Brevet FR2516308A1 — publié le 19830513

i La présente invention concerne un dispositif desti- né à l'obtention d'une attaque plus uniforme sur une tranche de semiconducteur, et elle porte plus particulièrement sur un plateau d'attaque radiofréquence (RF) comportant un élément polarisé placé en position adjacente à la périphérie du pla- teau pour permettre l'obtention d'une vitesse d'attaque plus uniforme sur une tranche de semiconducteur. Dans la fabrication de composants à semiconducteurs, il est nécessaire de procéder à une attaque de la surface de la tranche, à diverses phases du processus de fabrication. Ces phases comprennent une attaque destinée à nettoyer une surface avant l'application d'une métallisation ou avant l'ac- complissement d'une opération de croissance épitaxiale Elles comprennent également la définition d'un motif dans une mé- tallisation ou dans un oxyde, par attaque sélective d'une couche partiellement recouverte de matière de réserve photo- sensible La technique classique consistait à utiliser des agents d'attaque chimiques Cependant, on utilise de plus en plus des techniques d'attaque dites par voie sèche Ces te- chniques comprennent l'attaque par pulvérisation cathodique, l'érosion par faisceau d'ions et l'attaque ionique réactive. L'attaque par pulvérisation cathodique, encore appelée atta- que par plasma, est bien connue dans la technique On pourra voir par exemple les documents suivants: "R F Sputtering", Thin Solid Films, par G N Jackson, v 5, pages 209, 236 et suivantes ( 197 Q() et "Generation of Patterns in Thin Films", Handbook of Thin Film Technology, par R Glang et col, pages 7-49 ( 1970) Ia théorie du fonctionnement de l'attaque par pulvérisation cathodique est indiquée brièvement ci-après le substrat est maintenu à un potentiel élevé, continu ou radio- fréquence, et un plasma à décharge luminescente est créé au- dessus de la surface du substrat Le plasma consiste en un mélange d'électrons, d'ions et d'atomes ou de molécules neu- tres; les nombres d'ions et d'électrons s'équilibrent de façon presque complète, ce qui fait que la charge résultante est voisine de zéro et le mouvement des ions s'effectue par diffusion plutôt que par dérive dans un champ électrique ap- pliqué Dans l'espace situé immédiatement au-dessus du subs- trat et au-dessous du substrat, il existe une région qu'on appelle espace sombre, dans laquelle on ne trouve pas d'élec- trons en nombre notable Lorsque des ions positifs diffusent vers la frontière entre l'espace sombre et le plasma, qu'on appelle quelquefois la gaine de plasma, ils ne sont plus mas- qués par les électrons et ils sont extraits par le potentiel d'un substrat chargé négativement Ils sont attirés à la sur- face de l'article placé sur le plateau d'attaque et bombar- dent cette surface en produisant ainsi une attaque. L'obtention d'une attaque uniforme sur toute la surface d'une tranche de semiconducteur devient de plus en plus importante dans la fabrication de dispositifs à semicon- ducteurs Ceci vient du fait que le niveau d'intégration aug- mente et la largeur de trait minimale des motifs lithographi- ques diminue Des motifs lithographiques de petite taille pourraient 9 tre détruits dans des régions soumises à une at- taque élevée, alors que l'attaque serait satisfaisante en d'autres points d'une tranche de semiconducteur Par consé- quent, il est souvent souhaitable et nécessaire d'effectuer l'attaque avec une uniformité comprise dans une plage de plus ou moins 10 % On a tenté d'obtenir une attaque uniforme par l'utilisation de blindages électriquement flottants, de la manière décrite par R Mundt, et col dans "Etch Uniformity in a 0014 Plasma Aluminium Etch", Proceedings, Int'l Eleo- tron Device Meeting, 1980, page 16 3; et par la disposition de l'article à attaquer au centre d'un plateau d'attaque de grande taille, de la manière décrite par R S Nowicki dans "Properties of RF-Sputtered AI 203 Films Deposited by Planar Magnetron", J Vac Soi Tech, volume 14, NI 1, page 127 ( 1977). On sait que dans l'attaque par pulvérisation catho- dique RF, il est nécessaire de maintenir une hauteur d'espace sombre constante au-dessus du substrat, pour produire une at- taque uniforme Cette condition doit 4 tre respectée du fait que la hauteur relative de la gaine de plasma détermine le nombre d'ions extraits et la direction de leurs trajectoires initiales vers le substrat, et elle détermine donc l'unifor- mité de la vitesse d'attaque De plus, à la périphérie d'un substrat qui est attaqué, la gaine de plasma se courbe vers le bas de façon à rencontrer les structures mises à la masse qui entourent le bord du plateau d'attaque Ceci produit un effet de focalisation, du fait que les ions extraits du plasma près de la périphérie du plateau d'attaque ont des trajectoires convergentes, ce qui fait qu'un plus grand nom- bre d'ions tombent sur les bords extérieurs du substrat. Ainsi, pour obtenir des vitesses d'attaque uniformes avec des plateaux d'attaque RF, la pratique habituelle a consisté à utiliser des plateaux plans et beaucoup plus grands que l'article attaqué, pour éviter des effets de focalisation à la périphérie de l'article attaqué, ou bien à donner à l'élec- trode de masse environnante une forme telle que le plasma se termine loin des bords de la tranche de semiconducteur. L'invention a pour but de réaliser un plateau d'at- taque RF qui permette d'attaquer plus uniformément une tran- che de semiconducteur. L'invention a également pour but de réaliser un plateau d'attaque RF comportant un prolongement polarisé, placé autour de la périphérie du plateau, de façon à prolon- ger la frontière de la gaine de plasma. L'invention a également pour but de réaliser un plateau d'attaque RF ayant un prolongement périphérique au- quel est appliquée une polarisation connue, afin de maintenir une hauteur d'espace sombre pratiquement uniforme au-dessus du plateau, et au moins sur la distance sur laquelle un subs- trat doit être placé. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 est une coupe d'un plateau d'attaque RF classique; la figure 2 est une coupe du plateau d'attaque RF de l'invention; la figure 3 est une vue en plan du plateau d'atta- que RF de la figure 2; La figure 4 est une représentation schématique de la gaine de plasma au-dessus d'un plateau d'attaque RF clas- sique; la figure 5 est une représentation schématique de la gaine de plasma au-dessus du plateau d'attaque RF de l'in- vention; - la figure 6 est un graphique montrant la vitesse d'attaque, en nanomètres par minute, dans de l'aluminium pla- cé sur un plateau d'attaque RF classique; la figure 7 est un graphique montrant la vitesse d'attaque dans de l'aluminium placé sur le plateau d'attaque RF de l'invention, avec le plateau d'attaque maintenu à une tension de -1200 volts et le prolongement maintenu à des ten- sions respectives de 0, -100, -200 et -500 volts; et la figure 8 est un graphique montrant la vitesse d'attaque dans du Si O 2 placé sur le plateau d'attaque RF de l'invention, avec le plateau d'attaque maintenu à -2000 volts. et avec le prolongement polarisé maintenu à des tensions res- pectives de -600, -680 et -760 volts. Un plateau d'attaque RF est équipé d'un prolonge- ment polarisé placé en position adjacente à sa périphérie le prolongement est conducteur de l'électricité mais il est iso- lé par rapport aux autres éléments conducteurs du dispositif. Le prolongement est positionné par rapport à la périphérie du plateau de manière que la limite du plasma créé au-dessus du plateau d'attaque soit reportée au-delà de la périphérie du plateau d'attaque, ce qui élimine la focalisation d'ions sur les bords d'un article qui est attaqué sur le plateau Le potentiel appliqué au prolongement produit au-dessus de sa surface un espace sombre ayant une hauteur suffisante pour que la configuration horizontale de la gaine au-dessus du pla- teau d'attaque soit prolongée au-delà de ses bords. Dans un plasma RF, l'attaque est effectuée par les ions positifs qui sont extraits du plasma lorsque ces ions positifs diffusent jusqu'à la frontière entre l'espace sombre et la région de plasma Les ions positifs sont attirés par la polarisation négative élevée qui est appliquée au substrat. Si le substrat est plan, comme c'est le cas par exemple pour une tranche de semiconducteur, la configuration idéale pour la gaine de plasma audessus de la tranche consiste en une gaine plane plus grande que le substrat et parallèle à ce dernier Les ions seraient alors générés comme s'ils prove- naient d'une surface plane infinie et tout point du substrat serait soumis au même flux d'ions Cependant, dans des dis- positifs réalisables en pratique, la gaine est courbée aux bords à cause de la taille finie du plateau d'attaque et du fait que des structures qui entourent le plateau d'attaque sont mises à la masse Par conséquent, un plus grand nombre d'ions sont extraits autour de la périphérie et sont dirigés vers les bords du plateau d'attaque, d'une manière telle que leurs trajectoires convergent sur les bords de la tranche qui est attaquée. Diverses techniques et divers dispositifs ont été utilisés pour réduire les défauts d'uniformité dans l'attaque par pulvérisation cathodique Par exemple, comme il est en- visagé au chapitre "'Uniformity" de l'ouvrage de G N Jackson, "RF Sputtering", Thin Solid Films, v 5, pages 236-239 ( 1970), on a trouvé qu'il était possible d'améliorer l'uniformité en changeant la position du blindage de masse et en appliquant des champs magnétiques Ces techniques n'ont pas permis d'ob- tenir les uniformités élevées, de l'ordre de plus ou moins %, qu'on recherche maintenant dans la fabrication des se- miconducteurs Une autre technique, peu élaborée mais effi- cace, consiste à donner au plateau d'attaque des dimensions très supérieures à celles de l'article à attaquer, de façon que dans la région centrale dans laquelle l'attaque a lieu, le flux d'ions soit pratiquement constant Cependant, dans des dispositifs réalisables en pratique, on ne peut pas adop- ter cette solution du fait qu'elle conduirait à un encombre- ment et à un colt prohibitifs pour le plateau d'attaque. Le dispositif de l'invention produit une extension de la gaine de plasma au-delà du bord du plateau d'attaque, afin d'obtenir une attaque uniforme d'une tranche de semi- conducteur placée sur le plateau On peut voir la manière se- lon laquelle ceci est réalisé, en comparant les représenta- tions schématiques des figures 4 et 5 Le plateau d'attaque classique représenté schématiquement sur la figure 4 comprend un plateau 10 ayant une structure de base 11 et une lèvre circonférentielle 13 sur laquelle repose une tranche de se- miconducteur 14 La tranche 14 se trouve au-dessus d'une ré- gion ouverte 5, pour permettre un refroidissement par conduc- tion par un gaz lorsqu'un gaz est introduit par un conduit central 6, et ceci constitue une caractéristique importante à cause des densités de puissance élevées qui interviennent dans l'attaque par pulvérisation cathodique Le plateau 10 est lmaintenu à un potentiel RF élevé, de l'ordre de plusieurs kilovolts, par couplage capacitif à une alimentation RF 35 par l'intermédiaire d'un réseau d'adaptation 34 Un plasma 26 est généré au-dessus du plateau d'attaque 10 et il est sé- paré de la tranche de semiconducteur 14 par une région d'es- pace sombre 27 Des ions sont extraits à travers la gaine de plasma 25, c'est-à-dire la frontière entre le plasma 26 et la région d'espace sombre 27, et ils parcourent des trajectoires 28 pour atteindre la surface de la tranche 14 Dans l'art an- térieur, un élément de structure 17 qui entoure la périphérie 9 du plateau d'attaque 10 est maintenu au potentiel de la ma- chine, qui est de façon caractéristique le potentiel de la masse L'espace sombre disparaît au-delà du bord du plateau d'attaque 10 et la gaine de plasma 25 se courbe vers le bas pour rencontrer l'élément de structure 17 Il en résulte qu'un plus grand nombre d'ions sont produits près du bord du plateau d'attaque, et que les vitesses d'attaque sont beau- coup plus élevées près du bord qu'au centre Par exemple, la figure 6 montre la vitesse d'attaque en nanomètres par minute dans une couche d'aluminium se trouvant sur une tranche de semiconducteur placée sur un plateau d'attaque classique, dans un plasma d'argon La vitesse d'attaque est plus de cinq fois plus grande à la périphérie qu'au centre. la représentation schématique de la figure 5 montre la gaine de plasma prolongée, 30, de l'invention La gaine 30 forme la frontière entre la région de plasma 32 et la région d'espace sombre 33 Comme dans le cas des plateaux d'attaque RF classiques, une tranche de semiconducteur 14 repose dans la lèvre 13 de la structure de base 11, et le plateau 10 est connecté à l'alimentation 35 par le réseau d'adaptation 34. Un refroidissement par conduction par un gaz est effectué par la région ouverte 5 lorsqu'un gaz est introduit par le conduit central 6 Cependant, avec le dispositif de l'inven- tion, la gaine de plasma 30 est prolongée du fait de la pré- sence d'un prolongement 20, conducteur de l'électricité, qui est placé en position adjacente à la périphérie 9 du plateau d'attaque 10 Une alimentation de polarisation 37 applique une polarisation au prolongement 20 On a trouvé qu'il était nécessaire d'appliquer une polarisation pour prolonger la gaine de plasma, du fait qu'un élément au potentiel de la masse attire la gaine de plasma vers le bas, tandis qu'une électrode flottante prend un potentiel très différent de ce- lui qui est nécessaire pour maintenir une gaine de plasma horizontale Le prolongement 20 est fixé à des éléments de support externes (non représentés) et il est isolé électri- quement par rapport à la machine, par rapport à la masse et par rapport au plateau d'attaque 10 Le potentiel de polari- sation qui est appliqué au prolongement 20 est de préférence un potentiel continu On peut utiliser un potentiel de pola- risation RF, mais il doit 4 tre isolé de la source RF du pla- teau d'attaque, afin de ne pas dériver de puissance par rap- port au plateau La valeur préférée pour le potentiel est celle qui est suffisante pour prolonger horizontalement la gaine au-delà de la partie de travail du plateau d'attaque, sans cependant 4 tre élevée au point de provoquer une courbu- re vers le haut de la gaine de plasma et une insuffisance d'ions autour de la périphérie du plateau d'attaque 10. L'alimentation de polarisation 37 fournit de façon caracté- ristique une tension continue dans la plage de -100 volts à -1000 volts La valeur réelle du potentiel dépend de la posi- tion du prolongement 20 au-dessus de la surface du plateau d'attaque On trouvera une étude quantitative de ces valeurs préférées dans un paragraphe ultérieur Lorsque le prolonge- ment 20 est en place, la focalisation des ions se produit toujours, mais elle est si éloignée, comme le montrent les trajectoires 38, que la tranche est soumise à une attaque uniforme Dans un mode de réalisation (non représenté), le prolongement 20 est le seul élément de structure périphéri- que Dans le mode de réalisation des figures 2 et 5, on uti- lise un blindage 22, au potentiel de la masse, pour éviter que l'isolant 21 reçoive un revêtement de métaux pulvérisés et devienne ainsi conducteur. Les figures 7 et 8 montrent l'uniformité d'attaque obtenue par l'invention La figure 7 est un graphique compo- site qui montre des profils d'attaque dans une couche d'alu- minium formée sur une tranche de silicium de 100 mm de dia- mètre Le plateau d'attaque est maintenu à un potentiel de -1200 volts Le prolongement 20 est situé à une hauteur de 4 mm au-dessus de la surface du plateau d'attaque 10 les divers potentiels continus que l'alimentation de polarisation 37 applique au prolongement 20 sont indiqués en regard des courbes L'horizontalité de la courbe est une mesure de l'uni- formité Lorsqueaucune polarisation n'est appliquée, la vi- tesse d'attaque à la périphérie de la tranche est plus du double de la vitesse au centre de la tranche Avec une pola- risation appliquée de -100 volts, la vitesse d'attaque péri- phérique est réduite à environ 1,5 fois la vitesse d'attaque centrale Avec une polarisation appliquée de -200 volts, l'attaque à la périphérie est légèrement plus élevée qu'au centre; l'uniformité appara t être comprise dans une plage de plus ou moins 9 % Avec une polarisation appliquée de -500 volts, l'attaque à la périphérie apparatt etre inférieure d'environ 20 % à l'attaque au centre Ces résultats s'inter- prètent bien comme une manifestation du déplacement de la gaine de plasma au-dessus de la périphérie du plateau d'at- taque, depuis une hauteur inférieure au niveau au centre, jusqu'à une hauteur supérieure au niveau au centre Pour une polarisation appliquée légèrement inférieure à -200 volts, on doit obtenir un prolongement pratiquement horizontal de la gaine de plasma; ceci constitue la condition préférée pour l'attaque la plus uniforme L'existence d'un seul po- tentiel optimal est confirmée par la figure 8, qui est un graphique montrant des profils d'attaque dans du Si O 2 sur un plateau d'attaque maintenu à -2000 volts Lorsque le poten- tiel sur le prolongement 20 est réduit de -760 volts à -600 volts, la vitesse d'attaque à la périphérie augmente jusqu'à devenir supérieure à la vitesse au centre. Ia position du prolongement 20 par rapport au bord du plateau d'attaque est déterminée conformément aux consi- dérations suivantes Le prolongement doit être placé de fa- çon à 6 tre latéralement proche du bord du plateau d'attaque, afin que le plasma ne soit pas notablement exposé en ligne droite à un élément au potentiel de la masse, jusque dans une région située au-delà de la périphérie du plateau d'at- taque S'il existait une telle exposition, la gaine de plas- ma ne serait pas un prolongement horizontal de la gaine si- tuée au-dessus du plateau d'attaque, mais présenterait un creux dans cette zone La hauteur du prolongement 20 peut varier depuis une position située au-dessous du niveau du plateau d'attaque, jusqu'à une position située au-dessus du niveau du plateau d'attaque On sait, d'après Vossen, Thin Film Prccessing, page 85 ( 1978), que la densité de courant obtenue à partir d'un plasma est donnée par la relation: /2 V 3/2 J = 27,3 _ 32 M d 2 dans laquelle: d = hauteur de l'espace sombre (en mm) V = tension sur le plateau d'attaque (en k V) M = poids moléculaire des atomes intervenant dans la pulvérisation cathodique J = densité de courant en m A/cm 2 On peut convertir ceci en une valeur de hauteur de l'espace sombre, exprimée en fonction de la tension sur une surface conductrice et du courant d'ions: ( 17 E O l 1/2 V 3/2) 1/2 d = 27 s,3 _ On peut également utiliser cette formule pour estimer la hauteur de l'espace sombre audessus du prolongement 20, pour un certain nombre de tensions et de courants associés, obtenus dans le cas d'une pression de 0,84 Pa: v (V) I (MA) J (MA/cm 2) Hauteur de l'espace sombre (mm) -760 17 0,73 4,9 -680 4,57 -600 17 0,73 4,16 -400 12 0,52 3,64 -200 12 0,52 2,38 -100 10 0,43 1,41 Il est donc clair, en ce qui concerne le prolonge- ment 20 lui-m 8 me, que la hauteur de l'espace sombre et donc la position de la gaine de plasma au-dessus du prolongement, sont fonction de la tension de polarisation appliquée Pour une valeur donnée pour la polarisation appliquée, la posi- tion de la gaine de plasma s'élève si on élève la position du prolongement et la position de la gaine de-plasma s'abais- se si on abaisse la position du prolongement Pour un prolon- gement maintenu dans une position fixe, la position de la gaine de plasma s'élève si on augmente la tension de polari- sation appliquée et la position de la gaine de plasma s'abais- se si on réduit la tension de polarisation appliquée Dans le mode de réalisation préféré, le prolongement est placé à une hauteur supérieure au niveau horizontal du plateau d'at- taque, pour permettre d'appliquer une tension moindre au pro- longement, tout en permettant à la gaine de plasma de se pro- longer horizontalement au-delà du bord du plateau d'attaque. On a trouvé que la position du prolongement au-dessus du pla- teau d'attaque ne doit pas 8 tre-trop élevée, afin que des structures au potentiel de la masse se trouvant à la périphé- rie du plateau d'attaque ne soient pas ainsi notablement ex- posées en ligne droite au plasma Cependant, le prolongement ne doit pas 4 tre trop bas ou trop près du bord du plateau d'attaque, pour éviter qu'une pulvérisation cathodique acci- dentelle du prolongement produise des impuretés métalliques susceptibles de contaminer la surface de la tranche de semi- conducteur qui est attaquée Pour un potentiel d'auto-pola- risation d'un plateau d'attaque RF d'une valeur caractéristi- que de -2000 volts, la position de l'anneau de polarisation 1 1 au-dessus du plateau d'attaque est comprise entre environ 2 mm et environ 4 mm, et la tension de polarisation appliquée est comprise entre environ -200 volts et environ -800 volts. Ainsi, le potentiel de polarisation préféré pour l'anneau est compris entre 0,1 et 0,4 fois le potentiel d'auto-pola- risation appliqué au plateau d'attaque. la figure 1 montre une coupe d'un plateau d'atta- que de l'art antérieur Un plateau 10 de forme générale cir- culaire comporte une lèvre de réception de tranche 13 et une région ouverte 5 Lorsqu'une tranche 14 est en position pour être attaquée par un plasma (non représenté), un refroidis- sement de la tranche par conduction est accompli au moyen d'un gaz introduit dans la région ouverte 5 par le conduit 6 Ce refroidissement est accompli par exemple de la manière indiquée dans le brevet US 4 261 762 Le plateau 10 est main- tenu à un potentiel RF élevé par le fait qu'il est en coupla- ge capacitif avec une alimentation RF 8 par l'intermédiaire d'un réseau d'adaptation 7 Des tranches sont maintenues en place par des pinces 15 qui sont fixées à un barreau isolé 16, par exemple de la manière décrite dans la demande de brevet US 106 179, déposée le 21 décembre 1979 Le plateau d'attaque 10 est entouré par un élément de structure 17, tel qu'une plaque de pression ou un blindage porté au potentiel de la masse L'élément de structure 17 est fixé par des vis 4 à un élément de structure 3 qui est fixé par des vis 18 au bâti de machine 19 L'élément de structure 17 est donc l'élé- ment physique le plus proche au-dessus et autour du bord du plateau d'attaque et il est maintenu au potentiel de la ma- chine qui est de façon caractéristique le potentiel de la masse Pendant le fonctionnement, le plasma généré au-dessus du plateau d'attaque 10, et donc au-dessus de la tranche de semiconducteur 14, est limité à la région qui se trouve im- médiatement au-dessus du plateau et de la tranche, du fait qu'une tension élevée est nécessaire pour créer et entrete- nir le plasma Le potentiel de la machine auquel est portée la structure environnante n'est pas suffisant pour créer et entretenir un plasma, ce qui fait que la gaine de plasma descend et se termine sur la structure mise à la masse. Les figures 2 et 3 représentent un plateau d'atta- que conforme à l'invention Comme dans le plateau d'attaque de l'art antérieur, une tension RF est appliquée à la struc- ture de base 11 du plateau 10 par l'alimentation RF 8, par l'intermédiaire du réseau d'adaptation 7 Des pinces 15 maintiennent la tranche de semiconducteur 14 en place sur la lèvre de réception 13 Cependant, contrairement à l'art an- térieur, le prolongement 20, qui est l'élément physique le plus proche audessus et autour du bord du plateau d'attaque; est isolé électriquement de la machine par un élément rap- porté en céramique 21 L'élément rapporté en céramique 21 * est fixé par des vis 24 à la structure du btti dé la machine. On utilise le blindage 22 pour protéger l'élément rapporté en céramique 21 afin d'éviter qu'il reçoive un revêtement et devienne ainsi conducteur Le prolongement 20 est fixé à l'élément rapporté en céramique 21 au moyen de vis 23 Le potentiel sur le prolongement 20, et donc le potentiel dans la région située juste au-delà de la périphérie 9 du plateau d'attaque, sont déterminés par la tension qui est appliquée par l'alimentation de polarisation 2 Pendant le fonctionne- ment, le potentiel sur le prolongement 20 est maintenu nota- blement au-dessous du niveau du potentiel de la masse ou de la machine, en n'étant cependant pas aussi négatif que le potentiel du plateau d'attaque Comme on l'a envisagé précé- demment, ce potentiel est de préférence dans une plage de- 0,1 à 0,4 fois le potentiel du plateau d'attaque, tandis que le prolongement se trouve à environ 2 à 4 mm au-dessus du niveau du plateau-d'attaque Il est particulièrement préfé- rable que le potentiel du prolongement soit dans une plage de 0,2 à 0,3 fois le potentiel du plateau d'attaque. Il va de soi que de nombreuses modifications peu- vent 4 tre apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1 Plateau d'attaque RF destiné à attaquer unifor- mément une tranche de semiconducteur ( 14) par pulvérisation cathodique, caractérisé en ce qu'il comprend: une structure de plateau ( 10) capable de recevoir et de maintenir une tran- che de semiconducteur ( 14) qui doit 4 tre soumise à une atta- que par pulvérisation cathodique; une alimentation RF ( 8) connectée électriquement à la structure de plateau; un pro- longement ( 20) placé en position adjacente à la périphérie du plateau, ce prolongement étant conducteur de l'électrici- té et isolé par rapport à d'autres éléments conducteurs; et une alimentation de polarisation ( 2) destinée à appliquer un potentiel électrique au prolongement ( 20), grâce à quoi le plasma généré au-dessus de la structure de plateau ( 10) est prolongé au-delà de la périphérie du plateau d'attaque et au- dessus d'une partie au moins du prolongement ( 20). 2 Plateau d'attaque RF selon la revendication 1, caractérisé en ce que la position du prolongement ( 20) et l'alimentation de polarisation ( 2) sont choisies de façon à prolonger horizontalement le plasma au-dessus du plateau - d'attaque. 3 Plateau d'attaque RF selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'alimentation RF ( 8) est couplée de façon capacitive au plateau d'attaque. 4 Plateau d'attaque RF selon la revendication 3, caractérisé en ce que la structure de plateau ( 10) comprend des moyens ( 5, 6) destinés à produire un refroidissement ac- tif de la tranche de semiconducteur ( 14). Plateau d'attaque RF selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens destinés à produire un re- froidissement actif comprennent des moyens ( 5, 6) qui accom- plissent un refroidissement par conduction par un gaz. 6 Plateau d'attaque RF selon la revendication 3, caractérisé en ce que le prolongement ( 20) est placé au-des- sus du niveau de la surface supérieure de la structure de plateau ( 10) et au-dessous de la frontière inférieure de la gaine de plasma qui est produite au-dessus de la structure de plateau ( 10). 7 Plateau d'attaque RF selon la revendication 6, caractérisé en ce que le prolongement ( 20) est placé à une distance de 2 mm à 4 mm au-dessus du niveau de la structure de plateau ( 10). 8 Plateau d'attaque RF selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'alimentation de polarisation ( 2) fournit un potentiel électrique dans la plage de 0,1 à 0,4 fois le potentiel présent sur la structure de plateau ( 10). 9 Plateau d'attaque RF selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'alimentation de polarisation ( 2) fournit un potentiel électrique dans la plage de 0,2 à 0,3 fois le potentiel présent sur la structure de plateau ( 10). Plateau d'attaque RF selon la revendication 8, caractérisé en ce que la structure de plateau ( 10) a une forme circulaire, et en ce que le prolongement ( 20) consis- te en un anneau positionné de manière concentrique autour de la structure de plateau circulaire ( 10). 11 Plateau d'attaque RF selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il est combiné avec un élément de blin- dage ( 22) qui est placé au-dessus de la partie du prolonge- ment ( 20) la plus éloignée du plateau d'attaque, mais qui n'est pas en communication électrique avec cette partie.