Brevet FR2550007A1 — publié le 19850201

La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une pellicule semi-conductrice et plus particulièrement, un procédé de réalisation d'une pellicule semi-conductrice et d'un dispositif photovoltaïque pour déposer une pellicule semiconductrice par décomposition au plasma d'un gaz réactif sur une surface non plane combinée avec une surface incurvée ou plane d'un substrat. Une pellicule semi-conductrice d'un système 10 de silicium amorphe obtenue par la décomposition au plasma d'un gaz de réaction a été utilisée comme dispositif photovoltaïque, ou cellule solaire pour convertir directement l'énergie éolaire en énergie électrique, pour des tambours photoconducteurs de machine de photographie ou de reprographie électroniques, etc Etant donné que les dispositifs photovoltaïques utilisent l'énergie solaire inépuisable comme source d'énergie, ils ont attiré l'attention sur le problème soulevé par l'épuisement des ressources énergétiques En période de beau temps, le sol reçoit du soleil une énergie d'environ 1 k W/ml. Lorsqu'un dispositif photovoltaïque destiné à convertir cette énergie solaire en énergie électrique est utilisé à domicile comme source d'énergie, il est 25 généralement installé sur la terrasse ou le toit de la maison. Des tuiles de couverture prévues avec des cellules solaires, c'est-à-dire des dispositifs photovoltalques en forme de tuiles comme ceux décrits 30 dans les demandes de brevets japonais n 57-68 454 et 58-11 261 conviennent pour des sources d'énergie à domicile. Un but de l'invention est donc de proposer un procédé de réalisation d'une pellicule semi35 conductrice, destiné à déposer une bonne pellicule semi-conductrice sur une surface incurvée d'un substrat comme un tambour photoconducteur ou une tuile de couverture, avec des cellules solaires qui conviennent comme source d'énergie domestique. Il est connu qu'une pellicule de silicium amorphe est produite par une décharge dans une atmosphère d'un composé de silicium, comme cela est décrit dans la demande de brevet japonais n 53-37 718 (US-P-4 064 521) La formation d'une pellicule semi-conductrice amorphe en utilisant la décharge connue dans un gaz présente l'inconvénient 10 que, étant donné qu'un substrat de verre ou d'acier inoxydable servant au dépôt de la pellicule semiconductrice est disposé entre des électrodes parallèles et opposées pour exciter la décharge dans le gaz, le sulItrat est introduit dans la direction de déplacement 15 des particules de plasma chargées à grande vitesse, ce dont il résulte que ces particules chargées à grandevitesse du plasma heurtent la surface du substrat, détériorant ainsi les caractéristiques d'une pellicule conductrice transparente précédemment déposée 20 sur le substrat ou de la pellicule semi-conductrice amorphe progressivement déposée sur le substrat En outre, la surface du substrat sur lequel est déposée la pellicule semi-conductrice amorphe est plane, mais selon l'invention, ce substrat a une surface 25 incurvée Par conséquent quand le substrat avec sa surface incurvée est disposé entre des électrodes planes parallèles selon la technique antérieure, la distance entre la surface incurvée et l'une des électrodes planes parallèles est iné'gale de sorte 30 que la pellicule semi-conductrice amorphe déposée n'est pas uniforme. Il était donc difficile de déposer directement une pellicule semiconductrice uniforme sur un substrat ayant une surface non plane. L'invention concerne donc un procédé de réalisation d'une pellicule semiconductrice qui consiste essentiellement: à placer un substrat ayant une surface non plane dans une chambre à réaction contenant au moins deux électrodes à décharge, une entrée d'un gaz réactif pour produire une pellicule semi-conductrice voulue et une sortie pour une pression réduite; et à produire une décharge en présence du gaz réactif produisant la pellicule semi-conductrice, tout en disposant la surface non plane du substrat à l'extérieur d'une région du plasma formé entre les électrodes à décharge et en 10 situant en outre la surface non plane dans une direction verticale par rapport aux surfaces des électrodes à décharge, pour déposer ainsi une pellicule semi-conductrice sur la surface non plane du substrat. L'invention concerne-également un procédé de réalisation d'un dispositif photovoltaique mettant en oeuvre le procédé décrit ci-dessus. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre Aux dessins annexés, donnés uniquement à' titre d'exemples, nullement limitatifs: La figure 1 est une vue en perspective d'un mode de réalisation d'un dispositif photovoltaique produit par un procédé de fabrication selon l'inven25 tion, La figure 2 est une coupe suivant la ligne I-I de la figure 1, -* Les figures 3, 6, 8, 9 et 10 sont des coupes partielles à grande échelle pour expliquer les opérations successives de réalisation du dispositif de la figure 1, La figure 4 est une vue en perspective illustrant un traitement de mise en forme ou d'élimination par laser pour le dispositif de la figure 1, La figure 5 est une vue schématique en perspective d'un premier mode de réalisation d'un processus de dépôt ou de formation d'un semi-conducteur amorphe, La figure 7 est une vue en perspective schématique d'un second mode de réalisation d'un processus de dépôt ou de formation d'un semiconducteur amorphe, La figure 11 est une vue schématique en perspective d'un appareil utilisé pour la mise en oeuvre du procédé de fabrication selon l'invention, La figure 12 est une vue en perspective d'un autre mode de réalisation d'un dispositif photo10 voltaïque produit par le procédé de fabrication selon l'invention, La figure 13 est une coupe selon la ligne IF-II de la figure 12, b ' La figure 14 est une vue destinée à expliquer 15 une fonction du dispositif représenté sur la figure 12, La figure 15 est une vue schématique en perspective illustrant une opération de mise en forme au laser pour le dispositif de la figure 12, La figure 16 est une vue destinée à expliquer 20 les convergences d'un faisceau de laser, La figure 17 est une vue destinée à expliquer une condition d'irradiation du faisceau de laser, La figure 18 est un schéma illustrant une condition d'utilisation du dispositif photovoltaïque produit selon le procédé de fabrication de l'invention, La figure 19 est une vue destinée à expliquer une condition d'utilisation d'un autre mode encore de réalisation d'un dispositif photovoltalque réalisé par le procédé de fabrication selon l'invention, La figure 20 est une vue en plan du dispositif de la figure 19, La figure 21 est une vue de dessous du dispositif de la figure 19, La figure 22 est une coupe suivant la ligne 35 III-III du dispositif de la figure 21 et La figure 23 est une coupe suivant la ligne VI-VI du dispositif de la figure 21. L'un des poihts les plus caractéristiques de l'invention est d'agencer un substrat pour y déposer une pellicule semi-conductrice à l'extérieur d'une région de plasma Un autre des points les plus carac5 téristiques consiste d disposer le substrat dans une direction pratiquement verticale par rapport aux surfaces des éldctrodes à décharge, en disposant ainsi une surface non plane du substrat en opposition à la région de plasma. Des substrats comprenant au moins une surface non plane peuvent être utilisés Des substrats cylindriques, des substrats avec des surfaces courbes ondulées autres peuvent être généralement utilisés. En outre, leur matière peut dépendre de l'utilisation 15 et en général, il peut être préférable d'utiliser des matières isolantes comme le verre, la céramique, les matières plastiques, etc ainsi que des matières conductrices comme l'aluminium fondu. Le procédé de réalisation d'une pellicule 20 semi-conductrice selon l'invention est préférablepour fabriquer un dispositif photovoltaique destiné à former directement une région de conversion photoélectrique sur un substrat ayant particulièrement une surface non plane Autrement dit, en utilisant un substrat sur lequel une électrode en forme de pellicule a été prévue, la région de conversion photoélectrique peut être réalisée en déposant une pellicule semiconductrice selon le procédé décrit ci-dessus et en déposant en outre une électrode sur la pellicule 30 semiconductrice, pour obtenir un dispositif photovoltaique prévu directement avec une région de conversion photoélectrique sur sa surface Dans ce cas, il peut être préférable d'utiliser des matières transparentes comme substrats et il peut être également préférable d'utiliser pour les électrodes en forme de pellicules des couches d'oxyde conducteur transparent comme de l'oxyde d'indium et d'étain. La région de conversion photoélectrique peut être généralement divisée en plusieurs sections La division peut être effectuée en mettant en forme la pellicule d'électrode, la pellicule semi5 conductrice et l'électrode supérieure respectivement, en utilisant des masques et un faisceau énergétique. Un procédé de réalisation d'une pellicule semiconductrice sur un substrat selon l'invention sera maintenant décrit dans des modes de réalisation orientés 10 sur la production d'un dispositif photovoltaique en forme de tuile de couverture de toit. Les figures 1 et 2 représentent un dispositif photovoltaique produit par le procédé selon l'inventiî, la figure 1 étant une vue en perspective et la figure 2 une coupe suivant la ligne I-I de la figure 1 la référence 1 désigne un substrat qui est obtenu par moulage d'une matière transparente et isolante, comme du verre renforcé, des céramiques transparentes, etc s Qus forme d'une tuile et qui comporte une surface 20 isolée et ondulée Les références 2 a à 2 e désignent plusieurs régions de conversion photoélectriques qui sont disposées sur la surface isolée du substrat 1 aux distance S voulues Chaque région de conversion photoélectrique 2 a à 2 e présente une structure en 25 forme de pellicule de l'ordre du micron qui est obtenue en déposant successivement une pellicule conductrice transparente 3,-comme de l'oxyde de zinc, de l'oxyde d'indium et de zinc, etc, une pellicule semi-conductrice de silicium amorphe 4 avec une jonction semi-conductrice et une pellicule de contreélectrode 5 en contact ohmique avec la pellicule smei-conductrice sur le substrat 1. La pellicule semi-conductrice amorphe 4 comporte une couche de type P avec une épaisseur de 35 l'ordre de 50 à 250 A, une couche de type I (intrinsèque) avec une épaisseur de l'ordre de 4000 à 7000 A, et une couche de type N avec une épaisseur de l'ordre de 300 à 600 A à partir de la surface de réception de lumière de manière à former une jonction PIN parallèle à la surface de la pellicule, à son intérieur, déposée de façon successive sur le substrat Par consequent, quand des rayons solaires sont reçus par la pellicule semi-conductrice amorphe à travers le substrat 1 et la pellicule conductrice transparente 3, des électrons libres et des trous sont produits principalement dans la couche de type I. 10 Les électrons et lestrous résultant sont attirés par le potentiel électrique de la jonction PIN formée par les couches respectives et sont recueillis par chaque pellicule conductrice transparente 3 et chaque pellicule de contre-électrode 5 de sorte 15 qu'une énergie électrique supplémentaire peut être obtenue en connectant électriquement la pellicule conductrice transparente 3 de la région de conversion photoélectrique 2 a, 2 e à la pellicule de contreélectrode 5 - Les figures 3 à 11 sont des coupes partielles à plus grande échelle et des vues en perspective schématique pour expliquer un procédé de fabrication du dispositif photovoltaique de la figure 1. Une couche d'oxyde d'indium et une couche 25 d'oxyde d'étain sont déposées sumessivement par des techniques d'évaporation par faisceau électrqnique sur une surface entièrement courbe du substrat qui comprend plusieurs régions de conversion photoélectrique 2 a à 2 e, tout en couvrant la surface du substrat 1 avec un masque, en formant ainsi la pellicule conductrice transparente 3 avec une épaisseur de 500 à 4000 A avec une structure laminée Lé figure 3 montre la condition dans laquelle la pellicule conductrice transparente 3 est divisée 3 en des régions respectives de conversion photoélectrique 2 a à 2 e en appliquant un faisceau énergétique comme un faisceau de laser Un laser Nd YAG ayant une longueur d'onde de 1,06 Am, une densité énergétique de 7 x 107 watts/cm 2 et une fréquence d'impulsions de 3 k Hz est utilisé de préférence La pellicule conductrice transparente 3 est mise en forme à la vitesse de balayage de 50 mm/s en utilisant un objectif de distance focale de 50 mm La distance L 1 entre les pellicules conductrices transparentes 3, qui est obtenue en éliminant la pellicule conduc10 trice par une opération de traitement au laser est de l'ordre de 50 Dm. Le point qu'il faut remarquer dans le processus de mise en forme au laser eit que la distance entre les pellicules conductrices trans15 parentes 3 de la pièce ne doit pas être changée de façon importante Autrement dit, par rapport au faisceau de laser appliqué à l'objectif, la densité d'énergie et la largeur de traitement sont contrôlées par l'action de convergence de la lentille Par conséquent, quand la distance entre les pièces est changée de façon importante, comme expliqué ci-dessus, la densité d'énergie et la largeur de traitement sont également changées de sorte que le traitement voulu ne peut être appliqué. Par conséquent, quand la pellicule conductrice transparente 3 directement déposée sur la surface isolée et incurvée doit être divisée en plusieurs régions respectives de conversion photoélectrique 2 a' à 2 e, le substrat 1 est disposé sur une platine XYZ 6 mobile dans les directions des axes X, Y et Z comme le montre la figure 4, et la direction de l'axe X de la platine XYZ 6 est alignée avec la direction de la ligne de bord de la surface du substrat 1 Le faisceau laser 8 est ensuite appliqué sur la pièce dans le processus de déplacement de la platine dans la direction de l'axe X tout en maintenant constante la distance entre l'objectif 9 et la pièce Ensuite, quand 2550 c 007 l'élimination de la pellicule conductrice transparente 3 située dans une partie d'espace est terminée en déplaçant le substrat 1 dans la direction de l'axe X, ce substrat est déplacé dans la direction de l'axe Y de manière à opposer à l'objectif 9 la pellicule conductrice transparente 3 située dans la partie qui doit être ensuite éliminée Dans ces conditions, la distance entre l'objectif 9 et la pièce est différente de celle du cas o le faisceau de laser a été appliqué 10 à la pellicule conductrice transparente, en raison du fait que la surface isolée et incurvée du substrat 1 est variable dans la direction de l'axe Y Par conséquent, la platine XYZ 6 est déplacée verticalement dans la direction de l'axe Z et corrigée pour obtenir 15 une distance prédéterminée Après la correction, la platine XYZ 6 est à nouveau déplacée dans la direction de l'axe X, ce dont il résulte que la partie indésirable de la pellicule conductrice transparente 3 est éliminée par l'application du faisceau laser Ces opérations sont effectuées répétitivement'pour mettre en forme la pellicule conductrice transparente 3 parallèlement à la ligne de bord incurvée 7 comme le montre la figure 3 Après la mise en forme de la pellicule 25 conductrice transparente 3, le processus passe à l'opération de dépôt de la pellicule semi-conductrice amorphe 4 La figure 5 montre schématiquement une opération de dépôt d'une pellicule semi-conductrice amorphe 4 dans un système de silicium amorphe, comme 30 du silicium amorphe (a-Si:H), du carbure de silicium amorphe (a- Six C 1 x:H), du stannate de silicium amorphe (a-Siy Sn y:H) et autre sur le substrat 1 en excitant une décharge dans une atmosphère d'un composé de silicium comme de monosilane (Si H 4)e de disilane (Si 2 H) 35 et autre et en décomposant au plasma le gaz réactif. Le substrat 1 avec la surface isolée incurvée utilisée selon l'invention n'est pas disposé entre des électrodes planes et parallèles (électrodes à décharge) opposées entre elles Les surfaces de dépôt du substrat 1 sont disposées en dehors des électrodes planes parallèles et sont placées dans une direction verticale par rapport aux surfaces opposées des électrodes Dans ces conditions, la pellicule semiconductrice amorphe 4 est formée en déplaçant le substrat 1 dans la direction de la surface incurvée comme le montre le dessin, c'est-à-dire dans la direction verticale par rapport à la ligne de bord 7. 10 Dans le mode de réalisation de la figure 5, les électrodes planes et parallèles constituent une structure à électrodes multiples dans laquelle des électrodes de masse, 10, 10, 10 et des électrodes à haute fr ?ence 12, 12 sont opposées alternativement et dispo15 sées en parallèle, les substrats I étant transférés dans la direction paralèlle des électrodes 10 et 12. Mais dans la structure à électrodes multiples, la décharge dans le gaz est excitée essentiellement entre une électrode de-masse 10 et une électrode à 20 haute fréquence 12 qui sont opposées entre elles en produisant ainsi un plasma entre les deux électrodes et des atomes de silicium par exemple, obtenus par décomposition du gaz de réaction sont déposés sur les surfaces incurvées des substrats 1 situés à l'extérieur 25 des deux électrodes pour former progressivement la pellicule semi-conductrice amorphe 4 sur ces surfaces. Il n'est donc pas toujours nécessaire d'adopter la structure à électrodes multiples. En disposant les substrats 1 à l'extérieur 30 des électrodes de masse 10, 10, 10 et des électrodes à haute fréquence 12, 12 opposées alternativement, de la manièrç décrite ci-dessus, les surfaces de dépôt des substrats 1 sont séparées de la région du mouvement des particules chargées à grande vitesse dans le plasma et la collision des particules chargées est remarquablement réduite, ce dont il résulte une réduction des dommages indésirables à la pellicule semi- 1 1 conductrice amorphe 4 Ensuite, pour le dépôt ou la formation de la pellicule semi-conductrice amorphe 4, les substrats 1 sont déplacés dans la direction incurvée de chaque surface, la direction parallèle aux électrodes, ce qui produit une pellicule semi-conductrice amorphe ayant une grande uniformité comme le montre la figure 6. Il est égalemeit possible d'augmenter la vitesse de dépôt de la pellicule car la sortie à haute fréquence, qui a été supprimée pour réduire les dommages causés par les particules chargées à grande vitesse pendant le dépôt de la pellicule semiconductrice amorphe, peut être augmentée. Dans le mode de réalisation illustré par la figure 5, deux substrats 1 sont prévus de manière à placer entre elles les électrodes de masse 10, 10, et les électrodes à haute fréquence 12,12 alternées. Par conséquent, la formation de la pellicule semiconductrice amorphe 4 est effectuée en même temps 20 sur deux substrats 1,1 A ce moment, un élément chauffant destiné à chauffer les substrats 1,1 est encastré dans une partie en creux d'une chambre de réaction, non représentée, de manière à chauffer uniformément les substrats respectifs 1,1 àepartir 25 de leurs surfaces arrière. La figure 7 illustre schématiquement un autre processus de dépôt ou de formation de la pellicule semi-conductrice amorphe 4 qui diffère du mode de réalisation décrit ci-dessus, c'est-à-dire dup-emier 30 mode de réalisation, dans sa structure concrète comprenant les électrodes de masse 10,10 et les électrodes à haute fréquence 12,12 opposées entre elles et le substrat 1, avec une alimentation en gaz 13 pour introduire le gaz réactif Autrement dit, 35 les surfaces opposées 10 a, 12 a des électrodes de masse 10,10 et des électrodes à haute fréquence 12,12 opposées au substrat 1 présentent des surfaces-incurvées avec une configuration similaire qui sont opposées à la surface incurvée du substrat Par conséquent, avec des surfaces incurvées de configuration similaire sur les surfaces 10 a, 12 a des électrodes respectives 10,12, la distance entre les surfaces opposées 10 a, 12 a et le substrat 1 est égale de sorte qu'une pellicule semi-conductrice amorphe uniforme 4 peut être obtenue avec le substrat immobile Mais si une pellicule semi- conductrice amorphe 4 plus uniforme est souhaitée, il peut être préférable que l'opération de dépôt se fasse de la même manière que dans le premier mode de réalisation en déplaçant le substrat dans la direc tundes électrodes de masse 10,10 et-des électrodes 15 à haute fréquence 12,12 disposées parallèlement à la direction d'une ligne de bord du substrat 1, comme le montre la flèche sur la figure. En outre l'alimentation en gaz 13 comprend une surface d'arrivée de gaz 15 comprenant un grand 20 nombre d'ouvertures de sortie 14,14 La surface de sortie de gaz 15 est disposée de manière à se trouver en face de la surface incurvée du substrat 1, par l'intermédiaire des électrodes de masse 10, 10 et des électrodes à haute fréquence 12,12, présentant 25 ainsi une configuration similaire à celle du substrat 1; ainsi, la distance entre la surface de sortie de gaz et la surface incurvée du substrat est constante Le gaz de réaction introduit dépend du semiconducteur amorphe qu'il faut former Mais 30 dans le cas de silicium amorphe par exemple, de la diborane B 2 H 6 contenait une impureté du type P ou de la phosphine contenant une impureté du type N est de préférence additionnée à une base de monosilane Si H 4 ou de disilane Si 2 H 6 Un autre substrat 1 35 peut être utilisé au lieu de l'alimentation de gaz 13. Dans le premier et le second modes de 255 C 07 réalisation, la pellicule semi-conductrice amorphe 4 peut être produite à peu près dans les mêmes conditions de réaction. Des conditions de réaction de base pour produire du silicium amorphe du type de jonction PIN sont données ci-après. Température de substrat 250300 C Source à haute fréquence 13,56 M Hz Puissance haute fréquence 100 W Gaz de réaction (rapport de composition) Couche du type P B 2 H 6/Si H 4 = 0,1 % Couche du type I (non dopée) Si H 4 = 100 % Couche du type N PH 3/Si H 4 = P 3/Si 4 = 1 Pression du gaz 0,3 à 1 Torr Débit du gaz 10 à 40 cc/min La figure 11 représente un appareil à réaction réelle Cette figure est une vue en perspective de l'appareil à réaction correspondant au second mode de réalisation, comportant une chambre à réaction 50 avec des électrodes à décha'rge 10,12, l'alimentation de gaz 13 avec des ouvertures de sortie pour le gaz de réaction voulu et un robinet de dépression et de mise à l'atmosphère 501 Sur la figure, la référence 51 désigne une chambre de chargement pour le substrat, 52 une chambre de prélèvement du substrat, 511 et 521 sont des robinets pour la dépression, 512 un volet d'entrée, 522 un volet de sortie, 513 un volet d'isolement, 53 un mélangeur de gaz et 502 30 un robinet d'arrivée de gaz Les références A à D désignent des bouteilles de gaz de réaction A est une bouteille de Si H 4, B une bouteille de B 2 H 6, C une bouteille de PH 3 et D une bouteille de CH 4 La figure ne montre pas le dispositif de transfert de 35 substrat destiné à faire passer ce dernier par la chambre de chargement 51, la chambre de réaction 50 et la chambre de sortie 52. Si H 4 utilisé comme source de silicium peut être remplacée par des gaz représentés par Sin H 2 n+ 2 (n étant un nombre entier supérieur à 2) Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si 4 H 10 et autres peuvent convenir Si F 4 peut être utilisé dans certaines conditions. Des gaz contenant un élément du groupe III comme ((CH 3))3 Ga, (C 2 H 5)3 A et autres peuvent être utilisés au lieu de B 2 H 6 pour un gaz de dopage de type P. PH 3 utilisé comme gaz de dopage de type N peut être remplacé par des gaz contenant un élément du groupe V comme As H 3, NH 3 et autres. t Bien entendu, d'autres gaz connus pour produire la pellicule semi-conductrice dans ce domaine 15 peuvent être additionnés. La pellicule semi-conductrice amorphe 4, comme de silicium amorphe, uniformément déposée sur la surface incurvée de substrat 1 selon l'invention est placée sur une platine XYZ 6 représentée sur la20 figure 4 Comme le montre la figure 8, des parties de la pellicule semi- conductrice amorphe 4 sont éliminées par l'application d'un faisceau de- laser 8 pour produire des régions séparées de conversion photoélectriques 2 a à 2 e et une partie de chaque pellicule 25 conductrice transparente 3 couverte par la pellicule semi-conductrice amorphe éliminée 4 est exposée sur toute la longueur de la direction de balayage du faisceau laser 8 Un laser Nd:YAG ayant une longueur d'onde de 1,06 -m, une densité d'énergie de 5 x 107 W/cm 2 30 et une fréquence d'impulsions de 3 k Hz est utilisé. La densité L 2 entre les pellicules semi-conductrices amorphes éliminées est réglée à environ 200 lm. Pour maintenir constante la distance entre l'objectif 9 et la pièce, de la même manière que la pellicule conductrice transparente 3, la direction de balayage du faisceau laser 8 dans la direction de la ligne de bord 7 de la surface incurvée du substrat 1 est alignée avec l'axe X de la platine XYZ 6 Le faisceau laser 8 balaye à une vitesse de 30 mm/s en déplaçant la platine XYZ dans la direction de 5 l'axe X Lorsqu'une des parties a été balayée par le faisceau laser 8, la platine XYZ 6 est déplacée dans la direction de l'axe Y pour présenter la pellicule semi- conductrice amorphe 4 à enlever ensuite devant l'objectif 9 Ensuite, la platine XYZ 6 est 10 déplacée dans la direction de l'axe Z afin de corriger la distance entre la pellicule semi-conductrice amorphe et l'objectif, à une valeur prédéterminée. L'opération de balayage du faisceau laser 8 est répétée en déplaçant à nouveau la platine dans la 15 direction de l'axe X, mettant ainsi en forme la pellicule semi-conductrice amorphe 4,4 parallèlement à la ligne de bord 7 de la surface du substrat audessous d'une partie des pellicules conductrices transparentes 3,3 Ensuite, et comme le montre la figure 9, une pellicule de contre-électrode 5 est déposée de façon continue sur toutes les régions de conversion photoélectrique 2 a à 2 e, comprenant les surfaces exposées des pellicules semi-conductrices amorphes 4,4 et des pellicules conductrices transparentes 3,3. Comme le montre la figure 10, des parties de la contre-électrode 7 sont éliminées par l'application du faisceau laser 8 afin qu'une partie prolbngée 5 a de la pellicule de contre-élec30 trodes 5 s'étendant à partir de l'une des régions de conversion photoélectrique 2 a à 2 e soit connectée à une partie exposée 3 a de la pellicule conductrice transparente 3 de la région de conversion voisine. La longueur L 3 est établie à 50 gm Le laser utilisé 35 est un laser Nd:YAG, de la même manière que pour la pellicule conductrice transparente 3 et la pellicule semi-conductrice amorphe 4 Le laser balaye à une vitesse de 50 mm/s en déplaçant la platine XYZ 6 dans la direction de l'axe X. L'opération qui suit le balayage de la pellicule de contre- électrode dans la direction de l'axe X, c'est-à-dire la correction de la distance entre l'objectif 9 et la pièce n'est pas décrite car il s'agit de la même opération que celle décrite ci-dessus Ces mises en forme peuvent se faire en utilisant un masq En ce qui concerne les opérations d'élimination des pellicules effectuées par l'application du faisceau laser 8, il faut noter que si une autre pellicule est présente sous la partie à éliminer, -ellen'est pas endommagée La valeur seuil de la densité pour traiter la pellicule semiconductrice amorphe en silicium 4 par le faisceau laser 8 est environ 4 x 107 W/cm?, c'est-à-dire inférieure à 7 x 107 W/cm 2 pour la pellicule conductrice transparente 3 Par conséquent, si le faisceau laser 8 est appli20 qué directement à la pellicule conductrice trànsparente 3 dans l'opération d'enlèvement de la pellicule semi-conductrice amorphe 4, aucun dommage indésirable ne lui est causé. Mais, en généial, les matières pouvant constituer la pellicule de contreélectrode, c'est-àdire des métaux faisant contact ohmique avec la pellicule semi-conductrice amorphe 4 ont des valeurs seuils élevées de densité d'énergie comparativement à celles de la pellicule conductrice transparente 3. Par exemple l'aluminium, a un faible taux d'absorption du faisceau laser et une bonne conductivité thermique, de sorte que la chaleur appliquée par le laser est dissipée Par conséquent, la valeur seuil de densité d'énergie présente une valeur d'environ 8 x 107 W/cm 2 O sous une épaisseur de 5000 A, légèrement supérieure à celle de la pellicule conductrice transparente, bien qu'elle dépende de son épaisseur. 255 '0007 Il est donc préférable de réduire la valeur seuil de densité d'énergie à 2 x 107 W/cm 2. Ce résultat est obtenu en réalisant la pellicule de contre-électrodes 5 non seulement en aluminium avec 5 une faible épaisseur de la pellicule de l'ordre de quelques centaines de A et en déposant sur la surface d'aluminium une matière ayant un pouvoir d'absorption élevé et une épaisseur de l'ordre de O 5000 A comme du titane ou un alliage de titane10 argent La pellicule de contre-électrodes 5 peut être constituée seulement par du titane ou des alliages de titane et d'argent. Par ailleurs, lorsqu'une pellicule semiconductrice amorphe en silicium par exemple est déposée sur la surface d'un tambour photoconducteur par décomposition au plasma d'un gaz de réaction comme Si H 4 ou autres de la manière décrite ci-dessus, une couche photoconductrice constituée par cette pellicule semi-conductrice amorphe permettant d'obtenir 20 des images latentes électrostatiques uniformes avec une bonne qualité peut être formée si l'opération de dépôt est exécutée pendant que le tambour photoconducteur effectue un mouvement de rotation et de translation. Les figures 12 et 13 illustrent un autre exemple d'un dispositif photovoltaïque fabriqué par le procédé selon l'invention. La caractéristique de ce mode de réalisation est que plusieurs régions de conversion photoélectrique 30 2,2 sont disposées de manière à couper la ligne de bord 7 de la surface incurvée du substrat 1 Autrement dit, dans ce mode de réalisation, des régions de conversion photoélectriques 2,2 en forme de bandes sont disposées parallèlement de manière que les 35 longs côtés des régions coupent verticalement la ligne de bord 7 de la surface incurvée ondulée La figue 13 est une coupe suivant cette ligne de bord 7. 255 N 007 Le dispositif photovoltaique de la figure 12 est préférable à celui de la figure 1 La raison en est décrite ci-après. La figure 14 représente schématiquement la relation entre des rayons solaires 51, 52 et 53 et des angles d'incidence par rapport aux régions de conversion photoélectrique quand le dispositif photovoltaïque de ce mode de réalisation est installé sur un toit, face au sud Cet exemple concerne le cas o le soleil avec un angle de est incliné vers l'ouest, le sud étant au centre. Autrement dit, quand les rayons solaires 51 irradient les régions de conversion photoélectrique 2,:à partir de la position inclinée dang la direction 15 du sud d'un angle de, ces rayons sont appliqués verticalement sur la partie de réception de lumière A et la conversion photoélectrique de la partie de réception de lumière A est maximale Mais, étant donné que les rayons solaires 51 ne sont pas appliqués verticalement sur les parties de réception de lumière B et C, l'énergie lumineuse incidente devient h sin " 1 et h sino 2 respectivement, si l'énergie solaire des rayons 51 est donnée par h V et les angles e'incidence respectifs par" 1 et C 2. 25 Par conséquent, l'énergie lumineuse appliquée à la partie de réception de lumière C ayant un faible angle d'incidence est minimale. Mais l'énergie de la lumière incidente est donnée seulement par les rayons solaires 51 comme 30 lumière incidente L'incidence de la Iumière d'une autre direction, la réduction de la lumière incidente due aux réflexions et autres ne sont pas considérées. Par conséquent, les parties respectives de réception de lumière, A, B et C fonctionnent comme des parties de conversion photoélectrique en proportion des énergies de lumière incidente h, h sin 01 et h V sinî 2 La puissance produite par la partie 2550 '007 de réception de lumière Aest maximale tandis que la puissance produite par la partie de réception de lumière C est minimale Autrement dit, les puissances produites dans les parties respectives de réception de lumière diffèrent entre elles. Dans le cas d'exposition au sud, quand les rayons solaires 52 sont appliqués verticalement sur la partie de réception de lumière B, la puissance produite par cette partie B est maximale et la puissance de la partie de réception de lumière A est égale à la composante sinus de l'angle d'incidence tandis que la puissance de la partie de réception de lumière C est inférieure à celle de la partie B. En outre, quand les rayons solaires 53 irradient les régions de conversion photoélectrique 2,2 à partir d'une position dans laquelle le soleil est incliné à l'ouest d'un angle &, la relation entre les puissances respectives des parties de réception de lumière A, B et C est inversée La partie de réception de lumière C devient maximale, inversement du cas o les régions de conversion photoélectrique sont irradiées à partir d'une position du soleil incliné à l'est d'un angle O. Comme cela a été décrit ci-dessus, la puissance produite par chaque partie de réception de lumière varie avec le mouvement du soleil. Mais, dans le dispositif photovoltaique rerésenté sur la figure 1, étant entendu que les surfaces des régions de conversion photoélectrique 30 sont égales entre elles, la première région de conversion 2 a assure une conversion photoélectrique maximale pour les rayons solaires 51 inclinés à l'ouest d'un angle ê, produisant un photo-courant de l'ordre de 15 m A/cm 2 Mais les courants respectifs de 35 la seconde et de la troisième région de conversion 2 b et 2 c sont 5 m A/cm 2 x 60 = 13 m A/cm 2 et 15 m A/cm 2 x = 7,5 m A/cmz si les angles d'incidence 1 et 2 sont respectivement 60 et 30 Etant donné que le courant de sortie total du dispositif photovoltaique est réglé par la puissance minimale comme dans la technique antérieure, il devient 7,5 m A/cm 2 de la troisième région de conversion photoélectrique 2 c Autrement dit, quand le dispositif photovoltaïque qui comporte les régions de conversion 2 a, 2 b et 2 c disposées parallèlement à la ligne de bord 7 du substrat 1 en forme de tuile comme le montre la figure 1, si une certaine région de conversion photoélectrique produit un photo-courant maximal avec le mouvement du soleil, toute la puissance de sortie du dispositif photovoltaique est régulée par le photoc Mrant le plus faible quand ce courant d'une autre 15 région de conversion photoélectrique est réduit. Mais, lorsque les régions de conversion photoélectrique respectives 2,2 sont alignées et disposées de manière à couper la ligne de bord 7 comme le montre la figure 12, l'une des réglons de 20 conversion photoélectrique 2,2 contient'en même' temps toutes les parties de réception de lumière A, B et C Par conséquent, quand le soleil se déplace, les photo-courants produits par les régions de conversion respectives 2, 2 sont toujours égaux entre eux, 25 ce dont il résulte que tout le courant de sortie du dispositif photovoltaique est accru Comparativement avec le dispositif de la figure 1 dont le courant de sortie est 7,5 m A/cm 2 par exemple, la sortie du dispositif de la figure 12 est ( 15 '13 + 7,51/3 = 11,8 m A/ 30 cm 2 dont la valeur est donnée par la moyenne arithmétique des courants produits par les parties de réception de lumière A,B et C Par conséquent, la puissance totale est accrue d'environ 60 % dans le dispositif photovoltaique qui est prévu avec un substrat 1 de même configuration et une même surface totale de réception de lumière. Une structure appropriée du dispositif photovoltaique de la figure 12 est constituée en 255 007 utilisant un support de verre renforcé avec une différence de hauteur de la surface incurvée d'environ 30 mm et d'environ 300 mm 2 (épaisseur environ 10 mm) et en formant environ 11 régions de conversion photoélectrique 2,2 sur le support de verre à des distances égales de quelques millimètres. Ce dispositif photoélectrique peut produire une puissance électrique d'environ 2 W pour chaque unité. Par conséquent, la puissance électrique peut être fournie en quantité suffisante pour des habitations d'un type général pendant la journée en utilisant environ 500 éléments par exemple de tuile de couverture de toit. Le dispositif photovoltaique de la figure 12 15 peut être produit de la même manière que celui de la figure 1 Mais si le faisceau de laser converge dans l'opération de mise en forme de la pellicule semiconductrice amorphe pour obtenir les régions de conversion photoélectriques 2,2 en utilisant simplement 20 un objectif à projections, un problème est posé par la variation de distance entre l'objectif et la pièce C'est un problème critique comparativement au cas de mise en forme de la pellicule semi-condctrice amorphe ou de la pellicule conductrice transparente parallèlement à la ligne de bord de la figure 1 Comme le montrent les-figures 15 et 16, un dispositif de convergence 70 pour un faisceau de laser 60 comporte une lentille convexe 80 avec une distance focale fl située sur un côté d'une source de laser, non repré30 sentée et une lentille concave 90 avec une courte distance focale f 2 disposée coaxialement sur le côté de la pièce, de manière à aligner le foyer F de la lentille convexe 80 avec le foyer virtuel Autrement dit, le faisceau laser 60 émis par la35 source de laser, parallèlement à l'axe optique 100 est appliqué à la lentille convexe 80, réfractée et il converge progressivement vers le foyer F Le faisceau laser 60 qui est agencé pour pénétrer dans la lentille concave 90 disposée dans le trajet de convergence est appliqué à la lentille concave 90 car le foyer virtuel de la lentille concave 90 est aligné avec le foyer F de la lentille convexe 80. 5 Après réfraction, le faisceau laser est transmis parallèlement à l'axe optique 100. Comme cela a été décrit ci-dessus, quand le diamètre wl du faisceau laser 60 a été focalisé par la lentille convexe 80, il est transmis à travers 10 la lentille concave 90 et converti en un faisceau parallèle avec un diamètre W 2 pour effectuer le traitement voulu Par conséquent, même si la distance entre la lentille concave 90 et la pièce varie le lhg de la surface incurvée du support 1 en déplaçant 15 la platine XY 6 ' dans la direction de l'axe X, le diamètre W 2 du faisceau laser 60 est appliqué à la pièce, c'est-à-dire la densité d'énergie et la largeur de traitement ne changent pas comme le montre la figure 17, ce qui permet d'effectuer le traitement 20 voulu. La description ci-dessus se rapporte en détail au cas o le diamètre W 2 du faisceau laser 60 est maintenu constant par la combinaison de la lentille convexe 80 et -la lentille concave 90, sans variation de la distance entre la pièce et la lentille concave Mais si la direction de balayage du faisceau laser 60 est la direction d'axe X comme le montre laàfigure 5, il est possible d'utiliser un réseau de lentilles de courte distance focale comme 30 dispositif de convergence -Le réseau de lentilles est tel que la distance focale change momentanément dans la direction d'axe X en correspondance avec la variation de la distance entre la pièce et la lentille concave Le réseau de lentilles à courte focale consiste en des lentilles en forme de tiges dont la longueur change momentanément et qui sont alignées dans la direction d'axe X. 255 C 007 Le dispositif photovoltaique 1 ' en forme de tuile ondulée, produit par le procédé selon l'invention décrit ci-dessus est généralement utilisé en combinant plusieurs de ces dispositifs avec des diodes de protection d'inversion de courant 20 connectées à l'extérieur et des diodes 30 de protection de tension inverse comme le montre la figure 18. Dans certaines circonstances ces diodes de protection et de courant et de tension inverse sont 10 directement formées sur les substrats. La figure 19 illustre un tel mode de réalisation Des dispositifs photovoltaiques 1 ', 1 ' avec des éléments photovoltaiques en forme de pellicules les diodes de protection contre le courant inverse 15 et les diodes de protection contre les tensions inverses sont disposées de façon contig e de manière à se chevaucher sur 4 côtés comme les tuiles habituelles qui couvrent une maison Cet exemple est adapté à des tuiles de toiture, et orienté sur des modules de 20 puissance utilisant la lumière solaire reçue par le toit. Les figures 20 à 23 montrent des détails du dispositif 1 ' Selon les figures 20 et 21 représentant la surface principale et la surface arrière du dispositif 1 ', une région de conversion photoélectrique 41 en forme de pellicule est déposée sur le centre de la surface arrière la du substrat. Urne diode 42 de protection contre les courants inverses en'forme de pellicule et une diode 43 de protection contre les tensions inverses en forme de pellicule, qui sont connectées électriquement à la région 41 sont prévues sur le côté supérieur et le côté gauche de la surface arrière Une première et une seconde pellicules conductrices 44 et 45 connectées électriquement à la région 41 sont en outre prévues sur le côté droit et le côté inférieur de la surface arrière Une troisième et une quatrième pellicules conductrices 46 et 47 connectées électriquement à la diode de protection de courant inverse 42 et à la diode de protection de tension inverse 43 sont déposées sur le côté supérieur et le côté droit de la surface principale lb du substrat. Les pellicules conductrices de la première à la quatrième pellicules 44 à 47 sont situées dans des parties qui se chevauchent de substrats voisins quand les dispositifs 1 ' sont disposés sous forme de 10 tuiles comme le montre la figure 19 La connexion électrique entre les substrats respectifs est assurée en connectant chaque pellicule conductrice 44 à 47 à la quatrième pellicule conductrice 47, à la troi s*ê'fe pellicule conductrice 46, à la seconde 15 pellicule conductrice 45 et à la première pellicule conductrice 44 des substrats voisins La diode de protection de courant 42 et la diode de protection de tension 43 sont également situées sur des parties se checauchant de sorte qu'elles n'ont aucune influence sur la surface occupée par le dispositif 1 '. Les figures 22 et 23 montrent des détails du dispositif 1 ' et des diodes respectives 42,43. Le dispositif 1 ' comporte plusieurs régions parallèles 11 a à 11 e dont chacune comporte la pellicule d'électrode transparente 3 déposée sur la surface arrière la du substrat, la pellicule semi-conductrice amorphe 4 avec la jonction PIN déposée sur la pellicule d'électrode 3 et la pellicule de contre-électrode 5 en aluminium La lumière qui pénètre dans le substrat 1 à partir de sa surface principale lb atteint la pellicule semi-conductrice amorphe 4 à travers la pellicule conductrice transparente 3 pour produire de l'énergie Les régions respectives 11 a à 11 e sont disposées sous forme d'une connexion en série, de sorte que les tensions produites dans les différentes régions s'additionnent mutuellement et apparaissent 2 5 007 entre la pellicule conductrice transparente 3 d'une région d'extrémité 11 a et la pellicule de contreélectrode 5 de l'autre région 11 e. La diode de protection de courant inverse 42 comporte une pellicule semiconductrice amorphe 33 avec une jonction PN, déposée sur la partie prolongée 3 a de la pellicule d'électrode transparente 3 constituant une région d'extrémité 11 a et une pellicule d'électrode de cathode 34 en aluminium une première pellicule 10 de revêtement conducteur 35 déposée sur la surface latérale du substrat 1 recouvre la pellicule d'électrode de cathode 34 et s'étend sur la surface du substrat lb pour produire la troisième pellicule conductrice 46. La diode 43 de protection contre les tensions 15 inverses comporte une pellicule d'électrode d'anode 26 formée sur la surface arrière la du substrat, une pellicule semi-conductrice amorphe 27 avec une jonction PN déposée sur la pellicule d'électrode d'anode 26 et une pellicule d'électrode de cathode 28 en aluminium. 20 Diverses matières peuvent être utilisées pour la pellicule d'électrode d'anode 26 si elles assurent un contact ohmique avec la pellicule semi-conductrice aoiphe 27, mais il est préférable d'utiliser la même matière que celle de la pellicule d'électrode trans25 parente 3 pour des raisons de fabrication Une seconde pellicule de revêtement conductrice 29 déposée sur la surface latérale du substrat 1 recouvre la pellicule d'électrode d'anode 26 et s'étend sur la surface du substrat lbpour former la quatrième pellicule conduc30 trice 47. Les pellicules d'électrodes de cathodes 34 et 28 de la diode 42 de protection contre les courants inverses et de la diode 43 de protection contre les tensions inverses sont faites de la même matière et 35 sont connectées électriquement par une couche de connexion 300 (figure 21) formée sur la surface arrière la du substrat Une partie prolongée 310 à partir de la pellicule d'électrode d'anode 26 de la diode 43 de protection contre les tensions inverses et une partie prolongée 320 à partir de la pellicule de contre-électrode 5 d'une autre région 11 c se chevauche 5 dans des parties d'extrémité respectives de la surface arrière la du substrat, connectant ainsi électriquement la pellicule d'électrode d'anode 26 à la pellicule de contre-électrode 5. Une barrière de Schottky peut être utilisée au lieu de la jonction PN, pour les diodes 42 et 43 En outre, l'une ou l'autre des diodes peut être supprimée dans certaines circonstances. La première et la seconde pellicules conduct"re Ces 44 et 45 sont formées en prolongeaht la pellicule de contre-électrodes 5 constituant une autre région 11 e. Dans le dispositif tel que décrit ci-dessus, la connexion électrique entre les éléments photovoltaiques des substrats est effectuée seulement en 20 disposant côte à côte les substrats comportant des régions de conversion photoélectriques dans des conditions de chevauchement partiel En outre, il n'est pas nécessaire d'établir la connexion extérieure de la diode de,protection contre les courants inverses et de la diode de protection contre les tensions inverses en utilisant des fils conducteurs. Par conséquent, la connexion d 4 un grand nombre de ces dispositifs peut se faire facilement. REVENDICATIONS 1 Procédé de réalisation d'une pellicule semi-conductrice sur un substrat, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à placer un substrat ( 1) ayant une surface non plane dans une chambre de réaction ( 50) contenant au moins deux électrodes à décharge ( 10,12), une entrée ( 502) pour un gaz de réaction destiné à produire une pellicule semiconductrice ( 4) voulue et une sortie ( 503) pour une pression réduite, et à produire une décharge en présence dudit gaz de réaction pour produire -ladite pellicule semi-conductrice tout en disposant ladite surface non-plane dudit substrat à l'extérieur d'une région de plasma formée entre lesdites électrodes à décharge, et en disposant en outre ladite surface non 15 plane dans une direction perpendiculaire aux surfaces des électrodes à décharge, de manière à déposer ladite pellicule semi-conductrice sur la surface non plane dudit substrat. 2 Procédé selon la revendicatibn 1, carac20 térisé en ce qu'une pellicule semi-conductrice ( 4) est formée sur un substrat ( 1) tout en déplaçant ledit substrat 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la distance entre un côté des électrodes à décharge ( 10,12) sur lequel est disposé ledit substrat et ladite surface non plane dudit substrat est régléepour obtenir une distance uniforme. 4.-Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que deux substrats ( 1) sont utilisés et disposés de manière à enfermer ladite région de plasma. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que des paires d'électrodes à décharge ( 10,12) sont disposées parallèlement dans une chambre à réaction ( 50). 6 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites électrodes à décharge ( 10,12) sont prévues avec des côtés incurvés pour épouser ladite surface plane dudit substrat ( 1). 7 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat comporte une surface incurvée et ondulée 8 procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat est cylindrique. 9 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat 1 comporte une électrode pelliculaire ( 3) sur sa surface. 10 Procédé selon la revendication 9,caractérisé en ce que ladite électrode pelliculaire ( 3) est divisée en plusieurs électrodes parallèles ou coupant la direction d'une ligne de bord -l+ite surface incurvée non plane dudit substrat. 11 Procédé de réalisation d'un dispositif photovoltaique', caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à placer un substrat ( 1) ayant une surface non plane dans une chambre de réaction ( 50) contenant au moins deux électrodes à décharge ( 10,12) 20 une entrée ( 502) pour un gaz de réaction afin de produire une pellicule semi-conductrice ( 4) voulue et une sortie ( 501) pour une pression réduite, ledit substrat portant plusieurs électrodes pelliculaires divisées ( 3) s'étendant parallèlement ou 25 coupant une ligne de bord de ladite surface, et à produire une décharge en présence dudit gaz de réaction pour former ladite pellicule semi-conductrice ( 4), tout en disposant ladite surface non plane dudit substrat à l'extérieur d'une région-de plasma formée 30 entre lesdites électrodes à décharge et en situant en outre ladite surface non plane dans une direction pratiquement perpendiculaire aux surfaces des électrodes à aécharge, de manière à déposer ladite pellicule semi- conductrice sur ladite surface non plane dudit substrat, à mettre en forme ( 8) ladite pellicule semi-conductrice dans une direction parallèle ou coupant une ligne de bord de ladite surface non plane 255 C 007 pour correspondre auxdites électrodes pelliculaires divisées et à déposer une pellicule conductrice ( 5) sur ladite pellicule semi-conductrice et à mettre en forme ladite pellicule conductrice, de manière à former directement plusieurs régions de conversion photoélectriques ( 2) sur ledit substrat. 12 Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite mise en forme est effectuée en utilisant un masque. 13 Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite mise en forme est effectuée par irradiation avec un faisceau d'énergie ( 8). 14 Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'un dispositif de convergence ( 70) destiné à faire converger le faisceau d'énergie sur une surface incurvée est constitué par une lentille convexe ( 80) et une lentille concave ( 90). Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ledit substrat ( 1) consiste en un 20 substrat isolant transparent 16.Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite électrode pelliculaire ( 3) consiste en une couche d'oxyde conducteur transparent. 17 Procédé selon la revendication 11, carac25 térisé en ce que ladite pellicule conductrice ( 5) consiste en une pellicule d'aluminium. 18 Procédé selon la revendication 11,-caractérisé en ce que ladite pellicule conductrice ( 5) consiste en une pellicule de titane ou d'un alliage de titane et d'argent, ou en une pellicule d'aluminium couverte par une pellicule de titane ou d'un alliage de titane et d'argent 19 Dispositif photovoltaïque, caractérisé en ce qu'il est produit par le procédé selon l'une 35 quelconque des revendications 11 à 18. Dispositif selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il est utilisé sous forme de tuiles de couvertures ondulées. 21 Dispositif selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'il comporte onze régions de conversion photoélectrique ( 2,11) produites en divisant une pellicule semi-conductrice ( 4) en des régions, dans une direction qui coupe une ligne de bord par rapport à une surface ondulée.