Brevet FR2492167A1 — publié le 19820416

/1 La présente invention concerne les transistors à effet de champ, et plus particulièrement ceux dont la fréquence de coupure est élevée. Parmi les transistors à effet de champ connus, de la famille des semiconducteurs III-V, ont été décrits des transistors comportant, sup- portées par un substrat semi-isolant, d'une part les régions d'accès, dites source et drain, et d'autre part, une région de commande constituée par une couche active en GaAs faiblement dopée et en juxtaposition avec une couche en AIxGalxAs. Ces transistors possèdent tous la particularité de présenter une forte accumulation d'électrons dans la couche de GaAs du fait de l'existence de l'hétérojonction et une forte mobilité d'électrons dans le canal du transistor, entre source et drain, du fait du faible dopage de la couche active en GaAs. Ainsi ces transistors ont une fréquence de coupure élevée. Dans les demandes de brevet français n' 79. 22 301 et 79.26 611, de la demanderesse, une couche d'isolant est intercalée entre le métal de contact de grille et la couche en AIXGal xAs. Dans la demande de brevet français NI 79.22 586, de la demanderesse, le contact de grille Schottky est déposé sur une couche en GaAs, la couche en AIxGa, xAs étant située entre le substrat semi-isolant et la couche active en GaAs. Ces transistors ne concernent que des couches actives en GaAs. Il existe dans la famille des composés semiconducteurs III-V, des matériaux ayant une plus forte mobilité que GaAs: ce sont par exemple In As, In Sb ou leurs alliages du type GaxInî-xAs ou In Asx Sblîx A la température ambiante ces matériaux, s'ils sont faiblement dopés, ont respectivement 0- 2 -I -1 pour mobilité 20 000, 80 000, 15 000 et 50 000 cm v s. Les deux dernières valeurs correspondent à des compositions telles que x 0,5. A titre de comparaison, GaAs faiblement dopé a une mobilité de 8 000 cm2 v 1 s1. Il est alors intéressant d'utiliser ces matériaux comme partie active du canal d'un transistor à effet de champ. Des transistors à effet de champ en GaxInl xAs ont été déjà décrits 2492 167 dans la littérature. Il s'agit des transistors MESFET (Metal Schottky field effect transistor) ou à jonction (JFET) dans lesquels la couche active est dopée à 1017 atomes/cm3 environ et dans lesquels la mobilité électronique est voisine de 10 000 cm2 v1 s1. Pour atteindre une mobilité de 15 000 cm2 v-1 s-0 il faut utiliser GaXInî As faiblement dopé selon des structures à hétérojonction décrites dans les demandes de brevet n0 79.07 803, 79.22 586, 79.22 301 et 79.22 611, de la demanderesse. Cependant ces semiconducteurs connus ont des bandes interdites de faible largeur, ce qui entraîne les difficultés suivantes: - pour ceux qui utilisent InAs, InSb et les alliages InAs_ îSbx, les bandes interdites sont si faibles (de 0,23 à 0,41 eV) qu'il est exclus de travailler à la température ambiante. A basse température (770K) l'avantage de la forte mobilité par rapport à GaAs n'est plus valable. De ce point de vue, InAs, InSb et InAs1 xSbx ne présentent pas d'intérêt, mais GaxInlxAs reste intéressant. - les grilles Schottky déposées sur ces matériaux présentent des courants de fuite élevés. Ce qui exclut son utilisation selon l'une des structures décrites dans la demande de brevet n0 79.22 586. L'objet de la présente invention est de remédier à ces limitations par une structure particulière de canal de transistor à effet de champ, ce canal comprenant, outre la grille Schottky, une hétérojonction formée entre un premier matériau semiconducteur tel que GaxInl xAs et un second matériau semiconducteur, de la famille des composés 111-V ayant même paramètre de maille cristalline que GaxIn, xAs mais de bande interdite plus grande, le couple de matériaux formant ainsi une hétérojonction N - N et présentant une couche d'accumulation d'électrons dans GaxInxAs. De façon plus précise, l'invention consiste en un transistor à effet de champ à fréquence de coupure élevée, comportant, supportées par un substrat semi-isolant, deux régions d'accès dites de source et de drain et une région de commande composée d'une première couche active, d'une seconde couche et d'une grille métallique dite de Schottky, la seconde couche étant située entre la première couche et la grille métallique, ce transistor étant caractérisé en ce que la première couche, d'un matériau semiconducteur d'une première famille, et la seconde couche, d'un matériau semiconducteur 2492 167 d'une seconde famille forment une hétérojonction isotype N-N, dans laquelle le matériau semiconducteur de seconde famille possède le même paramètre de maille cristalline et une bande interdite plus grande que le matériau semiconducteur de première famille, et en ce que la première couche est dopée à un niveau inférieur, ou égal, à 1016 atomes/cm3 et la seconde 17 3 couche est dopée à un niveau supérieur, ou égal, à 10 atomes/cm L'invention sera mieux comprise par la description qui suit, laquelle s'appuie sur des exemples de réalisation et sur les figures parmi lesquelles: - la figure 1 représente le schéma de bandes à l'équilibre, d'une hétérojonction comportant un semiconducteur à petite bande interdite, un semiconducteur à grande bande interdite et un métal; - la figure 2 représente le schéma de bandes de l'hétérostructure sous polarisation négative du côté métal; - la figure 3 représente en coupe schématique, un premier exemple de transistor selon l'invention; - - la figure 4 représente en coupe schématique, un deuxième exemple de transistor selon l'invention; - la figure 5 représente en coupe schématique, un troisième exemple de transistor selon l'invention; - la figure 6 représente en coupe schématique, un quatrième exemple de transistor selon l'invention; La figure l représente une hétérostructure composée, d'une part, d'une hétérojonction isotype formée d'un premier semiconducteur 1 de type N et d'un second semiconducteur 2 de type N également, ayant une bande interdite plus grande que le premier semiconducteur l mais présentant le même paramètre de maille que ce dernier et, d'autre part, d'un contact Schottky formé entre un métal et le second semiconducteur 2. Sur la figure 1, le système est à l'équilibre, c'est à dire que les niveaux de Fermi EF sont alignés. Ec et Ev représentent respectivement les niveaux d'énergie de la bande de conduction et de valence, et AEc représente la discontinuité dans la bande de conduction. Comme il a été déjà décrit dans les demandes de 2492 1 6 7 brevets n 79.07 803, 79.22 586, 79.22 301 de la demanderesse, il existe à l'interface de l'hétérojonction une zone d'accumulation d'électrons du côté du semiconducteur 1 à petite bande interdite, et une couche de désertion d'électrons 4 du côté du semiconducteur 2 à grande bande interdite. Le semiconducteur 1 étant faiblement dopé, la mobilité des électrons dans la zone 3 est élevée. A l'interface métal-semiconducteur 2 il existe une zone 5 de désertion d'électrons. Sur la figure 2, le système est soumis à une tension V négative sur le métal. Pour une tension V suffisamment grande en valeur absolue, la région 5 de charge cPd'espace s'étend jusqu'à l'interface de l'hétérojonction, détrui- sant ainsi la couche d'accumulation 3 pour laisser apparaitre une zone 6 désertée d'électrons. Dans le cas précis o le semiconducteur 1 est GaxInl xAs, sa composi- tion se doit être telle que son paramètre de maille soit adapté à un substrat connu de façon à obtenir une couche épitaxiale de bonnes qualités. Les substrats en GaAs ou InAs étant évidemment exceptés puisque leur para- mètre de maille est différent de celui de GaxInlxAs. Pour x - 0,5 l'alliage GaxInlxAs est adapté en paramètre de maille avec InP. L'alliage GaxInlx As a pour bande interdite environ 0,75 eV pour x = 0,5. Le semiconducteur 2 à bande interdite plus grande que GaxInlxAs peut être donc InP, (bande interdite 1,36 eV) AlxInl xAs (x = 0,5) (bande interdite 1,46 eV), GaAsySbl y (y = 0,5), AIAsySbly (y 0,5) ou des alliages quaternaires GaxInlxAsy P1 y' AlxGalxAsySb _y. On conviendra d'appeler ces semiconducteurs à grande bande interdite, semiconducteurs 20 On conviendra également, dans le seul souci de simplification du texte qui suit, d'écrire GaInAs au lieu de GaxInl _xAs. La figure 3 représente en coupe schématique, le premier exemple de transistor selon l'invention. Sur un substrat 7, en InP par exemple, semi-isolant, sont déposées par épitaxie successivement une couche 8 en GaInAs et une couche 9 constituée d'un semiconducteur 2. La couche 8 est falblement dopée à un niveau inférieur à 1016 atomes/cm3 et la couche 9 est dopée à un niveau supérieur a 1017 atomes/cm3. Les électrodes 10 de source et 11 de drain sont déposées de part et d'autre de l'électrode 12 de grille Schottky. Comme il a 2492 167 été expliqué à l'occasion des figures 1 et 2, des électrons s'accumulent dans la couche 8 de GaInAs et désertent la couche 9. Afin que seuls les électrons de la zone d'accumulation interviennent dans le fonctionnement du tran- sistor, l'épaisseur de la couche 8 est égale à l'épaisseur de la zone d'accumulation (environ 0,1 pm) et celle de la couche 9 égale à l'épaisseur de la zone désertée (environ 0,1 1im). La modulation du courant source-drain se fait par l'intermédiaire de la polarisation de grille. Le transistor décrit fonctionne à haute fréquence selon le fondement de l'invention. Cependant, il est connu que l'interface entre un substrat semi-isolant et une couche active contient des défauts électriquement actifs. Il est donc avantageux d'intercaller entre le substrat 7 et la couche 8 de GaInAs une couche épitaxiale de haute résistivité appelée couche tampon, de façon à supprimer ces défauts locaux. La figure 4 représente un deuxième exemple de transistor, doté d'un premier perfectionnement, selon l'invention. Sa structure possède en plus de ce qui a été décrit dans l'exemple précédent, une couche tampon 14 en InP de haute résistivité ou en semiconducteur 2 de haute résistivité, intercalée entre le substrat 7 en InP semi-isolant et la couche active 8. La figure 5 représente un troisième exemple de transistor doté d'un second perfectionnement selon l'invention. Ce transistor comporte en plus des éléments décrits dans le second exemple, une couche 15 en semiconducteur 2 intercallé entre la couche -25 active 8 et la couche tampon 14. La couche 15 est dopée de type N à un niveau supérieur à 1017 atomes/cm3 afin d'accroître la densité d'électrons accumulés dans la couche 8 en GaInAs. On augmente ainsi la transcon- ductance du dispositif. L'épaisseur de la couche 15 est égale à l'épaisseur de la zone désertée d'électrons dans l'hétérojonction (environ 0,1 lim). Dans les structures décrites précédemment, les contacts ohmiques 10 de source et Il de drain sont déposés sur le semiconducteur 2. Or il existe une barrière de potentiel AEc que les électrons doivent franchir pour aller de la source au drain. En général tEc est suffisamment faible pour que les électrons puissent la franchir, cependant cette barrière diminue la conduc- 2492 1 6 7 tance source-drain. Afin d'accroître cette conductance, la hauteur apparente de barrière d'hétérojonction est réduite par effet tunnel en dopant fortement le semiconducteur 2, dans les régions situées sous la source et le drain. La figure 6 représente une telle structure dans laquelle les caissons 16 et 17 situés sous les contacts, fortement dopés (supérieurs à 1018 atomes/cm3), sont obtenus par implantations avant dépôt des contacts et 11. Pour être pleinement efficaces, il faut que les caissons 16 et 17 pénètrent dans la couche active 8. Les caissons 16 et 17 permettent en plus de réduire les résistances de contact de source et de drain et les résistances séries constituées par l'épaisseur de la couche 9 sous la source et le drain. Les structures représentées dans les trois premiers exemples sont améliorées par Padjonction des caissons 16 et 17, sous les contacts des régions d'accès. Dans les exemples de réalisation décrits, le substrat est constitué par InP. Cependant, appartiennent au domaine de l'invention les autres sub- strats, et les autres couches semiconductrices cités dans le texte à l'occasion de la figure 2, alliages ternaires et quaternaires, et qui sont précisés dans les revendications ci-après. Les transistors selon l'invention trouvent leurs applications dans tous les domaines hyperfréquences, notamment les télécommunications. REVENDICATIONS 1. Transistor à effet de champ à fréquence de coupure élevée, comportant, supportées par un substrat semi-isolant (7), deux régions d'accès dites de source (10) et de drain (11) et une région de commande composée d'une première couche active (8), d'une seconde couche (9) et d'une grille métallique (12) dite de Schottky, la seconde couche (9) étant située entre la première couche (8) et la grille métallique (12), ce transistor étant carac- térisé en ce que la première couche (8), d'un matériau semiconducteur d'une première famille, et la seconde couche (9), d'un matériau semiconducteur d'une seconde famille, forment une hétérojonction isotype N-N, dans la- quelle le matériau semiconducteur de seconde famille possède le même paramètre de maille cristalline et une bande interdite plus grande que le matériau semiconducteur de première famille, et en ce que la première 1 16 3 couche (8) est dopée à un niveau inférieur, ou égal, à 1016 atomes/cm et la seconde couche (9) est dopée à un niveau supérieur, ou égal, à 17 atomes/cm3. 2. Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que: - le substrat semi-isolant (7) est constitué par InP; - le premier semiconducteur de la première couche (8) est GaxlnlxAs (x -'0,5); - le second semiconducteur de la seconde couche (9) est choisi parmi InP, AlxIlnl xAs (x 0,5), AIAsySb y (y - 0,5) ou l'un des alliages quater- x -X y i-Y naires Ga In - As P, AlxGaxAsySb -. x I-,x y 1-y - -X 3. Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que: - le substrat semi-isolant (7) est constitué par GaAs; - le premier semiconducteur de la première couche (8) est GaAs; - le second semiconducteur de la seconde couche (9) est AlxGalxAs, avec 0,1 Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche tampon (14) du second semiconducteur de haute résistivité est située entre la première couche (8) et le substrat semi-isolant (7). 5. Transistor à effet de champ selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'une troisième couche (15) de second semiconducteur dopée à un niveau supérieur à 1017 atomes/cm3 est située entre la couche tampon (14) et la première couche (8). 6. Transistor à effet de champ selon l'une quelconque des revendi- cations de 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte deux caissons (16 et 17) dopés à un niveau supérieur à 1018 atomes/cm3, situés sous les contacts de source (10) et de drain (11), ces caissons ayant une épaisseur au moins égale à l'épaisseur de la seconde couche (9), et au plus égale à l'épaisseur totale des première (8) et seconde (9) couches.