Brevet FR2555983A1 — publié le 19850607

La présente invention concerne une composition céramique diélectrique pour fréquences de micro-onde et plus parti- culièrement une composition céramique diélectrique ayant un facteur de qualité Q élevé, même dans la région des fréquences des micro-ondes et des ondes millimétriques. Dans la région des fréquences de micro-ondes, on a utilisé diverses céramiques diélectriques pour les résonateurs diélec- triques, les substrats diélectriques pour circuits intégrés à micro- ondes, etc. à cause de leurs propriétés supérieures. Des céramiques diélectriques caractéristiques utilisées à cet effet comprennent celles des systèmes ZrO2-SnO2-TiO2, BaO-TiO2 et Ba(Zn,Ta)03 qui ont une constante diélectrique élevée de 20 à 40, un facteur de qualité (Q) élevé de 2000 à 6000 et un faible coefficient de température de la fréquence de résonance ( f) de l'ordre de O ppm/ C, même à 10 GHz. Dans ces dernières années, il y a eu des tendances à utiliser des fréquences plus élevées dans les systèmes à micro-ondes, de sorte que l'on a souhaité proposer des céramiques diélectriques ayant un facteur de qualité plus élevé (Q). Dans la demande de brevet japonais mise à la disposition du public n 54-60544, on a proposé d'utiliser des céramiques diélec- triques d'un'système Ba(Mg,Ta)03 comme matériau diélectrique pour résonateurs à micro-ondes. Cependant, elles ne peuvent pas être utilisées pour les systèmes à micro-ondes du futur conçus pour des fréquences plus élevées,à cause de leur faible facteur Q et de leur coefficient de température élevé de la fréquence de résonance dans une région de fréquences supérieures à 10 MHz. Dans le système Ba(Mg,Ta)03, l'ordre total est théo- riquement possible lorsque le rapport molaire Mg/Ta dans le site B est de 1:2, comme l'indiquent F. Gallasso et J. Pyle dans "Ordering in compounds of the A(B'o 33Tao 67)03 type", Inorganic Chemistry, 2 (1963), pages 482484. Dans cet article, il a été décrit que le composé Ba(Mg1/3Ta2/3)03 a une superstructure hexagonale, comme indiqué à la figure 2(a), parce que les deux ions de site B, à savoir les ions Mg (1) et Ta (2), sont dans une configuration ordonnée comme à la figure 2(b). Les chiffres 3 et 4 sur la figure 2(a) représentent Ba et 0, respectivement. Ceci est soutenu par les 2À diagrammes de poudres de diffraction des rayons X de Ba(Mgl13Ta2/3)03 qui présentent des pics de diffraction dépendant de la superstructure hexagonale, comme indiqué par des astérisques (*) à la figure 3(a). Cependant, la composition Ba(Mg1/3Ta2/3)03 est une matière très difficile à fritter pour obtenir des céramiques suf- fisamment denses. Si la composition Ba(Mg1/3Ta2/3)03 est produite par calcination dans des conditions habituelles, par exemple à 1550 C pendant 4 h, elle a un Q de faible valeur et un coefficient de tempé- rature élevé de la fréquence de résonance, comme l'indique le tableau 1 ci-après. Dans ce tableau, les valeurs de la constante diélectrique (e), de Q et du coefficient de température de la fréquence de résonance (of? sont des résultats mesurés à 10 GHz. En conséquence, il n'est pas possible d'utiliser dans la pratique les compositions du système Ba(Mg,Ta)03. Un objet de la présente invention est donc de proposer une composition céramique diélectrique pour fréquences de micro- ondes ayant un coefficient de température souhaité quelconque de la fréquence de résonance voisin de O ppm/ C dans la région des micro-ondes et ondes millimtriques. Selon la présente invention, ces objets sont atteints par une composition céramique diélectrique pour fréquences de micro- ondes comprenant une solution solide composée de BaO, SnO2, MgO et Ta205, ladite solution solide étant représentée par la formule générale: Ba(Sn Mg 'Ta)o BaSnx gyTaz O7/2-x/2-3y/2 dans laquelle x, y et z sont les fractions molaires des composants respectifs, 0,04 { x g 0,26 (de préférence 0,04 (de préférence 0,55 Selon un mode de mise en oeuvre préféré, la composi- tion consiste essentiellement en une-solution solide composée de BaO, SnO2, MgO et Ta205, ladite solution solide étant représentée par la formule générale: Ba(Sn gyTa-) x yz 712-x/2-3y/2 dans laquelle x, y et z sont les fractions molaires des composants respectifs, 0,04 x + y + z = 1,00. Selon un autre mode de mise en oeuvre préféré, une composition céramique diélectrique pour fréquences de micro-ondes consiste essentiellement en un composant principal comprenant une solution solide composée de BaO, SnO2, MgO et Ta 205, la solution solide étant représentée par la formule générale: Ba(SnxMgyTaz) 7/2-x/2-3y/2 dans laquelle x, y et z sont les fractions molaires des composants respectifs, 0,04 en Me203 (o Me est au moins un lanthanide). Selon un autre mode de mise en oeuvre préféré encore, la composition céramique diélectrique comprend une solution solide composée de BaO, SnO2, MgO et Ta205, ladite solution solide étant représentée par la formule générale: B(nM a) Ba(SnXIgyTaz)o7/2-x/2-3y/2 dans laquelle x, y et z sont les fractions molaires des composants resoectifs, 0,04 une composition céramique diélectrique pour fréquences de micro- ondes consiste essentiellement en un composant principal comprenant une solide solide composée de BaO, SnO2, MgO et Ta205, ladite solution solide étant représentée par la formule générale Ba(SnxMgyTaz)o7/2-x/2-3y/2 dans laquelle x, y et z sont ks fractions molaires des composants respectifs, 0,04 moles %, en Me203. Selon la présente invention, il est possible de produire des compositions céramiques diélectriques qui ont une cons- tante diélectrique élevée, un facteur Q élevé et un faible coefficient de température de la fréquence de résonance, même aux fréquences de micro-ondes supérieures à 10 MHz. Il est également possible de produire des compositions céramiques diélectriques pour hautes fréquences ayant un coefficient de température désiré quelconque de la fréquence de résonance voisin de 0 ppm/ C. Les compositions céramiques diélectriques selon la présente invention sont intéressantes pour les résonateurs diélectriques, les tiges de réglage diélectriques, les substrats diélectriques pour circuits intégrés de micro-ondes, etc. Les raisons pour lesquelles les fractions molaires de Sn, Mg et Ta, c'est-à-dire x, y et z dans la formule générale Ba(SnxMgyTaz)07/2_x/2_3y/2 ont été limitées à des valeurs dans les gammes respectives ci-dessus sont les suivantes. Si x est inférieur à 0,04 ou dépasse 0,26, le facteur de qualité Q diminue. Pour ces raisons, x a été limité à des valeurs dans la gamme de 0,04 à 0,26, de préférence de 0,04 à 0,20. Si y est inférieur à 0,23, le facteur de qualité Q diminue et le coefficient de température de la fréquence de résonance augmente du coté positif. Si y dépasse 0,31, le frittage de la composition devient difficile. Pour ces raisons, y a été limité à des valeurs dans la gamme de 0,23 à 0, 31, de préférence de 0,25 à 0,31. Si z est inférieur à 0,55, le frittage de la composition devient difficile et le facteur de qualité Q diminue. Si z dépasse 0,65, le facteur de qualité Q diminue. Donc, z a été limité à des valeurs dans la gamme de 0,51 à 0,65, de préfé- rence de 0,55 à 0,65. Une partie de Mg dans Ba(SnxMgyTaz)Oy/ 2x/23y/2 peut être remplacée par Ni et/ou Co pour régler le coefficient de tempi- rature de la fréquence de résonance. Comme le remplacement partiel de Mg par Ni et/ou Co déplace le coefficient de température de la fréquence de résonance vers le côté négatif, et son déplacement augmente avec la quantité de Mg remplacée par Ni et/ou Co, il est possible de produire des céramiques diélectriques ayant un coef- ficient de température désiré quelconque de la fréquence de résonance, qui sont intéressantes comme céramiques diélectriques à compensation de température. Cependant, si le remplacement de Mg par Ni et/ou Co dépasse 70 atomes % de Mg, le coefficient de température de la- fréquence de résonance devient trop grand du côté négatif. Egalement, un remplacement trop fort de Mg par Ni et/ou Co provoque un abais- sement de la propriété de frittage ou une diminution de Q. Donc, le remplacement partiel de Mg par Ni et/ou Co a été limité aux quantités ne dépassant pas 70 atomes %. On incorpore au moins un oxyde de lanthanide dans la composition céramique pour améliorer le facteur de qualité Q. Cependant, une addition dépassant 10 moles % provoque un abaissement de Q. Donc, la quantité d'additif a été limitée à des valeurs de pas plus de 10 moles %. Cependant, on préfère incorporer au moins un oxyde de lanthanide en quantité de 0,1 mole % et plus. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre en référence à des modes de mise en oeuvre préférés et aux dessins annexés dans lesquels: - la figure 1 est un diagramme représentant la zone préférée de compositions en ingrédients SnO, MgO et Ta203 dans un systme Ba(Snx gyTaz)o7/2-x/2-3y/2 selon la présente invention; - la figure 2(a) est une vue schématique d'une structure cristalline de Ba(Mg/3Ta2/3)03 de la technique antérieure - la figure 2(b) est une vue schématique d'une structure cristalline de Ba(Mg1/3Ta2/3)03 qui montre la configuration ordonnée de Mg et Ta; - la figure 3(a) est un graphique représentant des diagrammes de diffraction des rayons X pour Ba(Mg1/3Ta2/3)03; - la figure 3(b) est un graphique représentant des diagrammes de diffraction des rayons X pour Ba(Sno,0 Moo 29Ta,61)0 3 - la figure 4(a) est un graphique représentant les diagrammes de diffraction des rayons X pour Ba(Mg/13Ta213)O3 autour de 2Q = 90 ; - la figure 4(b) est un graphique representant les diagrammes de diffraction des rayons X pour Ba(Sn 10Mg0 29Ta0 61)03 autour de 20 = 90 . Les exemples suivants illustrent l'invention sans toutefois en limiter la portée. EXEMPLE I En utilisant BaC03, SnO, MgCO3 et Ta05 hautement aC3, n2, gC3 2 5 purifiés (pureté: 99,8-99,9%) comme matières premières, on prépare des mélanges pour produire des céramiques ayant chacureune composition représentée au tableau 2. On place le mélange résultant dans un broyeur à billes avec de l'eau et ensuite on mélange par le procédé humide pendant 2 h. Après séchage, on calcine le mélange à 1200 C pendant 2 h. On broie le corps préfritté ainsi obtenu, on le passe au broyeur à billes avec de l'eau et un liant organique pendant 2 h et ensuite on sèche. On fait passer la poudre résultante au tamis de 0,297 mm pour obtenir un tamisat de dimension inférieure et ensuite on le presse en disques de 10 mm de diamètre et 5 mm d'épaisseur sous une pression de 200 kPa. Les disques sont calcinés à l'air à 1550 C pendant 4 h pour produire des échantillons de céramique. Chacun des échantillons résultants est soumis à des mesures de la constante.diélectrique 6, du facteur de qualité Q et du coefficient de température de la fréquence de résonance tf La constante diélectrique et Q sont mesurés à 10 GHz par une technique bien connue au résonateur diélectrique. Le coefficient de température de la fréquence de résonance est déterminé par l'équation suivante: 1 Af 1 (f85 Z, (85 - 25) f T f25 (85 - 25) f f f25 dans laquelle f25 est la fréquence de résonance à 25 C et f85 est la fréquence de résonance à 850C. Les résultats sont indiqués dans le tableau 2. Dans ce tableau, les échantillons marqués d'un astérisque sont ceux ayant une composition audelà du cadre de la présente invention. Les propriétés des échantillons n 7 et 8 ne peuvent pas 9tre mesurées, car ces échantillons ne sont pas frittés. Les chiffres dans la figure 1 correspondent aux n ' d'échantillons dans le tableau 2, respectivement. Comme on peut le voir d'après les résultats indiqués dans le tableau 2, la composition selon la présente invention a une constante diélectrique élevée, un faible coefficient de température de la fréquence de résonance et une valeur de Q élevée. L'échantillon n 3 selon la présente invention a une valeur de Q de 10800, ce qui est environ 1,8 fois celle de la composition Ba(Mg1/3Ta2/3)03 repré- sentée dans le tableau 1. La figure 3(b) montre des diagrammes de diffraction des rayons X de poudre de l'échantillon n 3 ayantla composition 0 Ba(SnO ogo,2Tao C1)O 3. On voit d'après cette figure que les "(SO,l bl0,29 061 - 3 diagrammes de rayons X de Ba(Sno oMgo,29Tao61)03 montrent la dispa- rition des pics (*) de diffraction dépendant du super-réseau hexa- gonal qui sont observés dans la figure 3(a) représentant les diagrammes de diffraction des rayons X de Ba(Mg1/3Ta2/3)03. Ceci signifie que la composition Ba(Sn0,10Mg0,29Tao,61)O3 ne forme pas une superstruc- ture et peut être facilement frittée comme l'indiquent les figures 4(a) et 4(b). Les figures 4(a) et 4(b) sont des diagrammes de diffrac- tion des rayons X de Ba(Mg1/3Ta2/3)03 et de Ba(Sno,1oMgo, 29Tao 61)O3 autour de 2e = 90s, respectivement, obtenus en utilisant les radia- tions K du cuivre. En comparant les figures 4(a) et 4(b), on notera que les diffractions dues au spectre de la radiation Ka1 et au spectre de la radiation Ka2 sont nettement séparées en deux pics a2 dans la composition Ba(Sno, loMgo,29Ta,61)03. En conséquence, on peut dire que la composition Ba(Sno0 10OMgo',2Tao 61)03 a des carac- téristiques de cristallisation supérieures à celles de la composition Ba(Mg /3Ta2/3)O3 W 1/2/3) 3 EXEMPLE 2 En utilisant BaCO3, SnO2, MgCO3, Ta205 et des oxydes 3 3' 2 5 de lanthanides (La 203 CeO Pr 20, Nd2 0 Sm203, D203, io03 Er203) 2 3' 29 2 3' 2 3Y 203, DY203, 1203. E2 3) hautement purifiés (pureté: 99,8-99,9%) comme matières premières, on prépare des mélanges pour produire des céramiques ayant chacune nlle composition indiquée dans le tableau 3. On traite chacun des m.,langes de matières premières résultants de la même manière que d.crit à l'exemple 1 pour préparer des échantillons de céramiques diélectriques. Les propriétés des échantillons résultants sont mesurées de la même manière qu'à l'exemple 1. Les résultats sont indiqués dans le tableau 3 ci-après. Comme on peut le voir d'après les résultats indiqués dans le tableau 3, les compositions selon la présente invention ont une constante diélectrique élevée, un faible coefficient de tempé- rature de la fréquence de résonance et une valeur élevée du facteur Q. On notera également que l'on peut améliorer le facteur de qualité Q des compositions céramiques diélectriques selon la présente invention par incorporation de 0,1 à 10 moles % d'au moins un oxyde de lanthanide dans la composition du système Ba(Sn MgyTa)O712_x2_3y/2. EXEMPLE 3 En utilisant BaCO3, SnO2, MgC03, Ta205, NiO et Co203 hautement purifiés (pureté: 99,8-99,9%) comme matières premières, on prépare des mélanges pour produire des céramiques ayant chacune une composition indiquée dans le tableau 4 ci-après. Chaque mélange résultant de matières premières est traité de la même manière que décrit à l'exemple 1 pour préparer des échantillons de céramiques diélectriques. Les propriétés des échantillons résultants sont mesurées de la méme manière qu'à l'exemple 1. Les résultats sont indiqués dans le tableau 4 ci-après. Comme on peut le voir d'après les résultats indiqués dans le tableau 4, les compositions selon l'invention ont une cons- tante diélectrique élevée, un faible coefficient de température de la fréquence de résonance et une valeur élevée du coefficient Q. Par comparaison entre les résultats donnés dans les tableaux 2 et 4, on voit que le remplacement partiel de {g dans Ba(Snx Mg Taz)O7/2_x/2_3y/2 par Ni et/ou Co permet de déplacer le coefficient de température de la fréquence de résonance du côté négatif sans détérioration du coefficient Q et de la constante diélectrique. EXEMPLE 4 En utilisant BaCO3, SnO2, MgCO3, Ta205, NiO, Co203 et des oxydes de lanthanides (La203, CeO2, Pr203, Nd20, Sm203) hautement purifiés (pureté: 99,8-99,9%) comme matières premières, on prépare des mélanges pour produire des céramiques ayant chacune une composition indiquée dans le tableau 5 ci-après. Chaque mélange résultant de matières premières est traité de la même manière que décrità l'exemple 1 pour préparer des échantillons de céramiques diélectriques. Les propriétés des échantillons résultants sont mesurées de la même manière qu'à l'exemple 1. Les résultats sont indiqués dans le tableau 5. Comme on peut le voir d'après les résultats indiqués dans le tableau 5, les compositions selon la présente invention ont une constante diélectrique élevée, un faible coefficient de tempéra- ture de la fréquence de résonance et une valeur élevée du coefficient Q. Il est entendu que l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation préférés décrits ci-dessus à titre d'illustra- tion et que l'homme de l'art pourra y apporter des modifications sans sortir du cadre de l'invention. TABLEAU 1 6 O composition rf (ppm/ C) Ba(Mgl/3Ta2/3)03 25e0 6000 7 TABLEAU 2 -char- Ba(SnxMgyTaz) 7/2 /2-3y/2Q rf tiii x vaO/2-x/2- 3 /2 tillon no x y z (ppm/ C) 1 0,04 0,31 0,65 23,5 8600 5 2 0,14 0,31 0,55 23,4 8400- 2 3 0,10 0X29 0,61 24,4 8800 3 4 0,14 0,27 0,59 24,8 10800 -1 0,10 0,25 0,65 26,5 8200 7 6 0,20 0,25 0J55 25X5 8900 -4 7* 0,10 0,35 0,55 non fritté 8* 0,18 0,35 0,47 non fritté 9* 0,02 0,29 0,69 25,8 3800 18 * 0,28 0,25 0,47 21,1 3200 2 11* 0,12 0,19 0,69 30,1 2400 40 12* 0,20 0,19 0,61 28,1 5300 29 TABLEAU 3 Echan- Ba (SnxMgyTaz) O7/2_x/2_pi/2 Teneur Q f tillon ai e 2 O n x y z me (moles %) (pm/C) 1 0,04 0,31 0,65 La 0,1 23,6 8600 5 2 0,04 0,31 0,65 La 1,0 23,9 9100 7 3 0,04 0,31 0,65 La 10,0 24,2 8200 9 4* 0,04 0,31 0,65 La 20,0 23,8 6600 12 0,14 0,31 0,55 Ce 0O1 23,7 8800 4 6 0,14 0,31 0,55 Ce 1,0 24,4 9100 5 7 0,14 0,31 0,55 Ce 10,0 24,4 8600 9 8* 0,14 0,31 0,55 Ce 20,0 23,7 5900 15 9 0,10 0,29 0,61 Pr 0,1 24,8 9600 4 0,10 0,29 0,61 Pr 1,0 25,0 10600 6 il 0,10 0,29 0,61 Nd 10,0 25,1 9900 8 12* 0,10 0,29 0, 61 Nd 20,0 24,4 6800 16 13 0,14 0,27 0,59 Sm 0,1 25,0 11400 -1 14 0,14 0, 27 0,59 Sm 1,0 25,4 12500 O 0,14 0,27 0,59 Sm 10,0 25,5 9700 4 16* 0,14 0, 27 0,59 Sm 20,0 24,9 7300 7 17 0,10 0,25 0,65 Sm 0,1 26,7 8400 8 18 0,10 0,25 0,65 Dy 1,0 26,9 9700 9 19 0,10 0,25 0,65 Ho 10,0 26,8 8200 13 * 0, 10 0,25 0,65 Er 20,0 26,3 5600 20 21 0,20 0,25 0,55 La 0,05 25,5 9200 -2 Ce 0,05 22 0,20 0,25 0,55 Pr 0,5 25,7 9700 O Nd 0,5 23 0,20 0,25 0,55 Sm 5,0 25,5 8300 3 Dy 5,0 24* 0,20 0,25 0,55 Ho 10,0 25,2 6600 8 Er 10,0 * 0, 10 0,35 0,55 Sm 1,0 non fritté 26* 0,18 0,35 0,47 Sm 1,0 non fritté 27* 0, 02 0,29 0,69 Sm 1,0 26,0 4200 21 28* 0,28 0,25 0,47 Sm 1,0 21,5 3300 6 29* 0,12 0,19 0,69 Sn 1,0 30,4 3200 48 * 0,20 0,19 0,61 Sm 1,0 28,6 5300 34 TABLEAU 4 3chan- Ba(Sn M TazO7/2_ x /2_ 2 Fraction tillon.... raplacée n x V z (atcnes %) {ip c) 1 0,04 0,31 0,65 Ni:35 23,7 8200 1 2 0,04 0,31 0,65 Ni:70 23,9 7600 -2 3* 0,04 0,31 0,65 Ni:95 23,9 5500 -6 4 0,04 0,31 0,65 Co:35 24,0 8100 0 0,04 0,31 0,65 Ni:35 24,7 7700 -4 Co:35 6* 0,04 0,31 0, 65 Co:95 25,6 5400 -9 7 0,14 0,31 0,55 Ni:35 23,8 8100 -2 8 0,14 0,31 0, 55 Ni:-70 24,1 7500 -5 9* 0,14 0>31 0,55 Ni:95 non fritté 0,14 0,31 0,55 Co:35 24,5 7800 -2 11 0,14 0,31 0,55 Ni:35 25j6 7100 -7 Co:35 12* 0,14 0, 31 0,55 Co:95 non fritté 13 0,10 0,29 0,61 Ni:35 24,1 8600 0 14 0,10 0,29 0,61 Ni:70 23,7 8100 -5 * 0,10 0,29 0,61 Ni:95 23,6 6300 -14 16 0,10 0,29 0,61 Co:35 246' 8400 -1 17 0,10 0,29 0361 Ni:35 24,9 7800 -5 Co:35 18* 0, 10 0,29 0,61 Co:95 25,5 5700 -13 19 0,14 0,27 0,59 Ni:35 2456 9900 -6 0, 14 0,27 0,59 Ni:70 24,2 9200 -11 21* 0:14 0,27 0,59 Ni:95 23,8 6100 -18 22 0,14 0,27 0,59 Co:35 25,2 9000 -6 23 0,14 0,27 0,59 Ni:35 24,7 8300 -9 Co:35 24* 0314 0,27 0,59 Co:95 25,2 6200 -15 TABLEAU 4 (suite) B S x- B( az)07t_/2_x/ Fraction. QT tillon X z 7/2-2- remlactei é n x y z (atames %) (ppm/0C) 0,10 0,25 0,65 Ni:35 26,5 8000 0 26 0,10 0,25 0,65 Ni:70 25,9 7500 -3 27* 0,10 0,25 0,65 Ni:95 25,1 6200 -9 28 0,10 0,25 0,65 Co:35 26, 3 7700 2 29 0,10 0,25 0,65 Ni:35 25,4 7300 -2 Co:35 * 0,10 0,25 0,65 Co:95 25,3 6000 -8 31 0,20 0,25 0,55 Ni:35 25,4 8200 -4 32 0,20 0,25 0,55 Ni:70 25,2 7200 -3 33* 0,20 0,25 0,55 Ni:95 non fritté 34 0,20 0,25 0,55 Co:35 24,9 8300 -2 0,20 0,25 0,55 Ni:35 24,9 7100 -2 Co:35 36* 0,20 0,25 0,55 Co:95 non fritté 37* 0,10 0,35 0,55 Ni:35 non fritté 38* 0,10 0,35 0, 55 Co:35 non fritté 39* 0,18 0,35 0,47 Ni:35 non fritté * 0,18 0,35 0,47 Co:35 non fritté 41* 0,02 0,29 0,69 Ni:35 25,5 3300 15 42* 0,02 0,29 0,69 Co:35 25,8 3000 17 43* 0,28 0,25 0,47 Ni:35 22,1 2100 -3 44* 0,28 0,25 0, 47 Co:35 20,9 2300 --5 * 0,12 0,19 0,69 Ni:35 27,0 2400 35 46* 0,12 0,19 0,69 Co:35 27,3 2100 33 47* 0,20 0,19 0,61 Ni:35 26,2 3800 24 48* 0,20 0, 19 0,61 Co:35 26,4 3700 25 TABLEAU 5 no Ba (SnMaTa2Fraction O,,P f nxM z)07/2-x12-3y/2 Ere3place.. x y z (atcoes %).e s (p/r/oC) 1 0,04 0,31 0,65 Ni:35 La 0,1 2318 8600 1 2 0,04 0,31 0,65 Ni:35 Ce 1,0 25,0 9000 -1 Co:35 3 0114 0,31 0,55 Ni:35 Pr 0,1 23,9 8400 1 4 0,14 0,31 0,55 Ni:35 Pr 1,0 25,7 8300 -1 Co:35 0,10 0, 29 061- Ni:35 Nd 0,1 24,2 9000 1 6 0,10 0,29 0,61 Ni:35 Sm 1,0 25,2 9100 2 Co:35 7 0,14 0327 0,59 Ni:35 Sm 011 24,8 11000 -3 8 0114 0,27 0,59 Ni:35 Sm 1,0 25,1 12000 -3 Co:35 9 0,10 0,25 0,65 Ni:35 La 0,05 26:5 8200 5 Ce 0,05 0,10 0,25 0,65 Ni:35 Pr 0,5 26,6 9100 6 Co:35 -Nd 0,5 11 0,20 0) 25 0,55 Ni:35 Sm 0,05 25,3 8800 -3 Dy 0,05 12 0,20 0,25 0,55 Ni:35 Ho 0,5 25,5 9300 -4 Co:35 Er 0,5 R E V E N D ICAT IONS S 1. Composition céramique diélectrique pour fréquences de micro-ondes comprenant une solution solide composée de BaO, SnO2, MgO et Ta205, caractérisée en ce que ladite solution solide est représentée par la formulc générale Ba(SnxMgyTaz)O7/2-x/2-3y/2 dans laquelle x, y et z sont les fractions molaires des composants respectifs; 0,04 x + y + z = 1,00. 2. Composition céramique diélectrique selon la revendication 1, caractérisée en ce que x, y et z dans ladite formule générale prennent des valeurs dans les gammes respectives suivantes: 0,04 3. Composition céramique diélectrique selon la revendication 2, caractérisée en ce que l'on remplace pas plus de 70 atomes % de Mg par Ni, Co ou leurs mélanges. 4. Composition céramique diélectrique pour fréquences de micro-ondes, caractérisée en ce qu'elle comprend: un composant principal comprenant une solution solide composée de BaO, SnO2, MgO et Ta205, ladite solution solide étant représentée par la frmule générale: Ba(SnxMgyTaz)07/2-x/23y/2 dans laquelle x, y et z sont les fractions molaires des composants respectifs; 0,04