Brevet FR2482784A1 — publié le 19811120

- 2482734 La présente invention concerne un procédé de réalisation de boîtiers isolants pour composant électro- nique. De façon plus précise, la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un boîtier isolant en deux parties qui est de plus étanche pour permettre l'en- capsulage, notamment mais non exclusivement, d'un élément oscillant en quartz en vue de réaliser un résonateur, par exemple pour montre électronique. Il est bien connu qu'un résonateur est essen- tiellement constitué par un élément oscillant en quartz (barreau ou diapason) sur lequel sont disposées des métal- lisations formant électrodes et par un boîtier enfermant l'élément oscillant. L'élément oscillant, lorsqu'il s'agit d'un diapason, est fixé par son embase sur le boîtier et des connexions électriques reliées aux électrodes doivent traverser la paroi du boîtier. En outre, le boîtier doit être étanche pour permettre de réaliser intérieurement un certain vide en vue du bon fonctionnement du résonateur. On connaît déjà plusieurs procédés pour réali- ser ces boîtiers. Selon un de ces procédés, l'élément oscil- lant en forme de diapason est entouré par un cadre décou- pé en même temps-que lui dans une plaquette de matériau piézo-électrique. Ce cadre est fixé entre les rebords d'un couvercle et d'un fond formant le boîtier. Ce procédé n'est pas très avantageux lorsque les éléments oscillants doivent être fabriqués en grande série. La présence du cadre dimi^- nue, en effet, le nombre d'éléments oscillants qui peuvent être usinés en même temps dans une plaquette de dimensions déterminées. Le couvercle et le fond peuvent être consti- tués chacun par une plaque isolante plane, auquel cas, des cadres conducteurs formant entretoises sont interposés en- tre le cadre de l'élément oscillant et ces plaques, pour permettre les oscillations du quartz. Ces cadres servent en même temps de conducteurs électriques pour relier les électrodes à l'extérieur du boîtier. Cependant, l'importan- ce de ces cadres métalliques perturbe les signaux électri- ques recueillis. - Une autre solution consiste à réaliser des creu- sures dans les plaques isolantes formant le fond et le cou- vercle du boîtier. Ces plaques étant par exemple-en verre, leur usinage est très délicat. En outre, dans ce cas, les connexions de sortie sont réalisées en perçant un ou plu- sieurs passages dans la paroi du boîtier et en métallisant ce ou ces passages; il est alors difficile de maintenir le vide à l'intérieur du boîtier. - Pour remédier à ces indonvénients, un premier objet de l'invention est de fournir un procédé de réalisa- tion d'un boîtier ne nécessitant aucun usinage du matériau isolant constituant le boîtier. Un deuxième objet de l'invention est de fournir un tel procédé grâce auquel les passages conducteurs dans le boîtier sont obtenus sans perçage du boîtier. Un troisième objet de l'invention est de fournir un procédé qui permette de fabriquer simultanément un grand nombre de boîtiers. Un quatrième objet de l'invention est de fournir un procédé de réalisation de boîtiers spécialement adaptés à l'encapsulage d'éléments oscillants et compatibles avec des éléments oscillants tels que les diapasons de type standard. Un cinquième objet de l'invention est de fournir un procédé permettant l'encapsulage de l'élément oscillant et d'un circuit intégré qui lui est associé, le boîtier comportant alors l'ensemble des connexions électriques né- cessaires. Pour atteindre ces buts, le procédé selon l'in- vention consiste à réaliser le boîtier en deux pièces, un fond et un couvercle, en partant pour chaque pièce d'une plaque métallique conductrice. Pour réaliser le fond, on découpe dans la plaque métallique un orifice qui définit dans le métal plusieurs languettes. Ces languettes sont ensuite pliées pour présenter une partie perpendiculaire à la plaque. Une couche de matériau isolant d'épaisseur constante est ensuite formée sur une face de la plaque mé- tallique de telle manière que l'extrémité de la partie ra- battue des languettes fasse saillie hors de la couche iso- lante. Lors de ce dépôt le matériau isolant pénètre éga- lement dans l'orifice. La plaque conductrice est ensuite gravée pour ne laisser subsister qu'un cadre en surépais- seur de la couche isolante et pour séparer ce cadre des portions rabattues des languettes. De préférence, le cou- vercle est obtenu -en déposant une couche uniforme de ma- tériau isolant sur la plaque conductrice et en gravant celle-ci pour ne laisser subsister qu'un cadre correspon- dant au cadre de la première pièce.Dans le cas d'un résona- teur, la base de l'élément oscillant est fixée aux extrémi- tés internes des languettes sur la portion de matériau iso- lant ayant rempli l'orifice. Le fond et le couvercle sont assemblés par les faces libres de leurs rebords pour former le boîtier. Il va cependant de soi que le couvercle pour- rait être réalisé différemment pourvu qu'il présente un rebord définissant une creusure centrale et que son rebord comporte une face d'assemblage apte à coopérer avec la face d'assemblage du fond de boîtier. En d'autres termes, il apparaît que l'invention consiste,en ce qui concerne le fond du boîtier,à faire une premier usinage de la plaque métallique qui sert alors en quelque sorte de "moule" pour la réalisation d'une couche isolante, puis à faire un deuxième usinage de la plaque conductrice afin d'une part, de définir une creusure cen- trale et d'autre part, de séparer les passages conducteurs traversant le boîtier du rebord conducteur définissant la creusure du fond du boîtier. L'invention concerne également l'application du procédé à la réalisation de résonateurs à quartz. De toutes façons l'invention sera mieux com- prise à la lecture de la description qui suit de plusieurs modes de mise en oeuvre du procédé objet de l'invention. -i4- La description se réfère aux figures annexées sur lesquel- les on a représenté: - sur les figures 1 à 3 des vues montrant les différentes étapes de la fabrication de la première pièce du boîtier (ou fond) selon un premier mode de mise en oeuvre, la figure 2b étant une section verticale selon la ligne B-B de la figure 2a et les figures 3b et 3 c des vues en section selon les lignes B-B et C-C de la figure 3a;- sur les figures 4a et 4b des vues illustrant les étapes de la fabrication de la deuxième pièce du boî- tier (ou couvercle) selon un premier mode de mise en oeuvre de l'invention, la figure 4b étant une vue en section ver- ticale selon la ligne B-B de la figure 4a; --sur la figure 5, une vue en section verticale du boîtier terminé obtenu par le premier mode de mise en oeuvre du procédé et muni de l'élément oscillant; - sur la figure 6 une vue en section verticale- illustrant une variante du premier mode de mise en oeuvre du procédé permettant'de réaliser simultanément un grand nombre de boîtiers, - sur les figures 7 et 8 deux vues illustrant les étapes-d'unie variante.du premier mode de mise en oeuvre du procédé permettant l'encapsulage de l'élément oscillant -25 et-du circuit intégré associé; sur les figures 9 et 10 des vues montrant l'usinage des plaques métalliques pour réaliser le fond et le- couvercle du boîtier selon un deuxième mode de mise en oeuvre du procédé; et - sur la figure 11 une vue en section longitu- dinale d'un boîtier complet obtenu par le procédé selon son deuxième mode de mise en oeuvre. En se référant tout d'abord aux figures 1 à 5 on va décrire un mode préféré de mise en oeuvre du procédé pour réaliser un seul boîtier. La description qui suit con- cerne l'encapsulage d'un élément oscillant pour réaliser un résonateur. Bien entendu, le procédé pourrait s'appliquer à -5 il l'encapsulage d'un autre composant électronique tel qu'un circuit intégré. - - Comme cela est visible sur la figure 5, le boîtier comporte une première pièce ou fond A sur laquelle est fixé l'élément oscillant B (diapason) et une deuxième pièce ou couvercle C qui est assemblée au fond A par son rebord. Dans la suite de la description on emploiera les termes de 'fond" A et de "couvercle' C, étant entendu que le fond est la pièce qui porte l'élément osecillant, cette pièce pouvant dans certains cas occuper la position supé- rieure. Les figures 1 à 3 illustrent plus particuliè- rement la réalisation du fond du boîtier. On part d'une plaque conductrice 2 dont le contour a la forme extérieure du boîtier à réaliser. Cette plaque a par exemple une épaisseur de 0,2 mm. Dans cette plaque 2 une découpe est pratiquée pour définir un orifice 4 dans lequel pénètrent deux languettes 6 et 6' Qui font partie intégrante du reste de la plaque. Les parties 6a respectivement 6'a de ces languettes sont rabattues pour les rendre sensiblement perpendiculaires à la plaque 2, comme cela se voit mieux sur la figure 2b. Dans.une deuxième étape représentée sur les figures 2a et 2b on dépose par tout procédé convenable une couche 8 de matériau isolant sur la face 2a de la plaque 2 vers laquelle les languettes 6a, S'a ont été rabattues. Ce dépôt a une épaisseur uniforme qui est inférieure à la longueur de la partie rabattue 6a, 6Sa des languettes 6, 6'. Ainsi, les extrémités 6b, 6'b des languettes font sail- lie hors de la couche 8. Lors de ce dépôt, le matériau iso- lant remplit également l'orifice 4 de la plaque 2, pour former ainsi un socle 10 en matériau isolant. Lors de ce dépôt les portions rabattues 6a, 6'a des languettes se trouvent ainsi noyées dans la couche 8 de matériau isolant. De préférence le matériau isolant est du verre ou unmaté- riau analogue (céramique, porcelaine, certaines matières plastiques,...). Il est souhaitable que ce matériau soit - 6 - de plus transparent pour permettre l'ajustement de la fré- quence du résonateur par faisceau laser. La plaque conduc- trice 2 est réalisée en un matériau conducteur électrique qui présente le même coefficient de dilatation thermique que le matériau isolant choisi et sur lequel le dépôt de verre ou de matériau analogue adhère fermement. Le matériau conducteur peut être par exemple l'alliage connu sous la marque "Kovar". Il s'agit d'un alliage de nickel, de fer et de cobalt. On pourrait également utiliser des alliages de fer-nickel. Le dépôt de verre est réaisé par exemple en plaçant sur la plaque de la poudre de verre et en la chauf- fant à sa température de fusion. Une autre solution consiste- rait à couler directement sur la plaque du verre fondu. Il faut observer que lors du dépôt à chaud du verre, il y a oxyda- tion superficielle du matériau conducteur ce qui permet l'adhérence du verre sur le métal grâce à la présence des oxydes mixtes. Dans une étape suivante la plaque conductrice - 2 est localement enlevée sur toute son épaisseur. Cet enlèvement ne laisse subsister qu'un cadre 12 placé à la périphérie de la couche isolante 8. Dans la région centrale 13 la couche isolante 8 est donc à nu. Lors de cet enlève- ment, les portions non rabattues 6c et 6'c des languettes 6 et 6' sont également enlevées laissant à nu la couche isolante 8 dans les régions 14 et 14' comme cela est visi- ble sur les figures 3a et 3b. Les portions rabattues 6a et 6'a ne sont pas touchées par cet enlèvement. Ainsi le cadre 12 n'est plus électriquement relié aux portions de languet- tes 6a, 6'a dont les faces 6d et S'd affleurent la face 0lOa du socle 10. A la suite de ces opérations on obtient le fond A du boîtier. On comprend qu'en vue de dessus le re- bord 12 et les extrémités 6d, 6'd des languettes sont les seules parties métalliques visibles. Le reste est consti- tué par du matériau isolant. Cependant, la face visible du matériau isolant occupe deux niveaux: un niveau supérieur (socle 10) et un niveau inférieur (zones 13, 14, 14'). C'est pourquoi sur la seule figure 3a on a hachuré différemment du même matériau. Les figures 4a et 4b illustrent la réalisation du couvercle C. Selon un mode préféré de réalisation, on part d'une plaque conductrice 20 sur une face de laquelle est déposée une couche adhérente d'épaisseur constante 22 réalisée avec un matériau isolant. La plaque 20 est éga- lement de préférence en "Kovar"i. Ensuite, on enlève la ré- gion centrale 24 de la couche conductrice-20 pour ne lais- ser subsister qu'un cadre 26. Ce cadre 26 a la même forme que le cadre 12 du fond A. La face libre 26a du cadre 26 tout comme la face libre 12a du cadre 12 forment les faces d'assemblage du bottier. - Dans le cas d'un résonateur, la base de l'élé- 15.ment oscillant B est fixée sur le- socle 10 en matériau iso- lant. De préférence les extrémités des électrodes de t'é- lément oscillant (non représentées sur les figures 1 à 5) sont soudées ou collées sur les têtes 6d, 6'd des traver- sées conductrices cohstituées par les podrtions-recourbées. 6a, 6'a des languettes. Comme tolle on peut ut;iliser une ô résine-epoxy conductrice. Il apparaît clairement que la - - base de l'élément oscillant étant fixée sur le-.sodle 1 - il existe un jeu entre le fond du boîtier et l'élément - oscillant. Puis, le couvercle C et le'fond A sont assem- blés par leurs faces d'assemblage 12a, 26a à. t'aide d'une couche de scellement 30. Cette cpuche 30 peut consister en: deux couches d'accrochage respectivement déposées sur cha- que face d'assemblage et en une couche de soudure. Bien entendu, il faut que l'épaisseur de la plaque conductrice 20 soit supérieure à l'épaisseur de l'élément oscillant B. A titre d'exemple, les couches isolantes 8 et 22 peuvent - avoir une épaisseur de 0,2 mm la plaque de "Kovar" 2 une épaisseur de 0, 15 mm, et la plaque 20 une épaisseur de 0,3 mmn. Le résonateur a ainsi une épaisseur totale de 0,85 mmn. Le procédé précédemment décrit est particuliè- rement bien adapté à la réalisation simultanée d'un grand nombre de résonateurs ou plus généralement de boîtiers. -8- C'est ce qu'illustre la figure 6. Dans ce cas, on part de deux plaques de "Kovar" permettant de définir respective- ment une matrice de fonds A1, A2 A3... et une matrice de couvercles C1, C2, C3.... Dans la plaque destinée à for- mer les fonds A1, A2, A3... on découpe une pluralité d'o- rifices identiques à l'orifice 4 de la figure 1, et on re- plie les portions de languettes 6al, 6a2, etc. On dépose ensuite la couche isolante 8' qui remplit de plus les ori- fices pour donner les socles 101, 102, 103... On procède ensuite à l'enlèvement de portions de la plaque conductrice pour ne laisser subsister que des rebords 121, 22 122, 123... dont la largeur est supérieure à celle du rebord 12 de la figure 2 puisque ce rebord est commun à deux boîtiers jux- taposés. - -Sur la plaque conductrice destinée à former les couvercles C1, C2, C3... on dépose une couche uniforme 22' de matériau isolant. On enlève des portions de la couche conductrice pour ne laisser subsister que les rebords 261,' 26 2 262, 263... Bien entendu, ici encore, les couvercles pour- - raient être réalisés par un autre procédé. Après avoir mis en place les éléments oscillants, B1, B2, B3, sur les soc- les 101, 10 10103...,- on superpose-l'ensemble des couver- cles à l'ensemble des fonds. Les couches isolantes 8' et 22' sont ensuite assemblées entre elles par les rebords - 121, 122... et 261, 262,.... Enfin, on sépare les réso- î12-.2î 26 nateurs R1, R2, R3... en découpant l'ensemble réalisé au niveau des rebords selon les lignes X1, X2, X3.... Les figures 7 et 8 représentent une variante de réalisation du boîtier qui permet d'encapsuler non seule- ment l'élément oscillant mais également le circuit intégré qui lui est associé. La figure 7Treprésente'la découpe de la plaque conductrice 102 en "Kovar":. Comme cela-apparaît clairement la seule différence avec la figure 1 réside dans la forme de I'orifice 104 correspondant à l'orifice 4. Ce- lui-ci a des dimensions plus importantes et surtout il dé- finit un plus grand nombre de languettes référencées 106, 106', 106'' et 106'''. Le nombre et la configuration des languettes ne dépend bien sûr que du nombre et de la dis- position des bornes du circuit intégré. Ces languettes sont en partie rabattues comme cela a déjà été explique. On réa- lise ensuite le dépôt de la couche isolante et on pratique les enlèvements de la couche métallique déjà décritso La figure 8 montre la structure finale du fond du boîtier5 le couvercle étant identique à celui- ci qui est représente sur les figures 4. La structure finale com- prend le rebord 112 en matuériau conducteur ("Kovar") et les traversées conductrices constituées par les portions rabat- tues des languettes dont on voit sur la figure 8 les têtes 106dn 106td, 106'"d et 106l'"do Ces traversées sont sépa- rées du cadre 112 par l!enlèvement des zones 114, 11!4', 11' v et 114' ' de la plaque métallique 102. Le matériau isolant ayant pénétré dans l'orifice 104 constitue le socle 110. La base de l'élément oscillant B, en forme de diapa- son dans cet exemple, est collée sur le socle 112, ainsi que le circuit intégré F. Des fils conducteurs 130, 130' relient les électrodes, non représentées, du diapason B aux entrées convenables du circuit intégré Fo Les autres pattes de connexion du circuit intégré F sont reliées par les fils conducteurs 132 aux têtes 106d, 106'do.. des traversées conductrices. L'implantation du circuit intégré dans le bottier isolant permet un gain de place substantiel. En outre, on voit que le nombre de traversées conductrices n'est limité que par la possibilité de définir les languet- tes 106 dans l'orifice 104. Pour cette figure on a utilisé la même convention de représentation que pour la figure 3ao. L'enlèvement des portions de la plaque conduc- trice est réalisée de préférence par attaque chimique avec masquage,comme cela est bien connu. Il en résulte qu'il est difficile d'obtenir une définition très précise des arêtes et du flanc interne du rebord 12 ou 112. Dans le cas o il est nécessaire d'avoir une définition très précise de ces rebords, on peut utiliser un deuxième mode de mise en oeu- vre du procédé de l'invention. - 10 - Selon cette variante, le fond A est réalisé à partir d'une plaque en"Kovar" 202. Dans cette plaque on découpe l'orifice 204 qui est analogue à l'orifice 4 de la figure 1 avec ses languettes 206 et 206'. Cependant, on en- lève en plus une bande de métal 240, 240' qui est parallèle au contour de la plaque 202 en laissant un bord qui donnera le rebord 212 analogue au rebord 12 ou 112. La fente 240, 240' et l'orifice 204 entourent- une zone 213 correspondant a La zone 1S de la figure 3a. Des pcnts métalliques 242, 242', 2442' tréunissent la zone centrale 214 au bord de la plaque 202. Lorsqu'on effectue le dépot de la couche iso- lante, ainsi que cela a déjà été expliqué, le matériau isolant pénètre non seulement dans l'orifice 204, mais éga- lement dans la fente 240, 240' constituant ainsi un "mur" de matériau isolant sui, avec le socle 210, résultant du remplissage de l'orifice 204, entoure la zone centrale 213 de "Kovar". Dans la dernière étape, on enlève les portions de languettes non rabattues et on enlève la zone centrale 213 de la plaque de "Kovar" 202. On comprend cependant que lors de cet enlèvement la portion de "Kovar" à enlever est entièrement entourée par du matériau isolant. Il n'y a donc plus de problème de définition des flancs du rebord lors de l'attaque chimique puisque ce flanc est défini par le mur 244. Dans ce cas le rebord complet du fond A consiste d'une part dans la bande de métal non enlevée 212 et d'au- tre part dans le "mur" 244, de matériau isolant. Pour le couverele C, on procède de façon simi- laire. Une fente 250, 250', 250T, 250''' est usinée dans la plaque 220 de "Kovar", laissant dans la plaque un bord entre elle-même et le contour de la plaque. Lors du dépôt de la couche uniforme de matériau isolant 222, le matériau isolant pénètre également dans la fente 250,...250''', pour constituer un "mur" de matériau isolant 252 qui entoure la zone centrale 224. L'enlèvement de la zone centrale 224 de la plaque 220 de "Kovar" est donc défini par le "mur" 252 de matériau isolant. Comme pour le fond,le rebord est cons- titué par la juxtaposition du "mur" isolant 252 et du re- bord 226 en "Kovar" qui n'a pas été enlevé. Après fixation de l'élément oscillant B, le couvercle C est fixé sur le fond par les faces de connexion des rebords conducteurs 212 et 226. Ce mode de réalisation se prête également à la fa- brication simultanée de pusieurs boîtiers. Il découle de la description précédente que le procédé dans ses diverses variantes présente de nombreux avantages par rapport aux procédés de l'art antérieur. Il n'y a aucune opération d'usinage de verre ou de matériau isolant. En effet, les seules opérations d'usinage (par exemple attaque chimique) sont pratiquées sur les plaques de "Kovar" ce qui est plus aisé et elles ne nécessitent que l'usinage de deux masques pour le fond et d'un seul masque pour le couvercle. Les traversées conductrices sont consti- tuées par les portions recourbées des languettes. Ces tra- versées sont donc noyées dans la couche de verre lors du dépôt de celleci. Il y a donc une très bonne adhérence du verre sur le métal et l'étanchéité est parfaitement réali- sée. Le nombre de ces traversées n'est pratiquement pas limité. En outre, la portion non-rabattue des languettes positionne la portion rabattue lors du dépôt-de la couche isolante, ce qui simplifie encore la fabrication. Les dif-- férentes étapes du procédé se prêtent bien à une fabrica- tion-en série des'couvercles et-des fonds et à leur assem- blage après la mise en place des composants, par exemple, des éléments oscillants. Le procédé permet d'obtenir un boîtier dont l'épaisseur est très réduite (par exemple de l'ordre de 0,85 mm). Dans ces conditions on comprend que ce procédé est particulièrement avantageux pour la réalisation de ré- sonateurs à quartz destinés à être utilisés dans des mon- tres électroniques, analogiques ou digitales pour lesquei- les on cherche à obtenir une épaisseur aussi faible que possible. - 12 - REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'un bo tier isolant pour composant électronique constitué par l'assemblage de deux pièces, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: _a) on découpe.dans une première plaque conductri- ce (2) un orifice (4) définissant au moins une languette (6, 6') raccordée au reste de la plaque, b) on rabat une portion (6a,6'a) de la ou des- dites languettes (6, 6') pour qu'elle soit sensiblement perpendiculaire à ladite plaque (2), c) on forme sur une face (3a) de la plaque une couche (8) d'épaisseur sensiblement constante d'un maté- riau isolant qui remplit également ledit orifice (4), l'épaisseur de la couche (8) étant inférieure à la lon- gueur de ladite portion rabattue (6a, 6'a) pour que la ou lesdites languettes (6a, 6'a) fassent saillie hors de -la couche isolante (8), d) on enlève, sur toute son épaisseur, une por- -tioncentrale de la plaque conductrice (2) pour ne laisser subsister qu'un cadre (12) et au moins une autre portion (14, 14') de plaque pour séparer dudit cadre (12) la por- tion rabattue de la -ou desdites languettes (6a, 6'a), la face-(12a) dudit cadre opposée à la couche isolante (8) formant une première face d'assemblage, ce qui donne la première pièce (A), et e) on réalise une deuxième pièce (C) pour fermer la première pièce, présentant une deuxième face d'assem- blage pour coopérer avec la première face d'assemblage. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé entce que-la réalisationde ladite deuxième pièce comprend les étapes suivantes: f) on réalise sur une deuxième plaque conductrice (20) une couche (22) d'épaisseur sensiblement uniforme du- dit matériau isolant, et g) on enlève une partie centrale (24) de la deu- xièmeplaque conductrice pour ne laisser subsister qu'un - 13 - cadre conducteur (26), ledit cadre (26) ayant sensible- ment la même forme que le cadre conducteur (12) de la première pièce, la face (26a) dudit cadre opposée à la couche conductrice formant la deuxième face d'assemblage. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que: - dans l'étape a) on découpe de plus une fente (240, 240v) sensiblement parallèle à au moins une partie du contour de ladite plaque (202), un Lord étant laissé entre ladite fente (240, 240') et le contour; - dans l'étape c) le matériau isolant (244) remplit également ladite fente (240, 240'); - dans l'étape d) ladite portion centrale enle- vée (213) est au moins partiellement limitée par le ma- tériau isolant (244) ayant rempli ladite fente (240, 240v) et ledit orifice (204); et - dans l'étape f) on découpe au préalable dans la deuxième plaque conductrice (220) une fente (250 à 250'v) sensiblement parallèle au contour de la plaque en lais- sant entre elle-même et ledit contour un bord (226), la- dite fente (250 à 250"') étant remplie par ledit matériau isolant (252) lors de la réalisation de la couche isolan- te, la portion cqentrale (224) de la plaque conductrice en- levée étant limitée par le matériau isolant (252) ayant rempli ladite fente. 4. Procédé de réalisation d'une pluralité de boî- tiersisolants pour composant électronique, le boîtier é- tant Constitué par l'assemblage de deux pièces, caracté- isé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: - on découpe dans une première plaque conductrice une pluralité d'orifices(4) distincts définissant chacun au moins une languette raccordée au reste de la plaque; - on rabat une partie desdites languettes (6a1, 6a2...) pour rendre celles-ci sensiblement perpen- diculaires à la plaque; - on forme sur une face de ladite plaque une cou- che (8') d'épaisseur constante d'un matériau isolant qui 24827 4 - 14 - remplit également lesdits orifices (4), ladite épaisseur étant supérieure à la longueur des portions rabattues (6a1, 6a2) des languettes-pour que lesdites languettes fassent saillie hors de la couche isolante (8'); - on enlève sur toute leur épaisseur des por- tions centrales disjointes de la plaque conductrice pour ne laisser subsister autour des portions centrales que des cadres conducteurs (12, chaque cadre en- tourant une portion centrale et le matériau isolant (101, 102...) avant rempli un orifice, et une pluralité d'au- tres portions pour séparer la partie rabattue des lan- guettes desdits cadres, la face des cadres opposées à la couche isolante formant une première face d'assemblage; et - on dépose sur une deuxième plaque conductrice une couche d'un matériau isolant (22') d'épaisseur sensi- blement constante et on enlève une pluralité de portions centrales de ladite plaque pour ne laisser subsister qu' une pluralité de cadres (261, 262...) séparant les por- tions centrales, la face desdits cadres opposée à la cou- che isolante formant une deuxième face d'assemblage. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 4, caractérisé en ce que le matériau isolant a sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que le matériau conducteur formant les plaques conductri- ces. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit matériau isolant est transparent. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le matériau isolant est du verre. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la matériau conducteur est un alliage de fer, denickel et de cobalt. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 3 pour la fabrication d'un résonateur piézo- électrique comportant un élément oscillant muni d'élec- trodes et un boîtier, caractérisé en ce qu'il comprend fp-'J - -5 - en outre, les étapes suivantes: - on fixe la base de l'élément oscillant (B) sur la portion de matériau isolant (10) ayant rempli l'orifice, on relie électriquement les électrodes dudit élément oscillant (B) à la portion rabattue desdites lan- guettes (6a) et on assemble de façon étanche les deux pièces par leurs faces d'assemblage. 10. Procédé selon la revendication 9, caractéri- sé en ce que, en outre, on fixe sur la portion isolante (10) ayant rempli ledit orifice un circuit intégré (F) associé à l'élément oscillant (B) et on réunit électri- quement les bornes dudit circuit à la portion rabattue desdites languettes. 11. Procédé selon la revendication 4, pour la réalisation d'une pluralité de résonateurs piézo-électri- ques, chaque résonateur comportant un élément oscillant muni d'électrodes et un bottier, caractérisé en ce que, en outre, on fixe la base d'un élément oscillant (B) sur chaque portion de matériau isolant (101, 102...) ayant rempli un desdits orifices, on relie électriquement les- électrodes d'un élément oscillant (B) à la portion rabat- tue. desdites languettes, (6al, 6a2...) on assemble de façon étanche les deux ensembles de cadres par leur face d'assemblage et on sépare les résonateurs ainsi obtenus par découpage au niveau desdits cadres.