Brevet FR2250246A1 — publié le 19750530

La pressente invention se rapporte à un circuit de balayage horizontal transistorisé utilisant un transformateur à haute tension et un multiplicateur de tension. Il y a longtemps que l'on prévoit des tubes pour l'utilisation dans des étages de balayage de lignes de sortie de récepteurs de télévision. La raison en est qu' auparavant on ne disposait pas de semi-conducteurs appropriés pour les hautes tensions apparaissant dans ces étages. Avec la mise en application des thyristors, il est devenu ainsi possible d'abandonner les circuits de type à tubes dans les étages de sortie de balayage de lignes.Cependant, leur introduction implique un investissement supplémentaire puisque, meme en ce qui concerne les commutateurs électroniques, on ne peut commuter des thyristors sans plus, du fait que, par exemple, la tension de commande est déconnectée à l'entrez de porte.Pour cette raison, on a également déjà mis au point des circuits de balayage horizontal transistorisés comprenant un transistor dans i'eta- ge de sortie (voir par exemple la demande de brevet allemande Publiée DAS 2 123 TTO , 21n 7 - 3/18). Contre autres, il est également connu, par exemple, par la demande précitée, de prélever la haute tension, meme dans le cas de cir- cuits de balayage horizontal transistorisés, au moyen d'un transformateur à haute tension, à partir des impulsions de retour horizontal de lignes (voir également les demandes de brevet allemandes publiées DOS 1 805 449, DAS 1 910 349 DAS 1 292 T02 etc.). On connaît,en outre,des circuits de protection pour récepteurs de télévision dans lesquels ltétage de sortie de balayage de ligne est précédé par un circuit transistorisé (voir par exemple la demande de brevet allemande DOS 2 05T 90T, 21nT - 3/17).Le circuit de protection lui-meme est cependant concerné par le fait que des composants du poste sont en danger chaque fois qu'en cas de panne dans le poste, lors de leur rétablissement, les tensions sont prélevées sur-le transformateur secteur pour produire les impulsions d'amorçage, commander un thyristor de groupe d'alimentaticn, ce qui met en péril d'autres étages, de sorte qu'il faut couper également les impulsions d'amorçage du thyristor. Par ailleurs, il est connu en soi, en liaison avec le transistor de sortie de ligne, de prévoir des circuits à diodes. Cependant, dans les montages classiques, ces circuits jouent des rôles différents. Par exemple, ils doivent jouer le roule d'une diode économisatrice (voir la demande de brevet allemand DAS 2 107 601 2vînt - 3/17) ou bien autrement la diode et la résistance sont supposées améliorer la proportionnalité entre le courant de faisceau et les variations de la haute tension (figure 4, DAS 2 123 770, 21n7 - 3/18 et cf DAS 2 107 601, 21nT - 3/17 précités) Contrairement à cela, la présente invention concerne le problème de la protection du transistor de déviation horizontale contre les décharges provenant du multiplicateur de tension du générateur haute tension ( ou encore, de la cascade). Ce problème est résolu par l'invention de la façon exposée dans la revendication 1. D'autres modes d'exécution de l'invention sont caractérisés dans les autres revendications et ressortent de la description en regard des figures. L'invention offre,en particulier,l'avantage de protéger de façon sûre le transistor de commutation au moyen de la résistance de découplage avec une diode montée en parallèle contre les décharges dans le multiplicateur de tension, sans augmenter considérablement la résistance interne du circuit par rapport à la tension de sortie. D'autres caraetéristiques de l'invention ressortiront de la description détaillée ci-dessous, Bien entendu la description et le dessin ne sont donnés qutà titre indicatif et nullement limitatif de l'invention. La figure 1 représente un circuit selon l'invention. Les figures 2a et 2b sont des diagrammes destines à expliquer l'invention. Les impulsions carres t provenant du générateur de fréquence de lignes ou générateur d'ondes carées sont appliquées à un transformateur de commande ou d'attaque 2 dont le secondaire est relié, par l'intermédiaire d'une résistance de protection ou de limitation 3, à la base 4 d'un transistor de l'étage de sortie horizontale jouant le rôle de commutateur électronique. Ceci provient du fait que ce transistor est rendu conducteur par le générateur d'ondes carrées pendant la seconde moitié de la course directe (balayage), et bloqué pendant sa premieremoitié, de sorte que le transistor se comporte comme une diode. L'interruption produit alors la crête de haute tension. En parallèle avec le transistor 5 est monté un condensateur de retour 6 qui détermine la fréquence de retour du spot.Le transistor 5 et le condensateur de retour sont reliés tous deux au circuit primaire d'un transformateur à haute tension ou transformateur de lignes 7. Ce circuit primaire est en série avec les bobines déflectrices 8 d'un groupe déflecteur, qui sont couplées capacitivement au moyen d'un condensateur 9. Entre les points électriques A et B, on peut,par exemple,monter en parallèle une diode 10 et une résistance de découplage 11, ce montage étant suivi d'un circuit série 12 multiplicateur de tension comprenant,par exemple, les condensateurs 13, 14 de type mobile (coulissant) ainsi que les autres condensateurs 15, 16, 17 dont le montage est complété à l'aide des diodes 18, 19, 20, 21, 22, de la façon connue en soi, pour former une chaîne en cascade. la haute tension nécessaire pour le tube-image est prélevee au point C du circuit. La figure 2a représente la caractéristique de tension U en fonction du temps t du côté secondaire du transformateur à haute tension 7au point A. Cette tension est appliquée à I'entrée du point tripleur de tension B du multiplicateur de tension. La tension de sortie continue au point C est appliquée au tube-image pour constituer la tension d'anode ou de plaque. La pratique a montre que les de charges ou les claquages ou percements sur les condensateurs mobiles coulissants 13 et 14 entraînent de fortes intensités ou tensions dans le transistor de commutation 5 par rapport aux valeurs de fonctionnement normal, ce qui dépend fortement de l'instant od les conditions per turbat ri ces apparaissent. Bien entendu, la résistance de découplage 14 zonée entre les points A et B réduit déjà les réactions sur le transistor 5, mais elle aboutit à une résistance interne supérieure de la tension de sortie C, du fait que l'angle de passage du courant ou période de conduction pour charger les condensateurs 15, 16 et 17 est très faible.Il s'agit d'une courte période,comme le contre la figure 2b: cf. com- posante positirre. Contrairement à cela, pendant la phase d'intensité négative selon la figure 2b, la résistance 11 ne contribue pas notablement à augmenter la résistance interne du fait que la duree pour recharger les condensateurs mobiles coulissant 13 et 14 doit être calculé pour are au moins 20 fois plus longue que la phase a'intensité positive. Dans des cas où la diode 10 est vantée en parallèleavec la résistance 11 entre les points A et B de telle façon qu'il passe une intensité positive par la diode 10, la résistance interne de la tension de sortie C n'augmentera que légèrement. Des impulsions de retour de sens positif provenant du point multiplicateur de tension B ne peuvent atteindre le transfornateur à haute tension 7, point A, qu'au travers de la résistance de de couplage 11 du fait que la diode est bloque pour elles. Compte tenu de cela et par le moyen de la résistance de découplage 11 montée en parallèle avec la diode 10, le transistor 5 est protégé efficacement contre les décharges dans le multiplicateur de tension, sans augmenter notablement la resistance interne de la tension de sortie C. En principe, il est également possible de protéger au moyen du circuit de protection, des agencements qui ont un coefficient d'utilisation inrerieur à celui de l'exemple précédent, mais,dans ce cas, le rendement sera réduit. La diode 10 peut aussi, avec la résistance de découplage 11 monté en être montée en un quelconque emplacement entre le transistor de commutation 5 et le côté primaire du transformateur à haute tension 7, autre que l'emplacement A B indiqué. Bien que les principes de la présente invention aient été décrits ci-dessus en relation avec des exemples particuliers de réalisation, on comprendra clairement que ladite description est faite seulement à titre d'exemples et ne limite pas la portée de l'invention. R E V E N D I C A T I O N S 1. Circuit de balayage horizontal transistorisé comprenant un transformateur a haute tension et un multiplicateur de tension pour engendrer la haute tension, caracterisé an ce que, pour protéger l'étage de sortie de balayge horizontal transistorisé ou le transistor de commutation contre des réactions des crêtes de tension et d'intensité se présentant dans le cas de décharges et de claquages ou percements dans les condensateurs du multiplicateur de tension, on monte une diode 10 et une résistance de découplage 11 en parallèle après l'étage de sortie de balayage horizontal transistorisé du transistor de commutation,de fa çon que la diode 10 devienne conductrice dans le cas d'impulsions de décharge ou de claquage de sens positif provenant du multiplicateur de tension, ces impulsions n1atteignant le transformateur a haute tension qu'au travers de la resis- tance de découplage il, lorsque l'on prévoit un rapport d'impulsions pour la recharge des condensateurs de protection du multiplicateur de tension pendant la phase d'intensité négative, de 20 à 1 par rapport à la phase d'intensité positive. 2. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que la diode 10 est montée en parallèle avec la résistance de découplage Il, entre le multiplicateur de tension et le côté secondaire du transformateur à haute tension. 3. Circuit selon la revendication 2, caractérisé en ce que la diode 10 est montée en parabole avec la résistance de découplage ll,entre le multiplicateur de tension et le transistor de commutation de ltétage de sortie de balayage hori zontal transistorise 4. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que la diode 10 est montée en parallèle avec la résistance de découplage ll,entre le transistor de commutation de l'étage de sortie de balayage horizontal transistorisé et le côté primaire du transformateur à haute tension.