Brevet FR2477773A1 — publié le 19810911

La présente invention concerne les circuits à semiconduc- teur intégrés dans un corps de silicium semiconducteur comportant des régions d'oxyde diélectrique en forme de cavités destinées à isoler au point de vue électrique différentes parties de circuit. Dans la technologie courante, on fabrique souvent les cir- cuits intégrés à semiconducteur en formant des cavités dans la sur- face principale d'un corps de silicium semiconducteur, puis en emplis- sant les cavités avec du dioxyde de silicium, par oxydation sélective, en utilisant de façon caractéristique des pellicules de nitrure de silicium en tant que masques. On crée ainsi des zones ou des régions d'isolation en oxyde, en forme de cavités, dans le but d'isoler au point de vue électrique différentes parties de circuit. Cependant, dans les traitements ordinaires de croissance thermique d'oxyde,des- tinés à emplir les cavités d'oxyde, des structures indésirables appa- raissent au bord de la cavité, et ces structures sont désignées dans l'art antérieur par les termes de "bec d'oiseau" et "tête d'oiseau", ou crête. On trouve par exemple la description de ce problème dans l'article intitulé "Topology of Silicon Structures with Recessed SiO2" par E. Bassous, H.N. Yu et V. Maniscalco, J. Electrochem.Soc., Nov. 1976, Vol. 123, No 11, pages 1729-1737, ainsi que dans le brevet US 4 002 511. Plus précisément, le brevet précité propose une technique pour réduire l'aspect "bec d'oiseau" du problème, en augmentant l'étendue du masque de nitrure de silicium de façon qu'il vienne en contact avec une partie du silicium à nu et recouvre cette partie. Cependant, du fait de la croissance isotrope de l'oxyde à partir de toutes les surfaces de la cavité, une protubérance ou "tête d'oiseau" se forme néanmoins près du bord de la surface.de la zone d'isolation en oxyde, en forme de cavité. En outre, une protubérance du type "bec d'oiseau" peut toujours se former dans une certaine mesure, en par- ticulier lorsqu'une autre couche d'oxyde est présente à côté du sili- cium. Le circuit intégré ne présente donc pas la planéité et l'uni- formité désirées. De ce fait, la formation ultérieure de couches de recouvrement en matières diélectriques et conductrices est rendue difficile et n'est généralement pas satisfaisante. Le brevet US 3 958 040 décrit une technique destinée à réduire le problème de la "tête d'oiseau", selon laquelle on empêche la croissance de dioxyde de silicium à partir des parois latérales des cavités au moyen d'une couche de masquage de nitrure de silicium placée sur ces parois latérales, dans le but d'obtenir une surface supérieure plus lisse pour l'oxyde de cavité résultant. Cependant,une telle technique ne conduit pas en pratique à une surface suffisamment lisse pour être satisfaisante pour le traitement ultérieur du dispo- sitif. On observe habituellement des dépressions à la surface supé- rieure de l'oxyde de cavité. Il serait donc souhaitable de disposer d'un procédé de fabrication de circuits intégrés à semiconducteur comportant des zones d'isolation en oxyde en forme de cavités qui soient pratiquement planes et exemptes de toute protubérance de surface notable. L'invention concerne la fabrication de circuits à semi- conducteur dans un corps de silicium semiconducteur. Cette fabrication fait appel à un traitement destiné à former une région d'isolation en oxyde (29) dans le corps de silicium semiconducteur (10), par croissance d'oxyde thermique dans une région en forme de cavité (22) dans ce corps, et la vitesse de cette croissance sur une paroi laté- rale de la région en forme de cavité (22) est réduite par un masque (24) placé sur la paroi latérale, en comparaison de la vitesse de croissance sur le fond de la région en forme de cavité (22). Ce trai- tement est caractérisé en ce que la paroi latérale est revêtue d'une couche de dioxyde de silicium (23), obtenue par croissance thermique, avant la croissance d'oxyde dans la région en forme de cavité (22). Dans un mode de réalisation particulier de l'invention, toutes les parties des cavités correspondant à la paroi latérale sont tout d'abord revêtues de dioxyde de silicium, puis ensuite masquées sélectivement avec une pellicule de nitrure de silicium qui, comme on le sait, réduit la vitesse de croissance de l'oxyde à partir du sili- cium sous-jacent. Un procédé de réalisation d'un tel masque sélectif comprend l'opération consistant à déposer une pellicule de nitrure de silicium sur la totalité de la surface du corps semiconducteur, après que les cavités ont été formées par attaque isotrope. Ensuite, conformément à une façon de procéder particulièrement utile, on peut utiliser des techniques d'attaque en ligne droite, comme le bombarde- ment avec réaction chimique (attaque réactive ionique ou par plasma) ou le bombardement sans réaction chimique (attaque ionique non réac- tive), pour enlever entièrement le nitrure de silicium sur le fond (mais non sur les côtés) des cavités. Le silicium sous-jacent qui se trouve au fond des cavités est ainsi mis à nu pour le traitement d'oxydation suivant. De ce fait, la croissance d'oxyde thermique se déroulera ensuite sans aucun obstacle à partir du fond des cavités, tandis qu'une croissance relativement faible, plutôt qu'une crois- sance pratiquement nulle, se produira à partir des parois latérales, comme on le désire dans l'invention. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la des- cription qui va suivre d'un mode de réalisation et en se référant aux dessins annexés, sur lesquels les figures 1 à 5 représentent une série de coupes d'une partie d'une tranche semiconductrice de silicium dans laquelle on fabrique une région d'isolation en oxyde conformé- ment à l'invention. Aucun des dessins n'est à l'échelle, uniquement dans un but de clarté. La figure 1 représente une partie 10 d'une tranche ou d'un corps semiconducteur en silicium monocristallin qui a été formé par croissance épitaxiale à partir d'une couche de silicium de départ ou d'origine, 11. Comme on le sait, on fabrique généralement les dis- positifs à semiconducteur en grand nombre sous la forme d'une partie d'une tranche de matière semiconductrice, relativement grande et pratiquement circulaire, qu'on divise finalement en dispositifs indi- viduels couramment appelés "puces". La description faite ici de la mise en oeuvre de l'invention ne concerne qu'une partie d'une puce sur laquelle est formée une région d'isolation en oxyde. Les étapes décrites pour le procédé sont naturellement applicables à une tranche complète à partir de laquelle on forme un certain nombre de telles puces. De plus, on ne présentera pas ici une description détaillée des étapes de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, comme l'introduction d'impuretés par diffusion ou implantation ionique, les traitements de croissance épitaxiale (éventuellement), les procédés de masquage et les dépôts de matière, tout ceci étant bien connu. Dans une forme classique de dispositif à semiconducteur,on forme une couche de silicium monocristallin 13 par dépôt épitaxial au sommet de la couche de silicium de départ 11, et la couche 13 est habituellement d'un type de conductivité opposé à celui de la couche de départ 11. La couche Il est par exemple une couche semi-intrinsè- que de conductivité de type Tr, tandis que la couche 13 est de type N, modérément conductrice. La frontière entre ces zones de deux types de conductivité est représentée par la ligne en pointillés 12. Ainsi, S en utilisant des procédés connus.de masquage sélectif et d'introduc- tion d'impuretés, on forme les jonctions PN 17 et 18, définissant les frontières de zones de types de conductivité différents, à partir de la surface supérieure de la couche épitaxiale 13. De façon générale, une zone d'isolation donnée 29 (figure 5), constituée par de l'oxyde et formant une cavité, est coupée en une certaine partie de sa fron- tière 18 par une ou plusieurs de ces jonctions PN, mais ceci n'est pas obligatoire. Comme on le sait, les zones P et N qui sont définies par les jonctions PN représentent des parties de dispositifs actifs qui forment des éléments du circuit intégré, tous ces éléments étant habituellement situés sur une surface principale 19, plane à l'origine, du corps 10. On forme ensuite une couche de dioxyde de silicium 14 par oxydation thermique sur la totalité de la surface de la tranche, et on forme une couche de nitrure de silicium 15, par dépôt sur la surface du dioxyde de silicium. La couche de dioxyde de silicium 14 a habituellement une épaisseur comprise dans la plage de 10 nm à 50 nm environ, l'épaisseur caractéristique étant de 30 à 40 nm. La couche de nitrure de silicium 15 a une épaisseur caractéristique d'environ à 250 nm, et de préférence d'environ 150 à 180 nm, c'est-à-dire une épaisseur de nitrure qui est suffisante pour que les étapes de traitement suivantes n'affectent pas notablement la propriété de mas- quage d'oxydation de cette couche de nitrure. On dépose ensuite sur la couche de nitrure de silicium 15 une seconde couche de dioxyde de silicium 16, d'une épaisseur caractéristique de 100 nm. On forme des ouvertures dans cette couche d'oxyde 16 à des emplacements situés au-dessus des régions correspondant aux cavités qu'on désire finale- ment obtenir, en employant de façon caractéristique une matière de réserve photographique et de l'acide fluorhydrique, ce qui permet alors de former des motifs dans la couche de nitrure de silicium 15. En utilisant des solutions d'attaque successives, à savoir de l'acide phosphorique en solution aqueuse chaude (à une température caracté- ristique d'environ 1600C à 1800C) pour attaquer la couche de nitrure de silicium 15, et de l'acide fluorhydrique en solution tamponnée pour attaquer la couche de dioxyde de silicium 14, on forme des ouvertures 21 à travers les couches 16,15 et 14 pour mettre à nu la surface de silicium 19 (figure 1) à l'emplacement de la région d'iso- lation en oxyde désirée. La seconde couche d'oxyde 16 a avantageuse- ment une épaisseur suffisamment supérieure à celle de la première couche d'oxyde 14 pour qu'il demeure une épaisseur de la seconde couche d'oxyde 16 suffisante pour protéger la couche de nitrure 15 au cours de l'attaque ultérieure du silicium, pour former la région de cavité 22 (figure 2). On traite ensuite le corps 10 avec un agent d'attaque isotrope (pour le silicium), afin de former la région de cavité 22 (figure 2) qui définit la zone d'isolation. Dans les structures dans lesquelles une jonction PN coupe ensuite la région de cavité en n'importe quel endroit, il est important de choisir l'agent d'attaque de façon qu'il soit pratiquement isotrope, même en présence de jonc- tions PN aux frontières entre zones de conductivité qui sont habituel- lement caractérisées par ailleurs par des vitesses d'attaque notable- ment différentes dans le silicium de type P et dans le silicium de type N, à moins qu'on utilise une classe restreinte d'agents d'atta- que. Naturellement, si aucune jonction PN n'est présente dans la région de cavité, on peut utiliser une classe plus large d'agents d'attaque. Une technique d'attaque spécialement utile dans ce but,en particulier en présence d'une jonction PN dans la région de cavité; consiste à utiliser un agent d'attaque gazeux, l'agent réactif étant du fluor atomique, comme il est décrit par exemple dans un article de D.L. Flamm intitulé "Measurements and Mechanisms of Etchant Production During the Plasma Oxidation of CF4 and C2F6" publié dans Solid State Technology, Vol. 22, No 4, pages 109-116 (avril 1979). Une autre technique d'attaque pratiquement isotrope qui est particu- lièrement utile en l'absence d'une jonction PN dans la région de cavité consiste par exemple à réaliser l'attaque avec une solution contenant une concentration relativement faible de trioxyde de chrome dans de l'acide fluorhydrique aqueux (par exemple une solution aqueuse comprenant environ 10 % en poids d'acide fluorhydrique et environ 1 % en poids de trioxyde de chrome) qui est appliquée à une température d'environ 230C. De toute manière, du fait que ce traite- ment d'attaque est pratiquement isotrope, la frontière d'attaque avance de façon pratiquement égale sur toutes les surfaces à nu qui sont des quarts de cercle ayant des rayons centrés au sommet infé- rieur des parties en surplomb du masque oxyde-nitrure que forment les couches 14 et 15. Le masque est ainsi soumis à une surgravure latérale jusqu'à la ligne frontière 28 de la région de cavité 22. Comme on le sait, le traitement de croissance d'oxyde de silicium qui doit être accompli dans la région de cavité produit un volume d'oxyde qui est approximativement égal à 2,3 fois le volume du silicium qui est consommé. De ce fait, les cavités sont attaquées jusqu'à environ 56 % de la profondeur de la région d'isolation en oxyde qui est finalement désirée, la profondeur d'attaque étant ajustée pour tenir compte de l'épaisseur de l'oxyde de la cavité qui sera enlevé à sa partie supérieure, comme il est expliqué ci- après. Pour une épaisseur finale d'oxyde d'un micron, par exemple, on attaque le silicium jusqu'à une profondeur d'environ 554 nm, comme il est expliqué ci-après de façon plus complète. Dans la structure considérée ici, on désire que les zones d'isolation en oxyde attei- gnent finalement la couche épitaxiale 13, et on forme les cavités avec une profondeur suffisante pour parvenir à ce but, en utilisant un temps d'attaque suffisant pour la formation des cavités. Comme il est indiqué sur la figure 3, le silicium à nu se trouvant dans la cavité est revêtu, au moyen d'une opération de croissance d'oxyde thermique à sec, d'une couche mince 23 de dioxyde de silicium, ayant une épaisseur caractéristique d'environ 10 nm pour une région d'isolation en oxyde 29 (figure 5) qui doit avoir environ 1000 nm d'épaisseur. Il est préférable que cette couche d'oxyde 23 recouvre la totalité des parties correspondant à la paroi latérale de la région de cavité 22, afin qu'au cours de la croissance ultérieure de la région d'isolation en oxyde, il ne se produise simultanément qu'une croissance d'oxyde limitée, avec la légère con- tribution apportée par la couche d'oxyde mince 23, à partir des parois latérales de la région d'isolation en oxyde, sous le masque de nitrure 24 (figure 4). Ensuite, comme il est également indiqué sur la figure 3, la totalité de la face supérieure de la tranche de semiconducteur est soumise à une opération de dépôt pour former une pellicule mince 24' de nitrure de silicium. Une technique commode et bien connue pour déposer du nitrure de silicium (couche 15 ou 24') est constituée par le dépôt chimique en phase vapeur, utilisant la réaction à une température élevée d'hydrure de silicium et d'ammoniac. Un exemple de procédé pour le dépôt chimique en phase vapeur de nitrure de silicium utilise la réaction pyrolytique de silane (SiH4) circulant avec un débit de 17 cm /mn et d'ammoniac (Nil3) circulant avec un débit de 3 1/mn, dans un gaz porteur tel que de l'azote, à une température dans la plage d'environ 6000C à 850'C. La vitesse de dépôt est de façon caractéristique de 20 nm/mn. L'épaisseur choisie pour la pellicule de nitrure 24' est liée directement à la durée du traitement d'oxydation, et donc indi- rectement à la profondeur finale de la région d'isolation en oxyde. Les parties de la pellicule de nitrure 24 (figure 4) qui masquent les parois latérales de la cavité, particulièrement à l'extrémité supé- rieure, au niveau de la surface du dispositif, ne doivent pas être consommées pendant le traitement suivant de croissance d'oxyde de la région d'isolation. Plus précisément, on a constaté que pour une région d'isolation en oxyde ayant une profondeur finale d'un micron (1000 nm), une pellicule de nitrure 24' d'une épaisseur d'environ 50 ni est satisfaisante; pour une profondeur d'oxyde d'isolation de 2 microns, une épaisseur de pellicule de nitrure d'environ 80 nm est satisfaisante. Comme le montrent les flèches 25 portées sur la figure 4, pour enlever le nitrure de silicium non désiré, on soumet ensuite la surface de la tranche à une opération d'attaque anisotrope, en ligne droite, par bombardement, comme par exemple un bombardement avec un faisceau parallèle d'ions argon. On entend par attaque"en ligne droite" le fait que les seules parties enlevées sont les parties supérieures 26 et les parties inférieures 27 de la couche de nitrure 24' qui sont exposées aux lignes(verticales) 25 de la direction de bombardement, tandis que les parties 24 qui se trouvent dans l'ombre projetée par le surplomb des couches 14 et 15 ne sont pas enlevées. On peut par exemple utiliser de l'argon à une pression d'environ microns de Hg, avec de l'oxygène dans une proportion allant jusqu'à environ 20 %, pour passiver tout aluminium provenant des électrodes ou des parois latérales de l'enceinte, dans une décharge ayant une chute de tension d'espace sombre d'environ 2kv- avec un niveau de densité de puissance d'environ l W,/cm2 et une fréquence HF d'environ 13,56 M11z. Dans un autre traitement possible, non préféré, pour enlever le nitrure de silicium non désiré, on soumet la surface de la tranche à une implantation ionique en ligne droite avec un faisceau parallèle d'atomes d'oxygène. Cette implantation est une implantation peu profonde avec une énergie r lat vemeAt basse qui est destinée à l l e ne ÒSe u-Env'ron 17 2 n'affecter que la pellicule de surface 24 x atomes/cm à environ 15 keV produit une concentration d'oxygène d'environ 10 % dans la couche de nitrure exposée. La pénétration estimée de l'oxygène est de 250 nm. En particulier, en plus de l'implantation d'oxygène dans la pellicule 24' à la surface supérieure de la tranche, le trai- tement n'implante effectivement de l'oxygène que dans la partie de pellicule 27 correspondant à la surface inférieure et dans la partie de pellicule 26 correspondant à la surface supérieure et il n'a aucune action sur les parties de pellicule 24 correspondant à la paroi latérale, qui sont protégées par le surplomb résultant du masque oxyde-nitrure. Les parties de la couche de nitrure qui sont ainsi exposées et implantées avec de l'oxygène sont enlevées par bombarde- ment jusqu'à une profondeur d'environ 20 à 250 nm. Le nitrure restant est ainsi converti en une matière consistant en oxynitrure de silicium, qui n'empêche pas l'oxydation thermique mais qui, sous l'effet du traitement thermique, s'oxyde approximativement à la même vitesse que le silicium sous-jacent. On soumet ensuite la tranche 10 à un traitement d'oxyda- tion thermique qui peut être accompli de diverses manières, de façon caractéristique à des températures comprises dans la plage de 9000C à 1100'C, en présence d'une atmosphère oxydante telle que de la vapeur d'eau ou de l'oxygène pur, ou les deux. On a également constaté qu'il était avantageux dans certaines situations d'effectuer cette oxydation thermique à une pression élevée qui accélère le traitement et qui permet ainsi d'utiliser des températures plus basses. Le silicium adjacent à la cavité est ainsi converti en un oxyde, en partant ini- tialement de la surface de fond de la cavité et en progressant vers le haut et vers les côtés, au fur et à mesure que le silicium qui se trouve sous la couche d'oxyde 23, le long des parois latérales de la cavité 22 s'oxyde lui aussi lentement. On prolonge cette croissance d'oxyde thermique dans la région de cavité 22 jusqu'à ce que l'oxyde résultant qui est formé dans la cavité atteigne une épaisseur d'envi- ron 1120 nm, dans l'exemple considéré dans lequel on désire une épais- seur finale d'oxyde d'isolation de 10O3 nm. Conformément à l'inven- tion, la couche de dioxyde de silicium 23 conduit finalement à la formation d'une couche d'oxyde 29 (figure 5) plus lisse et plus plane que ce serait le cas en son absence. On pense qu'au lieu de masquer complètement les parois latérales, les couches 23 et 24 permettent une croissance d'oxyde définie à partir des parois latérales qui conduit à la planéité de la surface. Une couche 23 relativement plus épaisse conduit généralement à une croissance d'oxyde plus importante à partir de la paroi latérale. Du fait que l'oxyde de cavité résultant qu'on a fait croître a tendance à s'étendre latéralement de façon indésirable dans des zones correspondant à des transistors futurs, il est souhaitable d'enlever cet oxyde "excédentaire" de la cavité sur les bords latéraux de la région de cavité. De façon caractéristique, une attaque d'envi- ron 115 nm de l'oxyde de surface assure cet enlèvement de l'oxyde excédentaire de la cavité. On obtient commodément une surface supé- rieure globale pratiquement plane (figure 5), formée conjointement par la surface supérieure de l'oxyde restant de la cavité et par la surface supérieure complémentaire de la couche épitaxiale 13, en enle- vant par des attaques successives la couche de dioxyde de silicium 16, la couche de nitrure 15, la couche de dioxyde de silicium 14, et une épaisseur appropriée de l'oxyde de cavité (c'est-à-dire qu'on procède à l'enlèvement de tout l'oxyde "excédentaire"). Plus précisément, on peut enlever la couche de nitrure 15 par attaque avec de l'acide phosphorique chaud (160 à 1800C); et on peut ensuite enlever la cou- che de dioxyde de silicium 14 par attaque avec de l'acide fluor- hydrique en solution tamponnée, qui attaque alors également l'oxyde excédentaire de la cavité. A titre d'exemple, l'enlèvement de la couche de nitrure avec de l'acide phosphorique chaud entratne également l'enlèvement simultané d'oxyde de silicium dans la région de la cavité, à la vitesse de 0,5 nm par minute de temps d'attaque. De façon caracté- ristique, 15 nm de ce dioxyde de silicium sont ainsi enlevés au total par l'acide phosphorique pendant un temps d'attaque de 30 minutes, pour l'enlèvement de 150 nm de nitrure de silicium.Ensuite, l'enlèvement de la couche de dioxyde de silicium 14 avec l'acide fluorhydrique pendant un temps d'attaque de 30 secondes enlève également 50 nm au sommet de l'oxyde de la cavité. Finalement, une durée d'attaque supplémentaire de 30 secondes avec de l'acide fluor- hydrique enlève 50 mn supplémentaires d'oxyde de la cavité. Ainsi, pour un oxyde d'isolation d'une épaisseur de 1000 nm dans la région de la cavité, la profondeur de la cavité doit être de 1000 - 0,44 x (1000 + 115) = 509,4 nm pour obtenir une topographie d'ensemble plane. Comme il est indiqué sur la figure 5, on forme ainsi une région d'isolation en oxyde 29 ayant une profondeur qui atteint au moins la frontière 12 de la couche épitaxiale 13 et qui a une surface supérieure pratiquement plane, grâce à la combinaison du volume réduit résultant d'oxyde de silicium produit à partir des parties masquées correspondant aux parois latérales de la cavité, et de l'attaque ultérieurede l'oxyde excédentaire de la cavité. On vient de décrire l'invention en considérant un mode de réalisation particulier, mais on peut lui apporter de nombreuses modifications, sans sortir du cadre de l'invention. Par exemple, outre les techniques de bombardement ionique avec réaction ou d'implantation d'oxygène décrites ci-dessus pour agir sélectivement sur le masque de nitrure de silicium 23, on peut utiliser d'autres techniques d'attaque par bombardement et par plasma qui ont un effet rectiligne lorsqu'elles sont utilisées à des pressions relativement basses, pour enlever la pellicule de masquage au fond des cavités. On peut également concevoir d'autres techniques d'enlèvement sélec- tif capables d'arriver au même but et permettant à l'homme de l'art de mettre en oeuvre le principe fondamental de l'invention, à savoir la croissance réduite d'oxyde à partir des parois latérales de la cavité dans laquelle on forme la région d'isolation. En outre, l'épaisseur de la couche de dioxyde de silicium 23, utile à la mise en oeuvre de l'invention, peut habituellement être comprise dans la plage allant d'environ 5 nm à environ 30 nn, ou davantage, en fonction de l'épaisseur désirée de la région de cavité 22. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication de circuits à semiconducteur dans un corps de silicium semiconducteur (10), comprenant l'opération qui consiste à former une région d'isolation en oxyde (29) par croissance d'oxyde thermique dans une région de cavité (22) dans le corps (10), alors que la vitesse de cette croissance sur une paroi latérale de la région de cavité (22) est réduite par un masque (24) placé sur la paroi latérale, en comparaison de la vitesse de croissance au fond de la région de cavité (22), caractérisé en ce qu'on revêt la paroi latérale d'une couche de dioxyde de silicium (23), par croissance thermique,avant d'effectuer la croissance thermique dans la région de cavité (22), et le masque recouvre la couche de dioxyde de silicium. 2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'on forme la région de cavité par attaque pratiquement isotrope d'une partie restreinte d'une surface du corps (10) qui est pratiquement plane à l'origine. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche de dioxyde de silicium (23) est comprise dans la plage d'environ 5 à 30 nm, et en ce que le masque (24) consiste en une couche de nitrure de silicium qui couvre la totalité de la paroi latérale de la région de cavité (22). 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche de dioxyde de silicium (23) est d'environ nm et en ce que le masque (24) est une couche de nitrure de sili- cium ayant une épaisseur comprise dans la plage d'environ 120 à 250 nm. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche de nitrure de silicium est d'environ 150 à nm. 6. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la totalité de la surface de la région de cavité (22) est couverte de dioxyde de silicium et d'une matière de masquage, ces deux couches étant pratiquement enlevées de partout sauf au niveau de ladite paroi latérale, pour former le masque (24) recouvrant la couche de dioxyde de silicium (23). 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'enlèvement comprend l'opération qui consiste à effectuer une attaque ionique de la matière de la couche de masquage au fond de la cavité, en utilisant une couche en surplomb sur les bords de la région de cavité (22) en tant que masque portant une ombre qui s'oppose à l'at- taque ionique. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'attaque ionique est une attaque ionique réactive.