Brevet FR2497400A1 — publié le 19820702

La présente invention concerne un tube électro- nique comprenant un écran photoélectrique, par exemple un intensifieateur d'image aux rayons X. Un tube électronique comportant un écran photo- électrique, par exemple un intensificateur d'image aux rayons X ou un intensificateur d'image aux rayons gamma est généralement utilisé pour détecter des rayons de haute énergie, comme des rayons X et des rayons gamma. Jusqu'à présent, la matière de la fenêtre d'entrée de ces intensifticateurs.tait du verre. Mais récemment, il est arrivé que la fenêtre d'entrée de ces intensifica- teurs soit faite en une mince tôle métallique. ILa raison en est que, étant donné l'amélioration technique du trai- tement des métaux et l'augmentation du prix des matières premières, une fenêtre d'entrée métallique coâte éventuel- lement moins cher, si l'on considère les traitements et les matières intervenant dans la réalisation dt un tel intensificateur. De plus, l'utilisation d'une fenêtre d'entrée métallique a fait naître la t. endance d'utiliser des métaux pour d'autres parties de l'intensificateur. L'écran photoélectrique est généralement réali- sé, partir d'un produit de réaction entre un semi-métal tel que Sb, Bi ou Te et un métal alcalin. Les procédés de réalisation des écrans photoélectriques peuvent se clas- ser d'une façon générale en deux types, d'après la diffé- rence entre les opérations de dép8t sous vide. L'un de ces procédés consiste à maintenir une source d'un métal alcalin et une source d'un semi-métal dans une enveloppe. Par exemple, Cs et Sb sont déposés alternativement et ré- pétitivement à partir des sources correspondantes de métal alcalin et de semi-métal, pour réagir mutuellement sur le substrat d'un écran d'entrée, jusqu'à ce que la sensibili- té maximale de l'écran photoélectrique soit obtenue. Mais ce procédé présentel'inconvénient de soulever des diffi- cultés pour réaliser un écran photoé lectrique de haute sensibilité. Un autre procédé consiste à déposer initialement une quantité prêscrite d'un semi-métal, par exemple Sb, Sur le substrat de l''cran d'entrée, et à déposer en- suite un métal alcalin tel que Cs pour qu 'il réapisse avec le semi-métal, en produisant ainsi il':cran photo- électrique. Si la mesure de l]a quantité 'e Sb peut être faite avec une grande r,roduct ibilité oe de;ier prc- cédé e!t efficace pour produire des acranc pho;to- électricltes de hnute sensibilit.î et de j:rande stabili- té. La quantité de Sb applicuée dans ce dernier procédé a jusqu'à présent été mesurée de]la manière sui- vante. On tube photoélectrique est disposé près de l'é- cran photoélectrique et à l'extérieur de la partie de l'enveloppe sur la paroi intérieure de laquelle Sb doit être déposé. Une source de lumi:re est placée sur le scté de l'intensificateur d'image auxrayons X opposé à celui qui fait face au tube photoélectrique. La déter- mination de la quantité de Sb se fait en déterminant la mesure dans laquelle le courant photoélectrique qui cir- cule dans le tube photoélectrique varie en fonction de la quantité de Sb déposée sur la paroi intérieure de l'enveloppe. Mais ce procédé courant de détermination de quantité de Sb présente l'inconvénient qu'il est sujet à de fortes limitations, dépendant de la structure de l'intensificateur d'image. Tout récemment, la structure interne des tubes électroniques de ce genre comprenant un écran photo- électrique, dans lesquels des faisceaux d'électrons sont focalisés par un champ électrique s'est compliquéeprogres- sivement en raison de la demande pour des tubes électro- niques de hautes performances. En ce qui concerne par exemple un intensificateur d'image aux rayons X, le tube courant comprenant trois électrodes a été modifié en un tube qui comporte quatre électrodes pour obtenir un champ variable, ou en un tube constitué par cinq élec- trodes pour améliorer la distribution de résolution. Ainsi, la tendance récente pour les tubes électroniques se dirige vers des types comprenant de plus en plus d'électrodes. lDans le cas d'un intensi'.ieateur d'image aux rayons X comprenant la structure interne précitée, le passage de la lumière émise par une source lumineu- se est gêné par les électrodes qui se trouvent dans l'intensificateur, de sorte qu'il est impossible d'ap- pliquer le procédé de mesure de quantité de Sb. Par ailleurs, la tendance de réaliser les fe- netres d'entrée et autres parties des enveloppes en më- tal a été de plus en plus acceptée pour réduire la dif- fusion de la lumière par la fenêtre d'entrée d'un inten- sificateur d'image aux rayons X et pour réduire les prix de matière première et de main d'oeuvre. Avec un Jnten- sificateur d'image aux rayons X comportant une enveloppe métallique, il est évidemment impossible d'adopter le procédé précité de mesure de quantité de Sb. L'invention résulte done des circonstances mentionnées ci-dessus, et elle a pour objet de proposer un tube électronique comprenant un écran photoélectrique dont la structure est adaptée pour assurer la formation de l'écran avec la sensibilité photoélectrique stable voulue. Un autre objet de l'invention est de proposer un procédé de fabrication de cet écran photoélectrique. Pour atteindre cet objet, l'invention concerne donc un tube électronique qui comprend une enveloppe métallique sous vide, une fenêtre métallique d'entrée de rayons à haute énergie fixée sur l'enveloppe et un écran photoélectrique disposé près de la fenêtre métal- lique d'entrée de ravons de haute énergie, et formé dansl]enveloppe ce tube se caractérise par le fait qu' un photocapteur semi-conducteur est disposé dans une position de l'enveloppe métallique sous vide voisine du bord périphérique de l'écran photoélectrique et sur lequel une substance constituant l'écran photoélectrique peut être déposée, ee photocapteur semi-conducteur com- prenant un boîtier étanche avec une fenêtre d'entre de lumière et un élément semi-conducteur maintenu dans ce boîtier. L 'invention concerneégalement un procédé de fabrication de l'écran photoélectrique du tube électro- nique consistant à disposer un photocapteur semi-conduc- teur comprenant un boîtier étanche avec une fenêtre d'entrée de lumière et un élément semi-conducteur main- tenu dans le bottier dans. une position à l'intérieur de l'enveloppe métallique sous vide, voisine du bord périphérique de 'écran photoélectrique et sur lequel un semi-métal peut être déposés l'enveloppe supportant un substrat d'écran d'entrée, une source d'évaporation d'un métal alcalin et une source d'évaporation d'un semi-métal, le procédé consistant également à évaporer du métal alcalin de la source de métal alcalin jus-qu 'à ce qu!un courant photoélectrique maximal soit produit à partir du substrat d'écran d'entrée sur lequel le mé- tal alcalin évaporé est déposé, à évaporer du semi- métal de la source de semi-metal jusqu'à ce que le cou- rant de sortie du photocapteur semi-conducteur atteigne une valeur prescrite, et à évaporer à nouveau le métal alcalin de la source de métal alcalin jusqu'à ce qu'un courant photoélectrique d'une intensité maximale soit délivré par le substrat d'écran d'entrée sur lequel le métal alcalin et le semi-métal sont déposés, en formant ainsi un écran photoéleetrique sur la surface du sub- strat d'écran d'entrée. D'autres caractéristiques et avantages de l'in- vention seront mieux compris h la lecture de la desc- cription qui va suivre de plusieurs exemples de réali- sation et en se référant aux dessins annexés sur les- qu.ls: La Figure 1 est une coupe schématique d'un intensificateur d'image aux rayons X selon un mode de réalisation de l'invention, la 'igure 2 est une coupe à plus grande échel- le de la partie principa]e de l'intensificateur d'image aux rayons 5; de la Fig. 1, la Figure)s est une coupe d'un photocapteur semi-conducteur utilisé avec un tube électronique selon l'invention, la Figure il est une courbe illustrant les propriétAs du photocapteur semi-conducteur de la Fig. 3, la ligure 5 montre graphiquement les varia- tions du courant de sortie délivré par le photocapteur à semi-conducteur et le courant de sortie émis par l'écran l'écran photoélectrique, pendant la formation d'un écran photoélectrique selon l'invention, et la Figures 6 et 7 sont des coupes de la partie principale dtintensificateurs d'image aux rayons X selon d'autres modes de réalisation de l'invention. Les Figures représentent donc un tube électro- nique selon l'invention consistant en un intensificateur d'image de rayons X. Un intensificateur d'image de rayons X selon l'invention est agencé comme le montrent les Fig. 1 et 2. Une enveloppe sous vide 1 comporte une fe- notre d'entrée la en aluminium, un corps lb en acier in- oxvdable, un corps de verre le et une fenêtre de sortie ld en verre. Un écran d'entrée 2 est disposé à l'intérieur de la fenêtre d'entrée la. Cet écran d'entrée 2 consiste en un écran luminescent d'entrée, formé sur un substrat d'aluminium 3 sphérique, et un écran photo1lectrique 5 déposé sur l'écran luminescent d'entrée 4. Une anode 6 est disposée à l'intérieur du côté de sortie de l'enve- loppe 1. Un écran photoélectrique 8 de sortie est formé sur un substrat de sortie 7. Une première électrode de grille 9 est disposée le long de la paroi latérale inté- rieure de l'enveloppe sous vide 1 et elle est connectée électriquement au corps lb d'acier inoxydable. Une secon- de électrode de grille lOa et une troisième électrode de grille lO0b sont disposées sur le côté de l'enveloppe sous vide 1 dans laquelle se trouve l'anode 6, dans l'ordre mentionné, compté à partir du c8té d'entrée de l'enveloppe 1. Une source de métal alcalin est prévue dans une cavité 11 de la seconde électrode de grille lOa. Un bossage 21 est formé sur la partie arrière du corps de verre lc de l'enveloppe sous vide 1. Une nacelle 12 qui permet l'éva- poration d'un semi-métal tel que de l'antimoine est main- tenue dans lebossage 21. Un photocapteur 13 à semi-conducteur, par exhm- plé une photodiode est placé dans la partie de la premiere électrode de grille 9 par exemple, dans]aquell.e le champ électrique n'est pas considérablement perturbS. Une borne 14 nécessaire pour alimenter le photocap- eur 1, sort a l'extérieur de l'enveloppe sem vi-de X. nouverture 25 est formée dans une parti-;e de la p.arci c-t..-,que 22 de la première électrode de grille 9 aasi Grand que la fe- nêtre d'entrée de lumière du plotocapteu. J3.e dernier est fixé à I 'exterieur de cet;;e oauverture 2,- Une borne 24a faisant partie des deux bornes de sortie de Signaux du photocapteur 1 est connectée à la borne 14 par un condue- teur. Cette borne 14 pénètre dans le corps i!A4.alliqaue lb de l'enveloppe sous vide 1 de façon étanche, en passant par une pièce isolante 25. L'autre borne de sortie 24b est connectée à la première électrode de grille 9, en court-circuit électrique avec le corps métallique lb. En fonctionnement, la première électrode de grille 9 est en court-circuit avec le corps métallique lb par un ressort conducteur 9a, de sorte que les deux pièces 9 et lb sont au potentiel de la masse. Sur les Figures 1 et 2, la ré- férence numOrique 26 désigne une entretoise qui sépare électriquement l'écran d'entrée 2 de la première électrode de grille 9. La référence numérique 27 désigne une borne de connexion de l'écran d'entrée 2. Avec un tube électronique selon Il 'invention, il est possible de contr8ler la quantité d'un semi-métal tel que de l'antimoine déposé sur la face extérieure de la fenêtre d'entrée de lumière du photocapteur 13 à semi- conducteur, en détectant la tension du signal de sortie du photocapteur 1b qui varie avec la quantité déposée du semi-métal, en utilisant une petite quantité de lumière pénétrant dans l'enveloppe sous vide 1 par son corps de verre lc. Le photocapteur 13 qui est p]acé près de l'écran photoélectrique 5 peut détecter très exactement la quan- tité déposée de semi-métal. Si un intensificateur d'image aux rayons X a unp etructure telle qu'elle ernpeche que de la lumière soit introduite par l'extérieur de l'enveloppe sous vide 1, ou ne permet la pénétration que d'une quanti- té extrêmement petite de lumière, une petite source lumi- neuse peut 6tre placée en un point approprié dans l'enve- loppe sous vide 1. Il est en outre possible de prévoir plusieurs photocapteurs 13 près de la périphérie de l'écran photoélectrique 5. Cette disposition permet de dé- tecter 1 tuniformlité avec laquelle un semi-métal est dépo- sé sur toute la région de l'écran photoélectrique 5. De plus, le photocapteur lD a semi-conducteur peut être fixé sur la paroi intérieure d'une enveloppe méta.lique. Lorsque la photodiode semi-conductrice au silicium mentionnée ci-dessus est exposée à la chaleur appliquée pour l'évacuation d'un tube souS vide, par exem- ple un intensificateur d'image aux ravons X ou pour la for- mation de l'écran photoélectrique, les propriétés de cette photodiode se détériorent. Mais avec le procédé selon l'in- vention de fabrication d'un tube électronique, pendant la réa]isation d'un intensificateur c d'image de rayons X, la partie sur laquelle la photodiode au silicium est fixée n'est pas chauffée à une température extrêmement élevée, par exemple dépassant.300OC. Par conséquent, la photodiode au silicium peut entièrement résister à la mise en oeuvre pratique du procédé de fabrication selon l'invention d'un écran photoélectrique. Par oontre, l'utilisation de la photodiode au silicium assure une reproductibilité de la quantité de Sd beaucoup plus élevée que celle qui était possible avec les procédés antérieurs. En outre, l'utili- sation de la photodiode au silicium permet d'utiliser une enveloppe métalllique avec une structure qui interdit pra- tiquement la pénétration de lumière extérieure. Un inten- sificateur d'image de rayons X selon l'invention est vidé pendant sept heures dans un four maintenu à une température de 2500C. Par conséquent, il est évident qu'une photo- diode au silicium utilisée pour la fabrication de cet intensificateur d'image de rkvons X doit supporter cette température. Au cours des derniers années, un nouveau type de photodiode a été développe, réalisé en enfenrmant hermé- tiquement un élément de silicium dans un boatier métalli- que au movyen d 'un sol vant vitreux. Cette photodiode au silicium répond bien aux objets de l'invention. La Fig. 3 illustre la disposition d'une photo- diode au silicium, qui convient pour la mise en oeuvre de l'invention. Un photocapteur 1: à semi-condueteur, consti- tuant cette photodiode, est réalisé en enfermant herméti- quement un élément de silicium 31 comprenant une jonction PN dans un bottier étanche 32, et en sortant à l'extérieur des électrodes par deux conducteurs 24a, 24b. Le boitier étanche 32 est réalisé en assemblant hermétiquement une fenêtre 33 d'entrée de lunliere en verre et un boartier iné- talliqie 34 par un joint 35 en verre fritté, et en assem- blant de façon étanche les condicteurs 24a, 241b et le bol- tier métallique 34 par une Plaquette 36 en verre frittée Le bottier étanche 32 est rempli d'un gaz qui évite l'oxy- dation, par exemple de l'azote. Ce type de photodiode en- ferenné hermétiquement est maintenant largement répandu sur le marché. Dans le cadre de l'invention, des précautions doivent être prises pour choisir le type de bottier étan- che, de manière que son étanchéité ne soit pas détruite même s'il est chauffé A environ 300 C. Cependant, la li- mite supérieure de température à laque3lle la photodiode sous boîtier hermétique peut être soumise est généralement de l'ordre de l25 C, afin d'assurer les propriétés élec- triques de cette photodiode. Mais des comparaisons ont été faites entre l].es propriétés électriques de cette photo- diode avant et après qu'elle a été soumise à une haute température de 2500C pendant sept heures dans le vide, cea conditions étant généralement considérées comme un gui- de pour vider un intensificateur d'image aux rayons X, et les résultats sont indiqués sur la I"ig. 4. Sur cette figure, la quantité (par rapport à la valeur initiale) de lumière incidente est indiquée en aboisse et le courant de sortie de la photodiode est porté en ordonnée. La cour- be pointillée A représente les propriétés électriques initiales de la photodiode et la courbe B en traits pleins représente les propriétés électriques de la photodiode après que l'intensificateur d'image aux rayons X a été vidé. Ces expériences montrent que les caractéristiques de sortie ou de sensibilité de la photodiode décroissent d'environ 305, après que le tube électronique a été vidé à 250 C pendant sept heures, mais que la relation entre la lumière incidente et l 'intensité du courant de sortie de la diode ne changent que peu. Il a donc Été confirmé que la sensibilité relative de la photodiode permet en pratique de contrôler la quantité d'un semi-mêtal tel que de]'antimoine déposé pendant la formation d'un écran photoélectrique. La formation d'un écran photoélectrique après le vidage précité du tube électronique sera maintenant dé- crite en regard de la Fig. 5. Au cours de la première phase, un métal alcalin tel que du caesiumest évaporé de façon centimnue jusqu'à ce que le courant photoélectri- que (indiqué par la courbe C) atteigne une intensité maxi- male. A ce moment, étant donné que le métal alcalin est pratiquement transparent, le courant de sortie du photo- capteur semi-conducteur ne varie pratiquement pas. Au cours de la seconde phase, un semi-métal tel que ce l'an- timoine est évaporé jusqu'à ce que le courant de sortie du photocapteur à semi-conducteur atteigne une intensité prescrite d2, par rapport à la valeur initiale dl indi- quée par le trait plein D. Dans le cas d'un intensifica- teur d'image de rayons X utilisant un écran à l'iodure de caesium, il s'avère que la valeur optimale de l'in- tensité prescrite d2 se situe dans la plage d'environ 70 à 90% de la valeur initiale dl. Au cours de la troisième phase, le métal alcalin tel que le caesium est à nouveau évaporé. Pendant cette troisième phase, le métal alcalin forme un composé avec l'antimoine déjà déposé, augmentant ainsi rapidement le courant photoélectrique C à la sortie de l'écran photoéleotrique. Lorsque ce courant photo- électrique C atteint une valeur maximale, l'évaporation du métal alcalin est interrompue. A ce moment, le courant de sortie du photocapteur à semi-conducteurs décroît jus- qu'à un niveau d). De la première à la troisième phase, la température ambiante de 1 'intensificateur d'image de rayons est choisiedansla plage de 80 à 120 C. Au cours d'une quatrinme phae, l'intensificateur d'image de rayons X est refroidi lentemient jur.qu'à la tempéra- ture ambiante. Pendant. cet'te p-hse 1l. courant photo- électrique C de sortie de ' écra. photoélecrri..le aug- mente encore juisqu' A atteindrE. inael ent une valeur stable. Lorsqu 'un ecran phc:to&lectriçge est formée par un composé obtenu par évaporation d'un métal alcalin et d'antimoine, il importe particulièremenit de centr8- ler la quantité d'antimoine déposée. A cet effet, le procédé de fabrication d'un écran photoélectrique selon il'invention consiste à détecter le courant de sortie du photocapteur à semi-conducteur par rapport à sa va- leur initiale, augmentant ainsi la reproductibilité de la quantité d'antimoine déposée. Le procédé courant de contr8le de la quantité de Sb n'est pas applicable au cas o des parties d'une enveloppe sous vide entou- rant l'écran photoélectrique et la fenêtre d'entrée des rayons X sont en métal. Au contraire, le tube électro- nique selon l'invention, dans lequel un photocapteur à semi-conducteur est mnaintenu dans l'enveloppe permet de déterminer la quantité de Sb déposée, de façon sIre et avec une grande facilité. Dans un intensificateur d'image de rayons X selon un autre mode de réalisation de l'invention, une ouverture 23 est formée dans une partie d'un support 37 de photocathode annulaire, de section transversale en L, et supportant un écran photoélectrique 5, un eécran fluorescent 4 et un subs-trat 3, un photo- capteur à semi-conducteur 13 est fixé sur la face ar- rière du support de photocathode. ILe photocapteur 13 à semi-conducteur est positionne avec sa fenêtre 33 d'entrée de lumière en face de l'ouverture 23. Un con- ducteur 24a faisant partie des deux conducteurs du pho- tocapteur 1.3 est connecté électriquement à un support b7 constituant en même temps une électrode de l'écran photoélectrique 5, et également à une borne 27 pour con- necter le support 37 à l'extérieur. L'autre conducteur 24b du photocapteur 13 est connecté électriquement à une première électrode de grille faite d'une pièce avec le corps métallique lb, par l'intermédiaire d'un fusible 38 fondant facilement. Une seconde électrode de grille 40 est disposée au-dessous de la première électrode de gril- le 39. Le mode de réalisation de la IFig. 6 ne comporte pas de borne de sortie (indiquée par 14 sur les Fig. 1 et 2) du photocapteur 13 à semiconducteur. La borne de ce photocapteur 13 est connectée à une électrode de grille interne sur laquelle le photocapteur 13 est fixé. La borne extérieure de cette électrode interne est utilisée simul- tanément cornmme une borne extérieure du photocapteur 13. La Disposition de la Fig. 6 offre des commodités car il est inutile de prévoir une borne supplémentaire étanche à l'air sur le corps métallique lb de l'enveloppe 1. Avec le tube électronique réalisé selon la Fig.6 le courant de sortie du photocapteur 13 à semi-conducteur est détecté par un ampèrenmètre 41 connecté entre la borne 2o extérieure 27 de la cathode photoélectrique et le corps métallique lb dellenveloppe 1 à la masse. Le courant pho- toélectrique de sortie de l'écran photoélectrique 5 est détecté par un ampèremètre 42 et une source 43 de courant continu connectée entre la borne extérieure 27 de la ca- thode photoélectrique et la seconde électrode de grille 40. Quand le photocapteur 13 à semi-conducteur utilisé pour former l'écran photoélectrique 5 est devenu inutile, le fusible 38 est fondu en y faisant passer un courant intense. Une source d'alimentation 44 et un commutateur 45 sont prévus pour fondre le fusible 38. Enfin, toutes les électrodes montées dans le tube él.ectronique reçoivent les tensions voulues de fonctionnement. Un tube électronique selon un autre mode encore de réalisation de l'invention sera maintenant décrit en regard de la Fig. 7. ILe tube électronique agencé comme le montre la Fig. 7 est du type dans lequel même le montage d'un photocapteur semi-conducteur ne risque pas de per- turber le champ électrique produit par l]électrode interne. Autrement dit, dans le mode de réalisation de la Fig. 7, la surface extérieure 33a de la fenêtre 33 d'entrée de lumi.re du photocapteur 13 est disposée de manière à af- fleurer pratiquement avec la surface intérieure 22a de la paroi cylindrique 22 de l'électrode interne 9, en ajustant le photocapteur 13 dans l'ouverture 23 formée dans l'électrode 9. Les références numériques 46, 47 de la Fig. 7 désignent des pièces métalliques destinées a 0n positionner avee scuritée lerhotocapteur 13. Ces pièces métalliques 46, 47 sont soud es respectivement dans les positions,marquées par des x. Dans le mode de realisation de la Fig. 7, la fenetre d'entrée de lumière du photocapteur 13 a semi- conducteur est faite d'une matière isolante, par exem- ple en verre. Lorsque de l'antimoine évaporé se dépose sur la surface de cette plaque isolante en verre, il se forme une couche conductrice sur la surface de cette ma- tière isolante. Cette couche conductrice est connectée électriquement à l'électrode interne 9 par le bostier mé- tallique 32. Par conséquent, la paroi intérieure de l'télectrode interne 9 est pratiquement équivalente élec- triquement au cas o l'ouverture 23 est réellement fermée, maintenant ainsi peu perturbé le champ]électrique prédo- minant a proximité de la paroi intérieure de l'électrode externe 9, et offrant par conséquent l'avantage d'éviter de détériorer la qualité. de I'image. Utn tube électronique réalisé selon l'invention et de la manière décrite ci-dessus, et agencé comme le montrent les figures annexées, offre les avantages essen- tiels suivants. L'introduction d'un photocapteur a semi- conducteur.s dans un tube électronique fabriqu% avec un traitement à haute temperature n'a jamais était tentée en raison des propriétés électriques. de ce photocapteur. --:ais l'invention montre que 1 'introduction d'un photo- capteur à semi-conducteurs dans un tube électronique peut se faire. En outre, l'invention offre la possibilité de contrôler la quantité de semimétal déposé avec une haute précision. Par conséquent, l'invention apporte un procé- dé de réalisation d'un écran photoélectrique de haute sen- * sibilité, s'appliquant même à un intensificateur d'image de rayons X qui comporte un nombre toujours croissant de grilles pour obtenir de hautes performances, et avec une enveloppe métallique. LDans les modes de réalisation qui ont été décrits ci-dessus, le cas a été décrit o le photocapteur à semi-condutteurs 13 était constitué par une photodiode. Mais l'invention n'est pas limitée à ce cas. Par exemple, même un phlotocapteur semi-conducteur consti- tué par un phototransistor ou un photocapteur au sulfure de cadmium offre le même effet que la photodiode précitée. En outre, lés modes de réalisation qui sont été décrits, le tube électronique était un intensificateur d'image de rayons X. Mais le concept de l'invention peut s'appliquer largement à un intensificateur d'image de dé- tection de rayons Camma et autres tubes électroniques comportant un écran photoélectrique. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de 1' art aux modes de réali- sution décrits et illustrés h titre d'exemples nullement limitatifs sans sortir du cadre de l'invention. 1;4 REVE.NDICATIOlNS 1 - ITube ' (ectron.que, cemprenriant une enveloppe métallique sous vide (1) une fenltre m.étallique (ia) d'en- trée de rayons de haute Dnergia úiFesur I 'enVe]oppe et un écran photoeetri.e (5) sllis 'envneoppe iieteii_ e sous vide y pro:;islit. de la fenire dcsa ntr.rJe de ayons de haute énergie, tube cara^ctCris en ce:il omporte un photocapteur (13) semi-conu:ear placé dans une position dans 1tenveloppe (t) matlique sIous vide prG- che du bord périphtérue de l'écran photoélectrirue (5) *t sur lequel une matière constituant 'Éécran photo- électrique peut etre déposée,ledit photocapteur a semi- conducteur étant constitué par un boftier étanche (34) avec une fenêtre ( semi-conducteur (31) disposé par le boîtier. 2 - Tube électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le photocapteur à semi-conducteur (13) est choisi dans le groupe comprenant une photo- diode, un phototransistor et un photocapteur au sulfuare de cadmium. -3 - Tube électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs électrodes de grille montées dans l'enveloppe, le photocapteur (13) à senmiconducteur étant fixé sur l'une (9) desdites élec- trodes de grille, qui est connectée à l'enveloppe (1) et qui se trouve dans la position la plus proche de l'écran photoélectrique (5). 4 - T ube électronique selon la revendication 3, caractérisé en ce que le photocapteur (13) à semi- conducteur comporte deux bornes (24a, 24b)de sortie de signaux, dont l'une est connectée à un conducteur (14) qui pénètre de façon étanche dans l'enveloppe par une ma- tière isolante (25), et qui sort à l'extérieur, et dont l'autre est connectée à l'électrode de grille (9) sur la- quelle le photocapteur à semi-conducteur est fixé. 5 - Tube électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'écran photoélectrique (5) est monté sur la surface d'un écran électro] uminescent (4) a.dszuaa p uuazoPp %wa.xs -qns rP aoeejins u [,n> onbTaqzoeoo.qd uejop un çsuTs 4uet.;oj; ua 'ealpuTxetu jneaa aun au$altqq s9aodPp;uoe ITtuw-.wua Ul aa u'Fleo[e [úe'3tu o[ luonbat b nv a tauoa,p 5çr ue8oJap 4eCsqn rnp;Ueueao-d anb! 3Iipon oqd;uernoo oI etb ao OgnbsnC u'eo[3e uút9U at uop-UU ocLAip oolnoS el ep u 0'úeoie tep;w un aijoduA9g y o eo-n.tod.na[neA aun euViTe:4-e Jnezn ipuoo-tweuas.nodeu3oo.ld np aoja-ow ap ue. -noo et anb otbtn 'rbs ew-jwe: s op uo.e-odeAop ao.rnos OC -L s-tdo/p t l.u--cweti un 'axodeA 1y 'utuwTxeuw na[TA aeutln eu9Te;e gsodgp qae usIoie Iu:pum e leonboat ans ae:ruaep uieoe9p qaecqns rp:ueuaAo.d ex.:os ep rnb'; .ou[Coolqd une.xnoo uni, nb oo i rbs n, u-útec le '[ru4ew op uoTJod'Aj p coanos el ep -!d -, uiuoI'le Ie:wm un aoodeA. B, ae 5z -joq %tpu[suup mautu'w em naonpuoo--Fmas %ueomel un a eo. -$uinl ep oC94uaep cXcouaj aun oaaB atpu-e:ae.%loq un ua 4usSsuoo nrofonpuoO-Tuie U inaldeaoo.od %pol e tielq.u -iles unt p uoqe.aodvA?,8p oci-nos aun:a ufle:a '[u: un p uoT$alodeA9p 0oo.no cun 'oaxuop uu *ip qisqns un o quuue4uoa eddoleAuo o;%pTl '95od9p oaJ44nod el.lp-qwoa e LonbeI ans e ao9luaep uaEoo,i op lua4sqns rp enbTagqd -Tljd pLoq nrp 8aqojd apTA SnoS onbtliuouw dc[dolaAea aun8p lnae1ç;uF, I e uoCl4sod eun suep snelornpuoo-Toes u.aneci:ezc -ooI4d un aaosodsp -e ruemo'L[TTIuaswe o;stuoo -F[!nb ao u t ua qzo'-o 9peooad 'unb.uoaiooIa oqnrî unp anb-. 'xoiae -oI.o1.Rd ue.xi unip uoF;ecTJlqu- ap 9p oujj - (L) apott:eaoooqd op:aoddn.- ne oy:;àuuoo Iso eun, I!.uop xrMeuA.T ap aF.; os op (qI7 'e1?g) suaooql xnrp exodm1oo ([) xnonoriuoo-iwio u. neoelaoo:otld al onb oaouo.S.ou.zD eo 0o S uoTieaTpueAa. el uoles enb'uoz. o[p aqnr - 9 * oaJt-n3olo opoTq.;e: -ooqd op gxoddnu i- ixns q.uoui que1. ([.) ine4onpuoo -.as -B.neoduoonozd aI -je 'ina-iac.xo, [ e a,.vg. :os jnod ae -uulosw..tawztu oun.ad oddoioau.ol suop ao1oue: uo5ej ap 5 4u. .r9ugd (Lg) Ixnaoonpuoo un q paoauuoa '-1 ua oteslao uej uoT:oae op aOeiotrloTt (LC) epoql:oo:oqid op {.oddns un aed 9,4aodans 4uv4g eolueop UtLoloip eaq.sqne np anbTagqd -:Ta>d pJoq el 'eq.ue,p Iue.opp (C) uaqqns un,n w auuoj 00iZ6Z 8 - Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le métal alcali.n est du caesium et le semi- métal est de l'antimoine. 9 - Procédé selon la revendication 7 ou 8, carac- térisé en ce que le niveau prescrit du courant de sortie du photocapteur est choisi à environ 70 a 90ocp de sa va- leur initiale.