Brevet FR2540691A1 — publié le 19840810

CIRCUIT DE BALAYAGE-LIGNE D'UN DISPOSITIF DE VISUALISATION DE TYPE TELEVISION L'invention concerne un circuit de balayage-ligne (horizontal) d'un dispositif de visualisation du type télévision, c'est-à-dire du type comprenant un tube à rayons cathodiques à déviation électromagnétique du faisceau d'électrons bombardant son écran. Elle se rapporte, plus particulièrement, à un étage d'attaque (dit "driver" dans la littérature anglo-américaine) commandant la base d'un transistor de commutation de puissance qui équipe l'étage de sortie de balayage-ligne. Dans les étages d'attaque ou de commande qui alimentent la base d'un transistor bipolaire de commutation de puissance et de haute-tension, équipant l'étage de sortie du balayage horizontal ou celui d'un convertisseur statique ou alimentation à découpage du type dit "flyback" (c'est-à-dire à accumulation d'énergie dans une inductance), il est bien connu d'utiliser des montages amplificateurs de puissance du type push-pull série ou à symétrie complémentaire ou à couplage par transformateur d'impulsions. Dans des circuits intégrés linéaires (amplificateurs opérationnels) ou logiques de type TTL (portes ET ou OU), on trouve souvant des étages de sortie à deux transistors connectés en série dans des montages push-pull respectivement du type complémentaire ou série.Lorsqu'un tel montage est utilisé en régime impulsionnel (commutation), on s'arrange pour que les deux transistors soient conducteurs de manière alternée. Ceci implique, dans le cas du montage push-pull série, appelé "totem pole" en anglais, où les deux transistors connectés en série entre un pôle positif et un pôle négatif d'une source de tension continue, sont du même type (NPN ou PNP), que leurs bases respectives reçoivent des signaux en opposition de phase, qui proviennent d'un étage dit déphaseur classique (appelé "phase splitter" dans la littérature anglo-américaine). Dans un tel cas, notamment du fait du temps de stockage des porteurs minoritaires dans la base, les deux transistors peuvent devenir simultanément conducteur et représenter un court-circuit entre les deux pôles d'alimentation. L'invention a pcur objet, en effet, un nouvel agencement de J'étage d'attaque ou du circuit de commande du transistor de commutation de puissance bipolaire qui constitue l'interrupteur commande de l'étage de sortie (ou final) du circuit de balayage horizontal d'un dispositif de visualisation à tube à rayons cathodiques (appelé "cathode ray tube display" dans la littérature anglo-américaine), de haute définition. Dans un système de haute définition la fréquence du balayage horizontal ou fréquence de ligne est, par exemple, de l'ordre de 41 kHz, ce qui signifie que la période de ligne a une durée approximative de 24,5 microsecondes et l'intervalle de suppression-ligne au cours duquel doit s'effectuer le retour du balayage horizontal est alors de 4,6 microsecondes environ.La brièveté de cet intervalle de retour-ligne exige le blocage rapide du transistor de commutation et, à la suite de ce blocage, une arrivée rapide à une tension élevée de claquage collecteur-émetteur en direct, car la montée de la tension collecteur-émetteur est alors très rapide (dv/dt élevée). Il est connu, d'une part, d'obtenir un blocage rapide d'un transistor de commutation au moyen d'une réduction notable du temps de stockage des porteurs minoritaires dans sa base, en empêchant sa saturation par la limitation de sa tension collecteur-émetteur minimale à une valeur au moins légèrement supérieure (en valeur absolue) à sa tension de polarisation émetteur-base, pendant qu'il est conducteur. Un tel calage (dit "clamping" dans la littérature anglo-américaine) peut être obtenue à l'aide d'une diode dite d'antisaturation ou "attrape-collecteur" de la manière décrite notamment aux pages 297 à 300 de l'ouvrage américain de MILLMAN et TAUB, intitulé "PULSE, DIGITAL AND SWITCHING WAVEFORMS", publié par Mc GRAW-HILL BOOK COMPANY en 1965 ou dans la publication US-A-4 201 928.Lorsque le transistor de commutation est du type NPN, la cathode de la diode d'antisaturation est reliée au collecteur de celui-ci et son anode est, de préférence, réunie notamment par l'intermédiaire d'une autre diode à la base du transistor de telle sorte que la tension collecteur-émetteur (VCE) ne puisse pas devenir inférieure à la tension émetteur-base (VBE) et que le courant d'entrée en excès par rapport au courant de base suffisànt pour amener le transistor à la limite de la saturation, parcoure le trajet collecteur-émetteur de celui-ci. Il est, en outre, connu, notamment des pages 198 à 203 de l'ouvrage précité, que la tension de claquage collecteur-émetteur en polarisation directe augmente avec la tension de polarisation inverse de la jonction base-émetteur et qu'il est possible d'appliquer une telle tension de polarisation inverse par l'intermédiaire d'un transistor de blocage de même type (NPN) que le transistor de commutation, dont le collecteur est réuni à la base de ce dernier et dont l'émetteur est réuni au pôle négatif d'une source de tension de polarisation continue. Dans la publication US-A-4 201 928 précitée, un tel transistor de blocage est commandé à travers un transformateur d'impulsions. Dans le circuit de balayage objet de l'invention, on évite l'utilisation d'un transformateur d'impulsions ou d'un étage déphaseur de l'état de la technique pour la commande delta conduction alternée des transistors de commutation et de blocage, et l'on retarde l'application d'une tension de polarisation base-émetteur inverse jusqu'à ce que le transistor arrive dans sa région active. Suivant l'invention, un circuit de balayage horizontal d'un dispositif de visualisation équipé d'un tube cathodique à déviation électromagnétique, comportant en cascade : un circuit de base de temps-ligne classique fournissant des signaux rectangulaires à la fréquence de ligne, un étage d'attaque comprenant deux transistors bipolaires du même type réunis en série, dont le premier est réuni par son collecteur à un pôle d'alimentation positif (+VA) et dont le second est relié par son émetteur à un pôle d'alimentation négatif (- VB), et un étage de sortie classique comprenant un troisième transistor bipolaire de commutation hautertension dont l'émetteur est relié à la masse et dont la base est réunie, d'une part, à l'émetteur du premier transistor et d'autre part, au collecteur du second transistor, la base du premier transistor étant réunie à une sortie du circuit de base de temps qui le commande pour conduire pendant l'aller du balayage et pour être bloqué pendant le retour, est principalement caractérisé en ce que la base du second transistor est réunie, d'une part au moyen d'une première résistance, à son émetteur et d'autre part, au moyen d'une seconde résistance à l'anode d'une diode Zener dont la cathode est reliée, d'une part, à l'une des bornes d'une troisième résistance dont l'autre borne est reliée au pôle positif, et d'autre part, à l'anode d'une diode dont la cathode est reliée au collecteur du troisième transistor, et en ce que la tension de Zener de la diode Zener est choisie de telle sorte qu'elle reste bloquée et la diode conduise pendant que la tension collecteur de troisième transistor n'atteint pas une valeur de seuil située dans sa région active, cette valeur de seuil étant inférieure à la tension entre le pôle positif et la masse, et de telle sorte que la diode se bloque et la diode Zener se mette à conduire de façon à débloquer le second transistor, lorsque la tension collecteur dépasse la valeur de seuil. L'invention sera mieux comprise et d'autres de ses objets, caractéristiques et avantages ressortiront de la description qui suit et des dessins annexés, donnés à titre d'exemple, sur lesquels: - la figure 1 est un schéma de principe partiel du mode de réalisation préféré du circuit de balayage horizontal suivant l'invention; - la figure 2A est le diagramme de la forme d'onde de la tension de sortie V2, de la base de temps-ligne 1 - la figure 2B est le diagramme de la forme d'onde du courant de base du transistor de commutation 30; - la figure 2C est le diagramme de la forme d'onde de la tension collecteur-émetteur du transistor de commutation 30;et - la figure 2D est le diagramme de la forme d'onde de la tension base-émetteur du transistor de commutation 30. Sur la figure 1, on a représenté le schéma de principe d'un mode de réalisation du circuit de balayage horizontal suivant l'invention, qui comprend en cascade : un circuit de base de temps-ligne et de séparation de synchronisation combinées 1, un étage d'attaque ou de commande 2 et un étage de sortie du balayage-ligne 3. Le circuit de base de temps 1 réalisé sous la forme d'un circuit intégré du type TDA 2950 ou 2953, par exemple, comprend une entrée À0 pour recevoir le signal vidéo composite, qui est réunie à la broche 9' constituant l'entrée du séparateur des signaux de synchro nidation qu'il contient.Son agencement interne est décrit dans les notes d'application ou les catalogues des fabricants de ce circuit intégré dont la Division Semiconducteurs (SESCOSEM) de la société française THOMSON-CSF. Son étage de sortie est composé de deux transistors bipolaires NPN montés en push-pull série (ou "totem pole"), le collecteur du premier transistor étant relié à la broche 2' et la jonction de l'émetteur de celui-ci avec le collecteur du second transistor étant reliée à la broche 3 qui fournit normalement des impulsions positives d'environ 10 volts crête pour commander par l'intermédiaire d'un étage d'attaque classique à transistor de commutation et transformateur d'impulsions qui inverse la polarité, le blocage du transistor de commutation de I'étage de sortie 3. L'alimentation du circuit intégré est effectué par ses broches 1' et 16' respectivement reliées aux pôles positif et négatif d'une pre miere source de tension d'alimentation continue VA. Comme dans la configuration suivant l'invention de l'étage d'attaque 2 on a besoin d'un signal rectangulaire présentant un plateau positif pendant la majeure partie de période de l'aller du balayage, interrompu par des impulsions en forme de créneaux négatifs qui commandent le blocage du transistor de commutation, le second transistor de l'étage de sortie est mis hors circuit en réunissant la broche 3' à la masse (c'est-à-dire au potentiel de référence VR commun de toutes les sources de tension continue). En réunissant la broche 2' reliée au collecteur du premier transistor de l'étage de sortie au pôle positif +VA de la première source de tension d'alimentation VA (+12 V) par l'intermédiaire d'une résistance 11 de valeur choisie en fonction de l'amplitude désirée du plateau, on obtient un étage de sortie monté en émetteur commun dont la sortie est constituée par la jonction entre le collecteur du premier transistor et la résistance 11 fournissant la forme d'onde désirée, représentée sur la figure 2A. L'étage d'attaque comprend ici deux transistors bipolaires 20, 21 du même type que le transistor de commutation 30 de l'étage de sortie 3 (NPN), réunies en série entre un pôle positif d'alimentation +VA (celui de la première source VA) et un pôle négatif d'alimentation VB (appartenant à une seconde source VB dite de polarisation inverse), fournissant respectivement des potentiels positif et négatif par rapport au potentiel de référence V R ou de masse, qui est appliqué à l'émetteur du transistor de commutation 30. Le collecteur du premier transistor 20 de l'étage d'attaque 2 est réuni au pôle positif +A à travers une seconde résistance 22 et son émetteur est réuni à la base du transistor de commutation 30 par une troisième résistance 23. Ces deux résistances 22, 23 qui permettent de limiter le courant de base du transistor 30, ont respectivement de valeur de quelques dizaines (33) et de quelques (2,7) ohms. La jonction de la troisième résistance 23 avec la base du transistor 30 est réunie par une quatrième résistance 24 permettant de limiter le courant inverse (négatif) sortant de la base, au collecteur du second transistor 21 de l'étage d'attaque 2, dont l'émetteur est relié au pôle négatif -VB. La broche 2' constituant la sortie du circuit de base de temps ligne 1, est reliée à la cathode d'une première diode Zener 25 dont l'anode est réunie à la base du premier transistor 20 au moyen d'une cinquième résistance 26 de quelques centaines d'ohms (680), qui permet de limiter le courant de base dans celui-ci. La base et l'émetteur de ce transistor 20 sont réunis ensemble, en outre, au moyen d'une sixième résistance 27 (qui peut être de l'ordre du kiloohm). Par ailleurs, la base du transistor 20 est reliée à l'anode d'une première diode d'antisaturation 28 dont la cathode est reliée au collecteur du transistor de commutation 30. L'étage de sortie 3 du circuit de balayage-ligne est agencé de manière classique. Il comprend, outre le transistor de commutation 30, une seconde diode 31, dite de récupération shunte connectée en anti-parallèle avec le trajet collecteur-émetteur de celui-ci, pour former ensemble un interrupteur bidirectionnel commandé 32 de balayage, un condensateur de retour 33, un déviateur horizontal 34 composé de deux bobines de déviation en parallèle et un condensateur d'aller ou "d'effet S" 35 qui est relié en série avec le déviateur 34 pour l'alimenter pendant l'aller du balayage, lorsque 17interrupteur 32 réunit le déviateur 34 en parallèle avec le condensateur 35 La jonction de l'émetteur du transistor 30 avec l'anode de la diode 31 étant reliée à la masse, celle de la cathode de la diode 31 avec le collecteur du transistor 30 est relié à l'une des bornes d'une inductance d'alimentation 36 pouvant être constituée par l'enroulement primaire d'un transformateur-ligne 37, dont l'autre borne 38 est reliée au pôle positif +VC d'une troisième source de tension d'alimentation Vc, plus élevée que la première VA (de l'ordre de 60 V, par exemple). L'intervalle de retour-ligne est déterminé, notamment, par la fréquence de résonance du circuit résonnant parallèle constitué par l'inductance du déviateur 34 et la capacité du condensateur de retour 33 qui se forme lors de l'ouverture de l'interrupteur 32 obtenue par le blocage du transistor 30, de telle sorte qu'ensuite sa tension collecteur-émetteur directe parcourt un peu plus d'une demi-période positive d'oscillation appelée impulsion de retour-ligne. Le blocage du transistor 30, appelé également transistor de balayage, est commandé, d'une part, par celui du premier transistor 20 de l'étage d'attaque 2, qui forme un montage à collecteur commun attaquant directement sa base, - lors du début de chaque créneau négatif du signal V2, de la figure 2A, et d'autre part, par la commutation ultérieure du second transistor 21 de l'étage d'attaque 2, qui constitue un interrupteur monté en émetteur commun. Suivant l'invention, le circuit de commande du second transistor 21 comporte un réseau de polarisation composé d'une septième résistance 29, d'une seconde diode Zener 200, d'une huitième résistance 201 et d'une neuvième résistance 202, connectées- en série entre le pôle positif +VA de la première source d'alimentation et le pôle négatif WB de la seconde source de polarisation VB, dont les autres pôles (-VA, +VB, non représentés) sont reliés ensemble à la masse (VR). La jonction entre la septième résistance 29 et la cathode de la diode Zener 200 est reliée à l'anode d'une troisième diode 203 dont la cathode est reliée à la jonction entre, notamment, le collecteur du transistor de balayage 30, la cathode de la diode de récupération 31, l'inductance d'alimentation 36 et le condensateur de retour 33. Lorsque la sortie du circuit de base de temps I constituée par la broche 2' fournit une tension positive, le courant provenant du pôle positif passe à travers la résistance 11, la première diode Zener 25 et la résistance 26. Pendant la première moitié de l'aller du balayage, la diode de récupération 31 étant conductrice et polarisant le collecteur du transistor 30 à l'envers (-0,7 V), ce courant parcourt la diode d'antisaturation 28 et celle de récupération 31 à la masse (VR). Lorsque la diode de récupération 31 se bloque, ce courant parcourt la jonction base-émetteur du transistor 20, la résistance 23 et la jonction base-émetteur du transistor 30 en série de façon à les rendre simultanément conducteurs.Le courant émetteur du transistor 20 qui est la somme de ses courants collecteur et de base, alimente alors la base du transistor de commutation 30 de façon à l'amener jusqu'à la limite de la saturation. Dès que sa tension collecteur-émetteur vCE30 devient inférieure à la somme de la chute de tension (R23.i B30) provoquée par son courant de base iB30 entre les bornes de la résistance 23 et de sa tension base-émetteur vBE30 en direct, la diode d'antisaturation 28 commence à conduire et dérobe une partie du courant de base i B20 du transistor 20 qui parcourt dès lors le trajet collecteur-émetteur du transistor 30 en s'ajoutant au courant inductif à travers les éléments 34 et 36.Ceci a pour effet de réduire le courant de base iB2O ainsi que le courant émetteur iE20 (= ig20 + iC20) du transistor 20 et de limiter le courant de base du transistor 30 à une valeur tout juste suffisante pour ne pas dépasser le seuil de saturation.La tension de déchet VBE20 à travers la jonction base-émetteur du transistor 20 polarisée en direct, étant sensiblement la même que celle VD28 à travers la diode 28, la tension vcB30 polarisant la jonction base-collecteur du transistor 30 est sensiblement égale à la chute de tension à travers la résistance 23, de telle sorte que cette jonction restera polarisée à l'envers de façon à ne jamais atteindre l'état saturé, pour lequel la jonction base-collecteur doit être polarisée en direct, c'est-à-dire que VCEsat 30 est inférieure à vBE30. Par ailleurs, pendant la seconde moitié de l'aller du balayage, le courant collecteur iC30 du transistor 30 est linéairement croissant du fait de sa charge inductive composée des bobines du déviateur 34 et de l'enroulement primaire 36, ce qui entraîne une augmentation correspondante de sa tension collecteur-émetteur vCE30. Ceci entraîne une augmentation du courant de base iB20 du transistor d'attaque 20 ainsi que celle du courant base iB30 du transistor de balayage 30, notamment du fait que cette augmentation de la tension vue30 est transmise à la base du transistor 20 par la diode 28 conductrice, et accessoirement du fait que sa tension de polarisation et, par conséquent, le courant qu'elle véhicule décroît.On obtient de cette manière, gracie à la présence de la diode d'antisaturation 28, un courant de base i1330 du transistor 30 qui augmente à peu près linéairement, simultanément avec son courant collecteur iC30, de façon à assurer son maintien à la limite de la saturation. La forme d'onde du courant de base iB30 a été représentée sur la figure 2B. La présence de la première diode Zener 25 dans le circuit de base du transistor 20 d'attaque, dont le rôle principal pendant le blocage du transistor 30 sera expliqué plus loin, a accessoirement pour effet de limiter l'excursion positive de la tension vg20 appliquée à la base du transistor 20. Lorsque à l'instant tl la tension V2, (figure 2A) sur la broche 2' du circuit de base de temps 1 devient nulle, le transistor d'attaque 20 ne reçoit plus de courant de base iB20 positif et la diode d'antisaturation 28 devient polarisée à l'envers et se bloque. Un courant de base inverse peut alors s'écouler à travers la résistance 26 et la diode Zener 25 en direct, vers la broche 2', de façon à bloquer le transistor 20.A partir de l'instant tl, la tension base-émetteur vue30 (figure 2D) du transistor de balayage 30 décroît quasi-exponentiellement de telle sorte que celui-ci entre, après une évacuation naturelle (non forcée) des porteurs stockés dans sa base, dans sa région active et à partir de l'instant t2, la tension collecteur-émetteur VCE30 du transistor 30- peut commencer à croître en direction de la tension +VC sur la borne 38. Comme il a été dit précédemment, le réseau de polarisation du second transistor 21 du circuit d'attaque 2, autrement appelé transistor de blocage, comprend la résistance 29, la seconde diode Zener 200 et deux autres résistances 201 et 202 connectées en série entre les pôles +VA et -V13, le point commun des résistances 201 et 202 étant relié à la base du transistor 21. En outre, la jonction de la résistance 29 et de la cathode de la seconde diode Zener 200 est reliée à l'anode de la troisième diode 203 dont la cathode est reliée au collecteur du transistor de balayage 30. La tension de Zener VZ200 de cette diode 200 doit être choisie de telle sorte que, lorsque l'interrupteur de balayage 32 est conducteur pendant la totalité de l'aller du balayage TA, la troisième diode 203 soit conductrice d'un courant provenant du pôle positif et s'écoulant à travers la résistance 29 et l'interrupteur 32 à la masse (VR) afin de fixer le potentiel de son anode sensiblement à la masse (ou à un potentiel inférieur à +2 V par rapport à celle-ci), et que la seconde diode Zener 200 soit bloquée.Il en. découle que cette tension de Zener VZ200 doit être supérieure de plus de 2 volts au potentiel du pôle négatif -Vg (-5V), mais notablement inférieure à la différence de potentiel entre les pôles positif +VA (12 V) et négatif Ve, ( 5 V) qui est de 17 V, afin que la diode Zener 200 puisse devenir conductrice et débloquer à l'aide de son courant anodique le transistor de blocage 21 On choisit, de préférence, une tension de seuil Vs située dans la région active du transistor 30 pour déterminer la tension de Zener Vu;200. En ajoutant cette tension de seuil VS à la tension de polarisation négative -Vp en valeur absolue, on obtient la tension de.Zener Vu200 (= V5 V1l3,) nécessaire au bon fonctionnement du circuit d'attaque 2. On choisit, par exemple, la tension de seuil (vCE = V5) égale à 7 V, ce qui donne une tension de Zener de 12 V (qui est égale à la première tension d'alimentation positive 12 V). Lorsque la tension collecteur-émetteur vCE30 (figure 2C) du transistor de balayage 30 atteint la valeur de seuil Vs ainsi choisie, à l'instant t3, la seconde diode Zener 200 se met à conduire de manière à polariser la base du transistor 21 positivement par rapport à son émetteur. Le transistor 21 devient alors conducteur et permet d'appliquer une tension négative à la base du transistor 30 de manière à accélérer son blocage au moyen d'un courant de base négatif indiqué sur la figure 2B par des brèves impulsions de polarité négative.La poursuite consécutive de l'augmentation de la tension collecteur-émetteur vcE30 du transistor 30 entraîne rapidement le blocage complet de la troisième diode 203 et en même temps la polarisation de la jonction base émetteur du transistor de blocage 21 dans sa région saturée de façon à continuer l'application de la tension vBE30 de polarisation inverse à la base du transistor de balayage 30 représentée sur la figure 2D, même après l'évacuation complète de porteurs de charge - résiduels de cette base. L'application de cette polarisation base-émetteur négative permet au transistor 30 d'atteindre rapidement une tension de claquage collecteur-émetteur en polarisation directe (VCEX) élevée, qui est supérieur à l'amplitude VCEmax de l'impulsion de retour-ligne en forme de demi-sinusolde (à partir de +Vc). Pendant le restant de l'intervalle de retour T5, la tension base-émetteur vBE30 (figure 2D) reste négative jusqu'à ce que la tension collecteur-émetteur VCE30 (figure 2C) redevient égale à Vs à l'instant t4. Ceci provoque le blocage de la seconde diode Zener 200 et le début de la conduction de la troisième diode 203 vers la fin du retour oscillatoîre du circuit résonnant 33-34.A l'instant t5, la tension collecteur-émetteur vCE30 (figure 2C) devient légèrement négative (-0,7 V) et la diode anti-parallèle 31 de l'interrupteur 32 commence à conduire le courant de balayage qui croAlt à partir d'une valeur minimale (négative maximale) vers son annulation à l'instant t7. Entre l'instant t5, où la diode anti-parallèle 31 commence à conduire, et t7 où son courant devient nul, la tension de sortie V2, (figure 2A) du circuit de base de temps 1, doit devenir positive afin que le transistor 30 puisse reprendre le courant de balayage. Ceci se passe ici à l'instant t6. Pendant l'intervalle compris entre les instants t3 et t4, le transistor de blocage 21 est polarisé pour conduire et la base du transistor de balayage 30 ainsi que l'émetteur du transistor d'attaque 20 qui y est connecté, sont alors à un potentiel négatif (-V,) par rapport à la broche 2' qui fournit une tension V2, sensiblement nulle. Afin que le transistor 20 puisse rester bloqué, il faut isoler sa base de la broche 2' pendant cet intervalle. Ceci est obtenu en choisissant la première diode Zener 25 avec une tension de Zener VZ25 au moins légèrement supérieure à la tension de polarisation inverse (-Vg) en valeur absolue, mais inférieure d'au moins quelques volts à la -' d'alimentation + Si égale 5V V à première tension d'alimentation (+VA). Si VB est égale à 5 V et VA à A 12 V, on choisit Vu25, par exemple, égale à 5,6 V La base du transistor d'attaque 20 restera alors isolée de la broche 2' et réunie à son émetteur à travers la résistance 27 de façon à rester bloqué pendant la totalité de la période TS de retour du balayage. En résumé, le circuit de balayage horizontal de la figure 1 permet d'abréger le temps de stockage en empêchant la saturation complète du transistor de balayage 30 grâce à la présence de la diode d'antisaturation 28 et, par conséquent, d'effectuer l'évacuation des porteurs minoritaires de la base de manière naturelle sans courant de base inverse avant qu'il n'atteigne sa région active. La polarisation inverse de sa jonction base-émetteur n'est donc appliquée que lorsqu'il est déjà dans cette région active avec le retour du balayage amorçé, ce qui limite la quantité des charges à évacuer de la base au moyen d'un courant de base négatif (inverse), qui sert à accélérer son blocage complet, élimine le risque de court-circuit entre les pôles à travers les deux transistors 20, 21 en série et réduit, la dissipation dans la base du transistor 30.La tension de claquage collecteur-émetteur en direct avec une polarisation négative (VICE est, d'autre part, atteinte avant que l'impulsion de retour-linge soit d'amplitude notable. L'agencement du circuit de commande du transistor de blocage 21 suivant l'invention, permet d'obtenir une réduction de la dissipation (des pertes) tout en assurant la protection des transistors d'attaque 20, de blocage 21 et de balayage 30 de manière convenable, en comparaison à un étage d'attaque du type push-pull série classique (totem pole) ayant une configuration analogue, où les deux transistors sont commandés simultanément, l'un pour se bloquer et l'autre pour saturer. Il est à remarquer ici que les impulsions de retour-ligne permettant la comparaison de phase dans la boucle à verrouillage de phase (PLL) comprenant l'oscillateur horizontal, avec les impulsions de synchronisation-ligne après leur séparation, peuvent être appliquées à travers un condensateur 39 et une résistance 40, à la broche 7' du circuit de base temps 1. REVENDICATIONS 1. Circuit de balayage horizontal d'un dispositif de visualisation équipé d'un tube cathodique à déviation électromagnétique, comportant en cascade : un circuit de base de temps-ligne Zener (VZ200) de la diode Zener (200) est choisie de telle sorte qu'elle reste bloquée et la diode (203) conduise pendant que la tension collecteur du troisième transistor (30) n'atteint pas une valeur de seuil (Vs) située dans sa région active, cette valeur de seuil (Vs) étant inférieure à la tension entre le pôle positif (+VA) et la masse, et de telle sorte que la diode (203) se bloque et la diode Zener (200) se mette à conduire de façon à débloquer le second transistor (21), lorsque la tension collecteur dépasse la valeur de seuil (Vs). 2. Circuit de balayage suivant la revendication 1, du type dans lequel la sortie (2') du circuit de base de temps (1) est constitué par le collecteur d'un transistor dont l'émetteur est relié à la masse, caractérisé en ce que cette sortie (2') est reliée, d'une part, à l'une des bornes d'une quatrième résistance (I1) dont l'autre borne est reliée au pôle positif (+VA), et d'autre part, à la cathode d'une autre diode Zener (25) dont l'anode est réunie à la base du premier transistor (20) du circuit attaque (2) au moyen d'une cinquième résistance (26) et dont la tension de Zener (vu25) est choisie supérieure à la tension entre la masse (VR) et le pôle négatif (-V13), mais notablement inférieure à celle entre le pôle positif (+VA) et la masse (VR), afin que le premier transistor (20) puisse rester bloqué pendant que le second (21) est polarisé pour conduire. 3. Circuit de balayage suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la base du premier transistor (20) est reliée à l'anode d'une autre diode (26) dont la cathode est reliée au cpllecteur du troisième transistor (30), afin d'empêcher que sa tension collecteur-émetteur (VCE30) devienne inférieure à sa tension base-émetteur (vie30). 4. Dispositif de visualisation du type télévision ou téléviseur comprenant un tube cathodique à déviation électromagnétique et un circuit de balayage horizontal suivant l'une des revendications précédentes.