Brevet FR2125498A1 — publié le 19720929

L'invention concerne un dispositif semiconduc- teur comportant des conducteurs formés par des bandes Stalliques, ul cristal appliqué sur un des conducteurs, cristal contenant un circuit intégré, des liaisons conductrices de l'électricité entre le cristal et les conducteurs et une enveloppe isolante en matière synthétique dans laquelle le circuit intégré, les Liaisons conductrices et une partie des conducteurs sont incorporés, alors que les conducteurs se situent pratiquement dans un même plan et que le dispositif semiconducteur est muni d'un élément de refroidissement qui est fixé en regard du cristal au conducteur portant le cristal, alors que l'autre partie de l'élément de refroidissement stétend à l'extérieur du plan dans lequel se trouvent les conducteurs. Si l'enveloppe en matière synthétique isolante est réalisée à l'aide d'un procordé de moulage par injection comme c'est généralement le cas, la matière synthetique est injecte d'un côté de l'ensemble constitué par le cristal les traces conductrices et l'éld- ment de refroidissement, cette matière synthétique devant, pour remplir complètement la forme, s'écouler le long d'un eoté de l'élément de refroidissement divisant l'enceinte pratiquement en deux moitis et atteindre l'autre moitié et également remplir cet ensemble.La répartition régulière de la matière synthétique dans toute l'enceinte est gênée d'une part, par l'ensemble constitué par le cristal, les bandes conductrices, l'élément de refroidissement et d'autre.partppar de l'air qui ne peut pas stéchapper lorsqu'un partie de la matière synthétique injectée dans la forme a dêja fermé les canaux d'évacuation avant que les régions situées le plus loin de l'ouverture d'injection soient remplies par la masse de matière synthétique visqueuse. L'invention a pour but d'éliminer cet inconvénient. Ce résultat est obtenu selon l'invention du fait que l'élément de refroidissement comporte des fentes permettant le passage de la matière synthétique. Suivant une autre forme de réalisation de l'invention, les fentes de passage sont placées dans la partie de l'élément de refroidissement qui se situe à l'extérieur du plan dans lequel se trouvent les conducteurs. Les fentes de passage sont élaborées de telle façon qu'elles s'étendent parallèlement à l'axe longitudinal de ltélé- ment de refroidissement pour empêcher aussi peu que possible l'évacua- tion de la chaleur pendant le fonctionnement du dispositif. Les avantages obtenus grâce à l'invention sont en parttculier le fait que lors de l'injection, la matière synthétique ne doit pas s'couler seulement autour du dispositif constitué par le cristal, les conducteurs et l'éliment de refroidissement mais doit égale- ment pouvoir s'écouler à travers l'4lément de refroidissement, de sorte que l'on obtient une rdpartition plus rapide de la matière synthdtique et que la formation de bules d'air dans la matière synthétique est évi- tée. La description qui va suivre en regard des dessins annexe, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La fig. 1 est une coupe d'un dispositif semiconducteur conforme à l'invention. La fig. 2 est une vue en plan de 1'élément de refroidissement monté sur le dispositif de la fig. 1. La fig. i représente le cristal 8 avec les bandes conductrices 27 et l'élément de refroidissement en forme de plaque 31. ta ligne en pointillé 28 représente l'enveloppe formée par moulage par injection de matière synthétique et la limite intérieure du moule utilisé pour cette injection, ce moule comportant des canaux d'évacuation de l'air 5. On suppose que lors de l'injection, la matière synthétique pénètre en 1 ou 1 a dans le moule, la matière synthétique s'écoulant dans le sens de la flèche 2 et remplissant la moitié supé- rieure du moule et s'écoulant dans la direction de la flèche 3 autour de l'élément de refroidissement pour remplir également la moitié inférieure du moule. La résistance à l'écoulement de la matière synthétique est très élevé de sorte que la deuxième moitié du moule se remplit plus lentement et qu'il existe un risque que le courant 2 ferme le canal 5 et que de l'air se trouvant dans la moitié inférieire ne puisse pas s'échapper ce qui peut conduire à la formation de ; bulles d'air indésirables. La fig. 2 représente un élément de refroidissement réalisé conformément à l'invention et comportant des fentes 31 s'tendant dans le sens longitudinal. Ces fentes se situent dans les parties 29 de ltélément de refroidissement qui se situent à l'extérieur du plan dans lequel se trouvent les conducteurs. Comme le montre la figure, les fentes de passage 31 sont de préférence parallèles à l'axe longitudinal de l'élément de refroidissement. Du fait que l'4lément de refroidissement comporte des fentes.lor8 de l'injection, la matière synthétique peut atteindre & BR REVENDICATIONS: 1. Dispositif semiconducteur comportant des conduc teurs formés par des bandes métalliques, un cristal appliqué sur un des conducteurs, cristal contenant un circuit intégré, des liaisons conduc trices de l'6lectricité entre le cristal et les conducteurs et une en- veloppe isolante en matière synthétique dans laquelle le circuit intégré, les liaisons conductrices et une partie des conducteurs sont incorporés, alors que les conducteurs se situent pratiquement dans un même plan et que le dispositif semiconducteur est muni d'un élément de refroidissement qui est fixe en regard du cristal au conducteur portant le cristal, -alors que l'autre partie de ltélément de refroidissement s'détend 9 l'ex- térieur du plan dans lequel se trouvent les conducteurs, ce dispositif semiconducteur étant caraçtérisé en ce que ltélément de refroidissement comporte des fentes permettant le passage de la matière synthétique. 2. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les fentes de passage sont placées dans la par tie de ltélément de refroidissement qui s'détend à ltextérieur du plan dans lequel se trouvent les conducteurs. 3. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les fentes de passage s'étendent parallèle- ment à l'axe longitudinal de l'élément de refroidissement.