Brevet FR2485264A1 — publié le 19811224

"Dispositif semiconducteur programmable et son procédé de fabrication" La présente invention concerne un dispositif semiconducteur programmable comportant un corps porteur muni d'au moins une première ligne et d'au moins un com- posant semiconducteur connecté, à l'aide d'un fusible à ladite ligne, le fusible étant séparé, sur au moins une partie de sa longueur, du corps porteur ou du composant semiconducteur. L'invention concerne également un procédé permet- tant de réaliser un tel dispositif semiconducteur. Un dispositif semiconducteur programmable du genre mentionné ci-dessus peut faire partie d'une mémoire de lecture programmable (PROM). Outre l'emploi pour une mémoire de lecture programmable, le dispositif semiconduc- teur programmable peut être utilisé pour un circuit logique du genre PLA (en anglais programmable logis array), la fonction logique proprement dite du circuit étant déterminée ultérieurement au cours d'une étape de programmation. Un dispositif semiconducteur programmable du genre mentionné dans le préambule est connu du brevet des Etats-Unis d'Amérique nO 3.564.354. Dans ce dispositif, le fusible est constitué par une bande mince étroite de métal, par exemple en aluminium, dont les dimensions sont rigoureusement déterminées. Suivant l'information à enre- gistrer, ce fusible est fondu sélectivement par passage du courant. Dans ce dispositif, la partie supérieure du fusible est recouverte d'une couche de passivation et se trouve ainsi partiellement entourée de matériau de passiva- tion avec lequel il est en contact direct. Une partie de l'énergie développée à l'aide du courant de fusion dans la bande métallique se perd par suite d'échauffement de la couche de passivation environnante. Le temps de fusion étant ainsi prolongé, le temps d'enregistrement augmente, et le dispositif risque d'être endommagé. La passivation de la face supérieure du fusible peut au besoin être omise, mais cela au détriment de la passivation des autres pièces du dispositif. De plus, - -- du fait que la passivation est ainsi partiellement ou entiè- rement omise, il se peut que, lors de la fusion, des restes du fusible parviennent sur la surface du corps semiconduc- teur et y provoquent des court-circuits ou des défauts. La présente invention vise, entre autres, à fournir un dispositif semiconducteur programmable du genre mentionné dans le préambule o la durée d'enregistrement n'est guère tributaire de la conduction thermique entre le fusible et le corps porteur ou une couche de passivation environnante. De plus, l'invention vise à fournir un disposi- tif semiconducteur programmable dans lequel le fusible n'est guère soumis à-des tensions mécaniques provoquées par la présence d'une couche de passivation. Par ailleurs, elle vise à fournir une mémoire de lecture programmable présentant une densité de bits et une vitesse de lecture aussi élevées que possible. L'invention est basée, entre autres, sur l'idée que la perte d'énergie se produit pendant la fusion et, que de ce fait, le courant de fusion et la durée d'enregis- ment peuvent être réduits par un isolement thermique aussi efficace'que possible du fusible par rapport à son environ- nement. Conformément à l'invention, un dispositif semicon- ducteur programmable est caractérisé en ce que le fusible est disposé dans une enceinte ménagée dans du matériau déposé sur le corps porteur ou le composant semiconducteur et en ce que sur une partie de sa longueur, ledit fusible est séparé des parois entourant ladite enceinte. Un tel dispositif offre l'avantage qu'en prati- que, le fusible n'est pas en contact avec le corps porteur ou avec une couche de passivation diélectrique etvirolnn ede sorte qMela cnductien thermique vers l'ewircnamert est notablement réduite et que le fusible fon, plus rapidement. Dans une telle réalisation, la durée d'enregistrement est ainsi {f O 3 2485264 notablement réduite et, de plus, on peut utiliser un courant de fusion de plus faible intensité Du fait que d'une façon généPale, le fusible est séparé sur la majeure partie de sa longueur des parois de l'enceinte et du composant semiconducteur et du porteur, la fusion du matériau oonstituant le fusible ne tarde pas à former des gouttes et le matériau fondu peut se déplacer rapidement dans ladite enceinte. De ce fait, la durée d'enregistrement est réduite davantage. De plus, cé évite ainsi que, lors de la -fusion, les particules dégagées ne parviennent sur la surface du dispositif et n'y provoquent un court-circuit ou des dégra- dations. Une forme -de réalisation préférentielle d'un dispositif semiconducQ-eur coonforme à l'invention est carac- térisée en ce que la première ligne comporte un conducteur qui fait partie de la paroi de l'enceinte opposée au corps porteur ou au composant semiconducteur et en ce que les autres parois sont formées, au moins partiellement, par du matériau protecteur déposé sur des parties du corps porteur ou du composant semiconducteur situées à coté du conducteur. Une telle forme de réalisation offre des avant tages, du fait que pendant le dépôt de la couche protectri- ce ledit conducteur fait office de masque. De plus, du fait que le composant semiconducteur (par exemple une diode) peut être disposé au-dessous d'un fusible, les mémoires de lectures programmables réalisées avec de tels dispositifs peuvent présenter une densité 230 de bits élevée. Pour l'application à une mémoire semiconductri- ce programmable, un dispositif semiconducteur programmable conforme à l'invention est caractérisé en ce que la première ligne fait partie d'un premier groupe de lignes constituant un système de barres croisées avec un second groupe de lignes, croisant le premier, ladite première ligne étant reliée à une ligne du second groupe à l'endroit d'un point I. de croisement dudit système de barres croisées à l'aide d'un fusible et du composant semiconducteur. Une autre forme de réalisation prêférentielle si'un dispositii semiconducteur programmable conforme à l'invention est caractérisée en ce que le corps porteur comporte un corps semiconducteur dans lequel est réalisé le composant semiconducteur. Une telle réalisation offre l'avantage de pouvoir réaliser également d'autres circuits dans le corps semicon- ducteur, comme par exemple des décodeurs pour des buts de sélection et des amplificateurs de sortie. De plus, dans un tel dispositif, le second groupe de lignes peut être réalisé entièrement ou partiellement comme des zones enterrées dans le corps semiconducteur. De préférence, une telle zone enterirée est-en contact, d'une façon régu- lièrement espacée, avec une bande de matériau électro-con- ducteur située sur la surface du corps semiconducteur. Il en résulte l'avantage de la présence, lors de la program- mation, de plusieurs voies de courant vers le même compo- sant semiconducteur, voies de courant qui présentent en outre une plus faible résistance, ce qui permet d'utiliser une tension plus basse. De plus, lors de la lecture, la présence de ces connexions parallèles à basse valeur ohmi- que dans le second groupe de lignes réduit la durée de lecture du dispositif. Dans cette forme de réalisation, le composant semiconducteur, qui peut être constitué par une diode ou un transistor, comporte de préférence, une diode munie d'une jonction redresseuse (jonction Schottky) entre une zone semiconductrice à faible dopage située au-dessus de la zone enterrée et une électrode mise en contact avec la zone semiconductrice à faible dopage. Une mémoire réa- lisée avec un tel dispositif présente une vitesse de lectu- re élevée. Un procédé pour la réalisation d'un dispositif semiconducteur programmable conforme à l'invention est caractérisé en ce que l'on part d'un corps porteur muni d'au moins une première ligne située à une surface et d'au moins un composant semiconducteur muni d'une électrode ou connecté à une couche de contact, le tout étant recouvert d'une première couche auxiliaire dans laquelle sont ménagées une première fenêtre, qui met à nu au moins une partie de l'électrode ou de la couche de contact et une seconde fenêtre mettant à nu au moins une partie de la première ligne, en ce que, ensuite un fusible est disposé sur la première couche auxiliaire et au moins dans les première et seconde fenêtres, afin d'assurer la connexion entre la première ligne et le composant semiconducteur, puis en ce que le tout est recouvert d'une seconde couche auxi- liaire, des ouvertures étant ensuite pratiquées dans les première et seconde couches auxiliaires, en ce que l'on dépose une première couche en matériau protecteur suivant une certaine configuration de façon que, au moins à l'endroit du fusible et dans les ouvertures, subsiste du matériau protecteur, en ce que l'on enlève sélectivement les deux couches auxiliaires en utilisant la configuration comme masque, le matériau de la première couche auxiliaire d'une part, étant sélectivement décapable par rapport au matériau du corps porteur, de la première ligne, de l'électrode ou de la couche de contact et du fusible, du matériau pro- tecteur et, pour autant qu'il est recouvert de la première couche auxiliaire, par rapport au matériau du composant semiconducteur et le matériau de la seconde couche auxiliaires d'autre part étant sélectivement décapable par rapport au matériau protecteur et au matériau du fusible, traitement après lequel il subsiste du matériau protecteur dans les ouvertures aussi bien qu'à l'endroit du fusible et à quelque distance de ce dernier, et enfin en ce que l'on recouvre au moins la partie de la surface non protégée par la confi- guration de la première couche de matériau protecteur d'une seconde couche de matériau protecteur de façon à former une enceinte dans laquelle se trouve le fusible les parois de ladite enceinte contenant du matériau protecteur des première et seconde couches de matériau protecteur. De préférence, on utilise le même matériau pour les deux couches de matériau protecteur. Un procédé permettant de réaliser un dispositif semiconducteur programmable conforme à l'invention, ou la paroi opposée au corps porteur ou au composant semicon- ducteur comporte un conducteur, est caractérisé en ce que l'on part d'un corps porteur, dont une surface présente au moins un composant semiconducteur muni d'une électrode ou connecté à une couche de contact, le tout étant recou- vert d'une première couche auxiliaire dans laquelle est ménagée une fenêtre laissant découverte au moins une partie de l'électrode ou de la couche de contact, en ce que, ensuite, un fusible est disposé sur la première couche auxiliaire et au moins dans la fenêtre de façon qu'à.l'en- droit de cette dernière soit définie une première extrémité du fusible, puis en ce que le tout est recouvert d'une seconde couche auxiliaire, des ouvertures étant ensuite pratiquées dans les première et seconde couches auxiliaires et coïncidant au moins partiellement avec une seconde ex- trémité du fusible, en ce que l'on élabore une configuration conductrice au moins à l'endroit du fusible et dans les ouvertures, en ce que l'on enlève sélectiQement les couches auxiliaires en utilisant la configuration conductrice comme masque, le matériau de la première couche auxiliaire d'une part, étant sélectivement décapable par-rapport au matériau du corps porteur, de l'électrode ou de la couche de contact, du fusible et de la configuration conductrice et, pour autant qu'il est recouvert de la première couche auxiliaire par rapport au matériau de composant semiconducteur et le matériau de la seconde couche auxiliaire, d'autre part étant sélectivement décapable par rapport au matériau de la configuration conductrice et du fusible, traitement après lequel il subsiste un conducteur à l'endroit du fusible et à quelque distance de ce dernier et, dans les ouvertures, des éléments de support pour ledit fusible et, enfin, en ce que l'on recouvre au moins la partie de surface non protégée par la configuration conductrice d'une couche de gmaté'riau n-" t4e-.i- d fa-on à former une enceinte dans laquelle -se trouve le fu. ble qui assure la connrexion t-; er ia s edueur etl e eovnducteeur é le 'rîu ee derri' -. parn ? ' ne l igne du dispositif semiconduc- :;eur n.g;o at]e -*.; --pato sis de I!enleinte ainsi formétes tant.' Yon. is;uéees ar &' e ïodutelur st des partîie; de la :!>'1qi, ptrenee,:. 7.. 7d utilise le Mmem fa't.,a po u].3 p:.: r seeonda e " oohe; s auxiliaires 1 0 Ce!a rend e DroBei de -?. mle etq de ce fait, rmoins eouOl2z,_ maeriau '-i'oplé est, sntre autres2 l'alumqi n i um o D- ep r, c- e ta'. ériau de la configuration onoduc:ricae esat aoppli-nl>.at ez roissanee galvaniqueo En oaffet: on a eonsl;aete - --a unv dépôt dI l-uminium peuvent se trouier des ouver;!.ne, dites en troud'éîpingleo Du fait que, lors de la. óiasanee galvanique, le développe- ment ne se produit qua dans une seule direction, on évite que ces ouvertures ne;ient remplies de matériau de la configuration conduct'ice9 ee qui entraînerait le risque de court-eireuitso Le descript-ion ci=apres, en se réeférant au des- sin a:rnexée la touïr,.àa gtre d 'exemple non limitatif" fera bien comprendre eomient l'invention peut être réalisée. = la figure 1 montre schématiquement une vue en plan d'une prpmiàra réalisation d'un dispositif semicon- ducteur programmable conforme à l'invention, la figure 2 montre schématiquement une section transversale d'u-n disuositif semiconducteur programmable suivant le plan iI-II de. la figure 1, la figure 3 montre schématiquement une section transversale du dispositif semieonducteur programmable selon le plan III-III de la figure 1, la figure 4 montre schématiquement plusieurs ouvertures de masque utilisées pour plusieurs étapes de réalisation du dispositif semiconducteur programmable se- lon les figures I à 3, - les figures 5 à 7 montrent le dispositif semiconducteur programmable pendant plusieurs stades de sa réalisation, la figure 8 montre schématiquement un schéma {)5 équivalent d'une partie de la mémoire semiconductrice pro- grammable réalisée à l'aide de dispositifs semiconducteurs programmables se'-on les figures 1; 2 et 3, - la figure 9 montre une vue en plan schémati- que et la figure 10 une section transversale suivant le plan X-X de la figure 9 d'une autre forme de réalisation d'un dispositif semiconducteur programmable conforme à l'invention, et - la figure 1moeteschematiquement une section transversale d'une variante du dispositif selon la figure 10. Les figures sont représentées schématiquement et non à échelle et, pour la clarté du dessin,les dimensions notamment dans la direction de l'épaisseur de section trans- versale, sont fortement exagérées. Les zones semiconductri- ces de même type de conduction sont en général hachurées dans la même direction; dans les diverses réalisations, les pièces correspondantes portent les mêmes chiffres de référence. La figure 1 montre schématiquement une vue en plan d'un dispositif semiconducteur programmable conforme à l'invention dont les figures 2 et 3 sont les représenta- tions schématiques en section transversale suivant le plan II-II et III-111 de la figure 1. Dans cet exemple,un corps semiconducteur 1 cons- titue une partie d'un corps porteur. Ce corps semiconduc- teur 1 comporte un substrat semiconducteur 2 d'un premier type de conduction, par exemple de type p, d'une épaisseur d'environ 500 micromètres et d'une résistivité d'environ 1 ohmcentimètre (ce qui correspond à un dopage d'accepteurs d'environ 3.1015 atomes/cm3). Sur ce substrat semiconduc- teur 2 est formée par croissance une couche épitaxiale 3 de type n, d'épaisseur environ 5 micromètres et d'une 9 2485264 résistivité environ 1 ohmcentimètre (ce qui correspond à un dopage d'environ 1.1015 atomes/em3). Dans cet exemple, le dispositif semiconducteur programmable fait partie d'une mémoire de lecture programma- ble comportant un système de barres croisées de groupe de lignes qui se croisent. Dans cet exemple; une ligne de tel groupe est formée par une zone enterrée 4 à basse valeur ohmique présentant une résistance d'environ 20 ohms par carré. Dans cet exemple, cette ligne constitue la ligne à bits d'une mémoire de lecture programmable. Dans cet exemple, les composants semiconducteurs, qui peuvent être des diodes ou des transistors, sont consti- tués par des jonctions redresseuses réalisées au-dessus de la zone enterrée 4 (diodes Schottky). A cet effet, une couche isolante 6 constituée par de l'oxyde de silicium, d'une épaisseur d'environ 0.5 micromètre, et déposée sur la surface 5 du corps semiconducteur comporte une fenêtre 7 dans laquelle est disposée une électrode 8 d'un matériau constituant une jonction redresseuse (jonction Schottky) avec le silicium épitaxial de type n à valeur ohmique élevée. Dans cet exemple, l'électrode est constituée d'un alliage de platine-nickel; d'autres matériaux appropriés sont par exemple le chrome, le tantale, le palladium ou l'aluminium. Pour isoler électriquement les composants semi- conducteurs et la zone enterrée 4 des autres éléments situés dans le corps semiconducteur 1, comme par exemple une zone similaire avec des composants semiconducteurs correspondants s'étendant parallèlement à la zone enterrée 4, le corps semiconducteur 1 comporte des zones séparatrices 9 de type p, qui sont obtenues par exemple par une diffusion profon- de à travers la couche épitaxiale 3 de type n.- Le composant semiconducteur se trouve à l'endroit d'un point de croisement d'une zone enterrée 4 correspon- dant au second groupe de lignes du système de barres croi- sées et d'un conducteur 10. Ce conducteur 10 appartient à un premier groupe de lignes du système de barres croisées de lecture peut être programmée. Du fait que le fusible se trouve dans l'encein- te '21, l'évacuation de chaleur du fusible 11 est très fai- ble, ce qui aboutit à une courte durée d'inscription. De plus, le matériau fondu de la bande ne risque pas de parvenir- sur d'autres parties du dispositif à l'extérieur de la cavité 21 et y provoquer des court-circuits ou des dégradations. Le composant, dans cet exemple une diode Schottky, se trouve entièrement au-dessous du conducteur 10; ainsi, il est possible d'atteindre une densité de bits élevée. De plus, la présence des diodes Schottky dans le dispositif représenté sur le dessin augmente notamment la vitesse de lecture d'une mémoire programmable dans laquelle est incorporé un tel dispositif. Dans cet exemple, la zone enterrée 4 fait partie d'une ligne à bits d'une mémoire de-lecture programmable. D'une façon générale, cette zone présente un dopage élevé, mais toujours quelque résistance. Pour réduire la durée de réponse de cette ligne, elle est en contact, de façon régulièrement espacée, avec une bande 17 en matériau condue- teur déposée sur la surface 5 du corps semiconducteur 1 et s'étendant dans cet exemple parallèlement à ladite zone 4. On a introduit ainsi, une voie de courant parallèle, qui.réduit la durée de réponse. La bande 17 offre en outre des avantages pendant la programmation. La figure 8 montre schématiquement une partie d'une ligne à bits i avec les composants semiconducteurs correspondants, dans cet exemple des diodes Schottky Dii... Di8. Ces diodes sont reliées à l'aide de fusibles Fil... Fi8 aux lignes à mots Wl... W8. Dans le présent exemple,- la ligne à bits i est constituée par une zone enterrée 4. Toutefois, elle présente une certaine résistance série - divisée représentée schématiquement sur la figure-8 par les résistances R. Pour provoquer la fusion du fusible Fi6 par exemple, il faut que le courant traversant le fusi- ble et la diode Di6 présente une intensité suffisamment 2485264 et dans cet exemple, il fait partie d'une ligne.à mot. Un fusible 11 est connecté par une extrémité au conducteur- électrique 10. L'extrémité opposée est connectée au com- posant semiconducteur, notamment à l'électrode 8. -Le fusible se situe à quelque distance du corps porteur (le corps semiconducteur 1, y compris la couche de passivation 6 déposée sur ledit corps et une couche de nitrure 18)-et se trouve, conformément à l'invention, dans une enceinte 21, dont la paroi opposée au composant constitue une partie de liaison 12 du conducteur 10 entre deux parties de support 13 faisant partie du conducteur 10. Les parties 22 des autres parois sont constituées par une couche 20 en matériau protecteur, comme du verre ou de l'oxyde de silicium qui, dans cet exemple, est déposé sur le conducteur 10 et les parties voisines du corps por- teur. Dans cet exemple, le fusible 11 comporte une bande conductrice en nickel-chrome d'une épaisseur d'environ 0,08 micromètre. Sur la couche isolante sont appliquées des bandes 17 en matériau conducteur, par exemple de l'alu- minium, qui sont isolées électriquement par rapport aux conducteurs électriques 10 à l'aide de la couche 18 en nitrure de silicium. Dans le cas d'une mémoire de lecture programmable, une telle bande est en contact d'une façon régulièrement espacée par l'intermédiaire de trous de con- tact 19 avec la zone enterrée et réduit dans ce cas la résistance série dans la ligne à bits. Or, lorsque dans une mémoire de lecture program- mable, une tension électrique positive est appliquée entre le conducteur 10 et la zone enterrée-4 à l'aide de circuits d'adressage et, au besoin, d'amplificateurs, un courant circule à travers le conducteur 10 et le fusible 11, par l'intermédiaire de l'électrode 8 et de la couche épitaxiale, vers la couche enterrée 4. Lorsque ce courant présente une intensité suffisamment élevée, le fusible 11 fond par suite du dégagement de chaleur et la liaison entre le con- ducteur 10 du système de barres croisées et l'électrode est rompue de façon permanente. Ainsi, une telle mémoire 12 2485264 élevée. En l'absence de conducteur parallèle 17, et sous la tension V, on a: i D = 1 (V-V D) = io R 5 R expression dans laquelle V = tension appliquée VD = tension de conduction de la diode R = résistance série moyenne dans la zone 4 entre deux points de croisement successifs. Lorsque le conducteur parallèle 17, dont la résistance peut être négligée pratiquement, est connecté, par exemple à l'endroit Di4 et Di8, on a alors: V-VD V-VD V-VD l = - + - = = 5iO 2R 2R R Ainsi, on a montré que l'application d'un tel conducteur parallèle donne lieu à la formation de courants de plus grande intensité pour une même tension appliquée, de sorte que la fusible fond plus rapidement et que par conséquent, la durée de lecture est réduite. La réalisation d'un dispositif semiconducteur programmable selon les figures 1 à 3 sera expliquée ci- après à l'aide-des figures 4 à 7, la figure 4 représentant schématiquement les ouvertures de masque utilisées en plu- sieurs phases de la réalisation, les figures 5 à 7 illustrant le dispositif de la figure 2 à plusieurs stades de sa réali- sation. On part d'un substrat 2, de type p, présentant une résistivité de 1 ohmcentimètre et une épaisseur d'envi- ron 500 micromètres. On réalise de façon connue une zone enterrée 4 de type n (présentant une résistance d'environ ohms par carré). Puis, on fait croître une couche épi- taxiale 3 d'épaisseur égale à 5 micromètres environ et db résistivité 1 ohmcentimètre environ. On crée ensuite des zones séparatrices 9 par diffusion, également de façon connue. Après un nettoyage éventuel de la surface 5 du -3 2485264 dispositif ainsi obtenu (entre autres enlèvement des cou- ches d'oxyde formées au cours des étapes précédentes), on dépose une couche 6 en matériau isolant, par: exemple en oxyde de silicium, sur toute la surface 5 et dans ces couches sont ouvertes, par décapage, des fenêtres de contact 7. Dans ces fenêtres est déposée une couche mince 8 (environ 0,1 micromètre) en platine-nicke; qui constitue une jonction Schottky avec le silicium sous-jacent à valeur ohmique élevée. D'autres matériaux appropriés peuvent être utilisés, entre autres, le palladium, le chrome ou - le tantale. Cette couche 8 peut déborder quelque peu le bord de la fenêtre 7; ainsi, l'application de-la couche 8 n'est pas critique. Au besoin une couche mince en titane- -tungstène peut être déposée sur la couche 8 pour obtenir un bon contact avec le fusible. De même, des pistes con- ductrices 17, en aluminium par exemple, sont appliquées de façon connue sur la couche isolante 6. Afin d'assurer le contact de ces pistes dans une plus grande configuration de plusieurs éléments, d'une façon régulièrement espacée, avec les composants semiconducteurs, des fenêtres de con- tact 19 (voir la figure 1) sont créées simultanément aux fenêtres 7 dans la couche 6 et recouvertes au besoin pendant la réalisation des électrodes 8. Ainsi, on a obtenu la configuration de la figure 5. Le dispositif ainsi obtenu est ensuite recouvert d'une couche 18 en nitrure de silicium d'épaisseur égale à 0,7 micromètre environ, par exemple par dépôt de plasma._ Cette couche 18 est pourvue, par voie photolithographique, d'une fenêtre 23 de façon à découvrir des portions de l'élec- trode 8 et de la couche isolante 6. Ensuite, tout le dis- positif est recouvert d'une couche 24 d'une épaisseur d'en- viron 0,3 micromètre constituée par de l'aluminium, dans laquelle est créée par voie photolithographique une fenêtre 28 (voir la figure 4).. Au cours de l'étape suivante, un fusible 11 est formé par dépôt d'une couche en nickel-chro- me d'une épaisseur d'environ 0,08 micromètre, qui est -en- suite décapée, suivant une configuration déterminées par voie photolithographique à l'aide d'une solution diluée d'acide chlorhydrique. Dans cet exemple, le nickel-chro- me qui subsiste est un rectangle en forme de bande 11, cqui"se situe entièrement dans la fenêtre 23 (voir la figure 4) et qui est en contact à trayers une partie de'la fenêtre 28 avec l'électrode 8. Evidemment, la forme du fusible Il est variable. On applique, ensuite, une couche 25-en aluminium d'une épaisseur égale à 0,7 micromètre environ. Le tout est muni d'une couche de photorésist 26 dans laquel- le sont définies par voie photolithographique des fenêtres 27 à l'endroit des pièces de support à appliquer. On ob- tient ainsi la configuration selon la figure 6. A l'endroit des fenêtres 27, l'aluminium des couches 24, 25 est enlevé par décapage dans une solution à 1% de soude caustique à une température d'environ 400C, la couche de photorésist 26 servant de masque, après quoitout le dispositif est muni d'une couche de nickel d'une épaisseur d'environ 1 micromètre. Cette opération s'effec- tue de préférence par croissance galvanique afin d'éviter des court-circuites. En effet, on a constaté que l'alumi- nium des couches intermédiaires 24, 25 présente généra- lement des ouvertures dites en trous d'épingle, qui sont remplies de nickel pendant le dépôt de nickel par pulvéri- sation, nickel qui n'est pas attaqué au cours du décapage- suivant et qui risque de provoquer des court-circuits. La croissance par voie galvanique ne se produit que dans une seule direction, ce qui évite des court-circuits, com- me le décrit la demande- de brevet français publiée sous le N0 2 441 923 dont le contenu est inséré en référence dans la présente demande. Une couche très mince de nickel, de l'ordre de 5 nanomètres, est dé- posée par évaporation pour assurer une bonne croissance galvanique, notamment sur l'oxyde de silicium 6 et le ni- trure de silicium 18. Toutefois, cette couche est.trop mince pour provoquer ledit court-circuit. Dans la couche de nickel ainsi déposée sont réalisés par décapage les conducteurs électriques 10 à !5 l'aide de techniques de décapage photolithographiques et d'une solution aqueuse d'acide azotique à 10%o On ob- tient ainsi la configuration de la figure 7 O , non seule- * ment au-dessous de la partie 12 du conducteur 10, mais également à l'extérieur du plan du dessin, de l'aluminium 24, 25 est toujours présent sur la couche 18 en nitrure de silicium. Cet aluminium est ensuite éliminé dans un bain de décapage à 1% de soude de caustique dans de l'eau à environ 40 C. Après enlèvement de tout l'aluminium du corps porteur, Qn dépcse une couche de passivation 20 en verre ou en oxyde de silicium, par exemple par évaporation ou par d'autres techniques de dépôt appropriées. Le conduce teur 10 fait office de masque, de sorte que, dans le dispo- sitif définitif, le fusible 1lest enveloppé de l'enceinte 21, dont une partie 22 des parois est constituée par la couche de passivation 20. On obtient ainsi Je dispositif selon les figures 1 à 3. Dans la forme de réalisation préférentielle décrite ci-dessus-, la ligne conductrice 10 fait partie de la paroi de l'enceinte, ce qui n'est cependant pas abso- lument nécessaire. C'est ainsi que la ligne 10 peut être réalisée sur la surface du corps porteur ou du composant semiconducteur. Dans ce cas, après application de la preu mière couche auxiliaire sélectivement décapable 24,9 on ouvre, dans cette couche, une première fenêtre à. l'endvobt de l'électrode 8 du composant semiconducteur et une seconde fenêtre, qui met à nu une partie de la ligne 10. A l'aide de techniques de décapage photolithographiques, dans le matériau appliqué sur la première,couche auxiliaire, on définit un fusible de forme telle que ses deux extrémités entrent en contact, par l'intermédiaire desdites fenêtres, avec respectivement l'électrode 8 et la ligne 10. Le tout est ensuite recouvert d'une seconde couche auxiliai- re sélectivement décapable 25. Ensuite, des ouvertures sont pratiquées dans les deux couches auxiliaires, avant de recouvrir après quoi le tout d'une première couche de matériau protecteur comme l'oxyde de silicium. L'épaisseur de cette couche est par exemple choisie telle que les ouver- tures dans les deux couches auxiliaires puissent se remplir. Cette couche est ensuite soumise à décapage suivant une configuration déterminée de façon qu'à l'endroit de ces ouvertures et au-dessus des fusibles, subsiste de l'oxyde de silicium et qu'à d'autres-endroits, la seconde couche auxiliaire soit découverte. Puis, les deux couches auxi-' Maires 24, 25 sont enlevées par décapage sélectif d'une façon analogue à celle décrite ci-dessus. Après cette opération, le fusible 11 se trouve à quelque distance du corps porteur ou du composant semiconducteur et également de l'oxyde de silicium assurant la liaison(comparable à la partie de liaison 12 des figures 1 à 3). L'oxyde de silicium de liaison se trouve entre deux éléments de sup- port (analogues aux éléments de support 13 dans les figu- res 1 à 3), également en oxyde de silicium. Aux endroits non protégés par la configuration d'oxyde sont enlevées les couches auxiliaires 24, 25 de façon à découvrir des portions de la surface du corps porteur ou du composant semiconducteur. Ces portions de la surface situées dans la configuration d'oxyde faisant office de masque sont ensuite recouvertes d'une seconde couche de matériau protec- teur. Lorsque cette seconde couche est déposée en épais- seur suffisante, le fusible est encapsulé dans une encein- te. Evidemment, l'invention n'est pas limitée aux exemples mentionnés cidessus, mais de nombreuses variantes sont possibles pour l'homme de métier dans le cadre de l'invention. C'est ainsi que, outre par des-zones profon- des 9, de type p, l'isolement entre les zones enterrées peut également être assuré par des techniques d'oxydation localisée, alors que, pour les composants, au lieu des diodes de Schottky, peuvent être choisis également des diodes pn ou des transistors (transistors bipolaires aussi bien que des transistors à effet de champ). Dans les exemples représentés, les conducteurs parallèles 17 peuvent au besoin être omis. Dans ce cas, -2485264 la couche isolante n'est pas non plus nécessaire et les parties de support 13 sont réalisées de façon directe sur la couche isolante 6. Dans les exemples représentés sur le dessin, le corps porteur est constitué par un corps semiconducteur dans lequel sont réalisés les composants semiconducteurs Dans une autre forme de réalisation, il est possible de réaliser les composants semiconducteurs sur un corps por- teur isolant, par exemple à l'aide de silicium et de saphir. C'est ainsi que la figure 9 montre une vue en plan et la figure 10 une section transversale suivant la droite X-X de la figure 9 d'un tel dispositif semiconduc- teur programmable conforme à l'invention.. Dans cet exemple, le dispositif 31 comporte un corps porteur 32 en matériau isolant, par exemple en saphir, sur lequel est appliqué un système de barres croi- sées constituées par des pistes conductrices 33 déposées sur le corps porteur 32 et des conducteurs 10 qui croisent lesdites pistes conductrices 33. A l'endroit des points de croisement du système de barres croisées sont réalisés, sur le corps isolant 32, des composants. semiconducteurs, dans cet exemple des diodes à zones 34 de type p et à zones de type n. Les conducteurs 10 enjambent les diodes et sont supportés par des parties de support 13. Les pistes conductrices 33, qui sont par exemple les lignes à bits d'une mémoire de lecture programmable, sont mises en contact avec les zones 34 de type p à la surface des diodes par l'intermédiaire de contacts 38 dans des fenêtres 37 créées dans une couche isolante 6 qui pro- tège les diodes. Les électrodes 8 sont-en contact avec les zones 35 de type n par l'intermédiaire de fenêtres de contact 7. Au-dessous des conducteurs 10 se trouve un fusible 11 qui, dans cet exemple, relié le conducteur à l'électrode 8 et qui s'étend, sur une partie de sa longueur, d'une façon séparée du corps porteur 32, du com- posant semiconducteur et également du conducteur 10. Le composant semiconducteur (diode) se trouve-au-dessous d'une 1 8 partie de liaison 12 entre deux parties de support 13 du conducteur 10. Evidemment, plusieurs diodes peuvent se trouver au-dessous d'une seule partie de liaison 12. Le tout est recouvert d'une couche de passivation 20, de sorte que le fusible 11 se- trouve dans une enceinte 21. Lors de la réalisation du système de barres croisées selon la méthode décrite dans la demande de brevet français NO 244L923 les conduceus - 10 sont supportés par des parties de support 36 en aluminium, qui sont connectées aux donduc- teurs 10. Dans un tel dispositif, il est également possi- ble de connecter le fusible 11 par l'intermédiaire de la partie de support 36 au conducteur 10. La figure 11 montre une section transversale d'un tel dispositif; les chiffres de référence ont ici la même signification que sur la figu- re 10. - REVENDICATIONS 1. Dispositif semiconducteur programmable com- portant un corps porteur (2932) muni d'au moins une première ligne (10) et d'au moins un composant semiconducteur con- necté, à l'aide d'un fusible (11) à ladite ligne, le fusible étant séparé, sur au moins une partie de sa longueur, du corps porteur ou du composant semiconducteur, caractérisé en ce que le fusible (11) est disposé dans une enceinte (21) méngagée dans du matériau déposé-sur le corps porteur ou le composant semiconducteur et en ce que sur une partie de sa longueur, ledit fusible (11) est séparé des parois entourant ladite enceinteo 2. Dispositif semiconducteur programmable selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première ligne (10) comporte un conducteur qui fait partie de la paroi (12) de l'enceinte opposée au corps porteur (2,32) ou au composant semiconducteur et en ce que les autres parois (22) sont formées, au moins partiellement, par du matériau protecteur (20) déposé sur des parties du corps porteur ou du composant semiconducteur situées à c8té du conducteuro 3o Dispositif semiconducteur programmable selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le fusible (11) comporte une bande conductrice en au moins l'un des matériaux nickel ou chrome. 4. Dispositif semiconducteur programmable selon au moins l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la première ligne (10) fait partie d'un premier groupe de lignes constituant un système' de barres croisées avec un second groupe de lignes, croisant le premier, ladite première ligne étant reliée à une ligne (4) du second groupe à l'endroit d'un point de croisement dudit système de barres croisées à l'aide d'un fusible et du composant semiconduc- teur. 5. Dispositif semiconducteur programmable selon au moins l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le corps porteur (2) comporte un corps semiconducteur dans lequel est réalisé le composant semiconducteur. 6. Dispositif semiconducteur programmable selon la-revendication 5, caractérisé en ce que le second grou- pe de lignes comporte au moins une zone enterrée (4) dans le corps semiconducteur. 7. Dispositif semiconducteur programmable selon la revendication 6, caractérisé en ce que la zone enterrée (4) est d'une façon régulièrement espacée en contact avec une bande (17) en matériau électroconducteur située sur la surface du corps semiconducteur. 8. Dispositif semiconducteur programmable selon la revendication 7, caractérisé en ce que la bande (17) en- matériau électroconducteur s'étend pratiquement parallé- lement à la zone enterrée (4).- 9. Dispositif semiconducteur programmable selon au moins l'une des revendications 5 à 8, caractérisé en ce que les éléments de composants semiconducteurs compor- tent des diodes présentant une jonction redresseuse entre une zone semiconductrice à faible-dopage située au-dessus de la zone enterrée (4) et une électrode (8) entrant en contact avec la zone semiconductrice à faible dopage. 10. Dispositif semiconducteur programmable selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'électro- de (8) contient un métal du groupe comprenant le platine, le nickel, le palladium, le chrome, le tantale et l'alumi- nium. 11. Procédé permettant de réaliser un disposi- tif semiconducteur programmable selon l'une des revendica- tions 1 à 10, caractérisé en-ce que l'on part d'un corps porteur (2, 32) munir!au mouE me première liste (10) située - à une surface et d'au moins un composant semiconducteur muni d'une électrode (8) ou connecté à une couche de contact, le tout étant recouvert d'une première couche auxiliaire (24) dans laquelle sont ménagées une première fenêtre, qui met à nu au moins une partie de l'électrode (8) ou de la couche de contact et une seconde fenêtre qui mettant à nu au moins une partie de la première ligne, en ce que, ensuite un fusible (11) est disposé sur la première couche --2485264 auxiliaire (24) et au moins dans les première et seconde fenêtres, afin d'assurer la connexion entre la première ligne (10) et le composant semiconducteur, puis en ce que le tout est recouvert d'une seconde couche auxiliaire (25), des ouvertures étant ensuite pratiquées dans les première et seconde couches auxiliaires, en ce que l'on dépose une première couche en matériau protecteur suivant une certai- ne configuration de façon que, au moins à l'endroit du fusible et dans les ouvertures, subsiste du matériau protec- teur, en ce que l'on enlève sélectivement les deux couches auxiliaires (24, 25) en utilisant la configuration comme masque, le matériau de la première couche auxiliaire (24) d'une part, étant sélectivement décapable par rapport au matériau du corps porteur, de la première ligne, de l'élec- trode ou de la couche de contact et du fusible, du matériau protecteur et, pour autant qu'il est recouvert de la première couche auxiliaire, par rapport au matériau du composant semiconducteur et le matériau de la. seconde couche auxiliaire (25), d'autre part étant sélectivementdécapable par rapport au matériau protecteur et au matériau du fusible, traitement après lequel il subsiste du matériau protecteur dans les ouvertures aussi bien qu'à l'endroit du fusible et à quelque distance de ce dernier, et enfin en ce que l'on recouvre - au moins la partie de la surface non protégée par la con- figuration de la première couche de matériau protecteur- d'une seconde couche de matériau protecteur de façon à former une enceinte (21) dans laquelle se trouve le fusible (11) les parois (22) de ladite enceinte contenant du matériau protecteur des première et seconde couches de matériau protecteur. - 12. Procédé selon la revendication 11, caracté- risé en ce que le mime matériau-est utilisé pour les-deux. couches de matériau protecteur. -: 13. Procédé permettant de réaliser un dispositif 35. semiconducteur programmable selon au moins l'une des reven- dications 2 à 10, caractérisé en ce que l'on part d'un corps porteur (2, 32), dont une surface présente au moins un composant semiconducteur muni d'une électrode (8) ou connecté à une couche de contact, le tout étant recouvert d'une première couche auxiliaire (24) dans laquelle est ménagée une fenêtre (28) laissant découverte au moins une partie de-l'électrode (8) ou de la couche de contact, en ce que, ensuite, un fusible (11) est disposé sur la première couche auxiliaire (24) et au moins dans la fenêtre de façon qu'à l'endroit de cette dernière soit définie une première extrémité du fusible, puis en ce que le tout est recouvert d'une seconde couche auxiliaire (25), des ouvertures (27) étant ensuite pratiquées dans les première et seconde couches auxiliaires et colncidant au moins-partiellement avec une seconde extrémité du fusible, en ce que l'on élabore une configuration conductrice au moins à l'endroit du fusible et dans les ouvertures, en ce que l'on enlève sélectivement les couches auxiliaires (24, 25) en utilisant la configura- tion conductrice comme masque, le matériau de la première couche auxiliaire (25) d'une part, étant sélectivement décapable par rapport au matériau-du corps porteur, de l'électrode ou de la couche de contact, du fusible et de la configuration conductrice et, pour autant qu'il est recouvert de la première couche auxiliaire par rapport au matériau de composant semiconducteur et le matériau de là seconde couche auxiliaire (25), d'autre part étant sélectivement décapable par rapport au matériau de la con- figuration conductrice et du fusible (11), traitement après lequel il subsiste un conducteur (10) à l'endroit du fusible et à quelque distance de ce.dernier et, dans les ouvertures, des éléments de support (13, 36) pour ledit conducteur (1O)e, enfin, en ce que l'on recouvre au moins la partie de surface- * non protégée par la configuration conductrice d'une couche de matériau protecteur de façon à former une enceinte (21) dans laquelle se trouve le fusible (11) qui assure la con- nexion entre le composant semiconducteur et le conducteur électrique (12) 7 ce dernier appartenant à une ligne (10) du dispositif semiconducteur programmable et les parois de l'enceinte ainsi formées étant. constituées par le con- ducteur et des parties de la couche de matériau protecteur. 14. Procédé selon l'une des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que le mîme matériau est utilisé pour la première couche auxiliaire (24) et pour la deuxième couche auxiliaire (25). 15. Procédé selon au moins lune des revendica- tions 13 et 14, caractérisé en ce que le-matériau de la configuration conductrice est appliqué par croissance gal- vanique. 16. Procédé selon la revendication 15, earacté risé en ce qu'une couche mince du matériau de croissance est déposée avant l'application du matériau de la configu. ration conductrice par croissance galvanique.