Brevet FR2478343A1 — publié le 19810918

"Stabilisateur de courant réalisé à l'aide de transistors à effet de champ fonctionnant selon le mode d'enrichissement"' -L'invention concerne un stabilisateur de courant qui est réalisé à l'aide de transistors à effet de champ fonc- tionnant selon le mode d'enrichissement et qui appartient au type dans lequel, en ce qui concerne l'intensité de courant, des première et deuxième voies de courant parallèles sont connectées mutuellement à une même borne commune qui porte un potentiel différant de zéro et sur laquelle s'ajustent les intensités des courants passant dans les première et deuxième voies de courant, ladite. connexion étant faite à travers des premier et deuxième circuits de couplage de courant qui définissent une relation disinîcte entre les courant passant dans lesdites prenidre et deuxiine voie de courant. 1 Les stabilisateurs de courant du genre spécifié ci- dessus trouvent un large emploi sous forme bipolaire: cas des stabilisateurs réalisés donc à l'aide de transistors bi- polaires (voir par exemple entre autres le brevet allemand 21 57 756. Dans ce cas, le deuxième circuit de couplage de courant est un miroir de courant qui définit une relation linéaire entre les courants passant dans les première et deuxième voies de courant, tandis que de son côté, le deuxième circuit de couplage de courant est un miroir de courant comportant une résistance dans le circuit d'émetteur d'un des transistors du miroir; ce miroir de courant est en quelque sortê.dégénéré par ladite résistance et l'on obtient une relation linéaire entre les courants passant dans les deux voies de courant. L'emploi de stabilisateurs de courant est souvent né- cessaire également dans des circuits intégrés réalisés à l'ai- de de transistors à effet de champ. Cela ne constitue aucun problème lors de l'emploi de transistors à effet de champ qui fonctionnent selon le mode d'appauvrissement, étant don- né qu'un tel transistor fait office de source de courant lorsqu'une liaison est établie entre son électrode de com- mande et son électrode de source. Ceci n'est pas possible si les transistors à effet de champ utilisés fonctionnent se- lon le mode d'enrichissement. En soi, il est possible et connu de "traduire" ledit stabilisateur bipolaire en transistors à effet de champ en réalisant ces transistors comme des transistors à effet de champ. Toutefois, l'emploi de ladite résistance est dans ce cas moins attrayant puisqu'il existe une relation quadrati- que entre d'une part le courant sur lequel se stabilise le fonctionnement du stabilisateur, et d'autre part la valeur ohmique de ladite résistance, de sorte que le stabilisateur de courant est très sensible à des fluctuations de la valeur ohmique. alors qu'en outre, une telle résistance prend assez de place dans le circuit intégré. Ces problèmes peuvent être éliminés lorsqu'en guise de ladite résistance, l'on utilise un transistor à effet de champ (fonctionnant selon le mode d'enrichissement) utilisé comme résistance, ce qui toutefois ne donne lieu qu'à un déplacement des problèmes puisque dans ce cas, ledit transistor à effet de champ doit être réglé à l'aide d'une source de tension stable agissant sur l'électro- de de commande de ce transistor, ce qui à son tour exige l'emploi d'un stabilisateur de tension pouvant lui aussi être sujet à des fluctuations de tension. Or, l'invention a pour but de procurer un stabilisateur de courant qui tout en appartenant au genre mentionné dans le préambule, n'est affecté que dans une faible mesure par les fluctuations et est réalisable de façon simple sans l'em- ploi d'une résistance servant d'élément stabilisateur. A cet effet, le stabilisateur conforme à l'invention est re- marquable en ce que le premier circuit de couplage de courant est réalisé à l'aide de transistors à effet de champ de pre- mier type de conduction tandis que le deuxième circuit de courant comporte d'une part un transistor à effet de champ de deuxième type de conduction opposé audit premier type de conduction, le canal de ce transistor étant incorporé à la première voie de courant, et d'autre part un deuxième tran- sistor à effet de champ dudit deuxième type de conduction, 24783^43 le canal de ce transistor étant incorporé à la deuxième voie de courant alors que les sources desdits premier et deuxiè- me transistors à effet de champ sont raccordées à une pre- mière borne commune et que le stabilisateur de courant com- porte des moyens pour définir une différence pratiquement constante entre d'une part la tension entre l'électrode de commande et la source du premier transistor à effet de champ et d'autre part la tension entre l'électrode de com- mande et la source du deuxième transistor à effet de champ. Le stabilisateur de courant conforme à l'invention n'est pas affecté par lesdits problèmes, puisque l'on évite l'emploi d'une résistance servant d'élément stabilisateur. Le principe des stabilisateurs conformes à l'inven- tion est qu'une différence pratiquement constante existe entre d'une part la tension régnant entre l'électrode de commande et la source du premier transistor, et d'autre part la tension régnant entre l'électrode de commande et la source de l'autre transistor, de sorte que dans le cas o les caractéristiques tension-courant présentent une certaine relation avec la tension entre la source et l'électrode de commande d'un seul des premier et deuxième transistors, lesdites caractéristiques acquièrent un autre point zéro, et qu'il se forme un point de stabilisation par un dimen- sionnement distinct des premier et deuxième transistors et/ou des transistors du premier circuit de couplage de courant. L 'invention peut encore avoir la particularité que lesdits moyens comportent une jonction semiconductrice bi- polaire. Suivant un mode de réalisation préférentiel d'un tel stabilisateur de courant ladite jonction semiconductrice bipolaire est la jonction base-émetteur d'un transistor bipolaire dont la base est raccordée à l'électrode de com- mande du deuxième transistor à effet de champ et dont l'émetteur est raccordé à l'électrode de commande du premier transistor à effet de champ ainsi qu'à une source de régla- ge de courant de repos, l'électrode de commande du deuxième transistor étant, en sens de réaction positive, couplée au drain du premier transistor. Dans ce cas, on estime qu'il est avantageux que la source de réglage de courant de repos soit formée par un troisième transistor à effet de champ de deuxième type de conduction, branché dans le miroir de courant avec le sta- bilisateur de courant. Ce mode de réalisation peut encore avoir la particu- larité que l'électrode de Commande du troisième transistor à effet de champ est raccordée à celle du deuxième transis- tor à effet de champ, que la source du troisième transistor est raccordée à celle dudit deuxième transistor tandis que le drain du troisième transistor est raccordé à l'émetteur du transistor bipolaire. Un tel stabilisateur de courant dans lequel le premier circuit de couplage de courant est un miroir de courant peut encore être remarquable en ce que la branche de cou- rantd'entrée du miroir de courant se trouve dans le trajet de drain du premier transistor, en ce que la branche de sor- tie de courant du miroir de courant se trouve dans le tra- jet de drain du deuxième transistor, en ce que l'électrode de commande d'un quatrième transistor du premier type de conduction est raccordée à un point situé entre la branche de courant de sortie du miroir de courant et le trajet de drain du deuxième transistor, le trajet de drain dudit qua- trième transistor étant raccordé à une borne d'alimentation à travers le canal d'un cinquième transistor de deuxième type de conduction, lesdits cinquième et troisième tran- sistors de même qu'un sixième transistor étant branchés dans le miroir de courant et constituant la branche de courant d'entrée de celui-ci, alors que le drain dudit sixième transistor est raccordé à la première borne commu- ne et que le drain du troisième transistor est raccordé à l'émetteur du transistor bipolaire. Dans ce cas, on estime qu'il est avantageux que le collecteur du transistor bipolaire soit raccordé directe- ment à une borne d'alimentation. De cette façon, il est facile de réaliser le transistor bipolaire à l'intérieur d'un circuit intégré comportant des transistors à effet de champ. A cet effet, le stébilisateur de courant est encore remarquable en ce que les transistors à effet de champ sont formés dans une couche semiconductrice de premier type de conduction élaborée sur un substrat de deuxième type de conduction, en ce que les sources et les drains de premier type sont élaborés dans une zone de diffu:- sion de deuxième type: ménagée dans ladite couche sefniconduc- titice et en ce que le transistor bipolaire est formé du fait que par voie de diffusion une zone est élaborée dans une partie isolée de ladite couche de premier type de con- duction, ladite zone de diffusion de deuxième type de con- duction constituant l'émetteur dudit transistor bipolaire, alors que ladite partie isolée de la couche de premier type de conduction constitue la base et que le substrat constitue le collecteur de ce transistor bipolaire. La description suivante, en regard des dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple, fera bien comprendre com- ment l'invention peut être réalisée. La figure 1 représente un stabilisateur de courant con- nu réalisé à l'aide de transistors à effet de champ. La figure 2 est un diagramme servant à expliquer le fonctionnement du stabilisateur de courant selon la figure 1. La figure 3 est un schéma de principe d'un stabilisateur de courant conforme à l'invention. La figure 4 est un diagramme servant à expliquer le fonctionnement du stabilisateur de courant selon la figure 3. La figure 5 illustre un premier mode de réalisation d'un stabilisateur de courant conforme à l'invention. La figure 6 illustre un deuxième mode de réalisation d'un stabilisateur de courant conforme à l'invention. La figure 7 est une coupe passant par une partie d'un circuit intégré à transistors à effet de champ pour illus- trer de la sorte la réalisation d'un transistor bipolaire dans un tel circuit intégré. La figure 1 illustre une réalisation, à l'aide de tran- sistors à effet de champ, d'un stabilisateur de courant, utilisé souvent sous forme bipolaire. Ce stabilisateur de courant comporte un miroir de courant formé par des transis- tors 4, 5 à canal de type de conduction p et couplé à un miroir de courant formé par des transistors 1, 2 à canal de type de conduction n et rendu non linéaire du fait qu'une résistance R est incorporée au trajet de source du transis- tor 1. En fonction de la tension Vgs2 qui existe entre l'élec- trode de commande et la source du transistor 2, la figure 2 illustre l'allure des courants I1 et I2 qui passent dans les deux voies de courant dont la première est formée par le montage en série des canaux des transistors 1 et 4, et dont l'autre est formée par le montage en série des canaux des transistors 2 et 5. Lorsque Vgs2 > VT, cette référence VT indiquant la tension de seuil des transistors 1, 22 ceux-ci sont conducteurs. Initialement, en fonction de la tension Vgs2, l'allure du courant I1 est rendue plus plane par la présence de la résistance R. Lorsque pour le transis- tor 1, le paramètre p, à savoir une constante qui est pro- portionnelle au rapport entre la largeur et la longueur du canal d'un transistor à effet de champ, est choisi plus grand que le paramètre p du transistor 2, on obtient que les deux courbes de courant se coupent au point A o I I I2 Lorsque le miroir de courant à transistor 4 et 5 définit cette relation I1 = I2 entre les courants, le fonctionnement du stabilisateur est stabilisé au point A. Si le paramètre 3 du transistor 1 est égal au paramètre P du transistor 2, les courbes ne se coupent pas. Toutefois, un point de stabi- lisation est alors possible néammoins si le paramètre P du transistor 5 est n fois plus grand que le paramètre P du transistor 4, de sorte que le point de fonctionnement du stabilisateur est caractérisé par I2 = nIl. Il est possible également de combiner ces deux inégalités en paramètres p. L'inconvénient du stabilisateur de courant montré à la figure 7 réside en la présence de la résistance R. La figure 3 illustre un mode de réalisation du stabi- lisateur de courant selon la figure 1, mais cette fois-ci la résistance R est remplacée par une source 3 de tension constante dont la valeur est égale à VO. La figure 4 illustre l'allure des courants I1 et I2 en fonction de la tension Vgs2 entre l'électrode de commande et la source du transistor 2. Le courant I2 commence à s'é- couler lorsque Vgs2 >VT, le courant I1 commençant à s'é- couler lorsque Vgs2 > VT + Vo0 L'allure du courant I2 en fonction de la tension Vgs2 est plus plane du fait que le paramètre P du transistor 1 est choisi supérieur au paramè- tre P du transistor 2. Dans ce cas: les courbes illustrant l'allure des courants I1 et I2 se coupent en un point A qui est le point de fonctionnement stabilisé lorsque le miroir de courant à transistors 4 et 5 impose aux courants Il,et 12un rapport égal à un. Egalement dans le cas du stabilisa- teur de courant selon la figure 3. on peut, comme pour le stabilisateur de courant selon la figure 1, choisir égaux les paramètres P des transistors 1 et 2, de sorte que les courbes donnant l'allure des courants Il et I2 ne se coupent pas dans un point du diagramme de la figure 4. La stabi- lisation du fonctionnement est alors possible lorsque le paramètre P du transistor 5 est n fois plus grand que le paramètre P du transistor 4, de sorte que le fonctionnement du circuit est stabilisé pour I1 = nI2. Egalement dans ce cas il est possible de combiner les deux possibilités. En guise de source de tension 3, on peut choisir sim- plement une diode. La tension V0 correspond alors à la ten- sion de diode Vd en présence de l'intensité stabilisée du courant I^, ladite tension Vd étant alors pratiquement constante dans le voisinage du point de stabilisation A (voir la figure 4). Pour des courants à très faible inten- sité2 la tension Vd diminue, ce qui sur le diagramme signi- fie une correction de la courbe illustrant l'allure du courant I1 suivant la ligne en pointillé. Dans la pratique2 une telle source de tension combinée avec des transistors à effet de champ peut être considérée comme une source de ten- sion constante étant donné que déjà en présence de courants à intensité relativement très faible, la tension entre les électrodes de la diode dépend encore à peine du courant comparativement à la relation entre le courant (I1) et la tension existant entre la source et l'électrode de commande d'un transistor à effet de champ (1). - Au lieu d'une source de tension constante dans le trajet de source du transistor 1, il est possible également d'éla- borer la source de tension entre les électrodes de commande des transistors 1 et 2. Lorsqu'en guise de cette source l'on utilise la jonction base-émetteur d'un transistor, cette façon de faire, ouvre la possibilité de polariser cette jonction à l'aide d'une source de courant, de sorte que ladite faible dépendance de courant fait défaut. Comme dans la pratique cette dépendance ne s'avère pas être un inconvénient, et également comme le stabilisateur de courant lui-même fournit un courant à intensité constante, on peut en profiter pour se procurer la source de polarisation pour ledit transistor bipolaire du stabilisateur de courant lui-même. Du fait de prélever ce courant du transistor 1, c'est-à-dire d'autoriser ce courant à suivre les variations du courant I2 la correc- tion qui, en pointillé, est indiquée sur la figure 4 est en- core plus petite étant donné que lors du démarrage du stabi- lisateur de courant, la tension aux extrémités de la jonc- tion base-émetteur de ce transistor croit directement et ra- pidement vers une valeur pratiquement constante. La figure 5 illustre un premier mode de réalisation d'un stabilisateur de courant conçu de la sorte. Comparative- ment au stabilisateur de courant selon la figure 3. la source de tension 3 dans le trajet de source du transistor 1 est remplacée par un transistor bipolaire 9 dont la base est rac- cordée à l'électrode de commande du transistor 22 dont l'é- metteur est raccordé à l'électrode de commande du transistor 1 et dont le collecteur, enfin, est raccordé à une borne de tension d'alimentation positive +VDD* Comme source de courant d'émetteur pour le transistor bipolaire 8, on utilise un transistor à effet de champ 6 à canal de type de conduction n;la source de ce transistor est raccordée à celle du transistor 2 et son électrode de commande est raccordée à celle du transistor 2, de sorte qu'en coopération avec le transis- tor 2, ledit transistor 6 fait office de miroir de courant en ce qui concerne le courant I2* Le drain du transistor 1 est raccordé à l'électrode de commande du transistor 2 et non pas à celle du-transistor 1, ce qui en principe serait possible également pour que le transistor bipolaire 9 puisse soutirer alors du courant de base hors du courant de drain du transistor 1. Si l'électrode de commande du transistor 1 devait être couplée au drain de ce transistor, ceci devrait avoir lieu par exemple à travers un suiveur de tension de source pour que le courant d'émetteur du transistor 9 ne se mélange pas avec le courant de drain I1 du transistor 1, et il faut prendre des mesures pour fournir au transistor 9 son courant de base. Pour le reste, le fonctionnement a lieu de façon identique à celui du stabilisateur de courant selon la figure 3, la tension V0 étant la tension base-émetteur du transistor bipolaire 9. Un avantage de l'établissement d'une liaison entre le collecteur du transistor 9 et la borne de tension d'alimentation positive est que dans un circuit intégré dans lequel les canaux des transistors à effet de champ à canal de type de conduction-n sont formés dans une couche de type de conduction p élaborée sur un substrat de type de conduction n qui est raccordé à la borne de tension d'alimentation positive VDD2 le transistor bipolaire 9 peut être formé de façon très simple par une source diffusée de type de conduction n formée dans la couche de type de con- duction p de sorte que celle-ci fait office de base, la zone diffusée de type de conduction n faisant office d'émetteur alors que le substrat fait office de collecteur, ce substrat étant de ce fait raccordé automatiquement à la borne d'ali- mentation positive. De ce fait, il est très simple de réa- liser un transistor npn vertical dans un circuit intégré à transistors à effet de champ. La figure 6 montre une variante du stabilisateur de courant selon la figure 5. Sur cette figure 6, la source du transistor 6 à source de courant d'émetteur n'est pas raccordée à la borne commune 7 mais à une borne de masse, l'électrode de commande dudit transistor 6 étant raccordée à celle d'un transistor 11. Dans ce cas, le point 8 est raccordé à la borne de tension d'alimentation positive +VDD' Les électrodes de commande communes des transistors 4 et 5 ne sont pas raccordées au drain du transistor 5 mais à celui du transistor 4. Pour faire commander les transistors 4 et 5, par le courant de drain du transistor 2, le drain du transistor 5 est raccordé à l'électrode de commande du transistor 10 à canal de type de conduction p; la source du transistor 10 est branchée sur le pôle positif de la tension d'alimentation VDD et le drain est raccordé à celui du tran- sistor 11 ainsi qu'à l'électrode de commande de ce transistor Il qui forme un miroir de courant avec le transistor 6 four- nissant le courant d'émetteur pour le transistor 9, et avec un transistor 12. Le drain de ce transistor 12 est raccordé à la borne 7. Le fonctionnement du stabilisateur en question a lieu comme suit. Lorsque le transistor 2 est parcouru par du cou- rant, le transistor 10 devient conducteur, et de ce fait du courant est fourni à la borne 7 à travers le transistor 11 et le transistor 12, de sorte qu'à travers le transistor 1 et le transistor 4 a lieu la commande du transistor 5; les transistors 2 et 5 sont alors parcourus par le courant I2 (l'électrode de commande du transistor 10 n'est pas parcou- ru par du courant) et les transistors 1 et 4 sont parcourus par le courant.I1; le fonctionnement du stabilisateur se stabilise au point A de la courbe montrée à la figure 4, alors que V0 est la tension base-émetteur du transistor 9. Pour faire démarrer le stabilisateur de courant (puis- 2478343' qu'en effet à l'état I1 = I2 = O correspond également une situation stable) on peut utiliser une diode 13 polarisée en sens inverse et située entre l'électrode de commande du transistor 11 et la borne de tension d'alimentation posi- tive +VDD2 l'intensité du courant de fuite de ladite diode 13 étant suffisante pour faire démarrer le stabilisateur de courant de sorte que le fonctionnement de celui-ci se stabilise au point désiré. Quant au mode de réalisation selon la figure 6. le pré- lavement du courant stabilisé Il ou 12 n'est pas possible sur les bornes 7 et 8. Toutefois, ces courants stabilisés peu- vent - également dans les stabilisateurs de courant selon les figures 3 et 4 - être réfléchis par des techniques de miroir de courant par exemple du fait que le trajet source- électrode de commande d'un transistor à effet de champ shunte le trajet source-électrode de commande du transistor 1, 22 4 ou 11. La figure 7 montre une partie d'une coupe d'un circuit intégré pour illustrer la réalisation du transistor bipolaire 9 dans un circuit intégré à transistors à effet de champ à substrat 14 de type de conduction n. Sur ce substrat 14 est élaborée une couche épitaxiale 15 de type de conduction p qui par des régions 16 est subdivisée en régions distinctes (15a, 15b). En procédant d'une autre façon et sans utiliser miae couche épitaxiale 15, on peut réaliser également les ré- gions 15a et 15b de type conduction p du fait d'élaborer des zones diffusées profondes ("poches") de type de conduc- tion p dans le substrat 14. Par l'élaboration d'une région 16 de type de conduction n, munie d'une borne 18, il se forme dans la région 15a une borne de source, par l'élaboration d'une zone diffusée 17 de type de conduction munie d'une borne 20, il se forme un drain, tandis que par l'élabora- tion de l'électrode 19, sur une couche isolante 23 entre le drain et la source, il se forme une électrode de commande d'un transistor à effet de champ à canal de type de conduc- tion n. Un transistor npn vertical est fEormé par le substrat -udu joIsTsu'eil unip inaeGwal le eseq -i ginaG llOD Di CuoTssDDDns Sp oipao pu1w. oI sup equ-wioj seTaoed soD zi oujoq eunp aTu -ne u uoTqDnpuoD ap odiq ap Ll aesn3gp auoz oun aed la ZZ augoq eun,p qçunw d uoTIDnpuoD op GdiÀ ap qsI uoTBg5aj rI Zl REVENDICATIONS 1.- Stabilisateur de courant qui est r'a]isé à l'aide de tran- sistors à effet de champ fonctionnant selon le mode d'enri- chissement et qui appartient au type dans lequel, en ce qui concerne l'intensité de courant, des première et deuxième voies de courant parallèles sont connectées mutuellement à une même borne commune qui porte un potentiel différant de zéro et sur laquelle s'ajustent les intensités des courants passant dans les première et deuxième voies de courant, la-- 1.0 dite. connexion étant faite à travers des premier et deuxiè- me circuits de couplage de courant qui définissent une rela- tion distincte entre les courants passant dans lesdites pre- mière et deuxième voies de courant, caractérisé en ce que-le premier circuit de couplage de courant est;,réalisé à l'aide de transistors à effet de champ de premier type de conduc- tion tandis que le deuxième circuit de courant comporte d'une part un transistor à effet de champ de deuxième type de con- duction opposé audit premier type de conduction, le canal de ce transistor étant incorporé à la première voie de cou- rant, et d'autre part un deuxième transistor à effet de champ dudit deuxième type de conduction, le canal de ce transistor étant incorporé à la deuxième voie de courant alors que les sources desdits premier et deuxième transistors à effet de champ sont raccordées à une première borne commu- ne et que le stabilisateur de courant comporte des moyens pour définir une différence pratiquement constante entre d'une part la tension entre l'électrode de commande et la source du premier transistor à effet de champ et d'autre part la tension entre l'électrode de commande et la source du deuxième transistor à effet de champ. 2.- Stabilisateur de courant selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits moyens comportent une jonction semiconductrice bipolaire. 3.- Stabilisateur de courant selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite jonction semiconductrice bipo- laire est la jonction base-émetteur d'un transistor bipolai- re dont la base est raccordée à l'électrode de commande du deuxième transistor à effet de champ et dont l'émetteur est raccordé à l'électrode de commande du premier transistor à effet de champ ainsi qu'à une source de réglage de courant de repos, l'électrode de commande du deuxième transistor étant, en sens de réaction positive, couplée au drain du premier transistor. 4.- Stabilisateur de courant selon la-revendication 3, caractérisé en ce que la source de réglage de courant de repos est un troisième transistorsà effet de champ de deu- xième type de conduction, branché en miroir de courant avec le stabilisateur de courant. 5.- Stabilisateur de courant selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'électrode de commande du troisième transistor à effet de champ est raccordée à celle du deu- xième transistor à effet de champ, enWce que la source du troisième transistor est raccordée à celle dudit deuxième transistor tandis que le drain du troisième transistor est raccordé à l'émetteur du transistor bipolaire. 6.- Stabilisateur de courant selon la revendication 4, dans lequel le premier circuit de couplage de courant est un miroir de courant, caractérisé en ce que la branche de courant d'entrée du miroir de courant se trouve dans le trajet de drain du premier transistor, en ce que la branche de sortie de courant du miroir de courant se trouve dans le -trajet de drain du deuxième transistor, en ce que l'électro- de de commande d'un quatrième transistor de premier type de conduction est raccordée à un point situé entre la bran- che de courant de sortie du miroir de courant et le trajet de drain du deuxième transistor, le trajet de drain dudit quatrième transistor étant raccordé à une borne d'alimen- tation à travers le canal d'un cinquième transistor de deuxième type de conduction, lesdits cinquième et troisième transistors de même qu'un sixième transistor étant branchés dans le miroir de courant et constituant la branche de cou- rant d'entrée de celui-ci, alors que le drain dudit sixième transistor est raccordé à la première borne commune et que le drain du troisième transistor est raccordé à l'émetteur du transistor bipolaire. 7.- Stabilisateur de courant selon la revendication 3, 4, 5 ou 6. caractérisé en ce que le collecteur du transistor bipolaire est raccordé directement à une borne d'alimenta- tion. 8.- Stabilisateur de courant selon la revendication 7, caractérisé en ce que les transistors à effet de champ sont formés dans une couche semiconductrice de premier type de conduction élaborée sur un substrat de deuxième type de con- duction, en ce que les sources et les drains de premier type sont élaborés dans une zone de diffusion du deuxième type ménagée dans ladite couche semiconductrice et ence -uG le transistor bipolaire est formé du fait que par voie de dif- fusion une zone est élaborée dans une partie isolée de la- dite couche de premier type de conduction, ladite zone de diffusion de deuxième type de conduction constituant l'émet- teur dudit transistor bipolaire, alors que ladite partie isolée de la couche de premier type de conduction constitue la base et que le substrat constitue le collecteur de ce transistor bipolaire.