Brevet FR2202052A1 — publié le 19740503

La présente invention concerne les compositions à base de grenat destinées à des dispositifs de propagation de domaines magnétiques, des ensembles comprenant de telles compositions et leur procédé de réalisation. L'invention concerne plus précisément mais non exclusivement des dispositifs et des matières destinés à réaliser des manipulations logiques numériques par conservation ou propagation de domaines magnétiques cylindriques dans de minces couches monocristallines de matière ferrimagnétique, ainsi que des matières magnétiques actives de la famille Y3~xGdxAlxFe5~yo12 0i2 > destinées à un dépit épitaxial sur des matières non magnétiques de substrat telles que Gd3Ga5012, ainsi que des procédés de préparation de tels dispositifs et de telles matières. On a déjà formé des domaines magnétiques de configur ration sensiblement cylindrique à ltétat isolé dans des plaques relativement minces de certaines matières anisotropes uniaxes par exemple dans des ferrites, et on les a manipulés de manière qu'ils remplissent les fonctions logiques demandées par des ordinateurs, par exemple des fonctions de mémoire, des fonctions logiques ou de transfert de données. L'anisotropie uniaxe étant perpendiculaire au plan de la plaque mince, la matière de celleci présente des axes-favorable et défavorable d'aimantation. Les domaines cylindriques se comportent comme des volumes isolés dans lesquels la polarisation magnétique de la matière ferrimagnétique est inversée par rapport à la direction d'aimantation du reste de la matière, les vecteurs d'aimantation étant orientés préférentiellement en direction perpendiculaire au plan de la plaque~ Les domaines cylindriques sont caractérisés par des degrés de stabilité dimensionnelle dans certaines circonstances, en dehors desquelles les domaines sont comprimés ou dilatés de façon aléatoire, les domaines les plus petits ayant tendance à s'écraser sur eux-mêmes et à disparattre. Dans le cas d'une plaque d'épaisseur optimale, un champ magnétique prédéterminé de polarisation assure la présence de domaines stables souhaitables de petit diamètre dans une plaque ferrimagnétique, avec une densité d'énergie stable aux parois des domaines. Comme les domaines magnétiques présentent une stabili té de position et de dimension dans les conditions appropriées, ils peuvent facilement réaliser leurs fonctions de mémoire. Dans le cas de domaines stables de petit diamètre, la mémoire peut titre obtenue avec une densité élevée de bits. D'autres fonctions telles que la transmission d'un bit de données peuvent être réalisées par exemple par déplacement d'un domaine d'une première à une seconde position, par excitation rapide d'une boucle magnétique convenablement disposée par exemple. Ainsi, les registres à décalage ou d'autres outils logiques numériques peuvent etre réalisés. La densité d'énergie aux parois et le moment magnétique 4fMs sont des paramètres qui influent sur le plus petit diamètre des domaines cylindriques stables, le paramètre M5 représentant l'aimantation à saturation de la matière qui comprend les domaines. La sensibilité aux variations de la température de travail et aux autres paramètres rend souvent les domaines de petite dimension avantageuse instables dans de nombreuses matières, si bien que l'utilisation de dispositifs motteux de réglage de la température ou autres est nécessaire. De nombreuses matières qui donnent satisfaction à certains égards, présentent une faible mobilité des domaines, la vitesse de propagation du domaine magnétique pour un champ prédéterminé de polarisation magnétique étant faible. Par exemple, les grenats connus de fer et des éléments des terres rares, réalisés par les procédés classiques, ont des mobilités de l'ordre de 200 cm/s.0e. Ces matières ainsi que d'autres font souvent apparaître des variations de l'anisotropie magnétique. Certaines des caractéristiques souhaitables des matières ferrimagnétiques connues sont détériorées par des imperfections sérieuses de la matière, apparaissant au cours du procédé de préparation utilisé normalement, que 7a plaque ferri- magnétique soit préparée par procédé en solution à température élevée ou par fusion sous flux. De nombreux petits monocristaux peuvent être préparés dans la plaque et la majorité de ceux-ci peut avoir des inclusions importantes de solvant, si bien que le produit a des caractéristiques magnétiques relativement faibles et n'est pas uniforme. Le manque d'uniformité est souvent aggravé par les procédés de coupe et de polissage utilisés au cours des dernières étapes de la préparation de telles plaques minces avant utilisation réelle.Les monocristaux à partir desquels les plaques minces ont été réalisées avec un certain succès sont habituellement formés par croissance soit par mise en oeuvre d'une technique à flux fondu, soit à partir d'une solution aqueuse. Lorsqu'un monocristal est formé de façon satisfaisante par mise en oeuvre d'un tel procédé, il doit entre préparé en vue d'être découpé suivant l'orientation cristallographique souhaitée, et chaque lamelle doit étre polie de manière qu'elle forme une plaquette mince. Enfin, les rayures qui peuvent etre formées par inadvertance au cours des premières étapes du polissage peuvent etre retirées, car elles peuvent perturber le déplacement voulu des domaines magnétiques. L'invention concerne une composition de grenat destinée à des dispositifs à propagation de domaines magnétiques de formule Y3#xGd AlyFe5#yO12 dans laquelle x a une valeur comprise entre 1 et 1,5 environ, et y a une valeur comprise entre 0,7 et 1,2 environ. L'invention concerne aussi une structure destinée à etre utilisée dans des dispositifs à propagation de domaines magnétiques, comprenant un substrat non magnétique en une matière de formule Cd3Ga5012, et une couche d'un grenat favorisant la formation des domaines magnétiques et formée par croissance épitaxiale sur le substrat non magnétique, le grenat ayant une composition de formule Y3-xGdxAlyFe5-yO12 dans laquelle x a une valeur comprise entre 1 et 1,5 environ et y a une valeur comprise entre 0,7 et 1,2 environ. L'invention concerne aussi un procédé de formation par épitaxie d'une couche de grenat favorisant la formation de domaines magnétiques sur une couche de substrat en grenat non magnétique, ledit procédé comprenant le mélange de quantités prédéterminées de matière de formation de grenat, l'addition à ces matières de quantités prédéterminées d'au moins une matière constituant un fondant ou flux de manière qu'il se forme un.mélange de ces matières, le chauffage du mélange à une température nettement supérieure à la température de fusion, pendant un temps suffisant pour que les matières soient totalement fondues et dissoutes, la mise en suspension d'un échantillon de Gd3Ga5012 destiné à former la couche de substrat, au-dessus de la surface du mélange fondu, dans une région dont la température est inférieure de 4 à 100 à celle du mélange fondu de manière que l'échantillon de Gd3Ga5012 atteigne pratiquement la température de ladite ' ' région, l'immersion de ltéchantillon de Gd3Ga5012 dans le mélange fondu de manière qu'il se forme par épitaxie à la surface une mince couche de grenat favorisant la formation des domaines magnétiques et le retrait de l'échantillon de Gd3Ga5012 du reste de mélange fondu lorsque la couche de grenat favorisant la formation des domaines magnétiques a atteint une épaisseur prédéterminée. L'invention concerne aussi des éléments logiques à domaines magnétiques mettant en oeuvre les matières et des combinaisons des matières de l'invention pour la propagation de domaines magnétiques cylindriques, dans des dispositifs de traitement ou de calculateur numérique. Les matières magnéti ques actives sont Y3 xGdxAlyFe5 Al Fe O formées par épitaxie. sur x y 5-y 12 des substrats non magnétiques tels que Gd3Ga5012. De plus, l'invention concerne des procédés de préparation de telles matières et de dépôt épitaxial de celles-ci au cours de la formation d'éléments logiques perfectionnés ayant deux couches. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels - la figure 1 représente un dispositif dont le fonctionnement repose sur la création et la propagation de domaines magnétiques cylindriques uniques dans des matières selon l'invention - la figure 2 est une élévation, en coupe partielle, d'un four utilisé pour la formation par épitaxie du dispositif de la figure 1 ; et - la figure 3 est un diagramme facilitant la compréhension du fonctionnement du four de la figure 2. Dans son mode de réalisation préféré, l'invention met en oeuvre une couche 1 formant un substrat et une couche 2 de translation et de conservation de domaines magnétiques actifs, ayant une interface, commune 3, chaque couche ayant une nature particulière et des caractéristiques particulières décrites dans la suite. La couche 2 a une face supérieure 4 opposée à l'interface 3 et normalement associée à certains éléments classiques de détection et d'excitation de domaines. La couche 2 peut être de manière générale le lieu des diverses opérations logiques numériques précitées, telles que décrites en détail dans des brevets et dans la littérature technique. On peut par exemple se référer à l'article 'Properties and Device Applications of Magnetic Domains in Orthoferrites", The Bell System Technical Journal, vol.XLVI, n08, 1967, pages 1 901 à 1 925. La figure 1 représente de façon générale une configuration très simple correspondant uniquement à une partie d'un ensemble relativement important formant un réseau comprenant une couche 2 de translation ou de conservation de domaines magnétiques actifs et divers éléments de détection, de translation et d'excitation de domaines magnétiques. On peut considérer que la figure 1 représente un registre 5 à décalage comprenant la couche 2 de matière magnétique selon l'invention, la direction favorable d'aimantation de la couche 2 étant perpendiculaire à la surface 4. L'état général de l'aimantation de la couche 2 est indiqué par les signes moins qui font apparattre que les lignes de flux magnétique sont dirigées vers la surface 4.Les lignes de flux magnétique placées dans les domaines sont dirigées en sens opposé et représentées par des signaux plus, par exemple le signe 6 placé dans les boucles 7 et 8. Les conducteurs 12, 13 et 14 qui sont sous la commande d'un dispositif 9 de translation de domaines, peuvent titre fixés à la surface 4 ou très près de celle-ci, de manière classique choisie. Les conducteurs 12, 13 et 14 relient les ensembles triples successifs de boucles conductrices telles que les boucles 8, 8a et 8b du premier ensemble triple, etc. Un réseau formé de lignes et de colonnes de telles boucles est souvent utilisé dans des mémoires. Le champ de polarisation est transmis de manière classique, par exemple par une ou plusieurs bobines classiques (non représentées) entourant la configuration à deux couches ou d'aimants permanents disposés de manière classique. Les dimensions séparées des boucles 8, 8a et 8b sont avantageusement de l'ordre de grandeur de la section des domaines magnétiques cylindriques stables dans les circonstances de mise en oeuvre, si bien que tout domaine fixe est largement entouré par une boucle associée 8, 8a, 8b, ou analogues. Lors du fonctionnement, les domaines magnétiques sont créés ou excités par un dispositif classique d'excitation tel que représenté en 20 et associé à la boucle 7 qui est pratiquement coaxiale à la boucle 8. Un domaine magnétique cylindrique et stable tel que le domaine représenté par le signe +6, une fois formé de manière classique par le dispositif 20 et la boucle 7 peut être déplacé par paliers depuis l'emplacement de la boucle 8 vers la boucle 8a puis la boucle 8b et ainsi de suite, par excitations successives des conducteurs 12, 13, 14, etc., sous la commande du dispositif 9 de translation. Lorsque le domaine magnétique qui se propage atteint la boucle 8n, il peut étre lu par celle-ci sous la commande du détecteur 21. Les spécialistes peuvent noter que d'autres fonctions numériques logiques peuvent être facilement mises en oeuvre, par utilisation de techniques connues, comme dans le cas de l'exemple du registre 5 à décalage. Une plaquette polie découpée dans un monocristal de grenat de gallium et de gadolinium Gd3Ga5012 est utilisée selon l'invention comme couche 1 de substrat non magnétique sur laquelle la couche 2 inhibitrice de domaines actifs est formée de manière avantageuse d'un grand monocristal ayant une anisotropie magnétique utile et une perfection cristalline. La très fine couche monocristalline 2 de formation de domaines peut entre réalisée de cette manière et peut subir un traitement mécanique selon l'invention sans risque sérieux de détérioration, car elle est supportée par le substrat non magnétique 1 qui est relativement épais pendant les diverses opérations de polissage et autres que doit subir la surface 4. Le substrat non magnétique en grenat ne participe pas directement à la propagation des domaines de la couche 2 et il peut donc être relativement épais et solide au point de vue mécanique. Les monocristaux destinés à former les plaquettes non magnétiques sont formés par croissance à partir d'une solution fondue, par mise en oeuvre du procédé classique par fusion di recte de Czochralski, à l'aide d'un germe monocristallin de petite dimension en matière voulue, de préférence découpé avec ltorientation cristallographique g11 7. Le procédé permet la réalisation d'une boule qui est ensuite découpée en plaquettes suivant l'axe î111#7, avec des épaisseurs qui sont en général de l'ordre de 0,025 à 0,127 cm, à l'aide d'une scie diamantée ou à fil de type classique.L'orientation cristallographique est réalisée par mise en oeuvre de la technique classique de réflexion des rayons X de Laue. il faut noter que l'orientation cristallographique 11 7 est préférable pour le substrat 1, car elle est nécessaire à la production de l'orientation voulue du réseau et de l'anisotropie uniaxe dansa matière de la couche active 2. La plaquette du substrat est alors polie de manière que les rayures et les détériorations placées au-dessous de la surface soient supprimées, ces défauts étant dus à l'opération de sciage, le polissage étant réalisé avec des poudres de plus en plus fines de dispersion d'abrasif tel que de la poudre de diamant, de l'alumine ou analogues, le polissage final étant de type classique et réalisé avec de la silice colloïdale dont le diamètre particulaire est inférieur à 50 millimicrons.Les plaquettes polies sont alors nettoyées à l'aide des solvants classiques, séchées et conservées dans des récipients dépourvus de poussière. La couche active 2 est formée sur la couche 1 par un procédé de croissance épitaxiale en phase liquide, réalisée par trempage d'une telle plaquette polie formant la couche 1 de substrat en Gd3Ga5O12 dans une solution fondue appropriée. Le réglage de la composition du soluté et du solvant, de la température initiale de trempage et du cycle de refroidissement, lorsque la couche 1 est immergée dans la matière fondue, permet l'obtention d'une mince couche magnétique 2 formée par épitaxie à l'interface 3, comme décrit dans la suite. La couche durable 1 non seulement évite le problème de la fragilité des minces films magnétiques non supportés, posés par les techniques connues, mais favorise la cristallisation épitaxiale de la couche magnétique sous forme d'un prolongement ordonné du réseau dont la structure est identique ou presque identique à celle de la couche 1.Le résultat voulu est obtenu lorsque la matière de la couche 2 a pratiquement la ême constante de réseau et les mêmes propriétés thermiques que celles de la matière de la couche active 2. Selon l'invention, les matières de formule générale Gd3 Ga 5012 sont de nouvelles matières de domaines qui peuvent etre déposées par épitaxie sur YD xGdxAiyFe5 y 12. Les valeurs des paramètres x et y peuvent être déplacées dans une certaine mesure par rapport aux valeurs optimales mais on constate expérimentalement que certaines valeurs sont préférables. Par exemple, x ne dépasse pas 2 en général et y ne dépasse pas 1,5 en général. Lorsque x est supérieur à 2, on constate que le réseau n'est pas bien adapté à la couche de Gd3Ga5012 qui forme le substrat. De manière analogue, lorsque y est supérieur à 1,5, le moment magnétique de la matière est réduit à une valeur telle que la matière n'est pas utile pour les applications mettant en jeu des domaines magnétiques.La composition Y1,7Gd1,3Al0,7Fe4,3O12 est avantageuse pour le dép8t par épitaxie sur la couche Gd3Ga5012, car elle a une mobilité de l'ordre de 2 000 cm/s.0e. La matière voisine Y1,5Gd1,5Al1,2Fe3,8012 a une mobilité analogue sur des substrats non magnétiques tels que Gd3Ga5012. Une autre composition utile selon l'invention est Y1,5Gd1,5Al0,7Fe4,3O12, qui a des propriétés utiles analogues pour la réalisation de dispositifs à domaines magnétiques, notar;ment une mobilité élevée des domaines.. Selon l'invention, les compositions de la couche non magnétique 1 et de la couche active 2 sont choisies en fonction du fait que l'anisotropie uniaxe nécessaire à la formation des domaines magnétiques cylindriques souhaitables dépend de l'importance des contraintes entre les couches 1 et 2. Des contraintes excessives provoquent l'apparition de défauts, de déformations ou de fissures du fi#lm ou autres. Des contraintes insuffisantes entre les couches 1 et 2 n'assurent pas une anisotropie magnétique suffisante à la création et à la propagation des domaines cylindriques. Dans le cas de nouvelles matières de l'invention, le désaccord des réseaux entre les o couches 1 et 2 doit être de 0,020 A au moins en compression ou o de 0,005 A au moins lorsque le film magnétique est sous tension. Ces valeurs sont déterminées par les techniques classiques de diffraction précise des rayons X, mettant en oeuvre des références ordinaires convenables. Lors de la formation d'un exemple de couche épitaxiale 2 de domaines, les produits chimiques constituant le soluté et le solvant sont pesés en proportions voulues, une fois que leur composition et leur pureté ont été déterminées comme étant convenables. Dans un exemple, lors de la formation d'une couche 2 de matière Y1,7Gd1,3Al0,7Fe4,3012, on utilise 17,3 g de 3203 (oxyde de bore) 34,0 g de Fe203 (sesquioxyde de fer) 1,85 g de Al2O3 (alumine) 4,64 g de Gd2O3 (sesquioxyde de gadolinium) 3,81g de Y203 (oxyde d'yttrium) 4,80 g de PbO (monoxyde de plomb). B203 et PbO constituent un fondant ou un solvant. En général, on choisit de & atières de qualité chimiquement pure. Elles ne doivent pas contenir de traces de certains ions indésirables par exemple du silicium dans l'oxyde de plomb ou du cobalt dans l'oxyde de fer. De telles substances indésirables sont des éléments des terres rares ou des ions des métaux de transition du groupe 3-d de la Classification Périodique des Elén D'autres matières destinées à la formation d'une couche épitaxiale 2 peuvent Qtre les suivantes, en fonction des formules indiquées. Y2GdAl0,7Fe4,3012 17,3 g 3203 34,0 g. Fe2O3 1,85 g Al203 3,57 g Gd2O3 4,48 g Y203 480 g PbO Y0,5Gd1,5Al1,2Fe3,8O12 17,3 g 3203 30,1 g Fe2O3 3,17 g Al203 5,35 g Gd203 3,36 g Y203 480 g PbO On met en oeuvre un exemple de procédé selon l'invention pour former une couche active de Y1,7Gd1,3Al0,7Fe4 > 3012. Après pesée, les constituants destinés à l'obtention de la formule choisie sont broyés au broyeur à boulets ayant une enveloppe de matière plastique pendant 16 heures environ. La charge bien mélangée est alors chauffée pendant 12 heures pratiquement en atmosphère d'oxygène de manière qu'elle soit convenablement calcinée, dans un creuset fermé en platine à 9000C environ. La charge calcinée est alors transférée dans le réacteur particulier en platine (représenté sous forme du creuset 51 sur la figure 2) dans lequel doit avoir lieu le dépôt épitaxial à partir d'un liquide, à l'intérieur du four 50 de la figure 2. La figure 2 est une coupe du four 50 d'épitaxie chauffé électriquement, et elle représente le creuset chargé 51 placé dans le four et le couvercle réflecteur 52 muni d'un orifice permettant l'introduction de la couche polie 1 formant le substrat, portée par une tige 53 réglable en hauteur par commande d'un bouton molleté 60 associé à un dispositif de montage 61 et à une tige de support 62. Le four 50 est prévu spécialement de manière qu'il donne un profil particulier de température nécessaire au dép8t voulu par épitaxie.Comme décrit en référence à la figure 2, le profil de température à l'intérieur du four, représenté par le graphique de la figure 3, est obtenu par configuration et disposition convenables d'un blindage 63 contre les radiations, du couvercle réflecteur 52, d'un moufle 68 en alumine et de l'orientation et de l'espacement d'un élément 65 de chauffage, comme décrit en détail dans la suite. Le creuset 51 est porté par une plaque 66 de zircone placée sur un cylindre 67 de zircone disposé dans le blindage 63. Ce dernier est concentrique au moufle 68. La couche 1 peut etre entraînée en rotation autour de l'axe du système par rotation de la tige 53 par un moteur 70, et le dispositif 88 de chauffage #ut fonctionner à partir d'une commande classique 71 qui peut être programmée ou réglée manuellement. Lorsque le creuset chargé 51 est placé dans le four 50 ce dernier est chauffé par exemple à 10500C environ et la charge fond. La température du four est maintenue pendant 16 heures environ de manière que les constituants de la charge soient totalement dissous et totalement mélangés. Le four 50 est alors refroidi progressivement à 9000C environ pendant une heure environ et il est maintenu à cette température pendant une demi-heure au moins, de manière qu'il atteigne les conditions d'équilibre. Les températures comprises entre 800 et 9500C donnent satisfaction de même que la température de 9000 C. La figure 3 représente un profil vertical possible de température dans le four et elle montre une réduction de la température d'environ 40C au-dessus du creuset 51.Le four 50 est protégé par une épaisse couche 72 d'isolation thermique. Au début de la formation de la couche 2, la plaquette polie en Gd3Ga 5012 qui doit former la couche 1 est introduite dans le four 50 par abaissement du dispositif 61 de montage et de la tige 52 à laquelle est fixée la plaquette, par l'intermédiaire d'un fil 57 de platine, la plaquette étant maintenue à 1 cm environ au-dessus de la surface de la solution fondue 58 pendant 10 mn environ. Cette opération assure le chauffage de la plaquette I à proximité de la température de la solution fondue 58 avant trempage réel de la plaquette dans la solution, la température de la zone placée juste au-dessus de la surface de la solution 58 étant de 11 ordre de 4 à 100 plus faible que celle de la matière fondue elle-m#me, comme représenté en 80 sur la figure 3.Le cas échéant, la tige 53, le fil 57 et en conséquence la plaquette 1 peuvent etre entra5nés lentement en rotation par le moteur 70, de façon continue ou avec des inversions du sens de rotation toutes les 30 s ou 1 mn par exemple. La couche 7 est maintenue dans la solution 58 jusquTà la formation par épitaxie d'une couche-2 suffisamment épaisse. Dans l'exemple décrit, on observe une vitesse de dépôt par épitaxie d'environ 1 micron par minute, si bien que, lorscr#'une couche 2 de 6 microns d'épaisseur suffit, on utilise une période de dépôt par épitaxie de 6 mn. On peut utiliser des couches d'épaisseur supérieure à cette valeur. La structure terminée, comprenant les couches 1 et 2, est retirée de la soluticn 58 et maintenue pendant 5 mn environ au-dessus de la sur face de la solution, puis elle est totalement retirée du four 50. Après refroidissement, le fil 57 de support en platine est retiré de la structure terminée formée par les couches I et 2, cette structure étant nettoyée à l'acide acétique ou nitrique dilué tiède, puis rincée à l'eau distillée et séchée. Ensuite, les circuits de travail tels que les boucles 7 et 8 sont for més à la surface 4, comme représenté sur la figure 1, par misn en oeuvre de procédés classiques. La matièrt#Yî,SGdî,5Al0,7Fe4,3Oî2 peut etre déposée par épitaxie de manière analogue. Dans ce cas, les proportions sont les suivantes 6,87 g de 3203 (oxyde de bore) 9,84 g de Fie203 (sesquioxyde de fer) 0,87 g de A120 (alumine) 4,83 g de Go2033 (sesquioxyde de gadolinium) 3,01 g de Y203 (oxyde d'yttrium), et 28,77 g de BaC03 (carbonate de baryum) Le carbonate de baryum constitue le fondant ou le solvant. Le mélange est broyé au broyeur à boulets pendant une nuit puis soigneusement calciné à 11000C. La charge calcinée est alors placée dans le creuset 51 en platine et elle est portée dans le four 50 à 13400C environ, la solution fondue 58 étant maintenue à cette température pendant 24 heures environ de manière qu'elle se mélange convenablement. Comme décrit précédemment, une couche polie 1 de Gd3Ga5012 est trempée dans la solution 58 après des phases convenables de transition et elle est entratnée en rotation à 20 t/mn environ. Lorsqu'une couche 2 d'épaisseur voulue a été formée par croissance épitaxiale sur la couche 1, la structure composite comprenant les couches 1 et 2 est retirée du four, refroidie et traitée comme décrit précédemment. Les matières nouvelles citées du type Y3 xGdxAlyFe5 y 12 notamment lorsqu'elles sont formées sur des substrats en Gd3Ga5 012, présentent de nombreux avantages décrits précédemment, si bien que leur préparation est relativement peu coûteuse et fiable, les bonnes propriétés magnétiques pouvant être reproduites. Les bonnes caractéristiques de telles matières de propagation de domaines magnétiques peuvent etre illustrées quantitativement par exemple par mesure de l'aimantation 4S M3 qui doit étre faible, de la pente de la courbe donnant la température de Curie Tc qui doit être plate, du facteur d'anisotropie qui doit être en général pratiquement égal à l'unité et de la mobilité m qui doit être élevée. Contrairement à 1'une des matières connues disponibles sous forme d'une plaquette unique Er2Eu1Ga0,7Fe4#3O12 qui a des mobilités de l'ordre de 100 à 200 cm/s.Oe, les matières de l'invention ont des mobilités de l'ordre de 2 000 cm/s.Oe. Il est bien entendu que l'invention n'a été décrite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et qu'on pourra apporter toute équivalence technique dans ses éléments constitutifs sans pour autant sortir du cadre de l'invention, qui est défini dans les revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Composition de grenat, destinée à des dispositifs à propagation de domaines magnétiques, caractérisée en ce qu'elle a la formule Y3-xGdxAlyFe5-yO12 dans laquelle xest compris entre environ 1 et 1,5 et y entre environ 0,7 et 1,2. 2. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle a sensiblement la formule Y1,5Gd1,5Al1,2Fe3,8O12. 3. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle a sensiblement la formule Y1,5Gd1,5Al0,7Fe4,3O12. 4. Compositionselon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle a sensiblement la formule T2GdîAl0,?Fe4,3012. 5. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle a sensiblement la formule Y0,5Gd1,5Al1,2Fe3,8O12. 6. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle a sensiblement la formule Y1,7Gd1,3Al0,7Fe4,3O12. 7. Structure destinée à des dispositifs à propagation de domaines magnétiques, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat non magnétique en une matière de formule Gd3Ga5012, et une couche d'un grenat favorisant la formation de domaines magnétiques et formé par épitaxie sur le substrat, le grenat comprenant une composition de formule YD xGdxAlyFe5 2 5-y 012 dans laquelle x est compris entre environ 1 et 1,5 et y entre environ 0,7 et 1,2. 8. Structure selon la revendication 7, caractérisée en ce qu'elle comprend de plus sur une face de la couche de grenat, un dispositif de couplage destiné à exciter un domaine magnétique, un dispositif de détection de la présence d'un domaine magnétique et un dispositif de translation de domaine destiné à déplacer le domaine magnétique du dispositif de couplage au dispositif de détection. 9. Structure selon la revendication 8, caractérisée en ce que la matière non magnétique du substrat a une première constante caractéristique de réseau, le grenat formé par épitaxie sur le substrat a une seconde constante caractéristique de réseau, et le désaccord des deux constantes caractéristiques du réseau est inférieur à 0,020 . 10. Procédé de formation par épitaxie d'une couche de grenat favorisant la formation des domaines magnétiques sur une couche de substrat en grenat non magnétique, ledit procd étant caractérisé en ce qu'il comprend le mélange de quantitis prédéterminnes de mati~erè-sde formation de grenat, l'addition à ces matières d quantités prédéterminées d'au moins un fondant, de manière que celui-ci forme un mélange avec les matières de formation de grenat, le chauffage du mélange à une température nettement supérieure à la température de fusion, pendant un temps suffisant à la fusion et à la dissolution totale des matières, la suspension d'un échantillon de Gd3Ga5012 formant une couche de substrat, au-dessus de la surface du mélange fondu, dans une région dont la température est inférieure de 4 à 10 C à celle du mélange fondu de manière que l'échantillon de Gd3Ga5012 ait pratiquement la température de ladite région, l'immersion de l'échantillon de Gd3Ga5O12 dans le mélange fondu de manière qu'il se dépose par épitaxie sur l'une de ses faces une mince couche de grenat favorisant la formation de domaines magnétiques, et le retrait de l'échantillon de Cd3Ga5012 du reste du mélange lorsque la couche de grenat a atteint une épaisseur prédéterminée. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le mélange des quantités prédéterminées des matières de formation de grenat comprend le mélange après pesée de quantités orédéterminée de Fe203, Al203, Gd2O3 et Y203. 12. Procédé selon la revendication Il, caractérisé en ce que l'addition d'un fondant destiné à la formation d'un mélange de fondant et de matières deformation de grenat comprend l'addition aux matières de formation de grenat de quantités prédéterminées de 3203 et PbO. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comprend de plus les phases-auxiliaires de broyage du mélange des matières de formation de grenat et du fondant pendant i6 heures environ dans un broyeur en matière plastique de manière qu'il se forme un mélange en poudre, et le chauffage de celui-ci dans un mélange contenant de l'oxygène pendant 12 heures environ à 9000C environ, de manière que le mélange en poudre soit calciné. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérioé en ce le chauffage du mélange à une température nettement supérieure à sa température de fusion comprend le chauffage de la matière calcinée en poudre à 10500C environ pendant 16 heures environ, et le maintien du mélange fondu à 9000C environ pendant une demi-heure environ.