Brevet FR2233770A1 — publié le 19750110

L'invention concerne un dispositif de protection d'un circuit de communication comportant un microphone électrodynamique contre les bruits ambiants parasites. On sait qu'un combiné téléphonique est muni d'un dispositif antilocal dont l'objet est de protéger la capsule d'un écouteur contre le signal émis par la capsule microphonique. Mais, dans une ambiance bruyante, de l'ordre de 90 db, l'effet du dispositif antilocal ne couvre pas bien toutes les fréquences, si bien que, même en se bouchant une oreille, un opérateur est gêné par le bruit a résiduel important que le dispositif antilocal laisse parvenir/son écouteur. D'autre part le dispositif antilocal n'empoche pas la transmission sur la ligne du bruit parasite perçu et transmis par la capsule microphonique. Le but principal de l'invention est de supprimer la nuisance provenant du bruit local ambiant. Ce but est atteint, selon l'invention, par le fait que le circuit microphonique comprend un élément résistant d'impédance dynamique variant en sens inverse de la tension du signal émis aux bornes du microphone. L'élément résistant d'impédance dynamique est un ensemble monté en série de deux diodes disposées tête-b8che. n est avantageux que les deux diodes soient deux transistors, chacun d'eux étant monté en collecteur à la base. On voit que le dispositif selon l'invention est applicable à tous les microphones électrodynamiques, c'est-à-dire à la classe de microphones sans alimentation électrique, dont le signal est un signal de tension résultant du déplacement réciproque, sous l'effet des ondes sonores, d'un champ magnétique et d'une bobine ou d'un conducteur. I1 est avantageusement applicable, notamment, aux téléphones dits autogénérateurs, qui sont fréquemment utilisés dans les chantiers, c'est-à-dire dans des ambiances généralement très bruyantes. D'autres avantages et particularités ressortiront de la description, donnée ci-après uniquement à titre d'exemple, de modes de réalisation de l'invention. On se reportera, à cet effet, aux dessins annexés, dans lesquels la figure 1 représente schématiquement un poste téléphonique comportant le dispositif selon l'invention. - la figure 2 représente un premier mode de réalisation du dispositif selon l'invention. - la figure 3 représente un deuxième mode de réalisation du dispositif selon l'invention - la figure 4 est un diagramme donnant la relation entre l'intensité du signal transmis par le circuit mocrophonique du poste de la figure 1 en fonction de la tension aux bornes de sa capsule microphonique. Sur la figure ig une capsule microphonique M est reliée au primaire d'un transformateur T par l'intermédiaire d'un amplificateur de tension k. Une capsule réceptrice E est branchée entre le point milieu 1 du secondaire du transformateur T relié à un fil de la ligne L et un point 2 relie à l'autre fil de la ligne L. Une impédance Z, entre le secondaire du transformateur E et le point 2, contribue, comme il est connu en soi, à constituer un dispositif antilocal. Si l'impédance Z est égale à l'impédance de la ligne L, la liaison 1-2 est équipotentielle en ce qui concerne les signaux en provenance de M. Si le montage était parfaitement correct, les bruits ambiants recueillis par M et amplifiés par A ne seraient pas perçu par E, et les communications devraient être bonnes.Malheu-reusement l'impédance Z n'est pas identique à l'impédance de la ligne, en tout cas pas pour toutes les fréquences, et un bruit résiduel important rend l'écoute pratiquement impossible dans une ambiance bruyante de 90 db par exemple. Par contre, si on ajoute, dans le circuit microphonique comme à la figure 1, un élément D résistant d'impédance dynamique variant en sens inverse de la tension du signal émis aux bornes du microphone, on constate que les signaux parasites provenant du bruit ambiant ne parviennent pas à l'amplificateur A et ne viennent donc perturber ni l'écoute locale ni la transmission de la parole à partir du poste local. Grâce au dispositif D, qui constitue un dispositif affaiblisseur à seuil, le circuit microphonique présente donc une impédance dynamique variant en sens- inverse- du signal émis aux bornes du microphone. Or des essais du demandeur ont montré que le bruit ambiant de l'ordre de 90 db perçu au niveau de la pastille microphonique, y est perçu avec un niveau inférieur de 20 à 30 db à celui de la parole d'une personne parlant près de l'embouchure du microphone. Un dispositif D à seuil conforme à l'invention peut être constitué très simplement par deux diodes au germanium D1 et D2 montés en parallèle tête bêche ou par deux transistors au germanium T1 et 22 montés en superdiode (voir la figure 3) où la base est reliée au collecteur. Les deux courbes de la figure 4 montrent l'évolution de l'intensité du circuit microphonique en fonction de la tension appliquée aux bornes d'une diode OÂ 95 et d'un transistor 2N 1309 monté en "superdiode". On voit que l'impédance dynamique, qui est élevée jusqu'à une centaine de millivolts, devient rapidement très faible au-delà pour le transistor. Pour la diode AO 95 l'évolution est moins nette, mais l'effet d'affaiblissement à seuil est obtenu. Les mesures effectuées avec une pastille microphonique donnée ont montré que cette dernière délivre une tension cr8te de 50 millivolts pour un niveau de bruit ambiant de 90 db ; sous cette tension l'impédance du transistor '1superdiode'1 est voisine de 1250 Ohms ; comme il est placé en série avec la pastille dont la résistance interne est de 50 ohms, le signal appliqué à l'amplificateur est affaibli dans un rapport de 26. Par contre, lorsqu'on parle normalement devant le micro, la pastille délivre une tension crête comprise entre~O,3 et i volt.Comme à 0,3 volt l'impédance du transistor est d'une vingtaine d'ohms, le taux d'affaiblissement n'est plus alors que de 7Q = 1,4 50 Des essais faits par le demandeur ont montré que le montage de la figure 2 rend la conversation possible dans un bruit de plus de 90-db avec un faible affaiblissement et un léger nasillement, mais que le montage de la figure 3 ne donne ni affaiblissement sensible de la parole, ni nasillement. La description faite en regard de la figure i concerne un téléphone autogénérateur à étage d'amplification. I1 va de soi que dans le cas d'un téléphone autogénérateur sans amplification, pour lignes courtes par exemple, le montage de l'élément résistant d'impédance dynamique se fera en série dans le circuit comprenant le microphone et le primaire du transformateur T. REVENDICATIONS 1. Dispositif de protection d'un circuit de communication comportant un microphone électrodynamique contre les bruits ambiants parasites, caractérisé en cé que le circuit microphonique comprend un élément résistant d'impédance dynamique variant en sens inverse de la tension du signal émis aux bornes du microphone. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément résistant d'impédance dynamique est un ensemble monté en série de deux diodes disposée tête-bêche. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les deux diodes sont deux transistors, chacun d'aux étant monté en collecteur à labase. 4. Dispositif de protection du signal d'émission d'un poste téléphonique autogénérateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'élément résistant d'impé- > dance dynamique est disposé en série dans le circuit microphonique. 5. Dispositif de protection du signal d'émission d'un poste téléphonique autogénérateur à étage d'amplification selon l'une quelconque des revendications I à 4, caractérisé en ce que l'élément résistant d'impédance -dynamique est disposé en série dans le circuit microphonique en amont de l'étage d'amplification.