Brevet FR2257128A1 — publié le 19750801

L t invention concerne un procédé par lequel les informations mémorisées dans une couche d'aimantation douce sous la forme de structures régionales ou locales magnétiques peuvent être déplacées sans être détruites du lieu de ltenregistrement au lieu de la restitution et éventuellement en sens inverse. On connait un grand nombre de procédés,dispositifs et systèmes , qui permettent un déplacement non destructif d'informations. Leur principe réside en ce que,dans une bande d'une couche polycristalline d'aimantation douce au préalable totalement saturée magnétiquement au lieu de ltenregistrement et en surmontant une intensité de champ dite de formation de germe, une zone de longueur définie, aimantée à Opposé de la direction initiale de saturation, est dessinée d'abord dans la couche d'aimantation douce et est déplacée alors en direction du lieu de la restitution,en conservant sa longueur,par application de champs pulsatoires, dont l'amplitu- de doit être plus faible que l'intensité du champ de formation de germe, en raison de la nécessité absolue d'éviter la formation ultérieure de germes parasites Une succession de telles zones aimantées en sens inverse peut représenter alors une succession dtinfor- mations mémorisées sous la forme binaire. Pour empêcher de grands changements de longueur et une destruction éventuelle de zones aimantées en sens inverse pendant le déplac#ment,il faut imposer des conditions particulières aux champs pulsatoires qui déplacent les zones et dépendent du temps et/ou du lieu. Il est connu (brevet US NO 2.919.432) de disposer, au-dessus et/ou au-dessous de la bande d'aimantation douce,des enroulements ou des circuits conducteurs appropriés de façon que,par suite de la dépendance locale des champs magnétiques moteurs créés par les courants pulsatoires qui circulent dans les enroulements,il stétablit automatiquement et à la phase correcte, aux lieux des parois limitant chacune des zones aimantées en opposition, la direction de champ moteur indispensable pour un déplacement unidirectionnel simultané de toutes les parois On sait également (brevet US NO 3.438.016)que, par une structure géométrique spéciale de la bande de couche d'aimantation douce qui est soumise à l'action d'un champ tournant dépendant du temps et du lieu, on peut réaliser un mécanisme dé déplacement,par lequel, successivement dans le temps, le champ moteur nécessaire au déplacement unidirectionnel agit en premier lieu à ltemplacement de toutes les parois avant - vues en direction du déplacement -(qui limitent les zones aimantées à l'opposé de la direction initiale de satu ration),tandis que toutes les parois arrière sont fixées en raison de la structure géométrique, le rôle des parois avant et arrière étant ensuite interverti. Par ce procédé, la structure régionale ou locale représentant l'information mémorisée n1 est reproduite chaque fois qu'en des multiples entiers de la durée de la période d'urdu cycle de déplacement. D'autres procédés connus(brevet US NO 3.366.937) utilisent un mécanisme de déplacement analogue pour influencer successivement les parois dans le temps, mais y parviennent par le'rait que la bande de couche d'aimantation douce possède des propriétés magnétiques directement dépendantes du lieu en particulier une intensité de champ coercitif de paroi variable,qui peut être provoquée par exemple par un changement d'épaisseur de la couche. Dans un procédé apparenté au précédent (brevet DL NO 8î.146),îes propriétés magnétiques localement variables sont conférées à la couche d'aimantation magnétique douce par le fait que le flux de dispersion magnétique extérieurd'u#4éssin périodique est appliqué sur une couche d'aimantation dure et fait varier à la façon d'un champ de polarisation magnétique,de manière pério dique,l'întensité du champ coercitif de paroi dans la couche dlai- mantation douce. Tous les procédés décrits sont liés à des structures spé- ciales de la couche d'aimantation douce. Il est possible, d'une part, de placer l'axe préférentiel d'aimantation (axe léger)en direction de la progression des zones. On sait que les parois limitant les diverses zones d'aimantation antiparallèle possèdent alors, même pour des bandes de couche très étroites,une forme nettement crénelée qui empêche d'atteindre de hautes densités d t emmagasinage. Les valeurs les meilleures obtenues présentement sont de l'ordre de 2 bits/mm bien qu'il soit dans ce cas relativement simple, sur le plan technologique,de donner aux circuits conducteurs la structure indispensable qui permet un déplacement simultané de toutes les parois comme signalé plus haut (brevet US NO 2.919.432). Il est possible,d'aut#-'e part,de disposer l'axe préférentiel d'aimantation perpendiculairement à la direction du mouvement des zones et, par suite,perpendiculairement à la longueur et dans le plan des bandes de couche d'aimantation douce. Entre les zones aimantées en opposition, il se forme de ce fait, de manière connue, -des parois sensiblement rectilignes qui permettraient a priori une densité d'emmagasinage plus-élevée que des couches dont l'axe préférentiel se trouve en direction du mouvement.Toutes les mémoires à circulation connues (par exemple brevet US NO 3.366.937 et brevet DL ND 81.146),qui utilisent une telle structure de la couche d'aimantation douce prévoient,comme décrit déjà plus haut,une influence successive dans le temps de toutes les parois avant et arrière des zones aimantées en sens inverse,manifestement en vue d'empêcher la destruction de ces zones pendant leur déplacement. Ces dispositions ont le grave inconvénient de nécessiter une réduction de la vitesse moyenne des-zones comparativement à la vitesse physiquement possible d'une paroi et, par suite,une réduction du temps d'intervention de ces systèmes d'emmagasinage. En raison de la succession dans le temps du déplacèment,d'abord de toutes le-s parois avant,puis de toutes les parois arrièressla longueur des zones doit en outre varier périodiquement entre de larges limites, de sorte qu'un autre inconvénient de ces procédés réside en ce que la plus petite~longueur de zone physiquement possible,statiquement et dynamiquement stable,ne peut absolument pas être identifiée à la densité d'emmagasinage possible en soi,ce qui limite considérablement la densité d'emmagasinage utile. On a eu connaissance entre temps d'autres mémoires magnétiques à circulation,dont le matériau d'emmagasinage est formé de couches monocristallines d'orthoferrite -ou de grenat. Elles sont caractérisées en ce que,par un choix convenable des paramètres magnétiques et géométriques du matériau d'emmagasinage, l'axe préfe- rentiel dtaimantation est placé perpendiculairement au plan des couches et en ce que, dans ces couches, sous l'action de champs de pré-aimantation judicieusement choisis, peuvent être engendrées, parallèlement à#l'axe préférentiel,des zones cylindriques statique ment dynamiquement stables,qu'on peut déplacer unidirectionnelle- ment en utilisant divers mécanismes (; ;-.i'. Bobeck,Application-of Orthoferrites to Domain-Wall Devices, TESTE Trsnswon Magnetics,M#G-5 544(1969)). Ces procédés ont comme principal inconvénient de nécessiter la fabrication de couches monocristallines très pures dont les dimensions sont encore limitées actuellement à quelques centimètres pour des raisons technologiques. L'invention a pour but d'éliminer les inconvénients susmentionnés des procédés connus. Il s'agit notamment d'éviter dans une large mesure lXobligation,existant jusqu'à présent > d'influen- cer successivement dans le temps de la même manière les parois avant et arrière en maintenant entre elles un grand écartement de sécurité,avec une structure de couche,dans laquelle l'axe préférentiel de l'aimantation est placé perpendiculairement à la direction du mouvement des zones et dansas plan de la couche. L'invention a donc essentiellement pour objet, en vue du déplacement d'informations mémorisées magnétiquement,un procédé simple qui convient en principe à des longueurs quelconques d'une bande de couche mono ou polycristalline d'aimantation douce, tout en possédant une densité d'emmagasinage élevez, comparable à celle des mémoires à circulation qui fonctionnent avec des matériaux d'em magasinage monocristallins. Conformément à l1invention,les# bandes de couche d'aimantation douces dont ltaxe préférentiel d'aimantation est placé perpendiculairement à la longueur des bandes et dans le plan de la couche, sont d'abord saturées parallèlement à l'axe préférentiel et qu'ensuite éventuellement le champ de saturation est appliqué en perma nence à une intensité plus faible ,que des zones ou domaines dynamiquement stables d'aimantation inversée en antiparallèle par rapport à l'entourage sont dessinées de manière connue dans les bandes de couche et que, pour produire les configurations de champs magnétiques dépendant du lieu et du temps et assurant le déplacement des zones à aimantation inversée, on utilise des moyens connus en soi engendrant des champs magnétiques et/ou influençant ces derniers. La résultante du champ vectoriel magnétique de la configura tion de champ dépendant du lieuwdoit être orientée sensiblement parallèlement à l'axe préférentiel dans les dflverse phases de temps en principe de longueur# quelconqùe,avec éventuellement des amplitudes différentes dans le temps chaque fois, ou constamment avec la même amplitude, et doit posséder, sur toute la longueur de chaque zone à déplacer, un gradient dont la valeur peut être supérieure au double de l'intensité du champ coercitif de paroi. A l'endroit de la paroi arrière, vue en direction du mouvement des zones,le champ prend alors la valeur la plus grande.Aux emplacements des deux parois limitant chaque zone,ce champ peut être orienté- également à l'opposé de l'aimantation des zones. Pour régler la longueur dynami- quement stable des zones, on peut appliquer supplémentairement,dans les mêmes phases de chaque période de déplacement, ou éventuellement dans d'autres phases à leur tour de longueur dans le'tempos en principe quelconque,ou constamment à l'opposé de l'aimantation des zones,aux lieux des parois de chacune des zones,des champs magnétiques d'égale valeur et variables dans le temps,dont ltinten sité peut être sensiblement plus grande que 12 intensité du champ coercitif de paroi.En aucun cas, la moyenne des valeurs des intensités du champ magnétique agissant aux lieux des deux parois limitant chaque zoneyne doit atteindre néanmoins la valeur de l'intensité té de champ destructive des zones. A l'intérieur des zones d'aimantation inversée,llintensité de champ utile doit être en outre toujours inférieure à l'intensité du champ de formation de germes. L'invention repose sur l'effet décrit ci-après, trouvé ex périmentalement et analysable théoriquement: Lorsque, dans une bande de couche mono ou polycristalline d'aimantation douce,dans laquelle l'axe préférentiel d'aimantation est placé perpendiculairement à la longueur de la bande et dans le plan de la couche, et dans laquelle l'intensité du champ de formation de germes est initialement plus-grande que l'intensité du champ coercitif de paroi > est dessinée une zone d'aimantation opposée à la direction de saturation d'origine,cette zone est alors limitée par des parois orientées à peu près perpendiculairement à la longueur de la bande.Lors de 11application d t un champ magnétique extérieur homogène parallèle à l'axe préférentiel de ltaimanta- tion et à la direction de saturation de ltentourage de la zone, avec une intensité légèrement plus forte que l'intensité du champ coercitif de paroi, les parois limitant la zone dtaimantation inversée quittent leur position d'origine, se rapprochent dtabord l'une de 1'autre avec une vitesse allant en diminuant et viennent s 1immobiliser à une distance qui dépend des paramètres géométriques et magnétiques de la disposition de couche.Une diminution supplémentaire de la distance entre les deux parois nécessite un accroissement du champ magnétique.Pour la destruction définitive de la zone, on a besoin d'un champ dont l'intensité dépasse de plusieurs fois l'intensité du champ coercitif de paroi. Cette intensité du champ destructif de zone dépend de la forme et de la structure de la zone à détruire, qui sont définies à leur tour par les paramètres géométriques et magnétiques de la bande de couche. En fonction des##w#nèrtres géométriques et magnétiques de la bande de couchesson a pu kxpérimentalement des relations reproductibles et théoriquement calculables entre le champ magnétique devant etre appliqué et la longueur de la zone dynamiquement stable qui en résulte. L'effet trouvé peut s'expliquer par le fait que le champ extérieur de dispersion au bord de la bande de couche s'oppose à une diminution de la zone d'aimantation inversée. Une telle diminution de la zone permet un emmagasinage partiellement réversible d'énergie magnétique dans la structure magnétique et géométrique de la zone. Cela se produit lorsque les parois de la zone sont comprimées par un champ magnétique extérieur plus grand due le double de l'intensité du champ coercitif de-paroi. Après l'interruption d'un tel champ,la ladistance entre les pads augmente par suite de l'énergie magnéto-statique libérée,jusqu'à ce que l'intensité du çhamp coercitif ait rétabli l'équilibre entre les deux parois.Une augmentation supplémentaire de la distance entre parois conduit alors à un champ extérieur orienté parallèlement à ltaimantation de la zone et dont l'intensité peut être initialement inférieure à celle du champ coercitif de paroi. Contrairement à l'opinion actuelle > une telle zone possède donc > même dans une couche polycristalline,vis-à-vis de chats extérieurs,une stabilité déterminée qui s'oppose à sa destruction.Contrairement à ce qui est pratiqué jusqu'à présent > #l est par conséquent superflu de déplacer successivement,et en maintenant soigneusement entre elles une distance suffisamment grande ,les deux parois avant et arrière d'une zone - vues en direction du mouvement - précisément pour éviter que la zone ne soit détruite. Pour le déplacement,il suffit au. contraire en premier lieu que chaque zone se trouve dans un champ magnétique dont le gradient remplit les conditions selon l'invention indiquées plus haut,le champ magnétique exerçant sur la paroi arrière de la zone, vue en direction du mouvement,une force plus grande que la force répulsive agissant sur la paroi avant. En raison de l'effet susdécrit et par suite de l'emmagasinage d'énergie magnéto-statique, il se forme alors automatiquement,à l'état d'équilibre > desforces agissant en direction opposée sur les deux parois,mais d'égale valeur > qui stabilisent la zone sur une longueur définie. Pour le cas où le gradient du champ est plus grand que le double de l'intensité du champ coercitif de paroi,le déplacement des zones peut avoir lieu en principe de deux manières diffé- rentes Il est possible, d'une part, de choisir la direction des champs magnétiques moteurs inhomogènes de façon que cette direction concorde avec la direction d'aimantation des zones à déplacer. En raison de l'action de répulsion réciproque entre le champ moteur homogène et les zones à déplacer,ces dernières sont alors poussées en avant du champ moteur localement variable > avec un mouvement unidirectionnel simultané des parois. Il est possible, d'autre part, de choisir pour les champs magnétiques inhomogènes moteurs une direction inverse de la direction d'aimantation des zones Les zones à déplacer sont alors tirées en arrière des champs moteurs localement variables dans le cas où la couche est noyée entièrement dans un champ magnétique supplémentaire extérieur et homogène suffisamment grand-par exemple produit par des aimants permanents-orienté à 11 opposé de l'aimantation des zones devant être déplacées. Les#configurations des champs magnétiques nécessaires au déplacement des zones dynamiquement stables d'aimantation inversée, qui représentent l'information mémorisée, peuvent être engendrées par un système dessiné de circuits conducteurs électriques alimentés en impulsions de courant > lesdits circuits étant disposés au-dessous et/ou au-dessus des bandes de couche d'aimantation douce, et/ou au voisinage des bords des bandes de couche. Celles-ci doivent être agencées de façon que la direction du champ magnétique créé soit principalement parallèle à ltaxe préférentiel de 1 'aiman- tation dans les bandes de couche.Lorsque deux ou plusieurs systèmes de circuits conducteurs électriques sont disposés au-dessous etfou sur les deux bords des bandes de eouche,la géométrie des circuits conducteurs et la polarité des courants pulsatoires circulant à travers eux sont avantageusement choisies de telle manière que les composantes des configurations de champ magnétique produites par les divers systèmes s'additionnent dans les bandes de couche en direction de l'axe préférentiel dlaimantation,tandis que toutes les composantes orientées perpendiculairement s'annulent sensiblement Pour le cas où les zones d'aimantation inversée > dynamique- ment stables, doivent etre pousséesssles divers circuits conducteurs doivent être alimentés successivement > en arrière de chaque zone en direction du mouvement de celles-ci, en courants pulsatoires de polaité eonvenablela durée minimale des impulsions correspondant au temps dont a besoin chaque zone pour parcourir la longueur utile d'un élément de circuit conducteur, en raison de sa-vitesse dépendant elle-même du champ. Pour le cas où les zones d'aimantation inversée,dynamiquement stables, doivent être tirées, les divers circuits conducteurs doivent être alimentés successivement de la même manière mais en avant de chaque zone en direction du mouvement de cellesci, en courants pulsatoires de polarité opposée à celle du cas qui vient d'être décrit. La durée minimale des impulsions dépend à nouveau de la vitesse des zones. Contrairement au cas où les zones doivent être poussées, il faut disposer la bande de couche et éventuellement aussi le système de circuits conducteurs dans un champ magnétique homogène > par exemple engendré par des aimants permanents. La direction#du champ magnétique doit être alors antiparallèle à celle de l'aimantation dans les zones dynamiquement stables. Le -système produisant les configuration de champs magnétiques inhomogènes nécessaires au déplacement des zones d'aimantation inversée dynamiquement stables,qui représentent l'information mémorisée,peut être agencé également sous la forme d'un dessin périodique d'éléments d'aimantation douce,lesquels doivent être disposés à leur tour au-dessous et/ou au-dessus des bandes de couche et/ou sur les bords de ces bandes de façon que leur flux de dispersion magnétique extérieur traverse préférentiellement la bande de couche parallèlement à l'axe léger de l'aimantation.Efl vue de l'obtention de la dépendance momentanée et locale nécessaire des configurations des champs magnétiques moteurs,ces éléments doivent être excités de nouveau à la cadence en phase indispensable pour déplacer les zones d'aimantation inversée,par. une succession de champs magnétiques variables dans le temps > parallèlement et/ou perpendiculairement à la longueur de la bande de couche d'emmagasinage. La direction et l'intensité de ces champs magnétiques dépendent essentiellement des paramètres géométriques et magnétiques des éléments d'aimantation douce. Ces derniers peuvent présenter la forme de la lettre T sur un bord des bandes de la couche d'emmagasinage. Pour des bandes larges,il peut être nécessaire de prévoir également sur l'autre bord une succession dlélé- ments d'aimantation douce en forme de I,orientés en alternance parallèlement et perpendiculairement au bord de la couche d'em- magasinage. Les deux mécanismes de déplacement décrits plus haut peuvent être alors utilisés pareillement,le deuxième mécanisme nécessitant cependant à nouveau un champ magnétique auxiliaire localement homogène,dans lequel se trouve toute la couche d'emmagasinage. Dans ce cas, ce champ magnétique auxiliaire loyalement homogène peut être créé,non seulement par des aimants permanents,mais aussi par des courants continus ou pulsatoires > circulant à travers une ou plusieurs couches conductrices de ltélectricité qui sont disposées au-dessous et/ou au-dessus des couches d'emmagasinage. Par un tel arrangement et moyennent un choix approprié de sa géométrie,on peut obtenir que les éléments d'aimantation douce > néces- -saires à la production des configurations des champs magnétiques déplaçant les zones, restent pratiquement non influencés par le champ homogène. Les éléments de couche d'aimantation douce peuvent être constitués également sur le bord des bandes de la couche d'emmagasinage par des bandes de longueur différente, orientées longitudinalement parallèlement à l'axe d'aimantation préférentiel et dont la direction d'aimantation peut être changée par des courants pulsatoires, qui circulent à travers d'autres couches conductrices de l'électricité disposées au-dessous et/ou au-dessus et/ou à eôté des éléments de couche.Le système produisant les configurations de champs magnétiques inhomogènes nécessaires au déplacement des zones dynamiquement stables peut être aussi constitué par une ou plusieurs couches d'aimantation dure,qui sont placées au-dessous et/ou au-dessus et/ou à côté des bandes de couche d'aimantation douce et sont munies d'un dessin magnétique périodique,par exemple en dents de scie, dont l'aimantation est sensiblement parallèle à l'axe préférentiel de l'aimantation dans les bandes de couchè,en combinaison avec-un champ magnétique d'intensité modulable et pareillement orienté parallèlement à 1'axe préférentiel d'aimantation des bandes de couche. Les configurations des champs magnétique-s inhomogènes dépendant du lieu et du temps nécessaires au déplacement des zones,se secomposent alors de ce dernier champ magnétique localement modulable dans le temps mais homogène,et du champ de dispersion magnétique extérieur du dessin permanent. Le système produisant les configurations de champs magnétiques nécessaires au déplacement des zones dynamiquement stables peut être constitué enfin par des éléments de couche d'aimantation douce. et de forme dissymétrique > en combinaison avec un champ magnétique localement homogène > orienté parallèlement à l'axe préférentiel et d'intensité modulable. Les éléments de couche dissymétriques d'aimantation douce sont disposés au-dessous et/ou audessus et/ou sur les bords des bandes de couche d'aimantation douce et le sens de leur aimantation est inversé automatiquement, à la cadence du mécanisme déplaçant les zones, par le flux de dispersion magnétique extérieur des zones dynamiquement stables. Ils servent donc à collecter le flux de dispersion magnétique extérieur des bandes de couche d'emmagasinage et distinguent > comme position énergétiquement favorable des zones,des situations déterminées des zones,par suite du court-circuit maximal possible à cet emplacement du flua de dispersion magnétique extérieur des bandes de couche d'emmagasinage.En raison de la dissymétrie de leur forme géométrique,un changement de la largeur des zones dynamiquement stables à partir de cette position énergétiquement fa vorable, résultant d'une variation du champ magnétique modulable dans le temps et localement homogène > donne naissance à des forces différentes dépendant de la direction,qui s'exercent sur les deux parois limitant une zone,ce qui aboutit finalement à un déplacement du centre de gravité des zones. Ces éléments de couche d'aimantation douce dissymétriques peuvent présenter la forme de triangles rectangles,un coté de ltan- gle droit de chaque triangle étant orienté parallèlement au bord de la bande de couche d'emmagasinage et l'hypoténuse se trouvant soit sur le côté du triangle tourné vers la couche d'emmagasinage, soit du côté opposé. Pour les deux arrangements spécifiés en dernier lieu, le moyen le plus simple de production des champs magnétiques auxiliaires modulables dans le temps et localement homogènes consiste à disposer au-dessous et/ou au-dessus des bandes de la couche d'emmagasinage, parallèlement à celles-ci,des couches conductrices de llelectricité,qui sont parcourues par des courants pulsatoires convenablement modulables perpendiculairement à l'axe préférentiel de l'aimantation des bandes de la couche d'emmagasinage. Les avantages de l'invention résident dans la réunion des faits ci-après dans une mémoire à circulation magnétique: On peut d'abord utiliser des couches d'aimantation douce, même polycristallines et de longueur atig ment quelconque,quî peuvent être exécutées relativement/par métallisation, électrolyse ou pulvérisation. On met à profit de plus la structure géométrique et magnétique des bandes de couche pour laquelle, en raison de la position de l'axe préférentiel d'aimantation pe#pendiculaire à la direction longitudinale des bandes, il se forme des parois approximativement rectilignes, ce qui permet d'atteindre une densité d'emmagasinage élevée.La longueur des zones dynamiquement stables à déplacer n'est modifiée en outre que dans une faible mesure pendant le processus de déplacement, ce qui est également la condition préalable à l'obtention d'une densité l'emmagasinage linéaire élevée. Les deux parois des zones dynamiquement stables à déplacer sont enfin déplacées simultanément dans une large mesure et en une seule direction pendant un cycle de déplacement. Une durée réduite du cycle et de la disponibilité de l'information mémorisée est ainsi garantie. Quelques exemples de réalisation de l'invention sont décrits ci-après à titre illustratif et nullement limitatif en référence aux dessins annexés, dans lesquels Fig.l représente en perspective une mémoire à circulation magnétique selon l'invention avec des circuits conducteurs électro ques sur plusieurs bandes de couche disposées côte à côte; Fig.la montre schématiquement la succession dans le temps des impulsions électriques devant être appliquées aux divers circuits conducteurs; Fig.lb montre schématiquement les trois phases d'un cycle de déplacement des zones par poussée; Fig.Ic montre schématiquement#les trois phases d'un cycle de déplacement des zones par traction; Fig.2 représente en perspective la disposition des circuits-conducteurs pour des-bandes de couche superposées; Fig.3 représente en perspective une autre disposition possible des circuits conducteurs électriques sur les bords des bandes de couche; Fig.4 représente en perspective une mémoire à circulation selon l1invention,avec des éléments d'aimantation douce en T et en I à côté de la bande de couche et avec-un champ magnétique tournant; Fig.4a montre schématiquement les diverses phases de déplacement - de la mémoire à circulation magnétique suivant figure 4;; Fig.5 représente en-perspective une mémoire à-circulation selon l'inventionaavec des éléments d'aimantation douce en forme de bandes à cté de la bande de couche; Fig. 5a montre schématiquement les diverses phases de déplacement de la mémoire à circulation magnétique suivant figure 5; Fig. 5b montre schématiquement 1'allure dans le temps des courants pulsatoires nécessaires au déplacement des zones pour une mémoire à circulation suivant figure 5; Fig.6 représente én perspective une mémoire à circulation selon l'#nvention > avec une sous-couche d'aimantation dure et un champ magnétique modulable dans le temps;; Fig. 6a montre schématiquément les diverses phases de déplacement de la mémoire à circulation magnétique suivant figure 6; Fig.7 représente en perspective une mémoire à circulation selon l'invention,avec des éléments triangulaires d1 aimantation douce à eôté de la bande de couche; Fig.7a montre schématiquement les diverses phases de déplacement de la mémoire à circulation suivant figure 7; Fig.8 représente une mémoire à circulation suivant figure 7,dans laquelle les éléments triangulaires sont disposés autrement; Fig.9 montre une autre forme de réalisation de la mémoire à circulation selon l'invention correspondant à figure 7,mais avec une couche d'emmagasinage de section en forme de segment de cercle;; La figure 1 montre en perspective une mémoire à circulation magnétique aménagée conformément à l'invention. Sur un substrat 1 (par exemple de verre ou de polyester) se trouvent les couches 2 d'emmagasinage proprement dites d'aimantation douce,avec leur axe préférentiel d'aimantation perpendiculaire à leur longueur. Les petites zones -5 d'aimantation inversée qui représentent l'information emmagasinée sont dessinées dans la mémoire préalablement saturée- bandes de couche 2 - avec par exemple des circuits conducteurs non représentés. Les circuits conducteurs électriques 3 peuvent engendrer alors dans les couches d'emmagasinage 2 des champs magnétiques localement- limités et variables dans le temps. Dans exemple de réalisation suivant figure l,les circuits conducteurs électriques 3 peuvent être connectés par exemple de telle façon que, pour une alimentation successive en impulsions électriques des conducteurs AA', BB' et CC', il se forme des champs magnétiques déplaçant chacune des zones 5, qui sont orientés parallèlement à l'axe préférentiel de l'aimantation dans les bandes de couche 2 et dont les gradients de champ cheminant en direction longitudinale des bandes de couche d'emmagasinage 2 doivent être conformés de telle sorte que, par rapport à la longueur des zones 5 réalisable dans les bandes de la couche d'emmagasinage, les conditions de déplacement soient remplies sur les deux parois de chaque zone.Les flèches tracées dans les bandes de couche d'emmagasinage 2 représentent les directions dtaimantation des tronçons de bande correspondants. Figure la montre l'allure dans le temps des courants pulsatoires parcourant les circuits conducteurs 3 aux extrémités AA', BB' et CC' respectivement. La polarité des courants pulsatoires est différente, suivant que les zones 5 doivent etre poussées ou tirées. La figure lb représente un cycle de déplacement complet pour I'exploitation en poussée.Au-dessous de chaque zone 5 schématiquement dessinée dans une bande de couche dtemma gasinage 2 sont portées, sur la coordonnée x dans la direction longitudinale des bandes de couche, les configurations aa', bb: et cc' des champs magnétiques indispensables pour déplacer les zones 5 de cette position > etcorrespondant aux courants pulsatoi- res à travers les circuits conducteurs AA', EB' et CC1. Dans la phase de départ a aucun champ n'agit sur la paroi avant W de la zone 5.La paroi arrière W' de la bore 5 se trouve par contre dans un champ,qui est crevé par un courant pulsatoire à travers le circuit conducteur AA' et dont la valeur correspond au moins au double de l'intensité H0 du champ coercitif de paroi,mais dont la direction est antiparallèle à ltaimantation de la zone 5. Dans ces conditions, la paroi arrière W' est d'abord déplacée seule vers la droite, jusqu a ce que les forces stabilisant la zone en raison de son énergie magnéto-s#tatique,mettent également la paroi avant W en mouvement.Le mouvement unidirectionnel des deux parois W1 et W qui est ainsi réalisé prend fin au moment où la paroi W' atteint la zone, dans laquelle-le champ sous un élément du circuit conducteur AAs est inférieur au double de l'intensité du champ coercitif de paroi.La position finale de la zone 5 après la première phase a du cycle de déplacement correspond à la position de départ de la zone 5 dans la deuxième phase# g. Dans chacune des deuxième et troisième phases ffi et X du cycle de déplacement se déroule un processus analogue à la première phase 2, à la seule différence que le champ moteur est engendré maintenant par des impulsions de courant à travers un élément des circuits conducteurs BB' et CC t, Pour déplacer les zones 5 suivant le principe de traction, il faut que les couches d'emmagasinage 2 selon la figure 1 soient noyées supplémentairement dans un champ homogène 4,de direction parallèle à l'axe préférentiel de l'aimantation des couches 2 et antiparallèle à l'aimantation des zones 5.L'intensité de ce champ 4,qui peut être engendré par des aimants permanents par exemple, doit être choisie de façon que,compte-tenu des champs aa', bb' ou cc' sur les deux parois W' et W d'une zone 5 les conditions de champ indiquées plus haut pour le déplacement de chaque zone soient garanties. En analogie avec la figure lb, la figure lc représente schématiquement, à titre d'exemple, un cycle de déplacement par traction d'une zone 5. Le champ 4 possède dans ce cas une intensité de 2kHo avec k > 1. Etant donné que ce champ 4 est initialement appliqué en permanence > toutes les zones 5 sont comprimées sur une très petite longueur dans les bandes de couche 2. Après l'amenée d'une impulsion de courant par le circuit conducteur AA' , il se forme à ltintérieur des bandes de couche un champ magnétique aa' qui s'annule dans la phase de départ a en combinaison avec le champ homogène 4 au lieu de la paroi W. L'énergie magnéto-statique emmagasinée dans la zone 5 par le champ 4 agissant aussi initialement sur la paroi W détermine de ce fait un mouvement de la paroi W vers la droite. Les forces magnéto-statiques dirigées vers la gauche et s'exerçant sur la paroi W' diminuent en même temps,de sorte que cette paroi W' se met également en mouvement vers la droite par suite de l'action du champ 4. Le mouvement des deux parois W et W' , ainsi que le déplacement de la zone 5,prennent fin au moment où la paroi W atteint le flanc descendant de droite du champ-aa' . L'opération de déplacement de la zone 5 se répète de manière analogue dans les deuxième et troisième phases ss et g , à la seule différence qu'à la place du champ aa' , agissent les champs bb'et cc'décalés localement de façon correspondante,qui proviennent des courants pulsatoires circulant successivement à travers les circuits conducteurs BB' et CC'. I1 s'est avivé expérimentalement qu'une structure magnétique de zoneldans laquelle les parois W,W' des zones 5 sont notablement comprimées par des champs 4 plus élevés dans les bandes 2 de la couche d'emmagasinage,diminue la probabilité de formation de germes zonaux supplémentaires faussant l'information mémorisée. Une telle disposition autorise donc l'utilisation de bandes de couche d'emmagasinage 2 plus épaisseset plus étroites,ee cequi contribue à un accroissement des forces magnéto-statiques stabilisant les zones 5. La couche d'etmagasinage 2 doit être par ailleurs enrobée constamment dans le champ homogène 4. Une interruption du champ 4 entrain la destruction totale de l'information mémaisée ,par formation de germes zonaux,en raison des champs magnétiques agissant en désaimantation sur les bandes 2 de la couche d'emmagasinage. Par contre,si les paramètres géométriques et magnétiques des bandes de couche 2 sont choisis de façon qu'après une satura triangles zones dessinées 5 représentant l'information mémorisée se maintiennent stables, sans formation supplémentaire de germes zonaux à l'état rémanent de la bande de couche 2, on peut utiliser, à la place d1aimants, permanents engendrant le champ 4, des courants continus sectionnables lO,qui circulent au-dessous et/au dessus et/ou sur les bords des bandes 2 de la couche d'emmagasinage dans des couches 7 conductrices de l'électricité appropriées > disposées parallèlement - aux bandes 2 comme indiqué dans la figure 3.Les courants continus 10 peuvent etre remplacés enfin par des courants pulsatoires dont la durée et la succession doivent être choisies de telle façon qu'avant chacune des phases , et et du cycle de déplacement chaque zone 5 soit comprimée à la longueur nécessaire, pour le cas du déplacement par traction. La figure 2 montre en perspective un exemple de réalisation analogue à la figure 1.Les couches d'emmagasinage 2 s'y trouvent les unes au-dessus des autres et sont séparées par des couches intermédiaires non-magnétiques 6 ,dont l'épaisseur doit être choisie de telle manière que les mécanismes de mouvement dans les diverses cou ches d'emmagasinage 2 ne se gênent pas mutuellement par leurs flux de dispersion magnétique extérieurs. Les circuits conducteurs électriques 3 doivent être alors connectés de nouveau, par exemple de-façon que,par parune succession de trois impulsions électriques analogues à la - figure la sur les circuits conducteurs 3 (AA', EB' et CC'),les zones d'aimantation inversée puissent être poussées, ou tirées sous l'action supplémentaire du champ magnétique homogène 4 La polarité des courants pulsatoires,qui circulent sur des deux côtés du paquet formé par les deux couches 2 et 6 à travers les circuits conducteurs électriques AAt, iBt et CC', doit être la même,afin que les composantes du champ magnétique parallèles à l'axe préférentiel de l'aimantation dans les bandes de couche 2 s'additionnent,tandis que les composantes en direction longitudinale des bandes de la couche d'emmagasinage se compensent dans une large mesure. Si les bandes 2 de la couche d'emmagasinage sont très étroites, on peut se limiter à un système de circuits conducteurs 3 d'un côté du paquet formé par les couches 2 et 6. La figure 3 représente un autre exemple de réalisation, dans lequel les circuits conducteurs électriques 3 sont disposés en méandres sur le bord de la bande de couche d'emmagasinage 2. De manière non représentéefles extrémités Atn et An + 1,, B'n et n n+l n Bnl, C et Cn + 1 .des divers éléments de circuits conducteurs 3 doivent tre reliées électriquement entre elles. La disposition géométrique doit être telle qu'une face supérieure de la bande de couche 2 se trouve dans le même plan que celle des circuits conducteurs 3,dont l'épaisseur doit être notablement plus grande que celle de la bande de couche d'emmagasinage. Lorsque, à travers les éléments des circuits conducteurs 3 se faisant vis-à-vis sur les bords de la bande 2, circulent des courants pulsatoires de même polarité, les composantes de champ magnétique parallèles à l'axe préférentiel de l'aimantation s'additionnent dans la bande de couche d'emmagasinage 2.Le mécanisme de déplacement des zones 5 par poussée et par traction correspond ici également au mécanisme représenté schématiquement dans les figures lob et lc,si les configurations de champ magnétique aa', bb', cc' , dessinées dans ces figures et dépendant du lieu et du temps, sont considérées comme identiques aux composantes de champ des éléments conducteurs AA', BB' et CC', qui assurent le déplacement des #ones et sont orientées parallèlement à l'axe préférentiel de l'aimantation, Dans cet exemple de réalisation, le champ de pré-aimantation de la couche d'emmagasinage 2 en fonctionnement par traction-provoqué par un courant continu ou pulsatoire 10 dans le conducteur 7peut être remplacé également par le champ 4 d'aimants permanents, dans lesquels doit être noyé--tout le dispositif suivant la figure La figure 4 représente en perspective un exemple de réalisation,dans lequel les champs magnétiques dépendant du lieu et du temps,qui sont indispensables pour déplacer les zones d'aimantation inversée 5 dans les bandes d'aimantation douce 2 de la couche d'emmagasinage > sont engendrés par le fait que, sur les bords de la bande de couche dremmagawsinage 2,est assujetti un ensemble d'éléments de couche 8 à la forme des lettres T et I,d1aimanta- tion douce et devant etre préaimantés par des champs magnétiques auxiliaires 9 dépendant au lieu et du temps. Le champ magnétique 9 pré-aimantant les éléments d'aimantation douce 8 est un champ tournant modulé.Il peut être produit par application d'un champ magnétique,modulable en amplitude perpendiculairement et parallèvement à la longueur des bandes de couche 2 et dans le plan de chaque élément de couche 8. Sous l'action du champ tournant modulable , sur les éléments de couche 8,il se forme à leurs extrémités, en se suivant dans le temps,un train de pâles magnétiques nord et sud nettement limités,qui assument alors le rôle des configuration de champ magnétique aa', bbt, et catdépendant du temps et du lieu des figures lb ou lc. Afin que le champ magnétique tournant 9 ne perturbe pas dans la bande de couche d'emmagasinage 2 la structure d'aimanta tion représentant l'information mémorisée, la structure d'aimantation dans la couche 2 peut être stabilisée par un champ magnétique auxiliaire, créé par un courant continu ou un courant pulsatoire synchronise 10 à travers la couche conductrice de 1 t électricité 7. Par un choix approprié des dimensions géométriques,il faut faire en sorte que ce champ magnétique ne perturbe pas à nouveau la répartition polaire changeant dans le temps des éléments 8.Par un choix judicieux des paramètres géométriques et éventuellement magnétiques des éléments 8,on peut également obtenir,d'autre part, que ces éléments 8 changent leur répartition polaire magnétique, même pour de très petites valeurs du champ 9. Le mécanisme de déplacement des zones 5 réalisable dans une mémoire à circulation magnétique ainsi agencée est représenté schématiquement dans la figure 4a pour le cas où les zones 5 sont tirées. Dans la phase de départ absous l'effet de la composante du champ tournant magnétique 9 orientée parallèlement à la longueur de la bande de couche dlemmagasinage,il se forme, dans les parties des éléments 8 pareillement orientées parallèlement à cette direction > une répartition de piles nord et sud, désignés respectivement par N et S.En combinaison avec le courant 10 pré-aimantant la bande 2,les zones 5 sont stabilisées en position, avec la direction d'aimantation indiquée dans la figure 4a par de petites flèchesssde telle façon qu'à l'extrémité supérieure des zones 5 se trouve un pôle magnétique nord et, à l'extrémité inférieure, un pole sud des élements 8. Dans la deuxième phase t3,le champ 9 tourne de 900 en sens inverse des aiguilles d'une montre, De ce fait les parties des éléments 8 orientées parallèlement à ce champ sont aimantées simultanément , de telle façon que chacune d'elles possède un pôle nord à son extrémité #nférieure,ma#is un pôle sud à son extrémité supérieure.En combinaison avec le courant 10 pré-aimantant la bande de couche d'emmagasinage 2, il s'établit ainsi une configuration de champ magnétique dépendant du lieu, qui déplace les zones 5 JuSqu'à la ligne verticale joignant les pôles nord et sud nouvellement formés. Lors d'une rotation supplémentaire du champ 9 de 900 en sens inverse des aiguilles d'une montre, les zones 5 s'ajustent à nouveau sur la configuration du champ magnétique agissant alors , jusqu'à ce que soit atteinte la phase de départ Ijy du cycle de déplacement. Conformément à la figure lb , un mouvement des zones 5 par poussée est possible également. Pour une rotation du champ magnétique en sens opposé à la figure 4a, on obtient aussi une inversion correspondante de la direction du mouvement des zones 5,ce qui permet un fonctionnement tant en marche avant qu'en marche arrière. La figure 5 représente un autre exemple de réalisation dans lequeL, contrairement à celui de la figure 4,des éléments d'aimantation douce 8 sont disposés sur les bords de la bande de couche 2 sous la forme de bandes 8' et 8 de longueur#différente,parallèles à l'axe préférentiel d'aimantation.Le champ 9 nécessaire à ltexcita- tion de changements d'aimantation des bandes 8' et 8" peut être produit par des impulsions de courant 14,qui circulent à travers des couches conductrices de ltéleetricité 13 placées directement sous les éléments 8' et 8. Par suite de leur longueur différente,ces éléments changent leur direction d'aimantation pour des intensités différentes des impulsions de courant 14 en raison de leurs champs intérieurs de désaimantation différents. Pour l'inversion de leur aimantation, les éléments 8" les plus courts ont besoin d'intensités de champ magnétique plus faibles que les éléments 8' les plus longs. La figure Sa montre schématiquement le cycle de déplacement d'une zone 5 pour une mémoire à circulation suivant la figure 5.Dans la figure 5b est représentée l'allure correspondante dans le temps des impulsions dé courant 10 et 14. La position de départ d'une zone 5 avec la direction d'aimantation indiquée dans la figure 5a est définie pendant la phase a;;d'une part par le champ qui comprime la zone 5 à une faible longueur et provient du courant 10 correspondant et, d'autre part, par la répartition des piles magnétiques des éléments 8' et 8".Après le changement de la répartition des pâles magnétiques dans les éléments 8 par une forte impulsion de courant 14 dans les conducteurs 13,la zone 5 stagrandit par suite d'un mouvement de la paroi W pendant la phase ss en raison de son énergie magnéto-statique emmagasinée de façon résersible. Pendant la phase X , après inversion de la polarité d'aimantation dans les éléments 8",la paroi W1 est déplacée légèrement vers la droite par une impulsion de courant 14 plus faible dans les conducteurs 13.Etantdonné que 1'énergie magnéto-statique de la zone 5 est réduite en même temps encore davantage par suite dtun abaissement du courant 10 à travers la couche conductrice 7,1a laparoi W se dépla- ce , jusqu a ce qu'elle soit immobilisée par 12action des champsdes éléments 8n. Dans la Fhase 6 , les éléments 8' et 8" reçoivent enfin successivement de nouveau la répartition polaire de la phase de départ alde sorte qu'après élévation du courant 10 la zone 5 reprend sa longueur d'origine à un emplacement décalé d'une période du réseau des éléments 8' et 8". La figure 6 représente en perspective un autre exemple de réalisation,dans lequel une couche d'aimantation dure 12 est disposée supplémentairement entre les bandes de couche d'emmagasinage 2 d'aimantation douce et la couche conductrice 7. Cette couche 12 est munie d'un dessin magnétique en dents de scie 15 dépendant du lieu,dans le sens de-la longueur des bandes de couche 2,et dont la direction d'aimantation est orientée de préférence parallèlement à 1 t axe léger de 1 aimantabilité. Les configurations des champs magnétiques dépendan#t du lieu et du temps ,qui sont nécessaires au déplacement des zones 5,résultent alors de la superposition des champs extérieurs de dispersion du dessin sur la couche d'aimantation dure 12 et du champ modulable qui provient du courant 10 traversant la couche' 7. La figure 6a montre schématiquement le mécanisme de déplacement de cet arrangement,au-dessus de l'allure en dents de scie, indiquée dans le bas de la figure > dudessin 15 tracé sur la couche d'aimantation dure 12 et pouvant être exécuté par les moyens classiques de la technique dtemmagasinage magnétique dynamique. La position de départ a d'une zone 5 est définie par la superposition du champ,créé par le courant 10 et antiparallèle à la direction d'aimantation de la zone 5,et du champ extérieur de dispersion du dessin 15 d'aimantation dure, dont la direction concorde à cet emplacement avec celle de l'aimantation de la zone 5. Dans la phase ss le courant 10 diminue légèrement,de desorte que la zone 5 s'allonge sous l'effet de son énergie magnéto-statique emmagasinée. En raison de l'allure dissymétrique du champ extérieur de dispersion du dessin d'aimantation dure 15,les parois W et W' exécutent toutefois des parcours différents.Lors d'une nouvelle dlévation du courant 10 pendant la phase i', la zone 5 est enfin comprimée comme dans la phase de départ a, mais en un lieu décalé d'une période du tracé en dents de scie du dessin 15. Les figures 7 et 8 représentent en perspective des exemples de réalisation dans lesquels,sur les bords des bandes 2 de la couche d'emmagasinage d'aimantation douce et dans le même plan, sont disposés des eléments de couche triangulaires l# d'aimantation douce, qui n'ont pas besoin d'être excités par des champs magnétiques exterieurs#supp1ementaires,comme dans le cas des exemples de réalisation suivant les figures 4 et 5. Les éléments 18 peuvent être plus épais que les bandes 2 de la couche d'emmagasinage,mais leurs paramètres géométriques doivent être choisis de façon qu'ils soient traversés à pe#u près perpendiculairement à leur face plane par le champ qui provient d'un courant modulable 10 circulant à travers la couche conductrice de l'électricité 7. Ce but peut être atteint essentiellement par le fait que,sur la bande de couche d'emmagasinage 2,est -placée une deuxième couche conductrice - non représentée - analogue à la couche 7 conductrice de ltél*oXricité et connectée électriquement en série à cette dernière. Les éléments d'aimantation douce 18 ont pour fonction de court-circuiter dans une large mesure le flux de dispersion magnétique extérieur sur le bord de la bande de couche d'emmagasinage 2. Dans celle-ci,une zone -5 d'aimantation inversée occupe alors sa position la plus favorable sur le plan énergétique lorsque son flux de dispersion extérieur est court-circuité,si possible totalement, par les éléments 18. Lors d'une augmentation de la largeur des zones.5 pouvant être provoquée par une réduction du courant 10,les deux parois W,W' limitant chaque zone 5 sont soumises, par suite de. la forme triangulaire des éléments 18 d'aimantation douce, à l'action de forces différentes qui dépendent de la direction et déterminant finalement un mouvement unidirectionnel des zones 5 moyennant une modulation convenable du courant 10. La figure 7a montre schématiquement le mécanisme de déplacement pour L'exemple de réalisation suivant la figure 7. Dans la phase de départ a la position de la zone 5, dans laquelle est déjà emmagasinée de façon réversible de l'énergie magnéto-statique dile à l'action du courant 110, est définie par le fait qu'à cet emplacement#le flux de dispersion magnétique extérieur de la zone 5 est court-circuité au maximum à l'intérieur de son environnement .Par la seule réduction du courant 10 pendant la phase P, il se produit un mouvement vers la droite de la paroi W sous l'action de l'énergie magnéto-statique libérée, tandis que les forces plus grandes et dépendant de la direction qui agissent sur la paroi wt n'autorisent pratiquement aucun mouvement de cette paroi W' par suite axe la structure triangulaire des éléments de couche 18.Après une nouvelle élévation du courant 10 pendant la phase > la longueur de la zone est réduite encore une fois. Cette réduction ne peut avoir lieu toutefois que par un mouvement de la paroi W' > de sorte que la zone 5 prend finalement une position qui correspondt#1a position de départ a,mais est décalée d'une période des éléments de couche 18. Contrairement aux figures 7 et 8,on peut adopter également des dispositions3 dans lesquelles le plan des éléments d'aimantation douce 18 est perpendiculaire au plan de la bande de couche d'emmagasinage 2 Dans ce cas, la couche conductrice 7 peut être supprimée. Le champ modulable indispensable au déplacement des zones 5 et dans lequel doit être noyée la bande de couche d'emmagasinage peut être alors pareillement orienté perpendiculairement au plan des éléments d'aimantation douce 18,ce cequi ne les gêne pas dans leur fonction d'établissement du court-circuit magnétique. Dans tous les exemples de réalisation décrits,îl est possible en principe, lorsqu'on utilise des bandes de couche dtem- magasinage 2 très étroites, de ne disposer pratiquementsur un bord desdites bandes le système engendrant et/ou influençant les champs magnétiques qui est indispensable à la production de configuration des champs assurant le déplacement des zones 5. Ce moyen offre en même temps une possibilité de déplacement de zones 5 qui ne se trouvent préférentiellement que sur ce bord des bandes de la couche d'emmagasinage. Contrairement aux exemples de réalisation précédents, les mémoires peuvent être formées également de couches .d'emmagasina- ge-non planes. La figure 9 représente en perspective une telle dispositionvdans laquelle le déplacement des zones 5 a lieu suivant le même mécanisme que dans la figure 7 par exemple . La couche d'emmagasinage 2 présente en section la forme d'un segment de cercle. La stabilité des zones 5 peut être réglée selon les besoins par le choix de la longueur du segment et de l'épaisseur de la couche.Ce réglage peut être effectué facilement,en particulier du fait qu'avec une telle géométrie de couche > contrairement aux bandes de couche d'emmagasinage planes 2,les champs de dispersion magnétique qui proviennent des bords de la couche garnis de piles magnétiques et qui assurent en fin de compte la stabilité dynamique des zones 5,ne passent que pour une faible partie, dépendant de la longueur du segment > dans la couche d'aimantation douce proprement dite. Dans cet arrangement , les champs nécessaires au déplacement des zones et engendrés par le courant modulable 10 sont également perpendiculaires au plan des éléments d'aimantation douce 8. I1 va de soi que tous les mécanismes de déplacement représentés dans les autres exemples de réalisation peuvent trouver application de principe avec des couches non planes. -REVENDICATIONS- l.Procédé de déplacement d'informations mémorisées sous la forme de structures régionales ou locales magnétiques dans une-ou plusieurs bandes minces d'une couche d'aimantation#douce dont l'axe préférentiel d'aimantation est perpendiculaire à la longueur des bandes et se trouve dans le plan de la couche,les informations mémorisées étant déplacées sans Aetre détruites du lieu de l'enre- gistrement au lieu de la restitutiôn,procédé caractérisé en-ce que les bandes de couche (2) d'aimantatfon douce sont saturées magnétiquement en une direction parallèle à l'axe préférentiel d'aimantation et qu'ensuite éventuellement le champ magnétique de saturation est appliqué en permanence aux bandes (2) à une intensité réduite, en ce que des zones dynamiquement stables (5) d'aimantation inversée enantiparallèle par rapport à l'entourage sont dessinées de manière connue, et en ce que pour produire les configurations de champs magnétiques dépendant du lieu et du temps et assurant le déplacement des zones d'aimantation inversée (5),on utilise des moyens connus en soi engendrant et/ou influençant- des champs magnétiques, la résultante du champ vectoriel magnétique de la confi- guration de champ dépendant du lieu étant orientée sensiblement parallèlement à l'axe préférentiel dtaimantation dans les diverses phases essentiellement de longueur quelconque dans le temps, de chaque période de#-déplacement,aveç éventuellement des amplitudes différentes dans le temps chaque fois, ou eonstamment avec la même amplitude, et possédant sur toute la longueur de chaque zone à déplacer (5) un gradient dont la valeur p#t être supérieure au double de l'intensité du champ coercitif de paroi ~HO),cependant qu'au lieu de la paroi arrière (W') vue en direction du mouvement des zones (5) le champ prend la valeur la plus grande et qu'aux emplacements des deux parois (W,W') ce champ peut être orienté également à l'opposé de l'aimantation des zones (5) d'aimantation inversée et que,dans les mêmes phases de chaque période de déplacement,ou éventuellement dans d'autres phases à leur tour de longueur dans le temps en principe quelconque,ou constamment à l'opposé de l'aimanta tion des zones (5) ,peuvent être appliqués des champs magnétiques supplémentaires variables dans le temps, de même valeur et de même direction, éventuellement homogènes seulement sur l'étendue des zones (5) ou seulement aux lieux des parois de chaque zone,ehamps dont l'intensité peut être sensiblement- plus grande que l'intensité du champ coercitif de paroi (H ), la moyenne des valeurs des inten 0 sités du champ magnétique agissant aux lieux des deux parois (W,W') limitant chaque zone (5) diaimantation inversée devant être néanmoins en tout cas inférieure à la valeur de l'intensité du champ destructif des zones (Hy )et l'intensité ,du champ de formation de germes (Hs) ne #devant être atteinte à aucun emplacement à l'intérieur des zones d'aimantation inversée (5). 2. Mémoire à circulation magnétique pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication l,caractérisée en ce que les configurations des champs magnétiques sont produites par un dessin de circuits conducteurs électriques (3),alimentés en impulsions de courant successives de même nature. 3. Mémoire à circulation magnétique pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication l,ca-ractérisée en ce que les configurations des champs magnétiques sont produites par un dessin d'éléments de couche d'aimantation douce ( 8),qui sont disposés sur le bord à coté de la bande de couche dtemmagasinage (2) et peuvent être excités perpendiculairement et /ou parallèlement à la longueur de ladite bande par une succession de champs magnétiques (9) variables dans le temps. 4. Mémoire à circulation magnétique pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication l > caractérisée en ce que les configurations des champs magnétiques sont produites par une ou plusieurs couches d'aimantation dure (12),qui sont disposées au-dessous et/ou au-dessus et/ou à côté des bandes de la couche d'aimantation douce (2) et sont munies d'un dessin magnétique périodique, en combinaison avec un champ magnétique d'intensité modulable, orienté parallèlement à l'axe préférentiel d'aimantation E des bandes de- couche (2). 5. Mémoire à circulation magnétique pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1, caractérisée en ce que les configurations des champs magnétiques sont produites par des éléments de couche dissymétriques (18) d''aimantation douee,dont l'aimantation est inversée automatiquement à la cadence du mécanisme de déplacement des zones (5) par le flux de dispersion magnétique extérieur des zones (5) > en eombinaison avec un champ magnétique d'intensité modulable,qui est orienté parallèlement à l'axe préférentiel et dans lequel sont noyées seulement les couches d'emmagasinage (2). 6. Mémoire à cffculation magnétique pour la mise en oeuvre du procédé selon llune quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce qu'en vue du réglage de la longueur moyenne des zones (5) dans les diverses phases de chaque période de dé placement,les bandes de couche d'emmagasinage (2) sont noyées supplémentairement dans des champs magnétiques (4) #ensiblement homogènes et agissant parallèlement à l'axe préférentiel de l'al- mantation > qui sont engendrés par des arrangements d'aimants permanents et/ou par des courants continus ou pulsatoires (10); ces derniers circulant à travers des couches auxiliaires conductrices de l'électricité (7) au-dessous et/ou au-dessus des bandes de couche d'emmagasinage (2). 7. Mémoire à circulation magnétique pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1,4 et 5, caractérisée en ce que les champs magnétiques modulables indispensables ( sont engendrés par des courants modulables continus et/pu pulsatoires (lO),circulant à travers des couches auxiliaires conductrices de l'électricité (7) qui sont disposées au-dessous et/ou au-dessus des bandes de couche d'emmagasinage (2). 8. Mémoire à circulation magnétique pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 ou 3,caractérisée en ce que les éléments d'aimantation douce (8) possèdent la forme de la lettre T sur un bord des bandes de couche d'emmagasinage (2) et, si besoin pour des bandes de couche (2) larges, forment sur l'autre bord une succession en forme de I, alternativement parallèle et perpendiculaire au bord de la couche d'emmagasinage (2). 9. Mémoire à circulation magnétique pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 et 7, caractérisée en ce que les éléments de couche d'aimantation douce (8) sont aménagés sur le boffld des bandes de couche d'emmagasinage (2) sous la forme de bandes (8',8fi) de longueur différente orientées longitudinalement parallèlement à l'axe préférentiel d'aimantation et dont la direction d'aimantation peut être changée par des courants pulsatoires qui circulent à travers des couches conductrices (13) disposées au-dessous et/ou au-dessus et/ou à côté des éléments de couche (8). lO.Mémoire à circulation magnétique pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 ou 4,caractérisée en ce que les couches auxiliaires d'aimantation dure (12) disposées au-dessous et/ou au-dessus des bandes de couche d'emmagasinage (2) sont munies d'un dessin qui conduit à une allure en dents de scie du flux de dispersion magnétique extérieur parallèlement à la direction préférentielle de l'aimantation des bandes de couche d'emmagasinage (2). 11. Mémoire à circulation magnétique pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 ou 51 caractérisée en ce que les éléments d'aimantation douce (18) présentent la forme de triangles rectangles,un petit côté de chaque triangle étant parallèle au bord de la bande de couche d'emmagasinage (2) et l'hypoténuse se trouvant sur le côté des triangles tourne vers la couche d'emmagasinage (2) ou du côté opposé. 12. Mémoire à circulation magnétique pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à ll > carac- tersée en ce que les moyens engendrant les configurations de champ magnétique sont disposés principalement sur un bord seulement des bandes de couche d'emmagasinage (2).