Brevet FR2558659A1 — publié le 19850726

CIRCUIT DE POLARISATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP La présente invention concerne un circuit de polarisation d'un tran- sistor à effet de champ, fonctionnant en régime hyperfréquences. Ce circuit de polarisation permet de faire varier simultanément les tensions de polarisation sur deux électrodes du transistor, dont la grille. Ii est particu- lièrement intéressant dans le cas o il est lui-même intégré sur un circuit intégré monolithique comportant d'autres fonctions, car il occupe une surface de pastille sur le matériau semiconducteur beaucoup plus petite que les circuits connus. Pour ne pas perturber les signaux micro-onde - ou hyperfréquences - les circuits de polarisation doivent être filtrés, par des moyens qui laissent passer les tensions ou courants continus de polarisation mais isolent la puissance micro-onde. Ces moyens sont le plus fréquemment des selfs, des lignes microbandes ou des résistances de forte valeur. Les deux premiers ont l'inconvénient de ne pas être de dimensions et de technologie compatibles avec les circuits intégrés. Les résistances ont l'inconvénient que, si un courant drain est nécessaire, la chute de tension à travers la résistance est importante, et la tension de polarisation doit être élevée. Dans d'autres circuits connus, la polarisation de drain du transistor à effet de champ principal est assurée par un transistor à effet de champ secondaire, monté en source de courant, grille reliée à la source: mais la tension de polarisation du drain est fixe dans ce cas et il n'est pas possible de faire varier la tension de polarisation de grille, donc le point de polarisation du transistor principal. Dans le circuit de polarisation selon l'invention, la polarisation du drain (ou de la source selon le schéma utilisé) du transistor à effet de champ principal, est assurée par au moins un premier transistor secondaire, fonc- tionnant en charge saturable, dont la tension grille-source suit la tension grille-source du transistor à effet de champ principal grâce à un pont de résistances alimenté par un second transistor à effet de champ secondaire monté en source de courant. De façon plus précise l'invention concerne un circuit de polarisation d'un transistor à effet de champ, fonctionnant dans le domaine des hyperfré- quences, dont la grille est polarisée par une tension à travers une première résistance, ce circuit étant caractérisé en ce que au moins une électrode d'accès du transistor principal, par laquelle sort le signal hyperfréquence, est polarisée, à partir d'une source de tension, à travers un premier transistor secondaire, à effet de champ, fonctionnant en charge saturable, dont la tension grille-source suit la tension grille- source du transistor principal, les grilles de ces deux transistors étant réunies en deux points (B et A respectivement) d'un point diviseur constitué par au moins deux résis- tances, alimenté à partir des deux tensions de polarisation à travers un second transistor secondaire monté en source de courant. L'invention sera mieux comprise par la description détaillée qui suit de quelques exemples de polarisation, le transistor principal étant monté en source commune ou en drain commun ou en grille commune. Ces descrip- tions s'appuient sur les figures suivantes qui représentent: - figure 1: schéma de base de la polarisation d'un transistor à effet de champ, figures 2 à 5: schémas pratiques de polarisation d'un transistor à effet de champ selon l'art connu, - figure 6: circuit de polarisation d'un transistor à effet de champ selon l'invention (source commune), - figure 7: circuit de polarisation d'un transistor à effet de champ selon l'invention, dans une première variante, - figure 8: circuit de polarisation d'un transistor à effet de champ selon l'invention (drain commun), - figure 9: circuit de polarisation d'un transistor à effet de champ selon l'invention (grille commune). Pour fonctionner correctement, un transistor à effet de champ, travaillant dans le domaine des hyperfréquences ou micro-onde, doit être polarisé par une tension continue sur le drain et une tension continue sur la grille, comme indiquées en figure 1 qui représentent le schéma de base de polarisation d'un transistor à effet de champ monté en source commune. Soit T ce transistor à effet de champ, dont la source est branchée à la masse; les signaux hyperfréquences sont introduits sur la grille du transistor au point d'introduction I et ils sortent du dispositif sur le drain en un point repéré 0. Pour fonctionner correctement, il est donc nécessaire qu'une tension VD soit appliquée sur le drain et une tension VG soit appliquée sur la grille, ces deux tensions étant représentées sur la figure 1 par le schéma symbolique d'un générateur de tension. Mais, dans certains circuits, la tension de grille VG doit pouvoir être variée de manière à pouvoir choisir le point de fonctionnement du transistor, par exemple pour qu'un amplificateur fonctionne en classe A ou en classe B ou en classe C. Ou bien pour pouvoir choisir un point de fonctionnement correspondant à un bruit minimum, dans le cas des amplificateurs. Ou encore pour pouvoir varier une phase dans le cas des déphaseurs. Pour que les circuits de polarisation ne perturbent pas le fonction- nement du circuit micro-onde, les tensions de polarisation sont appliquées sur la grille et le drain à travers des circuits de filtrage qui laissent passer les tensions au courant continu, mais isolent la puissance hyperfréquence. Trois exemples de tels circuits sont représentés dans les figures 2, 3 et 4. En figure 2 les tensions de grille VG et de drain VD sont appli- quées respectivement sur la grille et le drain du transistor T à travers des selfs de choc L1 et L2. Les tensions VG et VD sont par ailleurs filtrées par un petit condensateur monté en parallèle et réuni à la masse. Cette méthode de polarisation est tout à fait valable dans le cas des circuits hybrides par exemple ou des transistors à effet de champ montés en discret, car elle permet de varier idépendamment la tension de grille VG et la tension de drain VD. Mais pour un circuit intégré monolithique, qui comporte un nombre élevé de transistors tel que le transistor T, les selfs de choc qui sont réalisées dans la réalité par des dépôts d'or qui permettent de faire la jonction entre le plot métallique qui amène la tension de polarisation et le plot métallique de la grille ou de drain, ne sont pas compatibles en technologie avec la réalisation de circuits intégrés en raison de leurs dimensions prohibitives. En figure 3, le transistor T est polarisé sur sa grille et sur son drain par deux lignes microbandes repérées B1 sur la grille et B2 sur le drain. C'est sur ces deux lignes microbandes B1 et B2 que sont appliquées respecti- vement les tensions de polarisation de grille VG et de polarisation de drain VD: les lignes microbandes ont une impédance caractéristique élevée et une longueur égale à un quart d'onde /4 à la fréquence de fonction- nement du transistor. Cette méthode de polarisation est bien connue, elle est fiable mais de même que la polarisation à travers les selfs de choc, sa technologie n'est pas compatible avec la technologie de fabrication de circuits intégrés. Alors que les dimensions d'un transistor à effet de champ fonctionnant dans le domaine des hyperfréquences se comptent en microns, les dimensions d'une microbande /4 dans les mêmes fréquences, entre 10 et 50 GHz par exemple, se comptent plutôt en mm donc il y a un rapport de dimensions entre transistors et lignes microbandes qui est de l'ordre de 103. Sur la figure 4, les tensions de polarisation sont appliquées à travers des résistances de valeurs suffisamment élevées pour ne pas perturber le fonctionnement du circuit micro-onde. C'est-à-dire que ces résistances laissent passer un courant continu de polarisation, mais présentent une valeur infinie au passage d'un signal hyperfréquence. L'utilisation de résis- tances de polarisation est plus compatible en technologie que l'utilisation de selfs ou de lignes microbandes, car on sait réaliser des résistances de valeurs élevées et n'occupant qu'une très petite surface sur la pastille d'un circuit intégré. Cependant, ce montage avec des résistances ne convient pour la grille que tant qu'elle n'est pas polarisée positivement, car le courant continu de grille est très faible et aucune chute de tension n'apparaît dans la résistance R10 connectée sur la grille. Par contre, en ce qui concerne le drain, la résistance R20 doit être suffisamment grande pour ne pas perturber le circuit hyperfréquence mais, simultanément, doit laisser passer un courant drain, par exemple 250 milli ampères par millimètre de largeur de grille, ce qui aboutit à des chutes de tension extrêmement importantes. Et par voie de conséquence, à des tensions de polarisation VD, appliquées sur la résistance R20, extrêmement importantes, et en dehors du domaine des tensions habituellement utilisées sur les circuits intégrés. Pour pallier cet inconvénient, le montage de la figure 5 est parfois utilisé. Dans ce circuit de polarisation d'un transistor Tl, la polarisation de grille est assurée par une tension VG, découplée à la masse, à travers une résistance Rj0, comme en figure 4. Par contre, le drain du transistor T1, qu'on conviendra par la suite d'appeler le transistor principal, c'est-à-dire celui qu'on veut polariser, est polarisé par une tension VD à travers un transistor secondaire T2 monté en source de courant c'est-à-dire dont la grille est connectée à la source, ce qui assure le passage d'un courant continu important tout en présentant en hyperfréquence une impédance dynamique élevée due à la saturation du courant. C'est pour cette raison que le transistor secondaire T2 est appelé charge saturable car il est bien connu que lorsque l'on dresse les courbes de courant de drain en fonction de la tension de drain d'un transistor à effet de champ, ces courbes présentent rapidement une saturation. Ce circuit de polarisation introduit quelques pertes supplémentaires, 0 ce qui fait que dans certains cas on monte en série deux transistors charge saturable tels que T2 pour polariser le drain du transistor TI. Cependant, ce circuit permet de gagner une surface importante sur la pastille de matériaux semiconducteurs par rapport aux selfs de choc ou aux lignes microbandes, et c'est un montage qui convient spécialement pour les circuits intégrés puisque dans ce cas, la ou les charge(s) saturable(s) T2 sont de petites surfaces par rapport au transistor principal T1. En effet les charges satu- rables sont calculées pour être optimisées et fournir juste le courant nécessaire à la polarisation du transistor T1 qui lui, a une surface en fonction de la puissance qu'il doit véhiculer. Ajouter sur un circuit intégré, une ou plusieurs petite(s) charge(s) saturable(s) ne pose(nt) pas de gros- problèmes de technologie comme ce serait le cas avec les selfs ou les lignes microbandes. Cependant, le circuit de la figure 5 a un inconvénient: le point de polarisation du transistor principal T1 est imposé une fois pour toute par la largeur du transistor T2, qui doit être inférieure ou égale à celle de Ti. Ce type de circuit exclut donc de faire varier la tension de polarisation de grille VG, donc le point de polarisation du transistor principal T. Or, il a été dit que dans certains cas d'amplificateur ou de déphaseur par exemple il est intéressant de pouvoir faire varier le point de polarisation d'un tran- sistor. Le circuit de polarisation selon l'invention est représenté en figure 6. Selon cette figure, le transistor principal Tl que l'on veut polariser convena- blement, voit sa grille polarisée par une tension VG appliquée à travers une résistance R1. Cette tension de polarisation bien entendu est comme dans le cas de toutes les figures découplée à la masse par un condensateur. La polarisation du drain D est assurée à partir d'une tension de polarisation VD par au moins une charge saturable T2, dont la tension grille- source VG2 S2 suit la tension grille-source VGI si du transistor principal T1. Ceci est obtenu par un pont de résistances R1 et R2, R1 étant la résistance de polarisation de la grille G1 du transistor T1, ce pont de résis- tances R1 et R2 étant lui-même alimenté par un petit transistor T3 monté en source de courant, dont la grille et la source sont reliés, le transistor T3 étant lui-même relié à la source de tension de drain VD. La grille du transistor principal T1 est donc reliée au point A, qui est le point commun aux deux résistances R1 et R2 du pont de résistance, tandis que la grille du transistor charge saturable T2 est reliée au point B, qui se trouve donc être le point d'alimentation du pont diviseur par le petit transistor T3. Le circuit selon l'invention réunit donc les avantages suivants: - la tension de polarisation de grille G1 du transistor principal T1 est appliquée à travers une résistance R1 de technologie compatible avec celle des circuits intégrés, - la tension de polarisation du drain D1 est appliquée, à partir de la tension VD, à travers un second transistor T2 monté en charge saturable, -mais la tension de grille G2 du transistor G2 suit la tension de grille G1 du transistor G1 grâce à un pont diviseur monté entre les deux sources de tension VD et VG' muni d'un petit transistor T3 fonctionnant en source de courant, la grille G1 étant réunie au point A du pont diviseur tandis que la grille G2 est réunie au point B de ce même pont diviseur. Prenons un exemple. Si VD = 6V, VG = 3V, R1 = R2 = 1000 Ohms, et le courant de saturation du petit transistor T3 est 3 mA on aalors VA = VGI = 0V et VB = VG2 = 3V. Si par ailleurs les largeurs des tran- sistors principal T1 et secondaire T2 sont identiques, VDi = 3V. Dans ces conditions, les tensions grille-source VG1 S1 et VG2 52 sont toutes deux égales à 0V. Si la tension de polarisation de grille varie, par exemple VG = -5V,en tenant compte du fait que le courant de saturation du tran- sistor T3 ne change pas, les nouvelles tensions grille-source VGI SI et VG2 52 sont toujours identiques mais égales à - 2V. Dans le cas o les résistances R1 et R2 du pont ne seraient pas tout à fait égales à la valeur prévue, mais identiques entre elles, il suffirait de faire varier la tension de polarisation de drain VD pour retrouver l'égalité des valeurs VGI SI = VG2 S2' De même, si le courant de saturation du transistor secondaire T2 n'est pas tout à fait égal à la valeur prévue, une variation de la tension de polarisation de drain VD permet encore de retrouver l'égalité VGI S1 = VG2 S2 En ce qui concerne les hyperfréquences, qui sont introduites dans le transistor par le point I et en ressortent par le point O, le circuit hyper- fréquence extérieur au transistor T1 ne "voit" que la résistance R1 en loparallèle à l'entrée du transistor T1. En effet, la résistance R2 est en série avec la résistance dynamique du petit transistor T3 source de courant, dont la résistance est très élevée. Le transistor T3 source de courant doit être environ dix à vingt fois plus étroit que la largeur des transistors principal T1 et secondaire T2. Par j5conséquent, les dimensions de la source de courant constituée par T3 est sans mesure commune avec les dimensions des selfs et lignes microbandes qui ont été analysées en figures 2 et 3. Si le courant nécessaire pour polariser le transistor T1 aboutit à un transistor T3 trop petit, inférieur à 5 microns, il est toujours possible d'augmenter la longueur de sa grille, car 201a fréquence de travail du transistor T3 n'est pas primordiale comme la fréquence de travail du transistor principal T1. Il a été dit à l'occasion de la figure 5, que le transistor principal T1 est quelquefois polarisé à travers une pluralité de transistors secondaires T2 montés en charge saturable. La figure 7 représente une illustration de ce cas, dans le domaine de l'invention, c'est-à-dire que le transistor prin- cipal T1 est polarisé à travers deux transistors secondaires T2 et T4 montés en charge saturable. Dans ce cas, le pont diviseur comporte autant de résistances RI, R2 et R3 qu'il y a de transistors, y compris le transistor principal. Ainsi, si la figure 7 comportait un troisième transistor charge saturable, le pont diviseur comporterait une quatrième résistance. Les figures 6 et 7 représentent le cas d'un transistor principal T1 fonctionnant avec la source commune. La figure 8 représente le circuit de l'invention lorsque le transistor principal T1 fonctionne en drain commun. Dans ce cas, la grille G1 du transistor principal Til est toujours polarisée à travers un dispositif résistif, mais ce dispositif est dans le cas présent séparé en deux résistances R1 et R2 qui constituent le pont diviseur à partir duquel est polarisée la grille G2 du transistor secondaire T2 fonctionnant en charge saturable. Le transistor T3 fonctionnant en source de courant est alimenté d'une part par la tension de polarisation de drain VD et est relié au pont diviseur R1 et R2. La tension grille-source VG2 52 du transistor T2 suit bien la tension grillesource VGi SI du transistor principal T1 lorsque la tension de polaisation de grille VG varie. Par rapport à la figure 6, la différence dans le cas de la figure 8 est 1oque la résistance de polarisation de la grille G1 du transistor R1 n'est plus seulement la résistance R1 mais est égale à la résistance R1 + R2. En outre, ce circuit avec montage en drain commun peut être réalisé avec une pluralité de transistors secondaires T2, T4...etc, comme cela a été représenté en figure 7. Dans le montage en drain commun de la figure 8, le circuit hyper- fréquence extérieur au transistor principal T1 "voit" à l'entrée du transistor la résistance R1 + R2 en parallèle avec la résistance dynamique du tran- sistor source de courant T3, qui est très grande puisque le transistor T3 est dix à vingt fois plus étroit que les transistors principal T1 et secondaire T2. Enfin la figure 9 représente le montage du circuit de polarisation lorsque le transistor principal T1 est monté en grille commune. Dans ce cas, les signaux hyperfréquences sont introduits dans le circuit du transistor principal T1 par le point I sur sa source S1 et en sortent sur le drain au pointo. La grille G1 est découplée à la masse par une capacité. La grille G1 du transistor principal T1 est polarisée par une tension de polarisation de grille VG appliquée à travers un élément résistif constitué par les résistances R1 et R2. Celles-ci constituent le pont diviseur qui polarise la grille G2 d'un transistor secondaire T2 de polarisation de source du transistor principal T1. Mais dans ce cas de figure, le pont diviseur comporte également une résistance R3, montée en série avec un petit transistor T3 source de courant, la résistance R3 partie intégrante du pont diviseur, polarise la grille G4 d'un second transistor secondaire T4 qui polarise le drain du transistor principal T1. Le circuit de polarisation d'un transistor à effet de champ selon l'invention permet donc de polariser convenablement un transistor à effet de champ quel que soit son type de montage, en source commune, en drain commun ou grille commune. Il fait appel à un minimum de deux transistors, le premier fonctionnant en charge saturable polarise le drain du transistor principal tandis que le second fonctionnant en source de courant alimente un pont diviseur de tension. La présence de deux transistors supplémentaires n'est pas un inconvénient du point de vue de l'intégration en circuit intégré car ces transistors secondaires n'occupent pas plus de surface que le transistor principal. En outre, ce circuit permet de faire varier le point de polarisation du transistor principal donc d'optimiser les circuits dans lesquels ce transistor peut être utilisé, tel que des amplificateurs ou des déphaseurs hyperfréquences. REVENDICATIONS I/ Circuit de polarisation d'un transistor à effet de champ (T1i), fonctionnant dans le domaine des hyperfréquences, dont la grille (Gl) est polarisée par une tension (VG) à travers une première résistance (R1), ce circuit étant caractérisé en ce que au moins une électrode d'accès (D1) du transistor principal (T1), par laquelle sort le signal hyperfréquence, est polarisée, à partir d'une source (VD) de tension, à travers un premier transistor secondaire (T2), à effet de champ, fonctionnant en charge satu- rable, dont la tension grille-source (VG2 S2) suit la tension de grille- source (VGI S1) du transistor principal (T1), les grilles (G2 et G1) de ces deux transistors (T2 et T1) étant réunies en deux points (B et A respecti- vement) d'un pont diviseur constitué par au moins deux résistances (R1, R2), alimenté à partir des deux tensions de polarisation (VG, VD) à travers un second transistor secondaire (T3) monté en source de courant. 2/ Circuit de polarisation selon la revendication 1, caractérisé en ce que. le transistor principal (T1) est monté en source commune, le signal hyperfréquence étant introduit (I) sur sa grille (G1) et recueilli (O) sur son drain (D1). 3/ Circuit de polarisation selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode d'accès (D1) du transistor principal (T1) est polarisée à travers une pluralité de transistors secondaires (T2, T4) montés en série, dont les grilles (G2, G4) sont reliées à autant de résistances (R2, R3) du pont diviseur. 4/ Circuit de polarisation selon la revendication 1, caractérisé en ce que le point de polarisation du transistor principal (TI) est ajustable par variation de la tension de polarisation (VD) de l'électrode d'accès (D1). / Circuit de polarisation selon la revendication 1, caractérisé en ce que, le transistor principal (T1) étant monté en drain commun, la tension de polarisation (VD) est appliquée sur la source (S1) dudit transistor (T1), et le transistor secondaire (T2) fonctionnant en charge saturable est monté entre le drain (D1) du transistor principal (T1) et la masse. 6/ Circuit de polarisation selon la revendication 1, caractérisé en ce que, le transistor principal (T1) étant monté en grille commune, une première électrode d'accès (S1) est polarisée à travers un premier transistor secondaire (T2) réuni à la masse, et une seconde électrode d'accès (D1) est polarisée à travers un second transistor secondaire (T4), réuni à la source de tension de polarisation (VD), les deux transistors secondaires (T2, T4) ayant leurs grilles (G2, G4) réunies en deux points du pont diviseur. 7/ Circuit de polarisation selon l'une quelconque des revendi- cations I à 6, caractérisé en ce qu'il est réalisé sous forme de circuit intégré.