Brevet FR2294610A1 — publié le 19760709

La présente invention concerne un procédé de formation de conducteurs électriques sur un substrat isolant. Plus particulièrement, elle concerne des circuits à pellicule mince et intégrés composites, et en particulier un système conducteur pour relier entre eux des éléments de ces circuits. les circuits à pellicule mince et intégrés composites sont actuellement très employés dans nombre d'applications, par exemple dans les circuits de filtre et de mémoire de systèmes de transmission et de commutation. le système d'interconnexion métallique utilisé le plus largement pour ces cas est une structure à couches multiples, de titane, de palladium et d'or. La couche d'or constitue la couche qui porte le plus de courant tout en servant aussi de bonne couche de liaison. Bien que ce système ait fonctionné de manière satisfaisante, il faut pour cela de grandes quantités d'or Typiquement, la couche d'or a une épaisseur d'environ 50.000 . 10 4hum et elle doit être formée sur une étendue sensible du dessin dtinterconnexion. Lorsque le prix de l'or augmente, le cott de ces circuits peut devenir excessif. Il est extrêmement difficile de remplacer un tel système. le système doit non seulement assurer une bonne conduction et une bonne adhérence au substrat, mais il doit également être compatible avec la suite d'opérations de traitement nécessaires pour la fabrication du circuit, par exemple la liaison par thermocompression, le soudage, la fabrication de résistances et de capacité, la stabilisation, le recuit, etc. les divers éléments du système doivent également être rendus compatibles, c'est-à-dire non réagissants l'un sur l'autre. Un but principal de l'invention est donc de procurer un système d'interconnexion métallique qui soit moins coûteux que le système utilisé à présent et qui soit en même temps compatible avec les innombrables exigences des traitements de ces circuits à pellicule mince et composites. Ces buts et d'autres sont obtenus suivant l'invention qui prévoit une combinaison métallique comprenant des couches de titane-cuivre-nickel-or pour l'interconnexion. Le cuivre sert comme élément conducteur principal et l'or comme couche de liaison, ce qui réduit sensiblement l'épaisseur dlor nécessaire. le titane assure une bonne adhésion au substrat isolant et le nickel sert de barrière de diffusion entre les couches de cuivre et d'or. En plus, une couche de palladium peut entre prévue pour avoir une plus grande adhérence entre les couches de titane et de cuivre. Suivant une forme de réalisation du procédé suivant l'invention, on forme successivement des couches minces de titane et de cuivre sur sensiblement toute la surface du substrat, par dépôt en phase vapeur ou par projection. On plaque ensuite électrolytiquement (procédé d'électrodéposition) du cuivre supplémentaire sur le cuivre déjà déposé en phase vapeur, ou projeté, dans les régions qui constituent le dessin d'interconnexion.On plaque ensuite une couche de nickel sur la surface de cuivre plaquée, ce que l'on fait suivre d'un placage électrolytique d'or sur la surface de nickel tout entière, ou en variante sur les régions de celui-ci qui comprennent les points de liaison seulement. les régions du titane et du cuivre qui ne sont pas couvertes par les métaux plaqués peuvent alors être attaquées pour présenter le dessin d'interconnexion. Pour rendre le lien solide, on considère, suivant l'invention, un procédé nouveau de traitement thermique après formation des couches. Ce procédé fait intervenir un traitement à une température allant de 2000D à 4000C environ pendant une durée de 50 minutes à 10 heures. Ces particularités de l'invention et d'autres apparattront à la lecture de la description suivante, aidée de la considération des dessins sur lesquels: - La figure 1 est une vue en perspective partielle d'un substrat de céramique avec une pellicule mince de couches de métal, dont l'épaisseur a été exagérée pour la clarté, déposées dessus - la figure 2 est une vue en perspective du substrat céramique de la figure 1, avec des conducteurs et des tampons de contact formés par la pellicule mince; - la figure 3 est un organigramme représentant les# étapes de fabrication suivant deux formes de réalisation constituant des variantes de l'invention - la figure 4 est une vue en perspective d'un circuit à pellicule mince, fabriqué suivant une forme de réalisation de l'invention ; et - la figure 5 est une vue en coupe transversale agrandie, considérée suivant la ligne 5-5 de la-figure 4. En se référant à présent à la forme de réalisation de la figure 1, on y voit un substrat 10 qui peut être fait de matière céramique telle que celle vendue par l'American Lava Company sous la dénomination commerciale "A-76246" ou par la Coors Company sous la désignation commerciale "C-2170-42". On dépose d'abord une couche de titane 12 sur le substrat 10, de préférence par le procédé bien connu de dépôt en phase vapeur, jusqu'à une épaisseur d'environ 1.700 à 2.500 . 10 4, m10#4#'m pour augmenter l'adhérence d'une couche quelconque déposée par la suite. Ensuite, on dépose une couche de palladium 14 sur le titane par dépôt en phase vapeur, de préférence jusqu'à une épaisseur d'environ 3.000 x 10 4ym. Finalement, on plaque une couche d'or 16 sur le palla dium dium 14 jusqu'à atteindre une épaisseur d'environ 20.000 . 10 pour donner une pellicule mince conductrice composite , 17, sur le substrat 10. Si lton désire réduire la quantité d'or, du cuivre peut être substitué à la plus grande partie de l'or, c'est-à-dire que la couche d'or peut être remplacée par une couche de cuivre plaquée d'or. Il faut de l'or pour donner une bonne surface de liaison non oxydée-. Cependant, le cuivre diffuse facilement à travers l'or et s'oxyde en détruisant la surface de liaison.0n place donc une couche barrière de nickel entre le cuivre et l'or. Par suite, une couche conductrice qui comprend du cuivre comprendrait du titane et du palladium (déposés en phase vapeur l'un après l'autre sur le substrat) et ensuite du cuivre, du nickel et de l'or plaqués successivement sur le palladium. En se référant à la figure 2, on y voit que la couche métallique conductrice composite, composée de titane 12, de palladium 14 et d'or 16, c'est-à-dire la pellicule mince 17, a été formée suivant un dessin 22 de conducteurs individuels 18 et de tampons de contact 20, sur le substrat 10. le procédé suivant les deux formes de réalisation de l'invention sera décrit en se référant à l'organigramme de la figure 3. La suite des étapes représentées à la figure 3 commence de préférence après le dépôt des éléments de résistance et de capacité, faits ordinairement de tantale ou de nitrure de tantale, sur la substance isolante qui est ordinairement faite d'alumine. La formation du dessin d'interconnexion a commencé par un dépôt (1) dlune couche de titane sur sensiblement toute l'étendue du substrat. te procédé précis employé était le dépôt en phase vapeur à partir d'un canon électronique ; cependant, d'autres techniques bien connues telles que la projection cathodique, peuvent être employées.L'épaisseur de la couche de titane est de préférence de l'ordre de 1.500 à 3.000 . 10 4 em pour servir comme couche d'adhérence convenable et pour éviter des problèmes de liaison qui se produisent ordinairement lorsque l'épaisseur est inférieure à environ 1.500 x 10#4fi m. Une épaisseur d'environ 2.500 x 10 4# m semble être optimale. Ensuite, on a posé (2) une couche mince (d'une épaisseur d'envi ron 500 x 10 4 }e m ) de palladium, de préférence par le même procédé, sur la couche de titane.Cette couche sert à améliorer l'adhérence entre le titane et la couche de cuivre que l'on décrira dans la suite.Comme telle, la couche de palladium est optimale puisque l'adhérence du titane et du cuivre peut être satisfaisante si l'on suit des processus de dépôt convenables. Une épaisseur appropriée pour cette couche semble être de 200 à 3.000 . 10 4 fU m. On observera que l'adhérence accrue du cuivre et du titane, due à l'introduction d'une couche de palladium , est tout à fait surprenante parce qu'un métal noble ne réalise pas ordinairement un lien solide avec un métal non noble. La raison de cet effet n'est pas connue et fait actuellement l'objet de recherches. On a déposé ensuite (3) une couche mince de cuivre, dans la présente forme de réalisation, également par dépôt en phase vapeur à partir d'un canon électronique, sur la couche de palla dium, La couche de cuivre sert principalement à assurer une couche de grande conductivité pour les processus de placage qui vont suivre. Typiquement, cette couche est d'une épaisseur d'environ 5.000 . 4 yu m, mais une gamme de 3.000 à 7.000.10 4ysm conviendrait. Avant de passer à l'étape faisant intervenir la photoréserve ( ou photo-resist), il est souhaitable de revêtir la surface de cuivre d'une couche mince de chrome pour améliorer l'adhérence de la photoréserve. Cette façon de faire est bien connue des spécialistes. Le processus photolithographique, également bien connu, fait intervenir essentiellement l'application (4) d'une couche de photoréserve à la surface de cuivre tout entière, en laissant à nu des régions voulues à travers un masque et en développant la réserve pour enlever les régions exposées à la lumière dans un dessin qui présentera les trajets d'interconmexion appropriés. On a plaqué ensuite (5) une couche de cuivre par voie électrolytique sur les parties choisies de la couche de cuivre -traitée en phase vapeur, non couvertes par la photoréserve. Ceci a été réalisé en faisant jouer le rôle d'anode au substrat dans une cellule électrolytique dans laquelle le bain comprenait approximativement 68 grammes/litre de CuSO4 et 180 grammes/litre de H2S04. On a trouvé que ce bain particulier était optimal pour obtenir une couverture complète de la couche de cuivre, mais les proportions peuvent être réglées pour s'adapter à des besoins particuliers. On comprendra également que d'autres bains pourraient être employés pour le placage du cuivre,mais jusqu'à présent, le bain de sulfate de cuivre semble optimal. Le placage a été exécuté avec une densité de courant d'environ 20 mA/cm2 mais, à nouveau, ce paramètre peut être modifié suivant la quantité du bain et l'allure géométrique du circuit à fabriquer. L'épaisseur de la couche de cuivre est une considération importante. Dans cette forme de réalisation particulière, l'épaisseur totale du cuivre déposé et du cuivre plaqué était d'environ 35.000 . 10 4 } m. la La gamme d'épaisseurs con- venables , associée à celle des couches subséquentes de nickel et d'or sera examinée dans la suite. Un fait important à com prendre est que la mise à nu de la surface de cuivre à l'air pendant des périodes prolongées, provoque une oxydation qui conduit à une adhérence médiocre.Par conséquent, 11 opération de placage de cuivre doit suivre le dépôt en phase vapeur du cuivre , et le placage subséquent de nickel doit suivre le placage de cuivre alors que le cuivre est encore humide. Dans l'étape suivante (6) , on a plaqué du nicke-l sur les régions exposées de la surface de cuivre déposée par électrolyse. le bain particulier utilisé pour cette opération de placage est vendu par Allied-Kelite Co. sous la marque de fabrique Barrett, type SN et il s'agit fondamentalement de sulfamate de nickel et d'acide borique. l'épaisseur de la couche de nickel était d'environ 10.000 . 10 /Lm, bien qu'une gamme intéressante semble s'étendre à approximativement 8.000 à 20.000 . 10 4 je #m pour fournir une barrière de diffusion adé- quate entre -le cuivre plaqué et la couche de cuivre déposée par la suite, tout en maintenant une bonne résistivité en feuille, comme décrit par la suite.Une épaisseur de couche inférieure à environ 8.000 . 10 4 m conduira à une pellicule poreuse qui ne bloquerait pas la diffusion du cuivre et de l'or aux températures élevées, nécessaires dans le traitement ultérieur de la pellicule mince. Ainsi, l'épaisseur de cette couche est un paramètre important.la densité de courant utilisée était à nouveau de 20 mA/cm2, ce qui donnerait une pellicule suffisamment dense. Comme précédemment, on peut régler la densité de courant pour des besoins particuliers. Une densité de courant minimale pour la fabrication de la pellicule de nickel semble-être d'environ 10 mA/cm2 pour produire une pellicule suffisamment dense ( de l'ordre de 9 grammes/cm3). On a découvert aussi qu'une barrière optimale est celle faite de nickel essentiellement pur sans aucune addition. A ce moment du traitement, on peut suivre fondamentalement deux voies différentes pour former la couche supérieure d'or. Dans la première variante, la couche de photoréserve formée précédemment sur le substrat a été utilisée comme masque pour plaquer électrolytiquement (7) la couche d'or sur la région exposée entière de le couche de nickel formée précédem ment. Dans la seconde variante (8), on a enlevé cette couche de photoréserve et on a appliqué une seconde photoréserve exposée et développée pour ne faire apparaître que les régions de métal qui seront utilisées comme tampons de liaison pour des pastilles de circuits imprimés ou pour être reliées à des éléments étrangers au substrat.Dans l'un ou l'autre processus, l'électroplacage faisait usage d'un bain de cyanure d'or comprenant 20 grammes/litre de cyanure d'or et de potassium, 50 grammes/litre de citrate d'ammonium et 50 grammes/litre de sulfate d'ammonium à une densité de courant d'environ 2 mA/cm2. A nouveau, les proportions des éléments du bain et la densité du courant peuvent etre réglées suivant les besoins. L'épaisseur de la couche d'or était d'environ 20.000 . 10 4 81 m , mais il apparat qu'une gamme préférée s'étend entre 15.000 et 25.000%. 10 4 ft m pour assurer une bonne surface de liaison. On comprendra que l'épaisseur de l'or, nécessaire dans ce système conducteur est considérablement inférieure à celle qui est nécessaire dans le système précédent Ti-Pd-Au, qui était d'environ 50.000 . 10#4jm. Ainsi, des économies sensibles sont réalisées suivant cette forme de réalisation de l'invention.On comprendra aussi qu'alors que la forme de réalisation qui fait intervenir un placage sélectif (9) dans les régions de liaison a l'inconvénient d'exiger une couche de photoréserve supplémentaire, elle offre néanmoins l'avantage de demander moins d'or et de permettre des économies nouvelles. La séquence de traitement suivante fait intervenir la réalisation du dessin d'interconnexion en attaquant les couches déposes de cuivre (11) et de titane (12) qui ne sont pas couvertes par les couches de métal plaquées. On a donc supprimé (10) la photoréserve utilisée pendant ltélectroplacage. Dans les deux variantes, on a enlevé le cuivre déposé en phase vapeur au moyen d'une solution de persulfate d'ammonium et on a enlevé ensuite la couche de titane par de l'acide fluorhydrique, solutions qui sont bien connues. On prendra soin, dans l'en- lèvement du cuivre déposé en phase vapeur, d'éviter l'attaque du nickel et le r?ngement- de la couche plaquée. Typiquement, le temps d'attaque chimique pour enlever 5.000 . 10-4 m de cuivre dans le persulfate d'ammonium est d'environ 60 secondes.Comme mesure de précaution, on a enlevé les circuits du bain d'attaque dès que les signes visibles de cuivre étaient enlevés et on a immédiatement rincé la plaque pour éviter une attaque ultérieure. On comprendra qu'on pourrait employer d'autres moyens d'attaque pour enlever les couches de titane et de cuivre. Comme évoqué précédemment, l'épaisseur des couches de cuivre, de nickel et d'or est importante pour fournir la résistivité en feuille convenable pour remplacer le système li-Pd-Au. En particulier, une résistance en feuille désirée (Rs) peut être calculée d'après l'équation : où t est l'épaisseur et p- la résistivité en masse des métaux indiqués. Une résistance en feuille en fin de vie , d'environ 0,005 ohms/carré ou moindre est désirée pour la plupart des applications. Ainsi, pour une couche de nickel de l'ordre de 8.000 à 20.000 . 10-4 rm , et d'or de l'ordre de 15.000 à 25.000 . 10 4 it m, une gamme d'épaisseurs de cuivre de 25.000 à 40.000 . 10 4 m semble être la gamme optimale pour satis- faire aux exigences de résistance en feuille. Après formation du dessin d'interconnexion, tel que décrit ci-dessus, on procède à un traitement normal du circuit, par exemple le dessin de la résistance, la liaison par thermocompression, le soudage, etc., suivant les moyens connus dans l'art. La figure 4 est une vue en perspective d'un circuit à pellicule mince, juste après la formation de l'interconnexion suivant l'invention et avant qu'on ne procède au traitement mentionné ci-dessus. On comprendra que ce circuit n'est présenté qu'à des fins d'illustration et que le présent dessin d'interconnexion peut être utilisé pour tous les types de circuits. On comprendra aussi que ce circuit n'est pas nécessairement dessiné à l'échelle. On forme, des éléments sur une planche de céramique indi que par 10. Des tampons de liaison tels que 41 formés à ltin-= térieur définissent l'étendue du panneau 42 où la pastille de circuit intégré (non-montrée) peut être placée. Des tampons de liaison tels que 43 formés à proximité des bords, permettent la liaison du circuit aux éléments étrangers au panneau.Le circuit montré comprend simplement un premier élément résistant 52 et un second élément résistant 44 en série avec un élément capac#tr445, l'élément résistant comprenant ordinairement du nitrure de tantale, et la capacité comprenant une structure à couches multiples, conductrice, formée de tantale et d'oxyde de tantale, ainsi qu'il est bien connu les interconnexions entre les tampons de liaison et les éléments du circuit sont réalisées suivant l'invention. Une vue en coupe agrandie, considérée suivant la ligne 5-5 est représentée à la figure 5. La couche de titane est déposée en phase vapeur et montrée en 46, et la couche de palladium en 47. La couche de cuivre qui a été formée par le dépôt en phase vapeur initial d'une couche mince et par placage électrolytique ensuite, est représentée en 49 avec la couche de nickel plaquée formée dessus, indiquée par 50. On verra que la couche d'or 51 n'est formée qùe dans les régions où une liaison est désirée suivant la forme de réalisation de la seconde variante décrite précédemment. On comprendra que pendant les traitements thermiques subséquents, un certain alliage de cuivre, de nickel et d'or se produira principalement aux limites de la couche de nickel. On croit que la structure fondamentale Cu-Ni-Au à couches multiples sera maintenue. A ce point de vue, l'une des particularités importantes et surprenantes de la combinaison d'interconnexions métalliques est le fait que la combinaison est compatible avec toutes les séquences de traitement de pellicules minces requises pour obtenir un circuit complet en dépit du fait que d'autres traitements modifient quelque peu la composition de la structure d'interconnexion. Pour démontrer cette compatibilité, on a chauffé le système conducteur Ti-Cu-Ni-Au à diverses températures et pendant des temps divers suivant le traitement de circuit normal. Par exemple, une pellicule avec des épaisseurs de nickel d'en viron 10.000 . 10 4 m a été chauffée à 2500C pendant cinq heures, ce qui représente le temps et la température ordi#ai- rement utilisés pour une stabilisation d'une résistance de Ta2N. l'analyse par soudage à vis de la structure résultante a montré une quantité insignifiante de diffusion à travers la couche de cuivre ou d'or et à travers la couche de nickel et un changement de la résistance en feuille de juste 4fo. Un traitement thermique à 1500C pendant 1.000 heures a conduit à une absence de diffusion détectable à travers la couche de nickel et à seulement un changement de 1,5% dans la résistance en feuille.Une limite supérieure de traitement thermique du système semble être de 3500C pendant quatre heures, puisque, dans ce cas, une interdiffusion considérable a eu lieu et que la résistance en feuille a été changée d'environ 17 es essais ont démontré que le système conducteur Ti-Cu-Ni-Au était comparable au système Ti-Pd-Au en ce qui concerne la résistance aux détériorations aux températures élevées nécessaires pour traiter les circuits. On a soumis également le système Ti-Cu,-Ni-Au à des ambiances d'air avec HCl en milieux sec et humide ainsi qutavec NO2 et S02 en milieu humide. Pour HCl en milieu sec, le présent système a montré de bonnes propriétés de résistance à la corrosion, comme Ti-Pd-Au.Dans des milieux humides (HCl, S02 ou NO , ce qui représente un essai plus sévère de résistance à la corrosion, le présent-système a montré que le changement de la résistance de contact était approximativement égal à ce qu'il est dans un milieu sec de H La liaison par-thermocompression au circuit à pellicule mince est réalisée ordinairement après~ que tous les traitements à haute température ont été achevés.Ainsi, pour vérifier la compatibilité du présent système avec le processus de liaison, il a été nécessaire de soumettre les métaux à une température élevée, pendant des périodes prolongées. le système, avec des couches de nickel variant d'épaisseur entre 2.000 et 10.000.10-4 m , a été soumis à différents traitements thermiques à 150 C, 250 C, 300 C et 350 C , suivis de la liaison et de l'essai de la résistance à la traction.Des résistances à la traction maximales ont été obtenues généralement pour le système à couche de Ni de 10.000 . 10 4 e m et des résistances adéquates ont été observées après des traitements à 1500C jusqu'à 1.000 heures ; de 2500C jusqu'à 10 heures ; de 30000 jusqu a 4 heures et de 3500C jusqu'à 2 heures. On propose un temps minimal de 50 minutes. En général, la résistance à la traction pour le présent système conducteur s'est avérée être essentiellement la même que dans le système Ti-Pd-Au traité de façon semblable. les essais ont montré ainsi que la liaison par thermocompression est possible après chauffage de Ti-Cu-Ni-Au à 3000C pendant 4 heures, ce qui est le traitement utilisé ordinairement pour durcir la couche isolante utilisée dans les placages, et à 35000 jusqu'à 2 heures, ce qui est le traitement proposé pour la stabilisation de la résistance avant découpage au laser, lorsque la couche de nickel était d'environ 10.000 . 10 4 m. Une autre particularité surprenante du système conducteur de l'invention était sa compatibilité avec les processus -de soudage.le soudage du système Ti-Pd-Au avec des soudures à l'étain et au plomb classiques conduit à la formation de produits intermétalliques de Sn-Au. Cependant, avec le présent système, la couche d'or est suffisamment mince de sorte qu'aucun produit intèrmétallique cassant nta été formé.En outre, l'or protège la surface du nickel de l'oxydation en permettant ainsi à cette surface de nickel d'être mouillée rapidement par la soudure. La vitesse de distribution du nickel dans la soudure est assez lente pour assurer un temps suffisant de soudage et de désoudage lorsqu'on y fait des réparations. Il va de soi que bien des modifications peuvent être apportées aux formes de réalisation décrites sans sortir pour autant du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1.- Procédé de formation de conducteurs électriques sur un substrat isolant, comprenant la formation sur le substrat d'une première couche métallique comprenant du titane suivant le dessin désiré, caractérisé en ce qu'on forme sur la couche de titane une seconde couche métallique constituée de cuivre en ce qu'on plaque électrolytiquement du cuivre supplémentaire sur cette seconde couche dans des régions choisies de la seconde couche; en ce qu'on plaque électrolytiquement une troisième couche de métal, constituée de nickel, sur la couche de cuivre; en ce qu'on plaque électrolytiquement une quatrième couche de métal, constituée par de l'or, sur au moins certaines parties de la troisième couche; et en ce qu'on enlève ces parties des première et seconde couches qui ne sont pas couve#rtes par les métaux plaqués par voie électrolytique; 2.- Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'on forme sur la première couche une cinquième couche de palladium avant la formation de la seconde couche. 3.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'on forme la première couche de titane à une épaisseur comprise dans la gamme de 1.500 à 3.000 . 10 4 f m , la seconde couche de cuivre étant formée à une épaisseur comprise dans la gamme allant de 25.000 à 40.000 . 10 4 AL m , la troisième couche de nickel étant formée à une épaisseur comprise dans la gamme allant de 8.000 à 20.000 . 10 4 }t m , et la quatrième couche d'or étant formée à une épaisseur comprise dans la gamme allant de 15.000 à 25.000 . 10 jm. 4.- Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce qu'on forme la cinquième couche par.dépôt en phase vapeur sur sensiblement toute la surface de la première couche métallique, par une couche de métal comprenant essentiellement du palladium d'une épaisseur comprise dans la gamme allant de 200 à 3.000 . 10 4 m. 5.- Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce qu'on forme partiellement la seconde couche par dépôt en phase vapeur sur sensiblement la surface entière de la cinquiè me couche métallique, une partie de la deuxième couche comprenant essentiellement du cuivre jusqu'à une épaisseur comprise dans la gamme allant de 3.000 à 7.000 . 10 4 olim, tandis qu'on achève la deuxième couche en plaquant électrolytiquement du cuivre supplémentaire sur des parties choisies de la couche de cuivre déposée en phase vapeur dans le dessin d'interconnexion voulu pour produire l'épaisseur totale de cuivre, comprise dans la gamme allant de 25.000 à 40.000 1O#4jtm. 6.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications 4 et 5, caractérisé en ce qu'on forme la partie plaquée électrolytiquement de la seconde couche en utilisant un bain de placage de CuSO4 et de 112504 , la troisième couche étant formée en utilisant un bain de placage comprenant du sulfamate de nickel , et la quatrième couche étant forme en utilisant un bain de placage comprenant du cyanure d'or. 7.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on chauffe la structure résultante jusqu'à une température comprise entre 2000C et 4000C 'pendant une durée allant de 30 minutes jusqu a 10 heures. 8.- Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce qu'on chauffe la structure résultante à une température d'environ 3000C pendant approximativement 30 minutes à 4 heures 9.- Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce qu'on chauffe la structure résultante à une température d'environ 3500C pendant approximativement 30 minutes à 2 heures. 10.- Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en - ce qu'on enlève les parties de la couche de cuivre déposée en phase vapeur, non couvertes par au moins une des couches déposées par placage électrolytique, en plongeant l'objet dans une solution d'attaque comprenant du persulfate d'ammonium; et en ce qu'on enlève les parties de la couche de titane déposée en phase vapeur, non couvertes par au moins une des couches d'électroplacage en plongeant l'objet dans une solution d'attaque comprenant de l'acide fluorhydrique. 11.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on forme la quatrième couche de métal seulement sur des parties de la troisième cou che métallique qui constituent les tampons de liaison pour le circuit. 12.- Circuit comprenant des éléments de pellicule mince et des interconnexions électriques sur la surface principale d'un substrat isolant, comprenant une première couche métallique de titane sur le substrat, caractérisé en ce qu'une seconde couche métallique de cuivre est déposée sur la première couche métallique ; en ce qu'une troisième couche métallique de nickel est déposée sur la seconde couche ; et en ce qu'une quatrième couche métallique constituée d'or est déposée# sur au moins des parties de la troisième couche métallique. 13.- Circuit suivant la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comporte une cinquième couche de palladium audessus de la première couche.