Brevet FR2533047A1 — publié le 19840316

La présente invention se rapporte d'une façon générale aux cartes à mémoire, et concerne plus particu- lièrement, une carte à mémoire destinée à servir de carte de crédit et/ou de carte d'identification et dans laquelle est incorporé un circuit intégré. Une carte à mémoire destinée à être utilisée comme une carte de crédit et/ou une carte d'identifica- tion a été proposée, dans laquelle est incorporé un circuit intégré CMOS (métal-oxyde-semi-conducteur) Le circuit intégré peut comporter une unité centrale de traitement, une mémoire permanente pour mémoriser un programme et des données personnelles et une mémoire à accès direct pour constituer une zone de mémoire de travail Les bornes du circuit intégré sont connectées respectivement à des bornes de connexion formées sur une surfaceexposée de la carte A cet égard, pendant le fonc- tionnement, la carte à mémoire est introduite dans un lecteur de carte de manière que les contacts respectifs du lecteur soient en contact avec les bornes de connexion précitées pour fournir une tension d'alimentation et des signaux de commande aux circuits intégrés pour que des- données appropriées qui y sont mémorisées y soient lues et fournies au lecteur de cartes. Mais, comme cela a déjà été expliqué, les bornes de connexion de la carte à mémoire sont exposées sur sa - surface de sorte que de l'électricité statique produite par un corps humain ou des vêtements, notamment des vête- ments en fibres chimiques et similaires, circule par les bornes deconnexion vers le circuit intégré pour l'endom- mager ou le détruire Il faut noter qu'un circuit intégré CMOS peut résister à environ 200 volts mais l'électricité statitique peut quelquefois atteindre quelques milliers de volts Par conséquent, les cartes à mémoire connue ne peuvent être portées dans des poches de vêtements en fibres chimiques ou autres. Dans le but d'éviter d'endommager le circuit intégré, des résistances de grande valeur, par exemple kilohms à 30 kilohms ou davantage sont généralement connectées en série entre les différentes bornes et le circuit intégré pour éviter que ce dernier soit détruit par l'électricité statique Mais en ce qui concerne la borne d'alimentation connectée au circuit intégré, une résistance dont la valeur est de quelques dizaines de kilohms ne peut être connectée en série car un courant d'alimentation d'environ 1 m A circule pendant l'alimen- tation du circuit intégré Par conséquent, si aucune résistance, ou une résistance de faible valeur est connectée en série entre la borne d'alimentation et le circuit intégré, ce dernier est encore endommagé ou détruit par l'électricité statique passant par la borne d'alimentation De plus, en ce qui concerne les autres bornes de connections il faut remarquer que bien que les résistances connectées en série aient une valeur élevée pour protéger le circuit intégré contre l'élec- tricité statique, si les valeurs de ces résistances sont trop augmentées, la constante de temps déterminée par ces résistances et la capacité d'entrée du circuit intégré tend à arrondir et à retarder les formes d'onde des signaux respectifs. Un objet de l'invention est donc de proposer une carte à mémoire qui élimine les difficultés précitées apparaissant avec la disposition connue. Plus particulièrement, un objet de l'invention St de proposer une carte à mémoire dans laquelle est incor- poré un circuit intégré qui ne peut être détruit par l'électricité statique. Un autre objet de l'invention est de proposer une carte à mémoire comprenant un dispositif de décharge de l'électricité statique à partir de ces bornes de connec- tion pouréviter d'endommager le circuit intégré qui lui est incorporé. Un autre objet encore de l'invention est de proposer une carte à mémoire qui convient pour être utili- sée comme carte de crédit et comme carte d'identification. 3 2533047 Selon un aspect, l'invention concerne donc une carte à mémoire qui comporte un support, un circuit intégré monté sur ce support pour mémoriser des informa- tions,-avec desbornes d'accès, des bornes de connexion prévues à une surface exposée du support de la carte et connectées aux bornes d'accès du circuit intégré et un dispositif de décharge d'électricité statique à partir des bornes de connection pour éviter d'endommager le circuit intégré. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de plusieurs exemples de réa- lisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels la Fig 1 est une vue schématique en perspec- tive d'une carte à mémoire connue, la Fig 2 est une coupe à grande échelle de la carte à mémoire de la Fig 1, suivant la ligne A-A, la Fig 3 est un schéma simplifié utilisé pour expliquer le fonctionnement de la carte à mémoire de la Fig: 1 avec un lecteur de carte, la Fig 4 est une vue schématique en perspec- tive d'une carte à mémoire selon un mode de réalisation de l'invention, la Fig 5 est une coupe à grande échelle de la carte à mémoire de la Fig 4, suivant la ligne B-B, la Fig 6 est un schéma simplifié utilisé pour expliquer le fonctionnement de la carte à mémoire de la Fig 4 avec un lecteur de carte, la Fig 7 est une vue schématique de dessus d'une carte de circuits imprimés selon un mode de réali- sation de l'invention, pouvant être utilisée avec la carte à mémoire de la Fig 4, la Fig 8 est une vue schématique de dessous d'une carte de circuits imprimés selon un mode de réalisa- tion de l'invention, pouvant être utilisée avec la carte à mémoire de la Fig 4, et 4 2533041 la Fig 9 est une vue schématique de dessous d'une partie de la carte de circuits imprimés selon un autre mode de réalisation de l'invention, pouvant être utilisée avec la carte à mémoire de la Fig 4. En se référant aux dessins, et initialement aux Figs 1 à 3, une carte à mémoire connue 1 dans laquelle est incorporé un circuit intégré à semi-conduc- teur, de préférence à metal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMIOS) comporte un support de forme géné- rale rectangulaire et de dimensions qui conviennent pour sa manipulation Le support de carte formé en collant ensemble deux plaques en matière plastique la et lb sous forme de couches, les plaques la et lb étant par exemple en chlorure de polyvinyle Une ouverture rectangulaire 2 est formée dans une partie de la plaque la, consistant en une ouverture inférieure 2 a de forme rectangulaire et en une seconde ouverture supérieure 2 b également de forme rectangulaire avec une surface supérieure à celle de l'ouverture inférieure rectangulaire 2 a, de sorte qu'une surface support 2 c est formée sur laquelle repose une carte de circuits imprimés 3 avec sa surface supérieure dans le même plan que la surface supérieure exposée de la plaque en matière plastique la La carte de circuits imprimés 3 comporte des bornes de connexion T T dési- gnés globalement par T sur la Fig 2 et disposées suivant la largeur de la carte 1 Plus particulièrement, la borne de connexion T constitue une borne d'alimentation, les bornes de connection T 2-T 6 sont des bornes de signaux et la borne de connexion T 7 constitue une borne de masse commune Des bornes similaires T' -T'7 désignées globale- ment par T' sur la Fig 7 sont formées sur la surface inférieure ou arrière de la carte de circuits imprimés 3 dans des positions qui correspondent respectivement aux bornes de connexion T 1-T 7 et des trous sont formés dans la carte de circuits imprimés 3 par lesquels les bornes de connexion T -T 7 sont connectés électriquement aux bornes 253304 ? respectives T'1-T' Plus particulièrement, une matière conductrice 3 a remplit chaque trou, connectant ainsi électriquement lés bornes de connexion T 1-T 7 avec les gornes respectives T'1-T'7 Un circuit intégré à semi-conducteur 4, de préférence du type à métal-oxyde-semi-conducteur- complémentaire (CMOS) est également prévu sur la surface arrière de la carte de circuits imprimés 3 pour mémori- ser un programme et des données personnelles comme un numéro d'identification, un code d'identification et similaire Comme le montre la Fig 3, le circuit intégré 4 consiste de préférence en un microcàlculateur en une seule pastille avec une unité centrale de traitement 41, une mémoire permanente 42 qui mémorise un programme pour l'unité centrale de traitement, des données personnelles et autres et une mémoire à accès direct 43 qui constitue une zone de mémoire de travail pour le microcalculateur. Le circuit intégré 4 comporte des bornes respectives qui sont soudées selon un schéma prédéterminé de manière à être connectées aux bornes de connexion respectives T 1-T 7 par les bornes T'1-T' Il faut remarquer que la carte de circuits imprimés 3 peut être collée sur la surface support 2 c et forme donc effectivement partie du support de carte En outre, une matière de remplissage 5, de préférence une résine d'époxyde ou similaire est prévue dans l'ouverture inférieure 2 a comme le montre la Fig 2 pour maintenir la carte de circuits imprimés 3 sur le support, et égale- ment pour coller le circuit intégré 4 sur la carte de circuits imprimés 3. Comme le montre la Fig 1, la surface exposée supérieure de la plaque en matière plastique la comporte une partie de désignation séparée de la carte de circuits imprimés 3, sur laquelle sont formées diverses désigna- tions par poinçonnage en emboutissage de la surface de'la plaque en matière plastique la de la carte à mémoire 1, comportant par exemple des chiffres de référence 6 A ou 253304 ? similaire En outre, une flèche 6 B peut être imprimée sur la surface supérieure de la plaque en matière plastique la pour indiquer la direction d'introduction de la carte à mémoire 1 dans un lecteur de carte 50 représenté schémati- quement sur la Fig 3 A ce moment, les contacts respectifs prévus dans le lecteur de carte 50 viennent en contact avec les bornes de connexion T 1T 7 respectives de la carte à mémoire 1 de sorte qu'une tension d'alimentation et des signaux de commande sont appliqués au circuit intégré 4 pour y lire des informations qui sont alors fournies au lecteur de carte 50. Il faut remarquer qu'avec la carte à mémoire 1 de la Fig 1, étant donné que les bornes de connexion T 1- T 7 sont exposées sur la surface supérieure, une importante électricité statique produite par un corps humain ou par des vêtements, notamment par des vêtements en fibres chimiques et similaires, peut être fournie aux bornes de connexion T 1-T 7, cette électricité statique se déchargeant vers le circuit intégré 4 qui peut donc être endommagé ou détruit par cette électricité statique bien que le circuit intégré CMOS 4 puisse résister à environ 200 volts, l'élec- tricité statique peut quelquefois atteindre quelques milliers de volts Pour cette raison, et étant donné que l'impédance d'entrée du circuit intégré est grande, des résistances Ra, Rb, Rc, Rd et Re ayant des valeurs relative- ment grandes, par exemple 20 kilohms à 30 kilohms ou davan- tage sont connectées en série entre les bornes de signaux T 2-T 6 et le circuit intégré 4, évitant ainsi que ce dernier soit détruit par de l'électricité statique Mais il faut remarquer qu'un courant d'alimentation d'environ 1 m A circule vers le circuit intégré 4 par la borne de connexion d'alimentation T 1 quand le circuit intégré est alimenté, de sorte qu'une résistance de valeur relativement élevée'ne peut être connectée en série entre la borne d'alimentation T 1 et le circuit intégré Par conséquent, en l'absence de résistance ou avec une résistance de faible valeur, par 253304 ? exemple environ 100 ohms, le circuit intégré 4 peut être détruit par l'électricité statique passant par la borne de connexion d'alimentation T 1 De plus, bien que des résistances Ra, Rb, Rc, Rd et Re soient connectées en série entre le circuit intégré 4 et les bornes de signaux T 2-T 6 pour protéger lé circuit intégré contre l'unité statique si les valeurs de ces résistances sont trop augmentées, la constante de temps déterminée par chaque résistance et la capacité d'entrée du circuit intégré tend à déformer et à retarder les formes d'onde des signaux respectifs. Une carte à mémoire 1 selon un premier mode de réalisation de l'invention sera maintenant décrite en regard des Figs 4 à 8 sur lesquelles des éléments correspondants à ceux déjà décrits en regard de la carte à mémoire de la Fig 1 sont identifiés par les mêmes références numériques, et leur description détaillée n'en sera pas faite pour simplifier Comme le montrent les Figs 4 et 7, une borne de connexion de masse commune T 7 prévue sur la surface supérieure exposée de la carte de circuits imprimés 3 est prolongée pour en couvrir pratiquement toute la région de surface qui N test pas couverte par les bornes de connexion T 1-T 6 en formant ainsi une première électrode de masse commune P qui est séparée des bornes de connexion -T-T 6 par une distance prédéterminée définissant un premier intervalle de décharge Ga Comme le montre la Fig 8, la borne de masse commune T 7 formée sur la surface arrière ou infé- rieure de la carte de circuits imprimés 7 est prolongée pour couvrir une région de surface en forme de U et former ainsi une seconde électrode de masse commune Q qui est séparée des autres bornes T'1-T'6 par une dis- tance prédéterminée en définissant ainsi des seconds intervalles de décharge Gb La première et la seconde électrode de masse commune P et Q sont connectées électri- quement ensemble par la borne de connexion de masse 8 2533047 commune T 7, la borne de masse commune T'7 et la matière conductrice 3 A qui les relie ensemble. La largeur ou la dimension des intervalles de décharge Gb formés sur la surface arrière de la carte de circuits imprimés 3 est choisie pour être relative- ment étroite, par exemple inférieure ou égale à 100 microns de sorte qu'il est facile de produire une décharge En outre, la largeur ou la distance des inter- valles de décharge Ga formés sur la surface frontale ou supérieure de la carte de circuits imprimés 3 est choisie de préférence de préférence pour être étroite, bien que supérieure à celle des intervalles de décharge Gb La raison d'une plus grande dimension des intervalles de décharge Ga est d'éviter une détérioration de l'isole- ment entre la première électrode de masse commune P et les bornes T 1-T 6 par la poussière, l'humidité etc. Comme le montre la Fig 1, une plaque en matière plastique la comportant une ouverture 2 est collée sur une plaque en matière plastique lb,comme avec la carte à mémoire de la Fig 1 Une plaque conductrice 60, de préférence une masse plate d'acier inoxydable plaquée d'un métal est produite à l'extrémité inférieure de l'ouverture inférieure 2 a de l'ouverture 2 Un cadre en résine synthétique est positionné dans l'ouver- ture inférieure 2 a au-dessus de la plaque conductrice et au contact avec elle Le cadre 70 est formé avec deux parties en creux 70 a et 70 b à son extrémité supé- rieure, et une ouverture 70 c La matière de remplissage en résine d'époxyde remplit la partie en creux 70 b de manière à coller la carte de circuits imprimés 3 dans l'ouverture supérieure 2 b et de coller le circuit intégré 4 et autres éléments de circuit qui seront décrits par la suite, comme des résistances R 1-R 6, des diodes Zener -D et un condensateur C sur la carte de circuits imprimés 3, au durcissement de la matière de remplissage d'une manière similaire à celle déjà décrite en regard de la carte à mémoire de la Fig 1 Par contre, la partie en creux 70 a n'est pas remplie avec cette matière et reste donc vide, et elle est donc positionnée en face des intervalles de décharge Gb Un ressort hélicoïdal en matière conductrice est introduit dans le trou 70 c pour connecter électriquement la plaque conduc- trice 60 à la borne'de masse commune T'7 de la seconde électrode de la masse commune Q formée à la surface arribre ou supérieure de la carte de circuits imprimés 3. Comme le montre la Fig 8, des résistances R 1-R 6 sont connectées en série entre les bornes T'1 i T' 6 et les bornes d'accès correspondantes tl-t 6 respectivement du circuit intégré 4 sur la surface arrière de la plaque de circuits imprimés 3 Enplus, la borne de connection T 7 est connectée par la borne T' 7 à la borne de masse commune T 7 du circuit intégré 4 La borne T'7 est égale- ment connectée par les diodes Zener D 1 -D 6 respectivement aux bornes T 1-T 6 du circuit intégré 4 et un condensateur C 1 est connecté entre la borne t 1 du circuit intégré 4 et la borne T'7, en parallèle avec la diode Zener D 1. Il faut noter que des couches isolantes S sont prévues pour isoler électriquement les différents conducteurs. Dans un mode de réalisation, la résistance R 1 est choisie avec une valeur de par exemple 100 ohms pour éviter une forte chute de tension aux bornes lorsqu'un couraht d'alimentation circule vers le circuit intégré 4 tandis que chacune des résistances R 2-R 6 est choisie avec une valeur plus élevée, par exemple environ 5 à 10 kilohms. En outre les diodes D 1-D 6 ont une tension Zener qui est supérieure à la tension d'alimentation appliquée au circuit intégré 4 ou à la tension des signaux produits, mais inférieure à la tension que peut supporter-le circit 4, c'est-à-dire la tension pour lequel il est endommagé. Par exemple si la tension d'alimentation du circuit inté- gré 4 est 4,5 volts, la tension Zener peut être choisie à 6,8 volts En outre, le condensateur C 1 est choisi avec une capacité de par exemple 0, 01 lp F afin d'obtenir une excellente caractéristique en haute fréquence et de filtrer le flanc avant de la tension appliquée au circuit intégré 4. Avec la carte à mémoire des Figs 4 à 8, en fonctionnement normal quand la tension d'alimentation ou la tension de signaux qui est au plus égale à quelques volts est appliquée aux bornes de connexion 1-T 6 aucune décharge de cette tension n'est produite aux bornes des intervalles de décharge ga et gb Dans ce cas, bien que le courant d'alimentation vers le circuit intégré 4 passe par la résistance R 1, la chute de tension aux bornes de cette dernière est faible et la tension Zener de la diode D 1 est supérieure à la tension d'alimentation du circuit intégré 4 de sorte que ce dernier reçoit la tension d'alimentation normale. Ainsi, étant donné que l'impédance d'entrée du circuit intégré 4 est suffisamment grande comparativement à la valeur des résistances R 2-R 6 et étant donné que l'impé- dance des circuits du lecteur de carte qui lit les informations sur la carte à mémoire 1 peut également être choisie suffisamment grande, les informations voulues peuvent normalement être obtenues du circuit intégré. Par contre, lorsqu'un doigt ou autre qui produit beaucoup d'électricité statique entre en contact avec les bornes T 1-T 6, la probabilité est grande que ce doigt entre également en contact en même temps avec la première électrode de masse connue P qui entoure les bornes de connexion T 1-T 6, déchargeant ainsi l'électricité statique par l'électrode B, ce qui évite que cette électricité statique soit appliquée aux bornes de connexion T -T 6. Même si cette électricité statique est appliquée seulement aux bornes de connexion T -T 6 selon l'inven- tion, cette électricité se décharge aux électrodes de masse commune P et Q par les intervalles de décharge Ga et Gb respectivement Il faut également noter que les intervalles de décharge Gb sont formés à l'intérieur de la carte à mémoire 1 plutôt que sur sa surface comme les il 2533047 intervalles de décharge Ga, la surface d'isolement entre les bornes T'1-T'7 et l'électrode de masse commune Q n'est pas dégradée par de la poussière, de l'humidité et autre comme les intervalles de décharge Ga de sorte que la largeur des intervalles de décharge Gb peut être être réduite comparativement à celle des intervalles de décharge Ga A cet égard, la plus grande partie de l'électricité statique est déchargée par les intervalles Gb, protégeant ainsi le circuit intégré 4 contre la destruction-ou les dommages par l'électricité statique. De plus, même si une petite quantité d'élec- tricité statique n'est pas déchargée par les intervalles de décharge Gb, cette électricité statique qui subsiste est éliminée par les résistances R 1 R 6 et les diodes D 1-D 6 de sorte que seulement de l'électricité statique d'une tension égale à la tension Zener des diodes D 1-D 6 est appliquée au circuit intégré 4, cette tension étant insuffisante pour l'endommager ou le détruire. Etant donné que la plus grande partie-de l'électricité statique est ainsi déchargée par les intervalles Ga et Gb avec seulement une petits quantité d'électricité subsistant déchargée par les résistances R 2-R 6 et les diodes D 2-D 6, les valeurs de ces derniers éléments peuvent être relativement réduites et ils peuvent donc avoir de petites dimensions Etant donné qu'il n'est pas nécessaire que les valeurs des résistances R 2-R 6 soient grandes, les formes d'onde des signaux respectifs ne sont ni déformés, ni retardés. Il faut remarquer qu'il existe généralement une période jusqu'à ce qu'une tension appliquée à une diode Zener soit réellement limitée par cette dernière. Pendant cette période de retard, la tension qui n'est pas encore limitée serait normalement appliquée au circuit intégré 4 Mais selon l'invention, pendant cette période. de retard, l'électricité statique est absorbée ou emma- gasinée par le condensateur C 1 (et la résistance R 1) de 12 -2533047 sorte que de l'électricité statique d'une tension dépassant la tension supportée par le circuit intégré 4 n'est pas appliquée à sa borne tl Aucun condensateur n'est connecté aux bornes T 2-T du circuit intégré 4 mais les résistances R 2-R 6 ont des valeurs suffisamment élevées pour atténuer l'électricité statique pendant la période de retard des diodes D 2-D 6 Ainsi, pendant la périodederetard précitée, le circuit intégré 4 est protégé de l'électricité statique Par exemple, selon des expériences, même si un condensateur de capacité de 200 p F a été chargé à une tension de 10 k V si ce condensateur chargé est connecté aux bornes tl-t 6 pour simuler l'application d'électricité statique, le cir- cuit intégré 4 est suffisamment protégé contre cette électricité. Il faut noter que la plaque conductrice 60, l'électrode de masse commune P et la borne de connection commune de masse P 7 sont toutes connectées électrique- ment ensembles Ainsi, même si la carte à mémoire 1 se fissure de manière que les plaques de matière plastique la et lb se séparent légèrement l'une de l'autre, il n'y a aucun risque qu'un courant de décharge d'électri- cité statique passe au circuit intégré 4 La même chose est vraie pour les parasites extérieurs et autres. Selon l'invention, il n'est pas nécessaire que le premier intervalle de décharge Ga soit supérieur à- l'intervalle de décharge Gb Plus partfculièrement, dans un autre mode de réalisation de l'invention, le premier et le second intervalle de décharge Ga et Gb sont égaux. Dans ce dernier cas, les connexions sur les surfaces avant et arrière dela carte de circuits imprimés 3 sont identiques à celles déjà décrites en regard des Figs 7 et 8 Mais les seconds intervalles de décharge Gb sont définis par des parties pointues triangulaires des bornes T'1-T'6, en face de parties pointues triangulaires correspondantes de l'électrode de masse commune Q comme 13 2533047 le montre la Fig 9, de sorte qu'une décharge se pro- duit beaucoup plus facilement au second intervalle de décharge Gb qu'au premier intervalle Ga. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux modes de réali- sations décrits et illustrés a titre d'exemples nulle- ment limitatifs Par exemple, les-résistances R 1 R 6 peuvent être connectées respectivement entre les diodes Di-D 6 et les bornes tl t 6. REVENDICATIONS 1 Carte à mémoire, caractérisée en ce qu'elle comporte un support de carte (la,lb), un circuit inté- gré ( 4) monté sur ledit support de carte et destiné à mémoriser des informations et comprenant des bornes d'accès (t -t 7), des bornes de connexion (T 1 T 7) prévues sur une surface exposée dudit support de carte et connectées auxdites bornes d'accès dudit circuit intégré; et un dispositif de décharge (P,Q) pour déchar- ger l'électricité statique desdites bornes de connexion lu afin d'éviter tout dommage audit circuit intégré. 2 Carte selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit dispositif de décharge comporte un dispositif de décharge (P) prévu, sur une surface expo- sée dudit support de carte et séparé: desdites bornes de connexion par au moins un premier intervalle de décharge Ga. 3 Carte selon la revendication 2, caractérisée en ce que lesdites bornes de connexion (T 1-T 7) compren- nent plusieurs bornes de connexion prévues sur ladite surface exposée dudit support de carte et ledit dispo- sitif de décharge comprenant une électrode de masse commune (P) formée sur ladite surface exposée dudit support de carte, entourant lesdites plusieurs bornes de connexion en en étant séparées par ledit au moins un intervalle de décharge (Ga). 4 Carte selon la revendication 2, caractérisée en ce qu'elle comporte en outre des bornes de conducteurs (T'1-T'7) prévues sur une seconde surface non exposée dudit support de carte et connectées entre lesdites bornes de connexion et ledit circuit intégré, ledit dispositif de décharge comprenant une seconde électrode de décharge (Q) prévue sur ladite seconde surface non exposée dudit support de carte et séparée des dites bornes de conducteur par au moins un second intervalle de décharge (Gb) pourdécharger l'électricité statique desdites bornes de conducteurs et décharger ainsi l'électricité statique desditps bornes de connexion. Carte selon la revendication 4, caractérisée en ce-que lesdites bornes de conducteurs (T'1-T'7) comprennent plusieurs bornes prévues sur ladite surface non exposée dudit support de carte et ledit second dispositif de décharge comprenant une seconde électrode de masse conmune (Q) prévue sur ladite seconde surface non exposée dudit support de carte, entourant lesdites plusieurs bornes de conducteurs en en étant séparées par au moins un second intervalle de décharge (Gb) 6 Carte selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit au moins un second intervalle de décharge (Gb) produit plus facilement une décharge de ladite électricité statique que ledit au moins un premier intervalle de décharge (Ga). 7 Carte selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comporte en outre des bornes de conduc- teurs (T'l -T 7)connectés-entre lesdites bornes de connexion (T 1-T 7) et ledit second circuit intégré ( 4), ledit dispositif de décharge comprenant une première électrode de décharge à la masse commune (P) pour décharger l'électricité statique desdites bornes de connexion et une seconde électrode de décharge à la masse commune (Q) pour décharger l'électricité statique - desdites bornes de connexion par lesdites bornes de conducteurs. 8 o Carte selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite seconde électrode de décharge (Q) produit plus facilement une décharge de ladite électri- cité statique que ladite première électrode de décharge (P). 9 Carte selon la revendication 7, caractérisée en ce que ladite première électrode de décharge (P) est séparée desdites bornes de connexion par un premier intervalle de décharge t Ga) et ladite seconde électrode de décharge (Q) est séparée desdites bornes de conducteurs par au moins un second intervalle de décharge (Gb). Carte selon la revendication-9, caractérisée en ce que ledit premier intervalle de décharge (Ga) est supérieur audit au moins un second intervalle de dé- charge (Gb). 11 Carte selon la revendication 9, caractérisée en ce que ledit au moins un second intervalle de décharge (Gb) est égal audit au moins un premier inter- valle de décharge (Ga), ledit au moins un second inter- valle de décharge étant défini par des parties pointues de ladite seconde électrode de décharge en face de parties pointues desdites bornes de conducteurs de manière à produire plus facilement une décharge de la- dite électricité statique que ledit au moins un premier intervalle de décharge. 12 Carte selon la revendication 7, caractérisée en ce que lesdites bornes de conducteurs comprennent une borne-d'alimentation (T'1) et au moins une borne de signaux (T'2-T'6), et comprenant en outre des résistances (R 1-R 6) connectées entre ladite borne d'alimentation et ladite au moins une borne de signaux et ledit circuit intégré. 13 Carte selon la revendication 12, caractérisée en ce que lesdites résistances (R 2-R 6) ont chacune une valeur de résistance dans la plage entre 5 kilohms et 10 kilohms. 14 Carte selon la revendication 7, caractérisée en ce que lesdites bornes de conducteurs comprennent une borne d'alimentation (T'1), au moins une borne de signaux (T'2, T'6) et une borne de masse commune (T'7), la carte comportant en outre des diodes Zener (D 1-56) connectées entre ladite borne d'alimentation et ladite au moins une borne de signaux et ladite borne de masse commune, et un condensateur (C 1) connecté entre ladite borne d'alimen- tation et ladite borne de masse commune. 15 Carte selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit circuit intégré ( 4) comporte un dispositif central de traitement ( 41), une mémoire à accès direct ( 42) et une mémoire permanente ( 43).