Brevet FR2199627A1 — publié le 19740412

L'invention est relative à une disposition de commutation permettant la recherche électronique de postes émetteurs dans les appareils récepteurs, plus particulièrement dans les appareils récepteurs de télévision, et dans laquelle, à l'aide d'un discriminateur présentant une ligne caractéristique en forme d'S et accordé au porteur de la fréquence intermédiaire, on obtient la recharge d'un condensateur servant de mémoire. Dans de telles dispositions de commutation, il est nécessaire que la décharge du condensateur de mémorisation et découlant des pertes d'isolation, soit compensée. On connatt des dispositions de commutation dans lesquelles les pertes par décharge du condensateur de mémorisation et se produisant pendant le service sont compensées et dans lesquelles même une panne de courte durée de l'émetteur reçu n'influence pas le réglage de la syntonisation du syntonisateur (tuner). Cependant, lorsque, dans les dispositions de commutation connues, l'appareil est déconnecté, le condensateur de mémorisation se décharge jusqu'au point où l'émetteur, sélectionné en dernier lieu, n'est plus reçu lors d'une reconnexion de l'appareil. La recherche de l'émetteur doit donc être à nouveau effectuée manuellement. Meme dans une disposition de commutation déjà piposée et dans laquelle on utilise un dispositif de mémorisation constitué par une lampe à effluve, un condensateur de mémorisation et un transistor à effet de champ, il se produit une décharge, bien que très lente. L'invention vise à mémoriser l'émetteur reçu en dernier lieu au-delà d'un intervalle dû à la déconnexion du récepteur. Conformément à l'invention, ce but est atteint du fait que la tension du discriminateur est amenée à un premier et à un deuxième commutateur à valeur seuil, le premier commutateur à valeur seuil amorçant le processus de recharge du condensateur de mémorisation lorsqu'un premier niveau de valeur seuil, inférieur au niveau zéro du discriminateur, est dépassé vers le bas, tandis que le deuxième commutateur à valeur seuil arrête le processus de recharge lorsqu' un deuxième niveau de valeur seuil, supérieur au niveau zéro du discriminateur, est atteint; en outre, on prévoit des mesures de commutation par lesquelles le niveau de la première valeur seuil est accru pendant peu de temps, 8 chaque processus de connexion de l'appareil récepteur, à une valeur de tension qui est supérieure au niveau zéro du discriminateur et inférieure au deuxième niveau de valeur seuil. Les avantages obtenus grâce à l'invention résident plus particulièrement dans le fait que même après une déconnexion d'assez longue durée du récepteur, ce dernier, lors de la connexion, est à nouveau réglé à émetteur reçu en dernier lieu pour autant que le condensateur de mémorisation ne se soit pas déchargé au-delà de la valeur correspondante de la tension de syntonisation d'un émetteur précédent. En outre, lorsqu'un émetteur reçu est en panne, il ne se produit pas de recharge indésirable du condensateur de mémorisation. Une forme d'exécution, donnée à titre d'exemple non limitatif, est représentée au dessin annexé, dans lequel La fig. 1 représente une disposition de commutation pour élargir la zone de recharge. La fig. 2 est une vue de la zone de recharge en association avec l'orientation de la tension du discriminateur. Ainsi qu'il ressort de la fig. 1, la borne de sortie d'un discriminateur 1, accordé au support de fréquence intermédiaire, est reliée aux raccordements des émetteurs de deux transistors pnp 2, 3, formant chaque fois un commutateur à valeur seuil et aux raccordements de la base desquels sont amenés des tensions prédéterminées qui proviennent d'un diviseur de tension appliqué à une tension positive. Le diviseur de tension est formé par les résistances 4 à 8, alors que la base du transistor 3, est alimentée en une tension positive par la résistance 4. La base du transistor 3, reliée à la masse par la résistance 5, est reliée par la résistance 6 à la base du transistor 2. En outre, la base du transistor 2 est reliée par la résistance 7 à une résistance 8 connectée à la masse.Parallèlement à la résistance 8 est connectée la section du collecteur-émetteur d'un transistor npn 9, de manière que 1' émetteur soit appliqué à la masse. La base du transistor 9 est alimentée en tension positive par une résistance 10. En outre, cette base est reliée à la masse par une résistance 11 à laquelle un condensateur 12 est connecté en parallèle. Le collecteur du transistor 3 est relié par une résistance 13 à la base d'un transistor pnp 15 connecté à la masse par une résistance 14, transistor 15 dont l'émetteur est appliqué à la masse et dont le collecteur est alimenté en tension positive par une résistance 16. Le collecteur du transistor 15 est relié à la cathode d'une diode 17 dont l'anode est reliée à l'émetteur d'un transistor pnp 18 dont la base est reliée par une résistance 19 au collecteur du transis tor 2.L'émetteur du transistor 18 et connecté à la masse par une résistance 20, est alimenté en tension positive par une résistance 22. En outre, la base du transistor 18 est reliée au collecteur d'un transistor npn 21 dont l'émetteur est connecté à la masse, tandis que sa base est reliée au collecteur du transistor 18. L'action de la disposition de commutation suivant la fig. 1 ressort de la fig. 2. A la base du transistor 2 qui forme le premier commutateur à valeur seuil est appliqué un premier niveau de transmission de tension U1 et à la base du transistor 3 qui forme le deuxième commutateur à valeur seuil est appliqué un deuxième niveau de transmission de tension U4. La syntonisation ultérieure automatique s'effectue entre les points A et B de la courbe 30 du discriminateur. Lorsque la tension du discriminateur s'abaisse au point A sous le premier niveau de transmission de tension U1 du fait que le condensateur de mémorisation se décharge, le transistor 2 est bloqué. De ce fait, au transistor 18 la tension de la base s'abaisse sous la tension de 1' émetteur et la combinaison des transistors 18/21 bascule vers 1' état conducteur. Le signal d'arret branché à l'émetteur du transistor 21 devient donc zéro, de manière qu'une recharge du condensateur de mémorisation se produise. Le processus de recharge est terminé lorsque la tension du discriminateur dépasse, au point B, le deuxième niveau de transmission de tension U4. A ce moment le transistor 3 devient conducteur et le transistor 15 est raccordé. La tension qui s'effondre du collecteur du transistor 15 engendre, par la diode 17, un abaissement de la tension de l'émetteur du transistor 18. Lorsque la tension de l'émetteur atteint approxima vivement la valeur de la tension de la base, la combinaison de transistors 18/21 bascule à nouveau vers l'état bloqué. Au collecteur du transistor se présente maintenant un signal d'arrêt qui termine la recharge du condensateur de mémorisation. Lorsqu'un émetteur est en panne quand le récepteur est connecté, la tension du discriminateur adopte la valeur du niveau zéro U2 du discriminateur. De ce fait toute recharge indésirable est empêchée lors d'une panne d'un émetteur. Cependant, lorsque le récepteur est déconnecté pendant un intervalle de temps prolongé, le condensateur de mémorisation se décharge sensiblement, bien que lentement. L'émetteur reçu en de nier lieu ne serait donc normalement reçu à nouveau que lorsque la tension du discriminateur s'abaisse sous le niveau de transmis sion de tension U1, entre les points A et C, au moment de la reconnexion. Lorsque le point C est dépassé, un réglage automatique à l'émetteur reçu en dernier lieu ne serait donc plus possible. Un accroissement considérable de la zone de recharge F est obtenu du fait que lors de la connexion du récepteur, le niveau à valeur de seuil U1 est accru pendant peu de temps à une valeur de tension U3 par l'intermédiaire du niveau zéro U2 du discriminateur. De ce fait le transistor 2 est bloqué et le processus de recharge est amorcé et se termine au point B de la courbe. La zone de recharge élargie G s'étend du point D de la courbe 30 du discriminateur jusqu'au point E de la courbe correspondante 31 du discriminateur de l'émetteur voisin. L'accroissement de courte durée de la tension de valeur de seuil U1 est obtenu par l'intermédiaire du transistor 9 dont la base reçoit la tension par un élément d'intégration 10, 11, 12, ce transistor ne devient donc conducteur avec un retardemeit que de ce fait.Etant donné que le transistor 9 se situe au pied du diviseur de tension de la première tension à valeur de seuil, le rapport de division est modifié pendant peu de temps lors de la connexion, de manière qu'il se produise unAccroissement de la tension de valeur de seuil. L'accroissement de la valeur de tension de seuil se produisant en même temps à la base du transistor 3 est si faible qu'il peut être négligé. La disposition de commutation conforme à l'invention, en association avec un ensemble de mémorisation constitué par une lampe à effluve, un transistor à effet de champ et un condensateur, est particulièrement bien appropriée pour la recherche automatique de postes émetteurs dans les appareils de télévision. Suivant la zone de réception, il est possible d'atteindre des durées de mémorisation de plusieurs jours jusqu'à quelques semaines. Il est évident que le même effet peut être obtenu avec une courbe à polarité inversée du discriminateur, et ce, lorsque le niveau de la première valeur seuil est abaissé au lieu d'être accru. REVENDICATIONS 1.- Disposition de commutation permettant la recherche électronique de postes émetteurs dans les appareils réceptebrs, plus particulièrement les appareils récepteurs de télévision et dans laquelle la recharge d'un condensateur servant de mémoire est obtenue à l'aide d'un discriminateur présentant une ligne caractéristique en forme d'S et accordé au support fréquence intermédiaire, caractérisée en ce que la tension du discriminateur est amenée à un premier et à un deuxième commutateur à valeur seuil, le premier commutateur à valeur seuil amorçant le processus de recharge du condensateur de mémorisation lorsqu'un premier niveau de valeur seuil, inférieur au niveau zéro du discriminateur, est dépassé vers le bas, tandis que le deuxième commutateur à valeur seuil déclenche un signal d'arrêt du processus de recharge lorsqu'un deuxième niveau de valeur seuil, supérieur au niveau zéro du discriminateur, est atteint, en outre, on prévoit des mesures de commutation par lesquelles, lors de chaque connexion de l'appareil récepteur, le niveau de la première valeur seuil est accru pendant peu de temps à une valeur de tension qui est supérieure au niveau zéro du discriminateur et inférieure au deuxième niveau de valeur seuil. 2.- Disposition de commutation suivant la revendication 1, caractérisée en ce que le premier commutateur à valeur seuil est formé par un transistor pnp dont l'émetteur est relié à la sortie du discriminateur alors que son collecteur est relié à un dispositif de commutation électronique pour la recharge du condensateur, tandis que sa base est reliée au branchement d'un diviseur de tension ohmique qui est alimenté en une tension positive et dont le pied est connecté au collecteur d'un transistor npn dont l'émetteur est appliqué à la masse, en outre, la base du transistor npn est connectée par une résistance à une tension positive et est reliée, par une résistance et un condensateur connecté en parallèle à cette résistance, à la masse, alors que les éléments de construction prévus dans le circuit de la base sont calculés de manière que le transistor npn soit bloqué pendant peu de temps lors de la connexion de l'appareil et modifie pendant ce temps le courant du diviseur de tension et, ainsi, le niveau de la tension de valeur seuil. 3.- Disposition de commutation suivant les revendications 1 et 2, caractérisé en ce que comme commutateurs à valeur de seuil on prévoit des transistors pnp dont les raccordements des émetteurs sont reliés à la sortie du discriminateur et aux raccordements des bases desquels le niveau de valeur de seuil est appliqué par un diviseur de tension, en outre, le collecteur du transistor du premier commutateur à valeur seuil est relié par une résistance au collecteur d'un transistor npn dont l'émetteur est appliqué à la masse tandis que sa base est connectée au collecteur d'un transistor pnp et dont l'émetteur, relié par une résistance à la masse, est connecté par une résistance à une tension positive, alors que le collecteur du transistor du deuxième commutateur à valeur de seuil est relié par une résistance à la base, connectée par une résistance à la masse, d'un transistor npn dont l'émetteur est connecté à la masse, tandis que son collecteur connecté par une résistance à une tension positive, est relié à la cathode d'une diode dont l'anode est connectée à l'émetteur du transistor pnp.