Brevet FR2308196A1 — publié le 19761112

La présente invention concerne un dispositif image à mémoire, ou cible à mémoire, susceptible d'analyser et de mémoriser une image à deux dimensions ; elle concerne également les tubes image comportant de telles cibles, tubes à lecture non destructive. Les tubes image comportant les cibles de 1'invention sont utilisables dans les applications habituelles des tubes de prise de vue à mémoire. I1 peuvent notamment servir à la conversion d'images optiques en signaux électriques dans des tubes de prise de vue à mémoire de longue durée ils peuvent encore servir, dans des dispositifs de traitement du signa, à transformer une image optique en image électrique mémorisée, la mémorisation étant obtenue sans entretien d'image.L'inscription d'une image sur la cible peut être celle d'une image optique, comme c'est le cas dans les vidicons ce peut également être une image électro-optique fournie par exemple par une photocathode placée entre l'image optique à analyser et la cible du tube image analyseur ; ce peut encore être une inscription électrique s'il s'agit d'un tube convertisseur d'image etc... Des tubes images ayant de telles fonctions existent dans l'art antérieur sous de nombreuses formes. Les plus classiques sont les tubes vidicon utilisant des cibles photosensibles à mémoire. D'autres plus récehts utilisent des cibles constituées de mosaïques de diodes photosensibles polarisées en inverse. L'utilisation du silicium pour réaliser des cibles de tubes image à mémoire est particulièrement intéressante. Les cibles silicium à mosaïque de diodes présentent de graves inconvénients liés à leur difficulté de fabrication et à leur temps de mémoire réduit. D'autres types de cibles utilisant le silicium et ne présentant pas les défauts des cibles à diodes ont été décrites par la demanderesse dans sa demande de brevet français 74.43148 déposée le 27 décembre 1974 et intitulée "Dispositif image à mémoire et tube image comportant un tel dispositif". Ces cibles à mémoire, composées de mosaïques de capacités MIS discrètes sur un substrat de silicium de type N, sont intéressantes, tant par leur simplicité de fabrication que par leurs caractéristiques électriques, et notamment leur long temps de mémoire. Toutefois, et comme il est décrit dans cette demande de brevet, la lecture des informations, après un temps de mise en mémoire choisi, est destructive des informations. En effet, les informations se stockent sur les électrodes métalliques des capacités MIS sous forme de potentiels positifs qu'efface le faisceau d'électrons de lecture. Un objet de la présente invention est de réaliser des cibles silicium à mémoire présentant les avantages des précédentes, à savoir notamment : simplicité de fabrication et long temps de mémoire, mais dont la lecture n'est pas destructive des informations enregistrées. Un objet de l'invention est également de réaliser des tubes équipés de telles cibles, simples à fabriquer et présentant de bonnes performances électriques tout en étant simples à utiliser. Un dispositif image à mémoire selon l'invention, susceptible d'analyser et de garder en mémoire une image à deux dimensions comporte un substrat semiconducteur dopé de type N, silicium par exemple, recouvert sur une de ses faces.d'une couche d'un matériau isolant, silice par exemple, et une grille conductrice disposée sur la couche isolante ; l'image à mémoriser frappe la surface du substrat opposée à celle recouverte de silice. La grille comporte une mosaïque d'évidements qui définissent sur la couche de silice une mosalque de zones discrètes définissant autant de mémoires élémentaires ; chaque mémoire est constituée par le système semiconducteur isolant sous-jacent à chaque évidement.Ces zones discrètes et les zones qui les entourent, c'est-à-dire les zones recouvertes par le matériau conducteur constituant la grille, présentent des propriétés d'interface semiconducteur-isolant différentes, le seuil d'inversion desdites zones discrètes étant inférieur à celui des zones les entourant. Ainsi, lorsqu'un faisceau d'électrons balaie ladite mosalque, portant la surface qu'il frappe à un potentiel négatif par rapport au substrat, les régions de l'interface semiconducteur-isolant desdites zones discrètes sont en "inversion" et stockent dans une couche d'inversion les porteurs minoritaires caractéristiques de la surface élémentaire correspondante d'image, tandis que l'interface semiconducteur-isolant des zones entourant lesdites zones discrètes n'est pas en "inversion" et ne stocke aucune information. Une telle structure de cible permet, comme on le verra plus loin, et grace d'une part à sa mosalque de mémoires élémentaires et d'autre part à la grille conductrice qui entoure complètement ces mémoires, de faire apparaitre les informations stockées sous forme de potentiels négatifs qui permettent d'obtenir une lecture non destructive. D'autres objets, caractéristiques et résultats de l'invention ressortiront de la description suivante donnée à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les figures annexées qui représentent - la figure 1, une vue schématique d'un mode de réalisation de cible conforme à l'invention - la figure 2, une vue schématique en coupe d'un tube image conforme à l'invention et de quelques uns de ses moyens de commande ; - la figure 3, une vue schématique d'un autre mode de réalisation de cible selon l'invention - les figures 4 à 8, des schémas et des courbes permettant de comprendre le fonctionnement des dispositifs image de l'invention. La figure 1 représente schématiquement et vue en coupe une partie d'un dispositif image de l'invention dans un premier mode de réalisation ; les différents éléments n'y sont bien entendu pas représentés à l'échelle. Le substrat est une plaquette de semiconducteur de type N, silicium par exemple, amincie dans la partie servant de cible à une épaisseur de quelques microns tandis qu'une collerette plus épaisse est conservée à la périphérie de la cible pour la supporter. Ce susbstrat 1 est recouvert sur une de ses grandes faces d'une couche 2 d'un matériau isolant ; il s'agit par exemple, et conformément à la technique NOS, d'oxyde de silicium SiO2 obtenu par oxydation du substrat par exemple. Cette couche 2 comporte, comme on le voit sur la figure, une mosaïque de zones discrètes 3 de faible épaisseur, entourées chacune par des zones de plus forte épaisseur d'oxyde 4. Dans un exemple l'épaisseur d'oxyde des zones discrètes et minces peut être de 2.000 Angströms tandis que celle des zones épaisses les entourant peut être de 8.000 Angströms. Une grille 5 en un matériau conducteur de l'électricité recouvre les zones 4 d'oxyde épais. Cette grille peut être par exemple en un métal réfractaire tel que du silicium polycristallin, du molybdène, du tungstène, etc... Pour réaliser une telle structure, on peut par exemple après avoir oxydé le substrat pour le recouvrir complètement, sur sa face concernée, d'une couche d'oxyde épais (8.000 Angströms), déposer sur cette couche épaisse d'oxyde une couche continue de silicium polycristallin (d'épaisseur 5.000 Angströms par exemple), puis photograver ce silicium pour obtenir la grille 5. Cette grille de silicium sert alors de masque d'attaque de la couche-épaisse d'oxyde qui peut être rongée chimiquement jusqu'à ce que son épaisseur dans les zones discrètes 3 soit l'épaisseur voulue (2.000 Angstroms par exemple). La face du substrat supportant cette structure : couche d'oxyde grille conductrice sera, dans un tube image utilisant une telle cible (figure 2 par exemple) soumise à un balayage électronique servant aux inscriptions et aux lectures. L'autre face est destinée à recevoir l'image, optique ou électronique, à mémoriser. Cette face comporte avantageusement une couche 6 d'une diffusion de type N plus concentrée en impuretés que le substrat 1 de manière à obtenir un bon rendement quantique en photodétection. On a très schématiquement représenté sur la figure 2 un tube image 8 dans lequel est disposée en 7 une cible telle que celle de la figure 1 par exemple ; seuls sont repré3entés les éléments nécessaires à la compréhension de l'invention, à savoir la cible 7 ellemême et un canon à électrons. Ce canon comporte une cathode 10, une électrode de commande 11 et une électrode accélératrice 12. I1 délivre un faisceau d'électrons F qui, convenablement focalisé et dévié par des moyens non représentés, balaie la surface de la cible 7. Cette cible reçoit sur son autre face, à travers un dispositif optique convenable 13 par exemple, l'image optique d'un objet 12, image que le tube va analyser et mémoriser. Dans les cibles de l'invention, et comme il sera expliqué plus loin, les mémoires élémentaires susceptibles d'analyser et de garder en mémoire les informations des surfaces élémentaires d'image correspondantes, sont constituées par les systèmes semiconducteuroxyde correspondant aux évidements de la grille 5, c'est-à-dire aux zones discrètes 3 d'oxyde mince. Quant aux zones les entourant, zones d'oxyde épais recouvertes de la grille 5, elles permettent de convenablement délimiter les mémoires élémentaires et d'éviter que les informations que contient chacune d'elle n'aillent se mélanger avec celles des mémoires élémentaires voisines, ce qui se traduirait par une perte du pouvoir de résolution de la cible. Cet isolement des mémoires élémentaires du point de vue des informations est réalisé par les différences de propriétés d'interface S des systèmes silice-silicium des zones discrètes constituant les mémoires et des systèmes silicium-silice-conducteur des zones les entourant, différences de propriétéobtenues, dans la cible de la figure 1, par des différences d'épaisseur d'oxyde. En effet, on peut définir, tant dans les systèmes discrets silicium-silice correspondant aux évidements de la grille 5, que pour les capacités MOS constituées par le substrat 1, les zones épaisses d'oxyde 4 et la grille 5, un seuil d'inversion, notion bien connue en elle-même dans la technique MOS et qui peut être brièvement résumée comme suit. Si l'on applique entre le substrat et l'électrode métallique d'une capacité MOS, une tension de polarisation de signe tel qu'elle repousse les porteurs majoritaires du substrat, créant une charge d'espace dépeuplée en porteurs majoritaires ("depletion zone" en terminologie anglaise), et si cette tension dépasse une valeur prédéterminée appelée "tension de seuil d'inversion", l'interface silicesilicium passe en "inversion", c'est-à-dire est susceptible de stocker, dans une mince "couche d'inversion, des porteurs minoritaires du substrat. Ce seuil d'inversion est, bien entendu, fonction des paramètres de la capacité MOS concernée ; il dépend notamment de la valeur de la capacité de l'oxyde par unité de surface, de l'épaisseur d'oxyde, du dopage du silicium, de la quantité de charges électriques piégées dans l'oxyde à l'interface silice-silicit-ni. Il est donc clair qu'en jouant sur l'un ou l'autre de ces paramètres on peut faire varier le seuil d'inversion. On peut encore remarquer que cette tension de polarisation peut, si le substrat est comme ici de type N, c'est-à-dire que ses porteurs majoritaires sont des électrons, être obtenue par un faisceau d'électrons balayant la surface à polariser. Un tel faisceau, délivré par un canon dont la cathode est polarisée négativement par rapport au substrat 1, charge négativement la surface qu'il frappe et la porte au potentiel de la cathode du canon, c'est-à-dire à un potentiel négatif par rapport au substrat. Ce potentiel négatif apparaitra aussi bien sur des électrodes conductrices de capacités MOS (grille 5 par exemple) que sur la surface libre de l'oxyde d'un système silicium-silice. Le seuil d'inversion, et donc la tension négative de seuil d'inversion dépendent, comme dit plus haut de plusieurs paramètres. I1 est donc possible de réaliser des cibles conformes à l'invention en faisant varier l'un ou l'autre de ces paramètres. Dans la variante de la figure 1, c'est l'épaisseur d'oxyde qui est le paramètre procurant les différences de seuil d'inversion. Lorsqu'un faisceau d'électrons balaie la cible, portant au même potentiel négatif la grille 5 et les zones discrètres 3 d'oxyde à nu, la faible épaisseur d'oxyde 3 permet à ces zones d'être en inversion et de se comporter en mémoire, tandis que la forte épaisseur d'oxyde 4 fait que les zones d'oxyde épais ne sont pas en inversion et ne peuvent stocker aucune information. La figure 3 illustre schématiquement un autre mode de réalisation de cible conforme à l'invention où les différences de seuil d'inversion sont obtenues par un autre moyen faisant intervenir un autre paramètre que l'épaisseur d'oxyde. Le substrat 1 est ici recouvert d'une couche uniforme 2 d'oxyde sur laquelle est disposée la grille conductrice 5. Les différences de seuil d'inversion sont obtenues par l'introduction de charges liées dans l'oxyde, soit des charges positives dans les régions d'oxyde sous-jacentes à la grille 5, comme schématiquement indiqué en 20 sur la figure 3, soit des charges négatives dans les zones discrètes d'oxyde à nu. Cette introduction locale de charges liées peut être réalisée par des traitements, classiques en eux-mêmes, effectués après que la grille 5 ait été réalisée. Le fonctionnement de ces cibles et des tubes images de l'invention va maintenant être décrit à l'aide des figures 4 à 8 qui représentant les différentes étapés de l'inscription et de la lecture des dispositifs image de l'invention. On a schématiquement représenté dans la partie supérieure (a) des figures 4 à 6 une vue en coupe d'une partie de cible telle que celle de la figure I. I1 est entendu que le raisonnement s'applique tout aussi bien à une cible telle que celle de la figure 2, ou meme à toute cible comportant un substrat de semiconducteur dopé de type N, une couche isolante et une grille conductrice comportant une mosaïque d'évidements, le seuil d'inversion des systèmes semiconducteur isolant discrets étant inférieur à celui des capacités MIS les entourant, et ceci quels que soient les moyens permettant d'obtenir cette différence. La figure 4 correspond à un premier temps où le faisceau F d'électrons eemispar la cathode 10 balaie la cible dont le substratl est porté au potentiel positif + V par rapport à la cathode 10 qui c est par exemple à la masse (position C1 du commutateur 30, figure 2). Une partie des phénomènes qui se produisent ici est très similaire à ceux déjà décrits en détail dans la demande de brevet précitée concernant une cible à lecture destructive , on ne reprendra donc ici que très rapidement la description de ces phénomènes, sans entrer dans le détail. Par contre, les parties fonctionnant différemment pour permettre la lecture non destructive vont être expliquées en détail. Les charges négatives apportées par le faisceau d'électrons e tant sur la grille 5 que sur les zones discrètes d'oxyde à nu 3 donnent naissance dans le substrat 1 à une charge d'espace dépeuplée en porteurs majoritaires, électrons, dont la frontière est indiquée par la ligne en traits interrompus 40. Cette charge d'espace est pratiquement inexistante sous les parties d'oxyde épais 4 ; dans tous les cas, les différents paramètres sont choisis, comme déjà dit, pour que les zones discrètes d'oxyde mince soit au-delà du seuil d'inversion tandis que les zones les entourant sont en deçà. La courbe V = f(x) de la figure 4 (b) indique les valeurs du s potentiel à l'interface S, le potentiel de cathode servant de référence. Tandis que le potentiel d'interface S est pratiquement celui (+ Vc) du substrat sous les zones d'oxyde épais 4, il est pratiquement nul à l'interface des zones discrètes d'oxyde mince 3 (V 0). En sl-"- d'autres termes, il apparat dans ces zones des "puits de potentiel", le potentiel d'interface S de ces zones étant inférieur à celui des zones les entourant. la "profondeur" de ces puits peut être caractérisée par la différence de potentiel Ysi = Vc - Vsl. c La figure 5 représente les modifications de charges d'espace dans la cible et les valeurs correspondantes des potentiels d'interface Vs lorsqu'une image est appliquée à la cible. On a symboliquement représenté ici des photons hv apportant une information lumineuse à deux mémoires éléméntaires, ml et m3, l'intensité lumineuse correspondant à m3 étant plus forte que celle correspondant à ml , quant à m2 elle est supposée ne recevoir aucune lumière. On simplifiera en disant que ml reçoit du gris G, m2 du noir N et m3 du blanc B. I1 en résulte, comme expliqué en détail dans la demande précitée, que les puits de potentiel sont modifiés en fonction de l'intensité de la zone d'image correspondante. La frontière de la zone de charge d'espace se modifie comme indiqué en 50 et les potentiels d'interface S comme indiqué sur la courbe de la figure 5 (b). Le potentiel d'interface des mémoires élémentaires s'est d'autant plus rapproché de + V que l'intensité de la zone d'image correspondante était forte. c Bien entendu le potentiel des zones entourant les mémoires est resté inchangé et pratiquement égal à + V c I1 faut noter que cette inscription, qui doit se faire pour toute la cible en un temps assez court pour que la génération thermique de paires électron-trou soit négligeable, se fait pendant que le faisceau d'électrons balaie la cible. Le potentiel Vg de la grille 5 reste donc toujours égal à O (potentiel de la cathode du canon). Ici, comme dans la demande précitée, l'inscription d'une information dans une mémoire élémentaire se fait par stockage de porteurs minoritaires dans la couche d'inversion à l'interface S, c'est-à-dire par stockage de trous positifs en quantité d'autant plus grande que l'intensité de l'image correspondant était forte. Ici encore l'inscription se faisant à potentiel constant sur la surface de cible balayée par le faisceau (soit V ce potentiel tant g sur la grille 5 que sur l'oxyde à nu ; on a V = O), la quantité g de charges négatives apportées par le faisceau à la surface des différentes zones discrètes d'oxyde à nu, c'est-à-dire aux différentes mémoires élémentaires ml, m2, m3..., est fonction de l'intensité de l'information qui y est stockée. Ainsi la quantité de charges négatives déposées par le faisceau à la surface de m3 (blanc) est supérieure à celle déposée sur ml (gris) qui est elle-même supérieure à celle déposée sur m2 (noir). On peut noter que cet apport d'électrons se traduit par une modulation du courant de faisceau de la cathode 10. En mesurant ce courant de faisceau on obtient une lecture de l'information simultanée à son inscription, et non destructive ; il s'agit là d'une image électrique positive, le courant de faisceau étant d'autant plus intense que l'information correspondante l'est elle-même. Ce signal peut avantageusement être utilisé par exemple pour réaliser instantanément la mise au point optique des images sur le substrat. Lorsque l'image est ainsi inscrite, on coupe le faisceau d'électrons F, au moyen d'une électrode de commande telle que li sur la figure 2. Le dispositif est alors à charge constante. Ici encore, le faisceau étant coupé, les charges d'espace du substrat 1 vont s'égaliser par effet thermique par exemple et, d'une manière classique en soi dans les techniques MOS, les potentiels d'interface S des systèmes silicium-silice vont tous s'légaliser à un potentiel d'équilibre tel que les puits de potentiel vont tous être à 9 = 2 YF t où tFIest le potentiel du niveau de Fermi par rapport au niveau de Fermi intrinsèque. C'est ce que représente la figure 6(a). Ce phénomène de nivellement de la charge d'espace dans le substrat, identique en lui-même à celui de la demande de brevet précitée, se traduit par les mêmes résultats sur les potentiels à la surface libre de la cible, courbe 6(b). Le potentiel V aux g différents points de cette surface est le symétrique de la profondeur (wus) des puits de potentiel en ces points, avant la coupure du faisceau Vg# : tils initial. Les valeurs de ws initial se retrouvent sur la courbe de la figure 5(b) ; c'est, pour chaque valeur de x, la distance entre la droite V = V et la courbe V = f(x). s c s Pour obtenir une lecture non destructive de l'image ainsi inscrite sur la cible sous forme de relief de potentiel, il suffit alors de porter le substrat l à un potentiel nul (c'est ce que symbolise la position C2 du commutateur 30 de la figure 2), et de porter la grille conductrice 5 de la cible à un potentiel nul ou légèrement positif en la connectant par exemple au potentiel de référence (c'est ce que symbolise l'interrupteur I qui, sauf pendant cette opération de lecture, est ouvert). La suppression de la polarisation + V du substrat se traduit c sur le potentiel V par une chute de potentiel globale de - V qui g c transforme la courbe V = f(x) de la figure 6(b) en la courbe g V = f(x) de la figure 7. Ainsi le relief de potentiel de la cible g est complètement négatif. Quant à l'application d'une tension de polarisation nulle ou légèrement positive sur la grille conductrice 5 de la cible, elle se traduit (courbe de la figure 8) par un potentiel nul (ou légèrement positif) en tous les points de cette grille, sans que soit modifié le relief de potentiel négatif des mémoires élémentaires. Ainsi lorsque, après un temps de mémoire choisi, le faisceau F est à nouveau débloqué pour réaliser la lecture de l'image mémorisée, les électrons du faisceau seront captés par la grille 5 sans pouvoir atteindre la surface des mémoires élémentaires polarisée négativement. Les zones discrètes constituant ces mémoires élémentaires repoussent les électrons du faisceau, et ce, d'autant plus qu'elles sont plus négatives et donc correspondent à une zone d'image plus lumineuse. Le videosignal caractéristique de l'image inscrite peut donc être obtenu par la mesure du courant d'électrons captés par la grille 5 lorsque le faisceau de lecture balaie la cible. En effet la grille 5 reçoit d'autant plus d'électrons que le faisceau frappe une zone moins négative de la cible et réciproquement. On peut noter que ce vidéosignal correspond à une image négative, l'intensité du courant de lecture étant d'autant plus forte que la zone d'image correspondante était plus sombre. I1 est clair qu'une telle lecture n'est pas destructive de l'image emmagasinée puisque les électrons ne frappent pas la surface des mémoires élémentaires dont le relief de potentiel est négatif. Le signal de lecture peut encore être recueilli sur la face arrière de la cible par l'intermédiaire d'une jonction PN non représentée car classique en elle-même. I1 suffit par exemple de réaliser une diffusion P à une extrémité de la face du substrat comportant la mosaïque de mémoires et à prolonger la grille 5 de manière à l'amener au contact de cette diffusion. I1 est évident qu'avant de pouvoir procéder à une quelconque nouvelle inscription sur une cible à mémoire à lecture non destructive, il faut procéder à un effacement des enregistrements. Pour effacer une cible conforme à l'invention, il suffit de balayer sa mosaïque de mémoires élémentaires, où les informations sont stockées sous forme de charges négatives, par un faisceau d'électrons suffisamment rapides pour qu'ils frappent les zones discrètes d'oxyde et y provoquent une émission secondaire avec un coefficient d'émission secondaire tel que ces zones se trouvent ramenées au potentiel de référence de la cathode du canon à électrons. Pour obtenir ce faisceau d'électrons très rapides d'effacement, on porte par exemple l'électrode accélératrice 12 du canon à électrons 9 à un potentiel d'accélération V2 plus élevé que le potentiel d'accélération normal V1 des faisceaux d'inscription et de lecture, en commutant le commutateur 29 de la position Iî à la position 12. REVENDICATIONS 1. Dispositif image à mémoire susceptible de mémoriser une image à deux dimensions, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat (1) semiconducteur dopé de type N, une couche (2) d'un matériau isolant recouvrant une face du substrat dont la face opposée est destinée à recevoir l'image à mémoriser, et, disposée sur ladite couche, une grille (5) en un matériau conducteur dont les évidements délimitent, à la surface de ladite couche, une mosalque de zones discrètes définissant autant de mémoires élémentaires constituées chacune par le système semiconducteur-isolant sous-jacent à chacun desdits évidements, lesdites zones discrètes et les zones les entourant présentant des propriétés d'interface semiconducteur-isolant différentes, le seuil d'inversion desdites zones discrètes étant inférieur à celui des zones les entourant, de manière que lorsqu'un faisceau d'électrons balaie ladite mosalque, portant la surface qu'il frappe à un potentiel négatif par rapport au substrat, les régions de l'interface semiconducteur-isolant desdites zones discrètes sont en "inversion" et stockent dans une couche d'inversion les porteurs minoritaires caractéristiques de la surface élémentaire correspondante d'image, tandis que l'interface semiconducteur-isolant des zones entourant lesdites zones discrètes n'est pas en inversion 2. Dispositif image à mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat est constitué par du silicium de type N, ladite couche étant constituée de silice. 3. Dispositif image à mémoire selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les différences de propriétés d'interface semiconducteur-isolant sont obtenues par des épaisseurs d'isolant différentes, ladite couche (2) de matériau isolant étant plus mince dans lesdites zones discrètes (3) définissant les mémoires élémentaires que dans lesdites zones (4) les entourant. 4. Dispositif image à mémoire selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les différences de propriétés d'interface semiconducteur-isolant sont obtenues par la présence d'ions positifs liés dans les zones entourant lesdites zones discrètes définissant les mémoires élémentaires. 5. Dispositif image à mémoire selon la revendication I ou 2, caractérisé en ce que les différences de propriétés d'interface semiconducteur-isolant sont obtenues par la présence de charges négatives liées dans lesdites zones discrètes définissant les mémoires élémentaires. 6. Tube image à mémoire à lecture non destructive comportant, dans une enceinte étanche sous vide, un canon à électrons dirigeant un faisceau d'électrons vers une cible, des moyens de commande d'intensité dudit faisceau, des moyens de balayage susceptibles de lui faire balayer ladite cible et des moyens de commande de vitesse des électrons dudit faisceau, caractérisé en ce que ladite cible est un dispositif image à mémoire selon l'une des revendications précédentes. 7. Tube image à mémoire selon la revendication 6 caractérisé en ce que, pour réaliser une inscription d'une image projetée sur sa cible, la face du substrat sur laquelle est projetée ladite image est polarisée positivement par rapport à la cathode du canon à électrons tandis que le faisceau d'électrons qu'il émet est soumis à une première tension d'accélération insuffisante pour provoquer une émission sensible d'électrons secondaires et balaie l'autre face de ladite cible, ét en ce que, pour réaliser une lecture de l'image ainsi mémorisée, ladite polarisation positive est supprimée, ladite grille est portée à un potentiel supérieur ou égal à celui de la cathode du canon à électrons, et le faisceau balaie une nouvelle fois ladite cible en étant soumis à ladite première tension d'accélération, le courant de faisceau étant caractéristique du vidéosignal. 8. Tube image à mémoire selon la revendication 7, caractérisé en ce que, pour réaliser un effacement d'une image mémorisée, le faisceau d'électrons délivré par le canon balaie la cible en étant soumis à une deuxième tension d'accélération supérieure à la première et suffisante pour provoquer une émission secondaire d'électrons ramenant lesdites zones discrètes définissant les mémoires élémentaires au potentiel de référence de la cathode du canon à électrons. 9. Tube image à mémoire selon la revendication 7, caractérisé en ce que le courant de faisceau de la phase dtinscription d'une image est utilisé pour réaliser une mise au point optique de ladite image.