Brevet FR2542129A1 — publié le 19840907

I1 est connu que des selfs à noyau annulaire st à compensation de courant, dans lesquelles les enroulements parcourus par le courant sont réalisées à cause de la rigidite diélectrique nécessaire et de l1inductance de fuite egalement imposée, qui est nécessaire pour l'amortissement de perturbations asymétriques, avec des enroulements en forme de secteurs, maisprésentent encore un champ magnétique de fuite pratiquement non orienté. Ce champ de fuite influence, par exemple dans des récepteurs de télévision, la géométrie de l'image d'un tube-image ou d'un autre composant. On a maintenant cherché une solution qui réduit à un minimum le champ magnétique de.fuite agissant en direction, par exemple du tube-image, sans se passer cependant de l'inductance de fuite nécessaire, de manière qu'aucune perturbation ne puisse plus se produire dans des composants magnétiquement sensibles. La self décrite dans la suite, représentée sur les figures 1 et 2, possède les propriétés avantageuses nécessaires. Sur un noyau annulaire ferritique 1, on dispose d'abord le premier enroulement 2 sur un secteur annulaire de par exemple 3200, puis une enveloppe isolante de protection 3. Sur cette enveloppe de protection, on dispose le second enroulement 4 sur un secteur annulaire de par exemple d'environ 2000 symétriquement par rapport au premier enroulement, mais cependant avec un diamètre de fil plus petit. Le plus petit diamètre de fil est nécessaire afin d'obtenir le même nombre de spires pour les deux enroulements à cause de la condition de compensation de courant. On obtient ainsi l'autre avantage consistant à permettre une substitution de la résistance ohmique nécessaire pour la limitation du ou rant d'enclenchement- par la résistance ohmique du second enroulement. Du fait que ce second enroulement 4 est dispcsé en totalité sur la surface de la self à noyau annulaire, il est facilement possible d'évacuer la chaleur engendrée dans l'environnement. La self d'anti-parasitage ainsi fabriquée peut etre montée ou noyée dans un boitier 5 de manière que le champ de fuite magnétique résultant sorte dans la direction désirée. Grâce à l'agencement de self conforme à l'invention, on obtient les avantages suivants: 1. La compensation de courant est pratiquement idéale et elle est en tous cas meilleure qu'avec le bobinage classique. 2. Par un choix correspondant du recouvrement péri phérique relatif du premier enroulement 2 et du second enroulement 4, on règle l'inductance de fuite nécessaire. 3. Le champ magnétique résultant se produit seulement dans la zone du noyau magnétique qui n'est pratiquement pas recouverte par les enroulements 2, 4. Il est ainsi possible de disposer géométriquement la self d'anti parasitage dans un appareil de manière que par exemple le tube-image ou d'autres composants magnétiquement sensibles ne puissent plus être influencés. 4. Par un choix correspondant du diamètre de fil du second enroulement, la résistance d'enroulement peut être dimensionnée de manière à pouvoir également ab sorber le choc du courant d'enclenchement, pour lequel il était nécessaire de prévoir dans l'art antérieur une résistance ohmique particulière. 5. Le champ de fuite magnétique résultant peut etre dirigé dans un boîtier par une orientation appropriée. REVENDICATIONS 1. Self-d'anti-parasitage à noyau annulaire et à compensation de courant, comportant un noyau annulaire ferrîtique et deux enroulements, caractérisée en ce qu'un premier enroulement t23 est bobiné sur le noyau (1) dans un secteur annulaire de par exemple 280 à 3200, sur lequel est placée une enveloppe p-rotectrice isolante (3), sur laquelle est bobiné un second enroulement t4) ayant le même nombre de spires que le premier enroulement, mais cependant sur un secteur annulaire qui est plus petit que celui du premier enroulement, par exemple de 180 à 2400. 2. Self d'anti-parasitage à noyau annulaire et à compensation de courant selon la revendication 1, caractérisée encre qu'on utilise pour le second enroulement t43 un fil de plus petit diamètre. 3. Self d'anti-parasitage à noyau annulaire et à compensation de courant selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que la résistance ohmique du second enroulement t4) est dimensionnée par un choix du diamètre de fil de manière à remplir la fonctionne la- résiistancede limitation de-courant. 4. Self d'anti-parasitage à noyau annulaire et à compensation de courant selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 3, caractérisée en ce que la self ainsi agencée est montée de façon orientée d'une manière telle que le champ de fuite magnétique résultant sorte dans la direction désirée.