Brevet FR2368450A1 — publié le 19780519

La présente invention se rapporte a des céramiques métallisées et, plus particulièrement, a une méthode de métallisation d'une céramique qui utilise un métal particulier déposé selectivement et qui est directement lié à la céramique. Cette invention se rapporte de plus au produit ainsi obtenu. Le problème général de l'adhésion des métaux aux céramiques n'est pas nouveau. Beaucoup d'industries se sont longtemps intéressées à ces procédés. Par exemple, les fabricants de bougies d'allumage ont longtemps été confrontés au problème de l'adhésion des isolateurs en céramiques aux bases métalliques des bougies d'allumage. Dans le passé, on a utilisé des méthodes variées pour l'adhésion de parties non métalliques à des parties métalliques. Une méthode particulière, à titre d'exemple, comprend l'application d'une mixture d'hydrure de titane et d'un métal de soudure, comme le cuivre, l'argent ou l'or, à la partie que l'on doit métalliser ou lier. Puis on dissocie l'hydrure par chauffage en présence du métal de soudure. Dans ce procédé, on effectue le chauffage, de préférence, sous atmosphère non oxydante, comme de l'hydrogène pur et sec. On peut trouver la description d'un tel procédé dans le brevet des Etats Unis nO 2.570.248. J.T.Klomps des Laboratoires de recherche de Philips décrit une autre méthode pour lier des métaux aux céramiques. Cette méthode emploie des métaux ayant une faible affinité pour l'oxygène, que l'on applique à une céramique sous de hautes pressions, soit 1 kg/cm2. Lorsque l'on utilise des métaux ayant de l'affinité pour l'oxygène, on a besoin de pressions relativement élevées pour détruire le film d'oxyde afin de pouvoir assurer le contact métal-céramique. D'ou le fait qu'il faut des pressions extrèmement élevées pour effectuer la liaison. Bien que ces méthodes puissent produire des liaisons intéressantes dans beaucoup d'applications, il est évident que le système de liaison le plus souhaitable est une adhésion directe du métal et du substrat de céramique qui ne nécessite pas l'utilisation de hautes pressions. Un autre procédé pour former les liaisons metalliques est décrit dans le brevet des Etats Unis nO 2.857.663. Schématiquement, cette méthode utilise un métal d'alliage, comme un métal du groupe du titane, IVa de la table périodique des éléments, et un métal d'alliage comme le cuivre, le nickel, le molybdène, le platine, le cobalt, le chrome ou le fer. Lorsque l'on place le métal d'alliage et un membre du groupe du titane entre des matériaux réfractaires non métalliques ou entre un matériau métallique non réfractaire et un matériau métallique et lorsqu'on les chauffe jusqu'à une température où se forme une eutectique liquide, il se produit une forte liaison entre les parties adjacentes.Bien que ce procédé soit satisfaisant dans beaucoup d'applications, l'espoir d'améliorer l'intégrité de la liaison, d'accroître la conductivité thermique entre la partie métallique et la partie réfractaire non métallique, et d'obtenir un conducteur pouvant transporter un courant élevé sur la partie réfractaire non métallique a poussé les chercheurs à rechercher encore d'autres méthodes pour l'adhésion entre des métaux et des non métaux. Plus récemment, on a développé des méthodes pour l'adhésion de métaux aux céramiques qui n'utilisent qu'un eutectique du métal et d'un agent gazeux de liaison. On trouvera la description d'une decesmêthodes dans le Brevet des Etats Unis nO 3.766.634. Le procédé de l'eutectique métal-gaz, comme on peut l'apprendre dans le brevet cité, nécessite de placer le métal que l'on doit faire adherer sur le substrat de céramique. On chauffe alors la combinaison en présence d'un gaz réactif jusqu'à une température inférieure au point de fusion du métal mais suffisamment élevée pour former un eutectique entre le métal et le gaz. Par refroidissement on forme la liaison. Dans certaines applications, cette méthode s'est avérée pleine de succès. On considère que la liaison formée est une liaison directe pour autant qu'il n'y ait pas de couche de soudure ou autre. On emploie un agent de liaison mais en quantité très petite. On choisit l'agent de liaison parmi ceux qui forment un alliage eutectique avec le métal, le métal constituant la partie principale de l'alliage. La température de l'eutectique doit être inférieure, mais de préférence relativement proche du point de fusion du métal. On a aussi décrit dans la demande de brevet français nO 75 23315, une autre méthode pour l'adhésion directe des métaux aux céramiques. Pour lier une pièce- choisie de métal un substrat en céramique, on introduit dans le système une petite quantité d'agent de liaison, à l'état solide, et l'on place la pièce sur le substrat auquel on doit la faire adhérer. Puis, on chauffe le substrat et le métal sous atmosphère inerte jusqu' une température comprise entre la température de l'eutectique et le point de fusion du métal, pendant un temps suffisamment long pour que l'on puisse former une fusion eutectique entre le métal et le substrat. Après refroidissement et solidification de la fusion, la liaison est formée.La liaison est semblable à celle décrite précédemment, mais la méthode est différente. La quantité d'agent de liaison présente est réglée-avec précision de sorte que le mélange de l'agent de liaison et du métal forme en tout endroit un hypoeutectique, au moins à la fin du traitement On peut utiliser plusieurs variantes pour associer le métal et l'agent de liaison Du point de vue du traitement, la méthode la plus simple consiste à choisir un métal contenant une quantité suffisante d'agent de liaison qui y soit précipité ou dissous. Par exemple, certain cuivre électrolytique -à teneur ajustée oxygène contient une quantité d'oxygène suffisante pour permettre de le lier directement aux céramiques telles que l'aliirnine où l'oxyde de berylliumf sans addition supplémentaire d'oxygène. Une autre possibilité consiste à faire préréagir le métal avec une quantité déterminée d'agent de liaison pour former une très fine couche d'un composé des deux matériaux sur la surface du métal. Les spécialistes savent bien que tous les métaux n'adhérerons pas à tous les substrats.De plus, on sait qu'un agent de liaison qui fera adhérer un métal donné sur un substrat donné n'assurera pas forcément l'adhésion de ce métal sur d'autres substrats. Par exemple, utiliser de l'oxygène comme agent de liaison pour lier du cuivre à un substrat de céramique, marche très bien, cependant l'oxygène ne marchera pas comme agent de liaison pour lier du cuivre à de l'acier inoxydable. Le soufre marchera effectivement comme agent de liaison entre du cuivre et de l'acier inoxydable, cependant, le soufre ne marchera pas comme agent de liaison entre du cuivre et un substrat de céramique. Les raisons de ce comportement ne sont pas bien comprises. Cependant, on sait que l'eutectique agent de liaison-mEtal doit mouiller le substrat.De plus, selon la théorie, il doit y avoir un composé potentiellement stable du substrat et de l'eutectique et que si ce composé ne se forme pas, il n'y aura pas de liaison tenace. Cependant, ce n'est que de la théorie. Néanmoins, comme indiqué ci-dessus, les spécialistes des techniques des liaisons directes savent bien que toutes les combinaisons possibles du métal, du substrat et de l'agent de liaison, ne formeront pas forcément une liaison. Par conséquent, les revendications annexées à cette description doivent être lues comme ne comprenant que les combinaisons qui formeront une liaison. Les méthodes décrites précédemment ont été très bien accueillies. Cependant, il reste certains problèmes mineurs qui ont empêchés une utilisation encore plus large de ces méthodes. L'un d'entre eux est qu'une petite quantité de bulles est parfois présente dans le cuivre ce qui entraîne des petites surfaces non adhérentes en dessous des bulles. Un autre problème est qu'on a beaucoup de difficultés à fabriquer des structures fines et détaillées d'autant plus que l'on utilise une structure métallique préformée fragile ; ou bien que l'on doit lier et graver par la suite, une structure métallique de grande surface. On a rencontré une autre difficulté lorsque l'on essayait de lier directement des feuilles métalliques extrèmement fines (par exemple, d'épaisseur 25 micromètres ou moins). Ces feuilles étaient écrouies durant la manutention et s'enroulaient durant le chauffage. L'invention a donc pour but de fournir une méthode pour métalliser des substrats de céramique qui surmonte pratiquement toutes les difficultés rencontrées par les techniques classiques et mentionnées ci-dessus. Selon l'invention, on a mis au point une méthode de métallisation d'un substrat de céramique qui comprend le dépôt sélectif d'une couche de poudre métallique particulière sur le substrat de.céramique. La combinaison est ensuite exposée à un agent de liaison à une température élevée telle qu'il apparaisse une fusion eutectique du métal et de l'agent de liaison. La plupart du métal reste à l'état solide et la fusion formée mouille le métal solide restant et la céramique de sorte que lorsque l'on refroidit la combinaison il se forme une liaison directe entre le métal et le substrat. Le choix convenable des constituants et des conditions nécessaires pour la liaison peut être trouvé dans le brevet nO 3.766.634 mentionné ci-dessus et dans la demande de brevet français 75.23315, si l'on n'est pas capable de faire aisément cette sélection. Par exemple on peut lier de la poudre de cuivre à des substrats d'alumine ou d'oxyde de beryllium en chauffant, en présence d'oxygène la combinaison jusqu'à une température comprise entre 10650 et 10830C de sorte que l'on forme un eutectique oxygène-cuivre. On peut introduire l'agent de liaison dans le système par n'importe quel procédé donné par les brevets men tionnés ci-dessus. Un moyen particulièrement efficace pour déposer sélectivement une poudre métallique consiste à la mélanger avec un liant organique et un solvant et à - appliquer au pochoir la combinaison sur le substrat de céramique comme on le souhaite. Bien sûr, on doit choisir le liant et le solvant parmi ceux qui pourront être éliminer lors de l'étape de chauffage. On donne des suggestions plus bas. Pour cette méthode on rend anodin les problèmes liés aux techniques classiques et mentionnés ci-dessus. On applique la poudre de façon à ce qu'elle soit en contact intime avec la céramique afin d'éliminer la formation de bulles. Le dépôt appliqué peut être fin, mais puisque c'est de la poudre il ne peut pas être ecroui. La résolution de la structure est comparable à celle obtenue avec les procédés au pochoir pour les films épais. A titre d'exemple, pour cette invention, on décrit un substrat de céramique ou l'on a déposé de manière sélective-au moins une couche d'un métal particulier comprenant des liaisons directes de l'eutectique à la fois entre les particules elles-mêmes et entre les particules et la céramique. La suite de la description se réfère aux figures annexées qui représentent respectivement Figure 1, une vue en élévation en coupe d'un substrat de céramique sur lequel on-a déposé de manière sélective une couche de particules métalliques, Figure 2, une vue en plan du substrat représenté sur la figure 1, et Figure 3, une vue en élévation en coupe de la combinaison représentée sur les figures 1 et 2 à la suite du traitement de liaison. En se référant tout d'abord aux figures 1 et 2, on a représenté un substrat de céramique 11 sur lequel on a déposé sélectivement une couche 12 d'une poudre d'un métal particulier. On doit comprendre que la couche 12 peut avoir n'importe quelle forme et peut, en fait, couvrir la surface entière du substrat 11. On peut régler l'épaisseur de la couche par des techniques d'impression au pochoir classiques. On doit avoir à l'esprit qu'il y aura une certaine perte en épaisseur à cause de la densification et delaperte du liant et du solvant si on en utilise. Par exemple, pour le milieu décrit ci-dessus, la perte en épaisseur entre l'impression et l'adhésion est d'environ 30%. On expose ensuite la combinaison représentée par les figures 1 et 2 à un agent de liaison à une température élevée telle qu'il se forme une fusion eutectique de l'agent de liaison et du métal. La plus grande partie du metal reste sous forme solide et la fusion imprègne le métal à l'état solide et le substrat de céramique. Après une étape suivante de refroidissement, il se forme une liaison directe entre les particules métalliques et entre le métal et le substrat. La figure 3 représente la couche liée 12'. Du fait de la fusion eutectique il se produit un effet de ménisque. On peut introduire l'agent de liaison dans le système par n'importe lequel des moyens décrits dans les brevets sur les liaisons directes mentionnées ci-dessus. Par exemple, on peut l'inclure comme gaz réactif dans l'atmosphère durant la période de chauffage, où, l'on peut utiliser un métal contenant naturellement une quantité suffisante d'agent de liaison. Par exemple, le cuivre électrolytique à teneur ajustée en oxygène contient une quantité suffisante d'oxygène pour former une liaison. Ou bien, l'on peut mélanger des corps particuliers du métal ayant fortement réagi avec l'agent de liaison avec des particules de métal qui n'ont pas réagi avant le dépôt de la couche 12. Une autre possibilité pour introduire l'agent de liaison consiste à faire préréagir la poudre métallique avant, ou après le dépit de la couche métallique.Par exemple, si l'agent de liaison est de l'oxygène, on peut oxyder la poudre métallique avant le dépôt. L'impression au pochoir est la façon la plus simple pour déposer sélectivement la couche. Dans un procédé d'impression au pochoir on peut souhaiter mélanger la poudre métallique avec un liant organique convenable et, Si nécessaire, avec un solvant. Si l'on doit chauffer la combinaison dans une atmosphère contenant de l'oxygène, on peut employer la plupart des liants organiques utilisés pour la fabrication des films épais d'autant plus qu'ils sont consumés en produisant du dioxyde de carbone et de la vapeur d'eau. Cependant, si l'on utilise une atmosphère inerte, on doit prendre bien soin de s'assurer qu'il ne reste aucun résidu de carbone. Les méthacrylates et les styrènes sont de bons liants organiques à utiliser lors d'un cycle de chauffage avec de l'azote. Les méthacrylates se décomposent à la chaleur par dépolymérisation et après avoir atteint l'état de monomère se volatilisent. Donc, les méthacrylates sont complètement éliminés de la couche 12 durant le cycle de chauffage. De plus, les méthacrylates sont solubles dans la plupart des solvants de films épais. Dupont, de Wilmington, Delaware, produit un ensemble de résines méthacrylates sous le nom commercial de résines "ELVACITE". On a trouvé que la résine "ELVACITE" nO 2045 qui est un polymère de méthacrylate d'isobutyle fonctionnait bien avec un cycle de chauffage sous azote. Pour la facilité d'impression on peut, le cas échéant, utiliser des solvants. De préférence, le solvant doit être peu volatil à température ambiante. De bons solvants comprennent 1 'acé- tate de carbitol et le terpinéol. L'huile de pin, un solvant terpénique, marche particulièrement bien du fait de ses propriétes fluides et du fait qu'il retarde la desquamation de la couche masquée. On peut fabriquer un milieu pour la couche 12 à partir d'un cuivre particulier, d'un liant et d'un solvant. Au vu de ce qui a été dit ci-dessus, on peut faire une solution de 18,67 grammes de résine de méthacrylate 2045 et de 70 centimètres cubes d'huile de pin ; on peut combiner 4,2 grammes de cette solution avec 13,38 grammes de poudre de cuivre et l'on obtient ainsi un excellent milieu qui s'imprime bien au pochoir et qui perd son liant et son solvant durant l'opération de chauffage. On peut introduire l'oxygène dans le milieu d'impression au pochoir décrit ci-dessus par n'importe laquelle des techniques existantes. Par exemple, on peut incorporer l'oxygène dans l'atmosphère durant le traitement thermique comme l'enseigne le brevet des Etats Unis 3.766.634. Ou ben, on peut utiliser un cuivre électrolytique à teneur ajustée en oxygène. Une autre possibilité consiste à mélanger la poudre de cuivre avec un oxyde de cuivre particulier avant de former le milieu. Si l'on choisit cette dernière méthode, on doit avoir une quantité suffisante d'oxyde de cuivre de sorte qu'environ un centième ou un pourcent du poids de la poudre finale (mélangée avec le solvant et le liant) soit de l'oxyde cuivreux.Une autre méthode consiste à oxyder thermiquement la poudre de cuivre entre 4000C et 5000Cpendant quelques minutes dans une atmosphère contenant environ un pourcent d'oxygène juste avant de faire le mélange avec le liant et le solvant. La taille des particules de cuivre n'est pas particulièrement critique. Cependant, la taille des particules affecte la po rosité du produit fini. Par exemple, on remarquera une certaine porosité lors d'un examen au microscope, si la dimension des particules de cuivre est d'environ cinq micromètres. Toutefois, si l'on souhaite éliminer pratiquement toute porosité, on suggère d'utiliser des particules de cuivre dont les dimensions sont de l'ordre de un micron. Des particules plus petites, évidemment, laissent moins de vides et des plus petits dans la couche 12, et par conséquent, les vides sont pratiquement remplis par l'eutectique liquide durant le procédé de liaison ce qui se traduit par une plus faible porosité.On peut utiliser une préparation de film épais commercial telle que la pâte conductrice en cuivre Cermalloy 70290 F (Cermat Division, Bala Electronics Corporation West Conshohocken, Pennsylvania) pour former la couche 12. Elle contient une quantité suffisante d'oxyde de cuivre que l'on peut chauffer dans une atmosphère d'azote et obtenir des liaisons directes. De plus lorsqu'on la chauffe à une température dans l'intervalle de 10650C-10830C, les solvants et les liants qu'elle contient disparaissent, ne laissant qu'une couche de cuivre liée. La taille moyenne des particules est d'environ un micron. Une autre préparation commerciale qui marche bien est la pâte conductrice de cuivre 6806 que l'on peut se procurer chez "Electro Oxide Corporation", Pa-lm Beach Gardens, Floride. On a trouvé que la liaison du cuivre à un substrat de céramique tel que de l'alumine ou de l'oxyde de beryllium était très utile. On peut déposer la couche 12 sous forme de couche d'épaisseur d'environ 25 à 50 microns ou moins On peut effectuer le chauffage sous atmosphère inerte, telle que l'azote, ou dans une atmosphère contenant une petite quantité d'oxygène. I1 est préférable d'utiliser une montée en température rapide. I1 est préférable de faire le traitement thermique avec un four tubulaire à atmosphère contrôlée et ayant une vitesse de bande qui provoque une montée à la température de liaison en quelques minutes seulement, par exemple deux à trois minutes. Le seul dommage provoqué par une montée en température plus lente est une possibilité de dissociation entre le métal et l'agent de liaison si on utilise la technique de préréaction. Par exemple, si l'on oxyde thermiquement de la poudre de cuivre avant liaison, il peut se dissocier au cours d'une montée en température lente dans de l'azote pur. On peut éviter cette dissociation soit en utilisant une montée en température rapide, comme précisé ci-dessus, soit en incorporant un petit pourcentage d'agent de liaison dans l'atmosphère. La teneur totale en oxygène du cuivre doit être faible de sorte que le cuivre ne fonde pas complètement. Une étude du diagramme de phases de la demande de brevet français citée indiquera les restrict-ions quant à l'oxygène. Bien que l'on ait restreint les descriptions des exemples au système cuivre-oxyde de cuivre, on notera que l'on peut employer bien d'autres métaux et agents de liaison. Par exemple, le tableau suivant sert à illustrer quelques unes des combinaisons possibles. TABLEAU point de Température Pouycentage Métal Agent de I fusion du de l'eutec- atomique d'a liaison métal tique gent de liaiso OC OC eutectique. Fer oxygène 1534 1523 0,56 Cuivre oxygène 1083 1065 1,54 Chrome oxygène 1850 1800 2,00 Chrome soufre 1850 1550 3,50 Cuivre phosphore 1083 714 15,7 Nickel oxygène 1453 1438 0,87 Nickel phosphore 1453 880 19,0 Molybdène Silicium 2625 2070 16,5 Argent Soufre 960,5 906 5,8 Argent Phosphore 960,5 878 3,4 Cuivre Soufre 1083 1067 1,5 Aluminium Silicium 660 577 11,3 Cobalt Oxygène 1495 1451 0,23 x x - le cobalt est donné en pourcent en poids Le tableau précédent est loin d'être exhaustif. En se rappelant que l'agent de liaison et le métal doivent former un alliage eutéctique où le métal est prépondérant et dont la température d'eutectique est inférieure au point de fusion du métal on peut trouver bien d'autres systèmes à partir de l'étude des diagrammes de phase comme ceux que l'on trouve par exemple dans le libre de Hansen "Constitution of Binary Alloys, by 1958, McGraw-Hill Book Co, New York. i'a méthode décrite fournit une structure en céramique métallisée avec une conductivité électrique du métal qui est à 5% près celle du métal pur, et qui possède un excellent transfert thermique entre le métal et la céramique ainsi qu'une force de liaison élevée. De plus, il apparait que la structure est stable thermiquement même après une longue utilisation. Au vu de la réalisation précédente, les spécialistes pourront entrevoir beaucoup de modifications et de variantes delaprésente invention. Par exemple, on peut imprimer des épaisseurs en dehors de l'intervalle de 25 a 50 microns, et on peut même utiliser différentes épaisseurs sur un même substrat. Par conséquent, on doit comprendre que l'on peut mettre en oeuvre cette invention de bien d'autres façons que celle précisément décrite ici. REVENDICATIONS 1. Méthode de métallisation des céramiques caractérisée en ce qu'elle comprend - la fourniture d'un substrat de céramique - le dépôt sélectif sur ce substrat de céramique d'une couche de poudre métallique particulière, - l'exposition de cette combinaison, substrat de céramique et couche, à un agent de liaison à une température élevée de sorte qu'il se forme une fusion eutectique de cet agent de liaison et de ce métal, cette fusion imprégnant le métal restant à l'état solide et le substrat de céramique. - le refroidissement de cette combinaison de sorte qu'il se forme une liaison directe entre le métal et le substrat. 2. Méthode selon la revendication 1, caractérisée en ce que cette poudre métallique comprend des particules de métal d'environ 1 micron de diamètre. 3. Méthode selon la revendication 1, caractérisée en ce que cette couche de poudre métallique comprend aussi un liant organique qffi est éliminé durant l'étape de chauffage. 4. Méthode selon la revendication 3, caractérisée en ce que.l'on dépose cette couche de poudre métallique par impression au pochoir et en ce que cette couche comprend un solvant qui est éliminé durant le chauffage. 5. Méthode selon la-revendication 4, caractériséeen ce que le liant organique est une résine de méthacrylate et le solvant est de l'huile de pin. 6. Méthode selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'étape d'exposition comprend l'inclusion de l'agent de liaison comme composant partiel de l'atmosphère. -7. Méthode selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'agent de liaison est un constituant mineur de la poudre métallique particulière. 8. Méthode selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'on choisit le substrat parmi le groupe constitué de l'alumine et de l'oxyde de beryllium. 9. Méthode selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'on dépose le film sur une épaisseur d'environ 25 à 50 microns. 10. Méthode de métallisation des céramiques, caractérisée en ce qu'elle comprend - la fourniture d'un substrat de céramique - le dépôt sélectif sur ce substrat d'une couche de poudre de cuivre, - l'exposition de la combinaison de ce substrat de céramique et de cette couche à de l'oxygène et à une température comprise entre 10650C et 10830C de sorte qu'il se forme une fusion eutectique du cuivre et de l'oxygène, la plupart du cuivre restant à l'état solide, et cette fusion imprégnant le cuivre restant à l'état solide et le substrat de céramique. - le refroidissement de cette combinaison de sorte qu'il se forme une liaison directe entre le cuivre et le substrat. 11. Méthode selon la revendication 10, caractérisée en ce que l'on choisit ce substrat dans le groupe constitué par l'alumine et l'oxyde de beryllium. 12. Méthode selon la revendication 10, caractérisée en ce que cette couche de poudre métallique comprend aussi un liant organique qui est éliminé durant l'étape de chauffage. 13. Méthode selon la revendication 12, caractérisée en ce que cette couche de poudre métallique est déposée par impression au pochoir et comprend un solvant qui est éliminé. 14. Méthode selon la revendication 13, caractérisée en ce que le liant organique est une résine méthacrylate et le solvant de l'huile de pin. 15. Méthode selon la revendication 10, caractérisée en ce que l'on dépose le film avec une épaisseur d'environ 25 à 50 microns. 16. Méthode selon la revendication 10, caractérisée en ce que la taille moyenne des particules de cette poudre de cuivre est inférieure à environ 5 microns. 17. Méthode selon la revendication 16, caractérisée en ce que la taille moyenne des particules de cette poudre de cuivre est d'environ 1 micron. 18. Méthode selon la revendication 10, caractérisée en ce que l'oxygène est un constituant de l'atmosphère durant l'étape d'exposition. 19. Méthode selon la revendication 10, caractérisée en ce quele cuivre est du cuivre électrolytique à teneur ajustée en oxygène. 20. Méthode selon la revendication 10, caractérisée en ce que l'oxygène est introduit sous forme d'un oxyde de cuivre particulier mélangé à la poudre de cuivre. 21. Méthode selon la revendication 10, caractérisée en ce que l'oxygène se trouve dans une couche d'oxyde de cuivre recouvrant les particules de la poudre de cuivre. 22. Méthode selon la revendication 21, caractérisée en ce que l'on forme thermiquement le revêtement d'oxyde de cuivre avant l'étape de dépôt. 23. Substrat céramique métallisé caractérisé en ce qu'il comprend un substrat de céramique sur lequel se trouve une couche d'un métal particulier contenant une petite quantité d'un agent de liaison, les particules de métal étant liées les unes aux autres et à ce substrat par une liaison eutectique directe formée avec cet agent de liaison. 24. Substrat selon la revendication 23, caractérisé en ce que le substrat est choisi dans le groupe formé de l'alumine et de l'oxyde de beryllium. 25. Substrat selon la revendication 24, caractérisé en ce que le métal est du cuivre et l'agent de liaison de l'oxygène. 26. Substrat selon la revendication 23, caractérisé en ce que la couche aune épaisseur d'environ 25 à 50 microns. 27. Substrat selon la revendication 23, caractérisé en ce que la taille maximale des particules est inférieure à environ 5 microns. 28. Substrat selon la revendication 27, caractérisé en ce que la taille moyenne des particules est d'environ 1 micron.