Brevet FR2567921A1 — publié le 19860124

La présente invention concerne le domaine des réacteurs épitaxiques ctest-à-dire des appareils grâce auxquels des substrats en matériaux variés sont recouverts par la croissance épitaxique d'un métal, déposé en phase vapeur. L'invention concerne tout particulierement le dépôt épitaxique de monocristaux de silicium sur des substrats de silicium pour la fabrication de semi-conducteurs. La croissance épitaxique sur bases de silicium ou sur substrats est un procédé qui est conduit à des temperatures comprises en 900 et 1 2500C dans un courant d'hydrogène et d'autres gaz en utilisant un suscepteur en graphite recouvert de revêtements étanches au gaz et qui ne réagissent donc pas avec eux, lesdits revêtements étant généralement réalisés en carbure de silicium, les substrats étant placés sur ce suscepteur. la croissance épitaxique se développe sur les faces des substrats qui sont en contact avec le flux gazeux. Le suscepteur se présente sous la forme d'une pyramide tronquée d'un diametre d'environ 300 mm et d'une hauteur d'environ 450 mm et est enfermé dans une cloche transparente en quartz de dimensions légèrement supérieures, laissant passer les radiations de longueur d'ondes de l'ordre du micron et au travers de laquelle les gaz circulent. Le suscepteur tourne autour de son axe vertical afin d'uniformiser la température et homogénéiser la distribution des gaz réagissants. Pour amener le suscepteur à la température désire et l'y maintenir pendant la durée du processus de croissance (20 à 90 minutes), on utilise l'induction électromagnétique fournie par un générateur spécial et un circuit oscillant, comprenant des condensateurs, l'inductance étant obtenue grâce à un conducteur électrique en spirale, placé à l'extérieur de la cloche en quartz et d'axe coaxial à celui du suscepteur. Jusque là, on utilisait des générateurs à triode, avec une gamme de fréquences s'étendant de 200 000 à 250 000 Hz, avec des tensions à la tête de l'inducteur de l'ordre de 6 000 à 7 000 volts. La puissance necessaire était de l'ordre de 135 kW ce qui nécessitait une puissance installée de 300 kW car le rendement global était d'environ 45 %. L'emploi d'un système de chauffage à haute fréquence ainsi que la géométrie de l'ensemble inducteur/suscepteur impliquent, grosso modo, deux types d'inconvénients, l'un, en relation avec la dépense énergétique et la fabrication, et l'autre, en relation avec la qualité des produits obtenus. Le système de générateur haute fréquence avec un oscillateur constitué par une triode céramique et un circuit oscillant, présente les caractéristiques suivantes : prix élevé dû au coût important des composants ; rendement intrinseque de la triode de l'ordre de 70 % et cela avec une marge de régulation assez étroite ; chute dans le temps (environ 4 000 à 5 000 heures) des caractéristiques de la triode avec réduction du rendement ; les triodes que l'on trouve dans le commerce et qui présentent des valeurs de puissance modérées ne sont pas toujours compatibles avec les exigences spécifiques de cet emploi ce qui amène quelquefois une puissance installee excessive et un coût plus élevé du système ; source électrique de forte puissance (300 kW) nécessaire et consommation élevée (environ 270 kW) pour une puissance de chauffage utile de 135 kW ; coût de refroidissement elevé dû aux pertes du générateur par dissipation ; problèmes d'isolation électrique liés aux voltages employés (tension d'environ 14 000 volts dans le générateur) et au phénomene de couplage par induction des lignes haute fréquence (conducteurs coaxiaux rigides etc...) ; difficulté considérable pour placer des écrans réfléchissants à distance utile pour assurer une récupération suffisamment importante de l'énergie en raison de la tension de l'inducteur ; phénomène de couplage inductif avec certaines parties de la machine comme le châssis, les portes etc..., ce qui amène une réduction de la puissance utile transmise au suscepteur. Les défauts cristallographiques du produit (en général les substrats sont des disques de silicium) sont liés à l'existence d'un gradient thermique transverse, entre la face du substrat en contact avec le suscepteur et celle baignée dans le flux gazeux, ce qui amène le gauchissement du substrat en raison du différentiel d'expansion entre les deux faces opposées de celui-ci, avec création de contraintes dans le réseau cristallin qui, en certains endroits, peuvent être supérieures à la limite d'élasticité, causant des décalages des plans cristallographiques. Ces lignes de décalage et de dislocation se retrouvent après refroidissement et constituent des zones dans lesquelles la fonction électrique du semi-conducteur est altérée avec un abaissement corrélatif de son rendement. Avec un système de chauffage par induction, le gradient thermique ne peut pas être complètement éliminé mais, afin d'améliorer le produit, il est souhaitable de l'atténuer en créant une cavité optique isotherme, c'est-à-dire en réfléchissant sur le suscepteur et sur les disques traités, le maximum de l'énergie qu'ils émettent, opération qui ne peut être réalisée dans les systèmes à haute fréquence pour les raisons indiquées plus haut. I1 y a lieu de noter que, pour un plus grand diamètre des disques de silicium, il y a bien entendu une sensibilité plus importante aux défauts cristallographiques ce qui est tout-à-fait catastrophique pour le rendement du semi-conducteur. A un moment où la tendance dans l'industrie du semi-conducteur est d'aller vers des diamètres toujours plus importants (pour un diamètre de disque de 75 mm en 1979 et de 125 mm en 1983, on vise maintenant les diamètres de 150 mm et même de 200 mm dans les années 1980). L'objet principal de la présente invention est de fournir un système capable de réfléchir sur le suscepteur et sur les substrats qu'il porte l'énergie émise par le suscepteur lui-même avec, pour corollaire, une consommation plus faible d'énergie électrique, en régime permanent de fonctionnement, et de réduire le gradient thermique transverse du substrat de silicium. Ces objectifs ont pu être atteints avec un réacteur épitaxique du type comprenant au moins une cloche en quartz à l'intérieur de laquelle est monté un suscepteur en graphite, recouvert par un revêtement en matériaux appropriés, connus, et sur lequel sont placés les substrats à traiter, ledit suscepteur étant capable de tourner autour de son axe vertical, ladite cloche étant alimentée- avec un mélange de gaz de composition appropriée, connue, et ledit suscepteur étant chauffé par l'induction électromagnétique produite par un générateur avec un circuit oscillant comprenant des condensateurs et une inductance constituée par un conducteur électrique spirale placé à l'extérieur de la cloche de quartz et coaxial avec le suscepteur, caractérise en ce que le générateur consiste en un convertisseur statique fonctionnant en moyenne fréquence et qu'autour de ladite cloche de quartz est placée une pluralité de secteurs d'écrans, de préférence cylindriques, susceptibles de renvoyer, vers le suscepteur, l'énergie émise par celui-ci, lesdits écrans étant réalisés en un matériau approprié pour réfléchir les radiations de longueurs d'onde correspondant au pic d'émission du suscepteur et offrant les plus basses caractéristiques de couplage avec le champ électromagnétique de l'inducteur en fonction de la fréquence d'oscillation. Dans le mode préféré de réalisation de la présente invention, ledit convertisseur statique fonctionne avec un sytème hexaphasé de thyristors solides et dans une gamme de fréquences de l'ordre de quelques milliers de Hz, en général de 3 000 à 6 000 Hz mais, de préférence de 3 000 à 4 000 Hz. Conformément à un premier mode de réalisation de l'invention, ladite pluralité d'écrans est interposée entre l'enroulement spirale de l'inducteur et la paroi de la cloche de quartz, des moyens étant prévus pour assurer un refroidissement spécifique de ces écrans. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, ladite pluralité d'écrans est mise en place à l'extérieur de l'enroulement spirale de l'inducteur. Selon, enfin, un autre mode de réalisation de l'invention, ladite pluralité d'écrans fait partie intégrante de la structure proprement dite de l'enroulement spirale de l'inducteur. Conformément à ce qui a été exposé plus haut, la première caractéristique du réacteur épitaxique selon la présente invention réside dans 1' emploi, comme générateur de système de chauffage par induction électromagnétique, d'un convertisseur statique d'un type bien connu et disponible dans le commerce, fonctionnant à moyenne fréquence entre 3 000 et 6 000 Hz et, plus particulièrement entre 3 000 et 4 000 Hz. De tels convertisseurs statiques ne requièrent pas l'emploi de triodes car le circuit est rendu oscillant par un système hexaphasé à thyristors solides. Ce convertisseur permet, dans cette application, de fonctionner avec une tension, entre les bornes de 1' inducteur, inférieure à 500 volts ; il permet aussi d'avoir des rendements globaux supérieurs à 80 % avec, pour corollaire, une puissance installée plus faible et une consommation d'énergie plus basse pour une puissance nominale donnée et un abaissement du coût du système de refroidissement.Ce convertisseur permet de conserver de bons rendements globaux, même avec une très importante réduction de puissance ce qui est très utile parce que cela permet a) 11 emploi d'une puissance maximum du convertisseur durant l'étape de chauffage avec réduction de la durée des cycles de fabrication et augmentation de la productivité du réacteur épitaxique et b) l'emploi d'une puissance réduite durant le fonctionnement normal, sans pour cela être pénalisé par le rendement. En procédant selon l'invention, on peut donc utiliser des convertisseurs disponibles dans le commerce, d'une puissance nominale donnée, avec de faibles variations de puissance (20 à 30 kW), choisis parmi les différents modèles de convertisseurs les plus adaptés aux spécifications et aux dimensions du réacteur ; de tels convertisseurs coûtent à peu près 50 à 60 % du prix d'un générateur haute fréquence fournissant la même puissance utile et ont l'avantage de ne pas présenter de baisse de rendement dans le temps. L'autre caractéristique essentielle du réacteur épitaxique selon l'invention réside dans l'adoption d'écrans réflecteurs renvoyant les radiations du suscepteur. Leur emploi est lié d'abord à l'emploi du convertisseur statique indiqué plus haut. Etant donné les basses tensions appliquées à l'inducteur et la puissance de pénétration considérable de la gamme à moyenne fréquence, il est possible de prévoir un système de secteur de miroirs, de préférence à directrice cylindrique, afin de créer une cavité optique pratiquement isotherme -et de réfléchir, en retour vers le suscepteur, avec une faible perte (rendement approximatif 60 à 70 %), l'énergie émise par ledit suscepteur. Les écrans réflecteurs sont réalisés dans les matériaux les plus convenables pour réfléchir les longueurs d'ondes correspondantes au pic d'émission qui est fonction de la structure de surface et de la température de fonctionnement du suscepteur et des plus basses valeurs de couplage avec le champ électromagnétique, ce qui dépend des fréquences d'oscillation. Les matériaux utilisés pour les écrans peuvent être classés dans trois catégories a) les métaux non ferromagnétiques présentant un poli miroir obtenu mécaniquement et électrolytiquement b) les métaux non ferreux avec un revêtement brillant, soit en chrome, nickel, or ou cuivre etc., obtenu par électrolyse, soit en or, aluminium etc., obtenu par métallisation sous vide, et c) les matériaux isolants, plus particulièrement verres de quartz transparents, avec des surfaces métalliques réfléchissantes déposées, soit par amalgame, soit par métallisation sous vide. En général, tous les écrans présentent un pouvoir de réflexion compris entre 87 et 95 %. Les écrans ont, de préférence, la forme de secteurs à directrice cylindrique et sont divisés de telle sorte qu'ils ne créent pas de spires fermées et qu'ils ne soient pas en court-circuit, leur hauteur étant supérieure à celle du suscepteur t ils peuvent être disposés de trois façons différentes, chacune avec ses avantages particuliers ou ses limitations intrinsèques, à savoir A) Entre les spirales de l'inducteur et la paroi de la cloche en quartz, a environ 20 - 30 mm de la paroi de la cloche, afin de permettre le refroidissement de celle-ci par circulation d'air ; cette disposition présente l'avantage de la récupération maximale des radiations et les écrans peuvent par exemple être refroidis par des serpentins d'eau électriquement isolés ; B) à l'extérieur de l'inducteur où ils confèrent une efficacité de réflexion inférieure à la solution précédente (environ 70 % du système A) ; ils peuvent être refroidis par circulation d'eau ou, de préférence, par le même système de circulation d'air utilisé pour le refroidissement de la cloche en quartz et C) en tant que partie intégrante de l'inducteur. L'invention sera d'ailleurs mieux comprise grâce à la description qui suit, donnée en regard des dessins des planches annexées ; sur ces dessins, - la figure 1 représente, en élévation latérale et en coupe partielle, une représentation schématique des parties constitutives essentielles du réacteur épitaxique selon la variante C de la présente invention ; - la figure 2 représente, en élévation latérale et en coupe partielle, une représentation schématique des parties constitutives essentielles du réacteur épitaxique selon la variante A de la présente invention ; - la figure 3 est une coupe selon le plan III-III de l'inducteur représenté sur la figure 2 - la figure 4 est une vue latérale détaillée d'un secteur d'écran réflecteur utilisé avec l'inducteur de la figure 3 ;; - la figure 5 est une vue de dessous (selon la flèche F) du secteur d'écran de la figure 4 - la figure 6 représente, en élévation latérale et en coupe partielle, une représentation schématique des parties constitutives essentielles du réacteur épitaxique selon la variante B de la présente invention ; - la figure 7 est une coupe selon le plan VII-VII de l'inducteur représenté sur la figure 6 et - la figure 8 représente, le diagramme de base du circuit du générateur moyenne fréquence selon l'invention. Ainsi que cela est connu, un réacteur épitaxique se compose essentiellement (voir figure 1) d'une chambre de réaction réalisée sous la forme d'une cloche en quartz 10, refroidie extérieurement par une circulation d'air, comme indiqué par les flèches 11 ; cette cloche est traversée par un courant gazeux venant du dessus, comme indiqué par la flèche 12, les gaz ayant participé à la réaction étant éliminés par le bas, comme indiqué par les flèches 13. Des joints spéciaux (non représentés) sont prévus pour raccorder les canalisations d'alimentation à l'embouchure supérieure de la cloche et le bas de celle-ci aux canalisations d'évacuation. A l'intérieur de la cloche 10 est monté, sur un support vertical tournant, un suscepteur 14, de préférence affectant la forme d'une pyramide tronquée sur les faces duquel sont placés les substrats, de préférence des disques de silicium. Le suscepteur 14 est en graphite, recouvert de revêtements appropriés connus et est supporté par des supports réfractaires spéciaux 16 et 17, des supports métalliques 18 et est mis en rotation autour de son axe vertical par des moyens conventionnels non représentés. Ces caractéristiques sont parfaitement connues si bien qu'il n'est pas utile de donner une description détaillée : il suffira de se reporter à ce qui est connu dans ce domaine de la technique. Dans le mode de réalisation représenté par la figure 1, autour de la cloche 10 est placé un inducteur 20 constitué par un tubage en matériau conducteur d'électricité, généralement du cuivre, refroidi intérieurement par une circulation de fluide, généralement de 11 eau, comportant un nombre approprié de spires ; chaque spire est connectée, à une extrémité, à la spire immédiatement supérieure et à l'extrémité opposée, à la spire immédiatement inférieure, par des pontages en U en tubage 22 de même caractéristiques que celui de l'inducteur. La référence 21 désigne les canalisations d'entrée et de sortie de la circulation d'eau de refroidissement. A toutes ces spires sont fixés des écrans réflecteurs, constitués par des bandes de hauteur convenable, traitées sur leurs surfaces regardant le suscepteur comme indiqué plus haut et destinées à renvoyer, vers le suscepteur, l'énergie en provenance de celui-ci. L'inducteur est supporté et maintenu par une structure en forme de cage 24 en un matériau réfractaire isolant. Si l'on se reporte maintenant aux figures 2 et 3 on peut voir une représentation de la variante A, en élévation et en coupe ; l'inducteur 30 est toujours réalisé dans un matériau conduisant l'électricité, généralement du cuivre, et refroidi par circulation interne d'un fluide tel que de l'eau, par un circuit dont les canalisations d'entrée et de sortie portent la référence 31 ; toutefois, l'inducteur se présente sous la forme d'un tube unique, enroulé en spirale à enveloppe cylindrique. L'inducteur est maintenu en place par une structure en forme de cage en matériau réfractaire 34 et par une structure métallique 35, avec interposition d'éléments électriquement isolants 36 entre l'inducteur et ses supports. A l'intérieur de l'inducteur es-t placé un système d'écrans réfléchissants indiqué, dans son ensemble, par la référence 37 et qui est constitué par une pluralité de secteurs incurvés, verticaux, dont un exemple typique est représenté plus en détail sur les figures 4 et 5. Les secteurs 38 présentent une courbure compatible avec celle de la paroi de la cloche de quartz et sont munis d'un serpentin 39 dans lequel le fluide de refroidissement (en général de l'eau) circule. I1 y a lieu de remarquer que les secteurs 38 présentent une partie défléchie 40 créant, lors de l'assemblage, une pluralité de fentes 41 à travers lesquelles l'air de refroidissement de la cloche est dirigé tangentiellement vers ladite cloche. La division des écrans dans ladite pluralité des secteurs est dictée par la nécessité d'éviter la formation à l'intérieur de l'inducteur, de spires fermées ou en court-circuit, d'une part, et de permettre à l'air de refroidissement d'atteindre la surface externe de la cloche pour la refroidir, d'autre part. Les figures 6 et 7 représentent la variante B dans laquelle 1' inducteur 30 se présente sous la forme conventionnelle et est comparable à tous points de vue, à celui représenté par les figures 2 et 3, tandis que l'écran indiqué dans son ensemble par la référence 47 est constitué par une pluralité de secteurs incurves 49 disposés à l'extérieur de l'inducteur. Ces secteurs peuvent être refroidis individuellement par circulation d'eau et doivent, bien entendu, ne pas être en contact pour les raisons qui ont été exposées à propos de la description de la variante A (systèmes des figures 2 et 3). Enfin, la figure 8 représente un diagramme fonctionnel de circuit du générateur moyenne fréquence à thyristors, selon l'invention, dans lequel l'alimentation est raccordée d'abord à un transformateur 120 puis un pont redresseur à thyristors 121. Le circuit comprend également les thyristors 122, 123, 124, 125, 126, une résistance de limitation 127 et une inductance 128 pour la protection contre les courts-circuits, tandis que la référence 114 désigne l'inducteur qui interagit avec le suscepteur du réacteur épitaxique et la référence 129 indique des condensateurs à capacité variable destinés à régler la fréquence en fonction des valeurs prises par l'inducteur 114. Par des moyens externes de commande électronique de type connu, les paires de thyristors 123, 126, d'une part et 125, 124, d'autre part fonctionnent alternativement et démarrent le circuit oscillant 114, 129. L'inductance 128 limite le courant pendant une certaine période de temps si, pour une cause de mauvais fonctionnement quelconque des thyristors 123, 124, ils risquaient de mettre en court-circuit la source d'alimentation. Quand l'inductance 128 est en service, le pont redresseur 121 doit être mis hors circuit. La résistance 127 et le thyristor 122 facilitent le démarrage du générateur après quoi le thyristor 122 est mis hors circuit. Afin de faire ressortir particulièrement les avantages obtenus grâce à la présente invention et en particulier avec le générateur moyenne fréquence à thyristors, en comparaison avec les systèmes connus à haute fréquence, le tableau ci-après résume les paramètres principaux et les données de fonctionnement pour les deux systèmes. PARAMETRES SYSTEME SYSTEME SELON PRECEDENT L'INVENTION (1) (2) Puissance installée (puissance nominale absorbée) 300 180 kW Puissance maximale fournie par le générateur 135-120 (3) 150 kW Puissance fournie en condition de fonctionnement 120-125 70-80 kW (4) Consommation d'eau de refroidissement en condition de fonctionnement 30 8 m3/h Défauts des produits (unité arbitraire) 100 5 : 10 Gradient thermique transverse sur les disques de silicium T 30-40 5-100C 1) Générateur de 200 kHz, inducteur à double enroulement de tubes de cuivre 2) convertisseur statique de 3,5 kHz, inducteur comme ci-dessus, écrans avec revêtement interne de cuivre doré déposé électrolytiquement 3) Ces chiffres dépendent de la durée de vie de la triode 4) dissipation de la chaleur par le gaz utilisé dans la réaction, refroidissement des parois de la cloche et du support du suscepteur, radiation de la tête du suscepteur, couplages électromagnétiques entre l'appareil et les écrans. L'invention a été décrite à propos d'un mode de réalisation préféré mais il est bien entendu que, des modifications qui seraient équivalentes sur le plan de la conception, de la structure, ainsi que d'autres variantes sont envisageables, sans sortir pour cela du cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 10) Réacteur épitaxique du type comprenant au moins une cloche en quartz à l'intérieur de laquelle est monté un suscepteur en graphite, recouvert par un revêtement en matériau approprié connu, étanche aux gaz et inerte vis à vis d'eux, sur lequel sont placés les substrats à traiter, ledit suscepteur étant capable de tourner autour de son axe vertical, ladite cloche étant alimentée avec un mélange de gaz de composition appropriée, connue, et ledit suscepteur étant chauffé par l'induction électromagnétique produite par un générateur et par un circuit oscillant comprenant des condensateurs et une inductance constituée par un conducteur électrique spirale placé à l'extérieur de la cloche de quartz et coaxial avec le suscepteur, caractérisé en ce que le générateur consiste en un convertisseur statique fonctionnant en moyenne fréquence et qu'autour de ladite cloche de quartz transparente est placée une pluralité de secteurs d'écrans, susceptibles de renvoyer vers le suscepteur l'énergie émise par celui-ci, lesdits écrans étant réalisés en un matériau approprié pour réfléchir les radiations de longueurs d'onde correspondant au pic d'émission du suscepteur et offrant les plus basses caractéristiques de couplage avec le champ électromagnétique de l'inducteur en fonction de la fréquence d'oscillation. 20) Réacteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit convertisseur statique fonctionne avec un système hexaphasé de thyristors solides et dans une gamme de frequences de l'ordre de quelques milliers de Hz. 30) Réacteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le convertisseur statique fonctionne dans la gamme de fréquences 3 000 à 4 000 Hz. 40) Réacteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pluralité d'écrans est interposée entre l'enroulement spirale de l'inducteur et la paroi de la cloche de quartz, des moyens étant prévus pour assurer un refroidissement spécifique de ces écrans. 50) Réacteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens de refroidissement consistent en des serpentins parcourus par une circulation d'eau froide. 60) Réacteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pluralité d'écrans consiste en un ensemble de secteurs incurvés dont la courbure est compatible avec celle de la paroi de la cloche de quartz, chaque secteur se terminant par une partie défléchie vers la cloche, afin de ménager, avec le secteur adjacent, une pluralité de fentes à travers lesquelles l'air de refroidissement de la cloche est dirigé tangentiellement vers ladite cloche. 70) Réacteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pluralité d'écrans est mise en place à l'extérieur de l'enroulement spirale de l'inducteur. 80) Réacteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que la pluralité d'écrans est refroidie par la même circulation d'air que celle assurant le refroidissement de la cloche de quartz. 90) Réacteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pluralité d'écrans fait partie intégrante de la structure proprement dite de l'enroulement spirale de l'inducteur, leur montage étant effectué de telle sorte qu'ils ne court-circuitent pas les spires de l'enroulement. 100) Réacteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les écrans sont réalisés en métaux non ferromagnétiques. 110) Réacteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que le métal de l'écran présente un poli de qualité miroir. 120) Réacteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les écrans sont en métaux avec un revêtement métallique brillant. 130) Réacteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que le revêtement est en chrome, nickel, or, cuivre ou analogue, déposé par électrolyse. 140) Réacteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que le revêtement est en or, aluminium ou analogue, déposé par métallisation sous vide. 150) Réacteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les écrans sont réalisés en matériaux isolants recouverts d'une couche métallique réfléchissante. 160) Réacteur selon la revendication 15, caractérisé en ce que la couche métallique réfléchissante est déposée, soit par amalgame, soit par métallisation sous vide. 170) Réacteur selon la revendication 15, caractérisé en ce que le matériau isolant est du quartz transparent. 180) Réacteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'inducteur est alimenté par un générateur à circuit oscillant de moyenne fréquence. 190) Réacteur selon la revendication 13, caractérisé en ce que le circuit oscillant fonctionne entre 3 000 et 6 000 Hz. 200) Réacteur selon la revendication 19, caractérise en ce que l'oscillation du circuit oscillant est obtenue par un système hexaphasé à thyristors solides. 210 ) Réacteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le revêtement du suscepteur est en carbure de silicium.