Brevet FR2558606A1 — publié le 19850726

La présente invention concerne un procédé de com- mande d'un dispositif de modulation optique, par exemple d'un dispositif à cristal liquide, et concerne plus parti- culièrement un procédé de commande à partage du temps des- tiné à un dispositif de modulation optique, par exemple un dispositif de visualisation, un réseau d'obturateurs optiques, etc. On a bien connu jusqu'à présent des dispositifs de visualisation à cristaux liquides, qui comprennent des lignes (ou électrodes) d'analyse et des lignes (ou élec- trodes) de données agencées en une structure matricielle, et un composé de cristal liquide qui remplit l'espace entre les lignes de façon à constituer un ensemble d'éléments d'image afin d'afficher des images ou des informations. Ces dispositifs de visualisation mettent en oeuvre un pro- cédé de commande par partage du temps qui inclut les étapes consistant à appliquer sélectivement des signaux de sélec- tion d'analyse de façon séquentielle et cyclique aux lignes d'analyse, et, parallèlement à cela, à appliquer des signaux d'information prédéterminés au groupe des électrodes de signal, en synchronisme avec les signaux de sélection d'analyse. Ces dispositifs de visualisation et le procédé de commande associé présentent cependant un sérieux incon- vénient, ainsi qu'il va être décrit ci-après. A savoir, cet inconvénient réside en la diffi- culté d'obtention d'une haute densité d'éléments d'image ou d'une grande surface d'image. En raison de leur vitesse de réponse relativement élevée et de leur faible dissipa- tion d'énergie, la plupart des cristaux liquides qui, parmi les cristaux liquides de l'art antérieur, ont été mis en application dans des dispositifs de visualisation sont des cristaux liquides du type nématique en hélice, ainsi qu'il est décrit dans l'article "Voltage-Dependent Optical Acti- vity of a Twisted Nematic Liquid Crystal" par M. Schadt et W. Hellrich, Applied Physics Letters, Vol. 18, N 4 (15 février 1971), pages 127-128. Dans les cristaux liquides de ce type, les molécules de cristal liquide nématique qui présentent une anisotropie diélectrique positive forment, en l'absence d'application d'un champ électrique, une struc- ture enroulée dans le sens de l'épaisseur des couches de cristal liquide (structure hélicoïdale), et les molécules de ces cristaux liquides sont alignées ou orientées paral- lèlement les unes aux autres aux surfaces des deux élec- trodes. D'autre part, les cristaux liquides nématiques qui présentent une anisotropie diélectrique positive sont, sous application d'un champ électrique, orientés ou alignés dans la direction du champ électrique. Ainsi, ils peuvent provoquer une modulation optique. Lorsque des dispositifs de visualisation ayant une structure d'électrodes en matrice sont conçus pour utiliser des cristaux liquides de ce type; une tension de valeur supérieure à un certain niveau de seuil nécessaire pour aligner les molécules de cristal liquide dans la direction perpendiculaire aux surfaces d'électrodes est appliquée aux zones (points sélectionnés) o les lignes d'analyse et les lignes de données dont sélec- tionnées en même temps, tandis qu'il n'est pas appliqué de tension aux zones (points non sélectionnés) o les lignes d'analyse et les lignes de données ne sont pas sélection- nées et, par suite, les molécules de cristal liquide sont alignées de façon stable parallèlement aux surfaces des électrodes. Si des polariseurs linéaires agencés en une relation de nicols croisés, c'est-à- dire dont les axes de polarisation sont sensiblement perpendiculaires l'un à l'autre, sont disposés sur les faces supérieure et infé- rieure d'une cellule à cristal liquide ainsi constituée, la lumière n'est pas transmise aux points sélectionnés alors qu'elle est transmise aux points non sélectionnés. Ainsi donc, la cellule à cristal liquide peut agir en tant que dispositif de formation d'image. Cependant, quand est réalisée une structure d'électrodes en matrice, un certain champ électrique est appliqué aux régions o les lignes d'analyse sont sélec- tionnées et o les lignes de données ne le sont pas, ou encore aux régions o les lignes d'analyse ne sont pas sélectionnées et o les lignes de données le sont (ces régions sont dénommées "points semi- sélectionnés"). Si la différence est suffisamment grande entre la tension appli- quée aux points sélectionnés et la tension appliquée aux points semi-sélectionnés, et que le niveau de la tension de seuil nécessaire pour permettre aux molécules de cristal liquide de s'aligner ou s'orienter perpendiculairement au champ électrique se trouve à une valeur intermédiaire, le dispositif de visualisation fonctionne normalement. Cepen- dant, en réalité, à mesure que le nombre (N) de lignes d'analyse s'accroît, le temps (taux d'utilisation) durant lequel un champ électrique efficace est appliqué à un point sélectionné alors qu'est analysée la totalité de la surface d'image (correspondant à un bloc) décroît selon un coef- ficient de 1/N. Pour cette raison, plus est grand le nombre de lignes d'analyse, plus est petite la différence des tensions, en valeur efficace, appliquées à un point sélec- tionné et à des points non sélectionnés, lorsque l'analyse est effecutée de façon répétitive. Il résulte de ceci des inconvénients inévitables qui sont l'affaiblissement du contraste d'image ou l'apparition d'intermodulation. Ces phénomènes entraînent des problèmes qui, pour l'essentiel, ne peuvent être évités, et qui apparaissent lorsqu'est commandé, c'est-à-dire analysé de façon répétitive, en mettant à profit un effet de mémoire temporaire, un cristal liquide ne présentant pas de caractère bistable (c'est-à- dire qui présente un état stable dans lequel les molécules de cristal liquide sont orientées ou alignées en une direc- tion horizontale par rapport aux surfaces d'électrodes, mais ne sont orientées dans une direction verticale que lorsqu'un champ électrique est efficacement appliqué). Pour surmonter ces inconvénients, on a déjà proposé un procédé à valeur moyenne de tensions, un procédé de com- mande à deux fréquences, un procédé à matrices multiples, etc. Aucun de ces procédés ne suffit cependant pour sur- monter les inconvénients susmentionnés. Il en résulte à l'heure actuelle un retard du développement dans le sens d'une grande surface d'image ou d'une grande densité de conditionnement en ce qui concerne les éléments d'affi- chage, ce retard étant dû au fait qu'il est difficile d'augmenter suffisamment le nombre de lignes d'analyse. Dans le même temps, en prenant en considération le domaine de l'impression, parmi les moyens qui permettent d'obtenir une image sur support en papier en réponse à des signaux électriques d'entrée, le meilleur du point de vue de la densité des éléments d'image et de la vitesse d'im- pression est une imprimante à faisceau laser qui applique sous forme lumineuse des signaux électriques d'image à un support de charge électrophotographique. L'imprimante à faisceau laser présente toutefois les inconvénients suivants: 1) Les dimensions de l'appareil tendent à devenir importantes. 2)Elle comporte des pièces mobiles mécaniquement à grande vitesse telles qu'un dispositif de balayage poly- gonal, ce qui produit du bruit et nécessite une rigoureuse précision mécanique, etc. Afin d'éliminer les inconvénients indiqués ci- dessus, il a été proposé un réseau d'obturateurs à cristal liquide en tant que dispositif dont la fonction est de transformer des signaux électriques en signaux optiques. Lorsque des signaux d'éléments d'image sont appliqués avec un réseau d'obturateurs à cristal liquide, cependant, il faut, par exemple, 2000 générateurs de signaux pour écrire des signaux d'éléments d'image sur une longueur de 200 mm à raison de 10 points/mm. En conséquence, afin de délivrer indépendamment des signaux aux générateurs de signaux res- pectifs, il est nécessaire de fournir respectivement des fils de connexion à tous les générateurs de signaux pour pouvoir délivrer des signaux électriques, et le montage devient difficile. En considération de ce qui précède, il a été fait une autre tentative visant à appliquer une ligne de signaux d'image en mode de partage du temps, les générateurs de signaux étant divisés en plusieurs lignes. Dans ce système, les électrodes délivrant les signaux peuvent être communes à plusieurs générateurs de signaux, ce qui permet de réduire considérablement le nom- bre de fils de connexion. Cependant, si, alors qu'on uti- lise un cristal liquide ne présentant pas de caractère bi- stable, ainsi qu'il est de pratique courante, le nombre (N) de lignes est accrû, la durée de signal actif est sensible- ment réduite dans un rapport de 1/N. Il en résulte des dif- ficultés, c'est-à-dire la réduction de la quantité de lumière obtenue sur un support photo-conducteur, et l'apparition d'intermodulation. Un but de la présente invention est de fournir un nouveau procédé de commande d'un dispositif de modula- tion optique, en particulier d'un dispositif à cristal liquide, lequel procédé peut résoudre les inconvénients susmentionnés que l'on rencontre dans les dispositifs de visualisation à cristaux liquides ou les obturateurs opti- ques à cristaux liquides de l'art antérieur, comme il a été dit ci-dessus. Un autre but de l'invention est de fournir un procédé de commande de dispositif à cristal liquide, qui permet d'atteindre une vitesse de réponse élevée. Un autre but de l'invention est de fournir un procédé de commande de dispositif à cristal liquide, qui permet d'obtenir une haute densité de conditionnement des éléments d'image. Un autre but de l'invention est de fournir un- procédé de commande de dispositif à cristal liquide qui n'engendre pas d'intermodulation. Pour atteindre ces buts, il est fourni un pro- i5 cédé de commande destiné à un dispositif de modulation optique comportant un ensemble d'éléments d'image agencés sous forme de matrice et comprenant des lignes d'analyse, des lignes de données placées à l'écart des lignes d'analyse et les croisant, et une matière bistable de modulation optique qui prend un premier état stable ou un second état stable en fonction d'un champ électrique qui lui est appliqué et qui est interposée entre les lignes d'analyse et les lignes de données, chacun des croise- ments entre les lignes d'analyse et les lignes de données définissant l'un des éléments de l'ensemble d'éléments d'image; ledit procédé de commande étant caractérisé en ce qu'il comprend: une étape d'effacement dans laquelle un signal de tension qui oriente uniformément la matière bistable de modulation optique en son premier état stable est appliqué entre des lignes d'analyse et des lignes de données défi- nissant la totalité ou une partie de l'ensemble d'éléments d'image; et une étape d'écriture dans laquelle un signal de sélection d'analyse est appliqué séquentiellement aux lignes d'analyse, et un signal de sélection d'information qui, en association avec le signal de sélection d'analyse, oriente la matière bistable de modulation optique en son second état stable et est appliquéaux lignes de données en phase avec le signal de sélection d'analyse. Ces objets et autres buts, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de la description suivante des modes de réalisation préférés de la présente invention, qui est faite en regard des dessins annexés sur lesquels: les figures 1 et 2 sont des vues schématiques en perspective illustrant le principe fonctionnel de base d'un dispositif à cristal liquide utilisé dans la présente invention; la figure 3A est une vue en plan d'un agencement d'électrodes utilisé dans la présente invention; les figures 3BA à 3BD représentent des formes d'ondes de signaux électriques appliqués aux électrodes les figures 3CA à 3CD représentent des formes d'ondes de tension appliquées aux éléments d'image; les figures 4A et 4B représentent, en association, des formes d'ondes de tension appliquées en série chrono- logique; les figures 5AA à 5AD représentent des formes d'ondes de signaux électriques appliqués aux électrodes dans un autre exemple; les figures 5BA à 5BD représentent des formes d'ondes de tension appliquées aux éléments d'image dans l'exemple des figures 5AA à 5AD; les figures 6A, 7A, 8A, 9A, 10A, en association respectivement avec les figures 6B, 7B, 8B, 9B, 0lB, repré- sentent différents exemples de formes d'ondes de tension appliquées en série chronologique; les figures 11A et 11D sont des vues en plan montrant chacune un agencement d'électrodes utilisé dans un autre mode de mise en oeuvre du procédé de commande selon la présente invention; les figures 11BA à 11BD représentent des formes d'ondes de signaux électriques appliqués aux électrodes; les figures l1CA à 11CD représentent des formes d'ondes de tension appliquées aux éléments d'image; les figures 12A, 13A, 14A, 15A, en association respectivement avec les figures 12B, 13B, 14B, 15B, repré- sentent encore différents exemples de formes d'ondes appli- quées en série chronologique; la figure 16A est une vue en plan d'un agencement d'électrodes utilisé dans un autre mode de mise en oeuvre du procédé de commande selon la présente invention; les figures 16BA à 16BD représentent des formes d'ondes de signaux électriques appliqués aux électrodes dans le mode de mise en oeuvre de la figure 16A; les figures 16CA à 16CD représentent des formes d'ondes de tension dans le mode de mise en oeuvre de la figure 16A; et les figures 17A et 17B représentent, en associa- tion, des formes d'ondes de tension appliquées en série chronologique dans le mode de mise en oeuvre de la figure 16A. Pour ce qui est de la matière de modulation op- tique utilisée dans le procédé de commande selon la présente invention, on peut utiliser une matière qui présente, en fonction d'un champ électrique qui lui est appliqué, soit un premier état optiquement stable, soit un second état optiquement stable, c'est-à-dire qui présente un caractère bistable à l'égard du champ électrique appliqué, en parti- culier un cristal liquide ayant les propriétés mentionnées ci-dessus. Les cristaux liquides à caractère bistable qui peuvent être utilisés de préférence dans le procédé de com- mande selon la présente invention sont les cristaux liquides à phase smectique chirale C (SmC*) ou H (SmH*) doués de ferroélectricité. De plus, il est également possible d'uti- liser des cristaux liquides présentant une phase smectique chirale I (SmI*), J (SmJ*), G (SmG*), F (SmF*) ou K (SmK*). Ces cristaux liquides ferroélectriques sont décrits, par exemple, dans "LE JOURNAL DE PHYSIQUE LETTERS" (lettres adressées à: "Le Journal de Physique") 36 (L-69), 1975 "Ferroelectric Liquid Crystals"l; "Applied Physics Letters" 36 (11) 1980, "Submicro Second Bistable Electrooptic. Switching in Liquid Crystals"; "Solid State Physics" 16 (141), 1981 "Liquid Crystal", etc. Les cristaux liquides ferroélectriques décrits dans ces publications peuvent être utilisés dans la présente invention. Plus particulièrement, des exemples de composés de cristaux liquides ferroélectriques utilisables dans la présente invention comprennent le cinnamate de décyloxybenzylidène-p'-amino- 2-méthylbutyle (CDOBAMB), le cinnamate d'hexyloxybenzyli- dène-p'-amino-2-chloropropyle (CHOBACP), la 4-o-(2-méthyl)- butylrésorcilidène-4'-octylaniline (MBRA8), etc. Lorsqu'est constitué un dispositif qui utilise ces matières, le dispositif peut être supporté par un bloc de cuivre, etc., dans lequel est incorporé un élément chauffant afin d'établir une condition de température o les composés de cristaux liquides prennent une phase smec- tique. En se référant à la figure 1, on voit représenté schématiquement un exemple d'une cellule à cristal liquide ferroélectrique permettant d'en expliquer le fonctionnement. Les références numériques 11 et lla désignent des plaques de base (plaques de verre) sur chacune desquelles est dis- posée une électrode transparente constituée, par exemple, de In203, SnO2, ITO (oxyde d'indium-étain), etc. Un cristal liquide en une phase SmC* ou SmH* dans lequel les couches moléculaires 12 de cristal liquide sont orientées perpendi- culairement aux surfaces des plaques en verre est enfermé hermétiquement entre celles-ci. Une ligne en trait plein 13 représente des molécules de cristal liquide. Chaque molé- cule 13 de cristal liquide a un moment dipolaire (Pl) 14 orienté dans une direction perpendiculaire à son axe. Lors- qu'une tension dépassant un certain niveau de seuil est appliquée entre les électrodes disposées sur les plaques de base 11 et lla, la structure hélicoidale de la molécule 13 de cristal liquide est déserrée ou déroulée jusqu'à ce que la direction d'alignement des molécules 13 respectives de cristal liquide soit changée de telle façon que les moments dipolaires (Pj) 14 soient tous orientés dans la direction du champ électrique. Les molécules 13 du cristal liquide sont de forme allongée et présentent une anisotropie de réfraction entre leur axe long et leur axe court. Il est par consequent facilement compréhensible que si, par exemple, des polariseurs agencés en une relation de nicols croisés, c'est-à-dire dont les directions de polarisation se croi- sent mutuellement, sont disposés sur les surfaces supérieure et inférieure des plaques en verre, la cellule à cristal liquide ainsi agencée agit comme un dispositif de modulation optique a cristal liquide, dont les propriétés optiques varient selon la polarité de la tension appliquée. De plus, lorsque l'épaisseur de la cellule à cristal liquide est suffisamment mince (par exemple de 1 ym), la structure hélicoidale des molécules du cristal liquide est déserrée même en l'absence d'un champ électrique, en sorte que le moment dipolaire prend soit l'un soit l'autre des deux états, c'est-à-dire soit P dans un sens montant 24, soit Pa dans un sens descendant 24a, comme le montre la figure 2. Si l'un des champs électriques E et Ea, qui dépassent un certain niveau de seuil et qui diffèrent l'un de l'autre en polarité comme le montre la figure 2, est appliqué à une cellule ayant les caractéristiques susmentionnées, le moment dipolaire s'oriente soit dans le sens montant 24, soit dans le sens descendant 24a selon le vecteur du champ électrique E ou Ea. En correspondance avec ceci, les molé- cules du cristal liquide s'orientent soit dans un premier état stable 23, soit dans un second état stable 23a. Lorsque le cristal liquide ferroélectrique susmen- tionné est utilisé en tant qu'élément de modulation optique, il est possible d'obtenir deux avantages. Le premier réside en ce que la vitesse de réponse est très grande. Le second réside en ce que l'orientation du cristal liquide présente un caractère bistable. Le second avantage va être développé plus avant, par exemple en référence à la figure 2. Lors- qu'un champ électrique E est appliqué aux molécules du cristal liquide, celles-ci s'orientent dans le premier état stable 23. Cet état reste stable même si le champ électrique est supprimé. Par ailleurs, lorsque le champ électrique Ea dont le sens est opposé à celui du champ électrique E, leur est appliqué, les molécules du cristal liquide s'orientent dans le second état stable 23a, en sorte que les directions des molécules sont changées. Cet état reste également stable même si le champ électrique est supprimé. De plus, aussi longtemps que l'intensité du champ électrique E appliqué ne dépasse pas une certaine valeur de seuil, les molécules du cristal liquide restent placées dans les états d'orien- tation respectifs. Afin d'obtenir efficacement cette il vitesse de réponse élevée et ce caractère bistable, il est préférable que la cellule soit d'une épaisseur aussi mince que possible, à savoir en général de 0,5 à 20 pm, et en particulier de 1 à 5 pm. Un dispositif électro-optique à cristal liquide ayant une structure d'électrodes en matrice et qui utilise un cristal liquide ferroélectrique de ce type est proposé, par exemple, dans la description du brevet des. E.U.A. N 4 367 924. Un mode préféré de mise en oeuvre du procédé de commande selon la présente invention est décrit en réfé- rence à la figure 3A. La figure 3A représente de façon schématique une cellule 31 comportant des éléments d'image agencés sous forme d'une matrice qui comprend des lignes d'analyse (électrodes d'analyse), des lignes de données (électrodes de signal) et, interposée entre elles, une matière bis- table de modulation optique. La référence numérique 33 désigne les lignes de données. Afin d'abréger l'explication, on explique un cas dans lequel sont affichés des signaux à deux états, "blanc" et "noir". On admet que les éléments d'image hachurés correspondent au "noir" et que les autres éléments d'image correspondent au "blanc", sur la figure 3A. Tout d'abord, afin d'obtenir une image uniformément en "blanc" (cette étape est dénommée une "étape d'effacement"), la matière bistable de modulation optique peut être orientée uniformément en son premier état stable. Ceci peut être réalisé en appliquant un signal impulsionnel de tension prédéterminé (par exemple, tension: +2V0, durée: At)à toutes les lignes d'analyse, et en appliquant un signal impulsionnel prédéterminé (par exemple, -V0, At) à toutes les lignes de données. Dans l'étape d'effacement, il est appliqué aux lignes d'analyse un signal électrique de pola- rité opposée à celle d'un signal de sélection d'analyse de l'étape d'écriture décrite ci-après, et il est appliqué aux lignes de données un signal électrique de polarité opposée à celle d'un signal de sélection d'information (signal d'écriture) de l'étape d'écriture, ces deux signaux étant en phase l'un avec l'autre. Les figures 3BA et 3BB montrent respective- ment un signal électrique (signal de sélection d'analyse) appliqué à une ligne d'analyse sélectionnée, et un signal électrique (signal de nonsélection d'analyse) appliqué aux autres lignes d'analyse (lignes d'analyse non sélec- tionnées). Les figures 3BC et 3BD montrent respective- ment un signal électrique (signal de sélection d'informa- tion; V0 appliqué à la phase T1) appliqué à une ligne de données sélectionnée (dénommée "noire"), et un signal élec- trique (signal de non-sélection d'information; -V0 à la phase T1) appliqué à une ligne de données non sélectionnée (dénommée "blanche"). Sur les figures 3BA à 3BD, le temps est représenté en abscisses, et les tensions en or- données, respectivement. Sur les figures, T1 et T2 repré- sentent une phase d'application d'un signal d'information (et d'un signal d'analyse) et une phase d'application d'un signal auxiliaire. Cet exemple montre un cas o T1 =T2 = At. Les lignes d'analyse 32 sont sélectionnées séquen- tiellement. On admet ici qu'une tension de seuil permettant de conférer le premier état stable (blanc) au cristal li- quide bistable en une durée d'application At est -Vth2, et qu'une tension de seuil permettant de conférer le second état stable en une durée d'application At est Vthl. Alors, comme le montre la figure 3BA, le signal électrique appli- qué à la ligne d'analyse sélectionnée comprend des tensions de niveau 2V0 à la phase (durée) T1 et 0 à la phase (durée) T2. Les autres lignes d'analyse sont mises au potentiel de la masse et, comme le montre la figure 3BB, le signal élec- trique est au niveau 0. D'autre part, le signal électrique appliqué à la ligne de données sélectionnée comprend V0 à la phase T1 et -V0 à la phase T2, comme le montre la figure 3BC, et le signal électrique appliqué à la ligne de don- nées non sélectionnée comprend -V0 à la phase T1 et +V0 à la phase T2, comme le montre la figure 3BD. Dans cet exemple, la tension V0 est fixée à une valeur désirée qui satisfait aux relations V0 -Vth2 > -3V0. Les figures 3CA à 3CD montrent des formes d'ondes de tension qui sont appliquées aux éléments d'image respec- tifs lorsque sont délivrés les signaux électriques susmen- tionnés. Les figures 3CA et 3CB montrent respectivement des formes d'ondes de tension appliquées à des éléments d'image o sont affichés un "noir" et un "blanc", ces élé- ments étant sur la ligne d'analyse sélectionnée. Les figures 3CC et 3CD montrent respectivement des formes d'ondes de tension appliquées à des éléments d'image situés sur des lignes d'analyse non sélectionnées. A la phase Tl, sur la ligne d'analyse à laquelle est appliqué un signal de sélection d'analyse de niveau -2V0, un signal d'information de niveau +V0 est appliqué à un élé- ment d'image o doit être affiché un "noir" et, par conse- quent, une tension égale à 3V0, dépassant la tension de seuil Vthl. est appliquée à l'élément d'image, en sorte que le cristal liquide y est orienté en son second état optiquement stable. Ainsi, l'élément d'image est écrit en "noir" (étape d'écriture). Sur la même ligne d'analyse, la tension appli- quée à des éléments d'image o doit être affiché un "blanc" est d'une valeur V0 qui ne dépasse pas la tension de seuil Vth1 et, par conséquent, l'élément d'image reste dans son pre- mier état optiquement stable, en affichant ainsi un "blanc". Par ailleurs, sur les lignes d'analyse non sélec- tionnées, la tension appliquée à tous les éléments d'image est de V0 ou 0, aucune ne dépassant la tension de seuil. Par suite, le cristal liquide des éléments d'image respectifs conserve son orientation, laquelle a été obtenue quand les éléments d'image ont été analysés pour la dernière fois. En d'autres termes, après que la totalité des éléments d'image a été orientée en un état optiquement stable ("blanc"), quand une ligne d'analyse est sélectionnée, des signaux sont ins- crits sur une ligne d'éléments d'image durant la première phase T1 et le signal inscrit ou les états d'affichage sont conservés même après l'achèvement des étapes d'écriture d'un bloc. Les figures 4A et 4B, en association, montrent un exemple des signaux de commande susmentionnés en série chronologique. Les références S1 à S5 indiquent des signaux électriques appliqués aux lignes d'analyse; les références I1 et I3 indiquent des signaux électriques appliqués à des lignes de données; et les références A1 et C1 indiquent des formes d'ondes appliquées respecti- vement à des éléments d'image A1 et C1 que montre la figure 3A. A l'échelle microscopique, le mécanisme de com- mutation d'un cristal liquide ferroélectrique à caractère bistable sous l'effet d'un champ électrique n'a pas été complètement explicité. Néanmoins, généralement parlant, le cristal liquide ferroélectrique peut conserver son état stable d'une façon semi-permanente, s'il a été commuté ou orienté en cet état stable par l'application d'un fort champ électrique pendant une durée prédéterminée et est laissé au repos sans être soumis à aucun champ électrique. Cependant, lorsqu'un champ électrique de polarité inverse est appliqué au cristal liquide pendant une longue période de temps, le cristal liquide peut passer de cet état stable à l'autre même si le champ électrique est si faible (cor- respondant par exemple à une tension inférieure à Vth dans l'exemple précédent) qu'il ne puisse commuter l'état stable du cristal liquide en une durée prédéterminée d'écriture, en sorte qu'il n'est pas possible d'obtenir un affichage ou une modulation d'information correct. La Demanderesse a constaté que la susceptibilité à cette commutation ou inversion des états orientés sous l'application à long terme d'un champ électrique faible est influencée par la matière et la rugosité des plaques de base en contact avec le cristal liquide et par le type du cristal liquide, mais n'a pas explicité les effets d'une manière quantitative. La Demanderesse a confirmé qu'il existe une tendance à ce qu'un traitement monoaxial de la plaque de base, tel qu'un frottement ou un dépôt oblique ou incliné de SiO en phase vapeur, etc., augmente la susceptibilité à l'inversion susmentionnée des états orientés. Cette tendance se mani- feste à une température relativement élevée plutôt qu'à une température relativement basse. En tous cas, afin de réaliser un affichage ou une modulation d'information correct, il est recommandable d'éviter d'appliquer au cristal liquide un champ électrique de sens donné pendant une longue durée. La phase T2 du procédé de commande selon la pré- sente invention est une phase destinée à obvier à une situa- tion dans laquelle un champ électrique unidirectionnel fai- ble est appliqué en continu. Selon un mode de mise en oeuvre que l'on préfère dans ce but, ainsi qu'il est représenté sur les figures 3BC et 3BD, il est appliqué à la ligne de données à la phase T2 un signal dont la polarité est opposée à celle du signal d'information (la figure 3BC correspondant au "noir" et la figure 3BD correspondant au "blanc") appliqué à la phase T1. Dans le cas o, par exemple, on se propose d'afficher l'image que montre la figure 3A par un procédé de commande ne fournissant pas cette phase T2, l'élément d'image A est rendu "noir" lors de l'analyse de l'électrode d'analyse S1, mais il est hau- tement probable que l'élément d'image A sera à un moment donné commuté en "blanc" du fait qu'un signal électrique ou une tension de valeur -V0 est continuellement appliqué à l'électrode de signal I pendant les étapes d'analyse de l'électrode S2 et des suivantes et qu'ainsi la tension est continuellement appliquée à l'élément d'image A. La totalité de l'image est en une fois mise à l'état "blanc", puis un "noir" est écrit dans les éléments d'image correspondant à l'information au cours de la pre- mière phase T1. Dans cet exemple, la tension appliquée pour écrire un "noir" à la phase T1 est de 3V0 et la durée d'ap- plication est At. La tension appliquée aux éléments d'image respectifs, excepté au moment de l'analyse, est au maximum de | v0o, et la plus longue durée d'application de la tension maxi- mum est 2At, comme le montre la partie 40 de la figure 4B. La condition la plus sévère est imposée quand les signaux d'information se succèdent dans l'ordre: blanc - blanc * noir, et que le second signal "blanc" est appliqué au moment de l'analyse. Même alors, la durée d'application est 4At, ce qui est plutôt court et ne provoque aucune intermodula- tion, en sorte qu'une information affichée est conservée de façon semipermanente dès l'instant o l'analyse de l'image entière est achevée. Pour cette raison, il n'est aucun besoin d'une étape de rafraîchissement, comme cela est nécessaire dans un dispositif de visualisation utili- sant un cristal liquide nématique en hélice n'ayant pas de caractère bistable. La longueur optimale de la seconde phase T2 dé- pend de l'amplitude de la tension appliquée à la ligne de données. Lorsqu'est appliquée une tension de polarité opposée à celle du signal d'information, il est préférable que sa durée soit plus courte pour une tension plus haute et plus longue pour une tension plus basse. Si la durée est plus longue, il s'ensuit qu'un temps plus long est nécessaire pour analyser l'image entière. Par conséquent, * T2 est fixé de préférence de façon à satisfaire à la rela- tion T Les figures 5AA à 5AD, 5BA à 5BD et 6A, 6B illus- trent un autre mode de commande conforme à la présente invention. Les figures 5BA et 5BB montrent respectivement des tensions appliquées à des éléments d'image correspondant au "noir" et au "blanc" situés sur une ligne d'analyse sélectionnée. Les figures 5BC et 5BD montrent des tensions appliquées à des éléments d'image situés sur une ligne d'analyse non sélectionnée et sur une ligne de données à laquelle sont appliqués des signaux d'information "blanc" ou "noir". Les figures 6A et 6B représentent ces signaux appliqués en série chronologique. Les figures 7A et 7B illustrent une autre forme de réalisation de l'étape d'effacement, différente de celle décrite en référence aux figures 4A et 4B. Ainsi, dans cet exemple, les polarités des signaux électriques appliqués dans l'étape d'effacement aux lignes d'analyse et aux lignes de données sont rendues opposées à celles des signaux de sélection d'analyse et des signaux de sélection d'informa- tion de l'étape d'écriture. La tension V0 est également fixée à une valeur qui satisfait aux relations: V0 -Vth2 > -3V Dans la forme de réalisation qu'illustrent les figures 7A et 7B, lors de l'étape d'effacement ( At), un signal électrique de niveau 2V0 est appliqué aux lignes d'analyse en une fois et, en phase avec ce signal électri- que, un signal de niveau -V0 dont la polarité est opposée à celle de ce signal électrique est appliqué aux lignes de données. Lors de l'étape d'écriture suivante, des signaux analogues aux signaux décrits en référence aux figures 3BA à 3BD, 3CA à 3CD et 4A, 4B, sont appliqués aux lignes d'analyse et aux lignes de données. Les figures 8A et 8B, d'une part, et les figures 9A et 9B, d'autre part, montrent respectivement en séries chronologiques des exemples de modes de commande conformes à la présente invention. Dans ces modes de commande, une valeur de tension V0 est fixée de telle façon que la ten- sion de seuil pour le changement des orientations en une durée d'impulsion St se situe entre 1V01 et 2IV0I. Sur les figures 8A et 8B, un signal électrique de niveau +V est appliqué aux lignes d'analyse et, en phase avec celui-ci, un signal électrique de niveau -V0 est appliqué aux lignes de données pour effacer une image. Immédiatement après et par la suite, pendant l'étape d'écriture, des signaux d'analyse, chacun au niveau -V0, sont appliqués séquentiellement aux lignes S1, S2... , et, en phase avec ces signaux d'analyse, des signaux d'in- formation, chacun au niveau +V0, sont appliqués aux lignes de données, en sorte que l'écriture est effectuée. 255860.6 Les figures 8A et 8B, d'une part, et les figures 9A et 9B, d'autre part, montrent respectivement des exem- ples ou n'intervient aucun signal auxiliaire, tandis que les figures 10A et 0lB montrent un exemple o est utilisé un signal auxiliaire. Les valeurs des tensions des impul- sions de commande respectives sont indiquées sur les figures. Dans l'exemple des figures 10A et 0lB, les signaux électri- ques appliqués aux lignes d'analyse et aux lignes de données pendant l'étape d'effacement ont des polarités respective- ment opposées à celles des signaux appliqués pendant l'étape d'écriture, ont des amplitudes plus petites en valeurs absolues (2/3V0) que celles des signaux de cette étape d'écriture, et ont des largeurs d'impulsions plus grandes (2At) que celles des signaux de cette étape d'écriture. Ce mode d'effacement est efficace dans le cas o la tension de seuil dépend des largeurs d'impulsions et o une tension de seuil Vth2At propre à une largeur 2At satisfait à la relation: Vt de données sélectionnées, les lignes d'analyse sélection- nées et les lignes de données sélectionnées définissant une zone de nouvelle image dans laquelle est à écrire une nouvelle image, et les signaux électriques appliqués aux lignes d'analyse sélectionnées et aux lignes de données sélectionnées ayant des polarités opposées à celles d'un signal de sélection d'analyse et d'un signal d'information appliqués aux lignes respectives pour l'écriture des images, en sorte que la matière de modulation optique constituant la zone de nouvelle image est orientée en le premier état stable et qu'une image écrite dans une étape d'écriture précédente est partiellement effacée; et une étape d'écriture partielle dans laquelle un signal de sélection d'analyse est appliqué aux lignes d'ana- lyse sélectionnées et un signal d'information destiné à orienter la matière de modulation optique en le second état stable est appliqué aux lignes de données sélectionnées qui correspondent à l'information donnant la nouvelle image. On va décrire en référence aux figures 11A, 11BA à 11BD et 11CA à 11CD une forme préférée de réalisation du mode de commande mentionné ci-dessus. La figure 11A représente de façon schématique une cellule 111 comportant des éléments d'image agencés sous forme de matrice et comprenant des lignes d'analyse (électrodes d'analyse), des lignes de données (électrodes de signal) et, interposée entre elles, une matière bistable de modu- lation optique. La référence numérique 113 désigne les lignes de données. Afin d'abréger l'explication, on décrit un cas dans lequel sont affichés des signaux à deux états, "blanc" et "noir". On admet que les éléments d'image ha- churés correspondent au "noir" et que les autres éléments d'image correspondent au "blanc", sur la figure 11A. Tout d'abord, afin d'obtenir une image uniformément en "blanc" (cette étape est dénommée "étape d'effacement"), la matière bistable de modulation optique peut être orientée uniformé- ment en son premier état stable. Ceci peut être réalisé en appliquant un signal impulsionnel de tension prédéterminé (par exemple tension: +2V0, durée: At) à toutes les lignes d'analyse, et en appliquant un signal impulsionnel prédéterminé (par exemple -V0, At) à toutes les lignes de données. Dans l'étape d'effacement, il est appliqué aux lignes d'analyse un signal électrique d'une polarité opposée à celle d'un signal de sélection d'analyse de l'étape d'écriture décrite ci-après, et il est appliqué aux lignes de données un signal électrique d'une polarité opposée à celle d'un signal de sélection d'information (signal d'écriture) de l'étape d'écriture, ces deux signaux étant en phase l'un avec l'autre. 2 5 6V Les figures 11BA et llBB montrent respectivement un signal électrique (signal de sélection d'analyse) appli- qué à une ligne d'analyse sélectionnée et un signal élec- trique (signal de non-sélection d'analyse) appliqué aux autres lignes d'analyse (lignes d'analyse non sélectionnées). Les figures 11BC et 11BD montrent respectivement un signal électrique (signal de sélection d'information; V0 appli- qué à la phase T1) appliqué à une ligne de données sélec- tionnée (dénommée "noire"),et un signal électrique (signal de nonsélection d'information; -V0 appliqué à la phase T1) appliqué à une ligne de données non sélectionnée (dénommée "blanche"). Sur les figures 11BA à 11BD, le temps est re- présenté en abscisses et les tensions en ordonnées, res- pectivement. Sur les figures, T1 et T2 représentent une phase d'application d'un signal d'information (et d'un signal d'analyse) et une phase d'application d'un signal auxiliaire. Cet exemple montre un cas o T1 =T2 = At. Les lignes d'analyse 112 sont sélectionnées séquentiellement. On admet ici qu'une tension de seuil permettant de conférer le premier état stable (blanc) au cristal liquide bistable en une durée d'application At est -Vth2, et qu'une tension de seuil permettant de con- férer le second état stable en une durée d'application At est Vthl. Alors, comme le montre la figure 11BA, le signal électrique appliqué à la ligne d'analyse sélectionnée com- prend des tensions de niveau -2V0 à la phase (durée) T1 et 0 à la phase (durée) T2. Les autres lignes d'analyse sont mises au potentiel de la masse et, comme le montre la fi- gure llBB, le signal électrique est au niveau 0. D'autre part, le signal électrique appliqué à la ligne de données sélectionnée comprend V0 à la phase T1 et -V0 à la phase T2, comme le montre la figure 11BC, et le signal électrique appliqué à la ligne de données non sélectionnée comprend -V0 à la phase T1 et +V0 à la phase T2, comme le montre la figure 11BD. Dans cet exemple, la tension V0 est fixée à une valeur désirée qui satisfait aux relations V0 et -V0 > -Vth2 >-3V0. Les figures 11CA à 11CD montrent les formes d'ondes de tension qui sont appliquées aux éléments d'image respectifs lorsque sont délivrés les signaux électriques susmentionnés. Les figures 11CA et 11CB montrent respecti- vement des formes d'ondes de tension appliquées à des élé- ments d'image o sont affichés un "noir" et un "blanc", ces éléments étant sur la ligne d'analyse sélectionnée. Les figures 11CC et 11DD montrent respectivement des formes d'ondes de tension appliquées à des éléments d'image situés sur des lignes d'analyse non sélectionnées. A la phase T1, sur la ligne d'analyse à laquelle est appliqué un signal de sélection d'analyse de niveau -2V0, un signal d'information de niveau + V0 est appliqué à un élément d'image o doit être affiché un "noir" et, par con- séquent, une tension égale à 3V0, dépassant la tension de seuil Vthl, est appliquée à l'élément d'image, en sorte que le cristal liquide bistable y est orienté en son second état optiquement stable. Ainsi, l'élément d'image est écrit en "noir" (étape d'écriture). Sur la même ligne d'analyse, la tension appliquée à des éléments d'image o doit être affiché un "blanc" est d'une valeur V0 qui ne dépasse pas la tension de seuil Vthl et, par consequent, l'élément d'image reste dans son premier état optiquement stable, en affichant ainsi un "blanc". Par ailleurs, sur les lignes d'analyse non sélec- tionnées, la tension appliquée à tous les éléments d'image est de ' V0 ou 0, aucune ne dépassant la tension de seuil. Par suite, le cristal liquide des éléments d'image respec- tifs conserve son orientation, laquelle a été obtenue quand les éléments d'image ont été analysés pour la dernière fois. En d'autres termes, après que la totalité des éléments d'image a été orientée en un état optiquement stable ("blanc"), quand une ligne d'analyse est sélectionnée, des signaux sont inscrits sur une ligne d'éléments d'image durant la première phase T1, et le signal inscrit ou les 6tats d'affichage sont conservés même apres l'achèvement des étapes d'écriture d'un bloc. La figure 11A montre un exemple d'une image ainsi formée en passant par l'étape d'effacement et l'étape d'écriture. La figure llD montre un exemple d'une image obtenue en réécrivant partiellement l'image que montre la figure 11A. Cet exemple que montre la figure 11D illustre un cas dans lequel une région ou zone X-Y définie par des lignes d'analyse X et par des lignes de données Y est des- tinée à être réécrite. Dans ce but, un signal électrique (par exemple 2V0, figure 12A), dont la polarité est oppo- sée à celle d'un signal de sélection d'analyse (par exem- ple -2V0, figure 12A) appliqué dans l'étape d'écriture précédente, est appliqué en une fois ou séquentiellement aux lignes d'analyse S1, S2, S3 qui correspondent à la zone de nou- velle image (zone X-Y) devant subir une réécriture.D'autre part, un signal électrique (par exemple -V0, ligne I1, figure 12B), dont la polarité est opposée à celle d'un signal de sélection d'information (par exemple V0, ligne Il, figure 12B), est appliqué aux lignes de données I1 et I2 qui correspondent à la zone de nouvelle image. Il est ainsi possible d'effacer une partie seulement (par exemple la zone X-Y) d'une image (Etape d'Effacement Partiel). L'écriture de la zone d'effacement partiel (zone X-Y) est ensuite effectuée en recourant au même processus que dans l'étape d'écriture, c'est-à-dire en appliquant, en phase avec un signal de sélection d'analyse (-2V0), aux lignes de données de la zone d'effacement partiel, un si- gnal de sélection d'information (+V0) et un signal de non- sélection d'information (-V0) qui correspondent à une information d'image prédéterminée pour la réécriture. Par ailleurs, un signal électrique de niveau inférieur à la tension de seuil du cristal liquide ferro- électrique est appliqué aux éléments d'image de la zone de non-réécriture (c'est-à-dire les zones Xa-Y, Xa-Ya et X-Y), de telle façon qu'est conservé l'état inscrit dans chaque élément d age de la zone de nonrécriture chaque élément d'image de la zone de non-réécriture. Plus particulièrement, dans l'étape d'effacement partiel, un signal électrique (par exemple V0, ligne I3, figure 12B), ayant la même polarité qu'un signal électrique (par exemple 2V0, figure 12A) appliqué aux lignes d'ana- lyse dans l'étape d'effacement, est appliqué aux lignes de données ne définissant pas la zone de réécriture (zone X-Y). De plus, dans l'étape d'écriture partielle, un signal élec- trique (par exemple -V0, ligne I3, figure 12B), ayant la même polarité qu'un signal de sélection d'analyse (par exemple -2V0, lignes Si, S2 et S3, figure 12A), est appli- qué en phase avec le signal de sélection d'analyse aux lignes de données ne définissant pas la zone de réécriture (zone X-Y). D'autre part, le potentiel des lignes d'analyse ne définissant pas la zone de réécriture est maintenu à un potentiel de base (par exemple de 0 volt). Les signaux de commande décrits ci-dessus sont représentés sur les figures 12A et 12B. Les références S1 à S5 indiquent des signaux électriques appliqués aux lignes d'analyse; les références I1 et 13 indiquent des signaux électriques appliqués à des lignes de données; et les références A2, C2 et D2 indiquent des formes d'ondes appli- quées aux éléments d'image A2, C2 et D2 que montrent les figures 11A et 11D. Dans la présente invention, une zone de réécriture peut être désignée par un curseur. Les figures 13A et 13B, d'une part, et les figu- res 14A et 14B, d'autre part, montrent d'autres exemples de modes de commande fondés sur la présente invention. Dans des modes de commande, V0 est fixé à une valeur telle que la tension de seuil pour le changement d'orientation en une durée d'impulsion At se trouve entre Vcol et 12Vol. Dans l'exemple que montrent les figures 13A et 13B, un signal électrique de niveau +V0 est appliqué aux lignes d'analyse et, parallèlement à ceci, un signal élec- trique de niveau -V0 est appliqué aux lignes de données, pour effacer une image. Immédiatement après, pendant l'étape d'écriture, des signaux d'analyse Sl, S2,..., chacun de niveau -V0, sont appliqués séquentiellement et, en phase avec ces signaux d'analyse, des signaux d'information, chacun de niveau +V0, sont appliqués aux lignes de données, en sorte qu'est écrite une image telle que représentée sur la figure 11A. Ensuite, dans l'étape d'effacement partiel, un signal électrique de valeur -2V0 est appliqué aux éléments d'image de la zone x-Y que montre la figure llD qui ont reçu l'écriture dans l'étape précédente, en sorte que les éléments d'image sont effacés en une fois. (Cet exemple comportant un seul temps d'effacement est représenté sur les figures 13A et 13B. Cependant, un effacement en succession est également réalisable en appliquant successivement aux li- gnes d'analyse un signal électrique de niveau V0, comme un signal de sélection d'analyse. Ensuite, des signaux électriques correspondant à l'information de nouvelle image sont appliqués à la zone X-Y, en sorte que la zone X-Y est écrite comme le montre la figure 11D. Les figures 13A et 13B, d'une part, et les figu- res 14A et 14B, d'autre part, montrent des exemples dans lesquels n'intervient pas de signal auxiliaire, tandis que les figures 15A et 15B montrent un exemple dans lequel est utilisé un signal auxiliaire. Les valeurs de tension des impulsions de commande respectives sont indiquées sur les figures. Dans l'exemple des figures 15A et 15B, les signaux électriques appliqués dans l'étape d'effacement aux lignes d'analyse et aux lignes de données ont des polarités res- pectivement opposées à celles des signaux appliqués pendant l'étape d'écriture, ont des amplitudes plus petites en valeurs absolues (2/3 V0) que celles des signaux de cette étape d'écriture, et ont des largeurs d'impulsions plus grandes (2At) que celles des signaux de cette étape d'écri- ture. Ce mode d'effacement est efficace dans un cas o la tension de seuil dépend des largeurs d'impulsions et o une tension de seuil Vth2t propre à une largeur 2At satis- fait à la relation: Vth2t 4/3 V0. th Dans l'étape d'effacement partiel, un signal électrique de valeur -4/3 V0 est appliqué pour effectuer l'effacement partiel. Pendant l'étape d'écriture partielle suivante, une nouvelle image est écrite dans la zone X-Y. Les figures 16A, 16BA à 16BD et 16CA à 16CD, ainsi que les figures 17A et 17B, illustrent un autre mode de commande d'un dispositif de modulation optique, qui comprend: une étape d'écriture comprenant une première phase dans laquelle une tension qui oriente la matière bistable de modulation optique en le premier état stable est appli- quée aux éléments d'image qui, parmi ceux de l'ensemble des éléments d'image, sont situés sur des lignes d'analyse sélectionnées, et une seconde phase dans laquelle une ten- sion qui oriente la matière bistable de modulation optique en le second état stable est appliquée à un élément d'image sélectionné parmi les éléments d'image situés sur les li- gnes d'analyse sélectionnées, de façon à écrire dans l'élé- ment d'image sélectionné; et une étape d'application d'un courant alternatif à l'élément d'image sélectionné ayant subi l'écriture. Un exemple encore préféré de ce mode de commande est mis en oeuvre pour commander un dispositif à cristal liquide comprenant des lignes d'analyse sélectionnées de façon séquentielle et périodique en fonction de signaux d'analyse, des lignes de données faisant face aux lignes d'analyse et sélectionnées en fonction de signaux d'infor- mation prédétermines, et un cristal liquide bistable pre- nant un premier état stable ou un second état stable en fonction d'un champ électrique qui lui est appliqué, la- quelle matière est interposée entre les lignes d'analyse et les lignes de données, Le dispositif à cristal liquide est commandé par l'application à une ligne d'analyse sélec- tionnée d'un signal électrique comportant une première phase ti qui fournit un champ électrique d'un certain sens grâce auquel le cristal liquide est orienté en le premier état stable indépendamment d'un signal électrique appliqué aux électrodes de signal; une deuxième phase t2 présentant une tension auxiliaire contribuant à la ré-orientation du cristal liquide en le second état stable en correspondance avec des signaux électriques appliqués aux lignes de données; et une troisième étape ou phase t3 consistant à appliquer aux lignes de données un signal électrique dont la polarité de tension est opposée à celle du signal électrique appli- qué à la phase t2 en fonction d'une information prédé- terminée. Un forme de réalisation préférée conforme à ce mode de commande est décrite en référence aux figures 16A, 16BA à 16BD et 16CA à 16CD. La figure 16A représente de façon schématique une cellule 161 comportant des éléments d'image agencés sous forme de matrice et comprenant des lignes d'analyse (électrodes d'analyse), des lignes de données (électrodes de signal) et, interposé entre elles, un cristal iiquide ferroélectrique. La référence numérique 163 désigne les lignes de données. Afin d'abréger l'explication, on décrit un cas dans lequel sont affichés des signaux à deux états, "blanc" et "noir". On admet que les éléments d'image ha- churés correspondent au "noir" et que les autres éléments d'image correspondent au "blanc", sur la figure 16A. Les figures 16BA et 16BB montrent respectivement un signal électrique (signal de sélection d'analyse) appli- qué à une ligne d'analyse sélectionnée et un signal élec- trique (signal de non-sélection d'analyse) appliqué aux autres lignes d'analyse (lignes d'analyse non sélectionnées). Les figures 16BC et 1BD montrent respectivement un signal électrique (signal de sélection d'information) appliqué à une ligne de données sélectionnée (dénommée "noire"), et un signal électrique (signal de nonsélection d'information) appliqué à une ligne de données non sélectionnée (dénommée "blanche"). Sur les figures 16BA à 16BD, le temps est re- présenté en abscisses, et les tensions en ordonnées, res- pectivement. T1, T2 et T3 représentent respectivement, dans l'étape d'écriture, les première, deuxième et troi- sième phases. Cet exemple montre un cas o T1 =T2=T3. On admet ici qu'une tension de seuil permettant de conférer le premier état stable (blanc) au cristal li- quide bistable en une durée d'application At est -Vth2, et qu'une tension de seuil permettant de conférer le second état stable en une durée d'application At est Vthl. Alors, comme le montre la figure 16BA, le signal électrique appli- qué à la ligne d'analyse sélectionnée comprend des tensions de niveau 3V0 à la phase (durée) T1, -2V0 à la phase (durée) T2 et0 à la phase (durée)T3. Les autres lignes d'analyse sont mises au potentiel de la masse et, comme le montre la figure 16BB, le signal électrique est au niveau 0. D'autre part, le signal électrique appliqué à la ligne de données sélectionnées comprend 0 à la phase T1, V0 à la phase T2 et -V0 à la phase T3, comme le montre la figure 16BC, et le signal électrique appliqué à la ligne de don- nées non sélectionnées comprend 0 à la phase T1, -V0 à la phase T2 et +V0 à la phase T3, comme le montre la figure 16BD. Dans cet exemple, la tension V0 est fixée à une valeur désirée qui satisfait aux relations V0 -Vth2 > -3V0 Les figures 16CA à 16CD montrent les formes d'ondes de tension qui sont appliquées aux éléments d'image respectifs lorsque sont délivrés les signaux électriques susmentionnés. Les figures 16CA et 16CB montrent respecti- vement des formes d'ondes de tension appliquées à des élé- ments d'image o sont affichés un "noir" et un "blanc", ces éléments étant sur la ligne d'analyse sélectionnée. Les figures 16CC et 16CD montrent respectivement des formes d'ondes de tension appliquées à des éléments d'image situés sur des lignes d'analyse non sélectionnées. Comme le montrent les figures 16CA à 16CD, à la phase T1, une tension égale à -3V0, dépassant la tension de seuil -Vth2, est appliquée à tous les éléments d'image situés sur la ligne d'analyse sélectionnée., en sorte que ces éléments d'image sont mis à l'état "blanc" en une fois. Dans la seconde phase T2, une tension égale à 3V0, dépas- sant le niveau de seuil Vthl, est appliquée aux éléments d'image qui doivent afficher un "noir", en sorte qu'est obtenu l'autre état optiquement stable ("noir"). En outre, la tension appliquée aux éléments d'image qui doivent affi- cher un "blanc" est égale à V0, ce qui ne dépasse pas la tension de seuil, en sorte que le même état optiquement stable est conservé. Par ailleurs, sur les lignes d'analyse non sélec- tionnées, la tension appliquée à tous les éléments d'image est de V ou 0, aucune ne dépassant la tension de seuil. Par suite, le cristal liquide des éléments d'image respec- tifs conserve son orientation, laquelle a été obtenue quand les éléments d'image ont été analysés pour la dernière fois. En d'autres termes, quand une ligne d'analyse est sélec- tionnée, tous les éléments d'image de la ligne d'analyse sont uniformément orientés en un état optiquement stable ("blanc") à la phase T1, et des éléments d'image sélec- tionnés sont transformés en l'autre état optiquement stable ("noir") à la phase T2, en sorte qu'une ligne est écrite. L'état de signal ou d'affichage ainsi obtenu est conservé même après l'achèvement des étapes d'écriture d'un bloc et jusqu'à une analyse ultérieure. Les figures 17A et 17B montrent un exemple des signaux de commande susmentionnés en série chronologique. Les références S1 à S5 désignent des signaux électriques appliqués aux lignes d'analyse; I1 et 13 des signaux électriques appliqués à des lignes de données; et A3 et C3 des formes d'ondes de tension appliquées respectivement aux éléments A3 et C3 que montre la figure 16A. Comme on l'a expliqué ci-dessus, une inversion des états d'orientation (intermodulation) peut se produire du fait de l'application d'un champ électrique faible pen- dant une longue période. Cependant, dans une forme de réalisation préférée, l'inversion des états d'orientation peut être évitée par l'application d'un signal capable d'empêcher l'application d'un champ électrique faible dans un seul sens. Les figures 16BC et 16BD illustrent une forme de réalisation préférée pour le but ci-dessus et dans laquelle il est appliqué à une ligne de données à la phase T3 un si- gnal dont la polarité est opposée à celle d'un signal d'in- formation ("noir" sur la figure 16BC et "blanc" sur la figure 16BD) appliqué à la ligne de données à la phase T2. Dans un cas, par exemple, o l'on veut afficher une image telle que représentée sur la figure 16A, par un mode de commande ne présentant pas cette phase T3, l'élément d'image A3 est rendu "noir" lors de l'analyse de la ligne d'analyse S1, mais il est hautement probable que cet élément d'image sera commuté en "blanc" à un moment donné du fait qu'un signal électrique ou une tension de valeur-V0 est continuellement appliqué à l'électrode de signal Il pendant les étapes d'analyse de l'électrode d'analyse S2 et des suivantes et qu'ainsi la tension est continuellement appliquée à l'élé- ment d'image A3. La totalité de l'image est en une fois mise à l'état "blanc" dans la première phase T1, puis un "noir" est écrit dans les éléments d'image qui correspondent à l'information au cours de la seconde phase T2 pendant l'analyse. Dans cet exemple, la tension conférant un état "blanc" à la phase T1 est de -3V0, et la durée d'applica- tion est At. En outre, la tension d'écriture d'un '"noir" à la phase T2 est de 3V0, et la durée d'application est également At. La tension appliquée aux éléments d'image respectifs, excepté au moment de l'analyse, est au maximum de VO 1, et la plus longue durée d'application de la tension maximum est 2At, comme le montre la partie 161 de la figure 17B. Ainsi, il ne se produit aucune intermodula- tion, en sorte qu'une information affichée est conservée de façon semipermanente dès l'instant o l'analyse de l'image entière est achevée. Pour cette raison, il n'est aucun besoin d'une étape de rafraîchissement, comme cela est nécessaire dans un dispositif de visualisation utili- sant un cristal liquide nématique en hélice n'ayant pas de caractère bistable. La longueur optimale de la troisième phase T3 dépend de l'amplitude de la tension appliquée pendant cette phase à la ligne de données. Lorsqu'est appliquée une ten- sion de polarité opposée à celle du signal d'information, il est préférable que sa durée soit plus courte pour une tension plus haute et plus longue pour une tension plus basse. Si la durée est plus longue, il s'ensuit qu'un temps plus long est nécessaire pour analyser l'image entière. Par conséquent, T3 est fixé de préférence de façon à satis- faire à la relation T Le procédé de commande selon la présente inven- tion peut être largement appliqué dans le domaine des dis- positifs de visualisation et des obturateurs optiques tels que les obturateurs optiques à cristaux liquides et les téléviseurs à cristaux liquides. La présente invention va être décrite ci-dessous en référence à des exemples pratiques. Exemple 1 On se munit d'une paire de plaques d'électrodes comprenant chacune un substrat en verre sur lequel est * constitué un réseau d'électrodes en ITO (oxyde d'indium- étain). Ces électrodes permettent d'obtenir une structure matricielle de 500 x 500. Sur le réseau d'électrodes de l'une des plaques d'électrodes, on forme un film de poly- imide d'environ 30 nm d'épaisseur par enduction à la tour- nette. On frotte la face revêtue de polyimide de la plaque d'électrodes avec un rouleau autour duquel est en- roulée de la suédine. On lie cette plaque d'électrodes à l'autre plaque d'électrodes qui n'est pas revêtue d'un film de polyimide, de façon à former une cellule présentant un écartement d'environ 1,6 pm. On injecte dans la cellule un cristal ferroélectrique de cinnamate de décyloxybenzylidène-p'- 25586O06 amino-2-méthylbutyle (CDOBAMB) en état fondu à chaud, puis on le refroidit progressivement pour constituer un mono- domaine uniforme de phase SmC. La cellule ainsi formée est maintenue à une tem- pérature régulée de 70 C et est commandée par l'analyse ligne par ligne conformément au mode de commande décrit en référence aux figures 3A, 3BA à 3BD, 3CA à 3CD et 4A, 4B, dans des conditions o V0 = 10 volts et T1 = T2= t = 80 Is, moyennant quoi on obtient une image extrêmement bonne. Exemple 2 On effectue l'écriture d'image de la même manière qu'à l'Exemple 1, à la différence qu'on emploie le mode de commande représenté sur les figures 7A, 7B, au lieu du mode de commande employé à l'Exemple 1, moyennant quoi on obtient une bonne image. Exemple 3 On effectue l'analyse ligne par ligne de la même manière qu'à l'Exemple 1, à la différence qu'on utilise les formes d'ondes représentées sur les figures 12A, 12B, moyen- nant quoi on obtient une image extrêmement bonne. Ensuite, on réécrit une partie de l'image conformément aux formes d'ondes représentées sur les figures 12A, 12B, moyennant quoi on obtient une bonne image partiellement réécrite. Exemple 4 On effectue l'analyse ligne par ligne de la même manière qu'à l'Exemple 1, à la différence qu'on utilise les formes d'ondes représentées sur les figures 16BA à 16BD, 16CA à 16CD et 17A, 17B dans les conditions o V0 = 10 volts et T1 = T2 = T3 = at = 50 gs,moyennant quoi on obtient une image extrêmement bonne. REVENDICATIONS 1. Procédé de commande d'un dispositif de modu- lation optique comportant un ensemble d'éléments d'image agencés en forme de matrice et comprenant des lignes d'ana- lyse, des lignes de données placées à l'écart des lignes d'analyse et les croisant, et une matière bistable de modulation optique qui prend un premier état stable ou un second état stable en fonction d'un champ électrique qui lui est appliqué et qui est interposée entre les lignes d'analyse et les lignes de données, chacun des croisements entre les lignes d'analyse et les lignes de données défi- nissant l'un des éléments d'image dudit ensemble; ledit procédé de commande étant caractérisé en ce qu'il comprend: une étape d'effacement dans laquelle un signal de tension qui oriente uniformément la matière bistable de modulation optique en le premier état stable est appli- qué entre des lignes d'analyse et des lignes de données définissant la totalité ou une partie dudit ensemble d'éléments d'image; et une étape d'écriture dans laquelle un signal de sélection d'analyse est appliqué séquentielle- ment auxdites lignes d'analyse, et un signal de sélection d'information qui, en association avec le signal de sélec- tion d'analyse, oriente la matière bistable de modulation optique en le second état stable,est appliqué auxdites lignes de données en phase avec le signal de sélection d'analyse. 2. Procédé de commande selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un signal auxiliaire est, en plus du signal de sélection d'information, appliqué aux lignes de données en phase avec le signal de sélection d'analyse, dans ladite étape d'écriture. 3. Procédé de commande selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit signal de sélection d'informa- tion est appliqué aux lignes de données sélectionnées et un signal de nonsélection d'information est appliqué aux lignes de données non sélectionnées, ledit signal de sélec- tion d'information et ledit signal de non-sélection d'in- formation ayant des polarités de tension différentes l'une de l'autre. 4. Procédé de commande selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit signal auxiliaire présente une polarité de tension opposée à celle d'un signal de sélec- tion d'information appliqué immédiatement avant ou après le signal auxiliaire. 5. Procédé de commande selon la revendication 2, caractérisé en ce que la largeur d'impulsion dudit signal de sélection d'information est supérieure ou égale à la largeur d'impulsion dudit signal auxiliaire. 6. Procédé de commande selon la revendication 1, caractérisé en ce que les signaux électriques appliqués dans l'étape d'effacement aux lignes d'analyse et aux lignes de données ont des polarités respectivement opposées à celles du signal de sélection d'analyse et du signal de sélection d'information appliqués dans l'étape d'écriture. 7. Procédé de commande selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite étape d'effacement est une étape dans laquelle la totalité ou une partie d'une image inscrite dans les éléments d'image en matrice est effacée en une fois. 8. Procédé de commande selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite matière bistable de modulation optique est un cristal liquide ferroélectrique. 9. Procédé de commande selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit cristal liquide ferroélectrique est un cristal liquide smectique chiral. 10. Procédé de commande selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit cristal liquide smectique chi- rai est en une structure non-spirale. 1il. Procédé de commande selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit cristal liquide smectique chi- rai est en phase C, H, I, J, K, G ou F. 12. Procédé de commande d'un dispositif de modu- lation optique comportant des lignes d'analyse, des lignes de données et une matière bistable de modulation optique qui prend un premier état stable ou un second état stable en fonction d'un champ électrique qui lui est appliqué et qui est interposée entre les lignes d'analyse et les lignes de données; ledit procédé de commande étant caractérisé en ce qu'il comprend: une étape d'effacement partiel dans la- quelle des signaux électriques sont appliqués à des lignes d'analyse sélectionnées parmi les lignes d'analyse et à des lignes de données sélectionnées, lesdites lignes d'analyse sélectionnées et lignes de données sélectionnées définissant une zone de nouvelle image dans laquelle est à écrire une nouvelle image, et lesdits signaux électriques appliqués aux lignes d'analyse sélectionnées et aux lignes de données sélec- tionnées ayant des polarités opposées à celles d'un signal de sélection d'analyse et d'un signal de sélection d'infor- mation appliqués aux lignes respectives pour l'écriture d'images, en sorte que la matière de modulation optique constituant la zone de nouvelle image est orientée en le premier état stable et qu'une image inscrite dans une étape d'écriture précédente est partiellement effacée; et une étape d'écriture partielle dans laquelle un signal de sélec- tion d'analyse est appliqué aux lignes d'analyse sélection- nées et un signal d'information destiné à orienter la matière de modulation optique en le second état stable est appliqué aux lignes de données sélectionnées qui correspondent à l'information donnant la nouvelle image. 13. Procédé de commande selon la revendication 12, caractérisé en ce que, dans l'étape d'effacement partiel, un signal électrique, ayant la même polarité que celle du signal d'analyse appliqué dans l'étape d'effacement, est appliqué aux lignes de données autres que celles qui ser- vent à définir la zone de nouvelle image. 14. Procédé de commande selon la revendication 12, caractérisé en ce que, dans l'étape d'écriture partieile, un signal électrique, ayant la même polarité que celle du signal de sélection d'analyse appliqué dans l'étape d'écri- ture partielle, est appliqué en phase avec le signal de sélection d'analyse aux lignes de données autres que celles qui servent à définir la zone de nouvelle image. 15. Procédé de commande selon la revendication 12, caractérisé en ce que ladite matière bistable de modulation optique est un cristal liquide ferroélectrique. 16. Procédé de commande selon la revendication 12, caractérisé en ce que ledit cristal liquide ferroélectrique est un cristal liquide smectique chiral. 17. Procédé de commande selon la revendication 16, caractérisé en ce que ledit cristal liquide smectique chiral est en une structure non-spirale. 18. Procédé de commande selon la revendication 16, caractérisé en ce que ledit cristal liquide smectique chiral est en phase C, H, I, J, K, G ou F. 19. Procédé de commande d'un dispositif de modu- lation optique comportant un ensemble d'éléments d'image agencés sous forme de matrice et comprenant des lignes d'analyse, des lignes de données placées à l'écart des lignes d'analyse et les croisant, et une matière bistable de modulation optique qui prend un premier état stable ou un second état stable en fonction d'un champ électrique qui lui est appliqué et qui est interposée entre les lignes d'analyse et les lignes de données, chacun des croisements entre les lignes d'analyse et les lignes de données défi- nissant l'un des éléments d'image dudit ensemble; ledit procédé de commande étant caractérisé en ce qu'il comprend: une étape d'effacement dans laquelle un signal de tension qui oriente uniformément la matière bistable de modulation optique en le premier état stable est appliqué entre des lignes d'analyse et des lignes de données définissant la totalité ou une partie dudit ensemble d'éléments d'image une étape d'écriture dans laquelle un signal de sélection d'analyse est appliqué séquentiellement auxdites lignes d'analyse, et un signal de sélection d'information qui, en association avec le signal de sélection d'analyse, oriente la matière bistable de modulation optique en le second état stable,est appliqué à des lignes de données sélectionnées, en phase avec le signal de sélection d'analyse; une étape d'effacement partiel dans laquelle un signal électrique, de polarité opposée à celle du signal de sélection d'analyse appliqué pendant l'étape d'écriture, est appliqué à des lignes d'analyse sélectionnées parmi les lignes d'analyse, et un signal électrique, de polarité opposée à celle du signal de sélection d'information, est appliqué à des lignes de données sélectionnées, lesdites lignes d'analyse sélec- tionnées et lignes de données sélectionnées définissant une zone de nouvelle image dans laquelle est à écrire une nou- velle image, en sorte que la matière de modulation optique constituant la zone de nouvelle image est orientée en le premier état stable et qu'une image inscrite dans une étape d'écriture précédente est partiellement effacée; et une étape d'écriture partielle dans laquelle un signal de sélec- tion d'analyse est appliqué aux lignes d'analyse sélection- nées et un signal de sélection d'information destiné à orienter la ma- tière de modulation optique en le second état stable est appliqué aux lignes de données sélectionnées qui corres- pondent à l'information donnant la nouvelle image. 20. Procédé de commande selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'un signal de non-sélection d'informa- tion ayant une polarité opposée à celle dudit signal de sélection d'information est appliqué en même temps que le signal de sélection d'information. 21. Procédé de commande selon la revendication 19, caractérisé en ce que, dans l'étape d'effacement partiel, un signal électrique, ayant la même polarité que celle du signal d'analyse appliqué dans l'étape d'effacement, est appliqué aux lignes de données autres que celles qui ser- vent à définir la zone de nouvelle image. 22. Procédé de commande selon la revendication 19, caractérisé en ce que, dans l'étape d'écriture partielle, un signal électrique, ayant la même polarité que celle du signal de sélection d'analyse appliqué dans l'étape d'écri- ture partielle, est appliqué en phase avec le signal de sélection d'analyse aux lignes de données autres que celles qui servent à définir la zone de nouvelle image. 23. Procédé de commande selon la revendication 19, caractérisé en ce que ladite étape d'effacement est une étape dans laquelle la totalité ou une partie d'une image inscrite dans les éléments d'image en matrice est effacée en une fois. 24. Procédé de commande selon la revendication 19, caractérisé en ce que ladite étape d'effacement partiel est une étape dans laquelle la zone de nouvelle image est effa- cée en une fois. 25. Procédé de commande selon la revendication 19, caractérisé en ce que ladite étape d'effacement partiel est une étape dans laquelle la zone de nouvelle image est effa- cée ligne par ligne en ce qui concerne les lignes d'analyse. 26. Procédé de commande selon la revendication 19, caractérisé en ce que, dans ladite étape d'écriture par- tielle, les lignes d'analyse autres que celles qui servent à définir la zone de nouvelle image sont maintenues à un potentiel de base. 27. Procédé de commande selon la revendication 26, caractérisé en ce que ledit potentiel de base est de O volt. 28. Procédé de commande d'un dispositif de modu- lation optique comportant un ensemble d'éléments d'image agencés sous forme de matrice et comprenant des lignes d'analyse, des lignes de données placées à l'écart des lignes d'analyse et les croisant, et une matière bistable de modulation optique qui prend un premier état stable ou un second état stable en fonction d'un champ électrique qui lui est appliqué et qui est interposée entre les lignes d'analyse et les lignes de données, chacun des croisements ent:re les lignes d'analyse et les lignes de données défi- nissant l'un des éléments d'image dudit ensemble; ledit procédé de commande étant caractérisé en ce qu'il comprend: une étape d'écriture comprenant une première phase dans laquelle une tension qui oriente la matière bistable de modulation optique en le premier état stable est appliquée aux éléments d'image qui, parmi les éléments d'image dudit ensemble, sont situés sur des lignes d'analyse sélectionnées, et une seconde phase dans laquelle une tension qui oriente la matière bistable de modulation optique en le second état stable est appliquée à un élément d'image sélectionné parmi les éléments d'image situés sur les lignes d'analyse sélec- tionnées, de façon à écrire dans l'élément d'image sélec- tionné; et une étape d'application d'un courant alternatif à l'élément d'image sélectionné ayant subi l'écriture. 29. Procédé de commande selon la revendication 28, caractérisé en ce que ladite étape d'écriture comprend de plus une troisième phase qui est une période d'application d'un signal auxiliaire dans laquelle un signal électrique différent de celui appliqué dans la seconde phase à la ligne de données servant à définir l'élément d'image sélectionné, est appliqué à la ligne de données. 30. Procédé de commande selon la revendication 29, caractérisé en ce que ladite troisième phase est une période d'application d'un signal auxiliaire dans laquelle un signal électrique, ayant une polarité opposée à celle du signal électrique appliqué dans la seconde phase à la ligne de données servant à définir l'élément d'image sélectionné, est appliqué à la ligne de données. 31. Procédé de commande selon la revendication 29, caractérisé en ce que la durée de ladite troisième phase est inférieure ou égale à la durée de ladite seconde phase. 32. Procédé de commande selon la revendication 28, caractérisé en ce que, dans la seconde phase de l'étape d'écriture, un signal de sélection d'information est appli- qué à une ligne de données sélectionnée et un signal de non-sélection d'information est appliqué à une ligne de données non sélectionnée, ledit signal de sélection d'in- formation et ledit signal de non-sélection d'information ayant des polarités de tension différentes. 33. Procédé de commande selon la revendication 28, caractérisé en ce que ladite matière bistable de modulation optique est un cristal liquide ferroélectrique. 34. Procédé de commande selon la revendication 33, caractérisé en ce que ledit cristal liquide ferroélectrique est un cristal liquide smectique chiral. 35. Procédé de commande selon la revendication 34, caractérisé en ce que ledit cristal liquide smectique chiral est en une structure non-spirale. 36. Procédé de commande selon la revendication 34, caractérisé en ce que ledit cristal liquide smectique chiral est en phase C, H, I, J, K, G ou F. 37. Dispositif de modulation optique comportant un ensemble d'éléments d'image agencés sous forme de matrice et comprenant des lignes d'analyse, des lignes de données placées à l'écart des lignes d'analyse et les croisant, et une matière bistable de modulation optique qui prend un premier état stable ou un second état stable en fonction d'un champ électrique qui lui est appliqué et qui est inter- posée entre les lignes d'analyse et les lignes de données, chacun des croisements entre les lignes d'analyse et les lignes de données définissant l'un des éléments d'image dudit ensemble; ledit dispositif de modulation optique étant caractérisé en ce qu'il comprend de plus: un moyen d'effacement grâce auquel un signal de tension qui oriente uniformément la matière bistable de modulation optique en le premier état stable est appliqué entre des lignes d'ana- lyse et des lignes de données qui définissent la totalité ou une partie des éléments d'image dudit ensemble; et un moyen d'écriture grâce auquel un signal de sélection d'analyse est appliqué séquentiellement auxdites lignes d'analyse, et un signal de sélection d'information qui, en association avec le signal de sélection d'analyse, oriente la matière bistable de modulation optique en le second état stable,est appliqué auxdites lignes de données en phase avec le signal de sélection d'analyse. 38. Dispositif de modulation optique comportant des lignes d'analyse, des lignes de données et une matière bistable de modulation optique qui prend un premier état stable ou un second état stable en fonction d'un champ électrique qui lui est appliqué et qui est interposée entre les lignes d'analyse et les lignes de données, ledit dis- positif de modulation optique étant caractérisé en ce qu'il comprend: un moyen d'effacement partiel grâce auquel des signaux électriques sont appliqués à des lignes d'analyse sélectionnées parmi les lignes d'analyse et à des lignes de données, lesdites lignes d'analyse sélectionnées et li- gnes de données sélectionnées définissant une zone de nou- velle image dans laquelle est à écrire une nouvelle image, et lesdits signaux électriques appliqués aux lignes d'ana- lyse sélectionnées et aux lignes de données sélectionnées ayant des polarités opposées à celles d'un signal de sélec- tion d'analyse et d'un signal de sélection d'information appliqués aux lignes respectives pour l'écriture d'images, en sorte que la matière de modulation optique constituant la zone de nouvelle image est orientée en le premier état stable et qu'une image inscrite dans une étape d'écriture précédente est partiellement effacée; et un moyen d'écri- ture partielle grâce auquel un signal de sélection d'ana- lyse est appliqué aux lignes d'analyse sélectionnées et un signal d'information destiné à orienter la matière de modu- lation optique en le second état stable est appliqué aux lignes de données sélectionnées qui correspondent à l'in- formation donnant la nouvelle image. 39. Dispositif de modulation optique comportant un ensemble d'éléments d'image agencés sous forme de matrice et comprenant des lignes d'analyse, des lignes de données placées à l'écart des lignes d'analyse et les croisant, et une matière bistable de modulation optique qui prend un premier état stable ou un second état stable en fonction d'un champ électrique qui lui est appliqué et qui est inter- posée entre les lignes d'analyse et les lignes de données, chacun des croisements entre les lignes d'analyse et les lignes de données définissant l'un des éléments d'image dudit ensemble; ledit dispositif de modulation optique étant caractérisé en ce qui comprend de plus: un moyen d'effacement grâce auquel un signal de tension qui oriente uniformément la matière bistable de modulation optique en le premier état stable est appliqué entre des lignes d'ana- lyse et des lignes de données qui définissent la totalité ou une partie dudit ensemble d'éléments d'image; un moyen grâce auquel un signal de sélection d'analyse est appliqué séquentiellement auxdites lignes d'analyse, et un signal de sélection d'information qui, en association avec le si- gnal de sélection d'analyse, oriente la matière bistable de modulation optique en le second état stable,est appliqué à des lignes de données sélectionnées, en phase,avec le signal de sélection d'analyse; un moyen d'effacement par- tiel grâce auquel un signal électrique,de polarité opposée à celle du signal de sélection d'analyse appliqué pendant l'étape d'écriture, est appliqué à des lignes d'analyse sélectionnées parmi les lignes d'analyse, et un signal électrique, de polarité opposée à celle du signal de sélec- tion d'information, est appliqué à des lignes de données sélectionnées, lesdites lignes d'analyse sélectionnées et lignes de données sélectionnées définissant une zone de nouvelle image dans laquelle est à écrire une nouvelle image, en sorte que la matière de modulation optique cons- tituant la zone de nouvelle image est orientée en le pre- mier état stable et qu'une image inscrite dans une étape d'écriture précédente est partiellement effacée; et un moyen d'écriture partielle grâce auquel un signal de sélec- tion d'analyse est appliqué aux lignes d'analyse sélection- nées et un signal de sélection d'information destiné à orienter la matière de modulation optique en le second état stable est appliqué aux lignes de données sélectionnées qui correspondent à l'information donnant la nouvelle image. 40. Dispositif de modulation optique comportant un ensemble d'éléments d'image agencés sous forme de matrice et comprenant des lignes d'analyse, des lignes de données placées à l'écart des lignes d'analyse et les croisant, et une matière bistable de modulation optique qui prend un pre- mier état stable ou un second état stable en fonction d'un champ électrique qui lui est appliqué et qui est interposée entre les lignes d'analyse et les lignes de données, chacun des croisements entre les lignes d'analyse et les lignes de données définissant l'un des éléments d'image dudit en- semble; ledit dispositif de modulation optique étant carac- térisé en ce qu'il-comprend de plus: un moyen d'écriture grâce auquel, dans une première phase, une tension qui oriente la matière bistable de modulation optique en le premier état stable est appliquée aux éléments d'image qui, parmi les éléments d'image dudit ensemble, sont situés sur des lignes d'analyse sélectionnées, et, dans une seconde phase, une tension qui oriente la matière bistable de modu- lation optique en le second état stable est appliquée à un élément d'image sélectionné parmi les éléments d'image si- tués sur les lignes de balayage sélectionnées, de façon à écrire dans l'élément d'image sélectionné; et un moyen pour appliquer un courant alternatif à l'élément d'image sélectionné ayant subi l'écriture.