Brevet FR2302631A1 — publié le 19760924

La présente invention concerne un circuit de commande de fonctionnement sur, notamment pour l'inscription d'informations dans un élément magnétique b mémoire à l'aide d'une impulsion provenant d'un générateur dlimpulsions, pour raccordement à une source de tension continue. Le générateur d'impulsions peut astre un élément à mémoire qui délivre une impulsion en cas d'effacement. Pour des circuits qui sont constitués à partir d'un certain nombre d'unités identiques, il est important pour la sécurité de fonctionnement que l'information ne soit retransmise ou inscrite que si cela est désiré Un défaut dans l'une des unités ne doit jamais donner lieu à l'apparition d'une impulsion d'écriture. Le but de l'invention est de réaliser un circuit de com ande qui ne produit un courant d'écriture que lorsque cela est désiré, clest-a- dire quand un générateur d'impulsions délivre une impulsion d'écriture. Aucun courant d'écriture ne doit apparattre, quelle que soit la perturbation dans le circuit lui-mOme Conformément à l'invention, ce but est atteint par le fait quton a raccordé en série à la source d'alimentation un commutateur commandé par le générateur d'impulsions et une self-inductance elle-méme en parallble sur un branchement en série constitué par un élément semiconducteur et par l'enroulement d'écriture de l'élément à mémoire et que l'élément semi-conducteur est branché dans le sens non passant par rapport à la polarité de la source d'alimentation. Quand, dans le circuit conforme à l'invention, le générateur délivre une impulsion, le commutateur est fermé pendant sa durée et la self-inductance est en court-circuit sur la source d'alimentation. Apres ouverture du comprutateur, la quantité d'énergie emmagasinée dans la self-inductance est libérée sous la forme d'un courant au travers de l'enroulement d'écriture et de l'élément semi-conducteur placés en série. Par un choix approprié de la grandeur de la self-inductance et de la tension d'alimentation, on obtient un courant suffisamment grand au travers de l'enroulement d'écriture pour que l'information soit inscrite dans l'élément à mémoire. Le commutateur commandé par le générateur d'impulsions est de préférence un transistor. te circuit de commande peut constituer une partie d'un réseau d'éléments à mémoire et d'enroulements associés d'écriture, d'effacement et de lecture. Dans ce cas, le transistor est commandé par l'enroulement de lecture d'un élément à mémoire magnétique, t'élément semiconducteur est de préférence une diode. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'un exemple de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels - la figure 1 représente un circuit de commande d'un exemple de réalisation de l'invention; et - la figure 2 représente schématiquement l'allure du courant dans la self-inductance L'enroulement de lecture 1 du tore à mémoire 2 est branché dans le circuit base-émetteur du transistor TR, t'émetteur du transistor TR est à la terre. Entre le collecteur du transistor TR et la borne positive de la source d'alimentation sont branchées en parallèle d'une part une self-inductance L et d'autre part une diode D en série avec un enroulement d'écriture 3 d'un élément à mémoire. L'autre borne de la source d'alimentation est à la terre.Le tore 2 est couplé aux enroulements d'entrée 4 à 7 qui peuvent servir chacun d'enroulement d'écriture ou d'effacement. Le mode de fonctionnement du circuit de commande est le suivant : pendant l'effacement du tore 2, il se produit dans l'enroulement de lecture 1 une impulsion qui rend conducteur le transistor TR pendant la période tl. Pendant cette période tl, la self-inductance L est raccordée directement entre la borne de tension positive de la source d'alimentation et la terre. Du fait que la diode D est dans le sens non passant par rapport à la polarité de la source d'alimentation, la dérivation passant par la diode et l'enroulement 3 ne laisse passer aucun courant. A la fin de la période tl, le passage au travers du transistor TR est interrompu. L'énergie emmagasinée dans là self-inductance se décharge sous la forme d'un courant dans le sens de la flèche P au travers de la diode D et de l'enroulement 3. Ce courant passe pendant la période t2 (voir figure 2). Au cas où, par suite d'une perturbation dans le circuit, un courant s'écoule sans qu'il ne se produise d'impulsion, ce courant ne passe pas au travers de 1 'enroulement 3 dans le sens de la flèche P. il existe différentes possibilités de perturbation dans le circuit. - Le transistor TR est en court-circuit. Dans ce cas, un courant permanent passe entre la self-inductance L et le transistor TR, de la borne positive vers la terre. La diode D reste bloquée. - Le transistor TR n'est plus en circuit. Il est clair qu'à ce soient aucun courant ne peut passer au travers de L et que par suite aucune énergie ne peut y etre emmagasinée et ne peut se décharger par la diode D et ltenroulement 3. - ta self-inductance est en court-circuit. Dans ce cas, la self-inductance L perd sa fonction de réservoir d'énergie, de sorte qu'aucun courant de décharge ne peut passer au travers de la diode D et de l'enroulement 3. - La self-inductance L n'est plus conductrice. Dans ce cas, aucun courant ne peut passer au travers de L et ainsi aucune énergie n'est emmagasinée. - La diode D est en court-circuit. Dans ce cas, quand le transistor TR est conducteur, un courant passe au travers de l'enroulement 3 dans la direc tion opposée à la flèche P. Le courant dans cette direction ne peut ins crire aucune information dans l'élément à mémoire associé. - La diode D est coupée ou constitue d'une autre manière un blocage pour le courant. Au travers de l'enroulement 3, il ne peut passer non plus aucun courant. I1 est clair que le circuit de commande peut trouver une application également pour d'autres types d'éléments à mémoire ou analogues qui ne peuvent fonctionner qu'à l'aide d'un courant dans une direction déterminée Quand ce circuit de commande est utilisé dans des installations utilisant une logique magnétlque, on obtient une installation de fonctionnement très sAr. Bien entendu, diverses modifications peuvent etre apportées par l'horme de l'art aux dispositifs ou procédés qui viennent d'etre décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs sans sortir du cadre de l'invention. REVZND 10 AT IONS 1 - Circuit de commande de fonctionnement str, notamment pour l'inscription d'informations dans un élément magnétique à mémoire à l'aide d'une impulsion provenant d'un générateur d'impulsions, pour raccordement à une source de tension continue, caractérisé en ce qu'on a raccordé en série à la source d'alimentation un commutateur commandé par le générateur d'impulsions et une self-inductance elle-meme en parallèle sur un branchement en série constitué par un élément semi-conducteur et par l'enroulement d'écriture de l'élément à mémoire et que l'élément semi-conducteur est branché dans le sens non passant par rapport à la polarité de la source d'alimentation. 2 - Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que le commutateur commandé par le générateur d'impulsions est un transistor. 3 - Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le transistor est commandé par l'enroulement de lecture d'un élément à mémoire magnétique. 4 - Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément semi-conducteur est une diode. 5 - Circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'élément à mémoire est couplé à des enroulements d'entrée qui peuvent servir chacun d'enroulement d'écriture ou d'enroulement d'effacement.