Brevet FR2554237A1 — publié le 19850503

La présente invention concerne un capteur d'humidité capacitif comportant un substrat isolant insensible à l'humidité et une couche mince de polymère sensible à l'humidité placée sur ce substrat entre deux électrodes structurées pour la formation d'intervalles, et un pro- cédé de fabrication de ce capteur. Des capteurs d'humidité de ce type sont connus par exemple d'après les brevets allemands 23 39 545 et 23 47 389, et les demandes de brevet allemand 29 20 808 et 29 27 634. Dans tous ces capteurs d'humidité connus, les deux électrodes structurées sont formées directement sur le substrat sous forme de peignes à doigts emboîtés, et le polymère sensible à l'humidité est ensuite appliqué de façon qu'il couvre les deux électrodes en forme de peigne ou au moins remplisse les intervalles entre elles. Cet agencement ne permet pas une structuration très fine des électrodes, et comme en vue de l'isolement nécessaire entre les électrodes stucturées, les intervalles de celles-ci doivent être relativement grands, la capacité de base du capteur d'humidité qui peut être obtenue pour une étendue en surface donnée, est relativement faible. En outre, en raison de l'épaisseur relativement grande du polymère qui se trouve entre les électrodes, la sensi- bilité et la vitesse de réponse du capteur sont limitées. Les polymères utilisés sont le plus souvent thermo- plastiques, ordinairement des polyamides, et par consé- quent peu résistants mécaniquement, chimiquement et thermiquement. On sait d'après le "Handbook of Materials and Processes for Electronics", édité par Charles A. Harper, McGraw-Hill Book Company, New York 1970, pages 1 à 66, que les propriétés électriques des polyimides en parti- culier leur constante diélectrique et leur facteur de pertes, varient avec l'humidité. Dans le brevet européen 0 010 771 est en conséquence décrit un capteur d'humidité capacitif dont la couche sensible à l'humidité est une feuille de polyimide qui est collée par une mince couche de colle sur un substrat métallique servant en même temps d'électrode, tandis que l'autre électrode est un dépôt d'or fait sur la feuille de polyimide et suffisamment mince pour être perméable à l'eau. La couche de polyimide peut également être obtenue par imidisation à partir d'un intermédiaire de synthèse du polyimide d'abord appliqué en solution sur le substrat métallique. Le polyimide, comme matière sen- sible à l'humidité, a comme avantages d'être résistant chimiquement et stable mécaniquement et de pouvoir être chargé thermiquement. Cependant, la sensibilité et la vitesse de réponse de ce capteur connu sont aussi limi- tées car la minceur de la couche de polyimide est limitée afin que toute conductibilité de courant continu soit exclue entre les électrodes, et d'autre part, le dépôt d'or couvrant la couche de polyimide gêne la diffusion de l'eau et empêche ainsi une égalisation rapide de la pression partielle de vapeur d'eau dans le polyimide et dans l'atmosphère. La couche d'or très mince est en outre instable mécaniquement, métallurgiquement et électriquement, et l'application du contact de connexion sur cette mince couche d'or crée des difficultés. L'invention a pour but de proposer un capteur d'humidité du type mentionné ci-dessus qui ait, avec une bonne résistance mécanique, chimique et thermique, une haute sensibilité, une grande vitesse de réponse, une haute stabilité à long terme et une faible hystérésis. Le but de l'invention est atteint grâce au fait qu'une électrode structurée est formée sur le substrat comme électrode de base, que la couche mince sensible à l'humidité est en polyimide et placée sur l'électrode de base structurée, et que la deuxième électrode est placée sur la couche de polyimide comme électrode de couverture et est structurée d'une manière sensiblement complémentaire de celle de l'électrode de base. Le capteur d'humidité réalisé selon l'invention présente les avantages de l'utilisation de polyimide pour la couche sensible à l'humidité, c'est-àdire les bonnes propriétés mécaniques, chimiques, thermiques et électriques de cette matière. La couche de polyimide peut être de faible épaisseur. Comme l'électrode de couverture est appliquée sur la couche de polyimide, la distance entre les électrodes est déterminée par l'épaisseur de cette couche, de sorte qu'avec cette faible épaisseur, on obtient une grande capacité initiale. La disposition de la couche de polyimide entre deux électrodes structu- rées complémentaires donne une grande sensibilité et une grande vitesse de réponse, car le polyimide, dans les intervalles de l'électrode de couverture structurée, est en contact direct avec l'atmosphère ambiante, de sorte que la couche très mince de polyimide peut rapidement se saturer à l'humidité ambiante. Il n'est donc pas néces- saire que l'électrode -de couverture saturée soit perméa- ble à l'eau, de sorte qu'elle peut être d'une épaisseur qui donne une bonne stabilité mécanique et électrique et permet une application sans problèmes des contacts de connexion, par exemple par soudage. Selon une réalisation préférée de l'invention, entre l'électrode de base structurée et la couche de polyimide sensible à l'humidité est placée une couche isolante électrique insensible à l'humidité qui est de préférence une couche d'oxyde formée par oxydation superficielle de l'électrode de base structurée. La couche de polyimide peut alors être d'une épaisseur extrêmement faible, infé- rieure à 1 um, sans qu'il y ait de danger de conductibi- lité de courant continu entre les électrodes. Le capteur d'humidité ainsi agencé a une sensibilité et une vitesse de réponse particulièrement grandes. Un procédé préféré de fabrication du capteur d'humi- dité de la présente invention est caractérisé en ce qu'une mince couche du métal de l'électrode de base est appliquée sur un substrat isolant insensible à l'humidité et struc- turée d'après la forme désirée de l'électrode de base, qu'une mince couche d'un intermédiaire de synthèse du polyimide est appliquée sur la surface du substrat cou- verte par l'électrode de base structurée et est structurée d'après la forme désirée de la couche sensible à l'humi- dité, que l'intermédiaire de synthèse du polyimide de la couche structurée est imidisé pour être transformé en polyimide sensible à l'humidité, et qu'une mince couche du métal de l'électrode de couverture est appliquée sur la surface du substrat couverte par l'électrode de base et la couche de polyimide sensible à l'humidité et est structurée d'après la forme désirée de l'électrode de couverture. Dans le procédé de l'invention est utilisé le fait que la couche constituée de l'intermédiaire de synthèse du polyimide est encore soluble et peut donc facilement être structurée, tandis que cela ne serait guère possible dans le cas du polyimide insoluble de la couche finale sensible à l'humidité. La structuration de la couche sensible à l'humidité est favorable à son utilisation avec des électrodes structurées; en particulier, une structuration appropriée de la couche sensible à l'humi- dité permet d'augmenter encore sa vitesse de réponse. Un procédé de formation de polyimide à partir d'un polyamide modifié à l'acide qui sert d'intermédiaire de synthèse du polyimide est décrit dans l'article "Aromatic Polypyromellitimides from Aromatic Polyamic Acids" de Sroog, Endrey, Abramo, Berr, Edwards et Olivier paru dans la revue "Journal of Polymer Science", part A, Vol. 3, 1965, pages 1373 à 1390. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description qui va suivre d'exemples de réalisation à l'aide des dessins annexés, sur lesquels: les figures la et lb sont un organigramme des phases d'un procédé de fabrication préféré d'un capteur d'humi- dité, les figures 2a à 2h sont des vues en coupe à diffé- rents stades de la fabrication du capteur d'humidité représenté sur la figure 5 par le procédé des figures la et lb; la figure 3 est une vue en coupe correspondant à la figure 2h d'une forme de réalisation modifi.e du capteur d'humidité; la figure 4 est une vue de dessus de l'électrode de base obtenue à un stade de la fabrication, et la figure 5 est une vue de dessus du capteur d'humi- dité terminé. La fabrication d'un exemple de réalisation préféré du capteur d'humidité, représenté vu de dessus sur la figure 5, sera décrite à l'aide de l'organigramme des figures la et lb et des coupes des figures 2a à 2h. Dans la phase I du procédé, une mince couche de tantale 2 est appliquée par pulvérisation cathodique sur un substrat 1 en matière stable mécaniquement et isolante électriquement insensible à l'humidité (figure 2a). Pour ce substrat 1 est utilisé de préférence un verre de haute pureté et d'excellent état de surface ne contenant pas de métaux alcalins. La couche de tantale peut avoir par exemple une épaisseur de 0,15 pm. Selon la technologie usuelle des couches minces, sur le substrat 1 sont réalisés simultanément un grand nombre de capteurs d'humidité qui sont séparés les uns des autres à l'issue de la fabrication. Pour simpli- fier, on décrit ci-après la fabrication d'un seul de ces capteurs. Dans la phase II, la couche de tantale 2 est struc- turée pour la formation de l'électrode de base. Cela peut se faire de la manière usuelle par photolithographie. Pour cela, on commence par former sur la couche de tantale 2 un masque d'attaque en couvrant toute la surface d'une couche de vernis photosensible d'environ 1,5 pm d'épaisseur, puis on expose ce vernis à la lumière à travers un patron, on le développe et on le durcit. Ensuite, le tantale de la couche 2 non couvert par le masque est enlevé par attaque chimique humide. Apres l'attaque et l'enlèvement du masque, la couche de tantale 2 a la forme désirée de l'électrode de base 10 représentée vue de dessus sur la figure 4. L'électrode de base 10 est une électrode en forme de peigne compor- tant une bordure 11 d'o partent un grand nombre de doigts étroits allongés 12 entre lesquels existent des intervalles 13. A une extrémité, la bordure 11 se trans- forme en une plage de connexion élargie 14. La représen- tation de la figure 4 est très simplifiée pour plus de clarté. En réalité, le nombre de doigts 12 de l'électrode en forme de peigne est beaucoup plus grand; la largeur des doigts 12 et celles des intervalles 13 sont d'envi- ron 5 à 10 pm. La figure 2b représente une coupe de trois doigts 12 de l'électrode de base 10. Dans la phase III est faite, après couverture de la plage de connexion 14 d'un masque de protection contre l'oxydation, une oxydation superficielle du tantale de l'électrode de base. Cette oxydation superficielle est faite par anodisation avec une tension d'environ 100 V sur une profondeur d'environ 0,05 pm, de sorte que sous la couche d'oxyde subsiste une épaisseur de tantale métallique d'environ 0,1 pm. L'oxyde de tantale Ta205 formé par l'anodisation occupe un plus grand volume que le métal, de sorte que la couche d'oxyde de tantale 3 formée (figure 2c) a une épaisseur d'environ 0,15 pm. La couche d'oxyde 3 constitue un revêtement passivant absolument imperméable et très isolant. Cela procure l'avantage que l'électrode de base 10 est pratiquement inattaquable chimiquement et donc extrêmement stable. Du point de vue électrique, dans le capteur d'humidité terminé, toute conductibilité de courant continu de la structure de condensateur est évitée. Du point de vue physique, cela signifie que le capteur d'humidité terminé a une linéarité et une stabilité excellentes, en particulier aux températures élevées et a une humi- dité relative élevée. Dans la phase IV, toute la surface du substrat 1 et de l'électrode de base 10 formée sur ce dernier est couverte d'une couche 4 (figure 2d) d'un intermédiaire de synthèse du polyimide à partir duquel sera formé plus tard par imidisation le polyimide sensible à l'humidité. Cet intermédiaire de synthèse du polyimide est un polyamide de très haute pureté modifié à l'acide qui est appliqué par projection en une couche d'environ 1,0 à 2,0 lim d'épaisseur. La couche 4 est ensuite, dans la phase V, séchée à 90 à 120 C. La faible épaisseur de la couche est possible en particulier grâce au bon état de surface du substrat en verre 1. Les phases VI à VIII servent à la structuration de la couche ultérieure sensible à l'humidité. Cette structuration est faite de nouveau par le procédé photolithographique usuel. Pour cela, dans la phase VI, une couche 5 (figure 2e) de vernis photosensible positif d'environ 1,5 pm d'épaisseur est appliquée par projec- tion, et cette couche de vernis photosensible est, dans la phase VII, séchée environ 30 minutes à 90 C. Dans la phase VIII, la couche de vernis photosensible est exposée à la lumière à travers un patron 6 aux endroits o il ne doit pas exister plus tard de couche sensible à l'humidité. Ce sont en particulier les plages de connexion 14 de toutes les électrodes de base formées sur le substrat en verre qui doivent être dégagées pour l'application des contacts électriques, et également, dans l'exemple décrit ici, les intervalles 13 entre les doigts 12 de l'électrode de base 10. Après l'exposition, le vernis photosensible, dans la phase IX, est développé, c'est-à-dire que les parties exposées de la couche de vernis photosensible 5 sont enlevées par dissolution. Le révélateur utilisé pour cela dissout également les parties sousjacentes de la couche 4, tandis que les parties de la couche 4 situées sous les endroits non exposés de la couche de vernis photosensible 5 subsis- tent. L'attaque nécessaire à la structuration de la couche sensible à l'humidité est donc faite en une seule opération avec le développement du vernis photosensible. Apres l'enlèvement dans la phase X, de la partie restante non exposée du vernis photosensible, est faite dans la phase XI l'imidisation du polyamide modifié à l'acide subsistant de la couche 4 par traitement thermi- que à 300 à 400 C pendant environ 1 heure, grâce auquel on obtient la couche de polyimide sensible à l'humidité. La structure obtenue correspond à la coupe de la figure 2f. Les doigts 12 de l'électrode de base en forme de peigne 10 qui subsistent du tantale de la couche 2 (ainsi que la bordure 11 non visible sur la figure 2f) sont, sur leur surface qui n'est pas en contact avec le substrat en verre 1, entièrement entourés par la couche 3 d'oxyde de tantale, et cette couche d'oxyde de tantale est elle-même enveloppée d'une couche 7 de polyimide sensible à l'humidité. Dans les intervalles 13 entre les doigts 12, par contre, le substrat en verre est à nu. Lors de l'imidisation, l'épaisseur de la couche diminue, de sorte que la couche de polyamide ayant l'épaisseur d'environ 1 à 2 pm indiquée précédemment donne une couche de polyimide d'envrion 0,5 à 1,0 pm d'épaisseur. Ensuite a lieu la formation de l'électrode de couverture qui constitue la deuxième électrode du con- densateur, dont la première électrode est l'électrode de base 10 et le diélectrique est formé par la couche sensible à l'humidité 7. Pour former l'électrode de couverture, on commence par revêtir toute la surface de la structure obtenue jusque là d'une couche 8 de la matière de l'électrode de couverture (figure 2g). Cette couche 8 peut être une couche métallique unique ou bien être constituée de plusieurs couches métalliques appliquées successivement. Quand l'électrode de couver- ture doit être en or, il faut, pour avoir une meilleure adhérence de la couche d'or, appliquer d'abord une mince couche de nickel-chrome (épaisseur 0,02 pm) et seulement ensuite la couche d'or (épaisseur 0,2 pm). Pour simpli- fier, les différentes strates de la couche 8 ne sont pas représentées sur les dessins. Dans la phase XIII, la couche métallique 8 est structurée pour la formation de l'électrode de couver- ture. Cela se fait de nouveau par le procédé photolitho- graphique usuel de la manière exposée ci-dessus. Apres l'attaque et l'enlèvement du masque, la couche métalli- que 8 a la forme désirée de l'électrode de couverture , qui est représentée vue de dessus sur la figure 5. L'électrode de couverture 20 est également une électrode en forme de peigne comportant une bordure 21 d'o par- tent un grand nombre de doigts étroits allongés 22 entre lesquels existent des intervalles 23. A la bordure 21 de l'électrode de couverture 20 s'attache une plage de connexion 24 qui se trouve à côté de la plage de connexion 14 de l'électrode de base 10. Comme représenté sur la figure 2h, montrant la coupe de plusieurs doigts de l'électrode de couverture, les doigts 22 de l'élec- trode de couverture sont au-dessus des intervalles 13 de l'électrode de base, tandis que les intervalles 23 de l'électrode de couverture sont audessus des doigts 12 de l'électrode de base. Les doigts 22 de l'électrode de couverture sont, dans les intervalles 13 entre les doigts 12 de l'électrode de base, sur le substrat en verre, et la couche sensible à l'humidité 7 qui couvre les doigts de l'électrode de base est à nu dans les intervalles 23 de l'électrode-de couverture. Dans les zones de transition entre les bords de ces zones, la couche 7 sensible à l'humidité est enfermée entre les zones de bordure en regard de deux doigts 12 et 22. Les bords des doigts 12 et 22 peuvent à peu près se recouvrir ou chevaucher légèrement. Dans la phase XIV, est fait un recuit de deux heures à 300 C de la structure obtenue. La haute température d'imidisation de 300 à 400 C permet d'utiliser la haute température de recuit de 300 C, de sorte que le capteur d'humidité terminé aura une excellente résistance au vieillissement. Dans la phase XV est faite la division en les différents capteurs d'humidité par fendage et rupture du substrat en verre. Ensuite, dans la phase XVI, aux deux plages de contact 14 et 24 de chaque capteur sont soudés des contacts électriques 15 et 25. Le capteur d'humidité est alors prêt à l'emploi. L'agencement décrit du capteur d'humidité offre des avantages importants en ce qui concerne aussi bien la fabrication que les caractéristiques d'emploi. Une caractéristique essentielle du procédé de fabrication est que pour former la couche de polyimide sensible à l'humidité, on commence par appliquer une couche de polyamide, puis on structure celle-ci et seulement ensuite on la transforme en le polyamide sensible à l'humidité. Ce procédé connu permet une structuration très simple de la couche ultérieure sensible à l'humidité suivant la technologie usuelle de la technique des couches minces, car le polyamide modi- fié à l'acide utilisé comme intermédiaire de synthèse du polyimide est soluble, tandis qu'une structuration de la couche de polyimide ne serait pas possible de cette ma- nière, car le polyimide est très stable chimiquement, thermiquement et mécaniquement. Ces propriétés du polyimide, qui s'opposent à la mise en oeuvre facile suivant la technologie des couches minces, donnent en revanche une excellente stabilité à long terme du cap- teur d'humidité terminé. En outre, on peut se procurer du polyamide modifié à l'acide de très haute pureté, ce qui est absolument nécessaire pour pouvoir fabriquer un capteur d'humidité ayant des caractéristiques reproductibles indépendantes de la charge. En outre, le polyimide, dans le procédé décrit, peut être appliqué en couche très mince, par exemple de 0,5 à 1,0 pm d'épaisseur, sans que la résistance méca- nique en souffre. La faible épaisseur de la couche augmente considérablement la vitesse de réponse avec laquelle le capteur d'humidité peut suivre les variations de l'humidité relative. Les paramètres du processus d'imidisation, en par- ticulier la température et l'atmosphère d'imidisation utilisées, permettent d'influer dans le sens désiré sur la courbe caractéristique du capteur d'humidité. Il est apparu qu'une température d'imidisation de 300 à 400 C donnait au capteur des propriétés électriques et physi- ques optimales. Ces propriétés avantageuses reposant sur la matière sensible à l'humidité utilisée et le mode de fabrication de celle-ci sont encore améliorées par la structure du capteur. Comme le montre en particulier la courbe de la figure 2h, une grande partie de la surface de la couche sensible à l'humidité 7 est exposée directement à l'atmosphère, de sorte que l'humidité peut pénétrer librement dans cette couche. La partie de la couche sensible à l'humidité couverte par l'électrode de couverture est relativement petite et peut, en particu- lier en raison de la faible épaisseur de la couche, se saturer rapidement à l'humidité ambiante. La faible épaisseur de la couche donne une grande capacité entre les électrodes en regard. D'autre part, malgré la faible épaisseur de la couche sensible à l'humidité, la couche d'oxyde 3 de l'électrode de base évite tout danger de passage de courant continu entre les électrodes. Comme l'humidité a un accès direct à la couche sensible à l'humidité, l'électrode de couverture peut être épaisse et imperméable à l'eau, ce qui d'une part augmente la résistance mécanique et la stabilité électri- que et d'autre part permet le soudage direct du contact électrique à l'électrode de couverture. Le soudage des contacts supprime en particulier les instabilités à long terme que présentent les jonctions collées en particulier aux températures élevées et/ou en cas de grande humidité. La figure 3 est une coupe semblable à la figure 2h d'une forme de réalisation un peu modifiée du capteur d'humidité. Celui-ci diffère du capteur décrit précédem- ment seulement en ce que dans les phases VIII et IX du procédé, le polyamide se trouvant dans les intervalles 13 entre les doigts 12 de l'électrode de base n'est pas enlevé. Le patron 6 utilisé pour la structuration n'a donc pas de jours aux endroits des intervalles 13, mais sert seulement à mettre à nu les plages de connexion 14. Par ailleurs, la fabrication se déroule sans change- ment de la manière décrite précédemment, et la vue de dessus du capteur d'humidité terminé correspond à la représentation de la figure 5. Par suite de la modifica- tion indiquée, cependant, comme le montre la figure 3, les doigts 22' de l'électrode de couverture, dans les intervalles 13 entre les doigts 12 de l'électrode de base, reposent non pas sur le substrat en verre 1, mais sur la couche de polyimide sensible à l'humidité 7. La suppression de la structuration fine de la couche de polyimide simplifie la fabrication du capteur; cependant, la vitesse de réponse du capteur de la figure 3 est plus faible, car les chemins de diffusion de l'eau sous l'électrode de base sont plus longs. De plus, le capteur de la figure 3 a une plus petite capacité de base et une plus petite étendue de variation de sa capacité que celui de la figure 2h. Le capteur d'humidité décit ci-dessus comportant une électrode de base structurée en tantale revêtue par oxydation superficielle d'une couche isolante d'oxyde de tantale a des propriétés mécaniques, physiques, chimiques et électriques optimales et peut être fabriqué de façon rationnelle avec une très bonne reproductibilité par les procédés de la technique des couches minces. Des modifi- cations du capteur et des procédés de fabrication de celui-ci sont cependant possibles. Ainsi, l'électrode de base peut être en métal autre que le tantale qui peut être recouvert d'une couche d'oxyde isolante par oxyda- tion superficielle. En outre, la couche isolante peut être formée autrement que par oxydation superficielle, par exemple par revêtement d'une matière isolante. On a en tout cas l'avantage de pouvoir la couche sensible à l'humidité très mince sans considération de l'isolement électrique et ainsi d'obtenir une haute sensibilité et une grande vitesse de réponse. Si l'on peut accepter une certaine détérioration de ces propriétés, il est aussi possible de supprimer la couche isolante et de faire à la place la couche de polyimide sensible à l'humidité un peu plus épaisse, auquel cas celle-ci assurera l'isolement électrique entre les électrodes. Cela simpli- fie un peu le procédé de fabrication. Dans ce cas, aussi, on a encore, en raison de la disposition de la couche sensible à l'humidité entre deux électrodes structurées, une sensibilité et une vitesse de réponse bien meilleures que dans le cas des capteurs d'humidité classiques. Au lieu d'électrodes en forme de peigne, on peut utiliser d'autres formes d'électrodes complémentaires à intervalles, par exemple des électrodes en forme de grille placées de façon que les ponts de la grille de l'électrode de couverture soient au-dessus des jours de l'électrode de base et, inversement les ponts de la grille de l'électrode de base soient sous les jours de l'électrode de couverture. REVENDICATIONS 1. Capteur d'humidité capacitif comportant un substrat (1) insensible à l'humidité et une couche mince de polymère (7) sensible à l'humidité placée sur ce substrat entre deux électrodes (10, 20) structurées pour la formation d'intervalles, caractérisé par le fait qu'une électrode structurée (10) est formée sur le subs- trat (1) comme électrode de base, que la couche mince (7) sensible à l'humidité est en polyimide et placée sur l'électrode de base structurée (10), et que la deuxième électrode (20) est placée sur la couche de polyimide comme électrode de couverture et est structurée d'une manière sensiblement complémentaire de celle de l'élec- trode de base. 2. Capteur d'humidité capacitif selon la revendi- cation 1, caractérisé par le fait qu'entre l'électrode de base (10) structurée et la couche de polyimide sensi- ble à l'humidité est placée une couche isolante électri- que (3) insensible à l'humidité. 3. Capteur d'humidité capacitif selon la revendica- tion 2, caractérisé par le fait que la couche isolante électrique (3) est une couche d'oxyde formée par oxyda- tion superficielle de l'électrode de base structuréeo 4. Capteur d'humidité capacitif selon la revendica- tion 3, caractérisé par le fait que l'électrode de base (10) est en tantale et est couverte d'une couche d'oxyde de tantale (3) formée par oxydation superficielle. 5. Capteur d'humidité capacitif selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que les deux électrodes (10, 20) sont en forme de peigne. 6. Capteur d'humidité capacitif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé par le fait que les deux électrodes (10, 20) se chevauchent légèrement le long des bords des intervalles (13, 23). 7. Capteur d'humidité capacitif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la couche mince de polyimide (7) est structurée d'après la forme de l'électrode de base (10) de façon telle qu'elle ne couvre pas le substrat (1) dans les interval- les (13) de l'électrode de base. 8. Capteur d'humidité capacitif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que l'épaisseur de la couche de polyimide (7) est comprise entre 0,5 et 1,0 pm. 9. Capteur d'humidité capacitif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat (1) est un substrat en verre de haute pureté et de haute qualité de surface. 10. Procédé de fabrication d'un capteur d'humidité selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé par le fait qu'une mince couche (2) du métal de l'électrode de base (10) est appliquée sur un substrat (1) isolant insensible à l'humidité et structurée d'après la forme désirée de l'électrode de base, qu'une mince couche (4) d'un intermédiaire de synthèse du polyimide est appliquée sur la surface du substrat (1) couverte par l'électrode de base structurée et est structurée d'après la forme désirée de la couche sensible à l'humidité, que l'inter- médiaire de synthèse du polyimide de la couche structu- rée est imidisé pour être transformé en polyimide (7) sensible à l'humidité, et qu'une mince couche (8) du métal de l'électrode de couverture (20) est appliquée sur la surface du substrat couverte par l'électrode de base et la couche (7) de polyimide sensible à l'humidité et est structurée d'après la forme désirée de l'électrode de couverture. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé par le fait qu'avant l'application de lacouche (4) d'intermédiaire de synthèse du polyimide, l'électrode de base structurée (10) est couverte d'une couche (3) isolante électrique insensible à l'humidité. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que l'électrode de base structurée (10) est couverte d'une couche (3) d'oxyde isolante par oxydation superficielle. 13. Procédé selon l'une des revendications 10 à 12, caractérisé par le fait que la structuration de la couche (4) d'intermédiaire de synthèse du polyimide est faite par voie photolithographique par exposition à la lumière et développement d'une couche de vernis photo- sensible.. 14. Procédé selon l'une des revendications 10 à 13, caractérisé par le fait qu'il est utilisé comme intermé- diaire de synthèse du polyimide un polyamide modifié à l'acide. 15. procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'imidisation de l'intermédiaire de synthèse du polyimide est faite par chauffage à une température d'environ 300 à 400 C. 16. Procédé selon l'une des revendications 10 à 15, caractérisé par le fait qu'après l'application de l'électrode de couverture (20) est fait un recuit à environ 300 C.