Brevet FR2406861A1 — publié le 19790518

La présente invention concerne un perfectionnement aux dispositifs de visualisation qui comportent, dans un corps semiconducteur, une mosalque de diodes électroluminescentes0 Slle concerne plus particulibrexent les dispositifs dans lesquels les diodes sont étroitement rapprochées, leur ensemble formant une partie active dudit dispositif, lesdites diodes pouvant Stre excitées individuellement au moyen d'un. pluralité d'arrivées de courant. D'invention est relative aux dispositif. en question dans lesquels une première configuration d'un premier film, nétallique, an moins partiellement allié au corps semiconducteur, est situ fflur une première face principale dudit corps, face par laquelle émerge le signal luminescent du disposi- tif, ladite première configuration étant découpée de manière b laisser dénuées dudit premier film, d'une part, des zones asgu- rant l'isolement électrique entre lesdites arrivées de courant que ladite première configuration constitue au moins partiellement et, d'autre part, des ouvertures sensiblement superposées auzdites diodes pour le passage du signal luminescent, ladite configuration assurant en outre une isolation optique des diodes entre elles. Le brevet français publié sous le N 2 125 974 décrit notamment un dispositif de visualisation constitué par une matrice de diodes électroluminescentes disposées en rangées, dont l'alimentation électrique est groupée par lignes et colonnes de diodes, dispositif qui est muni par ailleurs des moyens qui ont été précédemment cités pour assurer, au moins en partie, lisola- tion optique des diodes. Lorsque l'on cherche à accroître le degré d'intégration ou de iiniaturisation de tels dispositifs, notamment par un rapprochement très étroit des diodes, et en prévoyant une aire émissive desdites diodes qui soit très petite (représentée par un carré de 50 pm de côté, par exemple), on se heurte è de très grandes difficultés en utilisant les structures et les techniques déjè connues. D'une de ces difficultés provient de ce qu'en réduisant les dimensions des éléments constitutifs dudit dispositif de wisualisation, il est nécessaire, néanmoins, de conserver, au sein de la configuration du film métallique, une largeur minimale aux zones dénuées du film, largeur nécessaire pour garantir l'isolement entre les arrivées de courant compte tenu des tolérances admissibles lors de la photogravure de la configuration. Il s'en suit que, proportionnellement, ces zones dénuées de film métallique occupent une aire non ndgllgeable de la partie active du dispositif. Compte tenu de l'exiguïté des dimensions, on ne peut alors empocher que de la lumière en provenance de l'une des diodes électroluminescentes, ntémerge également desdites zones non masquées par le film métallique, ceci étant d'autant plus difficile b inviter que l'on utilise un matériau semiconducteur plus transparent à sa propre radiation émise. La présente invention a pour but, entre autres, de remé- dier à ces inconvénients et de fournir une structure de dispositif qui est adaptée à une forte miniaturisation, avec laquelle il est aisé d'obtenir un très bon contraste lumineux des éléments de la mosaSque ainsi qu'une parfaite régularité de géométrie desdits éléments. Suivant l'invention, en effet, un dispositif de visualisation comportant, dans un corps semiconducteur, une monarque de diodes électroluminescentes étroitement rapprochées dont l'ensemble forme une partie active dudit dispositif, lesdites diodes pouvant être excitées individuellement au moyen d'une pluralité d'arrivées de courant, dispositif dans lequel une première configuration d'un premier film métallique, au moins partiellement allié audit semiconducteur, est située sur une première face principale dudit corps, face par laquelle émerge le signal luminescent dii dispositif, ladite première con9igura- tion étant découpée de manière à laisser dénuées dudit premier film, d'une part, des zones assurant l'isolement électrique entre lesdites arrivées de courant que ladite première configuration constitue au moins partiellement et, d'autre part, des ouvertures sensiblement superposées auxdites diodes pour le passage du signal luminescent, ladite configuration assurant en outre une isolation optique des diodes entre elles, est notamment remarquable en ce que ledit dispositif comporte une seconde contigu- ration d'un second film, opaque, établie sur ladite première face, au-dessus dudit premier film, ladite seconde configuration étant découpée de manière à laisser dénuées dudit second film, des fenO- tres sensiblement superposées auxdites ouvertures découpées dans ladite première configuration, et en ce que, sur une aire qui occupe au moins l'aplomb de la partie active du dispositif, ladite seconde configuration recouvre entièrement lesdites zones dénuées dudit premier film. De dispositif selon l'invention offre l'avantage que sa partie active est entièrement masquée de la lumière émise par les diodes, à l'exception des ouvertures précisément prévues pour l'émission. La forme de la première configuration du premier film peut titre choisie telle qu'elle permet la meilleure utilisation de la surface disponible entre les diodes pour donner place auxdites arrivées de courant, surface qui est d'autant plus restreinte que le dispositif est plus miniaturisé. aussi, le dispositif selon l'invention permet-il un rapprochement très étroit des diodes sans pour autant que l'isolation optique de celles-ci n'en soit affectée sensiblement0 Avantageusement, ledit second film est métallique et il est au moins partiellement séparé dudit premier film par une couche isolante. De cette manière on obtient une très bonne efficacité de masquage de la lumière parasite émise en dehors des emplacements prévus de la mosaTque, et les moyens mis en oeuvre restent relativement simples. Dans un iode préféré de réalisation de l'invention, le dispositif est en outre remarquable en ce que lesdites fenêtres découpées dans ledit second film de ladite second. configuration ont un contour situé à l'extérieur et à faible distance du contour desdites ouvertures découpées dans ledit premier film. En ce qui concerne les dispositifs à nombre de diodes relativement faible, mais dont la miniaturisation doit Otre très accentuée, ceux-ci sont de préférence du type à cathode commune et anodes électriquement séparées. Dans ce cas, l'isole- ment optique des diodes entre elles est encore avantageusement complété par un troisième film, métallique, allié au corps semiconducteur, sur la seconde face principale, qui est opposée à ladite première face, ledit troisième film s' étendant contint- ment sur une aire qui occupe au moins l'aplomb de ladite partie active du dispositif. Cette disposition avantageuse réduit au minimum la quantité de lumière indésirable qui provient d'une diode en fonctionnement et qui émerge du corps semiconducteur par l'emplacement d'une diode non alimentée.Avantageusement, ledit troisième film métallique est en outre allié à une surface polie dudit corps semiconducteur. De cette manière, la face opposée à ladite face principale forme un plan de réflexion selon les lois simples de l'optique géométrique. Sur ce plan se réfléchit donc la composante résiduelle du flux lumineux non absorbé par ledit troisième film, qui provient, à travers la masse du semiconducteur, d'une diode déterminée en fonctionnement. Or cette composante résiduelle ne peut émerger par ladite première face que pour un angle d'incidence suffisamment faible et, plus précidément, inférieur à l'angle critique. C1 est pourquoi le dispositif selon ce mode préféré de mise en oeuvre de l'invention procure un contraste lumineux, entre les diodes de la mosaïque, qui est particulièrement élevé. La description qui va suivre, en regard des dessins annexés, fera bien comprendre comment l'invention peut entre réalisée. Il est bien entendu que les exemples donnés pour l'illustra- tion de la description ne sont pas limitatifs. La figure 1 représente une vue en perspective avec coupes partielles d'un dispositif de visualisation selon l'invention. Les figures 2, 3, 4a et 4b illustrent par des coupes partielles et schématiques les étapes principales de réalisation d'un dispositif selon l'invention, la figure 4b représentant une variante de réalisation par rapport au dispositif de la figure 4a. On se réfère maintenant à la figure 1 où est représenté un dispositif selon l'invention formé à partir dun corps semiconducteur 11 dans lequel une région 12 de type N forme autant de jonctions P- que dalots de type P 13a, 13b....13e. La région 12 peut être constituée d'un substrat dlarséniure de gallium par exemple, dans lequel les flots 13a à 13e ont été formés par diffusion de zinc comme cela est bien connu dans l'art. Le dispositif émet alors des signaux de lumière infrarouge.De manière connue, pour obtenir une lumière visible, la région 12 peut encore titre constituée d'un substrat d'arséniure de gallium surmonté d'une couche épitaxiale d'arséniure-phosphure de gallium ou d'arséniure de gallium-aluminium, la lumière émise étant alors de couleur rouge. Si on désire des signaux lumineux de couleur verte, on a recours à un corps semiconducteur en phosphure de gallium. Les diodes formées par les flots 19a à 13e sont réparties à proximité de la face principale 15 du corps semiconducteur, sous forme de mo s#que régulière dont ltensemble définit la partie active du dispositif représentée sur la figure par l'aire d4limitée sensiblement par la ligne 16, en traits mixtes, aire située au centre du corps semiconducteur. Dans l'exemple auquel on se réfère, la Demanderesse a réalisé des dispositifs contenant une mosaSque de trente six diodes réparties en six rangées de six diodes. Les arrivées de courant à chacune de ces diodes sont formées par des plages de connexion telles que 18, par des anneaux de contact 19 et par des bandes 20 qui relient lesdits anneaux auxdites plages; anneaux, bandes et plages formant une première configuration découpée dans un mEme premier film métal- lique, en or-bérylliue, par exemple. Ladite première configuration formée dans ledit premier film métallique est, dans notre exemple, en grande partie séparée du corps semiconducteur ll par une pellicule 21 de matière isolante. Celle-ci est par exemple formée par du nitrure de silicium déposé selon les procédés connus, avec une épaisseur de 0,25 .Ladite pellicule a est interrompue à l'aplomb des ilote 13a à 13e de sorte que les anneaux 19 forment contact électrique avec lesdits îlots par une bordure qui suit le contour intérieur desdits anneaux, où le film métallique desdits anneaux 19 est allié au matériau semiconducteur. Ladite bordure est visible notamment au repère 31 dans la coupe schématique à plus grande échelle, de la figure 2. Les anneaux de contact 19 délimitent par leur contour intérieur, des ouvertures 22 dans le film métallique qui les constitue, ouvertures qui sont centrées à l'amplomb des flots 13a à 13e et qui sont destinées à laisser passer le rayonnement émis par chaque diode de la mosaSque lors du fonctionnement du dispositif. Selon l'invention, le dispositif comporte encore une seconde configuration d'un second film 24, opaque, ici un film d'aluminium del-m environ d'épaisseur, qui est établie sur la face principale 15 et s'étend au moins sur toute la partie active du dispositif0 La configuration du film 24 comporte deq fenêtres 25 superposées aux ouvertures 22 dans le premier film de sorte que le rayonnement dmis par chaque diode peut Store transmis à l'extérieur du dispositif.La configuration du film 24 est séparée de la confiruration du premier film comportant notamment les anneaux de contact 19 et les bandes 20, par une couche de matière isolante 26, plus précisément, dans l'exemple décrit, une couche d'oxyde de silicium déposée en phase vapeur, ayant une épaisseur voisine de 1 Selon une caractéristique importante de l'invention la configuratioh du film 24 recouvre au moins, sur toute 1' éten- due de la partie active du dispositif, les zones libres 27 qui sont dénuées du premier film de ladite première configura- tion, ce recouvrement s'entend hormis 1' emplacement des fenêtres 25 comme il a déjà été précisé.Les zones libres 27 sont par ailleurs nécessaires pour assurer l'isolement entre les différentes arrivées indépendantes de courant qui sont constituées notamment par les bandes 20 et les anneaux de contact 19. De la sorte, la partie active du dispositif se trouve complètement masquée par l'ensemble des premier et second films contre toute émission de lumière qui proviendrait du corps semiconducteur par la Sce principale 15 en des emplacements autres que ceux délimités par les îlots 13a à 13e. Un isolement optique très poussé des diodes entre elles est ainsi obtenu. Dans l'exemple de la figure 1 qui décrit un mode préféré de mise en oeuvre de l'invention, l'émission de lumière est précisément délimitée par le contour intérieur des anneaux de contact 19, puisque lesdits anneaux masquent la périphérie immédiate des îlots 13 - le reste de la partie active du dis positif étant masqué par la configuration du film 24 -, et puisque les Benttres 25 ont un contour situé à l'extérieur et à faible distance des ouvertures 22 du premier film. Ces dispositions sont bien visibles sur les figures 4a et 4b. Elles sont avantageuses du fait que la précision de localisation des fenê- tres 25 peut ne pas être très rigoureuse, la précision seule, de la localisation des ouvertures 22 étant importante pour une parfaite définition géométrique des signaux de luminescence émis par le dispositif. Une disposition avantageuse pour renforcer encore 1 'iso- lation optique des diodes consiste à établir sur la seconde face principale 28 du corps semiconducteur 11, un troisième film métallique 29 qui s'étend de manière continue sur une aire occupant au minimum la partie active du dispositif et qui est allié au corps semiconducteur, à la surface de la région 12. La surface limite de séparation entre la région 12 du corps semiconducteur et le film métallique 29 allié à ladite région constitue une surface absorbante de la lumière. De la sorte, les rayons réfléchis sur ladite surface limite de séparation sont fortement atténués. C'est le cas notamment pour les rayons lumineux parasites ayant pour origine une diode en état actif, qui peuvent émerger par la fenêtre 25 d'une diode du voisinage, en un état inactif, après avoir subi une réflexion à l'intérieur du matériau semiconducteur, sur la face 28. Dans l'exemple décrit de la figure 1, le film métallique 29 n'est pas localisé sous la partie active, seule, du dispositif mais au contraire s'étend sur toute la face principale 28 du corps semiconducteur, pour plus de simplicité dans la construction du dispositif. Ledit film 29 est constitué par de l'or contenant 2% de silicium d'une épaisseur de 0,3 Zm, évaporé sous vide tandis que le corps semiconducteur est maintenu à la température de 2500a. Un moyen avantageux pour renforcer encore l'effet d'isolation optique procuré par le film métallique 29 allié à la région 12 du corps semiconducteur consiste à assurer à la face 28 un état de planéité optique avant d'y déposer et d'allier le film 29. On interdit de cette manière, suivant les lois bien connues de l'optique géométrique, aux rayons qui se présentent sous un angle d'incidence dépassant une certaine valeur critique, lors de la réflexion sur la face 28, de pouvoir émerger de la face principale 15. L'angle d'incidence sur la face 15 est en effet conservé égal à l'angle d'incidence sur la face 28, dans ces circonstances.Aussi, au delà d'une certaine distance critique autour d'une diode en fonctionnement, la lumière parasite se prd- sentant à la face 15 par la fenêtre 25 d'une autre diode, voisine, après une réflexion sur la face 28, subit-elle alors une rd- flexion totale et est-elle maintenue à l'intérieur du corps semiconducteur. La distance critique dont on vient de faire mention, au delà de laquelle l'émission parasite est éliminée, est en pratique inférieure ou du même ordre de grandeur que le pas des diodes de la mosaTque, compte tenu de ltindice de réfraction élevé des corps semiconducteurs et de l'épaisseur relativement faible desdits corps. Dans l'exemple décrit, la configuration du film 24 est entièrement isolée électriquement du reste du dispositif au moyen de la couche isolante 26. Cette disposition est avantageusement utilisée, dans certaines applications, pour porter ladite configuration du film 24 à un potentiel de référence fixe au moyen d'une prise de contact appropriée, non représentée sur la figure. On décrit maintenant un procédé pour obtenir le dispositif selon l'inventionSà l'aide des figures 2, 5, 4a et 4b dans lesquelles les éléments homologues à ceux de la figure 1 portent les mêmes références. Une mosaïque qu de diodes électroluminescentes émettant une lumière rouge peut être construite de la manière suivante : une plaquette comportant une couche épitaxiale de Ga Asl xPx sur un substrat de Ga As est utilisée, substrat et couche étant tous deux de type N. La fraction molaire x du phosphore dans le composé est, selon la pratique courante, comprise entre 0,38 et 0,40. Sur cette plaquette épitaxiale on dépose par réaction chi nique en phase vapeur, une pellicule de nitrure de silicium d'une épaisseur de 0,24 Le procédé utilisé pour effectuer ce dépôt est habituel et bien connu dans l'art.Par photogravure, on pratique alors des ouvertures dans la pellicule de nitrure de silicium et on diffuse ensuite du zinc par un traitement effectué à une température pouvant être choisie généralement entre 72000 et 80000 au voisinage d'une source de zinc-gallium à 10% de zinc. La durée du traitement est sélectionnée dans une gamme allant de quelques minutes à une heure selon la valeur de la température utilisée de manière à obtenir des tlots de type P dont la profondeur de jonction soit voisine de 5? . On dépose ensuite, par évaporation sous vide, un film métallique d'or contenant 0,05% environ de béryllium, d'une épaisseur de 0,8 m dans lequel on grave chimiquement la première configuration nécessaire aux contacts avec chacun des flots diffusés. Le film métallique est de préférence déposé alors que la plaquette est portée à une température de 20000 pour favoriser ainsi son adhérence sur le semiconducteur. Après quoi, un traitement de recuit à une température comprise entre 3500 et 50000 favorise l'obmicité des contacts du fait que le métal est allié au semiconducteur dans ses parties en contact avec celui-ci.La configuration peut être gravée par exemple en utilisant de l'eau régale et un masque de laque photosensible comme le KHMER ou un masque de silice, gravé au préalable. En variante de ce procédé on peut aussi utiliser une technique couramment dénommée "lift off" qui repose sur l'emploi dwune sous-couche provisoire et soluble, avant le dépit du film Métallique, sous-couche qui est localisée aux emplacements où le film n'est pas désiré. Le dispositif en cours d'élaboration se trouve maintenant dans l'état représenté sur la figure 2 qui montre, en coupe, une portion de la partie active dudit dispositif. Le substrat et la couche épitaxiale forment ensemble la région 12 de type N ; les plots 13b, 13c diffusés au zinc et donc de type P, constituent les diodes localisées de la mosaïque. Les seuls éléments de la première configuration du premier film, visibles sur la figure 2, sont les anneaux de contact 19.Ils recouvrent la périphérie 30 des jonctions P-N formées par les flots lSbet 13c dont ils sont isolés-par la pellicule 21 de Si 4 , alors qu'ils sont, au contraire, en contact et alliés avec le matériau semiconducteur des ilote 13b et 13c par une bordure 31 qui suit le contour intérieur de l'anneau de contact 19. Ledit contour intérieur délimite par ailleurs la surface observable du signal luminescent dans lwouverture 22 du contact. On dépose une couche de silice, par la méthode d'oxydation du SiH4 à 40000, d'une épaisseur de 1,2 Zm sur l'ensemble de la surface de la plaquette, comme cela est représenté à la figure 3, la couche isolante ainsi formée étant repérée par 26. Par évaporation sous vide, un deuxième film, en aluminium dans notre exemple, est appliqué sur toute la surface de la plaquette avec une épaisseur de 1 P environ. La deuxième configuration du deuxième film selon l'invention est formée par photogravure et par attaque des parties non désirées du métal dans l'acide phosphorique chaud selon une technique connue en ellemême. Les parties gravées du film d'aluminium 24, figure 4a, comportent notamment les fenêtres 25 sensiblement superposées aux ouvertures 22 du premier film métallique, fenêtres dont le contour est situé avantageusement à l'extérieur et à faible distance du contour des ouvertures 22.Les parties non gravées du film d'aluminium 24 font un obstacle opaque à la transmission de lumière des zones libres, dénuées du premier film, de sorte qu'aucune lumière ne peut ttre émise par le dispositif en dehors des fenêtres 25. Une desdites zones dénuées du premier film est représentée par la distance horizontale séparant les bords 34 et 35 des deux anneaux de contact 19, voisins, représentés sur la figure 4a, les dits bords 34 et 35 se faisant face. I1 est à remarquer que selon l'invention, la distance horizontale entre les bords 34 et 35 des anneaux de contact, et plus généralement, toutes les zones dénuées du premier film, peuvent gtre élargies à volonté sans aucune perte du contraste lumineux, étant donné l'effet de masquage du film 24 qui recouvre ces zones. On peut aussi, pour les mêmes raisons, restreindre de manibre appréciable la largeur des anneaux de contact 19 de sorte que selon l'invention on a l'avantage de pouvoir rapprocher étroitement les flots 13, les uns des autres, sans perte sensible des performances de contraste.Il devient alors possible de réaliser des dispositifs très miniaturisés ou d'un nombre plus important de diodes en utilisant pour celà les zones dénuées du premier film pour y faire cheminer des bandes 20 (figure 1), d'arrivées de courant. Après décapage sélectif de la couche d'oxyde 26 pour dd- nuder notamment les plages de connexion 18 (fig.l) on effectue un rodage de la face arrière de la plaquette pour amener ltépais- seur finale du dispositif à environ 150 ? , puis on évapore sous vide sur cette dernière face, un film 29, d'or-silicium, d'une épaisseur de 0,3#, l'opération étant effectuée tandis que la plaquette est maintenue à une température voisine de 25000. Le dispositif étant alors terminé pour l'essentiel des opérations physico-chimiques, on peut alors procéder à son montage dans un bottier approprié selon des techniques connues en elle s-mêmes. Un autre exemple de construction d'un dispositif selon l'invention se distingue de celui qui vient d'être décrit prin cipalement par le fait que le substrat est en GaP et la couche épitaxiale en GaP, ,As avec x = 0,10, de sorte que la lumière émise est alors de couleur jaune ambré. En dehors des conditions de la diffusion du zinc qui doivent être légèrement modifiées pour être adaptées à ce matériau, le procédé décrit Jusqu'à présent convient pour obtenir un dispositif de visualisation analogue à celui du premier exemple. Une différence notable provient cependant du fait que dans le cas du matériau semiconducteur cité pour l'émission de lumière jaune, celui-ci est fortement transparent à la radiation émise. C'est alors que le film métallique 29, allié à la face inférieure du corps semiconducteur, joue le roule important d'absorber la plus grande part du rayonnement en provenance des diodes, qui, à travers le matériau, tend à être réfléchi par la face inférieure du substrat. Avantageusement, on renforce l'effet d'isolation optique procuré par le film métallique 29 allié à la face inférieure du corps semiconducteur selon une disposition déjà mentionnée ici, en effectuant un polissage optique de ladite face inférieure après avoir, par rodage, mis le dispositif à l'épaisseur recherchée, et avant d'y appliquer le film métallique 29. La figure 4b illustre une variante de réalisation d'un dispositif selon l'invention, variante selon laquelle des ouvertures 33 sont pratiquées, par photogravure, dans la couche de silice 26. Lesdites ouvertures 33 sont sensiblement superposées aux ouvertures 22 du premier film métallique; elles ont une dimension légèrement supérieure de sorte que le semiconducteur des flots 13 est entièrement à nu à l'intérieur desdites ouvertures 22, mais leur dimension reste inférieure à la dimension des fenêtres 25 de manière à assurer pleinement l'isolement électrique du film métallique 24. Il est bien entendu que les formes et les matériaux utilisés pour la mise en oeuvre de l'invention peuvent varier sans pour cela sortir du cadre de celle-ci pour autant que les dispositions prévues dans l'invention exposée, soient appliquées. Par exemple, en appliquant un procédé très semblable à celui décrit on peut encore obtenir un dispositif de visualisation émettant une lumière de couleur verte, en utilisant comme matériau semiconducteur du phosphure de gallium. La Demanderesse a construit des dispositifs à trente six diodes, de dimensions réduites, à savoir : surface élémentaire d'émission égale à un carré de 40 m de côté, entraxe entre diodes égal à 75 m dans une direction et 120/um dans la direction perpendiculaire, et elle a observé qu'une excellente isolation optique était obtenue en appliquant les caractéristiques de l'invention ici décrite. - RE#VENDICÂTIONS 1.- Dispositif de visualisation comportant, dans un corps semiconducteur, une mosalque de diodes électroluminescentes étroitement rapprochées dont l'ensemble forme une partie active dudit dispositif, lesdites diodes pouvant être excitées individuellement au moyen d'une pluralité d'arrivées de courant, dispositif dans lequel une première configuration d'un premier film, métallique, au Moins partiellement allié audit semiconducteur, est située sur une première face principale dudit corps, face par laquelle émerge le signal luminescent du dispositif, ladite première configuration étant découpée de manière à laisser dénuées dudit premier film, d'une part, des zones assurant l'isolement électrique entre lesdites arrivées de courant que ladite première configuration constitue au moins partiellement et, d'autre part, des ouvertures sensiblement euperposées auxdites diodes pour le passage du signal luminescent, ladite configuration assurant en outre une isolation optique des diodes entre elles caractérisé en ce que ledit dispositif comporte une seconde configuration d'un second film, opaque, établie sur ladite pre mièvre face, au-dessus dudit premier film, ladite seconde configuration étant découpée de manière à laisser dénuées dudit second film, des fenêtres sensiblement superposées auxdites ouvertures découpées dans ladite première configuration, et en ce que, sur une aire qui occupe au moins l'aplomb de la partie active du dispositif, ladite seconde configuration recouvre entièrement lesdites zones dénuées dudit premier film. 2.- Dispositif de visualisation selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit second film est métallique et en ce qu'il est au moins partiellement séparé dudit premier film par une couche isolante. 3.- Dispositif de visualisation selon l'une des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que lesdites fenêtres découpées dans ledit second film de ladite seconde configuration ont un contour situé à l'extérieur et à faible distance du contour desdites ouvertures découpées dans ledit premier film de ladite première configuration 4.- Dispositif de visualisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite seconde configuration est électriquement isolée de ladite première configu ration. 5.- Dispositif de visualisation selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite seconde configuration est munie de moyens de connexion électrique pour pouvoir être portée à un potentiel fixe. 6.- Dispositif de visualisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ladite mosai- que étant du type à cathode commune et anodes électriquement s#parées, l'isolation optique des diodes est encore complétée par un troisième film, métallique, allié au. corps semiconducteur sur une seconde face principale, opposée à la première, ledit troisième film s'étendant continument sur une aire qui occupe au moins l'aplomb de ladite partie active du dispositif. 7.- Dispositif de visualisation selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit troisième film métallique est allié à une surface polie dudit corps semiconducteur 8.- Dispositif de visualisation selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que ledit second film métallique est constitué par une pellicule d 'aluminium. 9.- Dispositif de visualisation selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, caractérisé en ce que ladite couche isolante est constituée par de l'oxyde de silicium dont l'épais- seur est comprise entre 0,4 et 2/un.