Brevet FR2516549A1 — publié le 19830520

Procédé de nickelage de semiconducteurs au silicium et procédé pour la fabrication de cellules solaires comportant ces semiconducteurs nickelés La présente invention concerne les techniques de revêtement en général et plus particulièrement des procédés pour le dépôt de nickel sur du silicium. I1 est souvent souhaitable, dans la fabrication des cellules solaires et d'autres dispositifs à semiconducteurs, de déposer du nickel directement sur le silicium afin de former des électrodes ou des contacts pour le couplage du dispositif semiconducteur dans un circuit électrique. Un des procédés les plus connus et les plus efficaces pour réaliser ce dép8t est le nickelage non-électrolytique. Àvec un tel procédé, le premier stade est habituellement le nettoyage des surfaces extérieures du substrat de silicium où le nickelage doit être déposé afin dtéliminer toutes particules de saleté ou d'oxyde qui peuvent entre présentes. Ce nettoyage est souhaitable puisque la presence de ces substances sur la surface du silicium tend à interférer avec le dépit correct du nickel sur le silicium.Le nettoyage peut être effectue de différentes façons bien connues de l'homme de l'art, par exemple en plongeant successivement le substrat dans des bains appropriés de solvants organiques chauds et d'acide sulfochromique chaud, suivi d'un bain d'acide fluorhydrique et d'un rinçage avec l'eau désioniséeO Une fois que cela a été fait, la surface du substrat silicium qui doit recevoir le dép8t de nickel est ensuite prétraitée avec un catalyseur. Ceci est nécessaire puisque la surface de silicium ne supporte pas par elle-mEme le processus de dépôt non-électro- lytique et le nickel déposé sur une surface de silicium non traite tend à adhérer très faiblement à cette surface.Généralement, le palladium est utilisé comme catalyseur, bien que d'autres activateurs soient bien connus de l'homme de l'art. Le bre vet U.S. NO 3 489 603 montre une variante de ce genre pour le catalyseur palladium. Une fois que la surface du silicium qui doit recevoir le nickel a été nettoyée et prétraitée, le silicium est prêt pour le nickelage non-électrolytique. Le nickelage est effectué en plongeant le substrat silicium dans un bain acide ou alcalin, approprié, dans des conditions appropriées. Un bain acide type peut comprendre du chlorure de nickel (30 g/l), de l'hypophos- phite de sodium (environ 10 g/l), un troisième sel de nitrate de sodium (environ 10 g/l), un pH compris entre 4 et 6 et une température d'environ 880C. Dans un bain de ce genre, le chle- rure de nickel donne l'ion nickel qui doit être réduit, l'hypophosphite fournit l'agent réducteur et le troisième sel agit comme tampon et agent complexant pour le nickel.Par ailleurs, un bain alcalin peut être substitué. Ce nickelage non-électro- lytique est bien connu dans l'art et est décrit en détail dans des publieations telles que Electroplating and Related Processes Re J*Be Mohler (Chemical Publishing Co., Inc. ; New Souk, 1969), Surface Preparation and Finishes for Metals édité par James A. Murphy (McGraw-Hill Book Co. ; New York, 1971) et Handbook of Thin Film Technolegy édité par Leon I. Maissel et Reinhard Glang (McGraw-Hill Book Co. ; New Yerk, 1970). Le nickelage non électrolytique- de ce type soulève de nombreuses difficultés. Premièrement, la nécessité du pré- traitement catalytique du silicium ajoute un stade supplémen- taire au procédé de nickelage. En outre, si le catalyseur utilisé est du palladium,le nickel tend à se déposer en un modèle non uniforme puisque le palladium a une tendance à travailler d'une façon non uniforme sur la surface du silicium. Le prix élevé du palladium est également une caractéristique négative, puisque des quantités importantes de palladium peuvent autre perdues pendant le prétraitement. De plus, la chimie du bain de nickelage non-éleetro- lytique décrit ci-dessus tend à entratner la formation d'un peu de phosphure de nickel qui peut être déposé sur le silicium en même temps que le nickel. L'inclusion de ce phosphure de nickel dans le nickel déposé tend à altérer les propriétés du nickel déposé et peut être tout à fait indésirable suivant les applications envisagée s La teneur en produit phosphoreux dans le nickel déposé peut être maintenue basse en utilisant un bain alcalin au lieu d'un bain acide, mais l'utilisation d'un bain alcalin peut soulever de nouvelles difficultés. En particulier, les bains alcalins tendent à attaquer tout aluminium exposé au bain, compliquant ainsi le nickelage si le silicium comporte un revêtement d'aluminium.En outre, l'utilisation d'un bain alcalin tend à provoquer la formation d'une couche d'oxyde sur la surface du silicium, empêchant ainsi le dépit de nickel directement sur le siliciure La présence d'une couche d'oxyde constitue une complication ultérieure 1k où on désire que le nickel déposé serve de contact ohmique. Dans ce cas, la couche de nickel doit être frittée afin de diffuser dans le substrat silicium et former un siliçure de nickel à l'interface nickel/silicium.Quand une couche d'oxyde intermédiaire est présente, le frittage doit entre effectué à une température relativement élevée (supérieure à 3500 C) et/ou pendant un temps relativement long (40 minutes ou davantage) afin d'amener le nickel à traverser la couche d'oxyde et à diffuser dans le silicium et former un contact ohmique. Cependant, si le substrat est un dispositif de jonction mince tel qu'une cellule solaire et que la couche de nickel est sur la surface du substrat la plus proche de la jonction, il y a une tendance pour le nickel à diffuser assez profonddment pour shunter ou court-circuiter le dispositif, particulibrement si la couche d'oxyde est très mince ou nonwexistante. Dans ce contexte, un dispositif de silicium C jonction mince est celui où la jonction est à environ 1,0 micron eu moins au-dessous de la surface sur laquelle le nickel est déposé. Il en résulte qu'un des objets de la présente invention est la mise au point d'un procédé de dépôt du nickel directement sur du silicium qui n'utilise pas le procédé de nickelage nonélectrolytique qu'on vient de décrire. Un autre objet est la fourniture d'un procédé de nickelage qui ne rende pas nécessaire un prétraitement catalytique de la surface du silicium avant le dép8t de nickel. Encore un autre objet est la fourniture d'un procédé pour réaliser une forte adhérence du nickel sur le silicium. Encore un autre objet de la fourniture d'un procédé de dép8t de nickel directement sur le silicium sans produire de contaminants phosphure de nickel. Et un autre objet est la fourniture dtun procédé de nickelage utilisant un bain qui n'attaque pas l'aluminium exposé à ce bain.Encore un autre objet est la fourniture d'un procédé de nickelage qui n'exige pas l'utilisation de palladium coûteux. Encore un autre objet est la fourniture d'un procédé de fabrication de contacts ohmiques en nickel sur des dispositifs de silicium ou le frit tage puisse Otre effectué à des températures relativement basses (350oC ou moins) et dans des temps relativement courts (moins de 40 minutes). Un objet ultérieur est la fourniture d'un procédé simpls et fiable de fabrication de contacts ohmiques en nickel où la reproductibilité des contacts de haute qualité est bonne ou encore meilleure. Ces objets et d'autres objets de la présente invention sont réalisés par un procédé pour le dépôt du nickel sur un substrat de silicium qui comprend essentiellement l'immersion du substrat dans un bain aqueux de chlorure de nickel et d'un composé fluorure choisi qui s ' ionise dans l'eau, ce qui fait que sans aucun prétraitement du substrat silicium, excepté le nettoyage, les ions nickel dans le bain seront réduits en nickel et déposés directement sur le silicium afin de former une pour che adhérente à celui-ciO Des contacts chmiques sont formés par frittage de la couche de nickel.Pour les dispositifs à jonctions minces le frittage peut être réalisé en dessous de 3500C et être terminé en moins de 30 minutes. Pour les dispositifs à jonctiens épaisses le frittage peut outre réalisé 8 la momie température ou à des températures plus élevées et/ou pendant les mimes durées ou å des durées plus longues. On va maintenant se référer aux figures pour expliquer la présente invention. Les figures 1 k 3 sont des-vues en coupe qui montrent les divers stades du procédé préféré du dépôt de nickel sur un substrat silicium utilisant la présente invention p les figures 4 à 6 sont des vues en coupe qui montrent les divers stades du procédé de fabrication d'une cellule solaire en utilisant la réalisation préférée de la présente invention ; et la figure 7 est une vue en pewspectite d'une cellule solaire terminée forme en utilisant la réalisation préférée de la présente invention. En se référant d'abord à la figure 1, on voit un substrat de silicium 1 qui doit Autre revêtu de nickel selon la présente invention. Le substrat d eomprend typiquement un corps essentiellement en silicium, qui peut comporter eu ne pas comporter de couche extérieure 5 constituée de diverses parties cules de saletés et d'oxydes. Si le corps 3 ne comporte pas de couche 5 sur les surfaces extérieures, il est souhaitable d'éliminer la couche 5 de celles des régions où le nickel doit hêtre déposé sur le silicium.L'élimination sélective ou totale de cette couche extérieure peut être réaliser de façon bien connue dans l'art, par exemple l'élimination complète d'une couche de ce genre peut être effectuée en plongeant successive- ment le substrat dans des bains de solvants organiques chauds et d'acide su)fochromique chauds suivi d'un bain d'acide fluorhydrique et d'un rinçage à l'eau désionisée. Une fois que toute couche 5 non désirée a été éliminée du corps de silicium 3 (la figure 2 montre le corps de silicium complètement dépourvu d'une couche 5 extérieure quelconque), le substrat de silicium est prit pour le nickelage. Dans ce but, le substrat est plongé dans un bain comprenant du chlorure de nickel et un composé fluorure choisi qui s'ionise dans l'eau. Cette immersion entratne les ions nickel dans le bain (donnés par le chlorure de nickel) qui sont attaqués par le composé fluorure choisi en vue de provoquer la formation de nickel solide par une réaction de déplacement. On suppose que la réaction de déplacement est la suivante : Si + 2Ni 2Ni + Si+4, le silicium étant en solution sous forme de H2SiF6 et/ou de H2SiO3. Le nickel ainsi formé est déposé sur le substrat de silicium sous forme d'une couche extérieure 7 (figure 3).Pendant que cette réduction d'ions se produit, la composition du bain active simultanément la surface du substrat silicium de sorte que le nickel déposé adhère fortement au silicium et forme sur lui un revêtement efficace et de longue durée. Dans le cas où le nickel déposé doit ttre un contact ohmique, une fois que le nickel a été déposé il est soumis à un frittage afin de former un siliciure de nickel approprié. De préférence, bien que cela ne soit pas nécessaire, le composé fluorure choisi est du fluorure d'ammonium. Un nickelage satisfaisant peut entre réalisé avec des bains contenant entre 10 et 642 g/l de chlorure de nickel et entre 10 et 40 g/i de fluorure d'ammonium avec un pH compris entre environ 2 et 6. Dans sa réalisation préférée, le bain aqueux comprend du chlorure de nickel ( environ 640 g/l) et du fluorure d'ammonium ( environ 40 g/l), avec un niveau de pH d'environ 4. De plus, le nickelage utilisant la réalisation de bain préférée a été conduit avec succès à des températures aussi basses que 17 C et aussi élevées que 1000C, bien qui une température comprise entre 20 et 300C soit préférée. Le nickelage réalisé avec succès a également été réalisé en utilisant d'autres composés fluorures tel que acide fluorhydrique et NH4F:HF. Dans le cas de l'acide fluorhydrique, une composition de bain approprié pourrait consister en chlorure de nickel (200 à 600 g/l) et en acide fluorhydrique (25 à 50 ml /1) à un ph de 2,6 2,8 et k une température de 23 C. Dans le cas de NH4F:HF, un bain approprié pourrait comprendre du chlorure de nickel (300 g/i) et NH4F:HF (20 g/i) k un pH de 3,2 et à une température de 23 C D'autres températures comprises entre environ 1700 et 1000C peuvent être également utilisées pour ces bains. Les vitesses du dép8t de nickel dépendent généralement du composé fluorure spécifique dans le bain1du niveau du pH,de la température du bain et de la quantité d'impuretés dans le silicium. En outre, les concentrations des composants du bain et de la surface spécifique du substrat en cours de nickelage peu affecter également la vitesse de dépôts En général, les vitesses de dépit tendent à augmenter quand le pH diminue et les vitesses de dépôt augmentent généralement avec la température. Un nickelage réussi a été réalisé avec du silicium du type P et du type N, les vitesses de nickelage variant selon le type et la concentration du dopant utilisé.En géré; ral,la otesse de dépôt augmente quand la concentration des impuretés dans le silicium augmente, Â titre d'exemple, en utilisant la composition de bain préférée, le pH et la température donnée ci-dessus, une couche de nickel ayant une épaisseur de 2100 peut être déposée sur un silicium du type P en plongeant celui-ci dans le bain pendant 2 minutes. De préférence, la couche de nickel est déposée avec une épaisseur u o comprise entre environ 500 et 2500 dans le cas des dispositifs à jonction minces. La même épaisseur ou une épaisseur plus grande peut autre utilisée pour des dispositifs ne comportant pas de jonction ou avec des jonctions épaisses (ctest-à-dire supérieures à 1 micron).Une épaisseur d'environ 1500t est préférée au maximum pour les dispositifs à jonctions minces La vie des bains est inversement liée b la vitesse de ddp8t. Le pouvoir de nickelage du bain est lié aux niveaux de concentration des produits chimiques dans le bain. Un bain de 11 litres composé de chlorure de nickel ( 640 g/l) et de fluorure d'ammonium ( 40 g/l) a revêtu plus de 45 164cm2 de silicium avec une épaisseur moyenne de 2000 sans avoir à régénérer le bain.La régénération, c'est-à-dire le rétablissement des concentrations originales peut entre réalisée simplement en ajoutant davantage de chlorure de nickel et de fluorure d'ammonium au bain0 L'homme de l'art pourra voir que la technique de nickelage de la présente invention est utilisée dans un grand nombre de dispositifs à semiconducteurs, particulièrement des dispositifs tels que les cellules solaires et les dispesi- tifs à semiconducteurs qui supportent plusieurs alimentations et exigent des blocs soudables, par exemple les SCR (thyristors). Sous ce rapport il faut noter que, tandis que la forma- tion d'une cellule solaire utilisant la présente invention sera maintenant décrite, le choix d'une cellule solaire comme produit fabriqué est simplement donné à titre d'exemple et non limitatif. Les figures 4 B 7 montrent la formation d'une cellule solaire utilisant le procédé de nickelage qu'on vient de décrire. En se référant d'abord à la figure 4, on voit un corps semiconducteur 8 formé selon les techniques décrites et montrées dans le brevet U.S. N 4 152 824. Le corps 8 comprend généralement un substrat de silicium 9 foré en silicium de type P ayant une épaisseur de > 2,5 x 10-3 cm. Une zone 11 est formée sur la face dorsale du substrat et comprend le silicium de type P du substrat en plus dopé avec un dopant de type P afin de comprendre une zone P+ de grande conductivité. Une région 13 est prévue sur la face frontale du substrat dopé avec une quantité suffisante de dopant de type N afin de comprendre une région N+ à haute conductivité. Une couche supérieure 15 formée de dioxyde de silicium recouvre la région 13. La couche 15 est perforée en des points choisis afin d'ex- poser la couche 13 comme montré. La couche 13 se développe en profondeur en ces points immédiatement au-dessous des ouvertu- res 17.La couche 15 est de préférence formée avec une profon o deur d'environ 50O0Â, tandis que la couche 11 a une profondeur o supérieure ou égale à 10 000À. De plus, on préfère que la couche 13 ait une profondeur supérieure ou égale à 5000 en ces points immédiatement zu-dessous des ouvertures 17 et une profondeur inférieure ou égale à 3500 partout ailleurs. Ensuite, le corps semiconducteur 8 est plongé dans un bain de chlorure de nickel ( 640 g/l) et de fluorure d'ammo- nium ( 40 g/l) à une température de 250C et un pH de 4,6 pendant environ 1 minute. Ceci entrain le dépit adhésif d'une couche de nickel 19 sur les surfaces du silicium 13 voisines des ouvertures 17 et un dépôt adbésif d'une couche de nickel 21 sur la surface arrière du substrat silicium. voir figure 5. Toutefois, en même temps. il @@y a pratiquement pas de nickel déposé d'une façon adhésive sur la couche de dioxyde de silicium 15.Les couches de uickel 1@ @t @@ @ont @omée@ de nickel esentiellement pur et ont une @paisseur @@e@@@ron 850 . En outre, le dioxyde de silicium sur les @u@@@ces @s @ords latéraux (non montrés sur la figure@ du @@@@s de @@@@@@ sert à empêcher toutes parties de la co@che 19 @@@@re en conta@@t directement avec la couche 21, évitan@ ains@ @@ @o@@t-@@ @@ui@@@ la cellule solaire terminée.Sur la figure 7, la @o@@@@ @ est sous la forme d'une grille atin de @aisser les @@rt@@@ de la région 13 de la cellule solaire, in@iquées en @5,d'être e@posées pour recevoir l'énergie solaire, Le nickelage une fois réalisé le @orp@ @@@- conducteur 8 est rincé à l'eau désionisee @t @é@hée. Ce rinpage sert à éliminer tout nickel non adhérent ou els qui @@nv@@t être présents sur le corps semicond@cteu@. E@s@@@@ le @@rps @ est fritté dans une atmosphère @@zot@ @u d@y@@@ @@ @@in de provoquer la formation d'une couche 23 de @@@c@@@@ de @@ck@l (figure 6) à la jonction des régions de @ickel et de silicium. La formation des couches 23 de siliciure de @ickel est dési@able car elle assure que les jonctions entre le @ickel et le @ilicium formeront des contacts ohmiques, au @ieu de@ @on@a@@@ @@@@esseurs qui peuvent quelquefois résulter quand du @@@@@ e@sen@iellement put est en contact direct avec du siliciuem esentiellement pur. Les contacts chmiques sont nécessai@@s s@ @@ nickel deit servir comme électrode ou contact. Le frittage à les @empératures comprises entre 250 C et 350 C provoque la formationde MigSi, tandis que le frittage à des températures comprises antre 350 C et 760 C provoque la formation de NiSi. Le frittage a" des tempé- ratures supérieures à 7600C provoque la formation Se NiSi2. Jour les dispositifs à jonctions minces on préfère utiliser la temps rature de formation pratique de siliciure de nickel la plus basse parce que la vitesse de diffusion du nickel dans le silicium diminue quand la température diminue.En outre, le composé siliciure de nickel Ni2Si est généralement préféré par rapport aux deux autres siliciures puisque le Ni2Si tend a utiliser moins de silicium par molécule de couche de siliciure de nickel que les deux autres silîciures, diminuant ainsi la possibilité que la zone 13 de silicium N+ soit com- plètement pénétrée par la couche 23 de siliciure de nickel et que la cellule solaire soit rendue ainsi hors d'état de fonctionner.Pour les dispositifs à jonctions minces, le frittage est effectué entre 2500C et 35000 entre environ 15 et 40 minutes. Â des températures allant de 2500 à 3500C, environ 30 minutes sont nécessaires pour obtenir une couche de sili- ciure de nickel de Ni2Si ayant une épaisseur d'environ 300 , ce qui est préféré pour les dispositifs a jonctions minces telles que les cellules solaires.Pour les dispositifs $ jonctions épaisses ou pour les dispositifs n'ayant pas de jonctions, le frittage peut entre effectué aux mêmes températures et pendant les mêmes temps que pour les dispositifs a jonctions minces ou à des températures sensiblement plus grandes et/ou pendant des temps sensiblement plus grands afin d'obtenir un ou plusieurs des siliciures NiSi et NiSi2 et avec ou sans formation dSun peu de Ni2Si. Une fois le frittage réalisé, le corps semiconducteur 8 est plongé dans un bain d'acide fluorhydrique dilué (io %) pour attaquer la couche 15 d'oxyde de silicium et obtenir ainsi la cellule solaire terminée montrée sur la figure 7. Cette cellule solaire peut ensuite entre utilisée de façon connue par l'homme de l'art pour produire de l'électricité. On pourra facilement remarquer que diverses modifications et additions au procédé mentionné ci-dessus peuvent être pratiquées sans changer le principe de la présente invention. Ainsi, par exemple, le corps semiconducteur montré sur la figure 6 (montrant le corps semiconducteur 8 immédiatement après frittage mais avant élimination de la couche 15 d'oxyde de silicium) peut être de nouveau plongé dans le bain de nickelage afin de déposer une couche de nickel supplémentaire sur les couches de nickel 19 et 21. Ceci peut entre souhaitable puisque le procédé de frittage tend quelquefois à rendre les couches de nickel 19 et 21 plus poreuses et ainsi moins appropriées comme contact.Le dép8t de cette couche de nickel supplémentaire aide à améliorer la qualité du contact et rend les couches de nickel 19 et 21 plus réceptives aux matières de soudure ou autres matières de contact. Une autre modification envisagée comprend l'addition d'une couche de renforcement en aluminium sur le dos de la cellule solaire. Cette couche d'aluminium peut être appliquée (par dép8t sous vide ou par d'autres techniques bien connues) soit avant la formation de la couche 11 sur le substrat de silicium 9 ou après. Si l'application de la couche d'aluminium de renforcement se produit avant la formation de la couche 11, la couche 11 peut être crée par le dépit lui-même de l'alumi- nium puisque 1'aluminium est un dopant de type P.Une fois appliquée la couche d'aluminium, le nickelage peut avoir lieu comme d'habitude et le nickel adhère simplement a l'aluminium0 Il faut noter que si le nickel est déposé sur l'aluminium, 'il n'y a pas besoin de fritter la jonction nickel-aluminium pour former de bonnes jonctions ohmiques. Donc, dans les cas où un renforcement en aluminium est utilisé, le frittage peut être appliqué seulement sur la région frontale de la cellule solaire. Dans la fabrication des cellules solaires, on peut également remplacer le fluorure d'ammonium par l'acide fluorhydrique dans le bain. Dans ce cas, le bain peut comprendre du chlorure de nickel ( 640 g/l) et de l'acide fluorhydrique ( 25 ml/l) à un pH de 2,9 et à une température de 230C. Cette variante du bain donnera un nickelage sur le silicium sensiblement de la même façon que décrite précédemment. Toutefois, il faut noter qu'une composition de bain de ce genre n'est pas préférée dans la fabrication des cellules solaires puisque l'acide fluorhydrique tend à attaquer la couche 15 d'oxyde de silicium qui est utilisée pour masquer le dépôt de nickel. Cette attaque peut entratner un dép8t non désiré qui pourrait désactiver la cellule en passant par un court-circuit ou diminuer le rendement de cellule en recouvrant de grandes parties de la zone réceptrice des rayons solaires de la cellule. Des problèmes similaires peuvent se rencontrer dans la fabrication d'autres dispositifs à semiconducteurs qui peuvent utiliser un masque d'oxyde de silicium pour le dépôt du nickel. En outre,l'utili- sation d'acide fluorhydrique dans le bain tend à soulever des problèmes de réglage du pH. Pour ces raisons, le remplacement du fluorure d'ammonium par l'acide fluorhydrique dans le bain n'est pas préféré.Dans le cas où la substitution pourrait être préférée pour le nickelage d'un dispositifs qui a un revêtement d'oxyde de silicium protecteur sur les parties choisies d'une ou plusieurs de s surfaces,le dispositif est plongé dans le bain suffisamment longtemps pour que le nickelage se produise sur les zones superficielles non protégées, mais pas suffisamment longtemps pour qutil y ait attaque de la ou des couche(s) d'oxyde protectric +. Il y a un grand nombre d1avantages à utiliser la pré sente invention à la place du nickelage non-électrolytique. D'une part, il n'y a pas besoin de prétraitement catalytique pour déposer le nickel sur le silicium. En outre, il ne se produit pas de phosphures de nickel en même temps que le nickel qui contamineraient le métal déposé. De plus, l'aluminium peut entre utilisé dans le bain sans subir une attaque importante. En outre, le processus de nickelage utilise un arrangement de bain relativement simple tout en donnant d'excellents résultats. Un autre avantage de l'invention est qu'elle diminue la nécessité de former des jonctions épaisses doubles dans les cel-lules solaires due au risque diminué de la diffusion du nickel dans la jonction et d'e 1 a création d'un courtcircuit. D'autres avantages et des modifications possibles seront perçues par l'homme de l'art. REVENDICATIONS 1. Procédé pour le dépôt de nickel sur un corps de silicium, caractérisé par le fait que ledit procédé comprend (a) l'immersion dudit corps de silicium dans un bain aqueux de chlorure de nickel et d'un composé fluorure choisi qui s'ionise dans l'eau, (b) le maintien dudit corps de siliciuem dans ledit bain afin que les ions nickel dans ledit bain soient convertis en nickel solide et déposés sur ledit corps de silicium sous forme d'une couche adhérente à celui-ci, et (c) l'enlève- ment dudit corps de silicium dudit bain. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit composé fluorure choisi est le fluorure d'ammonium. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ledit bain est constitué par du enlor-ure de nickel une concentration d'environ 640 g/l et du fluorure d'ammonium à une concentration environ 40 g/i. 4. Procédé selon la revendication 3, c-aractérisé òar le fait que ledit bain a un pH d'environ 4. 5. Procédé selon la re-vendieatson 3, caractérisé par le fait que ledit bain a une texperaturs comprise entre environ 200C et,300C. 6. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ledit corps de silicium a des zones superficielles qui sont revêtues d'oxyde de silicium et des zones superficiel- les qui sont exemptes d'oxyde de silicium, ce qui fait que ledit nickel solide se déposera d'une façon adhésive seulement sur celles des zones superficielles qui sont exemptes d'oxyde de silicium. 7. Procédé selon la revendication 1, comprenant l'opération ultérieure du frittage de ladite couche adhérente de nickel afin de créer une jonction de siliciure de nickel en- tre ledit corps de silicium et ladite couche adhérente de nickel. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé par le fait que le frittage a lieu dans une atmosphère d'azote ou d'hydrogène. 9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé par le fait que le frittage est effectué à des températures comprises entre 2500 et 350 C afin de provoquer la-formation de Ni2Sio 10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé par le fait que le frittage est effectué k des températures comprises entre 3506 et 7600e afin de provoquer la formation de NiSi0 11. Procédé selon la revendication 7, caractérisé par le fait que le frittage est effectué k des températures supérieures te 76000 afin de provoquer la formatiov de NiSîZ. 12. Procédé selon la revendication 7, caractérisé par le fait que ledit corps de silicium est immergé de nouveau dans ledit bain une fois le frittage terminé afin de déposer d'une façon adhésive du nickel snpplémentaire sur la couche de nickel se trouvant sur ledit corps de silicium. 130 Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit composé fluorure est l'acide fluorhydrique. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé par le fait que ledit bain est constitué par du chlorure de nickel à une concentration d'environ 300 g/l et de l'aide fluorhydrique à une concentration d'environ 25 mI /î. 15. Procédé selon la revendication 14, caractétisé par le fait que ledit bain a un pH d'environ 2,8. 16. Procédé selon la revendication 14 caractérisé par le fait que ledit bain a une température d'environ 230Ç. 17e Procédé selon la revendication 13, caractérisé par le fait qu'avant l'immersion ledit corps de silicium a des zones superficielles qui sont revêtuesw dtoxyde-de silicium et des zones superficielles qui sont exemptes d'oxyde de silicium, et caractérisé en outre par le fait que l'immersion est poursuivie suffisamment longtemps pour que le dép8t se produise sur ces zones qui entrent dans le bain exemptes d'oxyde de silicium,mais insuffisamment longtemps pour que le bain attaque le revêtement d'oxyde de silicium. 18. Procédé de fabricationd'une cellule solaire à semi conducteurlphotovoltarque, caractérisé par le fait qu'il comprend : (1) la formation d'un corps semiconducteur en silicium d'un premier type de conductivité ayant une zone d'un second type de conductivité, des premières zones superficielles qui sont revêtue d'oxyde de silicium et des secondes zones superficielles qui sont exemptes d'oxyde de silicium, lesdites secondes, zones superficielles formant an modèle de grille sur ladite zone supérieure ;; (2) l'immersion dudit corps semiconducteur dans un bain aqueux de chlorure de nickel et d'un composé fluorure choisi qui s'ionise dans l'eau (3) le maintien dudit corps semiconducteur dans ledit bain suffisamment longtemps pour qu'unie couche de nickel soit déposée d'une façon adhésive sur ces secondes zones superfi- cielles (4) l'enlèvement dudit corps semiconducteur dudit bain (5) le lavage dudit corps semiconducteur avec de liteau désionisée afin de débarrasser ledit corps semiconducteur de toutes particules non adhérentes ; (6) le frittage de ladite couche adhérente de nickel afin de créer une jonction de siliciure de nickel entre ledit corps de silicium et ladite couche adhérente de nickel ; et (7) l'élimination dudit oxyde de silicium desdites premières zones superficielles dudit corps semiconducteur. 190 Procédé selon la revendication 18, caractérisé par le fait que ledit composé fluorure choisi est le fluorure d'ammonium. 20. Procédé selon la revendication 18, caractérisé par le fait que ledit bain est constitué par du chlorure de nickel à une concentration d'environ 500 g/l et du fluorure d'ammonium à une concentration d'environ 40 g/lo 21. Procédé selon la revendication 18, caractérisé par le fait que ledit bain a un pH d'environ 4,5. 220 Procédé selon la revendication 18, caractérisé par le fait que ledit bain a une température d'environ 23 C. 23. Procédé selon la revendication 18, caractérisé par le fait que ladite zone supérieure a une épaisseur d'environ o 5000A. 24. Procédé selon la revendication 18, caractérisé par le fait que ledit corps est plongé dans ledit bain suffisamment longtemps pour qu'une couche de nickel d!environ 1500A d'épais seur soit fermée. 25. Procédé selon la revendieation18, caractérisé par le fait que le frittage est effectué à une température d'environ 2500C à 3500C et pendant une durée suffisante pour créer une jonction de siliciure de nickel mais pas suffisamment longtemps pour que ladite zone supérieure pénètre dans' ledit substrat de silicium. 26. Procédé selon la revendication 18, caractérise par le fait que ledit corps semiconducteur est plongé de nouveau dans ledit bain, après le frittage afin de déposer du nickel supplémentaire sur la couche de nickel se-trouvant sur ledit corps semiconducteur0