Brevet FR2177556A1 — publié le 19731109

La présente invention se rapporte b un dispositif multiplicateur d'électrons secondaires. Dans le passé, divers types de dispositifs multiplicateurs d'électrons secondaires ont été proposés, et il existe plusieurs dispositifs dits du type à l'état solide. Par exemple, quelques uns de ces dispositifs du type d l'état solide sont connus comme ayant une configuration telle qu'un semi-conducteur émettant des électrons secondaires, par exemple de l'oxyde d'étain est déposé sous forme d'une mince pellicule sur la paroi intérieure d'un tube constitué d'un isolant tel que le verre. Cependant, la configuration des dispositifs multiplicateurs d'électrons secondaires, tenue que mentionnée précédemment, présente les inconvénients suivants 1.Du fait que la couche de la substance hautement résistante déposée sur la paroi intérieure du tube se présente sous forme d'une mince pellicule, elle a une résistance faible à l'im- pact de particules électriquement chargées, elle est instable et manque de longévité; 2. Lorsqu'unie tension élevée est appliquée à de tels multiplicateurs d'électrons secondaires de type classique, du fait de la caractéristique résistance température négative de la mince pellicule résistance prévue à l'intérieur, le courant électrique est susceptible de s'élever du fait d'un degré même minime d'action auto-exothermique de la substance très résistante, ce qui peut facilement mener à un dégagement thermique et ainsi l'opération essentielle d'émission d'électrons peut devenir instable ; 3.Lorsque la couche résistante est une pellicule très mince, il n'est pas facile de produire une telle pellicule avec une distribution de résistivité et de tension compatibles unifor mesi 4. Lorsque de tels dispositifs, à pellicule fonctionnent à des températures supérieures à environ 1500 C, il existe une dé té rioration du gain. La présente invention prévoit une structure de dispositir multiplicateur d'électrons constituée d'une céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane la technique utilisée étant suffisamment perfectionn2e pour éliminer les inconvénients inévitables dans le cas de dispositifs de type classique. Egalement, la présente invention permet d'obtenir un multiplicateur d'4lectrons avec un gain de multiplication d'électrons rela tivement élevé. C'est un objet de la présente invention de prévoir un dispositif de multiplication d'électrons secondaires ayant un gain de multiplication d'électrons extrtmement élevé. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un multiplicateur d'électrons secondaires qui résiste aux impacts de particules chargées électriquement et ait une résistance électrique et chimique élevée , tout en étant très stable dans ses propriétés et caractéristiques fonctionnelles. Un autre objet de la présente invention est de prévoir dispositif multiplicateur d'électrons secondaires qui évite la détérioration du gain mEme sil fonctionne à des températures supérieures à environ 150 C. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un dispositif dans lequel les inconvénients tels que le dégagement thermique, rencontrés lors de l'utilisation de dispositifs classiques sont entièrement éliminés, le dispositif n'entratnant pas de restriction dans la sélection des valeurs de résistance applicables et dtant facile à fabriquer. C'est encore un autre objet de la présente invention de prévoir un dispositif multiplicateur d'électrons secondaires qui ait un gain élevé et des performances élevées et puisse eAtre fabriqué facilement et de manière économique. La dispositif multiplicateur d'électrons secondaires selon la présente invention est constitué d'une céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane. Les céramiques semi-conductrices du type oxyde de zinc-oxyde de titane sont produites en frittant des compositions comprenant de l'oxyde de zinc en proportions de 50 à 99 % en mole et de l'oxyde de titane en proportions de 1 à 50 % en mole à une température de 900 à 1.450 C, et si nécessaire, un ou plusieurs éléments tels que le nickel, le vanadium, le chrome, le manganèse, le fer, le cobalt, le cuivre, l'argent, le béryllium, le bore, le cadmium, le magnésium, I'alu mlnium,l'étain, l'antimoine, le bismuth, le niobium, le molybdène, le zirconium, le tantale, le tungstène, l'yttrium, le lanthane, ou autres éléments de terres rares, le calcium, le strontium, le ba ryum, le plomb, le thorium ou autres oxydes tallioues sont incor portes en quantité totale inférieure à 10 % en mole. La substance résultante est un semi-conducteui céramique ayant une resistivité de moins de 1010 ohms.cm. On a trouvé qu'en choisissant de ma nière pertinente la structure et le procédé de fabrication d'un semi-conducteur de toute forme souhaitée, des caractéristiques de résistivité ou de température optionnelles peuvent astre obtenues. De plus, la caractéristique résistance/température de la substance résultante, qu'elle soit positive ou négative, est remarquablement petite par comparaison à celle de céramiques semi-conductrices classiques. Actuellement, on a trouvé que les céramiques semi-con duotrices du type oxyde de zinc-oxyde de titane ont un pouvoir émis sif d'électrons secondaires important. Sur la base de cette dé cou- verte, la présente invention prévoit un dispositif multiplicateur d1électrons secondaires perfectionné, qui est un perfectionnement des types connus de multiplicateurs d'électrons secondaires en ce qui concerne les points particuliers tels qu'une structure renfor cée, une fabrication stable ainsi qu'un gain élevé. La caractéristique la plus significative de la présente invention réside dans l'utilisation de céramiques semi-conductrices du type oxyde de zinc-oxyde de titane qui sont utilisées pour la construction d'un dispositif multiplicateur d'électrons secondaires. La structure fondamentale de ce dispositif est celle d'un article moulé ayant au moins un trou ou évidement qui est conçu de façon que, lorsque des particules chargées électriquement ou des rayons X, etc... sont introduits k travers ce trou, l'action de multiplication d'électrons secondaires dans le corps soit assurée, l'article moulé étant produit à partir de céramiques semi-conductrices du type oxyde de zinc-oxyde de titane. De plus, afin que cet article mou lé puisse accomplir l'action de multiplication d'électrons secondaires, une tension en courant continu doit être appliquée dans la mê- me direction que celle du trou et, dans ce but, au moins deux électrodes en matière conductrice convenable sont prévues soit à ses deux éxtrmités soit en des points convenables.Lorsqu'une tension en courant continu de grandeur convenable est appliquée par l'inter- médiaire des électrodes dans la m8me direction que celle du trou, les particules chargées ou rayons X, etc... introduits dans ce trou à partir du cat8 cathode heurtent la paroi intérieure du trou, pro voquant ainsi l'émission d'électrons secondaires. Les électrons se secondaires qui ont été émis heurtent immédiatement à leur tour la paroi intdrieure, et ainsi les actions d'émission d'électrons secondaires sont obtenues de manière répétée ; et tandis que cette succession d'activons se produit, le nombre d'électrons augmente en progression géométrique ; et les électrons arrivent vers le c8té anode. Des exemples de réalisation préférés de la présente in vention, non limitatifs, seront décrites ci-après. On appréciera que la forme ou la structure des articles moulés ayant au moins un trou n'est pas limitée à ces exemples de réalisation. L'exemple de structure d'articles moulés le plus simple est une forme cylindrique.De plus, diverses formes et structures d'articles moulés peuvent astre prévues, telles que ocelles représentées dans les exemples de réalisation préférés de la présente invention dont la des cription sera faite oi-apres en relation avec les dessins ci -j oints dans lesquels La figure 1 est une vue en perspective d'un exemple de réalisation de la présente invention, représentant un tube cylindrique en céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane. La figure 2 est une vue en perspective d'un autre exemple de réalisation, représentant un paquet de plusieurs tubes cylindriques. La figure 3 est une vue en perspective d'un autre exemple de rdalisation, représentant un paquet de plusieurs tubes triangulaires. La figure 4 est une vue en perspective d'un autre exemple de réalisation, représentant plusieurs tubes cylindriques torsadés ensemble. La figure 5 est une vue en perspective représentant un exemple de réalisation d'un paquet de plusieurs tubes octogonaux, un caté sur deux ayant en coupe la forme d'un arc concave. La figure 6 est une vue en perspective d'un autre exemple de réalisation, représentant un paquet de plusieurs tubes hexagonaux. La figure 7 est une vue en perspective d'encore un autre exemple de rdalisation, représentant un article moulé en céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane, plusieurs trous étant percés dans cet article, ce qui permet d'obtenir sensiblement les effets unifiés d'un groupe de tubes et de créer effectivement un groupe de tubes. La figure 8 est un diagramme schématique représentant un exemple de circuit pour des expériences de fonctionnement avec le dispositif des différents exemples de réalisation de la présen- te invention ; et La figure 9 est un diagramme représentant la caractéristique tension (en abscisses) - gain (en ordonnées) du dispositif multiplicateur d'électrons secondaires conformément à la présente invention. Comme on l1a décrit précédemment, la structure fondamentale du dispositif conformément à la présente invention est celle d'un article moulé avec au moins un trou, l'article moulé étant produit d partir de céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane. L'élément qui est représenté dans la figure 1 est un exemple de dispositif selon la présente invention oralisé dans sa structure la plus simple. Le corps tout enter du tube cylindrique 10 est en céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane. La paroi intérieure du trou 13 est bien str en céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane. Du fait que cette matière possède un pouvoir émissif d'électrons secondaires remarquable, comme on l'a décrit précédemment, tette paroi interne du trou ronctionne elle-meme, telle qu'elle est, comme surface d'émission et de multiplication d'électrons secondaires.Aucune restriction n'est imposée à la structure ou à la forme de ce tube. I1 existe sensiblement pas de différence lorsque le tube est de forme polygonale ou a un contour quelconque, La figure 1, représente un tube rectiligne, mais celui-ci peut aussi bien Autre modifié pour avoir la forme d'un coude ou peut Aetre modifié encore d'une autre manière de façon à présenter une courbure en une ou plusieurs par- ties de son corps.La possibilité de variation de la configuration ou du contour du tube sera représentée dans un certain nombre d'exemples de réalisation qui seront décrits ci-après. Bien que la périphérie extérieure du tube tout entier puisse astre optionnellement revêtue d'une matière, les parois intérieures toutes entières ou au moins quelques parties de celles-ci doivent Autre exposées. A proximité des deux extrémités du tube cylindrique 10 sont prévues des électrodes 11 et 12, qui sont formées en déposant un revêtement de peinture d'argent conductrice. Les positions de ces électrodes il et 12 ne sont pas limitées aux deux extrémités du tube.Elles peuvent astre montées en des emplacements préférés autres que les extrémités. Pour ce qui est de la qualité de la matière constituant l'électrode, celle-ci doit simplement astre du type conducteur. Ainsi, wne matière re telle qu'une couche de nickel déposée de manière non électrique, de l'argent cuit, un alliage d'indium, une peinture au carbone con- ductrice, une pellicule d'étain évaporée ou une pellicule d'aluminium obtenue par pulvérisation peuvent être utilisées à la place de la peinture d'argent conductrice. Sur les électrodes 11 et 12, une ter,siori-en courant continu d'environ 100 à 1.000 volts par élément de largeur de 1 cm est appliquée dans la direction longitudi- nale du tube.Lorsque les électrons sont introduits depuis le c8té cathode à l'intérieur du trou 13, ceux-ci accomplissent successivement les actions de choc contre la paroi et d'émission d'électrons secondaires ; et au fur et à mesure que ces actions se répètent le nombre d'électrons se multiplie de manière cumulative et ces électrons arrivcnt enfin de l'autre côté. Ils sont recueillis au moyen d'un collecteur convenable prévu tout près du côté anode. En tant que caractéristique supplémentaire de la présente invention le dispositif peut astre réalisé en empilant et en liant ensemble plusieurs tubes, tous de même longueur; et ainsi faisant de nleilleurs effets de fonctionnement peuvent titre obtenus. Les exemples de réalisation représentés dans les figures 2 à 6, indiquent clairement certaines des configurations de ces tubes. La premi2re configuration indiquée dans la figure 2 montre l'aspect fondamental principal des diverses configurations, par lequel plu- sieurs tubes 20 (trois dans le dessin) sont liés ensemble; aux deux extrémités de la botte ou paquet de tubes sont prévues les électro- des 21 et 22. Le corps tout entier de chaque tube cylindrique 20 est en céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane qui a une distribution uniforme de résistivité, de sorte que les surfaces intérieure et extérieure du tube cylindrique 20 ont des propriétés d'émission d'électrons secondaires.En conséquence, non seulement chacune des surfaces à l'intérieur du trou 23 du tube cylindrique 20, mais également chaque espace 24 entre les tubes cylindriques 20 respectivement adjacents, peut de la mme manière être utilisé pour obtenir un effet complet, puisque les tubes ont la possibilité d'accomplir des fonctions de multiplication d'électrons seeondaires, ceci se traduisant par une sensibill- té de multiplication d'électrons et un pouvoir de résolution extrade mement élevés, qui sont obtenus dans un fonctionnement réel. La figure 3 représente un exemple de réalisation de la présente inve > wtion dans lequel plusieurs tubes 30 de forme triangulaire (trois dans ie dessin) sont empilés et liés ensemble pcr doner une configuration pyramidale, et des électrodes 51 et 32 sont montées aux deux extrémités du tube. Avec cette structure, précisément comme dans le cas de la figure 2, non seulement les surfaces intérieures du trou 33 des tubes triangulaires 90, mais également l'espace 34 entre les tubes adjacents peuvent accomplir la fonction de multiplication d'électrons secondaires.En outre, comme représenté dans la figure 4, il est également possible de torsader ensemble plusieurs tubes 40 (trois dans le dessin). En comparant cette structure avec celle de tubes linéaires, elle peut empêcher le retour effectif des ions positifs provenant du côté collecteur ; et en plus, la longueur effective du conduit d'électrons qui fonctionne réellement comme tube.d'émission d'électrons, par comparaison avec la longueur simplement apparente du corps tout entier, peut Autre allongée, ce qui à son tour permet des avantages tels que la stabilisation de fonctionnement et un gain de multiplication d'électrons accru. La figure 5 représente également un exemple de réalisation de la présente invention dans lequel plusieurs tubes octogonaux 50 (quatre dans le dessin) sont liés ensemble ou en gerbe.Chaque tube élémentaire individuel a un contour tel qu'un côté sur deux a la forme d'un arc. Conformément à cette construction il est possible de former un espace. 54 au centre des quatre tubes octogonaux 50 de section circulaire, dont les dimensions ou la surface sont exactement les mimes que celles du trou 53 du tube octogonal 50 ; et de-là, comme deux d'entre eux peuvent être utili- sés en tant que tubes d'émission d'électrons secondaires, une telle configuration convient particulièrement pour être utilise en tant qu'intensificateur d'image qui nécessite une uniformité et une ré gularité stricte des éléments d'image. Les références 51 et 52 indiquent les électrodes.L'exemple de réalisation de la figure 6 est un exemple dans lequel plusieurs tubes 60 (cinq dans le dessin) chacun de forme hexagonale, et chacun comportant un trou 63 de forme circulaire, sont liés ensemble. Et ceci est un exemple dans lequel l'espace entre les tubes respectifs du groupe de tubes peut Entre éliminé avec succès. De plus, les exemples de réalisation des rigures 5 et 6 peuvent bien sflr être utilisés en torsadant leur corps ou en les courbant lorsque cela est nécessaire ou requis, comme dans la configuration représentée dans la figure 4.L'exemple de réalisation représenté dans la figure 7 indique une conriguration dans laquelle plusieurs trous 73 sont percés sur la plaque 70 qui est en céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane, perpendiculairement aux électrodes 71 et 72, ce qui permet d'obtenir sensiblement la m8me fonction que dans le cas où plusieurs tubes groupés sont empilés ensemble pour une fonction d'ensemble. La figure 8 représente un circuit qui pourrait être utilisé à titre d'exemple pour le fonctionnement du dispositif selon la présente invention. Dans ce circuit, la source d'énergie 83 est eonnectde entre la cathode 81 et l'anode 82, placées aux deux ex trémitds du tube cylindrique 80 qui est en céramique piézoélectri que du type oxyde de zinc-oxyde de titane, et est recourbé pour avoir la forme d'un coude, ces électrodes étant-constituées par un revêtement de peinture d'argent conductrice. La source d'énerw gie 83 est destinée à appliquer une tension en courant continu au tube cylindrique 80.Les électrons 86 émis par le filament 85.qui est connecté à la source d'énergie 84, cette source étant exclusivement destinée au filament, sont accélérés par la source d'énergie 87 pour l'accélération des électrons, et de-là sont entranés depuis la cathode 81, vers et dans le tube cylindrique 80. Lorsqu'ils entrent dans ce tube, les électrons sont immédiatemènt amenés à répéter successivement les fonctions de choc sur la paroi intérieu- re du tube et d'émission d'électrons secondaires, ce qui provoque la multiplication du nombre d'électrons; les électrons multipliés sont ensuite entratnés hors de l'anode 82.Ces électrons sont recueillis par le collecteur 89 qui est situé à.un intervalle d (de l'ordre de 1 mm) et juste en regard de l'anode 82 dans une position telle qu'elle permet la connexion à la source d'énergie 88 du collecteur. Après avoir ainsi été recueilli, le nombre de ces électrons est comptd au moyen d'un compteur d'électrons 90. Ces diffé- rents organes du dispositif (qui sont situés dans la partie entourée par la ligne en pointillés de la figure 8, pourvu que la source d'énergie et le compteur d'électrons en soient exclus) sont mis sous vide. On expliquera maintenant un exemple de caractéristique gain-tension du dispositif conformément à la présente invention, en se référant b la figure 9. Les constituants oxyde de zinc, oxyde de titane, et oxyde d'aluminium sont utilisés en tant que matières de départ. Ces matières sont pesées arin que les spécimens aient les proportions de composition représentées dans le tableau 1. Ces matières sont ensuite mélangées par le procédé à l'état humide dans un broyeur à vase revêtu de polyéthylène en utilisant des cailloux en agathe avec de l'eau pure pendant environ 20 heures. Après que le mdlan- ge est séchés il est broyé et passé à travers un tamis afin d'ob tenir des dimensions de particules de 0,297 mm à 0,074 mm. TABLEAU 1 Numéro de Rapport en mole de la composition de base la matière ZnO TiO2 Al2O3 1 72,5 27,5 0,0 2 72,5 27,5 1,25 La poudre obtenue est additionnée à une quantité convenable de liant constitué par de la patte de farine de blé et de la paraffine et est transformée en une substance plastique. Ensuite la substance plastique est moulée de façon à avoir une forme tubulaire, par un procédé de moulage par extrusion.La matière est place dans une botte en alumine dont le fond est recouvert d'une poudre céramique semi-conductrice ayant les mimes proprlétés que les matières et est cuite dans un four électrique ayant un élément chauffant en carbure de silicium à une température d'environ l.3600C pendant environ 1 heure. Des céramiques semi-conductrices sont alors obtenues, la matitre n 1 ayant une résistivité en volume à température ambiante de 8 x 106 ohms.cm et la matière n 2 de 2,8 x 106 ohms.cm. La figure 9 représente les caractéristiques gain-tension du dispositif conformément à la présente invention. Un tube cylindrique du dispositif est muni d1e'lectrodes formées par un revAetement de peinture d'argent conductrice sur ses deux extrémités > le tube a un diamètre intérieur de 1 > 3 m, un diamètre extérieur de 3 mm, une longueur de 98 nm et un rayon de cour bure de 20 mm. Le dispositif est placé sous un vide de 10 5 torr. Dans le circuit représenté dans la figure 8, la tension de la source d'énergie 88 du collecteur est 200 volts, et la tension de la source d'énergie 87 pour l'accélération des électrons est 200 volts. Les traits pleins 1 et 2 de la figure 9 représentent les caractéristiques gain-tension de la matière n 1 et de la matière n 2 respectivement. La ligne en pointillés 3 représente les caraetéristiques gain-tension d'un dispositif classique dans lequel 1 oxyde étain et l'oxyde d'antimoine sont déposés sous forme de mie pellicule sur la paroi intérieure d'un tube en verre. La présente invention permet de prévoir une construction extrêmement simplifiée de dispositif multiplicateur d'électrons et dispense entièrement de la complexité du travail de formation de la mince couche de substance très résistante sur la paroi intérieure du tube ce qui devait être fait 3usqu'à ce jour; de plus, le dispositif conformément à la présente invention est capable de donner un gain de multiplication d'électrons secondaires de 107 à (voir figure 9). Un autre avantage encore de la présente invention est que, comme presque toutes les parties des tubes multiplicateurs d'électrons secondaires sont en céramique semi-conductrice de distribution d'ingrédients relativement unifiée, le dispositif dans son ensemble ne présente pas de détérioration, d'exhaustion, ou d'usure malgré les chocs ou heurts continuels produits par les électrons ; et de plus, le dispositif est très robuste et stable niléeaniquement aussi bien que chimiquement, donnant ainsi une résistance efficace pendant une longue durée d'utilisation. également, tEme dans l'éventualité où une détérioration ou un écaillement se produiraient sur la partie du tube en raison de quelque autre usage prolongé, une réparation ou un reconditionnement peuvent Autre réalisés très simplement en liant la partie détériorée avec un agent de liaison conducteur, et ceci suffit, du fait que l'élément de tube est constitue' de céramique semi-conductrice non alternée. Dans le cas de dispositifs classiques, pour la matière de la mlnce couche, il était de pratique commune d'utiliser des substances très résistantes possédant des caractéristiques résistance température négatives En conséquence, Lorsqu'une tension élevée était appliquée à ces types de couches, une action autoexothermique était accélérée, menant ainsi de manière fréquente à la possibilité d'existence de circonstances d'auto-chauffage. Pour les dispositifs classiques, il a été nécessaire de garder la valeur de la résistance de la matière constituant la mince couche dans une gamme élevée, pour essayer ainsi d'abaisser le courant passant à l'intérieur de cette couche jusqu'à un niveau aussi faible que possible.Cependant, si la valeur de la résistance est maintenue dans une gamme excessivement élevées la mince couche peut se tériorer, perdant ainsi les qualités réelles d'un semi-conducteurJ et fiIlement être réduite presque à l'état de diélectrique. Lors cue la mince couche est dans cet états la ch: ge électrique peut astre accunulée de manière préjudiciable, et suivie par une charge d'espace3 ce qui se traduit par une augmentation dangereuse de la constante de temps. Ces inconvénients nécessitent inévitablement que la gamme de résistances permises soit abaissée, ceci rendant en définitive les procédés de fabrication plus difficiles et plus compliqués.Inversement, dans le dispositif qui peut Autre réalisé conformément à la présente invention, puisque le prineipe fondamental consiste à utiliser une céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane ayant une caractéristique résistance-température positive ou légèrement négative, ce dispositif possède les fonctions d'auto-protection qui restreignent efficacement le passage de courant, en évitant l'auto-chaurfage provoqué par de grandes tensions appliquées. I1 n'existe pas de danger de dégagement de chaleur avec le dispositif de la présente invention, et ainsi ce dispositif peut permettre d'obtenir l'augmentation du gain de multiplication d'électrons en appliquant une tension élevée. En outre, lorsque de tels dispositifs classiques sont utilisés, il est nécessaire de chauffer toute la zone dans laquelle le dispositif est placé et d'éliminer des gaz (opération de cuisson). Bien que le type classique de mince couche soit accompagné d'une détérioration rapide de gain et de performance, lorsque la température ist supérieure à 1500C, le dispositif conformément à la présente invention par comparaison au dispositif classique présente l'avantage d'éliminer les variations de gain et de performance mEme si la température se situe dans la gamme de 1500C à 2500C et on peut voir que les mêmes effets que décrits précédemment sont obtenus mê- me si le dispositif selon la présente invention fonctionne à une température élevée, au-delà de 1500C. Dans les cas des exemples de réalisation dans lesquels les éléments de tube sont liés ensemble, comme représenté dans les figures 2 à 6, d'excellents effets fonctionnels peuvent astre obtenus en plus par comparaison aux tubes de type classique construits en liant ensemble des tubes en verre ou analogues.C'est-à-dire que dans les cas impliquant des procédés de fabrication de multiplicateurs classiques dans lesquels des éléments de tubes en verre ou vitreux sont liés ensemble, diverses difficultés ont été rencontrées, par exemple la distribution de potentiel du tube individuel est affectée par la distribution de résistivité de chaque tube, si bien que pour obtenir l'intensificateur d'images effectivement utilisable, il était nécessaire que les caractéristiques de distribution de résistivité soient rendues uniformes.Contrairement à ceci, dans le cas de la présente invention, puisque ltdlément tout entier a la constitution d'un semi-conducteur lorsque les tubes respectifs sont liés pour rormer une gerbe, les surfaces de multiplication d'élec- trons individuels sont reliées en parallèle ; et en conséquence, meme s il peut exister une certaine quantité de dispersion de dis tribution de résistivité (ou, en supposant un cas extrême, M8me s'il peut se produire un écaillement ou une rupture du corps du tube), la distribution de potentiel peut effectivement être unifié avec avantage. Un autre avantage encore de l'élément de tube selon la présente invention est que, lorsqu'il existe un espacement entre les tubes eylindriques respectivement voisins, celui-ci peut également être utilisé aussi efficacement que les tubes multiplicateurs d'é- électrons secondaires (voir figures 2, 3 et 5) et ceci se traduit par une densité extreAe?nent élevée, une stabilité élevée, un gain élevée, une sensibilité élevée, une efficacité élevée et un pouvoir de résolution élevé qui sont obtenus lors d'un fonctionnement réel. Encorde un autre avantage de l'élément de tube selon la présente invention est que, lorsque les électrodes doivent Autre prévues aux deux extrémités du groupe de tubes, il n'est pas néces- saire de les prévoir pour chaque tube individuel à l'avance, mais au lieu de cela, il suffit de monter les électrodes sur les faces d'extrémité en même temps, après que les tubes ont été liés ensemble pour forner un paquet complet comme on le désire.Egalement, en pratique les électrodes sont montées sur les faces d'extrémité seulement, tel que représenté dans les figures 4 et 6, même s'il n'est pas absolument nécessaire de les monter à cet endroit, et elles peuvent être placées en d'autres points, tels que dans les parties latérales. Ces avantages de convenance et de simplicité sont imputables au fait avantageux que le corps du tube réalisé conformément à la présente invention est conducteur en sa totalité. Dans le cas de l'exemple de réalisation représenté sur la figure 7, sensiblement les mêmes effets que précédemment peuvent être obtenus. A cet égard, on doit mettre en évidence que l'une des caractéristiques de la présente invention est que la structure du tube telle que mentionnée précédemment est très facile à fabriquer, et une telle facilité de fabrication provient simplement de la nature intrinsèque de la matière utilisée.Avec des tubes de type classique, utilisant du verre ou autre matière isolante, ceci serait extrEmement difficile à réaliser et impliquerait des colts prohibitifs élevés. Conformément à la présente invention, la structure de l'élément de tube mentionnée peut Autre aisément produite avec un óût faible sous toute forme ou structure souhaitée ou préférée, car la matière est de la céramique. De ceci, il s'ensuit que la structure conformément à la présente invention convient très bien pour la production en série. Le dispositif de multiplication d'électrons secondaires selon la présente invention a une grande utilisation en tant que tube multiplicateur d'électrons secondaires à but général > particulièrement pour divers types de particules chargées électriquement (électrons, ions positifs, ions négatifs), les rayons X, les rayons radio-actifs, etc... ou pour des projets de conception de sortie ou en outre, lors de la réalisation d'un convertisseur photo-électrique convenable, ce dispositif peut convenir en tant que multiplicateur photo-électronique.De plus, les exemples de réalisation représentés dans les figures 2 à 7, sont principalement applicables à de larges utilisations, Ils conviennent pour l es intensificateurs d'image qui nécessitent un pouvoir de résolution élevé, une stable lité élevée et une sensibilitd élevée, par exemple les appareils d'intensification d'image par rayons X (durs ou mous) et les appareils d'observation. Egalement, dans le dispositif de la présente invention, la substance émettrice d'électrons secondaires est le corps tout entier de l'article moulé lui-e, et non pas simplement la mince couche, de sorte qu'il est beaucoup plus efficace que la mince couche elle-mEme, principalement lorsque ce dispositif est appliqué au traitement de rayons X durs et de rayons radio-actifs. La présente invention n'est pas lialitee aux exemples de réalisation qui viennent d'être déerits, elle est au contraire susceptible de variantes et de modifications qui apparattront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS 1 - Dispositif multiplicateur d'électrons secondaires, caractérisé en ce qu'il comprend un article moulé traversé au moins par un trou et comportant au moins deux électrodes en matière con ductrice, cet article moulé étant en céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane. 2 - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'article moulé est un bloc rectangulaire avec des électro- des sur ses races opposes et est traversé par plusieurs trous perpendiculaires aux électrodes. 3 - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'article moulé est un tube. 4 - Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que ce tube est cylindrique, polygonal, ou de toute autre forme. 5 - Dispositif multiplicateur d'électrons secondaires caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs tubes creux, chacun étant en céramique semi-conductrice du type oxyde de zinc-oxyde de titane et chacun comportant deux électrodes en matière conductrice, fixées sur lui, ces tubes étant agencés en paquet. 6 > Dispositif selon la revendicatlon 5, caractérisé en ce que les tubes sont cylindriques et rectilignes. 7 w Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que les tubes ont une section transversale triangulaire, sont rectilignes et empilés sous forme d'une pyramide et définIssent des espaces de section transversale triangulaire entre chaque jeu de trois tubes empilés. 8 - Dispositif selon la revendicaticn 5, caractérisé en ce que les tubes sont des tubes polygonaux ayant des rainures dans certains de leurs côtés, et en ce que l'agencement des tubes est tel que ces rainures se situent en regard de rainures formés dans les tubes adjacents du paquet pour former des trous à travers ce paquet. 9 - Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que les tubes sont torsadés ensemble les uns autour des autres.