Brevet FR2366698A1 — publié le 19780428

La présente invention se rapporte en général un film photoconducteur prévu pour être utilisé dans une cible d'un tube analyseur d'images. De façon plus particuliere, l'invention se rapporte a une structure perfectionnée du film photoconducteur du type a contact redresseur ayant une sensibilité accrue a la lumière rouge, et qui soit pratiquement dépourvu des inconvénients tels que les variations de sensibilité lumineuse et de rémanence provoquées par un long usage continu du tube analyseur d'images comportant un tel X photoconducteur, t1 est bien connu que le sélénium amorphe a des propriétés de photoconductibilité, a une conductivité du type p, et est capable de former un contact redresseur lorsqu'il est mis en contact avec un matériau ayant une conductivité du type n, En utilisant de telles propriétés, on peut fabriquer avantageusement à partir du sélénium amorphe un film de cible photoconducteur du type a contact redresseur. Cependant, le sélénium présente l'inconvénient que sa sensibilité aus grandes longueurs d'onde est, par inhérence, très faible. En vue d'éliminer un tel inconvénient, il est connu que l'on peut ajouter du tellure au sélénium du film photoconducteur, Cependant, l'additin de tellure au film de sélénium provoque souvent une réduction de la mobilité des porteurs et altère les caractéristiques désirées de la cible du tube analyseur d'images. En vue de remédier a ces inconvénients, on a doit proposé d'ajouter du tellure seulement à une partie du film photoconducteur, comme décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique no 3.890.525. La cible de tubes analyseur d'images décrite dans ledit brevet U.S. 3.890.525 se compose d'une plaque de base transparente, d'une électrode transparente en oxyde d'étain, en oxyde d'indium, en oxyde de titane ou éléments similaires, ou leur mélange, et d'un film photoconducteur en sélénium, arsenic et tellure, le contact redresseur étant formé entre l'électrode transparente et le film photoconducteur. Dans le film photoconducteur, l'arsenic est réparti uniformément suivant la direction de l'épaisseur du film avec une concentration atomique de 10%.Au contraire, la répartition de la concentration en tellure n'est pas uniforme de telle façon que le tellure est disposé avec une concentration inférieure à 10% en atomes a l'interface entre le film photoconducteur et l'électrode transparente, la concentration en tellure augmentant progressivement au fur et à mesure de l'augmentation de la distance à l'électrode transparente, jusqu'à atteindre une valeur maximale de 10 à 40% en atomes, et redécroitre jusqu'a 10% en atomes. La concentration maximale en tellure se situe entre l'électrode transparente et la partie médiane du film photoconducteur. La distribution du tellure suivant un tel schéma n'affecte pas les propriétés du sélénium, mais entraine l'avantage d'une augmentation de la sensibilité de la cible a la lumière rouge. Cependant, on a trouvé que dans la structure de cible décrite ci-dessus, le courant de signal subit des variations indésirables lorsque la cible a fonctionné de façon continue pendant un temps long, a été illuminée par de la lumière de grande longueur d'onde, ou qu'une sorte de rémanence a été provoquée par analyse continue du même objet. La présente invention a donc pour objet une structure perfectionnée d'une cible pour un tube analyseur d'images photoconducteur ne présentant pas les inconvénients précités, c'est-a-dire la variation du courant de signal et le problème de la rémanence provoquée par le fonctionnement continu de la cible pendant un grand laps de temps. Selon la présente invention, on augmente la sensibilité d'un film photoconducteur, comportant principalement du sélénium, aux grandes longueurs d'onde, grâce à une composition dans laquelle on ajoute uniquement du tellure dans le sélénium dans une région intermédiaire qui doit contenir des éléments additionnels & haute concentration, tandis que dans d'autres régions une partie du tellure est remplacé par des él & nta autres que le tellure qui sont capables de former des niveaux profonds dans le sélénium. De fanon plus détaillée, selon un mode de réalisation de l'invention, le film photoconducteur comporte séquentiellement, en partant de l'électrode transparente, une première région constituée principalement de sélénium ayant une épaisseur supérieure L 100 A dans laquelle les quantités de tellure ajouté et un élément additionnel capable de former un niveau profond dans le sélénium sont, respectivement d'une concentration qui n'est pas supérieure à 10% en atomes en moyenne, une seconde région constituée principalement de sélénium ayant une épaisseur située dans une gamme comprise o entre 200 et 5000 A dans laquelle la crête de la répartition continue de concentration de tellure ajouté n'est pas infe-+ rieure a 15% en atomes, une troisième région constituée principalement de sélénium ayant une épaisseur située dans une gamme comprise entre 500 et 3000 dans laquelle l'élé- ment additionnel capable de former des niveaux profonds dans le sélénium a une crête de répartition continue de concen traction qui n'est pas inférieure a 15% en atomes, et une quatrième région constituée principalement de sélénium dans laquelle les quantités de tellure et l'élément capable de former des niveaux profonds dans le sélénium sont choisies de façon a ne pas être supérieures en moyenne a 108 atomes, respectivement. La présente invention part du fait que, bien que l'élément ajouté dans la région intermédiaire du film photoconducteur ayant une concentration élevée en sélénium doive être absolument du tellure de façon a améliorer la sensibilité k la lumière rouge du film photoconducteur pour la celle du tube analyseur d'images décrit dans le susdit brevet U.S. 3.890.525, les éléments ajoutés dans les régions situées des deux cotés de la région intermédiaire ne doivent pas être nécessairement du tellure, mais une partie du tellure peut être remplacée par un des éléments du groupe Vb, comme par exemple As, Sb et Bi, ou l'un des éléments du groupe Ty comme par exemple Si et Ge, ou l'un des composés oumélan#es comportant au moins l'un des éléments précités qut peuvent former des niveaux profonds dans le sélénium. De façon surprenante, on a trouvé que la substitution du tellure par ces éléments capables de former des niveaux profonds a l'avantage de supprimer ou de réduire a une valeur négligeable la variation du courant de signal même après un fonctionnement long et continu du tube analyseur d'images comportant la cible réalisée conformément a l'invention et en outre, on peut réduire de façon appréciable la rémanence On n'a pas encore pu expliquer clairement le mécanisme physique des effets avantageux précités. Cependant on pense qu'en additionnant les éléments capables de produire des niveaux profonds dans la région plus éloignée de l'électrode transparente que la région ayant une concentration élevée en tellure, il y a capture d'une partie des porteurs du courant photonique, formant ainsi une zone de charge d'espace fixe qui supprime l'influence des variations dans la charge d'espace du film pendant un fonctionnement long et continu du tube analyseur d'image. La présente invention sera mieux comprise a l'aide de la description détaillée de plu#sieurs modes de réalisation pris comme exemples non limitatifs et illustrés par le dessin annexé sur lequel la lafig. 1 est une vue en coupe d'une cible comportant un film#photoconducteur conforme a la présente invention; l fi#. 2 est un schéma illustrant la répartition des composants ou éléments dans le film photoconducteur de la fig. 1; la fig. 3 est un graphique illustrant les variations du courant de signal dans un tube analyseur d'images comportant le film photoconducteur conforme à l'invention, par rapport a celles d'un tube de l'art antérieur;; la fig. 4 est une vue en coupe d'une cible comportant un film photoconducteur conforme à un autre mode de réalisation de l'invention; et la fig. 5 est un schéma illustrant la répartition de différents éléments dans le film photoconducteur de la fig. 4, Sur la fig II représentant un premier mode de réalisa tion du film conforme a l'invention, on voit un substrat ou plaque de base 1 en verre muni d'une électrode transparente 2 comportant de l'oxyde d'étain en tant que composant principal, et on forme sur l'électrode 2 une première région 3 en sélénium d'une épaisseur comprise entre environ 100 et o 500 A par un procédé d'évaporation. La première région 3 peut comporter du tellure ou d'autres éléments qui peuvent former des niveaux profonds dans le sélénium. Cependant, il faut noter que la teneur de ces éléments additionnels dans la première région 3 ne doit pas excéder la concentration moyenne de 10% en atomes, Ensuite, on dépose une deuxième région 4 en évaporant simultanément Se, Te et As contenus dans des récipients d'évaporation respectifs.La seconde région 4 continent uniformément du Te et a une épaisseur comprise dans la gamme de 200 a 5000 et de préférence Q entre 500 et 2000 A. Ou choisit la concentration en Te dans la gamme comprise e#ntre 15 et 20% en atomes. La teneur en As est choisie de façon a ne pas être supérieure à 10% en atomes, On dépose une troisième région 5 en Se et As sur la seconde région 4 par un procédé d'évaporation. L'élément ajouté a Se n'est pas limité a As, mais n'importe quel élément capable de former des niveaux profonds dans Se peut être utilisé. L'épaisseur de la troisième région 5 doit être située dans la gamme comprise entre 500 et 3000 et de préférence entre 500 et 1500 A, Lors du dépôt de la troisième région, Se et As2Se3 contenus dans les récipients d'évaporation respectifs peuvent être évaporés simultanément.Dans ce cas, le procédé d'évaporation peut être mené de façon que la concentration en As est initialement d'au moins 15% en atomes, et de préférence comprise entre 15 et 25% en atomes, et ensuite décroît progressivement jusqu'a une valeur comprise entre O et 10% en atomes vers la fin du procédé d'évaporation par commande du courant électrique de chauffage des récipients d'évaporation. On forme une quatrième région 6 de Se sur la troisième région 5 par un procédé d'évaporation de façon que l'épaisseur du film introduit soit, dans son ensemble de 4 microns. La quatrième région 6 comporte, en plus du Te des éléments pouvant former des niveaux profonds dans Ae, Cependant, la teneur moyenne de ces éléments ne doit pas être supérieure a 10% en atomes. Le procédé d'évaporation permettant de réaliser les régions référencées 3 à 6 peut être exécuté sous un vide de 3.10 6 Torr. On forme un film 7 en Sb2S3 sur la quatrième région 6, ce film ayant une épaisseur d'environ 1000 A, et est formé sous atzoaphbre d'argon a une pression de 2.1ou Torr, ta #atrième région a a pour but de réduire la capacité électroFtattgue de la cible, tandis que le film 7 en Sb2S3 a pcux but de faciliter un impact d'un faisceau électronique de balayage, En vue d'éviter la cristallisation du Se amorphe, on préfère ajouter également As ou Ge a une concentration qui n'est pas supérieure a 10% en atomes pendant le dépôt des régions référencées 3 à 6, Une telle addition de As ou Ge permet d'augmenter la stabilité thermique de la cible. Il faut bien noter que la structure de films représentée sur la fig. 1 a simplement pour but de montrer l'ordre ou la succession des étapes de formation des régions individuelles sans tenir compte de leurs rapports dimensionnels précis. La fig. 2 est un schéma montrant la répartition des éléments dans les régions référencées 3 a 6 du film photoconducteur réalisé conformément a l'invention, dans lequel on utilise As en tant qu'élément additionnel pour former les niveaux profonds. La première région 3 est indispensable pour former un contact redresseur au contact de l'électrode transparente 2 a conductivité de type n. De façon a assurer un contact redresseur stable, la concentration en Te de cette région ne doit pas excéder 10% en atomes.En outre, la concentration de l'élément tel que As et Ge ajouté pour augmenter la stabilité thermique ne doit pas être supérieure en moyenne a 10% en atomes, L'épaisseur de cette région doit o être supérieure å 100 A, La seconde région 4 comportant du Te contribue a augmenter la sensibilité du film phqtoconduc- tueur a la lumière rouge, De façon a obtenir une sensibilité suffisante dans le spectre visible, la crête de la répartition continue du Te ne doit pas être inférieure à 15% en atomes, et, de préférence, doit être située dans la gamme comprise entre 20 et 40% en atomes. L'épaisseur de cette région doit être comprise entre 200 et 5000 .Dans le mode de réalisation représenté sur la fig. 2, la répartition de la concentration en Te de la seconde région 4 est uniforme, et a comme on le voit, un profil de répartition rectangulaire. Cependant, la répartition de la concentration en Te n'est pas limitée au profil rectangulaire, Ce profil peut être par exemple triangulaire, trapézordal, semi-circulaire ou d'une autre forme quelconque, même beaucoup plus compliquée. La condition a respecter absolument est Te soit ajouté dans cette région et que la crête de la répartition de la concentration en Te ne soit pas inférieure à 15% en atomes. La troisième région 5 représentée sur cette fig. 2, et comportant l'élément additionnel capable de former des niveaux profonds, comme par exemple As dans ce mode de réalisation, sert a renforcer l'effet d'augme##ntation de la sensibilité a la lumière rouge dû au tellure de la seconde région, et simultanément a Supprimer la variation du courant de signal provoquée par une longue utilisation du tube analyseur d'images. De façon a obtenir l'action la plus efficace de l'élément additionnel formant les niveaux profonds, la crête de la répartition continue de la concentration de cet élément ne doit pas être inférieure à 15% en atomes.Le profil de la répartition de la concentration de l'élément additionnel formant les niveaux profonds dans cette région doit être de préférence choisi de façon que la concentration la plus élevée soit obtenue à la surface d'interface avec la seconde région 4 et décroisse doucement au fur et à mesure que l'augmentation de la distance à l'interface dans la gamme d'épaisseurs comprises entre 500 et 3000 , Lorsque le même élément (As > que celui ajouté au film 6 photoconducteur de type p afin d'augmenter la stabilité thermique est employé en tant g.u'élEment pour former les niveaux profonds dans la troisième région 5, comme représenté sur la fig. 2, on recherche du point de vue pratique que la concentration de l'élément, par exemple As soit la même a l'interface entre la région 5 et la région 6 photoconductrice de type p. Sur le graphique de la fig. 3, on a représenté la variation du courant de signal fourni par la cible du tube analyseur d'images réalisé conformément à l'invention en comparaison avec celle du tube analyseur d'images décrit dans le susdit brevet U.S. 3.890.525, les deux cibles étant mises en fonctionnement pendant un long temps sous les mêmes conditions de fonctionnement. Dans le cas de la cible de l'art antérieur, la variation du courant de signal s'élève jusqu'a environ 20% après un fonctionnement de 2 heures, comme indiqué par le trait continu 31. Par contre, la varia tion du courant de signal dans la cible réalisée conformément à la présente invention est inférieure à 2% après un fonctionnement de 2 heures, comme indiqué par la ligne 32 de la fig. 3.Le phénomène de rémanence que l'on croit être imputable aux variations du courant de signal peut également être nettement atténue ou supprimé dans la cible conforme à 1' înyentîon, Dans un deuxième mode de réalisation de la cible conforme à la présente invention, on dispose sur un substrat ou plaque de base en verre une électrode en oxyde d'étain transparente ou transmettant la lumière, sur laquelle on forme un film mince en CdSe d'une épaisseur d'environ 200 A par un procédé d'évaporation. Ce film de CdSe est déposé par évaporation sous un vide d'environ 5,10c6 Torr à une température de substrat d'environ 2000C, et ce film est utilisé en tant que film photoconducteur de type n.On dépose ensuite du Se et du Te sur le film photoconducteur de type n par évaporation simultanée sous un vide d'environ 3.10 6 Torr, L partir des récipients respectifs d'évaporation, le substrat étant maintenu & la température ambiante. Le procédé d'évaporation est commandé de fanon que la concentration en Te soit initialement située dans la gamme comprise entre O et 5% en atomes, et ensuite augmente doucement pour atteindre une concentration de 20 à 25% en atomes pour une épaisseur Q de film d'environ 1000 A. Ensuite, on procède au dépit simultané de Se et Ge sous un vide d'environ 3.10 6 Torr a partir des récipients d'évaporation respectifs, Le dépôt est commandé de façon que la concentration initiale en Ge soit située dans la gamme comprise entre 20 et 25% en atomes et ensuite décroisse progressivement et doucement pour atteindre une valeur comprise entre Q et 10% en atomes pour une épaisseur de film Q comprise entre 500 et 1500 A.Sur le film en Se et Ge, on dépose ensuite par évaporation un film en Se comportant 5% en atomes de Ge, L'épaisseur totale de la structure du film, Z compris la couche de CdSe est d'environ 5 microns, Enfin, on dépose par un procédé d'évaporation une couche de Sb2S3 d'une épaisseur d'environ 1000 sur la structure de film décrite ci-dessus, l'évaporation se faisant sous atmosphère d'argon à une pression de 3,10 -1 Torr, pour réaliser la cible du tube analyseur d'images.Dans ce second mode de xéalisation, la couche ou film de CdSe entre en contact avec le film photoconducteur du type p contenant du Se, du Ge et du Te pour former un contact redresseur, Grâce t la présence du film de CdSe, on élimine la tendance du film de Se, Ge et Te a se cristalliser, et en même temps on augmente encore la sensibilité L la lumière rouge. On peut également employer des sulfures, des sélénates et des tel urates de zinc et de cadmium ou leur mélange au lieu du CdSe. Le second mode de réalisation précité diffère du premier mode de réalisation représenté sur la fig. 1 par le fait que l'électrode transparente 2 de type n est divisée en deux sections dont l'une sert d'électrode et l'autre de film photoconducteur de type n. En outre; dans le second mode de réalisation, la région contenant du Te peut être considérée comme s'étendant de façon contiguë a travers les première et seconde régions 3 et 4, sa concentration variant de façon continue a travers ces régions. On désire bien sur que les éléments ajoutés au sélénium, comme par exemple Te, As et Ge aient une répartition de leur concentration qui soit continue dans le sens de l'épaisseur du film photoconducteur. Cependant, ceci s'entend du point de vue macroscopique. Par exemple, même si une variation brutale de la répartition de concentration existe du point o de vue microscopique, dans un intervalle inférieur a 100 A, on peut considérer que la répartition est quand même continue ou effecttsezent continue du point de vue macroscopique pour autant que la répartition de la concentration varie doucement dans sa totalité sur un intervalle de l'ordre de plusieurs centaines d'angströms, Il est connu qu'une répartition continue au sens macroscopique suffit a éviter la dégradation des caractéristiques du tube analyseur d'images (brevet U.S. 3,800,194), Ceci est également vrai pour la présente invention. Par conséquent, également dans le sens de la présente invention, il suffit de commander les concentrations d'éléments tels que Te, As et Ge, la continuité de la répartition étant déterminée du point de vue macroscopique. Dans le film photoconducteur conforme a la présente invention, il est possible de fabriquer un film composite photoconducteur ayant un rapport désiré de composants ou une zépartition macroscopiquement continue des composants en superposant cycliquement plusieurs centaines de films minces, chacun ayant l'épaisseur de plusieurs unités ou plusieurs dizaines d'angstrdBs., les unes sur les autres, sur une plagie de base, en ayant recours à un procédé d'évaporation à l'aide d'un appareil dlévaporation rotatif comportant plusieurs sources d'évaporation telles que Se, As2Se3, Te q;-Ge;; Dans ce qui précède, le terme "répartition continue" signifie une répartition représentant des variations dans une concentration moyenne d'éléments composants dans chaque film composite formé par un cycle du procédé rotatif. Sur la fig. 4, on a représenté un troisième mode de réalisation du film photoconducteur conforme à la présente invention. La structure représentée. sur la fig. 4, comporte un substrat en verre 41, une électrode transparente 42 de type n se composant principalement d'oxyde d'étain déposé sur le substrat ou plaque de base 41, une couche 43 d'environ o 300 A d'épaisseur étant déposée sur l'électrode transparente 42 et comportant 5% en atomes de Te, 10% en atomes de As et 85% en atomes de Se, puis une couche 44 d'une épaisseur d'environ 200 A déposée sur la couche 43 et comportant 5% en atomes de Te, 48 en atomes de As et 91% en atomes de Se, o puis une couche 45 de 500 A d'épaisseur comportant 10% en atomes de Te, 4% en atomes de As et 86% en atomes de Se, o ensuite une couche 46 de 500 A d'épaisseur comportant 20% en atomes de Te, 4% en atomes de As et 76% en atomes de Se, pUfa une couche 47 de 1000 143 d'épaisseur comportant 40% en atomes de Te,. 4% en atomes de As et 56% en atomes de Se, o ensuite une couche 48 de 2500 A d'épaisseur comportant 2% en atomes de Te, As en une répartition légèrement décroissante depuis 20% en atomes jusqu'à 4% en atomes et Se en une répartition progressivement croissante depuis 78% en atomes jusqu'à 948 en atomes, et une couche 49 de 3,5 microns d'épaisseur comportant 2% en atomes de Te, 4% en atomes de Affi et 94% en atomes de Se.Les différentes couches énumérées cisdessus. sont déposées par évaporation dans l'ordre décrit. il faut noter que les couches 43, 44 et 45 correspondent à la première région 3 du premier mode de réalisation précité, les couches 46 et 47 correspondent à la seconde région 4, la couche 48 correspond à la troisième région 5 et la couche 49 correspond à la quatrième région 6 toujours du même premier mode de réalisation, La partie correspondant à la première région 3 du premier mode de réalisation a une épaisseur de 1000 A et comporte 7,5% en atomes de Te et 5,8% en atomes de As en concentrations moyennes, La partie correspondant a la seconde région 4 a une épaisseur de 1500 et comporte du Te dans une proportions de crête de 40% en atomes.La partie correspondant à la troisième région 5 a 2500 A d'épaisseur et comporte 20% en atomes de As pour la quantité maximale, Les quantités de Te et As contenues dans la partie correspondant à la quatrième régions 6 sont respectivement de 2% en atomes et 4% en atomes, Sur le film photoconducteur ayant la structure décrite ci-dessus, on dépose enfin une couche 50 en Sb2S3 pour faciliter l'impact du faisceau électronique de balayage, le dépit étant fait par évaporation sous atmosphère d'argon a une pression de 2.1 L1 Torr comme dans le cas du premier mode de réalisation.Le film photoconducteur conforme au troisième mode de réalisation de la présente invention a une plus #grande valeur de crête de Te que celle du premier mode de réalisation, En outre, du fait que le profil de réparti tion de Te est en forme d'échelle, les rayons lumineux de différentes longueurs d'ondes peuvent être absorbés dans les différentes régions du film photoconducteur. Cette caractéristique est avantageuse du fait que les porteurs produits par l'impact des rayons lumineux ne sont pas concentrés a un seul endroit et peuvent donc avoir une longue durée de vie. le lefilm conducteur a une grande sensibilité sur une SxRnde gagae de longueurs d'ondes, Comme on le voit d'après la description qui précède, la présente invention permet de réaliser une cible perfectionnée pour un tube analyseur d'image ayant un film photoconducteur de type p comportant du sélénium en tant qu'élément principal dans lequel la variation du courant de signal, aussi bien que la rémanence qui peut lui être imputée, sont réduits de façon sensible g race à la formation d'une région et l'adjonc tion d'éléments capables de former des niveaux profonds aux endroits adjacents a la région comportant du tellure, Bien que l'invention ait été décrite en prenant pour exemple la cible d'un tube analyseur d'image, on comprendra facilement que le principe de la présente invention peut ealeBent s#'appliquer à d'autres éléments photosensibles ainsi qu't une plaque d'impression électrophotographique. REVENDICATIONS 1. Film photoconducteur caractérisé par le fait qu'il comporte: une première région comportant du Se dans lequel on ajoute Te et d'autres éléments capables de former des niveaux profonds dans Se à des concentrations respectivement inférieures à 10% en atomes en moyenne, une seconde région disposée sur ladite première région et comportant du sélénium auquel on ajoute du Te avec une repartition continue de la concentration présentant une crête de valeur supérieure a 15% en atomes au total, une troisieme region disposée sur ladite seconde région et comportant du sélénium auquel on ajoute des éléments capables de former des niveaux profonds dans le sélénium avec une répartition continue de la concentration présentant une crête de valeur supérieure â 15% en atomes au total, une quatrième région disposée sur ladite troisième région et comportant du sélénium auquel on ajoute Te et des éléments capables de former des niveaux profonds dans le sélénium, à des concentrations inférieures à 10% en atomes au total, en moyenne 2, Film photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que les épaisseurs desdites première, seconde et troisième régions sont respectivement, supérieure o o à 100 A, comprise entre 200 et 5000 A, et comprise entre 500 et 3000 . 3. Film photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdits éléments capables de Former les niveaux profonds dans le sélénium sont un élément, ou mn mélange de deux ou plusieurs éléments choisis dans le groupe comportant As, Sb, Bi, Si et Ge. 4, Film photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la concentration desdits éléments ajoutés. à ladite troisième région pour former lesdits niveaux profonds dans le sélénium a un tel gradient de répartition gué la concentration desdits éléments est supérieure au iroi#inage de l'interface entre lesdites troisième et seconde légions et décroît légèrement vers l'interface déterminé entre lesdites troisième et quatrième régions. 5. Film photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'au moins l'une desdites régions est fabriquée en films composites formés par superposition cyclique de plusieurs types différents de films individuels homog#nes, chacun ayant une épaisseur inférieure a 100 A au total, la composition moyenne de chaque film composite étant définie par ladite rOpartition continue de concentration. 64 ProcdO pour fabriquer le film photoconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 a S, caractérisé par le fait que la séquence correspondante de formation du film est l'évaporation échelonnée des matériaux respectifs, 7. Utilisation du film photoconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5! pour des tubes analyseurs d'##es et pour des plaques d'impression électrophotographique.