Brevet FR2191267A1 — publié le 19740201

Cette invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur ainsi qu'à un procédé de fabrication d'un pareil dispositif. L'invention est matérialisée en premier lieu dans un dispositif semi-conducteur dans lequel des connexions électriques distinctes sont établies avec différentes parties d'une face d'un élément en matériau semi-conducteur par l'intermédiaire d'électrodes respectives appliquées par la pression à des contacts respectifs prévus sur la face en question, une première partie de cette face étant constituée par une couche faisant saillie vers le haut dtzn matériau semi-conducteur dtun type de conductibilité, une seconde partie de cette face étant constitube par un organe conducteur autour duquel la couche fait saillie iwans connexion électrique directe avec elle, organe conducteur comprenant un premier métal établissant un contact ohmique avec une autre couche d'un matériau semi-conducteur de l'autre type de conductibilité qui s'étend également audessous de la première partie de la face précitée, la première partie pouvant supporter à l'intérieur de sa périphérie une couche de contact comprenant un matériau semi-conducteur et un second métal, l'organe conducteur comportant un revêtement isolant, la combinaison, même quand elle est ainsi revêtue, faisant moins saillie que la couche de contact, la connexion électrique avec la couche de contact comprenant une surface ductile déformable pour faire face aux irrégularités de la face de l'élément mais soustraite à la déformation, s'étendant pour établir la connexion électrique entre la surface et 1' organe conducteur. La couche de contact peut Outre obtenue par frittage. Plusieurs organes conducteurs peuvent s1 étendre à partir d'une partie commune en vue de la pénétration susdite. La partie commune des organes conducteurs peut supporter ellemême une autre couche de contact qui peut faire saillie également avec la couche de contact mentionnée en premier lieu. L'organe conducteur peut Outre un alliage du matériau semiconducteur et du premier métal. L'organe conducteur peut être obtenu par frittage. Une partie de l'autre couche de matériau semi-conducteur peut faire saillie entre la première partie et l'organe conducteur. Une autre partie de la face précitée peut être constituée par une couche saillante de matériau semi-conducteur d'un certain type de conductibilité et peut être entourée par ladite partie commune des organes conducteurs sans connexion électrique directe avec elle et supporter lui-m8me une seconde couche de contact comprenant le matériau semi-conducteur et le second métal dont la surface fait saillie également avec celle de la couche de contact mentionnée en premier lieu. La seconde couche de contact peut être obtenue par frittage. Les organes conducteurs conjointement avec la partie commune peuvent comporter une forme en étoile avec rayons fourchus pénétrant dans la couche de matériau semi-conducteur saillante pour former des lobes dans une partie de la couche. Quand l'autre partie de la couche semi-conductrice saillante constitue une cathode auxiliaire et que la première partie est une cathode principale, chacune comportant des jonctions P-N avec une région-de matériau semi-conducteur de l'autre type de conductibilité sur lesquelles elles peuvent être supportées et par rapport auxquelles elles peuvent faire saillie, l'organe conducteur ou les organes peuvent conjointement ménager des trajets de résistance électrique sensiblement égaux entre toutes les parties de la périphérie interne de la jonction P-N de la cathode principale et de la jonction de la cathode auxiliaire P-N.- La surface ductile de la connexion électrique peut être la surface d'un bossage en cuivre formant électrode faisant partie d'une capsule de ltélément.En pareil cas, la surface ductile peut être empêchée d'établir la connexion électrique dans l'organe conducteur par le revêtement isolant constitué par du verre 11dur". La première partie de la face de l'élément peut former ellemême la surface ductile de la connexion et une couche flexible peut être prévue à travers laquelle passe la connexion entre l'élément et l'électrode, cette couche étant soustraite elle-même à la déformation et permettant l'établissement d'une connexion électrique avec l'organe conducteur. Le matériau semi-conducteur peut être du silicium. Le premier métal d'alliage peut être de l'aluminium. Le second métal d'alliage peut être également de l'aluminium. La couche de contact mentionnée en premier lieu peut être constituée par un alliage d'aluminium et de silicium contenant moins de 15,' de silicium. La surface ductile de la première partie de la face peut être une autre couche d'argent appliquée sur la couche de contact mentionnée en premier lieu. La couche flexible peut être constituée par une mince tôle de molybdène. Cette mince tôle peut être supportée entre l'élément et une bosse en cuivre pour permettre un mouvement latéral relatif de l'élément et de la bosse pour un changement de température se produisant dans le dispositif assemblé. L'élément semi-conducteur peut être supporté par une plaque de base en molybdèhe. L'élément peut être monté dans une capsule pourvue d'une paroi flexible supportant un bossage formant électrode à travers lequel cette pression est appliquée par un moyen externe. Le dispositif semi-conducteur peut être un redresseur commandé au silicium dont la cathode principale peut être du type perforé formant émetteur. La cathode auxiliaire peut être,également du type perforé formant émetteur. La cathode principale peut être perforée par des courts-circuits localisés sous la forme de zones en matériau semi-conducteur formant plans allongés disposées sur la cathode de façon que leur plus grand axe soit parallèle au bord le plus voisin de la cathode ou également inclinées sur les bords de cathode'adjacents sur l'un ou l'autre côté. Il est préférable, quand le bord de la cathode est rectiligne, que le bord d'une zone entre ce plus grand axe et le bord de la cathode soit parallèle au bord de la cathode et soit lui-même rectiligne. Les courts-circuits sont, de préférence, répartis sur la surface de la cathode principale de façon qu'au moins 50,' de la surface se trouvent entre le court-circuit le plus voisin et le bord de la surface de la cathode. Quand le bord externe de la cathode principale est circulaire, des zones de court-circuitage rentrantes peuvent être prévues de distance en distance en arc de cercle dans sa longueur. Le revêtement isolant peut être constitué par du dioxyde de silicium ou bien peut-être par de l'oxyde pyrolytique. Â titre de variante, le revêtement peut être un verre "dur" comme le verre au plomb. Un élément semi-conducteur pour un dispositif semi-conducteur à connexion de contact par pression peut être obtenu en faisant évaporer un métal sur les parties non masquées de la face du matériau semi-conducteur de l'élément auquel le contact de pression doit être établi, en déposant un revêtement isolant sur la totalité de cette surface et en éliminant par morsure chimique les parties du revêtement correspondant aux zones de la face à laquelle les contacts de pression peuvent être établis, le reste de l'isole- ment ne faisant pas plus saillie que les zones de connexion par contact de pression de la face en question. Une partie du métal évaporé peut être déposée en contact ohmique avec une couche de matériau semi-conducteur sous-jacente à la couche formant la face et appartenant à un type de conductibilité différent pour former un organe conducteur. Cet organe n'établit pas de contact électrique direct avec la couche formant la face en question. Le matériau semi-conducteur peut être du silicium et les deux types de conductibilités peuvent être présents dans cette face. Le métal peut être de l'aluminium et peut alors être fritté pour constituer une couche ayant une épaisseur représentant de 7 à 9 microns et ne contenant pas plus de 15,' de silicium. Ce silicium peut provenir de 11 élément ou être appliqué par évaporation sur lui. Le revêtement isolant peut être un dioxyde de silicium pyrolitique ayant une épaisseur de l'ordre de 10 à 20 microns ou une- épaisseur analogue en verre au plomb. Une autre couche de matériau peut être appliquée dans les zones de contact par pression pour former une surface ductile qui peut faire saillie au-dessus du niveau du revêtement isolant pour prévenir une connexion par contact de pression indésirable avec la face ou une partie de celle-cie Cet autre matériau peut être de l'argent constituant une couche ayant une épaisseur de l'ordre de 50 microns déposée par placage éleotrolytique Divers modes de réalisation de- l'invention sont décrits ciaprès,- simplement à titre d'exemples b'ailleurs, en regard des dessins schématiques annexés dans lesquels : La fig. 1 est une vue en plan d'un dispositif conforme à l'invention. La fig. 2 est une vue en perspective exagérée d'une partie du dispositif que montre la fig. 1. La fig. 3 est une vue en plan d'une partie de l'émetteur d'un pareil dispositif. Dans la fig. 1 est représentée, vue en plan, une face de lIélé- ment semi-conducteur d'un dispositif redresseur commandé par un se mi-conducteur. La face représentée est celle du coté de la cathode de l'élément avec la cathode principale externe à forme cuspidée en 10 et la cathode auxiliaire centrale en 20. Entre ces cathodes se trouve une cathode étaleuse ou épanouisseuse 40 formée d'organes conducteurs agissant pour constituer des trajets de longueur électrique égale entre toutes les parties de la jonction de cathode auxiliaire et de la jonction de cathode principale. Une pareille électrode est d'ailleurs décrite dans les brevets français 1QO 70-17772 et 70-21240.La forme en étoile de l'électrode d'étalement avec ses rayons ramifiés est particulièrement avantageuse en ce sens qu'elle assure une distribution par courant déclencheur sensiblement égale sur le bord le plus long de la cathode principale, étant donné que la distance d'étalement par conduction jusqu'à un point quelconque de la cathode principale est une courte distance depuis le bord allongé de ltépanouisseur. De cette façon, un amor çage rapide du fonctionnement peut être obtenu sans risque d'endommagement du dispositif par suite d'une sSLrc.auffe locale, La cathode auxiliaire ainsi que la cathode principale peuvent être "perforées" pour produire des émetteurs montés partiellement en courtFairouit. Comme représenté par la fig. 2, qui est une vue en perspective exagérée d'une partie du dispositif que montre la fig. 1 et en partioulier une des fourches d'un rayon ramifié, on voit que les deux cathodes ainsi que ltélectrode d'étalement sont supportées sur une région de base d'un redresseur à commande par semi-conducteur. La région de base est une couche sous-jacente aux parties saillantes de la face en question. Des parties de la surface 30 de cette région sont visibles.La région de base est à conductibilité de type P et, à partir de cette région, fait saillie une région formant cathode en deux parties 11 et 21 à type de conductibilité Les corps de matériau 31 et 32 à conductibilité du type P s'retendent à travers les cathodes respectives principales et auxiliaire pour court-oireuiter partiellement 11 émetteur sur la base 30. Le matériau du type P fait également face aux cathodes comme représenté en 33 et 34. La cathode principale est une région périphérique cuspidée tandis que la cathode auxiliaire est une région nirculaire centrale. Les surfaces de contact 13 et 29 sont ménagées respectivement sur les cathodes principale et auxiliaire et sont d'étendue légèrement inférieure à celle de la surface de la cathode respective.Ces couches de contact sont constituées par un alliage d'aluminium et de silicium qui peut être obtenu par frittage et possède une teneur en silicium inférieure à 15 , de sorte qu'une certaine élasticité se produit lors de la connexion sous pression pour éliminer les irrégularités de la surface. Le terme "alliage" est utilisé dans la présente description, même dans l'hypothèse d'une masse de matériau évaporée et soumise ensuite au frittage. Cet alliage est également produit sur la surface de la couche de base 30 par une méthode préférée qui consiste à établir un organe conducteur 41 autour duquel se dresse la région de la cathode principale. Plusieurs organes conducteurs 41 s'étendent à partir d'une partie commune 41.Les organes conducteurs 41 doivent être disposés, de préférence, de façon à faire saillie par rapport à la surface 30 moins que ne le font les cathodes 11 et 21. Un revêtement isolant qui peut être constitué par du verre au plomb ou par du dioxyde de silicium pyrolytique épais est prévu sur la face de l'élément à quelque distance des régions auxquelles il est désirable d'établir une connexion électrique par un contact par pression. L'épaisseur de ce revêtement isolant est choisie de façon qutaprès que l'une quelconque de ces parties non désirées a été éliminée par morsure chimique pendant la fabrication, la partie restante ne fasse pas saillie - par rapport à la surface de la base 30 plus qu'une cathode et sa couche de connexion. Dans ce mode de réalisation représenté dans la fig. 2, le revêtement doit être au moins prévu sur la surface supérieure de l'organe conducteur 41 comme figuré en 43. L'isolement peut également prétendre au-dessus des cbtés de l'organe 41 et la surface exposée de la base 30. De cette façon, un contact par pression se présentant sous la forme d'un disque ajouré par rapport à la cathode principale peut être empêché d'établir une connexion électrique indésirable avec l'organe conducteur 41 soit par contact, soit par claquage diélectrique en travers d'un intervalle et il n'est pas nécessaire de prévoir une forme de contact complexe et d'assurer ensuite un alignement exact entre cette forme et la partie cuspidée de la cathode prin cipale. Le contact par pression peut tre établi avec un contact de bossage en cuivre ajouré muni d'une couche d'alliage d'aluminium et de silicium ayant une épaisseur approximative de 7 à 9 microns. En pareil cas, le revêtement isolant est "dur" comme celui assuré par un verre au plomb, et résiste å la déformation du bossage de cuivre ductile et est soustrait à tout établissement d'une conne xion électrique avec le conducteur. Toutefois, les recherches qui ont conduit à l'invention ont permis de constater qu'il est préférable de prévoir une autre surface ductile telle que celle fournie par une autre couche en argent ayant une épaisseur de l'ordre de 25 à 40 microns sur la couche d'alliage. Ceci produit, en effet, une connexion de qualité supérieure plus durable. Si une connexion par contact parpression est exigée avec la partie commune des organes de contact 42, cette autre surface ductile peut également être prévue sur elle ainsi que sur la cathode auxiliaire. Cette autre surface est identifiée respectivement par 13, 23 et 42.Le reste de l'élément semi-conducteur peut être établi de toute façon bien connue convenant au dispositif nécessaire, mais dans la suite de cette description, on suppose que l'élément est un disque dont une face est la face de contact par pression et dont l'autre face est fixée à un support tel qutun disque en molybdène. Une pareille combinaison est usuellement encapsulée dans un récipient fermé entre deux bosses en cuivre qui sont sollicitées de porter l'une contre l'autre par un équipement faisant partie du récipient ou placé à l'extérieur de celui-ci pour établir une connexion électrique et thermique par un contact par pression avec l'élément. Une autre caractéristique préférée de l'invention, c'est que la connexion par contact de pression entre la face saillante de l'élément et le bossage en cuivre dans un pareil équipement encapsulé est établie par l'intermédiaire d'une mince- tôle en molybdène flexible. Cette tôle s'zend sur la totalité de la surface de la région formant cathode principale sur la face de l'élément en vue d'établir la connexion électrique avec elle au cours du fonctionnement et peut fléchir pour compenser les irrégularités.Cette tôle stétendégfilement au-dessus de l'organe conducteur pénétrant 41i Toutefois, le contact avec cet élément est empêché étant donné que la tôle résiste à la déformation du bossage en cuivre tendant à l'étendre de haut en bas vers l'organe de contacte Cette tôle est percée d'un trou central pour permettre une connexion électrique distincte de passer à travers elle jcsqutà la partie commune des organes conducteurs et avec la cathode auxiliaire selon les besoins. Comme cette tôle est flexible, elle peut se déformer pour compenser toutes les irrégularités dans l'appareillage de la face du bossage en cuivre avec la face de la surface de la cathode principale. Si, dans ces conditions, la surface de la cathode principale n'est pas parfaitement plate, cette tôle fait face aux irrégularités. En outre, la tôle en conjonction avec l'alliage d'aluminium et de silicium ne contanant pas plus de 15 de silicium et la couche d'argent ductile mentionnée ci-avant supprime toutes les faibles ondulations (3 à 4 microns) entre ces deux surfaces0 En particulier, la tôle de molybdène fait face à la flexion ou au cintrage de la face dressée de l'élément, ce qui posait jusqu'ici un problème qu'il était difficile de résoudre.De cette manière, l'uniformité de la connexion électrique avec la surface de la cathode principale est améliorée. Un mode de fabrication d'un élément semi-conducteur comme décrit ci-avant est indiqué ci-après :- Un élément pourvu de couches 21 et 31 de forme appropriée avec faces ou revêtements 33 et 34 en matière de base appliquée sur cette surface de la région de base 30 est établi par les méthodes classiques bien connues. L'alliage d'aluminium et de silicium est alors soumis à l'évaporation pour stap- pliquer sur la totalité de la face de l'élément afin de former, de préférence par frittage, une couche d'alliage d'aluminium et de silicium. Cette couche a une épaisseur approximative de 6 à 10 microns et le processus de frittage est réglé de façon que la teneur en silicium de l'alliage produit ne déesse pas 15%, faute de quoi une couche fragile en résulterait.L'alliage est alors masqué par un cache et attaqué par morsure chimique par les techniques appartenant au domaine photo-lithographique pour produire les sections distinctes de métallisation représentées et décrites dans ce qui précède. Â titre de variante, l'évaporation peut s'effectuer à travers un masque ou cache. La couche isolante de dioxyde de silicium est alors déposée jusqu'à une épaisseur de 2,0 -+0,5 microns au-dessus de la totalité de la face en question, puis cette face est ensuite masquée photographiquement et attaquée par morsure chimique par de l'acide fluorhydrique tamponné pour éliminer la couche isolante des surfaces où la connexion par contact par pression doit être établie.L'utilisation dtune métallisation par alliage d'aluminium et de silicium dans un procédé qui implique ultérieurement la morsure par l'acide fluorhydrique est particu fièrement avantageuse étant donné que cette métallisation ne réa- git que très lentement avec l'agent de morsure. Comme l'épaisseur désirée du revêtement isolant n'est pas toujours déposée réguliè- rement, des variations de l'ordre de 0,5 microns sur une tranche ayant un diamètre égal à 37 à 38 mm étant observées à moins que la métallisation ne soit suffisamment résistante à la morsure chimique pour qu'il y ait attaque directe quand elle est exposée pendant la morsure du revêtement isolant avant que son enlèvement par rapport à toutes les parties désirées ne soit parachevé. Â titre de variante, une couche de verre au plomb peut être déposée par les techniques bien connues, pour former cette couche isolante de façon à être résistante à la pression. Le verre au plomb peut avoir un coefficient de dilatation thermique compatible avec le matériau du semi-conducteur de 11 élément semi-conducteur. Suivant le procédé à adopter de préférence, la surface ductile 13 est constituée par une couche d'argent ayant une épaisseur approximative de 25 à 40 microns déposée sur la partie supérieure de la couche d'alliage à base d'aluminium et de silicium dans les régions de connexion par contact par pression. Dans ce processus, la croissance totale à partir de la surface de la couche de silicium il représentée dans la fig. 2 représente 40-à 50 microns. Si la couche d'argent 13 est supprimée et qu'un revêtement en verre "dur* est utilisé, la couche d'alliage d'aluminium et de silicium 12 a encore une épaisseur représentant environ 7 à 9 microns. La mince tôle de molybdène décrite ci-avant utilisée avec l'élément produit par le procédé préféré représente une épaisseur approximative de 250 microns. On a fait allusion ci-avant à l'utilisation des "émetteurs perforés" pour la constitution des cathodes. Bien que ceci ne soit pas limité aux émetteurs, ltinvention est avantageusement combinée avec eux et, suivant un mode de réalisation préféré, d'après lequel la cathode principale est partiellement court-circuitée avec la région de base 30 par la technique de l"'émetteur perforé", les "perforations" ont une forme et une disposition particulièrement awantageuses. Chaque perforation (voir la fig. 3) comporte un axe longitu dinar et un axe latéral. Cet axe longitudinal correspond à la di mension la plus longue de la perforation. La dimension longitudinale est, de préférence, le double de la dimension latérale Les perforations sont disposées sur la surface de la cathode principale de façon que leur axe longitudinal soit parallèle au bord le plus rapproché de la cathode; elles sont placées de façon que la surface de la cathode se trouve, autant que possible, entre les perforations et l'électrode d'étalement 40.Dans la réalisation représentée par la fig. 3, il y a au moins 50% de la surface de la cathode qui se trouvent entre la perforation la plus rapprochée et le bord0 Dans la réalisation que montre la fig. 3, le diamètre total de la cathode principale représente environ 30 mm, et chaque perforation représente environ 1 mm sur 0,5 mm. Les perforations, quand elles sont disposées en droite ligne, sont séparées par 1 mm. les unes des autres et du bord adjacent de la cathode principale. Cette forme adoptée pour chaque perforation et le type de disposition choisi se sont avérés au cors d'essais effectués lors de la mise au point de lrinvention, comme capables d'améliorer la vitesse d'étalement et d'assurer le temps d'étalement le plus court pour l'amorçage du dispositif. On remarquera également à l'examen de la fig. 3 que la cathode principale est munie de courts-circuits périphériques afin de compenser la capacité qui existe dans le dispositif quand il est en fonctionnement. Les détails de réalisation peuvent être modifiés, sans sté- carter de l'invention, dans le domaine des équivalences techniques. REVENDICÂTIONS 1.- Elément semi-conducteur pour dispositif semi-conducteur caractérisé en ce que des connexions électriques distinctes sont établies avec différentes parties d'une face de 12 élément d'un matériau semi-conducteur par l'intermédiaire d'électrodes respectives appliquées par pression à des contacts respectifs sur cette face, une première partie de cette face étant une couche faisant saillie en matériau semi-conducteur d'un type de conductibilité, une seconde partie de cette face étant un organe conducteur autour duquel la couche fait saillie sans connexion électrique directe avec elle, l'organe conducteur comprenant un premier métal et établissant un contact ohmique avec une autre couche d'un matériau semi-conducteur de l'autre type de conductibilité qui s'étend également au-dessous de la première partie de la face précitée, la première partie supportant à l'intérieur de sa périphérie une couche de contact comprenant un matériau semi-conducteur et un second métal, l'organe conducteur étant pourvu d'une couche isolante, la combinaison ainsi revêtue faisant moins saillie que la couche de contact, la connexion électrique avec la couche de contact comprenant une surface ductile déformable pour faire face aux irrégularités de la face de l'élément mais soustraite à la déformation s'étendant pour établir une connexion électrique entre la surface et l'organe conducteur. 2.- Elément suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de contact est obtenue par condensation d'un matériau à partir d'une vapeur. 3.- Elément suivant la revendication 2, caractérisé en ce que le matériau condensé est fritté pour s'incorporer à la couche de contact. 4.- Elément suivant l'une quelconque des revendications 1, 2 ou 3, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs organes conducteurs s'étendant à partir d'une partie commune. 5.- Elément suivant la revendication 4, caractérisé en ce que cette partie commune supporte eliFmême une autre couche de contact pour faire saillie également par rapport à la première couche de contact mentionnée en premier lieu. 6.- Elément suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que organe conducteur est formé par un alliage du premier métal et d'un matériau semi-conducteur. 7.- Elément suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur est le même que celui qui forme l'élément. 8.- Elément suivant l'une quelconque des revendications Uré- cédentes, caractérisé en ce que l'organe conducteur est obtenu par frittage. 9.- Elément suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une partie d'une autre couche de matériau semi-conducteur fait saillie entre la première partie mentionnée et l'organe conducteur. 10.- Elément suivant l'une quelconque des revendications Ir- cédentes, caractérisé en ce que cette couche saillante en matériau sem-i-conducteur à un type de conductibilité forme une autre partie de la face. 11.- Elément suivant l'une quelconque des revendications 4 à 10, caractérisé en ce que l'autre partie de la face est entourée par ladite partie commune des organes conducteurs sans connexion électrique directe avec eux. 12.- Elément suivant la revendication 10, ou la revendication 11, caractérisé en ce que cette autre partie de la face supporte elle-même une seconde couche de contact comprenant un matériau semi-conducteur et un second métal, la surface de cette couche faisant saillie également par rapport à celle de la première couche de contact mentionnée. 13.- Elément suivant la revendication 12, caractérisé en ce que la seconde couche de contact est obtenue par frittage. 14.- Elément suivant la revendication 4 ou l'une quelconque des revendications précédentes~, caractérisé en ce que les divers éléments conducteurs conjointement avec la partie commune ont une forme en étoile avec rayons ramifiés, la partie de la couche de matériau sen-i-conducter saillante étant établie tour former des lobes entre ces rayons. 15.- Elément suivant l'une quelconque des revendications Frécédentes, caractérisé en ce qu'une partie de la couche semi- conductrice saillante constitue la cathode principale etune autre tartie constitue le cathode asxiliaire, cette tartie comportant des jonctions -Dl avec une région de matériau semi-conducteur de l'autre type de condnctibilité et sur laouelle région elles sont supportée et ar rapport à laquelle elles se dressent,ltélé- ment conducteur ou les éléments nageant conointe-ent des parties ayant une résistance électrique sensiblement égale entre toutes les parties de la jonction P- de la cathode auxiliaire et une périphérie interne de la jonction P-E de la cathode principale. 16.- Elément suivant l'une quelconque des revendications précédentes, áractéris-é en ce qu'il est enveloppé dans une capsule pourvue d'un bossage en cuivre formant électrode dont la surface constitue la surface ductile de la connexion électrique. 17.- Elément destiné à l'encapsulation suivant la revendication 16, caractérisé en ce que la surface ductile est soustraite à la connexion électrique avec l'organe conducteur par le rev8te- ment isolant en verre "dur. 18.- Elément suivant l'une quelconque des revendications I à 15, caractérisé en ce que cette surface ductile est ménagée dans la première partie de la face de l'élément lui-même. 19.- Elément suivant la revendication 18, destiné à un encapsulage, caractérisé en ce qu'il comprend un bossage formant électrode et une couche flexible à travers laquelle passe la connexion électrique entre l'élément et le bossage formant l'électrode, cette couche étant soustraite à la déformation et permettant l'établissement de la connexion électrique avec l'organe conducteur. 20.- Elément suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur de .11 élément est du silicium. 21.- Elément suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau formant semi-conducteur compris dans la couche de contact est du silicium. 22.- Elément suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier métal est de l'aluminium. 23.- Elément suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le second métal est de l'aluminium. 24.- Elément suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche de contact de la première partie de la face est de l'aluminium et du silicium, la teneur en silicium étant inférieure à 15%. 25.- Elément suivant l'une quelconque des revendications 18 à 24, caractérisé en ce que la surface ductile forme une autre couche en argent établie sur la couche de contact de la première partie de la face. 26.- Elément destiné à l'encapsulation suivant l'une quelcon que des revendications 19 à 25, caractérisé en ce que la couche flexible est une tôle mince au molybdène. 27.- Elément destiné à ltencapsulage suivant la revendication 26, caractérisé en ce que cette tôle mince en molybdène est supportée entre l'élément et un bossage en cuivre formant électrode permettant un mouvement latéral relatif de l'élément et du bossage suivant les changements de température intéressant l'encapsulage. 28.- Elément destiné à l'encapsulage suivant l'une quelconque des revendications 19 à 27, caractérisé en ce que cet élément est supporté par une plaque de base en molybdène. 29.- ment destiné à l'encapsulage suivant la revendication 16 ou l'une quelconque des revendications 19 à 28, caractérisé en ce qu'il comprend une paroi flexible supportant un bossage formant électrode auquel une pression est appliquée par un système externe afin d'établir une connexion électrique distincte. 30.- Elément suivant l'une quelconque des revendications précédentes, destiné à un redresseur à commande par semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend une cathode principale du type à émetteur perforé. 31.- Elément suivant la revendication 30, caractérisé en ce qu'il comprend une cathode auxiliaire du type formant émetteur perforé. 32.-Eldment suivant les revendications 30 ou 31 caractérisé en ce que la cathode principale est perforée par des courts-circuits localisés sous la forme de zones de matériau semi-conducteur de plans allongés disposés sur la cathode, de façon que axe soit parallèle au bord le plus rapproché de la cathode et également inclinés par rapport aux bords adjacents de la cathode d'un côté ou de l'autre. 33.- Elément suivant la revendication 32, caractérisé en ce que le bord de la cathode est rectiligne et en ce que le bord d'une zone s'étendant entre cet axe le plus long et le bord de la cathode est parallèle au bord de la cathode et est lui-même rectiligne. 34.- Elément suivant l'une quelconque des revendications 30 à 33, caractérisé en ce que les perforations sont ménagées par des courts-circuits localisés répartis sur la surface de la cathode principale de façon que 50,' au moins de la surface se trouvent entre le court-circuit le plus rapproché et le bord de la surface de la cathode0 35.- Elément suivant l'une quelconque des revendications 30 i 34, caractérisé en ce que le bord externe de la cathode principale est circulaire et est muni de zones de court-circuitage de distance en distance. 36.- Elément suivant l'une quelconque des revendications précédentes* caractérisé en ce que le revêtement isolant est constitué par du dioxyde de silicium. 37.- Elément suivant la revendication 36, caractérisé en ce que le revêtement en dioxyde de silicium est obtenu sous forme d'un oxyde pyrolitique. 38.- Elément suivant l'une quelconque des revendications 1 à 35, caractérisé en ce que le revêtement isolant est constitué par du verre "dur" tel que du verre au plomb. 39.- Procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur destiné à un dispositif semi-conducteur à connexion par contact à pression caractérisé par les opérations consistant à faire évaporer un métal sur les parties non masquées de la face du matériau semi-conducteur de l'élément avec lequel le contact par pression doit être établi, puis à déposer un revêtement isolant sur la totalité de cette face et à éliminer par morsure chimique les parties du revêtement correspondant aux surfaces de la face auxquelles le contact par pression doit être établi, le reste de l'isolement ne faisant pas davantage saillie que les surfaces à contact par pression de la face. 40.- Procédé suivant revendication 39 caractérisé en ce qu'une partie du métal évaporé est déposée-par contact ohmique avec une couche de matériau semi-conducteur sous-jacente à la couche formant la face et ayant un type de conductibilité différent pour former un organe conducteur, cet organe conducteur n'établi sant pas de contact électrique direct avec la couche formant la face. 41.- Procédé suivant les revendications 39 ou 40, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur est du silicium et en ce que les deux types de conductibilité sont présents. sur la face précitée. 42.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications 39, 40 et 41, caractérisé en ce que le métal évaporé est de l1alumi- nium. 43.- Procédé suivant la revendication 42, caractérisé en ce que le silicium est également évaporé sur les parties non masquées. 44.- Procédé suivant les revendications 42 ou 43, caractérisé par l'opération consistant à exécuter un frittage pour forger une couche d'aluminium et de silicium ayant une épaisseur représentant environ 7 à 9 microns et ne contenant pas plus de 15% de silicium. 45.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications 39 à 44, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération consistant à déposer le revêtement isolant de dioxyde de silicium pyrolytique selon une épaisseur représentant environ 10 à 20 microns. 46.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications 39 à 45, caractérisé en ce qutil comprend l'opération consistant à établir un revêtement isolant en verre au plomb ayant une épaisseur approximative de 10 à 20 microns. 47.- Procédé suivant la revendication 79 ou l'une quelconque des revendications suivantes, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération consistant à appliquer une autre couche de matériau aux surfaces de contact par pression pour former une surface ductile s'élevant à quelque distance au-dessus du niveau du revêtement isolant afin d'empêcher la connexion par contact par pression indésirable avec la face ou partie de ce revêtement. 48.- Procédé suivant la revendication 47, caractérisé par ce fait que l'autre matériau est constitué par de l'argent déposé sur une couche ayant une épaisseur approximative de 50 microns par placage électrolytique.