Brevet FR2311384A1 — publié le 19761210

La présente demande de brevet est apparentée à une autre demande de brevet France N 7614370 déposée ce même jour par la présente demanderesse. La présente invention concerne les vepol-es à noyaux magnétiques et, plus particulièrement, des mémoires traversées par des conducteurs réalisés sous la forme de conducteurs imprimés sur des substrats plans. Les mémoires à noyaux sont bien connues et comprennent généralement une pluralité de noyaux magnétiques élémentaires toriques ou "tores" définissant un parcours de flux magnétique fermé autour d'une ouverture centrale et qui sont disposés en une matrice de lignes et colonnes. Des courants de sélection partielle traversent une unique ligne et une unique colonne pour former un courant de sélection totale propre à commuter un noyau à l'intersection de cette ligne et de cette colonne.Des fils, conducteurs, ou lignes de lecture-inhibition traversent une pluralité de noyaux dans une pluralité de lignes et une pluralité de colonnes pour transmettre un signal de commutation de noyau au cours de la lecture, et un courant d'inhibition de polarité inverse au cours de l'écriture, afin d'annuler sélectivement une fraction d'un courant d'écriture totale apparaissant sur un noyau choisi, pour empêcher la commutation de celui-ci. Une configuration de câblage couramment utilisée est connue sous le nom de "montage en double-chevron à sélection 3D sur trois fils".Dans cette configuration,les noyaux sont disposés en une matrice rectangulaire,les noyaux de deux colonnes adjacentes quelcon ques étant orientés de la même manière pour former une paire de colonnes et les noyaux de deux paires adjacentes quelconques de colonnes étant orientés en opposition.Des fils d'excitation de colon- ne, ou "Y" ,souvent désignés également sous le nom de fils de sélection,ou fils d'adressage,passent le long des colonnes individuelles de noyaux,et des fils analogues d'excitation de ligne, ou "X", passent le long des lignes individuelles de noyaux. Une paire de lignes de lecture-inhibition traverse la matrice parallèle aux fils Y, chaque fil de lecture-Inhibition trav@@@@@@ les noyaux de l'une des colonnes de chaque paire de colonnes. Les fils de lectureinhibition passent dans la colonne opposée d'une paire de colonnes sensiblement au milieu de la matrice pour assurer une suppression de bruit améliorée. Les autres montages de mémoire comportent une sélection 3D sur quatre fils, 3D sur cinq fils, 3D sur six fils, 2D sur deux fils(selectionh inéaire)} ou 2,5D sur deux fils. rotes ces dispositions exigent le passage de fils discrets A travers chaque ligne séparée et chaque colbbäe séparée pour les fils d'excitation ItXtt et "r" et la plupart ~'entre elles e##ent le passage de fils de lecture-inhibition discrets à travers une matrice suivant une configuration qui dépend du montage de mémoire à noyaux particulier. Dans certains montages de mémoire, des fils de lecture et des fils d'inhibition séparés sont utilisés et l'on peut utiliser également des fils séparés pour chacune des polarités du courant d'excitation X et Y. Les fils sont, par exem ple, enfilés à travers les noyaux au moyen d'une aiguille et connectés par soudage à un montage extérieur.En raison de la petite dimension des noyaux qui ont, par exemple, un diamètre extérieur de 0,33 ; 0,46 ; ou 0,56 mm, l'enfilage des fils d'excitation et de lecture est une opération qui demande beaucoup de temps et les noyaux de la mémoire peuvent être endommagés par les aiguilles et les fils qui les traversent. Une mémoire à noyaux est généralement assemblée en plaçant une pluralité de noyaux sur l'un des côtés d'une plaque perforée vibrante, sur le côté opposé de laquelle règne un vide partiel. Les ouvertures de la plaque perforée sont disposées d'une manière correspondant à une configuration d'orientation désirée des noyaux et lorsque les vibrations de la plaque entraînent les noyaux vers des ouvertures, le vlde partiel les aspire et les maintent dans celles-ci. Après ce positionnement préalable des noyaux sur une plaque perforée, un substrat dont l'une des surfaces est revêtue d'un adhésif est mis en contact avec les noyaux, et ceux-ci sont soulevés au-dessus de la plaque perforée, cependant que l'adhésif les maintient suivant la configuration précédemment établie. Les divers fils d'excitation et de lecture sont ensuite enfilés à travers les noyaux, cependant que ceux-ci sont maintenus en place par l'adhésif.Le substrat peut porter des circuits imprimés permettant de coupler les fils d'excitation et de lecture avec un montage extérieur, et peut supporter en permanence la matrice de noyaux ainsi que le montage d'excitation et de lecture associé. Une mémoire magnétique suivant l'invention comprend une pluralité de noyaux élêrr#entaires ou autres éléments magnétiques de mémoire discrets qui sont commutables entre des états d'aimantation différents définissant un parcours de flux magnétique continu fermé autour d'une ouverture centrale. Les éléments de mémoire sont couplés inductivement par des conducteurs disposés en relation de juxtaposition fixe et prédéterminée les uns par rapport aux autres.Les conducteurs comprennent, au moins, un premier élément de circuit mince de forme générale plane percé d'une pluralité d' ouvertures recevant chacune un noyau élémentaire et, au moins, un second élément de circuit dans lequel sont pratiquées une pluralité d'ouvertures destinées à recevoir des noyaux élémentaires et qui porte une pluralité de languettes en porte-à-faux à bout non supporté définissant une portion de la périphérie de chaque ouverture, le second élément de circuit étant disposé en relation de confrontation et de proximité avec le premier élément de circuit, tandis qu'une languette traverse une ouverture centrale de chaque élément de mémoire.Des conducteurs formés sur les premier et second éléments de circuit constituent des fils d'excitation X et Y continus ainsi que des fils de lecture-inhibition pour former une configuration de mémoire à noyaux en double-chevron à sélection 3D sur trois fils. Les languettes du second élément de circuit portent les conducteurs à travers les ouvertures centrales des éléments de mémoire. Plus précisément, le premier élément de circuit est un élément plan mince d'une épaisseur d'environ 25 microns sur lequel sont formés des conducteurs. Pour permettre des croisements, des conducteurs peuvent être formés sur les deux côtés du premier élément de circuit et être sélectivement interconnectés par de petits trous intermédiaires traversant l'élément de circuit. Les trous intermédiaires ainsi que les ouvertures de dimensions et d'orientation convenables destinées à recevoir une matrice de noyaux de mémoire peuvent être pratiqués dans le premier élément de circuit par perforation ou par gravure. D'une manière analogue, le second élément de circuit comprend un substrat plan mince d'une épaisseur d'environ 25 microns, sur au moins l'un des cotés duquel sont formés des conducteurs. les conducteurs peuvent également être formés sur les deux côtés du second élément de circuit et être sélectivement interconnectés par des trous intermédiaires. Dans l'une des dispositions possibles, les ouvertures de réception de noyaux sont formées dans le second élément de circuit sous la forme d'un H asymétrique. La barre transversale de 1'H sert d'alvéole récepteur de noyaux une languette longue et une languette courte formant la périphérie de l'alvéole sur les côtés opposés de celui-ci. La configuration d'ouverture en forme d'H peut également être considérée comme étant constituée par deux configurations d'ouverture en forme d'U dos à dos avec une barre transversale inférieure commune.Peux noyaux sont chargés à travers chaque alvéole, un par un, le second élément de circuit subissant une translation sélective tout en restant en relation de proximité, de parallélisme et d'opposition avec le premier élément de circuit pour traverser l'ouverture centrale du premier noyau et faire passer la languette courte à travers l'ouverture centrale du second noyau. Dans une autre disposition du second élément de circuit, les ouvertures définissent une forme d'U, la barre transversale inférieure rectangulaire de 1'U définissant une ouverture réceptrice de noyaux et les branches de 1'U recevant la circonférence des noyaux lorsque l'extrémité non supportée de la languette en porte-à-faux intermédiaire est passée à travers l'ouverture centrale du noyau.Peux premiers éléments de circuit supérieur et inférieur sont utilisés avec un second élément de circuit ayant la configuration en forme d'U pris en sandwich entre eux, tandis qu'un unique premier élément de circuit inférieur est utilisé con jointel.lent à un second élément de circuit ayant une configuration en forme d'H. Dans les deux cas, on peut faire passer une pluralité de languettes du second élément de circuit simultanément à travers une pluralité d'ouvertures de noyaux en une unique opération de positionnement. La nécessité de fils discrets individuellement enfilés à travers les noyaux est ainsi complètement éliminée. On peut fabriquer une mémoire magnétiqte suivant l'invention en plaçant des premier et second éléments de circuit face à face et à proximité l'un de l'autre avec leurs ouvertures de réception de noyaux alignées en relation de conjugaison et de coterminaison, en chargeant des noyaux ou autres éléments de mémoire dans les ouvertures destinées à les recevoir, en déplaçant en translation le second élément de circuit par rapport aux éléments de mémoire et au premier élément de circuit pour faire passer une languette portant des conducteurs préformés à travers une pluralité d'ouvertures centrales d'éléments de mémoire et en liant des conducteurs de l'une des faces du second élément de circuit avec des conducteurs conjugués d'une face conjuguée du premier élément de circuit.La liaison peut s'effectuer classiquement par thermocompression ou par refusion de soudure. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui suit et à l'examen des dessins joInts qui en repré- sentent, à titre d'exemple non limitatif, un xode de réalisation. Sur ces dessins - la figure 1 est un schema de câblage sirplifié d'une rémoi- re magnétique en double-chevron à sélection 3D sur trois fils suivant l'invention --la figure 2 est une représentation en coupe fragmentaire de la structure feuilletée multicouche d'une mémoire magnétique suivant l'invention - la figure 3 est une vue en perspective éclatée fragmentai- re représentant la mémoire de la figure 1 à un stade initial de son assemblage final - la figure 4 est une vue en perspective fragmentaire de la mémoire représentée sur la figure 3 à un stade ultérieur de son assemblage final - la figure 5 est une vueyperspective fragmentaire de la mémoire représentée sur la figure 4 à un stade ultérieur d'as#emblc- ge final - la figure 6 est une vue en perspective fragmentaire d'une mémoire magnétique telle que représentée sur la figure 5 à un stade ultérieur d'assemblage final - la figure 7 est une vue en perspective fragmentaire d'une mémoire magnétique telle que représentée sur la figure 6 au dernier stade de son assemblage final - la figure 8 est une vue en plan de dessus du côté supérieur d'un élément de circuit supérieur de la mémoire magnétique représentée sur la figure 1 - la figure 9 est une vue en plan prise au-dessus du côté inférieur de 1' élément de circuit supérieur représenté sur la figure 8 - la figure 10 est une vue en plan prise au-dessus du coté supérieur d'un élément de circuit inférieur de la mémoirc magnéti- que représentée sur la figure 1 - la figure 11 est une vue en plan prise au-dessus du côté inférieur de l'élément de circuit inférieur représenté sur la figure 10 Dans l'exemple représenté sur la figure 1, une mémoire maOIlé- tique 10 suivant l'invention comprend une pluralité d'éléments ma gnétiques de mémoire, tels que des tores de ferrite 12 formant un parcours de flux magnétique fermé continu autour d'un axe central et disposés en une matrice orthogonale 14. La matrice 14 comprend 256 tores 12 disposés en seize lignes et seize colonnes, mais il va de soi que, comme il apparaîtra plus loin, d'autres configurations de matrice peuvent être utilisées suivant l'invention.Les axes centraux respectifs traversant chacun l'ouverture centrale de l'un des tores sont alignés coaxialement dans chaque colonne de tores 12. Les tores sont câblés suivant une configuration clas sique-en doublc-chevron à sélection 3D sur trois fils, un fil d' excitation Y traversant les ouvertures centrales respectives de tous les tores de chaque colonne. Les fils d'excitation Y respec- tifs de deux colonnes adjacentes sont polarisés dans le même sens, tandis que les paires successives de fils d'excitation Y sont alternativement polarisées dans un sens e dans l'autre. Par exemple les fils d'excitation Y, YO et Y1 ont leur extrémité d'application de courant, dite ci-après "extrémité d'entrée", au sommet de la matrice et traversent celle-ci de façon sensiblement rectiligne jusqu'à leurs extrémités de dissipation de courant respectives Y: et YI, dites ci-après "extrémités de sortie" situées à la base de la matrice. La paire adjacente de fils d'excitation Y, Y2 et Y3, est polarisée en sens inverse, ctest-à-dire que les extrérrìités d' entrée respectives de ces fils Y2, Y3 sont disposées à la base de la matrice 14 et leurs extrémités de sotie respectives CE et ~y), au sommet de la matrice 14.Chacun des seize fils d'excitation Y, YO-Y15, couple ainsi inductivement tous les tores 12 de l'une des colonnes de 1 b atrice 14 et chaque tore 12 de la matrice 14 est inductivement couplé par un seul fil d'excitation Y. Les fils d'excitation X s'étendent le long des lignes de tores 12 et leurs extrémités d'entrée et de sortie sont désignées d'une manière analogue par X et Y respectivement. Toutefois, les emplacements respectifs des extrémités d'entrée et de sortie des fils d'excitation X alternent à chaque ligne et non plus à chaque paire comme dans le cas des fils d'excitation Y. Par exemple, le fil d'excitation XO commence au bord gauche de la matrice 14 et sort de celle-ci par son extrémité 75 sur le bord droit de ladite matrice. Le fil d'excitation X1 est orienté de façon opposée, c'est à-dire que son extrémité d'entrée est située sur le bord droit et son extrémité de sortie sur le bord gauche.Si l'on considère le sens allant de l'extrémité d'entrée vers l'extrémité de sortie comme étant le sens avant, les fils d'excitation X traversent 1' ouverture centrale de chaque tore 12 dans le même sens que les fils d'excitation Y de sorte que deux courants de même polarité s' ajoutent dans un même tore. Par exemple, les fils d'excitation XO et YO traversent tous deux le tore situé dans le coin gauche supérieur de la matrice 14 de haut en bas. Dans le coin droit supérieur de la matrice 14, où le fil d'excitation Y15 a une polarité inversée, le fil d'excitation XO a également une polarité inversée et ces deux fils traversent le tore de bas en haut. Pour faciliter la formation de conducteurs imprimés, les fils d'excitation X traversent chacun des tores couplés inductivement appartenant alternativement aux deux lignes d'une paire de lignes adjacentes en passant le long des colonnes adjacentes successives. Les fils d'excitation X forment ainsi des lignes électriques d'un réseau ou matrice électrique 16 qui sont légèrement différentes des lignes matérielles de la matrice matérielle 14. Néanmoins, chaque fil d'excitation X couple inductivement l'un des tores de chaque colonne, et les seize tores de chaque colonne sont inductivement couplés chacun par l'un des seize conducteurs d'excitation X.Si l'on désigne les positions matérielles des tores de la matrice 14 par les positions matérielles des lignes et des colonnes auxquelles chacun de ces tores appartient, le tore du coin gauche supérieur étant désigné par 0,0 ; le tore du coin gauche inférieur, par 15,0, leto#ducairid#oit supérieur par 0,15, et le tore du coin droit inférieur, par 15,15, on peut voir que le conducteur d'excitation XO passe au travers de la matrice 14 en traversant successivement le tore 0,0 vers le bas, le tore 1,1 vers le bas, le tore 1,2 vers le haut, le tore 0,3 vers le haut, etc. en continuant à coupler alternativement les lignes O et 1 cependant qu'il poursuit sa progression à travers les colonnes 4-15.Ch#acun des fils d'excitation X suit donc un chemin en forme de grecque en empruntant alternativement les deux lignes matérielles d'une paire et en traversant les tores verticalement alternativement dans un sens et dans l'autre, chaque changement de sens correspondant au passage d'une paire de positions de colonne à la suivante. Les fils X de numéro impair de paires alternées de lignes traversent les tores qui ne sont pas inductivement couplés par le conducteur de ligne X portant le numéro immédiatement inférieur. Par exemple, les conducteurs de ligne XO et X1 couplent inductivement tous les tores des lignes 0 et 1, tandis que les conducteurs de ligne X2 et X3 couplent inductivement tous les tores des lignes 2 et 3, et ainsi de suite.Les changements de sens matériel sont coordonnés de telle manière que, dans un même tore, des courants d'excitation X et Y de même polarité soient toujours additifs. Une paire de conducteurs de lecture-inhibition respectivement désignés par SI et 'SI traversent tous les tores des matrices 14, 16 sensiblement parallèlement aux fils d'excitation Y. Par exemple, le conducteur de lectureinhibition SI part du coin gauche inférieur de la matrice 14, traverse vers le haut les tores de la colonne 0 jusqu'à la ligne 8, passe dans la colonne 1 et continue vers le haut jusqu a l'extrémité supérieure de la matrice 14.Le conducteur SI est ensuite retourné pour s'étendre vers le bas ie long de la colonne 3 jusqu'à la ligne 7 après laquelle il passe dans la colonne 4, au'il suit jusqu'en bas pour sortir à la base de la matrice à l'extrémité inférieure de la colonne 4. Le conducteur SI traverse ensuite tout le reste de la matrice 14 avec cette même configuration.P1une manière analogue, le conducteur de lecture-inhibition SI traverse la matrice parallèlement au conducteur DI en suivant à chaque instant celle des colonnes d'une paire qui n'est pas couplée par le conducteur SI.Les conducteurs de lecture-inhibition peuvent être couplés avec un montage externe (non représenté) qui peut fonctionner d'une manière classique pour permettre aux conducteurs de lecture-inhibition de transmettre des signaux de commutation de tore au cours d'une opération de lecture de la mémoire et de transmet tre sélectivement des courants d'inhibition de polarité opposée au cours d'une opération d'écriture dans la némoire de manière à annuler les courants d'écriture partielle transmis par les fils d'excitation X et Y afin d'empêcher la commutation d'un tore choisi dans la matrice au cours de l'écriture. On peut voir que trois fils exactement traversent chaque tore 12. Ces fils sont représentés dans le schéma électrique de la figure 1 avec la même orientation de position que dans la réalisation matérielle effective. Les fils d'excitation Y ou fils de colonne traversent les tores sur la gauche, les conducteurs de lecture-inhibition traversent les tores sur la droite et le conducteur central traversant les tores est un fil d'excitation X ou de ligne. On comprendra mieux l'agencement matériel de la mémoire 10 en se référant aux figures 2-7. Les conducteurs d'excitation X, les conducteurs d'excitation Y et les conducteurs de lectureinhibition sont formés sur les deux côtés d'un élément de circuit inférieur 30 et d'un élément de circuit supérieur 32, tous deux en Kapton (nom commercial), de 25 microns d'épaisseur environ chacun.La figure 2 représente la structure feuilletée des éléments plans, des conducteurs et des tores de la mémoire 10 sous la forme d'une vue en coupe transversale imaginaire qui représente les couches de la mémoire sans tenir compte d'aucune configuration ou position de conducteurs particulières à l'intérieur de la mémoire. Une plaque à alvéoles 34 est formée de trois couches d'environ 25 microns d'épaisseur chacune de feuilles de cuivre 36a, 36b et 36e assemblées entre elles par deux couches intermédiaires d'adhésif 38a, 38b d'environ 19 microns d'épaisseur chacune. La plaque à alvéoles 34 assure la résistance et le support matériels de la mémoire 10 et la structure feuilletée contribue à empêcher le gauchissement tout en facilitant la gravure des ouvertures 40 destinées à recevoir les tores 12. L'élément de circuit inférieur 30 et l'élément de circuit supérieur 32 sont des éléments souples, minces, plats et plans d'une épaisseur d'environ 25 microns chacun, qui sont fabriqués en Kapton ou en un autre matériau convenable. Des configurations de conducteurs de cuivre imprimées 42, 44 sont respectivement formées sur les côtés inférieur et supérieur de l'élément de circuit inférieur 30, tandis que des configurations de conducteurs de cuivre 46, 48 sont formées sur. les côtés inférieur et supérieur respecti veinent de l'élément de circuit supérieur 32. Les conducteurs des configurations 42, 44, 46 et 48 ont approximativement 48 microns d'épaisseur et sont formés par des technIques photolithographiques. Ils sont formés sélectivement et sont interconnectés de manière à définir les fils d'excitation X, les fils d'excitation Y et les conducteurs de lecture-inhibition traversant les tores 12 de la mémoire 10. Les conducteurs 42 et 44 peuvent être interconnectés par de petits trous intermédiaires (non représentés) à travers 1' élément de circuit inférieur 30, tandis que les conducteurs 46 et 48 peuvent être interconnectés d'une manière analogue par de petits trous intermédiaires (non représentés) à travers l'élément de circuit supérieur 32.De la soudure 50 peut être déposée élec- trolytiquement sur les conducteurs 44 pour permettre une liaison sélective entre les conducteurs 46 et les conducteurs 44. Selon une variante, les conducteurs 44 et 46 peuvent être revêtus d'une mince couche d'or et être liés entre eux par application de secousses suivant un procédé de liaison par thermocompression classique, (dénommé en anglais : "gold and wobble"). L'élément de circuit inférieur 30 est lié à la plaque à alvéoles 34 par une couche d'adhésif 52 d'environ 19 microns d'épaisseur qui sert également de barrière diélectrique pour empêcher la plaque à alvéoles conductrice 34 de court-circuiter les conducteurs 42. On comprendra mieux la structure matérielle du dispositif suivant 11 invention en se référant aux figures 3-11. Les éléments de circuit 30, 32 sont représentés sous forme de fragments sur les figures 3-7 et dans leur ensemble sur les figures 8-11. La figure 8 représente l'élément de circuit supérieur 32 vu de dessus, sur le côté supérieur duquel les conducteurs 48 sont formés, tandis que la figure 9 représente le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 sur lesquels les conducteurs 46 sont formés, mais vu de dessus. En conséquence, le coin gauche inférieur de la figure 8 correspond au coin gauche inférieur de la figure 9, et les autres éléments de positions respectives analogues des figures 8 et 9 sont également en correspondance. On va tout d'abord se référer à la figure 3 sur laquelle on peut voir que l'élément de circuit supérieur 32 présente une pluralité d'ouvertures 54 qui y sont pratiquées sous la forme d'un H asymétrique. La barre transversale 56 de chaque ouverture en forme d'H constitue un alvéole dont les dimensions et la forme conviennent pour recevoir un tore 12. La iériphérie de chaque alvéole 56 est limitée sur l'un de ses côtés par l'extrémité non supportée d' une languette en porte-à-faux 58 relativement courte et sur son côté opposé par l'extrémité non supportée d'une languette en porte-à-faux 60 relativement longue.Les languettes 58, 60 ont une largeur inférieure au diamètre intérieur d'un tore 12 et une longueur s'étendant le long des branches "verticales" 62, 64 de l'ouverture en forme d'H suffisante pour laisser passer un tore 12 orienté dans une direction parallèle à un axe central 66. L'élément de circuit inférieur 30 présente une série d'ouvertures rectangulaires 80 de dimensions et de forme convenant pour recevoir les tores 12. Les figures 10 et ll représentent l'élément de circuit inférieur 30 complet, la figure 10 représentant le côté supérieur sur lequel les conducteurs 44 sont formés vu de dessus, et la figure 11 représentant le côté inférieur sur lequel les conducteurs 42 sont formés, mais également vu du dessus. Les figures 8-11 sont ainsi toutes convenablement alignées avec l'orientation dans laquelle elles sont représentées. Si l'on se réfère maintenant plus particulièrement à la figure 4, on voit que les éléments de circuit inférieur et supérieur 30, 32 sont disposés dans une première position de chargement en relation de proximité et face à face, le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 étant adjacent au côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32. Les éléments de circuit 30, 32 sont alignés, les alvéoles de barre transversale 56 de l'élément de circuit supérieur 32 étant en relation de conjugaison et de coterminaison avec les alvéoles 80 de lignes de numéro pair alternées de l'élément de circuit inférieur 30.Les éléments de circuit 30, 32 étant dans cette relation d'alignement, les tores 12 sont chargés dans les lignes de numéro pair d'une manière classique en appliquant une dépression ou vide au côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30, cependant que les tores sont chargés à travers le côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32. Après le chargement de tores 12 dans les positions de ligne de numéro pair, l'élément de circuit supérieure' 32 est translaté vers le bas par rapport à l'élément de circuit inférieur 30 et aux tores 12 (vers la gauche dans l'orientation représentée sur les figures 3-7) comme représenté sur la figure 5. Pendant cette translotion de l'élément de circuit supérieur 32, les languettes longues 60 traversent les ouvertures centrales des tores. On continue à déplacer l'élément de circuit supérieur 32 jusqu'à ce que celuici soit aligné dans une seconde position de chargement dans la quelle les languettes longues 60 traversent les tores 12 et dans laquelle les alvéoles 56 des barres transversales des Il sont alignés en relation de conjugaison et de co-terminaison avec les alvéoles 80 de l'élément de circuit inférieur 30 correspondant aux lignes de numéro impair.Dans cette position, les périphéries des tores 12 qui ont été précédelument chargés dans les positions de ligne de numéro pair sont engagées dans les branches verticales 62, 64 des ouvertures en forme d'H 54 chacune au voisinage de 1i extrémité fixée de la languette en porte-à-faux 60 relativement longue associée. Les éléments de circuit inférieur et supérieur 30, 32 sont fixés dans cette seconde position alignée de chargement cependant qu'ils sont soumis à des vibrations pour charger les tores 12 à travers le côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32 dans les ligues de numéro impair d'alvéoles 80, tandis qu'une dépression est appliquée au côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30. La mémoire est représentée sur la figure 6 avec tous les tores 12 chargés dans les positions de ligne de numéro impair et de numéro pair.L'élément de circuit supérieur 32 est alors à nouveau aligné par translation vers le haut par rapport à l'élément de circuit inférieur 30 et aux tores 12 (vers la droite dans l'orientation représentée sur les figure 3-7) jusqu a une position dtalignement final à laquelle les languettes relativemcnt longues 60 traversent les tores des lignes de numéro pair, tandis que les languettes plus courtes 58 traversent les tores des lignes de numéro impair.Les languettes courtes et longues 58, 60 couvrent toute la largeur des alvéoles 56 en traversant les ouvertures centales des tores 12 pour permettre aux conducteurs 46 formés sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 d'établir des chemins conducteurs à travers les centres des tores 12 et entre les côtés opposés des alvéoles 56 sur l'élément de circuit inférieur 30. Après l'alignement final représenté sur la figure 7, les conducteurs 46 déposés sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 peuvent être liés aux conducteurs 44 déposés sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30, soit par un procédé de refus ion de soudure, soit par liaison par thermocompression. Une matrice de mémoire complète est ainsi formée, moyennant un petit nombre de mouvements simples de l'élément de circuit supérieur 32 avec enfilage simultané de plusieurs conducteurs à tra vers un grand nombre d'ouvertures de tores pour former une matrice de mémoire entièrement câblée. Si on le désire, les joints entre les conducteurs peuvent être métallisés par un processus de déposition électrolytique pour augmenter la résistance mécanique et la fiabilité, mais on a constaté qu'on peut obtenir des joints robustes et fiables sans cette métallisation. Les éléments de circuit inférieur et supérieur 30 et 32 peuvent être formés en utilisant des processus de gravure et de déposition photolithographiques essentiellement classiques. Les substrats plans des éléments de circuit 30 et 32 peuvent être en Kapton de 25 microns d'épaisseur environ commercialement disponible chez duPont de Nemours.Ce matériau convient idéalement pour lapplication envisagée ici, étant donné qu'il fournit un substrat mince, mais néanmoins cohérent et continu, suffisamment souple pour pouvoir être aisément manipulé sans risque de bris, tout en restant suffisamment rigide pour que sa forme plane et lisse soit maintenue pendant la translation de l'élément de circuit supérieur 32 par rapport à l'élément de circuit inférieur 30 et lEEagement des extrémités non supportées des languettes à travers les ouvertures centrales des tores. Comme indiqué sur la figure 10, des repères d'alignement 90, 92 sont formés sur les côtés gauche et droit respectivement des configurations conductrices et des ensembles d'ouvertures pour permettre un alignement précis des configurations de masquage photolithographique successives au cours des opérations successives. Les repères 90 et 92 sont éventuellement gravés le long des limites du cercle de grand diamètre qui y est représenté pour former des trous traversant de part en part l'élément de circuit inférieur 30 et destinés à recevoir des broches d'outil d'alignement pour permettre un alignement précis de l'élément de circuit inférieur 30 avec la plaque à alvéoles 34 au cours de l'assemblage. Les conducteurs d'excitation Y suivent un parcours relativement rectiligne à travers la matrice de tores 14 comme représenté sur la figure 1. En suivant une colonnc, chaque conducteur Y passe alternativement sur la face supérieure de l'élément de circuit inférieur 30 et sur la face inférieure conjuguée de l'élément de circuit supérieur 32. Par exemple, le conducteur de colonne YO part de la portion gauche supérieure de la face supérieure de 1 élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. Le conducteur YO peut etre connecté à son extrémité terminale d' entrée 100 à un montage d1excitation externe classique et s'étend tout d'abord vers le bas le long du bord gauche de la première colonne de tores jusqu'à la limite supérieure de l'alvéole 102 de la position de tore 0,0, limite qu'il atteint au poInt 104. Le point 104 est relié à un point 106 d'un conducteur 108 sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9, conducteur qui s'étend verticalement vers le bas à travers les ouvertures centrales des tores 0,0 et 1,0 jusqu'en un point 110. Le point 110 est couplé avec un point 112 situé sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10, ledit point 112 étant adjacent au bord inférieur d'un alvéole 114.De cette manière, les divers conducteurs d'excitation Y s'étendent le long des colonnes de la matrice, celui des trois conducteurs qui traverse un tore quelconque et qui est situé le plus à gauche dans ce tore étant toujours un conducteur d'excitation Y. Les configurations de conducteurs formant les lignes de lecture-inhibition SI et #I sont analogues aux configurations formant les conducteurs Y à cela près qutelles sont légèrement compliquées par des croisements entre la ligne 7 et la ligne 8 par des retournements au sommet et à la base de la matrice 14. Le conducteur SI présente un point terminal 120 dans la portion gauche inférieure de la matrice, point qui peut être convenablement connecté à un montage de lecture-inhibition classique. Le conducteur SI s'étend verticalement vers le haut du point 120 jusqu'à un point 122 situé sur le bord inférieur d'une ouverture d'alvéole 124 à la position 15,0 sur la face supérieure de l'élément de circuit inférieur 30, comme représenté sur la figure 10.Le point 122 est couplé avec un point 124 situé sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9. A partir du point 124 le conducteur SI s'étend verticalement vers le haut sous la forme d'un conducteur 126 jusqu'en un point 128. Le point 128 est couplé avec un point 120 situé sur le bord supérieur d'une ouverture d alvéole 132 à la position 14,1 sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. De cette manière, le conducteur de lecture-inhibition SI suit une configuration identique à celle d'une ligne d'excitation Y jusqu'en un point 136 situé sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 entre les lignes 7 et 8.Un trou intermédiaire conducteur pratiqué à travers l'élément de circuit inférieur 30 connecte le point 136 à un point 138 situE sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure Il. Un conducteur 140 s'étend latéralement vers la droite entre le point 138 et un point 142. Un trou intermédiaire métallisé s'étend à à partir du point 142 à travers élément de circuit inférieur 30 jusqu'au côté supérieur de celui-ci au point 144 comme représenté sur la figure 10. A partir du point 144, le conducteur SI s'étend verticalement vers le haut d'une manière rectiligne en passant alternativement sur la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30 et sur la surface inférieure de l'élément de circuit supérieur 32. Le conducteur SI sort de la matrice au point 146 sur la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10, point à partir duquel un trou intermédiaire établit un chemin conducteur à travers l'élément de circuit inférieur 30 jusqu'en un point 148 du côté inférieur de cet élément comme représenté sur la figure 11. A partir du point 148, un conducteur 150 s'étend latéralement vers la droite jusqu'au point 152. Un trou intermédiaire conducteur traverse l'élément de circuit inférieur 30 pour coupler le point 152 avec un point 154 du côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. A partir du point 154, le conducteur SI s'étend verticalement vers le bas le long de la colonne 3, puis de la colonne 2 pour continuer sa configuration préalablement établie à travers la matrice. D'une manière analogue, le conducteur de lectureinhibition sI peut être connecté à un montage externe en un point 160 situé dans le coin gauche inférieur de la matrice immédiatement au-dessous de la colonne 1 sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. A partir du point 160 le conducteur ti s'étend verticalement vers le haut alternativement sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 et sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 jusqu'au point 162 comme représenté sur la figure 10, point qui est situé sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 à une courte distance au-dessus de la position d'al réole de tore 7, 1. A partir du point 162, le conducteur SI traverse un trou intermédiaire pour passer sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 à un point 164 comme représenté sur la figure 11. A partir du point 164 un conducteur 166 prévu sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 prolon ge le conducteur SI vers la gauche jusqu'en un point 168 situé à une courte distance au-dessus de l'alvéole de tore 8,0.Un trou intermédiaire couple le point 168 à travers l'élément de circuit inférieur 30 avec un point 170 du côté supérieur de cet élément comme représenté sur la figure 10. A partir du point 170, le conducteur RI s'étend vers le haut le long de la colonne 0 à travers la matrice 14 alternativement sur la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30 et sur la surface inférieure de l'élé- ment de circuit supérieur 32 d'une manière rectiligne jusqu 'à un point 172 de la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30, point qui est situé à une courte distance au-dessus de l'alvéole de tore 0,0, comme représenté sur la figure 10.Un trou intermédiaire couple le point 172 avec un segment de conducteur 174 disposé sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 11 et qui prolonge le conducteur SI vers la droite jusqu'en un point 176 situé à une courte distance au-dessus de l'alvéole de tore 0,3. Un trou intermédiaire couple le point 176 avec un point 178 de la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10, point 178 à partir duquel le conducteur RI s'étend verticalement vers le bas le long de la position de colonne 2 à travers la matrice 14 jusqu'au point de croisement entre les lignes 7 et 8. Les conducteurs SI et RI traversent donc la matrice 14 sous la forme de paires de fils adjacentes parallèles avec un croisement des fils de chaque paire qui se produit entre les lignes 7 et 8 comme représenté sur les figures 1 et 7-11. Les parcours des conducteurs d'excitation X sont les plus complexes, en ce sens qu'ils utilisent les quatre plans de conducteurs 42, 44, 46 et 48 en traversant la matrice 14. A tire d'exemple, on va décrire de façon détaillée les parcours dès conducteurs d'excitation X, X2 et X3. Comme représenté sur la figure 11, 1' extrémité d'entrée du conducteur X2 peut être connectée en un point 180 situé sur le bord gauche de la matrice 14 et sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30. A partir du point 180 un premier segment de conducteur 182 du conducteur d'excitation X2 s'étend vers la droite jusqu'au point 184 qiii est centré à une courte distance au-dessus de la position d'alvéole de tore 2,0.Un trou intermédiaire couple le point 184 avec un point 186 du côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. A partir du point 186 un segment de conducteur 188 s'étend verticalement vers le bas jusqu'à la limite supérieure de la position d'alvéole de tore 2,C et est en outre couplé avec un segment de conducteur 190 disposé sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9. Le segment 190 prolonge le conducteur d'excitation X2 à travers l'ouverture centrale d'un tore disposé à la position 2,0 jusqu a un point 192 qui est centré à une courte distance audessous de la position de tore 2,0. Un trou intermédiaire couple le point 192 avec un point 194 de la surface supérieure de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 8.A partir du point 194 un segment de conducteur 196 prolonge le conducteur d'excitation X2 latéralement vers la droite jusqu'au point 198 qui est centré à une courte distance au-dessus de la position de tore 3,2. A partir du point 198, un trou intermédiaire traverse l'élé- ment de circuit supérieur 32 pour aboutir à un point 200 du côté inférieur de cet élément, comme représenté sur la figure 9, point 200 à partir duquel un segment de conducteur 202 prolonge le conducteur d'excitation X2 à travers la position de tore 3,2 jusqu' au point 204 qui est centré à une courte distance au-dessous de cette position. Le point 204 est couplé avec un segment de conducteur 206 du côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10.Le segment du conducteur 206 se termine à un point 208 centré à une courte distance au-dessous de la position de tore 3,2, tandis qlun trou intermédiaire couple le point 208 avec un point 210 du côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 11. A partir du point 210 situé immédiatement au-dessous du point 208, un segment de conducteur 212 prolonge le conducteur d'excitation X2 latéralement vers la droite jusqu'au point 214 qui est centré à une courte distance au-dessous de la position de tore 3,2. Un trou intermédiaire couple le point 214 avec un point 216 d'un segment de conducteur 218 prévu sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10.Le segment de conducteur 218 est couplé avec un segment de conducteur 220 situé sur côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9. Le segment de conducteur 220 prolonge le conducteur d'excitation X2 vers le haut à travers l'ouverture centrale de la position de tore 3,2 jusqu'en un point 222 qui est centré à une courte distance au-dessus de la position de tore 3,2. Un trou intermédiaire couple le point 222 avec un point 224 du côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 8. Le point 224 forme l'extrémité de gauche d' un segment de conducteur 226 qui prolonge le conducteur d'excita- tion X2 latéralement vers la droite jusqu'en un point 228 qui est centré à une courte distance au-dessous de la position de tore 2,3. Un trou intermédiaire couple le point 228 avec un point 230 d'un segment de conducteur 232 du côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9.Le segment de conducteur 232 prolonge le conducteur d'excitation X2 vers le haut à travers l'ouverture centrale de la position de tore 2,3 jusqu a un point 234 qui est centré à une courte distance audessus de la position de tore 2,3. Près du point 234, le segment de conducteur 232 est couplé avec un segment de conducteur 236 prévu sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. Un trou intermédiaire couple un point 238 de ltextrémité supérieure du segment de conducteur 235 avec un point 240 de l'extrémité de gauche d'un segment de conducteur 242 prévu sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 11.Le segment de conducteur 242 s'étend latéralement vers la droite jusqu'au point 244 qui est centré à une courte distance au-dessus de la position de tore 2,4. Le point 244 correspond au point 184 et à partir du point 244 la configuration du conducteur d'excitation X2 comprise entre les points 184 et 244 est successivement répétée jusqu'à ce que le conducteur X2 sorte sur le côté de l#natrice 14 en un point 2's6 auquel l'extrémité de sortie du conducteur d'excitation X2 peut entre couplée avec un montage externe. Bien que le conducteur d'excitation X3 traverse en fait la matrice 14 dans le sens allant de la droite vers la gauche, il sera décrit dans le sens allant de la gauche vers la droite pour permettre une comparaison plus facile avec le parcours complémentaire du conducteur d'excitation X2 qui présente une symétrie optique avec rotation de 1800 autour d'un axe parallèle à la direction des lignes, par rapport au conducteur X3, de part et d'autre d'un plan équidistant de deux pares de lignes adjacentes. Si l'on se réfère maintenant à la figure 11, on voit que l'extrémité de sortie du conducteur d'excitation X3 peut être couplée avec un montage externe en un point 250 situé sur le bord gauche de la matrice 14 en regard de la ligne 3.A partir du point 250, un premier segment de conducteur 252 du conducteur d'excitation X3 s'étend vers la droite jusqu'au point 254 qui est centré à une courte distance au-dessous de la position d'alvéole de tore 3,0. Un trou intermédiaire couple le point 254 avec un point 256 d'un segment de conducteur 258 qui s'étend vers le haut jusqu'au bord inférieur de la position d'alvéole de tore 3,0 sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. Le segment de conducteur 258 est couplé avec un point 260 d'un conducteur 262 qui s'étend vers le haut ~ travers ltouverture centrale de la position de tore 3,0 jusqu'en un point 264 qui est centré à une courte distance au-dessus de cette position de tore comme représenté sur la figure 9. Un trou intermédiaire couple le point 264 avec un point 266 de l'extrémité de gauche d'un segment de conducteur 268 s'étendant sur le côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 8.Le segment de conducteur 268 prolonge le conducteur d' excitation X3 latéralement vers la droite jusqu'au point 270 qui est couplé par un trou intermédiaire avec un point 272 du côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9. A partir du point 272 un segment de conducteur 274 traverse verticalement de bas en haut l'ouverture centrale de la position de tore 2,1 jusqu'au point 276 qui est centré à une courte distance au-dessus de la position de tore 2,1. Au point 276, le segment de conducteur 274 est couplé avec un segment de conducteur 278 qui s'étend sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10.En un point 280 du conducteur 278, un trou intermédiaire assure une connexion électrique avec un point 282 d'un conducteur 284 s'étendant sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 11. Le segment de conducteur 284 s'étend latéralement vers la droite jusqu'en un point 288 où un trou intermédiaire assure une connexion électrique avec un point 290 d'un segment de conducteur 292 s'étendant sur le côté supérieur de 1' élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. Le conducteur 292 est couplé avec un segment de conducteur 294 s' étendant sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9. Le segment de conducteur 294 traverse verticalement vers le bas la position de tore 2,2 jusqu' en un point 296 où un trou intermédiaire assure une connexion élec trique avec un point 298 du côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 8. A partir du point 298 un segment de conducteur 300 assure une communication électrique avec un point 302 qui est centré à une courte distance au-dessus de la position de tore 3,3. Un trou intermédiaire couple le point 302 avec un point 304 de l'extrémité supérieure d'un segment de conducteur 306 s'étendant sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9, segment qui traverse verticalement vers le bas l'ouverture centrale de la position de tore 3,3 jusqu'au point 308. Le point 308 est couplé avec un segment de conducteur 310 s'étendant sur le côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 10. Un trou intermédiaire couple l'extrémité inférieure 312 du segment de conducteur 310 avec un point 314 d'un segment de conducteur 316 s' étendant sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 11.A partir du point 314, le segment de conducteur 316 s'étend latéralement vers la droite jus qutau point 318 qui tst centré à une courte distance au-dessous de la position d'alvéole de tore 3,4. Le point 318 correspond au point 254 et à partir du point 318 la configuration de conducteur comprise entre le point 254 et le point 318 se répète successivement jusqu'à ce que le conducteur d'excitation X3 aboutisse sur le côté droit de la matrice 14 en vue de sa connexion avec un montage d'excitation externe au point 320. Bien que tous les parcours de circuit traversant la matrice 14 n'aient pas été spécifiquement décrite et suivis ci-dessus, or comprendra aisément que les autres configurations des conducteurs X, Y et de lecture-inhibition sont de simples répétitions de celles qui ont été décrites de façon détaillée et que toutes les configurations de circuit peuvent être déterminées par extrapolation à partir des cycles de configuration complets qui ont été décrits.On comprendra en outre que des trous intermédiaires doivent être pratiqués à travers les éléments de circuit inférieur et supérieur 50, 32 en tous les points correspondant à des emplacements auxquels des trous intermédiaires ont été décrits comme étant présents En raison de leurs petites dimensions et de leur chevauchement avec des segments de conducteur, les trous intermédiaires ne sont pas explicitament représentés sures dessins. Toutefois, on peut re marquer qu t il sont toujours disposés aux terminaisons extrêmes des segments de conducteur auxquels ils sont connectés. Pour une description plus complète des détails du procédé de fabrication, on pourra se référer à la demande de brevet français précitée. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée au mode de réalisation particulier représenté et décrit ; elle est susceptible de se prêter ou de donner lieu à de nombreuses variantes et modifications,sans qu'on s'écarte pour autant de l'esprit ni du domaine de l'invention. REVENDICATIONS 1. Mémoire magnétique, caractérisée en ce qu'elle comprend un premier substrat plan présentant des premier et second jeux d'alvéoles destinés à recevoir des noyaux un second substrat plan présentant une pluralité d'alvéoles destinés à recevoir des noyaux et des premier et second jeux de languettes, chaque languette ayant une extrémité non fixée qui définit partiellement un alvéole, les alvéoles et les languettes étant agencés de manière à permettre la mise en oeuvre d'un procédé de chargement de noyaux ou autres éléments de mémoire en deux opérations, procédé au cours duquel des noyaux sont tout d'abord chargés dans le premier jeu d'alvéoles du premier substrat alors que le second substrat est aligné en relation de proximité, de parallélisme et d'opposition avec le premier substrat, les alvéoles du second substrat étant alignés en relation de coterminaison avec ledit premier jeu d'alvéoles, et au cours duquel des noyaux sont ultérieurement chargés dans le second jeu d'alvéoles du premier substrat après ré alignement du second substrat en relation de proximité, de parallélisme et d'opposition avec le premier substrat, les cavités du second substrat étant cette fois alignd en relation de coterminaison avec ledit second jeu d'alvéoles une pluralité de noyaux ou autres éléments de mémoire présentant des ouvertures centrales respectives capables de recevoir les premier et second jeux de languettes une première pluralité de conducteurs disposés dans une relation fixe et prédéterminée avec le premier substrat et une seconde pluralité de conducteurs disposés en relation fixe et prédéterminée avec le second substrat, les conducteurs des première et seconde pluralités étant sélectivement couplés de ma- ni ère à former des conducteurs qui traversent les ouvertures respectives des noyaux ou autres éléments de mémoire pour commuter sélectivement leurs états. 2. mémoire suivant la revendication 1, caractérisée en ce qu' une unique languette du premier jeu et une unique languette du second jeu sont disposées sur les côtés opposés d'une ouverture de réception de noyaux du second substrat de manière à définir une ouverture en forme d'H. 3. moire magnétique, caractérisée en ce qu'elle comprend un premier substrat plan présentant des alvéoles destinés à recevoir des tores ; une pluralité de tores magnétiques de mémoire présen tant chacun une ouverture centrale et qui sont disposés dans les alvéoles du premier substrat ; un second substrat plan présentant une configuration d'ouvertures en forme d'H disposé en relation de proximité, de parallélisme et d'opposition avec le premier substrat des languettes, définies par les branches verticales et les barres transversales des ouvertures en forme d'H, traversant les ouvertures centrales respectives des tores; et une pluralité de premiers et seconds segments de conducteur disposés en relation fixe et prédéterminée avec les premier et second substrats respectivement et sélectivement interconnectés pour coupler inductivement les tores avec des conducteurs en vue de commuter sélectiverwent les tores et de détecter leur commutation. 4. Procédé de fabrication d'une mémoire à partir d'un premier élément de circuit portant des conducteurs et présentant une pluralité de jeux d'ouvertures, à partir d'un second élément de circuit portant des conducteurs, présentant une pluralité d'ouvertures, et comportant une pluralité de languettes ayant chacune une extrémité non fixée en communication avec une ouverture, et à partir d'une pluralité de noyaux ou autres éléments magnétiques de mémoire présentant chacun une ouverture centrale, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant à. disposer le second substrat en relation de proximité, de parallélisme et d'opposition avec le premier substrat, les ouvertures de réception de noyaux du second substrat étant alignées en relation de coterminaison avec un jeu d'ouvertures de réception de noyaux du premier substrat à charger des éléments magnétiques de mémoire dans les ouvertures de réception de noyaux alignées à déplacer le premier substrat par rapport au second pour engager une languette à travers chaque noyau chargé au cours de la dernière opération mentionnée et à aligner en relation de coterminaison les ouvertures de réception de noyaux du second substrat avec un jeu différent d'alvéoles de réception de noyaux du premier substrat, tant qu'il reste à charger des alvéoles de réception de noyaux du premier substrat et à répéter les deux dernières opérations mentionnées jusqu' à ce que tous les éléments de mémoire soient chargés.