Brevet FR2551917A1 — publié le 19850315

La présente invention concerne un dispositif de détection d'images à l'état solide comprenant plusieurs cellules à transistor d'induction statique disposées en matrice. Un dispositif de détection d'imag E à l'état solide possédant un certain nombre de cellules disposées en matrice, chaque cellule comportant un transistor d'induction statique (ci-après désigné par l'expression abrégée SIT) faisant fonction d'élément photodétecteur et d'élément de commutation, a été décrit dans la demande de brevet japonais n 105 672/83 mise à la disposition du 10 public. La figure l A est une vue en coupe montrant un SIT formant la cellule image unité de ce dispositif de détection d'imdges à l'état solide selon la technique antérieure, et la figure l B est un schéma de circuit montrant la structure générale de ce dispositif 15 détecteur d'imagesà l'état solide Comme représenté sur la figure 1 A, + un SIT comprend un substrat 1 de silicium N constituant un drain, une couche épitaxiale 2 de silicium N possédant une concentration en impuretés inférieure à celle du substrat 1, une région 3 de ++ source N et une région 4 de grille p, les régions 3 et 4 étant par 20 exemple formées par le procédé de diffusion thermique A la grille 4, est appliquée une pellicule isolante 5 faite par exemple de Si O 2 et, à la pellicule isolante 5, est de nouveau appliquée une électrode de grille 6 La région de grille 4 forme une capacité 7 avec la pellicule isolante 5 et l'électrode de grille 6 Les SIT adjacents cons25 tituant les cellules sont mutuellement isolés par une région d'isolation 9 faite par exemple d'un matériau isolant enterré La couche épitaxiale N 2 constitue une région de canal du SIT Dans le dispositif de détection d'imag Esà l'état solide de la technique antérieure, des SIT sont du type normalement non conducteur et, par conséquent, bien que le potentiel de la grille soit nul, la région de canal a déjà été appauvrie, si bien que, même si une tension est appliquée entre le source et le drain, aucun courant ne circule entre la source et le drain. Dans le dispositif de détection d'imagoeà l'état 35 solide de la technique antérieure comprenant des SIT du type normalement non conducteur, lorsqu'un signal lumineux d'entrée est applique, des paires d'électron-trou sont produites dans la région de 25519 17 canal 2 ou la couche d'appauvrissement, ou déplétion, de grille. Les électrons s'écoulent dans le drain, c'est-à-dire le substrat 1, qui est connecté au potentiel de la terre, mais les trous sont emmagasinés dans la région de grille 4 d'emmagasinage de signal, si bien que le potentiel de la grille augmente de LVG Si l'on suppose que la (> G' valeur de la capacité de grille 7 est CG et que la quantité de charge emmagasinée dans la région de grille 4 d'emmagasinage de signal est QL' on obtient alors AVG=QL/CG Une-fois écoulé le temps nécessaire pour l'emmagasinage du signal, lorsqu'une impulsion V O G 10 de lecture de grille est appliquée à la borne de grille 8, le potentiel de la grille devient égal à la somme de VOG et VG Par conséquent, le potentiel existant entre la région de grille 4 d'emmagasinage de signal et la région de source 3 s'abaisse et la couche d'appauvrissement diminue Ensuite, un courant de drain correspondant 15 au signal lumineux d'entrée circule entre la source et le drain Le courant de drain est proportionnel à &VG, augmenté par le facteur d'amplification associé à la fonction amplificatrice du SIT Il faut noter que l'on obtiendrait un fonctionnement identique en échangeant la source et le drain du SIT. La figure l B montre la structure du circuit du dispositif de détection d'imagesà l'état solide comprenant les SIT cidessus décrits disposés sous forme d'une matrice Les figures 2 A à 2 D sont des formes d'onde de signaux servant à expliquer le fonctionnement du dispositif de détection d'imagesà l'état solide Des SIT 25 10-11, 10-12, sont formés par des SIT du type normalement non conducteur à canal N et un signal vidéo de sortie est lu en mode d'adressage XY Le drain d'un SIT constituant une cellule image est connecté au potentiel de la terre Les sources des SIT disposés en rangées, c'est-à-dire suivant la direction X, sont connectées res30 pectivement à des lignes de rangées 11-1, 11-2,, lesquelles lignes de rangées sont ensuite connectées en commun à une ligne vidéo 13 par l'intermédiaire respectif de transistors 12-1, 12-2, de sélection de rangées De plus, les bornes des grilles des SIT disposés en colonnes, c'est-à-dire suivant la direction Y, sont connectées respectivement à des lignes de colonnes 14-1, 14-2, La ligne vidéo 13 est connectée via une résistance de charge 15 à la borne positive d'une source 16 de tension continue dont la borne négative est connectée à la terre. Ensuite, on va expliquer la manière dont sont lus les 5 signaux de sortie des cellules images formées par les SIT du dispositif de détection d'images à l'état solide ci-dessus décrit Pendant l'intervalle de temps durant lequel une impulsion 05 de sélection de rangée, représentéesur la figure 2 A, est appliquée à un transistor 12-1 connecté à la ligne de rangée 11-1 afin de rendre 10 conducteur ledit transistor 12-1, lorsqu'une impulsion O G 1 de lecture de grille, représentée sur la figure 2 C, est appliquée à une ligne de colonne 14-1, un SIT 10-11 est sélectionné et le courant de drain de ce SIT 10-11 passe dans la résistance de charge 15 via la ligne vidéo 13 en produisant une tension de sortie Vout sur 15 une borne de sortie 17 Comme expliqué ci-dessus, le courant de drain est fonction du potentiel de grille qui varie en fonction du signal lumineux d'entrée et, ainsi, l'incrément AV out relatif à la tension d'obscurité correspond au signal lumineux d'entrée. Dans ce cas, l'incrément V out devient une tension de grande ampli20 tude qui est égale au produit de AVG par le facteur d'amplification du SIT Ensuite, une impulsion O G 2 de lecture de grille, représentée sur la figure 2 D, est appliquée à une deuxième ligne de colonne 14-2 pour lire le SIT 10-12 Les SIT de la première colonne sont successivement lus de cette manière Après cela, une impulsion 052 de sélection de rangée, représentée sur la figure 2 B, est appliquée à un deuxième transistor 122 de sélection de rangée pour permettre la lecture des SIT de la deuxième rangée Les SIT des rangées suivantes sont lus séquentiellement de cette manière. Le dispositif de détection d'images à l'état solide 30 de l'art antérieur ci-dessus présenté possède les inconvénients suivants Lorsque l'impulsion O G de lecture de grille est appliquée à la région de grille 4, une jonction pn formée entre la région de grille 4 et le drain se polarise dans le sens passant, de sorte que les trous emmagasinés dans la région de grille 4 s'écoulent par la 35 jonction pn De cette manière, les signaux lumineux qui ont été emmagasinés dans les régions de grilles des SIT d'une ligne de colonne 14 sont perdus à chaque fois que l'impulsion de lecture de grille est appliquée à la ligne de colonne appropriée Ainsi, le temps d'emmagasinage des signaux lumineux dans chaque cellule image est déterminé par le rapport de la période de lecture au nombre de lignes de rangées et est sensiblement égal à une période de balayage horizontal En d'autres termes, si l'on suppose que la période de lecture est égale à T et que le nombre de lignes de rangées est égal à n, alors la durée d'emmagasinage de signaux lumineux est égale à T/n Ainsi, lorsque le nombre de cellules images devient grand et que, par conséquent, le nombre de rangées augmente, le 10 temps d'emmagasinage devient extrêmement bref et la sensibilité à la lumière diminue Dans ces conditions, avec le dispositif de détection d'images à l'état solide de la technique antérieure, il est pratiquement impossible d'obtenir un signal vidéo possédant un rapport signal-bruit (S/B) élevé. De plus, pour que le SIT soit du type normalement non conducteur dans le dispositif de détection d'imagesà l'état solide de la technique antérieure, il faut que la distance W sépag rant les bords internes de la région de grille 4 soit très petite. Toutefois, il n'est pas facile d'obtenir une semblable petite 20 distance dans les conditions du procédé de fabrication. De plus, le SIT du type normalement non conducteur possède intrinsèquement une petite densité de courant et, par conséquent, le courant du signal est très petit. Comme ci-dessus indiqué, avec le dispositif de détec25 tion d'imagesà l'état solide selon la technique antérieure, il est difficile de réaliser un dispositif utilisable qui peut produire un grand signal vidéo et qui peut être fabriqué facilement. L'invention a pour but de produire un dispositif de détection d'imagesà l'état solide, dans lequel la charge correspon30 dant au signal lumineux peut être emmagasinée pendant une longue durée grâce à l'existence d'un moyen permettant de polariser en sens inverse la jonction pn de la région de grille et dans lequel il peut être obtenu un signal vidéo possédant un rapport S/B élevé avec une sensibilité élevée grâce à l'existence d'un moyen permettant de 35 repositionner la charge photoélectrique sur son état initial. Un autre but de l'invention est de proposer un dispositif de détection d'imagesà l'état solide comprenant des SIT du type normalement conducteur qui peuvent Atre facilement fabriquds. Selon l'invention, le dispositif de détection d'images à l'état solide comprend: plusieurs lignes de rangées et plusieurs lignes de colonnes. un moyen permettant d'appliquer successivement auxdites lignes de rangées des signaux de sélection de rangées; un moyen permettant d'appliquer successivement auxdites lignes de colonnes dessignaux de sélection de colonnes; plusieurs cellules images disposées sous forme matricielle, chacune 10 comprenant un transistor d'induction statique possédant une première région d'électrode principale qui est connectée à une ligne de colonne, l'autre région d'électrode principale étant connectée en commun, une région de canal disposée entre ladite région d'électrode principale et une région d'électrode de grille, et une capacité 15 connectée entre ladite région d'électrode de grille et une ligne de rangée; et un moyen permettant de polariser en sens inverse ladite région d'électrode de grille pendant la durée de la lecture de ladite cellule image. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: la figure 1 A est une vue en coupe montrant la 25 structure d'un transistor d'induction statique constituant la cellule image d'un dispositif de détection d'images à l'état solide selon la technique antérieure; la figure l B est un schéma de circuit montrant la structure générale du dispositif de détection d'imagesà l'état 30 solide selon la technique antérieure; les figures 2 A à 2 D montrent des formes d'onde de signaux dans le but d'expliquer le fonctionnement du dispositif de détection d'imagesà l'état solide selon la technique antérieure; la figure 3 A est une vue en coupe montrant un tran35 sistor d'induction statique formant la cellule image d'un premier mode de réalisation du dispositif de détection d'images à l'état solide selon l'invention; 2551917. la figure 3 b est un schéma de circuit du premier mode de réalisation du dispositif de détection d'imags à l'état solide; les figures 4 A à 4 F montrent des formes d'onde de signaux permettant d'expliquer le fonctionnement du dispositif de détection d'imagesà l'état solide de la figure 3 B; la figure 5 est un schéma de circuit permettant d'expliquer le principe de fonctionnement du dispositif de la figure 3 B; les figures 6 A et 6 B sont des graphes illustrant 10 respectivement les caractéristiques d'une diode et d'un transistor d'induction statique du type normalement conducteur; les figures 7 A et 7 B sont des formes d'onde de signaux permettant d'expliquer le fonctionnement du circuit de la figure 5; la figure 8 est un schéma de circuit montrant un deuxième mode de réalisation du dispositif de détection d'images à l'état solide selon l'invention; les figures 9 A à 9 F et les figures 10 A à 10 C sont des formes d'onde de signaux permettant d'expliquer le fonctionnement 20 du dispositif présenté sur la figure 8; la figure 11 est un schéma de circuit décrivant un troisième mode de réalisation du dispositif de détection d'images à l'état solide selon l'invention; les figures 12 A à 12 I sont des formes d'onde de 25 signaux permettant d'expliquer le fonctionnement du dispositif représenté sur la figure 11; la figure 13 est un schéma de circuit d'un quatrième mode de réalisation du dispositif de détection d'imagesà l'état solide selon l'invention; et les figures 14 A à 14 H sont des formes d'onde permettant d'expliquer le fonctionnement du dispositif représenté sur la figure 13. Sur la figure 3 A, est présentée une vue en coupe illustrant un mode de réalisation d'un SIT formant la cellule image 35 du dispositif de détection d'imagesà l'état solide selon l'invention, tandis que la figure 3 B est un schéma de circuit montrant la structure générale du dispositif de détection d'images, les figures 4 A à 4 F étant des formes d'onde permettant d'expliquer le fonctionnement du dispositif de détection d'images. Sur la figure 3 A, la structure générale du SIT est analogue à celle du SIT de la figure 1 et comprend un substrat 51 5 de silicium N servant de région de drain pour le SIT, une couche épitaxiale 51 de silicium N formant une région de canal, une région + de source N 53 formée danslacouche épitaxiale 52, une région de grille p+ 54 formée dansla couche épitaxiale de manière à entourer la région de source 53, une région d'isolation 59 faite d'un maté10 riau isolant qui sépare des SIT adjacents les un des autres, une couche isolante 55 formée sur la couche épitaxiale 52, une électrode de grille 56 formée au-dessus de la région de grille 54 via la couche isolante 55 et permettant la formation d'une capacité 57 entre elles, et une borne de grille 58 connectée à l'électrode de 15 grille 56 Selon l'invention, puisqu'il est utilisé un SIT de type normalement conducteur, la distance W entre les bords internes de g la région 54 peut être relativement grande, si bien que le dispositif de détection d'images à l'état solide peut être fabriqué facilement Il faut noter que la région d'isolation 59 peut être formée + par une région de diffusion p au lieu du matériau isolant. Comme indiqué sur la figure 3 B, un certain nombre de SIT de type normalement conducteur 20-11, 20-12, 20-1 n; 20-21, -22, 20-2 n;; 20-ml, 20-m 2,, 20-mn du type ci-dessus décrit sont disposés en forme de matrice et sont successivement lus suivant un mode d'adressage XY A cet effet, les drains de tous les SIT sont connectés au potentiel de la terre, Ies électrodes de grilles 56 de SIT disposés en rangées, c'est-à-dire suivant la direction X, sont connectées aux lignes de rangées 21-1, 21-2,, 21-m, et les sources de SIT disposés en colonne, c'est-à-dire suivant 30 la direction Y, sont connectées à des lignes de colonnes 22-1, 22-2,, 22-n, qui sont ensuite connectées en commun à une ligne vidéo 24 via des transistors 23-1, 23-2,, 23-n de sélection de colonnes La ligne vidéo 24 est connectée à la borne positive d'une source V d'alimentation-en tension vidéo via une résistance de S charge 25. Les lignes de rangées 21-1, 21-2,, 21-m sont connectées à un circuit 26 de balayage vertical et reçoivent respectivement des signaux O G 1 ' O G 2 'Gm' Les électrodes de grilles des transistors 23-1, 23-2,, 23-n de sélection de colonnes sont connectées à un circuit 27 de balayage horizontal et reçoivent reqpectivement des signaux 051 052 ' 05 n' On va ensuite donner les explications voulues, en relation avec les formes d'onde présentées sur les figures 4 A à 4 F, sur les signaux de balayage vertical O G et les signaux de balayage horizontal 0 s Chacun des signaux de balayage vertical O G O G 2 ' 0 Gm qui sont respectivement appliqués aux lignes de rangées 21-1, 10 21-2,, 21-m est constitué d'une tension VOG de petite amplitude et d'une tension VOR de grande amplitude La tension V G est appliquée pendant une période de balayage horizontal t H d'une seule ligne de rangée et la tension VOR est appliquée pendant une période de suppression horizontale t BL Chacun des signaux de balayage horizon15 tal 051 ' 052 ' ' Sn qui sont respectivement appliqués aux grilles des transistors 23-1, 23-2,, 23-n de sélection de colonnes possède un niveau bas lorsqu'il s'agit de rendre non conducteur le transistor et un niveau haut lorsqu'il s'agit de le rendre conducteur. La figure 5 est un schéma de circuit équivalent mon20 trant la structure d'une cellule image Un SIT 20 de type normalement producteur comprend un drain 51 connecté au potentiel de la terre, une grille 54, une capacité 57 formée entre la grille 54 et la borne de grille 58, et une source 53 La grille 54 et le drain 51 du SIT 20 forment une diode à jonction pn DG Cette diode DG possède 25 une caractéristique tension-courant, c'est-àdire potentiel de grille VG-courant IG (le courant passant dans la grille et le drain), telle que représentée sur la figure 6 A Ainsi, lorsque la tension aux bornes de la diode DG, c'est-à-dire la tension VG, dépasse la tension de barrière interne O B de la tension pn, un courant de sens 30 passant circule brusquement. Le courant ID passant entre la source et le drain du SIT est déterminé par le potentiel de grille VG Dans un SIT de. G type normalement conducteur typique, le courant ID varie exponentiellement avec la tension V, comme représenté sur la figure 6 B. G On va maintenant expliquer la variation du potentiel de grille du SIT en relation avec les figures 7 A et 7 B, lorsque le signal O G est appliqué à la grille 54 du SIT via la capacité 57. A l'instant tl, le signal O G prend la valeur VORD puis le courant direct traverse la diode VG via la capacité 57 qui se charge brusquement jusqu'à une tension (VOR OB) En résultat, la tension de grille VG devient égale à O B' Ensuite, à un instant t 2, le signal O Gs'annule, puis la diode VG se polarise en sens inverse, si bien que le courant O G ne passe pas Ainsi, la tension (VOR-0 B) se maintient aux bornes de la capacité 57 et V devient égale G tégr (-VOR+ O B) Apres cela, la charge QL s'emmagasine par suite du signal lumineux d'entrée jusqu'à un instant t 3 auquel la tension V G de grande amplitude du signal O G est appliquée Ensuite, la tension VG augmente de /VG = QL/CG, o CG est la valeur de la capacité 57. A l'instant t 3, puisque la tension V G est appliquée, la tension de grille augmente jusqu'à (-V R+ O B+VG+VG) De plus, à cet instant C OR B G OG t 3, le transistor 23 de sélection de colonne devient conducteur sous 15 l'action du signal OS, le courant ID 1 représenté sur la figure 6 B passe dans le SIT et le signal de sortie V =V -I Dl apparaît sur 0 out S Dl RL la ligne vidéo 24 Puisque le courant ID 1 varie en fonction de VG, il est possible d'obtenir un signal vidéo correspondant au signal lumineux d'entrée. Comme représenté sur la figure 7 A, à un instant t 4, le signal O G prend de nouveau la valeur VOR et le potentiel de grille VG devient égal à O B de façon à éliminer la charge QL qui a été emmagasinée jusqu'à cet instant t 4 A un instant t 5, le signal O G devient égal à zéro et le potentiel de grille VG se repositionne sur la valeur 25 (-V R+ O B) de façon à faire commencer l'emmagasinage de la charge correspondant à la trame suivante. Comme on peut l'avoir compris sur la base de l'explication ci-dessus donnée, la tension de grande amplitude V Rdu signal doit avoir une valeur telle que le courant de drain ID du SIT corres30 pondant au potentiel de grille VG=-V R+ O soit rendu suffisamment c G OR B petit pour interrompre la conduction du SIT La tension de petite amplitude du signal O G a une valeur telle que, pour empêcher que le courant de grille ne circule pendant la durée de sélection de rangée, la condition VOG lues de façon à produire le signal vidéo correspondant à une trame. Il a été vérifié expérimentalement que le processus ci-dessus s'exécutait bien. Dans le SIT présenté sur la figure 3 A, si la distance GD séparant la région de grille 54 et le drain, c'est-à-dire le 25 substrat 51, est longue, le courant grille-drain devient petit par suite de la résistance volumique de la couche épitaxiale 52, si bien que l'opération de repositionnement de la grille ne s'effectue pas parfaitement C'est pourquoi on donnera à la longueur -GD une GD valeur de préférence petite, par exemple de 1 à 3 pm Dans le système 30 de télévision de la norme NTSC, la période de suppression horizontale t BL est presque égale à 1,2 ps et, pendant cette courte durée, la grille peut être repositionnée de manière suffisamment convenable. La figure 8 est un schéma de circuit montrant un autre mode de réalisation dudispositif de détection d'image à l'état 35 solide selon l'invention, et les figures 9 A à 9 F sont des formes d'onde permettant d'expliquer son fonctionnement Sur la figure 8, les parties identiques à des parties présentées sur la figure 3 B sont désignées par les mêmes numéros de référence que sur la figure 3 B Dans le mode de réalisation, aux lignes de colonnes 22-1, 22-2,, 22-nsont connectés des transistors de repositionnement 30-1, 30-2,, 30-n, respectivement disposés en plus des transistors 23-1, 23-2,, 23-n de sélection de colonnes Les sources de tous les transistors de repositionnement 30-1, 30-2,, -n sont connectées en commun à une ligne de repositionnement 31, laquelle est connectée à la borne négative d'une source VR d'alimentation en tension de repositionnement dont la borne positive est 10 connectée à la terre Les électrodes de grilles des transistors de repositionnement 30-1, 30-2,, 30n sont connectées à un circuit 27 de balayage horizontal, de façon que les signaux O S devant être délivrés aux transistors de sélection de colonnes suivants 23-2, 23-3, soient respectivement délivrés aux transistors de reposi15 tionnement 30-1, 30-2, Ainsi, le signal 052 est délivré au transistor de repositionnement 30-1, le signal 053 est délivré au transistor de repositionnement 30-2, et ainsi de suite. Les figures 9 A à 9 C montrent les signaux de balayage vertical O G' O G 2 et O G 3 respectivement délivrés aux lignes de rangées 21-1, 21-2 et 21- 3 Pendant la période de sélection de ligne de rangée, le signal O G prend la valeur de la tension VG mais, le reste du temps, prend une valeur nulle Les figures 9 D à 9 F montrent les variations des potentiels V 51, V 52 et V 53 relativement aux lignes de colonnes 22-1, 22-2 et 22-3 Par exemple, lorsque le tran25 sistor 23-1 de la première colonne est rendu conducteur, le potentiel V devient un potentiel positif correspondant au signal de sortie, S mais, lorsque le transistor de repositionnement 30-1 devient conducteur, le potentiel V Si prend la valeur d'un potentiel négatif VR. Dans ce mode de réalisation, lorsque la tension néga30 tive V Rest appliquée à la ligne de colonne, un courant source drain passe dans le SIT afin de repositionner la grille Il faut noter que les SIT 20-11, 20- 12,, 20-mn constituant chacun une unique cellule image du dispositif de détection d'images sont formés par des SIT du type normalement conducteur, dans chacun desquels la grille et la source constituent une jonction pn produisant la caractéristique courant-tension présentée sur la figure 6 A. Les figures 10 A à 10 C permettent d'expliquer les variations du potentiel de grille VG A un instant t, le signal 0 G prend la valeur V 1 G et un courant direct circule entre la grille G et le drain via la capacité 57 Ainsi, le potentiel de grille V G qui était nul devient O B' Ensuite, à un instant t 2, le potentiel VS présent sur la ligne de colonne devient un potentiel négatif -VR. Ensuite, le courant circule entre la grille et la source et le potentiel de grille VG diminue jusqu'à -VR + O B A l'instant t 3, lorsque le signal O G passe de VOG à zéro, le potentiel de grille VG devient égal à -V G-VR+ O B de façon à polariser en sens inverse la jonction grille-source Après que le potentiel de grille V a G augmenté de AVG, à un instant t 4, le signal O G prend de nouveau la valeur VOG et le potentiel de grille VG devient égal à -VR+ O B+AVG 15 Ensuite, à un instant t 5, le potentiel VS présent sur la ligne de colonne prend la valeur -VR et le potentiel de grille VG diminue jusqu'à -VR + O B afin de repositionner la grille Dans la suite, ces opérations se répètent identiquement. Comme cela résulte clairement de l'explication ci20 dessus donnée du principe de fonctionnement, dans ce mode de réalisation, lorsque le signal de balayage vertical O G 1 prend le niveau élevé VOG, la ligne de rangée 21-1 est sélectionnée Ensuite, lorsque le transistor de sélection de colonne 23-1 est rendu conducteur par le signal de balayage horizontal 051 ' le signal photo25 électrique emmagasiné dans le SIT 20-11 est lu sur la ligne vidéo 24. Ensuite, lorsque le transistor de sélection de colonne 23-2 est rendu conducteur par le signal de balayage horizontal 052 ' le signal photoélectrique emmagasiné dans le SIT 20-12 est lu et, dans le même temps, le transistor de repositionnement 30-1 est rendu conducteur 30 et repositionne le potentiel de grille du SIT 20-11 De manière analogue, les SIT 20-12, 20-13,, 20-mn sont successivement lus, puis leur potentiel de grille sont successivement repositionnés, si bien qu'il est obtenu le signal vidéo d'une trame ou d'une image complète. Dans ce mode de réalisation, les transistors de repositionnement 30-1, 30-2, sont commandés par les signaux de balayage horizontal 052 ' 053 ' appliqués aux transistors de sélection de colonnes 23-2, 23-3, Toutefois, il est évident que les transistors de repositionnement peuvent être commandés par dessignaux ayant des cadencement différents de ceux des signaux de balayage horizontal ou par des signaux délivrés par un circuit différent du circuit 27 de balayage horizontal. Dans le mode de réalisation ci- dessus décrit, puisque l'intervalle de temps existant entre l'instant de repositionnement et l'instant de lecture reste identiquement le mime pour les cellules images respectives, il est possible d'améliorer l'uniformité de 10 l'image En outre, lorsque ledit intervalle de temps devient plus court que la période de trame ou d'image complète, il est possible d'obtenir un effet d'obturateur de sorte qu'une image nette d'un objet en déplacement rapide peut être efficacement obtenue. Les modes de réalisation qui ont été présentés ci15 dessus s'appliquent tout particulièrement à une caméra de télévision destinée à prendre des images en continu Toutefois, l'invention peut avantageusement être appliquée à un dispositif permettant de prendre des images distinctes, c'est-à-dire à un appareil électronique de prise de vues fixes On va ci-après expliquer un 20 tel mode de réalisation de l'invention. La figure 11 est un schéma de circuit montrant un mode de réalisation du dispositif de détection d'imagesà l'état solide selon l'invention, qui s'applique de préférence à un appareil électronique de prise de vues fixes, et les figures 12 A à 12 H sont 25 des formes d'onde permettant d'expliquer son fonctionnement La structure principale de ce dispositif est identique à celle du premier mode de réalisation, mais, dans ce mode de réalisation, les drains, connectés en commun, des SIT 20-11, 20-12, 20mn ne sont pas connectés à la terre, mais sont couplés à un circuit de repositionnement 40 servant à produire un signal de repositionnement 0 R' présenté sur la figure 12 A Le signal de repositionnement O R ne prend la valeur d'une tension négative -VR que pendant la durée de repositionnement des SIT et, pour le reste du temps, le signal de repositionnement O R prend la valeur zéro Les signaux de balayage 35 vertical O Gî' O G 2 ' présentés sur les figures 12 B à 12 D, n'ont le niveau élevé VOG que lorsque les lignes de rangées correspondantes 21-1, 21-2, sont balayées et ils prennent la valeur zéro pour le reste du temps Les figures 12 E à 12 H montrent des signaux de sélection de colonnes 051 ' 052 et 053 ' la figure 12 H montre le fonctionnement en obturateur, et la figure 12 I montre une variation du potentiel de grille VG. G' A un instant t 1, le signal de repositionnement O R devient -VR et des courants circulent entre les grilles et les drains de tous les SIT pour repositionnerle potentiel de grille VG sur -VR+ O B Après cela, à un instant t 2, l'obturateur s'ouvre et un signal lumineux d'entrée est appliqué Ensuite, le potentiel de grille 10 VG augmente jusqu'à -VR+ O B+ àVG A l'instant t 3, lorsque le signal de balayage vertical O G 1 passe au niveau élevé V O G, le potentiel de grille VG du groupe de SIT couplé avec la ligne 21-2 de la première rangée augmente jusqu'à -VR+ O B+ 4 VG+ VG Lorsque les transistors 23-1, 23-2,, 23-n de sélection de colonn essont successivement rendus 15 conducteurs par les signaux de balayage horizontal, les signaux emmagasinés dans les SIT 20-11, 20-12,, 20-ln sont successivement lus Ensuite, à un instant t 4, le signal O G 1 passe de VOG à zéro, et le signal O G 2 passe au niveau élevé VG Ensuite, les SIT 20-21, -22,, 20-2 N appartenant à la deuxième rangée sont successivement 20 lus De manière analogue, les SIT 20-31, 20-32,, 20-mn sont successivement lus de façon que soit obtenu le signal vidéo correspontant à une image donnée Ensuite, à un instant t 5, lorsque le signal de repositionnement O R prend la valeur -VR, les courant circulent dans tous les SIT entre la grille et le drain et, par consé25 quent, le potentiel de grille VG de tous les SIT repositionnés sur -VR+ O B afin de préparer une nouvelle prise de vues. La figure 13 est un schéma de circuit montrant une variante du mode de réalisation du dispositif de détection d'image selon l'invention présenté sur la figure 3 B Dans le mode de réalisa30 tion de la figure 3 B, il était utilisé une structure à drain commun dans laquelle le drain était connecté à la terre et une tension positive était appliquée à la source pour réaliser la lecture des signaux Toutefois, dans le présent mode de réalisation, la tension positive est appliquée au drain par une source V d'alimentation en D tension de drain, et la source est couplée à la terre via une résistance de charge 25 afin de former une configuration dite à source commune. Dans ce mode de réalisation, pour repositionner le potentiel de grille, il est nécessaire de prévoir des transistors de repositionnement 50-1, 50-2, 50-n pour chaque ligne de colonne 22-1, 22-2, 22-2, 22-n de façon à connecter les lignes de colonnes à la terre, puisque la tension positive est appliquée au drain Les transistors de repositionnement 50-1, 50-2,, 50-n sont rendus conducteurs par des impulsions de repositionnement appliquées à la grille par un circuit 60 de commande de repositionnement Les drains de tous les SIT sont connectés en commun sur 10 le substrat auquel la tension de drain positive VD est appliquée. Les figures 14 A à 14 F montrent les signaux de balayage vertical O G 1 ' O G 2 ' O G 3 et les signaux de balayage horizontal 051 ' 052 ' 053 ' lesquels sont identiques à ceux présentés sur les figures 4 A à 4 F La seule différence est que, avant l'instant t 1 de reposition15 nement auquel le signal de sélection de colonne O G prend la valeur élevée VOR, les transistors de repositionnement 50-1, 50-2,, 50-n dont les drains sont respectivement connectés aux lignes de colonnes 22-1, 22-2,, 22-n sont rendus conducteurs par l'intermédiaire de l'impulsion de repositionnement O R afin de connecter les lignes de 20 colonnes à la terre, et, à l'instant de repositionnement t 1, les sources de tous les SIT connectés à une ligne de rangée sélectionnée sont au potentiel de la terre de façon à appliquer le potentiel VOR aux grilles et, ainsi, des courants directs passent dans la terre via les lignes de colonnes et les transistors de repositionnement 25 de façon à repositionner le potentiel de grille La figure 14 A montre une variation du potentiel de grille selon le présent mode de réalisation. Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 3 B, le potentiel de grille est repositionné par le courant de sens 30 direct passant de la grille au drain connecté à la terre Au contraire, dans le présent mode de réalisation, le potentiel de grille est repositionné par le courant de sens direct passant de la grille à la source connectée à la ligne de colonne 22 qui est connectée à la terre via le transistor de repositionnement 50 Les 35 autres opérations du présent mode de réalisation sont strictement identiques à celles du premier mode de réalisation. Il faut noter, que dans le dernier mode de réalisation, si la chute de tension entre le drain et la source du transistor de repositionnement est grande, le temps de repositionnement peut être long, si bien que la résistance en sens passant du tran5 sistor de repositionnement doit être petite A cet effet, on donne de préférence une grande valeur au rapport de la largeur à la longueur de la grille du transistor de repositionnement. Comme ci-dessus expliqué de manière détaillée selon l'invention, puisqu'il est fourni un moyen permettant de polariser 10 en sens inverse la région de grille pendant la lecture, il est possible de lire la charge d'origine lumineuse emmagasinée dans chaque cellule image de manière non destructrice et de prolonger la durée d'emmagasinage pendant sensiblement toute la durée de la lecture De plus, en fournissant un moyen permettant de reposition15 ner le potentiel de la grille, il est possible d'obtenir le signal vidéo avec une sensibilité élevée En outre, puisqu'il est fait usage de SIT du type normalement conducteur, le dispositif de détection d'imagesà l'état solide selon l'invention peut être fabriqué facilement et peut en outre produire un grand signal vidéo. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des dispositifs dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses autres variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. R E V E N D I C A T I O N S 1 Dispositif de détection d Vimages à l'état solide, caractérisé en ce qu'il comprend: plusieurs lignes de rangées ( 21-1 à 21-m); plusieurs lignes de colonnes ( 22-1 à 22-n); un moyen ( 27, 23-1 à 23-n) qui applique successivement auxdites lignes de rangées des signaux ( O G 1 à óG de sélection de rangées; un moyen ( 26) qui applique successivement auxdites lignes de colonnes des signaux ( O S à O Sn) de sélection de colonnes; si Sn plusieurs cellules images ( 20-11 à 20-nm) disposées en matrice, chacune comprenant un transistor d'induction statique possédant une première région d'électrode principale ( 53) connectée à une ligne de colonne, l'autre région d'électrode principale ( 51) étant connectée en commun, une région de canal ( 52) disposée entre lesdites 15 régions d'électrodes principales et une région d'électrode de grille ( 54), et une capacité ( 57) connectée entre la région d'électrode de grille et une ligne de rangée; et un moyen ( 57) qui polarise en sens inverse ladite région d'électrode de grille à l'instant de lecture de ladite cellule image. 2 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit moyen de polarisation est conçu de façon à produire un signal de sélection de rangée qui possède un potentiel permettant de lire la cellule image tandis que la région d'électrode de grille est polarisée en sens inverse, le dispositif comprenant en outre un moyen ( 30-1 à 30-n; 40) qui repositionne le potentiel de la région d'électrode de grille après la lecture de la cellule image. 3 Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit moyen de repositionnement est congu de façon à produire un signal de repositionnement permettant de polariser en 30 sens direct la région d'électrode de grille après que le signal de sélection de rangée a été produit. 4 Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit moyen de repositionnement applique à la première des régions d'électrodes principales un potentiel permettant de polariser en sens direct la jonction pn se trouvant entre la région d'électrode de grille et ladite première région d'électrode principale. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit transistor d'induction statique est formé d'un transistor d'induction statique de type normalement conducteur. 6 Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit moyen appliquant des signaux de sélection de colonnes comprend plusieurs transistors ( 23-1 à 23-n) de sélection de colonnes, chacun possédant une première électrode principale connectée à l'une, respective, des lignes de colonnes, une deuxième électrode principale connectée en commun à une ligne vidéo ( 24) et une électrode de grille, 10 et un circuit de balayage horizontal ( 27) dont les sorties sont respectivement connectées aux électrodes de grilles des transistors de sélection de colonnes. 7 Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite ligne vidéo est connectée à une première borne d'une source d'alimentation en tension(Vs),dont l'autre borne est connectée à la terre, lesdites autres régions d'électrodes principales de tous les transistors d'induction statique étant connectées en commun à la terre. 8 Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en 20 ce que ladite ligne vidéo est connectée à la terre via une résistance de charge et lesdites autres régions d'électrodes principalessont connectées à la première borne d'une source d'alimentation en tension (VR), dont l'autre borne est connectée à la terre. 9 Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en 25 ce que le moyen de repositionnement comprend plusieurs transistors de repositionnement ( 30-1 à 30-n) possédant chacun une première électrode principale connectée à une, respective, des lignes de colonnes, une deuxième électrode principale connectée en commun à une source (VR) d'alimentation en tension de polarisation de repositionnement et une 30 grille connectée à une sortie du circuit de balayage horizontal, laquelle sortie est également connectée à la grille d'un transistor ( 23-1 à 23-n) de sélection de colonne connecté à une ligne de colonne immédiatement suivante. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé 35 en ce que ledit moyen de repositionnement comprend un circuit de repositionnement ( 40) dont la sortie est connectée en commun aux autres régions d'électrodes principales de tous les transistors d'induction statique. 11 Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit moyen de repositionnement comprend plusieurs tran5 sistors de repositionnement ( 30-1 à 30-n), chacun possédant une première électrode principale connectée à l'une, respective, des lignes de colonnes, une deuxième électrode principale connectée à un potentiel de référence et une grille, et un circuit de commande de repositionnement ( 40) dont une sortie est connectée en commun aux 10 grilles de tous les transistors de repositionnement.