Brevet FR2321191A1 — publié le 19770311

L'invention concerne les appareils à semi-conducteurs et plus précisément, une structure semi-conductrice hétérogène a gradient de composition ainsi que son procédé de fabrication. L'invention peut être largement utilisée dans la création de lasers à semi-conducteurs, à longueur d'onde de fonctionnement réglable ou commandée ainsi que de spectromètres å semi-conducteurs d'un haut pouvoir séparateur. Lesdits instruments exécutés en partant de la structure semi-conductrice hétérogène à gradient de composition proposée peuvent trouver des applications dans des branches de la technique telles que la spectroscopie laser des substances pour la recherche fondamentale, le contrôle a distance b haute sensibilité de la composition des fumées, des mélanges gazeux et des solutions dans des procédés industriels, l'analyse des gaz d'échappement des automobiles, la photochimie laser et la métrologie des rayonnement8 laser. En outre, en partant de la structure semi-conductrice hétérogène de ce genre à gradient de composition, on peut réaliser des détecteurs à distance et & haute sensibilité d'impuretés polluant ltenvironnement, des capteurs sans contact de contrôle de la composition chimique pour les systèmes automatiques de conduite des procédés industriels ainsi que des dispositifs électro-optiques et optiques a composants intégrés. Un autre domaine d'application complémentaire important de la structure semi-conductrice hétérogène suivant l'invention peut être la fabrication des éléments sensibles pour capteurs de pression hydrostatique. Des capteurs de ce genre å élément sensible à base de la structure hétérogène suivant l'invention ont, par comparaison avec les capteurs connus, une gamme de mesure de pressions plus étendue (de 10 bars jusqu'à 60 000 bars). Ces capteurs peuvent trouver de larges applications dans des systèmes d'automatisation et de contrôle des procédés industriels dans des domaines variés de recherches industrielles et scientifiques tels que la synthèse des diamants, la mesure des pressions dans les trous de forage et dans des chambres d'explosion, le contrôle des variations de pr#essions dans les couches de roches des régions dangereuses au point de vue sismique de l'écorce terrestre, les procédés de pesée de charges lourdes (wagons, machines, équipements) ainsi que dans d'autres travaux de développement scientifiques et techniques exigeant des mesures de pressions hydrostatiques de grande étendue. On connaît déjà une structure semi-conductrice hétéro genre a gradient de composition comprenant un support revêtu d'une première couche réfléchissante et une couche de semi-conducteur principale, appliquée à la première couche réfléchissante et constituée d'une solution solide ABXCl X;; La solution solide est formée de composés chimiques binaires répondant aux formules brutes AB et AC, X étant la part molaire de composé AB dans la solution solide ABXC1-X avec 0 AIIIBV et AIIICV, AVBIII et AVCIII, AIIBVI et AIICVI, AVIBII et AVICII, AVIBIV et AVICIV. La composition de la couche de semi-conducteur principale varie graduellement et en continu le long de l'axe principal depuis la concentration maximale en constituant AB au voisinage du premier bord de la couche de semi-conducteur principale jusqu'a la concentration maximale en constituant AC au voisinage du bord opposé de la couche de semi-conducteur principale. A la surface extérieure de la couche principale est disposée une seconde couche réfléchissante. Les constituants AB et AC sont des composés semi-conducteurs de caractéristiques physiques cristallines voisines.En particulier, la structure semi-conductrice hétérogène connue est réalisée à base d'une solution solide CdSe S formée de composés chimiques binaires CdSe(AI1BVI) et CdS(A11CVI). x La structure semi-conductrice hétérogène connue a gradient de composition est essentiellement utiliséeà titre d'élément émetteur actif de laser à semi-conducteurs réglage (commande) de la longueur d'onde de fonctionnement, excitation optique ou électronique. Des éléments laser actifs de ce genre ne sont capables de fonctionner que lorsque la substance du support par ses caractéristiques physiques cristallines (paramètres du réseau cristallin, coefficients de dilatation thermique) est voisine de la solution solide ABxC X de la couche semi-conductrice principale. Il s'ensuit que la structure hétérogène semi-conductrice connue à gradient de composition peut être fabriquée a partir d'un nombre extrêmement restreint de constituants semi-conducteurs, proches les uns des autres par leurs paramètres cristallophysiques et ne différant pas trop en ces paramètres, de la substance du support. Des constituants de ce genre sont, notamment, les composés CdSe et CdS proches les uns des autres par lesdits paramètres cristallo physiques et en partant desquels on peut créer un élément actif de laser fonctionnant dans la gamme des longueurs d'odes de 0,5 a 0,7/u Toutefois, dans certains cas, pour créer un élément actif de laser rayonnant dans une autre partie du spectre ou se prêtant au réglage dans une gamme plus large de la longueur d'onde de fonctionnement, ainsi que pour créer un élément actif de laser plus stable aux actions extérieures, il est indispensable pour former une structure hétérogène d'utiliser d'autres composés semi-conducteurs, qui peuvent différer (entre eux) par leurs caractéristiques cristallophysiques. Lorsqu'on utilise des constituants de ce genre pour former la structure hétérogène connue, il se forme un grand nombre de défauts de structure cristalline (tels que les dislocations, les contraintes mécaniques, les fissures) qui agissent pendant le fonctionnement de l'élément laser comme une multitude de centres de recombinaison sans rayonnement s'opposant à la naissance d'un rayonnement laser OU abaissant la qualité des caractéristiques radiatives du laser. La structure hétérogène connue ne prévoit pas de moyen pour éliminer l'effet nocif de ce genre que le support exerce sur la couche semi-conductrice principale composée de#conatituants qui se distinguent par leurs caractéristiques cristallophysiques. On connaît également un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice hétérogène de ce genre à gradient de composition qui est une solution solide ABxCî#x, consistant à transférer des constituants semi-conducteurs par phase gazeuse sur la surface du support porté a une température supérieure a 450 C, å partir d'une source présentant une différence de températures avec le support, les constituants étant admis dans la phase gazeuse de manière å créer, le long de l'axe principal de la couche semi-conductrice formée, une variation continue et graduelle de la concentration en atomes B et C, depuis la concentration maximale en atomes B au voisinage du premier bord de la couche semi-conductrice principale jusqu la concentration maximale en atomes C au voisinage du bord opposé de ladite couche. On admet les constituants semi-conducteurs dans la phase gazeuse depuis une source composée de deux parties dont l'une est constituée du constituant AB,et l'autre du constituant AC, la variation continue et graduelle de la composition étant obtenue par mélange partiel de' AB et de AC en phase gazeuse alors qu'un masque à fente,qui quise déplace le long de l'axe principal du support, permet d'obtenir en outre une variation continue de l'épaisseur de la couche princip~lle le long de l'axe entre sa valeur maximale et sa valeur minimale. L'inconvénient majeur de ce procédé connu d'obtention d'une structure hétérogène semi-conductrice à gradient de composition tient å ce que l'on n'aboutit pas toujours à une structure monocristalline de la couche semi-conductrice principale et que l'on obtient par contre un polycristal qui ne satisfait pas aux exigences du rayonnement laser à obtenir, la structure polycristalline conduisant a la naissance d'un grand nombre de défauts qui agissent pendant le fonctionnement de l'élément laser comme une multitude de centres de recombinaison non radiatifs qui s'opposent a la naissance d'un rayonnement laser ou qui détériorent sensiblement les caractéristiques du rayonnement laser. Pour la soumettre à une recristallisation, on fait subir à la structure polycristalline hétérogène un traitement complémentaire par recuit à haute température ce qui complique sensiblement et prolonge la durée du procédé technologique tout en influant sensiblement sur le rendement sans supprimer toutefois entièrement tous les défauts qui s'opposent au fonctionnement d'un élément laser. En outre, le procédé connu ne permet pas d'obtenir une structure monocristalline semi-conductrice hétérogène douée d'une loi de variation de la concentration en constituants le long de son axe principal. Etant donné que les substances AB et AC émanant des parties de la source se propagent concentriquement par rapport aux centres desdites parties, ce n'est que dans une étroite zone de la couche principale formée, qui se trouve au voisinage de la projection de l'ase entre les centres des parties de la source, qu'on pourra obtenir une variation linéaire de la concentration en constituants, une autre loi de variation de la valeur du grandient par utilisation de la source donnée n'étant pas réalisable. Cela ne permet pas dlobtenir à base de la structur-e hétérogène connue d'élément actif de laser présentant une variation uniforme requis de la longueur d'onde de fonctionnement dans une large gamme des longueurs d'ondes. Un autre inconvénient du procédé connu de préparation d'une structure hétérogène semi-conductrice à gradient de composi.ioll est qu'en partant de la structure obtenue, il est impossible de construire un élément actif de laser ayant des couches réfléchissantes sur les faces latérales de la couche semi-conductrice principale et ayant par con!paraison à l'élément connu (a couches réfléchissantes sur les surfaces de ladite couche principale) une plus grande puissance de rayonnement.Il n'est possible de réaliser un tel élément actif de laser qu'à base d'une structure hétérogène ayant dans toute la zone de la couche semi-conductrice une orienta tion constante du gradient de composition d'un bord de la couche à l'autre, alors que le procédé connu permet d'obtenir une orientation constante du gradient en conformité avec ce qui vient d'être dit uniquement dans une zone étroite qui est disposée au voisinage de la projection sur ladite couche de l'axe entre les centres des parties de la source. Un autre inconvénient sérieux du procédé considéré connu est qu'il est impossible de commander le dopage de la couche semi-conductrice principale aussi bien le long de l'axe principale que perpendiculairement à ce dernier, ce qui restreint le domaine d'application de la structure connue ne permettant pas d'optimiser les caractéristiques radiatives du laser par fixation du niveau variable de dopage le long de l'ase principal correspondant a la variation progressive de la composition de la couche semiconductrice principale. En outre, le procédé connu ne-permet pas de contrôler la répartition des impuretés de dopage suivant l'épaisseur de la structure hétérogène > c'est-à-dire dans une direction perpendiculaire à celle du gradient de composition dans la couche semi-conductrice principaleoce cequi ne permet pas de réaliser å partir de la structure hétérogène des éléments actifs pour d'autres instruments. Le but de l'invention est d'éliminer les inconvénients susdits. On s'est donc proposé de créer une structure semi-conductrice hétérogène å gradient de composition et un procédé de fabrication permettant d'obtenir une structure dont la mise en oeuvre à titre d'élément actif de laser permette de réduire la densité du courant de seuil du laser, dta-ugmen- ter le rendement de transformation de l'énergie d'excitation en énergie lumineuse, d'étendre la gamme des longueurs d'onde des rayonnements émis. d'augmenter la puissance du rayonnement et d'assurer la constance de cette puissance dans toute la gamme utile des longueurs d'onde et de conférer des caractéristiques et de nouvelles propriétés à la structure hétérogène considérée qui permettant de l'utiliser comme élément actif dans d'autres instruments, notamment dans des sources de rayonnement laser déterminées qui exigent le maintien d'une longueur d'onde de rayonnement avec une précision exceptionnelle. Pour y parvenir on crée une structure hétérogène à gradient de composition contenant :un support monocristallin portant une couche principale semi-conductrice sous forme d'une solution solide dopée ABXCl X de constituants semi-cqnducteurs AB et AC, X répondant à l'inégalité suivante : a a la surface du support, c'est-à-dire ayant une variation continue de la composition de cette couche principale le long de l'axe principal depuis la zone de la couche correspondant d la teneur maximale en constituant AB de la solution solide, jusqu' la zone de la couche qui correspond a la teneur maximale en constituant AC de la solution solide et, suivant l'invention, la structure hétérogène contient une couche intermédiaire sous forme d'une solution solide dopée ABxC î#x disposée entre le support et la couche semi-conductrice principale, alors que le support est réalisé en matériau voisin par ses caractéristiques cristallophysiques du constituant AB de la solution solide, la composition de la couche intermédiaire le long de l'axe principal varie en continu depuis la zone de la couche intermédiaire ayant la teneur maximale en constituant AB jusqu sa zone correspondant à la teneur maximale en constituant AC, alors que dans la direction perpendiculaire a la surface du support, elle varie depuis la composition de la couche principale à la limite de la couche intermédiaire jusqu'd la composition ayant la teneur maximale en constituant AB à la limite du support. Il est avantageux d'exécuter dans la structure hétérogène semi-conductrice une couche semi-conductrice complémentaire sous forme d'une solution solide dopée ABxCî#x ayant une teneur maximale en constituant AB, disposée entre la couche intermédiaire et le support. Il est avantageux de même de doper la couche semi-conductrice principale, la couche semi-conductrice intermédiaire et la couche semi-conductrice complémentaire d'une impureté donneuse fournissant des niveaux énergétiques supérieurs jusqu'à une concentration en électrons libres de 5.1017jusqu'à à 7.1018 cm-3 Il est tout a fait judicieux d'exécuter la structure semi-conductrice hétérogène à base d'une solution solide de GaPXAs1-X' X répondant à la condition 0 $; ; x conceatration en électrons libres de 8.1017 à 7.1018 cm-3 et la couche intermédiaire devant être dopée simultanément d'une impureté fournissant des niveaux énergétiques supérieurs et d'une impureté fournissant des niveaux énergétiques inférieurs jusqu'a une concentration en porteurs libres inférieure au niveau de 1014 cl 3. Le problème est résolu également par le fait que dans le procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice hétérogène qui consiste à transférer une substance semi-conductrice à travers une phase gazeuse a la surface d'un support porté à une température supérieure à 400C depuis une source composée de deux constituants AB et AC et d'une impureté à doper avec une différence de température entre la source et le support, le processus de transfert de la substance semi-conductrice à la surface du support est réalisé suivant l'invention depuis une source solide voisine comportant plusieurs bandes principales adjacentes les unes aux autres, parallèles aux bords de la source dont chacune a un rapport constant qui lui est propre entre les constituants AB et AC, la largeur de chaque bande étant inférieure ou égale au double de la distance entre la surface de la source et la surface du support, la première bande disposée au premier bord de la source ayant une teneur maximale en constituant AB, la bande disposée au second bord de la source ayant une teneur maximale en constituant AC tandis que le rapport des constituants AB et AC dans deux bandes voisines adjacentes est modifié d'une' valeur égale au quotient de la division de la valeur requise du gradient de la composition de la couche semi-conductrice principale par la largeur desdites bandes voisines adjacentes; les bandes de ladite source sont alors amenées d'abord progressivement sous le support par translation le long de l'axe principal et parallèlement A la surface du support b une vitesse chdsie dans l'intervalle de 100 cm/h a 0 > 1 cm!h, en commençant par amener la première bande- de la source ayant une teneur maximale en constituant AB, et, après amenée totale des bandes de la source sous le support, cette dernière est arrêtée pour un laps de temps nécessaire à la formation de la couche semi-conductrice principale d'épaisseur requise. Il est tout à fait judicieux en cas de formation d'une structure hétérogène à couche semi-conductrice complémentaire d'effectuer le transfert de la substance semi-cor.ductrice sur la surface de support à partir d'une source comprenant une bande complémentaire ayant une largeur au moins égale à la longueur du support le long de son axe principal adJa- cente à la première des bandes principales et ayant une composition constante avec une teneur maximale en constituant AR; et avant d'amener progressivement sous le support les bandes principales de la source. il convient d'abord d'amener la bande supplémentaire et de la laisser sous le support pour le laps de temps nécessaire a la formation sur le support de la couche supplémentaire d'épaisseur requise. Il est au moins tout aussi avantageux en cas de formation d'une structure hétérogène à base d'une solution solide de GaPe sl X de réaliser le transfert de la substance semi-conductrice sur la surface du support à partir d'une source composée de constituants CaP et CaAs et ayant un groupe de bandes supplémentaires disposé derrière les bandes principales susdites et dont la composition et le nombre correspondent à la composition et au nombre de bandes principales, la substance des bandes du groupe supplémentaire devant être dopée par une impureté donnant des niveaux Ener- gétiques supérieurs jusqu'à une concentration en électrons libres de cm jusqu'à 7 101 cl 3 tandis que la substance des bandes principales doit doit être dopée jusqu'à un niveaude 1.1017 cl 3 et d'effectuer au cours de l'amenée progressive des bandes principales sous le support, un dopage complémentaire de la structure hétérogène en formation, a partir de la phase gazeuse avec une impureté donnant des niveaux énergétiques inférieurs, et après l'amenée de toutes les bandes principales de la source sous le support, de cesser le dopage complémentaire et de placer sous le support les bandes du groupe complémentaire en les laissant pour le laps de temps nécessaire à la formation de la couche semi-conductrice principale d'épaisseur déterminée. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de plusieurs exemples de réalisation et en se référant aux dessins arnexés dans lesquels - la figure 1 représente schématiquement la structure hétérogène semi-conductrice, suivant l'invention, gradient de composition - la figure 2 représente schématiquement une autre version de la structure hétérogène à gradient de composition, suivant l'invention ; - la figure 3 représente la relation entre x et l'épaisseur de la structure hétérogène le long de l'axe des Z, suivant l'invention - la figure 4 représente une nit technologique destinée à la réalisation du procédé d'obtention de la structure hétérogène, suivant l'invention; - la figure 5 représente la position relative de la source et du support, suivant l'invention;; - la figure 6 représente une autre version de la position relative de la source et du support, suivant l'invention, - la figure 7 représente encore une autre version de la position relative de la source et du support avec les couches de la structure hétérogène, suivant l'invention; - la figure 8 représente une structure hétérogène à gradient de composition pour lasers a base d'une solution solide CaP#sî#x > suivant l'invention; - la figure 9 représente une source pour la fabrication de la structure hétérogène susdite à gradient de composition pour lasers a base d'une solution solide GaPxAsl x,suivant l'invention;; - la figure 10 représente une source pour la fabrication d'une structure semi-conductrice hétérogène pour capteurs de pression à base d'une solution solide de GaPXAs1-x,suivant l'invention; - la figure 11 représente une unité technologique pour l'obtention de ladite structure semi-conductrice hétérogène pour capteurs de pression à base d'une solution solide de GaPXAs1-X, suivant l'invention; - la figure 12 représente -la structure hétérogène susdite å base d'une solution solide de GaPXAs1- X àtitre d'élément actif d'un capteur de pression suivant l'invention. On considérera la structure hétérogène semi-conductrice à gradient de composition. La structure hétérogène suivant l'invention comporte un support 1 (figure 1) constitué par une lame en matériau à structure monocristalline. Le support 1 a une épaisseur de 100 à 500/u. Sur ledit support 1 suivant l'invention est disposée une couche intermédiaire semi-conductrice 2 qui porte une couche semiconductrice principale 3. La couche semi-conductrice principale 3 est une solution solide qui répond à la formule brute ABXCl X et qui est formée de composés chimiques binaires répondant aux formules brutes AB et AC, X étant la part molaire du composé AB dans la solution solide ABXC1-X' avec 0 x~l. Les composés AB et AC sont des semi-conducteurs et peuvent être choisis parmi les couples suivants AIIIBV - AIIICV ,AVBIII - AVCIII, AIIBVI - AIICVI, AVIBII - AVICII ,AVIBIV AVICIV. La composition de la couche semi-conductrice principale 3 varie progressivement et d'une façon continue le long de l'axe principal 4 conventionnellement choisi parallèle à la surface de la couche principale 3, depuis la concentration maximale en constituant AB auprès du premier bord 5 de la couche semi-conductrice principale 3 jusqu'à la concentration maximale en constituant AC près du second bord opposé' 6 de la couche 3. La couche intermédiaire semi-conductrice 2 est également une solution solide ABXCl X dont la composition varie progressivement et d'une façon continue le long du même axe principal 4 depuis la zone correspondant à la teneur maximale en constituant AB jusqu'à la zone correspondant a la teneur maximale en constituant AC. En outre, la composition de ladite couche 2 varie additionnellement le long de l'axe des Z, perpendiculairement à la surface de la couche semi-conductrice principale 3, depuis la composition de la couche principale 3 près de la surface adjacente à la couche intermédiaire 2 jusqu'à la composition en ABXCl X la plus proche par ses caractéristiques cristallophysiques de la composition du support 1. Le support 1 peut être exécuté en matériau quelconque de structure monocristalline choisie parmi les composés semi-conducteurs suivants AIIIBV AVRIL, AIIBVI AVIBII ,VIZIR ainsi qu'a partir de germanium et de matières diélectriques telles que le saphir, l'oxyde de béryllium, l'oxyde de magnésium. La couche semi-conductrice principale 3 de la structure hétérogène est dopée d'une impureté jusqu'a une concentration en électrons -3 libres de 5.1017 jusqu'à 7.1018 cm Une impureté donneuse de ce genre par les composés AIIIBV peut être constitué par S, Te, Se. Le choix du niveau de dopage est conditionné par le fait que, pour une concentration en électrons libres de la couche 3 inférieure à 5.1017, la densité des états électroniques dans la couche semi-conductrice principale 3 de la structure hétérogène est insuffisante pour garantir l'intensité requise du rayonnement laser dans le cas de la mise en oeuvre de la structure hétérogène proposée à titre d'élément actif du laser. Pour un niveau de dopage donneur supérieur'à 7.1018 la morphologie de la surface de travail de la couche semi-conductrice principale 3 se détériore, le nombre de défauts de structure (lacunes, dislocations' augmente ce qui conduit à la détérioration des caractéristiques du laser au point de vue rayonnement. La structure semi-conductrice à gladient de composition suivant l'invention peut comporter une couche semi-conductrice complémentaire 7 (figure 2) située entre le support l et la couche semi-conductrice interm#- diaire 2. Cette couche semi-conductrice complémentaire 7 se compose de constituant ABxCl X le plus proche par ses caractéristiques cristallo- physiques du matériau du support 1. La couche semi-conductrice complémentaire 7 a une épaisseur choisie dan la gamme d'épaisseurs suivante : de 1 à 15/u. Si la couche 7 a une épaisseur inférieure à l/u, ladite épaisseur ne permettra pas de compenser complètement les défauts nés à l'instant initial de la croissance épitaxiale de la couche 7 à la surface du support. Si, par contre, l'épaisseur de la couche complémentaire 7 est supérieure à 151u cela ne fournira pas d'effet complémentaire et ne provoquera qu'une consommation injustifiée de matière semi-conductrice pour une croissance excessive de la couche 7. Une couche 7 d'une épaisseur ne dépassant pas 151u garantit l'élimination complète des défauts de la structure hétérogène primitivement formée. La couche semi-conductrice intermédiaire 2 a une épaisseur choisie dans la gamme d'épaisseurs de 5 à 100/u. Si l'épaisseur de la couche 2 est inférieure à 5/u on ne pourra pas obtenir une diminution des contraintes élastiques critiques dues à une certaine différence entre les paramètres du support 1 et ceux de la couche semi-conductrice principale 3 de la structure hétérogène. Une épaisseur de la couche 2 supérieure à 100zou n'aura plus d'effet complémentaire au point de vue de la diminution des contraintes élastiques critiques et n'aura pour conséquence qu'une consommation excessive du matériau semi-conducteur. La couche semi-conductrice principale 3 de la structure hétérogène peut avoir une épaisseur de 5 à 50wu, suivant la profondeur requise de pénétration des électrons d'excitation lors de la production d'un rayonnement laser par un faisceau'd'électrons rapides, si la structure hétérogène est destinée à être utilisée à titre d'élément actif de laser. En outre, le choix de l'épaisseur de ladite couche 3 est fonction de la profondeur requise pour la transition p-n si la structure hétérogne est destinée à être utilisée à titre d'un élément actif de spectrophotomètre. La figure 3 représente les courbes représentatives des variations de X en fonction de l'épaisseur de la structure hétérogène le long de l'axe des Z. Ici Z3 représente l'épaisseur de la couche semi-conductrice principale 3 de la structure hétérogène, 2 représente L'épaisseur de la couche intermédiaire 2, Z7 l'épaisseur de la couche complémentaire 7 et Zl représente lfépaisseur du support 1. La courbe "a" représente les variations de X en fonction de Z suivant la section l-l de la figure 2, la courbe "b" (figure 3) représente les variations de X en fonction de Z suivant la section Il-Il de la figure 2, les variations de X en fonction de Z suivant la section III-III sont représentées par la courbe "c" de la figure 3. En particulier, la structure hétérogène semi-conductrice à gradient de composition (figure 2) peut être formée suivant l'invention par les constituants GaAs et GaP, la couche semi-conductrice principale 3 étant une solution solide CaP#s1### X X étant choisi dans l'intervalle de 0 à 0,4 (c'est-à-dire O#x Pareille structure hétérogène peut être utilisée à titre d'élément actif d'un capteur de pression. La couche semi-conductrice principale 3 d'une telle structure hétérogène contient une impureté de donneurs jusqu'd une concentration en porteurs libres choisie dans un intervalle de 0,8.1017 jusqu'à 7.10.18. Pareil choix du niveau de dopage est dû au fait que pour une valeur de la concentration en porteurs inférieure à 8.îOUîa densité des états électroniques dans la couche semi-conductrice principale 3 sera insuffisante pour assurer la thermostabilité requise du coefficient de sensi- bilité du capteur de pression. Pour une valeur de la concentration en porteurs supérieure 18 à 7.10 la morphologie de la surface active de la couche semi-conductrice principale 3 est détériorée, le nombre de défauts de structure tels que les lacunes et les dislocations augmente, et cela conduit à une baisse considérable de la sensibilité du capteur de pression. La couche semi-conductrice intermédiaire 2 contient additionnellement des impuretés qui donnent des niveaux énergétiques inférieurs jusqu'à un degré qui permette d'obtenir une valeur de la résistivité de la couche semi-conductrice intermédiaire 2 au moins 1000 fois supérieure à la résistivité de la couche principale 3. La couche semi-conductrice complémentaire 7 a une épaisseur de 1 à 5/u, la couche intermédiaire 2 a une épaisseur de 5 à 50 alors que la couche principale a une épaisseur de 10 à i0Su. Dans la structure hétérogène suivant l'invention A gradient de composition, l'influence néfaste du support 1 sur la structure cristalline et sur les caractéristiques luminescentes de la couche principale semiconductrice est sensiblement inhibée. Cela s'obtient par introduction d'une couche intermédiale 2 et d'une couche complémentaire 7 qui réalisent une transition progressive du matériau du support 1 présentant certaines caractéristiques cristallophysiques au matériau de la couche semi-conductrice principale 3 présentant des caractéristiques quelque peu différentes. On atteint de cette manière la perfection de la structure cristalline de la couche semi-conductrice principale 3 et on se trouve à même de garantir la haute qualité des instruments semi-conducteurs a éléments actifs à base de la structure propose ayant un gradient de composition. Les structures hétérogènes présentent une bonne morphologie de surface et ne sont le siège que de faibles contraintes mécaniques internes. Par cisaillement d'une structure hétérogène de ce genre2 obtenue par croissance épitaxiale sur un support 1 å orientation de la surface (100) réalisé perpendiculairement 9 sa surface, on obtient des miroirs de haute qualité de résonateur optique le long de l'axe principal 4 dont l'orientation prédéterminée peut être identique à la direction cristallographique EllO#. En utilisant une structure hétérogène de ce genre à titre d'éléments actifs, on améliore les caractéristiques radiatives d'un laser on diminue la densité du courant de seuil nécessaire pour l'excitation du rayonnement laser et on augmente le rendement de la transformation d'énergie d'excitation en énergie lumineuse de laser. La création d'un moyen permettant la transition progressive du matériau du support 1 à celui de la couche semi-conductrice principale 3 a permis d'étendre sensiblement la gamme des composés semi-conducteurs susceptibles d'être utilisés pour la formation de la couche semi-conductrice principale 3. Cela permet de choisir les constituants de la couche principale 3 parmi des classes variées de composés semi-conducteurs et d'obtenir de cette manière une série de structures hétérogènes servant d'éléments actifs de laser et de capteurs photosensibles qui recouvrent une large gamme de longueurs d'ondes depuis ltultraviolet proche jusqu'a llinfra- rouge. En particulier, la structure hétérogène ayant une couche semi-conductrice principale de composition CdSxSel X permet d'obtenir un rayonnement laser et une photosensibilité dans la gamme des longueurs d'onde de 0,5 à 0,7lu. L'élément actif d'un instrument semi-conducteur à base d'une structure hétérogène ayant une couche principale de composition GaAsxPl X permet d'obtenir un rayonnement et une sensibilité à la lumière dans un intervalle de 0,65 b 0,9/u. Si la structure est exécutée à base d'une couche 3 de composition InAsxPl X la gamme des longueurs d'onde émises sera de 0,9 à 31u, alors que dans le cas où la structure hétérogène a gradient de la composition a comme couche semi-conductrice principale 3 une solution solide de composition PbSxSel X la gamme des longueurs d'onde du rayonnement est de 4 à 8/u. Et enfin, on peut réaliser une gamme de longueurs d'onde émises ou reçues allant de 6 à 45/u, skua titre d'éléments sensibles de lasers et de récepteurs on utilise une structure semi-conductrice hétérogène de composition PbxSnl xTe pour la couche semi-conductrice principale 3. En outre, dans chacune des structures susdites, on peut réaliser une variation continue et progressive de la composition le long de l'axe principal 4 de la couche 3 aussi bien suivant une loi linéaire des variations de la valeur de X le long de cet axe 4 que suivant une loi requise quelconque. Cela permet d'obtenir dans l'élément actif du laser le réglage requis uniforme de la longueur d'onde produite dans un large intervalle de longueurs d'ondes émises. Etant donné que la structure hétérogène proposée a dans tout le domaine de la couche semi-conductrice principale 3 une orientation constante du gradient de composition le long de l'axe principal 4, on peut créer en utilisant une telle structure un élément actif de laser présentant des résonateurs (couches réfléchissantes) sur les faces latérales de la couche semi-conductrice principale 3. Ces couches réfléchissantes peuvent être obtenues par cisaillement des parties de structure réalisé perpendiculairement à la surface de la couche semi-conductrice principale 3 obtenue par croissance sur un support à orientation cristallographique de la surface (100). La mise en oeuvre de résonateurs latéraux de ce genre permet d'augmenter la puissance de rayonnement d'un laser orienté perpendiculairement auxdites faces latérales de cisaillement. Un autre avantage de la structure hétérogène consiste en ce que la loi de variation de la concentration en impuretés est indépendante de la loi de variation de la composition de la couche principale 3,ce qui permet en particulier d'obtenir un niveau constant de dopage aussi bien le long de l'axe principal 4 que le long de l'axe des Z en garantissant ainsi la constance de la puissance de rayonnement dans l'ensemble des gammes de longueurs d'onde Suivant l'invention, le procédé de fabrication de la structure hétérogène semi-conductrice > à gradient de composition décrite dans ce qui précède, consiste en ce qui suit. On réalise le procédé par transfert chimique en phase gazeuse de la substance semi-conductrice vers la surface de support 1. Au préalable, on place une source solide 8 (figure 4) composée de deux constituants AB et AC et d'une impureté à doper dans un bloc de la source qui est un corps ayant un creux pour y mettre la matière de la source 8. Le bloc 9 doit être exécuté en un matériau doué d'une bonne conductibilité calorifique, ne réagissant pas avec le matériau semi-conducteur et avec le réactif chimique porteur. Un matériau de ce genre pour le bloc 9 peut être le graphite. Le bloc 9 de la source 8 est logé dans un réacteur ayant la forme d'un tube 10 a travers lequel on fait passer en continu un gaz avec un réactif chimique porteur qui s'écoule selon la direction de la flèche 11. Un gaz de ce genre est l'hydrogène, l'argon, l'hélium alors qu'à titre de réactif chimique porteur, on peut utiliser 12, Br2, HI, HBr, HC1, H20, H. Le bloc 9 porte-source est réuni à un moyen destiné à en assurer des mouvements de translation dans les directions indiquées par les flèches 12. A une distance de 100fi à 1 mm de la surface de la source 8 > on installe à demeure le support 1 que l'on monte dans un bloc support 13 également muni d'un moyen de déplacement dans la direction indiquée par une flèche 14. Le bloc 9 de la source 8 et le bloc 13 du support 1 sont montés dans un tube 10 et se prêtent à des déplacements relatifs, la distance entre la surface de la source 8 et la surface du support 1 restant invariable. Cette distance est choisie au préalable dans un intervalle de 100 u à 1 mm. Avant de commencer la fabrication de la structure semiconductrice hétérogène à gradient de composition, on porte le bloc 13 du support, au moyen d'un élément chauffant '15 > à une température T1 supérieure a 450 C. Il n'est pas avantageux de porter le support 1 à une température inférieure à 450aC) la faible mobilité des atomes déposés au cours de la croissance épitaxiale à la surface du support I entravant la naissance de défauts de la structure hétérogène. On chauffe le bloc g de la source 8 au moyen de élément chauffant 16 à une température T supérieure a 6203C. o Ainsi on réalise une différence de température entre la source 8 et le support 1. On poursuit l'élévation de la température dans les éléments chauffants 15 et 16 jusqu'à ce-que les valeurs requises des températures T1 et T2 soient atteintes. La différence entre les températures T1 et T2 est le principe actif du processus physique et chimique de transfert de la matière par la phase gazeuse de la source 8 jusqu'au support 1. On choisit les valeurs concrètes des températures T1 et T2 dans la gamme de 600 C à 12000C suivant la nature des composés constituant la source 8 et le matériau du support 1 ainsi que la nature du réactif chimique porteur. Une fois que les valeurs requises de T1 et de T2 sont atteintes, on crée dans le tube 10 un écoulement gazeux contenant le réactif chimique porteur, et on commence à déplacer le bloc 9 portant la source 8 progressivement vers le bloc 13 portant le -support 1. La source 8 (figure 53,qui a une loi de variation de sa composition prédéterminée, a une longueur correspondant a celle du support 1 le long de l'axe principal 4 et se compose de plusieurs bandes adjacentes 17 qui sont parallèles aux bords de la source 8. Chacune des bandes 17 est caractérisée par un rapport entre les constituants AB et AC, qui lui est propre et constant pour une bande donnée. La largeur de chaque bande 17 est inférieure ou égale au double de la distance entre la surface de la source 8 et la surface du support i. La première bande 17 disposée au premier bord de la source 8 est caractérisée par une teneur maximale en constituant AB alors que la dernière bande 17 disposée au second bord de la source 8 est caractérisée par une teneur maximale en constituant AC. Le rapport des constituants AB et AC dans deux bandes adjacentes 17 diffère d'une valeur correspondant au quotient de la division de la valeur requise du gradient de la composition de la couche semi-conductrice principale désirée 3 (figure 2) par la largeur des deux bandes adjacents susdites 17 (figure 5). La source 8 peut titre réalisée sous forme de bandes 17 formées d'une charge poudreuse. Dans une autre version de réalisation la source 8 peut être formée de lames monolithes solides (bandes 17) de solutions solides dont chacune a son propre rapport de constituants AB et AC. De meme, la source 8 (figure 6) peut comporter une bande complémentaire 18 adjacente à la première des bandes 17 et ayant une composition à teneur maximale en constituant AB. La largeur de cette bande 18 doit être au moins égale à la longueur du support 1 le long de l'axe principal 4. Chacune des bandes 17 de la source 8 représentée sur les figures 5 et 6 comporte une impureté dopante dont la teneur #en pourcent est définie par le niveau requis de dopage de la couche semi-conductrice principale 3 (figure 2). Dès que la bande 18 (figure 6) de la source 6 à teneur maximale en constituant AB de solution solide est fixée à une courte distance requise contre le support 1, il y a transfert de la substance de la source 8 et cristallisation de ladite substance sur le support moins chaud 1 avec formation d'une couche complémentaire 7 d'une épaisseur de 1 à 5/u. On laisse d'ailleurs la bande 18 de la source 8 contenant le constituant AB sous le support 1 pour un laps de temps de 5 a 10 mn nécessaire à la formation de la couche 7. Après la croissance de la couche 7, on imprime un mouvement de translation à la source 8 amenant successivement vers le support 1 toutes les bandes 17-te la source 8. On réalise le mouvement de la source 8 le long de l'axe principal 4 et parallèlement à la surface du support 1 à une vitesse choisie dans un intervalle de 100 cm/h à 0,1 cm/h suivant l'épaisseur requise de la couche intermédiaire 2 désirée pour la structure hétérogène (figure 7). Il découle dudit mouvement un transfert de substance de chaque bande suivante 17 de la source 8 vers la partie de surface du support I déjà revêtue d'une couche complémentaire 7 (figure 2) qui se trouve à proximité immédiate de la bande considérée 17 (figure 5) de la source 8. La substance déposée forme sur le support 1 une bande dont la forme reproduit celle de la première bande donnée 17 de la source 8. Au fur et à mesure que s'effectue le mouvement de translation de la source 8, la bande déposée engendrée par la première bande 17 de la source se déplace respectivement sur la surface de la couche compledentaire 7 obtenue par croissance. Simultanément, la bande déposée engendrée par la seconde bande suivante 17 de la source 8 suit la première bande déposée, et de nouveau la substance déposée vient recouvrir la couche de solution solide déposee à partir de la première bande 17 de la source 8. Cette opération se répète autant de fois que la source 8 contient de bandes 17 et en définitive on obtient la formation d'une couche semi-conductrice intermédiaire 2 de structure hétérogène dont la composition varie entre la composition la plus voisine au point de vue des caractéristiques cristallophysiques du matériau du support 1 et celle de la couche active principale 3 de la structure hétérogène. La durée de croissance de la couche semi-conductrice intermédiaire 2 doit permettre d'aboutir à une épaisseur de la couche 2 suffisante pour réduire sensiblement les contraintes mécaniques dues à la différence entre les paramètres cristallophysiques du support 1 et de la couche principale 3 de la structure hétérogène. Pour chaque différence de 0,1 % entre ces paramètres, il est indispensable d'obtenir par croissance au moins l/u de couche intermédiaire 2. Ils'ensuit que,lorsqu'on dépose la couche principale 3 de solution solide de GaAs 0,5P0,5 dont la constante du réseau diffère de 2,5 % de la constante du réseau de GaAs pris à titre de support 1, l'épaisseur de la couche intermédiaire 2 doit être d'au moins 25/u. Aux vitesses ordinaires de transfert chimique en phase gazeuse de la substance qui permettent de réaliser une croissance épitaxiale à une vitesse de 25 à 50/u par heures la durée de croissance de cette couche principale active 3 de la structure hétérogène sera de 0,5 à 1 h. On réalise la croissance épitaxiale de la couche principale 3 à partir de la source fixe 8 dont la totalité des bandes 17 est amenée sous le support 1, comme indiqué sur la figure 7. D'ailleurs,on a déjà eu le soin de former sur le support la couche complémentaire 7 et la couche intermédiaire 2 de la structure hétérogène. On abandonne la source 8 dans cette position pendant la croissance de la couche principale 3 qui dure de 1 à 10 h suivant l'épaisseur requise de la couche 3. Le processus de croissance de la couche semi-conductrice principale 3 de la structure hétérogène à gradient de composition comprend des opérations simultanées de transfert de substance à partir de chaque bande 17 de-la source 8 sur la partie la plus proche de la surface de la couche intetinédiaire 2 formée. La couche principale 3 se compose d'une suite de bandes de dépôt disposées parallèlement qui correspondent aux bandes successivement réparties 17 de la source 8. La composition chimique moyenne dans chaque bande de dépôt est voisine de la composition de la bande correspondante 17 de la source 8, toutefois, au cours du transfert de la substance par la phase gazeuse, il y a brassage partiel par diffusion des substances des bandes voisines 17 qui passent de la source 8 dans la phase gazeuse. On obtient de ce fait une variation progressive de la composition de la solution solide dans la couche principale 3 de la structure semi-conductrice hétérogène. Etant donné que la diffusion latérale dans la phase gazeuse depuis chaque bande 17 de la source 8 se déroule effectivement à une distance ne dépassant pas la largeur de l'espacement entre les surfaces du support 1 et de la source 8, la largeur de chaque bande 17 de cette source ne dépasse pas le double de la valeur dudit espacement. Lorsque l'espacement entre la source 8 et le support 1 est égal à 1 mm, la largeur maximale de chaque bande 17 de la source 8 pour laquelle on obtient encore une variation progressive de la composition de la solution solide dans la couche principale 3 sera égale à 2 mm. Lorsqu'on utilise des bandes 17 plus larges sur la source 8, la variation de composition de la solution solide de la couche principale 3 se déroulera d'une façon échelonnée. Pour cette raison, il n'est pas recommandé d'effectuer le processus de croissance épitaxiale de la structure hétérogène à gradient de composition avec un espacement entre les surfaces du support 1 et de la source 8 inférieur à 200leu étant donné que cela oblige de former la source 8 à partir d'un très grand nombre de bandes minces 17 (ne dépassant pas 400/u). La confection d'une source 8 de ce genre est une opération extrêmement laborieuse, les formes géométriques régulières de chaque bande 17 n'étant pas toujours réalisables. D'un autre côte, la création des espacements excessifs (supérieurs à 1 mm) conduit à l'utilisation d'une source 8 à larges bandes 17 (d'environ 2 mm). Le nombre de ces bandes 17 est limité par la longueur totale du support 1 suivant l'axe principal 4, égal à environ 10 à 50 mm. Or cela limite la possibilité de réglage fin du gradient de la composition dans la couche semi-conductrice principale 3 de la structure hétérogene. En outre, en cas d'espacements supérieurs à 1 mm la part du brassage par convection du milieu gazeux augmente > complétant ainsi le processus de diffusion conduisant à des écarts non contrôlables et non reproductibles de la composition de la couche principale 3 des valeurs prédéterminées et & une détérioration des paramètres des instruments fabriqués a base de structures hétérogènes présentant des écarts de ce genre. De pair avec les constituants de base AB et AC il y a transfert chimique de l'impureté qui se trouve dans chacune des bandes 17 de la source 8. La teneur en impureté des bandes 17 est prédéterminée compte tenu du degré de dopage nécessaire aux points de la couche principale 3, degré indispensable au fonctionnement normal d'un appareil à semi-conducteurs utilisant cette structure hétérogène à titre d'elément actif. Une condition de fonctionnement normal d'un laser à semiconducteurs réside dans la présence en nombre suffisant d'états électroniques dans le cristal semi-conducteur, aussi le dopage doit-il être poussé jusqu'à la dégénérescence du semi-conducteur. Cette limite est fonction de la nature de la matière semiconductrice elle-même et, en particulier, pour les semi-conducteurs a large zone, elle atteint 1018 a 1019 cl 3. Il est avantageux de disposer d'un niveau de dopage variable le long de l'axe principal 4 de la couche 3 suivant la valeur du gradient de composition de la solution solide dans cette couche 3. Dans certains cas il suffit d'obtenir u#n fort dopage avec distribution homogène de l'impureté le long de l'axe principal 4. Si l'impureté es-t transférée de la source 8 à la couche en croissance 3 dans un rapport de 1/1, c'est-à-dire sans pertes, le niveau de dopage de la source 8 doit être identique au niveau de dopage requis de la couche principale 3 de la structure hétérogène à gradient de composition. Le procédé proposé de préparation de la structure semiconductrice hétérogène offre plusieurs avantages importants dont l'un tient à la possibilité d'obtenir une gamme suffisamment large de variation continue de la composition de la solution solide de la couche 3 le long de l'axe principal 4 qui peut atteindre plusieurs dizaines de pour-cent de moles. En outre, on obtient une large gamme de valeurs contrôlées du gradient de la composition le long de l'axe principal 4 entre 5 et 40 % moles/centimètre. Un autre avantage du procédé tient au maintien avec une haute précision de la constance du gradient de composition imposé le long de la surface de la structure hétérogène et à la rectitude des lignes de composition constante à la surface de la structure hétérogène obtenue. Un autre avantage encore du procède est la possibilité de contrôler la composition de la structure aussi bien à la surface (le long de l'axe 4) qulen épaisseur et la possibilité de contrôler indépendamment la loi de variation de la teneur en impuretés dopantes. Le procédé est caractérisé par sa haute productivité. I1 aboutit à une structure hétérogène semi-conductrice à gradient de composition susceptible d'être utilisée sans traitement thermique préalable comme élément actif de laser. En outre, pour réaliser le procédé en question, il a été créé une source de conception simple, mais hautement efficace, fournissant une structure hétérogène a variation requise du gradient de la composition et présentant plusieurs propriétés intéressantes indispensables. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de plusieurs exemples de réalisation (en se référant aux dessins) de structures hétérogènes et semi-conductrices à gradient de composition, de leurs procédés de fabrication et des sources permettant de mettre en oeuvre lesdits procédés. Exemple 1. Le support 1 (figure 8) est une lame monocristaîline rectangulaire de GaAs de 20 mm de longueur, de 10 mm de largeur et de 400/u d'épaisseur. L'orientation de la surface du support de GaAs est (III)B. La source 8 (figure 9) se compose de huit bandes garnies d'une charge poudreuse composée d'un mélange de GaP et Gazas La largeur de chaque bande 17 est égale à 2 mm. Il y a en outre une bande 18 de 20 mm de largeur composée de GaAs. La première bande 17 adjacente à la bande 18 se compose entièrement de charge de GaAs, la bande 17 qui la suit contient 6 7 mole de constituant GaP et 94 % mole de GaAs, la bande 17 suivante contient 12 % mole de constituant GaP et 88 % mole de constituant GaAs, etc. La huitième et dernière bande se compose de 42 % mole de constituant GaP et de 58 % mole de constituant GaAs. L'ensemble de la charge est dopée au tellure jusqu'à une une concentration en électrons libres de 2.1018 cm On réalise la croissance épitaxiale de la structure hétérogene considérée de GaAsl XPX par utilisation de la réaction de transfert chimique avec des vapeurs de H20 dans un écoulement d'hydrogène H2. La tension partielle de vapeurs de H20 est égale à 5 mmHg. La température du support 1 (figure 6) est choisie entre 950 et 9000C, alors que la température de la source 8 est choisie dans l'intervalle de 970 à 1010 C. La valeur de l'espacement entre les surfaces du support 1 et de la source 8 est choisie entre 400 et 700/u. On déplace la bande 18 de la source 8 le long du support 1 pendant 30 mn à une vitesse de 40 mmlh. Il en découle la formation d'une couche supplémentaire 7 qui acquiert un aspect en forme de coin. Ensuite, pendant le déplacement de la source 8 à une vitesse de 60 mm/h pendant 20 mn, il se forme une couche intermédiaire 2 (figure 7). On arrête la source 8 et on commence a former la couche semiconductrice principale 3 à gradient de composition pendant 2,5 h. La structure hétérogène obtenue est représentée sur la figure-8. La couche semi-conductrice complémentaire 7 de la structure se compose de constituant GaAs; elle a une épaisseur variable qui varie de O au voisinage du bord 6 de la structure hétérogène jusqu'à 121u au voisinage du bord 5. La couche intermédiaire 2 est une solution solide dont la composition varie suivant l'épaisseur depuis la composition GaAs au voisinage de la limite des couches 7 et 2 jusqu la composition de la couche principale 3 à la limite des couches 2 et 3. L'épaisseur de cette couche 2 est également variable et atteint une valeur maximale de 21/u au voisinage du bord 6 de la structure. Comme on le voit sur le dessin la couche complémentaire 7 sert à compenser la géométrie en forme de coin de la couche intermédiaire 2. La couche semi-conductrice principale 3 est une solution solide GaPxAsl X dont la composition varie progressivement et en continu depuis le bord 5 contenant GaAs jusqu'au bord 6 ayant la composition GaAs0 > 64P0#36 > X variant linéairement le long de l'axe 4 sur une longueur de 20 mm dans les limites de 0 # x # 0,36. La couche 3 a une épaisseur variable le long de l'axe 4 ce qui est dû à des différences de vitesse de croissance de la solution solide de GaPesl X en fonction des valeurs de X. La composition de la couche intermédiaire 2 auprès du bord 6 de la structure varie progressivement et en continu suivant son épaisseur depuis la composition GaAs jusqu'à la composition GaAs0,64P0,36. La valeur du gradient de composition en épaisseur de la couche 2 au voisinage du bord 6 est de 1,71 % mole//u. La valeur du gradient de composition de la couche principale 3 le long de l'axe 4 est égale a 20 t mole/cm. La largeur de la bande interdite de la solution semiconductrice solide de GaAsl XPX varie de 1,4 eV jusqu'à 1,8 eV (électronvolt). La structure est dopée au tellure et a une concentration en électronslibes entre 8.1017 et 1.1018 cm-3. La structure hétérogène obtenue a une surface unie exempte de "pyramides" de croissance. La densité des dislocations est de 8.104 à 6.105 cm 2 et augmente lorsqu'on se déplace vers le bord 6 de la structure enrichie de phosphore P. Bien que les paramètres du réseau des constituants de départ Gats et GaP diffèrent sensiblement entre eux (aGaAs = 5,654 et aCaP = 5,450 ), par suite de la croissance épitaxiale on obtient une structure qui posspde une large gamme de variations de composition. L'élément actif de laser à base d'une telle structure hétérogène possède une large gamme de réglage (commande) de la longueur d'onde de rayonnement laser au-dessus de 1500 . La structure hétérogène semi-conductrice à gradient de composition à base de la solution solide GaAsl XPX, dopée au tellure peut être utilisée pour des lasers à excitation électronique. Pour rendre une telle structure utilisable à titre dtéîément actif de laser à excitation par injection ou bien pour la confection d'un spectromètre sélectif, il faut créer une jonction p-n 19 dans la couche principale 3. Une telle jonction p-n 19 peut être obtenue par le procédé connu de diffusion dans des vapeurs de zinc de la surface de la couche principale 3 a une température de 800 à 8500C sur une profondeur de 2 à 20 . Cette profondeur de la jonction p-n 19 peut être choisie dans la gamme indiquée en fonction de l'usage de la structure préparée. Exemple 2. Le support 1 (figure 2) est réalisé en GaAs avec une orientation (III); il est dopé au tellure jusqu'à une concentration en porteurs de 5.1017 cl 3. Le support 1 en GaAs a une longueur de 20 mm une largeur de 1,5 cm et une épaisseur de 3001u. La source 8 (figure 6) se compose de onze bandes :une bande complémentaire 18 et dix bandes 17. La bande 18 se compose d'un mélange poudreux de grains de InAs et de InP pris dans les proportions de 50 t/ mole de InAs et de 50 % mole de InP. La composition des dix bandes 17 suivantes varie d'une bande à l'autre de 5 % mole. C'est ainsi que la première des bandes 17 a une composition de 55 7. mole de InAs et de 45 7. mole de InP, la deuxième bande 17 se compose de 60 % mole de InAs et de 40 Yó rn#ie de InP et ainsi de suite jusqu'à la dernière bande 17 qui se compose de 100 % mole de InAs. La bande 18 a une largeur de 20 mm, alors que chaque bande 17 a une largeur de 2 mm. La matière semi-conductrice des bandes 18 et 17 est dopée au tellure. On effectue la croissance épitaxiale par transfert chimique de la substance de la source 8 sur le support 1, en phase gazeuse, composée d'un mélange de H2 et de I % en volume de HC1. La température de la source est de 870 C, la température du support est de 68O0C. L'espacement entre les surfaces de la source 8 et du support 1 est de 600/u. La durée de croissance de la couche complémentaire 7 (figure 6) est de 20 mn, la vitesse de croissance étant de 15/u/h. La durée de croissance de la couche intermédiaire 2 (figure 7) de la structure hétérogène est de 5 h à la vitesse de déplacement des bandes 17 relativement au support 1 égale à 4 mm/h. La vitesse de croissance de la couche intermédiaire 2 est égale à 15/u/h. La croissance épitaxiale de la couche principale 3 de la structure est réalisée après l'arrêt des bandes 17 de la source 8 sous le support 1. La durée de formation de la couche 3 est de 3 h. Le dopage de cette couche 3 est effectué au cours de la croissance par transfert du tellure de la source 8 dans la couche 3. Le transfert du tellure se fait dans les proportions de 1/1, et pour cette raison, afin d'atteindre le niveau de dopage de la couche principale 3 avec une conceutrâtion en électrons de 1.1018 cm 3 nécessaire à l'obtention d'un laser de haute qualité à excitation électronique, il faut prendre une matière en poudre semi-conductrice de la source 8 dopée au tellure ayant cette même concentration en électrons. On obtient en définitive une structure hétérogène de InAsl XPX à gradient de composition. Le paramètre du réseau du support 1 (figure 2) est a = 5,6535 , l'épaisseur du support 1 est de 300 , sa longueur est de 2 cm et sa largeur de 1,5 cm. La couche semi-conductrice complémentaire 7 se compose d'une solution solide de InAs 0,5P0,5 et a une épaisseur de 5 . La couche semi-conductrice intermédiaire 2 est une solution solide dont la composstion varie en épaisseur depuis la composition InAs0,5P0,5 au voisinage de la limite des surfaces de la couche 2 et de la couche 7 jusqu'à la com?Kjsition de la couche principale 3 au voisinage de la limite des surfaces des cruches 3 et 7. La couche semi-conductrice principale 3 est une solution solide InAsl XPX dans laquelle X varie le long de 1 axe 4 dans les limites 0,05 # x # 0,5 d'unités molaires. Dans ee cas au voisinage du bord 5 de la structure hétérogène la couche 3 a une composition de InAs 0,5P0,5 àparamètre du réseau a = 5,963 A, tandis qu'au voisinage du bord 6 de la structure la composition de la couche 3 répond à la formule InAs0, 95P0,05 et dans ce cas a = 6,049 A La composition de la couche intermédiaire 2 au voisinage du bord 6 de la structure hétérogène a été modifiée en épaisseur depuis la valeur InAs0,5P0,5 jusqu'à la valeur InAs0,95P0,05 L'épaisseur de la couche intermédiaire 2 est égale à 70/u.En choisissant l'épaisseur de la couche 2 on tient compte du fait que le paramètre du réseau "a" du support 1 est o o égal pour GaAs a 5,654 A, le paramètre du réseau de InAs est égal a aInAS=6,038 A alors que le paramètre "a" du réseau de InAs0,5P0,5 fait : aInAs0,5P0,5 = 5,963 A. Pour cette raison la différence maximale entre les paramètres du réseau du support 1 et de la couche principale 3 aura lieu dans la zone de la couche 3 où la composition se rapproche au maximum de InAs. La différence relative des paramètres est dans ce cas de aInAs - agaAs -------------- . 100 % = 7 %. aGaAs Afin de prévenir la formation de contraintes mécaniques trop élevé-es, il faut modifier la composition de la structure hétérogène de manière que la valeur du gradient de variation du paramètre du réseau dans la couche intermédiaire 2 ne dépasse pas 0,1 %|/u. Il s'ensuit que,pour une différence des paramètres du réseau égale à 7 %, l'épaisseur de la couche intermédiaire 2 doit être au moins égale à 70 . L'épaisseur de la couche principale 3 est de 45 . La couche 3 est dopée au tellure jusqu'à une concentration en électrons libres de 1.1018 cm-3. Le gradient de la composition de la couche principale 3 est égal à 22,5 7. mole/cm. Le fait qu'au lieu de la composition InAs déterminée par la dernière bande 17 (figure 6) de la source 3 on obtient la composition InAs 0,95P0,005 s'explique par la diffusion des constituants à travers la phase gazeuse dans L'espace entre la source 8 et le support 1. La largeur de la bande interdite varie de l'un des bords de structure à l'autre de 0,8 eV (électrons-volts) c'est-à-dire de 0,42 eV pour InAs 0,95P0,05 jusqu'à 0,82 eV pour la composition InAs 0,5P0,05. Le matériau semi-conducteur de la couche semi-conductrice principale 3 (figure 2) qui est une solution solide InAs1-XPX a une structure électronique à zones à jonctions directes. La variation de la largeur de la bande interdite de 0,42 à 0,82 eV permet d'effectuer le réglage de la longueur d'onde de rayonnement du laser fabriqué à base de la structure hétérogène susdite dans les limites de 1,5 à 22,8/u. Exemple 3. Le support 1 (figure 2) est exécuté en arséniure de gallium GaAs à orientation (100) + 5' et a la forme d'une lame rectangulaire de 15 mm le long de l'axe 4 et de 25 mm dans la direction orthogonale. L'épaisseur du support 1 est de 300/u. La source 8 (figure 6) se compose de onze bandes. La bande complémentaire 18 est une lame de InP et a une largeur de 30 mm. Les bandes 17 sont des mélanges poudreux de constituants InP et InAs d'une solution solide -remplissant des évidements dans le bloc 9 de la source 8. En outre, toutes les bandes 17 contiennent une impureté de dopage sous forme de tellure à la concentration de 2.1018 cm-3. La composition de la première des bandes 17 peut être désignée conventionnellement comme InAs0,05P0,95 et cette bande 17 a une largeur de 5 mm. La composition de la deuxième bande 17 est InAs0,1P0,9, sa largeur est de 2 mm. La composition de la troisième bande 17 est InAs0 > 15 P0 > 85 > sa largeur est de 2 mm. La composition de la quatrième bande 17 est InAs0,2P0,8, sa largeur est de 2 mm. La composition de la cinquième bande 17 est InAs0,25P0,75, sa largeur est de 2 mm. La composition de la sixième bande 17 est InAs0,3P0,7, sa largeur est de 2 mm. La composition de la septième bande 17 est InAs0,35P0,65, sa largeur est de 2 mm. La composition de la huitième bande 17 est InAs0,4P0,6, sa largeur est de 2 mm. La composition de la neuvième bande 17 est InAs0,45P0,55, sa largeur est de 2 mm.La largeur de la dixième bande 17 est InAs0,5P0,5, sa largeur est de 5 mm. On effectue la croissance épitaxiale par transfert chimique de la substance de la source 8 (figure 4) sur le support 1, en phase gazeuse composée d'un mélange d'hydrogène H2 et de i % en volume d'acide chlorhydri'qne, On maintient la température de la source 8 au niveau de 7200c et la temps rature du support I à 700 C. L'espacement entre les surfaces de la source 8 et du support 1 est de 1 mm. La durée de croissance de la couche complémentaire 7 (figure 6) est égale à 12 mn, la durée de déplacement de la source 8 relativement au support 1 après la formation de la couche complémentaire 7 est de 4 h, alors que la vitesse de déplacement dans ce cas est de 5 mm/h. Après la croissance de la couche intermédiaire 2 (figure 7), on arrête la source et on commence a former la couche principale 3 ce que l'on réalise pendant 2 h. Il se forme en définitive une structure hétérogène semiconductrice InAs 1-XPX à gradient de composition dopée au tellure à partir de la source 8 jusqu'à une concentration en électrons de 2.1018 cm-3. Par cisaillement d'un gros échantillon en forme de lame rectangulaire, on façonne un échantillon ayant l'aspect d'un barreau étroit de 1,5 cm de longueur et de 0,5 mm de largeur. Le paramètre a du réseau du support 1 (figure 2) est égal à 5,6535 A et l'épaisseur du support 1 est de 300#u. La couche semi-conductrice complémentaire 7 se compose d'une solution solide InP et a une épaisseur égale à 3 1u. La couche semiconductrice intermédiaire 2 est une solution solide dont la composition varie en épaisseur de InP auprès de la limite des surfaces des couches 2 et 7 Jusqu'à la composition de la couche principale 3 auprès de la limite des surfaces des couches 3 et 7. La couche semi-conductrice principale 3 est une solution solide InAs 1-XPX dans laquelle X désigne les parties molaires des constituants de la solution solide qui varie le long de l'axe dans les limites 0,5#x#1. Dans ce cas auprès du bord 5 de la structure hétérogène la couche 3 a la composition InP avec une valeur a = 5,8688 A alors qu'auprès du bord 6 de la structure la composition de la couche 3 correspond à la formule InAs0,5P0,5 avec a = 5,963 A. La composition de la couche intermédiaire 2 auprès du bord 6 de la structure hétérogène varie suivant l'épaisseur depuis la composition InP jusqu'à la composition InAs0,5 P0,5. La différence maximale entre les paramètres du réseau de la couche 3 à gradient de composition et du support i en arséniure de gallium est de (5,9663 - 5 6535 ) . 100 % = 5,2 %. 5,6535 A L'épaisseur de la couche intermédiaire obtenue 2 est de 60/u. L'épaisseur de la couche principale 3 à gradient de composition est de 301u, alors que la valeur du gradient de composition le long#de l'axe principal 4 est définie de la manière suivante 50 % mole ~ 33 % mole 1,5 cm cm La structure est dopée au tellure par transfert de cette impureté de la source 8 (figure 4) au cours de la croissance épitaxiale. La concentration des porteurs de charge dans la couche#rincipa1e 3 (figure 2) de la structure hétérogène est égale à 2.1018 cm 3, le tellure étant transféré dans la proportion de 1/1. La variation de la composition de la couche principale 3 entre InP et 1nAs0 > 5P0 > 5 permet un réglage continu de la longueur d'onde du laser avec un élément actif de ce genre dans un intervalle de 0,9 a 1,5tu. Exemple 4. Le support 1 (figure 2) est une lame monocristalline rectangulaire en ZnTe d'une épaisseur de 0,4 mm, de I cm de largeur et de 3 cm de longueur avec une orientation de (III). La source 8 (figure 6) se compose de trente bandes 17 ayant une largeur de 1 mm chacune et se présente sous forme d'un mélange de poudres de CdS et de CdSe à granulation de 0,1 à 0,15 mm En outre, il y a une bande complémentaire 18 qui se compose de CdSe dont la largeur est égale à 35 mm. La composition des bandes 17 de la source varie de façon discontinue (discrète) depuis la valeur de la composition de la première bande 17 conventionnellement désignée CdSe jusqu'à la valeur de la composition de la dernière bande 17. La croissance épitaxiale (figure 4) des couches de la structure semi-conductrice hétérogène CdSXSe1-X ###est réalisée par transfert chimique de la substance de la source 8 sur le support 1, dans une phase gazeuse, composée de H2 (hydrogène) purifié par diffusion a travers une membrane en palladium. L'hydrogène dans le cas considéré est un réactif chimique porteur. On ajoute également à l'hydrogène de l'acide chlorhydrique å raison de 0,1 à 0,5 Z en volume. La température de la source 8 est égale à 7300C alors que la température du support 1 est de 6500C. La valeur de l'espacement entre les surfaces de la source 8 et du support 1 est de 0,6 mm. La durée de formation de la couche complémentaire 7 (figure 6) est de 2 h, la durée de déplacement de la source 8 relativement au support 1 après formation de la couche complémentaire 7 est de 13 h,sa sa vitesse de déplacement étant'égale à 2,5 mm!h. Il se forme en conséquence (figure 7) une couche semi-conductrice 2, après quoi, on arrête la source 8 et on l'abandonne pour 10 h sous le support 1. Pendant ce temps, il se produit la croissance de la couche principale 3 de la structure hétérogène. Ainsi en 25 h, on forme toute la structure semi-conductrice hétérogène à gradient de composition de la solution solide CdSXSe1-X. La longueur de 11 échantillon obtenu est de 30 mm, sa largeur de 10 mn; l'épaisseur du support 1 (figure 2) est #de 0,4 mm.La couche semi-conductrice complémentaire 7 se compose de CdSe et a une épaisseur de 6/u. La couche semi-conductrice intermédiaire 2 est une solution solide dont la composition varie suivant l'épaisseur de la composition de CdSe au voisinage de la limite des couches 2 et 7 jusqu'à la composition de la couche principale 3 au voisinage de la limite des couches 3 et 7. La couche 2 a une épaisseur de 40/u. La couche semi-conductrice principale 3 est une solution solide CdSxSe1-X . La composition de la couche 3 varie de façon continue le long de l'axe 4 depuis la composition Gd0,01Se0,99 au voisinage du bord 5 de la structure hétérogène jusqu'à la composition CdS0,98S0,02 Se au voisinage du bord 6 de la structure. La valeur de X qui désigne les parties en moles des constituants de la solution solide varie le long de l'axe de façon que 0,01 La composition de la couche intermédiaire 2 auprès du bord 6 de la structure hétérogène varie suivant l'épaisseur depuis la composition CdS jusqu'à la composition CdS0,98Se0,02. L'épaisseur de la couche principale 3 est égale à 30/u alors que la valeur du gradient de la composition est égale à 3,2 Z mole/cm. La couche 3 est dopée au chlore jusqu une concentration en électrons de 2.1018 cm-3, le dopage se produisant pendant la formation de la couche principale 3 par addition à l'hydrogène du HC1 gazeux. Dans la structure semi-conductrice hétérogène obtenue à gradient de composition de la solution solide de CdSxSel XZ la largeur de la bande interdite varie graduellement et en continu de 1;9 à 2,4 eV (éiectronsvolts),ce qui permet d'effectuer le réglage fondamental de la longueur d'onde du laser de 0,5 à 027/u. Exemple 5. Le support 1 est une lame monocristalline rectangulaire de PbTe de 20 mm de longueur, taillée dans un lingot monocristallin de PbTe obtenu par croissance d'après le procédé connu de Bridgman et recuit sous vide à une température de 4000C. La source 8 (figure 6) se compose de onze bandes 17 remplies de charge poudreuse qui est un mélange de constituants SnTe et PbTe ,0 o à paramètres de réseau a = 6,32 A et aSnTe = 6,45 A. En outre, il y a une bande 18 qui se compose de PbTe de 30 mm de largeur.La largeur de chaque bande 17 est de 2 mm. La première bande 17, adjacente à la bande 18,se compose entièrement de charge PbTe, la bande 17 suivante comporte 6 % mole de constituant SnTe et 94 % mole de constituant PbTe, la bande suivante 17 contient 12 % mole de constituant SnTe et 88 % mole de constituant PbTe et ainsi de suite jusqu'à la dernière des bandes 17 qui a 60 % mole de SnTe et 40 % mole de PbTe. La matière de la source 8 est dopée au Bi jusqu'd une concentration en électrons libres de 1019 cm La croissance épitaxiale de la structure hétérogène désirée Pb xSnxTe est réalisée par le procédé de transfert chimique avec utilisation de la réaction de transfert dans un milieu d'iode qui se trouve sous une pression de 1 atmosphère. On choisit la température de la source 8 (figure 4) dans l'intervalle de 700 à 780 C, et la température du support 1 dans l'intervalle de 600 à 7000C. L'espacement entre la source 8 et le support 1 est égal à 500/u. Avant la croissance épitaxiale des couches, on effectue les opérations préparatoires suivantes : on balaie le tube-réacteur 10 par un gaz inerte tel que l'argon, on porte la source 8 et le support 1 aux températures choisies dans l'intervalle indiqué et on admet dans le tube 10 des vapeurs d'iode. La vitesse de croissance de la couche épitaxiale est de 15 à 60tu/h, suivant le choix des conditions de température dans la gamme des températures indiquées. Ensuite, on amène la bande 18 de la source 8 (figure 6) sous le support 1 et on forme la couche complémentaire 7, opération qui dure de 5 à 20 mn suivant le choix des conditions de température du transfert chimique Ensuite, au cours du déplacement de la source 8 (figure 7) à une vitesse de 0,3 mm/mn pendant 0,5 å 2 h, on forme la couche intermédiaire 2 de la structure hétérogène. On arrête la source 8 et on l'abandonne pendant 1 à 3 h sous le support 1 pour la formation de la couche semi-conductrice principale 3. Après la croissance épitaxiale de la structure hétérogène, on balaie le tube-réacteur 10 avec un gaz inerte, on refroidit et on retire la structure semi-conductrice hétérogène obtenue Pbl xSnxTe. La longueur de l'échantillon de structure hétérogène obtenu est de 20 mn, I'épaisseùr du support 1 (figure 2) est égale à 300/u. La couche semi-conductrice complémentaire 7 se compose d'une solution solide PbTe de 51u d'épaisseur. La couche semi-conductrice intermédiaire 2 est une solution solide dont la composition varie suivant l'épaisseur de la composition de PbTe au voisinage de la limite de la couche 2 et 7 jusqu'à la composition de la couche principale 3 au voisinage de la limite des couches 2 et 3. La couche 2 a une épaisseur de 30/u. La couche semi-conductrice principale est une solution solide Pb1- xSnxTe d'une épaisseur de 50/u, X désignant les parties en moles des constituants et variant linéairement le long de l'axe des X sur une longueur de 20 mn dans les limites de O à 0,6 (O La composition de la couche 3 varie régulièrement et d'une façon continue le long de l'axe 4 depuis la composition PbTe au voisinage du bord 5 jusqu'à la composition Fb0,4Sn0,6Te auprès du bord 6 de la structure hétérogène. La composition de la couche intermédiaire 2 au voisinage du bord 6 de la structure hétérogène varie régulièrement de façon continue suivant l'épaisseur depuis la composition PbTe jusqu'à la composition Fb Sn Te. 0,4 0,6 La valeur du gradient de la composition de la couche principale 3 est de 30 % mole/cm. Par dopage au bismuth jusqu'à une concentration de 2 à 5.1018 cm-3, on obtient une matière semi-conductrice du type n. La structure hétérogène réalisée présente une large gamme de variations de X malgre le fait que les constituants PbTe et SnTe ont des différences sensibles entre les paramètres du réseau étant donné que apbTe = 6,45 et que aSnTe = 6,32 . SnTe La largeur de la bande interdite varie respectivement de 0,36 eV (électrons-volts) pour PbTe jusqu'à la valeur de 0,1 eV (61ectrons- volts) pour Fb0,4Sn0,6Te (à 770K) en passant par la valeur O pour X = 0,4. Pareille structure, lorsqu'on l'utilise à titre d'élément actif de laser, permet d'obtenir un rayonnement laser dans la gamme des longueurs d'ondes de 6/ u au voisinage du bord de la couche 3 correspondant à la composition PbTe jusqu'à 20/u, sur la ligne qui correspond à la composition Pb0,7S0,3Te. En outre, au moyen de la structure il est possible d'étudier différentes caractéristiques de la solution solide Pb1-XSnXTe au fur et à mesure que l'on s'approche progressivement de la ligne correspondant à la composition Pb0,@Sn0,4Te où la largeur de la bande interdite devient égale à 0. La structure hétérogène semi-conductrice a base de la couche 3 d'une composition Pbl -XSnXTe peut entre obtenue également par le procédé connu d'évaporation sous vide étant donné que les constituants PbTe et SnTe sont des substances capables de se sublimer sous vide (de 10 -5 à 10 6 mmHg) sans dissociation des molécules. On conduit la croissance épitaxiale sous une tempéra ture d'évaporation de 6QO à 8000C. La source est réalisée d'une façon analogue à la source décrite dans ce qui précède qui est utilisée dans la réaction de transfert chimique. Le support 1 peut être réalisé en Ge, GaF2 > PbTe, la température du support 1 étant choisie dans l'intervalle de température de 450 à 600 C. Toutes les étapes du procédé de préparation de la structure hétérogène sont analogues à celles du procédé précédemment décrit à cette seule différence près que la diminution de la vitesse de la croissance épitaxiale jusqu'à 2 à 10/u par h provoque une augmentation en rapport de la durée de croissance de la structure de même épaisseur. Exemple 6. Le support 1 se compose de GaAs à orientation de (111) Ga + 3' et constitue une lame de dimensions 10 x 10 mm. La source 8 (figure 10) est exécutée en douze bandes une bande complémentaire 18 de 15 mm de largeur, cinq bandes 17 et cinq baudes 20. La bande 18 se compose de GaAs, la première des bandes 17 a une composition conventionnellement désignée par GaAs0,9 9P0,01 et à une largeur de 1 mm. Composition de la deuxième bande 17:GaAs0,9P0,1, largeur : 1 mm. Composition de la troisième bande 17 : GaAsO P 0 > 8 0 > 2' largeur : 2 mm. Composition de la quatrième bande 17 : GaAs0,7P0,3, largeur : 2 mm. Composition de la cinquième bande 17 : GaAs0,6P0,4, largeur : 4 mm. Composition de la première bande 20 : CeAs P 0,99 0,01' largeur:2 mm. Composition de la deuxième bande 20 : CeAs0,9P0,1, largeur:l mm. Composition de la troisième bande 20 : GaAs0, 8P0,2, largeur : 2 mm. Composition de la quatrième bande 20 : GaAs0,7P0,3, largeur : 2 mm. Composition de la cinquième bande 20 : GaAs0,6P0,4, largeur : 5 mm. Les cinq premières bandes 17 de la source 8 sont dopées par addition à la charge poudreuse de 10 Z en poids de poudre de fer métallique. Ces bandes 17 sont additionnellement dopées au tellure jusqu'a un niveau de 1.1017 cm-3. Les bandes 20 ne sont dopées qu'au tellure, 17 un niveau de 5,1017cm -3 jusqu'à un niveau de 5.10 cm La croissance épitaxiale de la structure hétérogène à gradient de composition de la solution solide GaAs1-XPX est réalisée par transfert chimique de la matière de la source 8 (figure 11) sur le support 1 effectué dans une phase gazeuse constituée par un mélange d'hydrogène et de 3 % en volume de ECI. La température du support 1 est de 940 C, la température de la source 8 est de 960 C. La distance entre les surfaces de la source 8 et du support I est égale 0,5 mm. Pendant la formation d'une couche complémentaire 7 (figure 6) de 5/u d'épaisseur par croissance on arrête la bande 18 de la source 8 sous le support I pour 15 mn. Ensuite, à l'expiration de ce laps de temps, on forme la couche intermédiaire 2 (figure 7) en déplaçant encore la source 8 (de la première a la cinquième bande 17) le long du support 1 à une vitesse de 5 mm/h. La durée de formation de la couche 2 d'une épaisseur de 401u est de 2 h. Au cours de la croissance de ces couches 7 et 2 on dirige l'écoulement gazeux contenant des composés de fer vers le support 1 (figure 11). Ces composés se forment par interaction avec le chlorure d'hydrogène qui est contenu dans l'écoulement gazeux et de la poudre de fer métallique d'une granulation de 200/u portée a 850 à 9000C dans une nacelle 21. Le processus de formation de la couche principale 3 (figure 7) est réalisé en plaçant pour 30 mn sous le support 1 les bandes 20 de la première à la cinquième (figure 10) de la source 8. Quand on fait croître la couche principale 3 (figure 7) on inverse la direction de l'écoulement gazeux contenant les composés de fer, afin de prévenir leur pénétration dans la couche principale 3. On effectue le dopage de la couche principale 3 au tellure jusqu un niveau de 5.1017 cm 3 par transfert de l'impureté dopante des cinq bandes 20 (figure 10) de la source 8. On effectue le dopage de la couche complémentaire 7 (figure 7) etde la couche intermédiaire 2 simultanément par une impureté fer fournissant des niveaux énergétiques inférieurs et par une impureté le tellure qui compense le fond accepteur non contrôlable. Le fer constituant l'impureté est introduit sous forme de poudre en granulation de 100 à 200/u aussi bien dans la composition de la première à la cinquième bande 17 (figure 10) de la source 8 que du milieu gazeux. Après la formation de la couche principale 3, on coupe le chauffage de l'unité (figure 11), on balaie le tube avec un gaz inerte, on refroidit et on extrait la structure hétérogène semi-conductrice obtenue. La structure sous forme d'un barreau de 10 mn x 0,3 mm x 0,295 mm (figure 12) peut être obtenue en la découpant dans l'échantillon obtenu par croissance sur le support 1 sous forme d'une lame de 10 x 20 mm. La structure hétérogène semi-conductrice se compose d'un support semi-isolant 1 GaAs de 250/u d'épaisseur avec une orientation (lll)Ce+3', de la couche complémentaire semi-isolante 7 de 5/u dépaisseur, d'une couche complémentaire 2 d'une composition variable à base de la solution solide semi-isolante GaAsl XPX d'une épaisseur maximale de 401u et d'une couche principale 3 de 101u d'épaisseur, composée de cinq bandes consécutives de solution solide d'une composition GaAs0,99P0,01, GaAs0,9P0,1, GaAs0,8 P0,2, GaAs0,7 P et GaAs0,6P0,4. La couche principale 3 est dopée au tellure jusqu'à une concentration de 5.1017 cl 3. La résistance électrique de la couche principale 3 dans la direction de l'axe principal 4 est de 200 ohms. La couche complémentaire 7 et la couche intermédiaire 2 sont simultanément dopées par deux corps à niveau énergétiques inférieurs et supérieurs (par le fer et le tellure), ce qui permet d'obtenir une valeur élevée de la résistivité de ces couches 2 et 7 (environ 104 ohm.cm). On applique sur la surface de la couche principale 3 au voisinage des bords 5 et 6 des contacts 22 en alliage contenant 80 % d'indium et 20 % d'étain auxquels sont connectés des électrodes 23 en fil d'or de 70 u de diamètre. L'instrument obtenu est un capteur de pression. La variation de composition dans la couche principale 3 a un caractère échelonné. La bande 24 d'une composition correspondant à la valeur X1 = 0,01 a une largeur de 1 mm, la bande 25 ( = 0,1) a une largeur de 1 mm, la bande 26 (X3 = 0,2) a une largeur de 2 mm, la bande 27 (x4 = 0,3) a une largeur de 2 nrm, la bande 28 (X5 = 0,4) a une largeur de 4 mm. Le nombre de bandes (égal à 5) est commode au point de vue réalisation pratique. La réduction du nombre de bandes et l'accentuation des différences de composition entre les bandes voisines conduit å une détérioration de l'évolution progressive du coefficient de sensibilité du capteur en fonction de la pression appliquée. Une augmentation du nombre de bandes notamment à 10 conduit à une loi progressive non linéaire de variation de la composition de la solution solide le long de l'axe principal 4. Un capteur de ce type peut présenter de très bons paramètres, mais le calcul de La variation progressive requise est compliqué et ne peut être réalisé qu'au moyen d'un ordinateur ce qui entrave l'étude et l'utilisation des capteurs de ce genre pour la résolution de problèmes concrets intéressant divers utilisateurs. Un avantage de la structure décrite contenant dans la couche 3 principale des zones de composition variée et d'étendue variée (1/1/2/2/4), et, par conséquent, contribuant différemment à la résistance électrique totale du capteur, réside dans la dépendance moins forte du coefficient de sensibilité de la pression par comparaison avec une relation analogue pour une structure composée de sections de cette même composition, mais d'un volume identique.Le coefficient de sensibilité dans une structure a volumes égaux des zones varie entre Smin i = 2,7.10-5 bar jusqu'à S - 7,2.10-4 bar c' est-à-dire max dans un rapport de 28,5/1 dans la gamme des pressions de O à 40 kilobars. D'autre part, dans la structure décrite avec un rapport de volumes des zones de 1/1/2/2/4 le coefficient de sensibilité ec plus stable et varie åans la même gamme des pressions entre Smin = 2.10-5 bar-1 jusqu'à Smax =5.10-4 bar-1, c'est-à-dire dans un rapport de 25/1. L'immense avantage de la structure hétérogène suivant l'invention caractérisée par la variation de la composition le long de l'axe principal 4, sur la structure obtenue à partir d'une solution solide homogène d'une composition intermédiaire GaAs0,8P0,2 tient au fait que la sensibilité du capteur d'une composition homogène varie trop fortement dans la même gamme des pressions de O à 40 kilobars (de Smin = 2,5 . 10 bar à s = 1,6.10 bar c 'est-à-dire dans un rapport de 6400/1) ce qui rend max les instruments à solutions solides homogènes inaptes aux mesures dans les conditions d'une large gamme de variations de pressions. REVEND I C#T IONS 1. Structure semi-conductrice hétérogène à gradient de composition comportant un support monocristallin et une couche semi-conductrice principale disposée sur ledit support sous forme d'une solution solide dopée AB xC1-x de constituants semi-conducteurs Ab et Ac, x étant limité x 1-x par les inégalités suivantes :O t x L 1 et représentant la part molaire du constituant AB dans la solution solide ABxC1-x de la couche principale présentant un gradient de composition dans une direction constante parallèle à l'axe principal déterminé à la surface du support, ce gradient signifiant la variation continue de composition de la couche principale le long de l'axe principal depuis la zone de la couche correspondant à la teneur maximale en constituant AB de la solution solide jusqu'a la zone de la couche correspondant à la teneur maximale en constituant AC de la solution solide, caractériséeen ce que ladite structure contient une couche intermédiaire semi-conductrice sous forme d'une solution solide dopée AB C 1-x disposée entre le support et la couche semiconductrice principale, x l-x - le support étant réalisé en matière proche par ses caractéristiques cristallophysiques des caractéristiques du constituant AS de la solution solide, la composition de la couche intermédiaire variant en continu le long de l'axe principal, de la zone de la couche intermédiaire ayant la teneur maximale en constituant AB jusqu'à la zone correspondant a la teneur maximale en constituant AC, et dans la direction perpendiculaire a la surface du support} depuis la composition de la couche principale à la limite de la couche intermédiaire jusqu'a la composition ayant la teneur maximale en constituant AB, à la limite avec le support. 2. Structure semi-conductrice hétérogène suivant la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comporte une couche complémentaire disposée entre la couche intermédiaire et le support, sous forme d'une solution solide ABxC1-x dopée ayant une teneur maximale en constituant AB. 3. Structure semi-conductrice hétérogène suivant la revendication 2, caractérisée en ce que la couche principale la couche intermédiaire et la couche complémentaire contiennent une impureté donneuse fournissant des niveaux énergétiques supérieurs Jusqu'd une concentration en en électrons libres de 5,10L7 jusqu'à 7.1018 cm 4.Structure semi-conductrice hétérogène suivant la revendication 2, caractérisée en ce qu'elle est réalisée à base de la solution solide GaP Asl , x étant limité par les inégalités Oc x =' 0 > 4 > la couche semi-conductrice principale contenant une impureté fournissant des niveaux énergétiques supérieurs jusqu'à une concentration en électrons libres de 8.1017 jusqu'a 7.1018 cm 3alors que la couche intermédiaire est dopée simultanément par une impureté fournissant des niveaux énergétiques supérieurs et par une impureté donnant des niveaux énergétiques inférieurs jusqu'CL une concentration en porteurs libres inférieure au niveau de 14 -3 cm 5.Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice hétérogène suivant la revendication 1, consistant à effectuer le transfert en une phase gazeuse de la substance semi-conductrice sur la surface du support porté à une température supérieure à 4500C à partir d'une source composée de deux constituants AB et AC et d'une impureté dopant en présence d'une différence de températures entre la source et le support, caractérisé en ce que l'on réalise le processus de transfert de la substance semiconductrice à la surface du support a partir d'une source solide proche comportant plusieurs bandes principales adjacentes les unes aux autres, parallèles aux bords de la source dont chacune a un rapport de constituants AB et AC, qui lui est propre et constant, la largeur de chaque bande étant inférieure ou égale au double de la distance séparant la surface de la source et la surface du support, la première bande disposée au premier bord de la source ayant la teneur maximale en constituant AB, la bande disposée au second bord de la source ayant la teneur maximale en constituant AC, le rapport entre les constituants AR et AC dans deux bandes voisines adjacentes différent d'une valeur égale au quotient de la division de la valeur requise du gradient de la composition de la couche semi-conductrice principale par la largeur desdites bandes voisines adjacentes, les bandes de ladite source étant d'abord amenées progressivement sous le support par translation le long de l'axe principal et parallèlement à la surface du support à une vitesse choisie dans un intervalle de 100 cm/h jusqu'a 0,1 coin, en commençant par la première bande de la source ayant une teneur maximale en constituant AE, tandis qu'après avoir amené toutes les bandes de la source sous le support, on arrête ce dernier pour le laps de temps nécessaire à la formation de la couche semi-conductrice intermédiaire d'épaisseur imposée. 6 Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en ce qu'en cas de formation d'une structure hétérogène à couche semi-conductrice complémentaire on effectue le transfert de la substance semi-conductrice a la surface du support depuis la source comportant une bande complémentaire dont la largeur est au moins égale à la longueur du support le long de l'axe principal et qui est adjacente à la première bande principale et a# une composition constante à teneur maximale en constituant AB, le transfert se faisant avant d'amener progressivement sous le support les bandes principales de la source en amenant d'abord la bande complémentaire et en la laissant sous le support le temps nécessaire pour former sur le support une couche complémentaire d'épaisseur prédéterminée. 7. Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce qu'an cas de formation d'une structure hétérogène à base d'une solution solide GaP As on ## réalise le transfert de la substance semi-conductrice à la surface du support à partir d'une source composée de constituants GaP et Cases et ayant un groupe complémentaire de bandes disposées en aval desdites bandes principales dans le sens de translation de la source dont la composition et le nombre correspondent à la composition et au nombre des ba#ndes principales, la substance de toutes les bandes du groupe complémentaire de la source étant dopée d'une impureté donnant des niveaux énergétiques supérieurs jusqu'à une concentration en électrons libres de -3 8.1017 à 7.1018 cm, alors que la substance des bandes principales de la -3 source est dopée jusqu'à un niveau de 1.1017 cm , et au cours de l'amenée progressive des bandes principales de la source sous le support on réalise un dopage complémentaire de la structure hétérogène formée à partir de la phase gazeuse par une impureté donnait des niveaux énergétiques inférieurs, et après l'amenée de toutes les bandes principales de la source sous le support on cesse le dopage complémentaire et on place sous le support les bandes du groupe complémentaire en les laissant la temps nécessaire A la formation de la couche semi-conductrice principale d'épaisseur prédéterminée.