Brevet FR2537781A1 — publié le 19840615

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP, FONCTIONNANT EN REGIME D'ACCUMULATION PAR GAZ D'ELECTRONS La présente invention concerne un transistor à effet de champ, fonctionnant par gaz d'électrons bidimensionnel, dont la structure est adaptée pour réduire les résistances d'accès entre les deux électrodes de source et de drain, d'une part, et le gaz d'électrons bidimensionnel, d'autre part. Le transistor selon l'invention comporte deux contacts ohmiques de source et de drain qui sont en contact avec le gaz d'électrons bidimensionnel, par l'intermédiaire d'une couche de matériau peu résistante, fine, et à forte mobilité électronique. L'invention concerne également le procédé de réalisation de ce type de transistor. Les transistors à effet de champ concernés par l'invention sont essentiellement les transistors hyperfréquences, ctest-à-dire qu'ils fonctionnent dans des domaines de fréquences de l'ordre de 50 GHz. De tels transistors sont réalisés dans des matériaux tels que GaAs,AIxGal xAs, et plus généralement dans des matériaux de la famille III-V ou en germanium. Cependant, afin de simplifier l'exposé de l'invention, celleci sera expliquée en se basant sur le cas d'un transistor ayant une hétérojonction GaAs- AlGaAs, ce qui n'exclut pas pour autant lé cas d'autres hétérojonctions ou d'autres types de matériaux. Le transistor à gaz d'électrons bidimensionnel, plus connu sous le sigle international TEGFET pour "Two Dimensional Electron Gas Field Effect Transistor" est connu. Il utilise pour sa conduction un gaz d'électrons dans une couche de GaAs peu dopée, mais ce gaz provient néanmoins d'une couche de AlGaAs se trouvant en contact avec la couche de GaAs peu dopée. La localisation résultante de l'interface entre ces deux matériaux sert à créer un gaz dit bidimensionnel d'électrons qui se prête bien à la réalisation d'un transistor à effet de champ car il a une mobilité très élevée dans la couche de GaAs peu dopée. Cependant, un inconvénient de cette structure est que le gaz d'électrons se trouve à l'intérieur de la structure, contre la surface d'hétérojonction de deux couches de matériaux, et l'accès électrique au gaz d'électrons bidimensionnel, nécessaire pour réaliser un transistor, doit se faire - soit à travers la couche de AlGaAs qui est assez résistante à cause de sa faible mobilité, environ un tiers de la mobilité dans GaAs, et qui d'ailleurs pose des problèmes technologiques pour la réalisation d'un bon contact ohmique, - soit pour une structure inversée à travers la couche de GaAs peu dopée qui possède une forte mobilité, mais est aussi de résistance élevée en raison de son faible niveau de dopage. Dans le transistor selon l'invention les résistances d'accès depuis les métallisations de source et de drain sont fortement diminuées car le gaz d'électrons bidimensionnel est, à ses extrémités proches desdites métallisations, formé entre une couche de Biglas peu dopée de type n et une couche de GaAs dopée de type n+ -ce qui la rend conductrice- au lieu d'être dopée de type n et mauvaise conductrice. Les métallisations de source et de drain pénètrent dans la couche n+GaAs et sont donc en contact avec le gaz d'électrons bidimensionnel de deux façons: directement par l'extrémité du gaz d'électrons, en contact avec le métal des électrodes, et indirectement par l'intermédiaire d'une couche bonne conductrice de n+GaAs, fine, qui assure le contact entre -la "surface" du nuage 4'électrons bidimensionnel et le- métal des électrodes. -Le gaz d'électrons bidimensionnel formé entre n AlGaAs et n+ GaAs remplit donc la fonction de connections électriques entre les métallisations de source et de drain et le gaz d'électrons bidimensionnel formé entre n AlGaAs et n GaAs. De façon plus précise l'invention concerne un transistor à effet de champ, fonctionnant en régime d'accumulation par gaz d'électrons bidimensionnel, comportant, supportées par un substrat en matériau semi isolant - en premier lieu, une hétérojonction formée entre une couche active et une couche de grille, les deux différents #matériaux formant cette hétérojonction #étant tous deux dopés de type n et de résistance électrique élevée, - en second lieu, une électrode de grille et deux électrodes de source et drain, ce transistor étant caractérisé en ce que l'accès électrique de la source et du drain vers le gaz d'électrons bidimensionnel se fait sous faible résistance électrique, - d'abord par l'intermédiaire de deux caissons, du même matériau que celui de la couche active mais dopé de type n + et peu résistant, ces caissons étant intercalés entre la couche activent la couche de grille et en contact direct avec le gaz d'électrons bidimensionnel, - ensuite par contact direct des métallisations de source et drain avec le gaz d'électrons bidimensionnel, lesdites métallisations s'enfonçant partiellement dans lesdits caissons. L'invention sera mieux comprise par la description qui suit de deux exemples de réalisation du transistor à effet de champ selon l'invention ainsi que par celle de son procédé de réalisation. Cette description s'appuie sur les figures jointés en annexe qui représentent - figure 1: coupe schématique d'un transistor à gaz d'électrons bidimensionnel selon l'art connu, - figure 2 : coupe d'un TEGFET selon l'art connu, - figure 3: coupe d'un TEGFET selon l'invention, - figure 4 à 7 : principales étapes de réalisation d'un TEGFET selon l'invention, - figure S : coupe d'un TEGFET selon l'invention dans une variante de réalisation. La figure 1 représente une coupe très schématisée d'un transistor à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel qui, en vue de simplifier le texte, sera désigné par la suite sous le nom de TEGFET. Cette figure est dissymétrique de part et d'autre d'une ligne pointillée, la raison de cette dissymétrie étant donnée ultérieurement. Un TEGFET est essentiellement constitué d'un substrat ì, en GaAs semi-isolant, puisqu'il a été décidé d'exposer l'invention sur le cas du matériau GaAs. Ce substrat supporte une hétérojonction formée entre une couche 2 de GaAs de dopage de type n, aussi peu dopée que possible, -et une couche 3 de n AlGaAs. Dans la couche de GaAs et au voisinage immédiat de Phétérojonction, c'est-à-dire de la surface de contact entre les deux couches 2 de GaAs et 3 AlGaAs se forme un nuage d'électrons 4. Basé sur une hétérojonction entre matériaux de natures différentes, le fonctionnement du TEGFET repose sur l'existence d'un canal de type n dont la conductance est modulable par action sur la polarisation d'une grille de type n. Cette grille est en matériau semiconducteur de bande interdite plus large que celle du matériau supportant le canal, le matériau supportant le canal étant le plus pur possible, avec un dopage inférieur à 1015 électrons par cm3. La bonne mobilité observée pour les électrons de ce canal de type n résulte du caractère de pureté du matériau GaAs les supportant. Dans le cas choisi pour exposer l'invention, une hétérojonction isotype n GaAs (peu dopée)/n AlGaAs, on note que: - la transition peut être très abrupte, - l'interface est quasi-idéale : peu de pièges, peu de centres de recombinaison, peu de cha#rges fixes, - il existe une couche électronique d'accumulation dans le matériau GaAs, - la mobilité dans la couche d'accumulation est proche de la mobilité en volume du matériau la supportant (GaAs) et donc n'est pas dégradée par le voisinage de l'interface ; non plus par la présence des atomes donneurs. Le dopage n de GaAs est choisi le plus faible possible, par exemple de Tordre de 1015 - 1016 électrons/ cm3, pour que la mobilité y soit proche de la mobilité limite (8000 cm2/Volt/seconde) et relativement élevé, par exem ple 1017 électrons/cm3, pour AlGaAs, afin que la commande de charge soit efficace. Le transistor à effet de champ de la figure 1 est complété par au moins trois métallisations, c'est-àdire une métallisation de grille 5 déposée sur la couche n AlGaAs, et deux métallisations de source et de drain 6 et 7. Dans le cas présent, une métallisation 6 est déposée# directement sur la couche de n GaAs, qui est dite la couche active dans un TEGFET, a côté de la couche de grille 3 en n AlGaAs. L'autre métallisation 7 est déposée sur cette couche de grille 3, à coté de électrode de grille 5. Il a été dit précédemment que l'inconvenient d'un TEGFET est que le gaz d'électrons se trouve à l'intérieur de la structure. L'accès électrique à ce gaz d'électrons est extrèmement important puisque c'est lui qui assure le fonctionnement et les principales caractéristiques d'un TEGFET. Or, l'accès électrique au gaz d'électrons bidimensionnel 4 peut se faire de différentes façons. Si les électrodes de source et de drain sont disposées comme l'élec trode 6 directement sur la couche active de n GaAs, cette disposition de la source et du drain par rapport à la région de grille entraîne que le courant sourcearain traverse deux zones constituées de GaAs faiblement dopées donc très résistif.En effet, la résistivité nécessairement forte de la couche active 2 conduit à des résistances d'accès R5 entre source et grille et RD entre drain et grille à priori très élevées dans cette géométrie: la flèche 8 représente le chemin d'accès d'une électrode 6 au gaz d'électrons 4, en tenant compte de la garde c'est-à-dire de la distance séparant une électrode de source de celle de grille d'une part et une électrode de drain de celle de grille d'autre part pour éviter des arcs électriques en surface du transistor qui est très petit. La garde entre les électrodes 5 et 6 est de l'ordre du micron. Un second accès électrique au gaz d'électrons bidimensionnel 4 peut se faire selon le chemin indiqué par la flèche 9, sous l'électrode 7. Dans cette seconde partie de la figure 1, dissymétr-ique par rapport à la première partie, la métallisation 7 est déposée sur la couche de n AlGaAs, et l'accès jusqu'au gaz d'électrons bidimensionnel se fait à travers une couche qui a donc une certaine épaisseur, même si elle est faible, cette couche de n AlGaAs étant assez résistante et à faible mobilité électronique, un tiers de la mobilité électronique dans n-GaAs. L'accès à une couche d'électrons bidimensionnel à travers une couche assez résistante n'est donc pas une solution propre à favoriser les performances d'un TEGFET en hyperfréquence. Enfin un troisième chemin d'accès au gaz d'électrons bidimensionnel peut se faire, dans le cas d'un transistor inversé selon la flèche repérée 10, à travers l'épaisseur du substrat de GaAs semi-isolant, donc par définition très résistant et à travers l'épaisseur de la couche active 2, l'une au moins des deux électrodes de source ou de drain étant dans ce cas déposée sur la face arrière du substrat 1. Il est donc important de réduire les résistances d'accès R5 et RD jusque des valeurs comparables à celles qui sont obtenues sur les transistors à effet de champ selon l'art connu. Ce résultat est obtenu en amenant les régions de source et de drain jusqu'à proximité de la zone d'accumulation d'électrons, laquelle se trouve dans la couche active de GaAs et à proximité de AlGaAs, supprimant ainsi le parcours du courant sourcedrain dans les zones résistives à faible niveau de dopage. Un tel perfectionnement a été révélé par la demande de brevet N0 79 078 03, au nom de THOMSON-CSF, et la figure 2 représente la vue en coupe d'un TEGFET tel qu'il est révélé dans cette demande de brevet. Ce TEGFET comporte, déposé sur un substrat isolant 1, une hétérojonction formée entre une couche 2 de n GaAs et une couche 3 de n AlGaAs. Cependant, cette hétérojonction au lieu d'être plane comme c'était le cas dans la figure 1, est formée dans un puits défini par deux couches 6 et 7 de n GaAs et 11 de silice, soit une couche d'isolant déposée par dessus les deux couches de n+ GaAs qui servent d'électrodes de source et de drain, les contacts étant pris sur les côtés, en dehors de la fraction de transistor représentée sur la figure 2.Le contact de grille est pris en 5 par une métallisation qui descend dans le puits épousant la surface extérieure des couches qui forment l'hétérojonction. Le gaz d'électrons bidimensionnel 4 peut être atteint, non plus par des itinéraires tels que les trois voies d'accès 8, 9 et 10 représentées sur la figure 1, mais par une voie d'accès symbolisée par la flèche 12 qui est beaucoup plus courte, puisque la distance entre une électrode de source' telle que la couche 6 et le gaz d'électrons bidimensionnel 4 n'est plus qu'une fraction de l'épaisseur d'une couche, c'est à-dire qu'elle peut être de l'ordre de 1000 angströms. Cet accès électrique au gaz d'électrons bidimensionnel constitue donc un net progrès dans le domaine des TEGFET mais il faut remarquer que la voie d'accès, telle que symbolisée par la flèche 12, a encore lieu à travers une couche qui est en'soit très#-résistante, même si cette couche est fine. Il était donc. intéressant de chercher d'autres solutions, selon lesquelles on pourrait avoir accès au gaz d'électrons directement, sans avoir à traverser une couche résistante. Un gaz d'électrons bidimensionnel a une épaisseur de l'ordre de quelques parcours moyens d'électrons, c'est pourquoi il est appelé bidimen sionnel, et on conviendra, pour la commodité de l'exposé, de considérer sa surface qui est en contact avec l'hétérojonction n GaAs-n AlGaAs, et par ailleurs sa tranche c'est-à-dire l'accès que l'on -peut avoir à ce nuage par son extrémité sur une épaisseur de quelques parcours moyens d'électrons. Le transistor selon l'invention se propose de résoudre ce problème de l'accès au gaz d'électrons bidimensionnel en assurant une prise de contact sur ce dit nuage d'électrons à la fois par sa tranche et par un matériau très conducteur qui soit en contact avec la surface du gaz d'électrons. La figure 3 représente une vue en coupe d'un TEGFET selon l'ìnven- tion, dans lequel est introduite dans la région du contact ohmique une couche de GaAs fortement dopée n+, qui reçoit les contacts et amène le courant à la couche bidimensionnel à travers une distance assez faible. Le transistor selon l'invention comporte,- supporté par un substrat de GaAs semi-isolant 13, une hétérojonction formée entre une couche 14 den-GaAs, dopée à 1014-10l5 électrons /cm3 et une couche 15 de n AlxGaî#xAs, dopée à 1014 électrons /cm3. Sur cette dernière couche estdéposée une couche 16 de n+ AlxGa1-xAs dopée à 6. 1017 électrons, /cm3, celle-ci ayant pour objet d'assurer un bon contact Schottky avec la métallisation d'électrode de grille 17 et d'être le point de départ des électrons du gaz bidimensionnel.Le gaz d'électrons bidimensionnel se développe dans la couche 14 de n GaAs, à l'hétérojonction 18 avec la couche 15 de n-AlxGa1- Pour Pourles deux couches de AlxGal xAs, x est compris entre 0,2 et 0,4. En vue d'assurer un bon contact électrique avec le gaz d'électrons bidimensionnel, deux couches 19 et 20 'de n+GaAs, dopées à 5. l#0l7 îol8 é lectrons /cm , sont déposées sur la couche 14 de n-GaAs, et de part et d'autre de la région centrale du transistor qui, lorsque le transistor sera achevé, correspondra au canal, sous la grille du FET. Les deux couches 19 et 20 de n+ GaAs sont déposées sur la couche active 14 -de n-GaAs avant le dépôt des deux couches 15 et 16 de AlGaAs, de telle sorte que ces deux dernières recouvrent les flancs des couches 19 et 20 de n+ GaAs. Lorsque les opérations d'épitaxie sont terminées, les couches 16 et 15 de AlGaAs et 19 et 20 de GaAs sont attaquée#s, par des moyens chimiques, par voie sèche ou humide, ou par des moyens physiques, tels que l'usinage ionique, de façon à ne laisser subsister qu'une mince épaisseur -de n+ GaAs, aux endroits où seront par la suite réalisées les deux électrodes de source et de drain 21 et 22. Ces deux électrodes sont constituées de métaux qui forment des contacts ohmiques par opposition à l'électrode de grille 17 qui forme un contact Schottky. Du fait que la couche 15 de n AlGaAs recouvre les flancs des deux couches 19 et 20 de n+ GaAs, il se forme une hétérojonction dans les deux régions 23 : le gaz d'électrons bidimensionnel y est obtenu avec un moins bon "rendement", qu'entre deux couches de type n . Cependant, ce gaz d'électrons bidimensionnel correspondant aux deux hétérojonctions 23 assure le contact avec le métal des électrodes de source et de drain de deux façons: - directement par la tranche du nuage d'électrons, au point de contact 24 de ce nuage d'électrons et d'une métallisation 21 ou 22, - indirectement, par la "surface" 25 du gaz d'électrons, avec le métal des électrodes 21 et 22, le contact s'établissant à travers une couche de n+GaAs qui est peu résistante. Les deux électrodes 21 et 22 sont en contact, respectivement dans les régions 26 et 27, avec les deux couches 15 et 1 & e AlGaRs, par la tranche de ces dernières. Le contact électrique qui s'établit entre le métal des électrodes 21 et 22 et ces deux couches est en fait un très mauvais contact, très résistif, et peut être négligé.De toute façon, il est également possible, au cours des opérations de réalisation d'un tel transistor qui sont décrites par la suite, de prévoir une attaque chimique des couches, en vue de déposer les électrodes métalliques 21 #'-et 22, de telle façon que les couches de AlGaAs ne soient pas en contact avec les deux électrodes métalliques Il a été dit, au sujet des figures 1 et 2, que l'une des difficultés des TEGFET est que l'accès électrique au gaz d'électrons bidimensionnel s'opère généralement à travers des couches résistives, ou à travers des couches peu résistives mais sur une grande longueur.Dans le cas de la figure 2, on a montré que l'accès entre une électrode telle que 6 par exemple et le gaz d'électrons bidimensionnel 4 se fait à travers l'épaisseur de la couche résistive de n GaAs 2, selon le trajet de la flèche 12. Il est important de noter que dans le transistor selon l'invention l'accès entre une électrode 21 et le gaz d'électrons bidimensionnel se fait à travers une couche conductrice 19 et 20 de n+ GaAs: il y a donc un accès direct au gaz d'électrons bidimensionnel. Les figures 4 à 7 représentent les différentes étapes de réalisation d'un transistor à gaz d'électrons bidimensionnel selon l'invention. Sur la figure 4, un substrat 13,en GaAs semi-isolant est recouvert, sur une face principale, d'une couche 14 de n GaAs, dopée à 1014 -1015 éiec trons /cm3, et sur une épaisseur de 1 à 2 microns. Puis, une couche 20 de n+GaAs est déposée par dessus la couche 14 de n#CaAs, la couche 20 est dopée à 5.1017 - 1018 élèctrons/cm3 et a une épaisseur de 2 à 3000 angs trous. La réalisation de ces deux couches de même que celle des couches suivantes se fait par épitaxie, de préférence par épitaxie métal-organique, dont il est bien connu que la technologie de reprise d'épitaxie sur une surface épitaxiée se fait bien. L'opération suivante, en figure 5, consiste à attaquer chimiquement les deux couches qui ont été déposées, la couche superficielle 20 de n+ GaAs étant obligatoirement attaquée sur toute son épaisseur, tandis que la couche 14 de n-GaAs n'est attaquée que sur une profondeur suffisante pour s'assurer que le canal creusé a bien atteint cette dite couche de n#CaAs. Le canal creusé chimiquement a une largeur de l'ordre de 3 à 5 microns, mais comme le transistor TEGFET est fait pour travailler dans la gamme de 50 GHz, il est préférable de creuser un canal le plus petit possible tel que 3 microns de façon à disposer ensuite d'environ 1 micron de longueur de grille et 1 micron de garde entre la grille et la source et le drain Il est à noter que le creusement d'un canal dans le bloc semiconducteur coupe l'unique couche de n+ GaAs en deux parties, la partie 19 correspondant à une première électrode telle que la source 21 sur la figure 3- et la partie 20 correspond à une seconde électrode telle. que le drain 22 sur la figure 3. Sur la figure 6, l'étape suivante consiste à faire croître, par épitaxie 'métal-organique par exemple, les deux couches de AlCaAs,, la couche 15 étant de type n, en un matériau aussi pur qu'on sait le faire, un dopage de l'ordre de 1014 électrons / cm3 par exemple, sur une épaisseur de 80 angs trous. La couche 16 de n+AlGaAs, qui assurera le contact électrique avec la métallisation de grille, est dopée à 6.1017 électrons I cm3 et a une épaisseur de 2000 angströms environ. Il est remarquable que par la technique d'épitaxie métal-organique une telle reprise arrive à bien suivre la morphologie du substrat, c'est-à-dire dans le cas présent à bien suivre la surface des couches 19 et 20 de GaAs n+ et du canal creuse. L'opération suivante, en figure 7, consiste à creuser, dans deux régions 28- et 29 situées de part et d'autre du canal, les emplacements des futures métallisations d'électrodes de source et de drain. Pour ce faire, on attaque localement par usinage ionique par exemple les couches superficielles 15 et 16 de AlGaAs, et en partie les couches 19 et 20 de n+GaAs. L'épaisseur des couches 19 et 20 de n+GaAs qui demeure, après usinage ionique, est relativement peu importante puisque le contact entre le métal des électrodes et le gaz d'électrons bidimensionnel s'opère par l'extrémité, par la tranche du gaz d'électrons bidimensionnel: la jonction entre les couches de n GaAs 14 et de n+GaAs 19 et 20 n'a pas une importance capitale dans le fonctionnement du transistor. Il est également possible de creuser par usinage ionique la couche 16 de n+AlGaAs, dans la partie centrale qui va recevoir l'électrode de gril le : ceci permet de choisir la bonne distance entre le métal de la grille et le gaz d'électrons bidimensionnel, pour régler cette distance, ou la hauteur de couche de AlGaAs en fonction de l'application du dispositif, en particulier selon que l'on désire réaliser un transistor normalement ouvert ou normalement bloqué. A ce stade de réalisation, il ne reste plus qu'à opérer les métallisations des électrodes 21 et 22 qui sont des métallisations ohmiques et de la grille 17 qui est une métallisation à contact Schottky pour obtenir le transistor selon l'invention tel qu'il est réalisé en figure 3. La figure 8 représente une coupe d'un TEGFET selon l'invention, dans une variante de réalisation. Les mêmes indices de repères que ceux utilisés en figure 3, ont été conservés pour désigner les composantes de la figure 8. Le transistor selon l'invention, dans sa variante de la figure 8, ne comporte plus un canal dans lequel sont épitaxiées les deux couches 15 et 16 de AlGaAs. Il a une structure qui, toutes choses étant égales par ailleurs, est plane, en ce sens que les deux couches 19 et 20 de n+GaAs, qui assurent un bon contact entre les métallisations d'électrodes et le gaz bidimensionnel d'électrons, sont diffusées ou implantées dans la couche i4 de n GaAs.Il serait possible éventuellement de déposer à la surface de ces deux couches 19 et 20 de n+GaSs les métallisations des électrodes 21 et 22, mais, afin d'obtenir un meilleur contact électrique entre les métallisations et le gaz d'électrons bidimensionnel, il est préférable d'opérer un creusement latéral du n+GaAs, afin d'assurer le contact direct entre le métal d'électrode et la tranche du nuage électronique. Le processus de fabrication de ce transistor TEGFET est légèrement différent, puisqu'il n'y a pas creusement. A partir d'un substrat en GaAs semi-isolant 13, une couche de n GaAs 14, d'épaisseur 1 à 2pI, est déposée par épitaxie par jet moléculaire, ou en phase vapeur ou par décomposition d'organo-métalliques (MOCVD). Un masquage délimite les zones à doper 19 et 20 : les deux caissons n sont formés par implantation ionique de Si, Se, S par exemple, suivie d'un recuit à 700 - 800 pour activer les atomes implantes. Une couche 15 de A1 Gal As, avec 0,2 epaisse A, sont déposées sur la couche active 14, entre les caissons précédemment implantés, par les mêmes moyens d'épitaxie que ceux #déjà cités. Un masque d'une résine optique, ou sensible aux électrons ou aux rayons X, permet de délimiter les positions des métallisations de source et drain 21 et 22. Par usinage ionique, les matériaux semiconducteurs en surface de la plaquette sont enlevés, y compris une abrasion partielle des caissons n+19 et 20. Les métallisations de contacts ohmiques 21 et 22 sont déposées sur les caissons n+, et une métallisation Schottky est déposée sur la région non implantée, comme électrode de grille 17. Le transistor TEGFET selon l'invention a été exposé en s'appuyant sur le cas d'une hétérojonction entre n-GaAs et n#AlGaAs, mais, comme il a été dit plus haut, ceci n'a pour but que de simplifier l'exposé et les figures, et il est bien- entendu que des transistors à effet de champ, à gaz d'électrons bidimensionnel, réalisés dans d'autres matériaux tels que le germanium, le silicium et les matériaux des familles III.V, entrent dans le domaine de l'invention, sous la seule restriction que ces matériaux forment une hétéro jonction génératrice d'un gaz d'électrons bidimensionnel. La forme adoptée pour déposer les couches et les métallisations d'électrodes ne sont pas limitatives de l'invention, qui est précisée par les revendications ci-après. REVENDICATIONS 1. Transistor à effet de champ fonctionnant en régime d'accumulation par gaz d'électrons bidimensionnel, comportant, supportées par un substrat (13) en matériau semi-isolant - en premier lieu, une hétérojonction formée entre une couche active (14) et une couche de grille (15), les deux différents matériaux formant cette hétérojonction étant tous deux dopés de type n et dé résistance électrique élevée, - en second lieu, une électrode de grille (17) et deux électrodes de source et drain (21, 22), ce transistor étant caractérisé en ce que l'accès électrique de la source et du drain (21, 22) vers le gaz d'électrons bidimensionnel (18) se fait sous faible résistance électrique, - d'abord par l'intermédiaire de deux caissons (19, 20), du même matériau que celui de la couche active (14) mais dopé de type n et peu résistant, ces caissons étant intercalés entre la couche active (14) et la couche de grille (15) et en contact direct avec le gaz d'électrons bidimensionnel (en 25), - ensuite par contact direct des métallisations de source et drain (21, 22) avec le gaz d'électrons bidimensionnel (en 24), lesdites métallisations s'enfonçant partiellement dans lesdits caissons. (19, 20). 2. Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que les matériaux constituant les couches (13, 14, -15) et les cais sons (19, 20) sont des alliages binaires ou ternaires de la famille lII.V. 3. Transistor à effet de champ selon la revendication 2, caractérisé en ce que: - le substrat (13) est en GaAs semi-isolant, - la couche active (14) est en GaAs dopé n à 10 -î015 élec trons/cm , - la couche de grille (15) est en AlxGal~xAs dopé n~ à 1014 élec- trons/cm3, 0,2x 40,4 - les3deux caissons (19, 20) sont en GaAs dopé n+à 5.1017 - 1018 élec trons I crn - la grille est constituée par une métallisation (17) à contact Schottky, et par une coliche (16) de prise de contact en AlxGaîxAs dopée n à 6.1017 électrons /cm , - les métallisations de source et drain (21, 22) sont en contact ohmique avec les caissons (19, 20). 4. Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que les caissons (19, 20) en matériau peu résistant sont déposés sur la couche active (14), et la couche de grille (1 5), concave, déposée sur le bord des caissons (19, 20) et sur la couche active (14) entre les deux caissons (19, 20). 5. Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que les caissons (19, 20) sont obtenus par dopage ou implantation dans l'épaisseur de la couche active (14) et la couche de grille (15), plane, déposée sur la couche active (14), entre les caissons (19, 20) mais les recouvrant partiellement. 6. Procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ, caractérisé par la suite d'opérations: - dépôt sur un substrat semi-isolant d'une première couche (14) d'un premier matériau dopé n#, sur 1 à 2 microns d'épaisseur, et d'une deuxième couche (19 + 20) du même matériau mais dopé n+, sur 2 à 3000 angströms d'épaisseur, - creusement d'un canal de 3 à 5 microns de largeur à travers la deuxième couche, pour la séparer en deux caissons (19, 20), - dépôt, dans le canal et sur les caissons d'une troisième couche (15) d'un second matériau, dopé n-, sur 80 angströms d'épaisseur, et d'une quatrième couche (16) du même matériau mais dopé n+, -sur 2Q00 angströms d'épaisseur, - creusement de l'emplacement des contacts de source et drain (21, 22), à l'aplomb des caissons (19, 20) avec creusement partiel desdits caissons, - métallisation du contact de grille (17), par un métal à contact Schottky, et des contacts de source et drain (21, 22) par un métal à contact ohmique. 7. Procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ, caractérisé par la suite d'opérations suivantes: - dépôt sur un substrat semi-isolant d'une première couche (14) d'un premier matériau dopé n#, sur 1 à 2 microns d'épaisseur, - implantation de deux caissons n+ (19, 20) à travers un masquage, puis recuit vers 700 - 800 C, - dépôt sur la couche n (14), entre les caissons n+ (19y 20) d'un second matériau, dont la première couche (15) est dopée n-, n - érosion par usinage ionique, à travers un masquage, des positions, partiellement creusées dans les caissons (19, 20), des métallisations de source et drain, - métallisation du contact de grille (17) par un métal à contact Schottky, et des contacts de source et drain (21, 22) par un métal à contact ohmique.