Brevet FR2518819A1 — publié le 19830624

La présente invention est relative à un laser à semi-conducteurs minia- turisé à double structure hétérogène remarquable par une plus grande courbure et une plus forte inclinaison des couches qui le constituent. Dans le brevet américain N O 4 215 319, cité ici en référence, Botez décrit un laser miniaturisé à double structure hétérogène, constitué par des composés du groupe III-V et par des combinaisons de ces composés, qui comprend un substrat comportant une paire de rainures distantes l'une de l'autre et essentiel- lement parallèles séparées par une structure mesa de la surface du substrat. Une première couche de limitation recouvre la surface du substrat, la struc- ture mesa et les rainures, une couche active recouvre la première couche de limitation et une deuxième couche de limitation recouvre la couche active La couche active présente des surfaces inclinées dont la pente correspond à une augmentation ou à une diminution de son épaisseur dans le sens latéral, l'in- clinaison des couches perpendiculairement à l'axe des rainures dépendant de l'orientation des cristaux de la surface du substrat et de la courbure des diffé- rentes surfaces sous-jacentes Dans la demande de brevet américain nô O 251 651 déposée le 6 avril 1981 et citée ici en référence, Botez décrit un laser minia- turisé à double structure hétérogène comprenant une couche de guidage qui est intercalée entre la première couche de limitation et la couche active et pré- sente également des surfaces inclinées suivant les variations de son épaisseur dans le sens latéral Dans la demande de brevet américovin n' de série 257 773 déposée le 27 avril 1981, Botez et ses collaborateurs décrivent un laser compre nant une couche de guidage dans lequel la surface qui est au contact de la couche active a une forme concave dans le sens latéral au-dessus de la structure mesa séparant les rainures, et présente une inclinaison correspondant à une augmenta tion de l'épaisseur dans le sens latéral. Dans ces différents types de lasers, le dépôt des couches à la surface du substrat, des rainures et de la structure mesa n'est pas uniforme car la crois- sance d'une couche est plus rapide au-dessus des parties concaves qu'au dessus des parties convexes ou planes dé la surface C'est à ce manque d'uniformité dans la croissance que sont dues la courbure des couches déposées et les in- clinaisons qui en résultent, Or, l'importance de la courbure et, par suite le rendement des dispositifs utiles sont liés à l'épaisseur des couches déposées et aux variations des conditions de leur croissance. z 2518819 Toute modification de la structure de ces dispositifs qui a pour effet d'augmenter la courbure des couches déposées et d'améliorer le rendement des dispositifs utiles est donc souhaitable. Ce but est atteint, suivant l'invention, par la réalisation d'un laser à semi-conducteurs comprenant une structure mesa séparant une paire de rai- nures essentiellement parallèles situées à la surface d'un substrat, la struc- ture mesa ne s'élevant pas, au-dessus du fond des rainures, à la même hauteur que le reste de la surface du substrat Lorsque la structure mesa est à une hauteur moindre que celle du reste de la surface du substrat, la surface de la couche déposée sur elle présente une plus forte courbure positive (concave) tandis que lorsque la structure mesa est à une hauteur plus grande que celle du reste de la surface du substrat, la surface de la couche déposée présente une plus forte courbure négative (convexe). D'autres caractéristiques-et avantages de cette invention ressortiront de la description faite ci-après en référence aux dessins annexés qui en illustrent divers exemples de réalisation dépourvus de tout caractère limitatif Sur les dessins les figures 1 et 2 sont des vues perspectives de deux exemples de réalisa- tion de l'invention; les figures 3 a, 3 b et 3 c sont des vues en coupe d'une partie d'un laser à semi-conducteurs comportant des structures mesa ayant différentes hauteurs. La figure 1 représente un laser à injection à semi-conducteurs consti- tuant un exemple de réalisation de la présente invention et comprenant un corps 12 constitué par un matériau semi-conducteur monocristallin, emn principe des composés du groupe III-V et des combinaisons de ces composés, et ayant la forme d'un parallélépipède Le corps 12 comporte des faces terminales paral- lèles 14, situées à une certaine distance l'unede l'autre, qui réfléchissent une partie de la lumière, l'une au moins de ces faces terminales 14 étant partiel- lement transparente pour permettre l'émission de lumière Le corps 12 com- porte également des surfaces latérales parallèles 16, situées à une certaine distance l'une de l'autre, qui relient les faces terminales 14 et leur sont per- pendiculaires Le corps semi-conducteur 12 comprend un substrat 18-Xompor- tant des surfaces principales parallèles 20, 22, situées à une certaine distance l'une de l'autre, qui relient à la fois les faces terminales 14 et les surfaces aux unes et latérales 16 du corps semi-conducteur 12 et sont perpendiculaires/aux autres - 3 2518819 La surface principale 20 du substrat comporte une paire de rainures 24, essen- tiellement parallèles et situées à une certaine distance l'une de l'autre, qui vont de l'une à l'autre des faces terminales 14 La partie du corps qui est comprise entre les rainures 24 a une structure mesa 26 dont la surface 26 a s'élève, au-dessus du fond 24 a des rainures 24, à une plus grande hauteur que la surface principale 20 Une couche tampon 28 recouvre la surface principale et la surface de la structure mesa Z 6 a et remplit en partie les rainures 24. Une première couche de limitation 30 recouvre une couche tampon 28 et une couche active 32 recouvre la première couche de limitation 30 Une deuxième -10 couche de limitation 34 recouvre la couche active 32 et une couche de couver- ture 36 recouvre la deuxième couche de limitation 34 Une couche 38, électri- quement isolante, recouvre la couche de couverture 36 et comporte-une zone ouverte 40 qui a la forme d'une bande s'étendant au-dessus de la structure mesa 26 reliant l'une à l'autre les faces terminales 14 Un premier contact électri- que 42 recouvre la couche électriquement isolante 38, une partie de la couche de couverture 36 et la partie correspondant à la zone ouverte 40 Un deuxième contact électrique 44 recouvre la deuxième surface principale 22 et le substrat 18. Les références des éléments communs sont les mêmes sur les figures 1, 2 et 3. La figure 2 représente un laser à injection à semi-conducteurs 50, qui diffère du laser à injection 10 représenté par la figure 1 en ce qu'une couche de guidage 52 est intercalée entre la première couche de limitation et la couche active et que la hauteur de la structure mesa-Z 6 au-dessus du fond 24 a des rainures est moindre que la hauteur correspondante de la surface 20 du subs- trat. Le substrat 18, la couche tampon 28, la première couche de limitation 30 et la couche de guidage 52 ont une conductibilité d'un même type tandis que la deuxième couche de limitation 34 et la couche de couverture 36 ont une conduc- tibilité du type opposé La couche active 32 peut avoir une conductibilité de l'un ou l'autre type et elle n'est en principe que faiblement conductrice Il y a lieu de remarquer que le type de conductibilité de chacune des couches peut être inversé, à condition que les rapports entre les conductibilités des diffé- rentes couches et du substrat soient conservés. 2 2518819 Il est préférable que le substrat soit en Ga As de -type N et que sa surface principale 20 soit parallèle au plan réticulaire ( 100) Le substrat 18 peut être mal orienté par rapport à ce plan, mais il est préférable que la direction de cette mauvaise orientation soit parallèle à l'axe des rainures. Les rainures représentées sur les figures 1 et 2 ont une section en queue d'aronde Les rainures peuvent avoir encore d'autres formes, par exemple celle d'un V ou d'un rectangle La seule condition que la forme des rainures doit remplir est d'être telle que, lors de la croissance, l'action combinée des rainures provoque la formation de couches supérieures ayant la courbure et les inclinaisons voulues La forme des rainures dépend de l'orientation cris- tallographique de l'axe des rainures et du produit d'attaque chimique utilisé. C'est ainsi, par exemple, qu'un produit d'attaque contenant 1 H SO 8 H 202 8 H z O par volume donne des rainures ayant une section en queue d'aronde si l'axe des rainures est parallèle à la direction o 011 l, des rainures rectangu- laires si l'axe des rainures est parallèle à la direction L 010 l et des rainures ayant une section en forme de V si l'axe des rainures est parallèle à la direc- tion L Oill Les rainures s'obtiennent par des procédés d'attaque photolithogra- phique et chimique normaux, comme l'indique par exemple le brevet américain n 4 215 319 de Botez, déjà cité La largeur des rainures 24 peut varier de 4 à 12 /,um environ au niveau de la surface 20 et est en principe d'environ 10/um et leur profondeur varie de 3 à 6 m et est en principe de 4/um environ LIés- pacement d'axe en axe des rainures peut varier de 20 à 45 um environ et est en principe de 32,m environ. Le dépôt des différentes couches épitaxiques sur le substrat 18 s'obtient par les procédés bien connus pour l'épitaxie en phase liquide, comme ceux qui sont décrits dans le brevet américain n 4 215 319 de Botez, déjà cité, et dans le brevet américain n 3 753 801, de F Lockwood et ses collaborateurs, cité ici en référence Dans l'épitaxie en phase liquide, le taux de croissance local d'une partie d'une couche particulière-dépend de la courbure locale de la sur- face sur laquelle la croissance a lieu Plus la courbure positive locale de la surface, c'est-à-dire sa concavité, est grande, plus le taux decroissance local est élevé. Sur la figure 3 a, la hauteur de la surface 26 a de la structure mesa 26 au-dessus du fond 24 a des rainures 24 est la même que celle de la surface La vitesse de dépôt est alors maximale au point 62 o la courbure positive est maximale et minimale au point 64 o la courbure négative est maximale et a une valeur intermédiaire entre ces deux extrêmes au point 66 situé au-dessus de la surface 26 a Une couche déposée sur cette surface aura donc une incli- naison telle que l'épaisseur diminuera du point 66 au point 64 et ensuite une inclinaison telle que l'épaisseur augmentera du point 64 au point 62. Sur la figure 3 b, o la hauteur de la surface 26 a de la structure mesa 26 au-dessus du fond 24 a des rainures 24 est plus grande que celle de la surface , le point 74 situé au niveau du bord de la structure mesa 26 correspond à une courbure négative plus forte que celle que présente la figure 3 a, au niveau du point correspondant 64 Le taux de croissance au point 74 sera donc plus lent qu'au point 64 et il en résultera une plus forte inclinaison correspondant à une diminution de l'épaisseur entre le point 72, situé au-dessus de la structure mesa 26, et le point 14 et une plus forte inclinaison correspondant à une augmen. tation de l'épaisseur entre le point 74 et les points 76 situés au-dessus des rai- nures 24. Sur la figure 3 c o la hauteur de la surface 26 a de la 'structure mesa 26, au-dessus du fond 24 a des rainures 24 est moindre que celle de la surface 20, le rayon de courbure au point 84 est moindre qu'au point 64 de la figure 3 a L'in- clinaison correspondant à une diminution de l'épaisseur entre le point 82 et le point 84 sera donc moindre qu'entre le point 66 et le point 64 de la figure 3 a La couche déposée aura donc une inclinaison plus forte, correspondant à une aug- mentation de l'épaisseur, entre le point 82 et le point 84 et entre le point 84 et le point 86 Le taux de croissance au-dessus du point 82 étant moindre que le taux de croissance au-dessus de la surface 20, la surface 86 a une courbure positive Si la hauteur de la structure mesa 26 au-dessus du fond 24 a des rai- nures est moindre que celle de la surface 20 environnante, la courbure positive sera encore plus marquée On obtiendra alors, déposée sur la surface 88, une couche de guidage ayant une plus forte inclinaison correspondant à une augmen- tation d'épaisseur' et une couche active ayant une plus forte inclinaison corres- pondant à une diminution d'épaisseur. La hauteur qu'il y a lieu de donner à la surface 26 a de la structure mesa 26 par rapport à la surface Z O dépend des val eurs de l'inclinaison que l'on veut obtenir C'est ainsi, par exemple, que pour le laser représenté sur la figure 1, il est souhaitable d'avoir une couche active ayant une plus forte inclinaison cor- 6 2518819 respondant à une diminution d'épaisseur et par conséquent, d'augmenter la hauteur de la structure mesa, tandis que pour le laser représenté sur la figure 2, il est souhaitable d'avoir une couche de guidage ayant une plus forte incli- naison correspondant à une augmentation d'épaisseur et, par conséquent, de diminuer la hauteur de la structure mesa. Les rainures 24 peuvent pénétrer dans le substrat 18 jusq u'à une dis- tance variant de 3 à 6 um environ à partir de la surface 20 La différence entre la hauteur au-dessus du fond 24 a-des rainures 24 de la structure mesa et celle de la surface 20 ne dépasse pas en principe 3 et varie de préférence entre 1 et 2/um Si la hauteur de la surface de la structure mesa est trop inférieure à celle de la surface environnante, l'inclinaison à partir de la zone située au-dessus de la structure mesa et le taux de limitation électrique n'au- ront pas les caractéristiques voulues Il est entendu que toute autre combinai- son de profondeur de rainures et de hauteur de la structure mesa par rapport à la surface environnante ne limite pas la portée de l'invention. Les matériaux qui constituent respectivement la couche active 32, la couche de guidage 52 et la première et la deuxième couche de limitation, 30 et 34, sont choisis de telle manière que l'indice de réfraction de la couche active 32 soit supérieur à celui de la couche de guidage 52 et que l'indice de réfrac- tion de la couche de guidage 52 soit plus grand que celui de la première et de la seconde couche de limitation 30 et 34. La couche tampon 28 peut être constituée par du Ga As de type N et son épaisseur au-dessus de la structure mesa 26 varie en principe de O, 5 à 1 /u. La première couche de limitation 30 peut être constituée par du Al Ga As r 1-r dans lequel la'concentration partielle de Al varie de 0, 25 à O, 4 et est en prin- cipe de 0, 35 environ L'épaisseur de cette couche varie en principe de 1, 5 à 2,0 /um au-dessus de la structure inesa 26 La couche de guidage 52 a une épaisseur qui varie en principe de O, 5 à 2 /1 m au-dessus de la structure mesa et peut être constituée par du AI Ga As dans lequel la concentration par- tielle de Al varie de 0, 13 à 0, 25 environ et est en principe de 0, 20 La couche active 32 a une épaisseur qui varie en principe de O, 1 à 0, 4 um au-dessus de la structure mesa et elle peut être constituée par du Alt Ga t As dans lequel la concentration partielle t de Al varie de 0, O à O, 1 environ La deuxième couche de limitation 34 a une épaisseur qui varie en principe de 1 à 2/um 7 25 18815 au-dessus de la structure mesa 26 et elle peut être constituée par du AI Ga As ïv l-v ayant une conductibilité du type p, dans lequel la concentration partielle v de AI varie entre 0, 3 et 0, 4 environ et est en principe de 0, 35 environ 1 La couche de couverture 36 a une épaisseur qui varie de 0, Z à 1, 5 um et elle peut être cons- tituée par du Ga As de type p. Il est entendu que l'utilisation de tout autre ensemble de composés binaires du groupe III-V ou de combinaisons de ces composés dans le laser reste dans le cadre de l'invention. La couche électriquement isolante 38 est constituée de préférence par de la silice qui est déposée sur la couche de couverture 36 par pyrolyse d'un gaz contenant du silicium, comme un silane, et de l'oxygène et de la vapeur d'eau Une zone ouverte 40 ménagée dans la côuche électriquement isolante 38 jusqu'à la couche de couverture 36 au-de-ssus de la structure mesa 26 séparant les rainures 24 est réalisée par des procédés d'attaque chimique avec emploi de masques photolithographiques Le premier contact électrique 42 est ensuite déposé sur la couche électriquement isolante et sur la couche de couver- ture 36 dans la région de la zone ouverte 40 et est constitué de préférence par du titane, du platine et de l'or déposés successivement par évaporation sous vide Le deuxième contact électrique 44 déposé sur le substrat 18 peut être obtenu par dépôt sous vide et frittage d'étain et d'or. L'une des faces terminales 14 du corps-12 à partir de laquelle se produit l'émission de lumière est recouverte en principe d'une couche de AI O ou d'un matériau analogue dont l'épaisseur est d'environ une demi-onde de la longueur d'onde du laser Une couche de ce genre est décrite'dans le brevet américain no 4 178 564 cité ici en référence La face terminale 14 opposée peut être re- couverte par un miroir qui réfléchit à la longueur d'onde du laser, comme celui qui est décrit dans le brevet américain N O 3 701 047 de Caplan et ses'collabora- teurs et dans le brevet américain N O 4 092 659 de Ettenberg, cités ici tous deux en référence. Une structure mesa: -ayant une hauteur différente de celle de la surface environnante du substrat peut s'obtenir par les procédés d'attaque photolitho- graphique et chimique normaux Pour obtenir une structure mesa ayant une hauteur inférieure à celle de la surface environnante du substrat, on recouvre d'abord toute la surface, y compris les rainures et la structure mesa au moyen 8 2518819 d'une couche de Si O 2 et d'une couche de photorérist On dégage ensuite, au- dessus de la structure mesa, une zone ouverte dans la couche de Si O et la surface dégagée est soumise à l'attaque d'un produit comme celui que- l'on utilise pour réaliser les rainures Inversement, pour obtenir une structure mesa ayant une hauteur supérieure à celle de la surface environnante du subs- trat, on enlève la couche de Si O 2 de cette surface et non pas de celle de la structure mesa et on attaque ensuite chimiquement la surface dégagée. En variante, pour des rainures ayant des formes particulières, comme les rainures en V, la structure mesa séparant les rainures pourra être sou- mise à une attaque avec fusion comportant une mise en contact initiale avec la solution liquide à partir de laquelle la première couche doit se déposer, ce qui réduit la hauteur de la structure mesa par rapport à la surface environnante. La limitation latérale et le réglage du mode du faisceau laser s'obtiennent. en faisant varier l'indice de réfraction efficace 'N eff exprimant les variations d'épaisseur des couches La variation d'épaisseur latérale est liée à Neff par la relation Neff Nc + ba(X) (Na-Nc) + bg(x) (N -N) expression dans laquelie N, N et N sont respectivement les indices de réfrac- c a g tion globaux de la couche de limitation, de la couche active et de la couche de guidage, N étant>N >Nc, et dans laquelle b (x) et b (x) sont des facteurs. a a g exprimant respectivement l'amplitude des champs de la couche active et de la couche de guidage en fonction de la distance x dans le sens latéral mesurée à partir du centre de la structure mesa Pour le laser 10 de la figure 1, b (x) = O puisqu'il n'y a pas de couche de guidage. Pour le laser 10 de la figure 1, b (x) est maximum pour x = O et diminue a lorsque la distance x augmente puisque l'épaisseur de la couche active diminue et que, de ce fait, la couche active englobe une partie plus petite du champ optique L'indice de réfraction efficace diminue donc à mesure quela distance latérale augmente, ce qui donne un "guide" d'indice positif qui limite le fais- ceau de propagation Une augmentation de l'inclinaison correspondant à une di- minution de l'épa isseur de la couche active donnerait un guide d'indice positif plus fort et, de ce fait, améliorerait la limitation du mode fondamental d'oscil- lation. Pour le laser 50 de la figure 2, l'inclinaison de la couche active corres- pond à une diminution de l'épaisseur, l'inclinaison de la couche de guidage cor- respond à une augmentation de l'épaisseur et le faisceau se propage à la fois dans la couche active et dans la couche de guidage Au point situé au centre de la couche active au-dessus de la structure mesa, b(x) est grand et prépondérant. Lorsque la distance latérale x augmente, la couche active s'amincit, b (x) dimi- a nue tandis que la couche de guidage s'épaissit et b (x) augmente Neff commence g donc par diminuer lorsque la distance latérale augmente, pour augmenter en- suite, ce qui donne ce que l'on appelle le guide en W à cause de la forme de la courbe de l'indice efficace Une augmentation de l'inclinaison correspondant à la diminution de l'épaisseur cde la couche active et une augmentation de l'épais- seur de la couche de guidage augmentent l'influence de l'indice positif de la couche active Il en résulte une diminution des pertes par radiation pour le mode fondamental, en raison de l'anti-guidage latéral dans la couche de guidage, et une augmentation des pertes pour les modes supérieurs, qui sont plus sensi- bles à l'anti-guidage déa à l'augmentation de Neff lorsque l'épaisseur de la cou- che de guidage augmente. Des lasers à semi-conducteurs ont été fabriqués à partir d'une pastille préparée conformément aux principes de l'invention décrite ci-dessus Les rai- nures à section en queue d'aronde tayant leur axe le long de la direction Lo 11 j ont été obtenues dans une surface principale ( 100) d'un substrat en Ga As de type n Les rainures avaient une largeur de 10 um à la surfac, étiet distantes u nt distantes de 32/um et avaient une profondeur; de 4/um La surface de la structure mesa était à 1 /um au-dessus de la sur- face du substrat environnant Une couche tampon, en Ga As de type n, d'une épaisseur de 1 /um au-dessus de la structure mesa, recouvrait la surface de la structure mesa, le substrat et les rainures Une première couche de limi- tation, en AI 0, 30 Ga 0, 70 As de type n, de 3 Hum d'épaisseur, une couche de guidage en AI 1 GA 79 As de type N de 1/um d'épaisseur audessus de la structure mesa, une couche active non dopée en AI 0,06 Ga O 94 As de O, 2 /um d'épaisseur au-dessus de la structure mesa, une deuxième couche de limita- tion en A 10, 34 Ga-o 6 As de type p, de 1, 5/um d'épaisseur au-dessus de la structure mesa et une couche de couverture en Ga As de type p, de O, 5 /um d'épaisseur, recouvraient la couche tampon La couche active présentait une inclinaison dans le sens latéral pour passer de son épaisseur maximale d'en- viron O, 2 /uo au-dessus du centre de la structure mesa, à une épaisseur l O 2518819 d'environ O, 15/um à une distance d'environ 15/um dans le sens latéral La couche active présentait une inclinaison pour passer d'une épaisseur minimale d'environ 1, 1/unr au-dessus du centre de la structure mesa, à une épaisseur d'environ 1, 7 /umn à une distance d'environ 20 /um dans le sens latéral. Des lasers fabriqués à partir de cette pastille ont été soumis à des essais avec des impulsions de courant de 50 nar Dsecondes et un cycle de rendement de % On a décelé des courants de seuil d'environ 90 mi Lliampères et des puis- sances de sortie de 50 milliwatts pour 170 milliampères. REVENDICATIONS 1 Laser à semi-conducteurs ( 10) comprenant un substrat ( 18) compor- tant une paire de surfaces principales opposées 10, 22), une paire de rainures ( 24) essentiellement parallèles situées dans la première surface principale ( 20) et séparées par une structure mesa ( 26), et une surface active O û rec Quvrant la première surface principale ( 20) du substrat ( 18), les rainures ( 24) et la surface de la structure mesa( 26) , caractérisé en-ce que la structure mesa ( 26), est à une hauteur au-dessus du fond( 244 des rainures ( 24) différente de la hau- teur à laquelle la première surface principale ( 20) du substrat se trouve au- dessus du fond ( 24 a) des rainures ( 24). 2 Laser selon la revendication 1, caractérisé en ce que la hauteur de la structure mesa ( 26), au-dessus du fond ( 24 a) des rainures ( 24) est plus grande que celle de la première surface principale ( 20) du substrat. 3 Laser selon la revendication 2, caractérisé par une inclinaison de la surface de la couche active ( 32) correspondant à une diminution de lépaisseur dans le sens latéral à partir de la partie de cette surface située au-dessus de la structure mesa. AI T ln taln,1 " 1 r a,,,n Airnt-rnr I rqrsr,,tefripe en ce tue la hauteur de _ umumumu- a r= _ , , r _ - * w E _ caractérisé en ce que le rapport en poids du bioxyde de manganèse au noir de carbone se situe dans l'intervalle allant de 17 à 25. 2 Elément de pile sèche selon la revendication 1, caractérisé en ce que le noir de carbone spécifique utilisé est un noir d'acétylène. 3 Elément de pile sèche selon-la revendication 2, caractérisé en ce que le noir d'acétylène possède une résistivité électrique mesurée sous une pression de 6,3 105 Pa, de 0,270 -0,350 ohm-cm et un indice d'absorp- tion DBP de 400-500 ml pour 100 g de noir. 4 Elément de pile sèche selon la revendication 1, 2 ou 3, caracté- risé en ce que le bioxyde de manganèse est du type synthétique, chimique et/ou électrochimique. à l'étanchéité de la pile ou ne considèrent pas cette étanchéité durant ou après des opérations cycliques ouverte ( 40) recouvrant toute une zone de la couche de couverture ( 36) et un premier contact électrique ( 42) recouvrant la couche de couverture ( 36) dans la zone ouverte ( 40) de la couche électriquement isolante ( 38). 11 Laser selon la revendication 10, caractérisé en ce que le substrat ( 18) est constitué par du Ga As de type n, la première couche de limitation ( 30) étant constituée par une combinaison à base de Al Ga As de type ni, la deuxième couche de limitation ( 34) étant constituée par une combinaison à base de AI Ga As de ty-pe n P et la couche de couverture ( 36) étant constituée par du Ga As de type p.