Brevet FR2504756A1 — publié le 19821029

DISPOSITIF DE COMMUTATION A SEUIL, DANS UN SYSTEME COMPORTANT UNE PLURALITE DE COMPOSANTS REPARTIS EN DEUX GROUPES INTERDIGITES La présente invention concerne un dispositif de commutation à seuil de tension, statique, à-l'état solide, destiné à orienter le courant électrique vers un seul composant d'un ensemble de composants identiques, en mettant à profit les caractéristiques électriques des varistances et leur géométrie. Le commutateur à seuil selon l'invention est destiné, entre autres applications, à la commande des résistances chauffantes des barrettes de résistances de tête d'impression thermique, dans lesquelles il remplace très avantageusement les diodes qui s'opposent au rebouclage du courant à travers des résistances non programmées pour l'écriture. Mais entre égale- ment dans le domaine de l'invention le cas plus général où ce dispositif de commutation est associé à d'autres composants tels que des cristaux liquides, des photodiodes, des condensateurs ou des composants actifs. Parmi les nombreux cas possibles de composants associés, soit en série, soit en parallèle, et qu'il faut commander un à un en courant se trouvent par exemple; - le cas d'une barrette de résistances en ligne de tête d'imprimante thermique, les résistances étant montées en série ; le chauffage de l'une d'elles provoque une modification thermochimique du papier et l'inscription d'un point sur celui-ci; - le cas d'un écran de visualisation par lignes de cristaux liquides smectiques montées en parallèle ; le chauffage d'une ligne de cristaux liquides permet d'y inscrire les points correspondants aux colonnes, points délivrés par la commande d'un signal vidéo par exemple. Dans ces différents cas, les composants sont associés par groupes, soit en série, soit en parallèle, commandés par des éléments programmés, tels que des transistors et le courant électrique est délivré à partir d'une alimentation commune. I1 est alors nécessaire d'associer une diode à chaque composant, pour éviter que le courant programmé à travers un composant ne se reboucle à travers d'autres composants voisins non programmés, en raison des courants de fuites qui persistent dans les transistors d'alimentation par exemple. Le montage de diodes, à raison d'une diode par composant, est une opération qui, dans certains cas, complique considérablement le montage du dispositif.Par exemple il s'agit d'une tête d'imprimante thermique dont les résistances sont sérigraphiées sur un substrat rigide, et qui comporte de l'ordre d'un millier de résistances de 100 de côté environ. Le montage d'un millier de diodes nécessite des panneaux encombrants et relativmeent délicats à cabler. En outre, le coût des diodes est très élevé par rapport au coût des résistances unitaires par exemple. Selon l'invention le courant délivré par un transistor programmé et qui doit passer par un composant programmé par un commutateur à seuil comporte au moins une varistance, c'est à dire un composant électronique dont la résistance varie avec la tension appliquée. La géométrie de cette varistance est choisie de manière telle que, pour une tension d'alimentation déterminée, une première partie de la varistance se trouve en dessous de son seuil de basculement et laisse passer le courant vers le composant programmé, tandis qu'une seconde partie de la varistance, s'oppose au passage du courant vers d'autres composants non programmés, en raison du fait que la résistance totale des deux parties de la varistance est supérieure au seuil de basculement. De façon plus précise l'invention concerne un dispositif de commutation à seuil, dans un système comportant une pluralité de composants repartis en deux groupes interdigités, chaque groupe étant réuni à une source de courant de tension déterminée et chaque composant étant réuni à un transistor de programme, à raison d'un seul transistor de programme pour deux composants voisins du premier et du second groupe de composants, I'orientation du courant vers le composant programmé se faisant par l'intermédiaire d'un commutateur à seuil, caractérisé en ce qu'il est constitué par un élément à effet de varistance, comportant deux parties dont la première, correspondant au passage du courant depuis une première source de courant vers le transistor de programme à travers un seul composant, a une tension de seuil inférieure à la tension de la source d'alimentation, et dont la seconde, correspondant au rebouclage du courant depuis une première source de courant vers une seconde source de courant à travers deux composants programmés par le même transistor de programme, a une tension de seuil supérieure à la tension d'une source de courant. L'invention sera mieux comprise par la description d'un exemple d'application, cet exemple -s'appuyant, parmi les différents cas possibles, sur la description d'une tête d'imprimante thermique, et sur les figures qui représentent: - figure 1, courbe des caractéristiques électriques d'une varistance; - figure 2, schéma électrique de l'alimentation des résistances chauffantes d'une tête d'imprimante thermique, avec diodes, selon l'art connu; - figure 3, schéma de l'alimentation des résistances chauffantes de la même tête thermique qu'en figure 2, avec varistances selon l'invention, dans un premier exemple de réalisation; - figure 4, schéma de l'alimentation des résistances chauffantes de la même tête thermique qu'en figure 2, dans un second exemple de réalisation de l'invention;; - figure S, dessin d'implantation sur un substrat rigide d'une tête d'imprimante avec varistances, selon le premier exemple de réalisation de l'invention; - figure 6, dessin d'implantation sur un substrat rigide d'une tête d'imprimante avec varistances, selon le second exemple de réalisation de l'invention. La figure 1 représente une courbe typique des caractéristiques électriques d'une varistance, et elle permettra d'expliquer le fonctionnement du commutateur à seuil selon l'invention. Les varistances sont des composants électroniques dont la résistance varie avec la tension appliquée: leur résistance décroît fortement et brutalement lorsque la tension augmente. Les caractéristiques électriques d'un tel composant sont illustrées sur la figure 1, sur laquelle la tension est donnée en abscisses, en volts par millimètres, et l'intensité en ordonnées, en ampères par centimètres carrés, les échelles étant logarithmiques. On voit sur cette figure qu'au voisinage de la tension de seuil V mesurée par -3 pour une densité 2 définition pour une densité de courant 10 -3 ampères par cm , la variation de l'intensité avec la tension peut être décrite en première approximation par la relation: I=KVa où K est une constane de proportionnalité et a est le coefficient de non linéarité. Le courant de fuite If est mesuré par définition pour une tension de 1 volt/mm. Pour des matériaux connus, tels que les varistances à base d'oxyde de zinc contenant de faibles quantités d'autres oxydes en particulier Cr203, MnO, CoO, Sb203 et B203 les varistances ont couramment des coefficients a de l'ordre de 50. La valeur élevée du coefficient a qui intervient en puissance de la tension explique que le coude soit très brutal et le seuil assez nettement défini. Différentes études des propriétés électriques de varistances ont montré que, pour un composant d'épaisseur donnée, la tension de seuil VO dépend, tant que le coefficient a est élevé, de la taille moyenne des grains d'oxyde de zinc. Cette propriété s'explique par le fait que, sous une tension appliquée égale à Vo, la chute de potentiel ne s'effectue qu'aux barrières inter-granulaires; elle est en moyenne de 2,3V par barrière. L'existence de ces barrières peut s'expliquer par la présence de zones de charges d'espaces associées à une structure de type NPN, la zone de type P entre les grains d'oxyde de zinc pouvant se limiter à une densité superficielle d'état de types accepteurs ou correspondre à une véritable couche isolante contenant de tels états. L'épaisseur de cette couche isolante est estimée inférieure à 50 . La tension de seuil VO est d'autant plus élevée que les grains sont plus nombreux et plus finement divisés. Ceci signifie qu'il est possible de réaliser, en particulier par les techniques de dépôts sérigraphiques, des varistances dont la tension de seuil VO est parfaitement définie en jouant d'une part sur la finesse des grains de roxyde de zinc dans la pâte sérigraphique et d'autre part sur la géométrie du dépôt réalisé puisque la résistance est une fonction de la résistivité et des dimensions de la varistance sérigraphiée. I1 est donc possible, par ces techniques, de réaliser des varistances composites, avec une prise de contact intermédiaire, telle que la tension de seuil soit atteinte entre le contact d'alimentation et la prise de contact intermédiaire sur la varistance, tandis que cette tension de seuil est loin d'être atteinte entre les deux contacts extérieurs du dépôt réalisé par sérigraphie. La figure 2 représente le schéma électrique simplifié de l'alimentation des résistances en ligne d'une tête d'imprimante thermique, selon l'art connu. La tête d'impression thermique à proprement parler est constituée par une plaquette rigide de verre poli optique ou de céramique qui supporte une barrette de résistances 1, 2, 3, 4, 5..., ces résistances étant en nombre supérieur à 1000 pour l'impression d'une feuille de papier de format normal. Les résistances sont regroupées en deux séries, une première série étant alimentée à partir d'une source de courant représentée par un premier transistor de puissance 6, tandis que la seconde série est alimentée à partir d'un second transistor de puissance 7. Elles sont également commandées par des transistors de programme 8, 9 et 10 dont une connexion est réunie à un point commun entre deux résistances chauffantes des deux groupes, par exemple le collecteur du transistor 8 est réuni au point commun entre les résistances 1 du premier groupe et 2 du second groupe. Les bases des transistors de programmation 8, 9, 10 sont elles-mêmes commandées par un registre à décalage 11.Lorsqu'une résistance est programmée pour l'écriture, par exemple la résistance 2 programmée par le transistor 8 et alimentée par le transistor de puissance 7, il est important que le courant ne se reboucle pas à travers des résistances voisines, non programmées pour l'écriture, en raison des courants de rebouclage ou des courants de fuite à travers les transistors de programme ou les transistors d'alimentation. Pour empêcher ce rebouclage, les deux alimentations, à travers les deux transistors de puissance 6 et 7, sont connectées sur les résistances chauffantes par l'intermédiaire de diodes 12, 13 et 14, qui permettent le passage du courant à travers la résistance programmée et s'opposent au courant de rebouclage à travers les résistances non programmées. La réalisation pratique d'une telle tête d'imprimante thermique pose des problèmes à la fois techniques et économiques. D'une part, la barrette des résistances en ligne est constituée par un dépôt sérigraphique, donc selon une certaine technologie, et les diodes qu'il faut associer à chaque paire de résistances sont soit en éléments discrets en boitier de verre, soit sous forme de pastilles nues qu'il faut monter à côté des résistances thermiques selon une technologie différente.D'autre part si les alimentations 6 et 7 et l'électronique de commande, c'est à dire les transistors de programme 8, 9, 10 et le registre à décalage 11, sont montés sur des circuits imprimés séparés, les diodes qui s'opposent au rebouclage sont montées soit sur des circuits souples à proximité de la tête d'imprimante, soit, comme il a été dit, sous forme de circuit hybride utilisant la céramique de la tête d'imprimante comme substrat; dans tous les cas, ce montage est coûteux. Le dispositif de commutation à seuil selon l'invention a entre autres avantages celui de simplifier la réalisation des têtes d'imprimantes thern.iques, ainsi que de bien d'autres matériels qui comportent un grand nombre d'éléments de caractéristiques identiques, et d'en faciliter l'intégration. La figure 3 représente le schéma de l'alimentation des résistances chauffantes de la même tête thermique que celle qui est représentée en figure 2, mais avec des varistances comme commutateurs, ce qui constitue un premier exemple de réalisation de l'invention. Pour faciliter la comparaison avec la figure précédente les mêmes nombres de repères désignent sur la figure 3, les mêmes objets qu'en figure 2 et on voit que des résistances 1, 2, 3, 4, 5 sont alimentées à partir de deux transistors de puissance 6 et 7 et programmées par des transistors de programme 8, 9 et 10, eux-mêmes pilotés par un registre à décalage 11.Les diodes 12, 13 et 14 qui, selon rart connu de la figure 2, s'opposent au rebouclage de courant sont remplacées sur cette figure 3 selon l'invention, Far un dépôt sérigraphique dont les éléments 15, 16, 17 et 18 constituent un commutateur à seuil entre, d'une part, l'un des transistors de programmation 6, 9 ou 10, et; d'autre part, deux résistances 1 et 2 pour le commutateur à seuil 16, 3 et 4 pour le commutateur 17 et ainsi de suite. De plus, les deux résistances qui sont réunies à chaque élément de varistances sont alimentées l'une par l'un des deux circuits d'alimentation correspondant au transistor 6 et l'autre par le second circuit d'alimentation correspondant au transistor 7; Les éléments de varistances, qui sont représentés sous forme d'éléments séparés 15, 16, 17 et 18, sont dans la réalité déposés sous forme d'une bande continue, sérigraphiée, dont seules les fractions comprises entre deux résistances telles que 1 et 2 et un transistor de programme tel que 8 sont utilisées. Les fractions de cette bande comprises entre les éléments 15 et 16 d'une part 16 et 17 d'autre part, 17 et 18 enfin etc... ne sont pas utilisées dans le fonctionnement de la tête d'imprimante thermique. Considérons maintenant l'un des éléments tels que 16 de cette bande de varistances sérigraphiées. Par les métallisations qui ont été précé dey ment déposées sur le substrat de la tête d'imprimante avant la sérigraphie de la varistance, l'élément de varistance peut mettre en contact électrique soit le transistor de programme 8 et une première résistance chauffante 1 reliée à une première alimentation par le transistor 6, soit le transistor de programme 8 et une seconde résistance chauffante 2 reliée à la seconde alimentation par le transistor 7, soit enfin les deux résistances 1 et 2 entre elles.Pour que la résistance 1 soit mise en contact électrique avec le transistor de programme 8, il est necessaire qu'entre les deux métallisations correspondantes soit appliquée une tension V1 supérieure à la tension de seuil VO de la varistance. De la même façon pour qu'une seconde résistance 2-soit-mise en contact avec le transistor de programme 8 il est nécessaire qu'une même tension V1 existe entre les deux métallisations correspondantes, cette tension étant également supérieure à la tension de seuil VO de la varistance. Ainsi, lorsque le transistor d'alimentation 6 et le transistor de programmation 8 sont commandés simultanément, la tension d'alimentation Vcc étant supérieure à la tension de seuil Vo, un courant électrique passe à travers la résistance.De la même façon, lorsque le transistor d'alimentation 7 et le transistor de programme 8 sont commandés simultanément, un courant électrique passe à travers la résistance 2. Mais, la géométrie de la varistance 16, c'est à dire la longueur de l'élément résistif sur le dépôt sérigraphique entre les résistances 1 et 2 étant supérieur à la largeur entre les métallisations des résistances et celle du transistor de programme, le courant délivré par le transistor 6 à travers la résistance 1 ne peut pas se reboucler à travers la résistance 2 et le transistor 7 parce que la tension V2 entre deux résistances est inférieure à la tension de seuil VO. Pour qu'un rebouclage puisse avoir lieu, il faudrait que la tension d'alimentation Vcc soit supérieure à 2 fois la tension de seuil VO or les varistances sont choisies par construction pour avoir une tension de seuil légèrement inférieure à la tension d'alimentation du système. La figure 4 représente le schéma électrique de la même tête d'imprimante thermique que celle de l'art connu, mais selon un second exemple de réalisation de l'invention, avec remplacement des diodes par des thermi stances. Par comparaison avec l'exemple d'art connu de la figure 2 il apparait sur la figure 4 que les diodes 12, 13 et 14 sont remplacées par des éléments de varistances 19, 20 et 21. Le fonctionnement de la tête d'imprimante selon ce second exemple de réalisation est exactement le même que dans le cas du premier exemple de réalisation. Cependant, au lieu qu'un seul élément de varistance fonctionne selon deux chemins préférentiels, comme sur la figure 3, chaque varistance est, dans ce second exemple de réalisation, séparée en deux éléments discrets, dont le premier correspond au passage du courant à travers un composant et a une tension de seuil V1 inférieure à la tension d'alimentation Vcc, et le second correspond à un rebouclage du courant entre deux sources d'alimentation, la tension de seuil V2 de ce second chemin du courant étant supérieure à la tension d'alimentation Vcc.Par exemple, dans le cas de la figure 3, la varistance 16 servait de commutateur à seuil entre les éléments de résistances 1 et 2, tandis que dans le cas de la figure 4 ce sont les varistances 19 et 20 associées qui servent de commutateur à seuil pour ces mêmes résistances 1 et 2. Si le transistor d'alimentation 6 et le transistor de programme 8 sont commandés simultanément, la tension d'alimentation Vcc supérieure à la tension de seuil V1 de la varistance 19 permet au courant de passer à travers la résistance 1. Par contre, pour que ce même courant reboucle à travers le transistor d'alimentation 7 et par conséquent à travers la résistance chauffante 2, il serait nécessaire que sa tension soit supérieure la tension de seuil de la varistance 19 plus la tension de seuil de la varistance 20 et par conséquent à deux fois la tension de seuil, ce qui est contraire à la construction et à la réalisation des varistances, sérigraphiées à partir de pâtes pour lesquelles la tension de seuil VO a été déterminée par construction légèrement inférieure à la tension d'alimentation du dispositif, comme dans le premier exemple de réalisation. La figure 5 représente le dessin d'implantation sur un substrat rigide d'une tête d'imprimante, selon le premier exemple de réalisation. Pour faciliter la compréhension de cette figure, la partie centrale qui est à proprement parler la tête d'imprimante a été complétée par un schéma simplifié des transistors d'alimentation 6 et 7 et des transistors de commande 8, 9, 10 ainsi que du registre à décalage 11. La réalisation dune tête d'imprimante, telle que représentée en figure 5, comprend la suite des étapes suivantes. Sur un substrat rigide et plan 22, sont d'abord déposées des métallisations 23 en forme de T, chacune de ces métallisations fournissant le courant d'alimentation à partir des transistors de puissance 6 et 7 et alimentant deux résistances en parallèle. Sont également réalisées des métallisations 24 qui permettent au courant électrique de passer d'une résistance chauffante 1, 2, 3... aux varistances 16, 17..., ainsi que des métallisations 25 qui réunissent les transistors de programme 8, 9, 10 aux varistances. Les résistances chauffantes 1, 2, 3, 4, 5 sont ensuite réalisées selon les procédés connus de l'homme de l'art tels que sérigraphie, ou dépôt par métallisation.Puis, une bande uniforme 26 est déposée en contact avec les métallisations 24 d'un côté et les métallisations 25 de l'autre côté: cette bande est composée d'une pâte à effet de varistance déposée par sérigraphie. Les régions qui servent de commutateur entre deux résistances sont encadrées sur la figure par un trait en pointillé tel que 16 ou 17. De telles varistances sont fabriquées selon des techniques connues de l'homme de l'art, par exemple à partir d'oxyde de zinc ZnO dopé à l'aide d'un ou plusieurs oxydes additifs de type Bi203, CoO, Sb203, MnO, NiO. L'oxyde de zinc pulvérulent est mélangé à un verre de type Au203' Si02 ou ZnO, B203, et l'ensemble des poudres mélangées d'oxyde de zinc, d'oxydes métalliques additifs et de verre en poudre est mis en suspension dans un liant organique temporaire approprié, à base d'éthyl cellulose et de terpinéol par exemple. C'est avec cette pâte qu'est effectuée la sérigraphie de la bande à effet varistance, et un traitement thermique est ensuite réalisé à une température légèrement supérieure à la température de ramollissement du verre, traitement thermique qui a lieu à l'air et au cours duquel le liant organique temporaire est évaporé. Les électrodes 23, 24 et 25, qui assurent le contact entre les couches de résistances et de varistances peuvent être en argent, ou argent-palladium, en or, en platine-or, ou en nickel. L'avantage d'une tête d'imprimante thermique réalisée selon la figure 5 est que le dispositif de commutation est intégré sur le substrat de verre ou de céramique et que,par rapport aux diodes qui étaient rapportées dans l'art connu, I'ensemble est plan, et l'épaisseur de la couche de varistances n'empêche pas le papier d'entrer en contact avec les résistances chauffantes. La figure 6 représente le dessin d'implantation sur un substrat rigide d'une tête d'imprimante, selon un deuxième exemple de réalisation, et selon le schéma électrique de la figure 4. Le début des opérations de réalisation est comparable à ce qui a été exposé en figure 5. Sur un substrat rigide et plan 22 sont déposées des métallisations en forme de T 23 et 27. Ces métallisations mettent en série les résistances 1, 2, 3, 4, 5..., et les métallisations 23 sont reliées à l'alimentation vers les transistors de puissance 6 et 7, tandis que les métallisations 27 sont reliées aux transistors programmés 8, 9, 10. Par dessus ces métallisations sont ensuite réalisées les résistances chauffantes 1, 2, 3, 4, S, soit par dépôt sérigraphique, soit par métallisation. Mais, comme cela a été montré en figure 4, les varistances 19, 20, 21.... sont ensuite déposées, en contact avec les métallisations 23, entre les transistors de puissance 6 et 7 et les résistances chauffantes 1, 2, 3, 4, 5. Ces varistances fonctionnent par association de deux, c'est à dire que si la résistance 1 est programmée à travers la varistance 19, le courant ne peut pas reboucler à travers la résistance 2, car il faudrait que sa tension d'alimentation soit supérieure à la somme des tensions de- seuil des deux varistances 19 et 20, ce qui est impossible puisque, par construction, les varistances ont une tension de seuil VO proche de la tension d'alimentation. L'invention a été exposée en s'appuyant sur l'exemple de réalisation d'une tête d'imprimante thermique, mais elle concerne tous les systèmes dans lesquel un courant doit être aiguillé vers des composants de caractéristiques électriques identiques ou voisines, tels que les lignes de cristaux liquides d'un panneau de visualisation, par exemple. Elle comprend les variantes évidentes pour l'homme de l'art et est précisée par les revendications ci-après. REVENDICATIONS 1. Dispositif de commutation à seuil, dans un système comportant une pluralité de composants (1 à 4) répartis en deux groupes interdigités, chaque groupe étant réuni à une source de courant (6 ou 7) de tension déterminée (Vcc) et chaque composant étant réuni à un transistor de programme (8), à raison d'un seul transistor de programme (8) pour deux composants voisins (1 et 2) du premier et du second groupe de composants, l'orientation du courant vers le composant programmé se faisant par l'intermédiaire d'un commutateur à seuil (16), caractérisé en ce qu'il est constitué par un élément à effet de varistance, comportant deux parties dont-la première, corses pondant au passage du courant depuis une première source de courant (6) vers le transistor de programme (8) à travers un seul composant (1), a une tension de seuil (V1) inférieure à la tension (Vcc) de la source d'alimentation, et dont la seconde, correspondant au rebouclage du courant depuis une première source de courant (6) vers une seconde source de courant (7) à travers deux composants (1 et 2) programmés par le même transistor de programme (8), a une tension de seuil (V2) supérieure à la tension (Vcc) d'une source de courant. 2. Dispositif de commutation à seuil selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément à effet de varistance est réalisé sous forme de dépôt par sérigraphie d'une pâte sérigraphiable à base d'oxyde de zinc, dopé par au moins un parmi les oxydes de bismuth, cobalt, antimoine, manganèse, nickel. 3. Dispositif de commutation à seuil selon la revendication 2, caractérisé en ce que, les deux sources de courant (6, 7) ayant la même tension (Vcc), la composition de la pâte sérigraphiable et les dimensions des éléments à effet de varistance (16) sont choisis de façon que la tension d'alimentation (Vcc) soit comprise entre la tension de seuil (VO) d'un élément È effet de varistance et le double de cette tension de seuil (VO 4.Dispositif de commutation à seuil selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'élément à effet de varistance est disposé entre les composants (1 à 4) et les transistors de programme (8, 9, 10) et est réalisé sous forme d'une bande continue (26), électriquement réunie aux composants (1 à 4), par une première série de métallisations (24) et aux transistors de programme (8, 9, 10) par une seconde série de métallisations (25), la bande continue (26) et les métallisations (24 et 25) ayant une géométrie telle que la chute de tension (V1) entre deux métallisations (24 et 2S) de la première et de la deuxième série est supérieure à la tension de seuil (VO) de la varistance, tandis que la chute de tension (V2) entre deux métallisations d'une même série (24) est inférieure à la tension de seuil (VO) de la varistance. 5. Dispositif de commutation à seuil selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'élément à effet de varistance est disposé entre les composants (1 à 4) et les sources de courant (6 et 7), et est réalisé sous forme d'éléments séparés (19, 20, 21), chacun de ceux-ci étant réuni par l'intermédiaire de métallisations (23) à deux composants d'un même groupe (2 et 3, 4 et 5), la chute de tension à travers un premier élément à effet de varistance (19) étant supérieure à la tension de seuil (VO) ce qui permet le passage du courant depuis une première source de courant (6) vers un transistor de programme (s) à travers un premier composant (1), le rebouclage du courant vers une seconde source de courant (7) à travers un second composant (2) étant rendu impossible par un second élément à effet de varistance (20), la chute de tension à travers les deux éléments à effet de varistance (19 et 20) en série étant inférieure à la tension de seuil (GO,. 6. Dispositif de commutation à seuil selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les composants commutés sont des résistances chauffantes. 7. Dispositif de commutation à seuil selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les composants commutés sont des lignes de cristaux liquides smectiques.