Brevet FR2503931A1 — publié le 19821015

-1 La présente invention concerne des substrats qui comprennent des organes filamentaires et qui supportent et connectent des composants, un procédé de fabrication de tels substrats, un appareil destiné à la mise en oeuvre de ce procédé ainsi que des substrats fabriqués par sa mise en oeuvre. Le brevet français n0 71.07725 décrit des pla- quettes de circuits ayant des organes filamentaires sous forme de fils métalliques, ainsi que les procédés et ap- pareils destinés à la fabrication de telles plaquettes. Selon ce brevet, un fil est incrusté sur la surface d'une plaquette ou d'une base isolée, cette surface pouvant être activée par une énergie convenable. Un fil métal- lique est incrusté sur la surface, avec un dessin pré- déterminé, à l'aide d'une tête convenable. Celle-ci est alimentée, excite la surface lorsque le fil métallique est placé à son contact, et fixe ce fil à la surface de la base ou de la plaquette. Le déplacement de la plaquette, de la tête et du fil et l'alimentation de la tête sont commandés de manière que le fil soit incrusté et fixé sur la plaquette suivant un dessin précis. Le fil est découpé puis traversé par perçage afin qu'une surface soit exposée et permette une métallisation. Le fil coupé et le trou percé sont métallisés afin qu'ils forment un trou de borne dans la plaquette, ce trou étant relié élec- triquement par le fil. Ces trous de borne reliés électri- quement peuvent alors recevoir des fils ou pattes de com- posants qui peuvent être fixés et raccordés à la plaquette, par exemple par soudage avec apport. Un boîtier précis de circuit électronicue est ainsi formé. Le replacement du câblage à la main par un tel conditionnement de circuit électrique, mettant en oeuvre des plaquettes de circuit imprimé et des fils incrustés, réduit la dimension et le poids de l'appareillage électro- nique. On a obtenu des réductions supplémentaires par utilisation de plus en plus importante des circuits inté- grés. Dans ces circuits, plusieurs composants remplissant des fonctions électroniques différentes sont formés sur une surface semi-conductrice incorporée à un boîtier micro- électronique. De tels boîtiers, qui sont souvent d'une type possédant deux lignes de connexions, contiennent des fils permettant la réalisation de contacts électriques avec le circuit intégré et permettant aussi le montage et la connexion du boîtier sur des trous formés dans la plaquette de circuit imprimé ou à fils incrustés. Les fils de tels boîtiers à deux lignes de connexions sont séparés par une distance de 2,54 mm, et forment deux lignes parallèles dépassant d'un corps céramique ou de matière plastique du boîtier. Les lignes peuvent être séparées de 2,54 mm ou plus, et les boîtiers peuvent souvent être connectés sur des plaquettes de circuit imprimé ou à fils incrustés, ayant une faible densité, par mise en oeuvre de conducteurs séparés suivant un dessin en grille à es- pacement de 1,27 mm. Bien que le boîtier à deux lignes de connexions, ayant des fils à un pas de 2,54 mm et des plaquettes ayant des dessins de grille à pas de 1,27 mm soient très utilisés, la réduction de la dimension et du poids de l'appareillage électronique et l'augmentation du nombre de fonctions par unité de volume sont de plus en plus souhaitées. Ce sont essentiellement les concepteurs et fabricants de circuits intégrés qui recherchent l'incorporation d'un plus grand nombre de fonctions électroniques dans un moindre espace. L'un des résultats de l'augmentation du nombre de fonctions sur le circuit intégré est l'augmentation du nombre de fils par boîtier micro-électronique. Dans les circuits intégrés complexes ayant de nombreux fils, -la configuration géométrique du boîtier à deux lignes de connexions, ayant ainsi deux lignes de fils à pas de 2,54 mm, donne au boîtier une dimension excessive compte tenu de la dimension du circuit intégré. Cette dimension réduit aussi les caractéristiques électriques du circuit et rend difficile l'introduction sur une plaquette de circuit imprimé et l'enlèvement d'une telle plaquette. On a mis au point de nouveaux boîtiers micro- électroniques moins encombrants, destinés à loger ces circuits intégrés complexes. Une telle famille de boîtiers, formant des supports de puces, peut être montée à la surface et non pas reliée par des fils passant à travers la pla- quette. Ces boîtiers ont une forme carrée et ont des bor- nes sur les quatre bords et non sur deux bords seulement comme dans le cas des boîtiers à deux lignes de connexions. Les bornes ont un pas de 1,27 mm, 1,016 mm ou mins, si bien que la surface du boîtier est notablement réduite par rapport à celle d'un boîtier à-deux lignes de connexions. Le nombre de bornes par unité de surface augmente donc notablement. La réduction de la surface du boîtier rendue possible par le support de puce augmente notablement le nombre de boîtiers micro-électroniques pouvant être montés et connectés électriquement par une plaquette de circuit ou un substrat d'interconnexion de surface donnée. Cependant, cette augmentation du nombre de boîtiers ou de la densité des composants sur le boîtier, et la réduction de l'espacement des bornes augmentent la densité de bornes que doit posséder la plaquette ou le substrat et la quantité de chaleur dissipée par les circuits. L'augmentation de densité des bornes nécessite une augmentation de la densité des conducteurs. Des plages ou patins de contact sont alors utilisés à la place des trous qui traversent la plaque, ces plages étant formées à la surface du substrat afin que la densité des conduc- teurs soit élevée. Le contact électrique entre ces plages conductrices formées à la surface et les conducteurs du *substrat peut être réalisé avec des dimensions qui sont proches de celles du conducteur lui-même. L'invention-convient particulièrement bien dans les conditions fixées par les densités élevées de bornes et de conducteurs de supports de puces et des puces de circuit intégré qui ne sont pas encore mises sous boîtier. Simultanément, l'invention permet l'utilisation d'âmes de substrats possédant des propriétés particulières tel- les qu'une bonne dissipation thermique, un faible prix ou l'adaptation du coefficient de dilatation thermique à celui des matières du support de puce ou de circuit intégré. Les pannes des raccordements par soudage, pro- voquées par les contraintes thermiques, sont évitées. L'invention concerne un procédé de fabrication de substrats sur lesquels des composants doivent être montés et interconnectés, ce procédé comprenant (a) l'ap- plication et la fixation de filaments sur une base, sui- vant un dessin préalablement programmé, (b) l'application d'un revêtement plan, sensiblement lisse et plat sur les filaments fixés et la base, sans que l'emplacement de ces filaments appliqués et fixés soit affecté, (c) la formation de cavités traversant le revêtement afin que les filaments soient exposés, à des emplacements voulus sur la surface plane et (d) la réalisation d'un dispositif de couplage entre les filaments exposés et les points formant des bornes à la surface du revêtement plan. Les filaments sont appliqués ou incrustés selon l'invention sur un support. Les filaments ou le support peuvent avoir une surface adhésive qui peut être excitée afin que les filaments soient liés au support. Les filaments sont appliqués ou incrustés sur le support suivant un dessin prédéterminé, avec un appareil tel que décrit et représenté dans le brevet français précité n0 71.07725. Ces filaments peuvent être des fibres optiques ou des fils métalliques à isolement, par exemple un fil de cuivre ayant un diamètre de 50 à 100 microns et qui convient particulièrement bien dans le cadre de l'invention. Les filaments sont fixés ou collés au support suivant une grille horizontale et verticale de densité élevée, les lignes étant disposées avec un pas d'environ 0,315 mm. Une couche d'une matière est alors appliquée de préférence sous forme liquide, sur les filaments préa- lablement fixés au support d'une manière qui ne provoque pas le déplacement des filaments:Du la perturbation de leur position les uns par rapport aux autres ou au support. Le liquide forme une surface lisse et plane sur le sup- port et les filaments. Le mouvement des filaments peut perturber le traitement ultérieur et les possiblités d'uti- lisation de l'objet formé, et il est donc évité. La ma- tière liquide appliquée doit pouvoir durcir à tempéra- ture ambiante ou à faible température, par exemple infé- rieure à 100C, afin que les excursions de température qui pourraient nuire à la position des filaments soient évitées. La matière est de préférence durcie à tempéra- ture ambiante. L'opération peut être réalisée à l'aide de durcisseurs àtempérature ambiante ou par polymérisa- tion par irradiation ultraviolette. La surface de la couche liquide appliquée peut être mise en contact temporaire intime avec la surface d'une matière qui n'adhère pas à la surface de la couche liquide et à la surface durcie formée par celle-ci, afin que le liquide appliqué soit bien mis de niveau. Cette surface en contact intime temporaire régularise la sur- face de la couche liquide sans perturber les filaments qu'elle contient. Une surface sensiblement plane dans laquelle les filaments sont enrobés, est ainsi formée. La régularisation du niveau peut aussi être réalisée avec une lame de raclage, un rouleau ou une raclette, dans la mesure o les filaments ne sont ni déplacés ni per- turbés. Lorsque les organes filamentaires sont des fils métalliques, la surface plane durcie peut de préférence favoriser l'adhérence par un processus chimique ou mé- canique ou par bombardement ionique afin que des micro- pores ou une rugosité superficielle soient formés et crée des sites d'ancrage permettant le dépôt d'une ma- tière conductrice par dépôt chimique, dépôt en phase va- peur ou par tout autre procédé convenable, à un stade ultérieur du traitement. L'opération peut être réalisée par incorporation de matière subissant une attaque pré- férentielle, par exemple un caoutchouc ou une polyéther- sulfone, dans la surface du revêtement plan et durci. On peut ajouter un ou plusieurs niveaux de grilles de filaments. Le support auquel les filaments ont été fixés et la matière plane a été appliquée et durcie, est fixé à une table mobile suivant un dessin réglé par rapport à des axes X et Y afin que des points préalable- ment programmés du support soient placés sous un fais- ceau d'énergie élevée, tel que la lumière cohérente d'un laser. Le faisceau est dirigé perpendiculairement à la table et au support monté sur elle. Dans une variante, le support peut être fixé et la table peut être déplacée suivant les axes X et Y. L'emplacement des filaments dans la matière plane durcie peut être visé optiquement afin que les erreurs de positionnement soient pratiquement éliminées. Le support est déplacé par rapport au faisceau de forte énergie afin que le filament voulu soit aligné sur le faisceau, en un point prédéterminé. Le filament est alors exposé par le faisceau en ce point. De préfé- rence, lorsque le filament est métallique, on utilise un faisceau d'énergie élevée, par exemple un laser à CO2. Lorsque le faisceau est aligné sur le point prédéterminé voulu du filament, il est pulsé ou modulé afin que l'éner- gie soit dirigée sur le filament et que la matière durcie et l'isolement du filament soient vaporisés et retirés, avec formation d'une cavité de forme précise dans la- quelle le filament est notablement exposé. Cette opéra- tion est obtenue avec un laser à CO2, par mise en oeuvre du contraste entre la réflexion de la lumière du laser à CO2 par le filament métallique et l'absorption de cette lumière par la matière essentiellement organique de l'iso- lement et la matière essentiellement organique du revête- ment de surface appliquée et durcie sur les filaments portés par le support. La matière durcie et l'isolement du fil peuvent être retirés, non seulement par un faisceau d'énergie élevée provenant par exemple d'un laser à C02 mais aussi à l'aide d'autres lasers convenables ou de perceuses méca- niques à profondeur réglée, par un courant modulé de par- ticules abrasives, à l'aide d'un jet d'eau ou à l'aide d'un courant de produits chimiques ou de solvants. Dans tous les cas, les cavités de dimensions précises, qui n'ont pas une dimension très supérieure à celle du fila- ment et qui n'est pas supérieure à celle qui est nécessaire au couplage du filament avec la surface, doivent se former. La matière plane et durcie et l'isolement sont retirés et laissent le filament pratiquement intact et exposé si bien que ces caractéristiques de conduction ne sont pas perturbées. Lorsque le filament est un fil métallique ayant un diamètre de 50 à 100 microns, le diamètre de la cavité est compris entre 150 et 300 microns. Lorsque tous les points prédéterminés des fila- ments ont été exposés et lorsque les cavités d'accès aux filaments ont été formées, le circuit peut être terminé de manière classique. Lorsque les filaments sont constitués de fils métalliques, l'opération est réalisée par accentua- tion de l'adhérence de la surface, puis par sensibilisa- tion des cavités, des filaments exposés et de la surface, par exemple à l'aide d'un catalyseur,puis par dépôt chi- mique d'un métal par exemple le cuivre. L'opération peut être réalisée sélectivement afin qu'elle forme des dessins à la surface, ou le métal peut être déposé sur toute la surface et les dessins peuvent être formés ultérieurement par mise en oeuvre des techniques d'utilisation de caches et d'attaques chimiques. Du métal peut alors être déposé sur une plus grande épaisseur par électrodéposition, et des dessins de surface peuvent être formés par mise en oeuvre des dispositifs classiques semi-additifs. Pendant l'opération de dépôt, le métal se dépose sur les parois des cavités et à la surface et est en con- tact intime avec la surface exposée du filament si bien qu'il permet le couplage du filament à la surface exté- rieure. Le métal peut aussi être déposé dans des cavités qui ne sont pas couplées à des filaments, mais qui permet- tent le couplage à d'autres éléments conducteurs tels que des plages, des plans d'alimentation et de masse, placés à d'autres niveaux dans le circuit. Dans une va- riante, on peut utiliser une technique autre que le revê- tement pour le couplage du filament ou d'un autre dessin conducteur à la surface externe. Un tel dispositif peut comprendre la pulvérisation cathodique ou mécanique d'un métal, l'application de pâtes polymères conductrices, l'application de pâtes de soudage et l'utilisation de soudure classique. Lorsque le filament n'est pas un fil métallique, un dispositif convenable, compatible au con- ducteur filamentaire, peut être utilisé pour le couplage du filament à la surface extérieure. Par exemple, on peut utiliser un dispositif optoélectronique pour le couplage de filaments optiques à des composants électroniques. Selon l'invention, le circuit d'interconnexions de densité peut être formé et traité sur un support qui doit constituer une partie intégrante d'un objet, ou il peut être formé, traité puis retiré du support. Lorsque le support doit rester comme partie intégrante de l'objet traité et formé, il doit évidemment être formé d'une ma- tière convenant à l'article et possédant la stabilité dimensionnelle nécessaire à l'opération. Lorsque l'objet à former par exemple contient des filaments métalliques et une base métallique, un film. ou revêtement diélectrique est d'abord appliqué sur la base métallique. Ce film ou revêtement peut comporter des plages métalliques isolées aux points auxquels des cavités doivent être formées afin que le faisceau d'énergie élevée soit dévié et qu'un court-circuit ne puisse pas être formé avec la base métallique. Lorsque le circuit formé après traitement doit être retiré du support et lorsque le support doit être réutilisé, le circuit est formé, construit et traité sur le support, puis retiré par pelage. Le circuit formé, séparé du support, peut alors être collé à une base o des circuits formés peuvent être construits ou collés les uns sur les autres afin qu'ils forment des circuits à plusieurs niveaux. Lorsque des filaments métalliques par exemple doivent être utilisés et lorsque l'objet formé et traité doit être retiré du support, ce dernier peut être formé d'acier inoxydable revêtu de cuivre adhérant faiblement. D'autres combinaisons de support et de revêtement adhé- rant faiblement peuvent aussi être utilisées. L'objet est réalisé et traité sur le support et, avec son revê- tement, il est retiré du support. Après le retrait du support, le revêtement de l'objet peut être utilisé pour la formation de dessins conducteurs par mise en oeuvre de procédés connus. La densité élevée des conducteurs qui peut être obtenue avec la géométrie de la grille formée par les filaments espacés d'environ 0,315 mm et plus précisément qui peut être obtenue grâce au petit diamètre des cavités d'accès aux filaments selon l'invention, permet l'exécution de dessins complexes d'interconnexions à un nombre minimal de niveaux. Le circuit peut donc être fabriqué avec une épaisseur d'environ 250 à 500 microns. La faible épaisseur du circuit ainsi formé ou collé sur une base permet la disposition des composants très près de la base. De cette manière, les propriétés de la base telles que son coefficient de dilatation ther- mique et sa dissipation de chaleur peuvent être plus fa- cilement utilisées par les composants que dans le cas des circuits à plusieurs niveaux qui sont plus épais et ont une plus faible densité. Les problèmes de dégagement et de dissipation thermique sont ainsi résolus. D'autres caractéristiques et avantages de l'in- vention ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est une vue en plan d'un substrat d'interconnexion selon l'invention; la figure 2 est une perspective éclatée d'un support de puce, d'une puce et d'un couvercle, l'invention convenant particulièrement bien à cette application; la figure 3 est une perspective du support de puce de la figure 2, lorsque celui est retourné; la figure 4 est une coupe d'une partie d'un sub- strat d'interconnexion, représentant le conducteur muni d'un isolement avant l'enlèvement du revêtement et de l'isolement par application d'une quantité élevée d'énergie; la figure 5 est une vue en plan de la figure 4. la figure 6 est une coupe analogue à la figure 4 mais elle représente le conducteur exposé après la formation d'une cavité de couplage; la figure 7 est une vue en plan de la figure 6; la figure 8 est analogue aux figures 4 et 6 et représente le conducteur et une plage conductrice après formation d'un revêtement; la figure 9 est une vue en plan de la figure 8; la figure 10 est une vue schématique en plan d'un appareil destiné à la mise en oeuvre du procédé de forma- tion des cavités selon l'invention; la figure 11 est une élévation latérale de l'ap- pareil de la figure 10; la figure 12 est une coupe du substrat d'inter- connexion selon l'invention, représentant la connexion en- tre le conducteur ou fil métallique, un support de puce et une puce; la figure 13 est une coupe du substrat d'inter- connexion selon un mode de réalisation de l'invention, re- présentant le circuit avec une base métallique et un con- ducteur formé à la surface; la figure 14 est une coupe analogue à la figure 12 mais représentant l'interconnexion entre un conducteur ou fil métallique et une puce mais sans support de puce; la figure 15 est analogue à la figure 4 mais re- présente un mode de réalisation dans lequel le circuit, lorsqu'il terminé, doit être retiré de la base métallique; la figure 16 est analogue à la figure 15 mais représente le conducteur exposé après formation de la ca- vité; et la figure 17 est analogue aux figures 15 et 16 mais représente le conducteur et la plage conductrice après formation du revêtement,- la base métallique utilisée pour le traitement étant retirée et le circuit étant collé sur une base permanente. Sur la figure 1, le circuit 2 représenté comporte un substrat 4 d'interconnexion sur lequel sont montés des ensembles 12 comprenant un support de puce, une puce et un couvercle. Les supports 12 sont reliés à des plages formées à la surface et peuvent être reliés à des lignes communes 14, 16 d'alimentation et de masse formées à la surface du substrat 4. Les supports 12 de puce ont des dimensions qui varient d'après la complexité et la dimension de la puce qu'ils contiennent. Comme l'indique clairement la figure 2, le support 12 de puce comprend un corps 6 ayant une par- tie centrale supérieure évidée 20 et un fond plan 22 (fi- gure 3). La partie supérieure centrale évidée 20 a plu- sieurs contacts 24 espacés sur elle, dans un but décrit dans la suite présent mémoire. Le fond 22 et les côtés du corps 6 ont plusieurs contacts 26 espacés autour des côtés du support et se prolongeant sur la face inférieure 22 (fi- gure 3). La puce 10 a plusieurs contacts 30 disposés au- tour de son bord supérieur. La puce 10 est montée dans la cavité 20 du corps 6 avec ses contacts 30 reliés aux contacts 24, dans la ca- vité 20 du corps 6. Lorsque la puce 10 se trouve dans la cavité 20 et lorsque les contacts 30 et 24 sont reliés, le couvercle 32 est placé sur la cavité 20 et recouvre celle-ci et la puce 10 placée à l'intérieur. Comme décrit dans la suite du présent mémoire, les contacts 26 du corps 6 qui doivent être reliés au circuit 2 sont montés et soudés 03931 2 1 2 sur les plages de contacts formées sur le substrat après la fabrication du circuit et la formation des plages vou- lues de contacts. Comme décrit plus en détail dans la suie du présent mémoire, les contacts 30 de la puce 10, peuven-. être reliés, par exemple par soudage avec apport, par fixa- tion de fil ou de toute autre manière convenable, direc- tement sur les plages de contacts du substrat, lorsque ces plages sont formées, et le corps 6 et le couvercle 32 ne sont pas utilisés. Comme l'indiquent les figures 4 à 9, une base 42 qui peut être formée de matière plastique, par exemple ar- mée de fibres de verre, d'une céramique ou d'un métal revêtu, est revêtue d'un adhésif 44 qui peut être excité par de l'énergie ultrasonore. Un fil'métallique 46 portant un revêtement isolant 48 est incrusté et enrobé dans l'adh-- sif 44, selon les procédés connus. Le substrat, ayant le fil incrusté suivant le dessin préalablement programmé, peut être chauffé et étuvé afin que l'adhésif dans lequel le fil incrusté est enrobé durcisse bien, et que les ma- tières volatiles de l'adhésif soient retirées et chassées. Une matière liquide 50 est alors coulée sur les fils in- crustés. La surface exposée du liquide 50 est mise au contact de la surface d'un film, par exemple de polyes- ter, qui n'adhère pas au revêtement, puis celui-ci est durci ou polymérisé à une température inférieure à 1000C, et le film qui n'adhère pas est retiré. Cette opération fait partie du procédé connu. La surface exposée du li- quide 50 peut aussi être étalée et mise de niveau à l'aide d'une lame de raclage, d'un couteau ou d'un rouleau, ou le liquide peut être coulé, étalé ou brassé sur la pla- quette ayant les fils incrustés avant que la matière 50 durcisse ou polymérise. De toute manière, une surface plane, lisse et plate est formée sur le substrat. Le re- vêtement séché et durci forme une couche 50 au-dessus de la plaquette dans laquelle le fil est incrusté. Un mince revêtement adhésif 52, par exemple d'un caoutchouc époxyde, peut être appliqué sur la couche 50 et séché ou polymérisé afin qu'il forme un revêtement sur la pla- quette, permettant l'adhérence d'un métal appliqué ulté- rieurement par impression, revêtement ou analogue. Comme l'indiquent les figures 10 et 11, le sub- strat de la figure 4, dans lequel les fils sont incrustés et qui est revêtu d'un adhésif,est monté sur une table d'une machine X-Y 62,-à commande numérique, par exemple ayant un organe 64 de commande à ordinateur et à mémoire à disque souple, préalablement programmé afin que la ta- ble 60 soit déplacée, de même que le substrat fixé sur elle, suivant une séquence prédéterminée. Une source d'énergie intense, pouvant être focalisée et appliquée sous forme d'un faisceau vertical sur le substrat placé sur la table, par exemple un laser 70, projette un fais- ceau laser par l'intermédiaire d'un tube 72 en direction verticale, par exemple par l'intermédiaire d'un miroir et d'une tête 74. On constate qu'un laser à CO2 "Everlase" de 150 W de Coherent Inc. donne satisfaction comme source laser d'énergie élevée dans le cadre de l'invention. L'or- gane 64 de pilotage non seulement augmente le déplacement et l'arrêt de la table X-Y 62 mais commande aussi l'impul- sion du laser 70. Ainsi, lorsque la table 60 et le substrat incrusté qu'elle porte se déplacent d'un point à un autre et s'arrêtent sous l'action de la commande 64, le laser 70 transmet une impulsion à chaque arrêt. Comme indiqué clairement sur les 6 et 7 qui re- présentent le substrat ayant les fils incrustés et revêtu de caoutchouc époxyde de la figure 4, monté sur la table , cette dernière et la commande 64 sont préalablement programmées afin qu'elles alignent le conducteur 46 sur -le faisceau provenant de la tête 74. Lorsque le conducteur 46 est ainsi aligné, la table 60 et le substrat qu'elle porte sont arrêtés et la source d'énergie transmet une impulsion. Cette source, un laser dans le mode de réali- sation décrit, peut être déclenchée à raison d'une impul- sion à chaque arrêt ou d'une série d'impulsions le cas échéant. La puissance de la source d'énergie peut être réglée afin que l'énergie parvienne au substrat et que l'énergie soit absorbée de la quantité voulue. De toute manière, le revêtement de caoutchouc époxyde et le revête- ment du conduteur sont chauffés, vaporisés et volatilisés. L'isolement 48 est exposé au faisceau et, de même que le revêtement, ilest vaporisé et volatilisé. Le métal du conducteur ou fil 46 qui est formé de cuivre dans un mode de réalisation avantageux, réfléchit l'énergie du faisceau et reste intact. Ainsi, comme indiqué clairement sur les figures 6 et 7, une cavité sensiblement cylindrique se forme depuis la surface vers l'intérieur du substrat en laissant le fil ou conducteur 46 pratiquement nu et *exposé dans l'orifice. Lorsque le dessin préalablement programmé de cavités ou d'orifices a été formé à la surface de la pla- quette, les parois des trous, la surface revêtue de caout- chouc époxyde et le fil exposé sont revêtus d'un métal. L'opération peut être réalisée par dépôt chimique ou en combinaison par dépôt chimique et par électrodéposition, la cavité et la surface externe de caoutchouc époxyde étant d'abord sensiblisées par un catalyseur appliqué après la formation de la cavité par le faisceau d'énergie élevée, ou incorporé pendant la coulée et l'application initiales du revêtement; la surface sensiblisée par un catalyseur est d'abord revêtue chimiquement afin qu'un mince revête- ment de métal se forme, ou la surface est d'abord revêtue chimiquement afin qu'elle forme une mince couche de métal sur la surface le long des parois de la cavité et autour du fil exposé, et la quantité de métal déposée chimiquement peut alors être augmentée par électrodéposition ou par dépôt chimique supplémentaire. Lorsque le substrat et les cavités ont été revêtus, des plages conductrices et des conducteurs ou plans de masse et d'alimentation peuvent être formés à la surface, par utilisation de caches et d'attaques chimiques, par mise en oeuvre des procédés utilisés de façon classique pour la préparation des surfaces des plaquettes de circuit. Ainsi, comme indiqué clairement sur les figures 8 et 9, les parois des cavités des conducteurs sont revêtues de métal tel que du cuivre comme indiqué par la référence , et des plages conductrices 82 et des plans conducteurs 84 (figure 13) sont formés à la surface de la plaquette. Comme l'indique clairement la figure i2, le support 12 de puce est relié électriquement, au niveau du contact 26, par de la soudure qui est au contact de la plage con- ductrice 82. Comme indiqué clairement sur la figure 12, la puce 10 peut être montée et collée en 79 afin qu'elle soit raccordée directement à la plage conductrice 82, par une soudure 81, par une liaison par fil conducteur ou de toute autre manière assurant la connexion des plages conduc- trices 30 de la puce et dans ce cas le support 12 n'est pas utilisé. Le mode de réalisation des figures 15, 16 et 17 est analogue à celui qu'on a décrit et il est formé pra- tiquement de la même manière. Cependant, les deux modes de réalisation diffèrent en ce que, dans celui qui est déjà décrit, le substrat a une base intégrante utilisée afin qu'elle donne la stabilité nécessaire pendant le trai- tement et qu'elle constitue une partie du produit final; le mode de réalisation des figures 15, 16 et 17 utilise une base uniquement pour le traitement. Ainsi, une base métallique 42' reçoit un dépôt de cuivre tel que 100. Un adhésif 44' est collé au dépôt de cuivre 100 et des fils 48' sont appliqués et incrustés et des revêtements 50' et 52' sont appliqués comme décrit dans le mode de réalisation précédent. Lorsque les cavités sont ensuite remplies de mé- tal comme représenté plus clairement sur la figure 17, le contact métalmétal est obtenu non seulement entre le métal 80' qui remplit le trou et le fil exposé 46', mais il peut aussi être assuré avec un revêtement 100 de cuivre. Ainsi, lorsque la base métallique 42' est supprimée comme indiqué sur la figure 17, la surface exposée du revêtement peut recevoir un cache puis être attaquée chimiquement 2e03931 afin que des plages conductrices isolées 100 et des lignes comnunes 106 de masse et d'alimentation soient formées. Le circuit est ensuite monté sur une base 102 représentée sur la fi- gure 17 et qui peut être formée d'un métal ou de toute autre matière de support, revêtue d'un adhésif 104 qui, dans le cas d'une base métallique, doit aussi être diélectrique, ce qui n'est pas indispensable dans le cas contraire. Dans tous les modes de réalisation de l'invention, la base diélectrique est montée ou fixée sur une base stable et rigide lorsque le fil métallique est incrusté, lorsque le revêtement liquide est appliqué, mis de niveau, lissé, aplati et durci ou polymérisé, lorsque les cavités sont formées dans le circuit afin que les conducteurs ou fils soient exposés, par mise en oeuvre de faisceau d'éner- gie élevée, et lorsque les trous sont revêtus par dépôt chimique ou électrodéposition. Dans le mode de réalisation des figures 4 à 9, la base est fixée de façon permanente et constitue une partie du circuit terminé. Dans le mode de réalisation des figures 15 à 17, la base métallique sur laquelle le circuit est monté et fixé lors du trai- tement est retirée et le circuit traité, ayant les cavités formées par un faisceau d'énergie élevée et remplies de métal déposé chimiquement ou par électrodéposition, est collé à une base qui peut être une base métallique revêtue d'un diélectrique ou une base de matière diélectrique ou de toute autre matière revêtue d'un diélectrique. Plusieurs circuits traités, fixés et montés chacun sur une base métal- lique lors du traitement et ultérieurement retirés de cette base, peuvent être collés les uns aux autres et raccordés les uns aux autres et, avant ou après empilement, ils peu- vent être montés et fixés sur une base diélectrique ou une base revêtue d'une matière diéle2trique. Dans les deux modes de réalisation de l'invention, le conducteur ou le fil métallique passe dans la cavité formée par un faisceau d'énergie élevée, au moment du re- vêtement métallique. De cette man r;, le c9 a-t électrique et la résistance mécanique entre le conducteur et le métal de revêtement de la cavité sont supérieurs à ceux qu'on peut obtenir lorsqu'on essaie de percer dans un fil de à 100 microns de diamètre, avec un foret de 150 à 300 microns de diamètre. Lors de la mise en oeuvre de l'invention, les revêtements 50, 50D Opeuvent être coulés in situ sur le circuit dans lequel le fil est incrusté. Des cavités for- mées entre le revêtement et la surface du circuit dans laquelle les fils sont incrustés peuvent être chassées à l'aide d'un rouleau ou d'une lame de raclage appliqué sur la surface exposée du revêtement 90, 50'. La matière de revêtement 50, 50', au lieu d'être coulée in situ, peut être formée d'une matière qui polymérise sous l'action des ultraviolets ou de type thermodurcissable polymérisant à basse température, telle qu'une résine époxyde, poly- amide ou acrylique, et elle peut être coulée sur la sur- face, entre la surface et une feuille préalablement formée et appliquée sur le circuit dans lequel les fils sont in- crustés, à l'aide d'un plateau, d'un rouleau ou d'une lame de raclage afin que le revêtement soit de niveau entre la feuille et le circuit portant les fils métalliques. De toute manière, le revêtement 50, 50' forme une surface plane sur le circuit irrégulier dans lequel les fils sont incrustés, et il est polymérisé ou durci avant formation des cavités dans le circuit. Le revêtement 50, 50' doit être formé d'une matière ou doit contenir un additif tels que le revêtement peut polymériser ou durcir à basse tem- pérature ou par irradiation à basse température, par exem- ple par un rayonnement ultraviolet. D'autres revêtements plans peuvent évidemment être ajoutés au circuit, ou les caractéristiques voulues de ces revêtements, par exemple d'adhérence, peuvent être incorporées au revêtement 50, '. Les circuits fabriqués par mise en oeuvre de l'in- vention, et notamment ceux du mode de réalisation des fi- gures 15 à 17, peuvent être empilés les uns sur les autres. Lors de cet empilement et de leur collage, un revêtement diélectrique ou des adhésifs diélectriques doivent être utilisés entre les circuits afin que ceux-ci conservent leur intégrité. Lors de la mise en oeuvre de l'invention, la for- mation des cavités à l'aide d'un faisceau d'énergie élevée, par exemple d'un laser, est particulièrement utile. Ce- pendant, d'autres dispositifs tels qu'un foret, un dispo- sitif abrasif ou chimique ou un jet à grande vitesse peut aussi être utilisé. D'autres faisceaux d'énergie élevée qui peuvent être absorbés par la matière à percer mais non par le conducteur ou le fil métallique et pouvant vola- tiliser la matière d'isolement du conducteur ou du fil métallique peuvent aussi être utilisés. Il est bien entendu que l'invention n'a été dé- crite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et qu'on pourra apporter toute équivalence technique dans ses éléments constitutifs sans pour autant sortir de son cadre. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication de substrats destinés au montage et à l'interconnexion de composants, caractérisé en ce qu'il comprend: (a) l'application et la fixation de filaments (46) suivant un dessin préalablement programmé sur une base (40), (b) l'application d'un revêtement plan, sensi- blement lisse et plat (50) sur les filaments fixés et la base, sans modification de l'emplacement des filaments appliqués et fixés, (c) la formation de cavités à des emplacements choisis de la surface plane, ces cavités traversant le revêtement afin qu'elles exposent les filaments (46) , et (d) la formation d'un dispositif de couplage (80) entre les filaments exposés et des points formant des bornes à la surface du revêtement plan (50). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les filaments sont des conducteurs électriques aU (4b) préalablement revêtus d'un isolant, par exemple des fils de cuivre ou d'un autre métal. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que les conducteurs électriques sont préalablement revêtus d'un adhésif placé sur l'isolement (48). 4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le dispositif de couplage (80) est une connexion électrique formée par dépôt chimique de métal ou par dépôt chimique et électrolytique de-métal. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la base (42) est une base diélectrique comprenant une couche adhésive (44) d'une matière résineuse fixant les filaments (46) à la base (42). 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche adhésive (44) est formée d'un adhésif qui peut être activé par de l'énergie, et cet adhésif est activé lorsque les filaments préalablement isolés (46) sont appliqués afin qu'ils soient fixés sur la base. 2503; 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'adhésif peut être activé par de l'énergie ultrasonore, par compression ou par rayonnement. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le rayonnement est un rayonnement ultraviolet. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le revêtement (50) appliqué sur les filaments (46) et la base (42) est appliqué sous forme d'un liquide ou d'un film se déformant facilement. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend ensuite la polymérisation et le dur- cissement du liquide ou du film appliqué afin qu'il se forme une surface plane sensiblement lisse et plate. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend la mise d'une matièze mon adhérente au contact du revêtement liquide (50) ou du film déformable alors que la matière non adhé- rente est à son contact, et l'enlèvement de cette matière non adhérente du revêtement (50) ou du film après le dur- cissement de celui-ci. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la composition de revêtement est durcie à une température sensiblement inférieure à 100'C. 13. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche formant une surface plane, sensiblemer lisse et plate est retirée à des emplacements choisis afi:- qu'elle expose l'isolement préalable du filament (46) à ces emplacements, cet isolement préalable étant lui aussi pratiquement retiré simultanément. 14. Procédé selon la revendication 13, caxartérisé en ce que la pénétration et l'enlèvement de l'isolant son- réalisés à l'aide d'un faisceau d'énergie élevée auquel la matière des filaments (46) est pratiquement insensible. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le faisceau d'énergie élevée est un faisceau laser, par exemple d'un laser à CO 2. 16. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la surface du revêtement (50) porte des plages (82) et des éléments métalliques à des emplacements choisis. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la formation de la base par application et fixation d'une couche diélectrique à la surface d'un support (42). 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la formation de la base par application et fixation d'un adhésif et d'une couche diélectrique à la surface d'une plaque métallique de support ou d'une plaque métallique revêtue (42), par exemple une plaque d'acier inoxydable revêtue de cuivre. 19. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend la formation de la base par application et fixation d'un adhésif et d'une couche diélectrique à la surface d'une plaque de support (42'), et, après formation des dispositifs de cou- plage (80) entre les filaments exposés (46') et les points formant les bornes, l'enlèvement du substrat de la plaque de support (42'). 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il comprend en outre le collage du substrat retiré sur un organe isolé de support. 21. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: (a) la fixation sur une table (62> du substrat ayant le revêtement polymérisé et durci (50) et le conduc- teur isolé (46), (b) l'alignement de la table et du substrat fixé sur elle sur une source (70) d'un faisceau d'énergie élevée afin qu'un point prédéterminé sur le conducteur (46) fixé au substrat soit aligné sur la source du faisceau, et (c) l'alimentation de la source du faisceau d'éner- gie élevée, alors que cette source (70) et le point prédé- terminé sont ainsi alignés, de manière que le faisceau de la source volatilise le revêtement du substrat dans la région alignée sur le faisceau et expose le conducteur aligné. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que le conducteur est revêtu d'un isolement de laque et le faisceau volatilise le revêtement du substrat et l'isolement de laque dans la région alignée sur la source (70) du faisceau afin que le conducteur aligné (46) soit exposé. 23. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que la table (62) et le substrat sont alignés sur la source (70) d'un faisceau d'énergie élevée en un second point prédéterminé du dessin du circuit après que le conduc- teur (46) aligné au premier point prédéterminé a été exposé et, alors que le substrat est ainsi aligné sur le second point, l'alimentation de la source du faisceau d'énergie élevée, la volatilisation du revêtement du substrat et de l'isolement de laque dans la région alignée sur le fais- ceau de la source (70), et l'exposition du conducteur (46) dans la seconde région alignée. 24. Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que les différentes opérations sont répétées jusqu'à ce que tous 'Les conducteurs (46) du substrat qui doivent être couplés à la surface externe, aient été traités. 25. Procédé selon l'une quelconque des revendications 21 à 24, caractérisé en ce que la source ceau d'énergie élevée est un laser, et celui-ci fonctionne en mode pulsé lorsque la table (60) et le substrat sont alignés sur le faisceau à l'emplacement du conducteur qui doit être exposé. 26. Procédé selon l'une quelconque des revendications 21 à 25, caractérisé en ce que la source 170) d'un faisceau d'énergie élevée est un laser à CO2 dont le faisceau forme des cavités dans le substrat, et les cavités formées par le faisceau du laser sont revêtues d'un métal. 27. Procédé selon l'une quelconque des revendications 21 à 26, caractérisé en ce que les cavités formées dans la plaquette du circuit avec le faisceau reçoivent un re- vêtement d'un métal, le substrat ayant des trous métal- lisés étant retiré de la plaque métallique de support (42'), et le substrat retiré est collé sur une base isolante. 28. Procédé selon l'une quelconque des revendications 21 à 26, caractérisé en ce que les trous percés dans le substrat à l'aide du faisceau sont métallisés, le substrat ayant les trous métallisés est retiré de la plaque métal- lique de support (42'), et le substrat retiré est collé sur une base métallique isolée. 29. Procédé d'enlèvement de revêtements isolants de substrats avec exposition de fils métalliques d'un circuit porté par le substrat, caractérisé en ce qu'il comprend (a) la fixation d'un substrat ayant des fils mé- talliques (46) de circuit, sur une table (60) mobile sui- vant des axes X et Y, (b) le déplacement de la table (60) et du substrat suivant lesdits axes afin que le fil métallique (46) du circuit qui se trouve en un point prédéterminé de la pla- zû- quei e de circuit soit aligné sur une source (70) d'un faisceau d'énergie élevée, (c) l'alimentation de la source (70) d'un fais- ceau d'énergie élevée lorsque le substrat est ainsi ali- gné, et (d) la volatilisation dela matière isolante de la région du substrat qui est alignée sur la source du fais- ceau afin que le fil métallique aligné (46) soit prati- quement exposé. 30. Objet destiné au montage et à l'interconnexion de composants électroniques, caractérisé en ce qu'il com- prend plusieurs organes filamentaires isolés (46) enrobés dans un corps de matière isolante ayant des cavités à des emplacements prédéterminés, alignées sur lesdits filaments (46), à des endroits o l'isolement des filaments et la surface de la matière d'enrobage ont été retirés afin que le filament soit exposé, et un dispositif (80) placé aux- dits points prédéterminés au contact de l'organe filamen- taire et assurant le couplage de cet organe et de la sur- face externe de la matière d'enrobage. 31. Objet selon la revendication 30, caractérisé e-: ce que l'organe filamentaire (46) est un conducteur ou un fil métallique isolé, par exemple un fil de cuivre. 32. Objet selon la revendication 30, caractérisé en ce que le dispositif de couplage (80) est formé d'une ma- tière conductrice. 33. Objet selon la revendication 32, caractérisé en ce que la matière conductrice est un revêtement métalliqa- formé par dépôt chimique ou par dépôt chimique et électrc lytique.