Brevet FR2256532A1 — publié le 19750725

La présente invention concerne un perfectionnement à un.pro- cédé de dépôt, sur une plaquette en un matériau semiconducteur, d'au moins une couche épitaxiale de haute qualité cristalline et diépaisseur uniforme supérieure à 35 micromètres sur toute l'été due de ladite plaquette, par cristallisation à partir d'un mélange gazeux formé dtau moins un composé dudit matériau semiconducteur mêlé à un gaz porteurs L'invention est applicable essentiellement, mais non exclusivement, à la constitution de couches épitaxiales épaisses (de l'ordre de 35 à 100 Fm et plus) nécessaires paur la réalisation de dispositifs semiconducteurs tels que, par exemple, les transistors de puissance. En ltétat actuel de la technique en matière d'épitaxie vapeur, la création de couches épaisses exemptes de défauts redhibitoires pose encore des problèmes. Si lton opère dans les mêmes conditions que pour créer une couche épitaxiale mince (par exemple une couche épitaxiale de circuit intégré, d'une épaisseur de ltordre de 5 à 10 m), c'est-à- dire en adoptant un taux moyen de croissance se situant entre o,8 et 1,5 jnn/mn, on constate que la densité des défauts et irrégularités de cristallisation augmente avec l'épaisseur de la couche déposée. Il apparatt notamment des différences d'épaisseur du dépôt épitaxial, cette épaisseur devenant beaucoup plus élevée à la périphérie des -plaquettes qu'en leurs parties moyennes et centrales.Un tel défaut -désigné sous l'expression "d'effet de cou ronne ou "d'effet de bord"- est à l'origine de tensions mécaniques qui prennent naissance dans les plaquettes durant le cycle de refroidissement qui suit le dépôt épitaxial, et provoquent le bris de beaucoup d'entre elles. D'autre part, les inégalités d'é- paisseur du départ épitaxial sont treks gênantes lors des opérations ultérieures de fabrication, en particulier pour les opérations de photo0#avure. La présente invention a pour but la réalisation, par épitaxie vapeur, de couches#épitaxiales épaisses, très régulières et de haute qualité structurale. Elle tient compte, en priorité, de ltef- fet inattendu qu'a le taux de croissance de la couche épitaxiale sur la présence de "l'effet de couronne" En effet, des essais effectués par la Demanderesse ont montré que l'effet de couronne s1 atténue en même temps qu augmente le taux de croissance : par exemple, pour-un dépit épitaxial de silicium créé par épitaxie vapeur sur un substrat de silicium, à partir d'un mélange gazeux formé d'hydrogène et de dichlorosilane ou de trichlorosilane, l'effet de couronne disparate totalement lorsque le taux de croissance adopté est voisin de 3 pm/mn. Par contre, avec un pareil taux de croissance, dans la mesure où des précautions convenables -propres au procédé obJet de la présente invention- ne sont pas prises, il apparat que bon nombre de défauts de cristallisation tels que des dislocations, des fautes d'empilements des défauts de réseaux, se multiplient et rendent les couches obtenues impropres à la fabrication de dispositifs semiconducteurs. La Demanderesse a également observé que l'apparition de ces défauts au cours d'une opération d'épitaxie dépendait essentiellement du dépôt des premières couches déposées. Selon ltinvention, un procédé de dépit sur une plaquette en un matériau semiconducteur, d'au moins une couche épitaxiale de haute qualité cristalline et d'épaisseur uniforme supérieure à 35 micromètres sur toute l'étendue de ladite plaquette, par cristallisation à partir d'un mélange gazeux formé d'au moins un composé dudit matériau semiconducteur mêlé à un gaz porteur, est remarquable en ce que le taux de croissance de ladite couche est réglé à une valeur comprise entre 0,8 et 1 micromètre par minute pendant une première période de temps au plus égale à deux minutes, puis ledit taux de croissance est porté à une valeur au moins égale à 2,5 micromètres par minute pendant une deuxième période de temps dont la durée correspond à la croissance subséquente de ladite couche. Avantageusement, le passage du premier régime de dépôt à relativement faible taux de croissance au deuxième régime de dépôt à taux de croissance élevé est effectué par paliers successifs de courte durée, ceci dans le but d'éviter la naissance de dd- fauts cristallins ou l'aggravation de défauts préexistants. Plusieurs avantages découlent de l'adoption du procédé selon l'invention pour créer une couche semiconductrice épitaxiale. En premier lieu, le choix d'un taux de croissance élevé permet d'éviter l'effet de couronne, comme il a été indiqué précédemment. Les couches obtenues ont donc une épaisseur régulière sur toute leur surface et, de ce fait, le pourcentage de déchets par bris des plaquettes au cours du refroidissement de celles-ci est considérablement réduit. Mais, de plus, et grâce à la mise en place d'une courte séquence préparatoire de dépit au cours de laquelle le taux de croissance est réglé à une valeur relativement faible par rapport au taux de croissance final, les défauts de cristallisation précédemment apparus ne sont pas amplifiés durant la séquence de dépôt à croissance rapide et il ntapparatt que très peu de défauts nouveaux. On obtient donc, par ce procédé, des cruches de très bonne qualité cristalline. De plus, le taux de croissance étant élevé, ltopération d'éépitaxie, à épaisseur déposée égale, dure moins longtemps par le procédé selon l'invention que par les procédés de l'art antérieur. Sur le plan industriel, cet avantage est appréciable, surtout si les couches déposées atteignent de fortes épaisseurs(par exemple une centaines de micrometres). Dtautre part, le temps nécessaire au dépôt étant réduit, le risque de contamination des couches épitaxiales par des impuretés présentes sur les plaquettes sous-jacentes, impuretés qui peuvent migrer dans lesdites couches par diffusion, est atténué. Par ailleurs, on sait qu'il est difficile d'obtenir des couches épitaxiales épaisses ayant une forte résistivité. Pour le silicium par exemple, les couches formées à faible taux de orois- sance selon la technique de l'artxantérieur ont une résistivité en général inférieure à 30 Qcm pour les couches de type de conduc tivité N et à 45 Qcm pour celles de type de conductivité P. Par application du procédé de croissance rapide selon l'invention, il est facile de dépasser des résistivités de 45 à 50Acm-pour des couehes N, et de 70 à 80 Qcm pour des couches P. Ce dernier avantage est particulièrement appréciable pour la réalisation de transistors de puissance. En 11 état actuel de la technique, la couche épitaxiale constituant la base de tels transistors a une épaisseur maximum de l'ordre de 30 pm ; ceci, en raison de ce que les couches épitaxiales constituées à faible taux de croissance selon l'art antérieur à la présente invention présentent,#au-delà de l'épaisseur de Sm, une quantité trop importante de défauts et une trop faible ré#sistance. La- eouche constituant la base étant d'une part peu épaisse, d'autre part, peu résistante, la jonction base-collecteur ne peut supporter des tensions de pointe supérieures, pour la grande majorité des transistors fabriqùés, à 350/400 volts. Par mise en oeuvre de la méthode selon l'invention, ltépaise seur de la couche constituant la base peut être portée au minimum à 50 pm et, la résistance de ladite couche étant plus élevée, on peut alors appliquer entre base et collecteur des transistors des tensions de l'ordre de 900 à 1000 volts. L'invention est applicable aux dépôts épitaxiaux en phase vapeur de matériaux semiconducteurs simples et composés. Elle concerne plus particuliorement les dépôts de silicium obtenus par décomposition de composés chlorés de ce corps, tels que le dichlorosilane, Si 112 C12, et le trichlorosilane, Si H C1 en vue de la réalisation de transistors de puissance. Selon une méthode préférentielle retenue par la Demanderesse et permettant de faire varier le taux de croissance d'une couche épitaxiale dans de grandes proportions, il est opéré en modifiant uniquement la concentration dudit composé du matériau semiconducteur à déposer dans ledit gaz porteur. Par cette méthode, la température moyenne des plaquettes étant maintenue sensiblement constante, ainsi que le débit du gaz porteur, on constate que le taux de croissance est sensiblement proportionnel à ladite concentration. Une telle méthode se donc de façon simple à Ia mise en oeuvre des prescriptions de l'invention puisqu'il suffit de régler le débit du composé du matériau semiconducteur selon une programme prédéterminé. Il y a lieu de noter toutefois que le débit de gaz porteur joue un rôle prépondérant sur la qualité cristalline de la couche déposée et que, par conséquent, ce débit doit être bien déterminé et convenablement réglé. Le roAle important du gaz porteur est lie à son influence sur la hauteur de ce que l'on nomme "la couche gazeuse limite", couche gazeuse qui surmonte immédiatement les plaquettes et qui appartient à la veine gazeuse générale circulant dans le réacteur d'épitaxie. On sait que la hauteur de-ladite couche gazeuse limite augmente lorsque le débit du gaz porteur diminue. Or, c'est à l'intérieur de la couche gazeuse limite que les réactions de décomposition du composé gazeux du matériau semiconducteur àdé- poser ont lieu.Il est important que ladite hauteur soit la plus faible possible afin que ces réactions se produisent à la surface même des plaquettes et non au-dessus de celles-ci ; dans ce dernier cas, les retombées de particules du-matériau semiconducteur forment inévitablement des germes de défauts cristallins. De ce fait, on-comprend qu'il y ait intérêt, comme le prévoit la Demanderesse, à travailler avec un débit de gaz porteur constant, réglé suffisamment haut pour que la couche gazeuse limite ait une hauteur faible et pratiquement invariable, et que seule la concentration du composé du matériau semiconducteur à déposer dans ledit gaz porteur doive autre modifiée La méthode consistant à lier le taux de croissance d'une couche épitaxiale à la concentration du composé du matériau semiconducteur à déposer dans le gaz porteur n'est pas nouvelle en soi. Cette méthode a été notamment appliquée à la création de couches épitaxiales minces de silicium, pour dispositifs à circuits intégrés, ainsi qu'il est décrit dans le brevet français ne 2 105 864, le but poursuivi étant de réduire l'autodopage des couches épitaxiales par les impuretés remontant, par diffusion, de couches enterrées sous-#acen#tes. Il faut toutefois bien remarquer que la motivation, les conditions de dépôts, les taux de croissance notamment, sont tout à fait différents dans la présente-demande de ce qu'ils sont dans ledit brevet n0 2 105 864. En effet, la Demanderesse, au titre de la présente demande, vise à la réalisation de couches dont les épaisseurs sont incomparablement plus fortes que celles des couches épitaxiales pour circuits intégrés, ceci avec des taux de croissance de 1'ordure de trois à cinq fois les taux de croissance les plus élevés cités dans ledit brevet.D'autre part, s'il y a bien, dans les deux cas, croissance de la couche selon deux taux de croissance différents, le taux de croissance initial étant plus faible que le taux de croissance final, la durée de la première séquence opératoire à faible taux de croissance est relativement courte (moins de deux minutes) par rapport à celle de la deuxième séquence opératoire à taux de croissance élevé (10 à 40 minutes selon ltépaisseur) dans le procédé employé par la Demanderesse ; par contre, dans le procédé décrit dans le brevet n0 2 105 86t, la première séquence opératoire est longue (# -à 8 minutes}, au moins aussi longue que la deuxième séquence opératoire (7 minutes). Il est clair qu'avec un taux de croissance maximum de 1 pm/mn tel que le préconise ledit brevet, non seulement la durée de création d'une couche épitaxiale épaisse serait longue, mais aussi cette couche serait pleine de défauts. Par ailleurs, du fait de la longue durée de l'opération, la couche créée serait fortement contaminée, autodopée par les impuretés du substrat sous-jacent. Les exemples d'application de Itinvention qui vont suivre, en regard des dessins annexés, exemples donnés à titre indicatif et non limitatif, montrent comment l'invention peut être mise en oeuvre. La figure 1 représente pour mémoire, de façon simplifiée et schématique, un dispositif classique pour la constitution de couches épitaxiales de silicium en phase vapeur. La figure 2 est un graphique montrant la variation du taux de croissance d'une couche épitaxiale de silicium créée par décom- position de dichlorosilane en fonction de la concentration de dichlorosilane dans le gaz porteur, pour deux valeurs différentes de la température du substrat. Le dispositif schématisé et simplifié d'épitaxie représenté sur la figure 1 comprend un réacteur 10 dans lequel sont disposées des plaquettes Il (alignées sur un socle ou suscepteur 12) à#re- vêtir # 'une couche épitaxiale. Les moyens de chauffage des pla quettes n ne sont pas représentés sur la figure. Le tracteur 10 est alimenté par son entrée 13 à laquelle arrive une canalisation 14 qui est en relation avec diverses sources gazeuses. Une première source, par la canalisation 15, à travers la vanne débitmétrique 16, le débitinètre 17 et la vanne à deux voies 18, fournit le gaz porteur. Une deuxième source, par la canalisation 19 à travers la vanne débitmétrique 20, le débitmètre 21 et la vanne à deux voies 22, fournit le composé du matériau à déposer par épitaxie ou bien un gaz ou un mélange gazeux dans lequel ce composé est dilué. Unarrangement analogue aux précédents et comprenant une vanne débitmétrique 23, un débitmètre 24 et une vanne à deux voies 25 est prévu sur le trajet de la canalisation 26 à la canalisation 14 d'un troisième gaz ou mélange utilisé pour le dopage éventuel de la couche épitaxiale. Enfin, une quatrième source, par la canalisation 27, à travers la vanne débitmétrique 28, le débitmètre 29 et la vanne à deux voies 30 fournit un gaz ou un mélange gazeux utilisé pour la préparation (en particulier le décapage) des plaquettes 11 avant le dépôt. Les vannes 18, 22, 25 et 30, prévues à deux'voies, conduisent les gaz soit vers le réacteur 10, soit vers l'extérieur, une telle disposition permettant de procéder à une purge des circuits correspondants avant d'alimenter ledit réacteur 10. De façon connue et succintement rappelée ci-après, une opération de dépôt d'une couche épitaxiale en phase vapeur, avec un dispositif du type décrit précédemment, comprend essentiellement les phases opératoires successives suivantes -préparation du substrat : le gaz nécessaire à cette préparation (préparation qui est en fait un décapage) est envoyé par les canalisations 27 et 14 dans le réacteur 10. Les vannes 20-et 23, au moins, sont fermées. La vanne 16 est ouverte dans le cas où le gaz de préparation doit être dilué avec le gaz porteur. Les débits dépendent des degrésd'ouverture des vannes débitmétriques 28 et 16. -balayage de l'enceinte avec le gaz porteur pur : la vanne 16 est ouverte, les vannes 20, 23 et 28 sont fermées. dépôt de la couche épitaxiale : les vannes 16 et 20 et éventuel lement la vanne 23, sont ouvertes ; la vanne 28 est fermée. Durant-ces diverses phases opératoires et selon différentes formes possibles de mise en oeuvre du procédé, la température du substrat est maintenue constante ou bien varie d'une phase à l'autre ou durant le dérbulement d'une meme phase. Selon la méthode préconisée par l'invention, les opérations préliminaires de préparation (décapage des plaquettes 11, balayage de l'enceinte 10) étant terminées, la température des plaquettes ll étant sensiblement -stable, le débit du gaz porteur étant également stabilisé, le débit du gaz réactif circulant dans la canalisation 19 vers la canalisation 14 et, le réacteur 10 est amené (de façon immédiate ou selon une montée progressive rapide) de zéro à une première valeur prédéterminée à laquelle correspond un" taux de croissance de la couche épitaxiale compris entre 0,8 et 1 pm/mn. 'Cette séquence de dépot épitaxial, à caractère transitoire, dure deux minutes au maximun.Puis le débit du gaz réactif est ensuite porté, de préféreneé par paliers successifs durant chacun quelques secondes, à une deuxième valeur également prédéterminée à laquelle correspond un taux de croissance de la couche épitaxiale supérieur à 2,5 pm/mn, deuxième valeur à laquelle ce, taux reste ensuite fixé jusqu'à la fin du dépit. Un premier exemple type, non limitatif, est donné ci-après de l'application de cette méthode à la constitution d'une couche épi taxiale de silicium sur des plaquettes 11 elles-meAmes en-silicium. Il est entendu que les valeurs indicatives de débit absolu des différents gaz mis en oeuvre n'ont de sens réel que pour un dispositif donné. Par contre, l'indication de la vitesse d'écou- lement du gaz porteur est de valeur plus générale ; une telle indication est importante en raison de l'influence qu'exerce le débit du gaz porteur sur la hauteur de la couche gazeuse limite, comme il a été indiqué dans la première partie du présent mémoire. Les plaquettes Il-,apres avoir été amenées à une température comprise entre 11000 C et 12200 C, subissent un décapage de leur face active sous l'action chimique d'un mélange gazeux formé de gaz chlorhydrique dilué dans de l'hydrogène. Le décapage étant terminé, l'enceinte du réacteur 10 est balayée durant 3 à 5 minutes par un courant d'hydrogène arrivant de la canalisation 15 et circulant à raison de 80 l/mn (40 à 200 1/mn). Un tel débit correspond à une vitesse d'écoulement de laveihe gazeuse dans le réacteur 10 égale à 40 cm/s (30 à 60 cm/s). On sait que le balayage d'hydrogène a pour but d'éliminer le chlore et les dérivés chlorés demeurant dans l'enceinte après le décapage. La température des plaquette#s 11 est stabilisée, pendant le balayage à l'hydrogène, à la valeur de 11500 C (10800 C à 12000 C), qui est celle à laquelle va s'effectuer ensuite le dép8t épi axial Au titre de ce premier exemple de mise en oeuvre de la méthode de dépôt choisie par la Demanderesse, le composé de silicium mêlé au gaz porteur est le dichlorosilane, Si H2 C12i Ce corps a une forte tension de vapeur, ce qui permet de relier la source de dichlorosilane directement à la canalisation 19 sans passer par l'intermédiaire d'un gaz vecteur. Le débit du gaz porteur -en l'occurrence lthydrogène- étant maintenu à la valeur de 80 l/mn (40 à 200 l/mn),débit contrôlé sur le débitmètre 17 on ouvre la vanne 20(et éventuellement la vanne 23 dans le cas où la couche épitaxiale doit ttre dopée) en surveillant le débitmètre 21 de manière à ce que le débit de di chîcrosilane s'établisse. rapidement à la valeur de 100 ememn (50 à 150 cmBmn) ce qui correspond à une concentration moyenne de 0,125 % du dichlorosilane dans lthydrogène. Le taux de croissance de la' couche épitaxiale est alors de 0,9 pm/mn (0,8 à 1 pm/mn). On travaille dans ces cowltions durant 1 mn à 1 mn 15 s, puis on augmente le débit de dichlorosilane, toutes choses restant égales par ailleurs, par paliers successifs sur lesquels on demeure pendant quelques secondes, pour arriver après un temps total de 2 mn à un débit de 450 cm3/mn 4400 à 500 cm3/mn) de dichlorosilane. Un tel débit correspond à une concentration moyenne de 0,55 % du dichlorosilane dans lthydrogène et le taux final de croissance de la couche épitaxiale est de 3,5 pm/mn (3,2 à 3,8 pin/mn). A ce dernier rythme une couche épitaxiale de 100 pin de hauteur est créée en moins de trente minutes ce qui est tout à fait remarquable, d'autant plus remarquable que ladite couche a une bonne qualité cristalline et a une épaisseur très régulière sur toute son étendue. Une couche epitaxiale de hauteur convenable ayant été obtenue, on entame le cycle de refroidissement sous balayage d'hydrogène selon un processus bien connu. Pour des plaquettes rev8tues d'une couche épitaxiale épaisse, il y a lieu cependant de refroidir d'autant plus doucement que la couche est plus épaisse, Par exemple, pour des plaquettes de silicium de 200 uni d'épaisseur, revêtues d'une couche épitaxiale de 100 pm d'épaisseur, on adopte une vitesse de refroidissement de l'ordre de 350 C/mn (20 à 400 C/mn). A cette vitesse de refroidissement, le risque de bris des plaquettes est très faible dans la mesure où la couche épitaxiale ne présente pas d'effet de couronne, ce que le procédé de dépôt selon l'invention permet précisément d'obtenir. Pour constituer une couche épitaxiale épaisse de silicium en appliquant le procédé selon ltinvention, on peut employer, comme gaz réactif, d'autres composés du silicium que le dichlorosilane. On peut choisir par exemple, le trichlorosilane, Si H Cl3, le gaz porteur demeurant l'hydrogène. On sait que 11 emploi de trichlorosilane impose l'utilisation complémentaire d'un gaz vecteur qui se charge en trichlorosilane par barbotage dans un flacon contenant ce-produit sous la forme liquide et emprunte ensuite la canalisation 19 en direction de la canalisation 14 et du réacteur 10. En l1occurrence, le gaz vecteur chargé de véhiculer le trichlorosilane depuis sa source est également l'hydrogene. L'opération préliminaire de décapage des plaquettes étant terminée, on balaie ensuite l'enceinte du réacteur 10 avec un courant d'hydrogène venant de la canalisation 15, ceci durant 3 à 5 minutes à raison de 100 1/mn. Durant ce balayage à l'hydrogène, on stabilise la température des plaquettes Il à une valeur de 11000 C (1050 à 11500 C). Le débit de l'hydrogene étant maintenu à la valeur de 100 #Ain (50 à 200 1/mn), ce qui correspond à une vitesse d'écoulement de 50 cm/s (25 à 100 cm/s), on ouvre la vanne 20 (et, si nécessaire, la vanne 23 pour le dopage) afin d'admettre du trichlorosilane dans le réacteur 10. Dans un premier temps (1 mn à 1 mn 15 s), on admet 800 cm3/mn (500 à 1000 cm3/mn) d'un mélange comportant 25 % (20 à 30 %) en volume de trichlorosilane dans de l'hydrogène. La concentration moyenne correspondante en trichlorosilane de l'at- mosphère du réacteur est alors de 0,2 % et le taux de croissance de la couche épitaxiale est de 0,9 > im/mn (0,8 à 1 pin/mn). On augmente ensuite, par paliers successifs, la proportion de trichlorosilane dans l'atmosphère du réacteur (pour l'amener sensiblement à 0,625 #) en augmentant le débit du mélange gazeux passant par le débitmètre 21. Ce débit, après un temps total de 2 mnss a une valeur de 2500 cm3/mn (2000 à 3000 cm3/mn). la couche épitaxiale# croît, dès lors, au taux de 3,4 pm/mn (3 à 4 pin/mn). Dans chacun des deux cas d'emploi, soit du dichlorosilane, soit du trichlorosilane, on a constaté que le taux de croissance, à température sensiblement constante des plaquettes, est pratiquement une fonction linéaire de la concentration de chacun- de ces deux gaz dans l'hydrcgène présent dans le réacteur. Le graphique de la figure 2 rend compte de cette observation, par exemple pour le cas du dichlorosilane. Sur ce graphique, les courbes A et B indiquent, en pm/i#;L, les vitesses de croissance d'une couche de silicium en fonction du débit de dichlorosilane exprimé en cm3/mn, pour un débit moyen d'hydrogène de 60 1/mnet pour deux températures différentes des substrats, 11500 C (couche A), 10500 C (couche B). Il est à noter qu'en deçà d'une température de 10500 C, la quantité.de défauts cristallins devient importante et rend inutili saULesiescouches épitaxiales créées dans de telles conditions. Le coefficient de température, rapport dtune variation de la vitesse de croissance à la variation de température qui lui a donné naissance, pour un débit de dichlorosilane donné, varie de 18.10 -4 pour un débit de dichlorosilane de 100 cm3#mn à pour un débit de dichlorosilane de 500 cm3/mn. Ces valeurs du coefficient sont faibles. De ce fait, il n'est pas nécessaire de surveiller étroitement et de régulariser sévèrement la température des substrats 11. D'autre part, il en résulte que les différences de température entre substrats voisins liées aux places respectives de ces substrats dans le réacteur 10 nIentraA;;rnent pas de différences significatives d'épaisseur entre les couches épitaxiales déposées sur ces différents substrats Dans des conditions entrant dans le cadre défini ci-dessus -soit, plus particulièrement, à une température moyenne de 11500 C et à une vitesse moyenne de croissance de 3,5 m/mn- il a été procédé à la création de couches épitaxiales atteignant 150 Sm d 'é- paisseur, tout à-fait satisfaisantes du point de vue structural et dont la résistivité est supérieure à 100 #cm. La méthode selon l'invention permet la constitution de couches successives de types de conductivité différents en un même cycle opératoire, le type de conductivité d'une cruche étant lié à l'ap port Aopant convenable dans l'atmospnère du réacteur. Selon l'invention, il faut répéter pour chaque couche nouvelle le processus opératoire consistant à travailler transitoirement avec un faible taux de croissance avant dtatteindre un taux élevé supérieur à 2,5 pm/mn. En opérant ainsi on est assuré dfobtenir une bonne continuité cristalline entre les couches successives. - REVEND-ICATIONS 1.- Procédé de dépôt, sur une plaquette en un matériau semiconducteur, d'au moins une couche pitaiale de haute qualité cristalline et d'épaisseur uniforme supérieur à 35 micromètres sur toute ltétendue de ladite plaquette, par cristallisation à partir d'une mélange gazeux formé d'au moins un composé dudit matériau semiconducteur mêlé à un raz porteur, caractérisé en ce que le taux de croissance de ladite couche est réglé à une valeur comprise entre 0,8 et 1 micromètre par minute pendant une première période de temps au plus égale à 2 minutes, puis ledit taux de croissance est porté à une valeur au moins égale à 2,5 micromètres par minute pendant une deuxième période de temps dont la durée correspond à la croissance subséquente de ladite couche. 2.- Procédé de dépôt selon la revendication 1, caractérisé en ce que le taux de croissance est porté de sa valeur initiale à sa valeur finale par paliers successifs. 3.- Procédé de dépôt selon la revendication 1, sur une plaquette de siliciumportée à la température de 11500 C (1080 à 12000 C--), d'une couche épitaxiale de silicium, par cristallisation à partir d'un mélange gazeux formé au moins de dichlorosilane mêlé à de l'hydrogène, lthydrogène agissant comme gaz porteur, caractérisé en ce que le débit d'hydrogne est maintenu à 80 l/mn (40 à 200 1/mn) en correspondance d'une vitesse d'écoulement de 40 cm/s (30 à 60 cm/s), en ce que, durant la première période de temps, le débit de dichlorosilane est de 100 cm3/mn (50 à 150 cm3/mn) et le taux de croissance est de 0,9 pm/mn (0,8 à 1 Fm/mn), en ce que, durant la deuxième période de temps, le débit de dichlorosilane est de 450 cm3/mn (400 à 500 cm3/mn) et le taux de croissance est de 3,5 pm/mn (3,2 à 3,8 pin/mn). 4.- Procédé de dépôt selon la revendication 1, sur une plaquette de silicium portée à la température ae 11000 C (1050 à 11500 C), d'une couche épitaxiale de silicium, par cristallisation à partir d'un mélange gazeux formé au moins de trichlorosilane mêlé à de lthydrocène, l'hydrogène agissant comme gaz porteur, caractérisé en ce que le débit moyen d'nydrogène est maintenu à 100 l/mn (50 à 200 1/mn) en correspondance d'une vitesse d'écoulement de 50 cm/s (25 à 100 cm/s), en ce que, durant la première période de temps, le débit de trichîcrosilane correspond à l'admission dans le réacteur, en plus du gaz porteur et au rythme de 800 cm3/mn (500 à 1000 cm3/mn) > dtun fluide gazeux comportant 25 % (20 à 30 ) en volume de trichlorosilane dans de l'hydrogène, en ce que le taux de croissance de ladite couche est alors de 0,9 pin/mn (0,8 à 1 > nn/mn), en ce que, durant la deuxième période de temps, le débit dudit fluide gazeux est de 2500 cm3/mn (2000 à 3000 cm3/mn) et le taux de croissance est de 3,4 pm/mn (3 à 4 #m/mn). 5.- Plaquette comportant au moins une couche semiconductrice déposée sur un substrat, caractérisée en ce que ladite couche est obtenue par un dépôt épitaxial constitué selon un procédé conforme à la revendication 1. 6.- Plaquette comportant une couche de silicium déposée par épitaxie vapeur sur un substrat de silicium, caractérisée en ce que ladite couche de silicium est obtenue par le procédé selon l'une des revendications 3 et 4. 7. - Plaquette selon la revendication 6 comportant une couche de silicium de type de conductivité N, caractérisée en ce que ladite couche a une résistivité au moins égale à 45 # cm. 8.- Plaquette selon la revendication 6 comportant une couche de silicium de type de conductivité P, caractérisée en ce que ladite couche a une résistivité au moins égale à 70Q cm.