Brevet FR2548452A1 — publié le 19850104

La présente invention concerne un dispositif à couche mince, qui utilise une couche ou pellicule mince de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H), et plus particulièrement un dispositif à couche mince possédant une région ayant une résistance élévée. La figure 1, annexée à la présente demande, représente le schéma d'un circuit d'un réseau de détecteurs linéaires du type à contacts de commande de matrice de l'art antérieur (voir le brevet US n 4 369 372 ou la 10 demande de modèle d'utilité japonais publiée sous le n 53. 760/82) Sur la figure 1 la référence 1 désigne une diode d'arrêt ou de blocage utilisée pour la commutation d'une commande de la matrice, la référence 102 désigne une photodiode ou un dispositif de conversion photoélectrique et les 15 références 103 et 104 désignent des bornes de commande La diode de blocage 101 et la photodiode 102 sont des diodes à jonction PIN formées au cours d'un processus commun moyennant l'utilisation de silicium amorphe, et possèdent une caractéristique de variation du courant en fonction de la tension, 20 teieque représentée sur la figure 2 annexée à la présente demande Un courant direct monte jusqu'à approximativement 0,6 V et, dans le sens inverse, un claquage apparaît pour environ 50 V Lorsqu'une l'électricité statique sous la forme d'une tension supérieure à la tension de claquage VB 25 est appliquée à la diode dans le sens inverse, la couche I est rompue et la diode à jonction PIN est court-circuitée, comme cela a été démontré expérimentalement Lors de la manipulation du détecteur de la figure 1, si l'on touche la borne 106 avec une main chargée, alors que la borne 105 est raccor30 dée, un courant circule le long d'un trajet représenté par une flèche et la diode 108 et la photodiode 110, qui sont polarisées en inverse font l'objet d'un claquage, tandis que la photodiode 109 polarisée dans le sens direct et la diode de blocage 111 ne sont soumises à aucune influence. Le potentiel d'un corps humain chargé par un produit chimique atteint jusqu'à 10000 V Si un ouvrier contacte la borne 106 avec sa main chargée à un tel potentiel, un certain nombre d'éléments d'image (incluant une combinaison de diodes de blocage et de photodiodes) font l'objet d'un 5 claquage selon le trajet représenté, et il se produit une réduction importante du rendement obtenu lors de l'essai du dispositif ou de son montage sur un appareil. La figure 3, annexée à la présente demande, représente un schéma équivalent d'un réseau perfec10 tionné de détecteurs linéraires du type décrit dans la demande de brevet japonais n 159 614/82 déposée le 16 Septembre 1982 (inventeur: T Bajietal) La référence 1 désigne une photodiode, la référence 2 une diode de blocage, la référence 3 une borne de commande, la référence 4 un circuit servant à 15 empêcher le claquage ou l'effet d'une électricité statique, la référence 5 une diode d'un circuit de verrouillage et la référence 6 une résistance du circuit 4 A la place de la diode du circuit de verrouillage, il est possible d'utiliser un transistor à effet de champ possédant une grille et un 20 drain (ou une source) court-circuités. Dans ce réseau de détecteurs linéaires, la résistance 6 du circuit 4 peut être relativement élevée, en étant par exemple égale à 10 Ke Même si l'on utilise comme matériau de câblage un matériau conducteur possédant une ré25 sistance relativement élevée, une résistance de couche d'un tel matériau est égale à 53 %/o et il est nécessaired'utiliser un long câblage d'une largeur de 10 microns et d'une longueur de 20 mm D'autre part, lorsque l'on utilise un matériau à résistance élevée tel qu'un cermet, il est nécessaire de met30 tre en oeuvre une phase de fabrication pour réaliser la résistance 6 et-le coût lié à la fabrication augmente. Un but de la présente invention est de fournir un dispositif à couche mince, qui permet la formation d'une région résistive possédant une résistance élevée et une 35 faible surface, sans accroître le nombre des phases opératoires. Afin d'atteindre l'objectif indiqué cidessus, conformément à la présente invention, on forme une couche métallique constituée par une couche de aSi:H, puis on l'élimine, et une couche formant produit de réaction et située sur le a-Si:H est utilisée en tant que résistance et plus particulièrement on forme une couche métallique de Cr, Ni, Ti, V, W, Pt, Mo ou Ta sur la pellicule de a-Si:H, puis on l'élimine, et une couche de réaction interfaciale,transparente à première vue, est formée La couche formée par le 10 produit de réaction est utilisée en tant que résistance. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexes, sur lesquels: la figure 1, dont il a déjà été fait mention, représente un schéma de circuit d'un réseau de détecteurslinéaires du type à contactsde commande de matrice, conforme à l'art antérieur; la figure 2, dont il a déjà été fait 20 mention, représente une courbe caractéristique courant/tension d'une diode PIN utilisée dans le dispositif de la figure 1; la figure 3, dont il a également été fait mention, représente le schéma d'un circuit équivalent 25 d'un réseau de détecteurs linéaires de commande de matrice pour un appareil de fac-similé, comportant un circuit servant à empêcher le claquage dû à une électricité statique; la figure 4 est une vue en plan du circuit servant à empêcher le claquage sous l'effet de l'élec30 tricité statique dans le réseau de détecteurs linéaires de commande de matrice pour l'appareil de fac-similé conformément à la présente invention; la figure 5 est une vue en coupe prise suivant la ligne V-V sur la figure 4; la figure 6 est une vue en coupe prise suivant la ligne VI-VI sur la figure 4; la figure 7 est une vue en coupe prise suivant la ligne VII-VII sur la figure 4; et les figures 8 et 9 sont des vues en 5 coupe d'un transistor à couche mince conforme à la présente invention. On va décrire ci-après les formes de réalisation préférées de l'invention. Forme de réalisation 1 La figure 4 représente une vue en plan d'un circuit servant à empêcher le claquage sous l'effet d'une électricité statique pour un réseau de détecteurs linéaires à commandede matrice pour un appareil de fac-similé, conformément à la présente invention, la figure 5 est une vue 15 en coupe prise suivant la ligne V-V de la figure 4, la figure 6 est une vue en coupe prise suivant la ligne VI-VI de la figure 4 et la figure 7 est une vue en cbupe prise suivant la ligne VII- VII sur la figure 4 La référence 7 désigne un substrat en verre, la référence 8 une électrode inférieure en Cr, 20 la référence 9 une pellicule ou couche de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H), la référence 10 une pellicule isolante en Si O 2, la référence 11 un trou de contact ménage dans la pellicule isolante 10 et la référence 12 une électrode ou couche d'interconnexion supérieure, qui comporte une pellicule de 25 Cr 12 a et une pellicule de A 1 12 b La référence 14 désigne une couche de réaction formée sur la pellicule ou couche 9 de a-Si:H Cette couche est formée grâce à la formation de la pellicule de Cr 12 a de l'électrode supérieure 12 sur la couche de aSi:H, puisl'éliminationde la pellicule de Cr 12. 30 Elle est utilisée en tant que résistance 6. On va expliciter ci-après un procédé de fabrication du circuit servant à empêcher le claquage Tout d'abord on dépose par évaporation du Cr sur le substrat en verre 7 et on le soumet à une &ttaque chimique photosensible 35 de manière à former l'électrode inférieure 8 Ensuite on dépose la couche de a-Si:H en utilisant le procédé dit CVD (c'est-à-dire de dépôt chimique par phase vapeur), et on lui donne une structure ou configuration désirée en mettant en oeuvre un procédé de corrosion plasmatique en utilisant du 5 gaz CF 4 de manière à former la couche 9 de a-Si:H Ensuite on dépose la pellicule isolante 10 en utilisant un procédé de dépôt par pulvérisation et l'on forme le trou de contact 11 en utilisant un procédé d'attaque chimique photosensible. Puis on chauffe le substrat en verre 7 à une température comprise entre 50 et 200 C, et on dépose la pellicule de Cr 12 a en utilisant un procédé d'évaporation, puis on-dépose la pellicule de Al 12 b On met en forme ensuite cette pellicule en lui donnant une structure ou configuration désirée en utilisant le procédé d'attaque chimique photosensible de ma-. 15 nière à former l'électrode supérieure 12 On utilise un mélange d'acide phosphorique et d'acide acétique en tant que solution corrosive pour le A 1 et une solution aqueuse de iitrate d'anoniumn cêrique ( 450 g/l) en tant que solution corrosive pour le Cr Il en résulte que la couche de réaction 14 20 est formée sur la couche 9 de a-Sie H et possède une résistance de couche égale à environ 10 k L/o. La couche de réaction 14 peut être égautilisée en tant qu'électrode transparente de la photodiode 1 La résistance 6 peut être insérée en tout point entre la 25 photodiode 1 et la borne 3 ou entre la diode de blocage 2 et la borne 3. Forme de réalisation 2 La figure 8 est une vue en coupe d'un transistor à effet de champ à couche mince conforme à la pré30 sente invention La référence 15 désigne un substrat en verre, la référence 16 une couche de Cr située au-dessous de l'électrode de grille, la référence 17 une pellicule isolante de grille en Si 3 N 4, la référence 18 une couche active de a-Si:H, la référence 19 une pellicule métallique formée de deux cou35 ches et comprenant une couche infêrieureen Cretune couche supérieure en Al(qui sont utilisées en tant que source, drain et interconnexion), et la référence 20 une couche de réaction formée sur la couche active 18 de a-Si:H La couche de réaction 20 est formée lors de la création d'une couche de Cr par exemple au moyen d'un dépôt par évaporation sur la couche active 18, puis est éliminée selon une structure ou configuration prédéterminée On l'utilise en tant que résistance de charge La référence 21 désigne une pellicule de passivation et la référence 22 désigne une couche de 10 revêtement. On va expliciter ci-après un procédé de fabrication du transistor à couche mince Tout d'abord on dépose par évaporation du Cr sur le substrat en verre 15 et on le soumet à une attaque chimique photosensible de manière 15 à former l'électrode de grille sous-jacente 16 Ensuite on dépose une pellicule de Si 3 N 4 au moyen d'un procédé de dépôt chimique plasmatique en phase vapeur en utilisant un mélange gazeux formé de Si H 4 de NH 3 et de N 2, et le gaz est transformé en du gaz Si H 4 de manière à former la pellicule a-Si:H qui, de façon intentionnelle, n'est pas dopée avec des impuretés Ensuite, on lui donne-une forme ou structure désirée en utilisant un procédé de corrosion plasmatique moyennant l'utilisation de gaz CF 4 de manière à former la pellicule isolante de grille 17 et la couche active 18 Ensuite, on 25 chauffe le substrat en verre 15 à une température comprise entre 50 et 200 C On dépose ensuite du Cr par évaporation sur ce substrat, puis on dépose par évaporation du A 1 sur l'ensemble et on effectue ensuite une attaque chimique photosensible de manière à former la pellicule métallique 19 for30 mée de deux couches La couche de réaction 20 obtenue par réaction avec la couche inférieure de Cr de la pellicule métallique 19 à deux couches est formée sur une couche réactive de a-Si:H Etant donné que la couche de réaction est également formée sur une surface 23, la couche de réaction située sur cette surface 23 est éliminée par attaque chimique à l'aide d'une solution de HF:HNO 3:H 20 (l:l:30) En dernier lieu on forme la couche de passivation 21 et la couche de revêtement 22. Dans le transistor à couche mince repré5 senté sur la figure 8, la couche active 18 de a-Si:H ne comportant aucune impureté de dopage, est contactée directement par la pellicule métallique 19 à deux couches (couche inférieure de Cr) En formant une couche 24 de a-Si:H de type n entre la couche 18 et la pellicule métallique 19 à deux cou10 ches comme représenté sur la figure 9, on améliore le contact avec la pellicule métallique 19 à deux couches Au lieu d'éliminer la couche de réaction supplémentaire sur la surface 23, on peut former préalablement une pellicule isolante sur cette surface 23 Bien que seul un transistor à couche mince soit représenté dans la présente forme de réalisation, il est possible d'utiliser la couche de réaction en tant que résistance dans un circuit intégré formé par une pluralité de transistors. Bien que l'on ait décrit le circuit 20 servant à empêcher le claquage sous l'effet de l'électricité statique dans le réseau de détecteurs linéaires et la valeur de charge de la résistance à couche mince, il faut comprendre que la présente invention est applicable à d'autres parties du circuit Alors que la couche de Cr est formée sur la cou25 che de a-Si:H dans la forme de réalisation ci-dessus, on peut utiliser la couche métallique constituée par du Cr, du Ni, du Ti, du V, du W, du Pt, du Mo ou du Ta ou un mélange d'un alliage de ces éléments ou bien un alliage du métal ci-dessus et un autre métal, comme par exemple du Cr-Al, du Cr-Ni ou du 30 Cr-Ni-Al La couche métallique peut posséder une épaisseur comprise entre 30 et 200 nanomêtres et est comprise de préférence entre 50 et 200 nanomêtres Si la couche de métal est trop mince, ceci altêre l'uniformité Si la couche de métal est trop épaisse, aucun avantage spécifique n'est offert Dans 35 les formes de réalisation ci-dessus, lessubstratsen verre 7 et 15 sont chauffés à une température comprise entre 50 et C Sinon le traitement thermique peut être effectué après la formation de la couche métallique Dans ce cas, la température de traitement thermique est située de préférence entre 100 et 250 C Une température supérieure à 250 C n'est pas souhaitable étant donné que le a-Si:H commence à dégénérer. La durée de traitement thermique peut être comprise entre minutes et une heure, bien que ceci dépende de la température du traitement thermique Une durée de traitment ther10 mique trop longue n'entrane aucun avantage spécifique Lorsque l'on élimine la surface de la couche de a-Si:H de manière à éliminer la couche d'oxyde superficielle aussitôt avant que la pellicule soit formée sur la couche de a-Si:H, l'échantillon est chauffé à une température comprise entre 60 et 70 C 15 par la chaleur produite par la source d'évaporation métallique, sans aucun traitement thermique particulier, et la couche de réaction est formée Le type de conductivité de la pellicule de a-Si:H peut être p, i ou N et la couche de a-Si:H peut comporter une impureté telle que du P, B, N, X ou O. Lorsque l'on utilise comme couche métallique du Cr, Ni, Ti, Ta ou Mo, on obtient une bonne adhérence à un verre tel que du Si O 2 Ainsi, en utilisant cette couche en tant que souscouche de l'électrode ou de l'interconnexion A 1 ou Au, présentant une adhérence relativement faible et une résistance 25 faible, il est possible d'améliorer la fiabilité de l'électrode ou de l'interconnexion. Comme cela a été décrit-ci-dessus, dans le dispositif à couche mince conforme à la présente invention, une couche métallique servant à constituer l 'électrode 30 ou l'interconnexion est formée sur une couche de a-Si:H et est soumise à une attaque chimique pour prendre une structure ou configuration désirée et Ia couche métallique située sur la couche de a-Si:H est éliminée La couche de réaction est ainsi formée et est utilisée en tant que résistance De cette manière la résistance est formée sans aucun accrois- sement du nombre des phases opératoires Etant donné que la résistance de couche de la couche de réaction est élevée, il est possible de former une résistance possédant une valeur résistive élevée et une faible surface. REVENDICATIONS 1 Dispositif à couche mince, caractérisé en ce qu'il comporte une couche de silicium amorphe ( 9,18) servant de substrat et une couche de réaction ( 14, 20) formée 5 par réaction entre une couche métallique ( 12, 19), formée sur ladite couche de silicium amorphe,etcette ouche de silicium amorphe et servant de résistance. 2 Dispositif à couche mince selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche métalli10 que ( 12, 19) contient au moins un métal choisi parmi un groupe incluant le Cr, Ni, Ti, V, W, Pt, Mo et Ta,et que ladite couche de réaction ( 14, 20) est formée par réaction interfaciale entre ladite couche métallique ( 12, 19) et ladite couche de silicium amorphe ( 9, 18). 3 Dispositif à couche mince selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite couche métallique ( 12, 19) est constituée par une pluralité de couches et que ladite couche de réaction ( 14, 20) est formée entre la couche métallique la plus inférieure et ladite couche de sili20 cium amorphe. 4 Dispositif à couche mince selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche métallique ( 12, 19) est éliminée dans une zone de lacouche résistive et que les couches métalliques subsistantes sont pré25 sentes en tant que couchesconductrice sur les extrémités opposées de ladite couche résistive. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche de silicium amorphe ( 9, 18) est une couche de silicium amorphe hydrogéné. 6 Dispositif à couche mince selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un transistor à effet de champ est formé dans l'autre partie de ladite couche de silicium amorphe, ledit transistor à effet de champ comportant des électrodes de source et de drain ( 19) constituées 35 par des couches métalliques formées, en étant distante sur ladite couche de silicium amorphe ( 18), et une électrode de grille ( 16) formée sur ladite couche de silicium amorphe, moyennant l'interposition d'une couche isolante ( 17) entre ces éléments. 7 Dispositif à couche mince selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'une desdites électrodes de source et de drain est raccordée à une extrémité de ladite résistance. 8 Dispositif à couche mince selon la 10 revendication 1, caractérisé en ce que ladite pellicule de silicium amorphe est réalisée sous la forme d'une région en îlot sur ledit substrat,qu'une seconde région en îlot constitué par une couche de silicium amorphe est formée dans l'autre partie dudit susbrat et qu'une diode est formée dans 15 ladite seconde région en forme d'îlot. 9 Dispositif à couche mince selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite diode comporte une couche de type p, une couche de type i et une couche de type n, formées dans la couche de silicium amorphe dans les20 dites secondes régions en forme d'îlots. Dispositif à couche mince selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'une couche conductrice de l'une des électrodes de ladite diode s'étend jusqu'à ladite couche de réaction sur la couche de silicium amorphe située 25 dans ledite première région en forme d'îlot 11 Dispositif à couche mince selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite couche conductrice est une couche métallique et que ladite couche de réaction est formée par une réaction interfaciale entre ladite 30 couche métallique et ladite couche de silicium amorphe.