Brevet FR2132777A1 — publié le 19721124

La présente invention concerne des dispositifs à semiconducteurs et leur procédé de fabrication et plus spécialement un dispositif à semi-conducteur du type dans lequel un mince revêtement d'une matière électriquement isolante est déposé sur la 5 surface de la matière semi-conductrice et une électrode destinée à influencer la répartition de la charge électrique dans la matière semi-conductrice est disposé^kur le revêtement et est entourée d'une masse de matière électriquement isolante sensiblement plus épaisse que ledit revêtement. 10 Des dispositifs à semi-conducteurs du type mentionné sont connus sous la forme de transistors à effet de champ à porte isolée, dans lesquels l'électrode disposée sur le mince revêtement isolant a la forme d'une porte placée entre la source et le drain qui, dans le transistor, établissent un contact avec les régions dopées 15 de la surface du semi-conducteur, le revêtement séparant la porte de la surface du semi-conducteur agit comme une matière diélectrique à -travers laquelle un champ électrique engendré par l'application d'un signal électrique à la porte, a pour effet de régler la circulation du courant entre la source et le drain dans la 20 matière semi-conductrice. Des connexions électriques avec la source, la porte et le drain sont établies par des conducteurs qui sont formés (habituellement en même temps que les électrodes et solidaires de ces dernières) de manière qu'ils s1étendent jusqu'à ces électrodes sur le corps plus épais de matière isolante. 25 la grande épaisseur de ce corps garantit un.espacement suffisant entre les conducteurs de liaison et la surface sous-jacente du semi-conducteur pour éviter qu'ils soient la cause d'une interférence électrique pendant le fonctionnement du-transistor. Avec les ty$es conuus de transistors à effet de champ à 30 porte isolée, la matière diélectrique des électrodes est développée spécialement par croissance sur la matière semi-conductrice à l'intérieur d'une fenêtre formée dans une couche relativement épaisse d'une matière isolante recouvrant la surface du semi-conducteur. Bien que la croissance de la matière diélectrique soit effectuée 35 avec beaucoup de soin, il se produit inévitablement une discontinuité entre la couche diélectrique et le corps épais et il en résulte une fissuration entre eux qui peut même s'étendre jusqu'à 72 12328 2 2132777 la surface du semi-conducteur proprement dit. Une telle fissuration augmente très sensiblement la possibilité d'un court-circuit jusqu'à la matière semi-conductrice à partir de l'électrode formant la porte et peut facilement se propager à travers des conducteurs 5 qui s'étendent sur le corps épais de matière isolante de manière à altérer ou même rompre la connexion avec les électrodes. Ainsi, il a été très difficile d'atteindre un degré acceptable de repro-ductibilité et de fiabilité dans les procédés de fabrication et le rendement en dispositifs exempts de défauts a été médiocre. 10 La présente invention a pour objet un dispositif à semi conducteur du type mentionné et en particulier, un procédé de fabrication d'un tel dispositif qui permet d'obtenir un meilleur rendement . Selon une caractéristique de la présente invention, un 15 procédé de fabrication d'un dispositif à semi-gonducteur dans lequel un mince revêtement de matière électriquement isolante est formé sur la surface de matière semi-conductrice et une électrode destinée à influencer la répartition de la charge électrique dans la matière semi-conductrice > est formée sur le revête-20 ment à l'intérieur d'une fenêtre ménagée dans un corps de matière électriquement isolante, est sensiblement plus épaisse que ledit revêtement, est caractérisé en ce que le revêtement est formé de manière à couvrir la surface du semi-conducteur au-delà de la zone de la fenêtre et en ce que le corps plus épais de matière 25 isolante est formé sur le revêtement. Avec le procédé de la présente invention, le diélectrique de l'électrode est formé par le revêtement isolant qui s'étend autour des limites de l'électrode proprement dite et sur lequel se trouve le corps plus épais de matière isolante. Ceci se distin-30 gue du procédé antérieur de fabrication dans lequel le diélectrique de l'électrode est développé spécialement par croissance sur-la surface du semi-conducteur à l'intérieur d'une petite fenêtre formée dans une couche relativement épaisse de la matière isolante reposant directement sur la surface du semi-conducteur. La mince 35 couche de diélectrique formée dans le procédé de la présente invention fait partie intégrante du revêtement s'étendant sensiblement au-delà des limites de l'électrode proprement dite et 72 12328 2132777 le corps de matière isolante repose sur ce revêtement pour assurer la continuité sur la surface. De cette manière, la possibilité de formation de fissures jusqu'à la surface du semi-conducteur et d'une interruption de la connexion électrique avec l'électrode 5 et par suite d'une défaillance du dispositif l'empêchant de satisfaire aux conditions de fonctionnement nécessaires, peut être réduite dans une très large mesure. Le procédé de l'invention peut s'appliquer à la fabrication . de dispositifs capacitifs simples de circuits intégrés à semi-10 conducteurs ou à des dispositifs comprenant une série de condensateurs reliés en cascade. Toutefois, la présente invention s'applique en particulier à la fabrication de transistors à effet de champ et bien qu'elle soit applicable à la fabrication de tels dispositifs comme composants individuels, elle s'applique plus 15 spécialement à la fabrication de circuits intégrés dans lesquels plusieurs transistors à effet de champ à porte isolée sont formés (éventuellement avec d'autres composants) sur un seul substrat semi-conducteur. Le mince revêtement de matière isolante formé par le procédé 20 de la présente invention a de"préférence une épaisseur uniforme sur toute la surface du semi-conducteur. Ce revêtement peut être formé de deux couches dont la couche supérieure est de préférence en nitrure de silicium. Deux fenêtres permettant d'établir un contact avec la matière semi-conductrice peuvent être découpées 25 dans le revêtement- et la surface mise à découvert du semi-conducteur dans lesdites fenêtres est ensuite dopée avant de déposer le corps épais de matière isolante. Ce corps épais peut être formé en déposant une matière électriquement isolante sur le revêtement et en gravant cette matière déposée pour mettre à découvert les 30 régions dopées du semi-conducteur à 1'intérieur des fenêtres de contact et la surface du mince revêtement se trouvant entre elles. On peut former ensuite deux électrodes pour établir un contact respectivement avec les régions dopées mises à découvert et une électrode formant une. porte s'étendant sur la surface du mince revê-35 tement entre les deux électrodes. Le dopage de la surface du semiconducteur est effectué de préférence dans les deux régions par implantation ionique et on peut aussi utiliser une implantation 72 12328 4 2132777 ionique pour doper encore la surface du semi-conducteur entre la porte et chacune des deux autres électrodes. On s'est référé ci-dessus plus particulièrement aux procédés de fabrication, mais l'invention a encore pour objet un dispositif -5 à semi-conducteur de consxruction perfectionnée quant à sa fiabilité en fonctionnement. Selon cette caractéristique, un dispositif à semi-conducteur dans lequel une électrode est séparée de la surface d'une matière semi-conductrice par un mince revêtement de matière électriquement isolante et une connexion est établie avec 10 l'électrode sur un corps environnant sensiblement plus épais de matière électriquement isolante, est caractérisé en ce que le mince revêtement s'étend sur une grande distance au-delà des limites de l'électrode et en ce que le corps plus épais de matière électriquement isolante repose sur le revêtement. Ladite électrode 15 peut être placée entre deux électrodes espacées qui établissent une connexion électrique respectivement avec les deux régions dopées de la surface du semi-conducteur. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention res-sortiront de la description qui va suivre, faite en regard des 20 dessins annexés et donnant à titre explicatif, mais nullement limitatif, des formes de réalisation de l'invention. Sur ces dessins : la figure 1 est une vue en plan d'une partie du dispositif à semi-conducteur ; 25 la figure 2 est une coupe suivant la ligne II-II de la figure 1 ; et les figures 3A à 31" sont des vues en perspective avec coupe partielle qui illustrent les étapes successives du procédé de fabrication du dispositif représenté sur les figures 1 et 2. 72 12328 5 2132777 Le procédé qui sera Récrit ci-après est utilisé pour la fabrication en série de circuits intégrés comportant chacun un grand nombre de composants interconnectés qui sont à la fois actifs et passifs. Un grand nombre des circuits sont formés simultanément sur une seule plaquette d'une .matière semi-conductrice au fur et à mesure que les étapes successives du procédé sont réalisées et après que la plaquette traitée a été essayée pour s'assurer de son intégrité électrique, elle est divisée en pastilles individuelles. Lesdites pastilles^ qui sont fina-lement montées sur des supports métalliques individuels, comportent chacune plusieurs transistors à effet de champ à porte isolée qui sont reliés les uns aux autres et avec des résistances et des condensateurs pour remplir la fonction désirée du circuit. La formation des transistors et des résistances implique 1'implantation d'ions d'impureté" dans des régions définies de la matière semi-conductrice et l'établissement de connexions électriques entre les régions implantées et entre ces dernières et des pattes de liaison situées le long des bords externes de la pastille. Pour chaque transistor, il" est encore nécessaire de former une électrode constituant une porte qui, bien qu'elle soit isolée de la surface semi-conductrice, est en relation étroitement réglée avec cette dernière quant à la distance et la capacité. Une partie d'une pastille à circuit intégré comportant un transistor à effet de champ à porte isolée, une résistance et un condensateur, est' représentée sur les figures 1 et 2. En se référant aux figures 1 et 2, le transistor T et une résistance R présentent tous deux deux électrodes 1 et 2 qui établissent un contact respectivement avec des régions dopées espacées 3 et 4 formées dans la surface supérieure 5 du substrat semi-conducteur 6 par implantation ionique. Dans chaque cas, les électrodes 1 et 2 sont placées dans des fenêtres 7 d'un mince corps à deux couches d'une matière électriquement isolante formant un revêtement uniforme 8 qui, à l'exception des fenêtres 7> est ininterrompu sur toute la surface 5 de l'élément 6. Le transistor T, contrairement à la résistance R, comporte une électrode 9 formant une porte située sur le revêtement 8 entre les électrodes 1 et 2. L'électrode 9, qui est isolée 72 12328 6 2132777 électriquement et espacé^ précisément de la surface 5 par le revêtement 8, est exactement en regard de la région non dopée 10 du canal du substrat 6 délimitée par deux prolongements très résistifs en forme de doigt 11 et 12 des régions 3 et 4 respec-5 tivement. Dans la résistance R, les régions 3 et 4 se prolongent de la même manière, mais dans ce cas, elles sont reliées l'une à l'autre et forment un canal dopé très résistif 13. * Des conducteurs électriques 14 destinés à former la connexion électrique externe des dispositifs T et R se prolongent à partir 10 des électrodes 1, 2 et 9 ainsi qu'à partir d'une électrode 15 du condensateur C situé sur le revêtement 8. Les conducteurs 14 se prolongent à partir des électrodes 1, 2, 9 et 15 sur un corps épais en matière électriquement isolante qui recouvre le revêtement 8 et forme des parois épaisses 16 séparant les unes 15 des autres les zones actives des dispositifs individuels. L'épaisseur du corps isolant est importante en comparaison de celle du revêtement 8 de manière à espacer suffisamment les conducteurs 14 de la surface 5 pour éviter des effets transitoires nuisibles dans les parties avantageusement inactives du substrat 6 situées 20 entre les différents composants du circuit. Le procédé par lequel le circuit intégré représenté sur les figures 1 et 2 est fabriqué avec un grand nombre de circuits analogues sur une seule plaquette de matière semi-conductrice, sera décrit ci-après en se référant aux figures 3A à 3F. Ces 25 figures ne montrent qu'une partie de la plaquette ou pastille traitée au cours des étapes successives du procédé et la description concerne plus particulièrement les étapes de traitement s'appliquant au transistor T ; la partie de la plaquette représentée sur les figures 3A à 3F correspond à celle entourée 30 d'un trait mixte sur la figure 1. La plaquette de matière semi-conductrice utilisée est obtenue par une découpe (1 0 0) dans un cristal dé silicium de type N. On la nettoie et la soumet ensuite à une étape dans laquelle on provoque thermique nient la croissance d'une couche 20 o 35 de bioxyde de silicium jusqu'à une épaisseur de 250 A sur sa surface supérieure 5. La couche 20 de bioxyde de silicium constitue la base pour former sur le substrat 6 en silicium une couche 21 72 12323 7 2132777 de nitrure de silicium qui est déposée à une épaisseur uniforme 0 , V de 900 A à partir d'un véhicule gazeux. Ainsi, on obtient le revêtement en deux couches 8 de matière électriquement isolante qui, à ce stade, recouvre toute la surface 5 de la plaquette. On 5 effectue maintenant des essais électriques pour s'assurer que ce revêtement présente l'épaisseur et les caractéristiques diélectriques convenables et est exempt de trous et de défauts superficiels. On traite ensuite la plaquette enduite avec précision de la figure 3A de manière à graver successivement dans les couches 10 20 et 21, comme on le voit sur la figure 3B, les fenêtres de contact 7 des électrodes 1 et 2. Le cache utilisé pour la gravure de la couche-21 de nitrure de silicium est formé d'une couche de bioxyde de silicium qui est spécialement déposée sur la couche 21 o par un procédé au silane à mie épaisseur de quelques 4 000 A. Cette 15 couche de bioxyde de silicium est enlevée par décapage jusqu'à la couche 21 aux endroits où. les fenêtres 7 sont nécessaires en utilisant une- solution tamponnée d'acide fluorhydrique qui agit à travers un masque de, réserve photographique, la présence d'un masque de - réservé -photographique aux endroits nécessaires dans 20 cette étape" ét leS'étapes décrites ultérieurement du procédé de fabrication implique... ' en soi plusieurs opérations mais celles-ci utilisent des techniques photolithographiques et de gravure qui sont bien connues.dans la technique antérieure et qui ne seront pas décrites dans le présent mémoire. 25 Dès que la gravure du masque de bioxyde de silicium est terminée, la réservé photographique est enlevée et les zones de la couche 21 de nitrure de silicium qui sont mises à découvert sont ensuite-gravées en utilisant un mordant à base d'acide phos-phorique. Cè mordant ne peut pas attaquer le bioxyde de silicium 30 du masque proprement dit ou de la couche sous-jacente 20 aux endroits où- elle est mise à découvert par la gravure à travers la couche 21 dans les fenêtres partiellement formées 7-. Da formation des fenêtres 7 est maintenant terminée en utilisant la couche gravée 21 comme masque et un mordant à base dTacide fluor-35 hydrique tamponné. Ce mordant est capable d'enlever la totalité du bioxyde de silicium restant déposé par le procédé au silane ainsi que la matière déposée thermiquement de la couché 20 aux 72 12328 8 2132777 endroits où elle est mise.à découvert à travers la couche 21, en laissant ainsi la plaquette enduite sous la forme représentée sur la figure 3B. On nettoie ensuite la plaquette et la traite en la soumettant 5 à l'opération représentée sur la figure 3C. Au cours de cette opération, une couche 22 d'aluminium d'une épaisseur d'au moins o , 10 000 A est deposée en phase vapeur sur toute la surface de la couche 21 et est ensuite gravée à travers un masque de réserve photographique pour enlever le métal des fenêtres 7 et des parties 10 marginales 23 du revêtement 8 qui les entoure. Après avoir enlevé la réserve photographique, la plaquette est 'bombardée avec des ions bore pour implanter les régions 3 et 4 de type P dans le substrat 6 en silicium de type N. la couche d'aluminium gravée 22 forme le masque pour cette opération et l'implantation ne se 1 5 produit que dans les zones 24 où la surfac.ç 5 est exposée à travers les fenêtres 7 et, avec une pénétration moindre, dans les zones marginales 25 entourant lesdites fenêtres, le processus d'implantation est effectué à une température de la plaquette 15 d'environ 21°C en utilisant une concentration de dopage de 5 x 10 2 20 ions par cm et une énergie des ions projetés de 40 000 électron- volts. le procédé peut être mis en oeuvre en utilisant une étape "d1endommagement de la surface" dans laquelle les régions à implanter sont soumises tout d'abord à un bombardement avec des ions d'une substance inerte, par exemple de krypton. 25 Après l'implantation des régions 3 et 4, la couche 22 est enlevée et toute la surface libre de la pastille est ensuite enduite de bioxyde de silicium à une épaisseur de quelques o 15 000 A par un procédé de dépôt au silane. le dispositif est ensuite chauffé à une température comprise entre 900 et 1000°C 30 pendant 20 minutes pour augmenter la densité du bioxyde de silicium déposé par un procédé au silane et pour activer l'implant à une résistance de 70 ohms par carré. Ce recuit est également destiné à assurer une répartition uniforme du dopage dans les régions 3 et 4. Ce dispositif implanté est ensuite nettoyé et 35 la couche déposée par le procédé au silane est ensuite gravée à travers un masque de réserve photographique pour laisser, après enlèvement de la réserve photographique, les parois épaisses 16 72 12328 9 2132777 de bioxyde formant la bordure qui repose sur le revêtement 8, comme on le voit sur la figure 3D. On nettoie ensuite la pastille et la recouvre par dépôt en phase vapeur d'une couche 26 d'aluminium à une épaisseur d'au o 5 moins 10 000 A. C'est cette couche d'aluminium qui constituera les électrodes 1, 2, 9 et 15, mais la couche 26 est tout drabord gravée comme on le voit sur la figure 3E pour former un masque pour une seconde implantation d'ions bore. La gravure est effectuée en utilisant un masque de réserve photographique et, comme on le 10 voit plus spécialement sur la figure pour le transistor T, elle forme deux fenêtres rectangulaires 27 entre les régions déjà dopées 3 et 4 de la source et du drain, en laissant entre elles une bande de.la couche 26 pour définir les limites latérales de l'électrode 9 formant la porte. Dans le cas de la résistance R, 15 une étroite bande de la couche 26 est enlevée pour former une fenêtre alloiïgée (non représentée) couvrant toute la distance comprise entre les deux régions terminales dopées 3 et 4. Le second processus d'implantation est mis en oeuvre dans les mêmes conditions que le premier, l'implantation étant effec-20 tuée dans ce cas à travers les fenêtres 27 en créant les prolongements en forme de-doigt 11 et 12 du type P à partir des régions 3 et- 4 formant la source et le drain respectivement du transistor T. La définition des limites latérales de l'électrode 9 dans la couche 26 du masque entre les fenêtres 27 garantit un repérage 25 automatique des extrémités internes des prolongements en forme de doigt 11 et 12 par rapport à cette électrode. L'implantation qui se produit en même temps à travers la fenêtre allongée formée dans la couche 26 de la résistance R, crée le canal 13 de type P. (En variante, le canal 13 peut être implanté par une opération 30 -antérieure^ spéciale du procédé et il peut être implanté en particulier immédiatement après l'implantation des régions 3 et 4 à travers une fenêtre gravée dans la couche épaisse de bioxyde de silicium qui, à ce moment recouvre toute la pastille). Ensuite, la pastille est nettoyée et est.masquée avec une 35 réserve photographique pour délimiter dans la couche 26 les zones qui doivent être enlevées afin d'achever l'électrode 9 formant la porte et de former les électrodes 1, 2 et 15 ainsi que les 72 12328 10 2132777 conducteurs 14. La gravure de la couche masquée 26 pour laisser la pastille à l'état représenté sur la figure 3F est suivie par l'enlèvement du masque de réserve photographique et un processus de nettoyage global. On effectue ensuite un second recuit à une 5 température par exemple de 5?5°C environ au-dessous du point de fusion de l'aluminium métallique. Cette étape est destinée à activer le second implant à une résistance de 2000 ohms par carré et à fritter l'aluminium des électrodes 1,set 2 pour obtenir un bon contact direct avec les régions respectives 3 et 4 à l'inté-10 ' rieur des fenêtres J. Les électrodes 1 et 2 établissent une connexion avec les zones 24 des régions 3 et 4 et du fait que l'implantation de ces zones a été effectuée à travers les fenêtres ouvertes 7, la pénétration est profonde à ces endroits. Toutefois, la concentration 15 du dopage aux niveaux supérieurs de la surface, à l'endroit où. une connexion est établie, est faible pour la même raison. Toutefois, les zones environnantes 25 empêchent qu'il en résulte un court-circuit des électrodes 1 et 2^ avec le corps principal du substrat de type N. L'implantation des zones 25 à travers les zones 20 marginales 23 du revêtement 8 garantit un dopage de type P suffisant aux niveaux supérieurs de la surface 5 pour isoler chaque électrode 1 et 2 de,la matière de type U. Après le second recuit, lea dispositifs individuels de la pastille et les circuits dont ils font partie sont vérifiés 25 pour détecter des défauts éventuels et s'assurer d'un fonctionnement satisfaisant dans des conditions normalisées prescrites. La pastille est ensuite divisée en fragments distincts et chacun de ces derniers est ensuite monté sur un support individuel pour établir une connexion avec le substrat de la manière usuelle. 30 On a constaté que le procédé de fabrication décrit ci-dessus permet d'atteindre de très grands rendements et des degrés de reproductibilité et de fiabilité très élevés. Par exemple, on a obtenu un rendement de 96 $ en comparaison de 50 tfo seulement avec d'autres procédés connus. Peux aspects principaux de ce 35 procédé contribuent d'une manière importante à sa réussite et à l'intégrité électrique des dispositifs obtenus. Le premier est associé à l'établissement d'une connexion électrique entre les 72 1232B n 2132777 électrodes 1 et 2 et les régions dopées respectives 3 et 4, comme on l'a indiqué plus haut, et le second est associé au revêtement 8. En ce qui concerne les avantages du procédé et des dispositifs résultants en association avec le revêtement 8 : a) l'isolation de la porte de chaque transistor à effet de champ de la pastille est réalisée par un corps monobloc de matière isolante ; ceci assure le maintien de l'uniformité des caractéristiques du transistor dans l'ensemble de la pastille ; b) là matière isolante du revêtement 8 est déposée au cours d'une phase-initiale ; ceci favorise le maintien d'un réglage et d'un contrôle précis des propriétés désirées de la matière diélectrique et permet en outre d'effectuer un contrôle avant -d'entreprendre les étapes de traitement plus compliquées et plus; coûteuses ; •• c) la surface du semi-conducteur, à la fois dans la pastille au cours du.procédé et dans le fragment par la suite, est entièrement-recouverte d'une matière isolante qui n'est pas interrompue à l'exception des fenêtres 7 où une connexion électrique est établie avec la surface ; ceci contribue d.Vune vaajnière^ importante à l'élimination d'une connexion électrique "indésirable avec la surface du semi-conducteur, plus particulièrement en ce qui concerne les points soulignés dans les paragraphes (a) et (b) ci-dessus ; d) il n'y ^a .pas-d'interface bord à bord ou "verticale" entre les corps de matière isolante comme celle qui se forme lorsqu'un corps de matière isolante est développé par croissance d'une fenêtre dans une autre ; ceci réduit considérablement^ la formation éventuelle de défauts dans les conducteurs 14, du type qui se manifeste aux endroits où les conducteurs croisent des interfaces verticales. En ce qui concerne le point (d), il convient d.e noter que bien que les conducteurs 14 croisent les interfaces "horizontales" entre le revêtement 8 et les parois 16, ces interfaces sont produites par la formation des parois 16 sur le revêtement 8 (plutôt que le long de ce dernier) et par conséquent, elles ne sont pas sujettes à une fissuration importante. 72 12329 12 2132777 Naturellement, l'invention n'est pas limitée aux formes de réalisation décrites et représentées et est susceptible de recevoir diverses variantes entrant dans le cadre et l'esprit de l'invention. 72 12328 13 2132777 REVENDICATIONS 1 " " " i 1 ' 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur dans lequel un mince revêtement d'une matière électriquement isolante est formé sur la surface de matière semi-conductrice et 5 une électrode destinée à influencer la répartition de la charge électrique dans la matière semi-conductrice est formée sur le revêtement dans une fenêtre ménagée dans un corps de matière électriquement isolante qui est sensiblement plus épais que le revêtement, procédé. caractérisé en ce que le revêtement (8) est formé de manière 10 à recouvrir la surface (5) du semi-conducteur au-delà de la zone de la fenêtre et en ce que le corps plus épais (16) de matière isolante est formé de manière à recouvrir le revêtement (8). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le mince revêtement (8) a une épaisseur uniforme et est déposé 15 de manière à recouvrir toute la surface (5).du semi-conducteur. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le revêtement (8) est formé de deux couches superposées (20, 21) . 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce 20 que la couche supérieure (21) des deux couches est en nitrure de silicium^ 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'avant de déposer le corps épais (16) de matière isolante sur le revêtement (8), on découpe deux fenêtres 25 (7) destinées à l'établissement d'un contact avec la matière semi-, conductrice (6) à travers le mince revêtement (8) et ensuite, on dope.la surface mise à découvert (5) du semi-conducteur dans ces fenêtres de contact (7). 6. Procédé selon la revendication 5? caractérisé en ce 30 qu'il consiste à former le corps épais (16) en déposant une matière électriquement isolante sur le revêtement et en gravant cette• matière déposée pour mettre à découvert les régions dopées (3, 4) du semi-conducteur dans les deux fenêtres de contact (7) et la surface du mince revêtement (8) située entre elles et en ce qu'il 35 consiste à former ensuite deux électrodes (1, 2) établissant un contact respectivement avec les deux régions dopées mises à découvert (3, 4) du semi-conducteur, et également une électrode 72 12328 u 2132777 formant une porte (9) s'étendant sur la surface du revêtement (8) entre les deux électrodes (1, 2). 7. Procédé selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que le dopage de la surface (5) du semi-conducteur est effectué 5 par implantation ionique. 8. Procédé selon les revendications 6 et 7, prises ensemble, caractérisé en ce qu'un dopage supplémentaire de la surface (5) du semi-conducteur entre la porte (9) et chacune des deux électrodes (1, 2) est effectué par une seconde implantation ionique. 10 9. Dispositif à semi-conducteur dans lequel une électrode est séparée d'une surface de matière semi-conductrice par un mince revêtement de matière électriquement isolante et une connexion électrique est établie avec l'électrode en travers du corps environnant sensiblement plus épais de matière électriquement iso-15 lante, dispositif caractérisé en ce qu'un mince revêtement (8) s'étend sur une grande distance au-delà des limites de l'électrode (9) et en ce que le corps plus épais (16) de matière électriquement isolante repose sur le revêtement (8). 10. Dispositif selon la revendication 9» caractérisé en 20 ce que l'électrode (9) est située, entre deux électrodes espacées (1, 2) qui établissent un contact électrique respectivement avec les deux régions dopées (3, 4) de la matière semi-conductrice (6).