Brevet FR2472246A1 — publié le 19810626

La présente invention concerne une cellule programmable destinée à être utilisée dans des réseaux ou groupements électroniques programmables tels que des mémoires mortes programmables PROM, des réseaux logiques, à portes et des réseaux d'interconnections de matrices. En particulier, chaque cellule comprend une région de mémoire constituée en un matériau à changement de phase que l'on peut faire passer d'un état fortement non conducteur à un état fortement conducteur et que l'on ne peut pratiquement pas ramener à son état d'origine. L'invention concerne la mise en mémoire d'informations comprenant des dispositifs de commutation à changement de phase qui ont été inventés par Stanford R. Ovshinsky et qui sont décrits par exemple dans le brevet US n0 3.271.591. Jusqu'ici, on a proposé divers systèmes de mémoire qui sont subdivisés en divers types. L'un de ces types est le type sériel o l'information contenue dans le système de mémoire est obtenue en série et dont le temps de lecture imparti à la lecture d'un bit d'information particulier contenu dans la mémoire dépend de l'emplacement o il est situé dans la mémoire. Il en résulte que les durées de lecture permettant d'obtenir uneinformation contenue dans la mémoire sont longues. Ces types de systèmes de mémoire comprennent des dispositifs de mémoire tels que des bandes magnétiques ou des disques magnétiques, y compris les dispositifs dits à disques souples et à "mémoire à bulles" magnétiques. Un autre type de système de mémoire est le système de mémoire à accès aléatoire sélectif (RAM) o le temps de lecture de chaque bit est sensiblement le même que pour tout autre bit. Alors que l'information mise en mémoire dans les dispo- sitifs de mémoire du type à "bulles" réduit potentiellement les dimensions et le coût des systèmes de mémoire, et permet d'obtenir des densités élevées d'enregistrement de l'infor- mation, c'est-à-dire une petite distance de centre à centre entre des régions de mémoires adjacentes o les bits d'information sont emmagasinés, ces systèmes à 'bulles" sont limités à la lecture en série de l'information et ne permet- tent pas une lecture rapide avec accès direct à l'informa- tion emmagasinée. De même, jusqu'ici, la mise en mémoire à court terme de données a été obtenue au moyen de dispositifs de mémoire RAM comprenant des transistors ou des condensateurs aux points de croisement des conducteurs dirigés selon les axes X et Y. Un tel dispositif de mémoire peut être réglé sur l'un de deux états opérationnels. Ces dispositifs de mémoire permet- tent d'obtenir une densité d'enregistrement relativement élevée, c'est-àdire une faible distance de centre à centre entre les emplacements de mémoire. Un inconvénient majeur vient de ce que ces dispositifs sont volatils, ou non permanents, du fait qu'ils doivent être constamment sous tension pour retenir les données qu'ils contiennent. Ces dispositifs de mise en mémoire à court terme de données sont souvent désignés par l'expression de: systèmes de mémoire volatils, ou non permanentes, à lecture et écriture rapides. Un premier système de mémoire à lecture rapide est constitué par les mémoires à lecture seule, ou mortes, (ROM) utilisant des transistors et des redresseurs formés dans des substrats semiconducteurs comprenant des points de contact ouverts en permanence ou des points de contact fermés en permanence pour mettre en mémoire des bits d'information. Un tel système ROM est programmé lors de sa fabrication et il se caractérise par un temps de lecture rapide et une densité d'enregistrement relativement élevée, également du fait qu'il n'est pas volatil. Cependant, l'inconvénient évident de ce système ROM est qu'il n'est pas possible de modifier les données mises en mémoire. En conséquence, les disposi- tifs ROM sont fabriqués selon les besoins en vue d'applica- tions o il est nécessaire de mettre en mémoire le programme de fonctionnement de base d'un processeur donné, ou toute autre information ne changeant pas. Un autre système de mémoire utilisé est constitué par le système de mémoire programmable à lecture seule (PROM} que l'utilisateur peut programmer une fois et qui reste dans cet état. Une fois programmé, un système PROM fonctionne de façon identique à un système ROM de même configuration. Le système PROM le plus utilisé incorpore des liaisons fusibles disposées à chaque point de croisement d'une matrice de conducteurs à axes X et Y. La mise en mémoire de l'information (état logique 1 ou état logique 0) est obtenue en faisant fondre les liaisons fusibles selon un motif prédéterminé. Ces liaisons fusibles s'étendent latéralement sur un substrat au lieu d'être verticales entre des conduc- teurs se croisant, et il en résulte que ces liaisons fusi- bles exigent nécessairement un espace important. La surface d'une cellule ou d'une région de mémoire typique utilisant une liaison fusible est comprise entre environ 0,0006 et 0,00096 mm2. Le courant nécessaire à la fusion de la liaison fusible en vue de la programmation est très élevé du fait de la nécessité de faire fondre complètement cette liaison fusible et du fait de la conductivité inhérente élevée du matériau de la liaison fusible. Des courants typiques utilisés dans ce but ont une valeur de 50 milliampères et la puissance nécessaire est comprise approximativement entre 250 et 400 milliwatts. Par ailleurs, la liaison fusible qui est cons- tituée par une partie étroite d'un conducteur déposé sur un substrat doit présenter des dimensions précises pour en obtenir une fusion complète et programmable. Sous ce rapport, les techniques de photolithographie et de décapage par corrosion qu'il faut mettre en oeuvre pour fabriquer de telles liaisons fusibles exigent que chaque liaison fusible soit réalisée dans de très étroites tolérances. Un autre problème important concernant les dispositifs PROM du type à liaison fusible est constitué par le fait que le faible interstice constitué dans le fusible qui a fondu peut être fermé par accumulation du matériau conducteur adjacent à l'interstice, par diffusion ou de toute autre manière. La technologie des liaisons fusibles a également été utilisée dans les réseaux logiques programmables de champ, les réseaux de portes et les réseaux d'interconnexion de matrices. Ces réseaux sont utilisés pour mettre à la disposition de l'utilisateur du circuit intégré des options entre les réseaux logiques standards de grand volume et de faible coût et les circuits intégrés conçus à la demande du client et réalisés à la main, et qui sont très coûteux. Ces réseaux permettent à l'utilisateur de program- mer le groupement de faible coût en vue d'une application spécifique audit utilisateur, pour une dépense sensiblement réduite par rapport à la dépense entraînée par un circuit conçu pour une application spécifique. Jusqu'ici, on a proposé un dispositif EEPROM ("elec- trically erasable programmable read only memory', soit: Mémoire programmable morte et effaçable électriquement'), c'est-à-dire une région ou cellule de mémoire disposée verticalement dans un circuit de mémoire, qui est couplée verticalement au niveau de l'intersection entre un conduc- teur supérieur d'axe Y et un conducteur inférieur d'axe X dans une matrice de mémoire. Le système EEPROM permet d'ob- tenir une densité d'enregistrement relativement élevée. On connaît des dispositifs EEPROM comprenant une matrice de conducteurs d'axes X et Y o un circuit de mémoire comprenant une région de mémoire et un dispositif isolant est disposé à chaque point de croisement et s'étend de façon générale perpendiculairement aux conducteurs se croisant de manière à déterminer une densité d'enregistrement relative- ment élevée. Les régions de mémoire utilisées dans ces dispositifs EEPROM sont constituées typiquement en chalcogénure à base de tellure et plus spécifiquement en un matériau amorphe tel que du germanium et du tellure amorphes. Parmi d'autres matériaux qui comprennent des régions de mémoire assez fortement réversibles, on peut citer le GeaTeb o la' représente un pourcentage atomique compris entre 5 et 70 et Ubu un pourcentage atomique compris entre 30 et 95. Certains de ces matériaux comprennent également d'autres éléments présentant des pourcentages atomiques divers compris entre 0 et 40 et tels que l'antimoine, le bismuth, l'arsenic, le soufre et/ou le sélénium. Les matériaux amorphes du type décrit ci-dessus présen- tent une bonne réversibilité et une stabilité thermique suffisante pour qu'ils ne se détériorent pas aux températures habituelles auxquelles ils sont utilisés. L'état cristallin est ramené à son état amorphe au moyen d'un fort courant de rétablissement. Le matériau EEPROM préféré présente (a) une bonne réversibilité atteignant ou supérieure à 106 cycles, (b)une température maximale de traitement d'environ 2001C, (c) une température maximale de mise en mémoire d'environ 1001C, (d) une tension de seuil de 8 volts, (e) une résistance de mise en l'état (SET) de 300 ohms et (f) une résistance de coupure (à 1751C) d'au moins approximativement 104 ohms. Jusqu'ici, on connaît également des dispositifs isolants qui sont couplés en série à une région ou cellule de mémoire entre les conducteurs croisés, ces dispositifs isolants ayant été constitués de façon typique en diffusant divers matériaux dopants dans un substrat de silicium à cristal unique pour constituer un redresseur, un transistor, ou un dispositif MOS tel qu'un transistor à effet de champ. Ce processus de diffusion provoque la diffusion latérale du matériau dopé dans le matériau du substrat, ce qui fait que la densité d'enregistrement de la cellule de ces systèmes de mémoire de la technique antérieure est limitée par le degré de diffusion latérale des matériaux dopants et pair la marge d'erreur due à l'alignement du masque. Ces dispositifs utilisent dans ce cas, pour constituer chaque dispositif isolant, un dispositif isolant unidirec- tionnel tel qu'un redresseur ou un transistor qui procure une isolation par une jonction P-N à haute impédance dans une direction du courant, ce qui détermine une résistance de coupure très élevée. On a proposé de former une jonction P-N par dépôt sous vide d'un film semiconducteur amorphe de type N ou P sur le substrat d'une puce de silicium à dopage de type opposé. Sous ce rapport, référence est faite au brevet US n0 4.062.034 qui décrit un transistor à film mince de ce type ayant une jonction P-N. Il n'a pas été proposé d'utiliser un tel film semiconducteur amorphe déposé sous forme d'un filim mince pour constituer un dispositif isolant dans un circuit de mémoire comprenant également une région de mémoire dans un réseau programmable. 2472246- De même, il n'a pas été proposé jusqu'ici d'utiliser un alliage amorphe comprenant du silicium et du fluor, et - pouvant également contenir de l'hydrogène, pour obtenir un redresseur ou un transistor à film mince dans les circuits de mémoire d'un réseau programmable. Jusqu'ici, ce qui a été proposé est d'utiliser des matériaux à base de silicium et de fluor dans une pile solaire qui constitue essentiellement un redresseur photosensible. Sous ce rapport, référence est faite au brevet US n0 4.217.374 aux noms de Stanford R. Ovshinsky et Masatsugu Izu, intitulé n AMORPHOUS SEMICONDUC- TORS EQUIVALENT TO CRYSTALLINE SEMICONDUCTORS' (Semiconducteurs amorphes équivalents à des semiconducteurs cristallins) et au brevet US n0 4.226. 898 aux noms de Stanford R. Ovshinsky et Arun Madan, et portant le même titre. Les inconvénients de la technique antérieure sont surmontés, selon la présente invention, au moyen d'une cellule programmable présentant un état non volatil et fortement non conducteur qui peut être amené à un état non volatil fortement conducteur et qui ne peut pratiquement pas être ramené à l'état d'origine. Les cellules peuvent être utilisées pour remplacer les liaisons fusibles de réseaux programmables tals que des dispositifs PROM, des réseaux logiques, des réseaux de portes et des réseaux d'intercon- nexions de matrices de façon à augmenter la fiabilité de la programmation et la densité d'enregistrement tout en rédui- sant sensiblement le coût total de ces Eéseaux,- Les cellules présentent un état non conducteur ou une résistance de coupure comprise entre 10.000 et 1.000.000 d'ohms ou plus. Les cellules peuvent être amenées à l'état conducteur par une tension de seuil comprise entre 10 et 20 volts, ou moins, un courant de programmation compris entre 5 et 25 milliampères, ou moins, et une durée de programmation comprise entre 10 et 1000 microsecondes, ou moins. Les cellules présentent une tolérance maximale de leur tempéra- ture admissible de traitement qui est de 200 à 5001C, ou plus. Les cellules sont conçues en vue des caractéristiques particulières désirées telles qu'une température de traite- ment élevée, ou une résistance de coupure élevée, ou encore une faible résistance de mise à l'état. On obtient une augmentation de certaines des caractéristiques souhaitées par rapport aux matériaux du. type du chalcogénure des mémoires EEPROM en éliminant sensiblement la réversibilité dans les cellules. Par opposition à la réversibilité de 106 cycles des dispositifs EEPROM, -les cellules présentent une réversibilité comprise entre 10 et 100 cycles, ou moins. Les cellules peuvent être constituées à partir de chalcogénures tels que le germanium, le tellure, le sélénium ou des combinaisons de ces éléments. Les cellules peuvent également être formées à partir d'éléments tétrahédriques tels que le silicium, le germanium et le carbone, ou des combinaisons de ces éléments, et elles peuvent comprendre d'autres éléments tels que de l'oxygène, de l'hydrogène ou du fluor. Les cellules peuvent être déposées par des tech- niques de pulvérisation, de dépât chimique à la vapeur (DCV), d'évaporation (tels que par épitaxie par faisceau d'électrons) ou par dépôt de plasma. Référence peut être faite aux brevets US sus-mentionnés n0 4.217.374 et 4.226.898 en ce qui concerne ces techniques de dépôt. Chaque cellule est déposée dans un réseau avec un dispo- sitif isolant et un circuit d'adressage associé. Les dispo- sitifs isolants et le circuit d'adressage peuvent être constitués par des dispositifs bipolaires ou des dispositifs semi-conducteurs oxyde-métal MOS ou par des diodes ou des transistors à film mince selon des configurations ou des combinaisons MOS ou V-MOS (dispositif à gorge) de ces der- niers. Les cellules ont une aire de surface inférieure à 0,00059 mm2, ce qui permet d'obtenir une forte densité d'enregistrement dans le réseau. En conséquence, un premier but de l'invention est de créer une cellule programmable caractérisée par-un corps amorphe constituant la cellule, ce corps comprenant au moins une partie pourvue de moyens pouvant être amenés à un état et ne pouvant pratiquement pas être ramenés à l'état d'ori- gine, ces moyens étant à un état fortement non conducteur qui peut être amené à un état fortement conducteur. - En outre, un second but de l'invention est de créer un réseau ou groupement électronique programmable caractérisé 2472246 - par une série de corps amorphes constituant les cellules, chacun de ces corps comprenant au moins une partie pourvue de moyens pouvant être amenés à un état et ne pouvant pratiquement pas être ramenés à l'état d'origine, ces moyens ayant un état fortement non conducteur pouvant être amené à un état fortement conducteur. Les modes de réalisation préférés de l'invention seront maintenant décrits à titre d'exemples, référence étant faite aux dessins ci-annexés à la présente description et dans lesquels: la figure 1 est une vue en plan fragmentaire du côté du substrat d'une puce de silicium o a été déposé le film et appartenant à un réseau programmable tel qu'une matrice de- mémoire d'un dispositif de type PROM de la technique anté- rieure,.- la figure 2 est une vue en coupe d'un circuit de mémoire- du dispositif PROM représenté à la figure 1 et selon la ligne 2-2 de cette figure 1, la figure 3 est un schéma du circuit d'une partie C dispositif PROM de la figure 1, la figure 4 est une vue en plan fragmentaire du c6te- d'un réseau programmable tel qu'un dispositif PROM, sure lequel a été déposé un film et réalisé selon les enseigne- ments de la présente invention, le film étant déposé sur 'L substrat d'une puce de silicium et comprenant une série de circuits de mémoire, chacun comportant une cellule ou région de mémoire en série avec une diode Schottky isolante foimant barrage et constituée sur le substrat, la figure 5 est une vue en coupe d'une cellule ou région de mémoire et d'un dispositif isolant d'un circuit de mémoire tel que représenté à la figure 4, selon la ligne 5-5 de la figure 4, - la figure 6 est un schéma du circuit d'une partie du dispositif PROM représenté à la figure 4, la figure 7 est une vue en plan fragmentaire du côté du substrat d'une puce de silicium formant une cellule d'un réseau programmable construit selon les enseignements de la présente invention et ou est déposé le film, le réseau com- prenant une série de circuits de mémoire comportant chacun une cellule ou région de mémoire en série avec un dispositif isolant du type d'un transistor à effet de champ formé sur le substrat, la figure 8 est une vue en coupe d'un circuit de mémoire du réseau représenté à la figure 7 et selon la ligne 8-8 de la figure 7, la figure 9 représente le schéma d'un circuit d'une partie du réseau représenté à la figure 7 et montre un circuit de mémoire du dispositif PROM, la figure 10 est une vue en plan fragmentaire du côté o a été déposé le film d'un substrat d'un réseau comprenant une série de circuits de réseau, comportant chacun une cellule ou région de mémoire et un dispositif isolant formés au moyen de techniques de dépôt de film mince selon les enseignements de la présente invention, la figure 11 est une vue en coupe du réseau représenté à la figure 10 et selon la ligne 11-11 de cette figure 10, la figure 12 est un schéma des circuits du réseau repré- senté sur les figures 10 et 11, la figure 13 est une vue en coupe d'une cellule d'un réseau obtenue par dépôt d'un film mince dans sa totalité, comprenant un circuit comportant une cellule et un dispo- sitif isolant à transistor à effet de champ et à film mince construit selon les enseignements de la présente invention, la figure 14 est un schéma d'un circuit contenant une série de circuits tels que représentés à la figure 13, la figure 15 est une vue en plan d'un substrat ou d'une partie de celui-ci sur un côté duquel sont déposés des circuits du réseau, tels que des circuits de mémoire cons- titués par des régions de mémoire et des dispositifs isolants obtenus en totalité par dépôt d'un film mince en même temps qu'un circuit d'adressage formé par des techniques de dépôt de film mince. La figure 16 est une vue en plan d'une puce de silicium ou d'une partie de celle-ci o les circuits du réseau sont constitués par des régions de mémoire et des dispositifs isolants obtenus par dépôt total ou partiel de film mince, en même temps que le circuit d'adressage formé sur la puce par des régions dopées et diffusées à l'intérieur du substrat de la puce de silicium. Si l'on se réfère maintenant plus en détail aux dessins, ceux-ci représentent aux figures 1 et 2 une partie d'un réseau programmable de la technique antérieure, tel qu'un dispositif PROM 10 comprenant une matrice de mémoire à axes X et Y, comportant des conducteurs d'aluminium 12 d'axe X et des conducteurs de silicium 14 à dopage du type N+ d'axe Y. Comme représenté, le conducteur en silicium 14 à dopage du type N+ et d'axe Y est séparé des conducteurs adjacents 14 d'axe Y par des canaux d'isolation 16. Le conducteur en aluminium 12 d'axe X comprend de courtes pattes 18 s'éten- dant dans la direction Y pour établir un contact avec un côté d'une liaison fusible métallique 20. Comme représenté à la figure 2, la liaison fusible 20 est déposée sur une couche 22 d'oxyde de silicium qui est de son côté déposée ou obtenue par croissance sur une couche 23 de matériau épitaxial N dans lequel est formée la canalisa- tion d'isolation 16. La couche 23 est formée sur un substrat de silicium 24 de type P et le conducteur 14 à dopage de type N et d'axe Y et formé entre les canaux. Comme on le voit au mieux sur la figure 1, chaque liaison fusible 20 s'étend latéralement et comprend une partie-26 de largeur réduite dont les dimensions (en épais- seur et en largeur) doivent respecter des tolérances criti- ques de manière à déterminer une liaison fusible pouvant être fondue au moyen d'une quantité de courant prédéterminée. L'autre côté de la liaison fusible 20 sur la couche 22 de SiO2 comprend un conducteur en aluminium 28 déposé sur elle. La couche de SiO2 avait été préalablement coupée de manière à pouvoir former une diode de barrage de Schottky 30 en aluminium/silicium sur une surface exposée de la couche 24 du substrat de silicium. Le conducteur d'aluminium 28 est ensuite déposé sur la couche 22 d'oxyde de silicium et sur la diode de barrage de Schottky 30 d'aluminium/silicium pour former un parcours conducteur depuis un côté de la liaison fusible 20 jusqu'à la diode de barrage 30 qui est couplée électriquement au conducteur N+ 14 d'axe Y. La liaison fusible 20 et la diode 30 forment un circuit de réseau 32, soit ici un circuit de mémoire. Chacun des substrats en silicium cristallin et des dispositifs formés sur lui ont été obtenus au moyen d'étapes de traitement lithographique classiques, sauf s'il existe une spécification différente. Par exemple, à la figure 2, le conducteur X ou la couche noyée 14 est déposé sur le subs- trat 24 de type P en utilisant un procédé de photolithogra- phie pour exposer les zones désirées. La couche 14, réalisée de façon typique en arsenic ou en phosphore, peut être diffusée thermiquement lors du traitement ou peut être formée par implantation d'ions. La couche N épitaxiale 23 est alors obtenue par croissance sur le substrat 24 par dessus les conducteurs 14. Les canaux d'isolation 16 peuvent être des canaux par jonction ou à oxyde. Pour obtenir un canal par jonction, la couche 23 est masquée et un matériau l5de type P est déposé et diffusé dans la couche 23 jusqu'à ce qu'il atteigne le substrat 24. Pour obtenir un canal à oxyde, les canaux sont masques puis partiellement décapés dans la couche 23, puis oxydés thermiquement pour faire croître les canaux jusqu'à ce qu'ils atteignent le substrat 24. Pour obtenir d'autres dispositifs du réseau ou groupement, on diffuse alors une couche de base, typiquement de type P-, dans la couche 23 et entre les canaux 16 pour obtenir une diode ou un transistor, ce qui peut être le cas pour un circuit d'adressage ou d'autres éléments programmables. On effectue ensuite une opération de diffusion pour obtenir une résistance0 Pour former le transistor, on exécute une étape pour réaliser l'émetteur en masquant une partie des zones de diffusion de base et en diffusant à l'intérieur un matériau qui est typiquement du type N. La' couche d'oxyde 22 est alors déposée par dessus l'ensemble de la couche 23, y compris les zones de diffusion. Ensuite et en ayant recours à la photolithographie, on exécute une découpe par un oxyde, pour obtenir par exemple la diode 30, dans chaque partie de l'oxyde 23 o on désire établir un contact avec les diodes, les transistors, etc. On pulvérise ou on évapore ensuite du platine, du palladium ou de l'aluminium sur les zones d'oxyde et de silicium exposées, et on le traite à la chaleur, par exemple à 4500C, pendant trente minutes. Ceci forme avec le silicium une diode en siliciure métal mais ne modifie pas le métal de la couche d'oxyde 23. Un décapant tel que de l'eau régale est utilisé pour décaper le platine de la couche d'oxyde, mais les métaux siliciures ne sont pas affectés. Les liaisons fusibles 20 sont alors déterminées selon un motif et formées sur l'oxyde 23. Les liaisons fusibles d'environ 200 Angstrôms sont dimensionnées dans des limites critiques et en direction verticale. Les conducteurs 12 et 28 sont alors conformés et déposés sur l'oxyde 22, les liaisons fusibles -20 et les diodes 30. Une couche d'oxyde (non représentée) est ensuite déposée sur l'ensemble du groupement, qui est alors décapé pour établir un contact avec les conducteurs (premier métal-) si on le désire. Ensuite, un second métal (non représenté) est déposé selon un certain motif sur l'oxyde et les ouvertures. Une autre couche d'oxyde est ensuite formée sur le second métal, lequel oxyde est décapé jusqu'au second métal pour former de manière classique les lignes de liaison du groupement. La figure 3 représente le schéma du circuit du disposi- tif de groupement 10 de la technique antérieure. De la description qui précède de la technique antérieure des réseaux ou du dispositif PROM 10, tel qu'il est illustré aux figures 1 à 3, et de l'examen des figures 1 et 2, il est clair que la disposition latérale de la liaison fusible 20, la nécessité d'avoir recours à des canalisations d'isolation 16 et la disposition latérale de la diode de barrage de Schottky 30 créent des limitations à la densité d'enregis- trement des circuits de mémoire 32 (cellules de mémoire) formé par chaque liaison fusible 20 et chaque diode 30 disposées au niveau de chaque croisement s'étendant entre les conducteurs d'axes X et Y 12 et 14 se croisant. Comme représenté, la distance de centre à centre entre circuits de mémoire adjacents (cellules) 32 est typiquement de 40 microns, quand on utilise un procédé lithographique à cinq microns. La densité d'enregistrement et de ce fait la dimension d'ensemble de la cellule constituent des facteurs extrêmement importants du fait que le coût de la partie des groupements ou réseaux constituée par les cellules est en rapport exponentiel avec la surface des cellules. Une réduction des dimensions par un facteur de deux correspond à une réduction effective du coût par un facteur de cinq ou six. Si on se réfère maintenant aux figures 4 et 5, celles-ci représentent une partie d'un groupement programmable 50 qui peut être également un groupement ou réseau PROM, comprenant une série de circuits de connexion ou de mémoire 52 cons- titués selon les enseignements de la présente invention sur un substrat de silicium 54 de type P. Comme représenté à la figure 5, chaque circuit 52 s'étend entre un conducteur N+ 56 d'axe Y noyé dans le substrat 54 et un conducteur métal- lique 58 d'axe X, qui peut être réalisé en un métal appro- prié tel que de l'aluminium. En bref, le circuit 52 comprend une diode telle qu'une diode de Schottky60 en siliciure de platine entre des canalisations d'isolation 62 constituées dans une couche épitaxiale N 64 formée sur la surface supérieure du substrat de silicium 54 de type P. Au-dessus de la couche épitaxiale 64 existe une couche en un matériau isolant 66 qui peut être du dioxyde de silicium et qui peut être formée par des techniques chimiques à la vapeur, de dépôt sous vide ou d'oxydation thermique. Une partie de la couche du matériau isolant 66 est découpée au-dessus de la diode de Schottky 60 en siliciure de platine et une couche d'un matériau amorphe 68 à changement de phase est déposée dans l'espace ouvert pour former une cellule ou région de mémoire 68 du circuit 52. Au-dessus de la cellule 68 existe une mince couche de barrage conductrice 70, réalisée de préférence en un métal réfractaire ou en un alliage de métaux tel que du Ti-W. Au- dessus de la couche de barrage conductrice existe la couche de métal fortement conductrice telle que de l'aluminium formant le conducteur 58 d'axe Y. La partie du groupement 50 représenté aux figures 4 et 5 est,formée, comme décrit ci-dessus sur un substrat semiconduc- teur cristallin 54 dopé sélectivement et qui peut être une puce de silicium. Comme indiqué ci-dessus, le substrat 54 est représenté ici comme étant un substrat de silicium de type P pourvu d'une couche épitaxiale 64 de silicium de type N formée à la partie supérieure du substrat 54. Egalement comme représenté et s'étendant sur la couche épitaxiale 64, est prévue une paire de canaux d'isolation 62, soit une paire pour chaque rangée de circuits 52, qui sert à diviser la couche épitaxiale 64 en régions isolées électroniquement et entre lesquelles la couche épitaxiale 64 forme une partie des conducteurs 56 d'axe Y du groupement. Des connexions de faible résistance sont établies aux extrémités des conducteurs N+ 56 d'axe Y, d'une manière classique et bien connue, en diffusant des régions N+ dans la couche épitaxiale directement au-dessus des régions N+ inférieures. On peut ajouter des conducteurs (non représentés) au-dessus de couches isolantes déposées sur les sections représentées aux figures 4 et 5 et comprenant des doigts conducteurs établissant la connexion avec des régions N+ (non représentées) diffusées et espacées entre les diverses cellules dans chaque rangée verticale de cellules représen- tées à la figure 4. Cette technique additionnelle utilisée pour abaisser la résistance des connexions avec les conduc- teurs N+ 56 d'axe Y n'est pas représentée pour éviter de compliquer inutilement les dessins. La dimension latérale de chaque circuit de mémoire qui réduit la densité de l'enregistrement constitue une raison pour laquelle une matrice de mémoire constituée par un film déposé en totalité, comprenant des circuits de mémoire qui seront décrits avec référence à la figure 11, et qui utilise un dispositif redresseur à film mince ou un dispositif isolant à transistor tel qu'illustré aux figures 13 et 14, présente une densité d'enregistrement beaucoup plus grande que celle que l'on peut obtenir facilement avec le groupe- ment ou réseau représenté aux figures 4 et 5. Sous ce rapport, la distance de centre à centre entre circuits ou cellules 52 adjacentes est de 30 microns, ce qui est inférieur à la distance de 40 microns séparant les cellules du dispositif de la technique antérieure et représenté sur les figures 1 à 3, et utilisant les mêmes techniques lithographiques pour chaque dispositif. En outre, et en ce qui concerne la formation du circuit de mémoire 52 représenté à la figure 5, la couche de maté- riau isolant 66 est formée par des techniques de dépôt chimique à la vapeur, de pulvérisation, de dépôt de plasma ou d'oxydation thermique dans une ouverture 72 constituée dans la couche, en dessous de la région de mémoire 68 qui est formée en ayant recours à des techniques classiques de masquage par des matières photosensibles dites 'photoresist" et de gravure par décapage. La couche de barrage 66 sert à limiter la migration ionique entre la couche d'aluminium formant le conducteur 58 d'axe X qui aurait tendance à dégrader le matériau amorphe ne pouvant être ramené à son état d'origine et formant la cellule 68, de même que les diodes 60 exposées par ailleurs dans le réseau. Ainsi, les bandes d'aluminium qui forment les conducteurs 58 d'axe X établissent la connexion élec- trique en passant par les bandes sous-jacentes de la couche de barrage 70 de manière à établir un contact électrique avec les cellules 68 des divers circuits 52. La couche 70 autorise également une température de traitement plus élevée pour les cellules 68. Des impulsions de courant de mise en l'état ou de lecture sont envoyées par des circuits sélectionnés 52 en appliquant des tensions de seuil appropriées de polarité positive aux conducteurs 58 et 56 d'axes X et Y, de manière que le courant passe dans une direction de faible résistance par la diode de barrage de Schottky 60 formée à l'interface entre la région de siliciure de platine associée et la couche épitaxiale 64 située en dessous. Grâce à la construction qui vient d'être décrite d'un circuit 52, la densité d'enregistrement du circuit 52 est limitée par l'espacement des canaux d'isolation 70 qui, comme représenté à la figure 5, est d'approximativement 30 microns. La distance de 30 microns qui sépare les canaux d'isolation constitue également la distance de centre à centre entre les circuits adjacents 52 d'un groupement 50. On notera que cette distance est inférieure à la distance de microns séparant les canaux d'isolation 70 du dispositif 10 classique de la technique antérieure qui utilise un fusible latéral sur un substrat bipolaire, comme représenté aux figures 1 à 3. Selon les enseignements de la présente invention, la région de mémoire 68 est réalisée en un matériau à changement de phase pouvant être amené à un état et ne pouvant prati- quement pas être ramené à l'état d'origine, présentant les caractéristiques thermiques et électriques désirées. Ces matériaux peuvent être choisis en fonction des désirs dans le groupe des chalcogénures, du germanium, du tellure et du sélénium, comme décrit ci-dessous. Prenant du GeTe comme matériau de départ pour former les régions des cellules des circuits dans un groupement ou réseau, on a mis au point divers matériaux en Ge:Te présen- tant une faible réversibilité et une faible capacité de remise à l'état d'origine, mais des caractéristiques ther- miques et électriques désirables. Ces matériaux qui ne peuvent être ramenés à l'état d'origine sont de formule Gea:Teb o la' représente un pourcentage atomique de 30 à 100 et UbU un pourcentage atomique compris entre 70 et 0, l'un de ces matériaux étant le Ge70Te30. Ce film de matériau utilisé pour constituer la cellule est déposé pour former une cellule ou région de mémoire sur une épaisseur de 1000 Angstrôms. Cette région de cellule est amenée à un état conducteur permanent par une impulsion de courant de 5 milliampères ayant une largeur, ou durée, de 7 à 17 milli- secondes. Cette impulsion de courant élève la température de la cellule au-dessus de la température de passage à l'état cristallin qui est de 3400C, ce qui provoque la formation rapide d'un filament cristallin conducteur. Le point de fusion du matériau pris dans sa masse dépasse 7501C, ce qui fait qu'il n'y a aucune chance que le matériau revienne à un état amorphe, et qu'on obtient une région de cellule extrê- mement stable thermiquement et résistant aux radiations. Lorsque le courant de mise en l'état est plus faible et la résistance de coupure plus élevée que pour le matériau ci-dessus, on peut former une région de cellule avec du Ge60Te40. Ce matériau a une température de cristallisation plus faible, soit de 2700C, ce qui fait que le courant de mise en l'état est plus faible pour amener le matériau de la cellule à sa forme cristalline o il est fortement conduc- teur, et dont la stabilité à la température dépasse encore 7250C. La résistance à l'état de coupure de ce matériau est plus élevée que celle du Ge70Te 30' Un autre matériau convenant à la réalisation des cellules et qui est le Ge Te Se amorphe présente des caractéris- 45 10 tiques désirables pour l'utiliser dans un groupement progra- mmable. Ce matériau peut effectuer un nombre limité d'inver- sions qui est de l'ordre de dix ou moins. On a constaté que la température de traitement maximale était d'environ 250'C et que la température de mise en mémoire maximale était d'environ 200OC. D'autres matériaux à base de chalcogénure peuvent être utilisés selon l'invention. Toujours selon l'invention, le matériau ou alliage à changement de phase peut être un matériau tétrahédrique contenant au moins une des substances constituées par le silicium, le germanium ou le carbone, et pouvant également contenir de l'hydrogène, de l'oxygène et/ou du fluore. L'un des matériaux à partir desquels on peut former les cellules est le silicium et le carbone, dans ne gamme de pourcen- tages atomiques compris entre 0 et 100 pour le silicium et entre 100 et 0 pour le carbone. Quand le matériau amorphe est du carbone amorphe ayant un pourcentage atomique de 100, au moins une partie de ce matériau qui forme la cellule est convertie, au moyen d'une impulsion de courant appropriée et d'une tension de seuil appropriée envoyée dans la zone de mémoire, en graphite conducteur. Un matériau préféré à partir duquel on peut former la cellule et la région de mémoire est le Se50C50. Une cellule réalisée en ce matériau est sensiblement irréversible, c'est-à-dire pratiquement incapable d'être ramenée à l'état d'origine. Ce matériau constituant la cellule présente une température maximale de traitement pouvant atteindre 5000C et une température maximale de mise en mémoire allant de 2000C jusqu'à environ 400'C. Les dispositifs réalisés à partir de ce matériau ont une tension de seuil de huit volts. La résistance de mise en l'état (SET) peut être inférieure à 500 ohms et la résistance de coupure peut atteindre 106 ohms. Les alliages de silicium ou de germanium produits par une technique de décharge ou de dépôt de plasma présentent des propriétés et des caractéristiques semblables à celles du Si5OC50. L'un de ces matériaux est constitué par du silicium et de l'oxygène o le pourcentage atomique du silicium est compris entre 95 et 100 et celui de l'oxygène est compris entre 5 et 0, un matériau préféré étant le Si 505 On peut former d'autres matériaux ou alliages à partir de gaz composites tels que le silane, le tétrafluo- rure de silicium et l'hydrogène. Quand on forme la cellule 68, on commence par masquer l'ouverture 72 au moyen d'un nphotorésist' classique. Le matériau à changement de phase amorphe est alors déposé dans l'ouverture sur l'épaisseur désirée. Les techniques de dépôt peuvent être celles décrites dans les brevets US n0 4. 217.374 et 4.226.898. Un procédé de dépôt exemplaire est constitué par un dépôt de plasma à partir de SiH4, qui peut comprendre un diluant tel que de l'argon selon un rapport d'environ un pour un. Le substrat est chauffé en dessous de la température de fusion du Iphotorésist', par exemple à moins de 1500C. L'épaisseur du matériau constituant la cellule est comprise entre 500 et 2000 Angstrôms et le matériau est déposé à une fréquence d'environ 30 kilohertz, une épaisseur de 800 Angstrôms produisant une tension de seuil de 8 volts. La substance photorésistante est alors arrachée et la couche de barrage 70 est déposée comme décrit précédemment. En faisant varier l'épaisseur de la cellule 68, on modifie la tension de seuil nécessaire pour amener le matériau à changement de phase à l'état conducteur. Le matériau en silicium qui a été décrit ne peut pratiquement pas être ramené à son état d'origine. Quand on fait passer le matériau amorphe formant la zone 68 de la cellule à l'état cristallin et conducteur, et quand il s'agit d'alliages de Ge:Te:Se ou d'alliages composés de Si, on obtient typiquement ce résultat en faisant passer un courant dans le matériau à une valeur comprise entre 10 microampères et 10 milliampères, avec une tension de seuil d'environ 8 volts, qui est appliquée pendant une période comprise entre 1 microseconde et 1 milliseconde. Les matériaux ou alliages décrits ci-dessus permettent d'obtenir des matériaux convenant à la réalisation de cellules ou de régions de mémoire présentant un état stable et fortement conducteur et un état stable et fortement non conducteur. L'état non conducteur et stable peut être commuté de façon pratiquement irréversible à l'état stable et fortement conducteur en appliquant une impulsion de courant de tension limitée ou une impulsion de tension à courant limité à la région de la cellule, audelà d'un niveau de seuil prédéterminé. La cellule reste à l'état fortement conducteur même en l'absence de l'application d'une tension ou d'un courant et dans toutes les conditions de son fonctionnement. Si on se réfère maintenant aux figures 7 et 8, celles-ci représentent un autre mode de réalisation d'un réseau pro- grammable 100 réalisé selon les enseignements de la présente invention. Le réseau 100 comprend les circuits 102 dont chacun comporte une cellule 104 réalisée en un alliage amorphe du type décrit ci-dessus et un dispositif isolant 105 qui est un dispositif à transistor à effet de champ 105 du type MOS constitué dans un substrat 106 de silicium de type P sur lequel sont formés les circuits 102. Le réseau 100 comprend un conducteur en aluminium 108 d'axe X qui est relié a un côté de la cellule ou région de mémoire 104. L'autre côté de la cellule est accouplé à une région N+ 110 formant drain et diffusée dans le substrat 106. Le substrat 106 comprend sur lui un conducteur 111 d'axe Y au-dessus d'une région de source 112 du transistor à effet de champ 105 diffusée dans le substrat 106. De plus, un conducteur 114 d'axe Y et formant porte est déposé sur une couche isolante 116 par dessus le substrat 106. Comme représenté, la constitution du réseau 100 qui comprend la cellule 104 et le transistor à effet de champ de type MOS 105 est formée sur le substrat 106. Des bandes parallèles et espacées de conductivité Ne 110 et 112 sont diffusées dans la région supérieure du substrat 106 pour constituer des régions respectives et parallèles 112 formant la source du dispositif de type MOS et la région 110 formant le drain, chacune étant utilisée en commun avec un circuit 102. Continuant la formation du circuit 102, on forme des régions parallèles et isolantes de porte sur le substrat 2472246 106, telles que la couche isolante-de porte 116. Cette couche isolante peut être constituée par de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium. En ayant recours à une technique appropriée de masquage par uphotorésistu et de gravure par décapage, le conducteur 111 d'axe Y est formé en établissant une connexion élec- trique avec la région 112 formant la source, et le conduc- * teur d'axe Y 114 qui forme la porte est constitué par dépôt sous vide, ou de toute autre manière, sur la couche isolante 116. Ces conducteurs 111 et 114 peuvent être réalisés en des matériaux divers et ils sont typiquement constitués en poly- silicium. Les connexions de faible résistance sont établies avec le conducteur 111 d'axe Y et le conducteur de porte 114 d'axe Y de manière classique.- Si on poursuit la formation du réseau 100, on dépose alors une couche isolante 122, sous vide ou de toute autre manière, que- l'on forme sur la surface supérieure du subs- trat 106 et une partie de celle-ci est découpée pour ménager une surface ouverte 120 au-dessus des régions 110 de drain. Une couche de platine est alors déposée sur la surface ouverte entre les parties de la couche d'isolateur 122 et sur la surface supérieure du substrat 106 et elle est chauffée pour former une région 124 en siliciure de platine constituant une région ohmique (plutôt qu'une diode de barrage de Schottky). Un décapant tel que de l'eau régale est alors utilisé pour éliminer le platine en excès, mais non la région 124 en siliciure de platine. Une couche du matériau 104 constituant la mémoire est alors déposée dans et autour de chaque ouverture 120 dans la couche de matériau isolant 122 de manière à établir un bon contact électrique avec la région 124 en siliciure de platine. Une mince couche de barrage 126 est alors déposée au-dessus de la couche isolante 122 et du matériau 104 constituant la zone du drain, ce barrage mince 126 étant de préférence réalisé en un matériau tel que du Ti-W. Ensuite, on dépose une couche plus épaisse d'un métal conducteur tel que de l'aluminium pour former le conducteur 108 d'axe X. Comme représenté à la figure 8, ce réseau 100 qui com- prend une région à cellule 104 réalisée en un matériau amorphe du type décrit ci-dessus et un transistor à effet de champ de type MOS 105 formant le dispositif isolant du circuit de mémoire 102 a une dimension latérale de 21 microns qui est beaucoup plus petite que les 40 microns du dispositif PROM latéral du type à fusible de la technique antérieure 10 représenté sur les figures 1 et 2. Un circuit schématique équivalant au circuit 102 repré- senté à la figure 8 est illustré sur la figure 9. Si on se réfère maintenant aux figures 10 et 11, celles- ci représentent deux cellules d'un réseau 154 sur lequel a été déposé dans son ensemble un film mince et réalisé en accord avec les enseignements de la présente invention, qui élimine les canaux par diffusion décrite plus haut. Comme représenté, les circuits 152 du dispositif PROM 154 sont constitués sur le substrat principal 156 illustré à la figure 11. Par dessus ce substrat principal est déposée une couche d'un matériau isolant 158. Sous ce rapport, le matériau 156 du substrat principal peut être un substrat métallique et la couche isolante 158 peut être très mince de manière que la chaleur engendrée dans d'autres parties des circuits de mémoire 152 déposés sur la couche isolante 158 puisse être dissipée par le radiateur formé par le substrat métallique 156. Cette couche isolante 158 peut être réalisée en dioxyde de silicium. Par dessus la couche de matériau isolant 158 sont déposées des bandes conductrices parallèles formant les conducteurs 160 d'axe Y de la matrice de mémoire du réseau 154. Selon les enseignements de la présente invention, un dispositif de jonction P-N est constitué par des couches d'un matériau en un alliage semiconducteur amorphe qui sont déposées par dessus les bandes conductrices 160. A cet égard, on forme un dispositif redresseur isolant 162 à partir de couches 164 et 166 d'un alliage amorphe dopé successivement en N+ et en P+. On dépose ensuite une couche d'un matériau isolant 170 au-dessus du substrat 158, et les couches de matériau 160, 164 et 166 par dessus. Ensuite, on découpe un espace ouvert 169 dans la zone o la région de siliciure de platine 168 doit être formée et cette région de siliciure de platine 168 est formée de la manière décrite 22 2472246 ci-dessus. On dépose ensuite un film d'un matériau amorphe à changement de phase et qui ne peut pratiquement pas être ramené à son état d'origine pour former une cellule ou région de mémoire 172 de la manière décrite cidessus. On dépose ensuite une mince couche d'un matériau réfractaire formant barrage tel que du molybdène ou un alliage de Ti-W 174 sur la couche isolante 170 et sur les régions de mémoire 172. On dépose ensuite une couche plus épaisse 167 d'un métal conducteur tel que de l'aluminium par dessus la couche réfractaire formant barrage 174 pour constituer un conduc- teur 176 d'axe X. La région en siliciure de platine 168 peut former un contact ohmique ou un interface de barrage Schottky avec une couche externe d'un alliage amorphe légèrement dopé. Comme le montre la figure 11, la distance de centre à centre entre les circuits 152 déposés sous forme d'un film d'ensemble est de 8 microns, ce qui permet d'obtenir une densité d'enregistrement très élevée et par exemple une densité des cellules de mémoire d'approximativement, 0, 0000645 mm2. Ce résultat est obtenu comme représenté à la figure Il et comme décrit ci-dessus en disposant chaque circuit pratiquement verticalement entre le conducteur 176 d'axe X et le conducteur 160 d'axe Y. La diode 162 utilisée comme dispositif isolateur peut comprendre une première région et une seconde région, les régions étant appliquées l'une contre l'autre pour former une jonction entre elles, et la première région étant réalisée en un alliage amorphe comprenant du silicium et du fluor. De préférence, le matériau amorphe contient également de l'hydrogène et du SiaFbHc amorphe o le pourcentage atomique de "al est compris entre 80 et 98, celui de 'b' entre 0 et 10 et celui de 'cl entre 0 et 10. Le matériau ou l'alliage amorphe de la diode 162 peut être formé de la manière décrite par les brevets US n0 4.217.374 et 4.226.898. Il apparaît que les matériaux en chalcogénure forient une résistance à changement de phase et haute résistance 172 qui peut être amenée à l'état sans affecter la diode amorphe 167. Quand on utilise des cellules à changement de phase tétrahédriques 172 obtenues par dépôt de plasma, il semble qui'elles aient une résistance importante et qu'elles forment également une ou plusieurs diodes à polarisation inverse à celle de la diode 162, ce qui permet de les amener à l'état de réglage sans affecter la diode 162 polarisée vers l'avant. La première région de l'alliage amorphe de la diode peut être dopée avec un dopant choisi parmi les éléments du groupe V de la Table Périodique, tels par exemple que du phosphore ou de l'arsenic, la quantité de matériau dopant étant comprise entre quelques parties par million et un pourcentage atomique de cinq. De préférence, la première région est dopée avec une quantité de matériau dopant comprise entre 10 et 100 parties par million. La seconde région peut être un métal, un alliage métal- lique ou un matériau semblable à un métal, ayant une hauteur de barrage élevée dans la première région de manière à créer une barrière de Schottky. Ce métal peut être choisi dans le groupe constitué par l'or, le platine, le palladium ou le chrome. L'alliage amorphe de la première région peut être en variante dopé avec un matériau dopant choisi parmi les éléments du groupe III de la Table Périodique tels que le bore ou l'aluminium, selon une quantité comprise entre quelques parties par million et un pourcentage atomique de cinq. Egalement en variante; la seconde région peut être réalisée en un matériau dissemblable de l'alliage amorphe de manière à former une jonction hétérogène. Si on se réfère maintenant aux figures 13 et 14, celles- ci représentent un autre réseau programmable 210 réalisé selon les enseignements de la présente invention et qui comprend un circuit 212 s'étendant entre un conducteur métallique 214 d'axe X et un conducteur 216 d'axe Y. Comme représenté, dans ce mode de réalisation, le circuit 212 comporte une région 218 de cellules ou de mémoires compre- nant à l'intérieur un matériau amorphe, et un dispositif isolant 220 qui est constitué par un transistor à effet de champ 220 en film mince. Comme représenté, le conducteur 216 est une bande d'un matériau conducteur formant une région de source 216 pour le transistor à film mince, et il comprend également une région de drain 222 et un conducteur de porte 224. Quand. on forme le circuit 212, on commence par déposer une bande du matériau de source 216 sur un substrat isolé ou isolateur 216. Le matériau à partir duquel est réalisé le matériau 216 de la bande de source peut être un métal (non représenté), un alliage semiconducteur dopé de type N, ou un alliage semiconducteur dopé de type P. Une fois que la bande du matériau de source 216 a été déposée sur le substrat 226, les régions du matériau 222 constituant le drain sont déposées sur le substrat 226. Là encore, les régions 226 du matériau constituant le drain peuvent être réalisées en un métal (non représenté), un alliage semiconducteur dopé de type N et/ou un matériau semiconducteur dopé de type P. Ensuite, on dépose une couche 228 d'un alliage de silicium amorphe qui contient de préférence de l'hydrogène et/ou du fluor sur le substrat 226 entre la bande de source formant le conducteur 216 et la région de drain 222. Cet alliage de silicium amorphe est de préférence du SiaFbHc amorphe dont le pourcentage atomique correspondant à "a' est compris entre 80 et 98, celui correspondant à Ub" entre 0 et 10 et celui correspondant à 'cu entre 0 et 10. Une fois que la couche de silicium amorphe 228 a été déposée, on dépose une couche d'un matériau isolant de porte tel qu'un oxyde de porte 230 par dessus la couche de sili- cium amorphe 228. Puis on dépose une couche d'un matériau conducteur de porte 224 selon une bande s'étendant parallè- lement à la bande 216 par dessus le matériau isolant de porte. Le conducteur de porte 224 peut être réalisé en un métal (comme représenté), un semiconducteur dopé de type N ou un semiconducteur dopé de type P. Ensuite, on dépose une couche d'un matériau isolant 232 par dessus le substrat 226, la bande du matériau de source 216, les couches 228, 230 et 224 décrites ci-dessus et les régions 222 du matériau de drain. On retire ensuite le matériau isolant au-dessus de la région de drain pour former une ouverture 233 dans laquelle est déposée une couche d'un matériau 218 constituant la cellule. Finalement, on dépose une bande d'un matériau qui est typiquement un métal tel que de l'aluminium par dessus le matériau isolant 232 et en contact avec la région de mémoire 218 et parallèlement à l'axe X pour former un conducteur 214 d'axe X. Une couche de barrage (non représen- tée) peut être déposée avant le conducteur 214. Un schéma de certains des circuits 212 du réseau 210 est illustré à la figure 14. On notera que le circuit 212 du réseau 210, pour des raisons d'écartement entre la région de source 216 et la région de drain 222, a une dimension latérale plus importante que celle des circuits 152 o les régions 164 et 166 de la diode 162 sont en ligne ou empilées en ligne avec la région de mémoire 172 entre le conducteur 176 d'axe X et le conduc- teur 160 d'axe Y. Cependant, quand on désire utiliser des transistors à effet de champ de type MOS pour constituer le dispositif isolant, on préfère le réseau 210. De la description qui précède, il ressort clairement que la cellule de la présente invention, qui comprend un maté- riau amorphe à changement de phase qui peut être amené à un état pour qu'ensuite il ne soit pratiquement plus possible de le ramener à son état d'origine, et qui présente les caractéristiques thermiques et électriques désirées et décrites ci-dessus, en conjonction avec un dispositif isolant parmi plusieurs, permet d'obtenir des réseaux program- mables pouvant être facilement amenés dans un état dans un minimum de temps et qui, en fonction du matériau à change- ment de phase choisi, permet d'obtenir un circuit dont le courant de réglage pour changer d'état est faible, le temps nécessaire au changement d'état est court, la température du traitement est relativement élevée, la température de mise en mémoire est relativement élevée, la résistance au change- ment d'état est faible et la résistance de coupure est -élevée. Les dispositifs isolants peuvent également être du type de la diode de Schottky classique bipolaire et à cristal de silicium unique, ou du type bipolaire à jonction P-N. En variante, ces dispositifs isolants peuvent être du type MOS, soit du type MOS planaire soit du type V-MOS. Par ailleurs et de préférence, les dispositifs isolants sont constitués au moyen d'une technique de dépôt d'un film mince, et sous une forme que l'on préfère aux autres la diode ou le tran- sistor à effet de champ qui constitue le dispositif isolant est réalisé en alliage de silicium amorphe déposé sous vide et qui contient également de l'hydrogène et/ou du fluor. On préfère les réseaux formés par un film mince général du fait qu'ils présentent une densité d'enregistrement la plus élevée alors que dans le même temps on peut obtenir un réseau comprenant des cellules en un matériau à changement de phase qui ne peut pratiquement pas être ramené à son état d'origine et des diodes ou des transistors à film mince disposés verticalement entre les conducteurs d'axe X et Y à leurs points de croisement. De plus, il est clair que les divers réseaux présentant les diverses configurations des cellules représentées aux figures précédentes peuvent être utilisés avec un circuit d'adressage qui sélectionne un conducteur particulier d'axe X ou Y pour envoyer les courants de mise en l'état ou de lecture, et ces circuits d'adressage peuvent être formés par dépôt de films. Sous ce rapport, une matrice de mémoire constituée par exemple par dépôt d'un film général, ainsi qu'un circuit d'adressage, sont déposés sur le même substrat tel qu'il est illustré schématiquement à la figure 15, et cet ensemble comprend une matrice ou réseau de mémoire 250 pourvu d'un circuit d'adressage associé 252 déposé sur un substrat 254. On notera également que le circuit d'adressage 252 et la matrice de mémoire 250 peuvent être déposés sur le même côté du substrat 254 ou sur les côtés opposés de ce substrat 254. De plus, le réseau et la matrice de mémoire 250 peuvent être déposés sous forme d'un film mince partiel ou total de la manière décrite ci-dessus. De préférence cependant, et en plus de la formation de la région de mémoire de chaque circuit de mémoire par utilisation d'un film mince en un alliage amorphe, les dispositifs isolateurs, et le circuit d'adressage 252 sont également constitués par une technique de dépôt d'un film mince. Du fait que la plupart des systèmes de mise en mémoire et de traitement de données utilisés actuellement fonctionnent avec des circuits intégrés formés dans des substrats de 27 - puces de silicium, on pense que les réseaux mis initialement sur le marché et réalisés selon les enseignements de la présente invention seront probablement pourvus de matrices de mémoire o une partie de la matrice de mémoire en cause telle que le dispositif isolateur et/ou le circuit d'adres- sage utilisé avec elle sera formée à l'intérieur du substrat d'une puce de silicium. La figure 16 représente schématiquement un substrat 300 - d'une puce de silicium comprenant une matrice ou réseau de mémoire 302 constitué par dépôt d'un film mince partiel ou total, comprenant des circuits de mémoire à l'intérieur et un circuit d'adressage associé 304 qui sont incorporés dans le substrat 300 de la puce de silicium en formant les éléments divers du circuit à partir de surfaces internes o un dopant a été diffusé. On notera qu'un réseau à film mince total et comprenant les circuits formés selon les enseignements de la présente invention et mettant en oeuvre des dispositifs isolants déposés sous forme de films minces, en conjonction avec les circuits d'adressage formés par une technique de dépôt de films minces, permet d'obtenir des avantages substantiels du fait qu'un certain nombre de ces systèmes de mémoire peuvent être empilés les uns sur les autres en les séparant par des couches isolantes. On peut également prévoir des substrats formant radiateurs et réalisés en un métal mince entre les couches isolantes et prévoir des ailettes irradiant la chaleur sur les rebords externes. De la description qui précède, il est clair que les réseaux 50, 100, 154 ou 210 décrits ici, et dans lesquels ont été incorporés des dispositifs isolants classiques ou nouveaux déposés sous forme de films minces et utilisés avec des circuits d'adressage classiques ou nouveaux déposés sous forme de films minces, apportent un certain nombre d'avan- tages, certains d'entre eux ayant été décrits ci-dessus et d'autres étant inhérents aux réseaux de la présente invention. Ce qui est le plus important est que ces réseaux peuvent être réalisés en un matériau présentant les caractéristiques électriques et thermiques désirées, avec des densités d'enregistrement extrêmement élevées pour les cellules et une résistance de coupure très élevée. Les cellules amorphes telles que désignées en 68 peuvent avoir des formes et des dimensions variées, et elles peuvent être déposées sous la forme de la liaison fusible 20. (Le terme uamorpheu utilisé ici désigne un alliage ou un maté- riau dont les atomes sont disposés de façon très désordonnée, bien qu'ils puissent présenter un degré d'ordre intermé- diaire ou court, ou même contenir à certains moments des inclusions cristallines). En outre, les cellules telles la cellule 68 n'ont pas besoin d'être déposées par dessus les couches formant la diode, et elles peuvent être.déposées entre les deux couches métalliques 58 et la seconde couche métallique (non représentée). De même, la cellule 218 pourrait être située entre la porte 224 et le conducteur 214 d'axe X. 29 2472246 REVENDICATIONS 1. Cellule programmable, caractérisée en ce qu'elle comprend un corps amorphe (68; 104; 172; 218) constituant la cellule, ledit corps comportant au moins une partie pourvue de moyens (68; 104; 172; 218) pouvant être amenés à un état et ne pouvant pratiquement pas être ramené à l'état d'ori- gine, lesdits moyens ayant un état fortement non conducteur qui peut être amené à un état fortement conducteur. 2. Cellule selon la revendication 1, caractérisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218) peuvent être amenés audit état conducteur par une tension de seuil de vingt volts ou moins. 3. Cellule selon la revendication 1, caractérisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218) peuvent être amenés audit état conducteur par une tension de seuil de dix volts ou moins. 4. Cellule selon la revendication 1, caractérisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218) peuvent être amenés audit état conducteur par un courant de programmation de vingt cinq milliampères ou moins. 5. Cellule selon la revendication 1, caractérisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218) peuvent être amenés audit état conducteur par un courant de programmation de cinq milliampères ou moins. 6. Cellule selon l'une des revendications 1 à 5, carac- térisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218), lorsqu'ils sont dans ledit état fortement conducteur, ont une résistance de cinq cents ohms ou moins. 7. Cellule selon l'une des revendications 1 à 5, carac- térisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218), lorsqu'ils sont dans ledit état fortement conducteur, ont une résistance de cent ohms ou moins. 8. Cellule selon l'une des revendications 1 à 5, carac- térisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218), lorsqu'ils sont dans ledit état fortement non conducteur, ont une résistance de dix mille ohms ou plus. 9. Cellule selon l'une des revendications 1 à 5, carac- térisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218), lorsqu'ils sont dans ledit état fortement non conducteur, ont une résistance de un million d'ohms ou plus. 10. Cellule selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisée en ce que ledit corps (68; 104; 172; 218) de la cellule présente une tolérance maximale de la température admissible de traitement de deux cents degrés centigrades ou plus. 11. Cellule selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisée en. ce que le corps (68; 104; 172; 218) de la cellule présente une tolérance maximale de la température admissible de traitement de cinq centsdegrés centigrades ou plus. 12. Cellule selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisée en ce que le corps (68; 104; 172; 218) de la cellule a une température de mise en mémoire à long terme de cent soixante quinze degrés centigrades ou plus. 13. Cellule selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisée en ce que le corps (68; 104; 172; 218) de la cellule a une température de mise en mémoire à long terme de deux centsdegrés centigrades ou plus. 14. Cellule selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218) peuvent être amenés audit état conducteur en mille micro- secondes ou moins. 15. Cellule selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218) peuvent être amenés audit état conducteur en dix micro- secondes ou moins. 16. Cellule selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218) peuvent être ramenés à l'état d'origine moins d'une centaine de fois. 17. Cellule selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218) peuvent être ramenés à l'état d'origine moins d'une dizaine de fois. 18. Cellule selon l'une des revendications 1 à 17, caractérisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218) sont constitués en un matériau amorphe à changement de phase pouvant être amené à un état cristallin fortement conducteur. 19. Cellule selon l'une des revendications i à 18, caractérisée en ce que lesdits moyens (68; 104; 172; 218) sont amenés de façon non volatile, ou permanente, audit état fortement conducteur. 20. Cellule selon l'une des revendications 1 à 19, caractérisée en ce que le corps (68; 104; 172; 218) de la cellule est constitué à partir d'un ou plusieurs chalcogé- nures. 21. Cellule selon la revendication 20, caractérisée en ce que lesdits chalcogénures sont constitués par du germanium et soit du tellure soit du sélénium. 22. Cellule selon la revendication 20, caractérisée en ce que lesdits chalcogénures sont constitués par du germanium, du tellure et du sélénium. 23. Cellule selon la revendication 22, caractérisée en ce que le corps (68; 104; 172; 218) de la cellule est formé par pulvérisation desdits éléments. 24. Cellule selon l'une des revendications 1 à 19, caractérisée en ce que le corps (68; 104e 172; 218) de la cellule est formé à partir d'un matériau contenant des éléments tétrahédriques comprenant au moins un élément du groupe comportant le silicium, le germanium et le-carbone. 25. Cellule selon la revendication 24, caractérisée en ce que le corps (68; 104; 172; 218) de la cellule comprend également un ou plusieurs éléments du groupe comportant le fluor, l'hydrogène-et l'oxygène. - 26. Cellule selon la revendication 24, caractérisée en ce que le-corps (68; 104; 172; 218) de la cellule est formé par dépôt de plasma, ledit plasma contenant au moins du silicium et de l'hydrogène. 27. Cellule selon la revendication 24, caractérisée en ce que le corps (68; 104; 172; 218) de la cellule est formé par dépôt de plasma, ledit plasma contenant au moins du silicium et du fluor. 28. Réseau électronique programmable de cellules, carac- térisé en ce qu'il comprend plusieurs corps amorphes (68; 104; 172; 218) constituant les cellules, chacun desdits corps comportant au moins une partie pourvue de moyens (68; 104; 172; 218) pouvant être amenée à un état et ne pouvant 32 2472246 pratiquement pas être ramenée à l'état d'origine, lesdits moyens (68; 104; 172; 218) étant à un état fortement non conducteur et pouvant être amenés à un état fortement conducteur. Z9. Réseau de cellules selon la revendication 28, caractérisé en ce que chacune desdites cellules (68; 104; 172; 218) est formée sur un substrat sensiblement plan (54; 64; 106; 158; 226), chacune desdites cellules étant accou- plée entre au moins une paire de conducteurs (56; 58; 108; 110; 160; 176; 214; 216) et formée dans une direction sensiblement perpendiculaire audit substrat plan (54; 64; 106; 158; 226) de manière à obtenir une densité élevée des cellules sur ledit substrat. 30. Réseau de cellules selon la revendication 28, carac- térisé en ce que chacune desdites cellules (68; 104; 172; 218) comprend des moyens isolants (60; 105; 162; 220) destinés à isoler lesdites cellules d'au moins une paire de conduc- teurs (56; 58; 108; 110; 160; 176; 214; 216). 31. Réseau de cellules selon la revendication 30, caractérisé en ce que chaque cellule (68; 104; 172; 218) qui comprend lesdits moyens isolants (60; 105; 162; 220) a une aire de surface inférieure à environ 0,000645 mm2. 32. Réseau de cellules selon la revendication 30, caractérisé en ce que lesdits moyens isolants (60; 105; 162; 220) comprennent des moyens redresseurs bipolaires formés par des techniques à cristal unique. 33. Réseau de cellules selon la revendication 32, caractérisé en ce que lesdits moyens redresseurs bipolaires (162) comprennent une diode de Schottky. 34. Réseau de cellules selon la revendication 30, caractérisé en ce que lesdits moyens isolants (60; 105; 162; 220) comprennent des moyens redresseurs (162) pourvus d'une première et d'une seconde régions (164; 166),ces régions (164; 166) venant buter les unes contre les autres et formant une jonction entre elles, au moins l'une desdites régions étant formée à partir d'un matériau amorphe compre- nant au moins du silicium. 35. Réseau de cellules selon la revendication 34, caractérisé en ce que la seconde desdites régions (166) est formée par un métal, un alliage métallique ou un matériau semblable à un métal, formant une barrière de Schottky avec ladite première région. 36. Réseau de cellules selon la revendication 28, caractérisé en ce que chacune desdites cellules (68; 104; 172; 218) est une cellule obtenue par dépôt d'un film mince. 37. Réseau de cellules selon la revendication 30, caractérisé en ce que chacun desdits moyens isolants (60; ; 162; 220) comprend un transistor à effet de champ (105; 220). 38. Réseau de cellules selon la revendication 37, caractérisé en ce que chacun desdits transistors à effet de champ (105; 220) est un transistor plan du type MOS. 39. Réseau de cellules selon la revendication 37, caractérisé en ce que chacun desdits transistors à effet de champ (105; 220) est un transistor de type V-MOS. 40. Réseau de cellules selon la revendication 37, caractérisé en ce que chacun desdits transistors (105; 220) est un transistor amorphe (105; 220) à film mince, formé au moins à partir de silicium. 41. Réseau de cellules selon la revendication 30, caractérisé en ce que lesdits moyens isolants (60; 105; 162; 220) sont couplés à des moyens d'adressage bipolaires formés par des techniques à cristal unique. 42. Réseau de cellules selon la revendication 30, caractérisé en ce que lesdits moyens isolants (60; 105; 162; 220) sont couplés à des moyens d'adressage MOS (304). 43. Réseau de cellules selon la revendication 30, caractérisé en ce que lesdits moyens isolants (60; 105; 162; 220) sont couplés à des moyens d'adressage (252) à transis- tor amorphe à film mince. 44. Réseau de cellules selon l'une des revendications 28 a 43, caractérisé en ce que l'ensemble des cellules (68; 104; 172; 218) est empilé pour former au moins deux groupes disposés l'un sur l'autre. 45. Réseau de cellules selon l'une des revendications 28 à 44, caractérisé en ce que chacune desdites cellules (68; 104; 172; 218) est constituée à partir d'au moins un matériau du groupe comprenant le germanium, le tellure et le sélénium. 46. Réseau de cellules selon l'une des revendications 28 à 44, caractérisé en ce que chacune desdites cellules (68; 104; 172; 218) est formée à partir d'un matériau contenant des éléments tétrahédriques, lesdits éléments comprenant au moins l'un de ceux compris dans le groupe constitué par le silicium, le germanium et le carbone. 47. Réseau de cellules selon l'une des revendications 28 à 46, caractérisé en ce que lesdites cellules (68; 104; 172; 218) forment les cellules programmables d'un dispositif PROM. 48. Réseau de cellules selon l'une des revendications 28 à 47, caractérisé en ce que lesdites cellules (68; 104; 172; 218) forment au moins certains des éléments fusibles d'un réseau logique programmable (50; 100; 154; 210). 49. Réseau de cellules selon l'une des revendications 28 à 48, caractérisé en ce que lesdites cellules (68; 104; 172; 218) forment au moins certains des éléments fusibles d'un réseau de portes (50; 100; 154; 210). 50. Réseau de cellules selon l'une des revendications 28 à 48, caractérisé en ce que lesdites cellules (68; 104; 172; 218) forment au moins certains des éléments d'interconnexion de matrices dans un jeu de circuits intégrés.