Brevet FR2513274A1 — publié le 19830325

1. La présente invention concerne un procédé de dopa- ge avec du bore (B) d'un monocristal de Ga As et, plus partie culièrement, un procédé de croissance d'un cristal de Ga As avec du bore à partir d'une masse fondue de Ga As recouverte d'une masse fondue de B 203 comme produit d'encapsulage li- quide, ce qui a pour effet d'abaisser la densité de dislo- cation (densité de golf de corrosion) dans le cristal après sa croissance. Le problème technique important concernant le mono- cristal de Ga As dont l'utilisation s'est développée récem- ment comme matériau de base pour les lasers à semi-conduc- teur, les circuits intégrés en Ga As ou les circuits opto- électroniques intégrés en Ga As est la difficulté d'obtenir un cristal de grande dimension qui soit exempt de disloca- tion, tel que le silicium (Si). La résistance mécanique à haute température de Ga As est inférieure à celle de Si, Il est donc extrêmement difficile de fabriquer à l'échelle industrielle un mono- cristal ayant une section en coupe de 5 cm ou plus et une densité de dislocation (DGC) 2 000 cm 2 (demandes de bre- vet japonais O Pl n 18471/1976 et 18472/1976), et un mono- cristal de grande dimension de la classe dite exempte de dislocation avec une DGC _ 100 cm-2 ne peut être obtenu que dans un cristal de Ga As dopé au silicium suivant une quanti- té de 1,5 x 1018 à 5,5 x 1 Q 18 cm 3 en utilisant le procédé Bridgman horizontal à trois zones de température (demande de brevet japonais O Pl n 62200/1977), Cependant,comme la gamme de ses utilisations dans les circuits intégrés en Ga As est en expansion, un monocris- tal de Ga As à faible dislocation, de grande dimension cir- culaire, est très demandé, et il y a par conséquent lieu de réaliser une faible dislocation par une technique telle que le procédé de Czochralski avec encapsulage liquide (procédé CEL),et non pas par le procédé de croissance de l'art anté- rieur tel que le procédé "à capsule" (procédé HB, etc). Comme technique d'obtention d'une faible disloca- tion de Ga As par le procédé CEL, en particulier, on a con- sidéré comme prometteur le procédé dit de durcissement d'impureté qui est décrit dans la demande de brevet japo- nais O Pl n 63065/1 q 77, Celui-ci indique qu'une faible dis- location d'un monocristal objet peut être obtenue en incor- porant dans le cristal une ou plusieurs impuretés choisies d'une manière telle que l'énergie de liaison (énergie de liaison unitaire) entre les atomes d'impureté ajoutés et les atomes constituants du cristal est supérieure à l'énergie de liaison du cristal objet dans une concentration totale de 1 x 103 atome en % ou plus Dans le cas de Ga As, 1 x 103 atome en % correspond à environ 4,4 x 1017 cm 3 On indique d'autre part dans ce brevet que le procédé décrit ci-dessus est disponible non seulement pour le procédé CEL mais également pour d'autres procédés de croissance de cris- taux tels que le procédé à trois zones de température et le procédé HB En outre, du phosphore (P), de l'aluminium (A 1), de l'oxygène ( 0), de l'azote (N), du bore (B), du soufre (S) et du zinc (Zn) sont proposés comme exemples d'impure- té à ajouter à Ga AS, Un objet de la présente invention est un procédé de dopage au bore d'un monocristal de Ga As, Un autre objet de la présente invention est un procédé de croissance d'un monocristal de Ga As avec une densité de dislocation plus faible. Un autre objet de la présente invention est un pro- 3. cédé de croissance d'un monocristal de Ga As dopé avec du bore à partir d'une masse fondue de Ga As recouverte d'une masse fondue de B 203. Ces objets peuvent être atteints par un procédé de dopage d'un monocristal de Ga As avec du bore, comprenant la croissance du cristal de Ga As dopé au bore a partir d'une masse fondue de Ga As recouverte d'une masse fondue de B 203 comme produit d'encapsulage liquide, puis l'abaisse- ment de la densité de dislocation dans le cristal soumis à croissance, caractérisé par l'utilisation d'un creuset en NB, N Al ou A 1203 comme creuset de maintien de la mas- se fondue de Ga As, par l'addition de 0,25 à 0,95 atome en % de bore dans des conditions telles que la quantité d'oxy- gène résiduel sera de 5 x 10 mole en % ou moins par rap- port à la masse fondue de Ga As et de ce fait le réglage de la concentration dubore dans le cristal soumis à croissan- 18 1 ce a une valeur comprise entre 2 x 108 et 1 x 10 o 9 cm-3. La présente invention sera bien comprise lors de la description suivante faite en liaison avec les dessins ci-joints dans lesquels: La figure 1 est un graphe représentant les résul- tats du dopage au bore selon un mode de réalisation de la présente invention; La figure 2 est une vue en coupe d'un dispositif de traction de monocristal à haute pression utilisé dans un mode de réalisation de la présente invention; et La figure 3 est une vue en coupe d'un dispositif de croissance de monocristal à haute pression utilisé dans un autre mode de réalisation de-la présente invention. Le présent inventeur a trouvé que parmi les di- verses impuretés proposées dans l'art antérieur, le bore est particulièrement efficace pour obtenir du Ga As avec une faible densité de dislocation par le procédé CEL, que l'aluminium réagit avec B 203 comme produit d'encapsulage liquide pour libérer a suivant la f Qormule suivante: 2 A 1 + B 203 M A 1203 + 2 B,,,,,, ( 1) et que par conséquent l'addition de Al est sensiblement équivalente à celle de B Cependant, A 1203 a tendance à être incorporé dans le cristal soumis à croissance et donc, il est préférable d'ajouter du bore B Les autres impuretés n'ont pas un tel effet ou ont un effet faible car leur dopage uniforme est très difficile, ou ne peut donner une faible densité de dislocation sans augmentation des micro-défauts tels que les précipités, La demande de brevet japonais O Pl n 63065/1977 -2 indique qu'un monocristal avec une DGC de O-10 cm 2 et une résistivité de 108 Qcm est obtenu par croissance à partir d'une masse fondue de polycristal de Ga As à laquelle on ajoute 1 atome en % de B et 0,36 atome en % de chrome (Cr) par le procédé CEL Cependant, il n'y ait pas fait mention de la nature du matériau du creuset utilisé dans le procédé CEL, et il est indiqué que le diamètre du cristal étiré est d'environ 20 mm, Jusqu'à un diamètre d'environ 15 mm (c'est-à -dire une surface en coupe de 1,8 cm 2), du Ga As à faible dislocation peut être obtenu sans dopage par la tech- nique dite à formation de gorge. Le présent inventeur a proposé jusqu'ici un cris- tal de Ga As semi-isolant dopé au Cr ayant un diamètre de mm et une densité DGC 103 cm 3 au centre de la pastil- le, qui est dopé avec une quantité appropriée de B en uti- lisant un creuset en quartz (demande de brevet japonais O Pl n O 100410/1981), Cependant, on a désiré améliorer le procédé de dopage au B en utilisant un matériau pour creu- set réagissant difficilement avecle bore tel que NBP (par exemple, du nitrure de bore pyrolytique), N Ai ou A 1203 en addition au quartz. Le bore ajouté est dissous dans la nmasse fondue de Ga As, est mis à réagir avec de l'oxygène ( 0) à partir d'eau (H 20, O H) dans des matériaux de départ ou B 203 et en- levé sous forme de B 203 jusqu'à équilibre de la réaction suivante x 2 B (la masse fondue de Ga As) + 30 (dans la masse fondue de Ga As) B 203 (liquide),,,,,,, ( 2) Par conséquent,la quantité de dopage du bore va- rie avec la quantité d'oxygène incorporé à partir des ma- tériaux de départ et l'eau du produit d'encapsulage liquide 2513274 B 203,qui sera appelé ci-après "quantité d'oxygène rési- duel" On a d'autre part trouvé qu'une concentration effec- tive de bore pour la réalisation d'une faible dislocation d'un cristal de Ga As ayant des dimensions pratiques, c'est-à-dire un diamètre d'au moins 50 mm, est comprise 18 19 3 entre environ 2 x 11 Q et 1 x 10 cm La demande de brevet japonais O Pl ne 63065/1977 citée ci-dessus est muette quant au coefficient de ségrégation effective du bore de sorte qu'il y a une certaine absence de clarté quant à la quantité de bore devant être ajoutée en prati- que aux matériaux de départ. La figure 1 résume les résultats d'une série d'essais de dopage autore dans un procédé CEL en utili- sant un creuset en NBP (nitrure de bore pyrolytique), ou la courbe I représente la concentration en bore dans un cristal de Ga As soumisi à croissance, le dopage en B étant exécuté avec B 203 contenant o 000 O ppm en poids ou plus d'eau par suite d'une élimination insuffisante d'eau O On a trouvé que la quanitité moyenne d'oxygène résiduel est d'environ 5 x 10-2 mole en % par rapport au matériau de dsé- part en Ga As et que, si la quantité d'oxygène résiduel est supérieure à cette valeur, le dopage en B dans la valeur désirée avec reproductibilité est difficile D'autre part, lorsque le dopage en Best exécuté en utilisant du B 203 à faible teneur en eau contenant environ 150 à 200 ppm en poids d'eau, qui a été soumis à un traitement de cuisson sous vide à tepérature élevee dans le but d'éliminer l'eau, la concentration en B dans un cristal de Ga As sou- mis à croissance est telle que représentée par la courbe II Dans ce cas, la quantité moyenne d'oxygène résiduel est d'environ 6 x 10-3 mole en % M Cme si le traitement de cuisson de B 203 est poursuivi, un dopage sensiblement similaire à celui de la courbe II est obtenu o Q la concen- tration de B dans un cristal ayant subi la croissance est comprise dans la gamme visée 2 x 1018 1 x 1019 cm 3. Selon une série d'essais de dopage tel que dé- crit précédemment, on a trouvé que de façon à contrôler la concentration en bore dans un cristal dans la plage 2 x 1018 1 x 1019 cm 3 avec une bonne reproductibilité, il faut ajouter de 0,25 à 0,95 atome en % de bore dans des conditions telles que la quantité d'oxygène résiduel soit de 5 x 102 mole en % ou moins par rapport à la mas- se fondue de Ga As Si la quantité de bore ajoutée est in- férieure à 0,2 atome en %, on ne peut espérer un effet im- portant pour la réalisation d'une faible dislocation du cristal de Ga As avec un diamètre d'au moins 50 mm, alors qu'avec plus d'un atome en %, il se produit souvent un supra-refroidissement des constituants et le phénomène dit de striation selon lequel une concentration élevée en bore est incorporée localement,se traduisant par une inadapta- tion locale du réseau cristallin qui est plutôt une cause de dislocation. La courbe du dopage de la figure 1 reste similai- re même si un creuset constitué d'un autre matériau qcue NBP est utilisé,l'autre matériau étant un matériau réagis- sant difficilement avec le bore, par exemple NA 1 On peut obtenir des résultats similaires dans le cas o l'on utili- se un creuset en A 1203 bien qu'un problème de résistance mécanique soit soulevé, Dans un cristal de Ga As contenant du bore dans la concentration optimum de 2 x 1018 1 x 1019 cm 3, la fa- çon dont la dislocation est diminuée dépend des conditions de croissance Par exemple, on décrit dans la demande de brevet japonais O Pl n 63065/1977 que le gradient de tempé- rature près de l'interface solide-liquide dans le procédé CEL doit être de 100 QC/par cm ou moins, mais il n'est pas toujours facile d'ajuster le gradient de température à 100 C/cm ou moins dans le procédé CEL à haute pression. Lorsque la pression de compression de l'azote ga- zeux est d'environ 20 atmosphères,par exemple, un gradient de température de 80-20 C/cm ne peut être obtenu qu'en maintenant l'épaisseur de B 203 à une valeur considérable- ment plus grande, c'est-à-dire à une valeur de 2 à 5 cm avant la croissance Dans ce cas, un cristal soumis à croissance est protégé par lamasse fondue épaisse de B 203, et simultanément,la libération d'arsenic à partir de sa 7. surface par pyrolyse est évitée, Dans le but d'obtenir un gradient de température plus petit,le procédé de Gridgman vertical à produit d'encapsulage liquide (GV-EL) et le procédé'de congélation avec gradient vertical à pro- duit d'encapsulage par liquide (CGV-EL), sont efficaces, non pas le procédé CEL Selon ces procédés, un gradient de température de 5 à 20 C peut être réalis,é. Pour résumer, la présente invention prévoit un procédé de dopage au bore d'un monocristal de Ga As comnpre- nant la croissance du cristal en Ga As dopé au bore à par- tir d'une masse fondue de Ga As recouverte d'une masse fon- due de B 203 comme produit d'encapsulage liquide, puis l'abaissement de la densité de dislocation dans le cristal soumis à croissance, qui est caractérisé par l'utilisa- tion d'un creuset constitué d'un matériau réagissant dif- ficilement avec le bore, tel que NB, N Al ou A 1203 qui sert au maintien dela masse fondue de Ga Aspar l'addition de 0,25 à 0,95 atome en % de bore dans des conditions telles que la quantité d'oxygène résiduel est de 5 x o 0-2 mole % ou moins par rapport à la masse fondue de Ga As et de ce fait le réglage de la concentration de bore dans le cris- tal soumis à croissance a une valeur comprise entre 18 19 -3 2 x 1018 et 1 x 1019 cm Comme additifs en bore, on peut utiliser non seulement du bore élémentaire mais également des composés de bore tels que B As, Galx Bx As (O 3 m 3. 3 x 10 cm 3 Dans la présente invention, en particulier, l'utilisation du procédé de Czochralski avec produit d'en- capsulage liquide (procédé CEL) est plus efficace lorsque l'épaisseur de la masse fondue de B 2 Q 3 est choisie dans la plage 2-5 cm avant le démarrage de la croissance et l'utilisation du procédé de Bridgman vertical à produit d'encapsulage liquide (procédé BV-EL) ou le procédé de congélation avec gradient vertical à produit d'encapsula- ge liquide (procédé (GV-EL) se traduit par une diminution 8. importante du gradient de température à la frontière de croissance et par une faible dislocation Les exemples suivants sont donnés dans le but d'illustrer en détail la présente invention sans en limi- ter le cadre, EXEMPLE 1 La figure 2 est une vue en coupe d'un disposi- tif de traction de monocristal à haute pression pour la pratique d'un prodédé de dopage au bore suivant le procédé CEL selon la présente invention. En liaison avec la figure 2, dans un récipient sous pression 1 rempli d'azote gazeux à une haute pression d'environ 10 x 105 Pa est monté un élément chauffant en carbone 2 et un creuset en carbone 3 et un creuset en NBP 4 sont fixes à un arbre d'entraînement inférieur 5, L'arbre est mobile verticalement et rotatoire de manière à régler la position des creusets 3,4 par rapport à l'élément chauf- fant 2 de façon à obtenir un gradient de température opti- mum, Environ 2 kg de polycristal de Ga As à haute pureté et 0,55 atome en % de B d'une pureté de 99,999 % sont char- gés dans le creuset 4, Du B 2 Q 3 à faible teneur en eau, déshydraté de manière convenable, est utilisé et 450 gram- mes de ce B 203 sont chargés, Dans ce cas, l'épaisseur de lamasse fondue de B 203 est d'environ 3 cm avant le démarra- ge de la croissance Dans de telles conditions, le gra- dient de température mesuré est d'environ 35 C par cm à proximité de l'interface solide-liquide, Le creuset est chauffé à une température de 1270 C par l'élément chauffant 2 de manière à former une masse fondue de Ga As 7 sous la masse fondue 6 de B 203, Alors, on abaisse pr Qgressivement la température jusqu'à environ 1250 C, alors qu'une semence 9 de monocristal ayant une orientation , montée sur un arbre d'entrai- nement supérieur 8, est descendue par rotation,-amenée en contact avec la masse fondue 7 de Ga As en traversant la masse fondue 6 de B 203 et tirée à un taux d'environ 4-10 mm/heure avec une rotation de 3 à 15 tours par minute, ce qui permet d'obtenir un monocristal 10 de Ga As ayant un 9. diamètre d'environ 50 mm. La spectrométrie de masse montre que le cristal en arséniure de gallium résultant contient 5-6 x 1018 -3 10 16 -3 cm de bore, 1 x 1016 cm 3 ou moins d'oxygène (inférieur à la limite de détection) 1 x 1015 cm-3 ou moins de sili- cium et 5 x 1014 cm-3 de chrome La résistivité du cristal est de 2 x 10 scm â 300 QK et après traitement thermique à une température de 800 C dans de l'hydrogène gazeux d'une durée de 30 minutes, elle est de 1 x 107 2 cm ou plus. Lorsqu'une pastille ( 100) est découpée dans la partie sensiblement centrale du monocristal, puis soumise à l'examen de la densité de dislocation par attaqus avec une solution de KOH, cette densité est de 2 x 102 a x 10 cm-2 au centre de la pastille et d'environ 3 x 103 cm-2 même à la circonférence de 5 rmin; ainsi en moyenne de 1400 cm 2 et la valeur moyenrne à l'exception des 2 -2 mm à partir de la périphérie est d'environ 3 x 10 cm Comme la quantité de dopage en B est largement affectée par la quantité d'eau dans B 203, le dopage doit être exécuté dans des conditions telles que la quantité d'oxygène résiduel soit d'au plus 5 x 10 2 mole %, comme cela est représenté en liaison avec la figure l De plus, il y a lieu, comme décrit précédemment, de maintenir la con- centration optimum de B à ajouter au matériau de départ en- tre 0,25 et 0,95 atome % et la concentration en B dans le cristal de Ga As, dans ces conditionsentre environ 2 x 1018 et 1 x 1019 cm-3 Si la concentration en B est inférieure à 2 x 1018 cm-3, non seulement l'effet permet- tant de réaliser une faible dislocation est réduit, mais encore la concentration en B varie beaucoup avec la quanti- té d'oxygène résiduel et la reproductibilité largement dé- tériorée (voir figure 1), Si la concentration en B à ajou- ter au matériau de départ en Ga As dépasse environ 1 atome %, il se produit un sur-refroidissement des constituants et le phénomène dit de striation suivant lequel une teneur élevée en B est localement incorporée qui se traduit par une mauvaise adaptation locale du réseau cristallin et est une cause de dislocation Dans un cas extrême, des défauts tels qu'un lignage se produit dans le cristal en Ga As, se traduisant par la formation d'un polycristal. Cet exemple ne concerne que le Ga As à haute ré- sistivité dopé au seul bore, mais il apparaîtra à l'homme de l'art que la présente invention s'applique à l'arséniu- re de gallium semi-isolant dopé simultanément au bore et au chrome,de l'arséniure de gallium de type p dopé simulta- nément au bore et au zinc, et de l'arséniure de gallium du type N dopé simultanément au bore et au soufre Cependant, même s'il y a dopage simultané au bore et à l'oxygène les effets s'annulent l'un ét l'autre, Une plage de pression appropriée en atmosphère d'azote est comprise entre 2 x 10 et 20 x 105 Pa dans le procédé CEL, EXEMPLE 2 Cet exemple est un mode de réalisation de la pré- sente invention suivant le procédé Bridgman vertical à pro- duit d'encapsulage liquide (BV-EL), La figure 3 est une vue en coupe d'un dispositif de croissance de monocristal à haute pression pour la pra- tique du procédé BV-EL, Le dispositif de la figure 3 peut fonctionner suivant deux môdes,Le premier est un mode oa l'ensemble du creuset est progressivement entraîné vers le bas alors que la répartition de la température est mainte- nue constante et l'autre (mode CGV-EL) est un procédé oa la température de l'ensemble est progressivement abaissée alors que l'on forme un gradient de température dans la mas- se fondue Quel que soit le procédé, des effets similaires sont fondamentalement obtenus, En'liaison avec la figure 3, dans le récipient sous pression 11 rempli d'azote gazeux à une haute pres- sion d'environ 2 Q x 105 Pa, un élément chauffant 12 en car- bone est prévu et un creuset 13 en carbone et un creuset 14 en NBP sont montés sur un arbre d'entraînement inférieur 15 L'arbre est mobile verticalement et rotatoire, Environ 2 kg de polycristal de Ga As à haute pureté et Q,35 atome % de B ayant une pureté de 99,999 % sont charges dans le creuset 14 Du B 203 à faible teneur en eau est utilisé et 10. ii. environ 35 g de B 203 sont chargés, L'épaisseur de la cou- che 16 de B 203 est d'environ 1 cm à l'état fondu Dans ces conditions, le gradient de température mesuré dans la mas- se fondue 17 de Ga As est de 5-20 QC/cm à proximité d'un élé- ment isolant 18 Le gradient de température pourrait être contr 6 ôlé par la position relative du creuset 14 par rapport à l'élément chauffant 12, ou par la température de cet élé- ment chauffant On fait crottre un monocristal de Ga As par le procédé Bridgman vertical qui comprend la fusion d'un matériau de départ de manière que la surface supérieure 22 de la semence 19 de monocristal de Ga As avec une orienta- tion cristallographique B (c'est-a-dire 4111 > As éta- blie par un support 21 de semence NB ne fonde pas, le con- tr Cle de la position du creuset 14 de façon à faire fondre la surface supérieure de la semence 19 et la descente de l'ensemble du creuset à une vitesse d'environ 4 mm par heu- re dans le sens de la flèche-23,Dans cette figure, la crois- sance du cristal 20 s'effectue vers le haut du creuset 14. La spectrométrie de masse que le cristal d'arsé- niure de gallium résultant contient 2,5-4 x 1018 cm-3 de bore, 8 x 1014 cm'3 de chrome et _ 1 x 1015 cm-3 de sili- cium La quantité d'oxygène est inférieure à 1 limite de détection Comme dans l'exemple 1, du chrome et du silicium sont des impuretés non peévues, La résistivité à 300 K est de 3 x 107,cm et même après un traitement thermique à une température de 800 C dans l'hydrogène gazeux d'une durée de minutes, elle est de 1 x 10 7,cm ou plus, Lorsqu'une pastille ( 111) est découpée dans la partie centrale du cristal de l'exemple 1 et soumise à l'examen de la densité de dislocation par attaque avec une solution de H 2504/H 202/H 20,la dislgcation est sensiblement répartie de manière uniforme dans la pastille avec une valeur mesurée comprise entre 2 x 102 et 1 x 103 cm-2. Une gamme convenable de pression de l'atmosphère d'azote est comprise entre 2 x 105 et 60 x 105 Pa pour le procédé BV-EL ou le procédé HIG-EL, Lorsqu'un cristal de Ga As non dopé ayant un diamètre de 50 nm est soumis à une opération de croissance en utilisant une masse fondue de 12. B 203 ayant une épaisseur ordinaire, par exemple de 10- mm dans l'azote gazeux à une pression d'environ x 105 à 10 x 105 Pa par le procédé CEL, la densité moyenne de dislocation est conprise entre 2 x 104 et 1 x 105 cm-2 et le gradient de température à proximité de l'interface solide-liquide est compris entre 90 et 120 C/ cm La densité de dislocation s'abaisse parfois jusqu'à 3 4 2 une valeur comprise entre 5 x 10 et 1 x 10 cm 2 à la par- tie avant du cristal et à la partie centrale de la pastil- le, mais s'élève à environ 1 x 105 cm 2 dans la région périphérique de la pastille, Le procédé de la présente invention n'est pas des- tiné à être limité aux exemples précédents, mais peut s'appliquer à un autre procédé CEL comprenant la soumis- sion des matériaux de départ Ga et As à du bore pour faire une synthèse directe sous une pression d'azote gazeux de x 10 Pa ou plus et l'abaissement de la pression à la va- leur désirée ( 5 x 1 Q 30 x 105 Pa), En outre, si le fond de creuset en NBP est poreux et que de l'arsenic est intro- duit dans la masse fondue 7 à partir d'une autre chambre contenant de l'arsenic, on peut faire croître l'arséniure de gallium dopé au bore en contrôlant la pression de vapeur de l'arsenic. Comme il apparaît d'après la description détaillée précédente, la présente invention prévoit un procédé de fa- brication d'un cristal de Ga As de grande dimension, par exemple d'un diamètre d'au moins 50 mm, avec moins de dé- fauts cristallins, par exemple dislocation et précipités, et dopé au bore suivant une concentration optimum, d'o il résulte qu'il est possible de fabriquer un substrat en monocristal peu co Qteux et de haute qualité, pour lasers à semi-conducteur, circuits intégrés en Ga As ou circuits intégrés en Ga As d'un type nouveau pour opto-électronique nécessitant un monocristal de Ga As à faible dislocation, circulaire, de grandes dimensions, 13. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'étre décrits, elle est au contraire susceptible de modifications et de va- riantes qui apparaîtront à l'homme de l'art. 14. REVENDICATIONS 1 Procédé de dopage au bore d'un monocristal de Ga As comprenant l'étape de croissance du cristal dopé au bore à partir d'unemasse fondue de Ga As recouverte d'une masse fondue de B 203 comme agent d'encapsulage liquide et ainsi l'abaissement de la dislocation dans le cristal sou- mis à cette croissance, caractérisé en ce qu'il utilise un creuset constitué de NB, NA 1 ou A 12 Q 3 pour le support de la masse fondue de Ga As,l'addition de 0,25 à 0,95 atome en % de bore dans des conditions telles que la quantité d'oxygè- ne résiduel est d'au plus 5 x 10-2 mole en % par rapport à la masse fondue de Ga As et de ce fait, le réglage de la concentration'debore dans le cristal ayant subi la croissan- ce à une valeur comprise entre 2 x 1018 et 1 x 1019 cm-3. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la croissance est exécutée par le procédé Czochralski avec encapsulage liquide pendant l'ajustement de l'épaisseur de la masse fondue de B 203 à une valeur comprise entre 2 et 5 cm avant le commencement de la croissance. 3 Procédé selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que la croissance est exécutée par le procédé Gridgman vertical avec agent d'encapsulage liquide ou le procédé de congélation par gradient vertical avec agent d'encapsulage liquide. 4 Procédé selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que le bore est ajouté sous forme d'au moins un élé- ment choisi dans le groupe constitué du bore élémentaire de As B, de Galx Bx As (Q dopé au bore. 5 Procédé selon la revendication l,caractérisé en ce que le bore est ajouté simultanément à Cr, Zn ou S. 6 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la masse fondue de B 203 a une teneur en eau com- prise entre 150 et 200 ppm en poids. 7 Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la croissance est exécutée en atmosphere d'azote sous une pression de 2 x 105 à 20 x 10 Pa. 2513274 , 8 Procédé selon la revendication 3,caractérisé en ce que la croissance est exécutée en atmosphère d'azote sous une pression de 2 x 105 à 60 x 105 Pa. 9 Procédé selon la revendication 1, caractéri- S 6 en ce que le cristal de Ga As est directement synthétisé à partir de Ga, As et B sous une pression d'azote gazeux d'au moins 60 x 105 Pa. Procédé selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que la croissance est exécutée tout en contrôlant la pression de vapeur de l'arsenic. 11 Procédé selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que le monocristal de Ga As dopé au bore a une den- sité de dislocation comprise entre 200 et 3000 cm-2.