Brevet FR2458903A1 — publié le 19810102

La présente invention concerne un procédé et un dispositif pour la réduction des réactions thermiques dans les circuits intégrés monolithiques. Il est de pratique courante, en technique électronique, de réaliser par intégration monolithique, c'est-à-dire sur un cris- tal de semiconducteur unique, des dispositifs complexes dont certaines parti2s sont amenées à dissiper des quantités de cha- leur élevées. Il est fréquent en outre, que d'autres parties du circuit, qui dissipent des puissances calorifiques plus faibles, soient sensibles à la température. Dans ce cas, le fonctionne- ment du circuit se trouve perturbé. Cette réaction thermique peut limiter les performances des dispositifs réalisés par in- tégration monolithique, et il est donc important de pouvoir l'éliminer. En outre, les quantités de chaleur dissipée dans certains éléments peuvent être très variables dans le temps, de sorte que le circuit entier est soumis à des chocs thermiques préjudiciables à une bonne fiabilité du dispositif. Un procédé connu pour obtenir une diminution des réactions thermiques dans de tels circuits intégrés monolithiques con- siste à réaliser en même temps que le dispositif, et sur le même cristal de semiconducteur, un régulateur de température. Un dispositif mettant en oeuvre ce procédé est schématisé en figure 1. Sur le cristal de semiconducteur 1, sont implantés un élément ou sousensemble 2 servant de sonde thermométrique, un sous-ensemble 3 dont la sortie constitue la valeur de con- signe, et un amplificateur 4 comparant les valeurs données par la sonde thermométrique et par la consigne et commandant un élément 5 capable de dissiper de la puissance thermique. La zone 6 schématise l'ensemble des dispositifs dissipateurs de puissance thermique variable dont les effets sur le reste du cristal semiconducteur sont perturbateurs. Dans un tel dispo- sitif, l'amplificateur 4 réagit de telle manière que la tempé- rature du cristal 1 soit maintenue sensiblement constante lors- que la puissance dissipée dans la zone 6 varie. Pour cela, lorsque la puissance dissipée dans la zone 6 augmente, la tem- pérature du cristal tend à augmenter, ce qui provoque une di- minution de la puissance dissipée par l'élément 5 qui rétablit l'équilibre thermique. En d'autres termes, la puissance totale 2 2458903 dissipée par les zones 5 et 6 est sensiblement constante. Ce procédé, qui permet de supprimer la réaction thermique, présente cependant certains inconvénients: l'ensemble du cris- tal doit être maintenu en permanence à la température la plus élevée qu'aurait pu atteindre occasionnellement le dispositif dans la zone 6 seule, ce qui est néfaste pour la fiabilité. De plus, l'ensemble des zones 5 et 6 doit dissiper en permanence la puissance maximale que la zone 6 aurait pu être amenée à dissiper seule, ce qui produit une consommation d'énergie élevée. Dans de nombreux circuits, il n'est pas nécessaire que la température reste constante dans le cristal de semiconducteur pour éliminer les effets de la réaction thermique. En particu- lier, il peut être suffisant, pour de nombreuses applications, de supprimer l'effet des chocs thermiques en réduisant la vi- tesse de variation de la température et non son amplitude maximale. De même, dans le cas des amplificateurs pour audio- fréquences, o la puissance dissipée par l'étage de sortie peut influer sur les étages d'entrée, le signal parasite qui en ré- sulte n'est pas gênant si sa fréquence est suffisamment faible pour être inaudible. La présente invention concerne de tels dispositifs, dans lesquels seules les variations brusques de température sont gênantes. Elle prévoit un dispositif pour éliminer ces varia- tions brutales de température, qui permette en outre de consom- mer moins de puissance et de produire une température moins élevée que les dispositifs précédemment décrits. Pour atteindre ces objets ainsi que d'autres, la présente invention prévoit un dispositif pour la réduction de variations de température comportant des moyens de dissipation d'énergie et des moyens de commande, lesdits moyens de commande forçant à court terme les moyens de dissipation de façon à compenser momentanément les variations brusques de température. Selon un autre aspect de l'invention, les moyens de com- mande et de captage de température comprennent un transistor bipolaire en contact thermique avec le cristal de semiconduc- teur, et un condensateur branché entre la base et l'émetteur dudit transistor. Selon un autre aspect de l'inven2ion, il est prévu que l'ensemble des éléments du circuit, sauf la source d'alimen- tation et le condensateur, soit réalisé sous forn1e intgrae sur le mrmte cristal de semiconiducteur. Selon un autre aspect de la présente invention, dans un cristal monolithique conducteur de chaleur colprenant une prei-.iere zone A protéger et une seconde zonie érLettrice d'éner- gie calorifique perturbatrice, il est préva de disposer entre la zone à protéger et la zone émettrice au moins un dispositif selon l'invention. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers, faite en relation avec ls igures jointes parmi lesquelles: - la figure 1 est destinée à illustrer un dispositi de l'art antérieur; - la figure 2 représente schématiquement la disposition du dis- positif selon l'invention placé entre les zones à protéger et les zones productrices d'énergie perturbatrice; - la figure 3 représente le circuit selon l'invention; et - la figure 4 représente des formes d'ondes destinées à servir de support à la description du fonctionnement du circuit selon la présente invention. La figure 2 représente la disposition des différentes zones sur le cristal semiconducteur. Sur un même cristal 10, on a représenté une première zone 11, constituée par les éléments du dispositif que l'on doit protéger contre les variations brus- ques de température. La zone 12 correspond aux éléments dissi- pateurs d'énergie perturbatrice qui émettent une énergie calo- rifique variable. Cette énergie se propage avec une certaine vitesse dans le cristal 10 en direction de la zone 11 à pro- téger. On dispose au voisinage de cette zone 11, et du côté de la zone 12, le dispositif selon l'invention schématiquement re- présenté par la zone 13, dont le rôle est de compenser les va- riations rapides de puissance thermique transmises à la zone 11. De façon à réaliser lune compensation qui soit toujours en phase avec les variations de la puissance émise par la zone 12, il est essentiel de placer cette zone 13 entre la zone émettrice -4 2458903 et la zone à protéger. Le dispositif de la zone 13 est constitué notamment d'un sous-ensemble dissipateur d'énergie commaidé par un sous- ensemble de commande qui, en fonction de la température de la zone mesurée par des moyens sensibles à la température, forcent à court terme l'état du. sous-ensemble dissipateur de façon à compenser momentanément-les variations de cette tem- pérature. L'action des moyens de commande n'est effective que pendant une durée brève et prédéterminée, c'est-à-dire que la compensation de température ne se poursuit pas au-delà de cette durée. Ainsi, si la zone 12 est le siège d'une pointe de dissipation thermique de courte durée, le dispositif de la zone 13 réagit en diminuant pendant cette même courte durée l'énergie dissipée par son sous-ensemble dissipateur. Par contre, si l'énergie émise par la zone 12, en partant d'un certain niveau moyen, augmente lentement et s'établit à LU niveau moyen plus élevé, le dispositif de la zone 13 n'oppose aucune réaction, l'énergie dissipée par le sous-ensemble dis- sipateur est la même avant et après la modification. Cette disposition permet de réaliser une compensation ef- ficace des effets des variations rapides de puissance pertur- batrice sans nécessiter une dissipation calorifique importante dans la zone 13. En effet, les éléments dissipateurs de cette zone sont amenés à dissiper en régime continu une puissance au plus égale à la valeur de crête de la variation de puissance émise par la zone 12. Plus exactement, le dispositif 13 peut ne compenser que la valeur crête de la variation de puissance, émise par la zone 12, qui transite au voisinage de la zone 13 vers la zone à protéger 11. Du fait de l'éloignement relatif des zones 12 et 13, cette valeur crête de puissance à compenser est plus faible. Ainsi, -un dispositif de l'art antérieur tel que celui de la figure 1 nécessite une dissipation de l'élément. régulateur au moins égale à la valeur crête-crête de la varia- tion de puissance de la zone perturbatrice, alors que le dis- positif selon la présente invention permet une compensation efficace tout en ne dissipant qu'une fraction de lavaleur crête de la variation de puissance de la zone perturbatrice. La figure 3 représente en détail le dispositif qui est placé dans la zone 13 de la Figure 2. Ce dispositif comprend un sous- ensemble 21 dissipateur d'énergie, cormuandé par un sous-ensemble 22 dont le rôle EYst de commnander suivant la température diu cris- tal semiconducteur la puissance dissipée par l'ensemble 21, et une source d'alimentation 23. Selon le mode de réalisation représenté, l'élément de dis- sipation thermique 21 est constitué d'un transistor à jonction bipolaire 24 de type NPN, dont l'émetteur est relié à la borne négative de la source d'alimentation 23 et le collecteur est relié à la borne positive de la même source. Le sous-ensemble de commande 22 est constitué d'un second transistor 25 de type NPN, dont l'émetteurt est relié à la borne négative de la source d'alimentation 23, dont le collecteur est relié à la borne po- sitive de la source d'alimentation 23 par l'intermédiaire d'une résistance de forte valeur 26, et dont la base est reliée au collecteur par l'intermédiaire d'une résistance 27. Une capaci- té 28 est en outre connectée entre la base et l'émetteur de ce transistor. Le collecteur du transistor 25 est connecté à la base du transistor dissipateur d'énergie 24. Le fonctionnement de ce circuit est le suivant: En régime établi, c'est-àdire en l'absence de perturbations en provenance des zones productrices d'énergie calorifique va- riable, presque tout le courant traversant la résistance 26 tra- verse le transistor 25. Le collecteur de ce dernier est donc à un potentiel un peu plus élevé que sa base. En conséquence, le transistor 24 est conducteur et dissipe une certaine puissance. Si la puissance dissipée par la zone 12 de la figure 2 aua- mente rapidement, sa température augmente. Cette augmentation se propage dans tout le cristal de semiconducteur et atteint la zone 13 et le transistor 25. La tension entre base et émetteur de ce transistor est maintenue presque constante à court terme par le condensateur 28. Or il est bien connu qu'un transistor bipolaire maintenu dans ces conditions voit sa tension émetteur collecteur diminuer rapidement. Ainsi, le transistor 25, sous l'effet de l'augmentation de température, réagit de façon à ce que la tension entre son émetteur et son collecteur diminue rapidement. Par conséquent, la différence de potentiel entre la base et l'émetteur du transistor 24 diminue, ce qui entraîne - 6G 2458903 une réduction du courant collecteur du transistor 24 et de la' puissance therriquLe dissipée dans ce transistor. Si eau contraire la dissipation th1ermicque de la zone 12 di- :li1nuait, la dissipation de la zone 24 augmenterait en même temps, ayant pour effet de maintenir faible à court terme la variation de température du transistor 25. L'effet régulateur du dispositif est maintenu pendant un temps a-ui dépend de la valeur de la capacité 28. En effet, aux bornes de cette capa- cité, la tension ne peut varier instantanément. Le transistor 25 est donc polarisé entre base et émetteur par une tension momentanément constante, tant que la charge de la capacité 28 n'a pas varié. Ainsi, dans le cas d'une réaction du dispositif à une augmentation de la puissance perturbatrice, le courant traversant le collecteur du transistor 25 a tendance g aug- menter, ainsi que son courant de base. Ce courant provient de la résistance 26 de forte valeur en série avec la tension d'alimentation 23 qui agissent comme une source de courant. Cela provoque une décharge progressive de la capacité 28. Au cours de cette décharge, le dispositif revient progressivement 2G à son état de départ, c'est-à-dire que le courant traversant le transistor 25 est de nouveau voisin du courant fourni par la source de courant formée par les éléments 26 et 23, et la puissance dissipée dans le transistor 24 est ramenée à son ni- veau initial. Le dispositif selon la présente invention permet ainsi de compenser les variations rapides de puissance dissipée, cette compensation étant limitée dans le temps. Lorsque la zone perturbatrice 12 émet des perturbations successives, par exemple de formes sinusoïdales, le dispositif est capable de compenser ces variations sinusoïdales car la capacité 28 se charge et se décharge au rythme de ces variations. Le fonctionnement du circuit de la présente invention est illustré a la Figure 4 sur laquelle la courbe (1) représente les variations de puissance calorifique présentes au voisinage de la zone 13 et provenant de la zone perturbatrice 12. On a représenté d'une part un échelon positif de puissance, et d'autre part une suite sinusoïdale de variations de cette puis- sance. La courbe (2) représente les variations instantanées de puissance dissipée par le transistor 24 en réponse aux varia- tions de puissance de!a courbe (1). On remarque en particulier que les variations de puissance sinusoïdales de la zone 12 donnent lieu à des variations de puissance sinusondales en phase opposée du transistor 24 de manière que la somme instantane de ces deux puissances soit sensiblement constante. Sur la courbe (3), on a représenté la température au voisinage de la zone 13; L'échelon de puissance donne lieu à une réponse en température d'allure exponentielle qui se stabilise au bout d'un certain temps à une température plus élevée. Par contre les variations sinusoïdales rapides de puissance ne donnent lieu à aucune va- riation de température. Ainsi, la zone 11 à protéger ne subit pas de variation rapide de sa température. Les éléments du dispositif selon la présente invention peuvent être réalisés sous forme d'éléments discrets, les tran- sistors 24 et 25 étant reliés thermiquement au substrat de base dont les variations de température doivent être régulées. Il est en effet possible d'utiliser un dispositifs selon la présente invention pour réduire les chocs thermiques dans un substrat conducteur de chaleur qui ne constitue pas un substrat semicon- ducteur o ledit dispositif est intégré. Il convient alors de réaliser une liaison thermique entre le substrat et, d'une part le moyen dissipateur de chaleur du dispositif, et d'autre part le moyen sensible à la température. Dans le cas o le moyen de dissipation est constitué d'un transistor 24 et le moyen sen- sible à la température est constitué d'un transistor 25, les boitiers des deux transistors doivent être en contact thermique avec le substrat. Dans les applications de circuit intégré monolithique, un tel dispositif peut être réalisé sous forme d'éléments intégrés dans le cristal de semiconducteur, la capacité 28 et la source d'alimentation 23 pouvant être maintenues extérieures au cir- cuit intégré. La présente invention, décrite selon un mode de réalisation particulier, est susceptible de variantes. Par exemple, la source de courant constituée par la résistance 26 en série avec la source d'alimentation 23 peut être constituée par tout autre moyen bien connu dans la technique des circuits intégrés. La présente invention n'est pas limitée aux modes de réali- s 2458903 sation oui ont été explicite.nt décrits mais en inclut di- verses variantes et modifications accessibles à l'homnme de l'art. REVENDICATIONS 1 - Dispositif pour la réduction des variations de température dans un substrat conducteur de la chaleur compre- nant des moyens sensibles à la température du substrat et des moyens dissipateurs de chaleur en contact thermique avec le substrat, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens de commande reliant les moyens sensibles à la température aux moyens dissipateurs de façon à amener ces derniers à modifier leur dissipation seulement pendant des variations de tempéra- ture et en sens inverse de ces variations, la dissipation res- tant à un niveau constant quand la température est stable, quelle que soit cette température stable. 2. - Dispositif selon la revendication, caractérisé en ce que les moyens de dissipation sont réalisés sous forme d'un transistor bipolaire en contact thermique avec le substrat et connecté à une source de tension. 3. - Dispositif selon la revendication 2 sur substrat semiconducteur pour circuit intégré, caractérisé en ce que le- dit transistor est réalisé sous forme intégrée sur le substrat. 4. - Dispositif selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 3, caractérisé en ce que les moyens de commande et les moyens sensibles à la température comprennent un transistor de type bipolaire à jonction en contact thermique avec le sub- strat, et un condensateur branché entre la base et l'émetteur dudit transistor. 5. - Dispositif selon la revendication 4 sur substrat de semiconducteur pour circuit intégré, caractérisé en ce que le transistor de commande est réalisé sous forme intégrée sur le substrat. 6. - Dispositif selon l'une des revendications 4 ou , caractérisé en ce que le transistor de commande est polarisé entre son émetteur et son collecteur par une source de courant. 7. - Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que la source de courant est réalisée par une résistance de forte valeur en série avec la source de tension de polarisa- tion du transistor bipolaire de dissipation. - 10 - 8 - Dispositif selon l'une quelconque des revendica- tions 4 à 7, caractérisé en ce que l'émetteur du transistor de dissipation est relié à l'émetteur du transistor de commande, et en ce que le collecteur du transistor de commande est relié à la base du transistor de dissipation. 9 - Dispositif selon l'une quelconque des revendica- tions 2 à 8, caractérisé en ce qu'il est réalisé sous forme intégrée, seules la source d'alimentation et la capacité étant extérieures au circuit intégré. 10 - Procédé de réduction des réactions thermiques dans un substrat conducteur de chaleur comprenant une zone à protéger et une zone émettrice d'énergie calorifique, caractérisé en ce qu'il consiste à disposer entre la zone à protéger et la zone émettrice un moyen détecteur de la température et un dispo- sitif dissipateur de la chaleur, un moyen de commande associant le moyen détecteur et le moyen dissipateur pour que la dissipa- tion de ce dernier varie en sens inverse des variations de tem- pérature détectées par le moyen détecteur et reste constante quand la température est stable, quelle que soit cette tempé- rature stable.