Brevet FR2555614A1 — publié le 19850531

L'invention concerne un procédé pour former des films fonctionnels, en particulier une déposition utile à diverses fins, notamment pour des dispositifs semi- conducteurs et des dispositifs électrophotographiques photosensibles. Un certain nombre de procédés possibles ont été décrits jusqu'à présent pour former des films par déposition. Par exemple, pour produire des films constitués d'un dépôt de silicium amorphe, on a essayé le procédé de déposition sous vide, le procédé de déposition de vapeur chimique sous plasma, le procédé de déposition de vapeur chimique, le procédé de pulvérisation réactive, le procédé d'implantation ionique et le procédé de photo- déposition de vapeur chimique,etc. En général, le procédé de déposition de vapeur chimique sous plasma est largement utilisé dans l'industrie à cet effet. Cependant, les films obtenus par déposition de silicium amorphe peuvent encore faire l'objet d'amélio- rations portant sur leurs caractéristiques globales et comprenant des propriétés électriques et optiques, diverses caractéristiques de fatigue dues à des utilisations répétées ou aux conditions ambiantes d'utilisation et portant également sur la productivité, comprenant l'uni- formité du produit, sa reproductibilité et sa productivité en grande série. Le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, par rapport au procédé classique de déposition chimique en phase vapeur, est compliqué en ce qui concerne le processus de réaction pour déposer du silicium amorphe et le mécanisme de réaction renferme de nombreuses inconnues. La formation du film dans le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma est affectée par un certain nombre de paramètres (par exemple la température du substrat, les débits d'écoulement et la proportion de mélange de-s gaz de charge, la pression pendant la formation du film, la puissance à haute fréquence utilisée, la structure des électrodes, la structure de la chambre de déposition, le taux de vide et le procédé de génération du plasma). Ces divers paramètres, associés les uns aux autres, engendrent parfois un plasma instable qui produit des effets nuisibles notables sur le film déposé. De plus, les paramètres caractéristiques de l'appareil de déposition doivent être déterminés en fonction de l'appareil donné, de sorte qu'il est difficile, en pratique, de généraliser les conditions de production. Le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur sous plasma est considéré à l'heure actuelle comme le meilleur procédé pour obtenir des films de silicium amorphe dont les propriétés électriques et optiques leur permettent de convenir à diverses applications. Cependant, il est nécessaire, dans certaines applications du film déposé, de produire ce film en grande série, de façon reproductible, tout en satisfaisant les critères demandés pour le film, à savoir une grande surface, une épaisseur uniforme et une qualité uniforme. En conséquence, l'équipement de production en grande série demande un investissement important, les questions administratives concernant la production en grande série deviennent compliquées, les tolérances du contrÈle de qualité deviennent étroites, et la commande et le réglage de l'équipement deviennent délicats. Ces points concernant la production de films de silicium amorphe déposés par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma sont considérés comme étant les problèmes à résoudre dans le futur. Par ailleurs, le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur exige une température de travail élevée et ne permet pas d'obtenir un film déposé ayant des caractéristiques lui permettant d'être utilisé en pratique. Il existe donc un besoin important en un procédé de production de films de silicium amorphe qui, comme indiqué précédemment, permet une production en grande série de ces films, avec un faible coût d'équipement, tout en assurant des caractéristiques acceptables en pratique et l'uniformité des films produits. Les points indiqués ci-dessus s'appliquent également à d'autres films fonctionnels, par exemple les films de nitrure de silicium, de carbure de silicium et d'oxyde de silicium. L'invention a pour objet un procédé perfectionné pour former des films par déposition, procédé ne présentant pas les inconvénients indiqués ci-dessus du procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma. L'invention a également pour objet un procédé permettant de former, par déposition, des films de bonnes caractéristiques, à une vitesse de déposition améliorée, sans faire appel à une réaction de plasma dans l'espace de déposition (A) pour la formation de films, ce procédé permettant, de plus, une simplification de la maîtrise des conditions de formation des films et de la production en grande série des films. Conformément à un aspect de l'invention, il est prévu un procédé pour former un film par déposition sur un substrat, qui consiste à introduire séparément un précurseur, formé dans un espace (B) de décomposition, et des espèces activées, formées dans un autre espace (C) de décomposition, le précurseur et les espèces étant introduits dans l'espace (A) de déposition o le film est formé sur le substrat. Conformément à un autre aspect de l'invention, il est prévu un procédé pour former un film par déposition sur un substrat, qui consiste à introduire séparément-des espèces activées, formées dans un espace (B) de décomposi- tion, et des espèces activées, formées dans un autre espace (C) de décomposition, les espèces étant introduites dans l'espace (A) de déposition o le film est formé sur le substrat. Conformément à un autre aspect de l'invention, il est prévu un procédé pour former un film par déposition sur un substrat, qui consiste à introduire séparément des espèces activées (a) qui sont préparées par décomposition d'un halogénure de silicium représenté par la formule SinX2n+2 (n étant un entier au moins égal à un) et un mélange d'espèces activées d'hydrogène avec des espèces activées (b) représentées par la formule SimHmx (m et x étant des entiers au moins égaux chacun à un), le mélange étant préparé par décomposition d'un composé de silane supérieur, à chaine droite, les espèces activées et le mélange étant introduits dans l'espace de déposition (A) o le film est formé sur le substrat. Conformément à un autre aspect de l'invention, il est prévu un procédé pour former un film par déposition sur un substrat, qui consiste à introduire séparément des espèces activées (a) qui sont préparées par décomposition d'un halogénure de silicium représenté par la formule SinX2n+2 (n étant un entier au moins égal à un) et un mélange d'espèces activées d'hydrogène avec des espèces activées (b), le mélange étant préparé par décomposition d'un composé de silane cyclique, les espèces activées et le mélange étant introduits dans l'espace de déposition (A) o le film est formé sur le substrat. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: - la figure 1 est une coupe schématique montrant une structure stratifiée d'une forme de réalisation d'un élément photoconducteur préparé par le procédé de l'invention; - la figure 2 est un schéma d'un exemple d'appareil pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention; - la figure 3 est un schéma d'un agencement permettant une production industrielle en grande série de films par déposition, conformément au procédé de l'invention; et - la figure 4 est un schéma d'un autre exemple d'appareil pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention. Dans le procédé de l'invention, les paramètres affectant la formation de films produits par déposition sont les quantités d'un précurseur et d'espèces activées introduits dans l'espace de déposition (A), les températures du substrat et de l'espace (A), et la pression régnant dans ce dernier, car aucun plasma n'y est formé. Par conséquent, la formation de films par déposition est aisée à maîtriser et les films reproductibles peuvent être produits en grande série. Le terme "précurseur" signifie ici un inter- médiaire formé avant le produit final (une matière consti- tuant le film de déposition) et converti totalement ou partiellement en une matière constituant le produit final, bien que possédant, dans l'état d'énergie intacte, aucune aptitude ou une faible aptitude à former le film par déposition. L'expression "espèces activées" désigne ici des espèces chimiques, par exemple des radicaux ou des ions qui s'étendent dans des états à haute énergie et qui agissent les uns sur les autres pour former un film par déposition sur un substrat, ou qui subissent une inter- action chimique ou une réaction avec des molécules du précurseur pour lui fournir de l'énergie, par exemple, et amènent ainsi le précurseur à des états permettant la formation d'un film par déposition. Par conséquent, les espèces activées, dans le premier cas, doivent contenir un constituant qui sera converti en un constituant du film déposé, tandis que les espèces activées du second cas peuvent contenir ou non un tel constituant. Dans la présente invention, le précurseur ou les espèces activées à introduire à partir de l'espace (B) de décomposition dans l'espace (A) de déposition sont choisis comme souhaité à partir de durées de vie qui, dans le cas du précurseur, sont au moins avantageusement de 0,01 s, de préférence de 0,1 s, et notamment de 1 s, etdans le cas des espèces activées, sont au moins avantageusement de 1 s, de préférence de 10 s, et notamment de 150 s. Les consti- tuants du précurseur ou des espèces activées sont convertis en constituants principaux du film de déposition devant être formé dans l'espace (A) de déposition. Lorsqu'un précurseur est introduit à partir de l'espace (B) de décomposition, les espèces activées à introduire à partir de l'espace (C) de décomposition sont choisies parmi celles dont les durées de vie s'élèvent avantageusement à 10 s, de préférence à 8 s, et notamment à 5 s. Ces espèces activées subissent une interaction chimique dans l'espace (A) de déposition avec le précurseur introduit au même moment à partir de l'espace (B) de décomposition dans l'espace (A) de déposition, lequel précurseur contient un constituant qui deviendra le constituant principal du film déposé prévu. Ainsi, un film de déposition souhaité est aisément formé sur un substrat donné. Lorsqu'une espèce activée est introduite à partir de l'espace (B) de décomposition, l'espèce activée à introduire à partir de l'espace (C) de décomposition-est de courte durée de vie. L'espèce activée subit une interaction chimique dans l'espace de déposition (A) avec l'espèce activée introduite au même moment, à partir de l'espace (B) de décomposition dans l'espace (A) de déposition, qui contient un constituant qui deviendra la constituant principal du film déposé résultant. Ainsi, un film déposé prévu peut être aisément formé sur un substrat donné. Conformément au procédé de l'invention, le film formé par déposition sans génération d'aucun plasma dans l'espace (A) de déposition n'est affecté d'aucun effet sensiblement nuisible de l'action d'attaque chimique ou de toute autre action, par exemple une action de décharge anormale. De plus, une production plus stable de films déposés devient possible conformément au procédé de l'invention, qui est un procédé perfectionné de déposition chimique en phase vapeur, grâce au réglage, comme souhaité, de la température de l'atmosphère de l'espace (A) de déposition et de la température du substrat. Une différence entre le procédé de l'invention et le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur réside dans l'utilisation d'un précurseur et d'espèces activées qui ont été produits à l'avance dans des espaces autres que l'espace (A) de déposition. De cette manière, le procédé de l'invention est notablement amélioré, en ce qui concerne la vitesse de déposition du film, par rapport au procédé classique de déposition chimique en phase vapeur. De plus, la température du substrat pendant la déposition du film peut être davantage abaissée. Ainsi, des films déposés de qualité définie peuvent être produits à l'échelle industrielle, en grande quantité et à faible coût. La formation d'espèces activées dans l'espace (C) de décomposition peut être obtenue par excitation de la matière chargée, avec non seulement toutes énergies convenables comprenant l'énergie d'une décharge électrique, l'énergie lumineuse, l'énergie thermique et plusieurs de ces énergies combinées, mais également avec un catalyseur hétérogène ou homogène. La matière à introduire dans l'espace (B) de décomposition est un composé contenant au moins un atome de silicium qui se combine à un atome ou un groupe atomique, ou un groupe polaire à forte attraction élec- tronique. De tels composés peuvent comprendre, par exemple, SinX2n+2 (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I), (SiX2)n (n > 3, X = F, Cl, Br, I), SinHX2n+l (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I) et SinH2H2n (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I). Des exemples individuels de ces composés sont SiF4, Si2F6, Si3F8, Si2Cl, S Si2C13F3, (SiF2)5, (SiF2)6, (SiF2)4, SiHF3, SiH2F2, SiC14, (SiC12)5, SiBr4 et (SiBr2)5, qui sont gazeux à la température normale, ou des composés aisément gazéifiables. SiH2(C6H5)2, SiH2(CN)2 et autres sont également utilisés suivant l'application prévue pour le film déposé. Un précurseur ou des espèces activées sont formés par l'application d'une énergie de décomposition, par exemple de l'énergie thermique, de l'énergie lumineuse ou l'énergie d'une décharge électrique, au composé précité dans l'espace (B) de décomposition. Le précurseur ou les espèces activées sont introduits dans l'espace (A) de déposition. Le précurseur devant être introduit doit avantageusement avoir une durée de vie d'au moins 0,01 s. En introduisant un tel précurseur dans l'espace (A) de déposition, sa réaction d'activation avec les espèces activ-s introduites à partir de l'espace (C) de décomposition est rendue plus efficace et l'efficacité et la vitesse de déposition sont augmentées, lorsque de l'énergie thermique, lumineuse ou autre est appliquée, si cela est nécessaire, sur le substrat ou à l'atmosphère régnant dans l'espace (A) de déposition, sans qu'une telle énergie de décharge électrique soit utilisée pour former un plasma. Ainsi, la formation d'un film de déposition souhaité est réalisée. Les espèces activées introduites à partir de la chambre de décomposition (B) doivent avoir des durées de vie d'au moins 1 s, avantageusement 10 s et de préférence 150 s. Ces espèces activées permettent d'effectuer la formation d'un film déposé souhaité similairement au cas utilisant le précurseur indiqué précédemment. Des matières de charge pour préparer des espèces activées dans l'espace (C) de décomposition peuvent comprendre, par exemple, H2, SiH4, SiH3F, SiH3Cl, SiH3Br, SiH3I et autres; un composé de silane supérieur tel que Si2HG6, Si3H8, Si4H10 et autres; un composé de silane à chaîne ramifiée tel que SiH3.SiH (SiH3)SiH2.SiH3 et autres; un composé de silane cyclique tel que SiH2)5, (SiH2)4, (SiH2)6, (SiH2)5.SiH.SiH3 et autres; et un gaz rare tel que He, Ar et autres. Ces matières peuvent être utilisées individuellement ou en combinaison. Le rapport de la quantité de précurseur ou d'espèces activées provenant de l'espace de décomposition (B) à la quantité d'espèces activées provenant de l'espace de décomposition (C), alimentant l'espace (A) de déposition, est choisi de façon appropriée suivant les conditions de déposition et les types d'espèces activées. Le rapport est généralement de 10:1 - 1:10, avantageusement 8:2 - 4:6 (rapport des débits d'écoulement). Pour produire le précurseur ou les espèces activées dans l'espace de décomposition (B) ou (C), on utilise, comme énergie d'excitation, l'énergie d'une décharge électrique, l'énergie thermique, l'énergie lumineuse ou toute autre énergie en tenant compte des conditions de travail et de l'équipement des différents cas individuels. Lorsqu'un silane supérieur à chaîne droite ou un silane cyclique est utilisé comme matière à introduire dans l'espace de décomposition (C), il peut être décomposé à une vitesse très supérieure et avec moins d'énergie, et la vitesse de déposition du film peut être encore augmen- tée notablement. Par conséquent, une production régulière et en grande quantité de films de déposition peut être obtenue plus facilement. L'invention sera à présent décrite sous la forme d'un exemple typique d'éléments de formation d'images par électrophotographie qui sont produits par le procédé de formation d'un film par déposition selon l'invention. La figure 1 représente la structure d'un tel exemple typique. L'élément photoconducteur 100 représenté sur la figure 1 peut être utilisé comme élément de formation d'image pour électrophotographie possédant une structure stratifiée comprenant un substrat 101 convenant à un élément photoconducteur, une couche intermédiaire 102 et une couche superficielle 104 qui peuvent être formées comme demandé, et une couche photoconductrice 103. Le substrat 101 peut être conducteur électrique ou isolant électrique. Des matières convenant à un substrat conducteur sont, par exemple, des métaux tels que NiCr, l'acier inoxydable, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti,Pt et Pd et les alliages de ces métaux. Dans le cas du substrat isolant, on peut utiliser habituellement un film ou une feuille de résine synthétique, par exemple de polyester, de polyéthylène, de polycarbonate, d'acétate de cellulose, de poly- propylène, de poly(chlorure de vinyle), de poly(chlorure de vinylidène), de polystyrène, de polyamide, de verre, de céramique, de papier et autres. Il est souhaitable qu'au moins une face du substrat isolant soit rendue conductrice par un certain traitement convenable,puis recouverte d'autres couches nécessaires. Par exemple, la surface du substratest recouverte d'une mince pellicule de NiCr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In203, SnO2 ou ITO (In203+SnO2) lorsque le substrat est réalisé en verre et la surface est traitée avec un métal, par exemple NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti ou Pt par déposition sous vide, déposition de vapeur par faisceau électronique, pulvérisation ou autres, ou bien revêtue d'une mince feuille du métal précédent lorsque le substrat est une pellicule de résine synthétique telle qu'une pellicule de polyester. On peut choisir en toute liberté la forme du substrat, comme souhaité, parmi des formes cylindrique, en courroie, en plaque, etc. Par exemple, il est souhaitable que le substrat utilisé pour un élément de formation d'image par électrophotographie, destiné à produire des copies continues à grande vitesse, se présente sous la forme d'une bande sans fin ou d'un cylindre creux. La couche intermédiaire 102 comprend, par exemple, une matière amorphe non photoconductrice contenant des atomes de silicium et l'un quelconque des atomes de carbone, d'azote, d'oxygène et d'un halogène. Cette couche a pour fonction d'empêcher efficacement la péné- tration de porteurs de charge dans la couche photoconduc- trice 103, à partir du côté du substrat 101 et de faciliter le passage, du côté de la couche photoconductrice 103 vers le côté du substrat 101, de photoporteurs qui sont produits dans la couche photoconductrice 103 lorsque cette dernière est irradiée par des ondes électromagnétiques, ces photoporteurs se déplaçant vers le substrat 101. Pour la formation de la couche intermédiaire 102, on peut procéder en continu jusqu'à la formation de la couche photoconductrice 103. Dans ce cas, des gaz de départ pour former la couche intermédiaire 102, mélangés 2555614- chacun à un gaz de dilution, si cela est nécessaire, tel que He ou Ar, sont introduits dans les espaces de décomposition prévus (B) et (C), respectivement. Puis, les énergies d'excitation nécessaires sont appliquées aux gaz se trouvant dans les espaces respectifs afin de produire un précurseur ou des espèces activées dans l'espace (B) et des espèces activées dans l'espace (C). Ceux-ci sont introduits dans un espace (A) de déposition o le substrat 101 est placé à l'avance, et la couche intermédiaire prévue 102 est formne sur le substrat 101, si cela est nécessaire, par l'application d'une autre énergie, pour la formation d'un film, aux gaz introduits. Des matières efficaces en tant que charge de l'espace de décomposition (C) pour produire des espèces activées destinées à former la couche intermédiaire 102 sont les suivantes: Ar, He, H2, SiH4; des silanes halogénés riches en hydrogène, par exemple SiH3Cl, SiH3F et SiH3Br; des silanes supérieurs à chaîne droite, par exemple Si2H6, Si3H8, et Si4H10; des silanes cycliques, par exemple (SiH2)5 et (SiH2)4; et des mélanges d'un silane cyclique, d'hydrogène et d'un silane supérieur à chaîne droite; des composés d'azote gazeux ou gazéifiables tels que l'azote, un nitrure et un azoture, par exemple N2, NH3, H2N.NH2, HN3, et NH4N3; des hydrocarbures saturés en C1-C5, par exemple du méthane, de l'éthane, du propane, du n-butane et du pentane; des hydrocarbures éthyléniques en C2C5, par exemple de l'éthylène, du propylène, du butène-1, du butène-2, de l'isobutylène et du pentène; des hydrocarbures acétyléniques en C2-C4, par exemple de l'acétylène, du méthylacétylène et du butyne; et des composés d'oxygène, par exemple 02' 03, CO, C02, NO, NO2, et N20. La matière de départ pour former la couche intermédiaire 102 est choisie de façon appropriée à partir des composés précités afin que des atomes prévus soient contenus en tant que constituants dans la couche intermé- diaire résultante 102. Par ailleurs, des matières efficaces comme charge de l'espace de décomposition (B) pour produire un précur- seur ou des espèces activées destinés à la formation de la couche intermédiaire 102 sont, par exemple, SiF4 et SiH2F2, qui, à une température élevée, produisent aisément un précurseur tel que SiF2 ayant une longue durée de vie, ou des espèces activées. L'épaisseur de la couche intermédiaire 102 est avantageusement de 3-100 nm, de préférence 5-60 nm. La couche photoconductrice 103 comprend du silicium amorphe, a-SiX(H), qui comprend des atomes de silicium en tant que matrice et qui contient des atomes d'halogène (X) et, si cela est nécessaire, des atomes d'hydrogène (H) afin de posséder des caractéristiques photoconductrices telles que l'élément résultant peut assumer des fonctions suffisantes en tant qu'élément de formation d'image par électrophotographie. Pour la formation de la couche photoconductrice 103, un gaz de départ tel que SiF4 ou Si2H2F2 est introduit, de même que dans le cas de la couche intermédiaire 102, dans l'espace de décomposition (B) et est décomposé à une température élevée pour donner un précurseur ou des espèces activées. Ce précurseur ou ces espèces activées sont introduits dans l'espace de déposition (A). A l'intérieur de l'espace de décomposition (C), par ailleurs, on introduit un gaz de départ tel que H2, SiH4, SiH3F, Si2H6, Si3H8, (SiH2)5, (SiH2)4, (SiH3)6, ou un mélange de ces composés, et ce gaz ou ce mélange est excité à l'aide d'une énergie déterminée pour donner des espèces activées. Ces espèces activées sont introduites dans l'espace de déposition (A) et subissent une interaction chimique avec le précurseur ou les espèces activées introduites dans ce même espace à partir de l'espace de décomposition (B), de façon que la couche photoconductrice prévue 103 soit déposée sur la couche intermédiaire 102. En général, l'épaisseur de la couche photocon- ductrice 103 est choisie de façon appropriée en fonction de l'application prévue pour le produit final. L'épaisseur de la couche photoconductrice 103 montrée sur la figure 1 est choisie de façon appropriée en fonction de l'épaisseur de la couche intermédiaire 102 afin de permettre aux deux couches d'assumer efficacement leur fonction respective. En général, on souhaite que l'épaisseur de la couche photoconductrice 103 soit supérieure, de plusieurs centaines ou de plusieurs milliers de fois, à celle de la couche intermédiaire 102. Des valeurs absolues pour l'épaisseur convenable de la couche photoconductrice 103 sont avantageusement de 1-100 dm, de préférence de 2 - 50 Dm. La teneur de chacune des matières H et X (X étant un atome d'halogène tel que F) dans la couche photoconductrice 103 est avantageusement comprise entre 1 et 40 %, et de préférence entre 5 et 30 %, en valeur atomique. La couche superficielle 104 montrée sur la figure 1 peut être formée, si cela est nécessaire, de la même façon que la couche intermédiaire 102 ou que la couche photoconductrice 103. Pour réaliser la couche superficielle 104 en carbure de silicium, un gaz de départ, par exemple SiF4, est introduit dans l'espace de décompo- sition (B) et un gaz de départ, par exemple un mélange SiH4/CH4H2, un mélange SiH4/SiH2(CH3)2, un mélange Si2H6/CH4/H2, un mélange Si2H6/SiH2(CH3)2, un mélange (SiH2)5/CH4/H2, ou un mélange (SiH2) 5/SiH2(CH3)2 est introduit dans l'espace de décomposition (C). Le gaz introduit dans chaque espace est décomposé par une énergie d'excitation en un précurseur ou en espèces activées, dans les espaces respectifs, et est introduit séparément dans l'espace de déposition (A) pour que la couche superficielle prévue 104 soit déposée sur la couche photoconductrice 103. Un exemple avantageux de la couche superficielle 104 est un film déposé, par exemple un film de nitrure de silicium ou un film d'oxyde de silicium à large bande interdite. Il est également possible de modifier en continu la composition du film de la couche photoconductrice 103 à la couche superficielle 104. L'épaisseur de la couche super- ficielle 104 est avantageusement comprise entre 0,01 et gm, et de préférence entre 0,05 et 1 gm. Pour réaliser la couche photoconductrice 103 du type n ou du type p, selon ce qui est nécessaire, pendant la formation des couches, elle est dopée d'une impureté du type n ou d'une impureté du type p, ou d'impuretés des deux types, le degré du dopage étant contrôlé. Des impuretés du type p convenant pour le dopage sont des éléments du groupe III-A du tableau périodique, par exemple B, Al, Ga, In et Tl. Des impuretés convenables du type n comprennent des éléments du groupe V-A du tableau périodique, par exemple N,, P, As, Sb et Bi, parmi lesquels B, Ga, P et Sb conviennent le mieux. Les teneurs convenables pour le dopage de la couche photoconductrice 103 sont déterminées en fonction des caractéristiques électriques et optiques demandées pour la couche. Dans le cas d'éléments du groupe III-A du tableau périodique, les teneurs appropriées sont de 3 x 10-2 % et moins,en valeur atomique, et dans le cas d'éléments du groupe V-A, les teneurs convenables sont de -3 x 10 % et moins en valeur atomique. Le dopage de la couche photoconductrice 103 à l'aide d'une impureté peut être réalisé par le chargement d'une matière de départ, destiné à introduire l'impureté de dopage, à l'état gazeux, dans l'espace de décomposition (B) ou (C), au moment de la formation de la couche. La matière n'est avantageusement pas introduite dans l'espace (B), mais dans l'espace (C) à partir duquel des espèces activées sont introduites dans l'espace de déposition (A). Des matières convenables de départ pour l'impureté de dopage sont des composés qui sont gazeux à la température et à la pression normales, ou au moins aisément gazéifiables dans les conditions de formation de la couche. Des exemples de telles matières de départ comprennent PH3, P2H4, PF3, PF5, PC13, AsH3, AsF3, AsF5, AsCl3, SbH3, SbF5, BiH3, BF3, BC13, BBr3, B2H6, B4H10, B5H9, B5H11, B6H10, B6H12 et AlCl3. Exemple 1 A l'aide d'un appareil tel que représenté sur la figure 2, un élément de formation d'image électro- photographique du type à tambour est préparé de la manière suivante. Sur la figure 2, la référence numérique 1 désigne un espace (A) de déposition, la référence numérique 2 un espace (B) de décomposition, la référence numérique 3 un espace (C) de décomposition, la référence 4 un four électrique, la référence 5 des grains de Si solides, la référence 6 un tuyau d'entrée d'une matière de départ pour un précurseur, la référence 7 un conduit pour le précurseur, la référence 8 un four électrique, la référence 9 un tuyau d'entrée pour une matière de départ pour des espèces activées, la référence 10 un conduit pour les espèces activées, la référence 11 un moteur, la référence 12 un dispositif chauffant, la référence 13 un tuyau de purge de précurseur, la référence 14 un tuyau de purge des espèces activées, la référence 15 un cylindre en aluminium et la référence 16 une valve de décharge. Le cylindre 15 d'aluminium est suspendu dans l'espace (A) 1 de déposition. L'élément chauffant 12 est placé à l'intérieur du cylindre de manière à pouvoir être mis en rotation par le moteur 11. L'appareil comprend le conduit 7 destiné à l'introduction du précurseur à partir de l'espace (B) 2 de décomposition, le tuyau 13 de purge pour le précurseur, le conduit 10 pour l'introduction des espèces activées à partir de l'espace (C) 3 de décomposition et le tuyau 14 de purge des espèces activées. Les grains de Si solide 5 chargés dans l'espace (B) 2 de décomposition sont amenés à l'état fondu par chauffage à l'aide du four électrique 4. Tandis que la température du Si fondu est maintenue à 1100 C, du SiF4 est insufflé dans cette matière à partir d'une bombe ou bouteille, par le conduit 6 d'entrée, de façon à former un précurseur constitué de SiF2. Le gaz contenant du SiF2 est ensuite introduit dans l'espace de déposition (A) 1 par le conduit 7 et le tuyau 13 de purge. Par ailleurs, du SiH et du H2 sont introduits dans l'espace (C) 3 de décomposition par le tuyau 9 d'entrée et chauffés à 600 C à l'aide du four électrique 8 de façon à former des espèces activées telles que SiH2, SiH, SiH3 et H. Le gaz contenant les espèces activées est introduit dans l'espace (A) 1 de déposition par le conduit et le tuyau 14 de purge. La longueur du- conduit 10 a été établie, dans ce cas, de façon à être aussi faible que possible pour minimiser la désactivation des espèces activées pendant leur passage dans ce conduit. Le cylindre d'aluminium disposé dans l'espace (A) 1 de déposition est chauffé à 300 C par le dispositif chauffant 12 et mis en rotation. Le gas résiduel est évacué par la valve 16 de décharge. Une couche photoconductrice 103 de 20 Nm d'épaisseur est ainsi formée. De façon similaire, une couche intermédiaire 102 et une couche superficielle 104 sont formées. Exemple 2 Un film de déposition de silicium amorphe est formé par le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, à l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 2, dont l'espace de déposition (A) est équipé d'un dispositif de décharge électrique à haute fréquence de 13,56 MHz. On utilise à ce moment du SiF4, du SiH4 et du H2. Exemple 3 Un élément de formation d'image électrophoto- graphique, sous la forme d'un tambour, est préparé de la même manière que dans l'exemple 1, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, on introduit du H2 à la place du mélange SiH4/H2, dans l'espace (C) 3 de décomposition et on déclenche une réaction sous plasma à l'aide d'un dispositif de décharge électrique à haute fréquence de 13, 56 MHz, sans chauffage à l'aide du four électrique, de façon à produire un état de plasma d'hydrogène. Les espèces activées de H sont introduites dans l'espace de déposition (A) par l'intermédiaire du tuyau 14 de purge. Les conditions de préparation et le comportement de l'élément de formation d'image électrophotographique sous la forme de tambour, obtenu dans les exemples 1, 2 et 3, sont donnés dans le tableau 1. Dans les exemples 1 et 3, la couche intermédiaire 102 de 200 nm d'épaisseur est formée de manière que SiF4 et SiH4/H2/NO/B2H6 (2 % de NO et 0,2 % de B2H6, en volume) soient introduits dans les espaces de décomposition (B) et (C) respectivement, et que le précurseur et les espèces activées soient produits à l'aide des énergies respectives d'excitation et introduits dans l'espace de déposition (A). De plus, dans l'exemple 2, la couche intermé- diaire (200 nm) est formée par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma à l'aide d'un mélange gazeux constitué de SiH4/H2/NO/B2H6, de la même composition que celle indiquée dans les exemples 1 et 3. Dans les exemples 1 et 3, la couche superficielle 104 (100 nm d'épaisseur) est formée de manière que du SiF4 soit introduit dans l'espace de décomposition (B) en même temps que du SiH4/CH4/H2 est introduit, dans un rapport en volume de 10:100:50, dans l'espace de décomposition (C), et le précurseur et les espèces activées sont produits à l'aide des énergies thermiques respectives d'excitation et introduits dans l'espace de déposition (A). Dans l'exemple 2 également, le procédé de dépôt chimique en phase vapeur sous plasma est mis en oeuvre en utilisant SiH4/CH4/H2, de la même composition que ci-dessus, pour former la couche superficielle 104 (100 nm d'épaisseur). Des tarmbours de formation d'image électrophoto- graphique préparés dans les exemples 1, 2 et 3 sont placés chacun dans une machine de copie du type à procédé Carlson réalisant une charge positive, une exposition d'image, un développement à l'aide d'une poudre pigmentée ou "toner" négatif, un report d'image et un fixage par la chaleur, et on obtient ainsi des copies du format A3 d'une image noire, d'une image blanche et d'une image grise. On examine les irrégularités des images résultantes et on les exprime par le nombre moyen de défauts de l'image. L'uniformité du potentiel chargé sur la surface cylindrique dans les directions circonférentielle et axiale est également estimée. Les résultats de ces estimations sont donnés dans le tableau 1. Exemple 4 A l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 3, on prépare des éléments de formation d'image électrophotographique en forme de tambour, dans des conditions similaires à celles indiquées dans l'exemple 1. Sur la figure 3, les références numériques 7, 10, 13, 14, 15 et 16 désignent les mêmes éléments que sur la figure 2, et la référence numérique 17 désigne un support mobile équipé de moyens de rotation, la référence 18 un espace de refroidissement, la référence 19 un espace chauffant, et la référence 20 un espace de déposition. Comme montré sur la figure 3, l'appareil utilisé dans cet exemple comprend une chambre chauffante 19, une chambre 20 de déposition et une chambre 18 de refroidisse- ment. Des cylindres 15 en aluminium sont placés sur le support mobile 17 équipé de moyens de rotation. Dans l'appareil, un certain nombre de cylindres d'aluminium peuvent être traités en même temps dans un espace de déposition pour produire en continu des éléments de formation d'image électrophotographique sous forme de tambour. Il a été confirmé que les éléments de formation d'image électrophotographique sous la forme de tambour, ayant des films de déposition uniformes et reproductibles, peuvent être produits en grande série à faible coût, par réglage des températures de l'espace de déposition et des cylindres d'aluminium, ainsi que des débits d'écoulement du gaz contenant le précurseur sortant du tuyau 13 par l'intermédiaire du conduit 7 et en provenance de l'espace de décOmposition (B) et du gaz contenant les espèces activées, sortant du tuyau 14 par l'intermédiaire du conduit 10 et provenant de l'espace de décomposition (C). Conformément au procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, un tel traitement d'un certain nombre de substrats cylindriques dans un espace de déposition poserait des problèmes d'uniformité de la décharge électrique et d'effets synergiques de paramètres compliqués affectant les conditions de production, rendant impossible la production d'éléments de formation d'image électrophotographique sous la forme de tambour, portant des fils déposés uniformes, avec une reproductibilité élevée. Exemple 5 A l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 4, on prépare un tambour de formation d'image pour électrophotographie. Sur la figure 4, la référence numérique 20 désigne un espace de déposition, la référence 21une source d'énergie à haute fréquence (13,56 MHz), la réfé- rence 22 un espace de plasma, la référence 23 une toile d'acier inoxydable à mailles de 0,297 mm, la référence 24 un substrat, la référence 25 une table de support, la référence 26 une masse destinée à maintenir le même potentiel, la référence 27 un tube desofflage d'un gaz contenant du précurseur ou d'un gaz contenant des espèces activées, provenant d'un espace de décomposition (B), la référence 28 un tuyau de soufflage d'un mélange SiH4/H2, la référence 29 un espace de déposition (A) et la référence une valve de décharge. Ainsi, à l'aide de l'appareil dans lequel l'espace de décomposition (C) et l'espace de déposition (A) se trouvent dans la même chambre et sont séparés de l'espace de décomposition (B), du SiF2 est produit dans cet espace de décomposition (B) de la même manière que dans l'exemple 1, et le gaz contenant SiF2 est introduit dans l'espace de déposition (A), tandis qu'un mélange SiH4/H2 est introduit dans l'espace de décomposition (C) o un plasma est produit et mis en réaction avec SiF2. Le gaz résultant est passé à travers la toile 23 et du silicium amorphe est déposé à partir de ce gaz sur le substrat qui est maintenu à une température de 280 C dans l'espace de déposition (A). La couche photoconduc- trice déposée présente de bonnes caractéristiques, par exemple une conductivité d'obscurité VD de 2 x 1011 i 1cm-1 et une conductivité à la lumière Vp de 3 x 106S 1cm1. Exemple 6 On prépare un élément de formation d'image électrophotographique sous la forme d'un tambour à l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 2. La couche photoconductrice 103 de cet élément est formé de la manière suivante: un cylindre 15 d'alu- minium, suspendu dans l'espace de déposition (A)1, est mis en rotation et chauffé à 300 C par l'élément chauffant 12 qui a été placé à l'intérieur de ce cylindre d'aluminium et mis en rotation par le moteur 11. Les grains de Si solides 5 chargés dans l'espace (B)2 de décomposition fondent en étant chauffés par le four électrique 4. En même temps que la température du Si fondu est maintenue à 1100 C, du'SiF4 est insufflé à l'intérieur de cette matière à partir d'une bombe ou bouteille par l'intermédiaire du tuyau 6 d'entrée de façon à former des espèces activées de SiF2. Le gaz contenant du SiF2 est ensuite introduit dans l'espace (A)1 de déposition par l'intermédiaire du conduit 7 et du tuyau 13 de soufflage. Par ailleurs, un mélange Si2H6/H2 (rapport en volume de 5:5) est introduit dans l'espace de décomposition (C)3 par l'intermédiaire du tuyau d'entrée 9 et est chauffé à 450 C à l'aide du four électrique 8 de façon à former des espèces activées telles que SiH2, SiH, SiH3 et H. Le gaz contenant des espèces activées est ensuite introduit dans l'espace de déposition (A)1 par l'intermédiaire du conduit 10 et du tuyau 14 de soufflage. Dans ce cas, le conduit 10 est conçu de façon à être aussi court que possible pour minimiser la désactivation des espèces activées pendant leur passage dans ce conduit. Ainsi, la couche photoconductrice 103 (de 21 gm d'épaisseur) est formée. Le gaz résiduel est déchargé par l'intermédiaire de la valve 16 d'évacuation. La couche intermédiaire 102 et la couche superficielle 104 sont formées de façon similaire. Exemple 7 Une couche photoconductrice 103 est formée à partir de SiF4, Si2H6 et H2, par le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, à l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 2, dont l'espace de déposition (A)1 est équipé d'un dispositif de décharge électrique à haute fréquence de 13,56 MHzo Exemple 8 Un film déposé est formé de la même manière que dans l'exemple 6, sauf qu'un mélange SiH4/Si3H8/H2 (rapport en volume de 2:1:1) est introduit en tant que gaz de départ, dans l'espace de décomposition (C)3, et une réaction de plasma est déclenchée par l'application d'un champ électrique à haute fréquence de 13,56 MHz au mélange, au lieu du chauffage à l'aide du four électrique, ce qui donne un état de plasma d'hydrogène. Les espèces activées de H et divers silanes sont introduits dans le tuyau 14 de soufflage. De cette manière, on prépare un élément de formation d'image électrophotographique sous la forme d'un tambour. Exemple 9 Un élément de formation d'image électrophoto- graphique sous la forme d'un tambour est préparé de la même manière que dans l'exemple 6, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, du Si2F6 est introduit, comme gaz de départ, dans l'espace de décompo- sition (B) et un mélange Si2H6/H2 (rapport en volume de 5:5) est introduit dans l'espace de décomposition (C) et chauffé à 450 C à l'aide du four électrique pour produire les espèces activées d'hydrogène et de silane. Les conditions de préparation et le comportement de l'élément de formation d'image électrophotographique en forme de tambour, obtenu dans les exemples 6, 7, 8 et 9, sont indiqués dans le tableau II. Dans les exemples 6, 8 et 9, la couche intermédiaire 102 (200 nm d'épaisseur) est formée de manière que du SiF4 et du Si2H6/H2/NO/B2H6 (2 % de NO et 0,2 % de B2H6, en volume)soient introduits dans les espaces de décomposition (B) et (C) respectivement, et que des espèces activées soient produites à l'aide des énergies respectives d'excitation, et introduites dans l'espace de déposition eA). De même, dans l'exemple 7, la couche inter- médiaire (200 nm d'épaisseur) est formée par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, à l'aide d'un mélange gazeux de Si2H6/H2/NO/B2H6 de la même composition que celle indiquée dans les exemples 6, 8 et 9. Dans les exemples 6, 8 et 9, la couche superficielle 104 (100 nm d'épaisseur) est formée de manière que du SiF4 soit introduit dans l'espace de décomposition (B) tandis que du Si2H6/CH4/H2 est introduit, dans un rapport en volume de 10:100:50, dans l'espace de décomposition (C) , et que les espèces activées sont produites à l'aide des énergies thermiques respectives d'excitation et sont introduites dans l'espace de déposition (A). Dans l'exemple 7 également, le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma est mis en oeuvre à l'aide de Si2H6/CH4/H2 de la même composition que celle indiquée ci-dessus pour former la couche superficielle 104 (100 nm d'épaisseur). Exemple 10 A l'aide d'un appareil tel que représenté sur la figure 3, des éléments de formation d'image électro- photographique, sous la forme d'un tambour, sont préparés en continu dans des conditions similaires à celles indiquées dans l'exemple 6. Il est confirmé que des éléments de formation d'image électrophotographique en forme de tambour, présentant des films déposés uniformes et reproductibles, peuvent être produits en grande série à de faibles coûts, par réglage des températures de l'espace de déposition et des cylindresd'aluminium, ainsi que des débits d'écou- lement du gaz contenant les espèces activées, à partir de l'espace de décomposition (B), et du gaz contenant les espèces activées à partir de l'espace de décomposition (C), vers l'intérieur de l'espace de déposition (A). Conformément au procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, un tel traitement d'un certain nombre de substrats cylindriques dans un seul espace de déposition poserait des problèmes d'uniformité de la décharge électrique et d'effets synergiques de paramètres compliqués affectant les conditions de production, ce qui rend impossible la production d'un élément de formation d'image électrophotographique, en formede tambour, présentant des films déposés uniformes, avec une reproductibilité élevée. Exemple 11 Un élément de formation d'image électrophoto- * graphique, sous la forme d'un tambour, est préparé de la même manière que dans l'exemple 6, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, un mélange de SiH4 et de H2 (rapport, en volume, de 1:1) est utilisé comme gaz de départ introduit dans l'espace de décomposition (C)3 et est chauffé à 600 C par le four électrique pour produire les espèces activées de silane et d'hydrogène. La couche superficielle 104 et la couche intermédiaire 102 sont formées de façon similaire. Les éléments de formation d'image électro- photographique en forme de tambour, préparés dans les exemples 6, 7, 8, 9 et 11, sont estimés de la même manière que dans le cas des exemples 1, 2 et 3. Les résultats de ces estimations sont indiqués dans le tableau II, ainsi que les conditions de travail pour la formation des couches photoconductrices. Exemple 12 Un élément de formation d'image électrophoto- graphique en forme de tambour est préparé à l'aide d'un appareil tel que représenté sur la figure 2. La couche photoconductrice de cet élément est formée de la manière suivante: un cylindre 15 d'aluminium suspendu dans l'espace (A)1 de déposition est mis en rotation et chauffé à 280 C par le dispositif chauffant 12 qui a été placé à l'intérieur du cylindre d'aluminium et mis en rotation par le moteur 11. Les grains de Si solide 5 chargés dans l'espace de décomposition (B)2 sont fondus par chauffage à l'aide du four électrique 4. Tandis que la température du Si fondu est maintenue à 1100 C, du SiF4 est insufflé dans cette matière à partir d'une bombe ou bouteille, par l'intermé- diaire du tuyau 6 d'entrée, de façon à former une espèce activée de SiF2. Le gaz contenant du SiF2 est ensuite introduit dans l'espace de déposition (A)1 par l'intermé- diaire du conduit 7 et du tuyau 13 de soufflage. Par ailleurs, du (SiH2)5 est introduit dans l'espace de décomposition (C) 3 par l'intermédiaire du tuyau 9 d'entrée et est chauffé à 300 C à l'aide du four électrique 8 pour produire des espèces activées telles que SiH2, SiH, SiH3 et H. Le gaz contenant les espèces activées est ensuite introduit dans l'espace de déposition (A)1 par l'intermédiaire du conduit 10 et du tuyau 14 de soufflage. Dans ce cas, le conduit est conçu de façon à être aussi court que possible pour minimiser la désacti- vation des espèces activées pendant leur passage dans ce tuyau. Ainsi, la couche photoconductrice 103 (20 gm d'épaisseur) est formée. Le gaz résiduel est déchargé par l'intermédiaire de la valve 16 d'évacuation. La couche intermédiaire 102 et la couche superficielle 104 sont formées de façon similaire. Exemple 13 Une couche photoconductrice 103 est formée à partir de SiF4, Si2H6 et H2, par le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, à l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 2 dont l'espace de déposition (A)1 est équipé d'un dispositif de décharge électrique à haute fréquence de 13,56 MHz. Exemple 14 Un élément de formation d'image électrophoto- graphique en forme de tambour est préparé de la même manière que dans l'exemple 12, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice 103, un mélange SiH4/(SiH2)5 (rapport en volume de 1:1) est introduit comme gaz de départ dans l'espace de décomposition (C)3, et une réaction de plasma est déclenchée par application d'un champ électrique à haute fréquence de 13,56 MHz au mélange, plutôt que par chauffage à l'aide du four électrique, de façon à produire un état de plasma. Les espèces activées de divers silanes et de H sont ensuite introduites dans le tuyau 14 de soufflage. De cette manière, on obtient un élément de formation d'image souhaité. Exemple 15 Un élément de formation d'image électrophoto- graphique sous la forme d'un tambour est préparé de la même manière que dans l'exemple 12, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, un mélange (SiH2)4/(SiH2)5/H2 (rapport en volume de 1:1:1) est introduit comme gaz de départ dans l'espace de décompo- sition (C) et est chauffé à 320 C à l'aide du four électrique pour produire des espèces activées d'hydrogène et de silanes. Exemple 16 Un élément de formation d'image électrophoto- graphique en forme de tambour est préparé de la même manière que dans l'exemple 12, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, on introduit du Si2F6, en tant que gaz de départ, dans l'espace de décomposition (B) et on introduit du (SiH2)5 en tant que gaz de départ, dans l'espace de décomposition (C), et on chauffe à 300 C à l'aide du four électrique pour produire des espèces activées de silanes et d'hydrogène. Exemple 17 On prépare un élément de formation d'image électrophotographique sous la forme d'un tambour de la même manière que dans l'exemple 12, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, un mélange Si2H6/(SiH2)5 (rapport en volume de 1:1) est introduit en tant que gaz de départ dans l'espace de décomposition (C) et est chauffé à 310 C à l'aide du four électrique pour produire des espèces activées de silanes et d'hydrogène. Les conditions de préparation et le comportement de l'élément de formation d'image électrophotographique en forme de tambour, obtenu dans les exemples 12, 13, 14, , 16 et 17,sont indiqués dans le tableau III. Dans les exemples 12, 14, i5, 16 et 17, la couche intermédiaire 102 (200 nm d'épaisseur) est formée de manière que du SiF4 et du (SiH2) 5/H2/NO/B2H6 (2 % de NO et 0,2 % de B2H6, en volume) soient introduits dans les espaces de décomposition (B) et (C), respectivement, et que des espèces activées soient produites à l'aide des énergies respectives d'excitation, et introduites dans l'espace de déposition (A). Dans l'exemple 13 également, la couche intermédiaire (200 nm d'épaisseur) est formée par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, à l'aide d'un mélange gazeux de (SiH2)5/H2/NO/B2H6, de la même composition que celle utilisée dans les exemples 12 et 14. Dans les exemples 12, 14, 15, 16 et 17, la couche superficielle 104 (100 nm d'épaisseur) est formée de manière que du SiF4 soit introduit dans l'espace de décomposition (B), tandis que du (SiH2)5/CH4/H2 est introduit dans un rapport en volume de 10:100:50 dans l'espace de décomposition (C), et les espèces activées sont produites avec les énergies thermiques respectives d'excitation, et introduites dans l'espace de déposition (A). Dans l'exemple 13 également, le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma est mis en oeuvre en utilisant du (SiH2)5/CH4/H2 de la même composition que celle donnée ci-dessus pour former la couche superficielle 104 (100 nm d'épaisseur). Des tambours de formation d'image électropho- tographique préparés dans les exemples 12, 13, 14, 15, 16 et 17 sont estimés de la même manière que dans le cas des exemples 1, 2 et 3. Les résultats de ces estimations sont donnés dans le tableau III, ainsi que les conditions de travail pour la formation des couches photoconductrices. Exemple 18 A l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 3, des éléments de formation d'image électropho- tographique en forme de tambour sont préparés en continu, dans des conditions similaires à celles utilisées dans l'exemple 12. Il est confirmé que les éléments de formation d'image électrophotographique, en forme de tambour, comportant des couches de déposition uniformes et repro- ductibles, peuvent être produits en grande série à bon marché, par réglage des températures de l'espace de déposition et des cylindres d'aluminium, ainsi que des débits d'écoulement du gaz contenant des espèces activées à partir de l'espace de décomposition (B), et du gaz contenant des espèces activées à partir de l'espace de décomposition (C), vers l'intérieur de l'espace de déposition (A). Conformément au procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, un tel traitement d'un certain nombre de substrats cylindriques dans un seul espace de déposition poserait des problèmes portant sur l'uniformité de la décharge électrique et sur les effets synergiques de paramètres compliqués de conditions de production, rendant impossible la production d'un élément de formation l'image électrophotographique en forme de tambour, compor- tant des filmsdéposés uniformes, avec une reproductibilité élevée. CJl o CJI C Vl TAB L E A U I Exemple 1 Ecemple 2 Exenple 3 Espace (B) de décomp.. Gaz de charge 4 SiF4 Temp. de dêcomp. 1100 C 1100 C Précurseur principal SiF* SiF2* Espace (C) de décomrp. SiH4/I2 2 Gaz de charge (rapport en volurm ( 1: 1). Energie de décomp. Chaleur, 600 C Plasma HF 150 W Espèces activées SiHl2*, Sill*, H* SiH3*, H*, Si* Espace (A) de déposition Débit d'entrée à partiî de (B). 200 cm3/min 200 cm3/min Débit d'entrée à partir de (C) 100 cm /min 80 cm3/min (Conditions normales) Débit d'entrée à partir de SiF4 200 cm3/mir la bouteille SiH4 100 cm3/mir H12 100 cm /ri tn V C.a O cJ C Cil - T A B L E A U I (suite) Pression dans (A) 133 Pa 133 Pa 10)6 Pt'a Tempeérature de substrat 2800 C 260 C 280 C Tenpérature dans (A) 250 oC 250 C Vitesse de déposition 1,5 nm/s 0,5 nm/s 1,2 nm/s Haute fréquence de plasma 130 W Epaisseur de la couche photoconductrice 20 m 17 22 CD Nonbre moyen de défauts d'image 2 15 3 o pour chacun des 10 tambours Ecart des potentiels chargés répartis dans la direction +10V +30V 8V circonférentielle - EBart des potentiels chargés répartis dans la direction axiale +15V +35V + 15V Nature du procédé Procédé-selon Procédé de déposi- Procédé selon l'invention tionchindqueen l'invention phase vapeur sous pl asma classique Ln ut Ch tn O cn cht e- TABLEAU IlI Exemple 6 Exemple 7 Exemple 8 Exemple 9 Exemple 11 Espace (B) de décamp. Gaz de charge SiF SiF Si2F6 SiF 4 4 26 4 Temp. de décomp. 1100 C 1100 C 800 C' 1100 C Précurseur principal SiF2* SiF2* SiF2* SiF2* Espace (C) de décomp. Gaz de charge Si2H6/H2 SiH4/Si3H8/H2 Si2H6/H2 SiH4/H2 (rapport en volume) ( 5:5) (10: 5: 5) (5: 5) ( 1: 1) Ehergie de décomp. hDa!eur450 C Plasma HF 10OWChale]r:450 C Chaler: 600 C Espèces activées SiH2* SiH* Similaire à Similaire à Similaire à Si*, SiH3* l'exemple 6 l'exemple 6 l'exemple 6 Si2H5*, H* Espace (A) de décomp. 3 3 3 Débit d'entrée à partir 150 cm3/min 140 cm3/min 120 cm3/min 200 cm3 /mi de (B) 3 3 3 3 Débit d'entrée à partir 80 cm /min 75 cm /min 80 cm /min 100 cm /mnin de (C). ............ Débit d'entrée à partir SiF4 -0Mc un d laSi2bt i l6 l O0 cm /m i __ _ _ _ _ _ _ _ _ __ _ _ _ _ _ _ _ _ J de la bouteille 100c m H2100cm3/m{i u4 cn o C(; ci TAB L E A U I I (suite) Pression dans (A) 146 Pa 160 Pa 160 Pa 133 l'a 133 Pa Temp. de substrat 270 C 260 C 270 C 270 C 280 C Tempérâture dans (A) 250 C 250 C 250 C 250 0C Vitesse de déposition 2,0 nm/s 0,8 nm/s _21. _ 2,.1 nn/s 1,5 nm/S Haute fréquence de plasr 130 W Epaisseur de la couche 21 m 18 pm 22 îim 21 1im 20 lim photoconductrice Nrrbre myen de défauts d'image pour chacun des 2 17 3 2 2 q o0 tambours Ecart des potentiels chargés répartis dans la +10V +30V +8V +11lV +10V airection circonfé- rentielle Ecart des potentiels chargés répartis dans la +13V +35V +15V + 12V +15V direction axiale Nature du procédé Procédé selon Procédé de dépoProcédé selon Procédé selon Uitilisaticn 1'invention chimique 14.invention 1'invention d'espèces acti- en phase vapeur vées de monn-si sous plasma lane Sili4 classique_ _ _ _ _ _ _ wN w ow bO o cn C TABLEAU III Exemple 12Exemple 13Exme 14 eple 15 4epe 16 Exemple 17 Espace (B) de décoEIp. Gaz de charge SiF4 SiF F4 Sisi2F6 SiF4 Temp. de décoa. 110c 1100 C 1100 C 1100 CC Précurseur principalSiF* SiF SiF* SiF* SiF* 2 2 2 2SiF2 SiF2 Espace (C) de décorp. Gaz de charge |(SiH2)5 SiH4/(SiH2)5(Silt2)4/(Sil12)5si2Hl/( Sif2) (rapport en volumoe) 5(S 12/H (1:1) (SIII2)5/2 (1:1) (1: 1) Energie de décan.Chaleur Plasma HF Chaleur Chaleur Chaleur 300 C 150 W 320 C 3000C 310oC Espèces activéesSiH2*, H* Similaire àSimilaire àSimilaire à SiH3*, SiH* l'exemple 12l'exemple 12 l'exemple12 l'exemple 12 Si* Espace (A) de déconp. Débit d'entrée à par-13 30 3 130 tir de (B) 150 cm3/min 135cm3/min180 cm3/min130 cm3/min170 cm3/min Débit d'entrée à par-70 cm3/min 60 cm3/min100 cm3/min70 cm3/min100 cm3/min tir de (C) _ ui U1 TAB L E A U I I I (1ère suite) Débit d'entrée à SiF4 partir de la 200cm/mi bouteille siH Si2H6 cm3/min H2 cm3/min.... Pression dans (A) 146 Pa 133 Pa 133 Pa 160 Pa 146 Pa 160 Pa Temp. de substrat 260 C 260 C 270 C 270 C 260 C 260 C Temp. dans (A) 2500C 2500C 2500C 200C 250Oc Vitesse de déposition 3,1 nm/s 0,5 nm/s 2,6 nm/s 3,3 nm/s 3,5 nm/s 3,5 rirn/s Haute fréquence de 130 W plasma Epaisseur de la 20 Pm 17 1m 21 pU 20 m 20 2 im 20 jim couche photoconduc- trice Wn')re nmven de dcfauts d'image pour chacun 1 15 3 2 1 2 des 10 tambours _. _" __ r___ Vl Ln un 0% Cil o T A B L E A U I I I (2è suite) Ecart des potentiels chargés répartis dans la direction +10V +30V +8V +F5V +8V +4V circonférentielle. _ _ Ecart des potentiels chargés répartis dans la direction axiale +12V +35V +14V +12V _ -13V +10V Natuie du procédé Procédé Procédé de Procédé selon Procédé Procédé Procédé selon déposition invention selon selon selon l'invention chimiaue en l'invention l'invention l'invention phase vapeur SQus.lasma class_ _qale -.. vi REVENDICATIONS 1. Procédé pour former un film par déposition sur un substrat (101), caractérisé en ce qu'il consiste à introduire séparément un précurseur, formé dans un espace de décomposition (B), et des espèces activées, formées dans un autre espace de décomposition (C), dans un espace de déposition (A) o le film est formé sur le substrat. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la durée de vie du précurseur est d'au moins 0,01 seconde. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les espèces activéesont des durées de vie pouvant atteindre 10 secondes. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière à introduire dans l'espace de décomposition (B) pour former un précurseur est choisie dans le groupe comprenant les composés ayant les formules: SinX2n+1 (n étant un entier au moins égal à un, n 2+ X= F, Cl, Br, I), (SiX2)n (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I), SinHX2n+ l (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I), SinH2X2n (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I). 5. Procédé selon la revendication l, caractérisé en ce que la matière à introduire dans l'espace de décomposition (C) pour former des espèces activées est choisie dans le groupe comprenant H2, SiH4, SiH3F, SiH3Br et SiH3I. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le rapport, en quantité, du précurseur provenant de l'espace de décomposition (B) aux espèces activées provenant de l'espace de décomposition (C) est de 10:1 à 1:10 (rapport du débit d'écoulement), à l'espace de déposition (A). 7. Procédé pour former un film par déposition sur un substrat (101), caractérisé en ce qu'il consiste à introduire séparément des espèces activées, formées dans un espace de décomposition (B) et des espèces activées, formées dans un espace de décomposition (C), dans l'espace de déposition (A) o le film est formé sur le substrat. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les espèces activées formées dans l'espace de décomposition (B) ont des durées de vie d'au moins 1 seconde. 9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les espèces activées formées dans l'espace de décomposition (B) ont des durées de vie d'au moins 150 secondes. 10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les espèces activées formées dans l'espace de décomposition (C) ont de courtes durées de vie. 11. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la matière à introduire dans l'espace de décomposition (B) pour former les espèces activées est choisie dans le groupe comprenant les composés ayant pour formules: SinX2n+ (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I) , (SiX2)n (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I), SinHX2n+l (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I), et S SinH2X2n (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I). 12. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la matière à introduire dans l'espace de décomposition (C) pour former les espèces activées est un composé de silane supérieur à chaîne droite. 13. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la matière à introduire dans l'espace de décomposition (C) pour former les espèces activées est un composé d'un silane cyclique. 14. Procédé-selon la revendication 7, caracté- risé en ce que le rapport, en quantité, des espèces activées provenant de l'espace de décomposition (B) aux espèces activées provenant de l'espace de décomposition (C) est de 10:1 à 1:10 (rapport des débits d'écoulement), à l'espace de déposition (A). 15. Procédé pour former un film par déposition sur un substrat (101), caractérisé en ce qu'il consiste à introduire séparément des espèces activées (a) qui sont préparées par décomposition d'un halogénure de silicium représenté par la formule SinX2n+2 (n étant un entier au moins égal à un), et un mélange d'espèces activées d'hydrogène avec des espèces activées (b), représentées par la formule SimH2mx (m et x étant des entiers au moins égaux chacun à un), le mélange étant préparé par décomposition d'un composé de silane supérieur à chaîne droite, dans l'espace de déposition (A) o le film est formé sur le substrat. 16. Procédé pour former un film par déposition sur un substrat (101), caractérisé en ce qu'il consiste à introduire séparément des espèces activées (a), qui sont préparées par décomposition d'un halogénure de silicium représenté par la formule SinX2n+2 (n étant un entier au moins égal à un) et un mélange d'espèces activées d'hydrogène avec des espèces activées (b), le mélange étant préparé par décomposition d'un composé d'un silane cyclique, dans l'espace de déposition (A) o le film est formé sur le substrat. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendication 1, 7, 15 et 16, caractérisé en ce que le précurseur ou les espèces activées sont formés par l'utilisation de l'une quelconque des énergies de décharges électrique, thermique et lumineuse. 18. Procécé selon l'une quelconque des revendications 1, 7, 15 et 16, caractérisé en ce que le précurseur ou les espèces activées formés comprennent un précurseur ou des espèces activées d'une impureté du type p ou du type n.