Brevet FR2318481A1 — publié le 19770211

La présente invention concerne un film d'enregistremer.t d'inforrations, et plus particulièrement un firr a'er.registre- ment dont la composition permet la formation de trous ou de concavités par irradiation avec un faisceau d'énergie, par exemple un faisceau de lumière laser ou un faisceau d'électrons, afin d'enregistrer les informations sous forme de trous ou de concavités. De nombreux procédas ont été proposésjusqu a présent pour enregistrer des informations, par exemple des informations d'i mage, de son et autres, et depuis que cette technique a récemment progressé dans le domaine de l'alignement sur les informations, par exemple des informations d'image1 de son et autres, enregis trées par la lumière et sous une densité élevée sur un disque tournant à grande vitesse, il est devenu possible d'enregistrer et de reproduire des informations avec une densité élevée qui ne pourra, dans le futur proche, être atteinte au moyen des disques magnétiques. Il a été publié, par exemple dans un article de K.D. Broadbent, intitulé 9'A Reviens of the MCA Disco-Vision System", présenté le 26 avril 1976 au 115e SMPTE Technical Conference & Equipment Exhibit, un procédé d'enregistrement et de repro duction d'informations par la lumière sur un disque, et le principe de ce procédé sera décrit rapidement ci-après, avant de passer à la description du film d'enregistrement d'informations selon l'invention. La fig. 1 illustre le principe d'enregistrement dtinforma- tions par de la lumière sur un disque. Un disque 1 consiste en un substrat 2, réalisé normalement en verre, sur la surface du quel est collé un film d'enregistrement 3; ce disque est motte sur un arbre 4 qui le fait tourier à grande vitesse. Une lentille 5 est disposée près du disque i, à une dis tance prédéterminée, et de la lumière laser 7, (bien qu'un faisceau d'électrons soit également utilisable) modulée par des impul sions qui correspondent sux informations à enregistrer, est con #entrée sur le film d'enregistrement 3 de manière à l'irradier. La partie du film d'enregistrement ainsi irradiée par la lumière laser 7 est échauffée parc#tte lumière, et elle fond ou s'éva pore, ce dont il résulte que la forme, la dimension et la posi tion de trous et de concavités ainsi formés sur le film a'enre gistremsnt avec un diamètre de l'ordre du micron correspondent aux informations appliquées à la lumière laser. autrement nit, des informations telles que d'image et de son sont enregistres sur le film d'enregistrement 3 sous la forme de trous et de concavités.Si la lumière laser est concentrée sur le disque i et l'irradie donc pendant qu'il tourne à grande vitesse, et si l'intensité de la lumière réfléchie est détectée, l'existence, la position, la dimension et la forme des trous ou concavités du film d'enregistrement peuvent être connues, et peuvent donc être reproduites à partir des informations enregistrées. Il existe de nombreuses matières connues qui conviennent pour le film ci'enregistrement, par exemple Bi, Bi-Se ( Se = 2,5 à 3,5:1), Cd, Ge15Te85 (PbI25X, , x1avec normalement 0(x(7), etc. irais ces matières présentent différents inconvénients pour l'enregistrement des informations sous une densité élevée. Par exemple, dans le cas de 3i et de Bi-Se, étant donné que la forme des trous sur le film d'enregistrement, formés par l'irradiation avec un faisceau de lumière laser,est irrégulière, le bruit sur les informations lues est important ; dans le cas de Cd, étant donné qu'il est difficile de réaliser un film plat, le bruit produit dans les blancs du film est important et, étant donné que les dimensions des trous formés sur le film diffèrent d'un trou à l'autre même si le film est irradié par de la lumière laser d'intensité constante, la fidélité des informations reproduites est considérablement réduite. Ce procédé qui consiste à moduler un faisceau d'énergie en fonction des informations, à appliquer le faisceau d'énergie modulé sur le disque et à enregistrer les informations sous forme de trous ou de concavités, présente certains avantages, par exemple de ne pas nécessiter d'opération de développement et de fixation et de permettre des enregistrements supplémentaires, comparativement avec le procédé d'enregistrement d'informationa sur un film photographique et une substance photosensible, pre cédé largement répandu jusqu'à présent, mais ce procédé pré- sente néanmoins l'inconvénient que la matière utilisée pour le film d'enregistrement décrit ci-dessus nla pas encore pu être produite de façon pratique. L'invention concerne donc un film d'enregistrement d'informations susceptible d'éliminer les inconvénients précités des films d'enregistrement classiques, et qui peut former facilement et uniformément des trous ou des concavités de dimensions extrêmement réduites, avec la forme la plus souhaitable. A cet effet, le film selon l'invention a une composition de 30 à 100 % de masse atomique de Se et/ou Te, le reste étant choisi dans le groupe comprenant In, Sn, Pb, P, as et S. D'autres caractéristiques et avantages de llinvention ap- paraîtront au cours de la description qui va suivre. Au dessin annexé donné uniquement à titre d'exemple nul-- lement limitatif La fig. 1 est une coupe illustrant le principe du procédé d'enregistrement d'informatians sous forme de trous ou de concavités sur un disque, Les fig. 2 et 3 sont des coupes d'un film d'enregistrement dtinformations sur lequel est formé un trou ou une concavité par irradiation avec un faisceau d'énergie. Jusqu'à présent, le bismuth a été utilisé le plus souvent comme film d'enregistrement d'informations. ^ais étant donné que la forme des trous et concavités dans un film réalisé en cette matière ne correspond pas à un véritable cercle, mais qu'elle est irrégulière comme cela a été indiqué ci-dessus, le bruit sur les informations reproduites est important, et il est très difficile d'augmenter le rapport signal-bruit au-delà de 25 dB. L'invention concerne une matière qui c#ntient 30 % de poids atomique ou davantage de Se et/ou Te, le reste étant une matière choisie dans le groupe comprenant In, Sn, Pb, P, As et 3, pour former un film d'enregistrement. Se ou Te est un élément indispensable pour le film d'enregistrement qui doit contenIr l'une au moins de ces matières dans une quantité supérieure- s 30 * Le film d'enregistrement peut ne contenir que Se ou Te, ou il peut aussi contenir les deux. L'arsenic et l'étain sont par-ticu- lièrement préférables, a l'exception de Te et Se, comme éléments coexistants dans le film d'enregistrement pour obtenir de bonnes caractéristiques, et As doit être préféré. Une grande quantité de substances obtenues par des combinaisons des différents éléments précités dans un rapport prédé terminé peuvent être utilisées pour former le film d'enregistre ment, et As-Te amorphe ainsi que Sn-Se conviennent particulièrement en pratique. les trous et les concavités formés dans le film d'enregis- trement réalisé en collant le film selon l'invention, sous une o épaisseur de 200 à 1 000 A, avec 198 compositions précitées, sur la surface d1un disque de verre, et par irradiation avec un faisceau de lumière laser ou d'électrons de 5 à 40 mW, présen tent la forme la plus souhaitable et enregist@@@ les informa- tions avec un rapport signal-bruit éleve. Dans le film d'enregistrement réalisé selon l'invention, Se ou Te est un élément indispensable. Le premier avantage du film d'enregistrement contenant ces éléments est que les contours des trous et concavités -formés sur le film somt réguliers, et le second avantage est un gamma extremement grand, dont la valeur importante exprime les caractéristiques d'enregistrement. Le gamma est fréquemment utilisé pour représenter les ca ra#térie-tiques des différentes matières d'enregistrement, par exemple un fi1m-photograph#q#e ou autre, et il est#donné par la formule ci-après où E représente l'énergie appliquée et v représente {es q*-- tités variables produites par l'application dei'énergie. Par conséquent, un grand gamma signifie que de 11 énergie est enregistrée sous forme de grandes quantités variables que Si l1 énergie du faisceau appliquée au film d'enregistrement passé d'une valeur inférieure à la valeur seuil à une valeur légèrement supérieure. Il y a lieu de supposer que c'est la la raison du premier des deux avantages obtenus. Autrement dit, Te ou Se est combiné en longue chaîne dans le composé de Te et Se, ce qui est particulièrement remarquable dans le cas où le composé est amorphe. Par conséquent, si l'é- nergie est appliquée au composé de manière que le film soit ramolli, Te et Se combinés en chaîne augmentent la viscosité du film et empêchent par conséquent que les contours des trous ou des concavités soient irréguliers. Cependant, même si l'élément appelé génériquement "élément chalcogèr.e" tel que Te, Se ou S, avec les mêmes propriétés que celles de Te et Se, se trouve dans l'éliment constituant amor-he, les combinaisons de ces éléments risquent de donner l eu à ségrégation, comme par exemple Ge-S, In-S, Sn-S, Ga-e, etc. ; la forme des trous et des concavités sur le il d'enregistrement devient irrégulière et leurs profils sont rugueux, de sorte que le contraste et le rapport signal-bruit sont abaisses. Le gamma important constituant le second avantage prCcit du film d'enregistrement selon l'invention résulte des raisons ci-après : Si un faisceau d'énergie, par exemple de lumière las#-r, irradie le film a'enregistrement et qu'un petit trou est ainsi formé dans la petite partie irradiée par le faisceau, toute la partie ramollie se contracte vers la périphérie extérieure sous l'effet d'une tension superficielle, de sorte que la dimension du trou ainsi formée est augmentée, ce dont il résulte que la forme du trou 8 formé dans le film d'enregistrement 3 est légèrement relevée à la périphérie extérieure, comme le montre la fig. 2.Plus particulièrement, même si 11 énergie appliquée pour former les trous et les concavités sur le film d'enregis trement est réduite, la dimension du trou est augmentée par la tension superficielle, et sa forme est encore régulière, sans aucune irrégularité, ce dont il résulte la valeur importante de gamma. Par ailleurs, il existe des matières ne contenant pas Te et Se, et permettant d'obtenir des trous et concavités sur le film d'enregistrement sans aucune irrégularité, comme par exemple les matières contenant Al, Ga ou In, mais ces matières possèdent un gamma de faible valeur et ne peuvent être utilisées en pratique. Dans le cas où le faisceau d'énergie est projeté sur un film d'enregistrement réalisé en ces matières, afin de former des trous ou des concavités, et si l'amplitude de l'énergie est tWgnentée progressivement, la profondeur de la concavité augmente progressivement jusqu'à former enfin un trou. Mais la dimension des trous et des concavités sur le film d'enregistrement n'est pas augmentée par la tension superficielle comme selon l'inven tion et, pour augmenter cette dimension, la valeur de l'énergie doit être a#gment#e en conséquence. tant donn qu'il n'existe aucune valeur seuil bien finir de l'énergie d'enregistrement sur un fili m n-e réalisé eki ces matières, la forme en section du trou 3' dans le film est déterminée par la distribution de l'énergie du faisceau, de sorte que l'inclinaison de la périphérie extérieure devient progres- sive, carme le montre la fig. 3, e dont Il résulte qu'il est difficile de lire pour la détecter la périphérie extérieL;;re ces trous dans le film d'enregistrement, et la forme de ces trous et concavités risque de changer, et il est difficile a' obtenir ces trous très petits. Il est donc difficile d'obtenir une haute qualité de reproduction d'image à partir ce ce film d'enregistrement, dans la mesure où il est réalisé de la lanière mentionne ci-dessus. l'avantage précité du film d'enregistrement selon l'invention dépend de la teneur en Te et Se, et il est nécessaire que le film contienne plus de 30 % au total de ces éléments, ou de l'un d'entre eux, car une quantité inférieure à 30 % n'offre pratiquement pas les effets avantageux précités. les types des éléments qui coexistent avec Se et Te sont également importants, et l'un au moins d'entre eux doit être choisi dans le groupe comprenant In, Sn, Pb, P, As et S de manière que les éléments constituants en dehors de Te et Se soient nécessairement constitués par ces éléments. Mais une partie des éléments tels que In, Sn, Pb, P, As et S peut être remplacée par l'un au moins des éléments du groupe comprenant Sb, Ga, Tl, Ge et Si de manière à obtenir plus facilement un film amorphe donnant un meilleur effet. La quantité de substitution de ces éléments est de l'ordre de 50 % de la quantité totale de In, Sn, b, P, As et S. Il faut également noter que le film peut contenir des éléments autres que ces derniers, dans la mesure où i#se trouvent en petite quantité et n'exercent aucune influence sur les caractéristiques du film d'enregistrement. Le choix de Te ou Se comme matière principale dépend du type du dispositif de lecture qui sera utilisé. Plus particulièrement, dans le cas où la lecture est effectuée par transmission de lumière de longueur d'onde relativement courte, inférieure à 7 000 , l'un ou l'autre de cas éléments peut convenir. Si la longueur d'onde de la lumière utilisée pour lire les informations est supérieure à 7 000 A, ou si l'opération de lecture est effectuée par de la lumière réfléchie, il est préférable que Te soit le constituant essentiel du film d'enregistrement. Mais dans le cas où la lecture est effectuée, non pas par l'intensité de la lumière réfléchie, mais par sa phase, meme si la lecture se fait par réflexion, les deux éléments peuvent convenir si une substance de pouvoir de réflexion élevé est colle sur la surface du film d'enregistrement après la formation des trous ou concavités, ou si la lecture est effectuée sur une copie de la surface du film d'enregistrement. L'épaisseur du film utilisable pour l'enregistrement selon o 11 invention est de l'ordre de 200 à 1 000 h, et de préférence o entre 300 et 800 A. Danx le cas où une copie est faite de la surface du film d'earegistrement l'épaisseur préférable de ce o dernier est de l'ordre de 1 000 A. q Si 11 épaisseur du film est supérieure à celle indiquée cidessus, la partie relevée à la périphérie extérieure du trou devient importante, et la forme du trou ne correspond plus avec fidélité à celle du faisceau d'irradiation tandis que, Si l'épaisseur du film est inférieure à celle mentionnee -ci-dessus, de la matière sphérique est retenue dans le trou et le rapport signal-bruit des informations est dimivud. L'épaisseur du film d'enregistrement selon l'invention doit donc se tenir dans la plage précitée. Certains avantages et acaractéristiques de l'invention ressortiront des exemples ci-après Exemple 1 Du plomb et du tellure sont mélangés dans un rapport de 10 : 90 en pourcentage de poids atomique, et le mélange ainsi produit est introduit dans une ampoule de quartz qui est mise sous vide et scellée ; le mélange est chauffé dans un four électrique à 8000C pendant 3 heures, sans agiter. Quand l'ampoule chauffée est refroidie, le mélange en est extrait et il est versé dans une nacelle de tantale, dans un évaporateur sous vide. Cette nacelle de tantale est chauffée à 550-6000C dans le vide, et Pb10Te90 est évaporé sur une plaque de verre d'un diamètre de 35 cm, de manière à y former un film d'une épaisseur de lwor- o dre de 800 h. La vitesse d'évaporation dans ce cas est de 1'or- dre de 20 As informations sont enregistrées sur le film, selon le procédé illustré par la fig. 1. Plus particulièrement, avec un disque 1 revetu du film 3 en Pb10Te90, sur la plaque de verre 2, et tournant à 1 800 tr/min, une lentille 5 est approchée du film 3 à une distance prédéter minée. De la lumière 6 d'un laser à l'argon, d'une longueur dl4n o de de 4 800 A et d'une puissance de sortie 40 mW, modulée en impulsions à une fréquence de 6 MHz, et une durée de 65 ns, en fonction des informations à enregistrer, est concentrée et pro jetée sur le film 3 de manière à y former des trous pour enregistrer les informations. La dure pendant laquelle la lumière 6 rencontre un point du film 3 est de l'ordre de 30 ns. Les informations ainsi enregistrées sont lues en projetant de la lumière d'un laser à llhélium-néon, d'une puissance de c sortie de 5 mW et d'une longueur d'onde de 6,328 A, sur le film 3, et en détectant l'intensité de la lumière réfléchie de manière à obtenir la position et la grosseur des trous du film, et reproduire ainsi les informations. Il s'est avéré que le film 3 de Pb10Te90 possède un gamma d'une valeur suffisamment élevée, et un rapport signal-bruit de 35 d3 pour la reproduction des informations. Exer#-#ple 2 o Un film de chrome d'une épaisseur de 100 h est collé sur une plaque de verre d'un diamètre de 35 cm, et un film de InSe o d'une épaisseur de i 000 A est formé par évaporation sur ce premier film. Quand les informations ont été enregistrées sous vide, sur ce film de InSe, par irr.#diati#n a zec un faisceau dtoffile#trons de manier à y former des trous, un film d'aluminium d'une é o passeur de 500 est produit. Ou encore, après que les informations ont été ainsi enre gistrées, une pellicule de nickel formée sur le film de InSe, et le film de chrome exposé dans les trous, et un placage de nickel est ensuite déposé. la partie de nickel est ensuite sé- parée, en formant un moule femelle à partir duquel peut être réalisé un moule mâle comme dans le cas de la fabrication des -disques, et une plaque de matière plastique est pressée sur ce moule de manière à copier la surface en relief. De l'aluminium est ensuite déposé par évaporation sur cette plaque de matière plastique, sou#s une épaisseur de 11 ordre de 500 .Ensuite, de la matière plastique transparente est déposée sur la a plaque, au moyen d'une tournette, et elle est durcie. Les informations ainsi enregistrées sont reproduite en projetant un faisceau de laser sur 1 pellicule d'aluminium évaporés ainsi formée selon les deux procédés mentionnés cidessus, et en détectant la pnase de la lumière réfléchie. rves mesures ont également été faites sur les films de In5Se9D, In9OSe8Os In30Se70, In50Se50 et In70SeJ0 ; tous ces films pré- sentent un gamma de valeur importante et un rapport signalbruit supérieur à 32 dB.En outre, si In est additionné à Se, le point de transfert du film évaporé sur le verre s'élève, ce qui permet d'obtenir un film beaucoup plus stable et qui absorbe plus facilement la lumière laser à l'enregistrement des informations. Exemple 3 o Un film de As-Te amorphe, d'une épaisseur de 400 et dans différents rapports de mélange, est formé sur une plaque de verre d'un diamètre de 35 cm et d'une épaisseur de 1- cm,#et la surface est polie optiquement par évaporation sous vide. La matière de départ de l'évaporation sous vide est synthétisée dans une ampoule de quartz, comme selon le procédé de l'exemple 1. Les mêmes opérations d'enregistrement et de lecture que dans l'exemple i sont effectuées sur le film d'enregistrement, à ltexception près que le petit axe des trous elliptiques formés dans la pellicule de As-Te est de l'ordre de 0,6 microns. La relation entre la composition et le rapport signalbruit de ce film est indiquée dans le tableau I ci-après TABLEAU I Compositions du film As-Te Rapport signal-bruit (dB) Âs20Te80 30 As30Te70 38 As40Xe60 45 As50Te50 40 As60Te40 36 As68Te32 30 qo.l::e cela ressort clairement au tableau I, un grandi rapport signal-bruit est obtenu avec les compositions contenant plus de 32 g d'atome-gramme ae Te, ces composition tant toutes préférables en pratique. Le rapport signal-bruit est remarquablement important dans la plage de 40 à 70 # de poids atomique, ce rapport étant préférable pour le film d'enregistrement. Bien qu'un film d'enregistrement ne contenant que Te puisse également convenir pour enregistrer des informations, si hS est ajouté i Te, il évite que ce dernier passe à l'état aphéroidal; ce qui diminue le rapport signal-bruit dans la phase t'écriture des informations et favorise également la formation d'un film par évaporation à l'état a#-.orphe, en empêchant ainsi que des irrégularités se produisent sur la surface du film à cause de petits cristaux. Un film de qualité supérieure peut également etre obtenu en remplaçant une partie de As par l'un au moins des éléments choisis dans le groupe comprenant Se, Sn, Pb, In, P et S. Par exemple, si le film contient Se, l'évaporation est plus sure et le film est plus amorphe, et si le film contient S, la tension superficielle est réduite et la partie relevée à la partie ex térieure des trous du film est plus basse. l'addition de In, Sn ou Pb facilite la cristallisation et augmente le pouvoir réflecteur de la lumière, ce dont il résulte une augmentation du niveau du signal. Par ailleurs, l'adjonction de P rend le film amorphe, de sorte que sa surface est régulière et plane, ce qui réduit le niveau de bruit. Il faut noter,en regard de la description faite jusqu'ici, que les différents effets précités peuvent etre obtenus par l'aadition de ces éléments dans le film, ce sorte qu'une addition judicieusement choisie de ces éléments apporte les caractéristiques voulues au film d'enregistrement d'informations. Irais, si la quantité totale de Te et Se dans le film est inférieure à O #, par exemple 10 qç,le rapport signal-bruit n'est que 20 dB, et les caractéristiques du film sont considérablement réduites ; il est donc nécessaire que la quantité totale de Te et Se soit supérieure à 30 #. Exemple 4 o Un film de SnSe d'une épaisseur de 400 A environ a d'abord été formé sur la surface d'une plaque de verre de 35 cm de dia mètre, et la surface est polie optiquement ; un film de As6Se32 o d'une épaisseur de i 000 A est ensuite formé au-dessus, de la même manière que celle décrite dans l'exemple 1, par évaporation sous vide. Les informations sont enregistrées sur le film par de la lumière laser, de la meme manière que celle décrite en regard de ltexemple 1 et un revêtement de nickel est formé selon le procédé de l'exemple 2, en produisant ainsi une copie. Quand les informations sont lues sur la surface du film d'aluminium recouvert par la copie, les mêmes caractéristiques que celles de la matière As-Te, décrites dans 11 exemple 3, sont obtenues. Les mêmes essais ont été effectués avec ss5OSe50, As40Se60, As30Se70 et As105e90, et des résultats préférables sont obtenus avec tous ces films. Si As est additionné à Se, le gamma du film d'enregistrement a une valeur élevée, la forme et le contour des trous et des concavités deviennent préférables, la stabilité du fil est amé- liorée et toute cristallisation partielle de la matière est évitee, de sorte que les caractéristiques du film sont considérablement améliorées. Il est possible d1augmenter 11 adhésion du film sur la plaque devgrre en formant un film de Sn-Se avant le revêtement par le film de As-Se, et un film de Or peut etre utilisé a la place du film de Sn-Se. Exemple 5 Un film d'aluminium de 3 000 A est formé sur une plaque de verre de 35 cm de diamètre et un film de As355 Te35 d'une épaisseur de 500 A est formé selon le procédé de l'exemple 1. Les informations sont enregistrées par de la lumière laser selon le procédé de l'exemple 1, un revêtement de nickel est ensuite formé au-dessus et, puisque l'aluminium est exposé dans les trous du film, le nickel n'est déposé que dans ces parties en formant des parties en relief. Etant donné que ces paries en relief du film peuvent etre facilement transférées sur une plaque, par exemple en chlorure de p#Lyvinyle, au moyen d'une presse, les informations ainsi enregistr~es peuvent etre copiées en grande série selon ce procédé. Le rapport signal-bruit de ces informations ainsi copiées sur la plaque de chlorure de polyvinyle est 35 dB, ce qui est suffisant en pratique. Exemple 6 o Un film de Sn70Se50 d'une épaisseur d'environ 1 000 A est formé sur une plaque de verre d'un diamètre de 35 cm, et la surface est polie optiquement selon le procédé de l'exemple 1. Irais étant donné que Se s'évapore plus faoilement que Sn dans ce cas, la composition du film ainsi formé revient Sn60Se40. Les informations sont enregistrees selon le procédé de l'exemple 1, et un-placage de nickel est formé sur le film comme dans l'exemple 2 et la copie est ainsi formée. Les caractéristiques de la matière Sn-Se du film sont telles que, puisque la partie relevée à la partie extérieure des trous est très réduite, il n'existe pratiquement aucun risque d'apparition de bruit dans levas où la rugosité de la pe#llicule d'aluminium formée sur la copie est détectée par la dif-férence de phase de la lumière de lecture. Les rapports signal-bruit dans les différents eas, sur les informations enregistrées sur le film de Sn-Se, ont été mesUxis sur 1a copie et les résultats obtenus sont indiqués dans le tableau Il ci-après ; si la teneur en Se se situe entre 30 et 70 % d'atome-gramme, les meilleures caractéristiques sont obtenues dans tous les cas. TABLEAU Il Composition du film Sn-Se Rapport signal-bruit (dB) Sn Se 35 70 30 Sn60Se40 40 Sn50Se50 42 Sn40Se60 36 Sn30 Se70 30 ExemPle 7 Du sélénium et du soufre sont évaporés sur un disque de verre d'un diamètre de 35 cm, séparément et à partir de nacelles différentes, avec un rapport de masses atomiques Se70550, pour former un film d'une épaisseur de 1 000 A. Les informations sont enregistrées par de la lumière laser selon un procédé similaire à celui de l'exemple 1. Après l'enregistrement, un placage de nickel est formé comme dans l'exemple 2, et une copie est faite sur une plaque en matière plastique. T.laa~iti3n de soufre diminue la partie relevée à la 9éri- phérie des trous formés aans le film et le rapport signal-bruit est 32 dB. Exemple 8 La matière mélangée ave As, Se et ne, dans le rapport de poids atomique As40#e15Te45,est placée dans une ampoule,chauffée à 8000C pendant plus de 3 heures dans le vide, sans agitation de maniereaetre dissoute. Quand le mélange est refroidi, il est sorti de l'ampoule de quartz et pulvérisé. Le mélange ainsi traité est évaporé par pulvérisation sur une plaque de verre carrée de 5 cm de coté pour former un film o d'une épaisseur de l'ordre de 500 A. Ensuite, cette plaque de verre est placée sur une plate-forme mobile entraînée par un moteur électrique, et de la lumière d'un laser à l'argon d'une o longueur d'onde de 5,145 A est concentrée et balaye une largeur constante, le substrat étant ainsi déplacé de manière à former une distribution prédéterminée. Cette distribution peut etre utilisée comme un masque pour l'exposition d'une matière photosensible. Les matières précédemment décrites dans les autres exemples peuvent aussi être déposées par évaporation sur la plaque de verre afin de former un masque d'exposition. La matière de l'exemple 8 peut également être déposée par évaporation sur un disque pour enregistrer des informations d'image avec une densité élevée, similaire à celle décrite dans les autres exemples. Il est bien entendu que de nombreuses modifications peuvent être apportées aux exemples décrits sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1 -Film d'enregistrement d'informations, caractérisé en ce qu'il contient au moins 30 % de poids atomique d'un élément choisi dans le groupe comprenant De et me, le reste étang constitué par au moins un élément choisi amans le groupe comprenant In, Sn, Pb, P, As et S. 2 - Film selon la revendication 1, caractérise en e que o son épaisseur est comprise entre 200 et 1 000 A. 3 - Film selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'un au moins des éléments choisis dans ledit groupe comprenant in, Sn, Pb, P, As et S contient partiellement un élément au moins choisi dans le groupe comprenant Sb, Ga, il, Ge et Si. 4 - Film selon la revendication 3, caractérisé en ce que la quantité dudit au moins un élément choisi dans le groupe comprenant In, Sn, Pb, P, As et S remplacé par ledit au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Sb, Ga, Ti, Ge et Si est inférieure à 50 %de depoids atomique de la quantité totale de In, Sn, Pb, P,-As et S.