Brevet FR2520886A1 — publié le 19830805

L'invention concerne un élément photoconducteur sensible aux ondes électromagnétiques telles que la lumière (ce terme étant utilisé ici au sens large et englobant les rayons ultraviolets, la lumière visible, les rayons infrarouges, les rayons X, les rayons gamma et autres). Des matières photoconductrices constituant des couches photoconductrices destinées à des dispositifs de prise de vues à semiconducteurs, des éléments de formation d'image électrophotographique dans le domaine de la formation de l'image, ou à des dispositifs de lecture de manuscrits, doivent avoir une sensibilité élevée, un rapport signal/bruit élevé (courant photo-électrique (Ip)/courant d'obscurité (Id)), des caractéristiques d'absorption spectrale correspondant aux caractéristiques spectrales des ondes électromagnétiques irradiantes, une bonne réponse à la lumière, une valeur de résistance d'obscurité souhaitée ainsi qu'une iMXcuité pour le corps humain pendant l'utilisation. En outre1 dans un dispositif de prise de vues à semiconducteurs, il est également nécessaire de pouvoir traiter aisément l'image résiduelle dans un temps prédéterminé.En particulier, dans le cas d'un élément de formation d'image pour électrophotographie, devant entre assemblé dans un dispositif électrophotographique à utiliser dans un appareil de bureau, la caractéristique précitée d'innocuite est très importante. Du point de vue mentionné ci-dessus, le silicium amorphe (désigné ci-aprds "a-Si") a récemment attiré l'attention comme matière photoconductrice. Par exemple, les demandes de brevets de la République Fédérale d'Allemagne NO 2 746 967 et NO 2 855 718 décrivent des applications du a-Si dans un élément de formation d'image pour électrophotographie, et la demande de brevet de la République Fédérale d'Allemagne NO 2 933 411 décrit une application du a-Si dans un dispositif de lecture à conversion photoélectrique. Cependant, dans la situation actuelle, bien que les éléments photoconducteurs ayant des couches photoconductrices constituées de a-Si de l'art antérieur aient fait l'objet d'efforts visant à améliorer des caractéristiques distinctes comprenant diverses caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices telles que la valeur de résistance d'obscurité, la photosensibilité et la réponse à la lumière, les caractéristiques vis-d-vis de l'environnement pendant l'utilisation et, en outre, la stabilité avec le temps et la longévité, il est encore possible d'améliorer les caractéristiques globales. Par exemple, lorsque le photoconducteur a-Si est applique à un élément de formation d'image destiné à un dispositif électrophotographique, on observe fréquemment que le potentiel résiduel subsiste sur cet élément pendant l'utilisation si la photosensibilité et la résistance d'obscurité augmentent. Lorsqu'un tel élément photoconducteur est utilisé de façon répétée pendant une longue durée, il apparaît divers inconvénients tels qu'une accumulation des fatigues dues aux utilisations répétées ou un phénomène dit "fantômes dans lequel des images résiduelles se forment. En outre, des matières a-Si peuvent contenir, comme atomes constitutifs, des atomes d'hydrogène ou des atomes d'halogènes tels que des atomes de fluor, des atomes de chlore, etc., destinés à améliorer leurs caractéristiques électriques et photoconductrices, et des atomes de bore, des atomes de phosphore, etc., destinés à déterminer le type d'électroconductivité, ainsi que d'autres atomes destinés à améliorer d'autres caractéristiques. Suivant la facon dont ces atomes constitutifs sont disposés, il peut parfois en résulter des problèmes en ce qui concerne les caractéristiques électriques ou photoconductrices, ou la rigidité diélectrique de la couche formée. Par exemple, on rencontre des problèmes tels que ceux indiqués ci-dessous. La durée de vie des photoporteurs produits par irradiation dans la couche photoconductrice formée n'est pas assez longue à l'intérieur de la couche. L'injection d'une charge électrique provenant du c8té du support ne peut entre suffisamment empêchée. Des images transférées vers un papier récepteur ont souvent pour incon vénient d'être défectueuses, présentant des "zones blanches", provoquées par une rupture par décharge locale. Lorsqu'une lame est utilisée pour le nettoyage, d'autres images défectueuses, dites "lignes blanches", sont produites et semblent dues au frottement de la lame. En outre, lorsque la couche photoconductrice est utilisée dans une atmosphère fortement humide, ou bien lorsqu'elle est utilisée directement après avoir séjourné dans une atmosphère fortement humide pendant une longue durée, il se produit souvent le défaut appelé "images floues". En outre, lorsque l'épaisseur de la couche atteint 10 micromètres ou plus et lorsque la couche est retirée d'une chambre de dépit sous vide et exposée à l'air, elle risque de se détacher par pelage du support ou de se fendiller avec le temps. Ce phénomène indésirable apparat notamment lorsque le support est analogue à un tambour tel que celui utilisé dans la technique électrophotographique. De cette manière, il subsiste un problème posé par la stabilité avec le temps. Il est donc nécessaire de concevoir une matière photoconductrice tendant à éliminer tous les problèmes décrits ci-dessus, ainsi que d'améliorer les matières du type a-Si, proprement dites. Compte tenu de ce qui précède, l'invention résulte d'importantes études portant à la fois sur l'applicabilité et l'utilité du a-Si comme élément photoconducteur pour des éléments de formation d'image pour électrophotographie, des dispositifs de prise de vues à semiconducteurs, des dispositifs de lecture, etc.Il est apparu à présent qu'un élément photoconducteur, ayant une couche photoconductrice constituée de a-Si, en particulier une matière amorphe constituée d'au moins l'un des atomes d'hydrogène (H) et d'un halogène (X) dans me matrice de silicium (désignée ci-après au sens large par a-Si (H, X)), (par exemple du silicium amorphe hydrogéné, du silicium amorphe halogéné ou du silicium amorphe hydrogéné contenant un halogène), non seulement présente des caractéristiques extrêmement bonnes du point de vue pratique, mais surpasse également les éléments photoconducteurs classiques pratisuerlent en tous points, pourvu que l'élément photoc^nducteur s t réalisé de façon à avoir une structure stratifiée parti- culière telle que décrite ci-après.L'élément photoconcuc- teur possède des caractéristiques particulière:tient ex-el- lentes pour l'électrophotographie. La présente invention est basée sur la constatation mentionnée ci-dessus. L'invention a pour objet un élément photoconducteur ayant des caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices à peu près constamment stables, pratiquement insensible aux effets du milieu dans lequel il est utilisé, et particulièrement excellent en ce qui concerne la résistance à la fatigue à la lumière, la longévité et la résistance à l'humidité, sans présenter de phénomène de détérioration après des utilisations répétées, cet élément photoconducteur étant également tout à fait ou sensiblement exempt de potentiels résiduels. L'invention a pour autre objet un élément photoconducteur présentant une adhérence élevée entre le support et une couche étalée sur ce dernier, ou bien entre les couches, ayant un agencement structurel dense et stable, et ayant également une qualité de stratification élevée. L'invention a pour autre objet un élément photoconducteur dont la possibilité de porter des charges au moment d'un traitement de charge est suffisante pour former des charges électrostatiques telles qu'un procédé électrophotographique classique peut être mis en oeuvre de façon très efficace lorsque l'élément photoconducteur est utilisé comne élément de formation d'image en électrophotographie. L'invention a pour autre objet un élément photoconducteur pour électrophotographie, capable de produire aisément une image de haute qualité, qui ne présente pas de défautset qui n'est pas floue, dont la densité est élevée, qui est claire en demi-teinte et qui présente une résolution élevée, même lorsqu'elle est utilisée pendant une longue durée. L'invention a pour autre objet un élément photoconducteur ayant une photosensibilité élevée, un rapport signal/bruit élevé et une rigidité diélectrique élevée. L'invention concerne donc un élément photoconducteur comprenant un support destiné à cet élément, et une couche amorphe photoconductrice comprenant une matière amorphe qui comporte des atomes de silicium formant une matrice et au moins un élément choisi dans le groupe constitué des atomes d'hydrogène et des atomes d'halogènes, en tant qu'atome constitutif, l'élément photoconducteur étant caractérisé en ce que la couche amorphe possède une première région contenant des atomes d'oxygène et une seconde région contenant un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V du Tableau Périodique et présente inté- rieurement au c6té du support, la première et la seconde régions ayant en commun au moins une partie de ladite région mutuelle, la relation suivante étant respectée tB/(T + tB) L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels les figures 1 à 6 sont des coupes transversales montrant schématiquement la structure stratifiée de formes prEfXrEes de réalisation de l'élément photoconducteur selon l'invention ; et les figures 7 et 8 représentent schématiquement des formes de réalisation d'appareils pouvant être mis en oeuvre pour la production de l'élément photoconducteur selon l'invention. L'élément photoconducteur 100 selon l'invention, représenté sur la figure 1, comporte un support 101 destiné à cet élément photoconducteur et une couche amorphe 102 constituée de a-Si (H, X), photoconductrice et recouvrant le support. La couche amorphe 102 est constituée d'une première région en forme de couche (0) 103, d'une seconde région en forme de couche (III, V) 104 contenant un atome du Groupe III du Tableau Périodique (atome du Groupe III) ou un atome du Groupe V du Tableau Périodique (atome du Groupe V), et une région 106 de surface ne contenant pas d'atome d'oxygène et recouvrant la seconde région (III, V) 104. Une région 105 en forme de couche, disposée entre la première région (o) 103 et la région 106 de surface, contient un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V, mais pas d'oxygène. Dans la forme de réalisation de la figure 1, lorsque la seconde région (III, V) 104 contient un atome du Groupe III, la région 106 de surface ne contient pas d'atome du Groupe III ni d'atome du Groupe V, mais lorsque la seconde région (III, V) 104 contient un atome du Groupe V, lA couche de surface 106 contient de préférence un atome du Groupe III en tant que matière commandant la conductivité, en quantité telle que l'atome du Groupe III confère les caractéristiques électriques et photoconductrices nécessaires à la région 106. Des atomes d'oxygène présents dans la première région (o) 103, ou des atomes du Groupe III, ou bien des atomes du Groupe V présents dans la seconde région (III, V) 104, sont contenus dans chaque région en forme de couche, de préférence de manière que les atomes soient répartis de façon continue et uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche et qu'ils soient répartis de façon continue et sensiblement uniforme dans un plan à peu près parallèle à la surface du support 101. Dans la couche photoconductrice montrée sur la figure 1, la partie superficielle de la couche amorphe 102 possède une région en forme de couche ne contenant pas d'atome d'oxygène (correspondant à la région superficielle 106 de la figure 1). Cependant, une région en forme de couche contenant un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V, mais ne contenant pas d'atomes d'oxygène (cor respondant à la région 105 en forme de couche de la figure 1) n'est pas toujours nécessaire. Par exemple, sur la figure 1, la première région 103 (O) en forme de couche peut être commune à la seconde région (III, V) 104 en forme de couche et, en outre, la seconde région (III, V) 104 est totalement incluse dans la première région (O) 103. Conformément à la présente invention, la présence d'atomes d'oxygène contenus dans la première région (O) en forme de couche a pour résultat de conférer une résistance élevée à cette première région En particulier, on obtient un meilleur résultat lorsque l'élément photoconducteur possède la structure de l'élément photoconducteur 100 tel que montré sur la figure 1, et l'élément dans lequel la couche amorphe 102 possède une première région (O) 103 en forme de couche contenant de l'oxygène, une seconde région (III, V) 104 en forme de couche contenant un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V, une région 105 en forme de couche ne contenant pas d'atomes d'oxygène et une région superficielle 106 en forme de couche, la première région (O) 103 et la seconde région (III, V) 104 possédant en commun une région en forme de couche. Conformément à la présente invention, la première région (o) en forme de couche de l'élément photoconducteur contient de l'oxygène et constitue une partie de la couche amorphe afin d'améliorer l'adhérence entre la couche amorphe et le support, et la seconde région (III, V) en forme de couche contient également un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V et constitue une partie de la couche amorphe afin d'empêcher l'injection de charges électriques du support dans la couche amorphe lorsque la surface libre de la couche amorphe est soumise à une charge électrique. La première région (O) et la seconde région (III, V) constituent une partie de la couche amorphe, occupent une région en forme de couche dans laquelle le support et la couche amorphe sont reliés, et ont en commun au moins une partie de cette région mutuelle. Lorsqu'il faut améliorer efficacement l'adhérence entre la seconde région (III, V) et le support ou entre la seconde région (III, V) et une couche recouvrant cette seconde région (III, V), il est préférable que la première région (O) soit telle qu'elle comprend la seconde région (III, V) à partir de l'interface avec le support, c'est-adire que la première région (O) soit incorporée dans la couche amorphe afin de s'étendre de l'interface avec le support jusqu'd une partie située au-dessus de la seconde région en forge de couche. Les atomes du Groupe III présents dans la seconde région (III, V) en forme de couche sont le bore (B), l'aluminium (Al), le gallium (Ga), l'indium (In), le thallium (Tl > et autres, B et Ga étant préférés. Les atomes du Groupe V incorporés dans la seconde région en forme de couche (III, V) sont le phosphore (P), l'arsenic (As), l'antimoine (Sb), le bismuth (Bi) et autres, P et As étant préférés. La quantité d'atomes du Groupe III ou d'atomes du Groupe V contenus dans la seconde couche (III, V) peut être choisie à volonté pour atteindre efficacement le but de la présente invention, et elle est avantageusement de 30-5 x 104 ppm atomiques, de préférence 50-1 x 104 ppm atomiques et de façon encore plus préférable de 100-5 x ppm atomiques. La quantité d'oxygène contenue dans la première région (O) en forme de couche peut être choisie de façon appropriée suivant les caractéristiques demandées à lé- ment photoconducteur à produire, et son pourcentage atomique est avantageusement compris entre 0,001 et 50, de préférence entre 0,002 et 40, et de façon plus préférable entre 0,003 et 30. Conformément à la présente invention, l'épaisseur de la seconde région (III, V), désignée tB (l'épaisseur de la région 104 en forme de couche de la figure 1) et l'épaisseur d'une région (B) en forme de couche, désignée T (l'épaisseur de la région 106 de la figure 1), la région (B) en forme de couche étant disposée sur la région (III, V) et correspondant à une partie de la couche amorphe, à l'exclusion de la région (III, V), doivent satisfaire la relation mentionnée précédemment. La valeur de la formule est de préférence égale à 0,35 ou moins, et de façon encore plus préférable de 0,3 ou moins. La valeur de tB est.avantageusement comprise entre 3,0 nm et 5 ssm, de préférence entre 4,0 nm et 4 ssm, et de façon plus préférable entre 5,0 nm et 3 ssm. La somme des épaisseurs T et tB des couches, à savoir (T + tB) est avantageusement comprise entre 1 et 100 jim, de préférence entre 1 et 80 am, et de façon plus préférable entre 2 et 50 iim. L'épaisseur de la région (0) en forme de couche contenant des atomes d'oxygène (to) est de préférence déterminée en tenant compte de l'épaisseur (tB) de la région (III, V) qui possède en commun avec la région (0) au moins une partie de ladite région mutuelle. Pour améliorer l'adhérence avec le support en contact direct avec la région (III, V), il suffit que la région (O) en forme de couche soit présente dans la zone de contact avec le support dans la région (III, V) et il suffit donc que l'épaisseur de la région (0), c'est-à-dire t0, soit égale au maximum à tB, c'est-à-dire l'épaisseur de la région (III, V). Pour améliorer l'adhérence entre la région (III, V) et la région placée directement sur cette région (III, V) (correspondant à la région 106 en forme de couche de la figure 1), il suffit que la région (0) soit présente dans la zone extrême de la région (III, V) opposée à la zone extrême de celle-ci reliée au support. Il suffit donc que l'épaisseur de la région (O), c'est-à-dire to, soit au plus égale à tg, c'est-à-dire l'épaisseur de la région (III, V) en forme de couche. Pour satisfaire simultanément les deux points indiqués ci-dessus, t doit être au moins égal à la valeur de tB et, dans ce cas, la région (III, V) est incorporée dans la région (0). Pour améliorer plus efficacement l'adhérence entre la région (III, V) et la région-en forme de couche placée directement sur cette région (III, V), il est préférable d'étendre la région (O) Jusqu'd la partie située au-dessus de la région (III, V) (dans la direction opposée à celle dirigée vers le côté du support). L'épaisseur t peut être déterminée à volonté et comme souhaité, et elle est avantageusement comprise entre 1,0 nm et 10 iim, de préférence entre 2,0 nm et 8 ssm, et de façon préférable entre 3,0 nm et 5 ssm. Lorsque la région (III, V) en forme de couche contient un atome du Groupe V, il est préférable que la région (B) en forme de couche, placée sur la région (III, V) et ne contenant pas un atome du Groupe V (correspondant à la région 106 en forme de couche de la figure 1), contienne de préférence un atome du Groupe III en tant que matière capable de déterminer le type d'électroconductivité afin d'établir à volonté et comme souhaité le type d'électroconductivité de la région (B) en forme de couche. La quantité de matière déterminant le type d'électroconductivité et contenue dans la région (B) en forme de couche peut être choisie de façon appropriée suivant l'électroconductivité demandée à la région (B), les caractéristiques d'autres régions en forme de couche en contact direct avec cette région (B), les caractéristiques d'interface entre l'autre région en forme de couche et la région (B), etc. La quantité de matière déterminant le type d'électroconductivité et contenue dans la région (B) en forme de couche est avantageusement comprise entre 0,001 et 1000 ppm atomiques, de préférence entre 0,05 et 500 ppm atomiques, et de façon plus préférable entre 0,1 et 200 ppm atomiques. L'une des formes préférées de réalisation de la présente invention est celle dans laquelle la région (O) est située sur la face de la couche amorphe tournée vers le support. Cependant, l'invention n'est pas limitée à une telle forme de réalisation, c'est-à-dire que la région (O) en forme de couche peut occuper la totalité de la couche amorphe. Dans ce cas, la couche amorphe doit être préparée afin de présenter une certaine photoconductivité et, par conséquent, la limite supérieure des atomes d'oxygène contenus dans la région (O) est égale, en pourcentage atomique, avantageusement à 30, de préférence à 10 et de façon plus préférable à 5. La limite inférieure est telle qu'in diquée précédemment. Le support utilisé pour l'élément photoconducteur de l'invention peut être électroconducteur ou isolant. Comme support électroconducteur, on peut mentionner des métaux tels que NiCr, acier inoxydable, Al, Cr, Mo, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, etc. ou des alliages de ces métaux. Comme supports isolants, on peut utiliser classiquement des pellicules ou des feuilles de résines synthétiques telles que polyester, polyéthylène, polycarbonate, acétate de cellulose, polypropylène, polychlorure de vinyle, polychlorure de vinylidène, polystyrène, polyamide, etc., des verres, des céramiques, des papiers et autres. Au moins une surface de ces supports isolants peut convenablement être soumise à un traitement la rendant électroconductrice et il est souhaitable de prévoir d'autres couches sur la face ayant été soumise à ce traitement. Par exemple, le traitement rendant électroconducteur un verre peut consister à appliquer une mince pellicule de NiCR, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In203, SnO2, ITO(In2O3+SnO2), etc. sur ce verre. En variante, une pellicule de résine synthétique telle qu'une pellicule de polyester peut avoir sa surface soumise à un traitement la rendant électroconductrice et consistant en un dépôt en phase vapeur sous vide, en un dépôt par faisceau électronique ou en une pulvérisation d'un métal tel que NiCr, Al, Ag, Pd, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, etc., ou encore en un traitement de stratification avec ce métal, rendant ainsi la surface électroconductrice. Le support peut avoir toute forme quelconque telle qu'un cylindre, une courroie, une plaque ou autre, et sa forme peut être déterminée comme souhaité. Par exemple, lorsque l'élément photoconducteur 100 de la figure 1 est destiné à être utilisé comme élément de formation d'image pour électrophotographie, il peut avantageusement être réalisé sous la forme d'une courroie sans fin ou d'un cylindre destiné à produire des copies en continu à grande vitesse. Le support peut avoir une épaisseur qui est déterminée convenablement afin qu'un élément photoconducteur tel que souhaité puisse être formé. Lorsqu'il est demandé une certaine flexibilité à l'élément photoconducteur, on réalise le support afin qu'il soit aussi mince que possible dans la mesure où la fonction d'un support peut être suffisamment assurée. Cependant, dans ce cas, l'épaisseur est généralement d'environ 10 ssm ou plus, cette valeur étant imposée par les critères de fabrication et de manipulation du support ainsi que par sa résistance mécanique. Selon l'invention, la formation d'une couche amorphe constituée fondamentalement de a-Si (H, X) comme constituant principal peut être conduite conformément au procédé de dépôt sous vide utilisant un phénomène de décharge, par exemple un procédé à décharge d'effluves, un procédé de pulvérisation ou un procédé d'implantation ionique.Par exemple, pour la formation de la couche amorphe constituée de a-Si (H, X) conformément au procédé à décharge d'effluves, l'opération fondamentale consiste à introduire un gaz de départ pour l'apport d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogènes (X), ainsi qu'un gaz de départ destiné à fournir des atomes de silicium (Si), à l'intérieur de la chambre de déposition qui peut être amenée à une pression interne réduite, la décharge d'effluves étant produite pour former une couche de a-Si (H, X) sur la surface d'un support placé dans une position prédéterminée à l'intérieur de la chambre Lorsque la couche amorphe doit être formée par le procédé de pulvérisation, un gaz de départ, destiné à l'apport d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogènes (X), peut être introduit dans la chambre de pulvérisation au moment où la pulvérisation est réalisée sur une cible formée de silicium (Si) dans une atmosphère constituée d'un gaz inerte tel que Ar, He ou un mélange basé sur ces gaz. Comme atomes d'halogènes (X) contenus, comme souhaité, dans la couche amorphe, on peut mentionner le fluor, le chlore, le brome et l'iode, le fluor et le chlore étant préférés. Le gaz de départ destiné à fournir le Si à utiliser dans la présente invention peut comprendre des hydrures de silicium gazeux ou gazéifiables (silanes) tels que SiH4, Si2H6, Si3H8, Si4H10 et autres, ces gaz constituant des matières efficaces. En particulier, SiH4 et Si2H6 sont préférée pour leur facilité de manipulation pendant la formation des couches et pour l'efficacité avec laquelle ils fournissent le Si. Comme gaz efficace de départ pour l'introduction d'atomes d'halogènes, pouvant être utilisé dans la présente invention, on peut mentionner un certain nombre de composés halogénés tels que des gaz halogénés, des halogénures, des composés interhalogénés et des dérivés de silane substitués par des halogènes qui sont gazeux ou gazéifiables. En variante, il est également efficace, dans la présente invention, d'utiliser un composé de silicium gazeux ou gazéifiable contenant des atomes d'halogènes et constitué à la fois d'un atome de silicium et d'un atome d'halogène. Des exemples typiques de composés halogénés qu'il est préférable d'utiliser dans la présente invention peuvent comprendre des halogènes gazeux tels que le fluor, le chlore, le brome ou l'iode et des composés interhalogénés tels que BrF, C1F, C1F3, BrF5, BrF3, IF3, IF7, ICl, IBr, et autres. Comme composé de silicium contenant un atome d'halogène, c'est-à-dire un dérivé de silane substitué par un atome d'halogène, des halogénures de silicium tels que SiF4, Si2F6, SiCl4, SiBr4 ou autres sont préférés. Lorsque l'élément photoconducteur particulier de l'invention est réalisé conformément au procédé à décharge d'effluves par l'utilisation d'un tel composé de silicium contenant un atome d'halogène, il est possible de former une couche photoconductrice constituée de a-Si contenant des atomes d'halogènes comme constituant sur un support donné, sans utilisation d'un hydrure de silicium gazeux en tant que gaz de départ capable de fournir du Si. Lors de la formation de la couche amorphe contenant un atome d'halogène, conformément au procédé à décharge d'effluves, l'opération fondamentale consiste à charger un gaz de départ fournissant du Si, à savoir un gaz d'un halogénure de silicium et un gaz tel que Ar, H2, He, etc., dans des proportions prédéterminées et à un certain débit d'écoulement gazeux vers l'intérieur de la chambre de déposition afin de former la couche amorphe, cette opération étant suivie de l'excitation d'une décharge d'effluves pour former une atmosphère constituée d'un plasma de ces gaz, de façon que la couche amorphe soit formée sur un support. Il est également possible de former une couche par mélange d'un gaz d'un composé de silicium contenant des atomes d'hydrogène dans une proportion convenable avec ces gaz afin d'y introduire des atomes d'hydrogène. Chacun des gaz destinés à introduire des atomes respectifs peut être un corps simple ou un mélange de plu sieurs corps dans des proportions prédéterminées. Pour la formation d'une couche amorphe de a-Si (H, X) par le procédé de pulvérisation-réaction ou le procédé d'implantation ionique, par exemple, une cible de Si ou une cible composée principalement de Si est utilisée et la pulvérisation est effectuée dans une atmosphère constituée d'un plasma gazeux convenable dans le cas du procédé par pulvérisation.En variante, dans le cas du procédé par implantation ionique, un silicium polycristallin ou monocristallin ou une matière contenant l'un de ces siliciums comme constituant principal est placé en source de vaporisation dans une nacelle de vaporisation, et la source de vaporisation de silicium est vaporisée par chauffage par un procédé de chauffage par résistance ou par un procédé à faisceau électronique (procédé EB) afin de permettre aux substances volantes vaporisées de traverser une atmosphère constituée d'un plasma gazeux convenable. Au cours de cette opération, aussi bien dans le procédé par pulvérisation que dans le procédé par implantation ionique, pour l'introduction d'atomes d'halogènes dans la couche formée, on peut introduire dans la chambre de déposition un gaz d'un composé halogéné tel que mentionné précédemment ou un composé de silicium contenant un halogène, tel que mentionné précédemment, afin de former avec ce gaz une atmosphère de plasma. Lorsque des atomes d'hydrogène doivent être introduits, un gaz de départ, destiné à l'apport d'atomes d'hydrogène, tel que H2, et un gaz, tel que les silanes mentionnés précédemment, peuvent être introduits dans la chambre de déposition par pulvérisation, cette opération étant suivie de la formation d'une atmosphère constituée d'un plasma desdits gaz. Dans la présente invention, comme gaz de départ pour l'apport d'atomes d'halogènes, les composés dthalo- gène s ou les composés de silicium contenant des halogènes tels que mentionnés précédemment peuvent être utilisés efficacement. De plus, il est également possible d'utiliser un halogénure gazeux ou gazéifiable, contenant des atomes d'hydrogène en tant que l'un des constituants, tel qu'un halogénure d'hydrogène, comprenant HF, HCl, HBr, HI et autres, ou un hydrure de silicium substitué par un halogène, comprenant SiH2F2, SiH2I2, SiH2Cl2, SiHC13, SiH2Br2, SiHBr3 et autres, en tant que matière de départ efficace pour la formation de la couche amorphe. Ces halogénures contenant des atomes d'hydrogène peuvent introduire des atomes d'hydrogène, ce qui est très efficace pour établir les caractéristiques électriques ou photo-électriques à l'intérieur de la couche pendant la formation de la couche amorphe, les atomes d'hydrogène étant introduits en même temps que des atomes d'halogènes. Par conséquent, ces halogénures contenant des atomes d'hydrogène peuvent de préférence être utilisés comme matière de départ pour l'introduction d'atomes d'halogènes. Pour l'introduction d'atomes d'hydrogène dans la structure de la couche amorphe, en variante, on peut permettre la présence simultanée avec un composé de silicium fournissant du Si, dans une chambre de déposition, dans laquelle une décharge est déclenchée, de H2 ou d'un gaz d'hydrure de silicium comprenant SiH4, Si2H6, Si3H8, si4Hl0' etc. Par exemple, dans le cas du procédé par pulvérisation-réaction, une cible de Si est utilisée et un gaz destiné à l'apport d'atomes d'halogènes et du H2 gazeux sont introduits ensemble avec, si cela est nécessaire, un gaz inerte tel que He, Ar, etc., dans une chambre de déposition dans laquelle une atmosphère constituée d'un plasma est formée pour produire une pulvérisation à l'aide de ladite cible de Si afin de former ainsi une couche amorphe de a-Si (H, X) sur un support souhaité. La quantité d'atomes d'hydrogène (H) ou d'atomes d'oxygène (X) contenus dans la couche amorphe d'un élément photoconducteur, ou la quantité totale de ces deux atomes (B+X) lorsque des atomes d'hydrogène et des atomes d'halogènes sont incorporés, peut être, en pourcentage atomique, avantageusement comprise entre 1 et 40, et de préférence entre 5 et 30. Pour établir les quantités d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogènes (X) dans la couche amorphe, on peut régler la température du support et/ou les quantités de matières de départ pour l'apport d'atomes d'hydrogène (H) ou d'atomes d'halogènes (X) devant être introduits dans l'appareil de déposition. Pour former une région (III, V) en forme de couche contenant un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V et une région (O) en forme de couche contenant des atomes d'oxygène dans une couche amorphe, lors de la formation de la couche amorphe par un procédé à décharge d'effluves ou par un procédé de pulvérisation-réaction, une matière de départ destinée à l'apport d'un atome du Groupe III, une matière de départ destinée à l'apport d'un atome du Groupe V et une matière de départ destinée à l'apport d'un atome d'oxygène sont utilisées ensemble, avec les matières de départ précitées,pour former la couche amorphe, lors de la formation des régions correspondantes, afin d'introduire chacun de ces atomes en quantités déterminées. Lorsqu'un procédé à décharge d'effluves est utilisé pour la production de la région (0) en forme de couche et de la région (III, V) en forme de couche, respectivement, les matières de départ utilisées comme gaz de départ pour la production de chaque région peuvent être composées d'un élément choisi parmi les matières de départ mentionnées précédemment pour la production de la couche amorphe, comme souhaité, et d'une matière de départ destinée à l'introduction d'un atome d'oxygène et/ou d'un atome du Groupe III ou d'un atome du Groupe V. Comme matière de départ par l'introduction d'un atome d'oxygène,d'un atome du Groupe III ou d'un atome du Groupe V, on peut utiliser la plupart des substances gazeuses, gazéifiées ou gazéifiables contenant un atome d'oxygène ou un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V. Par exemple, pour la formation de la région (0) en forme de couche, il est possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ possédant des atomes de silicium (Si) comme atomes constitutifs, d'un gaz de départ possédant des atomes d'oxygène (0) comme atomes constitutifs et, si cela est nécessaire, d'un gaz possédant des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogènes (X) comme atomes constitutifs, dans une proportion de mélange souhaité. En variante, un mélange d'un gaz de départ possédant des atomes de silicium (Si) comme atomes constitutifs et d'un gaz de départ possédant des atomes d'oxygène (o) et des atomes d'hydrogène (H) comme atomes constitutifs, dans une proportion de mélange souhaitée, peut également être utilisé. En outre, il est aussi possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ possédant des atomes de silicium (Si) comme atomes constitutifs et d'un gaz de départ possédant à la fois des atomes de silicium (Si), des atomes d'oxygène (O) et des atomes d'hydrogène (H) comme atomes constitutifs. Dans un autre procédé, il est également possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ possédant des atomes de silicium (Si) et des atomes d'hydrogène (H) comme atomes constitutifs et d'un gaz de départ possédant des atomes d'oxygène (O) comme atomes constitutifs. A titre d'exemples typiques de matières de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène, on peut mentionner l'oxygène (02), l'ozone (03), le monoxyde d'azote (NO), le bioxyde d'azote (NO2), le protoxyde d'azote (N20), l'anhydride azoteux (N203), le peroxyde d'azote (N204), l'anhydride azotique (N205), le trioxyde d'azote (NO3), des siloxanes inférieurs contenant Si, O et H comme atomes constitutifs tels que le disilosane (H3SiOSiH3), le trisiloxane (H3SiOSiH2OSiH3), etc. Comme matière de départ pour l'introduction des atomes du Groupe III lors de la formation de la région (III, V) en forme de couche par la mise en oeuvre du procédé à décharge d'effluves, on peut utiliser efficacement, pour l'introduction d'atomes de bore, des hydrures de bore tels que B2H6, B4H10, B5Hg, B5H11, 6H101 B6H12, B6H141 etc. et des halogénures de bore tels que BF3, BCl3, BBr3, etc. De plus, on peut également utiliser AlCl31 CaCl3, Ga(CH3)3, InCl3, TlCl3, etc. Comme matière de départ pour l'introduction d'un atome du Groupe V, utilisée efficacement dans la présente invention, on peut mentionner des hydrures de phosphore tels que PH3, P2H4 et autres, et des halogénures de phosphore tels que PH4I, PF3, PF5, PC13, PC15, PBr3, PBr5, PI3, et autres pour l'introduction de phosphore. On peut égale ment mentionner AsH3, AsF3, AsC13, AsBr3, AsF5, SbH3, SbF3, SbF5, SbCl3, SbCl5, BiH3, BiCl3, BiBr3, et autres. La quantité d'atome du Groupe III ou d'atome du Groupe V à introduire dans la région (III, V) peut être établie librement par réglage du débit d'écoulement du gaz et du rapport des débits d'écoulement gazeux des matitres de départ pour l'introduction de l'atome du Groupe III ou de l'atome du Groupe V, la puissance de décharge, la température du support et la pression régnant dans la chambre de déposition. Pour former une région (O) en forme de couche contenant des atomes d'oxygène par le procédé de pulvérisation, une tranche de Si monocristallin ou polycristallin ou une tranche de SiO2, ou bien une tranche contenant du Si et du SiO2 en mélange, est utilisée comme cible et la ptlvérisation est effectuée dans une atmosphère constituée de divers gaz. Par exemple, lorsqu'une tranche de Si est utilisée comme cible, un gaz de départ destiné à l'apport d'atomes d'oxygène et, si cela est nécessaire, d'atomes d'hydrogène et/ou d'atomes d'halogènes, qui peut entre dilué avec un gaz de dilution, si cela est souhaité, est introduit dans une chambre de déposition par pulvérisation afin d'y former un plasma gazeux et de produire la pulvérisation de ladite tranche de Si. En variante, on peut utiliser du Si et du SiO2 comme cibles séparées ou comme cible constituée d'une seule feuille d'un mélange de Si et de SiO2, et la pulvérisation est effectuée dans une atmosphère constituée d'un gaz de dilution et utilisée comme gaz de pulvérisation, ou bien dans une atmosphère gazeuse contenant au moins des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogènes (X) comme éléments constitutifs. Comme matière de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène, on peut utiliser celle mentionnée dans le procédé à décharge d'effluves tel que décrit ci-dessus, ces gaz étant également efficaces dans le cas d'une pulvérisation. Dans la présente invention, comme gaz de dilution utilisé pour former la couche amorphe conformément au procédé par décharge d'effluves ou comme gaz à utiliser dans le procédé de pulvérisation, on peut citer des gaz dits rares tels que He, Ne, Ar et autres qui conviennent également. La figure 2 représente une deuxième forme de réalisation de l'élément photoconducteur selon l'invention. Sur la figure 2, un élément photoconducteur 200 est constitué d'un support 201 destiné à cet élément, d'une première couche amorphe (I) 202 présentant une certaine photoconductivité et recouvrant le support 201, et d'une seconde couche amorphe 207 recouvrant la première couche amorphe La première couche amorphe 202 représentée sur la figure 2 est identique à la couche amorphe 102 de la figure 1. Autrement dit, l'élément photoconducteur 200 de la figure 2 est identique à l'élément photoconducteur 100 de la figure i, sauf que la seconde couche amorphe 207 composée de a-SiC (H, X) recouvre la première couche amorphe 202. La seconde couche amorphe (II) 207 disposée sur la première couche amorphe (I) 202 possède une surface libre 208et est destinée à atteindre l'objectif de la présente invention, c'est-à-dire améliorer principalement la résistance à l'humidité, les caractéristiques d'utilisation répétée, la rigidité diélectrique, les caractéristiques d'utilisation dans le milieu ambiant et la longévité. Etant donné que la première couche amorphe (I) 202 et la seconde couche amorphe (Il) 207 contiennent une matière amorphe commune, à savoir des atomes de silicium, on peut assurer une stabilité chimique et électrique suffisantes à l'interface de la stratification. Comme a-SiC(H,X) constituant la seconde couche amorphe (II), on peut de préférence mentionner une matière amorphe composée d'un atome de silicium et d'un atome de carbone (a-siaCl~a, O La seconde couche amorphe (II) composée de a-SiC(H,X) peut être produite par la mise en oeuvre d'un procédé à décharge d'effluves, d'un procédé de pulvérisation, d'un procédé d'implantation ionique, d'un procédé de pulvérisation ionique, d'un procédé à faisceau électronique ou autres. Ces procédés sont choisis de façon appropriée suivant les conditions de production, l'investissement en capitaux, l'échelle de production, les caractéristiques souhaitées pour l'élément photoconducteur à produire, etc. Le procédé à décharge d'effluves et le procédé de pulvérisation sont de préférence utilisés, car les conditions de production pour obtenir les caractéristiques souhaitées des éléments photoconducteurs peuvent être aisément maîtrisées et il est aisé d'introduire l'atome de carbone, l'atome d'hydrogène et l'atome d'halogène en même temps que l'atome de silicium dans la seconde région (II) en forme de couche. En outre, la seconde couche amorphe (II) peut être produite par la mise en oeuvre à la fois d'un procédé à décharge d'effluves et d'un procédé de pulvérisation dans un seul appareil. Lorsque la seconde région (II) est produite par la mise en oeuvre d'un procédé à décharge d'effluves, un gaz de départ pour la production de a-SiC(H,X), si cela est souhaité, mélangé à un gaz de dilution dans une proportion prédéterminée, est introduit dans une chambre de déposition où un support est placé, et le gaz ainsi introduit est soumis à une décharge d'effluves pour former un plasma gazeux, et du a-SiC(ll,X) est déposé sur la première région (I) en forme de couche déjà formée sur le support. Comme gaz pour former du a-SiC(H,X), on peut utiliser la plupart des matières gazeuses ou gazéifiables pouvant fournir Si, C, H et X. Des associations des matières sont indiquées à titre d'exemples ci-dessous. Un gaz de départ contenant Si comme atome constitutif, un gaz de départ contenant C comme atome constitutif et un gaz de départ contenant H ou X comme atome constitutif sont mélangés dans des proportions souhaitées et utilisés. En variante, un gaz de départ contenant Si comme atome constitutif et un gaz de départ contenant C et H ou X comme atome constitutif sont mélangés dans une proportion souhaitée et utilisés. Dans une autre variante, un gaz de départ contenant Si comme atome constitutif et un gaz contenant Si, C et H, ou Si, C et X comme atomes constitutifs sont mélangés dans une proportion souhaitée et utilisés. Dans une autre variante, un gaz de départ contenant Si et H ou X comme atomes constitutifs et un gaz de départ contenant C comme atome constitutif sont mélangés dans une proportion souhaitée et utilisés. Des gaz de départ utilisés pour former efficacement la seconde couche amorphe (II) comprennent un hydrure de silicium gazeux contenant Si et H comme atomes constitutifs, par exemple des silanes tels que SiH4, Si2H6, Si3H8, Si4H10 et autres, et des composés contenant C et H comme atomes constitutifs, par exemple, des hydrocarbures saturés en Cl 5, des hydrocarbures éthyléniques en C2 5, des hydrocarbures acétyléniques en C24 et autres. En particulier, comme hydrocarbures saturés, on peut mentionner le méthane, l'éthane, le propane, le n-butane, le pentane, et autres. Comme hydrocarbures éthyléniques, on peut mentionner l'éthylène, le propylène, le butène-1, le butène-2, l'isobutylène, le pentène et autres. Comme hydrocarbures acétyléniques, on peut mentionner l'acétylène, le méthylacétylène, le butyne et autres. Comme gaz de départ contenant Si, C et H en tant qu'atomes constitutifs, on peut mentionner des alkylsilanes'tels que Si(CH3)4, Si(C2H5)4 et autres. Hormis les gaz de départ précités, on peut évidemment utiliser, comme gaz de départ pour l'apport de H, le H2. Comme atomes d'halogènes (X) introduits dans la seconde région (II) en forme de couche, on peut utiliser F, Cl, Br et I, F et Cl étant préférables. Lorsque l'atome d'hydrogène est introduit dans la seconde région (II), une partie des gaz de départ peut être utilisée de façon commune, lors de la production en continu de la première région (I) et de la seconde région (II) et, par conséquent, le cobt de production peut être abaissé. Des gaz de départ pour l'introduction d'un atome d'halogène (X), utilisés efficacement pour la production de la seconde région (II) en forme de couche, peuvent être des matières gazeuses à la température ambiante et à la pression atmosphérique, ou bien des matières aisément gazéifiables. De telles matières convenant comme gaz de départ pour l'introduction de l'atome d'halogène (X) comprennent des halogènes, des halogénures d'hydrogène, des composés interhalogénés, des halogénures de silicium, des hydrures de silicium substitués par un halogène et autres. Parmi les matières halogénées mentionnées ci-dessus, on peut particulièrement citer des halogènes gazeux tels que le fluor, le chlore, le brome et l'iode ;; des halogénures d'hydrogène tels que HF, HI, HCl et HBr des composés interhalogénés tels que BrF, C1F, CIF3, ClF5, BrF5, BrF3, IF7, IF5, ICI, IBr et autres des halogénures de silicium tels que SiF4, Si2F6, SiCl4, SiCl3Br, SiCl2Br2, SiClBr3, SiCl3I, SiBr4 et autres et des hydrures de silicium substitués par un halogène tels que SiH2F2, SiH2Cl2, SiHCl3, SiH3Cl, SiH3Br, SiH2Br2, SiHBr3 et autres. De plus, les matières halogénées comprennent des hydrocarbures paraffiniques substitués par un halogène tels que CCl4, CHF3, CH2F2, CH3F, CH3Cl, CH3Br, CH3I, C2H5Cl et autres ; des fluorures de soufre tels que SF4, SF6 et autres ; et des dérivés de silane, par exemple, un halogène contenant des alkylsilanes tel que SiCl(CH3)3, SiCl2(CH3)21 SiCl3CH3, et autres. Lorsque la seconde couche amorphe (II) est formée par un procédé de pulvérisation, une tranche de Si monocristallin ou polycristallin et une tranche de C, ou encore une tranche contenant à la fois Si et C, est utilisée comme cible, et la pulvérisation est effectuée dans diverses atmosphères gazeuses. Par exemple, lorsqu'une tranche de Si est utilisée comme cible, des gaz de départ pour 1'introduction d'au moins C peuvent être dilués avec un gaz de dilution, si souhaité, et introduits dans une chambre de déposition par pulvérisation afin de produire un plasma gazeux de ces gaz, la pulvérisation étant ensuite effectuée. En variante, Si et C sont utilisés sous forme de cibles séparées, ou bien dans une cible unique composée d'un mélange de Si et C, et ces cibles sont utilisées dans une atmosphère gazeuse contenant au moins des atomes d'hydrogène ou des atomes d'halogènes pour produire la pulvérisation. Comme gaz de départ pour l'introduction de C ou H ou X, les gaz de départ précités pour la décharge d'effluves peuvent également être utilisés de façon efficace lors d'une pulvérisation. Comme gaz de dilution utilisé lors de la formation de la seconde couche amorphe (II) par le procédé à décharge d'effluves ou par le procédé à pulvérisation, on peut mentionner de préférence des gaz rares tels que He, Ne, Ar et autres. La seconde couche amorphe (II) est formée avec soin afin de recevoir les caractéristiques souhaitées. Autrement dit, étant donné que les matières composées de Si et C, si cela est souhaité, H et/ou d'un halogène comme atomes constitutifs, ont une structure comprise entre le cristal et la structure amorphe et qu'elles présentent des propriétés électriques s'étendant de l'électroconductivité à la semiconductivité, et en outre jusqu'à l'isolation, ces propriétés s'étendant également de la photoconductivité à la non-photoconductivité, suivant les conditions de formation des matières, il est préférable de choisir de façon stricte les conditions afin que l'on obtienne les propriétés souhaitées pour le a-SiC(H,X) de façon à satisfaire l'objet de l'invention. Par exemple, dans le cas où la seconde couche amorphe (II) est destinée à améliorer principalement la rigidité diélectrique, le a-SiC(H,X) formé doit être remarquablement isolant du point de vue électrique dans le milieu d'utilisation. En outre, dans le cas où la seconde couche amorphe (II) est destinée à améliorer principalement les caractéristiques d'une utilisation répétée en continu et les caractéristiques d'utilisation dans le milieu ambiant, le degré d'isolation électrique, tel que mentionné cidessus, peut être relativement bas et il est suffisant pour conférer au a-SiC(H,X) formé un certain degré de sensibilité à la lumière qui lui est appliquée. Lors de la formation d'une seconde couche amorphe (II) composée du a-SiC(H,X) sur une première couche amorphe (I), la température du support pendant la formation de la couche est un facteur important affectant la constitution et les caractéristiques de la couche résultante. Il est donc préférable de régler de façon stricte la température du support afin de conférer les caractéristiques souhaitées au a-SiC(H,X). La température du support est de préférence choisie suivant le type de processus mis en oeuvre pour former la seconde couche amorphe (II). Lorsque la seconde couche amorphe (II) est formée de a-SiaC1-a, la température du support est avantageusement de 20 à 300 C, et de préférence de 20 à 250 C. Lorsque la seconde couche amorphe (II9 est formée de a(SibCîb)cHîc ou a-(SidC1-d)e(X,H)1-e, la température du support est avantageusement de 50 à 3500C, et de préférence de 100 à 2500C. Dans le cas de la formation de la seconde couche amorphe (II), le procédé à décharge d'effluves et le procédé de pulvérisation sont de préférence utilisés, car ils permettent de régler avec plus de précision que les autres procédés, la proportion de la composition atomique, c'est-à-dire des atomes constituant la couche, et l'épaisseur de la couche. La puissance de décharge, la pression du gaz lors de la formation de la couche et la température du support sont des facteurs importants affectant les caractéristiques du a-SiC(H,X) formé. Pour produire efficacement le a-Si a C 1-a ayant les caractéristiques souhaitables, avec une bonne productivité, la puissance de décharge est avantageusement de 50 à 250 W, et de préférence de 80 à 150 W. Dans le cas de a-(SibC1-b)cH1-c et a-(SidC1-d)e(H,X)1-e, elle est avantageusement de 10 à 300 W, et de préférence de 20 à 200 W. La pression du gaz dans la chambre de déposition est avantageusement comprise entre 1,33 et 666,5 Pa, de préférence entre 1,33 et 133 Pa, et de façon plus préférable entre 13,3 et 66,5 Pa. Des plages préférables de la température du support et de la puissance de décharge pour la production de la seconde couche amorphe (II) sont telles que mentionnées précédemment. Il n'est pas avantageux de sélectionner ces valeurs séparément ou indépendamment, mais il est préférable de sélectionner les valeurs en dépendance mutuelle, avec une relation intime entre elles, afin de produire la seconde couche amorphe (II) composée de a-SiC(H,X) ayant les caractéristiques souhaitables. Les quantités d'atomes de carbone et d'atomes d'hydrogène contenus dans la seconde couche amorphe (II) ainsi que les conditions de formation de la seconde couche amorphe (II) sont également des facteurs importants pour l'obtention d'une couche amorphe (II) ayant des caractéristiques souhaitables afin d'atteindre le second objectif de la présente invention. Lorsque la seconde couche amorphe (11) est formée de a-SiaCl a' la quantité d'atomes de carbone contenus dans cette seconde couche amorphe (II) est, en pourcentage atomique, avantageusement comprise entre 1 x 10 3 et 90, de préférence entre 1 et 80, et de façon plus préférable entre 10 et 75. Dans le cas de a-SiaCl a' la valeur de a est avantageusement comprise entre 0,1 et 0,99999 , de préférence entre 0,2 et 0,99, et de façon plus préférable entre 0,25 et 0,9. Lorsque la seconde couche amorphe (II) est formée de a-(SibC1-b)cH1-c, la quantité d'atomes de carbone contenus dans la seconde couche amorphe (II) est, en pourcen tage atomique, avantageusement comprise entre 1 x 10 et 90, de préférence entre 1 et 90 et, de façon plus préférable, entre 10 et 80. La quantité d'atomes d'hydrogène est, en pourcentage atomique, avantageusement comprise entre 1 et 40, de préférence entre 2 et 35 et de façon plus préférable entre 5 et 30. Lorsque la quantité d'hydrogène est comprise dans la plage précitée, l'élément photoconducteur résultant est très bon en pratique. En ce qui concerne a-(SibCl~b)cHl~c, la valeur de b est avantageusement comprise entre 0,1 et 0,99999 de préférence entre 0,1 et 0,99, et de façon plus préférable entre 0,15 et 0,9, et la valeur de c est avantageusement comprise entre 0,6 et 0,99, de préférence entre 0,65 et 0,98, et de façon plus préférable entre 0,7 et 0,95. Lorsque la seconde couche amorphe (II) est formée de a-(SidC1-d)e(X,H)1-e, la quantité d'atomes de carbone contenus dans la seconde couche amorphe (II) est, en pourcentage atomique, avantageusement comprise entre 1 x et 90, de préférence entre 1 et 90, et de façon plus préférable entre 10 et 80. La quantité d'atomes d'halogènes est, en pourcentage atomique, avantageusement comprise entre 1 et 20, de préférence entre 1 et 18 et de façon plus préférable entre 2 et 15. Lorsque la quantité d'halogène est comprise dans la plage précitée, l'élément photoconducteur résultant est très bon en pratique. La quantité d'atomes d'hydrogène présents,si cela est souhaité, est, en pourcentage atomique, avantageusement égale à 19 ou moins, et de préférence à 13 ou moins. En ce qui concerne a-(Si C,,d)e(X,H)l,e' la valeur de d est avantageusement comprise entre 0,1 et 0,99999 , de préférence entre 0,1 et 0,99, et de façon plus préférable entre 0,15 et 0,9, et la valeur de e est avantageusement comprise entre 0,8 et 0,99, de préférence entre 0,82 et 0,99, et de fanon plus préférable entre 0,85 et 0,98. La plage d'épaisseurs des couches de la présente invention est un facteur très important pour atteindre l'objectif de l'invention. L'épaisseur de la seconde couche amorphe (II) peut être choisie de façon appropriée afin de parvenir efficacement au but de la présente invention. L'épaisseur de la seconde couche amorphe (II) peut être déterminée de façon appropriée suivant la teneur en atomes de carbone, la teneur en atomes d'hydrogène et la teneur en atomes d'halogène dans la seconde couche amorphe (II) et suivant la relation avec l'épaisseur de la première couche amorphe (I). De plus, des conditions économiques telles que la productivité, la production en masse et autres sont de préférence'prises en considération. L'épaisseur de la seconde couche amorphe (II) est avantageusement comprise entre 0,003 et 30 iim, de préférence entre 0,004 et 20 ssm, et de façon plus préférable entre 0,005 et 10 ssm. Les figures 3 et 4 représentent des troisième et quatrième formes de réalisation de l'invention. Comme représenté sur la figure 3, un élément photoconducteur 300 possède la même structure en couches que l'élément photoconducteur 100 de la figure 1, sauf qu'une couche d'interface 302 existe sur la figure 3. La figure 4 représente un élément photoconducteur 400 ayant la même structure en couches que l'élément photoconducteur 100 de la figure 1, sauf qu'une couche d'interface inférieure 402-1 et une couche d'interface supérieure 402-2 existent sur la figure 4. Comme représenté sur la figure 3, l'élément photoconducteur 300 comporte un support 301, une couche d'interface 302 recouvrant le support 301, et une couche amorphe 303 composée de a-Si(H,X) et présentant une certaine photoconductivité. La couche d'interface 302 est destinée principalement à améliorer l'adhérence entre le support 301 et la couche amorphe 303, et la matière de la couche dlinter- face 302 est choisie de façon à avoir une affinité à la fois avec le support 301 et la couche amorphe 303 et à posséder des caractéristiques telles qu'indiquées ciaprès. La couche amorphe 303 est constituée d'une première région (O) 304 en forme de couche contenant des atomes d'oxygène comme atomes constitutifs, d'une seconde région (III, V) 305 en forme de couche contenant un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V, et d'une région superficielle 307 en forme de couche ne contenant avantageusement pas d'atome d'oxygène et disposée sur la seconde région (III, V) 305. Comme représenté sur la figure 4, l'élément photoconducteur 400 est différent de l'élément photoconducteur 300 de la figure 3 par le fait qu'une couche amorphe 403 comprend une couche supérieure d'interface 402-2 qui assume une fonction analogue à celle d'une couche d'interface inférieure 402-1. L'élément photoconducteur 400 comporte un support 401, une couche d'interface inférieure 402-1 et une couche amorphe 403. La couche amorphe 403 possède une première région (O) 404 en forme de couche contenant des atomes d'oxygène, une seconde région (III, V) 405 en forme de couche contenant un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V, et une couche d'interface supérieure 402-2 disposée entre une région 406 en forme de couche et une région 407 en forme de couche. La couche d'interface supérieure 402-2 est destinée à améliorer l'adhérence entre la région (III, V) 405 et la région 407, à rendre uniforme le contact électrique à l'interface de contact entre ces deux régions et à renforcer simultanément la qualité de la région (III, V) 405 en étant appliquée directement sur cette région (III, V) 405. La couche d'interface est formée d'une matière amorphe composée d'un atome de silicium en tant que matrice, d'un atome d'azote (N), si cela est souhaité, d'un atome d'hydrogène (H) et/ou d'un atome d'halogène (X) (cette matière étant désignée ci-après "a-SiN (H,X) n). Comme a-SiN(H,X), on peut mentionner une matière amorphe comprenant du silicium (Si) comme matrice et des atomes d'azote (N) comme atomes constitutifs (cette matière étant désignée ci-après "a-SiaNl a") une matière amorphe comprenant du silicium (Si) comme matrice et des atomes d'azote (N) et d'hydrogène (H) comme atomes constitutifs (cette matière étant désignée ci-après "a-(SibNl~b)Hl c"), et une matière amorphe comprenant des atomes de silicium comme matrice et des atomes d'azote (N), d'halogènes (X) et, si cela est souhaité, d'hydrogène (H) comme atomes constitutifs (cette matière étant désignée ci-après "a-(SidN1-d)e(H,X)1-e") L'atome d'halogène (X) qui est présent, si cela est souhaité, dans la couche d'interface peut être du fluor, du chlore, du brome et de l'iode, le fluor et le chlore étant préférés. Pour produire la couche d'interface avec la matière amorphe précitée, on peut mettre en oeuvre divers procédés de formation de couches tels qu'un procédé à décharge d'effluves, un procédé de pulvérisation, un procédé d'implantation ionique, un procédé de pulvérisation ionique, un procédé à faisceau électronique et autres. Parmi ces procédés de formation de couches, un procédé à décharge d'effluves ou un procédé de pulvérisation est de préférence utilisé, car la maîtrise des conditions de production d'une couche d'interface ayant les caractéristiques souhaitées est relativement aisée et l'introduction de l'atomes silicium, ainsi que de l'atome d'azote et, si cela est souhaité, de l'atome d'hydrogène et de l'atome d'halogène dans une couche d'interface, est aisée. En outre, le procédé à décharge d'effluves et le procédé de pulvérisation peuvent être mis en oeuvre dans un appareil simple pour produire une interface. Pour la production d'une couche d'interface composée de a-SiN(H,X) par un procédé à décharge d'effluves, un gaz de départ pour l'apport de l'atome de silicium (Si), un gaz de départ pour l'apport de l'atome d'azote (N), si cela est souhaité, un gaz de départ pour l'apport de l'atome d'hydrogène (H) et/ou un gaz de départ pour l'apport de l'atome d'halogène (X) sont introduits dans une chambre de déposition pouvant être amenée à une pression réduite, et une décharge d'effluves est déclenchée dans la chambre de déposition afin de former une couche d'interface composée de a-SiN(H,X) sur la surface d'un support placé dans une position prédéterminée à l'intérieur de cette chambre. Pour produire une couche d'interface par une procédé de pulvérisation, par exemple, une pulvérisation est d'abord effectuée à partir d'une cible composée de Si, dans un gaz inerte tel que Ar, He et autres ou dans une atmosphère constituée d'un mélange basé sur un tel gaz inerte et, à ce moment, un gaz de départ pour l'apport de l'atome d'azote (N) et, si cela est souhaité, un gaz de départ pour l'apport de l'atome d'hydrogène (H) et/ou un gaz de départ pour l'apport de l'atome d'halogène (X) est introduit dans la chambre de dépôt sous vide pour effectuer la pulvérisation. Ensuite, l'atome d'azote (N) peut être introduit dans la couche d'interface par l'utilisation d'une ou de plusieurs cibles, par exemple une cible de Si3N4, une cible de Si avec une cible de Si3N4, et une cible composée à la fois de Si et de Si3N4. A ce moment, si le gaz de départ pour l'apport de l'atome d'azote (N) est déjà utilisé, la quantité d'atomes d'azote (N) introduite dans la couche d'interface peut être réglée aisément à volonté par réglage du débit d'écoulement. La quantité d'atomes d'azote (N) introduite dans la couche d'interface peut être réglée à volonté par réglage du débit d'écoulement du gaz de départ pour l'apport de l'atome d'azote (N) introduit dans la chambre de déposition, ou par réglage de la quantité d'atomes d'azote (N) dans une cible pour l'introduction de l'atome d'azote lors de la préparation de cette cible, ou encore par exécution des deux opérations de réglage précitées. Comme gaz de départ pour la production de la couche d'interface, hormis la matière de départ constituant le gaz de départ pour l'apport de l'atome d'azote, on peut utiliser diverses matières choisies à volonté parmi les matières de départ précitées et utilisées pour former des couches amorphes présentant une certaine photoconductivité et des couches amorphes contenant l'atome de carbone. Comme matières de départ pour formerzles gaz de départ destinés à l'introduction de l'atome d'azote (N) utilisé lors de la formation d'une couche d'interface, on peut mentionner des composés d'azote gazeux ou gazéifiables tels que l'azote, des nitrures, des azotures et autres, par exemple l'azote (N2), l'ammoniac (NH3), l'hdyrazine (H2NNH2), l'azoture d'hydrogène (HN3) , l'azoture d'ammonium (NS4N3) et autres. Outre les gaz précités, on peut mentionner des composés d'halogénures d'azote tels que le trifluorure d'azote (F3N), le tétrafluorure d'azote (F4N2) et autres qui permettent d'introduire avantageusement l'atome d'ha halogène (X) ainsi que l'atome d'azote (N). Etant donné que la fonction de la couche d'interface est de renforcer l'adhérence entre le support et la couche amorphe et, de plus, de rendre uniforme le contact électrique entre le support et la couche amorphe, il est préférable que la matière amorphe, à savoir a-SiN(H,X) constituant la couche d'interface, soit produite avec soin, dans des conditions de préparation choisies de façon stricte, afin de conférer les caractéristiques demandées à la couche d'interface. L'une des conditions importantes pour former la couche d'interface composée de a-SiN(H,X) est la température du support lors de la formation de la couche. Autrement dit, la température présentée par le support lors de la formation de la couche d'interface sur le support est un facteur important affectant la structure et les caractéristiques de la couche. Il est donc préférable de régler de façon stricte la température du support. Cette température est choisie de façon appropriée suivant le processus utilisé pour former la couche d'interface. Elle est avantageusement comprise entre 50 et 3500C, et de préférence entre 100 et 2500C. Lors de la formation de la couche d'interface, il est possible de produire en continu la couche d'interface, puis la couche amorphe et, en outre, si cela est souhaité, d'autres couches devant être formées au-dessus de la couche amorphe, dans un seul appareil de préparation. Etant donné que la maîtrise précise des proportions des atomes constituant chacune des couches et la maîtrise de l'épaisseur des couches sont relativement plus aisées que par d'autres procédés, un procédé à décharge d'effluves et un procédé de pulvérisation sont avantageusement utilisés. Lorsque la couche d'interface est préparée par ces procédés, la puissance de décharge, la pression du gaz ainsi que la température précitée du support sont des facteurs importants affectant les caractéristiques de la couche d'interface formée. La puissance de décharge utilisée pour former efficacement la couche d'interface, avec une bonne productivité, est avantageusement comprise entre 1 et 300 W, et de préférence entre 2 et 150 W, et la pression gazeuse dans la chambre de déposition est avantageusement comprise entre 400 x 10 et 666,5 Pa, et de préférence entre 1066,5 x 10 et 66,5 Pa. La teneur en atomes d'azote et les teneurs en attmesd'hydrogène et en atomes d'halogène contenus, si cela est souhaité, dans la couche d'interface de l'élément photoconducteur sont des facteurs importants affectant les caractéristiques de cette couche d'interface, de la même manière que les conditions de préparation de la couche d'interface. La teneur en atomes d'azote (N), la teneur en atomes d'hydrogène (H) et la teneur en atome d'halogène (X) peuvent être déterminées de façon appropriée afin d'atteindre les buts de la présente invention de façon efficace, en tenant compte des conditions précitées de formation des couches. Lorsque la couche d'interface est constituée de a-Si a N 1-a' la teneur en atomes d'azote de la couche d'interface est, en pourcentage atomique, avantageusement comprise entre 1 x 10 et 60, et de préférence entre 1 et 50, et en ce qui concerne a, cette valeur est avantageusement comprise entre 0,4 et 0,99999 , et de préférence entre 0,5 et 0,99. Lorsque la couche d'interface est constituée de a-(SibN1-b)cH1-c, la teneur en atomes d'azote (N) est avantageusement comprise, en pourcentage atomique, entre i 10 3 et 55, et de préférence entre 1 et 55, et la teneur en atomes d'hydrogène est avantageusement comprise, en pourcentage atomique, entre 2 et 35, et de préférence entre 5 et 30, et en ce qui concerne les termes b et c, b est avantageusement compris entre 0,43 et 0,99 999, et de préférence entre 0,43 et 0,99, et c est avantageusement compris entre 0,65 et 0,98, et de préférence entre 0,7 et 0,95. Lorsque la couche d'interface est constituée de a-(SidN1-d)e(H,X)1-e, la teneur en atones d'azote est, en pourcentage atomique, avantageusement comprise entre 10'3 et 60, et de préférence entre 1 et 60, et la teneur en atomes d'halogène, ou la somme des teneurs en atomes d'halogène et en atones d'hydrogène est, en pourcentage atomique, avantageusement comprise entre 1 et 20, et de préférence entre 2 et 15 et, dans ce cas, la teneur en atones d'hydrogène, en pourcentage atomique, est avantageusement égale à 19 ou moins, et de préférence égale à 13 ou moins, et en ce qui concerne les termes d et e, d est avantageusement compris entre 0,43 et 0,99999 et de préférence entre 0,43 et 0,99, et c est avantageusement compris entre 0,8 et 0,99, et de préférence entre 0,85 et 0,98. L'épaisseur de la couche d'interface peut être déterminée de façon appropriée suivant l'épaisseur de la couche amorphe placée sur cette couche d'interface et suivant les caractéristiques de la couche amorphe. L'épaisseur de la couche d'interface est avantageusement comprise entre 3,0 nm et 2 ssm, de préférence entre 4,0 nm et 1,5 ssm, et de façon plus préférable, entre 5,0 nm et 1,5 ttm. La figure 5 montre la structure en couches d'un élément photoconducteur 500 constituant une ainquième forme de réalisation de la présente invention. L'élément photoconducteur 500 possède la même structure en couches que l'élément photoconducteur 300 de la figure 3, sauf que la seconde couche amorphe 508, similaire à la seconde couche amorphe 207 de la figure 2, recouvre une première couche amorphe 503 présentant la même photoconductivité que la couche amorphe 303 de la figure 3. Autrement dit, l'élément photoconducteur 500 de la figure 5 comporte un support 501 destiné à cet élément photoconducteur, une couche d'interface 502, une première couche amorphe (I) 503 présentant une certaine photoconductivité et une seconde couche amorphe (II) 508. La première couche amorphe (I) 503 est constituée d'une première région (O) 504 en forme de couche contenant des atomes d'oxygène comme atomes constitutifs, d'une seconde région (III,V) 505 en forme de couche contenant un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V, et d'une région 507 en forme de couche ne contenant pas d'atome d'oxygène. Une région 506 en forme de couche, disposée entre la première région (O) 504 et la région 507, ne contient pas d'atome d'oxygène, mais un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V. La figure 6 représente un élément photoconducteur 600 constituant une sixième forme de réalisation de la présente invention. L'élément photoconducteur 600 possède la même structure en couches que l'élément photoconducteur 400 de la figure 4, sauf qu'une seconde couche amorphe 608, similaire à la seconde couche amorphe 207 de la figure 2, est disposée sur une première couche amorphe 603 présentant une certaine photoconductivité et analogue à la couche amorphe 403 de la figure 4. Autrement dit, l'élément photoconducteur 600 comporte un support 601, une couche d'interface inférieure 602-1, une première couche amorphe (I) 603 et une seconde couche amorphe (II) 608, superposées dans l'ordre cité. La première couche amorphe (I) 603 comporte une première région (O) 604 en forme de couche contenant l'atome d'oxygène, une seconde région (III, V) 605 en forme de couche contenant un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V, et une couche d'interface supérieure 602-2 située entre une région 606 en forme de couche et une région 607 en forme de couche. La couche d'interface inférieure et la couche d'interface supérieure de l'élément photoconducteur représenté sur la figure 4 et de l'élément photoconducteur de la figure 6 peuvent être produites de la même manière que la couche d'interface de l'élément photoconducteur de la figure 3, c'est-à-dire que la matière amorphe indiquée en regard de la figure 3 peut être utilisée et que les mêmes conditions de formation de couche que celles indiquées en regard de la figure 3 peuvent être employées pour obtenir les mêmes caractéristiques que celles mentionnées pour l'élément de la figure 3. L'élément photoconducteur ayant la structure en couches mentionnées ci-dessus, conformément à la présente invention, permet de résoudre les divers problèmes précités et présente d'excellentes caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices, une excellente rigidité diélectrique et d'excellentes caractéristiques d'utilisation vis-à-vis du milieu ambiant. En particulier, lorsque l'élément photoconducteur est utilisé comme élément de formation d'image en électrophotographie, il ne présente pas de potentiels résiduels lors de la formation de l'image et possède des caractéristiques électriques stables, une sensibilité élevée, un rapport signal/bruit élevé, une excellente résistance à la fatigue par la lumière et d'excellentes caractéristiques en utilisation répétée. Il est en outre capable de produire de façon stable et répétée une image de densité élevée, nette et claire en demi-teinte, ayant une résolution et une qualité élevées. De plus, la couche amorphe formée sur le support de l'élément photoconducteur selon l'invention est solide et adhère fortement au support et, par conséquent, l'élément photoconducteur peut être utilisé en continu de façon répétée, à grande vitesse, pendant une longue durée. Les figures 7 et 8 représentent des appareils capables de produire l'élément photoconducteur de la présente invention. L'appareil représenté sur la figure 7 permet de produire diverses couches constituant l'élément photoconducteur selon l'invention, par la mise en oeuvre d'un procédé de dépôt par décharge d'effluves. Des bouteilles ou bombes de gaz 702, 703, 704, 705 et 706 contiennent hermétiquement des gaz de départ pour la formation des couches respectives de l'élément photo conducteur selon l'invention. Par exemple, la bouteille 702 contient du gaz SiH4 dilué avec He (pureté : 99,999 %, ce gaz étant désigné ci-après par la forme abrégée SiH4/He); la bouteille 703 contient du gaz B2H6 dilué avec He (pureté : 99,999 %, ce gaz étant désigné ci-après la forme abrégée B2H6/He) ; la bouteille 704 contient du gaz SiF4 dilué avec He (pureté : 99,999 %, ce gaz étant désigné ci-après par la forme abrégée SiF4/He) ; la bouteille 705 contient du gaz NO (pureté : 99,999 %) ; et la bouteille 706 contient du gaz NH3 dilué avec He (pureté : 99,999 %). Pour permettre à ces gaz de pénétrer dans la chambre 701 de réaction, après s'être assuré que les valves ou robinets 722-726 des bouteilles de gaz 702-706 et la valve d'échappement 735 sont fermées, et que les valves ou robinets d'entrée 712-716, les valves de sortie 717-721 et la valve auxiliaire 732 sont ouverts, on ouvre d'abord la valve principale 734 pour faire le vide dans la chambre 701 de réaction et les conduites de gaz. Ensuite, lorsque la valeur affichée par l'indicateur de vide 736 devient sensiblement égale à 666,5 x 10 6 Pa, on ferme les valves auxiliaires 732 et 733, les valves d'entrée 722-726 et les valves de sortie 717-721. Ensuite, on manoeuvre les valves des conduites de gaz reliées aux bouteilles contenant les gaz à introduire dans la chambre 701 de réaction, d'une manière permettant d'introduire les gaz souhaités dans la chambre 701 de réaction. On décrira à présent un exemple de préparation d'un élément photoconducteur ayant la constitution montrée sur la figure 3. Tout d'abord, on prépare une couche d'interface sur un cylindre 737 de support, comme décrit ci-dessous. Du gaz SiH4/He et du gaz NH3 provenant des bouteilles 702 et 706 sont introduits dans des régulateurs 707 et 711 de débit d'écoulement par ouverture des valves 722 et 726 afin de régler à 100 kPa la pression affichée par le manomètre de sortie 727 et celle affichée par le manomètre de sortie 731, et les valves d'entrée 712 et 716 sont ouvertes progressivement. Ensuite, on ouvre progressivement les valves de sortie 717 et 721 et les valves auxiliaires 732 et 733 et chacun des gaz est introduit dans la chambre de réaction 701.A ce moment, les valves de sortie 717 et 721 sont réglées pour établir à une valeur prédéterminée le rapport du débit d'écoulement du gaz SiH4/ He au débit du gaz NH3, et l'ouverture de la valve principale 734 est réglée en fonction de la valeur affichée par le vacumètre 736 afin d'établir à une valeur souhaitée la pression régnant dans la chambre 701 de réaction. Après qu'il a été confirmé que la température du cylindre 737 de support est établie à une valeur comprise entre 50 et 4000C par un élément chauffant 738, une source 740 d'alimentation est réglée à une valeur de puissance souhaitée pour provoquer une décharge d'effluves dans la chambre 701 de réaction afin de former une couche d'interface sur le cylindre 707 de support (support).Pour introduire des atomes d'halogènes dans la couche d'interface à former, par exemple, du gaz SiF4 est utilisé à la place du gaz SiH4, ou bien du gaz SiF4 est ajouté au gaz SiH4 afin de former une couche lors de l'opération décrite ci-dessus. Les quantités d'atomes d'azote, d'hydrogène et d'halogènes introduites dans la couche d'interface sont établies par réglage du débit d'écoulement des matières de départ vers l'intérieur de la chambre 701 de réaction, pour former la couche d'interface comportant ces atomes comme atomes constitutifs. Par exemple, la teneur en atomes d'azote et la teneur en atones d'halogène sont établies par réglage du débit d'écoulement du gaz NH3 et du débit d'écoulement du gaz SiF4. Un exemple de formation d'une région (III, V) en forme de couche, constitutif de la couche amorphe sur la couche d'interface formée sur le cylindre 737 de support tel que produit ci-dessus, sera décrit ci-dessous. Le gaz SiH4/He provenant de la bouteille 702 et le gaz B2H6/He provenant de la bouteille 703 sont introduits dans la chambre 701 de réaction par ouverture des valves 722 et 723 afin de régler à 100 kPa les pres sions affichées par les manomètres 727 et 728 de sortie, ouverture progressive des valves d'entrée 712 et 713 pour introduire les gaz respectifs dans les régulateurs 707 et 708 de débit massique, puis ouverture progressive des valves de sortie 717 et 718, respectivement, et de la valve auxiliaire 732. A ce moment, le rapport des débits d'écoulement du gaz SiH4/He au gaz B2H6/He est réglé à une valeur sou haitée par action sur les valves de sortie 717 et 718, et la pression régnant dans la chambre 701 de réaction est ajustée à une valeur souhaitée par réglage de l'ouver- ture de la valve principale 734, tandis que la valeur affichée par le vacumètre 736 est observée. Ensuite, après que la température du cylindre 737 de support a été confirmée comme étant établie à une valeur comprise entre 50 et 4000C par l'élément chauffant 738, la source d'alimentation est mise en marche à une valeur de puissance souhaitée afin de provoquer le déclenchement d'une décharge d'effluves dans la chambre 701 de réaction pour former une région (III, V) en forme de couche sur la couche d'interface. Une région (Q) en forme de couche peut entre produite par l'utilisation de gaz NO à la place du gaz B2H6/He ou par addition du gaz NO au gaz B2H6/He utilisé pour former la région (III, V). Conformément à la présente invention, dans l'élément photoconducteur, les régions (O) et (III, V) en forme de couche se recouvrent au moins partiellement et, par conséquent, lors de la formation de la couche amorphe, par exemple, il est nécessaire d'introduire à la fois du gaz B2H6 et du gaz NO à des débits d'écoulement souhaités, en même temps, pendant une certaine période de temps. Par exemple, après l'introduction des deux gaz B2H6 et NO dans la chambre 701 de réaction pendant une certaine période de temps à partir du commencement de la formation de la couche amorphe, l'introduction de l'un des gaz est arrêtée. En conséquence, l'une des régions (O) et (III, V) se forme dans l'autre desdites régions. En variante, par exemple, après l'introduction de l'un des gaz B2H6 et NO dans la chambre 701 de réaction pendant une période de temps souhaitée après la formation de la couche amorphe, l'autre de ces gaz est introduit, en plus du précédent, dans la chambre 701 de réaction pour provoquer la formation de la couche pendant une période de temps souhaitée. Ainsi, une région en forme de couche, contenant à la fois l'atome de bore et l'atome d'oxygène, est formée sur une région en forme de couche contenant l'un des atomes de bore et d'oxygène. Dans ce cas, si l'introduction de l'un des gaz B2H6 et NO dans la chambre 701 de réaction est arrêtée, tandis que l'autre de ces gaz contenus est introduit dans la chambre 701 de réaction, une région en forme de couche, contenant l'un des atomes de bore et d'oxygène, est formée sur une région en forme de couche contenant les deux atomes de bore et d'oxygène. Pour la production de la région 307 en forme de couche dans l'élément photoconducteur 300 de la figure 3, le gaz destiné à introduire l'atome du Groupe III, par exemple le.gaz B2H6 utilisé pour former larégion précitée (III, V), n'est pas introduit dans la chambre 701 de réaction, mais du gaz SiH4, du gaz Si2H6, du gaz SiF4 ou un mélange de ces gaz est introduit dans la chambre 701 de réaction. Dans le cas d'un élément phôtoconducteur 400, tel que montré sur la figure 4, comportant une couche d'interface supérieure 402-2 située dans une couche amorphe 403, la même formation de couche que pour la couche d'interface inférieure 402-1 peut être effectuée pendant la formation de la couche amorphe 403 pour produire la couche d'interface supérieure. Les éléments photoconducteurs ayant une seconde couche amorphe (II) contenant des atomes de carbone et recouvrant une première couche amorphe (I), comme montré sur les figures 5 et 6, sont produits d'une manière similaire à celle décrite ci-dessus, par formation d'une première couche amorphe (I) sur le support cylindrique 737 et utilisation des bouteilles de gaz nécessaires à la formation d'une seconde couche amorphe (II) avec l'appareil de la figure 7, les opérations suivantes étant ensuite effectuées. Ainsi, en manoeuvrant les valves d'une façon analogue à celle décrite pour la formation de la première couche amorphe, par exemple, du gaz SiH4 et du gaz C2H4 (si cela est souhaité, dilué avec un gaz de dilution tel que He et autres), sont introduits dans la chambre de réaction 701 à un rapport de débits d'écoulement souhaité pour provoquer une décharge d'effluves. Les éléments photoconducteurs ayant la constitution en couches telle que montrée sur les figures 1 et 2, peuvent être produits par répétition des exemples de préparation décrits ci-dessus, sauf que la formation de la couche d'interface est supprimée. Toutes les valves de sortie autres que celles associées aux gaz nécessaires à la formation des couches respectives sont évidemment fermées et, pendant la formation des couches respectives, pour éviter que le gaz utilisé lors de la formation de la couche précédente reste dans la chambre 701 de réaction et dans les conduites comprises entre les valves de sortie 717, 721 et la chambre 701 de réaction, on peut procéder à l'opération consistant à établir une fois un vide poussé dans l'appareil en fermant les valves de sortie 717-721 et en ouvrant les valves auxiliaires 732 et 733, la valve principale 734 étant complètement ouverte, si cela est nécessaire. Pendant la formation de la couche, le cylindre 737 de support peut être mis en rotation à une vitesse constante au moyen d'un moteur 739 afin de provoquer la formation d'une couche uniforme. L'appareil de production de la figure 8 constitue un exemple d'appareil dans lequel un procédé de décomposition à décharge d'effluves et un procédé de pulvérisation peuvent être mis en oeuvre, suivant la couche souhaitée devant être formée. Des bouteilles ou bombes de gaz 811-815 contiennent hermétiquement des gaz de départ pour la production de régions respectives en forme de couche de l'élément photoconducteur selon l'invention. Par exemple, la bouteille 811 contient du gaz SiH4/He, la bouteille 812 contient du gaz B2H6/He, la bouteille 813 contient du gaz Si2H6 (pureté: 99,99 %) dilué avec He (désigné ci-après "Si2H6/He"), la bouteille 814 contient du gaz NO (pureté : 99,999 %) et la bouteille 815 contient de l'argon. Pour introduire des atomes d'halogènes dans la couche à former, par exemple, la bouteille est changée de façon appropriée afin d'utiliser du gaz SiF4 à la place du gaz SiH4 ou du gaz Si2H6. Pour permettre à ces gaz de pénétrer dans une chambre 801 de réaction, après que la fermeture des valves 831-835 des bouteilles 811-815 et *'une valve 806 d'échappement a été confirmée et que l'ouverture des valves d'entrée 821-825, des valves de sortie 826-830 et de la valve auxiliaire 841 a été confirmée, on ouvre d'abord une valve principale 810 pour établir le vide dans la chambre de réaction 801 et dans les conduites de gaz. Lorsque la valeur affichée par un indicateur de-vide 842 devient à peu près égale à 666,5 x 10'6 Pa, on ferme la valve auxiliaire 841 et les valves de sortie 826-830. La formation d'une première région (I) en forme de couche sur un substrat 809 sera à présent décrite. Un obturateur 805 est fermé et est monté de manière à pouvoir recevoir une haute tension d'une source d'alimentation 843. On permet l'introduction de gaz SiH4/He provenant de la bouteille 811, de gaz B2H6/He provenant de la bouteille 812 et de gaz NO provenant de la bouteille 814 dans des régulateurs 816, 817 et 819 de débits massiques par ouverture des valves 831, 832 et 834 afin de régler à 100 kPa les manomètres de sortie 836; 837 et 839, et par ouverture progressive des valves d'entrée 821, 822 et 824, respectivement. On ouvre ensuite progressivement les valves de sortie 826, 827 et 829 et la valve auxiliaire 841 pour permettre aux gaz respectifs de pénétrer dans la chambre de réaction 801.On règle les valves de sortie 826, 827 et 829 afin que les rapports des débits d'écoulement gaz SiH4/He : gaz B2H6/He : gaz NO puissent avoir une valeur souhaitée, et on commande également l'ouverture de la valve principale 810 en surveillant la valeur affichée par l'indicateur de vide 842 afin que la pression régnant dans la chambre 801 de réaction puisse atteindre une valeur souhaitée. Ensuite, après que la température du substrat 809 a été confirmée à une valeur comprise entre 50 et 4000C à laquelle elle est portée par un élément chauffant 808, une source 843 d'alimentation est réglée à une puissance souhaitée afin de provoquer une décharge d'effluves dans la chambre 801 de réaction pendant une période de temps souhaitée afin de former une région en forme de couche contenant du bore et de l'oxygène sur un support 809. Dans ce cas, l'épaisseur de la région en forme de couche contenant des atomes de bore ou celle de la couche contenant des atomes d'oxygène peut être réglée à volonté par interruption de l'introduction du gaz B2H6/He ou du gaz NO dans la chambre 801 de réaction par fermeture de la valve commandant l'introduction de ce gaz. Après qu-'une région en forme de couche contenant du bore et de l'oxygène a été réalisée à une épaisseur souhaitée comme décrit ci-dessus, on ferme les valves de sortie 827 et 829 et on poursuit la décharge d'effluves pendant une période de temps souhaitée afin de former une couche ne contenant pas de bore ni d'oxygène, ayant une épaisseur souhaitée, sur la couche contenant du bore et de l'oxygène. Ainsi s 'achève la formation de la première couche amorphe (I). Pour introduire des atomes d'halogènes dans la première couche amorphe (I), par exemple, du gaz SiF4/He est ajouté aux gaz précités afin d'être introduit dans la chambre de réaction 801. Une seconde couche -amorphe (II) peut être formée sur la première couche amorphe (I) comme décrit ci-dessous. L'obturateur 805 est ouvert et toutes les valves d'alimentation en gaz sont fermées une fois,et le vide est fait dans la chambre 801 de réaction par ouverture complète de la valve principale 810. Une tranche 804-1 de silicium à haute pureté et une tranche 804-2 de graphite à haute pureté sont placées comme cibles sur une électrode 802 à laquelle une haute tension est appliquée, le rapport des surfaces des cibles ayant une valeur souhaitée. Du gaz Ar provenant de la bouteille 815 est introduit dans la chambre 801 de réaction et on règle la valve principale 810 de manière que la pression régnant à l'intérieur de la chambre de réaction puisse atteindre une valeur comprise entre 6,65 et 133,3 Pa. La source d'alimentation à haute tension est mise en marche pour déclencher la pulvérisation par utilisation simultanée du silicium et du graphite.On forme ainsi la seconde couche amorphe (II) sur la première couche amorphe (I). Les exemples suivants sont donnés à titre illustratif et nullement limitatif. EXEMPLE 1 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'aluminium dans les conditions suivantes. TABLEAU 1 Etape de Débit Rapport des Epais Gaz utilisé préparation d'écoule- débits seur ment (cm3 / d'écoulement de la min) couche (m) SiH4/He SiH4 = 200 SiH4:B2H6 0,3 = 1 | | = 1:1,6x10-3 Première B2H6/He SiH4:NO étape = 10-2 = 1:0,03 NO Deuxième SiH4/He 15 étape =1 Température du support d'AQ : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHZ Puissance de décharge : 0,18 W/cm2 Pression intérieure lors de la réaction : 40 Pa Vitesse de dépôt de couche : 1,1 nm/s L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement, soumis à une charge d'effluves à 0 5 KV pendant 0,2 seconde, puis exposé immédiatement à une image. La source de lumière est une lampe à filament de tungstène et une image lumineuse est projetée à travers une mire d'essai transparente, à 1,0 lux.seconde. Immédiatement après, l'image latente est développée au moyen d'un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement s'effectuant en cascade pour produire une bonne image développée. L'image développée résultante est nettoyée une fois au moyen d'une lame de caoutchouc, puis les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont de nouveau répétées. Même après répétition des opérations de copie 100 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image résultante. EXEMPLE 2 En répétant les opérations de l'exemple 1, sauf que les débits d'écoulement du gaz B2H6 et du NO gazeux dilué avec du He gazeux à 10 000 ppm en volume sont modifiés dans la première étape, on produit des éléments de formation d'images et on les évalue de la manière indiquée dans l'exemple 1. En outre, on mesure par micro-analyse ionique (méthode IMA) les quantités de bore et d'oxygène introduites lors de la première étape dans chaque échantillon. Les résultats sont donnés dans le tableau 2 cidessous. TABLEAU 2 Teneur en atones d'oxy ène (poorcentage en atones ataxique) O,O01 1,3 6,0 30 bore (ppn atomique) 10 X (a) X(a) X (a) Xta) 30 O O A Ao 500 O Oc O O 2000 0 Oc > Q 50000 Q O O 80000 X (b) X (b) 1) Dans le tableau ci-dessus, la teneur en atomes d'oxygène et la teneur en atomes de bore sont les quantités contenues dans lcouc he formée lors de la première étape. 2) # trés bon bon ss suffisant pour une utilisation en pratique ? X (b) la couche est sujette à l'exfoliation. EXEMPLE 3 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'aluminium dans les conditions suivantes. TABLEAU 3 Etape de Débit Rapport Epaisseur prépara- Gaz utilisé d'écou- des débits de la cou tion lement d'écoule- che ( m) (cm3 /min) ment SiH4/He SiH4=200 SiH4:B2H6 changeant convena = 1 | | =1:2x10-3 blement Première B2H6/He 32 SiH4:NO étape = 10-2 =1:0,015 NO 3 Deuxième changeant étape SiH4 200 convena- blement Température du support d'At : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Puissance de décharge : 0,18 W/cm2 Epaisseur totale des couches : 15 m Pression intérieure lors de la réaction : 40 Pa Vitesse de dépôt des couches : 1,1 nm/s Les éléments de formation d'image résultants sont estimés comme dans l'exemple 1. Les résultats sont indiqués dans le tableau 4. TABLEAU 4 Epaisseur d'une couche contenant 0,001 0,003 0,05 0,3 1 5 10 des atomes d'oxy gène et de bore (m) ~ ~ Evaluation X A e Oo &commat; O # X EXEMPLE 4 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on procède à une formation de couches sur un support d'aluminium dans les conditions suivantes. TABLEAU 5 Etape de Débit Rapport des Epaisseur de prépara- Gaz d'écoule- débits la couche d'ecoulement ( m) ment (cm3 / tion utilisé min) SiH4/He SiH4= 200 SiH4:B2H6 0,3 Première = 1 4 =l:l,bxlO étape B2H6/He SiH4:NO = 10-2 =1:0,015 NO SiH4/He SiH4:NO 0,1 Deuxième = 1 =1::0,015 étape NO Troisième SiH4/He 15 étape = 1 Température du support d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Puissance de décharge : 0,18 W/cm2 Pression intérieure lors de la réaction : 40 Pa Vitesse de dépôt des couches : 1,1 nm/s L'élément de formation d'image résultant est évalué comme dans l'exemple 1. Le résultat est bon. EXEMPLE 5 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'aluminium dans les conditions suivantes. TABLEAU 6 Débit Rapport des Epaisseur Etape de Gaz d'écoule- débits de la prépara- utilisé 1 ment (cm / d'écoulement couche tion min) ( m) SiH4/He SiH4= 200 SiH4:B2H6 0,2 Première = 1 =1:8x0-4 étape B2H6/He SiH4 NO =10-2 | |=1:0.1 NO SiH4/He SiH4:B2H6 0,3 Deuxième = 1 =1::8x10-4 étape B2H6/He = 10-2 Troisième SiH4/He 15 étape = 1 Température du support d'AQ : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Puissance de décharge : 0,18 W/cm2 Pression intérieure lors de la réaction : 40 Pa Vitesse de dépôt des couches : 1,1 nm/s L'élément de formation d'image résultant est évalué comme dans l'exemple 1. Le résultat est bon. EXEMPLE 6 On prépare un élément de formation d'image dans les conditions du tableau 7 indiqué ci-dessous. Une évaluation est effectuée comme dans l'exemple 1. Le résultat est bon. TABLEAU 7 Débit Rapport des Epaisseur Etape de Gaz préparation utilisé ment (cm / d'écoulement couche tion min) ( m) Si2H6/He Si2H6=170 Si2H6:B2H6 0,3 = 1 =1:4,8X10-3 Première B2H6/He étape = 10-2 NO Deuxième Si2H6/He 15 étape = 1 Température du substrat d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHZ Puissance de décharge : 0,54 W/cm2 Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa Vitesse de dépôt des couches : 4 nm/s EXEMPLE 7 On prépare un élément de formation d'image dans les conditions du tableau 8 ci-dessous et on procède à une évaluation comme dans l'exemple 1. On obtient un bon résultat. TABLEAU 8 Débit d'écou- Rapport des Epaisseur Gaz Etape de lement (cm / débits de la utilisé préparation min) d'écoulement couche ( m) SiH4/He (SiH4+SiF4) SiH4:SiF4=8:2 0,3 = 1 = 150 Première (SiH4 + SiF4);B2H6 étape SiF4/He = 1:1,6x10-3 = 1 (SiH4+SiF4):NO B2H6/He = 1:0,03 = 10-2 NO SiH4/He 15 Duxième = 1 SiF4/He = 1 Température du substrat d'AQ : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Puissance de décharge : 0,18 W/cm2 Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa Vitesse de dépôt des couches : 1,1 nm/s EXEMPLE 8 En utilisant l'appareil de production représenté sur la figure 8, on effectue une formation de couches dans les conditions suivantes. TABLEAU 9 Débit Puissance Vitesse Epais Gaz d'ecou Rapport des de dé- de dépôt seur utilisé lement débits d'écou- charge des cou- des lement (cm / (W/cm@) ches (nm/ couches min) s) ( m) SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 - 1m6x10 Couche B2H6/He NO/SiH4=3x10-2 =10-2 phe (I) SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Rapport de Couche Ar 200 0,3 0,2 0,5 surfaces amor tranche de Si : phe graphite = 1,5:8,5 Température du substrat d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa lors de la formation de la couche amorphe' (I) 26,5 Pa lors de la - formation de la couche amorphe (II) L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement, soumis à une charge d'effluves à &commat; - 5 5 kV pendant 0,2 seconde, puis exposé immédiatement à une image.La source lumineuse est une lampe à filament de tungstène et une quantité de lumière de 1,0 lux.seconde est projetée à travers une mire d'essai transparente. Ensuite, l'image latente résultante est développée immédiatement au moyen d'un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement s'effectuant en cascade pour produire une bonne image développée. L'image développée résultante est nettoyée une fois au moyen d'une lame de caoutchouc, puis les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même lorsque les opérations de copie sont répétées 150 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 9 En utilisant l'appareil de la figure 8, on procède à une formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes. TABLEAU 10 Débit Puissance Vitesse de Epais Gaz d'ecou Rapport des de dé- dépôt des seur utilisé lement débit d'ecou- charge couches des (cm / lement (W/cm) (nm/s) couches min) ( m) SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,6x10-3 B2H6/He NO/SiH4 = 10-2 = 1,5x10-2 Couche phe SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 (I) = 1 = 200 = 1,5x10-2 NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Rapport de Couche Ar 200 0,3 0,15 0,3 surfaces amor tranche de Si : graphite (II) = 0,5:9,5 Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 8. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil de charge-exposition-développement, soumis à une charge d'effluves à &commat; 5 5 kV pendant 0,2 seconde, puis exposé immédiatement à une image. La source de lumière est une lampe au tungstène et l'exposition est effectuée à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente. Immédiatement après, on procède au développement au moyen d'un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement s'effectuant en cascade sur la surface.de l'élément pour produire une bonne image révélée. L'image révélée résultante est nettoyée une fois au moyen d'une lame de caoutchouc, puis les étapes précitées de formation et denettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition des opérations de copie 100 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 10 En utilisant l'appareil de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes. TABLEAU 11 Débit Puissance Vitesse de Epaisd'ecou- Rapport des de dé- dépôt des seur Gaz lement débits charge couches des utilisé (cm / d'écoulement (W/cm) (nm/s) couches min) ( m) SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 200 = 8x10-4 B2H6/He NO/SiH4=10-1 = 10-2 NO amor phe SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 (I) = 1 = 200 = 8x10-4 B2H6/He = 10-2 SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Ar 200 Rapport de Couche surfaces 0,3 0,3 1,0 amor- tranche de Si : graphite (II) = 6:4 Les autres conditions sont identiques à celles indiqués dans l'exemple 8. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement, soumis à une charge d'effluves à 8kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image. La source de lumière est une lampe à filament de tungstène. L'exposition est effectuée à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente. Immédiatement après, on procède au développement au moyen d'un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement s' effectuant en cascade. On produit une bonne image développée, ayant une très haute densité, sur la surface de 1 'élément. L'image développée résultante est nettoyée une fois au moyen d'une lame, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après une répétition des opérations de copie 150 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 7f On répète le procédé de l'exemple 10 pour produire un élément de formation d'image, sauf que le rapport des surfaces de la tranche de silicium au graphite lors de la production de la seconde couche amorphe (II) est modifié afin que le rapport des teneurs de silicium et de carbone dans la couche amorphe (II) soit modifié. L'élément de formation d'image résultant est soumis de façon répétée aux étapes de formation, de déve- loppement et de nettoyage de l'image comme dans l'exemple 8, environ 50 000 fois, et l'image résultante est ensuite évaluée. Les résultats sont donnés dans le tableau 12 cidessous. TABLEAU 12 Si : C cible (rap 9 : 1 6,5 : 3,5 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,2:9,8 port des surfaces) Si : C (rapport 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3 : 7 2 : 8 0,8:9,2 des teneurs) Evaluation de l'image # # # # # # X #: très bon bon suffisant pour être utilisable en pratique risque de formation d'images défectueuses. EXEMPLE 12 On répète les opérations de l'exemple 8 pour produire un élément de formation d'image, sauf que l'épaisseur de la seconde couche amorphe (II) est modifiée. L'élément résultant est soumis de façon répétée aux étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image comme indiqué dans l'exemple 8. Les résultats sont indiqués ci-dessous. TABLEAU 13 Epaisseur de la couche amorphe (II) Résultat Risque de formation d'images défec0,001 m tueuses Aucune image défectueuse apparue 0,02 m après 20 000 répétitions des opé rations Stable après 50 000 répétitions ou 0,05 m plus des opérations Stable après 100 000 répétitions 0,3 m plus des opérations EXEMPLE 13 On répète les opérations de l'exemple 8 pour former un élément de production d'image, sauf que le procédé de préparation de la première couche amorphe (I) est modifié comme indiqué ci-dessous. Une évaluation effectuée comme dans l'exemple 8 donne un bon résultat. TABLEAU 14 Débit Puis- Vitesse de Epais Gaz d'écou . Rapport des sance de dépôt des seur utilisé lement débits décharge couches des (cm / d'écoulement (W/cm) (nm/s) couches min) ( m) Si2H6/He Si2H6 B2H6:Si2H6 0,54 4,0 0,3 M 1 = 170 = 4,8x10-3 Couche B2H6/He NO::Si2H6 amor = 10-2 = 9 x 10-2 phe (I) Si2H6/He si2R6 0,54 4,0 15 = 1 = 170 EXEMPLE 14 On répète les opérations de l'exemple 8 pour produire un élément de formation d'image, sauf que le procédé de préparation de la première couche amorphe (I) est modifié comme indiqué ci-dessous. Lorsque l'élément résultant est évalué comme dans l'exemple 8, on obtient un bon résultat. TABLEAU 15 Débit Puis- Vitesse de Epais d'ecou- Rapport des sanace de dépôt des seur Gaz lement débits décharge couches des utilisé (cm / d'écoulement (W/cm) (nm/s) couches min) ( m) SiH4/He (SiH4 SiH4/SiF4=8/2 0,18 1,1 0,3 = 1 +SiF4) B2H6/(SiH4+SiF4) = 150 SiF4/He = 1,6x10-3 = 1 NO/(SiH4+SiF4) Couche B2H6/= 0,03 amor = 10-2 (I) NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 +SiF4) SiF4/He = 150 = 1 EXEMPLE 15 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'aluminium en forme de tambour dans les conditions suivantes. TABLEAU 16 Débit Puis- Vitesse Epaisd'écou- Rapport des sance de de dépôt seur Gaz lement débits décharge des cou- des utilisé (cm / d'ecoulement (W/cm) ches (nm/s) couches min) ( m) SiH4/He SiH4 B2H/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,6x10-3 Couche B2H6/He NO/SiH4=3x10-2 =10-2 (I) SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = i = 200 Couche|SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4=3::7 0,18 0,6 0,5 amor = 0,5 = 100 C2H4 Température du support d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa [lors de la formation de la couche amorphe (I)~7 66,5 Pa rlors de la formation de la - couche amorphe (II)] Le tambour photosensible résultant élément de formation d'image pour électrophotographie) est placé dans un appareil de copie, soumis à une charge d'effluves à e 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie d'une exposition à une image. La source de lumière est une lampe à filament de tungstène. La quantité de lumière est de 1,0 lux.seconde. L'image latente résultante est développée au moyen d'un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur du papier lisse. L'image résultante ainsi transférée est très bonne. Les particules de "toner" restant sur le tambour photosensible et qui ne sont donc pas transférées sont nettoyées au moyen d'une lame de caoutchouc, et l'étape de copie suivante est effectuée. Même après répétition 150 000 fois ou plus des opérations de copie, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 16 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support analogue à un cylindre, dans les conditions suivantes. TABLEAU 17 Débit Puis- Vitesse de Epaisd'écou- Rapport des sance de dépôt des seur Gaz lement débits décharge couches des utilisé couches (cm /min) d'écoulement (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,6x10- B2H6/He NO/SiH4 Couche = 10-2 = 1,5x10-2 amor SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 (I) = 1 = 200 = 1,5x10-2 NO SiH4/HE 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Couche SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4 0,18 0,1 0,3 amor = 1 = 15 = 0,4:9,6 phe (II) C2H4 Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 15. Le tambour photosensible résultant est placé dans un appareil de copie, soumis à une charge d'effluves à + 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie d'une exposition à une image. La source de lumière est une lampe à filament de tungstène et la quantité de lumière est de 1,0 lux.seconde. L'image latente résultante est développée au moyen d'un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur du papier uni pour donner une image très bonne. Le "toner" restant sur le tambour photosensible et n'ayant pas été transféré est éliminé par nettoyage au moyen d'une lame de caoutchouc, et une opération de copie est ensuite effectuée. Même après répétition 100 000 fois ou plus des opérations de copie, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 17 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'Al analogue à un cylindre. TABLEAU 18 Débit Puis- Vitesse de Epais Gaz d'écou- Rapport des sance de dépôt des seur lement débits decharge couches des utilisé (cm / d'écoulement (W/cm ) (nm/s) couche min) ( m) SiH,/He B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 8x10-4 B2H6/He 200 NO/SiH4=10-1 = 10-2 Couche NO amor phe SiH4/He B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 (I) 200 = 8 x 10-4 B2H6/He = 10-2 SiH4IHe 200 - 0,18 1,1 15 = 1 Couche SiH4/He SiH4:C2H4 0,18 0,6 1,5 amor = 0,5 = 100 = 5:5 C2H4 Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 15. Le tambour photosensible résultant est placé dans un appareil de copie et soumis à une décharge d'effluves à &commat; 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde effectuée au moyen d'une lampe à filament de tungstène. L'image latente résultante est développée avec un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), et l'image ainsi développée est transférée sur du papier uni pour former une bonne image transférée, ayant une densité très élevée. Le "toner" restant sur le tambour photosensible, non transféré, est éliminé par nettoyage au moyen d'une lame de caoutchouc, et la copie suivante est réalisée. Même après répétition 150 000 fois ou plus des opérations de copie, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 18 Lors de la formation de la couche amorphe (I I), on procède en suivant les opérations de l'exemple 15, sauf que le rapport de la quantité d'atomes de silicium à celle d'atomes de carbone dans la couche amorphe (II) est modifié. On répète environ 50 000 fois des opérations de copie à l'aide du tambour photosensible résultant, conformément au procédé de l'exemple 15. Les résultats sont donnés cidessous. TABLEAU 19 SiH4:C2H4 (rap port des débits 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8 d'écoulement) Si:C (rapport des quantités) 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image très bon bon : formation de certaines images défectueuses. EXEMPLE 19 On répète le procédé de l'exemple 15, sauf que l'épaisseur de la couche amorphe (II) est modifiée comme indiqué dans le tableau 20 ci-dessous. TABLEAU 20 Epaisseur de la couche amorphe (II) Images défectueuses pouvant se 0,001 m former Aucune image défectueuse formée 0,02 m après répétition 20 000 fois des opérations Aucune image défectueuse formée 0,05 m après répétition 50 000 fois des opérations Stable après répétition 100 000 0,3 m fois ou plus des opérations EXEMPLE 20 On effectue une formation de couches en répétant les opérations de l'exemple 15, sauf que l'opération de formation de la couche amorphe (I est modifiée comme indiqué ci-dessous, et on obtient un bon résultat. TABLEAU 21 Débit Puis- Vitesse de Epaisd'écou- Rapport des sance de dépôt des seur Gaz lement débits décharge couches des utilisé (cm / d'écoulement (W/cm) (nm/s) couches min) (m) SiH6/He Si2J6 B2H6/Si2H6 0,54 4,0 0,3 = l = 170 = 4,8x10-3 Couche B2H6/He NO/Si2H6 amor = 10-2 = 9x10-2 (I) NO si2R6/He si2H6 0,54 4,0 15 = 1 = 170 EXEMPLE 21 On effectue une formation de couches en répétant les opérations de l'exemple 15, sauf que l'opération de formation de la couche amorphe (I) est modifiée comme indi qué ci-dessous. TABLEAU 22 Débit Puis- Vitesse de Epais d'écou- Rapport des sance de dépôt des seur Gaz des lement débits décharge couches utilisé couches (cm / d'écoulement (W/cm) (nm/s) min) ( m) SiH4/He (SiH4 (SiH4/SiF4=8/2 0,18 1,1 0,3 = 1 +SiF4) B2H6/(SiH4+SiF4) SiF4/He = 150 = 1,6x10-13 = 1 | | NO/(SiH4+SiF4) Couch B2H6/Hc = 0,03 amor = 6~2 phe | | | . (I) NO SiH4/He (SiH4 0,18 1,1 15 = 1 + SiF4) SiF4/He = 150 = 1 EXEMPLE 22 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'aluminium analogue à un tambour dans les conditions suivantes. TABLEAU 23 Débit Puis- Vitesse de Epaisd'écou- Rapport des sance de dépôt des seur Gaz lement débits décharge couches des utilisé cm / I d'écoulement (W/cm2) (nm/s) couches min) ( m) SiH4IHe SiH4 B2H6/SiH4=1,6 0,18 1,1 0,3 = 1 200 x10-3 Couche B2H6/He NO/SiH4 = 10-2 = 3x10-2 NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 0,5 200 SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4::C2H4 0,18 0,5 0,5 Couche = 0,5 +SiF4 = 1,5:1,5:7 amor phe SiF4/He = 150 (II) = 0,5 C2H4 Température du support d'Al : 250 C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre de réaction : : 40 Pa lors de la formation de la couche amorphe (I) 66,5 Pa lors de la formation de la couche amorphe (II) L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support) est utilisé pour produire une image développée, le développement s'effectuant en cascade. On obtient une bonne image développée sur l'élément. L'image développée résultante est nettoyée au moyen d'une lame de caoutchouc. Les opérations précédentes de formation et de nettoyage de l'image sont ensuite répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus de ces opérations, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 23 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on procède à une formation de couches sur un substrat d'AQ analogue à un tambour, dans les conditions suivantes. TABLEAU 24 Débit Puis- Vitesse de Epais Gaz d'écou- Rapport des sance des sance de dépôt des seur utilisé lement débits décharge couches des (cm / couches d'écoulement (W/cm ) (nm/s) min) ( m) SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 200 = 1,6x10-3 Couche B2H6/He NO/SiH4 amor = 10-2 = 1,5x10-2 phe (I) NO SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 = 1 200 = 1,5x10-2 NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 200 SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4:C2H4 0,18 0,15 0,3 = 0,5 +SiF4 =0,3:0.1:9,6 amor- SiF4/He (II) C2H4 Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 15. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède à un développement au moyen d'un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément. L'image développée résultante est nettoyée une fois au moyen d'une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 100 000 fois ou plus des opérations, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 24 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ analogue à un tambour, dans les conditions suivantes. TABLEAU 25 Débit Puis- Vitesse de Epais- sance de Rapport des seur des d'écou- dépôt des Gaz décharge débits couches lement couches utilisé (W/cm ) (cm /min) d'écoulement ( m) (nm/s) SiH4/He 200 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 8x10-4 Couche B2H6/He NO/SiH4=10-1 amor = 10-2 (I) NO SiH4/He 200 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 8x10-4 B2H6/He = 10-2 SiH4/He 200 0,18 1,1 15 = 1 SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4::C2H4 0,18 5 1,5 Couche= 0,5 +SiF4 = 3:3:4 amor- SiF4/He phe = 0,5 = 150 (II) C2H4 Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 22. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition développement et soumis à une charge d'effluves à + 5 s kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède à un développement au moyen d'un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée, de densité très haute, sur la surface de l'élément. L'image développée résultante est nettoyée une fois au moyen d'une lame de caoutchouc, et les opérations précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus de ces opérations, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 25 En répétant les opérations de l'exemple 22, sauf que la seconde couche amorphe (II) est produite par modification du rapport des débits d'écoulement des gaz SiH4, SiF4 et C2H4, ce qui a pour résultat une variation du rapport des quantités de silicium et de carbone contenues dans la seconde couche amorphe (II), on produit un élément de formation d'image. En utilisant l'élément de formation d'image résultant, on répète environ 50 000 fois les opérations de formation, de développement et de nettoyage de l'image telles qu'indiquées dans l'exemple 22 et on évalue la qualité de l'image. Les résultats sont donnés dans le tableau 26 ci-dessous. TABLEAU 26 SiH4:SiF4 3:3,5 1:1 0,6:0,4 0,2:0,3 0,2:0,15 0,1:0,1 5:4:1 2:2:6 :C2H4 :3,5 :8 :9 :9,5 :9,65 :9,8 Si:C (Rapport 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 des quanti tes) # # # # # # # # très : très bon bon : images défectueuses parfois formées. EXEMPLE 26 En répétant les opérations de l'exemple 22, sauf que l'on modifie l'épaisseur de la seconde couche amorphe (II), on produit un élément de formation d'image, et on répète les étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image telles qu'indiquées dans l'exemple 22 pour obtenir les résultats suivants. TABLEAU 27 Epaisseur de la couche amorphe (II) ( m) Résultat Images défectueuses pouvant se former Aucune image défectueuse for 0,02 mée après répétition 20 000 fois des opérations Stable après répétition 50 000 0,05 fois ou plus des opérations Stable après répétition 0,3 100 000 fois ou plus des opé rations EXEMPLE 27 En répétant les opérations de l'exemple 22, sauf que la première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau 28, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme indiqué dans l'exemple 22. Le résultat est bon. TABLEAU 28 Débit Puis- Vitesse de Epais d'écou- Rapport des sance de dépôt des seur Gaz lement débits décharge couches des utilisé (cm / d'écoulement (W/cm) (nm/s) couches min) ( m) Si2H6/He Si2H6 B2H6:Si2H6 0,54 4,0 0,3 n n 1 ' 170 = 4,Bx10-3 Couche B2H6/He NO::Si2H6 amor = 10-2 = 9x10-2 (I) Si2H6lH Si2H6 0,54 4,0 15 =1 = 170 EXEMPLE 28 On répète les opérations de l'exemple 22, sauf que la première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées ci-dessous et évaluée comme dans l'exemple 22. Le résultat est bon. TABLEAU 29 Débit Puis- Vitesse de Epais d'écou- Rapport des sance de dépôt des seur Gaz lement débits décharge couches des utilisé couches (cm / d'écoulement (W/cm ) (nm/s) min) ( m) SiH4/He SiH4 SiH4/SiF4=8/2 0,18 1,1 0,3 = 1 +SiF4 B2H6/(SiH4+SiF4) = 150 SiF4/He = 1,6x10-3 = 1 NO/(SiH4+SiF4) Couche B2H6/He = 0,03 amor = 10-2 phe (I) NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 =1 +SiF4 SiF4/He = 1 EXEMPLE 29 En répétant les opérations de l'exemple 24, sauf que la seconde couche amorphe (II) est produite par pulvérisation dans les conditions suivantes, on produit un élé- ment de formation d'image que l'on évalue comme dans l'exem- ple 24. On obtient un bon résultat. TABLEAU 30 Débit Rapport des Puissance Vitesse de Epais Gaz d'écou surfaces de cible de dé- dépôt de seur utilisé lement charge la couche de la (cm / couche (Si : C) (W/cm) (nm/s) min) ( m) Ar Ar Couche 2,5 : 7,5 0,30 0,3 1 SiF4/He amor- SiF4 phe 100 (II) EXEMPLE 30 En utilisant l'appareil de la figure 7, on procède à une formation de couches sur un support d'aluminium analogue à un cylindre, dans les conditions suivantes. TABLEAU 31 Débit Rapport des Epaisseur Etape de Gaz d'écoule- débits des coupréparation utilisé ment (cm / d'écoulement ches ( m) des couches min) SiH4/He SiH4=10 SiH4:NH3 0,05 Première = 1 = 1:30 étape NH3 SiH4/He SiH4=200 SiH4:B2H6 0,3 = 1 =1:1,6x10-3 B2H6/He SiH4:NO = 10-2 = 1:0,03 NO Troisième SiH4/He 15 étape = 1 Température du support d'Al : 2500C Fréquence de décharge . 13,56 MHZ Puissance de décharge : 0,18 W/cm2 Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on effectue un développement au moyen d'un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement s'effectuant en cascade pour produire une bonne image développée sur la surface de l'élément. L'image développée résultante est nettoyée une fois à l'aide d'une lame de caoutchouc, et les opérations précitées de formation et de nettoyage de l'image sont de nouveau répétées. Même après répétition 100 000 fois ou plus des opérations, on n 'observe aucune dégradation de 1 '.image. EXEMPLE 31 En répétant les opérations de l'exemple 30, sauf que, dans la deuxième, étape de préparation de l'élément de formation d'image, le débit d'écoulement du gaz B2H6 dilué à, 100 ppm en volume avec du He gazeux et du NO gazeux est modifié, on produit un élément de formation d'image que l'on ,évalue comme dans l'exemple 30. En outre, les quantités d'atomes de bore et d'oxygène introduites dans la deuxième étape sont déterminées par une micro-analyse ionique (méthode IMA). Le résultat est donné ci-dessous dans le tableau 32. TABLEAU 32 t 'Beneur en arases d1cr'y Devlr e 0,001 1,3 6,0 30 a1-s de tpp aoaP-F.te) /(a) X(a) X(a) X(a) 30 O o 500 O (9 o 2000 O 6 6 O o 50000 ss tS A O 80000 X(b) X(b) wk (b) X(b) 1) Les teneurs en atomes d'oxygène et de bore correspondent aux quantités apparaissant lors de la deuxième étape de la préparation. 2) # très bon Q bon suffisant pour être utilisable en pratique X(a) mauvaise qualité de l'image X (b) risque d'exfoliation de couche. EXEMPLE 32 En répétant les opérations de l'exemple 30, sauf que l'épaisseur de la couche se trouvant dans la zone produite lors de la deuxième étape est modifiée, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme dans l'exemple 30. Le résultat est donné dans le tableau 33. TABLEAU 33 Epaisseur de la couche contenant 0,001 0,003 0,05 0,3 1 5 10 de l'oxygène et du bore ( m) évaluation x O O &commat; # 6 # X très bon bon X relativement pauvre en pratique EXEMPLE 33 En répétant les opérations de l'exemple 30, sauf que les conditions de production existant lors de la première étape sont modifiées comme indiqué ci-après, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme dans l'exemple 30.La résistance de la pellicule et la qualité de l'image sont bonnes. TABLEAU 34 o onditions SiH4 : NH3 Epaisseur de (Rapport des débits la couche d'échantillon d ' d'écoulement) 331 7 : 3 100 332 1 : 1 50 333 1 : 3 30 334 1 : 50 20 EXEMPLE 34 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur le support cylindrique d'At dans les conditions suivantes. TABLEAU 35 Débit Rapport des Epaisseur Etape de Gaz d'écoulement débits des couproduction utilisé (cm /min) d'écoulement ches ( m) de couches SiH4/He SiH4=10 SiH4:NH3 0,05 Première = 1 = 1:30 étape NH3 SiH4/He SiH4=200 SiH4:B2H6 0,3 = 1 =1:1,6x10-3 Deuxième B2H6/He SiH4:NO étape = 10-2 = 1:0,03 NO SiH4/He SiH4=10 SiH4:NH3 0,05 = 1 = 1::30 Troisième étape NH3 SiH4/He SiH4=200 15 Quatrième étape = 1 L'élément de formation d'image résultant est évalué comme dans l'exemple 30. La solidité de la pellicule et la qualité de l'image sont très bonnes. EXEMPLE 35 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches sur le support cylindrique d'aluminium dans les conditions suivantes. TABLEAU 36 Etape de Débit Rapport des Epaisseur d'écoule- debits des coupréparation Gaz ment d'écoulement ches ( m) des couches utilisé (cm3/min) SiH4/He SiH4=8 SiH4:SiF4 0,05 = i = 8:2 Première SiF4/He (SiH4+SiF4) étape = 1 :NH3= 1:30 NH3 SiH4/He SiH4=120 SiH4:SiF4 0,3 = 1 | | = 8:2 Deuxième étape SiF4/He (SiH4+SiF4) = 1 :B2H6 = 1::1,6x10-3 B2H6/He = 10-2 (SiH4+SiF4) :NO= 1:0,03 NO SiH4/He SiH4:SiF4 15 Troisibme = l = 8:2 étape SiF4/He =1 L'élément de formation d'image résultant est évalué comme dans l'exemple 30. Le résultat est bon. EXEMPLE 36 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'AZ dans les conditions de l'exemple 30, hormis les conditions suivantes. TABLEAU 37 Débit Puis- Vitesse de Epais Couche d'écou- Rapport des sance dépôt des seur consti- Gaz lement débits de dé- couches des tutive utilisé (cm / d'écoulement charge (nm/s) couches min) (W/cm) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=30 0,18 0,5 0,05 Couche = 1 = 10 d'inter face NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,6x10-3 B2H6/He NO/SiH4 = 10-2 = 1,5x10-2 Couche amor SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 (I) = 1 = 1,5x10-2 No SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 I - 200 L'élément de formation d'image électrophotographique résultant est évalué comme dans ltexemple 30. Le résultat est bon. EXEMPLE 37 En utilisant l'appareil de la figure 7, on réalise une formation de couches sur un support d'aluminium dans les conditions suivantes. TABLEAU 38 Débit Puis- Vitesse de Epais Couche d'écou - Rapport des sance dépôt des seur cons- Gaz lement débits de dé- couches des titu- utilisé (cm / d'écoulement charge (nm/s) couches tive min) (W/cm) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4 = 3 0,18 0,5 0,05 Couche = 1 = 10 d'inter face NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/S;;4H4 0,18 1,1 0,2 - 1 w 200 @ 8x10 B2H6/He NO/SiH4=10-1 = 10-2 NO Couche amor SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 phe (I) = 1 = 200 = 8x10-4 B2H6/He = 10-2 SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Les-autres conditions sont les mêmes que dans l'exemple 30. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme dans l'exemple 30. L'image est de haute qualité et sa longévité est excellente. EXEMPLE 38 En utilisant l'appareil de production de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ dans les conditions suivantes. TABLEAU 39 Débit Puis- Vitesse de Epais Couche d'écou- Rapport des sance dépôt des seur consti- Gaz lement débits de découches des charge tutive utilisé (cm / d'écoulement (nm/s) couches min) SiH4/He SiH4 SiH4:NH3=1::30 0,18 0,5 0,05 Couche |= 1 | = 10 'inter face NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,6x10-3 B2H6/He NO/SiH4 Couche = 10-2 = 3x10-2 amor (I) SiNH4/He | SiH4 | 0,18 | 1,1 | 1@ =1 = 200 Couche Ar 200 Rapport des 0,3 0,2 0,5 amor- surfaces phe tranche de Si :: graphite = 1,5:8,5 Température du support d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre : 40 Pa lors de la - de réaction formation de la couche amorphe (I) 26,5 Pa lors de la formation de la couche amorphe (II) L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, cette charge étant suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, en utilisant une lampe à filament de tungstène. Immédiatement après, on procède à un développement au moyen d'un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant réalisé en cascade pour produire une bonne image développée sur la surface de l'élément. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame en caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont ensuite répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus des opérations, aucune dégradation de l'image n'est observée. EXEMPLE 39 En utilisant l'appareil de production de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ dans les conditions suivantes. TABLEAU 40 Débit Puis- Vitesse de Epaisd'écou- Rapport des sance dépôt des seur Couche lement débits de dé- couches des consti- Gaz (cm / d'écoulement charge (nm/s) couches tutive utilisé min) ( m) (W/cm) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=30 0,18 0,5 0,05 = 1 = 10 d'inter SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 200 = 1,6x10-3 B2H6 NO/SiH4 Couche amor- = 10-2 = 2x10-2 (I) SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Rapport des Couche Ar 200 0,3 0,15 0,3 surfaces amor- tranche de Si : phe (II) graphite = 0,5:9,5 Les autres conditions sont les mêmes que dans l'exemple 38. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développe ment et soumis à une charge d'effluves à &commat; 5 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède à un développement au moyen d'un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour produire une bonne image développée sur la surface de l'élément. L'image développée résultante est nettoyée avec une lame de caoutchouc et les étapes de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 100 000 fois ou plus de ces étapes, aucune dégradation de l'image n'est observée. EXEMPLE 40 En utilisant l'appareil de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ dans les conditions suivantes. TABLEAU 41 Débit Puis- Vitesse de Epais Couche d'écou- Rapport des sance dépôt des seur consti- Gaz lement débits de dé- couches des tutive utilisé (cm / d'écoulement charge (nm/s) couches min) (W/cm) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=3 0,18 0,5 0,05 Couche = 1 = 10 d'inter face SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 3x10-3 Couche B2H6/He NO/SiH4=3x10-2 amor phe = 10-2 SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Rapport des Couche Ar 200 0,3 0,3 1,0 surfaces amor tranche de Si : graphite (II) = 6:4 Les autres conditions sont les mêmes que dans l'exemple 38. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à 0+ 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède à un développement avec un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour produire une bonne image développée, de densité très élevée,sur la surface de l'élément. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après les répétitions 150 000 fois ou plus de ces étapes, on n'obtient aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 41 En répétant les opérations de l'exemple 40, hormis que le rapport des surfaces de la tranche de silicium au graphite est modifié lors de la formation de la seconde couche amorphe (II) afin de faire varier le rapport des quantités d'atomes de silicium et de carbone dans ladite couche (II), on produit un élément de formation d'image. L'élément de formation d'image résultant est soumis aux étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image telles que décrites dans l'exemple 38, environ 50 000 fois, et la qualité de l'image est ensuite évaluée. TABLEAU 42 Cible Si:C (rapport | 9 : 1 | 6 5:3 5 | 4 : 6 | 2 : 8 |1 : 9|0.5:9.5|0 2:9 8| surfs , , I Si:C (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3 : 7 2 : 8 0,8:9,2 quantités) Evaluation de la qua lité de # # # # # # # X l'image # très bon bon suffisante pour être utilisée en pratique images défectueuses parfois formées. EXEMPLE 42 En répétant les opérations de l'exemple 38, sauf que l'épaisseur de la seconde couche amorphe (II) est modifiée, on produit un élément de formation d'image. On répète les étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image décrites dans l'exemple 38. Les résultats sont donnés dans le tableau 43. TABLEAU 43 Epaisseur de la couche amorphe (11) Résultat Risque de formation d'images 0,001 m défectueuses Aucune image défectueuse formée 0,02 tun lorsque les étapes sont répétées 20 000 fois Stable lors d'une répétition des 0,05 tim étapes 50 000 fois ou plus Stable lors d'une répétition des 1 su étapes 200 000 fois ou plus EXEMPLE 43 En répétant les opérations de l'exemple 38, sauf que la formation de la couche d'interface et de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau 44 ci-dessous, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme dans l'exemple 38. Le résultat est bon. TABLEAU 44 Ordre de pré- Débit Gaz Rapport des Epaisseur paration des d'écouutilisé débits de la couches lement (cm / d'écoulement couche ( m) min) SiH4/He SiH4 SiH4:NH3 0,05 Couche Pre = 1 = 10 = 1:30 d'inter- mière face étape NH3 SiH4/He SiH4 SiH4:B2H6 0,3 Couche Deu- = 1 = 200 = 1:1,6x10-3 amor- xième phe étape B2H6/He SiH4:NO (I) = 10-2 = 1:0,03 NO Couche Troi- SiH4/He SiH4 SiH4: :NH3 0,05 d'inter- sième = 1 = 10 = 1:30 face étape NH3 Couche Qua- SiH4/He SiH4 15 amorphe trième = 1 = 200 (I) étape EXEMPLE 44 En répétant les opérations de l'exemple 38, sauf que la formation de la couche d'interface et la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme dans l'exemple 38. On obtient un bon résultat. TABLEAU 45 Débit Rapport des Epaisseur Etape de pré- d'écou- débits des paration de Gaz lement d'écoulement couches ( m) couches utilisé (cm min Couche SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4 0,05 Pre mière = 1 8 = 8:2 face étape SiF4/He (SiH4+SiF4) = 1 :NH3= 1:30 NH3 SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4 0,3 = 1 = 120 = 8:2 SiF4/He (SiH4+SiF4) = 1 ::B2H6 xième Couche étape = 1:1,6x10-3 phe = 10-2 (SiH4+SiF4) (I) :NO= 1:0,03 NO SiH4/He SiH4:SiF4 15 Troi- = 1 = 8:2 sième étape SiF4/He =1 EXEMPLE 45 En utilisant l'appareil de la figure 8 et en répétant les opérations de l'exemple 38, hormis les conditions indiquées ci-après, on effectue une formation de couches sur un support d'Al. TABLEAU 46 Débit Puis Vitesse de Epais Couche sance d'écou- Rapport des dépôt des seur consti- Gaz lement de dé débits couches des tutive utilisé (cm / charge couches d'écoulement (nm/s) min) (W/cm) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=30 0,18 0,5 0,05 Couche = 1 = 10 d'inter face NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,6x10-3 B2H6/He = 10-2 Couche amor- NO phe (I) SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 = 1 = 200 = 1,5x10-2 NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Rapport des Ar 200 0,3 0,15 0,3 Couche tranche de Si : = 0,5:9,5 (II) L'élément de formation d'image électrophotographique résultant est évalué comme dans l'exemple 39 et le résultat est bon. EXEMPLE 46 En utilisant l'appareil de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes. TABLEAU 47 Débit Puis- Vitesse de | Epais Couche | |d'ecou- Rapport des |sance | dépôt des | seur consti- Gaz lement débits de dé- couches des tutive utilisé (cm3/ d'écoulement charge (nm/s) couches min) (W/cm@) ( m) Couche SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=3 0,18 0,5 0,05 d'inter = l = 10 face NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 200 = 8x10-4 B2H6/He NO/SiH4=10-1 = 10-2 Couche NO amor phe SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 (I) = 1 0 200 = 8x10-4 B2H6IHe = 10-2 SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Rapport des Couche Ar 200 0,3 0,3 1,0 amor-surfaces tranche de Si : phe graphite (II) = 6:4 Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 38. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme dans l'exemple 40.La qualité de l'image est élevée et la longévité est excellente. EXEMPLE 47 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches sur le support d'Al analogue à un tambour, dans les conditions suivantes. TABLEAU 48 Débit Puissan- Vitesse de Epais Couche Gaz d'écou- Rapport des ce de dépôt des seur consti- utilisé lement débits décharge couches des tutive (cm / d'écoulement (W/cm) (nm/s) couches min) ( m) SiH4/He SiH4 SiH4:NH3 = 1::30 0,18 0,5 0,05 0 1 = 10 Couche d'inter NH3 face SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 0 200 0 1,6x10-3 B2H6/He NO/SiH4=3x10-2 Couche amor- = 10-2 phe (I) NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Couche SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4 0,3 0,2 0,5 amor = 0,5 = 100 = 3:7 C2H4 Température du support d'AQ : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa lors de la formation de la couche amorphe (I) 26,5 Pa lors de la formation de la couche amorphe (II) L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à à + 5 5 kV pendant 0,2 seconde, 'suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède à un développement au moyen d'un révélateur chargé négativement (comprenant un'"toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour produire une bonne image développée sur la surface de l'élément. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus des opérations, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 48 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'Ae analogue à un tambour, dans les conditions suivantes. TABLEAU 49 Débit Puis- Vitesse de Epais Couche d'écou- Rapport des sance dépôt des seur consti- Gaz lement débits de dé- couches des tutive utilisé (cm / d'écoulement charge (nm/s) couches min) (W/cm) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=30 0,18 0,5 0,05 Couche |= 1 | = 10 d'inter face NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 200 = 1,6x10-3 B2H6/He NO/SiH4 Couche = 10-2 = 2x10-2 amor phe (I) NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 =1 = 200 Cruche SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4 0,3 0,15 0,3 amor- |= 1 | = 100| 0 0,4:9,6 phe (II) |C2H4 Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 47. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de Charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à 05 s kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède à un développement au moyen d'un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour produire une bonne image développée sur la surface de l'élément. L'image développée résultante est nettoyée avec une lame de caoutchouc, et les étapes de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 100 000 fais ou plus de ces étapes, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 49 On effectue une formation de couches sur un support analogue à un tambour, dans les conditions suivantes, l'aide de l'appareil montré sur la figure 7. TABLEAU 50 Débit Puis- Vitesse de Epaiscouche Gaz d'écou- Rapport des sance dépôt des seur cons- utilisé lement débits de dé- couches des titu (cm / d'écoulement charge (nm/s) couches min) (W/cm) ( m) tive SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=3 0,18 0,5 0,05 Couche = 1 = 10 d'in terface NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 3x10@ B2H6/He NO/SiH4 = 3x10-2 phe (I) = 10-2 NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4=5:5 0,3 0,3 1,5 Couche S n 0,5 = 100 phe (II) C2H4 Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 47. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à 0+ 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède à un développement au moyen d'un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour produire une bonne image développée, de densité très élevée. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus de ces étapes, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 50 On répète les opérations de l'exemple 49, hormis que, lors de la production de la deuxième couche amorphe (II), le rapport des débits d'écoulement du gaz SiH4 au gaz C2H4 est modifié afin de faire varier le rapport des teneurs en atomes de silicium et de carbone dans ladite couche (II), afin de produire un élément de formation d'image qui est ensuite soumis aux étapes de formation, de développement et de nettoyage d'image telles que décrites dans l'exemple 47, environ 50 000 fois. L'évaluation de l'image est ensuite réalisée. Le résultat est indiqué dans le tableau 51. TABLEAU 51 S : C2H4 (rapport des dé- 9:1 6:4 4:6 2:8 l:9 0,5:9,5 0,34:9,66 0,2:9,8 bits d'écoulement) Si : C 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 rapport des teneurs Evaluation de la qualité de # # # # # # # # # l'image # très bon # bon b farmatian de quelques images défectueeses, # mais pratiquement utilisables. EXEMPLE 51 En répétant les opérations de l'exemple 47, hormis qu'on modifie l'épaisseur de la seconde couche amorphe (Il), on produit un élément de formation d'image qui est soumis de façon répétée aux étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image décrites dans l'exemple 47. Les résultats sont donnés ci-dessous. TABLEAU 52 Epaisseur de la couche amorphe (11) Résultat Risque de formation d'images 0,001 m défectueuses Aucune image défectueuse formée 0,02 m après répétition 20 000 fois des opérations Stable après répétition 50 000 0,05 m fois ou plus des opérations Stable après répétition 200 000 fois ou plus des opérations EXEMPLE 52 En répétant les opérations de l'exemple 47, hormis que la formation de la couche d'interface et de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau 53 ci-dessous, on produit une couche de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 47. Le résultat est bon. TABLEAU 53 Débit Ordre de prépa- Gaz Rapport des Epaisseur d'écouration des utilisé débits des lement d'écoulement couches ( couches (cm / min) SiH4/He SiH4 SiH4:NH3=1:30 0,05 Couche Pre = 1 = 10 d'inter- mière face étape NH3 SiH4/He SiH4 SiH4:B2H6 0,3 Couche amor- Deu- = 1 = 200 0 1:1,6x10-3 phe xième (I) étape B2H6/He SiH4:NO = 10-2 = 1:0,03 NO SiH4/He SiH4 SiH4:NH3=1::30 0,05 Couche Troi d'inter- sième = 1 = 10 face étape NH3 Couche Qua- SiH4/He SiH4 15 amor- trième = 1 = 200 phe (I) étape EXEMPLE 53 En répétant les opérations de l'exemple 47, sauf que la formation de la couche d'interface et de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 47. Le résultat est bon. TABLEAU 54 Débit Ordre de pré- Epaisseur d'écou- Rapport des paration des Gaz lement débits des couches utilisé (cm / couches ( m) min) SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4=8:2 0,05 Couche | Pre- | = 1 | ~8 | d'inter- mière face étape SiF4/He :NH3= 1:30 = 1 NH3 SiH4/He SiH4 | SiH4:SiF4=8:2 0,3 = 1 = 120 (SiH4+SiF4) Couche amorphe Deu- SiF4/He :B2H6 (I) xième = 1 = 1::1,6x10-3 B2H6/He (SiH4+SiF4):NO = 10-2 | | = 1:0,03 NO SiH4/He SiH4:SiF4=8:2 15 Troi- = 1 sième étape SiF4/He = 1 EXEMPLE 54 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'Al en suivant les opérations de l'exemple 47, sauf que les conditions suivantes sont utilisées. TABLEAU 55 Débit Puis- Vitesse de Epais Couche Gaz 'écou Rapport des sance dépôt des seur conti- utilisé lement débits de dé- couches des tutive (cm / d'écoulement charge (nm/s) couches min) (W/cm) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4= 30 0,18 0,5 0,05 = 1 = 10 d'inter face SiH4/He | SiH4 | B2H6/SiH4 | 0,18 | 1,1 | 0,3 - I = 200 = 1,6x10 Couche B2H6/He NO/SiH4 amorphe = 10-2 = 1,5x10-2 (I) SiH4/He SiH4 No/SiH4 0,18 1,1 0,1 i 1 " 200 U NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Couche SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4 0,3 1,5 0,3 amorphe = 1 = 100 = 0,4:9,6 C2H4 L'élément de formation d'image électrophotographique résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 48. On obtient un bon résultat. EXEMPLE 55 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes. TABLEAU 56 Débit Puis- Vitesse de Epais Couche Gaz d'écou- Rapport des sance dépôt des seur des consti- utilisé lement débits de dé- couches couches tutive (cm / d'écoulement charge (nm/s) ( m min) (W/cm) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4= 3 0,18 0,5 0,05 Couche |= 1 | = 10 d'inter face NH3 SiH4/He | SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,2 - 1 = 200 = 8x10 B2H6/He NO/SiH4 = 10-2 = 10-1 Couche NO amorphe SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 (I) = 1 = 200 = 8x10-4 B2H6/He = 10-2 SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Couche SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4 0,3 0,3 1,5 amorphe = 0,5 = 100 = 5:5 C2R4 Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 47. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 49. La qualité de l'image est élevée et la longévité est excellente. EXEMPLE 56 En utilisant l'appareil de production de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes. TABLEAU 57 Débit Puis Couche Vitesse de Epaisd'écou- sance Rapport des dépôt des seur consti- Gaz lement tutive utilisé débits de dé- couches des (cm / charge d'écoulement (nm/s) couches min) (W/cm) ( m) Couche |SiH4/He SiH4 SiH4:NH3= 1::30 0,18 0,5 0,05 d'inter a 1 = 10 face NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,6x10-3 Couche B2H6/He NO/SiH4= 3x10-2 amor = 10-2 (I) NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 Couche SiF4/He SiF4 SiF4:C2H4= 3:7 0,3 0,2 0,5 amor = 0,5 = 100 phe (II) C2H4 Température du support d'AQ : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa lors de la formation de la couche amorphe (I) 26,5 Pa lors de la formation de la couche amorphe (II) L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à 0+ 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux. seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus de ces étapes, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 57 En utilisant l'appareil de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes. TABLEAU 58 Débit Puis- Vitesse de Epaisd'écou- Rapport des sance de dépôt seur Couche Gaz lement débits de dé- des couches des consti- utilisé (cm / d'écoulement charge (nm/s) couches tutive min) (W/cm) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4= 30 0,18 0,5 0,05 Couche = 1 = 10 d'inter face NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 200 = 1,6x10-3 B2H6/He NO/SiH4= 2x10-2 amor phe (I) NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4:C2H4 0,3 0,15 0,3 Couche = 0,5 +SiF4 = 0,3:0,1:9,6 amor phe SiF4/He = 15 (II) = 0,5 C2H4 Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 56. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-ddvefoppement et soumis à une charge d'effluves à (3 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Ne après répétition 100 000 fois ou plus de ces étapes, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 58 En utilisant l'appareil de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ dans les conditions suivantes. TABLEAU 59 Débit Puis- Vitesse de Epais Couche d'écou- sance dépôt des seur Rapport des consti- Gaz lement de dé- couches des débits tutive utilisé (cm / charge (nm/s) couches d'écoulement min) (W/cm) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=3 0,18 0,5 0,05 Couche = 1 = 10 d'inter face NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 3x10-3 Couche B2H6/He NO/SiH4= 3x10-2 amor = 10-2 SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 SiH4/He (SiH4 SiH4:SiF4:C2H4 0,3 0,3 1,5 = 0,5 +SiF4) = 3:3:4 = 150 SiF4/He = 0,5 C2H4 Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 56. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à &commat; 5 5 kV pendant 0,2 se- conde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé négativement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée, de densité très élevée, sur la surface de l'élément. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus de ces étapes, on n'observe aucune dégradation de l'image. EXEMPLE 59 En répétant les opérations de l'exemple 58, sauf que, lors de la formation de la seconde couche amorphe (Il), les rapports des débits d'écoulement SiH4 gazeux : SiF4 gazeux : C2H4 gazeux sont modifiés pour faire varier le rapport de la teneur en atomes de silicium à la teneur en atomes de carbone dans ladite couche (II), on produit un élément de formation d'image. L'élément de formation d'image résultant est soumis aux étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image indiquées dans l'exemple 56, environ 50 000 fois, et on évalue l'image. Les résultats sont donnés dans le tableau 60 ci-dessous. TABLEAU 60 SiH4:SiF4 3:3,5 0,6:0,4 0,2:0,3 0,2:0,15 0,1:0,1 5:4:1 2:2:6 1:1:8 :C2H4 :3,5 :9 :9,5 :9,65 :9,8 Si : C (rapport 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8: :9,2 des teneurs) Evaluation de la qualité # # # # # # # # de l'image très bon Q bon A utilisable en pratique bien que des images défectueuses soient parfois formées. EXEMPLE 60 En répétant les opérations de l'exemple 56, sauf que l'épaisseur de la seconde couche amorphe (Il) est modifiée, on produit des éléments de formation d'image. Ces éléments sont ensuite soumis de façon répétée aux étapes de formation,de développement et de nettoyage d'image indiquées dans l'exemple 56. Les résultats sont indiqués cidessous. TABLEAU 61 Epaisseur de la couche amorphe (Il > Résultat (Fml Risque de formation d'images défectueuses Aucune image défectueuse n'est 0,02 formée après répétition 20 000 fois des opérations Stable après répétition 50 000 0,05 fois ou plus des opérations Stable après répétition 200 00 1 fois ou plus des opérations EXEMPLE 61 En répétant les opérations de l'exemple 56, sauf que la formation de la couche amorphe (I) et de la couche d'interface est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on produit un élément de-formation d'image que l'on évalue comme indiqué dans l'exemple 56. On obtient un bon résultat. TABLEAU 62 Débit Ordre de pré- Rapport des Epaisseur d'écou- débits de la paration des Gaz utilisé lement d'écoulement couche ( m) (cm /min) SiH4/He SiH4 SiH4:NH3 0,05 Couche Pre = 1 = 10 = 1:30 d'inter- mière face étape NH3 SiH4/He SiH4 SiH4:B2H6 0,3 Couche Deu- = 1 = 200 = 1:1,6x10-3 amorphe xième (I) étape B2H6/He SiH4:NO = 10-2 = 1:0,03 NO Couche Troi- SiH4/He SiH4 SiH4::NH3 0,05 d'inter- sième = 1 = 10 = 1:30 face étape NH3 Couche Qua- SiH4/He SiH4 15 amorphe trième = 1 = 200 (I) étape EXEMPLE 62 En répétant les opérations de l'exemple 56, sauf que la formation de la couche d'interface et de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 56. On obtient un bon résultat. TABLEAU 63 Ordre de pré- Gaz it Rapport des Epaisseur paration des utilisé d'écou- débits de la lement d'écoulement couche ( m) couches (cm /min) SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4=8:2 0,05 Couche = 1 ~8 d'inter- Pre- (SiH4+SiF4) face mière SiF4/He :NH3= 1:30 =1 NH3 SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4=8:2 0,3 =1 = 120 (SiH4+SiF4) Deu- | SiF4/He | | ::B2H6 xième = 1 = l:l,6x10 étape Couche B2H6/He (SiH4+SiF4) amorphe = 10-2 :NO= 1:0,03 NO SiH4/He SiH4:SiF4=8:2 15 Troi- | = 1 sième étape SiF4/He = 1 EXEMPLE 63 En utilisant l'appareil de la figure 8 et en répétant les opérations de l'exemple 56, hormis les conditions indiquées ci-après, on effectue une formation de couches sur un support d'Al. TABLEAU 64 Débit Puis- Vitesse de Epais Couche d'écou- Rapport des sance dépôt des seur consti- Gaz lement débits de dé- couches des tutive utilisé (cm / d'écoulement charge (nm/s) couches min) (W/cm) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4= 30 0,18 0,5 0,05 Couche = 1 = 10 l'inter face NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,6x10-3 B2H6/He NO/SiH4 = 10-2 = 1,5x10-2 Couche amorphe (I) SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 = 1 = 200 = 1,5x10-2 NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4:C2H4 0,3 0,15 0,3 Couche = 0,5 +SiF = 0,3:0,1:9,6 amorphe (II) SiF4/He = 15 = 0,5 C2H4 L'élément de formation d'image électrophotographique résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 57. Le résultat est bon. EXEMPLE 64 On effectue une formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes, à l'aide de l'appareil montré sur la figure 8. TABLEAU 65 Débit Puis- Vitesse de Epais Couche d'écou- Rapport des sance dépôt des seur consti- Gaz lement débits de dé- couches des tutive utilisé (3/ d'écoulemEnt charge (nm/s) couche min) (W/cm) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4= 3 0,18 0,5 0,05 = 1 = 10 NH3 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 200 = 8x10-4 B2H6/H2e NO/SiR4- 10 = 10-2 Couche NO amorphe (I) SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 8x10-4 B2H6/He = 10-2 SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 = 1 = 200 SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4:C2H4 0,3 0,3 1,5 = 0,5 +SiF4 = 3:3:4 Couche amorphe SiF4/He = 150 (II)= 0,5 C2H4 Les autres conditions sont les memes que celles indiquées dans l'exemple 56. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 58. L'image est de qualité élevée et la longévité est bonne. EXEMPLE 65 En répétant les opérations de l'exemple 56, hormis que la couche amorphe (II) est formée par pulvérisation dans les conditions indiquées ci-dessous, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 58. On obtient un bon résultat. TABLEAU 66 Débit Rapport des surfa Puissance Epaisseur ces de la cible Gaz d'écoule- de déchar- de la (tranche de Si : utilisé ment (cm / ge (W/cm ) couche ( m) min) graphite) Ar Ar 200 2,5 : 7,5 0,3 1 amor SiF4/He SiF4 100 phe (II) = 0,5 EXEMPLE 66 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'At dans les conditions suivantes. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement au moyen d'un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 100 000 fois ou plus de ces étapes, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 67 Débit Epaisseur de Etape de pré- d'écou- Rapport des la couche paration de Gaz lement débits ( m) la couche utilisé (cm /:iin d'écoulement SiH4/He SiH4 SiH4:PH3 0,3 = 1 = 200 = 1:1,0x10-3 Première étape PH3/He SiH4 :NO = 10-2 = 1:0,03 NO Deuxième SiH4/He 15 étape | = 1 Température du support d'Al : 250 C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Puissance de décharge : 0,18 W/cm2 Pression lors de la réac tion : 40 Pa Vitesse de dépôt de la couche : 1,1 nm/s EXEMPLE 67 En répétant les opérations de l'exemple 66, sauf qu'au cours de la première étape, le débit d'écoulement du PH3 gazeux dilué à 10 000 ppm en volume avec du He gazeux, et celui du NO gazeux, sont modifiés, on produit des éléments de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 66. On détermine, par micro-analyse ionique (méthode IMA), les quantités de phosphore et d'oxygène introduites dans chaque échantillon lors de la première étape. Les résultats sont donnés dans le tableau 68. TABLEAU 68 Teneur en atomes d'ont Teneur en gène (pourcentag atatres de atanique) 0,001 1,3 6,0 30 phore (n atomique) 10 X (a) '(a) ' 30 O O A A 500 o Oo O O 2000 Q ) o 50000 A O c O 80000 : X (b) X (b) X (b) X (b) 1) Dans le tableau,les quantités d'atomes d'oxygène et d'atomes de phosphore sont celles introduites lors de la première étape de production. 2) très bon Q bon suffisant pour être utilisable en pratique X (a) mauvaise qualité de l'image (b) risque d'exfoliation de couche. EXEMPLE 68 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ dans les conditions suivantes. Les éléments de formation d'image résultants sont évalués comme décrit dans l'exemple 66. Les résultats sont donnés dans le tableau 70. TABLEAU 69 Débit d'écou- Rapport des Epaisseur de Etape de Gaz lement débits la couche préparation utilisé (cm / de la couche min) SiH4/He SiH4 SiH4:PH3 changeant convenable Première = 1 = 200 = 1:1,6x10-3 étape PH3/He PH3 SiH4:NO = 10-2 = 32 = 1::0,015 NO NO=3 Deuxième SiH4/He SiH4 changeant étape convenable = 1 = 200 ment Température du support d'AQ : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Puissance de décharge : 0,18 W/cm2 Epaisseur totale de la couche : 15 m Pression lors de la réaction : 40 Pa Vitesse de dépôt de la couche : 1,1 nm/s TABLEAU 70 Epaisseur de la couche contenant 0,001 0,003 0,05 0,3 1 5 10 l'atome d'oxygène et de phosphore ( m) Evaluation X # # # # # X très bon bon suffisant en pratique X problématique en pratique EXEMPLE 69 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'Al dans les conditions indiquées dans le tableau 71. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 66. Le résultat est bon. TABLEAU 71 Débit Etape de pré- Gaz d'écou- Rapport des Epaisseur paration de utilisé lement débits de la la couche (cm /min) d'écoulement couche ( m) SiH4/He SiH4 SiH4:PH3 0,3 =1 - 200 2 1:1,0x10-3 Première PH3/He SiH4:NO étape = 10-2 = 1:0,015 NO SiH4/He SiH4:NO Deuxième |= = 1 = 1::0,015 0,1 étape NO Troisième SiH4/He | | 15 étape = 1 Température du support d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Puissance de décharge : 0,18 W/cm2 Pression lors de la réaction: 40 Pa Vitesse de dépôt de la couche : 1,1 nm/s EXEMPLE 70 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couche sur un support d'Al dans les conditions indiquées dans le tableau 72. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 66. On obtient un bon résultat. TABLEAU 72 Epaisseur Etape de pré- Gaz d'écou- Rapport des de la paration de utilisé lement débits couche ( m) la couche (cm /min) d'écoulement SiH4/He SiH4 SiH4:PH3 0,2 = 1 | = 200 | = 1:5x10 Première pH3/He SiH4:NO=l:0,l étape = 10-2 NO SiH4/He SiH4:PH3 0,3 Deuxième = 1 = 1:5x10-4 PH3/He = 10-2 Troisième SiH4/He 15 étape = 1 Température du support d'AQ : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Puissance de décharge : 0,18 W/cm2 Pression lors de la réaction : 40 Pa Vitesse de dépôt de la couche : 1,1 nm/s EXEMPLE 71 On produit un élément de formation d'image dans les conditions indiquées dans le tableau 73 et on l'évalue comme décrit dans l'exemple 66. On obtient un bon résultat. TABLEAU 73 Débit Etape de Gaz Epaisseur d'écou- Rapport des préparation utilisé leEnt débits de (twn) de la couche (cm / couche ( m) min) d'écoulement Si2H6/He Si2H6 Si2H6:PH3 0,3 = 1 = 170 = 1:3,2x10-3 Première étape PH3/He Si2H6:NO = 10-2 = 1:0,09 NO Si2H6/He 15 Deuxième étape = 1 Température du support d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHZ Puissance de décharge : 0,54 W/cm2 Pression lors de la réaction : 40 Pa Vitesse de dépôt de la couche : 4,0 nm/s EXEMPLE 72 On produit un élément de formation d'image dans les conditions indiquées dans le tableau 74 et on l'évalue comme décrit dans l'exemple 66. La qualité de l'image et la longévité sont bonnes. TABLEAU 74 Débit Rapport des Epaisseur Etape de Gaz d'écoudébits de la préparation utilisé lement cm / d'écoulement couche ( m) de la couche min) SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4=8:2 0,3 = 1 +SiF4 (SiH4+SiF4) prEmière SiF4/He 150 :PH3 étape = 1 = 1::1,0x10-3 PH3/He (SiH4+SiF4) = 10- :NO= 1:0,03 NO SiH4/He 15 étape SiF4/He = 1 Température du support d'Al : 250 C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Puissance de décharge : 0,18 W/cm2 Pression lors de la réaction : 40 Pa Vitesse de dépôt de la couche : 1,1 nm/s EXEMPLE 73 En répétant les opérations de l'exemple 68, sauf que l'étape de formation de la seconde couche est modifiée comme indiqué ci-dessous dans le tableau 75, ou en répétant les opérations de l'exemple 69, sauf que les étapes de préparation des deuxième et troisième couches sont modifiées comme indiqué dans le tableau 75 ci-dessous, on prépare des éléments de formation d'image électrophotographique que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 66.La qualité de l'image et la longévité sont bonnes. TABLEAU 75 Débit Rapport des Epaisseur Condition Gaz utilisé d'écou lement débits de la (cm / d'écoulement couche ( m) min) SiH4/He=1 SiH4 B2H6/SiH4=2x10-5 15 1 = 200 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 B2H6/SiH4=1x10-5 15 = 200 B2H6/He NO/SiH4=1,5x10-2 NO Si2H6/He Si2H6 B2H6/Si2H6 10 = 1 = 170 = 3x10-4 3 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 SiH4:SiF4= 8: :2 15 +SiF4 SiF4/He=1 B2H6/(SiH4+SiF4) = 100 = 2x10-5 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 NO/SiH4=1,5x10-2 15 = 200 EXEMPLE 74 En utilisant l'appareil de production de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image d 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement au moyen d'un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus, aucune dégradation de l'image n'est observée. TABLEAU 76 Etape Débit Puis- Vitesse Epaisde pré- d'écou- Rapport des sance de depôt seur lement débits de dé- des cou- des tion de utilisé (cm / d'écoulement charge ches couches couche min) (W/cm) (nm/s) ( m) Pre- SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 étape - 1 = 200 = 1,(bc10 3 Couche PH3/He NO/SiH4 amorphe = 01-2 = 3x10-2 (I) NO SiH4/He SiH4 - 0,18 1,1 15 xième étape = 1 = 200 Troi- Rapport des Couche Ar 200 0,3 0,2 0,5 sième surfaces amorphe tranche de Si:graphite = 1,5:8,5 Température du support d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre 40 Pa lors de la de réaction . formation de la couche amorphe (I) Pression dans la chambre de réaction : 26,5 Pa lors de la formation de la couche amorphe (II) EXEMPLE 75 En utilisant l'appareil de production de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ dans les conditions suivantes. Les autres conditions sont telles qu'indiquées dans l'exemple 74. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et il est soumis à une charge d'effluves a05 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux. seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 100 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 77 Débit Puis- Vitesse Epais Etape Rapport des d'écoude sance de dé- seur Gaz lement débits de dé- pôt des des prépa utilisé (cm / d'écoulecharge couches couches ration min) ment (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,0x10-3 Pre mière PH3/He NO/SiH4 étape = 10-2 = 1,5x10-2 Couche NO amor phe SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 (I) Deu = 1 = 200 = 1,5x10-2 NO Troi SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième = 1 = 200 étape Rapport des Couche Qua- Ar 200 0,3 0,15 0,3 surfaces amor- trième tranche de phe étape Si:graphite (II) = 0,5:9,5 EXEMPLE 76 En utilisant l'appareil de production de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes. Les autres conditions sont telles qu'indiquées dans l'exemple 74. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée, de densité très élevée, sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 78 Etape Débit Puis- Vitesse Epaisde pré- d'écou- Rapport des sance de dé- seur para- lement débits de dé- pôt des des Gaz tion (cm / d'écoulement charge couches couches utilisé de min) (W/cm) (nm/s) ( m) couche SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,2 Pre- = 1 = 200 = 5x10-4 mière étape PH3/He NO/SiH4 = 10-2 = 10-1 Couche NO amorphe (I) SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 Deu = 1 = 200 = 5x10-4 xième étape PH3/He = 10-2 Troi SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième étape = 1 = 200 Rapport des Couche Qua- Ar 200 0,3 0,3 1,0 amorphe trième surface tranche de (II) étape Si:graphite = 6::4 EXEMPLE 77 En répétant les opérations de l'exemple 76, sauf que, lors de la production de la seconde couche amorphe (II), le rapport des surfaces de la tranche de silicium au graphite est modifié pour faire varier le rapport de la teneur d'atomes de silicium à la teneur d'atomes de carbone dans la couche (II), on produit des éléments de formation d'image que l'on soumet de façon répétée, environ 50 000 fois, aux étapes de formation, de développement et de nettoyage d d'image décrites dans l'exemple 74, et on procède à une évaluation de l'image. Les résultats sont donnés ci-dessous dans le tableau 79. TABLEAU 79 Cible Si:C (rapport 9 : 1 6,5:3,5 4 : 6 2 : 8 l : 9 0,5:9,5 0,2:9,8 surfaces Si : C (Rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3 : 7 2 : 8 0,8:9,2 teneurs) évaluation de la qua- # # # # # # lité de l'image très bon bon # suffisant pour être utilisé en pratique X risque de formation d'images défec tueuses. EXEMPLE 78 En répétant les opérations de l'exemple 74, hormis l'épaisseur de la seconde couche amorphe (II), on produit des éléments de formation d'image que l'on soumet de façon répétée aux étapes de formation, de développement et de nettoyage d'image décrites dans l'exemple 74. Les résultats sont donnés ci-dessous. TABLEAU 80 Epaisseur de la couche amorphe Résultat (II) ( m) 0,001 Risque de formation d'images défectueuses Aucune image défectueuse formée 0,02 après répétition 20 000 fois des opérations Stable après répétition 50 000 1 fois ou plus des opérations Stable après répétition 100 000 0,3 fois ou plus des opérations EXEMPLE 79 En répétant les opérations de l'exemple 74, sauf que la formation de la première couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 74. On obtient un bon résultat. TABLEAU 81 Débit Puis Etape Vitesse Epais pôt des de la prépa- Gaz débits (cm / charge couches couche ration utilisé d'écoulement min) (W/cm) Si2H6/He Si2H6 PH3/Si2H6 0,54 4,0 0,3 = 1 = 170 = 3,2x10-3 mière PH3/He NO/Si2H6 NO am- Deu- Si2H6/He Si2H6 0,54 4,0 15 xième (I) = 1 = 170 étape EXEMPLE 80 En répétant les opérations de l'exemple 74, sauf que la formation de la première couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 74. On obtient un bon résultat. TABLEAU 82 Etape Débit Puis- Vitesse Epais de d'écou- Rapport des sance de déseur prépa- Gaz lement débits de dé- pôt de la ration utilisé (cm / d'écoulement charge des de la min) couches (W/cm) ( m) couche (nm/s) SiH4/He SiH4 SiH4/SiF4=8/2 0,18 1,1 0,3 PH3/(SiH4+SiF4) SiF4/He = 150 = 1,0x10-3 Pre mière = 1 NO/(SiH4+SiF4) étape - PH3/He = 0,03 = 10-2 Couche amorphe SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 (I) Deu +SiF xième = 14 étape | w 150 |SiF4/He =1 EXEMPLE 81 En répétant les opérations de l'exemple 74, sauf que la formation de la première couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 74. On obtient un bon résultat. TABLEAU 82A Etape Débit Puis- Vitesse de d'écou- Rapport des sance de dé- Epais pré- Gaz lement débits de dé- pôt de seur para utilisé (cm / d'écoulement charge couches de la tion de min) (nm/s) couche ( m) SiH4/He SiH4 SiH4/SiF4=8/2 0,18 1,1 0,3 = 1 +SiF4 PH3/(SiH4+SiF4) = 150 Pre- SiF4/He = 1,0x10-4 mière Couche = 1 étape NO/(SiH4+SiF4) amor phe PH3/He = 0,02 (I) NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 18 Deu = 1 +SiF4 xième étape = 150 SiF4/He = 1 EXEMPLE 82 En répétant les opérations de l'exemple 75, sauf que la formation des deuxième et troisième couches est effectuée dans les conditions indiquées ci-dessous dans le tableau 83, on produit des éléments de formation d'image électrophotographique que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 74. Les résultats sont bons en ce qui concerne la qualité de l'image et la longévité. TABLEAU 83 Débit d'écou- Rapport des Epaisseur Condition Gaz lement débits d'écou- de la utilisé (cm/ lement couche ( m) min) SiH4/He=1 SiH4 B2H6/SiH4=2x10-5 15 1 = 200 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 B2H6/SiH4=1x10-5 15 = 200 B2H6/He NO/SiH4=1,5x10-2 = 10-2 NO Si2H6/He=1 Si2H6 B2H6/Si2H6 10 3 = 170 = 3x10-4 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 (SiH4 SiH4:SiF= 8::2 15 +SiF4) SiF4/He=1 B2H6/(SiH4+SiF4) = 100 B2H6/He = 2x10-5 = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 NO/SiH4=1,5x10-2 15 = 200 NO EXEMPLE 83 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'Al analogue à un tambour, dans les conditions suivantes. Le tambour photosensible résultant (élément de formation d'image électrophotographique) est placé dans un appareil de copie et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. L'image latente résultante est développée avec un révélateur chargé posi tivement (comprenant un "toner" et un support) et elle est ensuite transférée sur un papier uni. L'image transférée est très bonne. Le "toner" restant sur le tambour photosensible et n'ayant pas été transféré est éliminé par nettoyage au moyen d'une lame de caoutchouc, et l'étape de copie suivante est déclenchée. Même après répétition 150 000 fois ou plus d'une telle opération de copie, on n'obsérve aucune dégradation de l'image. TABLEAU 84 Débit Puis- Vitesse Epais Etape d'écou- Rapport des sance de dé- seur lement débits de dé- pôt des des (cm / d'écoulement charge couches coution min) (W/cm) (nm/s) ches de cou che ( m) SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 Pre- = 1 = 200 = 1,0x10-3 mière étape PH3/He NO/SiH4 Couche = 10-2 = 3x10-2 amor- NO phe (I) Deu- SiH4/He | SiH4 | 0,18 | 1,1 | 15 xième étape = 1 = 200 Couche Troi- SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4 0,18 | 0,6 | 0,5 a.Dr- sième = 0t5 = 100 = 3:7 phe étape (II) C2H4 Température du support d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa lors de la formation de la couche amorphe (I) 26,5 Pa lors de la formation de la couche amorphe (II) EXEMPLE 84 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ analogue à un cylindre, dans les conditions suivantes.Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 83. Le tambour photosensible résultant est placé dans un appareil de copie et soumis à une charge d'effluves àQ 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. L'image latente résultante est développée avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), et elle est ensuite transférée sur un papier uni. L'image transférée est très bonne. Le "toner" restant sur le tambour photosensible et n'ayant pas été transféré est éliminé par nettoyage avec une lame de caoutchouc, et l'étape de copie suivante est déclenchée. Même après répétition 100 000 fois ou plus de cette étape de copie, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 85 Etape Débit Puis- Vitesse d'écou- Rapport des sance de dé- Epaisde pré lement débits de dé- pôt des seur (cm / d'écoulement charge couches des utilisé de cou- (nm/s) couches (W/cm) che ( m) SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 Pre- = 1 = 200 = 1,0x10-3 mière étape PH3/He NO/SiH4 = 10-2 Couche = 1,5x10-2 amor NO phe (I) Deu- SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 xième = 1 = 200 = 1,5x10-2 NO Troi SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième étape = 1 = 200 Couche SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4 0,18 0,1 0,3 trième = 1 = 15 = 0,4:9,6 C2H4 EXEMPLE 85 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes. Les autres conditions sont les mêmes que celles indiquées dans l'exemple 83. Le tambour photosensible résultant est placé dans un appareil de copie et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie d'une exposition à une image à 1,0 lux. seconde, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. L'image latente résultante est développée avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner1 et un support), et elle est ensuite transférée sur un papier uni. L'image transférée est très bonne et possède une densité très élevée Le "toner" restant sur le tambour photosensible et n'ayant pas été transféré est éliminé par nettoyage avec une lame de caoutchouc, et l'étape de copie suivante est déclenchée. Même après répétition 150 000 fois ou plus de cette étape de copie, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 86 Etape Débit Puis- Vitesse Epais- de pré- Gaz d'écou- Rapport des sance de dé- seur para- utilisé lement débits de dé- pôt des des tion (cm / charge couches couches de cou- d'écoulement (min (nm/s) ( m) che (W/cm) SiH4/He 200 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,2 Pre- = 1 = 5x10-4 mière étape PH3/He NO/SiH4= 10-1 Couche = 10-2 arn'- phe NO SiH4/He 200 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 Deu- = 1 = 5x10-4 xième étape PH3/Re = 10-2 Troi SiH4/He 200 0,18 1,1 15 sième étape = 1 Rauche Qua- SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4 0,18 0,6 1,5 amor- trième = 0,5 = 100 = 5::5 phe étape C2H4 EXEMPLE 86 En répétant les opérations de l'exemple 83, sauf que, lors de la production de la couche amorphe (II), le rapport des débits d'écoulement du SiH4 gazeux au C2H4 gazeux est modifié pour faire varier le rapport de la teneur en atomes de Si à la teneur en atomes de carbone, on produit un tambour photosensible que l'on soumet de façon répétée, environ 50 000 fois, aux étapes aboutissant au transfert, comme décrit dans l'exemple 83. On procède ensuite à une évaluation de l'image. Les résultats sont donnés dans le tableau 87. TABLEAU 87 SiH4:C2H4 (rapport des débits 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8 d'écoulement Si:C (Rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la |qualité de A O # &commat; &commat; &commat; &commat; O X l'image # très bon # bon suffisant en pratique X formation d'images défectueuses. EXEMPLE 87 En répétant les opérations de l'exemple 83, sauf que l'épaisseur de la couche amorphe (II) est modifiée comme indiqué dans le tableau ci-dessous, on effectue une formation de couches. Le résultat de l'évaluation est indiqué ci-dessous. TABLEAU 88 Epaisseur de la couche amorphe (II) Résultat (m) Risque de formation d'images défectueuses Aucune image défectueuse formée 0,02 après répétition 20 000 fois des opérations Aucune image défectueuse formée 0,05 après répétition 50 000 fois des opérations Stable après répétition 100 000 0,3 fois ou plus des opérations EXEMPLE 88 En répétant les opérations de l'exemple 83, sauf que la formation de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on réalise la formation de couches et on procède à une évaluation. On obtient un bon résultat. TABLEAU 89 Etape Débit Puissan- Vitesse Epais de d'écou Rapport ce de de dé- seur prépa-| Gaz lement des débits décharge pôt des de la ration utilisé (cm / d'écoule- couches couche de cou- min) ment (W/cm) (nm/s) ( m) che Si2H6/He Si2H6 PH3/Si2H6 0,54 4,0 0,3 = 1 = 170 = 3,2x10-3 Pre mière PH3/He NO/Si2H6 Couche étape = 9x10-2 phe NO (I) Si2H6/He Si2H6 0,54 4,0 15 xième étape = 1 = 170 EXEMPLE 89 En répétant les opérations de l'exemple 83, sauf que la formation de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on réalise la formation d'une couche et on procède à une évaluation. On obtient un bon résultat. TABLEAU 90 Etape Débit Puis- Vitesse Epais de d'écou- Rapport des sance de dé- seur Gaz prépa- lement débits de dé- pôt de de la ration utilisé (cm / d'écoulement charge la couche couche de min) (nm/s) ( m) e SiH4JHe SiH4 SiH4/SiF4=8/2 0,18 1,1 Q,3 = 1 +SiF4 PH3/(SiH4+SiF4) = 150 Pre- SiF4/He ère n 1 1,0x10-3 NO/(SiH4+SiF4) PH3/He Couche SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 (I) Deuxième = 1 +SiF4 étape siF4/He = 150 = 1 EXEMPLE 90 En'répétant les opérations de l'exemple 84, sauf que, lors de la préparation des deuxième et troisième couches dans l'exemple 84, les conditions indiquées dans le tableau 91 ci-dessous sont utilisées, on produit des élé- ments de formation d'image électrophotographique et on procède à une évaluation comme décrit dans l'exemple 83. La qualité de l'image et la longévité sont bonnes. TABLEAU 91 Débit Epaisseur Condition Gas utilisé d'écou- Rapport des débits de la lement d'écoulement couche ( m) SiH4He=l SiH4 B2H6/SiH4=2x10 15 1 = 200 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 B2H6/SiH4=1x10-5 15 = 200 B2H6/He NO/SiH4=1,5x10-2 = 10-2 NO Si2H6/He Si2H6 B2H6/Si2H6 10 = 1 = 170 = 3x10-4 3 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiR4 SiH4:SiF4=8::2 15 +SiF4 SiF4/He=1 B2H6/(SiH4+SiF4) = 100 B2H6/He = 2x10-5 = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 NO/SiH4=1,5x10-2 15 = 200 NO EXEMPLE 91 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on réalise une formation de couches sur un support d'AQ dans les conditions suivantes. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à G 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant réalisé en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 92 Etape Débit Puis- Vitesse Epais de d'écou- Rapport sance de dé- seur Gaz prépa- lement des débits de dé- pôt des des utilisé ration (cm / d'écoulement charge couches couches de min) (nm/s) ( m) couche SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,0x10 Pre PH3/He NO/SiH4 = 10-2 = 3x10-2 Couche amor- NO phe (I) Deu- SiH4/He SiR4 0,18 1,1 15 xième = 0,5 = 200 étape SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4 0,18 0,5 0,5 = 0,5 +SiF4 :C2H4 Couche Troi amor- sième = 150 = 1,5:1,5:7 SiF4/He phe étape (II) = 0,5 C2H4 Température du support d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre : 40 Pa lors de la de réaction formation de la couche amorphe (I) 26,5 Pa lors de la formation de la couche amorphe (II) EXEMPLE 92 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on réalise une formation de couches sur un support d'Ag dans les conditions suivantes. Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 91. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves a0 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après,on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant réalisé en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 100 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 93 Etape Débit Puis- Vitesse Epais de d'écou- Rapport des sance de dé- seur Gaz prépa- lement débits de dé- pôt des des utilisé ration (cm / d'écoulement charge couches couches de min) (nm/s) ( m) (W/cm) SiH4/He SiH4 PH3JSiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,0x10-3 Pre PH3/He NO/SiH4 étape = 10-2 = 1,5x10-2 Couche SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 xième -2 (I) tape = 1 = 200 = 1,5x10 NO Troi sième SI,R4/Re SiR4 0,18 | 1,1 15 étape = 1 = 200 Qua- SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4 0,18 0,15 0,3 tirème = 0,5 +SiF4 :C2H4 = 15 = 0,3:0,1:9,6 amor- SiF4/He = 0,5 (II) C2H4 EXEMPLE 93 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on réalise une formation de couches sur un support d'At dans les conditions suivantes. Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 91. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à -5 kV pendant 0,2 seconde. suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après,on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant réalisé en cascade pour donner une bonne image ayant une densité très élevée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 94 Puis Etape Débit Vitesse Epaissance de dé- seur de d'écou- Rapport des prépa- pôt des des lement débits charge ration utilisé couches couches (cm / d'écoulement de (nm/s) ( m) min) (W/cm) couche SiH4/He 200 PH3/SiR4 0,18 1,1 0,2 Pre- | = 1 | | = 5x10-4 mière étape PH3/He NO/SiH4 = 10-2 = 10-1 Couche amor SiH4/He 200 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 (I) = 1 = 5x10-4 PH3/He = 10-2 Troi- SiH4/He 200 0,18 1,1 15 sième étape = 1 Qua- SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4 0,18 0,5 1,5 trième = 0,5 +SiF4 :C2H4 = 150 = 3:3:4 amor- SiF4/He = 0,5 (II) C2H4 EXEMPLE 94 En répétant les opérations de l'exemple 91, hormis le rapport de la teneur en atomes de silicium à la teneur en atomes de carbone dans la seconde couche amorphe (II), on produit un élément de formation d'image.Les éléments de formation d'image résultants sont soumis aux opérations de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites dans exemple 91, environ 50 000 fois, et on procède à une évaluation de l'image. Les résultats sont donnés dans le tableau 95. TABLEAU 95 SiH4:SiF4 3:3,5 1:1 0,6:0,4 0,2:0,3 0,2:0,15 0,1:0,1 :C2H4 5:4:1 :3,5 2:2:6 :8 :9 :9,5 :9,65 :9,8 Si:C 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8 8 0,8:9,2 des. teneurs) # # # # # # # X # très bon # bon # suffisant en pratique X formation d'images défectueuses. EXEMPLE 95 En répétant les opérations de l'exemple 91, sauf que l'épaisseur de la seconde couche amorphe (II) est modifiée, on produit les éléments de formation d'image et on les soumet aux étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage indiquées dans l'exemple 91. Les résultats sont donnés ci-dessous. TABLEAU 96 Epaisseur de la couche amorphe (II) Résultat ( m) Risque de formation d'images défectueuses Aucune formation d'image 0,02 défectueuse après répétition 20 000 fois des opérations Stable après répétition 50 000 0,05 fois ou plus des opérations 0,3 Stable après répétition 100 000 fois ou plus des opérations EXEMPLE 96 En répétant les opérations de l'exemple 91, sauf que la formation de la première couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué ci-dessous, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme indiqué dans l'exemple 91. On obtient un bon résultat. TABLEAU 97 Etape Débit Puissan- Vitesse Epais de Gaz d'écou- Rapport ce de de dé- seur de prépa- utilisé lement des débits décharge pôt des la couration (cm / d'écoulement couches che de couche min) (W/cm) (nm/s) ( m) Si2H6/He Si2H6 PH3/Si2H6 0,54 4,0 0,3 Pre = 1 = 170 = 3,2x10-3 mière étape PH3/He NO/Si2H6 = 10-2 = 9x10-2 Couche NO amor phe Deu- Si2H6/He Si2H6 0,54 4,0 15 (I) xième = 1 = 170 étape EXEMPLE 97 En utilisant les opérations de l'exemple 91, sauf que la formation de la première couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on produit un élément de formation d'image que lton évalue comme décrit dans l'exemple 91. On obtient un bon résultat. TABLEAU 98 Etape Débit Puis- Vitesse de Epais d'écou- Rapport des sance de déprépa- Gaz seur lement débits de dé- pôt de ration utilisé de la (cm / d'écoulement charge la cou (W/cm) couche ( m) (nm/s) SiH4/He SiH4 SiH4/SiF4-8/2 0,18 1,1 0,3 Pre- | = 1 | +SiF4 | PH3/(SiH4+SiF4) mière = 150 étape SiF4/He = 1,0x10-3 = 1 NO/(SiH4+SiF4) PH3/He = 0,03 Couche = 10-2 amor phe NO tape Si 1 +51F4 = 150 SiF4/He = 1 EXEMPLE 98 En répétant les opérations de l'exemple 93, sauf que la seconde couche amorphe (II) est préparée par pulvérisation dans les conditions suivantes, on produit un élé- ment de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 93. On obtient un.bon résultat. TABLEAU 99 Débit Rapport des Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz d'écou- surfaces de dé- dépôt de de la utilisé lement de la cible charge la couche couche (cm / (nm/s) ( m) (Si : C) (W/cm) min) Ar Ar=200 2,5:7,5 0,30 0,3 1 amor SiF4/He SiF4 = 0,5 = 100 EXEMPLE 99 En répétant les opérations de l'exemple 92, sauf que les conditions de formation des couches lors des préparations des deuxième et troisième couches sont celles indiquées dans le tableau 100, on produit des éléments de formation d'image électrophotographique que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 91. La qualité de l'image et la longévité sont bonnes. TABLEAU 100 Débit d'écou- Rapport des débits Epaisseur Condition Gaz lement d'écoulement de la utilisé (cm / couche ( m) min) SiH4/He=1 SiH4 B2H6/SiH4 15 1 = 200 = 2x10-5 B2H6/He = 10-2 SiH4/He SiH4 B2H6/SiH4=1x10-5 15 = 1 = 200 NO/SiH4=1,5x10-2 2 B2H6/He = 10-2 NO Si2H6/He Si2H6 B2H6/Si2H6 10 = 3x10-4 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 SiH4:SiF4=8::2 15 +SiF4 4 SiF4/He=1 B2H6/(SiH4+SiF4) = 2x10-5 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 NO/SiH4=1,5x10-2 15 NO EXEMPLE 100 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'Al analogue à un cylindre, dans les conditions suivantes. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 100 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 101 Débit Etape Epais Couche d'écou Rapport des de pré Gaz lement seur de consti- débits parautilisé (cm / la coututive tion de d'écoulement min) che ( m) couche SiH4/He SiH4 SiH4:NH3= 1:30 0,05 Couche Pre = 1 = 10 d'inter- mière face étape NH3 SiH4/He SiH4 SiH4:PH3 0,3 = 1 = 200 = 1:1,0x10-3 Deu xième PH3/He SiH4:NO= 1:0,03 étape = 10-2 NO amorphe Troi- SiH4/He 15 sième = 1 étape Température du support d'Al: 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Puissance de décharge : 0,18 W./cm2 Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa EXEMPLE 101 En répétant les opérations de l'exemple 100, sauf que, dans la deuxième étape de production de l'été ment de formation d'image, le débit d'écoulement du PH3 gazeux dilué à 10 000 ppm en volume avec du He gazeux et celui du NO gazeux, sont modifiés, on produit des éléments de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 100. Les quantités d'atomes de phosphore et d'atomes d'oxygène introduites dans chaque échantillon lors de la deuxième étape sont analysées par micro-analyse ionique (méthode IMA). Les résultats sont donnés dans le tableau 102 ci-dessous. TABLEAU 102 Iur en axysle paurcentale) 0 ,001 1, 3 6, ( 30 aenanc enÙI=of Ihasphoae I) X(a) bppa atam 10 X (a) X(a) X (a) X (a) 30 o C c\ Q 500 O 0 &commat; O 2000 = O e 50000 o 80000 (b) Y (b) K (b) eX b ,\ (b) 1} Dans le tableau, les teneurs en atomes d'oxygène et en atomes de phosphore sont celles introduites dans la deuxième' étape de production lors de l'opération de préparation de la couche. 2) # très bon # bon # suffisant pour être utilisé en pratique X (a) mauvaise qualité de l'image X (b) risque d'exfoliation de couche. EXEMPLE 102 En répétant les opérations de l'exemple 100, sauf que l'épaisseur de la couche produite lors de la deuxième étape est modifiée, on produit des éléments de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 100. Les résultats sont donnés dans le tableau 103. TABLEAU 103 Epaisseur de la couche contenant des atomes oxygène et 000l 0,003 O,05 O,3 1 5 10 phosphore ( m) Evaluation X # # # # # X très bon bon relativement pauvre, en pratique. EXEMPLE 103 En répétant les opérations de l'exemple 100, sauf que la condition régnant lors de la première étape est modifiée comme indiqué ci-dessous, on produit des éléments de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 100. La résistance de la couche et la qualité de l'image sont bonnes. TABLEAU 104 Condition SiHd : NH3 Iaisseur de la Na (Débits' d'éaxr coucbe (nm) déchani lement) 1031 7 : 3 700 1032 1:1 50 1031 7: 3 100 1032 1: 1 50 1033 1 : 3 30 1034 1 : 50 20 EXEMPLE 104 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on réalise une formation de couches sur un support d'aluminium analogue à un cylindre, dans les conditions suivantes. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 100. La résistance de la couche et la qualité de l'image sont très bonnes. TABLEAU 105 Débit Rapport des Epaisseur Etape de pré- Gaz d'écoule paration de utilisé débits de la ment (cm / couche d'écoulement couche ( m) min) SiH4/He SiH4= 10 SiH4:NH3 0,05 Première = 1 = 1:30 étape NH3 SiH4/He SiH4=200 SiH4:PH3 0,3 = 1 =1:1,0x10-3 PH3/He SiH4:NO Deuxième étape = 10-2 = 1:0,03 NO SiH4/He SiH4=10 SiH4:NH3 0,05 Troisième = 1 = 1::30 étape NH3 Quatrième SiH4/He SiH4=200 15 étape = 1 EXEMPLE 105 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on réalise une formation de couches sur un support d'aluminium analogue à un cylindre, dans les conditions suivantes. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 100. Le résultat est bon. TABLEAU 106 Débit Couche d'écou- Rapport des Epaisseur de pré- Gaz consti- lement débits de la para- utilisé tutive (cm / d'écoulement couche tion de couche min) (tim) SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4 0,05 = 1 = 8 = 8:2 Couche Pred'inter- mière SiF4/He (SiH4+SiF4) face étape = 1 :NH3= 1:30 NH3 SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4 0,3 = 1 = 8::2 = 120 SiF4/He (SH4+SiF4) xième étape = 1 :PH3 - = 1:1,0x10-3 Couche PH3/He amorphe = 10 2 (SiH4+SiF4) NO - NO 1:0, b3 SiH4/He SiH4:SiF4 15 Troi sième = 1 = 8:2 étape SiF4/He =1 EXEMPLE 106 En utilisant l'appareil de la figure 7, on réa- lise une formation de couches sur un support d'Al conformément aux opérations de l'exemple 100, hormis les conditions suivantes, et on évalue l'élément de formation d'image électrophotographique résultant comme décrit dans l'exemple 100. On obtient un bon résultat. TABLEAU 107 Etape Débit Puis- Vitesse Epaisde d'écou- Rapport Couche sance de dé- seur prépa- Gaz lement des consti- de dé- pôt de de la ration utilisé (cm /, débits tutive charge couche couche de min) d'écoule (W/cm2) (nm/s) ( m) couche ment SiH4/He SiH4 NH3/SiH4 0,18 0,5 0,05 Couche Pre- = 1 = 10 = 30 d'inter- mière face étape NH3 SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 Deu- = 1 = 200 = 1,0x10-3 xième étape PH3/He NO/SiH4 = 10-2 = 1,5x10-2 NO Couche amor- SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 phe sième = 1 = 200 = 1,5x10-2 étape NO Qua- SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 trième = 1 = 200 étape EXEMPLE 107 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue une formation de couches dans les conditions suivantes. Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 100. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 100. On obtient une image de haute qualité et de bonne longévité. TABLEAU 108 Débit Vitesse de d'écou- Rapport sance de déconsti- seur prépa- Gaz lement des débits seur de dé- pôt de tutive de la ration utilisé (cm /, d'écoule de min) ment couche ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=3 0,18 0,5 0,05 Pre- = 1 = 10 mière d'interétape NH3 face SiH4/He SiR4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 200 = 5x10-3 Deu xième PH3/He NO/SiH4 étape = 10-2 = 1,5x10-2 Couche NO amorphe SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 Troi- = 1 = 200 = 5x10-4 sième étape PH3/He = 10-2 Qua- | SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 trième - 1 = 200 EXEMPLE 108 En répétant les opérations de l'exemple 106, sauf que les conditions de formation des couches pendant les troisième et quatrième étapes de l'exemple 106 sont remplacées par les conditions suivantes indiquées dans le tableau 109, on produit des éléménts de formation d'image électrophotographique que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 100. La qualité de l'image et la longévité sont bonnes. TABLEAU 109 Epaisseur Rapport des débits lement de la Condition Gaz uti d'écoulement (cm / couche ( m) SiH4/He=1 SiH4 B2H6/SiH4= 2x10-5 15 1 = 200 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 B2H6/SiH4= 1x10-5 15 = 200 B2H6/He NO/SiH4= 1,5x10-2 = 10-2 NO Si2H6/He Si2H6 B2H6/Si2H6 10 = 1 = 170 = 3x10-4 3 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 SiH4:SiF4= 8::2 19 +SiF4 SiF4/He=1 B2H6/(SiH4+SiF4) = 100 = 2x10-5 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 NO/SiH4= 1, 5x10-2 15 = 200 NO EXEMPLE 109 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ dans les conditions suivantes. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à G 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant réalisé en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000fois, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 110 Etape - bit Puis- Vites Epais e pré- d'écou- Rapport sanoe de dé- seur Couche para- Gaz lement des débits de dé- pôt des des consti- tion de utilisé (cm / d'écoule- charge couches couche tutive couche min) ment (W/cm) (nm/s) (tint) SiH4/He SiH4 SiH4:NH3 0,18 0,5 0,05 Couche Pre- = 1 = 10 = 1::30 d'inter face étape NH3 SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 Deu- = 1 = 200 = 1,0x10-3 Couche xième amorphe étape PH3/He NO/SiH4 (I) = 10 - 3x10-2 NO Troi- SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième = 1 = 200 étape Rapport des Qua- Ar 200 0,3 0,2 0,5 Couche surfaces trième amorphe tranche de étape (II) Si:graphite = 1,5::8,5 Température du support d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre -- - - - de réaction formation de la couche amorphe (I) 26,5 Pa lors de la formation de la couche amorphe (II) EXEMPLE 110 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ dans les conditions suivantes. Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 109. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à &commat; 5 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 100 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 111 Etape Débit Puis- |Vitesse Epais- Couche | de pré-| d'écou-| Rapport | sance | de dé- |seur ccasti- para- Gaz lement des débits de dé-|pôt des des tituve tion utilisé (cm / d'écoulement charge couches couches de min) (nm/s) ( m) couche Couche SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=30 0,18 0,5 0,05 d'inter Pre- = 1 = 10 face mière étape NH3 SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,2 Deu- = 1 = 200 = 1,0x10-3 xième étape PH3/He NO/SiH4 (I) = 10-2 = 2x10-2 SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième étape = 1 = 200 Qua- Rapport des Ar 200 0,3 0,15 0,3 trième surfaces Couche étape tranche de (II) = 0,5:9,5 EXEMPLE 111 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ dans les conditions suivantes. Les autres conditions sont identiques à celles décrites dans l'exemple 109. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant réalisé en cascade pour donner une bonne image développée, d'une densité très élevée, sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les opérations précitées de formation d'image et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 112 Etape Débit Puis- Vitesse Epais Couche de pré- Gaz d'écou- Rapport sance de dé- seur consti para- utilisé lement des débits de dépôt des des tutive charge tion de (cm / d'écoulecouches couches couche min) ment (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=3 0,18 0,5 0,05 Couche Pre = 1 = 10 d'inter- mière face étape NH3 SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 3x10-3 Deu Couche xième PH3/He NO/SiH4 4he étape = 10-2 | | = 3x10-2 (I) | | | | NO Troi SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième étape = 1 = 200 Rapport des Couche Qua- Ar 200 0,3 0,3 1,0 surfaces morphe trième tranche de (II) étape Si:graphite = b::4 EXEMPLE 112 En répétant les opérations de l'exemple 111, sauf que, lors de la formation de la seconde couche amorphe (II), le rapport des surfaces de la tranche de silicium au graphite est modifié pour faire varier le rapport de la teneur en atomes de silicium à la teneur en atomes carbone dans la couche (Il), on produit des éléments de formation d'image. Les éléments de formation d'image résultants sont soumis de façon répétée, environ 50 000 fois, aux étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image telles que décrites dans l'exemple 109, et on procède à une évaluation des images. Les résultats sont donnés dans le tableau 113. TABLEAU 113 Cible Si:C (Raport des 9 : 1 6,5:3,5 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,2:9,8 surfaces) Si : C (Rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3 : 7 2 : 8 0,8:9,2 teneurs) hmluatian de qualité de b O &commat; &commat; &commat; ( i) ) # X l'image très bon bon # suffisant pour être utilisable en pratique formation d'images défectueuses. EXEMPLE 113 En répétant les opérations de l'exemple 109, sauf que l'épaisseur de la seconde couche amorphe (II) est modifiée commé indiqué dans le tableau 114, on produit des éléments de formation d'image. On répète les étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image telles que décrites dans l'exemple 109, et les résultats sont tels qu'indiqués dans le tableau 114. TABLEAU 114 Epaisseur de la Résultat couche amorphe (II) Risque de formation d'images 0,001 m défectueuses Aucune image défectueuse formée 0,02 m après répétition 20 000 fois des opérations Stable après répétition 50 000 0,05 m fois ou plus des opérations 1 Stable après répétition 200 000 1 iim fois ou plus des opérations EXEMPLE 114 En répétant les opérations de l'exemple 109, sauf que la formation de la couche d'interface et de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau 115, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 109. Le résultat est bon. TABLEAU 115 Etape de Débit Couche prépara- Gaz d'écou-| Rapport des |Epaisseur consti- tion de utilisé lement débits des couches couche (cm/ d'écoutement ( m tutive min) SiH4/He SiH4 SiH4:NH3 0,05 Couche Pre = 1 = 10 = 1:30 d'inter- mière face étape NH3 SiH4/He SiH4 SiH4:PH3 0,03 Couche Deu- = 1 = 200 = 1:1,0x10-3 amorphe xième (I) étape PH3/He SiH4:NO = 10-2 = 1: :0,03 NO Couche | Troi- | SiH4/He | SiH4 | SiH4:NH3 | 0,05 d'inter- sième = 1 = 10 = 1:30 face étape NH3 Couche Qua SiH4/He SiH4 15 amorphe trième (II) étape = 1 = 200 EXEMPLE 115 En répétant les opérations de l'exemple 109, sauf que la formation de la couche d'interface et de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau 116, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 109. Le résultat est bon. TABLEAU 116 Etape Débit Couche Rapport des Epaisseur de pré- Gaz d'écou consti- para- utilisé lement débits de la tutive tion de (cm / d'écoulement couche ( m) couche min) SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4 0,05 d'inter- Pre- = 1 = 8 = 8:2 face mière étape |SiF4/He | | (SiH4+SiF4) = 1 :NH3= 1:30 NH3 Deu- SiH4/He SiH4 SiH4::SiF4 0,3 cible = 1 = 120 = 8:2 étape SiF4/He (SiH4+SiF4) Couche = 1 :PH3 amorphe = 1:1,0x10-3 (I) PH3/He = 10-2 (SiH4+SiF4) NO NO 1:0,03 SiH4/He SiH4:SiF4=8::2 15 = 1 ième eS'tape SiF4/He =1 EXEMPLE 116 En utilisant le procédé de production montré sur la figure 7 et en répétant les opérations indiquées dans l'exemple 109, hormis que les conditions indiquées dans le tableau 117 sont utilisées, on réalise une formation de couches sur un support d'A. L'élément de formation d'une image électrophotographique résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 110. On obtient un bon résultat. TABLEAU 117 Etape Débit Puis- Vitesse de pré- d'ècou- Rapport sance de dé- Epais para- lement des débits de dé- pôt des seur tion (cm / d'écoule- charge couches des tutive de min) ment (nm/s) couches couche (W/cm) ( m) Pe SiH4/He SiH4 NH3::SiH4 0,18 0,5 0,05 mière = 1 = 10 = 30 d'inter faoe NR3 SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 Deu xième = 1 = 200 = 1,0x10-3 étape PH3/He NO/SiH4 = 10-2 Couche = 1,5x10-2 amorphe NO (I) SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 Troi sième = 1 = 200 = 1,5x10-2 étape NO Qua- SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 trième = 1 = 200 étape Tranche de Cin- Ar 200 0,3 0,15 0,3 Couche amorphe quième Si : Graphite (II) ètape = 0,5:9,5 EXEMPLE 117 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on procède à la formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes indiquées dans le tableau 118. Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 109. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 11. L'image est de qualité élevée et la longévité est excellente. TABLEAU 118 Etape Débit Puis- Vitesse Epaisde pré- d'écou- sance de dé- seur consti- Rapport para- utilisé lement des débits de dé- pôt des des tutive tion de (cm / charge couches couches d'écoulecouche min) (nm/s) ment (W/cm) ( m) SiH4/He SiH4 NH3::SiH4 0,18 0,5 0,05 Couche mière = 1 = 10 = 3 d'interétape face NH3 Deu- SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,2 xième = 1 = 200 = 5x10-4 étape PH3/He NO/SiH4 = 10-2 = 10-1 Couche amorphe NO (I) SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,3 Troi sième = 1 = 200 = 5x10-4 étape PH3/He SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 trième = 1 = 200 étape Couche Cin- tranche de Ar 200 0,3 0,3 1,0 amorphe Si :: quième (II) étape Graphite = 6:4 EXEMPLE 118 En répétant les opérations de l'exemple 116, sauf que les conditions de formation de couches utilisées lors des troisième et quatrième étapes de préparation de couches sont telles qu'indiquées dans le tableau 119, on produit des éléments de formation d'une image électrophotographique que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 109. La qualité de l'image et la longévité sont bonnes. TABLEAU 119 Débit d'écou- Rapport des débits Condition Gaz utilisé de la lement d'écoulement couche ( m) SiH4/He=l SiH4 B2H6/SiH4=2x10 15 1 = 200 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 B2H6/SiH4=1x10-5 15 = 200 B2H6/He NO/SiH4= 1,5x10-2 2 = 10-2 NO Si2H6/He Si2H6 B2H6/Si2H6=3x10-4 10 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 SiH4:SiF4= 8: :2 15 +SiF4 SiF4/He=1 B2H4/(SiH4+SiF4) 4 = 100 = 2x10-5 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 NO/SiH4=1,5x10-2 15 = 200 NO EXEMPLE 119 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue la formation de couches sur un support d'aluminium analogue à un tambour, dans les conditions suivantes. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 120 Etape débit - Piis- Vitesse Couche de pré |d'écou Rapport sance de dé Couche de pre- seur consti- para- Gaz lement des débits de dé- pôt des des tutive tion utilisé (cm / d'écoule- charge couches couches de min) ment (W/cm) (nm/s) ( m) couche SiH4/He SiH4 SiH4:NH3 0,18 0,5 0,05 Couche Pre = 1 = 10 = 1::30 d'inter- mière face étape NH3 Deu- SiH4/He SiR4 PH3/SiH4 0,18 1,1 O, 3 xième = 1 = 200 = 1x10-3 étape PH3/He NO/SiH4 = 10-2 = 3x10-2 Couche amorphe SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième étape = 1 = 200 Qua Couche SiF4/He SiF4 SiF4:C2H4 0,3 0,2 0,5 étape = 0,5 = 100 = 3:7 C2H4 Température du support d'AQ : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa lors de la formation de la couche amorphe (I) 26,5 Pa lors de la formation de la couche amorphe (II) EXEMPLE 120 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ analogue à un tambour, dans les conditions suivantes. Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 119. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à 0 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 100 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 121 Etape Débit Puis- Vitesse de pré- d'écou- sance de dé- Epais Couche Rapport Gaz lement de dé- pôt seur consti- para- des débits (cm / charge tion utilisé des des tutive d'écoulede min) couches couches ment (W/cm) couche (nm/s) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4 0,18 0,5 0,05 d'inter- = 1 = 10 = 30 face mière étape étape NH3 SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 200 = 1,0x10-3 Deu xième PH3/He NO/SiH4 étape étape 10- s 2x10-2 Couche NO amorphe Troi (I) SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième étape = 1 = 200 Couche Qua- SiF4/He SiF4 SiF4:C2H4 0,3 0,15 0,3 amorphe trième 0,5 = 100 = 0,4::9,6 (II) étape = C2H4 EXEMPLE 121 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue la formation de couches sur un support analogue à un tambour dans les conditions suivantes. Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 119. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée, de densité très élevée, sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 122 Etape Débit Puis- Vitesse Epais Couche de pré- d'écou- Rapport sance de dé- seur para consti- Gaz lement des débits de dé- pôt des des tion tutive utilisé (cm / d'écoule- charge couches couches de min) ment (nm/s) ( m) couche (W/cm) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=3 0,18 0,5 0,05 Couche Pred'inter mière , 1 - 10 face étape NH3 Deu- SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 xième = 1 = 200 = 3x10-3 étape PH3/He NO/SiH4 = 10-2 = 3x10-2 Couche amorphe NO (I) SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième étape , 1 = 200 Couche Qua- SiF4/He SiF4:C2H4 0,3 | 0,3 | 1,5 amorphe trième = 0,5 = 5::5 (II) étape C2H4 EXEMPLE 122 En répétant les opérations de l'exemple 121, sauf que le rapport de la teneur en atomes de Si à la teneur en atomes de carbone dans la seconde couche amorphe (II) est modifié, on produit des éléments de formation d'une image. Les éléments de formation d'image résultants sont soumis de façon répétée, environ 50 000 fois, aux étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image telles que décrites dans l'exemple 119, et on procède à une évaluation de l'image. Les résultats sont donnés dans le tableau 123. TABLEAU 123 SiH4 : C2H4 (rapport des 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,34:9,66 0,2:9,8 débits d'écoule Si : C 9:1 7:3 5:4 5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8::9,2 (rapport des évaluation de la qualité de l'ima- # # # # # # # # ge # très bon # bon suffisant pour être utilisable en pratique x formation d'images défectueuses. EXEMPLE 123 En répétant les opérations de l'exemple 119, sauf que l'épaisseur de la seconde couche amorphe (II) est modifiée, on produit des éléments de formation d'image que l'on soumet aux étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image telles que décrites dans l'exemple 119. Les résultats sont indiqués dans le tableau suivant 124. TABLEAU 124 Epaisseur de la couche amorphe (II) Résultat (Am) Risque de formation d'images 0,001 défectueuses Aucune formation d'image 0,02 défectueuse après répétition 20 000 fois des opérations Stable après répétition 0,05 50 000 fois ou plus des opéra tions Stable après répétition 2 200 000 fois ou plus des opéra tions EXEMPLE 124 En répétant les opérations de l'exemple 119, sauf que la formation de la couche d'interface et de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 119. On obtient un bon résultat. TABLEAU 125 Etape de Débit Couche prépara- Gaz d'écou- Rapport des Epaisseur consti- on de utilisé lement débits des couches tutive couche (cma/ d'écoulement ( m) min) Couche Pre- SiH4/He SiH4 SiH4:NH3 0,05 d'inter- mière = 1 = 10 = 1:30 face étape NH3 SiH4/He SiH4 SiH4:PH3 0,3 = 1 = 200 = 1:1,0x10-@ xième Couche PH3/He SiH4:NO amorphe = 10-2 = 1::0,03 (I) NO Couche Troi- SiH4/He SiH4 SiH4:NH3 0,05 d'inter- sième | - 10 = 1:30 face | étape NH3 Qua Couche SiH4/He SiH4 15 amorphe étape = 1 = 200 (II) EXEMPLE 125 En répétant les opérations de l'exemple 119, sauf que la formation de la couche d'interface et de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau suivant, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 119. On obtient un bon résultat. TABLEAU 126 Etape Débit Couche Epaisseur de pré- Gaz d'écou- Rapport des consti- de la paration utilisé lement débits tutive couche de cou- (cm / d'écoulement ( m) che min) SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4=8:2 0,05 = 1 = 8 Couche Pre- (SiH4+SiF4) d'inter- mière SiF4/He :NH3= 1:30 face étape = 1 NH3 Deu- SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4=8:2 0,3 xième = 1 = 120 étape (SiHq+SiFq) SiF4/He : :PH3 =1 = l:l,OxlO-3 PH3/He (SiH +SiF ) :NO= 1:0,03 NO amorphe SiH4/He SiH4:SiF4=8:2 15 Troi sième = 1 étape SiF4/He = 1 | | EXEMPLE 126 En utilisant l'appareil de la figure 7 et en répétant les opérations de l'exemple 119, hormis l'utilisation des conditions indiquées dans le tableau 127, on effectue une formation de couches sur un support d'Al analogue à un tambour. L'élément de formation d'une image électrophotographique résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 120. On obtient un bon résultat. TABLEAU 127 Etape Débit Puis- Vitesse Couche de pré- d'écou- Rapport sance de dé- Epais consti- para- Gaz lement des débits de dé- pôt des seur tutive tion de utilisé (cm / d'écoule- charge couches des couche min) ment (nm/s) couches (W/cm) Couche SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=30 0,18 0,5 0,05 d'inter- Pre = 1 = 10 face mière étape NH3 SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,0x10-3 Deu xième PH3/He NO/SiH4 étape = 10-2 = 1,5x10-2 Couche NO amorphe (I) Troi- SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 sième = 1 = 200 = 1,5x10-2 NO Qua SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 trième =1 =200 étape Couche Cin- SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4 0,3 0,15 0,3 amorphe quième = 1 = 100 = 0,4:9,6 (II) étape C2H4 EXEMPLE 127 En utilisant l'appareil de la figure 7, on effectue la formation de couches sur un support d'Al dans les conditions suivantes indiquées dans le tableau 128. Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 119. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 121. L'image est de qualité élevée et la longévité est excellente. TABLEAU 128 Etape Débit Puis Vitesse Epais Couche de pré- d'écou- sance Rapport de dé- seur Gaz para- lement consti- des débits pôt des des tion utilisé (cm / charge tutive d'écoule- couches couches de coumin) che ment (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4 0,18 0,5 0,05 Couche Pred'inter- mière = 1 = 10 = 3 face étape NH3 SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 200 = 5x10-4 Deu xième PH3/He Couche NO SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 étape = 1 = 200 = 5x10-4 PH3/He Qua SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 trième étape = 1 = 200 Couche Cin- SiH4/He SiH4 SiH4:C2H4 0,3 0,3 1,5 amorphe quième = 0,5 = 100 = 5::5 (II) étape C2H4 EXEMPLE 128 En répétant les opérations de l'exemple 126, sauf que les conditions de formation de couches lors des troisième et quatrième étapes de préparation des couches de l'exemple 126 sont remplacées par les conditions données dans le tableau 129, on produit des éléments de formation d'une image électrophotographique que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 119. La qualité de l'image et la longévité sont bonnes. TABLEAU 129 Débit d'écou- Rapport des débits Epaisseur Condition Gaz lement d'écoulement de la utilisé (cm / couche ( m) min) SiH/He=1 SiH4 B2H6/SiH4=2x10-5 15 1 = 200 B2H6/He = 10-2 SiH/He=1 SiH4 B2H6/SiH4=1x10-5 15 = 200 B2H6/He NO/SiH4=1,5x10-2 2 = 10-2 NO Si2H6/He=1 Si2H6 B2H6/Si2H6 10 = 1 = 170 = 3x10-4 3 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 SiH4:SiF4= 8::2 15 +SiF4 SiF4/He=1 B2H6/(SiH4+SiF4) 4 = 100 B2H6/He = 2x10-5 = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 NO/SiH4=1,5x10-2 15 NO = 200 EXEMPLE 129 En utilisant l'appareil de production de la figure 8, on effectue la formation de couches sur un support d'Al, dans les conditions suivantes. L'élément de formation d'image est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à - 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux. seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 130 Etape Débit Puis- Vitesse Epais Couche de pré- d'écou- Rapport sance de dé- seur consti- para- Gaz lement des débits de dé- pôt des des tutive tion de utilisé (cm / d'écoule- charge couches couches couche min) ment (W/cm) (nm/s) ( m) |SiH4/He SiH4 SiH4:NH3 0,18 0,5 0,05 Couche Pre = 1 = 10 = 1: :30 d'inter- mière face étape NH3 SiH/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 = 1 = 200 = 1,0x10-3 PH3/He NO/SiH4 étape = 10-2 = 3x10-2 Couche amorphe Troi SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième étape = 1 = 200 Couche Qua- SiF4/He SiF4 SiF4:C2H4 0,3 0,2 0,5 amorphe trième = 0,5 = 100 = 3:7 (II) étape C2H4 Température du support d'AQ : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHZ Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa lors de la production de la couche amorphe (I) 26,5 Pa lors de la production de la couche amorphe (II) EXEMPLE 130 En utilisant l'appareil de production de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ, dans les conditions suivantes. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à G 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un 1toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 130A Etape Débit Puis- Vitesse Epais Couche de pré-| Gaz 'écou-| Rapport sance de dé- seur consti- para- utilisé|lement des débits de dé- pôt de des tutive tion de (cm / d'écoule- charge couches couches couche min) ment (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He SiH4 SiH4:NH3 0,18 0,5 0,05 Couche Pre- = 1 = 10 = 1::30 d'inter- mière face étape NH3 Deu- SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 xième = 1 = 200 = 1,0x10-4 étape PH3/He NO/SiH4 Couche = 10-2 = 1x10-2 amorphe (I) SiH4/He SiH4 0,18 1,1 18 sième étape = 1 = 200 SiF4/He SiH4 SiF4:C2H4 0,3 0,2 0,5 buche Qua amorphe trième = 0,5 = 100 = 3:7 (II) étape C H 92R4 Température du support d'Al : 2500C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression dans la chambre de réaction : 40 Pa lors de la production de la couche amorphe (I) 26,5 Pa lors de la production de la couche amorphe (II) EXEMPLE 131 En utilisant l'appareil de production de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'AZ, dans les conditions suivantes. Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 129. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à C) 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 100 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 131 Etape Débit Puis- Vitesse Epais Couche de pré d'é - Rapport sance de dé- seur consti- para- Gaz lement des débits de dé- pôt des des tutive tion utilisé (cm3/ d'écoule- charge couches couche de min) ment (nm/s) ( m) (W/cm) Couche Pre- SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=30 0,18 0,5 0,05 d'inter- mière = 1 = 10 face étape NH3 SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,2 Deu- = 1 = 200 = 1,0x10-3 xième Couche étape PH3/He NO/SiH4 amorphe = 10-2 = 2x10-2 (I) NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième étape = 1 = 200 Qua- SiH SI trième 4 4 4 4 Couche étape = 0,5 +SiF4 amorphe = 15 (II) SiF4/He =0,3:0,1:9,6 = 0,5 C2H4 EXEMPLE 132 En utilisant l'appareil de production de la figure 8, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ, dans les conditions suivantes.Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 129. L'élément de formation d'image résultant est placé dans un appareil de charge-exposition-développement et soumis à une charge d'effluves à () 5 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image à 1,0 lux.seconde à travers une mire d'essai transparente, une lampe à filament de tungstène étant utilisée comme source de lumière. Immédiatement après, on procède au développement avec un révélateur chargé positivement (comprenant un "toner" et un support), le développement étant effectué en cascade pour donner une bonne image développée, de densité très élevée, sur la surface de l'élément de formation d'image. L'image développée résultante est nettoyée une fois avec une lame de caoutchouc, et les étapes précitées de formation et de nettoyage de l'image sont répétées. Même après répétition 150 000 fois ou plus, on n'observe aucune dégradation de l'image. TABLEAU 132 Etape Débit Puis- Vitesse Epais Couche de pré- d'écou- Rapport sance de dé- seur consti- para- Gaz lement des débits de dé- pôt des des tutive tion utilisé (cm / d'écoule- charge couches couches de ment min) (nm/s) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=3 0,18 0,5 0,05 Couche Pre = 1 = 10 d'inter- mière face étape NH3 SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 Deu- = 1 = 200 = 3x10-3 xième Couche étape PH3/He NO/SiH4 amorphe = 10-2 = 3x10-2 NO Troi SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 sième étape = 1 = 200 Qua SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4 0,3 0,3 1,5 trième étape = 0,5 +SiF4 :C2H4=3:3:4 = 150 SiF4/He amorphe = 0,5 (II) C2H4 EXEMPLE 133 En répétant les opérations de l'exemple 132, sauf que, lors de la production de la seconde couche amorphe (II), les rapports des débits d'écoulement de SiH4 : SiF4 :C2H4 sont modifiés pour faire varier le rapport de la teneur en atomes de Si à la teneur en atomes de carbone dans la couche (II), on produit des éléments de formation d'image qui sont soumis à environ 50 000 fois aux étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image telles que décrites dans l'exemple 129 afin d'évaluer les images. Les résultats sont indiqués dans le tableau 133. TABLEAU 133 SiH4:SiF4 3:3,5 1:1 |0,2:0,3|0,2:0,15|0,1:0,1| : C2H4 5:4:1 :3,5 2:2:6 :8 0,6:0,4:9 :9,5 :9,65 :9,8 Si:C 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 Evaluation de la qua # # # # # # # X lité de l'image très bon bon utilisable en pratique X formation d'images défectueuses. EXEMPLE 134 En répétant les opérations de l'exemple 129, sauf que l'épaisseur de la seconde couche (II) est modifiée, on produit les éléments de formation d'image que l'on soumet aux étapes de formation, de développement et de nettoyage de l'image telles que décrites dans l'exemple 129. Les résultats sont indiqués ci-dessous. TABLEAU 134 Epaisseur de la couche Résultat amorphe (II) ( m) Risque de formation d'images défectueuses Aucune image défectueuse formée 0,02 après répétition 20 000 fois des opérations Stable après répétition 50 000 0,05 fois ou plus des opérations Stable après répétition 1 200 000 fois ou plus des opé rations EXEMPLE 135 En répétant les opérations de l'exemple 129, sauf que la formation de la couche d'interface et de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau 135, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 129. Le résultat est bon. TABLEAU 135 Etape de Débit Couche prépara Gaz d'écou- Rapport des des couches consti- tion de utilisé lement débits tutive couche (cm / d'écoulement min) SiH4/He SiH4 SiH4:NH3 0,05 Couche Pre- = 1 = 10 = 1:30 d'inter- mière face étape NH3 SiH4/He SiH4 SiH4:PH3 0,3 = 1 = 200 = 1:1,0x10-3 Couche xième PH3/He SiH4:NO (I) étape = 10-2 = l:0,03 NO SiH4/He SiH4 SiH4::NH3 0,05 Couche Troi d'inter- sième = 1 = 10 = 1:30 face étape NH3 Couche Qua- SiH4/He SiH4 15 amorphe trième (II) étape EXEMPLE 136 En répétant les opérations de l'exemple 129, sauf que la formation de la couche d'interface et de la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau 136 ci-dessous, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 129. On obtient un bon résultat. TABLEAU 136 Etape Débit Couche de pré- Gaz d'écou- Rapport des Epaisseur consti- para- utilisé lement débits de la cou tutive tion de (cm / d'écoulement che ( m) couche min) SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4=8:2 0,05 Couche Pre d'inter- mière = 1 = 8 (SiH4+SiF4) face étape SiF4/He :NH3= 1:30 = 1 NR3 SiH4/He SiH4 SiH4:SiF4=8:2 0,3 = 1 = 120 (SiH4+SiF4) Deu xième SiF4/He : :PH3 étape = 1:1,0x10-3 Couche amorphe PH3/He (SiH4:SiF4) (I) = 10-2 :NO= 1:0,03 NO Troi- SiH4/He SiH4:SiF4=8:2 15 sième = 1 étape SiF4/He =1 EXEMPLE 137 En utilisant un appareil de production tel que montré sur la figure 7 et en répétant les opérations de l'exemple 129, hormis l'utilisation des conditions indiquées dans le tableau 137, on effectue une formation de couches sur un support d'Al. L'élément de formation d'une image électrophotographique ainsi obtenu est évalué comme décrit dans l'exem- ple 131. On obtient un bon résultat. TABLEAU 137 Etape it d'écou de pré- Rapport sance de dé- seur para- Gaz de déconsti- des débits pôt des des tion (cm / charge utilisé tutive de d'écoule- couches couches min) couche ment (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He SiH4 NH3/SiH4 0,18 0,5 0,05 Couche Pred'inter- mière =1 = 10 = 30 face étape NH3 Deu- SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 xième = 1 = 200 =1,0x10-3 étape PH3/He NO/SiH4 = 10-2 =1,5x10-2 Couche NO Troi (I) SiH4/He SiH4 NO/SiH4 0,18 1,1 0,1 sième étape = 1 = 200 =1,5x10-2 NO SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 trième étape = 1 = 200 SiH4/He (SiH4 SiH4:SiF4 0,3 0,15 0,3 Couche Cin = 0,5 +SiF4) :C2H4 amorphe quième (II) étape SiF4/He = 15 = 0,3:0,1::9,6 = 0,5 C2H4 EXEMPLE 138 En utilisant l'appareil de production de la figure 7, on effectue une formation de couches sur un support d'AQ dans les conditions indiquées dans le tableau suivant 138. Les autres conditions sont identiques à celles indiquées dans l'exemple 129. L'élément de formation d'image résultant est évalué comme décrit dans l'exemple 132. L'image est de qualité élevée et la longévité est excellente. TABLEAU 138 Etape Débit Puis- vitesse Epais- d'écou- Rapport sance de dé- seur de pré Couche lement des débits de dé- pôt des des tion (cm / d'écoule- charge couches couches de min) ment (nm/s) ( m) couche SiH4/He SiH4 NH3/SiH4=3 0,18 0,5 0,05 Couche Pre l'inter mière = 1 = 10 face |étape NH3 SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,2 = 1 = 200 =5x10-4 Deu PH3/He NO/SiH4 xième tape = 10 = 10-1 amorphe SiH4/He SiH4 PH3/SiH4 0,18 1,1 0,3 sième = 1 = 200 =5x10-4 pe PH3/He = 10-2 Qua SiH4/He SiH4 0,18 1,1 15 trième étape = 1 = -200 SiH4/He SiH4 SiR4:SiF4 0,3 0,3 1,5 Couche Cin- = 0,5 +SiF4 :C2H4 amorphe quième = 150 = 3:3::4 (II) étape SiF4/He = 0,5 C2H4 EXEMPLE 139 En répétant les opérations de l'exemple 132, sauf que la couche amorphe (II) est produite par pulvérisation dans les conditions suivantes, on produit un élément de formation d'image que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 132. On obtient un bon résultat. TABLEAU 139 Débit Puis- Epais d'écou- Rapport des sur- sance de seur de lement Gaz faces de la cible décharge la cou (cm / utilisé transche de Si : che ( m) min) (W/cm) graphite Ar Ar=200 Couche amorphe 2,5 : 7,5 0,3 1 SiF4/He SiF4 (II) = 0,5 = 100 EXEMPLE 140 En répétant les opérations de l'exemple 137, sauf que les conditions de formation de couche régnant lors des troisième et quatrième étapes de préparation de la couche sont celles indiquées dans le tableau 140, on produit des éléments de formation d'une image électrophotographique que l'on évalue comme décrit dans l'exemple 129. La qualité de l'image et la longévité sont bonnes. TABLEAU 140 Débit Epaisseur d'écou Rapport des débits de la cou Condition Gaz utilisé lement d'écoulement che ( m) (cm /min) SiH4/He=1 SiH4 B2H6/SiH4=2x10-5 15 1 = 200 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 B2H6/SiH4=1x10-5 15 = 200 B2H6/He NO/SiH4=1,5x10-2 NO Si2H6/He B2H6/Si2H6 10 Si2H6 = 170 = 3x10-4 B2H6/He = 10-2 SiH4/He=1 (SiH4 SiH4:SiF4=8: :2 15 +SiF4) SiF4/He=1 B2H6/(SiH4+SiF4) B2H6/He = 2x10-5 = 10-2 SiH4/He=1 SiH4 NO/SiH4=1,5x10-2 15 = 200 REVENDICATIONS 1. Elément photoconducteur comprenant un support (101) destiné à cet élément et une couche amorphe (102) et photoconductrice et qui est constituée d'une matière amorphe comprenant des atomes de silicium formant une matrice et au moins un élément choisi dans le groupe comprenant des atomes d'hydrogène et des atomes d'halogènes comme atomes constitutifs, l'élément photoconducteur étant caractérisé en ce que la couche amorphe comporte une première région (103) en forme de couche contenant des atomes d'oxygène et une seconde région (104) en forme de couche contenant un atome du Groupe III ou un atome du Groupe V du Tableau Périodique et présente intérieurement au côté du support, les première et seconde régions en forme de couche ayant en commun au moins une partie de la région mutuelle et l'élément photoconducteur respectant la relation tB/(T + tB) 2. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche amorphe, constituée d'une matière amorphe contenant des atomes de silicium et des atomes de carbone comme atomes constitutifs, recouvre la couche amorphe photoconductrice. 3. Elément photoconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la matière amorphe contenant des atomes de carbone contient des atomes d'hydrogène. 4. Elément photoconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la matière amorphe contenant des atomes de carbone contient des atomes d'halogènes. 5. Elément photoconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la matière amorphe contenant des atomes de carbone contient des atomes d'hydrogène et des atomes d'halogènes. 6. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche d'interface (302), composée d'une matière amorphe contenant des atomes de silicium et des atomes d'azote comme atomes constitutifs, est présente. 7. Elément photoconducteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que la couche d'interface est disposée entre le support (301) et la couche amorphe (303) présentant une certaine photoconductivité. 8. Elément photoconducteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que la couche d'interface est présente dans la couche amorphe présentant une certaine conductivité, cette couche d'interface faisant partie de ladite couche amorphe. 9. Elénient photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première région en forme de couche est localisée au côté du support. 10. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première région en forme de couche occupe la totalité de la région de la couche amorphe présentant une certaine photoconductivité. 11. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde région en forme de couche contient un atome du Groupe V du Tableau Périodique et en ce qu'une région en forme de couche, située au-dessus ou au-dessous de la seconde région, contient un atome du Groupe III du Tableau Périodique. 12. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde région en forme de couche contient un atome du Groupe III du Tableau Périodique. 13. Elément photoconducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que la teneur en atome du Groupe III du Tableau Périodique de la seconde région en forme de couche est comprise entre 30 et 5 x 704 ppm atomiques. 14. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde région en forme de couche contient un atome du Groupe V du Tableau Périodique. 15. Elément photoconducteur selon la revendication 14, caractérisé en ce que la teneur en atome du Groupe V du Tableau Périodique de la seconde région en forme de couche est comprise entre 30 et 5 x 104 ppm atomiques.