Brevet FR2359506A1 — publié le 19780217

L9lnvention concerne un procedé pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur, plus particulièrement du type comprenant une première région à concentration impureté élevée dsun premier type de conductivité, contigu à une seconde région à faible concentration impureté diun second type de conductivité qui peut étre identique ou différent du premier type de conductivité. Dans les dispositifs semi-conducteurs à haute fréquence, puissance élevée ou largement intégrés9 il est nécessaire de former avec une haute précision des régions à concentrations en impureté différentes et de types de conductivité différents, dans des structures à deux ou â trois dimensions.Particulièrement, dans la formation deune région dvun premier type de conductivité (par exemple du type n) à concentration en impuretés très élevée, contigu à une région dgun second type de conductivite (par exemple du type ) à faible concentration en Impuretés, par diffusion sélective, croissance épitaxiale sélective, etc... une redistribution (diffusion extérieure) dvimpuretes du premier type de conductivité se produit par diffusion anormale, diffusion de surface, nouvelle évaporation, attaque chimique, etc., due au traitement à haute température qui est nécessaire. En conséquence, une formation précise des régions respectives devient difficile. En outre, il se produit également une redistribution de 19 impureté à partir de la région fortement dopée vers la région adjacente légèrement dopée, après formation des régions respectives, dans tout traitement à haute température, tel qusoxydationg diffusion, croissance épitaxiale, ou déposition chimique de vapeurs, et cela pour des raisons similaires. Ainsi, non seulement les formes prédéterminées sont déformées, mais également des régions adjacentes, mais dopées plus ou moins fortement, peuvent être court-circuitées à travers une région de redistribution à concentration originale en impureté plus faible, ce qui conduit à la destruction de la structure ou des caractéristiques du dispositif étudié et projeté. La présente invention a pour but de créer un procédé pour la fabrication dgun dispositif semi-conducteur comprenant des régions adjacentes et nettement définies de concentrations en impureté respectivement élevée et faible, en évitant les inconvénients traditionnels. Suivant un aspect de Islnvention, elle concerne un procédé pour la fabrication dçun dispositif semi-conducteur comprenant une région fortement dopée adjacente à une région faiblement dopée, ou presque intrinseque dans une plaque semiconductrice, procédé caractérisé en ce qu on diffuse une impureté dgun premier type de conductivité pour former une région fortement dopée du premier type de conductivité et on diffuse une autre impureté dQun second type de conductivité9 opposé au premier, dans au moins une partie de cette région fortement dopée du premier type de conductivité, de manière à supprimer substantiellement effet de cette impureté du premier type de conductivité dans cette région légerement dopée ou presque. intrinsèpue, par compensation des impuretés de ces deux types de conductivité Ce procédé est particulièrement efficace dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs tels que semi-conducteurs a induction statique, comprenant transistors, thyristors, logiques intégrés déjà proposés par différents brevets japonais dans les demandes 46-28 405, 46-57 768, 50-126 111, 50-126 112, 50-126 113, 50-146 588 et 50-93 748. La description ci-après se rapporte à divers exemples d#application du procédé de l#invention, avec référence aux dessins annexés, dans lesquels - Les figures la et lb sont des vues en coupe transversale d'une plaque semi-conductrice montrant comment une région fortement dopée est formée dans une région de semi-conducteur à faible concentration en impureté de type de conductivité opposé; Les figures 2a et kb sont des vues en coupe transversale montrant comment une diffusion anormale se produit à partir d'une région fortement dopée à l'intérieur d'une région faiblement dopée;; - Les figures 3a à 3c sont des vues en coupe transversale d'un dispositif semi-conducteur montrant comment une diffusion anormale d'une impureté, à partir d'une région fortement dopée, peut etre compensée conformément à 16 invention;; Les figures 4a et 4b sont des vues en coupe transversale d'une plaque de semi-conducteur montrant comment une diffusion en surface ou une redistribution se produit à partir d'une région fortement dopée dans une région légèrement dopée, par formation d'un film isolants - Les figures Sa à 5c sont des vues en coupe transversale montrant comment une redistribution d'limpureté se produit à partir d'une région fortement dopée dans une région légèrement' dopée, par formation d'une couche de revetementS - Les figures 6a à 6c srnt des vues montrant comment une redistribution impureté peut etre compensée suivant un autre exemple d'application de l'invention. Les figures la et lb montrent le procédé traditionnel de formation d'une région fortement dopée d'un premier type de conductivité dans un cristal à faible concentration en impureté. Pour former une région fortement dopée, par exemple du type E, dans une région à faible concentration en impureté du type n ou du type E, un mince film 11 dioxyde ou de nitrure, servant de masque de diffusion, est formé sur la surface de la plaque de semi-conducteur 1, et une ou plusieurs fenetres appropriées sont formées dans ce film, par la technique usuelle d'attaque photo ou attaque sélective. Dans le cas présent, des fenêtres ont été formées sur chacun des cotés du masque de diffusion 11. Ensuite, une impureté de type 2 est fortement dopée dans la plaque de semi-conducteur 1, par la diffusion, à partir d'une vapeur d'impureté ou à partir de verre ou d'oxyde dopé, d'une couche contenant l'impureté pour former des régions 2 fortement dopées. Une région non diffusée IP, cgest-à-dire une région à faible concentration en impuretés, subsiste sous le masque de diffusion 11 (voir figure lob). Ici, existe une possibilité pour que les atomes dtimpu reté dopée diffusent le long de la surface, c'est-à-dire le long de l'interface entre le masque de diffusion ll et la plaque de semi-conducteur 1, å une vitesse élevée anormale (diffusion anormale qui peut être causée par des tensions interfaciales). Cela constitue également un genre de redistribution au sens du phénomène décrit par l'invention. Lorsqu'unie paire de régions fortement dopées 2 sont situées près l'une de l'autre comme dans ce cas, elles peuvent communiquer entre elles à travers une couche de diffusion anormale 20 comme représenté dans la figure 2a. Une telle diffusion anormale devient d'autant plus apparente que la concentration en impureté dans la région fortement dopée 2 est plus élevée, que la concentration en impureté dans la région faiblement dopée ou région intrinsèque 1 est plus basse, et que la séparation entre la paire de régions fortement dopées 2 est plus courte. En outre, la diffusion indésirable dépend de l'épaisseur et de la matière du masque 11, de la température de diffusion, de la période de diffusion, etc.Par exemple, la concentration de creux dans la couch de diffusion anormale atteint une valeur de l'ordre de 1012 à 1014/cl3 lorsque la concentration en impureté dans la région à faible concentration en impureté 1 est égale à environ 5 x 1012-å 2 x 1013 atomes/cm3, la concentration en impureté de surface, par exemple du bore B, dans la région de type 2 fortement dopée 2, est égale à environ 1020 atomes/cm3, la séparation entre les régions adjacentes fortement dopées 2 est égale à 5 à 10 microns, la température de diffusion est égale à 12000C, la période de diffusion est de 30 minutes et le masque 11 est formé de SiO2 et a une épaisseur d'environ 4 000 angstrom. En outre, même si les régions fortement dopées adjacentes ne sont pas connectées entre elles, cependant, comme le montre la figure 2b, l'extension anormale de la couche 29 de type 2 le long de la surface du cristal abaisse la précision dimensionnelle et peut accroître la capacité de jonction.Ainsi, une distribution désirée de densité de porteur ne peut pas etre obtenue, et, en conséquence, il n'est pas possible de réaliser un élément semiconducteur de caractéristiques électriques désirées, Le problème cibdessus devient sérieux dans la diffusion sélective pour former la région de grille de type de jonction de transistors à effet de champ du type à induction statique et de thyristors, la diffusion dgémetteur dans des transistors bipolaires et la diffusion sélective pour la formation d'électrodes de source et de drain de transistors à effet de champ. Conformément à un mode de réalisation de l'invention, les effets d'atomes d'impureté redistribués anormalement, d'un premier type de conductivité, le long de l'interface entre un masque de diffusion et un corps semi-conducteur situé en-dessous, sont supprimés en dopant le masque de diffusion avec une impureté d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité de la région fortement dopée, de manière à compenser élec -troniquement les atomes d'impureté redistribués du premier type de conductivité avec ceux du second type de conductivité sous le masque de diffusion. Les figures 3a à 3c illustrent ce mode de réalisation de l'invention. Un masque de diffusion li contenant une impureté de type n est formé sur une plaque de semi-conducteur 1 de type n (figure 3a). Le masque de diffusion 11 peut etre formé par oxydation de la surface de la plaque de semi-conducteur 1, à 12000C dans une atmosphère formée d'un mélange d'environ 1 cc/min. d'oxygène sec passant à travers le PC13 refroidi par de la glace sèche, dans un courant principal humide de gaz oxygène de 5 litres/mn. D autre manière, le masque de diffusion ll peut être un film d'oxyde silicium (Si02) déposé par vapeur chimique ou de nitrure de silicium (Si3Na4), contenant une impureté formée par addition d'une faible quantité d'un hydrure ou d'un chlorure d'un élément d'impureté dans un mélange principal de gaz formé de SiH4 + O, ou de SiH4 + NH3. Ensuite, le masque de diffusion 11 est attaqué sélectivement par la technique usuelle, et une impureté de type p est alors diffusée dans la plaque de semi-conducteur 1 pour former des régions 2 fortement dopées de type p. Après ce processus de diffusion, les atomes d impureté de type n qui sont contenus dans le masque de diffusion ll diffusent vers l'extérieur dans le semiconducteur 1 (voir leg figure 3~) et compensent les atomes dlimpuX reté diffusés anormalement à partir des régions 2 fortement dopées. Une sélection appropriée du niveau de dopage dans le masque de diffusion 11 permet de conserver le type de conductivité effectif et la concentration en porteurs dans la région de surface 19S qui autrement seraient altérés. En outre, l'extension de la frontière des régions dopées le long de la surface (comme montré par les régions 29 dans la figure 2b) peut etre efficacement évitée par le procédé mentionné ci-dessus. En effet, la frontière effective des régions dopées 2 près de la surface devient celle représentée par la ligne en traits pleins A dans la figure 3c. Ainsi, la précision dimensionnelle peut également être améliorée. Dans le cas où les régions de concentration élevée et les régions de faible concentration en impureté sont de types de conductivité opposés, comme dans l'exemple exposé plus haut, la quantité préférée de l'impureté à doper dans le masque de diffusion est d'un niveau tel que la concentration en impureté résultante dans la plaque de semi-conducteur 1 sera égale ou légèrement inférieure à la concentration d'impureté redistribuée à partir de la région fortement dopée.Lorsque les deux régions sont du même type de conductivité, le niveau de dopage préféré est tel que la concentration en impureté résultante dans le semi-conducteur est légèrement inférieure ou au maximum égale à la concentration en impureté redistribuée à partir de la région fortement dopée En effet, l'impureté résiduelle non compensée dans la plaque de semi-conducteur 1 doit être du meme type de conductivité que celui de la région à faible concentration. il est visible qu'une distribution uniforme de lVimpu- reté dans le masque de diffusion n'est pas nécessaire. Un masque de diffusion ne contenant pas d'impureté peut être appliqué sur un masque de diffusion contenant un niveau désiré dìmpureté, ou bien l'impureté peut être graduée. Diverses modifications ou variantes peuvent être adoptées en fonction du genre d'impureté, de la concentration de l'impureté redistribuée, etc. Bien que l'exemple précédent ait été décrit à propos de la formation de régions fortement dopées par la diffusion sélective, la présente invention peut être adaptée au cas d'une croissance épitaxiale sélective ou autre.Dans le cas de la croissance épitaxiale sélective, une impureté d'un type de conductivité opposé à celui de la couche de croissance sélective peut être ajoutée dans le masque (six2, Si3Na4, etc.), pour la croissance sélective. Conformément a' une autre réalisation de l'invention, une couche d'un type de conductivité opposé à celui de la région fortement dopée qui doit être ensuite formée est tout d'abord formée, par diffusion ou par croissance épitaxiale, dans ou sur la surface du semi-conducteur, avant la formation d'un masque de diffusion.Ici, à nouveau, la concentration en impureté dans la région dopée préliminaire est choisie pour être égale ou légèrement supérieure à la concentration en impureté attendue comme devant être redistribuée à partir de la région fortement dopée, lorsque les régions de haute et de basse concentration en impureté sont de types de conductivité opposés, et pour être égale ou légèrement inférieure à cellesci lorsque les régions sont de types de conductivité identique. Ce procédé apporte des effets similaires pour résoudre le problème de diffusion indésirable décrit à propos des figures 2a et 2b. Une combinaison des procédés ci-dessus est également efficace. La description ci-après se rapporte à un autre problème et à sa solution conformément à l'invention. On suppose# ici que des régions à haute et à basse concentration en impureté 2 et 1 sont déposées sur une surface de semi-conducteur sans aucun film passif tel qu'un film d'oxyde (comme représenté dans la figure 4a). Lorsqu'un film dioxyde'ou de nitrure ll est formé sur la totalité de la surface de la plaque semi-conductrice, par dépit chimique ou oxydation thermique, les atomes d'impureté dans les régions fortement dopées 2 diffuseront vers l'extérieur et/ou sSévaporeront dans la phase gazeuse et se redéposeront sur la surface en raison de la température élevée qui est requise dans une telle opération.Il en résulte que les régions fortement dopées 2 subissent une expansion vers lvexté- rieur, et qu'une mince couche 22 de concentration d'impureté relativement basse peut etre formée, qui a le même type de conductivité que celui de la région fortement dopée 2, comme montré dans la figure 4b. Cela provoquera naturellement un court circuit des régions fortement dopées 2 situées très près l'une de l'autre et s'opposera à la réalisation de la performance désirée pour l'élément. Ce problème devient grave dans les cas où une troisième région ou un masque de diffusion doivent etre formés. Une solution pour ce problème consiste à diffuser légèrement ou déposer une impureté du type de conductivité opposé à celui des régions fortement dopées 2 dans toute la surface de la plaque de semi-conducteur 1 avant de procéder à la formation d'une troisième couche ou d'un film isolant d'oxyde ou de nitrure, de manière à compenser les atomes redistribués à partir des régions fortement dopées 2. Une variante de procédé consiste à doper en impureté de type de conductivité opposé le film isolant à former. Lorsque doit être formée une région fortement dopée dans une plaque de semi-conducteur l légèrement dopé ou presque intrinsèque du même type de conductivité, comme c'est le cas pour la formation d'une électrode de grille enrobée de dispositif semiconducteur de type à induction statique, on peut, par exemple, former une région fortement dopée 2 dans une couche de cristal semi-conducteur l d'une faible concentration en impureté de type de conductivité opposé, comme montré dans la figure lb.Ensuite, le masque est retiré pour exposer à la fois les deux régions et on dépose par croissance une couche épitaxiale 3 de faible concentration en impureté de type de conductivité opposée (comme montré dans la figure Sa). Cette croissance épitaxiale est réalisée ici à une température élevée d'environ 1100 à 12000C. En conséquence, tout d'abord, dans 11 opération de chauffage avant la croissance épitaxiale, les atomes d'impureté dans la région fortement dopée 2 peuvent s'évaporer et se déposer à nouveau ou diffuser le long de la surface pour se redistribuer dans -la portion de surface de la couche de semi-conducteur 1.Ensuite, dans l'étape initiale de croissance épitaxiale, les atomes d'impureté de la région fortement dopée peuvent également s'évaporer et se déposer à nouveau sur la surface et diffuser le long de la surface, ou bien ils peuvent être libérés dans la phase gazeuse en même temps que les atomes de semi-conducteur, par l'agression chimique dVHCl, qui est produite par la réaction de croissance et ensuite réintroduite dans la couche de croissance 3, et ainsi de suite Il en résulte qu'une structure prévue telle que montrée figure Sa ne peut pas être réalisée, mais que se forment des structures telles que montrées dans les figures 5b et 5c.Meme dans la figure Sa, la région fortement dopée 2 est sujette à un certain degré dgextension dans la région 3 de faible concentration en impureté en raison de la diffusion thermique d'atomes d'impureté au cours du traitement de chauffage Dans la figure 5b, les atomes d'impureté contenus dans la région fortement dopée 2 se redistribuent dans le voisinage de l'interface de la plaque de semi-conducteur 1 et de la couche de croissance 3, et ils forment une région 22 de même type de conductivité que celui de la région fortement dopée 2 Ainsi, une paire de régions fortement dopées adjacentes peuvent être court-circuitées, ou encore les couches 1 et 3 de faible concentration en impureté sont séparées par~une région 29 non formée intentionnellement. En outre, les régions fortement dopées 2 subiront une expansion à l'intérieur de la région 3 à faible concentration en impureté par l'effet dit d9auto-dopage du à la réaction dVagres- sion chimique en retour et analogue. La. figure 5c montre un état intermédiaire dans lequel les régions 29 nouvellement formées, produites par la redistribution des atomes d'impureté provenant des régions fortement dopées 2, se sont étendues le long de la surface, mais ne sont pas encore en contact entre elles.Ce phénomène de formation de structures comme celles montrées dans la figure Sc, et plus remarquablement dans la figure o, devient même encore plus remarquable lorsque la concentration en impureté dans la plaque de semi-conducteur 1 et dans la couche de croissance 3 est plus faible, lorsque la température de croissance est plus élevée, lorsque la concentration en impureté dans la couche fortement dopée 2 est plus élevée, et lorsque la largeur ou la. surface de la région le de faible concentration en impureté définie par les régions fortement dopées 2 est plus petite. Par exemple, dans une structure telle que montrée dans la figure. 5b qui a été obtenue avec un cristal semi-conducteur de silicium, la région fortement dopée 2 avait une impureté (de bore) d'une concentration égale à environ o20 atomes/cm3 et une distance de séparation de 20 à 30 microns, la région de matrice de type n avait une basse concentration en impureté égale à environ lol atomes/cm3 et une couche de croissance 3 de type n ayant une concentration en impureté égale à environ 1014 atomes/cm3, formée à une épaisseur de 20 microns à 1200 C par croissance épitaxiale avec le gaz SiO2 + H20 Dans ce cas, la région 2e redistribuée du type p avait une concentration en impureté environ 5 x 1014 à lol atomes/cm3 et une épaisseur de 2 à 3 microns, et la région fortement dopée 2 de type ç s'était épandue dans la couche de croissance sur environ 5 à 8 microns. Meme lorsque lqampleur de ce phénomène est faible et dugon réalise une structure telle que celle montrée figure 5c, la zone de jonction croit inévitablement et les dimensions des régions respectives ne peuvent pas être controlées avec précision. Alors, le rendement de produits décroît, Spécialement pour des dispositifs pour haute fréquence et haute puissance et de densité d'intégration élevée. Par exemple, ce phénomène soulève un grave problème dans la formation dune région enrobée de haute concentration en impureté dans un dispositif semi-conducteur à effet de champ à induction statique et également dans la formation d'autres régions enrobées à haute concentration en impureté dans des dispositifs semi-conducteurs. Les figures 6a et Eb montrent une solution pour ce problème. Avant la croissance épitaxiale, une impureté de type de conductivité opposé à celui de la région 2 fortement dopée est préalablement déposée (adsorbée) ou diffusée (entraînée) dans toutes les portions, ou des portions sélectionnées de la surface du semi-conducteur 19 pour compenser les atomes de impureté redis tribués. Dans la figure 6a, une couche 3g d'une telle matière d'impureté est déposée sur la surface. Si l'impureté est de type n, le dépot peut être effectué au moyen d'un dépôt de verre au phosphore dans une atmosphère de PC13 + N2 + 02 à 500-800 C pendant environ 20 minutes.Cette couche de verre déposée est enlevée avant la croissance, avec l'impureté adsorbée sur la surface du semi-conducteur. Dans la figure 6b, une couche 3 est une couche diffusée formée par le procédé classique connu pour obtenir, par exemple, une concentration en impureté de surface de 1015 à 1017 atomes/cm3 et une profondeur de quelques microns. Si la région 2 à haute concentration en impureté et la couche épitaxiale 3 à faible concentration en impureté sont du même type de conductivité, la concentration en surface de l'impureté de type de conductivité opposé peut être plus faible et également la profondeur de la couche.Des atomes d'impureté redistribués à partir de la région fortement dopée dans le processus de croissance épitaxiale sont compensés par les atomes d'impureté du type de conductivité opposé introduits à partir de la couche déposée ou diffusée pour éviter la formation par expansion latérale dsune couche de redistribution 29s et une extension excessive de la région fortement dopée 2 dans la couche de croissance 3. La formation de la couche diffusée 3t de type de conductivité opposé peut être réalisée soit avant, soit après la formation de la région fortement dopée 2. Une variante de procédé consiste à diviser la couche épitaxiale en au moins deux couches 3 et 3 ayant des concentrations en impureté différentes comme représenté dans la figure 6c Dans le cas où les régions 2 de haute concentration en impureté dans le substrat et la couche de croissance épitaxiale 3 à faible concentration en impureté sont de types de conductivité opposés, la concentration en impureté, dans la première couche de croissance 30 la plus proche de la région fortement dopée 2, est prévue pour une valeur assez élevée pour effectuer la compensation des atomes d'impureté redistribués. La seconde couche de croissance 3 est disposée pour avoir la concentration en impureté et l'épaisseur désirées. La concentration en impureté et l'épaisseur de la première couche de croissance 39 peuvent être variées en accord avec la concentration attendue atomes d'impureté redistribués qui varie avec les circonstances et divers paramètres. Dans les conditions mn- tonnées plus hauts la concentration peut être de l'ordre de 5 x 1014 à viol7 atomes/cm3 et l'épaisseur peut être de 1 à 3 microns.Ce qui est important ici est de doper une impureté dans la première couche 3 en une quantité telle compensera exactement ou légèrement plus I'impurété redistribuée. Au contraire F lorsque les régions 2 de haute concentra- tion en impureté et la couche 3 de croissance épitaxiale de basse concentration en impureté sont du# meme type de conductivité, la première couche de croissance 3' est dopée avec une impureté de type de conductivité opposé relativement au meme type de conduc tivitéJ jusquoà une concentration légèrement inférieure ou au plus égale à la concentration de le impureté redistribuée. En fait, des impuretés de meme type de conductivité peuvent également entre dopées simultanément.Ce procédé présente ltavantage que la croissance de la première couche 3 et la seconde couche 3 peut etre effectuée en continu dans la même opération de croissance épitaxiale. Une variante de procédé consiste à abaisser graduellement la concentration en impureté du type de conductivité, à partir de l'interface pour établir une distribution progressive. En outre, si nécessaire l'opération d?agression chimique par le gaz dans l'étape de chauffage avant la croissance épitaxiale peut être exécutée dans une atmosphère de type de conductivité opposé Cela peut améliorer la cristallisation de la couche de croissance. En outre encore la première couche épitaxiale 3 ayant une concentration en impureté relativement élevée de type de conductivité opposé peut être formée dans la région îe de basse concentration en impureté avant la formation de la région fortement dopée 2. En accord avec les procédés exposés plus haut, les atomes d:impuretés redistribués peuvent être compensés et la formation dune couche redistribuée peut être efficacement empêchée.Après la croissance épitaxiale, la région fortement dopée 2 possédera une zone de jonction ou de frontière plus étroite, et une plus faible extension dans la couche épitaxiale, comme représenté par la ligne en tirets dans la figure 6c. Un autre procédé consiste à doper une impureté du type de conductivité opposé, en une certaine quantité, dans la région fortement dopée. Impureté dopée de type de conductibilité opposé est de préférence sélectionnée à partir de matières ayant une tension de vapeur élevée, et, en conséquence, un degré élevé dlauto-dopage (spécialement dans le cas où les régions à concentrations en impureté élevée et basse sont de types de conductibilité opposé, En outre, si liatome d'impureté principal a un rayon plus grand que 1 atome de semi-conducteur, l'atome d'impureté de type de conductibilité opposé ajouté possède de préférence un rayon plus réduit, et vice-versa. La manière de dopage de l'impureté secondaire peut être choisie parmi les suivantes ç diffusion sélective simultanée, double diffusion sélective, et croissance épitaxiale dopée simul tanée, dans la formation de la région fortement dopée, en dépendance des constantes de diffusion des impuretés employées. La concentration de la seconde impureté de type de conductivité opposé duit être inférieure à celle de l'impureté principale. Lorsque sont employées une telle paire d'impuretés qui ont un rayon atomique plus grand ou plus petit par rapport à celui de l'atome de semi-conducteur, la distorsion dans le cristal semiconducteur due à la différence dans les rayons atomiques peut être supprimée dans une certaine mesure même à des concentrations d'impureté élevées. Ainsi, la génération de défauts de réseau tels que des dislocations peut etre supprimée, et la cristallisation de la couche épitaxiale formée peut être améliorée. Le but principal de l'impureté secondaire est de compenser la redistribution des atomes de l'impureté principale par celle des atomes de l'impureté secondaire dans le processus de croissance épitaxiale. Four une compensation parfaite de la distorsion du cristal semi-conducteur dans la région fortement dopée, une troisième impureté peut être dopée en addition, étant sélectionnée à partir du groupe d'impuretés de même type de conducti biliés dans lequel se trouve l'élément d'impureté principal, et un groupe d'atomes appartenant au même groupe de la table périodique dans lequel se trouve l'élément semi-conducteur.Par exemple, dans le cas où le semi-conducteur est le silicium, et où la région fortement dopée est du type E, on peut choisir des combinaisons d'impuretés telles que B + Sb (+ Ge ou Sn), B + As (+ Ge ou Sn), B + P (+ Ge ou Sn), B + Ga + Sb, B + As (+ Ga, Al, T1 ou In) et Ga + P (+ B ou C). Lorsque la région fortement dopée est du type n, on peut choisir des combinaisons d'impuretés telles que Sb + T1 (+ C, P ou B), As + B (+ P ou C), P + Al (+ Ga, Ge ou Sn). Les impuretés indiquées entre parenthèses peuvent être ajoutées pour un ajustement constant du réseau Si cela est nécessaire. Il est évident que les combinaisons d'impuretés ne sont pas limitées à celles mentionnées ci dessus. Comme décrit plus haut, la compensation de la distorsion de réseau peut être réalisée simultanément avec la compensation de la redistribution d'impureté, tout en rédui2 sant la concentration d'impureté effective dans la couche épitaxiale Les exemples décrits ne sont pas limitatifs. Les types de conductivité des régions respectives peuvent être inversés. La région fortement dopée peut également être formée par crois sance épitaxiale sélective, attaque chimique sélective après croissance épitaxiale uniforme, implantation d'ions, etc ou par diffusion sélective. L'élément semi-conducteur peut également etre le germanium (Ge), composés III à V, Il à VI et analogues, ainsi que le silicium (Si). Comme décrit plus haut, conformément à la présente invention, il est à noter que lorsqu'unie région fortement dopée est formée sur ou dans une région semi-conducteur d'uns faible concentration en impureté, une redistribution de l'impureté à partir de la région fortement dopée est compensée par l'addition d'une impureté secondaire de type de conductivité opposé pour permettre une précision différentielle élevée, et un rendement élevé en dispositifs semi-conducteurs de caractéristique désirée. L'invention est applicable à la fabrication de transistors à effet de champ à induction statique et thyristors, circuits intégrés, et autres semi-conducteurs ayant une structure avec régions voisines à haute et basse concentration en impureté. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres formes et d'autres modes de réali- sation, sans pour cela sortir du cadre de l'invention. R E V E N D I C A T I O N S 10) Procédé pour compenser, dans la fabrication d'un dispositif semi-conducteur, la diffusion anormale d'une impureté dans (ou en provenance d'une) une région lourdement dopée, ce dispositif semi-conducteur comprenant au moins une première légion de basse concentration en impureté d'un premier type de conductivité et au moins une seconde région de haute concentration en impureté, dun second type de conductivît#, adjacestes entre elles dans un corps semi-conducteur, procédé caracterisé en ce qu'il comprend une étape consistant à introduire une troisième impureté d'un type de conductivit opposé à celui du second type de conductivit#, dans une région telle et avec une concentration telle que la redistribution de impureté du second type de conductivité dans les régions autres que la seconde région soit sybstantiellement compensée et rendue inefficace. 20) Procédé suivant la revendicationi, caractérisé en ce que l'introduction d'une troisième impureté d'un type de conductivité opposé à celui du second type de conductivité consiste à doper la troisième impureté dans au moins une partie d'un masque pour former ladite seconde région fortement dopée. 30) Procédé suant la revendication 1, caractérisé en ce que, pour l'introduction d'une troisième impureté de type de conductivité opposé au second type de conductivité, on forme une couche de semi-conducteur dopée avec la troisième impureté sur au moins une partie de la surface exposée de la première et de la seconde région. 4 )Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que, pour l'introduction de la troisième impureté, on forme une couche adsorbée contenant la troisième impureté sur au moins une partie de la surface expose des première et seconde régions. 5 ) Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que, pour l'introduction d'une troisième impureté de type de conductivits opposé au second, on ajoute la troisième impureté à une concentration relativement élevée dans le stade initial d'une couche de croissance épitaxiale formée esur la première et la seconde région. 60) Procédé suivant la revendication i, caractérisé en ce que, pour l'introduction d'une troisième impureté de type de conductivité opposé au second, on réalise le dopage de la troisième impureté dans au moins une partie de la seconde région du second type d#e conductivité. 70) Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en c que le rayon d'atome dans cette troisième impureté est différept de celui de ltatome semi-conducteur en un signe tel que la distorsion du cristal semi-conducteur dans la seconde région par l'impureté fortement dopée du second type de conductivité est compensée par l'introduction de la troisième impureté. 80) Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en# ce qu'on dope une surface d'une région semi-conductrice à faible concentration en impureté, avec une impureté de type de conductivité opposé au second type de conductivité et on forme alors une région fortement dopée du second type de conductivité dans la région de semi-conducteur. 90) Procédé suivant la revendication i, caractérisé en ce que la concentration de la troisième impureté est choisie pour maintenir le type de conductivité désiré des autres régions tout en compensant les effets de redistribution d'impureté du second type de conductivité. 100) Procédé suivant la revendication 9, caractérisé en ce que les premier et second types de conductivité sont les mêmes et la concentration en impureté résultante en cette troisième impureté dans la première région est au plus égale à celle du second type de conductivité redistribuée à partir de cette seconde région dans la première région. 11 ) Procédé suivant la revendication 9, caractérisé en ce que le premier type de conductivité est opposé au second type de conductivité et la concentration résultante en impureté de la troisième impureté dans la première région est au moins égale à celle du second type de conductivité redistribuée à partir de la seconde région dans la première région.