Brevet FR2466858A1 — publié le 19810410

IE /DER L'invention concerne un procéric de pasaivation de Comr0osanits sm:.conduc iç.tsant électro- nique abtenu par ce procédé. On sait que ia fiabilité des composaeis électroniques. se- u.l-onducteu.rs est améliorée par 1tex'ste:nce d',ne protectlon du matériau semiconducteui acti' par une c.:uche isolante dite de Passivation. On sait aussi que, notamment lorsqoe le semiJconducteur est de l'arséniure de gallium, il est utile que: - d'une part, le matériau de pas$i.vation soit plutât "seïai- iao!ant" que parfaitement isolant, car il est alors suffisamment conducteur de l'1électricité pour faciliter l'évacuation de-s.'har- ges électriques existant dans les pièges de l'interface situé en- tre semiconducteur et couche passivante; - d'autre part, les coefficients de dilatation thermique de l'un et de l'autre soient aussi proches que possible, ce qui exclut la silice et les verres au silicate dans le cas de l'arsé- niure de gallium. On a proposé de constituer la couche de protection par de l'arséniure de gallium monocristallin semi-isolant, que l'on fait croître par ê,pitaxie dans les intervalles séparant les élec- trodes Cia sccnpoant stmiconducteur, -uiva.,nt un procédé décrit dans a den.ar:dde d brcvet 6: 76 28 769 d 'se le 24 S4ptermb.e 1976 par la demanderesse. Toutefois larséniure de gallium sc-iso!ant présente un i.convenient lorsque on désire, dans le cadre de la technologie habituelle, faire d'abord croître la couche de prctecti.on sur toute la s 1?fîce de la couche active, par épita:ie, puis ouvr.r, par attaque chimique, des fenêtres d'accès à la couche active C30 correspondant aux différentes électrodes du cormpcsant. En effet, dans un tel cas, il devient difficile, lorsque le matériau de pepsiVation est identique au semiconducteur, d'arrêter avec pré- cision l'attaque chimique pour simplement netàlre a nu la couche active sans entamer celle-ci ce quo présente à priori des inc--l- vénients. L'invention permet de remédier à cette difficulté, tout en satisfaisant aux exigence:s précedemment énoncées pour le cas de l'arséniure de gallium. Le procédé de passivation suivant l'invention est principa- lement caractérisé en ce qu'il comporte une étape de fabrication du composant à l'arséniure de gallium au cours de laquelle on fait croître par épitaxie à partir d'une couche monocristalline d'arséniure de gallium, successivement, en une première sous-éta- pe, la couche active d'arséniure de gallium dopée de façon pré- déterminée, puis, en une deuxième sous-étape, une couche de passi- vation constituée par un monocristal, dopé de manière à être élec- triquement semi-isolante ayant unA composition qui réponde à l'une des formules suivantes: Gax Al -xAs dans laquelle x est compris entre 0 et 1, et Gay Iny P o 0,46 apparaîtront, au moyen de la description qui suit, et des dessins qui l'accompagnent, parmi lesquels Les figures 1 à 3 représentent, en coupes schématiques, trois stades successifs de réalisation d'un composant suivant l'invention; La figure 4 est une coupe d'un exemple de transistor à effet de champ fabriqué suivant l'invention; - La figure 5 est une coupe de diode Schottky fabriquée suivant 1 invention. Dans l'exemple de mise en oeuvre du procédéS, représenté figu- res 1 à 3, on part d'un substrat 1 (figure 1): en arséniure de gallium, revêtu d'une couche 2 d'arséniure de gallium monocristal- lin semi-isolant. Le substrat est traité par épitaxie dans un appareil de trai- tement, par exemple, en phase vapeur, dans lequel on injecte des composés organométalliques sous forme gazeuse, de l'hydrogène et des dopants qui diffèrent suivant le résultat à obtenir. Dans une première sous-étape, destinée.à obtenir la couche active du composant en arséniure de gallium, par exemple de type n, les composants organo-métalliques sont, en qualité et en quantité, ceux qui permettent d'obtenir un composé de formule GaAs, soit par exemple des vapeurs de la (C H3)3 et As H3. Le dopant utilisé est un composé d'une impureté, par exemple de type n, sous la forme d'un-hydrure, par exemple Si H4 en phase vapeur. On obtient ainsi une couche active 3 (figure 2) de GaAs, au cours d'une première sous-étape d'épitaxie. Dans une deuxième sous-étape d'épitaxie, les composés orga- no-métalliques sont en qualité et en quantité des gaz ou vapeurs 10. permettant d'obtenir par leur décomposition dans l'appareil d'épi- taxie une croissance d'une couche de GaxAll xAs avec x compris par exemple entre 0,1 et 0,2. Il s'agit par exemple de Ga(CH3)3, de Al(CH3)3 et d'AsH3. On injecte en outre de l'oxygène pendant l'épitaxie dans la proportion d'un millionième pour obtenir une couche semi-isolante 4(figure 3) destinée à jouer le r5le de ma- tériau de passivation. Dans une variante du procédé selon l'inventisn, la couche de passivation est réalisée en faisant croître, sur le monocristal de GaAs, une couche monocristalline d'un composé ternaire ayant le *20 même paramètre de réseau cristallin, à savoir Gao 47Ino 053P. Les gaz introduits dans l'appareil d'épitaxie au cours de la deuxième sous-étape d'épitaxie sont alors. outre l'hydrooène, des vapeurs de Ga(C H3)3, In(C2 H5)3 et P H3 et un dopant tel que le chrome contenu dans des vapeurs de Cr(C 0)6 Dans l'exemple précédemment décrit, le dopag. peu- être effec- tué par d'autres méthodes classiques en phase vapeur, telles que le transport de fer par C]. H ou du chrome comme dans la variante ci-avant. Dans d'autres variantes de l'invention, on utilise d'autres méthodes classiques d'épitaxie: transport d'éléments en phase gazeuse, jets moléculaires, ou même épitaxie en phase liquide. Toutefois, dans ce dernier cas, les sous-étapes sont plus nette- ment séparées, le substrat étant alors letiré d'tun premier bain d'épitaxie pour être plongé dans un deuxième bain de composition différente. Figure 4, on a représenté, à titre d'exemple, un composant électronique réalisé par le procédé selon l'invention, à savoir une structure de transistor à effet de champ utilisant comme couche active la couche 3 du corps semiconducteur représenté figure 4, et comme couche de passivation la couche 4, même figure représentée ici après des étapes de fabrication comportant: - l'ouverture de fenêtres dans la couche 4, par photolitho- graphie; - le dépôt d'un ou plusieurs métaux pour constituer des con- tacts ohmiques 41 et 42 destinés à être utilisés comme source et drain du transistor à effet de champ; - le dép8t d'un métal pour former un contact 43 de type Schottky, destiné à être utilisé comme grille du transistor. On n'a pas représenté la finition proprement dite du compo- sant électronique, comportant notamment le raccordement de con- nexions électriques aux électrodes du transistor à effet de champ. Le transistor à effet de champ peut être du type à grille auto-alignée et être réalisé, à partir du corps seriionductcr représenté figure Ji par le procédé décri: dans 1: demande de bre- - vet 79.17603 déposée le 6 juillet 1979 par la demanderesse. Figure 5, on a représenté en coupe c;chématique une str'-ture de diode Schottky fabriquée suivant l'invention. Sur un substrat + 51 en GaAs dopé n, on a fait croître une couche 52 de GaAs dopg n puis une couche 53 d'un composé ternaire, par exemple GaxAlixAs et on a formé un contact Schuttky à l'aide d'un dé- pOt 54 de métal dans une fenêtre préalablement ouverte dans la couche 53. Parmi les avantages de l'invention on doit encore signaler le fait que l'interface entre]'arsrnure de gallium monocristal- lin et une couche épit.axiale ';,ln compoé terna:re te] c:: GaxAlixAs ne présente pas de pièges capables de retenir des charges parasites, ce qui permet d'obtenir des composants élec- troniques fonctionnant aux fréquences -levéaes sans presenter de bruit dit en "l/f"l ou-bruit de scintillation tro;p important. L'invention peut être mise en oeuvre en utUlisant, po-r constituer la couche de passivation, d'autres composés ternL.'ac. d'éléments appartenant aux colonnes 3 et 5 de la classifica tion de Mendéléev, à condition que la maille du réseau cristallin soit assez proche de celle de GaAs pour permettre une croissance épi- taxiale et que le coefficient de dilatation thermique soit rela- tivement proche de celui de l'arséniure de gallium pour éviter des fêlures en cas de brusque variation de température. i REVENDICATIONS 1. Procédé de passivation d'un composant électronique à semiconducteur, comportant une couche active d'arséniure de gal- lium, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de fabrication du composant au cours de laquelle on fait croître par épitaxie à partir d'une couche monocristalline d'arséniure de gallium, successivement en une première sous-étape la couche active d'ar- séniure de gallium dopée de façon prédéterminée, puis, en une deuxième sous-étape, une couche de passivation constituée par un monocristal, dopé de manière a être électriquement semi-isolant, ayant une composition qui réponde à l'une des formules suivantes: Gax AlixAs dans laquelle x est compris entre 0 et 1, et Ga Iny P dans laquelle 0,46 y -y '- 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que, pour constituer une couche de passivation en arséniure de gallium et d'aluminium, on effectue les opérations d'épitaxie des deux sous-étapes en phase vapeur, la composition de cette phase comportant des composés gazeux d'arsénic et de gallium dans la première sous-étape et des composés gazeux d'arsenic, de gallium et d'aluminium dans la deuxième sous-étape. 3. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que les composés gazeux d'arsenic, de gallium et d'aluminium sont respectivement As H3, Ga (C H3)3 et Al( C H3)3, dans un courant d'hydrogène, un premier dopant introduit pendant la première sous-étape étant une impureté de type n sous forme gazeuse, et un deuxième dopant, introduit pendant la deuxième sous-étape étant Cr(C 0)6. 4. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que, pour constituer une couche de passivation en phosphure d'indium et de gallium, on effectue les opérations d'épitaxie des sous-éta- pes en phase vapeur, celle-ci comportant des composés d'arsenic et de gallium pendant la première sous-étape, et des composés de phosphore, d'indium et de gallium pendant la deuxième sous-étape. 5. Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que les composés utilisés dans la première sous-étape sont As H et Ga(C H3)3 et dans la deuxième sous-étape P H3, In (C2H5)3 et Ga (C H3)3. 6. Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en ce que, pendant la deuxième sous-étape, la phase gazeuse com- porte en outre Cr (C 0)6. 7. Procédé suivant l'une quelconque des-revendications 1 à 6, caractérisé en ce que, pour l'obtention d'un transistor à effet de champ comportant une couche de passivation, ce procédé est complété par les étapes suivantes - ouverture de fenêtres dans la couche de passivation - formation de contacts ohmiques dans les fenêtres de source et de drain; - formation de contact Schottky par dépôt de métal dans la fenêtre de grille. 8. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que, pour l'obtention d'une diode comportant une couche de passivation, ce procédé est complété par les étapes suivantes: ouverture d'une fenêtre dans la couche de passivation, - dépôt d'un métal dans la fenêtra ainsi ouverte.- 9. Composant électronique, et notamment transistor et diode, obtenu par le procédé selon l'une des revendications i à 8.