Brevet FR2458894A1 — publié le 19810102

"Dispositif pour tracer des configurations dans une couche sur un substrat à l'aide d'un faisceau de particules chargées électriquement." L'invention concerne un dispositif per- mettant de tracer des configurations dans une couche sur un substrat à l'aide d'un faisceau de particules chargées élec- triquement, dispositif muni d'une source servant à engendrer O5 le faisceau, d'un système à lentilles pour la focalisation du faisceau de particules chargées sur la couche, et de mo- yens servant à déplacer le faisceau et le substrat, l'un par rapport à l'autre dans des directions perpendiculaires à l'a- xe du faisceau. Un tel dispositif peut être utilisé pour irradier certaines régions sensibles aux électrons à l'aide d'un faisceau d'électrons de façon que, soit lesdites régions, soit le reste de la couche puissent être éliminés ultérieure- ment. D'autres possibilités d'application consistent dans l'élimination de régions sélectionnées d'une couche métalli- que ou dans l'implantation d'ions dans des régions sélection- nées d'une couche semiconductrice. Les techniques de ce genre sont utilisées entre autres pour la fabrication de micro-cir- cuits. Ces micro-circuits peuvent être des mémoires à domaines magnétiques ou des circuits électroniques intégrés. Le pouvoir analyseur pouvant être atteint avec un faisceau de particules chargées (qui est le plus souvent constitué par un faisceau d'électrons mais qui peut également être un faisceau d'ions), est supérieur à celui pouvant être atteint dans le cas d'uti- lisation de faisceaux de rayons électromagnétiques, par exem- ple la lumière ultra-violette. L'article "An Electron Beam Maskmaker" dans "I.E.E.E. Transactions on Electron Devices", Volume ED- 22, n0 7, Juillet 1975, pages 376 à 384 décrit un "dispoLtif traceur à rayons électroniques", c'est-à-dire un dispositif dans lequel une couche sur un substrat est exposée suivant une configuration déterminée à un faisceau d'électrons. Un tel dispositif permet de réaliser des masques pour micro-cir- cuits par la projection de configurations de circuits inté- grés ou de configuration de domaines magnétiques sur une cou- che d'un substrat, comme une plaque de silicium. De plus, un tel dispositif permet de tracer d'une façon directe des con- figurations de micro-circuits dans la couche. Pour la réalisation des micro-circuits, l'utilisation de faisceaux d'électrons offre, outre le pou- voir analyseur plus élevé, d'autres avantages, comparative- ment à l'utilisation de faisceaux optiques, notamment une plus grande souplesse et la possibilité de tracer des con- figurations étendues présentant de très petits détails. Le tragag direct avec un faisceau de particules chargées des micro-circuits dans une couche sur un substrat permet d'évi- ter plusieurs étapes opératoires dans le processus de réali- sation des micro-circuits, ce qui réduit le risque d'erreurs, Dans un dispositif de traçage utilisant un faisceau de particules chargées, il faut que ce dernier soit positionné très rigoureusement par rapport à la couche à traiter. Ce positionnement s'effectue par établissement de l'angle W entre le faisceau et l'axe du système à lentilles pour particules chargées. Pour atteindre la précision requi- se dans le positionnement, il faudrait que la hauteur de la couche à tracer par rapport au système à lentilles, soit très rigoureusement constante. En pratique, il se produit toujours des variations dans ladite hauteur par suite d'im- précisions du guidage du substrat par rapport au système de lentilles, par suite d'inégalités du substrat ou du fait de l'insertion répétée du substrat dans le disposi- tif detraçage après la sortie dudit substrat pour subir des étapes lithographiques du processus. Ainsi, il est néces- saire de pouvoir effectuer une mesure de la position de la couche à tracer par rapport au système à lentilles afin de pouvoir adapter l'angle de déviation qp à l'aide de cette me- sure. Comme le décrit le susdit article "An Electron Beam Maskmaker", il est possible d'appliquer à cet effet sur le substrat des repères additionnels, par exemple sous forme de petits carrés en métal lourd comme de l'or. Avant de tracer la configuration requise, les repères sont balayés par le faisceau et la dispersion des électrons par les repères est mesurée. On peut en déduire les positions réelles des repères, de sorte que les écarts de hauteur de la couche à tracer et le positionnement du faisceau sont con- nus pour les régions situées autour des repères. Une telle mesure de la hauteur présente comme inconvénient la nécessité d'effectuer des étapes opératoires additionnelles, notamment l'application de repères sur le substrat et le balayage de ces derniers avant l'inscription du tracé. De plus, l'appli- cation de repères risque d'affecter le comportement électri- que des dispositifs semiconducteurs à réaliser. On pourrait envisager de rendre "télécen- trique", le système de lentilles du faisceau de particules chargées, ce qui veut dire, ajouter au système une lentille additionnelle de façon que pour chaque position à traiter dans la couche, l'angle d'une lentille additionnelle complique le dispositif d'ins- cription. De plus, l'utilisation d'un système de lentilles rendu télécentrique implique un compromis à réaliser en ce qui concerne certains paramètres du système, comme le champ image ou l'angle d'ouverture. La présente invention vise à fournir un dispositif conçu pour tracer des configurations avec des par- ticules chargées, dans lequel la position de la couche à tracer est mesurée de façon continue par rapport au système à lentilles pendant le traçage sans qu'il soit nécessaire d'u- tilisée desrepères additionnels sur le substrat. Le disposi- tif conforme à l'invention est caractérisé par un système optique pour la mesure de la haueur afin de déterminer un écart se produisant entre la position requise et la position réelle du plan à tracer par rapport au système de lentilles pour particules chargées, systèmes de mesure de hauteur qui comporte une source de rayonnement délivrant un faisceau optique, des moyens optiques conçus pour diriger le faisceau optique vers ledit plan et pour focaliser ledit faisceau en une tache de rayonnement sur ledit plan, ainsi que pour for- mer une image de la tache de rayonnement dans le plan d'un détecteur de rayonnement optique, qui se trouve du même c8- té de la couche à tracer que la source de rayonnement opti- que, le signal de sortie du système de détection étant tri- butaire de la position par rapport audit système de détec- tion de l'image de la tache de rayonnement. Le faisceau optique parvient sur le subs- trat tout en formant avec celui-ci un grand angle d'incidence et est réfléchi par ledit substrat vers le détecteur. Le fasceau est focalisé dans un plan, qui coïncide avec la po- sition requise de la couche à tracer. Dans le cas d'une va- râtion de la hauteur de cette couche, la position de l'image formée sur le système de détection subit des variations. Il y a lieu de noter qu'il est connu de déterminer, dans des systèmes de reproduction optique, la position d'un plan prévu pour la reproduction, à l'aide d'un faisceau optique auxiliaire qui est refléchi par ledit plan vers un détecteur. Il y a lieu de se référer a ce propos à la demande de brevet allemand publiée sous le nO 2.656.730, qui décrit un dispositif pour la gravure d'un porteur d'en- registrement présentant une structured'information en forme de piste 1isible par voie optique. Là se pose le problème que la profondeur de netteté du faisceau de lecture est très pe- tite, de sorte qu'une variation de la position du plan de la structure d'information aboutit assez rapidement à une réduc- tion de la profondeur de modulation du signal lu et au phéno- mène de diaphonie entre les pistes voisines. Une variation de la position du plan de la structure d'information n'y aboutit pas à une variation de la position de la tache de lecture par rapport à la structure d'information. Dans un dispositif de traçage à l'aide d'un faisceau de_ particules chargées, la profondeur de netteté de faisceau est grande, de sorte qu'une variation de la position de la couche à tra- cer n'aboutit pas à une augmentation notable de la région exposée sur la couche. Toutefois, cette variation de position se traduit en revanche par un déplacement notable de la ré- gion exposée sur la couche. L'utilisation d'un système optique pour la mesure de la hauteur dans un dispositif de traçage à l'aide d'un faisceau de particules chargées implique une interven- tion notable et non évidente darsla conception d'un tel dis- positif et offre des avantages notables, comme la possibilité d'une mesure continue de la hauteur effectuée pendant le tra- çage,tout en ne requérant pas de temps additionnel. Cette me- sure ne nécessite pas d'étapes opératoires supplémentaires, ni de repères additionnels affectant le comportement du mi- cro-circuit réalisé. Le système de détection du système optique pour la mesure de la hauteur peut être constitué par un élément dit "lduocellule"l, ce qui veut dire, deux photo-diodes séparées par une fente étroite. Toutefois, de préférence on utilise comme systeme de détection une "diiex à effet latéral". Une telle dio- de estdàcrite dans le périodique "Laser Focus", de mars 1976, pages 38 à 40. Une diode a effet latéral offre l'avantage de délivrer une information sur la position qui n'est pas tri- butaire de la répartition de l'intensité dans le faisceau op- tique. De plus, un dispositif conforme à l'inven- tion peut être caractérisé en ce que dans la voie d'un fais- ceau optique, réfléchi une première fois par la couche tracer, est inséré un élément inverseur de faisceau, qui réfléchit le faisceau par rapport à lui-même et que le systéme de détectionde ra- y4nnement optique est disposé dans la voie du faisceau opUcIe réfléchi une seconde fois par la couche à tracer. Dans cette forme de réalisation, le signal de défaut de position délivré parlesystèmededét.ectionestindépen dant d'éventuelles différences de réfléxion locales de la couche à traiter. De plus, la sensibilité aux défauts de po- sition de ladite couche est deux fois plus élevée que dans la cas ou le faisceau optique n'est réfléchi qu'une seule fois par la couche, avant d'atteindre le systène de détection. La description ci-après, en se référant aux dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple non li- mitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 montre un dispositif de tra- çage à faisceau d'électrons. La figure 2 illustre la façon, dont le faisceau d'électrons atteint la couche à inscrire. La figure 3 montre une première forme de réalisation d'un dispositif conforme à l'invention et la figure 4 une seconde forme de réalisa- tion d'un tel dispositif. Le systèmede taçage selon la figure 1 est constitué par une enveloppe 1 dans laquelle règne le vide et dans laquelle sont disposés un canon électronique 2, une électrode de commande 3, permettant de former et d'accélé- rer le faisceau d'électrons, et une anode 4. Le faisceau d'électrons du canon passe successivement par une première lentille de focalisation électromagnétique 6, des plaques de déviation x et y 7, 8 et une seconde lentille de foca- lisation électromagnétique 9 pour parvenir ensuite sur un substrat 10 muni d'une couche 15dIs laquel- doit être for- Méun traçage et fixé sur un chariot déplaçable 11. Au be- soin, les plaques de déviation 7 et 8 peuvent être rempla- cées par des bobines de déviation électromagnétique qui peuvent être utilisées de façon à fournir des aberrations plus faibles que les plaques de déviation électrostatique. La figure 2 illustre la façon dont le faisceau d'électrons be parvient sur la surface Ss du sub- trat. Sur-cette figure, la réfirence 7 désigne le système de déviation pour la direction x et b le plan image du sys- tème de lentilles électroniques 6, 9. Pour positionner le faisceau d'électrons au point Xa du plan image à une dis- tance 3 de l'axe aa' du système, les bobines de déviation 7 sont excitées de façon que le faisceau be fasse un angle (X axec l'axe aa'. Il s'en suit que x1 = w.tan x, expres- sion dans laquelle w représente èul'oan pele la distance de travail du système électronique optique. Or, en prati- que, la surface du substrat ne coïncide pas toujours exac- tement avec le plan image b. Sur la ligne 2, les écarts se produisant entre la surface Ss et le plan in.ge b sont re- présentés de façon exagérée. Ces écarts peuvont être dus à des inégalités du substrat ou à des impr.cisions dans le guidage mécanique du substrat. Si l'écart {'e hauteur de la surface du substrat à emplacement du point a est égal à t h, le faisceau d'électrons b n'atteint pas la surface du substrat en un point X, mais en un point Xb, qui se situe à une distance x, + xcb l'axe aa'. Il se produit un défaut de position a x, qui est donné par: a x = t h. tan Px =a h. J. Dans la direction Y, il peut également se produire un défaut de position. Ce défaut a y Yi est donné parA y = h. tan y w En pratique, il est désirable que4 x soit plus petit que 0,1 /um par exemple. Pour x = 2 mm. et w = 40 mm, cela implique que 4 h doit rester inférieur à 2 /um. Cela pourrait constituer une exigence prdiquement irréalisa- ble, bien que par suite du défaut de planéité du substrat. C'est pour cette raison que, conformément à l'invention, la hauteur de la surface du substrat à l'endroit de l'axe de l'optique électronique, c'està-dire toujours tout près du point d'incidence du faisceau d'électrons, est mesurée de façon continue et suivant une voie optique. Le signal résul- tant de cette mesure est appliqué au système de déviation de faisceau 7 en vue de corriger les angles çon que x = 0 et à y = O. La figure 3 représente schématiquement une forme de réalisation d'un dispositif muni d'un système op- tique pour la mesure de la hateur. Sur cette figurel,le système comportant l'optique électronique est désigné par le bloc EO. Le sys- tème optique pour la mesure de la hauteur est relié rigide- ment au système EO et comporte une source de rayonnement par exemple un laser L. Le faisceau optique bo, qui est déli- vré par le laser et dont seul le rayon principal est repré- sente sur le dessin pour la clarté de ce dernier, est diri- gé par l'intermédiaire des prismes PI'1, P2 et P3 vers la surface Ss du substrat pour atteindre le substrat de façon à faire un anglef avec la vertical sur ce dernier. Le fais- ceau b est réfléchi par la surface du substrat et dirigé o ensuite par le prisme P4 vers un système de détection de rayonnement optique D. Dans la voie de rayonnement du laser vers le substrat est insérée une lentille L1, qui assure la foca- lisation du faisceau b en une tache de rayonnement V au o plan image de l'optique électronique. La lentille L2 repro- duit la tache de rayonnement V dans le plan du détecteur D, par exemple une duocellule. Le système de mesure de la hau- teur est aligné par rapport à l'optique électronique de façon que la lentille L reproduise le point d'intersection de l'axe aal du système électronique avec le plan image > de ce système dans le plan du détecteur D. Si la surface SS du 1.5 substrat coïncide avec le plan image b, la tache de ryon- nement V est reproduite par une tache V', qui se situe sy- métriquement par rapport au syst.èm de détecticn, c'est-à-dire que les deL moitiés du syttème de détection D reçoivent la même intensi- té de rayonnement. Le signal de sortie Sd d'un amplifica- teur différentiel 12 relié aux sorties du détecteur et alors- par exemple nul. Au système de déviation 7 n'est pas néces- sairement appliquée une correction. Cependant, lorsque la surface du substrat est décalée par rapport au plan image b, l'image V' est éga- lement décalée, ce qui veut dire que cette image n'est plus symétrique par rapport au système de détection. Ainsi, si la surface du substrat descend, la partie de gauche du sys- tème de détection D reçoit plus de rayonnement que la partie de droit. Dans le cas o la surfaceS monte, il se pmdit l'inwrse. Du fait que la lentille L forme une image de la tache de rayonnement V sur le système de détection D, le signal Sd ne sera, en-première approximation, pas influen- cé par un basculement du substrat. L'angle sous lequel le faisceau bo atteint la surface du substrat est choisi aussi grand que possible, par exemple de l'ordre de 80 . En effet, dans ce casla réflexion par la surface du substrat est la plus élevée et la sensibilité du système de mesure, c'est-à-dire le décala- ge de l'image V' en fonction du décalage de la surface du substrat, est aussi grandque possible. Ce décalage A\ s est donné par: - A s = 2. in h. M. sin m, expression dans laquelle M représente le grossissement de la lentille L. Comme système de détection D on choisit de préirtece une photodiode sensible à la position, par exemple une "pho- todiode à effet latéral". Une telle photodiode est décrite dans le périodique "Laser Focus", de mars 1976, pages 38 à de sorte qu'il n'est pas nécessaire de la décrire ici. Dans le cas d'utilisation d'une photodiode à effet latérale, le déplacement maximal de la surface du substrat que l"on peut mesurer peut être cux fois plus grand que dans le cas d'utilisation d'une duocellule, toutes deux présentant la même surface sensible au rayonnement. Limage V' de la tache de rayon V peut pré- senter des parties claires et sombres, qui sont provoquées par exemple par des interférences de parties du faisceau bo réfléchies par la surface de la couche de vernis à traiter avec des parties du même faisceau b traversant la couche de vernis transparente et réfléchies par la surface du substrat sous-jacent. Dans le cas d'utilisation d'une duocellule, il peut en résulter des imprécisions dans la mesure de la hau- teur. Du fait que la photodiode à effet latéral mesure tou- jours le barycentre de la répartition lumineuse dans l'image V', lesdites parties claires et sombres n'influent guère sur la mesure de la hauteur dans le cas d'utilisation d'une telle photodiode. Le dispositif conforme à la demande de bre- vet allemand mise à la disposition du public sous le NO 2.656.730. assure une correction à zéro de l'écart de la hauteur 4 h par une correction de la distance comprise en- tre le système de lentilles optique et le plan destiné à la structure d'information, sors que dans le dispositif con- forme à l'invention, le signal de défaut de hauteur mesuré est utilisé pour adapter les angles des variations de l'intensité de la source ou par des va- riÉions dans la transmission ou la réflexion des éléments optiques insérés dans le trajet du rayonnement. A cet effet, comme l'indique la figure 3, le circuit électronique conçu pour traiter les signaux pro- venant du détecteur peutoCtmirnon seulement un amplificateur différentiel 12, mais également un amplificateur de somme 13, dans lequel sont additionnés les signaux provenant des moitiés de détecteur. Les sorties des circuits 12 et 13 sont connectés à un circuit diviseur 14 dans lequel est dé- terminé le coefficient Sd/St. Le signal de sortie Sc Sd qui est utilisé pour la correction des défauts CP x et no 79.04.579 déposée le 12 Juin 1979 au nom de la Demande- resse et déposée avec la présente demande, décrit un sys- tème purla Iesure de lahauteur afin de déteriner les éoe2ts se poââ- entre le plan image du système de reproduction et un second plan destiné à la reproduction. Dans ce système demesuoedehau- ter, un faisceau auxiliaire parcourt, après réflexion par le second plan, un élément inverseur de faisceau, qui ré- fléchit le faisceau par rapport à lui-même, de sorte que ce dernier atteint à nouveau le second plan, les parties de faisceau étant échangées. Le faisceau réfléchi une seconde fois par le second plan atteint un détecteur sensible à la position, par exemple une duocellule. Par rapport à un sys- tèmede mesuredehauteuro le faisce& auxilaire est réfléchi une fois par le second plan, un système dans lequel le fais- ceau auxiliaire est réfléchi deux fois par le second plan offre comme avantage que la sensibilité devient deux fois plus élevée et que la mesure de la hauteur n'est pas tribu- taire de différences de réflexion locale dans le second plan. Le système optique pour la mesure de la hauteur d'un dispositif conçu pour le traçage avec un fais- ceau de particules chargées peut être modifié, conformé- ment au système demesuredehauteurdelademan9e de brev néer- landais no 79.04.579 déposée le 12 Juin 1979, ce qui per- met d'obtenir lesdits avantages. La figure 4 représente une telle forme de réalisation du système de mesure de hauteur. Le système électronique optique est indiqué par B0 et la surface de substrat par S. Afin d'obtenir, pour de petits déplace- * ments de la surface Ss du substrat, un signal suffisamment élevé Sd, ce qui veut dire une différence suffisamment grande entre les intensités de rayonnement sur les deux moitiés de détecteur, il faut que la tache de rayonnement V présente une grande luminance. C'est pour cette raison qu'on préfère utiliser un laser comme source de rayonne- ment. Le faisceau de rayonnement bo délivré par le laser doit être stable. De préférence, on utilise un laser à dio- de semiconductrice (DL) sur la figure 4, par exemple un la- ser à diode en AlGaAs, qui peut être disposé tout près du substrat. De plus, il est possible d'utiliser un laser à gaz disposé à plus grande distance du substrat, le rayon- nement provenant de ce laser étant guidé par une fibre op- tique vers le substrat. Le faisceau laser bo est converti par la lentille L3 en un faisceau parallèle et énis ensuite, par réflexion, à un diviseur de faisceau BS, par exemple un prisme semi- transparent, et par l'intermédiaire des pris- mes de réflexion P2 et P3, vers la surface Ss du substrat. La lentille L1 forme la tache de rayonnement V sur la sur- face de substrat. Après réflexion sur cette surface, le faisceau b0 parcourt un élément inverseur de faisceau. Cet élément peut être constitué par la lentille L4 et le réflecteur M, ce dernier étant disposé au plan focal de la lentille L4. Un tel élément inverseur réfléchit le faisceau par rapport à lui-même, les moitiés de faisceau étant échangées. Ensuite, le faisceau bo parcourt le même tra- jet en sens inverse. Une partie du faisceau réfléchi deux fois par la surface du substrat est transmise par le divi- seur de faisceau BS au système de détection D, qui peut être une duocellule ou une photodiode à effet latéral. La lentil- le L5 forme une représentation VW' de la tache de rayonne- ment V sur le système de détection. Les signaux provenant des détecteurs sont traités d'une façon analogue à celle décrite à l'aide de la figure 3. Les deux moitiés de faisceau parvenant au système de détection ont été en contact, tant avec la partie de gauche qu'avec la partie de droitede la région de substrat au-dessous de la tache de rayonnement V, de sorte que le signal de mesure n'est pas tributaire de différences de réflexion locales du substrat. Le signal de différence Sd des deux dé- tecteurs D1 et D2 est déterminé,- en première instance, par la distance comprise entre le plan image du système de len- tilles EO et le plan Ss. Toutefois, ce signal est également tributaire de l'intensité totale du faisceau de rayonnement b0 réfléchi deux fois par le plan S5. Cette intensité est sujette à des variations, ceci par suite d'une éventuelle variation de l'intensité de la source de rayonnement ou par suite de variations du coefficient de réflexion ou de trans- mission des éléments optiques disposés dans la voie du rayon- nement. Pour éliminer l'influence des variations de l'intensité totale du faisceau atteignant les détecteurs D1 et D2, les signaux de sortie des détecteurs sont addi- tionnés, de sorte qu'on obtient un signal de somme St. Comme le montre la figure 3, un circuit diviseur analogue 14 per- met de déterminer le signal Sc = Ai signal qui constitue une mesure pour l'erreur de position de plan Ss du substrat par rapport au système de lentilles de projection et qui n'est pas tributaire des variations de l'intensité de la source de rayonnement et des variations du coefficient de réflexion ou de transmission dans la voie de rayonnement. Pour obtenir également la quantité de rayonnement nécessaire pour la précision requise sur les détecteurs dans le cas de coefficients de réflexion ou de transmission peu favorables, il faut établir la source de rayonnement à un pouvoir de ra- yonnement aussi élevé que possible. Ainsi, la durée de vie de la source de rayonnement risque d'être réduite, surtout dans le cas o cette dernière est constituée par un laser à diode semiconductrice. De plus, un diviseur analogue exempt d'écarts est un élément coûteux. Les susdits désavantages peuvertètre évi- tés par l'utilisation du signal de somme St pour régler l'intensité de la source de rayonnement de façon que l'in- tensité de rayonnement totale sur les détecteurs D1 et D2 reste constante, comme cela s'effectue dans une forme de réalisation préférentielle conforme à l'invention. Dans le cas o la source de rayonnement est une diode émettant du rayonnement, il est possible de corriger à cet effet l'in- tensité du courant électrique servant à la commande de cette source de rayonnement. Un laser à diode semiconductrice, par exem- ple un laser AlGaAs, fonctionne de préférence à l'aide d'im- pulsions de courant, du fait que cela est avantageux pour la durée de vie du laser. De plus, l'angle sous lequel un tel laser émet son rayonnement est sujet à des variations, dans le cas o l'intensité du courant électrique traversant le laser subit des variations. L'intensité du rayonnement émis par un laser à diode est de préférence réglée par variation, à largeur d'impulsion constante, de la fréquence d'impulsion des impulsions de courant électrique. Comme le montre la figure 4, les signaux des détecteurs D1 et D2 sont amenés à, d'un côté, un circuit de soustractions 12, à la sortie duquel apparalt le signal Sd, et de l'autre côté, à un circuit additionneur 13, dont la sortie fournit un signal St. Le signal St peut être amené à une entrée d'un amplificateur différentiel Ad, dont l'autre entrée est connectée à une source de référence Ref. La sor- tie de l'amplificateur différentiel est connectée à un os- cillateur VyO, qui fournit une série d'impulsions, dont la fréquence est déterminée par la tension se produisant à sa sortie. La sortie de l'oscillateur est connectée à un géné- rateur PG. Le courant électrique nécessaire pour le fonction- nement du laser à diode DL est fourni par le générateur d'im- pulsions sous forme d'impulsions, dont la durée est constan- te et dont la fréquence de répétition est égale à celle des impulsions de l'oscillateur VCO. L'intensité de rayonnement moyenne du la- ser à diode peut non seulement être réglée par adaptation de la durée des impulsions du courant électrique, mais éga- lement par adaptation de la fréquence des impulsions. Le réglage du laser à diode est tel que - pour une perte de rayonnement maximale à prévoir dans la voie de rayonnement, la quantité de rayonnement totale cap- tée par les détecteurs suffit tout juste pair atteindre la précision requise déterminée entre autres par le courant de fuite et le bruit des détecteurs. Dans le cas de plus fai- bles pertes de rayonnement, la source de rayonnement peut présenter une plus faible intensité de rayonnement, ce qui est favorable pour la durée de vie de la source. REVENDICATIONS 1. Dispositif permettant de tracer des confi- gurations dans une couche (15) sur un substrat (10) à l'aide d'un faisceau de particules chargées électrique- ment, dispositif muni d'une source (2, 3, 4) servant à engendrer le faisceau, d'un système à lentilles (6, 9) pour la focalisation du faisceau de particules chargées sur la couche (15), et le moyens (7, 8, 11) servant à déplacer lefaisceau et le substrat, l'un par rapport à l'autre dans des directions perpendiculaires à l'axe du faisceau, caractérisé par un système optique pour la me- sure de la hauteur afin de déterminer un écart (4h) se produisant entre la position requise (b) et la posi- tion réelle du plan (S) à tracer par rapport au système de lentilles (6, 9) pour particules chargées, système de mesure de hauteur qui comporte une source de rayonnement (L, DL) délivrant un faisceau optique (bo) des moyens optiques (P 1 P2, P3, B8, L3^ LIl L2, P4, r4, L5l M) con- çus pour diriger le faisceau optique (bo) vers ledit plan (S8) et pour focaliser ledit faisceau en une tache de rayonnement (V) sur ledit plan(S8), ainsi que pour for- mer une image (V') de la tache de rayonnement dans le plan d'un système de détection (D, D1, D2) de rayonnement optique, qui se trouve du même côté de la couche à tra- cer que la source de rayonnement optique, (L, DL), le. signal de sortie du détecteur (D, D1, D2) étant tributai- re de la position par rapport au système de détection de l'image (V') de la tache de rayonnement (V). 2. Dispositif selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que le système de détection (D) de rayan- nement optique est une photodiode à effet latéral. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la source de rayonnement optique (L, DL) est un laser. -4. Disposisif selon la revendication 3, ca- ractérisé en ce que le laser (DL) est un laser à diode semiconductrice. 5. Dispositif selon la revendication 1, dont le système détecteur est constitué par deux détecteurs (D1, D2) sensibles à rayonnement, caractérisé en ce que les sorties des deux détecteurs sont connectées à un cir- cuit additionneur (13), dont la sortie (St) est comnnec- tée à un circuit de réglage (AD, VCO, PG) servant à cor- riger l'intensité de la source de rayonnement (DL) de façon que la somme des signaux de détecteurs reste cons- tante. 6. Système de représentation optique selon la revendication 5,dont la source de rayonnement (DL) eb un laser & diode semiconductrice émettant des impul- sions de rayonnement, caractérisé en ce que le circuit de réglage (AD, VOO, PG) comporte un oscillateur (VCOO) contr8lé par la tension de somme de détecteurs (D1, D2), oscillateur dont la sortie est reliée à un générateur d'impulsions électrique (PG, assurant la commande du la- ser à diode. -. 7. Dispositif selon l'une quelconque des re- vendications I à 4, caractérisé en ce que dans la voie d'un faisceau optique (b0), réfléchi une première fois par la couche à tracer, est inséré un élément inverseur de faisceau (L4, M), qui réfléchit le faisceau b0), par rapport à lui-même et que le détecteur de rayonnement optique (D1, D2) est disposé dans la voie du faisceau optique réfléchi une seconde fois par la couche à tracer. -