Brevet FR2533780A1 — publié le 19840330

La présente invention se rapporte à des circuits élec- triques et plus particulièrement à des circuits de sortie qui sont particulièrement utiles dans les dispositifs à cir- cuits intégrés. Les circuits de sortie conçus pour être utilisés dans les circuits intégrés sont bien connus dans la technique an- térieure De tels circuits reçoivent typiquement des signaux d'entrée de faible intensité et amplifient ces signaux d'en- trée en des signaux de sortie d'intensité relativement éle- vée, séparés des signaux d'entrée De tels circuits sont ca- pables d'absorber ou de fournir une quantité relativement im- portante de courant Typiquement, de tels circuits de sortie reçoivent des signaux d'entrée qui varient entre approxima- tivement zéro volt (un signal logique 0 ou de "bas" niveau) et approximativement trois volts (un signal logique 1 ou de "haut" niveau) L'intensité du courant appliqué en entrée à un étage de sortie lorsqu'un signal d'entrée logique 1 est reçu est typiquement de l'ordre de 0,5 milliampères Le circuit de sortie assure la séparation ou isolement de ces signaux d'entrée et fournit des signaux de sortie correspon- dant à approximativement zéro volt (zéro logique) et à ap- proximativement 5 volts (un logique) De tels circuits de sortie sont capables d'a'zsorber approximativement 100 milli- ampères (signal de sortie zéro logique) fournis par des cir- cuits externes et de fournir approximativement 50 milli- ampères (signal de sortie un logique)à des circuits externes. Naturellement, on peut construire de tels circuits de sortie qui sont capables de recevoir des intensités de signal d'en- trée supérieures ou inférieures et qui sont capables d'absor- ber ou de fournir des intensités de sortie supérieures ou inférieures. En dehors du fait qu'ils sont capables de fournir et d'absorber du courant, de nombreux circuits de sortie sont conçus de façon à être des circuits de sortie dits "à trois états", auquel cas ils sont capables soit de fournir du cou- rant,soit d'absorber du courant,soit de présenter une forte impédance sur leur borne de sortie De tels circuits à trois états sont très utiles en ce sens qu'ils permettent de con- necter un grand nombre de circuits de sortie en parallèle à un bus commun, un seul des multiples circuits de sortie étant mis en fonction à un moment donné quelconque Les étages de sortie mis hors fonction présentent une forte impédance et ils n'ont, par conséquent, pratiquement aucun effet sur le bus commun. On a représenté un tel circuit de sortie à trois états sur le schéma de circuit de la Fig 1 Lorsqu'un signal d'en- trée un logique est appliqué à la borne de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE ( O E) 24, l'inverseur 25 produit un signal de sortie logique zéro qui est appliqué à l'émetteur 13 b d'un transistor NPN 12 et à la cathode d'une diode 21 Un zéro lo- gique étant appliqué à l'émetteur 13 b du transistor 12, le transistor 12 passe à l'état conducteur appliquant ainsi un zéro logique à la base d'un transistor NPN 20,ce qui pro- voque le passage du transistor 20 à l'état non conducteur. Le transistor 20 étant non conducteur, le courant de base d'un transistor NPN 26 est abaissé vers un niveau zéro lo- gique par une résistance 23 connectée entre la base du tran- sistor 26 et la masse Ainsi, le transistor NPN 26 passe à l'état non conducteur déconnectant la borne de sortie 27 de la masse -En même temps, un zéro logique étant appliqué à la cathode de la diode 21, la diode 21 est polarisée dans le sens direct et le courant s'écoule à partir de la borne d'a- limentation positive 16 à travers la résistance 15 et la diode 21 Ainsi, le courant de base d'un transistor NPN 18 est abaissé vers un zéro logique, ce qui provoque le passage du transistor 18 à l'état non conducteur et l'application d'un signal zéro logique à la base d'un transistor NPN 19, ce qui provoque le passage du transistor 19 à l'état non conducteur Les transistors i 8 et 19 étant non conducteurs, la borne de sortie 27 est utilement déconnectée de la ten- sion d'alimentation positive VCC connectée à la borne 16. Ainsi, lorsqu'un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE à l'état un logique est reçula borne de sortie est déconnec- tée de la masse et de la tension d'alimentation positive VCC et le circuit de sortie séparateur-amplificateur 10 de la Fig 1 présente une forte impédance sur la borne de sortie. 27. Inversement, lorsqu'un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE à l'état logique zéro est appliqué à la borne 24, l'inverseur 25 produit un signal un logique sur son conduc- teur de sortie, de sorte que la jonction base-émetteur 1 3 b du transistor 12 est inversement polarisée De la même ma- nière, le signal de sortie logique un de l'inverseur 25 a pour effet que la diode 21 est inversement polarisée Dans ce cas, le circuit de sortie 10 est mis en fonction et pro- duit sur la borne de sortie 27 un signal de sortie qui est l'inverse logique du signal d'entrée appliqué à une borne 11. Par exemple, lorsqu'un signal d'entrée un logique est appli- qué à la borne 11, le transistor 12 est rendu non conducteur et la jonction base-collecteur du transistor 12 est polarisée dans le sens direct,appliquant ainsi un un logique à la base du transistor 20 Le transistor 20 devient alors conducteur, fournissant ainsi un courant de base au transistor 26 provo- quant,de ce fait,le passage du transistor 26 à l'état conduc- teur En même temps, le transistor 20 étant conducteur, la tension appliquée à la base du transistor 18 est insuffisante pour faire passer le transistor 18 à l'état conducteur et, le transistor 18 n'étant pas conducteur, le transistor 19 ne reçoit pas suffisamment de courant de base pour passer à l'é- tat conducteur Ainsi, les transistors 18 et 19 sont tous deux non conducteurs Le transistor 26 étant conducteur, et les transistors 1 & et 19 étant non conducteurs, la borne de sortie 27 est utilement connectée à la masse et est utilement déconnectée de la tension d'alimentation positive VCC appli- quée à la borne 14 Ainsi, en réponse à un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE à l'état logique zéro et à un signal d'entrée de données un logique, le signal de sortie est un zéro logique. Inversement, lorsqu'un signal d'entrée zéro logique est appliqué à la borne 11, le transistor NPN 12 passe à l'état conducteur, appliquant ainsi un zéro logique à la base du l'émetteur du transistor de Schottky 18 saturé) à la tension appliquée à la base du transistor 19, empêchant ainsi la sa- turation du transistor 19 Du fait que le transistor 19 ne se sature pas, ce transistor peut être un transistor autre qu'un transistor de Schottky étant donné que la vitesse de commuta- tion d'un transistor bipolaire non saturé est suffisamment ra- pide Il est important de noter que lorsque le signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE (OE) appliqué à la borne 24 passe d'un zéro logique à un un logique, la diode de Schottky 21 passe à l'état conducteur, empêchant ainsi les transistors 18 et 19 de passer à l'état conducteur En même temps, le signal de sortie zéro logique produit par l'inverseur 25 pro- voque le passage du transistor 12 à l'état conducteur, ce qui a pour effet de faire passer le transistor 26 à l'état non conducteur Cependant, avant que le transistor 26 passe à l'état non conducteur, le transistor 12 doit passer à l'état conducteur, le transistor 20 doit passer à l'état non conducteur et la résistance 23 doit maintenir la base du tran- sistor 26 à un niveau suffisamment bas pour provoquer le pas- sage du transistor 26 à l'état non conducteur Par conséquent, alors que les transistors 18 et 19 passent rapidement à l'é- tat non conducteur en réponse à un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE de haut niveau, le transistor 26 ne passe pas à l'état non conducteur aussi rapidement Par conséquent, le retard de propagation total entre la réception d'un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE de haut niveau sur la borne 24 et la génération d'un état de forte impédance sur la borne de sortie 27 est relativement long,typiquement de l'ordre de nanosecondes pour un circuit de sortie à trois états dis- sipant approximativement 25 milliwatts et qui est fabriqué en utilisant la technique d'isolement par jonctions bipo- laires (suivant laquelle l'isolement électrique entre élé- ments à l'interieur du circuit intégré est assuré par des jonctions bipolaires inversement polarisées). On a représenté sur le schéma de circuit de la Fig 2 un autre circuit séparateur-ammlificateur de sortie à trois états 20 de la technique antérieure Le fonctionnement du transistor 20, provoquent,de ce fait,le passage du transistor à l'état non conducteur Le transistor 20 étant non conduc- teur, le transistor 26 ne revoit pas de courant de commande de base et, de ce fait, le transistor 26 reste non conducteur. En outre, le transistor 20 étant non conducteur, la base du transistor NPN 18 est à un haut niveau et, de ce fait, le transistor 18 passe à l'état conducteur Le transistor 18 étant conducteur, un courant de base est fourni au transis- tor 19 et le transistor 19 passe à l'état conducteur Le transistor 19 étant conducteur et le transistor 26 étant non conducteur, la borne de sortie 27 est utilement connectée à la source de tension d'alimentation positive VCC connectée à la borne 16 et est utilement déconnectée de la masse La table de vérité qui représente le fonctionnement du circuit de sortie 10 de la Fig 1 est donnée dans le tableau i. TABLEAUX-1, 2, 3 OE D Z 0 O 0 O 1 O Forte impédance 1 1 Forte impédance Il est t-rès important que le circuit de sortie 10 soit construit de telle sorte que le retard de propagation entre la réception d'un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE sur la borne 24 et d'un signal d'entrée sur la borne 11 et la-génération d'un signal de sortie sur la borne 27 en ré- ponse aux signaux d'entrée de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE et de données soit aussi court que possible Pour cette rai- son, les transistors 12, 20, -18 et 26 du circuit de la Fig. 1 sont des transistors de Schottky et la diode 21 est une diode de Schottky du fait que les transistors et diode de Schottky ont des temps de passage à l'état non conducteur extrêmement courts Le transistor 19 n'est pas un transistor de Schottky du fait que la tension appliquée au collecteur du transistor 19 est toujours supérieure d'approximativement 0,3 V (c'est-à- dire de la tension entre le collecteur et circuit séparateur- amplificateur de sortie 20 est semblable à celui du circuit séparateur- amplificateur 10 de la Fig 1 et, de ce fait, on ne le décrira pas en détail Cependant, en réponse à l'application d'un signai de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE à l'état un logique sur une borne d'entrée 23, un inverseur 24 applique un signal de sortie zéro logique aux cathodes de diodes de Schottky 22 et 29 La diode de Schottky 29 maintient la base d'un transistor 31 à un bas niveau de la même manière que la diode de Schottky 21 maintient à un bas niveau la base du transistor 18 dans le circuit de la Fig 1. En outre, comme dans le circuit de la Fig 1, le signal de sortie zéro logique émis par l'inverseur 24 provoque le pas- sage du transistor 25 et du transistor 28 à l'état non conduc- teur et supprime ainsi le courant de commande de base du tran- sistor 35 provoquant ainsi le passage du transistor 35 à l'état non conducteur Cependant, comme dans le circuit sépa- rateur-amplificateur de sortie 10 de la FIGURE 1, il y a un retard de propagation relativement long entre la réception d'un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE à l'état un lo- gique sur la borne 23 et le passage à l'état non conducteur du transistor 35 du fait que ce signal doit se propager à travers l'inverseur 24, la diode de Schottky 22 et les tran- sistors 25 et 28 avant que la résistance 30 commence à abais- ser la tension appliquée à la base du transistor 35 Par con- séquent, le retard de propagation entre la réception d'un si- gnal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE à l'état un logique et la génération d'un état de forte impédance sur la borne de sortie 36 est approximativement le même que celui du circuit de sortie 10 de la Fig 1 pour une consommation d'énergie comparable et avec une technique de fabrication comparable. La table de vérité représentant le fonctionnement du circuit séparateuramplificateur de sortie 20 est donnée dans le tableau 2. On a représenté-sur la Fig 3 encore un autre circuit séparateuramplificateur de sortie 30 Le fonctionnement du circuit séparateuramplificateur de sortie 30 est semblable au fonctionnement des circuits séparateurs-amplificateurs de sortie 10 et 20 respectivement de la Fig 1 et de la Fig 2 et, de ce fait, on ne le décrira pas en détail Cependant, comme dans le cas des circuits séparateurs-amplificateurs de sortie 10 et 20, le retard de propagation entre la réception d'un signal de M 1 ISE EN FONCTION DE LA SORTIE à l'état un lo- gique et le passage à l'état non conducteur du transistor 46 est relativement long du fait que les transistors 33, 41 et 42 doivent changer d'état avant que la base du transistor 46 soit portée à un bas niveau par la résistance 47 la table de vérité représentant le'fonctionnement du circuit sépara- teur-amplificateur de sortie 30 de la Fig 3 a été donnée dans le tableau 3. Un autre type de circuit séparateur-amplificateur de sor- tie est le circuit séparateur-amplificateur de sortie dit à "collecteur ouvert", tel que le circuit séparateur-amplifica- teur 40 à collecteur ouvert représenté sur la Fig 4 A la différence des circuits à trois états des' Fig 1, 2 et 3, le circuit séparateuramplificateur' 40 à collecteur ouvert est incapable de servir de source de courant mais est seulement capable soit d'absorber du courant, soit de présenter une forte impédance sur la borne de sortie 54 Le circuit sépara- teur-amplificateur de sortie 40 à collecteur ouvert est mis hors fonction par l'application d'un signal de M-SE EN FONC- TION DE LA SORTIE à l'état logique sur la borne d'entrée 50. Le signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE à l'état un lo- gique appliqué sur la borne 50 est amplifié par l'étage sé- parateur-amplificateur 51 et provoque ainsi le passage à l'état conducteur du transistor NPN 53 mettant, de ce fait, à la masse la base du transistor de sortie 49 Lorsque sa base est mise à la masse, le transistor 49 passe à l'état non conducteur, une forte impédance est présentée sur la borne de sortie 54, quelle que soit la valeur du signal d'entrée de données appliqué sur la borne d'entrée 41 La table de vérité pour le circuit séparateur-amplificateur à collecteur ouvert de la Fig 4 est donnée dans le tableau 4. TABLEAU 4 OE D Z 0 O Collecteur ouvert 0 1 O 1 O Collecteur ouvert 1 1 Collecteur ouvert Conformément aux enseignements de la présente invention, on a réalisé un nouveau circuit séparateur-amplificateur de sortie à trois états qui comporte des moyens pour faire ra- pidement passer à l'état non conducteur aussi bien le tran- sistor de fourniture de courant que le transistor d'absorb- tion de courant en réponse à un signal de mise hors fonction de la sortie Par contraste avec les circuits séparateurs- amplificateurs de sortie à trois états de la technique anté- rieure, le circuit construit conformément à la présente in- vention provoque la mise hors fonction du transistor de sor- tie d'absorption de courant avec un minimum de retard de franchissement de porte à la suite de la réception d'un si- gnal de mise hors fonction de la sortie Ce circuit présente ainsi une forte impédance sur la borne de sortie un temps extrêmement court après la réception d'un signal de mise hors fonction de la sortie. Pour cela, la présente invention propose un circuit de sortie à trois états caractérisé en ce qu'il comporte: une borne d'entrée de données pour recevoir un signal de données susceptible d'être soit dans un premier état soit dans un second état; une borne d'entrée de mise en fonction pour recevoir soit un signal de mise en fonction soit un signal de mise hors fonction; une borne de sortie; des premiers moyens ce commutation de sortie ayant une première borne de transport de courant connectée à la borne de sortie, une seconde borne de transport de courant connectée à une pre- miere borne d'alimentation à un premier potentiel et une borne de comm ande; des premiers moyens pour fournir une tension choisie àa a borne de commande des premiers moyens de commutation de sortie er réponse au signal de données; et des seconds moyens de commutation de sortie ayant une une première borne de transport de courant connectée à la borne de sortie, une seconde borne de transport de courant connectée à une seconde borne d'alimentation à un second potentiel et une borne de commande connectée à des moyens de commande; des seconds moyens pour fournir une tension choisie à la borne de commande des seconds moyens de com- mutation de sortie en réponse au signal de données; des moyens de commande indépendants des premiers et seconds moyens de fourniture de tension, ces moyens de commande fonctionnant, en réponse au signal de mise hors fonction, pour appliquer une tension choisie aux bornes de commande des premiers moyens de commutation, provoquant ainsi le passage des premiers moyens de commutation à l'état non conducteur quel que soit l'état du signal de données et la tension appliquée à la borne de commande des premiers mo- yens de commutation par lesdits premiers moyens de fourni- ture de tension et quelle que soit la tension appliquée à la borne de commande des seconds moyens de commutation par les seconds moyens de fourniture de tension; et en ce que le circuit de sortie a un premier état de sortie dans lequel en réponse au signal de mise en fonction et à un signal de données ayant le premier état, ledit circuit peut fournir du courant à un circuit externe connecté à la borne de sortie, un second état de sortie dans lequel, en réponse au signal de mise en fonction et à un signal de données ayant le second état, ledit circuit peut absorber du courant prove- nant d'un circuit externe connecté à la borne de sortie et un troisième état de sortie dans lequel en réponse au signal de mise hors fonction, ledit circuit présente une forte impédance au circuit externe connecté à la borne de sortie. Selon une caractéristique avantageuse de l'invention, les premiers moyens de commutation sont constitués par un transistor bipolaire. Selon une autre caractéristique de l'invention, les seconds moyens de commutation sont constitués par un tran- sistor bipolaire. 1 O Selon une autre caractéristique avantageuse de l'inven- tion, les seconds moyens de commutation sont constitués par un transistor de Schottky. Par ailleurs, de préférence, les moyens de commande indépendants des premiers et seconds moyens de fourniture. de tension comprennent: des premiers moyens de commutation de mise hors fonction ayant une première borne de transport de courant connectée à la borne de commande des premiers moyens de commutation de sortie, une seconde borne de transport de courant connectée à la seconde borne d'ali- mentation et une borne de commande connectée à la borne d'entrée de mise en fonction; des seconds moyens de com- mutation de mise hors fonction ayant une première borne de transport de courant connectée à la borne de commande des seconds moyens de commutation de sortie, une seconde borne de transport de courant connectée à la seconde borne d'alimentation et une borne de commande connectée à la borne d'entrée de mise en fonction. Selon une caractéristique avantageuse de l'invention, les premiers et seconds moyens de commutation de mise hors fonction sont des transistors bipolaires. Selon une autre caractéristique avantageuse, les premiers et seconds moyens de commutation de mise hors fonction sont des transistors de Schottky. De façon préférentielle, la borne de commande des premiers moyens de commutation de mise hors fonction et la borne de commande des seconds moyens de commutation de mise hors fonction sont connectées à la borne d'entrée de mise en fonction par l'intermédiaire de moyens séparateurs- amplificateurs. Ainsi, l'invention propose un circuit de sortie à trois états comportant une borne d'entrée de données pour recevoir un signal de données susceptible d'avoir soit un premier état, soit un second état; une borne d'entrée de mise en fonction pour recevoir soit un signal de mise en fonction, soit un signal de mise hors fonction; une borne de sortie; des moyens pour absorber un courant provenant de la borne de sortie; des moyens pour fournir du courant à la borne de sortie; des premiers moyens pour commander les moyens servant à absorber du courant, lesquels, en réponse à un signal d'entrée de données dans le premier état, provoquent l'absorption de courant provenant de la borne de sortie; des seconds moyens pour commander les moyens servant à fournir du courant, lesquels, en réponse à un signal d'entrée de données dans le second état, pro- voquent la fourniture de courant à la borne de sortie; et des moyens de commande indépendants des premiers et seconds moyens servant à commander les moyens d'absorption et de fourniture de courant, ces moyens de commande fonctionnant, en réponse au signal de mise hors fonction, de manière à mettre hors fonction les moyens d'absorption et de fourni- ture de courant présentant ainsi une forte impédance sur la borne de sortie. D'autres caractéristiques de l'invention apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre et à l'examen des dessins annexés dans lesquels: la Fig 1 est un schéma de circuit d'un circuit sépara- teur-amplificateur à trois états de la technique antérieure; la Fig 2 est un schéma de circuit d'un autre circuit sénarateur-amplificateur à trois états de la technique anté rieure; la Fig 3 est un schéma de circuit d'encore un autre circuit séparateur-amplificateur à trois états de la tech- nique antérieure; la Fig 4 est un schéma de circuit d'un circuit sépara- teur-amplificateur à collecteur ouvert de la technique anté- rieure; et la Fig 5 est un schéma de circuit d'un mode de réalisa- tion d'un circuit séparateur-amplificateur à trois états construit conformément aux principes de la présente inven- tion. On décrira maintenant la présentc invention en se réfé- rant à son mode de réalisation représenté sur le schéma de circuit de la Fig 5 Comme représenté sur la Fig 5, le circuit séparateur-amplificateur de sortie 50 comporte un transistor NPN 60 dont l'émetteur est connecté à une borne de sortie 58 et dont le collecteur est connecté, par l'in- termédiaire d'une résistance 56,à une source d'alimentation en tension positive VCC connectée à une borne 55 La base du transistor 60 est connectée à l'émetteur du transistor par l'intermédiaire d'une résistance 61 et d'une diode de Schottky 62 afin d'établir un trajet de courant pour dé- charger la base du transistor 60 lorsqu'un transistor 59 passe à l'état non conducteur supprimant, de ce fait, l'ap- plication du courant de commande de base au transistor 60. Le transistor NPN 59 a son collecteur connectée au collec- teur du transistor 60 et son émetteur connecté à la base du transistor 60 et,ainsi, les transistors 59 et 60 forment une paire de transistors de Darlington La base du transistor 59 reçoit un signal qui commande le fonctionnement des tran- sistors 59 et 60 et détermine ainsi si un courant doit ou non être fourni, par l'intermédiaire de la résistance 56 et du transistor 60, à la borne de sortie 58 Le circuit sépara- teur-amplificateur de sortie 50 comprend également un tran- sistor 63 dont le collecteur est connecté à la borne de sor- tie 58, dont l'émetteur est connecté à la masse et dont la base est connectée de façon à recevoir un signal d'entrée qui commande le fonctionnement du transistor 63 et déter- mine ainsi si un courant doit être absorbé à partir de la borne de sortie 58 par l'intermédiaire du transistor 63. Lorsque la borne de sortie 58 doit être dans l'état de forte impédance, la base du transistor 59 est abaissée à un bas niveau par l'action d'un transistor 65 De la même manière, lorsque la borne de sortie 58 doit être dans l'état de forte impédance, la base du transistor 63 est abaissée àun bas ni- veau par l'action d'un transistor 67 Ceci est en contraste direct avec les circuits séparateurs-amplificateurs à trois états de la technique antérieure dans lesquels la base du transistor 63 n'est pas portée à un bas niveau par un tran- sistor de mise hors fonction spécifique 67 mais est, au con- traire, portée à un bas niveau par l'action d'autres élé- ments qui servent également à propager le signal d'entrée de données Par exemple lorsqu'un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE un logique à des résistances 64 et 66 Lorsque les résis- tances 64 et 66 reçoivent un signal de haut niveau ou à l'état un logique, les jonctions base-émetteur des transis- tors 65 et 67 sont polarisées dans le sens direct et ainsi les transistors 65 et 67 passent à l'état conducteur Les transistors 65 et 67 étant conducteurs, les bases des tran- sistors 59 et 63 sont abaissées à un bas niveau et, de ce fait, les transistors 59, 60 et 63 passent à l'état non con- ducteur, présentant ainsi une forte impédance sur la borne de sortie 58 Il est important de noter que le retard de propagation entre la réception d'un signal de mise hors fonc- tion de la sortie à l'état logique un sur la borne d'entrée et son application aux bases des transistors 59 et 63 est égal à un retard de franchissement de porte, le retard de franchissement de porte dû à l'unique porte formée par l'étage séparateur-amplificateur 151 et les transistors 65 et 67 Ainsi, en réponse à l'application d'un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE à l'état un logique, la borne de sortie 58 est mise à l'état de forte impédance après un très court retard de propagation qui est bien inférieur 'au retard de propagation entre la réception d'un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE de haut niveau et la généra- tion d'un état de forte impédance sur la borne de sortie d'un circuit séparateur-amplificateur à trois états de la technique antérieure. Pour achever la description du fonctionnement du cir- cuit séparateur-amplificateur de sortie 50, on indiquera que lorsqu'un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE à bas * niveau est appliqué à la borne 150, l'étage séparateur-am- plificateur 151 applique un signal de bas niveau aux bases des transistors 65 et 67,par l'intermédiaire respectivement de la résistance 64 et de la résistance 66,provoquant ainsi le passage à l'état non conducteur des transistors 65 et 67. Les bases des transistors 59 et 63 ne sont pas, de ce fait, abaissées à un bas niveau et leur fonctionnement est déter- miné par l'état du signal de données d'entrée appliaué à la borne 51 Par exemple, lorsqu'un signal de données d'entrée zéro logique est appliqué à la borne d'entrée 51, des tran- sistors 52 et 53 passent à l'état non conducteur,ce qui pro- voque le passage du transistor 63 à l'état non conducteur. De même, le transistor 53 étant non conducteur, la base du transistor 59 est connectée à une tension positive,par l'in- termédiaire de la résistance 54,de sorte que le transistor 59 passe à l'état conducteur Lorsque le transistor 59 est con- ducteur, il fournit du courant de base au transistor 60, ce qui provoque le passage du transistor 60 à l'état conducteur. Le transistor 60 étant conducteur, la borne de sortie 58 est utilement connectée à la source de tension d'alimentation po- sitive VCC, connectée à la borne 55 et la borne de sortie 58 est utilement déconnectée de la masse permettant ainsi à la borne de sortie 58 de fournir du courant par l'intermédiaire de la résistance 56 et du transistor 60 à un circuit,externe (non représenté) connecté à la borne de sortie 58. Inversement, lorsqu'un signal de données d'entrée un est appliqué à la borne d'entrée 51, les transistors 52 et 53 passent à l'état conducteur, appliquant ainsi un courant de base au transistor 63,ce qui provoque le passage à l'état conducteur du transistor 63 qui met ainsi à la masse la borne de sortie 58 En même temps, du fait que le transistor 53 est conducteur, la base du transistor 59 est maintenue à un niveau suffisamment bas pour empêcher le transistor 59 de passer à l'état conducteur Le transistor 59 n'étant pas conducteur, aucun courant de base n'est fourni au transistor et, de ce fait, le transistor 60 reste à l'état non con- ducteur, déconnectant ainsi la borne de sortie 58 de la source d'alimentation en tension positive VCC connectée à la borne 55 Ainsi la borne de sortie 58 peut absorber du courant provenant d'un circuit externe (non représenté) par l'intermédiaire du transistor 63. Ainsi, conformément aux enseignements de la présente invention, on a réalisé un circuit séparateur-amplificateur de sortie à trois états ayant un retard de propagation extrê- mement court entre la réception d'un signal de mise hors fonction de la sortie (c'est-à-dire un signal de MISE EN FONCTION DE LA SORTIE (DE) de haut niveau) et la génération d'un état de forte impédance sur la borne de sortie du cir- cuit séparateur-amplificateur-de sortie à trois états Dans le cas d'un circuit de sortie caractéristique construit con- formément à la présente inventuon en utilisant la technique d'isolement par jonctions bipolaires et dissipant approxima- tivement 25 milliwatts de courant, le retard de propagation entre la réception d'un signal de MISE EN FONCTION DE LA SOR- TIE (OE) à l'état un logique sur la borne 150 et la généra- tion d'un état de forte impédance sur la borne de sortie 58 est d'approximativement 10 nanosecondes, soit environ la moitié du retard de propagation des circuits de sortie de la technique antérieure Naturellement, le retard de propagation effectif entre la réception d'un signal OR à l'état un lo- gique et la génération d'lun état de forte impédance sur la borne de sortie 58 dépend de la dissipation d'énergie du cir- cuit et de la technique de traitement spécifique utilisée pour fabriquer un circuit de sortie construit conformément aux enseignements de la présente invention. 3 C On notera que les émetteurs des transistors 52 et 53 reliés à la base du transistor 63 sont par ailleurs connectés à la masse par l'intermédiaire d'une résistance 57 et d'une diode 58. Bien qu'on ait décrit la présente invention en se réfé- rant à un mode de réalisation spécifique, il est bien enten- du que ce mode de réalisation est simplement destiné à ser- vir d'exemple et ne doit pas être interprété comme limitant la portée de l'invention De nombreux autres modes de réali- sation de l'invention viendront immédiatement à l'esprit des spécialistes de la technique ayant pris connaissance des en- seignements du présent mémoire descriptif. 2 533 781 AUCUNE DEMANDE N'EST PUBLIEE SOUS CE NUMERO un REVENDICATIONS 1 Un circuit de sortie à trois états cractérisé en ce qu'il comporte: une borne ( 51) d'entrée de données pour re- cevoir un signal de données susceptible d'être soit dans un premier état soit dans un second état; une borne ( 150) d'en- trée de mise en fonction pour recevoir soit un signal de mise en fonction soit un signal de mise hors fonction; une borne de sortie ( 58); des premiers moyens de commutation de sortie ( 60) ayant une première borne de transport de courant connec- té à la borne de sortie ( 58), une seconde borne de transport de courant connectée à une première borne d'alimentation à un premier potentiel ( 55) et une borne de commande;-des premiers -yens ( 52,53,54) pour fournir une tension choisie à la borne de commande-des premiers moyens de commutation de sortie en réponse-au signal de données; et des seconds moyens de commutation de sortie ( 63) ayant une première borne de transport de courant connec- tée à la borne de sortie, une seconde borne de transport de courant connectée à une seconde borne d'alimentation d'un second poten- tiel et une borne de commande connectée à des moyens de coemande; des seconds moyens ( 52, 53) pour fournir une tension choisie à la borne de commande des seconds moyens de commutation de sor- tie en réponse au signal de données; des moyens de com- mande ( 151, 64-67) indépendants des premiers-et seconds moyens de fourniture de tension, ces moyens de commande fonc- tionnant, en réponse au signal de mise hors fonctionpour ap- pliquer une tension choisie aux bornes de commande des pre- miers moyens de commutation, provoquant ainsi le passage des premiers moyens de commutation à l'état non conducteur quel que soit l'état du signal de données et la tension appliquée à la borne de commande-des premiers moyens de commutation par lesdits premiers moyens de fourniture de tension et quelle que soit la tension appliquée à la borne de commande des seconds moyens de commutation par les seconds moyens de fourniture de tension; et en ce que le circuit de sortie a un premier état de sortie dans lequel, en réponse au signal de mise en fonction et à un signal de données ayant le pre- mier état, ledit circuit peut fournir du courant à un circuit externe connecté à la borne de sortie ( 58), un second état de sortie dans lequel, en réponse au signal de mise en fonc- tion et à un signai de données ayant le second état, ledit circuit peut absorber du courant provenant d'un circuit externe connecté à la borne de sortie et un troisième état de sortie dans lequel, en réponse au signal de mise hors fonction, ledit circuit présente une forte impédance au cir- cuit externe connecté à la borne de sortie. 2 Circuit de sortie selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premiers moyens de commutation sont constitués par un transistor bipolaire ( 60). 3 Circuit de sortie selon la revendication 1, caractérisé en ce que les seconds moyens de commutation sont constitués par un transistor bipolaire. 4 Circuit de sortie selon la revendication 1, caractérisé en ce que les seconds moyens de commutation sont constitués par un transistor de Schottky ( 63). Circuit de sortie selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de commande indépendants des premiers et seconds moyens de fourniture de tension comprennent: des premiers moyens de commutation de mise hors fonction ( 65) ayant une première borne de transport de courant connectée à la borne de commande des premiers moyens de commutation de sortie ( 60), une seconde borne de transport de courant con- 'nectée à ala seconde borne d'alimentation à un second potentiel et une borne de commande connectée à la borne d'entrée ( 150) de mise en fonc- tion; des seconds moyens de commutation de mise hors fonc- tion ( 67) ayant une première borne de transport de courant connectée à la borne de commande des seconds moyens de com- mutation de sortie ( 63), une seconde borne de transport de courant connectée à la seconde borne d'alimentation à un second potentiel et une borne de commande connectée à la borne d'entrée ( 150) de mise en fonction. 6 Circuit de sortie selon la revendication 5, caractérisé en ce que les premiers et seconds moyens de commutation de mise hors fonction sont des transistors bipolaires. 7 Circuit de sortie selon la revendication 5, caractérisé en ce que les premiers et seconds moyens de commutation de mise hors fonction sont des transistors de Schottky. & Circuit de sortie selon la revendication 5, caractérisé en ce que la borne de commande des premiers moyens de commu- tation de mise hors fonction ( 65) et la borne de commande des seconds moyens de commutation de mise'hors fonction sont connectées à la borne d'entrée ( 150) de mise en fonction par l'intermédiaire de moyens séparateurs-amplificateurs ( 151). 9 Un circuit de sortie à trois états caractérisé en ce qu'il comporte: une borne ( 51) d'entrée-de données pour re- cevoir un signal de données susceptible d'avoir soit un pre- mier état, soit un second état; une borne ( 150) d'entrée de mise en fonction pour recevoir soit un signal de mise en fonction, soit un signal de mise hors fonction; une borne de sortie ( 58); des moyens ( 63) pour absorber un courant provenant de la borne de sortie; des moyens ( 60, 55) pour fournir du courant à la borne de sortie; des premiers moyens ( 52, 53) pour commander les moyens servant à absorber du courant, lesquels, en réponse à un signal d'entrée de don- nées dans le premier état, provoquent l'absorption de cou- rant provenant de la borne de sortie; des seconds moyens courant, lesquels, en réponse à un signal d'entrée de don- nées dans le second état, provoquent la fourniture de courant à la borne de sortie; et des moyens de commande ( 151, 64-67 > -indépendants des premiers et seconds moyens servant à com- mander les moyens d'absorption et de fourniture de courant, ces moyens de commande fonctionnant,en réponse au signal de mise hors fonction,de manière à mettre hors fonction les moyens d'absorption et de fourniture de courant présentant ainsi une forte impédance sur la borne de sortie.