Brevet FR2516703A1 — publié le 19830520

ASSEMBLAGE A SEMICONDUCTEUR L'invention concerne un procédé de fabrication d'un assemblage a semiconducteur du type dans lequel un dispositif semiconducteur est monté sur un élément électriquement conducteur, cet élément étant lui-même monté sur une plaque de refxoidissement électriquement conductrice mais isolé électriquernent de celle-ci. Dans un procédé de fabrication d'un assemblage à semiconducteur du type spécifié qui a été proposé précédemment, on a prévu la plaque de refroidissement avec une couche d'un matériau siliceux sur une partie de sa surface en appliquant le matériau siliceux sous la forme d'une pâte contenant de petites particules du matériau et en chauffant ensuite la plaque de refroidissement à une température à laquelle le matériau fond, en laissant ainsi, après refroidissement, une couche mince essentiellement homogène et électriquement isolante d'un matériau siliceux fondu. Selon ce procédé, on applique ensuite l'élément électriquement conducteur sur la couche fondue par une technique d'impression par écran en utilisant une encre conductrice qui est ensuite soumise à une température suffisamment élevée pour faire fondre les particules conductrices dans l'encre afin de produire un élément conducteur sur la couche siliceuse. Le procédé proposé précédemment est désavantageux sous certains aspects. On s'est d'abord rendu compte que certaines encres conductrices appropriées avaient une tempe- rature de fusion proche de la température de fusion du matériau de la couche siliceuse. Ainsi, à moins qu'on mette en oeuvre un contrôle très stricte pendant le déroule-' ment du procédé, il peut alors en résulter que la couche siliceuse fonde en détruisant ainsi 11 intégrité de l'élément conducteur qui est imprimé sur celle-ci. En outre, l'épaisseur de l'élément conducteur qui peut être réalisé par le procédé proposé précédemment est limitée et elle peut être , pour certaines applications, trop petite pour permettre que l'élément laisse passer les courants électriques élevés nécessaires pendant l'utilisation. Un objet de la présente invention est un procédé de fabrication d'un assemblage à semiconducteur du type spécifié dans lequel les inconvénients mentionnés plus haut sont réduits au minimum. Selon la présente invention, un procédé de fabrication d'un assemblage à semiconducteur du type spécifié consiste à séparer l'un de l'autre l'élément conducteur, qui est d'une épaisseur suffisante pour être indépendant,et la plaque de refroidissement par une couche d'un matériau siliceux fondu électriquement isolant qui, par une solidification postérieure, fixe ledit élément sur la plaque de refroidissement tout en l'isolant électriquement de celleci. De préférence, la plaque de refroidissement porte ladite couche de matériau siliceux et l'élément est mise en place sur celle-ci tandis que la couche est à l état solide, la plaque de retroidissement, la couche et l'élément étant ensuite chauffés pour faire fondre la couche siliceuse. Une autre variante du procédé consiste à prévoir initialement ladite couche sur la plaque de refroidissement sous la forme d'une pâte contenant des particules du matériau siliceux qui doit être fondu pour produire la couche homogène nécessaire et à placer l'élément sur la couche en pâte avant de chauffer la plaque de refroidissement, la couche en pâte, et l'élément pour faire fondre les particules dans la couche en pâte, en produisant ainsi une couche fondue entre l'élément et la plaque de refroidissement. De préférence, la plaque de refroidissement a la forme d'une plaque et elle est recouverte du matériau siliceux sur ses deux cotés. Il est commode de prévoir l'élément avec une couche dudit matériau siliceux sur au moins sa surface en regard de la plaque de refroidissement. De préférence, l'élément est complètement recouvert du matériau siliceux à l'exception de la région ou des régions par rapport auxquelles une connexion électrique doit être faite. De préférence, la plaque de refroidissement est constituée d'aluminium, L'élément conducteur est commodément constitué de cuivre qui est argenté au moins dans les régions où un dispositif semiconducteur doit être fixé. Il est souhaitable que l'élément soit constitué d'aluminium et qu'un support de cuivre soit fixé sur celui-ci dans chaque région où un dispositif semiconducteur doit être monté. D'autres caractéristiques et avantages de la présente in vention seront mis en évidence dans la description suivante, donnée à titre d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels Figure 1 est une vue en coupe schématique d'un assemblage à semiconducteur fabriqué selon un exemple de la présente invention; Figure 2 est une vue semblable à celle de la Figure 1 d'un assemblage fabriqué selon un second exemple de la présente invention; et Figure 3 est une vue plane d'un assemblage de redresseur triphasé -biphasé mettant en oeuvre le procédé de fabrication de la Figure 1. On va d'abord se référer à la Figure 1 des dessins annexés qui représente très schématiquement un assemblage selon la présente invention. Sur cette figure, un dispositif semiconducteur 11 qui est par exemple une diode de puissance a sa face supérieure exposée pour faciliter l'état blissement d'une connexion électrique avec une de ses deux bprnes, l'autre face de borne de la diode Il étant soudée à un élément conducteur plan 12. L'élément conducteur plan 12 est porté par une plaque de refroidissement en aluminium plane 13 tout en étant isolé électriquement de celle-ci, la plaque de refroidissement 13 étant isolée de l'élément 12 par une couche siliceuse fondue 14. En plus d'être isolé de la plaque de refroidissement 13, l'élément 12 est fixé à la plaque de refroidissement 13 par la couche 14. L'assemblage représenté sur la Figure 1 est fabriqué de la manière suivante. La plaque de refroidissement 13 est une plaque d'aluminium plane relativement épaisse, et après avoir subi un nettoyage de surface la plaque de refroidissement 13 est recouverte sur toute la surface d'une pâte qui, lorsqu'elle est chauffée, fond pour former une couche siliceuse. Le matériau choisi est un fondant de plomb non alcalin fabriqué par la société Harrison Mayer et vendu sous le numéro de code 32633665 de Harrison Mayer. Ce fondant sous la forme d'une pâte contient des particules d'un matériau siliceux qui, lorsqu'il est chauffé à environ 600 degrés centrigrades, fond pour produire une couche siliceuse homogène.On notera que des matériaux autres que le fondant de plomb non alcalin mentionné plus haut peuvent être appropriés, étant entendu que les critères de base que doit remplir le matériau sont qu'il produise une couche homogène après chauffage à une température qui soit insuffisante pour endommager la plaque de refroidissement, que la couche ait un coefficient de dilatation semblable à celui du matériau de la plaque de refroidissement de sorte que la couche ne craque pas ou ne tombe pas par un refroidissement, que la couche soit un conducteur de la chaleur efficace de l'élément jusqu'à la plaque de refroidissement et que la couche ait des pro priétés suffisamment bonnes comme isolant électrique, de préférence ayant une rigidité diélectrique d'au moins 500 volts par 2,54 millièmes de centimètre d'épaisseur de couche. Des matériaux de revêtement tels que le verre, la porcelaine, la cérarnique,et les émaux sont inclus dans la désignation générale "matériau siliceux" utilisée dans la suite. Le fondant de plomb non alcalin mentionné plus haut sous la forme d'une pâte est déposé sur toute la surface de la plaque de refroidissement 13 en une couche mince uniforme. Cette couche peut être obtenue en appliquant la pâte par électrophorèse ou par une technique d'impression par écran, bien que d'autres procédés d'application sont possibles comme, par exemple, l'application d'un revêtement au rouleau. L'épaisseur de la couche de pâte appliquée sur la plaque de refroidissement est telle qusaprès fusion du matériau, la couche siliceuse résultante a une épaisseur comprise entre 25 et 50 microns. Après que la plaque de refroidissement 13 ait été recouverte de la pâte, elle est chauffée dans un four jusqu'à environ 600 degrés C. et elle est maintenue à cette température pendant 30 minutes pour permettre la fusion complète de la pâte afin de former une couche siliceuse homogène. La plaque de refroidissement 13 portant alors la couche siliceuse 14 est ôtée du four et tandis que la couche 14 est encore dans un état fondu, l'élément conducteur 12 sous la forme d'une bande de cuivre argenté relativement mince mais indépendante est placé sur la couche fondue 14. L'élément 12 est de préférence formé dans une bande de cuibre de 150 microns d'épaisseur, comportant une couche argentée d'environ 5 microns d'épaisseur déposée sur celleci. La couche argentée est prévue principalement pour s'assurer qu'un dispositif semiconducteur puisse être facilement soudé sur l'élément, et il est donc évident qu'en théorie il suffit de prévoir l'application d'un revêtement argenté sur la surface la plus haute de l'élément 12. Cependant, en pratique il est généralement plus commode de prévoir une couche argentée sur les deux faces de l'élé- ment 12 , ce qui offre l'avantage supplémentaire d'une résistance à la corrosion atmosphérique.Il est clair qu'une surface de cuivre exposée à l'air formerait rapidement une couche d'oxyde qui pourrait gêner la liaison de l'élément 12 avec la couche siliceuse 14 et réduire l'isolement électrique de la plaque de refroidissement par rapport à 1 ' élément conducteur. Immédiatement après la mise en place de l'élément 12 sur la couche fondue 14,l'ensemble de l'assemblage est remis dans le four et il est laissé dans le four pendant 10 autres minutes à environ 600 degrés C. Ensuite, l'assemblage est ôté du four pour pouvoir être refroidi jusqu a environ 400 degrés C. Quand la température de l'assemblage atteint environ 400 degrés C., le dispositif semiconducteur 11 ainsi qu'une préforme de soudure appropriée sont placés sur la surface la plus haute de l'élément 12, la chaleur conservée dans l'assemblage permettant de fondre la préforme de soudure pour souder la face de borne du dispositif semiconducteur 11 S l'élément 12 sans avoir besoin d'appliquer de la chaleur supplémentaire. On a constaté que lorsque l'assemblage se refroidissait jusqu'à la température ambiante, le dispositif semiconducteur 11 était solidement soudé à l'élément 12, et qu'il avait ainsi sa face de borne la plus basse connectée électriquement à l'élément 12. L'élément 12 est son tour solidement fixé sur la plaque de refroidissement 13, mais il est électriquement isolé de cette plaque de refroidissement 13. La couche siliceuse 14 sert à assurer la liaison entre l'élément 12 et la plaque de refroidissement 13 tout en assurant en même temps l'isolement électrique et facilitant la conduction de chaleur de l'élément 12 jus qu'à la plaque de refroidissement 13. On notera que d'autres dispositifs semiconducteurs peuvent être fixés simultanément à l'élément 12 pour que l'élément 12 assure une interconnexion électrique des faces de borne appropriées des différents dispositifs semiconducteurs. En outre, l'élément 12 peut être pourvu d'une région de borne par laquelle est faite une connexion électrique jusqu'aux dispositifs semiconducteurs au moyen de l'élément 12. Comme on l'a décrit plus haut, la plaque de refroidissement 13 est complètement recouverte de la couche siliceuse 14. Cependant, on doit remarquer qu'en théorie la cou che siliceuse n'est nécessaire qu'entre l'élément 12 et la plaque de refroidissement 13. On peut produire des assemblages dans lesquels la couche #siliceuse est limitée à la région entre la plaque de refroidissement 13 et l'é- lément 12, mais dans ces assemblages il y a un risque que, pendant un refroidissement,il se produise une déformation de la plaque de refroidissement en raison de la présence localisée de la couche siliceuse. Pour cette raison, il est préférable de recouvrir toute la plaque de refroidissement 13. On va maintenant se référer à la Figure 2 où une plaque de refroidissement 13 est réalisée à partir d'une plaque d'aluminium plate relativement épaisse. Un élément conducteur 22 réalisé à partir d'une bande d'aluminium plate est porté par la plaque de refroidissement 13 en étant isolé électriquement de celle-ci. Bien que n'étant pas représentee sur les dessins, l'épaisseur de la bande d'aluminium constituant l'élément 22 est sensiblement supérieure à l'épaisseur de 150 microns de l'élément 12 dans sa forme de construction de la Figure 1. Afin de faciliter la connexion électrique et physique du dispositif semiconducteur 11 à 11 élément 22, l'élément 22 est pourvu d'un support de cuivre 23. Le procédé de fabrication de l'assemblage de la Figure 2 est le suivant. La plaque de refroidissement 13 est à nouveau recouverte de la pâte ou fondant de plomb non alcalin décrit en référence à la Figure 1, et elle est à nouveau recouverte sur toute sa surface d'une couche de pâte d'une épaisseur suffisante pour s'assurer qu'après fusion une couche siliceuse ayant une épaisseur comprise entre 25 et 50 microns est produite. La température de la plaque de refroidissement 13 est alors élevée dans une étuve jusqu'S 150 degrés centigrades et cette température est maintenue pendant environ une heure pour sécher la pâte sans la faire fondre. Cette opération de séchage permet de manipuler commodément la plaque de refroidissement 13, et si on le souhaite de la recouvrir mais non de la fondre, de telles plaques de refroidissement 13 pouvant être stockées dans cet état séché. Ensuite, la plaque de refroidissement est placée dans un four à 600 degrés C. et elle est maintenue à cette tempe- rature pendant 30 minutes pour faire fondre le fondant afin de produire la couche siliceuse 14. La plaque de refroidissement 13 est ensuite retire du four et elle est refroidie jusqu'à la température ambiante. L'élément conducteur 22 est revêtu pareillement de la pâte de fondant, mais une ou plusieurs régions prédéterminées de l'élément 22 sont laissées sans pâte de manière à faciliter la ra brication postérieure de connexions électriques avec celles-ci.Les procédés d'application de la pâte utilisés pour la plaque de refroidissement 13 peuvent être aussi utilisés à l'égard de la plaque 22 et, dans ce casg 1'6 paisseur de la couche de pâte est encore telle qu'elle per met de réaliser une couche siliceuse comprise entre 25 et 50 microns d'épaisseur après chauffage On peut sécher la couche de pâte sur l'élément 22 si l'on souhaite faciliter la manipulation ou le stockage. L#élé- ment 22 supportant la couche de pâte séchée ou non séchée est alors mis en place à un emplacement prédéterminé sur la plaque de refroidissement refroidie 13 et les parties sont remises dans le four pendant une période de 5 minutes à 600 degrés C.. La couche siliceuse 14 de la plaque de refroidissement 13 fond, et une fusion se produit quand la couche siliceuse est formée sur l'élément 22. Après avoir maintenu la température à 600 degrés C. pendant cinq minutes, l'élément 22 et la plaque de refroidissement 13 sont soigneusement retirés du four pour être refroidis d'une manière qui détrempe la couche siliceuse. Après refroidissement, on constatera qu'à l'exception des régions prédéterminées de l'élément 22, l'ensemble de l'élément 22 et de la plaque de refroidissement 13 sont alors recouverts d'une couche siliceuse homogène 14 qui sert à fixer l'élément 22 sur la plaque de refroidissement 13 tout en isolant électriquement l'élément 22 de la plaque de refroidissement 13. Les régions où la surface de l'élément 22 est exposé par la couche siliceuse sont les régions où les dispositifs semiconducteurs doivent être montés.Cependant, on s'est rendu compte qu'il était difficile d'établir une connexion électrique et physique directement entre un dispositif semiconducteur et l'élément en aluminium 22, et pour faciliter la connexion on fixe le support de cuivre 23 mentionné plus haut sur chaque région exposée de l'élé- ment 22. Chaque support de cuivre 23 est un petit disque de cuivre qui est soudé à la surface exposée de l'élément 22 par une technique connue. Les supports de cuivre sont argentés à la fois pour faciliter la fixation d'un dispositif semiconducteur au support, et pour faciliter le soudage du support sur l'élément 22.En général, l'assemblage sera refroidi avant la mise en place des supports 23 par soudage, et ainsi on utilisera des techniques classiques de soudage de dispositifs semiconducteurs pour souder les faces de borne des dispositifs semiconducteurs 11 sur leurs supports de cuivre argentés 23 respectifs. Bien qu'il semble préférable de recouvrir toute la plaque de refroidissement 13 et, 3 l'exception des régions de connexion, tout l'élément 22 avec la couche siliceuse, puisque cela réduit au minimum le risque de déformation pendant un refroidissement, on notera que beaucoup de variantes sont possibles. Par exemple, théoriquement du moins, seule la région de la plaque de refroidissement 13 entre cette plaque de refroidissement 13 et l'élément nécessite la présence de la couche siliceuse, puisque la fonction principale de la couche est de relier l'élément 22 à la plaque de refroidissement 13 tout en assurant un isolement électrique et une conduction thermique entre eux.En outre, bien que dans le procédé décrit plus haut la fusion de la couche siliceuse sur la plaque de refroidissement 13 se produise avant la mise en place de l'élé- ment 22 alors que la fusion de la couche de l'élément 22 se produit plus tard, on notera qu'il serait possible de produire simultanément la fusion de la couche siliceuse de la plaque de refroidissement 13 et de la couche de 1'élément 22. En outre, la couche de l'élément 22 peut être fondue,si l'on veut, avant de mettre en place l'élément 22 sur la plaque de refroidissement 13 de manière à ce que l'opération de chauffage finale fonde de nouveau la couche fondue de la plaque de refroidissement 13 et la couche fondue de l'élément 22.Enfin, il #st évident que l'élément 22 peut comporter une couche siliceuse fondue avant et mise en place sur une couche de pâte non fondue séchée ou non séchée de la plaque de refroidissement 13, la couche de la plaque de refroidissement 13 n'étant fondue que lorsque l'assemblage est chauffé dans le four. On notera que les techniques décrites plus haut diffèrent sous beaucoup d'aspects, mais qu'elles nécessitent toutes la présence, à une certaine étape du procédé de fabrication, d'une couche siliceuse fondue entre la plaque de refroidissement 13 et l'élément conducteur qu'elle supporte. Par un refroidissement postérieur, on obtient un assemblage dans lequel l'élément conducteur est fixe par la couche siliceuse solidifiée à la plaque de refroidissement 13 dans un rapport avec celle-ci de transfert thermique, tout en étant isolé électriquement de la plaque de refroidissement 13 par la couche. De telles techniques peuvent être utilisées pour produire une large variété d'assemblages à semiconducteur différents. La Figure 3 représente un assemblage de redresseur triphasé-biphasé qui peut être fabriqué conformément au procédé décrit en référence à la Figure 1. Une plaque en aluminium 13 incurvée constitue la plaque de refroidissement de l'assemblage de redresseur et ainsi qu'on l'a décrit plus haut la plaque de refroidissement est complètement recouverte d'une couche siliceuse 14. Des premier et second é déments conducteurs incurvés 12a et 12b sont fixés sur la face supérieure de la plaque de refroidissement 13 au moyen de la couche 14 comme on l'a décrit plus haut, les éléments 12a et 12b étant dans leur ensemble parallèles entre eux mais espacés l'un de l'autre. Les éléments 12a et 12b sont tous les deux formés à partir de bandes de cuivre argenté découpées dans la forme incurvée prédéterminée. Des première, seconde et troisième diodes semiconductrices 15, 16 et 17 sont soudées sur la surface supérieure de l'élément 12a, chacune ayant sa face de borne d'anode soudée à l'élément 12a. Des quatrième, cinquième et sixième diodes semiconductrices 18, 19 et 20 ont leur face de borne de cathode soudée à l'élément 12b qui les supporte, les diodes semiconductrices 18, 19 et 20 étant en position adjacente respectivement par rapport aux diodes semiconductrices 15, 16 et 17.Les première, seconde et troisième bandes de cuivre 24, 25 et 26 sont fixées à la plaque de refroidissement 13 et définissent des bornes de triphasé de l'assemblage de redresseur. Les bandes 24, 25 et 26 sont fixées à la plaque de refroidissement 13 par rivetage, mais elles sont isolées électriquement les unes des autres et de la plaque de refroidissement 13 ainsi que des 6 ments 12a et 12b.La bande 24 est connectée électriquement par un pont à fil de cuivre 24a à la borne d'anode exposée de la diode 18 et à la borne de cathode exposée de la diode 15. Le pont à fil 24a est soudé par tout moyen commode, par exemple, par un soudage par ultrasons, à la bande 24, à l'anode de la diode 18 et à la cathode de la diode 15. Un pont à fil de cuivre 25a semblable relie é lectriquement entre elles la bande 25, l'anode de la diode 19 et la cathode de la diode 16, et un autre pont à fil de cuivre 26a relie électriquement entre elles la bande 26, l'anode de la diode 20 et la cathode de la diode 17.Il est donc évident que lorsque les phases d'une source d'alimentation en courant alternatif triphasé sont respectivement envoyées dans les bandes 24, 25 et 26 on obtient une source d'alimentation en courant continu redressé en biphasé respectivement à travers les éléments 12a et 12b. Ainsi, les éléments 12a et 12b constituent les plaques de borne de l'assemblage de redresseur biphasé, et,afin de faciliter la réalisation de connexions électriques extérieures avec les éléments 12a et 12b, chacun de ces éléments comporte un boulon électriquement conducteur correspondant auquel il est connecté électriquement. On notera au'un assemblage de redresseur biphasé semblable pourrait être produit en utilisant le procédé de fabrication décrit plus haut en référence à la Figure 2. En outre, on remarquera qu'il serait possible de se passer d'un des éléments 12a et 12b en montant les diodes 15, 16-et 17 ou les diodes 18, 19 et 20 directement sur la plaque de refroidissement Proprement dite.La plaque de refroidissement 13 est évidemment électriquement conductrice, et en laissant des fenêtres positionnées de façon appropriée dans la couche siliceuse 14 de la plaque de refroidissement 13, il est possible d'utiliser la plaque de refroidissement 13 pour remplir en plus de sa fonction de plaque de refroidissement, la fonction de l'un ou de l'autre des éléments 12a et 126. Si le matériau de la plaque de refroidissement 13 est du cuivre au lieu d'êtredel'aluminium, il est alors possible de souder directement les diodes semiconductrices choisies sur les régions exposées de la plaque de refroidissement 13,bien qu'on utilise de préférence une couche intermédiaire argentée.Quand le matériau de la plaque de refroidissement 13 est de l'aluminium, on utilise alors des supports de cuivre argentés semblables aux supports 23 qui sont soudés sur celle-ci pour effectuer la connexion entre les diodes semiconductrices et la plaque de refroidissement en aluminium 13. On notera que le boulon de borne associé à l'élément dont on s'est passé est alors connecté électriquement à la plaque de refroidissement 13. Des expériences ont montré que l'utilisation d'une plaque de refroidissement en aluminium était préférable. --à l'utilisation d'une plaque de refroidissement en cuivre quand on utilise-le fondant n0 32633665 de Harrison Mayer. Cependant, il est possible que l'utilisation d'une plaque de refroidissement avec ce fondant soit acceptable si la plaque de refroidissement est d'abo-d argentée. En outre, d'autres matériaux siliceux peuvent rendre plus pratique l'utilisation de plaques de refroidissement en cuivre. Dans le choix du matériau siliceux, on doit prendre en considération le fait qu'en plus des exigences mentionnées plus haut, le matériau ne doit pas avoir des réactions chimiques non voulues avec le matériau de la plaque de refroidissement et le matériau de l'élément 12, qu'il doit fondre à une température où il ne se produit pas d'endommagement de la plaque de refroidissement et de l'élément approprié, et qu'il ne doit pas fondre dans les conditions qui existent pendant le soudage des supports 23 et/ou des dispositifs semiconducteurs pour leur mise en place. Le redresseur biphasé de la Figure 3 mentionné plus haut est fabriqué de préférence par un procédé automatisé comme suit. Les plaques de refroidissement et les éléments conducteurs sont tous constitués d'aluminium et montés sur des pièces de travail appropriées et sont recouverts d'une pâte du fondant de Harrison Mayer mentionné plus haut par électro- phorèse. Les parties sont retirées des pièces de dépôt et sont assemblées dans des pièces de fusion dans lesquelles les composants sont transférés jusqu'a"' un four à courroie. Dans le four, les parties sont chauffées jusqu'à 500 degrés C. pendant 10 minutes pour cuire le liant du fondant. Ensuite, les parties sont soumises à une température de 625 degrés C. pendant 30 minutes pour faire fondre le fondant afin de former une couche siliceuse homogène sur chaque partie. Les éléments conducteurs sont ensuite retirés de leurs pièces,après refroidissement, et sont mis en place sur une plaque de refroidissement refroidie correspondante. Les plaques de refroidissement ainsi que les éléments conducteurs sont ensuite remis dans le four à 625 degrés C. pendant cinq minutes pour recouler les couches siliceuses et ils sont ensuite soumis à un refroidissement de 5 degrés C. à la minute de 525 degrés C. jusqu'à 425 degrés C. pour détremper les couches. Après refroidissement jusqu'à la température ambiante, les éléments conducteurs se trouvent soudés à leurs plaques de refroidissement respectives. Des trous sont formés à des positions appropriées dans la couche de chacun des éléments conducteurs et des supports de cuivre argenté sont soudés sur les régions exposées des éléments. Les diodes semiconductrices sont ensuite soudées comme il convient sur les supports et les supports et les diodes sont recouverts d'un caoutchouc siliceux. Des broches de connecteur des diodes dépassent du caoutchouc siliceux et servent à faciliter la réalisation postérieure de connexions électriques appropriées entre les diodes et les plaques de phase fixées par rivetage à la plaque de refroidissement. Les plaques de phase sont évidemment électriquement isolées de la plaque de refroidissement. Un tel assemblage de redresseur biphasé est particulièrement avantageux par rapport aux assemblages proposés auparavant en ce qu'il utilise une seule plaque de refroidissement pour recueillir la chaleur engendrée par les deux groupes de diodes de polarités positive et négative. On notera que dans les assemblages proposés auparavant, chaque groupe de diodes est monté sur sa propre plaque de refroidissement. Ainsi, le volume de main-d'oeuvre et de matériel pour la production de l'assemblage de redresseur biphasé est réduit par rapport à celui nécessaire pour les assemblages proposés auparavant. REVENDICATIONS 1. procédé de fabrication d'un assemblage à semiconducteur du type dans lequel un dispositif semiconducteur est monté sur un élément électriquement conducteur qui est lui-même monté sur une plaque de refroidissement électri- quement conductrice en étant isolé électriquement de celle-ci, caractérisé en ce qu'il consiste espacer l'un de l'autre l'élément conducteur (12), qui est d'une épaisseur suffisante pour être indépendant, et la plaque de refroidissement (13) par une couche d'un matériau siliceux fondu et isolé électriquement (14 qui, par une solidif i- cation postérieure, fixe l'élément à la plaque de refroidissement tout en l'isolant électriquement de celle-ci. 2. Procédé de fabrication selon la revendication 1, ca ractérisé en ce que la plaque de refroidissement supporte ladite couche de matériau siliceux et en ce que l'élément conducteur est mis en place sur la couche quand celle-ci est dans un état fondu. 3. Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que la plaque de refroidissement supporte ladite couche de matériau siliceux et en ce que l'élément est mis en place sur celle-ci quand la couche est à l'état solide, la plaque de refroidissement, la couche et l'élé- ment étant alors chauffés pour faire fondre la couche siliceuse. 4. Procédé de fabrication selon la revendication 1, ca racterisé en ce que la couche est prévue initialement sur la plaque de refroidissement sous la forme d'une pâte contenant des particules du matériau siliceux qui doit être fondu pour produire la couche homogène voulue et en ce que l'élément est mis en place sur la couche en pâte avant de chauffer la plaque de refroidissement, la couche en pâte, et l'élément pour faire fondre les particules dans la couche en pâte, en produisant ainsi une couche fondue entre l'élément et la plaque de refroidissement. 5. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la plaque de refroidissement est sous la forme d'une plaque et est recouverte sur ses deux côtés du matériau siliceux. 6. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'élément est prévu avec une couche du matériau siliceux au moins sur sa face en regard de la plaque de refroidissement. 7. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que, à l'exception de la région ou des régions par rapport auxquelles une connexion électrique doit être réalisée, l'élément est complètement recouvert par la couche siliceuse. 8. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la plaque de refroidissement est constituée d'aluminium. 9. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'élément conducteur est constitué de cuivre qui est argenté au moins dans des régions où un dispositif semiconducteur doit être fixé. 10. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que l'élément conducteur est constitues d'aluminium et en ce qu'un support de cuivre (23) est fixé sur cet élément (22) dans la region où un dispositif semiconducteur (11) doit être monté.