Brevet FR2548499A1 — publié le 19850104

i DISPOSITIF PHOTOSENSIBLE A L'ETAT SOLIDE La présente invention concerne les dispositifs photosensibles à l'état solide Elle concerne plus particulièrement la partie lecture de ces dispositifs. Les dispositifs photosensibles actuellement utilisés aussi bien dans le domaine du visible que de l'infrarouge sont constitués principalement par un ensemble de N photosenseurs connectés par l'intermédiaire d'une zone de transition à un registre à décalage à transfert de charge à N entrées parallèles et une sortie série Le registre à décalage reçoit donc en entrée les charges détectées par 10 les photosenseurs et les délivre en série vers un étage de lecture donnant en sortie un signal électrique d'analyse d'images. L'utilisation d'un seul registre à décalage à transfert de charge dans la partie lecture du dispositif photosensible présente un certain nombre d'inconvénients. En effet lorsque le nombre de photosenseurs, à savoir le nombre d'étages du registre à décalage est important, il en résulte un nombre de transfert important dans le registre à décalage et une fréquence des transferts élevée pour pouvoir réaliser la lecture en un temps donné Ceci joue donc sur la consommation et la fréquence 20 de fonctionnement de l'ensemble du circuit, ainsi que sur le bruit de transfert et la diaphonie due à l'inefficacité du transfert dans le registre à décalage. La présente invention a donc pour but de remédier à ces inconvénients en divisant par deux le nombre des transferts ainsi que 25 leur fréquence. En conséquence, la présente invention a pour objet un dispositif photosensible à l'état solide pour la détection d'un rayonnement électromagnétique comportant N photosenseurs connectés par l'intermédiaire d'une zone de transition à un dispositif de lecture du 30 type à transfert de charge caractérisé en ce que le dispositif de lecture est constitué par deux registres à décalage à transfert de charge à N/2 entrées parallèles et à une sortie série qui reçoivent simultanément les charges détectées, par les photosenseurs et les transfèrent vers un étage de lecture unique sous l'action de tensions. de commande choisies de manière à lire alternativement chaque registre. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîTtront à la lecture de la description d'un mode de réalisation de l'invention faite avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels: la figure I est une vue de dessus schématique d'un dispositif photosensible de l'art antérieur, la figure 2 est une vue de dessus schématique d'un dispositif photosensible conforme à la présenteinvention, les figures 3 (a) à (c) représentent respectivement un schéma 15 d'un dispositif de lecture conforme à l'invention et des schémas montrant l'évolution, en fonction du temps, du potentiel de surface dans le substrat, la figure 4 est un diagramme fonction du temps de diverses tensions de commande appliquées sur le dispositif de lecture. Sur les différentes figures, les mêmes repères désignent les mêmes éléments, mais pour des raisons de clarté, les cotes et proportions des divers éléments ne sont pas respectées. Le dispositif photosensible de l'art antérieur représenté à la figure 1 est un circuit hybride à savoir un circuit dans lequel les 25 photosenseurs 1, qui peuvent être réalisés comme dans le mode de réalisation représenté par des photodiodes, sont intégrés sur un premier substat 2 tandis que la zone de transistion 3 et le dispositif de lecture 4 sont réalisés sur un second substrat 5 Ce type de circuits est plus particulièrement employé dans le domaine de 30 l'infrarouge Dans ce cas, le premier substrat 2 est de préférence réalisé en tellurure de cadmiun et de mercure, en tellurure d'étain et de plomb ou en antimoniure d'indium. De même le substrat 5 est de préférence réalisé en silicium de type P dans le cas de photodiodes à anode commune Toutefois il pourrait être réalisé en silicium de type N dans le cas de photodiodes à cathode commune ou en tout autre matériau semi-conducteur équivalent. Les N photodiodes I sont connectées par l'intermédiaire de la zone de transition 3 à un dispositif de lecture 4 constitué principalement par un registre à décalage-7 à transfert de charge à N entrées parallèles et à une sortie série et par un étage de lecture 8. La zone de transition 2 représentée très schématiquement sur les figures 1 et 2 comporte de manière connue, N diodes D constituées 10 par une diffusion de type N réalisée dans le substrat 5 en silicium de type P Chaque diode D est reliée par une connexion 6 à la cathode K de la photodiode correspondante et permet d'intégrer dans le substrat 5 les charges détectées par ladite photodiode Les diodes D sont séparées des capacités de stockage des charges réali15 sées sous la grille GST polarisée par la tension VGST par une grille de commande GC reliée à une tension de polarisation VGC Les N capacités de stockage des charges sont connectées par l'intermédiaire d'une grille de transfert GT aux N entrées du registre à décalage 7 La grille de transfert GT est polarisée par une tension 20 VGT qui est portée alternativement à un niveau haut et à un niveau bas pour réaliser simultanément et périodiquement le transfert des charges stockées dans les capacités de stockage vers les N étages du registre a décalage 7 Les charges se trouvant dans les N étages du registre 7 sont alors transférées de proche en proche vers un étage 25 de lecture 8 situé à l'extrémité droite du registre 7 dans le mode de réalisation représenté Avec ce type de dispositif de lecture, il est donc nécessaire d'effectuer 2 N transferts pour lire les charges détectées par les N photodiodes Il en résulte que plus N est important, plus l'inefficacité du transfert joue sur les valeurs des 30 charges à lire. Conformément à la présente invention et comme représenté sur la figure 2, le dispositif de lecture n'est plus réalisé à l'aide d'un seul registre à décalage mais à l'aide de deux registres à décalage 9 et 10 à N/2 entrées parallèles et à une sortie série, la sortie de chaque registre étant reliée à l'entrée d'un étage de lecture commun 11 Les autres parties du dispositif photosensible sont semblables à celles du dispositif photosensible de la figure 1 et ne seront pas redécrites Comme représenté sur la figure 2, les N/2 photo5 diodes 1 de gauche sont reliées par l'intermédiaire de la zone de transition aux N/2 entrées du registre 9 tandis que les N/2 photodiodes 1 de droite sont reliées aux N/2 entrées du registre 10. L'étage de lecture 11 qui lit alternativement les charges en sortie de chaque registre est positionné entre les deux registres 9 et 10 de 10 sorte que les charges sont transférées de gauche à droite dans le registre 9 et de droite à gauche dans le registre 10 comme cela est indiqué par les flêches F et F'. On expliquera maintenant avec référence aux figures 3 (a) à (c) et à la figure 4, la structure des registres à décalage et de l'étage de 15 lecture unique ainsi que le fonctionnement du dispositif de lecture conforme à la présente invention. Selon le mode de réalisation représenté à la figure 3 (a), les deux registres à décalage 9, 10 à transfert de charge qui sont de structure identique sont constitués par N électrodes de stockage, 20 G 01, G 02, G 03 - G'01, G'02, G'03 qui sont séparées les unes des autres par des électrodes de transfert disposées, dans le mode de réalisation représenté, sur une surépaisseur d'oxyde Les électrodes de transfert sont reliées au même potentiel que l'électrode de stockage suivante selon le sens du transfert des charges (c'est-à-dire 25 de gauche à droite pour le registre 9 et de droite à gauche pour le registre 10) Les électrodes G 01, G'02, G 03 sont portées au potentiel variable 01 et les électrodes G 02, G'01, G'03 sont portées au potentiel variable 02 qui est en opposition de phase On remarquera que les électrodes de stockage de rang impair pour le registre 9 et 30 les électrodes de stockage de rang pair pour le registre 10 sont portées au potentiel 01 et inversement pour le potentiel 02 Cette caractéristique permet de réaliser alternativement la lecture de chaque registre comme expliqué de manière plus détaillée ci-après. D'autre part, on a choisi à titre d'exemple des registres à décalage à deux phases de commande avec des surépaisseurs d'oxyde pour rendre le transfert unilatéral, il est évident pour l'homme de l'art que l'invention peut s'appliquer à d'autres types de registres à décalage, en particulier à des registres à décalage à trois ou quatre 5 phases de commande La seule contrainte est que les charges doivent être lues alternativement en sortie d'un des registres puis de l'autre. L'étage de lecture 11 est constitué dans le mode de réalisation représenté principalement par un étage suiveur formé d'un transistor 10 MOS suiveur MI connecté à une charge M 2 réalisée par un transistor MOS à depletion dont la grille G 2 est reliée à la source réalisée par une diffusion de type N référencée N 4 sur la figure 3 (a), cette source étant polarisée par une tension continue VSS La grille G 1 du transistor MOS MI est connectée à deux diodes montées en paral15 lèles D 1, D'1 constituées par deux diffusions de type N référencées N +i et N 1, qui sont respectivement séparées des électrodes de stockage G 01 et G'01 des registres 9 et 10, par des électrodes de transfert G Ti et G'Ti portées respectivement au potentiel 02 et au potentiel 01 La tension correspondant aux charges en entrée du 20 transistor MOS MI est lue sur la source de ce transistor qui est constituée par une diffusion de type N référencée N 3. D'autre part, un transistor MOS M 3 dont la grille G 3 est polarisée par le potentiel O RAZ' le drain est réalisé par une diffusion de type N référence N+ 5 connectée à une tension de 25 polarisation VRAZ et la source est constituée par les diodes D 1, D'1, est utilisé pour la remise à niveau des potentiels des diodes D 1, D'1 une fois réalisée la lecture d'une quantité de charges. On expliquera maintenant le fonctionnement du dispositif décrit ci-dessus avec référence aux figures 3 (b), 3 (c) et 4 La figure 30 4 représente les potentiels alternatifs 01 02 ' O RAZ Les potentiels 01 et 02 sont des tensions en créneaux en opposition de phase La tension ORAZ est aussi une tension en créneaux mais avec une fréquence double de celle des potentiels 01 et 02 Si l'on se place au temps tl, le potentiel 01 est au niveau bas, le potentiel 02 au niveau haut et le potentiel ORAZ au niveau bas Il en résulte que la grille de transfert GTI est au niveau haut et que les charges Q 1 qui étaient stockées sous la grille de stockage G 01 du registre à décalage 9 ont été transférées vers les diodes D 1 et D'1 o elles 5 créent une variation de potentiel _V comme représenté sur la figure 3 (b) Les diodes D 1 et D'1 étant conenctées à la grille G 1 du transistor MOS MI dont le transistor MOS M 2 est la charge, on obtient la même variation de potentiel /A V sur la grille G 1 une variation représentative de t V se retrouve aussi au niveau de la 10 diffusion N+ 3 à savoir sur la sortie 5 Pendant ce temps, la grille de transfert G'Ti est au niveau bas, de ce fait les charges Q 2 arrivant sous la grille de stockage G'01 du registre 10 ne peuvent pas être transférées vers les diodes D 1, D'1 D'autre part, ORAZ étant au niveau bas les charges Q 1 ne peuvent pas s'écouler vers la diffusion 15 N + 5 Une fois la lecture réalisée, ORAZ passe au niveau haut De ce fait le transistor MOS M 3 devient passant et les charges Q 1 sont évacuées vers la tension de remise à niveau VRAZ En même temps le transistor MOS M 3 effectue la précharge de l'étage de sortie comme représenté en pointillés sur la figure 3 (b). Au temps suivant t 2, le potentiel 1 est au niveau haut et le potentiel 02 au niveau bas Il en résulte que la grille G Ti du registre 9 se trouve au niveau bas et que les charges Q 3 arrivant sous la grille de stockage G 01 du registre 9 ne peuvent pas s'écouler vers les diodes D 1, D'1 A l'inverse la grille G'Ti du registre 10 se trouve au 25 niveau haut et les charges Q 2 créent une variation de potentiel AV' au niveau des diodes D 1 et D'1 que l'on retrouve en sortie de la même manière que décrit ci-dessus pour les charges Q 1 On remarquera qu'avec le dispositif décrit ci-dessus, on obtient sur la sortie S d'abord l'information donnée par les photo30 diodes du centre de la barrette à la place d'obtenir les informations de droite à gauche comme dans les dispositifs de l'art antérieur. Toutefois, dans la plupart des systèmes utilisant des dispositifs photosensibles tels que décrits ci-dessus, l'information en sortie est transformée en une information numérique et stockée en mémoire. On peut donc facilement rétablir l'ordre que l'on souhaite pour traiter les informations. D'autre part, le mode de réalisation décrit ci-dessus concerne un circuit hybride du type de ceux utilisés dans la détection 5 infrarouge Il est évident pour l'homme de l'art que la présente invention peut aussi s'appliquer à des circuits monolithiques dans lesquels les photosenseurs et le dispositif de lecture sont réalisés sur le même substrat. De plus, comme mentionné au cours de la description d'autres 10 types de registres à décalage ainsi que d'autres types d'étages de lecture peuvent être utilisés sans sortir du cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 1 Un dispositif photosensible à l'état solide pour la détection d'un rayonnement électromagnétique comportant N photosenseurs ( 1) connectés par l'intermédiaire d'une zone de transition ( 3) à un dispositif de lecture ( 4) du type à transfert de charge, caractérisé en ce que le dispositif de lecture est constitué par deux registres à décalage ( 9, 10) à transfert de charge à N/2 entrées parallèles et à une sortie série qui reçoivent simultanément les charges détectées par les photosenseurs et les transfèrent vers un étage de lecture unique ( 11) sous l'action de tensions de commande choisies de 10 manière à lire alternativement chaque registre. 2 Un dispositif photosensible selon la revendication 1, caractérisé en ce, que dans le cas de registres à décalage ( 9, 10) commandés par du biphasé, les tensions de commande ( 01 ' 02) appliquées sur les électrodes de stockage, de même rang (G 01, G 03, G'01, G'03 ou G 02, G'02) sont en opposition de phase. 3 Un dispositif photosensible selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les sorties des deux registres 20 à décalage ( 9, 10) sont connectées à l'entrée de l'étage de lecture ( 11) par l'intermédiaire de grilles de transfert (G Ti, G'TI) reliées à des tensions de commande en opposition de phase.