Brevet FR2535109A1 — publié le 19840427

La présente invention concerne un appareil de pulvérisation Plus particulièrement l'invention con- cerne un appareil de pulvérisation du type à magnétron et fournit un appareil de pulvérisation permettant d'em- pêcher la réalisation d'une pulvérisation de mauvaise qualité imputable au phénomène d'ébullition par secous- ses (ébullition subite) En raison d'améliorations des performances des dispositifs à semiconducteurs, les jonctions PN sont devenues plus minces et les configurations ou structures sont dv-,enues plus fines, En tant que les matériaux servant au càbiege d'électrodes et convenant pour de telles jonc- tions, il est devenu nécessaire d'adopter des matériaux forimrs d'alliages d'aluminiun (tels que du Al-Si et Al-Si-Cu) es is matériaux tels que des métaux à point de fusion 6 le-é (tels que Mo, W et Pt), qui sont difficiles à trai- ter avec des dispositifs classiques d'évaporation sous vide Les appareils de pulvérisation, qui ont jusqu'à présent eta ent essentiellerlnt utilisés pour des circuits it Até grés à couches minces, sont d'une application dif- ficilie en vue de réaliser la formaticnd'électrodes de dispositifs à semiconducteurs, compte-tenu d'inconvé- nient tels qule le fait que la vitesse de dépôt est fai- ble, au'il se produit un accroissement de la températu- re du su'3stroat et Oue les caractéristiques du disposi- tif s'en trouvent altérées Cependant, étant donné que le procédé de pulv,érisation du type utilisant un magné- tron, qu i utilise un champ électromagnétique orthogonal s.l';st >- op éces dernières années, les problèmes men- nn ns c-i-dessus ont été résolus et il est devenu 2 'unr usage courant d'introduire des appareils de pul- ve',isation du type à magnétron dans les phases opéra- toi r&s de c'blage d'électrodes de dispositifs à semi- Des dispositifs de pulvérisation du type à maanétron sont classés selon différents types en fonc- tion de la disposition des aimants et des formes des cibles Mais tous ces dispositifs sont basés sur le principe selon lequel un plasma se déplaçant confor- mément à l'équation de Lorentz est confiné dans un es- pace local au voisinage de la cible en utilisant le champ magnétique ortogonal En particulier les élec- trons se déplacent suivant un déplacement cycloïdal sur la cible et heurtent les molécules du gaz, avec pour résultat le fait que l'on obtient un plasma de haute densité Etant donné que les électrons sont soumis à une contrainte provoquée par le champ magnétique, il est possible d'empêcher un accroissement de la tempé- rature et l'endommagement d'un dispositif sous l'effet du bombardement d'une pastille, microplaquette ou puce par des électrons, ce qui est à l'origine des inconvé- nients des méthodes de pulvérisation classiques. La société dite Varian Inc des Etats Unis d'Amérique fabrique un "système de pulvérisation 3125 H" qui est très largement utilisé dans le monde Les prin- cipes et le fonctionnement de cet appareil vont être indiqués ci-après. En ce qui concerne le principe de la pulvé- risation, on introduit du gaz argon dans l'appareil après y avoir effectué le vide, on ionise l'argon et une cible (matériau pelliculaire) est frappéepar les ions Un magnétron annulaire, désigné sous l'appella- tion S-GUN (CANON-S), est utilisé pour réaliser l'ioni- sation de l'argon et pour accélérer les ions Ce magné- tron S-GUN produit une décharge de plasma sous la for- me d'une sorte de beignet La décharge de plasma est établie au moyen d'un champ électrique et d'un champ magnétique Les molécules d'argon,sont ionisés et la cible est bombardée par les ions fournis par la décharge plas- matique Etant donné que le plasma est formé avec une con- figuration en forme de beignet juste sur la cible, la ma- jeure partie des électrons secondaires sont confinés à l'intérieur du plasma La particularité de ce système est le fait de comporter le canon SGUN,qui est placé dans une chambre, et un porte-substrat et un mécanisme rotatif qui est "satellite" D'autres composants sont un dispositif formant piège à froid pour de l'azote li- quide, une pompe de diffusion, une jauge à ionisation, une valve principale, un orifice variable (pour la régu- lation du gaz argon) et un dispositif de chauffage du substrat. D'abord on dispose un substrat sur un plateau sa- tellite On peut placer jusqu'à trois plateaux dans la chambre On ferme une porte et l'on commence à réaliser le vidage préliminaire à l'aide d'une pompe mécanique. Ultérieurement, on réalise le vidage ou l'établissement du vide principal en utilisant la pompe à diffusion Les plateaux tournent autour du canon S-GUN, tout en tour- nant sur leurs axes Lorsqu'un certain degré de vide de 1,33 10 4 Pa a été atteint, le dispositif de chauf- fage placé dans la chambre est branché de manière à at- teindre une température réglée Une fois atteint l'équi- libre thermique, on réalise une attaque chimique dite attaque chimique RF Les processus de chauffage et d'attaque chimique sont optionnels Ensuite on intro- duit l'a rgn Ce gaz est introduit jusqu'à obtention d'une pression allant jusqu'à une valeur de l'ordre de 0,133 Pa, à la suite de quoi commence l'opération de pulvérisation. ïa distance entre le canon S-GUN et le sub- strat est d'environ 50 cm Compte tenu de cette distan- ce, l'influence des électrons secondaires estpour l'es- sentiel évitée En outre, on obtient une uniformité fa- vorable et un recouvrement étagé au moyen d'un bon an- ale d'incidence, pour lequel les molécules cibles sont déposées sur le substrat Ensuite, le support des sub- strats tourne sur son axe et également autour du canon S-GUN, ce qui améliore plus encore l'uniformité et le recouvrement étagé. Lorsque le dépôt est terminé, on introduit de l'azote sec afin de ramener l'intérieur de la cham- bre à la pression atmosphérique Un cycle est alors terminé. L'appareil de pulvérisation du type à ma- gnétron est conçu de telle manière qu'au voisinage d'une cible (cathode) disposée en vis-à-vis d'une ano- de, des aimants (comme par exemple des aimants perma- nents ou des électro-aimants) sont disposés de manière à former un champ électromagnétique à proximité de la cible, et de telle sorte qu'un plasma est confiné sur la cible grâce à l'utilisation du déplacement cycloi- dal des électrons, afin d'obtenir une vitesse élevée de pulvérisation La figure 1, annexée à la présente demande, représente l'appareil désigné sous l'appel- lation "système de pulvérisation 3125 H" fabriqué par la Société Varian Inc des Etats Unis d'Amérique Une cible annulaire 2 constituée en aluminium et telle que représentée sur la figure 2 est installée autour d'une anode 5 qui est disposée en position centrée Cette ci- ble est placée à une tension de 500-600 V par rapport à une tension de + 24 V appliquée à l'anode 1, et de ce fait est constituée sous la forme d'une cathode Des aimants permanentsou des électro-aimants 3 sont dispo- sés autour de la cible 2 de manière à former un champ magnétique orthogonal sur la cible 2 D'autre part un anneau de blindage 4, qui est relié à la terre, est interposé entre les aimants 3 tels que des aimants per- manents ou des électro-aimants et la cible 2. Par conséquent, conformément à l'appareil de pulvérisation, les électrons émis par une décharge à incandescence se produisant entre l'anode 1 et la ci- ble 2 se d 6 plaoent suivant une trajectoire cycloidale compte tenu du champ électromagnétique orthogonal, et un plasma produit par l'accroissement de la densité des collisions de ces électrons est confiné sur la cible 2 De cette manière les atomes d'aluminium produits (par pulvérisa- tion)par les collisions ou chocs des ions p Qsitifs dans le plasma contre la cible 2 sont entraînés rapidement, de sorte que l'on peut obtenir un accroissement de la vitesse de dépôt de l'aluminium sur une pastille, ou micro- plaquette (substrat) et une améliorationde la pureté de cette pastille. Dans cet appareil de pulvérisation, les ato- mes d'aluminium délivrés par pulvérisation à partir de la cible 2 se déposent sur la pastille,non représentée, et son: également dispersés en direction des aimants 3 situés autour de la cible, en ayant tendance à s'y fixer. L'anneau de blindage 4 est par conséquent disposé entre la cible 2 et les aimants 3 de manière à empêcher le dé- pôt des atomes d'aluminium sur les aimants 3 o Mais, in- versement, les atomes d'aluminium se déposent sur la sur- f-ce de l'anneau de blindage 4 et dans les fins intersti- ces de cet anneau Lorsque la quantité d'aluminium ain- si déposée devient importante, ceci perturbe le champ électromagnétique orthogonal formé par les aimants 3. Alors le champ lectromagnétique orthogonal devient in- capable de coroerver son état de départ par suite de la déterioration des aimants permanents, attribuée à des m:ndifications séculaires Pour de telles raisons, le dé- placeÄLcint cycloidal indiqe ci-dessus subit des variations et une partie d'extrémité de la cible 2 proche du pour- tout extérieur de cette cible vient à être pulvérisée. Alors la partie d'extrémité de la cible de- vint:c a-uellement rugueuse au fur et a mesure de l'opé- ra:tion de pu lverisation En particulier, il se forme une o 5 zne marginale 2 a possedant la forme d'un bord ou d'un rebord avec un nombre important de parties rugueuses sur sa surface C'est pourquoi une concentration du champ électrique est susceptible de se produire au niveau de la zone marginale, et des étincelle ont tendance à ap- paraître entre cette zone marginale et l'anneau de blin- dage 4, qui en est rapproché et qui est maintenu, au potentiel de la terre Lorsque la concentration du champ électrique dépasse une certaine limite, il se produit la formation d'étincelles et il apparaît un phénomène d'ébullition par secousses (ébullition subite) à par- tir de la zone marginale de la cible, et ce par suite de l'impact de l'étincelle Lorsque l'aluminium ainsi placé en ébullition adhère à la surface de la pastille, il apparaît des bombements ou éclatements de l'alumi- nium (projections) qui sont la cause d'un court-circuit du câblage C'est pourquoi, dans le cas de l'art anté- rieur la cible, dont la zone marginale devient rugueu- se, doit être remplacée de façon précoce La brève du- rée de vie de la cible conduit aux problèmes d'un fai- ble pourcentage disponible de dispositifs à semiconduc- teurs et d'un coût élevé de la cible. C'est pourquoi un but de la présente inven- tion est de fournir un appareil de pulvérisation qui puisse empêcher ce phénomène d'ébullition par secousses (ébullition subite) du matériau de la cible en prove- nance d'une zone marginale de cette dernière. Un autre but de la présente invention est de fournir un appareil de pulvérisation dans lequel l'étincelle entre la zone marginale d'une cible et un anneau de blindage peut difficilement se produire. Un autre but de la présente invention est de fournir un appareil de pulvérisation permettant de prolonger la durée de vie d'une cible. Un autre but de la présente invention est de fournir un appareil de pulvérisation dans lequel l'étincelle entre une zone marginale de la cible et un anneau de blindage peut difficilement se produire, de telle sorte que l'on puisse empêcher l'apparition du phénomène dénommé ébullition par secousses(ébullition subite) afin d'éviter l'apparition d'aclaboussures ou projections,et que la durée de vie d'une cible soit pro- longée, ce qui permet d'obtenir, dans le domaine de la fabrication des dispositifs à semiconducteurs, un rende- ment accru de fabricetion et une réduction descoûts. Ce problème est résolu conformément à l'in- vention à l'aide d'un appareil de pulvérisation du ty- pe indiqué précédemment, caractérisé en ce qu'il com- porte une anode, une cible servant de cathode et qui est disposée en vis-à-vis de ladite anode, et des ai- mants et un anneau de blindage, qui sont situés dans des positions proches de ladite cible, une partie d'ex- tréimité de ladite cible étant réalisée avec une forme plate sur un côté plus rapproché dudit anneau de blin- dage. Selon une autre variante de réalisation de l 'irvention, lesdits aimants et ledit anneau de blinda- ge sont disposés autour de ladite cible et un bord de lu partie d'extrémité périphérique extérieure de cette dernière est réalisé avec une forme plate. 2 E D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prize en référence aux dessins annexés, sur les- quels: la figure 1, dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe d'une partie d'-un canaux de pulvéri- sation qui fait partie d 5 un appareil de pulvérisation de l'art antérieur; la figure 2, dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe, partiellement arrachée, montrant une cible de l'art antérieur; 2535 109 la figure 3 est une vue du montage d'ensem- ble d'un appareil de pulvérisation conformément à la présente invention; la figure 4 est une vue en coupe de la par- tie essentielle (canon de pulvérisation) présente dans l'appareil conforme à la présente invention; la figure 5 est une vue en coupe, partiel- lement arrachée, montrant une cible utilisée conformé- ment à la présente invention; et la figure 6 est un schéma en coupe du mon- tage typique d'une autre forme de réalisation du canon de pulvérisation conforme à la présente invention. La présente invention est basée sur le fait qu'on donne une forme plate à la partie marginale d'une cible de manière à empêcher l'apparition d'uneconcentra- tion du champ électrique dans cette zone marginale, même lorsque cette dernière est rendue légèrement rugueuse. Ci-après on va décrire la présente invention en se référant aux formes de réalisation représentées. La figure 3 est une vue générale du montage de l'appareil de pulvérisation conforme à la présente in- vention Une chambre à vide 12, qui est réalisée approxi- mativement sous la forme d'un globe, est placée sur une embase 10 -et sur un dispositif de refroidissement 11. L'intérieur de la chambre à vide 12 peut être réglé dans un état de vide poussé (environ 0,133 10-4 Pa) au moyen d'une pompe de diffusion (non représentée) dis- posée à l'intérieur de l'embase 10, et au moyen d'une pompe mécanique rotative 14 communiquant avec cette chambre par l'intermédiaire d'une canalisation 13 Une source 100 de gaza notamment de l'argon (Ar), est rac- cordée à la chambre 12 par l'intermédiaire d'un tube de sorte que l'argon (Ar) peut être introduit dans la chambre Sur la figure, les références 16, 17 et 18 désignent respectivement des valves. 253 '5109 Une pluralité de canons de pulvérisation 19 (trois dans cet exemple) sont disposés à l'intérieur de la chambre à vide 12 et des pastilles ou microplaquettes , qui sont les objets devant être traités, sont suppor- téesà la partie supérieure de la chambre par un système satellite 21 En outre, des dispositifs de chauffage 22 sont disposés à proximité des canaux de pulvérisation 19 Le système satellite 21 est tel que, sur le pour- tour d'un plateau rotatif 23 qui tourne sur son axe,plu- sieurs plateaux rotatifs satellites 24 sont montés de manière a tourner sur leurs axes L'ensemble des pastil- les 20 sont supportées sur la surface de chaque plateau rotatif satellite 24 et les différents plateaux rota- tifs 23,24 sont entrainés en rotation autour de la pla- que Il en résulte que le plateau rotatif satellite 24 est amené a avoir ce qu'on appelle un déplacement satel- lite, selon lequel il tourne sur son axe tout en tour- nant autour du plateau 23. Comne cela est représenté à grande échelle sur la figure 4, le canon de pulvérisation 19 possède une base de blindage ou formant bouclier 26 en forme de disque, qui est soutenu-en console ou en porte-à- faux dans la chambre 12 par un bras 25, et au-dessus de laquelle le plateau de base 26 est soutenu tout en étant isolé Une anode 28, qui s'étend à travers la base de blindage 26 et le plateau de base 27, est soutenue en position centrée par rapport à ces deux éléments tout en en étant isolée Le disque d'anode 29 est fixé sur l'extrrï -ité supérieure de l'anode 28 et une canalisa- Lion d'eau de refroidissement 130 est raccordée à la partie inférieure creuse de cet anode Le raccorde- ment électrique est réalisé de manière à appliquer une tension d'environ + 27 v à l'anode 28 D'autre part une cible annulaire 30 représentéede façon détail- lée sur la f- gure 5 est disposée sur le plateau de ba- se 27 entourant l'anode 28, tandis que des aimants (par exemple des aimants permanents) 32 sont disposés autour de la cible grâce à l'utilisation d'une console 31 La cible 30 est constituée en un matériau contenant du silicium contenant 2 % de l'aluminium (Al) Comme cela est représenté sur la figure 5, elle possède en coupe la forme d'un triangle rectangle dont le côté oblique comporte un échelon ou étage, et possède un diamètre extérieur A égal à 131 mm et une hauteur B égale à 22,4 mm Une partie d'extrémité 30 a située dans la position la plus extérieure et la plus élevée est réalisée de telle manière que son bord supérieur b forme une surface plate La largeur C du bord su- périeur est réglée à C = 2 + 0,5 mm En outre, cette cible 30 est constituée de manière à servir de catho- de à laquelle une tension de -500 600 V est appli- quée par l'intermédiaire de la plaque de base 27 Les aimants 32 sont tels qu'un ensemble de tels aimants est disposé selon un réseau circonférentiel suivant deux étages, à savoir-un étage supérieur et un étage inférieur Il forment un champ électromagnétique or- thogonal sur la cible 30 (au voisinage de la surface intérieure oblique) avec un champ électrique établi par la tension de la cible 30 Une canalisationd'eau de refroidissement 33 est raccordée à la console 31 qui soutient les aimants 32. D'autre part, la paroi de blindage 34 possédant une section en forme de L est montéesur le pourtour extérieur de la base de blindage 26 de ma- nière à entourer les aimants 32, et un anneau de blin- dage 35 de l'appareil de pulvérisation ainsi que sur le bord intérieur de la paroi de blindage 34 de maniè- re à être tournée vers le bas En outre, un anneau de blindage 36 est monté d'un seul tenant sur la surface inférieure de l'anneau de blindage 35 de l'appareil de 253 5109 il pulvérisation en étant intercalé entre la cible 30 et les éléments 32 L'anneau de blindage 36, etc est re- lié à la terre par l'intermédiaire de l'anneau de blin- dage 34 et par l'intermédiaire de la base de blindage 26 et par conséquent maintenu au potentiel de la terre (OV). Conformément à la construction indiquée ci-dessus, l'opération de pulvérisation est réali- sée comme indiqué ci-après Tout d'abord on place les pastilles ou microplaquettes ou puces 20 sur le plateau 21, tout en plaçant la cible 30 forméepar le matériau devant être pulvérisé (dans cet exemple de l'aluminium contenant 2 % de Si) sur chaque pla- teau de base 27 Dans cet état, on fait fonctionner la pompe, etc de manière à créer à l'intérieur de la chambre vi vide 12 un vide d'environ 0,133 10 Pa. En outre, on applique les tensions requises à l'anode 28 et ' la cible 30 Lorsque l'on introduit le gaz argon (Ar) à l'intérieur de la chambre 12 pour ré- gler à l'intérieur de cette dernière un vide de 1,33 Pa, ui plasma est produit dans chaque canon de pulvé- risation 19, ce qui fait démarrer l'opération de pul- vérisation. De façon plus spécifique, lorsqu'une ten- si-n de + 24 V est appliquée à l'anode 28 et qu'une tension de -500 600 V est appliquée à la cible 30, il se produit une décharge par incandescence entre l'anode et la cible Alors les électrons suivent un trajet cycloidalsur la cible 30 sous l'action du * 0 champ électromagnétique orthogonal créé par les ai- mants 32, et le plasma produit par l'accroissement de la densité descollisionsde ces électrons *est con- finé sur la cible De ce fait, la densité, pour la- quelle les ions de Ar situés à l'intérieur du plas- ma heurtent la cycle, est également accrue et des ato- mes d'aluminium (Al) pulvérisés à partir de la cible 30 sont soumis à un déplacement rapide Par conséquent, les atomes de Al partent du canon de pulvérisation 19 en di- rection de la partie supérieure de la chambre 12 et se déposentsurles surfaces des pastilles 20 La vitesse de dépôt est accrue et de même la pureté devient élevée. Les atomes pulvérisés s'appliquent non seu- lement sur les pastilles, mais également sur chaque an- neau de blindage 36,en subissant une dispersion latérale. Lorsque l'intensité du champ électromagnétique orthogo- nal est réduite par suite d'effets tels que l'adhéren- ce des atomes d'aluminium (Al) sur l'anneau de blindage et de variations dans le temps, le déplacement cycloïdal subit quelques variations et les ions d'argon (Ar) frap- pent la cible 30 sur la partie d'extrémité périphérique extérieure de cette dernière, en provoquant la pulvérisa- tion Mais la cible 30 du présent exemple possède une partie d'extrémité 30 a de forme plate de sorte que même lorsque la partie d'extrémité est rendue rugueuse par suite de la pulvérisation, elle conserve toujours une forme arrondie sans présenter d'angles aigus Par consé- quent, il ne peut pas se produire une concentration du champ électrique dans la partie de l'extrémité 30 a de la cible 30 et il n'apparait également aucune étincelle en- tre l'anneau de blindage 36 et la cible Par conséquent il ne se produit aucune ébullition par secousses de l'aluminium et aucune projection (éclaboussures d'alumi- nium), qui serait la cause d'un court-circuit du câblage, n'apparait sur la surface de la batterie. Il en résulte que la cible 30 continue à être le siège de la pulvérisation, même lorsque sa partie d'extrémité est devenue rugueuse, si bien que la durée de vie de la cible peut être prolongée et que l'on peut obtenir une amélioration des pourcentages disponibles et la réduction du coût de fabrication de dispositifs à semiconducteurs La raison tient au fait que, meme, lorsque la vitesse de pulvérisation est accrue, la du- rée pendant laquelle la cible se consume est supérieu- re à la durée que l'on connait dans l'art antérieur, la fréquence de remplacement des cibles étant réduite. Ici, dans la cible 30, dtnt la partie d'ex- trémité 30 a possède une forme plate, les deux bords de la surface plate peut être parfaitement bien arrondis. Il va sans dire que lorsque les dimensions du diamètre extérieur et de la hauteur de la cible sohtdifférentes, la largeur C de la surface plate possède une valeur légèrement différentecorrespondante et lorsque le maté- riau de la cible est autre que de l'aluminium, cette valeur est différente. La figure 6 représente un schéma type dans le cas o la présente invention est appliquée à un appa- reil de pulvérisation de type planar La référence 30 désigne une plaque de base, la référence 41 une cible plate qui est montée sur la plaque de base, et la ré- férence 42,ine ancle qui est disposée autour et au-des- sus de la cible et à proximité de cette dernière En outre, la référence 43 désigne des aimants, comme par exemple des aimants permanents ou des électroaimants, qui sont logés dans la plaque de base 40 et qui forment un champ électromagnétique orthogonal sur la cible 41, tandis que la référence 44 désigne un anneau de blindage. Conformément à cet appareil de pulvérisation, les électrons sont tenus de réaliser un déplacement cy- clbidalsur la cible 41 sous l'effet de la décharge à in- candescence entre l'anode 42 et la cible 41, à la suite de quoi la cible est bombardée avec des ions d'argon Ar) présents dans un plasma de manière a provoquer la pulvérisation d'atomes d'aluminium Dans ce cas égale- ment, comme représenté sur la figure, la partie d'extré- mité périphérique de la cible 41, en particulier un 2535 I 09 bord périphérique supérieur 41 a proche de l'anode 42, est coupé et conformé de manière à être plat Ainsi, lorsque la partie d'extrémité est devenue rugueuse sous l'effet de la pulvérisation, il ne se produit aucune concentra- tion du champ électrique et l'apparition d'une étincelle entre la partie d'extrémité de la cible et l'anode 44 est empêchée, ce qui empêche efficacement un phénomène de pulvérisation par secousses Par conséquent la durée de vie de la cible est prolongée, et l'on peut obtenir une amélioration du rendement de fabrication et une réduc- tion du coût. Comme cela est indiqué ci-dessus, conformé- ment à l'appareil de pulvérisation selon la présente in- vention, la partie d'extrémité de la cible possède une forme plate de sorte qu'il ne peut exister dans cette cible aucune partie disposée de manière à former un an- gle aigu Par conséquent, même lorsque la partie d'ex- trémité de la cible est rendue rugueuse sous l'effet de la pulvérisation, l'apparition d'une concentration du champ électrique dans les parties d'extrémité de la ci- ble peut être empêchée de même que l'apparition d'étin- celles, de sorte que le phénomène d'ébullition par se- cousses et les projections ou éclaboussures associées ne peuvent pas se produire On peut citer comme autres essais, le fait que la durée de la cible s'en trouve prolongée et que l'on peut obtenir une amélioration -du rendement de fabrication et une réduction du coût. REVENDICATIONS 1 Appareil de pulvérisation caractérisé en ce qu'il comporte une anode ( 19), une cible servant de cathode ( 20), qui est disposée en vis-à-vis de ladite anode, et des aimants ( 32) et un anneau de blindage ( 35,36), qui sont disposés au voisinage de ladite cible, et qu'une partie d'extrémité ( 30 a) de ladite cible pos- sède une forme plate ( 30 a) sur un côté rapproché de l'anneau de blindage. 2 Appareil de pulvérisation selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que lesdits aimants ( 32) et ledit anneau de blindage ( 35,36) sont disposés autour de ladite cible ( 30) et qu'un bord ( 30 b) de la partie de l'extrémité périphérique extérieure ( 30 a) de ladite cible possède une forme plate. 3 Appareil de pulvérisation selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que ladite cible ( 30) est de forme annulaire, que sa section possède essentielle- ment la forme d'un triangle rectangle et que sa partie diextrémité supérieure ( 30 b) possède une forme plate.