Brevet FR2554286A1 — publié le 19850503

La présente invention a pour objet un dispo- sitif de protection contre des ourots -circuits dans une matrice de composants électroniques. Elle s'applique à tout arrangement matri- ciel de composants électroniques et en particulier à une matrice de transistors de commande d'un écran d'affichage à cristal liquide ou électroluminescent, ou d'un détecteur optique matriciel. Dans une matrice de composants électroni- ques, les défauts provoquant un court-circuit entre des lignes et des colonnes ou entre des lignes ou colonnes voisines de la matrice sont plus gênants que des coupures des interconnexions ou que le non fonc- tionnement d'un élément de la matrice. Au cas o un court-circuit se produirait dans une matrice d'un imageur, il apparaitrait sur l'écran des lignes horizontales et verticales sans signal vidéo, correspondant aux lignes et aux colonnes o le court- circuit aurait lieu, ce qui dérangerait fortement l'aspect optique de l'image reproduite sur l'écran. Un court-circuit rend donc la matrice inuti- lisable. Il peut être dû à un court-circuit grille- drain d'un transistor MOS, ce qui est le cas le plus fréquent ou à un court-circuit au croisement ligne- colonne. Ce dernier cas est très rare. La présente invention a justement pour objet un dispositif de protection contre les courts-circuits permettant de remédier à cet inconvénient. En particu- lier, elle évite le court-circuit entre la grille et le drain d'un transistor MOS. Elle peut être utilisée en particulier dans chaque cas o un court-circuit dans la grille d'un transistor MOS risque de provoquer un court-circuit sur une ligne d'alimentation ou sur une ligne d'horloge d'une matrice d'un imageur. De façon plus précise, l'invention a pour objet un dispositif de protection contre des courts- circuits dans une matrice active de composants élec- troniques comportant des transistors de commande ca- ractérisé en ce qu'une résistance, en série avec la grille ou le drain du transistor de commande est bran- chée entre cette grille ou ce drain respectivement et la ligne ou la colonne correspondante de la matrice. Selon une autre caractéristique, la résis- tance est réalisée par un transistor MOS à déplétion. Selon une autre caractéristique, la liaison entre la ligne et la grille du transistor de commande est réalisée en silicium polycristallin dopé dont le dopage est faible afin de réaliser ainsi une résistan- ce de protection de grande valeur. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention ressortiront de la description qui suit, donnée à titre illustratif et non limitatif, en réfé- rence aux dessins annexés dans lesquels: - la figure 1 représente schématiquement un premier mode de réalisation du dispositif selon l'in- vention, - la figure 2 représente schématiquement un deuxième mode de réalisation du dispositif selon l'in- vention. Sur la figure 1, on a représenté une ligne 1 et une colonne 2 d'une matrice de composants électro- niques. Dans ce cas précis, le composant électronique est un transistor MOS de commande 3 d'un élément de l'écran d'affichage à cristal liquide. La référence 4 désigne l'électrode du point d'affichage élémentaire. Entre la colonne 2 et le drain du transistor de commande 3 un transistor MOS à déplétion.6est'bran- ché en série. Sa grille et son drain sont connectés à la colonne, sa source est connectée au drain du tran- sistor de commande 3. Le transistor à déplétion 6 a une tension de seuil telle que sa résistance "ON' est satisfaisante pour une différence de potentiel égale à zéro entre sa grille et sa source. Donc un court-circuit qui s'ef- fectue entre la grille et le drain du transistor de commande 3 ne peut pas se propager sur le croisement ligne-colonne. Sur la figure 2, on a représenté un deuxième mode de réalisation d'une protection contre les courts-circuits. Le transistor MOS 13 commande une électrode d'un point élémentaire d'affichage 14 d'un écran à cristal liquide. Le drain du transistor MOS 13 est connecté à la colonne 12, la grille avec la ligne 11 par une interconnexion 16 grille-ligne qui est réali- sée en silicium polycristallin dopé dont le dopage est affaibli par rapport au dopage de la ligne 11. On a donc réalisé une résistance qui peut être de grande valeur (de 1 à 10 M) et qui est suffisante pour évi- ter les courts-circuits sans trop limiter la vitesse de fonctionnement du transistor MOS 13. Ici la ligne 11 est réalisée en silicium po- lycristallin dopé mais elle peut être aussi réalisée en aluminium, comme la colonne 12. Ces résistances de protection peuvent être utilisées dans tous les cas o un court-circuit dans la grille d'un transistor MOS risque de provoquer un court-circuit sur une ligne d'alimentation ou sur une ligne d'horloge d'une matrice des composants électro- niques. REVENDICATIONS 1. Dispositif de protection contre des courts-circuits dans une matrice active de composants électroniques comportant des transistors de commande (3, 13) caractérisé en ce qu'une résistance en série avec la grille ou le drain du transistor de commande (3, 13) est branchée entre cette grille ou ce drain respectivement et la ligne (1, 11) ou la colonne (2, 12) correspondante de la matrice. 2. Dispositif selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que la résistance est réalisée par un transistor MOS à déplétion (6). 3. Dispositif selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que la liaison entre la ligne et la grille du transistor de commande (13) est réalisée en silicium polycristallin dopé, dont le dopage est fai- ble afin de réaliser ainsi une résistance (16) de pro- tection de grande valeur.