Brevet FR2266871A1 — publié le 19751031

La présente invention concerne un dispositif de mesure automatique de la distance, en particulier de mise au point dtun obJectif commandé par moteur. Alors que, pour les appareils photographiques récents, il existe des dispositits pour la mesure de l'exposition et le ré glage du diaphragme et/ou du temps de pose, on ne trouve encore au cun appareil photographique à mise au point automatique sur le mar ch*. On connatt déjà des procédés de mesure automatique de la distance, mais leur réaligation est si coûteuse qu t ils sont totale ment inutilisables pour les appareils photographiques. Ainsi, on connatt un procédé de mise au point automatique des obJectifs, dans lequel la distance est déterminée au moyen d'un radar ou d'un goniomètre optique, et i'ob3ectif mis au point grâce à un moteur en fonction de la distance mesurée. Hormis le fait que le matériel néces- saire pour ces procédés est extrEmement important, le contrôle au tonatique et continu de la netteté obtenue n'est en outre pas pos sible en règle gériérale. Ce dernier inconvénient a été pallié grive à un dispositif optique spécial connu depuis peu, dans lequel le signal qui commande l'entrainement moteur de l'objectif est produit par une photopile placée sur la partie des rayons lumineux entrant dont l'objec- tif dans la trajectoire est défléchie par un miroir.Dans ce dispo sitif, les rayons périphériques d'un objectif spécial sont défléchis au moyen d'un miroir déflecteur annulaire sur une cellule photo électrique oscillant sur l'axe. ta tension produite par la cellule photo-électrique en fonction de la brillance passe, lors des oscil stations de la cellule à travers la zone de netteté maximale de l'i- mage, par un maximum plat dont un comparateur de phases utilise la position pour procéder au réglage automatiquede la mise au point, par rapport à un signal de référence constitué de la tension alternative qui commande les oscillations. Ce procédé n'est cependant utilisable que si les parties avant et arrière de l'objectif employé sont suffisamment écartées l'une de l'autre pour que l'on puisse placer entre elles le miroir déflecteur annulaire déjà cité, qui ne défléchit sur la cellule photo-électrique que les rayons périphériques dont la profondeur de champ est extrêmement faible. Ces rayons périphériques de faible profondeur de champ provoquent sur la cellule photo-électrique une luminance qui passe, en fonction de la netteté de l'image, 'est-à- dire lors du déplacement de la cellule dans le sens du rayonnement, par un maximum plat. Ce procédé ne peut être utilisé pour n'importe quel objectif disponible, dont les parties avant et arrière ne sont pas distinctes. La présente invention prévoit un dispositif de mesure automatique de la distance utilisable pour les objectifs du commerce et réalisable avec les montages ou le matériel les plus réduits possibles. En particulier, le montage selon la présente invention prévoit l'utilisation d'une cellule photo-électrique rixe, puisque le mécanisme de production des oscillations de la cellule photoélectrique, dans le dispositif de l'art antérieur, est coûteux et fragile et qu'il rend indispensable l'utilisation de détecteurs de phases complexes ou analogues. La présente invention prévoit un dispositif de réglage automatique de la distance, en particulier de mise au point d'un objectif commandé par moteur du type décrit ci-dessus, lequel dispositif comporte une photopile qui est placée dans la trajectoire des rayons de l'objectif, de préférence en partie défléchie par un miroir ou analogue, et qui; en fonction du contraste de l'image for mée à sa surface, produit un signal commandant de préférence l'en- trathement moteur de l'objectif. Les obJets de la présente invention sont atteints au moyen d'une photo-résistance d'un type nouveau dont les éléments sont montés électriquement en série et disposés sous forme d'une ou plusieurs lignes, de sorte que celles-ci sont, au plus grand nombre d'endroits possibles et sur toute leur largeur, perpendiculaires aux transitions clair-foncé de la structure de l'image. La photorésistance selon la présente invention a la propriété de posséder une résistance maximale lorsque l'image rormée à sa surface présente une netteté optimale.Cet effet repose sur le fait que, lorsque la netteté de l'image est optimale, le contraste est maximal, c'est à-dire que les zones sombres de l'image sont au maximum de leur obscurité et les zones claires au maximum de leur clarté, alors que, lorsque l'image n'est pas nette, le contraste est plus faible. Comme la résistance totale des éléments de la photo-résistance montés en série augmente avec le contraste, comme cela est mathématiquement démontré dans le cadre de la description des figures, on peut déduire de la variation de la résistance un signal qui commande la mise au point de l'objectif. Pour déduire de structures d'image quelconques un signal de commande au moyen d'une telle photo-résistance, il est nécessaire que les éléments de la photo-résistance montés en série soient répartis sous forme d'une ou plusieurs lignes à la surface de 1' ima- gede sorte que tous les angles possibles de direction des transitions clair-foncé soient détectés de la façon la plus uniforme possible. Pour cette raison, on propose de répartir les lignes de la photo-résistance sur le plan de l'image suivant une orientation quelconque la plus diverse possible et de les monter en série,les extrémités de ces lignes montées en série étant reliées à l'exté- rieur du domaine de 1' image à des conducteurs insensibles à la lumière, munis de préférence d'un shunt insensible à la lumière, par exemple en argent. Afin que les connexions soient le plus possible à l'extérieur du domaine de l'image, il est recommandé d'adopter une disposition bifilaire des lignes de la photo-résistance A cet effet, les lignes peuvent etre disposées en spirales de forme polygonale, spécialement rectangulaire, de forme circulaire ou analogues. Il est également possible de répartir les lignes à la surface de l'image sous forme de sinusoIdes, de méandres, de dents de scie ou en étoile ou analogues. Avec de telles dispositions, on obtient toujours la résistance totale maximale des lignes montées en série lorsque la netteté de l'image est optimale, indépendamment de la direction des structures de l'image. En outre, la présente invention prévoit un circuit de commande de l'entrainement moteur de l'objectif, dans lequel sont utilisées deux photo-résistances selon la présente invention, montées et disposées de la même façon. Ces photo-résistances sont placées dans deux plans de l'image différents à des distances différentes de 11 objectif, de sorte que lors de la mise au point, elles sont situées à une meme distance devant ou derrière le plan de netteté op timale de l'image.Ces deux photo-résistances sont montées en série entre les bornes d'une source de tension sous forme d'un diviseur de tension dont le point milieu est relié, par l'intermédiaire d'un étage amplificateur à impédance d'entrée élevée, à à étage de commande du moteur d'entraSnement. Il est nécessaire d'utiliser un étage amplificateur à haute impédance d'entrée pour éviter de charger inconsidérément les photo-résistances à résistance élevée (de l'ordre du mégohm). C'est pourquoi, de façon pratique, on a placé à l'entrée de l'étage amplificateur un transistor à effet de champ monté de préférence en source-suiveuse. Le circuit de commande du moteur d'entralnement, de façon pratique un moteur à courant continu, est monté de telle sorte que ce dernier ne se trouve hors tension, c'est-à-dire que l'objectif qu'il commande ne s'arrête, que lorsque les deux photo-résistances du diviseur de tension possèdent la même résistance. C'est le cas pour le dispositif selon la présente invention lorsque les images produites à la surface des photo-résistances, qui sont situées à une même distance devant ou derrière le plan de netteté optimale de l'image, ont un manque de netteté identique. L'objectif est alors réglé de façon que dans ces conditions l'image formée par exemple sur la surface photographique ou dans le plan d'examen possède une netteté optimale. L'emploi des photo-résistances selon la présente invention dans un montage diviseur de tension présente l'avantage essentiel que le potentiel du point milieu reste, pour des photo-résistances éclairées uniformément, pratiquement indépendant de l'intensité d'éclairement, sur une plage de quelques puissances de dix de cette intensité. Dans un mode de réalisation selon la présente invention, le circuit de commande est un double étage pilote push-pull composé de transistors complémentaires intercalés à la suite de l'étage d' entrée du circuit amplifieateur, lequel double étage pilote commande un double étage final push-pull comportant également des transistors de puissance, dans la diagonale de pont duquel est placé le moteur d'entratnement. Dans ce dispositif de montage, seule une paire de transistors complémentaires situés en diagonale est conductrice à la fois, ce qui permet dans le circuit double push-pull des transistors de puissance intercalé à la suite la conduction des transistors complémentaires de la diagonale correspondante. Ce montage a l'avantage qu'à part les tensions de satura tion collecteur-émetteur des transistors de puissance déjà conduc teurs, qui sont en tout de l'ordre de 0,3 volt, on dispose de toute la tension de batterie pour l'entratnement du moteur dans les deux sens de rotation, de sorte qu t avec un couple moteur et un rendement optimaux il est possible même avec de faibles tensions de batterie, par exemple de 3 volts, de réaliser de façon stre une mise au point avec le moteur. 'a'utilisation du montage décrit ci-dessus, dans lequel deux photo-résistances identques selon la présente invention sont disposées sous forme de diviseur de tension, suppose que, d'une part, les deux photo-résistances reçoivent la même quantité de lu d bre et que, d'autre part, elles soient décalées par rapport à la direction du rayonnement. Selon un autre aspect de la présente invention, ceci est réalisé en ce qu'un diviseur de faisceau est placé sur la trajec- toire des rayons dans l'objectif et en ce que les photo-résistances sont disposées à des distances différentes du diviseur de faisceau. De façon pratique, le diviseur de faisceau est un prisme à section droite, dont les faces qui se trouvent sur la trajectoire des rayons supportent les photo-résistances, une plaque intercalaire en matériau optiquement transparent étant placée entre l'une des Sphoto-résistancesvet la face du prisme correspondante. Cette plaque intercalaire augmente le chemin optique vers l'une des photorésistances par rapport à l'autre. A ltétat d'équilibre, le plan de netteté optimale de lti- image se trouve à une distance égale à la moitié de l'épaisseur de la plaque intercalaire à l'avant de l'une des photo-résistances et à la même distance derrière la surface sensible de l'autre photorésistance. Si les deux résistances ne snnt pas symétriques, e'est-à- dire, si sur l'une des photo-résistances se forme une image plus nette que sur ltautre, c'est que le -plan de netteté optimale de 1' image se trouve plus près de la surface sensible de ltune des ré sistances, alors qu'il est plus éloigné de l'autre résistance. Ceci signifie que la distance à l'image mise au point est trop petite, c'est-à-dire que l'objet est plus éloigné de l'appareil photographi que que ne l'indique la mise au point momentanée de l'objectif. Lors de la mise au point automatique selon la présente invention, le moteur change le réglage de ltobJectif dans le sens d'un plus grand éloignement Jusqu'à ce que le plan de netteté optimale de l'image soit au voisinage du plan de consigne des deux photo-résSstances, à l'erreur résiduelle près. Dans les cas particuliers d'applications où l'on demande une réponse optimale des photo-résistances en fonction de la netteté pour un faible contraste fin, les phénomènes de décalage du montage peuvent être évités en faisant osciller les photo-résistan- ces dans le sens des rayons et en déduisant du signal ainsi obtenu par variation de la résistance un signal de correction pour la mise au point de l'objectif au moyen d'un comparateur de phases. Avec un tel dispositif, on obtient pour un contraste fin de k n 2 une augmentation relative de la résistance de 6 %, si bien qu'avec le secours du signal de correction produit par les oscillations mécaniques, on réalise des mises au point bien en dessous du seuil due réponse-de l'oeil humain, dont on sait par expérience que le pouvoir de jugement de la netteté est très faible pour ces petites valeurs de contraste. Au lieu de diviser en éléments une photo-rés-istanoe en forme de ligne, il est possible, pour donner une solution au pro blème- posé au début selon un autre aspect de la présente invention, de disposer en mosalque un grand nombre de photopiles, par exemple des photodiodes ou des phototransistors, et de les monter chacune en série à la manière d'un diviseur de tension aux bornes d'une source de tension, les points milieu des diviseurs étant à chaque fois reliés par l'intermédiaire de diodes-portes à une impédance de charge commune à tous les diviseurs de tension et servant à la production du signal de commande. De façon pratique, de petites photopiles discrètes, de préférence à section carrée, sont placées en lignes les unes à c8té des autres, l'ensemble des diviseurs de tension étant monté électriquement en parallèle. Les photopiles qui conviennent à cet effet sont essentiellement les photopiles au silicium. Pour obtenir un domaine de réglage optimal, on a disposé, selon un autre aspect de la présente invention, dans les diviseurs de tension lesdites diodes de compensation de potentiel, de sorte que leur sens de conduction soit opposé à celui des photo piles. Les photodiodes, les diodes-portes, les résistances de charge et l'impédance de charge peuvent être disposées à la maniè- re d'une porte OU pour provoquer dans l'impédance une chute de ten sion maximale pour une luminosité de détails-de l'image maximale ou minimale. De même, il est possible de disposer les photodiodes, les diodes-portes, les résistances de charge et l'impédance de char ge à la manière d'une porte ET pour provoquer dans l'impédance de charge une chute de tension minimale pour une luminosité de détails de 1'image maximale ou minimale. Le dispositif à diodes, qui produit une tension maximale pour une luminosité de détails de l'image minimale, agit comme une résistance thermique PTC, c'est-à-dire comme un conducteur à froid, et donc pour la première fois comme un conducteur d'obscurité, alors que les dispositifs à photo-résistances connus jusqu'ici agissaient uniquement comme conducteurs de lumière. L'ensemble des montages selon la présente invention, en particulier le dispositif à photo-résistances selon la présente in vention, peut être fabriqué de façon extrêmement satisfaisante sous forme de circuits intégrés, qui prennent le moins de place possible et permettent un montage en série simple et économique, si bien qu'ils conviennent pour des appareils photographiques extrêmement petits, bon marché et robustes, même pour amateurs. Les photo-résistances réalisées selon la présente inven tion ne sont cependant pas seulement utilisables pour la commande par moteur des objectifs. Bien plus, on peut fabriquer avec elles des dispositifs d'indication électrique de la netteté optimale de l'image. Dans cet ordre d'idée, la présente invention ouvre de nou velles possibilités dtapplication, par exemple la fabrication d'un dispositif de mesure de la distance automatique et passif, dans le quel, au contraire des procédés par radar connus jusqutici, il n'est pas besoin d'un émetteur propre puisque l'éloignement des objets peut être déterminé en fonction de la netteté de l'image mesurée pour diverses positions de celle-ci, tant qu'il existe une lumino sité et une visibilité suffisantes. De tels télémètres passifs conviennent entre autres à la mesure continue des distances entre des objets mobiles, par exemple des véhicules, ce par quoi le danger de collision peut être réduit. Les bases mathématiques du fonctionnement des photorésistances selon la présente invention, ainsi que les exemples de montage, sont expliqués ci-dessous à l'aide des-figures. La présente invention sera bien comprise à la lecture de la description suivante, faite en relation avec les dessins cijoints, dans lesquels La figure 1 est une représentation en perspective d'une ligne de photo-résistances, dans un système de coordonnées. La figure 2 représente l'amplitude de variation de l'in- tensité d'éclairement en fonction de la fréquence spatiale pour trois nettetés de l'image différentes. La figure 3 est une représentation des lignes de photorésistances selon la présente invention avec indication schématique de la répartition de la luminosité ainsi que de l'intensité d'éclairement en fonction de la position (diagramme inférieur). La figure 4 représente la résistance électrique des éléments dans la direction X, en fonction de la position X. La figure 5 représente la conductance électrique des éléments dans la direction Y, en fonction de la position X. La figure 6 représente la résistance moyenne par période mesurée dans la direction X, en fonction du rapport de l'amplitude de variation b à la valeur moyenne a de l'intensité d'éclairement. La figure 7 représente la résistance moyenne relative par période, en fonction du contraste fin (représentation normalisée). La figure 8 représente une résistance selon la présente invention sous forme d'une spirale bifilaire disposée en rectangle, avec les connexions placées à l'extérieur du domaine de l'image. la figure 9 représente le schéma électrique d'un montage selon la présente invention, pour la mise au point automatique des objectifs. La figure 10 représente la disposition spatiale de deux photo-résistances selon la présente invention pour le montage de la figure 9, avec indication schématique de la trajectoire des rayons-. La figure ll représente le schéma de montage des photo diodes disposées en monarque selon la présente invention et montées sous forme d'une porte OU pour une très grande luminosité de détail de l'image. La figure 12 représente le schéma de montage des photodiodes disposées en mosaïque selon la présente invention et montées sous forais d'une porte ET pour une très grande luminosité de détail de ltisage. la figure 13 représente le schéma de montage des photodiodes disposées en mosaSque selon la présente invention et montées sous forme d'une porte OU pour une très petite luminosité de détail de I1 image ; et La figure 14 représente le schéma de montage des photodbdes disposées en mosaïque selon la présente invention et montées sous forme de porte ET pour une très petite luminosité de détail de l'image. A l'aide des représentations schématiques des figures 1 à 7, on exposera d'abord des bases, puis des dimensionnements des photo-résistances "sensibles à la netteté de l'image" selon la présente invention. On suppose qu'un obJeetlf photographique puisse produire à la surface de la photo-résistance une image plus ou moins nette dtun modèle constitué d'un dispositif périodique de raies perpendiculaires, ayant une répartition de l'intensité lumineuse variable périodiquement le long de l'horizontale. D'après les axes de coordonnées de la figure l, les raies ont la direction de l'axe des Y et la répartition de l'intensité varie dans la direction de étage des X. On a choisi comme forme de photo-résistance un rectangle placé le long de l'axe des X avec les dimensions suivantes : Largeur = #Y = Y2 - Y1 Longueur: dX Epaisseur :#z = z2 - z1 (Cf. figure l) Le nombre de périodes clair-foncé par mm du modèle à rideau représenté par l'objectifà la surface de cette photo-résistance, ctest-a-dire la fréquence spatiale n, doit. être choisi de telle sorte qu'au moins une période entière tombe sur la surface rectangulaire de la photo-résistance.On peut ainsi faire une observation complète du comportement électrique de ce dispositif en calculant la résistance moyenne par période Rx en intégrant sur une x seule période. la répartition de l'intensité d'éolairement ("luminositét') le long de l'axe des X considéré comme horizontale selon la mise au point choisie momentanément de l'objectif varie suivant la fonction B(X) = a + b sin(2Trnx) [luxi avec a = valeur moyenne de l'intensité d'éclairement b = amplitude de variation de l'intensité d'éclairement, en supposant |b| Aux positions suivantes du modèle, on observe les valeurs d'intensité d'éclairement maximale et minimale suivantes 1. Intensité d'éclairement maximale Bmax = a + b [lux] pour 2# nx = +#2, + 5#2, -3#2, ... 2. Intensité d'éclairement minimale Bmin = a - b [lux] pour 2 #nx = -#2, + 3#2, + 9#2 Le contraste fin de ce modèle est défini par le rapport de l'intensité d'éclairement maximale à l'intensité minimale Le contraste fin, et dono la netteté de l'image, dépendent donc du rapport de l'amplitude de variation b à la valeur moyenne a, de façon que tous deux augmentent en même temps que l'amplitude de variation b, En effet, chaque système optique agit, de mime que la lentille de l1objectif, comme un filtre passe-bas qui possède, lorsque la netteté de l'image est maximale, une largeur de bande maximale, alors que lorsque la netteté diminue, la largeur de bande diminue et l'amplitude de variation b est réduite. L'influence de ces propriétés de filtre passe-bas sur l'amplitude de variation b pour la fréquence spatiale choisie n1 du modèle est représentée pour trois valeurs différentes du contraste fin 1, 2, 3 sur le diagramme de la figure -2. Dans ce calcul, on suppose une photo-résistance disposée en forme de rectangle, c 'est-à-dire une ligne de photo-résistances (figure 1) dont chaque élément possède en x le volume suivant dV = ss y. t z. dx [mm3] avec une largeur # y = y2 - y1 [mm] et une épaisseur # z = z2 - zl [mm] Supposons pour ce calcul que la lumière arrive perpendi- culairement à la ligne de photo-résistances dans la direction de l'axe des Z. Supposons que chaque élément ait une conductivité spécifique locale 6 (x) Cette conductivité spécifique 6 (x) est en première approximation directement proportionnelle à l'intensité d'éclairement local B(x). On a donc, pour la conductivité spécifique, par rapport à la courbe sinusotdale, citée plus haut, de l'intensité d'éclairement à la surface de la photo-résistance #(x) = q.B(x) [#-l.mm-l] où q est la sensibilité à la lumière de la surface de la photorésistance en [#-1 mm-1 lux-1]. On tire de l'équation de départ de la répartition de l'intensité d'éclairement B(x) # (x) = q.a + q.b sin(2#nx) [#-1.mm-1] Dans cette formulez on a (cf. aussi figure 3) q.a = conductivité spécifique moyenne q.b = amplitude de la variation sinusoTdale de la conductivité spé cifique n = fréquence spatiale = période par rmn, La résistance dRX, mesurée suivant l'axe des X, d'un des éléments montés en série se calcule comme suit (cf. aussi la figure 4) La conductivité mesurée suivant l'axe des Y d'un des éléments montés dans ce cas en parallèle se calcule comme suit (cf. figure 5) (a + b sin (2#nx)) [#-1] Dans la direction des lignes, c'est-à-dire dans celle de l'axe des X, les résistances partielles de ces éléments s'additionnent pour donner une résistance totale Dans cette répartition périodique B(x) de l'intensité d'éclairement, la résistance moyenne R par période est intéressan x te. Avec &alpha; = 2#nx et avec comme période de cet argument -##&alpha;#+# En transformant x en &alpha;, on tire : L'intégrale ci-dessous se résoud comme suit Etant donné la singularité de tg&alpha;2 pour &alpha;1 = -# et &alpha;2 = +#, on résoudra tout d'abord pour :: &alpha;1 > -# et &alpha;2 Les limites d'intégration (&alpha;1, &alpha;2) entraînent pour le cas limite le fait que tg tendent vers l'infini, si bien que l'on peut négliger le terme b et que les Tr deux fonctions arc tg tendent vers la même valeur limite 2 On a alors L'intégrale se résoud donc ainsi :: La résistance moyenne R par période devient donc La résistance moyenne Rx est inversement propoftionnelle au nombre n de périodes par mm, à la conductivité spécifique moyen ne et donc à l'intensité d'éclairement moyenne, à la largeur de la surface #y et à son passeur #z. La résistance moyenne Rx est fonction du rapport de l'ai- plitude de variation b à la valeur moyenne a de l'intensité d'éclai- rement B(x) suivant la formule suivante : Si l'on rapporte Rx(b/a) à la résistance moyenne Rx(b/a = 0), on obtient la représentation normalisée de la figure 6 : : Ce qui est souvent intéressant, c'est de l'exprimer en fonction du contraste fin k, qui est lié è l'amplitude de variation b et à la valeur moyenne a de l'intensité d'éclairement par la formule sui vante Si l'on résoud cette formule en b/a, on obtient b/a = k - 1 k + l k = 1 correspond à b = 0 Si l'on introduit cette expression dans la forme normalisée ci- dessus, on obtient Ceci est valable pour 1 # k # # La figure 7 représente, pour k allant de 1 en 1, cette fonction normalisée de la résistance moyenne par période dans le domaine de contraste fin I s k 4 100, qui est le plus important dans le cas des images optiques. On voit nettement d'après cette fonction que la résistance augmente en même temps que le contraste fin. D'après cette fonction Rx augmente aveo k et atteint une valeur maximale pour le contraste fin le plus grand (contraste de détail), c1est-à-dire pour la netteté d'image optimale, car c est alors que les zones sombres de l'image sont les plus sombres et qu' elles ont, pour le montage en série des éléments, une plus grande influence que les zones claires. Pour comprendre tout à fait cette influence dominante des zones sombres de l'image, il faut se représenter le cas de la variation maximale (b = a) de l'intensité d'éclairement. A ce moment là, il se forme eneffet pour a = - 2 une zone sombre pour laquel 2 le on a une conductivité spécifique extrêmement faible (th6Drique- ment 6 (a = - = - O, b = a) et dono une résistance extrêmement élevée(théoriquement #). Dans la pratique, l'obscurité élevée aux alentours de cette région a comme effet d'augmenter anormalement la valeur de la résistance.Bien que la résistance diminue dans les zones très claires de l'image pour &alpha; = + #/2, la résistance totale résultant de la sont de ces résistances partielles devient pour b = a beaucoup plus élevée que dans le cas où la variation est nulle (b = O), La ligne de photo-résistances qui s'étend suivant l'axe des X est réalisée de façon simple en plaçant sur la surface d'une photo-résistance aux extrémités X1 et X2 une couche conductrice, par exemple en argent, pour former les contacts de la photo-résistance Rx Dans un tel dispositif, le courant photo-électrique circule suivant l'axe des X. Pour comparaison, on va maintenant décrire le comportement de la somme des résistances élémentaires dans le cas où elle est montée en parallèle. Dans ce cas, il faut supposer que la formation des con tacts des éléments est réalisée sur les surfaces supérieures (y2) et inférieures (y1) du dessin. Dans la direction du courant choisie dans ce cas, le long de l'axe des y, la conductivité spécifique totale Gy totale se calcule comme suit Gy totale = d x2 x dGy dG = 2 dgy = ç l [a + b sin (2Wnx)J dx Après transformation, on obtient pour la conductivité moyenne par période qui nous intéresse On peut tirer de cette équation les relations suivantes pour la conductivité moyenne : G est directement proportionnelle à l'épaisseur de la y ligne #z et à la conductivité spécifique q.a, c'est-à-dire à l'intensité moyenne d'éclairement. G est inversement proportionnelle à la largeur de la y ligne #y, étant donné que le courant passe dans cette direction, et au nombre n de périodes par mm. G est indépendante de l'amplitude de variation b de l'in y tensité d'éclairement B(x). On un déduit ceci : L'amplitude b de cette répartition périodique de l'in tensité d'éclairement n'a d'influence que sur le courant dont la direction est perpendiculaire aux "fronts d'onde" (direct ion des X), mais pas sur le courant dont la direc tion leur est parallèle (direction des Y). I1 ressort de cette constatation qu une photo-résistance présente pour des structures quelconques de l'image un accroissement maximum de sa résistance pour l'état de netteté optimale de l'image, lorsque la surface de la photo-résistance est au plus grand nombre possible d'endroits perpendiculaire aux transitions clairfoncé ("fronts d'onde") sur la totalité de sa largeur. Cette exigence se trouve réalisée par les mesures suivantes 1. La photo-résistance doit posséder une forme allongée, c'est-à dire être disposée sous forme d'une ligne de résistances. 2. Ces lignes de résistances doivent être réparties dans le plan de l'image de sorte que tous les angles de directions possibles soient détectés aussi uniformément que possible. Ces conditions sont satisfaites de préférence à l'aide d'un dispositif en forme de spirale, de préférence à l'aide d'une spirale rectangulaire comme le représente la figure 8. Pour pouvoir réaliser les connexions d'une telle spirale en dehors du. domaine de l'image, cette spirale est entrelacée de façon bifilaire. Dans ce cas, comme le représente la figure 8, les connexions kl et k2 se trouvent à l'extérieur de la surface de la spirale et donc à l'extérieur du domaine de l'image. Le schéma de principe de la figure 9 représente un montage complet de mise au point automatique d'objectifs par moteur, dans lequel on a prévu deux photo-résistances FW1 et FW2 pour produire le signal de commande de la mise au point. Ces deux photorésistances selon la présente invention FW1 et FW2 montées de la même façon forment un diviseur de tension placé aux bornes d'une source de tension (+ B, - B), dont le point milieu est relié à la porte d'un transistor à effet de champ T1. Le transistor à effet de champ monté sous forme de source-suiveuse (circuit de drain) avec la résistance R1 possède une impédance d'entrée élevée si bien qu' on évite ainsi de charger inconsidérément les photo-résistances FW1 et FW2 dont la résistance est élevée (de l'ordre du mégohm). Le montage du diviseur de tension présente l'avantage que le potentiel du point milieu P1 reste, pour des photo-résistances éclairées uniformément, pratiquement indépendant de l'intensité d' éclairement, sur une plage de quelques puissances de dix de cette intensité. A la suite de la source-suiveuse constituée par le transistor à effet de champ T1 est intercalé un double étage pilote push-pull, composé des transistors complémentaires T2, T3 et T4, T5 ainsi que des résistances R2 à Rg. Pour produire les tensions de polarisation de base nécessaires, on a placé entre les bases des transistors pilotes T2 et T3 ou T4 et T5 respectivement, les diodes DI1, DI2 ou DI3, DI4 mon tées en série, qui se trouvent les unes dans l'étage du transistor à effet de champ T1 et les autres reliées par 11 intermédiaire des résistances de diviseur R10, R11 et R12 aux bornes de la source de tension d'alimentation,(+B, -B). A cet effet, la résistance R12 est une résistance réglable si bien quelle permet de procéder au réglage et à la symétrisation du montage. De même que l'étage pilote, l'étage final est lui aussi réalisé sous forme d'un double circuit push-pull, constitué des transistors également complémentaires T6, T7 et T8, T9, dont les bases sont couplées aux points de connexion F2 > P3 et P4, P5 de li étage pilote. Entre les deux circuits de étage de puissance coi- mandé par l'étage pilotez clest-k-dire aux points de connexion P7 et P8, on a placé le moteur à courant continu M, qui sert à l'en- traînement de l'objectif à mettre au point.Le point de connexion P7 est relié, par l'intermédiaire d'une résistance R13 permettant le réglage de la contre-réaction, au point de connexion P6 situé en tre les diodes DI3 et DI4. Le montage de la figure 9 ronctionne de la façon suivante le transistor à effet de champ T1 commande les bases du double étage pilote push-pull, de sorte que seule une paire de transistors complémentaires situés en diagonale est conductrice à la fois, ae qui permet, dans le double circuit push-pull des tran sistors de puissance intercalé à la suite, la conduction des tran sistors complémentaires de la diagonale correspondante. Si par exemple en visant un objet aveo un appareil photo graphique, il se forme sur la photo-résistance FW2 une image plus nette que sur la photo-résistance FW1 la valeur de la résistance de la photo-résistance N2 sera plus grande que celle de N1. En conséquence, le potentiel du point milieu du diviseur de tension, et donc le potentiel de porte du transistor à effet de champ T1 aug mentent. La tension de la source couplée avec la tension de porte et augmentée de la valeur de la tension de pincement, c'est-à-dire d'environ 1 V, augmente également et permet la conduction du tran sistor pilote n-p-n T2. Un circuit d'émetteur commun LE des quatre transistors pilotes T2 à T5 permet en mEme temps la conduction du transistor p-n-p T5.Par suite, le transistor de puissance p-n-p T6 et le transistor de puissance n-p-n T conduisent et ils relient le moteur M par sa connexion K3 au pole positif et par sa connexion K4 au pôle négatif de la source de tension B. Le moteur à courant continu tourne dans le sens déterminé par la polarité de cette tension de raccordement et commande à l'aide d'un réducteur non représente le réglage de distance de l'objectif jusqu'à ce que les deux photo-résistances FW1 et N2 aient à nouveau à peu près la même résistance. Ceci est réalisé lorsque les images projetées sur ces deux photo-résistances ont la même netteté ou le me manque de net testé. Un des avantages essentiels de ce montage réside dans le fait qu'à part les tensions de saturation collecteur-dmetteur des transistors de puissance déjà conducteurs, qui sont en tout de l'or- dre de 0,3 volt , on dispose de toute'la tension de batterie pour ltentratnement du moteur dans les deux sens de rotation, de sorte qu'avea un aouple moteur et un rendement optimaux il est possible, même avec de faibles tensions de batterie, par exemple de 3 volts, de réaliser de façon sûre une mise au point avec le moteur. La représentation schématique de la figure 10 représente une disposition appropriée des photo-résistances N1 et FW2 sur la trajectoire des rayons d'un objectif symbolisé simplement par une lentille convexe. L'image produite par l'objectif 1 est conduite au moyen d'un miroir déflecteur 2, par exemple un appareil reflex à miroir, vers un prisme diviseur de faisceau 3, qui sépare uniformément les rayons et les conduit à la première photo-résistance N1 ainsi qu'à la seconde FW2. A l'aide d'une plaque intercalaire 4 en matériau optiquement transparent placée entre la surface sensible de la photo-résistance N1 et la face supérieure du prisme diviseur de faisceau 3, le chemin optique vers cette photo-résistance est plus long que vers l'autre photo-résistance FW2. A l'état d'6quilibre, c'est-à-dire lorsque la mise au point de l'objectif est optimale, le plan de netteté optimale de image, considéré dans la direction du rayonnement, se trouve à une distance égale à la moitié- de l'épaisseur de la plaque intercalaire à l'avant de la surface sensible de la photo-résistance N1 > et à la m8me distance derrière la surface sensible de la photorésistance N2. Dans le cas expliqué plus haut, où les deux résistances ne sont pas symétriques, il se forme sur la surface sensible de la photo-résistance FW2 une image plus nette que sur celle de la photorésistance Ni. Dans ce cas, le plan de netteté optimale de l'image se trouve, avant le réglage, plus près de la surface sensible de la photo-résistance N2 que de celle de la photo-résistance FW1 c'est- à-dire qu'il est décalé vers l'objectif. Pratiquement, cela signifie que la distance à l'image est plus petite et donc que l'objet est plus éloigné de l'objectif de l'appareil photographique que ne l'indique la mise au point momentanée de l'objectif. Selon le procédé exposé plus hauts le moteur M déplace 11 objectif dans le sens d'un plus grand éloignement jusqu'à ce que les images, une erreur résiduelle mise à part, soient à nouveau au voisinage des plans de consigne des photo-résistances N1 et N2, permettant ainsi la mise au point automatique selon la présente invention. Les figures 11 à 14 représentent des exemples de montage permettant la réalisation d'un autre mode de réalisation de la présente invention, selon lequel des photodiodes sont disposées en mosaque dans le plan de limage et connectées entre elles sous forme de circuit OU ou de circuit ET afin de produire en fonction de la luminosité de détail de l'image, donc de la netteté de 11 image, un signal de commande sur une impédance de charge commune. Les éléments correspondants de ces schémas sont désignés par les mêmes symboles. Selon le schéma de la figure 11J un circuit OU est formé de n diviseurs de tension, qui se composent de photodiodes FD toujours montées en série, de diodes de compensation de potentiel GD et de résistances de charge r, placées entre les bornes dlune source de tension f B, - B. Le sens de conduction des photodiodes coordonnées entre elles est opposé à celui des diodes de compensation de potentiel. Les points milieu p sont reliés par l'intermédiaire des diodes-portes servant de valves, à l'impédance de charge R de sortie commune à toutes les diodes-portes, dont une borne se trouve au pôle négatif de la source de tension B. Le fonctionnement de ce circuit OU repose sur le fait que la photodiode FD qui possède la résistance la plus faible est celle dont la surface sensible à la lumière reçoit la plus forte intensité d'éclairement si bien que le potentiel du point milieu p correspondant est très élevé, donc très fortement positif et qu'il détermine le potentiel de sortie du circuit OU, qui, de ce fait, prend, lorsque la netteté de l'image est optimale par suite de la luminosité de détail de l'image alors très grande, une valeur maximale. Au contraire de ce montage, le montage de la figure 12 agit en circuit ET, pour lequel il se produit, lorsque la luminosité de détail de l'image est très grande, une tension très faible sur l'impédance de charge R de sortie. A cet effet le montage des diviseurs de tension est modifié de telle sorte qu'entre le pôle positif et le ple négatif de la source de tension, les éléments de diviseur de tension sont placés dans l'ordre suivant : résistance de charge r, diode de compensation de potentiel PD, photodiode FD, le point milieu entre la diode de compensation de potentiel et la photodiode étant à nouveau relié par l'intermédiaire d'une diode-porte GD à l'impédance de charge R de sortie, dont une borne est, dans ce cas, reliée au pôle positif de la source de tension B. Avec cette disposition de montage, la photodiode dont li intensité d'éclairement est la plus forte détermine le potentiel de sortie, le potentiel de ce diviseur étant d'ailleurs très faible, c 'est-à-dire très fortement négatif, de telle sorte que le potentiel de sortie prend, lorsque la netteté de l'image est optimale, par suite de la luminosité de détail de l'image alors très grande, une valeur minimale. Une autre Variante de circuit OU, fournissant pour une luminosité de détail de l'image très faible le potentiel de sortie le plus élevé possible, est représentee par le schéma de la figure 13. Les diviseurs de tension qui forment les éléments du circuit OU sont constitués d'éléments disposés entre le pole positif et le pôle négatif de la source de tension dans l'ordre suivant : résistance de charge r, diode de compensation de potentiel PD, photodiode FD, le point milieu placé entre la résistance active r et la diode de compensation de potentiel PD étant relié par l'intermédiaire de la diode-porte GD à l'impédance de charge commune R, dont une borne se trouve au pôle négatif. Cette disposition de montage a pour effet que le potentiel au point P du diviseur de tension dont la photodiode reçoit l'intensité d'éclairement la plus faible, est très élevé, c'est-à-dire très fortement positif et détermine le potentiel de sortie sur l'impé- dan ce de charge R > qui prend, de ce fait, lorsque la netteté de 1' image est optimale par suite de la luminosité de détail de l'image alors très faible, une valeur maximale. La figure 14 représente une dernière variante d'un circuit ET dans lequel le potentiel de sortie sur l'impédance de charge commune R prend, lorsque la luminosité de détail de l'image est très faible, une valeur minimale. L'ordre dans lequel ont été placés les éléments des diviseurs de tension est modifié par rapport à celui du montage de la figure 13 de telle sorte que, pour un mSme sens de eonduetion, sont disposées à chaque fois entre le pôle positif et le pôle négatif de la source de tension la photodiode PD, la diode de compensation de potentiel PD st la résistance de charge r. Les points milieu placés entre les diodes de compensation de poten- tiel PD et la résistancede charge r sont reliés par l'intermédiai- re des diodes-portes GD à l'impédance de charge comme R, dont la borne se trouve au pAlc positif de la source de courant d'alimenta- tion. Le potentiel au point milieu P du diviseur de tension où se trouve la photodiode dont l'intensité d'éclairement est la plus faible, est très faible, c'est-à-dire très fortement négatif et dé- termine ainsi le potentiel de sortie du circuit ET qui, de ce fait, lorsque la netteté de l'image est optimale par suite de la lumino- sité de détail de l'image alors très petite, prend une valeur minimale. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'entre décrits, elle est au contraire susceptible de variantes et de modifications qui apparattront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS 1 - Dispositif de mesure automatique de la distance,-en particulier de mise au point d'un objectif commandé par moteur, avec une photopile placée sur la trajectoire des rayons de l'objec- tir, de préférence défléchis en partie à l'aide d'un miroir ou analongue, et produisant en fonction d'une image formée à sa surface un signal de commande de préférence de l'entraînement moteur de l'objectif > caractérisé en ce qutil comprend une photo-résistance, dont les éléments sont montés électriquement en série et disposés sous forme d!une ou plusieurs lignes de sorte qu'ils sont, au plus grand nombre d'endroits possible et sur toute leur largeur, perpen diculaires aux transitions lair-foncd de la structure de l'image. 2 - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les lignes de la photo-résistance sont réparties selon une orientation quelconque et la plus diverse possible dans le plan de l'image et montées en série et en ce que les extrémités des lignes sont reliées en dehors du domaine de l'image à des conducteurs insensibles à la lumière, lesquels sont de préférence munis d'une dérivation insensible à la lumière, par exemple en argent. 3 - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé ce que les lignes sont disposées de façon bifilaire. 4 - Dispositif selon la revendication 2 ou la revendica- tion 3, caractérisé en ce que les lignes sont disposées sous forme de spirales polygonales, en particulier reetangulaires, circulai res su analogues. 5 - Dispositif selon la revendication 2 ou la revendication 3, caractérisé en ce que les lignes sont disposées en sinusoT- des > méandres, dents de scie, en étoiles ou équivalent. 6 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que deux photo-résistances, montées et disposées de la msme façon, sont montées en série entre les bornes d'une source de tension souq forme d'un diviseur de tension, dont le point milieu est relié, par 11 intermédiaire d'un montage amplificateur à impédance d'entrée élevée, au circuit de commande d'un moteur d'entraînement et en ce que les deux photo-résistances sont disposées dans deux plans de l'image différents à des distances de l'obJectif différentes de sorte qutà la mise au point elles sont situées à la même distance devant ou derrière le plan de netteté optimale de l'image. 7 - Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'un transistor à effet de champ est placé à l'étage d'entrée du montage amplificateur. 8 - Dispositif selon la revendication 6 ou la revendication 7 > caractérisé en ce quel la suite de étage d'entrée du montage amplificateur a été placé un double étage pilote push-pull formé de transistors complémentaires qui commande un double étage final push-pull comportant également des transistors de puissance complémentaires, dans la diagonale de pont duquel est placé le mo- teur d'entralnement. 9 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu t un diviseur de faisceau est placé sur la trajectoire des rayons de ltobJectif et en ce que les photo-résistances sont placées à des distances du diviseur de faisceau dif férentes. 10 - Dispositif selon la revendication 9 > caractérisé en ce que le diviseur de faisceau comprend un prisme diviseur de faisceau à section droite, dont les faces situées sur la traJectoire des rayons supportent les photorésistances, une plaque intercalaire en matériau optiquement transparent étant placée entre une photorésistance et la face du prisme correspondante. lI - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que les photo-résistances oscillent dans l'axe du rayonnement et en ce que, du signal ainsi obtenu par variation de la résistance, on tire, à l'aide d'un comparateur de phases ou analogue un signal de correction pour la mise au point de l'objectif. 12 - Dispositif de mesure automatique de la distance > en particulier de mise au point d'un objectif commandé par moteur, avec au moins une photopile placée sur la trajectoire des rayons de l'objectif défléchis de préférence en partie à l'aide d'un miroir ou analogues, et produisant en fonction du contraste d'une image formée à sa surface un signal commandant de préférence l'en- traînement moteur de l'objectif, caractérisé par la disposition en mosaïque de plusieurs photopiles, en particulier de photodiodes, qui sont chacune montées en série entre les bornes d'une source de tension sous forme d'un diviseur de tension avec une résistance de charge, les points milieu des diviseurs de tension étant reliés par l'intermédiaire de diodes-portes à une impédance de charge commune à tous les diviseurs de tension et servant à la production du signal de commande. 13 - Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que les photopiles sont disposées les unes à côté des autres en lignes et en ce que tous les diviseurs de tension sont montés électriquement en parallèle par leurs extrémités. 14 - Dispositif selon la revendication 12 ou la revendication 13, caractérisé en ce que les diviseurs de tension comportent des diodes d'équilibrage de potentiel, dont le sens de conduction est opposé à celui des photopiles. 15 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que les photodiodes, les diodes-portes, les résistances de charge et l'impédance de charge sont disposées sous forme dtune porte OU de telle sorte qutil se produit sur llim- pédance de charge, lorsque la luminosité de détail de l'image est très grande ou très petite, une tension maximale. 16 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que les photodiodes, les diodes-portes > les résistances de charge et l'impédance de charge sont disposées sous forme d'une porte ET de telle sorte qu'il se produit sur l'impédance de charge, lorsque la luminosité de détail de l'image est très grande ou très petite, une tension minimale. 17 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que les composants électriques, en particulier les semi-conducteurs sont des circuits intégrés. 18 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 17, caractérisé par son application à la mesure automatique et passive des distances, en particulier à la mesure de la distance entre des objets mobiles, tels que des véhicules.