Brevet FR2481324A1 — publié le 19811030

"NACELLE UTILISABLE POUR DES DEPOTS EPITAXIQUES EN PHASE LIQUIDE ET PROCEDE DE DEPOT METTANT EN JEU LADITE NACELLE" La présente invention concerne une nacelle utilisable dans un dispositif de dépôt épitaxique en phase liquide, conçue pour la formation successive de deux couches semiconductrices sur au moins un substrat semiconducteur à partir de deux solutions liquides et dans laquelle on distingue, essentiellement, un socle plan, creusé dans sa partie médiane d'une évidement destiné à recevoir ledit substrat, surmonté d'un chariot plan porteur de deux réservoirs destinés à recevoir chacun l'une des deux solutions liquides, lequel chariot forme, au moins en partie, le fond desdits réservoirs, les réservoirs pouvant être transportés d'une extrémité à lextremit opposée de la nacelle en passant au-dessus dudit évidement, par glissement unidirectionnel dudit chariot sur ledit socle. Linvention concerne les dépôts épitaxiques en général, mais se rappork plus particulièrement aux dépôts de compo sés semiconducteurs 111-V qu'il est difficile d'obtenir selon un mode industriel. La croissance par épitaxie en phase liquide appartient à la technique bien connue. Un appareillage permettant de mettre en oeuvre cette technique est décrit dans le brevet américain nO 3,690,365. L'appareillage décrit dans ce brevet comprend trois éléments essentiels -un réservoir dans lequel est placée la solution liquide, -une premiere plaque plane sur laquelle repose le réservoir et qui forme le fond de celui-ci, -une seconde plaque plane disposée sous la précédente et dans un évidement de laquelle se trouve le sub strat semiconducteur à recouvrir. Les deux plaques sont mobiles par glissement l'une par rapport à l'autre et par rapport au réservoir, suivant une direction définie. a première plaque plane est percée d'une ouverture dont la forme et la section sont sensiblement équivalentes à celles de la base du réservoir et sensiblement équivalentes aussi à celles de l'évidement où se trouve le substrat. Dans un premier temps du processus opératoire, on met en correspondance la base du réservoir, ladite ouverture et ledit évidement. La solution liquide recouvre alors le substrat et remplit l'ouverture. Ensuite, les deux plaques sont glissées solidairement par rapport au réservoir dans ladite direction et dans un sens donné. Le substrat dans son évidement et l'ouverture remplie d'un petit volume de solution liquide sont ainsi éloignés du réservoir qui se trouve dès lors fermé à sa base. C'est à partir du seul petit volume de solution liquide limité latéralement par l'ouverture qu'est effectué ensuite le dépôt de la couche épitaxiale sur le substrat, par le moyen habituel d'une baisse contrôlée de la température. Le procédé selon le brevet américain sus-désigné, consistant à former une couche épitaxiale à partir d'un volume de solution liquide disposé en couche relativement mince au-dessus du substrat, présente l'intérêt -ainsi qu' il est indiqué dans ledit brevet- que la couche obtenue est particulièrement remarquable en ce qui concerne la qualité de son état de surface. Malheureusement, l'appareillage décrit, s'il permet la réalisation simultanée de couches épitaxiales de caractéristiques sensiblement identiques sur plusieurs substrats disposés chacun dans un évidement distinct de la seconde plaque et s'il permet également la réalisation de dépôts multicouches, n'est absolument pas adapté pour une utilisation industrielle. L'appareillage serait alors encombrant et peu commode, et sa mise en oeuvre exigerait des fours présentant de nombreuses zones de chauffe distinctes ; de plus, le processus opératoire est long et délicat. La présente invention vise à mettre à la disposition de l'homme de l'art un appareillage à caractère; industriel, c'est-à-dire simple, de mise en oeuvre aisée, permettant de traiter plusieurs substrats simultanément. Selon l'invention, une nacelle utilisable dans un dispositif de dépôt épitaxique en phase liquide, conçue pour la formation successive de deux couches semiconductrices sur au moins un substrat semiconducteur à partir de deux solutions liquides et dans laquelle on distingue, essentiellement, un socle plan creusé dans sa partie médiane d'un évidement destiné à recevoir ledit substrat, surmonte d'un chariot plan porteur de deux réservoirs destinés à recevoir chacun l'une des deux solutions liquides, lequel chariot forme, au moins en partie, le fond desdits réservoirs, les réservoirs pouvant être transportés d'une extrémité à l'extrémité opposée de la nacelle en passant au-dessus dudit évidement, par glissement unidirectionnel dudit chariot sur ledit socle, est notamment remarquable en ce que l'un des réservoirs, ou premier réservoir, est intérieur à l'autre, et en ce que le chariot, hors de la zone occupée par les réservoirs, est percé d'au moins une fenêtre de canalisation des solutions liquides. Ledit premier réservoir, mesuré dans le plan du chariot selon une direction perpendiculaire à celle du déplacement dudit chariot, est plus court que le deuxième réservoir, mesuré dans les mêmes conditions. De plus, les parois latérales du premier réservoir sont solidaires du chariot, tandis que les parois latérales du deuxième réservoir sont libres de glissement par rapport audit chariot. Ces dispositions permettent, en liaison avec un déplacement du chariot, d'obtenir, d'une part une translation relative des deux réservoirs, d'autre part llentraînement du deuxième réservoir par poussée latérale du premier.Dans une nacelle selon l'invention, il est prévu un chariot divisé en un premier et un second éléments plans disposés coplanaires dans le prolongement l'un de l'autre et qui sont ajustables par contact selon leurs tranches en regard. Le premier réservoir est fixé sur le premier élément,en bordure de la zone de contact entre lesdits éléments, tandis que le deuxième réservoir, sis initialement sur le premier élément, repose durant le déroulement du cycle de dépôt épitaxique sur l'un et l'autre éléments. L'évidement creusé dans le socle de la nacelle et destiné à recevoir le/s substrat/s est placé dans la partie moyenne dudit socle. Les réservoirs disposent sur ce socle de deux aires de stationnement prévues sur deux bords opposés dudit évidement selon la direction de glissement du chariot, le deuxième réservoir, en partie, surplombant à tout moment ledit évidement. Ainsi, la place occupée par lesdites aires de stationnement est minimum, réduite pratiquement à ia seule surface sous-jacente au premier réservoir ; ce qui permet de réserver un espace maximum, dans la nacelle, pour l'évidement. Par ailleurs, en ce qui concerne ladite fenêtre de canalisation des solutions liquides, celle-ci est percée à travers le deuxième élément du chariot à une distance du bord de contact de ce deuxième élément avec le premier élément, distance mesurée selon la direction de déplacement dudit chariot, inférieure à la longueur dudit évidement mesurée selon cette même direction Avantageusement, cette distance est choisie telle que, en période d'admission de la deuxième des solutions liquides dans l'évidement, la fenêtre se situe en bordure intérieure dudit évidement. I1 serait vain de vouloir mettre en évidence clairement les particularités de structure énoncées précédemment d'une nacelle selon l'invention sans l'aide de figures. On se reportera pour cela à la partie descriptive du présent mémoire. Les dispositions décrites concourent, prises dans leur ensemble, à faire de la nacelle selon l'invention un appareillage permettant d'effectuer des dépôts épitaxiques selon un mode industriel : l'évidement est spacieux et peut accueillir une pluralité de substrats qui sont ainsi traités simultanément et dans des conditions identiques. En particulier, et comme il en a déjà été fait remarque, la disposition adoptée concernant les réservoirs permet que soit laissé un maximum de place audit évidement. De plus, cet évidement est creusé peu profond -deux millimètres environ- et il reste couvert par le chariot durant le dépôt épitaxique. Ceci est avantageux, d'une part en ce qui concerne la qualité des dépôts obtenus, d'autre part sur le plan de l'économie des solutions liquides. La nacelle, de structure-simple, offre l'avantage d'être de mise en oeuvre aisée. En effet, le procédé de dépôt mettant en oeuvre ladite nacelle et qui consiste, dans un premier temps du processus opératoire préalable au dépôt de la première couche épitaxique, le premier et le deuxième éléments du chariot étant alors jointifs, à mouvoir ledit chariot par rapport au socle de manière à ce que les ré servoirs, qui retiennent, le premier, la première solution liquide à mettre en oeuvre, le deuxième, la deuxième solution liquide, et disposés à une extrémité de la nacelle sur une première aire de stationnement, soient transportés à l'autre extrémité de ladite nacelle sur la deuxième aire de stationnement, mouvement qui entraîne la distribution de la première solution liquide dans ledit évidement, est notamment remarquable d'une part en ce que, dans un deuxième temps du processus opératoire postérieur au dépôt de la première couche épitaxique, ledit deuxième élément du chariot est mrl seul dans le sens opposé à celui de son premier déplacement de manière à le séparer dudit premier élément et à ouvrir ainsi le deuxième réservoir et, d'autre part, en ce que le premier réservoir entraîne le deu-i xième réservoir par poussée latérale durant ledit premier temps et le retient immobile durant ledit deuxième temps. L'entrée de la deuxième solution liquide dans l'évidement, consécutive àswouverure du dLaniAne aservoir} entralne 1 'éva- cuation de la première solution sur le deuxième élément du chariot par la voie de ladite fenêtre de canalisation. L'élongation du mouvement imprimé au seul deuxième élément du chariot est réduite à la valeur qui permet un écoulement correct de la deuxième solution liquide dans la faille alors créée entre lesdits premier et deuxième éle- ments. Toutefois, si l'on désire éviter qpelesdeux solutions ne restent en relation durant le dépôt de la deuxième couche épitaxique par la voie de ladite fenêtre, on imprime au deuxième élément du chariot, après écoulement de la deuxième solution liquide dans l'évidement, une légère translation additionnelle de même sens que la translation précédente, d'élongation au moins égale à la largeur de ladite fenêtre. Ainsi la fenêtre, située précédemment en bordure de l'évidement, glisse sur le socle et se trouve obturée. D'autre part, la quantité de solution liquide présente initialement dans le premier réservoir est prévue suffisante pour remplir le volume de l'évidement et déborder légèrement sur le deuxième élément du chariot qui recouvre cet évidement, au travers de ladite fenêtre de canalisation. De plus, les quantité et hauteur de solution liquide présente initialement dans le deuxième réservoir, sont prévues suffisantes pour que soient assurés le remplacement de la première solution liquide dans l'évidement et le rejet total de cette première solution sur le deuxième élément, au travers de ladite fenêtre. Les dépôts épitaxiques obtenus dans une nacelle selon l'invention sont de haute qualité, remarquables notamment par leur état de surface comparable à celui de dépôts réalisés par épitaxie en phase vapeur. La nacelle selon l'invention convient pour la formation de dépôts épitaxiques sur tout substrat propre à ce genre de dépôt. Bien que conçue pour le dépôt épitaxique de matériaux III-V, en particulier du GaAlAs, elle est d'un emploi intéressant dans tous les cas de dépôts de composés semiconducteurs à l'échelle industrielle. La description qui va suivre permettra de bien comprendre comment est structurée une nacelle selon l'invention et comment on utilise cette nacelle. La figure 1 représente une telle nacelle vue de dessus. La figure 2 est une vue en coupe longitudinale selon la ligne II-II de la figure 1. Les figures 3A, 3B et 3C, illustrent trois phases successives du processus opératoire conduisant à la formation de deux couches épitaxiques sur des substrats traités dans une nacelle selon l'invention. La nacelle selon l'invention est destinée à une utilisation dans un dispositif épitaxique de structure classique, bien connu de l'homme de part, comportant notamment une enceinte horizontale dans laquelle est placée ladite nacelle, et un four de chauffe Seule la nacelle objet de l'invention est représentée sur les figures. Sur ces figures, aux éléments correspondants ont été affectés les mêmes repères. La nacelle des figures 1 et 2 comporte un récipiént ou creuset 10, de forme parallélépipédique, sur le fond duquel est disposée une plaque- 11. Cette plaque 11, qui est creusée en sa partie médiane d'un évidement rectangulaire 12 destiné à recevoir les substrats semiconducteurs, forme le socle de la nacelle. Le socle il est calé entre les parois laterales du creuset 10 et reste fixe. Sur le socle 11 -plus précisément, sur les bords du socle il qui entourent lSévi- dernent 12- repose un chariot plan 13 qui occupe toute la largeur du creuset 10. Ce chariot 13 est fait de deux éléments plans, un premier élément 131, un second élément 132, disposés coplanoires dans le prolongement l'un de l'autre et ajustables par contact selon leurs tranches en regard ; cwest ainsi qu'ils peuvent être jointifs comme il apparaît sur les figures 1 et 2, le contact se faisant selon une ligne 15 (tracée en trait double sur ces figures pour bien distinguer les deux éléments). Le chariot 13 est déplaçable à travers le creuset 10, par glissement sur le socle 11, selon une direction parallèle aux parois de longueur 103 et 104 dudit creuset. Deux ouvertures 1010 et 1020 sont prévues, respectivement, dans les parois de largeur 101 et 102 du creuset pour permettre le passage du chariot.Avantageusement, le chariot 13 est guidé et maintenu latéralement, par rapport à sa direction de déplacement, par des rainures 16 usinées dans l'épaisseur des parois 103 et 104. Les déplacements communs des éléments 131 et 132 dans le sens droite-gauche ou du seul élément 132 dans le sens gauche-droite comme l'exige le procédé d'utilisation de la nacelle qui sera étudié ultérieurement, sont obtenus par exemple à l'aide d'un crochet que l'on introduit dans le trou 14 percé près d'une extrémité de l'élément 132. Dans la position du chariot 13 par rapport au creuset 10 qui est celle retenue pour les figures 1 et 2, l'élément 132 s'étend en presque totalité hors de la nacelle ; l'élément 131, relativement plus court que l'élément 132, se situe dans la nacelle où il laisse l'évidement 12 en partie découvert. Le chariot 13 est porteur de deux réservoirs destinés, le premier 17 à recevoir la première des solutions liquides à amener au contact des substrats et le second 18 à recevoir la deuxième de ces solutions liquides. Selon une caractéristique de l'invention, le premier réservoir 17 est intérieur à l'autre 18. Les parois latérales de ces réservoirs sont réalisées, par exemple, sous la forme de deux ensembles monolithiques 171 et 181, de section rectangulaire. L'ensemble 171 qui limite le réservoir 17 est ajusté dans une rainure 19 du chariot 13 ce qui en assure la fixité sur ce chariot. L'ensemble 181 qui limite le réservoir 18 est simplement posé sur le chariot, si bien que ce réservoir est libre de glissement par rapport audit chariot. Les deux réservorirs se situent de part et d'autre de la zone de contact des deux éléments 131 et 132 du chariot. Le réservoir 17 est fixé sur le premier élément 131 ; cet élément est percé d'une ouverture 20 en regard dudit réser voir 17. Le réservoir 18, dans la position prévue sur les figures 1 et 2, repose tout entier sur l'élément 131 ; mais, pendant le déroulement du processus de dépôt épitaxique il repose à la fois sur les éléments 131 et 132. Le réservoir 18 occupe toute la largeur de l'élément 131 ; le réservoir 17 est de dimension moindre, tant en longueur qu'en largeur. Le réservoir 18 est ajusté lâche contre les parois 103 et 104 du creuset de façon à ne pas gêner ses déplacements liés à ceux du chariot 13. Selon une autre caractéristique de l'invention, le chariot 13, hors de la zone occupée par les réservoirs 17 et 18, est percé d'une fenêtre 21 dont l'utilité sera précisée plus loin. Cette fenêtre, percée à travers le deuxième élément 132 du chariot, se situe par rapport à la ligne 15 de contact entre les éléments 131 et 132, à une distance inférieure à la longueur de l'évidement 12. Les pièces constituant la nacelle sont, par exemple, en graphite, comme il est fait habituellement. On se reporte maintenant aux figures 3 qui correspondent aux explications qui vont suivre concernant la mise en oeuvre de la nacelle. Dans ces explications il a été fait volontairement abstraction de considérations d'ordre physique ou chimique telles que la nature des solutions liquides, celle des substrats, la température, le temps, qui président à l'élaboration d'un dépôt épitaxique selon la méthode conventionnelle bien connue de l'homme de l'art. Le processus n'est étudié ici que sous le seul aspect de l'emploi de la nacelle. Avant le dépôt de la première couche épitaxique la nacelle se présente tel qu'il est imagé sur la figure 3A. Des substrats 30 reposent dans l'évidement 12 D Les deux éléments 131 et 132 du chariot 13 sont disposés jointifs et placés de telle façon dans le creuset 10 que les réservoirs 17 et 18 soient situés tout près de la paroi de largeur 101 dudit creuset. Le réservoir 17 repose alors sur une première aire de stationnement 111 prévue sur le socle 11 en bordure de l'évidement 12. Le réservoir 17 contient la première solution liquide 175 tandis que la deuxième solution liquide 185 est retenue dans le réservoir 18 et entoure en partie ledit réservoir 17. Dans un premier temps du processus opératoire, le chariot 13 est poussé à travers la nacelle de la droite vers la gauche, jusqu'à ce que le réservoir 17 vienne se placer sur la deuxième aire de stationnement 112, prévue sur le socle 11 à l'opposé de l'aire 111 par rapport à l'évidement 12. Durant ce déplacement, le chariot 13 entraîne le réservoir 17 qui est solidaire dudit chariot, lequel réservoir 17 se déplace de la droite vers la gauche à l'intérieur du réservoir 18, touche à nouveau au réservoir 18 et l'oblige, par poussée frontale, à épouser le mouvement du chariot. A la fin de ce déplacement du chariot 13, pendant lequel les éléments 131 et 132 dudit chariot sont demeurés jointifs, l'appareillage se présente comme il est montré sur la figure 3B. La ligne de contact 15 entre lesdits éléments 131 et 132 se trouve sous le réservoir 18. L'élément 132 du chariot recouvre la plus grande partie de l'évidement 12. La fenêtre 21 percée à travers ledit élément 132 se situe en regard de l'évidement à proximité du bord de celui-ci-qui est opposé à celui où se trouvent les réservoirs.La solution liquide 175 s'est écoulée, pour sa plus grande partie, dans l'évidement, par l'ouverture 20 (l'ouverture-20 aveuglée par le socle 11 lorsque le réservoir 17 est soit sur l'aire 111, soit sur l'aire 112, est libre lorsqu'elle passe au-dessus de l'évidement) jusqu'à déborder légèrement en 275 sur la face supérieure de l'élément 132 par le chemin de la fenêtre 21. La solution liquide 185 est restée dans le réservoir 18 puisque les éléments 131 et 132 sont demeurés jointifs ; elle n'a fait que changer d'emplacement dans ce réservoir 18 en liaison avec les mouvements relatifs des réservoirs 17 et 18. Après une période de repos durant laquelle une première couche épitaxique croît sur les substrats 30 à partir de la solution 175 et dans un deuxième temps du processus opéra toire, le deuxième élément 132 du chariot est tiré vers la droite. Ce déplacement est léger et ne vise qu'à séparer les éléments 131 et 132 de manière à créer entre eux une faille 151 de faible largeur permettant d'ouvrir le réservoir 18. La fenêtre 21 demeure au-dessus de l'évidement 12 avantageusement, sa position sur llélément 132 a été choisie telle, en fonction notamment de l'élongation du mouvement imprimé audit élément 132, qu'elle se situe à cet instantlà en bordure de l'évidement 12.La solution liquide 185 s 'écoule dans l'évidement 12 où elle vient remplacer la solution liquide 175 qu'elle refoule en totalité sur l'élé- ment 132 par le chemin de la fenêtre de canalisation 21, débordant elle-meme en 285 sur ledit élément. L'appareillage se présente alors tel qu'il est montré sur la figure 3C et l'on peut procéder ensuite à la croissance de la deuxième couche épitaxique. Afin d'être paré contre une pollution éventuelle de la deuxième solution 185, en place dans l'évidement 12, par le rejet 275 de la première solution, ces deux solutions communiquant entre elles par la fenêtre 21 (fige 3C), on peut tirer à nouveau l'élément 132 vers la droite, légèrement, de manière à amener ladite fenêtre 21 sur le bord extérieur de l'évidement et couper ainsi la relation 185-275 Avantageuseme, le niveau initial de la solution liquide dans le réservoir 18 est prévu au moins aussi élevé que dans le réservoir 17 de manière à ce que la deuxième solution 185 puisse refouler la solution 175 lors du remplacement de cellerci par celle-là I1 y a lieu de noter que l'évidement 12 est couvert, durant la croissance des deux dépôts, par l'élément 132 du chariot 13 Par ailleurs, la place occupée sur le socle il par les aires de stationnement 111 et 112 est relativement faible, réduite pratiquement à la seule surface sous-jacente au réservoir 17 ; ; ce qui permet de laisser le maximum d'espace sur le socle pour l'évidement 12. L'évidement 12 est peu profond (2 mm environ) et la quantité de solution liquide à prévoir dans chaque réservoir n'est pas de beaucoup supérieure à celle nécessaire pour remplir cet évidement. L'appareillage est intéressant sur le plan de l'économie des quantités de solutions liquides mises en jeu par rapport au nombre de substrats traités. - REVENDICATIONS 1.- Nacelle utilisable dans un dispositif de dépôt épitaxique en phase liquide, conçue pour la formation successive de deux couches semiconductrices sur au moins un substrat semiconducteur (30) à partir de deux solutions liquides (175,185) et dans laquelle on distingue, essentiellement, un socle plan (11) creusé dans sa partie médigne d'un évidement (12) destiné à recevoir ledit sub strat, surmonté d'un chariot plan (13) porteur de deux réservoirs (17,18) destinés à recevoir chacun l'une des deux solutions liquides, lequel chariot forme, au moins en partie, le fond desdits réservoirs, les réservoirs pouvant être transportés d'une extrémité à l'extrémité opposée de la nacelle en passant au-dessus dudit évidement, par glissement unidirectionnel dudit chariot sur ledit socle, caractérisée en ce que l'un des réservoirs (17), ou premier réservoir, est intérieur à l'autre (18), et en ce que le chariot, hors de la zone occupée par les réservoirs, est percé d'au moins une fenêtre (21) de canalisation des solutions liquides. 2.- Nacelle selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit premier réservoir, mesuré dans le plan du chariot selon une direction perpendiculaire à celle du déplacement dudit chariot, est plus court que le deuxième réservoir, mesuré dans les mêmes conditions. 3.- Nacelle selon l'ensemble des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que les parois latérales du premier réservoir sont solidaires du chariot, tandis que les parois latérales du deuxième réservoir sont libres de glissement par rapport audit chariot. 4.- Nacelle selon l'une des revendications 1 à 3, dans laquelle ledit chariot est divisé en un premier (131) et un second (132) éléments plans disposés coplanaires dans le prolongement l'un de l'autre, ajustables par contact (15) selon leurs tranches en regard, caractérisée en ce que le premier réservoir est fixé sur le premier élément en borddure de la zone de contact entre lesdits éléments, tandis que le deuxième réservoir, sis initialement sur le premier élément repose durant le déroulement du cycle de dépôt épitaxique sur l'un et l'autre éléments. cycle de dépôt épitaxique sur l'un et l'autre éléments. 5.- Nacelle selon l'une des revendications 1 à 4, dans laquelle ledit évidement est placé dans la partie moyenne dudit socle, les réservoirs disposant sur ce socle de deux aires de stationnement prévues sur deux bords opposés dudit évidement, caractérisée en ce que le deuxième réservoir, en partie, surplombe à tout moment l'évidement. 6.- Nacelle selon l'ensemble des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que ladite fenêtre de canalisation des solutions liquides est percée à travers le deuxième élément (132) du chariot à une distance du bord de contact de ce deuxième élément avec le premier élément, distance mesurée selon la direction de déplacement dudit chariot, inférieure à la longueur dudit évidement mesurée selon cette même direction. 7.- Nacelle selon la revendication 6, caractérisée en ce que ladite distance est choisie telle que, en période d'admission de la deuxième des solutions liquides dans l'évidement, la fenêtre se situe en bordure intérieure dudit évidement. 8.- Procédé de dépôt épitaxique en phase liquide en vue de la formation successive de deux couches semiconductrices sur au moins un substrat semiconducteur (30), mettant en oeuvre une nacelle selon l'ensemble des revendications 1 à 7, procédé consistant, dans un premier temps du processus opératoire préalable au dépôt de la première couche épitaxique, le premier et le deuxième éléments du chariot étant alors jointifs, à mouvoir ledit chariot par rapport au socle de manière à ce que les réservoirs, qui retiennent, le premier (17), la première solution liquide (175) à mettre en oeuvre, le deuxième (18), la deuxième solution liquide (185), et disposés à une extrémité de la nacelle sur une première aire de stationnement (111), soient transportés à l'autre extrémité de ladite nacelle sur la deuxième aire de stationnement (112), mouvement qui entraîne la distribution de la première solution liquide dans ledit évidement, caractérisé d'une part en ce que, dans un deuxième temps du processus opératoire postérieur au dépôt de la première couche épitaxique, ledit deuxième élément du chariot est mû seul dans le sens opposé à celui de son premier déplacement de manière à le séparer dudit premier élément et à ouvrir ainsi le deuxième réservoir et, d'autre part, en ce que-le premier réservoir entraîne le deuxième réservoir par poussée latérale durant ledit premier temps et le retient immobile durant ledit deuxième temps. 9.- procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'entrée de la deuxième solution liquide dans l'é- videment, consécutive à l'ouverture du deuxième réservoir, entraîne l'évacuation de la première solution sur le deuxième élément du chariot p-ar la voie de ladite fenêtre de canalisation. 1O Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'élongation du mouvement imprimé au seul deuxième élément du chariot est réduite à la valeur qui permet un écoulement correct de la deuxième solution liquide dans la faille alors créée entre lesdits premier et deuxième éléo ments. 11.- Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que on imprime au deuxième élément du chariot, après écoulement de la deuxième solution liquide dans lgevidement; une légère translation additionnelle de meme sens que la translation- précédente, d'élongation au moins égale à la largeur de ladite fenêtre, de façon à ce que cette fenêtre, située précédemment en bordure de l'évidement, glisse sur le socle et se trouve obturée. 120- Procédé selon lune des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que la quantité de, solution liquide présente initialement dans le premier réservoir est prévue suffisante pour remplir le volume de l'évidement et déborder légèrement sur le deuxième élément du chariot qui recouvre cet évidement, au travers de ladite fenêtre de canalisation. 13.- Procédé selon l'une des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que les quantité et hauteur de solution liquide présente initialement dans le deuxième réservoir, sont prévues suffisantes pour que soient assurés le remplacement de la première solution liquide dans l'évidement et le rejet total de cette première solution sur le deuxième élément, au travers de ladite fenêtre.