Brevet FR2382026A1 — publié le 19780922

L'invention concerne un nouveau procédé de développement à sec des émulsions diazovques et un éliment et un appa reil pour la mise en oeuvre de ce procédé. Les systèmes de reproduction par diazocopie sont bien connus, voir par exemple, entre autres, "Light Sensitive Systems", J.Kosar (Wiley), pages 194-320; "Photosensitive Diapo Compounde", M.S, Dinaburg (Focal Press); ou P. Pinot de Moira, J. Phot. Sci., 1974, 22, 187. Le principe de fonctionnement des émulsions diazolques est le suivant : une émulsion contenant un sel de diazonium et un coupleur (ou un mélange de coupleurs) est soumis à une exposition selon une image au moyen de lumière contenant des radiations situées dans le proche ultra-violet, de façon à décomposer le sel de diazonium dans les zones exposées. Le développement de limage est obtenu par une réaction de couplage entre le sel de diazonium résiduel et le coupleur (ou le mélange de coupleurs) présent dans l'émulsion. Comme, toutefois, cette réaction de couplage n'est possible qu'à partir d'un pli légèrement basique et que l'émulsion de départ est en général très: nettement acide pour des raisons de conservation, il faut provoquer une variation de pli vers la gamme basique pour obtenir le développement de l'image. Cette variation de pli peut astre produite de diverses manières : la plus classique est lex- position de 11 émulsion exposée à des vapeurs d'ammoniac, ce qui engendre des problèmes de pollution et de corrosion.Une autre manière consiste à chauffer (développement thermique) 11 émulsion exposée afin de provoquer la décomposition. d'un ou plusieurs constituants incorporés dans l'émulsion, cette décomposition entraînant une variation du pH vers la gamme basique. ainsi, le développement thermique est utilisé lorsque I1 émulsion contient un acide se décarboxylant facilement par la chaleur, tel que l'acide malonique ou l'acide trichloroacétique; lorsque 11 émulsion contient une substance se décomposant thermiquement en une base, par exemple l'urée ou des dérivés de celle-ci, un composé d'sdditZon d'une flavone ou d'une chromone avec une amine organique (brevet français n0 1 363 501), ou de la cyano gannidine avec le formol; ou lorsque l'émulsion contient à la fois un acide thermoécomposable et une substance formant une base sous l'action de la chaleur, par exemple urée et acide malonique (brevet britannique 907 724), cyanoguanidine et acide trichioroacétique (brevet britannique n0 1 016 530 > . Les émul sions diazoïques thermo-développables présentent, toutefois, toutes l'inconvénient bien connu autre peu stables au stockage. En outre, la qualité des images données par ces émulsions est de plus en plus mauvaise à mesure qu'elles vieillissent. Tous ces inconvénients sont dus à une réaction ou décomposition prématu- rée des différents constituants de la couche d'émulsion dia souque. Plus récemment, le brevet français n0 1 582 839 a décrit un système de reproduction diazoïque utilisant une émulsion diazoSque contenant, en outre, un pigment semi-conducteur approprié, tel que du ZnO mu du CdS sensibilisé dans le visible par un colorant et un composé réductible, tel qu'un sel métallique d'un acide aliphatique ou un hydroxyde métallique qui par réduction produit un déplacement du pH de l'émulsion vers la gamme basique.Le pigment semi-conducteur utilisé présente la propriété remarquable de photodésorber de l'oxygè quand il est exposé à de la lumière visible et de réadsorber de l'oxygène quand l'exposition cesse (c'est-à-dire lorsque le pigment est dans l'obscurité), et de pouvoir réduire ledit composé réductible quand on provoque la photodésorption d'oxygène par exposition dans le visible.Ainsi, après l'exposition selon une image par de la lumière ultra-violette visant à détruire le sel de diazonium dans les parties exposées, il suffit d'ex- poser l'émulsion diazoSque à de la lumière visible pour que le pigment semi-conducteur désorbe de oxygène et réduise le composé réductible avec déplacement concomitant du pli de l'é- mulsion vers la gamme basique, ce qui permet la réaction du sel de diasonium résiduel et du coupleur et, donc, le développement de l'image. Ce système, quoique meilleur que les précédents, présente encore l'inconvénient dlEtredhne conservation limitée, le pigment semi-conducteur incorporé dans l'émulsion diazoSque conférant à cette émulsion une certaine instabilité en raison de son activité de surface. Il est connu également que le phénomène de photodésorption de l'oxygène par un pigment semi-conducteur peut Etre utilisé pour obtenir des ions OH- dans un milieu convenu ble (milieu aqueux) et par là même, provoquer une augmentation de pli tvoir J.J. Robillard, C.R. Âcad. Sci. 267, 1279 (1968)j. La présente invention vise à fournir un procédé de développement à sec des émulsions diazoïques qui permet de s1 exonérer des inconvénients signalés ci-dessus. Le procédé de l'invention, tout en autorisant un développement thermique, permet d'utiliser des émulsions diaaorques aussi stables que celles utilisées en combinaison avec un développement par l'am- moniac et présente l'avantage essentiel de ne pas entratner de dégagement de produits basiques et volatils, ce qui fait que les problèmes de pollution et de corrosion sont inexistants. Le procédé de l'invention consiste, après exposition selon une image d'un élément de reproduction diazoique formé dune couche d'émulsion diazoSque quelconque portée par un support approprié quelconque, à mettre en contact étroit un élément de développement constitué d'une couche contenant un oxyde semi-conducteur et d'un support quelconque approprié portant cette couche, avec la couche d'émulsion diasorque exposée selon une image, à chauffer l'oxyde semi-conducteur de façon à provoquer une désorption d'oxygène entranant, en présence d'eau, la formation d'ions OH" et, donc, une variation de pli dans la gamme basique causant le couplage du composé diazoSque non détruit par l'exposition selon une image avec le coupleur, puis à séparer l'élément de reproduction de l'élément de développement. L'invention concerne aussi un élément de développement tel que défini ci-dessus pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention. L'invention concerne encore un appareil pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention, appareil qui comprend des moyens pour mettre en contact étroit un élément de reproduction diazoTque préalablement exposé et un élément de développement selon l'invention; des moyens pour chauffer l'élément de développement tandis qu'il est en contact étroit avec l'élément de reproduction, et des moyens de séparation de l'élément de reproduction et de l'élément de développement. Le dispositif de l'invention peut avantageusement autre incorporé à une machine réalisant aussi l'exposition selon une image de l'élément de reproduction. Le chauffage de l'oxyde semi-conducteur peut s'effec- tuer indifféremment par la dorsale de l'élément de développement ou par la sorsale de l'élément de reproduction. Le mode de chauffage utilisé ntest pas critique, on peut, par exemple, employer un tube infra-rouge ou un rouleau chauffant. La durée du chauffage sera, en général, comprise entre 1 et 20 secondes et la température de chauffage sera, en général, comprise entre 120 et 1700C. Un avantage supplémentaire de l'invention réside dans la possibilité de réutiliser l'élément de développement. En effet, comme on l'a indiqué précédemment, le phénomène de désorption de l'oxygène est un phénomène réversible et aiissit8t, après l'étape de chauffage, l'oxyde semi-conducteur, lorsqu'il est placé dans ltobscurité, réadsorbe de l'oxygène ambiant qui peut être à nouveau désorbé lors d'un chauffage ultérieur. Le nombre de cycles d'utilisation de l'élément de développement est très grand et n'est, en pratique, limité que par l'usure mécanique de celui-ci. Btélément de développement est constitué d'une couche contenant des grains ou particules d'oxyde semi-conducteur liés par un liant assurant la cohésion de la couche, et d'un support portant cette couche. La couche contenant l'oxyde semi-conducteur peut contenir, facultativement, divers adjuvants destinés à faciliter le couchage de la couche sur le support ou à améliorer 11 adhésion de la couche au support. A titre indicatif, la quantité d'oxyde semi-conducteur appliqué sur le support peut autre de 3 à 25 g/m2. Le liant utilisé pour lier les grains d'oxyde semiconducteur n'est pas critique et on peut, en pratique, utiliser ntimporte quel liant utile dans le domaine des émulsions photographiques et analogues. Le support utilisé n'est pas non plus critique du moment qu'il permet le chauffage de la couche d'oxyde semi-conducteur. En pratique, on utilisera généralement, comme support, une feuille de papier ou un film en matière polymère. L'épaisseur de la couche de grains d'oxyde semi-conducteur n'est pas non plus critique. On peut appliquer, par exemple, une couche d'épaisseur comprise entre 10 et 50 à l'état humide. Comme grains d'oxydes semi-conducteurs ayant la faculté de désorber de l'oxygène lorsqu'ils sont chauffés et de réabsorber de l'oxygène lorsqu'ils sont placés dans ltobscu- rité, on peut citer l'oxyde de zinc, l'oxyde de titane, la zircone, l'oxyde d'étåin, les oxydes de terres rares, etc.. convenablement dopés. Les grains utilisés auront généralement une grosseur allant de 0,1 à 10 microns. A ce jour, on préfère des grains d'oxyde de zinc. Le processus de formation d'ions OH- peut être illustré comme suit : au cours du chaux age de l'oxyde semiconducteur, ce dernier transfère un électron à l'oxygène moléculaire adsorbé à sa surface selon l'équation suivante et devient donc positif O2 + e- # O2 (1) Cet oxygène est alors désorbé et réagit avec l'eau qui est toujours présente, au moins à ltétat de traces, dans l'émulsion diazoïque selon l'équation + H2O # HO2 + OH- (2) H02 se dépompose pour former de l'eau oxygénée et régénérer l'oxygène moléculaire selon l'équation 2 H02 > H202 + O2 (3) Les ions OH formés dans la réaction (2) restent adsorbés sur l'oxyde semi-conducteur qui est chargé positivement. oxyde+ + OH- + oxyde+ .OH- (4) et constituent une réserve d'ions OH- pour la réaction de couplage des sels de diazonium résiduels de l'émulsion diazoïque. Au fur et à mesure que ces ions sont consommés par la réaction de couplage, ils se trouvent remplacés sur les sites positifs de 11 oxyde semi-conducteur par d'autres ions provenant de la réaction (2), jusqu'à ce que la réaction de couplage assurant le développement de émulsion diazoïque s'achève. A titre illustratif d'oxydes dopés semi-conducteurs particuliers utiles dans l'invention, on peut citer les suivants Oxydes Dopage Oxydes Dopages TiO2/TiO Cu ZrO2 La/Cu TiO2 Celui ZnO Cu TiO2 La/Ni ZnO Ce/Ni TiO2 Ce/Cu ZnO Ni ZrO2 Ce/Ni ZnO La/Ni Ces oxydes métalliques dopés peuvent autre préparés, par exemple, par le procédé suivant Le dopage s'effectue par immersion du matériau en poudre dans une solution de sels des matériaux dopants. Cette opération est suivie d'un traitement thermique permettant une diffusion des ions métalliques adsorbés à la surface des grains dans le volume de ceux-ci.La poudre est agitée mécaniquement dans un grand volume de solution pendant une demi-heure environ, elle est ensuite filtrée et introduite sous faible épaisseur dans un four où elle est portée à une température variant de 300 à 5000C pendant plusieurs heures. La température du four et la durée du traitement dépendent de la nature de l'oxyde et de la diffusivité des ions métalliques de la surface à l'intérieur des grains. La quantité de métal adsorbé à la surface d'un grain de 10 microns dans une solution à 1 % est de tordre de 10 4 à ions atomes de métal par atome de la maille cristalline de l'oxyde. La poudre est ensuite séparée de la solution par filtration et lavée plusieurs fois dans de 11 eau distillée. Elle est alors filtrée de nouveau et disposée sous faible épaisseur dans des nacelles pour la diffusion thermique. Cette diffusion s'effectue en deux étapes : d'abord à une température T pendant un temps t1 et ensuite à une température 22 pendant le temps t2. A la fin de 11 opération, le four est ramené graduellement à la température ambiante. La poudre qui s'est agglomérée en une masse solide est alors broyée et redispersée dans des broyeurs à boulets pendant plusieurs heures, jusqu'à ce que les grains passent au travers d'un tamis d'une ouverture de mailles appropriée choisie. Le Tableau I ci-après domine des solutions utilisables pour divers oxydes, ainsi que les températures et durée de traitement thermique. Les caractéristiques des oxydes dopés sont données dans le Tableau il. T A B L E A U I Oxyde Forme Solution Concentration T1 t1 T2 t2 cristaline de dopant (%) ( C) (h) ( C) (h) TiO2RL16 rutile Cu SO4 1 100 1 420 4 TiO2RL75 rutile Ce(SO4)2 NiCl2 0,92 - 0,78 100 1 400 4 TiO2RL90 rutile Ce(SO4)2 NiCl2 0,92 - 0,78 200 1 380 4 TiO2AT1 anatase LaCl3 NiCl2 1 - 0,78 200 1 350 6 TiO2AT4 anatase Ce(SO4)2 CuSO4 0,92 - 1 200 1 320 6 ZnO Neige A Zincite CuSO4 1 100 1 475 5 ZnO Kadox15 Zincite Ce(SO4)2 NiCl2 0,92 - 0,78 100 1 450 5 ZnO Kadox72 Zincite NiCl2 0,78 100 1 450 5 ZnO Photox 801 Zincite LaCl3 NiCl2 1 - 0,78 100 1 450 5 ZnO USP 12 Zincite LaCl3 NiCl2 1 - 0,78 100 1 450 5 ZrO2 Baddeleyite Ce(SO4)2 NiCl2 0,92 - 0,78 200 1 500 4 ZrO2 Baddeleyite LaCl3 CuSO4 1 - 1 200 1 500 4 T A B L E A U II Oxyde Type Densité Pureté Impuretés Dimension pH Origine (%) des (A) particules (microns) Anatase AT1 3,8 98,0 Al, Si 0,03 6,8 TM Anatase AT4 3,7 96,0 Al, Si 0,3 6,8 TM Rutile RL16 4,0 90,0 Al, Si 0,35 6,8 TM 7,8 Rutile RL75 3,8 86,0 Al, Si 0,35 6,8 TM 8,0 Rutile RL90 4,0 96,0 Zn, Al, Si 0,40 8,0 TM Oxyde de zinc Neige A 5,67 99,7 Pb, Cd, S, Fe 0,17 7,0 VM Oxyde de zinc USP 12 5,60 99,8 PbO, As2O3 0,30 7,0 NJZ Oxyde de zinc Photox 801 5,65 99,8 PbO, CdO 0,37 7,0 NJZ (A) TM : Fabriques de Produits Chimiques de Thann et Mulhouse. VM : Société de la Vieille Montagne. NJZ: New Jersey Zinc Company. Le procédé de l'invention peut autre utilisé pour développer n'importe quel élément de reproduction comprenant une émulsion diazoique du type développable à l'ammoniac. Une émulsion diazoïque de ce type comprend généralement au moins un composé diazoique, au moins un coupleur, un liant, au moins un agent stabilisant (acide, complexants) et, facultativement, divers adjuvants assurant l'adhésion de la couche d'émulsion sur le support ou facilitant le couchage de la couche d'émulsion sur le support. Les exemples non limitatifs suivants sont donnés en vue d'illustrer le procédé de l'invention. Exemple 1 Un morceau de papier d'une épaisseur de 70 microns environ, recouvert d'une couche d'arrêt pour les solvants, est enduit dlne couche de 35 microns environ (à l'état humide) de la composition I suivante qui a été émulsionnée pendant 24 heures dans un broyeur à billes : Composition ZnO USP 12 (oxyde de zinc dopé au La et Ni, vendu par New Jersey Zinc Co)....... 50 g GMS 264 (liant formé de polymères acryliques, vendu par Monsanto Co) .......... 20 g Ethanol 75 g Après évatoration du solvant éthanol, ce papier revêtu constitue ltélément de développement selon l'invention. Un autre morceau de papier similaire est enduit d'une couche de 20 microns environ (à l'état humide) de la composition diazo il suivante : Composition II Eau ..... 30 g { Thiourée* 12,5 g 4g ZnCl2** ... 4 g Acide citrique*** 4 g Ethanol ................ 1 g Diéthylamino-4-benzènediazonium, 1/2 tétrachlorozincate 0,028 g Sel de sodium de l'acide dihydroxy2, 7-naphtalène-disulfonique-3, 6 0,032 g * Agent stabilisant utilisé pour prévenir le noircissement des résidus phéboliques. ** Agent complexant du colorant formé permettant d'obtenir une intensification de l'image après développement. C'est éga lement un composé acide contribuant à stabiliser l'émul- sion avant exposition et développement. *** il permet d'assurer un pH suffisanient acide pour une bonne conservation de 11 émulsion. Après séchage, ce papier revêtu constitue un élément de reproduction diazoïque. Btélément de reproduction est exposé selon une image, à travers une diapositive, à des radiations ultra-violettes situées dans le proche ultra-violet, puis est mis en contact avec l'élément de développement (couche diazoïque contre couche d'oxyde de zinc). Conne source de radiations ultra-violettes, on peut utiliser une lampe haute pression de mercure (spectre d'émission situé entre 300 et 400 nm) ou un tube fluorescent dont le maximum d'émission se situe entre 350 et 450 nm. Les éléments en contact mutuel sont chauffés par la dorsale de l'élément de développement à 1500C pendant 5 secondes à l'aide d'un rouleau chauffant. Les éléments sont séparés et on observe sur l'élément de reproduction une reproduction en bleu de la diapositive. L'élément de développement peut servir de nouveau, après un séjour dans l'obscurité, pour d'autres développements. Exemple 2 Un morceau de papier baryté, d'une épaisseur de 200 microns environ, est enduit d'une couche de 40 microns environ (à l'état humide) de la composition III suivante Composition III ZnO Neige A (oxyde de zinc dopé au Cu, vendu par la Société de la Vieille Montagne) , 20 g Résine E 202 (liant formé de polymères acryliques modifiés, vendu par De Soto) 8 g Acétone 11,5 g Toluène 8,5 g Après séchage, ce papier revêtu constitue l'élément de développement selon ltinvention. Un autre morceau de papier similaire est enduit d'une couche de 15 microns environ (à lfétat humide) de la composition diazo IV suivante COMPOSITION IV eau ...... 30 g thiourée .... 12,5 g ZnCl2 ...... 5 g Acide citrique 4 g ...... 4g éthanol .............. 1 g phénylacétamino-4-diéthoxy-2,5 benz nediazonium, 1/2 tétrachlorozincate .............. 0,028 g éthanolamide de l'acide résorcylique 3,5 .............. 0,032 g Après séchage, ce papier revêtu constitue un élément de reproduction diazoique. L'élément de reproduction est exposé comme à exemple 1, puis est mis en contact avec l'élément de développement (couche diazoïque contre couche d'oxyde de zinc). Les éléments en contact mutuel sont chauffés par la dorsale de l'élément de reproduction diazolque à 1400C pendant 7 secondes à l'aide d'un rouleau chauffant. les éléments sont séparés et on observe sur l élément de reproduction une reproduction en rouge de la diapo- sitive. La mise en contact de l'élément de reproduction et de l'élément de développement, et le chauffage des grains d'oxyde semi-conducteur peuvent se faire de diverses façons, ainsi que cela sera évident pour l'homme de l'art. La mise en contact et le chauffage peuvent etre effectués dans un dispositif indépendant de la machine ayant servi à exposer l'élément de reproduction, mais il est avantageux, du point de vue de la commodité d'emploi et de la rapidité d'obtention des reproductions, d'incorporer le dispositif de développement selon l'invention et le dispositif dtexposition dans une machine unique. Les figures 1 et 2 représentent schématiquement chacune une telle machine intégrée. La machine de la figure 1 comprend une entrée 1 recevant l'élément de reproduction diazoïque 2 et l'original 3 à reproduire, l'original étant placé au contact de l'élément 2. Une fois insérés dans l'entrée 1, l'élément 2 et l'original 3 sont entraînés, respectivement, par une première courroie transporteuse 4 sans fin en matière poreuse ou percée d'ouvertures et par une seconde courroie transporteuse 5 sans fin entraînée à la meme vitesse par des cylindres d'entraînement 6 et 7, respectivement, et sont amenés à passer sur un tambour d'exposition 8 dont la surface cylindrique est transparente et au centre duquel se trouve ure source 9 de lumière ultra-violette, telle qu'un tube luminescent au mercure.Après leur passage sur le tambour d'exposition, l'original 3 est séparé de l'élément 2 à l'aide d'une chambre 10 dont le volume intérieur est sous une pression inférieure à la pression atmosphérique, étant relié à une pompe à vide (non représentée) ou analogue. La paroi frontale 11 de la chambre 10 est pourvue d'ouvertures 12, de sorte que, lorsque l'élément de reproduction 2 sort du tambour d'exposition, il est plaqué contre la paroi 11 sous l'effet de la dépression régnant dans la chambre 10, cette dépression exerçant ses effets sur ltélément 2 au travers des ouvertures 12 de la chambre 10 et des pores ou des ouvertures de la courroie 4.Le plaquage de l'élément 2 contre la paroi 11 entraîne un plaquage concomitant de la courroie 4 contre ladite paroi qui, lorsqu'aucun élément de reproduction ne passe devant la paroi frontale 11, se déplace devant celle-ci avec un certain espacement mutuel, par exemple de l'ordre du centimètre. En d'autres termes, il se produit une déformation du trajet suivi par la courroie 4 lorsque ltélément 2-arrive à la paroi frontale 11, comme indiqué en traits mixtes. Par contre, la dépression n' atteint pas 1' original 3 du fait de la nature imperméable de l'élément de reproduction 2 qui fait écran entre ledit original et la dépression, de sorte qu'à la sortie du tambour 8, l'original continue son chemin tout droit et, donc, se sépare de l'élément 2.L'original J, du fait de son propre poids, retombe alors sur la courroie transporteuse 5 qui ltentratne vers la sortie 13 de ltoriginal. Une fois que l'élément 2 a été séparé de l'original 3, il est amené au contact d'un élément de développement 14 selon ltinvention constitué d'une courroie 15 sans fin (servant de support) revêtue d'une couche 16 contenant un oxyde semiconducteur et entraîné par un cylindre d'entraînement, tel que 17, à la même vitesse que la courroie 4. Un contact étroit entre l'élément de développement 14 et l'élément de reproduction 2 est établi autour d'un tambour de chauffage 18 par la courroie 4 qui presse ltélément de reproduction 2 et l'élément de développement 14 contre ledit tambour de chauffage.La surface cylindrique de ce dernier est constituée d'une matière, telle que du verre de silice fondue, relativement transparente aux radiations infrarouges et comprend, disposée en son centre, une source fixe 19 de radiations infra-rouges, telle qu'une lampe OSRAM Siccatherm de 375 watts. Le chauffage de l'élément de développement, avec lequel l'élément de reproduction est en contact étroit, assure le développement de llémulsion diazorque exposée, portée par l'élément de reproduction en une copie positive de l'original. Après son passage sur le tambour 18, l'élément de reproduction dévelonpé est amené à la sortie 20 où on le recueille. L'émission de la source infra-rouge incorporée dans le tambour de chauffage est synchronisée avec le passage de l'élément de reproduction, afin de ne pas avoir un chauffage constant de l'élément de développement, un chauffage permanent pouvant abréger la durée de vie dudit élément. La température de chauffage est réglable en jouant sur l'intensité d'alimentation de la source 19. L'ensemble des organes de la machine est placé dans une carrosserie 21 de forme appropriée. Entre deux passages successifs sur le tambour de chauffage, l'élément de développement, placé dans l'obscurité relative régnant dans la carrosserie 21, a le temps de se régénérer par adsorption d'oxygène de l'air ambiant. La figure 2 illustre une variante de réalisation de la machine de la figure 1, qui ne diffère de cette dernière que par le fait que le tambour de chauffage 18 est remplacé par une presse chauffante 22 comprenant deux mâchoires 23 et 24. La mâchoire supérieure 23 est fixe au-dessus de la courroie 4 et ne chauffe pas. La mâchoire inférieure 24 est chauffante et mobile verticalement. Au repos, la mtchoire 24 est ouverte, c'est-à-dire espacée de l'élément de développement 14.Lorsque l'élément de reproduction exposé arrive en coincidence avec la mâchoire supérieure 23, la courroie 4 et l'élément de développement 14 s'arrêtent et la mâchoire inférieure 24 est refermée et vient presser lXélément de développement contre ltélément de reproduction, assurant le chauffage de l'élément de développement et le développement de l'image sur 11 élément de reproduction. La température de la mâchoire 24 ainsi que la durée pendant laquelle elle est maintenue en position fermée sont réglables. Il va de soi que des modifications peuvent autre apportées aux modes de réalisation qui viennent d'entre décrits, notaninient par substitution de moyens techniques équivalents, sans sortir pour cela du cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de c'-veloppemea1t à sec d'un élément de reproduction diazorque, caractérisé en ce qu'il consiste, après exposition selon une image d'un élément de reproduction diazolque formé d'une couche d'émulsion diazorque quelconque portée par un support approprié quelconque, à mettre en contact étroit un élément de développement constitué d'une couche contenant un oxyde semi-conducteur et d'un support quelconque approprié portant cette couche, avec la couche d'émulsion dia zoTque exposée selon une image; à chauffer oxyde semi-conducteur de façon à provoquer une désorption d'oxygène entrainant, en présence d'eau, la forrnation d'ions oH- et donc, une variation de pH dans la gamme basique causant le couplage du composé diaaorque non détruit par l'exposition selon une image avec le coupleur; puis à séparer l'élément de reproduction de ltélément de développement. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que oxyde semi-conducteur est de 11 oxyde de zinc convenablement dopé. 3. Elément de développement pour la mise en oeuvre du procédé de la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est constitué d'une couche contenant un oxyde semi-conducteur adhérant à un support. 4. Elément selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'oxyde semi-conducteur est de l'oxyde de zinc eonvenablement dopé. + 5. Appareil pour la mise en oeuvre du procédé de la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour mettre en contact étroit un élément de reproduction diazorque préalablement exposé selon une image et un élément de développement selon la revendication 3, des moyens pour chauffer l'élément de développement tandis qu'il est en contact étroit avec 1'élément de reproduction, et des moyens de séparation de l'élément de reproduction développé et de l'élément de développement. 6. Appareil selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il est incorporé à une machine réalisant aussi lexposi- tion selon une image de l'élément de reproduction.