Brevet FR2474063A1 — publié le 19810724

1. La présente invention concerne un procédé peu coûteux de production de feuilles minces monocristallines. Il peut être appliqué, par exemple, pour la production de feuilles minces monocristallines de matières semiconductrices, destinées à être utilisées dans la fabrication de piles solaires et de circuits intégrés. Il existe, dans l'état antérieur de la technique, une grande variété de procédés pour la production de monocristaux minces. Leur intérêt réside le plus couramment dans la produc- tion de minces pastilles monocristallines de matières semi- conductrice, destinées à être utilisées dans l'industrie électro- nique. Dans la production des ces pastilles, le point de départ est la préparation de matières hautement purifiées, qui sont ensuite utilisées pour le développement de gros monocristaux appelés boules. Parmi les méthodes de développement appliquées à cet effet, on peut citer les procédés de Bridgeman, de Czochralski et de la zone flottante. La boule résultante est sciéeen tranches et les tranches sont ensuite rodées et polies pour l'obtention d'une surface lisse et exempte de défauts sur laquelle sont pratiquées des opérations ultérieures de traitement- La moitié environ de la matière des boules est perdue dans la confection des pastilles. En outre, pour des raisons d'intégrité structurelle au cours de ces opérations, les pastilles sont géné- ralement beaucoup plus épaisses que ce qui est fonctionnellement nécessaire pour le produit final fabriqué à partir des pastilles, ce qui augmente-encore le prix de revient des pastilles. Une technique de formation de pellicules par pelage, consistant à détacher d'un substrat une couche de cristal, a été récemment mise au point pour être appliquée dans la production de monocristaux en pellicule mince destinés à être utilisés dans la fabrication de piles solaires par exemple. Des techniques de ce genre ont fait l'objet de communications d'A.G. Milnes et D.L. Feucht dans Proceedings of the llth I.E.E.E. Photovoltaic Specialist Conference, pp. 338-341 (1975) et de M. Konagi, M. Sugimoto et K. Takahashi dans Journal of Crystal Growth, vol 45, pp. 277-280 (1978). Ces techniques consistent à "peler" des pel- licules en faisant fondre ou en dissolvant une couche formée entre la pellicule et le substrat, cette couche intermédiaire étant différente, quant à sa composition de matière, de la pelli- cule et du substrat. Les techniques décrites ont pour inconvé- nients qu'elles ont un effet franchement défavorable sur la qua- lité des pellicules, sur leur prix de revient Qt sur les dimensions qu'il est possible d'obtenir. Si l'on veut utiliser, pour peler une pellicule, la technique qui consiste à faire fondre une couche intermédiaire dont le point de fusion est inférieur à celui de la pellicule ou du substrat qui lui sont contigus, il est nécessaire qu'une couche liquéfiée soit produite entre la totalité de la pellicule et le substrat dont celle-ci doit être détachée. Pour obtenir un tel résultat, la structure complète, comprenant la pellicule, la couche intermédiaire et le substrat, doit être chauffée à une température au moins égale au point de fusion de la couche inter- médiaire, et maintenue à une telle température jusqu'à ce que la couche liquéfiée nécessaire se soit formée sur toute l'étendue de l'interface entre la pellicule et le substrat, de sorte qu'au moment o l'on cherche à détacher la pellicule, on y parvienne avec succès et que la pellicule ne se déchire pas ou ne soit pas endommagée de quelque autre manière. S'agissant en particulier des composés UUU-V, les tempérautres qu'il faut atteindre sont assez élevées. A de telles températures, il se produit rapidement 3 2474063 une diffusion de matière à travers toute la substance cristal- line. Lorsque la matière liquéfiée issue de la couche intermé- diaire est maintenue en contact avec la pellicule, de la matière provenant de ce liquide va pénétrer dans la pellicule et s'allier avec elle ou y constituer des impuretés. Etant donné que la matière de la pellicule a une composition différente de celle de la couche intermédiaire, afin que leurs points de fusion ne coïncident pas, la matière qui diffuse ainsi peut abaisser la durée de vie et la mobilité de porteurs de charge. Il peut en résulter un abaissement du rendement d'un produit final fabriqué à partir de la pellicule. En outre, il est souhaitable, pour certaines applications, de produire une pellicule présentant une gradation dans la distribution des impuretés. Par exemple, il peut être utile de produire une pellicule dans laquelle une jonc- tion p-n est déjà formée. On peut procéder à la croissance de la pellicule sous une telle forme. Mais si la pellicule est mainte- nue à une température élevée pendant une période appréciable, des processus de diffusion auront tendance à égaliser les distribu- tions d'impuretés qu'elle contient et, par suite, l'effet utile de la jonction p-n sera affaibli. De façon générale, plus les dimensions de la pellicule produite sont grandes, plus longue est la durée pendant laquelle il faut maintenir la structure à une température élevée afin de s'assurer qu'une couche liquéfiée sera présente sur toute l'étendue de l'interface entre la pelli- cule et le substrat pour que le pelage puisse être effectué avec succès. Le problème de la diffusion se pose donc de façon plus aiguë pour les pellicules produites de grand format que pour les plus petits formats. Etant donné qu'il est plus rentable d'utili- ser le matériau en pellicule de plus grand format dans la fabri- cation de piles solaires, le prix de revient d'un tel produit, lorsqu'on applique les méthodes précitées de l'état antérieur de la technique, est influencé dans le sens négatif par les limita- tions relatives au format de la pellicule produite. Comme c'est précisément le prix de revient des piles solaires qui limite leur utilisation, il s'agit là d'un grave inconvénient de ces méthodes antérieures pour leur application à ce produit final. Il existe une autre difficulté avec cet état antérieur de la technique. Pour pouvoir effectuer la croissance d'une couche de monocristal sur une surface monocristalline, il faut que les constantes des réseaux soient très bien adaptées et que les deux matières soient isomorphes. Au surplus, si les deux matières sont soumises à une large variation de température, il faut aussi que leurs coefficients de dilatation thermique soient très bien appariés. Il est rarement possible de parvenir à cette dernière condition. En conséquence, si la variation de tempéra- ture est large, des tensions, des dislocations et des défauts auront tendance à se manifester dans la pellicule produite. La nécessité d'amener la structure (comprenant la pellicule, la couche intermédiaire et le substrat) au point de fusion de la couche intermédiaire et de l'y maintenir pendant un certain temps a pour effet négatif de tendre à produire des défauts de diffé- rents types dans la pellicule obtenue. L'autre technique déjà existante, dont il a été question ci-dessus, consiste à éliminer par dissolution une couche inter- médiaire formée entre le substrat et la pellicule. Il est visible qu'en appliquant cette méthode, on se heurte à de grandes diffi- cultés dans la production de pellicules de grand format. La dif- fusion de matières vers la couche intermédiaire et à partir de celle-ci par les canaux très étroits formés par dissolution entre la pellicule et le substrat au cours du traitement est par inhé- rence un processus très lent - d'autant plus lent que le format des pellicules est grand. La lenteur du processus le rend co - teux. En outre, on ne peut pas s'attendre à ce que' la pellicule soit complètement inerte pour les substances chimiques qui éli- minent la couche intermédiaire en l'absorbant et ces matières peuvent également introduire des impuretés indésirables dans la pellicule. De plus, l'un et l'autre des procédés en question de l'état antérieur de la technique nécessitent la formation d'une couche intermédiaire entre la pellicule et le substrat. La formation d'une telle couche intermédiaire augmente encore la complexité du système et le prix de revient de la pellicule pro- duite. L'invention a pour but de fournir un procédé peu coûteux de production de feuilles minces de semiconducteur ou d'autres matières. Un autre but de l'invention est de fournir un procédé peu coûteux de production de feuilles minces de semiconducteurs ou d'autres matières monocristallins. Un autre but de l'invention est de fournir un procédé peu coûteux de production de grandes feuilles de pellicule mince de semiconducteurs et d'autres matières monocristallins. En bref, d'après les principes de l'invention et dans son mode de réalisation préféré, une couche de monocristal est développée sur la surface d'un substrat monocristallin. Les techniques pour une telle croissance sont bien connues des spé- cialistes, tant du type épitaxial qu'hétéroépitaxial, et elles comprennent par exemple des méthodes épitaxiales avec des vapeurs, des méthodes épitaxiales avec des liquides, la croissance à partir d'une fusion et le dépôt par des faisceaux moléculaires. La matière du substrat a un fort pouvoir absorbant à l'égard du rayonnement laser auquel la matière de la pellicule est perméable dans cette forme de réalisation de l'invention.Dans le cas de matières semiconductrices, cela signifie que l'énergie d'intervalle entre bandes de la pellicule est plus grande que l'énergie photonique caractérisant le rayonnement laser, tandis que l'énergie d'intervalle entre bandes du substrat est plus petite que cette énergie photonique. Si le substrat a été développé sous la forme d'une grosse "boule" cylindrique, il est d'abord mis sous la forme d'un véritable cylindre géométrique. Puis une couche de monocris- tal est développée sur la surface cylindrique de--ce substrat, sauf sur une région linéaire laissée à nu, s'étendant parallè- lement à l'axe du cylindre, région par laquelle débutera ulté- rieurement le pelage. Un rayonnement laser est alors focalisé dans une région du substrat contiguë à la couche de cristal. Cette région de focalisation s'étend sur toute la longueur de la couche, paral- lèlement à l'axe du cylindre. Le système optique utilisé à cet effet produit également une distribution uniforme du rayonnement dans la région de focalisation et, par conséquent, un effet uniforme dans cette région. Le rayonnement laser est dirigé ini- tialement au voisinage immédiat d'un bord de la couche sur le substrat, là o le pelage de la pellicule peut débuter. Etant donné que la matière du substrat absorbe le rayon- nement laser., alors que celle de la couche lui est perméable, le substrat sera chauffé directement par le rayonnement absorbé, tandis que la couche ne sera chauffée que par transfert de chaleur à partir du substrat (en conséquence d'un tel rayonne- ment). Toutefois, une fraction seulement de la chaleur développée sera transférée à la couche. Ainsi, l'effet de chauffage dû au rayonnement sera nettement inférieur dans la couche, en compa- raison du substrat. Pour cette raison, la matière du substrat dans la région de focalisation peut être liquéfiée, alors que la matière contiguë de la couche reste solide - même si la matière de la couche a un point de fusion inférieur à celui de la matière du substrat. Dans le présent mode de réalisation de l'invention, la liquéfaction de la matière du substrat dans la région de foca- lisation se produit au fur et à mesure que le cylindre-tourne au-dessous du système optique (fixe) et la séparation de la cou- che d'avec le substrat est effectuée mécaniquement tandis que cette matière est encore liquide. Etant donné que la quantité effective de chaleur absorbée est petite en dépit de la fusion locale qu'elle détermine, la couche doit être localement séparée du substrat au moment o le rayonnement laser quitte la région, car la matière fondue se solidifiera rapidement, en raison de la dissipation de chaleur dans la matière contiguë dont la température est plus basse. La pellicule est donc progressivement détachée tandis que le rayonnement laser balaie le substrat au- dessous de la couche. En raison de la solidification rapide de la matière liquéfiée, la fusion chaude, de composition différente, ne reste pas en contact avec la couche pendant un laps de temps appré- ciable dans une quelconque région locale donnée. Cela réduit au minimum la présence de matière issue du substrat dans la pellicu- le produite. La durée pendant laquelle se produit un chauffage appréciable de la couche est très brève dans une région locale donnée. Ainsi, les effets de diffusion sont réduits au minimum. Des gradations d'impuretés, établies dans la couche avant l'opé- ration de séparation, peuvent être maintenues. Cela offre l'avan- tage de réduire au minimum le prix de revient de certaines variétés de piles solaires par exemple, en ce sens qu'il est moins coûteux de -former la couche avec une jonction p-n par exemple que de former une telle jonction à un stade ultérieur de la fabrication, après que la pellicule a été séparée du substrat. Les limitations quant au format des produits sont fixées par les exigences relatives au rayonnement laser et par la dis- ponibilité de substrats ayant les dimensions qui conviennent. Il est possible d'utiliser le rayonnement laser pour chauffer simultanément la surface entière du substrat. Ce mode opératoire est moins préférable, car les effets dégradants d'un tel traitement sur la qualité des produits seraient beaucoup plus marqués: en effet, l'apport total de chaleur et la durée de contact avec la fusion chaude seraient l'un et l'autre beaucoup plus élevés. Le processus d'absorption du rayonnement dans une matière semiconductrice par exemple peut être décrit sous forme de paramètres qui permettent, sous un format simple, de comparer différentes matières. Si l'on désigne par F(x) le flux de pho- tons par centimètre carré et par seconde, on a la relation F(x) = F(0) exp(-ac x) dans laquelle aX est le coefficient d'absorption pour un rayon- nement de longueur d'onde X et F(0) est la valeur de F(x) au point de référence x = 0. Le coefficient d'absorption peut être représenté graphiquement en fonction de A et de l'énergie photo- nique pour différentes matières. Un rayonnement laser de longueur d'onde égale à 1,06 microns peut être produit par un laser continu du type Nd:YAG. L'énergie photonique caractéristique d'un tel rayonnement est de 1,17 eV. Ce rayonnement peut être absorbé par une matière semiconductrice ayant une énergie d'intervalle entre bandes inférieure à 1,17 eV. Une matière semiconductrice dont l'éner- gie d'intervalle entre bandes est supérieure à 1,17 eV serait pratiquement perméable à un tel rayonnement. L'énergie d'intervalle entre bandes du semiconducteur InP est égale à 1, 33 eV à 3000K. Son coefficient d'abosorption est dont pratiquement nul à l'égard d'un rayonnement de 1,06 microns. Par contre, des alliages quaternaires du type GaxInx AsyP1 y peuvent être appariés, quant à leur constante de réseau, avec InP et ils peuvent être produits avec des énergies d'intervalle entre bandes couvrant la gamme de 0,75 eV à 1,3-eV. On peut donc produire un tel alliage, qui est un absorbeur efficace du rayonnement laser de 1,06 microns. Si une couche de cristal d'InP est formée sur la surface d'un tel alliage, ayant par exemple une énergie d'intervalle entre bandes de 0,8 eV, il est possible d'utiliser un laser pour séparer la couche du sub- strat selon ce qui a été décrit précédemment. Si le coefficient d'absorption de l'alliage est 105 cm 1, 71 % des photons qui frappent la surface de l'alliage seront absorbés sur une profon- deur de 0,125 microns. D'autres buts, caractéristiques et avantages de la pré- sente invention apparaitront-à l'examen de la description détail- lée qui suit, considérée en liaison avec les dessins annexés. La figure 1 est une représentation graphique de la rela- tion entre le coefficient d'absorption (en ordonnées), la lon- gueur d'onde du rayonnement et l'énergie photonique pour-diffé- rentes matières semiconductrices (en abscisses). La figure 2 est une représentation schématique d'une couche de monocristal au cours de sa séparation d'avec un substrat, à l'aide d'un rayonnement laser qui traverse la couche. *25 La figure 3 est une représentation graphique du système représenté sur la figure 2, mais avec utilisation d'une couche intermédiaire de matière absorbant le rayonnement. La figure 4 est une représentation schématique d'une couche mince de monocristal au cours de sa séparation'd'avec un substrat, à l'aide d'un rayonnement laser qui traverse le sub- strat. La figure 5 est une représentation schématique d'un substrat, avec une couche de monocristal formée sur lui et avec une feuille métallique mince appliquée au contact de la couche. La figure 6 est une représentation schématique de la couche de cristal fixée à la feuille métallique mince selon la figure 5, au cours de sa séparation d'avec le substrat. Sur la figure 1, la relation entre le coefficient d'absorption d'une part et la longueur d'onde et l'énergie pho- tonique du rayonnement d'autre part est représentée graphiquement pour plusieurs semiconducteurs différents. On notera que les matières à intervalle indirect GaP et Si ont un taux d'accroisse- ment du coefficient d'absorption en fonction de l'énergie photo- nique qui est inférieur à celui des matières à intervalle direct GaAs et CdS. Par conséquent, pour une absorption efficace du rayonnement se propageant à travers ces matières à intervalle indirect, la longueur d'onde du rayonnement doit être plus éloi- gnée du flanc d'absorption fondamental (longueur d'onde maximale) dans le sens des longueurs d'onde plus courtes (plus grande énergie photonique) que dans le cas des matières à intervalle direct. A l'état pur, ces semiconducteurs sont assez perméables pour des longueurs d'onde plus grandes que celle qui correspond à leur flanc d'absorption fondamental. A l'état impur, ils sont imperméables (ils absorbent) sur toute la gamme comprise entre l'ultra-violet et les longueurs d'onde radio. Darfs les régions o les matières pures sont fortement absorbantes, elles ont des coefficients d'absorption de l'ordre de 105 cm1. Sur la figure 2, le numéro 3 désigne la partie du sub- strat cylindrique 5 sur laquelle une couche de monocristal en pellicule mince 7 a été formée. Les techniques pour produire la croissance d'une telle couche de cristal sont bien connues des spécialistes et comprennent par exemple l'épitaxie ou hétéro- épitaxie en phase vapeur ou liquide, la croissance à partir d'une fusion et la croissance par faisceau moléculaire. Un laser il émet un rayonnement laser 9,qui est focali- sé par un système optique 13 sur une région de focalisation qui s'étend sur toute la longueur de la couche sur le substrat. La quantité de rayonnement dans la région de focalisation est suffisante pour fondre la matière dans cette région, tandis que le substrat tourne dans le sens 17. Initialement, le bord 19 de la couche est détaché du substrat. Cela peut s'effectuer mécaniquement par l'insertion d'un coin au moment o le subs- trat sous-jacent a été liquéfié. Ce coin n'a pas été représen- té, mais on peut utiliser n'importe lequel des coins en soi connus, convenant à cet effet. Le bord 19 de la couche initialement détaché peut être tenu mécaniquement et utilisé pour exercer une traction sur la pellicule, de telle sorte que tandis que le rayonnement laser balaie la surface du substrat dans le sens de la longueur, les zones liquéfiées puissent être débarrassées de la couche qui les recouvre par une traction exercée sur le dispositif de préhension. Le dispositif de préhension mécanique n'a pas été représenté, mais on peut utiliser à cet effet n'importe quel dispositif classique de préhension. Cette opération se poursuit jusqu'à ce que la couche entière de cristal soit détachée du substrat. Dans le mode de réalisation de l'invention illustré par la figure 2, la couche de cristal est perméable au rayonnement laser absorbé par le substrat. Si la couche est en InP, le sub- strat peut être composé d'un alliage de Ga xIn xAsyP1_Y par exem- ple et utilisé en liaison avec un laser du type Nd:YAG fonction- nant à une longueur d'onde de 1,06 microns. De façon générale, l'alliage utilisé sera choisi cas par cas en ce qui concerne sa composition, de telle sorte qu'il absorbe efficacement le rayon- nement laser particulier qui est utilisé. Sur la figure 3, la même disposition que sur la figure 2 est utilisée, à cette exception qu'une couche intermédiaire de matière 23 absorbant le rayonnement est formée entre la couche de cristal 7 et le substrat cylindrique 5. La liquéfaction de cette couche intermédiaire par absorption du rayonnement laser permet que la couche de cristal 7 qui sera séparée constitue le produit en pellicule mince. Dans ce cas, il est préférable que le sub- strat 5 soit perméable au rayonnement laser (puisque c'est la couche intermédiaire qui absorbe le rayonnement); cela contribue à réduire au minimum le chauffage local qui aurait tendance à dégrader le produit. Dans ces conditions, la couche "intermédiai- re" 23 remplit en fait le rôle de substrat sur lequel est i1 développée la couche de cristal 7. Le mode de réalisation illustré par la figure 3 est particulièrement intéressant dans le cas o il est difficile de développer de grands monocristaux d'une matière absorbant le rayonnement qui convienne en tant que substrat en combinaison avec la matière voulue pour le produit en forme de pellicule mince. Par exemple, il est beaucoup plus facile de développer de grands monocristaux d'alliages de silicium-germanium ayant un pourcentage molaire de silicium compris entre 15 et 95 %. Par conséquent, lorsqu'on veut avoir une pellicule mince de silicium en tant que produit final, on utilise de préférence le système de la figure 3 en formant une couche intermédiaire d'alliage de silicium-germanium en combinaison avec un substrat de silicium. La couche peut être développée avec une épaisseur de 0,5 microns et la couche de cristal de silicium peut être développée avec une épaisseur de 25 microns. Avec une telle épaisseur, le sili- cium est suffisamment flexible pour être facilement manipulé, tout en étant assez épais pour pouvoir être utilisé dans la fabrication d'une pile solaire à jonction p-n ayant un bon ren- dement. Sur la figuré 4, une couche de cristal 27 est formée sur un substrat 25. Dans ce mode de réalisation de l'invention, le substrat est perméable au rayonnement laser (ou autre) 29 qui est transmis à travers lui par le système optique 31 vers la la région de focalisation.33. Au fur et à mesure que se produit la liquéfaction dans la région de focalisation du fait de l'absorption d'une quantité suffisante de rayonnement laser, un coin 35 progresse sous l'action d'un dispositif mécanique (ce dispositif n'est pas représenté, mais on peut utiliser à cet effet un dispositif classique) dans la direction 37, de manière à séparer du substrat la couche de cristal au niveau de la ma- tière liquéfiée. Simultanément, le système optique et le rayon- nement laser balayent la couche dans la direction 39, de telle sorte que la couche entière puisse être progressivement détachée du substrat pour devenir un produit en forme de pellicule mince. La matière liquéfiée a tendance à se solidifier avec une struc- ture cristalline qui est un prolongement de la structure cris- talline de la couche de cristal sous-jacente. Toutefois, elle peut être enlevée mécaniquement ou chimiquement tandis qu'elle est liquide. A la suite de la solidification, si la structure cristalline n'est-pas satisfaisante, elle-peut être recristal- lisée - par exemple par un balayage du rayonnement laser sur elle pour produire une fusion superficielle, ou elle peut être enlevée par des moyens chimiques ou mécaniques. Sur la figure 5 est représenté un substrat 43 avec une couche mince de. monocristal 45 formée sur lui. Une feuille métal- lique mince 47 est appliquée sur la couche par un support 49. Cet ensemble est amené à une température et y est maintenu pen- dant un laps de temps tels qu'il se forme un alliage eutectique de la matière de la couche et de la feuille mince dans leur région de contact mutuel, afin d'établir entre elles une bonne adhérence mécanique et un bon contact électrique. Le mode de formation d'un alliage eutectique entre une matière semiconduc- trice et un métal par exemple est bien connu dans la technique de fabrication des composants-électroniques à semiconducteur.Par exemple, l'aluminium et le silicium forment un tel alliage eutec- tique à 5771C. Sur la figure 6, la séparation de la feuille mince 47 avec la couche de cristal 45 qui y adhère est effectuée en fo- calisant le rayonnement laser 55 au moyen du système optique 53 dans la.-région de focalisation 51, o une fusion locale de ma- tière de la couche de cristal résulte de l'absorption de rayon- nement laser. Au fur et à mesure que ce-produit cette fusion, la feuille mince avec le cristal adhérent est séparée du substrat. 43. N'importe quel dispositif classique peut être utilisé pour exercer une traction sur la feuille mince afin d'effectuer cette séparation. Pour détacher la feuille mince entière avec le cris- tal qui y adhère, le rayonnement laser balaye toute la couche de cristal par déplacement du substrat 43 à une vitesse appro- priée dans la direction 57. Du fait qu'il n'est produit-qu'une très petite quantité de chaleur pour effectuer la séparation, il n'y a pas de risques que des atomes de métal provenant de la feuille mince se dissolvent dans la couche de cristal et dégra- dent ses caractéristiques, comme ce serait le cas si l'on appli- quait un chauffage trop fort pour effectuer la séparation, comme dans l'état antérieur de la technique. La matière liquéfiée a tendance à se solidifier avec une structure cristalline qui est un prolongement de celle du solide sous-jacent. Si cela ne s'effectue pas de manière satis- faisante, on peut l'enlever ou la traiter pour produire une structure cristalline plus satisfaisante, selon ce qui a été indiqué précédemment. L'invention a été décrite à propos de modes de réalisa- tion particuliers, mais il est bien entendu que ces modes de réalisation sont simplement des illustrations de l'application des principes de la présente invention. L'idée de base de l'in- vention est de fournier une couche de cristal qui constituera le produit final, développée sur une matière de composition dif- férente (appelée le substrat), ces deux matières ayant des carac- téristiques d'absorption différentes à l'égard du rayonnement utilisé pour effectuer la séparation. La direction du rayonne- ment incident, de même que celle des deux matières qui l'absorbe, ne sont pas des conditions impératives, pour peu que le rayonne- ment traverse l'une des matières et soit absorbé par l'autre au niveau de leur interface. Les techniques de l'invention peuvent être appliquées pour l'obtention de produits monocristallins, aussi bien que polycristallins. Il est-donc bien entendu que de nombreuses modifications peuvent être apportées aux modes de réa- lisation décrits de l'invention et que d'autres systèmes peuvent - être imaginés sans que l'on s'écarte pour autant de l'idée et du cadre de l'invention. - REVENDICATIONS - 1. Procédé de production de feuilles minces mono- cristallines, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant à développer une couche de cristal sur un substrat, cette couche de cristal étant perméable à un rayonnement, d'au moins une longueur d'onde particulière, que le substrat peut absorber dans une région contiguë à l'interface entre ce substrat et la couche de cristal, à diriger le rayonnement, d'au moins la longueur d'onde particulière, vers une partie au moins de ladite région absorbante à travers la couche de cristal, de telle sorte que la matière de cette partie au moins de la région absorbante se liquéfie, et à détacher la couche de-cristal niveau de la matière liquéfiée. 2. Procédé selon la revendication 1, ce que le rayonnement est un rayonnement laser. 3. Procédé selon la revendication 1, ce que la couche de cristal est développée avec monocristalline. du substrat au caractérisé en caractérisé en une structure 4. Procédé ce que le rayonnement 5. Procédé selon la revendication 3, est un rayonnement laser. de production de feuilles caractérisé en minces mono- cristallines, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant à développer une couche de cristal sur un substrat, cette couche de cristal pouvant absorber un rayonnement, d'au moins une longueur d'onde particulière, auquel le substrat est perméable, dans une région de la couche de cristal à l'interface entre cette couche de cristal et le substrat, à diriger le rayon- nement, d'au moins la longueur d'onde particulière, vers une 2474063 partie au moins de la région absorbante à travers le substrat, de telle sorte que la matière de cette partie au moins de la région absorbante se liquéfie, et à détacher du substrat la couche de cristal, là o est présente la matière liquéfiée. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que le rayonnement est un rayonnement laser. 7. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche de cristal est développée avec une structure monocristalline. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le rayonnement est un rayonnement laser. 9. Procédé de fabrication de feuilles minces mono- cristallines, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant à développer une première couche de cristal sur un substrat, à développer une seconde couche de cristal sur la première couche de cristal, la première couche de cristal pouvant absorber un rayonnement, d'au moins une longueur d'onde parti- culière, auquel la seconde couche de cristal est perméable, à diriger le rayonnement, d'au moins la longueur d'onde particulière, vers une partie au moins de la première couche de cristal à travers la seconde couche de cristal, de telle sorte que la matière de cette partie au moins de la première couche de cristal se liquéfie, et à détacher du substrat la seconde couche de cristal au niveau de la matière liquéfiée. *25 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le rayonnement est un rayonnement laser. 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la seconde couche de cristal est développée avec une structure monocristalline. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le rayonnement est un rayonnement laser. 13. Procédé de fabrication de feuilles monocristallines, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant à développer une couche de cristal sur un substrat, cette couche de - cristal pouvant absorber un rayonnement auquel le substrat est perméable dans une partie au moins de cette couche de cristal, à faire adhérer une feuille métallique mince à la couche de cristal, à diriger le rayonnement vers ladite partie au moins 16 -2474063 de la couche de cristal à travers..le substrat, de telle sorte que la matière de cette partie au moins de la couche de cristal se liquéfie, et à détacher du substrat la couche de cristal fixée à la feuille métallique mince au niveau de la matière liquéfiée. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le rayonnement est un rayonnement laser. -15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la couche de cristal est développée avec une structure monocristalline. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que le rayonnement est un rayonnement laser. 17. Procédé de fabrication de feuilles monocristallines, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant à développer une couche de cristal sur un substrat, l'un ou l'autre parmi la couche de cristal et le substrat étant perméable à un rayonnement, d'au moins une longueur d'onde particulière, que l'autre parmi la couche de cristal et le substrat peut absorber dans une région située à l'interface entre le substrat et la couche de cristal, à diriger le rayonnement, d'au moins la longueur d'onde particulière, vers une partie au moins de celui qui est absorbant parmi la couche de cristal et le substrat, de telle sorte que la matière absorbante se liquéfie, et à détacher du substrat la couche de cristal au niveau de la matière liquéfiée. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que le rayonnement d'au moins la longueur d'onde particulière traverse celui qui est perméable parmi la couche de cristal et le substrat sur son trajet vers celui qui est absorbant parmi la couche de cristal et le substrat. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en en ce que le rayonnement balaye ladite interface et en ce que la couche de cristal est détachée dans la région de.cette interface. qui a été irradiée. 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que le rayonnement est un rayonnement laser. 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que la couche de cristal est développée avec une structure monocristalline. 17 2474063 22. Procédé selon la revendication 18, caractérise en ce qu'il comprend l'opération supplémentaire consistant à faire adhérer une feuille de matière à la couche de cristal avant que celle-ci ne soit détachée du substrat. 23. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'une traction est exercée sur la feuille de matière pour détacher du substrat la couche de cristal.