Brevet FR2476916A1 — publié le 19810828

La présente invention concerne la commande de signaux de photodétecteurs et, en particulier, des signaux provenant de photodétecteurs qui sont utilisés comme moyens de détection de réception d'un rayonnement traversant une partie d'un système de mise en image. Plus particulièrement, les signaux commandés dans la présente invention sont spécifiquement reliés à des détecteurs pour échantillonner un rayonnement électromagnétique transmis par l'optique du système. L'utilisation d'une technologie de dispositif à transfert de charge pour traiter des signaux de sortie de photo- détecteurs a plusieurs avantages. D'abord, les dispositifs à transfert de charge, en particulier les dispositifs à couplage ou cumulation de charges, peuvent être fabriqués relativement facilement avec des circuits intégrés monolithiques au silicium, et peuvent être fabriqués de manière que ces dispositifs puissent être formés individuellement avec une haute densité dans ces circuits. Le dispositif à transfert de charge est, pour ce qui concerne les signaux analogiques, fondamentalement un dispositif d'échantillonnage qui traite directement des échantillons analo- giques. Ainsi, une interface entre un tel dispositif et le photo- détecteur peut être relativement simple puisque le photodétecteur produit typiquement à sa sortie un signal électrique analogique plus ou moins en relation avec l'énergie électromagnétique qui a été détectée. En outre, les échantillons analogiques à traiter dans le dispositif à transfert de charge peuvent être commandés par des circuits d'horloge numériques quifpermettent une très grande souplesse de traitement des échantillons analogiques. Si la technologie de dispositif à couplage de charge doit être utilisée pour traiter les signaux provenant du photo- détecteur, un-photodétecteur très commode à utiliser est un détecteur du type conducteur-isolant-semi-conducteur (CIS) qui est essentiellement un condensateur. Dans de tels photodétec- teurs, le matériau semi-conducteur supporte un isolant qui lui-même supporte le conducteur dont le côté opposé à son support isolant est d'abord exposé à un rayonnement électromagné- tique incident qui doit être détecté. Le conducteur est une électrode qui a, en même temps que l'isolant, une nature permettant au rayonnement de le traverser pour atteindre la surface du matériau semi-conducteur. Si la tension appliquée entre le conducteur servant d'électrode de photodétecteur et le matériau semi-conducteur est telle qu'elle forme une région d'appauvrissement dans le matériau semi-conducteur, des charges s'accumulent sur la surface du matériau semi-conducteur dans la zone du site de détection, proportionnellement à la quantité de radiation reçue par cette-surface de matériau semi-conduc- teur. Ces charges produites par le rayonnement sont accumulées - et maintenues sur la surface du matériau semi-conducteur dans le site-de détection pendant tout le temps o la tension est maintenue appliquée au conducteur en raison du potentiel créé sur la surface du matériau semi-conducteur à cause de l'appli- cation de ladite tension. Dans un photodétecteur classique, la tension de conducteur est typiquement une impulsion de tension répétée variant'entrie zéro et un certain niveau, cette impulsion de tension étant appliquée au conducteur en chaque site de détection. On réalise ainsi un échantillonnage du rayonnement incident en différents points d'une surface d'incidence-en phase dans le système photodétecteur à échantil- lonnage de données. Cependant, il existe une quantité maximale d'accumula- tion de charges dues au rayonnement qu'on désire obtenir dans un site de détection, soit parce que (a) le photodétecteur ne peut pas accumuler d'autres charges dans le site de détection pour la tension considérée, soit parce que (b) les circuits de traitement des signaux du dispositif à cumulation de charges ne peuvent fonctionner qu'avec une certaine quantité maximale de charges accumulées dans une période de temps donnée, c'est-à- dire un paquet de charges de valeur maximale qui représente un échantillon dans une période d'échantillonnage donnée. On pourraît/prevoir une période de temps fixe pour accumuler des charges engendrées par un rayonnement arrivant sur un site de détection dans une période d'échantillonnage donnée. On ne peut pas toujours se baser-sur un tel procédé pour empêcher une accumulation excessive de charges pendant une période d'échantillonnage sur un site de détection. Cela est dû au fait que l'intensité du rayonnement arrivant sur le site de détec- tion est souvent inconnue car la scène à prendre en image comporte habituellement une grande diversité d'intensités de rayonnement qui ne peuvent souvent pas être prédéterminées, en ce qui concerne l'intensité absolue maximale susceptible -de se produire ou en ce qui concerne les emplacements des maxima d'intensité dans la scène. On ne peut donc pas toujours prédéterminer la quantité maximale de charges s'accumulant pendant une période de temps fixe dans un échantillon, ni le site de détection particulier o un tel échantillon à charge maximale se produit. Une autre possibilité consisterait à transférer les charges accumulées, ou l'échantillon, de chaque site de détec- tion dans des positions séquentielles d'un registre à décalage de dispositif à couplage de charge et de contrôler la grandeur de chaque paquet de charges transféré par un point de contrôle sélectionné. On pourrait ensuite faire varier la période de temps fixe en fonction de la grandeur des paquets de charges transférés par le point de contrôle. Cependant, il en résulte que les paquets de charges n'ont pas de grandeur maximale sélectionnée pendant la période d'échantillonnage o le paquet est accumulé, ce qui augmente le risque qu'une trop grande accumulation de charges se produise pendant cette période d'échantillonnage avant que le contrôleur ne détecte cette condition. En outre, l'opération de contrôle demande un temps supplémentaire qui peut gêner le traitement de signaux du photodétecteur dans la mesure o elle limite les possibilités de détection des changements qui peuvent se produire dans la scène à prendre en image en raison du temps de réponse limité du dispositif de traitement dessignaux du photodétecteur. Il est donc souhaitable de mettre au point un dispositif de traitement des signaux d'un photodétecteur, dans lequel la grandeur des paquets de charges se produisant aux différents sites de détection soit commandée au moment même o ces charges sont accumulées. Il est souhaitable en outre de mettre au point un dispositif de traitement de signaux de photodétecteur dans lequel les paquets de charges s'accumulant en chaque site de détection soient simultanément contrôlés de manière que la grandeur des paquets de charges en chaque site de détection du dispositif ait une influence sur la décision à prendre, à savoir définir quand la détection doit se terminer pendant une période d'échantillonnage particulière, c'est-à-dire, quand la phase de détection doit se terminer dans une période ou cadre d'échantillonnage particulier. Selon la présente invention, un dispositif de détection et de traitement de rayonnement électromagnétique-comportant un ensemble de sites de détection est caractérisé en ce qu'il comprend un corps formé d'un matériau semi-conducteur ayant un premier type de conductivité à l'exception di régions sélection- nées dudit corps, un ensemble de dispositifs d'entrée à trans- fert de charge dont chacun comporte une électrode formant puits d'accumulation, -chaque électrode formant puits d'accumulation étant espacée d'une surface principale dudit corps par une couche électriquement isolante; une électrode de détection comportant à l'intérieur un ensemble de régions séparées qui sont chacune placées immédiatement à côté d'une électrode correspondante afin que des transferts de charges électriques puissent être effectués entre celles-ci, ladite électrode étant espacée de la surface principale par une couche électriquement isolante, lesdites régions de la première électrode de détecteur étant situées en au moins certains des sites de détection de rayonnement électromagnétique; des moyens de commutation qui comportent des première et seconde régions de terminaison ainsi qu'une région de commande par laquelle le premier moyen de commutation peut être commandé pour établir effectivement une voie conductrice d'une conductivité sélectionnée entre la première et la seconde région, ladite première région de terminaison étant connectée à une première borne pouvant être reliée électriquement à un premier moyen d'alimentation électri- que, ladite seconde région de terminaison étant connectée électriquement à la première électrode de détection; et un tampon comportant une entrée de haute impédance connectée électriquement à la première électrode de détection, ledit tampon pouvant fournir à sa sortie une représentation d'une tension appliquée à son entrée de façon qu'une indication de la tension se produisant dans ladite première électrode de détection soit fournie en réponse à l'arrivée d'un rayonnement électromagnétique sélectionné sur lesdits sites de détection de rayonnement électromagnétique. L'invention concerne également un procédé de détection de rayonnement électromagnétique pour produire des signaux représentant le rayonnement détecté au moyen d'un dispositif de détection comportant un corps formé d'un matériau semi- conducteur d'un premier type de conductivité, à l'exception de régions sélectionnées dudit corps, et comportant une surface principale, le dispositif comportant une électrode de détection qui est adjacente à la surface principale au moins dans plusieurs sites de détection de rayonnement électromagnétique, le dispositif comportant également un ensemble de composants de transfert de signaux détecteurs répartis le long de l'électrode de détection de manière qu'un composant de transfert de signaux détecteurs soit immédiatement adjacent à chacun des sites de détection de rayonnement électromagnétique, ledit procédé consistant à produire, pendant une première période de temps sélectionnée, une tension d'une valeur sélectionnée entre ladite électrode de détection et au moins la partie du corps en matériau semi-conducteur coïncidant avec lesdits sites de détection de rayonnement électromagnéti- que puis à éliminer, pendant une seconde période de temps sélectionnée, tous les trajets conducteurs significatifs connectés à l'électrode de détection; à contrôler les valeurs de tensions produites entre l'électrode de détection et le corps en matériau semi-conducteur pendant la seconde période de temps sélectionnée pendant que le rayonnement électromagné- tique arrive sur lesdits sites de détection; et à répéter séquentiellement chacune des étapes de traitement précédentes un nombre sélectionné de fois en commençant par établir une tension de valeur sélectionnée entre l'électrode de détection et le corps en matériau semi- conducteur pendant un intervalle de temps correspondant à la première période sélectionnée après que celle précédant immédiatement ladite seconde période sélectionnée est passée. D'autres caractéristiques et avantages:de la présente invention seront mis en évidence dans la description suivante, donnée à titre d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels: - Figure l représente une Coupe d'un circuit intégré monolithique d'un dispositif de détection et de traitement de signaux électromagnétiques selon la présente invention, - Figure 2 est un schéma fonctionnel de circuit équivalent d'une partie plus grande du circuit monolithique qui comprend celui représenté sur la figure 1, - Figure 3 est un diagramme Représentant des carac- téristiques de performance sélectionnées du circuit représenté sur la Figure 2, - Figure 4 est un schéma fonctionnel du dispositif de détection et de traitement de signaux électromagnétiques selon l'invention, et Figure 5 est un diagramme représentant plusieurs signaux se produisant dans le dispositif de la Figure 4. Sur la figure 1, on a représenté une coupe d'un circuit intégré monolithique à un endroit o a été formé un réseau de photodétecteurs (CIS) à structure conducteur- isolant-semi-conducteur. Dans ce réseau, un ensemble de- photodétecteurs CIS comporte un conducteur commun à l'âide duquel un rayonnement électromagnétique peut passer par le site de photodétection pour atteindre le matériau semi-conduc- teur situé en dessous après avoir traversé.la couche isolante séparant ce conducteur du matériau semi-conducteur. La coupe de la Figure l est faite le long d'une partie dudit groupe de photodétecteurs CIS interconnectés et, plus particulièrement, au travers du conducteur commun proprement dit et de la structure placée immédiatement en dessous. Un circuit intégré monolithique est formé dans et sur du silicium dopé servant de corps de base en matériau semi-conducteur et désigné sur la Figure 1 par la référence numérique 10. Ce corps de base en matériau semiconducteur est dopé, à l'exception de régions internes sélectionnées, pour établir une conductivité de type p par la présence d'atomes de bore. La conductivité a typiquement une valeur comprise entre 9 et 13 S2-cm, soit environ 1 x 1015 atomes de bore/cma. La surface principale 11 du corps de matériau semi- conducteur 10 est surmontée d'une couche isolante 12. Cette couche isolante 12 est constituée par du bioxyde de silicium et varie en largeur le long de la surface principale 11. Ainsi, dans les régions de champ du dispositif qui entourent les sites de photodétection, les parties correspondantes de la couche isolante ont été désignées par la référence numérique 12', tandis que les parties caractéristiques du dispositif o se trouvent les sites de photodétection correspondent à la partie de la couche isolante 12, qui a été désignée par 12" sur la Figure 1. L'épaisseur de la couche isolante dans les régions de champ 12' est de l'ordre de 6700 A tandis que l'épaisseur de la couche isolante dans la partie caractéristique o 12" est de l'ordre de 1100 A. La couche isolante 12 comporte également une surface principale 13 sur laquelle est déposé un conducteur en sili- cium polycristallin dopé 14 qui sert d'électrode commune à tous les photodétecteurs CIS, cette électrode étant celle mentionnée plus haut et par laquelle passe le rayonnement à détecter par les photodétecteurs dans les sites de détec- tion. L'électrode silicium polycristallin 14 est dopée avec du phosphore concentré suffisamment pour établir une résisti- vité surfacique de 15 à 50 62/O qui rend conducteur le silicium polycristallin de l'électrode 14. L'électrode 14 a une épaisseur de 5000 A. L'électrode 14 comporte une surface principale 15 sur laquelle est formée une couche isolante de passivation 16. La couche 16 est également constituée par du bioxyde de silicium No et a une épaisseur de 4000 A. Enfin, la couche 16 comporte une surface principale 17 sur laquelle est formée un écran 18 arrêtant le rayonnement électromagnétique et qui est constitué par de l'aluminium imperméable à la lumière. L'épaisseur de l'écran 18 est de 1,2 pm. L'écran 18 comporte des trous placés dans les sites de photodétection dans la région caractéristique du disposi- tif pour permettre à la lumière de traverser les couches isolantes 12" et 16 de même que l'électrode 14 pour arriver sur le matériau semiconducteur 10 dans lesdits sites. Egalement, pour faire en sorte qu'il n'y ait pas d'interaction importante, en raison de la tension appliquée à l'électrode 14, avec le matériau semi-conducteur 10 dans les régions de champ, on prévoit dans le matériau semi- conducteur 1.des régions 19' de conductivité beaucoup plus grande immédiatement au-dessous des régions de couche isolante 12'. Ces régions sont dopées aussi avec du bore jusqu'à une concentration de 1 x 1018 atomes/cm3. Enfin, pour agir sur les caractéristiques des photodétecteurs CIS, on forme des régions de conductivité légèrement supérieure 19" dans le matériau semi-conducteur 10 immédiatement au-dessous des régions de couche isolante 12". Ces régions sont représentées par des lignes courtes en diagonale,-;et elles sont dopées en atomes de bore avec une concentration de 2 x 10 atomes/cm3. On obtient ainsi un seuild'inversion d'environ 0,5 volt aux sites de détection. La structure et le procédé d'utilisation du circuit de la Figure 1 créent certaines capacités efficaces, quand l'ensemble de la figure 1 est incorporé à un circuit électri- que. Dans un mode de fonctionnement typique, une tension est appliquée entre l'électrode-14 et-le corps en matériau semi-conducteur 10 et elle produit des régions d'appauvris- sement 20 qui sont formées dans le matériau semi-conducteur dans des sites de photodétection correspondant aux régions caractéristiques. Ces régions d'appauvrissement 20 sont définies d'une part par la surface principale 11 du matériau semi-conducteur 10 et d'autre part par des lignes en tirets passant par les sites de photodétection du matériau semi- conducteur 10 et coupant la surface principale 11. De telles régions d'appauvrissement ne sont pas formées sous les régions de champ à cause de l'épaisseur beaucoup plus grande des régions isolantes 12' et à cause de l'existence des régions 19' de conductivité supérieure. La valeur de la tension appliquée à l'électrode 14 peut être typiquement d'environ 3,5 volts. Lors de l'application de cette tension à'l'électrode 14, l'arrivée du rayonnement électromagnétique sur les sites de photodétection entraîne l'accumulation de porteurs dé charge, dans ce cas des électrons, dans le matériau semi-conducteur 10, à savoir sur la surface principale 11 dans les régions caractéristiques et dans les régions d'appauvrissement 20. Le rayonnement électromagnétique sous forme de lumière est représenté sur la figure 1 par une rangée horizontale de flèches verticales dirigées vers la structure dans les sites de photodétection et dans les parties adjacentes des régions de champ. Le rayonnement électromagnétique arrivant au-dessus des régions de champ est arrêté par l'écran 18 afin de ne pas atteindre d'autres régions de la structure de la figure 1. Ainsi, la tension appliquée établit sur la surface 11, à savoir dans les sites de photodétection existant dans les régions caractéristiques, un puits de potentiel o des électrons, engendrés par le rayonnement incident, sont capturés. L'intervention additionnelle des électrons, engendrés par le rayonnement dans les sites de photodétection, comme porteurs de chargeréduit la profondeur dudit puits de potentiel. Les électrons ou porteurs de charge engendrés par le rayonnement et accumulés forment un paquet de charges sur la surface 11 du matériau semiconducteur 10 dans chacun des sites de photodétection, ce paquet fournissant, par la quantité de charges qu'il contient, l'information indiquant l'intensité du rayonnement qui a traversé le trou dans l'écran 18 et a atteint le matériau semi-conducteur 10. Plus l'intensité du rayonnement atteignant le matériau semi-conducteur 10 en un site de photodétection est élevée, plus la quantité de charges capturées dans le puits de potentiel se trouvant en un site du matériau semi-conducteur 10 est grande dans une période de temps donnée. Ce puits de potentiel est à nouveau imputable au potentiel surfacique résultant se produisant, dans les régions d'appauvrissement 20 de la surface principale 11, dans les sites de photodétection des régions caractéristiques, ce potentiel de surface étant désigné dans les sites par Es et étant fonction d'une part de la tension d'électrode 14, même s'il n'est du quelquefois qu'à la charge s'exerçant sur les capacités auxquelles il est appliqué, et d'autre part, de la quantité de charges engendrées par le rayonnement et accumulées. Cette situation dans chaque site de photodétection peut être représentée par une capacité équivalente, c'est-à-dire la capacité de région d'appauvrissement, dont la valeur varie en fonction de la valeur de la tension appliquée entre l'électrode 14 et le corps en matériau semi-conducteur 10, et par la quanti- té de charges induites par le rayonnement et qui sont accumulées sur la surface principale 11, à savoir dans la région d'appau- vrissement 20 des sites de photodétection correspondant à la région caractéristique. Cette capacité de région d'appauvris- sement est représentée par des lignes en tirets traversant les régions 20 dans chaque site de photodétection de la Figure 1 et elle est désignée par Cd. Les autres capacités présentes dans la structure de la figure 1 sont uniquement en relation avec la structure et ne sont pas affectées de façon importante par la tension appliquée et les porteurs de charge engendrés par le rayonnement et accumulés. Ainsi, il s'établit une capacité entre l'électrode 14 d'un côté de la couche isolante 12 et le matériau semi-conduc- teur 10 de l'autre côté. Dans la région caractéristique, une telle capacité est placée en série avec la capacité de région d'appauvrissement que l'on vient de mentionner. Cette capacité, désignée par CoxP, est une capacité se produisant, aux sites de photodétection, dans les régions caractéristiques à cause de l'existence d'un diélectrique en oxyde, qui résulte de la présence de la région 12" séparant le conducteur-14 du corps en matériau semi-conducteur 10. La capacité correspondante dans les régions de champdésignée par Coxf: se produit en raison de l'existence de la région isolante 12' séparant l'électrode 14 du corps en matériau semiconducteur 10. La capacité Coxp est en série avec la capacité Cd les deux capacités étant en outre placées en parallèle à la capacité adjacente Coxf en raison de l'interconnexion commune des capacités en série avec CoXf par l'électrode 14 et le corps en matériau semi-conducteur 10. Etant donné les résultats étroitement uniformes produits à partir des procédés de fabrication utilisés pour réaliser des circuits intégrés monolithiques, les capacités existant en chaque site de photodétection de région caractéristique et en chaque région de champ ont une valeur essentiellement égale à celle de capacités semblables formées dans les structures symétriques répétées qui sont présentes le long de la partie de réseau comportant l'électrode 14 comme électrode commune. Ainsi, les capacités équivalentes portant le même indice sont essentiel- lement égales entre elles. Les capacités équivalentes de la Figure 1 peuvent être considérées comme faisant partie d'un circuit équivalent tel que représenté sur la Figure 2. On a supposé que, dans le circuit équivalent de la Figure 2, il y a davantage de photo- détecteurs partageant l'électrode commune 14 par rapport à la Figure 1, o il intervient seulement deux sites de photodétec- tion formant une région caractéristique et la totalité ou des parties de trois régions de champ. Ainsi, la ligne d'intercon- nexion 14 de la Figure 2, qui est équivalente à l'électrode 14 de la Figure 1 dans le circuit équivalent, est représentée de manière à indiquer qu'il y a au total N combinaisons d'un site de photodétection à région caractéristique et de régions de champ adjacentes associées dans l'ensemble d'une structure dont une partie est représentée sur la Figure 1. Ainsi les capacités équivalentes de ces N combinaisons sont représentées comme étant connectées chacune à l'électrode 14 sur la Figure 2. Les côtés des capacités, qui sont représentés sur la Figure 1 comme étant connectés au corps en matériau semi- conducteur 10, sont indiqués sur la Figure 2, comme étant connectés à la masse, en supposant que le corps en matériau semi-conducteur 10 de la Figure 1 est soumis à un potentiel de référence constitué par le potentiel de masse. Des lignes en tirets verticaux sont utilisées sur laFigure 2 pour délimiter chaque combinaison d'une capacité de site de photodétection à région caractéristique et d'une capacité de région de champ qui lui est associée. Les mêmes désignations de capacités sont utilisées sur la Figure 2 et sur la Figure 1, avec en plus un autre indice de désignation numérique. Ce dernier indice sert à indiquer la position, le long de l'électrode 14, de la combinaison particulière de la capacité de site de photodétection à région caractéristique et de la capacité associée de région de champ. La Figure 2 représente en outre la source d'un transistor 25 à effet de champ à grille isolée (IGFET), à canal n et à mode d'enrichissement, connecté à l'électrode,14, qui peut être un transistor du type métal-oxyde-semi-conduc- teur (MOSFET), dont le drain est connecté à une borne de- tension de référence VREF et dont la grille est connectée à une source de signal de commande d'opération r. Cette disposition permet d'appliquer une tension à l'électrode 14 par rapport à la masse pour placer la région d'appauvrissement dans les sites de photodétectioh correspondant à la région caractéristique. Le signal de tension r est un signal d'horloge qui définit le début d'une période d'échantillonnage pendant laquelle les sites de photodétection connectés à l'électrode 14 sont établis afin d'échantillonner efficacement l'arrivée du rayonnement électromagnétique sur lesdits sites. Un autre transistor IGFET 26, à canal n et mode d'enrichissement, est représenté sur la Figure 2 avec son drain connecté à l'électrode 14 et sa source connectée à la masse. Un signal de commande Bd est envoyé à la grille du transistor IGFET 26 lorsqu'on désire que tous les photodétecteurs connectés à l'électrode 14 soient rendus inopérants quand le transistor 26 peut connecter l'électrode 14 à la masse. A l'autre extrémité de l'électrode 14, on a représenté sur la Figure 2 un autre transistor IGFET 27, à canal n et mode d'enrichissement, dont la grille est connectée à l'élec- trode 14. Le drain du transistor 27 est sollicité par une tension d'alimentation V tandis que la source du transistor 27 est connectée à une source de courant de charge 28. L'autre côté de la source de courant 28 est connecté à la masse. La source de courant 28 peut, par exemple, être constituée par une résistance ou par un autre transistor IGFET. Une tension de sortie V est appliquée à la source du transistor 27. La tension de sortie VO sera considérée dans la suite comme indiquant la quantité de charges produites par le rayonnement et accumulées aux différents sites de photodétection représentés sur la Figure 2. On la considérera dans le cas ou la tension appliquée à l'électrode 14 par l'intermédiaire du transistor MOSFET 25 n'est une impulsion de tension que pendant un cadre, d'une durée suffisamment longue pour faire varier les capacités connectées à l'électrode 14 mais se terminant pendant la prise d'un échantillon dans la période d'échantillonnage. La figure 2 représente également le potentiel surfacique en chaque site de photodétection à région caracté- ristique, comme cela résulte de la description de la structure de la Figure 1. Ces potentiels surfaciques ont été désignés plus haut par Is' de même que sur la Figure 2 o on a ajouté un indice de représentation numérique, c'est-à-dire sn' pour indiquer à quelle combinaison de la Figure 2 appartient la représentation de potentiel surfacique. Dans l'agencement typique des sites de photodétection de la Figure 1, le poten- tiel de surface î est en général grand en comparaison de la sn variation de potentiel surfacique, A sn' due aux charges engendrées par le rayonnement et s'accumulant dans le site de photodétection pendant la prise d'un échantillon du rayonnement incident. On peut donc considérer en première approximation la capacité d'appauvrissement Cd comme étant constante du fait qu'elle dépend de la totalité du potentiel Tsn existant. Si on considère d'abord la situation o les rayon- nements électromagnétiques arrivant sur chaque détecteur sont supposés être identiques, les différentes voies capaciti- ves de région caractéristique connectées entre l'électrode 14 et la masse sur la Figure 2 peuvent toutes être considérées comme connectées en parallèle et identiques de sorte qu'elles peuvent être réduites à une seule voie connectée entre l'électrode 14 et la masse. Pareillement, une seule voie connectée entre l'électrode 14 et la masse peut être con'si- dérée comme représentant une réduction de l'ensemble des capacités de région de champ. Cette voie capacitive réduite de la région de champ comporte alors une seule capacité dont la valeur est égale à la somme des valeurs de l'ensemble des 1 à N capacités Coxfn" L'autre voie capacitive réduite, c'est-à-dire la voie de région caractéristique, a une capa- cité d'une valeur égale à la somme des valeurs de l'ensemble des 1 à N capacités C oxpn placées en série avec une autre capacité ayant une valeur égale à la somme des valeurs de l'ensemble des 1 à N capacités Cdn' Les capacités de région caractéristique peuvent être réduites à cette forme de voie unique car le potentiel surfacique dans chaque jonction capacitive entre une des l à N capacités C et une des oxpn 1 à N capacités Cdn est le même étant donné l'hypothèse de l'arrivée d'un rayonnement électromagnétique uniforme sur les détecteurs. Ensuite, en utilisant la relation bien connue selon laquelle la charge d'un condensateur est égale au produit de la capacité de ce condensateur par la tension appliquée à ce condensateur, l'équation de signal suivante peut être écrite en tenant.compte de la conservation de la charge A S 0eq (noeud de S réduit) = A =A V14Ceq (noeud d'élec- trode 14 réduit) c'est-à-dire que la variation de la charge dans une capacité connectée à un noeud du circuit de voie capacitive réduite doit être égale à la variation de charge dans la capacité connectée à l'autre noeud du circuit de voie capacitive réduite. La relation ci-dessus peut être modifiée de la manière suivante pour que la variation de tension à l'électrode 14 soit fonction de la variation de potentiel surfacique C (noeud de i réduit) AV14 =eq s A fi KA -5 C (noeud d'électrode 14 réduit) eq Les valeurs des capacités équivalentes produites en chacun des deux noeuds dans le circuit de voie capacitive réduite peuvent être déduites de la théorie des circuits, à savoir: XC EC opnoxfn Ceq (noeud de s réduit)= oxPnn ox + E Cdn eq s -n d Z C +EC C n oxpn n oxfn XC.fC Ce (noeud d'électrode - n oxnn dn +n oxf eq C + C 14 réduit) n oxpn n dn En négligeant la condition d'égalité de variation du potentiel surfacique pour chaque photodétecteur en vertu de l'hypothèse de l'arrivée d'un rayonnement électromagnétique uniforme sur l'ensemble de ces photodétecteurs, la théorie des circuits linéaires, avec son principe de superposition, et la seconde équation définie plus haut permettent de conclure que la variation de tension à l'électrode 14 sous l'effet de l'arrivée d'un rayonnement électromagnétique sur les photo- détecteurs est égale à la somme des variations individuelles du potentiel surfacique pour chaque photodétecteur, pondérée par le facteur K tel que défini plus haut, cette variation étant exprimée par la relation: V14 n sn La variation de potentiel surfacique pour un photodétecteur particulier est égale au rapport de la charge engendrée par le rayonnementlet de la capacité équivalente établie dans le photodétecteur. La variation de potentiel surfacique pour tout photodétecteur particulier peut donc s'exprimer comme suit: Q.n qN (électrons induits A s= -n par rad) n _ sn Ceq (noeud de Ès individuel)n Ceq (noeud de Is individuel) n o q est égal à la charge électronique et N (électrons engendrés par le rayonnement) n est égal au nombre d'électrons engen- dtés par l'incidence du rayonnement sur le photodétecteur n. La capacité équivalente produite à un noeud de photodétecteur n peut être considéréed'après la théorie des circuits, comme étant équivalente à la capacité Cdn placée en parallèle avec la combinaison-série de la capacité C et de l'ensemble oxpn des autres voies capacitives connectées à l'électrode 14, Figure 2, et branchées en parallèle, c'est-à-dire que Céq (noeud de Os individuel) n = CoXpnfCox;n + (N-1) Ceq (noeud d'électrode 14 réduit] dn C + C (N-1)C (noeud d'électrode 14 réduit) oxpn oxfn + NlC (ou 'letoe1 éut Il en résulte qu'en supposant que les capacités équivalentes en chaque noeud individuel sont égales en raison d'un traitement uniforme, la variation de tension à l'électrode 14 du fait de l'incidence du rayonnement électro- magnétique sur les photodétecteurs interconnectés peut s'écrire: K à V 14 -n n Ceq (noeud de s individuel) Comme on peut le constater d'après la précédente équation, la variation totale de tension à l'électrode 14,due aux charges créées par le rayonnement et qui s'accumulent dans les photodétecteurs, est fonction du produit de la charge moyenne accumulée dans chaque photodétecteur par incidence du rayonnement, c'est-à-dire, de la grandeur du paquet de charges accumulées, à une constante. Bien qu'on ait fait ci-dessus une analyse un peu appro- ximative, les résultats indiquent que la grandeur moyenne des paquets de charges accumulées par impact du rayonnement peut être déterminée de façon satisfaisante en contrôlant la tension apparaissant à l'électrode 14 sur la Figure 2 après que les capacités reliées à l'électrode 14 ont été chargées à une valeur sélectionnée par l'intermédiaire du transistor 25. A la fin de cette charge des capacités connectées à l'électrode 14 par le transistor 25, qui donne une tension sur l'électrode 14 égale à VREF' la tension à l'électrode 14 diminue tandis que des charges s'accumulent dans les photodétecteurs par impact du rayonnement. Cette diminution peut être observée en suivant la tension V0 à la sortie du transistor 27 commandant la source de courant 28 dans une configuration à source asservie. Quand la tension V est réduite à une valeur suffisam- o ment petite, l'observateur de cette iension sait que la grandeur moyenne des paquets de charges accumulées sous les photodétecteurs connectés à l'électrode 14 a augmenté jusqu'à une valeur suffisamment grande qui indique que la prise d'un échantillon en cours dans le cadre présent doit se terminer, Cette constatation peut être faite sur la Figure 3 o la tension V0 a été représentée en fonction de la période de temps d'échantillonnage. Ainsi, quand les capacités connec- tées à l'électrode 14 ont été chargées à partir de la borne de tension VREF par l'intermédiaire du transistor 25 de manière que la tension de sortie V devienne égale à V - V 0 REF seuil -27 et que le transistor 25 passe à l'état bloqué, la tension à l'électrode 14 commence à diminuer comme la tension de sortie VO l'indique. Sur la Figure 3, des intensités plus élevées du rayonnement électromagnétique arrivant sur les photodétecteurs connectés à l'électrode 14 font en sorte que la tension à l'électrode 14 atteigne en un temps relativement court un niveau de tension sélectionné, représenté par une ligne en tirets sur la Figure 3. Inversement, des intensités plus faibles de la radiation électromagnétique font en sorte que la tension à l'électrode 14 atteigne en un temps plus long le même niveau de tension représenté par une ligne en tirets. Ainsi, en sélectionnant un niveau de tension particulier comme repré- sentant la grandeur maximale voulue du paquet de charges moyen s'accumulant dans les photodétecteurs connectés à l'électrode 14, le temps d'échantillonnage dans un cadre est déterminé au point o l'échantillonnage doit se terminer. Ensuite, les paquets de charges accumulées doivent être transférés hors des photodétecteurs o elles sont accumulées en vue d'un autre traitement et les photodétecteurs doivent être préparés pour un nouvel échantillonnage du rayonnement électromagnétique incident. La Figure 4 représente sous forme d'un schéma fonc- tionnel un dispositif de détection et de traitement selon la présente invention, les composants de cette figure correspon- dant à ceux représentés sur la Figure 2 et étant désignés par les mêmes références. A gauche de la Figure 4, on retrouve les transistors 25 et 26, de la Figure 2, connectés à l'élec- trode 14.-L'électrode 14, représentée sur la Figure 4 comme étant formée de silicium polycristallin dopé de largeur variable, relie et fait partie des photodétecteurs 1 à N qui forment chacun un agrandissement sur le site correspondant de l'électrode 14, c'est-à-dire sur la région caractéristique. L'électrode 14 est rétrécie pour former la partie d'intercon- nexion entre les sites des photodétecteurs, c'est-à-dire au- dessus de la région caractéristique. A droite de la Figure-4, l'électrode 14 est connectée à la grille du transistor 27, comme sur la Figure 2. Le tran- sistor 27 commande encore la source de courant 28. Les transistors 25 à 27 sont représentés sous une forme électrique schématique même si la structure représentée entre les transistors 25 et 26, à gauche, et le transistor 27, à droite, est représentée sous la forme d'une vue en plan schématique d'une pastille de circuit intégré monolithique. Les transistors 25 à 27 peuvent aussi être incorporés à une pastille de circuit intégré monolithique. Ils ont été représentés sous une forme électrique schématique et non sous la forme d'une vue en plan de la pastille, afin de faciliter la compréhension du dispositif de la Figure 4. La Figure 4 représente également une grille de remise à zéro 30, constituée par du silicium polycristallin dopé et qui est située immédiatement à côté des phototodétecteurs 1 à N interconnectés par l'électrode 14. Du côté de la grille de remise à zéro 30 qui est opposé à celui le long duquel les photodétec- teurs 1 à N sont présents, on a représenté une série de régions diffusées 31 qui sont formées dans le corps en matériau semi- conducteur qui est situé au-dessous de et supporte la grille de remise à zéro 30 par une couche isolante de bioxyde de sili- cium. Les régions diffusées 31 sont représentées par des tirets. Chacune des régions 31 forme effectivement en fonc- tionnement, avec la grille 30, un transistor à effet de champ IGFET dans chaque site de photodétection, ces transistors ayant-tous une région de grille connectée en commun et consti- tuée par la grille 30. Les régions diffusées 31 sont toutes électriquement connectées à la même source de tension de fonctionnement r que la grille du transistor 25. Cette disposition permet à l'électrode 14 et aux capacités effectives connectées à celle-ci d'être chargées à la tension VREF avec élimination simultanée de toutes les charges produites par le rayonnement qui peut s'être accumulé dans les photodétecteurs CIS aux sites 1 à N avant ou pendant l'application de la tension VREF. Cette élimination est réalisée par le transfert des charges depuis chacun des sites des photodétecteurs, 1 à N, sous la grille 30, jusqu'à la région 31 correspondante puis jusqu'à la borne fournissant la tension d'alimentation VSUPP. Le transistor 26 reçoit une tension de fonctionnement id pour connecter électriquement l'électrode 14 à la masse pendant les périodes de temps o on ne veut pas introduire des parasites supplémentaires dans le registre à décalage principal 33 assurant le transfert du signal à partir des photodétecteurs 1 à N, par l'intermédiaire des registres à décalage d'entrée 34. Ceci est souhaitable, par exemple, dans le cas o le registre à décalage principal 33 est agencé pour permettre le transfert d'un autre réseau de paquets de charges de photodétecteurs afin qu'ils soient lus pendant des périodes de temps alternant avec les périodes de temps des transferts effectués à partir des photodétecteurs interconnec- tés par l'électrode 14. Comme l'indique la Figure 4, le registre à décalage principal 33 a été conçu comme un dispositif à couplage de charge triphasé. Typiquement, on a affaire à un dispositif à charge couplée et à canal de surface mais il pourrait être aussi un dispositif à couplage de charge et canal interne. Dans l'exemple considéré, trois électrodes du registre à décalage 33 sont représentées comme étant associées à chaque site de photodétection et à son registre à décalage d'entrée correspon- dant 34, ces électrodes étant formées de silicium polycristal- lin dopé. Les registres à décalage d'entrée 34 sont séparés et électriquement isolés les uns des autres par des régions d'ar- rêt de canal 35 qui isolent aussi chacune des parties du registre à décalage principal 33 des registres à décalage 0 d'entrée 34 adjacents. Il est évident que d'autres régions d'arrêt de canal sont présentes autour des registres à décalage 33 et 34 mais elles n'ont pas été indiquées. Ces régions d'arrêt de canal sont produites par des régions de dopage proches de la surface principale du matériau semi-conducteur pour avoir une conductivité de type p aux emplacements souhaités pour ces régions d'arrêt. Les registres à décalage d'entrée 34 sont produits par trois électrodes au silicium polycristallin dopé communes à chacun des registres à décalage d'entrée pour former un registre à décalage à un seul étage triphasé. Il est aussi prévu une quatrième électrode qui est commune à chacun des registres à décalage d'entrée 34, cette électrode servant de porte de transfert pour diriger le transfert des charges accumulées dans les photodétecteurs 1 à N jusqu'à chacun des registres à décalage d'entrée 34, et en dernier dans le registre à décalage principal 33 pour la lecture desdits paquets de charges. En fonctionnement, un paquet de charges provenant de chacun des photodétecteurs l à N est simultanément transféré dans le registre à décalage d'entrée correspondant pendant un cadre ou période d'échantillonnage, et ensuite chaque paquetest simultanément transféré dans le registre à décalage principal 33. Les paquets de charges-dans le registre à décalage principal 33 sont transférés à droite pendant ladite période et atteignent la sortie du type grille flottante pouvant être remise à zéro, prévue à l'extrémité du registre à décalage principal 33. Danscette disposition de sortie, une grille flottante 36 est connectée à la grille d'un transistor IGFET 37 de sortie qui fonctionne comme un élément suiveur commandant un compo- sant de service 38, connecté entre la source du transistor 37 et la masse. Des paquets de charge, transférés vers la droite du registre à décalage principal 33 comme on l'a indiqué plus haut, passent sous la grille flottante 36 comme on l'a indiqué, ce qui donne une tension VFCHANT pouvant être appliquée au composant 38 à partir de la source du transistor 37. Les paquets de charges continuent à être décalés le long du registre à décalage principal 33 pour atteindre une région de diffusion 39, représentée par des tirets à l'extré- mité de ce'registre à décalage. Cette région de diffusion est connectée à la borne de tension d'alimentation VSUPP à travers laquelle les paquets de charges sont dissipés. D'autres compo- sants de la structure de sortie à grille flottante pouvant être remise à zéro sont constitués par un autre transistor IGFET 40 et une capacité 41. Le fonctionnement de tous ces composants à l'extrémité du registre à décalage principal 33 dans la structure de sortie à grille flottante pouvant être remise à zéro est bien connu dans la technique et ne sera donc pas décrit dans la suite. Les autres parties du dispositif représenté sur la Figure 4 servent à engendrer une impulsion 9T pour faire fonc- tionner la grille de transfert commune à tous les registres à décalage d'entrée 34. Ainsi, l'impulsion s signale la fin de la prise d'un échantillon et assure le transfert des paquets de charges accumulées au cours de cet échantillonnage sous chacun des photodétecteurs l à N. Pour engendrer IT ' la tension VO à la sortie du transistor IGFET 27 est appliquée à un moyen de détermination 42. Le moyen de détermination 42 détermine le temps o la tension V0 a diminué suffisamment, c'est-à-dire, a atteint la ligne horizontale indiquée par des tirets sur la Figure 3, ce qui indique que le paquet de-charges moyen dans les photodétecteurs i à N est devenu sufisamment grand pour que l'échantilbnnage dans un cadre particulier soit terminé. Comme il est indiqué à l'intérieur du bloc représen- tant le moyen de détermination 42 sur la Figure 4, ce moyen peut, dans beaucoup de cas, être réalisé simplement sous la forme d'un comparateur ayant une entrée connectée à une borne de tension de référence représentant la tension voulue le long de la ligne horizontale de la Figure 3 et une autre entrée connectée pour recevoir simultanément la tension V0. La sortie du moyen de.détermination 42 est à un niveau de tension décalé qui est appliqué à un circuit logique de synchronisation 43, ce circuit réagissant en engendrant une impulsion de la forme d'onde iT qui est synchronisée avec les impulsions de forme d'onde il, i2 et 3 faisant fonctionner les registres à décalage. Cette synchronisation est nécessaire pour coordonner le transfert de charge de chacun des photo- détecteurs CIS dans les registres à décalage d'entrée 34 selon la séquence de décalage de manière que les paquets de charges soient convenablement transférés des photodétecteurs dans ces registres à décalage d'entrée. Les formes d'onde représentées sur la Figure 5 montrent sommairement le fonctionnement du dispositif de la Figure 4. Les trois premières formes d'onde représentent les tensions de fonctionnement il, 2 et13 des registres à décalage. La forme d'onde suivante de a Figure 5 représente la tension de commande Ir qui est appliquée à la grille du transistor MOSFET 25 pour faire en sorte que les photodétecteurs CIS interconnectés à l'électrode 14 soient chargés à la valeur de tension VREF. première ligne verticale en tirets de la Figure 5 indique o commence la prise d'un échantillon qui coïncide avec la fin de l'impulsion ir commandant le transistor 25 et qui commence un cadre ou période d'échantillonnage. A partir de cette première ligne verticale en tirets de la Figure 5, la tension VO à la sortie du transistor 27 commence à diminuer à partir de la valeur VREF VSEUIL - 27 quand le paquet de charges moyen dans les * photodétecteurs 1 à N commence à augmenter en réponse à l'inci- dence du rayonnement électromagnétique sur les photodétecteurs. A un certain point, la tension V0 aura diminué suffisamment pour que le moyen de détermination 42 applique une tension croissante au circuit logique de synchronisation 43. Il en résulte au'une impulsion de la forme d'onde T est engendrée quand l'impulsion suivante de la forme d'onde Il se produit, comme le montre la Figure 5, et le transfert des paquets de charges accumulées dans les photodétecteurs 1 à N commence en direction des registres à décalage d'entrée 34 correspon- dants. Ensuite, la forme d'onde 1r repasse à un niveau haut pour commander le transistor 25 afin de fournir Ja tension VREF à l'électrode 14 ainsi qu'aux photodétecteurs qui lui sont connectés et de commencer un autre cadre. On obtient ainsi un procédé pour détecter la quantité moyenne des paquets de charges, accumulées dans les photo- détecteurs interconnectés lors de l'incidence d'un rayonnement électromagnétique, au moment même o ces charges sont accumu- lées. Il n'est donc plus nécessaire de prévoir un temps supplémentaire pour les différentes opérations de détection et de traitement de signaux en vue de déterminer quelle est la grandeur du paquet de charges moyen après terminaison de la période d'échantillonnage. Il n'est pas non plus nécessaire de disposer de photodétecteurs supplémentaires, en dehors de ceux interconnectés, pour déterminer la grandeur du paquet de charges moyen résultant de l'accumulation de paquets de charges dans le réseau de photodétecteurs par incidence de rayonnement. On notera que les autres composants du circuit de la Figure 4 peuvent être aussi intégrés dans la même pastille de circuit intégré-monolithique que le registre à décalage princi- pal 33 et les registres à décalage d'entrée 34. Ainsi l'ensemble du dispositif de la présente invention peut être intégré pour des raisons de commodité, dans la même pastille monolithique que les photodétecteurs proprement dits. Cependant, dans certains cas, il peut y avoir des avantages à ne pas inclure le dispositif de la Figure 4 dans la même pastille. Plusieurs réseaux de photodétecteurs, tels que ceux décrits plus haut, disposés le long d'électrodes communes correspondantes peuvent être utilisés pour former le cas échéant un réseau bidimensionnel plus important dans une pastille de circuit intégré monolithique. En outre, on peut associer plus d'un réseau de photodétecteurs placés sur une pastille à un seul registre à décalage principal, chaque réseau comportant des registres à décalage d'entrée reliés à ce registre à décalage principal. REVENDICATIONS 1. Dispositif de détection et de traitement de rayon- nement électromagnétique comportant un ensemble de sites de détection, caractérisé en ce qu'il comprend un corps en matériau semi-conducteur 10 d'un premier type de conductivité à l'exception de régions sélectionnées dudit corps, un de ensemble de dispositifs/transfert de charge d'entrée comportant chacun une électrode 20 formant puits d'accumulation, chaque électrode formant puits d'accumulation étant espacée d'une surface principale 11 du corps par une couche 12 électriquement isolante; une électrode de détection 14 comprenant un ensemble de régions séparées qui sont chacune immédiatement adjacentes à une électrode correspondante formant puits d'accumulation pour que des transferts de charges électriques puissent être effectués entre elles, l'électrode de détection étant espacée de la surface principale par une couche électriquement isolante 12', lesdites régions de la première électrode de détection étant situées en au moins certains des sites de détection de rayonnement électromagnétique; des moyens de commutation , 26 comportant des première et seconde régions de terminaison et une région de commande par laquelle les premiers moyens de commutation peuvent être commandés pour établir effectivement une voie conductrice d'une conductivité sélectionnée entre les première et seconde régions de terminaison, ladite première région de terminaison étant électriquement connectée à une première borne qui peut être reliée électriquement à un premier moyen d'alimentation électrique, ladite seconde région de terminaison étant connectée électriquement à la première électrode de détection; et un tampon 27 comportant une entrée de haute impédance électriquement connectée à la première électrode de détection 14, ledit tampon étant agencé pour fournir à une de ses sorties, une représentation d'une tension appliquée à son entrée de façon qu'une indication de la tension produite à ladite première électrode de détection soit fournie en réponse à l'arrivée d'un rayonnement électromagnétique sélectionné sur lesdits sites de détection de rayonnement électromagnétique. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones de l'électrode de détection qui sont situées entre lesdites régions sont plus espacées de la surface principale que lesdites régions. 3. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que lesdits dispositifs à transfert de charge d'entrée 34 sont chacun des dispositifs à couplage de charge et canal de surface. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications- 1 à 3, caractérisé en ce que ladite électrode de détection 14 est recouverte sur une surface opposée à la surface la plus proche du corps en matériau semi-conducteur 10, au moins partiellement par une couche d'arrêt 18 servant à empêcher le rayonnement électromagnétique d'atteindre l'électrode de détection 14, ladite couche d'arrêt comportant des trous qui permettent àuntkayonnement électromagnétique d'arriver sur lesdites régions d'électrode. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les moyens de commutation et le tampon sont chacun des transistors à effet de champ à grille isolée 25, 26, 27 opérant en mode/enrichissement, les première et seconde régions de terminaison des moyens de commutation étant respectivement des régions de drain et de source, la région de commande étant une région de grille et l'entrée du tampon étant une région de grille. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que chacun des dispositifs à - transfert de charge d'entrée 34 comporte une électrode formant puits d'accumulation qui est placée immédiatement à côté d'au moins une autre de sorte que des transferts de charges électri- ques puissent être effectués entre elles mais qui est cependant adjacente au maximum à deux autres électrodes formant puits d'accumulation, les dispositifs-à transfert de charge d'entrée chargeant un registre à décalage d'un dispositif à transfert de charge commun 33 agencé pour recevoir des charges électriques provenant des dispositifs à transfert de charge d'entrée et pour assurer le décalage de toutes les charges électriques reçues. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, -caractérisé en ce que le corps en matériau semi- conducteur 10 est dopé avec des concentrations plus grandes des près de la surface principale 11, en/zones placées à côté des zones d'électrode de détection, que près de la première surface principale, en des zones placées à côté des régions d'électrode de détection. 8. Dispositif selon-l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que-le corps de matériau semi-conduc- teur est constitué par du silicium dopé, ladite électrode de 1Q détection et chacune des électrodes formant puits d'accumula- tion étant constituées par du silicium polycristallin dopé et lesdites couches isolantes étant constituées par une couche isolante commune de bioxyde de silicium. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche isolante de bioxyde de silicium crée aussi une couche d'oxyde entre les régions de grille et le corps en matériau semi-conducteur pour les transistors à effet de champ à grille isolée 25, 26, 27, constituant les moyens de commu- tation et le-tampon, la source et le drain des moyens de commutation et la source du tampon étant formés dans des régions sélectionnées du corps en matériau semi-conducteur qui sont d'un second type de conductivité. 10. Dispositif selon-l'une quelconque des revendications à 9, caractérisé en ce que ladite sortie du tampon est une région de source d'un transistor à effet de champ 27 qui constitue le tampon. 11. Procédé pour détecter un rayonnement électromagné- tique et produire en conséquence des signaux représentatifs de ce rayonnement électromagnétique, au moyen d'un dispositif de détection comportant un corps formé d'un matériau semi-conduc- teur d'un premier type de conductivité, à l'exception de régions sélectionnées dudit corps,et comportant une surface principale, le dispositif ayant une électrode de détection adjacente à la surface principale au moins dans plusieurs sites de détection de rayonnement électromagnétique, le dispositif comportant également un ensemble de dispositifs de transfert de signal de détection qui sont répartis le long de l'électrode de détection de façon qu'un dispositif de transfert de signal de détection soit placé immédiatement à côté de chacun desdits sites de détection de rayonnement électromagnétique, procédé caractérisé en ce qu'il consiste à produire, pendant une première période de temps sélectionnée, une tension d'une valeur sélectionnée entre l'électrode de détection et au moins la partie du corps en matériau semi-conducteur o sont placés les sites de détection de rayonnement électromagnétique et ensuite, pendant une seconde période de temps sélectionnée, à éliminer toutes les voies conductrices importantes connectées à l'électrode de détection; à contrôler les valeurs de tensions produites entre l'électrode de détection et le corps en matériau semi-conducteur pendant la seconde période de temps sélectionnée alors que le rayonnement électromagnétique arrive sur les sites de détection; et à répéter séquentiellement chacune des étapes précédentes un nombre de fois sélectionné en commençant par établir une tension de valeur sélectionnée entre l'électrode de détection et le corps en matériau semi-conducteur pendant un intervalle de temps correspondant à la première période sélectionnée après que celle précédant immédiatement la seconde période sélectionnée soit passée. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'opération de contrôle consiste en outre à déterminer quand il s'est produit une variation suffisante de la tension produite à l'électrode de détection pendant la seconde période de temps sélectionnée et à produire un signal de détermination de cette variation afin d'indiquer la fin de la seconde période de temps, puis à transférer les charges des sites de détection qui sont accumulées par impact du rayonnement électromagnétique jusqu'aux dispositifs de transfert de signal de détection après que le signal de détermination est engendré. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 et 12, caractérisé en ce que l'électrode de détection est une partie d'un photodétecteur CIS de type conducteur-oxyde- semi-conducteur présent sur chacun des sites de détection de rayonnement électromagnétique. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 et 13, caractérisé en ce que ledit transfert de charges est réalisé par un dispositif à couplage de charge qui est relié à chacun des sites de détection. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que ladite production d'une tension d'une valeur sélectionnée est réalisée par l'utilisation d'un transistor à effet de champ, à grille isolée, fonctionnant en mode d'enrichissement qui est connecté entre l'électrode de détection et un point d'interconnexion relié à une source d'alimentation électrique, et en ce que ledit contrôle de l'électrode de détection est réalisé au moins en partie par un transistor à effet de champ, à grille isolée, fonctionnant en mode d'enrichissement et qui comporte une région de grille connectée à l'électrode de détection. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 et 15, caractérisé en ce qu'il consiste à relier les dispositifs à couplage de charge respectivement à un registre à décalage commun qui reçoit des charges des dispositifs à couplage de charge qui sont reliés aux sites de détection.