Brevet FR2542882A1 — publié le 19840921

La présente invention se rapporte à une technique de lithographie à rayons X qui est utilisée pour reproduire un motif fin pour la fabrication de dispositifs de circuits intégrés à semi-conducteurs et plus particulière- ment à un masque de lithographie à rayons X à haut degré de contraste et à motif submicronique ainsi qu'à un procédé de fabrication de celui-ci. Comme cela est bien connu dans la technique, la lithographie à rayons X est une technique dans laquelle des rayons X mous, ayant des longueurs d'onde de 4 à A, sont employés comme source de rayons d'irradiation de façon que des motifs fins de grandeur sub Imcronique soient repro- duits En général, un masque à rayons X comprend un motif absorbant qui absorbe des rayons X mous et un substrat de masque qui supporte le motif absorbant et qui permet la transmission de rayons X mous. Comme matières pour des motifs absorbants, il est nécessaire d'employer des matières qui absorbent suffisam- ment des rayons X mous Si une longueur d'onde d'un rayonnement X mou est déterminée, les quantités de rayons X mous absorbés par un absorbeur de rayons X peuvent être facilement calculées sur la base d'un coefficient d'absorption de rayons X Les figures 1 A, 1 B et 1 C Illustrent le corréletion entre l'atténuation de rayons X et les épaisseurs de divers films dans les cas respective- ment de la radiation du Mo (raie spectrale L) ( 5,41 A), de la radial du Si-K ( 7,13 A) et de la radiation Al-K ( 8,34 A). Comme cela ressort clairement des figures 1 A à 1 C, on comprend facilement que des éléments à numéros atomiques plus élevés, tels que l'or Au, le tantale Ta, le tungstène W, le rhénium Re ou analogues, doivent être utilisés afin d'obtenir une atténuation de rayons X de l'ordre de 10 d B, de façon qu'un degré suffisant de contraste de masque soit atteint. Par exemple, la demande de brevet japonais publiée No 54-141571 (demande de brevet japonais No 53-48717), intitulée "Masque pour lithographie à rayons X mous", révèle un masque à rayons X du type dans lequel des orifices de motif fin, à travers lesquels passent des rayons X mous, sont réalisés dans un film mince tendu formé d'une matière absorbant des rayons X mous, telle que l'or Au, le platine Pt, le palladium Pd, le tungstène W, le tantale Ta, le holmium Ho, l'erbium Er, l'uranium U ou analogue La demande de brevet japonais publiée No 54-11677 (demande de brevet japonais No 53-71437), correspondant à la demande de brevet américain No 810469 et intitulée "Masque pour emploi dans de la lithographie à lignes fines et procédé de fabrication de celui-ci", révèle un masque à rayons X comprenant un substrat de masque sous la forme d'une membrane ou d'un film mince qui est formé à partir d'un polymère tel que le PARYLEN (marque de fabrique de Union Carbide Corporation) et qui est transparent à des radiations chimiques, et un absorbeur de radiationschimiques consistant en un oxyde d'un élément des terres rares ou d'un élément ayant un numéro atomique élevé et une haute densité, tel que l'or Au, le platine Pt, l'uranium U, l'indium In ou analogue Il révèle aussi un procédé de gravure ionique, un procédé de galvanoplastie ou d'électrodéposition et un procédé d'enlèvement pour - fotmer des couches absorbantes d'un métal ayant une haute densité, tel que l'or Au, le platine Pt, l'uranium U ou analogues. Cependant avec ces procédés, il est extrêmement difficile de produire un motif en utilisant un métal ayant une haute densité. John N Randal et autres révèlent, dans "High- resolution pattern définition in tungsten"(Applied Physics Letters 39 ( 9) ,ler Novembre 1981, pages 742-, 743), une structure de masque dans laquelle un substrat de verre est revêtu d'un film d'aluminium par dessus lequel est déposé un film de tungstène, de sorte que le film de tungstène est modelé ou façonné en motif pour former un motif fin par gravure ou attaque par pulvérisation cathodique réactive Cependant, ils révèlent seulement des expériences faites sur les films de tungstène déposés sur les substrats en verre maisn'ortpas révélé comment des contraintes internes peuvent être réduites lorsque du tungstène, c'est-à-dire un métal ayant un point de fusion élevé, est déposé sur un substrat de verre Par conséquent, le masque n'a pas été utilisé dans la pratique. Dans la pratique, seul l'or Au est employé comme matière absorbante La raison en est la suivante Quand du Ta, W, Re ou analogues, qui possède un point de fusion élevé, est déposé sous la forme d'un film mince, des contraintes élevées sont produites, de sorte que le substrat de masque fin est endommagé et déformé. Par conséquent, l'or Au, qui est façonné relative- ment facilement, a été utilisé comme matière absorbante. Lorsque l'or Au est employé comme matière absorbante, un film d'or doit avoir une épaisseur d'environ 0,52 >m pour la radiation de A Il-K ( 8,34 A) et d'environ 0,68 ym pour la radiation du Si-K ( 7,13 A) afin d'obtenir un contraste de masque de 10 d B Il s'ensuit par conséquent que le rapport d'allongement devient supérieur à 1 afin que la largeur de motif soit de 0,5 pm. Il existe deux procédés classiques pour réaliser des absorbeurs en or A savoir, dans un procédé, un film isolant est traité pour former un masque galvanopiastique ou d'électro- déposition de façxque l'or soit plaqué sur le substrat de masque. L'autre procédé est une méthode de gravure ionique. Le premier procédé dans lequel des motifs fins en or sont réalisés par galvanoplastie ou électrodéposition à travers un masque. de matière isolante, peut produire des motifs submicroni- ques ayant un profil abrupt ou des parois latérales abruptement verticales Cependant, lorsqu'un absorbeur en or a des motifs compliqués comprenant des mélanges de différentes grandeurs, une répartition uniforme de densité de courant ne peut pas être obtenue Il en résulte qu'une portion, ayant un motif de petite grandeur, devient uniformément mince en épaisseur En outre, il est difficile de contrôler les qualités de la solution de placage ou de dépôt électrolytique de sorte qu'il est difficile deme pas faire fluctuer les qualités de motifs absorbants en or De plus, beaucoup d'opérations de fabrication sont requises dans ce procédé. Le second procédé, dans lequel un motif absorbant en or est formé par gravure ionique, sera expliqué en se référant aux figures 2 A à 2 H Sur la figure 2 A, un substrat de masque 2, fait en une matière telle que le Si N ou Si 3 N 4 susceptible de transmettre des rayons X, est disposé sur une plaquette ou pastille silicium 1 et ensuite une mince couche de revêtement primaire de tantale ou de titane 3 est déposée sur le substrat de masque 2, de façonque l'adhésion, entre le substrat de masque 2 et une couche d'absorption de rayons X en or, soit assurée Ensuite, comme cela est représenté-sur la figure 2 B, de l'or est déposé comme absorbeur sur la couche de revêtaent de fond ou sous- jacente 3 pour former une couche d'absorption de rayons X 4. Comme cela est indiqué sur la figure 2 C, une couche métallique 5 de titane ou de tantale est déposée sur la surface de la couche d'absorption de rayons X 4 sur laquelle est formée une couche de resist 6 comme cela est indiqué sur la figure 2 D Ensuite, un motif désiré est transféré à la couche de resist 6 par exposition puis la couche de resist 6, pourvue du motif, est développée de façon qu'un motif de resist désiré 6 ' soit formé comme cela est indiqué sur la figure 2 E. Ensuite, un procédé de gravure, utilisant le plasma de CF 4, est appliqué à la couche de métal 5 à travers le motif de resist 6 ' comme masque, de sorte qu'un masque gravé 5 ', tel que représenté sur la figure 2 F, est formé à partir de la couche de métal 5 Ensuite, le motif de resist 6 ' est enlevé puis un procédé de gravure ionique, utilisant les ions d'un gaz inerte tel que l'argon, est appliqué à la couche d'absorption de rayons X 4 à travers le masque gravé 5 ', de façon à obtenir un motif d'absorption de rayons X 4 ' ayant le motif désiré à partir de la couche d'absorption de rayons X 4 ' comme cela est montré sur la figure 2 G Ensuite, la couche de revêtement sous-jacente ou de fond 3 est gravée ioniquement. Ensuite, la plaquette ou la pastille 1 est attaquée à travers un masque, de façon qu'un cadre de silicium 1 ' soit formé dans la périphérie de la pastille 1 de Si, comme cela est indiqué sur la figure 2 H De cette manière, un masque à rayons X est fabriqué. Conformément au procédé de gravure ionique décrit ci-dessus, les particules d'orenlevêes par attaque sont redéposées sur les parois latérales du motif 4 ' et l'obtention du masque métallique gravé 5 ', fait en titane ou en tantale, est fortement retardéeen raison de la gravure ou attaque ionique Par conséquent,l'angle d'inclinaison, des parois latérales du motif d'absorbeur de rayons X 4 ', est de l'ordre de 750 comme cela est indiqué sur la figure 2 G. Ainsi, avec le procédé d'attaque ionique de la technique antérieure, il était difficile de former un motif fin d'absorption de rayons X en or d'un ordre de grandeur inférieur au micron qui ait un contraste suffisant. Afin de surmonter le problème ci-dessus et d'autres problèmes rencontrés dans le procédé de gravure ou d'at- taque ionique, il a été proposé un procédé de gravure ou d' attaque par pulvérisationcathodique réactive (voir Applied Physics Letters, 39 ( 9), pages 742,743 et 41 ( 1), pages 247 et 248) par lequel des motifs absorbants en tungstène sont formés en utilisant un mélange gazeux de SF 6 et de 02 ' Des contraintes dans une couche de tungstène ne peuvent pas être suffisamment réduites, de sorte qu'une couche de tunsgène est déposée sur une couche de revêtemant sous-jacer ou de fond en aluminium déposée sur un substrat en verre. Même dans le cas d'une membrane en polyimide comme substrat pratique de masque, une couche de revêtement sous-jacente ou de fond on en aluminium, de 100 A d'épaisseur est déposée sur le substrat et ensuite une couche de tungstène de 800 A d'épaisseur est déposée sur la couche d'aluminium Dans ce cas, la contrainte interne ne peut pas être suffisamment réduite et un coetraste suffisant ne peut pas être obtenu, de sorte que le masque ne peut pas être utilisé de façon satisfaisante dans la pratique. En outre, afin de former pratiquement un masque de lithographie à rayons X par la couche de tungstène,la couche de revêtement sous-jacente ou de fond en aluminium doit être éliminée dans un but d'alignement mais il est très difficile d'éliminer la couche de revêtement -sous-jacente ou de fond en aluminium sans causer quelque dommage au motif d'absorp- tion de rayons X en tungstène Il en résulte que le masque à rayons X ne peut pas être employé de façon satis- faisante dans la pratique. Le tantale Ta est très avantageux comme matière absorbante pour masque à rayons X. Cependant, le tantale Ta a un point de fusion élevé, de sorte qu'il est difficile de réduire des contraintes internes dans une couche de tantale Une couche de tantale, ayant des contraintes internes élevées, tant à se séparer d'un substrat de masque ou à causer des déformations plus grandes dans le substrat de masque. Dans le plus mauvais cas, la contrainte interne dans la couche de tantale endommage le substrat de masque Avec- une telle couche de tantale ayant une contrainte interne élevée, il était impossible de réaliser un masque de lithographie à rayons X formé par une couche de tantale unique Si une telle couche de tantale unique avait été avantageuse, la fabrication du masque de lithographie à rayons X aurait été beaucoup facilitée. En gardant à l'esprit ce qui précède, c'est un but de la présente invention de créer un masque de lithogra- phie à rayons X qui surmonte les inconvénients ci-dessus et d'autres problèmes rencontrés dans le masque de lithographie à rayons X classique. Un autre but de la présente invention est de créer un masque de lithographie à rayons X dans lequel du métal, tel que le tantale ou le tungstène, ayant un point de fusion élevé et un coefficient d'absorption de rayons X qui est sensiblement le même que celui de l'or dans un domaine de longueur d'onde de rayons X mous approprié à la lithographie à rayons X, est utilisé comme matière d'absorption de rayons X. Un autre but de la présente invention est de réali- ser un masque de lithographie à rayons X qui ait des motifs ayant un haut degré de contraste avec des dimensions -10 précises. Encore un autre but de la présente invention est de réaliser un masque de lithographie à rayons X qui soit fabriqué à bon marché. Encore un autre but de la présente invention est de créer un procédé de fabrication d'un masque de litho- graphie à rayons X qui soit adapté à la production en masse et par lequel des motifs fins puissent être fabriqués avec une haute précision. La présente invention est basée sur le fait reconhu que du métal, tel que du tantale ou du tungstène ayant un point de fusion élevé, possède un haut coefficient d'absorption de rayons X et peut être traité ou façonné par gravure ou attaque par pulvérisation cathodique réactive En outre, la présente invention a été réalisée sur la base d'études et d'expériences étendues relativement à la réduction de contraintes internes dans une couche d'absorp- tion de rayons X et à la gravure de motifs fins. Afin d'atteindre les objectifs précités, un masque de lithographie à rayons X,conforme à la présente invention, comprend unsibstrat de masque et une couche d'absorption de rayons X sous la forme d'une couche simple ou unique en un métal à haut point de fusion Au moins une portion de cette couche unique du côté du substrat de masque consiste en des grains de cristal granulaires et la couche d'absorption de rayons X possède un motif désiré, Dans un mode de réalisation préféré de la présente invention, toute la couche unique consite en des grains de cristal granulaires du métal à haut point de fusion. Il est préférable ici que les plans ( 211) et ( 110) du métal à haut point de fusion coexistent dans la couche simple ou unique et soient parallèles à la surface du substrat de masque. Une couche d'absorption d'électrons peut de préfé- rence être formée sur-la couche-d'absorption de rayons X. Il est préférable que le métal à haut point de fusion soit du tantale ou du tungstène La couche d'absorp- tion d'électrons peut de préférence consister en de l'oxyde de silicium, en un nitrure de silicium ou en un polymère Le substrat de masque peut de préférence consister en une substance choisie dans le groupe composé de Si N, Si 3 N 4, Si C, BN, polyimide, Mylaret d'une combi- naison de ceux-ci. Afin d'atteindre les objectifs décrits ci-dessus, un procédé de fabrication d'un masque de lithographie à rayons Xlconforme à la présente inventioncomprend une première opération consistant à placer un échantillon, ayant un substrat de masque à rayons X, sur une table à échantillons dans un appareil de pulvérisation cathodique ayant des moyens pour contrôler ou régler le débit d'écoulement d'un gaz rare contenu dans l'appareil de pulvérisation cathodique et des moyens pour contrôler ou régler la pression gazeuse du gaz rare de telle manière que l'échantillon soit électriquement isolé du potentiel de la masse ou terre; une seconde opération consistant à former une couche d'un métal à haut point de fusion sur le substrat de masque à rayons X dans des conditions telles que le débit d'écoulement et la pression gazeuse du gaz rare soient maintenus à des valeurs prédéterminées; et une troisième opération consistant à former une couche d'absorption de rayons X avec un motif prédéterminé à partir du métal à haut point de fusion par gravure ou attaque par pulvérisation cathodique réactive. De préférence, la troisième opération précitée comprend une première sousopération de formation d'un motif de resist sur la couche, à haut point de fusion, de tantale ou de tungstène; et une seconde sous-opération de formation de la couche d'absorption de rayons X avec le motif désiré par la gravure ou attaque par pulvérisation cathodique réactive en utilisant du C Br F 3 gazeux comme agent corrosif ou réactif d'attaque, le motif de resist étant employé t comme masque. Il est également préférable que la troisième opération prçcitée comprenne une première sous-opération de formation d'une couche d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium sur la surface de la couche, à haut point de fusion, de tantale ou de tungstène; une seconde sous- opération de formation d'un motif de resist sur la surface de-la couche d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium une troisième sousopération de formation d'une couche de motif en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium à partir de la couche d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium par gravure ou attaque par pulvérisation cathodique réactive, le motif de resist étant employé comme masque; et une quatrième sous-opération de formation d'une couche d'absorption de rayons X avec le motif désiré par la gravure ou attaque par pulvérisationcathodique réactive en utilisant du C Br F 3 gazeux comme agent corrosif ou réactif d'attaque, la couche de motif en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium étant utilisée comme masque. Il est également préférable que la troisième opération précitée comprenne une première sous-opération d'application d'une couche d'un polymère ayant un haut degré de résistance à la gravure ou attaque à sec sur la surface de la couche, à haut point de fusion, de tantale ou de tungstène; une seconde sous-opération de formation d'un motif de resist sur la surface de la couche de poly- mère; une troisième sous-opération de déposition d'une couche de titane ou de chrome sur le motif de resist une quatrième sous-opération de formation d'un motif de titane ou de chrome par le procédé d'enlèvement ou de décollement; une cinquième sous-opération de formation d'un motif de polymère par gravure ou attaque par pulvérisation cathodicpe réactive dans une atmosphère d'oxygène, le motif de titane ou de chrome étant utilisé comme masque; une sixième sous-opération de formation de la couche d'absorption de rayons X avec le motif désiré par gravure ou attaque par pulvérisation réactive en utilisant du C Br F 3 gazeux comme agent corrosif ou réactif d'attaque, le motif en polymère étant utilisé comme masque. Ici, le gaz rare peut être choisi dans le groupe comprenant le xénon, l'argon et le krypton. Il est préférable que le débit d'écoulement du gaz rare et la pression gazeuse dans l'appareil de pulvérisation cathodique soient contrôlés ou réglés de telle manière que la couche de métal à haut point de fusion, formée par la seconde opération, comprenne des grains de crista x granulaires Ici, au moins la surface de la couche de métal à haut point de fusion, du côté du substrat de masque à rayons X, peut être formée sous forme de grains de cristaux granulaires. De préférence dans la première opération précitée, l'échantillon peut être potentiel rendu électriquement flottant par rapport au potentiel de la masse ou terre Ici, la pression gazeuse dans l'appareil de pulvérisation cathodique et la puissance à haute fréquence fournie à l'appareil de pulvérisation cathodique dans la seconde opération peuvent être de préférence contrôlées ou réglées de telle manière que la surface de l'échantillon soit maintenue à un potentiel flottant dans un domaine de tension électri- que allant de -10 à -20 V. En variante, un potentiel de polarisation de courant électrique continu, dans un domaine de tension électrique allant de -10 à -20 V, est appliqué à l'échantillon dans la première opération précitée. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaitront plus clairement à la lecture de la description explicative qui va suivre en se reportant aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exefples non limitai de divers modes de réalisation spécifiques actuellement préférés de l'invention et dans lesquels: les figures 1 A, 1 B et 1 C sont des diagrammes représentant chacun graphiquement la corrélation entre l'épaisseur d'une couche absorbante et l'atténuation de rayons X lorsque des radiations de Mo (raie spectrale L) et Al-K sont utilisée; les figures 2 A à 2 H sont des vues schématiques en coupe transversale utilisées pour expliquer les opéra- tions séquentielles de fabrication d'un masque à rayons X à couche absorbante en or par le procédé de gravure ou d'attaque ionique de la technique antérieure; les figures 3 et 4 sont des vues schématiques en coupe transversale représentant deux modes de-réalisa- tion d'un masque de lithographie à rayons X conforme à la présente invention; - les figures 5 A à 5 F sont des vues schématiques en coupe transversale utilisées pour expliquer les opérations séquentielles dans un mode d'exécution d'une méthode de fabrication d'un masque de lithographie à rayons X conformément à la présente invention; les figures 6 A à 6 H sont des vues schématiques en coupe transversale utilisées pour expliquer les opérations séquentielles dans un autre mode d'exécution d'une méthode de fabrication d'un masque de lithographie à rayons X conforme à la présente invention, dont des opérations intermédiaires comprennent l'opération de formation d'une couche d'oxyde de silicium ou d'une couche de nitrure de silicium; les figures 7 A à 7 J sont des vues schématiques en coupe transversale utilisées pour expliquer les opérations séquentielles dans un autre mode d'exécution d'une méthode de fabrication d'un masque de lithographie à rayons X conforme à la présente invention, dans laquelle un motif positif est inversé pour devenir un motif négatif en utilisant un procédé d'enlèvement ou de décollement de titane Ti; la figure 8 A est une vue schématique montrant un mode de réalisation d'un appareil de pulvérisation cathodique comportant la présente invention pour former une couche absorbante de tantale Ta; la figure 8 B est une vue fragmentaire agrandie représentant un appareil de pulvérisation cathodique modifié auquel la présente invention est incorporée; les figures 9 et 10 sont des diagrammes représentant chacun graphiquement la corrélation entre la pression d'un gaz rare et la contrainte interne lorsqu'une couche de 'tantale Ta est formée par le procédé de pulvérisation cathodique; les figures 11 A et 11 B sont des micrographies électroniques à balayage montrant respectivement les morphologies sur la surface et dans la section transversale d'une couche de tantale Ta, lorsque la contrainte interne est sensiblement nulle; les figures 12 Aet 12 B sont des micrographies électroniques à balayage montrant respectivement les morphologies sur la surface-et dans la section transver- sale d'une couche de tantale Ta lorsque la contrainte interne est une contrainte de compression de 4 x 109 dyne/cm; les figures 13 A et 13 B sont des micrographies électroniques à balayage montrant respectivement les morphologies sur la surface et dans la section transver- sale lorsque la contrainte interne est une contrainte de traction de 3 x 109 dyne/cm 2; les figures 14 A, 14 B et 14 C sont des diagrammes illustrant graphiquement la corrélation entre la valeur d représentant la distance d'écartement ou l'intervalle d'espacement de plans de réseau cristallin et l'intensité normalisée de diffraction de rayons X; la figure 15 est un diagramme illustrant graphiquement la corrélation entre la teneur en % d'oxygène dans une couche de tantale Ta formée en utilisant du C Br F 3 gazeux comme agent corrosif ou réactif d'attaque et la vitesse d'attaque; et les figures 16 A et 16 B sont des micrographies électroniques à balayage montrant respectivement, à titre de comparaison, un masque de lithographie à rayons X conforme à la présente invention et un masque de lithographie à rayons X de la technique antérieure. La présente invention sera décrite en détail en se reportant aux dessins annexés. Les figures 3 et 4 représentent, en coupe transver- sale, deux modes de réalisation d'un masque de lithographie à rayons X conforme à la présente invention Sur la figure 3, le chiffre de référence 11 désigne un substrat de masque susceptible de transmettre sensiblementdes rayons X à travers celui-ci; le repère 12 désigne un motif d'absorption de rayons X réalisé en métal tel que le tantale Ta ou le tungstène W ayant un haut point de fusion; et le chiffre de référence 13 désigne un cadre de silicium pour supporter le motif d'absorption de rayons X 12. Le masque de lithographie à rayons X, tel que représenté sur la figure 4, est sensiblement semblable en construction à celui représenté sur la figure 3, excepté qu'une couche d'absorption d'électrons 14, consistant en une couche d'oxyde de silicium ou de silice (Si O 2), en une couche de nitrure de silicium (Si N, Si 3 N 4) ou en une couche de polymère telle qu'une couche de polyimide, est déposée sur la surface de la couche d'absorption de rayons X 12. La matière du substrat de masque 11 peut être du Si N, Si 3 N 4, BN, Si C, polyimide, Mylar (marque de fabrique de Du Pont) ou une combinaison de ceux-ci Il, est préfé- rable d'utiliser du Si N, Si 3 N 4, BN ou Si C afin d'obtenir un motif de haute précision. Alors que, dans la présente invention, une couche de revêtement sousjacente de titane Ti n'est pas prévue sur le substrat de masque 11, ceci ne signifie pas que le substrat de masque 11 se compose seulement-d'une couche simple ou unique de transmission de rayons X 15. Il doit être entendu que le substrat de masque, dans la présente invention, comprend une structure stratifiée ou à plusieurs couches sous la forme d'une combinaison d'au nmins deux des matières décrites ci-dessus alors que la couche d'absorption de rayons X est une couche simple ou unique. En se référant ensuite aux figures 5 A à 5 F, un premier mode de réalisation d'un masque de lithographie à rayons X, conforme à la présente invention, et un procédé de fabrication de celui-ci seront expliqués. Tout d'abord comme cela est représenté sur la figure 5 A, un substrat de masque 22, ayant une épaisseur d'environ 2 pim et en Si N, est formé sur la surface d'une pastille de silicium 21 Le substrat de masque 22 est susceptible de permettre la transmission de rayons X. Ensuite, comme cela est représenté sur la figure 5 B, une couche d'absorption de rayons X 23, qui est faite en un métal à haut point de fusion tel que le tantale Ta et qui a une faible contrainte interne, est déposée sur le substrat de masque 22 jusqu'à une épaisseur de l'ordre No de 8000 A au moyen d'un procédé pulvérisation cathodique à haute fréquence. Comme cela sera décrit en détail ci-après, il est préférable que la contrainte interne, dans cette couche de tantale Ta 23, soit réduite à moins de + 1 x 109 dyne/cm 2 Dans le but de cette réduction de la contrainte interne, il est préférable d'utiliser un appareil de pulv&- sation cathodique àhaute fréquence pourvu d'un moyen de commande ou de réglage de débit d'écoulement de gaz et d'une valve, vanne ou soupape de conductance pour commander ou régler la pression gazeuse dans le cas de la déposition de la couche de tantale Ta 23, comme cela sera décrit plus en détail ci-après. Après cela, comme cela est indiqué sur la figure C, une couche de resist 24, ayant une paisseur de 1 'ordre de 0,5 Fm, et en une matière polymère telle qu'un resist en p Olyfféthylvàthacrylate,est appliquée à la surface de la couche d'absorption de rayons X 23 par un procédé de revêtement rotatif ou centrifuge - Puis, un motif désiré est exposé à l'irradiation sur la couche de resist 24 en utilisant par exemple des rayons ultraviolets, des faisceaux d'électrons ou des faisceaux d'ions et la couche de resist exposée ou irradiée-24 est développée pour former un motif de resist 24 ' ayant un motif fin désiré, comme cela est indiqué - sur la figure 5 D Le motif de resist 24 ' sert d'absorbeur d'électrons. Ensuite comme cela est représenté sur la figure 5 E, un motif d'absorption de rayons X 23 ' en tantale Ta est formé à partir de la couche d'absorption de rayons X 23 par le procédé de gravure ou d'attaque par pulvérisation cathodique réactive en utilisant du C Br F 3 gazeux comme agent corrosif ou réactif d'attaque, le motif de resist 24 ' étant employé comme masque. Enfin comme cela est indiqué sur là figure 5 F, la plaquette ou-la pastille de silicium 21 est soumise à une attaque, de façon qu'un cadre de silicium 21 ' soit formé dans la périphérie de la pastille 21 Ainsi, un masque de litho- graphie à rayons X à motif fin désiré est fabriqué. Comme cela a été décrit ci-dessus, dans le procédé d'attaque ou de gravure par pulvérisation cathodique réactive uti- lisant du C Br F 3 gazeux, le motif de resist a été employé comme masque d'attaque ou de gravure mais il est à noter que, comme cela sera décrit en détail en se référant aux figures 6 A à 6 H, le motif de resist est d'abord utilisé, de sorte qu'une couche d'oxyde de silicium ou une couche de nitrure de silicium est gravée par le procédé d'attaque par pulvérisation cathodique réactive en utilisant du C 2 F 6 ou du CF 4 + H 2 comme agent corrosif ou réactif d'attaque et ensuite la couche d'absorption de rayons X en tantale Ta peut être formée, le motif fin de la couche d'oxyde de silicium ou de la couche de nitrure de silicium étant employé comme masque, de la même manière que celle décrite dans le mode de réalisation ci-dessus. Plus particulièrement comme cela est indiqué sur la figure 6 A, le substrat de masque 22 est formé sur la surface de la pastille de silicium 21 et la couche d'absorption de rayons X 23 en tantale Ta est formée sur le substrat de masque 22 comme cela est représenté sur la figure 6 B, d'une manière sensiblement semblable à celle décrite ci-dessus en se référant à la figure 5 B. Puis, comme cela est indiqué sur la figure 6 C, une couche de masque de gravure 25, ayant une épaisseur de l'ordre par exemple de 2000 A et faite en silice Si O 2, est formée par un procédé classique approprié sur la surface de la couche d'absorption de rayons X 23 La couche de masque de gravure 25 en silice Si O 2 sert de couche d'absorption d'électrons. Ensuite, comme cela est indiqué sur la figure 6 D, une couche de resist 26 est formée sur la surface de la couche de masque de gravure 25 puis un motif désiré est exposé à l'irradiation sur la surface de la couche de resist 26 et la couche de resist 26 exposée ou irradiée est développée, de sorte qu'un motif de resist 26 ', ayant un motif désiré, est formé comme cela est indiqué sur la figure 6 E. Ensuite, un procédé d'attaque ou de gravure par pulvé- risation cathodique réactive est exécuté en utilisant du C 2 F 6 ou du CF 4 + H 2 gazeux, le motif de resist 26 ' étant utilisé comme masque, de sorte qu'un motif de masque de gravure 25 ', ayant un motif fin en silice Si O 2, est formé comme cela est représenté sur la figure 6 F Le motif de masque de gravure 25 ' sert de couche d'absorption d'électrons. Ensuite, comme cela est représenté sur la figure 6 G, le motif de resist 26 ' est éliminé du motif de masque de gravure 25 ', si cela est nécessaire, et le procédé d'attaque ou de gravure par pulvérisationcathodique réactive est exécuté en employant du C Br F 3 gazeux, de sorte qu'un motif d'absorption de rayons X 23 ', ayant un motif fin désiré en tantale Ta, est formé. Enfin, comme cela est indiqué sur la-figure 6 H, la pastille de silicium 21 est attaquée ou gravée de façon que le cadre 21 ' subsiste dans la périphérie de la pastille 21 Ainsi, un masque de lithographie à rayons X avec un motif fin désiré est fabriqué. Un motif positif peut être transformé en un motif négatif comme cela sera décrit en se reportant aux figures 7 A à 7 J Tout d'abord, le substrat de masque 22 est formé sur la surface de la pastille de silicium 21 comme cela est indiqué sur la figure 7 A, d'une manière sensiblement semblable à celle décrite ci-dessus en se référant à la figure 5 A Puis, comme cela est indiqué sur la figure 7 D, la couche d'absorption de rayons X 23 en tantale Ta est formée sur le substrat de masque 22, d'une manière sensiblement semblable à celle décrite ci-dessus en se reportant à la figure 5 B. Puis comme cela est indiqué sur la figure 7 C, une couche de masque de gravure 27, ayant une épaisseur d'environ 0,8 à 1,y O m P, est formée sur la surface de la couche d'absorption de rayons X 23 par un procédé classique approprié La couche de masque de gravure 27 peut être faite en une matière polymère telle que du polyimide qui a une résistance suffisante au procédé de gravure ou d' attaque par pulvérisation catbodique réactive qui sera décrit-ci après La couche de masque 27 sera modelée ou façonnée en motif ultérieurement et la couche de masque de gravure modelée ou à motif façonné sert de motif d'absorption d'électrons. Ensuite, comme cela est indiqué sur la figure 7 D, une couche de resist 28 est formée sur la surface de la couche de masque de gravure 27 Puis, un motif fin désiré est exposé à l'irradiation sur la couche de resist 28 et la couche de resist exposée 28 est développée, de sorte qu'un motif de resist 28 ', ayant un motif désiré, est formé à partir de la couche de resist 28 comme cela est indiqué sur la figure 7 E. Après cela, comme cela est représenté sur la figure 7 F, du métal, tel que du titane Ti ou du chrome Cr, est déposé,,par évaporation ou par métallisation sous vide, sur le motif de resist 28 ' et sur les zones exposées de la couche de masque de gravure 27, de sorte qu'une couche de métal 29 a et une couche de métal 29 b, ayant une épaisseur de l'ordre de 500 A, sont formées respectivement sur la région o le motif de resist 28 ' n'est pas formé et sur le motif de resist 28 '. Ensuite, le motif de resist 28 ' et la couche de métal 29 b sur celui-ci sont éliminés en dissolvant ou en décollant le motif de resist 28 ' de la couche de masque de gravure 27 Il en résulte qu'un motif fin 29 a en titane Ti ou en chrome Cr est formé, comme cela est indiqué sur la figure 7 G. Après cela, le procédé d'attaque ou de gravure par pulvéri- sation cathodique réactive est exécuté dans une atmosphère d'oxygène 02 en utilisant le motif métallique 29 a comme masque, de sorte qu'un motif de masque de gravure 27 ', fait en une matière polymère et ayant un motif désiré en ayant une épaisseur de l'ordre de 0,8 à 1,0 pm, est obtenu. Ensuite comme cela est indiqué sur la figure 7 I, la couche d'absorption de rayons X 23 est attaquée par le procédé d'attaque ou de gravurepulvérisation cathodique réactive en utilisant du C Br F 3 gazeux comme agent corrosif ou réactif d'attaque, la plaque métallique 29 A et le motif de masque de gravure 27 ' étant utiliséscomme masque. Il en résulte que le motif d'absorption de rayons X 23 ' en tantale Ta, ayant le motif fin désiré, est formé Si le motif 23 ', tel que représenté sur la figure 5 F, est positif, le motif 23 ' est alors négatif et vice versa. En variante, le procédé d'attaque ou de gravure par pulvérisation cathodique réactive peut être exécuté après -l 'éliminatiçn du motif métallique 29. Enfin comme cela est indiqué sur la figure 7 J, la pastille de silicium 21 est attaquée, de façon qu'un cadre 21 ' soit formé dans la périphérie de la pastille 21. Ainsi, le masque de lithographie à rayons X,avec le motif fin désiré, est fabriqué. Afin de former une couche d'absorption de rayons X 23, faite en une matière à-haut point de fusion telle que du tantale Ta ou du tungstène W, sous la forme d'une couche simple ou unique dans la présente invention, il est essentiellement nécessaire de réduire ou de supprimer la contrainte interne dans la couche absorbante en tantale Ta ou en tungstène W Ceci sera décrit en se référant à la formation de la couche 23 en tantale Ta, ayant une faible contrainte interne, sur le substrat de masque à rayons X 22 fait par exemple en nitrure de silicium Si N. La figure 8 A représente un mode de réalisation d'un appareil de pulvérisation cathodique pour déposer une couche de tantale Sa dans la présente invention Le chiffre de référence 1-01 désigne une chambre à vide; le repère 102 désigne une vanne principale pour commander ou régler la mise sous vide de la chambre à vide 101; et le chiffre de référence 103 désigne une vanne à conductance variable pour contrôler ou régler la pression d'un gaz rare dans la chambre à vide 101 A l'intérieur de la chambre à vide 101 sont disposées une cible 104 en tantale Ta et une table ou plate-forme à échantillon 105 Une puissance à haute fréquence est fournie à la cible 104 en tantale Ta en provenance d'une source d'alimentation de puissance à haute fréquence 106 La pastille de silicium 21, en tant qu'échantillon ayant le substrat de masque 22, est disposé par l'intermédiaire d'une plaque isolante 107 sur la pastille de silicium 21 Il est à noter qu'à la fois la chambre à vide 101 et la table ou plate- forme à échantillon 105 sont mises à la masse ou terre. Il est préférable que le substrat de masque 22 en soit ait son potentiel rendu électriquement flottant par rapport au potentiel de la masse ou terre ou qu'une tension électrique de polarisation prédéterminée, par exemple une tension de polarisation de courant électrique continu dans un domaine allant de -10 à -20 V, soit appliquée au substrat demasse 22. En se référant toujours à la figure 8 A, le chiffre de référence 108 désigne un système de mise sous vide communiquant avec les vannes 102 et 103, de sorte que des gaz d'échappement, provenant de la chambre à vide 101 à travers les vannes respectives 102 et 103, sont réunis pour être évacués Le chiffre de référence 109 désigne une entrée pour introduire un gaz rare tel que le xénon Xe, l'argon Ax ou le krypton Kr dans la chambre à vide 101 par l'intermédiaire d'un système de contrôle ou-de réglage de débit d'écoulement de gaz 110; et le-repère 111 désigne un instrument formant vacuomètre ou déprimomètre pour mesurer le degré de vide dans la chambre à vide 101. Afin de former la couche de tantale Ta, l'échan- tillon, c'est-à-dire la pastille 21 avec le substrat de masque 22 sur celle-ci, est monté sur la table ou plate- forme à échantillon 105 avec interposition de la plaque isolante 107, dans la chambre à vide 101 Ensuite, la chambre à vide 101 est mise sous vide à travers la vanne principale 102 par le système de mise sous vide 108, de façon que le degré de vide, dans la chambre à vide 101, soit sensiblement supérieur à 5 x 10 torr. Ensuite, un gaz rare est introduit à travers l'entrée 109 dans la chambre à vide 101 La quantité de gaz rare introduite est réglée, par le système de réglage de débit diécoulement de gaz 110, à un débit d'écoulement prédéterminé (par exemple de 7 à 10 cm 3/mn). La pression, dans la chambre à vide 101, est contrôlée ou surveillée par le vacuomètre ou déprimomètre 111, de façon à vérifier que la pression, dans la chambre à vide 101, est bien à un niveau prédéterminé Dans ces conditions, la vanne principale 102 est fermée et la vanne variable 103 est commandée ou réglée de telle manière que la pression, dans la chambre à vide 101, soit déterminée à une pression fixée ou de réglage avec une tolérance de 1/1000 torr. Dans ces conditions, la source de puissance à haute fréquence 106 est alimentée en énergie ou excitée, de sorte que la cible 104 en tantale Ta est pulvérisée. La puissance à haute fréquence, fournie par la source d'alimentation de puissance à haute fréquence 106, est commandée ou réglée de façon que le potentiel, à la surface du substrat de masque 22, soit maintenu entre -10 et -20 V. La figure 9 illustre la corrélation entre la pression de xénon gazeux, dont le débit d'écoulement est maintenu constamment à 7 cm 3/mn, et la contrainte interne, dans le cas o la pression, dans la chambre à vide 101, est fixée à une valeur -de l'ordre de 10-2 torr avec une tolérance de 1/1000 torr et une puissance à haute fréquence de 700 W est fournie à la cible 104 en tantale Ta, de sorte que la couche 23 en tantale Ta, ayant une paisseur de 0,5 à 0,65 pm, est déposée sur la surface du substrat de masque 22 en nitrure de silicium Si N. Comme cela ressort clairement de la figure 9, la contrainte interne, dans la couche 23 de tantale Ta, varie dans un large domaine en réponse à la variation de la pression du xénon gazeux Lorsque la pression du xénon gazeux est de 0,02 torr, la contrainte interne, dans la couche 23 de tantale Ta, est une contrainte de compression et est de l'ordre de 4 x 109 dyne/cm 2 Par ailleurs, lorsque la pression du xénon gazeux est de 0,04 t orr, la contrainte interne, dans la couche 23 de tantale Ta, est une contrainte de traction et est de l'ordre de 3,8 x 109 dyne/cm 2. De cette manière, même un léger changement de la pression du xénon gazeux force la contrainte interne, dans la couche 23 de tantale Ta, à varier brusquement entre une contrainte de compression et une contrainte de traction Par conséquent, conformément à la présente invention, la pression de xénon gazeux est contrôlée ou réglée de façon précise au moyen du système de réglage de débit d'écoulement 110, de sorte que la couche de tantale Ta, ayant une faible contrainte interne dans le domaine de 11 x 109 dyne/cm 2, peut être'bbtenue. La dépendance de la contrainte interne de la pression d'un gaz rare varie en fonction de la nature du gaz rare utilisé Par exemple, quand de l'argon Ar est employé, la corrélation,telle que représentée sur la figure 10, est obtenue En outre, la dépendance de la contrainte interne de la pression d'un gaz rare peut aussi être contrôlée ou réglée en choisissant convenable- ment les facteurs de conception de l'appareil pulvérisation cathodique De plus,la dépendance de la contrainte interne de la pression de gaz rare varie aussi en changeant la nature de la matière de la cible pour passer du tantale Ta au tungstène W. Il est à noter que, si le potentiel de surface du substrat de masque 22 est inférieur à -20 V, la contrainte interne devient une contrainte de compression, indépendamment de la pression du gaz rare La grandeur de cette contrainte de compression est élevée D'autre part, si le potentiel de surface du substrat de masque 22 est supérieur à -10 V, la contrainte: interne devient une contrainte de traction, indépendamment de la pression du gaz rare La grandeur de cette contrainte de traction est élevée. En gardant l'exposé ci-dessus à-l'esprit, dans un exemple, du xénon gazeux fut introduit dans 1 'appareil de pulvérisation cathodique du type tel que représenté sur la figure 8 A Si la pression, dans la chambre à vide 101, a été réglée sensiblement à 10-2 torr avec une tolérance de 1/1000 torr et si le potentiel de surface du substrat a été réglé à un niveau situé dans le domaine allant de -10 à -20 V, la couche 23 de tantale Ta, ayant une faible contrainte interne, a été déposée sur le substrat de masque 22,. Une modification de l'appareil, de pulvérisation cathodique, représenté sur la figure 8 A, est indiquée sur la figure 8 B En se reportant à la figure 8 B, la pastille au plaquette de silicium 21 en tant qu'échantillon et un substrat de masque 22 sont fixement maintenus ou assujettis par serrage en position sur la table ou le plateau à échantillon 105 par un support de maintien de substrat 112 Le support de maintien de substrat 112 est connecté à une source d'alimentation de tension électrique de polarisation à courant électrique continu 113, de sorte qu'une tension électrique de polarisation de courant électrique continu de -10 à -20 V est appliquée au support de maintien de substrat 112 En utilisant cet appareil pulvérisation cathodique une couche de tantale Ta, avec une faible contrainte interne, fut obtenue. Comme cela a été décrit ci-dessus, conformément à la présente invention, la contrainte interne, dans la couche de tantale Ta, peut être réglée à toute valeur désirée Cela signifie qu'une couche de tantale Ta simple ou unique, avec une faible contrainte interne, pour une couche d'absorption de rayons X peut être réalisée. Quand le potentiel de surface du substrat de masque est maintenu à un niveau situé dans le domaine allant de -10 à 20 V, des ions, ayant des énergies de -10 à -20 V, sont projetés, à la façon d'un bombarde- ment, contre la surface de la couche de tantale Ta, de sorte que les énergies sont imparties aux atomes de tantale Ta par ce bombardement ionique avec de telles énergies Il en résulte que les atomes de tantale Ta peuvent se mouvoir librement par-dessus la surface de la couche déposée de tantale Cela signifie que la migration de surface est favorisée, de sorte que la croissance de grains de cristaux granulaires est facilitée. Par conséquent, la couche de tantale Ta, ayant une faible contrainte interne, est formée. Les figures 11 A et 11, les figures 12 A et 12 B et les figures 13 A et 13 B sont des micrographies électro- niques à balayage montrant respectivement les surfaces et sections transversales des couches de tantale Ta lorsque les contraintes internes, de compression et de traction, sont sensiblement nulles Afin de montrer clairement les morphologies, les surfaces et sections transversales sont attaquées avec une solution d'attaque pour observations de structure (Hcl: HN 03:H 2504 = 1:1:2,5, soit un mélange d'acides comprenant une partie d'acide chlorhydrique, une partie d'acide nitrique et 2,5 parties d'acide sulfurique). Les figures 11 A et 11 B représentent les micro- graphies de la couche de tantale Ta dont la contrainte interne est sensiblement nulle Les figures 12 A et 12 B représentent les micrographies quand la contrainte interne est une contrainte de compression et est de l'ordre de 4 x 109 dyne/cm La figure 13 A et la figure 13 B sont des micrographies quand la contrainte interne est une contrainte de traction et est de l'ordre de 3 x 109 dyne/cm. Quand la contrainte interne est sensiblement nulle, telle que représentée sur les figures 11 A et 11 B, il est reconnu que la surface de la couche de tantale Ta comporte des irrégularités, c'est-à-dire des crêtes et des vallées ou creux avec une période ou un pas de l'ordre de 0,5 pm La section transversale de la structure présente des grains de cristaux granulaires relativement gros. Comme cela ressort clairement des figures 12 A et 12 B et des figures 13 A et 13 B, quand la couche de tantale Ta a une contrainte interne de compression ou de traction, les surfaces présentent des grains cristallins de l'ordre de 0,1 pm et les sections transversales présentent des grains en colonnes qui sont particuliers à un métal à haut point de fusion A partir de ces micrographies, on voit que les grains en colonnes sont aussi réalisés sur les surfaces représentées sur les figures 12 B et 13 B. Les figures 14 A, 14 B et 14 C représentent graphique- ment des intensités normalisées de diffraction aux rayons X lorsqu'on fait varier la pression de xénon tout en appliquant la puissance à haute fréquence constante de 700 W à la cible 104 L'intervalle d'espacement ou la distance d'écartement d (en A&) des plans de réseaux cristallins est porté le long des abscisses tandis qu'une intensité normalisée de diffraction aux rayons X est portée le long des ordonnées Quand les pressions du xénon gazeux étaient respectivement de 1,35 x 10 i 2 torr, 3, 05 x 2 torr et 4,40 x 10-2 torr, les contraintes internes dans les couches de tantale étaient de 8,4 x 109 dyne/cmê (compression),0,31 x 109 dyne/cm 2 (compression) et 6,1 x 109 dyne/cm 2 (traction). Comme cela ressort clairement de la figure 14 A, lorsqu'une contrainte de compression élevée ( 8,4 x 109 dyne/ cm 2) existe dans la couche de tantale Ta, il existe le plan ( 110) de tantale Ta parallèle à la surface du substrat de masque D'autre part, quand une contrainte de traction élevée existe dans la couche de tantale Ta, il existe le plan ( 211) de tantale Ta parallèle à la surface du substrat de masque Quand la contrainte interne est élevée, qu'elle soit une contrainte de compression ou de traction, des grains en colonnes, avec un haut degré d'orientation, croissent dans la couche de tantale Ta. Par ailleurs, lorsque la contrainte interne est faible (par-exemple de 0, 31 x 109 * dyne/cm 2), les deux plans ( 211) et ( 110) de tantale Ta coexistent à la fois et sont parallèles à la surface du substrat de masque comme cela est indiqué sur la figure 14 B C'est-à-dire que le fait, que des grains de cristaux granulaires soient en cours de croissance alors que la croissance de grains en colonnes a été supprimée, signifie la formation d'une couche de tantale Ta dans laquelle coexistent des plans ( 211) et ( 110). Les inventeurs ont observé le fait qu'il est très important de supprimer la croissance de grains en colonnes afin de réduire ou de supprimer la contrainte interne dans la déposition de la couche de tantale Ta Il est spécialement avantageux de supprimer la croissance de grains en colonnes au stade initial de la croissance de la couche de tantale Ta sur le substrat de masque afin de réduire ou de supprimer la contrainte interne dans la couche de tantale Ta Par ailleurs, aucun effet défavo- rable ou nuisible n'est observé lorsqu'on fait croître des grains en colonnes jusqu'à un certain degré sur les grains de cristaux granulaires Comme cela a été décrit ci-dessus, dans la présente invention, la couche absorbante en tantale Ta est formée sous la forme d'une couche simple ou unique tout en contrôlant la croissance de grains cristallins granulaires, de sorte que la couche * absorbante en tantale Ta -a une faible contrainte interne. La figure 15 illustre la corrélation entre la teneur en oxygène 02 (en %) dans la couche de tantale Ta et la vitesse d'attaque (en A//mn) lorsque la couche de tantale Ta est attaquée par la méthode d'attaque par pulvérisa- tion cathodique réactive en utilisant du C Br F 3 gazeux comme agent corrosif ou réactif d'attaque Ici, la puissance à haute fréquence est réglée ou fixée à 100 W alors que la pression du C Br F 3 est fixée ou réglée à 0,03 torr. Le tantale est susceptible de devenir des oxydes, des nitrures ou des carbures Cependant, si la teneur en oxygène est inférieure à 10 atomes % cela est indiqué sur la figure 15, les caractéristiques d'attaque de la couche de tantale Ta ne sont pas affectées défavorablement. La même chose est également vraie lorsque la couche de tantale Ta contient d'autres impuretés telles que de l'azote, du carbone ou analogue Il s'ensuit par consé- quent qu'afin d'obtenir une vitesse d'attaque élevée, il est préférable de déterminer la concentration en impuretés telles que l'oxygène 02 de façon qu'elle soit inférieure à environ 10 atomes %. Comme cela a été décrit ci-dessus, conformément à la présente invention, les conditions de déposition d'une couche de tantale Ta sont contrôlées ou réglées de façon à provoquer la croissance de grains de cristaux granulaires et,-en conséquence, la-contrainte interne dans la couche de tantale Ta est réduite ou supprimée. En outre, si cela est nécessaire, les teneurs en impuretés telles que l'oxygène, l'azote, le carbone ou analogues, peuvent être contrôlées ou réglées Ensuite, la couche de tantale Ta ainsi obtenue peut être utilisée comme couche d'absorption de rayons X. En variante, une couche de tungstène W, également formée par un procédé d'attaque par pulvérisation cathodique réactiî en utilisant du C Br F 3 gazeux comme agent corrosif ou réactif d'attaque, peut avantageusement être employée comme absorbeur de rayons X, au lieu de la couche de tantale Ta. Comme on le voit d'après les figures 1 A, 1 B et 1 C, afin d'atteindre un contraste de masque supérieur à 10 d B, il est suffit que l'épaisseur de la couche d'absorption de rayons X soit sensiblement supérieure à 0,8 pm - Comme-cela a été décrit ci-dessus, conformément à la présente invention, le procédé d'attaque par pulvérisation cathodique réactive est employé dans les principales opéra- tions au cours de la fabrication de masques après la formation d'une couche Par conséquent, en comparaison avec le procédé de la technique antérieure pour l'attaque ou la gravure ionique d'or-Au, la sélectivité d'attaque peut être rendue plus grande, des écarts de déviation d'une dimension ou grandeur de motif, dus à un retardement de masque, peuvent être réduits à une valeur minimale et la matière, enlevée par attaque, est évacuée sous forme d'un gaz volatile, de sorte que la redéposition de la matière enlevée par attaque est évitée De cette manière, un motif fin peut facilement être formé. Il en résulte qu'un motif submicronique d'absorbeur de rayons X en tantale, ayant un rapport d'allongement élevé, une largeur de motif de 0, 4 pm et une épaisseur de motif de 0,8 ym, est formé avec un haut degré de précision ou d'exactitude dimensionnelle et avec un profil abrupt, c'està-dire avec une paroi latérale verticale du motif. A titre de comparaison, la figure 16 A montre une micrographie électronique à balayage d'un motif d'absorbeur de rayons X en or Au de la technique antérieure obtenu en formant d'abord un motif de resist en utilisant un masque pour exposition profonde à des radiations ultraviolettes et ensuite-par attaque ionique, tandis que la figure 16 B montre une micrographie électronique à balayage du motif d'absorbeur de rayons X en tantale Ta dans la présente invention Les deux couches absorbantes respectivement en or Au et en tantale Ta ont 0,8 pm d'épaisseur Les motifs sont des motifs à lignes et à espaces avec un pas de 1 pm Dans le cas du motif d'absorbeur en or Au de la technique antérieure, l'angle d'inclinaison des parois latérales est d'environ 750, de sorte que les motifs ne sont pas résolus Cela signifie que le procédé, de la technique antérieure, d'attaque ionique de l'or n'est pas avantageusement adapté pour former un motif fin avec un pas inférieur à 0, 5 pm, tel que représenté sur la figure 16 A Par ailleurs, le motif d'absorbeur de rayons X en tantale Ta, tel que' représenté sur la figure 16 Ba des parois latérales verticales abruptes Par conséquent, la présente inven- tion peut créer un abs Qrbeur en tantale Ta présentant un motif submicronique ou de dimensions inférieures au micron avec un degré plus élevé de précision ou d'exacti- tude dimensionnelle. Dans le procédé d'attaque ionique de la technique antérieure, une couche d'absorption de rayons X en or Au nécessite la réalisation de la couche de revêtement sous-jacente 3 sur celle-ci, telle que déjà représentée sur la figure 2 A, afin d'obtenir le degré désiré d'adhésion Dans le procédé de la technique antérieure de fabrication d'un masque de lithographie à rayons X, il est usuel que des marques ou repères d'alignement soient formés sur la couche de revêtement sous-jacente 3. Cependant, la couche de revêtement sous-jacente est extrêmement mince, de sorte que les qualités de la couche de revêtement sous-jacente varient dans un large domaine. De plus, à cause de la réaction entre le titane Ti comme couche de revêtement sous-jacente et l'or Au comme couche absorbante, la réflectivité est susceptible de varier. Il en résulte que les qualités des marques ou repères d'alignement sont dégradées ou détériorées, de sorte que des désalignements ou défauts d'alignement se produisent fréquemment dans le cas de l'alignement automatique. Par ailleurs, conformément à la présente invention, une telle couche de revêtement sous-jacente,pour contri- buer à une bonne adhésion,n'est pas nécessaire Cela signifie qu'il suffit que seule une couche de tantale Ta simple ou unique soit formée, de sorte que les qualités des marques ou repères d'alignement, à former sur la couche de tantale Ta, sont stabilisées Il en résulte que l'alignement automatique peut être accompli efficace- ment De plus, les opérations de formation d'un masque à rayons X dans la présente invention sont toutes des opérations de procédé par voie sèche, de sorte que la présente invention peut également être appliquée à un substrat de masque utilisant une matière polymère telle qu'un polyimide qui a une résistance médiocre à des produits chimiques. Comme cela est représenté sur les figures 6 A à 6 H et sur les figures 7 A à 7 J, dans le cas d'un absorbeur ayant une structure à double couche consistant en une couche de nitrure de silicium ou d'oxyde de silicium et en une couche absorbante en tantale Ta ou consistant en une couche de polymère et en une couche absorbante de tantale Ta, la couche de nitrure de silicium, la couche d'oxyde de silicium ou la couche de polymère absorbe des électrons d'Auger et des photo-électrons ou électrons photoélectriques émis par la couche de tantale Ta, de sorte qu'un certain degré de constraste de masque peut être efficacement réfléchi. Conformément à la présente invention, les effets avantageux suivants sont obtenus. (I) Une couche de tantale Ta, à faible contrainte interne, est formée, de sorte que la couche de tantale Ta est amenée à fortement adhérer à un substrat de masque sans séparation de la couche de tantale Ta du substrat de masse En outre, les déflections et déformations ou distorsions du substrat de masque sont négligeables. (II) Comme le tantale Ta est employé comme absor- beur de rayons X, un procédé d'attaque par pulvérisation cathodique réactive peut être employé afin de former un motif fin. Le procédé d'attaque par pulvérisationcathodique réactive n'a aucun effet défavorable ou nuisible tel qu'un fouillement ou sape ou dépouille et redéposition, de sorte qu'un motif fin avec un haut degré de précision ou d'exactitude dimensionnelle et Les parois latérales verticales abruptes peut être formé. (III) Alors qu'un absorbeur de rayons X classique en or Au a une grandeur ou dimension de motif supérieure à 1 pm, des absorbeurs en tantale Ta, fabriqués confor- mément à la présente invention, ont une grandeur ou dimension de motif inférieure à 1 pim et même inférieure à 0,2 pjm. (IV) Alors qu'un absorbeur en or Au de la technique antérieure nécessite une couche de revêtement sous-jacente telle que décrite ci-dessus afin d'assurer l'adhésion, une telle couche de revêtement sous-jacente peut être supprimée conformément à la présente invention, de sorte que la qualité de marques ou repères d'aligne- ment est améliorée. (V) Toutes les opérations sont des opérations de procédé par voie sèche, de sorte que même un substrat de masque en polymère, fait d'une matière polymère telle qu'un polyimide qui a une résistance chimique médiocre, peut être utilisé. (VI) En comparaison avec un absorbeur de rayons X en or Au, un ab-sorbeur de rayons X en tantale Ta est bon marché et par conséquent économiquement avantageux. R E V E N D I C A T I O N S 1. Produit formant masque de lithographie à rayons X, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat de masque ( 11, 22) et une couche d'absorption de rayons X ( 15, 23) sous la forme d'une couche simple ou unique d'un métal à haut point de fusion, au moins une portion de ladite couche simple ou unique, du côté dudit substrat de masque, Consistant en des grains cristallins granu- laires et ladite couche d'absorption de rayons X ayant un motif désiré. 2. Produit selon la revendication 1, caractérisé en ce que toute la couche simple ou unique précitée ( 15, 23) consiste en des grains cristallins granulaires du métal précité à haut point de fusion. 3 Produit selon la revendication 2, caractérisé en ce que des plans ( 211) et ( 110) du métal précité à haut point de fusion coexistent dans la couche simple ou unique précitée ( 15, 23) sont parallèles à la surface du substrat de masque ( 11, 22) précité. 4. Produit selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une couche d'absorption d'électrons ( 14) est formée sur la couche d'absorption de rayons X ( 15) précitée. 5. Produit selon l'une des revendications précé- dentes, caractérisé en ce que le métal précité à haut point de fusion est du tantale ou du tungstène. 6 Produit selon l'une des revendications précé- dentes, caractérisé en ce que la couche précitée d'absorp- tion d'électrons ( 14) consiste en de l'oxyde de silicium, en du nitrure de silicium ou en un polymère. 7. Produit selon l'une des revendications précé- dentes, caractérisé en ce que le substrat de masque ( 11) précité consite en une substance choisie dans le groupe comprenant le Si N,Si 3 N 4, Si C, BN, polyimide, Mylar et une combinaison de ceux-ci. 8. Procédé de fabrication d'un masque de litho- graphie à rayons X selon l'une des revendications précé- dentes, caractérisé en ce qu'il comprend: une première opération consistant à placer un échantillon ( 21), ayant un substrat de masque ( 22) à rayons X, sur une table ou un plateau à échantillon ( 105) dans unappareil de pulvérisation cathodique ayant des moyens ( 110) pour régler le débit d'écoulement d'un gaz rare contenu dans ledit appareil de pulvérisation catho- dique et des moyens ( 111) pour régler ou contrôler la pression gazeuse dudit gaz rare, de telle manière que ledit échantillon soit électriquement isolé du potentiel de la masse ou terre; une seconde opération consistant à former une couche ( 23) d'un métal à haut point de fusion sur ledit substrat de masque ( 22) à rayons X dans des conditions telles que le débit d'écoulement et la pression gazeuse dudit gaz rare soient maintenus à des valeurs prédétermi- nées; et une troisième opération consistant à former une couche d'absorption de rayons X avec un motif ( 23 ') prédé- terminé à partir dudit métal à haut point de fusion par attaque par pulvérisation cathodique réactive. 9 Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le métal précité à haut point de fusion est du tantale ou du tungstène. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la troisième opération précitée comprend: une première sous-opération de formation d'un motif de resist ( 24 ') sur la couche ( 23) précitée de tantale ou de tungstène à haut point de fusion; et une seconde sous-opération de formation de la couche précitée d'absorption de rayons X avec le motif désiré précité par l'attaque par pulvérisation cathodique réactive précitée en utilisant du C Br F 3 gazeux comme agent corrosif ou réactif d'attaque, ledit motif de resist étant utilisé comme masque. 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la troisième opération précitée comprend: une première sous-opération de formation d'une couche d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium sur la surface de la couche précitée de tantale ou de tungstène à haut point de fusion; une seconde sous-opération de formation d'un motif de resist ( 241) sur la surface de ladite couche d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium; une troisième sous-opération de formation d'une couche de motif en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium à partir de ladite couche d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium par attaque par pulvérisation cathodique réactive, ledit motif de resist étant utilisé comme masque; et une quatrième sous-opération de formation d'une couche d'absorption de rayons X avec le motif désiré précité par attaque par pulvérisation cathodique réactive en utilisant du C Br F 3 gazeux comme agent corrosif ou réactif d'attaque, ladite couche de motif en oxyde de sili- cium ou en nitrure de silicium étant utilisée comme masque. 12 Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la troisième opération comprend: une première sous-opération d'application d'une couche ( 24) d'un polymère, ayant un haut degré de résis- tance à l'attaque sèche, sur la surface de la couche ( 23) précitée, à un haut point de fusion, de tantale ou de tungstène; une seconde sousopération de formation d'un motif de resist ( 2 d) sur la surface de ladite couche de polymère ( 24); - une troisième sous-opération de déposition d'une couche de titane ou de chrome ( 29) sur ledit motif de resist ( 28 Â; une quatrième sousopération de formation d'un motif de titane ou de chrome ( 29 a) par un procédé de dé- collement-ou d'enlèvement; une cinquième sous-opération de formation d'un motif de polymère ( 27 ') par attaque par pulvérisation cathodique réactive dans une atmosphère d'oxygène, ledit motif de titane ou de chrome ( 29 a) étant utilisé comme masque'; et une sixième sous-opération de formation d'une couche ( 23) d'absorption de rayons X avec le motif désiré précité par attaque par pulvérisation cathodique réactive en utilisant du C Br F 3 gazeux comme agent corrosif ou réactif d'attaque, ledit motif de polymère ( 27 ') étant utilisé comme masque. 13 Procédé selon l'une des revendications 8 à 12, caractérisé en ce que le gaz rare précité est choisi dans le groupe comprenant le xénon, l'argon et le krypton. 14. Procédé selon l'une des revendications 8 à 13, caractérisé en ce que le débit d'écoulement de gaz rare précité et la pression gazeuse dans l'appareil-de pulvéri- sation cathodique précité sont contrôlés ou réglés de telle manière que la couche ( 15, 23) précitée de métal à haut point de fusion, formée par la seconde opération précitée, comprenne des-grains cristallins granulaires. 15 Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'au moins la surface de la couche ( 15, 23) précitée demètel à haut point de fusion, du côté du substrat ( 11, 22) de masque à rayons X précité, est formée sous forme de grains cristallins granulaires - 16 Procédé selon l'une des revendications 8 à 15, caractérisé en ce que, dans la première opération précitée,, l'échantillon ( 21) précité est à potentiel rendu électri- quement flottant par rapport au potentiel de la masse ou terre. 17 Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que la pression gazeuse précitée dans l'appareil de pulvérisation cathodique précité et une puissance à haute fréquence fournie audit appareil de pulvérisation dans - la seconde opération précitée sont contrôlées ou réglées de telle façon que la surface de l'échantillon précité ( 21) soit maintenue à un potentiel flottant dans un do- maine allant de -10 à -20 V. 18. Procédé selon l'une des revendications 8 à 15, caractérisé en ce qu'un potentiel de polarisation de courant électrique continu, dans un domaine allant de -10 à -20 V, est appliqué à l'échantillon ( 21) précité dans la première opération précitée.