Brevet FR2488731A1 — publié le 19820219

La présente invention concerne une claie support en verre de quartz pour de nombreuses plaquettes semiconductrices dont les bords pénètrent dans des fentes des éléments de construction de la claie, constitués par deux barreaux supérieurs et deux barreaux inférieurs parallèles et munis de fentes, l'écartement des deux barreaux supé- rieurs étant plus grands que celui des deux barreaux inférieurs et les quatre barreaux étant rigidement fixés au voisinage de leurs extrémités. Des claies supports du type précité sont décrites dans le brevet britannique n0 1 436 503. Elles ont donné d'excellents résultats en pratique. L'invention a pour objet une claie support facile à fabriquer, économisant le coûteux verre de quartz, permettant une manipulation sure de claies chargées de plaquettes semiconductrices et assurant en outre le transfert rapide et sans risque de plaquettes semiconductri- ces de claies plastiques sur des claies en verre de quartz. Le domaine d'application de ces claies supports doit en outre étre étendu. Selon une caractéristique essentielle de l'invention, la fixation est constituée par deux tubes en verre de quartz, disposés chacun entre les extrémités des barreaux supérieurs et inférieurs, perpendi- culairement à ces derniers, et soudés sur eux. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à l'aide de la description détaillée ci-dessous d'exem- ples de réalisation et des dessins annexés sur lesquels la figure 1 représente un exemple de réalisation préférentielle; la figure 2 représente un second exemple de réalisation; et la figure 3 représente un exemple de réalisation de barreau fendu. La claie support selon figure 1 est constituée par six éléments deux barreaux supérieurs 1, deux barreaux inférieurs 2 et deux tubes en verre de quartz 3, disposés entre les extrémités des barreaux 1 et des barreaux 2, et soudés aux points 4 sur les barreaux supérieurs et inférieurs. Les barreaux 1 et 2 sont en verre de quartz et munis de fentes 7 de même larqeur, dans lesquelles pénètrent les bords des plaquettes semiconductrices chargeant la claie support. Les extrémités des tubes en verre de quartz 3 peuvent être biseautées vers le bas, comme sur la figure 1. Les tubes en verre de quartz 3 disposés per- pendiculairement aux barreaux 1, 2 servent de logement aux fourchons 6 d'un manipulateur, qui permet de maintenir et de transporter la claie support chargée ou non. Des perçages 5 débouchants sont en outre prévus aux extrémités des barreaux supérieurs 1 et constituent des repères pour le transfert des plaquettes semiconductrices d'une claie support plastique sur la claie support selon l'invention et inversement. La figure 2 représente un exemple de réalisation d'une claie support selon l'invention, qui diffère de celui de la figure 1 en ce que les barreaux supérieurs 1 et inférieurs 2 présentent, à une dis- tance prédéterminée de l'extrémité considérée, une zone 8 sans fente et chacune de ces zones est soudée sur un tube 9 de fixation supplé- mentaire en verre de quartz, disposé entre les et perpendiculairement aux barreaux 1 et 2. Il est ainsi possible de réaliser des claies supports dont la longueur est égale au double ou à un multiple de celle d'une claie support individuelle, plusieurs tubes de fixation supplémentaire devant être prévus dans ce dernier cas avec un écarte- ment prédéterminé. Au lieu des barreaux 1 et 2 munis de fentes de même largeur, utilisés sur les figures 1 et 2, il est également possible d'employer des barreaux 10 selon l'exemple de réalisation de la figure 3. Con- trairement aux barreaux 1 et 2, ce barreau 10 comporte des fentes 7 de même largeur et des fentes 11 de largeur supérieure à celle des fentes 7. Les fentes Il sont disposées sur le barreau 10, à des inter- valles périodiques 12. Elles servent au logement de sources de dopant, sous forme de plaques par exemple, tandis que les fentes 7 servent au loqement des plaquettes sexr.iconductrices. Des claies supports munies de barreaux 10 de ce type sont utilisées uour la mise en ceuvre de procédés de dopage avec des sources solides, tandis que des claies supports comportant des barreaux 1 et 2 selon figures 1 et 2 sont utilisées pour d'autres procédés de traitement de plaquettes semi- conductrices, tels que des procédés d'oxydation et de recuit ou de dopage en phase gazeuse. Bien entendu, diverses modifications ceuvent être apportées par l'homme de l'art au principe et aux dispositifs qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs, sans sortir du cadre de l'invention. Revendications 1. Claie support en verre de quartz pour de Pombreuses plaquettes semiconductrices dont les bords pénètrent dans des fentes des élé- ments de construction de la claie, constitués par deux barreaux supé- rieurs et deux barreaux inférieurs parallèles et munis de fentes, l'écartement des deux barreaux supérieurs étant plus grand que celui des deux barreaux inférieurs et les quatre barreaux étant rigidement fixés au voisinage de leurs extrémités, ladite claie étant caracté- risée en ce que la fixation est constituée par deux tubes en verre de quartz, disposés chacun entre les extrémités des barreaux supé- rieurs et inférieurs, perpendiculairement à ces derniers, et soudés sur eux. 2. Claie support selon revendication 1, caractérisée en ce que tous les barreaux présentent, à une distance prédéterminée de l'ex- trémité, une zone sans fente qui est soudée sur un tube de fixation supplémentaire en verre de quartz, disposé entre les et perpendicu- lairement aux barreaux supérieurs et inférieurs. 3. Claie support selon une des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que les-extrémités des tubes en verre de quartz et du tube de fixation supplémentaire sont biseautées vers le bas. 4. Claie support selon les revendications 1 à 3, caractérisée en ce que les deux barreaux supérieurs présentent à chaque extrémité un perçage débouchant. 5. Claie support selon une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que tous les barreaux présentent, à des inter- valles périodiques, des fentes de largeur supérieure à celle des fentes destinées aux plaquettes semiconductrices.