Brevet FR2485848A1 — publié le 19811231

I La présente invention se rapporte à des amplificateurs à fréquence intermédiaire (I.F.) pour télévision et, plus particulièrement, à un amplificateur à fréquence inter- médiaire à plusieurs étages o deux techniques de réglage de gain sont avantageusement combinées pour produire un système d'amplification à gain élevé présentant une inter- modulation et une distorsion d'amplitude minimales et une faible consommation de courant. Dans une section d'amplification à fréquence inter- médiaire traditionnelle pour télévision, plusieurs étages amplificateurs sont habituellement montés en cascade pour produire une forte amplification du signal à fréquence interélédiaire qui est reçu du circuit tuner et mélangeur. Comme le signal à fréquence intermédiaire reçu peut âtre de force variable, le gain d'un ou plusieurs des étages amplificateurs est généralement réglé, pour que l'étage amplificateur à fréquence intermédiaire final applique un signal d'une force sensiblement constante au détecteur vidéo. Cependant, si l'on fait varier le gain de l'étage ou des étages dont le gain est réglé par les techniques habituelles de réglage de gain direct ou inverse, les points de fonctionnement des étages amplificateurs sont inévitablement changés tandis que les courants continus conduits par ces étages amplificateurs changent. Ces glissements des points de fonctionnement en courant continu seront appliqués aux étages subséquents dans l'amplificateur quand les amplificateurs seront couplés en courant direct les uns aux autres, ce qui est la technique traditionnelle couramment utilisée. Cela donnera une altération non souhaitable des points de fonctionnement des étages subséquents, tandis que les courants continus changeant se propageront à travers les étages amplificateurs en cascade. Par ailleurs, les courants continus provoqueront des changements du niveau en courant continu du signal amplifié, pouvant affecter de façon néfaste le fonctionnement du détecteur vidéo et du système de réglage automatique de gain. Il est par conséquent souhaitable que le réglage de gain de l'amplificateur à fréquence intermédiaire soit effectué de façon à éviter les glissements des points de fonctionnement des dispositifs amplificateurs. Selon les principes de l'invention, un amplificateur à fréquence intermédiaire est prévu, o le réglage du gain est accompli en faisant varier les impédances en courant alternatif de dispositifs à impédance variable, lesquels dispositifs sont couplés en tant qu'impédancEsde charge et 1o de contre-réaction d'émetteur pour les transistors amplificateurs. Des courants continus variables de réglage de gain sont appliqués auKdispositifs à impédance variable pour faire varier les impédances. Sensiblement tous les courants continus de réglage de gain s'écoulent à travers les dispositifs à impédance variable dans des trajets de courant qui sont séparés des transistors amplificateurs, afin d'éviter ainsi une variation importante des points de fonctionnement des transistors amplificateurs. Comme les points de fonctionnement des divers étages sont sensiblement non affectés pendant le réglage du gain, des étages individuels peuvent ttre conçus pour fonctionner à des points de polarisation optimaux et sensiblement invariables0 Les dispositifs à impédance variable que l'on utilise dans l'amplificateur selon l'invention peuvent ttre reliés soit comme des charges de collecteur ou des impédances d'émetteur pour les transistors amplificateurs. Quand ils sont couplés comme des charges de collecteur, le réglage de gain est obtenu en faisant varier les lignes de charge des amplificateurs. Quand ils sont couplés comme des impédances d'émetteur, le réglage de gain est obtenu par une contre-réaction variable d'émetteur. Pour diminuer le gain d'un étage amplificateur à charge de collecteur variable, le courant de réglage de gain appliqué au dispositif à impédance variable est augmenté; pour diminuer le gain d'un étage amplificateur à contre-réaction d'émet- teur, le courant de réglage de gain qui est appliqué au dispositif à impédance variable est diminué0 Si l'onn' utilise que des étages à charge de collecteur variable, il faudra un écoulement maximum de courant de réglage de gain dans la condition de gain minimum; de même, si l'on n' utilise que des étages à contre-réaction d'émetteur, le courant de réglage de gain sera au maximum dans la condition de gain maximum. Selon un autre aspect de l'invention, on emploie ces deux techniques de réglage de gain dans des étages amplificateurs respectifs différents, ce qui réduit la quantité maximum de courant de réglage de gain qu'il faut en tout point particulier dans le processus de réglage de gain, réduisant ainsi la consomma- tion de puissance du système. Dans un mode de réalisation préféré de l'invention, on utilise trois étages à gain réglé dans un amplificateur à fréquence intermédiaire. Dans les deux premiers étages, on emploie un réglage de gain à charge de collecteur variable et dans 1' étage final on emploie une contre- réaction réglée d'émetteur. Comme les dispositifs à impédan- ce variable sont reliés dans le circuit d'émetteur de l'étage amplificateur final, ils ne peuvent introduire de distorsion par intermodulation d'amplitude dans les signaux amplifiés, pouvant se produire s'ils étaient appliqués au collecteur du transistor du troisième étage, o sont développés des signaux à un niveau haut, Dans le mode de réalisation préféré, on emploie également une séquence de réduction de gain o les dispositifs à impédance variable de 1' étage final sont couplés avant que le signal à fréquence intermédiaire appliqué par les premier et second étages n'ait atteint son amplitude maximum, afin de garantir encore mieux que les dispositifs de l'étage final n'introduiront pas de distorsion dans le signal amplifié dans des conditions de signal important. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention et dans lesquels: - la figure 1 montre sous forme schématique et sous forme de schéma bloc un amplificateur à fréquence inter- médiaire à trois étages construit selon les principes de l'invention; - la figure 2 montre les conditions de courant de réglage de gain de l'agencement de la figure 1. En se référant à la figure 1, trois étages amplifi- cateurs différentiels à fréquence intermédiaire-1, 100 et sont reliés en cascade, avec un trajet de contre- réaction relié entre les troisième et premier étages 200 et 1. Les trois étages sont réglés en gain par des courants de réglage appliqués par un système AGC (réglage automa- tique de gain)40, et les tensions de polarisation du système sont appliquées par une alimentation en tension de polarisation 70. Un signal vidéo à fréquence intermédiaire en push- pull est appliqué entre les bornes d'entrée 32 et 34, qui sont reliées aux bases de transistors tampons 50 et 52 du premier étage 1. Les collecteurs des transistors 50 et 52 sont reliés à l'alimentation de polarisation 70, et leurs émetteurs respectifs sont reliés aux bases des transistors amplificateurs 10 et 12. La polarisation des connexions émetteur-base des transistors 50 et 10, et 52 et 12 est obtenue par des résistances 54, 56 et 58. Un trajet de retour à la masse en courant continu pour les émetteurs des transistors 10 et 12 est formé par des résistances 66, 67 et 69 et une résistance de pincement 68. La résistance 68 est également utilisée pour stabiliser les variations chbêfa dans les transistors du premier étage, lesquelles variations peuvent se présenter d'un a&cuit à l'autre pendant la production en volume de l'amplificateur sous forme de circuit intégré. L'impédance d'émetteur en courant alternatif des transistors 10 et 12 est dominée par une résistance 62 et un condensateur d'écrêtage 64, qui sont reliés en parallèle entre les émetteurs des transistors Chaque transistor amplificateur 10 ou 12 a une impédance de charge qui comprend une résistance 18 ou 20 reliée entre le collecteur du transistor respectif et l'alimentation 70, et un dispositif à impédance variable0 Le collectetr du transistor 10 est relié à la base d'un dispositif à impédance variable 14 et le collecteur du transistor 12 est relié à la base d'un dispositif à impédance variable 16. Les dispositifs 14 et 16 ont des collecteurs qui sont reliés à un potentiel de référence (masse) et des émetteurs Joints, qui sont reliés pour recevoir un courant de commande du système AGC 40 par une résistance 22. Les signaux de sortie auKcollecteursdes transistors amplificateurs 10 et 12 sont appliqués en count direct aux bases de transistors tampons 150 et 152 du second étage amplificateur 100, Le second étage 100 est construit d'une façon analogue au premier étage amplificateur 1, et des éléments respectivement semblables de circuit présentent des repères qui sont accrus d100 em comparaison à leur contre-partie du premier étage. Le second étage 100 diffère du premier parce qu'il ne contient pas de condensateur d'écrêtage ou de résistance de pincemento Une diode 170 polarisée en direct est reliée entre la résistance d'émet- teur 169 et la masse. Cette diode coopère avec les transis- tors amplificateurs et tampons dans le second étage pour appliquer, au collecteursdes transistors 10 et 12, un terme de 3Vbe en courant continu dans des buts de stabili- sation de polarisation et dB température. On peut voir que le collecteur du transistor 10 est polarisé en courant continu par les jonctions baseémetteur des transistors et 110 et la jonction de la diode 170o De même, le collecteur du transistor 12 est polarisé en courant continu par les jonctions base-émetteur des transistors 152 et 112 et la Jonction de la diode 170. La construction et le fonctionnement des premier et second étages amplificateurs 1 et 100 sont décrits en plus de détaildans la demande de brevet U.S. Nô. 143 032 intitulée "VARIABLE LOAD IMPEDANCE GAINCONTROLLED AMPLIFIER", du 23 Avril 1980. Comme cela y est expliqué, on fait varier le gain des étages amplificateurs en faisant varier la tension et par conséquent le courant appliqus aucdispositifs à impédance variable 14, 16 et 114, 116. Dans des conditions de gain maximum, peu ou pas de courant est appliqué aux dispositifs, et leur impédance base-émetteur en courant alternatif est relativement élevée. L'impédance du dispositif est en parallle avec une résistance de charge de collecteur respective 18, 20, 118 ou 120, laquelle impédance combinée détermine la ligne de charge de l'amplificateur. Tandis que le signal à fréquence intermédiaire appliqué aux amplificateurs augmente en amplitude, le courant appliqué aux dispceLtifs à impédance variable par le système AGC 40 augmente également. Cela force l'impédance base-émetteur des dispositifs à diminuer, tandis que la charge est stockée dans les régions base-émetteur des dispositifs. L'impédance diminuée des dispositifs réduit l'impédance de collecteur des transistors amplificateurs 10, 12, 110, 112, ce qui décale leur ligne de charge vers une condition de gain plus faible. Quand les étages amplificateurs sont en condition de gain totalement réduit, le courant appliqué aux dispositifs à impédance variable est à une valeur maximum, qui est de l'ordre de plusieurs milliampères. Le trajet de courant primaire pour le courant appliqué par le système AGC 40 passe par les trajets émetteur-collecteur des dispositifs à impédance variable 14, 16, 114 et 116. Ainsi, il n'y a sensiblement pas de courant continu de réglage de gain du système AGC qui s'écoule dans les collecteurs des transistors amplificateurs 10, 12, 110 et 112. La polarisation en courant continu des transistors amplifica- teurs est par conséquent sensiblement constante tandis que sont traversées les gammes de réglage de gain. des étages amplificateurs. Les collecteurs des transistors amplificateurs 110 et 112 du second étage sont respectivement reliés en courant direct aux bases des transistors tampons 250 et 252 du troisième étage amplificateur 200. Les collecteurs des transistors 250 et 252 sont reliés pour recevoir la tension de polarisation de l'alimentation 70, et leurs émetteurs sont ramenés à la masse par des résistances 254, 256 et 258. Les émetteurs des transistors 250 et252 sont également reliés aux bases des transistors amplificateurs 210 et 212, respectivement. Les collecteurs des transistors amplificateurs 210 et 212 sont reliés à l'alimentation de polarisation 70 par des résistances respectives de charge 218 et 220. Les émetteurs des transistors amplificateurs 210 et 212 sont ramenés à la masse par des résistances 262, 264 et 266. Une diode 270 polarisée en direct est reliée entre la résistance 266 et la masse. La diode 270 accomplit une fonction semblable à celle de la diode 170, car elle coopère avec les transistors tampons et amplificateurs 250, 252, 210 et 212 pour appliquer, au collecteurs des transistors amplificateurs du second étage 110 et 112, un terme de tension continue de repos ou permanente de 3Vbe. Une résistance 260 est reliée entre les émetteurs des transistors 210 et 212. Les émetteurs des transistors 210 et 212 sont également reliés aux bases de dispositifs respectifs à impédance variable 214 et 216. Les collecteurs des dispositifs 214 et 216 sont reliés à la masse et leurs émetteurs sont reliés pour recevoir le courant de réglage de gain du système 40 par une résistance 222. Le troisième étage amplificateur 200 est construit et fonctionne d'une façon analogue à l'amplificateur décrit dans la demande de brevet U.S. No. 143 035 intitulée "VARIABLE EMITTER DEGENERATION GAIN-CONTROLLED AMPLIFIER", déposée le 23 Avril 1980. En bref, la résistance d'émetteur de chaque transis- tor amplificateur forme la moitié dela valeur de la résis- tance 260 (du fait du fonctionnement complémentaire des transistors amplificateurs en réponse aux signaux à fréquence intermédiaire en pushpull), en parallèle avec l'impédance base-émetteur d'un dispositif à impédance variable et une autre résistance de polarisation. Les dispositifs à impédance variable 214 et 216-peuvent tre construits de la même façon que les dispositifs 14, 16 et 114, 116, et ils sont caractérisés par une impédance base- émetteur en courant alternatif qui diminue tandis que le courant qui leur est appliqué par le système 40 augmente. Pour la condition de gain maximum du troisième étage amplificateur 200, le courant appliqué au dispositif à impédance variable est au maximum. Cela donne, auctransistors amplificateurs 214 et 216, une faible impédance d'émetteur, provoquant un niveau relativement faible de contre- réaction d'émetteur. Tandis que la gamme de réglage de gain de l'amplificateur est traversée vers sa condition de gain minimum, le courant appliqué au dispositif à impédance variable diminue, ce qui augmente l'impédance encourant alternatif présentée aux transistors amplificateurs par les dispositifs. La contre-réaction d'émetteur est accrue et par conséquent le gain de l'amplificateur est réduit. Comme dans le cas des dispositifs à impédance variable précédemment décrits le trajet de courant primaire pour le courant de réglage appliqué par le système 40 passe par les trajets émetteur-collecteur des dispositifs 214 et 216, ce qui diminue les changements de la polarisation en courant continu des transistors amplificateurs 210 et 212 tandis que la gamme de réglage de gain de l'amplificateur est traversée. Un signal à fréquence intermédiaire amplifié est produit dans les résistances de charge de collecteur 218 et 220, et il est appliqué 'a un détecteur vidéo 400 par les collecteurs des transistors 210 et 212 au moyen de transis- tors 301 et 303. Les transistors 301 et 303 sont reliés en configuration d'émetteur-suiveur, leu= collecteurs étant reliéspour recevoir un potentiel d'alimentation de la source 70 et leurs émetteurs étant reliés à la masse par des résistances respectives 304 et 306. Ces transistors amortissent les résistances de charge 218 et 220 du troisième étage amplificateur 200 par rapport à l'impédance d'entrée du détecteur vidéo, et appliqut une attaque de faible impédance à leurs émetteurs. Les émetteurs des transistors 301 et 303 sont également reliés au trajet de contre-réaction 300. Les transistors 301 et 303 produisent un terme de tension continue permanente ou de repos auc collecteurs des transistors 210 et 212 de 3Vbeq en combinai- son avec les transistors 10, 50, 12 et 52 du premier étage et le trajet de contre-réaction 300. Le trajet 300 se compose de deux trajets en courant continu, un pour chaque ctté de la configuration d'amplifi- cateur équilibré. Un trajet de contre-réaction comprenant des résistances en série 318, 314, 324 et328 est relié entre l'émetteur du transistor 301 et la base du transistor du premier étage 52. Un second trajet de contreréaction comprenant des résistances en série 310, 3167 326 et 330 est relié entre l'émetteur du transistor 303 et la base du transistor 50. Le trajet de contre-réaction 300 comporte deux réseaux de découplage qui découile les signaux à fréquence intermédiaire amplifiés de sortie de l'entrée de l'étage 1. Un premier réseau de découplage comprend les résistances tampons ou d'amortissement 310 et 318 et un condensateur 312 et le second réseau de découplage comprend les résis- tances tampons ou d'amortissement 314 et 316 et des condensateurs de bypasse 322 et 320. Les résistances 310 et 318 isolent la sortie aux émetteurs des transistors 301 et 303 du condensateur 312. Le condensateur 312 est relié entre les deux trajets en courant continu pour atténuer sensiblement les signaux complémentaires à fréquence intermédiaire qui sont produits sur les deux trajets. Toute composante restante du signal à fréquence intermédiaire apparaissant sur les deux armatures du condensateur 312 est alors appliquée as condensateurnde by-pass 322 et 320 par les résistances 314 et 316, respec- tivement. Les condensateurs 322 et 320 shuntent alors toute composante restante du signal à fréquence intermédiaire vers la masse. Les réseaux de découplage servent de filtres passe-bas pour les signaux à fréquence intermédiaireavec des points de rupture en dessous de la gamme souhaitée des signaux à fréquence intermédiaire, ainsi sensiblement seuls des sigiaux en courant continu sont appliqués aux résistances 324 et 326. Les valeurs des résistances sont choisies de façon que les signaux de contreréaction en courant continu ne soient pas atténués au-delà d'un niveau o ils produisent la quantité souhaitée de compensation de contre-réaction dans le premier étage 1. Les résistances 324 et 326 sont couplées auxtransis- tors d'entrée 52 et 50 par des bornes 334 et 332 et les résistances d'isolement 328 et 330, respectivement. Un autre condensateur en by-pass 333 est relié entre les bornes 332 et 334. Les résistances d'isolement 328 et 330 servent à isoler les entrées du premier étage amplificateur 1odu condensateur 333. Le condensateur 333, avec les résistances 324, 314, 318 et 326, 316, 310 détermine le point de gain unitaire de l'amplificateur à fréquence intermédiaire et de la boucle de contre- réaction pour assurer la stabilité du système. La boucle de contre-réac- tion est décrite en plus de détail dans la demande de brevet U.S. No. 163 144 intitulée "TELEVISION INTERMEDIATE FREQUENCY AMPLIFIER WITH FEEDBACK STABILIZATION",déposée le 26 Juin 1980. Contrairement à certains systèmes d'amplificateurs à fréquence intermédiaire selon l'art antérieur, l'ampli- ficateur à fréquence intermédiaire selon l'invention ne nécessite aucun amplificateur supplémentaire dans le trajet de contre-réaction 300. Cet amplificateur supplémentaire était nécessaire dans les agencements selon l'art antérieur parce que ces agencements sont caractérisés par un faible gain en courant continu dé à l'usage exclusif d'étages amplificateurs du type à contre-réaction d'émetteur. Tandis que le gain de ces étages est réduit, le gain en courant continu est également réduit et par conséquent il faut 1i l'amplificateur supplémentaire pour amplifier le signal en contre-réaction en courant continu. Parmi les trois étages amplificateurs selon l'invention, seul le troisième étage utilise un réglage du gain par contre-rémction d'émetteur. Le gain en courant continu du troisième étage est dominé par les résistances d'émetteur 260, 262 et 264 ce qui donne au troisième étage une forte impédance d'entrée et un gain à basse fréquence de l'ordre de 10db. Les premier et second étages amplificateurs, qui reposent sur la variation de ligne de charge pour le réglage du gain, ont des gains respectifs en courant continu de l'ordre de 20 db0 Le gain en courant continu des trois étages en cascade est assez constant sur toute la gamme de réglage de gain, et s'est révélé ne pas varier de plus de 6 db sur toute la gamme. Cette stabilité du gain en courant continu est attribuée à la polarisation non variable en courant continu des étages amplificateurs, par suite de l'utilisa- tion de dispositifs à impédance variable, dont le réglage n'affecte pas sensiblement la polarisation en courant continu des transistors amplificateurs. L'utilisation du réglage de gainparligne d charge variable réglée par le collecteur dans les deux premiers étages amplificateurs et de la contreréaction réglée d'émetteur dans le troisième étage réduit la quantité maximum de courant qu'il faut pour le,réglage de gain et par conséquent la dissipation de puissance dans le système amplificateur à fréquence intermédiaire selon l'invention0 Le courant de réglage est appliqué aux dispositifs à impédance variable des deux premiers étages par-une borne commune 42 du système de réglage automatique de gain 40. Le gain de ces deux étages est réduit en augmentant l'écoulement de courant de réglage. Le courant de réglage est appliqué au dispositif à impédance variable du troisième étage par une borne séparée 44. Le gain de cet étage est réduit en diminuant l'écoulement de courant de réglage du système 40 au troisième étage. La figure 2 montre un exemple de l'efficacité du courant de réglage du système amplificateur à fréquence intermédiaire selon l'invention, o la ligne en traits pleins 502 représente la grandeur du courant de réglage sLur la gamme de réglage de gain du système de la figure 1, la ligne en pointillés 504 représente la grandeur du courant de réglage qu'il faut avec le système totalement réglé par contre-réaction d'émetteur selon l'art antérieur et la ligne en pointillés 506 représente la grandeur du courant de réglage qu'il faut avec un amplificateur à "O fréquence intermédiaire dont le gain est réglé par variation de la ligne de charge totalement réglée par le collecteur. Dans i cadre du présent exemple, on supposera que le gain- de l'amplificateur doit ttre réduit d'un gain maximum à un gain minimum et que le gain du troisième étage doit ttre d'abord réduit, ensuite les gains des premier et second étages seront simultanément réduits. Si les trois étages amplificateurs devaient être construits comme dans l'agencement à contre-réaction d'émetteur selon l'art antérieur, ou en utilisant un étage à contre-réaction d'émetteurréglée comme cela est illustré par le troisième étage 200, les trois étages nécessiteraient simultanément un courant maximum de réglage de gain dans la condition de gain maximum qui, à titre d'exemple sur la figure 2, est supposé de 8mA par étage, pour un total de 24 mA. Comme la gamme de réglage de gain est traversée jusqu'à la condition de gain minimum, l'écoulement de courant de réglage diminue de 24 mA à O mA, comme le montre la ligne en pointillés 504. De même, si les trois étages étaient construits à la façon des étages 1 et 100, en utilisant des dispositifs à impédance réglée à collecteurs couplés, il ne faudrait pas de courant de réglage pour un fonctionnement au gain maximum, et la totalité des 24 mA serait nécessaire pour la condition de gain minimum. Mais dans la cccfWgxate illustrée sur la figure 1, les étages réglés par le collecteur ne nécessitent pas de courant de réglage de gain et le troisième étage nécessite son maximum de 8 mA dans la condition de gain maximum. Tandis que la réduction du gain se passe, le courant de réglage appliqué au troisième étage diminue à zéro pendant la partie initiale du processus de réduction de gain. Quand le gain du troisième étage est totalement réduit, le système AGC n'applique pas de courant de réglage à l'amplificateur. Pendant la dernière partie du processus de réduction de gain, du courant est de plus en plus appliqué aix premier et second étages tandis que les gammes de réglage de gain sont traversées vers la condition de gain minimum. Enfin, à la condition de gain minimum du système, les premier et second étages partagent 16 mA de courant de réglage. On peut voir qu ' en aufin moment, la demande de courant de réglage est supérieure à 16 mA, ce qui est une amélioration par rapport à la condition maximum de 24 mA des autres configu- rations. On peut voir que la ligne 502 de courant de réglage change de direction au point o le courant qui est appliqué au troisième étage atteint zéro, et o commence l'écoulement de courant vers les premier et second étagesa Cela nécessite un contrble précis du sy tème AGC, pour assurer que la transition du troisième auKpremier et second étages de réglage de gain se produira sans aucune discontinuité dans la séquence de réglage. Cependant, cette précision n'est pas facile à Éteindre dans un mode de réaIsation réel de l'agencement de la figure 1. En conséquence, dans un mode de réalisation préféré de l'invention, le courant de réglage au troisième étage est réduit à environ 4 n.A, point auquel le courant de réglage commence à s'écouler vers les premier et second étages. Cela garantit une transition régulière du réglage de gain du trdsième aux premier et second étages. Par conséquent, le courant de réglage au troisième étage est réduit à zéro et le courant est de plus en plus appliqué auc premier et second étages. Le courant de réglage aucpremier et second étages atteint sa valeur maximum de 16 mA dans la condition de gain, minimum. On peut noter que la séquence de réduction de gain employée dans l'agencement de la figure 1 n'a pas à être la même que celle illustrée par l'exemple ci-dessus. Par exemple, le gain des étages amplificateurs peut ttre simultanément réglé, ou bien le gain de ces étages peut être réglé à toute séquence souhaitable. Par ailleurs, le gain des étages peut ttre réglé par le collecteur ou l'émetteur en une séquence autre que celle représentée sur la figure 1, o les premier et second étages sont réglés par le collecteuret le troisième étage est réglé par l'émetteur. Cependant, l'agencement de la figure 1 est préféré parce que le premier étage est réglé par le collecteur et le troisième étage est réglé par l'émetteur. En couplant les divers dispositifs d'impédance en tant que charges de collecteur dans le premier étage, l'impédance d'entrée du premier étage reste sensiblement constante sur toute la gamme de réglage de gain. Cela est important parce que l'impédance stable d'entrée ne provoquera aucun défaut d'accord du circuit précédent de sélectivité dans le téléviseur, lequel défaut d'accord pourrait résulter de l'utilisation d'une contreréaction d'émetteur réglé dans le premier étage amplificateur. Par ailleurs, les signaux à fréquence intermédiaire amplifiés au plus haut niveau sont produits aux collecteurs des transistors amplificateurs du troisième étage 210 et 212. Si les dispositifs à impédance variable étaient reliés dans les circuits de collecteur de ces transistors au lieu des circuits d'émetteur, l'application des signaux à fréquence intermédiaire à un haut niveau a7ucxdispositifs pourrait introduire une distorsion par intermodulation dans les signaux de sortie. Cela est empoché en utilisant les dispositifs pour une contre-réaction réglée d'émetteur dans le troisième étage amplificateur 200. Enfin, en réduisant d'abord le gain du troisième étage comme dans l'exemple décrit en se référant à la figure 2, les dispositifs à impédance variable 214 et 216 sont mis hors circuit en un moment o le niveau des signaux appliqués au troisième étage par le second étage est encore faibleo Ainsi, dans des conditions de signal fort, quand une distorsion par intermodulation peut le plus probablement se produire, les dispositifs 214 et 216 sont totalement arrêtés, éliminant la possibilité subséquente que le réglage de ces dispositifs puisse introduire une distorsion par inter- modulation dans le système. R. E V E N D I C A T I 0 N S 1. Système amplifice.teur à fréquence intermédiaire pour télévision du type comprenant des premier et second étages amplificateurs, caractérisé en ce que lesdits premier et second étages amplificateurs sont reliés en cascade, ledit premier étage amplificateur (1) comprenant un premier transistor amplificateur (10) relié en configura- tion d'émetteur commun, une première impédance (18) reliée entre le collecteur dudit premier transistor et une source de potentiel d'alimentation (70) et faisant passer un premier courant direct entre eux, et un premier moyen de réglage de gain (14) relié en shunt avec ladite première impédance (18) et sensible à des variations d'un premier courant de réglage de gain pour provoquer des variations du gain dudit premier étage amplificateur (10) opposées, en sens>aux premières variations du courant de réglage de gain avec une perturbation négligeable de la grandeur dudit premier courant direct; et un second étage amplificateur (200) relié en cascade avec ledit premier étage (1) et ayant un second transistor amplificateur (90) relié en configuration d'émetteur commun, une seconde impédance (262) reliée entre l'émetteur dudit second transistor (210) et un point de potentiel de référence et faisant passer un second courant direct entre eux, et un second moyen de réglage de gain (214) relié en shunt avec ladite seconde impédance (262) et sensible à des variations d'un second courant de réglage de gain pour provoquer des variations de gain dudit étage amplificateur (200) dans le même sens que les variations dudit second courant de réglage de gain avec une perturbation négligeable de la grandeur dudit second courant direct. 2. Système selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier moyen de réglage de gain précité comprend un premier transistor à imp4dance variable (14) dont la base est reliée au collecteur du premier transistor amplificateur (10) précité et dont la jonction base-émetteur présente une impédance efficacement en shunt avec la première impédance, qui varie en fonction d'un courant de réglage appliqué à l'émetteur dudit premier transistor (14); et en ce que le second moyen de réglage de gain (214) précité comprend un second transistor à impédance variable (214), dont la base est reliée à l'émetteur du second transistor amplificateur précité (210) et dont la jonction base-émetteur présente une impédance qui varie en fonction du courant de réglage appliqué à l'émetteur dudit second transistor (214); et caractérisé par une source de courant variable de réglage (40) ayant un premier trajet de courant réglé relié à l'émetteur dudit premier transistor (14) et un second trajet de courant réglé relié à l'émetteur dudit second transistor (214), le gain del4it premier étage (1) diminuant avec l'augmentation de l'écou- lement de courant dans ledit premier trajet, le gain dudit second étage (200) augmentant avec l'augmentation de 1' écoulement de courant dans ledit second trajet. 3. Système selon la revendication 2, caractérisé de plus par un troisième étage amplificateur à gain réglé (100) ayant un troisième transistor amplificateur (110) relié en configuration d'émetteur commun, la base dudit troisième transistor (110) étant reliée en courant direct au collecteur du premier transistor amplificateur (10) précité, et le collecteur dudit troisième transistor (110) étant relié en courant direct à la base du second transistor amplificateur (210) précité, et un troisième transistor à impédance variable (114) dont la base est reliée au collecteur dudit troisième transistor amplifica- teur (110) et dont la jonction base-émetteur présente une impédance qui varie en fonction du courant de réglage appliqué à l'émetteur dudit troisième transistor (114), et en ce que la source de courant variable de réglage comporte de plus un troisièn trajet de courant réglé qui est couplé à l'émetteur dudit troisième transistor (114), le gain dudit troisième étage (100) diminuant avec l'augmentation de l'écoulement de courant dans ledit troisième trajet. 4. Système selon la revendication 3, caractérisé en ce que: le premier étage (1) précité comporte de plus un quatrième transistor amplificateur (12) relié en configura- tion d'amplificateur différentiel avec le premier transistor amplificateur (10) précité, avec une impédance de charge (20) reliée dans le circuit de collecteur dudit quatrième transistor amplificateur (12), et un quatrième transistor à impédance variable (16) dont la base est reliée au collecteur dudit quatrième transistor amplificateur (12) et dont l'émetteur est relié à l'émetteur du premier transistor à impédance variable (14) précité; le second étage (200) précité comporte de plus un cinquième transistor amplificateur (212) relié en configura- tion d'amplificateur différentiel avec le second transistor amplificateur (210) précité, et uncinquième transistor à impédance variable (216) ayant une base reliée à l'émetteur dudit cinquième transistor (212) et un émetteur relié à l'émetteur du second transistor à impédance variable (214) précité; et le troisième étage (100) comporte de plus un sixième transistor amplificateur (112) relié en configura- tion d'amplificateur différentiel avec le troisième transistor amplificateur (110) précité, la base dudit sixième transistor (112) étant reliée en courant direct au collecteur dudit quatrième transistor amplificateur et le collecteur dudit sixième transistor amplificateur étant relié en courant direct à la base dudit cinquième transistor (212), et un sixième transistor à impédance variable (116) ayant sa base reliée au collecteur dudit sixième transistor (112) et son émetteur relié à l'émetteur dudit troisième transistor (114); ainsi les jonctions baseémetteur de dacun desdits quatrième, cinquième et sixième transistors à impédance variable présentent une impédance qui varie en fonction du courant de réglage appliqué aux émetteurs respectifs des- dits quatrième, cinquième et sixième transieors à impédance variable. 5. Système selon l'une quelconque des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que la source de courant variable de réglage précitée comporte un moyen (40, 22, 122) pour diminuerl'écoulement de courant dans lesdits premier et troisième trajets de courant réglé pendant une condition de gain élevé dudit système amplificateur, et un moyen (40, 222) pour diminuer l'écoulement de courant dans ledit second trajet de courant réglé pendant une condition de gain faible dudit système amplificateur. 6.Système selon l'une quelconque des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que la source de courant de réglage variable précitée comporte de plus un moyen (40, 222) pour diminuer l'écoulement de courant dans le second trajet de courant réglé précité afin de diminuer le gain dudit système d'une condition de gain élevé à une condi- tion de gain intermédiaire; et un moyen (40, 22, 122) pour augmenter l'écoulement de courant dans lesdits premier et troisième trajets du courant réglé pour diminuer le gain dudit système d'une condition de gain intermédiaire à une condition de gain faible.