par les phases qui consistent à : a) débarrasser la surface des fiches de connexions (87) de l'ensemble de semiconducteurs (86) des agents polluants et des impuretés par pulvérisation inverse, et b) retirer l'ensemble de semiconducteurs ainsi nettoyés de l'enceinte sous vide en vue d'opérations ultérieures de soudage. 2. Procédé selon la Revendication 1, caractérisé par le fait que ladite phase de nettoyage consiste en outre à a) prévoir une électrode anodique (79), b) brancher au moins les fiches de connexion (87) de l'ensemble de semiconducteurs (86) de manière à former une électrode cathodique (69); c) évacuer l'enceinte sous vide (53); d) introduire un gaz inerte ionisable dans l'enceinte (53);; e) appliquer un potentiel électrique entre les électrodes anode et cathode (79, 69), afin de créer un champ émectrique (82) entre elles pour amorcer et entretenir une décharge luminescente entre ces électrodes pour ioniser le gaz inerte, et f) accélérer les ions positifs (81) produits par la ionisation du gaz inerte à travers ledit champ électrique afin de bombarder au moins des zones superficielles sélectionnées des fiches de connexion (87) de l'ensemble de semiconducteurs dans le but de les nettoyer. 3. Procédé selon la Revendication 2, caractérisé par le fait que lson plie les fiches conductrices de l'ensemble de semiconducteurs suivant un angle déterminé avant de procéder à l'opération de nettoyage 4. Procédé selon la Revendication 2, caractérisé par la phase qui consiste à séparer des ensembles individuels à double rangée de semiconducteurs en série par rapport à une bande de chtssis conducteurs formés par ces ensembles après l'opération de moulage ou d'encapsulage qui a formé le corps isolant de ces ensembles. 5. Procédé selon la Revendication 2, caractérisé par la phase qui consiste à masquer la partie encapsulée ou noyée de l'ensemble de doubles rangées de semiconducteurs en série afin de protéger au moins certaines parties de cet ensemble contre un bombardement ionique non désiré. 6. Procédé selon la Revendication 5, caractérisé par les phases qui consistent à : a) rétablir la pression atmosphérique dans l'enceinte sous vide; b) ouvrir l'enceinte sous vide; et c) transporter les ensembles de doubles rangées de semiconduc teurs en série ainsi extraits de l'enceinte pour en insérer les fiches de connexion dans les douilles à fiches d'une plaque de circuit imprimé avant de procéder au soudage des connexions ainsi effectuées. 7. 7. Procédé selon la Revendication 6, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre au moins une phase de nettoyage mécanique et chimique d'au moins certaines parties sélectionnées de l'ensemble à double rangée de semiconducteurs en série. 8. Procédé selon la Revendication 4, caractérisé par le fait que la séquence de phases se déroule dans tordre suivant: on sépare les ensem bles individuels à double rangée de semiconducteurs en série par rapport à une bande porteuse de chtssis conducteurs auxquels ces ensembles sont incorporés,on plie les fiches de connexion suivant l'angle désiré, et l'on applique une pulvérisation inverse au moins à des zones superficiel les sélectionnées de ces fiches. 9. Procédé selon la Revendication 4, caractérisé par le fait que la séquence de phases commence par le nettoyage par pulvérisation inverse d'une bande porteuse d'ensembles à double rangée de semiconducteurs en rie, se poursuit par la séparation des ensembles individuels, et par le pliage des fiches de connexion suivant un angle désiré. 10. Procédé selon la Revendication 4, caractérisé par le fait que la séquence de phases est la suivante : on sépare les ensembles individuels à double rangée de semiconducteurs en série par rapport aux autres ensem bles portés par la bande, on effectue le nettoyage par pulvérisation in verse des ensembles individuels de semiconducteurs, et on plie les fiches de connexion suivant l'angle désiré. 11. Procédé selon la Revendication 2, caractérisé par la phase qui consiste à souder les fiches par immersion. 12. Procédé selon la Revendication 2, caractérisé par la phase qui consiste à souder les fiches par induction. 13. Procédé selon la Revendication 2, caractérisé par la phase qui consiste à effectuer le soudage manuellement. 14. Procédé selon la Revendication 1, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre les phases qui consistent à: a) prévoir une électrode anodique; b) prévoir une électrode cathodique; c) brancher une masse conductrice entre les électrodes anodique et cathodique; d) évacuer l'enceinte; e) injecter un gaz inerte ionisable dans 11 enceinte sous vide; f) créer un champ électrique entre l'anode et la cathode pour amorcer et entretenir une décharge luminescente entre ces électrodes afin de ioniser le gaz injecté dans l'enceinte sous vide; g) accélérer les ions produits par la ionisation du gaz vers les surfaces sélectionnées à nettoyer par bombardement ionique 15.Procédé selon la Revendication 14, caractérisé par la phase qui consiste à séparer des ensembles individuels à double rangée de semicon ducteurs en série par rapport à une bande porteuse avant d'effectuer ladite phase de nettoyage. 16. Procédé selon la Revendication 15, caractérisé par le fait que l'on plie selon un angle déterminé les fiches de connexion de chaque ensemble semiconducteur séparé. 17. Procédé selon la Revendication 14, caractérisé par le fait que l'on masque la partie encapsulée de l'ensemble à double rangée de semiconducteurs en série afin de la protéger contre un bombardement ionique non désiré. 18. Procédé selon la Revendication 17, caractérisé par les phases qui consistent à rétablir la pression ataosphérique dans l'enceinte sous vide, à ouvrir cette enceinte sous vide, et à transporter l'ensemble à double rangée de semiconducteurs en série pour insérer les fiches de cet ensemble dans les douilles ou orifices prévus à cet effet dans une plaque de circuit imprimé avant de procéder au soudage des connexions. 19. Procédé selon la Revendication 18, caractérisé par la phase qui consiste à nettoyer mécaniquement et chimiquement au moins des zones superficielles sélectionnées de l'ensemble à double rangée de semiconducteurs en série avant la phase de nettoyage par pulvérisation inverse. 20. Procédé selon la Revendication 16, caractérisé par le fait que la séquence d'opérations consiste à séparer, plier et nettoyer par pulvérisation inverse. 21. Procédé selon la Revendication 16, caractérisé par le fait que la séquence d'opérations consiste à nettoyer par pulvérisation inverse, à séparer et à plier. 22. Procédé selon la Revendication 16, caractérisé par le fait que la séquence d'opérations consiste à séparer, nettoyer par pulvérisation inverse et à plier. 23. Procédé selon la Revendication 14, caractérisé par le fait que l'opération de soudage se fait par immersion. 24. Procédé selon la Revendication 14, caractérisé par le fait que le soudage se fait par induction. 25. Procédé selon la Revendication 14, caractérisé par le fait que le soudage se fait manuellement. 26. Procédé selon la Revendication 14, caractérisé par le fait que 11 électrode cathodique comprend au moins une partie dudit ensemble à double rangée de semiconducteurs en série, que l'on accélère les ions positifs produits par suite de la ionisation dudit gaz inerte vers au moins des parties sélectionnées dudit ensemble à nettoyer pour bombarder ces parties avec ces ions positifs afin de les débarrasser de tous agents polluants et impuretés superficiels, à rétablir la pression normale dans l'enceinte sous vide, et à extraire de cette enceinte l'ensemble de semiconducteurs ainsi nettoyés en vue d'un traitement ultérieur. 27. Procédé selon la Revendication 26, caractérisé par le fait que l'établissement d'une électrode cathodique comprend la phase qui consiste à relier électriquement et situer physiquement au moins une partie de l'ensemble à double rangée de semiconducteurs en série sur un support de cathode pour le relier à une source négative de potentiel afin de former une électrode cathodique avec cet ensemble. 28. Procédé selon la Revendication 26, caractérisé par le fait que l'établissement d'une cathode consiste à brancher ledit ensemble de châs- sis conducteurs en tant qu'élement cathodique, et à placer en condition active un masque conducteur entre l'électrode anodique et la cathode pour protéger au moins certaines parties de l'ensemble de châssis conducteurs contre un bombardement ionique non désiré. 29. Procédé selon la Revendication 28, caractérisé par la mise en position d'un masque électriquement isolé sur ledit ensemble de châssis conducteurs afin de s'assurer que seules des zones sélectionnées telles que les fiches de connexion seront bombardées par les ions positifs, des ouvertures étant prévues dans ce masque isolant de manière qu'elles correspondent en substance aux ouvertures pratiquées dans le masque conducteur et soient alignées par rapport à ces ouvertures. 30. Un appareil (52) pour nettoyer les surfaces métalliques d'un ensemble de châssis encapsulés (86) conformément à l'une quelconque des Revendications 1 à 29; cet appareil comprend une enceinte sous vide (53), une anode (79) disposée en position de travail à l'intérieur de cette enceinte sous vide (53) pour y faire fonction de cathode (69), et un moyen (57, 58, 59) pour évacuer cette enceinte (53), cet appareil étant caractérisé par le fait qu'il comprend a) un moyen (62, 63, 64) pour introduire un gaz inerte ionisable dans l'enceinte sous vide (53); b) un moyen (84, 66, 76) pour appliquer un potentiel électrique entre l'anode (79) et la cathode (69) afin d'établir un champ électrique entre ces électrodes;; c) un moyen pour amorcer et entretenir une décharge de plasma entre l'anode et la cathode afin de ioniser le gaz et générer des ions positifs, ce champ électrique pouvant accélérer les ions positifs vers la cathode (69) et lesdites surfaces à nettoyer en utilisant le champ électrique établi entre l'anode et la cathode, ces ions positifs ainsi accélérés venant frapper au moins les zones superficielles sélectionnées dudit ensemble de châssis conducteur, y compris les fiches de connexion de ces châssis, afin de les nettoyer par bombardement ionique;; d) un moyen pour rétablir la pression atmosphérique normale dans ladite enceinte sous vide, et e) un moyen pour extraire l'ensemble de chassies conducteurs ainsi nettoyés de ladite enceinte en vue de leur traitement ultérieur, par exemple une opération de soudage 31. L'appareil de la Revendication 30, caractérisé par le fait qu5il est prévu un moyen pour masquer au moins certaines parties de ensemble pour les protéger contre des bembardements ioniques non désirés. 32. L'appareil selon l'une quelconque des Revendications 1 à 29, caractérisé par le fait qu'il comporte un moyen pour préparer des plaques ~ circuits imprimés ayant des connexion électriques et des douilles destinées à recevoir des fiches de connexion, un moyen pour fabriquer un ensemble à double rangée de semiconducteurs en série qui comportent plusieurs fiches de connexion qui émergent de cet ensemble, un moyen pour plier les fiches de connexion suivant un certain angle afin de faciliter leur insertion dans les douilles précitées de plaques à circuits imprimés, un moyen pour aligner les fiches de connexion par rapport aux douilles réceptrices, un moyen pour engager les fiches de connexion dans les douilles réceptrices de la plaque à circuits imprimés correspondante, et un moyen pour souder les fi ches de connexions dans ces douilles et effectuer ainsi une liaison tant mécanique qu'électrique entre ces éléments, et un moyen pour nettoyer à sec, par pulvérisation inverse, au moins les fiches de connexion dudit en semble à double rangée de semiconducteurs en série avant de les insérer dans les douilles réceptrices de la plaque à circuits imprimés. 33. L'appareil selon la Revendication 32, caractérisé par le fait que ledit moyen de nettoyage à sec comprend en outre a) une enceinte sous vide (53); b) une anode (79) disposée à l'intérieur de ladite enceinte (53); c) un moyen (68) pour relier l'ensemble de semiconducteurs à la cathode (69); d) un moyen (57, 58, 59) pour évacuer ladite enceinte; e) un moyen (62, 63, 64) pour introduire du gaz inerte ionisable dans ladite enceinte sous vide (53); f) un moyen (84) pour appliquer un champ électrique entre l'anode (79) et la cathode (69) afin d'amorcer et d'entretenir une décharge luminescente entre ces électrodes pour ioniser le gaz et produire des ions positifs; g) un moyen pour accéldrer les ions positifs vers la surface de la cathode que l'on doit nettoyer par l'utilisation de la polarité du champ électrique entre l'anode et la cathode;; h) un moyen pour débarrasser d'agents polluants superficiels au moins des zones sélectionnées de 11 ensemble de semiconducteurs, y compris les fiches de connexion de cet ensemble, par bombardement ionique; i) un moyen pour extraire l'ensemble de semiconducteurs nettoyés de ladite enceinte sous vide en vue d'une opération ultérieure de soudage. 34. L'appareil selon la Revendication 33, caractérisé par le fait qu'il comprend un moyen pour assurer le masquage sélectif de certaines parties de 11 ensemble à double rangée de semiconducteurs en série et en emp#- cher ainsi le bombardement ionique non désiré. 35. L'appareil selon la Revendication 33, caractérisé par le fait que ladite opération de soudage s'effectue par immersion. 36. L'appareil selon la Revendication 33, caractérisé par le fait que ladite opération de soudage s'effectue par induction. 37. L'appareil selon la Revendication 33, caractérisé par le fait que ladite opération de soudage s'effectue manuellement.