Brevet FR2475321A1 — publié le 19810807

La présente invention se rapporte à un agencement de circuit pour produire des tensions découplées de fonctionne- ment pour des étages amplificateurs, que l'on peut incorporer dans un circuit intégré. Quand des étages amplificateurs sont couplés en cascades et dérivent des tensions de fonctionnement d'une ligne commune d'alimentation, il peut se produire des oscillations non souhaitées. Ces oscillations peuvent se produire parce que la ligne d'alimentation en courant forme un trajet de contreréaction par lequel les signaux alternantsproduits dans un étage peuvent être réappliqués à un étage précédent. Si les étage en cascade produisent un déphasage de 1800 avec un gain supérieur à l'unité entre un point d'entrée et un point de sortie reliésl'un à l'autre par la ligne d'alimentation en courant, les conditions d'oscillations sont présentes. Pour empêcher les oscillations non souhaitées du type ci-dessus décrit, un condensateur est souvent relié entre un point proche du début de la ligne d'alimentation en courant et un point de potentiel de la masse du signal. Un tel condensateur shunte les signaux alternants à la masse, réduisant ainsi l'amplitude de ces signaux qui sont présents sur la ligne d'alimentation en courant. Cette technique n'est pas très efficace si l'alimentation en courant a une résistance relativement élevée entre les points qu'elle relie l'un à l'autre. Cette dernière condi- tion se rencontre souvent dans un circuit intégré o une tension d'alimentation est appliquée à plusieurs étages amplificateurs en cascade au moyen d'un4+ouche de métallisation relativement mince, qui est traciionnel- lement connue, dans la technique des circuits intégrés, comme rail d'alimentation en courant. Dans un circuit discret, des condensateurs individuels peuvent être reliés en shunt en des points le long de la ligne d'alimentation en courant o des étages amplifi- cateurs respectifs sont reliés pour atténuer les signaux alternants sur la lignes d'alimentation en courant qui peuvent être réappliqués d'étages suivants. Cependant, cela n'est pas bien adapté à des circuits intégrés parce qu'on ne peut incorporer, dans le circuit intégré, -sans un usage excessif de sa surface, des condensateurs ayant une valeur suffisante pour découpler des points le long d'une ligne d'alimentation en courant pour inhiber les oscillations non souhaitées aux fréquences couramment rencontrées. Dans des circuits intégrés, les points d'alimentation en courant d'étages amplificateurs individuels peuvent être découplés en utilisant des transistors configurés en émetteur-suiveur. Par exemple, un tel agencement est révélé dans le brevet US n0 3 518 458 au nom de Camenzind. Dans cet agencement, le point d'alimentation en courant de chaque étage amplificateur dans un circuit intégré est relié à l'émetteur d'un transistor respectif configuré en émetteur-suiveur. La base de chaque transistor est reliée à une source de tension relativement stable telle qu'une diode Zener. Les points d'alimentation en courant des étages amplificateurs individuels ont tendance à être découplés parce que les transistors configurés en émetteur-suiveur présentent une transformation d'impé- dance unilatérale d'une impédance relativement élevée aux bases à une impédance relativement faible aux émetteurs. Par suite, les signaux alternants produits dans un étage amplificateur sont inhibés d'atteindre,et ainsi d'affecter éventuellement, la source de tension et les points d'alimentation en courant sur les autres étages amplifica- teurs. Malheureusement, l'isolement donné par les transistors configurés en émetteur-suiveur est limité à des applications à de relativement basses fréquences, par exemple en dessous de 10 MHz. La présente invention a pour but d'inhiber les oscillations à de relativement hautes fréquences, c'est-à- dire entre 10 et 20 MHz, qui peuvent se développer de façon non souhaitable dans un circuit intégré quand des étages amplificateurs qui partagent un rail commun d'alimentation en courant sont montés en cascade avec des condensateurs de blocage entre eux afin de produire un isolement en courant continu et de réduire la largeur de bande du bruit. Selon les principes de la présente invention, chaque étage amplificateur comporte un circuit pour produire au moins une tension de fonctionnement pour l'étageen réponse à un courant qui lui est appliqué par une source de courant. Dans chaque étage, le collecteur d'un transistor latéral dédié ou l'un des collecteurs d'un transistor latéral partagé à plusieurs collecteurs est relié à un point o le circuit développant la tension reçoit son courant. Le transistor latéral dédié ou partagé peut être incorporé dans une configuration d'amplificateur pour reproduire le courant appliqué par la source de courant, son émetteur étant relié à une ligne commune d'alimentation en courant ou rail et son collecteur étant relié au circuit développant la tension. Ce dernier agencement fonctionne, comme on le décrira ci-après, pour isoler ou découpler le circuit produisant la tension de fonctionnement pour chaque étage par- rapport aux signaux alternants pouvant Otre transportés par la ligne commune d'alimentation en courant, d'un autre étage. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention et dans lesquels: - la figure 1 est un schéma, partiellement sous forme de bloc, d'un radio-récepteur MF employant un circuit intégré ayant des étages amplificateurs FI ou à fréquence intermédiaire en cascade reliés à une ligne commune d'alimentation en courant contenant des circuits respectifs développant une tension de fonctionnement, qui sont découplés les uns des autres selon la présente invention; - la figure 2 est un schéma d'un agencement spécifi- que de circuit des étages amplificateurs à fréquence intermédiaire de la figure 1. Dans le radio-récepteur FM de la figure 1, des 2475321- porteuses à haute fréquence dans la gamme des fréquences moyennes reçues par une antenne 10 sont appliquées à une section 3 d'amplification et de filtrage deshautes fréquences. La-section 3 est accordée en réponse à une tension de réglage d'accord produite par une unité de sélection de station. 5 pour choisir l'une des porteuses à haute fréquence reçues associée à une station choisie. Un oscillateur local 7 est égalementaccordé en réponse à la tension d'accord pour produire un signal d'oscillateur local dont la fréquence est appropriée pour accorder le canal choisi. Un mélangeur 9 hétérodyne la porteuse à haute fréquence choisie et l'oscillateur local pour produire un signal à fréquence intermédiaire. Le signal à fréquence intermédiaire est filtré par un premier filtre passe-bande 11 et est appliqué par un condensateur 13, à une borne d'entrée 15 de signaux d'un circuit intégré 17 de traitement de signaux à moyenne fréquence. Le signal d'entrée appliqué à la borne 15 est amplifié par un pré-amplificateur 19 et appliqué, par une borne 21, à un second filtre passe-bande 23 des fréquences intermédiaires. Le signal filtré est appliqué par un condensateur 25 et une borne 27, à trois étages amplificateurs en cascade 29, 31 et 33. Les étages 29, 31 et 33 amplifienten succession le signal à fréquence intermédiaire vers des limites supérieure et inférieure de tension pour former un signal impulsionnel. Le signal impulsionnel de sortie est appliqué à une section de détection de fréquence moyenne 35 comprenant un étage interne en émetteur-suiveur 37, un réseau externe de discrimination de fréquence 39 et un détecteur interne de crbte 41 qui coopèrent pour produire un signal audio-fréquence dont l'amplitude dépend de l'écart de fréquence du signal impulsionnel par rapport à une fréquence fixe prédéterminée. Un détecteur à utiliser avantageusement pour le détecteur 35 est décrit dans la demande de brevet US n0 059 469 déposéele 29 Juillet 1979 au nom de Max Edward Malchow. Le signal audio-fréquence est appliqué par une borne 43 à un circuit de traitement audio 45, comprenant, par exemple, un décodeur stéréo, des amplificateurs audio et des étages d'attaque de haut-parleur (pas particulière- ment représentés)quidérivent des signaux d'attaque pour des hautsparleurs47 et 49. Le circuit intégré 17 peut contenir d'autres montages, par exemple pour produire un signal indiquant la force du signal reçu dans des buts de réglage du gain, d'amor- tissement audio, et de recherche de signaux. Un tel montage n'est pas représenté car il n'est pas en rapport avec la présente invention, qui se rapporte à la façon dont des circuits pour produire des tensions de fonctionne- ment pour chacun des étages amplificateurs 29, 31 et 33 sont découplés les uns des autres pour empocher des oscillations non souhaitées. Une tension d'alimentation B+ est appliquée à une ligne d'alimentation en courant sur le rail 51 par une borne 53. La masse du signal du récepteur est reliée à un rail de masse 55 par une borne 57. La masse du signal est également reliée au substrat sur lequel sont formés les composants du circuit intégré 17, par une borne 59. Les étages amplificateurs 29, 31 et 33 contiennent des amplificateurs différentiels respectifs 61, 63 et 65. Des amplificateurs différentiels sont utilisés parce qu'ils possèdent des capacités de réfection ou suppression de signaux en mode commun, qui ont tendance à réduire l'amplification des signaux non souhaités de bruit. Par ailleurs, les étages amplificateurs 29, 31 et 33 sont reliés par le condensateur de blocage de courant continu à l'étage amplificateur respectif précédent afin de restreindre la largeur de bande de la section de fréquences intermédiaires à son extrémité inférieure, par exemple, à 23 MHz, pour réduire la transmission des signaux de bruit qui ont tendance à avoir des fréquences sur une bande relativement large. Plus particulièrement, le signal asymétrique à la sortie du pré-amplificateur 19 est appliqué à une entrée asymétrique de l'amplificateur 61 par le filtre passe-bande de fréquences intermédiaires 23 2475321- et le condensateur 25. Les signaux différentiels à la sortie de l'amplificateur 61 sont appliqués aux entrées différentielles de l'amplificateur 63 par des condensateurs 67 et 69. Les signaux différentiels à la sortie de l'ampli- ficateur 63 sont appliqués aux entrées différentielles de l'amplificateur 65 par des condensateurs 71 et 73. Comme les amplificateurs 61, 63 et 65 sont tous reliés au rail 51 d'alimentation en courant, des variations de signaux produites en un point dans un amplificateur peuvent être réappliquées à un point dans un amplificateur précédent. S'il y a un déphasage de 1800 et un gain supérieur à l'unité entre les points, il peut se produire des oscillations non souhaitées. Ces oscillations sont probables, particulièrement du fait du gain élevé donné par les amplificateurs limiteurs 61, 63 et 65. Cepen- dant, grâce auycondensateum de blocage entre les étages 61, 63 et 65, les oscillations sont restreintes à de relativement hautes fréquences, c'està-dire entre 10 et MHz. Les étages amplificateurs 29, 31 et 33 contiennent des circuits individuels respectifs pour produire des tensions respectives de fonctionnement pour les amplifica- teurs 61, 63 et 65. Les circuits pour produire les ternons de fonctionnement pour chacun des étages 29, 31 et 33 sont agencés pour produire des tensions stables de fonctionnement qui 'ne sont sensiblement pas affectées par des variations de température et des variations à de relativement bassesfréquencespouvant se superposer sur la tension B+. Par ailleurs, les circuits individuels pour produire les tensions de fonctionnement pour les amplificateurs 61, 63 et 65 découplent les amplificateurs respectifs des signaux à relativement haute fréquence apparaissant sur le rail 51 et inhibent ainsi des oscillations à relativement haute fréquence. Comme tous les circuits pour produire des tensions de fonctionnement contiennent les mêmes éléments de structure de base, seul le circuit pour produire les tensions de fonctionnement pour l'amplificateur 61 sera décrit en détail. Le circuit pour produire les tensions de fonctionnement contient une source de courant 75 comprenant un transistor 77 du type NPN dont l'émetteur est relié à la masse du signal par une résistance 79 et dont la base est reliée à une sortie d'une alimentation en tension de référence 64. La tension de référence établit la tension dans la résistance 79 et détermine ainsi (par la loi d'Ohm) le courant d'émetteur du transistor 77. Le courant de collecteur du transistor 77 est sensiblement égal à son courant d'émetteur moins son courant de base qui est bien plus faible. Le courant de collecteur du transistor 77 est appliqué à un premier collecteur 81 d'un transistor 83 du type PNP. Le transistor 83 est incorporé dans un agencement formant miroir de courant ou de reproduction de courant 85 qui reproduit le courant appliqué au premier collecteur 81 à un second collecteur 87. Le courant produit au second collecteur 87 du transistor 83 est appliqué à un circuit générateur de tension 89, au point a, qui produit des tensions de fonctionnement pour l'amplificateur 61 en réponse au courant qui lui est appliqué par le collecteur 87 du transistor 83. Le circuit générateur de tension 89 peut simplement se composer d'un pont diviseur de tension résistif relié entre le collecteur 87 et la masse du signal ou à un point de tension de référence. Une première tension de fonctionnement produite par le circuit généra- teur de tension 89 est appliquée à travers un transistor 91 du type NPN configuré en émetteur-suiveur, à un circuit de polarisation de l'amplificateur 61. Une seconde tension de fonctionnement produite par le circuit générateur de tension 89 est appliquée par un autre transistor 93 du type NPN configuré en émetteur-suiveur, à un circuit de charge de l'amplificateur 61. Les transistors du type NPN et configurés en émetteursuiveur 91 et 93 isolent les circuits de polarisation et de charge de l'amplificateur 61 l'un de l'autre. Le transistor 83 du type PNP peut être considéré comme se composant d'un agencement équivalent avec deux transistors du type PNP ayant des jonctions base-émetteur identiques et ayant leurs deux émetteurs reliés au rail d'alimentation 51 et leursbases rdiées l'une à l'autre. Tel quel, un amplificateur formant miroir de courant traditionnel comprenant des transistors maltre et esclave est formé pour reproduire le courant dans le collecteur 81 au collecteur 87. Un transistor 84 du type PNP est relié en contre-réaction entre le collecteur 81 et la base du transistor 83, en ayant sa base reliée au collecteur 81 du transistor 83, son émetteur relié à la base du transistor 83 du type PNP et son collecteur relié à la masse du signal. Le transistor 84 du type PNP tend effectivement à réduire les différences entre les gains de courant des deux transistors dans l'agencement équivalent qui, autrement, dégraderaient leur opération de reproduction de courant. A de relativement basses fréquences, o les capacités entre les électrodes et autres caractéristiques de transition à haute fréquence sont négligeables, des variationscbBhse produisent également à la base et à l'émetteur des transistors maltre et esclave. En conséquence, la différence de tension entre l'émetteur et la base de chaque transistor estindépendante des variations à relativement basse fréquence des variations de B+. Par suite, les courants aux=collecteurs81 et 87 sont indépendants des variations à relativement basse fréquence de B+ dues, par exemple, à des variations de température et à des conditions de charge variable. Cela est souhaitable quand le récepteur est employé dans une automobile car B+ provient de la batterie de l'automo- bile, qui est soumise à des variations de température, d'état de charge et de conditionsde charge. Comme le courant appliqué au circuit générateur de tension 89 au collecteur 87 du transistor PNP 83 et les tensions de fonctionnement produitespar le circuit générateur de tension 89 sont déterminés par le courant au collecteur 81, il est souhaitable que la source de tension de référence 64 produise des tensions de référence sensiblement non affectées par des variations de température. Dans ce but, on peut employer une source de tension de référence telle que celle révélée dans le brevet US n0 4 058 760 (Ahmed). Une telle source de tension de référence à coupure de bande est de plus souhaitable car les tensions de référence qu'elle produit sont compara- tivement dépourvues de bruit en comparaison aux tensions de référence produites dans des jonctions à semi-conducteurs polariséesen inverse en conduction en avalanche qui par conséquent nécessitent ordinairement des condensateurs externes de by-pass. Les variations de signaux dans l'amplificateur 61 sont appliquées au rail d'alimentation en courant 51 sous forme de courants s'écoulant à travers les trajets collecteur -émetteur des transistors 91 et 93 en émetteur- suiveur. Les variations de signaux dans les autres étages sont de même appliquées au rail d'alimentation en courant 51 par les émetteurs suiveurs respectifs. Le transistor 83 du type PNP de l'agencement formant miroir de courant 85 'découple les variations à relativement haute fréquence sur le rail d'alimentation en courant 51 pour les raisons qui suivent. Le transistor 83 est formé, dans le circuit intégré 17, comme une structure latérale, c'est-à-dire que sa base, son émetteur et son collecteur sont latéralement plutôt que verticalement orientés les uns par rapport aux autres et par rapport au substrat. Dans un tel agencement, la région des collecteurs segmentés a des aires superficielles relativement importantes qui coopèrent avec le substrat pour former des capacités relativement importantes. Par ailleurs, les transistors latéraux ont de mauvais gains à haute fréquence sous toute configuration. Les propriétés ci-dessus mentionnées du transistor latéral 83 du type PNP lui permettent de découpler le générateur de tension 89 des signaux à relativement haute fréquence apparaissait sur les lignes d'alimentation en courant pour les raisons qui suivent. D'abord, le gain en courant à haute fréquence entre l'émetteur du transistor latéral 83 du type PNP et chacun de ses collecteurs 81 et 87 est extrêmement faible, par exemple entre 0,01 et 0,1, à des fréquences dans la gamme des oscillations, c'est- à-dire entre 10 et 20 MHz, de la configuration d'amplificateur. En conséquence, tous les signaux à haute fréquence appliqués au générateur de tension 89 par le transistor latéral 83 du type PNP ont des amplitudes relativement faibles. Deuxièmement, tous les signaux à haute fréquence qui atteignent le collecteur 87 du transistor du type PNP sont shuntés vers la masse du signal par la capacité entre le collecteur 87 et le substrat, qui est relié à la masse du signal. Aux basses fréquences, le transistor 84 forme un trajet de contreréaction entre le collecteur 81 et la base du transistor 83,quiest bnéfique à l'opération de reproduQtion de courant de l'agencement 85 comme on l'a décrit ci-dessus. Heureusement, on a trouvé que le transistor 84 du type PNP formait également un trajet de contre-réaction entre le collecteur 81 et la base du transistor 83 dans la gamme des fréquences, c'est-à-dire entre 10 et 20 MHz, o les oscillations peuvent s'établir du fait de la configuration en boucle fermée contenant les amplificateurs en cascade 61, 63 et 65 et la ligne d'alimentation 51. Par suite, dans la gamme de fréquences d'intérêt, le gain en courant du transistor 83 est maintenu à une très faible valeur. Malheureusement, le déphasage produit par le transis- tor 84 à certaines fréquences, comme 4 à 6 MHz, peut produire un trajet de contre-réaction qui établit une condition oscillante dans la configuration en boucle fermée contenant les transistors 83 et 84. Pour empêcher ces oscillations non souhaitées, il est souhaitable de prendre des mesures pour dégrader le gain en courant du transistor 84 du type PNP. Cela peut être accompli en omettant du matériau du type P+ dans le matériau d'émetteur. Cela a tendance à réduire le gain en courant en réduisant l'efficacité d'injection de courant. Un il résultat semblable peut être obtenu en insérant une résistance dans la boucle de contre- réaction formée par le transistor 84 du type PNP. Dans ce but, une résistance peut être insérée entre le collecteur 81 du transistor 83 et la base du transistor 84 ou bien une résistance peut être insérée entre l'émetteur du transistor 84 et la base du transistor 85. Il est également possible de dégrader le gain en courant à haute fréquence du transistor 84 du type PNP en augmentant la capacité entre le collecteur 81 du transistor 83 ou la base du transistor 83 et la masse du signal. Comme un condensateur d'une valeur relativement élevée peut être requis pour inhiber les oscillations à des fréquences entre 4 et 6 MHz, cette solution n'est pas aussi souhaitable que les autres. Enfin, tandis que le transistor 84 du type PNP est habituellement formé en un transistor vertical pour préserver la surface du circuit intégré, il peut être souhaitable que le transistor PNP 84 soit latéral du fait de la plus mauvaise performance à haute fréquence des transistors latéraux comme on l'a décrit ci-dessus pour le transistor 83 du type PNP. La figure 2 montre des mises en oeuvre des étages amplificateurs 29, 31 et 33. Dans le cadre de la présente invention, est important le montage pour produire les tensions de polarisation et de charge pour chaque étage, En conséquence, les amplificateurs 29, 31 et 33, dont le montage est quelque peu semblable à celui employé dans les circuits intégrés CA3089 et CA3189 fabriqués par Solid State Division de RCA Corporation, New Jersey, E.U.A., ne seront pas décritsen détail. Dans l'étage amplificateur 29, l'amplificateur 61 comprend un amplificateur différentiel en cascode ayant une entrée asymétrique et des sorties différentielles. Le circuit pour produire la tension de fonctioneement pour l'étage 61 est sensiblement le même que celui représenté sur la figure 1. Le générateur de tension 89 est simplement un pont diviseur de tension résistif relié entre le collecteur 87 du transistor 83 du type PNP et la masse du signal. Une tension de fonctionnement produite au collecteur 87 est appliquée par le transistor 93 du type NPN et configuré en émetteur-suiveur, aux résistances- de charge 97 et 99 de l'amplificateur 61. Une tension de fonctionnement produite en un point le long du diviseur de tension 89 est appliquée à travers le transistor 91 du type NPN configuré en émetteur-suiveur, aux bases de transistors du type NPN 101 et 103 et aux bases de transistors du type NPN 105 et 107 par des résistances 109 et 111 pour polariser l'amplificateur différentiel en cascode. Dans l'étage amplificateur 31, l'amplificateur 63 se compose de transistors 113 et 115 du type NPN configures en émetteur-suiveur suivis, en cascade directe, de premier et second amplificateurs différentiels 117 et 119, dont chacun a des entrées et des sorties différentielles. Le circuit pour produire les tensions de fonctionnement pour l'amplificateur 63 diffère du circuit correspondant de l'étage 29 à deux points de vue. D'abord, il contient un transistor latéral du type PNP 121 configuré en miroir de courant ayant trois collecteurs 123, 125 et 127, plutôt que deux. Le collecteur 123 reçoit le courant à reproduire, du collecteur d'un transistor 129 du type NPNincorporé dans une configuration de source de courant et dont l'émetteur est relié à la masse par une résistance 130. Le collecteur applique du courant au circuit générateur de tension 131 pour produire des tensions de fonctionnement pour l'ampUificateur 63. Le collecteur 127 applique du courant à un étage générateur de tension 133 de l'étage amplifica- teur 33. En conséquence, chacun des circuits générateurs de tension 131 et 133 est découplé des signaux à relative- ment haute fréquence apparaissant au rail d'alimentation 51 enitilisant un seul transistor latéral du type PNP à plusieurs collecteurs. Deuxièmement, le circuit générateur de tension 131 contient un pont diviseur de tension résistif relié en série avec la jonction émetteurcollecteur d'un transistor 135 du type PNP plutôt que directement à la masse. Cela est bénéfique car des variations, par exemple dCes à la température, de la différence de tension entre la base et l'émetteur du transistor 129 du type NPN ont tendance à être compensées par des variations corres- pondantes de la différence de tension entre l'émetteur et la base du transistor 135 du type PNP. Les tensions de fonctionnement produites aux points le long du pontdiviseur de tension résistif du circuit générateur de tension 131 sont appliquées par des transis- tors 137 et 139 du type NPN et configurées en émetteur- suiveur, à des résistances de charge des amplificateurs différentiels 117 et 119, et auxcollecteursdes transistors en émetteur-suiveur 113 et 115 respectivement. Une autre tension de fonctionnement produite en un autre point du pont diviseur de tension résistif du circuit générateur 131 est appliquée par un transistor 141 du type NPN et confi- gurée en émetteur-suiveur, aux bases des transistors 113 et 115 configurés en émetteur-suiveur, pour établir la polarisation de l'amplificateur 63. Dans l'étage amplificateur 33, l'amplificateur 65 comprend deux transistors 143 et 145 du type NPN et configurés en émetteur-suiveur, suivis en cascade directe, par des premieret second amplificateurs différentiels 147 et 149. L'amplificateur 147 a des entrées et des sorties différentielles tandis que l'amplificateur 142 a des entrées différentielles et une sortie asymétrique, Les tensions de fonctionnement sont développées le long d'un pont diviseur de tension résistif formant le circuit générateur de tension 133. Les tensions de fonctionnement sont appliquées par des transistors 151 et 153 du type NPNet configurés en émetteur-suiveur, aux résistances de charge des amplificateurs différentiels 149 et 147, respectivement. Une autre tension de fonction- nement est appliquée par un transistor 155 du type NPN et configurée en émetteur-suiveur, aux bases des transistors 143 et 145 du type NPN et configurés en émetteur-suiveur pour établir le point de polarisation de l'amplificateur 65. Tandis que la présente invention a été décrite en terme d'un agencement o les collecteurs d'au moins deux transistors latéraux séparés sont reliés à des circuits générateursde tension respectifs, un agencement o des collecteurs séparés d'un seul transistor latéral à plusieurs collecteurs sont reliés à chaque circuit générateur detension respectif peut être employé. Avec cela, tandis que la présente inwention a été décrite en termesd'un agencement o au moins deux sources séparées de courant appliquent du courant à des circuits générateurs de tension respectifs, on peut employer un agencement o une seule source de courant applique du courant à tous les circuits générateurs de tension. De plus, tandis que la présente invention a été décrite en termesde configurationsd'amplificateur miroir de courant compre- nant un seul transistor latéral à plusieurs-collecteurs, on peut également employer des configurations d'amplifica- teur miroir de courant ayant deux transistors latéraux séparés. Par ailleurs, tandis que les configurations d'amplificateur miroir de courant ont été décrites comme produisant un courant sensiblement identique à celui reçu par une source de courant, ces configurations peuvent être agencées, de façontien connues dais la technique des circuits, pour produire un courant différent de celui réçu d'une source de courant. De plus encore, tandis que les configurations d'amplificateur miroir de courant ont été décrites comme ayant des émetteurs directement reliés à une ligne d'alimentation en courant, les émetteurs peuvent être indirectement reliés, par 3o exemple au moyen de résistances, à une ligne d'alimentation en courant. Bien entendu,l'invention n'est nullement limitée au mode de réalisation décrit et représenté qui n'a été donné qu'à titre d'exemple. En particulier,elle comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons si celles- ci sont exécutées suivant son esprit et mises en oeuvre dans le cadre de la protection comme revendiquée. R E V E N D I C A T I 0 N S 1. Agencement de circuit utile pour produire des tensions découplées de fonctionnement pour étages amplifi- cateurs à fréquence intermédiaire d'un circuit intégré, du type comprenant; au moins deux étages amplificateurs comprenant des amplificateurs respectifs; un moyen d'accouplement pour coupler lesdits amplificateurs en cascade; une ligne d'alimentation en courant; une ligne de la masse du signal; chacun desdits amplificateurs étant relié entre ladite ligne d'alimentation en courant et ladite ligne de la masse du signal; un moyen pour appliquer un potentiel à ladite ligne de la masse du signal dudit substrat; caractérisé en ce que chacun desdits étages amplifica- teurs comporte son propre moyen générateur de tension (89) contenant un point respectif de réception de courant pour produire au moins une tension de fonctionnement pour l'amplificateur respectif en réponse à l'application d'un courant prédéterminé audit point de réception de courant; et un moyen d'application de courant (75, 85) comprenant un agencement de transistor latéral ayant un collecteur séparé (87) relié à chacun desdits points de réception de courant (a) et ayant au moins une base et un émetteur, ledit émetteur étant relié à ladite ligne d'alimentation en courant (51), et un moyen (75, 84) pour conditionner la jonction entre au moins ladite base et ledit émetteur afin que des courants prédéterminés soient appliqués à chacun desdits points de réception de courant par lesdits collecteurs respectifs (87). 2. Agencement selon la revendication 1, caractérisé 2405321- en ce que le transistor latéral précité est construit afin d'atténuer-des fréquences d'oscillationsnon souhaitées quand les étages amplificateurs précités sont capacitivement couplés. 3. Agencement selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le moyen de conditionnement (75, 84) précité comprend au moins une source de courant (75) pour produire un courant maltre; et au moins une configuration d'amplificateur miroir de courant (75, 83, 84) comprenant la jonction entre au moins la base et l'émetteur précités de l'agencement de transistor latéral (83) précité et un point pour recevoir ledit courant maUtre afin d'appliquer un courant esclave(En87)pour. au moins un point de réception de courant (a) par ledit collecteur respectif en réponse audit courant maltre. 4. Agencement selon la revendication 3, caractérisé en ce que le moyen d'application de courant (75, 85) précité contient un transistor (84) ayant une base, un émetteur et un collecteur et configuré pour produire une contre-réaction entre le point précité pour recevoir le courant maUtre précité et la base parmi la base et l'émetteur précités; et un moyen (dopage de 84) pour réduire le gain dudit transistor de contre- réaction dans la gamme des fréquences prédéterminées. 5. Agencement selon l'une quelconque des revendica- tions 1 ou 2, caractérisé en ce que l'agencement de transistor latéral (83) précité comprend un transistor latéral séparé, ayant une base, un émetteur et au moins un collecteur (87), pour chacun des moyens générateurs de tension (89) précités, les collecteurs de chacun des transistors séparés étant reliés à un point respectif de réception de courant. 6. Agencement selon la revendication 5, caractérisé en ce que chacun des transistors latéraux précités a un collecteur supplémentaire (81); et en ce que le moyen de conditionnement (75, 84) précité comporte un moyen pour appliquer un courant maUtre à chacun desdits collecteurs supplémentaires (81). 7. Agencement selon l'une quelconque des revendica- tions 1 ou 2, caractérisé en ce que l'agencement de transistor latéral (121) précité contient un transistor latéral à plusieurs collecteurs ayant une base, un émetteur et au moins deux collecteurs séparés (125, 127), chacun desdits collecteurs étant relié à un point respectif de réception de courant. 8. Agencement selon la revendication 7, caractérisé en ce que le transistor (121) à plusieurs collecteurs précité contient un collecteur supplémentaire (123); et en ce que le moyen de conditionnement (129) comporte un moyen pour appliquer un courant maltre audit collecteur supplémentaire (123). 9. Agencement selon l'une quelconque des revendications 6 ou 8, caractérisé en ce que le moyen précité pour appliquer un courant maltre (129) comporte un premier moyen résistif (130) ayant des première et seconde ezt:'é-mités; un premier transistor (129) ayant une base, un émetteur et un collecteur, ledit courant maltre étant produit audit collecteur, ledit émetteur étant relié à une première extrémité du moyen résistif précité (130); et un moyen (64) pour produire une tension de référence entre la base dudit premier transistor (129) et la seconde extrémité dudit moyen résistif (130). 10. Agencement selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'au moins l'un des moyens générateurs de tensioe précités comprend un second moyen résistif (131) ayant des première et seconde extrémités, ladite première extrémité dudit second moyen résistif étant reliée au point respectif de réception de courant; un second transistor (135) d'un type de conductivité opposé à celui du premier transi stor précité incorporé dans le moyen précité pour appliquer un courant maitre et ayant une base, un émetteur et un collecteur, ledit émetteur étant relié à la seconde extrémité dudit second moyen résistif; et un moyen (64) pour produire une tension de référence entre la base et le collecteur dudit second transistor. 11. Agencement selon l'une quelconque des revendica- tions 9 ou 10, caractérisé en ce que le moyen (64) pour produire une tension de référence entre la base du premier transistor précité et la seconde extrémité du premier moyen résistif précité est formé d'une alimentation en tension de référence à coupure de bande. 12. Agencement selon la revendication 11, caractérisé en ce que le moyen (64) précité pour produire une tension de référence entre la base et le collecteur du second transistor précité se compose de l'alimentation en tension de référence à coupure de bande précitée. 13. Agencement selon l'une quelconque des revendica- tions 1 ou 2, caractérisé en ce que chaque étage amplifica- teur précité contient un circuit de polarisation (109, 111) pour établir la polarisation de l'amplificateur respectif et un circuit de charge (97, 99) dudit amplificateur; et en ce que chaque moyen générateur de tension comprend un moyen diviseur de tension (89) pour produire des première et seconde tensionsde fonctionnement pour ledit étage amplificateur; un premier transistor (91) ayant une base, un émetteur et un collecteur configurés en amplifica- teur en émetteur-suiveur, ladite tension de fonctionnement étant appliquée à ladite base, ledit émetteur étant relié audit circuit de polarisation (109, 111) et ledit collecteur étant relié à ladite ligne d'alimentation en courant; et un second transistor (93) ayant une base, un émetteur et un collecteur configuré en amplificateur en émetteur-suiveur, ladite seconde tension de fonctionne- ment étant appliquée à ladite base, ledit émetteur étant relié audit circuit de charge et ledit collecteur étant relié à ladite ligne d'alimentation en courant. 14. Agencement selon la revendication 13, caractérisé en ce que chacun des étages amplificateurs précités comprend un amplificateur différentiel (101-107).