Brevet FR2457567A1 — publié le 19801219

La présente invention concerne un procédé de production d'un composant semi-conducteur, -comprenant une opération d'implantation d'ions, et plus particulièrement, un procédé de ce genre qui convient pour la production d'un transistor à effet de champ du type à mé;tal-isolant-semi-conducteur, qui sera appelé ci-après transistor MIS, et dans lequel l'obtention d'une concentration en impurotés dans le canal du transistor est contrôlée par implantation d'ions. L'implantation d'ions est une technique courante pour le dopage superficiel d'un semi-conducteur et consiste à introduire des atomes dans la couche superficielle d'un substrat semi-conducteur en le bombardant avec des ions dont lténergie se mesure en keV ou en MeV. L'ancien procédé de diffusion est partiellement remplacé par ce procédé d'implantation d'ions car ce dernier offre l'davantage d'une commande extérieure, d'être un procédé hors équilibre, tandis que le procédé par diffusion est soumis à des conditions physiques immuables telles que la constante de diffusien de l'impureté dans la matière semi-conductrice. Dans la technique d'isnplantation d'ions, il est connu que les atomes implantés ne deviennent actifs électriquement qu'après avoir chauffé la matière semi-conductrice implantée à une température d'environ 10000C et pendant une période d'environ 30 minutes. Des dommages à l'arrangement atomique de la matière semiconductrice sont également provoqués par l'implantation mais le chauffage mentionné ci-dessus peut y remédier. Stant donné que l'implantation d'ions est effectuée sous une énergie élevée et dans une condition hors équilibre, la concentration des ions implantés est maximale à l'intérieur du semi-conducteur, ce qu'indique la portée de projection (RP) ou la profondeur moyenne de pénétration. Cette profondeur moyenne de pénétration R et par conséquent la concentration en impuretés, peut être modifiée avec précision par l'énergie du faisceau ionique.L'implantation d'ions permet donc un contrôle précis de la concentration des impuretés d'un type de conductivité et elle peut etre limitée aux régions actives de transistors bipolaires, MIS, etc., Il est connu dans le domaine de la technologie des semi-conducteurs que des ions, fréquemment des ions de bore, sont implantés à travers une pellicule isolante, oxydée thermiquement, sur un substrat semi-conducteur avec une énergie telle que les ions sont implantés audessolls de la pellicule d'oxyde.Une application im portante de ce genre dtimplantations d'ions est le "dopago de canal" par lequel la tension seuil du canal d'un transistor MIS est r- 6 ée par la concentration des ions implantés dans ce canal. Mais le procédé connu d'implantation est désavantageux en raison de la pellicule d'oxyde utilisée comme pellicule isolante, en ce que les ions de bore implantés sont extraits du substrat semi-conducteur pour passer dans la pellicule d'oxyde aprs le chauffage mentionné ci-dessus, ce dont il résulte que la concentration en impuretés à la surface du substrat semi-conducteur est réduite à un niveau très inférieur à celui du niveau voulu.Cela est dû au fait que la constante de distribution des ions de bore dans la pellicule d'oxyde est élevée et que par conséquent, une grande quantité de ces ions sont redistribués dans la pellicule d'oxyde. Il n'est donc pas possible par cette opération connue de dopage de canal d'obtenir la valeur voulue de la tension seuil. L'étude et le développement de tres minces pellicules de nitrure formées par réaction thermique directe avec l'azote a montré que les inconvénients de la redistribution des ions implantés men tonnés ci-dessus peuvent eAtre éliminés grâce à la pellicule de nitrure de silicium formée par nitruration thermique directe du silicium semi-conducteur. L'invention a donc pour objet un procédé comprenant une opération d'implantation d'ions dans lequel la redistribution des ions implantés depuis le substrat semi-conducteur dans la pellicule isolante pendant le traitement thermique après l'implantation peut être pratiquement éliminée. Un autre objet de l'invention est un procédé comprenant une opération d'implantation d'ions, dans lequel une réduction de la concentration superficielle des ions implantés peut être évitée. Un autre objet de l'invention consiste à régler avec précision la concentration superficielle d'impuretés implantées et la tension seuil de transistors à effet de champ EITS et de distribuer uniformoment les impuretés implantées sur la surface d'un substrat semiconducteur. Un autre objet encore de l'invention est de proposer un procédé de production, selon une technique d'implantation d'ions, de circuits intégrés MIS dans le mode enrichi/appauvri, dans lequel un élément d'attaque du circuit intégré consiste en un transistor MIS du type enrichi et un élément de charge du circuit intégré consiste en un transistor MIS du type appauvri. Ce circuit intégré comporte des transistors à effet de champ ayant des tensions seuil différentes, inclus dans un élément de circuit et par conséquent, le réglage précis de la concentration superficielle des impuretés est indispensable dans ce cas. Un autre objet encore de l'invention est d'utiliser une pellicule de nitrure de silicium pour la pellicule isolante des transistors MIS et d'éviter la redistribution de l'impureté implantée pendant le traitement thermique après l'implantation. Le procédé selon l'invention consiste essentiellement à former une pellicule de nitrure de silicium par nitruration thermique directe du silicium d'un substrat semi-conducteur, à implanter des ions d'impuretés dans le substrat de silicium semi-conducteur et à chauffer ce substrat jusqu'à une certaine température pour activer électriquement les ions d'impuretés et pour corriger les dommages apportés au substrat semi-conducteur par l'implantation d'ions tout en maintenant pratiquement toutes les impuretés implantées à la surface du substrat de silicium semi-conducteur; à déposer une pellicule de matière conductrice sur la pellicule de nitrure de silicium, à éliminer sélectivement la pellicule de matière conductrice et la pellicule de nitrure de silicium pour former des fenêtres dans ces pellicules, exposant des parties de la surface implantée du substrat de silicium semi-conducteur et à diffuser des impuretés dans le substrat de silicium semi-conducteur tout en maintenant pratiquement toutes les impuretés implantées à la surface du substrat, au-dessous de ce qui reste de la pellicule de nitrure de silicium. La pellicule de nitrure de silicium est produite principalement par une opération de dépit de vapeur chimique dans laquelle un gaz contenant du silicium, par exemple SiH4 est mis en contact avec de l'ammoniac. La pellicule de nitrure de silicium formée par cette opération est utilisée comme pellicule isolante des transistors MIS et comme pellicule de protection superficielle du circuit intégré. Il s'est avéré qu'une pellicule formée par nitruration thermique du substrat de silicium, à savoir une pellicule de nitrure de silicium dans laquelle le silicium du substrat est directement nitrure évite efficacement la redistribution des ions implantés à partir de la surface semi-conductrice vers la pellicule de nitrure.La pellicule de nitrure de silicium men tonnée ci-dessus sera appelée ci-après une pellicule de nitrure de silicium thermique directe. La concentration superficielle des impuretés implantées exprimée en concentration moyenne dans la sur- face implantée du substrat de silicium diminue pendant le traite ment thermique de moins de 50 %, de préférence 20 Yi, sur la base de la quantité des ions implantés. L'opération de formation de la pellicule de nitrure de silicium thermique directe qui permet d'éviter la redistribution des ions implantés consiste à chauffer un substrat semi-conducteur de silicium dans une atmosphère contenant de l'azote jusqu' une tempe rature de 900 à 13000c, de préférence de 1000 à 120000. Ltatmos- phère contenant de l'azote peut consister en azote ou en un composé d'azote, par exemple de l'ammoniac ou de l'hydrazine (N2H4). Le composé d'azote est de préférence de l'ammoniac. De préférence1 une pellicule de nitrure de silicium thermique directe destinée à éviter la redistribution des impuretés peut titre formée en utilisant llatmosphère de nitruration dans laquelle des impuretés oxydantes telles que l'oxygène, de l'eau, de l'anhydride carbonique, etc... sont réduites à un niveau inférieur à 1 ppm et en réglant la température de nitruration dans la plage de 1200 à 1300#C. L'atmosphère de nitruration peut consister en un gaz inerte comme de llargon en plus de l'azote et/ou d'un gaz contenant de l'azote. Il est préférable de nettoyer complètement le substrat de silicium avant la nitruration, en le dégraissant dans un solvant organique, en le faisant bouillir dans une solution acide, de préférence d'acide sulfurique et nitrique, et en le décapant dans l'acide fluorhffl rique. Avant de former la pellicule de nitrure de silicium thermique directe, il est préférable de chauffer le substrat de silicium dans une atmosphère de gaz inerte à une température de 900 à 13000C. La constante diélectrique relative moyenne de la pellicule de nitrure de silicium thermique directe est presque 50 * supérieure à celle de la pellicule d'oxyde de silicium thermique. Des propriétés électriques autres que les propriétés diélectriques relatives de la pellicule de nitrure de silicium thermique directe sont similaires ou supérieures à celles de la pellicule de nitrure de silicium formée par déport de vapeur chimique, comme le montre le Tableau 1 ci-aprbs. La pellicule de nitrure de silicium thermique directe peut donc être utilisée comme pellicule d'isolement de grille des transistors MIS. Tableau Dépôt de vapeur Nitruration directe chimique Champ électrique 0,1 - 5 MV/cm 10,55 MV/cm maximal Charge moins de fixe par 5 x 1011 - 1013/cm2 5 x 1011 charges/cm2 unité de surface Cons tante diélectrique 5,0 - 6,0 La pellicule de nitrure de silicium thermique directe produit un effet remarquable de masquage, par exemple contre les acides, les solvants organiques et l'oxydation.Par conséquent, la surface de contact entre cette pellicule et le substrat de silicium ne peut entre contaminée par une solution d'attaque ou de nettoyage utilisée après l'implantation d'ions pour éliminer différentes pellicules formées pendant la production des transistors FINIS, alors que la pellicule de nitrure de silicium formée par dépôt de vapeur chimique ne peut éviter efficacement cette contamination. La pellicule de nitrure de silicium thermique directe est aussi dense que la pellicule la plus dense formée par dépôt de vapeur chimique. Entant donné sa forte densité et ses effets de masquage, la pellicule de nitrure de- silicium thermique directe peut éviter avantageusement l'infiltration d'ions de sodium, etc.. à partir d'une pellicule de bioxyde de silicium à la surface de contact entre la pellicule de nitrure et le substrat de silicium. Cependant, les propriétés évidentes de la pellicule de nitrure de silicium thermique directe ne peuvent expliquer pourquoi la redistribution des impuretés implantées est évitée depuis le substrat de silicium vers la pellicule de nitrure. Comme cela a déjà été expliqué, des impuretés présentes N la surface du substrat de silicium sont considérablement redistribuées dans la pellicule de bioxyde après le traitement thermique. Cette tendance à la redis tribution après le traitement thermique à 12000C dans une atmosphère d'oxygène sec s'exprime par la formule Ns / Nb 0,04 où Ns et Nb désignent la toneentration des impuretés, par exemple de bore respectivement à la surface et dans la partie ne comprenant pas la surface du substrat de silicium.Par conséquent, quand le substrat de silicium est recouvert d'une pellicule de bioxyde de silicium, avec une valeur Nb de 1 x 10 /cm3, la concentration de bore à la surface du substrat de silicium Ns est réduite à 4 x 10 14/cm3 après le traitement thermique précité. Au contraire, si la pellicule de nitrure de silicium thermique directe est for mée sur le substrat de silicium selon l'invention, le rapport Ns/ Nb est supérieur à environ 0,7. La redistribution des impuretés est donc négligeable comparée à celle qui se produit entre le substrat de silicium et la pellicule de bioxyde de silicium.La redistribution des impuretés est également négligeable quand le substrat de silicium est chauffé avec la pellicule de nitrure de silicium thermique directe dans une atmosphère d'hydrogène alors que cette redistribution est considérable quand le même substrat est chauffé dans la meme atmosphère avec le bioxyde de silicium. La pellicule de nitrure de silicium thermique directe utilisée pour les grilles des transistors MIS et pour faire passer les ions d'implantation selon la technique de dopage de canal a de préférence une épaisseur de l'ordre de 20 à 100 Angströms. L'énergie des ions implantés est de l'ordre de 20 à 40o keV, en fonction de la tension seuil du canal du transistor MIS. Cette énergie présente l'avantage d'entre réduite en raison de la faible épaisseur de la pellicule de nitrure de silicium. Il résulte de l'implantation d'ions sous l'énergie indiquée ci-dessus à travers la pellicule de nitrure thermique directe de l'epaisseur précitée que la tension seuil établie par la quantité des ions implantés n'est pas réduite par la redistribution de ces ions pendant le traitement thermique. Si l'épaisseur de la pellicule de nitrure de silicium mentionnée ci-dessus n'est pas suffisante pour I'épaisseur d'une pellicule d'isolement de grille, il est nécessaire de former sur la pellicule de nitrure de silicium thermique directe une pellicule isolante supplémentaire de bioxyde de silicium ou de nitrure de silicium par dpôt de vapeur chimique.Si l'épaisseur du nitrure de silicium est de l'ordre de 20 à 100 Angströms une matière conductrice, par exemple de silicium polycristallin dopé peut être formée directement sur la pellicule de nitrure et peut entre utilisée comme électrode de grille des transistors à effet de champ MIS. Le nitrure de silicium peut se comporter comme un très bon masque contre la diffusion des impuretés que contient l'électrode de grille, vers le substrat semi-conducteur. Les conditions préférées pour régler la tension seuil sont les suivantes. A. Contre de tension seuil d'un transistor à effet de champ MIS du type enrichi. (i) Résistivité du substrat de silicium du type P : 0,1 à 30 ohms/cm. (2) épaisseur de la pellicule de nitrure de silicium thermique directe : 20 à 100 Angstroms, (3) Anergie des ions de bore : 20 à 400 keV. (4) Quantité d'impuretés implantées de conductivité du type P : 1015 à 10 18/cm3. (5) Tension seuil : 0 à 1 volt. B. Contrôle de tension seuil de transistors à effet de champ: MIS du type appauvri. (1) Résistivité du substrat de silicium du type P : 0,1 à 30 ohms/cm. (2) épaisseur de la pellicule de nitrure de silicium thermique directe : 20 à 100 Angstroms. (3) Energie des ions d'arsenic : 30 à 400 keV. (4) Quantité d'impuretés implantées de conductivité du type N : 1015 à 2 x 1018/cm3. (5) Tension seuil : -3 à 0 volt. Le chauffage après l'implantation d'ions peut se faire simultanément avec une opération ultérieure de diffusion thermique pour un dopage d'impuretés, par exemple dans 1'électrode de grille ou les régions de source et de drain des transistors MIS. Pour la fabrication mentionnée précédemment des circuits intégrés du type MIS en mode enrichi/appauvri, les transistors en mode enrichi et en mode appauvri sont produits en implantant générale ment des ions de bore et de phosphore de manière que l'un de ces modes de transistors soit exposé sélectivement par une pellicule de masquage. Les ions d'impuretés peuvent etre implantés unique- ment par la pellicule de nitrure de silicium thermique directe, comme indiqué ci-dessus, et peuvent aussi être implantés à travers cette pellicule et une pellicule conductrice déposée sur elle. La pellicule conductrice est en aluminium, en silicium polycristallin ou en autres métaux, mais de préférence en silicium polycristallin et elle est utilisée pour l'électrode de grille des transistors MIS.L'implantation d'ions à travers la pellicule de nitrure et la pellicule conductrice est plus avantageuse que l'implantation à travers la pellicule de nitrure uniquement en raison du fait que la pellicule conductrice évite la légère élimination de la mince pellicule de nitrure qui se produit autrement pendant le nettoyage de cette dernière à la dernière implantation. L'énergie des ions d'impuretés implantés à travers la pellicule de-nitrure et la pellicule conductrice doit entre réglée à un niveau élevé dans la plage précitée, c'est à dire de 20 à 400 keV, en fonction du type et de líépaisseur de la pellicule conductrice d'électrode de grille. Le nitrure de silicium thermique direct qui laisse passer les ions d'impuretés permet d'augmenter le rendement en fabrication ou de récupérer des composants semi-conducteurs car les charges électriques formées dans cette pellicule par l'implantation sont réduites en raison de la nitruration thermique directe. Il en résulte que les dommages ou les ruptures de la pellicule de nitrure sont réduits en raison de la diminution des charges électriques. Les ions d'impuretés peuvent entre implantés indirectement dans le substrat de silicium à travers la pellicule de nitrure de silicium thermique directe ou à travers cette pellicule de nitrure et une pellicule conductrice, comme cela a été mentionné ci-dessus. Cependant, les ions d'impuretés peuvent entre directement implantés dans le substrat de silicium et la pellicule de nitrure de silicium thermite directe peuvent etre formés ensuite sur le substrat de silicium implanté. Pendant le traitement thermique d'activation des impuretés implantées directement et la correction des dommages au substrat ainsi que pendant le traitement thermique après l'implantation indirecte d'ions dans le substrat de silicium, la pellicule de nitrure thermique directe permet d'éviter la redistribution des impuretés. Le procédé selon l'invention s'applique de préférence à la production de circuits intégrés du type MIS car les impuretés audessous de l'électrode de grille de ces circuits peuvent Autre strictement contsôlées. Mais les procédés courants d'implantation d'ions à travers la pellicule de nitrure de silicium, par exemple les opérations de production des éléments de circuits intégrés bipolaires ou de composants individuels tels que des transistors et des diodes peuvent aussi être remplacés par le procédé selon l'invention. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de plusieurs exemples de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels les figures 1 à 5 sont des coupes d'un substrat de silicium semi-conducteur sur lequel sont formés divers éléments et un transistor à effet de champ > TlS, et la figure 6 est une courbe montrant la relation entre la dose et la concentration superficielle Ns de bore. Exemple 1 La figure 1 montre donc un substrat 1 de silicium semi-conducteur du type P, d'une résistivité de 20 ohms/cm portant une pellicule isolante 2 en bioxyde de silicium Spi02 d'une épaisseur de quelques milliers d1Ângstroms. Une entre a été formée dans la pellicule isolante 2 de manière à exposer une partie de surface du substrat 1 dans laquelle un transistor MIS doit castre formé. La surface exposée du substrat de silicium à travers la fenetre de la pellicule isolante 2 a été nettoyée en plongeant tout le substrat dans une solution d'acide fluorhydrique. Le substrat 1 représenté sur la figure i a été chauffé jusqu'à une température d'environ i2000C, dans une atmosphère contenant 100 % d'ammoniac. La surface exposée du substrat de silicium 1 est nitrurée directement par l'atmosphère contenant de l'ammoniac. La pellicule isolante 2 est utilisée comme masque de nitruration. Une pellicule 3 de nitrure de silicium (figure 2) d'une épaisseur de 100 Angstroms est formée dans la partie de surface du substrat de silicium exposée dans la entre. Autrement dit, l'azote de l'atmosphère imprègne le substrat de silicium 1- et une réaction de formation de nitrure se produit pendant l'imprégnation. Ensuite, des faisceaux d'ions de bore B+ désignés par 4 sur la figure 2 sont implantés avec une énergie d'environ 40 keV dans le silicium semi-conducteur, à travers la mince pellicule 3 de nitrure de silicium. La pellicule isolante épaisse 2 masque le silicium sous-jacent contre l'implantation des ions de bore de sorte que la couche implantée 5 n'est formée qu'au-dessous de la mince couche de nitrure 2. Le silicium semi-conducteur au-dessous de la couche épaisse 2 est utilisé pour la région de champ entourant le transistor MIS. La dose de dopage des ions de bore est 5 x 10 jcm dans la couche d'implantation 5. Le substrat de silicium 1 implante est ensuite soumis à un traitement thermique normal à une température d'environ 1000C pendant une période de 30 minutes. Le but de ce traitement thermique est d'activer électriquement les impuretés implantées et de rdta- blir ou de corriger l'arrangement atomique du substrat. Une pellicule 6 de bioxyde de silicium Si02 (figure 3) est déposée sur la pellicule 5 de nitrure de silicium par un procédé connu de dépôt de vapeur chimique jusqu'à une épaisseur de 500 Angstroms. L'épaisseur totale des pellicules 3 et 6 correspond à l'épaisseur nécessaire pour la pellicule d'isolement de grille formée sur la région de canal du transistor MIS. La pellicule 7 de silicium polycristallin de l'électrode de grille du transistor est ensuite déposée sur toute la surface supérieure du substrat 4 selon une technique connue de décomposition de monosilane, et comme le montre la figure 3. Les opérations de production du transistor MIS des fiacres l à 5 sont exécutées selon une technique courante. Selon la figure 4, la pellicule 7 de silicium polycristallin et les pellicules d'isolement de grille 6 et 3 snnt éliminées sélectivement par photogravure et une pellicule 8 de verre au phosphosilicate est déposée sur toute la surface supérieure du substrat 1. Ce dernier est ensuite chauffé jusqu'à une température d'environ 10000C. Une impureté du type N, à savoir du phosphore que contient la pellicule 8 est diffusée pendant le chauffage dans le substrat 7 de manière à former des régions 9 et 10 de source et de drain du type N. Des fenêtres sont formées dans la pellicule de verre 8 et une partie des régions 9 et lo de source et de drain est exposée par chacune de ces fen#tres. Des électrodes il et 12 de source et de drain sont formées par dépôt sous vide d'aluminium et en éliminant ensuite sélectivement se métal de manière à produire, comme le montre la figure 5 les électrodes d'aluminium en contact avec les régions exposées. La tension seuil ainsi obtenue est i volt. Exemple 2 Les opérations de l'exemple @ sont répétées, sauf que la pellicule 7 de silicium polycristallin est déposée directement sur la pellicule de nitrure de silicium thermique directe 3. nergie des ions de bore 4 est 25 keV La même tension seuil que dans l'exem- ple 1 est obtenue. Exemple 3 Dans cet exemple, l'implantation-d'ions est effectuée après la formation de la pellicule 7 de silicium polycristallin (figure 3) dont l'épaisseur est 3000 Angstroms. Les opérations de cet exemple sont les mêmes que celles de l'exemple 1, sauf pour les points suivants A. La pellicule 7 de silicium polycristallin est disposée directement sur la pellicule 3 de nitrure de silicium thermique directe d'une épaisseur de 90 Angströms. B. L'énergie des ions de bore est 170 keV. C. La dose des ions de bore est 5 x 1011/cm2. Les résultats obtenus avec un transistor MIS dans cet exemple sont pratiquement les mêmes que ceux de exemple 1. Exemple 4 Un morceau d'un substrat de silicium du type P (loto) d'une résistivité de 3 à 5 ohms/cm est soumis à la formation directe de nitrure de silicium. Le substrat de silicium est plongé dans une solution à 40 % d'acide fluorhydrique et complètement séché ensuite dans une atmosphère d'azote. Le substrat de silicium sec est placé dans un tube de quartz dans lequel circule de l'argon. Un mélange gazeux de 70 % d'argon et de 30 % d'azote est complètement purifiez de manière que les gaz oxydants tels que O2, CO2, H2O, etc.. soient réduits à un niveau inférieur à l ppm.Ce mélange gazeux circule ensuite dans le tube de quartz avec un débit de 3000 cc/min, en contact avec le substrat de silicium à une~ température d'environ 12000C. Une pellicule de nitrure de silicium est formée sur le substrat jusqu'à une épaisseur de 100 Angströms. Des ions de bore sont implantés à travers le nitrure de silicium avec une énergie de 40 keV, à une dose de 5 x 1013/cm2. Des jonctions N+P, séparées les unes des autres, sont produites entre le substrat de type P et la couche du type N+ implantée de bore. Le substrat de silicium traité de la manière décrite ci-dessus est chauffé ou recuit à 1100 C pendant une période de 30 minutes.La tension d'avalanche des knetions N+P est 6,6 volts + 0,2 volt. Au lieu d'une pellicule de nitrure thermique directe, une pellicule de bioxyde de silicium d'une épaisseur de 100 Angstroms est formée sur le substrat de silicium selon une technique courante d'oxydation thermique. la tension d'avalanche des jonctions N+P produite par l'implantation d'ions suivie par le recuit mentionné ci-dessus est 8,7 volts F 0,5 volt. La faible tension d'avalanche des jonctions N+P formées par l'implantation d'ions à travers la pellicule de nitrure de silicium thermique directe indique que la concentration en surface du bore n'est pas réduite substantiellement après le recuit. La dispersion de la tension d'avalanche des jonctions est inférieure dans les jonctions selon l'invention que dans celles produites par implantations d'ions à travers une pellicule d'oxyde courante. Ce fait indique que les ions d'impuretés sont implantés dans un substrat de silicium à travers la pellicule de nitrure thermique directe plus uniformément qu travers la pellicule d'oxyde. Exemple 3 Des substrats de silicium sur des plaquettes sont groupés en quatre lots, comme le montre le Tableau 2, en fonction de la concentration en bore dans la masse des substrats (Nb). Lot P Nb (cm-3) Ns(cm-3) Ns/Nb (moyen) 1 2,8 à 3,2 x 1015 2,1 à 3,4 x 1015 0,92 2 1,8 à 2,0 x 1016 1,2 à 2,0 x 1016 0,84 3 1,8à 2,1 x 1016 1,3 à 1,7 x 1016 0,77 4 1,7 x 1016 1,6 à 2,2 x 1016 0,89 Chaque lot contient de la å 20 substrats. Le nitrure de silicium thermique direct est formé sur les substrats en les chauffant à 12000C pendant une période de 30 minute. Ces substrats sont ensuite chauffés à une température de 1100 à 1150 C pendant 15 à 90 minutes dans une atmosphère d'oxygène. La concentration de bore à la surface des substrats est mesu rée après le chauffage précité et apparaît dans la colonne Ns du Tableau 2. Ce Tableau montre également la moyenne des rapports Ns/Nb des substrats de chaque lot. Il ressort clairement de ces rapports que la concentration superficielle de bore n'est pratiquement pas redistribuée dans le nitrure silicium sous L'effet du traitement thermique et que de plus, les impuretés qui sont toujours présentes à la surface du substrat avant la formation du nitrure de silicium ne sont pas redistribuées dans le nitrure. Exemple 6 La relation entre la concentration superficielle de bore Ns et la dose des ions de bore est étudiée dans cet exemple dans les conditions suivantes. Energie des ions 40 keV Epaisseur de la pellicule de nitrure de 90 Angstroms silicium thermique directe Température de chauffage après la formation du nitrure de silicium ci-dessus 1000 à 11500C La figure 6 montre la relation mentionnée ci-dessus. La valeur Ns dépend de façon linéaire de la dose et peut titre 1017/cm3 ou davantage. La valeur Ns est à peu près double de celle obtenue par implantation d'ions à travers la pellicule d1 oxyde classique. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées au procédé décrit et illustré à titre d'exemple nullement limitatif sans sortir du cadre de l'invention. RE# INDICATIONS l - Procédé de production d'un composant semi-conducteur, particulièrement d'un transistor à effet de champ du type à métal-isolant-semi-conducteur, comprenant une opération d'implantation d'ions d'impuretés dans un substrat de silicium semi-conducteur et une opération de chauffage du substrat de silicium semi-conducteur implanté, procédé caractérisé en ce qu'il consiste également à former une pellicule de nitrure de silicium, particulièrement une pellicule d'isolement de grille dudit transistor à effet de champ à métal-isolant-semi-conducteur sur ledit substrat de silicium semi-conducteur par nitruration thermique directe du silicium du substrat et, en raison de cette nitruration thermique directe, à maintenir après ladite opération de chauffage, pratiquement toute la dose d'ions d'impuretés implantés à la surface dudit substrat de silicium semi-conducteur. 2 - Procédé selon la revendication l, caractérisé en ce que lesdits ions d'impuretés sont implantés à travers ladite pellicule de nitrure de silicium. 3 - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdits ions d'impuretés sont implantés à travers une pellicule de matière conductrice déposée sur ladite pellicule de nitrure de silicium, puis à travers ladite pellicule de nitrure de silicium. 4 - Procédé selon la revendication l, caractérisé en ce que lesdits ions d'impuretés sont implantés directement dans ledit substrat de silicium semi-conducteur. 5 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'épaisseur de ladite pellicule de nitrure de silicium se situe entre 20 et 100 Angströms de préférence entre 50 et 100 Angstroms. 6 - Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'énergie desdits ions dlimpuretés est comprise entre 100 et 400 keV, et de préférence entre 20 et 200 keV. 7 - Pellicule de nitrure de silicium, caractérisée en ce qu'elle est réalisée par le procédé selon l'une quelconque des revendications i à 5, et destinée à interdire la redistribution d'ions d'impuretés implantés à partir d'un substrat semi-conducteur vers la pellicule de nitrure de silicium pendant le chauffage du substrat semi-conducteur Jusqu'd une température qui active électriquement lesdits ions dtimpuretds et qui corrige les dommages apportés au substrat semi-conducteur par l'implantation d'ions.