Brevet FR2524760A1 — publié le 19831007

PIECE DE MAINTIEN POUR SEMICONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE PUISSANCE A SEMICONDUCTEURS COMPORTANT UNE TELLE PIECE L'invention concerne une pièce de maintien pour semiconducteur et un dispositif de puissance à semiconducteurs comportant une telle pièce. La technologie actuelle permet l'usage des composants semiconducteurs dans les montages électriques de puissance. Ces composants électroniques: diodes, transistors, thyristors, ou autres, se présentent généralement sous la forme de pastilles de forme plate, fine et ronde. Il est connu dans l'art antérieur d'assurer le refroidissement de tels composants semiconducteurs au moyen de radiateurs massifs de même forme et plaqués contre eux. Lorsque du fait des courants électriques qui les traversent, la dissipation thermique des composants semiconducteurs devient importante, il est nécessaire d'augmenter le rendement des radiateurs en faisant passer, avec certaines précautions, un fluide réfrigérant sur ces radiateurs. On comprend aisément que les moyens mis en oeuvre pour faire travailler un composant semiconducteur dans des conditions de haute dissipation thermique, comprennent: des moyens de contact électrique, des moyens de maintien et de fixation et enfin des moyens de refroidissement. Quand le nombre des composants semiconducteurs nécessaires au fonctionnement d'une machine est important, les poids et les encombrements de ces moyens constituent une gêne, surtout dans les matériels embarqués à bord de mobiles: sous-marins, fusées ou avions par exemple. Enfin quand le fluide réfrigérant est lui-même refroidi par un milieu dont la température est élevée, la performance du dispositif de refroidissement est critique. Pour conserver une même efficacité à ce dispositif de refroidissement la vitesse de circulation du fluide réfrigérant doit être augmentée. L'évacuation des calories produites par le composant semiconducteur est ainsi à l'origine d'un travail de pompage supplémentaire. Ce pompage est un gros consommateur d'énergie. Ainsi en particulier, dans un avion, un alternateur, entraîné par un des moteurs, génère une puissance électrique alternative. Comme la vitesse des moteurs varie, la tension et la fréquence de cette puissance électrique varient. La commande des divers organes de l'avion, appareils de navigation et instruments de contrôle, nécessite de disposer de la puissance électrique sous une forme non erratique. En conséquence il est utile de disposer d'un onduleur ou d'un redresseur de puissance pour réguler cette puissance électrique alternative. Dans un exemple il est nécessaire de produire 240 kilowatts au moyen de six redresseurs capables de filtrer chacun 40 kilowatts. Chaque redresseur comporte généralement six composants semiconducteurs. Le dispositif entier comporte donc trente-six composants semiconducteurs.Chacun doit être capable de tolérer le passage d'une surintensité notable, 300 ampères environ, pendant une durée suffisante: 3 secondes. Sachant que la technologie actuelle propose l'usage des semiconducteurs au silicium la puissance dissipée par un des composants est, en première approximation: 100 W aux contraintes maximales. Ainsi chaque redresseur doit pouvoir dissiper six fois 100 watts soit 600 watts. Cette dissipation thermique est assurée dans l'art antérieur par le passage d'un fluide réfrigérant sur une plaque massive coiffant le composant semiconducteur et jouant le rôle de radiateur. Ce fluide réfrigérant est lui-même refroidi en passant à travers un échangeur situé à l'intérieur des réservoirs de carburant de l'avion. En fin de parcours de l'avion quand le contenu de ces réservoirs est réduit il est fréquent que la température froide du fluide réfrigérant atteigne 1 100C. On sait que la température au delà de laquelle le fonctionnement des semiconducteurs n'est plus assuré, est de 1250C environ. On mesure en conséquence toute la précarité des solutions assurant le fonctionnement de ces composants semiconducteurs.En effet d'une part l'écart de température disponible est faible, 150C dans ce cas, et nécessite donc une vitesse de circulation du fluide réfrigérant élevée, d'autre part le nombre des composants semiconducteurs conduit à réaliser un redresseur trop lourd et trop encombrant pour un matériel embarqué. L'invention a pour objet de résoudre ce problème en conjuguant trois fonctions en même temps: maintien d'un composant semiconducteur, connexion électrique sur ses électrodes, et refroidissement puissant. Elle propose de réaliser un dispositif intégré tel que ses différentes parties ne fassent plus qu'un et que tout l'ensemble du redresseur puisse tenir dans un volume restreint. L'invention consiste en une pièce de maintien et de connexion d'un composant semiconducteur assurant également son refroidissement, du type comportant un organe creux destiné à supporter un composant semiconducteur en forme de pastille et à être parcouru par un fluide réfrigérant isolant, caractérisée en ce qu'elle comprend un coeur ayant au moins d'un côté une face plane pour supporter le composant semiconducteur et établir au moins un premier contact avec celui-ci, et une tête saillant hors de la surface latérale du coeur et comportant un premier et un deuxième orifice d'entrée et de sortie du fluide refrigérant et un moyen de raccordement d'une connexion électrique; le coeur étant parcouru par un labyrinthe relié aux orifices d'entrée et de sortie et cheminant à proximité de la face plane. En d'autres termes, l'invention propose d'améliorer l'efficacité du transfert thermique du dispositif de refroidissement en augmentant les surfaces d'échange thermique entre le composant et le fluide refroidisseur. Le composant étant de dimensionS finies, ses surfaces d'échange sont limitées. L'invention a pour effet d'appliquer directement à chaque surface du composant semiconducteur à refroidir un bloc de métal creusé par un labyrinthe constituant un arrangement de galeries. Les parois de ces galeries se substituent avec profit à la surface du composant servant de surface d'échange dans l'art antérieur, et en constituent une multiplication. Pour le bon fonctionnement de l'invention toutes les parois des galeries sont au contact de la surface à refroidir.Le contact thermique est établi en comprimant fortement le refroidisseur sur le composant et en limitant l'épaisseur du fond du refroidisseur de manière à réduire l'impédance thermique qui en résulte. La cohésion du refroidisseur est assurée par sa structure. L'invention sera mieux comprise par la description suivante donnée à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les huit figures qui l'accôm- pagnent. Sur ces différentes figures les mêmes repères désignent les mêmes éléments, pour des raisons de clarté les cotes et proportions des divers éléments ne sont pas respectées. Ces figures représentent: - les figures 1A et 1B : une vue en perspective et une vue en coupe d'un composant semiconducteur auquel s'applique l'invention; - les figures 2A, 2B et 2C: une vue en perspective et deux vues en coupe du refroidisseur selon l'invention; - les figures 3A, 3B et 3C: un schéma électronique, un schéma fonctionnel et une vue en plan d'un redresseur de courant selon l'invention. Sur les figures 1 on distingue un composant semiconducteur d'une part vu en perspective, figure 1A, d'autre part vu en coupe figure IB. Ce composant représente un thyristor. L'invention s'applique bien entendu aussi aux diodes, aux transistors ou aux autres types de composants semiconducteurs. L'épaisseur de ce composant est d'environ 2 mm, l'épaisseur de la couche 6 de matériau semiconducteur en silicium est d'environ 100 microns. Les électrodes 1, 2 et 3, obtenues généralement par vaporisation d'aluminium, ont une épaisseur voisine de la dizaine de microns. Le diamètre de ce composant est d'environ 25 mm. La forme arrondie de ce composant est une forme préférée de l'invention mais cette dernière trouverait son application même si celle-ci ne l'était pas. Sur ce composant on distingue, sur une première face, une première électrode 1 en forme de couronne disposée concentriquement au composant. La largeur de cette couronne est telle qu'elle occupe une proportion notable de la surface du composant, environ 60%. Cette électrode 1 est l'électrode de source de ce thyristor et a pour vocation d'injecter les porteurs de charge à travers la couche de semiconducteur au silicium 6. On distingue également sur cette première face une deuxième électrode 2 également en forme de couronne disposée concentriquement à l'intérieur de la première électrode. Cette deuxième électrode 2 n'est pas en contact avec la première électrode I mais en est séparée par un espace régulier de 0,2 mm de largeur environ. Cette électrode 2 est, selon l'art connu, l'électrode de garde du thyristor. Enfin on distingue sur cette première face du composant une troisième électrode en forme de rond et située à l'intérieur de la deuxième électrode 2. Cette troisième électrode 3 n'est pas au contact de la deuxième électrode 2 mais en est séparée par un espace régulier de 0,2 mm de largeur environ, cette troisième électrode 3 est l'électrode de gâchette du thyristor dont on sait qu'elle a le rôle d'autoriser le passage du courant à travers la couche de semiconducteur au silicium 6. Les diamètres extérieurs des premières 1, deuxièmes 2 et troisièmes 3 électrodes sont respectivement 18 mm, 4 mm et 1 mm. La troisième électrode 3 est déposée sur la zone diffusée de gâchette 7. Cette zone constitue, selon l'art connu, une zone dopée de telle façon que, soumise à un potentiel adéquat, elle amorce un phénomène d'avalanche de conduction du thyristor entre la première électrode 1 de source et une quatrième électrode 4 dite de drain. Cette quatrième électrode 4 est disposée sur la deuxième face du composant semiconducteur, opposée à celle sur laquelle sont déposées les trois premières électrodes. Cette quatrième électrode 4 est épaisse, son épaisseur, d'environ 1,8 mm, a pour but de conférer une bonne tenue mécanique au composant semiconducteur. Le diamètre de cette quatrième électrode 4 est le même que celui du composant soit environ 25 mm. Enfin cette quatrième électrode 4, généralement en aluminium, est fixée sur la couche 6 de semiconducteur monocristallin au silicium. La partie de la première face du composant, située à la périphérie de la première électrode I, est recouverte d'une fine pellicule de polyphenylsulfure 5 dont le rôle est d'assurer une barrière antipollution entre le milieu extérieur et la couche de semiconducteur 6. Les figures 2 représentent une pièce formant refroidisseur et faisant partie du dispositif selon l'invention. Ce refroidisseur 20 est constitué de deux parties. La première est le coeur 17 du refroidissement et la seconde est la tête 18 du refroidisseur. On remarque la forme circulaire des faces du coeur 17 du refroidisseur sur lesquelles, dans l'invention, sont plaqués les composants semiconducteurs circulaires précédemment décrits. La forme circulaire du coeur 17 du refroidisseur en est une forme préférée mais non restrictive de l'invention. Ce refroidisseur 20 est en un matériau conducteur de l'électricité, en particulier il est en aluminium. Ce refroidisseur 20 est creux car il comporte un labyrinthe destiné à laisser circuler un fluide réfrigérant entre un orifice d'arrivée 11 et un orifice de sortie 12 de fluide.La réalisation de ce refroidisseur est obtenue en réalisant deux demi-refroidisseurs, assemblés ensuite par un procédé connu de "soudure au bain de sel". La figure ZB montre une perspective d'une coupe du refroidisseur 20 selon le plan de coupe AA. En fait la pièce représentée sur la figure 2B est une vue en perspective d'un demirefroidisseur avec ses différents reliefs. Ce demi-refroidisseur est destiné à être soudé à un autre demi-refroidisseur de forme identique pour que l'association des différents reliefs -constitue les différentes cavités du refroidisseur 20. Ces reliefs peuvent être obtenus par moulage ou par tout autre technique. Dans une réalisation préférée de l'invention ces reliefs sont obtenus par usinage mécanique au moyen d'une fraise.On distingue sur ces demi-refroidisseurs des pions de réglage 37 dont le rôle est d'assurer un bon ajustage lors de l'opération de soudure. D'une manière plus précise sur la figure 2A on distingue la face circulaire extérieure 10 du coeur 17 du refroidisseur. Le diamètre de cette face circulaire 10 est d'environ 20 mm. Elle est constituée d'une partie plane 101 circulaire, située à l'intérieur d'une partie chanfreinée 102. La partie plane 101 a un diamètre de 16 mm environ. On remarque que cette valeur est compatible avec la valeur du diamètre de la première électrode 1 d'un composant semiconducteur sur laquelle ce refroidisseur pourrait être plaqué. La partie chanfreinée 102 forme un dégagement pour séparer le coeur 17 du refroidisseur avec la partie du composant semiconducteur débordant de la partie plane 101 et recouverte de la couronne de polyphenyl-sulfure 5 .Dans le même esprit, un gradin circulaire 103 et un trou de gâchette 8 constituent des renfoncements destinés à isoler électriquement le refroidisseur et les deuxième 2 et troisième 3 électrodes d'un composant semiconducteur qui viendrait à être plaqué contre le refroidisseur 20. En effet le diamètre extérieur du gradin circulaire 103 est d'environ 7 mm, ce qui est bien supérieur aux 4 mm de diamètre extérieur de l'anneau de garde 2 d'un composant semiconducteur. Ces derniers usinages 102, 103 et 8 ne sont pas en eux-mêmes limitatifs de l'invention puisque, quand le coeur 17 du refroidisseur est plaqué sur la quatrième électrode 4 d'un composant semiconducteur, ils ne sont pas pratiqués dans la face 10 du coeur 17 du refroidisseur. En effet, cette dernière électrode 4 étant plus grande que le coeur 17 du refroidisseur, il n'est pas nécessaire de pratiquer des découpes dans celuici. On remarquera seulement que l'assemblage des différents refroidisseurs et des composants semiconducteurs doit être guidé par des moyens de centrage. Ces moyens de centrage seront décrits ultérieurement. Le trou de gâchette 8, d'un diamètre de 4,5 mm environ, a pour rôle de contenir un dispositif élastique qui s'appuie sur le fond du trou de gâchette 8 et exerce une poussée vers l'extérieur de ce trou. Une rigole de gâchette 9 mène du trou de gâchette 8, situé au centre du coeur 17 du refroidisseur, à l'extrémité du coeur 17 du refroidisseur. Les dimensions de cette rigole 9 sont: largeur 1,2 mm environ et profondeur 2,7 mm environ. Un fil conducteur, entouré d'une gaine isolante, est disposé dans cette rigole de gâchette 9. L'extrémité de ce fil aboutissant au trou de gâchette 8 est dénudée; soumise à l'action du dispositif élastique elle est amenée au contact de l'électrode de gâchette 3 d'un composant semiconducteur dont la première face est plaquée contre la face 10 du coeur 17 du refroidisseur. Ce dispositif élastique fera l'objet d'une description ultérieure. La tête 18 du refroidisseur comporte un dispositif de connexion électrique 19, constitué préférentiellement par un taraudage exécuté dans une partie massive de la tête du refroidisseur. Elle comporte également les orifices de sortie 12 et d'entrée 11 (non visible) du fluide réfrigérant. Le diamètre de ces orifices est de 4,5 mm environ au fond de l'orifice. Ces orifices ont une forme légèrement conique de manière à ce qu'un embout cylindrique souple puisse y être emmanché par force. Le refroidisseur décrit à la figure 2A assure les trois fonctions de l'invention: maintien, connexion, et refroidissement. Sont réalisés en effet - le maintien: un composant semiconducteur est maintenu entre les deux refroidisseurs par une poussée très forte de l'ordre de 600 kg/cm2; en conséquence il est solidement maintenu; une telle poussée assure par ailleurs un contact électrique de bonne qualité sur les électrodes; - la connexion : l'électrode de drain 4 et l'électrode de source 1 du composant semiconducteur sont chacune au contact du coeur de refroi disseur plaqué sur elle; l'électrode de gâchette 3 est au contact d'un fil de gâchette par l'intermédiaire du dispositif élastique; les deux refroidisseurs et le fil de gâchette ne sont pas au contact l'un de l'autre; - le refroidissement: un fluide réfrigérant isolant circule en effet dans les refroidisseurs assurant le refroidissement des deux électrodes 1 et 4 du composant semiconducteur. Cette dernière fonction va maintenant être vue plus en détail. Sur la figure 2B qui est une coupe de la figure 2A suivant le plan AA on distingue un demi-refroidisseur. Sur ce demi-refroidisseur on distingue le labyrinthe emprunté par le fluide réfrigérant dont le trajet est simulé par les flèches en trait fort. Ce fluide emprunte successivement: l'orifice d'arrivée 11, le canal d'amenée 13, le canal de circulation extérieure d'arrivée 14, le canal de circulation intérieure 15, le canal de circulation extérieure de sortie 14, le canal de retour 16, et l'orifice de sortie 12. Ces différents canaux figurent sensiblement la forme de tenailles enserrant le centre du coeur 17 du refroidisseur.En effet les canaux d'amenée 13 et de retour 16 ressemblent aux manches d'une paire de tenailles dont une mâchoire est figurée par le canal de circulation extérieure d'arrivée 14 et la moitié du canal de circulation intérieure 15, et dont l'autre mâchoire est figurée par le canal de circulation extérieure de sortie 14 et l'autre moitié du canal de circulation intérieure 15. Cette forme particulière des canaux de circulation 14 et 15 est liée à la nécessité de prévoir la connexion de l'électrode de gâchette 3 d'un thyristor par réalisation d'un trou de gâchette 8 et d'une rigole de gâchette 9 dans -le coeur 17 du thyristor. Cette réalisation préférée des canaux de circulation 14 et 15 n'est cependant pas la seule possible et il est possible de concevoir un labyrinthe différent, en particulier s'il n'est pas nécessaire de prévoir de connexion de gâchette.La forme particulière des canaux de circulation 14 et 15 est également liée, d'une part à la nécessité de réaliser un refroidisseur creux pouvant supporter en permanence des contraintes importantes de l'ordre de 600 kg/cm2, d'autre part à la nécessité d'assurer une importante surface d'échange thermique entre le refroidisseur et le fluide réfrigérant, et enfin à la nécessité de provoquer une perte de charge minimum lors de l'écoulement du fluide réfrigérant. La section de ces canaux de circulation est donc un compromis entre ces différentes contraintes. La surface d'échange thermique entre le refroidisseur et le fluide réfrigérant est proportionnelle au périmètre de la section de ces canaux, le débit de fluide est proportionnel à la surface de la section de ces canaux. On remarquera ainsi que si l'on diminue la surface de la section des canaux de circulation du fluide réfrigérant sans modifier le périmètre de cette section, d'une part la surface d'échange thermique reste la même, d'autre part, à débit constant, la vitesse du fluide réfrigérant est plus grande et donc le refroidissement est meilleur mais par contre la perte de charge est plus grande, les contraintes hydrauliques sont plus fortes et la puissance mise en jeu est plus élevée. Dans une réalisation préférée de l'invention représentée sur la figure 2B les sections rectangulaires des canaux d'amenée 13 et de retour 16 sont d'environ 5,5 mm de large par 2 mm de profondeur. La profondeur de ces creux dans un demi-refroidisseur est donc bien entendu de 1 rnm. Les sections rectangulaires des canaux de circulation extérieure 14 et intérieure 15 sont de environ 2 mm de large par 5,5 mm de profondeur. La profondeur de ces creux dans un demi-refroidisseur est donc bien-entendu de 2,75 mm. Le rayon de courbure du milieu du canal de circulation intérieure 15 est de 4,5 mm environ et les rayons de courbure des milieux des canaux de circulation extérieure 14 sont de 7,5 mm environ. La forme rectangulaire des sections des canaux de circulation est une forme qui s'obtient naturellement avec l'usinage mécanique de ces canaux, elle n'est pas une forme impérative des sections des canaux de l'invention. Dans le cas où le refroidisseur est plaqué contre la première face d'un composant semiconducteur l'effort est transmis par les parois des canaux de circulation intérieure 15 et extérieure 14.Les différentes valeurs des rayons, communiquées jusqu'ici, permettent de constater que l'effort est appliqué directement sur la première électrode 1 du composant et qu'il n'y a pas de porte-à-faux. L'épaisseur hors tout d'un coeur 17 de refroidisseur est d'environ 9 mm et donc celle d'un demi-refroidisseur est d'environ 4,5 mm. Telle qu'elle est représentée sur la figure 2B la longueur cumulée des canaux de circulation intérieure 15 et extérieure 14 est d'environ 50 mm. La longueur totale- des canaux d'amenée 13 et de retour 16 est d'environ 30 mm. La surface d'échange thermique entre le refroidisseur et le fluide réfrigérant sera donc égale à: longueur des canaux multipliée par périmètre de la section de ces canaux, soit: (30 mm + 50 mm) x (5,5 mm x 2 + 2 mm x 2) = 1200 mm2. Cette surface est supérieure à la surface de la plus grande électrode du composant qui # x 25 mm x 25 mm x ne vaut dans ce cas que x 4 = 490 mm2 environ. En conséquence le transfert thermique est amélioré dans l'invention.De plus comme l'épaisseur de la face 10 du coeur 17 du refroidisseur est faible il n'y a pas d'inertie thermique néfaste entre le fluide réfrigérant et l'électrode 1 ou 4 du composant semiconducteur. Enfin par la nature de sa conception le refroidisseur 20 peut être plaqué indistinctement sur une première électrode 1 ou sur une quatrième électrode 4 d'un composant semiconducteur. En particulier la juxtaposition de deux refroidisseurs de part et d'autre d'un composant semiconducteur est caractéristique de l'invention. Cette disposition est décrite dans la figure 2C qui est une vue en coupe selon le plan BB de la figure 2A. On aperçoit sur cette figure un composant semiconducteur 30 enserré entre deux coeurs 17 et 17' de deux refroidisseurs placés en quinconce. Le coeur de refroidisseur 17 est -plaqué, par des moyens non figurés, contre la première face d'un composant semiconducteur 30 sur lequel on distingue les électrodes 1, 2 et 3. Le coeur de refroidisseur 17' est plaqué, de la même façon, contre l'électrode 4 de ce composant semiconducteur 30. On distingue en particulier l'absence de partie chanfreinée 102 sur la face 10 de ce coeur 17' de refroidisseur. Comme on l'a dit précédemment, l'électrode 4 du composant 30 étant plus grande que la face 10 du refroidisseur 17' tout usinage de cette face 10 s'avère inutile. On distingue aussi sur cette figure: les canaux de circulation extérieure 15 et 15', dont la section rectangulaire a été mentionné plus haut, les renfoncements 8 et 103 ainsi que la rigole de gâchette 9. En 8', 9' et 103' sont dessinés en pointillé les mêmes éléments qui pourraient être usinés sur une autre face du refroidisseur. Le dispositif élastique assurant la connexion de gâchette comporte un fil de gâchette 21, fil conducteur de l'électricité, enrobé d'une gaine isolante 22. L'ensemble est placé au fond de la rigole de gâchette 9. L'extrémité de ce fil 21 n'est pas entourée de gaine isolante mais est recourbée et est sertie dans un guide de positionnement de gâchette 23. Ce guide de positionnement de gâchette 23 a une f#orme cylindrique. Il s'adapte parfaitement pour coulisser dans le renfoncement du trou 8 de gâchette. A sa base ce guide de positionnement de gâchette 23 repose sur une rondelle de fermeture 24 également adaptée pour coulisser dans le renfoncement 8 du trou de gâchette. Le guide de positionnement de gâchette 23 et la rondelle de fermeture 24 sont réalisés en des matériaux non conducteurs de l'électricité. Le déplacement axial de cet ensemble est organisé par des moyens élastiques 25 symbolisés ici par des ressorts. Ces moyens peuvent être tous moyens connus de l'art antérieur, pourvu qu'ils exercent une pression suffisante, et pourvu qu'ils supportent sans dommage les échauffements. Notamment ils peuvent consister en un empilage de rondelles dites "Belleville". La tête du fil de gâchette 21, sertie dans le guide de positionnement de gâchette 23 est surmontée d'une coupelle 26, avec laquelle elle est en contact, et qui assure la connexion sur l'électrode 3 du composant semiconducteur 30. En 27 est figurée une rondelle de butée, sertie dans le renfoncement du gradin 103, dont le rôle consiste à limiter le déplacement du guide de positionnement de gâchette 23. Ainsi lors de l'assemblage de ces différentes pièces 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26 et 27, l'ensemble est maintenu solidaire. Ainsi sont décrites les connexions des électrodes d'un composant semiconducteur. Le système de refroidissement ayant été détaillé il reste à exposer le dispositif de maintien des composants. Les figures 3A, 3B et 3C en donnent une représentation particulière mettant en évidence la modularité du dispositif. Sur la figure 3A on a représenté le schéma électronique d'un redresseur alimenté, par ses trois entrées E, en courant alternatif triphasé et délivrant, à ses sorties S, un courant électrique continu. Le redressement est réalisé en particulier au moyen de deux séries de 3 thyristors 301, 305 303 et 304, 305, 306. On remarque que dans ce montage les sources notées "#o" des thyristors 301, 302 et 303 sont à un même potentiel, que les drains notés "D" des thyristors 304, 305 et 306 sont à un même potentiel, et que de plus les drains des thyristors 301, 302 et 303 sont respectivement au même potentiel que les sources des thyristors 304, 305 et 306.Les refroidisseurs, selon l'invention, assurant également le contact électrique de l'électrode sur laquelle ils sont plaqués, il s'avère judicieux d'utiliser cette particularité pour plaquer de part et d'autre d'un même refroidisseur des composants semiconducteurs dont les électrodes concernées sont au même potentiel. Une telle configuration particulière est schématisée sur la figure 3B où sept coeurs de refroidisseurs 171, 172, 173, 174, 175, 176 et 177 sont empilés alternativement avec les composants semiconducteurs respectivement 304, 301, 305 305, 306 et 303. Les électrodes de source 1 et de drain 4 de ces différents composants sont seulement figurées sur le côté du composant, sur lequel elles se trouvent, par le chiffre 1 ou le chiffre 4. Ainsi dans le dispositif de la figure 3B, conformément au schéma de la figure 3A: la source 1 du thyristor 304 est au contact du drain 4 du thyristor 301 par le coeur du refroidisseur 172; la'source 1 du thyristor 301 est au contact de la source 1 du thyristor 302 par le coeur du refroidisseur 173; le drain 4 du thyristor 302 est au contact de la source 1 du thyristor 305 par le coeur du refroidisseur 174 ; le drain 4 du thyristor 305 est au contact du drain 4 du thyristor 306 par le coeur du refroidisseur 175 la source 1 du thyristor 306 est au contact du drain 4 du thyristor 303 par le coeur du refroidisseur 176 ; l'arrivée du courant alternatif triphasé se fait par les refroidisseurs dont les coeurs sont 172, 174 et 175 ;; la délivrance du courant continu se fait par les refroidisseurs dont les coeurs sont 171 et 177. Dans le cas particulier de ce dispositif un enchaînement continu des composants et des coeurs de refroidisseur est possible. Si tel n'est pas le cas, il est toujours possible de remplacer un composant semiconducteur par un disque isolant ayant les mêmes dimensions mécaniques. Sur la figure 3B est figuré par les flèches en trait fort le chemi nement du fluide réfrigérant à travers les différents refroidisseurs. Pour des raisons évidentes ce fluide réfrigérant - sera constitué d'un fluide isolant électriquement. Ce fluide circule ainsi successivement dans les coeurs de refroidisseur 172, 174, 176, - 177, 175, 173 et 171. Deux refroidisseurs successifs et de même parité sont reliés tout simplement entre eux par un embout cylindrique isolant 31 venant s'emmancher d'une part dans un orifice de sortie 12 d'un refroidisseur et d'autre part dans l'orifice d'entrée 11 du refroidisseur suivant. Ces embouts cylindriques isolants 31 sont dessinés en pointillés sur la figure 3B.La sortie 12 de fluide réfrigérant du refroidisseur dont le coeur est 176 est bouclée sur l'entrée de fluide réfrigérant du refroidisseur dont le coeur est 177 au moyen d'une tuyauterie isolante 32. L'entrée générale du fluide réfrigérant se fait par l'orifice d'entrée 11 du réfroidisseur dont le coeur est 172 et la sortie général du fluide réfrigérant se fait par l'orifice de sortie 12 du refroidisseur dont le coeur est 171. Bien entendu, toute variante à cette configuration est possible notamment dans le positionnement relatif des composants semiconducteurs. De la même façon il est envisageable de prévoir une disposition des refroidisseurs qui ne soit pas en quinconce mais en étoile autour de l'axe central du dispositif par exemple en empilage par des suites de trois refroidisseurs tournés chacun par rapport au suivant de 1200 autour de l'axe du dispositif.La continuité de circulation du fluide réfrigérant serait dans ce cas assurée par des embouts isolants dont la longueur serait plus grande. Il est par ailleurs possible de concevoir la circulation du fluide en parallèle sur les deux séries de refroidisseurs -171, 173, 175, 177 et 172, 174, 176- et la confluence de ces deux circulations à la sortie du dispositif. Sur la figure 3C le montage décrit dans les figures 3A et 3B, est représenté à l'échelle un. Hormis les parties déjà évoquées, tête de refroidisseur 18, orifices de refroidisseur 11 et 12, embout isolant 31, tuyauterie isolante 32, apparaissent sur cette vue: deux brides circulaires 29 situées de part et d'autre d'un dispositif analogue à celui de la figure 3B et enchassant l'empilage des refroidisseurs 20 et des composants semiconducteurs 30 au moyen de deux tirants 28. Ces deux tirants 28 diamétralement opposés par rapport aux composants réunissent les deux brides 29 entre elles. On distingue un empilage de rondelles de réglage 34, propres à rattraper les jeux longitudinaux lors de l'assemblage. Cet assemblage est réalisé en pressant la pile entière dans un étau dynamométrique et en l'encastrant entre les brides 29.Le réglage fin de cet encastrement s'exécute au moyen d'un boulon 36 se vissant à l'intérieur de la bride 29 et venant s'appuyer sur la pile de rondelles de réglage 34. Lors de l'assemblage le maintien axial des composants semiconducteurs et des coeurs de refroidisseur est assuré par des anneaux d'assemblage 33. Ces anneaux sont pourvus de rebords extérieurs et intérieurs permettant, d'une part leur emboîtement les uns dans les autres, d'autre part le maintien axial des coeurs 17 de refroidisseur et des composants 30. Les diamètres des rebords intérieurs des anneaux d'assemblage 33 sont adaptés à ceux de ces deux pièces. Ces anneaux d'assemblage 33 présentent par ailleurs des réservations pour permettre le passage des têtes 18 de refroidisseur, ainsi que le passage des éventuels fils de gâchette 21. Les pattes de scellement 35 permettent la fixation de tout le dispositif sur le bati qui doit le recevoir. Le redresseur ainsi réalisé a permis de remplacer un redresseur de l'art antérieur évoqué au début de ce document. Selon l'invention un débit de fluide réfrigérant de 1,5 litre/minute provoque une perte de charge de ce fluide de seulement 2 bars à une pression statique de 10 bars. La différence de température entre l'entrée et la sortie du fluide réfrigérant autour de 1 100C n'est que de 3 C. Le fuide réfrigérant essayé est de l'huile ou du fluorocarbone. Essayé à 20 bars il n'a pas été constaté de fuites dans le circuit hydraulique. REVENDICATIONS 1. Pièce de maintien et de connexion d'un composant semiconducteur assurant également son refroidissement, du type comportant un organe creux destiné à supporter un composant semiconducteur en forme de pastille et à être parcouru par un fluide réfrigérant isolant, caractérisée en ce qu'elle comprend un coeur (17), ayant au moins d'un côté une face plane (101) pour supporter le composant semiconducteur (30) et établir au moins un premier contact avec celui-ci, et une tête (18) saillant hors de la surface latérale du coeur (17) et comportant un premier et un deuxième orifices (I 1, 12) d'entrée et de sortie du fluide réfrigérant et un moyen (19) de raccordement d'une connexion électrique ; le coeur (17) étant parcouru par un labyrinthe (14, 15) relié aux orifices (11,#l2) d'entrée et de sortie et cheminant à proximité de la face plane (101). 2. Pièce de maintien et de connexion selon la revendication 1, caractérisée en ce que le premier orifice (11) est situé du côté de la face plane (101) en contact avec le composant (30), et le deuxième orifice (12) de l'autre côté, et qu'elle comprend en outre des canaux (13, 16) reliant ces orifices (11, 12) au labyrinthe (14, 15) creusé dans le coeur (17). 3. Pièce de maintien et de connexion selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que le labyrinthe (14, 15) a la forme de deux tenailles sensiblement semi-circulaires enserrant le centre du coeur (17). 4. Pièce de maintien et de connexion selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que le coeur (17) comporte sur sa face plane (101), un premier renfoncement (8) destiné à contenir un dispositif permettant d'établir un deuxième contact avec le composant semiconducteur et une rigole (9) menant de ce renfoncement (8) à la périphérie du coeur (17). 5. Pièce de maintien et de connexion selon la revendication 4, caractérisée en ce que le coeur (17) comporte une autre face plane symétrique de la première pour supporter un autre composant semiconducteur en forme de pastille et qu'il comprend en outre sur cette autre face plane un deuxième renfoncement (89 destiné à contenir un deuxième dispositif permettant d'établir un troisième contact avec l'autre composant semiconducteur et une deuxième rigole (9') menant de ce renfoncement (89 à la périphérie du coeur (17). 6. Dispositif de puissance à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend un ensemble de pièces de maintien et de connexion (171 à 177) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 et un ensemble de composants semiconducteurs (301 à 306), empilés alternativement avec les pièces de maintien et de connexion, de manière que deux refroidisseurs successifs soient séparés par un seul composant; un orifice (11, 12) d'un refroidisseur (171) étant en regard direct d'un orifice (12, 11) du deuxième refroidisseur suivant (173) et réuni à celui-ci par un embout cylindrique isolant (31), pour permettre la circulation du fluide réfrigérant en série dans tous les refroidisseurs (20). 7. Dispositif de puissance à semiconducteurs selon la revendication 6,-caractérisé en ce qu'au moins un des composants semiconducteurs (301) est remplacé par une rondelle isolante de même taille. 8. Dispositif de puissance à semiconducteurs selon l'une quelconque des revendications 6 ou 7, caractérisé en ce qu'il comprend une tuyauterie isolante, raccordant entre eux les orifices des deux derniers refroidisseurs de l'une des extrémités du dispositif, et deux embouts cylindriques isolants raccordés aux orifices des deux derniers refroidisseurs de autre extrémité; ces embouts permettant d'assurer le raccord hydraulique de l'ensemble avec un distributeur de fluide isolant. 9. Pièce de maintien selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que le fluide isolant est du fluorocarbone. 10. Pièce de maintien selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que le fluide isolant est de l'huile.