Brevet FR2181842A1 — publié le 19731207

La préssnte invention concerne un procédé de séparation d'une tranche semiconductrics découpée en microplaquettes individuelles et plus particuliè rament un procédé permettant d'effectuer cette séparation sans perturber l'orientation des microplaquettes, celles-ci étant collées à un support duquel elles doivent étre séparées avant utilisation. La présente invention concerne également un dispositif d'emmagasinage des microplaquettes séparées d'une tranche semiconductrice et plus partie lièrement un dispositif nour l'emmagasinage de microplaquettes semiconductrices séparées sans perturber l'orientation desdites microplaquettes De plus. la présente invention concerne également un dispositif maintenant les microplaquettes semiconductrices suivant une orientation précise pendant la séparation de celles-ci d'un substrat auquel elles sont collées. De plus, la présent invention concerne un dispositif de séparation d'une tranche semiconductrice découpée en microplaquettes individuelles sans perturber leur orientation et plus particulièrement, une pompe permettant de décoller le liant situé entre les microplaquettes et le substrat. Dans la fabrication des circuits intégrés, il est de pratique courante de reproduire la configuration du circuit ainsi que des dispositifs actifs et passifs sur une tranche de silicium, 200 à 1 DUO exemplaires du dispositif ou circuit particulier désiré étant reproduits #dans ladite tranche. A la fin du traitement, la tranche est découpée par un laser, une scie du type abrasif ou une scie à bande de façon à séparer les circuits ou composants en microplaquettes individuelles, lesdites microplaquettes étant collées d'une manière ou d'une autre à un substrat pour le montage sur une carte, puis placées dans ltéquipement pour lequel celle-ci a été conçue.Pendant ltopération de découpage, il est de pratique courante d'éviter le déplacement de la tranche semiconductrice pendant la découpe de celle-ci, par le collage de la tranche à un substrat tel qu'un bloc phénolique, avec un agent de liaison détachable tel que le phtallate de glycol et après le découpage, d'immerger le bloc dans un solvant (tel que le chlorure de méthylene ] qui peut Entre agité pour séparer les microplaquettes du substrat. Puis les microplaquettes sont retirées et placées dans un flacon, une boite ou tout autre type de récipient et ensuite orientées dans une machine de positionnement ou autre pour le positionnement sur un substrat céramique, une carte de circuit, etc. Un a constaté que le fait de placer des microplaquettes les unes sur les autres dans un récipient peut résulter en un endommagement de la surface des microplaquettes provoquant dans certains cas la destruction et la perte des microplaquettes, ceci étant provoqué par le contact des microplaquettes les unes sur les autres, Avec des microplaquettes à circuit relativement simple ou à dispositif particulier, la perte est insignifiante en comparaison du nombre total de microplaquettes découpées dans une tranche. Cependant, avec l'augmentation du nombre des circuits portés par une microplaquette et l'augmentation de la dimention de celle-ci, et en considérant également l'augmentation du nombre d'étapes de traitement nécessaire à la fabrication de ladite microplaquette, la perte d'une seule microplaquette devient significative.En conséquence, avec les nouvellesmachines de test, on a trouvé plus facile de tester les microplaquettes avant le découpage de la tranche, ce procédé résultant en une "carte" de test indiquant les zones ou microplaquettes bonnes et mauvaises d'une tranche particulière. En conséquence, il est souhaitable d'éviter l'endommagement des microplaquettes en les plaçant les unes sur les autres et de retenir leur orientation initiale ainsi que leur position (par rapport à ces "cartes" de test) de façon que les bonnes microplaquettes puissent etre séparées des mauvaises par l'utilisation de la "carte" de test. La présente invention a pour objet un procédé de séparat#ion des microplaquettes individuelles d'une tranche semiconductrice sans modification de leur orientation, en positionnant 1e substrat sur lequel les microplaquettes sont collées, en appliquant un support ou élément de recouvrement contre les microplaquettes semiconductrices et en détruisant le liant situé entre les microplaquettes et le substrat tandis que le support ou élément de recouvre~ ment presse les microplaquettes contre le substrat, retenant ainsi ces microplaquettes dans leur position initiale. La présente invention a également pour objet un dispositif maintenant les microplaquettes semiconductrices suivant une orientation précise pendant leur séparation d'un substrat auquel elle sont collées, ledit dispositif comprenant un premier élément pour assembler une tranche semiconductrice découpée sur un substrat, un gabarit pour aligner la tranche dans une position prédéterminée, et un moyen pour relier le substrat au premier élément. Le premier élément comporte un capot, ce capot comprenant un patin foraminé flexible chevauchant et comprimant des microplaquettes individuelles de la tranche contre le substrat monté sur le premier élément.De plus, un dispositif, permettant d'emmagasiner les microplaquettes séparées, comprend un deuxième capot ou élement de recouvrement qui maintient les microplaquettes contre le patin flexible et les capots ensemble tout en comprimant le patin flexible. De plus, la présente invention a pour objet un dispositif pour la séparation-de microplaquettes individuelles d'une tranche semiconductrice découpée, sans modifier l'orientation originale des microplaquettes qui sont collées sur un substrat. Le dispositif comprend une plaque foraminée comportant plusieurs ouvertures alignées entre des microplaquettes adjacentes et une pompe nouvelle connectée aux ouvertures pour diriger l'écoulement d'un moyen de décollage issu de la pompe au travers des ouvertures afin de détruire le liant des microplaquettes au substrat. Au vu de ce qui précède, un objet de la présente invention a ttait à un procédé pour séparer les microplaquettes d'une tranche semiconductrice découpée d'un substrat auquel elles sont collées sans modifier leur position relative les unes par rapport aux autres ou leur orientation. Un autre objet de la présente invention est un procédé pour séparer des microplaquettes semiconductrices d'un support auquel elles sont collées, par l'application d'un solvant entre des microplaquettes adjacentes, ta dis que celles-ci sont maintenues en position, afin de dissoudre le liant existant entre les microplaquettes et les élements de support de travail ou substrat. Un autre objet de la présente invention concerne un procédé de maintien des microplaquettes dans une position fixe après que le liant situé entre les microplaquettes et le substrat, ait été détruit. Un autre objet de la présente invention est de fournir un dispositif nouveau pour ltemmagasinage de microplaquettes semiconductrices, dans lequel celles-ci sont maintenues dans leur orientation fixe. Un autre objet de la présente invention est de fournir un dispositif maintenant les microplaquettes semiconductrices dans une position prédéter minée et évitant le contact des microplaquettes avec les microplaquettes adjacentes. Un autre objet de la présente invention est de fournir un dispositif grace auquel une dépression peut entre appliquée aux microplaquettes semiconductrices maintenues dans ce dispositif de façon à faciliter la manipulation desdites microplaquettes, de telle sorte que toute manipulation ultérieure de celles-ci puisse entre réalisée sans modifier leur position dans le dispositif. Un autre objet de la présente invention est de fournir un dispositif pour le montage d'un substrat sur lequel la tranche semiconductrice découpée est collée, et de fournir un moyen pour l'alignement du dispositif par rapport aux microplaquettes collées au substrat. Un autre objet de la présente invention est de fournir un capot comprenant un patin flexible nouveau pouvant compenser l'épaisseur du liant qui maintient les microplaquettes au substrat, quand ce liant est enlevé. Un autre objet de la présente invention est de fournir une pompe nouvelle qui applique un écoulement de fluide de décollage contre la liaison main tenant-les microplaquettes semiconductrices au substrat. Un autre objet de la présente invention est de fournir un nouveau dispositif de pompe assurant un écoulement bidirectionnel du fluide de décollage contre le matériau de liaison maintenant les microplaquettes au substrat. Un autre objet de la présente invention est de fournir une nouvelle pompe à laquelle le substrat peut étre fixé, la pompe et le substrat pouvant titre immergés dans un réservoir contenant du liquide de décollage, D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit fait en référence aux dessins annexés à ce texte qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. La figure 1 est une vue en perspective d'une tranche semiconductrice classique [ après découpage) collée à un substrat ou support; La figure 2 est une vue en coupe partielle agrandie prise selon la ligne 2-2 de la figure 1 La figure 3 est une vue en plan de la tranche et du support en position dans un premier dispositif: La figure 4 est une vue en plan du premier dispositif monté sur un deuxième dispositif permettant d'ajuster la position du substrat et de la tranche par rapport au premier dispositif: La figure 5 est une vue en plan d'un gabarit utilisé en association avec le deuxième dispositif pour positionner avec précision la tranche découpée par rapport au premier dispositif:: La figure 6 est une vue en coupe partielle agrandie prise selon la ligne 6-6 de la figure 5; La figure 7 est une vue en perspective d'un élément spécial encastré dans le gabarit représenté aux figures 5 et 6 et permettant l'alignement des microplaquettes (et du substrat) dans une position prédéterminée lorsque les microplaquettes sont retirées du substrat La figure 8 est une vue en plan d'un capot ou élément de recouvrement à placer sur le premier dispositif; La figure 9 est une vue en coupe partielle agrandie prise selon la ligne 9-9 de la figure 8 La figure 10 est une vue en perspective illustrant le placement du capot sur le dispositif;; La figure 11 est une vue latérale partielle agrandie prise selon la ligne 11-11 de la figure 10 et illustrant le placement de l'élément de recouvrement par rapport au dispositif: La figure 12 est une vue en coupe partielle agrandie prise selon la ligne 12-12 de la figure 10 La figure 13 est une vue latérale partielle du dispositif et de l'élément de recouvrement disposés sur une compe nouvelle appliquant un solvant fluide entre les microplaquettes et le substrat; La figure 14 est une vue en coupe partielle agrandie d'une partie du gabarit et de la pompe représentés à la figure 13 La figure 15 est une vue d'un dispositif similaire à celui représenté à la figure 13, mais avec la pompe en position de "fin de course";; La figure 16 est une vue en coupe partielle agrandie similaire à celle de la figure 14 mais dans laquelle le matériau de liaison est enlevé. La figure 17 est une vue latérale en coupe partielle illustrant la position de la pompe par rapport au dispositif lorsque la liaison est détruite. La figure 18 est une vue latérale partielle représentant le dispositif permettant le retrait du substrat ou du support sur lequel les microplaquettes ont été montées; et La figure 19 est une vue en plan de l'assemblage suivant lequel les microplaquettes peuvent étre emmagasinées et illustre la possibilité de maintien des microplaquettes contre le capot supérieur ou le capot inférieur. En se reportant plus particulièrement aux figures 1 et 2, on y voit représentée une tranche semiconductrice 10 qui a été d'abord collée à un substrat ou support 11 à l'aide d'un matériau de collage 12 pouvant atre dissout tel que le phtallate de glycol, puis découpée en microplaquettes séparées 13.Dans l'exemple illustré sur la figure, le support ou substrat 11 comprend une partie socle 11A et une collerette périphérique 115 entourant le socle lIA. Le découpage des tranches semiconductrices est relativement bien connu dans l'art antérieur et peut etre réalisé suivant l'une quelconque des méthodes connues comprenant l'utilisation d'une scie abrasive, d'un laser, etc... mais dans tous les cas la découpe crée une entaille 14 qui se prolonge dans le liant 12 et dans de nombreux cas, dans le substrat 11. Selon la présente invention, la méthode de séparation des microplaquettes 13 de la tranche semiconductrice 10 sans modification de l'orientation des microplaquettes comprend les étapes suivantes: le positionnement du support ou substrat 11 dans un dispositif 20 (figure 31. l'application d'un capot ou élément de recouvrement 50 (figure 10) contre les microplaquettes semiconductrices et la dissolution du liant entre les microplaquettes et le support par une pompe ou autre élément similaire 100 (figure 13) de façon que l'élément support 50 sollicite les microplaquettes contre le substrat 11.Dans ce but et en se reportant d'abord aux figures 3 et 10, on voit qu'un dispositif 20 comprend une embase 21 et une paire de parois latérales droites espacées 22A, 225 comportant des rebords en saillie vers l'intérieur 23A, 235 qui sont prévus pour chevaucher le bord 115 du substrat 11 tout en permettant un mouvement limité du substrat aux fins d'orientation. Comme on le voit mieux aux figures 3, 10 et 1S, chacune des bordures comprend une fixation 24A, 245, fixant le substrat une fois orienté à l'embase 21 du dispositif 20.Comme on le voit à la figure 11, la fixation comprend une simple vis de réglage ou autre élément similaire 25 comprimant une lame 26 raccordée au rebord, sur la bordure 115. On trouve des doigts 27A et 275 faisant saillie depuis la surface supérieure 26A et 26B des parois latérales droites 22A et 228. ces doigts étant de préférence d'un diamètre différent à des fins qui apparaitront plus évidentes dans la suite de la description. Afin d'orienter avec précision les microplaquettes 13 sur le substrat 11 par rapport au dispositif 20, celui-ci est monté sur un second dispositif 26 fixant le substrat Il et permettant le mouvement du dispositif par rapport au substrat afin d'aligner avec précision les microplaquettes par rapport aux doigts 27A, 275. Dans ce but, le deuxième dispositif 28 comprend une fixation fixe 29 et une fixation flexible 30 qui sont disposées espacées sur une plaque 28A. Les fixations servent à fixer le substrat par rapport au deuxième dispositif 28 tout en permettant le mouvement du dispositif 20 autour du substrat. Afin d'orienter correctement le substrat ou les microplaquettes par rapport au dispositif 20, un gabarit 31 (figure 5) est placé sur les doigts 27A, 275 du dispositif 20 et, avec un moyen d'alignement approprié disposé sur le gabarit, permet la mise en correspondance appropriée et l'alignement du substrat et, ainsi, des microplaquettes par rapport au dispositif 20. Dans ce but, et en se reportant maintenant à la figure 5, on voit que le gabarit 31 comprend une plaque 32 présentant des ouvertures 33A, 33B en correspondance avec les doigts 27A, 275 du dispositif 20. Le gabarit comporte un alésage central 34 d'un diamètre approximativement égal à celui de la tranche semiconductrice découpée. Dans un- évidement annulaire 35 orienté radialement vers l'extérieur depuis l'alésage 34, on trouve le moyen d'alignement 36 (voir la figure 6) qui comprend un support 37 et une arête 38 faisant saillie dans l'alésage 34.Comme on le voit à la figure 5, il existe trois moyens d'alignement 36A, 365 et 36C, les lames associées à chacun d'eux étant adaptées pour s'aligner avec une zône d'entaille de microplaquettes prédéterminée (voir les entailles 14 à la figure 2) lorsque le dispositif 20 est aligné correctement avec le substrat 11. Afin de permettre le mouvement du dispositif 20 et du gabarit 31 par rapport au substrat, le gabarit 31 est rappelé vers le haut par des ressorts de rappel 39 qui assurent l'élévation des lames 38 légèrement au dessus du niveau des microplaquettes 13 (figure B). Comme représenté en pointillés à la figure 5, on trouve quatre de ces ressorts de rappel dans le dispositif. Après que l'alignement ait été effectué par le gabarit 31 en association avec les lames 38. le substrat est fixé au dispositif 20 par les fixations 24A, 245 décritBjusqu' maintenant en se référant aux figure 3 et 11, et le gabarit 31 est alors retiré. Dans certains cas où la tranche a été brisée et où une partie des microplaquettes est absente du substrat 11, l'alignement par les lames 38 du moyen d'alignement 36 est difficile sinon impossible. Pour aligner les microplaquettes restantes, collées sur le substrat 11, un deuxième moyen d'aligne- ment 40 comportant les saillies 41, 42 et 43 se projetant vers l'intérieur et deux fils de réticules 44 et 45 disposés dans un capot transparent 40A, est représenté à la figure 7. Deux doigts 48 et 49 (figure 5) faisant saillie à partir d'une couronne surélevée 31A entourant l'alésage 34, se logent dans les ouvertures 48A#. 49A respectivement prévues dans une lèvre 47 du capot 40A. Des évidements 46A, 465 et 46C reçoivent les premiers supports d'alignement 36A, 365 et 36C faisant saillie vers l'intérieur. En fonctionnement, les parties 4143 sont introduites dans l'alésage 34 et le dispositif 20 est déplacé par rapport au substrat 11 jusqu'a ce que le réticule soit dans la position appropriée par rapport aux microplaquettes restantes collées au substrat, les lignes en pointillés 44A, 45A correspondant à la position des fils de réticule 44 et 45 sur d moyen d'alignement 40 (figure 5). Si la parallaxe constitue un problème, le moyen 40 peut être réalisé de façon que le réticule soit disposé dans une position adjacente à la tranche.Ceci peut etre réalisé par exemple en fabriquant le moyen d'alignement à partir d'une pièce pleine de plastique acrylique transparent et en disposant le réticule sur la partie inférieure de celui-ci adjacent à la tranche. A la fin de l'alignement, d'une tranche semiconductrice partielle ou complète comme décrit précédemment, le substrat 11 est fixé par les fixations 24A, 245 à l'embase 21 du dispositif 20 et le gabarit 31 est alors retiré. Le dispositif 20 est alors retiré du second dispositif 28 grâce au relachement de la fixation 30. Puis le capot ou élément de recouvrement 50 est appliqué contre les microplaquettes 13 et fixé au dispositif 20 pour la dissolution du liant 12 maintenant les microplaquettes 13 et le substrat 11. Dans ce but, l'élément de recouvrement 50 comprend une plaque à double évidements annulaires 51 et 51A ($ligure 9). Un patin foraminé flexible 55 est introduit dans l'évidement SIA. Le diamètre du deuxième évidement 51A, et donc du patin 55, est approximativement égal au diamètre de la tranche semiconductrice 10. On trouve entre la surface inférieure 56 de l'élément de recouvrement et la surface supérieure 57 de l'évidement SIA, deux groupes d'ouvertures 58 et 59, ces ouvertures comportant des prolongements au travers du patin 55 comme indiqué en 58A, 59A (figure 9). Comme représenté dans la figure, les ouvertures du groupe 5SA se terminent par des embouts en saillie 60, l'esDa- cement entre ces embouts correspondant à la distance séparant une r#icroolaquet- te d'une autre.Le groupe d'ouvertures portant les références 59 et 59A est prévu entre des embouts adjacents et en retrait par rapport aux extrémités en saillie vers le haut de ceux-ci, de façon à etre alignées avec l'entaille 14 existant entre les microplaquettes. Des raidisseurs tubulaires 61 travers sent au moins certaines des ouvertures 58 et pénétrent dins l'élément de recouvrement 50 par les ouvertures 58A du patin 55, les extrémités des raidisseurs étant séparées des extrémités des embouts en saillie 60. Afin de disposer l'élément de recouvrement 50 de façon que les embouts 60 du patin 55 soient en contact avec chaque microplquette, l'élément de recouvrement comprend des ouvertures de doigts 53A, 535 qui correspondent aux doigts 27A, 27B du dispositif 20. Afin de rappeler les embouts contre les microplaquettes (les embouts subissant une légère déformation par compression), l'élement de recouvrement 50 doit être fixé au dispositif 20.Dans ce but, deux évidements 54A, 54B orientés vers l'intérieur à partir des extrémités longitudinales opposées 50A, 50B du capot 50 et comprenant une partie évidée 65A, 655 et la bordure 66A, 665, sont prévus pour recevoir un verrou en torsion 67A, 675, traversant les parois latérales droites 22A, 225 du dispositif 20.Une simple rotation des verrous 67A et 67B assure la rotation des crochets 68A, 68B associés aux verrous pour saisir les bordures 66A, 685 de l'élément de recouvrement 50, rappelant ainsi les embouts et provoquant une légère compression de ceux-ci contre les microplaquettes collées au substrat (voir les figures 11 et 12 pour la position de l'élément de recouvrement 50 par rapport au dispositif 20 et la position des embouts 60 du patin 55 par rapport aux microplaquettes 13). Après que le dispositif 20 et l'élément de recouvrement 50 aient été bloqués en position comme représentés aux figures 11 et 12, un solvant est appliqué au matériau de liaison 12 provoquant la dissolution de celui-ci et son retrait d'entre les microplaquettes 13 et le substrat 11. Les embouts 60 ayant été légèrement comprimés, peuvent combler l'espace libre laissé par le matériau de liaison dissous. Dans ce but et en se reportant d'abord à la figure 13, on voit que l'ensemble 75 qui comprend le disoositif 20 et l'élement de recouvrement 50 entre lesquels le substrat Il et les microplaquettes 13 sont pris en sandwich, est fixé ou aligné sur une plaque de support 101 par les doigts droits 102A et 1028. Les doigts sont introduits dans les trous 53A, 53B avoir les figures 8 et 10 ] de l'élément de recouvrement 50 de façon que l'ensemble soit maintenant aligné par rapport à la plaque 101. En correspondance avec le groupe d'ouvertures 59 vivoir la figure 14) prévues dans la surface inférieure 56 de l'élément de recouvrement 50, on trouve les ouvertures d'un groupe 103 disposées dans un élément encastré 104 dans la plaque 101.Comme on le voit mieux à la figure 14, le groupe d'ouvertures 58 dans l'élement de recouvrement 50. est bloqué par l'élément encastré 104. Afin de permettre l'application d'un écoulement du solvant dans le groupe d'ouvertures 59 et 103 aligné avec les entailles 14 des microplaquettes 13, une pompe 100 applique le solvant dans les ouvertures prévues entre les embouts en saillie et au matériau de liaison, dissolvant celui-ci. Comme représenté sur la figure, la pompe comprend un corps de pompe 105 qui est connecté à une plaque support 101 et dans lequel est disposé un soufflet 106 porté également par la plaque support 101. Au bas du corps de pompe, on trouve un duit 107 qui permet l'introduction d'un fluide approprié, soit du gaz soit du liquide, dans le cas présent, de l'air, à l'intérieur du corps de pompe pour assurer le mouvement de va et vient du soufflet 106.Si l'intérieur du soufflet est rempli de solvant (par exemple du phtallate de glycol ou de l'acétone), le mouvement vers le haut du soufflet dans la position représentée dans la figure 15 appliquera le liquide au travers des ouvertures 103 et 59 contre le liant, détruisant celui-ci. A ce point, une dépression est appliquée sous le soufflet par le conduit 107 et le soufflet se rétracte. Si le dispositif est disposé dans un réservoir de solvant tel que le réservoir 110 représenté à la figure 17, le mouvement vers le bas du soufflet 106 provoque le retour du fluide dans le dispositif, vers le bas au travers des ouvertures 59 et 103 et dans les soufflets 106. On a constaté que l'oscillation du fluide accélère la destruction du matériau de liaison. Pour augmenter la durée de vie des soufflets 106, une butée mécanique 108 est disposée dans le soufflet, le mouvement vers le haut du soufflet étant ainsi limité par la butée 106 engageant la surface inférieure de l'élement encastré 104. La course vers le bas du soufflet 106 est limitée d'une manière similaire par des butées 109 faisant saillie à partir de la paroi inférieure du récepteur 105. Lorsque le matériau de liaison est dissous, les embouts se dilatent Jusqu'à ce que le coté arrière de la microplaquette 13 soit en contact avec le substrat 11 et l'ensemble peut alors etre retiré. Afi n d'éviter le déplacement de l'ensemble 75, lorsque le liquide oscille au travers des ouvertures 103 de l'élément encastré 104, il est souhaitable de fixer l'ensemble à la pompe 100 jusqu'à ce que le solvant ait dissout le matériau de liaison. Bien que cela puisse etre réalisé d'un certain nombre de manières, l'une de ces méthodes est illustrée à la figure 17 dans laquelle la pompe 100 et l'ensemble 75 sont suspendus dans un réservoir 110 de solvant de matériau de liaison. La suspension de l'ensemble dans le réservoir 110 est assurée par une colonnette 111 orientée vers le haut à partir de la plaque 101 et supportée par un bras 112 monté pour coulisser verticalement sur une colonne 113. Comme on le voit sur le figure, la colonne 113 est montée sur un support 114 dans lequel est suspendu le réservoir 110.Le bras, à son tour, contient un levier de verrouillage 115 pivotant en 116 pour appliquer une pression contre l'arrière de l'embase 21 du dispositif 20. Un conduit pnoumatique 117 débouche dans le réservoir et est raccordé au conduit 107 pour appliquer les pressions positive et négative nécessaires au soufflet 106 et assurer l'action de pompage. Après que le matériau de liaison ait été détruit, les vis de verrouillage 1125 et 112C peuvent être desserrées de façon à permettre au collier 112A qui est connecté au bras 112 de se déplacer vers le haut sur la colonne 113 et de soulever ainsi l'ensemble et la pompe 75 hors du réservoir 110. Le bras de verrouillage 115 peut alors être relaché et l'ensemble 75 retiré. Etant donné que les microplaquettes sont maintenant Séparées du substrat 11, il est souhaitable de retirer le substrat. Dans ce but, l'ensemble 75 peut titre placé sur un troisième dispositif 120 qui comprend une plaque 121 montée sur des colonnettes 122, la plaque comportant des doigts ou d'autres éléments similaires non représentés, pour assurer la correspondance avec les trous de réception de doigts 53A, 535 prévus dans l'élément support ou de recouvrement 50. De plus, des fixations 128A et 1285 peuvent être connectées à la plaque 121 pour s'engager dans des enfoncements 129A et 1295 prévus respectivement dans l'élément de recouvrement 50.Cependant, la plaque 121 comporte un~groupe d'ouvertures 123 en correspondance avec le groupe d'ouvertures ;8 aligné avec les microplaquettes 13, et bloquant les passages 59 entre les microplaquettes. En appliquant une dépression par l'intermédiaire d'un collecteur 124, les microplaquettes sont maintenues dans leur orientation et position originals sur les extrémités des embouts. Les verrous en torsion 67A et 67B peuvent alors etre tournés et le dispositif 20, avec le substrat 11, peuvent entre retirés. Puis, un élément de recouvrement 125 peut etre disposé sur les microplaquettes, ledit élément de recouvrement comportant un verrou en torsion 126 et 127 identique au verrou 67A et 675 décrit précédemment par rapport au dispositif 20. Comme représenté à la figure 19, l'élément de recouvrement 125 peut comprendre plusieurs ouvertures 130 qui sont alignées avec le côte opposé ou le côte arrière des microplaquettes. Les ouvertures sont destinées à éviter à la tension superficielle de maintenir les microplaquettes contre l'élement de recouvrement lorsque celui-ci est retiré des microplaquettes. De plus, la surface de l'élément de recouvrement en correspondance avec les microplaquettes peut comprendre une surface rainurée évitant la fixation des microplaquettes à l'élément de recouvrement lorsque celui-ci est retiré. Dans le cas où l'on désire saisir les microplaquettes du cté avant, par opposition au cté arrière, pour les placer sur des cartes de circuits, des substrats céramiques, etc..., il peut entre souhaitable d'utiliser un élement de recouvrement identique à l'élément 50 et comprenant un support similaire au support 51. De cette manière, la dépression peut etre appliquée au travers des ouvertures 130 comme elle l'était au travers des ouvertures 58. Ainsi, la présente invention décrit une méthode de séparation de microplaquettes initlividuellas d'une tranche semiconductrice découpée sans modifier l'orientation desdites microplaquettes par le positionnement du support sur lequel les microplaquettes sont collées, la compression d'un support flexible contre les microplaquettes semiconductrices et l'application d'un solvant de matériau de liaison au travers du support jusqu'à ce que les microplaquettes soient décollées du substrat. Bien que l'on ait décrit dans -ce qui précède et représenté sur les dessins, les caractéristiques essentielles de la présente invention appliquée à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toute modification de forme ou de détail qu'il juge utiles sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. REVENDICATIONS 1.- Dispositif pour maintenir des microplaquettes semiconductrices selon une orientation précise, lors de la séparation de ces microplaquettes à partir d'un substrat auquel elles sont liées, le dispositif étant caractérisé en ce qu'il comprend: un premier élément de fixation pour monter une pastille semiconductrice découpée sur un substrat, un gabarit pour aligner la pastille découpée selon une position prédé terminée par rapport au premier élément de fixation, des moyens pour connecter ce substrat à ce premier élément de fixation, un élément de recouvrement pour l'élément de fixation, cet élément de recouvrement renfermant un patin élastique qui presse les microplaquettes individuelles de la pastille contre le substrat qui est monté dans le premier élément de fixation, et des moyens pour bloquer l'élément de recouvrement à l'élément de fixation. 2,- Dispositif eelon la revegdication 1 caractérisé en ce que le patin comporte plusieurs projections tubulaires, chacune de ces projections ayant une extrémité qui entre en contact avec une des microplaquettes individüelles, et un premier groupe d'ouvertures qui s'étend à travers lesdites projections 3.- Dispositif selon la revendication 2 caractérisé en ce qu'il renferme un second groupe d'ouvertures qui sont situées entre les projections tubulaires et alignées avec les sillons des microplaquettes. 4.- Dispositif selon l'une des revendications 1, 2 ou 3 caractérisé en ce qu'il renferme un deuxième gabarit pouvant être positionné par rapport au premier gabarit et permettant d'aligner les microplaquettes selon une arien; tation prédéterminée lorsque la pastille semiconductrice ne comporte qu'une partie des microplaquettes. 5.- Dispositif pour séparer les microplaquettes individuelles d'une pastille semiconductrice découpée, sans perturber leur orientation, et ce à partir d'un substrat auquel les microplaquettes sont liées, ce dispositif étant caractérisé en ce qu'il comprend: des moyens pour fixer le substrat, selon une position prédéterminée, sur un élément de fixation; plusieurs ouvertures soit situées dans l'élément de fixation, chacune de ces ouvertures/etant alignées et adjacentes aux microplaquettes du substrat, soit aboutissant sur un sillon séparant les microplaquettes entre elles, un fluide pouvant détruire le liant maintenant les microplaquettes au substrat, et, une pompe pour diriger le fluide à travers les ouvertures. 6.- Dispositif selon la revendication 5 caractérisé en ce que la pompe comporte un corps de pompe, un soufflet situé dans ce corps de pompe, et des moyens pour faire effectuer un mouvement de va-et-vient au soufflet afin de pomper et diriger le fluide contre le liant. 7.- Dispositif selon la revendication 6 caractérisé en ce qu'il comporte en outre des plaques de support comportant plusieurs ouvertures, et des moyens pour aligner les ouvertures de l'élément de fixation avec les ouvertures situées dans l'élément de support. 8.- Dispositif selon la revendication 7 caractérisé en ce qu'il comporte un réservoir contenant le fluide, et des moyens pour fixer la pompe dans le réservoir, au moins la surface du substrat étant située dans le fluide du réservoir. 9.- Procédé pour séparer des microplaquettes individuelles d'une pastille semiconductrice découpée sans perturber leur orientation, ces microplaquettes étant liées à un substrat, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: le positionnement du substrat sur un élément de fixation, l'orientation du substrat pour aligner les microplaquettes selon une orientation prédéterminée. le blocage du substrat dans cette orientation prédéterminée, l'application d'un patin élastique ayant un premier groupe d'ouvertures qui sont alignées avec les microplaquettes et un second groupe d'ouvertures débouchant dans les sillons séparant les microplaquettes, l'application du patin se faisant contre les microplaquettes, le blocage du patin par rapport aux microplaquettes pour former un ensemble avec l'élément de fixation, le positionnement He cet ensemble par rapport à la sortie d'une pompe et des moyens pour pomper un liquide détruisant le liant maintenant les microplaquettes au substrat, et ce, à travers le second groupe d'ouvertures, jusqu'à ce que le liant soit détruit. 10.- Procédé selon la revendication 9 caractérisé en ce qu'en outre ledit ensemble, auquel est pppliqué un élément de recouvrement est immergé dans un réservoir contenant le liquide 1 1.-Procédé selon la revendication 10 caractérisé en ce que le liquide est dirigé bidirectionnellement à travers le second groupe d'ouvertures. 12. Procédé selon l'une des revendications 10 ou 1 1-waractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes suivantes: l'enlèvement de l'ensemble du réservoir, l'application d'un vide sur le premier groupe d'ouvertures pour maintenir les microplaquettes en position sur le patin, et l'enlèvement du substrat tandis que le vide est maintenu.