Brevet FR2380816A1 — publié le 19780915

La présente invention concerne la technologie des composes semi-conducteurs et autres produits utilises en électronique et, plus particulièrement1 elle concerne les procédés d'obtention de couches epstaxiales de solutions solides de semi-conducteurs et un bloc de sources qui permet la réalisation de ce procédé. L'invention proposée peut trouver son application dans l'obtention de couches (structures) épitaxiales de solutions solides semiconductrices ou d'autres composés cristallisant à des températures proches pouvant présentas n'importe quelle répartition donnée des constituants à teneur variable déposés suivant la surface de la structure, c'est-à-dire dans le plan de croissance de la couche épitaxiale ainsi qu'une haute homogénéité de composition dans n'importe quelle zone de la structure dans le sens de sa croissance. Le procédé proposé permet de faire croître des couches épitaxialesayant à tout gradient voulu, constant ou variable, des caractéris tiques physiques détorminées par la composition et le degré ou le type de dopage du produit à cristalliser, ces caractéristiques étant par exemple la largeur de la zone interdite, la longueur d'onde de l'absorption principale, le coefficient de réfraction, le coefficient de réflexion et diverses propriétés mécaniques et électriques. Ce procédé permet de faire croître des structures présentant un gradient donné d'impuretés le long de la surface (dans le plan de croissance), ces structures pouvant etre utilisées comme éléments de travail de générateurs quantiques à semi-conducteurs à fréquence de gêné- ration variable et comme détecteurs de rayonnement, spectromètres optoélectroniques, tensiomètres1 détecteurs de couleur, photorécepteurs et autres instruments analogues. Le procédé proposé permet également d'obtenir, par croiSsance épitaxiale, des structures dont le gradient de composition change de signe le long de la surface, ct qui donne la possibilité, gracie à ces structures, d'obtenir une variation symétrique ou asymétrique des propriétés physiques par rapport à un point (ou une direction) donné, ces structures étant utilisées ultérieurement pour créer des appareils à point milieu "neutre". Outre cela, ce procédé permet de faire croître des structures de type lentille plane, dans lesquelles le coefficient de refrac- tion du rayonnement incident dans le plan de croissance de la structure suit différentes lois de variation radiale, par exemple des structures de type "lentilles de Mikaelian connues en radio-électricité. Ce procédé donne la possibilité de créer des régions annulaires à coefficient de réfraction variable qui ne focalisent ou ne dissipent le rayonnement que dans une partie de la couche épitaxiale obtenue par croissance. On peut obtenir également des jonctions p-n linéaires ou concentriques dans le plan de croissance épitaxiale. Il est possible d'utiliser le procédé considéré comme méthode de détermination du rapport quantitatif des substances initialement. présentes dans des cristaux pour obtenir une composition tout à fait deter- minée de la solution solide ou comme méthode. de détermination de la teneur quantitative en impuretés respectives des substances de départ afin de fabriquer un matériau compensé à haute résistivité. Jusqu'a. aujourd'hui, dans la technologie des composés semi-conducteurs de types solutions solides binaires ou quasi binaires ou du type solutions solides plus compliquées, ternaires ou quaternaires, le problème de l'obtention de structures reproductibles ou de cristaux à répartition donnée des constituants dans la couche de croissance n'a été résolu essentiellement que pour le cas où la variation contrôlée de la composition se faisait dans un sens : le sens de croissance du cristal ou de la couche épitaxiale. Il existe (brevet de la Grande-Bretagne n0 1.118.579 et brevet des Etats-Unis d'Amérique na 3.224.913) des procédés d'obtention de couches épitaxiales de solutions solides GaAsxP1 à gradient de composition orienté dans le sens de la croissance, qui utilisent des variations successives de la composition de la phase gazeuse,obtenues par changement des vitesses relatives de deux flux de gaz, dont l'un contient un halogénure d'arsenic et un autre un halogénure de phosphore. Les flux gazeux dont la température est réglée d'une façon séparée et indépendante sont envoyés séparément au-dessus de sources de gallium et sont mélangés en des proportions correspondantes avant leur arrivée dans la zone de cristallisation. Il existe également (brevet des Etats-Unis d'Amérique nb 3.441.453) un procédé d'obtention de composés semi-conducteurs à plusieurs constituants ayant un gradient de composition suivant l'épaisseur de la substance deposee, qui utilise des variations de la température de cristallisation obtenues par réglage de la température du support proprement dit ou déplacement du support dans le champ de températures du réacteur créé par un four à résistances extérieures, le flux des gaz de réaction dans le réacteur de quartz étant constant. On connait encore (P. Reimers, W. Ruppel, Physica) un procédé d'obtention de cristaux CdS Se l-x à à gradient de composition (dit méthode de chargement s température constante), Où la variation de la composition de la phase gazeuse se fait par amenée successive, dans la zone à haute température (zone de sublimation) d'un four à deux zones, de produits de départ dont les compositions successives sont les suivantes : CdS, mélangerde poudresOdSetcdSe,et CdSe. Les poudres sont chargées dans cet ordre dans une ampoule de quartz munie d'un capillaire ouvert du côté de chargement du CdS-. Tout d'abord, dans la zone à haute température, arrive une partie de la charge de CdS. Dans le capillaire se trouvant dans la zone à température plus basse, commence la croissance cristalline de CdS. Le déplacement régulier de la charge (a peu près 2,5 cm/j) permet d'obtenir un cristal dont la composition varie plus ou moins brusquement de CdS à CdSe. La température de chargement permettant la réalisation de ce procédé peut etre modifiée comme cela est décrit, par exemple, dans la publication citée. Cependant, tous les procédés connus permettent de faire croitre-des cristaux à gradient de composition orienté dans le sens de la croissance, c'est-à-dire suivant l'épaisseur, et ne peuvent pas assurer une variation ajustable de la composition dans le plan de croissance de la structure, c'est-à-dire le long de la surface. En outre, tous les procédés énumérés exigent un réglage sévère de la température, des pressions des gaz et des vitesses des flux gazeux, les modalités de ce réglage étant extremement difficiles. Lorsqu'on fait croître des couches épitaxiales de solutions solides homogènes dans des réacteurs du type tube ouvert, on n'arrive pas toujours à obtenir une bonne homogénéité de répartition des constituants de la solution solide dans la couche en croissance.La compo ration est hétérogène suivant la surface et l'épaisseur de la couche 6pi- taxiale ainsi que d'une pastille à une autre, au cours d'un seul et mem processus de fabrication, Les causes de cette hétérogénéité résident dans le mélange incomplet des flux gazeux qui résulte de leur écoulement quasi laminaire ainsi que dans l'appauvrissement progressif du mélange gazeux de l'entrée à la sortie du réacteur, les supports simultanément chargés étant disposés les uns derrière les autres le long du tube. Les dispositifs utilisés pour supprimer ces inconvénients ne permettent pas néanmoins de réduire l'hétérogénéité de composition de la couche épitaxiale à moins de f 1% (Burmeister R.A. Pughini G.P., Greene P.E. > Trans of Metallurg. Soc. of AIME, 1969, 245, n0 3, page 587). Il existe également une méthode sandwich qui produit la croissance épitaxiale de couches des matériaux semi-conducteurs en utilisant une source dont la répartition des dopages sur la surface varie. Elle consiste en un transfert chimique de la substance à partir d'une source disposée à proximité imaNdiate du support et constituée d'une poudre cristalline (la charge) comportant des pastilles isolées à composition et à degré de dopage différents (voir le brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 3.291.657 et Erhart Sirte "Die Sandvich Methode-ein nenes Verfahrenzur Herstellung Epitaktisch Geurachsenen llalbleiterschichton (La méthode sandwich, un nouveau procédé de fabrication de couches semi-conductrice à croissance épitaxiale), J. Phys. Chem. Solids, Pergamon Press, 1963, volume 24, pages 1285-1289). Ce procédé permet d'obtenir, sur le support, des couches épitaxiales d'une meme composition (type de dopage) qui comportent des reproductions réfléchies des éléments locaux de la source de l'autre composition (type de dopage) Pourtant, l'étude des couches obtenues par ce procédé montre que l'utilisation de sources en poudres entrain certains inconvénients qui ne peuvent etre supprimés par suite de leurs causes de caractère purement physique.Un broyage insuffisamment fin de la poudre cristalline provoque l'apparition d'une hétérogénéité locale de la couche pitaxiale sous le forme d'une réflexion spéculaire de la répartition des grains des substances de départ dans la source, ce qui accroît de manière gênante les caractéristiques de rayonnement et autres paramètres indési- rables des appareils fabriqués de ces couches épitaxiales. Si le broyage de la poudre est très fin ( En outre, la poudre cristalline fabriquée par concaa- gage, broyage, attaque chimique, lavage et séchage successifs du produit cristallin peut tre cause d'introduction incontrôlable > dans la zone de rtlsction, d'impuretés sous forme d'atomes, de molécules et meme de groupes de nature différente adsorbés sur une surface ramifiée. Il est évident que les propriétés d'un produit en poudre ne peuvent pas etre identiques A celles d'un monocristal de meme Composttion. L'étude de l'influence des champs électriques, créés dans l'espace entre la source et le support lors de la mise sous tension de la source et du support sur la croissance épitaxiale à homo- et hétéro Bpftaxie, a démontré que la rotation réciproque de la source et du support améliore le mélange et l'homogénéisation de la phase gazeuse rend plus favorables les conditions de l'échange thermique et réduit l'éventualité de localisation du passage du courant électrique (O. Korobov, V. Maslov "Métaux non ferreux", 1972, n0 4, 56-57, article "Dispositif d'étude de l'influence d'un champ électrique sur la croissance épitaxiale des cristaux1'. Cependant, l'utilisation, durant la croissance, d'une seule source solide tournant autour d'un axe commun à cette source et au support et passant par leurs centres ne permet pas d'obtenir des couches épitaxialea de solutions solides ayant une répartition donnée des constituants à teneur variable des solutions solides dans le plan de croissance le long de la surface et une homogénéité donnée dans le sens de la crois sanc en épaisseur de la couche épitaxiale En outre, toute l'utilisation d'une source poudreuse fait apparaître les inconvénients qui caractérisent la méthode sandwich. Des couches minces épitaxialea ayant n'importe quelle répartition donnée des constituants à teneur variable dans les solutions solides ou un gradient de dopage dans le plan de croissance des couches ne peuvent pas Ftre obtenues par les procédés connus jusqu' aujourd'hui. L'invention vise un procédé d'obtention de couches épitaxiales de solutions solides de semi-conducteurs et un bloc de sources assurant la réalisation de ce procédé~ par lesquels il serait possible d'obtenir des couches minces épitaxiales ayant n'importe quelle réparti- tion donnée des constituants à teneur variable dans les solutions solides ou un gradient du degré de dopage dans le plan de croissance des couches. Le problème ainsi posé est résolu par un procédé d'obtention de couches épitaxiales de solutions solides de semi-conducteurs qui consiste à faire crotte les couches à partir d'une phase gazeuse lors du transfert des substances de départ à un support depuis au moins deux sources solides contenant des substances de départ à teneur différente en constituants à teneur variable et disposées à proximité immédiate du support, en choisissant,conformément l'invention, le rapport des super ficies des surfaces utiles des sources solides amenées périodiquement en l'une quelconque des zones locales du support, de façon que le rapport des temps de séjour des sources solides contenant les substances de départ, dans chaque cycle et pour chaque zone locale, corresponde à l'intervalle de temps nécessaire pour le transfert au support d'une quantité de substance de départ correspondant à la teneur en ce produit de la couche épitaxiale à faire croître. On peut choisir un rapport constant des superficies des sources solides correspondant à toute la surface du support. On peut choisir un rapport variable des superficies des sources solides qui varie au moins dans une direction parallèle au plan du support. On peut choisir un rapport des superficies des sources solides qui varie dans la direction radiale. Le problème posé est également résolu par l'utilisation d'un bloc de sources permettant d'obtenir des couches épitaxiales de solu tions solides de semi-conducteurs et comportant au moins deux sources solides distinctes contenant des substances de départ à teneurs différentes en cons tituants à teneur variable et disposées parallèlement à la surface du support sur lequel on effectue le dépôt d'une couche épitaxiale, les sources solides distinctes étant, conformément à l'invention, fabriquées sous la forme d'une source solide commune composite faisant un tout et ayant une frontière de séparation entre sources distinctes, qui est choisie de façon que le temps de séjour des sources solides distinctes pendant chaque cycle et pour chaque zone locale corresponde à l'intervalle de temps ndcessaire pour le transfert au support d'une quantité de substance de départ qui correspond à la teneur en ce produit de la couche épitaxiale à obtenir. Il est utile que cette source solide commune composite faisant un tout soit divisée en zones contenant, au moins, deux substances de départ à teneurs différentes en constituants variés, la forme et la disposition réciproque des zones de compositions différentes correspondant à la composition et à la répartition des constituants à teneur variable suivant la surface de la couche épitaxiale sur le support. Il est également utile que les sources solides distinctes soient réalisées en au moins deux secteurs angulaires contenant, au -moins, deux substances de départ à teneurs différentes en constituante à teneur variable, de façon que le rapport des angles des secteurs corresponde à la composition constante prédéterminée de la couche épitaxiale. Il est commode que la source solide commune composite faisant un tout soit réalisée sous la forme d'une matrice du type mosatque constituée par des éléments cristallins distincts à compositions différentes et de forme donnée présentant une répartition homogène des éléments cristallins d'une composition par rapport aux elémente cristallins d'une autre composition, le rapport des superficies des éléments cristallins contenant les substances de départ à teneurs différentes en constituants variés étant constant pour toute la surface de la couche épitaxiale. Il est souhaitable qu'une des sources solides distinctes soit réalisée sous la forme d'une lame cristalline et une autre sous la forme d'flots mésa déposés dans un ordre déterminé et constitués de substances de départ différentes. Il est également utile que la source solide commune composite faisant un tout possède une frontière congruente séparant les sources solides distinctes et se présentant sous la forme d'une combinaison d'un rayon.et d'une spirale d'Archimède. Il est pratique que la source solide commune composite faisant un tout comporte au moins une zone contenant un produit de départ de composition constante et ayant au moins une frontière de séparation sous la forme d'une circonférence concentrique à la frontière extérieure de la source solide commune composite faisant un tout 11 est très avantageux que la source solide commune composite faisant un tout soit réalisée sous la forme d'au moins deux peignes interpénétrants à dents de forme différente et à embases de peignes parallèles l'une avec l'autre. Il est également possible que la source solide commune composite faisant un tout se présentant sous la forme de peignes possède une frontière congruente séparant les sources solides distinctes ces dernières contenant des substances de départ différentes. Il est avantageux que la source solide commune composite faisant un tout comporte des zone vides disposées entre les dents des peignes. Il est aussi extrêmement avantageux que la source solide commune composite faisant un tout comporte une zone remplie d'une substance de départ homogène disposée entre les embases des peignes interpénétrants disposés par paires. Le procédé et le bloc de sources proposés permettent d'obtenir des couches épitaxiales ayant n'importe quelle répartition donnée de constituants des solutions solides ou tout gradient du degré de dopage dans le plan de croissance des couches. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description suivante de plusieurs exemples de réalisation illustrés par les dessins annexes, sur lesquels la figure 1 montre la disposition réciproque de sources solides distinctes et d'un support dans un réacteur de quartz,selon l'invention; - la figure 2 montre la disposition de sources solides distinctes semi-rondes de composition différente réalisées à partir d'un bloc en graphite, conformément à l'invention; - la figure 3 montre vue d'en haut la disposition de sources solides distinctes réalisées sous la forme de quatre secteurs de meme rayon à partir d'un bloc en graphite, selon l'invention;; - la figure 4 est une représentation graphique de la teneur relative en un constituant varié de la solution solide dans les sources solides distinctes et dans la couche épitaxiale obtenue, conformément à l'invention; - la figure 5 represente, vue d'en haut, une source solide commune composite faisant un tout sous la forme d'une matrice du type monarque, selon llinvention; - la figure 6 montre la disposition réciproque d'une source solide commune composite faisant un tout sous la forme d'une matrice du type monarque et du support dans un réacteur à quartz horizontal, conformément à l'invention; ; - la figure 7 est une représentation graphique de la teneur relative en un constituant varié de la solution solide dans la source solide commune composite faisant un tout > représentée sur les figures 5 et 6 et dans la couche épitaxiale obtenue, conformément B à#I'invention; - la figure 8 représente des sources solides distincte. sous la forme d'une plaque cristalline d'une certaine composition portant des plots mésa d'une autre composition, obtenus par croissance, ces sources étant réalisées de façon à former un seul bloc, selon l'invention; - la figure 9 représente des sources solides distinctes sous la forme d'une plaque cristalline d'une certaine composition portant des ilote mésa obtenus par croissance et contenant deux autres substances de départ différentes, conformément à l'invention; - la figure 10 représente une source solide commune composite faisant un tout sous la forme d'un cercle à frontière intérieure en spirale séparant les sources solides distinctes contenant des substances de départ de composition différente, selon l'invention;; - la figure 11 représente une source solide commune composite faisant un tout sous la forme d'un demi-cercle à frontière de séparation en spirale, selon l'invention; - la figure 12 représente une source solide commune composite faisant un tout sous la forme de deux demi-cercles adjacents l'un à l'autre suivant leursdiamètresà frontières de séparation en spirale qui se disposent de façon symétrique par rapport à l'axe de rotation, selon l'invention; - la figure 13 représente une source solide commune composite faisant un tout sous la forme de deux demi-cercles adjacents suivant leurs diamètres à frontières de séparation en spirale qui se disposent d'une façon symétrique par rapport au diamètre commun, selon l'invention;; - la figure 14 représente une source solide commune composite faisant un tout, réalisée sous la forme d'un cercle constitué par des secteurs identiques à frontières de séparation en spirale, selon l'invention; - la figure 15 représente une source solide commune composite faisant un tout dont une zone centrale contient n'importe quelle substance de départ ou ne la contient pas du tout, selon l'invention; - la figure 16 est une representation graphique de la variation radiale de la composition des couches épitaxiales des solutions solides semi-conductrices obtenues en utilisant des sources solides communes faisant un tout, représentées sur les figures 10 à 15;; - la figure 17 représente une source solide commune composite faisant un tout dont la zone centrale a de. frontières intérieures en spirale, selon l'invention; - la figure 18 montre la courbe de variation de la composition des couches épitaxiales de solutions solides semi-conductrices obtenues en utilisant la source solide commune composite faisant un tout, représentée sur la figure 17, conformément à l'invention; - la figure 19 représente une source solide commune composite faisant un tout à frontières de séparation en spirale entre toutes les sources solides distinctes, selon l'invention;; - la figure 20 représente une source solide commune composite faisant un tout sous la forme d'une matrice du type mosatque à répartition irrégulière sur la surface des éléments cristallins de composition différente, selon l'invention; - la figure 21 représente la courbe de variation de la teneur totale en une des substances à teneur variable de la source solide dans la direction perpendiculaire au sens de déplacement, conformément à l'invention; - la figure 22 représente des sources solides distinctes réalisées sous la forme de deux triangles rectangles en contact lgun avec l'autre par leurs hypoténuses, selon l'invention;; - la figure 23 représente une source solide commune composite faisant un tout, réalisée sous la forme de deux peignes interpéné trants ayant des dents de forme identique, selon l'invention; - la figure 24 représente une source solide commune composite faisant un tout, réalisée sous la forme de deux peignes interpénétrants ayant des portions d'une zone vide (non remplie) réparties d'une façon symétrique entre les dents des peignes et diminuant la surface contenant une substance volatile, selon l'invention; - la figure 25 représente une source solide commune composite faisant un tout avec répartition asymétrique des portions de la zone vide par rapport à chacun des peignes, selon l'invention;; - la figure 26 représente une source solide commune composite faisant un tout sous la forme des peignes interpénétrants ayant des dents limitées par les surfaces courbes, conformément à l'invention; - la figure 27 représente une source solide commune composite faisant un tout sous la forme des peignes interpénétrants réunis par paires, selon l'invention; - la figure 28 représente une source solide commune composite faisant-un tout sous la forme de deux peignes entre les dents desquels une zone contient n'importe quelle substance de départ, selon l'invention; - la figure 29 représente une source solide commune composite faisant un tout sous la forme de deux peignes ayant des dents de forme différente, objet de l'invention;; la figure 30 représente une autre variante de réalisation d'une source solide commune composite faisant un tout sous la farae de peignes interpénétranta réunis par paires, selon l'invention; - la figure 31 représente une courbe de variation, le long de la surface, de la composition des couches épitaxiales de solutions solides semi-conductrices obtenues en utilisant des sources solides communes composites faisant un tout, représentées sur les figures 29 à 31. Le procédé d'obtention des couches épitaxiales de solutions solides semi-conductrices selon l'invention est appliqué pour obtenir les couches minces épitaxiales à toute répartition donnée des cons tituanta des solutions solides ou à gradient du degré de dopage dans le plan de croissance des couches. Le procédé proposé est caractérisé par la succes- sion suivante des opérations. Les couches épitaxialea sont obtenues à partir d'une phase gazeuse lors du transfert sur un support des substances de départ à partir d'au moins deux sources solides contenant les substances de départ à différente teneur en constituants à teneur variable et placées, pour le transfert des substances de départ, à proximité immédiate du support.Le rapport des superficies des sources solides amenées périodiquement à une région locale quelconque du support est choisi de façon que le rapport des temps de séjour des sources solides portant les substances de départ, dans chaque cycle et pour chaque région locale, corresponde à l'intervalle de temps nécessaire pour le transfert au support d'une quantité de la substance de départ qui corresponde à la teneur en ce produit de la couche épitaxiale obtenue par croissance. Afin d'obtenir une répartition constante des constituants à teneur variable à haut degré dthomogeneit de cette répartition, ta rapport des superficies des sources solides est choisi constant et égal pour -toute la surface du support. Pour que la variation de composition de la couche pi- taxiale le long de toute direction donnée dans le plan de croissance suive la loi linéaire, le rapport des superficies des sources solides est choisi variable dans une des directions parallèles au plan du support, Pour obtenir toute répartition voulue des produits de départ suivant le rayon de la couche épitaxiale en croissance, le rapport des superficies des sources solides est choisi variable dans une direction radiale. Le transfert des substances de départ à partir des sources solides distinctes 1, 2 (figure 1) sur un support 3 est réalisé dans un réacteur à quartz 4 rempli d'un mélange gazeux. Le support 3 est fixé sur un bloc de graphite supérieur 5 et les sources solides distinctes 1 et 2 sont fixées sur un bloc de graphite inférieur 6. Le régime thermique est imposé par le réglage de la puissance de deux fours cylindriques à résistance autonomes : un four 7 détermine la température du support 3, un four 8 détermine la température des sources solides distinctes 1 et 2. La rotation réciproque des sources solides distinctes 1 et 2 et du support 3 est réalisée par rotation conjointe ou indépendante des blocs de graphite supérieur 5 et inS ur6, la rotation étant due à un dispositif de rotation standard 9.La flèche sur le dessin indique le sens conventionnel de rotation. Le temps de séjour de chacune des sources solides distinctes 1 et 2 de compositions différentes près de la surface du support 3 est défini par la composition voulue de la couche épitaxiale à obtenir et dépend du type et k lavitesse de la diffusion utilisée dans chaque processus technologique concret ainsi que de la composition des produits de départ. La durée de séjour critique de chacune des sources solides distinctes 1 et 2 en face de la surface du support 3 ne doit pas dépasser le temps de passage à l'état de gaz d'une couche moléculaire de la substance à partir de la surface de la source solide distincte 1, 2 ou, respectivement, le temps de déport d'une couche identique sur le support 3; ceci se compte en dixièmes de seconde. Donc, lorsqu'il y a un changement périodique de deux sources solides distinctes 1, 2 contenant des constituants d'une solution solide, la vitesse de rotation des sources solides 1, 2, par rapport au support 3, doit etre de quelques tours par seconde afin d'obtenir une haute homogénéité de composition de la solution solide. Pourtant, la vitesse de rotation des sources solides 1, 2 peut etre réduite d'une façon notable lorsqu'on augmente leur nombre. Les sources solides distinctes 1, 2 (figure 2) sont réalisées sous la forme de deux demi-cercles se touchant l'un l'autre suivant leurs diamètres et ayant une frontière extérieure commune 10 ou sous la forme de quatre secteurs 11, 12, 13, 14 (figure 3) de meme rayon dont le rapport des superficies est choisi en fonction de la teneur voulue en cons titubants à teneur variable de la solution solide à obtenir par croissance. A noter que le rapport des superficies des secteurs 11 à 14 est déterminé par le rapport des valeurs des angles ç et Ti - t. Les secteurs 11 à 14 des sources solides distinctes 1, 2 sont au préalable remplis par paires de produits de départ A et B à différente teneur en constituants variés. Lorsque les sources solides distinctes 1, 2 contiennent trois constituants et plus, le nombre de secteurs correspond au nombre de produits de départ utilisés ou en est un multipl#e. La disposition des secteurs 11 à 14 sur le bloc de graphite inférieur 6 est montrée par rapport à l'axe NM choisi d'une façon arbitraire et passant par le centre de rotation 0. Une flèche sur le dessin indique la direction de la lecture de la position des secteurs 11 à 14 des sources solides distinctes 1, 2. La courbe de variation de la composition des secteurs 11 à 14 des sources solides distinctes 1, 2 est représentée sur la figure 4. Les secteurs 11, 13 (figure 3) contiennent un produit de départ A, ce qui correspond à la teneur zéro en constituant donné xg (figure 4). Les secteurs 12, 14 (figure 3) contiennent un produit de départ B, ce qui correspond à la teneur maximale xmax (figureOn ea meme constituant à teneur variable du produit de départ. La couche épitaxiale en croissance de la solution solide de cette variante a une composition qui correspond à une certaine teneur intermédiaire en constituant à teneur variable xB Une source solide commune composite faisant un tout 15 (figure 5) est réalisée sous la forme d'une matrice de type mosatque constitube d'éléments cristallins 16, 17 de la même forme, par exemple rectangulaires.La source solide commune composite faisant un tout 15 est placée dans une c-aSsette en graphite amovible 18. Le rapport des superficies des éléments cristallins 16, 17 contenant des produits A et B à différente teneur en constituants à teneur variable est constant et correspond à la teneur relative en substances de départ A et B de la couche épitaxiale à obtenir par croissance de la solution solide. ta disposition réciproque du support 3 et de la source solide commune composite faisant un tout 15 sous la forme d'une matrice en mosatque dans le réacteur en quartz 4 est montrée sur la figure 6. Le régime thermique est imposé par des fours 7, 8 à résistence #se présentant sous la forme de deux demi-cylindres séparables à réglage autonome de puissance. Le déplacement réciproque des blocs de graphite supérieur 5 et inférieur 6 est obtenu par des moyens de déplacement 9 ordinaires. Sur la figure 7 est représentée la répartition de la composition le long de l'une des directions de la source solide commune composite faisant un tout 15, réalisée sous la forme d'une matrice en mosaïque. L'abscisse 11 sur le dessin indique la longueur de la source solide commune composite faisant un tout 15 où 1, 2 > 3, 4, 5, 6,7 sont les numéros des éléments cristallins de la matrice en mosatque, l'ordonnée xg correspond à la teneur minimale en produit de départ B, c'est-a-dire aux éléments cristallins contenant le produit de départ A x a correspond à la teneur maxi max male en produit de départ B, c'est-à-dire aux éléments cristallins contenant le produit de départ B, donc à x = 1, xB correspond à la teneur intermédia ire en produit de départ B de la couche épitaxiale obtenue. Une des variantes d'exécution de la source solide commune composite faisant un tout 15 est montrée sur la figure 8 où l'on voit une source solide distincte 1 (figure 1) réalisée sous la forme d'une plaque cristalline 19 (figure 8) en un produit A sur la surface de laquelle sont déposés en un ordre et avec une densité donnés des Ilots mésa 20 de produit B, ces Ilots constituant dans leur ensemble une autre source solide distincte 2 (figure 1).Les pilots mésa 20 (figure 8) peuvent avoir une composition identique ou contenir deux produits de départ différents ou plus (figure 9), les ilots mésa 20 de chaque substance de départ étant répartis sur la surface de la plaque cristalline 19 avec une densité qui correspond à la teneur en produit de départ donné de la composition de solution solide. La forme des ilots mésa peut etre modifiée. Conformément à une des variantes d'exécution, la source solide commune composite faisant un tout 15 (figure 10) est réalisée sous la forme d'un ensemble des sources solides distinctes 1, 2 se touchant l'une l'autre, de forme différente, dont l'une, la source 2, a les frontières extérieures congruentes aux frontières intérieures d'une autre source distincte I. Ainsi, la frontière 21, séparant les sources solides distinctes 1, 2) présente une combinaison de la ligne droite 22 (rayon R) et d'une spirale d'Archimède 23 ou seulement une spirale d'Archimède 23 (figure 11). En présence d'une telle frontière 21 en spirale séparant les sources solides distinctes 1, 2 de compositions tiffdrentes, on assure, en faisant tourner la source solide commune composite faisant un tout 15 avec frontière 21 congruente de séparation, la croissance dans chaque. régfon annulaire d'une couche épitaxiale où la teneur en constituants variés est une fonction linéaire de la distance de la région donnée par rapport au centre de rotation 0. En outre, une source solide commune composite faisant un tout 15 (figures 12 et 13) petit etre réalisée sous la forme de deux demi-cercles 24, 25 de meme rayon dont les frontières de séparation 21 en spirale sont symétriques par rapport au centre de rotation 0 ou sont symétriques par rapport au diamètre 26 suivant lequel sont en contact les deux demi-cercles 24 et 25. Représentée sur la figure 14, la source solide commune composite faisant un tout 15 est constituée par un ensemble des sources solides distinctes 1, 2 (figure 1) réalisées sous la forme de quatre secteurs 27 (figure 14) de surfaces égales dont chacun est divisé par une frontière en spirale 21 en deux zones contenant des produits de départ A et B diffé- rents. La somme des angles de ces secteurs 27 est égale à 2 4 et leur nombre peut etre trois ou plus. La source solide commune composite faisant un tout 15 représentée sur la figure 15 comporte une zone centrale 28 sans produit de départ, d'un rayon r inférieur au rayon R. La zone centrale 28 peut contenir un troisième produit de départ C ou un des produits de départ A, B. La variation radiale de la composition des couches épitaxiales obtenues à l'aide des sources solides communes composites faisant un tout 15, représentées sur les figures 10 à 15, est montrée sur la figure 16 où la ligne droite 29 indique la variation de la composition des couches épitaxiales obtenues àl'aide des sources solides communes composites faisant un tout 15, représentées sur les figures 10 à 14. La ligne brisée 30 correspond au cas d'utilisation d'une source solide commune faisant un tout 15, représentée sur la figure 15. xR est la teneur en produit de départ à la périphérie de la source solide distincte (pour R e 1, en unités relatives, XR 3 1), o'est-è-dire avec l'augmentation de la distance depuis le centre O de rotation des sources solides distinctes 1, 2 (figure 1), de O à R (figure 16), la teneur d'un des produits de épart, par exemple du produit A, croit linéairement de O à l00#. L'introduction des coefficients respectifs pour deter- miner la position-de la frontière de séparation 21 représentée sur les figures 10 B 15 permet de suivre la loi voulue de la variation radiale de tout paramètre de la couche épitaxiale qui dépend de la composition ou du degré de dopage des produits de départ. La zone centrale 28 (figure 17) est également divisée par des frontières de séparation en spirale 21 en deux zones 31 et 32 contenant les produits de départ A et B. A noter que la position de la frontière de séparation 21 et l'ordre de remplissage des zones 31, 32, 33, 34 en produits de départ A et B sont choisis de façon à les faire correspondre à la loi voulue de la variation radiale de la composition de la couche épitaxiale à obtenir par croissance. La composition des couches épitaxiales obtenues à l'aide de la source solide commune composite faisant un tout 15 représentée sur la figure 17 est donnée sur la figure 18 où la courbe 35 correspond au cas où les zones 31, 33 (figure 17) contiennent le produit de départ B et les zones 32 et 34, le produit de départ A. A la distance r du centre de la couche épitaxiale, on observe un changement brusque de la teneur en produit de départ B, de xr (figure 18) à > Où où i correspond à la teneur maximale en produit de départ B de la couche épitaxiale. La source solide commune composite faisant un tout 15 (figure 19) peut etre réalisée sous la forme de combinaison d'une zone ronde et de n'importe quel nombre de zones annulaires dont chacune peut avoir soit une frontière de séparation en spirale 21 qui prolonge la frontière de séparation en spirale prenant l'origine au centre de rotation 0, soit une frontière de séparation en spirale particulière en fonction de la loi voulue de variation de la composition de la couche épitaxiale. L'ordre de remplissage des zones dépend de la composition des produits de départ et de la composition à obtenir pour la couche épitaxiale. La zone 36 contient le produit de départ A, la zone 37, le produit de départ B et la zone 38, un produit de départ C. Lorsque la source solide commune composite faisant un tout 15 (figure 20) est réalisée sous la forme d'une matrice en monarque de longueur t et de largeur b ayant une répartition irrégulière d'éléments cristallins 16, 17 de forme identique, par exemple rectangulaires, le rapport des superficies dea éléments cristallins 16, 17 contenant les produits de départ A et B change, à partir d'un bord PQ choisi arbitrairement, dans la direction perpendiculaire à la direction du déplacement de la source solide commune composite faisant un tout 15,qui quiest indiquée par la flèche.La variation totale de la teneur en un produit de départ B est représentée sur la figure 21 ou n est le nombre de rangées de la matrice on mosatque dans la direction perpendiculaire à la direction de déplacement de la source solide commune composite faisant un tout 15 (figure 20). Sur la figure 22, sont représentées des sources solides distinctes 1, 2 sous la forme des triangles rectangles congruents à base L1 adjacents par leurs hypoténuses. Dans ces sources solides distinctes 1, 2, le rapport des quantités par surfaces occupées de produits de départ A et B change dans la direction perpendiculaire à celle de déplacement, proportionnellement au rapport des longueurs des sources solides distinctes 1, 2 à une distance donnée x du bord 39 choisi arbitrairement. Une source solide commune composite faisant un tout 15 sous la forme d'un ensemble de triangles rectangles ou isocèles réunis de façon à former des peignes 40, 41 est représentée sur la figure 23. Les zones tria#ngulaires contiennent le même produit de départ. Les côtés du triangle attenant à un meme angle forment les dents des peignes 40, 41, tandis que les bases 42 des triangles forment les embases des peignes respectifs 40 et 41, la longueur totale d'une source solide commune faisant un tout 15 dans la direction de déplacement étant égale à la somme des bases 42 de tous les triangles. La source solide commune positive faisant un tout 15 peut etre réalisée sous la forme des peignes 40, 41 interpénétrants comme le montre la figure 24, et leurs dents peuvent avoir la forme de triangles rectangles ou isocèles ou de trapèzes isocèles. Au cas où les peignes 40, 41 ont la forme des trapèzes isocèles, la longueur d'une source solide commune composite faisant un tout 15 dans la direction du déplacement est égale à une demi-somme de toutes les bases des trapèzes. Entre les dents des peignes 40, 41 réalisés sous la forme de triangles ou de trapèzes, on laisse parfois des régions vides (non remplies) sous la forme des triangles qui forment une zone 43 vide entre les dents des peignes 40, 41, de sorte que les génératrices 44, 45 des dents des peignes respectifs 40, 41 ne sont pas en contact ou le sont en un seul point D ou bien cotncident d'un seul côté (figure 25), c'est-à- dire que les dents des différents peignes 40, 41 ont un coté commun. Dans ces variantes, la zone vide 43 diminue respectivement la surface d'une des sources solides distinctes 1, 2 (figure 1), par exemple de celle contenant le produit de départ B. Les génératrices 44, 45 (figure 24) des dents des peignes 40,-41 peuvent etre réalisées sous la forme des segments de n'importe quelle courbe mathématique, par exemple parabole, sinusoïde, courbe exponentielle, choisie en fonction de la loi voulue de variation de la composition de la couche épitaxiale à obtenir par croissance le long de la surface dans la direction perpendiculaire à celle du déplacement des sources solides. Sur la figure 26, on peut voir une source solide commune composite faisant un tout 15 sous la forme des peignes 40, 41 dont les génératrices 44, 45 des dents sont des segments des courbes exponentielles. La source solide commune composite faisant un tout 15 peut etre réalisée sous la forme de n'importe quel nombre de peignes interpénétrants par paires 40, 41, 46, 47 (figure 27) réunis par leurs bases. Les dents des peignes 40 et 46 peuvent coïncider (figure 27) ou etre décalées (#figures 28, 29) et leurs génératrices peuvent se conformer à toute fonction mathématique comme le montre la figure 29. Les peignes 40, 41 et 46, 47 interpénétrants réunis par paires peuvent etre séparés par une zone 48 (figure 30) de largeur finie et de composition constante. La longueur de la zone 48 est égale à la longueur des bases 42 des peignes 40, 41, 46, 47 réunis. Ces variantes d'exécution des sources solides communes composites faisant un tout 15 permettent d'obtenir les couches épitaxiales se conformant à toute loi de variation de la composition dans la direction perpendiculaire à celle de déplacement de ces sources solides. Sur la figure 31, il est montré la variation de la composition des couches épitaxiales obtenues le long de la surface dans la direction perpendiculaire au déplacement des sources solides communes faisant un tout 15 représentées sur les figures 29, 30. La courbe 49 (figure 31) correspond au cas où les peignes 40, 46 (figures 27, 28) ont des formes identiques de dents et contiennent le meme produit de départ. La courbe 50 (figure 31) correspond au cas Où les peignes 40, 46 ont les dents de forme différente, comme le montre la figure 29. La courbe 51 (figure 31) correspond au cas où, entre les peignes 40, 41, 46, 47 réunis par paires, est disposée une zone 48 de composition constante (figure 30). L'invention ressortira des exemples concrets de son exécution démontrant la possibilité de réalisation du procédé proposé. EXEMPLE 1 On prend deux sources solides distinctes 1, 2 qui contiennent les produits de départ GaAs et GaP et sont réalisées de façon indiquée sur la figure 3. Conformément à cette realisation, les sources solides distinctes 1,2 sont divisées en huit secteurs égaux de 450 chacun : quatre secteurs contiennent GaAs, d'autres secteurs qui s'alternent avec les premiers contiennent GaP.Ainsi, la surface totale de quatre secteurs contenant GaAs de la source solide distincte 1 est égale à la surface totale de quatre secteurs contenant GaP de la source solide distincte 2 et, à toute distance par rapport au centre de rotation 0, la teneur en produite de départ GaAs et GaP de la phase gazeuse est déterminée par les périodes de séjour égales de chacune des sources solides distinctes 1, 2 près du support 3 (figure 1). Les sources solides distinctes 1, 2 sont amenées à tour de rôle vers la surface du support 3 à une distance de 300 à 1000 ms La croissance de la couche épitaxiale se fait à l'aide d'une réaction chimique de transfert en présence de vapeur d'eau. La pression partielle de vapeur d'bau est de 5 mm Hg. La température du support 3 est comprise dans les limites de 900 à 950 C, tandis que la température des sources solides distinctes 1, 2 est choisie entre les limites de 970 et 10100C. ta vitesse de rotation choisie en fonction du nombre de-secteurs choiaisdans cet exemple est de 1,5 à 2 tris. Pourtant, la vitesse pratique de rotation peut etre réduite jusqu'à 0 > 25 tr/s, ce qui assure un mélange supplémentaire des gaz dans l'espace entre les sources solides 1, 2 et le support 3. Les couches de la solution solide obtenues GaAs 1-xPx contiennent 45 moles 7. de GaP, ce qui correspond à x B 0,45. Le degré d'hétérogénéité des couches epitaxiales, tant en surface qu'en épaisseur, est inférieur à la limite inférieure de sensibilité du micro-analyseur à rayons X, soit une valeur relative de 1,5X. Ainsi, on-a obtenu une couche épitaxiale de la solution solide GaAs 1-xPx à haute homogénéiété de répar- tition réciproque des constituants de la couche déposée, tant dans la direction de la croissance que dans le plan de la croissance de la couche. EXEMPLE 2 Afin d'obtenir les couches épitexisîsa de la solution solide homogène de composition GaAs 0,62P0,38, on réalise la croissance dans un courant d'hydrogène en utilisant la vapeur d'eau comme véhicule sur la surface polie chimiquement du support 3 à orientation (111) +5 On utilise une source solide commune composite faisant un tout 15 (figure 5) réalisée sous la forme d'une matrice en mosatque à éléments cristallins 16, 17 découpés en pastilles cristallines d'épaisseur égale de cristaux GaP et GaAs, obtenus par tout procédé connu. La matrice en mosatque est placée dans une cassette de graphite 18 sans cloisons entre les éléments cristallins 16, 17 de la matrice. Au cas où plusieurs éléments cristallins 16 ou 17 de même composition sont disposés à la suite, dans une rangée ou dans une colonne, on peut les remplacer par un cristal de la même composition de dimension adéquate. La source solide commune composite faisant un tout 15 est disposée à proximité du support 3 (figure 6) sur lequel on fait croître la couche mince. La #istance entre la source solide faisant un tout 15 et le support 3 varie de 300 à 800/um. La température de la source solide commune composite faisant un tout 15 est maintenue dans les limites de 950 à LOOOOC. La température du support est maintenue entre 920 et 960 C. La matrice est constituée par soixante éléments cristallins 16, 17 (figure 5) de dimension 2,5 x 2,5 mm disposés en six rangées de dix éléments chacune, Afin d'assurer une composition de la couche obtenue par croissance ayant une teneur en GaP de 38 moles %, on utilise une source solide commune composite faisant un tout 15 contenant vingt-quatre éléments cristallins 16 à GaP et 36 éléments cristallins 17 à GaAs, ce qui correspond respectivement à 40r et à 60% de la surface de la source solide commune composite faisant un tout 15.Vu que, meme pour la répartition la plus régulière des éléments en GaP et en GaAs dans chaque rangée, il y a des éléments jumelés de la meme composition, il faut imprimer soit un mouvement de translation, soit un mouvement de va-et-vient à la source solide consufle composite faisant un tout 15 de façon-qu'elle se déplace à une distance égale à la distance maximale entre deux éléments cristallins voisins homonymes 16 ou 17 de la m-atrice, -séparés par des éléments cristallins 17 ou 16 de l'autre composition. Ceci permet d'éviter l'apparition d'hétérogénéités locales dans la couche obtenue par croissance. La vitesse de déplacement de la source solide faisant un tout 15 par rapport au Support 3 (figure 6), selon les calculs, est de 10 à 40 mm/s. Pourtant, grace à un effet auxiliaire de mélange des gaz lors du mouvement de la source solide faisant un tout 15 dans la direction de déplacement, la vitesse a été réduite à une valeur de 2 à 5 mm/a, la dimension critique de l'élément de la matrice tant de 2,5 mx. La vitesse de la croissance de la couche épitaxiale est égale dans ce cas à 16 à 25/um/h en fonction des conditions de croissance. EXEMPLE 3 Les couches épitaxiales de solutions solides homogènes GaAs 0,97P03 P sont obtenues par croissance sur des supports en GaAs à 0,97 0,03 orientation Cl(x)) chimiquement polis à partir d'une phase gazeuse dans des vapeurs de HCI utilisant l'hydrogène comme agent véhiculant. Cosse source solide distincte 1 (figure 1), on utilise une plaque cristalline 19 de GaAs sur laquelle on réalise par photogravure un masque (figure 8) de Si02 en pratiquant dans ce dernier des ouvertures et en déposant à travers ces ouvertures des ilots mésa 20 de phosphure degallium GaP dont l'ensemble constitue une autre source solide distincte 2 (figure 1). La plaque cristalline 19 (figure 8) en GaAs, sur laquelle des ilote mésa 20 en GaP sont déposés, a la dimension 20 x 15 ma Les îlots mésa 20 de GaP sont ronds, leur diamètre est de 50 m et la superficie de 19,63 . 10-6 cm. Afin d'obtenir une solution solide à teneur en GaP égale approximativement à 3 moles %, on choisit la surface des îlots mésa 2 20 en GaP égale à ~ 2,8%, soit égale A savoir, si la superficied'un îlot mésa rond est égale à 1,96 . 10-2 =2, on dépose sur la plaque cristalline 19 de GaAs de 428 à 430 îlots mésa 20. Pour la plaque cristalline 19 de dimension indiquée, la densité des îlots mésa 20 est de 143 îlots par 2 cm , la distance entre les centres des îlots mésa 20 étant à peu près égale à 0,87 m.Pour la meme dimension d'un îlot mésa 20 en GaP, on utilise, pour obtenir une solution solide homogène GaAs0,80P0,20, des sources solides distinctes 1, 2 (figure 1) réalisées comme indiqué auparavant en faisant croître sur une plaque cristalline 19 (figure 8) en GaAs des îlots méqsa 20 4 en échiquier avec une densité de 1,02 104 2 disposés On échiquier avec une densité de l,Q2 . 10 îlots par c; La vitesse de translation deb sources solides 1, 2 (figure 1) est de 2 à 5 cm/s. L'hétérogénéité locale des couches épitaxiales obtenues est de 1mole %. Le régime thermique de croissance est défini par - la température du support 3 : 880 à 920 C, - la température des sources solides 1, ? : soc à -9500C, - la pression des vapeurs : aw 1 mm Hg, - la distance entre la source solide 1, 2 et le support 3 400 à 600 m. EXEMPLE 4 Afin d'obtenir des solutions solides homogènes GaAs0,97Po 03, on prépare des sources solides distinctes 1,2 identiques à celles décrites dans l'exemple 3. On apporte sur une plaque monocristalline 19 (figure 8) en GaAs un masque en Si02 par photogravure puis,par les ouvertures, on effectue une attaque de GaAs. Durant l'attaque, on doit préserver la forme (section) des trous afin de sauvegarder le rapport des surfaces des constituants respectifs pour une utilisation répétée de telles sources solides. Le déport de GaP sur le support 3 (figure 1) en GaAs se fait à une température de 900 à 950 C dans le courant de l'hydrogène H2 avec vapeurs de HCZ, l'espacement étant de 15 à 20 m durant 1,5 à 2 h. Ensuite, on enlève le masque protecteur de la surface de la plaque monocristalline 19 (figure 8) en GaAs portant des îlots mésa 20 en GaP. La source solide fabriquée de cette façon-là. a une durée de service plus grande que la source solide décrite dans exemple 3. Afin d'améliorer l'homogénéité de la répartition réciproque des constituants de la solution solide de croissance ainsi que de réaliser le processus de transfert aux valeurs moindres de l'espace rempli de gaz, on doit agiter les sources solides distinctes l, 2 par rapport au support 3. EXEMPLE 5 Afin d'obtenir une couche épitaxiale de solution solide à plusieurs constituants (GaAs)0 > 6-(GaP)0,2-(inAs)0,2, on utilise une source solide distincte 1 réalisée à base d'une plaque monocristalline 19 (figure 8) de GaAs sur laquelle on dépose en échiquier des Ilots mésa 20 de composition différente : GaP et InAs. En cas d'utilisation de telles sources solides distinctes l, 2 (figure 1), leur vitesse de déplacement par rapport au support 3 est de 10 à 40 mn/s, la distance entre les sources solides distinctes 1, 2 et le support 3 étant de 300 à 600/um. La température du support 3 est maintenue entre 700 et 7200C, la température des sources solides 1, 2 entre 730 et 7500C. Les îlots mésa 20 (figure 8) en GaP et InAs sont déposés en deux processus technologiques successifs. On dépose un masque sur le support 3 ~figure l) en GaAs, puis on y pratique des ouvertures suivant un gabarit à disposition voulue des îlots mésa 20 (figure 8) de la même composition. Après le dépôt des îlots mésa 20 d'une composition, on apporte un autre masque sur le support 3 (figure 1) et on fait toutes les opérations qui doivent précéder le dépôt des îlots mésa 20 (figure 8) de l'autre composition. Ainsi, la distance entre les centres des îlots mésa 20 de la meme composition est de 100/um et la distance entre les centres des îlots mésa d'une autre composition est de 87 m approximativement. La superficie de chaque îlot mésa carré 20 de 45 m de côté est de 2,02 . lO-5 cm2. 4 densité des îlots mésa 20 en CaP at en InAs est égale 104 îlots per 2 La densité des îlots mésa 20 en GaP et en InAs est égale à 104 îlots par cm pour chaque composition c'est-à-dire la superficie totale de GaP et de InAs 2 est de 0,6 cm pour chaque composition. La superficie de la surface GaAs 2 sans îlots mésa 20 est de 1,8 cm . Donc, le rapport des superficies des différents produits de départ sur la surface de la source solide GaAs:InAs:Cap vaut 0,6:0,2:0,2. EXEMPLE 6 On prend deux sources solides distinctes 1 et 2 contenant les produits de départ CdSa et CdS dont l'organisation est représentée sur la figure 10. Conformément à cette organisation, la source solide commune composite faisant un tout 15 est réalisée sous la forme d'un ensemble de deux sources solides distinctes 1, 2 de forme différente qui sont en contact l'une avec l'autre dont l'une, contenant CdSe, a des frontières intérieures congruentes aux frontières extérieures de l'autre source solide distincte contenant CdS. Les sources solides distinctes 1, 2, qui tournent avec une grande vitesse de 5 tr/s, changent leur position par rapport aux régions du support 3 (figure 1). Celui-ci est réalisé en ZnTe sous une épaisseur de 400/ m avec une orientation (111) dont le plan est parallèle & RTI ID=23.16 HE=6 WI=3 LX=673 LY=2348 La croissance est effectuée à une température des sources solides 1, 2 égale à 7300C et à une température du support de 6500C. La vitesse de croissance épitaxiale est de 31um/h. Le film mince obtenu par croissance a, le long du rayon, une composition variable qui varie de CdSe0,99S0,01 près du centre à CdSe0,04 s0 96 96 à la périphérie de la couche épitaxiale. te rayon du film épitaxial obtenu est de 18 mm et le gradient radial de composition équivaut approximativement à 5,27 moles %. Le transfert se fait dans une phase gazeuse constituée d'hydrogène H2 purifié par diffusion à travers une membrane de palladium. Dans cet exemple, l'agent réactif porteur est l'hydrogène auquel on a ajouté HC1 à concentration de 0,1 à 0,5% en volume. L'addition de HC1 dans le flux gazeux joue un roule de source de dopage des couches épitaxiales en chlore.(jusqu'à 1 à 3..1018 cm-3). Dans les couches obtenues, la largeur de la zone interdite varie d'une façon continue, suivant le rayon, de 1,9 à 2,4 eV. EXEMPLE: 7 On prend une source solide commune composite faisant un tout 15 réalisée sous la forme de quatre secteurs 27, conformément à la figure 14, à superficies égales, alors que chaque secteur 27 est divisé par une frontière en spirale 21 de séparation en deux zones contenant les produits de départ GaAs et GaP. La zone contenant GaAs a une frontière extérieure en spirale 21 congruente à la frontière intérieure 21 de la zone contenant GaP. La source solide commune composite faisant un tout 15 est réalisée en une plaque en GaAs sur laquelle on a porté, par des méthodes de photogravure, un masque de SiO2. Ensuite > aux endroits qui vont correspondre à la zone contenant GaP, on pratique des ouvertures, on fait des évidements par attaque sur la surface initiale de la plaque Gades. Puis, on dépose GaP aux endroits sans masque de façon à rendre de nouveau plane la surface de la plaque. L'opération suivante consiste a enlever le masque protecteur, à rafraîchir la surface de la plaque par attaque chimique, puis la plaque est lavée et séchée. La source solide commune composite faisant un tout 15 réalisée de cette façon est représentée en plan sur la figure 14. Comme réaction chimique de transfert en phase gazeuse, on choisit deux réactions : vapeur d'eau avec hydrogène comme agent véhi- cule en milieu d'hydrogène humide et réaction des vapeurs de HCl dans le flux de H2 Selon la réaction choisie, le régime thermique de la croissance est le suivant : -température du support 3 (figure 1) 950 ou 8700C, température de la source solide faisant un tout 15 (figure 10) 980 ou 910 C. La croissance des couches est effectuée sur le support 3 (figure 1) en GaAs:Te (111)-5 ou GaAs:Sn (100)-5 , selon la réaction choisie. La vitesse de rotation de la source solide faisant un tout 15 (figure 10) est choisie entre 0,25 et 1 tr/s. Les couches épi taxia les obtenues sur les supporte GaAs.:Tê d'orientation (llL)+5 sont caractérisées par la valeur du gradient de la composition, égale à 5,1 moles X/mm, le rayon du film déposé étant approximativement égal à 18 mm. Le gradient de la composition des couches épitaxiales obtenues sur les supports GaAs:Sn d'orientation (100)+5 est de 4,9 à 4,97 moles %/mm, selon la teneur en GaP. Les couches ont un bon poli-miroir pour une teneur en GaP allant jusqu'à 20 moles % approximativement. EXEMPLE 8 On prend deux sources solides distinctes 1, 2 réalisées sous la forme de quatre secteurs de meme rayon réunies en une source solide commune composite faisant un tout 15 sur un support rond en GaAs dont la zone centrale 28 ne contient pas de produit de départ, comme le montre la figure 15. Les sources solides distinctes sont réalisées avec les frontières congruentes des deux zones adjacentes contenant les produits de compositions différentes. Les frontières sont réalisées sous la forme de segments de rayon et de spiraies d'hrchimède ainsi que de segments d'arcs de circonférences qui cotncident avec les frontières intérieure et extérieure de la source solide commune composite faisant un tout 15. Afin de réaliser une telle source solide commune composite faisant un tout 15, on recouvre tout d'abord la plaque en GaAs d'un masque protecteur en Si02; ensuite, on y fait des ouvertures par attaque, ces ouvertures cotncidant avec les régions devant contenir GaP.Ensuite, le déroulement des opérations est le même que celui décrit dans l'exemple 7, à la seule différence qu'on garde sur la zone centrale 28 vide le masque protecteur jusqu'# ce que la croissance de la couche épitaxiale soit terminée. Si besoin est, la zone centrale 28 vide est égale à une toute substance homogène dont la composition cotncide avec un des produits de départ, par exemple GaAs ou GaP. Par des opérations supplémentaires de masquage, d'obtention d'ouvertures et de dépôt de substance dans ces fenetres, on dépose sur toute la zone centrale 28 une substance transférée ensuite sur le support 3 utilisé dans le processus technologique donné. On utilise les sources solides distinctes 1, 2 (figure 1) et la zone centrale 28 (figure 15) en cas de très faibles dimensions de la source solide commune composite faisant un tout 15 lorsque les segments de départ des frontières de séparation en spirale des zones contenant les différents produits de départ ne sont pas reproduits avec précision. La croissance épitaxiale est faite sous atmosphère d'hydrogène humide sur les supports GaAs:Te (lll)±5 à une concentration de vapeur de H2 O de 5 mm Hg. La température du support 3 est maintenue entre 920 et 9700C et celle de la source solide commune composite faisant un tout 15 (figure 15) entre 950 et 1010 C, respectivement. La vitesse de rotation est de 0,25 à 1,5 tris. Le gradient de composition radiale de la couche épitaxiale annulaire obtenue par croissance, pour une zone annulaire de largeur égale à 1 cm et se trouvant à une distance radiale de 1 cm par rapport au centre du support 3, est approximativement égal à 4,6 moles %/mm pour une variation de la composition,entre la frontière intérieure de la couche annulaire et la périphérie, de 46 moles 7 de GaP jusqu'à 92 moles % de GaP, et proche de 0,5 vers 7,9-mm. La valeur absolue du gradient radial est approximativement égale à 6 moles %/mm de GaAs et est pratiquement constante sur toute la surface de la couche obtenue par croissance. EXEMPLE 9 Afin d'obtenir les couches épitaxiales des solutions solides caractérisées par une variation linéaire, le long du rayon, d'un paramètre physique quelconque, par exemple du coefficient de réfraction, il faut prendre en considération la dépendance de ce paramètre vis-à-vis de la composition chimique de la solution solide en croissance. Ainsi, pour obtenir par croissance une couche épi ta- xiale GaAs1-xPx de la solution solide présentant une variation linéaire le long du rayon de la couche en croissance, on utilise une source solide commune composite faisant un tout 15 (figure 14) contenant GaAs et GaAsO 6Po de telle façon que la frontière congruente 21 de séparation des sources solides distinctes GaAs et GaAs 4 soit réalisée de la manière suivante TABLEAU N 0,8 R F R P1,2 R 1 0,027195 0,221091 0,01816 2 0,051411 0,041850 0,034938 3 0,072837 0,057566 0,050469 4 0,091895 0,073504 0,065024 5 0,109161- 0,088399 0,078917 10 0,185910 0,159475 0,147661 20 0,38829 0,360927 0,348116 30 0,81998 0,810596 0,806013 31 0,90027 0 > 895060 0,892531 32 1,00000 1,000000 1,000000 On a réuni les coordonnées des frontières de séparation pour simplifier le tableau. Pour plus de commodité, on a pris dans le tableau le rayon R de la source solide commune composite faisant un tout 15 égal à une unité (R = 1), tandis que po 0 correspondent aux coordonnées de la frontière congruente21 qui assure la variation linéaire du coefficient de réfraction pour trois longueurs d'onds différentes b#= 0,8, 1,0 et 1,2 eV et que les numéros d'ordre de la coordonnée dans le tableau correspondent à la rotation du rayon variable #d'on angle # /32 (étant donné que =#/32N0 où N est le numéro dans le tableau).P En utilisant une des variantes proposées pour trois longueurs d'ondes de la source solide faisant un tout 15, on obtient, par croissance, des couches épitaxiales sur des supports 3 en GaAs présentant une variation linéaire du coefficient de réfraction, par exemple de 3,36 à 3,2 (pour h) = 0,8). EXEMPLE 10 Des couches épitaxiales de la solution solide présentant une variation de la composition de GaAs jusqu'à et un gradient constant dans le plan de la croissance sont obtenues sous atmosphère d'hydrogène humide à la pression de vapeur de 1120 de 3 à 8 un Hg (pourtant, tout autre agent de réaction HCI, J et tout autre gaz véhiculant peuvent etre choisis) sur les supports GeAs::Ta(Ul)+51 (de type n de conduction), en utilisant pour cela une source solide commune composite faisant un tout 15 sous la forme de deux peignes interpénétrants 40, 41 à forme identique de dents, de surface égale, réalisés comme le montre la figure 23 La source solide faisant un tout 15 a été réalisée par des méthodes de photogravure combinées, les opérations successives consistant à placer un masque protecteur sur la surface chimiquement polie de la plaque GaAs, à y pratiquer des ouvertures suivant un certain gabarit, à déposer dans les fenêtres du Gabso P et à enlever la partie restante du masque pour préparer la source solide faisant un tout 15 en GaAs au travail. Les cotes de la source solide commune composite faisant un tout l5 sont les suivantes ; longueur de l'embase des peignes 50 mm, hauteur d'une dent 14 mm, base d'une dent 2 un. Le support 3 a été découpé de la plaque GaAs et avait les cotes 17 x 30 un, son épaisseur étant approximativement comprise entre 200 et 350/um. Le régime thermique de croissance caractéristique du type donné de réaction chimique est choisi dans les gammes suivantes : de 920 à 960 C pour la température du support 3 et de 950 à 1010 C pour la température de la source solide faisant un tout 15. La vitesse de la translation de la source solide faisant un tout 15 est de 5 à 40 mm/s, la vitesse du mouvement de va-et-vient doit etre proche de celle indiquée, mais en tenant compte du fait que l'amplitude de déplacement ne doit pas être inférieure à la longueur de la base d'une dent et qu'il y a freinage au moment de renversement de la marche. En cas d'amplitude insuffisante et de disposition proche des sources solides et du support ( 100 - 200 m), il peut apparaître une certaine hétérogénéité des couches. Les couches épitaxiales obtenues par croissance sont caractérisées par une variation linéaire de la composition, cest-à-dire par un gradient constant de 3 mole Z/mm dans la direction (110) sur la surface de la couche, par un poli-miroir et par une frontière planar de séparation "support-couche épitaxiale". EXEMPLE Il La couche épitaxiale des solutions solides GaAsl dont le gradient de la composition change de signe le long de la surface dans les limites d'une des cotes du film epitaxial, est obtenue sur un support GeAs:Te(lll) sous atmosphère d'hydrogène humide par l'utilisation d'une source solide commune faisant un tout réalisée sous la forme de quatre peignes interpénétrants 407 41, 46, 47 réunis par paires, dont les dents ont des forme8 identiques, de façon que les sommets des dents des peignes contenant le meme produit de départ soient en contact par un seul point, comme il est montre sur la figure 27, ou soient décalés l'un par rapport à l'autre, comme le montre la figure 28. On réalise la source solide commune composite faisant un tout 15 par méthodes de photogravure en procédant comme il est décrit dans l'exemple 7. Les embases 42 des peignes 40, 41, 46, 47 ont une longueur de 44 mm, la hauteur de la dent est égale d 15 mm et la base de chaque dent est de 2 mn. La longueur totale de la source solide commune composite faisant un tout 15 dans la direction de la variation de la composition est de 30 mm. Les peignes 40 et 46 dont les embases sont les frontières extérieures de la source solide faisant un tout 15 contiennent la solution solide GaAs0 > 6P0 > 4. Les peignes internes 41 et 47 qui se touchent par des embases 42 et forment des zones en losange se trouvant entre les dents des peignes externes 40, 46 contiennent Gabs La source solide formant un tout 15 est placée à une distance de 300 à 600 m du support 3 (figure 1) en CeAs. Regime thermique de la croissance : température du support 3 de 930 à 950 C; température de la source solide formant un tout 15 (figure 28) de 970 à 9900C. LA vitesse du mouvement de va-et-vient (agitation) de la source solide faisant un tout 15 dans la direction parallèle à l'embase 42 des peignes 40, 41, 46, 47 est de -0,5 à 2,0-/s. La croissance dure de 1 à 3 h (ou plus) selon l'épaisseur requise pour les couches épitaxiales. La vitesse moyenne de la croissance des couches épitaxiales est approximativement égale à 10 à 15/um/h. Les couches épitaxiales ont un gradient de composition approximativement égal à 2,2 à 26 moles % de CaP/mm le long de la surface selon la distance entre la source solide faisant un tout 15 et le support 3 (figure 1). EXEMPLE 12 La couche épitaxiale de solutions solides GaAsl~xPx est obtenue de façon que la variation de la composition le long de la surface (dans le plan de croissance) de la couche se présente sous la forme de la courbe 51 représentée sur la figure 31. Ainsi, la couche obtenue présente deux régions à composition variable entre lesquelles s'intercale une région à composition constante. Comme support 3 (figure 1), on utilise une plaque GeAs:Sn(lOO)-5 de dimension 18 x 24 mn et d'épaisseur 350 m chimiquement polie. La croissance a lieu dans une atmosphère formée d'un mélange d'hydrogène et de vapeurs de HC1, la température du support 3 étant choisie dans la gamme de 850 à 880 C et celle de la source solide faisant un tout 15 (figure 30) entre 870 et 9200C. La source solide commune composite faisant un tout 15 représentée sur la figure 30 a une zone 48 de composition constante GaAs de 0,5 x 50 mm où la longueur de la source solide faisant un tout 15 dans la direction de déplacement est égale à 50 mm, la hauteur d'une dent de peigne est de 14 mm et la largeur de l'embase du peigne constitue 3 ms. Les dents des peignes 40 > 46 contenant GaP ont des bases qui cotncident avec la frontière extérieure de la source solide commune composite faisant un tout 15 de longueur 50=. Les dents des peignes 41, 47 contenant GaP sont dirigées à l'encontre l'une de l'autre et touchent la zone 48 de composition constante en GaAs. On réalise la source solide faisant un tout 15 par photogravure en utilisant à cet effet une plaque en GaAs ou en GaP. La distance entre la source solide faisant un tout 15 et le support 3 (figure 1) est de 500 à 800/um. La vitesse du mouvement de translation est choisie dans la gamme de O, à 2,0 ms/s. La couche obtenue a une région intermédiaire de composition constante (GaAs) large de 0,28 ma entre deux régions de composition variable qui présentent une teneur croissante en phosphure de gallium dans la solution solide dont le gradient de composition change de signe (lorsqu'on compte à partir d'un bord choisi arbitrairement)et repré sente 5,2 à 5,8 moles Z/mm. EXEMPLE 13 On prend une source solide commune composite faisant un tout 15 (figure 19) réalisée sous la forme de quatre secteurs d'égales surfaces divisés par une frontière en spirale séparant des zones contenant trois produits de départ InAs, GaAs et GaP. Une telle source solide faisant un tout 15 est utilisée pour obtenir des couches épitaxiales dont la composition varie progressivement le long du rayon de pratiquement 100Z (teneur en un constituant) à proximité du centre jusqu'd zéro à une certaine distance du centre, la teneur en un deuxième constituant variant respectivement en sens inverse, la teneur en un troisième constituant allant de O à 1007. d'une façon régul#îère en correspondance avec la diminution respective de la teneur en le deuxième constituant. L'ordre de remplissage des sources solides 15 est imposé par des conditions concrètes d'utilisation. Ainsi, la source solide commune composite faisant un tout 15 a une frontière intérieure sous la forme d'une circonférence de rayon de 8 Ippp, la frontière extérieure de la source solide commune composite faisant un tout 15 étant une circonférence de rayon de 16 m. La frontière en spirale de séparation 21 prolonge la frontière en spirale dans la zone interne, centrale, de la source solide commune composite faisant un tout 15. Selon le procédé d'implantation des produits de départ dans la source solide 15, la courbe caractérisant la variation de la composition de la couche épitaxiale obtenue,qui est fonction de la distance à partir du centre de la pellicule, aura une allure.différente Dans cet exemple, la zone 36 contient InAs de façon qu'avec l'augmentation de la distance à partir du centre la teneur en InAs de la couche épitaxiale décroisse de Ntl0O%, à proximité du centre de la source solide, à zéro..La zone 37 contient Gabs et la zone 38, GaP.Grâce à une telle implantation, la composition de la couche épitaxiale obtenue varie suivant le rayon de 100% de InAs jusqu'à s 100% de GaP à une distance, comptée à partir du centre de la couche épitaxiale suivant le rayon, de 16 à 17 mm. Le procédé de fabrication des sources solides utilisées dans cet exemple est identique à celui décrit dans l'exemple 5. La source solide commune composite faisant un tout 15 finie est placée dans le réacteur 4 (figure 6) à une distance de 100 à 5001ut de la surface du support 3. On réalise la croissance en utilisant la réaction avec les vapeurs de HC1 dans un flux d'hydrogène H2 aux températures de 840 à 860 C pour la source solide 15, et de 810 à 8250C pour le support 3. Les films cristallins obtenus se caractérisent par une surface polie miroitante. La description précédente montre du manière claire que le procédé examiné permet d'obtenir toute répartition voulue des constituants de départ des solutions solides de semi-conducteurs dans le plan de croissance de la couche épitaxiale, notamment a) répartition constante à haut degré d'homogénéité tant dans le plan que dans la direction de la croissance; b) variation de la composition (répartition des constituants de départ de la solution solide) le long de n'importe quelle direction donnée dans le plan de croissance suivant une loi linéaire ou toute autre loi; c) répartition variable des constituants de départ dans le plan de croissance de la couche épitaxiale avec une région de composition constante; d) répartition variable des constituants de départ dans le plan de croissance de la couche épitaxiale avec changement de signe du gradient de composition; ; e) toute répartition voulue des constituants de départ suivant le rayon de la couche épitaxiale en croissance. Un autre avantage du procédé réside dans sa simplicité relative. Le procédé n'exige pas d'appareillage complexe pour sa réalisation, ni de variation ou de réglage de régimes thermiques optimaux connus, ni de réglage des flux gazeux ou d'autres paramètres. En utilisant les processus technologiques bien connus basés sur le transfert chimique de la substance en phase gazeuse et en choisissant les sources solides 1, 2 (figure 1) respectives ainsi que le procédé de leur amenée à la surface du support 3, on peut obtenir une croissance fidèlement reproductible de couches épitaxiales ayant toute répartition voulue des constituants de départ. Le procédé proposé est assez bon marché et économique parce que, pour la production en masse des sources solides 1, 2 nécessaires, peuvent être utilisés n'importe quels procédés industriels de groupement des éléments, de croissance sélective, y compris les méthodes de photogravure, etc. Les sources solides 1, 2 peuvent etre utilisées jusqu'à l'épuisement total des produits de départ à condition que soient observées certaine règles dans leur maniement et elle. sont faciles à reproduire. Les couches épitaxisles obtenues par le procédé proposé sont pratiquement des éléments préfabriqués destinés à la fabrication des instruments, la répartition donnée des constituants de départ le long de la surface (dans 1e plan de la croissance de la couche) assurant l'obtention durant la fabrication des propriétés exigées par la structure de l'instrument donné, La présente invention peut être utilisée pour l'obtention de différentes structures épitaxiales auxquelles on impose les exigences de répartition strictement déterminée des constituants de départ suivant la surface de la structure. Comme les modes d'emploi éventuels des couches minces épitaxiales à haute homogénéité de toute composition donnée sont pour l'essentiel connus, on énumérera les structures obtenues à l'aide de ce procédé et leurs domaines d'emploi éventuels. Les structures à variation linéaire (ou non linéaire) de composition suivant la surface peuvent être utilisées pour créer des -gén6rateurs quantiques à semi-conducteurs à fréquence de génération variable, des optospectromètres, des détecteurs de longueur d'onde rayonnée, des convertisseurs sélectifs, etc. Les structures à variation radiale de la composition ou possédant des propriétés bien déterminées peuvent être utilisées comme éléments d'instruments tels que lentilles planes, lentilles annulaires, etc. Le procédé proposé permet d'obtenir des jonctions p-n dans le plan de croissance de la structure de la couche épitaxiale, ces jonctions étant soi linéaires > soit annulaires. L'invention peut s'avérer très utile pour la recherche empirique, lorsque les rapports des produits de départ ou le degré de dopage des produits de départ sont soit inconnus, soit difficiles à calculer théoriquement et permet d'obtenir la composition cherchée de la solution solide, le degré donné de compensation des impuretés, la jonction p-n brusque (ou graduelle) dans la couche épitaxiale obtenue. C'est ainsi que, en implantant dans des sources rondes à frontières congruentes sous forme de spirale d'Archimède les produits de départ de la meme composition (par exemple GaAs) dopés dvimpuretés formant les types différents de conduction de ces produits (n et p), on peut obtenir, à une certaine distance du centre de la couche épitaxiale soit une jonction p-n, soit une zone annulaire de matière compensée de largeur finie, selon le type et la concentration des dopages dans le produit semi-conducteur de départ. Bien entendu, l'homme de l'art peut apporter sans sortir du cadre de l'invention diverses modifications aux procédés et aux blocs de sources réalisant ces procédés qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé d'obtention de couches épitaxiales de solutions solides de semi-conducteurs consistant à produire les couches par croissance à partir d'une phase gazeuse lors du transfert des substances de départ à un support à partir d'au oins deux sources solides qui contiennent les substances de départ à teneur variable eh constituants et qui, pour assurer ledit transfert, sont placées à proximité iw$tiate du support, le procédé étant caractérisé en ce que le rapport des superficies des surfaces des sources solides amenées périodiquement en l'une quelconque des régions locales du support est choisi de façon à assurer un rapport des temps de séjour des sources-solides contenant les substances de départ, pour chaque cycle et pour chaque région locale, qui corresponde à l'intervalle de temps nécessaire pour le transfert au support d'une quantité de substance de départ correspondant à la teneur en cette substance de la couche épitaxiale à obtenir par croissance. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le rapport des superficies des surfaces des sources solides est choisi constant et identique pour toute la surface du support. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le rapport des superficies des surfaces des sources solides est choisi variable, au soins dans une des directions parallèles au plan du support. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le rapport des superficies des surfaces des sources solides est choisi de façon qu'il varie dans la direction radiale. Bloc do sources à utiliser pour réaliser le procédé de la revendication 1 comportant au soins deux sources solides distinctes contenant des substances de départ à teneurs différentes en constituants à- teneur variable et disposées paralldlewent à la surface du support sur lequel. on fait croître une couche épitaxiale, caractérisé On ce que les sources solides distinctes sont réalisées sous la forme d'une source solide cc'="no composite faisant un tout dont la frontière de séparation entre sources distinctes est choisie de façon à assurer un rapport des temps de séjour des sources solide distinctes, pendant chaque cycle et pour chaque région locale du support, qui corresponde -à l'intervalle de temps nécessaire pour le transfert au support d'une quantité de substance de départ qui correspond à la teneur en cette substance de la couche épitaxiale a obtenir par croissance. 6. Bloc de sources selon la revendication 1, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout est divisée en régions contenant, au moins, deux substances de départ à teneurs diffé- rentes en constituants à teneur variable, la forme et la répartition réd- proque des régions de compositions différentes correspondant à la teneur en constituants à teneur variable et à la répartition de ces constituants suivant la surface de la couche épitaxiale obtenue sur le support. 7. Bloc de sources selon la revendication 6, caractérisé par le fait que les sources solides distinctes constituant une source solide commune composite faisant un tout sont réalisées sous la forme drai moins deux secteurs angulaires contenant au moins deux substances de départ à teneurs différentes de constituants à teneur variable, de façon que le rapport des angles des secteurs corresponde à une composition constate prescrite de la couche épitaxiale. 8. Bloc de sources selon la revendication 6, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout est réalisée sous la forme d'une matrice en mosaïque constituée d'éléments cristallina de compositions différentes et de forme prédéterminée et présentant une répartition régulière des éléments cristallins d'une composition par rapport aux éléments cristallins d'une autre composition, le rapport des surfaces des éléments cristallins contenant les substances de départ à teneurs différentes en constituants à teneur variable étant constant pour toute la surface de la couche épitaxiale. 9. Bloc de sources selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'une des sources solides distinctes est réalisée sous la forme d'une plaque cristalline, tandis. qu'une autre source se présente sous la forme d'îlots mésa déposés en ordre déterminé, réalisés en substances de départ différentes. 10. Bloc de sources selon la revendication 5, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout a une frontière congruente de séparation des sources solides distinctes, la frontière se présentant sous la forme d'une combinaison d'un rayon et d'une spirale d 'Archimède. 11. Bloc de sources selon la revendication 10, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout comporte au moins une zone contenant une substance de départ de composition constante et au moins une frontière sous la forme d'une circonférence concentrique à la frontière extérieure de la source solide commune composite faisant un tout 12. Bloc de sources selon la revendication 5, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout est réalisée sous la forme d'au moins deux peignes interpénétrants à dents de formes différentes, Les'embases des peignes étant parallèles l'une à l'autre. 13. Bloc de sources selon la revendication 12, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout réalisée sous forme de peignes a une frontière congruente de séparation entre les sources solides distinctes contenant les substances de départ différentes. 14. Bloc de sources selon la revendication 13, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout présente des zones vides entre les dents des peignes. 13. Bloc de sources selon la revendication 14, caractérisé en ce que la source solide commune composite faisant un tout comporte une zone contenant une substance de départ homogène disposée entre les embases des peignes interpénétrants réunis par paires.