Brevet FR2492735A1 — publié le 19820430

L'invent-ion concerne un appareil enregistreur à jets d'encre destiné à réaliser un enregistrement en projetant des gouttelettes liquides, et elle a trait plus particulièrement à un appareil enregistreur à jets de liquide qui propulse des gouttelettes en appliquant de la chaleur à un liquide. Les appareils d'enregistrement à jets de liquide ont été récemment développés et améliorés, car de tels appareils peuvent réaliser des enregistrements sans chocs, conviennent aux bureaux d'affaires modernes ou à d'autres 1 0 départements d'affaires exigeant du silence, permettent d'effectuer des enregistrements à grande vitesse et avec une densité élevée de points projetés, et peuvent en outre être entretenus de manière relativement facile ou ne pas être entretenus du tout. Parmi des appareils enregistreurs à jets de liquide, celui décrit dans la demande de brevet de la République fédérale d'Allemagne DOS No 2 843 064 peut fonctionner de manière à effectuer un enregistrement à grande vitesse, à haute densité, en raison de sa structure parti- culière. En outre, l'élément de cet appareil appelé "tête d'enregistrement en trait plein" peut être aisément conçu et fabriqué. Cependant, même cet appareil enregistreur à jets de liquide peut faire l'objet de nombreuses améliorations pour la réalisation, en pratique, de l'enregistrement en trait plein avec une densité élevée, en divers points. Autre- ment dit, il existe divers problèmes concernant la conception de la structure de la tête d'enregistrement, la fabrication de cette tête d'enregistrement en ce qui concerne directe- ment la précision et la fiabilité de l'enregistrement, et la longévité de la tête. Il est également possible d'amé- liorer la productivité et la production en grande série. Autrement dit, pour effectuer de la copie à haute densité et à grande vitesse au moyen de l'appareil enregistreur à jets de liquide précité, il est nécessaire que la partie comportant la tête d'enregistrement ait une structure hautement intégrée. L'intégration pose divers problèmes en ce qui concerne la configuration structurelle des éléments constituant une tête d'enregistrement et un dispositif de traitement de signaux, la souplesse de fabri- cation, le câblage électrique des éléments et du dispositif, leur conception, leur productivité et leur production en grande série. Par exemple, les caractéristiques des appareils enregistreurs de liquide peuvent être utilisés au maximum si on dispose, comme moyen de production de chaleur pour solliciter un-liquide afin de propulser des gouttelettes d'encre, de nombreux transducteurs électrothermiques dans des emplacements correspondant à la densité des éléments d'image enregistrée et si le réseau d'éléments de sépara- tion du signal de commande (par exemple un réseau de transistors et un réseau de diodes accompagnés de moyens d'amplification de signaux), pour la commande indépendante et aux moments nécessaires des nombreux transducteurs électrothermiques, peut être intégré et produit efficace- ment. Cependant, à l'heure actuelle, chaque réseau d'éléments est produit indépendamment sous la forme d'une pastille afin d'accroître le rendement et de faciliter la fabrication, et chaque pastille est montée sur un substrat commun et les éléments correspondants sont reliés électriquement les uns aux autres par un câblage, et les électrodes conductrices sont destinées à être reliées électriquement à d'autres éléments électriques par liaison ou par d'autres moyens. Ensuite, des orifices d'éjection, destinés à propulser des gouttelettes de liquide, et des éléments constitutifs de la tête,destinés à former un espace devant être rempli d'un liquide, par exemple une chambre de commande par la chaleur communiquant avec le ou les orifices, ainsi que d'autres organes, sont collés pour produire une tête d'enregistrement. Cette fabrication est donc peu commode et le rendement de la production en grande série est très faible. De plus, lorsqu'on souhaite une tête d'enregis- trement hautement intégrée, de haute densité et de grande longueur, les problèmes mentionnés ci-dessus doivent être résolus à grande échelle. En outre, les inconvénients précités doivent être supprimés pour que l'on obtienne une grande fiabilité de production et une haute reproductibilité des caracté- ristiques souhaitées à la conception. L'invention a pour objet un appareil enregis- treur à jets de liquide ne présentant pas les inconvénients mentionnés cidessus. L'appareil enregistreur à jets de liquide selon l'invention est d'une grande fiabilité de fabrication et d'une productivité très stable; il présente une reproductibilité élevée des caractéristiques et il permet un enregistrement stable à vitesse élevée et à haute densité. L'invention concerne donc un appareil enregistreur à jets de liquide qui comprend plusieurs parties de chambres de oxrmnde par chauffage ccmuniquant avec des orifices permettant l'éjection d'un liquide pour former des gouttelettes pro- jetées, un transducteur électrothermique placé dans chaque partie de chambres de caronde par chauffage afin de transmettre effice cement la chaleur au liquide remplissant chacune des par- ties de chambre, et un circuit de commande qui comprend plusieurs éléments à fonctions destinés à isoler des signaux pour commander indépendamment chacun des trans- ducteurs électrothermiques, ces derniers et les éléments à fonction étant formés structurellement dans la surface d'un substrat. L'invention a également pour objet un appareil enregistreur à jets de liquides qui comprend plusieurs chambres de commande par chauffage communiquant avec des orifices destinés à éjecter un liquide pour projeter des gouttelettes, un transducteur électrothermique associé à chaque chambre de commande par chauffage afin de transmettre efficacement la chaleur au liquide remplissant cette chambre, et un circuit de commande qui comprend plusieurs éléments à fonctions destinés à isoler des signaux pour commander indépendamment chacun des transducteurs électrothermiquesi- ces derniers étant montés sur la surface d'un substrat dans la surface duquel les éléments à fonctions sont for- més. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: - la figure 1(a) est une vue partielle en pers- pective éclatée, avec arrachement partiel,d'une forme de réalisation de l'appareil enregistreur à jets de liquide selon l'invention; - la figure 1(b) est une coupe transversale schématique partielle de l'appareil de la figure 1(a), le plan de la coupe suivant le trajet d'écoulement; - les figures 2(a) à 2(g) montrent schématique- ment les étapes d'un procédé de fabrication de la partie principale de l'appareil représenté sur la figure 1; - les figures 3 à 7 sont des coupes transversales schématiques des parties principales d'autres formes de réalisation de l'appareil selon l'invention; - la figure 8(a) est une vue partielle en pers- pective éclatée, avec arrachement partiel, d'une forme avantageuse de réalisation de l'appareil selon l'invention; - la figure 8(b) est une coupe transversale schématique partielle de l'appareil représenté sur la figure 8(a); - les figures 9(a) à 9(g) sont des coupes sché- matiques partielles montrant les étapes d'un procédé de fabrication de la partie principale de l'appareil repré- senté sur les figures 8(a) et 8(b); - la figure 10 est une coupe transversale sché- matique de la partie principale d'une autre forme de réalisation de l'appareil selon l'invention; et - les figures 11(a) à 11(c) sont des coupes schématiques montrant la fabrication de l'appareil selon l'invention. Les figures 1(a) et 1(b) représentent l'une des formes préférées de réalisation de l'appareil enregis- treur à jets de liquide selon l'invention. Comme représenté sur la figure 1, l'appareil enregistreur à jets de liquide comprend fondamentalement un réseau 102 de transducteurs électrothermiques dans lequel plusieurs de ces transducteurs sont disposés de manière à former une rangée, un circuit 103 composé d'éléments à fonctions correspondant aux éléments électrothermiques, un support 101 et un couvercle rainuré 104 qui présente un nombre prédéterminé de rainures de forme et de dimen- sions prédéterminées pour former une chambre commune de liquide destinée à assurer l'alimentation en liquide et à former des trajets d'écoulement. Le couvercle 104 présente des rainures 106 qui sont disposées de manière que leur pas d'écartement soit le même que celui des transducteurs électrothermiques 105. Par conséquent, les rainures 106 du couvercle 104 peuvent recouvrir de façon correspondante les transducteurs électrothermiques 105 qui sont disposés à intervalles réguliers et prédéterminés et qui ont des dimensions pré- déterminées. Chaque rainure 106 communique avec une rainure 107 d'une chambre commune de liquide formée à la partie arrière du couvercle rainuré 104. La rainure 107 est orientée perpendiculairement à l'axe des rainures 106. Le couvercle rainuré 104 est fixé au support 101 -de manière que les rainures 106 soient placées en face des transducteurs électrothermiques correspondants 105 du réseau 102 de transducteurs. Par conséquent, il se forme ainsi plusieurs trajets d'écoulement comprenant chacun une chambre de commande par chauffage et une chambre commune de liquide fournissant un liquide à chaque trajet d'écoule- ment. Un tuyau 108 alimente en liquide la chambre commune 107 à partir d'un réservoir de liquide (non repré- senté), et ce tuyau est disposé à la partie arrière de la rainure 107. Chaque transducteur électrothermique 105 comporte une partie 112 de chauffage par effet Joule. Cette partie 112 sert à appliquer la chaleur produite au liquide et elle est placée entre une électrode commune 109 et une électrode 111 connectée au collecteur d'un transistor 110 qui est un élément à fonction constitutif du circuit 103 de commande. Une couche protectrice électriquement isolante (non représentée) recouvre toute la surface du réseau 102 de transducteurs électrothermiques afin d'empêcher tout court-circuit entre l'électrode commune 109 et le collecteur 111 et afin également d'empêcher tout contact entre le liquide et la partie 112 de chauffage par effet Joule. Le circuit 103 de commande comporte une zone de collecteur, une zone de base et une base d'émetteur situées respectivement sous le collecteur 111, la base 113 et l'émetteur 114. Ces zones sont.formées au-dessous de la surface d'un substrat semi-conducteur 115. Chaque base 113 est formée de manière à être reliée à une base commune 116 située à la partie arrière. Une électrode 117 est des- tinée à appliquer une tension élevée à la zone de collecteur afin d'isoler électriquement les transistors 110 les uns des autres, et cette électrode 117 est commune à tous les transistors. Comme représenté sur la figure 1(b), le support 101 présente, sous sa surface, une structure comprenant divers éléments à fonctions. Le support 101 comprend un substrat semi-conducteur 118 et une couche épitaxiale 119 qui contient, dans sa structure, les transducteurs électro- thermiques 105 et les transistors 110 comme éléments à fonctions. Le transducteur électrothermique 105 est constitué d'une partie 112 de chauffage par effet Joule, d'une électrode commune 109 et d'une électrode 111 connectée à la zone de collecteur du transistor 110, ces différentes parties étant situées à la surface de la couche épitaxiale 119. La partie 112 de chauffage par effet Joule comprend une résistance chauffante 120 et une couche 121 de protection de cette résistance 120. La chambre 122 de commande par la-chaleur est formée sur la partie 112 de chauffage par effet Joule. Dans cette chambre 122, on provoque un brusque changement d'état comprenant la formation d'une bulle et une diminu- tion du volume de cette bulle par la chaleur dégagée par la partie de chauffage par effet Joule. La chambre 122 communique avec un orifice 123 d'éjection au moyen duquel une gouttelette de liquide est éjectée sous l'effet du changement d'état mentionné ci-dessus, et elle communique également avec une chambre commune 124 à liquide ménagée dans la partie arrière. Un tuyau 108 d'alimentation en liquide est relié à la chambre commune 124 à liquide afin de l'alimenter à partir d'un réservoir disposé à l'exté- rieur. Un transistor 110 est ménagé structurellement dans la couche épitaxiale 119, en arrière de chaque trans- ducteur électrothermique 105. Le transistor 110 présente la structure d'un transistor normal et une inclusion 128-1 est formée à la partie inférieure afin de diminuer la résistance de la zone 125 de collecteur. Une zone ohmique 128-2 est ménagée entre l'électrode 111 et la zone 125 de collecteur afin d'établir un contact ohmique entre elles. Des électrodes 111 et 117 partent de la zone 125 de collecteur et des électrodes 113 et 114 partent de la zone 126 de base et de la zone 127 d'émetteur, res- pectivement, ces électrodes étant isolées électriquement les unes des autres. Des couches 129-1 et 129-2 d'isolation électrique sont disposées entre l'émetteur 114 et la base 113 et entre l'émetteur 114 et l'électrode 117 d'isolation électri- que, afin d'assurer l'isolation électrique. Une zone 130 de diffusion est formée entre le transducteur électrothermique 105 et le transistor 110 afin d'empêcher la chaleur dégagée par le transducteur électrothermique 105 de nuire au transistor 110, c'est-à- dire afin d'en assurer l'isolation thermique. La zone 130 de diffusion permet de prolonger notablement la durée de vie du transistor 110. La fabrication du support 101 sera à présent décrite en regard des figures 2(a) à 2(g). Un substrat semi-conducteur 201 du type p est préparé, comme montré sur la figure 2(a),et une couche encastrée 202 est formée dans le substrat 201 afin de diminuer la résistance de collecteur, une couche épitaxiale 203 étant appliquée sur la couche encastrée 202 (figure 2(b)). On donne à la couche encastrée ou inclusion 202 la forme d'un réseau par diffusion d'antimoine (Sb) ou d'arsenic (As) à travers une fenêtre réalisée par l'appli- cation d'une technique lithographique sur une pellicule -d'oxyde sur le substrat 201. Après formation de la couche encastrée 202, on enlève complètement la pellicule d'oxyde. On fait ensuite croître sur le substrat 201 une couche épitaxiale 203 du type n. L'épaisseur de cette couche 203 est de préférence d'environ 10 Dam. On produit une pellicule 204 d'oxyde sur la surface de la couche épitaxiale 203. Des fenêtres 205-1 et 205-2 sont formées par lithographie dans la pellicule d'oxyde. Une impureté du type p est diffusée à travers les fenêtres 205-1 et 205-2 pour produire des zones de diffu- sion 206-1 et 206-2 pour l'isolation. La partie entourée par les zones de diffusion 206-1 et 206-2 est une zone 207 de collecteur d'un transis- tor bipolaire (figure 2(c)). Comme montré sur la figure 2(d), une zone 208 de base est formée par un procédé de diffusion. Hormis la partie dans laquelle la zone 208 de base doit être formée, l'ensemble de la surface est revêtu d'une pellicule d'oxyde et une impureté du type p telle que du bore (B) ou autre est diffusée à concentration élevée, pour que l'on obtienne p, ce qui a pour résultat la formation de la zone de base 208. Comme montré sur la figure 2(e), une impureté du type n est diffusée à concentration élevée pour produire des zones n et, par conséquent, une zone 209 d'émetteur et une zone ohmique 210 qui permet un contact ohmique entre une électrode d'aluminium et la zone 207 de collecteur. Dans ce cas, la zone 209 d'émetteur et la zone 210 du contact ohmique sont produites simultanément sous la forme de régions semi-conductrices n par la diffusion à concentration élevée de l'impureté du type n. Les figures 2(f) et 2(g) montrent la formation d'une zone de chauffage par effet Joule constituant un transducteur électrothermique. Après l'achèvement de l'opération montrée sur la figure 2(e), la totalité de la surface est revêtue d'un masque 211, hormis la partie o une zone de chauffage par effet Joule est formée. Une implantation ionique est effectuée à travers une fenêtre 212 par la mise en oeuvre d'un appareil d'implantation ionique pour produire une zone 213 de chauffage par effet Joule. On peut régler, le cas échéant, la valeur de la résistance en donnant une surface appropriée à la fenêtre 212, en réglant de façon appropriée l'énergie d'accélération des ions lors de l'im- plantation et en choisissant convenablement le type d'ion. L'épaisseur du masque 211 doit être supérieure à la distance d'implantation des ions. Après formation de la zone 213 de chauffage par effet Joule, on retire en totalité le masque 211. Le support résultant, portant un circuit intégré hybride mono- lithique, est recouvert d'une couche de passivation et des électrodes d'aluminium sont formées aux emplacements nécessaires. Ainsi, on obtient la forme de réalisation représentée sur la figure 1(b). Lorsque divers ions sont utilisés pour l'implan- tation ionique afin de former la zone 213 de chauffage par effet Joule, on obtient les caractéristiques indiquées ci-après. Le tableau suivant montre que les meilleurs résultats sont obtenus avec des ions d'éléments du Groupe V du Tableau Périodique. Cependant, on obtient également de bons résultats lorsqu'on utilise des ions d'éléments du Groupe III du tableau Périodique. TABLEAU I Portée (distance de Impu- Source projection) nm reté d'impureté Accélérain u Appré- Acceléra- auffage cato tion' 8aJ 16 aJ clarion N N2 140 300 B P PH3, PF3 60 120 As AsH3, As solide 30 60 Sb Sb solide 25 50 B B2H6, BF3 200 400 A AI A1 solide 70 150 B Ga Ga solide 30 60 A In In solide 25 45 A G: Excellent A: Bon B: Utilisable en pratique Dans le tableau I, la "portée" est une portée projetée d'une impureté, c'est-à-dire la profondeur à partir de la surface de la zone 213 de chauffage par effet Joule. Le tableau II montre des caractéristiques pré- sentées par les éléments en fonction de la quantité d'ions implantés (dose). TABLEAU II Concentration Temps d'im- Résistivité Appré- Dose d'impuLeté plantation (ohm.cm) ciation cm 1013 1017 1,2 s 1x10-13x10-1 B 1014 1018 1,2 s 2x10-2-6x10-2 A 1015 1o19 2 min 5x103-10x10-3 1016 10 20 20min o103 117 1021 3,3 h 1x104-3x104 Les significations des lettres de la colonne "apprécia- tion" sont les mêmes que celles utilisées dans le tableau I. Un appareil d'implantation ionique, utilisé pour l'obtention des résultats indiqués dans les tableaux 1 1 I et II, est l'appareil du type "200-CF" (fabriqué par la firme EXTRION Co.). Diverses formes de réalisation de l'invention sont représentées sur les figures 3 à 7 qui ne montrent que les parties nécessitant des explications, les autres parties n'étant pas représentées. Comme montré sur la figure 3, une zone 301 de chauffage par effet Joule est produite en même temps qu'une zone 308 de base, par diffusion. Dans ce cas, une feuille d'un masque d'exposition et trois étapes (une étape de masquage de pellicule d'oxyde, une étape d'implan- tation ionique et une étape de traitement thermique) peuvent être avantageusement supprimées par rapport au cas montré sur les figures 1(a) et 1(b). La structure et la configuration sont par ailleurs identiques à celles indi- quées sur les figures 1(a) et 1(b). Autrement dit, cette forme de réalisation comporte une couche épitaxiale 302, une zone 303 de diffusion pour l'isolation thermique, une zone encastrée 304 pour diminuer la résistance de collecteur, une zone 305 de contact ohmique, une zone 306 de collecteur, une zone 307 d'émetteur et une zone 308 de base. Comme représenté sur la figure 4, une zone 401 de chauffage par effet Joule est produite en même temps qu'une zone 407 d'émetteur, par un procédé de diffusion. Les autres opérations sont les mêmes que dans le cas de la figure 3. La figure 5 représente une zone 501 de chauffage par effet Joule produite en un emplacement o une telle zone doit être formée, en même temps une diffusion est réalisée pour former un émetteur ou une base, une diffusion d'une impureté du type p est ensuite effectuée sur une portion de ladite partie afin de former une zone semi- conductrice 510 du type p, ce qui a pour résultat la for- mation d'une jonction p-n 509. Dans cette forme de réali- sation, le dégagement de chaleur se produisant à la jonction p-n est utilisé et il est particulièrement avantageux d'utiliser le dégagement de chaleur se produisant à la jonction p-n lors de l'application d'une polarisation de sens direct et d'une polarisation inverse. L'élément représenté sur la figure 6 est obtenu par un nombre encore plus faible d'opérations de fabrica- tion. Ainsi, dans un transistor bipolaire, une partie d'une zone 605 de contact ohmique et une partie d'une zone 606 de collecteur sont prolongées pour former une zone 601 de chauffage par effet Joule, à une extrémité de la zone 605 de contact ohmique et, par conséquent, cette zone 605 et la zone 601 sont continues. Dans cette forme de réalisation, lorsque la résistance de collecteur diminue, la tension collecteur- émetteur VCE du transistor peut être supprimé dans une grande mesure. Sur les figures 4 à 6, les couches épitaxiales sont représentées respectivement en 402, 502 et 602; les zones de diffusion pour isolation thermique sont représen- tées en 403 et 503; les couches encastrées sont représen- tées en 404, 504 et 604; les zones de contact ohmique sont représentées en 405, 505 et 605; les zones de collecteurs sont représentées en 406, 506 et 606; les zones d'émetteur sont représentées en 407, 507 et 607; et les zones de base sont représentées en 408, 508 et 608. Dans les formes de réalisation représentées sur les figures 1(a) à 6, on utilise des transistors bipolaires npn, comme montré. Cependant, à la place des transistors bipolaires npn, on peut utiliser d'autres éléments fonction- nels exécutant une fonction de commutation, par exemple des transistors bipolaires pnp,des transistors du type semi- conducteur métal-oxyde, des transistors du type silicium sur saphir, des transistors du type latéral et autres. La figure 7 représente une forme de réalisation de l'invention ayant une structure capable d'arrêter effi- cacement l'effet nuisible de la chaleur lorsque les caractéristiques de fonctionnement des éléments fonctionnels constituant le circuit de commande sont sensibles à la chaleur. Autrement dit, une zone 704 à forte concentration d'impureté est ménagée entre une zone 701 de transducteur électrothermique et-une zone 702 d'élément fonctionnel assumant une fonction de commutation. La zone 704 s'étend du niveau d'une couche encastrée 703 jusqu'à la surface de l'élément. La diffusion de chaleur vers le bas, due à une partie du flux thermique engendré dans la zone 705 de chauffage par effet Joule, se transmet à un substrat 706 à travers la zone 704 puis est évacuée extérieurement à travers un radiateur 707 de chaleur-constitué, par exem- ple, d'une plaque d'aluminium. Cette structure permet d'intercepter presque complètement le flux de chaleur de la zone 705 de chauffage par effet Joule vers l'élément fonctionnel 702, le long de la surface du substrat semi- conducteur 705. Le tableau III indique des résultats d'essais permettant d'apprécier les caractéristiques de cette structure. TABLEAU III En ce qui concerne l'échantillon 2, la zone 704 présente une concentration d'impureté de 1020 cm3. Lorsque la zone 704 est absente, la durée de vie utile continue du transistor bipolaire npn est de 140 heures, alors que le même transistor fonctionne pendant 1000 heures ou plus, sans abaissement de ses caractéristiques de fonctionnement et dans les mêmes conditions de commande que précédemment. Lorsqu'une impureté du type p est diffusée dans la zone à forte concentration d'impureté, cette zone peut assumer à la fois une fonction d'isolation électrique et une fonction d'isolation thermique. ipureté Conductivité ther- ( _-3 mique (W/cm. 0C) Substrat semi-conducteur 706 en Si1010 1,6 Zone Echantillon 1 1 01 12 701 Echantillon 2 1020 40 Echantillon 3 1022 60 On a construit un appareil enregistreur à jets de liquide utilisant la structure montrée sur les figures 1(a) et 1(b), et on a procédé à des enregistrements dans les conditions indiquées dans le tableau IV. Même lors d'un enregistrement à grande vitesse et longue durée, effectué sur du papier de format A-4 pour produire 10 000 feuilles de copie, la qualité de l'image obtenue à la fin de l'essai est aussi grande que celle obtenue au début de l'essai. TABLEAU IV Chauffage par effet Joule Longueur (direction du trajet d'écoule- ment) Pm Largeur 40 pm Résistivité 10-3 ohm.cm Concentration d'im- 1020 cm-3 pureté Type d' impureté (implanté) p Largeur des impulsions 10 ls Condition de ps de rpulsio nte des0,1 As ou moins cmLande du inpulsions transducteur Temps de chute des électrothermique impulsions 0,5 s ou s Intensité du courant 350 mA Densité d'orifices 12 pièces/mm Longueur de la tête 210 mm La figure 8(a) représente une autre forme de réalisation de l'appareil selon l'invention. Les références numériques de la figure 8(a) correspondent à celles de la figure 1(a) comme indiqué ci-dessous. Les références numériques correspondantes s'appliquent aux mêmes parties. Ainsi 801 correspondant à 101, 802 à 102, 803 à 103, 804 à 104, 805 à 105, 806 à 106, 807 à 107, 808 à 108, 809 à 109, 810 à 110, 811 à 111, 812 à 112, 813 à 113, 814 à 114, 815 à 115, 816 à 116 et 817 à 117. Il convient de noter que la structure détaillée indiquée par la référence 812 est différente de celle indiquée par la référence 112, comme montré sur la figure 8(b). Sur la figur'8(b), les références numériques correspondent à celles de la figure 1(b), comme indiqué ci-dessous. Les références numériques correspondantes dési- gnent les mêmes parties. Ainsi, 801 correspond à 101, 808 à 108, 809 à 109, 810 à 110, 811 à 111, 813 à 113, 814 à 114, 817 à 117, 819 à 119, 821 à 121, 822 à 122, 823 à 123, 824 à 124, 825 à 125, 826 à 126, 827 à 127, 828-1 à 128-1, 828-2 à 128-2, 829-1 à 129-1, 829-2 à 129-2 et 830 à 130. La surface de la couche épitaxiale 819 formée sur un substrat semiconducteur 815 porte un transducteur électrothermique 805 se présentantsous la forme d'une structure stratifiée. Le transducteur électrothermique 805 comprend une zone 812 de chauffage par effet Joule formée sur une couche protectrice (couche d'accumulation de chaleur) 818, elle-même formée sur la surface de la couche épitaxiale 819, une électrode commune 809 et une électrode 811 destinée à être reliée à la zone de collecteur d'un transistor 810. La zone 812 de chauffage par effet Joule est composée d'une résistance 820 et d'une couche protectrice 821 protégeant la résistance chauffante 820. Les figures 9(a) à 9(g) montrent la fabrication du support 801 d'éléments. Les figures 9(a) à 9(e) corres- pondent aux figures 2(a) à 2(e), respectivement. Les réfé- rences numériques se correspondent également. Ainsi, 901 correspond à 201, 902 à 202, 903 à 203, 904 à 204, 905-1 à 205-1, 905-2 à 205-2, 906-1 à 206-1, 906-2 à 206-2, 907 à 207, 908 à 208, 909 à 209 et 910 à 210. Une fois l'opération montrée sur la figure 9(e) achevée, une couche protectrice 911 d'isolation électrique est formée afin de protéger la zone du transistor. Une couche 913 de chauffage par effet Joule est ensuite formée * sur la couche protectrice 911 par lithographie et, simul- tanément, des fenêtres 912-1, 912-2, 912-3 et 912-4 sont formées par dissolution des parties correspondantes de la couche protectrice 911. Il est préférable d'utiliser comme couches protectrices 911 des couches de SiO2, des couches de Si 3N4 et des couches analogues produites par pulvérisation ou déposition chimique en phase vapeur, ou bien des pellicules d'oxyde obtenues par oxydation de la surface des transistors. La couche protectrice 911, située au-dessous de la couche 913 de chauffage par effet Joule, peut se comporter comme une couche d'accumulation de la chaleur limitant la diffusion de la chaleur dégagée dans cette forme de réalisation. Enfin, une matière pour électrodes, telle que de l'aluminium ou autre, est déposée, par exemple par un procédé de déposition sous vide, et un réseau est formé par photolithographie, ce qui achève le câblage des électrodes (cette opération n'étant pas représentée sur les figures 9(a) à 9(g)). On obtient ainsi le support d'éléments tel que montré sur la figure 8. La couche 913 de chauffage par effet Joule peut être produite par déposition sous vide, par exemple par déposition en phase vapeur, par pulvérisation ou autre, ou encore par déposition chimique en phase vapeur. Comme matière constituant la couche 913 de chauffage par effet Joule, on peut citer avantageusement un alliage métallique tel que NiCr ou autres, des carbures tels que TiC et autres, des borohydrures tels que ZrB2, HfB2 et autres, des nitrures tels que BN et autres, des siliciures tels que SiB4 et autres, des phosphures tels que GaP, InP et autres, et des arséniures tels que GaAs, GaPxAs (1 x) et autres. La figure 10 représente la partie principale (support d'éléments) d'une autre forme de réalisation de l'invention. Les figures 11(a) à 11(c) illustrent certaines étapes de fabrication de la forme de réalisation représentée sur la figure 10. On forme, sur un substrat 1001 d'alumine (A1203), une couche 1002 de Si par croissance épitaxiale (figure 11(a)). Dans la couche de Si obtenue, on forme un transistor latéral PNP 1003 du type silicium sur saphir par l'application d'une technique classique (figure 11(b)). Une partie de la surface de la couche de Si, hormis le transistor 1003, est éliminée par attaque chimi- que, c'est-à-dire que la couche de Si est amincie et que la partie restante de cette couche de Si est oxydée pour qu'il se forme une couche protectrice 1004 de SiO2 (figure 11(c)). On forme une couche 1005 de chauffage par effet Joule sur la couche protectrice de SiO2. Ensuite, on procède simultanément à la réalisation d'un réseau et à la formation de fenêtres dans la couche protectrice, sur le transistor 1003, et des électrodes métalliques, par exemple en aluminium ou autres, sont appliquées sur ces parties, puis des électrodes 1006, 1007, 1008 et 1009 (figure 10) sont formées par l'application d'une technique lithogra- phique. La couche protectrice 1004 située au-dessous de la couche 105 de chauffage par effet Joule peut également assumer la fonction de couche d'accumulation de chaleur, comme dans la forme de réalisation précédente. En outre, lorsqu'une structure de transistor latéral NPN du type silicium sur saphir est utilisée dans la forme de réalisa- tion de la figure 10, on obtient le même résultat. On réalise un appareil enregistreur à jets de liquide tel que montré sur les figures 8(a) et 8(b) et on procède à des enregistrements dans les conditions indiquées dans le tableau V ci-après. Même au bout d'une longue durée d'enregistrement à grande vitesse, sur du papier de format A-4, pour produire 10 000 feuilles de copie, la qualité de l'image obtenue à la fin de l'essai est aussi bonne que celle obtenue au début de l'essai. TABLEAU V Comme mentionné précédemment, selon l'invention, l'appareil enregistreur à jets de liquide peut effectuer aisément un enregistrement à grande vitesse et haute den- sité, de manière sûre et stable. Lors de la fabrication de l'appareil, le rendement est très élevé et le nombre d'étapes de fabrication peut être réduit, ce qui diminue le coût de fabrication. La structure de l'appareil convient à une production en grande série, et les caractéristiques de l'appareil, en particulier l'effet de dégagement de chaleur du transducteur électrothermique, sont notablement améliorées et, par conséquent, la durée de vie des éléments d'isolation de signaux tels que les diodes et les transis- tors prévus pour le transducteur électrothermique peut être considérablement accrue. La description précédente porte sur des formes-de réalisation de têtes d'enregistrement présentant plusieurs orifices d'éjection de liquide, ces têtes étant appelées "têtes d'enregistrement du type à orifices multiples". Il convient cependant de noter que l'invention s'applique également à des têtes d'enregistrement du type dit à orifice unique, ne présentant qu'un orifice d'éjection de 1 0 Chauffage par effet Longueur (direction Joule du trajet d'écoule- 200 pm ment Largeur 40 gm Résistivité 2x10-4 ohm.cm Largeur des impulsions 10 ls Conditions ps de intée des 0,1s ou moins commnande du i lsions transducteur électrothermique ip s0,5 s ou moins impulsions Intensité du courant 300 mA Densité d'orifices 12 pièces/m Longueur de la tête 210 mn liquide. Cependant, l'invention s'applique de façon plus efficace au type à orifices multiples, en particulier aux têtes d'enregistrement du type à orifices multiples à haute densité. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées à l'appareil décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Appareil enregistreur à jets de liquide, caractérisé en ce qu'il comporte des chambres (122) de commande par la chaleur communiquant avec les orifices d'éjection d'un liquide pour projeter des gouttelettes> un transducteur électrothermique (105) associé à chaque chambre et destiné à transmettre efficacement de la chaleur au liquide remplissant ladite chambre, et un circuit (103) de commande comprenant plusieurs éléments fonctionnels (110) destinés à isoler des signaux pour commander de façon indépendante chaque transducteur électrothermique, ces transducteurs électrothermiques et les éléments fonction- nels étant formés de façon structurelle dans la surface d'un substrat (118). 2. Appareil enregistreur à jets de liquide, caractérisé en ce qu'il comporte une chambre (122) de com- mande par la chaleur communiquant avec un orifice destiné à éjecter un liquide pour projeter des gouttelettes, un transducteur électrothermique (105) associé à une partie de la chambre de commande par la chaleur afin de trans- mettre efficacement de la chaleur au liquide remplissant cette partie, et un circuit (103) de commande qui comprend un élément fonctionnel (110) de commande du transducteur électrothermique, ce dernier et l'élément fonctionnel étant formés de façon structurelle dans la surface d'un substrat (118). 3. Appareil enregistreur à jets de liquide, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs chambres (822) de commande par la chaleur communiquant avec des orifices destinés à éjecter un liquide pour projeter des gouttelettes, un transducteur électrothermique (805) associé à chaque chambre de commande afin de transmettre efficacement de la chaleur au liquide remplissant cette chambre, et un circuit (803) de commande qui comprend plusieurs éléments fonctionnels (810) destinés à isoler des signaux pour commander de façon indépendante chaque transducteur électrothermique, lesdits transducteurs électrothermiques étant montés sur la surface d'un substrat (815), surface dans laquelle les éléments fonctionnels sont transducteurs électrothermiques étant montés à former une structure stratifiée. - 4. Appareil enregistreur dications 1 et 3, caractérisé en ce un substrat semi-conducteur. 5. Appareil enregistreur dications 1 et 3, caractérisé en ce nel est un transistor. 6. Appareil enregistreur dications 1 et 3, caractérisé en ce formés, les de manière selon l'une des reven- que le substrat est selon l'une des reven- que l'élément fonction- selon l'une des reven- qu'un élément (130) ou (830) d'isolation thermique est disposé entre le trans- ducteur électrothermique et l'élément fonctionnel. 7. Appareil enregistreur selon l'une des reven- dications 1 et 3, caractérisé en ce que le transducteur électrothermique comprend une partie (112) ou (812) de chauffage par effet joule, deux électrodes (109) ou (809); (111 ou 811) destinées à fournir du courant électrique à la partie de chauffage par effet Joule, et une couche protectrice qui recouvre cette partie de chauffage par effet Joule. 8. Appareil enregistreur à jets de liquide, caractérisé en ce qu'il comporte une chambre (822) de commande par la chaleur communiquant avec un orifice destiné à éjecter un liquide pour projeter des gouttelettes, un transducteur électrothermique (805) associé à une partie de la chambre de commande afin de transmettre efficacement de la chaleur'au liquide remplissant cette partie, et un circuit (803) de commande qui comprend un élément fonctionnel (810) de commande du transducteur électro- thermique, ce dernier étant monté sur la surface d'un substrat, surface dans laquelle l'élément fonctionnel est formé et le transducteur électrothermique étant monté de manière à avoir une structure stratifiée.