Brevet FR2294548A1 — publié le 19760709

La présente invention, concernant la fabrication de semi-conducteurs, a trait plus particulièrement à des struc turés stratifiées qui peuvent être utilisées pour la formation simultanée de diodes et de trajets conducteurs associés, à des diodes et trajets conducteurs associés formés dans de telles structures et à des mémoires formées à partir d'une pluralité de telles structures. On sait qu'on peut former une diode en plaçant un contact à pointe de fil métallique sur un corps semi-conducteur et en faisant passer un courant électrique dans le fil. le courant doit être suffisant pour faire fondre et pour faire diffuser localement des atomes de métal à partir de la pointe du fil. La diode se trouve formée dans la zone-de contact. Est également connue en soi une mémoire programmable dite "morte" dans laquelle une couche isolante mince d'un certain type, prévue sur un substrat semi-conducteur, est soumise à un claquage électrique pour former un contact électrique avec une diode préformée dans le substrat semi-conducteur. les moyens connus à I 'heure actuelle qui mettent en jeu le claquage électrique d'une pellicule mince d'oxyde métallique isolant nécescitent un chauffage, d'abord pour former une diode en chaque emplacement de mémoire par diffusion thermique, pour déposer la pellicule isolante par dessus claque diode, puis pour opérer une métallisation, en faisant appel aux techniques du vide. Dans l'industrie des mémoires semi-conductrices, on a certai nuent besoin de disposer d'une mémoire morte susceptible d'être préparée de façon commode et stre et d'être remplie (écrite) électroniouement sous une tension fixe pour former des structures individuelles ou groupées en une matrice, cha- nue structure comprenant un trajet conducteur placé en série avec une diode stable simultanément formée.On aurait également besoin de disposer d'une mémoire analogue, dans laquelle de telles structures à trajet conducteurs et à diodes peuvent être placée; dans l'état non-conducteur ou dans I'état conducteur, qui Oit "morte", mais évolutive, dite altérable.De plu:, on aurait besoin e pouvoir disposer d'une mémoire " vi e: à accès aléatoire, dans laquelle on puisse faire passer rapidement de telles structures à trait conducteurs et à diodes de l'un à l'autre des états de conduction et de non-conduction un très grand nombre de fois. Un but de la présente invention est de proposer do-s structures qui sont aptes à fournir des diodes avec trajets conducteurs associés par application d'une tension d'activation. Un autre but de l'invention est de proposer des structures ue ce genre, dans lesquelles la tension d'activation reuui- se esU relativement constante d'un échantillon à l'autre. un autre but encore de l'invention est de proposer des structures du genre précité qui sont susceptibles, après activation, d'être traversées sans endommagementpar une large gamme de courants de lecture. l'invention a encore pour but de proposer des structures du genre précité qui sont susceptibles, après activation, d'exister dans des états de conduction et de nonconduction distincts. L'invention a encore pour autre but de proposer des structures du genre précité qui sont disposées suivant une matrice bidimensionnelle se prêt an t à être utilisée en mémoire morte, en mémoire morte altérable et en mémoire vive à accès aléatoire. La présente invention permet d'y atteindre en réalisant une structure stratifiée, qui comprend en combinaison un corps semi-conducteur sur lequel est prévue une couche de revê tement, ledit corps semi-conducteur présentant une région superficielle d'un type de conductivité donné, ledit revêtement étant un revêtement de polymère avec particules métalliques dispersées, situé en contact avec ladite région superficielle, le métal desdites particules métalliques étant apte à induire un type de conductivité différent dans ladite région superficielle, lesdites particules métalliques, encapsulées avec isolement existant > dans le revêtement en quantité suffisante pour établir une conductivité électrique dans le revêtement et pour former une diode dans la zone de contact entre ledit revêtement et ledit corps semi-conducteur, lors de l'application d' une tension 'activation à la structure stratifiée. lies caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront davantage de le description, donnée ci-après à titre d'exemple non limitatif avec référence aux dessins ci-annexés, sur lesquels la figure 1 est une vue de coté, montrant une réunion superficielle d'un semi-conducteur 1 d'un type de conductivité P et un revêtement 2 électriquement activable, qui comprend des particules métalliques dispersées 3 induisant une conduc tivité de type N et un polymère 4 la figure 2 est une vue de côté montrant la structure de la figure 1 après activation électrique au moyen d'une source d'alinentation 5 à tension continue, cette activation donnant lieu à la formation d'au moins une chaîne conductrice O de particules métalliques 3 au travers du polymère 4 et d'une diode dans la zone 7 de contact entre le revêtement 2 et la ré gion superficielle du semi-conducteur 1 la figure 3 est une vue de côté, montrant une région superficielle d'un semi-conducteur 10 non-dopé, une électrode à conduction permanente 11 destinée à coopérer avec la diode et un revêtement électriquement activable lc formé d'un polymère 14 et de particules métalliques dispersées 13 induisant une conductivité de type N la figure 4 est une vue en coupe montrant la structume de la figure 3, avec son électrode à conduction permanente 11, au-cours de l'activation électrique au moyen d'une source de tension alternative 15 telle qu'un éclateur détecteur de fuites, propre à fournir des décharges d'activation multiples, une pluralité de trajets conducteurs le de particules métalliques 13 qui sont formés par décharge à travers le polymère 14 avec des diodes associées situées dans la zone de contact 17 entre le revêtement 12 et la région superficielle du semi-conducteur 10 la figure 5 est une vue en plan d'une matrice de mémoire contenant une pluralité de structures formant des diodes. En trait plein sur la figure 5, les voies d'adresse d'axe Y 20 et 21 sont en contact avec les revêtements sous-jacents 22, 23, 24 et 25 à polymère et particules métalliques dispersées. les revêtements 22 et 23 sont eux-memes en contact avec une région sous-jacente 26 formant canal en matériau semi-conducteur qui présente un type de conductivité donné. D'une façon similaire, les revêtements 24 et 25 sont en contact avec une région sous-jacente 27 formant canal en matériau semi-conducteur de type de conductivité donné. les régions 2s et 27 sont situées dans la surface d'un corps s-i-conducteur commun, comme on peut voir sur la figure U la figure o est une vue en coupe prise suivant la li ne -j de la figure 5, qui montre les couches constituantes de telles structures. mur la figure b, la voie d'adresse 21 est en contact avec les revêtements , et 25. Les revêtements ca et couche- coplanaire 28 en matériau électriquement isolant. les régions r6 et 27 formant canal sont situées dans la surface du corps semi-conducteur 29 Qui est sous-jacent à ltensemble de la matrice illustrée sur la figure 5. les régions L et 2.7 sont représentées, formées atun matériau de type N et le corps semi-conducteur commun, formé d'un matériau de type P, ceci bien que dans certains cas on puisse faire appel à d'autres combinaisons de conductivités de type X, de type P, de type N+, de type P et de conductivité intrinsèque la figure 7 est me vue de côté, qui montre des régions adjacentes de type P 30, de type Nt 31, convenablement associées à une région semi-conductrice superficielle 32 de type de conductivité N et à un revêtement 33 pour permettre l'application c8te-à-côte d'électrodes métallisées 34 et 35 en contact respectivement avec le revêtement 33 et avec la région 30. Une couche coplanaire 35, en matériau électriquenuent isolant, empêche l'établissement d'un contact entre les électrodes et les régions 31 et 32 ; la figure 8 est le schéma électrique d'un circuit d'activation ; et la figure 9 est le schéma électrique d'un circuit à impulsions pour cycles répétés. Comme déjà dit, la présente invention vise une structure stratifiée comprenant en combinaison un corps semi-conducteur sur lequel on a établi un- revêtement, ledit corps semiconducteur présentant une région superficielle de type de conductivité donné, ledit revêtement étant constitué par des particules métalliques dispersées et par un polymère et étant en contact avec ladite région superficielle, lesdites particules metalliques étant aptes à induire un type de conductivité dif-frent dans ladite région superficielle, ces particules étant encapsulées de façon isolante et existant dans le revê tement en quantité suffisante pour établir une conductivité électrique au travers du revêtement et pour former une diode dans la none de contact entre ledit revêtement et ledit corps semi-conducteur lors de l'application d'une tension d'activation à la structure stratifiée. lies structures stratifiées selon la présente inven tion peuvent entre utilisées pour former une diode unique ou me rltiplicité de diodes, avec un trajet conducteur coiamu- table associé à chaque diode, pour commander le passage d'un courant électrique Par ewrenple, on peut faire appel à une pluralité e structures de ce genre avec un corps semi-conducteur commun pour former un dispositif a mémoire. Dans un mode de réalisation de l'invention, la mémoire orte ainsi réalisée est formée d'une pluralité de structures stratifiées formant des diodes disposées suivant une matrice bidimensionnelle reliée par des voies d'adresse. Dans une telle matrice, le corps semi-conducteur présente normalement de nombreuses régions superficielles d1un type de conductivité donné sans ce mode de réalisation, le trajet de conduction présente une grande stabilité. Selon un aspect préféré de l'invention, la structure activée présente un état de conduction et un état de non-conduction qui sont tous deux propres à persister pendant longtemps, par exemple pendant plusieurs années. De plus, la commutation entre les états de conduction et de non-conduction peut être effectuée au moins dix fois.Ces caractéristiques permettent de mettre en oeuvre l'invention pour réaliser une mémoire morte et une mémoire morte altérable. Dans un autre mode de réalisation, qui correspond à l'application de l'invention à la réalisation d'une mémoire à accès aléatoire, on préfère utiliser un polymère dont la température de transition vitreuse (Tg) est très basse, ce polymère étant par exemple un liant élastique, et y co-disperser des particules ferromagnétiques et des particules d'aluminium encapsulées par de l'oxyde. Dans ce node de réalisation, le trajet de conduction peut s'interrompre spontanément au bout de quelques jours ; cependant, sa stabilité est suffisante pour une mémoire à accès aléatoire. Dans cette application, l'avantage d'une basse température de transition vitreuse est qu'on peut faire passer rapidement la structure de l'un à l'autre de ses états de conduction et de non-conduction. lorsque le liant élastique de la mémoire à accès aléatoire précitée est un élastomère fluoré teru.'ique- senc stable, tel qu'un élastomère de fluorooléfine du comme ce, le dispositif peut fonctionner à des températures aussi élevées que 125 C.Parmi d'autre modes de réalisation pré fois coe l'invention figurent ceux clans lesquels les psrticules métallique sont des particules d'aluminium encapsulées par de l'oxyde, l'aluminium étant apte à jouer le rôle d'un dopant de type P pour les semi-conducteurs au silicium et au germanium de type N, et ceux dans lesquels ces particules sont des particules d'antimoine encapsulées par de l'oxyde, l'antimoine tant apte à jouer le rôle d'un dopant de tsne l; pour les semi-conducteurs au silicium et au germanium de type P. La structure stratifiée selon l'invention, avec son revêtement a particules métalliques dispersées et à polymère convenablement préparé, simplifie les opérations pouvant être requises dans la fabrication des mémoires à semi-conducteurs. Les temps et coûts de fabrication se trouvent réduits grâce à la formation simultanée d'une diode et de son trajet de conCcuction associé en une même opération d'activation électri je. les tensions requises pour effectuer l'activation sont usuellement reproductibles à % volt près. Dans l'état conducteur, les structures stratifiées présentent les caractéristiques tension-courant asymétriques utiles des diodes semiconductrices. Elles présentent de faibles résistances dans le sens direct et de fortes résistances inverses, dans une gamme de tensions acceptable.Bien que de faibles courants puissent normalement être utilisés pour lire de telles structures de noire, des courants plus importants, allant dans certains cas jusqu'à 100 milliampères, peuvent être parfois utilisé vans endommager les structures ni les faire changer d'état les structures utilisables peur former une mémoire morte altérable sont commodément reprogrammés par application d'impulsions de courant à intensité rapidement décroissante pour faire passer comme on le désire certaines des structures stratifiées dans l'état non-conducteur et par application d'impulsions de tension pour activer des structures stratifiées situées en d'autres emplacements de la matrice, les structures stratifiées qui sont mises dans l'état non-conducteu étant susceptible d'être ramenées dans l'état conducteur s'il en est besion. La présente invention procure également des structures utilisables pour former une mémoire vive à accès aléatoire qui ne requiert généralement que des impulsions de courant de 0,1 à 1 milliampère pour passer de l'état conducteur à l'état non-conclucteur, et qui peut subir au moins 108 cycles de changement d'état sans défsillance. Quant aux particules métalliques, elles jouent deux rôles. lors de l'activation élcctrique, elles établissent un trajet de conduction électrique à travers le revêtement, et elles forment également une diode dans la zone de contact entre le revêtement et le corps semi-conducteur. Tel qu'utilisé dans le présent mémoire, le terme de "diode" désigne une structure qui du point de vue électronique joue sensiblement le même rôle que celui usuellement attribué à une d'ode à cristal. le métal choisi pour constituer les particules métalliques doit être apte à établir un type de conductivité différent dans la région superficielle du semi-conducteur.Si par exemple la région est du type N, c'est-à-dire si elle est conductrice par déplacement d'électrons, le métal choisi est un métal pouvant jouer le rôle d'un accepteur d'électrons, en formant ainsi des trous Si la région superficielle est du type P, c'est-à-aire si elle est conductrice par déplacement de trous, le métal choisi est un métal propre à jouer le rôle de donneur d'électrons, et à combler ainsi les trous jusqu a ce qu'il existe un excès d'électrons.SI la région est formée par un matériau semi-conducteur non-dopé à résistance relativement élevée dont la teneur en impuretés est faible, c'est-àdire par un matériau du type a conductivité intrinsèque ou quasi-intrinsèque, on peut utiliser l'une ou l'autre des classes de métaux ci-dessus, mais avec une préférence pour les métaux accepteurs. On trouve dans un art antérieur très classique des classifications des métaux autant à leurs teneurs en impuretés et à leurs ap plications en tant qu'accepteurs, pour la conduction de type P, ou donneurs, pour la conduction de type N. On trouve par e::oenple dans l'ouvrage de h.Brooks intitulé "Advances in électrons and Electron Physics", volume 7, page 110, Academic Pres Inc., 1955, une liste d'accepteurs et de donneurs pour deux semi-conducteurs classînues fondamentaux, à savoir le germanium et le silicium, utilisés a ne les micro-circuits. D'autres seri-conaucteurs classiques utilisés dz-ns le domaine des micro-circuits peuvent également être utilisés pour former les corps seini-conducteurs de la présente invention. Ceux-ci comprennent les semi-conducteurs des groupes II1-; et V-S (de la classification périodique des éléments) tels que GaAs, Gaçb, InP, InAs et Inox, pour lesquels les métaux divalents servent généralement de donneurs induisant une conductivité de type lTt et les métaux quadrivalents, d'accepteurs induisant une conductivité de type P.D'une façon générale, on peut faire appel, en tant qu'accepteur ou donneur, à un métal simple ou à une combinaison de métaux pour un corps semi-conducteur particulier de type ce conductivité donné. Si l'on utilise se une combinaison de métaux, une telle combinaison peut se trouver sous la forme de particules d'un alliage des métaux ou bien de mélange de particules de chaque métal. Afin de douer correctement leur rôle dans la mise en oeuvre de la présente Invention, le ou les métaux doivent être en particules encapsulées de façon isolante. Lorsque les par-ticules sont encapsulées de façon isolante comme on le verra plus loin plus en détail, elles présentent une résistance d'au moins environ 100 ohms (sous une tension d'essai d'environ 20 volts) lorsqu'elles sont pressées en une couche (de quelques millimètres d'épaisseur) avec une force de compression voisine de 10 grammes entre des électrodes métalliques dont la surface est d'environ 6,5 cmC. Les particules encapsulées de façon isolante présentent une région intérieure électriquement conductrice et une surface diélectrique qui établit une résistance de contact lorsque les particules se touchent. Les surfaces dié lectriques appropriées sont formées de préférence par un composé chimique isolant du métal revêtu, tel qu'un oxyde, un sulfure ou un nitrure du métal. Le métal à encapsulation isolante préférable entre tous est l'aluminium, celui-ci étant associé à une pellicule d'oxyde qui se forme à sa surface lorsqu'il est exposé à l'atmosphère. Sont également très avantageuses les particules d'indium, d'antimoine, de titane et de cadmium encapsulées d'une façon similaire. D'autres métaux, faciles à obtenir, qui comportent normalement une pellicule appropriée d'oxyde isolant sont le bismuth, le chrome, le cobalt, le plomb, le magnésium, le manganèse, le molybdène, le niobium, le tantale et le tungstène.D'autres matériaux d'encapsulation isolante utilisables comprennent les sulfures et les nitrures des métaux. L'encapsulation isolante peut également être réalisée par application d'un revêtement de po lymère. bne encapsulation par polymère peut être réalisée par exemple corme décrit plus loin à l'exemple 3, où des particules ferronagnétiques (en fer) sont encapsulées de cette manitre. ma taille moyenne des particules métalliques à encapsulation isolante est comprise entre environ 0,01 et 100 ricrons ; plus avantageusement, entre O,C1 et 50 micron et de préférence encore entre 0,05 et 1 micron. La taille moyenne des particules ne doit pas dépasser le dixième de l'é- paisseur du revêtement. Le rôle du polymère, Qans les structures stratifiées selon la présente invention, est de maintenir en place les particules métalliques et de constituer une gangue diélectri- que pour les particules. Le polymère choisi doit être chimiquement inerte vis-à-vis des autres constituants dusystème, et il doit présenter une stabilité thermique suffisante pour pouvoir résister aux températures de fabrication et de service des structures stratifiées. Les performances des structures stratifiées selon l'invention dépendent fortement de la température de transition vitreuse (Tg) du polymère utilisé.Si cette température est élevée, par exemple d'au moins 40 C et de préférence d'au moins 1000 C, les structures, manifestent une grande stabilité dans l'état conducteur, ce qui signifie que 'état conducteur donne lieu à la conservation d'une résistance basse constante pendant une longue durée. Si la tem- pérature de transition vitreuse Tg est d'au moins 100 C, l'état de conduction est suffisamment stable pour des dispositifs faisant appel aux structures stratifiées dans une mémoire aorte et dans une mémoire morte altérable, susceptibles de fonctionner a me température de service de 1250 C.Dans tous les cas, et indépendamment de la valeur de la température de transition vitreuse du polymère, les structures sont extrêmement stables dans l'état latent et dans l'état non-conducteur. Par contre, si la température de transition vitreuse est assez basse pour que la composition de revêtement soit élastomérique, c'est-àdire si le polymère constitue on liant élastique conforme à la définition qui en sera donnée plus loin, le métal des particules métaliques de la composition de revêtement peut être alors choisi, comme on le verra plus loin, de façon que les structures ainci réalisées soient aptes à être commutées de l'un L autre de leurs états de conduction et de non-conduction un très grand nombre de fois, plusieurs milliards de fois par exemple, et qu'elles posèedent dans les états latents conducteur et non-conducteur, une stabilité suffisante pour pouvoir être utilisées dans une mémoire vive. Cependant, de telles structures sont susceptibles de ne pas posséder dans ae conduction une stabilité suffisante pour être utilisées dans une mémoire morte ou dans une mémoire morte altérable. Les polyimides aromatiques présentant une température de transition vitreuse d'au moins 100 C, et de préférence d'au moins 150 C C, représentent la classe la plus pri- vilégiée de polymères susceptibles d'être utilisés -selon l'invention comme liants, en particulier dans une mémoire morte et dans une mémoire morte altérable. De tels polyamides et leur préparation sont bien connus, comme l'illustrent par exemple les brevets des Etats-Unis n 3 179 614, 3 179 630, 3 179 631, 3 179 632, 3 179 633, 3 179 634 et 3 287 311.Comme en fait état l'art antérieur, certains polyimides ne sont pas faciles à préparer en raison de leur point de fusion élevé. Dans le cas de tels polyimides, les particules métaliques de vant faire partie de la composition de jonction sont intro auites au cours de la préparation du polyamide. Far exemple, elles peuvent être ajoutées à une solution de l'acide polyami- Que, Qui constitue un produit intermédiaire réalisable et utilisé pour former le polyimide. un tel acide polyamique précurseur est disponible dans le commerce sous forme de soiu- tion dans a N-méthyl-2-pyrrolidone sous la désignation d'émail pour fils "PYRE-ML" RC-5057. Il est facile d'y disperser des particules d'aluminium à encapsulation isolante.Le polyimide obtenu à partir d'un tel acide polyamique peut résister à une température de 450 C pendant de courts intervalles de temps, et/peut supporter une température de service permanent de 220 C. Le polyimide obtenu à pattir d'un tel acide polyamique et renfermant des particules d'aluminium qui y sont dispersées peut supporter un chauffage pendant une durée suffisante pour former, par alliage, des contact à faible résistance ohmique entre des conducteurs en aluminium et des dispositifs semiconducteurs au silicium sur un même élément ou des éléments voisins d'une matrice de mémoire morte. e polymères organiçues ce silicones classiques dont la channe d'ossature contient des tronçons O et qui sont aptes à être récticulés sont également préférables dans les applications où l'on désire une température de transition titreuse élevée Des polymères de ce type. nul sont solubles dans les solvants et durcissables sont décrits par exemple dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique n0 3 451 838 et 3 ^eG 980. Des polymères de ce type qui sont disponibles dans le commerce, la "Glass Resin lOO par exemple, sous forme de poudres et de paillettes, peuvent être commodément dissous dans un solvant volatil appropié tel que l'éthanol pour connus tituer un milieu dispersif pour les particules métalliques. Afin d'éliminer le solvant volatil et ce renforcer la prise du polymère, on peut effectuer ultérieurement un séchage à l'air à diverses températures, dépendant du polymère de sili cone particulier utilisé. Les polyamides aromatiques présentant une température de transition vitreuse élevée représentent une autre classe de polymères organiques préférentiels, utilisables dans la mise en oeuvre de la présente invention. Les diamines qui se prêtent à la formation des polyimides précités sont également utilisa bles pour préparer les polyamides. De tels polyamides sont dé crits aux brevets des Etats-Unis n0 3 GOS 899, 3 094 511, 3 232 910, 3 240 760 et 3 354 127. Parmi les polymères organique s classiques appropriés qui présentent une température de transition vitreuse élevée et sont utilisables dans la mise en oeuvre de --l'invention fi gurent également les polyoléfines, les dérivés polyvinyliques tels que les acétates de polyvinFle et les alcools polyviny ligues, le-s polybenzimidazoles, les polyesters, les poly(amide imides), les poly(ester-imides), les polysulfones, les poly carbonates, les polyacrylonitriles, les polyméthacrylonitriles, les polyméthylméthacrylates, les polystyrènes, les poly(g & méthylstyrènes), les esters de cellulose tels que les acétates de cellulose, les esters mixtes acétiques et butyriques de cellulose, les triacétates de cellulose et les nitrates de cellulose, et les celluloses alcoylées telles que l'éthylcellu- lose. Par le terme de liant élastique, on entend un matériau isolant apte à subir un allongement et à revenir sensiblement à ses dimensions initiales. De préférence, le liant élastique (lorscu'il est soumis à des essais en l'absence des particu les dispersées) doit être capable de subir un allongement d'au moins 100 %? (épreuve A.S.T.M. 'J 12-) et de revenir spon tenehent par rétractiOn à une longueur Inférieure à 1,5 fois sa longueur d'origine.Des représentants de liants élastiques ayant de telles propriétés, tels ceux décrits par exemple aux brevets des Ltats-Unis n 3 766 095 et 3 766 O9o, comprennent le caoutchouc naturel, les caoutchoucs synthétiques ou polyisoprène, les polymères élastomériques de chloroprène, les élastoméres de fluorooléfines, les élastoméres butadiène te, les élastomères à diènes non-conjugués éthylène-pro- pylène, les élastomères de silicones et les polymères de condensation apparentés aux élastomères, tels que les polyuréthames obtenus par réaction d'un polylsocysuate et d'un polyal colidèneglycol. Le liant élastique peut également contenir des charges, des agents de renforcement ou des plastifiants, à condition que de tels additif s ne perturbent pas les propriétés des particules métalliques dispersées lors de l'activation. Des corps semi-conducteurs appropriés, dopés ou bien intrinsèques, sont déjà connus en eux-mêmes. Un tel corps (par exemple, une microplaquette) présente généralement une région superficielle du même type de conductivité que le reste du corps. Cependant, si on le désire, on peut doper une ou plusieurs régions superficielles, en utilisant des techniques classitues pour en modifier les caractéristiques de conductivité. Pour les besoins de la présente invention, on peut choisir de conférer, en tant que type de conductivité donné à la région superficielle, une conductivité de type N, de type E, de type ift, de type P+ ou une conductivité intrinsèque, c'est-à-dire sans dopage. Les particules métalliques encapsulées interviennent dans la composition de revêtement en quantité suffisante pour réaliser l'activation électrique qui est marquée par une trait sition soudaine à un état de faible résistance, c'est-à-dire l'état de conduction. Cette quantité doit rester suffisamment basse pour éviter que le revêtement puisse perdre sa cohésion physique en service. D'une façon générale, la quantité de par tics es métaliques représente, en volume, 10 à 90 ,ó de la composition de revêtement, et de préférence 40 à 80 96. Lorsque cette quantité est inférieure à 10 %' environ, l'activation électrique peut nécessiter des tentatives répétées ou ne pas réussir. Une quantité supérieure à oo 96 aurait pour effet de rendre friable la composition de revêtement et de rendre irrégulière la surface de la couche de revêtement.D'autres maté riaux peuvent être incorporés dans la gangue de polymère avec les particules métaliques, à condition Que leur présence ne compromette pas l'aptitude des particules métaliques à établir à la fois un trajet de conduction et une diode lors de l'activation.Lorsqu'on sire réaliser des structures stratifiées qui sont aptes à jouer des iodes à trajets de conduc- tion associés et dans lesquelles il est possible d'opérer un trés grand nombre de fois des commutations de l'un à l'autre des états de conduction et ae non-conduction, la composition de revêtement doit contenir des particules ferromagnétiques, telles eue des particules de fer, de nicKel ou de cobalt ou un mélange de telles particules, en plus des particules métalli- ques encapsulées qui sont choisies pour former à la fois un trajet de conduction et une diode. On peut utiliser à cet effet des compositions contenant des particules d'aluminium et des particules ferromagnétiques, telles par exemple celles décrites/dans le au brevet des Etats-Unis n 3 766 095.Dans la préparation de telles compositions, le rapport du poids de particules ferromagnétiques à celui des particules d'aluminium est choisi entre 0,17 et i, et le poids total de particules ferlo- magnétiques et de particules d'aluminium représente environ 40 à 80 , de celui de la composition de revêtement, compte non tenu des conetituants volatils, les particules d'aluminium devant néanmoins représenter en volume au moins environ 10 96 du revêtement.Dans une composition préférée, le rapport du poids des particules ferromagnétiques à celui des particules d'aluminium est d'environ , et le poids total des particules représente 60 à 70 y du poids de la composition, cette non tenu des constituants volatils. L'aluminium, qu'on choisit de préférence, peut être remplacé par d'autres métaux, à condition que ceux-ci soient encapsulés de façon isolante et qu' ils occupent sensiblement le rêre volume que les particules d'aluminium. On peut égalment faire appel à des alliages d'aluminium et d'autres métaux sous forme de particules ; l'aluminium doit de préférence être prépondérant dans de tels alliages. Une autre classe de compositions de revêtement pré sentant des caractéristiques améliorées de commutation bistable conduction/non-conduction comprend des particules d'aluminium à encapsulation isolante, des particules de fer (ou d'un autre matériau ferromagnétique) à encapsulation isolante et un liant élastique pour les particules, avec un rapport poids des particules de fer ou de matériau ferromagnétinue aux particules d'aluminium compris entre environ 0,17 et 3,5 et de préférence entre 1,3 et ,5, le poids total des particules encapsulées d'aluminium et de fer ou de matériau ferromagné tique représentant environ 25 à 85% et de préférence 60 à 70 , de lui de la composition, compte non tenu des-cons- tituants volatils, à condition toutefois que les particules d'aluminium encapsulées constituent au moins 10% environ du volume du revêtement. L'aluminium peut être remplacé par d'autres métaux et alliages, tels rue ceux décrit plus Ilaut, à condition que soient satisfaites les conditions ci-dessus indiquées. Les particules ferromagnetiques susmentionnées de façon générale sont électrînuement conductrices ; elles sont rendues non-conductrices par encapsulation des particules individuelles dans un matériau isolant en faisant appel à des techniques classiques. Plus le pouvoir isolant du matériau, c'est-à-dire sa résistivité volumique, est grand, plus ce matériau isolant peut être mince. Bien que les épaisseurs appropriées soient normalement comprises entre une fraction de micon et plusieurs microns, il est plus commode de spécifier que le matériau isolant doit représenter environ 0,5 à 6%, et ce préférence 1 à 3 % du poids total dudit matériau et des particules.La résistivité volumique du matériau isolant doit~ être d'au moins environ 1011 ohms-cm sous une humidité relative de 50 % et une température de 2o C. Les matériaux isolants comprennent des polymères organiques et inorganiques, et en particulier des polymères tels que ceux indiqués plus haut en tant que liants élastiques. De tels matériaux doivent être chimiquement inertes en présence des constituants du revêtement, et choisis de façon qu'ils soient insolubles dans le solvant du liant. La composition et la couche de revêtement peuvent être 2or:ées en faisant appel à des techniques classiques de dispersion ne particules métalliques dans un polymère et d'obtention d'une couche de forme et d'épaisseur désirées.La composition de revêtement peut évetuellement contenir un solvant volatil. Parmi les procédés utilisables pour appliquer la composition de revêtement au substrat semi-conducteur figu rent l'application au pinceau, la pulvérisation, l'application par immersion, l'étalement centrifuge, le coulage et l'extru- sion. En variante, le revêtement peut être formé sur un sup port temporaire,.tel qu1un papier de report, puis appliqué à à la surface du semi-conducteur avant ou après sa séparation du support temporaire.Si un solvant volatil est présent dans la composition de revêtement, il peut être éliminé partiel lement ou totalement avant ou bien après formation du revête ment. Lorsqu'on utilise des polymères qui nécessitent un chauffage pour réaliser la réticulation ou formation de liai son transversale ou, corme c'est le cas pour l'acide polyam que, la cyclisation, une phase de chauffage peut être incorpo rée à la formation du revêtement. Bien que l'épaisseur du revêtement ne soit pas cru ciale, elle sera usuellement comprise entre 0,1 et O 000 mi crons environ, et plus couramment entre I et 1 000 microns. Les structures stratifiées selon l'invention peuvent exister sous un état latent et sous un état de conduction. Cer taines formes de réalisation de ces structures peuvent égale ment exister sous un état de non-conduction. Dans l'état la tent, la résistance est usuellement supérieure à 10 méghoms et peut dépasser 100 méghoms ; dans l'état de non-conduction, la grandeur de 1 résistance est comparable à celle de l'état latent.Dans l'état de conduction, la résistance attribuable au revêtement lui-même est très basse, et sa valeur peut aller d'une faible fraction d'ohm jusqu'à 10 ohms, pour des structu res formées à partir de polymères non-élastomériques, et jus pour E0 2 105 ohms pour des structures réalisées à partir d'élastomères. La résistance attribuable au corps en semi conducteur à l'exclusion de 18 diode dépend très fortement du choix des matériaux et de la géométrie du corps en semi-con- ducteur ; elle peut aller jusqu'à 104 ohms. La diode est un élément non-ohmique ; on/ne peut lui attribuer proprement une résistance exprimable par un nombre d'ohms défini. Cependant, des plosures effectuées à l'aide d'un voltrlètre à basse ten sion (sous 2 à 5 volts) indiquent une résistance directe in fié rieur à 100 ohms et une rsistnce inverse d'au moins 104 ohm Lorsqu'elle vient d'être réalisée, la structure selon l'invention se trouve dams l'état latent.En procèdent comme décrit plus loin, on peut la faire passer de l'état latent à l'état de conduction. On désigne par activation électrique le passage de l'état latent à l'état de conduction. Le procé dé d'activation électrique préféré au plus haut degré met en oeuvre l'application, de part et d'autre de la structure stratifiée, d'une impulsion de courant continu de courte durée, usuellement comprise entre l-microseconde et 1 millise conde De préférence, la polarité de cette impulsion est choi sie telle qu'on obtienne, lors de l'activation, une résis inverse tance directe et une résistance/de valeurs optimales respec- tivement faible et élevée.Lorsque l'épaisseur du revêtement est inférieure à 25 microns environ, une tension de 5 à 15 volts est usuellement suffisante ; pour des épaisseurs plus élevées, on peut avoir besoin de tensions allant jusqu a plu sieurs centaines de volts. De préférence, le courant et limité à une valeur inférieure à environ 100 milliampères, mais une limitation du courant à des valeurs plus basses peut être nécessaire si des composants de circuit sensibles se trouvent placés dans le trajet de courant. La figure 2 illustre ce procédé d'activation électrique. Est également utilisable en général pour effectuer l'activation électrique l'application pendant un court intervalle de temps d'une tension alternative. Dans ce cas, l'application ne doit pas avoir une durée notablement inférieure à une demi-période.Pour le reste, le mode opératoire est le même que celui décrit ci-dessus pour l'activation par tension continue. Pour une matrice telle que celle illustrée sur les figures 5 et 6, la tension d'activation peut être sélectivement appliquée au moyen d'une voie d'adresse et d'un contact électrique à une région formant canal. Usuellement, la moitié de la tension d'activation est appliquée à l'une des voies '~-e X formant ligne de ?mots, comme par exemple la voie ol, et la moitié de la tension d'activation de polarité opposée est appliquée au canal d'axe Y formant ligne de "bit", tel par exemple que le canal 27, correspondant à l'emplacement où une structure formant diode doit être activée.Normalement, la tension nécessaire à l'activation ne varie pas de plus d'un demi-volt, pour dix structures stratifiées formant diodes. Si désiré, on peut modifier le mode d'adressage, par exemple en mettant à la masse les lignes Ée "mot" et en appliquant la totalité de la tension d'activation aux lignes de "bit". On peut faire passer dans l'état de non-conduction ces structures capables c'exister f Z cet état par application d'une petite impulsion de courant limité qui est conformée de telle façon qu'à l'extréalté de l'impulsion, le courant tombe très soudainement à une valeur nouvelle basse, usuellement nulle.La commutation correspondante peut être ef fectuée au moyen d'impulsions de courant limité de valeur aussi basse que 0,1 à 1 milliampère pour les revêtements à polymère e faible température de transition vitreuse et d'environ 1 e 100 milliampéres pour les revêtements à polymère à température de transition vitreuse élevée.Par impulsion de courant limité, on entend un bref débit de courant dont l'in- tensité est maintenue inférieure à une valeur prédéterminée par un moyen tel qu'une résistance placée en série avec le dispo situé Ci commutation. Si la structure se trouve dans l'état de non-conduction, on peut l'amener dans l'état de conduction par application d'une tension (tension de passage à liétat de conducteur) d'environ 10 à 300 volts, la tension étant réglée de telle façon qu'à l'extrémité de l'impulsion, le courant Qescenae lentement vers une valeur basse, usuellement nulle. La tension requise pour faire passer une structure dams l'état de conduction est inférieure à celle requise pour activer cette même structure. Pour le reste, les modes opératoires d'activation et de passage à l'état de conduction sont sensiblement équivalents. leur assurer une commutation rapide, nécessaire par exemple dans une mémoire vive à accès aléatoire, il est préférable 'd'utiliser une tension continue pour opérer le passage à l'état de conduction. Une autre méthode possible d'activation électrique, ui n'est utilisable (lue pour une structure stratifiée qui n'est pas destinée à etre Aracée dans l'état de non-conduc- est l'application d'une décharge de courant alternatif. Dcm-- 'c e nombreux cas, on peut utiliser à cet effet un dispo- sitif au coezerce tel qu'un éclateur détecteur de fuites. Cependant, il est difficile de localiser l'activation avec précision au moyen d'un tel dispositif. Généralement, une trés bréve application de la décharge du dispositif de contrôle de vide suffit ; l'électrode du dispositif est maintenue hors de contact de la structure stratifiée. L'invention sera maintenant illustrée par les exemples ci-aprés. Dans l'exemple 1 ci-aprés, on trouve une structure stratifiée 'I ti peut être utilisée pour ferrer une mémoire morte altérable. La partie comparative de l'exemple l fait ressortir que les particules métalliques doivent être choisies de façon appropriée. L'exemple L donne la possibilité d'utiliser un tériau semi-conducteur non-dopé comme corps semi-conducteur pour la mise en oeuvre de l'invention.L'exemple 3 comporte une structure stratifiée Qui peut être utilisée pour former Lu eLoiI'e vive à accès aléatoire et montre la façon dont lc diode formée et son trajet de conducti-on associé peuvent subir des commutations répétées de l'un à l'autre des états de nonconduction et de conduction. L'exemple 4 est relatif à une structure stratifiée qui peut être utilisée pour former une mé moire mort e altérable et montre la façon dont la structure activée peut être commutée de l'un à l'autre des états de conduction et de non-conduction.L'exemple 5 inclut une caractéristique de iode, obtenue per activation d'une structure po-- liant diode qui comporte des régions de corps semi-conducteur adjacentes covenablement pré-dopées pour permettre l'étabilssement de contacts électriques côte-à-côte sur une tranche semiconductrice telle que celle représentée sur la fig 7. EXEMPLE 1 Un corps semi-conducteur en germanium de type P, présentant une surface plane de 5 mm sur 5 mm et une épaisseur de 2 mm, a été dopé avec une quentité de gallium suffisante pour obtenir une résistivité de 18,8 ehms.cm. Une surface en visà-vis de la surface plane précitée a été revêtue d'une peinture conductrice à l'argent du commerce et séchée en contact avec une feuille d'aluminium sous-jacente formant l'électrode. Pour former une structure stratifiée telle que celle illustrée sur la fig 1, on a préparé une composition métal-polymère, on dispersant 6,0 grammes de poudre d'antimoine à particules correspondant à une ouverture de mailles de 0,074 mm à encapsulation d'oxyde dans 10,0 grammes d'une solution d'acide polyemique (1,2 gramme d'acide polyemique dans de la 2-méthyl-2-pyrrolidone). Cette composition a ensuite été appli quée sous forme de revêtement sur la surface plane du semi conducteur de type P et durcie par séchage à l'air pendant une heure, chauffage à 1350 C pendant une demi-heure, puis chauffage à 3000 C pendant une heure pour former un revêtement antimoine-polyimide contenant 41 96 d'antimoine en volume dont l'épaisseur était, de 1,27 mm.Une trace de la même peinture conductrice. à l'argent, d'environ 2 mn de diamètre, a ensuite été appliquée pour former une tache sur-la surface exposée du revêtement et limiter une zone de contact ; on a mesuré la résistance électrique entre cette tache et la feuille d'alu minium de base formant électrode, et la valeur obtenue était supérieure à 100 mégohms. On a établi momentanément des conne xions électriques avec ces électrodes comme illustré sur la figure 2 pour appliquer, par l'intermédiaire d'une résistance de limitation de courant de 100 000 ohms, une tension d'acti ration de 100 volts.On a ensuite mesuré la résistance entre la tache de peinture et la feuille d'aluminium au moyen d'un ahmmbtre du commerce (dont la tension d'essai était d'environ 1,5 volt), et la valeur obtenue a été de 1 000 ohms dans le sens direct (la feuille d'aluminium étant à une tension d'essai positive) et de 10 000 ohms dans le sens inverse (la feuille d'aluminium étant à une tension d'essai négative). La diode ainsi formée présentait par conséquent un rapport de redres sement de 10, suffisamment grand pour qu'elle puisse servir de aiode dans une mémoire morte. On a répété les expériences ci-dessus en remplaçant la poudre d'antimoine par 4 grammes de poudre d1al,uminiun bril -lante non-pailletée du commerce à particules à encapsulation d'oxyde, correspondant à une ouverture de mailles de 0,149 mn, pour former le métàl dispersé dans la solution d'acide poly amique. après réalisation du revêtement (52 96 d'aluminium en volume) et des électrodes comme ci-dessus, on a appliqué la même tension d'activation La structure obtenue présentait une résistance de 100 ohms dans les deux sens, ce qui démontrait que l'on n'obtient pas de diode lorsqu'on utilise de l'alumi niun, métal dont le choix est inapproprié, en combinaison avec un corps sai-conducteur présentant une conductivité du type P. FE3?IE 2 Dans cet exemple, on a utilisé une microplaçuette serl-comductrice de silicium non-dopé présentant une surface plans de 15 mm sur 15 En et une épaisseur de 3 mn, qui conte nait 10 parties par million d'impuretés et présentait une ré sistivité de 14 ohms.cm. Des électrodes de bords opposés en or déposé sous vide ont été appliquées sur les deux faces opposées à 15 ? de distance et normalement à la surface plane. La résistance entre les électrodes d'or était de 43 ohms.Pour former une structure telle bue celle représentée sur la figure 3, on a préparé une composition de revêtement métal-polymère en dispersant de la poudre d'aluminium (du type décrit à l'etemple 1) dans un poids égal de polysiloxane organique en poudre *disponible dans le commerce,dissous dans de l'éthanol. On a placé une goutte de la composition de revêtement aluni- nlii:rrésine sur la surface plane du corps semi-conducteur en silicium non-dopé, à peu près à mi-distance entre les deux électroces de bord, et on a introduit une électrode en fil de cuivre de 0,5 mm de diamètre dans la goutte pendant qu'elle dur crissait (par séchage à 1500 C). Le diamètre de la goutte durcie était d'environ 5 mm ; elle contenait environ 26 % d'alu- minium en volume après durcissement. La résistance électrique entre le fil de cuivre et chacune des électrodes d'or était in'finie lorsque mesurée au moyen de l'ohmmètre de exemple 1.On a soumis le revêtement pendant environ 30 secondes à la décharge disruptive d'un éclateur tel que celui représenté sur la figure 4. On a remesuré au moyen de l'ohmmètre la ré Si stance électrique entre chaque électrode d'or et le fil de cuivre. La résistance directe par rapport à chaque électrode d'or (le revêtement étant au pôle positif de la tension d'essai) était de 25 ohms pour un courant de lecture d'environ 60 iilliamperes, et la résistance inverse était de a50 ohms (on obtenait ainsi un rapport de redressement de 10).La diode ainsi formée a été conservée pendant une durée de plusieurs mois, au cours de laquelle elle continuait à être commutable entre les états de conduction et de non-conduction. EXEMPLE 3 Une composition d'encapsulation a été préparée comme suit. On a dispersé 100 grammes d'une poudre de fer du commer ce dans une solution de 3 grammes d'un terpolymère du commerce formé dans les proportions pondérales approximatives de 52:44:4 d'éthylène, de propylène et d'un diène (le 1,4-hexadiène) dans 500 cm3. de toluène. On a agité le mélange tout en y ajoutant lentement 150 cc. d'acétone. Il en est résulté une précipitation initiale de l'hydrocarbure terpolymère sur l poudre de fer. On a fait une nouvelle addition de 750 cm3 d'a cétone tout en mélangeant avec soin pour durcir le terpolymè- re. On a laissé déposer la suspension, et on a enlevé le liquide par décantation. On a agité de nouveau le mélange avec de l'acétone et on a de nouveau enlevé le solvant par décantation.L'agitation avec de l'acétone et la décantation ont été encore réitérées deux fois, puis on a fait sécher la pou cire d e fer dans l'air pour obtenir une poudre de fer encapsuléc roulante qui présentait une résistance électrique de 100 méghoms lorsqu'elle était pressée sous forme de couche entre deux électrodes d'essai comme décrit plus haut. 25 grammes de cette poudre ont été mélangés avec 15 grammes de poudre d'aluminium du commerce à encapsulation d'oxyde et dispersés dans 55,0 grammes d'une solution à 18% d'un élastomère de polyuréthane (produit de réaction de toluène-2,4-diisocyanate et du 3-(allyloxy)-1,2-propanediol) dans de la diméthylformamide contenant 3,5 % en volume d'eau. elle était la composition du revêtement. On a appliqué, sur la face inférieure d'une tranche polie de silicium non-dopé présentant une légère conductivité de type l'une pointure conductrice à l'argent du commerce. Cri & ensuite éliminé le véhicule par volatilisation pour former une électrode.On a ensuite appliqué deux couches de 1 composition de revêtement sur une zone de 0,35 ria de diamètre e rltuée sur 18 ~'ace supérieur de la tranche en face oc l'électrode de peinture à l'argent. On a fait sécher la première couche pendant 24 heures, et la seconde couche pendant 4 heures à une température comprise entre 80 et 90 C; dans les coux cas l'épaisseur totale du revêtement a été d'environ 0,635 mm. Des contacts à ressort du commerce ont été appliqués par dessuos contre l'électrode en peinture à l'argent et par dessus contre le revêtement durci thermiquement pour établir des connexions de raccordement au circuit d'activation, sensiblement comme illustré sur le figure 8. L'activation électrique a été effectuée comme décrit ci-après en se référant aux repères numériques désignant les composants de circuit sur la figure. Cha chargé le condensateur @@ de 0,01 microfarad é une tension de 100 volts au moyen de la batterie 43 en plaçant l'inverseur l dans sa position inférieur 42, et on l'a ensuite déchargé dans la structure stratifiée préparée comme décrit ci-dessus en plaçant l'inverseur dans sa position supérieur 45. Une résistance série 40 de 500 000 ohms limitait le débit de courant pendant l'activation à une valeur maximale de 0,2 mA, et une résistance parallèle 47 de 270 000 ohms conférait à la décharge une constante de temps d'environ 2,7 ms. Une diode au silicium 49 absorbait toute tension inverse transistoire susceptible d'apparaître.Après activation électrique, on a établi au moyen de l'ohmmétre de l'exemple 1 que la résistance de la structure entre les contacts à ressort était passée d'une valeur infinie avant activation à des valeurs asymétriques de 10 000 ohms et de 100 000 ohms (rapport de redresemment de 10). Le sens de passage privilégié du courant (convention de circulation du plus vers le moins) était le sens de passage ou côté revêtement vers le côté peinture à l'argent de la structure. Pour démontrer son aptitude à être utilisée en diode commutable de mémoire vive à accés aléatoire, on a connecté la structure considérée à un circuit tel que celui de la figure 9, lequel permet de faire passer dans l'état de non-conduction un dispositif à commutation (la structure stratifiée en question) qui est initialement dans son état de conduction.Lorsqu'on coupe la source de tensIon )i, on obtient une chute rapide du courant du circuit. La source de tension 51 consiste an un circuit classique à bascule de Schmitt associant un générateur d'ondes sinusoidales, un multivibrateur monostable et un condensateur de couplage pour ob tenir une impulsion cie court t ce conformation désirée. Lors de l'application d'une première impulsion, le dispositif à commutation 52 passe dans l'état non-conducteur sous l'effect au courant à décroissance rapide, mais une charge électrique tend à subsister de chaque côté du commutateur.Une telle charge est susceptible de développeur une différence de potentiel suffisante pour faire repasser le commutateur dans l'état conducteur. Des moyens-types d'élimination rapide de la charge en excès sont représentée sur la figure 9. Cette charge peut être écoulée vers la masse à travers une résistance parallèle 55. De l'autre côté du commutateur, peut être écoulée vers la masse à travers une résistence série variable 5. Une difficulté peut être également concesionnée par une différence entre les constantes de temps d'écoulement et dissipa tion des charges de chaque côté du commutateur. Une telle difficulté peut être surmontée par l'homme de l'art en intro duisant aes inductances retardatrices d'impulsions 55 et 56 de la façon représentée, par exemple, en série et en paral lèle avec le dispositif à commutation. Un shunt de conunuta- teur, formé par une diode au silicium du commerce 57 du type lN-4005, sert à éliminer les tensions transitoires du circuit. Un trajet additionnel de dérivation vers la masse formé par une résistance 58 et par une diode au silicium 59 telle qu'une diode du type liN-40051 sert à mettre en forme et à limiter en anplitude les impulsions de mise dans l'état de non-condue- tion. Lorsque le circuit fonctionnait de façon à fournir alternativement une impulsion de tension de 35 volts et une impulsion de courant à décroissance rapide de moins de 10 milliampères, on a constaté que la structure passait conti nuelletent de l'un à l'autre des états de conduction et de non-conduction à une fréquence de 1 OCO Hz.Au cours de ces cycles de changement d'état, on a utilisé une tension de 3 volts pour mesurer la résistance ; on a obtenu les résultats suivants : résistance directe dans l'état de conduction 10 OGO ohms ; résistance inverse dans l'état de conduction 100 000 ohms ; résistance dans l'état de non-conduction supérieure à 10 meghoms (limite supérieure de l'appareillage de mesure de résistance). Ces performances ont été confirmées par application d'un revêtement à une seconde tranche de sili cium non-dopé comme déait plus haut et activation électrique comme décrit plus haut ; on a relevé des caractéristIques de redressement et de commutation sensiblement identiques. E1"'tPLE 4 Une microplaquette semi-conductrice en silicium non dopé semblable à celle de l'exemple c a été nettoyée dans de l'acide fluorhydrique à Z8,O % pendant 16 heures. On a prépa ré une composition de revêtement métal-polymère en dispersant 3,0 grammes de poudre d'aluminium (du type décrit à l'exemple 1) dans 10,0 grammes d'une solution d'acide polyamide (du type décrit à l'exemple l). En vue de réaliser deux structures for ""mant diode, on a appliqué deux gouttes de la composition sur chacune de deux régions superficielles mutuellement espacées et dn les a fait durcir comme dans l'exemple 1; chaque goutte contènait 4 en d'aluminium en volume après durcissement. On a placé un fil de cuivre de O,L5 mm de diamètre étame en con tact avec la surface exposée de chaque revêtement durci, et on a appliqué la peinture conductrice à l'argent de l'exemple l sur chaque fil ainsi qu'à deux zones superficielles en visà-vis sur la face inférieur non-revêtue de la microplaquette en silicium. une tension d'activation de 100 volts a été ap- pliquée momentanément par l'intermédiaire d'une résistance do limitation de courant de 1,0 mégohm entre le fil de cuivre et l'électrode de peinture située en vis-à-vis sur la face inférieure ce la microplaquette. La résistance résultante dans s le sens direct de 1 structure à diode formée (le con- '-cteum positif de l'ohmmètre étant appliqué sur le fil de cuivre) était de 5 000 ohms. Dans le sens inverse de la diode formée (le conducteur positif de l'ohmmèrtre étant appliqué sur l'électrode de peinture), la résistance était de 50 O00 ohms (rapport de redressement de 10).Une activation similai c de la seconde structure forant d'ode a fourni des résis- tances respectives de 7 000 et 70 000 ohms (rapport de re d essev1ent ae 10). On a fait passer cneq,ue diode dans l'état de non-conduction par application d'une impulsion de courant à décroissance rapide fournie par une source ae 10 volts en soumettant la première diode à une impulsion de 200 mA et la seconde diode à une impulsion de 50 mA. Les résistances directes et ives des deux diodes dans ltétat de non-conduction étaient trop élevées pour pouvoir être messurées avec l'ohmmètre.L'aptitude de la diode à être utilisée dans une mémoire morte altérable a été mise en évidence par application momentanée d'une impulsion de 20 volts à la seconde structure désactivée ; on a obtenu ainsi des résistance directe et in ""crsc res-occtives de 12 OC et 500 000 ohms (rapport de rc- dressement : : 40). En réitérant encore une fois le passage à l'état de non-conduction et le passage à l'état de conduction, on a observé sensiblement le même rapport entre les résistance directe et inverse. 5 Des régions 31, 32 et 30 d'une tranche semi-conductrice ont été respectivement soumisec à des dopages P, N et comme i lustré sur la figure , et la tranche a ensuite été couverte par une couche isolante 36 en SiO2 d'environ 0,5 cron d'épaisseur pourvue d'ouvertures qui ont été remplies comme indiqué ci-après. On a préparé une composition de revê tement à particules métalliques et polymère en mélangeant 8 grammes de poudre d'aluminium à encapsulation d'oxyde (taille des particules : 0,03 à G,07 micron), 20 ml do N-méthylpyrro- lidone et 8 grammes de solution d'acide polyamique (du type utilisé à l'exemple 1).Cotte composition a été étalée par ro station sur la surface exposée de la tranche et 1 surface a été ensuite très légèrement lavée à la N-méthylpyrrolidone. La tranche a été étuvée pendant une demi-heure à 1330 C pour former le revêtement 33. De l'aluminium a ensuite été déposé par évaporation sur toute la surface et le dépôt obtenu a été attaqué pour former l'électrode métallisée en aluminium 35. Le revêtement à particules métalliques et polymère non re couvert par l'aluminium a ensuite été complètement éliminé par aissolution avec de la ss-phényléthylamine aqueuse. La tranche a ensuite été chauffée à 3000 C pendant une heure, et on a effectué un nouveau dépôt d'aluminium par évaporation pour former l'électrode métallisée 34. On a opéré l'activation en appliquant une tension continue de 30 volts à travers une résistance de 100 ohms (l'électrode 34 était positive). On a mesuré les tensions et intensités suivantes (l'électrode 34 étant positive) 0,6 V 10mA '0,9 V 50 mA 1,05 V ' 100 mA o5 Y 25 mA Après inversion des polarités, on a relevé les tensions et intensités suivantes V 40 V 10 rA 40 V 100 ns Ces in sultats montrent qu'il s'était fonce une diode et un trajet de conduction associé. R E V E N D I C A T I O N S 1. Structure stratifiée, caractérisée en ce qu'elle comprend en combinaison un corps semi-conducteur sur lenuel est prévu un revêtement, ledit corps semi-conducteur préser- tant une région superficielle d'un type de conductivité donné, ledit revêtement étant un revêtement a polymère et à t articules métalliques dispersées situé en contact avec ladite région superficielle, le métal desdites particules 1;;ié talliques étant apte à induire un type différent de conduc tivité dans ladite région superficielle, lesdites particules métalliques étant encapsulées de façon isolante et présentes dans le revêtement en quantité suffisante pour établir une conductivité électrique au travers du revêtement et pour former une diode dans la zone de contact entre ledit revêtement et ledit corps semi-conducteur lors de l'application d'une tension d'activation à la structure stratifiée. '. Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que la région superficielle doit corps semi-conducteur est du type N, en ce que le métal est apte à induire une conductivité du type P dans ledit semi-conducteur et en ce ue la taille moyenne des particules métalliques est comprise entre G, G1 et 50 microns. Structure selon la revendication i, caractérisée en ce Que le polymère précité présente une température de transition vitreuse a'au moins '.t C, en ce que les particules métalliques sont des particules d'aluminium à encapsulation d'oxyde, en ce que le revêtement contient en volume 10 à 9G X Lesdites particules, et en ce que la région superfi- cielle du corps semi-conducteur présente .une conductivité du type i on une conductivité sensiblement intrinsèaue. Structure selon la revendication 3, caractérisée en ce rue le particules d'aluminium présentent une taille oyenne comprise entre 0,05 et 1 micron. 3. Structure selon la revendication 3, caractérisée en ce que le revêtement contient en volume 40 à 80 St de particules d'aluminium. 6. Structure selon la revendication 5, caractérisée en ce qu'elle fait partie alune mémoire morte comprenant une pluralité de telles structures disposées suivant une matrice bidinensionnelle et pourvues d'un corps semi-conducteur commun. 7. Structure selon la revendication 3, caractérisée en ce que le polymère précité présente une température de tran sition vitreuse d'au moins 100 C. 8. Structure selon la revendication 4, caractérisée en ce que le polymère précité présente une température de tran sition vitreuse d'au moins 100 C. 9. Structure selon la revendication 7, caractérisée en ce que le revêtement contient en volume 40 à 80% de parti cules précitées. 10. Structure selon la revendication 9, caractérisée en ce qu'elle fait partie d'une mémoire morte comprenant une pluralité de telles structures disposées suivant une matrice bidimensionnelle et pourvues d'un corps semi-conducteur commun. 11. Structure selon la revendication 10, caractérisée en ce que le polymère est un polyimide. 12. Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que la région superficielle du corps semi-conducteur est du type P, en ce que le rétal est apte à induire une con ductivité du type N dans ledit corps semi-conducteur et en ce que taille moyenne des particules métalliques est comprise entre 0,01 et 50 microns. 13. Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que le polymère précité présente une température de tran sition vitreuse d'au moins 40 C, en ce que les particules mé talliques sont des particules d'antimoine à encapsulation d'o xyde, en ce que le revêtement contient en volume 10 à 90% descites particules, et en ce que la région superficielle du corps semi-conducteur présente une conductivité du type P ou une conductivité sensiblement intrinséque. 14. Structure selon la revendication 13, caractérisée en ce que les particules d'antimoine présentent une taille mo yenne comprise entre 0,05 et 1 micron. 15. Structure selon la revendication 13, caractérisée en ce que le revêtement contient en volare 0 à 80% des par ticules précitées. 16. Structure selon la revendication 15, caractéri sée en ce qu'elle fait partie d'une mémoire morte comprenant une pluralité de telles structures disposées suivant une matrice bidimensionnelle et pourvues d'un corps semi-conducteur commun. 17. Structure selon la revendication 13, caractérisée en ce ne le polymère précité présente une température de transition vitreuse d'au moins 100 C. -. structure selon la revenaication 14, caractéri sée en ce que le polymère précité présente une température de transition vitreuse d'au moins 100 C 19. Structure selon la revendication 17, caractéri sée en ce que le revêtement contient en volume 40 à 80% de particules précitées. 20. Structure selon la revendication 19, caractéri sée en ce qu'elle fait partie d'une mémoire morte comprenant une pluralité de telles structures disposées suivant une ma trice bidim.ensionnelle et pourvues d'un corps semi-conducteur commun. 21. structure selon la revendication 20 caractéri sée en ce que le polymère est un polyimide. Structure selon la révondication 1, caractéri sée en ce que des particules métalliques ferromagnétiques sont présentes en association avec les. particules métalliques à encapsulation isolante, et en ce que le polymère est un liant élastique. 23. Structure selon la revendication 22, caracté risée en ce que les particules métalliques sont des particules d'aluminium à encapsulation d'oxyde et en ce que la région superficielle du corps semi-conducteur présente une conducti vit du type ou une conductivité sensiblement intrinsèque. 2-. Structure selon la revendication 23, caractéri oc-e en ce que le rapport de la teneur en particules ferroma gnétiques à la teneur en particules d'aluminium est compris entre 0,17 et c. 25. Structure selon la revendication 24, caractéri sée en ce nue les particules ferromagnétiques sont des parti cules ire fer, de cobalt ou de nickel ou forment un mélange de particules de deux au moins de ces métaux. 26. Structure selon la revendication r3, caractéri sée en ce cue les particules ferromagnétiques sont oncapsulées avec un matériau isolant présentant une résistivité volumique d'au moins 1011 ohms.centimétre sous une humidité relativé de 50 , et une température de r30 C, et en ce vue la quantité dudit matériau isolant encapsulant les particules représente environ 0,3 à U ae des poids cumulés des particules et du matériau isolant. 27. Structure selon la revendication 26, caractéribée en ce çue le rapport air poids des particules ferromagné- tiques au poids des particules d'aluminium est compris entre 0,17 et 3,5 en ce que le revêtement de particules métalliques dispersées et de polymères contient en poids 25 à 85% de particules ferromagnétiques et de particules d'aluminium, ledit revêtement contenant en volume au moins 10 % de particules d'aluminium, et en ce que la quantité do matériau isolant encapsulant les particules ferromagnétiques représente 1 à 3% des poids cumulés des particules ferromagnétiques et du matériau isolant. 28. Structure selon la revendication 25, caractériée en ce que le revêtement précité contient en poids 30 à %de particules ferromagnétiques et de particules d'aluminium et en ce Que le rapport du poids des pertic1lles ferroma- gnétiques au poids des particules d'aluminium est d'environ 1,5. 29. Structure selon la revendication 26, caractéri s on ce que le matériau isolant encapsulant les particules ferromagnétiques est-un liant élastique apte à subir un allongement d'un moins 100% et à revenir en suite par rétraction à une longueur inférieure à 1,5 fois sa longueur a'origine. 30. Structure selon la revendication 29, caractérisée en ce que le matériau d'encapsulation est une polyoléfine d'éthyléne, de propyléne et de, 1,4-hexadiéne, et en ce que le liant polymère dans lequel les particules métalliques sont dispersées est un élastomère de polyuréthane. 31. Structure selon la revendication 24, caractérisée en ce que le revêtement contient 40 à 80% en poids de particules ferromagnétiques et de particules d'aluminium et au moins 10% en volume de particules d'aluminium. 32. Structure selon la revendication 31, caractérisée en ce que le revêtement contient 30 à 70% en poids de particules ferromagnétiques et de particules d'aluminium, et en ce que le rapport du poids de particules ferromagnétiques u poids de particules d'aluminium est d'environ 1,3. 33. Structure selon la revendication 30, caractérisée' on ce çue le rapport au poids de particules ferromagnéti- ques au poids de particules d'aluminium est compris entre 1,5 et 2,5 34. Structure selon la revendication 30, caractérisée on que les poids cumulés des particules d'aluminium et de particules ferromagnétiques représentent 6C à 70 % du çoius total cesdites particules et audit lient élastique.