Brevet FR2561444A1 — publié le 19850920

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Uin contact d'anode est assuré par une première poutre métallique s'appuyant sur la couche P+ de l'i!6t rond et sur le verre pour se terminer en porte-à-faux, tandis qu'un contact de cathode est assuré par une seconde poutre méai.Uue s'appuyant sur le substrat N en épousant sa forme en croissant pour ré-;iser un contact ohmique et sur le verre pour se terminer en porte-a-faux. D'autre part, pour pouvoir util;ser cette diode montée en shunt dans un circuit de commutation à lrge bande, il est connu de rechercher d'une part une impédance eulle ou quasi nulle de la diode en polarisation directe pour l'obtention d'une isolation élevée et d'autre part une faible caiacité en polarisation inverse pour per- mettre l'adaptation d'impédaice de la diode a celle du circuit hyperfréquence environnant; de nmme pour un montage série de la diode dans le circuit d impédance quasi nulle en polarisation irnverse et d'ule faible capa- cité en polarisation directe de la diode. Or, comme cela est bian connu, à la fréquence de travail de la diode, les poutres métalliques introduisent une inductance parasite en série avec la diode, que ce!te-ói soit polarisée en direct ou en inverse. Et, à haute fréquence, c'est>'-à-ire a partir de l'ordre de GHz, l'impédance de cette indctarce prend une vaieur de plus en plus forte, de l'ordre de 2.:5 a 50 ohms à 94 GHz par exemple, et donc augmente considérablement)'imp6dance de la diode, ce qui est contraire au but recherché. Cette inductance est donc gênante aux fréquences de travail élevees et sa présence rend inutilisable la diode de commutation, cette dernière ne remplissant plus sa fonction d'isolation des signaux hyperfréquence. En conséquence, il s'avère nécessaire aux hautes fréquences de compenser l'inductance série de la diode. Ce problème technique lié à une inductance trop forte des poutres métalliques aux hautes fréquences se pose également pour une diode Schottky "beamn-lead", de même structure que la diode PIN décrite cidessus avec une jonction métal-semiconducteur, et utilisée principalement comme diode de détection et de mélange, d'o la nécessité de compenser cette inductance. La présente invention a pour but de perfectionner ce type de diode hyperfréquence décrite précédemment et travaillant dans le domaine millimétrique en associant à la diode un élément per- mettant d'annuler l'inductance des poutres ou tout au moins de s'en approcher le plus près possible. A cet effet, l'idée mère de l'invention est de réaliser une capacité en série avec l'inductance et qui est intégrée dans l'une ou les deux poutres de la diode, cette capacité étant choisie de manière àa obtenir une résonance série avec l'inductance des poutres à la fréquence de travail. Ainsi, selon l'invention, la compensation de l'inductance par la capacité est effectuée sur le composant même. L'invention a donc pour objet un dispositif semiconducteur hyperfréquence comportant une pastille semiconductrice sur laquelle sont fixées à plat au moins deux connexions externes prises au moyen de poutres métalliques, la pastille semiconductrice com- prenant au moins deux couches supportées par un substrat, et un berceau rempli d'un matériau diélectrique formant un cadre qui entoure la pastille semiconductrice, et sur lequel s'appuient à plat les poutres métalliques qui se terminent en porte-à-faux, les poutres introduisant une inductance parasite à la fréquence de travail en série avec la pastille semiconductrice, caractérisé en ce qu'au moins l'une des poutres métalliques présente une fente ménagée sur toute sa largeur et sur toute son épaisseur au niveau du matériau diélectrique supportant la poutre de façon à former une capacité en série avec l'inductance introduite par les poutres, et en ce que la fente a des dimensions telles que la capacité formée réalise une résonance série avec l'inductance des poutres à la fréquence de travail, la capacité compensant ainsi l'inductance des poutres. Selon une autre caractéristique, cette fente peut se présenter soit sous une forme rectiligne, soit sous une forme de ligne à méandres. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention appa- raîtront mieux dans la description détaillée qui suit et se réfère aux 256 1 444 dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemple et dans lesquels: la figure 1 représente une vue de dessus d'un mode de réalisation d'une diode PIN selon linvention; - la figure 2 représente une vue de dessus d'une variante d'une diode PIN selon l'invention; - la figure 3 représente une vue en coupe selon la ligne I-I de la figure I ou de la figure 2; les figures 4a et 4b représentent les schémas équivalents de la diode selon la figure 3 en polarisation inverse et en polarisation directe; - la figure 5 est une vue identique à la figure 3 mettant en évidence une possibilité d'ajuster la capacité; - la figure 6 est une vue identique à la figure 3 mettant en évidence une autre possibilité d'ajuster la capacité; i5 - la figure 7 est une vue identique à la figure 2 avec la connexion de polarisation de la diode; et - les figures Sa et 8b représentent les schémas équivalents de la diode selon la figure 7 en polarisation inverse et en polarisation directe. Sur ces différentes figures, les mêmes références se rap- portent aux mêmes éléments qui remplissent les mêmes fonctions en vue des mêmes résultats. L'invention sera exposée ci-dessous en s'appuyant sur le cas d'une diode PIN au silicium à structure verticale, dotée de con- nexions externes beam-lead, et destinée à travailler dans le domaine millimétrique, à 94 GHz par exemple. Cette diode est principa- lement destinée à être utilisée en commutation en étant montée soit en shunt soit en série dans une ligne de transmission. Cette diode PIN, en tant que produit final, tel que représenté en vue de dessus sur les figures 1 ou 2 et en coupe transversale sur la figure 3, comporte un substrat de silicium I dopé de type N+ par exemple, d'épaisseur égale par exemple à 25 microns, et présentant deux faces opposées parallèles respectivement dites face avant ou 256 1 44 supérieure la et face arrière ou inférieure lb. Le substrat est recouvert partiellement en face avant de deux couches semi- conductrices superposées dont l'une 2 dite I est en silicium de la plus haute résistivité possible et dont l'autre 3 est en silicium dopé de type P+. L'enserrmble cortstitué par le substrat 1 et les deux couches 2 et 3 forme donc la diode proprement dite, le substrat I apportant ainsi d'une part un support mécanique et d'autre part la couche contact cathode, et la touche 3 apportant la couche contact anode. La diode est délimitée par un profc. nd berceau 5 formant un cadre par exemrpie rectangulaire (figure 1 ou 2) entourant la pastille semiconductrice e.t 'é" e.ndant dans le substrat I sur une profondeur donnée, par e.empIe &.,ale a O2 microns, de façon a laisser subsister ce dernier sur une certaine épaisseur, de l'ordre par exemple de microns, entre sa face arrière lb et le fond du berceau. De plus, le berseau 5 est réalisé de façon à délimiter so'' forme d'ibt, par exemple cir'culaire efigure 1 ou 2) ou carré, la diode proprement dite, et sous fc:me par exemple d'un croi'ssant (figure 1 ou 2) la partie de la face avant non recouver;:e du substrat. Commre il apparait sur les figuras I ou 2?, 'll.t semiconducteur de forme circulaire est disposé en vis-a--vis et sensiblement au centre de l'échancrure du croissant fornié par le substrat. Le berceau 5 est rempli d'un mazeriau diélectrique doté de bonnes qualités mécaniqueas, tel que rr exeminple du verre fondu. Une fois comblé, le berceau de verre présente unie surface légè- rernent bombée. Un premier contact, ou contact d'anode, est assuré par une première poutre rnéLallique 6, de largeur _ de lordre de 100 microns par exemple, s'appuya-.. plat sar jl couche P+ de ia diode et sur la surface du berceau de ver-e 5 pour se terminer en porte-a-faux. 3u Cette poutre anode 6 beam-lead est constituée par exemple par des dépôts successifs de platine, de titane, de platine et d'or. A titre illustratif, l'épais:.eur e de la poutre anode 6 (figure 3) est de l'ordre de I micron. Un second contact ohmique, ou contact de cathode, est assuré par une seconde poutre métallique S s'appuyant à plat sur la face avant la du substrat en épousant sa forme en croissant (figure 1 ou 2) pour y réaliser le contact ohmique et sur la surface du berceau de verre 5 pour se terminer en porte-à-faux. Comme pour la poutre anode, la poutre cathode 8 beam-lead, de largeur 1' et de même épaisseur e, est constituée par la même -chaîne de dép8ts successifs de platine, de titane, de platine et d'or. Comme cela est bien connu, le schéma équivalent de la diode PIN telle qu'elle vient d'être décrite est constituée, en polarisation inverse illustrée sur la figure 4a, d'une inductance L introduite par les poutres anode et cathode, en série avec la capacité de jonction Cj et la résistance de perte R introduite par le substrat, et de la capacité parasite Cp entre poutres en parallèle sur Cj et R. De façon similaire, en polarisation directe illustrée sur la figure 4b, l'inductance L est en série avec la résistance RD introduite par la zone dite I et la résistance de perte R, la capacité parasite Cp étant en parallèle sur RD et R. Selon l'invention, la forte inductance L des poutres anode 6 et cathode 8 à la fréquence élevée de travail de la diode est compensée par une capacité série intégrée à l'une ou aux deux poutres beam- lead. Cette capacité est réalisée en ménageant une fente 10 sur toute l'épaisseur e (figure 3) et sur toute la largeur 1 (figure I ou 2) de la poutre anode 6 par exemple. Pour des raisons de commodité, cette fente est pratiquée sensiblement au milieu de la surface du berceau de verre 5 qui supporte la poutre 6. Ainsi, cette capacité représentée symboliquement en CS sur la figure 3, a comme pre- mière et seconde armatures la poutre fendue ou interrompue 6 et le berceau de verre 5 comme diélectrique. On notera que la capacité peut également être intégrée dans la poutre cathode, ou encore dans chacune des poutres anode et cathode, sans sortir du cadre de l'invention. Du point de vue technologique, cette capacité est réalisée lors de la métallisation de la poutre soit par photogravure soit par une technique de lift-off sur le verre qui sert de support et de diélectrique. Pour compenser l'inductance donnée des poutres, la capacité CS est définie de manière à obtenir la résonance série, ou du moins s'en rapprocher le plus possible, avec l'inductance L des poutres à la fréquence de travail, c'est-à-dire d'avoir: LC5 2 = 1. A cet effet, la capacité est formée en fonction des dimensions de la fente 10 dans la poutre, notamment de sa largeur d et de sa longueur. Ainsi, selon un mode de réalisation représenté sur la figure 1, la fente 10 est rectiligne avec une largeur d et une longueur égale à I qui sont définies en fonction de la capacité à obtenir. Selon une variante représentée sur la figure 2, la fente 10 se présente sous forme d'une ligne à méandres délimitant des doigts métalliques parallèles 6a, 6b... imbriqués les uns entre les autres, de même longueur par exemple, et dont le nombre et la distance d les séparant sont définis en fonction de la capacité à obtenir. On a représenté sur les figures 4a et 4b la capacité Cs ainsi formée en série avec l'inductance L, avec LCs w = 1, qui est introduite dans le schéma équivalent de la diode en polarisation inverse (figure 4a) et en polarisation directe (figure 4b). La figure 5, qui reprend la structure de la diode PIN décrite précédemment à propos de la figure 3, met en évidence le fait que, dans le cas o la capacité formée Cs est trop forte pour assurer la compensation de l'inductance des poutres, cette capacité est réglée ou ajustée en la diminuant en creusant une ouverture 12 de profondeur donnée dans le berceau de verre 5 par attaque chimique réalisée par la fente 10. A l'opposé, sur la figure 6, en partant d'une capacité formée CS trop faible, celle-ci peut être augmentée en déposant une goutte 14 de matériau diélectrique sur la poutre anode 6 en comblant sa fente 10. La quantité de diélectrique déposé est telle qu'elle ajuste la capacité CS à la valeur assurant la compensation de i'inductance des poutres. De préférence, le diélectrique utilisé est un matériau polymérisable, tel que par exemple du polyimide chargé On notera que dans le cas o le creusement dans le berceau de verre 5, selon la figure 5, est réalisé trop profondément, donnant ainsi une capacité désormais trop faible, il est encore possible de régler correctement celle-ci en l'augmentant par un dépôt de diélectrique approprié dans l'ouverture du berceau de verre. Sur la figure 7, qui reprend la structure de la diode PIN illustrée sur la figure 2, on a représenté en 16 la connexion de polarisation de la diode qui est constituée par exemple par un fil fin métallique dont les extrémités sont fixées, par exemple par thermo- compression, sur la poutre anode 6 de part et d'autre de sa fente 10. Ainsi, ce fil fin joue le rôle d'inductance dite de choc, c'est-à-dire à haute impédance, disposée en parallèle sur la capacité intégrée à la poutre anode, et dont la valeur est sensiblement proportionnelle à la longueur du fil. De préférence, dans le domaine millimétrique, la connexion 16 de polarisation de la diode est constituée par une bande métallisée soit par photogravure soit par une technique de lift-off sur le berceau de verre 5, cette métallisation jouant également le rôle d'une inductance de choc en parallèle sur la capacité. On notera que cette inductance formée par la connexion 16 peut également être réalisée sur la structure de la diode PIN telle qu'illustrée sur la figure 1. On a représenté sur les figures Sa et 8b le schéma équivalent de la diode respectivement en polarisation inverse et en polarisation directe avec la présence de l'inductance de choc LC, de valeur donnée très supérieure à celle de l'inductance L, de l'ordre de dix fois par exemple, en parallèle sur la capacité Cs intégrée à la poutre. On notera que la description ci-dessus a été faite en référence à une diode de type PIN dont le matériau de base était du silicium. Bien sûr, l'invention s'applique également pour tout autre type de diode, Schottky par exemple pour laquelle la couche 3 est en métal approprié, ainsi que pour un matériau de base de la famille III-V, GaAs par exemple. D'autre part, bien que l'invention ait été décrite en s'appuyant sur le cas d'une diode, il est évident que son application à un dispositif plus complexe tel qu'un transistor doté de trois connexions externes sous forme de poutres à piat beam-lead entre également dans le domaine de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif semiconducteur hyperfréquence comportant une pastille semiconductrice sur laquelle sont fixées à plat au moins deux connexions externes (6, 8) prises au moyen de poutres métal- liques, la pastille semiconductrice comprenant au moins deux couches (2, 3) supportées par un substrat (1), et un berceau (5) rempli d'un matériau diélectrique formant un cadre qui entoure la pastille semiconductrice, et sur lequel s'appuient à plat les poutres métalliques qui se terminent en porte-à-faux, les poutres intro- duisant une inductance parasite à la fréquence de travail en série avec la pastille semiconductrice, caractérisé en ce qu'au moins l'une (6) des poutres métalliques présente une fente (10) ménagée sur toute sa largeur et sur toute son épaisseur au niveau du matériau diélectrique supportant la poutre de façon à former une capacité en série avec l'inductance introduite par les poutres, et en ce que la fente (10) a des dimensions telles que la capacité formée réalise une résonance série avec l'inductance des poutres à la fréquence de travail, la capacité compensant ainsi l'inductance des poutres. 2.' Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que la fente (10) est rectiligne avec une largeur déterminée de telle sorte que la valeur de la capacité formée compense celle de l'inductance des poutres. 3. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que la fente (10) se présente sous forme d'une ligne à méandres avec une largeur et un nombre de méandres déterminés de telle sorte que la valeur de la capacité formée compense celle de l'inductance des poutres. 4. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que, avec une capacité trop forte formée par la poutre métallique fendue pour pouvoir compenser l'inductance des 1! poutres à la fréqucnce de travail, la capacité est ajustée en la diminuant au moyen d'une ouverture (12) creusée dans le matériau diélectrique (5) au niveau de la fente (10) dans la poutre métallique. 5. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que, avec une capacité trop faible formée par la poutre métallique fendue pour pouvoir compenser l'inductance des poutres à la fréquence de travail, la capacité est ajustée en l'augmentant au moyen d'un dépôt de matériau diélectrique (14) de constante diélectrique donnée sur la poutre métallique fendue en comblant sa fente (10). 6. Dispositif semiconducteur selon la revendication 5, carac- térisé en ce que le matériau diélectrique (14) est du- polyimide chargé. 7. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une connexion (16) de poiarisation constituée par un fil métallique ou une bande métallique gravée dont les extrémités sont reliées à la poutre métallique fendue (6) et de part et d'autre de sa fente (10), formant ainsi une inductance en parallèle sur la capacité. B. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les couches (2, 3) de la pastille semiconductrice sont superposées eL recouvrent partiellement la face avant (la) du substrat, ea ce que ces couches forment un ilôt délimité par le berceau (5) qui s'étend dans le substrat (1) sur une profondeur donnée, et en ce que le berceau (5) est réalisé de façon à délimiter sous forme de croissant la partie de la face avant non recouverte du substrat, l'une (6) des poutres s'appuyant à plat sur l'ilat et l'autre poutre (8) s'appuyant à plat sur la face avant du substrat en épousant sa forme en croissant.