Brevet FR2305023A1 — publié le 19761015

L'invention concerne un procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ et plus particulièrement un transistor de ce type présentant une structure autorisant un fonctionnement à puissance relativement élevée. Une telle structure est constituée généralement de la façon suivante : un substrat de type P forme la grille, une couche épitaxiée de type N fournit le canal source - drain tandis qu'unie série de contacts ohmiques interdigités réalisent les contacts source drain. Ces contacts ohmiques sont le plus souvent constitués par une couche de semiconducteur très fortement dopé de type N+ recouverte d'une couche métallique. Selon les procédés connus de mise en place de ces contacts une couche de semiconducteur de type N est épitaxiée sur toute la surface de la plaquette. A travers un masque approprié,des sillons en forme de peigne sont creusés dans cette couche N+ délimitant les zones de contact source - drain. Malheureusement l'attaque chargée de créer ces sillons est difficile à mettre en oeuvre et à contrôler. La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients et concerne un nouveau procédé de fabrication d'un transistor à ef Pet de champ et plus particulièrement de mise en place des contacts drain - source. L'invention sera mieux comprise à l'aide des explications qui vont su-J.vre et des figures 1 à 4 qui représentent chacune schématiquement une étape caractéristique de perçage du peigne source et du peigne drain et de la mise en place des contacts ohmiques correspondant. Comme le montre la figure 1, sur un substrat 1 de semiconducteur de type P+ destiné à constituer la grille d'un transistor à effet de champ conforme à l'invention1 est déposée par épitaxie une couche dite active 2 de semiconducteur de type N opposé au type de conductivité du substrat, dont le rôle sera ultérieurement de constituer le canal source - drain. Sur toute la surface de cette couche 2 de type N un dépAot 3 d'un matériaudiélectrique est effectué par tout-procédé connu. Cette couche constitue la grille de commande du futur transistor. I1 peut s'agir par exemple d'un dépôt de verre en phase vapeur une des qualités essentielles de ce dépôt est d'être photogravable. Comme le montre la figure 2, le perçage de sillons constituant le peigne source et drain est réalisé dans cette couche selon un profil déterminé. Une partie seulement du peigne est représenté sur la figure, il s'agit d'un sillon correspondant à une branche du peigne constituant la source 4 et d'un sillon correspondant à une branche du peigne constituant le drain 5. Dans ces conditions, la couche 2 active de type N est mise a nu au fond de chacun de ces sillons. Les contacts peuvent alors être mis en place. Une première étape consiste, comme le montre la figure 3, à réaliser un dépôt par épitaxie de semiconducteur, très fortement dopé de type N+ dans chacunde ces sillons, de telle sorte que ce dépôt remplisse la zone 40 ou la zone 50, en ramenant la surface externe de l'échantillon sensiblement dans un même plan. Une seconde et dernière étape consiste ensuite (voir figure 4) a recouvrir ces zones 40 et 50 par une couche métallique telle que 400 et 500. Cette dernière est obtenue soit par croissance électrolytique soit par évaporation sous vide d'une couche recouvrant initialement la totalité de la surface de l'échantillon, cette couche étant ensuite gravée à travers un masque approprié de telle sorte que ne subsistent en place que les dépôts 400 et 500. Un tel procédé conforme à l'invention permet donc de réaliser localement et à la demande les zones de type N+ sans qu'il soit nécessaire pour isoler ces zones les unes des autres d'avoir recours à une attaque du matériau semiconducteur fortement dopé toujours difficile à mettre en oeuvre. Ce procédé s'applique à la fabrication de tous les types de transistors à effet de champ dont la source et le drain se présentent sous la forme de peignes interdigités. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ du type comportant une grille constituée par un substrat de semiconducteur fortement dopé d'un type de conductivité donné ; un canal source - drain constitué par une couche active de semiconducteur d'un type de conductivité opposé à celui-ci de la grille, déposée à la surface dudit substrat ; une série de contacts ohmiques interdigités selon une configuration prédéterminée réalisant les contacts source drain, caractérisé en ce qu'il comprends les étapes suivante - premier dépôt d'un matériau diélectrique effectué sur la totalité de la surface de ladite couche active opposée audit substrat ; - gravure dudit premier dépôt selon ladite configuration jus qutà mise a nu localement de la couche active sous jacente ; - second dépôt d'un matériau semiconducteur très fortement dopé remplissant les zones gravées au niveau desquelles ladite couche active est mise à nue ; - troisième dépôt d'un métal assurant un contact ohmique sur ledit second dépôt. 2. Transistor à effet de champ, caractérisé en ce qutil est obtenu par le procédé selon la revendication 1. 3. Transistor selon la revendication 2, caractérisé en ce que le substrat est de type P+, la zone active de type N, le matériau diélectrique est du verre le second dépôt, du semiconducteur de type N.