Brevet FR2512983A1 — publié le 19830318

E 5512983 La présente invention concerne un circuit de ré- glage de courants de gaz destine à une installation de dé- pôt chimique en phase vapeur d'un sxyde à basse température. Plus précisément, elle concerne une installation dans laquelle des organes de réglage d'un débit massique règlent le débit des gaz circulant dans plusieurs injecteurs placés dans le tube réactionnel d'une installation de dépôt chimique en phase vapeur d'un oxyde, sous vide et à basse température. Au cours de la fabrication des dispositifs à semi- conducteur, il est souhaitable de déposer des couches de si- lice qui est une matière diélectrique dense et chimiquement inerte, ayant une grande dureté, une faible conductibilité thermique et une résistance élevée à la diffusion moléculaire. On utilise la silice non seulement comme couche diélectrique intermédiaire dans des dispositifs métalliques multicouches, mais aussi sous forme de silice dopée. On a constaté qu'il était difficile de déposer de la silice sur des substrats semi-conducteurs avec formation de couches uniformes, de bonne qualité, sans défaut et de ma- nière économique La technique a évolué de l'utilisation d'installations atmosphériques à four à parois froides à des installations de dépôt sous vide partiel ou à basse pression dans lesquelles la silice est déposée par oxydation d'un si- lane à la surface de substrats semi-conducteurs chauffés dans une chambre sous vide Dans le cas de couches déposées de silice dopée, des gaz tels que la phosphine sont mélangés à un si- lane qui dépose de la silice dopée Le chauffage des substrats avant dépôt est assuré dans un four classique à diffusion dont le tube de diffusion comporte un dispositif d'évacuation des gaz contenus avant introduction du silane, de la phosphine et d'oxygène Bien que le dépôt à basse pression présente des avantages importants par rapport au procédé à la pression atmosphérique, l'obtention de l'uniformité voulue, sans défaut superficiel, présente des difficultés importantes Le brevet des EtatsUnis d'Amérique no 4 098 923 décrit une installation de dépôt de silice à basse pression ayant un certain nombre de caractéristiques qui améliorent l'uniformité de la couche déposée sur les divers substrats placés verticalement dans le tube de traitement et transversalement à la tranche d'une manière uniforme sur les substrats Les divers dispo- sitifs utilisés selon ce brevet, devant donner cette unifor- mité, mettent en oeuvre un capot associé à la nacelle de support de la tranche afin que la répartition du mélange de gaz sur les substrats portés dans la nacelle soit meilleure. En outre, le mélange de gaz, par exemple le silane et la phosphine, et l'oxygène qui réagit avec eux, sont transmis non à l'extrémité du tube d'une manière connue, mais par des injecteurs disposés le long du tube, près de la nacelle Ces injecteurs ont des orifices placés près de la nacelle afin que les divers gaz parviennent directement dans la zone de dépôt Ce brevet décrit aussi des soupapes et des dispositifs de réglage de débit tels que les débits et les proportions des divers gaz peuvent être réglés. Postérieurement au dépôt du brevet précité, une variante de structure d'injecteur de gaz a été mise au point, plusieurs injecteurs commandés séparément assurant la modi- fication ou le réglage du volume de mélange de gaz transmis dans les différentes zones placées le long du tube Dans un mode de réalisation industriel, cinq injecteurs séparés ont chacun plusieurs trous destinés à transmettre un débit réglé de mélange gazeux à un segment longitudinal du tube Le débit et la répartition de l'oxygène étant moins importants, seuls deux tubes à injecteurs sont destinés à transmettre l'oxygène dans toute la longueur de la zone de traitement Bien que les modes de réalisation industriels de l'installation précitée de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression comportent des débitmètres et des soupapes réglables manuellement pour le réglage des débits vers les divers injecteurs, on sait de façon générale,dans cette technique des installations de dépôt, utiliser des organes de réglage individuels et des débits massiques, pour chacun des injecteurs. L'invention met en oeuvre plusieurs organes de ré- glage de débits massiques destinés à régler le débit de gaz parvenant à chaque injecteur transmettant un mélange de gaz 12983 dans des tubes de traitement Les débits dans tous les in- jecteurs de mélange sauf un sont reliés ou asservis à l'organe de réglage de débits de mélange de gaz de cet injecteur particulier afin que le réglage de l'opération soit facilité De cette manière, les organes asservis de réglage sont réglés pour un pourcentage particulier du débit de l'organe principal qui les commande Les quantités de gaz mélangées dans un distributeur alimentant les divers injecteurs sont réglées d'une manière originale Le débit de phosphine ou de gaz de dopage est réglé par un organe de commande de débit massique alors que le débit de silane transmis au collecteur est réglé par les organes de réglage des injecteurs et il est contrôlé par un débitmètre Le signal de ce dernier, lorsqu'il est comparé au point de consigne du silane, provoque la formation d'un signal d'er- reur utilisé pour le réglage électronique du pointde con- signe de l'organe principal de réglage afin que l'erreur soit compensée Etant donné leur relation avec l'organe principal, les organes asservis subissent aussi une correction Cette di- position permet une régulation simple et efficace du débit de gaz dans l'installation, donnant les débits voulus De même, les débits relatifs transmis aux divers injecteurs peuvent être facilement modifiés afin que l'excellenteuniformité puisse être obtenue sans modification du débit global ou du pourcen- tage du mélange gazeux choisi préalablement La disposition réalisée est telle que les proportions ou quantités des gaz constituants peuvent être modifiées sans modification des propriétés relatives du mélange transmis par les injecteurs individuels. L'invention concerne donc un ensemble perfectionné de distribution de gaz pour une installation de dépôt chimi- que en phase vapeur d'un oxyde, à basse température Elle concerne aussi un ensemble de réglage de gaz pour une telle installation, dans lequel des organes de réglage de débits massiques sont utilisés sur plusieurs injecteurs individuels de gaz afin que des volumes choisis de mélange de gaz soient transmis à des régions espacées le long d'un tube de trai- tement placé sous vide. L'invention concerne aussi une installation de dépôt chimique d'oxyde en phase vapeur et à basse tempéra- ture dans laquelle des -organes de réglage de débit massi- que sont associés aux injecteurs individuels et un organe de réglage de débit massique est utilisé pour l'un des constituants gazeux, un débitmètre étant utilisé pour l'au- tre constituant gazeux de manière que le débitmètre forme un signal d'erreur sensible aux écarts par rapport à un point de consigne, si bien qu'il règle le volume global de gaz transmis par l'organe de commande de débit massique asso- cié aux injecteurs. Elle concerne aussi une installation perfectionnée de dépôt chimique en phase vapeur d'un oxyde, à basse tempé- rature, dans laquelle plusieurs injecteurs de mélange gazeux sont associés au tube de traitement, le débit dans chaque injecteur étant réglé par un organe de réglage de débit mas- sique dont l'un est un organe principal et les autres des organes asservis à l'organe principal. D'autres caractéristiques et avantages de l'inven- tion ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est un schéma en partie sous forme synoptique de l'installation de réglage de débit de gaz se- ion l'invention; la figure 2 est une élévation latérale d'un exemple de tube de traitement destiné à une installation de réglage de débit de gaz selon l'invention, en coupe partielle et avec une partie arrachée; la figure 3 est une vue de bout du tube de la fi- gure 2; la figure 4 est une vue en plan du tube de la fi- gure 2 la figure 5 est un diagramme synoptique du circuit de commande de l'installation de réglage de débit de gaz; et les figures 6 A et 6 B forment ensemble un diagramme synoptique en partie sous forme de schéma électrique du 12983 circuit de commande. Sur les dessins, la figure i est un diagramme synoptique représentant une installation combinée de ré- glage de débit de gaz à four de diffusion portant la réfé- rence générale 12 L'installation comporte un four 13 de diffusion ayant un tube 15 de traitement entouré par un élément 17 de chauffage Le tube 15 est formé de manière classique de quartz ou d'acier inoxydable et il peut être fermé de manière étanche afin qu'il supporte la pression atmosphérique Une première extrémité du tube 15 a un organe étanche de fermeture qui peut être facilement retiré pour l'introduction de nacelles contenant des tranches dans le tube 15 L'extrémité de ce dernier qui est éloignée de l'or- gane 19 a une sortie élargie 21 à laquelle une installation 23 de pompage sous vide peut être reliée Le brevet des Etats-Unis d'Amérique n' 4 228 004 décrit en détail une telle installation de pompage sous vide. L'installation 12 comprend un ensemble 25 d'alimen- tation en gaz permettant la transmission de quantités ré- glées de gaz au tube 15 Dans un exemple d'installation de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression et basse température, un dispositif transmet divers gaz tels que le silane Si H 4 et des gaz de dopage tels que la phosphine PH 3. La matière de dopage est souvent mélangée préalablement dans la bouteille d'alimentation en gaz avec un véhicule gazeux tel que l'azote ou l'argon qui ne participe pas à la réac- tion En outre, il faut que de l'oxygène et, en alternance, de l'azote soient transmis au tube 15 Comme l'indique le schéma de la figure 1, des réserves sous pression de gaz nécessaires tels que le silane, la phosphine, l'oxygène et l'azote, sont par exemple des récipients métalliques reliés par des raccords convenables d'acier inoxydable à l'ensemble 25. Plusieurs tubes 27 à injecteur représentés claire- ment sur les figures 2 à 4 répartissent le silane ou le mé- lange de silane et de phosphène dans le tube 15 Cinq tubes 27, portant les références 27 a à 27 e, sont répartis dans le quadrant supérieur de 90 du tube 15 comme indiqué sur la 12983 figure 3 Les tubes 27 a à 27 e ont des parties qui dépassent à l'extérieur du tube 15 par la paroi i 5 a d'extrémité près du passage 21 d'évacuation En outre, les tubes pénètrent à l'intérieur du tube 15 à des distances variables comme l'in- dique la figure 4 Les extrémités internes de quatre des tubes ont des parties en Z 27 f à 27 i, le tube central 27 c ayant une partie rectiligne d'extrémité 27 j Les parties des tubes 27 placées le long de l'axe central du tube 15, au- dessus de la figure 4, sont perforées et forment des orifices de distribution de gaz, espacés tout le long de la partie centrale du tube 15 L'injecteur 27 c n'a des perforations qu'à son extrémité interne si bien que chaque tube 27 a une partie perforée de longueur de l'organe de 15 à 18 cm, don- nant une longueur totale de distribution de gaz d'environ 75 à 90 cm Les tubes 27 sont reliés par des conduits in- dividuels 29 et des électrovannes 31 d'arrêt à des organes de réglage de débit massique 33 à 37 Ces organes de réglage peuvent être de tout type disponible dans le commerce, per- mettant un réglage précis de petits volumes de gaz, mais ils peuvent aussi être du type décrit dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique no 193 876 déposée le 3 octobre 1980 par Doyle Ces organes de réglage sont reliés par des conduits 39 à un distributeur 41 dans lequel divers gaz réactifs peu- vent être mélangés. Un conduit 43, destiné à transmettre le silane au distributeur 41, relie par l'intermédiaire d'une électrovanne et d'un débitmètre massique 47, une réserve 49 de silane. De manière analogue, un conduit 51 relie le distributeur 41 à la réserve 57 de phosphine par une vanne d'arrêt 53 et un organe 55 de réglage de débit massique. Avant la description du détail de l'installation de réglage de débit massique, il faut citer rapidement pourquoi cinq tubes 27 à injecteur sont utilisés Comme indiqué précé- demment, le dépôt de silice à faible température et pression est très rapide et de réglage difficile Comme l'indique le brevet précité des Etats-Unis d'Amérique N O 4 098 923, la nacelle contenant les tranches peut avoir un capot ayant des orifices de dimension limitée et elle tend à régulariser la répartition du gaz sur les tranches supportées Cependant, même lors de l'utilisation d'un capot et d'injecteurs placés sur la longueur de la zone de support des plaquettes, l'ob- tention d'un dépôt uniforme sur toutes les tranches sur toute la longueur du tube et d'un dépôt uniforme sur toute la sur- face de chaque tranche qui est normalement perpendiculaire à l'axe du tube pose des problèmes 'On sait réaliser plusieurs tubes séparés à injecteur tels que les tubes 27 a à 27 e, per- mettant la variation des quantités des gaz réactifs dans diverses Parties de la longueur du tube Les installations connues met- tent en oeuvre soit des soupapes à commande manuelle pour chaque injecteur soit, dans certains cas, des organes de ré- glage de débit massique qui peuvent être réglés à des débits choisis pour chaque tube Cependant, le diagramme d'écoulemènt dans les divers tubes doit être déterminé empiriquement et paraît dépendre de nombreuses inconnues reliant les diagrammes d'écoulement du gaz, les différences de températures et ana- logue, les relations paraissant difficiles à établir et ré- gler Etant donné la nature empirique de l'établissement d'un diagramme optimal de circulation, il est souhaitable dé disposer de la plus grande souplesse pour le réglage des dé- bits relatifs dans les différents tubes et il est souhai- table de pouvoir faire varier le débit-global ou la compo- sition du mélange gazeux sans modification des proportions relatives dans les divers injecteurs Comme l'indique la description qui suit, le montage d'organes de réglage de débit sur les divers tubes des injecteurs et le dispositif de commande associé donnent une souplesse bien supérieure à celle de toutes les installations connues, avec d'autres avantages importants. L'oxygène parvient au tube 15 par un tube unique 59-placé au centre du fond du tube comme l'indiquent les figures 2 et 3 Le tube 59 a desorifices sur sa longueur et une partie 59 a d'extrémité traversant la paroi 15 a et il est relié par un conduit 61, une électrovanne 63 d'arrêt et un organe 65 de réglage de débit massique à la réserve 67 d'oxygène Une réserve 69 d'azote utilisé pour la purge de l'installation et pour d'autres opérations, est reliée par une électrovanne 71 et un conduit 73 au conduit 61 qui transmet aussi l'oxygène au tube 59 - Avant la description des détails du circuit de com- mande de l'installation 25, il faut-noter plusieurs carac- téristiques importantes de l'installation D'abord, l'organe 33 de réglage de débit massique qui règle le débit F 1 cons- titue l'organe principal de réglage des injecteurs, les quatre autres organes de réglage 34 à 37 (qui règlent les débits F 2 à F 5) ayant des commandes qui lient leur débit au débit F 1, sous forme d'un pourcentage Ainsi, les commandes du point de con- signe des organes 34 à 37 fixent le pourcentage du débit F 1 qui correspond aux débits F à F respectivement. 2 petiemnt La seconde caractéristique essentielle de l'instal- lation est que le débit de silane n'est commandé que par les organes 33 à 37, sur les injecteurs individuels, un seul débit- mètre massique 47 étant placé dans la canalisation de silane si bien qu'il n'existe pas un seul organe de réglage pour ce débit La phosphine est réglée par un organe séparé 55. Les avantages présentés par des caractéristiques de l'invention concernent la souplesse d'utilisation qui permet le réglage de rapports de débits dans les divers injecteurs sans modification de la quantité globale ou du mélange du gaz tout en permettant des changements de la quantité globale ou du mélange sans modification des rapports correspondant aux injecteurs séparés. Lorsqu'on considère les fonctions remplies par l'installation 25, il est utile-d'analyser les relations entre les débits de gaz présents à différents emplacements de l'installation Par raison de simplicité, on considère que le débit total des gaz constituants est égal à FT, les débits individuels de silane et de phosphine étant représentés par F(Si H 4) et F(PH 3) respectivement Avec ces définitions, la relation entre ces débits de gaz peut-être représentée par l'équation ( 1) ( 1) FT F(Si H 4) + F(PH 3) Comme le débit total du gaz transmis au distribu- teur 41 est aussi evacue par les injecteurs individuels 27 a à 27 e, il est évident que le débit total de gaz est égal à la somme des débits dans les divers injecteurs Si l'on représente par Fl à F 5 les débits dans les injecteurs 27 a à 27 e respectivement, la relation entre le débit total et le débit des injecteurs est: ( 2) FT = F 1 + F 2 + F 3 + F 4 + F 5 Si l'on porte l'équation ( 1) dans l'équation ( 2), on obtient l'équation ( 3): ( 3) F(Si H 4) + F(PH 3) = + F + F+ F + 5 4 3 2 F 3 4 F 5 Comme décrit plus en détail en référence au schéma du circuit de commande, les débits de gaz transmis aux injec- teurs 27 b à 27 e, portant les références F'2 F 5 sont réglés sous forme d'un pourcentage du débit dans l'injecteur 27 a, c'est-à-dire de F 1 L'opération est réalisée par réglage d'un potentiomètre étalonné de 0 à 100 % pour chaque débit ces pourcentages sont considérés comme les points de consigne des divers organes de réglage asservis de débit et sont re- présentés par SP 2, SP 3, SP 4 et SP 5, représentant les points de consigne des organes 34, 35, 36 et 37 Ainsi, les débits des injecteurs ou des organes asservis peuvent être représentés par les équations 4 a à 4 d ( 4) a F 2 = SP 2 (%) x F 1 i b F 3 = SP 3 (%) x F 1 c F 4 = SP 4 (%) x F 1 d F 5 = SP 5 (%) x F 1 Si l'on porte les valeurs ainsi obtenues pour F 2 à F 5 dans l'équation ( 3) et si l'on met F 1 en facteur à droite, on obtient l'équation ( 5) ( 5) F(Si H 4) + F(PH 3) = (SP 2 + SP 3 + SP 4 + SP 5 + 1) F 1 Si l'on représente cette équation en fonction de F 1, on obtient: F(Si H 4) + F(PH 3) ( 6) F 1 = SP 2 + SP 3 + SP 4 + SP 5 + 1 Un débitmètre 47 qui contrôle le débit de silane de la réserve 49 au distributeur 41 assure un réglage précis 12983 du débit de silane F(Si H 4) Comme décrit en détail en réfé- rence au schéma des figure 6 A et GB, le circuit de commande comprend un dispositif sélecteur du débit de silane, formant le point de consigne de silane, et les organes de réglage de débit des divers injecteurs régulent alors les débits res- pectifs afin que le débit choisi de silane soit obtenu Le débit réel de silane mesuré par le débitmètre 47 est comparé au point de consigne correspondant afin qu'il forme un signal d'erreur qui peut être utilisé pour la correction des débits des injecteurs et le rééquilibrage de l'installation, si bien que la précision et la vitesse de la réponse de l'ins- tallation en cas de correction sbnt améliorées Il faut aussi noter que, lorsque l'erreur sur le débit est au-delà de l'ap- titude de l'installation à assurer la correction, du fait d'un organe de réglage bloqué ou d'un réglage erroné d'un point de consigne asservi, un signal d'erreur est créé et commande une lampe-témoin indiquant à l'opérateur que le dé- bit est inférieur au point de consigne. L'utilisation du signal d'erreur pour le rééquili- brage des débits peut être représentée dans une version mo- difiée de l'équation ( 6) indiquant que le signal d'erreur est ajouté ou soustrait au débit total F(Si H 4) + F(PH 3) (erreur Si H 4 ( 7) F 1 =P 2 + SP 3 + SP 4 + SP 5 + 1 Si le débit dosé par le débitmètre 47 correspond au débit de consigne de silane, le signal d'erreur est évi- demment nul et l'expression de l'erreur Fi H 4 est égale à zéro - Dans le cas contraire, le débit F 1 est modifié afin qu'un réglage élimine l'erreur. On se réfère maintenant au diagramme synoptique de la figure 5 pour la description des fonctions étudiées par les diverses parties du circuit de commande Un réglage du gain du point de consigne portant la référence 100, 102, 104 et 106 respectivement est associé à chaque organe asservi 34 à 37 Ces commandes individuelles transmettent un signal sous forme d'une tension dans des lignes 108, 110, 112 et 114 1 l vers les organes respectifs 34 à 37, afin que les débits sous forme des pourcentages choisis du débit F 1 réglé par l'organe principal 33 soient formés Comme décrit en détail en référence aux figures 6 A et 6 B, chaque commande du gain du point de consigne comprend une commande de réglage qui permet la sélection d'un débit compris entre O et 100 % du débit F, dans les organes respectifs de réglage du débit massique. Les signaux des organes de commande de gain sont aussi reliés à des calculateurs 116, 118, 120 et 122 de pourcentage, par des connecteurs 132, 134, 136 et 138 res- pectivement Une tension égale au débit F 1 est aussi trans- mise aux commandes 'LO, 102, 104 et 106 par les connecteurs 124, 126, 128 et 130 respectivement Les commandes de gain assurent la multiplication de la tension représentant F 1 par le pourcentage particulier et forment des tensions de sortie proportionnelles aux débits F 2 à F 5 respectivement, comme l'indiquent les équations ( 4 a) à ( 4 d) Ces tensions de débit sont transmises aux organes asservis 34 à 37 par des fils 108, 110, 112 et 114. La tension représentative du débit F 1 parvient aussi par des connecteurs 140, 142, 144 et 146 aux calculateurs 116 à 122 Ces derniers transmettent des signaux qui sont proportionnels au rapport des débits dans les organes asser- vis 34 à 37 et du débit dan l'organe principal 33, le rapport pouvant avoir lieu entre O et 1 puisque les débits des or- ganes asservis 34 à 37 (F 2 à F 5) ne peuvent jamais dépasser le débit de l'organe principal 33 (F 1) Ces rapports qui représentent les points de consigne SP 2 à SP 5 sont repré- sentés chacun par des signaux compris entre O et 1 V, par- venant à un amplificateur 148 de sommation par l'intermé- diaire de connecteurs 150, 152, 154 et 156 dans lesquels ils sont ajoutés à un signal de référence de 1 V provenant d'une source 158 Ce signal est représentatif du débit 100 % com- mandé par l'organe 33 de réglage principal. Le signal de sortie de l'amplificateur 148 égal au dénominateur de l'équation ( 6) est transmis par un connecteur 160 au circuit diviseur 162 Celui-ci reçoit aussi un signal égal à la somme des signaux des points de consigne de phosphine et de silane et d'erreur de silane par un connecteur 164 La division du débit total par la somme des points de consigne des organes asservis augmentée d'une unité forme, à la sortie du circuit diviseur 162, une ten- sion égale au débit voulu F 1 dans l'organe principal 33 com- mé l'indique l'équation ( 6) Un amplificateur additionneur 166, destiné à former le signal précité de débit total FT reçoit une tension égale au point de consigne de phoshine par le connecteur 168, une tension égale au point de consigne du silane par le connec- teur 170 et un signal d'erreur de signal par le connecteur 172 Ce dernier signal est formé dans l'amplificateur 174 qui reçoit la tension du point de consigne de silane par un-con- necteur 176 et un signal égal au débit réel de silane comme indiqué par le débitmètre 47, par un connecteur 178 L'am- plificateur 174 d'erreur compare la tension de consigne de silane au signal de sortie du débitmètre 47 et forme le si- gnal d'erreur qui est transmis par le connecteur 172-àl'am- plificateur 166 Une seconde sortie de l'amplificateur 174 alimente une diode photoémissive 180 destinée à indiquer une erreur, par l'intermédiaire d'un connecteur 181 afin qu'un signal visuel soit formé lorsque l'erreur sur le silane dé- passe une valeur prédéterminée et ne peut pas être corrigée. Le signal de sortie du circuit diviseur 162, comme indiqué précédemment, est une tension égale au débit F 1 ou au débit total divisé par la somme des points de consigne des organes asservis, ajoutée à 1, comme l'indique l'équation ( 6). Ce signal parvient par le connecteur 182 aux commandes 100 à 106 de gain et aux calculateurs 116 à 122 comme indiqué sur les figures 6 A et 6 B Un autre connecteur 184 transmet la tension F 1 à l'organe principal 33. La description qui précède montre entièrement comment les organes 33 à 37 de réglage de débit massique des injec- teurs individuels, l'organe 55 de réglage de débit massique de phosphine et le débitmètre 47 de silane sont reliés fonc- 12983 l 3 tionnellement dans l'installation 25 de réglage de gaz. Les figures 6 A et 6 B représentent le circuit particulier utilisé pour ces fonctions Il faut noter que des variantes ou d'autres circuits peuvent être utilisés pour l'exécution -de ces fonctions. Dans le mode de réalisation particulier considéré, réalisé selon l'invention, les organes de réglage du débit massique ont diverses capacités de débit et peuvent régler les débits dans les injecteurs individuels ainsi que les débits de phosphine et d'oxygène Dans les applications du type considéré, on utilise une tension normalisée de réglage correspondant au débit maximal dans chaque organe de comman- de, cette tension étant de 5 V dans le cas considéré Dans le cas des organes de réglage 33 à 37, le débit maximal est de 50 cm 3/min dans les conditions normales pour une tension de commande de 5 V L'organe de réglage du débit massique de phosphine est étalonné pour un mélange contenant 15 % de phosphine, 85 % d'azote, et son débit maximal est de cm 3/min dans les conditions normales pour une tension de commande de 5 V Le débitmètre du silane forme une ten- sion de 5 V pour le débit maximal de 150 cm /min de silane dans les conditions normales La description qui précède montre clairement que les débits dans les différents organes et dans le débitmètre du silane ne sont pas tous égaux pour une même tension decommande Si l'on considère d'abord la phosphine, le rapport du débit à l'amplitude du signal est de 20 cm 3/V alors que, dans les injecteurs individuels, le rapport est de 10 cm /min par volt En ce qui concerne le silane, le rapport est de 30 cm /min par volt Dans 1 ' analyse qui précède de l'ensemble 25 de réglage de débit, on a indiqué que les tensions des signaux étant propor- tionnelles aux débits, pour les diverses fonctions exécutées par les différentes parties du circuit Dans l'analyse qui suit, il faut noter que des circuits multiplicateurs sont utilisés afin qu'ils compensent l'absence de correspondance entre les rapports des débits à 1 'amplitude des signaux, dans les divers organes de réglage de débit massique et dans le débitmètre. On considère maintenant les figures 6 A et 6 B et d'abord le circuit associé aux commandes du gain des points de consigne 100, 102, 104 et 106 Comme toutes les commandes sont identiques, on ne décrit en détail que la commande relative au débit dans l'organe 34, c'est-à-dire au débit F 2 Le cadre interrompu 100 de la figure 6 A entoure deux amplificateurs opérationnels A-3 et A-4 qui forment chacun une partie d'un amplificateur opérationnel quadru- ple LM 324 N de National Semiconductor Le premier de-ces amplificateurs portant la référence 190 a son entrée po- sitive ou de non-inversion reliée par une résistance de 47 kiloohms à la masse alors que l'entrée négative ou d'inversion est reliée par une résistance de 100 kiloohms aux connecteurs 124 et 182 et à la sortie du circuit divi- seur 162 Cette connexion transmet une tension à la borne négative ou d'inversion de l'amplificateur 190 qui est égale à la tension F 1 La borne d'inversion de l'amplificateur est reliée par une résistance de réaction de 100 kilo- ohms à laborne de sortie L'amplificateur 190 transmet la tension négative ou inversée F 1 à la sortie. Ce signal inversé de sortie est transmis par un fil 192 à une résistance de 10 kiloohms et à la borne d'inversion d'un second amplificateur opérationnel 194 qui est aussi une partie d'un amplificateur opérationnel qua- druple LM 324 N L'entrée de non-inversion de l'amplificateur 194 est reliée par une résistance de 10 kiloohms à la masse. * L'entrée d'inversion de l'amplificateur 194 est reliée sous forme d'une-boucle de réaction, à la sortie Par une résis- tance variable 196 Celle-ci a une valeur comprise entre 0 et 20 kiloohms et permet ainsi la variation du gain de l'amplificateur 194 entre O et -1. La résistance variable 196 constitue la commande de point de consigne SP 2 de l'organe ? 4 et elle est étalonnée en pourcentage de O à 100 % Pour le réolago %, la totalité de la résistance de 20 kiloohms est disposée entre les bornes 6 et 7 si bien qu'une simple 12983 inversion avec un gain unité est assurée dans l'amplifi- cateur 194 Si l'on veut que le débit dans l'organe 34 soit égal au débit dans l'organe 33, l'organe principal, la résistance variable 196 est mis à sa valeur maximale si bien que l'amplificateur 194 a un gain d'inversion égal à 1 si bien qu'une tension positive égale à F 1 est transmise à la sortie Le signal de sortie de la commande 100 de gain du point de consigne F 2 est transmis par le fil 108 d'un multiplexeur- démultiplexeur analogique 198 à deux canons CD-4053 B de National Semiconductor Le signal transmis au multiplexeur 198 par le fil 108 parvient finalement à l'or- gane asservi 34 de réglage de débit massique Le signal de sortie de la commande 100 parvient aussi par un fil 132 au calculateur 116 dans lequel il est utilisé comme l'une des composantes pour le calcul du débit F 1 dans l'or- gane principal 33. Le calculateur 116 de pourcentage utilisé avec l'organe 34 de réglage a une structure et un fonctionnement identiques à ceux des autres calculateurs 118, 120 et 122 si bien qu'on ne décrit que le circuit du calculateur 116 en détail. Le calculateur 116 de pourcentage de point de consigne comprend un amplificateur opérationnel 200 et un circuit diviseur 202 à deux quadrants sous forme d'un circuit intégré L'amplificateur 200 est une partie d'un circuit LM 324 N de National Semiconductor, et le circuit diviseur 202 est un circuit AD 535 de Analog Devices Le fil 132 transmet la tension d'entrée F 2 par une résistance de 90,9 kiloohms à la borne de non-inversion 5 de l'ampli- ficateur 200 qui est aussi relié par une résistance de kiloohms à la masse La borne d'entrée d'inversion 6 de l'amplificateur 200 est reliée par une boucle de réac- tion ayant une résistance de 10 kiloohms à la borne de sortie 7 Grâce à cette disposition, la tension de sortie F 2 est atténuée d'un facteur 10 et elle est transmise par le fil 204 à la borne du circuit diviseur 202, et la tension F 1 est transmise par les fils 182 et 140 à la borne du circuit diviseur 202 Celui-ci a une configuration interne telle que le signal transmis à la borne est multiplié par 10 et est divisé par le signal et il forme le quotient à la borne de sortie, comme représenté. Etant donné-que le signal de tension F a été atténué afin qu'il forme le dixième de la tension F 2 à la sortie de l'amplificateur 200 et est multiplié par 10 dans le cir- cuit diviseur 202, le signal de sortie transmis au fil 150 par le calculateur 116 est le rapport du signal F 2 au signal F 1 ou est égal au pourcentage du point de consigne SP 2 destiné à l'organe asservi 34. La sommation des signaux des points de consigne, compris entre O et 1 dans tous les cas, est assurée par un amplificateur 148 Celui-ci comporte quatre amplifica- teurs opérationnels 206, 208, 210 et 212 qui sont chacun une partie d'un seul amplificateur opérationnel quadruple LM 324 N de National Semiconductor Les signaux de sortie des calculateurs 116 et 118 sont transmis par des résistances 205 et 207 de 100 kiloohms et par des fils 150 et 152 à la borne d'entrée de non-inversion de l'amplificateur 206. Le signal de la borne commune des résistances 203 et 207 estla moyenne des tensions provenant des calculateurs 116 et 118 La borne d'inversion de l:amplificateur 206 est reliée par une résistance de 100 kiloohms à la masse et, par une boucle de réaction ayant une résistance de 100 kiloohms, à la borne de sortie 14, si bien que le gain donné est égal à 2. La formation de la moyenne des deux signaux des calculateurs 116 et 118 et sa multiplication par deux donnent la somme des deux signaux De manière analogues, les fils 154 et 156 de sortie des calculateurs 120 at 122 sont reliés par des résistances 209 et 211 de 100 kiloohms à la borne de non- inversion de l'amplificateur opérationnel 208, danis l'am- plificateur 148, afin que la somme des signaux des calcula- teurs 120 et 122 soit formée L'amplificateur 208 a aussi une entrée d'inversion reliée par une résistance de 100 kilo- ohms à la masse et, par une boucle de réaction ayant une résistance de 100 kiloohms à la borne de sortie Les signaux des amplificateurs 206 et 208 sont transmis par des fils 214 et 216, ainsi que par des résistances de 100 kiloohms à l'entrée de non-inversion de l'amplificateur opération- nel 212 L'entrée d'inversion de ce dernier est relié par une résistance de 100 kiloohms à la masse et par une boucle de réaction à résistance de 100 ki loohins à la borne de sor- tie La sortie de l'amplificateur 212 est reliée par un fil 218 et une résistance de 100 kiloohms à l'entrée de non- inversion de l'amplificateur 210. Un signal de 1 V formé par un générateur de réfé- rence 158 de 1 V, comprenant une résistance de 680 ohms re- liée à la masse par une diode de Zener 220 disponible dans le commerce sous la référence 1 N 746 auprès de Motorola, ayant un potentiel de claquage de 3,3 V, est aussi transmis à l'entréede l'amplificateur 210 Le signal de 1 V est prélevé par un potentiomètre 222 qui est monté en parallèle à la diode 220 Le signal de l V est transmis par un fil 224 et une résistance de 100 kiloohms à la borne d'entrée de non-inversion de l'amplificateur 210 L'entrée d'inver- sion de celui-ci est reliée à la masse par une résistance de 100 kiloohms et à la borne de sortie par une boucle de réaction ayant une résistance de 100 kiloohms Comme les amplificateurs opérationnels 206, 208 et 212, l'amplificateur 210 reçoit la moyenne des deux signaux d'entrée à l'entrée d'inversion et, avec un gain de 2, il forme un signal de sortie égal à la somme des deux signaux d'entrée Le signal de sortie de l'amplificateur 210 est transmis au fil 160 de sortie et forme un signal égal à la somme des points de consigne des organes 34 à 37 de réglage, augmentée d'une unité, ce signal étant transmis au circuit diviseur 162. Le circuit diviseur 162 comporte un amplificateur opérationnel 230 tel que UA 747 CN de Texas Instruments et un circuit diviseur 232 à deux quadrants sous forme d'un circuit intégré qui peut être du type AD 535 de Analog Devices. Le fil I-64 d'entrée dans l'amplificateur 230 est relié à la borne d'inversion et il transmet un signal égal à la somme du signal du silane et ou signal de la phosphine avec en 12983 outre le signal d'erreur de silane avec en outre, comme l'indique l'équation ( 7) en numérateur /F(Si H 4) + F(PH 3) (erreur Si H 4)7 Un fil 164 est relié à l'entrée de non-inversion de l'amplificateur 230 par une résistance de 37,4 kiloohms, la borne d'entrée étant reliée à la masse par une résistance de 16,2 kiloohms La borne d'inversion de l'amplificateur 230 est reliée à la borne de sortie par une boucle de réaction ayant une résistance de 15 kiloohms Le signal transmis par le fil 164 est atténué si bien que le signal de sortie de l'amplificateur 230 correspond aux trois dixièmes de la tension représentant le débit total, comme indiqué au numérateur de l'équation ( 7). Le signal de sortie de l'amplificateur 230 est transmis à la borne Z 2 par un fil 234 alors que le signal de sortie de l'amplificateur 148 est transmis par un fil 160 à la borne Xl du circuit diviseur 232 Ce dernier qui est un circuit intégré comme représenté, multiplie le signal d'entrée de la borne Z 2 par 10-et forme le numérateur qui est égal à trois fois le signal du débit total afin qu'il donne une atténuation des trois dixièmes en association avec l'ampli- ficateur 230 Cette multiplication du signal de débit total FT par un facteur égal à 3 est nécessitée par la différence entre les réponses des organes de réglage 33 à 37 par rapport au débitmètre 47 du silane Comme les organes de réglage-de débit ont une réponse de 10 cm par minute par volt alors que le débitmètre a une réponse de cm par minute par volt, la tension représentant FT doit être multipliée par trois afin qu'elle soit reliée au débit réel sur une base comparable ou normalisée utilisée pour les injecteurs Le signal de sortie du circuit divi- seur 232 est transmis par un circuit tampon 236 sous forme d'un amplificateur opérationnel de gain unité, et il est égal à Fl comme l'indique l'équation ( 7) Ce signal égal à F parvient alors par un fil 184 au multiplexeur 198 à partir duquel il commande l'organe 33 de réglage du débit massique principal Ce signal du circuit diviseur 162 parvient aussi par un fil 182 aux calculateurs 116, 118, et 122 et aux commandes i 00, i 02, 104 et 106, dans le but indiqué précédemment. L'amplificateur 174 d'erreur et l'amplificateur 166 d'addition de points de consigne sont destinés à transmettre le signal de débit total de gaz au circuit diviseur 162 avec le signal d'erreur L'amplificateur 174 comprend des amplifi- cateurs opérationnels 240 et 242 L'amplificateur 240 est une partie d'un amplificateur opérationnel quadruple LN 324 N de National Semiconductor et l'amplificateur 242 est du type LM 741 CN de National Semiconductor Lm borne d'entrée de non-inversion de l'amplificateur 240 reçoit une tension égale au point de consigne du silane, transmis par le fil 244 et une résistance de 10 kiloohms à l'entréede non- inversion Une résistance de 200 kiloolhms est montée entre l'entrée de non-inversion de l'amplificateur 240 et la masse Le fil 178 transmet le signal du débitmètre 47 à l'entrée d'inversion par une résistance de 10 kiloohms. L'entrée d'inversion est reliée par une boucle de réaction ayant une résistance de 200 kiloohms C la borne de sortie si bien que l'amplificateur 240 a un gain égal à 20 Cet amplificateur joue le rôle d'un amplificateur différentiel comparant le signal de point de consigne du silane au signal du débitmètre du silane et forme un signal d'erreur égal à la différence entre les deux signaux multipliée par un facteur de 20 Ce signal de sortie parvient par une ré- sistance de 100 kiloohmîs au fil 172 et à l'amplificateur de sommation. L'autre amplificateur 242 reçoit le signal de point de consigne de silane à son entrae de non-inversion par l'intermédiaire d'une résistance de 10 kiloohms et le signal du débitmètre de silane provenant du fil 178 qui est relié, par une résistance de 10 kiloohms, à l'entrée d'inversion, une résistance de 120 ohms étant montée entre les deux bornes d'entrée La borne de sortie est reliée à la connexion d'une résistance de 56 kiloohms polarisée à + 15 V et d'une résistance de 560 ohms, la résistance de 56 kiloohms étant reliée par un fil 181 à une lampe témoin à diode photoémissive Lorsque le signal du débit- mètre de silane est inférieur au point de consigne du silane d'une quantité à peu près égale à 0,20 V ou plus, la tension entre les bornes d'entrée de l'amplificateur 242 provoque la commutation du comparateur à une source de tension positive afin que la diode 180 soit polarisée dans le sens direct. L'amplificateur 166 de sommation de points de consigne comprend trois amplificateurs opérationnels 260, 262 et 264 formés chacun par une partie d'un amplificateur opérationnel quadruple LM 324 N de National Semiconductor. Le fil 168 d'entrée reçoit une tension égale au signal du point de consigne de l'organe 35 de réglage -du débit massique de phosphine Le fil 168 est relié à l'entrée de non-inversion de l'amplificateur 260 par une résistance de 63,4 kiloohms, cette même borne étant aussi reliée à la masse par une résistance de 33,2 kiloohms La borne d'in- version de l'amplificateur est reliée à la borne de sortie par une résistance de réaction de 33 kiloohms Ce circuit donne une atténuation de 0,34 au signal représentant le- point de consigne de la-phosphine Cette atténuation est nécessaire afin que les signaux de la phosphine et du silane soient égaux et puissent correspondre tous les deux a cm /min et par volt La tension de consigne du silane et la tension égalisée ou atténuée de la phosphine sont ajoutées dans un amplificateur 266 de sommation non inverseur qui comporte deux résistances de 100 kiloohms montées en série 266 a et 266 b qui forment une tensiçn intermédiaire des deux tensions appliquées La sortie de l'amplificateur 260 est reliée par un fil 268 à l'unedes résistances 266 a de kiloohms et la tension de consigne du silane est trans- mise à la résistance 266 b de 100 kiloohms par un fil 170. Le point de connexion des deux résistances 266 a et 266 b est-relié à l'entrée de non-inversion de l'amplificateur 262 L'entrée d'inversion est reliée à la masse par une ré- sistance de 100 kiloohms et à la borne de sortie par une boucle de réaction ayant une résistance de 100 kiloohms. 12983 21. L'amplificateur 262 ainsi monté donne un gain égal à deux si bien que la-tension est égale à La somme des tensions de consiane de silane et de phospbine Le signal provenant de l'amplificateur 266 est égal à la moyenne des deux signaux d'entrée qui, lorsqu'elle est multipliée par deux, est égale à la somme des signaux d'entrée. L'amplificateur 264 a son entrée de non-inversion reliée à la sortie de l'amplificateur 262 par une résistance 265 de 100 kiloohms alors que le fil 172 relie l'entrée de non inversion de l'amplificateur 264 à la sortie de l'am- plificateur 240 par une résistance 267 de 100 kiloohms Les résistances 265 et 267 forment un amplificateur de sommation, la borne commune étant reliée afin qu'elle transmette la moyenne des signaux de sortie des amplificateurs 262 et 240 aux bornes d'entrée de non-inversion de l'amplificateur 264. L'entrée d'inversion de celui-ci est reliée à la masse par une résistance de 100 kiloohms et à la borne de sortie par une boucle de réaction ayant une résistance de 100 kilo- ohms Le gain de l'amplificateur 264 est alors égal à deux si bien que le fil 164 de sortie transmet au circuit divi- seur 162 un signal égal au débit total FT du silane et de la phosphine, avec, en plus ou en moins, le signal d'erreur de silane. Deux multiplexeurs analogiques 198 et 298 de type CD 4053 de National Semiconductor sont destines à commander la transmission des signaux de réglage du circuit diviseur 162 et des commandes 100, 102, 104 et l 106, et ils commandent essentiellement la mise en route et l'arrêt de l'installation. Ces multiplexeurs 198 et 298 sont des cormmutateurs analogi- ques à commande numérique ayant une faible impédance lors- qu'ils sont en circuit et de très faible courant de fuite lorsqu'ils sont hors circuit. Avant la mise en route, le signal de consigne de silane qui peut varier entre O et 5 V est transmis par un potentiomètre (non représente) dispose à un panneau de com- mande à un fil 300 qui est relié à la borne 12 (A 0) du mul- 12983 tiplexeur 298 Le signal de sortie apparaît à la borne 14, AZ lorsque la tension de sélection logique de la broche 11 est à un faible niveau Avant que le dépôt commence, le signal de validation qui a un niveau élevé est transmis par un fil 302 aux broches 9, 10 et 11 des multiplexeurs 298 et 198 par l'intermédiaire d'une résistance de 2,4 ohms qui est aussi reliée à la masse par une résistance de 4,7 kiloohms Le signal de validation est aussi transmis à des transistors 304 et 306 par un fil 308 et deux résis- tances, une résistance de 2,7 kiloohms qui est reliée à la base du transistor 304 qui est un transistor PNP TIP 125 de Texas Instruments et une résistance de 33 kiloohms reliée à la base du transistor 306 qui est un transistor NPN 2 N 2219 Fairchild Pendant le fonctionnement normal, les organes 33 à 37 de réglage des débits massiques sont reliés à une alimen- tation à 12 V 310 par des fils 312 Pendant que le signal de non validation du fil 308 est à un niveau élevé, le transistor 304 est polarisé à l'état non conducteur et le transistor 306 conduit si bien que le fil 312 est maintenu au potentiel de la masse, les organes 33 à 37 restant alors fermés si bien qu'ils n'exécutent aucune recherche ou os- cillation. Avant la mise en route, une tension négative d'en- viron 0,6 V provenant de la broche 7 est transmise à la broche 11 par un conducteur 314 qui relie les broches 7, 13, 1 et 3 des deux multiplexeurs 198 et 298 Pendant que le signal de validation a un niveau élevé, le signal de sortie de la broche 14 est la tension de -0,6 V provenant de la broche 13 qui est transmise à l'amplificateur 174 d'erreur et à l'amplificateur 166 d'addition par un fil 316 Pendant que la tension négative de 0,6 V est transmise à l'amplificateur 242 de l'amplificateur d'erreur 174, une tension négative est transmise à l'indicateur 180 d'erreur si bien qu'aucune erreur n'est signalée. Lorsque le dépôt commence, le signal de validation transmis par les fils 302 et 308 passe à un faible niveau 12983 et le potentiel de la masse est appliquee aux bases des transistors 304 et 306 dont le premier conduit-et le se- cond passe à l'état non conducteur, la tension de 12 V parvenant aux organes 33 à 37 de réglage de débit massique. En outre, le signal de validation provoque alors la trans- mission par les multiplexeurs 198 et 298 des signaux de consigne provenant des fils 184, 108, 110, 112 et 114 aux organes respectifs 33 à 37 de réglage Ainsi, les multi- plexeurs 198 et 298 maintiennent en position fermée les organes de réglage jusqu'à ce que le dépôt commence Cette condition est importante car une mise en route progressive est presqu'essentielle dans de nombreuses opérations de dépôt chimique en phase vapeur, notamment les dépôts d'oxyde à basse température. La description qui précèded'un modeiede réalisation avantageux de l'invention concerne une installation per- fectionnée de réglage des débits de gaz utilisés dans une opération de dépôt chimique en phase vapeur Comme les problèmes posés par l'obtention d'un dépôt uni- forme de couches d'oxyde sur toute la longueur de la zone de traitement et transversalement au diamètre, sur les tranches traitées, sont importants, il est essentiel que dans l'appareil, les débits des mélanges gazeux circulant dans les injections individuelles puissant être modifiés afin que les variations précitéas puissent être compensées et éliminées L'utilisation d'organes de réglage de débit massique sur chaque injecteur améliore cette situation. Cependant, aucune des installations connues ne permet en pratique la résolution des prebièmes posés par ces situa- tions, par variation du mélange gazeux et variation du débit total de gaz, sans modification des pourcentages relatifs des gaz transmis par les divers injecteurs Grace à cette relation maître-esclave entre les divers injecteurs, l'installation a une souplesse bien plus grande que celle des installations connues Les disoositifs remplissant les fonctions voulues sont simples, très commodes en pratique et de faible coût. 12983 REVENDICATIONS 1 Circuit de circulation de gaz, caractérisé en ce qu'il comprend deux sources réglées ( 49, 57) de gaz à mélanger et à introduire dans une zone de réaction, l'une des sources étant commandée par un organe ( 55) de réglage de débit massique et l'autre source étant un débitmètre massique ( 47) qui transmet un signal d'erreur lorsque le débit dans le débitmètre s'écarte d'un débit prédéterminé de consigne, les sources étant reliées à un distributeur ( 41) destiné à mélanger les gaz en aval de l'organe de commande et du débitmètre, plusieurs injecteurs ( 27) destinés à transmettre le mélange de gaz à des régions de la zone réactionnelle, les injecteurs étant reliés au distributeur ( 41) par des organes ( 33-37)-de réglage du débit massique des mélanges de gaz transmis à chaque injecteur, ces or- ganes de réglage étant régulés par une commande commune comprenant un dispositif destiné à transmettre une partie choisie du débit total dans chacun des injecteurs lorsque le débit total du mélange de gaz varie, le signal-d'erreur étant transmis à la commande commune des organes de réglage de débit massique des injecteurs afin que le débit total de mélange de gaz soit régulé et provoque la conformité du débit circulant dans le débitmètre avec la valeur de con- signe. 2 Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que la commande commune comporte une commande principale ( 33) pour l'un des injecteurs et des commandes asservies 134-37) pour les autres injecteurs, les commandes asser- vies ayant des organes individuels de commande destinés à sélectionner un débit dans chaque injecteur, correspondant à un pourcentage choisi du débit de l'injecteur de l'organe principal de commande. 3 Circuit selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'organe de réglage principal ( 33) est régulé par un circuit diviseur ( 162) qui est sensible à un signal représentant la somme des débits choisis des gaz à mélanger divisée par la somme des pourcentages choisis des débits de gaz dans les autres iniecteurs, augmentée d'une unité. 4 Circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce que le signal d'erreur est amplifié et ajouté au signal représentant la somme des débits choisis des gaz à mélanger afin que le débit dans le débimètre soit corrigé à la valeur de consigne. Circuit selon l'une des revendications 1 et 4, caractérisé en ce que le signal d'erreur est transmis à un comparateur qui forme un signal d'alarme lorsque le signal d'erreur dépasse un débit prédéterminé. 6 Circuit de circulation de gaz destiné à la mise en oeuvre d'une opération de dépôt chimique en phase va- peur, caractérisé en ce qu'il comprend deux sources réglées ( 49, 57) de gaz à mélanger et à introduire dans la zone chauffée d'un tube de traitement placé dans un four de diffusion ( 13), l'une des sources de gaz étant réglée par un organe ( 54) de réglage de débit massique et l'autre ayant un débitmètre massique ( 47) qui transmet un signal d'erreur lorsque le débit dans le débitmètre s'écarte d'un débit prédéterminés de consigne, les sources étant reliées à un distributeur de mélange ( 41) placé en aval de l'organe de réglage et du débitmètre, plusieurs injec- teurs ( 27) de gaz destinés à transmettre le mélange de gaz à des régions contiguës longitudinalement dans la zone chauffée du tube de traitement, les injecteurs étant reliés au distributeur de mélange par des organes ( 33-37) de réglage du débit massique du mélange de gaz transmis à chacun des injecteurs, l'un de ces organes de réglage ( 33) étant un organe principal qui régule le débit du mélange gazeux à une valeur prédéterminée, les autres organes de réglage étant asservis à l'organe principal et ayant des commandes fixant les débits dans les organes asservis à un pourcentage choisi du débit dans l'organe principal, le signal d'erreur étant transmis afin qu'il régule le débit total de mélange gazeux circulant dans les organes asservis afin que le débit dans le débitmètre corresponde à la valeur de consigne. 7 Circuit selon la revendication 6, caractérisé en ce que les commandes des organes asservis de réglage com- portent chacune un organe réglable destiné à sélectionner un débit entre O et 100 % du débit dans l'organe principal de réglage, un dispositif destiné à ajouter les pourcentages choisis et à diviser la somme augmentée d'une unité en un signal représentant le débit total des gaz à mélanger afin qu'il forme un signal de commande de l'organe principal de réglage. 8 Circuit selon la revendication 7, caractérisé en ce que le signal de débit total est la somme du signal de commande de l'organe de réglage de débit massique de l'une des sources de gaz et du signal représentatif du débit de consigne de l'autre gaz circulant dans le débitmètre mas- sique et du signal d'erreur amplifié. 9 Circuit selon la revendication 8, caractérisé en ce que le signal d'erreur est transmis à un comparateur afin qu'il forme un signal d'alarme lorsque l'erreur dé- passe un débit prédéterminé. 10 Circuit de réglage d'un débit de gaz destiné à une opération de traitement de matériaux semi-conducteurs, à une température et une pression qui sont faibles, un mélange de gaz pyrophores et de l'oxygène étant injectés séparément dans la zone chauffée d'un tube de traitement d'un four de diffusion ( 13) comprenant un tube étanche de traitement ( 15) et un dispositif d'évacuation des gaz contenus dans le tube et de chauffage de tranches contenues dans une zone de traitement, ledit circuit étant caractérisé en ce qu'il comprend un premier dispositif d'injection de gaz comportant plusieurs injecteurs ( 27) de gaz disposés dans le tube de traitement, les injecteurs ayant des orifices- de sortie espacés le long de la zone de traitement, un second dispositif d'injection placé dans le tube de traitement à distance du premier dispositif d'injection et sur toute la longueur de celui-ci, des organes individuels de réglage ( 33-37) de débit massique montés de manière qu'ils règlent le débit massique transmis à chaque injecteur du premier dispositif d'injection, un distributeur ( 41) de mélange gazeux comprenant un dispositif destiné à transmettre un mélange gazeux aux organes individuels de réglage de débit massique, deux sources séparées ( 49, 57) de gaz pyrophores montées de manière qu'elles trans- mettent du gaz au distributeur, un organe de réglage de débit massique destiné à fixer un débit choisi de l'un des gaz pyrophores, le débit de l'autre des gaz pyrophores étant régulé par les organes de réglage de débit massique qui régulent les débits individuels des injecteurs. l 11 Circuit selon la revendication 10, caractérisé en ce que le débit de l'autre gaz pyrophore est mesuré par un débitmètre massique ( 47) qui forme un signal proportion- nel au débit, un dispositif étant destiné à former un signal de consigne représentatif du débit choisi de l'autre gaz pyrophore, un dispositif principal de réglage assurant la régulation des organes de réglage de débit massique qui régulent les débits individuels dans les injecteurs afin que le débit mesuré dans le débitmètre conesponde au débit choisi. 12 Circuit selon la revendication 11, caractérisé en ce que le dispositif de réglage principal comporte un com- parateur qui compare le signal du débitmètre massique ( 47) à la valeur de consigne et forme un signal d'erreur qui est transmis afin qu'il corrige les débits dans les injecteurs individuels et élimine l'erreur entre le débit mesuré et le débit de consigne. 13 Circuit selon la revendication 11, caractérisé en ce que les organes de réglage de débit massique ( 33-37) qui régulent les débits des injecteurs individuels comportent un organe principal de réglage ( 33) et plusieurs organes asser- vis de réglage ( 34-37), les organes asservis ayant des com- mandes réglables sélectivement afin que les débits indivi- duels soient régulés à un pourcentage choisi du débit de l'organe principal de réglage de débit massique 14 Circuit selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend un comparateur destiné à comparer le signal mesuré de débit massique et le signal de consigne et à former un signal d'erreur, et un dispositif destiné à appliquer le signal d'erreur à la commande de l'organe principal ( 33) de réglage de débit si bien que le débit dans tous les injecteurs est réglé et élimine le signal d'erreur, avec conservation des mêmes débits relatifs dans les injecteurs individuels.