Brevet FR2493069A1 — publié le 19820430

La présente invention concerne les circuits intégrés à base de silicium, réalisés en technologie CMOS (Métal Oxyde Semiconducteur), c'est-à-dire comportant essentiellement des transistors à effet de champ à grile de commande isolée par un oxyde. Cette technologie permet de réaliser notamment des amplificateurs linéaires mais, si l'on veut augmen- ter la puissance disponible en sortie, on est conduit à une limitation en ce qui concerne d'une part l'impédance de sortie (trop forte pour des transistors MOS si on veut alimenter par exemple une charge normalisée de 600 Ohms), et d'autre part les dimensions des transis- tors de sortie sur le circuit intégré: pour un même courant de sortie, un transistor MOS occupe plus d'es- pace qu'un transistor bipolaire. On souhaite donc que l'étage de sortie de l'amplificateur comporte des transistors bipolaires, ce qu'il est d'ailleurs possible de faire en utilisant la technologie CMOS, le circuit intégré réalisé compre- nant alors à la fois des transistors bipolaires et des transistors à effet de champ MOS. On peut penser alors à utiliser classiquement comme étage de sortie un étage à deux transistors bipo- laires NPN et PNP, montés en "push-pull" pour faire travailler l'amplificateur en classe B ou AB, c'est-à- dire avec d'une part une linéarité suffisamment bonne et d'autre part un courant de fonctionnement au repos nul (classe B) ou suffisamment faible pour ne pas conduire à des pertes trop importantes (classe AB). Malheureusement, on ne peut faire coexister en pratique sur un même substrat que des transistors bipolaires NPN avec les transistors MOS du substrat. Il n'est pas possible d'obtenir simplement un transis- tor PNP et un transistor NPN à caractéristiques symé- triques à monter en push-pull. La présente invention propose donc, pour réaliser un amplificateur -dont l'étage de sortie travaille en classe B ou AB, de mettre en série un transistor bipo- laire NPN avec un transistor MOS à canal N de forte géométrie (pour obtenir un courant de sortie suffisant), ce dernier jouant un rôle analogue à celui du transistor bipolaire PNP d'un étage push-pull classique. Cette idée conduit à se poser la question de savoir comment commander le transistor MOS à canal N en même temps que le transistor bipolaire NPN pour avoir les mêmes caractéristiques de fonctionnement qu'un étage pushpull bipolaire: bonne linéarité, consommation au repos suffisamment faible, et symétrie de fonctionnement en positif et en négatif. Il n'Lest pas possible comme en bipolaire pur d'avoir un.trahsistor d'attaque unique pour les deux transistors de puissance avec deux diodes de compensation rapprochant de zéro le point de fonctionnement au repos. La présente invention propose donc un étage d'amplification constituée de la manière suivante: - un premier transistor bipolaire NPN et un transistor MOS à canal N (NMOS) sont montés en série, comme on l'a dit, à la manière d'un montage push-pull, le point.de jonction entre l'émetteur du transistor NPN et le drain du transistor NMOS constituant la sor- tie de l'amplificateur, - un deuxième transistor bipolaire NPN reçoit sur sa base, de même que le premier, le signal à ampli- fier, ce deuxième transistor étant essentiellement monté en suiveur de tension; -- et un amplificateur différentiel sert à commander.-le transistor NMOS en fonction de la diffé- rence des -tensions sur les émetteurs des premier et second transistors bipolaires; à cet effet, les entrées de. l'amplificateur différentiel sont reliées respectivement aux deux émetteurs, et sa sortie est reliée à la grille de commande du transistor NMOS; le sens de connexion des entrées est tel que l'emplifica- teur différentiel tend à asservir la tension d'émetteur du premier transistor NPN à celle du second (qui elle- même est asservie au signal à amplifier). Ainsi, le signal à amplifier commande directe- ment la conduction du premier transistor bipolaire, mais il commande indirectement la conduction du transistor NMOS par l'intermédiaire d'un second transistor bipo- laire qui reproduit sur son émetteur suiveur la tension à amplifier et d'un amplificateur différentiel qui agit sur la conduction du transistor MOS dans un sens ten- dant à asservir la tension de sortie de l'étage amplifi- cateur à la tension à amplifier. On notera que la tension d'émetteur du second transistor bipolaire suit fidèlement (à une tension base/ émetteur près) la tension à amplifier, car le second transistor bipolaire, contrairement au premier, est peu chargé et il fonctionne en classe A, donc de manière très linéaire. La fidélité de reproduction de la tension à amplifier est d'autant plus grande si on prévoit qu'une source de courant (un transistor MOS) est placée en série avec l'émetteur du second transistor bipolaire. Les deux transistors bipolaires NPN peuvent avoir des géométries dans un rapport notablement dif- férent de un (le premier étant généralement le plus gros puisqu'il se situe à la sortie même de l'étage amplificateur de puissance, le second étant généra- lement de dimensions minimales). On choisit d'ailleurs ce rapport de géomét- ries, qui déterminera le courant de repos dans le pre- mier transistor NPN en fonction de la résistance de cha- rge, donc du courant que doit fournir le montage. 2493'J69 -4- On verra dans la description détaillée quelle est l'influence des géométries sur le courant de repos. Pour diminuer l'influence de la tension d'é- cart et de la tension de décalage de l'amplificateur différentiel, on place des résistances dans les émet- teurs des transistors bipolaires, ces résistances jou- ant le rôle d'une contre-réaction d'émetteur réduisant la sensibilité des transistors aux variations de ten- sion base. Ces résistances sont choisies avec des va- leurs relatives dans le rapport inverse des géométries des transistors correspondants. L'amplificateur différentiel peut être un amplificateur classique à transistors MOS a miroirs de courant possédant une source de courant alimentant en parallèle deux groupes de deux transistors MOS en série. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaitront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux des- sins annexés dans lesquels: - la figure 1 représente un schéma général de-l'ampli- ficateur selon l'inventioh; - la figure 2 en représente un schéma plus détaillé. L'amplificateur selon l'invention, destiné à fonctionner en classe AB comprend plusieurs étages de préamplification et un étage de sortie qui est l'étage fonctionnant à proprement parler en classe AB. Seul cet étage de sortie intéresse la présente invention et on a simplement représenté à la figure 1 schématiquement un preamplificateur d'entrée, fonctionnant en principe en classe A et couplé à l'entrée de l'étage de sortie, la sortie de l'étage en question étant reliée à la charge. Une application importante consiste à charger l'ampli- ficateur par une charge de 600 Ohms. Les étages préamplificateurs et l'étage de sortie sont intégrés sur un même substrat de silicium et sont réalisés selon la technologie CMOS, cette technologie incluant comme on l'a dit la possibilité de réaliser des transistors bipolaires NPN sur le même substrat que les transistors MOS. L'étage amplificateur de sortie comprend un premier transistor bipolaire T1, NPN, dont la base est directement couplée à l'entrée E de l'étage de sortie et reçoit donc le signal à amplifier en provenance des étages de préamplifications. Un autre transistor bipolaire NPN T2 reçoit également sur sa base le même signal à amplifier et a pour rôle d'établir sur son émetteur E2 un signal repro- duisant le signal d'entrée à amplifier. Le premier transistor bipolaire T1 est placé en série, à la manière d'un étage push-pull, avec un transistor T3 qui est un transistor MOS à canal N. Les transistors NPN T1 et MOS T3 sont en série entre les bornes d'alimentation positive et négative d'une ali- mentation symétrique, et la sortie S de l'étage amplifi- cateur selon l'invention est prise au point de jonction entre l'émetteur E1 du transistor T1 et le drain du tran- sistor MOS T3; cette sortie S est prise par rapport à la masse commune aux alimentations symétriques comme on le fait dans les étages push-pull bipolaires. On cherche à faire fonctionner l'étage ampli- ficateur en classe AB, c'est-à-dire ni tout-à-fait en classe A o le signal de sortie serait plus linéaire mais imposerait un courant de repos dans les transistors T1 et T3 élevé et donc une trop grande consommation à vide, ni en classe B puieo le courant de repos est pra- tiquement nul mais o on a des problèmes de linéarité à cause de la distorsion de raccordement entre les alternances positives et négatives sur la borne de sortie S, le transistor T1 prenant en charge complète- ment les alternances positives et le transistor T3 prenant en charge complètement les alternances nega- tives. Ici, on fonctionne en classe AB, c'est-à-dire ayec un courant de repos permanent parcourant les tran- sistors T et T3 même en l'absence de signal à l'entrée E de l'amplificateur. Pendant les alternances positives du signal, le transistor T1 conduit essentiellement le courant dans la charge, mais le transistor T3 dérive une partie de ce courant; pendant les alternances négatives, le transistor T3 absorbe la majorité du courant dans la charge mais le transistor T1 continué à conduire un peu. Pendant les alternances positives du signal à amplifier appliqué à l'entrée E, la tension de sortie en S, c'est- -à-dire sur l'émetteur E1 du transistor T1 suit pratique- ment la tension du signal à amplifier car le transistor T1 reçoit sur sa base ce signal, et son émetteur le suit à la tension base/émetteur près. 15. Pendant les alternances négatives, il faut que le courant soit dérivé par l'étage de sortie depuis la charge et ce n'est pas le transistor T1 qui peut faire cette dérivation de courant puisqu'il est connecté à la borne positive de l'alimentation symétrique. C'est au contraire le transistor T3 qui doit recueillir le courant provenant de la charge et le faire passer vers la borne négative de l'alimentation. Le transistor MOS T3 est à cet effet commandé, selon l'invention, par la sortie d'un amplificateur dif- férentiel AD dont les entrées non inverseuse et inver- seuse sont connectées respectivement à l'émetteur E1 du transistor T1 et à l'émetteur E2 du transistor T2. C'est la grille de commande du transistor T3 qui est couplée à la sortie de l'amplificateur différentiel AD et la condtxr- tion du transistor T3 dépend donc de l'écart entre les tensions d'émetteur des transistors T et T2. Comme l'aug mentation de la tension grille du transistor T3 augmente sa conduction, et abaisse en conséquence le potentiel de la sortie S, on voit qu'on réalise un asservissement de cette sortie S sur la tension d'émetteur E2 du transistor T2. En effet, si cette tension diminue, la conduction de T3 augmentera et fera diminuer la tension de sortie en S; si la tension en E2 augmente, la conduction du transis- tor T3 diminuera et la tension S augmentera donc. Le transistor bipolaire NPN T2 est monté en émetteur suiveur, c'est-à-dire que d'une part son col- lecteur est connecté à la borne d'alimentation positive, la sortie est prise sur l'émetteur E2 et la charge de l'émetteur est constituée par une source de courant SC en série entre l'émetteur et l'alimentation négative. Par conséquent, étant donné le courant constant traver- sant le transistor T2, la tension base/émetteur de ce transistor est constante et le signal d'entrée à ampli- fier en E se retrouve reproduit en E2 à la tension base/ émetteur constante près. L'amplificateur différentiel AD détecte l'é- cart entre la tension de sortie en S et cette tension en E2 et commande le transistor T3 de manière à faire sui- vre par la sortie la tension d'entrée. Pendant les alternances positives du signal à amplifier, le transistor NPN T1, commandé par sa base, conduit dans la charge autant de courant qu'il est né- cessaire pour que le potentiel de sortie en S suive la tension d'entrée en E. Pendant ce temps, l'amplificateur différentiel AD a-naturellement tendance à réduire le courant traversant le transistor T3 car le potentiel de E2 se retrouve supérieur au potentiel de E1 (du fait que le VBE du transistor T1 conducteur est normalement plus grand que le VBE du transistor T2 qui conduit de manière constante). Cet effet est d'autant plus pro- noncé que la croissance du signal positif est plus rapide: si la sortie a du mal à suivre l'entrée à cause de la vitesse de variation de tension à l'entrée, le transistor T3 se bloquera d'autant plus rapidement et facilitera la transmission intégrale vers la charge de tout le courant traversant le transistor T1. Pendant les alternances négatives, seul le transistor T3 peut récupérer le courant négatif circu- lant dans la charge; l'amplificateur différentiel se charge de faire conduire T3 de manière que la tension de sortie reste égale à la tension sur l'émetteur E2 (à la tension d'écart de l'amplificateur différentiel près). Dans ce temps, le courant traversant le transis- tor T1 reste faible puisque sa tension base-émetteur est égale à la tension base-émetteur du transistor T2 diminuée de la tension d'écart de l'amplificateur différentiel. Par ailleurs, on voit que si la tension d'entrée varie rapidement vers les valeurs négatives, l'amplificateur différentiel agira fortement sur la conduction du transistor T3 pour que la tension de sortie suive la tension d'entrée. On peut remarquer que si on néglige la ten- sion d'écart aux bornes de l'amplificateur différentiel, les tensions base-émetteur des transistors T1 et T2 sont identiques, et si le courant émetteur du transistor T1 est imposé, le courant permanent traversant le transis- tor T1 pour une valeur nulle ou négative du signal d'en- trée, sera proportionnel au courant dans le transistor T2, dans un rapport qui correspond au rapport des géo- métries des transistors T1 et T2: si le transistor T1 est dix fois plus gros que le transistor T2, ce qui est normal puisque le transistor T1 constitue l'étage de sortie, le courant de repos sera dix fois le courant de la source de courant SC. Ceci doit être modulé évidem- ment en fonction de l'amplitude de la tension d'écart aux bornes de l'amplificateur différentiel. On a représenté à la figure 2 un exemple dé- taillé de circuit mettant en oeuvre l'invention, circuit dans lequel seuls T1 et T2 sont des transistors bipolaires, tous les autres éléments étant constitués par des transis- tors MOS. On retrouve sur le schéma de la figure 2 les transistors bipolaires T1 et T2 NPN et le transistor T3 MOS à forte géométrie (par rapport aux autres tran- sistors MOS de l'amplificateur), cette forte géométrie étant nécessaire car c'est le transistor T3 qui, avec le transistor T1, absorbe le courant principal de l'ampli- ficateur). La source de courant SC en série avec l'émet- teur du transistor T2 est constituée simplement par un transistor MOS dont la grille de commande est alimentée à tension constante. L'amplificateur différentiel comprend essen- tiellement d'abord un montage classique avec une source d'alimentation en courant constituée par un transistor MOS T4 alimentant en parallèle deux groupes de transis- tors MOS en série, respectivement T5, PMOS et T7 NMOS d'une part, et T6, PMOS et T8 NMOS d'autre part;les élec- trodesde commande des transistors T5 et T6 sont reliées respectivement aux bornes E1 et E2 (essentiellement les émetteurs des transistors bipolaires T1 et T2), ces entrées E1 et E2 constituant les entrées de l'amplifica- teur différentiel; la sortie est prise sur le drain du transistor T7 et commande l'électrode de grille du tran- sistor MOS T3 à forte géométrie conformément au schéma de la figure 1. Le schéma qui vient d'être décrit est un sché- ma classique d'amplificateur différentiel à 5 transis- tors MOS à miroir de courants; si on connecte le drain du transistor T8 avec sa grille de commande, on obtient une sortie non différentielle en tension, positive ou négative par rapport à la masse commune des alimentations symétriques. Ce schéma classique d'amplificateur diffé- rentiel à 5 MOS est légèrement modifié dans le cas pré- sent au moyen de deux transistors T9 et Tl qui établissent une dérivation de courant en vue de créer une polarisa- tion du transistor T3 même lorsque c'est le transistor T1 bipolaire qui doit conduire (c'est-à-dire lors des alternances positives du signal à amplifier). Le transistor T9 est inséré en série entre les transistors T6 et T8, il a son drain connecté à sa grille; le transistor T est connecté de manière croi- sée entre les deux branches en parallèle alimentes par la source de courant T4; plus précisément il est relié entre le point de jonction de T6 et T9 et le point de jonction de T5 et T7; son drain est connecté à sa grille de commande. Cette disposition permet que lorsque l'ampli- ficateur différentiel est déséquilibré dans un sens, poix les alternances négatives du signal à amplifier, l'ampli- ficateur différentiel joue son rôle normalement, le transistor T10 étant bloqué; au contraire, lors des alternances positives de la tension à amplifier, l'ampli- ficateur différentiel fournit malgré tout une tension de polarisation au transistor T3 pour le faire conduire partiellement bien que ce soit le transistor T1 qui four- nit alors l'essentiel du courant à la charge. Ce résultat est obtenu du fait que le transistor T1o est rendu conduc- teur lors des alternances positives, lecourant dans le transistor T6 se partageant alors entre les transistors T9 et T10 selon leur géométrie. On aboutit alors à un fonctionnement plus linéaire car il tend plus vers la classe A que vers la classe B et on réduit les problèmes de distorsions de raccordements. Comme on peut le remarquer sur la figure 2, on a inclu une légère modification par rapport au schéma de base de la figure 1; il s'agit de la présence de rési- stances d'émetteurs pour les transistors bipolaires T1 et T2: une résistance R1 a été mise en série dans l'émetteur 24930)69 - il - du transistor T1 et une résistance R2 dans l'émetteur du transistor T2, les points d'entrée El et E2 de l'amplifi- cateur différentiel étant alors pris non pas directement sur l'émetteur des transistors bipolaires mais après les résistances qui sont ainsi considérées comme faisant par- tie intégrale de l'émetteur. Ces résistances ont pour fonc- tion de diminuer l'influence de la tension d'écart aux bor- nes de l'amplificateur différentiel en constituant une con- tre réaction d'émetteur rendant les transistors T1 et T2 moins sensibles aux variations de tensions en E et E2. Les résistances R1 et R2 sont choisies dans le rapport inverse des géométries des transistors correspon- dants T1 et T2 afin qu'elles aient la même influence re- lative sur ces transistors. REVENDICATIONS 1. Amplificateur intégré en technologie MOS fonctionnant en classe B ou AB, caractérisé par le fait qu'il comprend un étage de sortie constitué par: - un premier transistor bipolaire NPN et un transistor MOS à canal N, en série, le point de jonction entre l'émetteur du premier et le drain du second cons- tituant la sortie de l'amplificateur, - un deuxième transistor bipolaire NPN rece- vant, sur sa base, de même que le premier, le signal à amplifier, ce deuxième transistor étant essentielle- ment monté en suiveur de tension, - un amplificateur différentiel dont les entrées sont reliées respectivement aux émetteurs des deux transistors NPN et dont la sortie est reliée à la grille de commande du transistor MOS pour commander la polarisation de ce dernier dans un sens tendant à asser- vir la tension d'émetteur du premier transistor à celle du second. 2. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'une source de courant, cons- tituée par un transistor MOS est placée en série avec l'émetteur du deuxième transistor bipolaire. 3. Amplificateur selon l'une des revendica- tions 1 et 2 caractérisé par le fait qu'une résistance est insérée en série avec l'émetteur de chacun des tran- sistors bipolaires, les valeurs relatives de ces résis- tances étant dans le rapport inverse des géormLétries des transistors correspondants. 4. Amplificateur selon l'une des revendica-:- tions 1 à 3 caractérisé par le fait que l'amplificateur différentiel est un amplificateur à transistors ^^OS à miroir de courants (une source de courant alimentant en parallèle deux groupes de deux transistors IMOS en série). - 13 - 5. Amplificateur selon la revendication 4 caractérisé par le fait que l'amplificateur différentiel possède une contre-réaction destinée à conserver une cer- taine conductivité au transistor MOS à canal N en série avec le premier transistor NPN même lors des alternances positives de la tension de sortie.