Brevet FR2551919A1 — publié le 19850315

A DISPOSITIF PHOTOSENSIBLE A TRANSFERT DE LIGNE La présente invention concerne les dispositifs photosensibles pour l'analyse d'images lumineuses dits "à transfert de ligne". Comme décrit dans les demandes de brevet français n 81 07672 et n 82 21396 au nom de THOMSON-CSF, ce type de dispositif comporte principalement: une zone photosensible de M lignes de N points photosensibles sur laquelle l'image à lire est projetée et transformée en charges électriques dites charges-signal; un organe d'interface de M points, dit mémoire de ligne, 10 connecté par l'intermédiaire de colonnes conductrices aux points photosensibles des différentes lignes et destiné à recevoir successivement les charges-signal stockées par chaque ligne; un registre à décalage du type CCD (pour "Charge Coupled Devices"), recevant en parallèle le contenu de la mémoire de ligne 15 et délivrant en série le signal électrique d'analyse de l'image. De préférence, le dispositif photosensible décrit ci-dessus comporte un moyen d'évacuation des charges parasites qui peut être associé à la mémoire de ligne comme décrit dans les demandes de brevet ci-dessus. Pour accroître la rapidité du transfert des charges-signal ainsi que l'efficacité de transfert, le registre de lecture est, en général, constitué par un registre CCD du type à transfert en volume. Toutefois, lorsque l'on souhaite, par exemple, injecter des charges à partir du registre de lecture vers la mémoire de ligne, 25 comme décrit dans la demande de brevet n 82 21396, il n'est plus possible d'utiliser un transfert en volume dans le registre de lecture. Dans ce cas pour une même tension appliquée sur les grilles, les potentiels de surface sont à un niveau plus haut que dans le cas d'un transfert en surface et les charges se trouvant dans le registre à 30 décalage ne peuvent pas passer dans la mémoire de ligne. La présente invention a en conséquence pour but d'apporter aux dispositifs photosensibles à transfert de ligne, divers perfectionnements permettant d'utiliser un registre de lecture constitué par un registre CCD du type à transfert en volume quel que soit le procédé d'analyse utilisé. Ainsi, la présente invention a pour objet un dispositif photosensible à transfert de ligne comportant sur au moins un substrat semiconducteur, une zone photosensible de M lignes de N points photosensibles, les points photosensibles des différentes lignes étant 10 réliés en parallèle par des colonnes conductrices à un organe d'interface dit mémoire de ligne qui assure au moins le transfert des charges-signal intégrées sur une même ligne de la zone photosensible vers un registre de lecture constitué par un registre à décalage à transfert de charge du type transfert en volume carac15 térisé en ce que la mémoire de ligne est réalisée sur au moins une zone de substrat semiconducteur présentant une implantation d'impuretés de type opposé à celui du substrat de manière à réaliser un transfert des charges "en volume", le dopage en impuretés de la zone de réalisation de la mémoire de ligne étant inférieur ou égal à 20 celui de la zone de réalisation du registre à décalage. Dans le cas o le dopage en impuretés de la zone-mémoire de ligne est égal à celui de la zone du registre à décalage, on obtient une communication bilatérale entre la mémoire de ligne et le registre à décalage, avec tous les avantages d'un transfert en 25 volume. En fait, si la présente invention semble plus particulièrement intéressante pour réaliser un transfert bilatéral des charges dans le cas des dispositifs photosensibles fonctionnant avec double charge d'entraînement, elle peut aussi être utilisée dans les autres dispo30 sitifs photosensibles à transfert de ligne, car le fait d'utiliser un transfert en volume pour la mémoire de ligne présente un certain nombre d'avantages au niveau de l'efficacité de transfert vertical, du bruit de transfert, etc. 25519 1 9 Ainsi pour des tensions appliquées identiques sur les éléments de la mémoire de ligne, le potentiel des colonnes est beaucoup plus élevé Or, les colonnes sont, pour une grande p art, constituées par des diodes de lecture reliées entre elles Ces diodes sont polarisées en inverse En conséquence, si leur tension de polarisation est plus importante, elles présentent une capacité plus faible Ainsi, l'efficacité de transfert vertical qui est inversement proportionnelle à la capacité des colonnes est donc améliorée. D'autre part, le bruit de transfert colonne vers mémoire de ligne a deux origines, à savoir un bruit thermique qui est proportionnel à la racine carrée de la capacité colonne et un bruit proportionnel aux pièges de surface et de volume sous la grille de passage entre les colonnes et la mémoire de ligne Le passage en transfert en volume réduit ces deux composantes en réduisant la 15 capacité colonne comme mentionné ci-dessus et en supprimant les pièges de surface. Toutefois, lors du transfert en volume, les effets de champ électrique latéral sont beaucoup plus importants que lors d'un transfert en surface Il en résulte une modulation de la barrière de 20 potentiel sous la grille de transfert prévue entre les colonnes conductrices et la mémoire de ligne, modulation qui a pour effet de limiter l'efficacité de transfert. Conformément à la présente invention, pour remédier à cet inconvénient, la grille de passage entre les colonnes conductrices et 25 la mémoire de ligne est constituée par une première grille portée a une tension continue fixant le potentiel de la colonne et une seconde grille portée à un potentiel périodique pour assurer le transfert des charges de la colonne vers la mémoire de ligne. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention 30 apparaîtront à la lecture de la description de divers modes de réalisation faite ci-après avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels: la figure 1 est une vue en plan schématique d'un premier mode de réalisation d'un dispositif photosensible a transfert de ligne auquel s'applique la présente invention; les figures 2 (a) et 2 (b) sont respectivement une vue en coupe par A-A de la figure 1 et un schéma expliquant son fonctionnement; 5 les figures 3 (a) et 3 (b) sont respectivement une vue en coupe semblable à celle de la figure 2 (a) d'un mode de réalisation modifié de la présente invention et un schéma expliquant son fonctionnernent; les figures 4 (a) et 4 (b) sont respectivement une vue en coupe 10 semblable à celle de la figure 2 (a) d'un autre mode de réalisation de la présente invention et un schéma expliquant son fonctionnement. Dans les différentes figures, les mêmes références désignent les mêmes éléments mais pour des raisons de clarté les cotes et proportions des divers éléments ne sont pas respectées. Les figures 1, 2 (a) et 2 (b) représentent différentes vues d'un dispositif photosensible à transfert de ligne auquel s'applique la présente invention. Ce dispositif photosensible à transfert de ligne correspond au dispositif photosensible décrit dans la demande de brevet français 20 n'82 21396 au nom de la Demanderesse qui permet une analyse de l'image à l'aide d'une double charge d'entrainement. Sur cette figure la référence 1 désigne la zone photosensible, la référence 4 la mémoire de ligne et la référence 3 le registre de lecture. La zone photosensible 1 est constituée d'une matrice de M lignes comportant chacune N points photosensibles PH Cette zone reçoit l'image lumineuse à analyser et la transforme en charges électriques dites charges-signal QS Les points photosensibles d'une même ligne sont reliés entre eux et reliés à un registre d'adressage 30 non représenté qui permet de sélectionner une ligne de la matrice. Les points photosensibles d'une même colonne sont reliés a une même connexion dite ci-après connexion de colonne vers une mémoire de ligne 4 Comme représenté sur les figures 1 et 2 (a), les connexions en provenance des colonnes de la matrice photosensible aboutissent chacune dans une diode D, dite diode de réception des charges-signal QS en provenance de la matrice Cette diode est réalisée, par exemple, par dopage en impuretés de type opposé à celui du substrat semiconducteur sur lequel est réalisée la matrice photosensible I. La mémoire de ligne 4 comporte, dans le mode de réalisation représenté, une série de capacités intermédiaires C 1 dans lesquelles se trouvent stockées les charges d'entraînement Q O comme expliqué dans les demandes de brevet français n 81 07672 et n 10 82 21396 au nom de la Demanderesse Une grille de passage Gp contrôle le passage entre chaque colonne et la capacité intermédiaire correspondante Le potentiel de cette grille a pour fonction de fixer le potentiel des connexions de colonne. La grille de passage Gp est précédée d'une grille écran GD qui 15 a pour fonction de former un écran pour les charges entre les diodes D et le reste du dispositif représenté sur les figures 1 et 2 (a), ce qui permet d'éviter l'envoi de charges parasites sur les connexions de colonne En effet, dans les dispositifs à transfert de charge, il est particulièrement important de se protéger contre les charges para20 sites dont l'amplitude peut varier d'un point à l'autre du circuit selon les variations géométriques des élements et qui limitent la dynamique du signal A cet effet, la grille GD est reliée à un potentiel constant VD. Les capacités intermédiaires C 1 sont suivies par des moyens 25 de commutation qui conduisent le contenu des capacités soit vers un drain d'évacuation, soit vers un registre le lecture 3. Comme représenté sur la figure 1, les capacités intermédiaires C 1 sont suivies de grilles Go permettant de retenir les charges d'entraînement Q O dans les capacités intermédiaires et 30 fixant leurs amplitudes Les grilles Go sont suivies de capacités C 2 qui servent de plaque tournante et permettent d'envoyer les charges venant des capacités C 1 soit vers le drain d'évacuation après passage d'une grille R soit vers le registre de lecture 3 après passage d'une grille C L'accès à chaque capacité 2 est donc commandé par trois grilles Une grille GO qui permet l'arrivée des charges et deux grilles R et C qui permettent leur départ soit vers le drain soit vers le registre de lecture. Le registre de lecture 3 est constitué par un registre à 5 transfert de charge du type CCD (Charge Coupled Device) Comme représenté sur la figure 2 (a), le registre à transfert de charge 3 est un registre du type transfert en volume D'autre part, on a représenté sur la figure 1, un registre à transfert de charge à deux phases de commande OCCD et OCCD' toutefois il est évident pour l'homme 10 de l'art que la présente invention peut s'appliquer à des registres CCD du type transfert en volume comportant un nombre quelconque de phases de commande. De ce fait, le registre de lecture 3 étant du type transfert en volume, il est interressant, conformément à la présente invention, 15 de réaliser les différents éléments constituant la mémoire de ligne en utilisant le principe du transfert en volume En conséquence, la mémoire de ligne 4 est réalisée sur une zone de substrat semiconducteur présentant une implantation d'impuretés de type opposé à celui du substrat, à savoir une implantation d'impuretés de type N 20 pour un substrat de type P comme représenté sur la figure 2 (a) o cette zone est référencée TV(N) Le dopage en impuretés de la zone mémoire de ligne 4 peut être inférieur ou égal à celui de la zone du registre à décalage 3 pour permettre au moins le transfert des charges de la mémoire de ligne 4 vers le registre CCD 3 Dans le 25 mode de réalisation de la figure 2 (a), on a représenté des dopages en impuretés égaux pour les deux zones Dans ce cas, comme représenté par les flèches F et F' sur la figure 2 (b), il est possible de transférer des charges aussi bien de la mémoire de ligne vers le registre CCD que du registre CCD vers la mémoire de ligne, ce qui 30 est particulièrement avantageux dans le cas d'un fonctionnement avec double charge d'entraînement tel que décrit dans la demande de brevet n 82 21396. Lorsque le dopage en impuretés de la zone mémoire est inférieur à celui du registre CCD, un transfert bilatéral des charges 25519 19 entre la mémoire et le registre de lecture n'est plus possible. Toutefois, un dispositif photosensible à transfert de ligne comportant une mémoire de ligne réalisée avec transfert en volume présente un certain nombre d'avantages spécifiques tels qu'une 5 amélioration de l'efficacité de transfert vertical colonnes vers mémoire de ligne et une diminution des bruits de transfert, comme décrit dans l'introduction de la présente demande. Cependant, comme représenté sur la figure 2 (b), cette efficacité de transfert vertical est limitée par un phénomène connu d à 10 l'interaction entre la grille de passage Gp et la capacité intermédiaire C 1 Au niveau de la jonction entre ces deux éléments, il y a création d'un champ électrique latéral qui est d'autant plus important que le transfert en volume est plus profond. Comme représenté sur la figure 2 (b), avant la réalisation du 15 transfert de la charge (Q 5 + QO dans le cas d'un fonctionnement avec double charge d'entraînement) de la colonne vers la capacité intermédiaire C 1, le potentiel sous la grille de passage Gp est au niveau bas, à savoir selon le tracé en tireté référencé O Pour réaliser le transfert de la charge, la barrière de potentiel sous la 20 grille Gp passe au niveau haut, à savoir dans la position en trait plein référencé G La charge (Q 5 + QO) est alors transférée sous la capacité C 1 qui se trouve au niveau haut et le potentiel sous C 1 évolue de manière à se trouver dans la configuration référencée). L'évolution du potentiel de vers () sous la capacité C 1 induit 25 sous la grille de passage Gp une évolution de potentiel OS vers q S représentée en tireté Cette variation induite A O = -S OS est d'autant plus importante que le transfert en volume est plus profond; car dans ce cas les champs latéraux sont plus intenses. Comme représenté clairement sur la figure 2 (b), la variation A O 30 module le courant colonne vers la capacité C 1 aussi bien en régime de forte inversion que de faible inversion, ce qui se traduit par une rétention d'une partie des charges sur la colonne et en consequence par une inefficacité de transfert vertical. Conformément à la présente invention et comme représenté aux figures 3 (a) et 3 (b), on a proposé de résoudre ce problème en utilisant une grille de passage constituée par une première grille de passage G'p située tout de suite après la diode D et portée a une 5 tension de polarisation continue qui règle exactement le potentiel de la colonne et par une deuxième grille GE située entre la grille de passage et la capacité C 1 et dont la fonction est de provoquer ou interrompre le transfert selon que cette grille est polarisée à un niveau haut ou à un niveau bas. Avec cette structure particulière, le potentiel de surface sous les grilles G'p et GE et la capacité de stockage intermédiaire C 1 présente la configuration référencée ( sur la figure 3 (b) Lors du transfert des charges, la grille GE est portée à un niveau haut tel que son potentiel de surface b S (G Ehaut) soit compris entre les 15 potentiels de surface O S (G'p) et %s(Clhaut) De préférence dans le cas d'un dispositif photosensible à transfert de ligne du type fonctionnant avec une double charge d'entraînement comme représenté à la figure 3 (a), le potentiel de surface OS (G Ehaut) répond à l'équation suivante: OS (G'p) ( OS (G Ehaut) de sorte qu'aucune charge ne puisse être stockée sous la grille GE. Dans ces conditions, la grille GE isole le potentiel sous la grille de passage G'p des fluctuations de potentiel sous la capacité C 1 qui sont fonction de la charge signal En conséquence l'efficacité de 25 transfert se trouve considérablement améliorée. D'autre part, notamment dans le cas d'un fonctionnement avec double charge d'entraînement tel que réalisé avec le dispositif photosensible de la figure 3 (a), le niveau bas appliqué sur la grille GE doit être tel que: OS (G Ebas)*Ä %S(Clbas) > %S(G Obas) pour que la charge Q O puisse être restituée intégralement sur la colonne De plus, pour réaliser cette condition et éviter par ailleurs que la charge QO ne puisse s'écouler en partie vers la capacité C 2 lorsque la capacité C 1 est au niveau bas, il est utile de réaliser une implantation d'isolement sous la grille Go prévue entre la capacité C 1 et la capacité C 2 On obtient alors le profil de potentiel référencé( sur la figure 3 (b). Sur les figures 4 (a) et 4 (b), on a représenté un autre mode de réalisation de la présente invention Conformément à ce mode de réalisation les éléments de la mémoire de ligne sont réalisés sur deux zones de transfert en volume présentant des concentrations en 10 impuretés différentes; une zone de faible concentration TV 1 (N-) qui s'étend sous la grille de passage GE, la capacité C 1 et la moitié de la grille intermédiaire GO. une zone de concentration plus élevée TV 2 (N) qui s'étend 15 depuis le milieu de la grille intermédiaire Go jusqu'au registre de lecture à transfert de charge ou jusqu'au milieu de la grille de passage Op dans le cas o le dispositif photosensible à transfert de ligne comporte deux registres à décalage à transfert de charge 5 CCD 1 et q OCCD 2 utilisé pour l'injection de la deuxième charge 20 d'entraînement comme décrit dans la demande de premier certificat d'addition à la demande de brevet français n 82 21396. Selon un mode de réalisation préférentiel, la zone de concentration plus élevée TV 2 (N) est réalisée par enrichissement de la zone TV 1 qui s'étend initialement sous toute la mémoire de ligne 25 ainsi que sur le ou les registres CCD selon le type de dispositif photosensible utilisé. D'autre part, une même diffusion d'impuretés (P+) fixe les potentiels dans les zones de transfert du registre CCD de lecture sous la grille C et sous la grille GO Les potentiels de surface sous 30 les différentes grilles sont donnés par les caractéristiques COMP 1, TV 1 ou COMP 2, TV 2 représentées sur la partie gauche de la figure 4 (b) selon que l'on se trouve dans la zone TV 1 ou TV 2 La partie gauche de la figure 4 (b) est un graphique représentant diverses courbes fonction du dopage du substrat et donnant le potentiel de surface en fonction du potentiel appliqué sur les grilles. La configuration de la figure 4 (a) est particulièrement intéressante lorsque l'élément photosensible est une photodiode En effet, il est indispensable pour éviter un effet de rémanence que l'impulsion IL provenant du registre à décalage vertical R et appliquée sur la grille de lecture G soit suffisamment importante pour qu'au moment de la lecture le transistor MOS constitué par l'ensemble photodiode PH, grille de lecture G et diode D soit 10 polarisé en triode Dans ce cas la colonne impose son potentiel sur la photodiode comme représenté sur la figure 4 (b) et il n'y a pas d'autres rémanences que l'inefficacité de transfert vertical. En effet, si l'amplitude de l'impulsion IL n'est pas suffisante le transistor MOS ci-dessus est polarisé en saturation et le transfert 15 des charges-signal sur la colonne se termine en faible inversion, ce qui se traduit par un effet de rémanence d'autant plus important que l'on se trouve à un niveau de lumière plus faible. Or, dans le cas o la mémoire de ligne est réalisée avec un transfert en volume, le potentiel appliqué sur la colonne est élevé ce 20 qui est un avantage au point de vue de la capacité colonne mais un inconvénient au niveau de la commande de lecture des photodiodes. Dans ce cas, en effet, le niveau haut de l'impulsion IL doit être supérieur au potentiel colonne plus le seuil de la grille de lecture pour que le transistor MOS constitué par la photodiode PH, la grille 25 de lecture G et la diode D soit en régime triode De plus, pour réaliser un bon isolement avec une dynamique de stockage importante entre les photodiodes PH et les colonnes conductrices correspondantes, le seuil de la grille de lecture G doit être positif, c'est à dire que le transfert sous cette grille s'effectue en surface L'en30 semble de ces conditions impliquent un niveau haut pour IL très important lorsque le dopage en impuretés de la zone-mémoire de ligne est élevé ce qui est nécessaire pour obtenir une bonne efficacité de transfert dans le registre de lecture 3. 255 1919 La structure représentée à la figure 4 (a) dans laquelle la zonemémoire de ligne 4 est réalisée sur deux zones TV 1 et TV 2 de concentrations différentes permet de limiter l'amplitude de l'impulsion IL sans modifier l'efficacité de transfet du registre CCD. Dans ce cas, comme représenté clairement sur la figure 4 (b), l'impulsion IL peut avoir la même amplitude VH que les phases de commande OCCD appliquées sur le registre de lecture Lorsque l'impulsion IL est au niveau haut, on se trouve bien en régime triode car Vcolonne =TV 1 (Gp) 1 i TVI (G Ebas)l /1 TV 1 ( 0) 1 Ainsi la charge d'entraînement peut être transférée des capacités C 1 sur les colonnes conductrices, comme représenté sur la figure 4 (b). Par ailleurs, la zone TV 2 de forte concentration d'impuretés commence au milieu de la grille Go O séparant les capacités intermédiaires C 1 des capacités C 2 Il en résulte un effet d'écran qui améliore le transfert des capacités C 1 vers les capacités C 2 En effet: la partie TV 2 de la grille GO fixe le potentiel sous la capacité C 1 en retenant la charge QO; et la partie TV 2 de la grille Go isole la partie TV 1 de l'influence des variations de potentiel sous la capacité C 2 en fonction du signal transféré, comme expliqué ci-dessus avec réfé30 rence aux figures 3 (a) et 3 (b). De plus, dans le cas o l'on utilise deux registres CCD (CCD 1 et q CCD 2 ' l'un pour la lecture et l'autre pour l'injection de charges, comme mentionné ci-dessus, le second registre OCCD 2 est réalisé de préférence dans la zone TV 1 comme représenté sur la figure 4 (a). Le transfert de la charge symbolisé par F" se fait alors de la zone TV 1 vers TV 2 lorsque la phase des registres;b CCDI et OCCD 2 est au niveau bas, la grille Op étant polarisée à un niveau intermédiaire. Dans la description ci-dessus, on a fait référence à des dispositifs photosensibles à transfert de ligne du type de ceux décrits dans les demandes de brevets français n 81 07672 et n 82.21396 Cependant il est évident pour l'homme de l'art que la 10 présente invention peut aussi s'appliquer à d'autres types de dispositifs photosensibles comportant un organe d'interface entre la zone photosensible et un registre à décalage à transfert de charge. 255 9 9 REVENDICATIONS I Un dispositif photosensible à transfert de ligne comportant, sur au moins un substrat semiconducteur, une zone photosensible ( 1) de M lignes de N points photosensibles, les points photosensibles (PH) des différentes lignes étant reliés en parallèle par des colonnes 5 conductrices à un organe d'interface dit mémoire de ligne ( 4) qui assure au moins le transfert des charges signal intégrées sur une même ligne de la zone photosensible vers un registre de lecture ( 3) constitué par un registre à décalage à transfert de charge du type transfert en volume caractérisé en ce que la mémoire de ligne ( 4) 10 est réalisée sur au moins une zone (TV) de substrat semiconducteur présentant une implantation d'impuretés de type opposé à celui du substrat de manière à réaliser un transfert des charges "en volume", le dopage en impuretés de la zone de réalisation de la mémoire de ligne étant inférieur ou égal à celui de la zone de réalisation du 15 registre à décalage. 2 Un dispositif selon la revendication I caractérisé en ce que la mémoire de ligne est constituée par une série de capacités de stockage (Ci), chaque capacité étant reliée d'une part à une colonne par l'intermédiaire d'une grille de passage (Gp)fixant le potentiel de 20 ladite colonne et d'autre part à des moyens de commutation (C) assurant au moins le transfert des charges de la capacité (C 1) vers le registre de lecture ( 3). 3 Un dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que la mémoire de ligne est constituée par deux séries de capacités de 25 stockage (Cl, C 2) positionnées en parallèle sur le trajet des charges et séparées l'une de l'autre par une grille intermédiaire (Go) portée à un potentiel assurant le stockage d'une quantité prédéterminée de charge, chaque capacité (C 1) de la premiere série étant reliée à une colonne par l'intermédiaire d'une grille de passage (Gp) fixant le 30 potentiel de ladite colonne et chaque capacité (C 2) de la deuxième série étant reliée à des moyens de commutation (C) assurant au Z 551919 moins le transfert des charges des capacités (C 2) vers le registre de lecture ( 3). 4 Un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que la grille de passage est constituée, dans le sens colonne vers capacités, par une première grille (G'p) portée à une tension continue fixant le potentiel de la colonne et une seconde grille (GE) portée à un potentiel périodique pour assurer le transfert des charges de la colonne vers les capacités de stockage. Un dispositif selon la revendication 4 caractérisé en ce que 10 le niveau haut du potentiel de surface sous la seconde grille (GE) répond à l'équation Qsmax OS (G'p) C 1: la valeur de la première série de capacités Qsmax la quantité de charge signal maximale. 6 Un dispositif selon la revendication 4 caractérisé en ce que le niveau bas du potentiel de surface sous la seconde grille répond à 20 l'équation (S(G Ebas) >/ 5 (Clbas) > S(G Obas) avec OS (Clbas): le niveau bas du potentiel de surface sous la première série de capacités OS(G Obas): le niveau bas du potentiel de surface sous la grille 25 intermédiaire. 7 Un dispositif selon la revendication 6 caractérisé en ce qu'une implantation d'impuretés de même type que celui du substrat est réalisée sous la grille intermédiaire (Go). 8 Un dispositif selon la revendication 3 caractérisé en ce que 30 la zone (TV 1) du substrat semiconducteur se trouvant sous la ou les grilles de passage (GE, Gp, G'p), sous la première série de capacités de stockage ( 1) et sous la première moitié de la grille intermédiaire (GO) présente une concentration en impuretés inférieur à celle de la zone (TV 2) se trouvant sous la deuxième moitié de la grille intermédiaire (G 0), la deuxième série de capacités (C 2), les moyens de commutations (C) et le registre de lecture ( 3),