Brevet FR2512587A1 — publié le 19830311

La présente invention concerne un dispositif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et à balayage par trame, et elle porte plus particulièrement sur un dispositif de lithographie 5 par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et à balayage par trame,qui emploie un circuit destiné à corriger de façon approximative des traces de faisceau non linéaires. Les dispositifs de lithographie par faisceau - 10 d'électrons sont maintenant largement utilisés pour la fabrication de plasques de masque dans l'industrie des semiconducteurs On commence également à utiliser de telles machines de lithographie par faisceau d'électrons pour écrire directement sur des tranches, et on prévoit 15 que cette utilisation va s'accroître Les machines de lithographie par faisceau d'électrons comprennent une chambre à vide centrale qui loge une source d'électrons qui sont dirigés de façon électromagnétique afin de tomber sur un substrat tel qu'une plaque de masque Le 20 masque est revêtu d'une matière de réserve sensible aux électrons sur laquelle les électrons incidents qui sont dirigés produisent un motif On dirige les électrons en appliquant des forces de déflexion au faisceau, au moyen d'éléments d'optique électronique tels que des 25 plaques électrostatiques ou des électro-aimants En prin- cipe, ou bien on dirige le faisceau vers l'emplacement précis auquel la matière de réserve doit être exposée (balayage vectoriel du faisceau), ou bien on déplace le faisceau selon une trame de configuration prédéterminée 30 et on l'occulte pour produire un motif dans la matière de réserve (balayage par trame du faisceau) On dévelop- pe ensuite le motif exposé sur la plaque de masque pour produire un masque fonctionnel. Dans un dispositif de lithographie par faisceau 35 d'électrons à balayage par trame, on prévoit une distorsion du motif près des bords de la zone de balayage si .la plaque de masque est plane Cette distorsion augmente lorsque la longueur de balayage augmente Sous l'effet de la 2 distorsion, les images situées près des bords apparaissent étirées par rapport aux images situées au centre On pour- ra voir par exemple le brevet U S 3 706 905 De plus, des erreurs géométriques comme des erreurs électroniques 5 peuvent produire des formes caractéristiques aux bords de la zone de balayage Ces formes comprennent la forme en tonneau, la forme en trapèze, et la forme en coussin. Pour éviter ces problèmes, le dispositif de lithographie par faisceau d'électrons à balayage par trame le plus 10 perfectionné, développé aux Bell Telephone Laboratories et appelé EE Scombine un mouvement mécanique et un mou- vement%électrique Les mouvements de grande amplitude sont accomplis mécaniquement par la platine sur laquel- le le masque est monté, tandis que des déflexions de 15 plus faible amplitude sont introduites électriquement dans le faisceau lui-même Les lignes de balayage ont donc une longueur limitée et la distorsion sur les bords est réduite ou éliminée Pendant le fonctionnement, la platine mécanique effectue un mouvement rectiligne 20 lent pour exposer des régions successives d'une colon- ne sélectionnée sur le masque ou la tranche Les champs de déflexion pour chaque balayage du faisceau sont réduits à 256 pm Ainsi, il y a peu de distorsion aux -bords de chaque zone de balayage, même sur une plaque 25 de masque plane On pourra voir par exemple l'article de D R Merriott, et col intitulé "EBES: A Practical Electron Lithographic System", IEEE Trans ED-22 page 385 ( 1975), ainsi que le brevet U S 3 900 737 Les principes de cette technique d'écriture se sont avérés 30 corrects pour des dispositifs fonctionnant avec de faibles vitesses d'écriture Voir par exemple l'article de R A Geshner intitulé '"The Electron Beam: A Better Way to Make Semiconductor Masks," Solid State Technology, juin 1979, 69, 71-72 Cependant, pour augmenter les vi- 35 tesses d'écriture, on dévie plus rapidement les fais- ceaux et on utilise des bandes plus larges Ceci a conduit à l'apparition de distorsions, en particulier au bord des zones de balayage. 3 L'invention a donc pour but de réaliser un cir- cuit destiné à corriger des distorsions de balayage par trame dans un dispositif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, comportant une platine 5 mobile et un balayage par trame. L'invention a également pour but d'appliquer une correction approximative au faisceau dans un dispo- sitif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, comportant une platine mobile et un balayage 10 par trame, cette correction étant fonction des écarts observés par rapport à un balayage rectiligne. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre d'un mode de réalisa- tion et en se référant aux dessins annexés sur lesquels: 15 La figure 1 est une représentation imagée d'un dispositif à faisceau d'électrons de type hybride comportant une platine mobile et un balayage par trame, dans lequel une colonne est exposée bande par bande La figure 2 montre une courbure du champ 20 selon l'axe x (encore appelée arc de balayage), par superposition d'une série de balayages par faisceau d'électrons (lignes continues) sur une matrice (lignes en pointillés) constituée par les positions désirées pour les lignes de balayage ; 25 La figure 3 montre une courbure du champ selon l'axe y par superposition d'une série de balayages par faisceau d'électrons (lignes continues) sur une matrice (lignes en pointillés) constituée par les posi- tions désirées pour les lignes de balayage 30 La figure 4 est un schéma d'un circuit desti- né à mettre en oeuvre l'invention ; La figure 5 est un schéma synoptique montrant les points multiples auxquels on peut utiliser un circuit destiné à mettre en oeuvre l'invention, dans un disposi- 35 tif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et à balayage La figure 6 est une représentation imagée de la courbure du champ selon l'axe x correspondant à la figu- 4 re 2 La figure 7 est une représentation imagée d'une courbure du champ selon l'axe y qui présente une relation de symétrie par rapport à un plan vis-à-vis de la cour- 5 bure du champ de la figure 3 ; La figure 8 montre une version d'erreur en tra- pèze, par superposition d'une série de balayages par faisceau d'électrons (lignes continues) sur une matrice (lignes en'pointillés) formée par les positions désirées 10 pour les lignes de balayage La figure 9 montre une autre version d'erreur en trapèze par superposition d'une série de balayages par faisceau d'électrons (lignes continues) sur une ma- trice (lignes en pointillés) constituée par les posi- 15 tions désirées pour les lignes de bayage La figure 10 est une représentation imagée de l'erreur en trapèze de la figure 8 ; et La figure 11 est une représentation imagée de l'erreur en trapèze de la figure 9. 20 Un dispositif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et à bala- yage, utilise un circuit pour apporter une correction approximative à l'élément optique qui dirige le faisceau pour produire le balayage par trame On observe une dis25 torsion d'un certain type et on conçoit un circuit destiné à corriger la distorsion observée Les& conditions dans lesquelles le faisceau est dirigé sont ainsi corrigées, ce qui réduit notablement les effets des divers modes de distorsion du balayage par trame, en particulier aux bords 30 de la zone de balayage A titre d'exemple, la courbure du champ est corrigée par un circuit qui emploie un terme proportionnel au carré de la valeur de la coordonnée de direction du balayage et l'erreur en trapèze est corrigée par un circuit qui emploie un terme proportionnel à la 35 valeur de la coordonnée orthogonale à la direction de balayage. Les distorsions dans la trace des rayons pro- jetés dans des systèmes de lithographie par faisceau 5 d'électrons à balayage par trame ont diverses sources et diverses caractéristiques Une source est d'ordre géomé- trique, c'est-à-dire que du fait de la planéité de la pla- que de masque, le faisceau dévié ne peut pas conserver la 5 linéarité sur la longueur de balayage; les rayons qui sont projetés à partir d'une source ponctuelle définissent une sphère et la plaque de masque rencontre la sphère selon un plan, ce qui introduit une non linéarité dans la trace des rayons Une autre source est d'ordre élec- 10 tronique, comme par exemple les erreurs produites par du bruit ou une non linéarité dans les circuits de défle- xion Une troisième source d'erreurs est d'ordre mécani- que et résulte par exemple des variations des temps d'accélération, de décélération et de stabilisation de 15 la platine mobile Il n'est pas nécessaire d'identifier avec précision les sources d'erreur pour la mise en oeuvre de l'invention On peut en effet appliquer des corrections appropriées à condition de connattre les caractéristiques des erreurs Pour une machine particu- 20 lière, on peut examiner visuellement les erreurs dans des conditions de fonctionnement significatives et gé- nérer un terme de correction pour produire une correc- tion approximatives Ce terme de correction peut ensuite être généré à son tour par un circuit analogique ou par 25 logiciel La représentation analogique du terme de cor- rection est alors superposée au circuit qui attaque les éléments d'optique électronique qui dirigent le faisceau. Les déflexions communiquées au faisceau tiendront-alors compte des distorsions à l'extrémité du balayage Cette 30 façon de procéder n'est pas une correction dynamique du type décrit dans le brevet U S 3 900 736, mais est basée sur l'observation d'erreurs caractéristique et la génération d'un terme de correction fixe On a déterminé que cette génération et l'application d'un terme-de cor- 35 rection fixe convenaient pour un dispositif à faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et bala- yage par trame, du fait que, de toute manière, on ne peut pas déterminer la source précise de nombreuses erreurs 6 observées, et du fait qu'on ne peut pas aisément utiliser une information de réaction dynamique pour modifier le mouvement de la platine mécanique. Le brevet U S 3 900 737 décrit en détail les 5 caractéristiques mécaniques et électriques d'un disposi- tif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et balayage par trame Le pro- cédé d'utilisation est indiqué dans ce brevet, en parti- culier à l'a colonne 4, lignes 3 et suivantes En résumé, 10 comme le montre la figure 1, une plaque de masque 10 est placée sur une table mobile 11 La table mobile 11 peut être fi 4 ée par exemple à des paliers pneumatiques cylin- driques orthogonaux pour produire un mouvement mécanique de précision La table 11 peut également comporter un 15 support de plaque de masque conformément à la description faite dans le brevet U S 4 280 054 La plaque de masque 10 est constituée par une plaque de verre 12 recouverte d'une couche de chrome 13 et d'une couche-supérieure en matière de réserve pour faisceau d'électrons, 14 Un 20 faisceau d'électrons modulé 15, formant un spot d'une dimension transversale d'environ 0,5 pmest dirigée par des éléments d'optique électronique 21 de façon à effec- tuer un balayage par trame de la couche de matière de réserve sensible aux électrons, 14 Des lignes de bala- 25 yage 22 sont formées successivement pour écrire ainsi une colonne 17, de bas en haut Pendant le fonctionnement, la table Il est en mouvement constant pour présenter de nouvelles parties non écrites de la colonne 17 au fais- ceau d'électrons modulé qui effectue un balayage continu 30 Lorsque le sommet de la colonne 17 est atteint, la table mobile 11 se décale de la manière indiquée par la flèche courbe 23, pour commencer l'écriture de haut en bas de la colonne 18 Ensuite, lorsque la colonne 18 est terminée, la table mobile 11 se décale à nouveau de la manière 35 indiquée par la flèche courbe 24 pour commencer l'écriture de bas en haut de la colonne 19 Cette séquence se pour- suit jusqu'à la colonne 25, c'est-à-dire jusqu'à ce que toutes les colonnes de gauche des régions de circuit sépa- 7 rées 16 aient été écrites Ensuite, la seconde colonne à partir de la gauche est écrite de la même manière "en lacet" dans chacune des régions de circuit séparées 16 qui correspondent à des circuits intégrés individuels Le 5 balayage se poursuit colonne par colonne jusqu'à ce que la totalité de la surface de toutes les régions de cir- cuit séparées 16 ait été balayée On développe ensuite les parties exposées de la matière de réserve sensible aux électrons, 14, on attaque le chrome sous-jacent et 10 on utilise le masque pour la fabrication de circuits in- tégrés Dans des dispositifs d'écriture directe par fais- ceau d'électrons, il est caractéristique d'implanter directement des atomes d'agents de dopage dans les ré- gions définies par le développement de la matière de 15 réserve On teste la stabilité du faisceau d'électrons 15 en examinant périodiquement la position de marques repères 20. Comme indiqué précédemment, lorsqu'on a limité la longueur de la ligne de balayage à 256 f m, on n'a 20 discerné aucune distorsion appréciable aux extrémités du balayage Cependant, des erreurs de position sont de- venues discernables aux extrémités lorsqu'on a augmenté la longueur des lignes de balayage Ces erreurs ont diverses caractéristiques parmi lesquelles : la cour- 25 bure du champ (encore appelée arc de balayage) qui est la courbure du champ de balayage à l'extrémité du dépla- cement le long de l'axe y, ou la courbure du balayage en sens montant ou descendant aux extrémités du balayage le long de l'axe x; les distorsions faisant intervenir 30 une rotation de l'axe de balayage; la distorsion en cous,- sin qui est produite sur des plaques planes du fait que la distance dé la source du faisceau jusqu'à la plaque varie en fonction de l'angle de déflexion; et la distor- sion trapézoïdale qui résulte de l'élargissement ou du 35 rétrécissement du balayage a une extrémité de l'axe x ou y. Pour avoir une représentation imagée de certains de ces types d'erreurs, on se référera par exemple à la figure 5 de l'article de R A Geshner, intitulé "The Electron Beam: 8 A.Better Way to Make Semiconductor Masks", Solid State Technology, juin 1979, pages 69, 72, ou à la brochure de la firme Intronics intitulée Distortion Correction in Precision Cathode Ray Tube Display Systens ( 1970). 5 Dans les dispositifs du type ETES, on a déter- miné des corrections approximatives acceptables pour certaines de ces erreurs de distorsion On pourrait appliquer ces corrections à la platine qui porte le masque ou aux circuits qui attaquent les éléments opti- 10 que électroniques Cependant, en pratique, la platine a une masse élevée et donc une inertie élevée, ce qui conduit à une réponse lente aux signaux dce correction. De plus, la platine a un temps de stabilisation qui rend difficile la réalisation des corrections fines né- 15 cessaires Par conséquent, on superpose de préférence les corrections approximatives aux circuits qui atta- quent les éléments d'optique électronique qui dirigent le faisceau Les exemples de réalisation de l'invention, décrits ci-après, utilisent un circuit qui génère une re- 20 présentation analogique du facteur de correction appro- ximatif approprié Ce signal analogique est appliqué aux circuits qui attaquent les éléments d'optique électroni- -que Selon une variante, ce signal de correction peut être généré par logiciel. 25 La figure 6 représente sous forme imagée la cour- bure du champ selon L'axe x La direction x est la direc- tion dans laquelle le motif est écrit en montiant ou en descendant dans une colonne donnée La direction y est la direction d'une ligne individuelle de balayage La table 30 mobile 11 (figure 1) se déplace nécessairement dans une direction choisie de façon à présenter continuellement une nouvelle zone non écrite qui doit être exposée. Ainsi, sur la figure 1, pendant l'écriture de la colonne 17, la table mobile 11 se déplace dans la direction x né- 35 gative Le faisceau 15 accomplit des mouvements fins dans la direction x en association avec des mouvements de bala- yage dans la direction y, ce qui a pour effet de produire les traces horizontales 22, en association avec les mouve- 9 ments de grande amplitude de la table mobile 11 dans la direction x Pendant l'écriture de la colonne 18, la table mobile 11 se déplace dans la direction x positive La direction y (avec y=O pour l'axe médian d'une colonne 5 donnée) est la direction de balayage désirée du faisceau à balayage 15 Une configuration de balayage parfaite serait représentée par une succession de lignes horizon- tales dont l'accumulation formerait un rectangle contenu entièrement à l'intérieur des lignes de bord qui définis- 10 sent la colonne La courbure du champ est une distorsion selon laquelle les bords du balayage prennent une forme courbe dirigée vers le haut ou le bas le long de l'axe x, ou à l'extrémité du balayage selon l'axe y Les courbes sont de façon caractéristique symétriques et les bords 15 sont situés tous deux vers le haut ou vers le bas dans la direction x, ou tous deux vers la droite ou vers la gauche dans la direction y La figure 2 montre une courbure du champ réelle produite par un faisceau d'électrons à balayage La matrice formée par les li- 20 gnes en pointillés 30, 31, 32 représente la forme pré- cise d'un balayage parfait, tandis que les lignes con- tinues 33, 34, 35 montrent les traces réelles produites par un faisceau d'électrons à balayage Pour la séquence de la figure 2, le plateau mobile est verrouillé et le 25 faisceau est dirigé de façon à produire des balayages sur sa plage autorisée en x L'axe y est le centre de la colonne et l'axe x est la ligne en pointillés horizon- tale centrale Les carrés formés par les lignes conti- nues mesurent 28 pm (en x) sur 29 pm (en y) Ainsi, les 30 traces horizontales continues telles que la trace 35 représentent une trace sur 56, du fait qte la taille du spot du faisceau d'électrons est de 0,5 Fm Il est évi- dent que la courbure du champ demeure lorsque le fais- ceau d'électrons à balayage se déplace dans la direction 35 x On a trouvé qu'un facteur de correction approximative acceptable pour corriger> cette erreur était donné par la relation suivante : 10 X = Xo + ky 2 dans laquelle : x = position corrigée du faisceau d'électrons dans la direction-de la hauteur de la 5 colonne. xo = position non corrigée du faisceau dans la direction du motif , k = une constante. y = distance à partir de l'axe médian de la 10 colonne qui est balayée. Le signe du terme de correction est positif si la cour- bure de"l'arc est vers le bas et il est négatif si la courbure de l'arc est vers le haut La valeur de la constante est déterminée par l'importance de la courbure, 15 c'est-à-dire le rayon de la courbure Le'facteur de correction est appliqué continuellement du fait qu'on trouve que les erreurs sont fonction de l'électronique, du matériel et du logiciel du système EBES et ne dépen- dent pas de la position sur la tranche, de la colonne 20 particulière-ou-de la position d'une ligne de balayage dans une colonne donnée Seule la position du faisceau le long d'une ligne de balayage donnée intervient dans la détermination de la correction nécessaire. La figure 7 montre-sous une forme imagée la 25 courbure du champ selon l'axe y Ceci constitue un déca- lage du spot du faisceau d'électrons sur le bord de la colonne qui est écrite La figure 3 montre la distorsion réelle de courbure du champ, vers la gauche La matrice de lignesen pointillés 41, 40, 45 représente la position 30 désirée de la trace du faisceau d'électrons effectuant un balayage Les lignes continues 42, 43, 44 représentent la trace réelle du faisceau d'électrons effectuant un balayage, lorsqu'il est décalé vers la gauche Comme précédemment,-la platine mobile est verrouillée, l'axe y 35 est l'axe médian de la colonne et l'axe x est la ligne horizontale centrale Pour les besoins de l'invention, il n'est pas nécessaire dedeéterminer la source de cette courbure du champ A la place, on met en oeuvre l'invention en observant l'erreur et en appliquant le terme approprié de correction approximative On a trouvé que pour la cour- bure du champ, le terme de correction approprié était y y O kx 2: 5 avec y = position corrigée du faisceau d'électrons dans la direction du balayage. YO = position non corrigée du faisceau d'électrons dans la direction du 10 balayage k = une constante x = distance à partir du centre du champ de déflexion. Il est important de corriger la courbure du champ selon 15 l'axe y pour que les détails de motif de colonnes adja- centes soient correctement aboutés les uns aux autres. Les figures 8 à 11 montrent deux types d'erreur en trapèze La figure 8 représente une erreur en trapè- ze ayant la forme d'un trapèze à bases horizontales. 20 La matrice de lignes en pointillés 70, 71, 72 représente la position désirée de la trace du faisceau d'électrons soumis à un balayage Les lignes continues 73, 74, 75 représentent la trace réelle du faisceau d'électrons -soumis à un balayage, c'est-à-dire la trace correspondant 25 au trapèze à bases horizontales précité Comme précé- demment, la platine mobile est verrouillée, l'axe y est l'axe médian de la colonne et l'axe x est la ligne hori- zontale centrale La forme de l'erreur est représentée - de façon imagée sur la figure 10 On a trouvé que le ter- 30 me de correction approprié pour corriger cette erreur systématique était x y x = X (Gain)x + o k avec : x = position corrigée du faisceau d'élec- 35 trons dans la direction du motif. xo = position non corrigée du faisceau dans la direction du motif. 12 ` k = une constante (Gain), = gain appliqué aux éléments de défle- xion de l'optique électronique dans la direction x. 5 y = distance à partir de l'axe médian de la colonne qui est balayée. La figure 9 représente une erreur en trapèze qui correspond à la forme d'un trapèze décalé vers la droite La matrice de lignes en pointillés 76, 77, 78 10 représente la position désirée de la trace du faisceau d'électrons soumis à un balayage Les lignes continues 79, 80,+ 81 -représentent la trace réelle du faisceau d'électrons soumis à un balayage, qui fait apparaître le trapèze décalé vers la droite mentionné précédemment. 15 Comme précédemment, la platine mobile est verrouillée, l'axe y est l'axe médian de la colonne et l'axe x est représenté sur la figure 11 On a trouvé que le terme de correction approprié pour corriger cette erreur systématique était : 20 y= y(Gain) + O o y k y = position corrigée du faisceau d'électrons dans la direction du balayage. y O = position non corrigée du faisceau d'électrons dans la direction du 25 balayage. k = une constante (Gain)y = gain appliqué aux xion de l'optique la direction y. x = distance à partir de déflexion. On corrige approximativement 30 éléments de défie- électronique dans du centre du champ les erreurs de dis- torsion des figures 2 et 3 en appliquant un terme de 35 ccorrection qui est proportionnel au carré de la coordon- née conjuguée On corrige approximativement les erreurs de distorsion des figures 8 et 9 en appliquant un terme de avec 13 correction proportionnel au gain des éléments de défie- xion de l'optique électronique et proportionnel à la coordonnée conjuguée On trouve que ces termes de correc- tion conviennent pour la techlnique de balayage par colon- 5 ne,en lacetdu dispositif EBES hybride Cette configura- tion hybride a des longueurs de balayage relativement courtes et un déplacement déterminé dans la direction des colonnes Ainsi, des termes de correction plus précis tels que ceux du Module de Correction C-100 de la firme O 10 Intronics ne sont pas nécessaires Voir la brochure de la firme Intronics intitulée Distortion Correction in Precision Cathode Ray Tube Display Systems, page 8 On _ peut employer d'autres facteurs de correction approxi- mative, comme par exemple pour la correction de rota15 tion. La figure 4 représente uin circuit destiné à corriger les erreurs de courbure du champ des figures 2 et 3, conformément à la description précédente Les tensions Vx et V correspondent respectivement aux o Y O 20 positions non corrigées pour x, c'est-à-dire la direc- tion du motif le long de la colonne, et pour y, c'est- à-dire la direction du balayage individuel En l'absen- ce de correction, ces tensions sont celles qui seraient appliquées à l'électro-aimant de déflexion de faisceau 25 dans la colonne d'éléments d'optique électronique Les valeurs Vx et Vy sont les valeurs corrigées qui sont en fait appliquées à la colonne d'4 éléments d'optique électronique Dans le fonctionnement, la valeur Vx est transformée en Vx par les opérations suivantes La valeur 30 de Vy est élevée au carré dans l'élément de circuit 54 et elle est multipliée par une constante au moyen de la résistance variable 56 Les valeurs de Vx et Vy sont mul- tipliées entre elles dans l'élément de circuit 52 et elles sont multipliées par une constante au moyen de la 35 résistance variable 58 Ensuite, la valeur élevée au carré, Vy 2, et V x V sont ajoutées à V par l'amplifi- y x y x O cateur 50 pour produire Vx De façon similaire, la valeur de Vx est élevée au carré dans l'élément de cir- 14 cuit 53 et multipliée par une constante au moyen de la résistance variable 57 Les valeurs de Vx et Vy sont mul- tipliées entre elles dans l'élément de circuit 55 et mul- tipliées par une constante au moyen de la résistance 5 variable 59 La valeur élevée au carré, Vx 2, et Vx x V y sont ensuite additionnéesà V par l'amplificateur 51 pour produire V Comme le montre la figure 5, une tension de correction peut être appliquée à divers emplacements 10 dans les circuits qui commandent les éléments d'optique électronique de déflexion, dans un dispositif de litho- graphie par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et balayage par trame On peut par exem- ple appliquer la valeur de correction au moyen d'un cir- 15 cuit fournissant ou absorbant un courant variable au point E, directement au niveau de l'électro-aimant 60. Selon une variante, on peut appliquer le facteur de correction sous la forme d'une tension variable au point D, en tant que signal d'entrée pour un amplificateur de 20 déflexion 61 Dans d'autres versions, on pourrait appli- quer le facteur de correction au point C, sous la forme d'une correction de tension pour le récepteur; au point B sous la forme d'une correction de tension pour l'émet- teur de-ligne ; ou-au point A sous la forme d'une cor- 25 rection de tension pour le circuit de fixation du gain du balayage Le point d'application préféré est le point B, avec application sous la forme d'une tension variable, du fait que toutes les autres corrections ont été ajoutées à ce point. 30 Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. 25 12587 REVENDICATIONS .CLMF: 1 Dispositif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et à bala- yage, conprenant dans une chambre à vide, une source d'élec- 5 trons, une colonne d'optique électronique pour diriger les électrons vers un masque ou une tranche ( 10), et une pla- tine mobile ( 11) destinée à supporter le masque ou la tranche à exposer, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit destiné à produire un terme de correction élec- 10 trique pour corriger approximativement des erreurs de balayage par trame, et ce terme de correction électri- que est appliqué à la colonne d'optique électronique pour agir sur la façon dont les électrons sont dirigés. 2 Dispositif de lithographie par faisceau 15 d'électrons de type hybride, à platine mobile et bala- yage, selon la revendication 1, caractérisé en ce que le terme de correction corrige la courbure du champ conformément à la formule X = X ky 2 20 dans laquelle : x = position corrigée du faisceau d'élec- trons sur la hauteur de la colonne, xo = position non corrigée du faisceau d'électrons sur la hauteur de la 25 colonne, k = une constante, y = distance à partir de l'axe médian de la colonne qui est balayée. 3 Dispositif de lithographie par faisceau 30 d'électrons de type hybride, à platine mobile et à bala- yage, selon la revendication 2, caractérisé en ce que le terme de correction est appliqué à l'amplificateur de déflexion selon l'axe x ( 61) dans la colonne d'opti- que électronique. 35 4 Dispositif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mcbile et à bala-. yage, selon la revendication 1, caractérisé en ce que le -terme de correction corrige la courbure du champ ou l'arc du balayage conformément à la formule y = y O kx 2 dans laquelle 5 y = position corrigée du faisceau d'électrons dans la direction du balayage, y O = position non corrigée du faisceau d'électrons dans la direction du 10 balayage, k = une constante, x = position du faisceau d'électrons sur la hauteur de la colonne. 5 Dispositif de lithographie par faisceau 15 d'électrons de type hybride, à platine mobile et à balayage, selon la revendication 4, caractérisé en ce que le terme de correction est appliqué à l'amplifica- teur de déflexion selon l'axe y ( 61) dans la, colonne d'optique électronique. 20 6 Dispositif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et à balayage, selon la revendication 1, caractérisé en ce que le terme de correction corrige les erreurs trapé- zoldales conformément à la forciule : x y 25 x = x (Gain) ± dans laquelle = position non corrigée du faisceau d'électrzns dans la direction du balayage, 30 (Gain)x = gain appliqué aux éléments de dé- flexion de l'optique électronique dans la direction x k = une constante, y = position du faisceau d'électrons -35 sur la hauteur de la colonne. 7 Dispositif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et à bala- yage, selon la revendication 6, caractérisé en ce que le terme de correction est appliqué à l'amplificateur de déflexion selon l'axe x ( 61) dans la colonne d'optique 5 électronique. 8 Dispositif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et à bala- yage, selon la revendication 1, caractérisé en ce que le terme de correction corrige les erreurs trapcfzoidales 10 conformément à la formule : dans laquel' 15 (Gain: 20 y = y (Gain)y + k Le i O = position non corrigée du faisceau d'électrons dans la direction du balayage, )y = gain appliqué aux éléments de déflexion de l'optique électronique dans la direc- tion y, k = une constante, x = position du faisceau dtélectrons sur la hauteur de la colonne. 9 Dispositif de lithographie par faisceau d'électrons de type hybride, à platine mobile et à ba- layage, selon la revendication 1, caractérisé en ce 25 que le terme de correction est appliqué à l'amplifica- teur de déflexion selon l'axe y ( 61) dans la colonne d'optique électronique.