Brevet FR2480036A1 — publié le 19811009

La présente invention concerne une structure de dispositif semiconducteur à anneau de garde à fonc- tionnement unipolaire et plus particulièrement une telle structure permettant d'améliorer la tenue en tension et en courant d'un dispositif de ce type. De façon générale, dans un dispositif à semi- conducteur de type planar, il est connu que, dans de nombreux cas, il est souhaitable d'entourer la struc- ture d'un composant individuel, éventuellement inséré dans un circuit intégré, d'un anneau de garde pour éli- miner ou réduire les phénomènes parasites liés aux effets de bords des jonctions planar. La figure l représente à titre d'exemple une diode Schottky à anneau de garde. Cette diode comprend, sur un substrat 1 de type N+, une couche épitaxiée 2 de type N. L'effet Schottky se produit à l'interface en- tre une métallisation 3 d'un matériau sélectionné et la couche épitaxiée 2. Un anneau de garde 4 de type P+ obtenu de façon générale par diffusion ou implantation/ diffusion entoure la zone utile de cette diode et est en contact avec la métallisation 3. Les avantages d'une telle structure sont par exemple décrits dans l'article de M.P. Lepselter paru dans the Bell System Technical Journal de février 1968 pages 195 à 208. Il est également rappelé dans cet article qu'une diode Schottky est un dispositif à fonctionnement de type essentiellement unipolaire. L'une des conséquences de ce type de fonctionnement est que la résistance à l'état passant d'un tel dis- positif est une fonction directe de l'épaisseur b de la couche épitaxiée. Ainsi, quand on prévoit un anneau de garde, on est amené à augmenter cette épaisseur b1 donc à augmenter la chute de tension en direct de ce dispositif, c'est-à-dire à augmenter l'échauffement du composant pour des valeurs du courant élevées. Si l'on désigne par a1 la profondeur de l'anneau de garde, on peut donc dire de façon schématique que la chute de tension en direct du dispositif est fonction de l'épais- seur de la couche épitaxiée b1 alors que sa tenue en tension est.fonction de l'épaisseur de la couche épi- taxiée restante sous l'anneau de garde, c'est-à-dire b1 at. Ainsi, pour permettre d'obtenir un dispositif unipolaire, par exemple une diode de Schottky présentant à la fois une bonne tenue en courant direct et une bonne tenue en tension inverse, on est amené à limiter la profondeur de l'anneau de garde. Une telle approche a été réalisée dans la technique antérieure en utili- sant, au lieu d'un anneau de garde unique d'une profon- deur donnée, plusieurs anneaux de garde successifs de profondeur moindre procurant une répartition équiva- lente des lignes de champ. L'inconvénient évident du choix d'une telle structure est qu'elle occupe une sur- face de semiconducteur, couramment du silicium, plus importante. Cet inconvénient est particulièrement gênant dans le cas des circuits intégrés o l'on tend à une miniaturisation aussi grande que possible des dimensions de chaque composant élémentaire. Ainsi, un objet de la présente invention est de prévoir une nouvelle structure du dispositif à. semiconducteur à anneau de garde et à fonctionnement essentiellement unipolaire permettant une améliora- tion simultanée de la tenue en tension inverse et de la chute de tension en direct n'entraînant pas d'augmen- tation des dimensions superficielles d'un composant élémentaire. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un mode de fabrication particulier d'une telle structure qui soit particulièrement simple et économique. Pour atteindre ces objets ainsi que d'autres, la présente invention se base sur l'analyse théorique énoncée ci-dessus des facteurs influant sur la tenue en tension inverse et la tenue en courant direct dans un dispositif à semiconducteur à anneau de garde et a fonctionnement de type essentiellement unipolaire en notant qu'il n'y a en fait pas contradiction entre une réduction de la distance h1 et l'augmentation de la distance b1 - a1, du fait que la distance b - a, qui intervient pour la détermination de la tenue en tension est celle de la couche épitaxiée sous l'anneau de garde alors que la distance b1 qui intervient pour la tenue en courant est l'épaisseur de la couche épitaxiée sous la zone active du composant. Ainsi., l'invention prévoit de laisser une hauteur moins importante de cou- che épitaxiée à. faible niveau de dopage sous la partie active du composant que sous l'anneau de garde. En d'autres termes, la présente invention prévoit un dis- positif à semiconducteur à. fonctionnement essentielle- ment unipolaire formé dans une couche épitaxiée d'un premier type de conductivité déposée sur un substrat du même type de conductivité mais à niveau de dopage plus élevé et entouré d'un anneau de garde d'une profon- deur supérieure à celle des jonctions les plus profondes de ce dispositif, comprenant dans des régions autres que celles sous-jacentes a l'anneau de garde des zones en relief par rapport à l'interface substrat/couche épitaxiée et s'étendant dans cette dernière selon une épaisseur du même ordre de grandeur que la profondeur de l'anneau de garde. La présente invention prévoit également un procé- dë de réalisation d'une telle structure selon lequel, avant l'élaboration de la couche épitaxiée, il est prévu d'implanter dans le substrat, selon une concentration importante, un dopant du même type de conductivité que celui du substrat et celui de la couche épitaxiée, puis de faire diffuser les éléments dopants contenus dans cette couche enterrée en direction de la couche épitaxiée après l'élaboration de celle-ci, et éven- tuellement en même temps que l'étape de pénétration par diffusion de l'anneau de garde. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réa- lisation particuliers, faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1 a été décrite précédemment et est destinée à servir de support à la description de l'état de la technique; la figure 2 illustre une application de la pré- sente invention à la réalisation d'une diode Schottky de puissance à anneau de garde; la figure 3 illustre une application de la présente invention à.la réalisation d'un dispositif à effet de champ à anneau de garde. De façion générale, on notera que, comme cela est classique dans le domaine des semiconducteurs, les figures ne sont pas tracées'à l'échelle et sont forte- ment schématiques, les dimensions latérales ou longitu- dinales de certaines zones ou couches étant dilatées pour mieux faire ressortir certaines caractéristiques des dispositifs considérés. La figure 2 représente une structure de diode Schottky selon la présente invention. Cette diode com- prend, comme cela est illustré en figure 1, un substrat de type N+ revêtu d'une couche épitaxiale 2, une métal- lisation 3 présentant une barrière Schottky avec la couche épitaxiale 2 et un anneau de garde 4 périphérique. Il est bien entendu d'ailleurs que le terme anneau de garde n'implique pas nécessairement que la structure est à géométrie circulaire. Elle peut bien entendu, selon le cas, être de toute configuration polygonale ou digitée. Comme dans le cas précédent, l'épaisseur de la couché épitaxiée est désignée par la valeur b1 et la profondeur de l'anneau de garde par la valeur a1. Dans le cas de la figure 2, l'interface entre la zone 1 à haut niveau de dopage et la couche épitaxiée 2 à plus faible niveau de dopage, au lieu d'être plane présente des remontées dans les parties qui ne sont pas situées sous l'anneau de garde, c'est-à-dire sous la partie active de la diode Schottky. Si l'on désigne par a2 la hauteur dont la couche à haut niveau de dopage pénètre dans la couche 2 à plus faible niveau de dopage, on notera que, maintenant, la tenue en tension inverse est déterminée par la valeur de b- a alors que la chute de tension en direct est déterminée par la valeur de b1 - a2. Ainsi, ces deux paramètres peuvent être réglés de façon sensiblement indépendante. La hauteur dont la zone à plus haut niveau de dopage remonte sous la diode Schottky pourra être choisie du même ordre de grandeur que la profondeur de l'anneau de garde. On pourra par exemple choisir a2 = 0,8 a l La profondeur de l'anneau de garde pourra être choisie sensiblement égale a la moitié de l'épaisseur de la couche épitaxiée, c'est-à-dire b1 # 2al. La distance en projection entre la limite latérale externe de la couche 5 et la limite latérale interne de l'anneau de garde pourra être de l'ordre de grandeur de l'épaisseur de la couche épitaxiée. En tout cas, on évitera soigneusement que la couche 5 se prolonge sous l'anneau de garde 4. Dans une réalisation pratique de diode Schottky, on pourra choisir un substrat de type N + d'une épaisseur de l'ordre de 200 microns et une épaisseur de couche épitaxiée de l'ordre de 5 à 10 microns ce qui fournit un dispositif ayant une tenue en tension inverse de 40 à volts et admettant un courant direct de l'ordre de à 30 ampères/min Parmi les divers procédés de réalisation pos- sibles d'une structure telle que celle illustrée en figure 2, celui qui semble actuellement préférable à la Demanderesse consiste à prévoir les étapes suivantes - implanter dans le substrat 1, de type N dopé par exemple à l'antimoine des atomes de phosphore conférant également le type de conductivité N selon une concentration relativement importante et sensiblement aux emplacements devant être occupés par la couche 5 (en tenant compte de l'extension ultérieure liée à la diffusion); - former la couche épitaxiale 5; - former l'anneau de garde 4, par exemple par implantation ou prédép8t; - procéder è une étape thermique pour obtenir la diffusion simultanée de l'anneau de garde 4 et de la couche implantée dans la couche épitaxiée 2. La largeur d caractérisant la distance latérale entre la zone d'implantation de type N et la zone d'implantation de la couche 4 de type P+ sera choisie par exemple de l'ordre de 2 b 1 La figure 3 représente une autre application de la présente invention pour un dispositif à. fonctionne- ment unipolaire du type transistor à effet de champ. Le transistor à effet de champ particulier représenté est un transistor obtenu par double diffusion et à fonction- nement vertical. Il est élaboré sur un substrat de type N 10 revêtu d'une couche épitaxiale il de type N. Il est d'abord formé dans cette couche épitaxiée des zones de type P 12 correspondant à la zone intermédiaire des transistors à-effet de champ, puis à l'intérieur de ces zones 12, des zones 13 de type N sur lesquelles sont formées des métallisations de source 14. Au-dessus des parties de la zone intermédiaire 12 correspondant aux emplacements o l'on veut former le canal,est déposée une métallisation de grille 15 au-dessus d'une couche mince isolante 16, par exemple de la silice ou du nitrure de silicium. En même temps que la couche intermédiaire 12 est formé un anneau de garde 17. La structure décrite jusqu'à présent est relativement classique et peut s'accomoder de nombreuses variantes. Comme dans le cas de la figure 2, la présente invention vise la formation d'une couche 5 pénétrant d'une hauteur a2 dans la couche épitaxiée 11 de type N, cette couche étant dopée de type N+ avec un fort niveau de concentration de dopant. On désigne comme précédemment par b1 l'épaisseur de la couche épitaxiée et par a1 l1épaisseur maximale de l'an- neau de garde. Le drain du transistor à effet de champ est reptissur la face inférieure du substrat N+ 10 ou bien, comme cela est également classique, ce contact de drain est remonté sur la face supérieure du transis- tor - l1aide de puits. de type N+ non représentés. La prévision de la couche de type 5 permet de régler indé- pendamment la tenue en tension drain-source du transistor à effet de champ qui dépend de la valeur b.1 - a et la résistance de drain qui dépend de la valeur b1 - a2. Comme dans le cas de la figure 2, la couche à niveau de dopage élevé 5 sera de préférence obtenue par implantation initiale d'une couche enterrée dans le subs- trat 10, formation d'une couche épitaxiée, puis diffu- sion vers le haut des dopants enterrés. Dans un cas pratique, si l'on considère un dispositif présentant une épaisseur de couche épitaxiée de l'ordre de 5 à 50 microns, on pourra obtenir une tenue en tension de l'ordre de 60 à 1000 volts permettant de laisser passer un courant drain--source de l'ordre de à 100 ampères, en choisissant bien entendu, de façon convenable, mais classique, les autres paramètres du dispositif. Il convient d'insister sur le fait que deux structures particulières des dispositifs à fonctionnement unipolaire ont été plus spécifiquement décrites en rela- tion avecles figures 2 et 3 mais que la présente ïnven- tion pourra s'appliquer à d'autres types de dispositifs semiconducteurs à fonctionnement unipolaire, tels que des transistors à effet de champ d'autres types que celui représenté, dans lesquels on veut obtenir à la fois une tenue en tension et une tenue en-courant impor- tantes. Il convient également d'insister sur le fait que la couche enterrée prévue dans la présente invention pour des dispositifs à fonctionnement de type unipolaire qui a essentiellement pour rôle de réduire la résistance s'opposant au passage des porteurs majoritaires n'a pas la même fonction que la couche enterrée généralement prévue dans les structures intégrées comprenant des dispositifs de type bipolaire; dans ce cas, la couche enterrée de type opposé à-celui du substrat assure l'isolement des composants bipolaires contenus dans les caissons élémentaires. En effet, dans le cas des dispo- sitifs à fonctionnement bipolaire, qui font intervenir une circulation de porteurs minoritaires et majoritaires, la résistance électrique apparente externe est moins directement liée à l'épaisseur de la couche épitaxiée à faible niveau de dopage, cette résistance étant modu- lée. La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation qui ont-été explicitement décrits. Elle en comporte les diverses variantes et généralisa- tions incluses dans le domaine des revendications ci- après. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur à fonctionnement essentiellement unipolaire formé dans une couche épita- xiee d'un premier type de conductivité déposé sur un substrat du même type de conductivité mais à. niveau de dopage plus élevé, et entouré d'un anneau de garde d'une profondeur supérieure à celle des jonctions les plus profondes de ce dispositif, caractérisé en ce qu'il comprend, dans des régions autres que celles sousjacen- tes à l'anneau de garde (4) des zones (5) en relief par rapport à l'interface substrat-couche épitaxiée, du même type de conductivité que celui du substrat et à fort niveau de dopage, ces zones s'étendant dans la couche épitaxiée selon une épaisseur du même ordre de grandeur que la profondeur de l'anneau de garde. 2. Dispositif selon la revendication 1, caracte- risé en ce qu'il est du type diode Schottky. 3. Dispositif selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'il est du type transistor à effet de champ à fonctionnement vertical. 4. Dispositif selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'il est formé par implantation dans le substrat d'atomes dopants du même type de conductivité que ce substrat, dans les zones non sous-jacentes à l'anneau de garde, formation d'une couche épitaxiée puis diffusion dans la couche épitaxiée des atomes do- pants implantés.