Brevet FR2551562A1 — publié le 19850308

La présente invention concerne un élément photoconducteur sensible aux ondes électromagnétiques telles que la lumière (on utilise ici ce terme dans un sens large, englobant les rayons ultraviolets, la lumière 5 visible, les rayons infrarouges, les rayons X, les rayons gamma, etc). Les matières photoconductrices qui constituent des couches photoconductrices dans des dispositifs de prise de vue à l'état solide, des éléments de formation d'ima10 ge pour l'électrophotographie dans le domaine de la formation d'images, ou des dispositifs de lecture de manuscrits ou des dispositifs analogues, doivent avoir une sensibilité élevée, un rapport signal à bruit élevé (rapport entre le photocourant Ip et le courant d'obscurité Id), des ca15 ractéristiques spectrales adaptées à celles des ondes électromagnétiques à recevoir, une réponse rapide à la lumière et une valeur de résistance d'obscurité désirée, et elles doivent en outre ne présenter aucun danger pour le corps humain pendant l'utilisation En outre, dans un dis20 positif de prise de vue à l'état solide, il est également nécessaire que l'image résiduelle puisse être traitée aisément en un temps prédéterminé En particulier, dans le cas d'un élément de formation d'image pour l'électrophotographie, destiné à être monté dans un dispositif électro25 photographique prévu pour l'utilisation dans un bureau,en tant qu'appareil de bureau, la caractéristique précitée d'absence de danger est très importante. Du point de vue mentionné ci-dessus, le silicium amorphe (qu'on appellera ci-après Si-a) a récemment attiré 30 l'attention en tant que matière photoconductrice A titre d'exemple, les demandes de brevet plubliées en R F A sous les numéros 2 746 967 et 2 855 718 décrivent des applications du Si-a pour l'utilisation dans des éléments de formation d'image pour l'électrophotographie, et la demande de brevet publiée en R F A n 2 933 411 décrit une application 2 2551562 du Si-a pour l'utilisation dans un dispositif de lecture à transducteur photoélectrique. Cependant, dans la situation actuelle, il est nécessaire d'améliorer encore les éléments photoconduc5 teurs de l'art antérieur ayant des couches photoconductrices consistant en Si-a, en ce qui concerne un certain nombre de caractéristiques d'ensemble comprenant des caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices, comme la valeur de résistance d'obscurité, la photosensi10 bilité et la réponse à la lumière, etc, et des caractéristiques d'environnement au cours de l'utilisation, comme la résistance à l'humidité et, en outre, la stabilité dans le temps. A titre d'exemple, lorsqu'on utilise l'élément 15 photoconducteur mentionné ci-dessus dans un élément de formation d'image pour l'électrophotographie, on observe fréquemment qu'un potentiel résiduel demeure pendant l'utilisation de cet élément si on prévoit d'apporter simultanément des perfectionnements procurant une photosensibili20 té plus élevée et une résistance d'obscurité plus élevée. Lorsqu'on utilise de façon répétée un tel élément photoconducteur pendant une longue durée, il apparaît divers inconvénients, comme l'accumulation de fatigue par des utilisations répétées, ou le phénomène dit d'image fantôme, 25 consistant dans la formation d'images résiduelles. En outre, le Si-a a un coefficient d'absorption de la lumière relativement plus faible du côté des grandes longueurs d'onde, dans la région de la lumière visible, par rapport au côté des courtes longueurs d'onde Par consé30 quent, si on réalise l'adaptation au laser à semiconducteur qu'on utilise en pratique à l'heure actuelle, la lumière située du côté des grandes longueurs d'onde ne peut pas être utilisée efficacement lorsqu'on emploie pour la source lumineuse une lampe à halogène ou une lampe fluorescente Di Mers 35 points restent donc à améliorer. 3 2551562 D'autre part, lorsque la lumière projetée n'est pas suffisamment absorbée dans la couche photoconductrice, tandis que la quantité de lumière atteignant le substrat augmente, des interférences dues à des réflexions multiples peuvent se produire dans la couche photoconductrice et conduire à l'obtention d'une image floue, dans le cas o le substrat lui-même présente une réflectance élevée pour la lumière transmise à travers la couche photoconductrice. Cet effet augmente si on diminue la taille du point lumineux projeté, dans le but d'augmenter la résolution, ce qui pose un problème important dans le cas de l'utilisation d'un laser semiconducteur en tant que source lumineuse. En outre, des matières à base de Si-a qu'on utilise pour former la couche photoconductrice peuvent contenir à titre d'atomes constitutifs des atomes d'hydrogène ou des atomes d'halogènes tels que des atomes de fluor, des atomes de chlore, etc, pour améliorer leurs caractéris20 tiques électriques et photoconductrices, des atomes de bore, des atomes de phosphore, etc, pour commander le type de conduction électrique, ainsi que d'autres atomes pour améliorer d'autres caractéristiques Des probl'lns de caractéristiques électriques ou photoconductrices peuvent survenir dans la couche formée en 25 fonction de la teneur des ataes constitutifs. Ainsi, par exemple, dans de ncmbreux cas, la durée de vie des photoporteurs générés par irradiation de la couche photoconductrice zar de la lumière est insuffisante, ou bien,dans la partie scabre, on ne peut pas em Tcher suffisaxnnt que des charges soient injectées par le 30 c-té du substrat. En outre, lorsque l'épaisseur de la couche devient d' environ f 3 ix microns ou plus, la couche est susceptible de se décoller de la surface du support ou de se craqueler, après que la matière a été extraite d' lu chambre de dépôt sous vide pour la formation de la couche et alors 35 qu'elle se trouve dans l'air Ces phénanènes se produisent souvent, en particulier lorsque le support se présente sous la forme d'un tambour qu'on utilise habituellement dans le domaine de l'électrophotographie, et il est nécessaire de résoudre le problème que posent ces phénomènes, de façon à amélio5 rer la stabilité dans le temps. Il est donc nécessaire d'améliorer les caractéristiques de la matière Sia elle-même, et il est également nécessaire de résoudre tous les problèmes mentionnés cidessus au moment de la conception d'éléments photoconduc10 teurs. Compte tenu de ce qui précèdes l'invention porte sur les résultats obtenus à la suite d'études approfondies faites de manière globale, des points de vue de l'applicabilité et de l'utilité du Si-a en tant qu'élément photocon15 ducteur pour des éléments de formation d'image pour l'électrophotographie, des dispositifs de prise de vue à l'état solide, des dispositifs de lecture, etc. On a ainsi trouvé qu'un élément photoconducteur ayant une couche de réception de lumière photoconductrice 20 qui consiste en une matière amorphe contenant au moins un atome d'hydrogène (H) ou un atome d'halogène (X), dans une matrice d'atomes de silicium, formant ce qu'on appelle du silicium amorphe hydrogéné, du silicium amorphe halogéné ou du silicium amorphe hydrogéné contenant un halogène (ce 25 qu'on désignera ci-après globalement par "Si-a (H, X)"), cet élément photoconducteur étant préparé en faisant en sorte qu'il ait une structure spécifique, comme décrit ci-après, présente non seulement d'excellentes caractéristiques pratiques, mais est également supérieur aux éléments photoconduc30 teurs de l'art antérieur dans pratiquement tous les domaines, et il présente en particulier des caractéristiques remarquables en tant qu'élément photoconducteur pour l'électrophotographie, ainsi que d'excellentes caractéristiques du spectre d'absorption du c 8 té des grandes longueurs d'onde. Un but principal de l'invention est de procurer 2551562 un élément photoconducteur ayant des caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices qui soient parfaitement stables et conviennent à tous les types d'environnement, avec pratiquement aucune influence de l'envi5 ronnement pendant l'utilisation, cet élément étant excellent en ce qui concerne les caractéristiques de photosensibilité du coté des grandes longueurs d'onde et tout à fait excellent en ce qui concerne la résistance à la fatigue par la lumière, et également excellent en durabilité, en ne 10 présentant aucun phénomène de dégradation sous l'effet d'une utilisation répétée, et en ne faisant apparaître aucun ou pratiquement aucun potentiel résiduel. Un autre but de l'invention est de procurer un élément photoconducteur qui ait une photosensibilité élevée 15 sur la totalité de la région de la lumière visible, et en particulier une excellente adaptation à un laser à semiconducteur, et qui ait également une réponse rapide à la lumière. Un autre but encore de l'invention est de procu20 rer un élément photoconducteur qui présente un excellent contact entre un support et une couche recouvrant le support, ainsi qu'entre des couches superposées, qui soit stable en ce qui concerne la configuration structurale et qui ait des couches de qualité élevée. Un autre but encore de l'invention est de procurer un excellent élément photoconducteur qui ait un pouvoir de rétention de charge suffisant au moment du traitement de charge pour la formation d'images électrostatiques, dans une mesure qui permette d'utiliser très efficacement un procédé électrophotographique classique lorsque cet élément est employé en tant qu'élément de formation d'image pour l'électrophotographie, et qui ait en outre d'excellentes caractéristiques électrophotographiques qui sont peu dégradées, même en présence d'une humidité élevée: Un autre but encore de l'invention est de procurer 6 2551562 un élément photoconducteur pour l'électrophotographie capable de produire aisément des images de haute qualité ayant une densité élevée, des demiteintes nettes et une résolution élevée. Un autre but encore de l'invention est de procurer un élément photoconducteur ayant une photoconductivité élevée, un rapport signal à bruit élevé et un bon contact électrique avec le support. Un aspect de l'invention porte sur un élément photoconducteur qui comprend un support d'élément photoconducteur et une couche de réception de lumière recouvrant le support et comprenant une première région de couche (G) consistant en une matière amorphe contenant des atomes de silicium et des atomes de germanium, et une seconde région 15 de couche (S) qui est photoconductrice et consiste en une matière amorphe contenant des atomes de silicium La première région de couche (G) et la seconde région de couche (S) sont formées dans cet ordre à partir du côté du support, et la répartition des atomes de germanium dans la première 20 région de couche (G) n'est pas uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche La couche de réception de lumière contient des atomes d'azote. Un autre aspect de l'invention porte sur un élément photoconducteur qui comprend un support d'élément pho25 toconducteur, une première couche et une seconde couche, la première couche recouvrant le support et comprenant une première région de couche (G) qui consiste en une matière amorphe contenant des atomes de silicium et des atomes de germanium, et une seconde région de couche (S) qui est pho30 toconductrice et qui consiste en une matière amorphe contenant des atomes de silicium La première région de couche (G) et la seconde région de couche (S) sont formées dans cet ordre à partir du côté du support La seconde couche consiste en une matière amorphe contenant des atomes de silicium et soit des atomes de carbone, soit des atomes d'oxygène,soit 7 2 2551562 les deux La répartition du germanium dans la première région de couche (G) n'est pas uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche et la première couche contient des atomes d'azote. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 et la figure 11 représentent schématiquement des structures de couches d'éléments photoconduc10 teurs conformes à l'invention; Les figures 2 à 10 montrent la répartition d'atomes de germanium dans chaque région de couche (G); La figure 12 représente schématiquement un appareil qu'on peut utiliser pour fabriquer l'élément photocon15 ducteur conforme à l'invention; et Les figures 13 à 21 représentent des courbes de variation du rapport des débits de gaz dans les exemples de l'invention. On voit sur la figure 1 une représentation schéma20 tique d'une structure de couches d'un élément photoconducteur du premier mode de réalisation avantageux conforme à l'invention. Sur la figure 1, un élément photoconducteur 100 comporte un support 101 et une couche de réception de lumiè25 re 102 qui recouvre le support 101 La couche de réception de lumière 102 comporte une surface libre 105 au niveau de l'une des surfaces d'extrémité La couche de réception de lumière 102 est constituée par une première région de couche (G) 103 consistant en Si-a (H, X) contenant des atomes de germanium (ce qu'on désignera ci-après par "Si-a Ge (H,X)") et par une seconde région de couche (S) 104 qui est photoconductrice et qui consiste en Si-a (H, X) La première région de couche (G) 103 et la seconde région de couche (S) 104 sont déposées sur le support 101 dans l'ordre indiqué. 35 La première région de couche (G) 103 contient des atomes de 8 2551562 germanium d'une manière telle que leur concentration varie de façon continue dans la direction de l'épaisseur de la couche et soit plus élevée du côté du support 101 que du côté opposé au support 101 i (le côté de la surface de la couche de réception de lumière 102). Dans l'élément photoconducteur de l'invention, il est préférable que la répartition de germanium dans la première région de couche (G) soit celle mentionnée cidessus dans la direction de l'épaisseur de la couche, tan10 dis que la -répartition dans un plan parallèle à la surface du support est uniforme. Dans l'invention, la seconde région de couche (S) formée sur la première région de couche (G) ne contient pas d'atomes de germanium, et une telle structure de la cou15 che de réception de lumière peut donner un élément photoconducteur présentant une excellente photosensibilité pour des lumières de toutes les régions allant depuis une région de lumière visible correspondant à des longueurs d'onde relativement courtes, jusqu'à une région correspondant à des 20 longueurs d'onde relativement grandes. Dans la première région de couche (G), les atomes de germanium sont répartis de façon à présenter une répartition continue sur toute la région de couche, et la concentration des atomes de germanium dans la direction de l'épais25 seur de la couche, C, diminue depuis le côté du support vers la seconde région de couche (S) Par conséquent, l'affinité entre la première région de couche (G) et la seconde région de couche (S) est bonne et, en outre, la variation de l'indice de réfraction peut être pratiquement continue Il en résulte qu'il est possible d'empêcher l'apparition d'interférences dues à la réflexion à la frontière entre les couches, lorsqu'on utilise une lumière cohérente En outre, en donnant une valeur extrêmement élevée à la concentration d'atomes de germanium dans la partie d'extrémité du côté du support, comme on l'indiquera ultérieurement, il est possible 255 1562 d'absorber presque complètement dans la première région de couche (G) une lumière située du côté des grandes longueurs d'onde, qui est difficilement absorbée dans la seconde région de couche (S), lorsqu'on utilise un laser à semiconducteur ou un dispositif analogue, et on peut ainsi empêcher les interférences dues à la réflexion à partir de la surface du support. Conformément à l'invention, l'élément photoconducteur comprend des atomes de silicium communs aux deux 10 matières amorphes qui constituent la première région de couche (G) et la seconde région de couche (S), ce qui fait que la stabilité chimique à la frontière entre couches peut être assurée de façon suffisante. Les figures 2 à 10 montrent des exemples carac15 téristiques de répartition uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche des atomes de germanium contenus dans la première région de couche (G) de l'élément photoconducteur de l'invention. Sur les figures 2 à 10, on a porté en abscisse 20 la concentration C d'atomes de germanium et en ordonnée l'épaisseur de couche de la première région de couche (G), t B indiquant la position de la surface d'extrémité de la première région de couche (G) du côté du support et t T indiquant la position de la surface d'extrémité de la première 25 région de couche (G) du côté opposé au support Ainsi, la formation de la première région de couche (G) contenant des atomes de germanium progresse du côté de t Bvers le côté de t T La figure 2 montre un premier mode de réalisa30 tion caractéristique du profil en profondeur de la concentration des atomes de germanium dans la direction de l'épaisseur de la couche, dans la première région de couche (G). Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 2, à partir de la position frontière t B à laquelle la 35 surface sur laquelle doit être formée la première région de couche (G) contenant des atomes de germanium, est en contact avec la surface de cette première région de couche (G), jusqu'à la position t 1, la première région de couche (G) qui est formée contient des atomes de germanium et la concentration C de ces atomes de germanium prend une valeur constante C 1 La concentration diminue ensuite progressivement et de façon continue à partir de la concentration C 2, depuis la position t 1 jusqu'à la position de la frontière t T A la position de la frontière t Tl la con10 centration C d'atomes de germanium est égale à C 3. Dans le mode de réalisation qui est représenté sur la figure 3, la concentration C des atomes de germanium contenus diminue progressivement et de façon continue depuis la position t B jusqu'à la position t T, en partant 15 de la concentration C 4, jusqu'à la concentration C 5 à la position t T. Dans le cas de la figure 4, la concentration C d'atomes de germanium est constante, avec la valeur 06, depuis la position t B jusqu'à la position t 2, puis elle diminue progressivement et de façon continue depuis la position t 2 jusqu'à la position t T, et la concentration C devient pratiquement égale à zéro à la position t T ("pratiquement zéro" signifie ici que la concentration est inférieure à la limite détectable). Dans le cas de la figure 5, la concentration C d'atomes de germanium diminue progressivement et de façon continue depuis la position t B jusqu'à la position t T, en partant de la concentration C 8, jusqu'à ce qu'elle devienne pratiquement égale à zéro à la position t T. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 6, la concentration C d'atomes de germanium est constamment égale à C 9 entre la position t B et la position t 3, et elle devient égale à C 10 à la position t T Entre la position t 3 et la position t T, la concentration diminue cin une 35 fonction du premier degré depuis la position t 3 jusqu'à la h 11 2551562 position t T. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 7, on forme un profil de concentration dans la direction de la profondeur tel que la concentration C pren5 ne une valeur constante égale à Cll depuis la position t B jusqu'à la position t 4, et diminue ensuite selon une fonctiondu premier degré de la concentration C 12 jusqu'à la concentration C 13, de la position t 4 à la position t T. Dans le mode de réalisation représenté sur la 10 figure 8, la concentration C des atomes de germanium diminue selon une loi linéaire depuis la concentration C 14 jusqu'à une valeur pratiquement égale à zéro, de la position t B à la position t T. La figure 9 montre un mode de réalisation dans 15 lequel la concentration C des atomes de germanium diminue selon une loi linéaire depuis la concentration C 15 jusqu'à la concentration C 16, de la position t B à la position t 5, et demeure à la valeur constante C 16 entre les positions t 5 et t T. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 10, la concentration C des atomes de germanium présente la valeur C 17 à la position t B, et cette concentration C 17 diminue initialement progressivement puis de façon abrupte depuis une position proche de la position t 6 25 jusqu'à la position t 6, jusqu'à devenir la concentration C 18 à la position t 6. Entre la position t 6 et la position t 7, la concentration C diminue initialement de façon abrupte, puis ensuite progressivement, jusqu'à devenir la concentration 30 C 19 à la position t 7 Entre la position t 7 et la position t 8, la concentration diminue très progressivement jusqu'à la concentration C 20 à la position t 8 Entre la position t 8 et la position t T, la concentration diminue en suivant une courbe ayant la forme représentée sur la figure, depuis la con35 centration C 20 jusqu'à une valeur pratiquement égale à zéro. 12 2551562 Comme il est décrit ci-dessus en relation avec quelques exemples caractéristiques de profils de profondeur d'atomes de germanium contenus dans la première région de couche (G), dans la direction de l'épaisseur de la couche, en relation avec les figures 2 à 10, dans l'invention,la première région de couche (G) présente avantageusement un profil de profondeur qui définit une partie enrichie en ce qui concerne la concentration C d'atomes de germanium, du côté du support, et une partie appauvrie en 10 ce qui concerne la concentration C en atomes de germanium, du côté de la frontière t T, la concentration de ce côté descendant à une valeur notablement inférieure à la concentration du côté du support. I 1 est souhaitable que la première région de cou15 che (G) constituant la couche de réception de lumière de l'élément photoconducteur de l'invention, comporte une région localisée (A) contenant des atomes de germanium avec de préférence une concentration relativement plus élevée du côté du support, comme décrit ci-dessus. Dans l'invention, la région localisée (A), expliquée en utilisant les symboles représentés sur les figures 2 à 10, peut avantageusement être formée à une distance ne dépassant pas 5 pm, par rapport à la position de la frontière t B. Dans l'invention, on peut faire correspondre la région localisée ci-dessus (A) à la totalité de la région de couche (LT) jusqu'à la profondeur de 5 pm à partir de la position de la frontière t Be ou bien seulement à une partie de la région de couche (LT). On peut déterminer de façon appropriée, en fonction des caractéristiques exigées pour la couche de réception de lumière à former, si la région localisée (A) correspond à une partie ou à la totalité de la région de couche (LT). On peut de préférence former la région localisée 13 2551562 (A) conformément à une technique de formation de couche telle que la valeur maximale Cmax de la concentration C d'atomes de germanium, dans la répartition dans la direction de l'épaisseur de la couche, corresponde de préfé5 rence à un rapport atomique de 1000 ppm ou plus, un rapport atomique de 5000 ppm ou plus étant encore plus préférable, le rapport atomique le plus préférable étant de 1 x 104 ppm ou plus, ces rapports étant basés sur la somme des atomes de germanium et des atomes de silicium. Ainsi, conformément à l'invention, la première région de couche (G) contenant des atomes de germanium est préferablement formée de façon que la valeur maximale Cmax de la concentration C(G) puisse exister dans une épaisseur de couche de 5 pm à partir du c 8 té du support (c'est-à15 dire la région de couche située dans une épaisseur de 5 pm partir de t)B Dans l'invention, la concentration d'atomes de germanium dans la première région de couche (G) contenant des atomes de germanium, qu'on peut déterminer de façon appropriée de la manière désirée pour atteindre effectivement les buts de l'invention, peut correspondre préférablement à un rapport atomique de 1 à 9,5 x 105 ppm, encore plus préférablement à un rapport atomique de 100 à 8,0 x 105 ppm, et le plus préférablement à un rapport atomique de 500 à 7 xl O 5 ppm, sur la base de la somme des atomes de germanium et des atomes de silicium. Dans l'élément photoconducteur de l'invention, l'épaisseur de couche de la première région de couche (G) et l'épaisseur de la seconde région de couche (S) consti30 tuent l'un des facteurs importants pour atteindre effectivement le but de l'invention, et on doit donc y porter une attention suffisante dans la conception de l'élément photoconducteur, pour pouvoir donner des caractéristiques souhaitables à l'élément photoconducteur formé. Dans l'invention, l'épaisseur de couche TB de la 14 2551562 première région de couche (G) peut être préférablement de 3 nm à 50 Pm, plus préférablement de 4 nm à 40 pm, et le plus préférablement de 5 nm à 30 pm. D'autre part, l'épaisseur de couche T de la se5 conde région de couche (S) peut être préférablement de 0,5 à 90 pm, plus préférablement de i à 80 pm et le plus préférablement de 2 à 50 pm. On peut déterminer de façon appropriée comme on le désire la somme de l'épaisseur de couche TB de la 10 première région de couche (G) et de l'épaisseur de couche T de la seconde région de couche (S), c'Ist-à-dire (TB+T), dans la conception des couches de l'élément photoconducteur, sur la base de la relation fonctionnelle mutuelle entre les caractéristiques exigées pour les deux régions 15 de couche et les caractéristiques exigées pour la couche de réception de lumière complète. Dans l'élément photoconducteur de l'invention, la plage de valeurs numériques pour la quantité (TB+T) cidessus peut être préférablement de 1 à 100 pm, plus préfé20 rablement de 1 à 80 pm et le plus préférablement de 2 à pm. Dans un mode de réalisation plus avantageux de l'invention, il est préférable de sélectionner les valeurs numériques pour les épaisseurs respectives TB et T de la 25 manière indiquée ci-dessus, de façon à satisfaire la relation TB/T 1. Dans la sélection des valeurs numériques pour les épaisseurs TB et T dans le cas ci-dessus, on doit préférablement déterminer les valeurs de TB et T de façon à sa30 tisfaire la relation TB/T 0,9, et le plus préférablement de façon à satisfaire la relation TB/T 0,8. Dans l'invention, lorsque la concentration d'atomes de germanium dans la première région de couche (G) correspond à un rapport atomique de 1 x 105 ppm ou plus, l'épais35 seur de couche TB de la première région de couche (G) doit 2551562 avantageusement être aussi mince que possible, soit préférablement 30 jim ou moins, plus préférablement 25 pm ou moins et le plus préférablement 20 pim ou moins. Dans l'élément photoconducteur de l'invention, la répartition des atomes de germanium dans la première région de couche (G) est telle que les atomes de germanium sont répartis de façon continue dans la totalité de la région de couche (G), et la concentration de la répartition des atomes de germanium dans la direction de l'épaisseur 10 de la couche, C, diminuedepuis le côté du support vers le côté de la surface libre de la couche de réception de lumière et, par conséquent, on peut fabriquer comme on le désire une couche de réception de lumière ayant des caractéristiques exigées, en définissant la courbe de variation 15 de la concentration C de la répartition. A titre d'exemple, en choisissant une courbe de variation de la concentration des atomes de germanium telle que la concentration C du germanium dans la première région de couche (G) soit suffisamment élevée du côté du support 20 et soit diminuée au maximum qu'il est possible du côté de la surface libre de la couche de réception de lumière, l'élément photoconducteur peut être sensible à toutes les régions de longueur d'onde allant depuis une longueur d'onde relativement courte jusqu'à une longueur d'onde relativement 25 grande et comprenant la région de la lumière visible. Comme il est indiqué ci-après, en donnant une valeur extrêmement élevée à la concentration C des atomes de germanium dans la partie d'extrémité de la première région de couche (G) qui se trouve du côté du support, il est pos30 sible de faire en sorte que, lorsqu'on utilise un laser à semiconducteur, de la lumière située du côté des grandes longueurs d'onde, qui ne peut pas être suffisamment absorbée dans la seconde région de couche (S) du côté de la surface irradiée par le laser, soit absorbée de façon pratiquement complète dans la première région de couche (G), ce qui permet 16 2551562 d'éviter effectivement les interférences dues à la réflexion sur la surface du support. Dans le cas de l'élément photoccnducteur de l'invention, on incorpore des atomes d'azote dans la ccu5 che de réception de lumière dans le but d'augmenter la photosensibilité et la résistance d'obscurité et, en outre, d'améliorer la propriété de contact intime entre le support et la couche de réception de lumière. Les atomes d'azote contenus dans la couche de réception de lumière peuvent être répartis sur la totalité de la région de couche, ou bien contenus-localement dans une partie seulement de la région de couche. En outre, la répartition des atomes d'azote peut être telle que la concentration-C(N) soit uniforme dans 15 la direction de l'épaisseur de la couche de réception de lumière, ou ne soit pas uniforme, d'une manière similaire à l'état de répartition du germanium, comme il est indiqué sur les figures 2 à 10. Brièvement, lorsque la répartition des atomes d'azote correspond à une concentration C (N) qui n'est pas uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche, on peut expliquer la répartition des atomes d'azote d'une manière similaire à celle des atonmes de gemaniumn sur les figures 2 à 10. Dans l'invention, lorsque le but principal est d'améliorer la photoconductivité et la résistance d'obscurité, la région de couche (N) contenant les atomes d'azote qui est formée dans la couche de réception de lumière, est formée d'une manière telle que cette région de couche (N) occupe la totalité de la région de couche de la couche de récep30 tion de lumière Lorsque le but principal est l'amélioration de la propriété de contact intime entre le support et la couche de réception de lumière, la région de couche (N) est formée dans la région de couche correspondant à la partie d'extrémité côté support (E) de la couche de réception de lumiè35 re. 17 2551562 Dans le premier cas, il est préférable que la concentration d'atomes d'azote dans la région de couche (N) soit relativement faible, afin de maintenir une photosensibilité élevée, tandis que dans le second cas, la con5 centration d'azote est de préférence relativement élevée, afin d'assurer l'amélioration de la propriété de contact intime avec le support. Pour atteindre à la fois le premier but et le second, la répartition des atomes d'hydrogène dans la région 10 de couche (N) est la suivante: les atomes d'hydrogène peuvent tre présents avec une concentration relativement élevée du côté du support et avec une concentration relativement faible du côté de la surface libre de la couche de réception de lumière, ou bien il peut n'y avoir pratique15 ment pas d'atomes d'azote dans la région de couche de surface, du côté de la surface libre de la couche de réception de lumière. Dans l'invention, on peut choisir de la manière désirée la concentration d'atomes dans la région de couche 20 (N), en considérant une relation fonctionnelle entre les caractéristiques exigées pour la région de couche (N) ellememe, les caractéristiques à la frontière en contact avec le support (lorsque la région de couche (N) est directement placée sur le support), etc. Lorsqu'une autre région de couche est directement formée en contact avec la région de couche (N), on choisit de la manière désirée la concentration d'atomes d'azote en prenant en considération les caractéristiques de cette autre région de couche et les caractéristiques à la frontière en 30 contact avec cette autre région de couche. On choisit de la manière désirée la quantité d'atomes d'azote dans la région de couche (N) en fonction des caractéristiques exigées pour des éléments photoconducteurs à former Cette quantité correspond à un rapport atomique qui 35 est préférablement de 0,001 à 50 %, plus préférablement de 18 2551562 0,002 à 40 %, et le plus préférablement de 0,003 à 30 %. Dans l'invention, lorsque la première région de couche (N) occupe la totalité de la région correspondant à la couche de réception de lumière, si la région de couche (N) n'occupe pas la totalité de la région correspondant à la couche de réception de lumière, mais si le rapport entre l'épaisseur de couche (To) de la région de couche (N) et l'épaisseur de couche (T) de la couche de réception de lumière est suffisamment grand, il est souhai10 table que la limite supérieure de la concentration d'atomes d'azote dans la région de couche (N) soit suffisamment inférieure à la valeur mentionnée ci-dessus. Conformément à l'invention, lorsque l'épaisseur de couche TO de la région de couche (N) est égale à la fraction 2/5 ou plus de l'épaisseur de couche T, la limite supérieure des atomes d'azote dans la région de couche (N) correspond à un rapport atomique qui est préférablement de % ou moins, plus préférablement de 20 % ou moins et le plus préférablement de 10 % ou moins. Dans l'invention, il est préférable que la région de couche (N) contenant des atomes d'azote et faisant partie de la couche de réception de lumière soit formée, comme indiqué ci-dessus, d'une manière telle qu'il y ait une région localisée (B) qui se trouve du côté du support et qui contient des atomes d'azote avec une concentration relativement élevée et, dans ce cas, il est possible d'améliorer davantage la propriété de contact intime entre le support et la couche de réception de lumière. La région localisée (B) mentionnée ci-dessus se 30 trouve de préférence dans une plage de 5 pm à partir de la position de la frontière t B, en utilisant la notation des figures 2-10. Il est ainsi préférable que la région de couche (N) contenant des atomes d'azote soit formée d'une manière telle que le maximum Cmax de la concentration C(N) se trouve 19 2551562 dans une plage correspondant à une épaisseur de couche de 5 pm à partir du côté du support (une région de couche de pm d'épaisseur à partir de t B). La région localisée (B) mentionnée ci-dessus 5 peut correspondre à la totalité de la région de couche (LT) à partir de la position de la frontière t B jusqu'à une épaisseur de 5 pm, ou bien elle peut correspondre à une partie de la région de couche (LT) Ce sont les caractéristiques exigées pour la couche de réception de lumiè10 re qui déterminent si la couche localisée correspond à une partie ou à la totalité de la région de couche (LT). Les atomes d'azote sont répartis dans la région localisée (B), dans la direction de l'épaisseur de la couche, d'une manière telle que le maximum Cmax de la concen15 tration C(N) des atomes d'azote corresponde à un rapport atomique qui est préférablement de 500 ppm ou plus, plus préférablement de 800 ppm ou plus, et le plus préférablement de 1000 ppm ou plus. Dans l'invention, des atomes d'halogène (X) qui 20 peuvent être contenus si on le désire dans la première région de couche (G) et dans la seconde région de couche (S) constituant la couche de réception de lumière, peuvent consister en fluor; en chlore, en brome et iode, et préférablement en fluor et en chlore. L'élément photoconducteur 100 qui est représenté sur la figure i contient une substance (C) destinée à définir la caractéristique de conductivité, au moins dans la première région de couche (G) 103, et il est préférable de donner une caractéristique de conductivité désirée à la première 30 région de couche (G) 103. Dans ce cas, la substance (C) destinée à définir les caractéristiques de conductivité qui est contenue dans la première région de couche (G) 103 peut être contenue de fagon uniforme dans la totalité de la première région de couche 35 (G), ou bien elle peut être présente localement seulement dans 2551562 une partie de la première région de couche (G). Lorsque la substance (C) est incorporée dans la première région de couche (G) de façon que cette substance (C) ne soit présente que localement, dans une partie de la première région de couche (G), une région de couche (PN) dans laquelle se trouve la substance (C) est formée de préférence sous la forme d'une région de couche de partie d'extrémité de la première région de couche (G) En particulier, dans le cas o la région de couche est for10 mée sous la forme d'une région de couche de partie d'extrémité du c 8 té du support de la première région de couche (G), on peut effectivement empêcher l'injection d'une charge d'une polarité particulière dans la couche de réception de lumière, à partir du support, en choisissant de fa15 son appropriée, comme on le désire, le type de la substance (C) et la quantité de cette substance à incorporer dans la région de couche (PN). Dans la couche photoconductrice de la présente invention, on peut incorporer la substance (C) dans la pre20 mière région de couche (G) constituant une partie de la couche de réception de lumière, d'une manière telle que celle mentionnée ci-dessus, c'est-à-dire en répartissant la substance (C) dans la totalité de la région de la première couche (G), ou en répartissant localement la substance dans la direction de l'épaisseur de la couche, et, en outre, on peut incorporer la substance (C) dans la seconde région de couche (S) qui est formée sur la première région de couche (G). Lorsque la substance (C) est incorporée dans la seconde région de couche (S), on choisit le type de la substance (C) à incorporer dans la seconde région de couche (S), la quantité de cette substance et la manière de l'incorporer, en fonction du type de la substance (C) contenue dans la première région de couche (G) , de la quantité de cette substance 35 et de la manière dont elle est incorporée. 21 2551562 Dans l'invention, lorsqu'on incorpore la substance (C) dans la seconde région de couche (S), il est préférable d'incorporer la substance (C) dans au moins une région de couche comprenant une frontière de contact avec la première région de couche (G). On peut incorporer la substance (C) dans la totalité de la région de couche correspondant à la seconde région de couche (S), ou dans une partie de la région de couche, de façon uniforme. Lorsqu'on incorpore la substance (C) à la fois dans la première région de couche (G) et dans la seconde region de couche (S), il est préférable que la région de couche contenant la substance (C) dans la première région de couche (G) soit en contact avec celle qui contient la 1 i substance (C) dans la seconde région de couche (S) La substance (C) contenue dans les deux régions de couche ()-é et l S) peut étre la même ou peut être différente dans les ceux régions de couche et, en outre, la concentration de la substance (C) peut -tre la Même ou gtre différente 20 dans les deux régions de couche. Cependant, dans l'invention, lorsque'la substance (C) contenue dans chaque région de couche est la même, il est préférable que la concentration dans la première région de couche (G) soit suffisamment élevée, ou bien la substance; Ag contenue dans chaque région de couche doit avoir des caractéristiques électriques différentes. Dans l'invention, lorsque la substance (C) est incor Dorée au moins dans la première région de couche (G) constituant la couche de réception de lumière, on peut défi30 nir à volonté les caractéristiques de conductivité de la région de couche (une partie ou la totalité de la première région de couche (G)) dans laquelle se trouve la substance (C). La substance (C) peut consister en ce qu'on appelle des impuretés dans la technique des semiconducteurs Dans l'inven37 tion, on peut mentionner des impuretés de type p communiquant 22 2551562 une conductivité de type p à du Si-a Ge (H, X) constituant la couche de réception de lumière, ou des impuretés de type n, communiquant à cette matière une conductivité de type n. Plus précisément, on peut mentionner pour les impuretés de type p des atomes appartenant au groupe III du tableau périodique (atomes du Groupe III), comme B (bore), Al (aluminium, Ga (gallium), In (Indium), Tl(thallium), etc, B et Ga étant particulièrement préférables. Pour les impuretés de type n, on peut incorporer les atomes appartenant au groupe V d u tableau périodique (atomes du Groupe V), comme P (phosphore), As (arsenic), Sb (antimoine), Bi (bismuth), etc, P et As étant particulièrement préférables. Dans l'invention, on peut sélectionner de façon appropriée la concentration de la substance (C) destinée à définir la conductivité dans la région de couche (PN), en fonction de la conductivité exigée pour cette région de couche (PN), ou des caractéristiques à la frontière en 20 contact avec le support (lorsque la région de couche (PN) est directement en contact avec le support), et les relations fonctionnelles avec celles-ci. On détermine également de façon appropriée la concentration de la substance (C) destinée à définir la 25 conductivité, en considérant comme il convient les relations avec des caractéristiques d'autres régions de couche se trouvant en contact direct avec la région de couche considérée, ou avec les caractéristiques à la frontière de contact avec les autres régions de couche. Dans l'invention, la concentration de la substance (C) destinée à définir la conductivité qui est contenue dans la région de couche (PN) doit correspondre à un rapport atomique qui est préférablement de 0,01 à 5 x 104 ppm, plus préférablement de 0,5 à 1 x 10 ppm, et le plus pifférable Er t de 35 1 à 5 x 103 ppm. 23 2551562 Dans l'invention, en donnant à la concentration de la substance (C) dans la région de couche (PN) une valeur correspondant à un rapport atomique qui est préférablement de 30 ppm ou plus, plus préférablement de 50 ppm ou plus, et le plus préférablement de 100 ppm ou plus, par exemple, dans le cas o cette substance (C) doit être incorporée sous la forme d'une impureté de type p, comme mentionné ci-dessus, on peut effectivement empêcher la migration d'électrons injectés dans la couche de récepticn 10 de lumière à partir du côté du support, lorsque la surface libre de la couche de réception de lumière est soumise à un traitement de charge lui donnant la polarité Au contraire, lorsque la substance à incorporer est une impureté de type n, on peut effectivement empêcher la mi15 gration de trous positifs injectés dans la couche de réception de lumière à partir du côté du support, lorsque la surface libre de la couche de réception de lumière est soumise à un traitement de charge lui donnant la polarité Dans le cas mentionné ci-dessus, la région de 20 couche (Z) qui se trouve dans la partie autre que la région de couche (FN) ci-dessus contient une substance (C) destinée à définir la conductivité qui a un type de conductivité différent de celui d'une substance (C) destinée à définir la conductivité qui est contenue dans la région 25 de couche (PN), ou bien une substance (C) destinée à définir les caractéristiques de conductivité, ayant le même type de conductivité, peut être contenue dans cette région en une quantité très inférieure à celle qui est contenue en pratique dans la région de couche (PN). Dans un tel cas, on peut déterminer de façon appropriée la concentration de la substance (C) destinée à définir la conductivité qui est contenue dans la région de couche (Z) précitée, de la manière désirée en fonction du type de conductivité ou de la concentration de la substance contenue 35 dans la région (PN), mais elle correspond à un rapport atomi- 24 2551562 que qui est préférablement de 0,001 à 1000 ppm, plus préférablement de 0, 05 à 500 ppm et le plus préférablement de 0,1 à 200 ppm. Dans l'invention, lorsque la région de couche (PN) et la région de couche (Z) contiennent la même sorte de substance (C) destinée à définir la conductivité, la concentration dans la région de couche (Z) doit correspondre de préférence à un rapport atomique de 30 ppm ou moins. Dans l'invention, il est également possible de 10 former en contact mutuel direct, dans la couche de réception de lumière, une région de couche contenant une substance destinée à définir la conductivité ayant un premier type de conductivité, et une région de couche contenant une substance destinée à définir la conductivité ayant l'autre type de conductivité, ce qui crée dans la région de contact ce qu'on appelle une couche d'appauvrissement Brièvement, on forme par exemple dans la couche de réception de lumière, en contact mutuel direct, une région de couche contenant l'impureté de type p précitée et une région 20 de couche contenant l'impureté de type N précitée, pour former ce qu'on appelle une jonction p-n, ce qui fait qu' on peut obtenir une couched 'appauvrissement. Dans l'invention, on peut former la première région de couche(G) consistant en Si-a Ge (H, X) conformément 25 au procédé de dépôt sous vide utilisant un phénomène de décharge, comme le procédé de décharge luminescente, le procédé de pulvérisation cathodique, le procédé de placage ionique, etc A titre d'exemple, pour la formation de la première région de couche (G) consistant en Si-a Ge (H, X) en employant le procédé de décharge luminescente, la procédure de base comprend l'introduction d'un gaz de départ pour l'alimentation en Ge, capable de fournir des atomes de germanium (Ge), ainsi que d'un gaz de départ pour l'alimentation en Si, capable de fournir des atomes de silicium (Si), et, 35 en fonction de ce qu'on désire, un gaz de départ pour l'in- 2551562 troduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène (X), à une pression de gaz désirée, dans une chambre de dépôt dont l'intérieur peut être amené à une pression réduite, et l'excitation d'une décharge luminescente dans cette chambre de dépôt, ce qui produit la formation d'une couche sur la surface d'un support placé dans une position prédeterminée On peut former une couche consistant en Si-a Ge (H, X) tout en définissant le profil de la concentra10 a Cion en profondeur des atomes de germanium conformément à une courbe de variation désirée Selon une variante, pour la formation selon le procédé de pulvérisation cathodique, lorsqu 'on accomplit la pulvérisation cathodique en utilisant une cible consistant en Si, ou deux plaques de cible 3.s constituées par la cible précitée et une cible consistant o-n Ge, ou une cible consistant en un mélange de Si et Ge, dc; ns une atmosphere d'un gaz inerte tel que Ar, I-le, etc, ou d'un melange de gaz base sur ces gaz, on peut introduire, dans une chambre de dèpôt, pour la pulvérisation cathodiq que, un gaz de départ pour ltalaimentation en Ge, dilué si on le désire avec un gaz de dilution tel que He, Ar, C; et avec, si on le désire, un gaz destiné à l'introduction d'atomes d'hydrogène (H q) et/ou un gaz destiné à 1 introducticn d'atomes d'halogène (X), ce qui forme une 25 atmosphère consistant en un plasma d'un gaz désiré, et on peut procéder à la pulvérisation cathodique de la cible précirtée, tout en commandant selon une courbe de variation désirée le débit du gaz de départ destiné à l'alimentation en Ge. Dans le cas du procédé de placage ionique, on peut par exemple placer dans un creuset d'évaporation une source d'évaporation consistant en silicium polycristallin ou en silicium monocristallin et en germanium polycristallin ou en germanium monocristallin On chauffe ensuite la source d'éva35 poration par le procédé de chauffage par résistance ou le pro- 26 2551562 procédé de chauffage par faisceau d'électrons, pour évaporer cette source, et on fait passer le produit évaporé dans une atmosphère consistant en un gaz à l'état de plasma, en suivant par ailleurs la même procédure que dans le cas de la pulvérisation cathodique. Le gaz de départ destiné à fournir le Si qui est utilisé dans l'invention peut consister en siliciums hydrogénés (silanes) gazeux ou gazéifiables, tels que Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si 4 H 10 et d'autres matières aussi efficaces. 10 Si H 4 et Si 2 H 6 sont plus particulièrement préférables du fait de la facilité de manipulation pendant la formation de la couche et du bon rendement avec lequel ils fournissent Si. En ce qui concerne les substances qu'on peut uti15 liser en tant que gaz de départ pour l'alimentation en Ge, on peut effectivement employer du germanium hydrogéné gazeux ou gazéifiable, tel que Ge H 4, Ge 2 H 6, Ge 3 H 8, Ge 4 H 10, Ge 5 H 12 ' Ge 6 H 14, Ge 7 H 16 ' Ge H 18, Geg H 20 ' etc Ge H 4, Ge 2 H 6 et Ge 3 H 8 sont plus particulièrement préférables du fait 20 de la facilité de manipulation pendant la formation de la couche et du bon rendement avec lequel ils fournissent Ge. Des gaz de départ efficaces pour l'introduction d'atomes d'halogène, utilisables dans l'invention, comprennent un grand nombre de composés halogénés, dont des exem25 ples consistent de préférence en composés halogénés gazeux ou gazéifiables tels que des halogènes gazeux, des halogénures, des composés inter-halogénés, des dérivés de silane substitués avec des halogènes, etc. On peut également englober dans les matières uti30 lisables efficacement dans l'invention des composés de silicium gazeux ou gazéifiables contenant des atomes halogène, dont les éléments constitutifs consistent en atomes de silicium et en atomes d'halogène On peut citer à titre d'exemples caractéristiques 35 de composés halogénés utilisés de préférence dans l'invention 27 -2551562 des halogènes gazeux, tels que le fluor, le chlore, le brome ou l'iode, des composés inter-halogénés tels que Br F, CIF, Ci F 3, Br F 5, Br F 3, IF 3, IF 7, I Ci, I Br, etc. Pour les composés de silicium contenant des ato5 mes d'halogène, c'est-à-dire des dérivés de silane substitués avec des halogènes, on peut employer de préférence des halogénures de silicium tels que Si F 4, Si 2 F 6, Si C 14, Si Br 4, etc. Lorsqu'on forme l'élément photoconducteur carac10 téristique de l'invention conformément au procédé de décharge luminescente, en employant un composé de silicium contenant des atomes d'halogène, il est possible de former la première région de couche (G) consistant en Si-a Ge contenant des atomes d'halogène sur un support désiré, sans 15 utiliser un gaz de silicium hydrogéné en tant que gaz de départ capable de fournir Si, en même temps que le gaz de départ pour l'alimentation en Ge. Dans le cas de la formation de la première région de couche (G) contenant des atomes d'halogène par le 20 procédé de décharge luminescente, la procédure de base comprend l'introduction, par exemple, dans la chambre de dépôt d'un halogénure de silicium en tant que gaz de départ pour l'alimentation en Si, d'un germanium hydrogéné en tant que gaz de départ pour l'alimentation en Ge, et d'un gaz tel que Ar, H 2, He, etc, avec un rapport de mélange et un débit prédéterminés, pour former la première région de couche (G), et l'excitation d'une décharge luminescente pour former une atmosphère consistant en un plasma de ces gaz, grâce à quoi on peut former la première région de couche (G) sur un sup30 port désiré Pour définir plus aisément le rapport des atomes d'hydrogène incorporés, on peut également mélanger à ces gaz, dans une quantité désirée pour former la couche, de l'hydrogène gazeux ou un gaz consistant en un composé de silicium contenant des atomes d'hydrogène. De plus, chaque gaz n'est pas limité à un seul 28 2551562 corps, et on peut utiliser plusieurs corps avec n'importe quel rapport désiré. Dans le cas du procédé de pulvérisation cathodique et du procédé de placage ionique, on peut effectuer l'introduction d'atomes d'halogène dans la couche formée en introduisant dans une chambre de dépôt le gaz du composé halogéné ci-dessus ou le composé de silicium contenant des atomes d'halogène envisagé ci-dessus, et en formant une atmosphère qui consiste en un plasma de ce gaz. D'autre part, pour l'introduction d'atomes d'hydrogène, on peut introduire dans une chambre de dépôt pour la pulvérisation cathodique un gaz de départ destiné à l'introduction d'atomes d'hydrogène, comme par exemple H 2 ou des gaz tels que des silanes et/ou du germanium hydrogéné, 15 comme mentionné ci-dessus, ceci étant suivi par la formation de l'atmosphère consistant en un plasma de ces gaz. Dans l'invention, on peut effectivement utiliser en tant que gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène les halogénures ou les composés de silicium contenant des halogènes, comme il a été indiqué ci-dessus. Par ailleurs, il est également possible d'utiliser effectivement en tant que matière de départ pour la formation de la première région de couche (G) des substances gazeuses ou gazéifiables, comprenant des halogénures contenant un atome d'hydrogène en tant que l'un de leurs éléments constitutifs, comme par exemple un halogénure d'hydrogène tel que HF, HC 1, H Br, HI, etc,; du silicium hydrogéné avec substitution par un halogène, tel que Si H 2 F 2, Si H 2 I 2, Si H 2 C 12, Si HC 13, Si H 2 Br 2 Si H Br 3, etc,; des halogénures de 30 germanium hydrogéné tels que Ge HF 3, Ge H 2 F 2, Ge H 3 F, Ge HC 13, Ge H 2 C 12, Ge H 3 Cl, Ge H Br 3, Ge H 2 Br 2, Ge H 3 Br, Ge HI 3, Ge H 2 I 2, Ge H 3 I, etc; des halogénures de germanium tels que Ge F 4, Ge C 14, Ge Br 4, Ge I 4, Ge F 2, Ge C 12, Ge Br 2, Ge I 2, etc. Parmi ces substances, on peut utiliser de préfé35 rence des halogénures contenant des atomes d'hydrogène en 29 2551562 tant que matière de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène, du fait qu'il est possible d'introduire dans la couche des atomes d'hydrogène, qui sont très efficaces pour définir les caractéristiques électriques ou photoélec5 triques, simultanément à l'introduction d'atomes d'halogène, pendant la formation de la première région de couche (G). Pour introduire de façon structurale dans la première région de couche (G) desatomes d'hydrogène autres 10 que ceux mentionnés ci-dessus, on peut permettre la coexistence dans une chambre de dépôt de H 2 ou d'un silicium hydrogéné tel que Si H, Si 2 H 69 Si 3 H 8, Si 4 H 1, etc, avec du germanium ou un composé de germanium destiné à fournir Ge, ou un germanium hydrogéné tel que Ge H 4, Ge 2 H 6, Ge 3 H 8, Ge 4 H 10, Ges H 12, Ge 6 H 14, Ge 7 H 16, Ge 8 H 18, Ge 9 H 20, etc, et avec du silicium ou un composé de silicium destiné à fournir Si, ceci étant suivi par l'excitation de la décharg e. Selon un mode de réalisation préféré de l'inven20 tion, la quantité d'atomes d'hydrogène (H) ou la quantité d'atomes d'halogene (X) ou la somme des quantités d'atomes d:hydrogene et d'atomes d'halogène (H+X) à incorporer dans la oremiere région de couche (G) constituant la couche photoco Aductrice à former, doit correspondre à un rapport ato4:l a'iqu,: qui est préférablement de 0,01 à 40 %, plus préféraobemennt de O Q 05 à 30 %, et le plus préférablement de 0,1 à Pour définir la quantité d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogene (X) à incorporer dans la pre30 mière région de couche (G), on peut par exemple commander la température du support et/ou la quantité de matières de départ utilisées pour l'incorporation d'atomes d'hydrogène (H) ou d'atomes d'halogène (X) à introduire dans l'appareil de dép 8 t, la puissance de décharge, etc. Dans l'invention, pour former la seconde région 2551562 de couche (S) consistant en Si-a (H, X), on utilise des matières de départ qui sont les mêmes que les matières de départ (I) pour former la première région de couche (G), comme il a été indiqué ci-dessus, à l'exclusion d'une ma5 tière de départ pour fournir Ge (ceci définissant les matières de départ (II) pour la formation de la seconde région de couche (S)), en utilisant les mêmes conditions et en suivant le même procédé que pour produire la première région de couche (G). Ainsi, pour former la seconde région de couche (S) consistant en Si-a (H, X), on peut utiliser par exemple un procédé de dépôt sous vide employant une décharge, comme un procédé de décharge luminescente, un procédé de pulvérisation cathodique, un procédé de placage ionique, 15 etc. A titre d'exemple, lorsqu'on utilise un procédé de décharge luminescente pour produire la seconde région de couche (S) consistant en Si-a (H, X), la procédure de base comprend l'introduction dans une chambre de dépôt 20 dont l'intérieur peut être amené à une pression réduite, d'un gaz de départ destiné à fournir des atomes de silicium (Si), accompagné si on le désire d'un gaz de départ destiné à l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'un gaz de départ destiné a l'introduction d'atomes d'halogène (X), et 25 l'excitation d'une décharge luminescente dans la chambre de dépôt, ce qui a pour effet de former une couche de Si-a (H, X) sur la surface d'un support prédéterminé qui est placé dans une position prédéterminée Selon une variante, lorsqu'on utilise le procédé de pulvérisation cathodique, on effectue par exemple la pulvérisation cathodique en utilisant une cible consistant en Si dans une atmosphère d'un gaz inerte tel que Ar, He, etc, ou d'un mélange de gaz basé sur un tel gaz, et au moment o la pulvérisation cathodique est déclenchée on introduit dans la chambre de dépôt un gaz des35 tiné à fournir des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes *31 2551562 d'halogène (X). Dans l'invention, on peut former dans la couche de réception de lumière une région de couche (N) contenant des atomes d'azote, en utilisant une matière de dé5 part destinée à l'introduction d'atomes d'azote, en compagnie d'une matière de départ destinée à la formation de la couche de réception de lumière, au moment de la formation de cette dernière, et en incorporant des atomes d'azote dans la couche formée, tout en définissant la quantité 10 d'azote. Lorsqu'on utilise un procédé de décharge luminescente pour former la région de couche (N), on ajoute une matière de départ destinée à l'introduction d'azote aux matières de départ choisies de la manière désirée par15 mi les matières de départ mentionnées précédemment, pour former la couche de réception de lumière. On peut utiliser pour une telle matière de départ destinée à l'introduction d'atomes d'azote la plupart des matières gazeuses, gazéifiées ou gazéifiables contenant 20 au moins un atome d'azote en tant qu'atome d'élément constitutif. On peut par exemple mélanger avec le rapport désiré et utiliser un gaz de départ contenant un atome de silicium (Si) en tant qu'atome d'un élément constitutif, un gaz de départ contenant un atome d'azote (N) en tant qu'atome d'un élément constitutif et, si on le désire, un gaz de départ contenant un atome d'hydrogène (H) et/ou un atome d'halogène (X) en tant qu'atomes d'éléments constitutifs, ou bien on peut mélanger avec un rapport désiré et utiliser 30 un gaz de départ contenant un atome de silicium (Si) en tant qu'atome d'un élément constitutif, et un gaz de départ contenant un atome d'azote (N) et un atome d'hydrogène (H) en tant qu'atomes d'éléments constitutifs. Selon une variante, on peut mélanger et utiliser 35 un gaz de départ contenant un atome de silicium (Si) et un -32 2551562 atome d'hydrogène (H) en tant qu'atomes d'éléments constitutifs, et un gaz de départ contenant un atome d'azote (N) à titre d'atome d'un élément constitutif. On peut mentionner à titre de matière de départ 5 efficace qu'on utilise en tant que gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'azote (N) pour former la région de couche (N), des composés d'azote gazeux ou gazéifiables, tels que l'azote, des nitrures, des azothydrures, etc, ore par exemple l'azote (N 2), l'axoniac (NH 3), l'hydrazine (H 2 NNH 2), l'azothydrure d'hydrogène(HN 3), 1 ' azothydrure d'anmonium (NH 4 N 3), etc, qui contiennent N en tant qu'atome constitutif ou N et H en tant qu'atomes constitutifs Outre ceux-ci, on peut mentionner les halogénures d'azote qui servent à introduire des atomes d'halogène (X) en même temps que des atomes d'azote (N), comme par exemple le trifluorure d'azote (F 3 N), le tétrafluorure d'azote(F 4 N 2), etc. Conformément à l'invention, on peut incorporer des atomes d'oxygène dans la région de couche (N), en plus d'atomes d'azote, dans le but de renforcer l'effet des ato20 mes d'azote. On peut mentionner, par exemple, à titre de gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène dans la région de couche (N): l'oxygène ( 02), l'ozone ( 03), le monoxyde d'azote (NO), le dioxyde d'azote (N 02), le protoxyde 25 d'azote (N 20),l'anhydi-ide azoteux (N 203), le peroxyde d'azote (N 204),l'anhydride azotique (N 205), le trioxyde d'azote (NO 3), et des siloxanes -inférieurs contenant entant qu'atomes constitutifs des atomes de silicium (Si), des atomes d'oxygène (O) et des atomes d'hydrogène (H), comme le 30 disiloxane (H 3 Si O Si H 3), le trisiloxane (H 3 Si O Si H 205 i H 3), etc. On peut former la région de couche (N) contenant des atomes d'azote par pulvérisation cathodique, en utilisant en tant-que cible une tranche de Si monocristallin ou polycris35 tallin, ou une tranche de Si 3 N 4, ou une tranche consistant en 33 2551562 Si et en Si 3 N 4, et en effectuant la pulvérisation cathodique dans une atmosphère de divers gaz. A titre d'exemple, lorsqu'on utilise en tant que cible une tranche de Si, on introduit dans une cham5 bre de dépôt pour la pulvérisation cathodique des gaz de départ destinés à l'introduction d'atomes d'azote et, si on le désire, d'atomes d'hydrogène et/ou d'atomes d'halogène, qui sont dilués avec un gaz de dilution, afin de former un plasma gazeux de ces gaz pour réaliser la pulvérisa10 tion cathodique avec la tranche de Si mentionnée ci-dessus. Selon une variante, on utilise Si et Si 3 N 4 sous la forme de cibles séparées, ou bien on incorpore Si et Si 3 N 4 en une seule plaque de cible, et on effectue la pulvérisation cathodique dans une atmosphère formée par un gaz de 15 dilution, ou dans une atmosphère gazeuse contenant des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogène (X) En ce qui concerne un gaz de départ destiné à l'introduction d'atomes d'azote, on peut utiliser en tant que gaz efficace de pulvérisation cathodique le gaz de départ prévu pour 2 of l;introduction d'atomes d'azote dans les gaz de départ mentionnés cidessus dans l'exemple de décharge luminescente. Dans l'invention lorsqu'on forme une région de couche (?l) contenant des atomes d'azote, au moment o on a Xbri us une couche de réception de lumière, on peut former une région de couche (N) ayant une répartition désirée dans la direction de l'épaisseur de la couche (profil en profondeur) c'est 4-lire lae variation désirée de la concentration C (Mf) des atomes d'azote dans la direction de l'épaisseur de la couche dans la région de couche (N), en introduisant de 30 façon appropriée dans une chambre de dépôt, dans le cas de la décharge luminescente, un gaz d'une matière de départ pour l'introduction d'atomes d'azote, afin de faire varier la concentration C(N), d'une manière telle que le débit de gaz varie de façon appropriée en fonction de la courbe de va35 riation désirée. 34 2551562 A titre d'exemple, on peut accomplir l'opération mentionnée ci-dessus en changeant progressivement l'ouverture d'une valve à pointeau prédéterminée qui est branchée dans le système de conduits de gaz On peut effec5 tuer le changement en utilisant des moyens classiques, comme par une opération manuelle, par un moteur commandé de façon externe, etc Il n'est pas nécessaire que la variation du débit soit linéaire, mais on peut commander le débit en suivant une courbe de variation établie à l'avance, 10 au moyen d'un micro-ordinateur, pour obtenir une courbe de variation de concentration désirée. Lorsqu'on forme la région de couche (N) par pulvérisation cathodique, on fait varier la concentration C(N) d'atomes d'azote dans la direction de l'épaisseur de 15 la couche pour former un profil en profondeur désiré pour les atomes d'azote en procédant de la manière suivante. Premièrement, on utilise la matière de départ pour l'introduction d'atomes d'azote dans un état gazeux, de la même manière que dans le procédé de décharge luminescente, et on 20 change de façon appropriée le débit de gaz, de la manière désirée, au moment de l'introduction du gaz dans la chambre de dépôt; secondement, par exemple dans le cas oh on utilise une cible de pulvérisation cathodique qui consiste en un mélange de Si et Si 3 N 4, on change de façon préliminaire 25 le rapport entre Si et Si 3 N 4, dans la direction de l'épaisseur de la couche de la cible. Dans l'invention, la quantité d'atomes d'hydrogène (H) ou d'atomes d'halogène (X), ou la somme des quantités d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogène (H+X) dans la seconde région de couche (S) constituant la couche de réception de lumière, correspond à un rapport atomique qui est préférablement de 1-40 %, plus préférablement de 5 à 30 % et le plus préférablement de 5 à 25 %. Lorsqu'on introduit de façon structurale une subs37 tance (C) destinée à définir la conductivité, comme des ato- 2551562 mes du groupe III ou des atomes du groupe V, dans une région de couche constituant une couche de réception de lumière, pour former une région de couche (PN) contenant la substance (C), on peut introduire dans une chambre de dé5 p 8 t, à l'état gazeux, une matière de départ destinée à l'introduction des atomes du groupe III ou une matière de départ destinée à l'introduction des atomes du groupe V, en compagnie des matières de départ pour la formation de la couche de réception de lumière, pendant la formation de 10 la couche En ce qui concerne la matière de départ qu'on peut utiliser pour l'introduction des atbmes du groupe III, il est souhaitable d'utiliser des matières qui sont gazeuses à la température ambiante sous la pression atmosphérique, ou qui peuvent être gazéifiées aisément, au moins dans 15 les conditions de formation de la couche Parmi les exemples caractéristiques de telles matières de départ pour l'introduction des atomes du groupe III, on peut citer les composés destinés à l'introduction d'atomes de bore, comme des hydrures de bore tels que B 2 H 6, B 4 H 10, B 5 H 9, B 5 H 11, 20 B 6 H 10, B 6 H 12, B 6 H 14, etc, et des halogénures de bore tels que BF 3, BC 13, B Br 3, etc Il est par ailleurs également possible d'utiliser Al C 13, Ga C 13, Ga(CH 3)3, In C 13, T 1 C 13 et des corps analogues. Les matières de départ qu'on peut effectivement 25 utiliser dans l'invention pour l'introduction des atomes du groupe V peuvent comprendre, pour l'introduction d'atomes de phosphore, des hydrures de phosphore tels que PH 3, P 2 H 4, etc, des halogénures de phosphore tels que PH 4 I, PF 3, P Fs 5, PC 13 ' PC 15, P Br 3, P Br 5, Pt 3, etc On peut 30 par ailleurs également utiliser efficacement As H 3, As F 3, As C 13, As Br 3, As F 5, Sb H 3, Sb F 3, Sb F 5, Sb C 13, Sb C 15, Bi H 3, Bi C 13, Bi Br 3 et des corps analogues en tant que matière de départ pour l'introduction des atomes du groupe V. La figure 11 représente schématiquement une struc35 ture de couches d'un autre mode de réalisation de l'élément 36 2551562 photoconducteur conforme à l'invention. Sur la figure 11, un élément photcconducteur 1100 est constitué par un support d'élément photoconducteur 1101, par une première couche (I) 1102 recouvrant le support 101, et par une seconde couche (II) 1103 qui comporte une surface libre 1106 au niveau d'une surface d'extrémité. L'élément photoconducteur 1100 possède la même structure de couches que l'élément photoconducteur 100 sur 10 la figure 1, à l'exception du fait que l'élément photoconducteur 1100 comporte la seconde couche (II) 1103, et les explications données ci-dessus sont applicables à l'élément photoconducteur 1100 Ainsi, la première couche (I) 1102 correspond à la couche de réception de lumière 102 et elle 15 possède la même structure de couche que la couche de réception de lumière 102 La première couche (I) 1102 comprend une première région de couche (G) 1104 consistant en Si-a Ge (H, X), et une seconde région de couche (S) 1105, consistant en Si-a (H, X), et qui est photoconductrice, et 20 ces régions de couche sont superposées dans l'ordre indiqué à partir du côté du support. Sur la figure 11, la seconde couche (II) 1103 formée sur la première couche (I) 1102 dans l'élément photoconducteur 1100 possède une surface libre et est employée 25 pour atteindre les buts de l'invention en ce qui concerne la résistance à l'humidité, les caractéristiques de stabilité en présence d'une utilisation répétée, la rigidité diélectrique, les caractéristiques liées à l'environnement d'utilisation et la durabilité. Dans le cas de l'élément photoconducteur 1100,la première couche (I) 1102 et la seconde couche (II) 1103 sont formées par une matière constitutive commune, c'est-à-dire des atomes de silicium sous une forme amorphe, ce qui assure une stabilité chimique suffisante à la frontière entre les 35 couches superposées. 37 2551562 Sur la figure 11, la seconde couche (II) 1103 de l'élément photoconducteur 1100 consiste en une matière amorphe comprenant des atomes de silicium et soit des atomes de carbone, soit des atomes d'oxygène, soit les deux et, si on le désire, soit des atomes d'hydrogène (H), soit des atomes d'halogène (X), soit les deux. On peut mentionner pour une telle matière amorphe une matière amorphe comprenant des atomes de silicium (Si), des atomes de carbone (C) et, si on le désire, des 10 atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogène (ce qu' on appellera ci-après "(lSi Cl xl -a) y (H, X)1 y ",avec 0 avec 04 x, y 41). On peut produire la seconde couche (II) par un procédé de décharge luminescente, de pulvérisation cathodique, d'implantation ionique, de placage ionique ou de 20 traitement par un faisceau d'électrons On peut choisir de la manière désirée ces procédés de production en fonction des conditions de fabrication, de l'investissement en ca Dpital, de la quantité d'éléments à produire, des caracté..s L 'e:s exigies pour les éléments photoconducteurs à pro2 d 5 r ^L, X ee et ces procédés permettent de définir aisément 'ô.s coi t ions de fabrication dans lesquelles on produit des ?en-t photoconducteurs ayant des caractéristiques désirées. }n utili 5 '_ de préférence ies procédés de décharge luminescen-e ou les procédés de pulvérisation cathodique, du fait qu'.S ils permettent d'introduire aisément dans la seconde couche (T Tx, des atomes de carbone et des atomes d'halogène, en même temps que des atomes de silicium. En outre, conformément à l'invention, on peut former la seconde couche (II) en utilisant en combinaison un pro35 cédé de décharge luminescente et un procédé de pulvérisation 38 2551562 cathodique, dans un seul et même appareil. On peut former la seconde couche (II) par décharge luminescente en introduisant dans une chambre de dépôt prévue pour le dépôt sous vide, dans laquelle est placé un support, un gaz de départ pour former la seconde couche (II), mélangé si on le désire avec un gaz de dilution, dans un rapport désiré; en formant un plasma gazeux du gaz introduit, par décharge luminescente, et en déposant sur la première couche (I) déjà formée sur le support, 10 une matière amorphe qui constitue la seconde couche (II). On peut mentionner en tant que gaz de départ effectif pour produire la seconde couche (II) dans l'invention, des matières qui sont dans un état gazeux à la température ambiante et à l a pression atmosphérique, ou qu'on 15 peut gazéifier aisément. Dans l'invention, on peut utiliser à titre de gaz de départ pour former ( l Six C 1 xl -a)y (H, X)1 y la plupart des matières gazeuses ou gazéifiables contenant à titre d'atomes constitutifs l'un au moins des suivants: un 20 atome de silicium (Si), un atome de carbone (C), un atome d'hydrogène (H) et un atome d'halogène (X). Lorsqu'on utilise pour l'un des éléments Si, C, H et X un gaz de départ contenant Si en tant qu'atome constitutif, on peut utiliser par exemple un gaz de départ con25 tenant Si à titre d'atome constitutif, un gaz de départ contenant C à titre d'atome constitutif et, si on le désire, un gaz de départ contenant H à titre d'atome constitutif et/ou un gaz de départ contenant X à titre d'atome constitutif, avec un rapport de mélange désiré; un gaz de départ con30 tenant Si à titre d'atome constitutif, un gaz de départ contenant C et H à titre d'atomes constitutifs, et/ou un gaz de départ contenant X à titre d'atome constitutif, avec un rapport de mélange désiré; ou un gaz de départ contenant Si à titre d'atome constitutif et un gaz de départ contenant Si, C et H à titre d'atomes constitutifs ou un gaz de départ con- 39 2551562 tenant Si, C et X à titre d'atomes constitutifs, sous la forme d'un mélange. Selon une variante, on peut utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant Si et H à titre d'atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant C à titre d'atome constitutif, ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si et X à titre d'atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant C à titre d'atome constitutif. Dans l'invention, on peut utiliser en tant que 10 gaz de départ pour former ( lSix Ol-xl -a)y (H, X)ly la plupart des matières gazeuses, gazéifiées ou gazéifiables contenant à titre d'atome constitutif l'un au moins des suivants: un atome de silicium (Si), un atome d'oxygène ( 0), un atome d'hydrogène (H) et un atome d'halogène (X). 15 Lorsqu'on utilise pour l'un des éléments Si, O, H et X un gaz de départ contenant Si à titre d'atome constitutif, on peut utiliser par exemple un gaz de départ contenant Si à titre d'atome constitutif, un gaz de départ contenant O à titre d'atome constitutif et, si on le désire, un gaz de départ contenant H à titre d'atome constitutif et/ ou un gaz de départ contenant X à titre d'atome constitutif, avec un rapport de mélange désiré; un gaz de départ contenant Si à titre d'atome constitutif, un gaz de départ contenant O et H à titre d'atomes constitutifs et/ou un gaz de 25 départ contenant O et X à titre d'atomes constitutifs, avec un rapport de mélange désiré; ou un gaz de départ contenant Si à titre d'atome constitutif et un gaz de départ contenant Si, O et H à titre d'atomes constitutifs ou un gaz de départ contenant Si, O et X à titre d'atomes constitutifs, 30 sous la forme d'un mélange. Selon une variante, on peut utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant Si et H à titre d'atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant O à titre d'atome constitutif, ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si et X à titre d'atomes constitutifs et d'un gaz de départ con- -2551562 tenant O à titre d'atome constitutif. Dans l'invention, on peut utiliser comme gaz de départ efficace pour former la seconde couche (II) des gaz de silicium hydrogéné contenant Si et H à titre d'atomes constitutifs, comme par exemple des silanes tels que Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si 4 H 10, etc, des matières contenant C et H à titre d'atomes constitutifs, comme des hydrocarbures saturés ayant 1 à 4 atomes de carbone, des hydrocarbures éthyléniques ayant 2 à 4 atomes de carbone et des hydrocar10 bures acétyléniques ayant 2 ou 3 atomes de carbone, des substances simples ou des composés contenant O à titre d'atome constitutif, ou O et N à titre d'atomes constitutifs, des halogènes, des halogénures d'hydrogène, des composés interhalogénés, des halogénures de silicium, des hydrures de si15 licium substitués par un halogène, etc Onpeutciter à titre d'exemple:Pour les hydrocarbures saturés: le méthane (CH 4) l'éthane (C 2 H 6), le propane (C 3 H 8), le Nbutane (n-C 4 H 10), le pentane (C 5 H 12); pour les hydrocarbures éthyléniques: l'éthylène (C 2 H 4), le propylène (C 3 H 6), le butène-l (C 4 H 8), le butène-2 (C 4 H 8), l'isobutylène (C 4 H 8), le pentène (C 5 H 10); pour les hydrocarbures acétyléniques: l'acétylène (C 2 H 2), le méthylacétylène (C 3 H 4) et le butyne (C 4 H 6). Pour les substances simples consistant en halogènes, on peut utiliser des halogènes gazeux, comme le fluor, 25 le chlore, le brome et l'iode. Pour les halogénures d'hydrogène, on peut mentionner HF, HI, HC 1 et H Br. Pour les composés inter-halogénés, on peut mentionner Br F, C 1 F, Cl F 3, Br F 5, Br F 3, IF 7, IF 5, IC 1 et I Br. Pour les halogénures de silicium, on peut mentionner: Si F 4, Si 2 F 6, Si C 14, Si C 13 Br, Si C 12 Br 2, Si Cl Br 3, Si C 13 I et Si Br 4. Pour les hydrures de silicium substitués par un halogène, on peut mentionner: Si H 2 F 2, Si H 2 C 12, Si HC 13, 35 Si H 3 Cl, Si H 3 Br, Si H 2 Br 2 et Si H Br 3. 41 2551562 Pour les substances uniques ou les composés contenant O à titre d'atome constitutif ou contenant N et O à titre d'atomes constitutifs, on peut mentionner par exemple: l'oxygène ( 02), l'ozone ( 03), le monoxyde d'azote (NO), le dioxyde d'azote (NO 2), le ecr;Àuxyde d':zute (N 20), l'anhydride azoteux (N 203), le peroxyde d'azote (N 204), l'anhydride azotique (N 205) et le trioxyde d'azote (NO 3). Pour les siloxanes inférieurs contenant des ato10 mes de silicium (Si), des atomes d'oxygène (O) et des atomes d'hydrogène (H) à titre d'atomes constitutifs, on peut mentionner le disiloxane (H 3 Si O Si H 3), le trisiloxane (H 3 Si O Si H 20 Si H 3), etc. En plus des matières indiquées ci-dessus, on peut utiliser efficacement des hydrocarbures paraffiniques substitués par un halogène, tels que CF 4, CC 14, C Br 4, CHF 3, CH 2 F 2, CH 3 F, CH 3 C 1, CH 3 Br, CH 3 I, C 2 H 5 Cl, etc, des composés de soufre fluorés tels que SF 4, SF 6, etc; des dérivés de silane, comprenant des alkylsilanes tels que Si(CH 3)4, Li( 2 H 54 etc et des alkylsilanes contenant un halogène, tels que Si Cl(CH 3)3 ? Si C 12 (CH 3)2, Si C 13 CH 3, etc. On choisit de la manière désirée les matières destinées à former la seconde couche (II), de façon à incorpor? dans la seconde couche (II) avec un rapport prédéterminé 2 un atome de s icium 2 llun au moins des atomes suivants: un atome de carbone et un atome d'oxygène, et l'un au moins des atomes suivants un atome d'hydrogène et un atome d'halogène. On peut par exemple mélanger avec un rapport de mélange prédéterminé Si(CH 3)4 en tant que matière capable d'in30 corporer aisément des atomes de silicium, des atomes de carbone et des atomes d'hydrogène et de former une couche ayant des caractéristiques désirées, et Si HC 13, Si C 14, Si H 2 C 12 ou Si H 3 Cl en tant que matière destinée à l'incorporation d'atomes d'halogène, et introduire ces matières à l'état gazeux dans un dispositif destiné à la formation de la seconde couche 42 2551562 (II), ceci étant suivi par l'excitation d'une décharge luminescente, ce qui permet de former une seconde couche (II) qui consiste en ( lSix C 1 _x l-a)y(Cl+H)1 _y. Pour former la seconde couche (II) par pulvérisa5 tion cathodique, on utilise à titre de cible une tranche de Si monocristallin ou polycristallin, ou une tranche de C ou une tranche de Si O 2, ou une tranche composée de Si et de C et/ou de Si O 2 dans un état de mélange, et on effectue la pulvérisation cathodique de la manière désirée dans diver10 ses atmosphères contenant un atome d'halogène et/ou un atome d'hydrogène à titre d'atomes constitutifs Par exemple, lorsqu'on utilise comme cible une tranche de Si, on dilue avec un gaz de dilution, de la manière désirée, des gaz de départ destinés à l'introduction de C et/ou 0, et de H et/ 15 ou X, et on les introduit dans une chambre de dépôt pour la pulvérisation cathodique, et on forme avec ces gaz un plasma gazeux, puis on effectue la pulvérisation cathodique avec la tranche de Si. Selon une variante, on forme des cibles séparées 20 avec Si et C et/ou Si O 2, ou bien on mélange Si et C et/ou Si O 2, et on les utilise pour former une plaque de cible, après quoi on effectue la pulvérisation cathodique dans une atmosphère gazeuse contenant un atome d'hydrogène et/ou un atome d'halogène, comme on le désire On peut également uti25 liser en tant que gaz de départ pour l'introduction de C,O, H et X les matières destinées à la formation de la seconde couche (II) qui sont indiquées dans le cas de la décharge luminescente, du fait que ces matières sont également des matières efficaces pour la pulvérisation cathodique. Dans l'invention, il est préférable d'utiliser des gaz rares tels que He, Ne, Ar, etc, pour le gaz de dilution à utiliser dans la formation de la seconde couche (II) par le procédé de décharge luminescente ou le procédé de pulvérisation cathodique. On doit prendre des précautions dans la formation de la seconde couche (II) conformément à l'invention, de façon à pouvoir obtenir les caractéristiques exigées exactement comme on le désire. Ainsi, la matière contenant Si et C et/ou 0, fa5 cultativement associés avec H et/ou X à titre d'atomes constitutifs, peut prendre diverses formes, depuis une forme cristalline jusqu'à une forme amorphe, etprésenter diverses propriétés électriques, depuis des caractéristiques conductrices jusqu'à des caractéristiques isolantes en pas10 sant par des caractéristiques semiconductrices, et diverses propriétés de photoconducteur, depuis des caractéristiques photoconductrices jusqu'à des caractéristiques non photoconductrices, en fonction des conditions de préparation Par conséquent, dans l'invention, on sélectionne strictement les conditions de préparation de la manière désirée de façon à pouvoir former la matière amorphe pour la constitution de la seconde couche (II) en lui donnant des caractéristiques désirées, en fonction du but recherché. Par exemple, lorsque la seconde couche (II) doit être for20 mée essentiellement dans le but d'améliorer la rigidité diélectrique, on prépare (lSix Clxl-a)y (H, X)ly et (f Sixo O xl-a)y (H, X)1 y sous la forme d'une matière amorphe ayant un comportement marqué d'isolant électrique dans les conditions d'utilisation. Selon une variante, lorsque le but principal de la réalisation de la seconde couche (II) est l'amélioration de la stabilité des caractéristiques en présence d'une utilisation répétée, ou des caractéristiques liées à l'environnement d'utilisation, on peut assouplir dans une certaine mesure les 30 exigences concernant la propriété d'isolation électrique et on peut préparer (lSix Clxl a)y (H, X) 11 y et (lSixo 01 xl-a)y (H, X)1 _y sous la forme d'une matière amorphe ayant une certaine sensibilité à la lumière projetée. Lorsqu'on fonme la seconde couche (II) sur la surface de la pre35 mière couche (I), la température du support pendant la forma- 44 2551562 tion de la couche est un facteur important qui influe sur la structure et les caractéristiques de la couche à for mer, et il est souhaitable, conformément à l'invention, de définir de manière stricte la température du support pendant la formation de la couche, pour qu'on puisse préparer comme on le désire la seconde couche (II) avec les caractéristiques souhaitées. En ce qui concerne la température que doit avoir le support pendant la formation de la seconde couche (II) 10 pour parvenir effectivement aux buts de l'invention, on peut sélectionner de façon appropriée la plage de température optimale de la manière suivante, en conformité avec le procédé de formation de la seconde couche (II) Cette plage de température est préférablement de 20 à 400 C, plus 15 préférablement de 50 à 350 C et le plus préférablement de à 300 C Pour la formation de la seconde couche (II), on peut avantageusement adopter le procédé de décharge luminescente ou le procédé de pulvérisation cathodique, du fait que ces procédés permettent de définir de manière stricte le rapport de composition des atomes constituant la couche ou l'épaisseur de la couche, d'une manière relativement aisée en comparaison d'autres procédés Dans le cas o on doit former la seconde couche (II) en employant ces procédés de formation de couche, la puissance de déchar25 ge pendant la formation de la couche est l'un des facteurs importants qui influent sur les caractéristiques de (lSix Clxl-a)y (H, X) et (lSix Ol xl-a)y (H, X)y, d'une manière similaire à la température du support, mentionnée précédemment. Les conditions de puissance de décharge pour préparer efficacement (lSix Cl_xl-a)y (H, X)1 _y et (lSix Ol x O l-a)y (H, X)1 y ayant des caractéristiques qui permettent d'atteindre les buts de l'invention avec un bon rendement sont les suivantes: préférablement 10 à 300 W, plus préférablement 20 à 250 W et le plus préférablement 50 à 200 W. 2551562 La pression du gaz dans une chambre de dépft peut être préférablement de 1,3 à 130 Pa et plus préférablement de 13 à 65 Pa. Dans l'invention, les plages numériques ci-des5 sus sont indiquées à titre de plages numériques préférables pour la température du support et la puissance de décharge pour la préparation de la seconde couche (II) On ne doit cependant pas déterminer ces facteurs pour la formation de la couche séparément et indépendamment l'un de 10 l'autre, et il est souhaitable de déterminer les valeurs optimales pour les facteurs respectifs de formation de la couche en se basant sur des relations fonctionnelles mutuelles, de manière à pouvoir former la seconde couche (II) avec des caractéristiques désirées. Les concentrations respectives d'atomes de carbone et/ou d'atomes d'oxygène dans la seconde couche (II) dans l'"Clément photoconducteur de l'invention sont des fac teurs importants dans l'obtention des caractéristiques désirées pour atteindre les buts de l'invention, d'une maniè20 re si r ilaire aux conditions de préparation de la seconde couche (i) Dans l'invention, on détermine de la manière desiree les concentrations respectives d'atomes de carbone et/ou d atoomnes d'oxygène contenus dans la seconde couche (-i) er-n fonction du type de la matière amorphe qui consti, i Que la secornde couche (Il) et de ses caractéristiqueso in peut ainsi classer de façon générale la matière Ai:nor-ehe re-Dr Csent Se par ia formule (lSix C lx 3-a)y (H, X) 1-y ciess dan S l'une des catégories suivantes: une matière aiorphe consistant en atomes de silicium et en atomes de 30 carbone (ce qu'on écrira ci-après sous la forme "lSi C 1 a" avec OC:a Ci), une matière amorphe constituée par des atomes de silicium, des atomes de carbone et des atomes d'hydrogène (ce qu'on écrira ci-après sous la forme (I Sib Cl_bl-a)c H 1 c, avec Ob, c 1, et une matière amorphe constituée par des atomes de silicium, des atomes de carbonedes atomes d'halo- 46 2551562 gène et facultativement des atomes d'hydrogène (ce qu'on écrira ci-après sous la forme (lSid C 1-dl a)e(H, X)1 _e, avec 0 4 d, e 41). Dans l'invention, lorsque la seconde couche (II) 5 doit consister en lSia C 1 al-a, la concentration d'atomes de carbone dans la seconde couche (II) peut correspondre à un rapport atomique qui est préférablement de 1 x 10 3 à %, plus préférablement de 1 à 80 % et le plus préférablement de 10 à 75 %, c'est-à-dire qu'en ce qui concerne le 10 coefficient a dans la matière lSia C 1 al-a précitée, il doit être compris préférablement entre 0,1 et 0,99999, plus préférablement entre 0,2 et 0,99 et le plus préférablement entre 0,25 et 0,9. Lorsque la seconde couche (II) doit consister 15 en (lSib C 1 _b-a)c H 1 _C, la concentration d'atomes de carbone dans la seconde couche (II) doit correspondre à un rapport atomique qui est préférablement de lx 10 3 à 90 %, plus préférablement de là 90 % et le plus préférablement de à 80 %, la concentration d'atomes d'hydrogène doit cor20 respondre à un rapport atomique qui est préférablement de i à 40 %, plus préférablement de 2 à 35 % et le plus préférablement de 5 à 30 %, et l'élément photoconducteur qui est formé lorsque la concentration en hydrogène est comprise dans ces limites s'avère excellent pour l'utilisation pra25 tique, Ainsi, en ce qui concerne la représentation par la formule (C Sib Cl_bl-a)c Hic précitée, b doit être compris préférablement entre 0,1 et 0,99999, plus préférablement entre 0,1 et 0,99, et le plus préférablement entre 0,15 et 0,9, et c doit être compris préférablement entre 0,6 et 0,99, plus préférablement entre 0,65 et 0,98 et le plus préférablement entre 0, 7 et 0,95. Lorsque la seconde couche (II) doit consister en (Q Sid Cldl-a)e (H, X)1 _e, la concentration d'atomes de car35 bone dans la seconde couche (II) peut correspondre à un rap- 47 2551562 port atomique qui est préférablement de 1 x 10 3 à 90 %, plus préférablement de 1 à 90 % et le plus préférablement de 10 à 80 %, et la concentration d'atomes d'halogène peut correspondre à un rapport atomique qui est préférablement de 1 à 20 %, plus préférablement de 1 à 18 % et le plus préférablement de 2 à 15 % Lorsque la concentration en atomes d'halogène est comprise dans ces limites, l'élément photoconducteur qui est préparé est suffisamment bon pour être utilisable en pratique La concentration d'atomes d'hydrogène incorporés facultativement peut correspondre à un rapport atomique qui est préférablement de 19 % ou moins, et encore plus préférablement de 13 % ou moins. En ce qui concerne la représentation par d et 15 e dans la formule (C Sid Cldl-a)e (H, X)l-e ci-dessus, d doit être compris préférablement entre 0,1 et 0,99999, plus préférablement entre 0,1 et 0,99 et le plus préférablement entre 0,15 et 0,9, et e doit être compris préférablement entre 0,8 et 0,99, plus préférablement entre 0,82 et 0,99 20 et le plus préférablement entre 0,85 et 0,98. On peut également classer de fagon générale la matière amorphe représentée par la formule (lSix Olxl-a)y (H, X)1 y ci-dessus dans l'une des catégories suivantes: une matière amorphe constituée par des atomes de silicium 25 et des atomes d'oxygène (ce qu'on écrira ci-après sous la forme "lSia 01 l-aa", avec O a 1), une matière amorphe consistant en atomes de silicium, en atomes d'oxygène et en atomes d'hydrogène (ce qu'on écrira ci-après sous la forme (lSib 01 _bl-a)c H 1 _c, avec O Zb, c 41), et une matiè30 re amorphe consistant en atomes de silicium, en atomes d'oxygène, en atomes d'halogène et facultativement en atomes d'hydrogène (ce qu'on écrira ci-après sous la forme "(C Sidol-dl-a)e (H, X)1 _e", avec O Zd, e 41) Dans l'invention, lorsque la seconde couche (II) doit consister en lSia Ol_ al-a, la concentration d'atomes d'oxygène dans la se- 48 2551562 conde couche (II) peut être représentée par a dans la formule lSia Ol ala ci-dessus, a étant compris préférablement entre 0,33 et 0,99999, plus préférablement entre 0,5 et 0,99 et le plus préférablement entre 0,6 et 0,9. Dans l'invention, lorsque la seconde couche (II) doit consister en (lSib 1 Obl-a)c Hl_c, la concentration d'atomes d'oxygène peut être représentée par b et c dans la formule (lSib O Olbl-a)c Hic ci-dessus, et b doit être compris préférablement entre 0,33 et 0,99999, plus 10 préférablement entre 0,5 et 0,99, et le plus préférablement entre 0,6 et 0,9, tandis que c doit être compris préférablement entre 0,6 et 0,99, plus préférablement entre 0,65 et 0,98 et le plus préférablement entre 0,7 et 0,95. Lorsque la seconde couche-(II) doit consister 15 en (lSid 1 Odl-a)e (H, X) ie, la concentration d'atomes d'oxygène peut être représentée par d et e dans la formule (lSid 10 d 3 l-a)e (H, X)1-e' et d doit être compris préférablement entre 0,33 et 0,99999, plus préférablement entre 0,5 et 0, 99, et le plus préférablement entre 0,6 et 0,9, tandis que e doit être compris préférablement entre 0,8 et 0,99, plus préférablement entre 0,82 et 0,99 et le plus préférablement entre 0,85 et 0,98. La plage de la valeurnumérique d'épaisseur de la seconde couche (II) est un facteur important pour par25 venir effectivement aux buts de l'invention, et il est souhaitable de la déterminer en fonction du but recherché. Il est également nécessaire de déterminer l'épaisseur de la seconde couche (II) de la manière désirée en prenant en considération les relations avec les concentrations 30 d'atomes d'oxygène, la relation avec l'épaisseur de la première couche (I), ainsi que d'autres relations fonctionnelles avec les caractéristiques exigées pour des régions de couche respectives En outre, il est également souhaitable de faire entrer en compte des considérations d'ordre écono35 mique, comme la productivité ou la possibilité de fabrication 49 2551562 en grande quantité. Dans l'invention, il est souhaitable que la seconde couche (II) ait préférablement une épaisseur de 0,003 à 30 pm, plus préférablement de 0, 004 à 20 pm et le plus préférablement de 0,005 à 10 pm. En ce qui concerne l'atome d'halogène contenu dans la seconde couche conformément à l'invention, cet atome peut être préférablement F, Cl, Br et I, et plus préférablement F et Cl. Le support à utiliser dans l'invention peut être en une matière conductrice de l'électricité ou en une matière isolante Pour la matière conductrice de l'électricité, on peut citer des métaux tels que Ni Cr, l'acier inoxydable, Al, Cr, Mo, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, etc, ou 15 des alliages de ceux-ci. En ce qui concerne la matière isolante, on peut utiliser de façon classique des pellicules ou des feuilles do resines synthétiques, parmi lesquelles le polyester, le poly-_chylène, le polycarbonate, l'acétate de cellulose, le 2 poypropylène, le chlorure de polyvinyle, le chlorure de poly viî,nvld, le 2 &o yinrdiîdènz, le polystyrène, le polyamide, etc, des e.ries de S céramiques, des papiers 9 etc Ces supports isol Iat:s doi-,t de préférence avoir au moins une surface sou.:ie 3 ' un traitomrent la rendant conductrice de l'électricité, et i e = souhai'F:able de former d'autres couches sur la surqui a été rendue conductrice de l'lectricité. un peut par exemple effectuer un traitement d'un -r_ -e léeti U le rendre conducteur de l'électricité en formant _u J, i une couche mince de Ni Cr, Al, Cr, 14 o, Au, Ir, Nb, Ta, 3 V=û TI Pr, Pd, ino O Sn O, i TO (Tn 2 O Sn 02) Selon une a.inte oon O eut soumettre une pellicule de résine synthétique tielile,u'une pellicule de polyester au traitement rendant sa surface conductrice de l'électricité en procédant par dë,ép sous vid en phase vapeur, par dép 8 t par faisceau 3 ' d'1 électrons ou car pulvérisation cathodique d'un métal tel que 2551562 Ni Cr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, etc, ou par un traitement de placage de ce métal, ce qui rend la surface conductrice de l'électricité On peut donner au support n'importe quelle forme, comme des cylin5 dres, des courroies, des plaques, ou autres, et on peut déterminer sa forme de la manière désirée Par exemple, lorsqu'on doit utiliser l'élément photoconducteur de la figure 1 ou de la figure 11 en tant qu'élément de formation d'image pour l'électrophotographie, il peut être sou10 haitable de lui donner la forme d'une courroie sans fin ou d'un cylindre, pour l'utilisation dans la copie rapide continue Le support peut avoir une épaisseur qui est déterminée de façon appropriée pour pouvoir former un élément photoconducteur désiré Lorsque l'élément photocon15 ducteur doit être flexible, on forme le support de façon qu'il soit aussi mince que possible, jusqu'à la limite à laquelle il remplit encore suffisamment la fonction d'un support Cependant, dans un tel cas, l'épaisseur est de préférence de 10 pm ou plus, du fait de considérations re20 latives à la fabrication et à la manipulation du support, ainsi qu'à sa résistance mécanique. On va maintenant décrire brièvement un exemple du processus de fabrication de l'élément photoconducteur de l'invention25 La figure 12 montre un exemple d'un dispositif destiné à la fabrication d'un élément photoconducteur. Les bouteilles de gaz 1202 à 1206 contiennent de façon hermétique des gaz de départ pour la formation de l'élément photosensible de l'invention A titre d'exemple, 30 la référence 1202 désigne une bouteille contenant le gaz Si H 4 dilué avec He (pureté: 99,999 %, ce qu'on désignera ciaprès en abrégé par Si H 4/He), la référence 1203 désigne une bouteille contenant le gaz Ge H 4 dilué avec He (pureté: 99,999 %, ce qu'on désignera ciaprès en abrégé par Ge H 4/He), 35 la référence 1204 désigne une bouteille contenant le gaz 51 2551562 Si F 4 dilué avec He (pureté: 99,99 %, ce qu'on désignera ci-après en abrégé par Si F 4/He), la référence 1205 désigne une bouteille contenant le gaz NH 3 (pureté: 99,999 %) et la référence 1206 désigne une bouteille contenant le gaz H 2 (pureté: 99,999 %). Pour faire circuler ces gaz vers la chambre de réaction 1201, après avoir vérifié que les robinets 12221226 des bouteilles de gaz 1202-1206 et la valve de fuite 1235 sont fermés, tandis que les valves d'entrée 121210 1216, les valves de sortie 1217-1221 et les valves auxiliaires 1232, 1233 sont ouvertes, on ouvre tout d'abord la valve principale 1234 pour faire le vide dans la chambre de réaction 1201 et dans les conduits de gaz L'étape suivante consiste à fermer les valves auxiliaires 1232, 1233 15 et les valves de sortie 1217- 1221, lorsque la pression indiquée sur l'indicateur de vide 1236 devient d'environ -6 665 x 10-6 Pa. On va maintenant considérer un exemple de formation de la première couche (I) sur un substrat cylindrique 20 1237 On fait pénétrer dans des dispositifs de régulation de débit-masse respectifs 1207-1208 et 1210 le gaz Si H 4/He provenant de la bouteille de gaz 1202, le gaz Ge H 4/He provenant de la bouteille de gaz 1203 et le gaz NH 3 provenant de la bouteille de gaz 1205, en ouvrant les robinets 1222, 25 1223 et 1225, pour régler à 105 Pa les pressions indiquées par des manomètres de sortie 1227, 1228 et 1230, et en ouvrant progressivement les valves d'entrée 1212, 1213 et 1215 On ouvre ensuite progressivement les valves de sortie 1217, 1218 et 1220 et la valve auxiliaire 1232, pour permet30 tre l'entrée des gaz respectifs dans la chambre de réaction 1201 On règle les valves de sortie 1217, 1218 et 1220 de façon à donner une valeur désirée aux rapports des débits entre le gaz Si H 4/He, le gaz Ge H 4/He et le"gaz NH 3, et on règle en outre à une valeur désirée la pression dans la cham35 bre de réaction 1201 en commandant l'ouverture de la valve principale 1234, tout en observant l'indication de l'indicateur de vide 1236 Ensuite, après avoir vérifié que la température du substrat 1237 est réglée à environ 50-400 C par l'élément chauffant 1238, on règle la source d'énergie 1240 sur une puissance prédéterminée pour exciter une décharge luminescente dans la chambre de réaction 1201 et, simultanément, on commande le débit du gaz Ge H 4/He, en suivant une courbe de variation prévue à l'avance, en changeant progressivement l'ouverture de la valve 1218, par une opération ma10 nuelle ou par un moteur alimenté de façon externe, ce qui a pour effet de changer la concentration des atomes de germanium à incorporer dans la couche résultante. De la manière mentionnée ci-dessus, on poursuit la décharge luminescente pendant une durée désirée pour for15 mer la première région de couche (G) sur le substrat 1237 avec une épaisseur désirée Lorsqu'on a formé la première région de couche (G) avec une épaisseur désirée, on forme sur cette première région de couche (G) la seconde région de couche (S) ne contenant pratiquement pas d'atomes de germa20 nium, dans les mêmes conditions et en suivant la même procédure que ci-dessus, à l'exception du fait que la valve de sortie 1218 est complètement fermée et qu'on peut changer les conditions de décharge, si on le désire. On peut incorporer dans la seconde région de 25 couche (S) une substance définissant la conductivité, en ajoutant un gaz tel que B 2 H 6, PEH 3 ou un gaz analogue, dans un gaz introduit dans la chambre de dépôt 1201 au moment de la formation de la seconde région de couche (S). On peut former la seconde couche (II) sur la 30 première couche (I) qui a été formée avec une épaisseur désirée, avec la même séquence de fonctionnement des valves que pour former la première couche (I), par exemple en diluant le gaz Si H 4, le gaz C 2 H 4 et/ou le gaz NO avec un gaz de dilution tel que He, si on le désire, et en excitant une 35 décharge luminescente dans les conditions désirées. On peut incorporer des atomes d'halogène dans la secornde couche (II) en formant par exemple la seconde couche (II) d'une manière similaire à celle mentionnée ci-dessus, avec 1 'introduction du gaz Si F 4, du gaz NO et/ou du gaz C 2 H 4, ou en y ajoutant en outre Sil H 4. Les valves de sortie autres qu'une valve de sortie nécessaire pour former une couche particulière sont naturellement fermées pendant la formation de cette couche particulière De plus, pendant la formation de couches res10 pectives, pour éviter qu'il reste dans la chambre de réaction 1201 et dans les conduits de gaz allant d es valves de sortie 1217-1221 à la chambre de réaction 1201, du gaz employé pour la formation de la couche précédente, on effectue si nécessa-re l'opération qui consiste à établir un vide poussé dans 15 le 2 ystême, r, felrmant les vaves de sortle 1217- 1221, en ouvrat lls valves alu:liaires 1232, 1233 et en ouvrant complètement la valve principale 1234. On p':ut facultativement définir do la maq ài Z& d&ér-5 e la qutanité d'tome^ d cartode a/ou d'atome ds o d Fte _e chmgetn par exempl de la mani déS irée les ra -': S '-'m S t des '8 Sge ica î, e' _ so t i 2 ite Pr' ir % 120 9 d$ la cas de la dl ekga ? diaue_;,meagt:;n u a gaz de Duiverioation cathodiquo (A 2) -C:ec -l Sz ebyt L le ïs O en e O rm Madet 1 e e 9 u r r:et le rar''loet des aires de pulverisatiou catho.f lee en?,e la tran che de silicu est la tranche de et/ou. aiu rloment de la foation de l cible, oi en che neat le rapport ertre les poudres de silicium et les poudre@ de et/ou Si O O au moment de la formation de la cible. On peut définir la concentration en atomes d'halogène (X) dans la seconde couche (II) en commandant le débit du gaz de départ destiné à l'introduction d'atomes 35 d'halogène, tel que le gaz Si F%, lorsqu'il est introduit ne- dans la chambre de réaction 1201. De plus, pour uniformiser la formation des couches, il est souhaitable de faire tourner le substrat 1237 à une vitesse constante, au moyen d'un moteur 1239, pendant la formation des couches. Les éléments photoconducteurs de l'invention, ayant la structure de couches mentionnée ci-dessus, peuvent supprimer les inconvénients de l'art antérieur et ont d'excellentes caractéristiques électriques, optiques et photo10 conductrices, ainsi que d'excellentes caractéristiques de rigidité diélectrique et de résistance aux conditions d'environnement pendant l'utilisation. En particulier, lorsqu'on utilise l'élément photoconducteur en tant qu'élément de formation d'image pour 15 l'électrophotographie, il n'y a aucun effet de potentiel résiduel sur la formation de l'image, les caractéristiques électriques sont stables, la sensibilité est élevée et le rapport signal à bruit est élevée En outre, l'élément photoconducteur présente une résistance élevée à la fatigue oc20 casionnée par la lumiere, de bonnes caractéristiques de stabilité en présenco d'une utilisation répétée, et il peut produire de façon stable et répétitive des images de haute qualité -aant une densité élevée, des demi-teintes nettes et une résolution élevée. Dans l'élément photoconducteur de l'invention, la couche de réception de lumière qui est formée sur le support présente elle-même une bonne résistance mécanique et elle peut être appliquée en contact intime avec le support, et on peut également l'utiliser de façon répétée à une vi30 tesse élevée et d'une manière continue pendant une longue durée. EXEMPLE 1 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches sur un substrat cylindrique en Al, en faisant varier dans le temps le rapport des débits entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau l A, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 13, et on a produit ainsi un élément de formation d'image électrophotographique. On a placé l'élément de formation d'image résultant dans un dispositif expérimental pour la charge et l'exposition, et on a effectué une charge par effet couronne à A G 5,O k V pendant 0,3 s, suivie immédiatement par une irradiation avec une image lumineuse provenant d'une source à lampe 15 à tungstène, avec une dose de 2 lx s, projetée à travers un diagramme de test du type à transmission. Immédiatement après, en appliquant sur la surface de l'élément de formation d'image un développateur chargé positivement (contenant un toner et un élément porteur), on 20 a obtenu une bonne image de toner sur la surface de l'élément de formation d'image Lorsqu'on a transféré vers un papier de transfert l'image présente sur l'élément de formation d'image, par charge par effet couronne à ( 5,0 k V, on a obtenu une image nette ayant une densité élevée, une excel25 lente résolution et une bonne reproductibilité des gradations. EXEMPLE 2 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier 30 dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 2 A, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 14, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exem35 ple 1 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exem5 ple 1, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 3 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 3 A, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 15, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 1 On a ainsi produit un élément de formation d'image 15 électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, et on a obtenu ainsi des images très nettes. 20 EXEMPLE 4 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les 25 conditions du Tableau 4 A, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 16, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 1 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 5 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau SA, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 17, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exempie 1 On a ainsi produit un élément de formation d'image 10 électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même Drocëdure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, et on a obtenu ainsi des images très nettes. 15 EXEMLE 6 En utilisant le dispositif de préparation représentf eur la figure 12, on a formeé des couches en faisant varier da.s le termps le rapport des débits de gaz entre le gaz Cet 4/e et le gaz Si H- 4/He, pour former les couches dans les 20 e onditons du Tableau 6 A, en suivantla courbe de variation -lu rapport des débio ts de gaz qui est représentée sur la figur-c i'8 les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemi' i 1 On ai ainsi produit un élément de formation d'image - iacr qfobt>a 19 -f En util isant l'élément de formation d'image résult&,: on a fomé des images sur un papier de transfert par la _eine procedure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemp 3 i e:, t on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEWPLE 7 SO: O* En utilisant le dispositif de préparation représent-F sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dnes le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge 14/He et le gaz Si H 4/He-, pour former les couches dans les coinditions du Tableau 7 A, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figu- re 19, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exem ple 1 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul5 tant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 8 On a formé des couches dans les mêmes conditions que 10 dans l'Exemple 1, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si 2 H 6/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 1, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau 8 A On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographi15 que. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, et on a obtenu ainsi des images très nettes. 20 EXEMPLE 9 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/-Ie utilisé dans l'Exemple 1, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionne25 ment par celles représentées dans le Tableau 9 A On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon 30 la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 10 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si H 4/He + Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 1, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau l OA. On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 11 On a fabriqué des éléments de formation d'image électrophotographiques dans les mêmes conditions que dans les Exemples 1-10, à l'exception du fait qu'on a remplacé les conditions de préparation de la troisième couche dans les Exemples 1-10 par celles indiquées dans le Tableau 11 A. 15 En utilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, et on a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 11 AA. EXEMPLE 12 On a fabriqué des éléments de formation d'image électrophotographiques dans les mêmes conditions que dans les Exemples 1-10, à l'exception du fait qu'on a remplacé les conditions de préparation de la troisième couche dans 25 les Exemples 1-10 par celles indiquées dans le Tableau 12 Ao En utilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, et on a ainsi obtenu les résultats indi30 qués dans le Tableau 12 AA. EXEMPLE 13 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, ainsi qu'entre le gaz NH 3 et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 13 A, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz représentée sur la figure 20, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 1 On a ainsi pro5 duit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, et on a ainsi obtenu des images très nettes. 10 EXEMPLE 14 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, ainsi qu'entre le gaz NH 3 et le 15 gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 14 A, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz représentée sur la figure 21, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 1 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. 20 En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 1, et on a ainsi obtenu des images très nettes. EXEMPLE 15 On a formé des images de toner dans les mêmes conditions de formation d'image de toner que dans l'Exemple 1, à l'exception du fait qu'on a formé des images électrostatiques en utilisant un laser à semiconducteur du type Ga As ( 10 m W) d'une longueur d'onde de 810 nm, à la place d'une 30 lampe à tungstène utilisée dans les Exemples 1-10 On a évalué en ce qui concerne la qualité des images de toner transférées les éléments de formation d'image électrophotographiques produits dans les mêmes conditions que dans les Exemples 1-10 Les images étaient des images nettes d'une grande qualité, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations. EXENPLE 16 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches sur un substrat cylindrique en Al, en faisant varier dans le temps le rapport des débits entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau l B, en suivant * la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 13, et on a produit ainsi un élé10 ment de formation d'image électrophotographique. On a placé l'élément de formation d'image résultant dans un dispositif expérimental pour la charge et l'exposition, et on a effectué une charge par effet couronne à 5,0 k V Dendant 0,3 s, suivie immédiatement par une irra15 diation avec une image lumineuse provenant d'une source à lampe à tungstène, avec une dose de 2 lx s, projetée à travers un diagramme de test du type à transmission. Immédiatement après, en appliquant sur la surface de l'él-ient de formation d'image-un développateur chargé positinent (contenant un toner et un élément porteur), on ob-enu une bonne image de toner sur la surface de l"élém'nnt de formation d'image Lorsqu'on a transféré vers un papiet de transfert l-iniage présente sur l'élément de forman tion U:imege, par charge par effet couronne àCO 5,0 k V, on a 25 obtenu une image nette eyant une densité élevée, une excellente rés lution eec une bonne reproductibilité des gradations. EXEMPLE 17 En utilisant le dispositif de préparation représen'30 té sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temos le rapport des débits de gaz entre le gaz Gae H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 2 B, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figu35 re 14, les autres conditions étant les m 8 mes que dans l'Exem- ple 16 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 16, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 18 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier 10 dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 3 B, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 15, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exem15 ple 16 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. EXEMPLE 19 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier 20 dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 4 B, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 16, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exem25 ple 16 Ol a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exem30 ple 16, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 20 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 5 B, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 17, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 16 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 16, et on a obtenu ainsi des images très nettes. 10 EXEMPLE 21 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les 15 conditions du Tableau 6 B, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 18, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 16 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 16, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 22 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 7 B, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 19, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 16 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul35 tant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exempie 16, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 23 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 16, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si 2 H 6/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 16, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau 8 B On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographi10 que. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 16, et on a obtenu ainsi des images très nettes. 15 EXEMPLE 24 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 16, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 16, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionne20 ment par celles représentées dans le Tableau 9 B On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon 25 la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 16, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 25 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 16, à l'exception du fait qu'on a utilisé le 30 gaz Si H 4/He + Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 16, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau l OB. On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul- tant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 16, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 26 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches sur un substrat cylindrique en A 1, en faisant varier dans le temps le rapport des débits entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau ll B, en sui10 vant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 13, et on a produit ainsi un élément de formation d'image électrophotographique. On a placé l'élément de formation d'image résultant dans un dispositif expérimental pour la charge et l'exposition, et on a effectué une charge par effet couronne à 05,0 k V pendant 0,S S suivie immediatement par une irradiation avec une image lumineuse provenant d'une source à lampe tungstène, avec une dose de 2 lx s, projetée à travers unl Ciagranime de test du type à transmission. t Imm miataemnt après, en appliquant sur la surface e iï'6 él ent de formation d'image un développateur chargé posi ive Znt (contenae un toner et un élément porteur), on a cb-e:ç une bonne image de toner sur la surface de '1 él:.ce îfosrmatron diïnage Lorseulon a transféré vers un }pie de trw-a:fert i 'image présente sur l élément de forma%:2 o-% d"imnage, par clharge par effet couronne a 5,o O k V, on a)bteru u)ne image nette ayant uine densité élevée, ?-ne excel:ente r Ssolution et une bonne reproductibilité des grada30 EIEMPLU 27 Can a produit des éléments de formation d'image électrophotographiques dans les mêmes conditions que dans l:Exemple 26, à l'exception du fait qu'on a changé de la manière indiquée dans le Tableau 12 B le rapport des débits 35 entre B 2 Hg et (Si H 4 + Ge H 4) au moment de la formation de la première couche dans l'Exemple 26, et le rapport des débits entre B 2 H 6 et Si H 4 au moment de la formation de la seconde couche dans l'Exemple 26. En utilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 26, et on a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 12 B. EXEMPLE 28 On a produit des éléments de formation d'image électrophotographiques (échantillons n 1301 B-1310 B, 1401 B-14 i OB) dans les mêmes conditions que dans les Exemples 16-25, à l'exception du fait qu'on a remplacé les conditions de préparation de la seconde couche dans les Exemples 16-25 15 par celles indiquées dans les Tableaux 13 B et 14 B. En utilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l 'Exemple 16, et on a ainsi obtenu les résultats indi20 qués dans les Tableaux 13 AB et 14 AB. E^XE^MPLE 29 On a formé des images de toner dans les mêmes conditions de formation d'image de t- oner que dans l'Exemple 16, à l'exception du fait qu'on a formé des images électrostati25 ques en utilisant un laser àa semiconducteur du type Ga As ( 10 m W) d'une longueur d'onde de 810 nm, à la place d'une lampe à tungstène utilisée dans l'Exemple 16 On a évalué, en ce qui concerne la qualité des images de toner transférées, les éléments de formation d'image électrophotographiques 30 produits dans les memes conditions que dans l'Exemple 16. Les images étaient des images nettes d'une grande qualité, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations. EXEMPLE 30 En utilisant le dispositif de préparation représen- té sur la figure 12, on a formé des couches sur un substrat cylindrique en Al, en faisant varier dans le temps le rapport des débits entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 1 C, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 13, et on a produit ainsi un élément de formation d'image électrophotographique. On a placé l'élément de formation d'image résultant dans un dispositif expérimental pour la charge et l'exposition, et on a effectué une charge par effet couronne à ( 5,0 k V pendant 0,3 s, suivie immédiatement par une irradiation avec une image lumineuse provenant d'une source à lampe à tungstène, avec une dose de 2 lx s, projetée à travers un diagramme de test du type à transmission. Immédiatement après, en appliquant sur la surface de l'élément de formation d'image un développateur chargé positivement (contenant un toner et un élément porteur), on a obtenu une bonne image de toner sur la surface de l'élément de formation d'image Lorsqu'on a transféré vers un papier de transfert l'image présente sur l'élément de formation d'image, par charge par effet couronne à 5,0 k V, on a obtenu une image nette ayant une densité élevée, une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations. EXEMPLE 31 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les 30 conditions du Tableau 2 C, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 14, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 30 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul- tant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 32 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 3 C, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 15, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 30 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul15 tant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 33 En utilisant le dispositif de préparation représen20 té sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 4 C, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figu25 re 16, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 30 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la 30 même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 34 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier 35 dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 5 C, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 17, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exem5 ple 30 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exem10 ple 30, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 35 En utilisant le dispositif de préparation représentéS sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz G 5 e H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 6 C, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 18 les autres conditions étant les mêmes que dans 11 Exemple:03 S On a ainsi produit un élément de formation d'image 20 é 1 eotrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul:at, on a form des images sur un papier de transfert par la m.n proe Sédure et dans les mêmes conditions que dans 17 Exemopie ?q et, on a obtenu ainsi des images très nettes. N'2 zm>Ei LE 36 utitlisant le dispositif de préparation représent sur 7 'a f'gure 12, on a formé des couches en faisant varier arans l temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge Hi/He et le gaz Si H 4 /He, pour former les couches dans les 30 c -onditions du Tableau 7 C, en suivant la courbe de variation du rpport des débits de gaz qui est représentée sur la figur.e 19, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple IC On a ainsi produit un élément de formation d'image zlsctrophbtographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul- 7 o tant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 37 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si 2 H 6/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 30, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau 8 C On a ainsi 10 produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 38 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 20 30, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau 9 C On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul25 tant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 39 On a formé des couches dans les mêmes conditions que 30 dans l'Exemple 30, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si H 4/He + Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 30, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau 10 C. On a ainsi produit un élément de formation d'image électro35 photographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 40 On a fabriqué des éléments de formation d'image électrophotographiques dans les mêmes conditions que dans les Exemples 30-39, à l'exception du fait qu'on a remplacé les conditions de préparation de la troisième couche dans les Exemples 30-39 par celles indiquées dans le Tableau 11 C. En utilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, et on a ainsi obtenu les résultats indi15 qués dans le Tableau 11 AC. EXEMPLE 41 On a fabriqué des éléments de-formation d'image électrophotographiques dans les mêmes conditions que dans les Exemples 30-39, à l'exception du fait qu'on a remplacé 20 les conditions de préparation de la troisième couche dans les Exemples 30-39 par celles indiquées dans le Tableau 12 C. En utilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, et on a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 12 AC. EXEMPLE 42 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier 30 dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, ainsi qu'entre le gaz NH 3 et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 13 C, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz représentée sur la figure 20, les autres condi35 tions étant les mêmes que dans l'Exemple 30 On a ainsi pro- duit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, et on a ainsi obtenu des images très nettes. EXEMPLE 43 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, ainsi qu'entre le gazNH 3 et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 14 C, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz représentée sur la figure 21, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 30 On a ainsi pro15 duit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 30, et on a ainsi obtenu des images très nettes. 20 EXEMPLE 44 On a formé des images de toner dans les mêmes conditions de formation d'image de toner que dans d'Exemple 30, à l'exception du fait qu'on a formé des images électrostatiques en utilisant un laser à semiconducteur du type Ga As 25 ( 10 m W) d'une longueur d'onde de 810 nm, à la place d'une lampe à tungstène utilisée dans les Exemples 30-39 On a évalué en ce qui concerne la qualité des images de toner transférées les éléments de formation d'image électrophotographiques produits dans les mêmes conditions que dans les 30 Exemples 30-39 Les images étaient des images nettes d'une grande qualité, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations. EXEMPLE 45 On a produit des éléments de formation d'image 35 électrophotographiques (échantillons no 12-401 C 12-408 C, 12-701 C 12-708 C, 12-801 C 12-808 C; 72 échantillons) dans les mêmes conditions et selon la même procédure que dans l'Exemple 30, à l'exception du fait qu'on a remplacé les conditions de formation de la couche (II) par celles indi5 quées dans le Tableau 15 C. On a placé individuellement les éléments de formation d'image électrophotographiques résultants dans un dispoditif de reproduction et on les a ensuite évalués en ce qui concerne la qualité d'image globale et la durabilité lorsqu'ils sont soumis à des opérations de copiage répétées dans les mêmes conditions que dans les Exemples. On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 16 C. EXEPLE 46 i 5 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 30, à l'exception du fait qu'au moment de la formation de la couche (II), on a changé le rapport des aires des cibles entre la tranche de silicium et le graphite, et on a changé le rapport de concentration entre les atomes de silicium et les atomes de carbeone dans la couche (II)o On a évalué la qualité de l'image -s élélments de formation d'image résultants après environ N 00 no rëptitions d'opérations de formation d'image, de vecpement et de nettoyage, de la manière décrite dans i xemple 30 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 17 C. E.9 PLE 47 On a produit chaque élément de formation d'image selon la même procédure que darns l'Exemple 30, à l'exception SO du fait qu'aui moment de la formation de la couché (II), on a ichaaé l e rapport des débits entre le gaz Si H 4 et le gaz CH 4, et on a changé le rapport de concentration entre les -2 4 ' atomes de silicium et les atomes de carbone dans la couche (i I) On a évalué la qualité de l'image des éléments de for35 mation d'image résultants après environ 50 000 répétitions du processus allant jusqu'à un transfert, de la manière décrite dans l'Exemple 30 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 18 C. EXEMPLE 48 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 30, à l'exception du fait qu'au moment de la formation de la couche (II), on a changé les rapports des débits entre le gaz Si H 4, le gaz Si F 4 et le gaz C 2 H 4, et on a changé le rapport de concentra10 tion entre les atomes de silicium et les atomes de carbone dans la couche (II) On a évalué la qualité de l'image des éléments de formation d'image résultants après environ 000 répétitions d'opérations de formation d'image, de développement et de nettoyage, de la manière décrite dans l'Exemple 30 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 19 C. EXEMPLE 49 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 30, à l'excep20 tion du fait qu'on a changé l'épaisseur de la couche (II) On a répété les opérations de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites dans l'Exemple 30 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 20 C. EXEMPLE 50 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches sur un substrat cylindrique en Al, en faisant varier dans le temps le rapport des débits entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 1 D, en suivant 30 la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 13, et on a produit ainsi un élément de formation d'image électrophotographique. On a placé l'élément de formation d'image résultant dans un dispositif expérimental pour la charge et l'exposi35 tion, et on a effectué une charge par effet couronne à G 5,0 k V pendant 0,3 s, suivie immédiatement par une irradiation avec une image lumineuse provenant d'une source à lampe à tungstène, avec une dose de 2 lx s, projetée à travers un diagramme de test-du type à transmission. Immédiatement après, en appliquant sur la surface de l'élément de formation d'image un développateur chargé positivement (contenant un toner et un élément porteur), on a obtenu une bonne image de toner sur la surface de l'élément de formation d'image Lorsqu'on a transféré vers un papier de transfert l'image présente sur l'élément de formation d'image, par charge par effet couronne à 5,0 k V, on a obtenu une image nette ayant une densité élevée, une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations. EXEMPLE 51 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les 20 conditions du Tableau 2 D, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 14, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 50 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 50, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 52 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 3 D, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figu- re 15, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 50 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul5 tant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 50, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 53 En utilisant le dispositif de préparation représen10 té sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 4 D, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figu15 re 16, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 50 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la 20 même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 50, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 54 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier 25 dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 5 D, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 17, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exem30 ple 50 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exem35 ple 50, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 55 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 6 D, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 18, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 50 On a ainsi produit un élément de formation d'image 10 électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 50, et on a obtenu ainsi des images très nettes. 15 EXEMPLE 56 En utilisant le dispositif de préparation représenté, sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge Hi 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les 20 conditions du Tableau 7 D, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 19, les autres conditions etant les m Smes que dans l P Exemple 50 O a ainsi produit un élément de formation d'image -ieccphotogi-aphique. "C_ 5 Ea utilisant l'éléme:nt de formation d'image résultant, on a forms des images sur un papier de transfert par la rhme pro Dc- ir et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple '0, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 57 o O 3 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemlle 50, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si 2 Ho/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 50, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par-celles représentées dans le Tableau 8 Do On a ainsi 35 produit un élément de formation d'image électrophotographi- que. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 50, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 58 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 50, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 10 50, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau 9 D On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul15 tant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 50, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 59 On a formé des couches dans les mêmes conditions que 20 dans l'Exemple 50, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si H 4/He + Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 50, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau 10 D. On a ainsi produit un élément de formation d'image électro25 photographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 50, et on a obtenu ainsi des images très nettes. 30 EXEMPLE 60 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches sur un substrat cylindrique en Al, en faisant varier dans le temps le rapport des débits entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour for35 mer les couches dans les conditions du Tableau 11 D, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 13, et on a produit ainsi un élément de formation d'image électrophotographique. On a placé l'élément de formation d'image résultant dans un dispositif expérimental pour la charge et l'exposition, et on a effectué une charge par effet couronne à G 5,0 k V pendant 0,3 s, suivie immédiatement par une irradiation avec une image lumineuse provenant d'une source à lampe à tungstène, avec une dose de 2 lx s, projetée à travers un 10 diagramme de test du type à transmission. Immédiatement après, en appliquant sur la surface de l'élément de formation d'image un développateur chargé positivement (contenant un toner et un élément porteur), on a obtenu une bonne image de toner sur la surface de l'élé15 ment de formation d'image Lorsqu'on a transféré vers un papier de transfert l'image présente sur l'élément de formation d'image, par charge par effet couronne à 5,0 k V, on a obtenu une image nette ayant une densité élevée, une excellente résolution et une bonne reproductibilité des grada20 tions. EXEMPLE 61 On a produit des éléments de formation d'image électrophotographiques dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 60, à l'exception du fait qu'on a changé de la manière indiquée dans le Tableau 12 D le rapport des débits entre B 2 H 6 et (Si H 4 + Ge H 4) au moment de la formation de la première couche dans l'Exemple 60, et le rapport des débits entre B 2 H 6 et Si H 4 au moment de la formation de la seconde couche dans l'Exemple 60. En utilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 60, et on a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 12 D. EXEMPLE 62 On a produit des éléments de formation d'image électrophotographiques (échantillons no 1301 D-1310 D, 1401 D-1410 D) dans les mêmes conditions que dans les Exemples 550-59, à l'exception du fait qu'on a remplacé les conditions de préparation de la seconde couche dans les Exemples 50-59 par celles indiquées dans les Tableaux 13 D et 14 D. En utilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert 10 selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 50, et on a ainsi obtenu les résultats indiqués dans les Tableaux 13 AD et 14 AD. EXEMPLE 63 On a formé des images de toner dans les mêmes con15 ditions de formation d'image de toner que dans l'Exemple 50, à l'exception du fait qu'on a formé des images électrostatiques en utilisant un laser à semiconducteur du type Ga As ( 10 m W) d'une longueur d'onde de 810 nm, à la place d'une lampe à tungstène utilisée dans l'Exemple 50 On a évalué en 20 ce qui concerne la qualité des images de toner transférées les éléments de formation d'image électrophotographiques produits dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 50. Les images étaient des images nettes d'une grande qualité, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibili25 té des gradations. EXEMPLE 64 On a produit des éléments de formation d'image électrophotographiques (échantillons n 12-101 l D 12-108 D, 12-701 D -'12-708 D, 12-101 D 121108 D; 24 échantillons) 30 dans les mêmes conditions et selon la même procédure que dans les Exemples 50, 56 et 60, à l'exception du fait qu'on a remplacé les conditions de formation de la couche (II) par celles indiquées dans le Tableau 15 D. On a placé individuellement les éléments de forma35 tion d'image électrophotographiques résultants dans un dispo- sitif de reproduction et on les a ensuite évalués en ce qui concerne la qualité d'image globale et la durabilité lorsqu'ils sont soumis à des opérations de copiage répétées, dans les mêmes conditions que dans les Exemples. On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 16 D. EXEMPLE 65 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 50, à l'excep10 tion du fait qu'au moment de la formation de la couche (II), on a changé le rapport des aires des cibles entre la tranche de silicium et le graphite, et on a changé le rapport des concentrations entre les atomes de silicium et les atomes de carbone dans la couche (II) On a évalué la qualité de l'ima15 ge des é 18 ments de formation d'image résultants après environ 000 répétitions d'opérations de formation d'image, de développeoent et de nettoyage, de la manière décrite dans l'Exemple 50 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le eu 17 D. EXE,WLE 66 On a produit chaque ëlémert de formation d'image slon la même procgdure que dans l'Exemple 50, à 10 exoeption u f:t qtiau moment de la formation de la couche (II) on a han E 4 le rapport des débits entre le gaz Si H 4 et le gaz 32 Y 1,: o: a ohangé le ropport de concentration entre les de sili ium eties stomes de carbone dans la couche (TT O Jn a vralué la oualitë de 10 image des éléments de foruation d' image résultants après environ 50 000 répétitions du processus allant jusqu'à un transfert, de la manière décrite 30 dans l'Exem Dle 50 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 18 D. EXEMPLE 67 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 50, à l'excep3 tion du fait qu'au moment de la formation de la couche (II), on a changé les rapports des débits entre le gaz Si H 4, le gaz Si F 4 et le gaz C 2 H 4, et on a changé le rapport de concentration entre les atomes de silicium et les atomes de carbone dans la couche (II) On a évalué la qualité de l'image des éléments de formation d'image résultants après environ 50 000 répétitions d'opérations de formation d'image, de développement et de nettoyage, de la manière décrite dans l'Exemple 50 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 19 D. EXEMPLE 68 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 50, à l'exception du fait qu'on a changé l'épaisseur de la couche (II) On a répété les opérations de formation d'image, de développe15 ment et de nettoyage décrites dans l'Exemple 50 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 20 D. EXEPLE 69 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches sur un substrat cylindrique en Ai, en faisant varier dans le temps le rapport des débits entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 1 E, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 13, et on a produit ainsi un élé25 ment de formation d'image électrophotographique. On a placé l'élément de formation d'image résultant dans un dispositif expérimental pour la charge et l'exposition, et on a effectué une charge par effet couronne à ,0 k V pendant 0,3 s, suivie immédiatement par une irradia30 tion avec une image lumineuse provenant d'une source à lampe à tungstène, avec une dose de 2 lx s, projetée à travers un diagramme de test du type à transmission. immédiatement après, en appliquant sur la surface de l'élément de formation d'image un développateur chargé positivement (contenant un toner et un élément porteur), on a obtenu une bonne image de toner sur la surface de l'élément de formation d'image Lorsqu'on a transféré vers un papier de transfert l'image présente sur l'élément de formation d'image, par charge par effet couronne à G,O k V, on a 5 obtenu une image nette ayant une densité élevée, une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations. EXEMPLE 70 En utilisant le dispositif de préparation représen10 té sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 2 E, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figu15 re 14, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 69 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la 20 mime procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 69, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 71 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier 25 dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 3 E, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 15, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exem30 ple 69 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exem35 ple 69, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 72 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 4 E, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 16, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 69 On a ainsi produit un élément de formation d'image 10 électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 69, et on a obtenu ainsi des images très nettes. 15 EXEMPLE 73 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les 20 conditions du Tableau 5 E, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 17, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 69 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 69, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 74 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 6 E, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figu- re 18, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 69 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul5 tant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 69, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 75 En utilisant le dispositif de préparation représen10 té sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 7 E, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figu15 re 19, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 69 On a ainsi produit un élément de formation d'image 3 lectrophotographique. En utilisan l'élément de formation d'image résultant, on a forme des images sur un papier de transfert par la 2 EXENFIE 76 On a formé des couches dans les mêmes conditions que da lE Femple 69, à l'exception du tait qu'on a utilisé le gaz Si 2 /e la place du gaz Si'4 /He utilisé dans 10 Exemple 69 ' et cu fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnes enit ir celtes représentées dans le Tableau 8 E= On a ainsi produi in élment de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 69, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 77 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 69, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 569, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau 9 E On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul10 tant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 69, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 78 On a formé des couches dans les mêmes conditions que 15 dans l'Exemple 69, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si H 4/He + Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 69, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau 10 E. On a ainsi produit un élément de formation d'image électro20 photographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 69, et on a obtenu ainsi des images très nettes. 25 EXEMPLE 79 On a fabriqué des éléments de formation d'image électrophotographiques dans les mêmes conditions que dans les Exemples 69-78, à l'exception du fait qu'on a remplacé les conditions de préparation de la troisième couche dans 30 les Exemple 69-78 par celles indiquées dans le Tableau 11 E. En utilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 69, et on a ainsi obtenu les résultats indi35 qués dans le Tableau 11 AE. EXEMPLE 80 On a fabriqué des éléments de formation d'image électrophotographiques dans les mêmes conditions que dans les Exemples 69-78, à l'exception du fait qu'on a remplacé les conditions de préparation de la troisième couche dans les Exemples 69-78 par celles indiquées dans le Tableau 12 E. Enutilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 69, et on a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 12 AE. *EXEMPLE 81 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier 15 dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, ainsi qu'entre le gaz NH 3 et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 13 E, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz représentée sur la figure 20, les autres condi20 tions étant les mêmes que dans l'Exemple 69 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 69, et on a ainsi obtenu des images très nettes. EFXEMPLE 82 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, ainsi qu'entre le gaz NH 3 et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 14 E, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz représentée sur la figure 21, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 69 On a ainsi pro35 duit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 69, et on a ainsi obtenu des images très nettes. EXEMPLE 83 On a formé des images de toner dans les mêmes conditions de formation d'image de toner que dans l'Exemple 69, à l'exception du fait qu'on a formé des images électrostatiques en utilisant un laser à semiconducteur du type Ga As 10 ( 10 m W) d'une longueur d'onde de 810 nm, à la place d'une lampe à tungstène utilisée dans les Exemples 69-78 On a évalué en ce qui-concerne la qualité des images de toner transférées les éléments de formation d'image électrophotographiques produits dans les mêmes conditions que dans les 15 Exemples 69-78 Les images étaient des images nettes d'une grande qualité, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations. EXEMPLE 84 On a produit des éléments de formation d'image 20 électrophotographiques (échantillons n 11-401 E 11-408 E, 11-701 E 11-708 E, 11-801 E 12-808 E; 24 échantillons) dans les mêmes conditions et selon la même procédure que dans les Exemples 72, 74 et 75, à l'exception du fait qu'on a remplacé les conditions de formation de la cocuhe (II) 25 par celles indiquées dans le Tableau 15 E. On a placé individuellement les éléments de formation d'image électrophotographiques résultants dans un dispositif de reproduction et on les a ensuite évalués en ce qui concerne la qualité d'image globale et la durabilité lorsqu'ils sont soumis à des opérations de copiage répétées, dans les mêmes conditions que dans les Exemples. On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 16 E. EXEMPLE 85 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 69, à l'exception du fait qu'au moment de la formation de la couche (II), on a changé le rapport de mélange entre Ar et No, on a changé le rapport des aires des cibles entre la tranche de silicium et le si O 2, et on a changé le rapport de concentration entre les atomes de silicium et les atomes d'oxygène dans la couche (II) On a évalué la qualité de l'image des éléments 10 de formation d'image résultants après environ 50 000 répétitions d'opérations de formation d'image, de développement et de nettoyage, de la manière décrite dans l'Exemple 69 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 17 Eo EXEMPLE 86 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 69, à l'except Mon du fait qu'au moment de la formation de la couche (Il), on a ch-agé le rapport des débits entre le gaz Si H 4 et le gaz NO, et on a cha Lgé le rapport de concentration entre 20 los tcmes de silicium et les atomes d'oxygène dans la cout.he (Il) On a évalué la qualité de l'image des éléments de formalon dinmage r 6 sultants après environ 50 000 répétitions du e sus allant jusqu'à un transfert, de la manière dcrite dans i'7 Exeale 69 On a ainsi obtenu les résultats 25 indiués dans le Tableau ISE. M Eb TLE 57 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la méme procédure que dans l'Exemple 69, à l'exception du fait qu'au moment de la formation de la couche (IT), 30 on a changé les rapports des débits entre le gaz Sil-4 le gaz Si F 4 e Dt le gaz NO, et on a changé le rapport de concentration entre les atomes de silicium et les atomes d'oxygène dans la couche (II) On a évalué la qualité de l'image des éléments de formation d'image résultants après environ $ 5 50 000 répétitions d'opérations de formation d'image, de développement et de nettoyage, de la manière décrite dans l'Exemple 69 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 19 E. EXEMPLE 88 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 69, à l'exception du fait qu'on a changé l'épaisseur de la couche (II) On a répété les opérations de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites dans l'Exemple 69 On a ainsi 10 obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 20 E. EXEMPLE 89 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches sur un substrat cylindrique en Al, en faisant varier dans le temps le rapport 15 des débits entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 1 F, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 13, et on a produit ainsi un élément de formation d'image électrophotographique. On a placé l'élément de formation d'image résultant dans un dispositif expérimental pour la charge et l'exposition, et on a effectué une charge par effet couronne à G 5,0 k V pendant 0,3 s, suivie immédiatement par une irradiation avec une image lumineuse provenant d'une source à lampe 25 à tungstène, avec une dose de 2 lx s, projetée à travers un diagramme de test du type à transmission. Immédiatement après, en appliquant sur la surface de l'élément de formation d'image un développateur chargé positivement (contenant un toner et un élément porteur), on 30 a obtenu une bonne image de toner sur la surface de l'élément de formation d'image Lorsqu'on a transféré vers un papier de transfert l'image présente sur l'élément de formation d'image, par charge par effet couronne à G 5,O k V, on a obtenu une image nette ayant une densité élevée, une excel35 lente résolution et une bonne reproductibilité des grada- 91 2551562 tions. EXEMPLE 90 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 2 F, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 14, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exem10 ple 89 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exem15 ple 89, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 91 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 3 F, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 15, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 89 On a ainsi produit un élément de formation d'image 25 électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 89, et on a obtenu ainsi des images très nettes. 30 EXEMPLE 92 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les 35 conditions du Tableau 4 F, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 16, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 89 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 89, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 93 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 5 F, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 17, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 89 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résul20 tant, on a formé des images sur un papier de transfert par la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 89, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 94 En utilisant le dispositif de préparation représen25 té sur la figure 12, on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 6 F, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée'sur la figu30 re 18, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exemple 89 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la 35 même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exem- 93 2551562 ple 89, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 95 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 123 on a formé des couches en faisant varier dans le temps le rapport des débits de gaz entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 7 F, en suivant la courbe de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 19, les autres conditions étant les mêmes que dans l'Exem10 ple 89 On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique o En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur un papier de transfert par la mrfe procedure et dans les mêmes conditions que dans l'Exem.5 ple 89, et on a obtenur ainsi des images très nettes. EXEMPLE 96 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 89 à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si -6/14 e à la place du gaz Si H 4 /He utilisé dans 11 Exemple { -20 et du flait qu' oî a remnlacé les conditions de fonctionnen prt cll les représentées dais le Tableau 8 F On a ainsi pr d t L un é 1 éàIent de fordnation d'image électrophotographivue. En utilizent 1 'élément de formation d imae r Dsul, Li D o N ome a, o dsi)a ges sur le papier de transfefrt selon i; iom Drseé b Exesole 2), et on a obtenu ainsi des images très nettes. XPEME 97 On a forme des couches dans les mêmes conditions que 30 dans l Exemple 89, à l'exception du fait au'on a utilisé le gsz Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 89, et du fait qu'on a remplacé les conditions de fonctionnement par celles représentées dans le Tableau 9 F On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographi35 que. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 89, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 98 On a formé des couches dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 89, à l'exception du fait qu'on a utilisé le gaz Si H 4/He + Si F 4/He à la place du gaz Si H 4/He utilisé dans l'Exemple 89, et du fait qu'on a remplacé les conditions de 10 fonctionnement par celles représentées dans le Tableau 10 F. On a ainsi produit un élément de formation d'image électrophotographique. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on a formé des images sur le papier de transfert selon 15 la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 89, et on a obtenu ainsi des images très nettes. EXEMPLE 99 En utilisant le dispositif de préparation représenté sur la figure 12, on a formé des couches sur un substrat cylindrique en A'I en faisant varier dans le temps le rapport des débits entre le gaz Ge H 4/He et le gaz Si H 4/He, pour former les couches dans les conditions du Tableau 11 F, en suivant la courbc de variation du rapport des débits de gaz qui est représentée sur la figure 13, et on a produit ainsi un 25 élément de formation d'image électrophotographique. On a plact l'élément de formation d'image résultant dans un dispositif expérimental pour la charge et l'exposition, et on a effectué une charge par effet couronne à ,0 k V pendant 0,3 s, suivie immédiatement par une irradia30 tion avec une image lumineuse provenant d'une source à lampe à tungstène, avec une dose de 2 lx s, projetée à travers un diagramme de test du type à transmission. Immédiatement après, en appliquant sur la surface de l'élément de formation d'image un développateur chargé positivement (contenant un toner et un élément porteur), on a obtenu une bonne image de toner sur la surface de l'élément de formation d'image Lorsqu'on a transféré vers un papier de transfert l'image présente sur l'élément de formation d'image, par charge par effet couronne à& 5,0 k V, on a 5 obtenu une image nette ayant une densité élevée, une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations. EXEMPLE 100 On a produit des éléments de formation d'image 10 électrophotographiques dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 99, à l'exception du fait qu'on'a changé de la manière indiquée dans le Tableau 12 F le rapport des débits entre B 2 H 6 et (Si H 4 + Ge H 4) au moment de la formation de la première couche dans l'Exemple 99 et le rapport des débits 15 entre B 2 H 6 et Si H 4 au moment de la formation de la seconde couche dans l'Exemple 99. En utilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 99, et on a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 12 F. EXEMPLE 101 On a produit des éléments de formation d'image électrophotographiques (échantillons nq 1301 F-1310 F, 1401 F-1410 F) dans les mêmes conditions que dans les exemples 89-98, à l'exception du fait qu'on a remplacé les conditions de préparation de la seconde couche dans les Exemples 89-98 par celles indiquées dans les Tableaux 13 F et 14 F. En utilisant les éléments de formation d'image résultants, on a formé des images sur le papier de transfert selon la même procédure et dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 89, et on a ainsi obtenu les résultats indiqués dans les Tableaux 13 AF et 14 AF. EXEMPLE 102 On a formé des images de toner dans les mêmes conditions de formation d'image de toner que dans l'Exemple 89, à l'exception du fait qu'on a formé des images électrostati5 ques en utilisant un laser à semiconducteur du type Ga As ( 10 m W) d'une longueur d'onde de 810 nm, à la place d'une lampe à tungstène utilisée dans l'Exemple 89 On a évalué en ce qui concerne la qualité des images de toner transférées les éléments de formation d'image électrophotographiques 10 produits dans les mêmes conditions que dans l'Exemple 89. Les images étaient des images nettes d'und grande qualité, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations. EXEMPLE 103 On a produit des éléments de formation d'image électrophotographiques (échantillons n 11-401 F 11-408 F, 11-701 F 11-708 F, 11-801 F 11-808 F; 24 échantillons) dans les mêmes conditions et selon la même procédure que dans les Exemples 92, 95 et 96, à l'exception du fait qu'on a remplacé 20 les conditions de formation de la couche (II) par celles indiquées dans le Tableau 15 F. On a placé individuellement les éléments de formation d'image électrophotographiques résultant dans un dispositif de reproduction et on les a ensuite évalués en ce qui 25 concerne la qualité d'image globale et la durabilité lorsqu'ils sont soumis à des opérations de copiage répétées, dans les mêmes conditions que dans les Exemples. On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 16 F. EXEMPLE 104 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 89, à l'exception du fait qu'au moment de la formation de la couche (II), on a changé le rapport de mélange entre Ar et NO, on a changé 35 le rapport des aires des cibles entre la tranche de silicium et le graphite, et on a changé le rapport de concentration entre les atomes de silicium et les atomes d'oxygène dans la couche (II) On a évalué la qualité de l'image des éléments de formation d'image résultants après environ 50 000 r:étitions d'opérations de formation d'image, de développement et de nettoyage, de la manière décrite dans l'Exemple 89 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 17 F. EXEMPLE 105 On a produit chacun des éléments de formation d'ima10 ge selon la même procédure que dans l'Exemple 89, à l'exception du fait qu'au moment de la formation'de la couche (II), on a changé le rapport des débits entre le gaz Si H 4 et le gaz NO, et on a changé le rapport de concentration entre -lé" atomes de silicium et les atomes d'oxygène dans la cou15 che (Il) On a évalué la qualité de l'image des éléments de formation d'image résultants après environ 50 000 répétitions du processus allant jusqu'à un transfert, de la manière decrite dans l'Exemple 891 On a aiinsi obtenu les résultats :ndiquéz dans le Tableau 18 F. f 77 E"PLE 100 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 89, à l'exception du fait qu'au moment de la formation de la couche (II), 5 a changé les rapports des débits entre le gaz Si 14 = le a, $i? 4 et le gaz,f et on a changé le rapport de concenQzation entre les atomes de silicium et les atomes d'oaygène dan Fs la co-uche (II) On a évalué la qualité de l'image des lents de formation d'image ésultants après environ 005 répétitions d'opérations de formation d'image, de 30 dé velop Lpement et de nettoyage, de la manière décrite dans l'Exemp Dle 89 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 19 F. EXEMPLE 107 On a produit chacun des éléments de formation d'image selon la même procédure que dans l'Exemple 89, à l'exception du fait qu'onr a changé l'épaisseur de la couche (II) On a répété les opérations de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites dans l'Exemple 89 On a ainsi obtenu les résultats indiqués dans le Tableau 20 F. Les conditions communes de formation des couches dans les Exemples de l'invention sont les suivante: 10 Température du substrat: Couche contenant des atomes de germanium (Ge): environ 2000 C Couche ne contenant pas d'atomes de germanium (Ge): environ 2500 C Fréquence de décharge: 13,56 M Hz Pression intérieure dans la chambre de réaction pendant la réaction: 40 Pa. ot Tableau In Tableau 1 A CD Uà, Constitutio Débit (cm 3 Puissance Vitesse i Epaisdes Gaz standard/ Rapport des,e eformation seur couches employés mn) débits éc rge des cou couhes arg 9 des ou-couches (W/cm 2) ches(nm/s) (pm) Couche (I) Si H 4/He= 0,O 05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 X 0,18 0,5 2 Ge H 4/He= O p 05 3/100 NH 3 NH 3/(Ge H 4 + Si H 4) = 3/100 Couche (II) Si H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 3/100 0, 18 0,5 8 Ge H 4/He= 005 XO Couche(III) Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 0,18 1, 5 10 4 4 __ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ "D Ln en un 0 s ré t O CD u- FO on c;& Tableau 2 A constitutio Débit Rapport Puissance itesse Epaisdes gaz employés (cm 3 standard/} des débits de formation seur des couches mn) décharge couches d E couches (W/cm 2 y ó(nm/s) (ym) Couche (I) Si H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 =l/o 10 018 0,5 5 Ge H 4/He= 005 4/100 NH NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) 3 = 3/100 Couche (II Si H 4/He=Or O 05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/100 0, 18 0,5 3 4 01 4, 4 = 3 Ge H 4/He= 0,05 r O Couche (III Si H 4/He= 05 Si H 4 = 200 018 1,5 10 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 5 Ln vi t I O' N V, 18 0,5 i Ge H 4/Ee= 0,05 Couche(III) Si H 4/He= O ts Si H 4 = 200 0,18 1,5 15 _ _ _ _ i _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ o Ln 0 % MN c I cn Tableau 4 là l , R, __ _,,Constitu D 6 bit Puissanc Vitesse Epaistion des Gaz (cm 3 standard/ Papport des de de forma seur couches employes mn) débits décharge tion des des (W/cm 2) çouches ouhes Couche (I) Si H 4/He= O 05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 15/100 O 18 0,5 O o 4 n% 1/100 Ge H 4/He= O 05 1/100 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 _, , ,,, ___, _, Couche (II) Si H 4/He= O 005 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = O 18 05 016 Ge H 4/He= O 05 1/100 "'O ,,,,, ___,, Couche(III) Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 200 O 18 1,5 20 4,,,, 4,, o ro Ln Ln o N CID t'a (il O bl Tableau 5 A O Cia Constitution Débit Puissanc E Vitesse Epaisdes Gaz (cm) standard Rapport de de forma seur. couches employés mn> des debits décharge tion des des (W/cm 2) couches couches _ __ ___ (nm/s),(m) Couche (I) Si H 4/He= 0/05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 1/1 O 018 0,5 0,2 Ge H 4/He= 0,05 X 14/100 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) _ _ _ _= 3/100 Couche (II) Si H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 14/100 O; 18 0,5 0,8 Ge H 4/He= O 05 XO Couche (III) Si H 4/He= O; 5 Si H 4200 0118 1,0 20 o %-W rt Ln Ln vi 0 % U 1 r O t', (A' o O ci. Tableau 6 A Tableau 6 o U 1 Constitution Débit Puissance itesse de Epaisdes Gaz (c M 3 standard Rapport des de foimation seur couches employés mn) débits décharge des des (W/cm 2) couches couches __________ __ __ _ __ _ _ _ __(nm, /s) (Uwn) Couche (I) Si H 4/He= 0105 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 2/10 0)18 0,5 2 Ge H 4/He=OO 05 45/1000 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 1/100 Couche (II) Si H 4/He= O OO 5 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 45/1000 0/18 0,5 6 Ge H 4/He=O 005 tu O Couche (III Si H 4/He= 045 Si H 4 = 200 0/18 1,5 10 4 4 1 o -à N) tn vi c." i O c Tableau ?A Lutio Débit Puissancel Vitesse paisGaz (cm 3 standard Rapport des de de forma eur employés mn) débits décharge tion des es o M ouîes t__ne(W/cm 2) m nz (I) Si H 4/He= 0/05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 =l/10 0/18 0,5 4 Ge H 4/He=O 05 % 45/1000 NH N 3 úNH 3/ (Ge H 4 +Si H 4) o =l/100 (II) Si H 4/He= 005 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = O 18 O 4 Ge H 4/He= O Os 5 45/1000 O (III Si H 4/He= O ú 5 Si H 4 = 200 O 18 1, 10 Ln Ln 0/18 O f J 1 Ln cil N) CD c: o c UI Tableau 8 A Constitution _ ébit Puissance Vitesse 'paisdes Gaz (cm 3 standard/ Rapport des de e forma Bur couches employés mn) débits décharge tion des es (W/cm 2 __ ouch Qs gou hes Couhe (I) Si 2 H 6/He= 0705 Si 2 H 6 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si 2 H 6 = 4/10 0/18 0,5 2 Ge H 4/He= O 05 % 3/100 NH 3 N H 13/(Ge H 4 +si 2 H 6) 3 -_________ = 3/100 Couche (Il) Si 2 H 6/He= O 005 Si 2 H 6 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si 2 H 6 = 3/100 0/18 0,5 8 Ge H 4/He= O O 05 O """ ' ', _ _ _,_,, iCouche (III Si 2 H 6/He= 0/5 Si 2 H 6 = 200 0/18 1,5 10 2 2 ____________________________ _______ 6 ___________________O______ __________________ ___________________ ______________ o Oa ru Ln Ln I-a V.l 0 %ë t" lu C)f to o Tableau 9 A Constitution Débit Puissance Vitesse Epais I des Gaz (cm 3 standard Rapport des de de forma saur couches employés n) 'débits décharge tion des des _ (W/em 2) Foucs ? Foluîheoi Couche (I) Si F 4/He=O O 05 Si 4 F+ Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si F 4 = 4/10 8 05 2 Ge H 4/He= 0/ 05 3/100 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si F 4) = 3/100 Couche (II) Si F 4/He= O 05 Si F 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si F 4 = 3/100 O 18 0,5 8 Ob O Ge H 4/He= O 05 Couche (III) Si F 4/He=O O; 5 Si F 4 = 200 O 18 1,5 10 i _________________________ ___________________________ __________________________________ _____________ O __ _______ 18 _________ _____________ -à VI vn tn v N E, o cableau A Tableau 10 -. CD cul Constituti Débit Puissance Vitesse Epaisdes Gaz (d st Rapport des,de de forma saur couches employés t(cm 3 standadbt ehae tion des des _ _ _ _ches des Couche (I) Si H 4/He= O; 05 Si H 4 +Si F 4 + Ge H 4/(Si H 4 +Si F 4) Si F 4/He= 005 Ge H 4 = 50 = 4/10 % 3/100 0/18 0,5 2 Ge H 4/He= O O 5 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4 NH 3 +Si F 4)= 3/100 Couche (II Si H 4/He= O 005 Si H 4 +Si F 4 + Ge H 4/(Si H 4 +Si F 4) 0/18 0,5 8 Si F 4/He= 0/05 Ge H 4 = 500 = O ' Ge H 4/He= O 005 _ _Couche ( Si H 4/He= 075 Si H 4 +Si F 4 = 50 018 1,5 10 Si F 4/He= 0/5,, o o CD Ln t Jl VI os N t'Io t IN cru O fn 1-* Tableau l IA Conzt-itutin Dél t Puissance Vitesse de des Gaz /, Iapport des e fraio N des Couches employ 6 e ardmn débit 8 d 6 charge(W/em couches nm/s) L 'en 4 LMS Troisième Si H 4/Hie= 5 Si H 4 = 200 B 2 H/Si H 4 = 4 x 11 O 18 15 couche B 2 II 6/H= 10-3 Tableau 119 AA No' d'échan 1101 A 1102 A 1103 A 1104 A 1105 A 1106 A 1107 A 1108 A 1109 A 111 OA t 11 lon tilion __ _ _ _ _ ___ _ _ _ _ Id;nti i tdntiî t Ielen- ti Identi_ Identi' Identi Identi Identi IdentiPre Omi e que & que A u que aue à que a que que a que a couche 'exempl 1 exem e m exem_ 1 'exem 1 ' exem 1 'exem i 'exem 1 ' xem 1 'exem 1 ple 2 le 3 le ple 5 ple 6 pie pie 8 pe 9 e 10 Lpoisaeur 3 ieme 10 10 15 20 20 10 10 10 10 10 couche (FunEvalua o Ex Tal u ç O o@ @ @ o o o o _trion_ o % O ul Ni Un o% o 1-. C Ub Tableau 12 A 0 onstitution D Pbit Pisance de Vitesse de des Gaz (cm 3/sts u_" Rapport des ' d acerde o Vmtion de couchee employés dard/mn) débite décharge lîormation des -______ _______ Tableau 12 AA Na ' d'échan 1201 A 1202 A 1203 A 1204 A 1205 A 1206 A 1207 A 1208 A 1209 A 1210 A tillon _ _ __ _ Première Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identicouche que & que à que a que A que à qu e à q u e à q ue a q ue à u 1 exem 1 ' exem 1 ' exem 1 ' e 'exem ' exem 'exem 1 ' exem ' e'exemple 1 Pe 2 ple 3 ple 4 ple 5 ple 6 ple ple 8 ple 9 ple 10 Epaisseur 3 oime 10 10 15 20 20 10 10 10 10 10 coucne Evalua tion, : Excellent O: Bon r% 3.n t J Ln o' NY (JI O en a Tableau 13 A Constitution Debit Puissanoe Vitesse Epais des Gaz (cm 3 standardl Rapport des de de forma seur couches employés mn débits deécharge tion des des (W/cm 2) couchs ouhes Couche (I) Si H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 O 0018 0,5 2 Ge H 4/He= 0/05 NH 3/Si H 4 = 4/10 NH 2/100 Couche (II) Si H 4/He= O; 5 Si H 4 = 200 NH 3/Si H 4 = 2/100 A O O; 18 1, 5 2 NH 3 Couche (III) Si H 4/He=O 5 Si H= 200 018 1515 SH 4/H= 200; 1,, 5 Ma U Ln Ln Un O ci t'O o e-n cai o Tableau 14 A Constitution D 6 bit Eỉssan Vitesse EpaisPuissan OE Vitesse Epaisdes Gaz (cm 3 standard/ Rapport des de de forma seur couches employés mn) débits décharge tion des des (W/cm 2) couches 1 Couche (I) Si H 4/He=O O > 05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 O O 18,5 1 Ge H 4/He=O 05 NH 3/Si H 4 = 1/10 NH % 5/100 Couche (II) Si H 4/He= 015 Si H 4 = 200 NH 3/Si H 4 = 5/100 r 18 15 1 NH 3 Couche 3 (III 4; O 18 1,5 18 Couche (II Ii Si H 4/He= 0/5 Si H 4 = 200 0/18 1,5 18 _, r% 3 Ln Un Vl c'a F D tn O CA ea'bleagb 1 B Ai n, _ vva"Q % L t Ution des couches i Gaz empioy 76- Me V 1, r. ('Ac 3 standard/mn, l Rapport des débits éuissanc Vitesse B'pais |, de formation I seur d,c, har Se des cou des -_l _ _, t W emar ches ç(nm/s Qhes I Couche ( 1) i Si H 4/IHO 105 SI H 4 +Ge 14 Ge H 4/Si H 44/10 OoucheP (I) SH/=O" 4 4 441 l' Ge H 4/He= 0/ 05 = 50 i Ge H 4/e 105 = 50 B 2 H 6/( Ge H 4 +Si H 4)= 3 x 10-3 O} 1 8 1 B 2 N 6/He= 10-3 4-200 H NH 3 ______NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 Couche (I Il Si H 4/He= 05 Si H= 200 018 15 19 _Tableau 2 B _onstitu- rmm) tion des couches O&*ployés (cm 3 standard/mn) apport des débits Puissanoe ?de dchar e (W/cm 2 Vitesse de formation des çouches(nm/sl Àpuisseur e couches ( m) Si 74/le= O 05 Si H 4 +Ge H 4 C'e/S, l H 4 = 1/10 % O Couche ( 1) Ge H 4/He= O; 05 = 50 Couche B 2 H/He= 10-3 5 B 2 H 16/(Ge H 4 +Si H 4)=/10-o 3 | NH 3 NH 3/(Gek H 4 +Si H 4)= 1/100 Couche (Il Si H 4/îe= O 5 Si 4 = 200 tn u 1 Ln ol N tn O b cn CD. J' Tableau 3 B constitu Débit Puissanc Vitesse Epaistion des Gaz (cm 3 stan Rapport des déer e de orma seur couches employée dard/mn) d 6 blts d e fioradesdesr (W*t/cm 2 $_ou 2 hs ouhes Couche ( 1) Si H 4/He = 0 05 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 % 2/1000 Ge H 4/He= O 005 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4) x 3 18 2 B 2 H 6/He= 10 -3 4 4 ill BNH NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)= 1/100 _ H,,, _ ,, , __,_ ,Couche (II) Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 200 _f 18 155 Tableau 4 B Constitu Débit Puissana Vitesse d úpaistion des Gaz (cm 3 stand Rapport des de formation seur d couches employés dard/mn) débits déchare d OU ouches _ (W/em 2 l ches(nm/sm (lum) Couche (I) Si H 4/He= O 05 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 = 15/100 ' O 018 0,5 1 Ge H 4/He= 005 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 xl O-3 B 2 H 6/He= 10-3 2 NH 36 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)= 2/100 NH_ 3 _ 4 _ Couche(II) Si H 4/He= O > 5 Si H 4 = 200 0/18 1,5 C o u c h e ( I I) 15 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _,,,,,,,,,,, ,, ,,,,,,, 1, 5 1 r'> L Ml t A u N Ln o' r M t Iv cn CD ci Tableau 5 B constitu Débit Puissance Vitesse d Epaistion des Gaz (cm 3 stan Rapport des d, r formation seur do couches employés dard/mn) débits cmge des cou couches Couche (I Si H 4/He= 0105 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 = 1/1 5/100 018 0,5 1 Couche Ge H 4 /H e = 8 0,05 = 5 Ge H 4/I He= O 5 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 xl O 3 B 2 H 6/He= 10-3 NH 3 NH 4/(Ge H 4 +Si H 4) = 2/100 Couche (II) Si H 4/He= O 05 Si H 4 = 200 018 1,5 15 Tableau 6 B Constitu Débit P uissance Vitesse d Epaistion des Gaz (cm 3 stan Rapport des, de formation seur de couches employés dard/mn) débits écharge des cou couches ( _ _ l 'cm 2 _ chs(_m/s) (pim) Couche (I) Si H 4/He= 0)05 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 '-2/10 O 0 18 0,5 1 Ge H 4/He= 0105 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3/103 B 2 H 6/He= 10-3 NH 32 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)= 2/100 Couche (II) Si H 4/He= 05 Si H = 200 18 1, 5 15 C u e I)I 4 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ O _ _ 18 1,5 r%) Ln ui Ul N c' cil o ui o T 2 ableau 7 B constitu Debit Puissanoe Vitesse d Epaistion des Gaz (cm 3 stan Rapport des, de formation seur de couches employés dard/mn) débits (W/cmha) r es cu cochs (W/cm-) ches nmli P Couche (I) Si H 4/He= 005 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 =l/10 b O Ge H 4/He= O r 05 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 l O 3 O 18 0,5 1 B 2 H 6/ Tableau 8 B Constitu Débit Puissanoe Vitesse d Epaisti o N dcag des co-aouhe tion dstt Gazébistan Rapport des de formation seur des couches employés dard/mn) débits (W/cm 2) ches(nm/s '. Couche (I) Si 2 H 6/He= O 05 Si 2 H 6 +Ge H 4 Ge H 4/Si 2 H 6 = 4/10 O Ge H 4/He= O 05 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si 2 H 6)3 xl O 3 018 0,5 1 B 2 H 6/He=-10-3 N BNH / 3 1 NH 3/ (Ge H 4 +Si 2 H 6) = 2/100 NH 3 Couche (II) /He=O 5 Si 2 H 6/He H= 200 018 1,5 19 Couche (II) S 2 6 018 2,1 ru Ln Un Ln 0 % ru rt a Ui Tableau 9 B Oonrlsti tu Ibit Puissance itesse d paisecazm 3 standard Rapport des de xnnation eur ti Lon des Gaz, Ae) 113 tandaxnd} Rapport des décharge es cou es couches empl Go;ys mn) dbitfd(W/cm 2) escoches (W/cm 2) hs bouches li.__ ___ _______e_ _ _ _ ___ __ hs/) (mm) Couche (I) Si Z 4/He= O 05 Si F 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si PF 4 = 4/10 O X O; 18 0,5 1 Ce H 4/He= O 05 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si F 4) B 2 H 6/He= 103 = 3 x 103 NH 3 NH 3/(Ce 14 +Si F 4) __ou____he_ (II) ___ si 4/H_ 4 = 1/100 Couche (II) Si H 4/He-O 1 Q O Si 4 = 200 0/18 0,5 19 Ln Ln ul N' M, e', ri Cn VI c Ji Tableau 10 B )onstitu Débit Puissance Vitesse Epaistion des Gaz (cmsande de forma seur oouches employes mn) débits decharge tion des des _couches (Wi/cm 2) c Ouches couches Couche (I) Si H 4/He=O 05 Si H 4 +Si F 4 + Ge H 4/(Si H 4 + Si F 4) _Si F 4/He O_ 5 Ge H 44 = 50 O = 4/10 % O 0118 O 05 1 Ge H 4/He= O 05 B 2 H 6 (Ge H 4 +Si F 4 + 42 H 6/He= 10 3 Si H 4)= 3 x 10-3 B 2 H 6/He= 10 T 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4 + N,3 Si F 4)= 1/100 Couche (II) Si H 4/He= O 5 Si H 4 +Si F 4 = 200 O 18 0,5 19 Si F 4/He= O 5 ' c" M n L Vn tn 0 % r tc Oil 0 n n Tableau B Tableau 11 B an U# Constitu Débit Puissance Vitesse Epaistion des Gaz (em 3 standard/ Rappot des de de forma seur couches employé mn) débits W/cm 2) tion des Ues (W/cm 2) couches c e Couche (I) Si H 4/He= O; 05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 O 0/18 0,5 1 Ge H 4/He= O 005 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4) B 2 H 6/He= 10 3 = 3 x 103 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/l O O Couche (Il) Si H 4/He= 0/5 Si H 4 = 200 0/18 1,5 19 -B 3 B 2 H 6/He= 10 Lfl Un n O o, e J c ui Tableau 12 B N 1201 B 1202 B 1203 B 1204 B 1205 B 1206 B 1207 B 1208 813 d'échantillon Rapport des débits B 2 H 6/SH 4 lxl O 2 5 x 10-3 2 x 10-3 lx 10-3 8 x 10-4 5 x 104 3 x 10-4 lxl O 4 Concentration en B (rapport atomique lx 104 6 x 103 2,5 x 103 lx 103 800 500 300 100 en ppm) Evaluation o o O O o : Excellent o: Bon n un Ln 0 % t M _ p. Tableau 13 B Cs 4 tutfz Raportdes Pui S Sance de Vitesse de fordes couches employs (m stj déb Pts d 6 charge mation des coudes couches emljrd/m 3 tn)_ déits (W/cm 2) ches (nm/s) Souche Si H 4/He=O) $ Si H 4 = 200 B 2 H 6/Si H 4 = 8 xl 0- Leconde J t 5 0, 18 |t 1,5 couche B 2 H 6/He= 10-3 4 -Tableau 13 AB N' d 'échan, tillon 1301 B 1302 B 1303 B 1304 E 1305 B 1306 B 1307 B 1308 1309 B 1310 B Premîiren I:denti Id lent Identi Tdont Identi Identi Identi Identi Identi IdentiPremire que que a qe qe u 9 que & que que que & que à que à couche 1 ' lexem 1 ' exem 1 'exem 'leeem l ' exem 'exem exem 1 ' exem 1 ' exem 1 ' exemple 16 pie 17 pie 18 ple 19 pie 20 ple 21 ple 22 ple 23 ple 24 ple 25 Epaisseur de la se 10 10 20 15 20 15 l B 10 10 10 conde cou ___ __ _i _ __ __ __,_. r' à ro Ln u 1 ul r 1 Exce 11 ant w t- Tableau B Ta bleau 14 B * E Ci ______ _ 'ableau 14 AB N d'échan _ _ ___tillon 1401 B 1402 B 1403 B 1404 B 1405 B 1406 B 1407 B 1408 B 1409 B 1410 B , _ ,",, _, Première Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identicouche que q queà que que ue que que que que que 1 'exem 1 ' exem 1 ' exem 1 'exem 1 ' xem-exem 'xem 1 'exem 1 ' exem 1 ' exem 1 'exemple 16 ple 17 ple 18 ple 19 ple 20 ple 21 ple 22 ple 23 ple 24 ple 25 Epaisseue de la se 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 conde couche (pm) Evaluation o O j _,,_, ,,,_ - ra A tu : Excellent o: Bon l C (il Tableau n Tableau 1 C ___ ___ ___ ___ ___= 3/100 Seconde r Sgion Si H 4/He= O; S i H Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 3/100 0/18 0,5 8 de 4 j couche Ge H 4/He= O; 05 8 O 3 ième Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 200 O 18 10 4 1 4 = 1,5 re gon|. couche Couche (II) Si H 4/He= 0,,5 Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 O 18 1,0 0; 5 C 2 H 4 -.% ro Ln Ln u 1 vi q o' r> o t'a a Tableau 20 o Ca Constitu Débit Puissanoe Vitesse de Epaistion des Gaz (cm 3 standard/ Rapport des de formation seur d couches employés mn) débite décharge des cou couches (W/cm 2) ches(nm/s) (pm) Pre Si H 4/He=O 105 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 O 18 0,5 5 mitrei couche -e H 4/He= 0,05 4/100 H NH 3 NH 3/ (Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 2 Seconde Si H 4/He= O y 05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/100 % O O; 18 0,5 3 couche couche Ge H 4/He= O; 05 3 ième couche Si H 4/He=O 5 Si H 4200 '0; 18 1,5 10 D Ln Ln Ln 0 % ry a- Ca >- i Tableau 30 Conatitu D 2 bit Puissance Vitesse Epaistion des Gaz {cm 3 standard/ Ra pport des d e de forma seur d 6 cgarge deiorm-su couches employés m) débit care tion des des (W/cm 2) couche couches :emière Si H,/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 O 18 0,5 1 couche Ge H 4/He= 0,/05 X 4/100 HNH 3 EH 3/(Ge H 4 +Si H 4) __ = __ _ 33/100 8 Seconde Si H 4/He= O Y 05 Si H 4 t+Ge H =z 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/100 O 18 0,5 couche C Ge H/He= O 05 3 iême Sil H 4/He= O 05 Si H 4 = 200 O 18 1, 5 15 couche r Na Ln in Lii 0 c r M Tableau 40 "- cn 5- Constitu Débit P Uissam t Vitesse -$pais. iondst u Gaz Dbt Rapport des d tion des Gaz (cm 3 standard Rapport des de de forma seur couches employés mn) débits décharge tion des des _j _ (W/cm 2) couches cue Premièr Si H 4/He= O j 05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 15/100 0)18 O 05 04 couche 104 Ge H 4/He= 0)05 1/100 H NH 3 NH 3 (Ge H 4 +Si H 4) v____ _ = 3/100 S Seconde Si H 4/He= O 05 Si H 4 +Ge H 4-50 Ge 4 si H 4 =/0 o 18 5 O/ 6 couche 51 H 4/ e-, Ge H 4/Si H 4 =l/100 '% O 0)1 O,5 O Ge H 4/He= 0)05 3 ièrme Si H 4/He=O:5 Si H 4 = 200 0,18 1,5 20 _ _ couche -1 ru' 7 ' Ln tn Ln Os Na o' t O 1 cn t'O o Tn Tableau 50 O Cn Constitution Débit Puissance' Vitesse Epaisdes Gaz (cm 3 standard Rapport des, de de forma seur couches employés /mn) débits decharge tion des des (W/cm 2) couhe Pre Si H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = O 18 5 02 mière 0)1 couche Ge H 4/He= O 05 1/1 '14/100 H H NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) NH 33 4 4 3/100 O o Secondé Si H 4/He= 0105 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 14/100 018,5 0,8 couche Ge H 4/He= 0,05 O 3 ieme Si H 4/He =O 5 Si H 4 = 200 O; 18 1,5 20 couche c'O ul o' N 1 Ul en Ol t O cn o tableau 60 Constitution Débit Puissance Vitesse Epaisdes Gaz (cm 3 standard/ Rapport des de de forma seur couches employés mn) débits déc arge tion des des (W/cm 2) couches couches __ __ __ _, (nm/s) 4 m Pre Si H 4/He= O 005 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 + 2/10 O 18 05 2 mitre 2 mière 45/1000 couche Ge H 4/He=O 05 45/1000 H NH NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) m-, = 1/100 Seconde Si H 4/He 0-05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Sii I 4 O O; 18 0,5 6 Se o d Gi H 4/S He=/0 o couche 45/1000 \ O Ge H 4/He= O; 05 3 ième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 018 1,5 10 couche 0 r oe INQ Ln tn Ln os I b-. Zn O a-. 2 ableau ?C Constitut ion 1 Lbit Puissane Vitesse Epaisdes Gaz (cm 3 stan Rapport des de de forma seur couches employés dard/mn) débits décharge tion des des couches 1 j(W/cm 2) couches c 9 ucbes Pre Si H 4/He= 0; 05 i H 4 +Ge H 4 = 50,8 0, Pire SH He O O SH Ge 40 Ge H 4/Si H 4 =l/10 0118 0,5 4 mière I 45/1000 couche Ge H /H Ie=Ot O 5 '4/00 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) __ __ __ __ __ __ __ __ _ 1/100 S Seconde Si H 4/Ha= O ? 5 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 45/1000 0 18 0,54 couche Ge H 4/He=,0 05 ? w couche Si H 4/He=O 5 Si H 4 = 200 * O 18 510 couche 1 r', LM O' r N C) O; l. C c cn Tableau 8 C i __, Constitution Débit Puissance Vitesse paisdes Gaz (cm 3 stan Rapport des de de forma seur couches employés lee de forma Beur eÀh mployes dard/mn) débits décnarge tion des des c(W/cm 2) ouqh couches _ nm/s 2, ó) Pre Si 2 H 6/He= O 05 Si 2 H 6 +Ge H 4 Ge H 4/Si 2 H 6 = 0) 18 5 2 mitre 09 î couche Ge H 4/He= 01 00 4/10 u 3/100 4-He= 0/03 I-50 NÉ 3/ (Ge H 4 + Si 2 H 6) N 3 = 3/100 Seconde Si 2 H 6/He= O 05 Si 2 H 6 +Ge H 4 Ge H 4/Si 2 H 6 = O o 18 0,5 8 couche Ge H 4/le= O O 05 = 50 3/100 O 3 ième Si 2 H 6/He= O 5 Si 2 H 6 = 200 o 18 15 O couche I _- 1,5 ' t _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _/1 _ r% t A Ln Ln Ul o N CN t O O 1 t O o c 1 o Cn Tableau 90 Constitution Débit Puissanoe Vitesse Epaisdes Gaz (cm 3 standard Rapport des décr de forma seur couches employes mn débits dl/re tiondes des (W/cm 2) couch S cguces Pre Si F 4/He= O 05 Si F 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si F 4 = 4/10 O 18 0,5 2 mière 3100 counhe Ge H 4/He= O; 05 NH NH 3/(Ge H 4 +Si F 4) = 3/100 Second E Si F 4/He= 0105 Si F 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si F 4 = 3/100 018 0, 5 8 o couche O Ge H 4/He= 0105 3 iême Si F 4/He= 015 Si F 4 = 200 O; 18 15 10 couche 1-. ha Ln LA Lni 0 % w o tn o cli Tableau 100 Constitu Débit Puissanoe Vitesse Epaistion des Gaz (cm 3 standarr/ Rapport des e e de forma seur couches employés mn) d Pbits ecag tion des des (W/cm 2) Fuh 8 CU ?ochs equbs Pre Si H 4/He Or O 5 Si H 4 +Si F 4 + Ge H 4/(Si H 4 +Si F 4) O; 18 0,5 2 miére =A/10 % 3/100 couche Si F 4/He= O r 05 Ge H 4 = 50 Ge H 4/He 00, )NH 3/(Ge H 4 +Si H 4 + Si F 4)-3/100,, NH 3 __HNH H 3 Secondé Si H 4/He= O 005 Si H 4 +Si F 4 + Ge H 4/(Si H 4 + Si F 4) 018 0,5 8 t> ouche couche Si F 4/He=O 05 Ge H 4 = 50 = 3/100 \ O Ge H 4/He= O 005 3 ième Si H 4/He= 0,15 Si H 4 +Si F 4 = 200 O 18 1,5 10 couche Si F 4/He= O 05 4, VII Ln r N j- Uableau 110 Constitution Gaz des couches employe& ouche 3 i&me Si H 4/He-=C (I) couche B 2 H 6/He= 1 -3 *_ 1 - Tableau 1 IAC d' échan ll Ol C 1102 C 13 C 104 C 1105 C 1106 C 1107 08 C 9 C lll Oc Première Idonti Identî Ilde Lyi Idellbi t Identi Identi Identi V Identi Identicouche qqu a Quo, que & que & Que & que & que & que& que A l'exem Ix l'exem 1 exm i O exem I 'exell l'exem 'exem 1 'exem l'exemple 29 pie 30 ple 31 ple 3 _ pe 3 pie 34 ple 35 ple 36 ple 37 ple 38 Epaisseur de la 10 10 15 20 20 10 10 10 10 10 cu _ im ____ ______ ____ ____________ _____ _______ieme 100 Evalua O tion o o O O O O _t Excellent O:,Bon Ln N 0 % ri o I- C cn tableau 120 Constitution Gaz ébit R apport des Pissance de litesse de forcouc A _ employées dd(cm 3 stan hadébit t s employés dard/mn) À ME__i _ o ds ouuche 3 ième Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 200 PH 3/Si H 4 =-2 x 1 O-5 O 18 1, 5 (I) couche PH 3/He= 10-3 4 _ 3 _-_ 4 Iableau 12 Aó d ' échan 1201 C 1202 C 1203 C 1204 C 1205 C 1206 C 1207 C 1208 C 1209 C 1210 C tillon Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identi IdentiPremière que a que que a que à ue A que à que a que A que A que A couche 1 'exem l'em 'em exem 1 'exem l'exem exem l'exem l'exem l'exemle 29 ple 30 pie 31 pie 32 pi 33 ple 34 ple 35 ple 36 ple 37 ple 38 Epaisseur e la 10 10 15 20 20 10 10 10 10 10 ième ouche( pm) __ __ Evaluation O O O _ @_ r% 3 tn Ln o' u 1. ru $: Excellent o: Bon vîJ t' o c Tableau 1 Tableau 130 on C 5 onstitutio Débit Puis Vitesse Epaissance de de forma seur des Gaz (cm 3 standard/ Rapport des ar de e couches employés mn) débits (W/cm 2) couchartion des de (W/em 2)couches CU' (nm/s) Pre Si H 4/He= 0105 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 3/100 O 0,5 2 mirouhe Ge H 4/He= O 005 NH 3/Si H 4 = 4/10 NH NH 34 2/100 NH 3 HR _ _ _ _ __ _ __ _ __ _,_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ C Second Si H 4/He= 05 Si H 4 = 200 NH 3/Si H 4 = 2/1000 O; 18 1,5 2 0 couche NH 3 3 ième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 O 18 1,5 15 couche _ N 3 r'> Ln UL _n u, co in o ableau 1 4cil Tableau 140 o Constitution Débit' Puissan Vitesse E paisdes Gaz (cm 3 standa Z Rapport cies ce de de forma seur couches employés débits decharge ti On des des h (A/c 2) couches _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ __ _ _ _ _ (nm/ s) w pre_ Si H 4/He= 0705 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 % O O y 18 0,5 1 mière couche Ge H 4/He= 0/05 NH 3/Si H = 1/10 NH 5/100 H _ _ _ _ _ _ _ ___ _ _ _ _ _ _ _ __ _ _ _ |Second Si H 4/He= O; 5 Si H 4 = 200 NH 3/Si H 4 = 5/100 X 0018 1,5 couche NH 3 3 ième couche Si H 4/He= O; 5 Si H 4200 O '18 1,5 18 I__ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _' O; 1 1, 518 a N ru u 1 N P. b- cn p- Tableau 150; conditions a condit Rnpport -des débits Puissance de Epaisseu 7 12-10 oydar o; t r u mrapport, des aires d ar des cu _ Iches (,,_)_12-1 C A_ 200 'Ir che $Si À graphite _ ____ ___ O p 5: 9 5 12-2 C A Pr 200 remche Si: graphite _ _ _ _ __ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 3 o, 3 12-3 C Ar 200 trache Si: graphite O 3 1 O = 6 -' 4 12-4 C Si 14/He= 1 S:I = 15 Si H 404 96 18 O 3 __________ 4 _ C 2 H 4 = O; 4 9; 6 12-5 C Si H 4/He= 05 Si H 4 = 100 Si H 4:C 2 H 4 = 5: 508 15 12-6 C Si H 4/He= O p 5 Si H 4 +Si FA Si H 4:Si F 4:C 2 H 4 O 18 O 5 Si F 4/He= 07 5 = 150 = 1 5: 1 5: 7 = ____ 1 _S; C 2 H 4 12-7 C Si H 4/He= O; Si 4 +Si 4 Si H 45 SF 4:C 2 H 4 Si H 4 +Si F 4 SH:SF CH Si H 4/He= 05 = 5 C H C 24 Si F 40 150 = 3 3:4 C; 2 RH _ _ 4 -à rg) Ln Ln ob Tableau 160 Conditions de for l NI mation e la cou d'échantillon / Evaluation 12-401 C 12-701 C 12-801 C _ 1 O 10 010 12-402 C 12-702 C 12-802 C 12-2 C 3 0 o O O O 12-403 C 12-703 C 12-8030 12-3 C o o o o ojo 2-4 o 12-404 C 12-704 C 12-8040 12-5 12-405 C 12-705 12-805 C _ _ _ _ _ _ O @ O O @ O@ J 12-406 C 12-706 C 12-806 C 12-60 1 12-40570 12-70570 12-80570 12-570 12-4080 12-706 C 12-80680 1 2-4070 12-7070 12-8070 _ c 1 l I I 12-408 C 12-708 C 2 E 08 * 12-80 C O o o O O o 13 o _ __ _o__ __o_ __ _o No d 'échantillon Evaluation globale Evaluation ité de l'image idurabilité Niveaux d'évaluation Excellent o Bon t O o 9- cn Tableau 170 NO 'c nln 1301 C 1302 C 1303 C 1304 C 1305 C 1306 C 1307 C d 'échantillon Si: C (rapport des aires 9: 1 6 5:3; 5 4: 6 2: 8 1: 9 O; 5:9; 5 0; 2:9,8 des cibles) Si:C (rapport de 907:0; 3 8; 8:1; 2 7; 3:2,7 4; 8:5; 2 3: 7 2: 8 0; 8:9; 2 (rapport de 'y. concentration) __, Evaluation de la qualité de l'image A o o A x _O no : Très bon o: Bon A: Suffisant pour l'utilisation pratique x Formation d'un défaut dans l 'image Ilu Ln on.=% ten w t', n Tableau 180 Tableau 180 c O cp N O d'échantillon 1401 C 1402 C 1403 C 1404 C 1405 C 1406 C 1407 C 1408 C Si H 4: C 2 H 4 4 24 (Rapport des débits) 9: 1 6: 4 4: 6 2: 8 1: 9 0/5:915 0/35:9/65 0/2:9,8 si: c (rapport de 9: 1 7: 3 3/5:4; 5 4: 6 3: 7 2: 8 1; 2:8,8 08:9; 2 concentration) Evaluation de la A o o qualité de l'image : Très bon o: 'Bon A: Suffisant pour l'utilisation pratique x: Formation d'un défaut dans l'image ri J UL Ln % 1 Ul J, cnl NI CD I'ableau 190 L 1 C 1502 e 1503 C 1504 C 1505 C 1506 C 1507 C 1508 C d'échantillon Si H 4: Si F 4: C 2 T 4 :4:1 3:3 t 5 2:2:6 1:1:8 0,6:0; 4:9 0 2:0,3 0 ? 2:0; 15 O; 1:0; 1 (rapport des débits 35:9596598 :375:9 ; 5 :9 j? 65 :9218 Si: C (rapport de 1 7 3 55:45 4: 6 3: 7 2: 8 12: 8 08:92 concentration) Evaluation de la qualité de l'ima O o : Très bon o: Bon A: Batisfai ant en pratique x:Formation d'un défaut dans l'image 0 % 1 un u' Ul N% Tableau 20 C g'oh Epaisseur de d 'échanla couche (II Résultats tillon (pm) '161 C 0, 001 Défaut de l'image susceptible ___ O ___ r O d' apparaître 1602 C 0102 Aucun défaut de l'image en 000 répétitions i 1603 C 0,05 Stable Sur 50 000 répétitions 1604 C 1 Stable sur 200 000 répétitions I 20 w CD Ca Tableau 1 D o Constitution des couches Gaz employé s Débit (cm 3 standard/ mn) Rapport des debits Puissance Àe décarge (W/cm 2) Vitesse de formation des couches (nm/s) Epaisseur des couches (Pm) miere couche Si H 4/He= O 005 Ge H 4/He= 0, 05 B 2 H 6/He= 103 NH 3 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 O % B 2 H 6/ (Ge H 4 +Si H 4) = 3/10-3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 0 18 0,5 e H o o a I 1 Seconde couche Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 200 0; 18 0, 5 Si H 4/He=, 5 Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 O 18 1,0 O 5 Couchie (II) C 2 H _C 2 H 4 Ln Ln ul l%) 0 J 1 k li 3 Tableau 2 D k 1, sa i Constitutior des couches Débit (cm 3 Gaz employés standard mn) Rapport des débits PUis 8 anlce e décgarge (W/cm 2) formation des couches (nm/s) Epaisaseur des houches flim) I _ I i I H V o Première couche Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/He= 0705 B 2 H 6/He= 10-3 NH 3 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 % O B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4) =lx 10-3 NH 3/l(Ge H 4 +Si H 4) = 1/100 0 > 18 0,5 i 1 1 t I 1 01 1,5:i T-_ Second{ couche I Si H 4/He=O 005 Si H 4 = 200 0/ 18 1,5 t I _______________I_________________ 1 _________ ______ Ul '%; M vi t O 1 cn J rs CD O p-. 1 ? i - _ des couches Gaz omplo Y (cmdstnfl (d M 3 atran dard/br Rpport des débitrt Puissance de d 6 chare (W/cm 1 Vitesese epaisformation sour des ou des couches(mn/ ches( 1) 1 r i I H w. o la Premiêre couche Si H 4/He= O f 05 Ge H 4/He= O y 05 E 2 H 6/He=i 0-3 Ni H 3 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/10, 2/1000 B 2 H 6/(e H 4 +Si H 4)=lx 110-3 NH 3/ (Ge H 4 + Si H 4) l/100 0,5 T T L Seconde couche Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 200 0 18 1, 5 __ _______,, Tableau 4 D___ constituat:Lî Débit puîsiance Vitesse de pais I de formation/ eur des S (cm sta p des dcharge de scou ormaes cou couchso employée dard/n) d 6 bi (W/cm 2 h) chg de O/ Pre Si H 4/He= O; 05 Si H 4 +Ge H 4 Ge 4/S-i 15/100 _ O mitre 01 H 8/H= O 05 = 50 couche Ge H 64/He= 05 50 B H /(Ge H 4 +Si LH 4)= 3 x 103 0, w NH 3 i _ NH 3/(Ge H 4 + Si H 4)= 2/100 Sco de Si HN/He=O 5 Si H 4 = 200 0,18 1,5 15 U 1 un Ln -n o,' m N U 1 % O% : c ci F Tableau 5 D IC;n A titu N * * I ' des couches Gaz employés Ae Dll; L)oi t cm etanâara/mn Rapport des d Sbits Puissance décltrge (W/cm 2) Vitesse de formation des coughes, Epaisseur des couches Pre Si H 4/He=Or 05 Si H 4 + Ge H Gee 4/Si H 441/1 " 5/100 mière Ge couche e H 4/He= 0105 = 50 B 2 H/(Ge H 4 +Si H 4) 3 O 18 05 1 B 2 H 6/He= 10-3 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 2/100 O Seoonde Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 200 0) 18 15 couche 41,5 15 Tableau 6 D Constitutio _ Débit rt Pissanceites Q d E apaisdes Gaz (cm 3 stan Rapport des dche formation seur couches employés dard/Ma) débita e des cou des dard/mu) deit W/c. (W/CM 21 hes Oîhs Pre Si H 4/He= O 005 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 = 2/10 O 018 5 mière À 0/18 H 0, H couche Ge H /He=O 05 = 50 3 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 x 103 B 2 H 6/He= 10NH 6 NH 3/ (Ge H 4 +Si H 4) = 2/100 NH, 4,,,,,, 4 Seconde Si H 4/He=O 5 Si H 4 = 200 0/18 1,5 15 touche l fla Ln tn tn c 0 o o e Tableau ?D iei Cons itutionl des couches Gaz employés IDébit (cm 3 standard/mn) Rapport des débits décger e (W/cm 2) W Itesse d E formation des cou?hes, (nm/s Epaisseur des co Uhes (um Pre Si H 4/He= 0105 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 = 1/ 110 O 5 J mière O; 18 0,5 couche Ge H 4/He= 0105 t 50 B 2 H /(Ge H 4 +Si H 4)= 3 xl O 3 t B H 6/He= 10 c) B 2 H 6/He= NH 3/(Ge H 4 + Si H 4)2/100 e e S 3 _____ _ I __v _eondce Si H 4/He= O 5 Si H 4200 018 5 15 couche 4 4 r _Tableau 8 D Constitution Débit Tsabetessea Epaisdes Gaz (CM Rapport des de de forma seur ds Gz(m 3 tn Raprt des charge tion des Ides/ couches employés dard/mbit débits /2 d W/cm 2) nm/s) film e Pre Si 2 H 6/He= 005 Si 2 H 6 +Ge H 4 Ge H 4/Si 2 H 6 = 4/10 o mière Ge H 4/He= 005 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si 2 H 6)= 3 x 110-3 0,18 05 1 couche B 2 H 6/He 10-3 NH 3 3/(Ge H 4 +Si 2 H 6)= 2/100 c) _ ________ ___________ Seconde Si 2 H 6/He= O 5 Si 2 H= 200 O 18 15 19 couche 26 2 e r'. Ln ul Ln Go r> t'a bà ui Q cil o cilb b C Cn Tableau 9 D Constitution Débit Puissanc E Vitesse EpaisCntiution Q D sbitandar Rapport des de forma-seur des eaz yé(cm 3 standard d te tion des des couches mploys mn) (W/cm 2) ouh cuces Première Si F 4/He= 0105 Si F 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 % O O 18 05 1 Hcouche Ge H 4/He= 0,05 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si F 4)= 4 e 2 6/(e 4 +i 4) -3 3 x 10-3 0, l B 2 H 6/He= 10 NH 38 NH 3/(Ge H 4 +Si F 4) = 1/100 Seconde Si F 4/He= 0105 Si F 4 = 200 O > 18 0,5 19 couche 4 _ _ ___I 1 l _ - or Ln oh ul 0 ' Ct Tbl Pealu IOD ls h _: a vn t O r * 1 1 des couches empi o ' 'ts v cemi s>;Rd&i Sd I mu) i pport des débits Puissance Vitesse ge dt formad/carge ioun des (W/Cm 2) couches __ (rm/e) _ EpaisReur des couches (Pm) i -{ _ _: = (mn/s) __J H I Premi re couche fi Si H 4/He= f 05 Si F 4/Hs=o} O D Ge H /He=a FI 2 H 6/He= 10-3 NH 3 I Si H 4:*$F,+ GH 4 = 50 l Ue 4/(Si L 4 +Si F 4) B 2 '6 (Ge H 4 +Si H 4 + Si F,) = 3/10-3 NHE 3/ (Ge H 4 +Si 4 + SF 4 S= 1/100 0; 18 0,5 i i g J Seconde couche Si H 4/Hle= 5 Si@ 3 F 4/He=o 5 l S N dl, +Si F =-900 l| 0; 18 0,5 I t t t ==- - L ______________ I i J' tn Ul 0 % rla w Uil nableau D Tableau 11 D O cn l^,seed*; a 1;^ VUAA Loi UOLA L Ul U des couches Gaz employés Débit (cm 3 standard,/ mnu) I Rapport des d 6 bits Puissance 6 c 9/rge (W/cm 2) Vitesse de formation des couches d(. I I _ Epais seur des 9 ouches 1 1 i 1 f ji UA / 4 -L I Première couche Si H 4/He= O 05 Ge H 4/He= O 05 B 2 H 6/He= 10 '3 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 ' B 2 H 6/(Ge H 4 + Si H 4) 3 x 10-3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 0,5 H c) o c, _ __ T _ Secornde couche Si H 4/He= 0 5 B 2 H 4/He= 10-3 Si H 4 = 200 B 2 H 6/Si H 4 = 3 x 103 1,5 ouche ( Si H 4/He= 0, 5 Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 | 0, 18 1,0 O 5 Couche (II) H C 2 H 4 L Jn ul o' U 13 c', w. t', t- Tableall 12 D No 1 d'échantillon 1201 D 1202 D 1204 12012045 D 1206 D 1207 D 1208 D B 2 H 6/Si H 4 +Ge H 4 ou B 2 H 6/Si H 4 lx 4 ' B 2 H 6/Si H lxl O 2 5 x 10-3 2 x 10-3 lx 103 8 x 10-4 5 x 10-4 3 x 10-4 lx 10 4 apport des débits) _ Concentration en B (rapport atomique lx 104 6 x 103 25 x 103 lx I 03 800 500 300 100 en ppm) Evaluation o o o o : Excellent o Bon r Q Ln un osn ri ba O 1 o c cn Tableau 13 D Tableau 13 AD d'échan 1301 D 1302 D 1303 D 1304 D 1305 D 1306 D 1307 D 1308 D 1309 D 1310 D tillon Premire tq Iden Identi Iden Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identitique a que à tique que à que a que à que à que a queà que à ouehe l'exe 1 'exem l'exe lexem 'exem l'exem l'exem-_ l'exem exem lexempie 4 pie 50 pie 51 pie 52 Pie 53 pie 54 pie 55 pie 56 pie 57 pie 58 Epaisseur de la sede lscou 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 c e; ,, Evalua o o ti Qan 3: Excellent o: Bon ro Ln u 1 tn L Ji 'J, tà z-: I Tebleau 14 D 0 ons ttieuio:, t Tableau'15 D Gaz Débit (cm 3 Rapport des débits ou Puissance de kpaisseur Conditions dere Cedimployés mt a rd _ rapport des aires de e he 7 hr 12-1 D Ar 200 t mncçhe Si: graphite' 803 0,5 _,, "__, _12-2 D Ar 200 tranche Si: graphite 3 3 _ _ _ r _ __ __= 0,5: 9 _ 5 12-3 D Ar 200 tranche Si: graphite 3 1,0 = 6: 4 ___ 3 , ,, ,,, ,, X,, , 12-4 D Si H 4/He= 1 Si H 4 = 15 Si H 4 t C 2 H 4 = 0,4: 96 018 3 C 2 H 4 12-5 D Si H 4/He= 015 Si= 100 SH 4:C 2 H-4 = 5 ' 018 15 12-6 D Si H 4/He015 Si H 4 +Si F 1 05118 5 Si F 4/He= 5 = 150 = 5: 1,5: 7 C 2 H 4 12-7 D Si H 4/He= 0,5 Si H 4 +Si F 4 Si H 4:Si F 4:C 2 H 4 0, 18 0/3 Si F 4/He= 015 = 10 5 / Si F 4/He= 05 15 = 03: 0,1: 96 C 2 H 4 _ _12-8 D Si H 4/He= O t 5 Si H 4 +Si F 4 Si H 4: Si F 4:C 2 H 4 0118 1/5 Si F 4/He= O 05 = 150 3 S 3: 4 __ C 2,H 4 M Url ul uo ov US 1 2 úableau 16 D i O 15 20 Conditions de for No mation de la d'échantillon / Evaluation couche?_ T),,_12-101 D 12-701 D 12-1101 D 12-l D 12-102 D 12-702 D 12-1102 D 12-2 D 12-2 Do o o lo o bo 12-103 D 12-703 D 12-1103 D 12-3 D o o o lo o o 12-104 D 12-704 D 12-1104 D 12-4 D Zi Q) t) Q) {) Q) I 12-105 D i 2-705 D 12-1105 D 12-5 D _12-106 D 12-706 D 12-1106 D 12-6 D 12-107 D 12-707 D 12-1107 D 12-7 D o O o o 12-108 D 12-708 D 12-1108 D 12-8 D l 0 o o O O 7,N d'échantillon "ual ation globale Evaluation ualité de l'image durabilité l Niveaux d'évaluation Excellent O Bon v., ob c T Tableau 17 D on ,, No d'catlo 1301 D 1302 D 1303 D 1304 D 1305 D 1306 D 1307 D d'é chantillon Si: C (rapport des 9: 1 6; 5:3; 5 4: 6 2: 8 1: 9 0/5:9/5 O; 2:9/8 aires des cible E) Si: C (rapport de 9; 7:0 '3 8; 8:1/2 7; 3:2; 7 4; 8:5,2 3: 7 2: 8 0,8:9; 2 concentration) _ Evaluation de la qualité de o A x 1 'image i 1 OM r: Trs bon o: Bon A: Suffisant pour l'ut Eiisation pratique x: Formation d'un défaut dans l'image Ln un UN 0 %; es t- bca c è-' Tableau 18 D No 2 concentration) Evaluation de la qualité de l'image 4 o : Très bon A: 3 Suffsiant pour l'utilisation pratique x: Formation d'un défaut dans l'image -n u L to te O) b C Cil é- Tableau 19 D N d N Ochantillon 1501 D 1502 D 1503 D 1504 D 1505 D 1506 D 1507 D 1508 D d 'échantillon Si H 4: Si F 4: C 2 H 4 5:4:1 3:3 5 2:2:6 1:1:8 O 6:0, 4:9 O j 2 '0; 30; 2:0; 15 O; 1:0; 1 (rapport des débit:35:9 5 :9 65 :9 > 8 Si: C (rapport de 9: i 7: 3 5; 5:4; 5 4: 6 3 7 2, 8 1; 2:8 j 8 0; 8:9; 2 concentration) Evaluation de la qualit& de l'image o a -à % : Très bon o: Bon A: Satisfaisant en pratique x Formation d'un défaut dans l'image Ln n 1 Tableau 20 D 10 No Epaisseur de d'échan la couche(II) Résultats tillon (Pm) 001 Défaut de l'image susceptible 1601 D O X O d'apparaître 1602 D O 02 Aucun défaut de l'image en X O 20 000 répétitions 1603 D O 005 Stable sur 50 000 répétitions 1604 D -1 Stable sur 200 000 répétitions 20 t'a o o çJt Tableau 1 E Constitution des couches Gaz employés Débit (cm 3 standard/ mn) Rapport des debits I Puissance de décharge (W/cm 2) Vitesse de formation des couches -m-n h) Epaisseur des cuckes I 11 N 1 àI i t f fp'i r-' 1, Première coeac Je Si H 4/He= O o 05 Ge H 4/He= O Y 05 NH 3 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 n 3/100 0,5 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 é-s H V la o o Oj Seconde Si H 4/He= 0705 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 3/1000 j O; 18 0,5 8 couche:i Ge H 4/He= O; 05 o 3 ième couche Si H 4/He= 0 5 Si H 4 = 200 0 18 1,5 Couche (II)| Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 100 Si H 4/NO= 1 O 18 l',o f S 5 Couche (II) Si 4/e = 05 I I NO o CD Tableau 2 E Constitution D&bi:t uissanc itesse v Epaisdes Gaz (cm 3 stard/ Rapport des de formation seur cou dchares oes cou Ides_ COU ChS J employés Mn) débits déchare scu e 4 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ (W/c sc l cremière si H 4/He= 0105 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 O; 18 0,5 5 couchemier O i Hru H 4/100 Ge H 4/He= 0 O /0 ________ __ _ _ _ _ _ __ _ _ _ _ _ /100 _ _ _ NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) 3 = 3/100 3 Secondo Si H 4/He=O O îS Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4 +Si H 4 = 4/100 l O 218 0,5 3 Ge H 4/He= O 05 couche t J vt 0 % 4 _M. t 1 cal t 3 a bl. Tableau 3 E o Constitution des couches Gaz employés Débit (cm 3 standard A mn) Rapport des débits Puissance de décher e (W/cm 2) Vit 2 tsse de ormation des Cucheg =n/s) Epais-| seur I des couches (pnm Première couche Si H 4/He= 0205 Ge H 4/He=O 05 NH 3 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4,/ Si H 4 = 4/10 ' 4/100 0,5 H 4 > O o c, NH 3/ (Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 2, _ _, ,1 Seconde j Si H 4/He=Oos Si H 4 +Ge H= 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/100 O 118 I,5 1 couehe c Ge H 4/He=O 05 , , , _, _,, 3 iètne couche Si H 4/He= 015 Si H 4 = 200 0 f 18 1,5 1 O_ _ _ _ _ ___ __ J_ _I __ _ rg un ui Ob t O, Zn O o Tableau 4 E Constitution des couches Gaz employés Débit (cm 3 standard, mn) Rapport des débits Puissance de décharg E (W/cm 2) Titesse de formation ies cou:bes (nm/Et) Epaisseur des cuches t m) ____ _________ 1 _________________ -1 f S = I Première couche Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/He= 01 005 NH 3 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 15/100, 4/100 0 18 l 0,5 0,4 H a>) vlt o c, NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 o 0 %_ Seconde Si H 4/He= 0705 Si H 4 +GH 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 1/100 018 095 O 6 Si H 4 +Ge H 4 t 5 j Ge H 4/Si H 4 =l/i 00 %f, 0,6 Co Iche Ge H 4/He= 0505 3 ième couche Si H 4/He= 0 5 Si H 4 = 200 0 18 1,5 _ _ _ _ _ _ _ J _ _ _ _ _ _ _ _ _ M _ _ _ _ r* irv tz o Tableau 5 E CD VI Constitution des couches Gaz employés Débit (cm 3 i standard/ mn) Rapport des débits Puissance déc Urge (W/cm 2) Vitesse db formation des couçchey Epaisseur des couches(pâ Première couche Si H 4/He= O; 05 Ge H 4/He= 0105 NH 3 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 X 14/100 0 18 0, 5 0; 2 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 -à Op -Pr H U -8 C> t Seconde Si H 4/He= O; 05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 14/100 O 18 0,5 08 Couche _Ge H 4/He= 0,05 O O 4 _ 3 iême couche Si H 4/He= 0 5 Si H 4 = 200 0,18 1,5 L L __________________ ________________________ ____________ L J, Ln tn on tc O 0-1 Tableau 6 E b- (Ci Constitution Puissance Vitesse Epaisdes empl S (cm standard Rapport des dca detionmde deu Gaz de Ide forma-1 seur coces employéemn déie dcharge À Indes de (W/cm 2) Q Uche couches À i ( S m) Première Si H 4/He= 0105 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 2/10 00,5 2 couche Ge H 4 /He= 0,05 45/1000 H NH NH 3/ (Ge H 4 +Si H 4) 4 > _______ ____________ = 1/100 Second O Si H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 45/1000 O o 18,56 couche Ge H 4/He= 0,05 ciome Si H 4/He= 0; 5 Si H 4 = 200 0; 18 1,5 10 couche o -b g' us en Tableau 7 E O Ji Constitution Débit Puissan Vitesse i EpaisGz Rapport des ce de formation seur couches Gaz (cm 3 standa Rapportde dcéhargeaes couches e) débite e des cou des cou couches employés d Sbits (W/cm 2) ches _ a__ (mnfjl Première Si H 4/He= 0105 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 O; 18 0,5 4 couche t 45/100 o couhe Ge H 4/He= 0105 45/1000 NH NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) H = 31/100 P Seconde Si H 4/He= 0105 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 45/1000 0 X 18 O 5 4 0 couche, __ _ Ge H 4/He= 005 3 ième Si H 4/He= O 05 Si H 4 = 200 0/18 1,5 10 couche o. o' ul -a ui n 1 * Oé o CD Tableau 8 E T m-ii, onr"e't:a Constitution des couches Gaz employés Débit (cm 3 standard/mn) Rapport des débits de décharge (W/cm 2) formation des couches (nrn/=) Epaisseur des cuces 11 Tml - 4 + à t _ Première couche Si 2 H 6/He= O 05 Ge H 4/He=Or 05 NH 3 Si 2 H 6 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si 2 H 6 = 4/10 % 3/100 NH 3/ (Ge H 14 +Si 2 H 6) = 3/100 0 18 0,5 o ( 3 a H v :i 1 M 9 _ ___ _ _ _ ______ I i 1 1 _ _ I Seconde couche Si 2 H 6/He=O 05 Ge H 4/He= 0705 Si 2 H 6 +Ge H 4 | Ge H 4/Si 2 H 6 = 3/100 O O 0 18 o 05 = 50 ____________________________ 4 3 ième couche Si 2 H 6/He= O 5 0 U 18 1,5 10 ___ 1 _____ J ui Ln L' ba in o D Fui O C Qi Tableau 9 E Constitution des couches Débit (cm 5 standard/mn) Gaz employés Rapport des débits Puissance d de echarge (W/cm 2) Vitesse de formation des couches ("TYI/q) Epaisseur des couches (Pm) I i Première lcouche Sir 4/He= O 05 Ge H 4/He= 01 05 NH 3 Si F 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si F 4 = 4/10 X\ 3/100 NH 3/(Ge H 4 +Si F 4)= 3/100 0 18 0,5 H a> g o Seconde Si F 4/He= 0,05 Si F 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si F 4 = O; 18 0,5 8 couche Ge H 4/He=O 0,5 3/100 I o Ge H 4/e= O 3 ièee couche Si F 4/He= O 5 Si F 4 = 200 0 oj 18 1,5 * _________ _________________ ________________ _______________________ I ___________ Ln tn Ln a'l or N% cn o O c 1 Tableau 1 OE Constitutio Débit Puissance Vitesse &Epaisdes Gaz (cm 3 standard/1 Rapport des,e formation seur couches employés mn) débits decnarge des cou des (W/cm 2) ces ouhes ,,,, _ _ /s 8) ? hpm Première couche Si H 4/He= 0, 05 Si F 4/He= 0 05 Ge H 4/He= O; 05 NH 3 Si H 4 +Si F 4 + Ge Hi 4 = 50 Ge H 4/(Si H 4 +Si F 4) = 4/10 3/100 NH 3/ (Ge H 4 +Si H 4 + Si F 4)= 3/100 0,5 -$ -N H o o 9 c, I I i II Seconde Iouche Si H 4/He= 0, 05 Si F 4/He= 0,05 Ge H 4/He= 0705 Si H 4 + Si F 4 + Ge H 4 = 50 Ge H 4/(Si H 4 +Si F 4) = 3/100 % O 0 18 0,5 3 iême couche Si H 4/He= O 5 Si F 4/He= 015 0; 18 1,5 l O. 1, Ul Ln -ab oi Nb Tableau E T Uableau 11 E I. Tableau 114 AE i'échanl O 1101 E 1102 E 1103 E 1104 E 1105 E 1106 E 1107 E 1108 E 1109 E 1110 E Première Identi Identi Identi Identi Identi Identi denti Zdenti Identi rdenticouche que à que à que & que A que & que e R u e à que A q u e a i'exem l'exem l'exem l'exem I'exem I'exem 'exem 'exem l'exem 'exemple 68 ple 69 ple 70 ple 71 ple 72 ple 73 le 74 le 75 ple 76 le 77 Epaisseur de la 10 10 15 20 20 10 10 10 10 10 _e,um Evaluation o o O o o o o O o : Excellent o: Bon Ln Ln tin 1 O, M 5 O cn Tableau 12 E Tableau 12:E O Tableau 12 AE NO d'échan 128 129 11 E dctillon 1201 E 1202 E 1203 E 1204 E 1205 E 1206 E 1207 E 1208 E 1209 E 1210 E bi l l o N _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ p.mire Identi Identi denti Identi Identi Identi Identi Identi Identi Identique a que a que a que a que a que a que a qu e a que a que a couche l'exem I'exem l'exem l'exem l'exem l'exem l'exem l'exem exem l'exemple 68 le 69 ple 70 ple 71 ple 72 ple 73 ple 74 ple 75 ple 76 ple 77 Epaisseur dième cou 10 10 15 20 20 10 10 10 10 10 che (um) c h ( zu _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ __ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ Evalua o tion : Excellent o: Bon ai t O CD T-a an Tableau 13 E j o Constitution Débit (cm 3 Rapport des Puigsan Vitesse d Epaiscouches Gaz standard/mn) débite de formation seur deq Ge formation seu r couches employés secharge des cou des (W/cm 2) ches couch E (nm/s) (m) Première Si H 4/He= 0105 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 'v O 0118 0,5 2 couche couche Ge H 4/He= O r 05 NH 3/Si H 4 = 4/10 N Hil b 2/100 NH 3 H __Seconde Si H 4/He= 015 Si H 4 = 200 NH 3/Si H 4 = 2/100 O 0118 1,5 2 0 couche aj NH O 3 3 ième Si H 4/He Si H = 200 018 1,5 15 4 H 5 couche 1 touche r', -%a DO ulo u 1 0 % Ca un Teableau 14 E # c ci j- Constitution Dbit(cm 3 Rapp Pissanoe Vitesse Ei des Gaz sébiti (om 3 Rapport des dé ce formation seur des G a z standard/mn) débits décharge des cou des couches employés (W/cm 2) ches couchoe (,nm/s) (m remière Si H 4/Ha= 0105 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 % 0 0118 095 1 couche Ge H 4/He= O o 05 NH 3/Si H 4 = 1/10 N H 3 " 5/100 H N Seconde Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 200 NH 3/Si H 4 = 5/100 % ' 0 0118 1, 5 1 couche o NH 3 3 ième Si H 4/He= 015 Si H 4 = 200 0,18 1,5 18 couche M Ln 0 N M c cn 8 Tableau 15 E Conditions Gaz Débit (cm 3 Rapport des débits ou -nissance de Jpaisseur ______ _ employés standard/ rapport des aires dhae des cou. (W (NO/cm 2 i 2 2 ches d,3 m) 11-l E Ar (NO/Ar) 200 ( 1/1) Tranche de Si: Si O 2 _ _ = 1: 30 ___ ___ 11-2 E Ar (NO/Ar) 200 ( 1/1) Tranche de Si 8 i O 2 03 O 3 _ ___ __ _ _ =_ 1: 60 11-3 E Ar (NO/Ar) 200 ( 1/1) Tranche de Si: i O 2 03 1 O 6:4 11-4 E Si H 4/He=l Si H 4 = 15 Si H 4:NO = 5:1 018 013 NO __ _ _ _ 11-5 E Si H 4/He= O r 5 Si H 4 = 100 Si H 4:NO 1 1 018 15 _ _ _ _ _ _ NO O 1 11-6 E Si Hz,/He= 015 Si H 450 Si H 4 Si F:NO 0)18 015 S 18 i Ft H= 5 , ,,,, , , , , , ,,,,,,,,,, _ 11-6 E Si H 4/He= 015 Si H 4 +Si F 4 Si H 4:Si F 4:NO 0, 18 0, 5 Si F 4/He= O > 5 4 4 4 1: 01 _ _ _ NO = 15 = 12: 1 11-7 E Si H 4/He= 0,5 Si H 4 +Si F 4 Si H 4:Si F 4:NO 0118 105 Si F 4/He= O 05 = 15 = 2: 1: 4 NO _ _, 11-8 E Si H 4/He= 0; 5 Si H 4 +Si F 45 H:SF:N Si F 4/He= O; 5 = 104 4 SH:SL N; 18 1,5 NO rlo Ln Ln Un 0 % o M Tableau 16 E If) Conditions de lor N mation de la cou d'échantillon / yaluaton che (II11-401 E 11-701 E 11-801 E 11-l E 11-402 E 11-702 E 11-802 E 11-2 E o o 11-403 E 11-703 E 11-803 E 11-3 D' _ 1100 o o O o 11-404 E 11-704 E 11-804 E 11-4 E 11-405 E 11-705 E 11-805 E 11-5 E 11-406 E 11-706 E 11-806 E 11-6 E __ _ 11-407 E 11-707 E 11-807 E 1 l.-7 E so o Io o _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ -_ 1 O _ _ 11-408 E 11-708 E 11-808 E 11-8 E o 10 o O o o O N d' échantillon Evaluation globale Evaluation qualité de l'image ldurabilité 6 Niveaux d ' évaluation Excellent o Bon t', CD 1- C,, Tableau 17 E N 1201 E 1202 E 1203 E 1204 E 1405 E 1206 E 1207 E d chnnt llon __Si: Si O 2 (rapport des aires des cibldes) ar 9: 1 6 5:3 t 5 4: 10 2: 20 1: 100 1: 100 1: 100 des cibles) P (NO/Ar) ( 0/1) ( 1/1) (/1) 1/1) ( 2/1) ( 3/1) ( 4/1) Si: O (rapport de 9 7:0 3 8,8:1,2 713:217 5,0:5,0 4; 5:5 > 5 4: 6 3: 7 (rapport de concentration) Evaluation de la qualité de A o o a x l'image -4 O% : Très bon o: Bon A: Suffisant pour l'utilisation pratique x: Formation d'un défaut dans l'image Po L Ml 9 n ru ND j- Tableau 18 E * Nu 1301 E 1302 E 1303 E 1304 E 1305 E 1306 E 1307 E d'échantillon Si H 4: NO 4 1000:1 99:1 5:1 1:1 1:2 3:10 1:1000 (rap P Ort des débits) Si: O (r Sppoi t de 9,9999:0,0001 9,9 z 0,1 9: 1 6: 4 5: 5 3; 3:6,7 2 8 (rapports de concentration) Evaluation de la qualité de l'image O o o x 0: Très bon o: Bon A: Satisfaisant en pratique x: Pormation d'un défaut dans 1 'image Ln tn U 1 t J N e) B- CI p- îTableau 19 E d'échatillo, 1401 E 1402 E 1403 E 1404 E 1405 E 1406 E 1407 E d'échantillon Si H 4: Si F 4: NO 500:400 50:50:1 5:5:2 5:5:10 1:1:4 3:3:20 1:1:2000 (rapport des débits):1 Si: O (rapport de 9,9998 9/8:0 > 2 8/8:1/2 6/'3:37 5,1:4 > 9 3,5:6,52,3:7,7 concentration):0, 0002 Evaluation de la qualité de l'image A o o x A ,, ,, , -% : Trés bon o: Bon A: Satisfaisant en pratique x: Formation d'un défaut dans l'image n Ln Ln 0 % os I Tableau 20 E 10 âEpaisseur de d'6 chan-la couche (II Riésultats ti lon (m) Défaut de l'image susceptible 1601 E 0001 d'apparaître 1602 E O 002 Aucun défaut de l'image en 000 répétitions 1603 E û 0,05 Stable sur 50 000 répétitions1604 E 1 Stable sur 200 000 répétitions 0 n c-* Q Tableau 1 F j T t -r * Constitution des couches Débit (cm 3 standard/mn) Gaz employés Rapport des d Mbits Puissanoe e décgarge (W/cm 2) Vitesse de formation des cou,hea M Ps) Epais3 eur les 1 och es Premiè Si H 4/He=Oi 05 Si H 4 + Ge H 450 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 O O 18 05 couche Ge H 4/He= O 05 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4) HB 2 H 6/e 13 H= 3/10-3 B 2 Hs/He= 10 G NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) ______ = 3/100, ,,,, Sconde Si H 4/He=O 5 Si H 4 = 200 0518:X 5 19 couche Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 100 Si H 4/NO= 1 O i 18 1; 0,5 Couche (II) NO -à o t'la Ln %yl n co Jl e en oee bleau 2 P P lc Constitution des couches _ Gaz employés Débit (cm 3 standard/mn) Rapport des débits f p 4 Première couche 0-z' 1-4 Si H 4/He= 0)05 Ge H 4/He= O 05 B 2 H 6/He= 10-3 NH 3 Si H 4,+Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 1/10, o O B 2 H 6/ (Ge H 4 +Si F 4) =lx 10-3 NH 3/ (Ge H 4 +Si H 4) = 1/100 -o % Seconde couche Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 200 i _____________________________ z __________________________________________ Ln La oi L'I cn o cn Tableau 3 F Constitutia Débit (cm 3 Puissan Vitesse Epaisdes Gaz standard/ Rapport des ce de de forma seur couches_ employés Udebits t 4 "m& e c t oesu _, __ cn é M Aes Premiè Si H 4/He= O D 05 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 2/1000 I Premi-= 1 re Ge H /He= 005 = 50 B G 8 H)5 2 H couche 4 3 H rooeuche 42 H 6/He ll 3 -50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)=l/10-3 B 2 H 6/He= 10S NH NH 3 i(Ge H 4 +Si H 4)= 1/100 H 3 Seohnde, Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 200 O 18 15 couche 4) 4, 1,5 Tableau 47 Constitu Débit (cm 3 Fi"Puissance Vitesse Epaistion des Gaz standard' Rapport des, de forma Beur couches employés mn débits lcm tion des ds coulehrg tuionds de cu standa (W/cm 2) ?oue Premiè Si H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 = 15/100, O O 18 0,5 1 H re Ge H 4/He= O 05 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 Si H 4)= 3 x 3 H couche B 2 H 6/He O NH /(Ge H 4 +Si H 4)= 3 x 10-3 B 2 H 6/He= 10o NH NH 3/(Ge H 4 'Si H 4)= 2/100 ç 3 4 4 G> NH Secondee Si H 4/He= O 05 Si H 4 = 200 O 18 1,5 15 couche_ 4 oo r O N) r%) Ln Ln Ln Y%> o M G 9 o o F (Ji Tableau 5 F _ _ _ _ _ _ _ _-_ i =,L * _ Constitutica des couches Gaz employés Débit ( cm 3 standard/ mn) Rap Dort des àébits eudssanè,écga e (W/cm 2) Vitesse d Epaisformation seur de des cou uches chestim/s (pm) I Pri Si H 4/He=O 005 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 =/ 11 5/100 18 O,5 1 couche Ge H 4/He= O 005 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 x 10-3 H B 2 H 6/He= 10 2 j He 3-2 j 4 2 H 6 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)= 2/100 oN 3 j Si H = 200 o 18 4,5 I 1 Seconde Si H 4/He= O; 5 Si H 4 = 200 18 1,5 15 couche _ ___ _ _ _ Tableau 6 F Constitutica D-bit(c-Puissaioe Vitesse c EpaisConstitut Gaz tandard Rapport des dcrge formation seur d couches Gazmtan)a débits d 6 e&r Se des cou couches couches employés M (W/cm 2) ches(nm/s) () _n dbt Premiè Si H 4/He= 0)05 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 = 2/10 \ O 18 0,5 rue Ge H 4/He=Oe 05 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 x 10 H coue B H 6/He= 10 2 6 H NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)= 2/100 NH 3 Seconde Si H 4/He= 5 i H 20 0/18 1 o couche 4 Ln ul cl O cn o c ail cn Tableau 7 F Constitutica Débit(cm 3 issaceitese de Epais,Wd e ormation seurd res des Gaz standardl Rapportbdes écarees c cu- couches couches employés débits (W/cm 2) hes emp/sl (om N m) Premié Si H 4/He= 0; 05 Si H 4 +Ge H 4 Ge H 4/Si H 4 =i/10 o O O l 8 O,5 1 H couche Ge H 4/He= O 05 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3/1 3 B 2 H 6 (Ge H-04 +Si H 4) = 3/10B 2 H 6/He= 10-3 c>q NH NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)-2/100 _ _ _ _ 3 Seconde Si H 4/He= 05 Si H 4 = 200 018 1,5 15 Si H 4/ Si Si 14 = 200 I couche' Tableau 8 F Constituticn Débit(cm 3 Puissanoe itesse d* Epaisdes Gaz standardj Rapport de formation seur de couches employés mn débits decharge des cou i couches (J/cm 2) cbes(nm/s)J (po) Premièie Si 2 H 6/He= 0,05 Si 2 H 6 + Ge H 4 Ge H 4/Si 2 H 6 = 4/10 O 18 0,5 1 (louche Ge H 4 /He= O 05 = 50 BH/GH+i H)U O Ge H/ -326 4 2 eoue Bhe H 6/He= 10 = 50 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si 2 H 6)3 x 103 "' NB 2 H 6/He= 10 NH 3/(Ge H 4 +Si 2 H 6)= 2/100 __ _ NH 3 o Seconde Si 2 H 6/He= 0) 5 Si 2 H 6 = 200 018 1,5 19 couche I ul tn 0 % of C.1 O CD Cil Tableau 97 T ___ ú Constitution des couches À_ _ Gaz employés D Mbit(cm 3 standard/ Rapport des débits i Puissa 8 Vàitess e i Epaisd e formation seur d E dcr e les cou couches (W/cm 2 > ches(nm/s) (pm) I = i 4 i Premiere couche H v O Seconde couche Si F 4/He= O 05 Ge H 4/He= 0)05 B 2 H 6/He= 10-3 NH 3 Si F 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si F 4 = 4/10 % O B 2 H 6/(Ge H 4 +Si F 4) = 3/10-3 NH 3/(Ge H 4 +Si F 4) = 1/100 0/o 18 0,5 _ i i _ I Si F 4/He=O 05 Si F 4 = 200 0 o 18 0,5 a I _______ I _______ L _____ Lu Ln e-n Vu os N% to rit t' p o c il Tableau 10 F i r I ___,, __. ___, __ uonsttzution des couches Gaz employés Débit(cm 3 standard mn) Rapport des débits Puissance déc 2 rge (W/cm 2) Vitesse de Epaisformation seur des cou des cou ches(nm/s ches(pn) i 1 f i I Première couche H 0 14 V G) C> Si F 4/He=O 05 Si F 4/He= 0,) 05 Ge H 4/He= O O 05 B 2 H /He= 10 3 NH 32 NH 3 Si H 4 +Si F 4 + Ge H 4 = 50 Ge H 4/(Si H 4 +Si F 4) = 4/10 b O B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4 + Si F 4)= 3410-3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4 + Si F 4) =l/100 I, Seconde couche Si H 4/He= O > 5 | Si F 4/He= O 5 Si H 4 +Si F 4 = 200 tc J o o Ca Tableau 11 P -t Constitution des couches Gaz employés Débit (cm 3 standard/ mn) Rapport des débits Puissance de dcharge (W/cm 2) Vitesse formation des couches(nm/s) Epaisseur de E couches (wm) I t f t i _ Premièr E couche Si H 4/He= O)05 Ge H 4/He= 0105 B 2 H 6/He= 10 3 NH 3 Si H 4 +F Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 o O B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4) = 3 x 110-3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 0 18 0,5 co H V r> U I Seconde couche Si H 4/He= 015 B 2 H 6/He= 10-3 Si H 4 = 200 B 2 H /54 -3 B 2 H 6/Si H 4 = 3 x 10 0/18 1,5 Couche (II) Si H 4/He=O 5 Si H 4 = 100 Si H 4/NO 1 0)18 1,0 O > 5 NO n m - rc c Tableau 12 F d Nocatl 1201 F 1202 F 1203 F 1204 F 1205 F 1206 F 1207 F 1208 F d' échantillon ,,, B 2 H 6/(Si H 4 +Ge H 4) ou B 2 H 6/Si H 4 lxl O -2 5 x 10-3 2 x 10-3 lx 10-3 8 x 10 4 5 x 10 4 3 x 10 4 lx 10-4 (rapport des débits) Concentration en B 4 (rapportatmionen B lxl O 4 6 x 103 25 x 103 lx 103 800 500 300 100 (rapport atomique en ppm) Evaluation o o O : Excellent o: Bon NI Ln Ln Mi O'. MN Ql -ableau 13 F 7;* 65 >, port ders Constitti g on i S W A^i,1 enk -, c Ln tn -a. Ln o' rst c J o ableau -4 F Tableau 14 P o cn Constitution Gaz Débit(cm 3 P Puissance de rtlds-e defo P d.e _puches employés standard/n) déebts décharge (W/_m _ __ _ e Seconde Si H 4/He= O; 5 Si H 4 = 200 PH 3/Si H 4 =lx 1105 O " 18 1,s 5 couche PH 3/He= 10-3 Tableau 14 AF N d,6 chanblo n tillon 1401 F 1402 F 1403 F 1404 F 1405 F 1406 F 1407 F 1408 F 1409 F 1410 F Première Identi Identi Idenii Idenli Identi Identi Identi Identi Identi Identicouche Aue& que g que a que que à que a que a que que a que a i'exem 1 'exem l'exem i 'exem I'exem-I 'exem I 'exem I'exem i' exem r' exemple 88 ple 89 ple 90 ple 91 ple 92 ple 93 ple 94 ple 95 ple 96 ple 97 Epaisseur de la 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 seconde couche ( m) _ _ Evalua tion o o : Excellent o: Bon r'> Ln t 2 % r 4 b cn rij i Tableau 15 F Conditions Gaz Débit(cm 3 Rapport des débits ou Puissance de Epaisseur employés standard/mn) rapport des aires d _ehar 5 e des eou1 l-l F Ar (NO/Ar) 200 ( 1/1) ranche de Si Si O 2 __ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 1 3 11-2 F Ar (NO/Ar) 200 ( 1/1) úranche de Si: Si O 2 O 3 O 3 = 1:60 2 11-3 F Ar (NO/Ar) 200 ( 1/1) franche de Si: Si O 2 03 10 0 ? 3 103 = i: 6 if) 11-4 F Si H 4/He=l Si H 4 = 15 Si H 4:NO = 5 1 O 18 O 3 NO,,t 11-5 F Si H 4/He= O 05 Si H 4 = 100 Si H 4:NO = 1: 1 018 15 NO 01 _ 1 11-6 F Si H 4/He= 0,5 Si H 4 +Si F 4 Si H 4:Si F 4:NO 0718 O 5 Si F 4/He= O; 5 = 150 = 1: i: 1 NO 11-7 F Si H 4/He= 075 Si H 4 +Si F 4 Si H 4:Si F 4:NO 0)18 0 3 Si F 4/He= 05 = 15 = 2: 1: 4 NO 11-8 F Si H 4/He= 015 Si H 4 +Si F 4 Si H 4:Si F 4:NO O 18 1 5 Si F 4/He= 015 = 150 1 1: 3 NO Ln Ln o' Rn Tableau 16 F 15 20 Conditions de forma No d'échantillon/Evaluation tion de liîuche 11-401 F 11-701 F 11-801 F 11-1 F ol o o o o o 11-402 F 11-702 F 11-802 F 11-2 F o o o o o 10 11-403 F 11-703 F 11-803 F 11-3 F _j 11-404 F 11-704 F ll-804 F 11-4 F 11-405 F 11-705 F 11-805 F 11-5 F _ _ _ _ _ _ _ @ I o o 11-406 F 11-706 F ll E 1 d 11-6 F _ Z 11 7 F 11-407 F 11-707 F 11-807 F o 1 o o o o o 11-8 F -11-408 F 11-708 F 11-808 F olo F o 10 _ N d'échantillon Evaluation globale Evaluation qualité de l'image _urabilité Niveaux d' évaluation Excellent o Bon (P Jo c> b- Tableau 17 F d échant l 120 1202 F 1203 F 1204 F 1205 F 1206 F 1207 F d'cha-ntli lon N Si i (rapport des airei 9: i 6,5:3/5 4: 10 2: 20 1: 100 1: 100 1: 100 des cibles) (NO/Ar) ( 0/1) ( 1/1) ( 1/1) ( 1/1) ( 2/1) ( 3/1) ( 4/1) Si:O 9; 7:0; 3 8/8:1,2 7,3:2; 7 5; 0:5; 0 4; 5:5; 5 4: 6 3: 7 (rapport de concentration) Evaluation de la qualit& de i'image O o : Très bon A: Suffisant pour l utili Sation pratique x: Poraation d'u défaut dans l'image ri Ln Ln VI N% t,., t 3 O -l Tableau 181 c e c,' e-. d No 'atl 1301 F 1302 F 1303 F 1304 F 1305 F 1306 F 1307 F d'échantillon Si H 4: NO 1000: 1 99: 1 5: 1:1 1: 2 3: 10 1:1000 (rapport dea débits) Si: O (rapport de 9999:0; 0001 929:071 9: 1 6: 4 5: 5 373:6; 7 2: 8 (rapport de concentration) Evaluation de la qualité de l'image x : Très bon o: Bon A: Suffisant pour l'utilisation pratique. x: Formation d'un défaut dans l'image rs) Ln Ln Ln o ri Ob o Cia-o C;i a-' ria c: Cin> Tableau 19 F Jq N 1401 F 1402 F 1403 F 1404 F 1405 F 1406 F 1407 F d'échantillon Si H 4: Si F 4: NO 500:400 50:50:1 5:5:2 5-5:10 1:1:4 3:3:20 1:1:2000 (rapport des débits:1 Si: O (rapport de 9 9998 9,8:0; 2 8; 8:712 6; 3:3,7 5,1:4,9 35: 615 2; 3:7 > 7 concentration) -0/0002 Evaluation de la l qualité de l'image x \-. : Très bon o: Bon A:Satisfaisant en pratique X:Formation d'un défaut dans l'i Jmage Ul Ln Lo r'> Tableau 20 F 1 ( NO i Epaisseur de d'échan la couche Résultats tillon(II) (m) 1601 F | O o 700 Défaut de l'image susceptible d'apparaltre 1602 F 002 Aucun défaut de l'image en 000 répétitions 1603 F O} 05 Stable sur 50 000 répétitions 1604 F 1 'Stable sur 200 000 répétitions 20 197 2551562 REVENDICATIONS 1 Element photoconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un support ( 101) destiné à l'élément photoconducteur et une couche de réception de lumière ( 102) r-ecouvrant le support et comprenant une première région de couche (G) ( 103) comportant une matière amorphe contenant des atomes de silicium et des atomes de germanium et une seconde région de couche (S) ( 104) présentant une photoconductibilité et comprenant une matière amorphe contenant des atomes de 10 silicium, la première région de couche (G) ( 103) et la seconde région de couche (S) ( 104) étant prévues dans cet ordre à partir du c 6 té du support, et la distribution des atomes de germanium dans la première région de couche (G) ( 103) n'étant pas uniforme dans la direction de l'épaisseur 15 de couche, des atomes d'azote étant contenus dans la couche de réception de lumière ( 102). 2, Element photoconducteur, caractérisé en ce quîil comprend un support ( 1101) destiné à l'élément photoconduct-ur, uae premieère couche ( 1102) et une seconde couche ( 1103), 1 la prem ère è ouc 1 e reo Guvrant le support ( 1101) et comprenant une première r 4 gion de couche (G) ( 1104) comportant une matière amorphe contenant des atomes de silicium et des acmes de germanium et une seconde région de couche (S) ( 11: présentant une photoconductibilité et comprenant une 2 = aîière am 5 rphe contenant des atomes de siliciums la prenu ère régiec de couche (G) ( 1104) et la seconde région de ouc De (S) ( 1105) tant prévues dans cet ordre à partir du c 6 t A du support, 11 a oeconde couche ( 1103) comprenant une matière amorphe contenant des atomes de silicium et au moins 30 soit des atomes de carbone, soit des atomes d'oxygène, la ddistribut:on du germaniam dans la première r&égion de couche (CG) ( 1104) n'étant pas uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche et des atomes d'azote étant contenus dans la première couche ( 1102). ^,35 3 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que des atomes d'hydrogène sont contenus dans au moins une des première et seconde régions de couche. 4 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que des atomes d'halogènes sont contenus dans au moins l'une des première et seconde régions de couche. 5 Elément photoconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que des atomes d'halogènes sont contenus dans au mowns l'une des première et seconde régions de couche. 6 Elément photoconducteur selon la revendication I ou la revendication 2, caractérisé en ce que des atomes 10 de germanium sont distribués dans la première région de couche qui est davantage enrichie du côté du support. 7 Element photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la condition de distribution des atomes de germanium dans la première région de couche (G)gest telle qu'une concentration de distribution (C) dans une direction d'épaisseur de la couche diminue de façon continue vers la seconde région de couche (S) depuis le côté du support. 8 Elément photoconducteur selon la revendication 20 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que dans la premiere région de couche (G)lune concentration de distribution (C) d'atomes de germanium dans une direction d'épaisseur de la couche a une valeur maximale Cmax dans la région de couche a 5 gm près de la partie terminale du côté du sup25 port de la première région de couche. 9 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la proportion d'atomes de germanium dans la première région de couche (G) est de 1 à 9,5 x 105 ppm atomiques sur la base de la somme des atomes de silicium et des atomes de germanium dans la première région de couche (G). Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce qu'une épaisseur de couche TB de la première région de couche (G) est de 35 30 10 4 à 50 Pm. 11 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce qu'une épaisseur de couche T de la seconde région de couche (S) est de 0,5 à jm. 12 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la relation entre une épaisseur de couche TB de la première région de couche (G) et une épaisseur de couche T de la seconde région de couche (S) est montrée par: TB/T 13 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que, lorsque la proportion des atomes de germanium contenus dans la première région de couche (G) est de 1 x 105 ppm atomiques ou plus sur la base de la somme des atomes de silicium et des atomes de germanium dans la première région de couche (G), l'épaisseur de couche TB de la première région de couche (G) est 15 de 30 gm ou inférieure. 14 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la proportion d'atomes d'azote est de 0,001 à 50 % atomiques dans une région de couche (N) contenant les atomes. 15 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que, lorsqu'un rapport entre l'épaisseur de couche T d'une région de couche (N) contenant des atomes d'azote, l'épaisseur de couche T d'une couche de réception de lumière est de 2/5 t ou plus, la proportion d'atomes d'azote contenus dans la région de couche (N) est de 30 % atomiques ou inférieure. 16 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que des atomes. d'azote sont contenus localement sur un côté de support 30 d'une couche de réception de lumière. 17 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la première région de couche (G) a une région de couche (PN) contenant une substance (C) pour commander la conductibilité. 18 Elément photoconducteur selon la revendication 17, caractérisé en ce que la substance (C) est contenue localement dans la région de couche de la partie terminale sur un côté de support de la première région de couche (G). 19 Elément photoconducteur selon la revendication 17, caractérisé en ce que la substance (C) est une impureté du type p capable de donner une conductibilité du type p. 20 Elément photoconducteur selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'impureté du type p est l'atome appartenant au groupe III du tableau périodique. 21 Elément photoconducteur selon la revendication , caractérisé en ce que l'atome appartenant au groupe III 10 du tableau périodique est choisi parmi B, Al, Ga, In et Tl. 22 Elément photoconducteur selon la revendication 17, caractérisé en ce que la substance T est une impureté du type N capable de donner une conductibilité du type n. 23 Elément photoconducteur selon la revendication 15 22, caractérisé en ce que l'impureté de type N est l'atome appartenant au groupe V du tableau périodique. 24 Elément photoconducteur selon la revendication 23, caractérisé en ce que l'atome appartenant au groupe V du tableau périodique est choisi parmi P, As, Sb et Bi. 25 Elément photoconducteur selon la revendication 17, caractérisé en ce que la proportion de la substance (C) est de 0,01 à 5 x 104 ppm atomiques dans la région de couche (PN) contenant la substance (C). 26 Elément photoconducteur selon la revendication 25 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la seconde région de couche (S) a une région de couche (PN) contenant la substance (C) pour commander la conductibilité. 27 Elément photoconducteur selon la revendication 26, caractérisé en ce que la proportion de la substance (C) dans la région de couche (PN) est de 0,001 à 1000 ppm atomiques. 28 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la couche de réception de lumière a une région de couche (PN) contenant 35 une substance (C) pour commander la conductibilité. 29 Elément photoconducteur selon la revendication 28, caractérisé en ce que la proportion de la substance (C) dans la région de couche (?N) est de 0,001 à 1000 ppm atomiques. Element photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la couche de réception de lumière a une couche d'appauvrissement. 31 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la première région de couche (G) contiert de 0,01 à 40 % atomiques d'atomes d'hydrogène. 32 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la première région de couche (G) contient de 0,01 à 40 % atomiques d'atomes d'halogènes. 33 Elément photoconducteur selon la revendication 15 I ou la revendication 2, caractérisé en ce que la première région de couche (G) contient de 0,01 à 40 % atomiques de la somme des atomes d'hydrogène et des atomes d'halogènes. 34 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la seconde région de couche (S) contient de 1 à 40 % atomiques d'atomes d'hydrogène, Element photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la seconde r Niion de couche (S) contient de 1 à 40 % atomiques d'atomes 25 d'halogènes. 36 Element photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 29 caractérisé e R ce que la seconde ri de couche (S) coatient de 1 à 40 % atomiques de la somme des atomes d'hydrogène et des atomes d'halogènes. O 37 Elément photoconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que des atomes d'hydrogène sont contenus dans la seconde couche (II)o 38 Elément photoconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que des atomes d'halogènes sont contenus dans la seconde couche (II). 39 Elément photoconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que des atomes d'hydrogène et des atomes d'halogènes sont contenus dans la seconde couche (II)o Elément photoconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'épaisseur de couche de la seconde couche (II) est de 0,003 à 30 pm. 41 Elément photoconducteur selon la revendication 38 ou la revendication 39, caractérisé en ce que l'atome d'halogène est choisi parmi F, Cl, Br et I. 42 Element photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que le support est conducteur. 43 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que le support est électriquement isolant. 44 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que le support 15 est cylindrique.