Brevet FR2552935A1 — publié le 19850405

PERFECTIONNEMENT AUX COMMUTATEURS D'ONDES ELECTROMAGNETIQUES MILLIMETRIQUES La présente invention concerne un commutateur d'ondes électromagnétiques réalisé à partir d'une diode PIN montée dans un 5 guide d'ondes et fonctionnant pour des ondes millimétriques, notamment à 94 G Hz Le but d'un tel dispositif est de transmettre avec une perte minimale de puissance des signaux hyperfréquence et d'atténuer au maximum ces mêmes signaux grâce à deux états de polarisation. On connait déjà une structure de commutateur d'ondes électromagnétiques millimétriques à diode PIN, comme cela est décrit dans la demande de brevet français déposée par la Demanderesse et publiée sous le n 2 511 812, concernant: "Commutateur d'ondes électromagnétiques" Selon cette demande de 15 brevet, le commutateur est constitué par un guide d'ondes rectangulaire ridgé métallique, par exemple en cuivre, et dont les dimensions permettent la propagation d'ondes millimétriques, avec une diode PIN en silicium de type classique associée à un circuit de polarisation et montée dans l'espace ridge, de volume déterminé, 20 ménagé par le guide. Toujours selon cette demande de brevet, la diode PIN a un volume identique à celui de l'espace ridgé et dans un exemple particulier de réalisation mentionné dans la demande, les dimensions de la section droite du guide sont égales à 2,54 mm sur 1,27 mm, 25 tandis que celles de la diode PIN classique sont égales à 0,6 mm de largeur sur 0,4 mm d'épaisseur et à 0,7 mm selon l'axe longitudinal du guide Cette dernière dimension de la diode PIN correspond à 3 Xg/4, c'est-à-dire à un multiple du quart de la longueur d'onde guidée Xg à la fréquence de fonctionnement de 94 G Hz. En outre, il est connu qu'une diode PIN classique possède des zones ou régions P* et N+ épaisses, de l'ordre de 30 à 80 microns, ceci dans le but d'obtenir des tensions de claquage très élevées. Sur la base des dimensions données ci-dessus de la diode PIN classique, avec des couches respectives P+ et N+ de 40 microns d'épaisseur, la Demanderesse a effectué des essais de ce type de commutateur d'ondes électromagnétiques millimétriques selon l'art antérieur, à une fréquence de fonctionnement de 94 G Hz et pour une forte puissance incidente pulsée de I k W. Or, les performances relevées pour ce commutateur sont médiocres, et en particulier les pertes d'insertion mesurées à bas niveau et à polarisation nulle sont trop importantes, de l'ordre de 4 d B montage compris dont 3,4 d B dus à la diode PIN Quant à 10 l'isolation mesurée en polarisation directe avec une valeur de courant de l'ordre de 20 m A, celle-ci est d'environ 20 d B, ce qui est relativement médiocre Par conséquent, cette diode PIN classique de commutation n'est pas suffisamment performante en ondes millimétriques. La présente invention a pour but de concevoir une diode PIN pour la commutation à forte puissance incidente d'ondes électromagnétiques millimétriques, notamment à 94 G Hz, et montée dans un guide d'ondes ridgé, qui permet par un choix approprié de ses dimensions d'améliorer voire d'optimiser les performances globales 20 du commutateur selon l'art antérieur, et en particulier les pertes d'insertion, tout en ayant une excellente tenue en puissance. A cet effet, l'invention a pour objet un commutateur d'ondes électromagnétiques constitué par un guide d'ondes rectangulaire métallique ridgé, de dimensions permettant la propagation d'ondes 25 millimétriques, et associé à une diode PIN montée dans l'espace ridgé ménagé par le guide, caractérisé en ce que les zones P+ et N+ de la diode ont chacune une épaisseur telle qu'elle soit inférieure à l'épaisseur de peau respective pour ces zones P+ et N+ à la fréquence de fonctionnement considérée. Selon une autre caractéristique de l'invention, la dimension de la diode PIN selon l'axe longitudinal du guide est un multiple de la demi-longueur d'onde guidée à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement. Selon encore un aspect de l'invention, la largeur de la diode PIN est comprise entre 0,15 mm et 0,40 mm à la fréquence de fonctionnement considérée. Ainsi, la combinaison de ces trois caractéristiques de l'invention conduit à l'obtention d'une diode PIN optimale pour la commutation d'ondes électromagnétiques du domaine millimétrique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux dans la description détaillée qui suit et se réfère aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemple et dans lesquels: la figure 1 représente une vue en coupe du commutateur selon l'invention suivant une section droite du guide; la figure 2 représente une vue en perspective de la diode PIN utilisée pour la commutation; et la figure 3 représente une vue en perspective du commu15 tateur de la figure 1. Sur ces différentes figures, les mêmes références se rapportent aux mêmes éléments. La figure 1 représente un commutateur I d'ondes électromagnétiques selon l'invention, vu en coupe selon une section droite, 20 et destiné à fonctionner dans la bande de fréquence de l'ordre de 93 G Hz à 95 G Hz Il est réalisé à partir d'un guide d'ondes 2 rectangulaire, construit en deux parties dont l'une est une plaque métallique plane 2 a, par exemple en cuivre, et dont l'autre est une plaque métallique 2 b en forme de U, par exemple également en 25 cuivre, la réunion des deux plaques réalisant la cavité du guide d'ondes Les deux plaques sont isolées l'une par rapport à l'autre par une couche de matériau isolant 3. De façon à réaliser un guide d'ondes dit mouluré ou ridgé ou encore dénommé "ridged" selon le vocable anglo-saxon, la plaque 2 b 30 comporte dans sa partie centrale un redan métallique 4, par exemple en cuivre, ménageant dans le guide 2 un espace dit ridgé dans lequel est concentré le champ électrique Dans cet espace ridgé est disposé un barreau semiconducteur 5 de forme parallélépipédique de section droite rectangulaire. Etant données les dimensions du guide d'ondes fonctionnant en ondes millimétriques, par exemple à une fréquence d'utilisation de 94 G Hz, on peut mettre une puce de semiconducteur telle qu'une diode PIN en silicium dans l'espace ridgé Dans un exemple parti5 culier de réalisation, les dimensions de la section droite du guide 2 sont: L 1 = 2,5 4 mmet L 2 = 1, 27 mm et celles de l'espace ridgé sont: Lr=O,6 mmet L 4 = 0,4 mm La cathode 5 a de la diode PIN 5 est reliée au redan 4 tandis que son anode 5 b est reliée à la plaque 2 a La diode est polarisée par application d'une tension +V entre ces deux parties De plus, pour assurer une bonne dissipation thermique, les deux faces opposées métallisées de la diode 5 sont respectivement soudées l'une à la 15 plaque 2 a et l'autre au redan 4. Le fonctionnement de ce type de commutateur est le suivant. Lorsque la diode PIN est bloquée, le guide d'une part peut être considéré comme rempli d'un matériau diélectrique de constante diélectrique S élevée et d'autre part a des dimensions telles que la 20 propagation d'une onde millimétrique est possible Dans ce cas, une telle onde est transmise à travers le commutateur. Par contre, lorsque la diode PIN conduit, elle est équivalente à une résistance et l'onde millimétrique incidente est absorbée par la diode d'autant mieux que l'on est proche de l'adaptation d'impé25 dance. On va maintenant décrire la structure de la diode PIN en silicium 5 pour la commutation en ondes millimétriques, conformément à un mode de réalisation préféré de l'invention, en se reportant à la figure 2 sur laquelle les dimensions de la diode ont été 30 exagérées dans un souci de clarté. On rappellera tout d'abord que la diode PIN de commutation d'ondes électromagnétiques, en polarisation nulle ou inverse et montée dans l'espace ridgé du guide d'ondes, peut être assimilée à une capacité connectée en série avec une résistance introductive de pertes à la fréquence de fonctionnement considérée. Selon un aspect de l'invention, la diode PIN 5, par exemple découpée brute de sciage, présente deux zones ou régions 7 et 8 dopées respectivement P+ et N+ qui ont chacune une épaisseur e 5 choisie de telle sorte qu'elle soit inférieure à l'épaisseur de peau 6 respective pour ces zones P+ et N+ à la fréquence de fonctionnement considérée. Comme cela est connu, à haute fréquence, le matériau semiconducteur de la diode PIN montée entre deux plans conducteurs, 10 par exemple en cuivre, est soumis à l'effet de peau de sorte que le courant dans la diode se localise dans une épaisseur de peau 6 pour chacune des zones P+ et N+ définie par: 6 (P+; N+) = ô (cuivre) V o P (P+; N+) est la résistivité de la zone P+ ou N+, P (cuivre) est 15 la résistivité du cuivre égale à 1, 7 10-6 Q cm, et 6 (cuivre) exprimée en cm est l'épaisseur de peau pour le cuivre égale à 6,6/ \/fo f est la fréquence de fonctionnement exprimée en Hz. soit: 6 (P+; N+)= 66 P(P; N) VT \Ff V 1,7 10-6 exprimée en cm pour f en Hz et p (P+; N+) en cm Ainsi, pour une fréquence de fonctionnement par exemple de 94 G Hz, et pour une diode PIN en silicium dont la couche dopée P+ est de résistivité de l'ordre de 0,01 52 cm et la couche dopée N+ est de résistivité de l'ordre de 0,0065 2 cm, et ceci à dopage égal ( 1019 atomes/cm 3), les couches P+ et N+ ont des épaisseurs de peau 25 respectives de l'ordre: 6 = 17 microns pour la couche P+ = 13 microns pour la couche N+ Donc, le fait de choisir des épaisseurs des couches P+ et N+ inférieures à leurs épaisseurs de peau respectives permet au courant 30 dans la diode de passer plus rapidement dans le matériau conducteur du guide, par exemple en cuivre, ce qui a pour effet de diminuer les pertes d'insertion de la diode à la fréquence de fonctionnement considérée Et de plus, en choisissant des valeurs d'épaisseur des couches P+ et N+ très inférieures à celles de leurs épaisseurs de peau respectives, le courant dans la diode passe pour une part importante dans le cuivre, donc pratiquement sans se localiser dans les zones en silicium dopé, permettant ainsi de diminuer encore plus les pertes d'insertion de la diode. Par expérience, une valeur d'épaisseur e des couches P+ et N+ comprise entre 2 et 5 microns apparaît comme un bon compromis pour l'obtention de très faibles pertes, en particulier à la fréquence de fonctionnement de 94 G Hz et pour une résistivité de chaque zone 10 P+ et N+ de l'ordre de 0,007 2 cm, le guide d'ondes ridgé étant en cuivre, donnant ainsi une épaisseur de peau respective pour les zones P+ et N+ de l'ordre de 15 microns. Par conséquent, la diode PIN utilisée dans le cadre de l'invention possède des zones P+ et N+ très minces, de l'ordre de 2 à 15 5 microns d'épaisseur, et n'est donc pas une diode PIN classique pour laquelle les couches P+ et N+ sont épaisses, de l'ordre de 40 microns, à la fréquence d'utilisation considérée, en particulier à 94 G Hz. Concernant l'épaisseur L 4 de la diode PIN 5, celle-ci est fixée par la hauteur de l'espace ridgé, soit dans l'exemple choisi, 20 L 4 = 0,4 mm Cette valeur d'épaisseur de la diode résulte à la fois des contraintes imposées par la tenue en puissance et de la recherche d'un temps de commutation pas trop élevé De plus, l'obtention d'une impédance de redan de l'ordre de 100 ohms permet de polariser en direct la diode pour qu'elle absorbe la puissance 25 incidente avec des valeurs classiques de courant (quelques m A à quelques dizaines de m A), tout en présentant un échauffement faible. Comme il apparaît sur la figure 2, la diode PIN 5 possède une zone 9 de matériau intrinsèque I disposée entre les deux zones 30 dopées P+ et N+, et d'épaisseur W de l'ordre de 390 microns dans l'exemple choisi, c'est-a-dire avec L 4 = 400 microns et une épaisseur e de chaque couche P+ et N+ de l'ordre de 5 microns. Toujours dans le but d'améliorer les performances globales de la diode PIN de commutation 5, la largeur L 3 de celle-ci est choisie de telle sorte qu'elle soit comprise entre 0,15 mm et 0,40 mm à la fréquence de fonctionnement considérée Ces deux valeurs correspondent respectivement à un quart et à deux tiers de la largeur Lr r du redan égale à 0,6 mm dans l'exemple déjà indiqué Par conséquent, la largeur de la diode PIN est désormais inférieure à celle du redan, et donc le volume de la diode n'est plus identique à celui défini par l'espace ridgé. Ces valeurs de 0,15 mm et de 0,40 mm pour la largeur L 3 de la diode PIN constitue des valeurs critiques en ce sens qu'il a été 10 montré, par expérience, que pour des valeurs supérieures à 0,40 mm les pertes d'insertion relevées étaient trop importantes, et que pour des valeurs inférieures à 0,15 mm d'une part la diode n'absorbait pas toute la puissance incidente de sorte que son isolation relevée était trop faible et d'autre part la résistance thermique de la diode 15 augmentait conduisant à un échauffement prohibitif de cette dernière. Pour une fréquence de fonctionnement de 94 G Hz, une valeur de l'ordre de 0,2 mm pour la largeur L 3 de la diode PIN apparaît comme une valeur optimale pour l'obtention de très bonnes perfor20 mances de la diode. Sur la figure 3, les transitions entre l'espace ridgé et le guide d'ondes sont assurées par des biseaux 10 ou "tapers" selon le vocable anglo-saxon, qui sont équivalents à des transformateurs adaptant les impédances Pour compenser les réflexions sur les faces de la diode, 25 la dimension de celle-ci repérée par L 5, selon l'axe longitudinal A du guide d'ondes, est un multiple de la demi-longueur d'onde guidée (Xg/2) à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement De façon préférentielle, cette dimension L 5 de la diode est égale à Zi g car il a été montré, par expérience, que pour des valeurs de L 5 30 égales à),g/2 l'isolation de la diode était moins bonne et que pour des valeurs L 5 égales ou supérieures à 3)g/2 les pertes d'insertion étaient plus élevées. Ainsi, pour une fréquence de fonctionnement de 94 G Hz, la longueur d'onde guidée dans le silicium g est de l'ordre de 1,1 mm, g et une valeur de l'ordre de 1,1 mm pour la dimension L 5 de la diode apparaît donc comme une valeur optimale pour l'obtention de très bonnes performances globales. Les divers valeurs de dimensions de la diode PIN données ci5 dessus permettent donc d'optimiser la diode à la fréquence d'utilisation considérée, et en particulier à 94 G Hz En effet, par exemple à cette fréquence de 94 G Hz, la capacité de la diode à polarisation nulle est donnée par: C= ES W o = 12 en MKSA 3 G 67 r 10 W = épaisseur de la zone 1, soit de l'ordre de 0,39 mm S = section de la zone I = L 3 x L 5, soit 0,2 mm x 1,1 mm ce qui donne une faible valeur de capacité C de l'ordre de 5,8 102 p F, soit une impédance 1/Cw de l'ordre de 30 ohms Cette valeur 15 élevée d'impédance de la diode a pour avantage de faciliter l'adaptation d'impédance par des pièces de couplage appelées iris (non représentés) disposés à l'entrée et à la sortie du guide d'ondes. D'autre part, comme le guide d'ondes électromagnétiques est destiné à transmettre uniquement le mode 1, le fait d'avoir une 20 largeur L 3 de diode de l'ordre de 0,2 mm petite devant la longueur d'onde dans le silicium, de l'ordre de 1,1 mm pour une fréquence de 94 G Hz, permet d'éviter toute perturbation par les modes supérieurs. Les résultats obtenus par la structure de la diode PIN décrite 25 cidessus sont particulièrement significatifs, en particulier à la fréquence de 94 G Hz: ainsi, pour une puissance incidente pulsée de I k W, les pertes d'insertion mesurées à bas niveau et à polarisation nulle sont très faibles, de l'ordre de I d B montage compris dont 0,4 d B seulement d O à la diode Quant à l'isolation mesurée en 30 polarisation directe avec une valeur de courant de 20 m A, celle-ci est élevée, de l'ordre de 30 à 35 d B. De plus, pour une résistivité apparente en polarisation directe de la zone I de la diode en silicium de l'ordre de 3 S cm, l'épaisseur de peau pour cette zone est de l'ordre de 300 microns, de sorte qu'en admettant que l'énergie correspondant à 1 k W pendant une microseconde est dissipée en totalité dans une tranche de silicium de dimensions 200 microns (L 3) x 400 microns (L 4) x 300 microns, 5 l'échauffement obtenu de la diode est très faible, de l'ordre de 13 C: une telle diode PIN peut donc supporter des puissances et des durées d'impulsion nettement plus élevées. Par conséquent, cette diode PIN est particulièrement performante en ondes millimétriques et peut être considérée comme 10 optimale en raison de la combinaison de ses dimensions particulières qui sont, pour une fréquence de fonctionnement de 94 G Hz donnant les résultats indiqués ci-dessus: épaisseur e de chaque couche P+ et N+: 5 microns épaisseur L 4: 0,4 mm largeur L 3: 0,2 mm -dimension L 5 selon l'axe longitudinal du guide: 1,1 mm On notera que la structure de la diode PIN a été décrite cidessus pour une diode en silicium Bien sûr, l'invention peut également s'appliquer à une diode PIN en arséniure de gallium avec du 20 matériau intrinsèque I dopé à quelques 1013 atomes/cm 3. REVENDICATIONS 1 Commutateur d'ondes électromagnétiques constitué par un guide d'ondes ( 2) rectangulaire métallique ridgé, d'axe longitudinal (A), de dimensions permettant la propagation d'ondes millimétriques, et associé à une diode PIN ( 5) montée dans l'espace ridgé ménagé 5 par le guide, caractérisé en ce que les zones P+ et N+ de la diode ont chacune une épaisseur (e) telle qu'elle soit inférieure à l'épaisseur de peau respective pour ces zones P+ et N+ à la fréquence de fonctionnement considérée. 2 Commutateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que, pour une fréquence de fonctionnement de l'ordre de 94 G Hz et pour une résistivité de chaque zone P+ et N+ de la diode de l'ordre de 0, 007 Q cm, le guide d'ondes ( 2) étant en cuivre, donnant ainsi une épaisseur de peau respective pour les zones P+ et N+ de l'ordre de 15 microns, l'épaisseur (e) de chaque zone P+ et N+ est comprise 15 entre 2 et 5 microns. 3 Commutateur selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la diode PIN ( 5) se présente sous forme d'un barreau parallélépipédique de section droite rectangulaire dont la dimension (L 5) selon l'axe longitudinal (A) du guide est un multiple de la demi20 longueur d'onde guidée (Xg/2) à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement. 4 Commutateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que, pour une fréquence de fonctionnement de l'ordre de 94 G Hz, la demilongueur d'onde guidée (X g/2) étant de l'ordre de 0,55 mm, la 25 dimension (L 5) de la diode PIN selon l'axe longitudinal (A) est égale au double de la demi-longueur d'onde guidée, soit de l'ordre de 1,1 mm. Commutateur selon l'une des revendications 3 ou 4, caracté- risé en ce que la largeur (L 3) de la diode PIN est comprise entre 0,15 mm et 0,40 mm à la fréquence de fonctionnement considérée. 6 Commutateur selon la revendication 5, caractérisé en ce que la largeur (L 3) de la diode PIN est de l'ordre de 0,2 mm à la fréquence de fonctionnement de l'ordre de 94 G Hz. 7 Commutateur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'épaisseur (L 4) de la diode PIN est de l'ordre de 0,40 mm à la fréquence de fonctionnement de l'ordre de 94 G Hz. 8 Commutateur selon l'une des revendications précédentes, 10 caractérisé en ce que la diode PIN ( 5) est en silicium. 9 Commutateur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le guide d'ondes ( 2) comporte un redan ( 4) métallique ménageant l'espace ridgé dans lequel est disposée la diode PIN ( 5), et en ce que le guide est construit en deux parties 15 dont l'une est une plaque métallique plane ( 2 a) et dont l'autre est une plaque métallique ( 2 b) en forme de U comportant le redan, la réunion des deux parties réalisant la cavité du guide d'ondes, et ces deux parties étant isolées l'une de l'autre par une couche de matériau isolant ( 3). 10 Commutateur selon la revendication 9, caractérisé en ce que la diode PIN ( 5) a ses deux faces opposées métallisées respectivement soudées l'une à la plaque plane ( 2 a) et l'autre au redan ( 4) du guide.