Brevet FR2490246A1 — publié le 19820319

Dispositif de déposition chimique activée sous plasma La présente invention concerne un dispositif de déposition chimique activée sous plasma. On sait que la déposition chimique activée consiste à réaliser en phase gazeuse une réaction chimique dans une enceinte de sorte que l'un des produits de la réaction se dépose sur les substrats à recouvrir, les autres s'éliminant sous forme gazeuse. Une telle réaction est activée en chauffant les substrats et le gaz réactif ou en créant et en maintenant une décharge électrique dans les gaz, ce qui a pour effet d'ioniser une partie des molécules gazeuses et d'augmenter l'activité chimique des autres. Une telle ionisation des gaz évite de chauffer les substrats à des températures élevées, de l'ordre de 1000 à 12000C, le dépôt pouvant alors être effectué à température ambiante ou à une température de 200 à 3000C seulement. L'amorçage et l'entretien de la décharge électrique peuvent être effectués au moyen d'un champ électromagnétique alternatif à haute fréquence par une bobine, ce procédé étant dénommé "Système Inductif". On peut également utiliser un champ électrique continu ou à haute fréquence créé entre deux électrodes polarisées à haute tension, ce procédé étant connu sous le nom de "Système Capacitif". En ce qui concerne les enceintes ou réacteurs, on connaît des réacteurs de forme tubulaire utilisés dans les deux systèmes ou de forme dite "planaire" exploités uniquement dans le système capacitif et dans lesquels les électrodes sont formées de plateaux parallèles. Le mode d'introduction des gaz réactifs dans de telles enceintes joue un rôle important dans la réalisation de couches d'épaisseur uniforme, la vitesse du dépôt des couches, et leur qualité. En effet, il importe que les gaz soient uniformément répartis au niveau des substrats afin d'obtenir des dépôts présentant les caractéristiques avantageuses évoquées dans ce qui précéde. Dans les dispositifs connus, les distributeurs de gaz peuvent présenter une forme annulaire de diamètre égal ou légèrement supérieur à celui de l'électrode porte-substrats et ils sont disposés parallèlement à ladite électrode; ils comportent des orifices par lesquels les -2 - gaz s'échappent et viennent irriguer les substrats. Les distributeurs de gaz peuvent également présenter une forme tubulaire percée de petits trous ou même être rectilignes, les substrats se déplaçant devant les distributeurs dans ce dernier cas. Les dispositifs de déposition chimique connus mettant en oeuvre des organes d'injection de gaz tels que précédemment décrits, ainsi que notamment des électrodes génératrices de plasma de type courant sont le siège de gradients de pression, de variations de concentration gazeuse, de non-uniformité d'ionisation, ce qui entraîne la formation de couches d'épaisseur non-uniforme et de mauvaise qualité. De plus de tels dispositifs présentent une capacité de production réduite, et sont difficilement transposables à un échelon industriel. En outre leur prix de revient de construction est relativement élevé. La présente invention permet de remédier aux inconvénients schématisés dans ce qui précéde, et elle a pour objet un dispositif de déposition chimique activée sous plasma permettant de réaliser des dépôts uniformes et d'excellente qualité, tout en présentant une structure simple et une fiabilité élevée. L'invention a donc pour but un dispositif de déposition chimique activée sous plasma, du type comportant une enceinte ou réacteur, maintenu sous vide présentant un axe de symétrie et pouvant être obturé au moyen d'une platine supérieure et d'une platine inférieure amovibles, un portesubstrats, un distributeur de gaz réactifs et des moyens pour amorcer et entretenir un plasma dans ladite enceinte, caractérisé par le fait que ledit distributeur de gaz réactifs comprend deux embases circulaires réunies par des tubes percés d'orifices d'échappement des gaz, ce distributeur étant entraîné en rotation et à vitesse uniforme autour de l'axe de l'enceinte et à l'intérieur dudit porte substrats, ledit portesubstrats présentant une section polygonale et étant constitué de facettes rectangulaires verticales sur lesquelles sont disposés les substrats en vis-à-vis des orifices dudit distributeur. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortent de la description qui suit, donnée à titre d'exemple purement illustratif mais nullement limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels 3 - La figure 1 représente un premier mode de réalisation du dis- positif selon l'invention. La figure 2 représente une coupe selon la ligne II-II de la figure 1. La figure 3 représente un deuxième mode de réalisation du dispositif selon l'invention. La figure 4 représente une coupe selon la ligne IV-IV de la figure 3. La figure 5 représente un troisième mode de réalisation du dispositif selon l'invention. La figure 6 représente une coupe selon la ligne VI-VI de la figure 5. En référence aux figures 1 et 2 le dispositif selon l'invention comprend une enceinte cylindrique ou réacteur 1 pouvant être obturé au moyen d'une platine supérieure amovible 2 et d'une platine infé- rieure 3 également amovible. Au centre de l'enceinte 1 est disposée une électrode cylindrique 4 génératrice de plasma fixée par l'une de ses extrémités à la platine supérieure 2. En outre, autour de l'électrode 4 est disposé concentriquement un tonneau porte-substrats 5 jouant le rôle de contre-électrode fixé à ladite platine supérieure 2 au moyen de tirants tels que 6. Ce tonneau présente une section polygonale, en l'occurrence hexagonale, et il est donc formé de 6 facettes rectangulaires verticales sur lesquelles sont disposés les substrats tels que 7. Il peut être équipé d'un dispositif de chauffage ou de refroidissement (non représenté). La référence 8 désigne un distributeur rotatif des gaz réactifs disposé entre l'électrode 4 et le tonneau 5 et d'axe commun. Ce distributeur, en forme de cage d'écureuil, comporte donc deux embases circulaires 9 et 10 réunies par des tubes 11 percés de petits orifices aptes à diriger le gaz vers les substrats 7. Ce distributeur est entraîné en rotation par un moteur extérieur 12 et des roues motrices couplées 13 et 14. Il est alimenté en gaz au moyen d'une tubulure 15 traversant la platine inférieure 3. Par ailleurs, l'électrode 4 est connectée à une source de haute tension négative si la tension est continue, ou à haute fréquence si la tension est alternative est cela au moyen d'un câble 16. Elle -4 - peut également être refroidie à l'eau si nécessaire. Enfin, une canalisation 17 relie l'enceinte 1 à un groupe de pompage (non représenté). L'électrode 4 peut être confectionnée en cuivre, en aluminium ou en acier inoxydable. Avantageusement elle est recouverte d'un matériau non polluant pour la couche déposée sur les substrats tel que le silicium, le chrome, ou autres selon le cas. Il faut noter également que sa longueur doit être sensiblement supérieure à celle du tonneau 5 dans le but d'uniformiser le champ électrique aux extré- mités. Le fonctionnement d'un tel dispositif ressort de la précédente description. Lorsque l'électrode 4 est mise sous tension, un plasma se trouve créé dans l'enceinte 1. Le ou les gaz réactifs sont admis dans l'en- ceinte 1 par le distributeur rotatif 8 qui dirige lesdits gaz en direction des substrats 7 selon une orientation permettant une unifor- mité de distribution maximale. Ce distributeur tourne d'ailleurs d'un mouvement uniforme pendant toute la durée du dépôt permettant ainsi d'avoir une égale répartition de l'approvisionnement en gaz à chaque instant, sur la totalité des substrats. Il en résulte un dép8t uniforme de matière sur lesdits substrats. Lorsque le dépôt est terminé on retire la platine 2, l'électrode 4 et le tonneau 7 que l'on peut décharger dans une chambre ou sas surmontant l'enceinte 1. Dans le mode de réalisation représenté aux figures 3 et 4 les mêmes organes sont désignés par les mêmes références que précédemment. Cependant l'électrode n'est plus disposée au centre de l'enceinte 1. Dans ce cas, l'électrode 20 est fixée ou intégrée à la paroi interne de l'enceinte 1 sous forme d'éléments rectangulaires 21 formant un ensemble de périmètre polygonal. Dans le mode de réalisation illustré aux figures 5 et 6 il n'y a plus d'électrode comme dans les cas précédents car le dispositif fonctionne selon le système inductif au lieu de mettre en.oeuvre le système capacitif comme dans les précédents modes de réalisation. A cet effet, on utilise une bobine inductrice 25 alimentée par un courant à haute fréquence, apte à créer et à entretenir le plasma dans l'enceinte 1. Cette bobine 25 est disposée à l'extérieur de l'enceinte 1 laquelle dans ce cas est confectionnée en silice. 24 902 46 Cependant ladite bobine peut également être disposée à l'inté- rieur de ladite enceinte 1 qui dans ce cas est métallique; la bobine doit cependant être revêtue d'un matériau non contaminant vis-à-vis des substrats en raison des effets de pulvérisation de ladite bobine par le plasma. Des variantes au dispositif selon l'invention peuvent être envisagées. C'est ainsi qu'il est possible d'élever le degré d'ionisation du plasma en superposant un champ magnétique au champ électrique dans le cas du fonctionnement en système capacitif. Le champ magnétique parallèlement à la surface de l'électrode peut être créé par une bobine extérieure, ou par un empilement d'aimants noyés dans l'élec- trode génératrice de plasma. On augmente ainsi la vitesse des dép8ts par augmentation de l'activité des molécules. De même, les substrats 7 peuvent éventuellement être soumis à une source de tension de polarisation continue négative ou alterna- tive à haute fréquence de sorte que certaines particules indésirables soient repoussées et que lesdits substrats subissent un nettoyage ionique avant le dépôt. Dans ce cas le tonneau porte-substrat 5 est connecté à ladite source de tension. On peut également envisager d'entraîner le tonneau 5 en rotation pendant le dépôt, autour de l'axe du réacteur 1. En outre, lorsque les substrats 7 présentent des formes complexes, il peut être avantageux de les entraîner en rotation sur eux-mêmes par tout moyen approprié. L'invention est mise en oeuvre pour réaliser notamment des dépôts de métaux tels que le silicium, le chrome, l'aluminium; et autres. Bien entendu l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemples. En particulier, on peut sans sortir du cadre de l'invention apporter des modifications de détail, changer certaines dispositions ou remplacer certains moyens par des moyens équivalents. 249324e - 6- REVENDICATIONS 1/ Dispositif de déposition chimique activée sous plasma, du type comportant une enceinte ou réacteur (1) maintenu sous vide présen- tant un axe de symétrie et pouvant être obturé au moyen d'une platine supérieure (2) et d'une platine inférieure (3) amobibles, un portesubstrats (5), un distributeur de gaz réactifs (8) et des moyens pour amorcer et entretenir un plasma dans ladite enceinte (1) caractérisé par le fait que ledit distributeur de gaz réactif (8) comprend deux embases circulaires (9, 10) réunies par des tubes (11) percés d'orifices d'échappement des gaz, ce distributeur étant entraîné en rotation et à vitesse uniforme autour de l'axe de l'enceinte et à l'intérieur dudit porte-substrats (5), ledit porte-substrats présentant une section polygonale et étant constitué de facettes rectangulaires verticales sur lesquelles sont disposés les substrats (7) en vis-à-vis des orifices dudit distributeur (8). 2/ Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdits moyens pour amorcer et entretenir un plasma dans ladite enceinte (1) comportent une électrode cylindrique (4) disposée au centre de ladite enceinte (1) et fixée par l'une de ses extrémités à ladite platine supérieure (2). 3/ Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdits moyens pour amorcer et entretenir un plasma dans ladite enceinte (1) comportent une électrode (20) fixée ou intégrée à la paroi interne de ladite enceinte (1), cette électrode (20) étant formée d'éléments rectangulaires (21) formant un ensemble de péri- mètre polygonal. 4/ Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait que ladite électrode (4) est connectée à une source de ten- sion négative continue. 5/ Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait que ladite électrode (4) est connectée à une source de ten- sion alternative à haute fréquence. 6/ Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé par le fait qu'il comporte en outre des moyens aptes à créer un champ -7- magnétique parallèlement à la surface de ladite électrode (4). 7/ Dispositif selon la revendication 6, caractérisé par le fait que lesdits moyens comportent une bobine disposée à l'extérieur de l'en- ceinte (1). 8/ Dispositif selon la revendication 6, caractérisé par le fait que lesdits moyens comportent des aimants associés à l'électrode généra- trice de plasma (4). 9/ Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdits moyens pour amorcer et entretenir un plasma dans ladite enceinte (1) comportent une bobine inductrice (25) disposée à l'ex- térieur de l'enceinte (1). / dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdits moyens pour amorcer et entretenir un plasma dans ladite enceinte (1) comportent une bobine inductrice (25) disposée à l'in- térieur de l'enceinte (1). 11/ Dispositif selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé par le fait que ledit porte-substrats (5) est connecté à une source de tension de polarisation continue négative ou à une source de tension alternative à haute fréquence. 12/ Dispositif selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé par le fait que ledit porte-substrat (5) est entralné en rotation autour de l'axe de l'enceinte. 13/ Dispositif selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé par le fait que lesdits substrats (7) sont entraînés en rotation sur eux-mêmes.