Brevet FR2481838A1 — publié le 19811106

La présente invention se rapporte à un appareil de dépôt de plasma dans lequel des gaz comme matière première sont introduits pour déposer diverses sortes de matériaux sur un substrat formant échantillon, en utilisant une réaction de plasma afin de former une pellicule mince de Si, Si3N4, SiO2, MoSi2, WSi2 ou analogue, et que l'on utilise pour fabriquer divers dispositifs électroniques comme des circuits intégrés à semi-conducteur. Comme appareil pour former une pellicule ou couche mince, on connalt un appareil CVD (dépôt de vapeur chimique) qui est particulièrement utilisé fréquemment comme moyen pour former diverses pellicules minces dans un circuit intégré à semi-conducteur, l'appareil CVD pouvant former des pellicules minces comme Si 3 4, SiO2, Si ou analogue à une très bonne pureté et une très bonne qualité. Dans le processus de réaction de formation d'une pellicule mince, on chauffe un récipient réactionnel o des substrats formant échantillons sont agencés, à de hautes températures de 500 à 1000C. La matière première à déposer est amenée au récipient sous forme d'une composition gazeuse, ainsi les molécules gazeuses sont thermiquement dissociées et combinées dans le gaz et sur la surface de l'échantillon afin d'y former une pellicule mince. Cependant, dans ce procédé on utilise la réaction thermique dans une condition de haute température, et en conséquence les sortes des substrats formant échantillons o doit être déposée une pellicule mince sont limitées à des substrats qui ont une résistance à la chaleur aux hautes températures et dont les caractéristiques ne sont pas détériorées par cette haute température. Par conséquent, cela présente un inconvénient parce que le domaine auquel l'appareil CVD peut s'appliquer est extrêmement restreint. De plus, il y a également un autre inconvénient, en effet il est difficile de contrôler les caractéristiques de la pellicule formée comme la tension interne. Récemment, afin de résoudre ces inconvénients, un appareil CVD enrichi en plasma a été développé, o la réaction de plasma est utilisée pour accomplir une réaction semblable à celle de l'appareil CVD à une température relativement faible pour former une pellicule mince. L'appareil CVD enrichi en plasma a été expliqué, par exemple, par Richard S. Rosler et autres dans " A Produc- tion Reactor for Low Temperature Plasma-Enhanced Silicon Nitride Deposition", Solid State Technology, Juin 1976, pages 45-50. A. K. Sinha et autres ont également révélé l'appareil CVD enrichi en plasma dans " Reactive Plasma Deposited Si - N Films for MOS - LSI Passivation *, dans J. Electrochem. Soc.: Solid State Science and Technology, Avril 1978, pages 601-608. Cet appareil se compose d'une chambre d'échantillon, d'un système d'introduction de gaz et d'un système d'échappement. A l'intérieur de la chambre d'échantillon sont agencées une électrode à haute fréquence et une table de l'échantillon qui se font face. Cette table de l'échantillon a un mécanisme chauffant. On donnera une explication en se référant à un exemple de formation d'une pellicule en nitrure de silicium. Du gaz silane (SiH4) et du gaz ammoniac (NH3) sont introduits en tant que matière première dans la chambre d'échantillon par le système d'introduction de gaz. Tandis que ces gaz comme matière première s'échappent par le système d'échappement, la pression gazeuse dans la chambre d'échantillon est maintenue constante entre 13,33 et 1. 333 N/m2. La puissance à haute fréquence est amenée à la chambre d'échantillon pour produire le plasma. Les molécules gazeuses de SiH4 et NH3 sont dissociées dans le plasma. Etant soumis à l'incidence des ions et des électrons outre la dissociation dans le plasma, du nitrure de silicium se dépose sur une surface d'un substrat formant échantillon sur la table d'échantillon. Dans ce cas, cependant, la table d'échan- tillon est chauffée à 300-500C et il est également nécessaire d'utiliser de plus une réaction thermique dans une condition à haute température. En conséquence, l'appareil CVD enrichi en plasma est encore insuffisant pour la formation d'une pellicule mince alors que le substrat formant échantillon est maintenu à une basse température. De plus, la dissociation de SiH4 et NH3 n'est pas suffisante, il y a donc incorporation de H dans une pellicule formée o la liaison Si-N n'est pas suffisante. Par suite, on n'obtient pas une pellicule mince de bonne qualité. Il s'ensuit que cet appareil CVD enrichi en plasma ne peut s'appliquer à la fabrication des circuits intégrés à semi-conducteur nécessitant un substrat formant échantillon avec une faible résistance à la chaleur et une pellicule de bonne qualités Par ailleurs, dans un autre procédé pour utiliser le plasma, on connaît un procédé de transport d'un courant de plasma. Ce procédé a été par exemple expliqué par Takashi Tsuchimoto dans "Plasma stream transport method (1) Fundamental concept and experiment", J. Vac. Sci. Technol. (1), Janvier /F6vrier 1978, pages 70-73 et dans "Plasma stream transport (2) Use of charge exchange plasma source", J. Vaco Soi. Technol. 15 (5), Septembre/Octobre 1978, pages 1730-1733. Ces articles décrivent les études sur la formation et le contrôle du courant de plasma pour un matériau de transport. Ce -procédé s'applique à la fois à la formation d'une pellicule mince et à l'attaque. Le dispositif pour ce procédé se compose d'une source de plasma, utilisant une décharge demicro-ondeset une chambre d'échantillon pourvue d'un champ magnétique parallèle. En utilisant l'effet de tube magnétique du champ magnétique parallèle, le courant du plasma est transporté vers une surface d'un échantillon à partir de la source de plasma par diffusion thermique, afin de déposer ainsi une pellicule sur l'échantillon. Cependant, quand on applique ce procédé à la formation d'une pellicule, le courant du plasma est simplement transporté par diffusion thermique, tandis que les effets de l'incidence et de l'impact des ions, des électrons et autres, sur la réaction de formation de la pellicule sur la surface de l'échantillon sont à peine utilisés. En conséquence, également dans le procédé de transport de courant de plasma, il est nécessaire de chauffer l'échantillon à une température de 300-500 C afin d'utiliser une réaction thermique par l'énergie thermique en même temps. De plus, la source de plasma utilisée dans le procédé de transport de courant de plasma emploie la déchargede micro-ondesavec une chambre de décharge de construction coaxiale ou la décharge de micro- ondesdans un cylindre de guide d'onde. En conséquence, le diamètre du courant de plasma n'atteint qu'environ 2 cm et ainsi, la zone ou surface o une pellicule peut être formée est petite. Cela amène l'inconvénient d'une productivité considérablement faible. Par ailleurs, avec ce procédé, il est nécessaire d'abaisser la pression du gaz dans la chambre d'échantillon afin de ne pas atténuer la densité du plasma qui atteint la surface de l'échantillon. Il est de plus nécessaire d'établir l'intérieur de la source de plasma à une pression de gaz adaptée à la décharge. Pour cette raison, le diamètre de l'orifice pour introduire le plasma ne peut être accru et, en conséquence, il est difficile d'augmenter le diamètre du courant de plasma. Par ailleurs, on a tenté de faire balayer le courant de plasma en utilisant une bobine magnétique pour balayer afin d'augmenter la surface o une pellicule peut être formée. Cependant, avec ce procédé, la vitesse de formation de la pellicule est réduite en conséquence et la productivité n'est pas améliorée. Ce procédé nécessite également une composition compliquée. Par ailleurs, si l'on souhaite par exemple introduire N2 gazeux dans la source de plasma et introduire SiH4 gazeux dans la chambre d'échantillon afin de former une pellicule de nitrure de silicium dans le but d'éviter la dissipation des gaz comme matière première ou la formation de dépôts néfastes à l'intérieur de la source de plasma, cela provoque un inconvénient parce que l'interaction entre le courant de plasma de N2 et SiH4 gazeux est insuffisante, on ne peut donc former une pellicule de bonne qualité à une forte efficacité. Cela est dé au fait que le diamètre du courant de plasma est petit et que, de plus, la pression du gaz Siu4 dans la chambre d'échantillon ne peut être accrue. La présente invention a été étudiée dans les circonstances ci-dessus décrites. La présente invention a pour objet un appareil de dépôt de plasma pouvant former une pellicule mince de bonne qualité sur une grande surface à une bonne productivité, tout en maintenant le substrat formant échantillon à une basse température, en utilisant les caractéristiques respectives des appareils tradition- nels de dépôt de plasma comme on l'a mentionné ci-dessus, en produisant un plasma très actif et en favorisant la réaction dans le plasma des ions et des' électrons, à la surface de l'échantillon. La présente invention a pour autre objet un appareil de dépôt de plasma pouvant efficacement former une pellicule mince de bonne qualité à une basse tempéra- ture en extrayant le plasma, qui est produit par une décharge de microondespar la résonance du cyclotron à électrons, à l'aide de l'action d'un champ magnétique divergent, et en provoquant l'irradiation du plasma sur une surface d'un échantillon. Selon un aspect de l'invention, dans un appareil de dépôt de plasma o des gaz sont introduits dans un récipient sous vide, du plasma est produit, des molécules dans le plasma sont activées et réagissent sur un substrat formant échantillon, o doit être formée une pellicule, afin de déposer une pellicule mince sur le substrat formant échantillon, et l'appareil de dépôt de plasma comprend une chambre d'échantillon o est agencée une table d'échantillon pour y placer le substrat formant échantillon, et une chambre de formation de plasma agencée séparément de la chambre d'échantillon afin de produire les gaz, qui doivent être activés, dans la condition de plasma, la chambre de formation de plasma étant pourvue d'une fenêtre d'introduction de micro-ondes, un moyen d'introduction de micro-ondes et un orifice d'extraction du plasma formé dans la paroi opposée à la fenêtre d'introduction de micro-ondes afin d'extraire le courant de plasma vers la chambre d'échantillon, un circuit magnétique étant installé au pourtour de la chambre de formation de plasma afin de former une densité de champ mégnétique nécessaire pour amener une résonance de cyclotron d'électronsdans la chambre de formation de plasma et de former, dans la chambre d'échantillon, un champ magnétique divergent o l'intensité de la densité de flux magnétique se réduit à un gradient approprié de la chambre de formation de plasma vers la table d'échantil- lon dans la chambre d'échantillon. Dans cet appareil de dépôt de plasma, il est préférable que la chambre de formation de plasma soit établie à une forme et des dimensions satisfaisant aux conditions d'un résonateur à cavité de micro-ondes L'appareil de dépôt de plasma peut être pourvu d'un système d'introduction de gaz pour la chambre de formation de plasma et d'un système d'introduction de gaz pour la chambre de l'échantillon. Il est également préférable que l'appareil de dépôt de plasma présente un obturateur ouvert et fermé afin d'interrompre le courant de plasma entre l'orifice d'extraction de plasma et la table de l'échantillon. De préférence, l'orifice d'extraction peut présenter une plaque en grille métallique. Il est également préférable qu'une puissance à haute fréquence soit appliquée à la table de l'échantillon afin de produire une tension d'autopolarisation négative à la surface de cet échantillon. Par ailleurs, la table de l'échantillon peut tre en condition de flottement électrique. Selon un autre aspect de l'invention, dans un appareil de dépôt de plasma ayant une chambre de formation de plasma et une chambre d'échantillon o est placée une table d'échantillon pour y placer un échantillon, des matières premières de plasma et une puissance de micro-ondes sont introduites dans la chambre de formation de plasma afin de produire du plasma, cette chambre étant pourvue d'une plaque de face extrême ayant un orifice d'extraction du plasma pour extraire le plasma sous forme d'un courant de plasma vers la chambre d'échantillon, un circuit magnétique est installé au pourtour de la chambre de formation de plasma, ce circuit magnétique servant à former une densité de flux magnétique à une intensité nécessaire pour augmenter l'efficacité de la formation de plasma dans la chambre de formation de plasma et pour former, dans la chambre d'échantillon, un chaup magétique divergent o l'intensité de la densité de flux magtique se réduit à un gradient approprié de la chmbre de formation de plasma vers la table d'échantillon dans la chambre d'échantillon, la chambre de formation de plasma ayant une structure d'un résorteur à cavité par rapport à la puissance de micro-ondes introduite pour former le plasma, et la plaque de face extrême ayant une structure mobile afin d'ajuster la condition de résonance de la micro-onde dans la cavité. Dans un mode de réalisation préféré d'un appareil de dépôt de plasma selon l'invention, la table d'échantillon peut avoir un mécanisme de refroidissemento Le circuit magnétique peut avoir une bobine magnétique pour former le champ magnétique divergent afin de former le plasma et de l'extraire, et un matériau à très forte perméabilité est agencé au pourtour de la bobine magnétique, afin que la distribution du champ magnétique dans la chambre de formation du plasma et la chambre de l'échantillon puisse être ajustée au moyen de l'agencement et de la forme du matériau très perméable. I1 est préférable que l'orifice d'extraction du plasma ait une ouverture circulaire concentrique, la table d'échantillon étant formée d'un cylindre coaxial avec l'axe central de la bobine magnétique, afin qu'au moins un échantillon puisse être agencé à la surface interne du cylindre, avec un bottier externe fait en matériau très perméable s'étendant du pourtour de la bobine magnétique jusqu'au pourtour de la chambre d'échantillon. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant différents modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: - - la figure 1 est une vue en coupe montrant la configuration d'un appareil CVD traditionnel enrichi en plasma utilisant une décharge à haute fréquence; - la figure 2 est une vue en coupe montrant la configuration d'un appareil traditionnel de transport d'un courant de plasma utilisant une décharge de micro-ondes; la figure 3 est une vue en coupe montrant=un mode de réalisation d'un appareil de dépôt de plasma selon la présente invention; - la figure 4 est une vue en coupe montrant une modification de l'appareil de dépôt de plasma selon l'invention; - la figure 5 est un schéma montrant la distribu- tion de champ électrique de la micro-onde dans la chambre de formation de plasma d'un appareil de dépôt de plasma selon l'invention; - les figures 6 et 7 montrent une vue oblique et un schéma de-circuit, respectivement, de modifications selon la présente invention; - la figure 8 donne une courbe montrant la relation entre le rapport de mélange N2:Ar et l'indice de réfraction; - la figure 9 est une courbe montrant la relation entre la position d'installation de la table d'échantillon par rapport à la chambre de formation de plasma et le potentiel négatif; - la figure 10 est une vue en coupe montrant un autre mode de réalisation d'un appareil de dépôt de plasma selon l'invention; - la figure 11 est un schéma expliquant le mode de réalisation de la figure 10; - la figure 12 est une vue en coupe montrant une modification du mode de réalisation de la figure 10 selon la présente invention; et - les figures 13 et 14 sont des schémas montrant deux exemples du système de refroidissement pour la table de l'échantillon. D'abord, la structure de principe d'un appareil CVD enrichi en plasma en tant qu'appareil traditionnel de dépôt de plasma est représentée sur la figure 1. Sur la figure1, l'appareil de dépôt de plasma se compose d'une chambre d'échantillon 1, d'un système 2 d'introduction de gaz et d'un système d'échappement 3. Une électrode à haute fréquence 4 pour produire du plasma et une-table d'échantillon 5 sont agencées dans la chambre d'échantillon 1. La table 5 fait face à l'électrode 4 et elle est pourvue d'un mécanisme chauffant. Un courant à haute fréquence est appliqué par une source d'alimentation 7 à l'électrode 4, du plasma 8 est produit généralement à une condition de pression de gaz de 13,33 à 1.333 N/m2, et une pellicule mince est formée sur le substrat 6 qui est agencé sur la table 5. Par exemple, une pellicule de nitrure de silicium est formée comme on l'expliquera ci- après. Comme dans le cas d'un appareil CVD traditionnel, du gaz silane (SiH4) et du gaz ammoniac (NEH3) sont introduits par le système d'introduction 20 La pression de gaz est maintenue constante tandis que les gaz s'échappent par le système d'échappement 3. Un courant à haute fréquence est appliqué par la source 7 à l'électrode 4, afin de produire ainsi du plasma 8 pour dissocier SiH4 et NH3. Egalement sous l'action de l'incidence des ions et des électrons en plus de la dissociation dans le plasma, il se produit une réaction et une combinaison à la surface de l'échantillon 6, et du nitrure de silicium se dépose à la surface. Dans ce cas, la table 5 est chauffée à 300-400C. Un tel appareil de dépôt de plasma permet de former une pellicule à une température considérablement faible, en comparaison à un appareil CVD traditionnel qui nécessite une haute température de 800-900C. Cependant, avec cet appareil, la dissociation de SiH4 et NH3 n'est pas suffisante, il y a donc incorporation de H dans une pellicule déposée ou bien la liaison Si-N n'est pas suffisante. Ainsi, cet appareil présente des inconvénients parce que l'on ne peut obtenir une pellicule de bonne qualité. Par ailleurs, Takashi Tsuchimoto a proposé un appareil pour former une pellicule mince en utilisant le plasma produit par une décharge de micro- ondes, comme cela est indiqué sur la figure 2. Cet appareil de transport d'un courant de plasma se compose d'une source de plasma 11 et d'une chambre d'échantillon 12 pourvue d'un champ magnétique parallèle. Une pellicule est déposée sur un échantillon 6 par transport d'un courant de plasma 13 de la source 11 à la surface de l'échantillon 6 par diffusion thermique. Le repère 14 désigne la bobine magnétique pour produire le champ magnétique parallèle, et le repère 15 désigne le cylindre de guidage des micro-ondes. Avec ce procédé, la pression des gaz est faible et on ne peut former un plasma de forte activité. Par conséquent, ce procédé présente un avantage parce que l'on peut utiliser de l'azote gazeux (N2) au lieu de NH3 afin de former une pellicule de nitrure de silicium en combinaison avec SiH4. Cependant, dans ce procédé, on utilise le champ magnétique parallèle pour introduire le courant de plasma 13 de la source 11 au moyen d'une diffusion thermique. Par conséquent, l'action des électrons et des ions du plasma sur la surface de l'échantillon n'est pas suffisante. Par suite, ce procédé est désavantageux parce qu'il faut chauffer l'échantillon à une température de 300 à 500C, comme dans un appareil de dépôt de plasma traditionnel. De plus, la source 11 utilisée est produite en utilisant une décharge à l'intérieur du cylindre 15 de guidage des micro-ondes et en conséquence, le diamètre du courant de plasma 13 248 1838 - 11 n'atteint qu'environ 2 cm. Par conséquent, cela provogue un inconvénient parce que la zone ou surface o une pellicule peut être formée est extrêmement petite en comparaison à un appareil traditionnel de dépôt de plasma, et la productivité est faibleo La figure 3 montre la configuration de base d'un appareil de dép8t de plasma selon l'invention, Sur la figure 3, le repère 21 désigne une chambre de formation de plasma et le repêre 22 désigne une chambre d'échntillon. Le repère 23 désigne une fenltre d'introduction de Bioro- ondes. La fenêtre 23 peut âtre faite en une plaquo en verre de silice. Comme source de micro-ondes (non repréo sentée), par exemple, on peut utiliser un magnétron ayant une fréquenos de 2,45 GHzo La source dle micro=ondes sera reliée à un guide d'onde rectangulaire 24, s'étendant vers l'extérieur à partir de la fenêtre d'introduction 23, par un dispositif d'adaptation, un appareil de mesure de puissance de microondes etun isolateur, qpt ne sont pas représentés sur la figure. La chambre 21 de formation de plasma est faite en acier inoxydable et elle est refroidie par de l'eau, au moyen d'un orifice 35 d'alimaentation en eau et d'un orifice 36 de drainage de leau, aefin d'empêcher une augmentation de température due la formation de plasmao Le systme dL'introduction de gaz comprend deux systèmes. La premier syst&me 25 est utilisé pour introduire le gaz dans la chambre de formation de plasma 21. Le second système 26 a un tube en acier inoxydable circulaire 26A, qui est travers6 de petits orifices en plusieurs positions afin d2introduire le gaz dans la chambre d'échantillon 22 et de guider directement ce gaz vers la surface de l'échantillon 28-sur la table d'échantillon 27, qui est agencée dans lea chambre 22o Dans la chambre de formation de plasma 21, un orifice 30 d'extraction du plasma pour prendre un courant de plasma 29, est agencé à l'extrémité opposée à la fen&tre 23 d'intro- duction de micro-ondes0 En-dessous de l'orifice d'extraction de plasma 30, 248 18j8 un obturateur 31, comme on peut le voir sur la figure 4, peut être agencé afin que le courant de plasma puisse être interrompu. L'obturateur 31 est fixé à une arbre rotatif 33 par un levier 32, ainsi l'arbre rotatif 33 peut être manoeuvré de l'extérieur de la chambre 22 afin de contrôler l'ouverture-fermeture de l'obturateur 31 par rapport à l'orifice 30. Il est suffisant que l'obturateur 31 soit agencé afin d'interrompre le courant de plasma 29 entre l'orifice 30 de la chambre 21 et la table d'échan- tillon 27. Ainsi, l'obturateur 31 peut être agencé soit en amont ou en aval du tube en acier inoxydable circulaire 26A selon les conditions de conception. Il est préférable que l'ouverture-fermeture de l'obturateur 31 soit contrôlée comme suit: d'abord, quand on utilise l'appareil au début, l'obturateur 31 est maintenu fermé jusqu'à,ce que l'établissement de diverses conditions soit terminé. L'obturateur 31 est ouvert quand l'établissement des conditions est terminé et que le courant de plasma 29 a atteint l'état stable. Après formation d'une pellicule mince sur l'échantillon, l'obturateur 31 est fermé et ensuite les conditions sont relâchées. Par ailleurs, quand on accomplit une production en masse de pellicules minces, il est préférable que l'obturateur 31 soit ouvert et fermé pour correspondre à l'alimentation séquentielle des pastilles sur la table d'échantillon 27. Par ailleurs, sur la figure 3, il est préférable que la table d'échantillon 27 soit installée en condition électriquement flottante par rapport à la chambre de formation de plasma 21 et qu'un réchauffeur (non représenté) soit incorporé comme moyen auxiliaire pour chauffer le substrat formant échantillon 28. La chambre 22 est reliée à un système d'échappement 34. Le système d'échappement 34 peut être constitué, par exemple, d'une pompe de diffusion à huile ayant une capacité d'échappement de 2.400 1/s et d'une pompe rotative à huile ayant une capacité d'échappe- ment de 500 1/mn. Pour les conditions de résonance dans une cavité de micro-ondes, la chambre de formation de plasma 21 doit répondre aux conditions qui suivent concernant la longueur de la cavité (1): 1 - ( Xg/2)x n o > g est la longueur d'onde dans le guide d'onde quand la chambre 21 est supposée être un guide d'onde cylindrique, et n est un nombre entier positif. La valeur de Ag peut être représentée par Ag X/ 1 _ o X est la longueur d'onde dans un espace libre et X c est la longueur d'onde de coupure. Par exemple, A,12,14 cm quand la fréquence des micro-ondes est de 2,45 GHz et à c 34,1 cm quand une onde en mode TE,, est introduite dans un guide d'onde circulaire (ayant un diamètre interne de 20 cm). Dans un tel cas, > g. 13,1 ce et la longueur 1 du résonateur en cavité est de 19,7 cm, si n = 3 à partir de l'équation indiquée ci-dessus. En conséquence, pour le mode TE10 dans le guide d'onde rectangulaire 24, la chambre de formation de plasma emploie le mode de résonance en cavité circulaire TE113 (n = 3), qui a la distribution de champ électrique représentée sur la figure 5, et une forme cylindrique d'un diamètre de 20 cm et d'une hauteur de 20 cm en termes des dimensions internes, comme exemple pour remplir les conditions du résonateur en cavité de micro- ondes. De cette façon, la force du champ électrique de la micro-onde augmente et l'efficacité de la décharge de micro-ondes est améliorée. Pour la chambre 21 ayant un diamètre interne de 20 cm, l'orifice d'extraction de plasma 30 a une forme circulaire d'un diamètre de 10 cm, il Joue donc le rôle d'un iris dans la configuration du circuit de micro- ondes, constituant ainsi une surface de réflexion pour la micro-onde et permettant à la chambre de formation de plasma 21 de servir de résonateur en cavité de micro-ondes. Alternativement, la plaque en grille métallique 41 que l'on peut voir sur la figure 6 peut être agencée au lieu de l'orifice d'extraction du plasma 30. Dans ce cas, l'espace de la grille dans la plaque 41 est décidé de façon à réfléchir la micro-onde vers l'intérieur de la chambre 21 de formation de plasma, mais à transmettre le courant de plasma 29. Par conséquent, la grille doit de préférence *tre grossière, à condition que l'espace dans la grille soit suffisamment petit en comparaison à la longueur d'onde de la micro-onde. L'espace dans la grille est de 1 à 3 cm pour une fréquence de micro-onde de 2,45 GHz. Quand on utilise une telle plaque 41, on peut obtenir un dépôt uniforme en faisant tourner la table d'échantillon 27, afin d'améliorer ainsi la productivité. Sur le pourtour de la chambre 21 de formation de plasma, sont agencées deux bobines magnétiques fendues 37 et 38 pour décider de la force du champ magnétique qu'elles produisent, afin que les conditions de la résonance du cyclotron à électrons par la micro-onde soient établies à l'intérieur de la chambre 21 de formation de plasma. En effet, la résonance du cyclotron est établie quand la fréquence angulaire Wic du cyclotron de l'électron dans le champ magnétique (w = eB/m, o e est la charge, B est la densité de flux magnétique et m est la masse) est égale à la valeur W de la micro-onde o le champ électrique est perpendiculaire au champ magnétique. La valeur)J est exprimée comme suit: CJ = 2-rrf. Par exemple, pour une micro-onde ayant une fréquence f de 2,45 GHz, les bobines magnétiques 37 et 38 sont établies de façon que l'on puisse obtenir une densité de flux magnétique maximum de l'ordre de 1.000 G parcequ'une densité de flux magnétique de 875 G est requise pour la résonance du cyclotron à électrons. En plus de détail, les bobines magnétiques 37 et 38 sont agencées de façon que le sommet de la chambre de formation de plasma 21 soit placé dans la région o la force du champ magnétique est au maximum et est à peu près uniforme, c'est-à-dire dans la région de la section au tiers central en direction verticale (sur la figure) des bobines magnétiques 37 et 38 sur la figure 3. Dans cette condition, la force de champ magnétique dans cette région est établie à 875 G ou plus quand f = 2,45 GHz. Le diamètre approprié de la chambre 21 de formation de plasma est de 10 à 30 cm. La dimension doit tre décidée dans cette game, et les conditions de résonnco an cavité xgn/2 décrites Cidessus doievt être déoidéeso Du point de vue production de plama uifome, il est prIférable d'avoir n = 1 5o 5 & le dletre de la cebre 21 est supérieur à 30 cm, il úaut dao bobinec mgnti.ues 37 ot 38 extrômement grandesz, ce qui rend difficile la réalisa- tion du systèmeo Le forme de la chabre 21 n'est pas limitée à une forne cyindrique. Ainsi, la ohambre 21 peut être rectangulaire. L'utilisation du chp magnétiquo coe on l'a mentionné ci-dessus a non s uleaent pour effet d'iartir efficacement de l'énergie a= électrous par la r n anoen du cyclotron d'-lectrons iaes a égaleant pour Gffgt d'empêcher les ions et les leOtrons fomés dG o dissiDper perpendioulairement au chsp Détiqu mo e s la Ciroetion du champ magntique, le chnp da@ tiue ivergent dont la force diminue dens la direetion de l!or'fice 50 du plasma est employé s ainsi le plasEa pout Qtre cffiaccement extrait par l'orifice 30. Comme structure de base ontoro nant la formation du plasma oidessuo mentionnée, on peut employer à peu près le m&ie concept que. clui pour la formation de plasma dans Ion $hower A paratusn, qui fait l'objet d'une demand de brevet antérieure de l préaente demanderesse (demande de breovt au Japon N 48 535/1979). Le système est constitué de façon qus le champ magnétique produit par les bobines fagnétiques 37 et 38 puisse être utilise pour la résonoance du cyclotron à électrons dans la chambre de forneation de plasma 21 et, de plus,'puisse atteindre la ohabre d 'chantillon 22o Mi effet, le fond de la chambre 21 est à peu près aligné avec le bas de la bobine magnétique 38, ainsi la distribution de champ magnétique dans l'orifice 30 d'extraction de plasma et la chambre 22 d'échantillon ressemble à celle d'une bobine à air, formant ainsi un champ magnétique divergent avec un tel gradient approprié du champ magnétique. De cette façon, on forme le champ magnétique divergent dont la force (densité de flux magnétique) dans la chambre 22 diminue encore à un gradient approprié à partir de l'orifice 30 d'extraction de plasma jusqu'à la table d'échantillon 27. En général, dans le champ magnétique divergent, les particules chargées subissent un mouvement circulaire tandis que l'énergie du mouvement circulaire est convertie en énergie cinétique dans la direction du champ magnétique divergent avec le moment angulaire conservé. Les particules chargées sont accélérées dans la direction de la ligne de force tandis que la force du champ magnétique diminue. Sur ce principe, le plasma est efficacement transporté vers la table d'échantillon 27 et, de plus, le diamètre du courant de plasma 29 augmente tandis que ce courant 29 s'approche de la table 27. En supposant que les électrons et les ions ont une énergie cinétique de l'ordre de 10 eV et 0,1 eV, respectivement, les- rayons du mouvement circulaire des électrons et des ions dans le plasma n'atteignent qu'environ 0,1 mm et 1-3 nm (pour une densité de flux magnétique de 875 G), respectivement. Par conséquent, on peut considérer que le plasma est extrait tel quel le long de la ligne de force magnétique. Dans ce mode de réalisation, l'intensité de la densité de flux magnétique à la table d'échantillon 27 est de l'ordre de 200 G et le courant de plasma 29 extrait à un diamètre de 10 cm présente un diamètre accru de l'ordre de 20 cm sur la table d'échantillon 27. Les électrons, qui ont reçu l'énergie du mouvement circulaire (que l'on peut considérer comme ayant une valeur moyenne de l'ordre de 10-30 eV) par la résonance du cyclotron à électrons, atteignent la table d'échantillon 27 tandis que 70-80% de l'énergie du mouvement circulaire sontconverts en énergie cinétique dans la direction de la ligne de force magnétique par le champ magnétique divergent ci-dessus mentionné. Ce pourcentage diminuera quelque peu en considérant la perte d'énergie due A la collision avec les molécules gazeuses pendant le mouvement. Dans le plasma formé par la décharge de micro-ondes à travers la résonance du cyclotron à électrons, les électrons ont une forte énergie. Ainsi, les électrons produisent non seulement une forte efficacité pour dissocier et ioniser les molécules gazeuses, c'est-à-dire une forte efficacité d'activation mais sont également graduellement accélérés dans la direction du champ magnétique divergent, atteignant ainsi la table 27. Quand on utilise un isolateur comme matériau de surface de la table 27 ou quand celle-ci est placée en condition électriquement flottante, la table 27 se charge négative- ment par l'incidence des électrons comme on l'a mentionné ci-dessus. Le potentiel négatif accélère les ions dans le plasma vers la table 27 et augmente la quantité d'incidence des ions. Le nombre d'électrons incidents se réduit avec la production d'un potentiel négatif et, par consequent, il se produit un état d'équilibre quand la quantité d'incidence des électrons coïncide avec celle des ions. En effet, dans le courant de plasma 29, un champ électrostatique est induit, tel que le hombre d'ions incidents augmente et que le nombre d'électrons incidents diminue par l'effet du champ magnétique divergent. En d'autres termes, lénergie du mouvement circulaire des électrons est convertie en énergie cinétique-des ions dans la direction du champ magnétique divergent et non seulement les électrons mais également les ions sont accélérés et atteignent la table 27. Cet effet peut être appelé accélération du plasma" dans le domaine de la fusion nucléaire. Dans ce cas, les électrons incidents ont encore -30% de l'énergie du mouvement circulaire d'origine et par conséquent servent efficacement à améliorer la qualité de la pellicule déposée sur le substrat 28 formant échantillon en combinaison avec l'effet de bombardement À u*eosT neTiJ9am un ua e'noTITad aun amuo; uo puenb aoeoTjr;a sntd.sa aouan5bg9z ae.niq q %ue.. moo unp uoTesTITnl 'iuupuadeD a nuTuoo 5 xueunoo ua TaTluaod un aTuaeqo inod LZ uotTuelqouip alqe. uV q nuTuoo iueinoo ap aoinog sun a lueTai ua saoZe emBa aT Tueqop elqTssod ueualseTup %se II *suoTp euumep.zequoq op 3; et TSUTU ze3ues2ne,p uT:e 'aouanbgaj e-a.eq q uOTeeT29Tand op jPT.TSodsTp un,nb adTouTd O amom e1 ns 8Z uolltTlutqo09i tp eoeu;ns Tl q eATIeu uoI. UsTjotI-ol-n0, p uoTsuel aun sxTnpoid Bp!s (,L ean2-;) ú naei.esuepuoo un. dZd 1 uolITuuaeqogp etlq. utl (UOT%,e.dupeap.TnO.To un ueueIuoo) zHl 95' ú q oouenbpz. Bsnu q i.ueino:o sp Zi eoOsnu el xud aouanga9j elnutq Sz q Iue.noo un. enbTlddup taldwaxe.zd elqTssod se TTF Seo Tlai. un suea *eoeoTea uzes aeuaoTfueu snssep-To suoT sep aouepTouTiT B jneTJ9dne eTSiJe5up neeBTut un sUOTp euamefp1qmoq un '.aezoO: q saTnoT:TTed seuTtja.o anod *'lnoTtetd oz UT op uoTioemzoj op uoToeg el ut p jae.esj o p Sntd ue aveojns epuea op atnollTed aunp uoTemw.oj eTl jesTTet ep ja.ied tseo *'z uolIuTI qoip Talqa- etl ans mo oz op eapio4I sp alqueTp un qnbsn %.TSeIts mEo 0o ap aelqmeTp un o9Au;U4X5 6Z ewsuld sp.ueumoo el '11.uageaoÀp enbT%.guemS deqo np enbT.9guiem eoBoJ op au2TT uI ep guol tl erTux.a q.se uusut9d et awoo ' s.ne5tTTe zea eouTu elnoTIlad eun jamioj:.nod lgdgp op uoîi.ovq1 ul ans i:F1ej.xodwT lueumsu.zqwx 4ejea un ue je 'sSnbTioet9 sdueiqo seo. zd el.Fnpo.d o0 enbîT;9uTo eTszeu,[t ep sio el ut se Z uoTTflunqpoqT Bp aoujzns etl ueuuTa;e suoT seap enbTquTo eTsleulq uSUoTaP euTeS& e9teddu. se eoe$;zns Vt q eusutd np uoT2.z eaeD *suoloelt sep enbT-.izaeq. uemesnou np T;e np 98Z uolltTTueqogl ep eoeaTns etl B asep uTvq.eo un q eluespid g es enbTJaoel demqo un 'ueSe.ATp enbTI.9UuE diqo ne Op enbTeluso loeTe dumqo lte. unp sntd u uolTlTuTeqogl Bp eouejns el ans 'Snssep-To uuOTuaem etl uo ammoo suepTOuT sUOT sep 8ú8 t 8&9Z Comme on l'a décrit ci-dessus, le système d'introduction des gaz présente un premier système d'introduction 25 utilisé pour introduire le gaz dans la chambre de formation de plasma 21 et un second système d'introduction 26 utilisé pour introduire directement le gaz dans la chambre d'échsntillon 22 De cette faços le procédé d'introduction des gaz peut âtre choisi selon là sorte de la pellicule à fomer st la sorte des Gaz à amener en tant quo ati&re remire Par oee.ple9 ol l'on doit former une pellicule n niîtrutr d, iloiu% le 2 gazeux stable eGt introduit par le preaiîr syst mo d'introduction 25 et le gz SiH4 qui se disoci faeci!leent est introduit par le second système 26 Ce SiH4 se dis- socie et e ionisé sous 1'ction du courent de plasma et il attetnt la surface de lVéchantillon 28. La réactien se produit principalement à la surface de l ho antillon 28 pour former une pellicule de nitrure de silicium Dns ce cas, les ions et les électrons dn le plasaa, 9ui ont été extraitepaer le chaup agntiu divergent9 font impact contre la surface de lnhatillos' 28 pour favoriser la réaction de foration dune pellioule, pour dissocier et libérer H qui est contenu doan le gaz SiE4 en tant que matière premîre, et pour renforcer la liaison Si-Ne Ainsi, selon la présente invention on peut former une pellicule mînue et fermemont d6poso3e ayant une très bonne qualité, tout n évitant la neossité de favoriser la réaction par une énergie thermiqueo' Il est également possible de former une pellicule en silicium en introduisant le gaz Ar par le premier système d'introduction 25, au lieu du gaz N2. La figure 8 montre la relation entre le rapport de mélsuge Ar:z2 le pourcentage de N2 étant indiqué sur leaxe des absoises et l'indice de réfraotion, sur l'axe des ordonnées, quand on introduit un mélange de Ar et N2 gazeux das le premier système 25. Selon la figure 8, l formation de la pellicule peut 9tre contrôlée sur une game de la pellicule en Si la pellicule en Si3N4 quand on utilise une puissance de ua9ma9eS sTemu suoloel9 sal uaeaelnase uou anb luaemeteSg uaeTTugTs 8 ae'nST el ap jTes2u laeTuaeod ap sanale. sae ÀelnoTlled aun,p UOTemo10 ap snssaeood un suep aelqeagJad S Te:-sE-. noq %so nseAeTu lX. unp jT.Ue2au taBTualod el enb aTp %ned uo a eno es (suoTp auTes) suooe:al9 sap anbTmzaq% %uamaanow ael ed 4TnpuT;TSgu eT; uaeod ne anp uoTlu%9aooup aSTJau,9,t nb azod Ae O0-01 ep a.pao,l op 1Te%9 8Z uoITqueqo,8l op eoUJans sI %uuaTOaTese O suoT sap eTsieugil Mo OZ op eoueSTp B[ 81s.10oA i1-ú[ luTele e ZTeSpu elaueaod eq -ue2jeaTp enbtIu2Bw dueqo np 1a$-a,: ep uoTeueau net no eouessTp el ap UOTIe%.uaeunD, oea& qquene Be B Z uoTIUTeqogp aoqel el q Tsugu laOTueod ea -z /N ZO1 x 999'z ap uotssaid aun Z OABe ZN omoo EH 9s5TTl4n e UO 'seo oo suta 'A OOZ ap sapuo-oiolT op aouessTnd aun umesTlltn ua aouelsTp 4%0ao ae9oeld LZ uollTueqogap elqu. el q %Tnpod qse Tfnb (A) jTq.2agu eTueod aelT a LZ uolITIueqopp elqu ul qe O useld a> UO.oDx p UOTTaOs,p OTeTO l eue (Mo) eoussTp OZ UT eaue UOTItsla T el %aluom eslaoD 'eooT;e.9e -%uegaaATp enbTg9ugom duuqo al aZd 6Z esuTvd ap Iueanoo np UOTOexasp p90ood ael anb luanbTpuT (sassTosqu sap aexet ans 'sToA ue ';Te29pu TaTueod al.e saeuuopio sap exeat lns agnbTPUT 1.se 'mo ue ' aoueSTp 1-nQo) 6 0an2Tr; T el ans saeguassaeda sequuop sea À m/H lo0 x 666'ú Z/N _0.O x 599'9 op %Te%9 z2v op UoTSSaid ap TalDemTdO neI D * ZZ uolITtTuqog,p eaqeeqo eI susp snId no Zm/N ú-OI z 666' ap a*piol ap zeS ap UOTSSaid ap ammei2 eael aun ans elqe.s ageiqogp aun aTuaeqo Inad uo O0 6? emsetd ap queinoo ael emo uonb.a GAT4ODlI uoinb Z UOTouonpo:quTp emaxsss eTUmaed ael sup xnazeS ZN al %Tnpoo.uT uo punr *'UOT.UeAUT.t uoles emsEîd ap gdpp ap aTeaedd un,p aldmaexe un sqade-To sienbTtdxa uo %oz e te8 ZN ozeAe 1 TS op elnoTttllad aun a %O % 5 te, ZN oae TSg p etlnoTTTlled un aTueqo.ned uo 'TSUTy ÀLz uOlTlueDqopp aTlqe; elt jTniqo sues UM/o00 OZ ap UOSTea B V + ZN xnze2 asGuelgm et e im/oo/ 01 ap UOSTDJ: xnozD'az HTS al %TnpoiluT uo,4 enb %e A QOZ apsapuo-oaoTm - 8ú8 8SZ 2481838" les ions sont efficacement extraits par le champ magnétique divergent. On décrira maintenant les résultats de la formation de la pellicule en nitrure de silicium en utilisant le dispositif selon la présente invention. Apres évacuation de la chambre d'échantillon 22 Jusqu'à une dépression ou vide de 10,664 x 10-4 N/m2, le gaz N2 a été introduit dans le premier système d'introduction 25 à raison de 15-20 cc/an et le gaz SiH4 a été introduit dans le second systbme 26 à raison de 10 cc/mn. La pression du gaz dans la chambre 22 a été établie à environ 2,666 x 10-2 N/m2, et une pellicule a été formée dans des conditions d'une puissance de micro- ondesde 100-400 W. La table 27 était placée à une position à 18 cm oh l'augmentation du potentiel négatif est presque saturée. A ce moment, la table 27 n'était pas chauffée, et le dépôt de plasma a été débuté à la température normale. Dans ce cas, la pellicule de nitrure de silicium peut tre formée efficacement à une allure de dépôt de e -350 A/mn. L'indice de réfraction de la pellicule déposée de nitrure de silicium était de 1,9-2,0 en mesurant par analyse ellipsométrique. Selon l'analyse d'absorption infrarouge, le spectre d'absorption de la liaison Si-N était clairement observé, tandis que le spectre de la liaison Si-0 due à l'oxygène comme impureté n'était pas observé. En mesurant le taux d'attaque par une solution d'acide fluorhydrique tamponné pour évaluer la résistance aux acides, on trouva 100 A/mn ou moins. Ainsi, les mesures ont révélé que l'on pouvait former une pellicule de silicium de très bonne qualité. De plus, en comparaison avec une pellicule de nitrure de silicium formée par l'appareil CVD traditionnel, la tension interne de la pellicule obtenue selon la présente invention est oonsidé- rablement faible. Par conséquent, on peut former une pellicule d'une épaisseur de 2,/l ou plus, d'une façon stable, sans qu'il n'y ait de fissures ou d'écaillement. En plus de la pellicule de nitrure de silicium, un appareil de dépôt de plasma selon la présente invention 2481&38 peut être utilisé avec succès pour déposer diverses pellicules comme du silicium, du bioxyde de silicium, un verre au phospho-silicate, du siliciure de molybdène et du siliciure de tungstène. Par exemple, quand on forme une pellicule en silicium (Si), on introduit le gaz SiH4 dans le premier système 25 ou alternativement un gaz inerte tel que Ar est introduit dans le premier système 25 et SiH4 est introduit dans le second système 26. Pour des pellicules en bioxyde de silicium (SiO2), on introduit 02 dans le premier système 25 et SiH4 est introduit dans le second système 26. Pour des pellicules de verre au phospho-silicate (PSG), on introduit 02 dans le premier système 25 et un mélange de SiH4 et PH3 gazeux est introduit dans le second système 26. Pour former des pellicules de siliciure de molybdène (MoSi2), on introduit MoF6 et SiH4 dans le premier système 25 et le second système 26, respectivement. Par ailleurs, il est également possible de contrôler la sorte et la qualité des pellicules en introduisant de plus d'autres gaz dans les premier et second systèmes 25 et 26. Comme on l'a décrit ci-dessus, on utilise dans la présente invention une décharge de micro-ondes dans des conditions de résonance de cyclotron à électrons pour former un plasma, et on extrait efficacement le courant du plasma par un champ magnétique divergent afin qu'une pellicule puisse être déposée sur une région d'une grande surface. Par conséquent, on peut obtenir un plasma ayant une très forte activité à une faible pression de gaz, et une pellicule de bonne qualité peut être formée à une basse température, par l'effet de bombardement des ions et des électrons. De plus, seul un gaz particulier peut être activé exclusivement par les deux systèmes d'introduc- tion de gaz vers la chambre de formation de plasma et la chambre d'échantillon. Par ailleurs, selon la présente invention, on utilise un courant de plasma et le plasma ne vient pas en contact avec la surface de paroi de la chambre d'échantillon. Par suite, cela permet de diminuer l'effet néfaste de 1'adsorption de gaz tel que l'humidité. En plus de ces avantages, la présente invention est également avantageuse pour l'automatisation du processus de formation de pellicule et le contr6le pendant le processus, parce que la chanbre de formation de plasma est agencée séparément de la chsbre d'échantillono Il est clair que la présente invention pout s 'appliquer non soulement au dépôt coGa on lva décrit ci-dessus mae galement à t attaque au plasEa par introduction de gaz contenat un élément halognse tel que CF4. Ce qui suit slapplique è l1appsreil de dépôt de plasma de la figure 3 selon l'invention 1) Les dimensions de la ch abre de feration de plasma, repondant aux conditions du rGonatevt en cavité de micro-ondes changeront lgàrement selon la sorte du gaz, sa pression ou la puissance de micro-ondesintroduite dans la chambre de formation de plasma 21.. 2) Nome silonn'utilise pas d'énergie thermique pour la rèaction de fomation de la pellicule, la tanpéra ture du substrat formant htillon atteindra ds certains cas environ 150-2000C du fait de l'action d'échauffement du plasma ainsni lappareil ne pourra s'appliquer à un substrat formant échantillon ayant une très faible réssîtance à la chaleur. 3) Dans la oomposition du champ Mîmagtique divergent, il est dans certains cas nécossaire d'augaenter l efficacité de formation de plasma, l effitcacité d' etrac- tion et 1 'uniformité du courant de plasma et de plus, de changer la régîon de dépôt selon les applicationso La figure 10 montre un exemple d'un appareil de dépft de plasma selon l'invention, permettent de résoudre les probl&mes ci-dessus décrits La figure 10 montre en détail la section correspondsnt à la moitié supérieure de l'appareil de la figure 3. Sur la figure 10, la plaque de face extreme 51 ayant i'orifice 30 d'extraction du plasma, est disposée de façon à pouvoir se déplacer verticalement (par rapport à la figure) en léger contact avec la surface interne du cylindre 52, qui constitue la chambre de formation de plasma 21. La section extrême inférieure du cylindre 52, qui constitue la chambre 21, est pourvue d'un filetage (non représenté). Ce filetage permet d'aouster la dimension verticale du cylindre 52 qui constitue la chambre 21. Une bobine magnétique 53 est installée sur le pourtour de la chambre de formation de plasma. Par ailleurs, une structure d'impédance, déjà connue dans un circuit stérique à micro-ondes, est installée sur la plaque 51 afin qu'une décharge anormale ne puisse être produite par le champ électrique au moyen de la micro-onde à la section de contact entre la plaque 51 et la surface interne du cylindre 52. Une telle décharge anormale peut affecter de façon néfaste la formation de plasma ou gâcher inutilement la puissance de micro-ondes En effet, sur la plaque 51, une structure ayant une gorge retournée 54, d'une longueur de kg/4 pour la longueur d'onde A g de la micro-onde excitée dans la chambre de formation de plasma 21, est formée. De cette façon, la chambre 21 est établie de façon à pouvoir fonctionner à l'efficacité optimale comme résonateur à cavité de micro- ondespour toutes les diverses conditions de formation de plasma. De plus, il est nécessaire de convertir efficacement la micro-onde, qui s'est propagée à travers le guide d'onde rectangulaire 24, en mode de résonance en cavité dans la chambre 21. Dans ce but, une structure d'iris 55 est montée à la fen#tre d'introduction 23 de micro-ondes afin de compenser l'impédance. Afin de forcer le plasma à efficacement absorber le champ électrique de la micro-onde, renforcé par la résonance en cavité, il est nécessaire de corriger la distribution de champ magnétiqueqce qui est important pour les conditions de résonance du cyclotron à électrons, et de former un champ magnétique uniforme à la région supérieure de la chambre 21. Dans ce but, un organe circulaire 56 fait en un matériau très perméable comme du fer doux, est agencé au-dessus de la fen#tre d'introduction 23 dans ce mode de réalisation. Dans ce mode de réalisation, un disque d'un diamètre de 15 cm et d'une épaisseur de 3 cm et pourvu d'une ouverture rectangulaire de la m#me forme que la forme en coupe externe du guide d'onde rectangulaire 24, est utilisé comme organe circulaire 56. Cet organe 56 s'adapte sur le guide d'onde circulaire 24. Par ailleurs, afin d'ajuster la distribution du champ magnétique divergent, ce qui est important pour utiliser efficament la bobine magnétique 53 et extraire le plasma, un bottier externe 57 fait en un matériau très perméable est agencé afin de couvrir les côtés et le sommet de la bobine magnétique 53. Bien que dans le mode de réalisation de la figure 3, on ait utilisé les deux bobines magnétiques tendues 37 et 38 pour la facilité de la fabrication du dispositif, il est également possible d'utiliser une seule bobine magnétique 53 comme on peut le voir sur la figure 10. La figure 11 montre la condition de la ligne de force magnétique avec un bottier externe 57 en un matériau très perméable. Une telle configuration peut empêcher le champ magnétique de fuir inutilement vers l'extérieur de l'appareil, et peut également réduire le courant continu consommé par la bobine magnétique 53. Dans un autre mode de réalisation selon ltinven- tion, qui est représenté sur la figure 12, un bottier externe 61 est agencé, qui est fait en un matériau très perméable et qui s'étend du pourtour de la bobine magnétique 53 Jusqu'à la section inférieure du pourtour de la chambre d'échantillon 22. En décidant de façon approprIée&l'agencement etdebforme de ce bottier externe, on peut ajuster la distribution du champ magnétique divergent, afin de constituer ainsi un champ magnétique divergent o la section extrême de la ligne de force magnétique tourne dans une direction presque perpendiculaire à l'axe central de la bobine magnétique 53. Dans ce mode de réalisation, un orifice circulaire et concentrique 62 d'extraction du plasma est utilisé, et un certain nombre d'échantillons 63 sont agencés sur la surface cylindrique interne de la table cylindrique d'échantillon 64. Avec ce mode de réalisation, des pellicules peuvent être formées sur de nombreux échantillons 63 à la fois. Dans un tel cas, la présence de défauts dus à la chute de poussière sur les surfaces des échantillons peut être réduite parce que les surfaces des échantillons-sont presque verticales. La construction représentée sur la figure 12 peut avantageusement s'appliquer auxmodoede réalisation de la présente invention des figures 3 ou 10. Afin d'empocher la poussière de tomber sur la surface de l'échantillon, il est également possible d'inverser les côtés supérieur et inférieur des configura- tions des appareils des figures 3 et 10. Dans ce cas cependant, le système d'échappement 34 devra être relié à la section latérale de la chambre d'échantillon 22 et la table d'échantillon 27 devra être changée pour une forme d'un porte-échantillon pouvant maintenir l'échantillon 28. Les résultats d'expériences sur la formation de pellicules avec l'appareil de dépôt de plasma selon la présente invention, ayant une meilleure performance et que l'on peut voir sur la figure 10 ou la figure 12, seront décrits ci-après. Par exemple, du N2 gazeux a été introduit dans le premier système d'introduction 25 à raison de 10 cc/mn, du SiH4 gazeux a été introduit dans le second système d'introduction 26 à raison de 10 cc/mn, la pression des gaz dans la chambre d'échantillon 22 a été établie à 2,666 x 10-2 N/m2, et une puissance de micro-ondes e 200 W a été appliquée pour former la pellicule en nitrure de silicium. Aucun chauffage n'a été accompli pour le substrat formant échantillon 28, et la température pendant la formation de la pellicule a été maintenue à C ou moins en utilisant un moyen de dissipation de chaleur. Dans cette expérience, l'allure de dépôt était de 300 A/mn, l'uniformité du dépôt dans la région d'un diamètre de 20 cm était de + 5%, et on a obtenu une pellicule extrêmement fermement déposée sur le substrat 248 1838 en silicium ou en bioxyde de silicium. L'indice de réfraction de cette pellicule était de 2,0 selon l'analyse ellipsomëtrique et la résistance vis-à-vis de l'acide fluorhydrique était extrêmement excellente (30 A/Mn ou moins pour une solution d'acide fluorhydrique tamponé)-o Avec les appareils traditionnels CVD enrichi au plasma et de transport de oouret de plasaa lactiîav tion est insuffisante et la table d chantillon est chauffée pour Cop nser coette aotivation insuffisateo Au contraire l'appareil e dép8t do plasma selon l'invention p @t d'tliminer la essit d'utiliser de l'énergie theraique pour la réaction de d(pet (ou réction de formation de la pellicule) et pePmot de former efficacement des pellicules d'une extr$ement bonne -15 qualité sur une grande surfaceO Selon la présente Inventi@n il &eGt pas nao esire de chauffer le substrat formant ohatilho2 2S pour la réaction de formation de la pellicule et p consquentD il est peossible demputcher l'augaentQtion de température (100- 200oC) de lécLhatillcn 20 due à laotion dun plasma en instalnt un m6 i8me de refroissemet das la table d échantillon 27 qui est représeté 9 par exemple, sur la figure 3 ou 10, au lieu d'In mc&nismoe chauffnt comme dans le ceas de l ppareil tradîtîonelo En utllisnt la table 27 pou rvue d'uni moisme de rîefri disement9 il est possible de former des pellicules de faon stable sur une longue période de temps tout en maintenant le substrat formant échantillon à une température e@tr&mzment faible de l'ordre de moins de 1000C. Coeme mécanisme de refroidissement pour la table 27, il est possible d'utiliser un système normal de refroidissement à l'air ou à l'eauo La figure 13 montre un exemple d'un système de refroidis- sement à l'eau, o de l'eau de refroidisement est amenée à l'intérieur de la table dtcbantillon 27 par un orifice d'alimentation on eau 71 et en est évacuée par un orifice de vidange 72 La figure 14 montre un exemple du système de refroidissement à l'air, o une ailette 73 rayonnant la chaleur est installée sur le couvercle supérieur 27A de la table d'échantillon 27, et de l'air de refroidissement est amené et évacué par l'entrée/sortie d'air 74. L'utilisation de la table d'échantillon pourvue d'un tel mécanisme de refroidissement permet de déposer des pellicules sur un matériau ayant une très faible résistance à la chaleur comme un substrat semi-conducteur ayant un motif de réserve ou "resist", et de former des pellicules de haute qualité sur divers substrats comme des semi-conducteurs composés ayant une faible résistance à la chaleur, des matériaux supra-conducteurs et des matières plastiques. En particulier, la formation de pellicules de haute qualité sur des motifs de réserve ou "resistn peut s'appliquer à la technologie d'enlèvement, qui est déjà connue dans la technologie de fabrication des dispositifs semi-conducteurs. Ainsi, on peut l'utiliser pour une extrêmement large gamme d'applications. Comme on l'a expliqué ci-dessus, selon l'invention, la composition de résonateur en cavité de micro-ôndesde la chambre de formation de plasma est utilisée très efficacement et la distribution et la composition du champ magnétique divergent, qui sont importantes pour la résonance du cyclotron à électrons par la micro-onde et l'extraction de plasma sont améliorées. Par conséquent, il devient possible de produire un plasma très actif à de grandes quantités et d'irradier le plasma sur l'échantillon en augmentant l'effet de réaction sur une grande surface. Ainsi, des pellicules de bonne qualité peuvent être formées uniquement par l'action du plasma sans l'aide d'une énergie thermique. De plus, selon l'invention, des pellicules de bonne qualité peuvent être formées avec une très bonne productivité, également sur des substrats formant échantillons ayant une résistance à la chaleur extrêmement faible, en utilisant la table d'échantillon pourvue d'un mécanisme de refroidissement. Dans les descriptions ci-dessus, les explications ont été données principalement en se référant au nitrure de silicium Si3N4 comme matériau de formation de la pellicule. Cependant, il sera clair que la présente invention peut également s'appliquer à la formation de pellicules de divers matériaux comme du silicium Si, du bioxyde de silicium SiO2, du siliciure de molybdène NoSi2, du molybdène Mo et de l'aluminium Al. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons si celles-ci sont exécutées suivant son esprit et mises en oeuvre dans le cadre de la protection comme revendiquée. à R E V E N D I C A T I 0 N S ___________________________ 1.- Appareil de dépôt de plasma o des gaz sont introduits dans un récipient sous vide, du plasma est -produit, des molécules dans ledit plasma sont activées et réagissent sur un substrat formant échantillon, o doit être formée une pellicule, afin de déposer une pellicule mince sur ledit substrat formant échantillon, caractérisé en ce qu'il comprend une chambre d'échantillon (22) o est agencée une table d'échantillon (27) pour y placer ledit substrat formant échantillon (28), et une chambre de formation de plasma (21) agencée séparément de ladite chambre d'échantillon afin de produire les gaz qui doivent être activés à la condition de plasma, ladite chambre de formation de plasma étant pourvue d'une fenêtre d'intro- duction de micro-ondes (23), d'un moyen d'introduction de micro-ondes (24) et d'un orifice d'extraction du plasma (30) formé dans la paroi opposée à ladite fenêtre d'introduction de micro-ondes afin d'extraire le courant de plasma vers ladite chambre d'échantillon, un circuit magnétique (37, 38; 53) étant installé au pourtour de ladite chambre de formation de plasma afin de former une densité de flux magnétique nécessaire pour amener une résonance de cyclotron à électrons dans ladite chambre de formation de plasma et former, dans ladite chambre d'échantillon, un champ magnétique divergent dont l'intensité de la densité se réduit à un gradient approprié de ladite chambre de formation de plasma vers ladite table d'échantillon dans ladite chambre d'échantillon. 2.- Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que la chambre de formation de plasma précitée est établie à une forme et des dimensions répondant aux conditions d'un résonateur de micro-ondes en cavité. 3.- Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce quat est pourvu d'un système d'introduction de gaz (25) pour la chambre de formation de plasma précitée et d'un système d'introduction de gaz (26) pour la chambre d'échantillon précitée. 4.- Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un obturateur (31) qui est ouvert et fermé afin d'interrompre le courant de plasma, est agencé entre l'orifice précité de:ztraction de plamaa et la table d ' chantion précitéee 5.o o pareil selon! re vedioation 1D caractérisé en ce que llorifice précité d zt-raction de plasa et pourvu d'une plaque en grille métallique (41).o 6 Appareil selon la revendication 1, caractérié en ce qu'un courant haute frquence d'une source (42) est appliqué @ la tabl déchamtMon précitée afin de produira une tension négative d'autopolarisation à la surface de l'échantillon. 7.- Appareil e!lon la revendication 1, caractérisé en ce que la table déchantillon précitée eGt en condition électriquement flottante. S.- Appareil de dépôt de plasma, caractérisé en ce qu'il conporte une chambre de ornation de plasma (21) et une chambre dohamntîllom (22) o est agencée une table d'échentillon (27) pour y Dlaoer un écatillon (28)D des matiîres premitre de plasma et une puisance de m icro-ond e intro uits dans ladite ch ambre de 2oratin de plasma afin d'y produire du plasma, ladite chanbre de formation de plasma étnt pourvue d e plaque de 2face extrême ay.nt un orifice (30) d'eztraction du plasma pour extraire le plasma sous forme d'un courant de plasma vers ladite chambre déchantillon, un circuit magnétiîue (37, 38; 53) étant installé au pourtour de ladite chembre de formation de plasma, ledit circuit magnétique servent former une densité de flu magnétique d'une intensité nécessaire pour augmenter l'efficacité de la foration de plasma dans ladite ehambre de formation de plasma et pour former, dans ladite chambre d'échantillon, un ch amp magnétique divergent dont l'intensité de la densité se réduit à un gradient approprié de ladite chambre de formation de plasma vers ladite table d'échantillon dans ladite chambre d'échantillon, ladite chambre de formation de plasma ayant une structure d'un résonateur en cavité par rapport à la puissance de micro-onde introduite pour former le plasma, et ladite plaque de face extrême ayant une structure mobile afin d'ajuster la condition de résonance en cavité de la micro-onde. 9.- Appareil selon l'une quelconque des revendi- cations 1 ou 8, caractérisé en ce que la table d'échantillon précitée comporte un mécanisme de refroidissement (71, 72; 73, 74). 10.- Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 ou 8, caractérisé en ce que le circuit magnétique précité comporte une bobine magnétique (53) pour former le champ magnétique divergent pour former le plasma et extraire le plasma, et en ce qu'un matériau très perméable (57) est agencé sur le pourtour de ladite bobine magnétique, afin que la distribution de champ magnétique dans ladite chambre de formation de plasma et ladite chambre d'échantillon puisse être ajustée au moyen de l'agencement et de la forme dudit matériau très perméable. 11.- Appareil selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'orifice d'extraction de plasma (62) précité a une ouverture circulaire et concentrique, en ce que la table d'échantillon (64) précitée est formée d'un cylindre qui est coaxial avec l'axe central de la bobine magnétique précitée, afin qu'au moins un échantillon (63) puisse être agencé sur la surface interne dudit cylindre, et en ce qu'un bottier externe (61) fait en matériau très perméable s'étend du pourtour de ladite bobine magnétique jusqu'au pourtour de ladite chambre d'échantillon.