Brevet FR2503961A1 — publié le 19821015

1.- La présente invention est relative de façon générale à un dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions, et plus particulièrement à un dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions dans lequel la production d'oscillations est empêchée lors de l'ali- mentation en puissance. Selon l'art antérieur, un dispositif d'ampli- fication de signaux modulé en largeur d'impulsions est un ampli- ficateur dans lequel la variation d'amplitude d'un signal audio est changée en la variation de la largeur d'une impulsion (la- quelle est une onde rectangulaire de fréquence voisine de 500 k Hz) puis amplifiée Du fait qu'un tel amplificateur est d'un rende- ment élevé, de faiblesdimensions, de faible poids, et peut pro- duire une large sortie, il est utilisé relativement fréquemment. Un exemple du dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions, selon l'art antérieur, est représenté sur la figure 1 Dans ce cas, le signal de sortie est réinjecté pour réduire la distorsion. Sur la figure 1, la référence 1 désigne une borne d'entrée à laquelle est appliquée un signal audio Ce si- gnal audio appliqué à la borne d'entrée 1, est délivré par l'in- termédiaire d'un branchement en série d'un condensateur G et d'une résistance R à la borne d'entrée inversée d'un amplifica- teur opérationnel 2 a qui constitue un intégrateur 2 et dont la borne entrée non inversée est mise à la terre Il est prévu un oscillateur 3 de signal porteur qui engendre un signal porteur tel qu'un signal rectangulaire de fréquence 500 k Hz par exemple. Le signal porteur dérivé de l'oscillateur 3 est appliqué par l'in- termédiaire d'une résistance R à la borne d'entrée inversée de l'amplificateur opérationnel 2 a dont le c 8 té sortie est connecté par l'intermédiaire d'un condensateur 2 b à la borne d'entrée in- versée de cet amplificateur Du côté sortie de cet amplificateur opérationnel 2 a, est obtenu un signal qui est créé par intégra- tion du signal audio et du signal porteur et qui est à son tour, appliqué au côté entrée d'un comparateur 4 Ce comparateur 4 est constitué de par exemple un montage en série d'inverseurs 4 a, 4 b, 4 c et 4 d et il compare le signal de sortie en provenance de l'intégrateur 2 avec un potentiel de référence, tel qu'un po- tentiel de terre A partir du côté sortie du comparateur 49 est délivré un signal dans lequel la largeur d'impulsions du signal 2503 961 2.- porteur est modifiée en réponse à la variation du signal audio, c'està-dire un signal modulé en largeur d'impulsions tel que celui représenté sur la figure 2. Le signal modulé en largeur d'impulsions en provenance du comparateur 4, est appliqué par l'intermédiaire d'un premier circuit de commande 5 p à la porte d'un transistor à effet de champ MOS à canal p (qui sera ci- après référencé dans un but de simplification MNOS ET), lequel constitue un inverseur C-MOS 6 ou un amplificateur de sortie, et également par l'inter- médiaire d'un second circuit de commande 5 N à la porte d'un MOS FET à canal N 6 n, qui constitue l'inverseur C-NOS 6 avec le MOS PET à canal p 6 p. La source du MOS PET 6 p est connectée à la borne 7 p de la source d'alimentation, à laquelle est appliquée une tension continue positive + V 00 tandis que la source du MOS PET 6 N est connectée à la borne 7 N de la source d'alimenta- tion à laquelle est appliquée une tension continue négative -Vec Les drains des NOS PET 6 p et 6 N sont reliée l'un à l'autre. Le signal obtenu en ce point de connexion est réinjecté par l'in- termédiaire d'une résistance de réaction négative 9 à la borne d'entrée inversée de l'amplificateur opérationnel 2 a constituant l'intégrateur 2 pour réduire ainsi la distorsion Une borne de sortie 8 est reliée au point de Jonction des drains des MOS PE 6 p et 6 n. Dans l'exemple de l'art antérieur représenté sur la figure 1, pendant la période ok le signal modulé en largesr d'impulsions représenté sur la figure 2, est négatif, le MOS PET 6 p est enclenché, tandis que pendant la période o le signal modu- lé en largeur d'impulsions est positif, le MOS FET 6 N s'enclenche. Ainsi, au point de Jonction des drains des MOS PET 6 p et 6 n, à savoir la borne de sortie 8, le signal amplifié modulé en lar- geur d'impulsions, est obtenu Le signal modulé en largeur d'im- pulsions ainsi amplifié et dérivé, est démodulé par l'intermédiai- re d'un filtre passe-bas (non représenté) puis si ce signal dé- modulé est appliqué par exemple à un haut-parleur (non représen- té) un son de bonne qualité peut être reproduit. Dans le cas de l'amplificateur de signaux mo- dulé en largeur d'impulsions représenté selon l'art antérieur sur la figure 1, avant que l'oscillateur de signal porteur 3 fonctionne normalement lors de l'alimentation en puissance, 2503 961 la boucle fermée comportant l'intégrateur 2 est mise en auto- oscillation à une fréquence de plusieurs M Hz à plusieurs dizai- nes de M Hz, ce qui se traduit fréquemment par la production de bruits discordants La raison de ce phénomène peut être consi- dérée comme étant due à ce que, lors de l'alimentation en puis- sance, le signal de sortie en provenance de tl'inverseur C-MOS 6 constituant l'amplificateur de sortie est instable et que le si- gnal de sortie de cet inverseur qui devrait être réinjecté né- gativement à l'intégrateur 2, est en pratique réinjecté posi- tivement. C'est en conséquence un but de la présente invention de créer un nouveau dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions, qui soit exempt des défauts rencontrés dans l'art antérieur. Un autre but de l'invention est de créer un dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impul- sions dans lequel lors de l'alimentation en puissance, il n'est pas engendré d'oscillations et donc dans lequel la production de bruits est évitée. En accord avec un exemple de l'invention, il est décrit un dispositif amplificateur de signaux modulé en largeur d'impulsions, dispositif comportant: une source d'alimentation pour fournir une tension continue, une borne d'entrée pour recevoir un signal d'entrée destiné à être modulé en largeur d'impulsions, un intégrateur ayant une borne d'entrée et une borne de sortie un oscillateur de signal porteur pour fournir un signal porteur, des circuits pour fournir ce signal d'entrée et ce signal por- teur à la borne d'entrée de l'intégrateur, un comparateur ayant des bornes d'entrée et de sortie, dont la borne d'entrée est connectée à la borne de sortie de l'in- tégrateur, tandis que sa borne de sortie délivre un signal modulé en largeur d'impulsions, un amplificateur de sortie alimenté avec une tension continue en provenance de la source d'alimentation et ayant des bornes d'entrée et de sortie, la borne d'entrée de cet amplificateur étant connectée à la borne de sortie du comparateur et la bor- ne de sortie de cet amplificateur délivrant un signal amplifié modulé en largeur d'impulsions, dispositif caractérisé en ce qu'il comporte: 2503 961 4.- un circuit de réaction négative connecté entre la borne d'en- trée de l'intégrateur et la borne de sortie de l'amplificateur de sortie et comportant une connexion en série d'une impédance de réaction et de premiers moyens de commutation, ces premiers moyens de commutation étant rendus conducteurs après un temps déterminé à partir du moment oh la tension continue en prove- nance de la source d'alimentation est fournie à l'amplificateur de sortie de façon à ne pas produire une oscillation. Les autres buts, particularités et avantages de la présente invention, vont se dégager de la description qui va suivre et qui se réfère aux dessins ci-joints, dans lesquels: la figure 1 est un diagramme par blocs montrant un exemple conforme à l'art antérieur d'un dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions, la figure 2 est un diagramme de forme d'onde du signal de sortie en provenance du dispositif d'amplification représenté sur la figure 1, la figure 3 est un diagramme par blocs représentant un exemple du dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions, conforme à la présente inven- tion, la figure 4 est un schéma de montage re- présentant un circuit de porte de transfert et son circuit de commande utilisés dans la présente invention, les figures 5 A à 5 F sont respectivement des diagrammes de forme d'onde utilisés pour expliquer le fonc- tionnement du dispositif selon l'invention. Un exemple du dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions conforme à la présente invention, va être décrit en se référant à la figure 3, dans la- quelle les différents parties et éléments correspondants à ceux de la figure 1 sont repérés avec les mêmes numéros de références, la description détaillée de ces parties et éléments étant omise dans ce qui va suivre. Dans l'exemple de l'invention représenté sur la figure 3, le point de jonction des drains des MNOS PET 6 p et 6 n, qui constituent l'inverseur C-MOS 6, est connecté à une borne Sla d'un commutateur de connexion 51 dont l'autre borne Slb est reliée par l'intermédiaire de la résistance 9, à la borne d'en- trèe inversée de l'amplificateur opérationnel 2 a constituant 2503 961 5.- l'intégrateur 2 le côté sortie de l'amplificateur opérationnel 2 a est relié à une borne 52 a d'un commutateur de connexion 52 dont l'autre borne 52 b est reliée au point de jonction entre le commutateur de connexion 51 et la résistance 9. Les commutateurs respectifs de connexion 51 et 52 sont pratiquement constitués de circuits et de portes de transfert comme le montre la figure 4 Cela signifie que le coà- mutateur de connexion Si 1 est constitué d'un circuit de porte de transfert 10 qui consiste en un MOS FET à canal p 10 p et en un MOS PET à canal N 10 n Les sources de ces MOS PET 10 p et 1 On sont reliées l'une à l'autre pour jouer le rôle d'une borne Sla du commutateur de connexion 51, tandis que les drains des MOS FET 10 p et O 10 N sont reliés l'un à l'autre pour jouer le rôle de l'autre borne S Ib du commutateur de connexion 51 Grâce à ce circuit de porte de transfert 10, lorsque les portes respec- tives des MOS PET 10 p et 1 On reçoivent un signal de bas niveau "O" tel que -Vo et un signal de haut niveau " 1 " tel que +Vac, le circuit de porte de transfert 10 devient conducteur. le commutateur de connexion 82 est constitué d'un circuit de porte de transfert 11 qui comporte un MOS FET à canal p 11 p et un MOS PET à canal N 11 n Les sources de ces MOS FET 11 p et 11 N sont reliées entre elles pour constituer une borne 82 a du commutateur de connexion 82, tandis que les drains des MOS FET 11 p et 11 N sont reliés entre eux pour jouer le rôle de l'autre borne M 2 b du commutateur de connexion 82 Lorsque les portes respectives des MOS PET 11 p et 11 N reçoivent un signal de bas niveau l'on", par exemple, -V 00 et un signal de haut niveau " 1 ", tel que +Vac, le circuit de porte de transfert 11 devient conducteur. Dans la figure 4 le numéro de référence 12 désigne une borne qui reçoit le signal de haut niveau " 111 * tel que +VC 0, au moment même de l'alimentation en puissance Le signal appliqué à la borne 12 est délivré à un côté entrée d'un circuit ET 13 et également au côté entrée d'un circuit de retard 14 constitué des inverseurs 14 a, 14 b et 14 c connectés en série. Le signal retardé de r (voir la figure 5) et inversé en phase par l'intermédiaire du circuit de retard 14, est appliqué à l'autre entrée du circuit ET 13 Le signal de sortie du circuit ET 13 est appliqué à une borne d'entrée R de signal de remise à zéro d'un circuit de bascule 15. b 3 961 6.- Sur la figure 4, le numéro de référence 16 désigne une borne à laquelle est appliqué le signal de sortie en provenance de l'inverseur C-MOS 6 Ce signal de sortie en pro- venance de l'inverseur C-MOS 6 est appliqué par l'intermédiaire de la borne 16 à une borne d'entrée S de signal de positionnement du circuit de bascule 15. Au flanc montant du signal appliqué aux bornes d'entrée des signaux de positionnement et de remise à zéro S et R du circuit de bascule 15, celuici est positionné (ce qui implique qu'un signal de haut niveau " 1 " tel que +VC est obtenu à une borne de sortie Q du circuit de bascule 15 et qu'un signal de bas niveau " O " tel que -V, est obtenu à la-borne de sortie inversée 0) et il est également remis à zéro (ce qui suppose que le signal de bas niveau " O " est produit à la borne de sortie Q et que le signal de haut niveau "t" est obtenu à la borne de sortie inversée 0). La borne de sortie Q du circuit de bascule 15 est reliée par l'intermédiaire d'un inverseur 17 à la porte du MOS PET 10 p du circuit de porte de transfert 10 constituant le commutateur de connexion 51, et également par l'intermédiaire du montage en série des inverseurs 17 et 18 à la porte MNOS FET 1 On du circuit de porte de transfert 10 Cependant, la borne de sortie inversée du circuit de bascule 15 est reliée par l'in- termédiaire d'un inverseur 19 à la porte du MOS PET 11 p du circuit de porte de transfert 11 constituant le commutateur de connexion 82, et également par l'intermédiaire du montage en série des inverseurs 19 et 20 à la porte du MOS PE 1 lin du cir- cuit de porte de transfert 11. Le fonctionnement du circuit conforme à l'in- vention construit ainsi qu'il est dit ci-dessus, va être expli- qué en se référant aux figures 5 A à 5 P. Lorsque le circuit est alimenté en puissance à un instant t 1, le signal appliqué à la borne 12 devient le si- gnal à haut niveau " 1 " à partir de l'instant t 1, comme le montre la figure 5 A, si bien que le signal de sortie en provenance de l'inverseur 14 c devient celui que représente la figure 5 B En conséquence, le circuit ET 13 engendre un signal de sortie re- présenté sur la figure 5 C et délivre ce même signal à la borne d'entrée R du signal de remise à zéro du circuit de bascule 15. Ainsi, le circuit de bascule 15 est remis à zéro à l'instant t 1, 2503 961 7.- c'est-à-dire qu'il est mis dans un état tel qu'un signal de bas niveau " O " tel que -Vo C est dérivé à la borne de sortie Q de ce circuit, tandis que le signal de haut niveau " 1 ", par exemple +Vaa, est obtenu à la borne de sortie inversée S de ce circuit. A cet instant, puisque les portes des MOS FET p et O 10 N du circuit de transfert de porte 10, qui constitue le commutateur de connexion 51 i reçoivent respectivement le si- gnal de haut niveau " 1 " et le signal de bas niveau "O"t le cir- cuit de porte de transfert 10 n'est pas rendu conducteur, ctest- à-dire que le commutateur de connexion 51 est à l'état non con- ducteur ou déconnecté Cependant, à cet instant, les portes des MOS PET 1 lp et 1 In du circuit de porte de transfert 11, qui cons- titue le commutateur de connexion 52, reçoivent respectivement le signal de bas niveau "O" et le signal de haut niveau " 1 ", si bien que le circuit de porte de transfert 11 prend l'état con- ducteur ou l'état connecté, c'est-à-dire que le commutateur de connexion 52 devient conducteur ou connecté. Comme celaia été exposés puisqu'à l'instant t 1 le commutateur de connexion 51 est à l'état non conductif, mais le commutateur de connexion 52 à l'état conductif, le ceté sortie de l'amplificateur opérationnel 2 a constituant l'inté- grateur 2 est connecté par l'intermédiaire de la résistance 9 à sa borne d'entrée inversée pour appliquer ainsi à cette borne une réaction locale En conséquence, en accord avec le fonction- nement de l'oscillateur de signal porteur 3, l'intégrateur 2, le comparateur 4 et l'inverseur C-MOS 6 sont séquentiellement mis en fonctionnement de façon stable dans cet ordre Puis, à un instant t 2 succédant à l'instant t 1 selon une période prédéter- minée T, l'inverseur C-NOS 6 délivre un signal amplifié modulé en largeur d'impulsions représenté sur la figure 5 D. Puisque le signal représenté sur la figure D en provenance de l'inverseur C-MOS 6 est appliqué par l'in- termédiaire de la borne 16 à la borne d'entrée S du signal de positionnement du circuit de bascule 15 comme précédemment dé- crit, à l'instant t 2 le circuit de bascule 15 est positionné, c'est-àdire qu'il est mis dans un état tel que le signal de haut niveau " 1 " tel que + VCC est délivré à sa borne de sortie Q et que le signal de bas niveau "O" tel que -V O o est obtenu à sa borne de sortie inversée I. A cet instant, puisque les MOS PET 10 p et 10 n 2503 961 8.- du circuit de porte de transfert 10, qui constitue le commuta-. teur de connexion 51, reçoivent respectivement le signal de bas niveau " O " et le signal de haut niveau " 1 ", le circuit de porte de transfert 10 est rendu conducteur, c'est-à-dire que le commutateur de connexion 51 prend l'état conducteur Cepen- dant, à cet instant, les NMOS FET 11 p et 11 N du circuit de porte de transfert 11, qui constitue le commutateur de connexion 52, reçoivent respectivement le signal de haut niveau " 1 " et le signal de bas niveau " O ", si bien que le circuit de porte de transfert 11 ne passe pas dans l'état conducteur, c'est-à-dire que le commutateur de connexion 32 n'est pas conducteur. Comme cela a été exposé, puisqu'à l'instant t 2 le commutateur de connexion 51 est dans l'état conducteur mais que le commutateur de connexion 82 est dans l'état non con- ducteur, à,partir de cet instant t 2, le signal de sortie en pro- venance de l'inverseur C-MOS 6 est appliqué à la borne d'entrée inversée de l'amplificateur opérationnel 2 a constituant l'inté- grateur 2, par l'intermédiaire de la résistance 9, pour appli- quer à cette borne une réaction normale Bn conséquence, l'opé- ration normale appliquée avec la réaction négative est commencée après l'instant t 2. Comme décrit ci-dessus, selon le dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions con- forme à l'invention, le tra Jet de réaction négative par l'in- termédiaire duquel le signal de sortie en provenance par exemple de l'inverseur C-MOS 6 qui constitue l'amplificateur, est appli- qué au côté entrée de l'intégrateur 2 est mis à l'état de cou- pure pendant la période prédéterminée T, après l'alimentation en puissance, de façon à ne pas délivrer un signal de sortie instable en provenance de l'inverseur C-MOS 6, sur le côté entrée de l'intégrateur 2 En conséquence, il n'est pas engendré,d'auto- oscillations dans la boucle fermée incluant l'intégrateur selon l'invention, lors de l'alimentation en puissance, si bien qu'au- cun bruit ou bruit, discordant, dd à une telle auto-oscillation n'est engendré. Dans l'exemple de l'invention décrit ci-dessus, pendant la période prédéterminée T après l'alimentations le com- mutateur de connexion St est rendu conducteur ou mis à l'état conducteur, pour appliquer la réaction locale à l'intégrateur 2, si bien que l'intégrateur 2 fonctionne de façon stable même 2503 961 9.- pendant cette période T. La description ci-dessus se rapporte à une réalisation unique préférée de l'invention, mais il est évident que de nombreuses modifications et de nombreux changements peuvent être effectués par un spécialiste de la Question, sans sortir de l'esprit ou du cadre des nouveaux concepts de la présente invention, tels qu'ils sont définis par les revendica- tions ci-annexées. 2503 961 10.- REVENDICATIONS 1. Dispositif amplificateur de signaux modu- lé en largeur d'impulsions# dispositif comportant: une source d'alimentation pour fournir une tensioh continue, une borne d'entrée pour recevoir un signal d'entrée destiné à être modulé en largeur d'impulsions, un intégrateur ayant une borne d'entrée et une borne de sortie un oscillateur de signal porteur pour fournir un signal porteur, des circuits pour fournir ce signal d'entrée et ce signal por- teur à la borne d'entrée de l'intégrateur, un comparateur ayant des bornes d'entrée et de sortie, dont la borne d'entrée est connectée à la borne de sortie de l'in- tégrateur tandis que sa borne de sortie délivre un signal modu- lé en largeur d'impulsions, un amplificateur de sortie alimenté avec une tension continue en provenance de la source d'alimentation et ayant des bornes d'entrée et de sortie, la borne d'entrée de cet amplificateur étant connectée à la borne de sortie du comparateur et la borne de sortie de cet amplificateur délivrant un signal amplifié modulé en largeur d'impulsions, dispositif caractérisé en ce qu'il comporte s un circuit de réaction négative connecté entre la borne d'en- trée de l'intégrateur et la borne de sortie de l'amplificateur de sortie et comportant une connexion en série d'une impédance de réaction et de premiers moyens de commutations ces premiers moyens de commutation étant rendus conducteurs après un temps déterminé à partir du moment oh la tension continue en prove- nance de la source d'alimentation est fournie à l'amplifica- teur de sortie de façon à ne pas produire une oscillation. 2 Dispositif d'amplification de signaux mo- dulé en largeur d'impulsions selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que cette impédance de réaction comporte une résistance tandis que les premiers moyens de commutation comportent un premier commutateur ENCIENCHEMENT-DECLENCHEMENT. 3 Dispositif d'amplification de signaux mo- dulé en largeur d'impulsions selon la revendication 1, caracté- risé en ce que l'amplificateur de sortie comporte une paire de transistors à effet de champ MOS complémentaire connectés à un inverseur. 4. Dispositif d'amplification de signaux 2503 961 11.- modulé en largeur d'impulsions selon la revendication 3, carac- térisé en ce qu'il comporte en outre, une boucle de réaction négative locale entre les bornes d'entrée et de sortie de l'in- tégrateur. 5 Dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions selon la revendication 4, carac- térisé en ce que cette boucle de réaction négative locale compor- te une connexion en série d'une impédance et de seconds moyens de commutation. 6 Dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions selon la revendication 5, carac- térisé en ce que ces seconds moyens de commutation comportent un second commutateur ENCLENCHEMENT-DECOIENCHEMENT. 7. Dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions selon la revendication 6, carac- térisé en ce que le second commutateur ENCLENOHEMNT-DECLENCHF- MENT est opérationnel en coopération avec le premier commutateur ENCLENCOHEMENT-DEO,HEMNT. 8. Dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions selon la revendication 7, carac- térisé en ce que le premier commutateur ENCIOENCEMENT-DEC Ia NCHR- MENT comporte une paire de bornes, un premier transistor à effet de champ MOS à canal p ayant des électrodes de porte, de source, et de drain, et un premier transistor à effet de champ MOS à canal N ayant des électrodes de porte, de source et de drain, les électrodes de source de ces premiers transistors à effet de champ MOS à canal p et à canal N étant connectées l'une à l'autre et à l'une des bornes de la paire, les électrodes de drain de ces premiers transistors à effet de champ MOS à canal p et à ca- nal N étant connectées l'une à l'autre et à l'autre borne de la paire, et les électrodes de porte de ces premiers transistors à effet de champ MOS à canal p et à canal N étant alimentées par une paire de signaux de commande de polarité différente pour être enclenchées /déclenchées simultanément. 9 Dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions selon la revendication 8, carac- térisé en ce que le second commutateur ENCILENCHEMENT-DECLENCHEMENT comporte une paire de bornes, un second transistor à effet de champ MOS à canal p ayant des électrodes de porte, de source et de drain, et un second transistor à effet de champ MOS à canal n 2503 961 12.- ayant des électrodes de porte, de source et de drain, les élec- trodes de source de ces seconds transistors à effet de champ MOS à canal p et à canal N étant connectées l'une à l'autre et à l'une des bornes de la paire, les électrodes de drain de ces seconds transistors à effet de champ MOS à canal p et à canal n étant connectées l'une à l'autre et à l'autre borne de la paire, et les électrodes de porte de ces seconds transistors à effet de champ MOS à canal p et à canal N étant alimentées par une paire de signaux de commande de polarité différente pour être ENCOLEN- CHES/DBEILENCHBES simultanément. 10. Dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions selon la revendication 9, carac- térisé en ce qu'il comporte en outre un circuit de contrôle de porte pour rendre conducteurs les premiers transistors à effet de champ MOS à canal p et à canal N et pour couper les seconds transistors à effet de champ MOS à canal p et à canal n. 11. Dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions selon la revendication 10, carac- térisé en ce que ce circuit de commande de porte comporte s un circuit de bascule ayant des bornes d'entrée de positionne- ment et de remise à zéro et des bornes non inversées et in- versées, un circuit pour connecter la borne d'entrée de positionnement du circuit de bascule à la borne de sortie de l'amplificateur de sortie et pour connecter la borne de remise à zéro du cir- cuit de bascule à la source d'alimentation, un circuit pour connecter la borne de sortie non inversée à l'électrode de porte du premier transistor à effet de champ MOS à canal p par l'intermédiaire d'un premier inverseur et à l'électrode de porte du premier transistor à effet de champ MOS à canal n par l'intermédiaire de ce premier inverseur et d'un second inverseur, un circuit pour connecter la borne d'entrée inversée à l'élec- trode de porte du second transistor à effet de champ MNOS à ca- nal p par l'intermédiaire d'un troisième inverseur, et à l'élec- trode de porte du second transistor à effet de champ MOS à canal N par l'intermédiaire de ce troisième inverseur et d'un quatrième inverseur. 12. Dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions selon la revendication 11, carac- 2503 961 13.- térisé en ce qu'il comporte en outre, un générateur d'impulsions de remise à zéro connecté entre la source d'alimentation et la borne de remise à zéro du circuit de bascule. 13. Dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions selon la revendication 12, carac- térisé en ce que le générateur d'impulsions de remise à zéro comporte: un circuit de porte ET ayant une paire de bornes d'entrée et une borne de sortie, l'une des bornes de la paire de bornes d'entrée de ce générateur étant connectée directement à la source d'alimentation, l'autre borne de la paire de bornes d'en- trée de ce générateur étant connectée à la source d'alimenta- tion par l'intermédiaire d'un circuit à retard, tandis que la borne de sortie de ce générateur est connectée à la borne de remise à zéro du circuit de bascule. 14. Dispositif d'amplification de signaux modulé en largeur d'impulsions selon la revendication 13, carac- térisé en ce que ce circuit à retard comporte une pluralité d'inverseurs connectés en série.