Brevet FR2524711A1 — publié le 19831007

La présente invention concerne les transistors bipolaires et les thyristors à commande par transistor à effet de champ (TEC) MOS dont on peut commander à la fois le passage à l'état conducteur et le blocage. Des formes hybrides de dispositifs à semiconduc- teurs proposées antérieurement, et fabriquées commerciale- ment pour certaines, combinent en un seul dispositif inté- gré un étage d'entrée à TEC MOS avec un étage de sortie à dispositif bipolaire à jonctions De tels dispositifs hybrides combinent avantageusement la caractéristique d'impédance d'entrée élevée des dispositifs TEC MOS avec les possibilités de fonctionnement à puissance élevée des dispositifs bipolaires Bien que le terme "TEC MOS" soit une abrévation de "Transistor à Effet de Champ Métal-Oxyde- Semiconducteur", on l'utilise ici dans un sens plus large qui enblobe diverses formes équivalentes de dispositifs, bien connues de l'homme de l'art Par exemple, l'électrode de grille conductrice peut effectivement être en un métal tel que l'aluminium, comme il est représenté sur les dessins annexés, mais elle peut tout aussi bien consister en n'importe quelle matière ayant une conductivité appro- priée, comme du silicium polycristallin fortement dopé ayant le type de conductivité N+ ou P+ De façon similaire, la couche d'isolation de grille peut effectivement être un oxyde, comme du dioxyde de silicium, mais elle peut tout aussi bien consister en une autre matière isolante, comme du nitrure de silicium, ou même en une structure multicouche oxyde-nitrure. Un dispositif présentant un intérêt particulier dans le cadre de l'invention consiste en un transistor bipo- laire à commande par TEC MOS, comme par exemple celui qui est décrit dans un article de Nathan Zommer intitulé "Mono- lithic H V BIP MOS", 1981 IEEE International Electron Devi- ces Meeting, pages 263-265, 7-9 décembre 1981 Comme indiqué dans cet article, ce transistor bipolaire à commande par TEC MO^ de l'art antérieur combine, en un seul dispositif inté- gré, les régions d'électrodes de collecteur, de base et d'émetteur d'un transistor bipolaire avec un TEC MOS à enri- chissement dont les électrodes de drain et de source sont connectées entre le collecteur et la base du transistor bipolaire Lorsqu'un signal d'entrée de grille approprié est appliqué au TEC MOS, son canal conduit, ce qui polarise le transistor bipolaire à l'état conducteur Cependant, la structure intégrée de ce dispositif particulier de l'art antérieur ne comporte aucun moyen fiable pour bloquer le transistor bipolaire, ce qui nécessite des dispositifs externes pour assurer la fonction de blocage. Une autre forme de dispositif de l'art antérieur présentant un intérêt particulier dans le cadre de l'inven- tion consiste en une forme hybride de thyristor qui est proposée dans la demande de brevet US 331 049, déposée le 16 décembre 1981 Ce dispositif hybride particulier comprend une structure de thyristor à quatre couches combinée avec une paire de dispositifs TEC MOS dans la même structure intégrée La demande précitée décrit spécialement un TEC MOS à enrichissement et à canal P, combiné de façon appropriée dans la structure intégrée avec la partie thyristor du dis- positif, de façon que le TEC, lorsqu'il est conducteur, for- me un court-circuit entre les régions d'électrodes de gâchet- te et de cathode du thyristor, pour bloquer celui-ci La demande précitée suggère un TEC MOS à enrichissement et à canal N disposé de façon appropriée pour polariser à l'état conducteur la partie thyristor du dispositif intégré, lorsque le TEC MOS à enrichissement et à canal N est polari- sé à l'état conducteur Les grilles de deux TEC MOS peuvent être connectées électriquement ensemble pour former une seu- le borne d'entrée de grille L'effet de la borne d'entrée de grille unique est de faire passer le thyristor à l'état con- ducteur lorsqu'une tension de grille positive est appliquée et de bloquer le thyristor lorsqu'une tension de grille négative est appliquée. Un article de B Jayant Baliga intitulé "MOS Gated Thyristor'"cbns Silicon Integrated Circuits Part B, publié par Dawon Kahng, pages 265-267, Academic Press ( 1981), pré- sente également un intérêt dans ce contexte Cet article de Baliga décrit une structure de dispositif intégré comprenant un dispositif VMOS destiné à déclencher la conduction d'un thyristor à quatre couches et il indique la possibilité de fabriquer à la fois des dispositifs à enrichissement et des dispositifs à appauvrissement. Bien que le dispositif de la demande de brevet US 331 049 décrit sommairement ci-dessus soit d'une grande utilité potentielle, le fait qu'il exige des tensions d'en- trée de grille de polarités opposées pour l'amorçage et le blocage est quelque peu désavantageux lorsque le disposi- tif est incorporé dans des circuits réels En particulier, la nécessité d'une tension de grille positive pour polariser à l'état conducteur le TEC MOS à enrichissement et à canal N, pour amorcer le thyristor, ne présente aucun inconvé- nient Cependant, il est moins commode, dans de nombreux circuits réels, de produire une tension de grille négative pour polariser à l'état conducteur le TEC à enrichissement et à canal P afin de bloquer le'thyristor. L'invention procure des dispositifs du type transistor bipolaire et thyristor à commande par TEC MOS, à trois bornes, caractérisés en ce qu'ils permettent la com- mande du passage à l'état conducteur et du blocage avec un signal d'entrée d'une seule polarité qui, dans les modes de réalisation préférés, est de la même polarité que la tension d'alimentation appliquée au dispositif lorsqu'il est connec- té dans un circuit. Un but de l'invention est donc d'offrir une struc- ture intégrée consistant en un transistor bipolaire ou en un thyristor à commande par TEC MOS permettant à la fois la com- mande du passage à l'état conducteur et la commande du bloca- ge, et d'offrir ces possibilités avec un signal d'entrée d'une seule polarité. Brièvement, et conformément au principe général de l'invention, on note qu'il est possible de réaliser de tels dispositifs au moyen de dispositifs de commande de passage à l'état conducteur et de commande de blocage, consistant res- pectivement en un TEC MOS à enrichissement et en un TEC MOS à appauvrissement, combinés en une seule structure intégrée avec un transistor bipolaire ou un thyristor Il est impor- tant de noter que le TEC MOS à appauvrissement conduit avec une tension de grille nulle et qu'on peut donc employer les bornes principales (source et drain) du TEC MOS à appau- vrissement pour bloquer le transistor bipolaire ou le thy- ristor incorporé, en l'absence de tension d'entrée de grille On peut par exemple accomplir ceci dans le cas d'un transistor bipolaire en connectant les bornes de source et de drain du TEC MOS à appauvrissement entre les électrodes de base et d'émetteur du transistor-bipolaire. Contrairement au thyristor à commande par TEC MOS de l'art antérieur considéré brièvement ci-dessus, dans des modes de réalisation spécifiques de l'invention, le TEC MOS à canal P destiné au blocage du thyristor (ou du transistor bipolaire) est du type à appauvrissement au lieu d'être du type à enrichissement Le canal d'un TEC MOS à canal P à appauvrissement conduit avec une tension de grille nulle et devient non conducteur sous l'effet d'une tension de grille positive suffisante. On peut avantageusement fabriquer-les dispositifs de l'invention en utilisant des techniques de fabrication connues, très similaires aux techniques de fabrication pour les divers dispositifs de l'art antérieur mentionnés précé- demment Néanmoins, en dépit de la facilité relative de fabrication, ces principes n'ont pas été pris en considéra- tion antérieurement à l'invention. Brièvement, et conformément à l'un de ses aspects plus particuliers, l'invention procure un dispositif intégré à transistor bipolaire avec commande par TEC MOS, comportant une commande de déblocage et de blocage avec une seule pola- rité d'entrée, et comprenant un transistor bipolaire qui comporte une couche de région de base semiconductrice entre des couches de régions semiconductrices d'émetteur et de collecteur Les couches de régions d'émetteur et de collec- teur sont d'un premier type de conductivité, par exemple le type de conductivité N, et la couche de région de base est du type de conductivité opposé, par exemple le type de con- ductivité P Le dispositif comprend également un TEC MOS d'un premier mode, de préférence un TEC MOS à mode d'enri- chissement, qui est bloqué avec une tension de grille nulle et qui conduit lorsqu'on lui applique une tension de polari- té appropriée Ce TEC MOS d'un premier mode comporte une électrode de grille et une paire d'électrodes principales connectées entre les couches de régions de base et de collecteur, pour polariser le transistor bipolaire à l'état conducteur lorsque le TEC MOS du premier mode est conduc- teur Le dispositif comprend également un TEC MOS du mode opposé Dans le mode de réalisation préféré, il s'agit d'un TEC MOS à mode d'appauvrissement qui conduit avec une ten- sion de grille nulle et qui est bloqué lorsqu'une tension de grille de polarité appropriée lui est appliquée Le TEC MOS du mode opposé comporte une électrode de grille et une paire d'électrodes principales connectées entre les couches de régions de base et d'émetteur, pour bloquer le transistor bipolaire lorsque le TEC MOS du mode opposé est conducteur. 25247 11 Dans le cas envisagé ci-dessus d'un transistor bipolaire NPN, le TEC MOS à mode d'enrichissement comporte un canal conduc- teur de type de conductivité N Le TEC MOS à mode d'appau- vrissement comporte un canal du type de conductivité opposé, qui dans cet exemple le type de conductivité P. Il existe avantageusement une connexion électrique entre les électrodes de grille des deux TEC MOS, ce qui définit une borne d'électrode de grille commune Le disposi- tif global est alors un dispositif de type triode ou à trois bornes. L'invention procure également un dispositif inté- gré correspondant consistant en un thyristor à commande par TEC MOS Le dispositif intégré à thyristor comprend un dis- positif de commutation à semiconducteur à quatre couches comprenant, dans l'ordre, une couche de région d'anode de type de conductivité P, une première couche de région de base de type de conductivité N, une seconde région de base de type de conductivité P et une couche de région de cathode de type de conductivité N Ici encore, il existe deux TEC MOS Le premier d'entre eux est un TEC MOS à mode d'enri- chissement ayant une électrode de grille et une paire d'électrodes principales connectées entre les première et seconde couches de région de base, pour polariser le dispo- sitif de commutation à l'état conducteur lorsque le TEC MOS à mode d'enrichissement est conducteur L'autre est un TEC MOS à mode d'appauvrissement ayant une électrode de grille et une paire d'électrodes principales connectées entre la seconde couche de région de base et la couche de région de cathode, pour bloquer le dispositif de commutation lorsque le TEC MOS à mode d'appauvrissement est conducteur Comme dans le mode de réalisation à transistor bipolaire, le TEC MOS à mode d'enrichissement comporte de préférence un canal de type de conductivité N, et le TEC MOS à mode d'appau- vrissement comporte un canal de type de conductivité P Il existe avantageusement une connexion électrique entre les électrodes de grille des TEC MOS, ce qui donne un dispositif intégré à thyristor et à commande par TEC MOS à trois bornes. Un autre aspect de l'invention procure une struc- ture spécifique pour un dispositif intégré à transistor bipo- laire et à commande par TEC MOS Le transistor bipolaire com- porte un substrat semiconducteur comprenant une région de collecteur d'un premier type de conductivité et ayant une surface principale Une région de base du type de conducti- vité opposé est formée à l'intérieur de la région de collec- teur, de façon qu'une partie au moins de la frontière entre les régions de base et de collecteur forme la jonction collecteur-base du transistor bipolaire La région de base a une étendue latérale limitée et elle a une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale La couche de région de base est formée de préférence au moyen de techni- ques de diffusion classiques Le dispositif comprend égale- ment une région d'émetteur du premier type de conductivité, par exemple le type de conductivité N, qui est formée, de préférence par diffusion, à l'intérieur de la région de base, de façon qu'une partie au moins de la frontière entre les régions d'émetteur et de base forme la jonction émetteur- base du transistor bipolaire La région d'émetteur a une étendue latérale limitée et elle a une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale. Pour établir une borne de source de TEC MOS, on forme dans la région de base une première région de borne du premier type de conductivité, par exemple le type de con- ductivité N Cette première région de borne s'étend jusqu'à la surface principale et elle est espacée par rapport à la région de collecteur de façon qu'au niveau de la surface principale, une partie de la région de base se présente sous la forme d'une bande de type de conductivité opposé entre la première région de borne et la région de collecteur Pour compléter la structure d'un TEC MOS à mode d'enrichissement, on dispose une couche d'isolation de grille du premier TEC MOS sur la surface principale, sur au moins une partie de la bande, et on dispose une électrode de grille conductrice du premier TEC MOS sur la couche d'isolation de grille du pre- mier TEC MOS, au moins latéralement sur une partie de la bande Le premier dispositif TEC MOS qui est ainsi défini est du mode à enrichissement et il est conçu de façon à éta- blir un canal du premier type de conductivité s'étendant entre la région de collecteur et la première région de bor- ne Pour compléter la partie de la structure du dispositif qui est directement associée au premier TEC MOS, il existe une connexion électrique ohmique entre la première région de borne et la région de base, de façon que le canal du pre- mier dispositif TEC MOS, lorsqu'il est conducteur, connecte électriquement les régions de base et de collecteur du transistor bipolaire, pour polariser ce dernier à l'état conducteur. Pour définir une région d'électrode de drain pour un second TEC MOS, on forme une seconde région de borne du type de conductivité opposé, par exemple le type de conduc- tivité P, à l'intérieur d'une région sélectionnée parmi les régions d'émetteur et de collecteur La seconde région de borne s'étend jusqu'à la surface principale et est espacée de la région de base de manière à définir un intervalle entre la seconde région de borne et la région de base, au niveau de la surface principale Une région de canal à mode d'appauvrissement du second TEC MOS, du type de conductivi- té opposé, par exemple le type de conductivité P, est formée au niveau de la surface principale, dans l'intervalle situé entre la seconde région de borne et la région de base La région de canal à mode d'appauvrissement du second TEC MOS est de préférence formée par des techniques connues d'implantation ionique Pour compléter la structure du second TEC MOS, une couche d'isolation de grille du second TEC MOS est disposée sur la couche principale, sur une par- tie au moins de la région de canal à mode d'appauvrissement du second TEC MOS, et une électrode de grille conductrice du second TEC MOS est disposée sur la couche d'isolation de grille du second TEC MOS, au moins latéralement sur une par- tie de la région de canal à mode d'appauvrissement Enfin, une connexion électrique ohmique est établie entre la secon- de région de borne et la région d'émetteur de façon que le canal du second dispositif TEC MOS, lorsqu'il est conducteur, connecte électriquement les régions d'émetteur et de base du transistor bipolaire, pour bloquer ce dernier. Comme indiqué brièvement ci-dessus, la seconde région de borne constituant l'électrode de drain du TEC MOS à mode d'appauvrissement peut, conformément à l'invention, être formée à l'intérieur d'une région sélectionnée parmi les régions d'émetteur et de collecteur Dans le cas o la seconde région de borne est formée à l'intérieur de la région d'émetteur du transistor bipolaire, la structure du second TEC MOS est intimement interdigitée avec la structure du transistor bipolaire Dans le cas o la seconde région de borne est formée à l'intérieur de la région de collecteur, cette seconde région de borne est déplacée vers un côté du transistor bipolaire, dans la structure du dispositif Ceci permet au transistor bipolaire d'occuper une aire un peu plus grande, mais au prix de la nécessité d'établir, sur le dispositif intégré, un conducteur de connexion entre la seconde région de borne et l'émetteur du transistor bipolai- re. La structure correspondante d'un dispositif inté- gré à thyristor à commande par TEC MOS est similaire avec les exceptions suivantes: une structure de dispositif de commutation à semiconducteur à quatre couches remplace la structure active à trois couches du transistor bipolaire, et la région de borne du premier TEC MOS consiste en un pro- longement de la région de cathode du dispositif, au lieu de consister en une région séparée connectée de façon ohmique à la région de base de type P En particulier, le dispositif de commutation à semiconducteur à quatre couches comporte une surface principale et comprend, dans l'ordre, une couche de région d'anode qui est la plus éloignée de la surface princi- pale et qui est du type de conductivité P (Il n'y a pas de couche de région active directement correspondante dans la structure de transistor bipolaire considérée brièvement ci-dessus Dans la structure de transistor bipolaire, cette couche particulière consiste simplement en un substrat formé par une tranche de semiconducteur, du même type de conducti- vité que la région de collecteur, mais avec un niveau de dopage supérieur). On trouve ensuite dans la structure de dispositif de commutation à semiconducteur à quatre couches une premiè- re couche de région de base de type de conductivité N qui se termine au niveau de la surface principale et qui définit une première jonction PN avec la couche de région d'anode Cette première couche de région de base dans la structure de dispo- sitif intégré à thyristor correspond au collecteur de la structure de dispositif à transistor bipolaire. On trouve ensuite une seconde couche de région de base de type de conductivité P, formée à l'intérieur de la première région de base et définissant une seconde jonction PN avec la première région de base La seconde région de base a une étendue latérale limitée et elle a une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale La seconde couche de région de base du dispositif intégré à thyristor correspond à la base du dispositif intégré à transistor bipo- laire. La quatrième couche du dispositif de commutation à semiconducteur est une couche de région de cathode de type de conductivité N qui est formée à l'intérieur de la seconde région de base et qui définit une troisième jonction PN avec la seconde région de base La région de cathode a une étendue latérale limitée et elle a une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale La région de cathode du dis- positif intégré à thyristor correspond à la région d'émet- teur de la forme de dispositif à transistor bipolaire. Dans la forme de dispositif à thyristor, les structures des TEC MOS correspondent de façon générale à celles des TEC MOS qu'on trouve dans la forme de dispositif à transistor bipolaire En particulier, une première région de borne de type de conductivité N est formée à l'intérieur de la seconde région de base, sous la forme d'un prolonge- ment de la région de cathode, et s'étend jusqu'à la surface principale La première région de borne est espacée par rapport à la première région de base, de façon qu'au niveau de la surface principale, une partie de la seconde région de base se présente sous la forme d'une bande de type de conductivité P entre la première région de borne et la pre- mière région de base Une couche d'isolation de grille d'un premier TEC MOS est disposée sur la surface principale, sur une partie au moins de la bande, et une électrode de grille conductrice du premier TEC MOS est disposée sur la couche d'isolation de grille du premier TEC MOS, au moins latérale- ment sur une partie de la bande, de façon à définir un pre- mier dispositif TEC MOS à mode d'enrichissement, conçu pour établir un canal de type de conductivité N s'étendant entre la première région de base et la première région de borne. La seconde région de borne est de type de conduc- tivité P et elle est formée dans une région sélectionnée parmi la région de cathode et la seconde région de base La seconde région de borne s'étend jusqu'à la surface princi- pale et elle est espacée par rapport à la seconde région de base de façon à définir un intervalle entre la seconde région de borne et la seconde région de base, dans la surfa- ce principale Une région de canal à mode d'appauvrissement d'un second TEC MOS, de type de conductivité P, est formée dans la surface principale, de préférence par implantation ionique, dans l'intervalle situé entre la seconde région de borne et la seconde région de base Une couche d'isolation 2524711 l de grille du second TEC MOS est disposée sur la surface principale, sur au moins une partie du canal à mode d'appau- vrissement du second TEC MOS, et une électrode de grille con- ductrice du second TEC MOS est disposée sur la couche d'iso- lation de grille du second TEC MOS, au moins latéralement sur une partie de la région de canal à mode d'appauvrissement. Enfin, une connexion électrique ohmique est établie entre la seconde région de borne et la région d'émetteur de façon que lorsque le canal du second dispositif TEC MOS est conducteur, il connecte électriquement la région de cathode et la seconde région de base du dispositif de commutation, pour bloquer ce dernier. La forme préférée de la structure de dispositif conforme à l'invention est une structure plane, comme indiqué brièvement ci-dessus, avec fabrication des TEC MOS par des techniques de diffusion ("D-MOS") On notera cependant qu'il existe des structures de dispositif équivalentes dans lesquelles les TEC MOS sont formés par gravure de sillons en V traversant au moins deux couches du dispositif, de manière que les surfaces de canal des TEC MOS soient définies dans les côtés des sillons en V, donnant une structure connue dans la technique sous l'appellation "V-MOS". La suite de la description se réfère aux dessins annexés qui représentent respectivement: Figure 1 A: une coupe latérale montrant une struc- ture représentative de dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS de l'art antérieur; Figure l B: un schéma électrique du circuit équi- valent du dispositif de l'art antérieur de la figure 1 A; Figure 2 A: une coupe latérale montrant une struc- ture représentative d'un dispositif à thyristor à commande par TEC MOS de l'art antérieur; Figure 2 B: un schéma électrique du circuit équi- valent du dispositif de l'art antérieur de la figure 2 A; Figure 3: une coupe latérale montrant une forme de structure de transistor bipolaire à commande par TEC MOS conforme à l'invention; Figure 4: un schéma électrique du circuit équiva- lent de la structure de dispositif de l'invention de la figure 3; Figure 5 une coupe latérale de la structure d'un dispositif intégré à thyristor à commande par TEC MOS con- forme à l'invention; Figure 6:'un schéma électrique du circuit équiva- lent de la structure de dispositif de l'invention de la figure 5; Figure 7: une coupe transversale d'une autre structure de dispositif intégré à transistor bipolaire à commande par TEC MOS, conforme à l'invention; et Figure 8: une coupe latérale montrant un disposi- tif conforme à l'invention qui est fabriqué en employant la technologie V-MOS. Pour permettre de mieux comprendre et apprécier l'invention, on va considérer les structures spécifiques et les circuits électriques équivalents de deux dispositifs représentatifs de l'art antérieur En particulier, on décri- ra ci-après en relation avec les figures l A et 2 A un transis- tor bipolaire à commande par TEC MOS de l'art antérieur, et on décrira en relation avec les figures 2 A et 2 B un thyris- tor à commande par TEC MOS de l'art antérieur. On considérera tout d'abord la figure l A qui représente, en coupe latérale, un dispositif intégré à tran- sistor bipolaire à commande par TEC MOS, 10, appartenant à l'art antérieur, qui est représentatif des dispositifs décrits dans l'article précité de Zommer, intitulé "Monoli- thic H V BIP MOS". Le dispositif intégré 10 de la figure l A est formé sur un substrat semiconducteur 12 de type de conductivité N+ ayant une métallisation de collecteur 14 en contact ohmique avec le substrat La métallisation est connectée à son tour à une borne de collecteur 16 du dispositif La véritable région de collecteur de transistor bipolaire, 18, est une région semiconductrice 18 de type de conductivité N formée sur le substrat 12, par exemple par des techniques classi- ques de croissance épitaxiale, et ayant une surface princi- pale 20 Une région de base 22 en semiconducteur de type de conductivité P est formée à l'intérieur de la région de collecteur 18 de façon qu'une partie au moins de la frontiè- re 24 entre les régions de base 22 et de collecteur 18 forme la jonction collecteur/base du transistor bipolaire La région de base 22 a une étendue latérale limitée et elle a une périphérie 26 qui se termine à la surface principale 20 de la région de collecteur 18 Une région d'émetteur 28 en semiconducteur de type de conductivité N+ est formée à l'in- térieur de la région de base 22 de façon qu'une partie au moins de la frontière 30 entre les régions d'émetteur 28 et de base 22 forme la jonction émetteur/base du transistor bipolaire La région d'émetteur 28 a une étendue latérale limitée, et elle a également une périphérie 22 qui se ter- mine au niveau de la surface principale 20 Une métallisa- tion d'émetteur 34 est établie en contact ohmique avec la région d'émetteur 28 et elle est connectée à une borne d'émetteur 36 du dispositif. Un transistor bipolaire NPN 38, à jonctions diffusées, est ainsi défini dans le dispositif global 10, et ce transistor comprend une région de collecteur (C) 18, une région de base (B) 22 et une région d'émetteur (E) 28. La même structure intégrée comprend un TEC MOS à canal N et à mode d'enrichissement, désigné globalement par la référence 40 Pour définir une région de source (S) de TEC MOS, une région de borne diffusée 42, de type de con- ductivité N+ est formée à l'intérieur de la région de base 22, en étant séparée de la région de collecteur 18, à la surface 20, par une bande 44 de matière semiconductrice de type de conductivité P, qui consiste en un prolongement de la région de base 22 La région d'électrode de drain (D) 48 du TEC MOS 40 consiste en un prolongement de la région de collecteur 18 Pour compléter la structure du TEC MOS 40, une couche d'isolation de grille 50, par exemple en dioxyde de silicium, est disposée sur la surface principale, sur la bande 44, et une électrode de grille conductrice 52, par exemple en aluminium évaporé, est disposée sur la couche d'isolation de grille 50, au moins latéralement sur la bande 44 L'électrode de grille 52 est elle-même connectée à une borne de grille 53 du dispositif. Le TEC MOS 40 qui est ainsi défini est du mode à enrichissement, c'est-àdire que son canal est bloqué au repos On sait que dans le fonctionnement d'un TEC MOS à mode d'enrichissement et à canal N, comme le TEC MOS 40, lorsqu'une tension de grille positive est appliquée à l'électrode de grille 52, ceci crée un champ électrique qui s'étend à travers la couche d'isolation de grille 50 jusque dans la région de base 22, et ce champ induit un canal con- ducteur de type N juste sous la surface 20, au-dessous de la couche d'isolation de grille 50 et de l'électrode de grille 52 Ce canal induit constitue alors un chemin conduc- teur entre la région de source 42 et la région de drain 48, qui sont du même type de conductivité On sait que plus la tension de grille est positive, plus ce canal conducteur devient épais et plus il circule un courant effectif. Dans la structure de l'art antérieur de la figure 1 A, la région de drain 48 du TEC MOS 40 et la région de collecteur 18 du transistor bipolaire sont connectées de façon inhérente du fait que ce sont des parties de la même région semiconductrice de type de conductivité N Dans la structure particulière qui est représentée sur la figure 1 A, une connexion ohmique sous la forme d'une bande de court-circuit métallisée 54 est établie entre la région de borne N+ 42, constituant la région de source du TEC MOS 40, et la région de base 22 du transistor bipolaire. Du fait de la bande de court-circuit 54, lorsque le TEC MOS 40 conduit, le courant qui provient de la région de collecteur 18 et donc de la région de drain 48 est dirigé vers la région de base 22, ce qui fournit un courant de base pour le transistor bipolaire 38 et rend ce transistor encore plus conducteur. Il est important de noter que pour assurer la possibilité de blocage du transistor bipolaire 38, le dispo- sitif de l'art antérieur, 10, de la figure 1 A comprend une borne auxiliaire 56 qui est connectée à la bande de court- * circuit 54, et donc à la région de base 22 du transistor bipolaire 38 Dans certains dispositifs de l'art antérieur, une résistance de court-circuit (non représentée) est con- nectée entre la région de base 22 et la région d'émetteur 28, pour établir un chemin supplémentaire pour la charge de base emmagasinée, au moment o le dispositif doit être blo- qué et o le courant d'attaque de base est supprimé Cepen- dant, une telle résistance augmente également les exigences de courant d'attaque de base lorsque le dispositif est dans un état conducteur, ce qui exige un TEC MOS d'attaque, 40, de plus grande taille pour satisfaire l'exigence d'un cou- rant d'attaque de base accru. En considérant maintenant la figure 1 B, représen- tant le circuit équivalent du dispositif intégré à transis- tor bipolaire à commande par TEC MOS, 10, de la figure 1 A, on peut voir que les bornes de drain (D) et de source (S) du TEC MOS 40, à canal N et à mode d'enrichissement, sont connectées entre les bornes de collecteur (C) et de base (B) du transistor bipolaire 38, de façon à polariser ce dernier à l'état conducteur lorsque le TEC MOS 40 est con- ducteur Dans la représentation schématique de la figure 1 B, le trait 58 qui représente le canal du TEC MOS 40 comporte des interruptions pour indiquer que le TEC MOS 40 est du type à mode d'enrichissement dans lequel le chemin de con- duction du courant est interrompu au repos, et qu'une ten- sion de grille est nécessaire pour polariser le TEC MOS 40 à l'état conducteur. Dans le dispositif de l'art antérieur particulier qui est représenté sur les figures 1 A et 1 B, aucun méca- nisme fiable n'est incorporé dans le dispositif intégré 10 lui-même pour bloquer le transistor bipolaire 38 Pour réali- ser cette fonction, on peut connecter électriquement la borne de base auxiliaire 56 et la borne d'émetteur (E) 36 du dis- positif, par l'intermédiaire de connexions externes appro- priées dans le circuit réel (non représenté) dans lequel le dispositif 10 est utilisé. On va maintenant considérer les figures 2 A et 2 B qui représentent une forme de dispositif intégré à thyristor et à commande par TEC MOS, 60, appartenant à l'art antérieur, du type suggéré dans la demande de brevet US 331 049 préci- tée. Le dispositif intégré 60 de la figure 2 A comprend un dispositif de commutation à semiconducteur à quatre cou- ches, 62, ayant une surface principale 64 et comprenant, dans l'ordre, premièrement une couche de région d'anode 65, de type de conductivité P+, située le plus loin de la surface principale 64, avec une métallisation 66 connectée à une borne d'anode 67 du dispositif On trouve ensuite une premiè- re couche de région de base 68, de type de conductivité N, qui se termine au niveau de la surface principale 64 et qui définit une première jonction PN 70 avec la région d'anode 66, puis une seconde couche de région de base 72, de type de conductivité P, formée à l'intérieur de la première région de base 68 et définissant une seconde jonction PN 74 avec la première région de base 68 La seconde région de base 72 a - une étendue latérale limitée et elle a une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale 64 Enfin, une couche de région de cathode 76, de type de conductivité N, est formée à l'intérieur de la seconde région de base 72 et définit une troisième jonction PN 78 avec la seconde région de base 72 La région de cathode 76 a également une étendue latérale limitée et elle a une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale 64 Pour établir une borne de cathode, une métallisation 80 est formée en contact ohmique avec la région de cathode 76, et elle est connectée électriquement à une borne de cathode 82 du dispositif. Dans le dispositif intégré à thyristor à commande par TEC MOS, 60, de l'art antérieur, qui est représenté sur les figures 2 A et 2 B, il y a deux TEC MOS pour réaliser des fonctions de commande Le premier d'entre eux est un TEC MOS à mode d'enrichissement et à canal N, désigné globale- ment par la référence 84, qui est connecté de façon à faire passer le dispositif de commutation à quatre couches 62 à l'état conducteur, et le second est un TEC MOS à mode d'enrichissement et à canal P, désigné globalement par la référence 86, qui est connecté de façon à bloquer le dispo- sitif de commutation à semiconducteur à quatre couches 62. En particulier, la région de source (S) 88 du premier TEC MOS 84 comprend une première région de borne de type de conductivité N Dans la structure de dispositif particulière de la figure 2 A, cette première région de bor- ne consiste simplement en un prolongement de la région de cathode 76 La région d'électrode de drain (D) 90 du pre- mier TEC MOS 84 consiste en un prolongement de la première région de base 68, de type de conductivité N Ainsi, au niveau de la surface principale 64, une partie de la seconde région de base 72 se présente sous la forme d'une bande 92 de type de conductivité P, entre la région de source 88 de type de conductivité N et la région de drain 90 du TEC MOS, qui constitue un prolongement de la première région de base 68 Pour compléter la structure de TEC MOS, une couche d'isolation de grille 94 et une métallisation de grille 96 sont disposées de façon appropriée sur la bande 92, de façon qu'au cours du fonctionnement, un canal conducteur mince de type N soit induit juste sous la surface 64, au-dessous de la couche d'isolation de grille 94 et de - l'électrode de grille 96 Une première borne de grille 97 est connectée à la métallisation de grille 96. Comme le schéma du circuit équivalent de la figure 2 B le montre le mieux, la source (S) et le drain (D) de ce premier TEC MOS 84, à mode d'enrichissement et à canal N, sont connectés entre la région de base N 68 et la région de cathode 76 du thyristor 62, de façon à déclencher la conduc- tion du dispositif de commutation à quatre couches 62 lorsque le TEC MOS 84 conduit, ainsi que l'homme de l'art pourra le voir. Le second TEC MOS 86 à mode d'enrichissement est connecté de façon à bloquer le dispositif de commutation à semiconducteur à quatre couches 62 en absorbant à partir de la base 72 de type de conductivité P des porteurs majoritai- res, consistant en trous, lorsque ce second TEC MOS 86 con- duit En considérant la structure du second TEC MOS 86, on voit qu'une seconde région de borne 100 de type de conducti- vité P+ est formée à l'intérieur de la région de cathode 76, dans le but d'établir une région de drain (D) du TEC MOS La seconde région de borne 100 s'étend jusqu'à la surface prin- cipale 64 et elle est séparée de la seconde région de base 72 de façon qu'au niveau de la surface principale 64, une partie de la région de cathode 76 se présente sous la forme d'une bande 102 de type de conductivité N, entre la seconde région de borne 100 et la première région de base 72 La région de source (S) du TEC MOS 86 consiste en un prolonge- ment de la seconde région de base 72, de type de conductivi- té P. Pour compléter la structure du second TEC MOS 86, une couche d'isolation de grille 104 et une électrode de grille 106 connectée à une seconde borne de grille 108 sont disposées de façon appropriée sur la bande 102. L'examen de cette structure permet de voir que le second dispositif TEC MOS 86 est un TEC MOS à mode d'enri- chissement et à canal P Pendant le fonctionnement, le TEC MOS 86 est bloqué au repos Lorsqu'une tension de grille négative est appliquée à la seconde borne de grille 108 et à la métallisation 106, ceci crée un champ électrique qui s'étend à travers la couche d'isolation de grille 104 pour induire un canal conducteur mince de type P juste sous la surface 64, audessous de la couche d'isolation 104 et de l'électrode de grille 106. Dans le dispositif intégré TEC MOS-thyristor 60 des figures 2 A et 2 B, les électrodes de grille 97 et 108 peuvent être connectées ensemble Ainsi, pendant le fonc- tionnement, le dispositif 60, et plus particulièrement la partie de celui-ci qui correspond au dispositif de commuta- tion à semiconducteur à quatre couches 62, devient conduc- teur lorsqu'une tension positive est appliquée aux grilles pour polariser le premier TEC MOS 84 à l'état conducteur. Le dispositif 60 se bloque lorsqu'une tension de grille négative est appliquée pour polariser le second TEC MOS 86 à l'état conducteur, tandis que le premier TEC MOS 84 ne conduit plus. Contrairement au dispositif de l'art antérieur 60 des figures 2 A et 2 B, l'une des caractéristiques de l'inven- tion réside dans la suppression de la nécessité de disposer de tensions de grille ayant des polarités opposées pour bloquer et débloquer le dispositif. On va maintenant considérer la figure 3 qui repré- sente, conformément à un mode de réalisation de l'invention, la structure d'un dispositif intégré à transistor bipolaire et à commande par TEC MOS, 120, qui comporte une commande de blocage et de déblocage avec une seule polarité d'entrée La figure 4 montre le circuit électrique équivalent du disposi- tif intégré 120 de la figure 3. Il convient de noter à ce point que, comme le remarquera l'homme de l'art, des dispositifs à commande par TEC MOS tels que le dispositif 120 peuvent avoir diverses configurations géométriques de surface, et on ne désire donc pas limiter l'invention à une configuration géométrique par- ticulière Une structure caractéristique pour un transistor bipolaire de puissance consiste en une configuration en pei- gnes avec des régions de base et d'émetteur métallisées et interdigitées On notera de façon similaire que les structu- res représentées ici ne sont que des parties représentatives qui, dans des dispositifs de puissance réels, se répètent de façon symétrique. Sur la figure 3, le transistor bipolaire de base est un transistor NPN à jonctions diffusées, 122, comparable au transistor 38 décrit ci-dessus en relation avec les figu- res 1 A et 1 B Le transistor 122 comprend une région de col- lecteur 124 de type de conductivité N, une région de base 126 de type de conductivité P et une région d'émetteur 128 de type de conductivité N+ La connexion électrique avec la région de collecteur 124 est assurée par un substrat de dis- positif 130, de type de conductivité N+, ayant une métalli - sation de collecteur 132 connectée électriquement à une bor- ne de collecteur 134 du dispositif Une métallisation d'émetteur 136 est établie en contact ohmique avec la région d'émetteur 128 et est connectée électriquement à une borne d'émetteur 138 du dispositif. Le dispositif comprend deux TEC MOS 140 et 142 pour la commande du transistor bipolaire 122. Le premier TEC MOS 140 est du mode à enrichisse- ment et à canal N et il est connecté entre les régions de collecteur (C) 124 et de base (B) 126 du transistor bipo- laire 122, d'une manière comparable à celle des dispositifs de l'art antérieur Plus précisément, l'électrode de source du premier TEC MOS 140 consiste en une première région de borne 144 du type de conductivité N+ qui est formée à l'in- térieur de la région de base 126 Pour indiquer clairement que le TEC MOS 140 est un TEC MOS à mode d'enrichissement, l'indice "-e" est ajouté aux désignations des bornes, c'est- à-dire qu'on désigne la source par S La première région de borne 140 s'étend jusqu'à la surface principale du disposi- tif et elle est séparée de la région de collecteur 124 de façon qu'au niveau de la surface principale, une partie de la région de base 126 se présente sous la forme d'une bande 146 de type de conductivité opposé (type de conductivité P) entre la première région de borne 144 et la région de col- lecteur 124, toutes deux du type de conductivité N Pour compléter la structure du premier TEC MOS 140, une première couche d'isolation de grille de TEC MOS, 148, est disposée sur la surface principale, sur au moins une partie de la bande 146, et une première électrode de grille conductrice (Ge) de TEC MOS, 150, est disposée sur la couche d'isola- tion de grille 148, au moins latéralement sur une partie de la bande 146. La borne de drain (D e) du premier TEC MOS 140 est automatiquement connectée au collecteur 124 du transistor bipolaire 122 Pour connecter l'électrode de source (S) du premier TEC MOS 140 à la région de base 126 du transis- tor bipolaire 122, une bande de court-circuit métallisée 152 est établie en contact ohmique avec à la fois la pre- mière région de borne 144 et la région de base 126 Aucune connexion externe avec la bande de court-circuit 152 n'est nécessaire Le dispositif 120 est donc de type triode. Pendant le fonctionnement, le TEC MOS 140 à canal N et à mode d'enrichissement est bloqué lorsqu'une tension de grille nulle (ou négative) est appliquée Lorsqu'une tension de grille positive est appliquée, un canal mince de type de conductivité N est induit juste sous la surface, au-dessous de l'oxyde de grille 148 et de l'électrode de grille 150, ce qui établit le canal de conduction pour le premier TEC MOS 140 Ce canal de conduction fournit un cou- rant de base pour le transistor bipolaire 122, de façon à faire passer ce dernier à l'état conducteur. Le second TEC MOS 142 est destiné à bloquer de façon fiable le transistor bipolaire 122 En particulier, comme la figure 4 le montre le mieux, les bornes de source (Sa) et de drain (Da) du second TEC MOS 142 sont connectées entre les bornes de base (B) et d'émetteur (E) du transistor bipolaire 122 Dans la nomenclature utilisée ici, un indice "a" est ajouté pour désigner les électrodes du TEC MOS 142, à mode d'appauvrissement. Il est important de noter que, conformément à l'invention, le second TEC MOS 142 est un transistor à mode d'appauvrissement qui est conducteur au repos avec une ten- sion de grille nulle, et qui nécessite l'application d'une tension de grille pour être bloqué Par conséquent, dans le schéma électrique de la figure 4, le trait de canal 154 du second TEC MOS 142 est continu, sans interruptions Dans la structure de dispositif particulière qui est représentée, le canal du TEC MOS 142 à mode d'appauvrissement est du type de conductivité P. En retournant à la figure 3 pour examiner la struc- ture spécifique du second TEC MOS 142, on note que la région de drain (Da) du TEC MOS 142 consiste en une seconde région de borne 156, du type de conductivité P+ qui est formée dans une région sélectionnée parmi la région d'émetteur 128 et la région de collecteur 124 Dans le mode de réalisation parti- culier de la figure 3, la seconde région de borne 156 est formée à l'intérieur de la région d'émetteur 128 du transis- tor bipolaire L'autre possibilité mentionnée ci-dessus, dans laquelle la seconde région de borne 156 est formée à l'intérieur de la région de collecteur 124, est représentée sur la figure 7, décrite ultérieurement. La seconde région de borne 156 s'étend jusqu'à la surface principale du dispositif et elle est séparée de la région de base 126 de façon qu'au niveau de la surface prin- cipale, un intervalle 158 soit défini entre la seconde région de borne 156 et la région de base 126 Du fait que le TEC MOS 142 est un TEC MOS à mode d'appauvrissement, une région de canal de mode d'appauvrissement, de type de conductivité P, est formée dans l'intervalle 158 situé entre la seconde région de borne 156 et la région de base 126 Conformément à l'invention, on envisage que le canal de mode d'appauvrisse- ment soit une région implantée formée en employant l'implan- tation ionique On peut employer des techniques d'implanta- tion ionique connues, comme celles décrites dans les articles suivants: J F Gibbons, "Ion Implantation in Semiconduc- tors Part I: Range Distribution Theory and Experiments", Proc IEEE, Vol 56, N O 3, pages 295-319 (mars 1968); et J.F Gibbons, "Ion Implantation in Semiconductors Part II: Damage Production and Annealing", Proc IEEE, Vol 60, N O 9, pages 1062-1096 (septembre 1972). Pour compléter la structure du second TEC MOS 142, une seconde couche d'isolation de grille de TEC MOS, 160, est disposée sur la surface principale du dispositif, sur une partie au moins de la seconde région de canal de mode d'appauvrissement de TEC MOS, 158, et une seconde électrode de grille conductrice (Ga) de TEC MOS, 162, est disposée sur la couche d'isolation de grille 160, au moins latéralement sur une partie de la région de canal de mode d'appauvrisse- ment 158. Bien que les modes de réalisation décrits utili- sent une région implantée pour les canaux des TEC MOS de mode d'appauvrissement, conducteurs au repos (avec une ten- sion de grille nulle), l'homme de l'art notera qu'il y a d'autres moyens pour créer une caractéristique de conduction au repos dans un TEC MOS A titre d'exemple, on peut incor- porer des couches de charges de surface dans la couche iso- lante de grille. La connexion entre la source (Sa) du TEC MOS 142 et la base (B) du transistor bipolaire 122 est établie auto- matiquement, du fait que ces deux régions d'électrodes con- sistent en prolongements de la même région de base 126, de type de conductivité P Dans le mode de réalisation de la figure 3, il existe une connexion électrique ohmique entre la seconde région de borne 156, constituant la borne de drain (Da) du TEC MOS 142 et la région d'émetteur (E) 128, et cette connexion est constituée simplement par un prolongement 164 ' de la métallisation d'émetteur 136, en contact ohmique avec la région de borne 156. Dans le fonctionnement du second TEC MOS 142, le canal de mode d'appauvrissement 158 conduit au repos (avec une tension de grille nulle), du fait qu'il existe un chemin conducteur continu dans la matière semiconductrice de type de conductivité P Lorsqu'une tension de grille positive est appliquée, un champ électrique est créé et ce champ s'étend à partir de la métallisation de grille 162 jusque dans la région de canal implantée 158, en traversant la couche d'isolation de grille 160, ce qui expulse de la région de canal 158 les porteurs majoritaires, c'est-à-dire les trous, et finit par bloquer la conduction. Il est important de noter qu'une tension de grille positive est nécessaire pour polariser à l'état conducteur le TEC MOS 140, à canal N et à mode d'enrichissement, et qu'une tension positive est également nécessaire pour pola- riser au blocage le TEC MOS 142, à canal P et à mode d'appauvrissement Ainsi, les couches d'électrode de grille et 162 de ces deux TEC MOS 140 et 142 sont avantageuse- ment connectées ensemble et à une seule borne de grille 164 " du dispositif Une seule polarité d'entrée commande le dis- positif global 120 Plus précisément, le dispositif 120 qui est représenté, c'est-à-dire un dispositif à transistor bipolaire NPN et à commande par TEC MOS, est bloqué avec une tension de grille nulle et est conducteur avec une ten- sion de grille positive Si on fabriquait un transistor bipolaire PNP en inversant tous les types de conductivité des semiconducteurs dans l'ensemble du dispositif, le dispo- sitif résultant serait bloqué avec une tension de grille nulle et conducteur au moment de l'application d'une tension de grille négative. On notera que pour un bon fonctionnement du dispo- sitif 120, les deux TEC MOS 140 et 142 ne doivent pas con- duire simultanément, ce qui, en fait, court-circuiterait momentanément le dispositif, entraînant ainsi une consomma- tion d'énergie excessive La tension de seuil du TEC MOS 142, à canal P et à mode d'appauvrissement, est donc ajustée en définissant le niveau de dopage de l'implantation de type P, pour faire en sorte que le TEC MOS 142 à canal P et à mode d'appauvrissement soit polarisé au blocage complet lorsque le TEC MOS 144 à canal N et à mode d'enrichissement devient conducteur. On va maintenant considérer la figure 5 qui, con- formément à un autre mode de réalisation de l'invention, représente la structure d'un dispositif intégré à thyristor à commande par TEC MOS, 150, ayant une commande de blocage et de déblocage avec une seule polarité d'entrée La figure 6 représente le circuit électrique équivalent du dispositif 150. De façon générale, le dispositif à thyristor à commande par TEC MOS, 150, des figures 5 et 6 est similaire au dispositif à thyristor à commande par TEC MOS, 60, de l'art antérieur, représenté sur les figures 2 A et 2 B, et il comprend une paire de TEC MOS 152 et 154 qui sont respecti- vement connectés de façon à débloquer et à bloquer le dispo- sitif 150 Le TEC MOS 152 des figures 5 et 6 correspond de façon générale au TEC MOS 84 des figures 2 A et 2 B et est de même un TEC MOS à canal N et à mode d'enrichissement. Cependant, le TEC MOS 154 des figures 5 et 6 est un TEC MOS de mode d'appauvrissement, contrairement au TEC MOS 86 des figures 2 A et 2 B qui est du mode d'enrichissement Les TEC MOS 86 et 154 sont tous deux des dispositifs à canal P dans les modes de réalisation représentés. Comme dans le cas du dispositif 60 de l'art anté- rieur représenté sur les figures 2 A et 2 B, le dispositif intégré 150 des figures 5 et 6 comprend un dispositif de commutation à semiconducteur à quatre couches 162 ayant une surface principale 164 et comprenant, dans l'ordre, premiè- rement une couche de région d'anode de type de conductivité P+, 165, située le plus loin de la surface principale 164, avec une métallisation 166 connectée à une borne d'anode 167 du dispositif On trouve ensuite une première couche de région de base 168, de type de conductivité N, qui se termi- ne au niveau de la surface principale 164 et définit une première jonction PN 170 avec la région d'anode 166, et ensuite une seconde couche de région de base 172, de type de conductivité P, qui est formée à l'intérieur de la première région de base 168 et qui définit une seconde jonction PN 174 avec la première région de base 168 La seconde région de base 172 a une étendue latérale limitée et elle a une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale 164 Enfin, une couche de région de cathode 176 de type de conductivité N est formée à l'intérieur de la seconde région de base 172 et elle définit une troisième jonction PN 178 avec la seconde région de base 172 La région de cathode 176 a également une étendue latérale limitée, et elle a une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale 164 Pour former une borne de cathode, une métallisation 180 est établie en contact ohmique avec la région de cathode 176, et elle est connectée électriquement à une borne de cathode 182 du dispositif. Conformément à la pratique classique, on peut con- sidérer le dispositif de commutation à quatre couches 162 comme formé par la combinaison d'un transistor bipolaire PNP et d'un transistor bipolaire NPN, avec le collecteur de chaque transistor bipolaire connecté à la base de l'autre transistor bipolaire Le transistor bipolaire PNP est le transistor inférieur dans l'orientation représentée sur les figures 5 et 6, et ses régions d'émetteur, de base et de collecteur correspondent respectivement à la région d'anode , la première région de base 168 et la seconde région de base 172 du dispositif 162 Le transistor bipolaire NPNest le transistor supérieur, et ses régions d'émetteur, de base et de collecteur correspondent respectivement à la région de cathode 176, la seconde région de base 172 et la première région de base 168 du dispositif 162. La structure des deux TEC MOS 152 et 154, et leur interconnexion avec le dispositif de commutation à quatre couches 162 des figures -5 et 6 sont de façon générale simi- laires à la configuration des figures 2 A et 2 B, à l'excep- tion du fait que le TEC MOS 154 est un dispositif à mode d'enrichissement, qui est conducteur au repos, avec une ten- sion de grille nulle. En particulier, la région de source (Se) 188 du TEC MOS 152, à canal N et à mode d'enrichissement, consiste en une première région de borne de type de conductivité N. Dans la structure de dispositif particulière de la figure 5, cette première région de borne consiste simplement en un prolongement de la région de cathode 176 La région d'élec- trode de drain (D e) 190 du TEC MOS 152 consiste en un pro- longement de la première région de base 168, de type de con- ductivité N Ainsi, au niveau de la surface principale 164, une partie de la seconde région de base 172 se présente sous la forme d'une bande 192 de type de conductivité P, entre la région de source de type de conductivité N, 188, et la région de drain 190 du TEC MOS 152, consistant en un prolongement de la première région de base 168 Pour compléter la structure du TEC MOS 152, une couche d'isolation de grille 194 et une métallisation de grille 196 sont disposées de façon appro- priée sur la bande 192 de façon que, pendant le fonctionne- ment, un canal conducteur mince de type N soit induit juste sous la surface 164, au-dessous de la couche d'isolation de grille 194 et de l'électrode de grille 196 La métallisation de grille 196 est connectée à une borne de grille 197 du dispositif. Comme on peut le voir le plus clairement sur le schéma du circuit équivalent représenté sur la figure 6, la source (Se) et le drain (De) de ce TEC MOS 152 à canal N et à mode d'enrichissement sont connectés entre la région de base N 168 du thyristor 162 et la région de cathode 176, de façon à déclencher la conduction du dispositif de commuta- tion à quatre couches 162 lorsque le TEC MOS 152 conduit. En considérant la structure du TEC MOS 154 à canal P et à mode d'appauvrissement, on note que pour éta- blir une région de drain (D) de TEC MOS, une seconde région a de borne 200 de type de conductivité P+ est formée à l'inté- rieur de la région de cathode 176 La seconde région de bor- ne 200 s'étend jusqu'à la surface principale 164 et elle est séparée par rapport à la seconde région de base 172 de façon qu'au niveau de la surface principale 164, un inter- valle 202 soit défini entre la seconde région de borne 200 et la seconde région de base 172 Du fait que le TEC MOS 154 est un TEC MOS à mode d'appauvrissement, une région de canal de mode d'appauvrissement, de type de conductivité P, est formée dans l'intervalle Conformément à l'invention, on considère que le canal de mode d'appauvrissement est une région implantée formée par implantation ionique, comme men- tionné précédemment en relation avec la figure 3. La connexion entre la source (Sa) du TEC MOS 154 et la seconde région de base 172 du thyristor 162 est réa- lisée automatiquement, du fait que toutes deux consistent en prolongements de la même région de type de conductivité P. Pour compléter la structuredu TEC MOS 154, une couche d'isolation de grille 204 et une électrode de grille 206 connectée à la borne de grille 197 sont disposées de façon appropriée sur la région de canal 202. Le fonctionnement du dispositif global 150 des figures 5 et 6 est de façon générale le même que celui du dispositif à quatre couches 60 des figures 2 A et 2 B, sauf en ce qui concerne les moyens destinés à bloquer le dispositif. Pour faire passer le dispositif 150 à l'état conducteur, on applique une tension de grille positive, ce qui polarise à l'état conducteur le dispositif de commutation à quatre cou- ches 162, en injectant en fait des électrons à partir de la région de cathode 176 (de type de conductivité N) dans la première couche de région de base 168 (de type de conducti- vité N) Ceci débloque en fait le transistor bipolaire PNP inférieur, en lui appliquant un courant de base Cette action a ensuite pour effet de débloquer le transistor bipo- laire NPN supérieur, du fait que des trous provenant de la région d'anode 165 de type de conductivité P+ sont dirigés vers la seconde région de base 172, de type de conductivité P, ce qui produit un courant de base pour le transistor bipolaire NPN Par un mécanisme de commutation avec réaction positive, un courant de base supplémentaire pour le transis- tor bipolaire PNP inférieur arrive par le transistor NPN * supérieur, et le signal de grille initial n'est plus néces- saire A ce point, le dispositif 162 est verrouillé à l'état conducteur et il entretient la conduction dans lui- même, chaque transistor bipolaire fournissant un courant de base pour l'autre transistor bipolaire. Lorsqu'une tension de grille nulle est appliquée, le TEC MOS 152 à canal N et à mode d'enrichissement ne con- duit plus, et le TEC MOS 154 à canal P et à mode d'appau- vrissement conduit, ce qui connecte la seconde couche de région de base 172 à la cathode 176 du dispositif (qui est au potentiel le plus négatif pendant le fonctionnement du circuit) Ceci bloque le transistor bipolaire NPN supérieur, en absorbant les électrons fournis précédemment à partir de la cathode 176 pour provoquer la conduction du transistor bipolaire PNP inférieur, ce qui supprime la conduction dans le dispositif. On va maintenant considérer la figure 7 qui repré- sente une version modifiée du dispositif intégré à transis- tor bipolaire à commande par TEC MOS, 120, de la figure 3, dans laquelle la seconde région de borne 156 du type de con- ductivité P+ est formée dans la région de collecteur 124, au lieu d'être formée dans la région d'émetteur 128 Dans la configuration de la figure 7, la seconde région de borne 156 est toujours séparée de la région de base 126, et le canal 158, de préférence un canal implanté, de type de conductivité P,est disposé juste au-dessous de la surface du dispositif, sous la seconde couche isolante de grille de TEC MOS, 160, et la seconde métallisation de grille de TEC MOS, 162. Un léger inconvénient de la structure de la figure 7 consiste en ce qu'une connexion 166 réalisée par un con- ducteur séparé doit être incorporé dans le dispositif inté- gré afin de ramener vers la métallisation d'émetteur 136 la métallisation 168 qui se trouve sur la seconde région de borne 156, qui fait fonction d'électrode de drain du second TEC MOS, 142 Ceci n'est pas particulièrement difficile à accomplir en employant les techniques classiques Un avanta- ge de la structure de la figure 7 sur la structure de la figu- re 3 consiste en ce que, du fait qu'aucune configuration interdigitée entre les structures de transistor bipolaire et de TEC MOS n'est nécessaire, la partie de transistor bipo- laire du dispositif peut occuper une région séparée du dis- positif intégré et peut être réalisée avec une aire supérieu- re à celle qui serait utilisable en pratique-si la partie de transistor bipolaire était intégrée avec la partie de TEC MOS. En ce qui concerne le fonctionnement et les cir- cuits équivalents, le dispositif intégré à transistor bipo- laire à commande par TEC MOS, 120, de la figure 7 est iden- tique au dispositif de la figure 3. Bien que ceci ne soit pas spécialement représenté, on notera que la structure de thyristor bipolaire à commande par TEC MOS, 150, de la figure 5 peut être modifiée de façon similaire en formant la seconde région de borne 200 à l'in- térieur de la première région de base 168, de type de conduc- tivité N, avec une structure appropriée de TEC MOS à mode d'appauvrissement. On considérera finalement la figure 8 qui montre une autre forme de dispositif 170 illustrant la manière selon laquelle on peut appliquer les principes de l'invention à des dispositifs intégrés hybrides employant la technologie V-MOS pour former les deux TEC MOS nécessaires Le dispositif 170 est un dispositif intégré à transistor bipolaire à commande par TEC MOS,de façon générale comparable au dispositif inté- gré à transistor bipolaire à commande par TEC MOS, 120, de la figure 3. Sur la figure 8, on trouve deux TEC MOS, à savoir un TEC MOS 172 à canal N et à mode d'enrichissement (compa- rable au TEC MOS 140 de la figure 3), et un TEC MOS 174 à canal P et à mode d'appauvrissement (qui est de façon géné- rale comparable au TEC MOS 142 à canal P et à mode d'appau- vrissement 142 de la figure 3) Les surfaces de canal de TEC MOS dans les dispositifs 172 et 174 de la figure 8 ne sont pas formées sur les surfaces planes du dispositif comme il est représenté sur la figure 3 A la place, les surfaces de canal de TEC MOS 176 et 178 pour les deux TEC MOS 172 et 174 sont respectivement formées à l'intérieur de sillons gravés en Y, en employant des techniques de fabrication classiques Les dispositifs fonctionnent à tous autres égards de la manière décrite ci-dessus. REVENDICATIONS 1 Dispositif intégré à transistor bipolaire à commande par TEC MOS ( 120) ayant une commande de blocage et de déblocage avec une seule polarité d'entrée, caractérisé en ce qu'il comprend: un transistor bipolaire ( 122) compre- nant une couche de région de base en semiconducteur ( 126) entre des couches de régions d'émetteur ( 128) et de collec- teur ( 124) en semiconducteur, ces couches de régions d'émetteur et de collecteur étant d'un premier type de con- ductivité tandis que la couche de région de base ( 126) est du type de conductivité opposé; un TEC MOS ( 140) d'un pre- mier mode ayant une électrode de grille ( 150) et une paire d'électrodes principales (Se, De) connectées entre les cou- ches de régions de base ( 126) et de collecteur ( 124), pour polariser ce transistor bipolaire à l'état conducteur lorsque le TEC MOS ( 140) du premier mode est conducteur et un TEC MOS ( 142 Y du mode opposé ayant une électrode de grille ( 162) et une paire d'électrodes principales (S a, Da) connectées entre les couches de régions de base ( 126) et d'émetteur ( 128) pour bloquer le transistor bipolaire ( 122) lorsque le TEC MOS ( 142) du mode opposé est conducteur. 2 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 1, caractérisé en ce que le TEC MOS ( 140) du premier mode est un TEC MOS à mode d'enrichissement qui est bloqué avec une tension de grille nulle et qui conduit lorsqu'une tension de grille d'une polarité appropriée est appliquée, et en ce que le TEC MOS du mode opposé ( 142) est un TEC MOS à mode d'appauvrisse- ment qui est conducteur avec une tension de grille nulle et qui est bloqué lorsqu'une tension de grille de polarité appropriée est appliquée. 3 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une connexion électrique entre les électrodes de grille ( 150, 162) des TEC MOS ( 140, 142). 4 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une connexion électrique entre les élec- trodes de grille ( 150, 162) des TEC MOS ( 140, 142). Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 1, caractérisé en ce que le TEC MOS du premier mode ( 140) comporte un canal ( 146) du pre- mier type de conductivité, et le TEC MOS du mode opposé ( 142) comporte un canal ( 158) du type de conductivité opposé. 6 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 2, caractérisé en ce que le TEC MOS à mode d'enrichissement ( 140) comporte un canal ( 146) du premier type de conductivité et le TEC MOS à mode d'appauvrissement ( 142) comporte un canal ( 158) du type de conductivité opposé. 7 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 3, caractérisé en ce que le TEC MOS du premier mode ( 140) comporte un canal ( 146) du pre- mier type de conductivité, et le TEC MOS du mode opposé ( 142) comporte un canal ( 158) du type de conductivité opposé. 8 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 4, caractérisé en ce que le TEC MOS à mode d'enrichissement ( 140) comporte un canal ( 146) du premier type de conductivité et le TEC MOS à mode d'appauvrissement ( 142) comporte un canal ( 158) du type de conductivité opposé. 9 Dispositif intégré à thyristor à commande par TEC MOS ( 150) ayant une commande de blocage et de déblocage avec une seule polarité d'entrée, caractérisé en ce qu'il comprend: un dispositif de commutation à semiconducteur à quatre couches ( 162) comprenant, dans l'ordre, une couche de région d'anode ( 165) de type de conductivité P, une pre- mière couche de région de base ( 168) de type de conductivité N, une seconde couche de région de base ( 172) de type de con- ductivité P, et une couche de région de cathode ( 176) de type de conductivité N; un TEC MOS à mode d'enrichissement ( 152) ayant une électrode de grille ( 196) et une paire d'électrodes principales (Se, De) connectées de façon à polariser le dispositif de commutation ( 162) à l'état conduc- teur lorsque le TEC MOS à mode d'enrichissement ( 152) est conducteur; et un TEC MOS à mode d'appauvrissement ( 154) ayant une électrode de grille ( 206) et une paire d'électrodes principales (Sa' Da) connectées de façon à bloquer le dispo- sitif de commutation ( 162) lorsque le TEC MOS à mode d'appauvrissement ( 154) est conducteur. Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 9, caractérisé en ce que les bornes principales (Sa, Da) du TEC MOS à mode d'appauvrissement ( 154) sont connectées entre la seconde couche de région de base ( 172) et la couche de région de cathode ( 176). 11 Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une connexion électrique entre les électrodes de grille ( 196, 206) des TEC MOS. 12 Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 9, caractérisé en ce que le TEC MOS à mode d'enrichissement ( 152) comporte un canal ( 192) de type de conductivité N, et le TEC MOS à mode d'appauvrisse- ment ( 154) comporte un canal ( 202) de type de conductivité P. 13 Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 10, caractérisé en ce que le TEC MOS à mode d'enrichissement ( 152) comporte un canal ( 192) de type de conductivité N, et le TEC MOS à mode d'appauvrisse- ment ( 154) comporte un canal ( 202) de type de conductivité P. 14 Dispositif intégré à transistor bipolaire à commande par TEC MOS ayant une commande de blocage et de déblocage avec une seule polarité d'entrée, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semiconducteur ( 130) compre- nant une région de collecteur ( 124) d'un premier type de conductivité ayant une surface principale; une région de base ( 126) de type de conductivité opposé, formée dans la région de collecteur ( 124) de façon qu'une partie au moins de la frontière entre les régions de base et de collecteur forme la jonction collecteur-base du transistor bipolaire, la région de base ( 126) ayant une étendue latérale limitée et ayant une périphérie qui se termine au niveau de la sur- face principale; une région d'émetteur ( 128) du premier type de conductivité, formée dans la région de base ( 126) de façon qu'une partie au moins de la frontière entre les régions d'émetteur et de base forme la jonction émetteur- base du transistor bipolaire, cette région d'émetteur ( 128) ayant une étendue latérale limitée et ayant une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale; une pre- mière région de borne ( 140) du premier type de conductivité, formée dans la région de base ( 126), cette première région de borne s'étendant jusqu'à la surface principale en étant séparée de la région de collecteur ( 124) de façon qu'au niveau de la surface principale, une partie de la région de base se présente sous la forme d'une bande ( 146) du type de conductivité opposé, entre la première région de borne ( 144) et la région de collecteur ( 124); une couche d'isolation de grille ( 148) d'un premier TEC MOS, disposée sur la surface principale, sur au moins une partie de la bande ( 146), et une électrode de grille conductrice ( 150) du premier TEC MOS, disposée sur la couche d'isolation de grille ( 148) du premier TEC MOS, au moins latéralement sur une partie de la première bande ( 146), de façon à définir un premier disposi- tif TEC MOS ( 140) à mode d'enrichissement qui est conçu de façon à établir un canal du premier type de conductivité s'étendant entre la région de collecteur ( 124) et la premiè- re région de borne ( 144), lorsqu'une tension de grille est appliquée; une connexion ohmique ( 152) entre la première région de borne ( 144) et la région de base ( 126), pour faire en sorte qu'à l'état conducteur, le canal du premier disposi- tif TEC MOS ( 140) connecte électriquement les régions de collecteur ( 124) et de base ( 126) du transistor bipolaire ( 122) pour polariser ce dernier à l'état conducteur; une seconde région de borne ( 156) du type de conductivité opposé, formée dans une région sélectionnée parmi les régions d'émetteur ( 128) et de collecteur ( 124), cette seconde région de borne ( 156) s'étendant jusqu'à la surface princi- pale en étant séparée de la région de base ( 126) de façon qu'au niveau de la surface principale, un intervalle ( 158) soit défini entre la seconde région de borne ( 156) et la région de base ( 126); une région de canal à mode d'appau- vrissement ( 158) d'un second TEC MOS, du type de conductivi- té opposé, formée à la surface principale dans l'intervalle ( 158) entre la seconde région de borne ( 156) et la région de base ( 126); une couche d'isolation de grille ( 160) du second TEC MOS, disposée sur la surface principale, sur au moins une partie de la région de canal à mode d'appauvrisse- ment ( 158) du second TEC MOS, et une électrode de grille conductrice ( 162) du second TEC MOS, disposée sur la couche d'isolation de grille ( 160) du second TEC MOS, sur une par- tie de la région de canal à mode d'appauvrissement; et une connexion ohmique ( 164 ') entre la seconde région de borne ( 156) et la région d'émetteur ( 128) de façon qu'à l'état conducteur, le canal ( 158) du second dispositif TEC MOS ( 142) connecte électriquement les régions d'émetteur ( 128) et de base ( 126) du transistor bipolaire ( 122), pour blo- quer ce dernier. 15 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 14, caractérisé en ce que la région de canal à mode d'appauvrissement ( 158) du second TEC MOS consiste en une région soumise à une implantation ionique. 16 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 14, caractérisé en ce que la seconde région de borne ( 156) est formée dans la région d'émetteur ( 128). 17 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 14, caractérisé en ce que la seconde région de borne ( 156, est formée dans la région de collecteur ( 124). 18 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une connexion électrique entre les électrodes de grille ( 150, 162) des TEC MOS ( 140, 142). 19 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une connexion électrique entre les électrodes de grille ( 150, 162) des TEC MOS ( 140, 142). Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une connexion électrique entre les électrodes de grille ( 150, 162) des TEC MOS ( 140, 142). 21 Dispositif intégré à transistor bipolaire à commande par TEC MOS ( 120) ayant une commande de blocage et de déblocage avec une seule polarité d'entrée, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semiconducteur ( 130) comprenant une région de collecteur ( 124) d'un premier type de conductivité ayant une surface principale; une région de base ( 126) de type de conductivité opposé, formée dans la région de collecteur ( 124) de façon qu'une partie au moins de la frontière entre les régions de base et de col- lecteur forme la jonction/base du transistor bipolaire ( 122), cette région de base ( 126) ayant une étendue latéra- le limitée et ayant une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale; une région d'émetteur ( 128) du premier type de conductivité, formée dans la région de base ( 126) de façon qu'une partie au moins de la frontière entre les régions d'émetteur ( 128) et de base ( 126) forme la jonc- tion émetteur/base du transistor bipolaire ( 122), cette région d'émetteur ( 128) ayant une étendue latérale limitée et ayant une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale; une surface de canal d'un premier TEC MOS; une première région de borne ( 144) du premier type de conductivi- té, formée dans la région de base ( 126), cette première région de borne ( 144) s'étendant jusqu'à la surface principa- le en étant séparée de la région de collecteur ( 124) au niveau de la surface de canal du premier TEC MOS, de façon qu'au niveau de cette surface, une partie de la région de base ( 126) se présente sous la forme d'une bande ( 146) du type de conductivité opposé, entre la première région de borne ( 144) et la région de collecteur ( 124); une couche d'isolation de grille ( 148) du premier TEC MOS, disposée sur la surface de canal du premier TEC MOS, sur au moins une partie de-la bande ( 146), et une électrode de grille conduc- trice ( 150) du premier TEC MOS, disposée sur la couche d'isolation de grille ( 148) du premier TEC MOS, au moins sur une partie de la bande ( 146), de façon à définir un premier dispositif TEC MOS ( 140) à mode d'enrichissement, conçu de façon à établir un canal du premier type de conductivité, s'étendant entre la région de collecteur ( 124) et la premiè- re région de borne ( 144) lorsqu'une tension de grille est appliquée; une connexion ohmique ( 152) entre la première région de borne ( 144) et la région de base ( 126) de façon qurà l'état conducteur, le canal du premier dispositif TEC MOS ( 140) connecte électriquement les régions de collecteur ( 124) et de base ( 126) du transistor bipolaire ( 122), pour polariser ce'dernier à l'état conducteur; une surface de canal de second TEC MOS; une seconde région de borne ( 156) du type de conductivité opposé, formée dans la région d'émetteur ( 128), cette seconde région de borne ( 156) s'étendant jusqu'à la surface principale en étant séparée de la région de base ( 126), de façon qu'au niveau de la sur- face de canal du second TEC MOS, un intervalle ( 158) soit défini entre la seconde région de borne ( 156) et la région de base ( 126); une région de canal à mode d'appauvrisse- ment ( 158) du second TEC MOS, du type de conductivité oppo- sé, formée au niveau de la surface de canal du second TEC MOS, dans l'intervalle ( 158) entre la seconde région de borne ( 156) et la région de base ( 126); une couche d'iso- lation de grille ( 160) du second TEC MOS, disposée sur la surface de canal du second TEC MOS, sur au moins une partie de la région de canal à mode d'appauvrissement ( 158) du second TEC MOS, et une électrode de grille conductrice ( 162) du second TEC MOS, disposée sur la couche d'isolation de grille ( 160) du second TEC MOS, au moins latéralement sur une partie de la région de canal à mode d'appauvrissement ( 158); et une connexion ohmique ( 1641) entre la seconde région de borne ( 156) et la région d'émetteur ( 128), de façon que lorsqu'il est conducteur, le canal du second dis- positif TEC MOS ( 142) connecte électriquement les régions de collecteur ( 124) et de base ( 126) du transistor bipolai- re ( 122) pour bloquer ce dernier. 22 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 21, caractérisé en ce que la région de canal à mode d'appauvrissement ( 158) du second TEC MOS consiste en une région soumise à une implan- tation ionique. 23 Dispositif à transistor bipolaire à commande par TEC MOS selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une connexion électrique entre les électrodes de grille ( 150, 162) des TEC MOS ( 140, 142). 24 Dispositif intégré à thyristor à commande par TEC MOS ( 150) ayant une commande de blocage et de déblo- cage avec une seule polarité d'entrée, caractérisé en ce qu'il comprend: un dispositif de commutation à semiconduc- teur à quatre couches ( 162) ayant une surface principale ( 164) et comprenant, dans l'ordre, une couche de région d'anode ( 165) située le plus loin de la surface principale et de type de conductivité P; une première couche de région de base ( 168) de type de conductivité N qui se termine au niveau de la surface principale ( 164) et qui définit une première jonction PN ( 170) avec la couche de région d'anode ( 165); une seconde couche de région de base ( 172) de type de conductivité P, formée dans la première région de base ( 168) et définissant une seconde jonction PN ( 174) dans la première région de base, cette seconde région de base ( 172) ayant une étendue latérale limitée et ayant une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale ( 164); et une couche de région de cathode ( 176) de type de conduc- tivité N, formée à l'intérieur de la seconde région de base ( 172) et définissant une troisième jonction PN ( 178) avec la seconde région de base, cette région de cathode ( 176) ayant une étendue latérale limitée et ayant une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale ( 164); une première région de borne ( 188) de type de conductivité N, formée dans la seconde région de base ( 172) sous la forme d'un prolongement de la région de cathode ( 176), cette pre- mière région de borne ( 188) s'étendant jusqu'à la surface principale ( 164) en étant séparée de la première région de base ( 168), de façon qu'au niveau de la surface principale, une partie de la seconde région de base ( 172) se présente sous la forme d'une bande ( 192) de type de conductivité P, entre la première région de borne ( 188) et la première région de base ( 168); une couche d'isolation de grille ( 194) d'un premier TEC MOS, disposée sur la surface principale ( 164) sur au moins une partie de la bande ( 192), et une électrode de grille conductrice ( 196) du premier TEC MOS, disposée sur la couche d'isolation de grille ( 194) du premier TEC MOS, au moins latéralement sur une partie de la première bande ( 192), de façon à définir un premier dispositif TEC MOS ( 152) à mode d'enrichissement, conçu de façon à établir un canal de type de conductivité N s'étendant entre la première région de base ( 168) et la première région de borne ( 188) pour faire passer le dispositif de commutation ( 162) à l'état conducteur lorsqu'une tension de grille est appliquée; une seconde région de borne ( 200) de type de conductivité P, formée dans une région sélectionnée parmi la région de catho- de ( 176) et la seconde région de base ( 172), cette seconde région de borne ( 200) s'étendant jusqu'à la surface principa- le ( 164) en étant séparée de la seconde région de base ( 172), de façon qu'au niveau de la surface principale, un intervalle ( 202) soit défini entre la seconde région de borne ( 200) et la seconde région de base ( 172); une région de canal à mode d'appauvrissement ( 202) d'un second TEC MOS, de type de con- ductivité P, formée au niveau de la surface principale ( 164) dans l'intervalle ( 202) reliant la seconde région de borne ( 200) et la seconde région de base ( 172); une couche d'iso- lation de grille ( 204) du second TEC MOS, disposée sur la surface principale ( 164), sur au moins une partie du canal à mode d'appauvrissement ( 202) du second TEC MOS, et une électrode de grille conductrice ( 206) du second TEC MOS, disposée sur la couche d'isolation de grille ( 204) du second TEC MOS, au moins latéralement sur une partie de la région de canal à mode d'appauvrissement ( 202); et une connexion ohmique ( 180) entre la seconde région de borne ( 200) et la région de cathode ( 176) de façon qu'à l'état conducteur, le canal ( 202) du second dispositif TEC MOS ( 154) connecte électriquement la région de cathode ( 176) et la seconde région de base ( 172) du dispositif de commutation ( 162), pour bloquer ce dernier. Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 24, caractérisé en ce que la région de canal à mode d'appauvrissement ( 202) du second TEC MOS consiste en une région soumise à une implantation ionique. 26 Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 24, caractérisé en ce que la seconde région de borne ( 200) est formée dans la région de cathode. 27 Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 24, caractérisé en ce que la seconde région de borne ( 200) est formée dans la première région de base ( 172). 28 Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 24, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une connexion électrique entre les électrodes de grille ( 196, 206) des TEC MOS ( 152, 154). 29 Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 26, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une connexion électrique entre les électrodes de grille ( 196, 206) des TEC MOS ( 152, 154). Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 27, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une connexion électrique entre les électrodes de grille ( 196, 206) des TEC MOS ( 152, 154). 31 Dispositif intégré à thyristor à commande par TEC MOS ( 150) ayant une commande de blocage et de déblocage avec une seule polarité d'entrée, caractérisé en ce qu'il comprend: un dispositif de commutation à semiconducteur à quatre couches ( 162) ayant une surface principale ( 164) et comprenant, dans l'ordre, une couche de région d'anode ( 165) située le plus loin de la surface principale ( 164) et de type de conductivité P; une première couche de région de base ( 168) de type de conductivité N, se terminant au niveau de la surface principale ( 164) et définissant une première jonction PN ( 170) avec la couche de région d'anode ( 165); une seconde couche de région de base ( 172) de type de conductivité P, formée dans la première région de base ( 168) et définissant une seconde jonction PN ( 174) avec la première région de base, cette seconde région de base ayant une étendue latérale limitée et ayant une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale ( 164); et une couche de région de cathode ( 176) de type de conductivité N, formée dans la seconde région de base ( 172) et définissant une troisième jonction PN ( 178) avec la seconde région de base, cette région de cathode ( 176) ayant une étendue laté- rale limitée et ayant une périphérie qui se termine au niveau de la surface principale; une surface de canal d'un premier TEC MOS; une première région de borne ( 188), de type de conductivité N, formée dans la seconde région de base ( 172) sous la forme d'un prolongement de la région de cathode ( 176), cette première région de borne s'étendant jusqu'à la surface principale ( 164) en étant séparée de la première région de base ( 168), au niveau de la surface de canal du premier TEC MOS, de façon qu'au niveau de la sur- face de canal du premier TEC MOS, une partie de la seconde région de base ( 172) se présente sous la forme d'une bande ( 192) de type de conductivité P, entre la première région de borne ( 188) et la première région de base ( 168); une couche d'isolation de grille ( 194) du premier TEC MOS, dis- posée sur la surface de canal du premier TEC MOS, sur au moins une partie de la bande ( 192), et une électrode de grille conductrice ( 196) du premier TEC MOS, disposée sur la couche d'isolation de grille ( 194) du premier TEC MOS, au moins sur une partie de la première bande ( 192), de façon à définir un premier dispositif TEC MOS ( 152) à mode d'enrichissement, conçu pour établir un canal de type de conductivité N s'étendant entre la première région de base ( 168) et la première région de borne ( 188), pour faire passer le dispositif de commutation ( 162) à l'état conducteur, lorsqu'une tension de grille est appliquée; une surface de canal d'un second TEC MOS; une seconde région de borne ( 200) de type de conductivité P, formée dans la région de cathode ( 176), cette seconde région de borne ( 200) s'étendant jusqu'à la surface principale ( 164) en étant séparée de la seconde région de base ( 172) de façon qu'au niveau de la surface de canal du second TEC MOS, un intervalle ( 202) soit défini entre la seconde région de borne ( 200) et la seconde région de base ( 172); une région de canal à mode d'appau- vrissement ( 202) d'un second TEC MOS, de type de conductivité P, formée dans la surface de canal du second TEC MOS, dans l'intervalle ( 202) entre la seconde région de borne ( 200) et la seconde région de base; une couche d'isolation de grille ( 204) du second TEC MOS, disposée sur la surface de canal du second TEC MOS, sur au moins une partie du canal à mode d'appauvrissement ( 202) du second TEC MOS, et une électrode de grille conductrice ( 206) du second TEC MOS, disposée sur la couche d'isolation de grille ( 204) du second TEC MOS, au moins sur une partie de la région de canal à mode d'appau- vrissement ( 202); et une connexion ohmique ( 180) entre la seconde région de borne ( 200) et la région de cathode ( 176) de façon qu'à l'état conducteur, le canal du second disposi- tif TEC MOS ( 154) connecte électriquement la région de cathode ( 176) et la seconde région de base ( 172) du disposi- tif de commutation ( 162), pour bloquer ce dernier. 32 Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 31, caractérisé en ce que la région de canal à mode d'appauvrissement ( 202) du second TEC MOS consiste en une région soumise à une implantation ionique. 33 Dispositif à thyristor à commande par TEC MOS selon la revendication 31, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une connexion électrique entre les électrodes de grille ( 196, 206) des TEC MOS ( 152, 154).