Brevet FR2301040A1 — publié le 19760910

La présente invention se rapporte à un élément formant pellicule électrophotographique. On connaît un élément formant pellicule électrophotographique qui peut non seulement être utilisé dans le mêse but que les éléments xérographiques et électrofax classiques, mais qui peut également être utilisé de la même façon que les pellicules photographiques à émulsion à l'halogénure d'argent. La pellicule électrophotographique se compose d un revêtement en pellicule mince d'une substance inorganique, photoconductrice, électroniquement anisotrope, conte du sulfure de cadmium pulvérisé à haute fréquence, lié ou collé à une couche en pellicule mince d'un matériau ohmique, comme de l'oxyde indium qui, son tour, est lié ou collé à un élément mince et stable formant substrat, de préférence en une feuille en matière plastique flexible. L'épaisseur du revêtement photoconducteur est de l'ordre de SOOOAngstrass, celle de la couche oblique est de tordre de 500Angstroms et celle de l'élément formant substrat est de l'ordre d'une fraction d'un millimètre.L'élément électrophotographique résultant a une surface dure et résistant à l'usure, est très transparent et est flexible malgré le fait que le revêtement est microcristallin. Il a un gain photoélectrique élevé, avec la vitesse et ra sensibilité, pour permettre son utilisation pour la photographie rapide. Tel quel, il peut accepter une charge d une vitesse rapide, et la conservera de façon sélective après exposition, pour permettre un virage pratique avec une graduation presqu'infinie de valeurs de pigments. Il est néanmoins souhaitabIe d'améliorer cet élément électrophotographique déjà supérieur. En conséquence, la présente invention a pour but de créer un élément électrophotographique du type comprenant un moyen formant substrat, un revêtement en pellicule mince en une substance photoconductrice, totalement inorganique, pulvérisée à haute fréquence, sur ce moyen formant substrat, le revêtement étant très dense, microcristallin, sensiblement transparent, ayant une résistivité à l'obscurité d'au moins 1012 ohr-centjbtrs, et un rapport entre la résistivité à l'obscurité et la résistivité à la lumière d'au moins 104, il peut accepter une charge rapide et la conserver, pour permettre le virage et il est électriquement anisotrope; une couche en pellicule mince en matériau oblique est prise en sandwich entre le revêtement et le moyen formant substrat, pour faciliter la charge de ce revêtement avant son exposition; on prévoit un mo- yen améliorant la liaison, comprenant une couche formant pellicule ultra-mince en une matière transparente totalement inorganique entre la couche ohmique et le moyen formant substrat. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractE- ristiques, détails et avantage de celle-ci apparaîtront mieux au cours de la description explicative qui va suivre en se reportant au dessin schématique annexé donné uniquement à titre d'esenplt illustrant un mode de réalisation et dans lequel - la figure unique représente une vue en coupe scbeiatique de la pellicule électrophotographique selon la présente invention. Avant de se reporter au dessin pour une description détail lée de la présente invention, certaines expressions utilisées ciaprès dans la technique, pour définir des phénomènes observés doivent être revues. L'expression "pellicule mince" est utilisée ici. En rbgle générale, la littérature scientifique tente, de certaines façons de définir une pellicule mince en termes des propriétés de la substance dont il est question, attirant l'attention sur ces propriétés, contrairement aux propriétés de la même substance en vrac ou en bloc. Ces dernières sont appelées ici "propriétés en vrac ou enblec!. En parlant en termes relativement simples, certains matériaux agissent différemment lorsqu'ils sont constitués comme une "peaux ou comme un "corps". On peut par exemple se reporter à une publication intitulée "Thin films" de Leaver & Chapman, Wykeham Publications Ltd (Londres) 1971, pour une discussion générale des différences entre les propriétés en pellicule mince et en vrac du même type de maté- riau. Dans cette publication, l'épaisseur d'une "pellicule mince" est indiquée comme étant "habituellement inférieure a un micron"'. Cette définition générale est requise étant donné portance du sujet couvert par cette publication. Si l'on considère les buts et les nécessités des structures ou une certaine catégorie de matériaux doit être utilisée, les limites entre les propriétés de la pellicule mince et les propriétés en vrac doivent prendre ces buts et ces nécessités en considération. Les propriétés qui n'ont pas d'importance ou d'intérêt pour la so- lution d'un problème, n'entrent pas en ligne de compte, et par con séquent ne doivent pas établirlescritères physiques. Par exemple, si un changement radical de la propriété de réflexion du son d'un certain matériau se produit lorsque le matériau a une épaisseur de l'ordre de 2u et moins, étant donné l'effet pelliculaire, alors si ce matériau doit être utilisé dans un environnement utilisant la propriété de réflexion du son, il présente un effet de pellicule mince.Par ailleurs, si la résistivité de ce matériau identique change radicalement uniquement lorsque son épaisseur diminue à 0,5in ou moins, alors, pour les conditions d'utilisation dans lesquelles sa résistivité est importante, le matériau est toujours un matériau en vrac pour des épaisseurs supérieures à environ 0,5u. L'utilisation des matériaux mis en cause ici, se rapporte à plusieurs propriétés, qui sont bénéfiques et avantageuses pour la présente invention, et la signification de l'expression "pellicule mince" utilisée ici, ne se rapportera qu'à ces propriétés, quelque soient les propriétés de tout autre matériau pour tout autre but, pouvant avoir été appelé pellicule mince à des épaisseurs autres que celles qui seront définies. L'expression "pellicule mince", lorsqu'elle est utilisée ici, signifie une épaisseur à laquelle les propriétés souhaitées du matériau en question cessent d'agir comme des propriétés en vrac et commencent à agir comme celles d'une pellicule mince.Dans tous les exemples connus qui ont réellement été effectués, l'épaisseur est sensiblement inférieure à 1 micron (10.000 Angstroms), et très peu des revêtements ou couches essayés dépassaient 5.000 Angstroms. En conséquence, on considérera qu'une "pellicule mince" a une épaisseur sensiblement inférieure à un micron. L'expression "gain photoélectrique" utilisée ici a une signification qui nécessite une explication. La vitesse et lleffica- cité d'un élément électrophotographique se rapportent directement aux "paires trou-électron" produites lorsqu'il est soumis à la lumière. Dans les revêtements photoconducteurs selon l'art antérieur, utilisés dans la technique de xérographie ou en électrofax, il faut beaucoup de photons (lumière extrêmement brillante) pour produire une seule paire "trou-électron". Le nombre est généralement supérieur à un millier. Il s'ensuit que, si une pellicule électrophotographique peut produire une paire trou-électron lors de llinciden- ce d'un seul photon, ou même deux photons, son "gain photoélectrique" est très important.En conséquence, pour obtenir une expression du gain des éléments électrophotographiques du type concerné ici, le terme "gain photoélectrique élevé" sera destiné à signifier une condition dans laquelle, au plus, plusieurs photons sont requis pour produire une seule paire trou-électron. Le terme "gain photoélectrique élevé" implique également la capacité de l'élément auquel le terme s'applique, de permettre la recombinaison des paires résultantes dans la décharge. L'expression "pellicule électrophotographique" ou "pellicule photographique" utilisée ici, est destinée à indiquer un article complet, avec plusieurs couches, à utiliser dans un procédé photographique. Pour indiquer le substrat, ou l'élément formant substrat, ou le moyen formant substrat,on n'utilisera pas le mot "pellicule", bien que le substrat envisagé selon la présente invention puisse être considéré comme une pellicule dans le sens ordinaire du mot. Comme on peut le voir, il est préférable que le substrat soit un élément transparent, mince et flexible en une feuille en matière plastique, couramment connue sous le nom de pellicule en matière plastique. La pellicule électrophotographique selon la présente invention comprend un revêtement en pellicule mince en une substance photoconductrice, totalement inorganique, cristalline, pulvérisée en haute fréquence, recouvrant une couche en pellicule mince en un matériau ohmique ou conducteur, qui, à son tour, est liée à un revêtement ultra-mince dans la même substance photoconductrice pulvérisée à haute fréquence que celle ci-dessus mentionnée appliquée au moyen formant substrat. La forme préférée du moyen formant substrat est une feuille mince, flexible, isolante en matière plastique à grande stabilité, comme du terphtalate de polyéthylène (vendu sous la marque bien connue de "Mylar"). La couche ou revêtement photoconducteur 12 est l'élément le plus important de la pellicule électrophotographique selon la présente invention, ainsi que de la pellicule de base, car il représente les caractéristiques fonctionnelles et physiques qui rendent cette pellicule avantageuse par rapport à celles de l'art antérieur. Le matériau dont la couche ou le revêteent photoconducteur est fait, et qui sera décrit en détail ci-dessous, est l'un des composés photoconducteursconnus. Ces composés ont été utilisés dans le passé, mais d'après ce que l'on sait, ils n'ont pas été incorporés avec succès dans un élément électrophotographique ayant les propriétés de l'élément du type concerné ici. Par exemple, le composé préféré qui sera expliqué avec des détails considérables cidessous est le sulfure de cadmium. Ce composé a été incorporé dans des revêtements photoconducteurs épais réduits en fragments, et enfouis dans des matrices organiques, et il a même été pulvérisé de façon réactive en formant des revêtements totalement inorganiques, mais sans obtenir les résultats avantageux de l'élément électrophotographique indiqué ici. Comme les éléments électrophotographiques antérieurs du type concerné, on a obtenu ici les meilleurs résultats avec le sulfure de cadmium (Cds). Il y a d'autres matériaux photoconducteurs appropriés, comme le sulfure de zinc-indium (ZnIn2S4), le trisulfure d'arsenic (As2S3), le sélénure de zinc (ZnSe), le sulfure de zinc (ZnS), le tellure de zinc (ZnTe), le sélénure de cadmium (CdSe) le tellure de cadmium (CdTe), l'arsenure de gallium (GaAs), le trisulfure d'antimoine (Sb2S3) et peut-être d'autres. Les caractéristiques de l'élément électrophotographique selon la présente invention sont données ci-après. Le recouvrement photoconducteur est totalement inorganique et microcristallin, et a plusieurs milliers d'Angstroms d'épaisseur. Les seuls revêtements de sulfure de cadmium utiles connus, étaient des mélanges avec des liants organiques et des matrices, d'une épaisseur importante, et peu transparents ou peu flexibles. Le revêtement photoconducteur selon la présente invention est, de façon délibérée, rendu cristallin et mince, de l'ordre de 3.500 A à 5.000 A d'épaisseur, et il est ainsi extrêmement flexible et transparent. La conduction d'électrons et de trous à travers le revêtement est améliorée par la façon dont il est produit.On pense que les cristaux sont orientés verticalement, c'est-à-dire perpendiculaires à la surface sur laquelle ils sont déposés, provenant d'un procédé de pulvérisation dans lequel un second espace noir est établi entre le plasma et l'anode, en plus de l'espace noir de la cathode,obtenu de façon classique en utilisant des techniques de pulvérisation à haute fréquence. On trouvé que "l'effet de bordure" caractérisant la xérographie selon l'art antérieur, par exemple, était éliminé à un degré important, en virant la surface de la couche photoconductrice 12 selon la présente invention. Dans cet "effet de bordure", le centre de la reproduction d'une image a une zone solide pigmentée qui est clai- reetlesbords sont sombres. Plus la zone est grande, et plus sont évidents les résultats de "l'effet de bordure", si bien que les zones solides importantes qui doivent être noires partout, ressortent au centre. I1 est impossible de reproduire des photographies avec même une fraction de leur qualité d'origine, sans utiliser des écrans relativement grossiers recouvrant l'original.Les originaux négatifs, c'est-à-dire les documents qui sont illustrés sous forme de lignes blanches et fines sur un fond noir, ne peuvent entre reproduits avec les procédés modernes de xérographie et électrofax, étant donné cet "effet de bordure". La pellicule électrophotographique selon la présente invention peut reproduire avec fidélité des documents et des photographies, sans utiliser d'écran intermédiaire et sans sollicitation du vireur. Cela comprend des négatifs qui ressortent clairs et nets, sans "effet de bordure". La sollicitation du vireur élimine pratiquement tous les vestiges de "l'effet de bordure", rendant possible la qualité la plus élevée de reproduction photographique.En fait, la qualité dont le revêtement photoconducteur 12 est capable, est supérieure à celle pouvant être obtenue de nos jours avec les photographies les plus ordinaires, parce que ces dernières ont un grain de dimension macroscopique, tandis que les seuls factèurs de limitation de la texture des images reproduites sur le revêtement 12 est la dimension des particules du vireur et la dimension des cristaux formant le revêtement. De façon type, ces deux dimensions sont de l'ordre d'une petite fraction d'un micron, c'est-à-dire microscopiques. On pense que cet avantage est obtenu parce que chaque cristal est perpendiculaire au substrat, et forme un champ individuel lorsqu'il est affecté par les électrons à sa proximité. Les particules de vireur sont ainsi attirées par les myriades de champs, et non pas vers les zones oû les gradients entre la présence et l'absence de charge sont les plus grandes. Cette dernière condition est la raison pour "l'effet de bordure" couramment trouvé Comme exempledelaflexibilité que l'on obtient, lorsque les couches photoconductrice et ohmique sont déposées sur une feuille de polyester flexible de 0,127mm d'épaisseur, la pellicule électrophotographique résultante peut être enroulée sur un cylindre de 6,4mm de diamètre, sans craquer, même si la couche photoconductrice est cristalline.La capacité de la pellicule électrophotographique d'être enroulée sur des cylindres ayant quelques millimètres de diamètre, représente la capacité de transport de cette pellicule, dans des machines de-manipulation et d'eí+zon sans aucun problème. Une autre caractéristique se rapportant au fait que la couche 12 est inorganique, mince et cristalline, est sa densité et sa dureté extrêmes. On amentionné ci-dessus que la surface était aussi dure que du verre. La résistance à l'usure est importante, pour manipuler la pellicule, car cela évite les rayures, les éraflures et analogues, qui peuvent provoquer la perte du détail et des données, en particulier pour les sujets fins. Dans la fabrication d'une pellicule électrophotographique, on ne rencontre aucune difficulté lorsqu'il est nécessaire de la déplacer par friction, par engagement de la surface avec des rouleaux et analogues. On pense que la résistance à l'usure du revêtement photoconducteur 12 se rapporte à la densité du composé occasionnée par la façon dont il est déposé. Cela améliore également radicalement les propriétés électriques par rapport aux revêtements connus. Le matériau est électriquement anisotrope,étant donné sa minceur et ses propriétés de semi-conducteur, parmi d'autres raisons. Cela signifie que le matériau, au moins durant une période de temps importante, conservera une charge non uniforme qui lui sera appliquée ou qui y sera produite, qui est requise dans son utilisation de façon électrophotographique comme un photo-conducteur. Cela signifie également que l'on peut produire avec précision et fidèlité le motif de résolution le plus fin dans l'image latente. Le revêtement 12 a une caractéristique de gain photoélectrique élevé (comme défini ci-dessus). Ainsi, au lieu du nombre important de photons nécessairesnour créer une paire trou-électron dans les photoconducteurs selon l'art antérieur, il ne faut qu' un ou deux photons pour entraîner les porteurs de charge vers les cen tres de recombinaison, ce qui produit un revêtement ayant une effi cacité électrophotographique bien plus importante. Ce mécanisme est ce qui est appelé "gain" ici. Le "gain" des pellicules dopées selon la présente invention est supérieur de plusieurs fois à celui d'une pellicule non dopée. La caractéristique de gain élevé est importante, parce quille augmente la sensibilité de la pellicule électrophotographique du type concerné, à un point où elle atteint les sensibilités des pellicules photographiques les plus rapides, mais sans nécessairement produire la même perte de détails dfleà un grain important. Il n'y a pas de grain dans le matériau selon la présente invention, la structure cristalline étant microscopique. On pense que l'augmentation du gain du matériau photoélectrique du type concerné, est le résultat de la libération d'électrons libres de niveaux d'énergie dans la bande interdite du photoconducteur, et se rapporte exponentiellement à la minceur du photoconducteur. En d'autres termes, plus la couche est mince, plus la libération d'électrons est grande et plus la pellicule électrophotographique est sensible. Comme l'absorption de photons de lumière est nécessaire pour décharger le revêtement photoconducteur, il est clair qu'il doit y avoir un certain degré de possibilité d'absorption de lumière visible ou autre rayonnement électromagnétique par le revêtement photoconducteur. Par ailleurs, le gain est plus élevé pour des revêtements plus minces. Il est clair que l'épaisseur de la couche 12 doit être telle qu'il y ait suffisamment de matériau pour obtenir les qualités souhaitées de possibilité d'absorption de la lumière et de résistance à l'usure, tout en étant assez mince pour donner le gain souhaité. On peut déposer une épaisseur de couche donnant le gain maximum avec le minimum d'épaisseur pratique. Cela est facilement vérifiable de façon expérimentale, pour tous matériaux donnés, en mesurant l'absorption lumineuse et en détectant la résistance à l'usure par un moyen approprié, en continuant à déposer le matériau jusqu'à ce qu'un compromis pratique soit obtenu entre ces qualités et le gain photoélectrique souhaité Dans tous les cas, les nécessités d'absorption lumineuse doivent être obtenues. Le revêtement photoconducteur 12 a une résistivité importante à I'obscurité, qui améliore la possibilité d'acceptation de la charge et la rétention de la charge. Le revêtement au sulfure de cadmium, qui est le revêtement photoconducteur préféré, est de fa çon inhérente du type n et, dans sa forme la-plus pure, lorsqu'il est déposé selon le procédé décrit, il a une résistivité à l'obs- -curité de 1012 à 1014 ohm-centimètres. Sa résistivité à la lumière est de l'ordre de 108 ohm-centimètres.Son mtermJle d'énergie est de l'ordre de 2,45 eV.Ces mesures de résistivité sont statiques, et sont faites par des procédés connus consistant à relier des électrodes à la surface ou aux surfaces du revêtement photoconducteur, à appliquer une tension en courant continu, à mesurer le courant et à calculer les valeurs de façon géométrique. Les mesures de résistivité à l'obscurité sont faites dans l'obscurité. Cependant, il faut r-emarquer que cela est effectué sans charge sur la couche photoconductrice. Comme la couche photoconductrice du type concerné est très mince, lorsque la charge est appliquée à sa surface, elle entre dans cette surfaceetentraîne des porteurs libres vers la couche ohmique. Son effet est senti de façon importante à travers la couche photoconductrice. En l'absence de ces porteurs, pendant la période après la charge, la décharge est empêchée, et la résistivité à l'obscurité est augmentée.On peut effectuer une mesure dynamique de la résistivité à l'obscurité, en considérant que la caractéristique de dégradation à ltobscurité est la décharge RC classique d'un condensateur, et en comparant une telle caractéristique à la caractéristique calculée et représentée graphiquement pour différentes résistivités. On a déterminé, en utilisant de telles techniques, que la résistivité à l'obscurité d'une couche en sulfure de cadmium selon la présente invention, qui a été chargée est sensiblement accrue , au moins plusieurs fois au début de la caractéristique, jusqu'à 1000 fois ensuite. Evidemment, le rapport dynamique entre la résistivité à l'obscurité et à la lumière augmente également. Ci-après, les résistivités seront considérées comme étant statiques. Comme indiqué, la résistivité à l'obscurité est de 1012 à 1014 ohm-centimètres et plus. Autant qu'on le sache, les résis tivitésd'e'1ements photcconaucteius relativement plus épais, de types autres que les éiémentsélectrophotogtaphiques concernés,sent les mêmes ou quelque peu différentes qu'elles soient considérées de façon statique ou dynamique. La résistivité élevée à l'obscurité du revêtement 12, représente un matériau isolant excellent; le rapport élevé entre la résistivité à l'obscurité et la résistivité à la lumière, est de l'ordre de 105, représente un changement radical de la résistance. Cerevêtementauneépaisseurdel'ordrede3.500 X et une transmissivité optique entre 70% et 85%. L'augmentation de conductibilité lorsqu'il est illuminé, se rapporte à là sensibilité du revêtement. Le sulfure de zinc-indium, l'un des autres composés photoconducteurs utiles, a une résistivité à l'obscurité à peu près du ême ordre que le sulfure de cadmium, avec une résistivité à la lu misère quelque peu plus élevée, si bien que le rapport n'est pas aussi important .1' i d'énergie du sulfure de zinc-indium est de l'ordre de 2,3. Sa performance comme revêtement photoconducteur n'est pas aussi bonne que celle du sulfure de cadmium, au moins dans les pellicules électrophotographiques qui ont été éprouvées en utilisant le sulfure de zinc-indium comme couche photoconductrice. Bien que cela ne soit pas requis, le sulfure de cadmium peut être dopé avec des dopants connus comme, par exemple, des quantités minuscules de cuivre, d'iode et analogues, pour créer des porteurs supplémentaires d'électrons. Cela doit rendre le revêtement encore plus du type n que le sulfure de cadmium pur, et donner un gain pulls important. On comprendra que les proportions des éléments formant la couche photoconductrice doivent être corrects du point de vue stoechiométrique et cela est obtenu en contrôlant les conditions du dépôt. Les proportions du dopant, si on en utilise, doivent également être contrôlées, mais comme toute la couche est inorganique, des procédés classiques de contrôle rendent cela possible et relativement facile. Le revêtement photoconducteur du type décrit, qui est fait de sulfure de cadmium est pratiquement panchromatique. Le revêtement photoconducteur selon la présente invention, ainsi que l'élément électrophotographique selon l'art antérieur du type décrit, est facilement déposé de la façon spéciale qui lui donne ses propriétés inhabituelles. Cela garantit une déposition uniforme et une production contrôlée à grande vitesse. Pour chaque cas, le revêtement photoconducteur 12 est déposé par pulvérisation en haute fréquence dans une chambre sous vide. Tous les matériaux qui doivent former le revêtement, qu'il y ait des dopants ou qutil n'y en ait pas, sont introduits dans la chambre sous vide. Les matériaux sont introduits soit par une cible consommable, ou par des gaz ou des composés sublimés introduits dans l'atmosphère du récipient après que le procédé a débuté. On contrôle facilement des proportions correctes du point de vue stoechiométrique, par des techniques qui sont connues, pour obtenir un produit pratiquement parfait et uniforme. La pulvérisation de la couche photoconductrice 12 est une partie critique de la présente invention parce que, le perfectionnement important par rapport à l'art antérieur est obtenu en établissant un second espace obscur. Cela peut être effectué en reliant le circuit haute frequence de l'appareil de pulvérisation selon un agencement de polarisation. Dans certains cas, le second espace obscur peut être auto-induit. Les caractéristiques qui ont été décrites ci-dessus ne sont pas exclusives, mais on pense qu'elles sont les plus importantes. De nombreux avantages sont obtenus concouramment, soit par suite des caractéristiques qui ont été mentionnées, ou en plus. La couche ohmique 14 est une couche conductrice qui est déposée sur l'élément 16 formant substrat, avant d'y déposer la couche photoconductrice 12. Sôn premier but est de faciliter la charge de la surface de la couche photoconductrice.Ellepeut également servir à aider à relier la couche photoconductrice à élément formant substrat. Dans les cas où on utilise une couche ou revêtement 12 du type p , la couche ohmique 14 peut aider à la décharge. Lorsqu'on utilise le revêtement 12 pour produire une pellicule électrophotographique, la couche 14 est transparente. La couche ohmique est beaucoup plus mince que la couche photoconductrice 12 et elle a de préférence de l'ordre de 500 Angstroms d'épaisseur. Cette épaisseur n'interférera pas avec la transparence ou la flexibilité de la pellicule électrophotographique finale. Elle forme l'interface entre la couche photoconductrice 12 et l'élément 16 formant substrat. Elle sert d'élément du circuit capacitif durant la charge de la surface du photoconducteur. Un oxyde d'indium semi-conducteur d'un degré de pureté, qu'il soit seul ou combiné avec un faible pourcentage (environ 10%) d'oxyde d'étain, est un matériau approprié pour la couche ohmique 14. il est facilement collé à des bords en aluminium ou bandes conductrices. il est également facilement et de préférence appliqué par des techniques de pulvérisation, dans le même appareil que celui qui est utilisé pour appliquer la couche photoconductrice. Ce dernier procédé est celui utilisé pour effectuer le mode de reali- sation pratique de la présente invention. On peut utiliser une déposition à la vapeur ou sous vide, mais cela ne formera probablement pas une couche aussi dense et aussi lisse et elle ne sera pas aussi bien reliée au substrat. L'élément 16 formant substrat est le support mécanique de la couche photoconductrice 12, de la couche ohmique 14 et, comme on le verra, de la couche 18 améliorant la liaison. Ses propriétés mécaniques sont la flexibilité, la résistance, la transparence, la capacité d'adhérer aux couches déposées et celle qui est de grande importance, la stabilité. La stabilité indique la stabilité dimensionnelle, la stabilité pour conserver l'épaisseur, la stabilité pour résister à tout changement pouvant se produire lorsqu'il est soumis à des températures et phénomènes électriques se produisant dans le récipient sous pression durant les procédés de déposition. La résistance à l'usure est une bonne propriété à inclure lorsque l'on choisit le matériau du substrat. On a mentionné ci-dessus, comme exemple de substrat satisfaisant, une feuille de terphtalate de polyéthylène ayant 0,127 mm d'épaisseur. Ce matériau est un polymère organique. On peut citer, comme matériau ayant des caractéristiques excellentes, celui fait par la firme E.I. duPont de Nemours et vendu sous la dénomination commerciale "Mylar". Il est de préférence préférable que les contraintes internes soient supprimées avant l'utilisation, le procédé étant appelé la normalisation. Cela peut être effectué en soumettant la pellicule à une température de l'ordre de 19Q C durant une période de l'ordre de 30 minutes. De telles étapes sont connues. Le matériau du substrat ne doit pas avo-ir de gaz occlus et ces derniers peuvent être enlevés en les dégazant dans des chambres appropriées. De même, la feuille doit être parfaitement propre. Les descriptions ci-dessus donnent les détails concernant les éléments principaux de la pellicule électrophotographique 10 du type concerné. En particulier, un aspect majeur du perfectionnement selon la présente invention se rapporte à la prévision d'un élément formant pellicule électrophotographique ayant une couche de laison 18 ultra-mince, c'est-à-dire ayant de l'ordre de50à 300 d'épaisseur, qui est déposée directement sur le substrat entre la couche ohmique 14 et le substrat 16. L'affinité adhésive entre le substrat et les couches ohmique 14 et photoconductrice 12 respectivement, qui le recouvrent, est améliorée. La couche de liaison 18 est formée de sulfure de cadmium pulvérisé à haute fréquence directement sur le substrat, dans les conditions employées pour le dépôt de la couche photoconductrice 12.On remarquera que l'épaisseur de cette couche de liaison est d'un ordre qui n' est pas facilement mesurable, même par des techniques interferométriques, mais on peut l'estimer par comparaison avec l'épaisseur mesurable du revêtement photoconducteur déposé. La couche ohmique 14 ayant de préférence de l'ordre de 300 X d'épaisseur, est pulvérisée à haute fréquence sur la couche de liaison 18, et la couche photoconductrice 12 en sulfure de cadmium est pulvérisée à haute fréquence sur la couche ohmique 14. On pense que la couche de cadmium 18 fait effectivement partie du substrat, mais son épaisseur est telle qu'elle n'a pas d'effet discernable sur la transparence totale de l'élément formant pellicule. Comme ilustré sur la figure, en utilisation, un contact peut être effectué en 19 avec la couche ohmique, parce que la couche photoconductrice n'est pas coextensive avec cette couche ohmique, laissant une partie exposée. Le repère 20 signifie unealimentation haute tension et le repère 21 représente un générateur d'effet corona, le circuit étant symbolique d'un circuit de charge pour soumettre la couche de pellicule mince photoconductrice 12 à une charge de surface. Le repère 21 n'est pas destiné à représenter une nille. La cathode ou cible d'un tel appareil est formée du matériau dont la couche doit être effectuée, ou de plusieurs des éléments à utiliser. On peut ajouter d'autres éléments par introduction dans la chambre. Dans un exemple effectué à titre d'épreuve, la cathode était en oxyde d'indium d'un degré semi-conducteur. Cela était des tiné au dépôt de la couche ohmique 14. La cathode est espacée de l'anode selon les caractéristiques physiques de la chambre particulière, en considérant la géométrie, les tensions à utiliser et autres. Dans l'exemple, la chambre fut pompée jusqu a une pression de l'ordre de 10-7 torr. Cela est , bien entendu un vide important. On admet alors de l'argon ultra pur, c'est-à-dire contenant moins de îOppmdeH2O et de N2, dans la chambre de pulvérisation, à travers une servo-vanne jusqu ce que l'on obtienne une pression de l'or- dre de 20 millitorr. On établit, en un point approprié, le champ haute fréquence, et l'ionisation de l'argon produit des électrons qui bombardent la cible ou cathode, enlevant en les frappant les particules d'oxyde d'indium hors de la cible, produisant ainsi la vapeur de plasma entre la cathode et l'anode et portant les particules vers l'anode, pour les y déposer sur la couche améliorant la liaison antérieurement déposée sur l'élément formant substrat. Cette pulvérisation est effectuée à une-vitesse qui est déterminée par les conditions dans la chambre, de façon type de l'ordre de 15 à 40 Angstroms par seconde, pour une version commerciale en utilisant environ 930 à 1860 cm2 de surface de cible. L'épaisseur est contrôlée par des moyens optiques connus dans la pratique, jus qu'à ce qu'une épaisseur de l'ordre de 500 soit atteinte. L'élément formant substrat est maintenant enlevé de la chambre, et il passe dans une autre chambre en production. Si le procédé est un procédé de laboratoire, ou à une très faible production, on peut utiliser la même chambre, mais la cathode ou cible doit être changée. De même, des opérations très sévères doivent être accomplies pour enlever tous matériaux résiduels possibles pour éviter une contamination. En protégeant avec soin la cible et le plasma, on peut diminuer la contamination dans la chambre. Dans chaque cas, l'élément formant substrat 16, avec son premier revêtement de couche ohmique 14 et un revêtement de liaison antérieur sous-jacent 18, qui est, dans le cas de l'exemple décrit, de oxyde d'indium seul ou combiné avec de l'oxyde d'étain, est de nouveau monté sur un support d'anode, ou placé sur une anode rotative ou analogue. Pour une couche photoconductrice en sulfure de cadmium, la cathode ou cible sera formée de sulfure de cadmium ou même de cadmium seul. La pression est d'abord abaissée à 10-6 torr, avant d'être ajustée à 20 millitorr, en admettant ultérieurement de l'argon gazeux et du sulfure d'hydrogène. Le sulfure d'hydrogène donne la quantité correcte de soufre pour la vapeur de plasma, pour qu'un ne proportion correcte du point de vue stoechiométrique de cadmium et de soufre soit déposée au sommet de la couche ohmique. En réalité, le sulfure d'hydrogène sert de gaz pour contrebalancer la pression de vapeur du soufre. Cela empêche une décomposition du sulfure de cadmium et cela contrôle ainsi la stoechiométrie.On remarquera que dans les deux procédés de déposition, la surface arrière du substrat 16 est bloquée ou masquée, pour empêcher des dépôts dans les procédés normaux. Un premier espace noir ou obscur induit par un écran autour de la cible, empêche des dépôts latéraux et arrière. Dans le cas où on utilise une cathode en sulfure de cadmium, la quarr tité de sulfure d'hydrogène admis est de l'ordre de 500 à 15.000ppm en argon. Dans d'autres cas où l'on utilise une cathode en cadmium, ces proportions peuvent être accrues. La pression finale de dépôt est de l'ordre de 7 à 15 millitorr. Une faible quantité de dépôt de cuivre, sous forme de chlorure de cuivre sublimé, peut être admise dans la chambre de pulvérisation, et cela est effectué en maintenant du sel de cuivre dans un récipient sous vide, qui communique avec la chambre de pulvérisation par une vanne de contrôle. Dans ce cas, le cuivre est le dopant, augmentant les niveaux de piégeage dans le sulfure de cadmium du type n de façon inhérente. On peut également utiliser de l'iodure d'hydrogène, pour obtenir de l'iode dopant, pour produire des niveaux supplémentaires de piégeage dans le dépôt au sulfure de cadmium. D'autres procédés de dopage sont l'implantation ionique, la diffusion, la migration et analogue. L'application de la haute tension à haute fréquence crée le plasma nécessaire pour effectuer le dépôt de sulfure de cadmium sur la couche ohmique, pour former la couche photoconductrice 12. La vitesse du dépôt dans les essais entrepris était de l'ordre de 6 à 15 Angstroms par seconde. Comme on l'a mentionné ci-dessus, on peut obtenir des vitesses plus importantes dans les équipements trou vés dans le commerce. Le cuivre ou l'iodure d'hydrogène, si il y en a, est admis en petites quantités contrôlées, suffisantes pour doper le sulfure de cadmium sur la couche ohmique en une quantité de 5 à 10- 4 pour cent en poids. La plupart des exemples pratiques é- taient totalement purs. On continue la pulvérisation jusqutà ce que l'épaisseur du revêtement 12 atteigne 3.000 à 3.500 Angstroms. Comme on l'a mentionné antérieurement, l'un des aspects les plus importants de la présente invention se rapporte au procédé spécial de pulvérisation qui est utilisé. Tandis qu'on l'utilise pour le dépôt de la couche 18 améliorant laliaisoldela couche ohmique 14 et du revêtement photoconducteur 12, l'application la plus importante de ce procédé est la pulvérisation du matériau photoconducteur pour former à la fois la couche 18 et le revêtement photoconducteur 12. Dans le procédé de pulvérisation qui est classique, la cathode ou cible est reliée au côté "haut" de la sortie du générateur haute fréquence, normalement par un réseau adapteur, et l'anode ou le substrat est reliée à la masse. L'énergie haute fréquence ionise l'argon gazeaa est introduit dans la chambre, et un plasma se forme entre la cible et l'anode, avec un premier espace noir ou sombre de dimension relativement faible juste sur la surface de la cible. Les atomes de la cible en sont arrachés par les ions de l'argon gazeux, et sont entraînés à travers l'espace intermédiaire et le plasma, et heurtent tout article qui recouvre l'anode. Cela peut être un substrat et les particules elles-mêmes, ou après avoir réagi avec d'autres réactifs qui peuvent avoir été introduits dans la chambre, se déposent sur le substrat. On a découvert qu'en polarisant le circuit haute fréquence de la façon qui sera décrite, les atomes de matériaux déposés, se déposent d'une façon très dense et que les propriétés électriques inhabituelles décrites en proviennent. La polarisation produit un second espace obscur juste au-dessus de l'anode. On a également découvert que le second espace obscur peut quelquefois être obtenu en ajustant la forme de la cible, des écrans, de l'anode et autres, dans la chambre. Lorsque ce second espace sombre apparat, les qualités souhaitables du dépôt sont obtenues, sans changer la configuration du circuit ce qui indique, bien entendu, que la présence du second espace sombre est le desideratum plutôt que le circuit. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux mo-- des de réalisation décrits et représentés qui ntont été donnés qu'd titre d'exemple. En particulier, elle-comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées suivant son esprit et mises en oeuvre dans le cadre des revendications qui suivent. R E V E N D I C A T I O N S 1. Pellicule électrophotographique du type comprenant un substrat, un revêtement en pellicule mince en une substance photo conductrice, totalement inorganique, pulvérisée à haute fréquence sur ledit substrat, ledit revêtement étant très dense, microcristallin, sensiblement transparent, ayant une résistivité à l'obscurité d'au moins 1012 ohm-centimètres et un rapport entre la résistivité à l'obscurité et la résistivité à la lumière d'au moins 104, ayant la capacité d'accepter une charge rapide et de la conserver pour permettre le virage, et étant électriquement anisotrope, et une couche de pellicule mince en matériau ohmique prise en sandwich entre ledit revêtementetleditsubstrat, pour faciliter la charge dudit substrat avant exposition, caractériséeen ce qu'une couche de pellicule ultra-mince (18) en une substance transparente totalement inorganique est prévue entre ladite couche ohmique (14) et ledit substrat (16). 2. Pellicule électrophotographique selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche de pellicule ultra-mince (18) précitée est un photoconducteur et en ce que son épaisseur est une faible fraction de l'épaisseur de la couche ohmique (14) précitée. 3. Pellicule électrophotographique selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisée en ce que la couche de pellicule ultra-mince précitée est pulvérisée à haute fréquence directement sur le substrat (16) précité. 4. Pellicule électrophotographique selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisée en ce que la couche de pellicule ultra-mince (18) précitée est formée principalement de sulfure de cadmium pulvérisé à haute fréquence. 5. Pellicule électrophotographique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche ohmique (14) précitée est principalement de l'oxyde d'indium. 6. Pellicule électrophotographique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que la couche ohmique (14) précitée est principalement de l'oxyde d'indium comprenant de l'oxyde d'étain à une concentration de tordre de dix pour cent. 7. Pellicule électrophotographique selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisée en ce que la couche de pellicule ultra-mince (183 précitée et le revêtement photoconducteur (12) précité sont formés du même matériau photoconducteur.