Brevet FR2540289A1 — publié le 19840803

La présente invention concerne la fabrication de composants électroniques sous forme de plaquettes, pastilles et analogues et plus particulièrement mais pas exclusivement la fabrication de composants semi-conducteurs de cette forme. Dans la fabrication d'un composant semi-conducteur typique en forme de plaquette, la structure du composant est réalisée normalement sur le dessus ou face avant d'une épaisse plaquette de silicium par plusieurs phases de dopage, dépit et gravure, suivant les besoins. Avant que les contacts ne puissent etre établis sur la face avant de la plaquette dans la partie finale de la fabrication, du nitrure de silicium est déposé sur cette face avant pour passiver les jonctions du semi-conducteur dans la face avant et pour former des capacités sur le composant. Comme ce dépôt s'effectue en phase vapeur sous pression réduite, le nitrure de silicium diélectrique est dépose là où faut sur la face avant mais aussi sur le dessous, c'est-à-dire sur la face arrière de la plaquette, d'où il doit ensuite etre enlevé pour remettre à nu la surface conductrice sous-jacente. Cet enlèvement du nitrure de silicium de la face arrière de la plaquette s'effectue par une opération de polissage. Malheureusement, cette opération exige un grand nombre de manipulations supplémentaires (montage de la plaquette dans un support, polissage, nettoyage par ultrasons, gravure, démontage et nettoyage final) qui représentent une partie considérable du temps de production et augmentet les causes de détérioration de la face avant, ce qui diminue le rendement de la fabrication. L'invention vise a apporter un procédé permettant d'éviter ou au moins d'atténuer ces inconvénients. Selon l'invention, un procédé de fabrication d'un composant électronique, comprenant la formation du composant sur une première surface d'une plaquette, pastille ou support analogue, la formation d'une couche de passivation sur la plaquette et l'enlèvement de cette couche de passivation d'une seconde surface de plaquette opposée à la première, est caractérisé en ce que l'on enlève la couche de passivation par une gravure par plasma de la seconde surface de la plaquette. On comprendra aisément que cet enlèvement par plasma évite les nombreuses manipulations demandées par l'enlèvement classique par polissage de la couche de passivation de la face arrière et permet de réduire considérablement le temps de traitement. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement de la description qui va suivre d'un exemple de mise en oeuvre non limitatif, ainsi que du dessin annexé, sur lequel les figures 18 3 représentent schématiquement différentes phases du procédé de l'invention. Dans la fabrication d'un circuit intégré, dont la figure 1 représente seulement une partie, une plaquette de silicium est dopée de façon connue pour qu'elle forme un substrat 2 de type n. Dans le dessus ou face avant du substrat sont formées, par implantation ionique sélective par exemple, des régions 4 de silicium de type p, dont l'une seulement est représentée. Une région 6 de silicium de type n est formée, également par implantation ionique sélective par exemple, dans la région 4 de type p. La partie représentée du dispositif forme ainsi un transistor bipolaire n-p-n dont le collecteur est forme par le substrat 2 de type n, l'émetteur par la région 6 de type n et la base par la région 4 de type p. Avant que les contacts ne soient établis sur les différentes régions du dispositif, la face avant du dispositif, où sont exposées les jonctions entre les régions, est passivée, voir la figure 2, dans les zones qui ne sont pas nécessaires pour les connexions, par la formation d'une couche 8 de nitrure de silicium sur la face avant. Bien que cela ne soit pas représenté, le nitrure de silicium peut servir également de diélectrique pour une capacité formée entre la face avant et une électrode de contact appliquée par la suite. La couche 8 de nitrure de silicium est formée de la manière habituelle par dépôt en phase vapeur sous pression réduite, les zones de la face avant du dispositif devant servir pour les connexions étant masquées pendant ce dépôt. Cependant, ce processus de dépôt en phase vapeur forme également une couche 10 de nitrure de silicium sur le dessous ou la face arrière du substrat 2. Afin de mettre à nu la face arrière du substrat 2, pour que des contacts puissent entre établis avec elle, la couche 10 de nitrure de silicium est enlevée comme décrit ci-après. Le dispositif est exposé une atmosphère d'environ 8Z d'oxygène et environ 92% de tetrafluorure de carbone, à une température d'environ 700C et une pression d'environ 27 Pa, et la face arrière du substrat est attaquée au plasma pendant environ 30 min. La couche passivante 10 de nitrure de silicium est ainsi enlevée rapidement et efficacement, faisant gagner environ 1 h par rapport aux méthodes d'enlèvement conventionnelles. Après cette opération, le dispositif, comme repré- senté figure 3, présente les zones exposées désirées 12) 14 et 16 sur ses faces avant et arrière en vue de la réalisation des connexions avec la base, le collecteur respectivement l'émetteur. Dans les phases finales de fabrication du dispositif, des contacts (non représentés) sont réalisés par métallisation sur les zones 12, 14 et 16; le dispositif est ensuite encapsulé de façon connue. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un composant électronique, comprenant la formation du composant sur une première surface d'une plaquette (2), pastille ou support analogue, la formation d'une couche de passivation (8, 10) sur la plaquette et l'enlèvement de cette couche de passivation (10) d'une seconde surface de plaquette opposée la premiers, caractérisé en ce que l'on enlève la couche de passivation (10) par gravure par plasma de la seconde surface de la plaquette. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la plaquette (2) est une plaquette de silicium et la couche de passivation (8, 10) est une couche de nitrure de silicium. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'opération de gravure par plasma s'effectue dans une atmos phère contenant environ 8% d'oxygène et environ 92% de tétrafluorure de carbone une température d'environ 700C et une pression d'environ 27 Pa.