Brevet FR2117976A1 — publié le 19720728

L'invention concerne un procédé permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur et suivant lequel sont élaborées dans un corps semiconducteur les zones d'émetteur et de collecteur d'un premier type de conduction, ainsi que la zone de base de type de conduction opposé d'un transistor bipolaire, cette zone d'émetteur affleurant une surface du corps alors que la jonction p-n émetteur-base coupe ladite surface suivant une courbe fermée. Lors de la fabrication d'un transistor bipolaire connu comportant des zones d'émetteur et de collecteur, d'un premier type de conduction, ainsi qu'une zone de base, de type de conduction opposé, cette zone de base est élaborée par diffusion d'atomes d'impuretés de type de conduction opposé dans une surface du corps semiconducteur pour former ainsi une région de surface diffusée de ce type de conduction opposé, alors que, en masquant contre la diffusion les parties de surface environnantes de ladite région de surface diffusée, une plus forte concentration d'atomes d'impuretés de premier type de conduction est établie par diffusion jusqu a un niveau moins profond dans une partie de surface de cette région de surface diffusée pour former ainsi une zone d'émetteur diffusée du transistor.Dans un tel transistor connu, la zone d'émetteur affleure la surface du corps semiconducteur, et est, dans ce corps, entourée de la zone de base diffusée. La jonction p-n émetteur-base qui est formée entre ces deux régions diffusées a un bord qui se termine à ladite surface du corps semiconducteur et qui la coupe. Sur une distance finie d'une partie quelconque de ladite jonction, la variation de la concentration en impuretés dudit type de conduction opposé, est inférieure à la variation correspondante de la concentration en impuretés du premier type de conduction.En outre, sur ledit bord de jonction émetteur-base, la variation latérale de la concentration en impuretés établissant ledit type de conduction opposé est généralement même inférieure à sa variation en fonction de la profondeur de bord à la jonction active émetteur-base ; sur une distance finie du bord de jonction émetteur-base, la variation de la concentration en impuretés établissant ledit type de conduction-opposé est donc généralement de loin inférieure à la variation correspondante de la concentration en impuretés établissant le premier type de conduction. Ces variations de la concentration en impuretés sur ledit bord de jonction sont importantes lors de la détermination de par exemple la capacité d'épuisement d'émetteur et la position occupée par le bord de jonction émetteur-base, et par conséquent la distance suivant laquelle la zone d'émetteur du transistor bipolaire s'étend latéralement (étendue latérale). La capacité d'épuisement d'émetteur est la capacité de charge d'espace associée à la Jonction émetteur-base pour une valeur déterminée de la tension de polarisation dans le sens de conduction, et cette capacité influence la fréquence de blocage d'un transistor bipolaire haute fréquence. Lorsqu'il s'agit de transistors bipolaires connus fabriqués suivant le procédé décrit ci-dessus, la majeure partie de la capacité d'épuisement à la jonction émetteur-base est déterminée par la concentration en impuretés établissant ledit type de conduction opposé, puisque c'est précisément cette concentration en impuretés dans la base qui sur la jonction varie moins fortement. Par conséquent, pour obtenir une faible capacité d'épuisement d'émetteur, il importe qu'à la jonction émetteur-base, la concentration en impuretés dans la base soit aussi faible que possible.Toutefois, pour obtenir une faible résistance de base en vue de réduire la perte de puissance haute fréquence, on exige généralement que dans la partie de la zone périphérique de base, limitrophe du bord de jonction émetteur-base, la concentration en impuretés dans la base soit aussi élevée que possible ; par conséquent, pour de tels transistors connus haute fréquence utilisés en pratique, la concentration de dopage de la base, est souvent déterminée par un compromis entre des valeurs acceptables d'une part de la capacité d'épuisement d'émetteur et d'autre part de la résistance de base, tandis qu'une partie importante de ladite capacité acceptable est fournie par le bord de la jonction émetteur-base. Lors de la fabrication de ce genre de transistors bipolaires connus, une ouverture pratiquée dans une couche de masquage isolante sert généralement à la fois de fenêtre de diffusion d'impuretés d'émetteur et de fenêtre de contact d'émetteur ; en procédant de la sorte, on n'est pas obligé d'effectuer une opération additionnelle de photolithographie et d'ajustage de masque en vue d'élaborer la fenêtre de contact d'émetteur.Ceci peut être très intéressant lorsqu'il s'agit de zones d'émetteur peu étendues, la concentration de dopage ayant conduit au type de conduction opposé est généralement de loin inférieure à la variation correspondante de la concentration de dopage ayant conduit au premier type de conduction, la position occupée par ledit bord de jonction est déterminée surtout par le gradient caractérisant la concentration d'émetteur de ce premier type de conduction.Du fait que sous le bord de la couche de masquage isolante, les atomes de dopage diffusés de premier type de conduction se dispersent latéralement, la jonction émetteur-base formée se termine généralement à une partie de surface du corps semiconducteur sous la couche de masquage isolante, ce qui empêche le court-circuitage de la jonction par un contact réalisé sous forme d'une couche métallique et élaboré ensuite dans l'ouverture. Entre le bord de jonction émetteur-base et ledit bord dans l'ouverture, la distance latérale est toutefois fonction de la profondeur sur laquelle les impuretés diffusées pénètrent dans l'ouverture, et donc de la profondeur de la zone d'émetteur diffusée formée.Lorsque de cette façon on a formé une zone d'émetteur peu profonde, ladite distance latérale est très faible, ce qui augmente le risque d'un court-circuit de la jonction par le contact-couche métallique. Il est donc désirable de pouvoir mettre en oeuvre un procédé par lequel une auto-coIncidence est possible entre une ouverture de contact d'émetteur et l'étendue latérale de la zone d'émetteur, et par lequel la profondeur de cette zone d'émetteur peut en grande partie etre déterminée indépendamment de cette étendue latérale et donc de la distance latérale entre le bord de jonction émétteur-base et le bord de la couche isolante dans l'ouverture de contact d'émetteur. Conformément à l'invention, un procédé du genre mentionné dans le préambule est remarquable en ce que le dopage en atomes qui définissent le type de conduction opposé a lieu dans une première partie de surface du corps, cette partie entourant et limitant une deuxième partie de surface du corps, ledit dopage ayant lieu cependant que dans la deuxième partie de surface, l'introduction de ces atomes est empêchée au moins en partie, de sorte qu'il se forme une première partie fortement dopée de la zone de base, et en ce que dans ladite deuxième partie de surface sont formés des atomes qui définissent ledit type de conduction opposé ainsi que des atomes qui définissent ledit premier type de conduction afin de former ainsi d'une part une deuxième partie moins fortement dopée qui appartient à la zone de base qui est limitée par ladite première partie fortement dopée de cette zone de base, et d'autre part une zone d'émetteur qui est contiguë auxdites première et deuxième parties de zone de base qui entourent entièrement cette zone d'émetteur, l'étendue latérale de cette zone d'émetteur étant limitée à la région de la deuxième partie de surface par suite de la forte concentration de dopage de la première partie de la zone de base. Par la mise en oeuvre d'un tel procédé, le transister bipolaire peut acquérir des caractéristiques déterminées et être amené à fonctionner de plusieurs façons définies, ces caractéristiques et ces modes de fonctionnement étant très difficilement réalisables -voire mme impossibles- dans les dispositifs semiconducteurs connus. L'endroit où le bord de jonction émetteur-base se termine à la surface de corps est donc défini pratiquement par la concentration de dopage ayant conduit au type de conduction opposé à ladite première partie de la zone de base ; de ce fait, la position occupée par ledit bord, et par conséquent l'étendue latérale de la zone d'émetteur. peuvent, quasi entièrement, être déterminées indépendamment de la profondeur suivant laquelle la zone d'émetteur pénètre dans le corps semiconducteur. La majeure partie de la capacité d'épuisement d'émetteur audit bord de jonction est définie par la concentration de dopage établissant le premier type de conduction associé à la zone d'émetteur ; de ce fait, on a une plus grande liberté dans le choix de la concentration de dopage pour établir le type de conduction opposé associé à la zone périphérique de base (la première partie de la zone de base). La majeure partie de la capacité d'épuisement d'émetteur étant définie par la concentration de dopage associée à la zone d'émetteur, la concentration de dopage établissant le type de conduction opposé dans la majeure partie de la première partie de zone de base, limitrophe du bord de jonction émetteurbase, peut être relativement élevée et fournir ainsi une faible résistance de base, tandis que la capacité d'épuisement d'émetteur est maintenue faible par le choix judicieux de la concentration de dopage et par le profil de concentration établissant le premier type de conduction dans la partie contiguë de la zone d'émetteur. La concentration de dopage, de premier type de conduction, associée à la zone d'émetteur, peut être pratiquement invariable sur ladite distance finie. De cette façon, dans la majeure partie de la zone périphérique de base, limitrophe de la paroi de jonction émetteur-base, la concentration de dopage de type de conduction opposé peut être plus forte -par exemple un ordre de grandeur plus fort- que la concentration de dopage qui dans la partie de zone d'émetteur, contiguë au bord de la jonction émetteur-base, établit le premier type de conduction. Par comparaison à un transistor bipolaire connu tel que mentionné ci-dessus, il est possible de se rendre compte de l'effet exercé sur la perte de puissance haute fréquence et par conséquent sur le bruit d'un tel transistor bipolaire tel que décrit.Pour chacun de ces deux transistors, la majeure partie de la perte de puissance se produit dans la partie de région qui est contiguë au bord de jonction émetteur-base et qui a la plus faible concentration de dopage définissant le type de conduction. On admet ici que dans cette partie de ladite région, les deux transistors comparés ont la même concentration de dopage définissant le type de conduction. Dans le transistor bipolaire connu, cette partie de région est la partie de la zone périphérique de base, contiguë au bord de la jonction émetteur-base, et est donc parcourue par tout le courant de base du transistor. Dans le transistor conforme à l'invention, ladite partie de région est la partie de la zone d'émetteur, contiguë au bord de la jonction émetteur-base, de sorte que dans ce cas, c'est la résistance d'émetteur qui est le paramètre le plus important pour la définition de la perte de puissance ; une petite fraction seulement du courant d'émetteur total traverse toutefois cette partie de la zone d'émetteur.Lorsque les fréquences ont des valeurs situées dans le voisinage de fT (c'est-à-dire le produit, exprimé en Hertz, du courant d'émetteur commun et de la largeur de bande d'amplification), l'intensité du courant de base est comparable à celle du courant d'émetteur, de sorte que ledit transistor conforme à l'invention aurait l'avantage d'une plus faible perte de puissance.Comme cela est encore décrit dans la suite de ltexposé, il est en outre possible de réduire à une valeur minimale la résistance d'émetteur entre le contact d'émetteur et le bord de jonction émetteur-base dans le transistor conforme à l'invention, si, lors de la fabrication du dispositif, on met en oeuvre un procédé auto-enregistreur entre l'ouver- ture de contact d'émetteur et l'étendue latérale de la zone d'émetteur ; de cette façon, il est possible de réduire la perte de puissance dans la zone d'émetteur. La concentration de dopage désirée établissant le type de conduction opposé dans la zone de base active sous la zone d'émetteur peut être établie sans utiliser une forte concentration de dopage conduisant au type de -conduction opposé dans la partie de corps semiconducteur où la zone d'émetteur est élaborée ou doit être élaborée. Dans un tel cas, la concentration de dopage de premier type de conduction dans la partie active de la zone d'émetteur, contiguë à sa jonction p-n avec la zone de base active ne doit dépasser que d'un ou de deux ordres de grandeur ladite concentration de dopage dans la zone de base active.Toutefois, il est désirable que la partie de zone d'émetteur qui est contactée par l'électrode de contact d'émetteur, présente une forte concentration de dopage de premier type de conduction, afin d'obtenir ainsi une faible résistance de contact d'émetteur. Par conséquent, la zone d'émetteur peut donc comporter un premier contact distinct convenablement conducteur, qui affleure ladite surface et qui, dans le corps, est entouré d'une deuxième partie de zone d'émetteur, moins convenablement conductrice et limitrophe de la totalité de la jonction p-n émetteur-base. La concentration de dopage de premier type de conduction dans la première partie de la zone d'émetteur peut dépasser d'un ordre de grandeur -voire même deux ordres de grandeur- la concentration de dopage dans la deuxième partie de la zone d'émetteur. Lorsqu'il s'agit d'un transistor bipolaire haute fréquence, une limite supérieure de la concentration de dopage de premier type de conduction dans la partie de zone d'émetteur, limitrophe de l'entière jonction émetteur-base, est déterminée par la partie de la capacité d'épuisement d'émetteur, fournie par le bord de jonction émetteur-base.Lorsque la concentration de dopage de type de conduction opposé dans la partie de la zone périphérique de base, limitrophe du bord de jonction émetteurbase, est supérieure à la concentration de dopage de premier type de conduction dans la partie de la zone d'émetteur, limitrophe du bord de jonction émetteur-base, la majeure partie du courant qui traverse ce bord, est due à des porteurs de charge majoritaires de la zone de base qui sont injectées dans la zone d'émetteur ; pour maintenir un fonctionnement très efficace de l'émetteur, il importe que l'intensité de ce courant soit considérablement inférieure à celle du courant qui résulte de l'injection de porteurs de charge majoritaires de la zone d'émetteur dans la zone de base active.La majeure partie de la concentration en porteurs de charge minoritaires. injectés dans la zone d'émetteur, dépend de la concentration de dopage de premier type de conduction dans ladite partie de la zone d'émetteur ainsi que de la tension de jonction appliquée, plutôt que de la concentration de dopage établissant de type de conduction opposé dans ladite partie de la zone périphérique de base. En ce qui concerne les transistors haute fréquence, la charge emmagasinée est plus critique que l'intensité du courant continu. La diminution en fréquence fT, qui résulte de l'accroissement de la capacité de diffusion de charge au bord de la jonction émetteur-base, est toutefois faible si la concentration de dopage de premier type de conduction n'est pas trop petite dans la partie de zone d'émetteur, limitrophe de la jonction émetteurbase.Ceci détermine une limite inférieure de la concentration de dopage de premier type de conduction dans la partie de zone d'émetteur, limitrophe du bord de jonction. Par conséquent, cette diminution peut par exemple être inférieure à 10 ffi lorsque ladite concentration de dopage de premier type de conduction est supérieure à vingt fois la concentration de dopage de type de conduction opposé dans la zone de base active. Dans la partie de la zone d'émetteur, limitrophe de la totalité de la jonction p-n émetteur-base, la concentration de dopage peut donc par exemple dépasser au moins vingt fois et au maximum cent fois la concentration de dopage qui dans la zone de base active sous la zone d'émetteur établit ledit type de conduction opposé. Etant donné que sur le bord de jonction émetteurbase ainsi formé, la variation de la concentration de dopage établissant le type de conduction opposé est plus grande, c'est précisément l'établissement de cette concentration qui en majeure partie détermine la position dudit bord et qui définit ainsi la distance sur laquelle la zone d'émetteur s'étend latéralement Avant d'autoriser la pénétration des atomes de dopage, on peut élaborer une couche, de premier type de conduction, qui affleure ladite surface de la deuxième partie de surface du corps là où la zone d'émetteur doit astre formée, aines que la partie de surface contiguë du corps là où doit entre formée la première partie de zone de base autour de la deuxième partie de surface du corps, alors qu'ensuite, par dopage, on établit dans ladite partie de surface contiguë de la couche une concentration établissant le type de conduction opposé, qui est supérieure à celle établissant le premier type de conduction qui est établi dans la partie en question. Dans ce cas, la concentration de dopage qui a établi le premier type de conduction peut être pratiquement constante sur tout le bord de la jonction émetteur-base. Les atomes de dopage précités sont amenés en place par exemple par diffusion thermique d'atomes qui sont caractéristiques pour le type de conduction opposé. Suivant un autre procédé, ladite introduction d'atomes de dopage est effectuée par implantation d'ions ; s'il en est ainsi, il est possible d'établir, au bord de jonction émetteur-base formé, un gradient de concentration de dopage qui est plus fort que le gradient correspondant susceptible d'être établi par diffusion. Un dopage effectué par diffusion à partir d'une couche isolante élaborée localement et dopée d'atomes, un dopage effectué par implantation à l'aide d'un faisceau d'ions de dopage concentré localement, peut être mis en oeuvre pour amener en place les atomes de dopage dans la première partie de surface du corps, et on empêche alors au moins partiellement que le dopage précité ait lieu dans la deuxième partie de surface du corps. Toutefois, dans la plupart des cas, il est préférable d'utiliser une partie d'une couche de masquage que l'on dépose sur la deuxième partie de surface du corps, et qui doit masquer contre le dopage cette deuxième partie. Dans le cas où le dopage a lieu par implantation d'ions et que l'on utilise une partie d'une couche de masquage, cette partie peut être un masque métallique élaboré dans une ouverture d'une couche isolante sur ladite surface du corps, les atomes de dopage implantés -établissant le type de conduction opposé- traversant l'épaisseur de cette couche isolante. Le masquecouche métallique peut être élaboré de manière auto-coUncidente à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante, alors qu'au moins une partie de celle-ci peut être maintenue dans le dispositif prêt à ltemploi, de sorte que ladite ouverture peut servir de fenêtre pour contacter la zone d'émetteur à l'aide d'une élec trode réalisée sous forme d'une couche métallique. Par l'expressior. "élaborer le masque-couche métallique de manière auto-cotncidente", il y a lieu d'entendre ici que l'ajustage résulte d'une série d'opérations parmi lesquelles aucune ne nécessite l'ajustage d'une première configuration par rapport à une configuration déjà formée. De cette façon, l'ouverture de contact d'émetteur et l'étendue latérale de la zone d'émetteur sont établies de manière auto-cotncidente ; la faible dimension sur laquelle le masque-couche métallique s'étale latéralement par dessus des parties périphériques de la couche isolante à l'endroit de l'ouverture définit la distance latérale de l'endroit où, à la surface, se termine le bord de jonction émetteur-base, cette distance étant mesurée à partir du bord de la couche isolante à l'endroit de l'ouverture de contact d'émetteur, et permet ainsi d'empêcher encore mieux le court-circuitage de la jonction émetteur-base d'une zone d'émetteur, susceptible d'être causé par une électrode-couche métallique.La faible distance latérale toutefois bien définie, susceptible d'trie établie par ce procédé auto-ajusteur peut être importante lorsque, d'une manière fiable, on réduit au minimum la distance entre le bord de jonction émetteur-base et l'ouverture de contact d'émetteur ; la minimalisation de cette distance peut avoir son importance pour réduire tant l'étendue de la zone d'émetteur que la résistance entre l'électrode de contact d'émetteur et toutes les parties de la jonction p-n émetteur-base. A l'endroit de 1 ouverture de la couche isolante, il est possible d'introduire des atomes de dopage établissant le premier type de conduction dans la partie appartenant à ladite deuxième partie de surface du corps affleurant la surface, pour augmenter ainsi la. conductibilité de ladite deuxième partie de surface. Dans le cas où l'on utilise une couche de surface de premier type de conduction lors de l'établissement de la concentration de dopage de la zone d'émetteur et où des parties de cette couche subissent une conversion de type de conduction dans la partie contiguë de la première partie de la zone de base (zone périphérique de base) du fait que l'on y établit une plus forte concentration d'atomes de dopage étaLlissant le type de conduction opposé, ladite couche de surface est subdivisée par exemple en plusieurs zones d'émetteur distinctes du fait qu'une partie de couche en forme de grille subit ne conversion de type de conduction et devient ainsi une partie de zone périphérique de base, le transistor formé comportant ainsi plusieurs émetteurs (transistors multi-émetteur). Dans le cas où l'on utilise une couche de surface de premier type de conduction lors de l'établissement de la concentration de dopage de la zone d'émetteur, cette couche peut être élaborée par implantation d'ions de dopage établissant le premier type de conduction. De cette façon, sans que pour cela une forte concentration de dopage du premier type de conduction soit établie dans les parties de la zone d'émetteur, limitrophes de la totalité de la jonction émetteur-base, il est possible d'établir un gradient de concentration de dopage élevé du premier type de conduction à la jonction entre la partie active de la zone d'émetteur et la zone de base active. L'établissement de la concentration de dopage de type de conduction opposé dans la zone de base active sous la zone d'émetteur peut avoir lieu par implantation d'ions de dopage établissant ce type de conduction. De ce fait, dans la zone de base active, une concentration de dopage convenablement définie peut être établie sans que dans la partie de surface où la zone d'émetteur doit être élaborée ou est élaborée, doive être établie une forte concentration de dopage de type de conduction opposé, Une faible concentration de dopage de type de conduction opposé dans la partie de surface où la zone d'émetteur est élaborée ou doit l'être, permet d'établir, dans la partie de zone d'émetteur, limitrophe de la totalité de la jonction émetteur-base, une concentration de dopage du premier type de conduction qui est inférieure à la concentration susceptible d'être atteinte dans un autre cas, de sorte que ladite faible concentration de dopage permet de réduire la capacité d'épuisement d'émetteur tout en respectant l'efficacité du fonctionnement de l'émetteur. Suivant un autre mode de réalisation, la concentration de dopage établissant le type de conduction opposé dans la zone de base est établie par diffusion d'atomes de dopage. Ladite première partie appartenant à la zone de base et dans laquelle les atomes de dopage de type de conduction opposé sont introduits pénètre plus profondément dans le corps semiconducteur que la zone de base élaborée sous la zone d'émetteur. De cette façon, il est possible d'obtenir une Jonction p-n collecteur-base dans laquelle la partie de jonction la plus proche de la zone d'émetteur se situe directement sous celle-ci. La description suivante, en regard des dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple, fera bien comprendre comment l'invention peut Aetre réalisée. La figure 1 est une vue en plan au niveau de la surface semiconductrice d'une partie du corps semiconducteur d'un transistor bipolaire distinct. La figure 2 est une vue en plan au-dessus du niveau de la surface du corps semiconducteur de la partie représentée sur la figure 1. La figure 3 est une coupe transversale de ladite partie suivant le plan X-X sur la figure 1 et suivant le plan sur surla figure 2. Les figures 4 à 9 sont des coupes transversales de la même partie suivant le plan X-X sur la figure 1 et suivant le plan X'-X' sur la figure 2, et montrent cette partie dans des stades différents de sa fabrication. Sur les figures 1 à 3, on a représenté un dispositif semiconducteur qui est un transistor bipolaire haute fréquence distinct n-p-n, comportant un corps 1, en silicium monocristallin, qui a une zone d'émetteur 2 de type de conduction n, une zone de collecteur 3 de type de conduction n, et une zone de base 4, de type de conduction p. La zone d'émetteur affleure une surface 5 de ce corps 1 et est, dans ce dernier, entourée de la zone de base 4. La jonction p-n émetteur-base 6 a un bord 7 qui se termine à la surface 5. La concentration en atomes donneurs est pratiquement constante sur la couche d'épuisement qui se situe audit bord 7 lorsqu'une tension de polarisation égale à zéro est appliquée aux extrémités de la jonction émetteur-base 6. Par contre, les variations de la concentration en accepteurs sur la même distance sur ledit bord de jonction 7 sont considérables ; par conséquent, la différence entre la concentration en accepteurs qui existe du côté de la base et du côté d'émetteur de In couche d'épuisement à l'endroit du bord 7, est, pour une tension de polarisation égale à zéro, condidêrablement supérieure à la différence correspondante de la concentration en donneurs, tandis qu'à la surface 5, l'endroit où se termine le bord de jonction 7 est déterminé par ladite variation de la concentration en accepteurs, associée à la zone de base 4. Cette zone de base 4, de type de conduction E, comporte une partie active de type de conduction p, située sous la zone d'émetteur 2, ainsi qu'une première partie de la zone de base p++ à très forte conductibilité, cette zone étant limitrophe du bord de jonction 7 et pénétrant dans le corps 1 plus profondément que la zone de base active P. La concentration en accepteurs dans la zone de base active p est inférieure d un ordre de grandeur à la concentration en donneurs dans la partie de la zone d'émetteur 2, limitrophe de la totalité de la jonction émetteur-base 6.Toutefois, dans la zone périphérique de base ++ p , la concentration en accepteurs dépasse d'un ordre de grandeur la concentration en donneurs dans la partie de la zone d'émetteur, limitrophe du bord de jonction 7. La zone d'émetteur 2, de type de conduction n, comporte un contact distinct n++ qui a une plus forte conductibilité et qui affleure ladite surface 5 du corps 1 dans lequel ce contact est entouré d'une partie n+ de la zone d'émetteur, cette partie présentant une moins forte conductibilité et étant limitrophe de la totalité de la jonction émetteur-base 6. Dans le contact n++, la concentration en donneurs est inférieure de deux ordres de grandeur à la concentration en donneurs dans la partie environnante n+ de la zone d'émetteur 2. La zone de collecteur 3, de type de conduction n, comporte une partie d'une couche épitaxiale 8 située sur une face principale d'un substrat 9, de type de conduction n et ayant une plus forte conductibilité. Le collecteur est connecté à la face principale opposée 10 du substrat 9 à forte conductibilité. La jonction p-n collecteur-base se termine à la surface. Une couche isolante passivante est située sur la surface 5 et recouvre les endroits où la jonction émetteur-base 6 et la jonction collecteur-base Il se terminent à la surface. Ladite couche isolante passivante comporte une configuration 12 formée par une mince couche en bioxyde de silicium et entourée d'une configuration 13, formée par une épaisse couche 13 également en bioxyde de silicium. Sur les figures 2 et 3, la bordure entre les deux configurations 12 et 13 est indiquée par la référence 14. A la surface 5, le contact n++ de la zone d'émetteur 2 est contacté par un doigt d'une électrode de contact d'émetteur 16 par l'intermédiaire d'une ouverture 15 pratiquée dans la mince couche de bioxyde de silicium constituant la configuration 12. Deux doigts d'une électrode de contact de base 18 établissent à la surface 5 le contact de la zone de bord de base p++ par l'intermédiaire de deux ouvertures 17 de la même couche en bioxyde de silicium.Les doigts des électrodes de contact 16 et 18 forment une structure en forme de peigne, et chacune de ces électrodes 16 et 18 s'étend sur les configurations 12 et 13 en bioxyde de silicium et se termine dans une plus grande surface de contact, élaborée sur l'épaisse couche en bioxyde de silicium constituant la configuration 13. La résistance de base entre la zone de base active et l'électrode de contact de base 18 est déterminée par la zone périphérique de base p++. Etant donné que celle-ci présente une très forte conductibilité, la résistance de base du transistor bipolaire est très faible. Etant donné que la différence entre la concentration en accepteurs, mesurée du caté de base, et la concentration en accepteurs, mesurée du côté d'émetteur de la couche d'épuisement qui, pour une tension de polarisation égale à zéro, se situe au bord de jonction émetteur-base 7, est considérablement supérieure à la différence correspondante des concentrations en donneurs, la majeure partie de la capacité d'épuisement dudit bord de jonction est déterminée par la concentration en donneurs de la partie limitrophe n+ de la zone d'émetteur, plutat que par la forte concentration en accepteurs de la partie limitrophe de la zone périphérique de base p++.Cette concentration en donneurs ne dépasse que d'un ordre de grandeur la concentration en accepteurs de la zone de base active p, de sorte que la contribution que le bord de jonction 7 fournit pour la formation de la capacité d'épuisement d'émetteur est petite, et que, de cette façon, cette capacité est maintenue petite. La concentration en donneurs de la partie n de la zone d'émetteur, limitrophe de la totalité de la jonction p-n 6, est toutefois suffisamment élevée pour empêcher la réduction excessive de la fréquence ft du transistor. Conformément à l'invention, le dispositif semiconducteur représenté sur les figures 1 a 3 s'obtient du fait que des atomes d'accepteurs sont introduits dans une première partie de surface, située autour et limitrophe d'une deuxième partie de surface de corps où il y a lieu de former la zone d'émetteur 2 de type de conduction n ; cependant que l'on procède à ce dopage d'accepteurs, on empêche au moins en partie que ceux-ci pénètrent dans ladite deuxième partie de surface du corps, de sorte que des atomes d'acaccepteurs, introduits dans la première partie de surface du corps, définissent la position du bord de jonction émetteur-base 7, à concentration en donneurs n++ > établie précédemment pour la partie limitrophe n+ de la zone d'émetteur 2, et que sur une distarce finie du bord de jonction 7 ainsi formé, la variation de la concentration en accepteurs est supérieure à la variation correspondante de la concentration en donneurs. On part d'un corps en silicium monocristallin de type de conduction n, formé par un substrat 9, de type de conduction n, présentant une résistivité de 0,01 ohm.cm et une épaisseur d'environ 200 microns. Par croissance épitaxiale, on a élaboré sur ce substrat 9 une couche épitaxiale 8, de type de conduction n, présentant une résistivité comprise entre 0,5 et 1 ohm.cm, et une épaisseur de 3 microns. Les faces principales du corps 1 sont perpendiculaires à la direction cristallographique (iii). Ladite surface 5 du corps 1 est la surface de la couche épitaxiale 8. Généralement, à partir d'une plaquette semiconductrice commune, on fabrique plusieurs transistors bipolaires distincts en formant simultanément une série d'éléments de transistor, la plaquette étant ensuite divisée en morceaux pour obtenir ainsi des corps semiconducteurs individuels pour chaque transistor distinct. Toutefois, le procédé décrit ici en référence aux figures 4 à 9, concerne le corps semiconducteur destiné à un seul transistor distinct, et ne concerne pas la plaquette semiconductrice entière.On conçoit aisément qu'aux endroits où, plus loin dans le texte, il est question de procédés photolithographiques, de décapage, d'implantation et de recuit, ces opérations ont lieu soit simultanément sur plusieurs endroits de la plaquette, soit sur la tetalité de celle-ci, de sorte que l'on forme un certain nombre d'éléments de transistors individuels qui, au cours d'un stade ultérieur de la rabrication, sont séparés par division de la plaquette en morceaux. En maintenant le corps dans un courant d'oxyde gène humide à une température de 12000C, on forme sur la surface 5 de la couche épitaxiale 8 une couche en oxyde de silicium, ayant une épaisseur d'environ 0,6 micron. Par décapage photolithographique, une ouverture rectangulaire 14' mesurant environ 30 microns x 40 microns est pratiquée dans la couche d'oxyde de silicium afin de dénuder ainsi une partie de surface de la couche épitaxiale sous-jacente 8 de type de conduction n, et pour former la configuration 13 constituée par une épaisse couche en bioxyde de siliciums cette couche définissant ensuite l'endroit où, è- la surface Sa se termine la jonction p-n collecteur-base il du transistor. Le corps ayant été placé dans la chambre d'impact d'un appareil de bombardement d'ions, est ensuite, comme le montrent les flèches sur 1 G figure 4, SOl.ra4 à a un bombardement d'ions de bore nantis d'une énergie d'environ 70 keV et ensuite à un bombardement d'ions de phosphore nantis d'une énergie d'environ 100 keV. Le corps est orienté de façon à établir un angle de 70 entre l'axe de faisceau ionique et la direction cristallographique (iii) ; afin d'imposer aux ions de phosphore une diminution de leur tendance à former un canal, un bombardement d'ions neutres peut être effectué au préalable. Ni les ions de bore ni ceux de phosphore ne sont incapables de pénétrer dans l'épaisse couche 13 en bioxyde de silicium. Par conséquent, l'implantation des ions de bore et phosphore dans le corps est sélective et a lieu à l'endroit de ltouverture 14' dans l'épaisse couche 13 de bioxyde de silicium. On effectue l'implantation de façon qu'après un recuit subséquent, celui-ci confère aux ions de phosphore implantés une concentration maximale d'environ 5 x 1018 atomes par cm3, et aux ions de bore implantés plus profondément dans la couche épitaxiale une concentration maximale de 2 x 1017 atomes par cm3, une distance d'environ 0,2 micron existant entre la jonction p-n intermédiaire et la surface 5. Les ions de bore établissent une concentration en accepteurs pour la zone de base active E du dispositif, située sous la zone d'émetteur.Les ions de phosphore établissent une concentration en donneurs pour la partie n+ de la zone d'émetteur 2 du dispositif, limitrophe de la jonction p-n émetteur-base 6 sous la zone d'émetteur 2. La jonction p-n intermédiaire constitue la partie pratiquement plane de la jonction émetteur-base 6 sous la zone d'émetteur 2. La concentration en atomes de dopage implantés dans des sites substitutionnels du réseau cristallin, ainsi que la potion de la jonction p-n sont définies par un recuit subséquent. Dans cet exemple, ce recuit est effectué au cours d'un stade ultérieur de la fabrication du dispositif.L'étendue des régions dans lesquelles les concentrations des ions de phosphore et de bore implantés sont pré- pondérantes, est représentée par une ligne de pourtour en pointillé sur les figures 4 à 8, et ces régions portent les références respectives n+ et E. La région 2 a la forme d'une couche enterrée de type de conduction r, dont la concentration de bore est maximale du caté opposé à la surface 5, et qui latéralement stétend plus loin que la zone de base active p du dispositif fabriqué.La région n+ a la forme d'une couche peu profonde, de type de conduction n qui affleure la surface 5 à l'endroit de la partie de surface du corps où il y a lieu de former la zone d'émetteur 2, ainsi qu'à l'endroit de la partie de surface contigus du corps, située autour de cette partie de la surface d'émetteur. Par un procédé de précipitation habituel, une couche 12' en bioxyde de silicium, ayant une épaisseur de 0 > 15 micron, est élaborée sur la partie de surface dénudée du corps à l'endroit de l'ouverture 14' dans l'épaisse couche 13 en bioxyde de silicium. Pendant cette opération, l'épaisseur de la couche 13 augmente, et on forme la bordure 14 entre épaisse couche 13 et la couche 12', présentant une épaisseur de 0,15 micron, toutes les deux en bioxyde de silicium. Par décapage photolithographique, on pratique dans la couche 12' une ouverture qui doit former l'ouverture de contact d'émetteur 15. Cette opération a lieu comme suit. Sur l'épaisse couche 13 en bioxyde de silicium, ainsi que sur la mince couche 12', constituées par le m8me matériau, on précipite un premier métal, par exemple de l'aluminium, qui fournit ainsi une première couche métallique 20, voir la figure 5. Sur cette couche 20, on élabore une couche photosensible de photorésist que l'on soumet à l'influence d'une lumière ultraviolette traversant un photomasque, en vue de former ainsi une configuration de photorésist polymérisé dur dans la couche photosensible. Ensuite, on dissout les autres parties de la couche photosensible, de sorte que sur la première couche 20 subsiste une configuration de photorésist polymérisé dur 21. Cette configuration 21 comporte une ouverture 22 qui correspond à l'ouverture 15 à pratiquer dans la mince couche 12' en bioxyde de silicium.A l'endroit de cette ouverture 22, on dénude la première couche métallique 20. Par un décapage habituel au cours duquel la configuration 21 est utilisée comme masque, on pratique dans la couche métallique 20 une ouverture 23 qui correspond à L'ouverture 22 de la configuration de photorésit 21 et qui met à découvert la mince couche 12' en bioxyde de silicium. Ensuite, l'ou verture 15 de cette couche 12' est définie par décapage à ltendroit de ltouverture 23 de la première couche métallique 20, le décapant utilisé ne pouvant pas attaquer perceptiblement ni la configuration 21 ni la première couche métallique 20. Sur la figure 6, étendue des ouvertures 22 et 23, et de I'huverture 15 (figure 7) est indiquée par les lignes intérieures a, en pointillé. Ensuite, d'une manière auto-co#ncidente, un masque - formé par une couche métallique - est élaboré à l'endroit de l'ouverture de contact d'émetteur 15 de la couche 12' en bioxyde de silicium, ainsi que sur les parties périphériques contiguës de cette couche 12' à l'endroit de ladite ouverture 15. Cette opératien a lieu comme suit. A 11 endroit de l'ouverture 22 de la configuration de photorésit dur 21, la première couche métallique 20 subit latéralement un nouveau décapage pour augmenter d'environ 0,6 micron la largeur de l'ouverture de cette couche 20. Pour ce faire, on utilise un décapant qui n'attaque pas perceptiblement ni la configuration de photorésit 21 ni la couche 12' en bioxyde de silicium.Sur les figures 6 et 7, l'ouverture ainsi agrandie dans la première couche métallique 20 est indiquée par la référence 24, les limites de L'ouverture étant indiquées sur la figure 6 par les lignes extérieures b, en pointillé. De cette façon, entre, d'une part, le bord de l'ouverture de contact d'émetteur 15 de la couche 12' en bioxyde de silicium, et, d'autre part, le bord de l'ouverture 24 pratiquée dans la première couche métallique 20 sur ladite couche 12', on a établi une distance d'environ 0,3 micron. Ensuite, on élimine la configuration de photorésit dur 21, et on précipite un deuxième métal, par exemple de l'or, pour obtenir ainsi une deuxième couche métallique 25 située sur la première couche métallique 20, sur la partie dénudée de la couche de bioxyde de silicium à ltendroit de ltouver- ture 2S de la première couche métallique 20, ainsi que sur la partie de surface dénudée en silicium à l'endroit de l'ouverture 15 de la couche 121 en bioxyde de silicium. La structure ainsi obtenue est représentée sur la figure 7. Ensuite, cn élimine entièrement le première touche métallique 20 à l'aide d'un décapant qui n1 attaque pas perceptiblement ni la deuxième coucHe métallique 25 ni la couche 12' en bioxyde de silicium. En éliminant la première couche métallique 20, on a éliminé également les parties de la deuxième couche métallique 25, situées sur cette couche 20, cette deuxième couche subsistant ainsi à l'endroit de l'ouverture 15 de la couche 12' en bioxyde de silicium, ainsi que sur la partie périphérique contigu de cette couche 12' autour du bord de ladite ouverture 15. Cette partie subsistante de la deuxième couche métallique 25 forme le masque qui, sur la figure 8, est indiqué par la référence 26.La dimension, sur laquelle le masque s'étend latéralement sur la couche 12' en bioxyde de silicium autour du bord de l'ouverture 15, est égale à environ 0,) micron et est définie par la distance entre le bord de l'ouverture 15 et l'ouverture 24 pratiquée dans la première couche métallique 20. Le corps 1 ayant ensuite été placé de nouveau dans la chambre d'impact de l'appareil de bombardement d'ions, on seumet le corps 1, comme le montrent les flèches sur la figure 8, à un bombardement d'ions de bore nantis d'une énergie d'environ 100 keV, l'intensité de rayonnement ionique étant 5 xi015 ions par cm2. L'orientation du corps était la m#me que celle respectée pour le bombardement précité. Les ions de bore ne sont pas à m#me de traverser ni l'épaisse couche 13 en bioxyde de silicium ni le masque métallique 26, mais traversent la mince couche 12' en bioxyde de silicium. La partie de surface du corps, située sous le masque 26, est protégée contre cette implantation de bore, et la partie ainsi masquée de la couche de surface n+ garde sa condition de type n et définit l'étendue latérale de la zone d'émetteur 2 du transistor.Les ions de bore qui, par l'intermédiaire des parties de la couche 12', sont implantés autour du masque 26, établissent une concentration en accepteurs dans les parties de la couche peu profonde n+ autour de la partie masquée ; l'implantation est effectuée de façon que cette concentration en accepteurs soit considérablement supérieure à la concentration en donneurs qui y existe, pour modifier le type de conduction de cette parsie de la couche peu profonde n+, afin de fournir la majeure partie de la concentration en accepteurs de la zone périphérique de base p++ et pour former le bord de jonction émetteur-base 7 ayant la concentration en donneurs de la parti## ###r-#c::,t#$ de la couche peu profonde n Ensuite, la structure ainsi formée peut subir un recuit effectué à une température d'environ 850 C. Toutefois, suivant un mode perfectionné du procédé conforme à ltinvention, le recuit de la structure est effectué à une température plus faible, par exemple une température d'environ 8000C, ceci ayant lieu après le stade de fabrication illustré sur la figure 9. Comme le montre la figure 9, le masque 26 ayant été éliminé, le corps est soumis à un autre bombardement d'ions effectué suivant les flèches sum la figure 9. Il s'agit d'un bombardement d'ions de phosphore nantis d'une énergie d'environ 20 keV, l'intensité du rayonnement ionique étant 2 x 1015 ion.9 par cm2. Ces ions de phosphore, nantis de cette faible énergie, ne sont pas à mEme de traverser les couches 13 et 12' en bioxyde de silicium, mais sont, par contre, introduits dans la partie d'émetteur n+, affleurant la surface à l'endroit de l'ouverture de contact d'émetteur 15, et augmentent localement la conductibilité de ladite partie n+ pour former ainsi le contact n++ de la zone d'émetteur 2. Ensuite, en procède à un recuit à faible température. Suivant une variante du procédé conforme à l'invention, toute la structure implantée, à savoir les zones n+ , n+ , p et p++ subit dans ce stade de la fabrication un recuit effectué à une température d'environ 8000C. A cette température, la diffusion d'atomes de dopage implantés est négligeable. Toutefois, si les zones n+ , p et p++ devaient subir un recuit effectué à une température plus élevée au cours d'un stade antérieur de la fabrication avant l'implantation de la zone n++, il se produirait, par contre, une certaine diffusion à effet perceptible, Gracie à la concentration de dopage modérée dans la partie d'émetteur n il ne se produit toutefois aucune sortie d'atomes ("push-out") hors de la zone de base active p. La température de recuit plus élevée fournit l'avantage de la réduction de la résistance ++ en couche de la zone périphérique de base p p++, cette réduction ramenant à 130 ohms par carré une résistance d'environ 200 ohms par carré.On pourrait effectuer le recuit à des températures encore plus élevées si, au lieu de phosphore, on utilisait de l'arsenic qui est un donneur qui ne diffuse que lentement. Une autre possibilité consiste en ce que la par te d'émetteur n+, ainsi que la zone de base active p sont implantées après l'implantation et le recuit de la zone périphérique de base p++, ce qui permettrait de procéder à une température de recuit considérablement plus élevée, par exemple comprise entre 900 et 9500C. Toutefois, un inconvénient de cette autre possibilité est que la partie d'émet teur teur n ainsi formée, ainsi que la zone de base active p, présentent chacune une bordure qui coïncide avec la bordure qui se forme au bord de la couche 12' de bioxyde de silicium à l'endroit de l'ouverture 15.Par la faible dispersion latérale des ions implantés, la zone de base active p a tendance à titre plus mince à ltendroit de ladite bordure, et ceci conduit à une plus faible tension de claquage de la jonction collecteur-base. Il est toutefois possible que la diffusion latérale suffisante de la concentration p++ qui se produit pendant le recuit à température élevée, s'étende dans la région de la bordure. Un autre avantage de cette succession alternative des opérations est qu'elle permet d'utiliser une couche en bioxyde de silicium, fermée par voie thermique, au lieu d'une couche en bioxyde de silicluni 12', obtenue par précipitation. Après le recuit de la structure illustrée sur la figure 9, on continue la fabrication. Dans la couche 12', on décape d'une manière connue les ouvertures de contact de base 17, de sorte que l'on obtient la configuration 12, en bioxyde de silicium, du dispositif fabriqué. On précipite de l'aluminium en vue d'en former une couche sur les configurations 12 et 13 ainsi que sur les parties de surface de silicium mises à découvert à l'endroit des ouvertures de contact d'émetteur et de base 15 et 17. Par un procédé photolithographique, on découpe la couche d'aluminium pour former les électrodes de contact d'émetteur et de base 16 et 18. On obtient ainsi l'ensemble représenté sur les figures 1 et 3, alors, qu ensuite, celui-ci est enrobé et raccordé dans une enveloppe adéquate. Bien que l'invention soit décrite à l'aide de formes de réalisation et d'application déterminées, le technicien pourra en réaliser de nombreuses ints sans sortir du cadre de l'invention. Il est par exemple possible d'obtenir un masque-couche métallique dont la configuration correspondant à celle du masque 26 sur la figure 8, et cela de manière auto-colncidente, en procédant à une précipitation électrolytique ; dans ce cas, après la formation de l'ouverture 15 de la couche isolante 12' par décapage à l'endroit d'une ouverture dans une configuration de photorésist on peut déposer par évaporation un métal, par exemple de l'or, sur le photorésist et sur la partie de surface semiconductrice dénudée à l'endroit de 11 ouverture 15.Lors de l'élimination de la configuration de photorésist, il ne subsiste de l'or qu'à l'endroit de l'ouverture 15, alors qu'ensuite, par pré- cipitation électrolytique, il est possible d'agrandir la surface de l'or sur la couche isolante 12' à l'endroit de ltou- verture 15. Il est préférable de procéder par dépit électrolytique, auquel cas la surface semiconductrice mise à découvert peut titre sensibilisée avant de procéder à l'enlèvement de la configuration de photorésist.Dans cet ordre d'idées, on peut se référer à la demande de brevet français EN N0 déposée ce jour au nom de la Demanderesse pour "Procédé pour l'obtention d'un dispositif semiconducteur comportant une région superficielle enclavée dans une autre de type de conduction différente" déposée simultanément avec la présente et dans laquelle sont décrits des procédés permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur et suivant lesquels un masque - formé par une couche métallique - est, d'une manière auto-coTncidente, élaboré à l'endroit d'une ouverture d'une couche isolante. Il est évident qu'un masque, utilisé pour définir l'étendue latérale d'une zone d'émetteur, ne doit pas nécessairement être métallique et titre élaboré d'une manière auto-colncidente lors de la fabrication de certains types de transistors bipolaires. REVENDICATIONS 1.- Procédé permettant la fabrication d'un corps semiconducteur et suivant lequel sont élaborées, dans un corps semiconducteur, les zones d'émetteur et de collecteur, du premier type de conduction, ainsi que la zone de base, de type de conduction opposé, d'un transistor bipolaire, cette zone d'émetteur affleurant une surface du corps alors que la jonction p-n émetteur-base coupe ladite surface suivant une courbe fermée, caractérisé en ce que le dopage en atomes qui définissent le type de conduction opposé a lieu dans une première partie de surface du corps, cette partie entourant et limitant une deuxième partie de surface du corps, ledit dopage ayant lieu cependant que dans la deuxième partie de surface, l'introduction de ces atomes est empêchée au moins en partie de sorte qu'il se forme une première partie fortement dopée de la zone de base, et en ce que, dans ladite deuxième partie de surface, sont formés des atomes qui définissent ledit type de conduction opposé ainsi que des atomes qui définissent ledit premier type de condcution afin de former ainsi, d'une part, une deuxième partie moins fortement dopée qui appartient à la zone de base et qui est limitée par ladite première partie fortement dopée de cette zone de base, et, d'autre part, une zone d'émetteur qui est contiguë auxdites première et deuxième parties de zone de base qui entourent entièrement cette zone d'émetteur, 11 étendue latérale de cette zone d'émetteur étant limitée k la région de la deuxième partie de surface par suite de la forte concentration de dopage de la première partie de la zone de base. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que pendant l'introduction des atomes de dopage, on utilise une partie d'une couche devant masquer la deuxième partie de la surface du corps, pour empêcher la pénétration de ces atomes de dopage dans ladite partie. 3.- Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que l'introduction d'atomes de dopage a lieu par implantation d'ions quelconques 4.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la conc#:#trabi#n -e àop-age de premier type de conduction associé à la zone d'émetteur est pratiquement constante sur l'entière jonction émetteur-base. 5.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la concentration de dopage de premier type de conduction dans la partie de la zone d'émetteur, limitrophe de la totalité de la jonction p-n émetteur-base, atteint au moins vingt fois et au maximum cent fois de la concentration de dopage de type de conduction opposé dans la zone de base active sous la zone d'émetteur. 6.- Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 5, caractérisé en ce que, avant de procéder à l'introduction des atomes de dopage, on élabore une couche, de premier type de conduction, qui affleure ladite surface de la deuxième partie de surface du corps où la zone d'émetteur doit être formée, ainsi que la partie de surface contiguë du corps où doit titre formée la première partie de zone de base autour de la deuxième partie de surface du corps, alors qu'ensuite > par dopage, on établit dans ladite partie de surface contigue de la couche, une concentration établissant le type de conduction opposé, qui est supérieure à celle établissant le premier type de conduction qui est établi dans la partie en question. 7.- Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la partie de couche de masquage est une couche métallique qui, à l'endroit d'une ouverture d'une couche isolante, est élaborée sur ladite surface du corps, les atomes de dopage implantés établissant le type de conduction opposé traversant l'épaisseur de la couche isolante. 8.- Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le masque-couche métallique est élaboré de manière auto-coincidente à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante, alors qu'au moins une partie de celle-ci est maintenue dans le dispositif pr#t à ltemploi, ladite ouverture pouvant servir de fenêtre pour contacter la zone d'émetteur à l'aide d'une électrode réalisée sous forme d'une couche métallique. 9.- Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que, à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante, les atomes de dopage établissant le premier type de conduction sont introduits dans la partie appartenant à ladite deuxième partie de surface du corps et affleurant la surface, pour augmenter ainsi la conductibilité de ladite deuxième partie de surface. 10.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 9, caractérisé en ce que ladite couche de premier type de conduction est élaborée par implantation d'ions de dopage établissant ce type de conduction. 11.- Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 10, caractérisé en- ce que la concentration de dopage de type de conduction opposé de la zone de base active sous la zone d'émetteur est établie par implantation d'ions de dopage établissant ce type de conduction. 12.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que ladite première partie de surface du corps, dans laquelle sont introduits les atomes de dopage établissant le type de conduction opposé,pénètre plus profondément dans le corps semiconducteur que la zone de base active située sous la zone d'émetteur. 13,- Dispositif semiconducteur, obtenu par la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12.