Brevet FR2502612A1 — publié le 19821001

La présente invention a trait aux formes frittées de carbure de silicium et à la fabrication de celles-ci, et plus particulièrement se rapporte aux formes frittées de carbure de silicium comportant des oxydes d'éléments de terres rares, et à la fabrication de celles-ci. Le carbure de silicium a été largement utilisé pour son excellente résistance à la chaleur, aux chocs thermiques, aux acides, à l'abrasion, et pour son seuil de gonflement élevé, ainsi que pour ses formes résistant à de hautes températures, et en tant qu'élément de chauffage à haute température, et récemment ses applications se sont rapidement élargies aux domaines des matériaux de hautes températures et aux matériaux anti-abrasifs. Cependant, en raison des difficultés de frittage du carbure de silicium (ci-après dénommé SiC), il est géné- ralement difficile d'obtenir des formes denses et frittées de grande résistance. C'est la raison pour laquelle, pour fabriquer ces formes frittées, on a utilisé le procédé d'em- boutissage à chaud avec adjonction des produits suivants AI203, oxydes de fer, AlN, BeO, Be, B, B4C, BN, Al, AlPO4 en tant que produits auxiliaires de frittage, ainsi que le procédé de frittage par réaction au cours duquel un mélange de poudre de SiC et de C réagit sur du silicium fondu ou gazeux. Ces procédés ne peuvent pas produire de configuration complexe des formes et ne conviennent pas à la production de masse. Le procédé actuel le mieux adapté à la fabrication de formes frittées de SiC est le procédé de frittage sans pression qui consiste à mélanger de la poudre de SiC à du C et du B en tant que produits auxiliaires, et à les modeler en poudre compacte'fralche",puis à les fritter en dehors de toute pression, et ce, comme décrit dans la demande de brevet américain n0 409073. Dans la forme frittée du SiC produite grâce au procédé ci-dessus, le carbure de bore résultant dela réaction du B sur le C entraîne le frittage de la poudre de SiC. On a découvert que les produits auxiliaires de frittage 25026 12 utilisés dans le procédé d'emboutissage à clhaud n'ont _-_cu effet sur l'activation du frittage dans le procédé de f-it- tage sans pression et, en général, ces oxydes sont considérés comme étant nocifs dans le frittage sans pression du carbure de silicium. La présente invention a pour objet un procédé de fabrication de formes frittées de SiC, utilisant un groupe de produits auxiliaires différents de ceux qui ont été utilisés dans les procédés de frittage sous pression et sans pression, et l'utilisation combinée des éléments du groupe avec des produits auxiliaires de frittage connus. Une première forme de réalisation de la forme frittée de SiC selon l'invention comprend 0,027 - 11,300 % d'atomes d'au-moins un élément choisi parmi un groupe composé d'oxydes d'éléments de terres rares (ci-après dénommés oxyde F. ou de R, le reste des atomes étant substantiellement de SiC).En d'autres termes, sur 100 atomes du mélange, on a entre 0,027 et 11,300 % d'atomes de l'élément précité. Le ou les oxydes R est (sont) choisi (s) parmi un groupe d'oxydes de Sc, Y, La, Ce, Pr, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Nd et lu. Ces oxydes sont supposés amoindrir l'énergie de surface des particules de SiC et entraîner la réaction de frittage parmi les poudres. Les inventeurs ont découvert que dans la comparai- son de la forme frittée de la première réalisation ci-dessus avec celle produite grâce aux produits auxiliaires de frit- tage connus C et B, la résistance aux acides à une température élevée de la première forme s'exprime par une légère augmentation du poids, alors que la seconde forme a présenté environ trois fois le taux d'accroissement en poids. De plus, la première forme a présenté un taux inférieur de dégradation de la résistance à une température élevée d'environ un cinquième de la seconde forme à une température de 1 4000C. Lorsque la teneur en oxyde R de la forme frittée de la première réalisation est inférieure à 0,027 % d'atomes, les formes obtenues présentent moins de résistance, et lorsque la teneur est supérieure à 11, 300 % d'atomes la résistance aux températures élevées se détériore. Aussi la teneur en oxyde R devrait être comprise dans une gamme de 0,027 à 11, 300 %. d'atomes.- La forme frittée de SiC de la seconde réalisation qui comprend un oxyde de R et un oxyde d'aluminium (ci-après dénommé oxyde d'Al) présente une résistance à la chaleur et une résistance aux acides supérieures à celles des formes comprenant des Al 203 et A1N connus. La forme frittée de la seconde réalisation qui comprend un oxyde de R et un oxyde de bore présente appro- ximativement une résistance aux acides chauds environ trois fois supérieure et environ un quart de détérioration de la résistance à la chaleur comparativement aux formes comprenant les produits auxiliaires de frittage connus B et C. Dans la forme frittée de la seconde réalisation, celle qui comprend un oxyde d'Al et un oxyde de bore (ci- après dénommé oxyde de B) ainsi qu'un oxyde de R, présente une résistance à la chaleur plus de dix fois supérieure et une température utilisable supérieure de plusieurs centaines de degrés Centigrade aux formes en SiC frittées avec du verre de série B. Dans la forme frittée de la seconde réalisation, une teneur d'oxyde de R inférieure à 0,021 % d'atomes diminue la résistance, et une teneur en oxyde de R supérieure à 11,300 % d'atomes produit une résistance infé- rieure à la chaleur, et par conséquent la teneur en oxyde de R devrait être maintenue dans les limites d'une gamme de 0,021 à 11,300 % d'atomes. Etant donné qu'une teneur supérieure à 11,500% d'atomes de l'un quelconque des oxydes choisis R ou B entraîne la détérioration de la résistance à la chaleur, il est nécessaire de limiter la quantité à 11,500 % d'atomes.. On décrira maintenant la préparation des formes frittées de SiC selon la présente invention. Suivant l'invention, on peut utiliser du SiC alpha, du SiC beta ou du SiC amorphe, et l'on a découvert que lorsqu'on mélange 0,1 à 10 % en poids de SiC alpha avec du SiC-beta ou du SiC amorphe dans la matière brute, la croissance inégale du grain de SiC peut être contrôlée, ce qui permet d'augmenter la résistance à la chaleur et le seuil de déformation ou de gonflement. En tant que matière première de SiC, tout composé ayant une liaison de SiC, à savoir les composés de silicium organique ou les composés de silicium organique à haut poids moléculaire, peut être utilisé en tant que tel, ou mélangé avec de la poudre de SiC. Suisnt la présente invention, on peut utiliser les groupes (a), (b), (c), (d), (e) et f suivants de produits- auxiliairee de frittage:- (a) des produits auxiliaires de frittage compre- nant substantiellement au moins un élément choisi parmi un groupe composé d'éléments de terres rares et de composés d'éléments de terres rares:(parfois dénommés ci-après "composés de terres rares et de composés d'éléments de terres rares; (parfois dénommés ci-après "composés de terres rares"), (b) des produits auxiliaires de frittage compre- nant moins de 99 % en poids d'au moins un élément choisi parmi un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, et le reste étant au moins un élément choisi parmi un groupe constitué d'aluminium et de composés d'aluminium, (c) des produits auxiliaires de frittage compre- nant moins de 99 % en poids d'au moins un élément choisi parmi un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, et le reste étant au moins un élément choisi parmi un groupe constitué de carbone et de 4 composés de carbone, (d) des produits auxiliaires de frittage comprenant moins de 99% en poids d'au moins un élément choisi parmi un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, et le reste étant au moins un élément choisi parmi un groupe constitué de bore et de composés de bore, (e) des produits auxiliaires de frittage compre- nant moins de 99% en poids d'au moins un élément choisi parmi un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, et le reste comprenant au moins un membre choisi parmi un groupe constitué de carbone ou de composés de carbone et au moins un élément choisi parmi un groupe constitué de bore et de composés de bore, (f) des produits auxiliaires de frittage compre- nant moins de 99 % en poids d'au moins un élément choisi parmi un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, et le reste comprenant au moins un élément choisi parmi un groupe constitué d'aluminium ou de composés d'aluminium et d'au moins un élément choisi parmi un groupe constitué de carbone, de composés de carbone, de bore et de composés de bore. A l'instar des composés de terres rares, des composés d'aluminium et des composés de bore mentionnés ci-dessus, on peut utiliser des oxydes, des hydroxydes, des additifs acides d'hydroxydes, des phosphates, des car- bonates, des carbonates basiques, des sulfates, des sels d'acides organiquesdes halogénures,des composés de métaux or- ganiques, des composés de coordination et des alcoolates. Parmi les espèces chimiques indiquées ci-dessus de ces produits auxiliaires de frittage, les additifs acides d'hydroxydes sont synthétisés par une réaction entre un hy- droxyde et un acide. Lorsqu'un corps moins équivalent de l'acide que celui d'un élément métallique dans l'hydroxyde réagit sur l'hydroxyde, un additif acide se forme par réaction partielle de l'élément métallique dans l'hydroxyde, ledit additif étant soluble dans l'eau. Les acides qui peuvent être utilisés pour la réaction sont entre autres l'acide chlorhydrique, l'acide sulfurique, l'acide nitrique, l'acide fluorhydrique, l'acide phosphorique, l'acide per- chlorique et l'acide carbonique, ainsi que des acides orga- niques (tels que l'acide formique, l'acide acétique, l'acide propionique, l'acide tartrique, l'acide fumarique, l'acide lactique, l'acide oxalique, l'acide stérique, l'acide maléique, l'acide benzoïque, l'acide malique, l'acide malo- nique, l'acide citrique, l'acide butyrique) et autres. Suivant la présente invention, la préparation d'un mélange de carbures de silicium et des poudres auxi- liaires de frittage pour les formes peut être convenablement réalisée par les quatre méthodes suivantes. Dans la première méthode, des produits auxiliaires de frittage insolubles dans des solvants (oxydes, hydroxydes et éléments métalliques) sont mélangés à de la poudre de carbure de silicium. Dans ce cas, le mélange à sec est effectué à l'aide d'un mélangeur pendant une durée d'opération de mélange suffisante, et le brassage humide est effectué à l'aide d'un mélange incluant un solvant tel que des alcools, et ce pendant une durée d'opération de mélange suffisante. Dans la seconde méthode, qui peut être utilisée pour les espèces chimiques des produits auxiliaires de frittage (à savoir les additifs acides d'hydroxydes, des nitrates, des sulfates, des sels d'acides organiques, des carbonates basiques, des carbonates, des phosphates, des perchlorates, des halogénures, des composés de métaux organiques et des alcoolates) solubles dans des solvants, les produits auxiliaires de frittage sont dissous dans des solvants tels que l'eau, des alcools, des éthers, des cétones, des hydrocarbures, le DMSO, (diméthyl sulfoxyde), ou le DMF (diméthyl formamide),mélangés avec de la poudre de carbure de silicium pendant une durée suffisante pour un mélange complet. Au cours de cette opéra- tion de mélange, la surface de la poudre de carbure de sili- cium est revêtue d'une fine couche de produit auxiliaire; c'est la raison pour laquelle une petite quantité de produit auxiliaire assurera un effet de frittage suffisant. Les exemples d'espèces chimiques de produits auxiliaires de frittage solubles dans des solvants et de solvants sont les suivants: les additifs acides d'hydroxyde sont solubles dans l'eau. Certains des alcoolates sont solubles dans les éthers et dans les hydrocarbures aromatiques. Certains des complexes sont solubles dans l'eau, les alcools, les éthers, les hydrocarbures. Les composée de métaux organiques sont solubles dans les hydrocarbures et dans les solvants orga- niques tels que les éthers. Certains nitrates, phosphates, sels d'acides organiques et halogénures sont solubles dans l'eau. La troisième méthode est utilisée pour les produite auxiliaires de frittage qui sont liquides à la température ambiante ou liquéfiables par chauffage par exemple certains composés de métaux organiques, complexes ou sels d'acides organiques). Les produits auxiliaires de frittage et la poudre de carbure de silicium sont mélangée dans un malaxeur avec ou sans chauffage pendant une durée suffisante. la quatrième méthode est une combinaison de la première et de la troisième méthodes mentionnées ci-dessus, par exemple, lorsqu'un ou plusieurs produits auxiliaires de frittage sont utilisés, les espèces chimiques insolubles dans un solvant et une solution des produits auxiliaires de frit- tage sont mélangés à la poudre de carbure de silicium. Pour effectuer l'opération de mélange indiquée ci-dessus on peut utiliser des mélangeurs ou malaxeurs con- ventionnels. L'atmosphère de mélange peut être un gaz oxydant tel que l'air, le dioxyde de carbone et/ou l'oxygène; un gaz non oxydant-tel que l'azote, l'argon, l'hélium, l'hydro- gène, le néon, l'oxyde de carbone et/ou un hydrocarbure; et un vide. En général, on effectue le mélange dans l'air. Au cours d'un mélange dans l'air, les composés de métaux organiques, les alcoolates et une partie des complexes sont transformés en oxydes, hydroxydes et carbonates suite à la réaction de l'oxygène, du dioxyde de carbone (gas carbo- nique) et de l'eau. Ces composés sous forme de poudre ultra- fine adhèrent à la surface de la poudre de carbure de sili- cium, activant l'effet de frittage. Le matériau mélangé ainsi obtenu est ensuite transformé en une forme désirée. Pour effectuer l'opération de formage, on peut utiliser toute technique de formage conventionnelle dans l'industrie de la céramique ou de la métallurgie des poudres. Lors du mélange des produits auxiliaires de frit- tage sous forme de poudre, à la poudre de carbure de-sili- cium, une petite quantité de lubrifiant telle que 1% en poids d'acide stéarique ou de sels de celui-ci peut être ajoutée avant l'emboutissage ou le pressage dans un moule métallique. Le pressage peut être réalisé à l'aide d'une presse à simple effet, ou double effet, et/ou hydrostatique. les formes de configurations simples peuvent otre traitées selon le procédé suivant, mais les formes de configurations plutôt complexes doivent être traitées selon une opération de rectification ou fraisage. Lorsqu'une certaine résistance pour le reformage est nécessaire, les formes peuvent être préchauffées dans un domaine de température de 300 à 16000C dans une atmosphère oxydante, non oxydante ou un vide. le matériau mélangé peut également être traité par coulée en barbotine. Dans la coulée en barbotine, lorsqu'aucun solvant n'est utilisé dans l'opération de mélange, le matériau est préparé avec un moyen de dispersion, de préférence l'eau, grâce à une opération de mélange de quelques heures du carbure de silicium et des additifs de frittage en ajoutant un agent de dispersion. D'autre part, un solvant est utilisé pendant l'opération de mélange, et une quantité supplémen- taire de cet agent produira le matériau de coulée en barbo- tine. Ce matériau de coulée peut être formé par moulage à l'aide de techniques conventionnelles de coulée en barbotine. Le matériau mélangé de carbure de silicium sous forme de pâte peut être traité par l'opération de moulage par injection. Dans la formation de la pâte, on utilise de manière appropriée un liant en addition au solvant. Pour ce liant on préfère l'alcool de polyvinyle, le glycol polyéthylène ou la cire, car ces corps ne produi- sent aucun résidu après l'évaporation. Lorsque les produits auxiliaires de frittage sont sous forme de solution visqueuse, c'est-à-dire lorsque des additifs acides d'hydroxyde sont utilisés en tant que produits auxiliaires de frittage, on peut obtenir de meilleures pâtes sans liant. Dans ce cas, les additifs acides des hydroxydes confèrent de la viscosité à la pâte et agissent en tant que produits auxiliaires de frittage pendant la cuisson. Conformément à la présente invention, les formes de SiC sont ensuite cuites. Le four de cuisson peut être d'un type conventionnel quelconque, mais il est préférable d'utiliser un type de four dans lequel l'atmosphère, oxydante, non oxydante peut être changée ou le vide peut être utilisé. La température de cuisson varie dans une gamme de 1600 à 23000C. A la température de 16000C il ne se produit aucune réaction de frittage, alors qu'une température supérieure à 2 3000C est inadéquate en raison d'une décomposition observable du SiC. L'opération de frittage est réalisée dans la gamme ci-dessus, et avec une quantité plus importante d'auxiliaires de frittage, l'opération est réalisée à une température relativement moins élevée. Il est avantageux d'effectuer une opération de cuisson à deux phases, à basse et à haute températures, lorsque les formes sont de dimensions relativement grandes, ou lorsque les produits auxiliaires de frittage produisent des gaz durant 25026 12 la cuisson. Il est souhaitable d'utiliser une atmosphère non oxydante ou le vide pour un frittage à haute température. Comme atmosphère non oxydante on utilise l'azote, l'argon, l'hélium, le néon, l'hydrogène ou l'oxyde de carbone gazeux à faible teneur d'oxygène. En alternance, des environnements de SiC ou C peuvent être utilisés. Il est souhaitable d'uti- liser une haute pression d'atmosphère, mais cela est écono- miquement désavantageux, alors qu'une pression inférieure à la pression atmosphérique produira un résultat satisfaisant. D'autre part, dans un frittage à basse température, une at- mosphère non oxydante ou le vide n'est pas nécessaire. Pour une cuisson à une température inférieure à 1300 C qui n'en- traîne aucune oxydation évidente du carbure de silicium, on peut utiliser une atmosphère oxydante telle que l'air. Dans ce cas, des auxiliaires de frittage autres que des oxydes s'oxydent en oxydesau cours de l'opération de cuisson qui active la fonction des auxiliaires de frittage. Lorsque l'on utilise des éléments de terres rares, l'aluminium métal, le bore ou leurs composés en tant qu'auxiliaires de frittage, ceux-ci sont partiellement ou entièrement oxydés. Dans ces cas, étant donné que les oxydes obtenus jouent le rôle de produits auxiliaires de frittage, il n'existe aucun désavantage d-û à l'oxydation. La vitesse d'accroissement de la température jusqu'à la température de frittage désirée dépend de la configuration des formes, et une vitesse inférieure est pré- férée à une grande configuration. Etant donné que la cuisson jusqu'à une température de 1 600 C ne produit pas un fritta- ge remarquable, la température peut être rapidement élevée, par exemple pendant une heure. Cependant, lorsque l'on utilise des oxydes et des composés autres qu'un métal, qui peuvent se décomposer par réchauffage, il est souhaitable de produire un accroissement de la température à une faible vitesse, telle que trois heures pour une élévation jusqu'à 1 600 C, car une réaction au cours de la cuisson à basse température produira, le cas échéant, des gaz de petite quantité. Etant donné que les formes rétrécissent à une température supérieure à 1 6000C, une vitesse de montée aussi faible que 70C/minute est préférée jusqu'à la tempé- rature de cuisson désirée. Dans les formes frittées fabriquées avec une matière première comportant seulement des éléments de terres rares ou des composés de terres rares, une partie des composés de terres rares (principalement des oxydes) se diffuse dans le carbure de silicium, et une partie du carbure de silicium se diffuse dans l'élément de terre rare, activant le carbure de silicium de frittage. D'autre part, lorsqu'on utilise un élément de terre rare et du carbone ou leurs composés en tant que produits auxiliaires de frittage, le carbone ou son composé réagit sur l'élément de terre rare coexistant et sur ses composés, et en plus sur le SiO2 à la surface du carbure de silicium au cours de l'opération de cuisson, et une partie importante des produits auxiliaires se dégage hors du système comme gaz, et une partie de la portion restante se diffuse dans le carbure de silicium. Par consé- quent, la surface du carbure de silicium est activée, simul- tanément la diffusion mutuelle entre l'élément de terre rare (principalement les oxydes) et le carbure de silicium est facilitée par le carbone diffusé dans le carbure de silicium, augmentant ainsi la vitesse de la réaction de frittage. Lorsque l'on compare cet effet à la durée d'achèvement du frittage, la durée de frittage des formes additionnées de carbone et d'éléments de terres rares ensemble est d'environ la moitié à un tiers de celles des formes additionnées uni- quement d'éléments de terres rares. Dans les formes produites avec des auxiliaires de frittage comprenant des éléments de terres rares ou leurs composés, plus un ou plusieurs éléments choisis parmi un groupe comprenant l'aluminium, le bore et leurs composés, les éléments de terres rares ou leurs composés réagissent sur l'altuninium, le bore ou leurs composés en formant de nouveaux composés ou des solutions solides. Dans ces composés et solutions solides il existe naturellement des composés et des solutions solides de SiO2. Etant donné que cet alumi- nium et ce bore dans les composés et les solutions solides diffusent facilement dans le carbure de silicium, la vitesse de diffusion du carbure de silicium dans les éléments de terres rares (principalement les oxydes) s'accroit, et par conséquent la vitesse de frittage est plus élevée que lors- qu'on ajoute uniquement des éléments de terres rares. Lorsqu'on compare ces vitesses avec la durée de frittage dans les m9mes conditions de température, la durée pour les formes incluant des éléments de terres rares plus de l'alumi- nium ou du bore est d'un tiers à un cinquième de celle des 1 5 formes incluant uniquement des éléments de terres rares. Dans les formesL composées de produits auxiliaires de frit- tage comprenant des éléments de terres rares, de l'aluminium, du bore, ducarbone ou leurs composés, ce carbone, cet aluminium ou ce bore présente le mime effet que des éléments de terres rares auxquels on a rajouté du carbone, de l'alu- minium ou du bore, et produit un effet synergique, réduisant la durée de frittage. En raison de l'effet de frittage de l'aluminium, du bore ou du carbone et leurs composés mentionnés ci-dessus, ceux-ci ne doivent pas nécessairement 9tre rajoutés initia- lement aux éléments de terres rares ou à leurs composés. Autrement dit, il est possible qu'un ou plusieurs éléments choisis parmi un groupe constitué d'éléments de terres rares et de leurs composés soient rajoutés à la poudre de carbure de silicium, et que le mélange soit compacté en formes, puis fritté à une température élevée sous une pression par- tielle d'au moins un des éléments choisis parmi un groupe constitué de l'aluminium, du bore, du carbone et de leurs composés afin d'obtenir des produits de frittage denses. Au cours de l'opération de frittage, des formes fralches sont placées dans un four fermé ou semi-fermé avec de l'aluminium, du bore, du carbone ou leurs composés, et frittées à température élevée. L'atmosphère au cours de l'opération est de préférence une atmosphère non oxydante ou une atmosphère comprenant une petite quantité de gaz oxydant. Lorsque de l'aluminium métal est utilisé en tant que produit auxiliaire d'aide au frittage, ce métal atteint une tension de vapeur de 1 mmHg à une température relati- vement basse, à savoir 1 2840C. L'aluminium évaporé réagit avec le gaz oxygène adsorbé dans un creuset ou une éprouvette, ou avec une petite quantité d'oxygène gazeux contenu dans le gaz non oxydant, en formant entièrement ou partiellement de l'oxyde d'aluminium. L'oxyde d'aluminium et le reste de la vapeur d'aluminium métal pénètrent dans les formes et réagissent sur celles-ci, et une partie d'entre elles se sublime, frittant ainsi surtout les éléments de terres rares ou leurs composés. Lorsque des composés d'aluminium compor- tant de l'oxygène sont utilisés comme produits auxiliaires d'aide au frittage, un oxyde se forme par chauffage, pro- duisant ainsi le même effet que dans le cas mentionné ci- dessus. Les composés d'aluminium ne comprenant pas d'oxygène, par exemple un halogénure ou les composés organo-métalliques sont également oxydés en partie pour produire le même effet. La pression partielle de l'aluminium ou de ses composés est suffisamment augmentée au cours de l'opération de frittage pour compléter le frittage du carbure de silicium. Le frittage de formes "fraSches" dans un four avec du bore ou des composés du bore peut être effectué comme pour l'aluminium ou les composés d'aluminium mentionnés ci-dessus. Lorsque des formes fralches sont frittées dans un four avec du carbone ou des composés de carbone, l'oxygène existant dans l'atmosphère de frittage réagit sur le carbone et s'échappe hors du système. Il est bien connu que lorsqu'un récipient de graphite fermé est chauffé à une température élevée, l'atmosphère de carbone se forme dans le récipient. Par conséquent, le frittage de formes fraîches dans l'atmos- phère peut éliminer une formation spécifique d'atmosphère de carbone. C'est pourquoi, étant donné que les composés d'hydrocarbures s'évaporent généralement à -une température basse, le chauffage &u gaz d'hydrocarbure produira facilement l'atmosphère de carbone. Le carbone et les composés de carbone à mélanger dans les formes fraîches comprennent: le noir d'acétylène, le noir de fumée, la poudre de graphite, la poudre de charbon, le charbon actif, les composés aromatiques à haut poids molé- culaire (à savoir le goudron ou le bitume), et les autres composés organiques qui subsistent du carbone après le chauf- fage (par exemple la résine phénolique, la résine formal- déhyde d'aniline, la résine formaldéhyde de crésol et la résine de furanne). Il est déjà connu que le carbone ou les composés contenant du carbone mélangés dans des formes fraîches, réagissent sur le SiO2 existant à la surface de la poudre de SiC au cours de la cuisson pour former du SiC, etque le B4C produit par l'existence du bore active l'opération de frittage. Les inventeurs considèrent que lorsque le carbone et le bore coexistent en tant qu'additifs d'aide au frittage, m9me en présence d'oxydes de terres rares de la présente invention, l'effet de frittage du B 4C mentionné ci-dessus active partiellement l'opération de frittage. Il est souhaitable que lors de l'achèvement de l'opération de frittage, le carbone rajouté ait presque complètement réagi afin de minimiser autant que possible la présence éventuelle de carbone libre dans les produits de frittage, car une quantité importante de carbone libre dété- riore la résistance aux acides à une température élevée des produits. Dans la mise en oeuvre de la présente invention, l'opération de frittage peut être effectuée hors pression ou 2502612- sous pression, notamment des formes de densité et résistance élevées peuvent être réalisées dans des conditions hors pression. Dans les formes de l'art antérieur* l'A1203, le Fe203, le BeO ou le B4C ajouté à la poudre de SiC en tant qu'additifs de frittage, demeure parfois dans le joint- de grain du SiC, ce qui diminue la résistance par rapport à la résistance théorique des formes, et plus la quantité rajoutée d'additifs augmente, plus la résistance à la chaleur tend à diminuer. Par conséquent, pour des produits frittés de haute résistance, il est souhaitable d'utiliser une petite quantité d'additifs rajoutés, mais.une quantité moindre détruira la propriété de frittage dans des conditions hors pression. Selon la présente invention, les composés de terres rares dans les additifs mélangés à la poudre de SiC se déposent essentiellement dans le joint de grain. Compte tenu des points de fusion élevés de ces composés de terres rares dans les joints de grain dans les formes, on maintient une résistance élevée à une haute température (1 5000C). Dans une forme de réalisation de la présente invention, des addi- tifs de frittage en solution sont mélangés à de la poud:re de carbure de silicium dans des conditions efficaces, de manière à ce que de petites quantités d'additifs de frittage puissent activer l'opération de frittage. Autrement dit, les dép8ts dans les joints de grain- peuvent Otre minimisés afin d'éviter la détérioration de la résistance des formes. Dans une forme d'exécution de la présente invention, des formes fralches sont frittées dans des environnements ou des atmosphères d'aluminium, de bore, de carbone ou de leurs composés, dans lesquels une quantité minimale d'addi- tifs (aluminium, bore ou carbone) facilite la formation de formes de haute résistance.- Cependant, il existe une limite minimale des additifs dans l'opération hors pression, et il serait difficile de diminuer la quantité d'additifs de 2 % en poids sur la base oxyde. Lorsqu'on utilise une quantité moins importante d'additifs, une opération de frittage sous pression a pour avantage d'activer la propriété d'autofrittage, auquel cas même une petite quantité d'additifs inférieure à 2 % d'atomes produit des formes denses en carbure de silicium de résistance élevée à la chaleur. L'opération de frittage sous pression peut normalement être effectuée à l'aide d'une presse chauffante, d'une presse chauffante hydrosta- tique ou d'un four avec diverses atmosphères. Les raisons de restreindre les compositions dans la présente invention seront décrites ci-dessous. Dans la première réalisation, lorsque la teneur des composés de terres rares dans les formes frittées est inférieure à 0,027 % d'atomes, la résistance attendue des formes est difficile à obtenir, alors que la teneur supé- rieure à 11,300 % d'atomes entraîne une résistance non satisfaisante. Ainsi le contenu devrait se situer dans une gamme de 0,027 à 11,300 % d'atomes. Dans les formes de carbure de silicium frittées, préparées conformément à la seconde forme de réalisation de l'invention, lorsque la teneur d'éléments de terres rares est inférieure à 0,021 % d'atomes, et supérieure à 11,300 % dtatomes, les formes ayant la résistance attendue sont difficiles à obtenir, et de ce fait la teneur du composé de terre rare devrait être limitée dans une gamme de 0,021 - 11,300 X Lorsque le contenu d'oxydes d'aluminium et de bore est inférieur à 0,006 % d'atomes, et supérieur à 11,500 % d'atomes, les formes ayant la résistance attendue sont diffi- ciles à obtenir, et de ce fait la teneur d'oxydes d'alumi- nium et de bore devrait être limitée dans une gamme de 0,006 - 11,500 % d'atomes. Suivant une forme de réalisation du procédé visé par l'invention pour produire des formes de carbure de silicium frittées de haute résistance comprenant les phases d'addition et de mélange de produits auxiliaires de frittage avec la poudre de carbure de silicium, un compactage séparé ou simultané et un frittage de la poudre mélangée, on utilise comme produit auxiliaire d'aide au frittage en mélange un élément quelconque choisi dans les groupes ci- dessous (a), (b), (c), (d), (e) et (f); lorsque les produits d'aide au frittage du groupe (a) sont utilisés, on prévoit une teneur de 0,027 à 11,300 % d'atomes d'éléments de terres rares ou leurs composés, sur une base d'oxyde de terre rare, et 100 %id'atomes comprenant la somme totale de SiC et des produits auxiliaires, et lorsque l'on utilise les produits auxiliaires de frittage dans les groupes (b), (c), (d), (e) et (f), on prévoit 0,021 - 11,300 % d'atomes d'éléments de terres rares et de leurs composés, sur une bise d'oxydes de terres rares, et 100 % d'atomes comprenant la somme totale de SiC et des produits auxiliaires et 0,006 à 12,000 % d'atomes d'aluminium, de carbone, de bore, et de leurs composés, basés sur les oxydes correspondants a) produits d'aide auxiliaires au frittage comprenant tout élément choisi dans un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares b) produits d'aide au frittage comprenant moins de 99 % en poids de tout élément choisi dans un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, le reste comprenant au moins un élément choisi dans un groupe constitué de l'aluminium et de composés d'aluminium; c) des produits auxiliaires de frittage comprenant moins de 99 % en poids de tout élément choisi dans un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, le reste comprenant essentiellement au moins un élément choisi dans un groupe constitué du carbone et de composés de carbone; d) des produits auxiliaires d'aide au frittage comprenant moins de 99% en poids de tout élément choisi dans 1 8 un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composts de terres rares, le reste comprenant essentiellement au moins un élément choisi dans un groupe constitué du bore et de composés de bore; e) des produits d'aide au frittage comprenant moins de 99 % en poids de tout élément choisi dans un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, le reste comprenant au moins un élément choisi dans un groupe constitué du carbone et de composés du carbone, et au moins un élément choisi dans un groupe cons- titué du bore et de composés de bore f) des produits auxiliaires de frittage compre- nant moins de 99 % en poids de tout élément choisi dans un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, le reste comprenant au moins un élément choisi dans un groupe constitué d'aluminium et de composés d'aluminium, et au moins un élément choisi dans un groupe constitué de carbone, de composés de carbone, de bore et de composés de bore. Suivant une autre forme d'exécution du procédé selon l'invention, dans laquelle on utilise pour le mélange tout élément auxiliaire de frittage choisi dans les groupes ci-dessus (a), (b), (c), (d), (e), (f); lorsqu'on utilise des produits de frittage du groupe a, on prévoit pour ces produits auxiliaires 0,027 à 11,500 % d'atomes d'éléments de terres rares ou de leurs composés, sur une base d'oxyde de terres rares, et 100 % d'atomes comprenant la somme totale de SiC et des produits auxiliaires, et lorsqu'on utilise des produits auxiliaires de frittage des groupes (b), (c),(d), (e) et (f), on prévoit 0,021 à 11,300 % d'a- tomes d'éléments de terres rares et de leurs composés, sur une base d'oxyde de terres rares, et 100 % d'atomes compre- nant la somme totale de SiC et des produits auxiliaires, et 0,006 à 12, 000 % d'atomes d'aluminium, de carbone, de bore et de leurs composés, sur la base des oxydes respectifs. Dans le cas du groupe (a) ci-dessus, les teneurs d'éléments de terres rares ou des composés de terres rares des produits auxiliaires de frittage à ajouter et à mélanger à la poudre de SiC, doivent être limitées à l'intérieur d'une fourchette de 0,027 à 11,300 %d'atomes sur la base d'oxydes de terres rares, et la somme totale de SiC et des produits auxiliaires de frittage étant 100 % d'atomes, des teneurs se situant à l'extérieur de la fourchette ci- dessus ne pouvant pas fournir des formes ayant la résis- tance voulue. Dans le cas des groupes (b) à (f) ci-dessus, les teneurs d'éléments de terres rares, d'aluminium, de carbone, de bore et de leurs composés respectifs, sur la base des oxydes correspondants, et la somme totale de SiC et des produits auxiliaires de frittage étant 100 % d'atomes, les teneurs d'éléments de terres rares et de leurs composés devraient être restreintes à l'intérieur d'une fourchette de 0,021 à 11,300 % d'atomes, sur une base d'oxyde et la somme totale de SiC et des produits auxiliaires de frittage étant 100 % d'atomes, et les teneurs d'aluminium, de carbone, de bore et de leurs composés respectifs doivent être situées à l'intérieur d'une fourchette de 0,006 à 12,000 % d'atomes sur la base d'oxyde. Les teneurs extérieures aux fourchettes précitées ne peuvent pas fournir des formes de la résistance *voulue. Les formes de carbures de silicium frittées visées par l'invention peuvent être préparées à partir des compositions selon l'une des deux caractéristiques suivantes essentielles de l'invention: a) ces formes comprennent 0,027 à 11,300 % d'atomes d'au moins un élément choisi dans un groupe cons- titué d'oxydes de terres rares, le reste étant constitué essentiellement de SiC. b) suivant l'autre forme de réalisation de l'invention, les formes de carbure de silicium frittées de haute résistance comprennent 0,021 à 11, 300 % d'atomes d'au moins un élément choisi dans un groupe constitué d'oxydes de terres rares, 0,006 à 11,500 % d'atomes d'au moins un élément choisi dans un groupe constitué d'oxyde d'aluminium et d'oxydes de bore, le reste étant constitué essentiellement de SiC. Le SiC brut utilisé pour la préparation des formes frittées selon l'invention contient naturellement de petites quantités d'impuretés telles que SiO2, Fe, Co, Al, Ca, du carbone libre et d'autres éléments. C'est pourquoi les formes préparées à partir de ce genre de matériaux entrent dans le cadre de la présente invention. Celle-ci sera maintenant décrite dans les exemples suivants: Exemple 1 1,Ogd'oxyde de scandium et 1,0 g d'oxyde d'alumi- nium sont rajoutés à 28,0 g de SiC-alpha ayant une taille de particule moyenne de 1 m,et une quantité adéquate d'alcool éthylique est rajoutée. Le mélange est malaxé dans un mortier d'agate pendant 30 minutes. Après séchage, la poudre mélangée est placée dans un moule métallique de 8x36mm, et moulée dans une presse à double effet afin d'ob- tenir une forme fraîche. La forme est chauffée dans un four Tammanm à l'aide d'un élément de chauffage à graphite sous une atmosphère d'argon à 2000 C à raison de 200 /heure, et maintenue à 2000 C pendant une heure afin de se transformer en une forme frittée de carbure de silicium. Le rétrécisse- ment linéaire de la forme est de 15 % et le poids spécifique est de 3,14. Un test de flexion sur la forme utilisant une portée de support de 20 mm et une vitesse de charge de 0,5 mm/minute indique 65 kg/mm2 à la température ambiante, 62 kg/mm2 à 1 100 0C, et 58 kg/mm2 à 1 4000C. La forme fait preuve d'une excellente résistance à l'oxydation à une température élevée, tel qu'indiqué par la non augmentation du poids après exposition à une atmosphère d'oxygène à 1 300 C pendant 100 heures. Exemple 2 9,0 g d'oxyde d'yttrium sont dissous dans 180 ml d'acide chlorhydrique 2N, et ensuite 40 ml d'eau ammoniacale sont rajoutés pour précipiter l'hydroxyde. L'hydroxyde d'yttrium est obtenu par filtration. L'hydroxyde d'yttrium est placé dans 260 ml d'une solution formique (pH 2) et agité pendant trois heures à la température ambiante, en vue d'obtenir une réaction entre l'hydroxyde et l'acide formique. La solution après réaction est condensée sous vide et séchée sous vide en vue d'obtenir 18, 5 g d'un additif acide d'hydroxyde d'yttrium. D'autre part, 30 g d'isopro- poxyde d'aluminium sont dissous dans 140 ml de benzène, et ml d'une solution d'acide chlorhydrique 1N. L'hydroxyde d'aluminium formé réagit immédiatement sur l'acide chlorhy- drique, et la réaction est achevée dans un délai de quelques heures. Une solution aqueuse dans la solution de réaction est condensée sous vide, et séchée sous vide en vue d'obtenir g d'un additif acide d'hydroxyde d'aluminium. 1,5 g d'un additif acide d'hydroxyde d'yttrium et 1,5 g d'un additif acide d'hydroxyde d'aluminium sont dissous dans l'eau, puis 27 g de SiC-beta (contenant 5% de SiC-alpha) ayant une taille de particules de 0,27f4m sont rajoutés à la solution et séchés afin d'enlever l'eau. La poudre sèche est placée dans un moule métallique de 8x36mm et comprimée à l'aide d'une presse à double effet en vue d'obtenir une forme fraîche. La forme fralche est chauffée à 5000C, à raison de 1000/ heure dans l'air, puis elle est cuite jusqu'à 1 4000C, à raison de 2000/heure dans une atmosphère d'azote. La forme cuite est placée dans un creuset de graphite avec un envi- ronnement de poudre de SiC-alpha ayant une taille de parti- cule de 100 /m,et chauffée à 19500C dans un four à haute fréquence, à raison de 2000C/heure, puis maintenue à cette température afin d'obtenir une forme frittée. Le poids spécifique de la forme est de 3,17, ce qui indique une résistance à la flexion de 25026 12 kg/mm2 à la température ambiante. On s'aperçcit également que la forme a une excellente résistance à la chaleur, aux acides et aux chocs thermiques, ainsi qu'un excellent seuii de déformation. Exemple 3 Un oxyde complexe, l'oxyde d'yttrium d'aluminium (A12Y409) est moulu en particules ayant une taille de parti- cule inférieure à 2f4m. 2g de l'oxyde sont mélangés à 98 g de poudre de SiC-alpha ayant une taille de particule moyenne de 1'l,et mélangés à fond dans fun malaxeur. LIa poudre mélangée est placée dans un moule en graphite d'uln diamètre intérieur de 35 rmm, et pressée à chaud sous une atmosphère d'argon et une pression de 200 kg/cm2 à l'aide d'un four à haute fréquence jusqu'à 1 900 C, à raison de 4 C/minute, maintenu à une température de 1 900 C pendant deux heures afin que la cuisson s'effectue. Le poids spécifique de la forme frittée est de 3,18. La forme présente une résistance àla flexion de 84 kg/mm2 à la température ambiante, et une résistance à la chaleur à 1 4000C seulement de 4 % inférieure à celle de la température ambiante. Exemple 4 On dissout 3 g de sulfate d'aluminium dans de l'eau, en ajoutant 88g de SiC-alpha d'une taille de particule moyenne de l1m,puis on laisse sécher cet amalgame après l'avoir mélangé à l'aide d'un malaxeur. D'autre part, on dissout 9g d'acétonate triacétyle de lanthanum dans du benzène, puis on mélange la solution obtenue à la poudre desséchée mentionnée ci-dessus. Après un mélange intensif, le benzène s'évapore et l'on obtient un mélange poudreux après avoir laissé reposer à l'air libre pendant cinq jours. Le mélange poudreux est ensuite versé dans un moule métalli- que de 8x36mm, puis rendu compact à l'aide d'une presse à double action afin de façonner une forme fraîche. la forme est cuite jusqu'à une température de 600 C dans l'air, à raison de 100 C/heure, puis jusqu'à 1 4000C sous une atmos- phère d'azote, à raison de 200 C/heure, puis à nouveau cuite dans un creuset en graphite à l'aide d'un four à haute fréquence jusqu'à une température de 2 1000C, à raison de C/heure, et maintenue à la température de 2 100 C pour obtenir une forme frittée. Le poids spécifique de la forme est de 3,11, qui montre une résistance à la flexion de 63 kg/mm2 à la température ambiante. Exemple 5 22g d'isopropmede cerium et 25g d'isopropoxyde d'aluminium sont dissous dans du benzène. On rajoute 300g de SiC-beta (contenant 5% de SiC-alpha) dont la taille de particule moyenne est de 0,27/1,à la solution de benzène, puis on mélange à fond dans un petit malaxeur, et on sèche pour enlever le benzène. La poudre desséchée est laissée telle quelle à l'air pendant sept jours, puis elle est placée dans un moule métallique d'un diamètre intérieur de 20mm, et compactée à l'aide d'une presse à simple effet. Ensuite, on place la forme dans un tube en caoutchouc, et on la com- pacte dans une presse hydrostatique en utilisant de l'eau en tant que moyen de pression pour réaliser une forme fraîche. La forme fraîche est cuite dans l'air jusqu'à une température de 500 C, à raison de 100 C/heure, dans une atmosphère d'argon jusqu'à 1 400 C, à raison de 200 C/heure, puis cuite dans un four Tammann jusqu'à la température de 2 100 C dans une atmosphère d'argon, à raison de 200 C/heure. La contrac- tion linéaire durant la cuisson était de 16%, en se basant sur la forme cuite à 5000C. Le poids spécifique de la forme est de 3,15 et la résistance à la flexion à la température ambiante est de 75 kg/mm2. Exemple 6 On dissout 4g de sulfate de praseodymium et 3g de nitrate d'yttrium dans de l'eau. On rajoute 93g de SiC-beta (contenant 5% de SiC-alpha) dont la taille de parti- cule moyenne est de 0,27p m à la solution, qu'on laisse sécher pour la déshydrater. La poudre desséchée est versée dans un moule de 8x36mm et rendue compacte à l'aide d'une presse à double action, afin d'obtenir une forme fraîche de 3mm d'épaisseur. La forme fraîche est cuite dans l'air jusqu'à une température de 6000C, à raison de 1000C/heure, puis jusqu'à 1 400 C dans une atmosphère d'azote, à raison de 200 C/heure. La forme cuite est placée dans un creuset en graphite et entourée de SiC-alpha ayant une taille de particule de 100/m,autour duquel on verse la poudre d'oxalate d'aluminium. Le creuset couvert est cuit dans un four à haute fréquence. Les taux de croissance de la tempé- rature sont de 200 C/heure pour une gamme de 1 400 - 1 700 C, et de 75 C/heure pour une gamme de 1 700 - 2 0000C. Un réchauffage supplémentaire pendant une durée de deux heures et à 2 000 C permet d'obtenir une forme en carbure de silicium frittée. Le poids spécifique de la forme est de 3,08 et la résistance à la flexion à la température ambiante est de 63 kg/mm2. Exemple 7 On dissout 3g de l'additif acide de l'hydroxyde d'yttrium obtenu dans l'exemple 2, dans de l'eau, auquel on ajoute 27g de SiC-alpha d'une taille de particule de 1lm,et après avoir mélangé et séché cette solution on obtient une poudre desséchée. On verse la poudre dans un moule métallique, et on la rend compacte de manière à obtenir une forme fraîche de 30mm de diamètre et de 5mm d'épaisseur. On cuit la forme fraîche dans l'air à une température allant jusqu'à 500 C, à raison de 100 C/heure. On revêt la forme cuite d'une poudre de SiC-alpha d'une taille de particule de 1 I en rajoutant 3% d'alcool de polyvinyl, puis on la met dans un creuset en graphite entouré de poudre d'oxyde d'aluminium. On réchauffe le creuset couvert dans un four à haute fréquence jusqu'à une température de 1 700 C, à raison de 200 C/heure, puis jusqu'à 2 050 C, à raison de 50 C/heure. Le fait de maintenir la température à 2 050 C pendant deux heures permet d'obtenir une forme de carbure de silicium frittée. Le poids spécifique de la forme est de 3,11 et la résistance à la flexion à la température ambiante est de 58 kg/mm2. Exemple 8 On broie 2g de lanthane métallique mélangés à lg de bore métallique, puis on rajoute 97g de poudre de SiC- beta (comprenant 5% de SiC-alpha et dont la taille de parti- cule moyenne est de 0,27rm) au métal broyé, dans un mortier en agate, et on mélange le tout pendant une heure. Puis on verse le mélange de poudre dans un moule métallique de 8x36mm, et on le rend compact à l'aide d'une presse à double action afin d'obtenir une forme fraîche. Cette dernière est ensuite placée dans un four Tammann et cuite sous vide (1x10-4 mmHg) jusqu'à 1 6000C, à raison de 300 C/heure, puis jusqu'à 20000C à raison de 100 C/heure, et maintenue à cette tempé- rature pendant deux heures afin d'obtenir une forme de carbure de silicium frittée. Cette forme a une résistance à la température ambiante de 57 kg/mm et un poids spécifique de 3,11. Exemple 9 On dissout 9g de nitrate de cérium dans de l'eau, auquel on rajoute lg de noir de carbone et de SiC-alpha d'une taille de particule moyenne de 1/4m. Puis on mélange la solution obtenue pendant trois heures dans un malaxeur. On laisse sécher le mélange, puis on verse la poudre sèche dans un moule métallique de 8x36mm, et on la rend compacte à l'aide d'une presse à double action afin d'obtenir une forme fraîche. On cuit la forme jusqu'à une température de 1 4000C, à raison de 200 C/heure dans une atmosphère d'azote. Après re-formage, la forme est placée dans un creuset en graphite entouré de SiC-alpha dont la taille de particule est de 100/e. On cuit le creuset couvert jusqu'à une température de 2 100 C, à raison de 200 C/heure, puis on le maintient à cette tempé- rature pendant 30 minutes afin d'obtenir une forme en carbure de silicium. Cette forme a un poids spécifique de 3,07 et sa résistance à la flexion à la température ambiante est de 61 kg/mm2, sa résistance à la flexion à la température de 1 3000C étant de 44 kg/mm2. Exemple 10 On dissout 6g d'acétonate d'acétyle de lutetium dans du benzène, auquel on rajoute 3g d'oxyde de bore, 2g de noir de carbone et 89g de SiC-alpha (d'une taille de particule de 1rM). Puis on mélange la solution obtenue dans un malaxeur, avant de la sécher par évaporation du benzène. On verse ensuite la poudre desséchée dans un moule métal- lique de 8x36mm, et on la rend compacte à l'aide d'une presse à double action afin d'obtenir une forme fraîche. Puis on cuit la forme dans un four Siliconit jusqu'à la tempéra- ture de 1 400 C, à raison de 200 C/heure sous une atmosphère d'azote. Ensuite on cuit la forme jusqu'à une température de 20000C, à raison de 200 C/heure, puis on la met dans un four Tamnmann sous une atmosphère d'argon afin d'obtenir une forme en carbure de silicium frittée. La forme a un poids spécifique de 3,08, une résistance à la flexion à la tempé- rature ambiante de 61 kg/mm2, et une résistivité de 1,5 x 10 ohm-cm. Exemple 11 On mélange 88g de SiC-beta (comprenant 5% de SiC-alpha et ayant une taille de particule moyenne de 0,27p.m) à 8,5g d'oxyde de neodyaium, 2g d'acide borique et à 1,5g de noir de carbone. On mélange cette solution à de l'eau, puis on la pétrit dans un malaxeur pendant une durée de deux heures. Le mélange pétri, après conditionnement dans l'eau, est boudiné à travers une boudineuse en une forme fraîche d'un diamètre de 200 mm. Après avoir été desséchée à l'air libre, la forme fraîche est cuite jusqu'à une tempé- rature de 1 400 C, à raison de 200 C/heure sous une atmos- phère d'azote, puis elle est formée à la machine, en une barre de 5x5x30mm. Puis on met la forme dans un four Tanmmann et on la réchauffe jusqu'à une température de 2 100 C, à raison de 20/hsous une atmosphère d'argon, et on la maintient à cette température pendant une demi-heure afin d'obtenir une forme en carbure de silicium frittée. Le poids spécifique de cette forme est de 3,11 et sa résistance à la flexion à la température ambiante est de 71 kg/mm2. La résistance à la flexion de cette forme à une température de 1400 C est de 65 kg/mm 2, et on ne relève aucune perte de résistance de chaleur après un traitement dans l'oxygène à une température de 1 300 C pendant 100 heures. Exemple 12 On dissout 3g d'acide borique dans de l'eau, auquel on rajoute 90g de SiCalpha d'une taille de particule de 1/e, 3g d'hydroxyde d'aluminium et 4g d'hydroxyde de samarium. On mélange cette solution pendant deux heures. Puis on laisse ce mélange se dessécher à l'air libre, et on verse la poudre obtenue dans un moule métallique de 8x36mm, et on la rend compacte à l'aide d'une presse à double action afin d'obtenir une forme fraîche. On cuit la forme dans l'air libre jusqu'à une température de 600 C, à raison de 1000C/ heure, puis jusqu'à 1 400 C, à raison de 200 C/heure, sous une atmosphère d'azote. Après re-formage, la forme est placée dans un creuset en graphite entouré de poudre de SiC-alpha d'une taille de particule de 100lm. On cuit le creuset couvert jusqu'à la température de 2000 C, à l'aide d'un four à haute fréquence, à raison de 200 C/heure, afin d'ob- tenir une forme en carbure de silicium frittée. Le poids spécifique de cette forme est de 3,09 et sa résistance à la flexion à la température ambiante est de 58 kg/mm2. Exemple 13 On dissout 6g de chlorure d'aluminium et 4g de chlorure d'yttrium dans de l'eau, auquel on rajoute 2g de noir de carbone, 48g de SiC-beta (comprenant 5% de SiC-alpha) d'une taille de particule moyenne de 0,27r, et 40g de SiC amorphe (obtenus en chauffant du polycarbosilane à une température de 700 C et ayant une taille de particule moyenne de 2 4m), et on mélange le tout dans un malaxeur pendant deux heures. On laisse le mélange se dessécher à l'air avant de le broyer. La poudre broyée est exposée à un courant d'air pendant dix jours afin que les chlorures se décomposent. Puis on verse la poudre cuite dans un moule en graphite d'un diamètre interne de 35 mm, et on la cuit jusqu'à une tempé- rature de 1 900 C dans un four à haute fréquence, à raison de 300 /heure, sous une pression de 200 kg/cm2. Après avoir conservé cette température pendant deux heures, on obtient isme forme de carbure de silicium frittée. Le poids spéci- fique de cette forme est de 3,19 et sa résistance à la flexion à la température ambiante est de 86 kg/mm2. Exemple 14 On dissout 10g d'oxyde de gadolinium dans 250 ml de solution d'acide chlorhydrique - 2N, et on rajoute 40 ml d'eau ammoniacale afin de précipiter l'hydroxyde de gado- linium. L'hydroxyde de gadolinium obtenu réagit avec 220 ml de solution d'acide acétique - 1N pendant cinq heures, et après évaporation de l'eau on obtient un additif acide d'hy- droxyde de gadolinium. On dissout 1,0 g de cet additif acide dans de l'eau, et on rajoute 90g de SiC-beta (comprenant 5% de SiC-alpha ayant une taille de particule moyenne de 0,27M), puis on mélange dans un malaxeurpendant deux heures. le mélange poudreux est ensuite séché dans un sécheur, et la poudre desséchée est versée dans un moule métallique de 8x36 mm, et rendue compacte à l'aide d'une presse à double action afin d'obtenir-une forme fraîche. Cette dernière est ensuite cuite dans l'air jusqu'à une température de 500 C, à raison de 100 C/heure, puis dans du gaz d'azote jusqu'à une température de 1 4000C, à raison de 200 C/heure. Puis la forme refroidie est humectée dans de l'eau et revêtue d'une poudre de SiC-alpha d'une taille de particule de '100m. On place la forme enduite dans un creuset en graphite entouré d'oxyde de bore. On cuit le creuset couvert dans un four à haute fréquence jusqu'à une température de 1 800 C, à raison de 50 C/heure, et on le maintient à cette température pendant dix heures afin d'obtenir une forme en carbure de silicium frittée. La forme a un poids spécifique de 3,06 et une résis- tance à la flexion à la température ambiante de 61 kg/mm2. Exemple 15 On dissout 10g de chlorure d'yttrium dans de l'eau, auquel on rajoute 90g de SiC-alpha ayant une taille de particule moyenne de 1lm. Cette solution est ensuite mélangée dans un malaxeur pendant une heure, et laissée à l'air pendant dix jours afin que le chlorure se décompose. Puis on verse la poudre desséchée dans un moule métallique de 8x36mm, et on la rend compacte à l'aide d'une presse à double action afin d'obtenir une forme fraîche. La forme est ensuite cuite à l'air libre jusqu'à une température de 5000C, à raison de 100 C/heure, puis jusqu'à une température de 1 400 C, à raison de 200 C/heure, dans une atmosphère d'azote. La forme cuite est humectée avec de l'eau et revêtue d'une poudre de SiC-alpha ayant un format de parti- cule de 100 M, puis elle est placée dans un creuset en graphite environné de poudre de graphite. Le creuset est recouvert puis cuit dans un four à haute fréquence jusqu'à une température de 2000 C, à raison de 200oC/heure, et maintenu à cette température pendant cinq heures, afin d'obtenir une forme en carbure de silicium frittée. Le poids spécifique de la partie superficielle broyée de cette forme est de 3,03 et sa résistance à la flexion à la tempé- rature ambiante est de 54kg/mm2. Exemple 16 On dissout 10g d'isopropoxyde de dysprosium dans du toluène, auquel on rajoute 2g de noir de carbone et 88g de SiC-beta (comprenant 5% de SiCalpha et ayant une taille de particule moyenne de 0,27M). La solution obtenue est ensuite mélangée dans un malaxeur pendant 30 minutes, puis séchée. La poudre desséchée est broyée, puis laissée à l'air pendant cinq jours afin que lt-sopropoxyde de ds---ro- sium se décompose. On verse la poudre daus un mcDule m-val- lique de 8x36 mm, puis on la rend compacte à l'aide d'une presse à double action afin d'obtenir "l e forme fraîche. On cuit la forme sous une atmosphère d'azote jusqu'à vu'e température de 1 400 C, à raison de 200 C/heure. Puis on humecte la forme cuite avec de l'eau et on la revêt d'"me poudre de SiC-alpha ayant une taille de particule de 100M. On met la forme enduite dans ul creuset en graphite environne d'oxyde de bore. Le creuset recouvert est cuit dans un four à haute fréquence jusqu'à une température de 1 850 C, à raison de 50oC/heure, puis il est maintenu à cette tempé- rature afin d'obtenir une forme de carbure de silicium frittée. Le poids spécifique de cette forme est de 3,08 et sa résistance à la flexion à la température ambiante est de 63 kg/mm2. Exemple 17 On dissout 12 g de nitrate d'holmium ajoutés à 2g d'acide borique dans de l'eau, auquel on rajoute 86 g de SiC-beta (comprenant 5% de SiC-alpha et ayant une taille de particule moyenne de 0,27fm), et la solution obtenue est mélangée dans un malaxeur pendant une heure. Le mélange est laissé à l'air libre jusqu'à ce qu'il se dessèche complète- ment, puis le mélange desséché est broyé jusqu'à l'obtention d'une poudre. Cette dernière est ensuite versée dans un moule métallique de 8x36mm, et rendue compacte à l'aide d'une presse à double action en vue d'obtenir une forme fraîche. Cette dernière est ensuite cuite à l'air libre jusqu'à une température de 5000C à raison de 100 C/heure, puis dans de l'azote gazeux jusqu'à une température de 1 4000C à raison de 200 C/heure. La forme cuite est humidifiée et revêtue d'une poudre de SiC-beta d'une taille de particule moyenne de 100fi. La forme est ensuite placée dans un creuset en graphite environné d'oxyde d'aluminium. On recouvre le creuset, puis on le cuit dans un four à haute fréquence jusqu'à une température de 1 900 C, à raison de 1000C/heure, et on le maintient à cette température pendant cinq heures afin d'obtenir une forme en carbure de silicium frittée. Cette forme a un poids spécifique de 3,06 et sa résistance à la flexion à température ambiante est de 53 kg/mm2. Exemple 18 On dissout 12g d'acétylacétonate de cérium ajoutés à 2g d'acétylacétonate d'erbium dans du benzène, auquel on rajoute 1,5 g de noir de carbone et 84,5g de SiC-beta (comprenant 5% de SiC-alpha et ayant une taille de particule de 0,27r), puis on mélange la solution obtenue à l'aide d'un malaxeur pendant une demi-heure. L'évaporation du benzène du mélange produit un solide que l'on broie jusqu'à l'obtention d'une poudre. On laisse la poudre à l'air pendant cinq jours afin que le complexe se décompose. Puis on verse la poudre dans un moule métallique de 8x36mm, et on la rend compacte à l'aide d'une presse à double action afin d'obtenir une forme fraiche. La forme est réchauffée dans de l'azote gazeux jusqu'à une température de 1 400 C, à raison de 200 C/heure. Puis la forme réchauffée est humectée avec de l'eau et revêtue d'une poudre de SiCalpha dont le format de particule est de 100tM. La forme enduite est ensuite placée dans un creuset en graphite environné d'hydro- xyde d'aluminium, cuite dans le four jusqu'à une température de 20000C, à raison de 1000C/heure, et maintenue à cette température pendant trois heures afin d'obtenir une forme en carbure de silicium frittée. Le poids spécifique de cette forme est de 3,10 et sa résistance à la flexion à la tempé- rature ambiante est de 69 kg/mm2. Exemple 19 On dissout 2g de sulfate d'ytterbium, 8g d'additif acide d'hydroxyde d'yttrium synthétisés dans l'exemple 2, et 1,5g d'acide borique, dans de l'eau, auquel on rajoute 1,5g de noir de carbone et 87g de SiC-alpha d'une taille de particule moyenne de 1 m, puis on mélange la solution obtenue dans un malaxeur pendant trois heures. L'évaporation de l'eau contenue dans le mélange permet d'obtenir Un solide, que l'on broie jusqu' à l'obtention d'une poudre. Cette dernière est versée dans un moule métallique et rendue compacte à l'aide d'une presse à double action afin d'obtenir une forme fraîche. La forme est cuite dans de l'azote gazeux jusqu'à une température de 1 4000C, à raison de 100 C/heure. La forme cuite est ensuite placée dans un creuset en graphite environné de SiC-alpha d'une taille de particule de 100 A, et d'un environnement externe d'oxyde d'aluminium. Le creuset est fermé à l'aide d'un couvercle, puis cuit dans uné four à haute fréquence jusqu'à une température de 1 900 C, à raison de 100 C/heure, et maintenu à cette température pendant une durée de quatre heures afin d'obtenir une forme en carbure de silicium frittée. Cette forme a un poids spécifique de 3,10 et une résistance à la flexion à la température ambiante de 65 kg/mm. Exemple 20 On dissout 12g d'isopropoxyde de cérium dans du benzène, et 88g de SiCbeta (comprenant 5 % de SiC-alpha d'un format de particule moyen de 0, 27km), puis on mélange la solution obtenue à l'aide d'un malaxeur pendant une demi- heure. L'évaporation du benzène permet d'obtenir un solide que l'on broie en poudre. Cette dernière est laissée à l'air pendant dix jours afin que l'isopropoxyde de cérium se décompose. Puis on verse la poudre dans un moule en graphite d'un diamètre interne de 35mm, et on la réchauffe sous une atmosphère d'argon de 100 kg/cm2, jusqu'à une température de 2000 C à raison de 200 C/heure, et on la maintient à cette température pendant deux heures afin d'obtenir une forme en carbure de silicium frittée. La forme a un poids spécifique de 3,17 et une résistance à la flexion à la température ambiante de 76 kg/mm2. 25026 1 2 Exemple 21 On dissout 10g d'additif acide d'hydroxyde d'yttrium synthétisés dans l'exemple 2, dans de l'eau, et g de SiC-beta (comprenant 5 % de SiC-alpha ayant une taille de particule moyenne de 0,271Lm) sont rajoutés et le tout est mélangé à l'aide d'un malaxeur pendant une demi-heure. L'évaporation de l'eau permet d'obtenir un solide qui est ensuite broyé en poudre. Cette dernière est ensuite versée dans un moule en graphite d'un diamètre interne de 35 mm. Le moule est placé dans une presse chauffante sous atmosphère d'argon, et cuit sous une pression de 50 kg/cm2, à l'aide d'un four à haute fréquence, jusqu'à une température de 20000C, à raison de 2000C/heure, et ensuite maintenu à cette. température pendant deux heures afin d'obtenir une forme en carbure de silicium frittée. Cette forme a un poids spécifi- que de 3,16 et une résistance à la flexion à la température ambiante de 74 kg/mm 2. Exemple 22 On dissout 12g de chlorure de lanthane dans de l'eau, et on rajoute 88g de SiC-beta (comprenant 5io de SiC- alpha dont la taille de particule est de 0,27rm), et on mélange la solution obtenue à l'aide d'un malaxeur pendant une heure. Puis on laisse sécher le mélange à l'air libre jusqu'à sa solidification, puis on broie le corps obtenu jusqu'à l'obtention d'une poudre que l'on laisse reposer à l'air pendant dix jours afin que le chlorure de lanthane se décompose. Puis on verse la poudre dans un moule métal- lique de 8x36mm, et on la rend compacte à l'aide d'une presse à double action afin d'obtenir une forme fraîche. La forme fraîche est ensuite cuite à l'air libre jusqu'à une tempéra- ture de 5000C, à raison de 1000C/heure, puis dans l'azote gazeux jusqu'à une température de 2 1000C, à raison de 2000C/ heure, et maintenue à cette température pendant une heure afin d'obtenir une forme en carbure de silicium frittée. Cette forme a un poids spécifique de 3,01 et une résistance à la flexion à la température ambiante de 42:-g/mm2. Telles que décrites ci-dessus, les formes e- carbure de silicium, réalisées conformément à la présenCe invention, sont denses et présentent une résistarce m.caniq7e, une résistance aux acides et une résistance à l'usure supé- rieures, ainsi qu'une plus grande limite de déformation et de résistance aux chocs thermiques, ainsi qu'une résistance électrique variant de 10-1 ohm-cm à 103 oim-cm, selon le contenu des additifs de frittage. Aussi, les formes en carbure de silicium obtenues selon la présente invention ont des qualités supérieures à celles des produits de l'art antérieur, et leur fabrication présente un avantage économique car on peut fabriquer des configurations compliquées ou creuses, et d'autres formes telles que de fines bandes peuvent être fabriquées directement à partir d'une matière poudreuse. C'est la raison pour laquelle les formes en carbure de silicium frittée obtenues selon la présente invention ont de nombreuses applications dans les domaines suivants: les ailettes de turbines à gaz, les billes de roulements, lea pièces de turbines à gaz, les diverses pièces d'équipements utilisés pour le transport de liquides corrosifs, les creusets, les garnitures de broyeurs, les échangeurs thermiques des fours à haute température, les matériaux réfractaires, les éléments de chauffage, les tubes de combustion, les pompes de moulage en coquille, les tubes à parois minces, les maté- riaux pour fours de fusion nucléaires, les réacteurs nuclé- aires, les fours solaires, et les divers outillages et parties de ceux-ci, les matériaux de broyage, le matériel de protection thermique, les substrats pour la formation de cristaux uniques et autres. REVENDICATIONS 1. Formes de csrbure de silicium frittées de haute résistance, caractérisées en ce qu'elles comprennent 0,027 à 11,300 % d'atomes d'au moins un élément choisi parmi un groupe comprenant des oxydes de terres rares, le reste des atomes étant essentiellement du SiC. 2. Formes de carbure de silicium frittées de haute résistance caractérisées en ce qu'elles comprennent 0,021 à 11,300 % d'atomes d'au moins un élément choisi parmi un groupe comprenant les oxydes de terres rares, 0,006 à 11,500 % d'a- tomes d'au moins un élément choisi parmi un groupe compre- nant l'oxyde d'aluminium et des oxydes de bore, le reste des atomes étant essentiellement du SiC. 3. Méthode de fabrication de formes de carbure de silicium frittées de haute résistance, comportant les stades du rajout et du mélange à la poudre de carbure de silicium d'additifs de frittage, ainsi que ceux du compactage et du frittage séparés ou simultanés de la poudre mélangée, carac- térisée par le fait que lors du mélange de tout élément en tant qu'additif de frittage choisi parmi les groupes ci- dessous (a), (b), (c), (d), (e) et (f), lorsqu'on utilise des additifs du groupe (a), 0,027 à 11,300 % d'atomes d'éléments de terres rares ou leurs composés, sur une base d'oxyde de terre rare, et 100 % d'atomes comprenant la quantité totale de SiC et les additifs sont utilisés, et lorsqu'on utilise les additifs de frittage des groupes (b), (c), (d), (e) et (f), on utilise 0,021 à 11,300 % d'a- tomes d'éléments de terres rares et leurs composés, sur une base d'oxydes de terres rares, et 100 % d'atomes com- prenant la quantité totale de SiC et les additifs et 0,006 à 12,000 % d'atomes d'aluminium, de carbone, de bore et leurs composés, basés sur des Oxydes respectifs, les grou- pes précités étant les suivants: (a) des additifs de frittage comprenant tout élément choisi parmi un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares; (b) des additifs de frittage comprenant moins de 99 % en poids de tout membre choisi parmi un groupe compre- nant des éléments de terres rares et des composés de terres rares, le reste étant constitué d'au moins un membre choisi parmi un groupe constitué d'aluminium et de composés d'alu- minium; (c) des additifs de frittage comprenant moins de 99 % en poids de tout élément choisi parmi un groupe consti- tué d'éléments de terres rares et de composés de -terres rares, le reste étant essentiellement constitué d'au moins un élément choisi parmi un groupe comprenant du carbone et des composés de carbone (d) desadditifs de-frittage comprenant moins de 99 % en poids de tout élément choisi parmi un groupe consti- tué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, le reste étant essentiellement constitué d'au moins un élément choisi parmi un groupe comprenant du bore etides composés de bore (e) des additifs de frittage comprenant moins de 99 % en poids de tout élément choisiparmi un groupe consti- tué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, le reste étant constitué d'au moins un élément choisi parmi un groupe comprenant du carbone et des composés de carbone, et d'au moins un élément choisi parmi un groupe constitué de bore et de composés de bore; et (f) des additifs de frittage comprenant moins de 99 % en poids de tout élément choisi parmi un groupe consti- tué d'éléments et de composés de terres rares, le reste étant cons-itué d'au moins un élément choisi parmi un groupe compre- nant de l'aluminium et des composés d'aluminium, et d'au moins un membre choisi parmi un groupe constitué de carbone, de composés de carbone, de bore et de composés de bore. 4.Méthode de fabrication de formes en carbure de silicium frittées de haute résistance, dans laquelle on ajoute et on mélange des additifs de frittage à la poudre de car- bure de silicium, puis on exécute un compactageet un frit- tage séparés ou simultanés de la poudre mélangées, carac- térisée par le fait que lors du mélange de tout élément en tant qu'additif de frittage choisi parmi les groupes ci-dessous (a), (b), (c), (d), (e) et (f), lorsqu'on utilise des additifs du groupe (a), on prévoit 0,027 à 11,300 % d'atomes d'éléments de terres rares ou leurs composés comme additifs, sur une base d'oxyde de terre rare, et 100 % d'atomes comprenant la quantité to- tale de SiC et les additifs, et lorsqu'on utilise les ad- ditifs de frittage des groupes (b), (c), (d), (e) et (f), on prévoit 0, 021 à 11,300 % d'atomes d'éléments de terres rares et de leurs composés, sur une base d'oxyde de terre rare, 100 % d'atomes comprenant la quantité totale de SiC et les additifs, et 0,006 à 12,000 % d'atomes de carbone, d'aluminium, de bore et de leurs composés, basés sur les oxydes respectifs, les groupes (a) à (f) étant les suivants (a) des additifs de frittage comprenant tout élé- ment choisi parmi un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares (b) des additifs de frittage comprenant moins de 99 % en poidsde tout élément choisi parmi un groupe cons- titué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, le reste étant constitué d'au moins un élément choi- si parmi un groupe comprenant de l'aluminium et des com- posés d'aluminium; (c) des additifs de frittage comprenant moins de 99 % en poidsde tout élément choisi parmi un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, le reste étant essentiellement constitué d'au moins un élément choisi parmi un groupe comprenant du carbone et des composés de carbone (d) des additifs de frittage comprenant moins de 99 % en poids de tout élément choisi parmi un groupe constitué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, le reste comprenant essentiellement au moins un membre choisi parmi un groupe comprenant du bore et des composés de bore; (e) des additifs de frittage comprenant moins de 99 % en poids de tout élément choisi parmi un groupe cons- titué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, le reste comprenant au moins un élément choisi parmi un groupe constitué de carbone et de composés de carbone, et au moins un membre choisi parmi un groupe comprenant du bore et des composés de bore; et (f) des additifs de frittage comprenant moins de 99 % en poids de tout élément choisi parmi un groupe cons- titué d'éléments de terres rares et de composés de terres rares, le reste étant consitué d'au moins un élément choisi parmi un groupe constitué d'aluminium et de composés d'alu- minium, et d'au moins un élément choisi parmi un groupe constitué de carbone, de composés de carbone, de bore et de composés de bore; ladite opération de frittage étant réalisée sous une pres- sion partielle et dans une atmosphère de l'un des éléments suivants: aluminium, composés d'aluminium, de bore, composés de bore, carbone et composés de carbone..