Brevet FR2345811A1 — publié le 19771021

La présente invention est relative aux circuits électriques et elle concerne plus particulièrement un procédé pour incorporer des éléments métalliques, par exemple par moulage, dans les matériaux électriquement isolants, ainsi qu'un dispositif réalisé selon un tel procédé. De façon plus particulière, la présente invention concerne un circuit électronique dans lequel il est de la plus grande importance que la stabilité et la précision dimensionnelles soient conservées. Une réalisation d'un dispositif selon l'invention~ convient particulièrement comme support de stockage pour des plaquettes de semi-conducteurs et des plaquettes discrètes, dans lequel il est nécessaire de stocker une puce entre la fabrication et l'utilisation sans qu'il survienne de modifications physiques ou électriques inacceptables. L'un des premiers développements de l'industrie électronique a été la plaquette de semi-conducteur (appelée puce dans la technique). Ces puces comportent un grand nombre de circuits sur de très petites surfaces et sont évidemment extrêmement délicates. Les premiies applications de ces puces de semi-conducteurs furent de nature expérimentale. Dans ce cas, la fabrication est habituellement suivie immédiatement par l'utilisation, de sorte qu'on ne rencontra pas de problèmes relatifs au stockage, au traitement et aux essais de ces puces sur de longues périodes. Au fur et a mesure que les applications des puces de semi-conducteurs et des puces discretes devinrent plus nombreuses, il devint nécessaire de fabriquer ces puces en grandes quantités et d'en stocker une partie pour un usage ultérieur. Lors du stockage de ces puces, lton exigea souvent qu'elles soient montées dans un support de circuits portant des trajets électriques de façon a permettre le contrôle de la puce avant son montage.Ainsi, avec une puce stockée dans un tel support de circuits de stockage et de contrôle, le support de circuits peut etre sorti du rayon par l'utilisateurt-la puce qui y est contenue peut être contrôlée, et si le contrôle#donne satisfaction, la puce est alors enlevée du support de circuits et montée dans un système. On constata que des puces qui étaient stockées seulement pendant quelques mois présentaient des variations physiques et électriques et une pouvaient plus satisfaire les essais de controle. Bien qu'initialement on attribuat ces variations a un stockage prolongé de la puce, il devint évident que de nombreuses défaillances lors du contrôle de ces puces résultaient du support de circuits lui-meme, lequel était détérioré par des manipulations, des expéditions et le stockage. Parmi les problèmes constatés dans les supports, on peut citer des déformations inacceptables de la matière du support, là séparation des trajets conducteurs de la matière du support, l'augmentation de la résistance électrique des trajets conducteurs, et les défaillances de ces trajets conducteurs, par exemple les trajets des circuits imprimés classiques, notamment lors d'une utilisation répétée. D'autre part, an exige de plus en plus une grande fiabilité des semi-conducteurs, des puces ou des dispositif s à micropoutres (beam-lead) et de ce fait, il est nécessaire d'utiliser électriquement ces dispositifs alors qu'ils sont soumis à des températures élevées. Plus la température environnante autour du dispositif est élevée, plus le temps nécessité pour l'essai de fonctionnement à haute température est court. Actuellement, on arrive à exiger des supports de circuits qui fonctionnent jusqu'à une température maximale de 300 C. Cependant, aucun support de circuits de l'art antérieur ne peut résister à un tel essai de fonctionnement jusqu'à 300 C. De ce fait, les contrôles de qualité sont limités de façon inacceptable.La présente invention permet de mouler de façon précise un ensemble de circuits de manière exacte dans un matériau stable, à la forme et l'emplacement exacts. En utilisant toute une variété de matériaux, on peut permettre au dispositif de fonctionner de façon continue à la température maximale et dece fait, d'effectuer l'essai de fonctionnement à haute température sans déformation du support de circuits pour des températures comprises entre -2500C et +5000C. Avec les matières plastiques organiques actuellement présentes, on est toujours confronté au problème de la déformation de ces matières sous une pression peu importante. Dans toutes les conditions de stockage normales, lorsqu'on utilise les supports de circuits, ainsi que les douilles et plaquettes de circuits incorporés fabriquées selon la présente invention, non seulement on a l'avantage de disposer d'une configuration de circuits incorporés précis, mais, en moulant la configuration dans une matière céramique, les dimensions de ces supports de circuits ne varient pas pendant le cycle de stockage, même si ces supports sont soumis à des efforts de compression En conséquence, la présente invention a pour buts de procurer t - un support de circuits qui soit électriquement et dimensionnellement stable et relativement simple à fabriquer ;; - un support de circuits dont les caractéristiques électriques ne chargent que peu ou pas du tout pendant une période de stockage supérieure à la ans - un support de circuits qui soit électriquement et dimensionnellement stable pour des conditions de fonctionnement très variées - un procédé pour fabriquer ces supports de circuits qui permette de fabriquer des circuits précis, électriquement et dimensionnellement stables ;; - un procédé pour fabriquer des supports de circuits dans lesquels on peut utiliser comme substrat porteur une matière inorganique isolante,stable, telle que de la céramique Les buts précédents et d'autres non explicités sont atteints par le support de circuits selon la présente invention dont une réalisation peut comporter un substrat support de circuits en matière non conductrice de l'électricité et physiquement stable, sans lequel sont solidement incorporées plusieurs bandes conductrices positionnes de façon précise Un nouveau procédé pour fabriquer les dispositifs de circuits selon i 'invention peut se caractériser en ce mulon forme, par procédé photochimique ou nar tout autre procédé, un dessin des circuits sur un coté d'une feuille d'un matériau conducteur, ou attaque le côté de la feuille portant le dessin des #ircuits pour obtenir des bandes conductrices qui sont entaillées de manière sous-jacente le long de leurs bords, on enlève l'agent d'attaque, on place la feuille de matériau conducteur portant des bandes à l-"intérîeur d'une cavité de moule de façon à définir tout ou partie d'une paroi de la cavité de ce mouler on ferme le moule pour procurer un support à la feuille de matériau conducteur, on introduit une matière de moulage dans la cavité du moule de façon à rei#plir cette dernière et à anener la matière de moulage en contact intime avec la surface attaquée et les bandes de matériau conducteur, on laisse prendre le produit moule et on enlève ensuite la feuille de matériau conducteur, par exemple par des moyens mécaniques. L'invention sera bien comprise dans la description détaillez, donnée ci-après à titre d'exemple seulement, de plu- sieurs réalisations préférées, en liaison avec le dessin joint, sur lequel : la figure 1 est une vue en plan d'une structure de support de circuits selon l'invention la figure 2 est une vue en coupe transversale selon le plan 2-2 d'une réalisation du support de circuits de la figure 1 , la figure 3 est une vue en coupe transversale d'une feuille de matériau conducteur, montrant le premier stade d'un processus de fabrication du support de circuits de la figure I ; la figure 4 est une vue similaire a la figure 3, montrant le résultat du stade d'attaque du processus de fabrication ;; la figure 5 est une vue schematique en coupe transversale d'un-moule avec la feuille de matériau conducteur de la figure 4 inversée et disposée de façon à définir-la paroi supérieure de la cavité du moule la figure 6 montre, en coupe transversale, le résultat du processus de moulage représenté schématiquement sur la figure 5 la figure 7 est une coupe transversale à travers un stra tifie imetalllque indiquant le premier stade d'un deuxième processus de fabrication du support de circuits de la figure 1 la figure 8 est une vue similaire à la figure 7, mais montrant le résultat du stade d'attaque du deuxième processus de fabrication J la figure 9 est une coupe schématique transversale d'un moule avec le produit obtenu au stade de la figure 8 disposé de façon à définir la paroi supérieure de la cavité du moule ; la figure 10 montre le produit obtenu lors du processus de moulage avec le moule représenté schématiquement sur la figure 9, la figure Il montre, en coupe transversale, le produit de la figure 10 après enlèvement de la couche d'appui la figure 12 est une vue en plan d'une configuration de conducteurs, estampée ou poinçonneer utilisée dans un troisième processus de fabrication du support de circuits de la figure 1 ;; la figure 13 est une vue en coupe transversale selon le plan I3-13 de la figure 12 la figure 14 est une vue en coupe transversale représentant la configuration de conducteurs estampée fixée sur une couche d'appui la figu-re 15 est une vue en coupe transversale d'une couche d'appui et d'une configuration d'agent de masquage,montrant le stade initial d'un quatrPème processus de fabrication du support de circuits de la figure 1 la figure 16 est une vue en coupe transversale du produit de la figure 15 après un stade de galvanoplastie la figure 17 est une vue en coupe transversale del'objet de la figure 16, après enlèvement de l'agent de masquage, prêt au moulage la figure 18 est une vue en coupe transversale d'une feuille de matériau conducteur et d'une configuration d'agent de masquage, indiquant le stade initial dans un cinquième processus de fabrication du support de circuits de la figure 1 la figure 19 est une vue en coupe transversale du produit de la figure 18, ayant été embouti pour produire des nervures et des gouttières la figure 20 est une vue schématique, en coupe transversale d'un moule avec le produit de la figure 19 disposé dans le moule de façon à y définir la paroi supérieure de la cavité de moulage la figure 21 montre le produit du processus de moulage avec le moule représenté schématiquement sur la figure 20 ; et la figure 22 est une vue en coupe transversale du produit de la figure 21 après enlèvement de la partie d'appui de la feuille de matériau conducteur. Comme on lia décrit brièvement ci-dessus, la présente invention concerne des supports de cireuits, et en particulier un procédé pour mouler des conducteurs électriques ayant une configuration arbitraire dans un matériau électriquement isolant. Sur la figure 1, on voit ainsi un support de circuits réalisé selon la présente invention et repéré dans son ensemble en 10. Pour faciliter la description de la présente invention le support de circuits 10 est un module de circuits de précision servant de module de traitement, de stockage et de contrôle pour une puce de semi-conducteur ou pour une puce discrète 12. Le support de circuits 10 comporte un substrat porteur 14 qui présente une ouverturevou une cavité 15 pour y recevoir sans jeu la puce de semi-conducteur ou la puce discrète 12. La puce est placée dans la cavité 15 et les saillies métalliques conductrices de la puce 12 se placent automatiquement sur les bandes conductrices 16-21 du support de circuits 10. On place ensuite une feuille isolante rigide sur le dessus de la puce 12. Le support de circuits 1O et la puce 12 sont maintenus en contact par une pince à ressort, qui les maintient ensemble sous compression. Les circuits de la puce de smi-conducteur 12 sont électriquement raccordés à une multiplicité de bandes conductrices 16 à 21, qui sont fixées de façon précise et rigide à l'intérieur de l'élément porteur 14 d'une manière qui sera décrite ci-après en détail. Les extrémités périphériques des bandes conductrices 16 à 21 sont positionnées de façon à être reçues à l'intérieur d'un appareil de contrôle électronique approprié de tout type connu. La figure 2 montre mieux la structure du support de circuits 10, cette figure 2 étant une vue en coupe transversale selon le plan 2-2 de la figure 1 . On voit-ainsi que le support de circuits 10 comporte un substrat porteur 14 à l'intérieur de la surface supérieure duquel sont incrustées trois bandes conductrices 16, 17 et 18. Les bandes conductrices 16, 17 et 18 ont une section transversale de forme générale trapêzoidale, la grande base du trapèze, respectivement 24r 25 et 26, se trouvant vers l'intérieur du substrat porteur 14. Les bandes conductrices 16, 17 et 18 forment avec leurs petits côtés une queue d'aronde à l'intérieur du substrat porteur 14. De cette manière, on obtient un ancrage mécanique solide entre les bandes conductrices 16, 17 et 18 et le substrat porteur 14. Les surfaces supérieures 30, 31 et 32 respectivement des bandes conductrices 16, 17 et 18 sont parallèles aux bases 24, 25 et 26 et affleurent la surface supérieure 34 du substrat porteur 14. En outre, chacune des bandes conductrices 16, 17 et 18 est électriquement isolée des autres. Dans la réalisation des figures 1 à 6, la structure des bandes conductrices 19, 20 et 21 est symétrique de la structure des bandes conductrices 16, 17 et 18, mais à tous autres égards elle est similaire. En outre, on peut utiliser pour les bandes conductrices 16 à 21 tout métal pouvant résister aux températures et aux pressions de moulage. Le substrat 1-4 peut 'être un matériau bon isolant électrique que l'on peut rendre fluide pour qu'il soit en contact intime avec les bandes conductrices. En se référant aux figures 3 à 6, on va maintenant décrire un procéde de fabrication des supports de circuits, tels que le support de circuits 10 selon la présente invention. La figure 3 est une vue en coupe transversale d'une feuille 35 d'un matériau électriquement conducteur, pouvant être utilisé pour former les bandes conductrices 16 à 21. Dans un procédé de fabrication selon l'invention, on forme par photochimie un ensemble de circuits- de configuration donnée sur la surface supérieure de la feuille 35. On applique donc sur la surface supérieure 36 de la feuille 35 une couche de solution d'agent de masquage photosensible, qui peut être l'une de selles généralement connues dans la technique. On sèche ensuite la solution déposée.Après séchage, l'agent de masquageest exposé à la lumière à travers un modèle négatif obtenu par photographie pour obtenir une configuration de réseau exposé correspondant à la configuration désirée des bandes conductricés 16 à 21 sur la figure lr Les parties exposées de l'agent de masquage sont ainsi rendues insolubles dans un solvant dans lequel les parties non exposées#de ce même agent sont solubles. Les parties non exposées solubles de l'agent de masquage sont sélectîvement dissoutes ou lessivées en laissant une configuration protectrice d'agent de masquage correspondant--aux dépôts 38, 39 et 40 représentés sur la figure 3. La configuration d'agent de masquage étant ainsi obtenue, la surface su-périeure 36 de la feuille de matériau conducteur 35 est expose à un agent d'attaque Etpproprié de façon que tout le matériau a-ond-ucteur 35 non recouvert par la configuration protec triode d'agent de masquage soit dissoute par l'agent d'attaque. A cet égard, et contrairement à la pratique usuelle L'exposition de la surface supérieure 36 de la feuille 35 peut être prolongée suffisazt#ent longtemps pour qu une elimination de matière formant entaille sous-jacente ait lieu sous les bords de l'agent de masquage protecteur. L'entaille sous-jacente ainsi formée provoque la formation de la section trapézoidale en forme de queue d'aronde des bandes conductrices 16-18 décrites ci-dessus, et représentées sur la figure 4. Les bandes conductrices 16-18 se projettent ainsi d'une feuille d'appui 37, également représentée sur la figure 4. Après le stade d'attaque, la feuille de matériau conducteur est nettoyée pour enlever tout l'agent de masquage et pour laisser, s'étendant vers le haut à partir de la feuille d'appui 37,\une ##multiplicité de bandes conductrices se conformant à la configuration définie par les bandes conductrices 16 à 21 de la figure 1. La feuille 35 une fois attaquée est placée à l'intérieur de la partie inférieure 41 d'un moule designé dans son ensemble sur la figure 5 par le repère 42. La feuille 35 étant ainsi disposée, une plaque de fermeture supérieure 44 est fixée sur la feuille d'appui 37 et sur la partie inférieure 41 de façon à procurer une surface de réaction pour supporter la feuille d'appui 37 lors du moulage qui sera décrit ci-après en détail. Bien que ceci ne soit pas représenté, il est bien entendu que la partie inférieure 41 du moule comporte une saillie centrale s'étendant vers le haut pour former la cavité 15 dans le support de circuits 10. Le moule 42 étant fermé, comme on le voit sur la figure 5, on introduit par l'ouverture 46 un matériau de support, par exemple un matériau isolant fluide. Le matériau de support est introduit de façon à remplir toute la cavité du moule, et notamment pour etablir un contact surfacique avec la surface exposée de la feuille 35. Lorsque ce contact surfacique est établi, on peut voir que le matériau du support peut être disposé à l'intérieur des entailles sous-jacentes préalablement décrites de façon à établir un ancrage mécanique précis et solide des bandes conductrices 16, 17 et 18 dans le matériau support. Lorsque la quantité voulue de matériau support a été introduite dans la cavité du moule, on le laisse prendre et former, avec irélêment conducteur , une structure monobloc solide telle que celle représentée sur la figure 6. Sur la figure 6, correspondant à la vue du support de circuits 10 représentée sur la figure 2, on voit une feuille d'appui 37 solidaire de bandes conductrices 16, 17 et 18 ayant en coupe transversale une fo#rme générale de queue d'aronde. A ce stade de fabrication, on enlève la feuille d'appui 37, par exemple par fraisage, arrachage, meula#ge, attaque chimique, etc... de sorte que les bandes conductrices séparées 16, 17 et î8 sont électriquement isolées. Le 'résultat final de ces opérations est d'obtenir un support de circuits structurellement précis et fonctionnellement stable-lQ Un autre procédé selon l'invention est représenté sur les figures 7 à 11. Sur la figure 7, la feuille de matériau conducteur 50 est un stratifie bimétallique constitué par deux couches de métaux différents, une couche d'appui 51 et une couche conductrice 52. On peut choisir les métaux de la couche d'appui 51 et de la couche conductrice 52 de façon que l'un soit imper mèable à un agent d'attaque qui attaque l'autre, et vice versa. Le. processus de fabrication consiste alors à appliquer sur la surface inférieure 57 du stratifié bimétal 50 une couche de solution d'un agent de masquage photosensible qui peut être une de celles généralement connues dans la technique. On sèche ensuite la solution déposée. Après séchage, on expose la solution séchée à la lumière à travers un modèle négatif obtenu par photographie pourebtenir une configuration de réseau exposée correspondant à la configuration désirée des bandes conductrices 16 à 21 sur la figure 1. Les parties exposées de l'agent de masquage sont ainsi rendues insolubles dans un solvant dans lequel les parties non exposées de oye même agent sont solubles. Les parties non exposées solubles de l'agent de masquage sont sélectivement dissoutes ou lavées en laissant une configuration protectrice d'agent de masquage comportant les dépôts 38, 39 et 40 que l'on voit sur la figure 7. La configuration d'agent de masquage étant ainsi obtenue on expose la surface inférieure 57 du stratifié bimétal 50 à un agent dlattaque qui attaque le matériau de la couche conductrice 52, mais n' attaque pas le matériau de la couche d'appui 51. Le matériau de la-couche conductrice 52 qui n'est pas recouvert par la configuration protectrice d'agent de masquage 38-40 sera dissout par l'agent d'attaque et, contrairement à la pratique habituelle g on laisse exposée la surface inférieure 57 du stratifié bimétal 50 suffisamment longtemps pour attaquer toute# la couche conductrice 52, jusqu'à la couche d'appui 51, excepté bien entendu les surfaces recouvertes par la configuration protectrice d'agent de masquage '38-40. L'exposition de la surface inférieure 57 du stratifié bimétal 50 laisse se réaliser une entaille sous-jacente sous les bords de l'agent de masquage protecteur, provoquant ainsi la formation de bandes conductrices en forme de queues d'aronde en section transversale 53, 54 et 55, déjà décrites, et représentees sur la figure 8. Après le stade d'attaque, le stratifié bimétal 50 est nettoyé pour en enlever tout l'agent de masquage et pour laisser, s'étendant vers le bas à partir de la couche d'appui 51, plusieurs bandes conductrices 53-55, reste de la couche conductrice 52, qui se conforment à la configuration définie par les bandes conductrices 16-21 de la fi##gure 1 Le stratifié bimétal 50 étant ainsi attaqué, il est disposé à l'intérieur de la partie inférieure 41 d'un moule désigné dans son ensemble par 42 sur la figure 9. Le stratifié bimétal 50 étant ainsi placé, on fixe une plaque de fermeture supérieure 44 sur le stratifié bimétal 50 et sur la partie inférieure 41 de façon à procurer une surface de réaction pour supporter le stratifié bimétal 50 pendant le moulage, comme on le verra ci-après. Le moule 42 étant fermé,comme on le voit sur la figure 9 on introduit par l'ouverture 46 un matériau de support 56, par exemple un isolant électrique fluide. Le matériau de support 56 est introduit de façon à remplir toute la cavité du moule, et notamment pour établir un contact surfacique avec la surface exposée du stratifié bimétal 50. Un tel contact surfacique étant établi, on peut voir que le matériau de support 56 est disposé à l'intérieur des entailles sous-jacentes déjà décrites de façon à établir une coopération mécanique précise et solide entre le matériau de support 56 et les bandes conductrices 53-55 du stratifié bimétal 50. Lorsque cesse l'introduction du matériau de support 56 dans la cavité du moule, on laisse prendre ce matériau 56 pour former avec le stratifé bimétal 50, une structure monobloc solide telle que représentée sur la figure 10. Sur cette figure 10, on voit une couche d'appui 51 solidaire de bandes conductrices 53, 54 et 55 ayant des sections en forme générale de queue d'aronde. A ce stade de la fabrication, la couche d'appui 51 est enlevée par l'application d'un agent d'attaque chimique, qui attaque la couche d'appui 51, mais n'attaque pas la m#atière de la couche conductrice 52, qui constitue les bandes conductrices 53 à 55. On peut considérer les structures décrites sur les figures 4 et 8 comme étant un premier produit intermédiaire, en ce que chacune comporte une configuration de bande conductrice fixée à une couche d'appui. Chaque structure est appropriée au procédé de moulage décrit dans les figures 5 et 9, avec enlèvement ultérieur de la couche d'appui par l'une quelconque de diverses techniques. Un autre procédé de fabrication de ce premier produit intermédiaire approprié au moulage est représenté sur les figures 12 à 14. La figure 12 montre un ensemble de conducteurs de configuration donnée estampé ou poinçonné repéré en son ensemble en 58: L'élément de conducteurs estampé 58 comporte des bandes conauctrices 59 à 61. La figure 13 est une vue en coupe transversale à travers les bandes conductrices 59-61 de l'ensemble de conducteurs estam pé 58, et la figure 14 est une vue en coupe transversale montrant cet ensemble 58 fixé sur une couche d'appui 62. Cénéralement, l'ensemble 58 est soudé å la couche d'appui 62, bien que l'on puisse évidemment utiliser d'autres techniques. Comme dans le procédé précité, il peut être avantageux d'utiliser, pour la couche dtappui 62, un métal différent de celui constituant l'ensemble, de conducteurs 58 de sorte qu'un agent d'attaque utilisé pour dissoudre la couche d'appui 62 n'attaque pas l'ensemble 58. En utilisant le premier produit intermédiaire représenté sur la figure 14,, on peut fabriquer le support de circuits complet 10 en utilisant les mêmes stades de moulage et d'enlèvement de la couche dtappui 62 que dans les procédés décrits ci-dessus. On peut utiliser toute technique appropriée pour enlever la couche d'appui 62, y compris l'attaque avec un agent d'attaque qui n'attaque pas le matériau constituant l'ensemble 58, ou bien le fraisage, le meulage' ot toute autre opération cE'usinage. Ozh peut obtenir un ancrage mécanique positif par la coopération du matériau du substrat porteur avec les barbes résultant de l'opération de poinçonnage. En variante, on peut former, par exemple par moletage, une section transversale trapézoldale du type decrit ci-dessus. Cependant, on peut,dans certains cas, obtenir un ancrage suffisant par la coopération surfacique du matériau conducteur avec le matériau du substrat. Ceci évite le besoin de créer des moyens d'ancrage Les figures 15 à 17 représentent un procédé de galvano- plastie pour fabriquer le produit intermédiaire, approprié au moulage.La figure 15 montre une couche d'appui métallique 63, sur laquelle a site applique un agent de masquage de configuration donnée 64-67 qui peut être un agent de masquage photochimique, corme décrit précédemment, La configuration de cet agent de masquage 64-67 est un négatif de la configuration recherchée de bandes conductrices 68-70, représentée sur la figure 16. En d'autres termes les surfaces de la surface inférieure de la couche d'appui 63 sur lesquelles on doit déposer les bandes conductrices 68-70 restent découvertes par la configuration d'agent de masquage 64-67. On recouvre alors par galvanoplastie la couche d'appui 63 et l'agent de masquage associé de configuration donnée 64-67 de façon à produire, sur la couche d' appui 63, une configuration des bandes conductrices définie par la configuration d'agent de masquage 64-67. La figure 16 montre le résultat du processus de galvanoplastie. On doit noter que ce processus est mis en oeuvre pendant un temps suffisant pour que les bandes conductrices 68-70 atteignent une épaisseur supérieure l'épaisseur de la configuration d'agent de masquage 64-67, de sorte que les bandes conductrices 68-70 s'étendent vers l'extérieur par-dessus les bords de la configuration 64-67.Ces prolongements ont pour but, bien entendu, de procurer les moyens d'ancrage pour les bandes conductrices 68-70 lors de leur moulage dans lrélément support. Après galvanoplastie, l'agent de masquage de configuration donnée 64-67 est enlevé pour obtenir un premier produit intermédiaire 71 approprié au moulage préalablement décrit. Ce p#remier produit intermédiaire 7I est representé sur la figure 17, et il comprend une couche d'appui 63 et des bandes conductrices 68-7o. On doit noter que les bandes conductrices obtenues par galvanoplastie 68-70 peuvent être dans la même matière que la couche d'appui 63 bien qu'avantageusement elles puissent être d'une matière différente. En utilisant pour les bandes conductrices 68-70 une matière, par exemple du nickel, différente de celle utilisée pour la couche d'appui #3, qui peut, par exemple être du cuivre, on peut enlever la couche d'appui 63 des bandes conductrices 68-70 par un agent d'attaque chimique qui attaque la matière de la couche d'appui 63 mais non la matière des bandes conductrices 68-70. Bien entendu, on peut mettre en oeuvre le processus de moulage et d'enlèvement de la couche drappui 63 du premier produit intermédiaire 71 par l'un quelconque des procédés préalablement décrits. En se reportant à nouveau au support de circuits de la figure -1, on doit noter que le raccordement électrique à la puce de semi-conducteur ou à la puce discrète 12 s'effectue habituellement par des ressorts-de contact électriques,- qui-vont des terminaisons des bandes conductrices 16-Zl aux zones de contact corres pendantes sur la puce 12. Ces ressorts sont habituellement maintenus en place, et en compression, par une plaque couvercle appliquée sur la combinaison du support cte circuits 10 et de la puce dé semi-conducteur 12. Du fait que les dimensions considérées peuvent être très petites, il est souhaitable de se prémunir contre le risque que ces ressorts entrent en contact l'un avec autre et/ou ne forment pas le contact approprié avec la bande conductrice appropriée. Pour cette raison, il peut être souhaitable de prévoir des nervures de matériau isolant sur la surface supérieure du substrat porteur 14 entre les bandes conductrices 16-21 . De cette manière, chaque ressort reste à l'endroit correct et contacte la bande conductrice et la puce de semi-conducteur dans les zones prévues. Les figures lss à 22 montrent, en coupe transversale, une technique appropriée pour mouler de telles nervures dans le support de circuits 10.Bien que le procédé#soit décrit en consi dérant une attaque photochimique d'une feuille de matériau conducteur alune seule couche, il est évident que ce procédé s'applique également dans l'une des techniques précédemment décrites pour fabriquer le support de circuits 10. La figure B montre, en coupe transversale, une feuille 72 de matériau conducteur sur laquelle est appliquée une configuration protectrice de l'agent de masquage 73-75. Le produit du stade suivant est représenté sur la figure 19. La feuille 72 de matériau conducteur a été attaquée, comme il a'décrit précédemment, pour obtenir une configuration de bandes conductrices 76-78. En outre, la feuille 72 de matériau conducteur a été embou tire pour produire, sur sa surface superieure, des nervures 79-82 et, sur sa surface inférieure, des gouttières 97-100. Celles-ci sont interposées entre les bandes conductrices 76 et 78 le long de celles-ci. La figure 20 montre le procédé de moulage. La feuille 72 de materiau conducteur est placée à l'intérieur de la partie in férieure 83 d'un moule repéré dans son ensemble en 89. La feuille 72 ainsi positionnée, on fixe une plaque de fermeture supérieure 84 ayant des gouttières 85-88 complémentaires des nervures 79-82 de la feuille 72 sur cette dernière et sur la partie inférieure 83, de façon à constituer une surface de réaction pour supporter la feuille 72 pendant. le moulage, comme il sera décrit ci-après en détail. Le moule 89 étant ainsi fermé, comme on le voit sur la figure 20 on introduit par l'ouverture 90 un matériau de support, par exemple un isolant électrique fluide, Ce matériau est introduit de façon à remplir toute la cavité du moule, et en particulier de façon à établir un contact surfacique avec la surface inférieure exposée de la feuille 72. On doit noter que le matériau de support 91 sera positionné a l'intérieur des gouttières 97-100 de la feuille 72 de matériau conducteur. Lorsque l'on a fini d'introduire le matériau 91 dans la cavité du moule, on laisse celui-ci prendre, afin de former, avec la feuille 72 de matériau conducteur, une structure monobloc solide comme il est représenté sur la figure 21. A ce stade de la fabrication, on enlève la partie d'appui de la feuille 72 de matériau conducteur, par exemple par attaque chimique, de sorte que les bandes conductrices séparées 76-78 sont électriquement isolées. En outre, il subsiste des nervures 92-95 moulées d'une seule pièce dans le support de circuit représente en coupe transversale et repéré en 96 sur la figure 22. Les nervures 92-95 servent donc a positionner correctement les ressorts de contact utilisés pour raccorder une puce de semi-conducteur ou une puce discrète aux bandes conductrices 76-78 et on assure leur isolation électrique. Divers autres procédés de fabrication du support de circuits 10 de la figure 1 sont également possibles, par exemple refoulement,-usinage chimique dans une feuille, usinage chimique avec-stratification, formage de fils et stratification, et coulée d'une configuration sur une feuille métallique. Un autre avantage de la présente invention réside dans le fait que, en choisissant de façon appropriée le matériau support, le circuit ainsi formé peut conserver une certaine souplesse ce qui permet de réaliser des circuits électriques à trois dimensions. Par exemple, en choisissant de façon appropriée le matériau du support, on peut enrouler le support de circuits 10 de la figure -2 autour d'un mandrin pour obtenir un circuit électronique cylindrique. Dans cette disposition, les bandes conductrices peuvent se trouver, soit sur la surface intérieure, soit sur la surface extérieure cylindrique. Parmi les avantages importants du support de circuits 10 selon la présente invention, on peut citer (1 > le positionnement précis des conducteurs, à 2,5/100 de mil mètre près. (2 > l'ensemble des circuits de configuration donnée peut être, soit de niveau, soit surélevé, soit en creux, par rapport à la surface supérieure de l'élément support. (3) On peut obtenir des conducteurs relativement épais, allant jusqu'à 8/100 de millimètre, permettant des courants relativement forts et ayant des résistances électriques-très faibles. (4) On peut obtenir un support de circuits isolé à trois dimensions, ce qui permet une grande variété d'utilisations, y compris l'incorporation de certaines parties du circuit entièrement à l1intérieur du support. (5) Le support de circuits terminé peut être stocké longtemps, pratiquement sans limitation avec du mica-verre (6 > le support de circuits est idéal pour l'utilisation répétée dans des cycles de contrôle de combustion, dans la fabrication des puces de semi-conducteurs ; (7 > le support de circuits peut être réutilisé de façon illimitée lorsqu'il est fabriqué à partir de matériaux de support inorganiques. (8) Les conducteurs du support de circuits terminé peuvent être recouverts par galvanoplastie (soit une seule fois, soit de façonrépétitive). (9) Les conducteurs de support de circuits terminé peuvent être usinés rpar exemple soudés, brasés, refoulés, etc... En outre, le support de circuits selon la présente invention peut être réalisé en utilisant comme matériau de support pour former le substrat 14 du mica-verre . Dans ce cas, on obtiens les avantages suivants (1) le support peut être utilisé à des températures élevées'dépassant 300 C ; C2 > ni les conducteurs, ni l'élément support lui-même n'absorbent de l'eau ; (3) le support de circuits ainsi obtenu a une bonne résistance physique et un faible coefficient de dilatation thermique '; ; (4 > le support de circuits terminé peut être facilement usiné t5) le support de circuits a une stabilité dimensionnelle qui s'améliore avec le temps et avec des cycles thermiques répétitifs (6) le support de circuits ne comporte pas de constituants organiques, et de ce fait, peut être utilisé dans des enceintes sous vide sans problèmes de dégagement gazeux (7) Les conducteurs de configuration donnée et le matériau qui les constitue peuvent être à leur tour, remoulés sous forme de pièces rapportées, ce qui donne des possibilités illimitées d'utilisation. Bien que la structure de la présente invention ait été décrite en ne considérant qu'une seule réalisation, à savoir un module dressai et de stockage de circuits, les spécialistes comprendront que l'on peut apporter de nombreuses modifications au support de circuits et à son procédé de fabrication, sans s'écarter de l'esprit et de la portée de l'invention. REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication d'un support de circuits électriques, #caractérisé en ce que (a) on formé un premier produit intermédiaire pour constituer une multiplicité de bandes conductrices en sai##llie par rapport à la surface d'une feuille d'appui, cette multiplicité de bandes conductrices définissant des circuits de configuration donnée (b) on place ce premier produit intermédiaire à l'inté- rieur d'une cavité de moule, de façon à faire se projeter dans la cavité du moule cette multiplicité de bandes conductrices (c) on ferme le moule en plaçant une plaque en contact surfacique avec la surface du premier produit intermédiaire opposée la surface dont se projettent les bandes conductrices (d) on introduit un matériau de support électriquement isolant dans la cavité du moule de façon à remplir cette dernière et amener le matériau du support en contact intime avec les bandes conductrices et avec la surface correspondante de la feuille d'ap pui (e) on fait prendre le matériau du support électriquement isolant pour former un deuxième produit intermédiaire comprenant le matériau du support, les bandes conductrices et la feuille d'appui (f) on sépare ce deuxième produit intermédiaire de la cavité du moule ; et (gÈ on élimine la feuille d'appui de ce deuxième produit intermédiaire de façon à isoler électriquement les bandes conductrices l'une de l'autre. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, danse stade dans lequel on forme un premier produit intermédiaire, (a) on forme des circuits de configuration donnée sur une première surface d'une feuille en un matériau électriquement conducteur (b) et on attaque cette première surface de façon à en enlever une partie dudit matériau électriquement conducteur, de façon à définir ainsi la multiplicité de bandes conductrices. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, dans le stade dans lequel on forme un premier produit intermédiaire, (a)on forme des circuits de configuration donnée sur une première surface de la première couche d'une feuille en stratifié bimétal comprenant la première couche et une deuxième couche, et (b) on attaque la première surface de la première couche de façon à enlever une partie du matériau de la première couche et définir ainsi une multiplicité de bandes conductrices se projetant de la surface correspondante de la deuxième couche, celle-ci définissant la feuille d'appui. 4.- Procédé selon la revendication l, caracterise en ce que, dans le stade dans lequel on forme un premier produit intermédiaire, (a) on estampe une feuille d'un premier métal de manière à former des conducteurs possédant une configuration donnée et (b) on fixe cette feuille estampée à la surface -d'une feuille d'un second métal de façon à définir ainsi la multiplicité de bandes conductrices. 5.- Procédé selon la revendication- 1, caractérisé en ce que, dans le stade dans lequel on forme le premier produit intermédiaire, (a) on forme des circuits de configuration donnée sur une première surface d'une feuille en un matériau électriquement conducteur, et (b) on dépose par galvanoplastie sur cette première surface une multiplicité de bandes d'un matériau électriquement conducteur, de façon à définir ainsi la multiplicité de bandes conductrices. 6.- Procédé de fabrication d'un support de circuits électriques, caractérisé en ce que (a) on forme des circuits de configuration donnée sur une première surface d'une feuille en un matériau électrique- ment conducteur (b > on attaque la première surface de la feuille de matériau conducteur de façon à obtenir un produit intermédiaire ayant une multiplicité de bandes conductrices entaillées de manière sousw ntelelongdeleus bords, se-projetant d'une première surface d'une feuille d'appui, (c > on place ce premier produit intermédiaire à l'inté- térieur de la cavité d'un moule, de façon que la multiplicité de bandes conductrices se projette dans cette cavité de moule d fan ferme le moule en plaçant une plaque en contact surfacique avec la surface de la feuille d'appui du premier produit intermédiaire opposée a la première surface on on introduit un matériau de support électriquement isolant dans cette cavité de moule de façon à la remplir et de façon que le matériau du support vienne en contact surfacique avec les surfaces des bandes conductrices et avec la première surface de la feuille d'appui du premier produit intermédiaire (f) on laisse prendre le matériau du support électrique- ment isolant pour former un deuxième produit intermédiaire ; et Çg) on élimine la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire de façon à isoler électriquement les bandes conductrices. 7 Procédé selon la revendication 6 caractérisé en ce que le stade dans lequel on forme des circuits de configuration damnée sur une première surface d'une feuille de matériau électriquement conducteur comporte un formage photochimique & - Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire comporte une attaque chimique. .- Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le, stade dans lequel on enlève la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire comporte un fraisage. 10.- Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire comporte un meulage. 11.- Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire provoque la formation d'une surface plane comprenant la surface du matériau du support électriquement conducteur et les surfaces des bandes conductrices. 12.- Procedé selon la revendicaticn6, caractérisé en ce que, dan-s le stade dans lequel on introduit le matériau du support électriquement isolant dans la cavité du moule, on introduit du mica-verre dans la cavité du moule 13.- Procédé de fabrication drufl support de circuits electriques, caractérisé en ce que (a) on forme des circuits de configuration donnée sur une première surface d'une feuille en un stratifie bimétallique, ayant une première couche conductrice et une deuxième couche définissant une feuille d'appui (b) on attaque la première surface de la première couche conductrice de la feuille de stratifié bimétallique de façon à obtenir un premier produit intermédiaire ayant une multiplicité de bandes conductrices d'un premier métal, entaillées de manière sous-jacente le long de leurs bords, se projetant d'une première surface de l'élément d'appui (c) on place ce premier produit intermédiaire à l'inté- rieur d'une cavité de moule de façon que la multiplicité de bandes conductrices se projette. dans la cavité du moule (d) on ferme le moule en plaçant une plaque en contact surfacique avec la surface de la feuille d'appui du premier produit intermédiaire opposée la première surface (el on introduit un matériau de support électriquement isolant dans la cavité du moule de façon à la remplir et de façon que ce matériau support vienne en contact surfacique avec la surface des bandes conductrices et avec la première surface de la feuille d'appui du premier produit intermédiaire ; (f) on laisse prendre le matériau de support électri- quement isolant pour former un deuxième produit intermédiaire; et (g) on enlève la feuille drappui constituée par le deuxième métal du deuxième produit intermédiaire de façon à isoler électriquement les bandes conductrices formées dans le premier metal. 14.- Procédé selon la revendication 13, caractér#se en ce que , dans le stade d#ans lequel on forme une configuration de circuit sur une première surface d'une feuille de stratifié bimétallique, le formage est photochimique. 15.-Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève la feuille d'appui constituée en un deuxième métal du deuxième produit intermédiaire comporte une attaque chimique. 16.- Procédé selon la revendication#15, caractérisé en ce que le stade de l'attaque chimique consiste à effectuer une attaque chimique avec un agent d'attaque qui attaque pas le premier métal. 17.- Procédé selon la revendication 13t caracterlsS ce que le stade dans lequel on enlève la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire comporte un fraisage. 18.- Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire comporte un meulage. 19.- Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire provoque la formation d'une surface plane comprenant la surface du matériau de support électriquement isolant et les surfaces des bandes conductrices. 20. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le stàde dans lequel on introduit le matériau de support électriquement isolant dans la cavité du moule, consiste à introduire du mica-verre dans la cavité du moule. 21.- Procédé de fabrication d'un support de circuits électriques, caractérisé en ce que (a) on estampe une feuille d'un premier nétal de manière à obtenir des conducteurs ayant une configuration donnée ; (b) on fixe la feuille estampée sur une feuille d'appui en un deuxième métal de façon à obtenir un premier produit intermédiaire ayant une multiplicité de bandes conductrices en le premier métal se projetant de la feuille d'appui en le second métal ('c > on place ce premier produit intermédiaire à l'in térieur #de la cavité d'un moule de façon que la multiplicité de bandes conductrices se projette dans cette cavité de moule (dt -on ferme le moule en plaçant une plaque en contact surfacique avec la surface de la feuille d'appui du premier produit intermédiaire opposée à la première surface (et on introduit un matériau de support électriquement conducteur dans la cavité du moule de façon à la remplir et de façon que le matériau de support vienne en contact surfacique avec les surfaces des bandes conductrices et avec la première surface de la feuille d'appui du premier produit intermédiaire Cfr on laisse prendre le matériau de support électri- quement isolant pour former un deuxième produit intermédiaire ;; et (gÈ on enlève du deuxième produit intermédiaire la feuille d'appui en le second métal de façon à isoler électrique- ment les bandes conductrices du premier métal. 2 Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que le stade dans lequel on fixe la feuille estampée sur la feuille d'appui s'effectue par soudage. 23.- Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que- le stade dans lequel on enlève du deuxième produit intermédiaire la feuille d'appui en le second métal comporte une attaque chimique. 24.- Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que le stade d'attaque chimique consiste à procéder à une attaque chimique avec un agent d'attaque qui n'attaque pas le premier métal. 25.- Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève du deuxième produit intermédiaire la feuille d'appui en le second métal comporte un fraisage. 26.- Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève du deuxième produit intermédiaire la feuille d'appui en le second métal comporte un meulage. 27.- Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève du deuxième produit inter médiaire la feuille d'appui en le second métal provoque la formation d'une surface plane comprenant la surface# du matériau de support électriquement isolant et les surfaces des bandes conductrices. 28.- Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que le stade dans lequel on introduit le matériau de support électriquement isolant dans la cavite du moule consiste à introduire du mica-verre dans cette cavité de moule. 29.- Procédé de fabrication d'un support de circuits électriques, caractérisé en ce que (a) on forme une configuration de circuit sur une première surface d'une feuille d'un matériau électriquement conducteur (b)on dépose par'galvano-plastie sur la première surface de la feuille de matériau électriquement conducteur une multiplicité de bandes conductrices, entaillées de maniere sous-jacente le long de leurs bords et se projetant de la première surface de la feuille de matériau électriquement conducteur, celle-ci définissant une feuille d'appui pour les bandes conductrices et coopérant avec elles pour definir un premier produit intermédiaire I. (c) on place le premier produit intermédiaire à l'in trieur de la cavité d'un moule de façon que la multiplicité de bandes conductrices se projette dans cette cavité de moule (d > on ferme le moule en plaçant une plaque en contact surfacique sur la surface de la feuille d'appui du premier produit intermédiaire opposée à la première surface (e# on introduit un matériau de support électriquement isolant dans la cavité du moule de façon à remplir cette dernière et de façon que le matériau de support vienne en contact surfacique avec les surfaces des bandes conductrices et avec la première surface de la feuille d'appui du premier produit inter médire (f > on laisse prendre le matériau de support électrique- ment isolant pour former un deuxième produit intermédiaire ; et eqF on enlève cette feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire de façon à isoler électriquement les bandes conductrices. 30*- Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que le stade dans lequel on forme une configuration de circuits sur se première surface d'une feuille de matériau électriquement conducteur comporte un formage photochimique. 31.- Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire comporte une attaque chimique 32.- Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que le star'#e dans lequel on enlève la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire comporte un fraisage. 3 Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que le stade- dans lequel on enlève la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire comporte un meulage. 34- Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève la feuille d'appui du deuxième produit intermédiaire provoque la formation d'une surface plane comprenant la surface du matériau de support électriquement isolant et les surfaces des bandes conductrices. 35.-Procédé selon la revendication 29 caractérisé en ce que le stade dans lequel on introduit le matériau de support électriquement isolant dans la cavité du moule consiste à introduire du mlica-verre dans cette cavité de moule 36.- Procédé de fabrication d'un support de circuits électriques, caractérisé en ce que (a) on forme une configuration de circuit sur une première surface d'une feuille d'un matériau électriquement conducteur ;; (b) on attaque la première surface de la feuille du matériau conducteur de façon à obtenir un premier produit intermédiaire ayant une multiplicité de bandes conductrices, entaillées de manière sous-jacente le lon#g de leurs bords, se projetant d'une première surface de la feuille d'appui (c) on emboutit cette feuille d'appui de façon-à produire une multiplicité de nervures sur la surface de la feuille d'appui opposée à la première surface et une multiplicité de gouttieres sur cette première surface de la feuille d'appui entre les bandes conductrices; (d) on place le premier produit intermédiaire à l'inté- rieur de la cavité d'un moule de façon que la multiplicité de bandes conductrices se projette dans cette cavité de moule ;; (e) on ferme le moule en plaçant une plaque en contact surfacique sur la surface de la feuille d'appui du premier produit intermédiaire opposée aux bandes conductrices, cette plaque ayant des gouttières complémentaires des nervures sur la surface de la feuille d'appui opposée à la première surface (f) on introduit un matériau de support électriquement isolant dans la cavité du moule, de façon à remplir cette dernier et de façon que ce matériau de support vienne en contact surfaces que avec les surfaces des bandes conductrices et avec la première surface de la feuille d'appui du premier produit intermédsaire ; (g) on laisse prendre le matériau de support électrique- ment isolant pour former un -deuxième produit intermédiaire ; et (h) on enlève du second produit' interméaiaiue la feuille d'appui de façon à isoler électriquement les bandes conductrices. '37.- Procéda selon la revendication 36, caractérisé en ce que le stade dans lequel on forme des circuits de configuration donnée sur une première-surfacè d'une feuille de matériau electriquement conducteur comporte un formage photochimique. 38.- Procédé selon la revendication 36, caractérisé en ce que le stade dans lequel on enlève du deuxième produit inter mediaire la feuille~ d'appui comporte une attaque chimique. 39.-- Procédé selon la revendication 36, caractérisé en ce que le stade dans lequel on introduit le matériau de support électriquement isolant dans la cavité du moule consiste à introduire du mica-verre dans cette cavité de moule. 40.- Support de circuits, caractérisé en ce qu'il comprend (a) un substrat porteur, ce substrat étant en un matériau électriquement non conducteur, physiquement stable, et présentant une ouverture formée sensiblement au centre à l'intérieur du substrat (b) une multiplicité de bandes conductrices solidarisées de ce substrat porteur, ces bandes conductrices définissant chacune un trajet électrique entre un bord périphérique du substrat porteur et cette ouverture, ces bandes conductrices ayant une section transversale généralement trapézoidale de façon à déterminer une grande base et une petite base parallèles, la petite base étant dans le même plan qu'une surface du substrat porteur. 41.- Support de circuits selon la revendication 40, caractérisé en ce que le matériau électriquement non conducteur et physiquement stable est du mica-verre.