Brevet FR2535887A1 — publié le 19840511

PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE LOGIQUE INTEGREE PROGRAMMEE SELON UNE CONFIGURATION PREETABLIE FIXE. La présente invention concerne une structure logique destinée à être utilisée comme réseau électronique programmé selon une configuration préétablie, de façon permanente. Une telle structure peut être utilisée comme dispositif de mémoire fixe, réseau logique programmable, réseau à portes logiques ou réseau d'interconnexion de pastilles ou puces. I1 a été proposé divers systèmes de mémoires divisés en plusieurs types. L'un deux est constitué par un type dit série où l'information dans le système de mémoire est obtenue en série et où le temps de lecture destiné à la lecture d'un élément binaire ou bit d'information particulier dans la mémoire dépend de la région où il est situé dans la mémoire. Il en résultedes durées de lecture importantes pour obtenir l'information de la mémoire. Ces types de systèmes de mémoires comprennent principalement des dispositifs de mémoire sur support magnétique. Un autre type de système de mémoire est constitué par le système de mémoire vive ou à accès aléatoire (connu sous le sigle anglo-saxon: "RAM"). Actuellement, ce type de mémoire est réalisé le plus souvent à l'aide de circuits semi-conducteurs comprenant un grand nombre de cellules de mémoire élémentaires intégrées sur un même substrat, mémorisant chacun un élément binaire ou bit, arrangées selon diverses architectures logiques, permettant notamment la lecture de mots d'un nombre de bits déterminé, par exemple arrangés par octets de huit bits. Ces systèmes de mémoire permettent d'obtenir une densité d'intégration assez élevée, c'est à dire une faible distance de centre à centre entre emplacements de mémoire. L'inconvénient majeur vient de ce que ces dispositifs sont "volatiles" ou non permanents du fait qu'ils doivent toujours être sous tension si l'on veut qu'ils conservent leurs données en mémoire. Aussi pour toutes les applications nécessitant une mémorisation permanente d'informations, dans le sens large de ce terme, telle que la mémorisation de micro-programmes comprenant des micro-instructions nécessaires à l'exécution de routines spécialisées dans un calculateur, il est préféré des mémoires de type non-volatile. Il s'agit de mémoires à lecture seule, soit des mémoires à programmation fixée une fois pour toute ou mémoires mortes (connues sous le sigle angio-saxon: "ROM"), soit des mémoires re-programmables (connues sous le sigle anglo-saxon: "PROM"). En outre, ces types de mémoire sont en général plus rapides que les mémoires à accès aléatoire, dans une même technologie. L'invention concerne ce type de mémoire. Un mémoire à lecture seule, de type mémoire morte (ROM), utilise habituellement des transistors et des redresseurs formés dans des substrats semiconducteurs comprenant des points de contact ouverts en permanence ou des points de contact fermés en permanence en vue du stockage de bits d'information. Une telle mémoire est programmée au cours de sa fabrication et elle a une courte durée de lecture et une densité d'intégration relativement élevée de même qu'elle est non volatile ou permanente. Cependant, la donnée en mémoire ne peut pas être modifiée par l'utilisateur. En conséquence, les dispositifs de type "ROM" sont fabriqués sur demande en vue d'applications impliquant la mise en mémoire de programmes de fonctionnement de base d'un processeur de données ou de toute autre information qui n'est pas modifiée par l'utilisateur. Une mémoire morte programmable (PROM) peut être programmée une fois en fabrication ou par l'utilisateur et rester dans cet état. Une fois programmée, une mémoire de type "PROM" fonctionne de façon identique à une mémoire de type "ROM" de même configuration. Les mémoires de type "PROM" le plus couramment utilisé incorporent des liaisons fusibles disposées à chaque point de croisement d'une matrice de conducteurs d'axes X et Y. On obtient la mise en mémoire de l'information (un logique ou zéro logique) en faisant fondre les liaisons fusibles selon une configuration prédéterminée. Ces liaisons fusibles s'étendent latéralement sur un substrat au lieu de verticalement entre des conducteurs se croisant, et il en résulte que ces liaisons fusibles ont nécessairement besoin de beaucoup d'espace. Le courant nécessaire pour faire fondre la liaison fusible en vue de la programmation est très élevé de manière à faire fondre complètement le fusible (typiquement 50 milliampères). La liaison fusible qui constitue une partie étroite d'un conducteur doit avoir une dimension précise, pour que soit assurée la fusion complète, et programmable sans risque d'erreur. Les techniques de photolitographie et de décapage mises en oeuvre lors de la fabrication exigent que les liaisons fusibles soient réalisées avec des tolérances très critiques en largeur, longueur et épaisseur. On a également utilisé cette technologie des liaisons fusibles dans le domaine des réseaux logiques programmables, des réseaux à portes et des réseaux d'interconnexion de pastilles. Naturellement les mêmes difficultés subsistent. L'utilisation de mémoires fixes du premier type (ROM) ne permet cependant pas de s'affranchir de toute difficulté lors du stade de la fabricatione En effet, selon l'état de la technique actuelle, les mémoires -fixes, de type ROM mais également de type PROM, sont fabriquées le plus souvent à partir d'éléments semi-conducteurs utilisant l'effet de champ, par exemple à partir de transistors de types connus sous les appellations anglo-saxonnes MOS, MIS ou analogues. Dans les mémoires ROM, les transistors comportent une grille, connectée ou non, au niveau d'un dernier masque de métallisation selon l'algorithme fourni par l'utilisation pour obtenir la configuration préétablie.Ces états, connectés ou nonconnectés, correspondent à l'enregistrement de "0" ou "1" logiques. L'invention se fixe pour but un procédé de fabrication permettant simultanément l'obtention et la programmation selon une configuration préétablie de structures logiques intégrées permettant d'obvier aux inconvénients précités et ne nécessitant pas le recours à des techniques utilisant des liaisons fusibles qui exigent dans tous les cas, pour la programmation, une étape supplémentaire à l'étape de fabrication proprementdite. L'invention a donc pour objet un procédé de fabrication d'une structure logique intégrée progra#mmée de façon permanente selon une configuration préétablie, la programmation consistant en la réalisation sélective de contacts électriques selon une configuration spatiale reproduisant ladite configuration préétablie, entre une première nappe comprenant au moins un conducteur et une seconde nappe de conducteurs disposés sur un substrat commun ; caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes ai création d'une première nappe comprenant au moins une bande en matériau conducteur électronique disposée sur ledit substrat; b/ création d'une seconde nappe, superposée à la première, constituée de bandes en oxyde d'un matériau conducteur électronique, les bandes étant isolantes à l'état oxyde et comportant des régions prédéterminées d'épaisseur plus importante que l'épaisseur des régions restantes de ces bandes;; ci dépôt d'une couche uniforme d'un électrolyte solide conducteur électronique et conducteur ionique de l'oxygène 9 d/ et réduction au travers de cette couche d'électrolyte solide des bandes d'oxyde de la seconde nappe, pendant un temps nécessaire à la réduction d'une épaisseur d'oxyde inférieure à celle desdites régions prédéterminées et au moins égale à celle des autres régions de manière à former ladite seconde nappe en bandes conductrices à partir des bandes d'oxyde réduites ; isolées de la première nappe, créant un état de noneonduction par des couches d'oxyde subsistant après réduction, dans lesdites régions prédéterminées et en contact électrique avec cette nappe dans les autres régions, créant un état de conduction électrique; la répartition spatiale de ces deux états étant en relation bi-univoque avec ladite configuration préétablie. L'invention sera mieux comprise et d'autres caractéristiques et avantages apparattront au moyen de la description qui suit et par référence aux figures qui l'accompagne et parmi celles-ci : - - la figure 1 illustre schématiquement les phénomènes physiques mis en jeu dans certaines étapes du procédé de l'invention. - les figures 2 et 3 illustrent schématiquement le mécanisme de la formation de points de mémoire selon le procédé de l'invention. - les figures 4 à 7 illustrent les principales étapes du procédé de l'invention dans un cadre plus général de fabrication d'une structure de mémoire fixe à configuration matricielle - la figure s est un schéma logique équivalent à cette structure. - la figure 9 est un schéma électrique équivalent à l'empilement des différentes couches de la structure. - la figure 10 est un diagramme illustrant le domaine d'exploitation de l'étape de réduction du procédé dans le cadre d'un exemple particulier. Comme il sera exposé ultérieurement, le procédé de l'invention comprend, selon un de ses aspects les plus importants, des étapes de création d'une nappe de bandes d'oxyde d'un matériau conducteur et de réduction sélective au travers d'une couche d'électrolyte solide. Accessoirement, selon un aspect avantageux, les oxydes natifs, qui se forment spontanément à la surface de couches ayant reçu un dépôt, sont également réduits pendant cette étape. Pour obtenir la réduction, selon l'invention, il est procédé à deux étapes principales : une étape consistant à recouvrir la surface d'un composé à réduire déposé sur un substrat par une couche de matériau diélectrique solide dont les caractéristiques seront précisées dans ce qui suit et une étape de réduction du composé au travers de la couche. Les mécanismes physiques fondamentaux mis en jeu vont tout d'abord être explicités par référence à la figure 1. Sur la figure 1 sont illustrés schématiquement un substrat 1 en matériau M recouvert d'une couche d'au moins un oxyde Mx y de ce matériau, s'il en existe plusieurs possibles, et la couche de diélectrique 3, créée pendant la première étape et recouvrant la couche d'oxyde 2. il existe donc deux interfaces: l'interface Iî entre le milieu extérieur et la couche de diélectrique 3 et l'interface I2 entre cette couche et la couche d'oxyde 2. On choisit un matériau diélectrique conducteur ionique exclusif de l'ion oxygène o2#. La couche de diélectrique est destinée à subsister après le traitement réalisé pendant la seconde étape du procédé, interdisant toute rewontamination de la surface du substrat 1. Pour la réalisation de la seconde étape pendant laquelle la réduction effective est effectuée, on peut choisir, dans une première variante, une technique de traitement thermique sous- atmosphère réductrice. Pour ce faire, le substrat recouvert de sa couche d'oxyde et de la couche de matériau diélectrique selon le procéde de l'invention est placé dans une enceinte dans laquelle est introduit un mélange gazeux réducteur, dont au moins un des éléments est un composé d'oxygène. A titre d'exemple le mélange hydrogène/vapeur d'eau (H2/H2O) peut être utilisé dans le cadre de l'invention. D'autres mélanges sont également utilisables tel que le mélange mono-oxyde de carbone/dioxyde de carbone (CO/CO2). Dans le milieu extérieur se produit la réaction réversible H2O# H2 + 1/2 2 (1) On peut définir associées à une telle réaction, des pressions partielles et notamment la pression partielle d'oxygène PO . Les pressions partielles 92 des différentes espèces intervenant dans une réaction chimique effectuée entre deux gaz supposés parfaits et pour des transformations mono-thermes à pression extérieure constante peuvent être déterminée à partir des lois de la thermodynamique et sont liées entre elles par la variation de l'enthalpie libre standard A G T En effet à l'équilibre, température et pression partielle sont reliées à l'enthalpie libre standard par l'expression:: RT Log Kp = # G T (2) dans laquelle K p = constante d'équilibre uniquement fonction de la température. Dans le cadre de l'exemple choisi, la relation suivante est vérifiée à l'équilibre dans laquelle: R R est la constante des gaz parfaits (8,314 J/ mole.OK ) . T est la température en degrés Kelvin (PH o) est la pression partielle de la vapeur d'eau est )estla pression partielle de l'hydrogène. Connaissant la température T et les proportions respectives d'hydrogène et de vapeur d'eau, la pression partielle d'oxygène PO peut être déterminée en fonction de l'enthalpie libre. 2 Dans la couche d'oxyde se produit la réaction réversible du type: Mx yw x M + (y/2) 2 (3) x et y étant des nombres qui dépendent des nombres de valences respectifs de l'espèce M consituant le substrat 1 et de l'oxygène (valence 2). Par une méthode analogue, on peut déterminer la pression partielle d'oxygène P'O à l'interface 12, pression qui dépend également de l'enthalpie libre standard; à la différence près que les concentration#s des éléments solides n'interviennent plus. La pression partielle d'oxygène P'o vérifie la relation à l'équilibre: 2 Le couple "pression partielle d'oxygène-température" doit être choisi de manière à obtenir simultanément une réduction de la couche d'oxyde et une oxydation de la couche d'électrolyte solide. Il existe donc un domaine possible pour ce couple qui sera défini de façon plus précise dans ce qui suit. Ces conditions assurent des conduction électronique et ionique non négligeables au sein de l'électrolyte solide 3. A titre d'exemple, l'électrolyte solide, comme il sera décrit ultérieure ment, peut être de la zircone stabilisée à la chaux (Zr r02 + Ca O). Une température de l'ordre de 500 à 10000C est suffisante pour satisfaire l'exigence précédemment énoncée. Dans ces conditions, on créé à la surface, comme illustré sur la figure 1, des lacunes d'oxygène se traduisant par des charges positives ++ En effet, à l'interface I1 se produit îa réaction O2#-2e#H 1/202 (5) qui est une réaction d'oxydation de l'ion O2- avec simultanément libération d'électrons et d'oxygène.Si la stabilité de l'oxyde à réduire (couche 2) est plus faible que celle de l'électrolyte solide, à l'interface I2 se produit la réaction: (2 y) e + Mx Oye x M 9f y o2 (6) Les électrons résultent du transport par conduction électronique au sein de l'électrolyte solide des électrons libérés à l'interface Ti. De la même manière, les ions oxygène libérés traversent, du fait de la conduction ionique, la couche d'électrolyte. Il y a donc un mouvement ambipolaire des espèces chargées au travers de la membrane d'électrolyte solide 3. Si le temps de traitement est suffisamment long, il y a réduction complète de la couche d'oxyde M 8 et son remplacement par une couche de même nature que le substrat 1, si, comme il a été supposé, le matériau du substrat est identique au matériau oxydé. Dans le cas contraire, il y a réduction sur une profondeur en relation avec le temps de réduction. Dans une étape ultérieure, ensemble est ramené dans les conditions normales de pression et de température et replacé à l'air libre La couche d'électrolyte 3 joue alors le rôle d'écran de passivation interdisant toute recontamination ultérieure du substrat réduit. Pour résumer, pour qu'il y ait réduction effective, il est nécessaire que les relations suivantes liant la température de l'enceinte T et la pression partielle en oxygène Po, soient vérifiées simultanement: 2 PRO > P0 > POE (7) et 2 TRO > T > TOE (8); les couples température-pression étant déterminés à partir de la formule (2), T devant en outre être inférieure a une température TDO ç dans lesquelles: PRO: est la pression partielle maximale pour laquelle il y a réduction de la couche d'oxyde; POE : est la pression partielle minimale pour laquelle il y a oxydation de la couche d'électrolyte; est estla température à partir de laquelle il y a destruction de la couche d'oxyde, ou, s'il y a plusieurs oxydes, la température la plus basse occasionnant la destruction d'un au moins de ces oxydes; TRO: la température maximale pour laquelle il y a réduction de la couche d'oxydes; TOE: la température minimale pour laquelle il y a oxydation de la couche d'électrolyte. Toutes ces relations définissent un domaine à l'intérieur duquel la réduction peut avoir lieu. En outre, pour des raisons pratiques ce jeu de relations peut être complété par le jeu suivant: PO2 > PPG (9); 2 PPG étant la pression partielle minimale pouvant être obtenue à l'aide d'un système d'épuration de gaz donné; PO 2 puisque l'on désire travailler à pression atmosphérique (98 066,5 Pa) en pression totale. T > TTI (il), étant la température minimale pour laquelle le temps nécessaire à la réduction est égal à un temps que l'on se fixe à l'avance, temps qui doit être raisonnablement court pour que le procédé ait des applications pratiques. La technique qui vient d'être décrite va être intégrée dans le processus de fabrication selon l'invention pour simultanément s'affranchir des difficultés liées à la formation d'oxydes natifs tout en obtenant la programmation désirée, selon une configuration préétablie, c'est à dire celle fournie par l'utilisateur de la structure obtenue par le procédé de l'invention. Comme il a été rappelé pour obtenir une structure programmée, il est nécessaire de créer, de façon sélective selon ladite configuration, un ensemble de conditions de conduction ou de non-conduction aux intersections entre au moins deux nappes de conducteur. Ces points d'intersection selon qu'ils mettent en contact électrique ou non les liaisons électriques des deux nappes forment des points de mémoire respectivexsent pour l'enregistrement d'un "1" ou d'un "0" logique, ou l'inverse selon que Selon se place dans le cadre d'une logique positive ou négative. Il doit être entendu que les états conducteurs et non-conducteurs doivent être compris de façon relative. Il suffit que, de façon classique, la différence de conduction entre les deux états de conduction soit suffisamment grande pour être discrimée par des éléments semi-conducteurs actifs associés aux points mémoires sans risque d'erreur, quelques soient le nombre de chemins de conductions parasites qui se forment. Ces chemins correspondent à des points d'intersections non-connectés, c'est à dire faiblement conducteur. Il faut donc tenir compte du cas le plus défavorable vu le nombre de points de mémoire et l'organisation logique globale de la mémoire. Selon une des caractéristiques les plus importantes du procédé de fabrication selon l'invention, les points de mémoires sont crées de la manière suivante: pendant une des étapes du procédé de fabrication, il est disposé sur un substrat, une couche de matériau conducteur et à la création dans cette couche de bandes conductrices formant une première nappe de conducteurs et pendant des étapes ultérieures, au dépôt d'une couche d'oxyde et à la formation dans cette couche de bandes d'oxyde de matériau conducteur d'épaisseur non uniforme. Enfin, il est procédé au dépôt d'une couche d'électrolyte solide au travers duquel, selon la technique qui vient d'être décrite, il est réalisé la réduction de l'oxyde qui se forme spontanément sur le substrat et sur la première couche mais également de l'oxyde métallique qui constitue les bandes d'oxyde de la deuxième couche. Selon le procédé de l'invention, l'épaisseur effective de réduction dépendant de la durée de l'étape de réduction, les différentes épaisseurs des bandes d'oxyde de-métal sont déterminées de manière à ce que ces bandes soient entièrement réduites en profondeur dans les régions de plus faible épaisseur, la durée de réduction étant suffisante également pour réduire les oxydes spontanés, et laissent subsister en profondeur une couche non réduite en contact avec la surface de la nappe de conducteurs sous-jacents. A la fin de cette opération, il y a donc création d'une seconde nappe de conducteurs en contact électrique avec les conducteurs de la première nappe aux points de croisement pour lesquels les conducteurs de la seconde nappe sont dotés d'une faible épaisseur, isolés de ceux-ci pour les autres points de croisement. De façon pratique, il est suffisant que les bandes d'oxydes de la seconde nappe, avant réduction, soient de deux épaisseurs distinctes: épaisseur simple et épaisseur double par exemple. Les configurations respectives des deux nappes de conducteurs dépendent de l'application envisagée. Dans une version simplifiée, la nappe sousjacente peut être constituée d'un conducteur unique, par exemple par une couche métallique uniforme en contact électrique ou non avec les différents conducteurs de la seconde nappe. Dans une variante préférée, les conducteurs des deux nappes peuvent être arrangés selon une organisation matricielle classique XY et se croiser à angle droit, chaque point d'intersection formant un point mémoire élémentaire. Les figures 2 et 3 illustrent schématiquement le mécanisme de formation des points mémoires conformément à ce qui vient d'être décrit. La figure 2 représente, avant réduction, une structure comprenant un substrat 1, sur lequel ont été créees, successivement par dépôt et utilisation de procédés classiques de masquage et attaques sélectives, deux nappes adjacentes, une première nappe constituée sur la figure 2 par une couche 4 d'un matériau conducteur d'épaisseur uniforme et une seconde par une bande d'oxyde 5' par exemple du même matériau conducteur présentant des régions 50', d'une premiere épaisseur el, et des régions 51', d'épaisseur plus importante e2, le tout étant recouvert d'une couche d'électrolyte solide 3 conducteur ionique de l'oxygène. La bande 5' est isolante à l'état oxyde. La figure 3 représente la même structure après réduction; selon la méthode qui à été décrite en relation avec- la figure I, pendant un temps suffisant pour que les régions d'épaisseur el-soient entièrement réduites et deviennent des bandes conductrices 50 et forment contact électrique avec la couche sous-jacente 4. Les régions d'épaisseur e2 ne sont réduites que dans des domaines superficiels 510 sur une épaisseur e3 supérieure ou égale à el et inférieure à (e2-el).Ces régions restent isolées de la couche sous-jacente 4 par une couche d'oxyde 511 subsistante d'épaisseur (e2-e3)" Le mécanisme de formation de points mémoires '9états de conduction" et "états de nonsonduction" peut être mis en oeuvre dans des structures logiques plus complexes, par exemple être appliqué à la fabrication de mémoire morte à lecture seule ("ROM") comprenant un réseau de connexions sélectives organisé selon une matrice lignescolonnes XY. Les étapes du procédé de fabrication selon l'invention vont maintenant être décrites de façon plus détaillée en relation avec les figures 4 à 8 dans ce cadre d'application. Outre la préparation (nettoyages etc..) d'un substrat isolant 1 par toute méthode appropriée, qui ne diffère en rien de l'art connu, la première étape, propre à l'invention, illustrée par la figure 4, consiste en la création d'une première nappe de conducteurs disposés sur ce substrat 1 dont deux seulement sont représentés sur la figure lb 41 et 42, ce pour des raisons de simplification de la description. Il doit être entendu que ce nombre peut être quelconque. Cette nappe, par convention, constitue les lignes de la matrice de la structure de mémoire morte à réaliser. Le substrat 1 est de préférence un substrat de texture amorphe, de l'alumine par exemple, d'épaisseur suffisante pour assurer un bon maintien mécanique de l'ensemble. Une valeur typique d'épaisseur est 500 micrometres.Pour réaliser le réseau de conducteurs, on dépose une couche uniforme de matériau conducteur de l'électricité par toute technique appropriée dè l'art connu: évaporatioR sous vide, pulvérisation cathodique par exemple. Le matériau déposé doit donc être bon conducteur électronique et présenter un coefficient de diffusion faible aussi bien avec le matériau du substrat 1 qu'avec le matériau d'une couche d'électrolyte solide qui sera déposée ultérieurement pendant une des dernières étapes du procédé. Un exemple de matériau utilisable dans une variante préférée est le tantale.L'épaisseur de la couche déposée est typiquement de l'ordre de quelque milliers d'Angtro#ms. On délimite alors, par exemple par un procédé de photolithographie conventionnel, des bandes parallèles, isolées les unes des autres, pour former les conducteurs 41 et 42. La densité d'intégration permise par les techniques actuelles est très élevée: typiquement les bandes peuvent être dotées dtune largeur égale à quelques micromètres et la distance entre les axes de symétrie de deux bandes adjacentes peut être inférieure à 20 micromètres, ce sans mettre en oeuvre des techniques élaborées. La deuxième étape, illustrée par la figure 5, consiste à créer des bandes d'oxyde soit d'oxyde du même matériau que celui des bandes 41 et 42, soit de nature différente. Dans le premier cas, si le tantale a été choisi, il s'agit d'oxyde de tantale: Ta205. Dans tous les cas, oxyde doit être choisi pour que les coefficients de diffusion des espèces constitutives de celui-ci dans le substrat 1, dans les bandes conductrices 41 et 42, ainsi que dans l'électrolyte solide déposé ultérieurement, soient également faibles. D' autres conditions relatives à l'étape ultérieure de réduction doivent être remplies et seront détaillées dans ce qui suit. Comme précédemment, une couche uniforme d'oxyde est déposée par toute technique appropriée et les bandes d'oxyde réservés, dont trois seulement: 61', 62' et 63' sont représentées, également dans un but de simplification. Ces bandes sont délimitées, par exemple, par le même procédé de photolithographie conventionnel. Ces bandes sont destinées à devenir les colonnes de la matrice selon la convention adoptée. Bien que non liées obligatoirement à celles du premier réseau (conducteurs 41 et 42), les caractéristiques géomériques {largeur des bandes, écartement, épaisseur) du second réseau (bandes 61' à 63') sont de préférence du même ordre de grandeur. La troisième étape, illustrée par la figure 6, consiste à créer, au moins dans et de part et d'autre des régions surpomblant les intersections entre lignes et colonnes destinées à enregistrer, un état logique (par exemple "0" logique), associé à un état de non-conduction. Pour ce faire, une seconde couche d'oxyde est déposée et des portions de bandes d'oxyde de même largeur que les bandes sous-jacentes 61' à 63', et alignées sur elles, sont délimitées par le procédé de photolithographie de manière à ce qu'aux points d'intersections devant enregistrer la valeur logique précitée, l'épaisseur de la bande d'oxyde résultante, après ces deux étapes, soient plus importantes que dans les autres régions et notamment les régions surplombant les autres points d'intersections.De façon pratique, la seconde couche d'oxyde peut avoir la même épaisseur que la première de manière à ce que la bande d'oxyde ait une épaisseur double ou simple selon les régions considérées. A titre d'exemple, comme illustré sur la figure 6, des portions de bandes doubles sont créées dans les régions 621, 631 et 632 aux intersections entre, respectivement, la ligne 41 et les colonnes 62' et 63' et la ligne 42 et la colonne 63'. Dans une variante supplémentaire, non illustrée, les deuxième et troisième étapes sont combinées. Une seule couche d'oxyde est déposée. Ensuite cette couche est attaquée sélectivement, en mettant en oeuvre des techniques de masquage, pour réduire l'épaisseur de certaines régions. Enfin, le procédé de l'invention comprend les étapes de l'opération de réduction au travers d'une couche d'électrolyte solide de la manière qui a été décrite précédemment ces étapes comprenant le dépôt d'une couche d'électrolyte solide et la réduction proprement dite au travers de cette couche d'électrolyte solide. Les étapes de la réduction seront détaillées dans ce qui suit. La figure 7 représente l'état de la structure de l'exemple choisi, après réduction, avec la couche d'électrolyte solide 3. La durée de l'étape de réduction est choisie pour qu'elle soit inférieure à celle nécessaire pour réduire entièrement en profondeur les régions des bandes d'oxyde de plus grande épaisseur: 621, 631 et 632 sur la figure 6. Il s'ensuit que la réduction transforme les bandes d'oxyde, 61' à 63', en des bandes conductrices, 61 à 63, à l'exception des régions 6210, 6310, 6320 qui constituent la partie inférieure des bandes (dans les régions 621, 631 et 632 précédemment définies) de façon analogue à ce qui a été décrit en relation avec la figure 3. Ces régions, qui restent formées d'oxyde constituent un isolant entre la bande conductrice supérieure (colonne) et la bande conductrice inférieure (ligne). Le schéma électrique équivalent est représenté sur la figure 8. Il est donc obtenu, à la fin des étapes du procédé, une mémoire fixe à lecture seule, comprenant, dans l'exemple choisi, deux lignes: 41 et 42 et trois colonnes 61 et 63, à organisation matricielle. Aux intersections sont créés six points de mémoires élémentaires: Cll, C12, C13, C21, C22, C23; enregistrant respectivement les états logiques suivants: 1, 0, 0, 1, 1 et 0 les "1" logiques étant par convention associés à un état fortement conducteur entre ligne et colonne (contact galvanique) et les "0" logiques à un état non-conducteur ou très faiblement conducteur (isolation). De façon classique, les conducteurs de ligne et colonnes sont connectés à des entrées et sorties d'éléments électroniques pour la sélection d'une cellule particulière et la lecture de l'état logique enregistré dans cette cellule, éléments qui peuvent être intégrés sur le même substrat. L'architecture de la mémoire: lecture par bit ou mot par exemple, le nombre de cellules la composant, ainsi que la configuration logique préétablie à enregistrer dépendant naturellement de l'application envisagée. Les étapes nécessaires à la réduction vont maintenant être re-décrites de façon plus détaillée. La première étape de cette phase du procédé de l'invention consiste au dépôt d'une couche d'électrolyte solide sur la structure constituée d'un substrat 1 et des différentes couches de bandes conductrices: 41 à 42, et des bandes d'oxyde: 61' à 63', d'épaisseur variable. De façon préférentielle, on choisit comme matériau de base de la zircone stabilisée à la chaux (Zr 2 + Ca 0) dans des proportions atomiques respectives de 85% et 15%. Ce matériau est un bon conducteur ionique de l'oxygène à des températures supérieure ou égale à 5000 C. Il constitue un bon encapsulant. Les énergies endothermiques de formation de ce diélectrique étant élevées, il s'ensuit que ce matériau est stable même à température élevée et ne peut être réduit pendant la seconde étape du procédé en même temps que les bandes d'oxyde. La couche d'électrolyte 3 déposée a une épaisseur minimale de l'ordre de quelques centaines d'An & rôms de telle sorte qu'il soit assuré une structure sans trou et une épaisseur maximale - de quelques milliers d' Angströms, limite fixée par l'adaptation des coefficients de dilatation linéaires entre la zircone et les couches sous-jacentes. De façon typique les épaisseurs sont situées dans la gamme 1000 à 2500 Angströms. Le dépôt peut s'effectuer par toutes -méthodes appropriées dans le domaine des couches minces, de façon préférentielle par la technique connue sous le nom de pulvérisation cathodique radio-fréquence. Après cette étape, la structure est placée dans une enceinte dans laquelle est établie une atmosphère réductrice contrôlée : par exemple un mélange d'hydrogène Il existe à cette température, un large domaine de pressions partielles d'oxygène 10-30 Pa Po est de l'ordre de 10-22 Pa, ce qui satisfait l'exigence précitée. Dans le mélange gazeux les réactions chimiques satisfont la relation (1). Si l'oxyde est de l'oxyde de tantale, la relation (3) devient (-5) Ta + O2 (-5) Ta2 05 (3bis) a partir de laquelle la pression partielle d'oxygène P'O peut être définie, pression partielle qui vérifie la relation (4). 2 A l'interface entre l'atmosphère réductrice et l'électrolyte solide 3 (I1 sur la figure 2), la relation (5) est vérifiée, et à l'interface entre l'élçc- trolyte solide 3 et les bandes d'oxyde 61' à 63' (I2 sur la figure 2), la relation (6) devient:: 20e- + 4 Ta2 05-- > 4 Ta + 10 o2- (6bis) Pour rendre compte de la conductivité électronique d'une part et la conductivité ionique d'autre part, on peut définir expérimentalement un modèle électrique illustré par la figure 9 équivalent à la structure represen- tée sur la figure 1, sous la forme d'un dipôle constitué de trois impédances en série : l'impédance Z1, comprenant en parallèle une résistance R1 et une capacité C1, qui représente l'impédance de l'interface Il ; lqmpédance Z2, comprenant une résistance R2 et une capacité C2 qui représente l'impé- dance de la couche de zircone dopée 3 ; et l'impédance Z3 qui se réduit à une résistance R3 qui représente l'impédance de la couche d'oxydes 2. Les données expérimentales montrent que c'est essentiellement l'impédance Z1 qui limite la conduction et que l'on peut assimiler l'ensemble sur un intervalle suffisamment long (régime statique), par unité de surface (cm), à une résistance équivalente qui est de l'ordre de 8 IO#i#g 2 compte-tenu des valeurs numériques sus-mentionnées et notamment de la température de traitement (1000 C). Pour une surface de substrat de 1cm, pour une bande d'oxyde 61' à 63' ayant une épaisseur de 500 Angströms dans les régions de plus faible épaisseur, il est nécessaire d'éliminer 296 10 5 atomes d'oxygène, ce qui représente une charge de 9,5 10 C.cm , pour obtenir la réduction souhaitée. Dans ces conditions, l'étape de réduction doit durer 758 s, soit 13 mn environ. La structure à réduite doit donc être maintenue dans l'enceinte, dans les conditions de pression partielle d'oxygène 'et de température précitées, un temps au moins égale à 13 mn et de façon plus générale un temps calculé de façon analogue pour des valeurs numériques spécifiques autres que celles choisies pour exemple.En outre, le temps maximum doit être inférieur à celui qui conduirait à la réduction totale en profondeur des régions de plus forte épaisseur: un temps double si l'épaisseur est double dans ces régions. A la fin de la seconde étape de la phase de réduction, on obtient la structure illustrée par la figure 7. Accessoirement, selon un aspect avantageux du procédé les oxydes natifs qui ont pu se former avant la phase de réduction à la surface de la structure (figure 6) sont également réduits. On peut donc définir un domaine illustré par la figure 10, utilisable pour opérer la réduction. Ce domaine est délimité par les données suivan tes La température maximale est 18000C environ. Cette température correspond à la destruction de la couche de zircone dopée dans l'exemple choisi. L'oxydation de la zircone est réalisé conformément à la relation: Zr + O2H Zr # Z' 2 (12) Le calcul de l'enthalpie libre AGT (relation (2) permet donc de définir les courbes limites portées sur le diagramme de la figure 10: la courbe C1 représentant la variation du logarithme de la pression partielle exprimée en atmosphère (1 atm = 98 066,5 Pa) en fonction de la température en OC, associée à la relation (6b) et la courbe C2, associée à la relation (12). Le domaine est borné supérieurement, de façon absolue en température, par la température de destruction de l'électrolyte solide (# 18000 C, ou de l'oxyde) et, de façon pratique, par la température minimale TTI pour laquelle le temps de traitement reste acceptable. Avec les données numériques précitées TTI = 5000 C, ce qui correspond à un temps de traitement de 5h. Sur le diagramme de la figure 10, le domaine est représenté en traits hachurés. A titre d'exemples illustrés sur le diagramme de la figure 10, à température constante T = 10000 C, la gamme des pressions partielles d'oxygène possibles est 10-35 à 10-25 atm, tandis que pour une pression constante correspondant à Log (PO2) = - 15, la température maximale limitant le domaine n'est pas la température T RO mais la température de destruction de l'oxyde de tantale, c'est à dire (TRO étant de l'ordre de 1900 C). Jusqu'à present, il a été admis que la réduction, pendant la seconde étape du procédé s'effectuait, selon une première variante, par une technique de réduction sous atmosphère réductrice à pression atmosphérique; Selon une seconde variante, la réduction peut s'effectuer par exposition à un plasma de gaz réducteur. Pour ce faire, la structure à réduire comportant la couche d'électrolyte est placée dans une enceinte dans laquelle est créé un plasma, par exemple d'hydrogène. Ce plasma peut être soit un plasma dit "Radio fréquence" (R.F.), soit un plasma dit "continu". Les appareillages de mise en oeuvre sont bien connus de l'homme de métier. Un exemple d'un tel appareil est décrit dans le brevet FR-B2 394 173. Dans le premier cas, la puissance électrique nécessaire pour l'alimentation de l'appareil est typiquement de 100W à une fréquence f = 60 MHz; dans le second cas (continu) la puissance est typiquement 1W. La pression de l'enceinte est typiquement comprise entre 10 2 à 1 Pa. On utilise de préférence un plasma échauffant le moins possible la structure à réduire de manière à conserver l'avantage spécifique de la réduction plasma, à savoir une réduction "à froid". L'invention n'est pas limitée aux exemples de structures explicitement décrites. Elles s'applique à chaque fois que l'on désire réaliser des interconnexions sélectives entre une première nappe comprenant au moins un conducteur et une seconde nappe de conducteurs. Le terme nappe doit être entendu dans le sens qui lui a été donné dans la description, c'est à dire associé aux couches d'intégrations superposées et non dans un sens de partition logique d'un ensemble de conducteurs en plusieurs sous-ensembles. Sont notamment englobés, sans être limitatif, outre les réseaux de mémoires fixes (ROM) tels que celui décrit en relation avec les figures 4 à 8, les réseaux logiques programmables (PLA), les réseaux complexes de portes logiques et les réseaux d'interconnections entre puces. Enfin, en mettant en oeuvre des technologies d'intégration de type hybride, plusieurs structures réalisées par le procédé de l'invention disposées sur un support commun peuvent être interconnectées sélectivement par des liaisons extérieures ou une structure obtenue par le procédé de l'invention, entre elles et/ou à d'autres modules ou puces de circuits intégrés, éventuellement disposés sur le même support. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une structure logique intégrée programmée de façon permanente selon une configuration préétablie, la programmation consistant en la réalisation sélective de contacts électriques, selon une configuration spatiale reproduisant ladite configuration préétablie, entre une première nappe comprenant au moins un conducteur (41-42) et une seconde nappe de conducteurs (61-63), disposés sur un substrat commun (1); caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes:: a/ création d'une première nappe comprenant au moins une bande (4142) en matériau conducteur électronique disposée sur ledit substrat (i) s b/ création d'une seconde nappe, superposée à la première, constituée de bandes (61'-63') en oxyde d'un matériau conducteur électronique, les bandes étant isolantes à l'état oxydes, et comportant des régions prédéterminées (621, 631, 632) d'épaisseur plus #importante que l'épaisseur des régions restantes de ces bandes; cl dépôt d'une couche uniforme (3) d'un électrolyte solide conducteur électronique et conducteur ionique de l'oxygène;; d/ et réduction au travers de cette couche (3) d'électrolyte solide des bandes (61t-63') d'oxyde dé la seconde nappe, pendant un temps nécessaire à la réduction d'une épaisseur d'oxyde inférieure à celle desdites régions prédéterminées (621, 631, 632) au moins égale à celle des autres régions de manière à former ladite seconde nappe de bandes conductrices (61-63) à partir des bandes d'oxyde (61'-63') réduites isolées de la première nappe, créant un état de non-conduction par des couches (6210, 6310, 6320) d'oxyde subsistant, après réduction, dans lesdites régions prédéterminées (621, 631, 632) et en contact électrique avec cette nappe dans les autres régions, créant un état de conduction électrique la répartition spatiale de ces deux états étant en relation bi-univoque avec ladite configuration préétablie. 2. Procédé selon la revendication 12 caractérisé en ce que la création d'une première nappe comprend le dépôt sur ledit substrat (1) d'une couche de matériau conducteur et la réalisation dans cette couche par masquage et attaque sélectives de la couche d'au moins un conducteur (41,42) formant ladite nappe. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la création de la seconde nappe comprend le dépôt d'une première couche d'oxyde d'un matériau conducteur d'une première épaisseur uniforme et la réalisatioo, par masquage et attaque sélectives de cette couche, de bandes (610-63') d'oxyde selon un arrangement déterminé, suivi du dépôt d'une seconde couche d'oxyde de matériau conducteur superposée à la première couche d'oxyde et de même épaisseur, et la réalisation, par masquage et attaque sélectives de cette couche; de portions de bandes (621, 631, 632) d'oxyde de même largeur que les bandes (61'-63') réalisées dans la première couche d'oxyde et alignées sur celles-ci pour les recouvrir dans lesdites régions prédéterminées de manière à ce qutil en résulte, dans ces régions, une bande unique d'épaisseur double et en ce que le temps de réduction est ajusté pour réduire une épaisseur d'oxyde inférieure à cette épaisseur double mais supérieure à l'épaisseur de chaque couche déposée. 4. Procédé selon les revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que le dépôt de la couche de matériau conducteur et le déport des première et seconde couches d'oxyde de matériau conducteur sont réalisés par évapora tion sous vide de ce matériau. 5. Procédé selon les revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que les dépôts de la couche de matériau conducteur et le dépôt des première et seconde couches d'oxyde de matériau conducteur sont réalisés par pulvérisa tion cathodique. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de dépôt du matériau constituant la couche de l'électrolyte solide (3) est réalisée par pulvérisation cathodique de ce matériau uniformément sur toute -la surface de la structure constituée par le substrat (1) et les première et seconde nappes 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la couche (3) d'électrolyte solide est en zircone stabilisée à la chaux dans des proportions atomiques respectives de 85% et de 15% et en ce que l'épaisseur de la couche est comprise dans la gamme 1000 Angströms à 2500 Angströms. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de réduction comprend l'exposition de la structure constituée par le substrat (1), et les première et seconde nappes, au travers de ladite couche (3) d'électrolyte solide à une atmosphère réductrice composée d'un mélange gazeux comprenant au moins de l'oxygène et vérifiant simultanément les relations suivantes PRO > P0 > POE 2 TRO > T > TOE ; TDO > T dans lesquelles PRO et TRO sont respectivement la pression partielle maximale de l'oxygène et la température maximale pour laquelle il y a réduction de l'oxyde; .PO et T sont respectivement la pression partielle de l'oxygène dans 2 ledit mélange gazeux et la température de ce mélange POE et TOE sont respectivement la pression partielle minimale de l'oxygène et la température minimale pour laquelle il y a oxydation de la couche d'électrolyte; et TDO est la température la plus basse de destruction de l'oxyde constituant les bandes de la seconde nappe. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le mélange gazeux est porté à une température de 10000C et comprend de l'hydrogène et de la vapeur d'eau en proportion égale à 0.5 p.p.m. de manière à créer une pression partielle d'oxygène égale à 10 22 Pa. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de réduction comprend l'exposition de la structure constituée par le substrat (1) et les première et seconde nappe, au travers de ladite couche (3) d'électrolyte solide à un plasma réducteur. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le plasma réducteur est un plasma d'hydrogène radio-fréquence. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que le matériau conducteur est du tantale et l'oxyde de l'oxyde de tantale Ta2 05. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que ladite configuration spatiale est une configuration matricielle; les première et seconde nappes comprenant chacune une série de conducteurs constitués par des bandes parallèles (41-42 ; 61-63) se croisant à angle droit et formant les lignes et colonnes d'une matrice, les lignes étant isolées aux points de croisement dans lesdites régions déterminées par une épaisseur d'oxyde non réduite et en contact électrique dans les autres régions de manière à reproduire ladite configuration préétablie.