Brevet FR2548834A1 — publié le 19850111

La présente invention se rapporte à un magnétotransistor latéral bipolaire utilisé pour détecter les cham m agnétiques. On connaît un magnétotransistor latéral bipolaire qui comprend un substrat semi-conducteur ayant un premier mode de conduction et comportant les régions suivantes formées sur la face supérieure de ce substrat, dans l'ordre, et avec un certain espacement: une première région de base ayant le mênme mode de conduction que le substrat, une région d'injection ayant un. second mode de conduction, une région de collecteur ayant le second mode de conduction et une seconderégion de base ayant le premier mode de conduction. 10 Le chamr, magnetique externe est apliqu 6 sur le c 8 té du magnétotransistor, perpendiculairemrent à la direction du courant. Le défaut de ce magnétotransistor réside dans sa faible sensibilité aux champs magnétiques, pour des courants supérieurs A O,5-A. Le but de l'invention est de réaliser un mnagnétotransistor ayant une sensibilité élevée aux champs magnétiques pour des courants de collecteur élevés L'invention atteint le but qu'elle s'est fixé par un magnétotransistor latéral bipolaire qui comprend un substrat semiconducteur ayant un premier mode de conduction et les regions suivantes formées sur la face 20 supérieure du substrat, dans l'ordre, et avec un certain espacement: une première région de base ayant le même mode de conduction, une région d'injection ayant un second mode de conduction, une région de collecteur ayant le second mode de conduction et une seconde région de base ayant le premier mode de conduction Ce magnétotransistor latéral bipolaire diffère par une 25 seconde région d'injection ayant le second mode de conduction, formée sur l'autre côté de la première région de base. Les avantages de l'invention résident dans une sensibilité magnétique renforcée du magnétotransistor qui en fait l'objet et dans son aptitude à détecter des champs magnétiques très faibles, avec une augmentation du courant de collecteur de l'ordre de 2 ou 3, ce qui se traduit par une augmentation de la résistance au bruit du dispositif et fait que ses caractéristiques sont compatibles avec celles des transistors bipolaires. Le magnétotransistor latéral bipolaire est décrit plus en détail, à titre d'exemple, sur la figure unique du dessin annexé qui représente la 35 construction du dispositif et ses connexions externes. Le magnétotransistor latéral bipolaire représenté comprend un substrat semi-conducteur 1 ayant le mode de conduction N et à la face supérieure duquel sont formées, dans l'ordre, et avec un certain espacement, les régions suivantes: une premiere région de base 2 de type n, une région d'injection 3 de type p, une région de collecteur 4 de type-p et une seconde région de base 5 ayant le mode de conduction n Une seconde région d'injection 6, de type p, est disposée sur l'autre côté de la première région de base 2. Les régions d'injection 3 et 6 sont reliées ensemble et sont polarisées en sens direct par rapport à la base 5 au moyen d'une source électri10 que continue externe U 1 Une tension ayant la même polarité et provenant de la même source électrique U 1 est appliquée à la base 2 par rapport à la base La jonction p-n entre le collecteur et la base 5 est polarisée en sens inverse par une seconde source électrique U 2 à travers une résistance de charge RK Un champ magnétique externe constant ou alternatif est appliqué perpendiculairement au côté du magnétotransistor et le signal de sortie est prélevé entre le collecteur 4 et la base 5. Le fonctionnement de ce magnétotransistor latéral bipolaire est le suivant: Les conditions de fonctionnement du dispositif sont réalisées au 20 moyen de la tension d'alimentation U 1 et des résistances réglables R 1 et R 2 Les deux régions 3 et 6 injectent simultanément des porteurs électrisés minoritaires dans le substrat 1 Dans ces conditions, la région d'injection 3 opère avec une résistance négative Le courant de collecteur du magnétotransistor est principalement déterminé par les porteurs électrisés mino25 ritaires injectés dans le substrat 1 par la région d'injection 3 Le champ magnétique B exerce sur les porteurs minoritaires injectés par les régions 3 et 6, une influence qui augmente ou diminue l'intensité du courant de collecteur selon la direction du champ magnétique. REVENDICATION Magnétotransistor latéral bipolaire comprenant un substrat semiconducteur ( 1) ayant un premier mode de conduction et les régions suivantes formées sur la face supérieure du substrat, dans l'ordre, avec un certain espacement:une première région de base ( 2) ayant le meme mode de conduction, une région d'injection ( 3) ayant un second mode de conduction, une région de collecteur ( 4) ayant le second mode de conduction et une seconde région de base ( 5) ayant le premier mode de conduction, caractérisé par une seconde région cld'injecion a 6) ayant le second mode de conduction disposé 10 de l'autre côté de la première région de base ( 2).