Brevet FR2550647A1 — publié le 19850215

Dans le développement des milieux de stockage magnéto-optiques pour dispositifs a mémoire optique, l'intérêt s'est récemment porté sur des pellicules fines en métaux de transition-terres rares amorphes en alliages binaires tels que TbFe ou GdFe et alliages ternaires tels que TbGdFe ou TbCoFe, ou systèmes d'alliage équivalents, comme matériaux magnéto-optiques appropriés pour milieux de stockage à cause de l'anisotropie inhabituelle et des propriétés magnéto-optiques. de tels métaux. Pour le stockage de l'information sur la base d'une écriture thermo-magnétique, l'information binaire est stockée en des endroits discrets par écriture avec un faisceau laser de haute puissance focalisé en combinaison avec l'appli- cation d'un champ magnétique.Pour lire ou récupérer l'information stockée on balaye les zones binaires avec un faisceau laser polarisé, focalisé, de puissance plus faible, en combinaison avec un photodétecteur et un analyseur,ce qui se traduit par un signal de retour de lecture. Pour des applications pratiques, les zones binaires écrites doivent être aussi petites que possible, de manière à rendre maximum la capacité de stockage d'une partie donnée du milieu. Cependant, la réduction des dimensions des zones binaires a pour effet de diminuer aussi le niveau d'amplitude du signal de retour de lecture et donc le rapport signal/hruit du milieu. Dans le passé, on a proposé plusieurs structures, telles que le recouvrement du milieu avec une couche diélectrique à indice de réfraction élevé d'épaisseur appropriée ou la fourniture d'une sous-couche r#fléchissante, pour améliorer le niveau du signal de retour de lecture provenant du milieu pendant la récupération de l'information en amenant ce signal à subir un mode de plus grande conversion (rotation de polarisation).Comme cela sera expliqué ultérieurement, les structures précédemment proposées (revêtement diélectrique ou sous-couche réfléchissante) apportent une conversion de mode du faisceau de lecture tombant sur une zone binaire,mais avec une limite. Par conséquent, il reste un besoin pour une nouvelle structure de milieu qui apportera une nouvelle augmentation de la conversion de mode du faisceau de lecture tombant sur une zone binaire par rapport aux structures proposées dans l'art antérieur, qui se traduira par une augmentation importante du rapport signal/ bruit et permettra ainsi une augmentation notable de la densité binaire. La présente invention concerne un milieu de stockage magnéto-optique qui utilise deux couches ou pellicules de matériau magnétique, avec la boucle d'hystérésis magnéto-optique de l'une des pellicules de sens opposé à celui de la houcle d'hystérésis magne-to-optique de l'autre pellicule. Le milieu permet les rotations de polarisation par effet Farraday produites par l'une des pellicules magnétiques de manière & entre en phase avec les rotations de polarisation par effet Kerr produites par l'autre pellicule magnétique, de sorte que la conversion additive de mode est fournie à partir de différentes parties du milieu, d'ou il résulte que le signal détecté a un rapport signal/bruit plus grand. La présente invention sera bien comprise lors de la description suivante faite en liaison avec les dessins ci-joints dans lesquels Les figures 1 et 2 sont des vues en coupe de milieux de stockage magnéto-optiques de l'art antérieur; Les figures 3 et 4 sont des vues en coupe de milieux de stockage magnéto-optiques qui confèrent l'accroissement de la force du signal de lecture par suite de l'interférence additive pour une conversion de mode accrue; La figure 5 décrit des rotations par effet Kerr et des rotations par effet Farraday pour une zone binaire du milieu de la figure 3 et une zone contiguë du milieu de la figure 3; La figure 6 représente un graphique du moment d'aimantation/dépendance de la composition de TbFe en fonction du sens de la boucle d'hystérésis magnéto-optique et de la boucle d'hystérésis d'aimantation; et La figure 7 décrit pour un sous-réseau TbFe (Fe ou Tb) la direction d'aimantation en fonction du sens du champ appliqué (ou aimantation nette de la pellicule). Afin de bien faire comprendre le milieu proposé, on procèdera à une discussion du milieu de revêtement diélectrique de l'art antérieur, et du milieu de sousrevêtement réfléchissant de l'art antérieur, en liaison avec les figures 1 et 2,respectivement. On procèdera d'abord à la discussion du milieu de revêtement diélectrique de la figure 1, lequel est constitué d'un substrat 10, en verre dans cette figure, d'une couche magnétique 11, en TbFe dans la figure, déposée sur le substrat 10, et d'une couche diélectrique 12, en oxyde de silicium d'ans le cas présent,déposée sur la couche magnétique 11. Le sens d'aimantation M de la couche magnétique ll est tel qu'indiqué.Le faisceau de lecture Io a un vecteur électrique ou sens de polarisation Ei, avec la partie du faisceau réfléchie par l'interface "1", représentée par R1 et sa partie réfléchie par l'interface "2" (forte réflexion) par R2. Les parties R1 et R2 du faisceau sont légèrement décalées vers la droite et vers la gauche, respectivement, pour la clarté de l'explication. Le renforcement optique du faisceau de sortie de la structure diélectrique revêtue de la figure 1 est dû principalement à une augmentation du contraste sous l'effet de la réduction de l'intensité lumineuse réfléchie en utilisant des principes d'interfé rence.La conversion de mode réelle du vecteur électrique E. le faisant passer de la direction parallèle à la direction perpendiculaire (c'est-à-dire la conversion du mode parallèle en mode perpendiculaire) due à la rotation magnéto-optique Kerr à l'interface "1", qui provoque la rotation dans le sens des aiguilles d'une montre du vecteur électrique ER1 de la partie R1 du faisceau réfléchi suivant l'angle de rotation magnéto-optique Kerr,est réduite ou décalée par une rotation magnéto-optique par effet Farraday dans le sens inverse des aiguilles d'une montre de la partie R2 du faisceau réfléchi (rotation de 2OF(R2)) car, dans le cas du fer et de beaucoup d'alliages à base de fer, tels que TbFe, le signe de la rotation de polarisation due à l'effet Kerr est toujours opposé à celui de la rotation de polarisation due à l'effet Farraday. Ainsi, étant donné que les rotations par effet Kerr et par effet Farraday ont des sens opposés,une situation qui ne peut être corrigée dans des structures fines, le vecteur électrique du faisceau réfléchi par une zone binaire deviera depuis le vecteur électrique du faisceau réfléchi par une surface entourant la zone binaire suivant seulement une rotation limitée. En liaison maintenant avec le milieu de sousrevêtement réfléchissant de la figure 2, celuì-ci est cons titué d'un substrat 10, en verre dans la figure, d'une couche réfléchissante 13 en aluminium, d'une couche diélectrique 14 en oxyde de silicium, d'une couche magnétique ou pellicule 11 en TbFe, et d'une autre couche diélectrique 12, également en oxyde de silicium. La direction d'aimantation M de la couche magnétique 11 est tel qu'indiqué.Dans cette structure,la partie R1 du faisceau subit là encore une rotation de polarisation par effet Kerr dans le sens des aiguilles d'une montre de E. à ERl (rotation QK) et la partie R2 du faisceau subit là encore une rotation de polarisation par effet Farraday dans le sens inverse-des aiguilles d'une montre de E. à ER2 (rotation de 20F (R2)). De plus, la rotation par effet Farraday est en outre présente par suite de l'interaction magnéto-optique double de la partie totalement transmise t du faisceau de lecture I avec la r o pellicule 11 pendant la propagation initiale de la partie de faisceau transmise tr par la pellicule 11, puis, après réflexion sur la pellicule 13, pendant la propagation répétée de la partie de faisceau transmise t r dans la pellicule 11 Là encore,pour que l'explication soit plus claire,les trajets des parties R1,R2 et tr du faisceau sont représentées légère#ent décalés. Comme représenté,la partie t du faisceau 10 traversant la couche 11 subit une première rotation Farraday OF pendant sa première traversée de la couche 11 et après réflexion sur la pellicule 13 subit une seconde rotation Farraday QF telle que le vecteur électrique Etr du faisceau transmis/ réfléchi t a une rotation de polarisation 20,(t ).CQrme on peut provo r quer une variation de phase du faisceau transmis t r par manipulation de l'épaisseur d'une ou des deux couches diélectriques ll et 13,la rotation de polarisation par effet Farraday 2QF(tr) de la partie de faisceau tr peut être rendue telle qu'elle ait une direction correspondant à la direction de rotation de polarisation par effet Kerr, comme indiqué par la rotation dans le sens des aiguilles d'une montre de Etr en figure 2. Cependant, comme la rotation nette de mode de la partie de faisceau t r et de la partie de faisceau R1 sera réduite par la rotation opposée de la partie de faisceau R2 qui, comme précédemment mentionné, est une rotation par effet Farraday toujours opposée à la rotation par effet Kerr dans le cas du fer et de beaucoup d'alliages à base de fer, et qui ne peut jamais être corrigée pour des structures fines, le milieu de sous-revtement réfléchissant de la figure 2 fournira une conversion réelle de mode limitée. La conversion réelle de mode et par conséquent la plus grande force du signal de lecture sont obtenues par le milieu perfectionné représenté en figures 3 et 4. Chaque milieu utilise deux couches de métal de transitionterre rare, avec la boucle d'hystérésis magnéto-optique d'une couche de sens opposé à celui de la boucle d'hystérésis magnéto-optique de l'autre couche. Plus spécifiquement,une couche a une teneur en métal de transition inférieure à la composition de compasation du système d'alliage utilisé pour fournir une boucle d'hystérésis magnéto-optique détectee positive, et l'autre couche a une teneur en métal de transition supérieure à la composition de compasation du système d'alliage utilisé pour fournir une boucle d'hystérésis magnéto-optique détectée négative. En liaison plus spécifiquement avec la figure 3, le milieu de stockage comprend, de haut en bas, une première couche diélectrique 12, une première pellicule en métal de transition-terre rare 20 ayant, comme indiqué, une boucle d'hystérésis magnéto-optique détectée de sens positif, une seconde pellicule en terre raremétal de transition 22 ayant, comme indiqué une boucle d'hystérésis magnéto-optique détestée de sens négatif, une seconde couche diélectrique 14, et une pellicule réfléchissante de sous#revêt#ment métallique 13 sur le dessus d'un substrAt de disque 10. La fonction et le principe de fonctionnement de chacune des couches ou pellicules seront maintenant examinés en liaison avec la figure re 5.La couche dielectrique 12, qui peut être en oxyde de silicium ou autre matériau diélectrique approprié, sert de couche de protection contre l'oxydation pour les milieux et aussi pour adaptation d'interférence ou de phase de manière à optimiser le rapport signal/hruit de chaque zone binaire écrite. La couche 'diélectrique 14, qui peut être également en oxyde de silicium ou autre matériau diélectrique approprié, fournit l'adaptation d'interférence ou de phase de manière à optimiser le rapport signal/bruit dû à la partie de faisceau tr (partie du faisceau Io réfléchie par l'interface "3") et sert également d'isolant thermique pendant l'écriture magnéto-thermique.La couche 13 de sousrevêtement métallique sert de réflecteur interne total pour la partie de faisceau tr Les deux couches magnétiques 20 et 22 à boucle d'hystérésis magnéto-optique détectée de sens opposé, qui sont la clé de la structure nouvelle, servent à fournir une rotation de polarisation par effet Farraday composite de la partie R2 du faisceau réfléchi (partie du faisceau 10 réfléchie par l'interface "2") et de la partie de faisceau tr qui a le même signe que la rotation de polarisation par effet Kerr de la partie R1 du faisceau réfléchi (partie du faisceau 10 réfléchie par l'interface "1") fournissant ainsi un faisceau de sortie composite avec une conversion réelle de mode importante. Des détails de la structure et des principes de fonctionnement des milieux de la figure 3 seront maintenant expliqués avec un alliage TbFe comme métal de transitionterre rare utilisé pour les couches 20 et 22. Dans des alliages pour pellicule en métal de transition-terre rare amorphe,tels que des pellicules d'alliage TbFe, le sens de la boucle d'hystérésis magnéto-optique peut être soit positif soit négatif pour une direction donnée de l'aimantation nette en fonction du fait que la concentration de l'élément en métal de transition-terre rare de l'alliage est audessus ou au-dessous de la composition de compasation pour l'alliage. Pour des alliages TbFe, on peut voir facilement cette propriété dans l'illustration schématique de la figure 6 qui représente la dépendance de la composition des éléments de transition vis-à-vis du sens (positif ou négatif) de la boucle d'hystérésis magnéto-optique. Comme représenté, même si les boucles d'aimantation obtenues par un magnétomètre à échantillon ;;i#rant (les Soucies MEV de la figure 6) sont positives pour des alliages riches en fer (Tb inférieur à la composition de compasation de 23 e Tb) et des alliages riches en Tb (Tb supérieure à la composition de compasation de 23 % Tb) sous un moment d'aimantation nette de pellicule positif M, la boucle d'hystérésis magnéto-optique des alliages riches en Tb est négative, alors que la boucle correspondante pour des alliages riches en Fe est positive.Ce phénomène est dA au fait que l'effet magnéto-optique est dominé par seulement un type d'atome de sous-réseau Par conséquent, la rotation par effet de Farraday magnéto-optique, obtenue par le passage de la partie de faisceau t r dans la couche supérieure 20 est opposée à la rotation par effet Farraday obtenue par le passage de la partie de faisceau tr dans la couche intérieure 22. Comme la valeur de la rotation par effet Farraday de chacune des couches magnétiques 20 et 22 est proportionnelle à l'épaisseur de la pellicule et au coefficient d'effet magnéto-optique, une rotation nette de la polarisation de la partie de faisceau tr peut entre obtenue Si l'on emploie des épaisseurs differentes pour les couches 20 et 22 ou des matériaux ayant des coefficients différents. Dans le cas de TbFe, le coefficient d'effet magnéto-optique a une très petite dépendance vis-à-vis de la composition, de quelques pourcents (environ 8 % d'atomes), des deux côtés de la composition de compasation (environ 23 % d'atomes de Tb); par conséquent, de manière à obtenir une rotation nette de la polarisation après que la partie de faisceau tr ait traversé les deux couches 20 et 22, on doit faire varier principalement les épaisseurs relatives des couches 20 et 22.La règle du choix des épaisseurs de chaque couche magnétique 20 et 22 est basée sur les considérations suivantes 1.La rotation Kerr de la partie de faisceau R1 ne se produit que sur la surface supérieure de la couche supérieure 20, et l'épaisseur de la couche 20 requise pour maximiser la rotation de polarisation par effet Kerr est tout à fait petite, disons de 5 à 20 nm, valeur à laquelle l'absorption de lumière est presque égale à la masse. Par conséquent, une très petite épaisseur pour la couche 20 satisfera les conditions pour une rotation de polarisation par effet Kerr presque maximum. 2. Comme la couche 20 a une boucle d'hystérésis magnéto-optique positive, la rotation de polarisation par effet Farraday de la partie de faisceau t r à travers la couche magnétique 20 a le sens de rotation opposé à celui de la polarisation par effet Kerr de la partie de faisceau R1, quels que soient le nombre de passages et la relation des phases de la lumière, car cette rotation par effet Farraday "voit" le même sens de moment de sous-réseau que la rotation par effet Kerr de la partie de faisceau R1. Par conséquent, pour réduire l'excès d'absorption par la couche 20 et réduire la rotation de polarisation par effet Farraday par la couche 20 , l'épaisseur de la couche 20 ne doit pas être supérieure à la limite imposée pour la maximalisation de la rotation par effet Kerr de la partie de faisceau R1. 3. La rotation par effet Farraday de la partie de faisceau tr due à la couche magnétique 22 a le même sens de rotation que la rotation par effet Kerr de la partie de faisceau R1. Cela est dA au fait que la couche 22 a une boucle d'hystérésis magnéto-optique de sens négatif, d'ot il résulte que la partie de faisceau tr "voit" la direction opposée du moment du sous-réseau. Par conséquent, l'épaisseur de la couche 22 doit être augmentée autant que possible pour permettre une plus grande rotation de la partie de faisceau tr dans cette couche.L'épaisseur maximum pour la couche 22 est limitée par l'intensité du faisceau transmis qui peut traverser le milieu et atteindre la surface du milieu afin de contribuer à la rotation de polarisation nette des parties de faisceau R2 et tr du signal composite de sortie, tenant compte des réflexions et absorptions multiples se produisant dans le milieu multi-couches. Sur la base des trois critères précédents, il apparaît que la couche 20 de la pellicule magnétique à couche double doit avoir une petite épaisseur et que la couche 22 doit avoir une épaisseur relative aussi grande que possible. Une bonne règle pour les épaisseurs des couches 20 et 22 est que l'épaisseur de la couche 22 soit plus du double de celle de la couche 20. Sur la base des données d'absorption et de transmittance calculées pour une pellicule en TbFe, la couche 20 peut avoir une épaisseur comprise entre 5 et 20 nm, alors que la couche 22 peut avoir une épaisseur comprise entre 10 et 40 nm. Pour une illustration générale, le sens de la rotation de polarisation pour les différentes parties du faisceau de lecture 10 (avec vecteur électrique Fi) provenant de la structure à couche magnétique double de la figure 3 dans une surface binaire écrite et la surface environnante est représenté en figure 5 En figure 5, pour simplifier l'illustration, la réflexion due à l'interface "0" est négligée.Si l'on suppose qu'une rotation dans le sens inverse des aiguilles d'une montre est positive et que la direction d'aimantation M est telle que représentée dans la zone binaire, la rotation par effet Kerr de la partie de faisceau R1 est #K, la rotation nette par effet Farraday de la partie de faisceau R2 due à son passage initial dans les couches 20 et 22 et son passage de retour dans les couches 20 et 22 après réflexion sur l'interface "2" est 2#F22(R2) - 2#F20(R2), la rotation par effet Farraday de la partie de faisceau t r due à son passage initial dans la couche 20 est -#F20 la rotation par effet Farraday de la partie de faisceau t r due à son passage initial dans la couche 22 est +OF22 la rotation par effet Farraday de la partie de faisceau tr due à son passage de retour (après réflexion sur l'interface "3") dans la couche 22 est +OF22 et la rotation par effet Farraday de la partie de faisceau te due à son passage de retour dans la couche 20 est -#F20 (en cas d'adaptation correcte des phases avec une épaisseur correcte du diélectrique 14) dans la mesure où l'on a dans la zone binaire #net = #K + 2#F22 - 2#F20 + 2#F22(R2) - 2#F20 (R2), alors que dans la surface environnante où la direction d'aimantation M est opposée à celle de la zone binaire, la rotation par effet Kerr de la partie de faisceau R1 est -OKt la rotation nette par effet Farraday de la partie de faisceau R2 due à son passage initial dans les couches 20 et 22 et son passage de retour dans les couches 20 et 22 après réflexion sur l'interface "2" est - 20F22 Farraday de la partie de faisceau tr due à son passage de retour (après réflexion sur l'interface "3") dans la couche 22 est -0F22' et la rotation par effet Farraday de la partie de faisceau tr due à son passage de retour dans la couche 20 est #F20, dans la mesure où l'on a dans la surface envi ronnante #net = -#K - 2#F20 + 2#F22 - 2#F22 (R2) + 2#F20(R2). Ainsi, comme onset dans la zone binaire est sensiblement différent de onset dans la surface environnante par suite de la conversion réelle du mode, le milieu de la figure 3 fournira l'augmentation importante désirée du rapport si- gnal/bruit. En liaison avec les couches diélectriques 12 et 14 de la figure 3, l'épaisseur de ces couches doit être choisie correctement en suivant le principe de la théorie des interférences, de la même manière que les épaisseurs des couches 12 et 14 des structures de l'art antérieur des figures 1 et 2 sont choisies, de façon à assurer que la partie de faisceau tr ait une rotation de polarisation de meme sens que la rotation de polarisation de la partie de faisceau R1. Pour résumer, on a décrit des milieux de rotation magnéto-optique perfectionnés, basés sur une structure à couche double de pellicules en métal de transitionterre rare amorphe qui ont des sens opposés pour les boucles d'hystérésis magnéto-optique de manière à augmenter la conversion réelle de mode et améliorer le rapport signal/ bruit du faisceau de sortie. Bien que la présente invention ait été décrite en liaison avec TbFe comme matériau magnétique des couches 20 et 22, avec la couche 20 riche en fer et la couche 22 en Tb, il n'y a aucune intention de limiter ainsi la composition du matériau magnétique à couche doublé et, par conséquent, on peut choisir les couches 20 et 22 parmi les nombreux alliages binaires de métaux de transition-terres rares tels que TbFe, GdFe, GdCo, HoFe, DyFe, etc. ou alliages ternaires tels que TbGdFe, TbOdCo ou équivalents.De plus, on peut choisir la couche double dans un système d'alliage pour la couche 20 et dans un autre système d'alliage pour la couche 22 dans la mesure où les moments du sous-réseau dans chacun des deux systèmes sont opposés pour un état d'aimantation donné des milieux afin de fournir des boucles d'hystérésis de sens opposé pour les couches 20 et 22. De plus, on peut choisir la sous-couche réfléchissante 13 dans une variété de pellicules métalliques, telles que l'aluminium, le cuivre, l'or, l'argent ou le chrome/or, dans la mesure où l'épaisseur de la pellicule est suffisante pour avoir une réflexion maximum Les milieux de la figure 3 peuvent être réalisés avec un équipement de traitement classique.Dans le cas des alliages TbFe, à la suite du revêtement classique du substrat 10 avec la pellicule réfléchissante 13 et le dépôt de la couche diélectrique 14, on place le substrat revetu dans un système de pulvérisation par diode à haute fréquence comportant une première cible avec du Tb revêtant ou déposé en des emplacements finis, une plaque en fer. La quantité de Tb est ajustée de façon que la cible composite produise une pellicule ayant une composition nominale en Tb supérieure à la composition de compasation de l'alliage TbFe, par exemple, 25 atomes en % de Tb, afin de fournir la pellicule ou couche 22.Ensuite, on remplace la première cible par une seconde cible similaire, ayant une quantité de Tb ajustée de façon que la cible composite produise une pellicule avec une composition nominale en Tb inférieure à la composition de compasation de l'alliage TbFe, par exemple 21 % d'atomes de Tb, afin de fournir la pellicule ou couche 20. On effectue maintenant le dépôt "in situ" de la pellicule diélectrique 12 de manière à éviter l'oxydation de la pellicule 20 en TbFe. Les milieux métal de transition-terre rare de la pellicule double de la figure 3 présentent l'avantage de faciliter l'écriture et l'effacement grâce au contact intime entre les deux couches 20 et 22. Cependant, par suite de la sous-couche métallique 13, la formation des milieux est un processus assez compliqué à cause du nombre de couches de matériaux différents impliqués. Pour réduire la complexité de la fabrication, la structure des milieux de la figure 4 est également proposée.Les milieux de la figure 4 sont plus faciles à fabriquer que ceux de la figure 3 tout en assurant une meilleure rotation de la polarisation.Les milieux de la figure 4 utilisent également deux pellicules contiguës 20 et 22 en métal de transition-terre rare avec des boucles d'hystérésis magnéto-optiques de sens opposé qui sont déposées directement sur un substrat 10' à faible indice de réfraction, constitué de verre à faible indice de réfraction ou autre matériau approprié à faible indice de réfraction. Une couche diélectrique 12 est également formée sur la pellicule 20. Par suite de la faible valeur de l'indice de réfraction du substrat 10', l'interface "2" donnera un faisceau réfléchi R2, présentant une réflexion importante, qui aura le même sens de rotation Farraday nette que la rotation Kerr du faisceau réfléchi R1.Sans nécessiter une pellicule réfléchissante séparée, les milieux de la figure 4 sont moins complexes à fabriquer. Si le substrat 10' est métallique, ou est constitué d'un matériau à indice de réfraction élevé, on déposera une couche diélectrique ayant un faible indice de réfraction, par exemple en dioxyde de silicium, entre la pellicule 22 et le substrat 10'. Dans la zone binaire, le milieu de la figure 4 fournit, pour la direction d'aimantation M indiquée et en supposant qu'une rotation dans le sens inverse des aiguilles d'une montre est positive, un #net # #K1 (dû àla partie de faisceau R1) - 20F20 Les composants du milieu de la figure 4 correspondant aux composants analogues du milieu de la figure 3, seraient les mêmes matériaux et auraient les mêmes dimen sionsphysiques, sauf avis contraire. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de modifications et de variantes qui apparaîtront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS 1 - Milieu de stockage magnéto-optique,caractérisé en ce qu'il comprend des première et seconde couches de matériau magnétique (20, 22), les couches ayant des boucles d'hystérésis magnéto-optique de sens opposé. 2 - Milieu de stockage magnéto-optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'une des couches de matériau magnétique est sensiblement plus épaisse que l'autre couche de matériau magnétique. 3 - Milieu de stockage magnéto-optique selon la -revendication 2, caractérisé en ce que l'une des couches a une épaisseur au moins double de celle de l'autre couche. 4 - Milieu de stockage magnéto-optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les deux couches sont des métaux de transition-terres rares. 5 - Milieu de stockage magnéto-optique selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'une des couches a une teneur en métal de transition inférieure à la composition de compasation et l'autre couche a une teneur en métal de transition supérieure à la composition de compasation. 6 - Milieu de stockage magnéto-optique selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'une des couches a une teneur en métal de transition inférieure à la composition de compasation de manière à conférer à cette couche une boucle d'hystérésis magnéto-optique de sens positif, et l'autre couche a une teneur en métal de transition supérieure à la composition de compasation afin de conférer à cette couche une boucle d'hystérésis magnéto-optique de sens négatif. 7 - Milieu de stockage magnéto-optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les couches sont contiguës. 8 - Milieu de stockage magnéto-optique selon la revendication 4, caractérisé en ce que les couches de matériau magnétique sont choisies dans le groupe des alliages binaires et des alliages ternaires. 9 - Milieu de stockage magnéto-optique, caractérisé en ce qu'il comprend des première et seconde couches de matériau magnétique (20, 22), les couches ayant des boucles d'hystérésis magnéto-optique de sens opposé, une surface importante de l'une des couches étant contiguë à un matériau ayant un indice de réfraction élevé, d'où il résulte qu'un faisceau lumineux traversant les couches est réfléchi par le matériau ayant un indice de réfraction élevé de sorte qu'il traverse de nouveau les couches. 10 - Milieu de stockage selon la revendication 9, caractérisé en ce que le matériau ayant un indice de réfraction élevé est un substrat de support (10). 11 - Milieu de stockage selon la revendication 9, caractérisé en ce que le matériau ayant un indice de réfraction élevé est une couche de matériau à indice de réfraction élevé supporté par un substrat (lo').