Brevet FR2482785A1 — publié le 19811120

Dispositif de mémorisation à semi-conducteurs. La présente invention concerne les dispositifs de mémorisation, et plus particulierement les dispositif s de mémorisation a semi-conducteurs qui gardent l'infor mation enregistrée lorsque la source de tension d'alimentation est débranchée Ces dispositifs sont essentiellement utilisés dans les matrices des mémoires des moyens de calcul et peuvent être utilisés dans les blocs de mémoire morte des systèmes automatiques et de télémécanique, dans la technique des moyens de télécommunication, dans la construction des appareils et instruâTients de contrôle et de mesure, dans les dispositifs électroniques d'automobile et dans les appareils radio-électriques et électro-me- nagers. Le problème de la création de dispositifs de mémorisation à semi-conducteurs indépendants du point de vue énergétique qui gardent l'information enregistrée lorsque la tension d'alimentation est coupée durant un temps prolongé est à l'heure actuelle l'un des problè- mes les plus importants de la micro-électronique. Le rôle des dispositifs de ce type ne peut que croltre à l'avenir. Il existe plusieurs procédés permettant d'aborder ce problème. On exploite pour la création des éléments des dispositifs de mémorisation à semi-conducteurs différents phénomènes physiques. Les dispositifs les plus répandus à l'heure actuelle sont ceux du type métal-nitrure-oxyde-semi-conducteur (MONOS) exploitant l'effet de séparation spatiale et de capture des porteurs de charge aux niveaux énergétiques profonds à l'aide de pièges sur le plan de séparation et dans le volume de la double couche diélectrique d'un transistor à effet de champ à couches minces. Pourtant, leur technologie complexe, les grandes tensions de la source d'alimenta tion nécessaire à l'enregistrement de l'information et la grande durée de lecture de l'information, carac téristiques pour de tels éléments, rendent difficile leur développement. il est très difficile d'obtenir une bonne compatibilité de la technologie de fabrication des circuits intégrés au silicium et des mémoires utilisant les semi-conducteurs vitreux. Les valeurs relativement grandes de l'énergie pour le réenregistrement et la durée de vie faible des éléments de mémoire à base de transfert de masse limitent également le domaine de leur utilisation possible. Plus prometteuse est l'exploitation de l'effet de commutation et de "mémoire" en hétérostructures. Pourtant, bien que le nombre de combinaisons testées des matériaux semi-conducteurs soit assez grand, à l'heure actuelle, on ne voit pas de possibilités de construire des dispositifs de mémorisation à semi-conducteurs rapides et programmables de grande capacité en utilisant ce type d'éléments par suite de l'incompatibilité de la technologie de leur fabrication avec la technologie des circuits intégrés au silicium. Il existe un dispositif de mémorisation à semiconducteurs (cf, par exemple, "Advance in Electronics and Electron Physics", Academic Press, New-York, San Francisco, London, 1972, v. 41, pp. 254-255) qui comporte un semi-conducteur vitreux placé entre des électrodes métalliques. Lors du branchement du dispositif de mémorisation sur une source de tension, un courant électrique circule dans le circuit constitué par le dispositif de mémorisation et la source de tension. Lorsque se trouve atteinte la valeur de tension de seuil, l'impédance de l'intervalle inter-électrode diminue par bond et cette nouvelle valeur de l'impédance se maintient relativement longtemps après le débranchement de la source de tension. Ainsi, le dispositif garde l'information enregistrée au débranchement de la source de tension d'alimentation. Si l'on continue à augmenter la tension jusqu'à une deuxième valeur de seuil, l'impédance de l'intervalle interélectrode croit par bond, c'est-à-dire que se produit la commutation du dispositif de mémorisation de ltétat de basse impédance à l'état de haute impédance.Les valeurs desdites tensions de seuil ont une dispersion statistique caractéristique pour les processus exothermiques. Dans ce cas, la dispersion statistique se manifeste tant pour un seul élément qu'entre les éléments d'un groupe placé sur un meme support. C'est pourquoi les tensions de commande formées par des circuits de commande spéciaux ont de grandes valeurs d'amplitudes calculées en prévision des écarts maximaux des tensions de seuil. Ceci implique notablement le circuit de commande. En outre, la grande puissance consommée pour le réenregistrement, pour le chauffage et la formation du cordon de courant, limite le domaine d'utilisation desdits. dispositifs de mémorisation.La dissipation de la chaleur dégagée exi- ge un temps considérable, ce qui entraine, à son tour, une basse fréquence de réenregis#trement et constitue un obstacle pour l'utilisation dans les systèmes rapides. Vu la circulation des grands courants, la zone active du dispositif se dégrade progressivement et la durée de son service est raccourcie. Il existe également un dispositif de mémorisation à semi-conducteurs (cf, par exemple, l'article "Effet de commutation et mémoires à structure métal-siliciummétal" par Panfilov B.A., Ogrin Ju. FI, Elinson M.I. dans la revue "Microélectronique", 1975, v 4, fasci- cule 4, pp. 366 à 368) qui comporte un monocristal de silicium sous la forme d'une lame sur laquelle sont portées de deux côtes des électrodes métalliques. Le principe du fonctionnement d'un tel dispositif est basé sur l'effet de transfert de masse du matériau des électrodes. Lors du branchement du dispositif de mémorisation sur une source de tension, un courant électrique circule dans le circuit constitué par ce dispositif et la source de tension. Avec l'augmentation de l'intensité du courant circulant dans le dispositif de mémorisation, on observe le chauffage du silicium, l'apparition d'un cordon de courant électrique, la fusion du matériau d'électrode et sa mise sur l'électrode opposée à travers la couche du silicium. Pour réaliser le passage de l'état à basse impédance à l'état à haute impédance, il faut changer la polarité de la tension appliquée. Alors, lorsque l'intensité du courant. atteint une certaine valeur de seuil, on observe un passage par bond inverse de l'état à basse impédance dans l'état à haute impédance. Ce dispositif de mémorisation consomme une grande quantité d'énergie de la source de tension au réenregistrement de l'information. Ceci est lié à de grandes dépenses énergétiques pour le chauffage du matériau de l'intervalle interélectrode et pour la formation du cor dôn de courant. L'irrégularité de ces processus entraine une dispersion notable des valeurs de seuil du cou rant lors de l'enregistrement de l'information dans le dispositif de mémorisation. La pénétration du métal d'électrode dans le matériau de l'intervalle interélectrode à la mise en circuit du dispositif de mémorisation entraine une accumulation irréversible du métal dans le matériau de l'intervalle interélectrode et, en définitive, la mise du dispositif de mémorisation hors de service. C'est pourquoi le domaine d'utilisation dudit dispositif est très limité. Il existe un dispositif de mémorisation à semiconducteurs qui comporte une couche de semi-conducteur dégénéré et une couche de semi-conducteur non dégénéré avec pièges dans la bande interdite et à type de con duction inverse du type de conduction du semi-conducteur dégénéré, ainsi que deux contacts ohmiques dont un est disposé sur la couche de semi-conducteur dégénéré (voir par exemple le brevet Grande-Bretagne n0 1 300 528Do Le deuxième contact ohmique est disposé sur la couche de semi-conducteur non dégénéré Le dispositif de mémorisation possède un état stable à basse inpédance et un état stable à haute impédance L'état enregistré est gardé lorsque la source de tension d'alimentation est débranchée La préservation de l'état enregistré à basse impédance est assurée par le vidage des pièges profonds dans la bande interdite du semi-conducteur non dégénéré et à la frontière de l'hétérojonction Comme l'état des pièges le plus stable du point de vue énergie correspond à leur remplissage par les électrons, le temps de stockage de l'information par le dispositif de mémorisation est faible par suite de l'absence de limiteur du courant d'électrons depuis les contacts ohmiques dans la couche du semi-conducteur non dégénéré Chaque hétérojonction est caractérisée par une grande quantité d'états énergétiques à la frontière de séparation des deux matériaux qui forment cette hétérojonction. Le spectre énergétique de ces états est différent tant pour les différents éléments sur un support que pour les différents supports d'un lot La densité de ces états est également variable.C'est pourquoi les conditions de passage du courant électrique par la frontière de séparation de deux matériaux sont différentes. Par conséquent, le mécanisme de remplissage des pièges qui assurent la "mémorisation" est différent tant pour les éléments sur un support que pour les supports d'un lot. Ceci entraine une instabilité des paramètres de commutation du dispositif de mémorisation, des anomalies et une diminution de la fiabilité de stockage de l'information. L'invention vise à fournir un dispositif de mémo risation à semi-conducteurs dans lequel la création des conditions interdisant le passage des porteurs de charge permet d'augmenter le temps de stockage de l1in- formation enregistrée et le rapport des impédances des états branché et débranché et de réduire la dispersion statistique des paramètres de commutation. Le problème posé est résolu a l'aide d'un dispositif de mémorisation à semi-conducteurs qui comporte une couche de semi-conducteur dégénéré et une couche de semi-conducteur non dégénéré avec pièges dans la bande interdite, ainsi que deux contacts ohmiques dont un est disposé sur la couche de semi-conducteur dégénéré, ledit dispositif de mémorisation étant, conformément à l'invention, caractérisé en ce qu'il présente une couche de diélectrique à transparence par effet tunnel disposée entre les couches de semi-conducteurs dégénéré et non dégénéré, ainsi qu'une couche de matériau formant une barrière de potentiel avec la couche de semi-conducteur non dégénéré et interdisant, en coopération avec la couche de diélectrique à transparence par effet tunnel, la pénétration des porteurs de charge depuis la couche de semi-conducteur dégénéré et depuis le deuxième contact ohmique dans la couche de semi-conducteur non dégénéré avec pièges, le deuxième contact ohmique étant disposé sur la couche formant la barrière de potentiel avec la couche de semi-conducteur non dégénéré. Il est avantageux d'utiliser en tant que matériau formant la barrière de potentiel un métal dont le travail d'extraction est supérieur au travail d'extraction du semi-conducteur non dégénéré. Il est avantageux également d'utiliser en tant que matériau formant la barrière de potentiel un semi-conducteur non dégénéré tel que le silicium polycristallin a-Si, 11 oxyde d'étain ou l'oxyde de zinc, le type de conduction du semi-conducteur non dégénéré coïncidant avec le type de conduction du semi-conducteur dégénéré qui est le silicium, le germanium ou l'arséniure de gallium. il est avantageux aussi d'utiliser en tant que diélectrique à transparence par effet tunnel le bioxyde de silicium, l'oxyde de germanium ou l'oxyde d'aluminium. L'utilisation d'un tel dispositif de mémorisation à semi-conducteurs permet d'augmenter le temps de stockage de l'information enregistrée de 104 fois. Ceci devient possible grâce à l'introduction dans la structure du dispositif de mémorisation à semi-conducteurs d'une couche de matériau formant la barrière de potentiel avec la couche de semi-conducteur non dégénéré, ainsi qu'à l'introduction d'une couche de diélectrique à transparenoe par effet tunnel disposée entre les couches de semi-conducteurs dégénéré et non dégénéré. En ce cas, le rapport d'impédances entre les états branché et débranché du dispositif de mémorisation à semi-conducteurs augmente de 100 fois. Par suite de la stabilisation des processus de transfert de masse, la dispersion statistique des paramètres de commutation diminue jusqu'à quelques unités pour cent. L'invention ressortira Dlus clairement de la description suivante de variantes concrètes de son exécution schématisées sur les dessins annexés où - la figure 1 représente un dispositif de mémorisation à semi-conducteurs (couse transversale), selon l'invention - la figure 2 représente une caractéristique courant-tension-impédance de ce dispositif la figure 3 représente un diagramme des énergies dudit dispositif. Le dispositif de mémorisation à semi-conducteurs comporte une couche de semi-conducteur dégénéré 1 (figure 1) et une couche de semi-conducteur non dégénéré 2 avec pièges dans la bande interdite. Le type de conduction du semi-conducteur dégénéré est inverse du type de conduction du semi-conducteur non dégénéré. Sur la couche de semi-conducteur dégénéré 1 est portée une couche de métal servant de premier contact ohmique 3 au dispositif de mémorisation. Le dispositif de mémorisation comporte une couche 4 de diélectrique à transparence par effet tunnel placée entre les couches 1, 2 de semi-conducteurs dégénéré et non dégénéré. L'introduction de la couche 4 de diélectrique à transparence par effet tunnel permet de multiplier plusieurs fois le temps de stockage de l'information enregistrée par diminution du courant de porteurs de charge, par exemple d'électrons, depuis la couche de semi-conducteur dégénéré 1 à la couche de semi-conducteur non dégénéré 2 par suite d'une transparence limitée du diélectrique pour ses porteurs de charge Le dispositif comporte une couche 5 de matériau formant une barrière de potentiel avec la couche de semi-conducteur non dégénéré 2. Sur la couche de métal 5 est portée une couche de métal servant de second con tact#ohmique 6 au#dispositif de mémorisation. La couche 5 deS matériau formant la barrière de potentiel assure le barrage à la pénétration des porteurs de charge, par exemple des électrons, depuis le second contact ohmique 6 à la couche de semi-conducteur non dégénéré 2 En tant que matériau formant la barrière de potentiel, on utilise un métal dont le travail d'extraction est supérieur au travail d'extraction du semi-conducteur non dégénéré. On peut utiliser tout métal formant avec la couche 2 de semi-conducteur non dégénéré une barrière métallique.Ce sont : l'or, l'argent, le nickel, le chrome, le cuivre, l'indium, le tungstène, le molybdène, l'aluminium, le platine, le zinc, le palladium, le bismuth, le niobium, Une variante est possible lorsqu'en tant que matériau formant la barrière de potentiel, on utilise un conducteur non dégénéré sous la forme de silicium polycristallin a-Si, d'oxyde d'étain ou d'oxyde de zinc. Dans ce cas, le type de conduction du semi-conducteur non dégénéré coïncide avec le type de conduction du semi-conducteur dégénéré. En tant que semi-conducteur dégénéré, on utilise le silicium, le germanium ou l'arséniure de gallium En tant que diélectrique à transparence par effet tunnel, on utilise le bioxyde de silicium, l'oxyde de germanium ou l'oxyde d'aluminium. L'enregistrement de l'information dans le disposée tif de mémorisation à semi-conducteurs se fait de la façon suivante. Pour expliquer l'enregistrement, on précise qu'on a utilisé un dispositif de mémorisation à semi-conducteurs dans lequel la couche de semi-conducteur dégénéré 1 a une conduction par trous, la couche de semi-conducteur non dégénéré 2, une conduction par électrons avec pièges dans la bande interdite, alors que la couche 5 est en métal formant avec la couche de semi-conducteur non dégénéré 2 un contact de Schottky. Le dispositif de mémorisation est caractérisé par deux états stables d'impédance. L'état débranché du dispositif de mémorisation à semi-conducteurs correspond à une haute impédance. Cet état est considéré comme "O" logique ; il lui correspond les branches I et III (figure 2) de la caractéristique courant-tensior. L'état branché du dispositif de mémorisation à semiconducteurs correspond à une impédance basse. Cet état est considéré comme "1" logique , il lui correspond les branches Il et IV de la caractéristique courant-tension. Lors de l'application sur le second contact ohmique 6 (figure 1) d'une tension de polarisation positive par rapport au premier contact ohmique 3 dont la valeur est égale à une certaine tension de seuil appelée ten sion V1 de branchement (figure 2), on observe un changement par bond de la valeur d'impédance, c'est-à-dire le passage de l'état à haute impédance à l'état à basse impédance, ou, ce qui est la même chose, l'enregistrement dans le dispositif de mémorisation d'une unité logique "1" Ceci correspond au passage de la branche I à la branche Il de la caractéristique courant-tension. Lors de l'application sur le second contact ohmique 6 (figure 1) d'une tension de polarisation négative par rapport au premier contact ohmique 3 dont la valeur est égale à une certaine tension de seuil appelée tension V2 de débranchement (figure 2), on observe un changement par bond inverse de la valeur d'impédance du dispositif de mémorisation, c'est-à-dire le passage de l'état à basse impédance à l'état à haute impédance, ou, ce qui est la même chose, l'enregistrement dans le dispositif de mémorisation d'un zéro logique "O". Ceci correspond au passage de la branche IV à la branche III de la- caractéristique courant-tension. Les processus décrits se réalisent sans "formage" préalable. Par "formage", on entend une action quelconque sur le dispositif de mémorisation à semi-conducteurs, par exemple, l'application d'une certaine tension de polarisation supérieure à la tension de seuil de branchement qui entraine la commutation du dispositif de mémorisation ou de la "mémoire". Ceci permet de simplifier notablement le circuit de commande du dispositif. Le diagramme des énergies du dispositif de mémorisation à semi-conducteurs proposé, dans l'état débranché sans polarisation, est caractérisé par les paramè- tres suivants : EC1 (figure 3) est le niveau inférieur de la bande de conduction du semi-conducteur dégénéré Ec4 est le niveau inférieur de la bande de conduction du diélectrique transparent par effet tunnel ;; EC2 est le niveau inférieur de la bande de conduction du semiconducteur non dégénéré , EVI est le niveau supérieur de la bande de valence du semi-conducteur dégénéré EV4 est le niveau supérieur de la bande de valence du diélectrique à transparence par effet tunnel , EV2 est le niveau limite supérieur de la bande de valence du semi-conducteur non dégénéré ;EF est le niveau de Fermi ;Et est le niveau de piégeage de porteurs de charge Lors de l'application sur le dispositif de mémorisation des tensions positives de polarisation inférieures à la tension de seuil V1 par rapport au semi-conducteur dégénéré, le courant traversant le dispositif de mémorisation n'est déterminé que par le courant d'électrons, porteurs de charges minoritaires, depuis la couche 1 du#semi-conducteur dégénéré. Comme la valeur de ce courant est faible, le còurant traversant le dispositif est également faible. Par conséquent, le dispositif de mémorisation possède une haute impédance et garde l'état de zéro logique "O". Lors de l'application sur le dispositif de mémori-- sation des tensions négatives de polarisation inférieures à la tension de seuil V2, le courant traversant le dispositif de mémorisation n'est déterminé que par le courant de contact de Schottky à-polarisation inverse. Comme ce courant est également faible, le courant traversant le dispositif a aussi une valeur faible. Par conséquent, le dispositif de mémorisation possède une haute impédance et garde l'état de zéro logique "O". Ainsi, dans l'état débranché, la haute impédance est expliquée par de très faibles courants de porteurs de charges minoritaires tant pour la tension de polarisation positive que négative. Donc, la présence d'une barrière de potentiel entre la couche 2 de semi-conducteur non dégénéré et le contact ohmique 6 entraine la diminution du courant traversant le dispositif de mémo risation et l'augmentation de l'imnédance dans l'état débranché. La présence de la couche 4 de diélectrique à transparence par effet tunnel entre les couches 1 et 2 de semi-conducteur dégénéré et non dégénéré entraine, par suite de sa transparence limitée pour les porteurs de charges, la diminution de la valeur du courant traversant le dispositif et l'augmentation de l'impédance dans ltétat débranché.Ceci permet d'augmenter le temps de stockage de l'information enregistrée de 104 fois par rapport aux dispositifs de mémorisation connus. Examinons l'enregistrement dans le dispositif de mémorisation d'une unité logique "1". Lors de l'accroissement de la polarisation positive par rapport à la couche 1 de semi-conducteur dégénéré apparat un moment où se manifeste l'effet tunnel depuis la bande de valence Eyl de la couche 1 de semi-conducteur dégénéré à la couche 2 de semi-conducteur non dégénéré, ce qui entraine une croissance du courant traversant le dispositif de mémorisation. Comme, à la frontière avec la couche de semi-conducteur non dégénéré existe une barrière de potentiel (EC2 - EF) de contact de Schottky due à la. couche 5, ce ne sont pas tous les électrons qui participent au courant traversant le dispositif. Un#partie d'électrons est retenue par cette barrière et compense la charge spatiale positive du contact de Schottky. Lors de l'accroissement plus grand de la tension positive de polarisation, il se manifeste l'effet de tunnel pour les électrons de la bande de valence EV de semi-conducteur non dégénéré dans la couche 5 de métal. Par suite de ce phénomène, dans la bande de valence du semi-conducteur non dégénéré apparaissent des trous qui se déplacent vers le semi-conducteur dégénéré. A cause de la présence d'une barrière de potentiel (EV4 - EV2) pour les trous à la frontière de la couche 4 de diélectrique à transparence par effet tunnel et de la couche 2 de semi-conducteur non dégénéré, on observe l'accumulation des trous.En ce cas, croit notablement la probabilité de recombinaison des trous avec les électrons pris dans les pièges de la bande interdite Et de semi-conducteur non dégénérée Dans l'état débranché, tous les pièges sont remplis et ont la charge égale à zéro Ainsi, par recombinaison se produit le vidage des pièges des électrons dans le domaine adjacent à la couche 4 de diélectrique à transparence par effet tunnel du côté du semi-conducteur non dégénéré Ceci équi vaut à l'amplification du champ électrique dans la couche 4 de diélectrique à transparence à effet tunnel L'amplification du champ électrique dans le diélectrique entraine l'augmentation respective du courant d'électrons par effet tunnel depuis la bande de valence EVL du semi-conducteur dégénéré dans le semi-conducteur non dégénéré.Par conséquent, augmente le courant d'électrons dans la bande de conduction Ecz du semiconducteur non dégénéré. La conséquence est une compensation encore plus poussée de la valeur de la barrière de potentiel dans la région adjacente à la couche 5 de métal et l'accroissement de la transparence par effet tunnel pour les électrons passant de la bande de valence EV2 du semi-conducteur non dégénéré dans la couche 5 de métal.Il se produit alors la croissance de la concentration des trous dans la bande de valence EV2 du semiconducteur non dégénéré, leurs captures par les pièges et leur recombinaison avec les électrons, l'amplification du champ près du diélectrique à transparence par effet tunnel, la croissance du passage par tunnel dans cette zone, c'est-à-dire qu'il apparait une réaction et que se réalise un passage par bond dans l'état à basse impédance. Par conséquent, dans le dispositif de mémorisation se trouve enregistrée une unité logique "1". Lors de la suppression de la tension de polarisa tion positive par rapport au semi-conducteur dégénéré, il y a la reconstruction de la barrière de potentiel avec le contact de Schottky qui interdit le passage du courant d'électrons depuis le métal dans le semi-conducteur non dégénéré et le remplissage des pièges à électrons vides La charge positive des pièges vides détermine la mémorisation par le dispositif de mémorisation à semi-conducteur de l'état de l'unité logique "1". Maintenant, examinons le processus de débranchement, le retour dans I-état à haute impédance, c'est-àdire l'enregistrement dans le dispositif de mémorisation du zéro logique "O". Ceci se fait lors de l'application sur le contact ohmique 6 d'une tension de polarisation négative par rapport an semi-conducteur dégénéré, inférieure à la tension de seuil V2. En ce cas, de forts courants traversent le dispositif par ce que les pièges vides dans la région adjacente au diélectrique à transparence par effet tunnel maintiennent par sa charge positive une haute transparence par tunnel de cette couche 4 entre la bande de valence EV1 du semiconducteur dégénéré et la bande de conduction EC2 du semi-conducteur non dégénéré.Lors de l'augmentation suivante de la tension de polarisation négative, presque toute la tension appliquée au dispositif de mémorisation s'applique au contact avec la couche de métal 5, ce qui, pour une certaine valeur de tension de polarisation égale à la tension V2, entraine l'apparition d'un tel courant d'électrons que la transparence par tunnel de la barrière de potentiel (EC4 - EC2) entre les semi-conducteurs non dégénéré et dégénéré devient insuffisante pour laisser passer tous les électrons venant depuis la couche de métal 5.Ceci entraine une concentration élevée des électrons dans la bande de conduction du semi-conducteur non dégénéré, ce qui fait augmenter la probabilité de capture des électrons par les pièges et que la charge positive créée par les pièges se réduit La conséquence en est que la transparence par tunnel de la couche 4 de diélectrique à transparence par effet tunnel diminue par suite de l'affaiblissement de son champ électrique. Ceci fait augmenter encore la concentration des électrons dans la bande de conduction EC2 et les pièges seront remplis. Par conséquent, la réaction au moment de débranchement entraine le passage par bond du dispositif de mémorisation dans l'état de départ à haute impédance, c'est-à-dire dans l'état du zéro logique 0". Ainsi, l'avantage principal du dispositif de mémorisation à semi-conducteurs décrit est un temps considérable de stockage de l'était branché en l'absence de la tension de polarisation. Ce temps est défini par la durée de l'état vide des pièges. Les électrons peuvent venir dans les pièges premièrement depuis le contact ohmique, mais ils seront empêchés par la barrière de potentiel (EC2 - EF), et, deuxièmement, de la bande de valence EV1 du semi-conducteur dégénéré, mais la couche 4 de diélectrique à transparence par effet tunnel réduit sensiblement le nombre d'états énergétiques à la frontière des couches l, r 2 de semi-conducteurs dégénéré et non dégénéré et ne permet pas aux électrons de pénétrer par suite de recombinaison à travers ces états dans les pièges de la bande interdite du semi-conducteur non dégénéré. La transparence par effet tunnel limitée du diélectrique réduit également le courant d'électrons la bande de valence EV1 du semi-conducteur dégénéré dans les pièges de la bande interdite Et du semi-conducteur non dégénéré On donne ci-dessous des exemples d'exécution du dispositif de mémorisation à semi-conducteurs. EXEMPLE 1. Sur le contact ohmique 3, il y a la couche 1 de semi-conducteur dégénéré en silicium à conduction p, ensuite, la couche 4 de diélectrique à transparence par effet tunnel en bioxyde de silicium, la couche 2 de semi-conducteur non dégénéré en bioxyde d'étain, à conduction n. La couche 5 de matériau qui forme la barrière de potentiel est en métal, en l'occurrence en molybdène. La durée de stockage de l'information dans ce dispositif de mémorisation est de loto00 h et plus. EXEMPLE 2. Les couches 1 et 4 du dispositif de mémorisation à semi-conducteurs sont réalisées de la meme façon que dans l'exemple 1. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est en oxyde de zinc, à conduction n. En ce cas, en tant que métal pour l'exécution de la couche 5 est utilisé llor. La durée de stockage de l'information dans ce dispositif de mémorisation est de 8000 h et plus. EXEMPLE 3. Les couches 1 et 4 du dispositif de mémorisation à semi-conducteurs sont réalisées de la meme façon que dans 1 exemple 1. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est en oxyde de plomb, à conduction n. En ce cas, en tant que métal pour exécution de la couche 5 est utilisé l'argent La durée de stockage de l'information dans ce dispositif de mémorisation est à peu près de 5000 h. EXEMPLE 4. Les couches 1 et 4 du dispositif de mémorisation à semi-conducteurs sont réalisées de la meme façon que dans l'exemple 1. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est en carbure de silicium SiC, à conduction n. En ce cas, en tant que métal pour exécution de la couche 5 est utilisé le cuivre. La durée de stockage de l'information dans ce dispositif de mémorisation est à peu près de 5000 h. EXEMPLE 5 Les couches 1 et 4 du dispositif de mémorisation à semi-conducteur sont réalisées de la meme façon que dans l'exemple 1. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est réalisée en silicium polycristallin a-Si à conduction n En ce cas, en tant que métal pour l'e- exécution de la couche 5 est utilisé l'aluminium. La durée de stockage de l'information dans ce dispositif de mémorisation est de 3000 ho EXEMPLE 6. Les couches 1 et 4 du dispositif de mémorisation à semi-conducteurs sont réalisées de la même façon que dans l'exemple 9. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est en silicium polycristallin a-Si à conduction n. La couche 5 de matériau formant la barrière de potentiel est en silicium polycristallin a-Si à conduction p. La durée de stockage de l'information enregistrée dans ce dispositif de mémorisation est à peu près de 3000 h. EXEMPLE 7. Les couches 1 et 4 sont réalisées de la meme façon que dans l'exemple le La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est en silicium polycristallin a-Si à conduction p. La couche 5 de matériau formant la barrière de potentiel est en silicium colycristallin a-Si à conduction n. La durée de stockage de l'information enregistrée dans ce dispositif de mémorisation est à peu près de 3000 h. EXEMPLE 8. Les couches 1, 2, 4 sont réalisées de la même fa çon que dans l'exemple 7. La couche 5 de matériau formant la barrière potentielle est en chrome. La durée de stockage de l'information enregistrée dans ce dispositif de mémorisation est à peu près de 3000 h. EXEMPLE 9. Sur le contact ohmique 3 est disposée la couche 1 de semi-conducteur dégénéré en germanium à conduction p, la couche 4 de diélectrique à transparence à effet tunnel est en oxyde de germanium, la couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est en bioxyde d'étain à conduction n. La couche 5 de matériau formant la barrière de potentiel est réalisée en métal. En tant que métal est utilisé le nickel. La durée de stockage de l'information enregistrée dans ce dispositif de mémorisation est de 6000 h. EXEMPLE 10. Les couches 1 et 4 sont réalisées de la même fa çon, que dans l'exemple 9. La couche 2 est réalisée en oxyde de zinc à conduction n. En ce cas, en tant que métal pour l'exécution de la couche 5 est utilisé le platine. La durée de stockage de l'information enregistrée dans ce dispositif de mémorisation est de 6000 h. EXEMPLE 11. Les couches 1 et 4 sont réalisées de la même fa çon que dans l'exemple 9. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est réalisée en oxyde de zinc à conduction n. En ce cas, pour l'exécution de la couche 5, on utilise l'indium. La durée de stockage de l'ínfortation dans ce dispositif de mémorisation est à peu près de 6000 h. EXEMPLE 12. Les couches 1 et 4 sont réalisées de la meme fa çon que dans l'exemple 9. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est réalisée en carbure de silicium SiC à conduction n. En ce cas, pour l'exécution de la couche 5, on utilise l'argent. La durée de stockage de l'information enregistrée dans ce dispositif de mémorisation est de 6000 h. EXEMPLE 13. Les couches 1 et 4 sont réalisées de la meme fa çon que dans ltexem le 9. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est réalisée en silicium polycristallin a-Si à conduction n. En ce cas, pour l'exécution de la couche 5, on utilise le zinc. La durée de stockage de l'information enregistrée dans ce dispositif de mémorisation est de 6000 h. EXEMPLE 14. Sur le contact ohmique sont disposées la couche 1 de semi-conducteur dégénéré en arséniure de gallium à conduction p, ensuite, la couche 4 de diélectrique à transparence par effet tunnel en oxyde d'aluminium, ensuite, la couche 2 de semi-conducteur non dégénéré en oxyde d'étain à conduction n. La couche 5 de matériau formant la barrière de potentiel est réalisée en métal. En ce cas, en tant que métal, on utilise le tungstène. La durée de stockage de l'information dans ce dispositif de mémorisation est de 8000 h. EXEMPLE 15. Les couches l et 4 sont réalisées de la meme façon que dans l'exemple 14. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est réalisée en oxyde de zinc à conduction n. En ce cas, en tant que métal pour l'exécution de la couche 5, on utilise le palladium. La durée de stockage de l'information dans ce dispositif de mémorisation est de 8000 h. EXEMPLE 16. Les couches 1 et 4 sont réalisées de la meme façon que dans l'exemple 14. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est en oxyde de plomb à conduction n. La couche 5 est en bismuth. La durée de stockage de l'information dans ce dispositif de stockage est de 8000 h. EXEMPLE 17. Les couches 1 et 4 sont réalisées de la même fa çon que dans l'exemple 14. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est en carbure de silicium SiC à conduction n. La couche 5 est en cuivre. La durée de stockage de l'information dans ce dispositif de mémorisation est de 8000 h. EXEMPLE 18. Les couches 1 et 4 sont réalisées de la même fa çon que dans l'exemple 14. La couche 2 de semi-conducteur non dégénéré est réalisée en silicium polycris- tallin #-Si à conduction n. La couche 5 est en niobium La durée de stockage 11 information enregistrée dans ce dispositif de mémorisation est de 8000 h. REVENDICATIONS 1. Dispositif de mémorisation à semi-conducteurs qui comporte une couche (1) de semi-conducteur dégénéré et une couche (2) de semi-conducteur non dégénéré avec pièges dans la bande interdite du type de conduction oppose à celui de la couche de semi-conducteur dégénéré, ainsi que deux contacts ohmiques (3, 6) dont un est disposé sur la couche (a) de semi-conducteur dégénéré, caractérisé en ce qu'il y a une couche (4) de diélectrique à transparence par effet tunnel disposée entre les couches (1, 2) de semi-conducteurs dégénéré et non dégénéré, ainsi qu'une couche (5) de matériau formant une barrière de potentiel avec la couche de semi-conducteur non dégénéré (2) et interdisant, en coopération avec la couche de diélectrique (4), la pénétration des porteurs de charge depuis la couche (k) de semi-conducteur dégénéré et depuis le deuxième contact ohmique (6) dans la couche de semi-conducteur non dégénéré (2), le deuxième contact ohmique t6) étant disposé sur la couche (5) formant la barrière de potentiel avec la couche de semi-conducteur non dégénéré (2) 2. Dispositif de mémorisation à semi-conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'en tant que matériau formant la barrière de potentiel est utilisé un métal dont le travail d'extraction est supérieur au travail d'extraction du semi-conducteur non dégénéré. 3. DispositifWde mémorisation à semi-conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'en tant que matériau formant 1t barriere de potentiel est utilisé uu-seml-conducteur non dégénéré, tel que silicium polycristallin a-Si, oxyde d'étain ou oxyde de zinc, le type de conduction du semi-conducteur non dégénéré coïncidant avec le type de conduction du semi-conducteur dégénéré qui est le silicium, le germanium ou l'arséniure de gallium. 4. Dispositif de mémorisation à semi-conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'en tant que diélectrique à transparence par effet tunnel, on utilise le bioxyde de silicium, l'oxyde de germanium ou oxyde d'aluminium.