Brevet FR2228300A1 — publié le 19741129

L'invention est relative à des dispositifs semiconducteurs, et plus parti culierement à des structures J:#t-égrées monolithiques ou hybrides de semiconduc teur, présentant une isolation dynamique entre les composantes de circuit fai sant partie de la structure intégré, ainsi qu'à une méthode de fabrication pour de telles structures à circuits intégrés. Un circuit intégré (IC) est une combinaison d'éléments de circuit inter connectés qui sont associés de manière inséparable sur ou dans un substrat continu. Le substrat constitue le matériau support sur lequel et/ou dans lequel un circuit intégré est fabriqué. in général, un circuit intégré est fabriqué dans et/ou une plaquette de ma tériau semiconducteur, d'habitude du silicium, avec des résistances, des conden sateurs, des diodes, transistors etc (suivant le cas) qui sont constitués dans et sur la plaquette. Le corps semiconducteur est, soit en matériau monocristallin, soit constitue par des ilôts monocristallins dans un amalgamme polycristallin, suivant la méthode utilisée pour l'isolation électrique des composantes de cir cuit. Un thyristor est un dispositif semiconducteur d'état solide qui est bista ble, c'est-à-direprésente > et un état à haute impédance, et un état à basse impé dance. Un thyristor est une structure constituée par exemple de quatre couches semiconductrices PNPN. Il peut, en général, être commuté d'un état d'i#pédance à l'autre par un signal de commande appliqué à une des régions de base. Un re dresseur à commutation inverse est un thyristor combiné avec un redresseur pré sentant des régions actives communes avec les régions de base et connecté en parallèle inverse dans le meme corps semiconducteur (voir brevet US 3 584 270 et Ankrum, Semiconductor Electronics , page 535 (1971).Ces dispositifs présen tent des caractéristiques médiocres ou haute fréquence, surtout en ce qui con cerne les états de conductibilité élevée, à cause des régions actives communes. C'est-à-dire, lorsque, soit le thyristor, soit le redresseur est mis dans l'état conducteur, l'autre dispositif ne peut pas subitement maintenir un état de blo cage, avant que les porteurs "trous" sont extraits des régions de base. De ce fait, ce dispositif connu est limité à des applications en basse fréquence. Le tliyristor peut être utilisé comme commutatèur pour du courant alterna tif. Les plus connus de ces commutateurs sont le "diac", un commutateur à diode à deux bornes et le triac, un commutateur à trois bornes dans lequel une des bornes est reliée à l'électrode de con-mande. De tels thyristors sont des struc tures à couches multiples équivalents à deux thyrisors connectés en parallèle, inverse, réalisées dans un seul bloc (voir Ânkrum Semiconductor Electronics pp 531-32 (1971). Ces dispositifs présentent des propriétés médiocres en haute fréquence à cause des régions actives qui sont communes aux thyristors équiva lents.Ces régions doivent être dans un état conducteur pendant une demi-période du courant alternatif et dans l'état bloqué pendant l'autre demi-periode. Slais- l'état bloqué ne peut pas être établi dans un des thyristors avant que les por teurs "trous" ne sont pas extraits de la région de base commune du dispositif. A cause de ces handicaps dans la vitesse de commutation, des thyristors bilatéraux, des redresseurs à commutation inverse et les thyristors à commuta- tion inverse n'ont connu qu'un usage limité. Pour obtenir des commutateurs à courant alternatif pour modulation en haute fréquence on a connecté en parallè- le, inverse des thyristors. Au lieu d'un redresseur à commutation inverse ou un thyristor à commutation inverse, sous forme de circuit intégré on a connecté en parallèle, inverse un thyristor et un redresseur équivalents séparés. Ces circuits à composantes séparées ne souffrent pas des inconvénients des disposi tifs à circuit intégrés, mais ils ne profitent pas des avantages de la réduction du coût et de la dimension et de l'augmentationde la fiabilité qui sont propres aux circuits intégrés. Le but principal de l'invention sont des structures intégrées de semicon ducteur dnas lesquelles les inconvénients ci-dessus mentionnés sont fortement réduits ou éliminés. L'invention consiste en une structure de semiconducteur à circuit intégré, comprenant une première composante, capable de fnnctionner dans un étal de modu lation de conductibilité à haute densité de porteurs, et une seconde composante présentant au moins une région semiconductrice active en commun avec la première composante, caractérisée en ce que pour éviter, ou au moins réduire tout trans fert d'une modulation de conductibilité à hante densité de porteurs de la pre mière composante vers la deuxième composante, on établit une isolation dynami que à l'aide d'une zone irradiée dans la dite, ou dans chaque région semiconduc trice commune et entre la dite première et seconde composante > - la dite zone irradiée présentant un taux de recombinaison de porteurs injectés plus grand que le reste de la dite, ou de chaque région semiconductrice. L'invention permet la fabrication de circuits intégrés nouveaux, capables de commander une puissance élevée et se comportant bien en haute fréquence.Par exemple, il est possible de produire des redresseurs à commutation inverse des thyristors à commutation inverse et des thyristors bilatéraux présentant une vitesse de commutatiorlplus rapide et des comportements meilleursen haute fore . quence que ce que l'on pouvait obtenir dans de tells structures circuit inté gré. La région active commune d'une première composante dans l'état conducteur ne doit pas drabord être libérée des porteurs pour établir l'état bloqué dans la seconde composante. L'isolation dynamique à l'aide d'une zone irradiée est de préférence obte nue en recouvrant par une cache au moins une des grandes surfaces de la struc ture de circuit intégré pour la marquer par rapport à une source de rayonnement appropriée. Ensuite, la partie ou les parties de la structure de circuit intégré non couvertes par la cache est irradiée ou sont irradiées par la source de rayonnement afin d'accroître le taux de recombinaison des porteurs injectés dans la zone irradiée des régions semiconductrices communes entre les cor.posantes, sans pour autant y accroître le taux de production de porteurs. De préférence, l'épaisseur totale de la région semiconductrice commune ou des régions entre les composantes est irradiée; cependant, cela n'est pas nécessaire pour réaliser l'invention. La quantité de rayonnement peut dépendre de la modulation de la conductibilité à densité de porteurs donnée qui est à isoler et de la tolérance adrLise pour des pointes de courant de la deuxième composante Afin d'obtenir une recombinaison de porteurs suffisante dans le but de réduire la la conductibilité due la densité-des porteurs atteignant la deuxième composante jusqu a en dessous du niveau de commande.Il peut être bon, dans certaines applications d'irradier les parties à travers les deux grandes surfaces de la structure de semiconducteur à circuit intégré, soit d'abord de l'une et après de l'autre, soit simultanément des deux cotés. Une source de rayonnement préférée pour la présente invention est une source de rayonnenent électronique puisqu'elle peut etre obtenue à bon marché. De plus, le rayonnement électronique (ou rayonnement gamma) peut être préféré dans certaines applications où seulement des atomes isolés ou de petits groupes d' atomes dans le réseau de semiconducteur doivent être atteints. D'autres rayonnements nucléaires peuvent être utilisés, cela dépend de la perturbation désirée du réseau et de la disposition géométrique. Par exemple des rayonnements de neutrons, protons et alpha produisent des régions superficielles fortement perturbées.Ce dernier type de rayonnement peut cependant être choisi dans certainesapplications à cause de l'étendue de la perturbation mieux définie et de là profondeur de perturbation de réseau qui peut etre réglée, par exemple dans les dispositifs silicium sur saphir. Il semble que n'importe quelle sorte de rayonnement peut convenir pourvu qu'elle puissebombarder et rompre le réseau atomique et engendrer des niveaux unergétiques qui réduisent de manier sensible la durée de vie des porteurs dans les régions actives communes sans y augmenter en meme temps le taux de production des porteurs. D'autre part, les niveaux de rayonnement se situent de préférence environ autour de 1 et 3 !eV. Il faut supposer que des-niveaux de rayonnement plus bas amènent principalement des collisions élastiques avec le réseau atomique et de ce fait ne produisent pas une perturbation suffisante du réseau dans un temps économique. Cn rayouneinent plus haute énergie semble créer un dommage trop grand au réseau atomique et porter préJudice à d'autres caractéristiques électriques du dispositif. On a constate que des dosages de rayonnement au dessus de 1. 1ou4 électrons cn:2 et de préférence au dessus de 5.1014 électrons/cm2 sont suffisants. Des dosages plus faibles n'ont pas augmenté de manière sensible le taux de recombinaison des porteurs injectés pour créer une isolation dynamique suffisante dans la plupart des circuits intégrés. Inversement le dosage de rayonnerent ne dépasse pas, de préférence, 1 x 1016 électrons/cm2, le dosage précis dépendant du degré d'isolation désiré pour la deuxième composante. L'invention est expliquée ci-dessous par rapport à des exemples d'exécution, en se référant au dessin annexé. Dans ce dessin, Figure 1 est une vue en élévation d'une coupe à travers une structure de circuit intégré comprenant un redresseur à commutation inverse ou un thyristor à commutation inverse, suivant l'invention; Figure 2 est une vue en élévation d'une coupe à travers une structure de circuit intégré comprenant un diac suivant l'invention, et Figure 3 est une vue en élévation d'une coupe à travers une structure de circuit intégré comprenant un triac suivant l'inventinn. La structure de circuit intégré suivant figure 1 est réalisée dans un corps de semiconducteur 10, monocristallin, présentant les grandes surfaces 11 et 12. La première composante de la structure est un thyristor 13 annulaire autour d'une diode (14) disposée dans l'axe, en parallèle inverse. La diode 14 possède une région cathodique à impuretés du type Net une région anodique 16 à impuretés du type P, respectivement à l'endroit des grandes surfaces Il et 12, tandis que, intercalée dans le corps 10 est formée une jonction 17. La région cathodique 15 et la région anodique 16 sont des régions actives communes avec les région de base anodique 18 et région de base cathodique 19, respectivement, du thyristor 13. Le thyristor 13 possède une région annulaire d'émetteur anodique 20 à impuretés du type P et une région annulaire d'émetteur cathodique 21 à impuretés du type N contigues aux grandes surfaces 11 et 12 respectivement, tandis que, dans l'intérieur du corps 10, sont formées des jonctions PN 22 et 23 avec les régions 18 et 19 respectivement. Le thyristor 13 et la diode 14 sont branchées en parallèle, inverse, ou en antiparallèle au moyen des contacts métalliques 24 et 25. Les contacts 24 et 25 sont de preference etablis au moyen d'un dépôt obtenu par projection ou évaporation dSun métal convenable, tel qu'aluminium sur les surfaces 11 et 12 respectivement . Ainsi le contact métallique 24 établit un contact galvanique avec la cathodique 15 et la région d'émetteur anodique 20, tandis que le contact métallique 25 établit un contact galvanique avec la région anodique 16 et la région d'émetteur cathodique 21. Pour réaliser l 'irradiation suivant un patron déterminé du redresseur à commutateur inverse, selon l'invention, on recouvre les éléments thyristor 13 et diode 14 par un écran 26 qui permet d'exposer une portion annulaire entre les deux éléments. Pour ce faire, l'acran 26 possède un sillon annulaire 27 de sorte que dans une partie amincie 2b, l'épaisseur de l'écran 26 est réduite pour juste maintenir son intégrité matérielle; l'épaisseur de la partie 28 est d'environ o. 125 à ().25 ng, ainsi, cette partie 28 est sensiblement transparente, sans dispersion, pour les rayons d'une source de rayonnement appropriée.Les portions de la surface 12 en dessous de la partie 20 doivent donc être considérées comme non masquées tandis que les autres portions de la grande surface 12 sont effective#nt manquées par l'écran 26. L'écran 26 est en n importe quel matériau de densité et épaisseur suffisantes pour être opaque vis-à-vis du rayonnement particulier choisi. Pour un ray onnenient d'electrons, l'écran 26 peut être en acier au carbone standard d'environ b > 2mm d'épaisseur, ou en tungstène ou plomb d'environ 4mm d'épaisseur. L'écran 26 est posé sur le contact métallique 25 de sorte qu'après l'irradiation, il peut seulement être enlevé et réutilisé pour des irradiations ultérieures. Après le recouvrement par I'écran, des portions annulaires 29 des régions actives communes 15, 18 et 16,19 entre le thyristor 13 et la diode 14 sont irra diées par des rayons 30 afin d'y augmenter le taux de recombinaison, sans pour autant augmenter de manière correspondante le taux de procréation de porteurs. L'irradiation peut être effectuée par n'importe quel rayonnement approprié, dont le choix dépend de la composition du corps semiconducteur 10 et de la profondeur de pénétration désirée dans le corps semiconducteur 10. La source de rayonnement est par exemple un faisceau électronique d'une énergie comprise entre 1 et 3 'ric, engendré par un générateur Van de Graaf, capable de produire des dosages entre, de préférence, environ 1.1014 et 1.1016 électrons par ci.2 . Comae dit plus haut, le rayonnement electronqiue est choisi de préférence à cause du fait qu'il peut être obtenu facilement et-à bon marché. De plus, le rayonnenent électronique (et le rayonnement gamma) peut être préféré dans certaines applications où les dimensions de la portion irradiée doivent être déterminées avec une tolérance élevée, par exemple moins de 5 microns et/ou la perturbation désirée du reseau de semiconducteur doit atteindre des atomes isolés ou de petits groupes d'atonies. Cela est en opposition avec le résultat de rayon nements neutroniques, protoniques ou alpha qui, au contraire, produisent des régions perturbées de quelques centaines d'atomes dans le cristal semiconducteur et qui subissent une dispersion appréciable le long des bords des réions non raquées. Le dernier type de rayonnement peut, cependant, être avantageux dans certaines applications, à cause du dosage mieux défini, et d'un meilleur contrôle de la profondeur de la perturbation du réseau. Le rayonnement électronique est en général plus avantageux que le rayonnement gamma, parce qu'il permet d'obtenir des dosages convenables dans des temps relativement courts. Un dosage adéquat de rayons gamma peut nécessiter plusieurs semaines, tandis que le même dosage peut être obtenu au moyen d'un rayonnement électronique,en quelques minutes De plus, comme déjà dit plus haut, le dosage de rayonnement dépend de la densité des porteurs dans ltétat conducteur dans la première composante et de la densité de porteurs admissible dans l'état de blocage dans la deuxième composante de circuit. De préférence, la portion irradiée s'étend à travers toute l'épaisseur des régions actives communes.Si donc, comme c'est le cas ici, les régions actives communes s'tendent à travers toute l'épaisseur du corps de semiconducteur 10, il est logique d'irradier aussi bien à partir de la grande surface 11 masquée, qu a partir de la grande surface 12 masquée comme décrit ci-dessus. Cependant, cela peut donner lieu à des défauts d'alignement, si l'irradiation se fait en deux temps pour les deux côtés. Dans ces circonstances, il est donc préférable d'irradier simultanément les portions 29 à partir des deux surfaces 11 et 12 masquées de manière appropriee. Le redresseur à commutation inverse est apprécié surtout dans la technique des impulsions à cause de son di/dt élevé et la rapidité de la commutation. En direct, le dispositif conduit comme un redresseur à jonction normale à travers la diode 14. En direction inverse, le dispositif bloque pour des tensions en dessous du seuil pour lequel le thyristor commute dans l'état de basse impédance, où il conduit jusqu'à ce que le courant tombe en dessous du seuil de maintien. Le dispositif peut donc être utilisé comme hacheur, onduleur ou modu lateur de réseau dans lequel le blocage inverse du thyristor n'est pas souhaité ou dans lequel on désire la conduction inverse. Le redresseur à commutation inverse en circuit intégré, irradié, suivant la présente invention permet de réaliser des modulations à fréquence élevée et est utilisable en haute fréquence et pour commutation rapide ainsi que dans des applications à des puissances où jusqu a présent, il n'était pas possible d'utiliser des dispositifs semblables. L'inconvénient des dispositifs connus était le fait que dans des applications à puissance élevée une modulation de la conductibilité à haute densité de porteurs est rencontré en direct, ce qui, lors de la commutation engendre trop tôt l'état conducteur du thyristor à cause des porteurs traversant les régions actives communes.Dans les dispositifs suivant l'invention, les portions irradiées, annulaires 29 des régions actives communes autour de la diode 14 empêchent la dispersion latérale du plasma à haute densité de porteurs de sorte qu'il n'atteint pas le thyristor 13. Plutôt, la portion irradiée 29 constitue une isolation dynamique de la région modulée à conductibilité a haute densité de porteurs en l'entourant d'une région dans laquelle existe un taux de recombinaison élevé pour des porteurs injectés, sans qu'il y existe u un taux de procréation correspondant de porteurs.Les porteurs sont donc recom binés dans la portion 29 et n'atteignent pas les régions de base de thyristor où ils pourraient basculer trop tôt le thyristor dans l'état conducteur Le dispositif suivant la présente invention peut être utilisé aussi pour la fabrication d'un thyristor à commutation inverse, représenté aussi par la coupe suivant la figure 1. Il suffit de modifier les contacts et de scinder de ce fait de manière adéquate la légion d'émetteur cathodique 21. Ainsi, le contact 25 est fendu de sorte que des contacts ohmiques séparés sont constitués pour la région anodique 16 et la région d'émetteur cathodique 21.La région d'émetteur cathodi que 21 est aussi espacée de la portion irradiée 29, de sorte que un contact de commande ohmique peut être réalisé sur la surface 12 vers la région cathodique de base entourant la portion 29. Il convient de noter à ce sujet qu'en alternative, la diode peut être dis posée en anneau autour le thyristor en lieu et place de la disposition montrée au dessin, et former soit un redresseur à commutation inverse ou un thyristor à commutation inverse selon la présente invention. De plus, des shunts peuvent être prévus entre les régions d'émetteur 20 et 21 et des concentrations de dopage élevées peuvent être prévues dans la région cathodique 15 et/ou dans la région de base anodique 18,afin d'optimiser et d'adapter les caractéristiques des composantes comme souhaité. Suivant la figure 2, un thyristor bidirectionel (souvent appelé diac) est constitue par un circuit intégré selon l'invention. Le circuit est formé dans un corps de semiconducteur monocristallin 40 présentant des grandes surfaces 41 et 42 opposées. Le dispositif possède comme premiere composante un thyristor 13 entourant annulairenent un thyristor 44 disposé dans l'axe en parallèle inverse. Le thyristor 44 possède des régions d'émetteur cathodiques 45 avec des im- puretés de type iw, et d'émetteur anodique 46 avec des impuretés de type P conti gues aux surfaces 41 et 42 respectivement. Des régions de base cathodique 47, avec des impuretés da type P, et anodique 48, avec des iuretes de type N, sont intercalées entre les régions d'émetteur 45 et 46, à l'intérieur du corps 40. Ainsi une structure à 4 couches de forme circulaire est constituée dans le corps 4O, présentant une jonction 49 entre émetteur cathodique et les régions de base cathodiques 45 et 4b, une jonction PN 50 entre la base cathodique et les régions de base anodiques 47 et 45, et une jonction PN 51 entkla région d'émetteur ano dique et les régions de base anodiques 46 et 48. Le thyristor 43 possède une région d'émetteur cathodique 52 avec des impu retés dy type N et une région d'émetteur anodique 53 avec des impuretés du type P, contigues aux grandes surfaces 42 et 43 respectivement Une région de base cathodique 54 avec des impuretés de type P et une région de base anodique 55 avec des impuretés de type N sont infercalées entre les régions d'émetteur 52 et 53 à l'intérieur du corps 40.Ainsi une structure à quatre couche PNPN de forme annulaire est constituée dans le corps de semiconducteur 40 avec une jonction PN 56 entre l'émetteur d'anode et les régions de base anodiques 52 et 54, une jonction PN 57 entre la base cathodique et les régions anodiques de base 54 et 55 et une jonction PN 58 entre l'émetteur d'anode et les régions anodiques de base 53 et 55. On obtient ainsi des thyristors 43 et 44 inversés l'un par rapport à 1' autre dans le corps de semiconducteur 40. Les thyristors possèdent des régions actives communes 47 et 53; 48 et 55 et 46 et 54 respectivement. Les thyristors 43 et 44 sont connectés en parallèle inverse au moyen des contacts métalliques 59 et 60. Les contacts 59 et 60 sont formés de préférence par projection ou vaporisation d'une couche d'un métal convenable tel que 1' aluminium sur les surface 41 et 42. Le contact métallique 59 établit un contact galvanique avec la région d'émetteur cathodique 45 et la région d'émetteur anodique 53, tandis que le contact métallique 60 établit un contact falvanique avec la région d'émetteur anodique 46 et la région d'émetteur cathodique 52. L'irradiation du diac suivant la présente invention est réalisée après avoir masqué les thyristors 43 et 44 à l'aide d'un écran 61 qui laisse subsister une partie transparente. L'écran 61 possède un sillon annulaire 62 où se trouve une partie amincie 63 pour maintenir son intégrité matérielle, tandis que la partie amincie reste transparente et sans dispersion par rapport à une source de rayonnement appropriée. Les portions de la surface 42 contigues à la partie amincie 63 sont donc à considérer comme exposées et non masquées, tandis que les autres portions de la surface 42 sont effectivement masquées par l'écran 61. L'écran 61 est constitue par tout matériau convenable de densité et épaisseur suffisante afin d'être opaque aux rayons de la source utilisée.Pour un rayonnement électronique, l'écran 61 peut être en acier au carbone atandard d'environ 6,25mu d'épaisseur ou en tungstène ou plomb d'environ 4mm d'épaisseur. L'écran 61 est mis en contact avec le contact métallique 60 de sorte qu'après l'irradiation, il peut être enlevé simplement pour reutilisation ultérieure. Après l'application de ltecran, la partie annulaire 64 des régions actives 47-53, 48-55 et 46-54 est irradiée au moyen d'une source de rayonnement 65 appropriée afin d'accroître le taux de recombinaison des porteurs injectés dans la partie 64, sans pour autant augmenter de manièe correspondante le taux de procréation de porteurs, comme déjà décrit par rapport à la figure 1. Le diac est utilisé surtout comme commutateur bilatéral. Le dispositif bloque dans le sens direct jusqu'à ce que la tension appliquée dépasse la tension d'amorçage de l'avalanche des jonctions bloquées du thyristor 44. A ce moment le thyristor 44 commute dans l'état de basse impédance où il conduit jus qu à ce que le courant est réduit en dessous du seuil de maintien. En direction inverse le dispositif bloque jusqu a ce que la tension appliquée dépasse la tension d'amorçage de l'avalanche des jonctions polarisées inversement du thyris tor 44. A ce moment le thyristor 44 commute dans l'état de basse impédance où il conduit jusqu'à ce que le courant est réduit en dessous du seuil de maintien. De tdls commutateurs bilatéraux sont utilisés pour la commande de généra- teurs de courants alternatiîs à puissance élevée L'inconvénient des dispositifs connus réside dans le fait que dans une application pour puissance élevée, la modulation de la conductibilité à haute densité de porteurs à l'état conducteur commande l'autre transistor trop tôt, lors de la commutation, suite à des pointes de courant à travers les régions actives communes. La présence de parties annulaires 64 dans les régions à impuretés communes empêche la dissipation latérale vers l'autre transistor de la modulation de la conductibilité à haute densité de porteurs.Au contraire, les portions irradiées 64 isolent dynamiquement l'état de conduction à haute densité de porteurs en l'entourant d'une région où les por teurs de "trous" injectés sont rapidement reconstitués, de sorte qu'ils n'ttei- gnent les régions de base de l'autre thyristor et ne le basculent pas trop tôt dans l'état conducteur. A la figure 3 un commutateur à courant alternatif ou thyristor bidirectionnel (souvent appelé triac) est constitué dans un circuit intégré suivant la présente invention. Le triac est composé en principe des mêmes composantes que le diac décrit par rapport à la figure 2, sauf quelques modifications De ce fait, les références de la figure 3 portent des primes afin d'indiquer les éle- ments et composants similaires. Les modifications sont: le contact métallique 59' fait contact seulement avec le thyristor 44' et ne s'étend pas sur toute la grande surface 41'; le conviez de remarquer que la région d'émetteur cathodique 45' est plus petite en diamètre de sorte que le contact métallique 59' est en contact galvanique, et avec la région d'émetteur cathodique 45', et avec la région de base cathodique 47' à l'intérieur des limites de la portion irradiée annulaire 64'. De plus, une région de commande annulaire 66 est constituée contigue à la grande surface 41' autour de la portion irradiée et formant une jonction PN 68 avec la région d'émetteur d'anode 53' afin de permettre la commutation à distance. Au reste , une électrode de commande 67 est disposée en anneau autour de la portion 64' afin d'établir un contact galvanique avec l'électrode de conmande à distance 66 et la région d'émetteur anodique 53'. En sens direct le triac fonctionne comme un thyristor normal, polarisé pour conduction directe, commande à l'aide d'une électrode aux régions de base 47-53'. En direction inverse le triac est commuté par commande à distance.c'est-à-dîre si l'électrode de commande 67 est par exemple rendue négative par rapport au contact 59' , des électrons sont injectés à partir de la région de commande 66 vers la région P 47'-53' et diffusés vers la jonction PN 50'-58' où ils sont collectés. Les électrons collectés abaissent le potentiel de la région 48'-55' par rapport à celui de la région 47'-53' (par exemple la polarisation en sens direct de la jonction 50'-58' est augmentée) de sorte que des trous sont injectés à partir de la région 47'-53' vers la région 48'-55'. Ces trous diffusent à travers la région 48'-55', sont collectés par la jonction PN 51'-59', augmentent le potentiel de la région 46'-54' par rapport à celui de la région 52' et augmentent la polarisation en direct de la jonction PN 56'.Cela entraîne une injection d'électrons à partir de la région 52' vers la région 54'. Ces électrons diffusent vers la fjonction PN 571 ou ils sont collectés et abaissent le potentiel de la région 55'-48' de sorte que davantage de trous sont injectés à partir de la région 53'-47' vers la région 55'-48'. Ce processus continue jusqu a ce que le thyristor 43 commute dans l'état conducteur. Il est donc possible de commander le triac dans ltetat conducteur dans l'un ou l'autre sens par un courant de commande négatif pour un potentiel négatif entre le contact 59' et le contact 60', ou par un courant de commande positif pour un potentiel positif entre le contact 59' et le contact 60'.Ces polarités sont particulièrement avantageuses pour la commande, mais n'importe quelle polarité peut commuter le triac dans l'état conducteur, quelle que soit la polarité de latension appliquée, cependant les polarités ci-dessus nécessitent des courants de commande plus faibles. Comme pour le diac, on peut constater que la portion irradiée 64' évite le basculement mal a propos d'un thyristor dans l'état conducteur lors de la commutation1 lorsque l'autre thyristor se trouve encore dans l'état conducteur. Ici aussi, l'isolation dynamique de la modulation de courant est obtenue par la recombinaison de porteurs dans la portion irradiée. Tandis que des dispositifs préférés ont été montrés et décrits en détail, il est expressément stipulé que l'invention peut êtr- utilisée et. appliquée de manière diverse comme défini dans les revendications ci-dessous. REVENDICATIONS I. Structure de semiconducteur à circuit intégré comprenant une première comme posante, capable de fonctionner dans un état de modulation de conductîbilité à haute densité de porteurs, et une seconde composante présentant au moins une région active semiconductrice, commune avec la première composante, caractérisée en ce qu'une isolation dynamique permettant d'éviter ou au moins réduire tout transfert d'une nodulation de conductibilité à haute densité de porteurs de la première composante vers la seconde composante est engendrée à l'aide d'une zone irradiée dans la dite oudans chaque région semiconductrice commune et entre les dites première et deuxième composante, la dite zone irradiée présentant un taux de recombinaison de porteurs injectés plus élevé que dans le reste de la dite ou de chaque région semiconductrice, commune. 2.Structure de circuit intégré, suivant la revendication 1, caractérisée en ce que la première composante est un premier thyristor, et la deuxième composante est un deuxième thyrisotr disposé en parallèle, inverse par rapport au premier thyristor, afin de constituer avec la première composante un thyristor bidirec- tionnel. 3. Structure de circuit intégré, suivant la revendication 1, caractérisée en ce. que la première composante est un thyristor et la deuxieme composante est une diode disposée en parallèle, inverse par rapport au thyristor et présentant des régions actives, semiconductrices en commun avec les régions de base du thyristor, et constituant avec la premiere composante un redresseur à connuta- tion inverse. 4. Structure de circuit intégré à semiconducteur comme décrit ci-dessus en se référant au dessin annexé par rapport à la figure 1, la figure 2 ou la figure 3 de celui-ci. 5. :Iethodé de fabrication d'une structure de circuit intégré à semiconducteur suivant une des revendications précédentes, caracterise en ce qu'elle comprend les étapes suivantes: recouvrir au moins une des grandes surfaces de la structu Ire par un masque découpé suivant un patron détermine permettant de constituer des zones irradiées dans la dite ou chaque région semiconductrice et exposer la dite surface ou claque surface portant le masque aux rayons d'une source de ray onner-en t. 6. .1ethode suivant la revendication o, caractérisée en ce que la surface por tant le masque est exposée à des rayon électroniques de 1 à 3 ffl V. 7. léthode suivant la revendication 6, caractérisée par un dosage de rayonne ment entre 1,1ù14 et 1.1u16 électrons par centimetre carre. o. Iléthode de fabrication d'une structure à circuit intégré à semiconducteur suivant la revendication 1 conrne décrit ci-dessus, en se référant aux dessins annexe.