Brevet FR2554970A1 — publié le 19850517

La présente invention concerne les techniques des semiconducteurs et en particulier une technique d'i- solation d'éléments, qui peut être efficacement mise en oeuvre pour la formation de régions d'isolation d'éléments dans un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs. Les éléments situés dans les dispositifs à circuits intégrés à semiconducteurs sont isolés gr#ce à l'emploi d'une méthode d'isolation à jonction pn, utilisant des couches de diffusion ou couches diffusées, ou bien grâce à l'emploi d'une méthode d'isolation à pelliculerd'oxydation, qui utilise des pellicules formées par oxydation locale sur la surface du substrat. Mais, dans le cas d'utilisation de ces méthodes d'isolation, les largeurs des régions d'isolation sont relativement importantes. Etant donné que la taille des éléments devient de plus en plus petite, les régions d'isolation occupent par conséquent proportionnellement des surfaces plus grandes. Ceci rend difficile l'obtention de circuits LSI (à haute densité d'intégration) sous une forme intégrée d'une manière très dense.Les auteurs à la base de la présente invention ont par conséquent proposé une technique d'isolation désignée sous le terme de méthode d'isolation à gorge ou sillon en U, selon laquelle des parties, qui agissent en tant que régions isolantes entre des régions actives d'éléments,#sont découpées de manière à former des gorges en forme de U, fossés, tranchées ou sillons, désignés ci-après sous le terme de gorges en U). On forme une pellicule de bioxyde de silicium dans les gorges en U, que l'on rempllensuite avec du silicium polycristallin. Ceci constitue les régions d'isolation des éléments. Cette technique a été décrite par exemple dans la revue "NIKKEI ELECTRONICS", 29 Mars 1982, NO 287, pp.90-101. Les transistors bipolaires sont les composants principaux intervenant dans la construction d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs de type bipolaire. Cependant les transistors bipolaires doivent isolés les uns des autres par des gorges en U lorsqu'ils sont disposés d'une manière très dense sur un substrat semiconducteur. Cependant, afin de réduire la taille d'un transistor bipolaire, il faut isoler une région semiconductrice de type n+, qui agit en tant que région de contact de collecteur, par rapport à une région de base de type p+, à l'aide d'un matéri#au isolant. Les auteurs à la base de la présente invention ont découvert qu'il se pose un problème lorsque l'on essaie de satisfaire simultanément à ces deux exigences. Lorsque l'on utilise des gorges en U profondes isolant des transistors individuels et des gorges en U peu profondes isolant chaque région de base et chaque région de collecteur, le procédé de fabrication est complexe et une résistance accrue de collecteur entraîne une réduction de la vitesse de commutation. Lorsque llon utilise des gorges en U pour isoler des transistors individuels et lorsque l'on utilise une pellicule d'oxyde de champ pour isoler chaque région de base et chaque région de collecteur, la tension de claquage au niveau de la jonction pn entre la région de base et la région de collecteur diminue par suite de l'apparition de "becs d'oiseau" formés dans la pellicule d'oxyde de champ. Le but de la présente invention est d'accrortre le degré d'intégration des dispositifs à circuits intégrés à semiconducteurs bipolaires, sans altérer ni réduire leurs caractéristiques électriques. Un autre but de la présente invention consiste à améliorer les caractéristiques électriques d'éléments semiconducteurs formés sur un corps semiconducteur. Un autre but de la présente- invention consiste à fournir un procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs, dans lequel les régions semiconductrices, qui agissent en tant que régions de contact de collecteur et en tant que régions de base, sont suffisamment isolées les unes des autres, et ce sans accroître le nombre des phases opératoires de traitement. Ces buts ainsi que d'autres buts et des caractéristiques nouvelles conformes à la présente invention ressortiront à l'évidence de la description qui va suivre et des dessins annexés On va donner ci-après une description abrégée de la présente invention. Dans un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs du type bipolaire, dans lequel les éléments sont isolés par les régions isolantes à gorges en U, on forme une pellicule d'oxyde réalisant l'isolation entre une région semiconductrice qui agit en tant que région de contact de collecteur et une région de base, et ce en même temps qu"inter- vient la formation d'une pellicule d'oxyde de silicium à l'in térieur des gorges isolantes en forme de U. Ceci supprime la nécessité de prévoir une phase opératoire de formation d' une nouvelle pellicule d'oxyde isolante. La pellicule d'oxyde isolante ainsi formée n'atteint pas la couche ensevelie de n+, et possède des parties d'extrémité suffisamment épaisses même au niveau de ses limites avec les régions isolantes formées par des gorges en U. De façon plus précise l'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs, caractérisé par le fait qu'il inclut (a) une phase opratoir2de formation d'un corps semiconducteur qui comprend un substrat semiconducteur possédant un premier type de conductivité, une couche ensevelie possédant un second type de conductivité et une couche épitaxiale possédant ledit second type de conductivité, (b) une phase op#ratoi#de formation de gorges dans une surface principale dudit corps semiconducteur par attaque chimique dudit substrat semiconducteur, lesdites gorges s'étendant jusqu'audit substrat semiconducteur à partir d'une surface principale dudit corps semiconducteur, puis de subdivision de ladite couche ensevelie et de ladite couche épitaxiale en une pluralité de régions, (c) une phase opératoire de formation d'une pre- mière pellicule d'oxyde de silicium et d'une seconde pellicule d'oxyde de silicium sous la forme d'une structure unitaire ladite première pellicule d'oxyde de silicium étant formée sur la surface dudit corps semiconducteur misà nu à l'intérieur desdites gorges, et ladite seconde pellicule d'oxyde de silicium étant formée sur une partie de la surface de chacune des régions séparées, tandis que la surface de# chacune desdites couches épitaxiales est subdivisée en une première région et en une seconde région par ladite seconde pellicule d'oxyde de silicium, (d) une phase opératoire de formation de régions isolantes moyennant l'utilisation desdites gorges, chacune desdites régions isolantes isolant une pluralité de régions séparées réciproquement par lesdites gorges, et, (e) une phase opératoire de formation d'un transistor bipolaire dans chaque région de ladite pluralité de régions isolées, chacun desdits transistors bipolaires comprenant une région de base possédant ledit premier type de conductivité et formée dans une partie de ladite couche épitaxiale, une région#d1émetteur possédant ledit second type de conductivité et formée dans une partie de ladite région de base, et une région de collecteur qui est constituée par ladite couche ensevelie, ladite couche épitaxiale et ladite région de contact de collecteur possédant le second type de conductivité étatforméoedans ladite partie de ladite couche épitaxiale, ladite région de contact de collecteur étant formée sur ladite première région de ladite couche épitaxiale, et ladite région de base étant formée sur ladite seconde région de ladite couche épitaxiale. D'autres caractéristiques et avantages de-la présente invention ressortiront de la description donnée ciaprès prise en référence aux dessins annexés, sur laquelle les figura 1 à 4, 6 et 8 à 14 sont des vues en coupe illustrant les phases opératoires de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs de type bipolaire la figure 5 est une vue en plan d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs de type bipolaire, au cours de sa fabrication ; et la figure 7 est une vue en coupe du dispositif de la figure 5. Les figures 1 à 16 montrent une forme de réalisation, dans laquelle la présente invention est adaptée à un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs de type bipolaire, et ce avec une représentation illustrant les différentes phases opératoires successives de -fabrication. Conformément à la présente invention , on prépare tout d'abord un corps semiconducteur 24. On forme des trous servant à la formation de couches ensevelies, en des positions appropriées dans une pellicule d'oxyde de silicium formée sur un substrat semiconducteur 1 qui est constitué par du silicium monocristallin de type p. En utilisant la pellicule d'oxyde de silicium en tant que masque, on fait diffuser thermiquement des impuretés de type n dans le substrat 1 de manière à former une couche ensevelie 2 locale de type n+. Après avoir éliminé la pellicule d'oxyde de silicium, on fait croit une couche épitaxiale 3 de type n- sur le substrat 1, en utilisant un procédé de croissance en phase vapeur de manière à réaliser le corps semiconducteur 24. On forme une pellicule d'oxyde de silicium (pellicule de Si02) 4 et une pellicule de nitrure de silicium (pellicule de Si3N4) 5 sur une surface principale du corps semiconducteur 24. On élimine la pellicule de nitrure de silicium 5 au niveau de zones où le câblage sera formé sur le pourtour de la microplaquette ou puce. En utilisant la pellicule 5 de nitrure de silicium en tant que masque, on découpe la surface principale du substrat 1 en utilisant une tec#hnique isoplane classique, suivie d'une oxydation thermique, de manière à former une pellicule d'oxyde de champ 6 possédant une épaisseur comprise entre 1 micron et 1,2 micron, comme représenté sur la figure 1. Etant donné que la pellicule d'oxyde de champ 6 est suffisamment épaisse il est possible de réduire la capacité électrostatique du câblage ménagé dans les zones de câblage. On élimine la pellicule de nitrure de silicium 5 et on forme une autre pellicule de nitrure de silicium 25 sur l'ensemble de la surface du substrat. On élimine la pellicule de nitrure de silicium 25 par attaque chimique dans des zones, au niveau desquelles les régions isolantes doivent être formées, c'est-à-dire au niveau des périphéries des transistors bipolaires et au niveau de zones situées entre la région de base et la région de contact de collecteur de chaque transistor. En utilisant la pellicule de nitrure de silicium 25 en tant que masque, on oxyde localement par chauffage la surface du corps semiconducteur 24. On forme ensuite des pellicules d'oxyde de silicium 26a,26b possédant une épaisseur comprise entre 300 et 350 nanomètres sur les parties au niveau desquelles les régions isolantes doivent être formes, comme cela est représenté sur la figure 2.La région isolante, la région de base, la région de contact du collecteur et la région isolante entre la région de base et la région de contact du collecteur sont définies par la pellicule de nitrure de silicium 25. On élimine par attaque chimique humide les pellicules d'oxyde à nu 26a, après avoir recouvert la région située entre la région de base et la région de contact du collecteur par une pellicule de résine photorésistante 27. La pellicule d'oxyde de silicium 26b subsiste entre la région de base et B région de contact de collecteur et est utilisée en tant que masque pour l'attaque chimique du corps semiconducteur 24 et pour l'implantation d'ions. Une fois éliminée la pellicule de résine photorésistante 27, on donne une forme conique aux ouvertures des gorges, comme représenté sur les figures 3 et 4, en réalisant une attaque chimique à l'aide d'hydrazine. La pellicule d'oxyde de silicium 26b n'est pas attaque par l'hydrazine.Si la surface du corps semiconducteur 24 a été suffisamment rendue conique après que les pellicules d'oxyde de silicium 26a ont été éliminées, une attaque chimique avec de l'hydrazine n'est pas nécessai-. re. On forme des gorges 7 possédant une profondeur de 4 microns au moyen d'une attaque chimique à sec en utilisant la pellicule de nitrure de silicium 25 et la pellicule d'oxyde de silicium 26b en tant que masques, de telle sorte que les gorges s'étendent jusqu'au substrat 1, comme repré senté sur la figure 5. L'attaque chimique réduit l'épaisseur de la pellicule d'oxyde de silicium 26b jusqu'd une valeur égale à environ 200 nanomètres. En utilisant la pellicule de nitrure de silicium 25 et la pellicule d'oxyde de silicium 26b en tant que masques on implante des ions de bore dans les fonds des gorges en U 7, puis on forme des couches d'arrêt de'canal 8 de type b+, comme représenté sur la figure 6, à l'aide d'un traitement thermique. Les ions de bore ne sont pas introduits dans la surface du substrat semiconducteur- 24 dans les régions où la pellicule d'oxyde de silicium 26b a été formée. La tension de claquage-au niveau de la jonction pn entre la région de surface et la région de collecteur est accrue par l'introduction des ions de bore. Si la pellicule d'oxyde de silicium 26b possède une épaisseur d'environ 100 nanomètres,cettpellicule d'oxyde est apte à empêcher l'introduction d'ions de bore dans le corps semiconducteur 24. En utilisant la pellicule de nitrure de silicium 25 en tant que masque, on oxyde thermiquement la surface du corps semiconducteur 24, ce qui aboutit à la formation d'une pellicule d'oxyde de silicium 9 possédant une épaisseur d'en viron 600 nanomètres dans chaque gorge en U 7. Etant donné que la pellicule de nitrure 25 a été éliminée de la partie située entre la région de base et la région de contact de collecteur, une pellicule d'oxyde isolante relativement épaisse 10 d'une épaisseur comprise entre 700 et 800 nanomètres, est formée dans cette partie. L'épaisseur de la pel- t- licule d'oxyde de silicium augmente étant donné que l'oxygène atteint la surface du corps semiconducteur 24 à travers la pellicule d'oxyde de silicium 26b.La pellicule d'oxyde de silicium 6 est plus épaisse que la pellicule d'oxyde de silicium 9, et ce d'une valeur égale à l'épaisseur de la pellicule d'oxyde de silicium 26b Le dispositif dans cet état est représenté sur la figure 7,8 et 9 Les figures 8 et 9 sont des vues en coupe prises suivant les lignes B-B et C-C de la figure 7 res#pecti- vement. Sur la figure 7, des lignes formées d'un trait mixte 21a,21b et 21c désignent les positions des trous de contact qui seront formés lors d'une phase opératoire ultérieure. Comme représenté sur la figure 9, la pellicule d'oxyde de silicium 10 comporte des parties d'extrémité qui se prolongent à partir de la pellicule d'oxyde de silicium 9, avec la même épaisseur, de sorte que la région de base et région de contact de collecteur sont isolées de façon fiable l'une par rapport à 11 autre. Aucune concentration de contrainte, qui serait susceptible de produire des défauts cristallins, n'apparaît au niveau des limites entre les gorges en U 7 et la pellicule d'oxyde de silicium 10. On dépose une pellicule de nitrure de silicium sur l'ensemble de la surface du corps semiconducteur 24 en utilisant le procédé CVD de dépôt chimique en phase vapeur ou analogue, de manière à former une pellicule de nitrure de silicium il sur la pellicule d'oxyde 9 à l'intérieur des gorges en U 7, comme représenté sur la figure 10. On dépose du silicium polycristallin sur une épaisseur assez conséquente sur l'ensemble de la surface du substrat semiconducteur 24 en utilisant le procédé de dépit chimique en phase vapeur, de sorte que les gorges en U U 7 sont remplies par du silicium polycristallin. On éli- mine la couche de silicium polycristallin sur la surface du substrat en réalisant une attaque chimique à sec de manière à aplanir la surface, en laissant subsister le silicium polycristallin 12 à l'intérieur des gorges en U 7, comme représenté sur la figure 11. En utilisant la pellicule de nitrure de silicium 25 en tant que masque, on oxyde thermiquement la surface du silicium polycristallin 12 dans chaque gorge en U de manière à former une pellicule d'oxyde de silicium 13 jusqu'd une épaisseur de 600 manomètres à la partie supérieure du silicium polycristallin 12. Ensuite, comme représenté sur la figure 12, on élimine la pellicule de nitrure de silicium 25 de la région de contact de collecteur. En utilisant la pellicule de nitrure de silicium 25 en tant que masque, on implante des impuretés de type n et on les fait ensuite diffuser thermiquement à partir d'une région semiconductrice de type n+ t qui agit en tant que région de contact de collecteur. On élimine la pellicule de nitrure de silicium 25 en utilisant la pellicule d'oxyde de silicium 13 en tant que masque, et l'on implante des impuretés de type p dans l'ensemble de la surface principale du corps semiconducteur 24 de manière d former une région de base. On forme une nouvelle pellicule de nitrure de silicium 15 sur le corps semiconducteur 24, et l'on forme, à l'aide d'un traitement thermique, une région semiconductrice de type pv 16 qui agit en tant que région de base. Ensuite, comme représenté sur la figure 13, on élimine la pellicule de nitrure de silicium 15 de la partie où sera située la région d'émetteur. On élimine la pellicule d'oxyde 4 par attaque chi mique de la surface de la zone où se situera la# région d'émetteur, et l'on dépose une mince couche de silicium polycristallin en utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur, sur l'ensemble de la surface du corps semiconducteur 24. On implante des impuretés de type N, telles que des ions d'arsenic, dans la couche de silicium polycristallin, puis on les fait diffuser à partir de la couche de silicium polycristallin soua l'action d'un traitement thermique, de manière à former une région semiconductrice de type n+ 18, qui agit en tant que région d'émetteur. En utilisant une technique photolithographique, on laisse subsister une électrode en silicium polycristallin 19 sur la région d'émetteur 18, comme représenté sur la figure 14. Dans ce dispositif, la région d'émetteur 18 est formée par diffusion d'ions à partir de la couche de silicium polycristallin. Cependant il est également possible d'implanter des ions et de réaliser un traitement thermique de manière à former la région d'émetteur avant le dépôt du silicium polycristallin#. En outre on peut former la région d'émetteur en implantant et en laiçant diffuser des ions et en provoquant la diffusion des ions à partir du silicium polycristallin, avant de déposer ce dernier. On forme une pellicule de PSG (pellicule de verre au phosphosilicate) en utilisant un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, sur le corps semiconducteur 24, afin de former une pellicule isolante intermédiaire 20. En utilisant la pellicule de résine photorésistante en tant que masque, on aménage des trous de contact 21a 21c par attaque chimique comme représenté sur la figure 15 de manière à former la région de base, la région d'émetteur et la région de collecteur. On dépose par évaporation un matériau de câblage tel que de l'aluminium, sur l'ensemble de la surface du corps semiconducteur 24, et on forme des électrodes d'aluminium 22a à 22c ainsi qu'un câblage en aluminium en utilisant une technique photolitographique. On forme ensuite une pellicule de passivation finale 23 telle qu'une pellicule de SiO2, comme représenté sur la figure 16. La figure 16 montre uniquement un transistor bipolaire muni d'une couche épitaxiale 3 sur sa droite, au lieu d'autres transistors. Ceci est également valable pour les figures 12 à 15. Dans cette forme de réalisation, la pellicule d'oxyde isolant 10 est formée entre la région de contact de collecteur 14 et la région de base 16, en même temps qu'intervient la formation de la pellicule d'oxyde de silicium 9 dans chaque région isolante en forme de gorge en U. C'est pourquoi, aucune phas#e opératoire séparée n'est né- cessaire pour la formation de la pellicule d'oxyde isolante 10. En outre, lorsque chaque région de contact de collecteur 14 et chaque région de base 16 sont isolées l'une de l'autre par une gorge en U de faible profondeur, il n'est pas nécessaire de découper les gorges en U en utilisant deux phases opératoires; Cependant, conformément à cette forme de réalisation, il est possible de former les gorges en U -7 en une seule phase opératoire, ce qui simplifie le processus. On forme la pellicule d'oxyde isolante 10 en même temps qu'intervient la formation de la pellicule d'oxyde de silicium 9, de sorte que la pellicule d'oxyde isolante 10 est formée d'une manière presque uniforme à partir de la partie centrale jusque sur ses parties latérales, comme repré- senté sur la figure 9. D'autre part, lorsque l'on forme la pellicule d'oxyde de silicium 9 et la pellicule d'oxyde isolante 10 en utilisant des phases opératoires séparées, les limites entres les bords de la pellicule d'oxyde 10 et de la région isolante 7 en forme de gorge en U deviennent si minces que la tension de claquage au niveau de la jonction entre la région de base et la région de collecteur diminue. D'autre part, conformément à la forme de réalisation de la présente invention, la tension de claquage ne diminue pas, mais est maintenue à une valeur suffisamment élevée. Il est plus- facile de contrôler l'épaisseur de la pellicule d'oxyde 10 que la profondeur des régions isolantes en forme de U, si bien que des variations des carac téristiques électriques des transistors peuvent être réduites. Le procédé, selon lequel on isole la région de contact de collecteur 14 à l'aide d'une région idante en forme de gorge en U par rapport à la région de base 16, présente comme inconvénient le fait que, lorsque la gorge en U atteint la couche ensevelie 3 en traversant la couche épitaxiale 2, la résistance de collecteur augmente. D'autre part, lorsque la gorge en U possède une faible profondeur, la tension de claquage au niveau de la jonction entre la région de base et la région de collecteur diminue.Cependant, conformément à à cette forme de réalisation, les caractéristiques électriques des transistors sont fortement améliorées. Dans cette forme de réalisation, la pellicule d'oxyde de champ épaisse 10 est formée sur les régions où il n'existe aucun transistor. On peut former par exemple une cou che de câblage sur la pellicule d'oxyde de champ épaisse10 de telle sorte que les régions recouvertes par cette pellicule d'oxyde de champ 6 ainsi formée peuvent être utilisées en tant que canaux de c#blage. La région d'émetteur 18 peut être formée par implantation d'impuretés de type n dans la surface principale du substrat, sans formation de 11 électrode en silicium polycristallin 19, et la région de contact de collecteur peut être formée après que la région de base et la région d'émetteur ont été formées. On peut former la pellicule d'oxyde de champ 6 pour la région de câblage en même temps qu'intervient la formation de la pellicule d'oxyde de silicium 9 dans la gorge en U, de la même manière que s'effectue la formation de la pellicule d'oxyde isolante 10. On forme une pellicule d'oxyde isolante (un maté riau isolant fournissant l'isolation) entre la région de contact de collecteur et la région de base en même temps qu'intervient la formation d'une pellicule d'oxyde (matériau isolant) dans les gorges en U utilisées pour l'isolation. C'est pourquoi la pellicule d'oxyde isolante (le ma tériau isolant fournissant l'isolation) entre la région de contact de collecteur et la région de base possède une épaisseur approximativement uniforme depuis la partie centrale jusque sur les bords de cette pellicule, de sorte que la région de base et la région de collecteur sont totalement isolées l'une de l'autre, et l'épaisseur de la pellicule d'oxyde isolante (le matériau isolant fournissant l'isolation) ne varie pas beaucoup et par conséquent les transistors fournissent un fonctionnement amélioré.En outre il n'est pas nécessaire de prévoir une phase opératoire séparée de formation d'une pellicule d'oxyde isolante entre la région de contact de collecteur et la région de base et le procédé peut être ainsi simplifié. La présente invention, telle qu'elle est mise en oeuvre par ses auteurs, a été décrite dans ce qui précède en rapport avec une forme de réalisation spécifique. Cependant la présente invention n'est en aucune manière limitée à cette seule forme de réalisation et peut être au contraire modifiée de différentes manières dans une gamme de variantes contenues dans le cadre de la présente invention. Par exemple la pellicule d'oxyde de champ prévue sur la région de câblage dans cette forme de réalisation n'a pas besoin d'être limitée- à une pellicule d'oxyde de champ qui est formée par la technique isoplane. On peut obtenir la pellicule d'oxyde de champ à l'aide d'une oxydation sélective, sans soumettre la surface du substrat semiconducteur à une attaque chimique.On peut former une couche ensevelie de type p+ juste au-dessous de la pellicule d'isolant de champ, ou bien il n'est même pas du tout nécessaire de former la pellicule d'isolant de champ. La description, qui a été donné précédemment, con La description qui a été donnée précédemmment, concerne le cas dans lequel la présente invention mise en oeuvre par ses auteurs a été adaptée à un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs de type bipolaire, qui a été utilisé en tant que base pour la présente invention. Mais l'invention n'est en aucune manière limitée à cette forme de réalisation seule et peut être au contraire mise en oauvre avec n'importe quel dispositif semiconducteur qui requiert des régions isolantes placées dans la surface principale d'un substrat semiconducteur. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il inclut (a) une phase opératoire de formation d'un corps semiconducteur (24) qui comporte un substrat semiconducteur (1) possédant un premier type de conductivité, une couche ensevelie (2) possédant un second type de conductivité, une couche épitaxiale (3) possédant ledit second type de conductivité, (b) une phase opératoire de formation de gorges (7) dans une surface principale dudit corps semiconducteur (24) au moyen d'une attaque chimique du substrat semiconducteur, lesdites gorges {7) s'étendant aussi loin que le substrat semiconducteur (1) à partir d'une surface principale dudit corps semiconducteur (24), puis de subdivision de ladite couche ensevelie (2) et ce ladite couche épitaxiale (3) en une pluralité de régions, (c) une phase opératoire de formation d'une pre mière pellicule d'oxyde de silicium (26a) et une seconde pellicule d'oxyde de silicium (26b) sous la forme d'une structure unitaire, et ladite première pellicule d'oxyde de silicium étant formée sur la surface dudit corps semiconducteur (24) à nu à l'intdrieur desdites gorges (7)-, et la dite seconde pellicule d'oxyde de silicium étant formée sur une partie de la surface de chacune des régions séparées, tandis que la surface de chacune desdites couches épitaxiales est subdivisée en une première région et en une seconde région par ladite seconde pellicule d'oxyde de silicium, (d) une phase opératoire de formation de régions isolantes (9) moyennant l'utilisation desdites gorges (7), chacune desdites ragions isolantes isolant une pluralité de régions séparées par lesdites gorges (7) les unes des autres, (e) une phase opératoire de formation d'un transistor bipolaire dans chacune des régions de ladite pluralité de régions isolées, chacun desdits transistors bipolaires comportant une région de base (16) possédant ledit premier type de conductivité et formée dans une partie de ladite couche épitaxiale, une région d'émetteur (1-8) possédant ledit second type de condùctivité et formée dans une partie de ladite région de base, et une région de collecteur, qui est constituée par ladite couche ensevelie (2), par ladite couche épitaxiale (3) et par ladite région de contact de collecteur (14) possédant le second type de conductivité et formée dans ladite partie de la seconde-couche épitaxiale ladite région de contact du collecteur (14),est alors formée sur ladite première région de ladite couche épitaxiale (3), tandis que ladite région de base (16) est formée sur ladite seconde région de ladite couche épitaxiale. 2. Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites première et seconde pellicules d'oxyde de silicium (26a,26b) sont formées par oxydation thermique sélective dudit corps semiconducteur (24). 3. Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites première et seconde pellicules d'oxyde de silicium (26a,26b) possèdent essentiellement la même épaisseur 4-. Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs selon la revendication 2, caractérisé en ce que les dites régions isolantes (12) sont formées par remplissage desdites gorges (7) par du silicium polycristallin et par recouvrement de la surface dudit silicium polycristallin par une pellicule d'oxyde de silicium.(1 5.Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il inclut en outre (f) une phase opératoire de formation d'un premie#r masque (25) sur une surface principale dudit corps semi conducteur, hormis dans les régions au niveau duquel lesdites gorges (7) seront formées, et les régions où ladite seconde pellicule d'oxyde de silicium sera-formée, et (g) une phase opdrtdre de formation d'un second masque (26b) sur les régions où ladite seconde pellicule d'oxyde de silicium sera formée, les dites gorges (7) sont formées par attaque chimique dudit corps semiconducteur (24) ou moyennant l'utilisation dudit premier et second masques, tandis que lesdites première et seconde pellicules d'oxyde de silicium sont formées en utilisant ledit premier masque. 6. Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit premier masque (25) est constitué par une pellicule de nitrure de silicium et que lesdites première et seconde pellicule d'oxyde de silicium (26a,26b) sont formées par oxydation thermique dudit corps semiconducteur (24). 7. Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit second masque est constitué par une pellicule d'oxyde de silicium qui est formée par oxydation thermique sélective dudit corps semiconducteur (24), moyennant l'utilisation dudit premier masque. 8. Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'une pellicule d'oxyde de silicium est formée en même temps que s'effectue la formation dudit second masque sur les régions où lesdites gorges (7) seront formées, et que ladite pellicule d'oxyde de silicium est éliminée lors de la phase opératoire (g). 9. Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs selon la revendication 7, caractérisé par le fait qu'après que la phase opératoire (b) a été effectuée, lesdites première et seconde pellicule d'o xyde de silicium sont formées par oxydation thermique dudit substrat semiconducteur moyennant l'utilisation du premier masque, alors-que ledit second masque est encore en place, ladite seconde pellicule d'oxyde de silicium étant plus épaisse que ladite première pellicule d'oxyde de silicium. 10. Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit procédé comporte en outre (h) une phase opératoire de formation d'une région semiconductrice (8) possédant ledit premier type de con ductivité dans ledit corps semiconducteur (24) dans les fonds desdites gorges (7), ladite région semiconductrice possédant une concentration en impuretés supérieure à celle dudit substrat semiconducteur (1), lesdites impuretés étant introduites dans ledit corps semiconducteur (24) au moyen d'une implantation ionique moyennant l'utilisation desdits premier et second masques tandis que ledit second masque est encore en position, après que ladite phase opératoire (b) a été mise en oeuvre.