Brevet FR2232088A1 — publié le 19741227

L'invention se rapporte aux cellules solaires comportant un revêtement anti-réflecteur de pentoxyde de tantale amorphe ainsi qu'à la méthode de fabrication de telles cellules solaires. L'utilisation de dispositifs photovoltarques, communément connus sous le nom de cellules solaires, qui convertissent l'énergie lumineuse en énergie électrique utile, est bien connue. La lumière pénétrant dans ces cellules solaires est absorbée, engendrant de la sorte des paires électron-trou, c'est à-dire des porteurs, qui sont alors séparés dans l'espace par le champ électrique produit par la jonction de la cellule solaire. Les électrons et les trous diffusent alors vers les surfaces respectives supérieure et inférieure de la cellule solaire oh ils sont collectés par des contacts métalliques.Par exemple, dans une cellule solaire de type n-p, les électrons traversent la surface supérieure de la cellule solaire ot ils sont collectés par une grille métallique disposée sur cette surface. Les trous de leur cete se déplacent vers la surface inférieure de la cellule solaire où ils sont collectés au moyen d'un contact métallique disposé sur cette surface. Le rendement d'une cellule solaire, c'est- & dire le rapport de la puissance de sortie à la puissance drantrçe, est directement fonction de la quantité de lumière utilisable, c'est- & dire de la lumière engendrant les porteurs et absorbée par la cellule solaire. le rendement de la cellule solaire est limité cependant par le phénomène optique connu selon lequel une partie de la lumière (à la fois utilisable et non utilisatle) frappant la surface supérieure de la cellule solaire est réfléchie partiellement siur la cellule solaire.Pour réduire cet inconvénient causé par la réflexion de la lumière, on emploie pour les cellules solaires de l'art antérieur un revete- ment anti-réflecteur positionné sur la surface de la cellule solaire S travers laquelle la lumière pénètre. Pour fonctionner correctement, le revêtement anti-réflecteur doit posséder entre autres, certaines propriétés optiques. Selon l'une de Ces propriétés optiques, le rendement anti-réflecteur doit réduire la réflexion de la lumière utile. Plus particulièrement, dans les applications spatiales, par exemple, dans lesquelles on utilise habituellement un chassies protecteur en quartz placé au-dessus du revêtement anti-réflecteur pour empêcher les radiations dangereuses, telles que les protons, d'endomaager la cellule solaire, l'indice de réfraction du revêtement anti-réflecteur doit etre compris, comme on le sait, entre celui du chassies protecteur en quartz et celui de la cellule solaire sous-jacente.En ce qui concerne une autre propriété optique, c' est-à-dire sa propriété d'absorption, le revêtement anti-réflecteur ne doit pas absorber la lumière utile mais doit etre capable de laisser passer une telle lumière vers la cellule solaire sous-jacente. L'utilisation d'un matéria particulier anti-réflecteur est par conséquent dépendante de l'indice de réfraction de la cellule solaire sous-jacente et du chassis protecteur ainsi que de la réponse de cette cellule solaire aux longueurs d'ondes. On a décrit au brevet Tarneja NO 3.533.850 demandé aux Etats Unis d'Amérique l'utilisation de plusieurs matériaux anti-réflecteurs possédant des propriétés optiques propres en ce qui concerne l'indice de réfraction et 11 absorption lorsqu'ils sont utilisés avec un châssis protecteur en quartz et une cellule solaire répondant à la lumière dans le domaine des longueurs d'ondes moyennes, c'est-à-dire entre 0,5 à 0,75 micron. Tarneja a exposé que les matériaux anti-réflecteurs possédant un indice de réfraction compris entre 2 et 2,5 doivent etre utilisés pour de telles cellules solaires. Tarneja a décrit cinq matériaux particuliers pour leur utilisation avec des cellules solaires répondant à la lumière dans le domaine des longueurs d'ondes moyennes, ainsi qu'il a été mentionné précédemment.Ces matériaux comprennent un oxyde des métaux tels que le zinc, le cérium, l'étain, le titane et le tantale, ainsi que le sulphure de zinc. Plusieurs problèmes apparaissent cependant en ce qui concerne le choix du matériau anti-réflecteur à utiliser pour les cellules solaires utilisant un chtssis protecteur de quartz, mais qui possèdent une réponse s'étendant à la lumière correspondant à la région de l'ultra-violet et des courtes longueurs d'ondes (c'est-à-dire entre 0,3 à 0,5 micron). Une telle cellule solaire a été décrite à la demande de brevet déposée en France le 22 Septembre 1972, sous le NO 72.33699, au nom de la demanderesse, sous le titre "Cellule solaire à géométrie fine", invention : Joseph Lindmayer.Le revêtement anti-réflecteur à utiliser avec une cellule solaire du type décrit à la demande Lindmayer devrait posséder un indice de réfraction compris entre 2 et 2,5 ainsi que l'a noté Tarneja, cependant, le revêtement ne devrait pas absorber la lumière dans la région des longueurs d'ondes courtes, c'est-à-dire entre 0,3 et 0,5 micron. La sélection d'un matériau particulier anti-réflecteur parmi tous les matériaux disponibles comprenant ceux décrits par Tarneja pour son utilisation dans des cellules répondant- aux longueurs d'ondes courtes n'est pas du tout évidente. Ceci est dû au fait que Si les indices de réfraction des oxydes d'un métal particulier (par exemple Ta O ) sont prévisibles xy puisque les indices ne varient pas d'une façon significative de l'un à l'autre (par exemple l'indice de Ta204 5 est similaire à celui de Ta205), la propriété d'absorption de tels oxydes varie d'une façon sensible et de façon dispersée les uns par rapport aux autres (par exemple Tua204 5 est très différent de Ta204#7). Un autre problème se rapporte à une méthode appropriée pour créer une couche d'un dépit anti-réflecteur et un contact métallique sur la cellule solaire. La méthode dépend du matériau anti-réflecteur particulier utilisé. Par exemple, la méthode décrite par Tarneja exige une gravure du matériau antiréflecteur. Le m#atériau anti-réflecteur selon la présente invention ayant une résistance élevée m la gravure, la méthode décrite par Tarneja n'est par conséquent pas adaptée pour placer on tel aatériau anti-réflecteur sur la cellule solaire. Il existe, en plus des critères déjà mentionnés, d'autres critères pour choisir un revêtement anti-réflecteur approprié en vue de son utilisation avec des cellules solaires répondant N la lumière dans la région des courtes longueurs d'ondes. Dans les cellules solaires répondant aux courtes longueurs d'ondes du type décrit dans la demande de brevet Lindmayer susmentionnée, la jonction p-n est seulement a environ 1000 de la surface de la cellule solaire. Ceci signifie que le revêtement anti-réflecteur lui-mtme et la méthode d'incorporation à de telles cellules solaires peuvent avoir un effet sur la qualité de la jonction p-n. En conséquence, le revêtement antiréflecteur doit comprendre des composants qui ne peuvent pénétrer dans la cellule solaire et endommager la jonction p-n.De même, toute contrainte produite sur l'interface : cellule solaire revêtement anti-réflecteur, doit titre suffisamment faible pour qu'une telle contrainte ne puisse pénétrer jusqu'à la jonction p-n et de ce fait l'endommager. De meme, la méthode de forntatioi & du dépôt anti-réflecteur sur la cellule solaire ne doit pasintroduire d'impuretés indésirées qui pourraient pénétrer dans la cellule solaire et affecter de façon nuisible la jonction p-n. De plus, le revêtement anti-réflecteur ne doit pas se dégrader lors de son exposition à la lumière ultra-violette dans le vide. L'effet d'une telle dégradation est un changement de l'indice de réfraction et le développement de l'absorption aux courtes longueurs d'ondes.De même, en ce qui concerne les cellules solaires au silicium, il existe un phénomène connu sous le nom de dispersion selon lequel l'indice de réfraction sport avec les longueurs d'ondes les plus courtes. Par conséquent, le revêtement anti-réflecteur doit avoir une fonction de dispersion avec les longueurs d'ondes qui cadre avec tout accroissement de l'indice de réfraction du silicium. D'autres critères encore se rapportent à l'utilisation des revêtements anti-réflecteurs en ce qui concerne leurs qualités de stabilité, d'adhésion et de dureté. Le matériau anti-réflecteur doit être chimiquement stable du fait qu'il ne doit pas changer le composition au cours du procédé où il peut titre exposé ~# la te#pérature, aux produits chimiques, a l'humidité, et il ne doit pas se modifier au cours de son emmagasinage de façon a éviter tout changement significatif de l'indice de réfraction ou de ses propriétés d'absorption. L'adnésion du revêtement anti-réflecteur sur la cellule solaire doit être ~,# excellente de façon à ne pas se détacher en lamelles ou en morceaux au cours du fonctionnement ou de l'exposition à des cycles d'humidité ou de température. Finalement, le matériau anti-réflecteur doit etre suffisamment dur de façon a ce outil ne soit pas endommagé, par exemple au cours de la fixation du châssis protecteur. Le revêtement anti-réflecteur selon la présente invention et la méthode de son incorporation à une cellule so-laire satisfont à tous les critères cidessus. Le pentoxyde de tantale amorphe (Ta205) est utilisé comme revetement anti-réflecteur de cellules solaires répondant à la lumière dans la région des courtes longueurs d'ondes (inférieures à 0,5 micron). Le procédé de base pour la fabrication d'une cellule solaire comportant un revêtement anti-réflecteur de pentoxyde de tantale amorphe comprend le dépit de l'élément tantale sur la surface supérieure de la cellule solaire puis son oxydation pour obtenir le pentoxyde de tantale amorphe. L'élément tantale est placé sur la cellule solaire au moyen de la techniqué de l'évaporation par faisceau d'électrons puis est oxydé, soit thertiquement, soit par oxydation anodique.Les techniques particulières de décollement par photolithographie sont employées pour créer une surface supérieure de la cellule solaire possédant une grille métallique collectant le photo-courant. Sur le dessin la figure 1 est une vue à trois dimensions d'une cellule solaire comportant un re#tement anti-réflecteur de pentoxyde de tantale amorphe, les figures 2 à 8 sont des vues latérales de la cellule solaire de la figure 1 à divers stades de son procédé de fabrication, la figure 9 représente un masque photo qui est utilisé au cours des divers stades de fabrication selon la présente invention, et la figure 10 un graphique représentant les résultats susceptibles d'strie obtenus avec la présente invention par rapport à d'autres types de retebe4ents anti-réflecteurs Le matériau anti-réflecteur de la présente invention est le pentoxyde de tantale amorphe Ta205. Le pentoxyde de tantale est un oxyde de tantale qui est stoechiométrique, c'est-à-dire où l'oxyde de tantale ne comporte pas d'électrons de valence libres. Le pentoxyde de tantale amorphe est le Tua205 n'appartenant à aucun système cristallographique. Il peut etre distingué par exemple du Ta205 polycristallin qui appartient localement a un système cristallographique. Comme indiqué précédemment, les inventeurs de la présente invention ont trouvé que le Ta205 amorphe était particulièrement convenable pour etre utilisé dans les cellules solaires donnant une réponse à la lumière de la région des courtes longueurs d'ondes inférieures d 0,5 micron. Si l'on se réfère à la figure 1, on voit que lson a représenté une cellule solaire 1 possédant une couche 2 d'un premier type de conductivité séparé d'une couche 3 d'un second type de conductivité, par une jonction 4. Naturellement, on doit comprendre que les dimensions telles que la dimension de la cellule solaire et 11 épaisseur relative des diverses couches représentées à la figure 1 ne sont pas représentatives d'une cellule solaire réelle mais sont représentées telles quelles, à titre de pare illustration. La présente invention est applicable à tous les types de cellules solaires, cependant, à titre d'exemple, cette description se rapporte à une cellule solaire au silicium 1, du type décrit d la demande de brevet Mentionnée cidessus de Lindmayer, possédant une couche 2 de type n séparée d'une couche 3 de type p par une jonction p-n peu profonde qui est à environ 1000 t de la surface supérieure de la couche 2.Sur la surface supérieure de la couche 2 de type n, se trouve une grille métallique 5 et un revttement 6 anti-réflecteur. Ainsi qu'on le décrira plus complètement ci-dessous, le revêtement antiréflecteur 6 peut occuper les zones de la surface supérieure de la couche 2 non occupée par la grille métallique 5. La grille métallique 5 peut etre du type à fine géométrie comportant environ 60 doigts métalliques collecteurs de courant, ainsi qu'il a été décrit dans la demande de brevet susientionnée de Lindmayer, ou toute autre grille métallique connue dans cet art. Selon la présente invention, le revetement anti-réflecteur 6 est composé de pentoxyde de tantale amorphe. Un chassies protecteur en quartz 7, de type connu dans cet art, recouvre le revêtement réflecteur 6 et la grille métallique 5.Sur le fond de la couche 3 de type p se trouve un contact métallique arrière 8 également de tout type connu dans cet art qui peut recouvrir complètement la surface arrière entière de la couche 3. Non représentés sur la figure 1, se trouvent des interconnecteurs qui peuvent interconnecter la grille métallique 5 d'une cellule solaire au contact métallique 8 d'une autre cellule dans le but de former un réseau solaire série parallèle, comxe cela est bien connu. La méthode de fabrication de la cellule solaire au silicium comportant un revêtement anti-réflecteur de pentoxyde de tantale amorphe est décrite ciaprès. Le point de départ est une lamelle de silicium qui est coupée S une dimension prédéterminée convenable pour etre utilisée dans le réseau solaire. La lamelle de silicium est alors placée dans un four de diffusion i environ 750 i 8250 centigrade. Dans le four de diffusion une impureté, par exemple le phosphore, est diffusée sur la surface supérieure de la lamelle de silicium pendant environ 5 à 10 minutes.Un gaz de diffusion comportant 2 N2 et (source de phosphore) peut alimenter le four de diffusion à un débit de 1000 cc/minute pour N2 ; de 5000 cc/minute pour le mélange de 99 Z d'Argon, 1 Z de W, ;; et de 75 cc/minute de 02. La diffusion du phosphore de cette manière aboutit à une lamelle de silicium comportant un premier dépit 2 du à un premier type de productivité (type n) séparé d'un second dépôt 3 d'un second type de conductivité (type p) par une jonction diffuse p-n peu profonde (ctest-i-dire environ de 1000 t). Le procédé de fabrication ci-dessus d'une lamelle de silicium comportant une jonction p-n peu profonde est décrit à la demande Lindmayer. Le revêtement anti-réflecteur 6 de pentoxyde de tantale amorphe et la grille métallique 5 sont alors prêts à etre placés sur la lamelle de silicium. Si l'on se réfère à la figure 2A, on voit que l'on y a représenté la lamelle de silicium ayant une couche 2 de conductivité de type n séparée de la couche 3 de conductivité de type p par une jonction p-n peu profonde 4. Une couche 9 d'un matériau résistant photosensible est alors placée en premier lieu sur la surface supérieure entière de la couche 2 de type n. Le matériau résistant photosensible peut etre n'importe quel corps connu de ce type tel que le corps résistant connu sous la désignation Zphotorcsist" ou "r-sist" AZ-lîl. Puis, un vasque photo (voir par exemple figure 9) formant un modèle identique au Modèle désiré pour la grille métallique supérieure 5, figure 1, est placé au-dessus du matériau résistant photosensible 9. La surface supérieure de la couche 2 est alors exposée à la lumière ultra-violette à travers le masque photo.Le masque photo est alors retiré et la couche résistante photosensible est développée avec tout révélateur approprié de type connu reco-andé pour son utilisation avec le corps résistant photosensible AZ-111. La surface supérieure de la couche 2 est alors rincée pour retirer le corps photosensible qui a été exposé à la lumière mais en laissant le modèle 9' da Matériau résistant photosensible sur la surface supérieure de la couche 2, co représenté à la figure 2B. A ce stade, le modèle du matériau résistant photosensible 9' est identique à celui du modèle de la grille métallique 5 qui doit etre placé éventuellement sur la surface supérieure de la couche 2. Si l'on se réfère à la figure 3, une couche 10 de l'élément tantale est alors évaporée au-dessus de la surface supérieure de la couche 2 comportant la couche résistante photosensible 9' au moyen de la technique d'évaporation par faisceau d'électrons. La couche 10 de l'élément tantale doit avoir approxina- tivement une épaisseur de 200 A environ pour fournir, comice on le décrira, une épaisseur appropriée pour la couche de Ta205. Bien que la technique d'évaporation au moyen d'un faisceau d'électrons soit bien connue dans cet art, certaines précautions doivent etre prises. D'abord la quantité d'élément tantale qui est bombardée par le faisceau d'électrons doit titre relativeent faible. La raison pour cela est d'exptcher une radiation thermique non désirée du létal de tantale chauffé, dont le résultat entratherait la cuisson du matériau résistant photosensible 9' sur la couche 2 de type n, empêchant de la sorte le corps résistant pr.otosensible 9' autre enlevé de la surface salpérleare couve on va le décrire.De plus, la lamelle de silicium p-n doit etre protégée des dotrunages ca#sés par les électrons qui peuvent résulter d'une dispersion d'un certain nombre d'électrons en dehors du faisceau focalisé d'électrons (dirigé vers le tantale) et trouvant leur passage 3 travers la couche 2. L'écran de protection peut comporter un métal, porté a un potentiel positif, attirant tous électrons dispersés, les empêchant de la sorte d'atteindre la jonction p-n représentée en 4. Finalement, le métal tantale lui-mEme doit entre exempt de toutes impuretés puisque, si elles venaient à être déposées sur la couche 2, elles pourraient diffuser dans la couche 2 au cours du procédé d'oxydation qui va etre décrit.Ces impuretés pourraient ainsi endommager la jonction 4 de type p-n. La phase suivante du procédé est celle du retrait du matériau résistant photosensible 9' de la surface supérieure de la couche 2. Le retrait du matériau résistant photosensible 9' est obtenu par la technique bien connue du décollement dans lequel le matériau résistant photosensible àenlever est d'abord plongé dans l'acétone, ou dans une autre substance chimique convenable pour son utilisation avec AZ-lîl et qui se trouve dans un bain soumis aux ultra-sons. Le résultat du procédé de retrait par décollement est de retirer non seulement le corps résistant photosensible 9' mais aussi l'élément tantale qui s'est déposé sur le corps photosensible.Par conséquent, d'une façon structurelle, comme on le voit sur la figure 4 à ce stade du procédé, il y a sur la surface supérieure de la couche 2 un modèle de silicium dénudé coRncidant Gvec le modèle de grille métallique désiré 5 et une couche de ltélément tantale.10 sur les zones restantes. L'élément tantale 10 sur la surface de la couche 2 est maintenant prét à être oxydé en pentoxyde de tantale amorphe au moyen d'une de deux techniques d'oxydation. Dans la première technique, connue sous le nom d'oxydation thermique, la lamelle de silicium p-n de la figure 4 est placée dans un four qui reçoit un flux d'oxygène. La lamelle de silicium p-n est exposée dans le four à une température d'environ 500- centigrade pendant environ 10 minutes, puis est retirée. Dans ces conditions, l'indice de réfraction de l'oxyde de tantale en résultant est de 2,25, ce qui signifie qu'il s'agit du pentoxyde de tantale amorphe.Les propriétés optiques souhaitables du revetement anti-réflecteur de pentoxyde de tantale peuvent cependant etre obtenues en un temps relativement court en utilisant des températures d'oxydation au voisinage de 450 i 5250 centigrade. C'est-N-dire, qu'en fonction de la température d'oxydation atilisve, le pentoxXde de tantale en résultant peut ne pas etre complèteme;lt arnorphe mais peut être sensiblement amorphe (pluttt que polycristallin). Un tel Ta205 sensiblement amorphe révèle encore l'indice de réfraction requis et des propriétés d'absorption requises pour son utilisation avec une cellule solaire au silicium répondant aux longueurs d'ondes courtes. Dans le procédé d'oxydation ci-dessus, une oxydation non uniforme tend à se développer, les bords de la cellule n'étant pas complètement oxydés. Une oxydation uniforme peut etre assurée en adoptant un programme de montée de température dans lequel les lamelles sont introduites dans le four à 3500 centigrade puis en permettant à la température du four de s'élever lentement jusqu'\ l'oxydation finale. La seconde technique d'oxydation, employant le procédé connu sous le nom d'oxydation anodique requiert l'utilisation d'une cathode de platine pour l'une des électrodes et la lamelle de silicium de la figure 4 corme anode ou seconde électrode. Les deux électrodes sont inuiergées dans un électrolyte connu et un courant est alors distribué pour passer à travers les électrodes. Selon un exemple, le procédé d'oxydation anodique peut durer environ 20 minutes en commençant avec un courant initial d'l milli-ampère. L'utilisation d'un électrolyte organique non aqueux tel que l'alcool tetrahydrofurfuryl est préférée puisqu'elle aboutit à un pentoxyde de tantale amorphe et uniforme adhérant fermement à la surface supérieure de la couche 2. Le résultat des deux procédés d'oxydation t thermique ou anodique, est l'obtention d'une couche 11 de pentoxyde de tantale amorphe sur la surface supérieure de la couche 2, comme le représente la figure 5. La couche de pentoxyde de tantale amorphe est approximativement de 550 A d'épaisseur afin de produire un quart d'onde assorti à 0,5 micron. La grille métallique 5 est maintenant prote à etre placée sur la surface supérieure de la couche 2 en utilisant un second procédé de photolithographie. Une couche d'un matériau résistant photosensible 12, par exemple du type Au~111 (voir figure 6a), est placée audessus de la surface entière de la couche 2 comportant la couche 11 de pentoxyde de tantale amorphe. Le négatif du vasque photo qui a été utilisé précédemment est alors placé audessus de la surface supérieure de la couche 2 qui est alors exposée à la lumière. la ma que photo est alors retiré et le corps résistant photosensible 12 développé et rince comme il a été décrit ci-dessus. Il en résulte une couche 12' du corps résistant photosensible recouvrant seulement le dépit 11 de pentoxyde de tantale amorphe, comme représenté à la figure 6B. Si l'on se réfère à la figure 7, une couche métallisée 13 de contact électrique, telle que le chrome ou ltort d'environ 2000 2, est alors déposée (par exemple au moyen de ltevaporation sous vide) au-dessus de la surface supérieure entière de la couche 2. Utilisant encore le procédé connu de décollement mentionné ci-dessus, la couche résistante photosensible 12t audessus de la couche 11 de pentoxyde de tantale amorphe est retirée, retirant de la sorte la couche de chrome et d'or 13 sur le corps résistant photosensible, mais laissant une couche 13' de chrome et d'or comme représenté i la figure 8A.Le dépit maximum de chrome et d'or d'environ 2000 A doit etre utilisé pour permettre au corps résistant photosensible 12 sous-jacent d'étre retiré. Finalement, comme représenté A la figure 8B, une couche 14 d'argent est déposée par électroplastie au-dessus de la couche restante de chrome et d'or 13' pour porter l'épaisseur de la grille métallique 5 jusqu' 5 microns approximativement. Le contact électrique arrière 8 peut alors titre placé au dos de la couche 3 d'une manière conventionnelle. Une seconde technique convenable pour créer un revêtement antiréflecteur de pentoxyde de tantale amorphe comprend les phases suivantes. Après avoir préparé une lamelle de silicium incorporant les couches requises p et n, une couche de ltéliment tantale est évaporée au-dessus de la surface entière de la cellule solaire. Puis, utilisant la technique du corps résistant photosensible décrite ci-dessus comportant le procédé de décollement, la grille métallique 5 est placée sur l'élément tantale. Puis, le tantale est oxydé A l'état de Ta205 amorphe en utilisant soit le procédé d'oxydation thermique, soit le procédé d'oxydation anodique. La structure résultante est une couche de Ta205 sur la surface supérieure de la cellule solaire à l'exception de la partie située sous la grille métallique où demeure la couche de l'élérnent tantale.En plus des avantages déjN décrits par rapport N la méthode précédente de la présente invention, l'interface de tantale entre la couche supérieure 2 de la cellule solaire et la grille métallique 5 procure un contact électrique excellent pour collecter les porteurs par la grille métallique 5. Une troisième méthode pour créer un revêtement anti-réflecteur de pentoxyde de tantale amorphe comporte les étapes suivantes. D'abord une lamelle de silicium p-n possédant une grille métallique 5 est préparée en utilisant les techniques mentionnées ci-dessus incluant le décollement photolithographique. Puis, l'élément tantale est évaporé au-dessus de la surface entière de la lamelle de silicium p-n et est oxyde comme décrit ci-dessus pour obtenir le pentoxyde de tantale amorphe. Un avantage de cette méthode est la simplicité relative avec laquelle les deux grilles métalliques et le revêtement anti-réflecteur sont placés sur la lamelle de silice.Cependant, en ce qui concerne l'oxydation thermique, les températures d'oxydation relativement élevées peuvent entraîner des inter-réactions indésirées entre la jonction p-n et la grille métallique ou des impuretés inévitables. Toutes les méthodes ci-dessus pour incorporer la grille métallique sur la cellule solaire ont comporté l'utilisation de la technique de décollement par photolithographie, cependant, la présente invention ne doit pas ttre interprêtée comme étant limitée à une telle technique. D'autres techniques convenables pour obtenir une grille métallique, comprenant la technique de la photogravure ou celle de l'évaporation à travers un masque rnêtalîique, peuvent etre utilisées. Si l'on se réfère à la figure 10, on voit qu'on y a représenté un graphique du courant de sortie des cellules solaires en fonction de la tension de sortie de la cellule ainsi que les courbes à rendement constant (puissance de sortie électrique par rapport à la puissance d'entrée de la cellule solaire) pour trois revEtements anti-réflecteurs différents dans des condi tions d'applications spatiales. Les trois revêtements anti-réflecteurs ont été testés avec une cellule solaire au silicium répondant à la lumière dans la région des longueurs d'ondes courtes et équipée d'un chassies protecteur en quartz.Les revStements comprennent : 1) un revetement conventionnel de SiOx utilisé dans les cellules solaires actuelles, 2) un revetement d'oxyde de tantale qui a été déposé sur une cellule solaire par évaporation d'oxyde de tantale et 3) un revêtement de pentoxyde de tantale amorphe selon la présente invention. On peut voir aisément, d'après ce graphique, que le rendement des cellules solaires comportant un re#tentent de pentoxyde de tantale amorphe# est plus élevé d'environ 13,3 j. Ce rendement est sensiblement plus grand que ceux qui peuvent ttre obtenus avec les revetements conventionnels utilisés de SiOx ou d'oxyde de tantale obtenu par évaporation.On doit aussi noter que le chiffre de rendement de 13,3 X ci-dessus pourrait etre accru en rendant la cellule solaire de silicium sensible à la lumière de la région des longueurs d'ondes du rouge, cependant, ceci aboutirait à une dégradation plus rapide d'une telle cellule solaire en raison des dommages causés par ces radiations On comprendra en outre que le revêtement anti-réflecteur selon la 7 rtsente invention est approprié aux cellules solaires répondant aux longueurs d'ondes courtes qui ne possèdent pas de châssis protecteur. L'absence de chipais protecteur peut cependant réduire le rendement représenté à la figure 10 puisque plus de lumière pourrait être réfléchie par le revêtement de pentoxyde de tantale amorphe qu'avec le chassies protecteur actuel. Une diminution comparable des rendements pourrait se produire avec d1 autres types de revetements anti-réflecteurs pour la mCme raison d'accroissement de la réflexion de la lumière. REVEMDICATIONS 10) Cellule solaire répondant N la lumière dans la région des courtes longueurs d'ondes et ccnportant un rev#tement anti-réflecteur au-dessus de la surface de la cellule solaire N travers laquelle la lumière pénètre, caractérisée en ce que ledit revêtement permet sensiblement N toute ladite lumière de courtes longueurs d'ondes de pénétrer dans ladite cellule solaire. 20) Cellule solaire telle que revendiquée en 1 dans laquelle ledit revttement n'absorbe pas et ne réfléchit sensiblement pas ladite lumière des courtes longueurs d'ondes. 3 ) Cellule solaire telle que revendiquée en 2 selon laquelle ladite région des courtes longueurs d'ondes est moindre que 0,5 micron. 4) Cellule solaire telle que revendiquée en 3 selon laquelle ledit revêtement anti-réflecteur comprend le pentoxyde de tantale sensiblement amorphe. 5.) Cellule solaire telle que revendiquée en 4 dans laquelle l'indice de réfraction dudit pentoxyde de tantale est 2,25. 6) Cellule solaire au silicium comportant une première couche d'un premier type de conductivité, une seconde couche d'un second type de conductivité, une jonction peu profonde séparant lesdites première et seconde couches, un premier collecteur de courant au-dessus de la surface supérieure de ladite première couche, un second collecteur de courant au-dessus du fond de la surface de ladite seconde couche, de telle sorte que ladite cellule solaire réponde à la lumière dans la région des courtes longueurs d'ondes et un revetement anti-réflecteur au-dessus de la surface supérieure de ladite première couche dans laquelle ledit revêtement permet sensiblement à toute ladite lumière de courtes longueurs d'ondes de pénétrer dans ladite cellule solaire au silicium sous-jacente. 70) Cellule solaire telle que revendiquée en 6 dans laquelle ledit revêtement anti-réflecteur n'absorbe ni ne réfléchit sensiblement ladite lumière de courtes longueurs d'ondes. 8e) Cellule solaire au silicium telle que revendiquée en 7 dans laquelle ledit revêtement anti-réflecteur comporte du pentoxyde de tantale qui est sensiblement amorphe. 90) Cellule solaire au silicium telle que revendiquée en 8 comportant une grille métallique collectrice de courant sur la surface supérieure de ladite prenière couche et dans laquelle la couche du pentoxyde de tantale n'existe seulement que sur ladite surface supérieure de la première couche qui n1 est pas occupée par ladite grille. 100) Cellule solaire au silicium telle que revendiquée en 8 coinportant ane courliit# lilit pe;Ltoxy.le ie tantale et ane couche de tantale sur la surface supérieure de ladite première couche ainsi qu'une grille métallique collectrice de courant au-dessus de ladite couche de tantale. 11.) Cellule solaire au silicium telle que revendiquée en 8 comportant une grille métallique collectrice de courant sur ladite surface supérieure et une couche dudit pentoxyde de tantale sur ladite surface supérieure et sur ladite grille. 12.) Cellule solaire au silicium telle que revendiquée en 9 dans laquelle l'indice de réfraction dudit pentoxyde de tantale est de 2,25. 13.) Cellule solaire telle que revendiquée en 12 dans laquelle la jonction de la cellule solaire est à environ 1000 au-dessous de ladite surface supérieure. 14-) Procédé de fabrication d'une cellule solaire répondant à la lumière dans la région des courtes longueurs d'ondes comportant un revêtement anti-réflecteur de pentoxyde de tantale comprenant les phases suivantes a) on introduit une iMpureté dans ledit matériau semi-conducteur pour obtenir une première couche d'une conductivité d'un premier type séparée d'une seconde couche d'une conductivité dlun second type par une jonction peu profonde, b) on dépose une couche de l'élément tantale sur la surface supérieure de ladite première couche, c) on oxyde ledit Fleent tantale que l'on transforme en pentoxyde de tantale sensiblement amorphe, et d) on place une grille métallique collectrice du courant au-dessus de la surface supérieure de ladite première couche. 15-) Méthode telle ue revendiquée en 14 dans laquelle la phase d'oxydation comprend une oxydation thermique dudit tantale. 16* thode telle que revendiquée en 15 dans laquelle ladite oxydation thermique se produit lorsque la température est suffisante pour obtenir le pentoxyde de tantale ayant un indice de réfraction de 2,23. 17.) Méthode telle ue revendiquée en 14 dans laquelle la phase d'oxydation est une oxydation anodique. 18e) Méthode telle que revendiquée en 17 dans laquelle l'oxydation anodique intervient pendant une durée suffisante pour obtenir un pentoxyde de tantale ayant un indice de réfraction de 2,25. 19*) Méthode telle que revendiquée en 14 dans laquelle ladite grille est placée au-dessus de la surface supérieure de ladite première couche au moyen de la technique photolithographique de décollement. 20.) Méthode pour créer un revêtement anti-réflecteur et une grille métallique collectrice de courant sur une cellule solaire au silicium répondant à la lumière dans la région des courtes longueurs d'ondes comprenant les phases suivantes a) on place une premier couche d'élément résistant photosensible sur la surface d'une cellule solaire à travers laquelle pénètre la lumière, b) on expose à la lumière ladite première couche de matériau résistant photosensible par l'intermédiaire d'un masque comportant un modèle similaire à celui du modèle de grille désiré, c) on développe et on rince ladite couche de matériau résistant photosensible, d) on dépose une couche de l'élément tantale au-dessus de ladite surface comportant la couche de matériau résistant photosensible qui reste après développement et rinçage, e) on enlève ledit matériau résistant photosensible restant, f) on oxyde ledit élément tantale en pentoxyde de tantale qui est sensiblement amorphe, g) on place une seconde couche de matériau résistant photosensible audessus de ladite surface comportant la couche de tantale oxydé, h) on expose à la lumière ladite seconde couche du matériau résistant photosensible a travers le négatif dudit masque, i) on développe et on rince ladite seconde couche de matériau résistant photosensible, laissant de la sorte une couche de matériau résistant photosensible au-dessus dudit pentoxyde, j) on place une couche de métal convenable pour Cotre utilisé co collecteur de courant au-dessus de ladite surface comportant la couche restante de matériau résistant photosensible, k) on retire ladite couche restante du matériau résistant photosensible. 21') Méthode telle que revendiquée en 20 dans laquelle la phase d'oxydation comprend une oxydation thermique à une température suffisante pour obtenir ledit pentoxyde de tantale. 22B) Méthode telle que revendiquée en 20 dans laquelle l'oxydation thermique intervient à une température suffisante pour obtenir un pentoxyde de tantale ayant un indice de réfraction de 2,25, 23') Méthode telle que revendiquée en 21 dans laquelle ladite oxydation thermique comprend une phase d'oxydation de l'élément tantale initialement à environ 350e centigrade suivie d'une élévation de la température à la température désirée comprise entre 450e et 525' C. 24@) Méthode telle que revendiquée en 20 dans laquelle la phase d'oxydation comporte une oxydation anodique. 25') Méthode telle que revendiquée en 24 dans laquelle l'oxydation anodique comprend 11 utilisation d'un électrolyte organique non aqueux. 20v) Méthode telle que revendiquée en 24 dans laquelle 11 oxydation anodique a lieu pendant un intervalle de temps suffisant pour obtenir un pentoxyde de tantale ayant un indice de réfraction de 2,25. 27 ) Méthode telle que revendiquée en 20 dans laquelle ladite grille métallique comprend du chrome et de ltor. 280) Méthode telle que revendiquée en 27 comprenant un outre le dépôt d'une couche d'argent sur lesdits chrome et or.