Brevet FR2161798A1 — publié le 19730713

La présente invention concerne un procédé de diffusion d'impuretés de dopage dans un corps semiconducteur, par évaporation d'une source d'impuretés et chauffage dudit corps placé avec ladite source dans une enceinte à atmosphère contrôlée. La présente invention concerne également un dispositif de mise en oeuvre de ce prodédé de diffusion. Dans la fabrication d'un grand nombre de dispositifs semiconducteurs on fait appel aux techniques de diffusion pour réaliser des jonctions au sein d'un cristal. Pour ces jonctions dont les caractéristiques conditionnent les qualités des dispositifs, la diffusion doit permettre d'obtenir de façon optimale un certain gradient de concentration d'impuretés en fonction de la profondeur, en même temps qu'une concentration de surface et une profondeur de jonction ddtermindes. Divers dispositifs semiconducteurs comme les diodes électroluminescentes voient par exemple leur efficacité améliorée grâce une jonction de gradient faible et constant, à une faible profondeur de jonction et à une concentration de surface située entre des limites prédéterminées, peu élevées mais précises. Lorsque la diffusion est effectuée à partir d'une impureté en phase vapeur, les facteurs essentiels qui conditionnent ces caractéristiques de la jonction, outre la durée de l'opération, sont la température du corps semiconducteur et la pression de vapeur de l'impureté au dessus de ce corps. Si la surface du corps semiconducteur ne risque pas, à la température nécessaire à la diffusion, d'entre érodée par sublimation ou dissociation, l'impureté est amenée au dessus du corps au moyen d'un courant de gaz porteur, dans une enceinte dite ouverte, traversée par le courant de gaz. Mais ce procédé ne peut être appliqué à des semiconducteurs comme l'arséniure de gallium par exemple, dont la pression de dissOaiatin n'est pas négligeable. Dans un courant de gaz, la surface en serait érodée et il est nécessaire d'opérer en enceinte fermée, de préférence hermétiquement close. Le plus souvent, l'enceinte fermée utilisée est une ampoule, par exemple de silice vitreuse, préalablement vidée d'air puis scellée, bien que cette méthode ait l'inconvénient de nécessiter une nouvelle enceinte à chaque opération et de limiter le choix des matières utilisables pour l'enceinte. Pour obtenir une concentration de surface et un gradient de concentration assez faibles, il faut contrôler non seulement la température de diffusion et la durée de la diffusion, mais aussi la pression de vapeur de l'impureté : une méthode connue pour agir sur cette pression de vapeur, dans les procédés de diffusion en enceinte fermée, est d'employer comme source de matériau diffusant, une solution de ce matériau au lieu de ce matériau pur. On sait en effet que, selon la loi deRaoult, la pression de vapeur d'un soluté au-dessus d'une solution est directement proportionnelle à la proportion atomique de ce soluté dans le solvant. Mais une telle méthode exige une préparation délicate du composé nécessaire, d'autant plus que la proportion atomique, et de ce fait les masses mises en oeuvre, que demandent les faibles concentrations de surface souvent demandées, sont très petites. De plus, la reproductibilité de l'opération de diffusion souffre également de ce que l'enceinte doit être renouvelée chaque fois il est très difficile de retrouver des conditions de volume rigoureusement constantes. Un autre inconvénient des diffusions en enceinte fermée, même imparfaitement étanche est que, lors du refroidissement de 1 'en ceinte, il se produit des condensations, en particulier à la surface du corps semiconducteur, ce qui oblige à pratiquer une opération de "trempe" délicate et de résultat incertain. I1 arrive même fréquemment que des condensations se produisent au cours de la diffusion, par suite de faibles écarts de température apparaissant éventuellement entre différents points de l'en- ceinte de réaction. Ces condensations peuvent être celles de composés formés par l'élément dopant et un élément de la surface du corps recevant la diffusion, composés souvent très stables constituant alors des dépôts indélébiles. Enfin, en enceinte fermée, il peut se présenter des risques de détériotation du matériel et même des dangers pour les opérareurs dans le cas où l'on utilise des matériaux présentant de très fortes tensioiis de vapeur aux températures atteintes pendant ltopé- rat ion de diffusion. Si lton opère dans une enceinte non hermétiquement close, les fuites qui se produisent modifient de façon aléatoire les pressions partielles des gaz et vapeurs contenus dans l'enceinte. Ces pressions n'étant plus maRtrisées, les opérations ne sont plus reproductibles, les résultats sont irréguliers et aléatoires. On a cherché à éliminer les inconvénients des procédés de diffusion en enceinte fermée, en utilisant une enceinte ouverte seulement à ses deux extrémités, placée dans une seconde enceinte parcourue par un courant de gaz inerte. Un tel procédé, décrit notamment dans le brevet français no 1 297 582 se présente comme un procédé en enceinte ouverte, dont certains inconvénients dus à la cinétique des gaz porteurs, sont atténués. Mais ces procédés ne paraissent pas applicables à la diffusion dans des corps semiconducteurs composés, dont un composant au moins est volatil et présente une tension d'équilibre de vapeur non négligeable à la température de diffusion, comme certains composés comprenant au moins un élément de la colonne III de la classification périodique des éléments et au moins un élément de la colonne V, et dont l'arséniure de gallium est un exemple. En effet, dans ces procédés, le corps semiconducteur est placé dans une dérivation du courant gazeux protecteur, l'atmosphère à la surface du corps est continuellement renouvelée, une évaporation éventuelle ne peut que se poursuivre durant toute l'opération et il en résulte une altération de l'état de surface recevant la diffusion.De plus, la répartition des courants gazeux entre l'enceinte intérieure et le volume qui l'entoure est mal définie ; il en résulte que les pressions partielles équivalentes qui sont contrôlées par les débits ne sont pas définies non plus avec précision : la reproductibilité du procédé est insuffisante. La présente invention se propose de pallier les inconvénients des méthodes exposées ci-dessus et de fournir un procédé et un dispositif de mise en oeuvre permettant d'effectuer des diffusions en phase vapeur dans les meilleures conditions, dans des corps semiconducteurs et en particulier dans des matériaux susceptibles de dissociation aux températures de diffusion. Un autre but de l'invention est de fournir un procédé et un dispositif de mise en oeuvre assurant la reproductibilité des conditions de diffusion et des caractéristiques des diffusions obtenues. Selon l'invention, le procédé de diffusion d'une impureté dedopage dans un corps semiconducteur, par évaporation d'une source dtimpuretdset chauffage dudit corps placé, avec ladite source, dans une enceinte à atmosphère contrôlée, est remarquable principalement en ce que pendant la diffusion, la pression partielle de la vapeur d'impureté est limitée par un échange gazeux, à travers un passage de section calibrée et de longueur déterminée, entre ladite enceinte et une atmosphère de gaz protecteur constamment renouvelée, entourant ladite enceinte, sous une pression voisine de la pression atmosphérique. Dans le procédé selon l'invention, l'unique passage de communication entre l'enceinte de diffusion et l'atmosphère protectrice renouvelée permet des échanges gazeux mais ne permet pas que s!établisse à travers l'enceinte un courant gazeux permanent qui pourrait éroder la surface du corps. Un équilibre des pressions tend à s'établir par échange entre ladite atmosphère et l'enceinte. La pression partielle de la vapeur de l'impureté de dopage est diminuée, relativement à la valeur qu'elle atteindrait si l'enceinte était fermée, grâce à la fuite limitée qui se produit à travers le passage de communication. La Demanderesse a constaté qu'un passage de communication de dimensions convenables permettait d'obtenir au-dessus du corps semiconducteur une pression de la vapeur dopante déterminée, plus faible que la pression partielle qui résulterait de l'évaporation de la source dans une enceinte fermée à la même température, le passage permettant une évacuation progressive de dopant par diffusion à travers le gaz occupant ledit passage. I1 apparat qu'il s'établit l'équivalent d'une pression partielle affaiblie, sensiblement constante.Par contre, la pression d'équilibre des phases vapeurs des constituants les plus volatils des corps semiconducteurs au-dessus de la phase solide qu'vils constituent, étant le plus souvent de plusieurs ordres de grandeur plus faibles que les pressions de vapeurs partielles nécessaires aux diffusions, ne peut donner lieu à une perte mesurable de ces constituants par le passage de communication. On constate d'autre part que la diffusion dans l'enceinte du gaz protecteur tend à homogénéiser les températures et à suppri- mer les gradients localisés, et qutil ne se produit pas dans l'enceinte et en particulier sur la surface du corps semiconducteur de condensations telles qu'il s'en produit dans une enceinte dite fermée par suite d'éventuels légers écarts de température3 de déséquilibres localisés de pressions partielles, de réactions entre dopant et corps semiconducteurs, les vapeurs proches de la condensation diffusant en outre de façon continue vers le passage de communication ; ce passage permet également d'effectuer le refroidissement sans précautions spéciales. Par contre, l'enceinte de diffusion n'étant pas traversée par un courant gazeux comme c'est le cas dans les procédés en enceinte dite ouverte, les conditions d'équilibre peuvent s'établir et ne plus être perturbées, les températures sont bien définies et les conditions d'expérience sont en conséquence très bien reproductibles. La masse de dopant prévu dans la source est suffisamment importante pour que cette dernière ne s'appauvrisse pas au cours d'une diffusion. La pression partielle de dopant ne varie pas, ce qui améliore les conditions de reproductibilité. Le procédé selon l'invention permet d'obtenir de très faibles concentrations superficielles d'impureté diffusée, tout en par mettant simultanément de diffuser longtemps et profondément avec un gradient en profondeur particulièrement faible. Le procédé de diffusion selon l'invention permet par exemple d'obtenir un meilleur profil de concentration dans la couche diffusée des diodes électroluminescentes en matériau composé du type arséniure de gallium que ne le permettraient les procédés connus en enceinte fermée, étanche ou non étanche. L'amélioration des conditions de diffusion permet ainsi des tolérances plus larges dans la sélection des matériaux de départ, un meilleur rendement dans les fabrications et de meilleures caractéristiques des diodes fabriquées. Selon un mode préférentiel de mise en oeuvre du procédé, on donne au passage de communication entre l'enceinte et l'atmos~ phère de gaz protecteur une grande longueur, une section de faible surface et de préférence une surface de paroi relativement importante. Ces caractéristiques assurent une communication suffisante -pour que des diffusions gazeuses puissent se produire et établir aisément des équilibres de pression, mais représentent une perte de charge suffisamment forte pour interdire des courants gazeux sensibles. Par exemple, la longueur du passage est supérieure à cinq fois la longueur du côté du carré de surface équivalente à la section du passage et la surface de paroi de ce dernier est de l'ordre de cent fois la surface de ladite section. La pression partielle de la vapeur d'impureté de dopage est fonction, entre autres, de la pression de l'atmosphère entourant l'enceinte, du fait de l'équilibre qui tend à stdtablir à travers le passage calibré. I1 est avantageux de déterminer les dimensions de ce passage en prévoyant une atmosphère protectrice sensiblement à la pression atmosphérique normale. D'autre part, on donne de préférence au passage calibré, une longueur réglable ou au moins ajustable. En augmentant la longueur du passage calibré, il est possible d'augmenter de façon progressive la pression partielle équivalente de la vapeur de dopage, toutes autres conditions égales par ailleurs. En diminuant la longueur du passage, cette pression est diminuée et le réglage est aisé du fait qu'une différence de longueur de passage importante ne correspond qu'à un faible écart de pression. Un autre avantage du procédé selon l'invention est que la pression à l'intérieur de l'enceinte de diffusion ne peut atteindre de valeur dangereuse. Cette pression n'a plus à intervenir dans le choix du matériau de l'enceinte. La nécessité de fermeture par scellement n'intervient plus dans ce choix et l'absence de scellement évite aussi que l'atmosphère de l'enceinte ne soit polluée par les- impuretés indésirables qui se dégagent lors d'une telle opération. Avant la diffusion, il est impératif de protéger l'enceinte de diffusion de la'air qu'elle contient, et d'y admettre un gaz protecteur. Le passage de communication défini ci-dessus permet d'effectuer cette purge, après que la source d'impuretés de dopage et le corps semiconducteur aient été placés dans l'enceinte de dif- rusion. Selon un mode préférentiel de mise en oeuvre du procédé, l'enceinte de diffusion est disposée à l'intdrieur d'une zone froide d'une chambre avec laquelle elle est en communication par ledit passage de section calibrée et de longueur déterminée, chambre dans laquelle on fait circuler un courant de gaz protecteur, ce gaz protecteur est admis dans la totalité du volume de l'enceinte de diffusion à travers ledit passage, après quoi l'enceinte de dif fision est amenée dans une zone de la chambre portée à une température d'évaporation de la source d'impuretés, puis y est maintenue pendant un temps déterminé par le gradient et la profondeur de la diffusion à effectuer. Le procédé ainsi mis en oeuvre est d'une grande simplicité et requiert un minimum d'appareillage. Les impuretés indésirables présentes en début d'opération sont éliminées lors du remplissage de l'enceinte de diffusion par le gaz protecteur. Pour obtenir ce remplissage, il est avantageux d'accélérer le processus de diffusion du gaz dans l'enceinte de diffusion et pour cela d'accélérer la sortie de l'air qui la remplit à l'origine en chauffant légèrement cette enceinte, ce qui est avantageusement obtenu en la plaçant dans une zone de la chambre intermédiaire entre la zone froide et la zone maintenue à la température de diffusion. De préférence, ce chauffage ou ce déplacement est effectué progressivement, le passage calibré de communication entre la chambre et l'enceinte étant situé à l'ex- trémité de l'enceinte de diffusion la dernière atteinte au cours de cet échauffement progressif. Selon un mode avantageux de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, pour évacuer plus rapidement l'atmosphère d'origine de l'enceinte de diffusion, un courant additionnel de gaz protec- teur est envoyé et orienté de façon à créer, dans la région de la chambre où débouche le passage de communication, une légère dépression. Selon un autre mode de mise en oeuvre du procédé selon 1 'in- vent ion, pour faire pénétrer le gaz protecteur dans tout le volume de l'enceinte de diffusion, cette dernière est mise en relation avec des moyens de pompage extérieurs, ceux-ci sont mis en action jusqu'à ce que le gaz protecteur aspiré à travers ledit passage, occupe la totalité du volume de ladite enceinte, après quoi cette dernière est isolée desdits moyens de pompage. Le pompage, par exemple au moyen d'une pompe à vide, permet d'accélérer la purge de l'enceinte de diffusion, de l'effectuer à basse température, et de garantir que cette purge est complète. On obtient de plus, un dégazage des parois, et de tout l'appareil lage ainsi que des produits et du corps contenus dans l'enceinte. De préférence, dans l'enceinte de diffusion, la source d'impuretés est placée à l'opposé du passage calibré, par rapport au corps semiconducteur recevant la diffusion. Par exemple dans une nceinte tubulaire, la source est placée à une extrémité du tube, où est branchée éventuellement une canalisation de liaison aux moyens de pompage ; le passage calibré est situé à l'autre extrémité et des plaquettes semiconductrices sont placées dans la zone centrale de l'enceinte tubulaire. De préférence, pour éviter des condensations lors du refroidissement, après diffusion, l'enceinte contenant le corps semi- conducteur est amenée progressivement dans la zone de la chambre qui est à basse température. Le refroidissement progressif élimine les risques de condensation sur le corps semiconducteur traité et en même temps les risques que comporte l'opération de "trempe" que l'on doit effectuer dans les procédés en enceinte fermée, pour éviter ces inconvénients. Le procédé permet d'utiliser des sources d'impuretés de toutes sortes et le choix permis donne la possibilité d'obtenir notamment une gamme étendue de pressions de vapeur dopante, en particulier dans les très faibles pressions. Selon un mode préférentiel de mise en oeuvre, dans le cas où une très faible pression de vapeur dopante est nécessaire, la source d'impuretés est constituée par un composant de l'élément dopant et, de préférence, par un composé de cet élément et d'un des éléments constituant le matériau semiconducteur. Le procédé selon l'invention permet en effet d'utiliser cette méthode connue d'établissement de faibles pressions partielles, qui fait application de la loi Raoult, comme elle est utilisée dans les procédés connus en enceinte fermée. Mais la pression de vapeur équivalente obtenue au-dessus du corps étant plus faible, pour un même composé dopant, que la pression partielle effective obtenue dans une enceinte fermé, cette méthode connue peut se contenter, dans le cas du procédé selon l'inw vention, de moins de précision et s'avère moins délicate d'emploi. La conjugaison d'une source composée et de la fuite par le passage calibré permet obtenir des pressions de vapeur équivalentesaussi faibles que l'on désire. La présente invention concerne également un dispositif permettant de mettre en application le procédé décrit plus haut et ses différentes formes de mise en oeuvre. Selon l'invention, le dispositif destiné à la diffusion d'une impureté de dopage dans un corps semiconducteur, comportant une enceinte à atmosphère contrôlée dans laquelle sont placés ledit corps et une source d'impureté, comportant d'autre part une source de gaz protecteur et des moyens de chauffage de ladite enceinte, est remarquable principalement en ce que ladite enceinte est formée d'un ensemble de deux tubes fermés chacun à une extrémité, disposés de façon à déterminer entre leurs extrémités fermées un volume suffisant pour recevoir ledit corps et ladite source eD à ménager entre leurs parois cylindriques un passage tubulaire de très faible section, l'ensemble étant placé dans une chambre constituée par un troisième tube parcouru par un courant de gaz protecteur sous une pression voisine de la pression atmosphèrique et ledit troisième tube étant placé dans un four comportant une première zone à température homogène suffisamment longue pour que ladite enceinte puisse être maintenue à la température de cette zone et une seconde zone à basse température de longueur du même ordre. L'ensemble de deux tubes concentriques permet d'obtenir un passage de communication de faible section si les deux tubes sont de diamètre voisins et la longueur du passage est réglable simplement par déplacement d'un tube par rapport à l'autre. Le dispositif selon l'invention est simple, facile à nettoyer, à dégazer, rdutilisable et il se prête ainsi à des fabrications industrielles. Le chargement de l'enceinte est simple, les corps semiconducteurs et la source d'impureté pouvant être introduits dans le tube extérieur, avant miseen place du tube intérieur. Avantageusement, la différence entre le diamètre intérieur du tube extérieur et le diamètre extérieur du tube intérieur est de 5 à 10 % de ce dernier, la longueur commune de tangence des deux tubes orientés dans le même sens, étant de l'ordre de 2 à 10 fois ce diamètre. Dans une forme de réalisation du dispositif décrit ci-dessus, un des tubes de Ensemble formant l'enceinte de diffusion est prolongé par une canalisation munie d'une vanne d'arrêt et branchée sur des moyens de pompage, par exemple sur une pompe à vide. Il est avantageux que le tube ainsi prolongé soit le tube extérieur et que la canalisation de prolongation soit rectiligne et dirigée selon l'axe du tube. Cette canalisation travers une extrémité du troisième tube servant de chambre extérieure contenant l'atmosphère protectrice et peut ainsi servir éventuellement à la manipulation de l'enceinte de diffusion, permettant de la déplacer de zone froide en zone chaude et inversement. Avantageusement, une première canalisation apporte du gaz protecteur à l'extrémité de la chambre extérieure située du côté de l'extrémité fermée de l'enceinte de diffusion, une seconde canaw lisation apporte du gaz protecteur à l'autre extrémité de 3chambre et une sortie de gaz est ménagée au voisinage de cette autre extrémité, ladite chambre étant par ailleurs entièrement fermée. Selon une autre forme de réalisation d'un dispositif de mise en oeuvre de l'invention, l'enceinte de diffusion est constituée d'un tube fermé par une paroi poreuse, perméable aux gaz, de porosité déterminée. Par exemple, un tube en silice est fermé par un bouchon de silice frittée, à gros grain. Le bouchon peut également être constitué par un tamis à mailles calibrées ou par plusieurs tamis successifs placés dans un tube calibré, le bouchon faisant dans tous les cas obstacle à un courant gazeux, mais permettant la diffusion des gaz et vapeurs et constituant ainsi le passage de communication entre l'enceinte de diffusion et l'atmosphère de gaz protecteur constamment renouvelé. L'invention est applicable à la diffusion des diverses impuretés de dopage utilisées dans les fabrications des semiconducteurs, dans des corps constitués par les divers matériaux utilisés dans ces fabrications. L'invention est applicable tout particulièrement à la diffusion des impuretés de dopage dans les corps semiconducteurs de composés comprenant des éléments des colonnes III et V de la classification périodique des éléments, notamment de composés de gallium, d'arsenic et de phosphore et des composés de gallium, d'aluminium et d'arsenic, l'impureté le plus souvent diffusée dans ces derniers composés étant le zinc. La description qui va suivre en regard des dessins annexés donnés à titre d'exemple fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 est une coupe longitudinale selon la ligne BB de la figure 2 d'une enceinte de diffusion. La figure 2 est une coupe transversale selon la ligne AA de la figure 1 de la même enceinte. La figure 3 est une coupe schématique longitudinale d'un dispositif de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. La figure 4 est une cuupe schématique longitudinale d'un autre dispositif de mise en oeuvre. Sur les figures 1 et 2 on voit une enceinte de diffusion formée de deux tubes calibrés, un tube extérieur 1 et un tube 2 intérieur de longueur plus petite; Les deux tubes sont disposés l'un dans l'autre de façon à déterminer un volume intérieur 3, le tube 2 pouvant être simplement posé, sans aucun moyen de fixation. Le diamètre extérieur du tube 2, est légèrement plus faible que le diamètre intérieur du tube l, ce qui ménage entre les deux tubes un passage 4 mettant en communication le volume intérieur 3 et l'extérieur des tubes. La longueur de ce passage est réglable en tirant plus ou moins le tube 2 hors du tube 1. Au voisinage de l'extrémité 5 du tube 1 opposée au tube 2, une gorge 6 formée par l'étranglement du tube 1 permet à ce dernier de contenir la petite masse de solide ou de liquide 7 qui constitue la source d'impuretés. Dans le tube 1 sont disposées les plaquettes d'un matériau semiconducteur dans lesquelles doit être effectuée la diffusion de l'impureté de dopage obtenue par évaporation de la source 7. Ces plaquetttes sont maintenues écartées les unes des autres sur un support 9. De préférence, les plaquettes planes sont disposées verticalement à l'axe des tubes de façon à ne pas gêner les échanges gazeux et les diffusions de vapeurs dans l'atmosphère du tube. L'enceinte formée par les tubes 1 et 2 est placée dans une chambre tubulaire comme montré sur la figure 3. Sur cette figure on voit une enceinte 10 formée des tubes 11 et 12 déterminant un volume intérieur 13. A l'intérieur de ce volume, sont placées des plaquetttes 18, maintenues dans un support 19 et une source dtim- puretés 17. L'enceinte est placée sur un chariot 20 muni d'une tige de manoeuvre 21 et introduit dans une chambre 22 constituée d'un tube 23, fermé par un bouchon 24 et muni à une extrémité n'entrae d'une tubulure rde g z 25 et à l'autre extrémité d'une tubulure de sortie de gaz 26 ainsi que d'une seconde tubulure permettant un appoint de gaz 27.Le tube 23 est disposé dans un four 28 chauffé par des résistances 29 déterminant une zone chaude à température uniforme de longueur correspondant au moins à la longueur utile de l'enceinte 20. Dans la chambre 22, l'enceinte 20 peut occuper plusieurs positions : soit une position dite en zone froide, en dehors du four 23 comme indiqué sur la figure, soit une position de diffusion dite de zone chaude, celle-ci étant maintenue à la température nécessaire à la diffusion, soit une position intermJdiaire pour laquelle la température de l'enceinte est plus élevée que l'ambiante mais beauooupplus faible que la température de diffusion et qui sert à la purge de l'enceinte. I1 est possible de prévoir un tube 23 plus long et une zone sup plémentaire à température peu élevée permettant de maintenir l'enceinte à température de purge entre la position de zone froide et la position de diffusion. La figure 4 représente une variante de réalisation du dispositif. Ltpnceinte 40, identique à l'enceinte décrite ci-dessus, exception faite de son extrémité 41, opposée au tube intérieur 42, sur laquelle est branchée un tube 43, muni d'une vanne 44. Une canalisation d'aspiration de pompe à vide peut être branchde en 45. L'enceinte 40 peut être déplacée sur une glissière 46, à l'intérieur d'une chambre 47 constituée d'un tube 52 fermé par un bouchon 53, la manoeuvre étant opérée au moyen du tube 43 qui sort à une extrémité 48 de la chambre 47. Cette dernière est munie dtune arrivée de gaz 49 et d'une sortie de gaz 50 et elle est située en partie dans un four 51. d application On donne ci-après un exemple/du procédé selon l'invention à la diffusion du zinc dans des plaquettes d'arséniure de gallium de formule Ga As, PxJ de type de conductivité n. L'opération est effectuée à l'aide d'un dispositif de type représenté sur les figures 1, 2, 3. Dans un tube de silice de diamètre intérieur de l'ordre de 20 à 25 mm, est placée une bille d'alliage zinc-gallium ayant une concentration atomique de 10 % de zinc,. préparée en faisant dissoudre du zinc dans du gallium à 1000 C et en refroidissant ensuite la solution. On dispose éga liement dans le tube des plaquettes devant recevoir la diffusion vertiealemeht et parallèlement à'axe du tube. Le tube est ensuite presque fermé avec un. tube de diamètre extérieur de 1,5 à 2 mm plus faible que le diamètre extérieur du premier tube, placé de telle sorte que les deux tubes soient tangents sur une longueur de 5 cm au moins. L'enceinte ainsi fermée et garnie est placée sur un char à l'entrée d'une chambre telle que représentée en 22 sur la figure 3, l'extrémité fermée de l'enceinte étant dirigée vers le four. Le bouchon est mis en place, son ringard de déplacement du chariot, et les arrivées et sorties de gaz sont branchées. L'enceinte est ensuite approchée du four de façon que sa température atteigne progressivement 2000 C environ, pendant qu'un cuurant d'azote est envoyé par les deux tubulures d'arrivée de gaz, le courant principal étant par exemple de trois litres par minute. Après une demi-haure à 2000 C, l'enceinte est poussée en zone chaude, celle-ci étant maintenue à la température choisie pour la diffusion, par exemple 8300 C ; l'enceinte reste entièrement en zone chaude, pendant une dùrée de deux heures, puis ramenée dans la position où elle était avant la diffusion. Le refroidissement s'effectue ainsi lentement, sans choc thermique et sans condensations : l'état de surface des plaquettes n'est pas altéré par l'opération de diffusion menée de la façon décrite. On obtient des concentrations superficielles de l'ordre de 1019 A/cm3 dans un matériau présentant à l'origine une résistance carrée de 20 à 50 fl et la concentration moyenne de la région de type de conductivité p créée dans les plaquettes n'est que de 1018 A/cm3. La profondeur de la jonction se situe à 3 p environ. - REVENDICATIONS 1.- Procédé de diffusion d'une impureté de dopage dans un corps semiconducteur, par évaporation d'une source d'impuretés et chauffage dudit corps placé, avec ladite source, dans une enceinte à atmosphère contrôlée, caractérisé en ce que, pendant la diffusion, la pression partielle de la vapeur d'impureté est limitée par un échange gazeux, à travers un passage de section calibrée et de longueur déterminée, entre ladite enceinte et une atmosphère de gaz protecteur constamment renouvelée, entourant ladite enceinte sous une pression voisine de la pression atmosphérique. 2.- Procédé de diffusion selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit passage a une grande longueur, une section de-fadble surface et une surface de paroi importante. 3. - Procédé de diffusion selon la revendication 2, caractérisé en ce que la pression de vapeur de l'impureté au-deus du corps est réglée par ajustage de la longueur du passage de communication entre l'enceinte de diffusion et l'atmosphère de gaz protecteur. 4.- Procédé de diffusion selon l'une des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que la longueur du passage est supérieure à cinq fois la longueur du côté du carré de surface équivalente à la section dudit passage et la surface de paroi de ce dernier est de l'ordre de cent fois la surface de ladite section. 5.- Procédé de diffusion selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que, avant la diffusion, l'enceinte de diffusion est purgée de l'air qu'elle peut contenir et qui est remplacé par ledit gaz protecteur, à travers ledit passage de communication. 6.- Procédé de diffusion selon la revendication 5, caractérisé en ce que ltenceinte de diffusion est disposée à l'intérieur d'une zone froide d'une chambre avec laquelle elle est en commu- nication par ledit passage et dans laquelle on fait circuler un courant de gaz protecteur, ce gaz est admis dans la totalité du volume de l'enceinte, après quoi celle-ci est amenée dans une zone de la chambre portée à une température d'évaporation de la source d impuretés, puis y est maintenue pendant un temps déterminé par le gradient et la profondeur de diffusion à effectuer. 7.- Procédé de diffusion selon la revendication 6, caractérisé en ce que avant la diffusion, ladite enceinte est purgée par chauffage progressif dans une zone de ladite chambre à température intermédiaire entre l'ambiante et la température de diffusion. 8.- Procédé de diffusion selon l'une des revendications 6 et 7, caractérisé en ce qu'un courant additionnel de gaz protecteur est envoyé dans la chambre avec une orientation tendant à créer une dépression au voisinage du passage de communication. 9.- Procédé de diffusion selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'avant diffusion, enceinte est mise en relation avec des moyens de pompage et ceux-ci sont mis en action Jusqu'd ce que le gaz protecteur occupe tout le volume de ladite enceinte après quoi cette dernière est isolée desdits moyens de pompage. 10.- Procédé de diffusion selon l'une des revendications 1 à 9, caraatérisé en ce que la source de dopant est placée dans l'enceinte de diffusion à l'extrémité de cette dernière la première à pénétrer dans une zone chaude, le passage de communication étant situé à l'extrémité opposée. 11.- Procédé de diffusion selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que l'enceinte est, après la diffusion, refroidie progressivement à la température ambiante par immobilisation dans une zone à température intermédiaire entre l'ambiance et la température de diffusion. 12.- Procédé de diffusion selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la source d'impuretés est constituée par un composé de l'élément dopant et d'au moins un élément de constitution du matériau du corps semiconducteur. 13.- Dispositif de diffusion d'une impureté de dopage dans un corps semiconducteur, comportant une enceinte à atmosphère contr8- lée dans laquelle sont placés ledit corps et une source d'impu retés, comportant d'autre part une alimentation en gaz protecteur et des moyens de chauffage de ladite enceinte, caractérisé en ce que ladite enceinte est formée d'un ensemble de deux tubes calibrés, fermés chacun à une extrémité, disposés de façon à déterminer entre leurs extrémités fermées un volume suffisant pour recevoir ledit corps et ladite source et à ménager entre les parois cylindriques un passage tubulaire de faible section calibrée, l'en- semble étant placé dans une chambre tubulaire munie d'une canalisation d'entrée de gaz protecteur sous une pression voisine de la pression atmosphérique et d'une canalisation de sortie de gaz, et ladite chambre étant placée dans un four comportant au moins une première zone à température homogène suffisamment longue pour que ladite enceinte puisse être maintenue dans sa totalité à cette température et une seconde zone à basse température de longueur du même ordre. 14.- Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que le tube extérieur de l'ensemble des deux tubes formant enceinte est prolongé par une canalisation, munie d'une vanne d'arrêt et branchée sur des moyens de pompage. 15.- Dispositif selon l'une des revendications 13 et 14, carac térisé en ce qu'une première canalisation relie une extrémité de la chambre à une alimentation de gaz protecteur, une seconde canalisation relie l'autre extrémité de ladite chambre à une alimenta- tion de gaz protecteur, et une sortie de gaz ah ménagée au voisinage de cette autre extrémité, ladite chambre étant par ailleurs entièrement fermée. 16. Dispositif de diffusion selon l'une des revendications 13 à 15, caractérisé en ce que la différence entre le diamètre intérieur du tube extérieur et le diamètre extérieur du tube intérieur est de l'ordre de 5 à 10 % de ce dernier, la longueur commune de tangence des deux tubes orientés dans le meme sens dtant de ltorZ dre de 2 à 10 fois ce diamètre. 17.- Dispositif de diffusion d'une impureté de dopage dans un corps semiconducteur, comportant une enceinte à atmosphère contra lée dans laquelle sont placés ledit corps et une source d'impureté tés, comportant d'autre part une alimentation en gaz protecteur et des moyens de chauffage de ladite enceinte, caractérisé en ce que ladite enceinte est un récipient fermé comportant au moins une paroi poreuse d'épaisseur et de porosité déterminées, placé dans une chambre munie d'une canalisation d'entrée de gaz protecteur sous une pression voisine de la pression atmosphérique et d'une canalisation de sortie de gaz, ladite chambre étant placée dans un four comportant au moins une première zone b- température homogène suffisamment longue pour que ladite enceinte puisse être maintenue dans sa totalité à cette température et une seconde zone à basse température de longueur du meme ordre.