Brevet FR2495862A1 — publié le 19820611

CENERATEUR DE COURANT STABLE EN TEMPERATURE La présente invention concerne un générateur de courant, stable en température, réalisé en technologie bipolaire intégrée, c'est-à-dire réalisé sur un substrat semiconducteur incorporant essentiellement des transistors bipolaires PNP et NPN. Un but de l'invention est de réaliser un générateur de courant comportant un très petit nombre de composants et qui pourtant présente une grande stabilité en présence de variations de température malgré les grandes variations de caractéristiques présentées par les composants individuels lors de ces variations de température. Les dispositifs actuellement connus ne permettent de réaliser une compensation des coefficients de température individuels qu'au prix d'une grande complexité d circuits, d'une utilisation de nombreux composants, et donc d'un encombrement notable sur le substrat de circuit intégré réalisé. Si plusieurs sources de courant stables sont nécessaires dans un circuit intégré remplissant une fonction déterminée, l'encombrement est multiplié. La présente invention propose un schéma de circuit dont le principe est très simple et dont les réalisations sont variées mais ont toutes la particularité de ne necessiter qu'un petit nombre de composants pour réaliser une ou plusieurs sources de courant stables. Le générateur de courant selon l'invention comporte une source de tension constituée par une diode Zener polarisée de manière à être en régime de conduction inverse, un ensemble d'une résistance intégrée en serie avec trois jonctions semiconductrices polarisées en direct, cet ensemble étant connecté aux bornes de la diode Zener, et au moins un transistor de recopie du courant dans l'une des jonctions, ce transistor ayant son émetteur et sa base relies respectivement à l'une et à l'autre borne de la jonction et polarisés dans le sens direct (c'est-à-dire émetteur et base constituant une jonction po larisée en direct, que le transistor de recopie soit de type NPN ou PNP); le collecteur du transistor de recopie constitue la sortie du générateur, destinée à être reliée à une charge à alimenter en courant stable. Le principe de l'invention est donc simple : une diode Zener polarisée fixe un niveau de tension régulée (variant toutefois avec la température selon un coefficient connu dépendant de la technologie utilisée); cette tension alimente trois jonctions PN ou NF en série, polarisées en direct, établissant donc une chute de tension connue d'environ 3 X 0,75 volts avec un coefficient de température connu, de sorte qu'il reste aux bornes de la résistance (ayant elle meme un coefficient de température connu) une tension qui est la différence entre la tension de Zener et cette chute de tension Le courant dans la résistance est donc déterminé et il ne reste qu'à le recopier par un transistor convenablement placé aux bornes d'une jonction parcourue par le courant dans la résistance. L'intérêt de l'invention se déduit de l'observation que, dans une technologie au silicium donnée, on constate que la mise en série de trois chutes de tensions de jonctions directes au silicium et d'une résistance au silicium diffusée détermine un courant dont le coefficient de température compense presque exactement le coefficient de température de la diode Zener elle-même. Eh d'autres mots, si l'ensemble en série des trois jonctions et de la résistance était alimenté par une tension rigoureusement stable, le courant présenterait un coefficient de température non nul, Si maintenant cet ensemble en série est placé aux bornes de la . e Zener qui a son propre coefficient de tempéra- ture, le .oefxi~ie t de vemp--ature du courant devient pratiquement nul. De. plus, non seulement ce coefficient de température est très reduit simplement par suite du schéma qui est utilisé (avec trois jonctions en direct) et par suite des valeurs numériques des dilrers coefficients de température existant dans les technologies au silicium, nais encore on peut annuler co:rplètement ce coefficient de température du courant en jouant notamment sur les surfaces de certains éléments intégrés (plus particulièrement en jouant sur les surfaces -o les rapports de surface d'émetteurs de transistors dont les jonctions émetteur-base serviront à réaliser les trois jonctions en série mentionnées). Un intérêt considérable de l'invention est donc que l'on peut garder un schéma de circuit simple en annulant à volonté le coefficient de température selon les conditions de fonctionnement du circuit (courants traversant les diverses jonctions, valeur du courant de sortie à obtenir etc.); il faut particulièrement remarquer que l'on peut jouer sur les surfaces ou rapports de surface des émetteurs des transistors en restant dans une gamme de dimensions acceptable pour ces transistors qui sont incorporés à un circuit intégré (faute de quoi, l'invention perdrait de son intérêt). En résumé donc les avantages de l'invention sont - grande simplicité de principe de circuit - petit nombre de composants pour réaliser une ou plusieurs sources de courant stable - coefficient de température du courant réduit par la simple utilisation du schéma tel quel - coefficient de température pouvant être annulé en jouant sur les surfaces d'émetteurs ou les rapports de surface d'émetteurs des transistors servant à réaliser les Jonctions, et ceci sans avoir besoin d'utiliser des dimensions de transistors dispropor tionnées (en petit ou en grand) par rapport aux courants qui doivent parcourir ces transistors. Les modes de réalisation particuliers de l'invention peuvent inclure - comme première jonction, la jonction base-émetteur d'un transistor dont le collecteur est relié à une source d'alimentation électrique de niveau de tension supérieur à la tension nominale d'avalanche de la diode Zener; cette source peut servir aussi à la polarisation de ladite diode Zener, de préférence à travers un générateur de courant constant. - comme deuxième jonction, la jonction émetteur-base d'un transistor dont l'émetteur est relié à la première jonction et dont le collecteur est relié à la résistance; la base du transistor peut alors être reliée à son collecteur et il faudra alors une troisième jonction simple (diode ou transistor monté en diode) en série avec la résistance, le transistor de recopie de courant étant connecté par sa base et son émetteur aux bornes de la deuxième ou la troisième jonction; dans une autre réalisation, la troisieme jonction est connectée entre la base du transistor constituant la deuxième jonction et le collecteur de ce dernier, de sorte que la tension émetteur-collecteur du transistor constituant la deuxième jonction est égale à deux fois une tension de jonction en direct; dans ce dernier cas, le transistor de recopie doit être connecté au transistor constituant la deuxième jonction car c est celui là et non le troisième transistor qui est parcouru par le courant traversant la résistance. Le transistor de recopie a une surface d'émetteur choisie dans un rapport convenable avec la surface de la jonction à laquelle il est connecté pour recopier son courant, afin que le courant de sortie du générateur de courant soit dans un rapport connu-avec le courant traversant la résistance. Quelle que soit la disposition adoptée pour la réalisation des trois jonctions en série, polarisées en direct, il faudra s'attacher à ce que le transistor de recopie soit connecté aux bornes d'une jonction qui est parcourue pratiquement par la totalité du courant traversant la résistance, ou a la rigueur par une fraction connue de ce courant. D'autres caracteristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillee qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 représente le schema de principe général de l'invention; - la figure 2 représente un premier mode de réalisation; - la figure 3 représente un deuxième mode de réalisation; - la figure 4 représente un troisième mode de réalisation; - la figure 5 represente un quatrième mode de réalisation; - la figure 6 représente un cinquième mode de réalisation; - la figure 7 représente un exemple de source de courant de polarisation de la diode Zener. A la figure I on voit le principe général du générateur de courant stable selon l';nvention. I1 comprend essentiellement une diode Zener 10 qui est polarisée pour être en régime de conduction inverse. Cette polarisation peut s' effectuer par exemple au moyen d'un générateur de courant constant 12 en série avec la diode Zener 10, ce générateur de courant étant lui-meme alimenté par une source d'alimentation électrique de niveau de tension U superieur à la tension nominale d'avalanche de la diode Zener 10. On pourrait aussi polariser la diode Zener simplement par une résistance au lieu du générateur de courant 12. Une tension relativement stable est ainsi établie aux bornes de la diode Zener. Cette tension V est cependant sujette à z des variations en fonction de la température. Elle sert à définir un courant Ir dans une résistance R, et, pour que ce courant Ir soit stable en fonction de la température, on prévoit selon l'invention que la résistance R est mise en série avec trois jonctions PN ou NP polarisées en direct, cet ensemble en série étant placé aux bornes de la diode Zener 10. Ces jonctions, respectivement J1, J2, J3, ont été symbolisées à la figure 1 par trois diodes en série. Cependant, il faut bien comprendre qu'il ne s 'agit pas forcément de trois diodes parcourues toutes par le courant Ir . Au contraire, il peut s'agir de jonctions base-émetteur de transistors dont les collecteurs assurent des dérivations de courant faisant que les courants individuels dans chacune des jonctions ne sont pas forcément égaux au courant Ir. Cette notion a été figurée par des connexions non précisées partant de chacune des bornes des jonctions Jl, J2 et J3. Les jonctions PN ou NP polarisées en direct sont des jonctions au silicium et la chute de tension introduite par chacune est bien connue et fonction du courant qui la traverse. Soit Vbel, Vbe2, et Vbe3 les chutes de tension introduites par chacune des jonctions J1, J2 et J3. On prévoit encore selon l'invention que l'une au moins des jonctions est parcourue par un courant qui est en rapport direct avec le courant Ir dans la résistance R et qui de préférence est essentiellement la totalité de ce courant. Un transistor de recopie du courant dans cette jonction particulière est prévu. Il a sa base et son émetteur reliés aux bornes de cette jonction, et dans un sens tel que la jonction baseémetteur de ce transistor soit polarisée en direct comme ladite jonction. Ce transistor de recopie est le transistor Tr de la figure 1. I1 peut s'agir d'un transistor PNP ou NPN selon sa position dans le circuit, et en particulier selon le choix de la jonction à laquelle 1 est relié directement. Ce transistor de recopie a son collecteur relié à une charge à laquelle il fournit un courant I stable en température. Ce courant peut être un courant rentrant dans le collecteur du transistor s'il s'agit d'un transistor NPN; ce peut être un courant sortant s'il s'ai d'un transistor PNP. La grandeur de ce courant est fonction du rapport entre la surface d'-mtteur du transistor de recopie Tr et la surface de la jonction dont il recopie le courant. Le courant I est don" dans un rapport connu avec le courant Ir dans la résistance R. Le courant T est défini par la relation Ir = (Vz - Vbe1 - Vbe2 -Vbe3)/R On peut calculer la variation du courant Ir en fonction de la tem pertuis, à partir des lais de variations de la tension Zener, des tensions directe des jonctions, et de la résistance en fonction de la température. On aeut écrire où T est la température Dans la technologie bipolaire au silicium, on peut connaître très bien les coefficients de température individuels de la diode Zener, des tensions directes de jonction, et de la résistance; ils sont respectivement égaux à très peu de choses près à Zener : dV z &num;(- 4 + Vz)10-3 (V/ C) dT Jonctions : dVbe &num; -3,4 . 10-3 (1,26 - Vbe) (V/ C) dT dans lequel les tensions Vbe et V sont en volts Z Résistance : 1 dR ~ - - = constante k dépendant du dopage de la cou- R dT che diffusée servant à réaliser la résistance, ou, exprime différemment, dépendant de la résistance par carré de cette couche k = 0,0010 pour R = 50 ohms/carré k = 0,0015 pour R = 100 ohms/carré k = 0,0016 pour R = 130 ohms/carré k = 0,0020 pour R = 200 ohms/carré En utilisant les unites mentionnées ci-dessus, on arrive à Compte tenu des valeurs pratiques de k, de V et des Z trois tensions directes de jonction Vbe1, Vbe2 et Vbe3 (de l'ordre de 0,75 volts), on peut facilement constater qu'on arrivera à annuler le coefficient de température de Ir, donc de I qui recopie simplement 1r avec les mêmes variations. Le choix des courants dans les jonctions se fait de manière empirique car plusieurs paramètres peuvent servir à l'ajus- tement des Vbe lorsque k, R et Vz sont fixés. Des exemples vont être donnés ci-dessous. Exemple 1 Dans une technologie où les diffusions de résistances (en même temps d'ailleurs que les bases de certains transistors) conduisent à des résistances de 200 Obms/carré, avec une diode Zener N P de 5,6 volts (valeur extrêmement courante), on a k = 2 . 10 3, il faut donc que Vbel + Vbe2 + Vbe3 = 2,323 volts En choisissant comme jonctions des jonctions base-émetteur de transistors ayant des émetteurs de 20 microns x 20 microns, parcourus par un courant de i mA (surface très normale pour un tel courant), on aurait des Vbe de 0,75 volts Or 3 x 0,75 = 2,250 Pour atteindre 2,323 il faut rajouter 0,073 volts à l'une des tensions de jonctions.On peut alors soit augmenter le courant dans l'une des jonctions jusqu a arriver à 0,82 volts pour cette jonction; un courant de 12 milliampères environ permet d'y parvenir. On peut aussi réduire une surface de l'un des transistors; on peut jouer sur ces deux paramètres et aussi répartir sur deux transistors l'augmentation de Vbe nécessaire. Pour faire le calcul précis, il suffit de savoir que si l'on divise par deux la surface d'un émetteur à courant constant ou si l'on double le courant à surface constante, le Vbe augmente de 0,018 volts. Par conséquent, la multiplication par deux du courant dans deux des transistors (2 mA) et par quatre dans un troisième (4 mA) met la somme des Vbe à Vbe = 2,250 + 0,018 + 0,018 + 2 X 0,018 = 2,322 v ce qui est extrêmement proche de 2,323 et amène une annulation quasi complète du coefficient de température de Ir donc de I. Un résultat analogue serait obtenu par une division par deux des surfaces d'émetteur de deux des transistors (14 microns X 14 microns) et par quatre d'un troisième (10 microns X 10 microns); ou, par combinaison des deux méthodes on pourrait multiplier le courant par deux dans deux des transistors (2 mA chacun) et diviser par quatre la surface du troisième (10 microns X 10 microns) etc. On aura compris la généralisation de la méthode empirique proposée, un ajustement et un calcul plus précis pouvant être fait à partir des courants ou des surfaces si des divisions par deux ou des puissances de deux ne permettent pas d'obtenir directement l'annulation du coefficient de tem pérature. Exemple 2 Dans une technologie où les diffusions de résistances amènent à une résistivité de 150 Ohms/carré, avec une diode Zener N P de 6,6 volts (extrêmement classique encore), on a k = 1,8 . 10-3; on aboutit à une annulation du coefficient de température si Vbe = 2,233 volts. On peut par exemple choisir comme jonctions polarisées en direct les jonctions base-émetteur (ou émetteur-base) de trois transistors qui pourraient être parcourus par trois courants différents et avoir des surfaces d'émetteurs différentes 10) 100 microampères; 20 microns X 20 microns Vbe = 0,690 20) 1 milliampère; 20 microns X 20 microns Vbe = 0,750 30) 10 milliampères; 20 microns X 40 microns Vbe = 0,792 Au total Vbe = 2,232 volts qui est très proche de 2,233. Exemple 3 Dans un troisième exemple, avec une technologie conduisant à une résistivité de 100 Ohms/carré avec une diode Zener NP d'une dizaine de volts, on pourrait facilement aboutir à un résultat excellent par le même approche. On va maintenant décrire, en référence aux autres figures quelques schémas simples qui se déduisent directement de celui de la figure 1. On comprendra d'après ces schémas comment les jonctions polarisées en direct, en série avec la résistance R pour créer trois chutes de tension connues et ajustables finement, peuvent être parcourues par des courants tous différents. Le mode de réalisation de la figure 2 permet d'établir un courant I rentrant dans une charge. La première jonction est cons tituée par la jonction base-émetteur d'un transistor NPN T1 dont la base est donc reliée à la diode Zener 10, dont le collecteur est relié à la source d'alimentation électrique à tension U, et dont l'émet- teur est relié à la deuxième jonction qui doit être polarisée en direct. La chute de tension Vbel introduite par cette première jonction est bien entendu déterminée d'une part par la surface d'émet- teur du transistor et d'autre part par le courant d'émetteur I1 de celui-ci. La deuxième jonction est constituée par la jonction émetteur-base d'un transistor PNP T2 qui est en fait monté comme une diode puisque son collecteur et sa base sont reunis. L'émetteur du transis tor T2 est relié à celui du transistor Ti; la base et le collecteur du transistor T2 sont reliés à une extrémité de la résistance R, l'autre extrémité étant reliée à la troisième jonction qui est constituée exactement de la même manière que la deuxième par un transistor T3, PNP, montée en diode et ayant sa base et son collecteur réunis à la masse. Le courant qui traverse la résistance R est le courant I2 qui traverse l'émetteur du transistor T2 et il est égal au courant qui traverse l'émetteur du transistor T3.Quand au courant I1 déjà men tionné, il est égal à la somme du courant 12 et du ou des courants I fournis par le ou les transistors de recopie Tr. On conçoit donc que lTon peut appliquer ici notamment l'exemple 1 déjà mentionné dans lequel justement l'un des courants peut être plus é eve que les deux autres qui sont égaux. Ainsi, on peut, avec une diode Zener de 5,6 volts, un courant I de 2 milliampères un courant I2 de 2 milliampères et un courant li de 4 milliampères, obtenir le résultat souhaité pour avoir une annulation du coeffIcient de température du curant I On calcule bien entendu la valeur de la résistance R en fonction de toutes ces données, une fois que l'on a calculé les dif férents courants et les différentes tensions base-émetteur qui en découlent. Dans l'eemple donné, le courant I et le courant I2 sont identiques, c'est-à-dire que le transistor de recopie Tr dont l'émet- teur est relié à l'émetteur du transistor T2 et dont la base est reliée à la base du transistor T2, a même surface d'émetteur que le transistor T2. On pourrait facilement obtenir un courant I différent et dans un rapport connu avec I2 en prévoyant le même rapport entre les surfaces d'emetteurs des transistors Tr et T2. A la figure 3 on a représenté une variante qui découle presque immédiatement de la figure 2. Dans cette variante, le transistor T3 est maintenant un transistor NPN, dont l'émetteur est relié à la masse et dont le collecteur et la base sont relies à une extrémité de la résistance R. On peut voir facilement qu'on a toujours une tension Vbe3 introduite par le transistor T3 toujours monté en diode. Cependant, l'intérêt de cette autre disposition est que l'on peut recopier le courant dans le transistor T3, ctest-à- dire dans la résistance R, en prévoyant un autre transistor de recopie Tr' dont la base et l'émetteur sont reliés respectivement à la base et à l'émetteur du transistor T3 et dont le collecteur est relié à une charge pour produire un courant I' sortant de cette charge.On peut d'ailleurs dans le schéma de la figure 3 conserver ou non le premier transistor de recopie T r relié au transistor T2 pour produire un courant I rentrant dans une charge qui peut être ou non la même que celle qui est alimentée par le deuxième transistor de recopie Tr'. Les courants I, I' peuvent être réglés indépendamment l'un de l'autre par les rapports entre les surfaces d'émetteurs des transitors de recopie et les surfaces d'émetteurs des transistors T2 et T3. Pourvu qu'on en tienne compte dans les calculs, on peut bien entendu prevoir plusieurs transistors de recopie Tr et plusieurs transistors de recopie T ', ayant chacun des surfaces choisies en fonction des courants stables que l'on veut produire. Tous ces courants auront la même stabilité que le courant qui parcourt la résistance R. La figure 4 représente une autre variante de réalisation dans laquelle on trouve toujours la diode Zener 10 polarisée par une source de courant 12, et le transistor T1, NPN, dont la jonction base-émetteur produit la chute de tension Vbel, le collecteur étant relié à la source à tension U. La deuxième jonction est la jonction émetteur-base d'un transistor T2 dont le collecteur est relié à la résistance R reliée d'autre part à la masse. La troisième jonction est la jonction émetteur-base d'un transistor T3 dont l'émetteur est relié à la base du transistor T2 et dont la base est reliée à la résistance R et donc par le fait même au collecteur du transistor T2. Le collecteur du transistor T3 est relié à la masse pour assurer une polarisation convenable du transistor T3. On voit que dans ce montage, on a encore une chute de tension qui est la somme des chutes de tension Vbel, Vbe2 et Vbe3 entre la diode Zener et la résistance R. Cependant, contrairement aux schémas des figures 2 et 3, le courant dans la résistance R n'est pas du tout égal au courant dans la troisième jonction puisque la résistance R reçoit d'une part le courant de collecteur du transistor T2 et d'autre part le courant de base du transistor T3. L'intérêt du schéma de la figure 4 se comprend si on revient aux figures 2 et 3 où en fait on a négligé les courants de base des transistors T2 et Tr en ce qui concerne l'identité du courant de recopie I et du courant dans la résistance R. En réalité, si l'on fait intervenir les courants de base, on s'aperçoit que le courant I n'est la recopie du courant dans R qu'à la somme des courants de base près. Dans la figure 4 au contraire, les courants de base des transistors T2 et Tr sont dérivés par le transistor T3 vers la masse et le courant I est bien la recopie du courant R, cette fois au courant de base de T3 près, courant qui peut être extrêmement faible si le transistor T3 a un certain gain (dans le cas de la figure 4, le transistor de recopie Tr est obligatoirement relié au transistor T2). Le schéma de la figure 5 est une nouvelle variante qui se déduit immédiatement de la figure 4 en utilisant pour les transistors T2, T3 et T r des transistors NPN au lieu de transistors PNP. Dans ces conditions, les transistors T2 et Tr ont leurs émetteurs à la masse et c'est le transistor T3 qui leur fournit leurs courants de base. On a gardé pour ce schéma les références T1, T2 et T3 pour les transistors qui correspondent à ceux de la figure 4, bien que ces transistors ne correspondent plus à l'ordre des trois jonctions en série avec la résistance R. Cette notation montre mieux la symétrie des schémas des figures 4 et 5. La figure 6 montre une réalisation qui peut être utile lorsqu'un fort courant d'alimentation doit parcourir la résistance R. Dans ce cas, les deux premières jonctions sont réalisées au niveau du transistor d'alimentation connectées directement en sortie de la diode Zener 10 (c'était le transistor T1 dans les figures précédentes). Un double transistor en montage de type Darlington permet d'établir deux chutes de tension base-émetteur successives, la troisième étant réalisée comme précédemment par un transistor T3 monté en diode, transistor dont on recopiera le courant. La figure 7 montre enfin un simple exemple de réalisation de la source de courant 12 qui sert à polariser la diode Zener 10. Cette source de courant peut comprendre par exemple un transistor T' monté en diode, en série avec une résistance R', et un transistor T" servant de transistor de recopie du courant dans le transistor T', le collecteur du transistcr T" étant relie à la diode Zener 10. On aura compris d'après la description qui précéde que l'on peut imaginer d'autres schémas simples sans sortir du cadre de l'invention telle qu'elle a été exposée et telle qu'elle apparaît dans les revendications qui suivent. REVENDICATIONS 1. Générateur de courant stable en température, réalisé en technologie bipolaire intégrée, caractérisé par le fait qu'il comprend - une source de tension constituée par une diode Zener polarise de manière à être en régime de conduction inverse; - un ensemble d'une resistance integrée en série avec trois jonctions semiconductrices polarisées en direct, cet ensemble étant connecté au:: bornes de la diode Zener; - au moins un transistor de recopie du courant dans l'une des jonctions, ce transistor ayant son emetteur et sa base reliés respectivement à l'une et à l'autre borne de la jonction, émetteur et base constituant une jonction de mme type et polarisée dans le meme sens que ladite jonction, le collecteur du transistor de recopie étant relié à une charge pour l'alimenter en courant stable en température. 2. Générateur de courant stable selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la première jonction est la jonction base-émetteur a n transistor dont je collecteur est relié à une source d'alimentaion électrique de niveau de tension supérieur à la tension d7avalanche de la diode Zener. 3. Générateur de courant stable selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé par le fait que la deuxième jonction est la jonction émetteur base d'un transistor dont l'émetteur est relié la première jonction e dont le collecteur est relié à la resistance. 4. Générateur selon la revendication 3, caractérisé par le fait que la base du tranristor constituant la deuxième jonction est reliée au collecteur de ce transistor. 5. Générateur selon l'une des revendications I à 4, caractérisé par le fait que les deuxième et troisième jonctions sont des diodes, ou des transistors montés en diodes, en série avec la résistance. 6. Générateur selon l'une des revendications 1 à 4, carac terse par le fait qu'un transistor de recopie est connecté aux bornes de la troisième jonction 7. Générateur selon la revendication 3, caractérisé par le fait que la troisième jonction est connectée entre la base du transistor constituant la deuxième jonction et le collecteur de ce dernier. 8. Générateur selon la revendication 7, caractérisé par le fait que la troisième jonction est constituée par un transistor dont l'émetteur et la base sont reliés respectivement à la base et au collecteur du transistor constituant la deuxième jonction. 9. Générateur selon la revendication 8, caractérisé par le fait que la base du transistor constituant la troisième jonction est reliée à une extrémité de la résistance et que son collecteur est relié à l'autre extrémité. 10. Générateur selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé par le fait qu'un transistor de recopie est connecté aux bornes de la deuxième jonction.