Brevet FR2530865A1 — publié le 19840127

La présente invention concerne un procédé de fabri- cation d'un dispositif comprenant au moins une opération dans laquelle une surface du dispositif fabriqué doit être atta- quée, dans lequel le dispositif est attaqué en présence d'un plasma contenu à l'intérieur d'un appareil, le plasma est produit dans une ambiance gazeuse par l'application d'un champ électrique dans une partie de l'ambiance gazeuse, entre deux électrodes, l'une des électrodes supporte le dispositif à attaquer, la surface à attaquer consiste en silicium, l'attaque de la surface doit être effectuée dans une ambiance gazeuse comprenant du chlore, et l'appareil a été utilisé dans une opération d'attaque précédente dans laquelle l'ambiance gazeuse comprend un composé contenant du fluor. Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs de très petites dimensions, on utilise des traitements lithographiques pour transformer un dessin établi par un concepteur en un motif correspondant à réso- lution élevée, sur une surface située au-dessus d'un substrat approprié De tels traitements consistent générale- ment en une opération de masquage dans laquelle le motif est tout d'abord défini dans une couche de masquage située au-dessus de la surface qui doit recevoir le motif, et en une opération ultérieure de transfert de motif, dans laquelle le motif présent dans la couche de masque est- transféré vers la surface sous-jacente Antérieurement, le traitement de transfert de motif comprenait une attaque chimique par voie humide qui effectue une attaque isotrope de la surface, c'est-à-dire que la vitesse d'attaque est pratiquement la même dans toutes les directions On développe à l'heure actuelle des dispositifs dits à très haut niveau d'intégra- tion, tels que la mémoire vive dynamique de 64 kilobits, ayant des dimensions de détails de dispositifs inférieures à 2 Xim La fabrication de tels dispositifs exige l'utilisa- tion de techniques de transfert de motifs capables de repro- duire des détails très fins Pour une telle reproduction de détails fins, les techniques d'attaque par voie humide ont l'inconvénient qui consiste en ce que la nature isotrope d'une telle attaque produit une surgravure latérale sous la couche de masquage, et conduit par conséquent à une mauvaise maîtrise de la taille des détails On a développé récemment diverses techniques d'attaque assistée par plasma qui, dans des conditions appropriées, peuvent procurer une attaque ani- sotrope d'une surface, c'est-à-dire que la vitesse d'attaque est plus élevée dans une direction (habituellement normale à la surface qui est attaquée) que dans d'autres directions. Du fait qu'une attaque anisotrope produit une surgravure latérale moins forte, elle convient mieux au transfert d'un motif à résolution élevée qu'une attaque isotrope En géné- ral, les techniques d'attaque assistée par plasma font appel à l'exposition de la surface à attaquer à un plasma contenu dans un appareil Le plasma est produit normalement par l'application d'un champ électrique RF dans une ambiance gazeuse appropriée, entre une paire d'électrodes dans l'appa- reil. On sait que l'une des techniques d'attaque assistée par plasma appelée attaque par pulvérisation réactive, procu- re un degré d'anisotropie particulièrement élevé, c'est-à- dire que l'attaque ne se produit pratiquement que dans une direction normale à la surface qui est attaquée On accomplit de façon caractéristique l'attaque par pulvérisation réactive avec l'ambiance gazeuse à une pression relativement basse (par exemple 0,13 à 13-Pa) et en supportant le dispositif à attaquer par l'électrode qui est connectée à la source d'énergie RF L'attaque s'effectue par pulvérisation de la surface attaquée avec des espèces ioniques chimiquement réactives Du fait que dans les conditions de basse pression dans le plasma, les ions tombent dans une large mesure avec des incidences normales sur la surface qui est attaquée, et qu'une réaction chimique se produit entre les ions incidents et la matière de la surface, l'attaque se déroule de façon -1530865 anisotrope et rapidement. En plus de l'anisotropie, il est également impor- tant pour de nombreuses applications que le traitement d'attaque soit fortement sélectif Ceci signifie que la vitesse d'attaque de la matière qui est attaquée doit être très supérieure à celle de la couche de masquage et à celle de la couche qui est située immédiatement au-dessous. Des travaux considérables ont été consacrés récemment au développement de traitements d'attaque pour le transfert de motifs à résolution élevée vers des surfaces de matières à base de silicium, en particulier pour la défini- tion de motifs dans des couches de silicium polycristallin. L'expression "matières à base de silicium" désigne des matiè- res ayant une composition qui correspond de façon prédomi- nante à du silicium élémentaire De telles matières peuvent être monocristallines, polycristallines ou amorphes et peu- vent être dopées ou non dopées Dans la fabrication de dis- positifs du type métal-oxyde-semiconducteur (MOS) à grille en silicium et à très haut niveau d'intégration, comme la mémoire vive dynamique de 64 kilobits, on définit des motifs dans des couches de silicium polycristallin pour former des armatures de condensateur de cellules de mémoire, des élec- trodes de grille de transistors et des interconnexions de circuit Dans de tels dispositifs, le traitement d'attaque pour définir un motif dans la couche de silicium polyeris- tallin doit être fortement anisotrope pour procurer une mal- trise précise de la taille des détails et il doit être forte- ment sélectif vis-à-vis du dioxyde de silicium, pour éviter l'enlèvement d'une couche très mince de dioxyde de silicium (dont l'épaisseur peut ne pas dépasser 50 nm), qui se trouve sous la couche de silicium polycristallin dans certaines régions du dispositif. On sait que l'attaque par pulvérisation réactive de matières à base de silicium dopées ou non dopées dans un plasma de chlore pur (C 12) procure un degré élevé d'anisotro- pie, une sélectivité d'attaque élevée vis-à-vis du dioxyde de silicium et une vitesse d'attaque élevée Les caractéristi- ques d'une telle attaque sont décrites par exemple dans les articles: "Reactive Ion Etching of Silicon" par G C. Schwartz et P M Schaible Journal of Vacuum Science and Technology 16 ( 2) mars/avril 1979, page 410 et I'Anisotropic Polysilicon Etching with C 12 Plasma" par W W Yao et R H. Bruce, Electrochemical Society Extended Abstracts, Volume 81-2, octobre 1981, page 552 La sélectivité d'attaque du silicium vis-à-vis du dioxyde de silicium dans l'attaque par pulvérisation réactive de matières à base de silicium dans un plasma de chlore est renforcée (jusqu'à 25:1) si l'élec- trode de l'appareil d'attaque qui est reliée à la source d'énergie est recouverte par une couche d'alumine (A 1203). Il existe cependant un problème dans l'utilisation d'une attaque par pulvérisation réactive de matières à base de silicium dans un plasma de chlore, et ce problème consiste en ce qu'on ne peut pas accomplir aisément un tel traitement d'attaque dans un appareil qui a été utilisé pour un autre traitement d'attaque faisant appel à un plasma produit dans un composé contenant du fluor, tel que du trifluorure d'azo- te ou du trifluorométhane Par exemple, dans la fabrication de la mémoire vive dynamique de 64 kilobits précitée, l'attaque de l'une des couches de silicium polycristallin utilisées dans ce dispositif est accomplie en deux étapes. On utilise tout d'abord une étape d'attaque anisotrope pour définir dans cette couche un motif à résolution élevée, et ceci est suivi par une étape d'attaque isotrope pour enlever les filaments de silicium polycristallin non désirés que - laisse l'attaque anisotrope Du fait des avantages envisagés ci-dessus, il est souhaitable d'utiliser l'attaque par pul- vérisation réactive dans un plasma de chlore pour l'étape d'attaque anisotrope Pour l'étape d'attaque isotrope, il est avantageux d'utiliser l'attaque par pulvérisation réacti- ve dans un plasma de trifluorure d'azote (NF 3), qui procure une vitesse d'attaque très élevée et une sélectivité très élevée (jusqu'à 40-1) vis-à-vis du dioxyde de silicium. L'attaque assistée par plasma de matières à base de silicium dans un plasma de trifluorure d'azote est décrite dans le brevet US 4 310 380 Dans une opération de fabrication, il est également souhaitable d'accomplir les deux étapes d'attaque de silicium polycristallin dans le même appareil d'attaque, de façon à parvenir à une capacité de fabrication élevée pour l'appareil Cependant, l'exposition de l'appa- reil au plasma de trifluorure d'azote pendant l'étape d'atta- que isotrope fait que l'appareil est passiv 4 pour l'attaque par pulvérisation réactive par le chlore pour des matières à base de silicium Du fait d'une telle passivation, l'atta- que par pulvérisation réactive par le chlore pour des matiè- res à base de silicium ne progresse que très lentement, ou même pas du tout, dans l'appareil On a trouvé que ce pro- blème de passivation, qui est lié au problème du "silicium noir" mentionné dans l'article précité de G C Schwartz et col, résultait de la présence d'une matière consistant en un oxyde inorganique (par exemple Si O 2 ou A 1203) sur l'élec- trode de l'appareil qui reçoit l'énergie électrique, et de l'exposition d'une telle matière à un plasma produit dans un composé contenant du fluor (par exemple NF V CHF 3 ou C 2 F 6). La passivation est encore pire lorsque l'électrode qui reçoit l'énergie électrique est recouverte d'alumine. Dans l'art antérieur, on réactive un appareil passivé en produisant un plasma de chlore avec une puissance RF élevée pendant une longue durée (de façon caractéristique minutes), ou en lavant l'appareil dans une solution à IM d'acide chlorhydrique Cependant, aucune de ces procédures de réactiviation n'est pratique dans une opération d'attaque en -fabrication, à cause des longues durées qui interviennent. Il existe donc un besoin concernant un procédé utilisable dans une opération de fabrication, pour accomplir une attaque par pulvérisation réactive d'une matière à base de silicium 2530865 _ dans un plasma de chlore, avec un appareil d'attaque qui a été exposé à un plasma produit dans un composé contenant du fluor Un tel procédé améliorerait notablement la fabrica- tion de dispositifs MOS à grille en silicium et à très haut niveau d'intégration, ainsi que d'autres dispositifs néces- sitant un transfert d'un motif à résolution élevée sur la surface d'une matière à base de silicium. Les problèmes de l'attaque assistée par plasma de matières à base de silicium dans la fabrication de circuits intégrés MOS à grille en silicium et à très haut niveau d'intégration et d'autres dispositifs, envisagés ci-dessus, sont résolus par un procédé dans lequel un appareil d'atta- que qui a été exposé précédemment à un plasma produit dans un composé contenant du fluor est réactivé pour l'attaque par pulvérisation réactive d'une matière à base de silicium dans un plasma de chlore, en produisant un plasma de tri- chlorure de bore (BCI 3) dans l'appareil Le plasma de tri- chlorure de bore peut être produit dans l'appareil dans une étape de prétraitement séparée après que l'appareil a été utilisé avec un composé contenant du fluor et avant qu'il soit utilisé avec du chlore Selon une variante, on peut utiliser le plasma de trichlorure de bore pour déclencher l'attaque de la matière à base de silicium Dans le mode de réalisation préféré de l'invention, on accomplit initiale- * 25 ment une attaque par pulvérisation réactive de la-matière à base de silicium dans un appareil passivé, dans un plasma qui est produit dans un mélange de trichlorure de bore et de chlore Après le début de l'attaque, on coupe l'arrivée de trichlorure de bore et on utilise du chlore pur pour l'attaque anisotrope de la -matière à base de silicium. Lorsque c'est nécessaire, on fait suivre ceci d'une attaque par pulvérisation réactive isotrope de la matière à base de silicium dans un plasma de trifluorure d'azote. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre d'un mode de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels Les figures 1 à 4 sont des coupes de parties d'un exemple de dispositif-MOS à grille en silicium et à très haut niveau d'intégration, en cours de fabrication, montrant diverses étapes d'une opération d'attaque assistée par plasma, pendant la fabrication du dispositif, conformément aux principes de l'invention; et La figure 5 est une représentation partiellement schématique d'un exemple d'appareil d'attaque assistée par plasma, dans lequel le procédé de l'invention peut être mis en oeuvre. On va maintenant considérer les figures 1 à 4 qui sont des coupes de parties d'un exemple de dispositif MOS , à grille en silicium et-à très haut niveau d'intégra- tion, en cours de fabrication, montrant diverses étapes d'une opération d'attaque pendant sa fabrication On utilise les mêmes numéros de référence sur les figures 1 à 4 pour désigner des régions et des parties semblables du dispositif. Le dispositif est une mémoire vive dynamique de 64 kilobits qui utilise deux niveaux de silicium polycristallin qu'on désigne généralement par les appellations POLY I et POLY II. L'opération d'attaque qui est représentée concerne la défi- nition d'un motif pour le niveau POLY II Comme le montre la figure 1, on a défini précédemment un motif dans le niveau POLY I, 11, qui est fortement dopé-et a une épaisseur de 400 nm, pour former une armature d'un condensateur de stocka- ge d'une cellule de mémoire dynamique, et l'autre armature du condensateur est constituée par une région de type p 13 d'un bloc de silicium monocristallin qui est séparée de la couche Il par une couche de dioxyde de silicium 12 d'une épaisseur de 30 nm L'attaque du niveau POLY I a été effectuée en uti- lisant comme masque une couche intermédiaire de dioxyde de silicium 14 de 270 nm d'épaisseur On a formé par croissance thermique une couche de dioxyde de silicium 15 sur les parois latérales de la couche POLY I après attaque A cause de la surgravure latérale du niveau POLY i pendant l'attaque, une marche d'oxyde 16 ayant une forme rentrante s'est formée en position adjacente à la paroi latérale de la couche POLY I. Avant la formation d'un motif, la couche POLY II, 17, qui n'est pas dopée et a une épaisseur de 500 nm, recou- vre la couche d'oxyde intermédiaire 14 et une couche de- dioxyde de silicium 18 d'une épaisseur de 50 nm Dans une autre partie du dispositif, la couche POLY II vient en con- tact avec une région 19 de type N fortement dopée du bloc de silicium, à travers une ouverture 20 dans la couche d'oxyde 18 Une couche de dioxyde de silicium 21, en forme de bande, de 250 nm d'épaisseur et de 2 pm de largeur, est formée de façon à faire fonction de masque pour l'attaque de la couche POLY II, pour former une ligne de bit du réseau de cellules de mémoire Dans une autre partie du dispositif qui n'est pas représentée, on forme un motif dans la couche POLY II dans la même opération d'attaque, pour former des électrodes de grille de transistors et des interconnexions de circuit Du fait que les dimensions des lignes de bit et des électrodes de grille sont critiques en ce qui concerne les performances du dispositif, il est avantageux de former le motif de la couche POLY II en utilisant une attaque qui procure un degré élevé d'anisotropie, pour parvenir à une maîtrise précise de la taille des détails. En considérant maintenant la figure 2, on note qu'il est difficile d'enlever la région 22 de la couche POLY II adjacente à la marche 16, lorsqu'on utilise un traitement d'attaque anisotrope Pour assurer l'enlèvement de telles régions, l'attaque de la couche POLY II doit se prolonger longtemps après que les surfaces des couches de dioxyde de silicium 14 et 18 sont exposées au plasma d'attaque Du fait que la couche d'oxyde 18 ne mesure que 500 nm d'épaisseur, le traitement d'attaque utilisé pour la couche POLY II doit avoir une sélectivité très élevée visà-vis du dioxyde de silicium pour minimiser l'attaque de la couche 18 Pour ces raisons, il est souhaitable d'utiliser une attaque par pulvé- risation réactive par du chlore dans un appareil dont l'élec- trode qui reçoit l'énergie électrique est recouverte d'alumi- ne, pour l'étape d'attaque anisotrope de la couche POLY II. La figure 3 montre la structure du dispositif après l'étape d'attaque anisotrope Du fait que la couche POLY II réalise une couverture conforme presque parfaite de la marche rentrante 16, l'attaque anisotrope laisse un filament de silicium polycristallin 23 qui peut produire des courts- circuits électriques dans la cellule de mémoire Ce filament doit donc être enlevé par une attaque isotrope En outre, l'attaque isotrope doit avoir une sélectivité élevée vis-à- vis du dioxyde de silicium, pour minimiser l'attaque de la couche d'oxyde 18 Pour ces raisons, il -est souhaitable d'utiliser une attaque par pulvérisation réactive dans un plasma de trifluorure d'azote, pour l'attaque isotrope de la couche POLY II. La figure 4 montre la structure du dispositif après l'étape d'attaque isotrope L'attaque isotrope réduit d'environ 0,5 pm la largeur totale du conducteur de -ligne de bit 24, à partir de sa largeur nominale de 2 jim L'épaisseur finale de la couche 18 est d'environ 30 nm. Dans une opération de fabrication, il est souhai- table d'accomplir à la fois l'attaque isotrope et l'attaque anisotrope de la couche POLY II dans le même appareil d'attaque, et d'éliminer ainsi la durée associée au transfert des tranches de dispositifs dans un autre appareil Cepen- dant, comme indiqué ci-dessus, l'exposition d'un appareil d'attaque à un plasma de trifluorure d'azote produit un pro- blème de passivation qui s'oppose à une attaque ultérieure de silicium par pulvérisation réactive dans un plasma de chlore, dans le même appareil, le problème de passivation étant encore accru par la présence d'une électrode recevant l'énergie électrique et recouverte d'alumine. Conformément à un mode de réalisation de l'inven- tion, on résout le problème de passivation en utilisant un plasma produit dans du trichlorure de bore pour pré-traiter l'appareil, après l'attaque avec un composé contenant du fluor et avant le chargement des tranches de dispositifs dans l'appareil, pour l'attaque par pulvérisation réactive d'une matière à-base de silicium dans un plasma de chlore. Le pré-traitement est avantageusement accompli sous une pression de trichlorure de bore de 0,65 Pa et avec une den- sité de puissance (puissance RF par unité d'aire de l'élec- trode recevant l'énergie électrique) de 0,3 W/cm, pendant environ trois minutes Cependant, conformément à l'inven- tion, le pré-traitement peut de façon générale être accompli à une pression et une densité de puissance dans les plages respectives de 0,65 à 13 Pa et de 0,1 à 0,5 W/cm La durée du pré-traitement peut généralement ne pas dépasser deux minutes. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, une attaque par pulvérisation réactive d'une matière à base de silicium dans un appareil passivé est accomplie, au moins initialement, dans un plasma de trichlorure de bore Du fait que le plasma de trichlorure de bore attaque la matière à base de silicium à une vitesse relativement faible et avec une sélectivité relativement faible, vis-à- vis du dioxyde de silicium, il est avantageux de passer à un plasma de chlore pur après le début de l'attaque L'attaque par pulvérisation réactive de la matière à base de silicium dans un plasma de trichlorure de bore est avantageusement accomplie à une pression de 1,3 Pa et à une densité de puissance de 0,3 W/cm Cependant, conformément à l'invention, on peut de façon géné- rale accomplir une telle attaque avec une pression et une densité de puissance comprises respectivement dans les plages de 0,65 à 13 Pa et de 0,1 à 0,5 W/cm Selon encore un autre mode de réalisation, préféré, de l'invention, une attaque par pulvérisation réactive d'une matière à base de silicium dans un appareil passive est accom- plie, au moins initialement, dans un mélange de trichlorure de bore et de chlore L'utilisation d'un tel mélange de gaz procure un amorçage de l'attaque plus rapide qu'avec du tri- chlorure de bore pur Du fait que la vitesse d'attaque comme la sélectivité que procurent le mélange sont inférieu- res à celles que procure du chlore pur, il est avantageux de passer à un plasma de chlore pur après le début de l'attaque de la matière à base de silicium On détermine avantageuse- ment le début de l'attaque en contrâlant-directement la vitesse d'attaque de la matière à base de silicium dans L'appareil On peut cependant utiliser également d'autres moyens pour déterminer le démarrage de l'attaque, comme par observation d'un changement de couleur dans la lumière émise par le plasma, ou par l'attente d'une durée prédéterminée après que les tranches de dispositifs ont été exposées au plasma de trichlorure de bore. L'attaque par pulvérisation réactive de la matière à base de silicium dans un mélange de chlore et de trichlo- rure de bore est avantageusement accomplie avec un mélange contenant 75 % de chlore en volume, et avec une pression et une densité de puissance ayant des valeurs respectives de 1,8 Pa et 0,3 W/cm Cependant, conformément à l'invention, on peut de façon générale accomplir une telle attaque dans un mélange ayant une teneur en chlore allant jusqu'à 98 % en volume, et avec une pression et une densité de puissance dans les plages respectives de 0,65 à 13 Pa et de 0,1 à 0,5 W/cm 2 t Dans chacun des modes de réalisation décrits ci-dessus, la tension continue qui est développée aux bornes des électrodes de l'appareil d'attaque n'est généralement pas critique en ce qui concerne l'efficacité du plasma de trichlorure de bore pour réactiver l'appareil passivé La fréquence du champ RF n'est généralement pas critique non plus dans le traitement de réactivation, à condition que cette fréquence soit supérieure à la fréquence de résonance du plasma d'ions et inférieure à la fréquence de résonance du plasma d'électrons dans l'appareil Les débits de gaz à utiliser dans les modes de réalisation décrits dépendent du volume de l'appareil d'attaque particulier qui est utilisé et de la capacité d'évacuation du système de pompe à vide qu'on utilise pour faire le vide dans cet appareil Un spé- cialiste dans le domaine de l'attaque assistée par plasma pourra aisément déterminer le débit préféré pour un appareil donné. On va maintenant considérer la figure 5 sur laquelle on voit une représentation schématique partielle d'un exemple d'appareil d'attaque assistée par plasma, 50, destiné à la mise en oeuvre du procédé de l'invention. L'appareil est du type appelé réacteur à plaques parallèles et il comprend une chambre à vide cylindrique à parois métalliques, 51, ayant un diamètre intérieur d'environ 61 cm et une hauteur intérieure d'environ 18 cm A l'intérieur de la chambre se trouve une électrode circulaire 52, en alumi- nium et refroidie par eau, d'un diamètre d'environ 56 cm. L'électrode 52 est excitée avec de l'énergie RF provenant d'un générateur de signal à 13,6 M Hz, 54, qui est en coupla- ge capacitif avec l'électrode excitée par l'intermédiaire d'un réseau d'adaptation d'impédance 55 Les parois métalli- ques de la chambre à vide sont mises à la masse et consti- tuent l'autre électrode pour l'application de champs élec- triques RF au gaz d'attaque qui se trouve dans la chambre. La puissance disponible que fournit le générateur RF est dans la plage de 50 à 2000 W Aux pressions de gaz faibles utilisées pour l'attaque par pulvérisation réactive, une tension continue s'é-Lvant à plusieurs centaines de volts se développe-dans la décharge par plasma entre lespaxisdela cham- bre et l'électrode excitée La polarité de cette tension est telle que l'électrode excitée est polarisée négativement par rapport aux parois de la chambre Dans une opération normale d'attaque par pulvérisation réactive, le générateur de signal RF 54 commande automatiquement la puissance RF pour maintenir une tension de polarisation continue désirée. L'électrode excitée est entourée par un écran métallique cylindrique d'espace sombre, 78, qui est placé de façon à se trouver dans l'espace sombre de Crookes d'une décharge produite dans la chambre Un écran métallique perfo- ré et cylindrique 56 s'étend depuis l'écran d'espace sombre jusqu'à la base de la chambre L'écran d'espace sombre et l'écran perforé sont tous deux reliés à la masse et ont pour fonction d'empêcher qu'une décharge ne se produise sur les cotés et sur la partie inférieure de l'électrode excitée 52. Les tranches de dispositifs 53 qui doivent être attaquées sont supportées au-dessus de la surface supérieure de l'électrode excitée, sur des socles cylindriques en alu- minium 57 Des parties de la surface supérieure de l'élec trode excitée entourant les socles 57 sont protégés par une plaque de recouvrement 58 en acier inoxydable revêtu d'alu- mine Comme indiqué ci-dessus, l'utilisation d'une plaque de recouvrement comportant de l'alumine sur l'électrode excitée améliore la sélectivité du silicium vis-à-vis du dioxyde de silicium dans l'attaque par pulvérisation réactive dans un plasma de chlore. La chambre à vide communique avec un système de pompage comprenant une pompe à diffusion dihuile de 15 cm de diamètre assistée par une pompe mécanique ayant une capacité de 0,84 m 3/mn On pompe la chambre jusqu'à une pression d'environ 6,5 m Pa avant d'admettre les gaz d'attaque par le sommet de la chambre La pression dans la ch-ambre est auto- matiquement régulée par une valve papillon 59, du type store vénétien, qui est commandée par une unité de commande de valve papillon 60, détectant la pression dans la chambre au moyen d'un manomètre à vide du type Baratron 61 Les gaz d'attaque sont introduits dans la chambre par un système de manipulation de gaz comprenant un collecteur 62 associé à des conduits 63 à 65 qui sont respectivement reliés à des bouteilles de gaz 66 à 68 Les bouteilles de gaz 66 à 68 con- tiennent respectivement du chlore, de l'azote, du fluor et du trichlorure de bore Chacun des conduits du collecteur compor- te un débimètre 69 et une valve de commande électronique 70 pour réguler automatiquement le débit de chaque gaz d'atta- que. La vitesse d'attaque dans la chambre est directe- ment contrôlée par un système d'interféromètre à laser com- prenant un laser hélium-néon 71, un diviseur de faisceau 72, un photodétecteur 74, un amplificateur 75 et un traceur 76. Le laser fournituafaisceaacollimaté de lumière cohérente à 6328 nm Le diviseur de faisceau dirige une partie du faisceau lumineux à travers une Fenêtre 73 dans la paroi supérieure de la chambre, vers une surface d'une tranche de commande 77 portant une couche de la matière qui est atta- quée Le photodétecteur reçoit la lumière qui est réfléchie par la tranche de commande, et son signal de sortie est amplifié et appliqué au traceur Le traceur produit des tra- cés de l'intensité de la lumière réfléchie en fonction du temps Du fait des interférences entre les lumières réflé- chies à partir des surfaces supérieure et inférieure de la couche qui se trouve sur la tranche de commande, le tracé de l'intensité de la lumière réfléchie en fonction du temps présente des franges d'interférences à partir desquelles on peut déterminer avec précision la vitesse d'attaque de la couche Conformément à l'invention, on utilise avantageuse- ment le système d'interféromètre à laser pour contrôler le début de l'attaque d'une matière à base de silicium dans un plasma contenant du trichlorure de bore, dans un appareil passivé. On trouvera-ci-après les conditions préférées pour accomplir l'attaque par pulvérisation réactive de la couche POLY II dans le dispositif décrit ci-dessus à titre d'exemple, en utilisant l'appareil à réacteur à plaques parallèles pris comme exemple, et le mode de réalisation pré- féré de l'invention Pour l'étape d'attaque anisotrope, le gaz d'attaque dans le réacteur est initialement un mélange de chlore et de trichlorure de bore à une pression de 1, 85 Pa. Les débits de trichlorure de bore et de chlore sont respecti- vement de 12 et 48 cm 3/mn, ramenés aux conditions normales. La puissance RF est commandée de façon à maintenir une pola- risation continue de 275 V aux bornes des électrodes La vitesse d'attaque est contrôlée avec le système d'interféro- mètre à laser pour déterminer le début de l'attaque, qui se produit au bout d'environ quatre minutes Au début de l'atta- que, la vitesse d'attaque est approximativement de 50 nm par minute et la sélectivité d'attaque du silicium vis-à-vis du dioxyde de silicium est d'environ 10:1 Après le début de l'attaque, on coupe l'arrivée de trichlorure de bore, et l'attaque se poursuit dans du chlore pur On maintient la pression, le débit et la polarisation continue à des valeurs respectives de 1,85 Pa, 48 cm 3/mn (valeur ramenée aux condi- tions normales) et 275 V On accomplit l'attaque dans le plasma de chlore jusqu'à l'enlèvement de 1000 nm de sili- cium polycristallin, d'après la mesure faite par le système d'interféromètre à laser sur la tranche de commande qui est recouverte par une couche uniforme de 1200 nm d'une matière identique consistant en silicium polycristallin La vitesse d'attaque du silicium polycristallin et la sélectivité d'attaque du silicium polycristallin vis-à-vis du dioxyde de silicium dans le plasma de chlore sont respectivement d'envi- ron 75 nm/mn et d'environ 25:1. Pour l'étape d'attaque isotrope, le gaz d'attaque dans le réacteur est du trifluorure d'azote pratiquement pur. On maintient la pression, le débit et la polarisation conti- nue à des valeurs respectives de 3,7 Pa, 55 cm 3/mn (valeur ramenée aux conditions normales) et 10 VO On accomplit l'attaque dans le plasma de trifluorure d'azote jusqu'à l'enlèvement de 200 nm de silicium polycristallin, d'après la mesure faite avec le système d'interféromètre à laser sur la tranche de commande La vitesse d'attaque du silicium poly- cristallin et la sélectivité d'attaque du silicium poly- cristallin vis-à-vis du dioxyde de silicium sont respective- ment d'environ 200 nm/mn et d'environ 40:1. Bien qu'on ait décrit l'invention en considérant une opération particulière d'attaque assistée par plasma en deux étapes, dans un appareil d'attaque particulier, dans la fabrication d'un type de dispositif particulier, l'homme de l'art notera que diverses modifications peuvent être appor- tées dans les détails de l'opération, de l'appareil et du dispositif, sans sortir du cadre de l'invention Par exemple, l'opération peut porter sur l'attaque d'une matière à base de silicium dans un appareil passivé par exposition à un * plasma produit dans un composé contenant du fluor pendant l'attaque d'une matière ne consistant pas en silicium On peut utiliser d'autres types d'appareil d'attaque pour mettre en oeuvre l'invention, comme le réacteur à plasma à plu- sieurs facettes qui est décrit dans le brevet US 4 298 443. REVENDICATIONS 1 Procédé de fabrication d'un dispositif compre- nant au moins une opération dans laquelle une surface du dis- positif ( 53) qui est fabriqué doit être attaquée, dans lequel le dispositif est attaqué en présence d'un plasma con- tenu dans un appareil ( 51)9 le plasma est produit dans une ambiance gazeuse par l'application d'un champ électrique dans une partie de l'ambiance gazeuse, entre deux électrodes, l'une des électrodes ( 52) supporte le dispositif à attaquer, la surface à attaquer consiste en une matière à base de sili- cium, l'attaque de la surface doit être effectuée dans une ambiance gazeuse comprenant du chlore, et l'appareil a été utilisé dans une opération d'attaque précédente dans laquel- le l'ambiance gazeuse comprend un composé contenant du fluor, caractérisé en ce qu'après l'opération d'attaque précédente, on produit dans l'appareil un plasma dans une ambiance gazeu- se comprenant du trichlorure de bore. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'après l'opération d'attaque précédente-et avant le chargement du dispositif à attaquer dans l'appareil, on pro- duit dans l'appareil un plasma dans une ambiance gazeuse con- sistant en trichlorure de bore pratiquement pur, à une pression dans la plage de 0,65 Pa à 13 Pa, le plasma ayant une densité de puissance dans la plage de 0,1 W/cm 2 à 0,5 W/cmr et étant maintenu pendant au moins deux minutes. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on attaque le dispositif, au moins initialement, en présence d'un plasma qui est produit dans une ambiance gazeu- se consistant en trichlorure de bore. 4 Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'on attaque le dispositif, au moins initialement, en présence d'un plasma qui est produit dans une ambiance gazeu- se consistant en un mélange de chlore et de trichlorure de bore, dans lequel la teneur en chlore est dans la plage de 0 % à 98 % en volume, le mélange étant à une pression dans la plage de 0,65 Pa à 13 Pa et le plasma produit dans le mélan- ge ayant une densité de puissance dans la plage de 0,1 W/cm 2 à 0,5 W/cm. 5 Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'électrode qui supporte le dispositif à attaquer est recouverte au moins partiellement d'une couche d'alumine; et l'attaque initiale du dispositif est suivie par une atta- que supplémentaire du dispositif en présence d'un plasma pro- duit dans une ambiance gazeuse consistant en chlore pratique- ment pur, à une pression dans la plage de 0,65 Pa à 13 Pa, le plasma produit dans le chlore pratiquement pur ayant une den- 2 2 sité de puissance dans la plage de 0,1 W/cm à 0,5 W/cm 6 Procédé selon la revendication 4, dans lequel la surface à attaquer est une surface d'une couche de sili- cium polycristallin recouvrant de façon conforme une surface d'une couche de dioxyde de silicium ayant une ou plusieurs marches de forme rentrante, caractérisé en ce que l'attaque du dispositif en présence du plasma produit dans le mélange de chlore et de trichlorure de bore est suivie par une attaque supplémentaire du dispositif en présence d'un plasma produit dans une ambiance gazeuse consistant en un composé contenant du fluor. 7 Procédé selon la revendication 5, dans lequel la surface à attaquer est une surface d'une couche de sili- cium polycristallin recouvrant de façon conforme une surface d'une couche de dioxyde de silicium comportant une ou plu- sieurs marches de forme rentrante, caractérisé en ce que l'attaque du dispositif en présence d'un plasma produit dans du chlore pratiquement pur est suivie par encore une autre attaque supplémentaire du dispositif en présence d'un plasma produit dans une ambiance gazeuse consistant en un composé contenant du fluor. 8 Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 6 ou 7, caractérisé en ce que le composé contenant du fluor consiste en trifluorure d'azote à une pression dans la plage de 0,65 Pa à 13 Pa, et le plasma qui est produit dans ce composé a une densité de puissance dans la plage de 2 2 0,04 W/cm à 0,2 W/cm 9 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'après avoir chargé le dispositif à attaquer, on attaque la matière à base de silicium dans l'ambiance conte- nant du fluor, puis on attaque une autre matière à base de silicium du dispositif dans l'ambiance de trichlorure de bore, sans décharger préalablement le dispositif.