Brevet FR2551938A2 — publié le 19850315

FR 2551938 A2 19850315 FR 8314403 A 19830909 PROCEDE D'ANALYSE D'UN DISPOSITIF PHOTOSENSIBLE A TRANSFERT DE LIGNE ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE D'UN TEL PROCEDE La présente addition concerne différents procédés et dispo sitifs d'injection de la troisième charge d'entraînement utilisée dans le procédé d'analyse décrit dans la demande de brevet principal. En effet, la demande de brevet principal concerne un procédé d'analyse d'un dispositif photosensible à transfert de ligne du type comportant une zone photosensible de M lignes de N points photo sensibles, les points photosensibles des différentes lignes étant reliés en parallèle par des colonnes conductrices à une mémoire de ligne qui assure le transfert des charges-signal d'une même ligne vers un registre de lecture et le transfert des charges parasites se trouvant sur les colonnes avant l'arrivée des charges-signal vers un drain d'évacuation. Conformément au procédé revendiqué, on utilise deux charges d'entraînement pour transférer les charges-signal ou les charges parasites depuis leur position dans la matrice photosensible ou dans les colonnes jusque dans le registre de lecture ou dans le drain d'évacuation des charges.De manière plus spécifique, une première charge d'entraînement (Q0) de valeur importante pour permettre le passage en forte inversion est utilisée pour effectuer le transfert des charges-signal ou des charges parasites vers la mémoi re de ligne et une seconde ou troisième charge d'entraînement (Q1 ou Q2) est utilisée pour effectuer le transfert des charges de la mémoire de ligne vers un drain d'évacuation dans le cas des charges parasites ou vers le registre de lecture dans le cas des charges signal. On a mentionné dans cette demande de brevet que la troisième charge d'entraînement Q2 qui accompagne l'évacuation des charges parasites peut-être introduite sur la mémoire de ligne de toutes les façons possibles même avec du bruit spatial du moment que son amplitude est suffisante pour passer en forte inversion. De ce fait, comme revendiqué dans la revendication 7 de la demande principale, on a proposé d'injecter la troisième charge d'entraînement directement à partir du drain d'évacuation des charges. Or une telle méthode d'introduction des charges a en général pour conséquence une dispersion sur la valeur de la troisième charge d'entraînement de colonne à colonne de l'ordre de 20 %. D'autre part, l'inefficacité de transfert entre les capacités intermédiaires de la mémoire de ligne n'est pas nulle.On retrouve donc, superposée à la charge-signal, une charge résiduelle issue de la troisième charge d'entraînement affectée du bruit spatial éventuel lié à l'introduction de cette troisième charge signal. En conséquence, dans le cas de l'introduction de la troisième charge d'entraînement à partir du drain d'évacuation, la charge résiduelle sur cette troisième charge d'entraînement est affectée de la dispersion mentionnée ci-dessus. Or cette charge résiduelle passe dans le registre de lecture avec la charge-signal et la deuxième charge d'entrainement peut-être de l'ordre de fait apparaitre un bruit spatial qui lorsque l'inefficacité de transfert entre les capacités de la mémoire de ligne est de 5 % et l'amplitude de la troisième charge d'entraînement Q2 de l'ordre de Selon les applications, cette amplitude de bruit spatial peut être jugée trop importante. En conséquence, la présente invention a pour but de proposer différents procédés et dispositifs d'introduction de la troisième charge d'entraînement qui permettent de réduire encore plus le bruit spatial. Conformément à la présente invention, la troisième charge d'entraînement est obtenue en injectant en série pendant le temps ligne cette quantité de charge dans un registre a décalage à transfert de charge à entrée série et sorties parallèles positionné parallèlement à la mémoire de ligne et en la transférant du registre vers la mémoire de ligne. L'utilisation d'un registre à décalage présentant une bonne efficacité de transfert permet d'obtenir sur chaque sortie, à savoir sur chaque élément de la mémoire de ligne, la même quantité de charge Q2. Les troisièmes charges d'entraînement se trouvent donc de ce fait exemptes de bruit spatial. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description de divers modes de réalisation faite ci-après avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels - la figure 1 est un schéma d'un premier mode de réalisation de l'injection de la troisième charge d'entraînement conformément à la présente invention - les figures 2(a) à (k) sont une vue en coupe transversale du dispositif de la figure I et des schémas expliquant son fonctionnement - la figure 3 est un schéma partiel d'un deuxième mode de réalisation de l'injection de la troisième charge d'entraînement conformément à la présente invention ;; - les figures 4(a) et 4(b) sont une vue en coupe transversale par A-A de figure 3 et un schéma expliquant son fonctionnement - la figure 5 est un schéma d'un autre mode de réalisation de l'étage d'entrée du dispositif de la figure 3 - la figure 6 est un schéma partiel d'un troisième mode de réalisation de l'injection de la troisième charge d'entraînement conformément à la présente invention - la figure 7 est un schéma partiel d'un quatrième mode de réalisation de l'injection de la troisième charge d'entraînement conformément à la présente invention ; - la figure S est un diagramme des temps des phases appliquées sur le registre utilisé dans la figure 7. Dans les différentes figures, les mêmes références désignent les mêmes éléments mais pour des raisons de clarté les cotes et proportions des divers éléments ne sont pas respectées. D'autre part, sur les différentes figures, le transfert des charges QO, Q1, QSZ QB QB a été représenté par des flèches. La figure 1 est un schéma d'un premier mode de réalisation d'un dispositif de mise en oeuvre du procédé d'injection de la troisième charge d'entraînement conforme à la présente invention. Sur cette figure, la référence 1 désigne la zone photosensible. Cette zone photosensible 1 est constituée d'une matrice de M lignes comportant chacune N points photosensibles P. Cette zone reçoit l'image lumineuse à analyser et la transforme en charges électriques dites charges-signal QS. Les points photosensibles d'une même ligne sont reliés entre eux et reliés à un registre d'adressage non représenté qui permet de sélectionner une ligne de la matrice. Les points photosensibles d'une même colonne sont reliés à une même colonne conductrice. Les charges signal QS créées dans chacun des points photosensibles d'une même ligne sont transférées en parallèle par l'intermédiaire d'une mémoire de ligne 4 vers un registre de lecture 3 qui fournit l'information reçue en parallèle en mode série. Cette information constitue le signal vidéo d'analyse de l'image optique reçue sur la zone photosensible 1. Le registre est de préférence un registre à transfert de charge de type C.C.D. (charge coupled devise). Comme représenté sur la figure 1, chaque point photosensible est séparé des connexions des colonnes par une grille G. Cette grille permet d'isoler les points photosensibles du reste du dispositif durant l'intégration des charges. D'autre part, la mémoire de ligne 4 est une mémoire de ligne à double étage telle que celle décrite dans la demande de brevet n0 gel.07672 au nom de la Demanderesse. Cette mémoire 4 comporte une série de capacités intermédiaires C1 dans lesquelles se trouvent stockées les charges d'entraînement QO. Une grille Gp contrôle le passage entre chaque colonne et la capacité intermédiaire correspondante. Le potentiel de cette grille fixe celui des colonnes. Ces capacités intermédiaires C1 sont suivies par des moyens de commutation qui conduisent le contenu des capacités intermé diaires soit vers un drain d'évacuation soit vers le registre de lecture 3. Comme représenté sur la figure 1, les capacités intermédiaires C1 sont suivies de grilles Go permettant de retenir les charges d'entraînement Q0 dans les capacités intermédiaires et fixant leurs amplitudes. Les grilles Go sont suivies de capacités C2 qui servent de plaques tournantes et permettent d'envoyer les charges venant des capacités C1 soit vers le drain d'évacuation après passage d'une grille R soit vers le registre de lecture 3 après passage d'une grille C. L'accès à chaque capacité C2 est commandé par trois grilles. Une grille Go qui permet l'arrivée des charges et deux grille R et C qui permettent leur départ soit vers le drain, soit vers le registre de lecture. Cette mémoire de ligne à double étage permet de retenir la charge d'entraînement QO par une barrière de potentiel indépendante des organes d'aiguillage comme cela a été expliqué de manière très détaillée dans la demande de brevet principal. D'autre part, comme représenté sur la figure 1, la deuxième charge d'entraînement Q1 est injectée par l'intermédiaire d'un étage d'injection de type connu constitué d'une diode et de deux grilles, dans le registre de lecture 3 qui est utilisé à la fois pour l'injection de la deuxième charge d'entraînement Q1 selon le procédé décrit dans la demande de brevet principal et pour la lecture de l'ensemble des charges constitué par les charges signal et les deuxièmes charges d'entraînement De plus, conformément à la présente invention, un registre à décalage 10 de type C.C.D. à entrée série et sorties parallèles est positionné parallèlement aux lignes de la matrice photosensible sur le côté opposé au registre de lecture 3.Ce registre 10 est séparé de la matrice photosensible par des grilles C' qui règlent le moment du transfert des charges Q2 vers les colonnes de la matrice photosensible. La troisième charge d'entraînement Q2 est injectée en continu dans le registre à décalage 10 par l'intermédiaire d'un étage d'injection de type connu constitué par une diode et des grilles. On expliquera le fonctionnement de ce premier mode de réalisation avec référence aux figures 2(a) à 2(k). La figure 2(a) est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 1. On a représenté en tiretés un étage de stockage du registre à décalage 10 et un étage de stockage du registre de lecture 3, ces étages étant référencés respectivement par f C.C.D et C.C.D. Les figures 2(b) à 2(k) sont des schémas montrant l'évolution du potentiel de surface 5 dans le substrat semi-conducteur 5 sur lequel est intégré le dispositif photosensible, à divers instants pris au cours d'une séquence de lecture ligne faite selon le procédé de l'invention. Les zones hachurées indiquent la présence de porteurs minoritaires. Sur les figures 2(b) à 2(k), on a représenté uniquement l'interface 6 du substrat et de la couche isolante qui le recouvre. Conformément à la présente invention, pendant le temps ligne durant lequel s'effectue la sortie série du signal vidéo dans le registre de lecture 3, les deuxième et troisième charges d'entraînement Q1 et Q2 sont injectées en série dans les registres à transfert de charge 3 et 10 de sorte qu'à la fin du temps ligne, on trouve des charges Q1 et Q2 sur les sorties parallèles des registres ci-dessus. De ce fait, au début du temps de retour ligne, on se trouve dans l'état représenté à la figure 2(b). Sur cette figure on a représenté par Q5 les charges signal intégrées au niveau de chaque point photosensible.De plus, la première charge d'entraînement QO et les charges parasites QB sont positionnées sur les colonnes et les charges Q2 et Q1 se trouvent dans les étages correspondant des registres à décalage 10 et 3. Comme représenté sur la figure 2(c), la charge Q2 est transférée du registre à décalage 10 vers les colonnes où se trouve la charge d'entraînement principale QO. Pour ce faire, la grille C' est positionnée à un niveau haut et le potentiel C.C.D est positionné a un niveau bas. Ensuite, comme représenté sur la figure 2(d) l'ensemble des charges QO représentant la première charge d'entraînement, Q2 représentant la troisième charge d'entraînement et QB représentant les charges parasites telles que les charges d'éblouissement par exemple est transféré sur les colonnes vers la capacité inter médiaire C1 grace à l'augmentation du potentiel de la grille Gp. Simultanément les capacités C2 passent au niveau bas et les charges d'entraînement Q2 ainsi que les charges parasites QB sont transférées vers la capacité C2 puis vers le drain DR, le potentiel de la grille R se trouvant à un niveau haut, tandis que la charge QO est maintenue dans la capacité C1 par la barrière de potentiel créée sous la grille Gg, comme représenté sur la figure 2(e). Comme représenté sur la figure 2(f) les capacités C1 et C2 passent au niveau bas. De ce fait, la charge Q0 retourne sur les colonnes et la charge QB + Q2 est complètement évacuée vers le drain DR. Sur la figure 2(g) les capacités C1 et C2 reviennent au niveau haut et le potentiel de la grille R est ramené au niveau bas. Ensuite, comme représenté sur la figure 2(h), il y a transfert des charges Q5 des points photosensibles sur les colonnes où elles s'ajoutent aux premières charges d'entraînement QO. Simultanément les deuxièmes charges d'entraînement Q1 stockées dans les étages de stockage du registre de lecture 3 sont transférées dans les capacités C2 lors du passage au niveau haut de la grille C. Puis, comme représenté sur la figure 2(i) le passage de la grille Gp au niveau haut permet le passage des charges Qo + QS dans les capacités intermédiaires C1. D'autre part, le passage de la capacité C2 au niveau bas provoque le transfert des deuxièmes charges d'entraînement Q1 sous les capacités intermédiaires C1. Comme représenté sur la figure 2(j), le passage des capacités C2 et de la grille C au niveau haut permet le passage des charges QS + Ql de la capacité C2 vers le registre de lecture 3. La charge QO est retenue sous les capacités intermédiaires Cl par la grille G0. Sur la figure 2(k) le passage des capacités C1 et C2 au niveau bas provoque le retour de la première charge d'entraînement QO sur les colonnes et le transfert de Q5 + Q1 dans le registre de lecture conformément au procédé du brevet principal. Sur les colonnes, à la charge QO vont venir s'ajouter les charges parasites QB et l'on se retrouve alors dans la situation de la figure 2(b). Les étapes représentées sur les figures 2(b) à 2(k) ont lieu de préférence pendant le temps de retour ligne. Les deuxième et troisième charges d'entraînement Q1 et Q2 étant injectées en série dans des registres à décalage du type C.C.D., elles se trouvent de ce fait exemptes de bruit spatial, ce qui ne pouvait être réalisé lorsque la troisième charge d'entraînement Q2 était obtenue à l'aide du drain comme décrit dans la demande de brevet principal. Les figures 3 à 5 représentent un autre mode de réalisation du dispositif d'injection des deuxième et troisième charges d'entraînement conformément à la présente invention. Ce dispositif d'injection est plus particulièrement intéressant dans le cas où le dispositif photosensible du type à transfert de ligne comporte deux ensembles registre de lecture-mémoire de ligne situés l'un au dessus l'autre au dessous de la matrice photosensible, permettant de lire alternativement les colonnes paires et impaires de cette matrice, comme décrit, par exemple, dans la demande de brevet n0 81.06432 au nom de la Demanderesse. Toutefois, il est évident pour l'homme de l'art que ce dispositif peut aussi être utilisé dans le cas d'un seul ensemble registre de lecture-mémoire de ligne comme décrit avec référence aux figures 1 et 2. Comme représenté sur la figure 3 dans laquelle on a omis dans un but de simplification la matrice photosensible 1 et référencé uniquement par 4 la mémoire de ligne, les dispositifs d'injection des seconde et troisième charges d'entraînement Q1 et Q2 sont constitués respectivement par le registre de lecture 3 et par un registre à transfert de charge auxiliaire 11 positionné parallèlement au registre de lecture 3 et à coté de celui-ci. les deux registres 3 et 11 sont commandés par des phases communes 1 et 2 et commu niquent au niveau de chaque phase 01 par l'intermédiaire d'une grille de passage p. Des diffusions d'isolement 12 sont prévues entre les deux registres 3 et 11 au niveau des phases 02 D'autre part, comme représenté de manière plus détaillée sur la figure 4(a) qui est une vue en coupe transversale selon A-A de la figure 3, le registre de lecture est du type transfert en volume tandis que le registre auxiliaire 11 est du type transfert en surface. Ceci permet d'avoir des potentiels plus faibles dans le registre auxiliaire que dans le registre de lecture pour une même tension appliquée 1 et permet en conséquence le transfert des charges stockées dans le registre auxiliaire de celuisi vers le registre de lecture en portant seulement le potentiel de la grille jp au niveau haut comme cela sera expliqué plus en détails ci-après. De plus, pour bien séparer les deux canaux de transfert des charges des registres 3 et 11, une diffusion d'isolement 16 est prévue sous la grille 5Zip. Comme représenté sur la figure 3, les deuxième et troisième charges d'entraînement Q2 et Q1 sont obtenues en injectant une charge unique Qe dans l'étage d'entrée et en partageant cette charge Qe en deux partie égale Q1 et Q2 à l'aide d'une diffusion d'isolement 13 selon le procédé décrit dans la demande de brevet français nv 77.28737 au nom de la Demanderesse. Comme représenté sur la figure 5, les charges Q1 et Q2 peuvent être obtenues à partir de deux étages d'injection indépendants 14, 15 l'un pour QA l'autre pour Q2. On expliquera maintenant le fonctionnement de ce mode de réalisation avec référence en particulier aux figures 3 et 4. Pendant le temps ligne, les charges Q1 et Q2 sont injectées en série sur chaque étage des deux registres adjacents 3 et Il La charge d'entraînement Q2 étant tout d'abord utilisée pour l'évacuation des charges parasites, elle sera injectée dans le registre de lecture 3 tandis que la deuxième charge d'entraînement Q1 sera injectée dans le registre auxiliaire. Au début du temps de retour ligne, la troisième charge d'entraînement Q2 injectée dans le registre de lecture 3, est transférée dans la mémoire de ligne 4 en positionnant la grille C à un niveau bas, pour être utilisée comme charge d'entraînement des charges parasites QB. La charge Q2 se trouve alors injectée dans la capacité C2 et son utilisation comme troisième charge d'entraînement est réalisée de la même manière que lorsque la charge Q2 est obtenue dans la capacité C2 à partir du drain comme décrit avec référence aux figures 8(a) à 8(k) dans la demande de brevet principal. Une fois, l'ensemble des charges Q2 + QB évacuées dans le drain DR, la deuxième charge d'entraînement Q1 est transférée du registre auxiliaire 11 vers l'étage correspondant du registre de lecture 3 en portant la barrière de potentiel sous Q5p à un niveau haut comme représenté sur la figure 4(b). Ensuite la barrière sous étant ramenée au niveau bas, la charge Q1 est transférée du registre de lecture 3 vers la mémoire de ligne pour être utilisée comme charge d'entraînement des charges signal comme expliqué de manière détaillée avec référence aux figures 2(h) à 2(k).L'ensemble des charges Q1 + Q5 est alors transféré dans le registre de lecture 3 pour être acheminé vers la sortie pendant le temps ligne suivant en même temps que l'on injecte de nouvelles charges d'entraînement Q1 et Q2 dans les registres 3 et 11. Dans le mode de réalisation des figures 3 à 5 on a décrit un registre auxiliaire du type transfert en surface. Toutefois le registre auxiliaire 1 I peut également être du type transfert en volume, mais dans ce cas la dose d'impuretés pour la partie N doit être plus faible que celle du registre de lecture, de façon à obtenir une configuration des potentiels dans les registres 3 et Il telle que celle représentée à la figure 4(b). La figure 6 représente schématiquement un autre mode de réalisation permettant l'injection de la troisième charge d'entraînement Q2 à l'aide d'un registre à décalage Conformément au mode de réalisation représenté, les deuxième et troisième charges d'entraînement Q1 et Q2 sont injectées directement dans le même registre à transfert de charge à savoir dans le registre de lecture. Toutefois le registre de lecture comporte un nombre d'étages qui permet de stocker successivement les deuxième et troisième quantités de charge utilisées pour un étage de mémoire ligne. Comme représenté sur la figure 6, dans le cas d'un registre à transfert de charge fonctionnant en bi-phasé, le registre comporte un nombre d'étages double du nombre de colonnes De ce fait le registre à transfert de charge comporte quatre électrodes de stockage pour un étage de mémoire de ligne. Dans ce cas, les deuxième et troisième charges d'entraînement Q1 et Q2 sont rigoureusement identiques puisqu'elles sont injectées dans un seul registre à transfert de charge. On expliquera maintenant le fonctionnement du dispositif décrit ci-dessus. Pendant le temps ligne, des charges Q donnant les charges Q1 ou les charges Q2 selon leur position sont injectées sur tout le registre à décalage. Ensuite la charge Q2, à savoir la charge Q se trouvant sous l'électrode de stockage positionnée en face de la grille C, est transférée dans la mémoire de ligne pour l'évacuation des charges parasites en portant le potentiel de la grille C à un niveau haut. il est évident que les grilles C ne sont prévues qu'entre l'électrode de stockage du registre 3 se trouvant en face de la capacité Cê, alors que des diffusions d'isolement sont prévues entre les autres électrodes de stockage du registre 3 et la mémoire de ligne 4. Une fois l'évacuation des charges parasites vers le drain réalisée, la charge Q1 est transférée deux fois dans le registre de lecture de manière à se trouver sous l'électrode de stockage en communication avec la mémoire de ligne. La charge Q1 est alors transférée dans la mémoire de ligne pour effectuer la lecture de la charge signal et transférer l'ensemble des charges Q1 + QS dans le registre de lecture 3 comme décrit précédemment avec référence aux figures 8 du brevet principal ou aux figures 2 de la présente demande. Avec des registres à transfert de charge de type bi-phasé, il est nécessaire de doubler le nombre d'étages du registre pour réaliser l'injection de Q1 et de Q2 dans le même registre. Toutefois il est évident pour ";~mrne de l'art, que des registres à décalage avec un nombre de phases de commande différent peuvent être utilisés. Dans ce cas le nombre d'étages du registre de lecture n'a pas forcément besoin d'être doublé. Ainsi on peut utiliser un registre de lecture à trois phases de commande qui ne comportera que trois transferts pour un étage de mémoire ligne et qui permettra d'injecter simultanément les deuxième et troisième charges Q1 et Q2 dans le même registre de lecture. La figure 7 représente encore un autre mode de réalisation d'un dispositif permettant l'injection des deuxième et troisième charges d'entraînement Q1 et Q2 par l'intermédiaire d'un registre à décalage. Comme représenté sur la figure 7, le registre à décalage utilisé pour l'injection de Q1 et de Q2 est un registre dont les électrodes de stockage qui ne sont pas en communication avec la mémoire de ligne sont partagées en deux. Chaque partie d'électrode 17, 17' est reliées respectivement à une phase 1 ou t1 .La coupure de l'électrode est située de préférence au milieu du canal de transfert et se trouve associée à une diffusion d'isolement 18 qui réalise ainsi un partage de la charge Q en deux parties égales Q1 = Q2 = Q/2.11 n'est pas nécessaire que le partage de la charge Q se fasse selon deux charges identiques Q1 Q2 = Q/2 du moment que les charges Q1 ou les charges Q2 restent identiques avec une valeur suffisante au niveau de chaque étage de la mémoire de ligne. Les électrodes 19 en communication avec la mémoire de ligne 4 sont commandées par une phase 2 et ne sont pas partargées. On expliquera maintenant avec référence plus particulièrement à la figure 8 qui représente le potentiel appliqué sur les différentes phases #1, #1, #2 en fonction du temps, le fonctionnement du registre unique 3 décrit ci-dessus. Pendant le temps ligne une charge Q est injectée en série sur chaque étage du registre. Les phases de commande @1 et t1 sont alors constituées par des tensions en créneaux identiques, et la phase 2 est constituée par une tension en créneaux identique mais en opposition de phase avec les phases SZi1 et ai1 de manière à réaliser le décalage de la charge Q dans tous les étages du registre. Le transfert est interrompu au début du temps de retour ligne de sorte que la charge Q se trouve sous les électrodes 17, 17'.Cette charge Q se trouve donc partargée sous la forme Q1 = Q2 = Q/2 sous chaque partie d'électrodes 17, 17'. Au temps tl, la phase t1 est portée au niveau bas ce qui transfère la charge Q2 sous l'électrode 19, la phase 2 étant portée au niveau haut. Ensuite, au temps t2 la phase (;b2 passe au niveau bas et la grille C de la mémoire de ligne est simultanément positionnée au niveau haut. La charge Q2 est alors transférée dans la mémoire de ligne pour l'évacuation des charges parasites vers le drain. Lors de cette opération, la phase Au temps T3 la phase 02 est alors portée au niveau haut. A ce moment, la charge Q1 qui se trouve sous l'électrode 17 est transférée sous l'électrode 19, puis au temps T4 la phase Q)2 revient au niveau bas et transfère la charge Q1 dans la mémoire de ligne pour éffectuer la lecture des charges-signal de la manière connue. L'ensemble des charges Q1 + Qs est donc réinjecté dans le dispositif à transfert de charge 3 utilisé également comme registre de lecture, de manière à réaliser la lecture en série de la charge signal. D'autre part, au cas où les registres à décalage utilisés pour l'injection des deuxième et troisième charges d'entraînement ne présenteraient pas une efficacité de transfert suffisante, il est possible de remédier à cet inconvénient en utilisant des registres présentant un nombre d'étages légèrement supérieur au nombre d'étages de la mémoire ligne et en éliminant ainsi les premières charges injectées dans le registre à décalage. REVENDICATIONS 1. Procédé d'analyse d'un dispositif photosensible à transfert de ligne selon les revendications 1 et 2 du brevet principal, caractérisé en ce que la troisième charge dlentraînement (Q2) est obtenue en injectant en série pendant le temps ligne cette quantité de charge dans un registre à décalage à transfert de charge (3, 10, 11) à entrée série et sorties parallèles positionné parallèlement à la mémoire de ligne et en la transférant du registre vers la mémoire de ligne (4). 2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le registre à décalage à transfert de charge (10) est positionné à l'extrémité des colonnes de la zone photosensible (1) du coté opposé à la mémoire de ligne (4), le transfert de la charge vers la mémoire de ligne étant réalisé par l'intermédiaire des colonnes. 3. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le registre à décalage à transfert de charge (11) est adjacent au registre de lecture (3) constitué par un registre du type à transfert en volume, les deux registres (3, 11) étant commandés par des phases de commande (#1, 2) identiques et communiquant au niveau d'une des phases (cul) par l'intermédiaire d'une grille de passage ( la troisième charge d'entraînement (Q2) étant injectée dans le registre de lecture (3) et la deuxième charge d'entraînement (Q1) dans le registre à décalage (11). 4. Procédé selon la revendication 3 caractérisé en ce que le registre à décalage (11) est du type à transfert en volume avec une dose d'implantation d'impuretés plus faible que celle du registre de lecture (3). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 et 4 caractérisé en ce que les deuxième et troisième charges d'entraînement (Q1, Q2) sont obtenues par séparation d'une charge unique (Qe) injectée dans un étage d'entrée commun au registre à décalage (11) et au registre de lecture (3). 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 et 4 caractérisé en ce que les deuxième et troisième charges d'entraîne ment (Q1, Q2 > sont injectées séparément par des étages d'entrée différents (14, 15) dans le registre à décalage (11) et dans le registre de lecture (3). 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2 du brevet principal caractérisé en ce que les deuxième et troisième charges d'entraînement (Q1, Q2) sont obtenues en injectant en série pendant le temps ligne une quantité de charges dans le registre de lecture (3) qui comporte un nombre d'étages permettant de stocker successivement pour un étage de mémoire ligne (4), deux quantités de charge identiques correspondant aux deuxième et troisième charges d'entraînement. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2 du brevet principal caractérisé en ce que les deuxième et troisième charges d'entraînement sont obtenues en injectant en série, pendant le temps ligne, une quantité de charge (Q) dans le registre de lecture (3) constitué par un registre à décalage serie-parallèle comportant au moins deux électrodes de stockage pour un étage de mémoire ligne, une des électrodes de stockage ne communiquant pas avec la mémoire ligne étant constituée par deux parties d'électrodes (17, 17') de manière à séparer la charge injectée (Q) en deux charges (Q1 = Q2 = Q/2), les phases de commande (Qi 2) appliquées sur les différentes électrodes (17, 17', 18) étant choisies de manière à pouvoir transférer séparément les deux charges (Q1 Q2) vers la mémoire de ligne. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 7 et 8 caractérisé en ce que les deuxième et troisième charges d'entrainement (Q1, Q2) sont injectées dans des registres à décalage à transfert de charge (3, 10, 11) comportant un nombre d'étages supérieur au nombre d'étages de la mémoire de ligne.