Brevet FR2536913A1 — publié le 19840601

PERFECTIONNEMENT AUX CELLULES PHOTOVOLTAIQUES A COUCHE POLYCRISTALLINE A BASE DE CdS L'invention est relative aux cellules photovoltaiques formées de matériaux en couches minces, dans lesquelles au moins une couche d'un matériau semi-conducteur est pré#sent sous forme polycristalline. Des cellules de ce type faisant l'objet de nombreux développements sont celles contenant une couche d'un matériau à base de sulfure de cadmium polycristallin et notamment des cellules comprenant une jonction CdS-Cu2S. Nous faisons référence dans -la suite de ce mémoire å ces cellules CdS-Cu2S mais toutes les considérations faites a ce propos sont également applicables aux cellules A base de sulfure de cadmium polycristallin, notamment aux cellules comprenant une jonction CdS-CdTe ou CdS-CuInSe2 de même qu'aux cellules dans lesquelles la couche de CdS est remplacée par une couche CdZnS. Un avantage des cellules renfermant une couche mince polycristalline d'un matériau tel que le CdS est lié aux dimensions que l'on peut atteindre. En effet; contrairement-aux cellules contenant un matériau sous forme monocristalline, il est possible de produire des cellules de grande surface pour des cota relativement peu élevés. En contre-partie la formation de cellules à grande surface- active polycristalline est rendue difficile par suite des défauts qui apparaissent dans la formation des couches suivant les méthodes traditionnelles. te risque d'apparition de défauts, notamment dé trous d'épingle est bien connu et des recherches importantes sont conduites pour limiter ce risque ou au moins les conséquences néfastes de la présence de ces défauts. Les trous d'épingle" constituent un risque majeur dans la mesure où le court-circuit qui en résulte rend la cellule inutilisable. Différentes techniques ont été proposées pour éviter ces courtscircuits. L'étude des couches polycristallines de CdS par exemple, montre que les gr#ains de matériau sont disposés essentiellement de telle façon que les joints de grains voisins peuvent laisser subsister des interstices par lesquels les matériaux conducteurs des deux faces de la cellule peuvent -entrer en contact. Pour éviter ce type de court-circuit, il a été propose de mo- difier la structure du matériau polyéristallin au moins dans sa partie directement en contact avec la couche conductrice sur laquelle il est déposé. Dans le cas d'une cellule à base de sulfure de cadmium déposée par pulvérisation d'une solution sur un support solide, un moyen consiste à effectuer la pulvérisation suivant deux sortes de conditions de température Une première pulvérisation est faite par exemple a une température de 380 C pour constituer la base de la couche polycristalline.Une deuxième pulvérisation suit d une température par exemple de 4300 C. On constate B la suite de cette double formation que les cellules ne présentent pas ou très peu de courts-circuits. Un autre moyen consiste a introduire par exemple un composé d'aluminium en quantité telle que la partie de la couche CdS en contact avec le support conducteur présente une structure essentiellement amorphe. Cette couche amorphe se révèle un excellent obstacle a la diffusion de matériau vers le support conducteur. Elle est en outre très résistante et bien accrochée sur le support La couche polycristalline se développe sur cette base amorphe de façon habituelle. Eventuellement le passage de la couche amorphe à la couche polycristalline est obtenu progressivement en réduisant jus qu'à la supprimer l'introduction du composé d'aluminium, ou du métal équivalent utilisé. Cette technique efficace pour prévenir les courts-circuits ne permet pas cependant de pallier tous les défauts de structure susceptibles de se produire et dont la présence a pour conséquence une diminution des performances de la cellule. Ainsi dans une cellule typique CdS-Cu2S le dépôt du matériau conducteur sur la couche Cu2S peut conduire, à l'emplacement des défauts subsistant entre les cristaux, å un contact direct entre le matériau conducteur et la couche CdS polycristalline. Un tel contact, sans former un courtlcircuit; aboutit notamment à une diminution très sensible de la tension de circuit ouvert et par suite à une diminution du rendement de la-cellule. Il a été proposé de prévenir ces baisses de performances des cellules CdS-Cu2s en procédant à la formation d'une couche de sulfate sur -la couche Cu2S Ceci es-t obtenu en chauffant la cellule en formation en atmosphère oxydante. La couche de Cu2S et les points où le CdS est éventuellement exposé forment une pellicule de sulfate qui est censée s'opposer au contact direct du CdS avec le matériau conducteur déposé ultérieurement. Cette solution présente #cependant certains inconvénients. Ainsi il serait-svantageus pour ce type de cellule de pouvoir utiliser le cuivre pour constituer l'électrode au contact avec la couche de Cu2S ou plus exactement avec la couche de sulfate. Le cuivre constitue dans ce type de cellule un matériau intéressant car relativement peu coûteux par rapport aux autres métaux condúcteurs posslbles, tel que l'or. Cependant le dépôt de cuivre selon les techniques traditionnelles pour constituer le conducteur se traduit par un accroissement considé rable-de la résistance de la cellule qui est incompatible avec un fonc- tionnement satisfaisant. En effet, le cuivre déposé sur la couche Cu2S, ou, comme dans cette technique antérieure, sur la couche de sulfate, a tendance à diffuser très rapidement dans la couche Cu2S.La diffusion du cuivre dans la couche Cu2S s'accompagne d'un accroissement considé- rable de la résistance interne, ce qui peut s'expliquer par un réarran- gement de la structure de cette couche qui tend vers un état s toecbiométrique. Pour cette raison les cellules CdS-CuS sont ordinairement pourvues d-'électrodes d'un métal -autre que le cuivre. L'invention se propose de fournir des moyens pour éviter que l'électrode externe, ceest-aldire celle recouvrant la couche Cu2S dans les cellulesCdS-Cu2S, n'entre en contact avec la couche plycristalli- ne de# CdS. L'invention se propose aussi d'aboutir a ce résultat sans altérer sensiblement les- performances de la cellule photovoltaique finale. L'invention vise aussi un moyen qui permette#, dans ce type de cellule, l'utilisation de couches conductrices å base de cuivre. Par ailleurs, en diminuant le risque de la présence des défauts dans ces cellules, l'invention a pour but de permettre la production de cellules photovbltaiques de grande surface avec un taux de rebut relativement faible.- Ces buts sont atteints grâce #à l'invention qui concerne, dans une cellule photovoltaique .comprenant sur un substrat conducteur une couche à base de sulfure de cadmium polycristallin; une seconde couche semi-conductrice notamment â base du sulfure cuivreux, et une électrode sur la deuxième couche, un procédé pour prévenir tout contact entre la couche a base de sulfure de cadmium et l'électrode > consistant A interposer une couche d'un oxyde diélectrique, ou d'un composé analogue connu pour ses propriétés diélectriques et utilisé pour former des couches minces, entre la deuxidme couche semi-conductrice et l'électrode, couche suffisamment fine pour que la résistance interne de la cellule ne soit pas sensiblement modifiée. Comme indiqué au début de ce mémoire# la couche à base de sulfure de cadmium peut entre aussi une couche CdZnS. Il convient de remarquer que la couche protectrice diélectri- que agit de façon trbs différente de celle qui est formée sur le substrat conducteur pont éviter l'éventualité de courts-circuits, ou celle qui est constituée par oxydation de la couche de sulfure cuivreux. La couche selon l'invention n'est an effet pas le résultat de la transformation de la structure ou de la nature chimique d'une couche active" de la cellule photovoîtaique. Pour cette raison la présence de cette couche protectrice lorsqu'elle répond aux conditions 8'épaisseur qui seront précisées plus loin, n'alterne pas les performances de la cellule. La couche déposée sur la couche de sulfure de cuivre est d'un oxydé inerte vis-#-vis des couches avoisinantes. Conviennent particulièrement bien a cet usage les dépats de silice, de T102,de Ta205, A1203 et de façon générale tous les oxydes minéraux utilisés dans les techniques d'isolation des composants électroniques. De la même fa çon, en dehors des oxydes, la couche diélectrique selon l'invention peut être constituée par. des 'composés analogues utilisés en électroni- que dans les mêmes conditions, tels que le nitrure de silicium et les oxynitrures de silicium. La couche protectrice est constituée sur la couche à base de sulfure cuivreux (ou la couche CdTe, ou CuInSe2) par une technique traditionnelle dans ce domaine. Avantageusement le dépôt est effectué par évaporation thermique sous vide ou par pulvérisation cathodique. Dans la suite de la description, 11 invention est analysée plus en détail en faisant référence aux figures annexées. Dans celles ci - la figure 1 montre de façon imagée le type de structure polycristalline et les défauts inhérents a cette structure que l'invention vise à pallier, - la figure 2 représente en coupe et de façon schématique une cellule photovoltaique selon l'invention, - la figure 3 représente la caractéristique courant-tension pour différents exemples de cellules avec ou sans défauts et corrigés selon l'invention. La figure 1 présente une structure typique schématisée d'une cellule photovoltaique traditionnelle CdS-Cu2S. La cellule est formée sur une plaque de verre 1. Sur cette plaque transparente est déposée une couche conductrice également transparente 2 de faible épaisseur. La couche conductrice 2 est constituée avantageusement d'oxyde d'étain Son02 ou d'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO). L'oxyde d'étain présente l'avantage d'être beaucoup moins coûteux. Pour obtenir simu-itanément un taux de transmission enlevé et de bonnes propriétés conductrices, la couche d'oxyde d'étain ou ITO est très mince. Ordinairement on utilise une couche dont l'épaisseur est de l'ordre de 0,5 x 10-6 m ou moins. La couche conductrice peut être formée par une des -méthodes traditionnelles dans ce domaine. Il est particulierement économique de former la couche conductrice par pulvérisation sur la plaque de verre portée à température élavée; d'une solution d'un ou plusieurs sels correspondants, par exemple un chlorure d'étain ou un mélange chlorure d 'i#dium-chîorure d' #tain. Sur la couche conductrice sont formés les cristaux, ou grains, de sulfure de cadmium 3. De la régniarité du dépôt cristaîîin forme dépendent pour une large part les propriétés finales de la cellule. La structure de cette couche dépend de nombreux parametres. Interviennent en particulier la méthode de formation de la couche, mais aussi l'épaisseur, l'adjonction d'éléments modifiant la structure ... Pour des raisons de coûts, il est préférable de limiter l'épaisseur de la couche CdS. La diminution de l'épaisseur permet de limiter la quantité nécessaire de cadmium qui est un élément coûteux. De plus, la formation des couches est une opération relativement longue. Une diminution d'épaisseur permet avantageusement d'écourter le traitement. A l'inverse, plus l'épaisseur de la couche CdS est faible plus les risques d'apparition des défauts sont élevés'. Néanmoins l'évolution récente s'est faite dans le sens de l'utilisation de couches relativement minces. A l'heure actuelle les couches CdS ont habituelle ment une épaisseur inférieure a 20 x 10-6 m et nécessitent donc une production particulièrement soignée pour éviter les défauts que nous avons signalés plus haut. A titre indicatif9 les cellules anciennes avaient une épaisseur de 40 x 10-6 m et plus, pouvant même atteindre 100 x 10-6 m. A l'expérience on constate que certaines techniques de forma- tion de la couche CdS conduisent a une meilleure homogénéité.- C'est le cas notamment des techniques telles que l'évaporation sous vide. Cependant en raison de leur coût relativement élevé, pour une production ln- dustrielle, on préfère souvent mettre en oeuvre une technique moins sophistiquée comme par exemple la pulvérisation chimique Ainsi le sul- fure de cadmium peut être formé par puivérisation d'une solution d'un sel de cadmium et d'un agent susceptible de se décomposer thermiquement pour fournir les ions sulfure.La pulvérisation est faite sur la plaque de verre (recouverte de la couche conductrice) portée A température élevée, de l'ordre de 4000 C. Dans tous les cas on forme une couche de CdS polycristalline dont les grains 3 se disposent orthogonalement sur le substrat constitué par le verre 1 recouvert par la couche conductrice 2. Les grains de CdS, comme cela est représenté a la figure 1, laissent subsister entre eux des interstices 4 plus ou moins profonds qui sont autant de points susceptibles de conduire a des court se circuits. Pour éviter que ces défauts ne rendent ces cellules inutilisables, il est connu, comme indiquE précédemment > de modifier partiellement la couche de CdS. Sur la figure 1 la base des grains 3 de CdS est hachurée pour représenter cette modification qui consiste par exemple a combiner le CdS avec de l'oxyde d'aluminium pour former une couche de structure pratiquement amorphe qui s'oppose à la diffusion ultérieure des matériaux conducteurs constituant la deuxième électrode le long des grains jusqu'à former des courts-circuits. A cet effet, au début, la pulvérisation conduisant à la couche CdS est faite à partir d'une solution renfermant des ions aluminium. La proportion pondérale d'aluminium par rapport au cadmium est de préférence inférieure à 10 % dans la partie de la couche modifiée, et avantageusement de l'ordre de 5 Z. La formation de la couche Cu2S (5) dans le cas des cellules à jonction CdS-Cu2S est obtenue par modification superficielle de la couche CdS. L'opération peut être conduite par exemple par évaporation sous vide d'un sel cuivreux, soit par contact avec une solution. Pour les mêmes raisons que précédemment, on préfère procéder par contact avec une solution aqueuse d1un sel cuivreux. La formation de Cu2S, ou plus exactement d'un composé dont la stoechiométrie approche celle de Cu2S se fait non seulement a la surface de la couche de CdS mais aussi au moins en partie entre les grains. Compte tenu des irrégularités existant a la surface de la couche CdS, il n'est pas possible d'assurer une transformation uniforme. L'épaisseur de la couche Cu2S reste inférieure a 1 x 10-6 m mais peut être aussi faible que 0,1 x 10-6 m. Il est même possible de trouver des points le long des grains, où cette couche est pratiquement inexistante. Il peut donc rester des points pour lesquels la couche de CdS est su6ceptible d'éntrer en contact directement avec l'électrode superficielle 6 entraînant les effets# défavorables- que nous avons signalés. Lorsque la- jonction est de type CdS-CdTe ou CdS-CuInSe2 la couche supérieure peut être formée par pulvérisation d'une solution adéquate ou, comme pour la couche Cu2Ss par trempage dans une solution des sels correspondants. La couche constituant l'electrode 6 peut être formée par application d'une feuille métallique trams fine. Il est possible aussi de procéder a un dépôt métallique par Evaporation thermique ou par tout moyen analogue traditionnel. Dans la cellule selon l'invention représéntée å la figure 2 on retrouve les mêmes éléments que précédemment- avec les mêmes référen- ces. Par mesure de simplification les limites de chaque couche- sont mô-ntr-écs planes; mais en fait le même type de structuré qu'd la figure 1 se retrouve dans cette cellule. Sur la cellule de la figure 2 la couche Cu2S (5) et la couche correspondant à l'électrode 6 sont séparées par une couche 7 d'un oxyde diélectrique qui s'Oppose a la diffusion du matériau constituant le conducteur 6 vers la couche de CdS, sans modifier les couches sousjacentes. Les oxydes préférés pour cette couche 7 sont notamment ceux de silicium, de titane, de tantale ... L'épaisseur de la couche protectrice peut varier dans d'assez larges limites. Il est cependant préférable d'utiliser la couche la plus fine possible, compte tenu des propriétés propres a chacun des oxydes utilisables, de façon que cette couche n'altère pas sensiblement les performances de la cellule. Dans la pratique par exemple pour une couche d'oxyde de sili- cium une épaisseur de l'ordre de O,02 x îo-6 m s'avare habituellement suffisante, et il est préférable de ne pas dépasser ODl x 15 6 m pour ne pas accroître de façon prohibitive la résistance de la cellule pho tovoltaique. De façon avantageuse l'épaisseur de la touche protectrice 7 est choisie de sorte que l'accroissement de la résistance de la cellule ne dépasse pas 10 % de la résistance en l'absence de cette couche. A titre comparatif des séries de cellules photovoltaiques CdS-Cu2S ont été préparées dans des conditions identiques, certaines recevant une couche protectrice 7 selon l'invention, d'autres ne recevant pas cette couche et l'on a étudié leurs caractéristiques :- tension an circuit ouvert vc0-; intensité de court-circuit Icc, facteur de rem plissage FF (fill factor),#et de taux de conversion. Les cellules sont constituées de là façon suivante. La préparation est conduite sur des feuilles de verre de 200 x 100 mm placées sur une plaque chauffante qui maintient la tempé- rature choisie avec une grande précision. Les solutions sont pulvEri- sées sur la feuille au moyen d'une buse mobile balayant la totalité de la surface. La premidre couche conductrice est obtenue par pulvérisation d'une solution de tétrachlorure d'étain, la plaque Etant maintenue a 4000 c. La pulvérisation est conduite de façon a former une couche régulivre de 0,6 x 10-6 m. La couche de sulfure de cadmium est ensuite appliqué en deux étapes. Une première solution est pulvérisez qui renferme des chlorures de cadmium et d'aluminium et de la thiourée, le rapport pondéral A1/Cd étant d'environ 5 Z. La seconde solution, également pulvérisée, ne contient pas d'aluminium. Dans les deux cas la température de la plaque est voisine de 40C C. De cette façon on constitue une couche de CdS qui présente une épaisseur totale de 10 x 10-6 m (respectivement environ 2 à 3 et 6 a 7 x 10-6 m pour la couche contenant l'aluminium et pour celle qui ne renferme que du cadmium). Pour ces épaisseurs très faibles de sulfure de cadmium les risques de défauts sont très importants comme les essais suivants le montrent. Les grains de CdS observés dans ces conditions ont des dimensions de l'ordre de l x 10-6 m. La formation de la couche Cu2S est obtenue par immersion de la cellule dans une solution d'un complexe cuivreux pendant un temps suffisant pour assurer l'échange ionique sur une profondeur moyenne d'environ 0,3 x 10-6 m. La cellule a ce stade de la préparation subit un recuit a l'air a une température de 150 C. Huit cellules sont formées à partir de la plaque, chacune ayant une surface de 1 cm2. Une première série de mesures est effectuée pour déterminer la tension de circuit ouvert, la seconde électrode étant remplacée pour cette mesure par un bain de mercure directement en contact avec la couche Cu2S. Apres ces mesures, quatre des huit cellules préparées reçoivent une couche d'oxyde de silicium SiOx (x étant compris entre 1 et 2). Cette couche est formée par évaporation thermique sous vide (10-9 bars). L'épaisseur de la couche protectrice en cours de formation est suivie de façon optique par variation de transmission d'un témoin placé dans la même enceinte. Elle est réglée dans le cas de cet essai à une épaisseur d'environ 0,02 x 10-6 m. L'ensemble des huit cellules recoit ensuite -une électrode d'or par évaporation thermique sous vide. L'électrode a une épaisseur d'environ 1 x 10-6 v. Les mesures faites pour l'ensemble des cellules sont résumées dans le tableau suivant. Dans ce tableau, les cellules 1 a 4 n'ont pas reçu de couche protectrice et servent de base de comparaison pour les quatre autres cellules correspondant a l'invention. Vco (Hg) Vco VCO (Au)| Icc FF Z mv mV mA 4;6 t 1 t 467 1 450 17,1 0,59 0,59 4,6 2 2 t 449 1 271 t 15,5 0,26 1 1,1 3 1 t 47i 434 18,1 0,50 4,0 4 458 439 19 O,57 4,8 t 5 1 460 1 455 1 17,5 0,56 1 4; ;4 t 6 1 453 1 445 1 18;0 0,53 7 7 t 428 1 435 t 17,3 1 0;58 1 4,4 1 8 404 429 18,3. 0,54 4,3 t On remarque en premier lieu que le traitement correspondant à la formation de l'électrode d'or modifie les réponses des cellules de façon trEs variable suivant que l'on considire les cellules selon l'invent ion ou celles servant de référence. Pour les cellules 1 é 4, même si l'on exclut la cellule n0 2, on constate que le potentiel de circuit ouvert décroît en passant du contact au mercure a électrode d'or Pour Pour les cellules salon l~lnven- tion, l'évolution n'est pas uniforme mais aboutit a des variations re- lativement faibles et sur la moyenne des valeurs, on peut considérer que l'application de la couche d'or n'entraîne pas de modification de cette caractéristique. La cellule n0 2 se distingue par une chute brutale des caractéristiques après dépôt de l'électrode d'or. Il nsy a pas de courtcircuit complet, mais une perte de performances a tous les niveaux, qui rend cette cellule impropre a un fonctionnement satisfaisant. La figure 3 illustre de façon très sensible-les différences qui se manifestent sur les courbes courant-tension entre une cellule sans défaut majeur (courbe 5) et-une cellule défectueuse (courbe 2). Le fait que les défauts ne se manifestent clairement qu'avec l'électrode d'or peut s'expliquer de plusieurs façons. On peut d'abord penser que ces défauts n'apparaissent qu'a l'occasion du traitement de formation dé cette couche conductrice. Bien que cette hypothèse ne puisse être complitement rejetée, elle n'est pas la plus vraisemblable. Au cours du traitement de formation de la couche d'or, la cellule n'est pas soumise 3 des conditions plus sévères que dans les opérations préalables. Il n'y a-donc pas de raison que les défauts apparaissent partieniierement a ce stade de la préparatien. Une-seconde hypothèse plus vraisemblable est liée à la pénétration du matériau formant l'électrode. On comprend aisément que le contact du mercure ne conduise pas celui-ci dans les anfractuosités des couches semi-conductrices. Les défauts existeraient donc bien avant la mise en place de l'électrode d'or mais ne seraient pas mis en évidence avec l'électrode de mercure. Avec l'or au contraire, la formation par dépôt de vapeur conduirait le métal jusqu'entre les grains de CdS. Ce que l'on constate avec l'or est également vrai pour des métaux comme le cuivre, qui ont tendance à diffuser dans la couche Cu2S et notamment dans les zones où cette couche est la plus mince ou la plus fragile. Quelle que soit l'explication du phénomène, il importe que la mise en oeuvre de l'invention permette d'éviter l'apparition de ces pertes de performances dans les cellules préparées. Les données figu rant dans le tableau ci-dessus, bien. qu'an nombre restreint, montrent quels peuvent être les résultats# atteints-grâce a l'invention. Une étude plus complote sur un grand nombre de cellules produites montre qu'en procédant a l'adjonction de la couche protectrice, la proportion de cellules pour lesquelles un défaut du type de celui de l'échantillon n0 2 apparaît, diminue d'au moins 95 X. Autrement dit, le nombre de cellules rejetées est vingt fois moins important ou encore il est possible de préparer des cellules de plus grande surface sans que le risque d'apparition de défauts soit rédhibitoire Sur le tableau on remarque aussi que l'application de la couche protectrice selon l'invention ne modifie pas de façon dEfavorable les caractéristiques des cellules.De façon généraîe; par exemple, les valeurs de potentiel de circuit ouvert, mais également. d'intensité de court-circuit; de facteur de remplissage et de taux de conversion sont analogues a celles que l'on obtient avec les cellules qui ne renferment pas cette couche protectrice (en excluant la cellule n0 2). Si l'on considère les cellules 7 et 8; et surtout cette der nierez il est même remarquable que lé potentiel de circuit ouvert soit sensiblement meilleur après application de la couche protectrice. Ceci pourrait éventuellement correspondre au masquage de défauts du type de ceux indiqués précédemment et que, contrairement à ce qui se produit avec la cellule no 2, le contact du mercure laisserait apparaître au moins partiellement. Sans faire dispåraitre les défauts de structure des couches poîycristaîîines; l'invention permet donc de faire en sorte que cas défauts ne compromettent pas les caractéristiques des cellules produites. Les exemples donnés ci-dessus n'ont pas de caractère limitatif. Il va de soi notamment que- l'invention s'applique de la même façon aux cellules photovoltaiques dont la couche de sulfure de cadmium n'est pas pure-, mais est mélangée avec d'autres éléments par exemple du sulfure de zinc. De même, l'invention n'est pas limitée aux cellules dans lesquelles la couche protectrice est a base de silice. Des couches de TiO2, A1203 notamment sont utilisables dans des conditions analogues. REVENDICATIONS 1. Cellule photovoltaique comprenant un substrat conducteur transparent (1), une couche à base de sulfure de cadmium polycristallin (3), une deuxième couche semi-conductrice notamment une couche à base de sulfure cuivreux (5), et une électrode (6) en contact avec la deuxième couche semi-conductrice (5), caractérisée en ce que l'on interpose entre la deuxième couche semi-conductrice (5) et 11 électrode (6) une couche d'un oxyde diélectrique (7) ou-d'un~composé- analogue utilisé pour former des couches minces diélectriques de façon a éviter un contact direct entre l'électrode (6) et la couche à base de sulfure de cadmium (3) par suite d'éventuels défauts de la couche à base de sulfure cuivreux (5), la couche (7) dioxyde diélectrique étant suffisamment mince pour que la résistance interne de la cellule ne soit pas sensiblement modifiée. 2. Cellule photovoltaique selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche (7) diélectrique est constituée à partir d'un oxyde d'un élément du groupe comprenant le silicium, l'aluminium, le titane, le tantale, ou de nitrure de silicium ou d'un oxynitrure de silicium. 3 Cellule photovoltaique selon la revendication 2, caractérisée en ce que la couche (7) diélectrique formée est un oxyde de silicium SiOx (1 C x 4. Cellule photovoltaique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'épaisseur de la couche diélectrique (7) est réglée de façon que l'accroissement de la résistance interne de la cellule ne dépasse pas ìo %. 5. Cellule phoeovoltaique selon la revendication 3 dans laquelle la couche diélectrique (7) a une épaisseur inférieure à 0,1 x 10'6m. 6. Cellule photovoltaique selon l'une quelconque des revendi cations précédentes dans ns laquelle l'épaisseur -des couches semi- conductrices (3, 5) est au plus égale a 20 x 10-6 m. 7. Cellule photovoltaique comprenant sur un substrat constitué par une plaque de verre transparent (1), une couche conductrice (2) d'un oxyde d'étain ou d'un oxyde d'indium dopé à llétain, une couche de sulfure de cadmium (3) comprenant une première partie renfermant de l'alumine en quantité telle que le rapport du nombre d'atomes d'aluminium au nombre d'atomes de cadmium soit de l'ordre de 5 %, et une deuxième partie ne renfermant que le sulfure de cadmium, une couche de sulfure cuivreux (5) l'ensemble des couches de sulfure de cadmium et de sulfure cuivreux présentant une épaisseur inférieure a 20 x 10-6 m, une couche d'oxyde de silicium SiOx (14x