Brevet FR2484726A1 — publié le 19811218

Les thyristors, et autres composants semi- conducteurs de puissance tels que: diodes, transistors travaillant à la saturation ettriacs, sont habituellement dimensionnés pour pouvoir supporter sans risque de détério- ration la puissance maximale qui peut leur être demandée de manière temporaire. Il en résulte qu'ils sont largement surdimensionnés pour la puissance normale d'utilisation. Dans certaines applications o des courants qui peuvent atteindre plusieurs fois le courant normal d'utili- sation, par exemple la commande de démarrage, les contacteurs statiques ou hybrides., circulent temporairement dans le com- posant, il serait intéressant, pour éviter le surdimension- nement du composant, de pouvoir simuler avec précision et en permanence l'échauffement subi par la jonction, afin de dé- clencher un organe de sécurité ou une alarme en cas de dépas- sement d'une température de consigne inférieure à la tempé- rature maximale autorisée. Ce problème n'a pas été résolu jusqu'ici de manière satisfaisante. Pour un composant semi-conducteur de puissance comportant un boîtier et un radiateur, on peut dé-finir une résistance thermique Rjb entre la jonction et le fond de boîtier, dont la valeur est donnée par le constructeur. On peut de même définir une résistance thermique Rbr entre le boîtier et le radiateur dont la valeur peut être donnée par le constructeur et une résistance thermique Rra entre le radiateur et l'atmosphère ambiante. Cette dernière, ainsi que Rbr lorsque sa valeur n'est pas donnée par le construc- teur, peuvent être mesurées par collage d'un thermo-couple sur les éléments considérés et application de la formule: LT = P X Rth, Rth étant la résistance thermique à mesurer, P la puissance transmise et ATîla différence de température entre les extrémités de l'élément. Cette mesure n'est pas, en pratique, susceptible d'être effectuée à l'échelle de la fabrication industrielle du produit, car le thermo-couple est difficile à monter de manière stable sans ajout d'une masse importante qui augmente excessivement la constante de temps thermique de l'élément -2- mesuré. Toutefois, il est possible de l'effectuer en laboratoire sur un échantillon du composant. La présente invention repose sur la découverte expérimentale du fait que la résistance thermique totale instantanée d'un composant électronique du type susvisé est approximativement donnée par la formule: Rth Rjb (1-e t/Jb + Rbr (-e + Rra ( L'invention consiste à simuler la puiss.ance- moyenne dissipée par le composant et à Injecter le signal image de cette puissance à l'entrée de moyens de simuler l-a résistance thermique totale instantanée, de façon à obtenir finalement un signal image de l'échauffement subi par le composant. Le dispositif suivant l'invention est caractérisé par la combinaison: a) de moyens de simuler-l'intensité instantanée du courant qui'circule dans le composant b) de moyens de simuler, à partir du signal image de l'inten- sité instantanée, le courant moyen et le carré du courant efficace c) de moyens de sommation du courant moyen etdu carré du courant efficace, affectés de coefficients-de pondéra- tion qui représentent des valeurs maximales garanties par le constructeur, en vue de simuler la puissance moyenne dissipée par le composant d) de moyensde simuler les constantes de temps des résistan- ces thermiques Rjb, Rbr et Rra susvisées, le signal image de ladite puissance moyenne fourni par les moyens visés en(c) étant appliqué à l'entrée desdits moyens de simula- tion des constantes de temps et e) de- moyens de sommation des signaux images des constantes de temps susvisées, affectées de coefficients de pondéra- tion correspondant aux valeurs, données par le construc- teur ou préalablement mesurées, desdites résistances thermiques, en vue d'obtenir un signal image de l'échauf- fement subi par le composant. Pour un thyristor, on sait que la puissance P est liée au courant moyen Im et au courant efficace Ieff par la relation: p = Vo Im + Rd I - oeff V0 (tension. de seuil) et Rd'(résistance dynamique).sont variablesd'un composant a l'autre d'une série, mais leurs valeurs maximales garanties-; données par le constructeur, constitueront les coefficients de pondération visés-en (c) ci-dessus. Pour les autres composants semi-conducteurs du genre susvisé, comportant une résistance dynamique en série avec une chute de tension (éventuellement nulle) indépen- dante du courant,'il existe-des coefficients équivailents, donnés par-le constructeur: pa-r exemple, Vce à saturation et Ron pour un transistor en saturation. On notera que les constantes de temps Tjb, Tbr et Tra ont des valeurs très inégales, de l'ordre de la - fraction de seconde pour la première, de quelques secondes pour la deuxième et de 50 à 1000 secondes pour la troisième. Si les deux premières constantes de temps peuvent être.simulees au moyen d.e simples circuits à RC, il n'en est pas de même pour la dernière. C'est pourquoi une particularité importante de l'invention consiste a appliquer, en vue de la simulation de Tra, un dispositif du type décrit dans le brevet français déposé par la Demanderesse le 7 Décembre 1979 sous le - No 79 30094 pour "Dispositif de simulation d'un phénomène variable dans le temps avec une constante de temps élevée, notamment la température d'une charge électrique". Ce dispositif comprend un condensateur chargé et/ou déchargé par une tension d'entrée à travers une 2484.726 -4 - résistance et est caractérisé par un interrupteur-découpeur, connecté en série avec ladite résistance, et par des moyens d'engendrer des impulsions périodiques commandant ledit interrupteur-découpeur. D'autres particularités, ainsi que les avantages de l'invention, apparaîtront clairement à la lumière de la description ci-après. Au dessin annexé la figure 1 est un schéma de principe d'un dis- positif de simulation de l'échauffement conforme au mode d'exécution préféré de l'invention; la figure 2 représente-une forme d'exécution préférée des circuits de. simulation de la puissance moyenne; la figure 3 représente une forme d'exécution préférée des circuits de simulation des constantes de temps et de l'image de l'échauffement et la figure 4 représente les formes d'ondes en différents points de ces circuits. A la figure 1, on a représenté une résistance R1 qui traduit en une tension UE l'intensité I dans le composant et un circuit VA qui donne la valeur absolue kI de UE, k étant une constante. Cette information est envoyée, d'une part sur un circuit VM de calcul de la valeur moyenne k1 ImM d'autre part sur un circuit EC élévateur au carré qui calcule le carré de la valeur efficace k2 'eff; (ce circuit est associé à une base de temps BT). La valeur moyenne et le carré de la valeur efficace sont appliquées à un sommateur S avec les coefficients de pondération k1 et k2 qui permettent d'obtenir un signal image i(Pm) de -la. puissance moyenne-dissipée. Ce signal est injecté à Ventrée de trois'circuits KTra' KTbr' KTjb qui simulent les constantes de temps respectives Tra' Tbr et Tjb et sont attaqués par une base de temps B1T1 Comme on l'a expliqué ci-dessus, les circuits Krbr et KT.b peuvent être du type bpuetêrdutp - traditionnels à résistance-capacité; tandis que le troisième est du type décrit dans le brevet français susvisé. Les sorties de ces trois circuits sont appliquées, avec des coefficients de pondération correspondant auxtrois 2484726-- résistances thermiques respectives susvisées, à un sommateur S1 dont la sortie donne un signal i eO) image de l'échauf- fement de la jonction du composant semi-conducteur. Les différentes fonctions décrites ci-dessus peuvent être réalisées de la façon suivantes l'intensité I dans le composant SC peut être lue à l'aide d'un transformateur d'intensité T.I. (figure 2) et transformée en tension UE à l'aide de la résistance R Le circuit VA d'établissement de la valeur absolue est de forme classique (redresseur sans seuil). Le circuit valeur moyenne VM est composé d'un amplificateur opérationnel A1 dont le gain est déterminé par un diviseur formé de résistances R2 et R3. Des résistances R4 et R5 et un condensateur C1 forment un filtre qui permet de prendre la valeur moyenne du signal kI. La base de temps BT est un générateur de signaux carrés de rapport cyclique faible qui attaquent le circuit EC, pour réarmer le monostable M que comprend EC et qui est, par exemple, du type LM 555. Le monostable M décharge périodiquement un con- densateur C2, lequel est chargé à courant constant par un transistor Q1. Le courant de charge est déterminé par une résis- tance R6 et un pont diviseur de base composé de résistances R7, R8 et d'une diode D1. Cette dernière compense les varia- tions de la tension base-émetteur du transistor en fonction de la température. La tension aux bornes de C2 est envoyée à l'entrée positive d'un comparateur A2(à travers une résistance Rg) dont la sortie bascule lorsque la tension sur ladite entrée positive devient supérieure à la tension KI envoyée sur I' entrée négative à travers une résistance R10. Le front montant de la sortie de A2 est envoyé sur la broche 6 de M et provoque la décharge du condensa- teur C2. L'autorisation de charge du condensateur C2 - n'interviendra que lors d'un front descendant de la -base de -6 temps BT (voir diagramme Figure 4). Un condensateur C3 améliore la stabilité. Une résistance Ril est la résistance de charge de l'étage de sortie du comparateur. La durée de la charge du condensateur C2 est proportionnelle à la tension kI, de même que son amplitude. L'aire-du triangle ainsi décrit est donc proportionnelle au carré de l'intensité. Cette tension est prélevée par un pont diviseur R12-R13 et filtrée par un condensateur C4, pour être appliquée à un amplificateur opérationnel A3. La sortie de l'amplificateur opérationnel A3, dont le gain est fixé par un pont diviseur R14 R15, est donc proportionnelle au carré de l'intensité efficace. Un amplificateur opérationnel A4,-dont le gain est déterminé par un pont diviseur composé de résistances R16 R17, reçoit sur son entrée positiveles signaux de sortie de A3 et de A1, respectivement pondérés par des résis- tances R18 et Rl9. La tension de sortie de A4 est donc l'image de la puissance moyenne dans le semi-conducteur. La constante de- temps jonction boîtier tjb est réalisée par une résistance R20 et un condensateur C5 suivis d'un amplificateur opérationnel A5 monté en suiveur. La constante de temps boîtier radiateur Tbr est réalisée par une résistance R21 et un condensateur C6 chargé par un amplificateur opérationnel A6 monté en suiveur. La constante de temps radiateur-atmosphère am- biante Tra est réalisée par une résistance R22, un condensa- teur C1 et par un système à découpage composé d'une base de temps B1T1 délivrant des signaux carrés de rapport cyclique faible (1/1000 par exemple) et de période 1 seconde environ Ces signaux commandent un commutateur analogique CA1. Ce système permet de multiplier artificiellement la constante de temps R22 x C7 par le rapport cyclique de la base de temps B1T1. La tension aux bornes du condensateur C7 est prélevée par un amplificateur opérationnel A7 qui peut être du type à transistor à effet de champ, ce dernier étant monté en suiveur. Une résistance R23 permet de décharger le con- densateur C7 à l'aide d'un second commutateur analogique CA2, en fonction des conditions initiales (symbolisées par un rectangle CI). Les sorties des trois étages suiveurs A7, A6 et A5 sont envoyées sur un amplificateur opérationnelA8 à travers des résistances d'entrée R24. R25 R26 respectivement. Ces résistances fixent le poids de chaque résis- tance thermique par rapport à la-résistance thermique totale. R27 est une résistance de gain, R28 une résis- tance de compensation du courant de dérive de l'amplifica- teur A8. La sortie de l'amplificateur A8 est donc propor- tionnelle en valeur instantanée à l'échauffement de la jonction du composant semi-conducteur. Pour la gamme de temps o l'on recherche la validité de cette simulation et pour certains types de composants semi-conducteurs, on peut supprimer les circuits de constante de temps Tjb et Tbr, en ne tenant compte que de la valeur finale des constantes de temps correspondantes. On a représenté à la figure 1, un capteur de mesure KTa de la température ambiante Ta, constitué par exemple par une résistance à coefficient de température négatif. Le courant image de Ta est ajoutée dans un somma- teur S2 au courant image de l'échauffementLD pour donner l'image de la température réelle de la jonction. Cela permet d'utiliser le composant au maximum de ses possibili- tés, en particulier lorsque la température ambiante est relativement faible. -8- REVENDICATIONS - 1. Dispositif de simulation de l'échauffement instantané d'un composant semi-conducteur de puissance en vue de sa protection, caractérisé par la combinaison: a) de moyens (TI, Rl) de simuler l'intensité instantanée(I) du courant qui circule dans le composant b) de moyens (VM et EC) de simuler, à partir du signal image de l'intensité instantanée, le courant moyen (Im) et le carré du courant efficace Ieff c) de moyens (S) de sommation du courant moyen et du carré du courant efficace, affectés de coefficients de pondéra- tion qui représentent des valeurs maximales garanties par le constructeur en vue de simuler la puissance moyenne dissipée par le composant d) de moyens (KT-br KTbr et KTra)de simuler les constantes de temps des résistances thermiques Rjb, Rbr et Rra susvisées, le signal image de ladite puissance moyenne fourni par les moyens visés en(c)étant appliqué à l'entrée desdits moyens de simulation des constantes de temps et e) des moyens (Sl) de sommation des signaux images des cons- tantes de temps susvisées, affectées de coefficients de pondération correspondant aux valeurs, données par le constructeur ou préalablement mesurées, desdites résis- tances thermiques, en vue d'obtenir un signal image de l'échauffement subi par le composant. 2. Dispositif selon la revendication 1, carac- térisé en ce que lesdits moyens (KTra) de simuler la cons- tante de temps thermique du radiateur par rapport à l'atmos- phère ambiante comprennent un condensateur(C7) chargé et/ou déchargé par une tension d'entrée à travers une résistance (R22) et un interrupteurdécoupeur (CA1),connecté en série avec. ladite résistance, et par des moyens (B1Tl) d'engendrer des impulsions périodiques commandant ledit interrupteur- découpeur. 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que lesdits moyens de simuler le courant efficace comportent une bascule monostable (M); une base de 248 4726 -9- temps (BT) réarmant ladite bascule par des signaux de faible rapport cyclique; un condensateur (C2) déchargé périodiquement par la bascule monostable et chargé à courant constant par un transistor (Q1) et un comparateur (A2) qui reçoit, d'autre part, la valeur absolue ( k) de l'image du courant (I), la sortie dudit comparateur étant appliquée à la bascule monos- table pour provoquer ladite décharge. 4. Application du dispositif selon la revendication 1 à la simulation de la température réelle de la jonction par addition dans un sommateur (S2) du signal image de l'échauf- fement i (Ae) et d'un signal image de la tempeérature ambiante i (Ta).