Brevet FR2526223A1 — publié le 19831104

L'invention concerne des dispositifs photovoltaiques et un procédé pour les réaliser, les dispositifs étant constitués par des couches d'alliages semiconducteurs amorphes Au moins une couche d'alliage de silicium amorphe des dispositifs est une couche d'alliage de silicium amor- phe à large intervalle de bande, ou bande interdite, de type p dont la conductivité électrique est améliorée Un avantage de cette approche du problème est de rendre possi- ble l'augmentation de l'absorption dans les couches actives tout en obtenant un meilleur rendement de collecte du courant qui facilite la formation de courants de court circuit plus importants Un autre avantage est que les caractéristiques photosensibles améliorées des alliages de silicium amorphe fluoré peuvent être obtenues de façon plus complète avec les dispositifs photovoltalques mettant en oeuvre la présente invention L'application la plus impor- tante de l'invention est la réalisation de dispositifs photovoltalques de configuration p-i-n en alliage de sili- cium amorphe perfectionné, se présentant sous forme de cellules individuelles ou de cellules multiples comprenant plusieurs cellules individuelles. Le silicium est la base de l'immense industrie des semiconducteurs cristallins et il constitue le matériau avec lequel on a produit des cellules ou piles solaires cristallines coiteuses et à haut rendement ( 18 pour cent) destinées à des applications spatiales En ce qui concerne les applications terrestres, les cellules solaires cris- tallines ont typiquement des rendements beaucoup plus faibles et qui sont de l'ordre de 12 % ou moins Lorsque la 3 U techn 3 lcg'-2 des S riconduct'lur F cristal Lins a atteint le niveau commercial, elle est devenue le fondement de l'im- mense industrie actuelle des dispositifs semiconducteurs. Ceci a été dû à la capacité des savants de faire croître des cristaux de germanium et plus particulièrement de silicium pratiquement sans défaut, puis de les transformer en matériaux extrinsèques contenant des régions à conduc- tivité de type p ou de type n Ce résultat a été obtenu en diffusant dans le matériau cristallin quelques parties par million de matériaux dopants donneurs (n) ou accepteurs (p) introduits en tant qu'impuretés de substitution dans les matériaux cristallins sensiblement purs, de manière à augmenter leur conductivité électrique et déterminer leur type de conduction p ou n Les procédés de fabrication utilisés pour réaliser des cristaux à jonction p-n mettent en oeuvre des processus extrêmement compliqués, demandant du temps et qui sont coûteux C'est pourquoi ces matériaux cristallins qui sont utiles dans les cellules solaires et les dispositifs de commande du courant sont produits dans des conditions très soigneusement contrôlées en faisant croître des cristaux individuels de silicium ou de germa- nîum, et quand on a besoin de jonctions p-n, en dopant les cristaux individuels avec des quantités extrêmement faibles et critiques de dopants. Ces procédés de croissance de cristaux produisent des cristaux relativement si petits que les cellules solaires exigent l'assemblage de nombreux cristaux individuels pour couvrir la surface désirée d'un unique panneau à cellules solaires La quantité d'énergie nécessaire pour fabriquer une cellule solaire selon ce procédé, les limitations provoquées par les limites de dimensions du cristal de silicium, et la nécessité de découper et d'assembler ce matériau cristallin, ont constitué une barrière économique impossible à franchir pour parvenir à une utilisation à grande échelle de cellules solaires à semiconducteurs cristallins en vue de la conversion de l'énergie En outre, le silicium cristallin comporte un rebord optique indirect entraînant une mauvaise absorption de la lumière dans le materiil, DU fait de cette mauvaise absorption de la -lumière, les cellules solaires cristallines doivent avoir une épaisseur d'au moins 50 microns pour absorber la lumière solaire incidente Même si on remplace le matériau mono-cristallin par du silicium polycristallin obtenu par des procédés moins coûteux, le rebord optique indirect existe toujours; de ce fait, l'épaisseur du matériau n'est pas réduite Le matériau polycristallin implique également l'addition de limites granulaires et autres défauts posant des problèmes, lesquels défauts sont habituellement nuisi- bles. En résumé, les dispositifs à silicium cristallin présentent des paramètres fixes que l'on ne peut faire varier comme on le désire, exigent de grandes quantités de matériau, ne peuvent être produits qu'en éléments de surface relativement réduite, leur fabrication étant coû- teuse et demandant du temps Les dispositifs basés sur le silicium amorphe peuvent éliminer ces inconvénients du silicium cristallin Un alliage de silicium amorphe comprend un rebord d'absorption optique présentant des propriétés similaires à celles d'un semiconducteur à intervalle direct et il suffit que le matériau ait une épaisseur de un micron ou moins pour absorber la même quantité de lumière solaire que le silicium cristallin ayant une épaisseur de 50 microns. En outre, les alliages de silicium amorphe peuvent être obtenus plus rapidement, plus facilement et en éléments de plus grande surface que le silicium cristallin. En conséquence, des efforts considérables ont été entrepris pour mettre au point des procédés permettant de déposer facilement des alliages ou des films semiconduc- teurs amorphes, pouvant chacun couvrir des surfaces relati- vement importantes si on le désire, et limitées seulement par les dimensions de l'équipement de dépôt, et qui pour- raient être facilement dopés pour former des matériaux de type p et de type n, les dispositifs à Jonction p-n obtenus de ces derniers étant équivalents à ceux produits au moyen de leurs contreparties cristallines Pendant de nombreuses années, ces travaux ont été pratiquement sans résultats. Les films de silicium ou de germanium amorphe (groupe IV) sont normalement coordonnés quatre fois et on a constaté qu'ils comprennent des micro-vides et des liaisons non saturées et autres défauts produisant une forte densité d'états localisés dans leur intervalle de bande ou bande interdite La présence d'une forte densité d'états locali- sés dans l'intervalle de bande de films semiconducteurs de silicium amorphe se traduit par un faible degré de photo- conductivité et une courte durée de vie des porteurs, rendant ces films inadaptés à des applications o l'on fait appel à des caractéristiques de photosensibilité De plus, ces films ne peuvent pas être dopés avec succès ou modifiés de toute autre manière pour décaler le niveau de Fermi près des bandes de conduction ou de valence, ce qui les rend inutilisables pour constituer des jonctions p-n pour cellu- les ou piles solaires et pour les applications concernant des dispositifs de commande de courant. A la suite d'efforts qui ont été faits pour réduire les problèmes qui viennent d'être mentionnés et constatés avec le silicium amorphe (dont on a pensé à l'origine qu'il était élémentaire), W E Spear et P G Le Comber du Carnegie Laboratory of Physics, Université de Dundee, Dundee, Ecosse, ont effectué des recherches sur le u Subs- titutional Doping of Amorphous Silicon" (Dopage par substi- tution du silicium amorphe), ayant fait l'objet d'un rap- port publié dans 'Solid State Communications", vol 17, pages 1193 à 1196, 1975, en vue de réduire les états localisés dans l'intervalle de bande du silicium ou du germanium amorphes et rapprocher ces derniers du silicium et du germanium cristallins intrinsèques et pour doper par substitution lesdits matériaux amorphes au moyen de dopants classiques et appropriés, comme pour le dopage de matériaux cristallins, pour les rendre du type extrinsèque et de conduction de type p ou n. La réduction des états localisés a été obtenue par dépôt par décharge luminescente de films de silicium amor- phe o on a fait passer un gaz de silane (Si H 4) dans un tube à réaction o le gaz est décomposé par décharge luminescente à haute fréquence et déposé sur un substrat dont la température est d'environ 500 'K à 600 'K ( 2270 C à 3270 C) Le matériau ainsi déposé sur le substrat est un matériau amorphe intrinsèque consistant en silicium et en hydrogène Pour obtenir un matériau amorphe dopé, on a pré- mélangé dans le gaz de silane un gaz de phosphine (PH 3) pour obtenir une conduction de type n, ou un gaz de dibo- rane (B 2 H 6) pour obtenir une conduction de type p, mélange que l'on fait passer dans le tube à réaction à décharge luminescente dans les mêmes conditions de traitement La concentration gazeuse des dopants utilisés était située entre environ 5 x 10-6 et 10-2 parties par volume On a constaté que le matériau ainsi déposé était extrinsèque et du type à conduction N ou p. Bien que ces chercheurs ne l'aient pas su, on sait maintenant par les travaux d'autres chercheurs que l'hydro- gène contenu dans le silane se combine à une température optimale à de nombreuses liaisons non saturées du silicium pendant le dépôt par décharge luminescente, ce qui permet de réduire sensiblement la densité des états localisés dans l'intervalle de bande en vue d'obtenir des propriétés électroniques du matériau amorphe se rapprochant le plus de celles du matériau cristallin correspondant. L'incorporation d'hydrogène dans le procédé ci-dessus présente cependant des limites provenant du rapport fixe entre l'hydrogène et le silicium dans le silane, et des diverses configurations de la liaison Si:H qui introduisent de nouveaux états anti-liaison Il existe donc des limites fondamentales à la réduction de la densité des états loca- lisés dans ces matériaux. On a préparé des alliages de silicium amorphe fortement améliorés contenant des proportions nettement réduites d'états localisés dans leurs intervalles de bande et présen- tant des propriétés électroniques de grande qualité par décharge luminescente, comme décrit dans le brevet US no 4 226 898 intitulé 'Amorphous Semiconductors Equivalent to Crystalline Semiconductors" (Semiconducteurs amorphes équivalents à des semiconducteurs cristallins) aux noms de Stanford R Ovshinsky et de Arun Madan, délivré le 7 Octobre 1980, et par déô:L e viseur comïi e le décrit com- plètement le brevet US N O 4 217 374 publié sous le même titre aux noms de Stanford R Ovshinsky et Masatsugu Izu et délivré le 12 Août 1980 Comme le décrivent ces brevets, qui sont incorporés aux présentes à titre de référence, le fluor est introduit dans l'alliage semiconducteur de silicium amorphe pour réduire sensiblement la densité des états localisés de ce semiconducteur Le fluor activé se diffuse de façon particulièrement facile et établit des liaisons avec le silicium amorphe dans le corps amorphe, ce qui diminue sensiblement la densité des états localisés défectueux contenus, du fait que la faible dimension, la forte réactivité et la spécificité des liaisons chimiques des atomes de fluor leur permet de former un alliage de silicium amorphe présentant encore moins de défauts Le fluor se lie aux liaisons non saturées du silicium et forme ce que l'on pense être une liaison stable surtout ionique avec des angles de liaison souples, ce qui a pour résultat une compensation ou une modification plus stable et plus efficace que celle formée par l'hydrogène et autres agents compensateurs Gtu modificateurs Le fluor se combine égale- ment d'une manière préférée avec le silicium et l'hydrogène, en utilisant l'hydrogène d'une façon plus souhaitable, du fait que l'hydrogène présente plusieurs options pour ses liaisons Sans fluor, il est possible que l'hydrogène ne se lie pas de façon souhaitable dans le matériau, provoquant des états défectueux additionnels dans l'intervalle de bande aussi bien que dans le matériau lui-même C'est pourquoi on considère que le fluor constitue un élément compensateur ou modificateur plus efficace que l'hydrogène quand on l'utilise seul ou avec l'nydrogène du fait de sa forte réactivité, de sa spéczficit 4 dans la liaison chimi- que, et de sa forte électronegativité. A titre d'exemple, on pelut obtenir une compensation avec du fluor seul ou en combinaison avec de l'hydrogène en ajoutant ce ou ces éléments en très faibles quantités (par exemple par fractions de un pour cent atomique) Cependant, les quantités de fluor et d'hydrogène que l'on utilise de préférence sont beaucoup plus importantes que ces petits pourcentages de manière à former un alliage de silicium- hydrogène-fluor A titre d'exemple, les quantités de fluor et d'hydrogène constituant l'alliage peuvent être comprises entre 1 et 5 pour cent ou plus On pense que l'alliage ainsi formé comprend une densité plus faible d'états défectueux dans l'intervalle de bande que celle que l'on obtient par une simple neutralisation des liaisons non saturées et des états défectueux de même type On pense en particulier que cette quantité importante de fluor parti- cipe de façon importante à la nouvelle configuration struc- turelle d'un matériau contenant du silicium amorphe et facilite l'addition d'autres matériaux d'alliage tels que du germanium En plus de ses autres caractéristiques men- tionnées ici, on pense que le fluor est un organisateur de la structure locale de l'alliage contenant du silicium au moyen d'effets inductifs et ioniques On pense que le fluor influence également la liaison de l'hydrogène en agissant de façon avantageuse pour diminuer la densité des états défectueux, l'hydrogène contribuant à cette action tout en agissant en tant qu'élément réducteur de la densité des états Le rôle ionique joué par le fluor dans un tel allia- ge constitue, pense-t-on, un facteur important du point de vue du rapport avec le voisin le plus proche. Les alliages de silicium amorphe contenant du fluor ont ainsi montré qu'ils présentaient des caractéristiques fortement améliorées en vue d'applications photovoltalques, par comparaison avec des alliages de silicium amorphe contenant seulement de l'hydrogène en tant qu'élément réducteur de la densité des états Cependant, pour obtenir tout l'avantage de ces alliages de silicium amorphe conte- 3 U nant du fluor quand on les utilise pour former les régions actives de dispositifs photovoltalques, il faut s'assurer que l'absorption des photons se déroule pour sa plus grande part à l'intérieur en vue d'une génération efficace de paires d'électrons-trous Ce qui précède prend une impor- tance particulière dans la fabrication de dispositifs photovoltaiques de configuration p-i-n Les dispositifs de ce type exigent le dépôt de couches dopées de type p ou n avant et après le dépôt d'une couche intrinsèque Ces couches dopées, sur les côtés opposés de la couche intrin- sèque active o sont engendrées les paires d'électrons- trous établissent un gradient de potentiel au travers du dispositif qui facilite la séparation des électrons et des trous et forment également des couches de contact qui facilitent la collecte des électrons et des trous sous forme d'un courant électrique. Quand le dispositif se présente selon cette structure, il est important que les couches de type p et N soient fortement conductrices et, du moins dans le cas de la couche de type p, présentent un large intervalle de bande, ou bande interdite, pour réduire l'absorption des photons de la couche de type p et obtenir ainsi une absorption plus forte dans la couche intrinsèque active Une couche de type p ayant un large intervalle de bande est donc extrêmement avantageuse lorsqu'on constitue la couche supérieure du dispositif par laquelle commence par passer l'énergie solaire, ou lorsqu'on constitue la couche inférieure du dispositif en conjonction avec une couche réfléchissante arrière Les couches réfléchissantes arrière servent à réfléchir la lumière non utilisée et à la renvoyer dans la région intrinsèque du dispositif pour permettre l'utilisa- tion plus complète de l'énergie solaire en vue d'engendrer des paires d'électrons-trous additionnelles Une couche de type p à large intervalle de bande permet à une partie plus importante de la lumière réfléchie de pénétrer dans la couche intrinsèque active qu'une couche de type p n'ayant pas un large intervalle de bande. Malheureusement, lorsque l'intervalle de bande des alliages de silicium amorphe de type p augmente, la conduc- tivité diminue Pour pouvoir être efficace dans un disposi- tif photovoltaique, un alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p doit posséder un inter- valle de bande de 1,9 e V ou plus Les alliages de silicium amorphe connus, de type p et à large intervalle de bande, contenant du silicium, de l'hydrogène, du bore et du car- bone selon de forts dopages présentent des conductivités d'environ 10-7 ( A -cm)-1 Quand on augmente la concentration du carbone pour élargir les intervalles de bande, la conductivité résultante diminue. La Déposante a découvert des alliages de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p qui sont nouveaux et perfectionnés, et qui présentent des conduc- tivités sensiblement plus importantes que l'alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p connu et mentionné plus haut, pour un intervalle de bande donné On peut utiliser les alliages de la présente inven- tion dans des dispositifs à cellule photovoltalque unique et de configuration p-i-n, ainsi que dans des structures à cellules multiples comprenant plusieurs cellules indivi- duelles. La présente invention crée des alliages de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p qui sont nouveaux et perfectionnés, et qui présentent des conducti- vités plus élevées et sont destinés à être utilisés en particulier dans des dispositifs photosensibles Les allia- ges de la présente invention peuvent être déposés par décomposition par décharge luminescente Selon la présente invention, les alliages comprennent de l'oxygène en tant qu'élément qui augmente l'intervalle de bande Les alliages peuvent incorporer d'autres éléments qui augmentent l'in- tervalle de bande, tels que du carbone, selon des quantités mineures. Les alliages de silicium amorphe incorporent également au moins un élément réducteur de la densité des états tel que du fluor et/ou de l'hydrogène Les éléments compensa- teurs ou modificateurs, et d'autres éléments, peuvent être ajoutés au cours du dépôt. Les alliages de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p de la présente invention comprennent en outre un dopant de type p tel que du bore Le bore peut être incorporé dans l'alliage en partant de diborane (B 2 H 6) au cours du dépôt par décharge luminescente. Les alliages peuvent incorporer un élément qui augmente l'intervalle de bande et qui est constitué par de l'oxygène, selon des concentrations allant de un à trente pour cent, permettant d'obtenir des intervalles de bande allant de 1,7 e V à plus de 2,0 e V Pour un intervalle de bande donné, les alliages de la présente invention ont des conductivités sensiblement supérieures à celles des alliages de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p de la technique antérieure, incorporant seulement du carbone en tant qu'élément qui augmente l'intervalle de bande. Les alliages de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p de la présente invention sont particu- lièrement utiles dans des dispositifs photosensibles tels que des dispositifs photovoltaïques p-i-n comprenant une région active o sont créées des paires d'électrons-trous engendrées photoélectriquement Du fait que les alliages présentent de larges intervalles de bande, seules des quantités relativement faibles de photons y sont absorbées, ce qui permet l'absorption d'un nombre plus important de photons par la région active De ce fait, on peut obtenir les avantages des alliages de silicium- fluor amorphes pour les régions actives Du fait que les alliages de la présente invention ont une cconductivité élevée, il en résulte une collecte sous forme de courant plus efficace des électrons et des trous engendrés photoélectriquement En outre, les dispositifs photovoltalques p- i-n qui incorporent l'alliage perfectionné de la présente invention peuvent comprendre un réflecteur arrière pour réfléchir la lumière non utilisée dans la couche intrinsèque et créer des paires d'électrons- trous additionnelles et engendrées photoélectriquement. Le courant de court-circuit des dispositifs qui incorpo- rent l'alliage perfectionné de la présente invention peut être rendu encore plus important si on règle l'intervalle de bande des alliages de silicium amorphe actifs On peut ajouter les éléments de réglage de l'intervalle de bande aux alliages actifs ou intrinsèques, de manière à régler leurs intervalles de bande, ou graduer l'intervalle de bande de l'ensemble du corps intrinsèque Par exemple, on peut a'jouter des éléments qui diminuent l'intervalle de bande tels que du germanium, de l'étain ou du plomb au corps d'alliage intrinsèque, au cours du dépôt. On peut également utiliser les dispositifs et le procédé de la présente invention pour réaliser des disposi- tifs à cellules multiples, tels que des cellules en tandem. On peut régler les intervalles de bande des couches intrin- sèques de manière que la capacité de génération de courant de chaque cellule puisse être portée au maximum pour une partie donnée et différente du spectre de la lumière so- laire. En conséquence, un premier objet de l'invention est de créer un procédé pour réaliser un alliage perfectionné de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p. Le procédé comprend le dépôt sur un substrat d'un matériau comprenant au moins du silicium, l'incorporation dans ce matériau d'au moins un élément réducteur de la densité des états et d'un dopant de type p, et l'introduction dans le matériau d'un élément qui augmente l'intervalle de bande, et il est caractérisé par le fait que l'élément qui augmen- te l'intervalle de bande est de l'oxygène, de manière à produire un alliage de silicium amorphe de type p compre- nant de l'oxygène selon des proportions comprises entre un et trente pour cent. Un second objet de l'invention est de créer un alliage perfectionné de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p L'alliage comprend du silicium, au moins un élément réducteur de la densité des états, un dopant de type p et au moins un élément qui augmente l'in- tervalle de bande Le perfectionnement se caractérise par le fait que l'élément qui augmente l'intervalle de bande est de l'oxygène qui est inclus dans l'alliage selon un pourcentage compris entre un et trente pour cent. Un troisième objet de l'invention est de créer, dans un dispositif photosensible du type comportant des couches superposées de matériaux divers et comprenant un corps d'alliage semiconducteur amorphe formant une couche photo- sensible active et intrinsèque sur laquelle peuvent venir frapper les radiations pour produire des porteurs de charge, et une couche d'alliage de silicium amorphe à large inter- valle de bande et de type p adjacente à la couche intrinsèque etcomprenant au moins un élément réducteur de la densité des états, un dopant de type p, et au moins un élément qui augmente l'intervalle de bande Le perfectionnement est caractérisé par le fait que l'élément qui augmente l'inter- valle de bande est de l'oxygène et que l'alliage de sili- cium amorphe à large intervalle de bande et de type p comprend de l'oxygène selon un pourcentage compris entre un et trente pour cent. Un quatrième objet de l'invention est de créer un dispositif photovoltalque à cellules multiples, formé à partir de couches multiples d'alliages semiconducteurs amorphes disposés sur un substrat Le dispositif comprend plusieurs cellules individuelles disposées en série, chaque cellule individuelle comprenant une première couche d'allia- ge semiconducteur amorphe dopé, un corps d'un alliage semiconducteur amorphe intrinsèque déposé sur la première couche dopée, une autre couche d'alliage semiconducteur amorphe dopé déposée sur le corps intrinsèque et de conduc- tivité opposée à celle de la première couche d'alliage semiconducteur amorphe dopé, et o l'une au moins des couches d'alliage semiconducteur amorphe dopé d'au moins l'une des cellules individuelles comprend un alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p comportant au moins un élément réducteur de la densité des états, un dopant de type p, et au moins un élément qui augmente l'intervalle de bande Le dispositif est caracté- risé par le fait que l'élément qui augmente l'intervalle de bande est de l'oxygène et par le fait que l'alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p comprend de l'oxygène selon un pourcentage compris entre un et trente pour cent. La Fig 1 est une représentation schématique d'un système de dépôt par décharge luminescente que l'on peut utiliser pour la mise en oeuvre du procédé de la présente invention afin de réaliser les dispositifs photovoltalques de l'invention. Laà Fig 2 est une coupe d'une partie du système de la fig 1, selon la ligne 2-2 de celle-ci. La Fig 3 est un graphique montrant les courbes de la conductivité par rapport à l'intervalle de bande pour un alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p connu ainsi que pour un alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p réalisé selon la présente invention. La Fig 4 est une coupe d'un dispositif photovoltaique p-i-n mettant en oeuvre la présente invention. La Fig 5 est une coupe d'un autre dispositif photovol- talque p-i-n dont la structure correspond à celle d'un autre mode de réalisation de l'invention. La Fig 6 est une coupe d'une cellule solaire multiple comportant plusieurs cellules photovoltalques individuelles p-i-n disposées selon une configuration en tandem, et conforme à la présente invention. Si on se réfère maintenant plus particulièrement à la fig 1, celle-ci représente un système de dépôt par déchar- ge luminescente 10 comprenant un logement 12 Le logement 12 entoure une chambre à vide 14 et comporte une chambre d'entrée 16 et une chambre de sortie 18 Un organe de support de cathode 20 est monté dans la chambre à vide 14, avec interposition d'un isolant 22. L'organe de support 20 comprend un manchon isolant 24 entourant circonférentiellement l'organe de support 20 Un bouclier 26 délimitant un espace sombre est écarté du manchon 24 qu'il entoure circonférentiellement Un substrat 28 est fixé à l'extrémité interne 30 de l'organe de support , au moyen d'un élément de retenue 32 L'élément de retenue 32 peut être vissé ou fixé de toute autre manière connue à l'organe de support 20 et encontact électrique avec celui-ci. L'élément de support de cathode 20 comprend un puits 34 dans lequel est inséré un élément chauffant électrique 36 destiné à chauffer l'organe de support 20 et de ce fait le substrat 28 L'élément de support de cathode 20 comprend éqalement une sonde 38 sensiblie à la température et desti- née à mesurer la températlie de l'organe de support 20 La sonde à température 38 est utilisée pour contrôler l'excitation de l'élément chauffant 36 et maintenir l'or- gane de support 20 et le substrat 28 à la température désirée. Le système 10 comprend également une électrode 40 faisant saillie du logement 12 et pénétrant dans la chambre à vide 14 en étant espacée de l'organe de support de catho- de 20 L'électrode 40 porte un bouclier 42 qui l'entoure et qui supporte à son tour un substrat 44 L'électrode 40 comprend un puits 46 dans lequel est inséré un élément chauffant d'électrode 48 L'électrode 40 comprend également une sonde 50 sensible à la température et destinée à mesu- rer la température de l'électrode 40 et de ce fait du substrat 44 La sonde 50 est utilisée pour contr 8 ler l'éner- gie fournie à L'élément chauffant 48 et maintenir l'élec- trode 40 et le substrat 44 à toute température désirée, indépendamment de l'organe 20. Un plasma de décharge luminescente se développe dans un espace 52 entre les substrats 28 et 44 du fait de la puis- sance engendrée par une source régulée de courant à haute fréquence, de courant alternatif ou de courant continu, qui est couplée à l'organe de support de cathode 20 et de là, par l'espace 52, à l'électrode 40 qui est reliée à la terre La chambre à vide 14 est mise sous vide pour parve- nir à la pression désirée par une pompe à vide 54 couplée à la chambre 14 par l'intermédiaire d'une trappe à particules 56 Un manomètre 58 est couplé au système à vide et utilisé pour commander la pompe 54 et mairntenir le système 10 à la pression désirée. La chambre d'entrée 16 du logement 12 est de préférence munie de plusieurs conduites 60 destinées à introduire des substances dans le système I 0 o elles doivent être mélan- gées et déposées dans la chamb Ie 14, dans l'espace 52 destiné au plasma de la décharge luminescente, sur les substrats 28 et 44 Si on le souhaite, la chambre d'entrée 16 peut être située dans un endroit éloigné et les gaz peuvent être pré-mélangés avant d'être envoyés dans la chambre 14 Les substances gazeuses sont envoyées dans les conduites 60 en passant par un filtre ou tout autre dispositif purificateur 62 selon un débit contrôlé par une vanne 64. Lorsqu'un matériau ne se trouve pas initialement sous forme gazeuse, mais sous forme liquide ou solide, il peut être placé dans un récipient fermé de façon étanche 66, comme indiqué en 68 Le matériau 68 est alors chauffé par un élément chauffant 70 pour en augmenter la pression de vapeur dans le récipient 66 Un gaz approprié tel que de l'argon est envoyé par un tube plongeant 72 dans le maté- riau 68 pour capter les vapeurs du matériau 68 et acheminer les vapeurs au travers d'un filtre 62 ' et d'unevanne 64 ' pour parvenir dans les conduites 60 et de là dans le système 10. La chambre d'entrée 16 et la chambre de sortie 18 comprennent de préférence des moyens 74 formant écran et destinés à retenir le plasma dans la chambre 14 et princi- palement entre les substrats 28 et 44. Les matériaux qui sont envoyés par les conduites 60 sont mélangés dans la chambre d'entrée 16 puis envoyés dans l'espace 52 o s'effectue la décharge luminescente pour maintenir le plasma et déposer l'alliage sur les substrats, avec incorporation de silicium, de fluor, d'oxygène et des autres éléments modificateurs désirés tels que de l'hydro- gène et/ou des dopants ou autres matériaux désirés. En fonctionnement et pour déposer des couches d'allia- ges de silicium amorphe intrinsèque, le système 10 est d'abord soumis à un pompage jusqu'à ce qu'il atteigne une pression de dépôt désirée, inférieure par exemple à 20 mtorrs avant le dépôt Les matériaux de départ ou les gaz de la réaction tels que du tétrafluorure de silicium (Si F 4) et de l'hydrogène moléculaire (H 2) et/ou du silane sont envoyés dans la chambre d'entrée 16 en passant par des conduites séparées 60 et sont ensuite mélangés dans la cnambre d'entrée Le mélange gazeux est envoyé dans la chambre à vide en vue de maintenir une pression partielle d'environ 0,6 torr dans celle-ci Un plasma est engendré dans l'espace 52 entre les substrats 28 et 44, en utilisant soit une tension en courant continu supérieure à 1000 volts, soit un courant haute fréquence d'environ 50 watts, cette fréquence étant de 13,56 M Hz ou de toute autre valeur désirée. En plus des alliages de silicium amorphe intrinsèque déposés de la manière décrite ci-dessus, les dispositifs de la présente invention illustrés dans les divers modes de réalisation qui seront décrits plus loin utilisent égale- ment des alliages de silicium amorphe dopé comprenant l'alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p de la présente invention Ces couches d'allia- ge dopé ont une conductivité du type p, p+, N ou n+, et elles peuvent être formées en introduisant un dopant appro- prié dans la chambre à vide, avec le matériau de départ intrinsèque tel que du silane (Si H 4) ou du tétrafluorure de silicium (Si F 4), et/ou de l'hydrogène et/ou du silane. En ce qui concerne les couches dopées N ou p, le maté- riau peut être dopé avec 5 à 100 ppm de matériau dopant à mesure qu'il est déposé Pour obtenir des couches dopées n+ ou p+, le matériau est dopé avec un matériau dopant dont la proportion est comprise entre 100 ppm et plus de 1 % à mesure qu'il est déposé Les dopants de type N peuvent être du phosphore, de l'arsenic, de l'antimoine ou du bismuth De préférence, les couches dopées N sont déposées par décompo- sition par décharge luminescente de tétrafluorure de sili- cium (Si F 4) et de phosphine (PH 3) au moins On peut égale- ment ajouter à ce mélange de l'hydrogène et/ou du gaz de silane (Si H 4). Les dopants de type p peuvent être du bore, de l'alu- minium, du gallium, de l'indium ou du thallium De préféren- ce, les couches dopées de type p sont déposées par décompo- sition par décharge luminescente de silane et de diborane (B 2 H 6) au moins, ou de tétrafluorure de silicium et de diborane On peut également ajouter au tétrafluorure de silicium et au diborane de l'hydrogène et/ou du silane. En plus de ce qui précède et selon la présente inven- tion, les couches dopées de type p sont formées à partir d'alliages de silicium amorphe contenant de l'oxygène en tant qu'élément qui augmente l'intervalle de bande De ce fait, on ajoute à chacun des mélanges gazeux indiqués ci- dessus de l'oxygène dilué avec de l'argon Par exemple, un alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p peut être formé au moyen d'un mélange gazeux contenant 94,6 % de silane (Si H 4), 5,2 % de diborane (B 2 H 6) et 0,2 % d'oxygène On obtient ainsi un alliage de silicium amorphe de type p ayant un intervalle de bande supérieur à 1,9 e V On obtient les 0,2 % d'oxygène en diluant l'oxygène dans de l'argon Ce niveau de l'oxygène dans la phase gazeu- l U se se traduit en un alliage de silicium amorphe incorporant dans le film environ 10 % d'oxygène. * On peut utiliser avec l'oxygène divers mélanges gazeux présentant de 0,01 % à 1 % du mélange gazeux Cette gamme résulte de façon correspondante en des concentrations allant de 1 % à 30 % d'oxygène dans les films déposés Ces concentra- tions d'oxygène donnent des intervalles de bande allant de 1,7 e V à plus de 2,0 e V. L'augmentation de conductivité des alliages nouveaux et perfectionnés de la présente invention est particulièrement visible à la Fig 3 Sur cette figure, la courbe de la conductivité par rapport à l'intervalle de bande est indi- quée pour les nouveaux alliages qui contiennent de l'oxygène en tant qu'élément qui augmente l'intervalle de bande et pour l'alliage de silicium amorphe connu à large intervalle de bande et de type p qui ne contient que du carbone en tant qu'élément qui augmente l'intervalle de bande On notera que pour un intervalle de bande donnée, le nouvel alliage pré- sente une conductivité sensiblement plus importante que celle de l'alliage connu On a également observé que des alliages de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p contenant à la fois de l'oxygène et du carbone présentent des conductivités plus importantes que ceux qui n'incorporent que du carbone en tant qu'élément qui augmente l'intervalle de bande Cependant, dans ces films, seules des quantités mineurs de carbone ont été incorporées dans l'al- liage, par comparaison avec la quantité d'oxygène De ce qui précède, on peut voir que l'oxygène sert non seulement d'élément qui augmente l'intervalle de bande dans des alliages de silicium amorphe de type p, mais également que les alliages de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p qui comprennent de l'oxygène en tant qu'élément qui augmente l'intervalle de bande présentent une conduc- tivité supérieure à celle des alliages de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p ne contenant pas d'oxygène et appartenant à la technique antérieure. Les couches dopées des dispositifs sont déposées à des températures diverses comprises entre 2000 C et 10000 C envi- L O ron, en fonction de la forme du matériau utilisé et du type du substrat utilisé Quand il s'agit de substrats en alu- minium, les températures employées ne doivent pas dépasser environ 6000 C, et quand il s'agit d'acier inoxydable, elles peuvent dépasser 10000 C environ En ce qui concerne les alliages intrinsèques et dopés, initialement compensés par de l'hydrogène, comme ceux qui sont déposés à partir d'un matériau de départ constitué par du gaz de silane, la tempé- rature du substrat doit être inférieure à environ 4000 C et être de préférence comprise entre 2500 C et 350 'C. D'autres matériaux et éléments d'alliage peuvent égale- ment être ajoutés aux couches intrinsèques et dopées pour obtenir une génération optimale de courant Ces autres matériaux et éléments sont décrits plus loin en liaison avec les diverses configurations des dispositifs mettant en oeuvre la présente invention et illustrés aux Fig 4 à 6. Si on se réfère maintenant à la Fig 4, celle-ci repré- sente en coupe un dispositif p-i-n structuré selon un pre- mier mode de réalisation de la présente invention Le dispo- sitif 110 comprend un substrat 112 qui peut être en verre ou en un voile flexible constitué en acier inoxydable ou en aluminium Le substrat 112 a la largeur et la longueur désirées, et son épaisseur est de préférence de 0,075 mm. L'électrode 114 est déposée sur le substrat 112 pour former un réflecteur arrière pour la cellule 110 Le réflec- teur arrière 114 est déposé par dépôt de vapeur qui est un procédé de dépôt relativement rapide De préférence, la couche du réflecteur arrière est constituée par un métal réfléchissant tel que de l'argent, de l'aluminium ou du cuivre Il est préférable d'utiliser la couche réfléchis- sante car dans une cellule solaire, la lumière qui n'est pas absorbée et qui traverse le dispositif est réfléchie par le réflecteur arrière 114 et elle passe à nouveau dans le dispositif qui absorbe alors plus d'énergie lumineuse et augmente le rendement du dispositif. Le substrat 112 est ensuite placé dans l'environnement de dépôt par décharge luminescente Une première couche d'alliage de silicium amorphe 116 de type p et à large intervalle de bande est déposée sur la couche réfléchissante arrière 114 selon la présente invention La couche 116 telle qu'elle est représentée est de conductivité p+ La région p+ est aussi mince que possible, son épaisseur étant de l'ordre de 50 à 150 angstrôms, ce qui est suffisant pour que la région p+ établisse un bon contact ohmique avec le réflec- teur arrière 114 La région p+ 116 sert également à établir un gradient de potentiel au travers du dispositif pour faciliter la collecte des paires d'électrons-trous induites photoélectriquement sous forme d'un courant électrique La région p+ 116 peut être déposée à partir de l'un quelconque des mélanges de gaz qui ont été indiqués précédemment en vue du dépôt de ce matériau selon la présente invention. On dépose ensuite un corps en un alliage de silicium amorphe intrinsèque 118 sur la couche 116 de type p à large intervalle de bande Le corps intrinsèque 118 est rela- tivement épais et de l'ordre de 4500 A,-et il est déposé à partir de tétrafluorure de silicium et d'hydrogène et/ou de silane De préférence, le corps intrinsèque contient l'al- liage de silicium amorphe compensé au fluor o la majorité des paires d'électrons-trous sont engendrées Le courant de court-circuit du dispositif est amélioré par les effets combinés du réflecteur arrière 114 et de la forte conduc- tivité de l'alliage perfectionné de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p de la présente invention. Une autre couche dopée 120 dont la conductivité est opposée à celle de la première couche dopée 116 est déposée sur le corps intrinsèque 118 Elle comprend un alliage de silicium amorphe de conductivité n+ La couche n+ 120 est déposée à partir de l'un quelconque des mélanges de gaz auxquels il a été précédemment fait référence pour le dépôt de ce matériau La couche n+ 120 est déposée jusqu'à ce que son épaisseur soit comprise entre 50 et 500 angstr 5 ms, et elle sert de couche de contact. On dépose ensuite sur la couche n+ 120 une couche d'oxy- de conducteur transparent (OCT) 122 La couche OCT 122 peut être déposée dans un environnement de dépôt en phase vapeur et elle peut être constituée par exemple par de l'oxyde d'indium et d'étain (OIE), de stannate de cadmium (Cd 25 n O 4), ou de l'oxyde d'étain dopé (Sn O 2). Une électrode à grille 124 réalisée en un métal de bonne conductivité électrique est déposée sur la surface de la couche OCT 122 La grille peut être constituée par des lignes reliées orthogonalement de matériau conducteur n'oc- cupant qu'une partie mineure de la surface de la région métallique, et dont le reste doit être exposé à l'énergie solaire A titre d'exemple, la grille 124 peut n'occuper que de 5 à 10 % de la totalité de la surface de la région métal- lique 122 L'électrode à grille 124 collecte de façon uni- forme le courant provenant de la couche OCT 122 de manière à conférer au dispositif une bonne résistance série de bas niveau. Pour terminer le dispositif 110, on applique une couche anti-reflet (AR) 126 sur l'électrode à grille 124 et sur les surfaces de la couche OCT 122 situées entre les zones cou- vertes par l'électrode à grille La couche AR 126 comprend une surface d'incidence des radiations solaires sur laquelle viennent frapper les radiations solaires Par exemple, la couche AR 126 peut avoir une épaisseur de l'ordre de gran- deur de la longueur d'onde du point d'énergie maximal du spectre des radiations solaires, divisé par quatre fois l'indice de réfraction de la couche anti-reflet 126 Une couche AR 126 appropriée peut être constituée par de l'oxyde de zirconium ayant une épaisseur d'environ 500 A et un indice de réfraction de 2,1. Il est possible de régler l'intervalle de bande de la couche intrinsèque 118 en vue d'obtenir des caractéristiques photosensibles spécifiques Par exemple, on peut incorporer dans la couche intrinsèque un ou plusieurs éléments qui réduisent l'intervalle de bande, tels que du germanium, de l'étain ou du plomb, en vue de diminuer son intervalle de bande (voir par exemple le brevet US N O 4 342 044 délivré aux noms de Stanford R Ovshinsky et de Masatsugu Izu le 27 Juillet 1982 et intitulé "Method for Optimizing Photoresponsive Amorphous Alloys and Devices" 'Procédé pour optimaliser des alliages et des dispositifs amorphes 1 l photosensibles") On peut obtenir ce résultat en introdui- sant par exemple du gaz de germane (Ge H 4) dans le mélange gazeux à partir duquel est déposée la couche 118. Si on se réfère maintenant à la fig 5, celle-ci repré- sente un autre dispositif 130 mettant en oeuvre la présente invention Le dispositif 130 est semblable au dispositif de la fig 3, sauf qu'il ne comprend pas de réflecteur arrière et que les couches p+ et n+ sont inversées Le substrat 132 du dispositif 130 peut être de l'acier inoxydable par exem- ple Si on le désire, on peut déposer sur le substrat 132 une couche réfléchissante au moyen de l'un quelconque des procédés auxquels il a été fait référence précédemment en ce qui concerne une couche de ce type, et elle peut être formée à partir d'argent, d'aluminium ou de cuivre par exemple. Une première couche dopée 134 dont la conductivité est n+, comme illustré, est déposée sur le substrat 132 Si on le désire, la couche n+ 134 peut incorporer un élément qui augmente l'intervalle de bande, tel que de l'azote ou du carbone, de manière à former une couche n+ à large interval- le de bande. Un corps intrinsèque 136 est déposé sur la couche n+ 134 et comme pour le corps intrinsèque 118 du dispositif 110, il comporte de préférence un alliage de silicium-fluor amorphe d'épaisseur similaire. Une autre couche dopée 138 dont la conductivité est opposée à celle de la première couche dopée 134 et qui est de préférence une couche p+ à large intervalle de bande et incorporant de l'oxygène selon la présente invention est déposée sur le corps intrinsèque 136. On termine le dispositif en formant une couche OCT 140 sur la couche p+ 138, et une électrode à grille 142 Ces opérations peuvent être réalisées de la manière décrite avec référence au dispositif 110 de la Fig 4. Comme dans le cas du mode de réalisation précédent, l'intervalle de bande de la couche intrinsèque 136 peut être réglé en vue d'obtenir une caractéristique photosensible particulière, avec incorporation d'éléments qui diminuent l'intervalle de bande A titre d'autre variante, l'inter- valle de bande du corps intrinsèque 136 peut être graduel de manière à augmenter graduellement à partir de la couche n+ 134 jusqu'à l'autre couche n+ 138 (voir par exemple la demande de brevet US associée n O 427 756 déposée aux noms de Stanford R Ovshinsky et de David Adler le 29 septembre 1982 et intitulée "Methods for Grading the Band Gaps of Amorphous Alloys and Devices" "Procédé pour rendre graduels les intervalles de bande d'alliages et de dispositifs amorphes"). Par exemple, lorsque la couche intrinsèque 136 est déposée, on peut incorporer dans les alliages et selon une concentra- tion diminuant graduellement un ou plusieurs éléments qui diminuent l'intervalle de bande, tels que du germanium, de l'étain ou du plomb On peut introduire par exemple du gaz de germane (Ge H 4) dans la chambre de dépôt par décharge luminescente en partant d'une concentration relativement élevée au début et qui diminue graduellement ensuite à mesure que la couche intrinsèque est déposée, jusqu'à un point o il est mis fin à cette introduction Le corps intrinsèque qui en résulte contient donc un élément qui réduit l'intervalle de bande, tel que du germanium, selon des concentrations qui diminuent graduellement à partir de la couche n+ 134 et en direction de la couche p+ 138. Si on se réfère maintenant à la Fig 6, celle-ci repré- sente un dispositif à cellules multiples 150 représenté en coupe et dont la configuration est en tandem Le dispositif comprend deux cellules individuelles 152 et 154 dispo- sées en série et mettant en oeuvre la présente invention. Comme on peut le voir, on peut utiliser des unités multiples comprenant plus de deux cellules individuelles. Le dispositif 150 comprend un substrat 156 formé à partir d'un métal à bonne conductivité électrique tel que de l'acier inoxydable ou de l'aluminium par exemple Sur le substrat 156 est déposé un réflecteur arrière 157 suscepti- ble d'être formé comme décrit précédemment La première cellule unitaire 152 comprend une première couche d'alliage de silicium amorphe dopé de type p+ 158 déposée sur le réflecteur arrière 157 La couche p+ est de préférence un alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p selon la présente invention Elle peut être dépo- sée à partir de l'un quelconque des matériaux de départ précédemment mentionnés pour le dépôt de ce matériau. Un premier corps en un alliage intrinsèque de silicium amorphe 160 est déposé sur la couche p+ 158 à large inter- valle de bande Le premier corps en alliage intrinsèque 160 est constitué de préférence par un alliage de silicium- fluor amorphe. Une autre couche d'alliage de silicium amorphe dopé 162 est déposée sur la couche intrinsèque 160 Sa conductivité est opposée à la conductivité de la première couche dopée 158 et constitue donc une couche n+. La seconde cellule unitaire 154 est essentiellement identique et comprend une première couche dopée p+ 164, un corps intrinsèque 166 et une autre couche dopée n+ 168 Le dispositif 150 est terminé par une couche OCT 170, une électrode formant grille 172 et une couche anti-reflet 174. Les intervalles de bande des couches intrinsèques sont de préférence réglés de manière que l'intervalle de bande de la couche 166 soit plus important que l'intervalle de bande de la couche 160 A cette fin, la couche de formation d'al- liage 166 peut comprendre un ou plusieurs éléments qui augmentent l'intervalle de bande, tel que de l'azote et du carbone L'alliage intrinsèque qui forme la couche intrinsè- que 160 peut comprendre un ou plusieurs éléments qui dimi- nuent l'intervalle de bande, tel que du germanium, de l'é- tain ou du plomb. On peut déduire de la figure que la couche intrinsèque de la cellule est plus épaisse que la couche intrinsèque 166 Ceci permet d'utiliser, en vue de la génération de paires d'électrons-trous, la totalité du spectre utilisable de l'énergie solaire. Bien qu'un mode de réalisation à cellules en tandem ait été représenté et décrit ici, les cellules unitaires peuvent être également isolées les unes des autres par des couches d'oxyde par exemple, de manière à former une cellule multi- ple empilée Chaque cellule pourrait comprendre une paire d'électrodes collectrices pour faciliter la liaison en série des cellules avec le câblage externe. A titre d'autre variante et comme mentionné en référence aux cellules individuelles précédemment décrites, un ou plusieurs des corps intrinsèques des cellules unitaires peuvent comprendre des alliages dont les intervalles de bande sont amenés à varier graduellement Dans ce but, on peut incorporer dans les alliages intrinsèques l'un quel- conque ou plusieurs des éléments précédemment mentionnés qui augmentent ou diminuent l'intervalle de bande On peut également faire référence à la demande de brevet US n O 427 757 déposée aux noms de Stanford R Ovshinsky et de David Adler le 29 septembre 1982 et intitulée Multiple Cell Photoresponsive Amorphous Alloys and Devices" (Alliages et dispositifs amorphes photosensibles à cellules multiples). Pour chaque mode de réalisation de l'invention qui est décrit ici, les couches d'alliage autres que les couches d'alliages intrinsèques peuvent ne pas être des couches amorphes et être par exemple des couches polycristallines. (Le terme de "amorphe' désigne ici un alliage ou un matériau présentant un désordre de grande amplitude, bien qu'il puisse comporter un ordre court ou intermédiaire-ou même contenir parfois quelques inclusions cristallines). Des modifications et variantes peuvent être apportées à la présente invention, dans le cadre de l'enseignement décrit ci-dessus On comprendra donc que l'invention puisse être mise en oeuvre de façon différente de celles qui ont été spécifiquement décrites à condition de rester dans le cadre des revendications annexées. REVENDICATIONS. 1 Procédé pour fabriquer un alliage perfectionné en silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p, ledit procédé comprenant le dépôt sur un substrat d'un matériau comportant au moins du silicium, l'incorporation dans ledit matériau d'au moins un élément réducteur de la densité des états et d'un dopant de type p, et l'introduc- tion dans ledit matériau d'un élément qui augmente l'inter- valle de bande, ledit procédé étant caractérisé en ce que l'élément qui augmente l'intervalle de bande est de l'oxy- gène, de manière à produire un alliage de silicium amorphe de type p comprenant de l'oxygène dans des proportions comprises entre un et trente pour cent. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le ou les éléments réducteurs de la densité des états est ou sont constitués par de l'hydrogène. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le ou les éléments réducteurs de la densité des états est od sont constitués par du fluor. 4 Procédé selon la revendication 3, caractérisé par l'introduction d'un second élément réducteur de la densité des états, ce second élément étant de l'hydrogène. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, carac- térisé en ce que le dopant de type p est constitué par du bore. 6 Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, carac- térisé en ce que l'alliage est déposé par décharge lumines- cente à partir d'au moins un mélange de Si H 4, de B 2 H 6 et d'oxygène. 7 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la concentration d'oxygène dans le mélange est comprise entre 0,01 et 1 %. 8 Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, carac- térisé en ce que l'alliage est déposé par décharge lumi- nescente à partir d'au moins un mélange de Si F 4, Si H 4, B>H 6 et d'oxygène. 9 Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la concentration d'oxygène dans le mélange est comprise entre 0,01 et 1 pour cent. Procédé selon l'une d e S r e v e N d i cations 1 à 9, caractérisé par l'incorporation d'un second élément qui augmente l'intervalle de bande, selon des quantités mineurs par comparaison avec la quantité d'oxygène incorporé, ledit second élément qui augmente l'intervalle de bande étant du carbone. 11 Alliage perfectionné de silicium amorphe, à large intervalle de bande et de type p, comprenant du silicium, au moins un élément réducteur de la densité des états, un dopant de type p, et au moins un élément qui augmente l'intervalle de bande, perfectionnement caractérisé en ce que l'élément qui augmente l'intervalle de bande est de l'oxygène, et en ce que l'alliage comprend ledit oxygène dans des proportions comprises entre un et trente pour cent. 12 Alliage selon la revendication 11, caractérisé en ce que le ou les éléments réducteurs de la densité des états est ou sont constitués par de l'hydrogène. 13 Alliage selon la revendication Il, caractérisé en ce que le ou les éléments réducteurs de la densité des états est ou sont constitués par du fluor. 14 Alliage selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il lui est incorporé un second élément réducteur de la densité des états, cet élément étant de l'hydrogène. Alliage selon l'une des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que le dopant de type p est constitué par du bore. 16 Alliage selon l'une des revendications 11 à 15, 3 u caractérisé par un second élément qui augmente l'intervalle de bande, selon une concentration mineure par comparaison à la concentration de l'oxygène, ce second élément qui aug- mente l'intervalle de bande étant constitué par du carbone. 17 Dans un dispositif photosensible du type comprenant des couches superposées de matériaux divers déposés sur un substrat comrortant 'un corps d'alliage semiconducteur amor- phe qui forme une couche photosensible active et intrinsèque sur laquelle peuvent venir frapper les radiations en vue de produire des porteurs de charge, et une couche d'alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p ( 116, 138) adjacente à ladite couche intrinsèque ( 118, 136) comportant au moins un élément réducteur de la densité des états, un dopant de type p, et au moins un élément qui augmente l'intervalle de bande, perfectionnement caractérisé en ce que ledit élément qui augmente l'intervalle de bande est constitué par de l'oxygène et en ce que ledit alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p comprend de l'hydrogène dans des proportions comprises entre un et trente pour cent. 18 Dispositif selon la revendication 17, caractérisé par une couche d'alliage de silicium amorphe de type N ( 120, 134) adjacente à ladite couche intrinsèque sur son côté qui est opposé à ladite couche d'alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p ( 116, 138). 19 Dispositif selon la revendication 18, caractérisé par une couche réfléchissante arrière ( 114) adjacente à ladite couche d'alliage de silicium amorphe de type p ou n, sur son côté qui est opposé à ladite couche intrinsèque. Dispositif selon l'une des revendications 17 à 19, caractérisé en ce que l'élément réducteur de la densité des états est constitué par de l'hydrogène. 21 Dispositif selon l'une des revendications 17 à 19, caractérisé en ce que l'élément réducteur de la densité des états est constitué par du fluor. 22 Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que la couche d'alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p ( 116, 138) comprend en outre un second élément réducteur de la densité des états, ce second élément réducteur de la densité des états étant constitué par de l'hydrogène. 23 Dispositif selon l'une des revendications 17 à 22, caractérisé en ce que le dopant de type p est constitué par du bore. 24 Dispositif selon l'une des revendications 17 à 23, caractérisé en ce que la couche d'alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p ( 116, 138) comprend en outre un second élément qui augmente l'inter- valle de bande, selon des concentrations mineures par comparaison avec la concentration de l'oxygène, ce second élément qui augmente l'intervalle de bande étant constitué par du carbone. Dispositif photovoltalque à cellules multiples formé à partir de couches multiples d'alliages semiconducteurs amorphes déposées sur un substrat, ledit dispositif compre- nant plusieurs cellules individuelles ( 152, 154) disposées en série, chacune desdites cellules individuelles comprenant une première couche d'alliage semiconducteur amorphe et dopé ( 158, 164), un corps en un alliage semiconducteur amorphe intrinsèque ( 160, 166) déposé sur la première couche dopée, - et une autre couche d'alliage semiconducteur amorphe dopé ( 162, 168) déposée sur le corps intrinsèque et de conduc- tivité opposée à celle de la première couche d'alliage semiconducteur amorphe dopée, et en ce qu'au moins l'une desdites couches d'alliage semiconducteur amorphe dopé et l'une au moins desdites cellules individuelles comprennent un alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p comprenant au moins un élément réducteur de la densité des états, un dopant de type p et au moins un élé- ment qui augmente l'intervalle de bande, ledit dispositif étant caractérisé en ce que l'élément qui augmente l'inter- valle de bande e-st constitué par de l'oxygène, et en ce que l'alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p comprend de l'oxygène dans des proportions com- prises entre un et trente pour cent. 26 Dispositif selon la revendication 25, caractérisé en ce que l'alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p comprend un second élément qui augmente l'intervalle de bande, selon des concentrations mineures par comparaison avec la concentration de l'oxygène, ce second élément qui augmente l'intervalle de bande étant constitué par du carbone. 27 Dispositif selon l'une des revendications 25 ou 26, caractérisé en ce que l'élément réducteur de la densité des états est constitué par de l'hydrogène. 28 Dispositif selon l'une des revendications 25 ou 26, caractérisé en ce que l'élément réducteur de la densité des états est constitué par du fluor. 29 Dispositif selon la revendication 28, caractérisé en ce que l'alliage de silicium amorphe à large intervalle de bande et de type p comprend un second élément réducteur de la densité des états, ce second élément réducteur de la densité des états étant constitué par de l'hydrogène. Dispositif selon l'une des revendications 25 à 29, caractérisé par une couche réfléchissante arrière ( 157) qui est immédiatement adjacente au substrat ( 156). 31 Dispositif selon l'une des revendications 25 à 30, caractérisé en ce que chaque corps intrinsèque ( 160, 166) comprend un intervalle de bande et en ce qu'au moins l'un desdits corps intrinsèques comprend un intervalle de bande réglé sur une caractéristique de longueur d'onde photosen- sible spécifique.