Brevet FR2528259A1 — publié le 19831209

La présente invention concerne des circuits élec- troniques. Un système de transmission d'impulsions par guide de lumière utilise des répéteurs à large bande pour régénérer des signaux de façon à compenser l'atténuation des impulsions qui se produit dans le guide de lumière Du fait que les niveaux de signal'du système varient sous l'effet du vieillis- sement des composants et des variations de la température ambiante, il est utile d'employer une commande automatique de gain dans les répéteurs La largeur de bande du système à guide de lumière est si grande que la conception d'un amplifi- cateur linéaire avec une commande automatique de gain présen- te de nombreux problèmes Un problème réside dans la concep- tion d'un circuit de commande qui fonctionne avec une caracté- ristique de commande progressive et sur une très large bande de fréquence. Selon un aspect de l'invention, un circuit comprend des premier et second transistors interconnectés, ayant des types de conductivité opposés, le premier transistor d'un pre- mier type de conductivité étant branché en une configuration à collecteur commun et le second transistor, d'un second type de conductivité, étant branché en une configuration à émetteur commun, des moyens pour interconnecter les jonctions base- émetteur des premier et second transistors de façon à mainte- nir pratiquement la même tension directe à leurs bornes, avec un faible décalage d'entrée, et des moyens dans le circuit d'émetteur du premier transistor, pour faire circuler un cou- rant de polarisation dans le circuit émetteur-collecteur du premier transistor, de façon à déterminer la transconductance du second transistor. Selon un autre aspect de l'invention, un circuit comprend des moyens pour recevoir un signal d'entrée, un transistor d'entrée d'un premier type de conductivité, bran- ché pour fonctionner dans une configuration à collecteur commun, avec les moyens de réception connectés à la base du 2528259. transistor d'entrée, des moyens pour émettre un courant de signal de sortie, un transistor de sortie d'un second type de conductivité branché de façon à fonctionner dans une con- figuration à émetteur commun, avec les moyens d'émission connectés au collecteur du transistor de sortie, des moyens reliant la base du transistor d'entrée à l'émetteur du tran- sistor de sortie pour maintenir pratiquement la même tension aux bornes des jonctions base-émetteur des transistors d'entrée et de sortie, et des moyens connectant un émetteur du transistor d'entrée à la base du transistor de sortie, pour transmettre un signal du transistor-d'entrée vers le transistor de sortie et pour déterminer la transconductance du transistor de sortie. Selon un aspect supplémentaire de l'invention, un circuit comprend des moyens pour recevoir un courant de signal d'entrée, des premier et second transistors d'entrée, ayant respectivement des premier et second types de conducti- vité, chacun d'eux étant branché de façon à fonctionner dans une configuration en collecteur commun, les moyens de récep- tion étant connectés aux bases des premier et second transis- tors d'entrée, des moyens pour émettre des courants de signal de sortie, des premier et second transistors de sortie ayant respectivement les second et premier types de conductivité, chacun d'eux étant branché de façon à fonctionner dans une configuration en émetteur commun, avec les moyens d'émission connectés aux collecteurs des premier et second transistors de sortie, des moyens connectant ensemble les émetteurs des premier et second transistors de sortie, et des moyens con- nectant l'émetteur du premier transistor d'entrée à la base du premier transistor de sortie et connectant l'émetteur du second transistor d'entrée à la base du second transistor de sortie, pour transmettre un courant de signal depuis les premier et second transistors d'entrée, respectivement, vers les premier et second transistors de sortie, ces moyens réagissant aux courants de polarisation des premier et second 2528259, transistors d'entrée de façon à déterminer la transconductan- ce des premier et second transistors de sortie. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 est un schéma d'un circuit correspondant à l'invention; La figure 2 est un schéma d'un autre circuit correspondant à l'invention; La figure 3 est un schéma d'un autre circuit encore correspondant à l'invention; et La figure 4 est une caractéristique de commande de transconductance. En considérant maintenant la figure 1, on voit un circuit amplificateur 10 qui peut avantageusement être fabri- qué sous la forme d'un circuit intégré monolithique et qui comprend deux transistors bipolaires Il et 12 ayant des types de conductivité opposés Les dispositifs 11 et 12 peuvent avoir des caractéristiques de fonctionnement quelconques dans une vaste gamme de caractéristiques Il peut s'agir de dispo- sitifs très rapides destinés à fonctionner dans la gamme hyperfréquence, pour l'utilisation dans un circuit incorporé par exemple dans un système de transmission d'impulsions par guide de lumière Pour une autre application fonctionnant dans une gamme de fréquence inférieure, les dispositifs peu- vent être soit les dispositifs très rapides précités, soit des dispositifs plus lents. En utilisant les dispositifs très rapides, on peut employer le circuit 10 en tant qu'amplificateur ayant une transconductance fixe ou variable, dans un système de trans- mission à grande capacité, comme le système de transmission d'impulsions par guide de lumière mentionné précédemment Ce système peut être un système à courte distance ou à longue distance. Un transistor d'entrée PNP 11 est branché en une configuration à collecteur commun et il est polarisé de façon à fonctionner dans sa plage de fonctionnement normale, avec une polarisation de sens direct Une source de polarisation de polarité négative, 13, est directement connectée à l'élec- trode de collecteur du transistor d'entrée 11 Une source de polarisation de polarité positive, 14, est connectée par l'intermédiaire d'une source de courant de polarisation 18 à l'électrode d'émetteur de sortie du transistor 11 La source 18 peut être une source de courant fixe ou une source de cou- rant variable La source de courant 18 est intercalée dans le circuit d'émetteur du transistor d'entrée 11, pour faire cir- culer le courant de polarisation Ib dans le circuit émetteur- collecteur de ce transistor La charge, connectée directement à l'électrode d'émetteur du transistor d'entrée, est le cir- cuit d'entrée base-émetteur du transistor 12. Le courant de polarisation Ib pour le transistor PNP 11 circule à partir de la source d'alimentation positive 14 vers la source négative 13, en passant par la source de courant de polarisation 18 et le circuit émetteur-collecteur du transistor 11 Du fait que la charge est le circuit base- émetteur du transistor 12, le courant de polarisation fourni à cette charge est faible et peut être négligé en ce qui con- cerne cette description. On fait fonctionner le transistor d'entrée 11 en suiveur de tension, ou en séparateur à gain en tension égal à l'unité, dans une configuration dans laquelle une source de signal d'entrée 20 connectée à l'électrode de base d'entrée applique une tension à l'électrode de base La base du tran- sistor 11 reçoit ainsi des signaux d'entrée appliqués au cir- cuit 10 La source 20 comprend une source de courant de signal d'entrée 20 qui est shuntée par une résistance 22, for- mant une combinaison en parallèle qui est connectée entre une référence de masse 23 et l'électrode de base du transistor 11. Le décalage d'entrée, qui résulte du fait que le courant de base du transistor Il circule dans la résistance 22, est fai- ble et peut être négligé en ce qui concerne cette descrip- tion. En fonctionnement, la configuration de type suiveur de tension du transistor 11 réagit à une tension de signal d'entrée Ve qui est produite par la source 20 et qui est appliquée à l'électrode de base du transistor 11 Du fait de la configuration de type suiveur de tension, la même tension de signal apparaît sur l'électrode d'émetteur de sortie du transistor 11 Un courant de signal d'émetteur circule dans le circuit émetteur-collecteur Ce courant est le courant de base de signal du transistor 12 et est donc faible. Pour la configuration en collecteur commun du tran- sistor 11, l'impédance d'entrée est élevée et est approxima- tivement égale au produit du bêta du transistor 11 par l'impédance d'entrée du transistor en émetteur commun 12, constituant la charge Une capacité parasite de jonction de collecteur, qui existe entre les électrodes de base et de collecteur du transistor 11, a un effet minimal sur la caractéristique linéaire à large bande du circuit 10 Une telle capacité parasite apparaît entre le noeud d'entrée, sur la base du transistor 11, et le noeud commun au potentiel de référence de la source 13 Il n'y a pas de multiplication effective de la capacité lorsque le courant qui circule dans l'impédance de charge varie. Un transistor de sortie NPN 12 est branché en une configuration à émetteur commun et est polarisé de façon à fonctionner dans sa plage de fonctionnement normale, en pola- risation en sens direct L'électrode d'émetteur du transistor de sortie 12 est directement connectée à la référence de masse 23 La source de polarisation de polarité positive 14 est connectée par l'intermédiaire d'une source de courant de polarisation 25 à l'électrode de collecteur de sortie du transistor 12 Une charge 28 est connectée entre l'électrode de collecteur du transistor 12 et la référence de masse 23. ? 528259, Un courant de polarisation n Ib pour le transistor NPN 12 circule à partir de la source positive 14 vers la référence de masse 23, en passant par la source de courant de polarisation 25 et le circuit collecteur-émetteur du transis- tor 12. Du fait que le transistor d'entrée 11 fonctionne en suiveur de tension, la tension de signal d'entrée Ve, qui est appliquée par la source 20, apparaît sur l'émetteur du tran- sistor 11 et aux bornes de la jonction base-émetteur du tran- sistor de sortie 12 Pour la polarisation comme pour le signal, les tensions aux bornes des jonctions base-émetteur des transistors 11 et 12 sont pratiquement identiques, du fait que l'émetteur du transistor 11 est connecté à la base du transistor 12, et du fait que la base du transistor 11 comme l'émetteur du transistor 12 sont référencés à la masse. Les tensions ne diffèrent que par la tension aux bornes de la résistance de source 22 dont on a dit précédemment qu'elle était faible. En fonctionnement, l'amplitude d'un courant de signal de sortie I provenant du transistor 12 est déterminée par le courant de polarisation Tb du transistor 11, pour les raisons suivantes Le courant I est égal au produit de la tension de signal d'entrée Ve, appliquée au transistor 12, par sa transconductance gm, qui est définie par gm = I Dans m M KT cette expression, q est la charge d'un électron, K est la constante de Boltzmann et T est la température absolue Le courant I = n I b-I est le courant d'émetteur total du tran- sistor 12 et il est lié à la tension base-émetteur Vbe 12 du transistor 12 par une équation bien connue V KT ln I ( 1) be 12 q Is 1 dans laquelle Is 12 est le courant de saturation du transistor 12 D'après cette expression, le courant d'émetteur total est: I 12 exp ( K) ( 2) -528259 Conformément à cette même équation, Vbe 12 est déterminée par le courant qui circule dans le transistor 11 et qui est four- ni par la source 18 La tension base-émetteur est donc: Ib V V KT-ln Ib( 3) be 12 = Vbell q Isln En reportant cette dernière valeur dans l'expression du cou- rant d'émetteur total I, on trouve que le courant I est égal à I'2 Il en résulte que le courant de signal de sortie Isll est donné par la relation: Ib Is 12 ( 4 *) Io = gm Ve = Ve'q KT I* 4 0 sll dans laquelle Is 12 et Is 11 sont respectivement les courants de saturation des transistors 12 et 11. Les aires d'émetteur des transistors peuvent être les mêmes ou être différentes l'une de l'autre Si l'aire d'émetteur du transistor 12 est égale à N fois l'aire d'émetteur du transistor 11, la valeur du courant de satura- tion Is 12 sera égaleà N fois la valeur du courant de satura- tion Is 11, tant que les autres facteurs sont égaux Il en résulte que le courant de signal de sortie est: I V q Ib ( 5) o e KT La transconductance du transistor 12 est donc déterminée par le courant de polarisation Ib et par le rapport des aires d'émetteur Dans un mode de réalisation préféré, le rapport des aires d'émetteur, n, est supérieur à un. Comme le montre la figure 4, la caractéristique de commande de la transconductance gm en fonction de Ib pour le transistor 12 est linéaire sur une plage dans laquelle la relation logarithmique entre V et I est valide Cette plage de linéarité englobe de façon caractéristique plusieurs ordres de grandeur du courant de polarisation Hors de cette plage, la caractéristique de commande présente une variation pro- 2528259. gressive mais n'est pas linéaire La caractéristique repré- sentée sur la figure 4 se rapporte à un circuit conforme à la figure 1 dans lequel le rapport entre les aires d'émetteur, n est égal à 3 On pourra se référer à la demande de brevet US 385 557 pour apprécier plus complètement la caractéristi- que de commande de transconductance, ainsi qu'une caractéris- tique de réponse en fréquence. La transconductance est presque indépendante de la fréquence jusqu'à la fréquence de gain unité extrapolée, f TV du transistor 12 Dans des transistors bipolaires au sili- cium, f T peut être de plusieurs gigahertz Dans la mesure o la réponse en fréquence de l'amplificateur est commandée par la transconductance seule, on peut faire en sorte que l'am- plificateur ait une largeur de bande s'approchant de la fré- quence f D'autres facteurs qui limitent là réponse de l'amplificateur consistent en une chute du bêta du transistor 12 aux fréquences élevées, et dans l'existence de courants de signal indésirables dans des capacités parasites. Dans le circuit considéré, on traite le problème de la chute du bêta aux fréquences élevées par la connexion du transistor 11 en suiveur de tension L'impédance d'entrée du transistor 11 est approximativement bêta fois l'impédance d'entrée du transistor en émetteur commun 12 On peut donc faire en sorte que l'impédance d'entrée du transistor 11 soit grande vis-à-vis de la résistance de source 22 sur une gamme de fréquences beaucoup plus étendue que celle qui est possi- ble pour l'impédance d'entrée du transistor en émetteur commun seul. Les effets de charge capacitive, en particulier la multiplication par effet Miller de la capacité collecteur- base, sont minimisés dans ce circuit L'effet Miller est pro- duit par une différence de tension de signal quelconque entre la base et le collecteur d'un transistor, et est proportion- nel à cette différence Cette différence de tension peut faire circuler un courant indésirable, proportionnel à la différence de tension, dans une capacité parasite entre les électrodes de base et de collecteur Aux fréquences élevées, lorsque l'impédance capacitive est faible, le courant indésirable dans cette capacité parasite peut être relativement grand. On peut réduire un tel courant indésirable en minimisant la différence de tension de signal entre la base et le collec- teur du transistor. Pour le fonctionnement à large bande, on minimise la tension de signal base-collecteur dans le circuit 10 en donnant des valeurs très faibles aux impédances de source et de charge du transistor 12 L'étage à émetteur suiveur formé par le transistor 11 présente une faible impédance de source On choisit également une valeur faible pour l'impé- dance de charge 28 Ces impédances faibles maintiennent des tensions de faible amplitude sur l'entrée de base comme sur la sortie de collecteur du transistor 12 Du fait que les tensions de signal sur la base comme sur le collecteur sont faibles, il y a très peu de différence de tension entre la base et le collecteur, et il ne circule qu'un courant faible dans la capacité parasite. A l'exception des différences mentionnées en ce qui concerné la taille des dispositifs et leurs types de conduc- tivité, les transistors 11 et 12 ont des caractéristiques de fonctionnement similaires On connaît des traitements desti- nés à faciliter la fabrication de transistors de types de conductivité opposés ayant des caractéristiques de fonctionne- ment similaires sur des gammes étendues de fréquence et de température De tels traitements sont décrits dans la demande de brevet US 337 707. On va maintenant considérer la figure 2 qui repré- sente un circuit amplificateur 30 similaire au circuit repré- senté sur la figure 1, à l'exception du fait qu'un transistor d'entrée 31, branché en configuration à collecteur commun, est un transistor NPN Le courant de polarisation circule depuis une source de polarité positive 33 vers une source de ? 528259 potentiel négatif 34, en passant par le circuit collecteur- émetteur et une source 38 de courant de polarisation Un transistor de sortie 32, branché en configuration à émetteur commun, est un transistor PNP Le courant de polarisation n I b pour le transistor de sortie 32 circule de la référence de masse 23 vers la source de polarité négative 34, en passant par le circuit émetteur-collecteur du transistor 32 et une source de courant 45 Une charge 48 est connectée entre le collecteur du transistor de sortie 32 et la réfé- rence de masse 23. Comme il est représenté symboliquement sur la figu- re 2, l'aire de section droite d'émetteur du transistor de sortie 32 est égale à N fois l'aire de section droite d'émetteur A du transistor d'entrée 31 A l'exception de leur taille et de leurs types de conductivité, les transis- tors 31 et 32 ont des paramètres et des caractéristiques de fonctionnement similaires. Le circuit de la figure 2 fonctionne comme le cir- cuit de la figure 1, à l'exception des changements de pola- rité La transconductance g du transistor 32 est déterminée par le courant de polarisation Ib qui circule dans la source de courant 38 On obtient une caractéristique de transcon- ductance à variation progressive pour le transistor 32. L'amplificateur a une très large gamme de fréquence. On va maintenant considérer la figure 3 qui montre un circuit amplificateur 50 qui constitue une combinaison interconnectée des circuits représentés sur les figures 1 et 2 Sur la figure 3, les transistors d'entrée 11 et 31 ont respectivement les types de conductivité PNP et NPN Leurs électrodes d'entrée de base sont connectées en commun par l'intermédiaire d'un conducteur 51 à la source de signaux d'entrée 20 Les transistors de sortie 12 et 32 ont respecti- vement les types de conductivité NPN et PNP Leurs électrodes d'émetteur sont connectées en commun par l'intermédiaire d'un conducteur 52 à la référence de masse 23 La configuration 2528259. combinée de la figure 3 comprend une moitié supérieure et une moitié inférieure qui fonctionnent respectivement comme les circuits des figures 1 et 2. Du fait de la connexion d'entrée commune 51 entre les électrodes de base des transistors d'entrée 11 et 31 ayant des types de conductivité opposés, les courants de polarisation Ii dirigés vers les électrodes de base respecti- ves se compensent avantageusement de façon mutuelle Un noeud d'entrée 55, connecté aux électrodes de base, est virtuelle- ment au potentiel de référence de masse, ce qui fait qu'il n'y a que peu ou pas de tension d'entrée de décalage Le décalage éventuel qui apparaît résulte de différences dans les caractéristiques des transistors 11 et 31. Une autre caractéristique avantageuse, résultant de la connexion de sortie commune 52 entre les électrodes d'emetteur des transistors de sortie 12 et 32, ayant des types de conductivité opposés, consiste en ce que leurs courants de polarisation collecteur-émetteur n Ib se compensent mutuelle- ment Le noeud 54, au point de connexion des émetteurs, correspond à un potentiel de masse virtuel Si une charge 40 était connectée au noeud 54, aucune tension de repos n'appa- raîtrait aux bornes de la charge Les circuits de la figure 3 pourraient ainsi être utilisés en tant que séparateur à gain unité entre la source 20 et la charge 40 Une telle configu- ration de séparateur ne nécessite pas de composants d'isola- tion capacitifs ou inductifs pour la connexion à la source et -à la charge La réponse unité existe depuis zéro hertz jusqu'à des centaines de mégahertz. Comme le montre la figure 3, les circuits intercon- nectés des figures 1 et 2 forment un amplificateur avec un circuit de commande de transconductance qui procure une carac- téristique de commande à variation progressive et qui réagit sur une large gamme de fréquence s'étendant depuis une valeur voisine de zéro hertz jusqu'à des centaines de mégahertz. Une borne d'entrée sur le noeud 55 -et des bornes -528259 de sortie 57 et 58 sur les collecteurs du transistor 12 et 32 sont isolées par rapport à des bornes de polarisation sur les sources 13, 14, 33 et 34, et par rapport à la référence de masse 23 Les sources du réseau de signal peuvent donc être connectées aux noeuds 54 et 55 sans perturber les conditions de repos du circuit, et sans utiliser des capacités ou d'inductances d'isolation. En choisissant une impédance de valeur modérée pour la source 20 et une impédance de charge de valeur modérée pour les-charges 28 et 48, comme celles qu'on utilise couram- ment dans des systèmes de transmission à large bande, le concepteur peut faire en sorte que le circuit entier fonction- ne de façon-linéaire sur la gamme de fréquences étendue Sur cette gamme également, la transconductance des transistors 12 et 32 varie de façon progressive sous l'effet de variations du courant de polarisation Ib que fournissent les sources 18 et 38. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. 9528259. REVENDICATIONS 1 Circuit comprenant des premier et second tran- sistors interconnectés ayant des types de conductivité oppo- sés, caractérisé en ce que le premier transistor ( 11), d'un premier type de conductivité, est branché dans une configu- ration à collecteur commun et le second transistor ( 12), d'un second type de conductivité, est branché dans une con- figuration à émetteur commun, des moyens connectent les jonctions baseémetteur des premier et second transistors pour maintenir pratiquement la même tension directe à leurs bornes, avec un faible décalage d'entrée, et des moyens ( 18) sont branchés dans le circuit d'émetteur du premier transis- tor pour faire circuler un courant de polarisation dans le circuit émetteur-collecteur du premier transistor, de façon à déterminer la transconductance du second transistor. 2 Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier transistor a une aire de section droite d'émetteur A, le second transistor a une aire de section droite d'émetteur n A, et N est supérieur à un. 3 Circuit selon l'une quelconque des revendica- tions 1 ou 2, caractérisé en ce que le premier transistor est un transistor de type de conductivité NPN et le second transistor est un transistor de type de conductivité PNP. 4 Circuit selon l'une quelconque des revendica- tions 1 ou 2, caractérisé en ce que le premier transistor est un transistor de type de conductivité PNP et le second transistor est un transistor de type de conductivité NPN. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend des troisième et quatrième transistors interconnectés, ayant des types de conductivité opposés, avec le troisième transistor ( 31), du second type de conduc- tivité, branché en une configuration à collecteur commun et le quatrième transistor ( 32), du premier type de conductivi- té, branché en une configuration à émetteur commun, des ? 528259 moyens qui interconnectent les jonctions base-émetteur des troisième et quatrième transistors pour maintenir pratique- ment la même tension directe à leurs bornes, avec un faible décalage d'entrée, et des moyens ( 38) branchés dans le cir- cuit d'émetteur du troisième transistor, pour faire circuler un courant de base dans le circuit émetteur-collecteur du troisième transistor, afin de déterminer la transconductance du quatrième transistor. 6 Circuit selon la revendication 5, caractérisé en ce que des moyens ( 51) interconnectent le circuit de base du premier transistor et le circuit de base du troisième transistor, pour leur appliquer un signal d'entrée en commun, et des moyens ( 52) interconnectent le circuit d'émetteur du second transistor et le circuit d'émetteur du quatrième transistor, pour maintenir un potentiel de référence commun. 7 Circuit selon l'une quelconque des revendica- tions 5 ou 6, caractérisé en ce que chacun des premier et troisième transistors a une aire de section droite d'émet- teur A, chacun des second et quatrième transistors a une aire de section droite d'émetteur n A, N étant supérieur à un, et, à l'exception du type de conductivité, les premier et troisième transistors et les second et quatrième transistors ont des caractéristiques de fonctionnement similaires. 8 Circuit comprenant des moyens destinés à rece- voir un signal d'entrée, caractérisé en ce qu'il comprend un transistor d'entrée (il) d'un premier type de conductivité, branché pour fonctionner en une configuration à collecteur commun, avec les moyens de réception ( 20) connectés à la base du transistor d'entrée, des moyens (V) pour émettre un courant de signal de sortie, un transistor de sortie ( 12) d'un second type de conductivité, branché de façon à fonc- tionner en une configuration à émetteur commun, avec les moyens d'émission connectés au collecteur du transistor de sortie, des moyens connectant la base du transistor d'entrée à l'émetteur du transistor de sortie, pour maintenir prati- quement la même tension aux bornes des jonctions base- émetteur des transistors d'entrée et de sortie, et des moyens connectant un émetteur du transistor d'entrée à la base du transistor de sortie, pour transmettre un signal du transistor d'entrée vers le transistor de sortie et pour déterminer la transconductance du transistor de sortie. 9 Circuit selon la revendication 8, caractérisé en ce que le transistor d'entrée a une aire de section droite A, le transistor de sortie a une aire de section droite n A et n est supérieur à un. Circuit comprenant des moyens pour recevoir un courant de signal d'entrée, caractérisé en ce qu'il comprend des premier ( 11) et second ( 31) transistors d'entrée ayant respectivement des premier et second types de conductivité, chacun d'eux étant branché de façon à fonctionner en une con- figuration à collecteur commun, avec les moyens de réception ( 20) connectés aux bases des premier et second transistors d'entrée, des moyens ( 57, 58) pour émettre des courants de signal de sortie, des premier ( 12) et second ( 32) transistors de sortie ayant respectivement le second type et le premier type de conductivité, chacun d'eux étant branché de façon à fonctionner en une configuration à émetteur commun, avec les moyens d'émission connectés aux collecteurs des premier et second transistors de sortie, des moyens ( 52) qui connectent ensemble les émetteurs des premier et second transistors de sortie, et des moyens qui connectent l'émetteur du premier transistor d'entrée à la base du premier transistor de sortie et qui connectent l'émetteur du second transistor d'entrée à la base du second transistor de sortie, pour transmettre respectivement un courant de signal des premier et second transistors d'entrée vers les premier et second transistors de sortie, ces moyens réagissant aux courants de polarisation des premier et second transistors d'entrée de façon à déter- miner la transconductance des premier et second transistors de sortie. -16 11 Circuit selon la revendication 10, caractérisé en ce que les premier et second transistors d'entrée ont des aires de section droite d'émetteur A, les premier et second transistors de sortie ont des aires de section droite d'émetteur n A, et N est supérieur à un. 12 Circuit selon la revendication 11, caractérisé en ce que, à l'exception du type de conductivité, les pre- mier et second transistors d'entrée ont des caractéristiques de fonctionnement similaires et, à l'exception du type de conductivité, les premier et second transistors de sortie ont des caractéristiques de fonctionnement similaires.