Brevet FR2133498A1 — publié le 19721201

La présenté invention concerne un procédé de dépôt par croissance cristalline sur. un substrat d'un matériau semiconducteur selon lequel des vapeurs réactives contenant les constituants dudit matériau provenant d'arrivées situées en différents points d'une 5 enceinte sont dirigées par au moins un courant de gaz porteur sur ledit substrat disposé dans une enceinte à réaction, elle est applicable à la réalisation des structures multicouches et des superréseaux. La présente invention concerne également un dispositif de mi-10 se en oeuvre de ce procédé. Dans les procédés connus de dépôt par croissance cristalline sur un substrat, des vapeurs réactives contenant le ou les éléments du matériau à déposer, sont dirigées au moyen d'un courant de gaz porteur sur m substrat porté à une température déterminée infé-15 rieure à celle des vapeurs réactives. Ces procédés de croissance en phase vapeur permettent des dépôts de haute qualité et doivent être complétés par des opérations de dopage lorsque les couches déposées doivent présenter uniformément ou localement des concentrations déterminées de porteurs de charge. Certains dispositifs 20 semiconducteurs tels que les diodes à effet Gunn, les diodes à capacité variable, les diodes à avalanche et les structures en couches successives 'de différentes épaisseurs et de différents dopages dites multicouches ou "superréseaux" quand les épaisseurs de ces couches sont très faibles, de l'ordre de quelques centaines 25 d'angstr'dms par exemple, nécessitent de tels procédés. Les couches successives réalisées peuvent présenter des taux de dopage différents au moyen de la même impureté ou d'impuretés différentes n, p, n+, pt-. Il est bien connu de réaliser de semblables structures dans le domaine des hyperfréquences, l'inertie de dopage, c'est-à-dire 30 le temps de passage ou encore la transition mesurée en épaisseur entre niveaux de dopage doit être réduite au maximum, de telle sorte que les transitions soient très abruptes. Selon un procédé connu ayant fait l'objet d'une demande dé brevet en date du 27 Février 1970, enregistrée sous le N° 70.07H8 35 au nom de la demanderesse, le dépôt de semiconducteurs dopés est réalisé en prenant en considération l'effet de rétroaiffusion. Dans de cas, deux gaz sont envoyés en deux points différents d'une même enceinte et évacués en un autre point situé au-delà des deux premiers, la diffusion d'un premier gaz dans la direction d'un 40 second gaz étant réglable au moyen du débit dudit second gaz. Il COPY 71 13279 2 2133498 a été constaté quril était ainsi possible de régler l'attaque chimique de la source d'un élément dopant par un gaz réactif et d'obtenir le transfert de cet élément dans une zone de dépôt, par exemple en réglant le débit d'un gaz neutre ou au moins non réactif 5 contrariant la diffusion dudit gaz réactif vers ledit .élément. Dans ce cas la rétrodiffusion était contrôlée par un courant gazeux d'hydrogène supplémentaire qui par ailleurs n'intervenait pas beaucoup sur les conditions de croissance, ce qui réduisait considérablement l'effet de trainage, c'est-à-dire le temps de transi-10 tion entre un premier niveau de concentration de dopage et un second niveau de concentration. Il demeurait néanmoins une certaine inertie correspondant au temps de purge de la section séparant la source du dopant et à un changement de l'atmosphère du réacteur, ce qui pouvait être assez important compte tenu des connexions. 15 Selon ce procédé, c'était le débit de gaz non réactif, réglé comme il a été décrit précédemment, qui permettait de passer d'une couche moins dopée à une couche plus dopée ou de passer d'une couche plus dopée à une couche moins dopée, les différentes zones du réacteur étaient régulées de telle manière que les constituants 20 soient maintenus à la température de réaction voulue et que la température nécessaire à la croissap.ce de dépôts, inférieure à ladite première température, soit obtenue au point où se trouve le substrat. Par suite de la nécessité du réglage du débit de gaz, ce pro-25 cédé permet difficilement d'obtenir des changements instantanés de taux de dopage et la transition entre les couches de concentrations différentes ne présente pas absolument le profil optimal. La présente invention a pour but de pallier ces inconvénients en réduisant plus efficacement l'inertie. Elle concerne un procé-30 dé de dépôt par croissance cristalline sur un substrat d'un matériau semiconducteur, selon lequel des vapeurs réactives contenant les constituants dudit matériau provenant d'arrivées situées en différents points d'une enceinte sont dirigées par au moins un courant de gaz porteur sur ledit substrat disposé dans une encein-35 te de réaction, caractérisé en ce que on maintient constants les débits de gaz utilisés pendant la réaction, en ce que on déplace longitudinalement de poste en poste le substrat le long d'un palier de température uniforme, chaque poste étant situé à une distance donnée desdites différentes arrivées de gaz et en ce que on 40 laisse le substrat à chaque poste le temps nécessaire pour effec 71 13279 3 2133498 tuer un dépôt d'épaisseur donnée. Ainsi grâce à des conditions bien déterminées de propreté d'une part, de pression partielle et de débit total d'autre part, le dépôt épitaxial peut être obtenu en n'importe quel point de la 5 partie du réacteur comprise dans le palier de température uniforme. De plus, dans tous ces différents postes, le taux de croissance cristalline, c'est-à-dire l'épaisseur du dépôt obtenu pendant l'unité de temps, est sensiblement constant. Par contre, l'atmosphère résultante ayant à chaque poste une composition donnée, no-10 tamment en ce qui concerne la concentration en dopants, les débits de gaz utilisés pendant la réaction restant constants, la couche déposée aura une composition différente à chaque poste,: notamment en ce qui concerne la concentration en -dopants. Par simple déplacement du substrat, les débits de gaz restant 15 constants, des couches successives de dopage différent sont réalisées pour lesquelles l'inertie (ou temps de passage d'un niveau de dopage à un autre niveau) est réduite au gaz entraîné par le porte-substrat dans son déplacement, ceci à condition toutefois que la température soit suffisamment basse pour que la diffusion à l'état 20 solide soit négligeable. Ceci permet d'obtenir une structure mul-ticouches en un seul processus épitaxial. Le déplacement du substrat peut être réalisé très simplement manuellement pour les dépôts de couches épitaxiales, mais il peut également être programmé selon un dispositif à entraînement magné-25 tique dans le but de réaliser des multicouch.es de grande qualité. Ce déplacement est réalisé de façon séquentielle assez rapidement pour que le temps de déplacement soit petit par rapport au temps de position fixé. On détermine la structure que l'on désire obtenir, puis connaissant le taux de dopage en fonction de la position, JO obtenu à l'aide de la courbe de pré-étalonnage réalisée en opérant me seule et même croissance sur plusieurs substrats à différents endroits, on définit le programme du dispositif d'entraînement du substrat. Si les épaisseurs sont très critiques, il y a éventuellement 33 lieu de tenir compte aussi de la variation ou taux de croissance en fonction de la position qui peut être déterminée par le même pré-étalox^iage. Par ce procédé il est- possible d'obcenir des variations très rapides de dopage, par la programmation des déplacements qui par 40 ailleurs est facilement réalisable. 71 13279 4 2133498 De plus un avantage supplémentaire de la présente invention réside dans les possibilités que donne une programmation bien adap tée au type de semiconducteurs à obtenir. Ainsi un programme permettant des variations rapides de position de l'ordre de, par exem 5 pie, 5 à 10 cm/sec, permettra de réaliser des transitions abruptes entre niveaux de dopage, tandis qu'un programme permettant des variations lentes de position de l'ordre de, par exemple, 5 à 10/sec permettra de faire varier lentement et de façon contrôlée le taux de dopage. 10 Ainsi on réalise le dépôt d'un matériau semiconducteur com portant une seule impureté dopante sous différents niveaux de dopage en introduisant dans l'enceinte de réaction, par une première arrivée le gaz d'entraînement, par une seconde arrivée les gaz réactifs, par une troisième arrivée l'impureté de dopage diluée 15 dans un gaz porteur. On crée aux alentours des deux premières arrivées une première zone à la température de réaction et au voisinage de la troisième arrivée une seconde zone à la température de dépôt, ladite zone s'étendant de part et d'autre de la troisième arrivée et constituant de l'une de ses extrémités à l'autre ion 20 palier, on effectue sur le substrat dans un premier poste situé à me première distance donnée de la troisième arrivée le dépôt d'une première couehe semiconductrice d'un niveau de dopage donné, puis on déplace le substrat dans un second poste situé à une seconde distance donnée de la troisième arrivée et on effectue sur ledit 25 substrat placé audit second poste, le dépôt d'une seconde couche semiconductrice d'un niveau de dopage donné, l'inertie est réduite au gaz entraîné par le porte-substrat, ce qui est très faible. L'invention concerne également un procédé de dépôt d'un matériau semiconducteur caractérisé en ce que, après le dépôt de la 30 seconde couche semiconductrice, le substrat; est à nouveau déplacé en un troisième poste à une nouvelle distance donnée de la troisième arrivée et une troisième couche semiconductrice d'un niveau de dopage donné est déposée sur ledit substrat. L'invention concerne également un procédé de dépôt caracté-55 risé en ce que l'on peut obtenir autant de dépôts de couches semi-conductrices de dopages donnés sur un substrat que ledit substrat aura été placé en des postes différents par rapport à la troisième arrivée de gaz. Par ledit procédé il est possible d'obtenir des variations 40 très rapides de dopage et de réaliser des couches de type de 71 13279 5 2133498 conduction différent, ceci est notamment très avantageux dans le cas de la réalisation de diodes à avalanche dont la structure p—n a jusqu'ici été faite le plus souvent par le procédé de diffusion, le procédé conforme à l'invention permettant de faire des transi-5 tions très abruptes. L'invention concerne également un procédé de dépôt d'un matériau semiconducteur caractérisé en ce que l'on introduit dans ladite enceinte par une première arrivée le gaz d'entraînement, par une seconde arrivée les gaz réactifs, par une troisième et une 10 quatrième arrivées l'impureté de dopage diluée dans un gaz porteur On crée aux alentours des deux premières arrivées une première zone à la température de réaction et au voisinage de la troisième et de la quatrième arrivées une seconde zone à la température de dépôt, ladite zone s'étendant de part et d'autre de la troisième et 5 de la quatrième arrivées et constituant de l'une de ses extrémités à l'autre, un palier de température ; on effectue sur le substrat que l'on déplace de poste en poste le long du palier de température des dépôts successifs de couches semiconductrices de niveaux de dopage donnés. 0 L'invention concerne également un procédé de dépôt d*un ma tériau semiconducteur, selon lequel l'impureté amenée par la troisième arrivée de gaz et l'impureté amenée par la quatrième arrivée de gaz sont de même nature mais sont présentes dans le gaz porteur à des concentrations différentes. 5 L'invention concerne également un procédé de dépôt d'un ma tériau semiconducteur, selon lequel l'impureté amenée par la troisième arrivée de gaz et l'impureté amenée par la quatrième arrivée de gaz sont des impuretés génératrices de types de conduction différents. 0 Dans une forme avantageuse de mise en oeuvre de l'invention, le dépôt est épitaxique et effectué sur un substrat monocristallin l'invention permet de réaliser des dépôts épitaxiques de semiconducteurs III-V comprenant au moins un élément du groupe III de la classification périodique des éléments et au moins un élément du 5 groupe V. Les constituants du composé sont amenés dans la zone de réaction et de dépôt au moyen de vapeurs qui peuvent être les mêmes que les vapeurs utilisées dans les procédés connus, par exemple la vapeur d'eau, ou un halogène, ou un halogenure d'hydrogène. Le gaz porteur non réactif est de préférence l'hydrogène. 0 La présente invention concerne également un dispositif de 71 13279 6 2133498 mise en oeuvre du procédé comprenant une enceinte tubulaire horizontale étanche caractérisé en ce qu'il consiste principalement en un tube disposé horizontalement comportant à une extrémité une tige support de substrat mobile déplaçable longitudinalement et un 5 conduit d'évacuation de gaz, à l'extrémité opposée une première arrivée amenant le gaz d'entraînement, puis à me certaine distance de ladite première arrivée me seconde arrivée amenant les vapeurs réactives diluées dans du gaz d'entraînement, puis plus loin au moins me tubulure d'amenée d'un mélange de gaz d'entraînement 10 avec m dopant. La description qui va suivre, en regard des dessins annexés donnés à titre d'exemple non limitatif, permettra de bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La Fig. 1 est une coupe schématique d'un dispositif de mise 15 en oeuvre du procédé selon l'invention. La Fig. 2 est la courbe de la répartition de la température à l'intérieur du tube de réaction en fonction de la longueur de celui-ci. La Fig. 3 représente un exemple de courbe de concentrations 20 de porteurs de charges dans la zone de tempéra tiare uniforme dans le dispositif selon l'invention. Les dimensions et les proportions du dispositif représenté sur la Fig. 1 n'ont pas été respectées sur le dessin, les dimensions dans le sens de l'axe du dispositif sont très réduites. 25 L'appareillage représenté sur la Fig. 1 est m exemple de dispositif de mise en oeuvre de l'invention dans le cas d'un dépôt de composé III-V tel que l'arséniure de gallium. Il est constitué d'un tube horizontal 1, de préférence en silice vitreuse transparente, fermé aux deux extrémités par des 50 bouchons rodés. A travers m bouchon rodé 2 d'une première extrémité passe une tige 4 portant à me extrémité un plateau porte-substrat 5, l'autre extrémité de la tige 4 étant reliée à m dispositif d'entraînement 60 du porte-substrat 5 destiné à permettre le déplacement longitudinal dudit porte-substrat à l'intérieur du 35 tube à réaction. Sur le porte-substrat est placée au moins me plaquette 6 devant recevoir le dépôt. A travers m bouchon rodé 3 d'une seconde extrémité passe me première tubulure 7 débouchant en 8 et par laquelle est envoyé le gaz d'entraînement par exemple' de l'hydrogène ; à travers le bouchon rodé 3 passe également me 40 seconde tubulure 9 dont l'extrémité placée dans le tube horizontal 71 13279 7 2133498 I a la forme d'un réceptacle 10 dans lequel est déposée la masse II du constituant le moins volatil du matériau à déposer, le gallium dans le cas de l'arséniure de gallium. Par cette tubulure Q parvient le gaz réactif mélangé à du gaz d'entraînement, soit par 5 exemple du cri chlorure d'arsenic AsCl-^ et de l'hydrogène. Toujours à travers le même bouchon rodé 3 passe enfin au moins une tubulure 12 dont l'ouverture 13 est dirigée vers le porte-substi-at 5„ Cette tubulure 12 présente une longueur telle que l'ouverture 13 se trouve à une distance du bouchon rodé 3 supérieure à la moitié de la 10 longueur du tube à réaction, tandis que les tubulures 7 et g s'ouvrent dans la première moitié de la longueur du tube comptée à partir dudit bouchon rodé 3« On a représenté une seconde tubulure 14 d'ouverture 15. Les deux tubulures 12 et 14 sont de longueur différente mais ont leurs ouvertures respectivement 13 et 15 à 15 une distance du bouchon rodé 3 supérieure à la moitié de la longueur du tube 1. Ces deux tubulures 12 et 14 ont leurs ouvertures, respectivement 13 et 15 relativement éloignées de la source de gallium 11 placée dans le réceptacle 10, la distance étant de l'ordre de 20 à 25 cm afin d'éviter la pollution de ladite source de 20 gallium. Par ces tubulures 12 et 14 sont envoyés le gaz d'entraînement tel que l'hydrogène et le dopant par exemple du soufre à l'état de vapeur* en quantités différentes. Dans un mode d'utilisation différent, par ces tubulures 12 et 14, sont envoyés également 25 le gaz d'entraînement tel que l'hydrogène et des dopants différents. Ces dopants peuvent être, par exemple, du soufre à l'état de vapeur et du zinc à l'état de vapeur. Les concentrations de dopants dans le gaz d'entraînement peuvent être avantageusement de quelques p-p-m à quelques centaines de p-p-m. Les ouvertures 13 et 15 30 étant dirigées vers le porte-substrat, le bouchon 2 comporte une ouverture 16 destinée à l'évacuation des gaz. Le tube 1 est placé dans un four 17 à plusieurs zones, les zones sont régulées de telle sorte que dans la premiere moitié du tube compté ?•. partir du bouchon rodé 3 règne une température de 35 réaction voulue de l'ordre de dans la seconde moitié du tube une tempérauure de l'ordre de 750° + 2° suivant un long palier stable. Lia longueur totale du -^ube a réaction étant de 1 ordre de c2 cm, le palier est maintenu sur une longueur de l'ordre de 40 cm. Les deux zones sont représentées sur la Fig. 2, respective-40 ment par A et B. Sur le graphique a été porté en ordonnée la tempé- 71 13279 8 2133498 rature et en abaisse la longueur du tube de réaction. Le porte-substrat est alors déplacé par l'intermédiaire de la tige 4 entraînée par le dispositif 60, de telle manière qu'il se situe en des positions voisines des ouvertures 13 et 15 respec-5 tivement des tubulures 12 et 14, le dopage obtenu au .cours de la croissance épitaxiale réalisée dans ces conditions est représenté sur la Fig. 3» On dispose le porte-substrat et sa plaque en un certain poste, par exemple PI par rapport à l'ouverture 13 de la tubulure 12 10 et on l'y laisse un certain temps, puis on déplace le porte-substrat pour l'amener en un second poste P2 déterminé et on l'y laisse à nouveau un certain temps et ainsi de suite jusqu'à l'obtention du nombre de couches désiré, le temps de positionnement étant programmé pour le taux de dopage à obtenir. Ces postes PI, P2, P3 15 ont été représentés sur la Fig. 1. On a réalisé par exemple, le porte-substrat étant d'abord en PI, me zone d'une longueur de 15 cm permettant d'obtenir me couche ayant m dopage de l'ordre 2. R de 2.10 .., ensuite le porte-substrat étant en P2, on a réalisé une zone d'une longueur de 15 cm permettant d'obtenir me couche 17 20 ayant m dopage de l'ordre de 10 , enfin le porte-substrat étant en P3, on a réalisé me zone d'me longueur de 10 cm permettant 18 d'obtenir me couche ayant m dopage de l'ordre de 2.10 ... Ces trois niveaux sont représentés en P'1, P'2 et P'3 sur la Fig. 3 sur laquelle est représenté en ordonnée le logarithme de la con-25 centration de dopage et en abcisse la longueur du tube de réaction. Le taux de croissance étant typiquement de l'ordre de 10 à 20 ^u/heure, les temps typiques dans le cas des dispositifs courants sont de l'ordre de 5 minutes à 1 heure, mais des temps de l'ordre de 10 à 20 secondes ainsi que de plusieurs heures sont 30 envisageables. Les transitions entre niveaux de dopage sont très abruptes, l'inertie est 71 13279 2133498 Il est possible, sans sortir du cadre de la présente invention, de réaliser dans le dispositif d'autres tubulures plus longues que la troisième et la quatrième tubulures et débouchant entre lesdites troisième et quatrième tubulures et la seconde extrémité de l'enceinte tubulaire. 71 13279 10 2133498 REVENDICATIONS 1 - Procédé de dépôt par croissance cristalline sur un substrat d'un matériau semiconducteur selon lequel des vapeurs réactives contenant les constituants dudit matériau provenant d'arrivées 5 situées en différents points d'une enceinte sont dirigées, par au moins un courant de gaz porteur sur ledit substrat disposé dans une enceinte à réaction, caractérisé en ce que on maintient constants les débits de gaz utilisés pendant la réaction, en ce que on déplace longitudinalement de poste en poste le substrat le long 10 d'un palier de température uniforme, chaque poste étant situé à une distance donnée desdites différentes arrivées de gaz et en ce que on laisse le substrat à chaque poste le temps nécessaire pour effectuer un dépôt d'épaisseur donnée. 2 - Procédé de dépôt, selon la revendication 1, d'un matériau se-15 miconducteur comportant une seule impureté dopante sous différents niveaux de dopage, caractérisé en ce que on introduit dans ladite enceinte par me première arrivé le gaz d'entraînement, par une seconde arrivée les gaz réactifs, par une troisième arrivée l'impureté de dopage diluée dans un gaz porteur, en ce que on crée aux 20 alentours des deux premières arrivées me première zone à la température de réaction et au voisinage de la troisième arrivée me seconde zone à la température de dépôt, ladite seconde zone s'étendant de part et d'autre de_la troisième arrivée et constituant de l'une de ses extrémités à l'autre un palier de température, en ce 25 que on effectue sur le substrat dans m premier poste situé à me première distance donnée de ladite troisième arrivée le dépôt d'me première couche semiconductrice d'm niveau de dopage donné, puis en ce que on déplace le substrat dans m second poste situé à me seconde distance donnée de la troisième arrivée et en ce que 30 on effectue sur ledit substrat placé audit second poste, le dépôt d'me seconde couche semiconductrice d'm niveau de dopage donné. 3 - Procédé de dépôt, selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, d'm matériau semiconducteur, caractérisé en ce que après le dépôt de la seconde couche semiconductrice, le substrat est à 35 nouveau déplacé en m troisième poste à me nouvelle distance donnée de la troisième arrivée et en ce que me troisième couche semiconductrice d'm niveau de dopage donné est déposée sur ledit substrat. 4 - Procédé de dépôt, selon l'me quelconque des revendications 1, 40 2 ou 3, d'm matériau semiconducteur, caractérisé en ce que on 71 13279 ii 2133498 effectue le dépôt successif, d'au moins 4 couches semiconductrices sur un substrat, ledit substrat étant déplacé après dépôt de chacune des couches. 5 - Procédé de dépôt, selon la revendication 1, d'un matériau semiconducteur, caractérisé en ce que on introduit dans ladite enceinte par une première arrivée le gaz d'entraînement, par une seconde arrivée les gaz réactifs, par une troisième et par une quatrième arrivées au moins une impureté de dopage diluée dans un gaz porteur, en ce que on crée aux alentours des deux premières arrivées une première zone à la température de réaction et au voisinage de la troisième et de la quatrième arrivées une seconde zone à la température de dépôt, ladite seconde zone s'étendant de part et d'autre de la troisième et de la quatrième arrivées et constituant de l'une de ses extrémités à l'autre un palier de température, en ce que on effectue sur le substrat que l'on déplace de poste en poste, le long dudit palier de température, des dépôts successifs de couches serniconductrices de niveaux de dopage donnés. 6 - Procédé de dépôt, selon la revendication 5, d'un matériau semiconducteur, caractérisé en ce que l'impureté amenée par la troisième arrivée de gaz et l'impureté amenée par la quatrième arrivée de gaz, sont de même nature mais sont présentes dans le gaz porteur à des concentrations différentes. 7 - Procédé de dépôt, selon la revendication 5, d'un matériau semiconducteur, caractérisé en ce que l'impureté amenée par la troisième arrivée de gaz et l'impureté amenée par la quatrième arrivée de gaz, sont des impuretés génératrices de types de conduction différents. 8 - Dispositif de mise en oeuvre d'un procédé conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant une enceinte tu-bulaire horizontale étanche munie à une première extrémité d'au moins trois tubulures d'amenée de gaz, la première tubulure de-L-oucnax^t au voisinage de ladite extrémité, la seconde tubulure débouchant non loin de ladite première tubulure, caractérisé en ce que la troisième tubulure est d'une longueur supérieure à la moitié de l'enceinte de réaction, en ce qu'elle débouche dans la seconde moitié de ladite enceinte, comptée à partir de la première extrémité et en ce que ladxte enceinte est munxe à une seconde extrémité opposée à la première, d'une canne porce-substrat et 71 13279 2133498 d'un tube d'évacuation de gaz, caractérisé en ce que la canne porte-substrat est mobile entre deux positions extrêmes dont l'une est ladite seconde extrémité et l'autre sensiblement le plan médian de l'enceinte tubulaire. 5 9 - Dispositif selon la revendication 8 de mise en oeuvre d'un procédé conforme à l'une quelconque des revendications 1, 5, 6 et Jj caractérisé en ce qu'il comporte une quatrième tubulure plus longue que la troisième tubulure et débouchant entre la troisième tubulure et ladite seconde extrémité de l'enceinte 10 tubulaire. 10 - Dispositif selon la revendication-9, caractérisé en ce qu'il comporte d'autres tubulures plus longues que la troisième et la quatrième tubulures, lesdites tubulures débouchant entre lesdites troisième et quatrième tubulures et ladite seconde extrémité de 15 l'enceinte tubulaire. 11 - Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que la longueur du déplacement du porte-substrat est égale à la moitié de la langueur totale de l'enceinte de réaction. 12 - Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que 20 le déplacement du porte-substrat est programmable. 13 - Dispositif semiconducteur obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7. 14 - Superréseaux obtenus par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7»