Brevet FR2144903A1 — publié le 19730216

La présente invention concerne les cellules de mémoire à accès aléatoire et, plus particulièrement. les cellules de mémoire à charges couplées dans lesquelles la présence ou l'absence de porteurs de charge indique respectivement qu'un "1" ou un "O est emmagasiné dans la cellule. De telles cellules peuvent entre disposées dans une matrice de lignes de mots et de lignes de bits de manière à constituer une mémoire à accès aléatoire pouvant être utilisée dans des calculateurs digitaux. Les cellules de mémoire à charges couplées de l'art antérieur sont constituées par un corps semiconducteur divisé en trois régions adjacentes. La première région, dans laquelle est diffusée une impureté, sert de source de porteurs de charge, lesquels oeuvent etre soit des trous, soit des électrons. La seconde région fait fonction de torte entre la oremière et la troisième régions et est recouverte d'une électrode de porte. La troisième région fait fonction de condensateur et sert à emmagasiner les porteurs de charge. Cette troisième région est recouverte d'une électrode d'emmagasinage. Lorsqu'on désire emmagasiner un "1" dans la cellule, des notentiels appropriés sont appliqués à la région de source et aux deux électrodes de manière à provoquer la circulation de porteurs de charge, depuis la région de source, au travers de la région de porte, vers la région d'emmagasinage. Lorsqu'on désire emmagasiner un "0" dans la cellule, les ootentiels appliqués sont tels qu'ils s'opposent à la circulation des oorteurs de charge, et de ce fait la région d'emmagasinage est relativement dépourvue de porteurs. La présente invention concerne une cellule de mémoire à accès aléatoire et à charges couplées qui se distingue de celles de l'art antérieur en ce sens qu'elle comporte, au lieu des deux électrodes distinctes de porte et d'emmagasinage. une unique électrode recouvrant à la fois la région de charge et la région d'emmagasinage. Le contrôle de la circulation des charges vers ces régions est obtenu en définissant une tension de seuil pour la région de porte et une tension de seuil inférieure à la précédente pour la région d'emmagasinage. La différence entre ces tensions de seuil donne la différence requise entre les potentiels de surface des deux régions, bien que la meme tension soit appliquée aux deux régions par l'intermédiaire de l'électrode unique. Cette différence entre les tensions de seuil peut être obtenue à l'aide de diverses techniaues. L'une de ces techniques consiste u donner des épaissaurs différentes à la couche isolante en dioxyde de silicium oui recouvre les deux régions, la couche qui recouvre la région de porte étant relativement épaisse par rapport à la couche qui recouvre la région d'emmagasinage. Une seconde technique consisteà utiliser des matériaux différents possedant des constantes diélectriques différentes pour réaliser les couches isolantes séparant les régions de porte et d'emmagasinage de l'électrode. Par exemple, la région de porte peut être recouverte d'une couche de dioxyde de silicium et la région d'emmagasinage d'une couche de nitrure de silicium. Une troisième technique consiste à utiliser une couche isolante dont le travail de sortie (c'est-à-dire le travail d'extraction correspondant à l'énergie consommée par un électron pour sortir du matériau) est différent de celui de l'autre couche isolante. Ce résultat peut être obtenu, par exemple, en recouvrant la région de porte d'une couche d'aluminium. et la région d'emmagasinage d'une couche de silicium Dolycristallin dopé. Une quatrième technique consiste à introduire une impureté, par diffusion ou par implantation d'ions. dans la région de porte. L'emploi d'une électrode unique, au lieu des électrodes distinctes de porte et d'emmagasinage de l'art antérieur, présente plusieurs avantages importants. Il permet d'abord d'obtenir une cellule très dense, c'està-dire, petite et compacte. IJn plus grand nombre de circuits peut être employé dans une partie donnée du corps semiconducteur en silicium, ce oui permet de diminuer le coût de la fabrication des cellules. Par ailleurs, la diminution des dimensions des cellules se traduit par une vitesse de fonctionnement plus élevée et par des temps de commutation plus faibles. Un autre avantage de l'emploi d'une électrode unique est qu'il permet d'obtenir une structure de cellule plus simple, ce qui se traduit par un meilleur rendement. L'emploi d'une électrode unique présente également l'avantage de simplifier le procédé de fabrication, ce qui se traduit par un meilleur rendement et par une économie plus grande. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention, ressortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préférée de celleci. La figure t représente schématiquement l'ensemble d'une mémoire comportant des cellules de mémoire conformes à la présente invention. La figure 2 est une vue en plan du bloc monolithique montrant plusieurs cellules de mémoire conformes à la réalisation préférée de l'invention. La figure 3 est une coupe du dispositif de la figure 2 prise selon les lignes 3-3. La figure 4 est une vue en plan d'une autre réalisation de l'invention. La figure 5 est une coupe longitudinale de la réalisation de la figure 4 prise selon les lignes 5-5. La figure 5 est une coupe transversale de la réalisation de la figure 4 prise selon les lignes 6-6. La figure 7 est une vue an plan d'une troisième réalisation de l'invention. La figure 8 est une coupe longitudinale de la réalisation de la figure 7 prise selon les lignes 8-8. La figure 9 est une coupe transversale de la réalisation de la figure 7 prise selon les lignes 9-9. La figure 10 est une vue an plan d'une quatrième réalisation de l'in vention. La figure Il est une coupe longitudinale de la réalisation de la figure 10 prise selon les lignes 11-11. La figure 12 est une coupe transversale de la réalisation de la figure 10 prise selon les lignes 12-12. La figure 13 est une vue en plan d'une cinquième réalisation de l'invention. La figure 14 est une coupe prise selon les lignes 14-14 de la réalisation de la figure 13. La figure 15 est une coupe utilisée aux fins de la description de l'opération Ci' "effacement". La figure 16 représente schématiquement , aux fins de la description de ladite opération, un ensemble de signaux. La figure 17 représente schématiquement les tensions appliquées pendant une opération d'"écriture de 0", ainsi que les potentiels de surface. La figure 18 représente schématiquement les tensions appliquées pendant une opération d'"emmagasinags de 0 ainsi que les potentiels de surface. La figure 19 représente schématiquement les tensions appliquées pendant une opérationwds lecture de 0" ainsi que les potentiels de surface. La figure 20 représente schématiquement les tensions appliquées et les potentiels de surface avant l'opération d'"affacement". La figure 21 représente schématiquement les tensions appliquées et la circulation des porteurs de charge pendant l'opération d'"effacement". La figure 22 représente schématiquement les tensions appliquées pendant une opération de lecture de 1" ainsi que les potentiels de surface. La figure 23 est une coupe schématique utilisée aux fins de la description d'une opération d'"accès". La figure 24 représente schématiquement un ensemble de signaux utilisés aux fins de la description d'une opération d"'accès". Les figures 25 à 31 représentent schématiquement les tensions appliquées, les porteurs de charge et les couches d'appauvrissement pendant une opération d'"accbs". Le figure 1 représente l'ensemble d'une mémoire incorporant des cellules de mémoire originales conforme à l'invention. Le numéro de référence 1 désigne d'une façon générale un bloc monolithique de silicium dans lequel les cellules de mémoire 2 sont formées. Les lignes de bits horizontales 3 et les lignes de mots verticales 4 sont connectées aux cellules 2. Un pré-amplificateur 5 est connecté à chacune des lignes de bits 3, lesquelles sont par ailleurs connectées à un ensemble d'amplificateurs de détection 6. Un décodeur de bits 7 est connecté aux pré-amplificateurs 5. Chacune des lignes de mots 4 est connectée à un circuit 8 de commande de mots qui est connecté à un décodeur de mots 9. Les figures 2 et 3 représentent une réalisation préférée de l'invention. Le bloc de silicium 1 est dopé au moyen d'une impureté N avec une concentra 3 tion d'environ S x 101 atomes par cm. Les lignes de bits 3 sont formées par diffusion d'une tmpureté P+ avec une concentration d'environ 1020 atomes 3 par cm . Le bloc de silicium 1 est recouvert d'une couche 10 de dioxyde de silicium, d'une couche 12 de nitrure de silicium, et de la ligne de mots 4 qui est constituée par un métal tel que de l'aluminium. La ligne de mots 4 comprend une partie inférieure 4a et des parties étagées 4b, 4c et 4d, donnant ainsi à la couche 10 de dioxyde de silicium quatre épaissaurs différentes. La partie inférieure 4a de la ligne de mots 4 recouvre une mince couche 10a de dioxyde de silicium d'une épaisseur d'environ 300 #. La partie 4b de la ligne de mots recouvre une couche 10b de dioxyde de silicium d'une épaisseur d'environ 1500 R . Au-dessus de la ligne de bits 3, on fait croître une couche 10c de dioxyde de silicium, d'une épaisseur d'environ 5000 A. Au-dessous de la partie 4d de la ligne de mots, on fait croître une couche 10d d'oxyde d'une épaisseur d'environ 6000 A. Le nitrure de silicium recouvre les couches 10a, 10b et 10d de dioxyde de silicium et a une épaisseur d'environ 300 Fi. La ligne de mots 4 a une épaisseur d'environ 1 micron. La partie du bloc de silicium 1 qui se trouve directement au-dessous de la partie 4a de la ligne de mots est dite "région d'emmagasinage" parce que c'est là que les trous sont emmagasinés. La région comprise entre la région d'emmagasinage et la région correspondant à une ligne de bits 3 est dite "région de porte". Le mode de fonctionnement préféré, c'est-à-dire le mode d'"accès", de la réalisation des figures 2 et 3 est décrit ci-aorès à l'aida des figures 23 à 31. Sur la figure 23, la ligne de bits 3 est connectée à une borne 37 de sortie du circuit de détection qui est connectée à une résistance 35, elle-mme connectée à une borne 36 du circuit de commande de bits. La ligne de mots 4 est connectée à une borne 38 de ligne de mots. La figure 24 représente schématiquement les deux signaux de tension 38a et 36a qui sont respectivement appliqués aux bornes 38 et 36, de meme que le signal de tension 37a provenant de la borne 37. La figure 25 montre les tensions appliquées ainsi que les limites des cbuches d'appauvrissement pendant une opération d'écriture 0" à l'instant t1 indiqué sur la figure 24. La ligne de bits 3 est à la tension V , dont la valeur est de préférence égale à environ - 10 volts, et la e tension V , dont la valeur est de préférence égale à environ - 7 volts, g est appliquée à la ligne de mots 4. Les limites de la couche d'appauvrisse- ment résultante sont indiquées en pointillés en 51.Sien qu'un "accès" se soit produit en ce sens que la couche d'appauvrissement de la ligne de bits 3 a atteint la couche d'appauvrissement formée par la tension négative appliquée à la ligne de mots 4, il ne se produit aucune circulation de trous depuis la région 3 vers les régions de porte et d'emmagasinage qui se trouvant au-dessous des parties 4a et 4b de la ligne de mots. Ceci est du au fait que la tension négative importante V produit un vecteur a d'intensité de champ électrique orienté de droite à gauche, comme on peut le voir sur la fig. 25, les trous demeurant par conséquent dans la région 3. La figure 26 montre les tensions appliquées et les limites des couches d'appauvrissement à l'instant t2 indiqué sur la figure 24. Comme on peut le constater, les limites des couches d'appauvrissement ne se touchent pas et il ne se produit aucune circulation des porteurs de charge pendant cet intervalle de temps. La figure 27, montre les tensions appliquées et les limites des couches d'appauvrissement à l'instant t3 indiqué sur la fig. 24 pendant une opération de lecture de "0". Comme le montre la figure, il ne se produit aucune circulation de trous depuis ou vers la -région 3 et de ce fait aucun courant ne traversa la résistance 35. La tension présente à la borne 37 est par conséquent la même que celle qui est appliquée à la borne 36, indiquant ainsi qu'un "0" a été lu. La figure 28 montre les tensions appliquées et les limites des couches d'appauvrissement pendant une opération de lecture de "1" à l'instant t4 indiqué sur la figure 24. La tension Vb appliquée à la borne 36 est égale à - 3 volts environ et la tension V apnliquée à la borne 38 est étale à - 7 volts environ. Etant donné que la tension ~ est plus négative que la tension Vb, le champ électrique résultant dans les régions d'aDmauvris,ement peut être représenté par le vecteur 39 d'intensité de champ électrique orienté de gauche à droite sur la fig. 28.Ceci provoque une circulation des porteurs de charge positive ou des trous depuis la région 3 correspondant à la ligne de bits diffusée vers la troisième région ou région d'emmagasinage située au-dessous de la partie 4a de la ligne de mots, en passant par la seconde région ou région de porte située au-dessous de la partie 4b de la ligne de bits. Les trous sont indiqués sur la figure 28 par les symboles +. La figure 29 montre les tensions appliquées et les limites des couches d'appauvrissement à l'instant t5 indiqué sur la figure 24. Comme on peut le constater. les limites des couches d'appauvrissement ne se touchent pas et il ne se oroduit aucune circulation des porteurs de charge pendant cet intervalle de temps. Les trous oui, pendant l'intervalle de temps t4, s'étaient déplacés jusqu'à la région d'emmagasinage situéeau-dessous de la partie 4a de la ligne de mots restent emmagasinés dans cette région, comme l'indiquant les symboles + sur la figure 29. La figure 30 montre les tensions appliquées et les limites des couches d'appauvrissement à l'instant t6 indiqué sur la figure 24 lors d'une opération dite de "demi-sélection" pendant laquelle des impulsions sont appliauées à la borne 36 mais non à la borne 38 (voir les signaux 36a et 38a de la figure 24). Comme le montre la figure, les limites. indiquées par le pointillé 52, de la couche d'appauvrissement entourant la région 3 se sont écartées de cette dernière par rapport à la position qu'elles occupaient à l'instant t5, alors que les limites, indiquées par le pointillé 51, de la couche d'appauvrissement de la région 'emmagasinage située au-dessous de la partie 4a de la ligne de mots, occupent la mérre position qu'à l'instant t5, et les limites des deux couches d'appauvrissement ne se touchent pas.En conséquence, les trous représentés sur la figure 30 par les symboles + demeurent dans la région d'emmagasinage et il ne se produit aucune circulation des porteurs de charge. Comme on peut le constater en se reportant à la figure 24, les tensions appliquées à l'instant t7 sont les mémes pue celles appliquées à l'instant t5 et par conséquent les limites 51 et 52 des couches d'appauvrissement, ainsi que les trous représentés par les symboles +, occupent des positions identiques à celles représentées à l'instant t5 sur la figure 29. La figure 31 représente les tensions appliquées et les limites des couches d'appauvrissement à l'instant t8 indiqué sur la figure 24. Comme le montre la figure 31, les limites 51 et 52, respectivement afférentes aux régions d'emmagasinage et de diffusion, sont en contact. La tension V appliquée à la borne 36 est égale à - 10 volts environ et la tension a V appliquée à la borne 38 est égale à - 1 volt. Ceci a pour effet de c créer une région d'appauvrissement continue dans laquelle le champ électrique est représenté par le vecteur d'intensité de champ électrique indiqué par la flèche en 40 et orienté de droite à gauche. Les trous représentés par les symboles + sur la figure 31 circulent donc vers la gauche depuis la région d'emnagasinage située au-dessous de la partie 4a de la ligne de mots, vers la région 3, puis au travers de la résistance 35.On obtient de ce fait une courbure approximativement exponentielle du front avant de l'impulsion qui se produit à l'instant t8 avoir fig. 24), au lieu du front avant vertical indiqué dans le cas du signal 36a représentant la tension appliquée à la borne 36. Cette courbure du front avant de l'impulsion à l'instant t8 est alors détectée par un amplificateur différentiel tenon reprgssntél de la façon habituelle afin d'indiquer qu'un "1" a été lu dans la mgmoire pour cette cellule particulière. Comte le montre la figure 24, à l'instant tga les tensions appliquées, les limites des couches d'appauvrissement et l'absence de trous sont les mêmes qu'à l'instant t2 (fig. 26). On voit donc que la circulation des trous entre la région diffusée cor respondant à la ligne de bits et la région d'emmagasinage peut être commandée par une unique électrode en définissant une tension de seuil plus élevée pour la région de porte que pour la région d'emmagasinage. Cette différence entre les tensions de seuil est obtenue grâce à la présence d'une couche 10e d'oxyde relativement mince au-dessus de la région d'emmagasinage, et d'une couche 10b d'oxyde sensiblement plus épaisse au-dessus de la région de porte. Cependant, d'autres techniques permettant d'obtenir ce résultat peuvent être employées et sont décrites ci-après à propos des autres réalisations de l'invention. Les figures 4 à 6 représentent une variante de l'invention dans laquelle la différence entre les tensions de seuil des régions de porte et d'emmagasinage est obtenue en recouvrant ces régions de couches isolantes constituées par des matériaux possèdant des constantes diélectriques différentes. Sur la figure 5, le numéro de référence 14 désigne globalement une ligne de mots constituée par un conducteur métallique d'une épaisseur d'environ 1 micron et comportant une partie horizontale 14a qui recouvre les régions e porte et d'emmagasinage devant être formées dans le bloc de silicium 1; une partie 14b décalée verticalement par rapport à la précédente et recouvrant la région 3; et enfin une partie 14c décalée verticalement par rapport à la partie 14b. La région d'emmagasinage est recouverte d'une couche isolante Il de nitrure de silicium d'une épaisseur d'environ 1500 A. Cette couche se trouve immédiatement au-dessous de la partie 14a de la ligne de mots et possède à l'une de ses extrémités une partie verticale 11a prolongée horizontalement par une partie 11b dont le niveau est par conséquent plus élevé. Une couche 20e relativement mince (environ 300 R)de dioxyde de silicium est déposée entre la couche 11 et la surface supérieure du bloc de silicium 1.La région de porte est recouverte d'une couche 20b de dioxyde de silicium d'une épaisseur moyenne (environ 2000 A). La région 3, correspondant à la ligne de bits obtenue par diffusionest, recouverte d'une couche épaisse (environ 6000 ) 20c de dioxyde de silicium). La réalisation représentée sur les figures 4 à 6 permet d'effectuer soit les opérations Ci'"accès" décrites ci-dessus et représentées sur les figures 23 à 31, soit les opérations d'"effacement" représentées sur les figures 15 à 22 et décrites ci-après. Les figures 7 à 9 représentent une troisième réalisation de l'invention dans laquelle la différence entre les tensions de seuil des régions de porte et d'emmagasinage est obtenue grâce à une seconde diffusion 13 de matériau de type N effectuée au travers de l'ouverture précédemment utilisée aux fins de la diffusion des régions 3 correspondant aux lignes de bits. Le numéro de référence 24 désigne globalement une ligne de mots 24 constituée par un conducteur métallique d'une épaisseur d'environ 10 000 A et comportant une partie inférieure horizontale 24a, et une partie intermédiaire 24b et une partie supérieure 24c. La partie 24a recouvre une couche isolante 22 de nitrure de silicium comportant à l'une de ses extrémités une partie verticale 22b prolongée horizontalement par une partie supérieure 22c. L'épaisseur de la couche de nitrure de silicium est de préférence de 500 a environ. Entre la couche 22 et la surface supérieure du bloc de silicium 1 se trouve une couche 30b relativement mince (environ 500 A) de dioxyde de silicium. La partie de la couche de dioxyde de silicium qui est déposée entre la surface supérieure du bloc de silicium 1 et les parties 24b et 24c de la ligne de mots est désignée par le numéro de référence 30a et a une épaisseur d'environ 6000 A. La région 3 est obtenue par diffusion d'une impureté de type P avec une concentration d'environ 10 atomes par cm; La seconde région de diffusion 13 est obtenue en diffusant un matériau de type N avec une concentration 3 d'impureté d'environ 0.3 x 1017 atomespar cm. Le bloc de silicium 1 est en matériau de type N avec une concentration d'impureté d'environ 5 x 3 10 atomes par cm . La profondeur de la région 3 est d'environ 2 microns. La région 13 est nlus profonde d'un demi-micron environ que la région 3. La réalisation à double diffusion ren rés entée sur les figures 7 à 9 peut être utilisée pour effectuer les opérations d'"accès" représentées sur les figures 23 à 31, mais doit de préférence servir à effectuer les opérations d"'effacement" représentées sur les figures 15 à 22 et décrites plus loin. Les figures 10 à 12 représentent une quatrième réalisation de l'invention dans laquelle la différence entre les tensions de seuil des régions de porte et d'emmagasinage est obtenue en dopant la rcvion de porte avec une impureté de type , ce qui Deut être fait, soit au moyen d'une seconde diffusion, soit de préférence par une implantation d'ions. Cette région de seconde diffusion ou d'implantation d'ions est désignée Far le numéro de référence 25. Sur les figures 10 à 12 le numéro de référence 34 désigne une liens de mots métallique d'une épaisseur d'environ 10 000 F et comportant une partie horizontale inférieure 34a, une partie intermédiaire 34b et une partie supérieure 34c. La partie 34a recouvre la région de type ,4 25 et la région d'emmagasinage formée dans le bloc de silicium 1. Oe dernier est un matériau de type :4 avec une concentration dtimourete d'environ 3 5 x 1015 atomes par cr . La région d'implantation d'ion 25 est formée avec 3 une concentration d'impureté d'environ 3 x 10 atomes par cm .La concen 20 tration d'impureté de la région 3 est d'environ 10 atomes par cm Au-dessous de la oartie 34a de la ligne de mots se trouve une partie 32a d'une couche isolante 32 de nitrure de silicium d'une épaisseur d'environ 500 R et qui comporte une partie verticale 32b et une partie horizontale ssupérieure 32c. Entre la tartie 32a de la couche 32 et la surface supérieure du bloc de silicium 1 se trouve une couche 30a relativement mince (environ SOU ai de dioxyde de silicium.Entre la partie 34b de la ligne de mots et la région diffusée 3 se trouve une couche 30b de dioxyde de silicium d'une épaisseur d'environ 6000 Entre la partie 32c de la couche de nitrure de silicium et la surface supérieure du bloc de silicium 1 se trouve une couche 30c de dioxyde de silicium qui est légèrement plus épaisse que la couche 30b. La région 3 est formée par diffusion d'une impureté de tyoe P jusqu'à une profondeur légèrement inférieure à 2 microns. Si une implantation d'ions est utilisée pour former la région 25, la crofondeur de cette région varie entre 100 R et 0,5 micron.Si la région 25 est formée par diffusion, sa profondeur est d'environ 1 micron avec une concentration moyenne d'impureté 17 3 de 3 x 10 atomes par cm Les figures 13 et 14 représentent une cinnuièwe réalisation de l'inVen- tion dans laquelle la différence entre les tension, ne seuil respectives des réions de porte et d'emmaeaslnaee est obtenue à l'aide de couches ìsolan- tes superposées et ne présentant pas le même travail de sortie, ce résultat étant obtenu par l'inclusion d'une couche 23 de silicium polycristallin. Le numéro de référence 44 désigne a lob lament une ligne de rots métallique comportant une partie horizontale 44a, une partie inférieure 44b, une partie coudée vers le haut 44c, et une tartie supérieure 44d. Les différentes parties de la ligne 44 ont une épaisseur d'environ 1 micron. Au-dessous de la partie 44a de la ligne de mots se trouve une couche 23 de silicium polycristallin ayant une impureté P et une épaisseur d'environ 6000 R. La couche 23 possède une partie coudée vers le haut 23b et une partie 23c que recouvre la partie 44d de la ligne de mots. Au-dessous de la partie 44b de la ligne de mots et de la couche 23 se trouve une couche 42 de nitrure de silicium d'une épaisseur d'environ 500 R et oossèdant une partie verticale 42a et une partie supérieure 42b. Entre la couche 42 et la surface supérieure du bloc de silicium 1 se trouve une couche 40a relativement mince (environ 500 A) de dioxyde de silicium. Au-dessous de la partie 44c de la ligne de mots et de la couche 42b de nitrure de silicium se trouve une couche 40b relativement épaisse (environ 6000 R, de dioxyde de silicium. La concentration d'imnureté de la région P+ 3 est d'environ 1020 atomes par cm . La concentration d'impureté du bloc de silicium N- 1 est d'environ 5 x 1015 atomes car cm . Les figures 15 à 22 représentent un autre mode de fonctionnement dans leauel une impulsion d'"effacement" est utilisée pour retirer les trous de la région d'emmagasinage. Le mode de fonctionnement est représenté à l'aide de la figure 15 en relation avec la réalisation de la figure 11, les éléments identiques étant désignés car les mêmes numéros de référence. La ligne de mots 34 est connectée à une borne 28. Le région de diffusion 3 est connectée à une borne 27 montée en série avec une résistance 35 et une borne 26 de commande de bits. Les dimensions latérales des régions de diffusion, de porte et d'emmagasinage sont indiquées car les lignes verticales délimitant trois zones désignées par les chiffres romains I, II et III. La figure 16 représente la forme des signaux de tensions 26a, 27a et 26a respectivement appliqués aux bornes 28, 27 et 2E. La figure 17 représente les tensions appliquées à l'instant t1 pendant une opération d'écriture "0" et les potentiels de surface résultants. Comme le montre le signal 26a de la figure 16, la tension V anpliquée à la borne b 26 est égale à V et a une valeur d'environ - 7 volts. La tension appliquée P à la borne 26 est également désignée V@ et sa valeur est d'environ - 7 volts. g L'amplitude du ootentiel résultant à la surface du bloc de silicium 1 est indiquée par la ligne pointillee en 51. lemme on peut le constater, le potentiel de surface ES2 dans la seconde région ou région de porte est égal à V - VT2 où VT2 est la tension de seuil de la réeion de porte. Le g potentiel de surface ES2 dans la région de porte est par conséquent égal à environ - 1 volt. ES3 est le potentiel de surface dans la troisième région ou région d'emmagasinage et est égal à environ V - r soit environ -6 g volts. Ces tensions appliquées et les potentiels de surface résultant se traduisent par un champ électrique représenté par un vecteur d'intensité de champ électrique orienté de droite à gauche sur la figure 17.En conséquence, il ne se produit aucune circulation de trous depuis la région diffusée 3 vers la région de porte ou d'emmagasinage, et il en résulte l'écriture d'un "0". La figure 18 représente les tensions appliquées à l'instant t2 pendant une opération d'emmagasinage de "O" et les potentiels de surface résultants. La tension de commande de bits Vb appliquée à la borne 26 est nulle. La tension appliquée à la borne 28 est la tension Vr égale à environ - 5 volts. Le potentiel de surface résultant ES2 dans la seconde région ou région de porte est nulle; le potentiel de surface résultant E53 est indiqué par la ligne pointillée en 61 et sa valeur est égale à - 4 volts. Du fait de ces tensions et de ces potentiels il ne se produit aucune circulation de trous et la région d'emmagasinage reste dépourvue de trouve manière à emmagasiner un "0". La figure 19 représente les tensions appliquées à l'instant t3 pendant la lecture d'un "0" et les potentiels de surface résultaiftts. La tension Vb appliquée à la borne 26 est nulle et la tension appliquée à la borne 28 est la tension V égale à environ - 7 volts. Les ootentiels de surface g E52 et E53 respectivement présents dans les régions de porte et d'emmagasinage sont tous deux égaux à - 1 volt environ en raison du Dassage des trous représentés par les symboles +, dans les régions de porte et d'emmagasinage. Ce déplacement des trous se traduit nar le passage d'un courant dans la résistance 35 et par la présence d'une impulsion négative à la borne 27. Cette impulsion négative représentée par V0 sur le signal 27a de la figure 16, indique la lecture d'un "0". La figure 20 représente les tensions appliquées à l'instant t4 avant l'opération d'"effacement", et les potentiels de surface résultants. La tension Vb appliquée à la borne 26 est nulle et la tension Vr appliquée à la borne 28 est égale à - 4 volts. Le potentiel de surface résultant Es2 dans la région de porte est nul et le potentiel de surface résultant E53 dans la région d'emmagasinage est égal à - 1 volt. Les trous, représentés par les symboles +, restent donc dans la région d'emmagasinage jusqu'à ce qu'ils en soient retirés par l'onération d'"effacement". La figure 21 montre les tensions appliquées à l'instant t5 pendant l'opération Ci'"effacement" et les potentiels de surface résultants. La tension V b appliquée à la borne 26 est égale à - 7 volts et la tension appliquée à la borne 28 est nulle. Les trous se diffusent vers l'extérieur depuis la région d'emmagasinage dans les directions indiquées par les flèches sur la figure 21. La figure 22 représente les tensions appliquées à l'instant tg pendant l'opération de lecture d'un "1" et les potentiels de surface résultants. La tension V b appliquée à la borne 26 est nulle et la tension V appliquée g à la borne 28 est égale à - 7 volts. Le potentiel de surface E32 dans la région de porte est égal à environ -1 volt et le potentiel de surface E33 présent dans la région d'emmagasinage est égal à la même valeur environ. Les trous représentés par les symboles + restent donc emmagasinés dans les régions de porte et d'emmagasinage et, de ce fait, aucun courant important ne traverse la résistance 35. Seule une impulsion V1 de faible tension due aux effets capacitifs apparait sur la borne 27. L'absence d'une impulsion de grande amplitude, telle que l'impulsion V0 pendant l'opération de lecture d'un "0", indique la lecture d'un "1". A l'instant t6, après l'opération d'effacement, les tensions appliquées et les potentiels de surface sont les mêmes qu'à l'instant t2 représenté sur la figure 18. A l'instant t7 pendant l'ooération d'écriture d'un "un" les tensions appliquées et les potentiels de surface résultants sont les mêmes qu'à l'instant t3 représenté sur la figure 19. A l'instant t8 pendant l'emmagasinage d'un "1", les tensions appliquées et les potentiels de surface résultants sont les mêmes qu'à l'instant t4 représenté sur la figure 20. A l'instant t10, avant l'opération d'effacement, les tensions appliquées et les potentiels de surface résultants sont les mêmes qu'à l'instant t4 représenté par la figure 20. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préférée de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. REVENDICATIONS 1.- Cellule démoire à accès aléatoire du genre de celle, utilisant des dispositifs à charge counlée, caractérisée en ce ou elle comporte: un corps semiconducteur fait d'un matériau comportant une impureté d'un premier type de conductivité, une première région du corps semiconducteur comportant une imnureté d'un deuxième type de conductivité opposée au oremier type, une seconde région du corps semiconducteur, adjacente la première réeion, et ayant une tension de seuil @rédéterminée, une troisième région du coros semiconducteur, adjacente à la seconde région, et ayant une tension de seuil clus faible que la tension de seuil prédéterminée de la seconde région et, une unique électrode oui s'étend au-dessus des seconde et troisème régions du corons semiconducteur. 2.- Ensemble de mémoire à accès aléatoire, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs cellules de mémoire du genre de celles définies selon la revendi cation 1, ces cellules étant disposées en matrice, et en ce nue: une ligne de bits est connectée à chaque première région située sur une même colonne, et, une ligne de mots est connectée à chenue électrode située sur la même ligne. 3.- Ensemble de mémoire selon la revendication 2 caractérisé en ce qu'il comporte en outre: un oréamolificateur et un amplificateur de détection reliés à chacune des lignes de bits, un décodeur relié au @réamplificateur, un circuit de commande de mots relié à chaque ligne de rots et un décodeur relié aux circuits de commande. 4.- Cellule de moire selcn la revendication 1, ou ensemble de mémoire selon la hevendication 2 ou 3 caractérisée en ce nue l'impureté du semi conducteur et celle de la première région sont soutenues oar diffusion, l'électrode unique est faits d'un tel unitaire, et des nrsmiors royens oermettent d'obtenir la tension de seuil @r@déterminée, et des deuxismes moyens oermettent d'obtenir la tension de seuil de la troisième région. 5.- Cellule de mémoire ou ensemble de mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que: ladite électrode se trouve espacée d'une distance prédéterminée de la seconde région, et ladite électrode est espa-cée~de la troisième r-evion d'une distance inférieure à la distance prédéterminée. 6.- Cellule de mémoire ou ensemble de mémoire selon l'une ouelconaue des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte en outre: une couche isolante qui s'étend entre l'électrode et le corps semiconducteur, cette couche isolante ayant une éoaisseur prédéterminée entre l'électrode et la seconde région, et cette couche isolante ayant entre l'électrode et la troisième région une énaisseur inférieure à l'épaisseur prédéterminée. 7.- Cellule de mémoire ou ensemble de mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comporte: des moyens pour appliquer des tensions à la première région et à l'unique électrode pour provoquer l'écoulement des porteurs de charge depuis la première région jusqu'à la troisième région en oassant par la seconde région. 8.- Cellule de mémoire ou ensemble de mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comporte des moyens pour détecter la charge emmagasinée dans la troisième région. 9.- Cellule de mémoire ou ensemble de mémoire selon la revendication 6 caractérisée en ce que la couche isolante comporte du dioxyde de silicium.