Brevet FR2359509A1 — publié le 19780217

L'invention concerne un procédé pour fabriquer un dispositif composite à semiconducteurs comportant deux transistors complémentaires d'injection , notamment un dispositif à logique à injection intégrée, par modification localisée des dopages de régions adéquates d'un cristal semiconducteur dopé, de telle manière que la zone d'émetteur du premier transistor est identique à la zone de base du second transistor et que la zone de base du premier transistor est identique à la zone de collecteur du second transistor. Des dispositifs composites à semiconducteurs de ce type sont connus par exemple d'après les documents "Valvo Berichte", Vol. XVIII, Cahier 1/2, pages 215 à 226, '1Microelectronics", Vol. 6, No. 2 (1974), pages 9 et 10, "Electronics" (Septembre 1975), pages 29 et 30 et "Electronics" (13 Novembre 1975), pages 109 à 113. Leur constitution de principe est représentée sur la figure 1 annexée à la présente demande. La partie principale d'un cristal semiconducteur en forme de disque ou de pastille I est formée par la zone d'émetteur 2 du premier transistor T1 qui entoure, à la façon d'une cuvette, la zone de base 3 du premier transistor T1. A l'intérieur de la zone de base 3 et en étant séparée par cette dernière de la zone d'émetteur 2 est située la zone de collecteur 4 du premier transistor T1 du dispositif composite à semiconducteurs. Le second transistor T2 du dispositif comporte comme zone de collecteur la zone de base 3 de T1, comme zone de base la zone d'émetteur 2 du premier transistor T1, cependant que la zone d'émetteur 5 du transistor T2 est formée par une zone possédant le type de conductivité de la zone de base 3, ménagée à la surface du semiconducteur de la zone d'émetteur 1 à proximité de la zone de base 3, mais en étant séparée nettement de cette dernière par l'émetteur 2.La zone d'émetteur 5 est désignée habituellement sous le nom d'injecteur dans le domaine des circuits en logique d'injection intégrée (dénommés également logique I2L). Dans le brevet français 76.36049 se trouve décrit un procédé pour obtenir une amplification en courant inverse localement élevé (amplification en courant dit "pseudo-direct" dans un transistor planar fonctionnant inverse et réalisé de préférence par double diffusion ou par implantation et qui est prévu dans un corps semiconducteur comportant un circuit intégré. Le procédé est caractérisé par le fait qu'avant de réaliser le dopage de base dans le corps semiconducteur, on réalise, au-dessous de la zone prévue pour le collecteur, l'implantation d'ions qui, lors de traitements thermiques ultérieurs,sortent en pénétrant par diffusion dans les zones voisines. Si la combinaison monolithique, représentée sur la figure 1, de deux transistors complémentaires à injection est utilisée en tant que circuit logique (technique I2L), il faut considérer alors essentiellement le comportement électrique représenté sur le schéma équivalent de la figure 2 annexée à la présente demande. A coté du transistor vertical T1 et du transistor latéral T2, il apparait comme diodes parasites une diode verticale D1, une diode latérale D2. L'amplification B du transistor T1 doit etre supérieure à 2 par collecteur afin d'assurer la fonction I L. Le transistor T2 est utilisé comme source de courant pour la base du transistor T1; afin de maintenir à un niveau aussi réduit que possible la puissance dissipée du circuit, l'amplification A du transistor T2 doit être élevée. Par conséquent, il est indiqué que 1. T2 possède une-amplification A aussi élevée que possible, 2. T1 possède une amplification B suffisante (surtout afin de pouvoir faire fonctionner plusieurs collecteurs condui sant les courants J1 , J2 , J3, etc). De préférence on choisira J1 = J2 3 J3 J.); J 3. l'injection verticale de l'injecteur 5 (diode D1) soit fai ble, 4. l'action de la diode parasite D2 soit produite par un "col" (une zone jouxtant la base de T1, diffusée à plat ou profon dément et possédant le type de conductivité du collecteur de T1 et une concentration de dopage élevée), 5. T1 ait une faible r#sistance de base. Afin de satisfaire aux exigences indiquées plus haut, il est prévu conformément à l'invention qu'd la surface d'un cristal semiconducteur possédant le dopage de l'émetteur du premier transistor T1, on réalise tout d'abord une zone superficielle limitée comportant une substance dopante pour la zone de base du premier transistor T1, qu'on recouvre entièrement cette zone superficielle par une couche semiconductrice épi taxiale dopée conformément à la zone du collecteur du premier transistor T1, qu'ensuite au moyen d'une modification loca lisée du dopage de parties correspondantes de la couche semi conductrice épitaxiale et par suite de la région se formant de la zone de base du premier transistor T1 , on sépare entiè rement une première partie, possédant son état de dopage initial, de la couche semiconductrice épitaxiale, d'une seconde partie possédant également son état de dopage initial , de la couche semiconductrice épitaxiale et qu'enfin on réalise la zone d'é metteur du second transistor T2. Etant donné que par suite d'autres phases de dif fusion, il se produit une charge thermique pour laquelle il se produit aussi bien une diffuion de la substance dopante hors de la région du cristal semiconducteur original, c'est-à-dire du substrat, dans la couche épitaxiale, qu'une diffusion de la substance dopante, stockée dans la zone superficielle du subs crat recouverte par la couche épitaxiale, dans les régions semi conductrices voisines, on obtient pour le transistor T1 un pro fil de dopage qui satisfait essentiellement aux exigences tech nologiques 1., 2. et 3. mentionnées plus haut. Les exigences 4 et 5 peuvent être également satisfaites en utilisant le procédé conforme à l'invention, comme le montrera la description ci-après. De préférence le procédé est mis en oeuvre de telle manière que la zone d'émetteur du second transistor T2, c'est-à dire l'injecteur, est produite dans l'une des deux parties séparées de la couche semiconductrice épitaxiale au moyen d'une mo dification locale du dopage de cette partie. En outre au moyen d'une modification localisée adéquate du dopage de la couche épitaxiale, on peut subdiviser cette dernière en plus de deux parties possédant le dopage initial de la couche épitaxiale. Chacune de ces parties séparées peut constituer par exemple une zone de collecteur du transistor T1, comme c'est également le cas dans les exemples de réalisation des figures 4, 5 et 8 annexées à la présente demande. A titre d'exemple on a décrit ci-dessous et illustré schématiquement aux dessins annexés plusieurs formes de réalisation et modes d'exécution du procédé conforme à l'invention. Les figures 1 et 2, qui ont déjà été mentionnées, concertent l'état connu de la technique. La figure 3 est destinée à illustrer les différentes phases opératoires du procédé, en faisant abstraction tout d'abord des effets de diffusion, bien que ces derniers jouent un raie déterminant. Les figures 4 et 5 montrent un exemple de réalisation avantageux d'un dispositif composite à semiconducteurs obtenu conformément à l'invention, suivant une coupe longitudinale et suivant une vue en plan respectivement. les figures 6 et 7 montrent des indications qualitatives relatives aux profils de dopage. La figure 8 montre une coupe d'un dispositif comportant une isolation. Les figures 9 à il montrent des exemples de réalisation qui sont obtenus à partir d'un dispositif tel que celui de la figure 4, moyennant de faibles modifications. Cn va tout d'abord décrire ci-apres l'objet de l'invention en se référant à la figure 3. Sur une face supérieure d'un cristal semiconducteur 1 en forme de pastille comportant le dopage d'émetteur désiré pour le premier transistor, par conséquent le transistor vertical T1, notamment R la surface d'un cristal de si silicium, on réalise au moyen d'une diffusion masquée une zone superficielle 6 qui contient une proportion importante du dopage de la zone de base 3 et constitue la couche de base de cette dernière, comme cela est représenté. La partie restante du cristal semiconducteur 1 constitue la zone d'émetteur 2 du transistor T1. Etant donné que la zone d'émetteur 2 est, en ce qui concerne l1injection nécessaire, plus fortement conductrice, c'est-à-dire du type p ou du type n , alors que la zone de base 3 dans la partie située entre l'émetteur 2 et le collecteur 4 est mince et plus faiblement dopée, la zone superficielle 6 comportera, malgré la présence du dopage de base, le type de conductivité du substrat 1. Dans ce cas il est nécessaire que l'activateur déterminé pour le dopage de la zone de base 3 possède une vitesse de diffusion nettement plus importante que 1'activateur dopante substrat 1 et par conséquent la zone d'émetteur 2 du transistor vertical T1.En outre la concentration de dopage du collecteur 4 et de ce fait de la couche de silicium épitaxiale 2 devant être déposée sur la zone superficielle 6 doit être inférieure à celle de l'activateur dopant la zone de base 3, dans la zone superficielle 6. Alors l'activateur dopant la zone de base 3 diffusera plus vite hors de la zone 6 que l'activateur dopant le substrat 1, dans la couche épitaxiale E dopée comparativement faiblement et possédant le type de conductivité du cristal semiconducteur 1, en sorte que l'apparition d'une zone de base 3 dans la couche épitaxiale E est assurée dans tous les cas. Il est recommandé en outre de réaliser à l'emplacement de l'émetteur 5 du transistor latéral T2, une zone#superficielle 6a analogue à la zone superficielle 6. La raison de cette disposition est évidente en se référant à la figure 4 et à la condition requise 3. Pendant le dépôt de la couche ~épitaxiale E, qui doit comporter le dopage du collecteur 4 du transistor vertical T1 et qui s'effectue naturellement à température élevée, il se produit déjà une sortie par diffusion de substances dopantes hors du substrat, mais surtout hors des zones superficielles 6 et 6a recouvertes par la couche épitaxiale E, dans ladite couche épitaxiale E. Le traitement thermique lié aux phases opératoires ultérieures de fabrication favorise cet effet important pour l'apparition de la zone de base 3.. Les phases opératoires suivantes pour la production des zones de racinent de base 8,qui#-voquerrt 5itanent une séparation électrique du collecteur 4 d'une autre partie 7 (ne subissant aucune modification en ce qui concerne son dopage) de la couche épitaxiale E ainsi que la réalisation de l'injecteur 5, ctest-à- dire de l'émetteur du transistor latéral T2, sont en outre réalisées au moyen d'une diffusion, éventuellement également par implantation moyennant l'utilisation d'un masquage adéquat qui coïncide géométriquement avec le masque utilisé pour la fabrication des zones 6 et 6a.Etant donné qu'aussi bien dans le cas de la fabrication des zones de raccord de base 8 que de l'injecteur 5, il s'agit de la réalisation de zones fortement dopées du même type de conductivité, qui doivent être, dans le cas de l'exemple, réalisées à la même profondeur, les zones 5 et 8 peuvent être fabriquées au cours d'un processus unique. Il importe que les zones de raccord de base 8 s'étendent jusqu'à la zone de base 3,apparue par suite de la diffusion du matériau de l'activateur à partir de la zone de dépôt 6 ou encore présente, afin de former avec cette zone de base 3 une région continue d'un premier type de conductivité (du type p dans le cas de l'exemple). Il en va de même pour la partie 5 devant être diffusée de l'injecteur et de la zone Sa formée par diffusion hors de la zone de dépôt 6a.La fin des processus de dopage s'effectue dans le cas de l'exemple avec la réalisation d'une zone 9 de contactage du collecteur possédant le type de conductivité de la zone de collecteur 4, mais possédant une conductivité nettement plus élevée. Il faut remarquer que, éventuellement en même temps que la fabrication de la zone de raccord du collecteur 9, on 44 44 peut réaliser un anneau conducteur du type n ou p compor- tant le type de conductivité de la zone épitaxiale E, mais une conductivité nettement plus importante que celle de cette zone et constituant de ce fait le collecteur 4, à savoir ce qu'on appelle "col ou la collerette", qui protège la zone épitaxiale de base 3 du transistor vertical T1 et éventuellement l'injecteur 5 vis-à-vis de l'environnement, comme ceci est visible sur les figures 4 et 8. L'anneau de protection est constitué, dans le cas de l'exemple de la figure 4, par une partie 10 qui s'étend jusqu'à la limite G avec la zone d'émetteur, et par une partie lOa qui atteint seulement la profondeur des zones de raccordement de collecteur 9.Ici on a par conséquent utilisé des processus de diffusion possédant des durées différentes Sur les figures 4 et 5 on a représenté une forme de réalisation particulièrement avantageuse d'un dispositif composite à semiconducteurs réalisé au moyen du procédé décrit, suivant respectivement une coupe longitudinale centrale et une vue en plan-. Dans cette forme de réalisation, on reconnaît surtout le décalage de la zone de base 3 par rapport à la zone superficielle 6. Comme cela a déjà été indiqué, au moyen des traitements thermiques faisant partie du procédé, une partie importante du matériau dopant les zones superficielles 6; 6a pénètre par diffusion dans la zone épitaxiale E, avec apparition de la zone de base 3 et de la partie inférieure Sa de l'injecteur 5.Etant donné que, également, l'-activateur dopant le substrat 1 et de ce fait la zone d'émetteur 2 du transistor T1 (même s'il estplus lent que l'activateur dopant de la zone de base 3) pénètre par diffusion dans la couche épitaxiale E, la zone de base 3 ne commence pas au niveau de la limite S entre le substrat 1 et la couche épitaxiale E, mais seulement légèrement à l'intérieur de la couche épitaxiale E. La limite G dessinée par une ligne formée de tirets et située au-dessus de la limite-S entre le substrat et la couche épitaxiale E repère la région de la couche épitaxiale E jusqu'à laquelle l'activateur dopant le substrat 1 réalise dans la couche épitaxiale E une amplification du dopage de type n.Les parties, tournées vers le substrat 1, de la limite de la zone de base 3 et de la zone Sa, c'est-à-dire la jonction pn émetteur-base du transistor T1 et une partie de la jonction pn émetteur-base du transistor T2, sont plus proches que la limite G, de la limite S située entre la couche épitaxiale E et le substrat 1. Les zones de contactage de base 8 sont également disposées de telle manière que deux zones de collecteur 4a, 4b du transistor vertical T1, séparées entièrement l'une de l'autre, sont créées. Chacune contient une zone de raccord de collecteur 9 et un contact de collecteur 11. Au moins l'une des zones de raccord de base 8 est contactée par une électrode 12 et l'injecteur 5 est contacté par une électrode d'émetteur 13. L'injecteur 5, Sa, la zone de base 3 ou la zone de raccord de base 8 constituent, avec la zone d'émetteur du transistor T1, le transistor latéral T2 du dispositif composite. T1 et T2 sont, comme est visible, des transistors complémentaires. Si, comme dans le cas de l'exemple, on parts'un substrat conducteur du type n , on règle le dopage des zones de raccord de base 8 et de l'injecteur 5 de manière qu'il soit con ducteur du type psi+ q,! es zones de raccord de collecteur 9 soient conductrices du type n+ ou n++ et que le dopage de base de la zone épitaxiale E et de ce fait celui des collecteurs 4 soit du type n.Le dopage de la zone de base 3 doit être plus intense que celui du collecteur 4, c'est-à-dire qu'il soit conducteur du type p , mais doit être plus faible que celui du du substrat 1 conducteur du type n - La collerette 10 ou 10a possède par exemple le dopa 44 ge de la zone de raccord de-collecteur 9, c'est-à-dire n dans le cas de l'exemple, et stétend au moins en partie (partie 10) jusqu'à la limite G en sorte qu'en liaison avec la zone émetteur 2 se trouve réalisée une région continue conductrice du type n. Eventuellement les parties 10 et lOa de la collerette doivent être également entièrement séparées l'une de l'autre ou bien seule l'une d'entre elles peut être utilisée. Sur la figure 6 on a porté en abscisses la distance d d'un point du transistor vertical T1 par rapport à la surface de la couche épitaxiale 7, c'est-à-dire dans le cas de l'exem- ple de réalisation suivant une perpendiculaire à la face supérieure du semiconducteur passant par une zone de raccord de collecteur 9, tandis qu'en ordonnées on a porté la densité du dopage. Les références indiquées sur la figure 6 se rapportent aux zones des figures 4 et 5. Sur la figure 7 on a représenté le do o ge 9, qui résulte de la répartition de dopage de la figure 6 et qui se présente à la fin de la mise en oeuvre du procédé, en fonction de la distance d. Lors de la réalisation du dispositif représenté sur la figure 8, on est parti d'un cristal de substrat 1 conducteur du type p. Pour réaliser la zone émetteur 2 il faut modifier le dopage d'une partie 14 de la face supérieure du subs trait 1 de manière que la forme de réalisation représentée sur la figure 8 se différencie de la forme de réalis#ation représentée sur les figures 4 ou 5 par le fait essentiel que la zone émetteur 2 du transistor vertical T1 est isolée par rapport à la majeure partie du cristal de substrat 1 par une jonction pn qui se poursuit à l'intérieur de la couche épitaxiale E. En ce qui concerne la disposition de la zone de base 3, de la couche épitaxiale E, des zones de raccord de base 8, etc il n#'y a aucune différence importante par rapport aux dispos sites décrits précédemment. Dans le cas de la réalisation du dispositif représen- té sur la figure 8, on part par exemple drun monocristal de silicium 1 en forme de pastille, conducteur du type p, sur la face supérieure duquel on réalise, par diffusion masquée et/ou par implantation, une zone d'émetteur préalable 14 qui se développe ensuite, par suite des traitements thermiques devant être encore mis en oeuvre, jusqu'à former la zone d'émetteur définitive 2 du transistor vertical T1. Il faut remarquer que la zone d'émetteur 2 s'étend, par suite de la concentration plus élevée du dopage dans la zone 14, en partie dans la couche épitaxiale E et en partie dans le substrat 1. La zone 14 est réalisée par exemple avec un donneur possédant une vitesse de diffusion relativement faible et une concentration élevée de dopage. Une partie 6 du volume de la zone d'émetteur provisoire 14 est en outre prévue comme dépôt pour la substance dopante dopant la zone de base ultérieure 3 du transistor vertical T. Pour ce dopage on prévoit une substance dopante diffusant nettement plus rapidement que l'activateur dopant la zone d'émetteur 2 . Si comme dans le cas de l'exemple, l'émetteur 2 doit être conducteur du type n+ , il est indiqué d'effectuer un dopage du type n de la zone 14 avec de 1 kntimoine ou de l'arsenic, tandis que si l'émetteur 2 doit être conducteur du type p+, on utilise un dopage du type p avec de l'indium ou du gallium.Pour le dopage de la zone de base 3 et de ce fait pour l'activateur devant être stocké dans la zone de dépôt 6, il faut utiliser au contraire un activateur diffusant rapidement, par exemple du phosphore dans le cas de-la zone de base 3 conductrice du type p, ou bien du bore dans le cas de la zone de base 3 conductrice du type n. Il en va de même dans le cas d'un dopage, s'effectuant en deux étapes, de l'injecteur 5 conformément à la figure 4. Dans le cas d'une transposition à un dispositif conformément à celui de la figure 8, il faut réaliser la zone de dépôt 6a, devant être ensuite prévue, également dans la zone d'émetteur préalable 14, mais à une distance suffisante de la zone de dépôt 6 (afin d'éviter une fusion entre l'émetteur 5 et le collecteur 3 du transistor latéral T2). De façon appropriée on réglera la concentration de la substance dopante d'émetteur dans la zone 14 au moins un ordre de grandeur supérieur à la concentration du dopage, antipolaire par rapport à ce dernier, pour la zone de base 3 dans la zone de dépôt 6, afin que la zone de base 3 apparaisse totalement à l'intérieur de la couche épitaxiale E. Il en va de même pour une zone de dépôt 17 recevant le type de conductivité du substrat 1 et qui entoure à une certaine distance et avec une forme annulaire la zone d'émetteur préalable 14 et a pour rôle, avec le substrat 1 et au moyen d'une diffusion du type p réalisée encore ultérieurement, de fournir une jonction pn isolant complètement les deux transistors T1 et T2 vis-à-vis d'autres parties constitutives intégrées dans le dispositif global. La face supérieure du substrat 1, munie des zones de dépôt 14, 6, 6a et 17, est alors recouverte de façon épitaxiale par la couche de silicium E. Le type de conductivité ainsi que la concentration du dopage de la couche E correspondent aux valeurs devant être exigées pour la ou les zones de collecteurs 4a, 4b du transistor vertical T1. Etant donné que le dépôt épitaxial nécessite un chauffage du dispositif, une diffusion obligatoire du matériau de l'activateur hors des zones de dépôt fortement dopées 14, 6, 6a et 17 se produit.Ainsi il apparait dans la zone épitaxiale E une partie de l'e-inetteur2 du transistor vertical T1 ainsi que de la zone de base 3 de ce dernier. En outre il apparait la partie inférieure Sa de l'émetteur du transistor latéral T2 ainsi que la partie inférieure 16 de la zone d'isolement 15, 16 entourant à la façon d'un anneau le dispositif des deuxtransis- tors T1, T2 et qui forme , avec la partie conductrice du type p du substrat 1 une jonction pn isolant les deux transistors T1 et T2 vis-à-vis des autres éléments intégrés prévus dans le dispositif. A l'aide d'un masque de diffusion accordé sur la géométrie des zones 14, 6, 6a et 17 prévues initialement sur la surface du substrat, on réalise alors par diffusion d'un matériau accepteur la zone de raccord de base 8,la partie supérieure 5 de l'émetteur du transistor latéral T1 et la partie supérieure 15 de la zone d'isolement annulaire 15, 16, de telle manière qu'elles reçoivent une concentration de dopage élevé (p44). Enfin à l'extérieur du dispositif des deux transistors T1 et T2, la réalisation d'une collerette annulaire 10 par diffusion d'un niatériau donneur (,fa) se poursuit jusqu'à la fusion avec la zone d'émetteur 2 du transistor vertical T1. En outre les contacts 11 pour les deux zones de collecteur 4a et 4b sont réalisés de la même façon que dans le cas d'un dispositif conformément aux figures 4 et 5, de même que le contact de base 12 ainsi que le contact 13 pour l'émetteur du transistor latéral T2. La zone d'émetteur 2 peut être contactée par un contact correspondant 18 au-dessus de la collerette 10. De façon visible on obtient le. résultat suivant 1. le rapport pt: pl est nettement plus important que dans le cas de l'utilisation des processus de fabrication connus pour un dispositif I2L. 2. w #dépend du dopage de la zone 7 et donc du collecteur 4 du transistor vertical ainsi que du dopage de l'émetteur 2 du transistor vertical T1 et du dopage de la zone 6, mais pas de l'épaisseur de la couche épitaxiale 7, ni de la dif fusion pour les zones de contact de collecteur 9. 3. une extension à des versions I2L Schottky est aisément possible, comme cela sera indiqué plus loin. 4. On peut obtenir des tensions de sortie élevées. 5. La résistance de base peut être amenée à une faible valeur ohmique quelconque grâce à un dopage et à un dimensionnement de section transversale, de valeurs adéquates, des zones de raccord 8. 6. Par ailleurs toutes les exigences 1. à 5. mentionnées plus haut sont satisfaites. 7. Dans le cas de la variante décrite du procédé conforme à l'invention, qui intervient exclusivement dans la couche épitaxiale E, on obtient nécessairement dans la zone de ba se 3 un champ de glissement ou de dérive favorable pour le fonctionnement du transistor T1. Par contre ce champ est moins favorable lorsque l'on choisit le dopage de la zone superficielle 6 de manière qu'à l'intérieur de cette zone, ce ne soit pas le dopage de l'émetteur 2, mais au contraire celui de la base 3 qui domine, étant donné qu'alors la durée de vie dans la zone de base 3 et également la répartition du champ de glissement n'est pas aussi favorable que dans le cas décrit exclusivement précédemment. Dans tous les cas cependant il faut penser qu'une sortie importante avec diffusion des activateurs prévus pour la zone de base 3 conduit à une zone de base 3 toujours plus large et à une jonction pn collecteur-base toujours plus plate pour le transistor T1. Si ceci ne devait pas être souhaitable , il est indiqué de réduire le-nombre et la durée des traitements thermiques. Ceci peut être obtenu lors de la fabrication de la cou chesgniconductrice épitaxiale 7 en déposant par exemple la couche 7 à partir d'un gaz de réaction pouvant être dissocié-relativement aisément et en utilisant à cet effet une température basse de dépôt. Par exemple on peut à cet effet utiliser comme gaz réactif du SiH4 dilué et des températures de dépôt de l'ordre de 6000C.D'autre part lors de la fabrication de la zone de raccord de base 8, de la zone 5 pour l'injecteur, de la zone de raccord de collecteur 9 et de la collerette 10, on peut travailler avec une implantation d'ions en sorte que, en cas de besoin, on peut obtenir une réduction de la sortie par diffusion de l'activateur dopant la zone de base 3, par une réduction correspondante de la contrainte thermique à laquelle est soumis le dispositif. Comme matériau pour les électrodes, on utilise de façon appropriée de l'aluminium déposé par vaporisation. A cet effet, pour pouvoir contacter de façon anti-bloquante les zones conductrices du type n, on doit pouvoir utiliser des zones de con 44 tactage de collecteur 9 correspondantes conductrices du type n et une zone de contactage correspondante pour la zone d'émetteur 2. Si l'on a prévu une collerette 10, on peut, comme ceci est représenté sur la figure 8, réaliser le contactage de la zone d'émetteur 2 du transistor vertical T1, également par l'intermédiaire de la collerette. En général, comme cela a déjà été décrit en référence aux figures 4, 5 et 8, on équipera le transistor vertical T1 du dispositif, de plusieurs collecteurs 4 complètement séparés les uns des autres par des régions ou zones intermédiaires possédant un type de conductivité opposé , c'est-à-dire la zone de base 3 et les zones de raccord de base 8.La plu#part du temps, leurs propriétés électriques sont conçues de la même manière en sorte que, pour une commande prédéterminée du transistor T1 tous les collecteurs 4 véhiculent le même courant, c1 est-à-dire que l'on a J1 = J > J1 = J2 = J3 = ~---- A cet effet il est important que les résistances de base vers les collecteurs soient autant que possible identiques ou faibles, ce qui peut être obtenu au moyen d'un dopage important des zones de raccord de base. Au lieu de contact de collecteursll antibloquants, on peut utiliser également des contacts Schottky 11. On obtient les formes de réalisation représentées sur les figures 9, 10 et 11. Par exemple, en supprimant une fabrication des zones de contact 9, on peut déposer par vaporisation des contacts en aluminium 1l directement sur la face supérieure des zones de collecteur 4 conductrices du type n, de telle manière que lors de l'application de la tension de fonctionnement de collecteur il apparait des contacts Schottky polarisés en sens inverse. La fabrication des circuits des figures 9 et 11 nécessite encore le couplage par réaction de l'une des diodes Schottky ainsi obtenues, à la zone de base 3 du transistor vertical T1 Il est indiqué de régler les concentrations de dopage et dimensions comme suit Dopage du substrat ou concentration du dopage des donneurs de la zone d'émetteur 2 : environ 1013 cl 3; profondeur de la zone superficielle 6 : environ 2 0 10 4 cm; dopage de l'accepteur de la zone superficielle 6 : environ 1018 cm concentration du dopage dans la zone de base terminée 3 : environ 1016cl 3; concentration du dopage pour les zones de raccord de-base 8 environ 1019 cl 3; concentration du dopage pour les zones 9 et 10 : environ 1020 cm- ; dopage de la couche épitaxiale E et de ce fait des zones 7, 4a, 4b : 1015 cm- ; épaisseur de la couche épitaxiale E : environ 4. 10-4 cm. REVENDICATIONS 1 - Procédé pour fabriquer un dispositif composite à semiconducteurs comportant deux transistors complémentaires à injection, notamment un dispositif à logique d'injection intégrée, par modification localisée des dopages de régions adéquates d'un cristal semiconducteur dopé, de telle manière que la zone d'émetteur du premier transistor est identique à la zone de base du second transistor et que la zone de base du premier transistor est identique à la zone de collecteur du second transistor, caractérisé par le fait qu'à la surface d'un cristal semiconducteur (1) possédant le dopage de l'émetteur (2) du premier transistor (T1), on réalise tout d'abord une zone superficielle (6) limitée, contenant une substance dopante pour la zone de base (3) du premier transistor (T1) et qu'on recouvre entièrement cette zone (6) par une couche semiconductrice épitaxiale (E) dopée conformément à la zone de collecteur (4) du premier transistor (T1), et qu'en suite au moyen d'une modification locslisoe#du dopage de parties correspondantes (8) de la couche semiconductrice épitaxiale (E) et par suite de la région se formant de la zone de base (3) du premier transistor (T1) > on sépare totalement une première partie (4, 4a, 4b) possédant son état de dopage initial , de la couche semiconductrice épitaxiale (E), d'une seconde partie (7), comportant son état de dopage originel, de la couche semiconductrice épitaxiale (E) et qu'on réalise la zone d'émetteur (5) du second transistor (T2). 2 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la zone d'émetteur (5) du second transistor (T2) est produite dans l'une des deux parties séparées (4, 7) de la couche épitaxiale semiconductrice (E) au moyen d'une modification locale du dopage de cette partie (7). 3 - Procédé suivant l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait qu'au moyen d'une modification localisée correspondante du dopage de la couche semiconductrice épitaxiale (E), on subdivise cette dernière de telle manière qu'il apparaisse au moins trois parties (4a, 4b 7) comportant l'état de dopage originel de la couche semiconductrice épitaxiale (E). 4 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait qu'on utilise comme activateur pour le dopage de la zone de base (3) du premier transistor (T1) > un accepteur possédant une vitesse de diffusion plus élevée et qu'on utilise comme activateur pour la zone d'émetteur (2) du premier transistor (T1), un donneur possédant une vitesse de diffusion plus faible que celle de l'accepteur. 5 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait qu'on utilise comme substance dopante pour la zone de base (3) du premier transistor (T1), un activateur diffusant plus rapidement que la substance dopante de la zone d'émetteur (2) du premier transistor (T1) et que la zone superficielle (6) pour l'obtention de la zone de base (3) du premier transistor (T1) à la surface de la zone d'émetteur (2) est réglée et accordée, avant le dépôt de la couche semiconductrice épitaxiale (E),sur la concentration de dopage -de la couche semiconductrice épitaxiale (E) de telle manière que c'est le dopage de la zone d'émetteur (2) qui est prépondérant dans la zone superficielle (6), mais que la concentration de dopage de l'activateur prévu pour le dopage de la zone de base (3) est choisi plus élevé que la concentration de dopage de I'activateur dans le matériau semiconducteur déposé de façon épitaxiale de la couche semiconductrice (E). 6 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé par le fait qu'à partir de la surface de la couche semiconductrice épitaxiale (E) et en direction de la zone superficielle (6) produite à la surface du cristal semiconducteur originel (1) et contenant--une partie du dopage de la zone de base (3), on réalise par diffusion masquée et/ou par implantation une zone de raccord de base (8) fortement dopée entourant à la façon d'un anneau une région restant inchangée de la couche semiconductrice épitaxiale (E), prévue en tant que zone de collecteurs (4 w 4a,4bfl du premier transistor (T1), qu'on amène ladite zone de raccord de base (8) à fusionner avec une zone de base (3) apparaissant par suite par diffusion à partir de la zone superficielle (6) et qu'on réalise à ltexté- rieur de la zone de raccord de base annulaire (8) et du collecteur (4, -, 4b) qu'elle entoure, du premier transistor (T1) et à une faible distance de ladite zone de raccord de base (8), la zone d'émetteur (5) du second transistor (T2), en particulier en même temps que ladite zone de raccord de base (8). 7 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait que la zone d'émetteur (5) du second transistor (T2) est réalisée en deux phases opératoires selon lesquelles on crée tout d'abord avec la zone superficielle (6) pour réaliser la zone de base (3) du premier transistor (T1), une seconde zone superficielle (6a) écartée de cette zone superficiell#e (6), mais en contact avec la zone d'émetteur (2) du premier transistor (T1), ladite seconde zone superficielle (6a) étant alors complétée par une partie (5) plus fortement dopée, produite en commun avec la zone de raccord de base (8), pour constituer la zone d'émetteur (5, Sa) du second transistor (T2). 8 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait que la couche semiconductrice épitaxiale (E) est subdivisée par la modification locale du dopage de telle manière qu'il subsiste plus de deux régions séparées (4a, 4b, 7) de la couche semiconductrice épitaxiale (E),conservant le dopage initial de ladite couche (E) et séparée l'une de l'autre par la zone de base (3) du premier transistor (T1) et par la zone de raccord de base (8) contactant ladite zone (3). 9 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de collecteur (4a, 4b) du premier transistor (T1) est contactée de fa çon antibloquante par l'intermédiaire d'une zone de raccord de collecteur (9) fortement dopée, réalisée par diffusion ou par implantation. 10 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé par le fait qu'au moins un raccord de collecteur du premier transistor (T1) est constitué sous la forme d'un contact Schottky. 11 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé par le fait que les deux transistors (T1, et T2) sont entourés par une collerette commune fortement dopée (l0a) possédant le type de conductivité de la zone d'émetteur (2) du premier transistor (T1). 1 12 - Procédé suivant la revendication 11, caractérisé par le fait que la collerette (10, l0a) obtenue par diffusion et/ou par implantation est réalisée de telle manière quelle est d'un seul tenant, au moins sur une partie de sa longueur, avec la zone d'émetteur (2) du premier transistor (T1). 13 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé par le fait que la zone dtémetteur (2) du premier transistor (T1) est réalisée à la surface d'un cristal semiconducteur (1), possédant le type de conductivité opposé, par diffusion et/ou implantation et/ou épitaxie, et que cette zone d'émetteur est recouverte au moins en partie par la couche semiconductrice épitaxiale (E) recevant la zone de base (3) du premier transistor (T1). 14 - Procédé suivant la revendication 13, caractérisé par le fait qu"àla surface d'un cristal semiconducteur (1) conducteur du type p , on réalise une première zone superficielle (14) recevant la substance dopante de la zone d émetteur (2) du premier transistor (T1) et qu'on réalise dans une zone partielle (6) de cette première zone superficielle (14) une seconde zone superficielle (6) recevant la substance dopante de la zone de base (3) du premier transistor (T1), que les deux zones superficielles (14, 6) sont recouvertes par la couche semiconductrice épitaxiale (E) possédant l'état de dopage de la zone de collecteur (4) du premier transistor (Tl),qu' apparait alors, par diffusion hors des deux zones superficielles (1, 6), la zone d'émetteur (2) et la zone de base (3) du premier transistor (T1), et qu'enfin la zone d'émetteur (5) du second transistor (T2) ainsi que la zone de raccord de base (8) du premier transistor (T1) sont produites de telle manière que par suite de la zone de raccord de base (8) et de la zone de base (3) du premier transistor (T1) on obtient la subdivision de la couche semiconductrice épitaxiale (E) en au moins deux zones (4a, 4b, 7) conservant l'état de dopage initial de cette couche (E), tandis que la zone d'émetteur (5) du second transistor (T2) n'est pas reliée à la zone de base (3), ni à la zone de raccord de base (8) du premier transistor (T1). 15 - Procédé suivant la revendication 14, caractérisé par le fait que le contactage de la zone d'émetteur (2) s'effectue par l'intermédiaire d'une zone de raccord d'émetteur fortement dopée, possédant le type de conductivité de la zone de base (3) du premier transistor (T1) et réaligegrâce à une modification localisée correspondante du dopage de la couche semiconductrice épitaxiale (E). 16 - Procédé suivant la revendication 15, caractérisé par le fait que la zone de raccord d'émetteur est réalisée simultanément sous la forme drune collerette (10). 17 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 13 à 16, caractérisé par le fait que dans la couche semiconductrice épitaxiale (E) et à l'extérieur de la région des deux transistors (T1, T2), on réalise un anneau d'isolement (15, 16) possédant le type de conductivité du cristal semiconducteur initial (1), de telle manière que cet anneau est solidaire, sur toute sa longueur, d'un seul tenant avec la partie du cristal semiconducteur initial (1), possédant le type de conductivité initial et opposé à celui de la zone d'émetteur (2) du premier transistor (T1), et forme une jonction pn isolant l'ensemble des deux transistors (T1, T2) 18 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 17, caractérisé par le fait qu'on utilise du silicium monocristallin comme matériau semiconducteur.