Brevet FR2518429A1 — publié le 19830624

1- INSTALLATION PXR EPOSER EN CONTINU, SUR LA SURFACE D'UN SLUSTRAT PORTE A HAUTE T Eb IPERATURE, UNE COUCHE D'UNE MATIERS SOLIDE. 1 Domaine technique On a déjà proposé divers procédés et dispositifs destinés au recouvrement d'un substrat, par exemple une plaque de verre, pai une couche d'un matériau semi-conducteur, par exemple de l'oxyde d'étain, couche devant présenter à la fois une transparence assez semblable à celle du substrat, une résistivité électrique relativement rédui- te et une résistance mécanique élevée. 2 Technique antérieure C'est ainsi que, parmi d'autres procédés, on a notamment essa- yé de faire usage à cet effet de la technique connue sous la déno- mination anglaise de Chemical Vapor Deposition ou C V Do On connaît en particulier de l'article de H Koch "Elektrische Untersuchungen an Zinndioxydschichten" (Voir Phys Stat 1963, Vol 3, pages 1059 et suivantes) un procédé et un dispositif pour déposer une couche mince de Sn O 2 sur une plaquette de verre par réaction de Sn C 14 et de H 20 amenés sous forme diluée dans un gaz porteur, en l'occurren- ce de l'air, en contact mutuel avec la surface de la plaquette de verre préalablement chauffée à une température de l'ordre de J 00 à 400 C Ces deux réactifs gazeux sont projetés sur le verre par l'in- termédiaire d'une buse à deux tuyères coaxiales, dont la tuyère cen- trale reçoit la dilution gazeuse de Sn C 14 alors que la tuyère exter- ne est alimentée par la dilution gazeuse de H 20. On a également proposé un procédé et un dispositif très simi- -2- laires aux précédents, notamment dans le DOS No 2 123 274, permet- tant, de plus, d'obtenir un dopage par de l'antimoine de la couche de Sn O 2 déposée sur un substrat, en l'occurrence également une pla- quette de verre, en vue de réduire la résistivité électrique de cet- te couche A cet effet, il a notamment été fait emploi, de plus, de Sb C 13 sous forme diluée dans un gaz porteur, ici de l'azote, qui est porté en présence de Sn C 14 et de H 20 au-dessus du substrat par l'in- termédiaire d'une buse à trois tuyères coaxiales recevant chacune l'un des composants ci-dessus La réaction de combinaison s'effec- tue ainsi à proximité du substrat et à une certaine distance des trois tuyères de la buse. Dans l'un comme dans l'autre cas cii-dessus, il s'agit de pro- cédés et de dispositifs destinés uniquement au recouvrement par une couche de Sn O 2, dopé ou non, de plaquettes de dimension relativement réduite sur lesquelles ce recouvrement est effectué par déplacement latéral relatif de la buse et des plaquettes Le dépôt obtenu se pré- sente donc sous forme d'un ruban d'oxyde d'étain aux qualités de trans- parence assez inégales sur toute la longueur de ce ruban En effet, le mélange des réactifs issus d'une buse du genre décrit n'est pas parfaitement homogène de sorte que le dépôt obtenu présente des zo- nes d'épaisseur et de composition variables sous forme de stries pa- rallèles à l'axe du mouvement relatif dont ont été l'objet la buse et le substrat. Il convient à ce point de relever que, s'ils sont encore mal- gré tout acceptables lorsqu'il s'agit de recouvrir des substrats de dimensions relativement réduites, les procédés et dispositifs décrits se révèlent pratiquement inutilisables s'il s'agit d'une exploita- tion industrielle importante, portant sur le recouvrement de subs- trats particulièrement étendus, comme par exemple dans le cas de ru- bans de verre pratiquement sans fin, pouvant avoir plusieurs mètres de large, caune on en obtient par exemple par le procédé dit de "Float". En effet, si pour une telle application on voulait faire usa- ge des procédés et dispositifs cités, il faudrait, soit disposer c&- te-à-côte, sur toute la largeur du ruban de verre, une pluralité de buses du type décrit et on imagine la complexité de l'installation qui en résulterait, soit ne faire usage que d'un nombre limité de -3- buses qu'un mécanisme devrait entraîner au-dessus du ruban, en un mouvement alterné très rapide, transversal à l'axe de défilement de celui-ci, pour assurer le recouvrement de l'ensemble de la surface de ce ruban Il est évident qu'aucune de ces solutions ne permettrait l'obtention d'un revêtement de Sn O 2 suffisamment homogène pour of- frir à la fois la haute conductivité électrique, la transparence et l'aspect général de bonne qualité souhaités pour le produit fini. S'agissant d'un verre destiné tant à la fabrication de fenêtres ou de portes de bâtiments qu'à celle de fenêtres ou de pare-brise de véhicules de toute nature par exemple, on comprend que de pareilles performances soient hautement désirables. A celles-ci, il convient encore d'ajouter la capacité que de- vraient avoir les recouvrements de Sn O 2 de ne pas empêcher les trai- tements mécaniques ou thermiques auxquels les feuilles de verre peu- vent usuellement être soumises En particulier, il serait nécessai- re que de telles feuilles de verre recouvertes de Sn O 2, dopé ou non, puissent être coupées au diamant, par action sur l'une de ses faces ou sur l'autre sans que soient touchées les qualités du revêtement de Sn O 2 De même, faudrait-il qu'on puisse soumettre des plaques de verre obtenues par découpage dans de telles feuilles à une opération' de trempe sans détérioration mécanique ou optique de son revêtement. Enfin, il serait souhaité de pouvoir bomber à chaud de telles pla- ques, notamment pour en fabriquer des pare-brise ou des lunettes ar- rière de véhicules par exemple, ici aussi sans modification des qua- lités précédemment mentionnées de basse résistivité électrique, bon- ne tenue mécanique, bonne transparence, et réflexion de la lumière aussi homogène que possible sur toute l'étendue des plaques. L'ensemble de ces prestations ne peut être obtenu en faisant usage de procédés ou dispositifs du genre décrits, c'est-à-dire ne permettant de traiter individuellement qu'une surface de verre très réduite. Ce sont probablement des préoccupations du genre de celles ci- tées ci-dessus qui ont amené au remplacement des procédés et dispo- sitifs décrits par les procédés et dispositifs faisant l'objet no- tamnent des brevets US No 3 850 679 et 3 -888 649 ainsi que du bre- vet GB Nb 1 507 996. Dans l'ensemble de ces documents, il est généralement fait ap- -4- pel à un dispositif distributeur de gaz réactifs préalablement' pré- parés dans lequel ces gaz sont dirigés sur la surface de la feuil- le de verre simultanément sur toute la largeur de cette feuille, sous forme de deux rideaux successifs, dans les deux premiers brevets, et sous celle d'un écoulement gazeux amené tangentiellement au ver- re sur une longueur déterminée de la feuille, dans le troisième. Ces dispositifs né peuvent toutefois convenir pour la mise en oeuvre de procédés C V D du genre de ceux cités précédemment, des- tinés au dépôt de couches de Sn O 2, dopé ou non, parce que l'arrivée d'un mélange gazeux de Sn C 14 et de H 20 à proximité de l'ouverture de distribution de ces dispositifs donnerait lieu à une réaction pré- maturée et violente de ces c 6 nposants, conpte tenu de la températu- re relativement élevée, pratiquement égale à celle du verre à recou- vrir (de l'ordre de 500-6000 C), que présenteraient les parois des- dispositifs délimitant cette ouverture On obtiendrait de ce fait deux inconvénients complémentaires, à savoir, d'une part, le boucha- ge plus ou moins prononcé de l'ouverture d'éjection des dispositifs distributeurs et, d'autre part, la production sur le verre d'un dé- pot de Sn O 2 particulièrement inhcmogène, donc de qualité très varia- ble dans tous ses aspects électriques, mécaniques ou physiques. On est parvenu à remédier dans une large mesure aux inconvénients ci-dessus grâce au procédé et au dispositif décrits dans la deman- de de brevet britannique No 2 044 137 qui a précisément pour but de déposer en continu, sur la surfacé d'un substrat porté à haute température, une couche d'une matière solide résultant de la réac- tion d'au moins deux réactifs gazeux ou dilués dans un gaz. Ce procédé est caractérisé en ce que lesdits écoulements pré- sentent la forme de rideaux gazeux rectilignes, le profil transver- sal de chacun convergeant vers une arête fictive commune à tous les écoulements, que l'on dispose ces rideaux et/ou le substrat de fa- çon que ladite arête soit contenue sensiblement dans le plan de la- dite surface du substrat, que l'on déplace relativement le substrat et lesdits rideaux dans une direction sensiblement perpendiculaire à ladite arête commune et de manière à garder cette arête sensible- ment dans le plan de ladite surface du substrat, que l'on force les gaz issus de la réaction résultant de l'inpact desdits écoulements sur le substrat à s'écouler parallèlement à une portion prédétermi- -5- née de ce substrat s'étendant de part et d'autre de ladite arête et enfin que l'on évacue ces gaz à l'extrémité de ladite portion de subs- trat située à l'opposé de ladite arête commune fictive desdits ri- deaux. Dans une forme d'exécution particulière de ce procédé les ri- deaux gazeux sont au nombre de trois en contact tangentiel deux à deux, le rideau central étant formé par l'écoulement du premier ré- actif et les deux rideaux latéraux par l'écoulement gazeux de l'au- tre réactif. lorsque ce procédé est mis en oeuvre pour déposer sur un subs- trat, notamment une feuille de verre portée à haute température, de l'ordre de 6000 C par exemple, une couche de Sn O 2 par réaction de Sn C 14 liquide et de vapeur d'H 20 dilués dans un gaz porteur inerte, tel l'azote, le rideau gazeux central sera constitué par la dilution ga- zeuse de Sn C 14, les deux rideaux latéraux étant formés par la dilu- tion de vapeur d'eau. Le dispositif pour mettre en oeuvre le procédé susmentionné est constitué par une installation caractérisée par: une source d'un premier réactif gazeux ou dilué dans un gaz porteur, une source d'un second réactif gazeux ou dilué dans un gaz porteur, une buse à trois tuyères présentant chacune une ouverture cons- tituée par une fente rectiligne et dont les parois latérales déli- mitant les plans des bords longitudinaux de chaque fente sont con- vergentes vers une ligne fictive commune à toutes les tuyères, une première parmi ces tuyères étant adjacente, par un premier bord lon- gitudinal de son ouverture d'éjection, à un bord longitudinal de l'ou- verture d'éjection d'une deuxième tuyère et, par le second boid lon- gitudinal de ladite ouverture, à un bord longitudinal de l'ouvertu- re d'éjection de la troisième tuyère, une première et une seconde surfaces déflectrices s'étendant, sur une distance déterminée, de part et d'autre desdites tuyères à partir du second bord longitudinal de l'ouverture d'éjection de la deuxième et de la troisième tuyères respectivement, lesdites surfa- ces déflectrices étant coplanaires entre elles et avec les bords lon- gitudinaux des ouvertures des tuyères de la buse et étant cinémati- -6- quement solidaires de cette buse, un premier réseau de distribution reliant la source du pre- mier réactif à la première tuyère de la buse, un second réseau de distribution reliant la source du second réactif à-la deuxième et à la troisième tuyères de la buse, des moyens pour entraîner en mouvement relatif, dans une di- rection sensiblement perpendiculaire à ladite ligne fictive, le subs- trat et la buse, des moyens pour maintenir constante, au cours dudit mouvement relatif, la distance séparant le plan contenant lesdites ouvertures des tuyères de la buse et lesdites surfaces déflectrices de ladite surface du substrat, au moins un dispositif étant prévu pour évacuer les gaz de réaction se produisant dans l'espace compris entre lesdites surfa- ces déflectrices et la surface du substrat, à partir des extrémités de cet espace les plus distantes des ouvertures desdites buses. Effectivement, le procédé et l'installation ci-dessus permet- tent de procéder au dépôt, à très haute vitesse, de verre en feuil- le ou en plaques, d'une couche de Sn O 2 d'homogénéité satisfaisante garantissant des performances de très haut niveau sur le plan de la tenue mécanique et des caractéristiques électriques et optiques de toute nature. Par ailleurs, l'état de la technique dans le domaine de la pré- sente invention comprend encore les documents suivants: La demande de brevet européen EP-A-0 023 471 décrit un procé- dé et un dispositif similaire à celui décrit dans le brevet britan- nique No 2,044,137, la différence principale existant entre le se- cond et le premier de ces documents étant constituée par le fait que le gaz porteur utilisé pour l'application de la technique de CVD con- tient une forte proportion d'agent réducteur. La demande de brevet français FR-A-2 288 068 décrit, notamment, un procédé et un dispositif pour déposer, par pulvérisation d'un li- quide, une couche mince à la surface d'un matériau en feuille Le dispositif en question comprend une chambre de pulvérisation qui com- porte un orifice de pulvérisation, ouvert en regard de la face de la feuille à traiter, et des moyens pour amener dans la chambre de pulvérisation, d'une part, le liquide à pulvériser et, d'autre part, un flux gazeux sous pression pour projeter le liquide par l'orifi- cé de la chambre, et est caractérisé en ce que la chambre de pulvé- risation et son orifice s'étendent suivant une direction longitudi- nale prépondérante, et en ce que les moyens pour amener le liquide dans la chambre comportent un canal débouchant dans celle-ci par une fente s'étendant le long de la chambre, parallèlement à la direction précitée. La demande de brevet français FR-A-2 068- 937 décrit un procé- dé et un dispositif pour former un revêtement de métal ou de compo- sé métallique sur une face d'un ruban de verre en déplacement lon- gitudinal Le dispositif décrit comprend, notamment, des moyens pour supporter un ruban de verre chaud qui se déplace longitudinalement de façon continue et des moyens pour décharger un milieu fluide sur une face d'un tel ruban, et est caractérisé en ce que lesdits moyens de décharge sont construits et agencés pour décharger au moins un courant de milieu fluide sur ladite face, dans une direction qui est inclinée sur ladite face, de manière que le -courant ait une compo- sante de vitesse dans la direction de déplacement du ruban et que l'angle d'incidence aigu ou l'angle moyen d'incidence aigu d'un tel courant sur ladite face, mesuré dans un plan normal à ladite face et parallèle à la direction de déplacement longitudinal du ruban ne dépasse pas 60 . La demande de brevet britannique GB-A-2 068 937 décrit un pro- cédé et un dispositif pour appliquer sur la surface d'un substrat de verre chauffé un revêtement de métal ou de composé métallique. Le dispositif comprend, notamment, des moyens pour déplacer delit substrat en regard d'une projection de gouttelettes du produit de revêtement, et des moyens pour balayer par un gaz la surface à re- vêtir alternativement en avant et en arrière par rapport au sens de déplacement de celle-ci. La demande de brevet européen EP-A-0 029 809 concerne une bu- se pour la projection simultanée sur un substrat de trois courants réactifs gazeux dont le mélange s'effectue à proximité immédiate de celuici, le produit de réaction se déposant alors, sous forme de revêtement, sur ledit substrat Dans sa forme générale, cette buse se rapproche fortement de celle décrite dans le brevet britannique No 2,044,137. -8- 3 Exposé de l'invention Cependant, malgré toutes les améliorations apportées par l'é- tat récent de la technique, on a cherché à encore améliorer les per- formances d'une installation telle que celle, décrite au brevet britannique No 2,044,137, notamment sur le plan de la régularité du dépôt et de la constance de sa transparence On y est parvenu en mo- difiant quelque peu la forme du passage d'éjection des réactifs à la sortie des tuyères; aussi, l'installation, suivant la présente invention, pour déposer en continu sur un substrat chauffé à haute température un revêtament solide résultant de l'union d'au moins deux réactifs en phase gazeuse comprend: a) une source d'un premier réactif gazeux ou dilué dans un gaz porteur, b) une source d'un second réactif gazeux ou dilué dans un gaz porteur, c) une buse à trois tuyères présentant chacune une ouverture constituée par une fente rectiligne et dont la direction des parois latérales délimitant les plans des bords longitudinaux de chaque fente converge vers une ligne fictive comprine, la -première tuyère, centra- le, étant encadrée par les deux autres et étant adjacente, d'une part, à la seconde tuyère au point de jonction de leurs parois respecti- ves et, d'autre part, à la troisième tuyère également au point de réunion de leurs parois respectives, le tout de manière que les gaz émis par les tuyères soient projetés en direction de ladite ligne commune, d) une première et une seconde surfaces déflectrices solidai- res de ladite buse s'étendant sur une distance déterminée, de part et d'autre desdites tuyères à partir des bords extérieurs longitu- dinaux de l'ouverture d'éjection de la deuxième et de la troisième tuyères respectivement, e) un premier réseau de distribution reliant la source du pre- mier réactif à la première tuyère de la buse,- f) un second réseau de distribution reliant la source du second réactif à la deuxième et/ou à la troisième tuyère de la buse, g) des moyens pour entrainer en mouvement relatif, dans une di- 9 - rection sensiblement perpendiculaire à ladite ligne fictive, le sub- strat et la buse, h) des moyens pour maintenir constante, au cours dudit mouve- ment relatif, la distance séparant lesdites ouvertures des tuyères de la buse et lesdites surfaces déflectrices de ladite surface du substrat, et, i) au moins un dispositif pour évacuer les gaz de réaction se produisant dans l'espace compris entre lesdites surfaces déflectri- ces et la surface du substrat, à partir des extrémités de cet espa- ce les plus distantes des ouvertures desdites buses Cette installa- tion est, de plus, caractérisée par le fait que celle des deux sur- faces déflectrices s'étendant du côté opposé au sens de déplacement du substrat relativement à la buse est perpendiculaire au plan ée- dian de celle-ci et que l'arête qu'elle forme suivant un angle ai- gu avec la paroi extérieure prolongée de la troisième tuyère est dé- calée transversalement dans le sens dudit déplacement par rapport audit plan médian de la buse, la seconde surface déflectrice formant, par contre, une arête avec un angle tronqué ou arrondi avec le bord longitudinal correspondant de la seconde tuyère, le tout de manié- re que l'ouverture effective de la buse située entre lesdites arêtes soit coudée et que les gaz sortant de celle-ci soient déviés dans la direction du déplacement du substrat et sensiblement parallèle- ment à celui-ci. Une telle dispostion permet de réduire encore notablement la turbulence des gaz s'échappant des tuyères, d'améliorer leur inter- pénétration mutuelle par diffusion et de régulariser encore la mar- che de la réaction Il en résulte une amélioration de la régulari- té de la transparence du revêtement. 4 Brève description des dessins Le dessin annexé représente, à titre d'exemple et très schéma- tiquement, une forme d'exécution de l'installation objet de la pré- sente invention: La figure 1 en est une vue d'ensemble. La figure 2 est une vue partielle en perspective avec coupe ver- ticale, à plus grande échelle, d'un élément de l'installation de la - figure 1. La figure 3 est une vue agrandie schématique d'un détail de l'élé- ment de la figure 2. -La figure 4 est une représentation schématique d'une variante de l'installation de la figure 1 o seule l'une des tuyères latéra- les est reliée à l'une des sources de réactifs tandis que l'autre tuyère latérale est reliée, par l'intermédiaire d'un troisième ré- seau de distribution, à la source du gaz porteur. 5 Meilleures manières de réaliser l'invention L'installation visible au dessin (fig 1) est destinée à dépo ser par la technique dite C V D et sur un substrat, en l'occurren- ce une feuille de verre V portée à haute température, une couche d'o- xyde d'étain Sn O 2 en tirant profit de la réaction chimique suivan- te: Sn C 14 + 2120 > Sn O 2 + 4 HCI 7 ' A cet effet, cette installation comprend tout d'abord une suite de rouleaux 1, sur lesquels est posée et se déplace en direction F la feuille V, rouleaux qui sont entraînés en rotation dans le sens an- ti-horaire par un moteur électrique (non représenté) et qui présen- tent, bien entendu, une longueur compatible avec la largeur de la feuille de verre à supporter La vitesse de rotation des rouleaux 1 sera choisie de manière que le déplacement de la feuille V s'ef- fectue avec une vitesse linéaire de quelques mètres par minute, de l'ordre de 1 à 20 selon les cas - Au-dessus de cette suite de rouleaux -1, l'installation repré- sentée présente une buse 2 dont le profil structurel de principe fait l'objet des figures 2 et 3 auxquelles on se réfère dès maintenant. Cette buse comporte en effet trois tuyères distinctes 3,4 et 5 res- pectivement, s'étendant longitudinalement en direction parallèle aux rouleaux 1 déjà cités, sur une longueur correspondant à la largeur de la feuille de verre V De telles tuyères pourront donc même pré- senter une longueur de plusieurs mètres Comme on le voit au dessin, les tuyères 3 à 5 sont formées par assemblage de profilés-longili- *1 8429 il - gnes 6 a et 6 b, 7 a et 7 b, eux-mêmes fixés, par tous moyens adéquats, à deux paires de profilés 9 a et 9 b, respectivement 10 a et l O O b déli- mitant entre eux des passages 11, 12 et 13 en liaison avec les tu- yères 3, 4 et 5 respectivement. Les directions des parois latérales 3 a et 3 b, 4 a et 4 b, 5 a et b des tuyères 3 à 5 convergent vers une ligne fictive commune en dehors de l'extrémité inférieure des profilés 7 b mais, cependant, dans la zone de l'embouchure proprement dite de la buse 2 Les ou- vertures de sortie des tuyères 3, 4 et 5, qui se présentent sous for- me de trois fentes oblongues s'étendant sur toute la longueur des profilés ont une largeur de quelques dixièmes de millimètres, par exemple 1/10 ou 8/10. La largeur de la face inférieure des profilés 6 a -et 6 b sera, de préférence, comprise entre 10 et 20 fois la largeur totale des fentes de sortie des tuyères 3 à 5. De préférence, mais non exclusivement, cette face inférieure des profilés 6 a et 6 b sera couverte d'une couche d'un métal chimi- quement inerte ou d'un alliage de tels métaux ou encore d'oxydes me- talliques A titre d'exemple le métal peut être de l'or ou du pla- tine Les oxydes peuvent être choisis parmi Sn O 2, Si O 2 ou A 1203. En effet, les métaux et alliages usuels, tels l'acier ou le lai- ton, présentent, en présehce de certains composants du gaz porteur, notamment l'hydrogène, des propriétés catalytiques susceptibles de gêner le contr 8 le de la réaction désirée pour obtenir un dépôt de Sn O 2 offrant les qualités mécaniques, physiques et optiques désirées. Bien entendu, l'assemblage de profilés constituant la buse 2 est recouvert, à chaque extrémité latérale, d'une plaque d'obtura- tion, non représentée, montée de manière à assurer une étanchéité totale et à former ainsi des tuyères 3, 4 et 5 et des passages 11, 12 et 13 qui soient bien fermés latéralement Des canaux 14 a, b, c, d ménagés dans les profilés 10 a, O lob, 6 a, 6 b, sur toute la longueur de ceux-ci, permettent d'établir une circulation d'un fluide, par exemple de l'huile, destiné au maintien de la buse 2 à une tempera- ture optimum de fonctionnement (de l'ordre de 100 à 160 C). Une autre plaque 15 recouvre la face supérieure de la buse 2 sur toute son étendue et de façon étanche empêchant ainsi toute com- munication entre les passages 11, 12 et 13. 12 - On signalera encore que le profil général et la finesse de l'é- tat de surface des parois délimitant tant les tuyères 3 à 5 que les passages 11 à 13 (fig 2) ainsi que les sections transversales de ceux- ci sont tels que, pour des débits gazeux de l'ordre de 3 à 6 1/h par centimètre de longueur de la buse, les écoulements à la sortie des tuyères soient laminaires. Flanquant la buse 2, et sur toute la longueur de celle-ci, l'ins- tallation représentée corporte deux caniveaux d'aspiration 16 et 17 (fig 1 et 2), de section droite carrée ou de toute autre forme quel- conque, situés de part et d'autre des profilés 6 a et 6 b précédemment décrits et approximativement au niveau de ceux-ci Ces caniveaux pré- sentent chacun suivant l'exécution, une ou deux ouvertures longitu- dinales 16 a et 16 b, pour le caniveau 16, respectivement 17 a et 17 b, pour le caniveau 17 Ces caniveaux sont reliés, par un système de conduits 18, à l'entrée d'une pompe aspirante 19 branchée, par sa sortie, au bas d'une tour de lavage 20 remplie de matériaux réfrac- taires (anneaux de Raschig). L'installation représentée à la fig 1 comprend, de plus, deux récipients barboteurs thermostatisés, 21 et 22 contenant, le premier, du chlorure stannique, Sn C 14, liquide et, le second, de l'eau, deux débitmètres 23 et 24 présentant une vanne de réglage du débit, 23 a et 24 a, alimentés par un mélange d'azote ec d'hydrogène en propor- tion choisie, par exemple, 60/40, deux vannes 25 et 26 disposées sur des tubulures 27 et 28 reliant les débitmètres aux récipients bar- boteurs ci-dessus Deux conduits 29 et 30 relient la sortie des ré- cipients 21 et 22 respectivement au passage 11 et aux passages 12 et 13 de la buse 2, c'est-à-dire en définitive à la tuyère 3 de cet- te buse, pour le conduit 29, et aux tuyères 5 et 4, pour le conduit 30. Les conduits 29 et 30 traversent une enceinte E 1, représentée schématiquement par un contour en trait mixte, contenant un iiqui- de de chauffage, par exemple de l'hujle, maintenu à une temperatu- re constante d'environ 100 à 130 C -suivant le réglage des conditions de travail, de toute manière adéquate. Comanme on peut le voir plus particulièrement à la fig 3, la sur- face 51 déflectrice du profilé 6 b qui_ s'étend du côté amont de la buse par rapport au déplacement relatif entre celle-ci et le substrat 1842 13 - V est parallèle à celui-ci et l'arête qu'elle forme suivant un an- gle aigu 53 avec la paroi extérieure 5 b, prolongée, de la troisiè- me tuyère 5 est décalée transversalement en direction aval par rap- port au plan axial médian de la buse Par contre, la surface déflec- trice 52 du profilé 6 a forme avec le bord longitudinal correspondant 4 b de la seconde tuyère um angle 54 arrondi Il résulte de cet arran- gement que l'ouverture effective de la buse située au-delà du point de jonction des gaz entre les arêtes 53 et 54 est coudée et que les gaz sortant de celle-ci sont déviés régulièrement dans la direction de déplacement de la feuille de verre V et sensiblement parallèle- ment à celle-ci Les gaz ainsi déviés heurtent le substrat à plaquer avec plus de douceur que dans le cas de la construction de la réfé- rence précitée, le taux de turbulence qui en résulte est abaissé ce qui contribue à réduire le défaut de voilage du revêtement qui sur- vient occasionnellement avec le dispositif plus ancien Il est à re- marquer que la seconde surface déflectrice 52 peut être inclinée par rapport au substrat en direction du déplacement relatif de celui-ci, une telle disposition ayant pour effet une accélération des gaz issus de la buse. On notera encore que le débit des gaz est également régulari- sé par la présence de matière poreuse 55 (par exemple fibres de car- bone ou de Téflon) dans les conduits d'admission 11, 12 et 13. L'installation qui vient d'être décrite permet de revêtir, par exemple, une plaque de verre par une couche d'oxyde d'étain, d'une épaisseur de l'ordre de 0,5 um, présentant à la fois une très bon- ne transparence, une conductibilité électrique -relativement forte, une adhérence remarquable au verre et une résistance mécanique et aux acides élevée. Une installation expérimentale de ce type munie d'une buse de 20 cm de longueur, dont l'ouverture des tuyères 3, 4 et 5 avait res- pectivement une largeur de 0,2, 0,1 et 0,1 mm, a permis de traiter une plaque de verre de 20 an de large et de 4 mm d'lépaisseur chauf- fée à 6000 C environ et entraînée en direction F (fig 1 et 2) à une vitesse de 1,2 m/mn La distance séparant la face inférieure de la buse et la surface du verre était de 3 mm La vitesse de croissan- ce du dépôt était d'environ 0,3,tm Vsec. Il a été fait usage de récipients 21 et 22 ayant une capacité -14d'environ 200 à 300 ml de Sn C 14 liquide, pour le récipient 21, et de H 20, pour le récipient 22 respectivement Ces récipients ont été chauffés à des températures telles que, pour un débit de gaz porteur N 2/H 2 de 60 1/h pour le récipient 21 et de 120 1/h pour le récipient 22, débits réglés par action sur les vannes 23 a et 24 a, on obtien- ne un débit de réactif dilué dans ce gaz de 2 mole/h de chlorure d'é- tain, Sn C 14, et de 1 mole/h d'H 20 En outre, on a maintenu la tem- pérature de la buse à une valeur de 1200 C environ par circulation d'huile dans les canaux 14 a, b, c, d de celle-ci. Compte tenu du profil donné aux tuyères 3, 4 et 5 de la buse 2, et en particulier du fait qu'elles convergent par leurs parois latérales vers une ligne fictive commune, les écoulements gazeux sor- tant de ces ajutages, écoulement de Sn C 14 pour la tuyère 3 et de va- peur d'y 20 pour les tuyères 4 et 5, qui sont laminaires, entrent en contact mutuel d'abord en s'effleurant tangentiellement puis toujours plus directement au fur et à mesure qu'on se rapproche du substrat à plaquer Bien entendu l'écoulement combiné de ces trois flux ga- zeux devient d'autant plus turbulent que s'effectue l'interpénétra- tion brutale de ces flux et c'est pourquoi, grâce à la disposition des surfaces déflectrices 51 et 52, cette interpénétration est re- tardée et se fait en douceur à la surface du verre V, laquelle est chauffée à 600 C environ camme décrit, de sorte que la réaction de combinaison Sn-C 14 + 2 H 20 Sn O 2 + 4 HC 1 se produit sur le verre Il convient à ce point de signaler qu'on peut encore prendre d'autres mesures particulières pour adoucir les conditions de la réaction et éviter que ne se forment, dans certains cas, de grandes quantités d'oxyde d'étain (Sn O 2) et des hydrates du types Sn O 2 n H 2 O, à la sortie des tuyères 3 à 5 de la buse 2, d'o risque de bouchage partiel ou total de tout ou partie des tuyères, avec dépôt de ces mmes oxydes d'étain sur le verre sous forme d'un voile blanc et non pas sous forme de la couche semi-conductrice trans- parente désirée. Pour ce faire, on peut ajouter un agent réducteur aux deux é- coulements gazeux de Sn C 14 et de vapeur d'H 20 Cet agent consiste 25.18429 - en de l'hydrogène inclus dans le gaz porteur L'hydrogène est en ef- fet un gaz ne réagissant ni avec Sn C 114 ni avec H 20 Il est donc u- tilisable comme gaz porteur inerte. La réaction de combinaison de Sn C 14 et de H 20 ne s'effectue pas -5 seulement dans la zone centrale de la buse 2, c'est-à-dire à proxi- mité de la partie de cette buse dans laquelle s'ouvrent les tuyères 3, 4 et 5 En effet, cette réaction a lieu alors que la poupe 19 fonc- tionne de sorte que, par les caniveaux 16 et 17 disposés de part et d'autre de la buse, il se crée une dépression aux extrémités droi- te et gauche, au dessin, de l'espace compris entre la plaque de ver- re V et la face inférieure des profilés 6 a et 6 b de la buse De ce fait, il se forme, dans cet espace, un écoulement gazeux allant de la partie centrale de cet espace vers les caniveaux 16 et 17 déjà cités Cet écoulement contient surtout une part de Sn C 14 et de H 20 dispersés dans le gaz porteur et n'ayant pas encore réagi, les va- peurs de H Cl déjà formées, ainsi qu'une certaine quantité de gaz por- teur débarrassé des réactifs qui ont déjà réagi Ainsi la réaction entre Sn O 2 et H 20 peut se continuer avec les gaz réactifs résiduels sur une certaine longueur de l'espace, de part et d'autre de la li- gne de convergence des tuyères Bien entendu, du fait de la dévia- tion imprimée aux gaz en direction aval, le caniveau 16 récolte plus de gaz br ilés que le caniveau 17. La puissance de l'aspiration réalisée grâce aux caniveaux 16 et 17 est choisie de manière que les gaz réactifs issus de ia buse 2 ne subsistent dans cet espace que pendant le temps strictement né- cessaire à l'obtention d'un dépôt de Sn C 2 sur le verre, dépôt qui se présente sous forme d'une couche transparente et non sous forme d'une croissance de Sn O 2 en poudre Bien entendu l'aspiration ne doit pas non plus être trop forte car, autrement, les gaz réactifs issus de la buse n'auraient pas le temps d'atteindre la surface du verre. L'intensité de l'aspiration est donc déterminante en ce qui concer- ne la qualité et la vitesse de croissance de la-couche On signale- ra de plus que, grâce à cette aspiration' on isole en quelque sor- te de l'atmosphère ambiante l'espace compris entre la buse et là pla- que de verre, espace dans lequel a lieu la réaction désirée, et on empêche, d'une part, toute pénétration éventuelle dans cet espace d'humidité supplémentaire susceptible d'influencer la réaction de 16 - combinaison et, d'autre part, tout échappement, vers cette même at- mosphère ambiante, de vapeurs nocives, par exemple de HC 1, ou d'hy- drogène, l'air ambiant ayant tendance à affluer vers les fentes 16 a et 16 b, respectivement 17 a et 17 b en passant entre le caniveau 16, respectivement le caniveau 17, la plaque de verre V et la buse 2. Les produits gazeux aspirés grâce à la pompe 19 sont dirigés, comme décrit, vers la tour de lavage 20, de manière que les acides résiduels volatils subissent une percolation et un entraînement par de l'eau, la solution acide résultante étant séparée des gaz lavés et évacuée par le conduit 20 a. Dans les conditions opératoires ci-dessus, le rendement réac- tionnel a été d'environ 60 % Le verre a été revêtu sur toute sa sur- face d'une couche de Sn O 2 présentant une épaisseur de 0,5 /Sm, une transparence de 80 à 90 % selon les échantillons, et une résistance moyenne de R O = 100 En outre, la couche de Sn O 2 ainsi obtenue s'est avérée avoir une dureté particulièrement élevée, supérieure à celle du verre sur laquelle elle avait été déposée Sa résistance était ainsi très im- portante que ce soit aux sollicitations mécaniques les plus inten- ses, par exenple à l'impact, qu'à l'attaque par des acides Ce ver- re a pu notamment être soumis à une opération de bombage avec un ra- yon de courbure de 15 cm, après avoir été porté à une température entre 600 et 700 C, sans détérioration quelconque du revêtement de Sn O 2 Il a également été possible de le tremper dans les conditions usuelles pour le verre normal Enfin, il est à remarquer qu'une pla- que de verre revêtue d'une couche de Sn O 2, dans les conditions et selon les modalités décrites, peut être coupée au diamant en atta- quant soit l'avers soit le revers de la plaque sans écaillage de la couche. On va maintenant décrire une variante de l'installation de la fig 1, variante destinée, plus particulièrement, à des applications industrielles Cette variante est illustrée schématiquement à la fig. 4 pour laquelle on a utilisé les mêmes chiffres de référence qu'à la fig 1 lorsque les éléments décrits sont communs aux deux figu- res. L'installation de la fig 4 comprend, outre la buse 2 destinée à projeter les réactifs sur la plaque de verre V comme déjà décrit 17 - pour la fig 1 et un système d'aspiration 16, 17 des gaz brûlés, un premier réseau d'alimentation en Sn C 14 comprenant un réservoir 21 de chlorure stannique, un évaporateur 101 chauffé à 120-150 C et une porpe doseuse 102 permettant de faire parvenir dans celui-ci un dé- bit calibreé de Sn C 14 L'évaporateur 101 est également balayé par un courant de gaz porteur (N 2 ou un mélange N 2/H 2) de débit dosé par les vannes 103 et 104 et mesuré par le rotamètre 105 Par ailleurs, un cylindre de HF 106 permet de doper le Sn C 14 avec du fluor par 1 ' in- termédiaire d'une vanne 107 Ce premier réseau d'alimentation est relié à la tuyère centrale 3 grâce à la conduite 29. L'installation comprend encore un second réseau d'alimentation, en eau cette fois, relié à la tuyère 4 par la conduite 30, qui comn- porte un réservoir d'eau 22, un évaporateur 111, une pompe 112, des vannes 113 et 114 et un débitmètre 115. Finalement, l'installation comrporte encore un troisième réseau d'alimentation, en gaz porteur seul, qui comprend les vannes 123 et 124, le débitmètre 125 et la conduite d'amenée 126 reliée à la tuyè- re 5 Les éléments restants de cette variante d'installation, qu'ils soient ou non représentés au dessin, sont analogues à ceux déjà dé- crits en ce qui concerne les fig 1 à 3. Le fonctionnement de la présente variante est, à peu de chose près, le même que celui de l'installatic J précédeuient décrite, mais il présente un degré supérieur de versatilité et se prête mieux à des applications industrielles du fait de la possibilité de régla- ges indépendants des débits de réactifs (par les pompes 102 et 112) et des débits de gaz porteurs L'apport de gaz porteur seul par la tuyère 5 permet d'améliorer encore la régularité de la réaction. Avec l'installation décrite ci-dessus on a traité un ruban de verre "float" de 3 m de large circulant à 11,5 m/rin dans la zone située entre la sortie du bain de Sn fondu et l'entrée du four à re- cuire L'installation comprenait un ensemble de 5 buses semblables à la buse 2 de un mètre d'envergure disposées en série et décalées de façon à recouvrir la totalité de la surface du verre Les tuyè- res étaient alimentées de la façon suivante: Tuyères 3: Sn C 14 débit total: 1,44 Nm 3/h; gaz porteur (N 2/H 2, /40): 1,06 Nm 3/h. Tuyères 4: H 20 ( 5 % HF) débit total: 0,92 Nm 3/h: gaz porteur 18 - (N 2/H 2): 1,58 Nm 3/h. Tuyères 5: gaz porteur (N 2/H 2): 2,5 Nm 3/h. Le débit total était donc de 0,5 Nm 3/h/tuyère; la largeur de la fente de celles-ci avait 0,4 mm Dans les conditions ci-dessus, on a obtenu un revêtement de Sn O 2 de 0,14 fml de résistance RA= 90- et de 90 % de transparence dans le visible. L'installation qui vient d'être décrite en référence aux fig. 1 à 3 peut également -être utilisée pour déposer, par C V D, une cou- che de Ti O 2 sur une plaque de verre Il suffit, à cet effet, de rem- placer dans le récipient barboteur 21 le chlorure d'étain Sn C 14, par du chlorure de titane Ti C 14 On pourra aussi faire usage d'un gaz porteur constitué exclusivement par de l'azote. La réaction qui aura lieu à la sortie de la buse 2 sera la sui- vante: Ti C 14 + 2 H 20> Ti O 2 + 4 HCI Dans un cas d'espèce, une plaque de verre de 20 cn de large et de 4 mm d'épaisseur, chauffée à une température de 600 C, a été en- traînée longitudinalement à une vitesse de 1,2 Am Vmn au devant de la buse 2, à une distance de 3 mm de celle-ci Par action sur les vannes 23 a et 24 a, le débit du gaz porteur a été réglé à 60 1/h, pour le débitmètre 23, et à 120 1/h pour le débitmètre 24 Les récipients 21 et 22 ont été, par ailleurs, chauffés pour que le débit des ré- actifs soit de 0,2 mole/h de Ti C 14 et de 0,01 mole/h de H 20. On a obtenu une couche de Ti O 2 de 0,01;u d'épaisseur, présen- tant une transparence à la lumière visible de 75 % environ et un pou- voir réfléchissant à cette même lumière visible supérieur à celui du verre supportant le dépôt La résistance mécanique était compa- rable à celle d'un dépôt de Sn O 2 obtenu comme décrit. De manière générale, la résistivité, le pouvoir réfléchissant et la transparence des couches de Sn O 2 sur le verre d'une épaisseur supérieure à 0,5,um peuvent être améliorés dans de très grandes pro- portions si ces couches sont dopées au fluor A cet effet, on fera de préférence usage de l'installation décrite en se référant à la figure 1, complétée par un cylindre 41, contenant de l'HF gazeux, et par un conduit 42 reliant ce cylindre au conduit 30, le tout 6- tant représenté en trait interrompu au dessin. -19- Un verre de 4 mm d'épaisseur, porté à une température d'envi- ron 600 C, a été recouvert d'une couche de 0,75;um Sn O 2 dopé au flu- or par passage au devant de la buse à une vitesse de 1,2 m/mn et à une distance d'environ 3 mm de celle-ci Les débits de gaz porteur (un mélange de N 2 40 % H 2) ont été de 60 1/h pour le Sn C 14 et la va- peur d'eau Le débit de HF était de 0,1 1/min. Le dépôt de Sn O 2 dopé au fluor s'est révélé être particulière- ment performant En effet, sa résistance était de R= 6 sn, son pou- voir réfléchissant à la lumière visible était supérieur à celui du verre supportant le dépôt, et son pouvoir réfléchissant à l'infra- rouge s'est révélé être particulièrement élevé, de l'ordre de 75 %. En outre, sa transparence à la lumière visible a été de 85 % Les ca- ractéristiques de résistance mécaniques ont été, elles aussi, très élevées: le verre revêtu de Sn O 2 dopé au fluor a pu subir un trai- tement thermique de trempe identique à ceux auxquels sont soumises traditionnellement certaines vitres de véhicules, par exemple les vitres latérales de voitures automobiles Il a également été possi- ble de bomber une telle plaque à chaud (température d'environ 650 C) avec des rayons de courbure de 15 cm sans modifier les caractéris- tiques du dépôt de Sn O 2 dopé De plus une plaque de verre recouver- te de la manière décrite a pu être travaillée de façon traditionnel- le (découpage, meulage, etc) sans que le dépôt n'ait été endomma- gé La couche de Sn O 2 dopé au F présentait en effet une dureté su- périeure à celle du verre qui le supportait et n'a pu être griffée, en outre sa résistance chimique aux acides et sa résistance aux im- pacts se sont avérées particulièrement élevées - On peut également doper le Sn O 2 du dépôt à l'antimoine, pour ce faire, on pourra soit mélanger du Sb C 15 au Sn C 14 du barboteur 21 soit connecter un récipient barboteur additionnel contenant du Sb C 13 sur le canal d'arrivée 29 à la tuyère centrale 3 de la buse 2. On signalera à ce sujet qu'une couche de Sn O 2 dopé au fluor ou à l'antimoine déposée sur une plaque de verre dans les conditions citées peut être recouverte par de l'argent ou par une peinture d'ar- gent déposée à 600 C, par exemple, en vue de former des contacts é- lectriques Un tel dépôt d'argent adhère très bien à la surface du dépôt de Sn O 2. Les utilisations de plaques de verre de toutes dimensions re- - couvertes d'une couche de Sn O 2, non dopé ou dopé à l'antimoine ou au fluor, peuvent être très variées selon leurs performances de na- ture physique et électrique notamment. Bien qu'une couche de Sn O 2 non dopée présente une résistivité relativement élevée, si on la compare à la résistivité d'une couche similaire dopée à l 'antimoine ou au fluor, une plaque de verre re- couverte d'une telle couche peut être utilisée par exemple pour cons- tituer des fenêtres ou des portes-fenêtres d'habitation, de navires ou de trains, compte tenu de sa bonne transparence à -la lumière vi- sible et de son pouvoir réfléchissant à l'infrarouge relativement important. Ce pouvoir isolant est évidemment supérieur lorsqu'il s'agit d'un verre recouvert de Sn O 2 dopé à l'antimoine, ou d'un verre re- couvert de Sn O 2 dopé au fluor De plus, la résistivité de telles cou- ches étant assez réduite, pour une couche de Sn O 2 dopé à l'antimoi- ne, et très réduite, pour la couche dopée au fluor, il est possible de faire usage de verres recouverts de Sn O 2 dopé -à titre de vitres chauffantes, par exemple de lunettes arrière de voitures. * Il a par ailleurs pu être observé que, placée dans une atmos- phère d'humidité très importante, une plaque de verre portant un dé- pet de Sn O 2, non dopé ou dopé à l'antimoine comte au fluor, ne se recouvrait pas d'une coucne uniforme de buée, mais plutôt par une pluralité de gouttelettes altérant beaucoup moins la capacité de vi- sibilité au travers du dépt proprement dit et de la plaque de ver- re. Cette propriété est évidemment particulièrement avantageuse dans le cas de plaques de verres destinées à constituer des vitres, no- tamment des vitres de véhicules et plus particulièrement des pare- brise et des lunettes arrière de voitures automobiles, d'autobus ou de camions. On remarquera enfin que, quoique mentionnée dans le cadre du procédé et des installations décrites en se référant aux figures 1, 2 et 3 des dessins annexés, l'utilisation d'hydrogène à titre de mo- yen de contrôle de la réaction de combinaison de Sn C 14 et H 20 pour- rait également avoir lieu, aux mâmes fins et avec les mêmes bénéfi- ces, si une telle réaction était obtenue en mettant en oeuvre des procédés et installations d'autre nature fonctionnant selon la tech- 21 - nique C V D, tels ceux décrits par H Koch dans l'article cité pré- cédemment ou par le DOS No 2 123 274. 6 Possibilités d'applications industrielles L'Exemple qui suit illustre l'invention en détail. On a utilisé l'installation telle que représentée à la figure 1 avec une buse telle que celle représentée à la figure 3 et on a opéré dans les conditions suivantes: Température réactionnelle du substrat: Pression opérationelle: Débit de vapeur d'eau (ligne 30): Concentration de HF dans H 20: Carposition du gaz porteur: Débit du gaz dans le flacon 21 (Sn C 14) : Température du flacon 21: Débit du Sn C 4: Vitesse de défilement du verre V: Vitesse d'aspiration des gaz de réaction: Débit du gaz porteur: 590 C atmosphérique moles H 20/h 250 litres/h de vapeur 2/98 (vol /vol) H 2/N 240/60 (vol /vol) 370 litres/h C moles/h 1,2 m/mn 1500 litres/h. 500 litres/h. On a ainsi obtenu un dépôt présentant les caractéristiques sui- vantes: Epaisseur: 0,6,um; résistance Ra = 20; transparence 80 %. Si, dans l'exemple ci-dessus, on remplace la buse à écoulement coudé de la présente invention par une buse conforme à la descrip- tion du brevet GB 2 044 137, c'est-à-dire à écoulement perpendicu- laire au substrat, on obtient des résultats similaires quoiqu'on ob- serve, occasionnellement, des traces de voiles sur les dépôts de Sn O 2. 22 - f ZVENDICATIONS 1 Installation pour déposer en continu sur un substrat chauf- fé à haute température un revêtement solide résultant de l'union d'au moins deux réactifs en phase gazeuse coeprenant: a) une source d'un premier réactif gazeux ou dilué dans un gaz porteur, b) une source d'un second réactif gazeux ou dilué dans un gaz porteur, c) une buse ( 2) à trois tuyères ( 3, 4, 5) présentant chacune une ouverture constituée par une fente rectiligne et dont la direc- tion des parois latérales ( 3 a, 3 b, 4 a, 4 b, 5 a, 5 b) délimitant les plans des bords longitudinaux de chaque fente converge vers une li- gne fictive commune, la première tuyère ( 3), centrale, étant enca- drée par les deux autres ( 4, 5) et étant adjacente, d'une-part, à la seconde tuyère ( 4) au point de jonction de leurs parois respec- tives ( 3 a, 4 a) et, d'autre part, à la troisième tuyère ( 5) au point de réunion de leurs parois respectives ( 3 b, 5 a), le tout de maniè- re que les gaz éjectés par les tuyères soient projetés en direction de ladite ligne commune, d) une première et une seconde surfaces déflectrices ( 51, 52) solidaires de ladite buse s'étendant sur une distance déterminée, de part et d'autre desdites tuyères à partir des bords extérieurs ( 4 b, 5 b) longitudinaux de l'ouverture d'éjection de la deuxième et de la troisième tuyère respectivement, e) un premier réseau de distribution ( 29) reliant la source du premier réactif à la première tuyère ( 3) de la buse, f) un second réseau de distribution ( 30) reliant la source du second réactif à la deuxième ( 4) et/ou à la troisième tuyère ( 5) de la buse, g) des moyens pour entraàner en mouvement relatif, dans une di- rection sensiblement perpendiculaire à ladite ligne fictive, le sub- strat (V) et la buse, h) des moyens pour maintenir constante, au cours dudit mouvement relatif, la distance séparant lesdites ouvertures des tuyères de la buse et lesdites surfaces déflectrices de ladite surface du substrat, 23 - et i) au moins un dispositif ( 16, 17) pour évacuer les gaz de réac- tion se produisant dans l'espace compris entre lesdites surfaces dé- flectrices ( 51, 52) et la surface du substrat, à partir des extré- mités de cet espace les plus distantes des ouvertures dèsdites buses, caractérisée par le fait que celle ( 51) des deux surfaces dé- flectrices s'étendant du côté opposé au sens de déplacement (F) du substrat relativement à la buse ( 2) est perpendiculaire au plan mé- dian de celle-ci et que l'arête qu'elle forme suivant un angle aigu ( 53) avec la paroi extérieure ( 5 b) prolongée de la troisième tuyè- re est décalée transversalement dans le sens dudit déplacement par rapport audit plan médian de la buse, la seconde surface déflectri- ce ( 52) formant, par contre, une arête avec un angle tronqué ou ar- rondi ( 54) avec le bord longitudinal correspondant ( 4 b) de la secon- de tuyère, le tout de manière que l'ouverture effective de la buse située entre lesdites arêtes ( 53, 54) soit coudée et que les gaz sor- tant de celle-ci soient déviés dans la direction du déplacement du substrat et sensiblement parallèlement à celui-ci. 2 Installation suivant la revendication 1 dans laquelle seu- le l'une des tuyères ( 3) ou ( 4) est reliée au second réseau de dis- tribution ( 30), caractérisée par le fait qu'elle comporte un troi- sième réseau de distribution ( 123-126) faisant communiquer la tuyè- re restante avec la source de gaz porteur. 3 Installation suivant les revendications 1 ou 2, caractérisée par le fait que la seconde surface déflectrice ( 52) est inclinée par rapport au substrat et en direction du déplacement relatif de celui- ci, ceci de manière à accélérer régulièrement les gaz progressant en direction aval. 4 Installation selon les revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que la largeur des fentes constituant les ouvertures d'éjec- tion des tuyères ( 3, 4, 5) de la buse est égale au moins à 1/10 de mm et au plus à 8/10 de mm. Installation selon les revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que la première ( 51) et la seconde surface ( 52) déflectrices s'étendent, de part et d'autre des tuyères ( 4,5) de la buse, sur une distance comprise entre 10 et 20 fois les dimensions transversales des fentes constituant les ouvertures d'éjection des tuyères.