Brevet FR2132441A1 — publié le 19721117

La présente invention concerne des dispositifs à charges couplées, et en particulier un mécanisme de transfert de charges modifié qui donne lieu à un transfert de charges très rapide et efficace. Le concept de dispositif à charges couplées est maintenant bien connu, par exemple par l'article intitulé "New Class of Semiconductor Devices Developed " ,Bell Laboratories Record, pages 188-189, Juin/juillet 1970. Une gêne apportée à une grande efficacité du transfert des charges dans des dispositifs à charges couplées est la présence, que lton ne peut constater9 d'états de surface à la surface de séparation entre semi-conducteur et isolant. La charge représentant l'information est stockée et transférée à l'endroit de cette surface de séparation et les états de surface provoquent une capture de la charge, en sorte qu'après un nombre fini d'opérations de transfert, qui peut être très faible, l'information doit être régénérée ou il faut terminer la ligne. On a fait des efforts intenses pour résoudre ce problème. On sait aussi que depuis les dernières propositions de dispositifs de ce genre, la vitesse de transfert de charges dans un dispositif de configuration normale est limitée par la diffusion. Des procédés pour favoriser le taux de transfert en utilisant des champs de déplacement ont déjà été proposés et, bien que des profils définis puissent être obtenus et soient importants en ce qui concerne le transfert accéléré des charges, le mode spécifique de production des dessins ou figures de champs par des couches isolantes épaisses n'est pas toujours souhaitable. A nouveau, dans ce cas, le stockage et le transfert de charges se fait à la surface de séparation entre semiconducteur et isolant. Dans la fabrication de lignes à charges couplées, on a en général jugé nécessaire de ne laisser qu'un très petit espace entre les sites de stockage de charges. Ceci évite le blocage du transfert de charges , dA à la barrière de potentiel qui se présente souvent dans la construction classique où l'es- pace entre électrodes est trop grand. On a trouvé que des lignes à charges couplées efficaces, à grande densité, exigent sou- vent des dessins d'électrodes qui font intervenir les tolérances de résolution permises par le traitement industriel courant.Bien que l'on s'attende à ce que des progrès de la technique des circuits imprimés portent remède à cette situation, le développement de la technologie des dispositifs à charges couplées semble dépendre à présent en partie- d1une capacité de production prompte Suivant la présente invention, un nouveau mécanisme de transfert de charges a été découvert, ce mécanisme résolvant au moins en partie les diverses difficultés dont il a été question. L'invention repose sur le principe du stockage et du transfert de porteurs de charge d'information dans la masse de l'agent de stockage plutôt qu'à sa surface.Ainsi, les porteurs ne rencontrent que des sites de capture dans la masse et, comme ces sites sont, de façon caractéristique, -beaucoup moins importants que les états de surface, on peut améliorer notablement le transfert de charges Une autre conséquence des porteurs de charges d'emmagasS nement dans la masse est la commodité de la création de gradations du champ pour accélérer le transfert de charges, en sorte que la vitesse du dispositif est limitée par la vitesse de déplacement des porteurs plutôt que par la vitesse de diffusion Lorsque le volume de stockage se trouve dans l'agent de stockage, le profil du champ peut être réglé avec une souplesse relative en réglant l'étendue des électrodes et l'espace entre électrodes.Obtenir ceci avec le mode de stockage -en surface peut exiger un isolant inusuellement épais. L'avantage peut- & re le plus important du mécanisme de stockage dans la masse est que les électrodes sont espacées de distances qui sont compatibles avec -l'état de la technique des micro-circuits. Suivant l'invention, on procure un dispositif-d àcharges couplées dans lequel les porteurs de charge qui représentent l'information sont déplacés#de façon commandable entre des sites de stockage discrets à l'intérieur d'un milieu de stockage, où ce milieu ou agent comprend au moins une couche semi conductrice limitée sur chaque plan principal par une barrière, et où des moyens de contact sont propres à appliquer une polarisation électrique sur au moins l'une des barrières, Le stockage et le transfert de charges dans la masse de l'agent de stockage se réalise, suivant l'invention, enprocurant une nouvelle couche de stockage en dessous de la surface de séparation entre semi-chnducteur et isolant.Cette couche est une région semi-conductrice h-omogène ayant des charges électriques fixées de telle façon qu'une énergie potentielle minimale se présente le long d'un plan de stockage situé dans la masse de la couche. Pour permettre cet état de choses, la couche est limitée par des couches barrières. Dans une forme de réalisation donnée à titre d'exemple, une jonction p-n enfouie s'étend parallèlement à la surface de séparation entre isolant et semi-conducteur et à distance de celle-ci. L'agent de stockage qui est présentement une couche électriquement confinée est alors vidée des porteurs libres. Ceci laisse la charge résiduelle dans la couche de stockage avec une distribution telle que de nouveaux porteurs injectés dans la couche de stockage pour représenter l'information, sont électriquement confinés à la région intérieure à la couche de stockage. Le stockage, le transfert et le traitement des charges peuvent se réaliser maintenant suivant le mécanisme normal des charges couplées, sauf que la charge est à présent maintenue dans la masse de l'agent de stockage et est isolée de la surface,électriquement et du point de vue de 11 espace. Le mécanisme et le dispositif de stockage nouveaux et les configurations qui en permettent la réalisation seront décrits maintenant en détails . Sur les dessins - La figure 1 est un schéma de niveau d'énergie d'un dispositif à charges couplées, à l'état non polarisé - la figure 2 est un diagramme de niveau d'énergie du même dispositif, après polarisation pour supprimer les porteurs libres - la figure 3 est un schéma de niveau d'énergie d'une variante de construction de dispositif , dans laquelle la couche de stockage est terminée de chaque côté par une barrière métal-isolant - la figure 4 est un schéma de niveau d'énergie d'une autre variante de construction, avec un canal enfoui pour le stockage des charges - la figure 5 est un schéma de niveau d'énergie représentant une structure composite pour créer des canaux enfouis sur les deux faces d'un dispositif - la figure 6 est une coupe d'une forme préférée de dispositif à canal unique ayant la configuration électrique des figures 1 et 2 - la figure 7 est une vue en coupe décrivant schématiquement le mécanisme favorisant le champ qui peut être obtenu suivant l'invention - la figure 8 est une coupe d'un dispositif semblable à celui de la figure 6, mais où l'on a prévu la compensation de la capture des charges aux grands puits de potentiel qui se forment proprement entre les plaques de champ - la figure 9 est une vue en coupe schématique d'une variante de réalisation, dans laquelle la couche de charge est isolée des électrodes par des barrières de Schottty 9 et - la figure 10 est une vue en coupe schématique d'une autre variante dans laquelle la couche de stockage est isolée des électrodes de commande par des jonctions p-n En se reportant au schéma de niveau d'énergie de la figure 1, on y voit que la couche 10 est l'électrode métallique classique utilisée pour commander le-stockage et le transfert des porteurs de charge La couche 11 est la couche isolante normale. Une couche de semi-conducteur complète normalement cette structure, dite MIS, Dans le dispositif à charges couplées classique , le stockage et le transfert de charges se produisent à la surface de séparation entre semi-conducteur et isolant. Comme on l'a noté précédemment, cette région hétérogène n'est pas un endroit favorable pour cette opération. Suivant l'invention9 énergie minimale qui attire normalement la charge à la surface de séparation est décalée vers une couche homogène qui se situe entre le semi-conducteur et l'isolant. A la figure 1, la couche n habituelle est représentée en 12. La couche de stockage intermédiaire apparait en 14 et la barrière qui est dans le cas présent une jonction p-n, se présente en 13. Il est évident que quels que soient les types de conductivité indiqués, la configuration complémentaire peut être utilisée aussi bien La figure 1 montre le dispositif en équilibre thermique avec la charge positive libre dans la couche p associée à la charge négative fixe 9 comme montré. A la figure 2, les charges libres ont été supprimées de la couche p en soumettant simplement cette couche à une polarisation de tension négative par rapport à la couche n 12. Avec une conception convenable, comme on l'exposera dans la suite, le résultat obtenu est que la charge négative résiduelle courbe les bandes d'énergie, comme montré, et laisse un canal enfoui pour la charge positive au milieu de la couche de stockage. Ainsi, lorsqu'unie charge positive libre telle qu'un trou, est introduite intentionnellement dans le milieu de sto ckage, elle se déplacera physiquement jusqu'à l'état autorisé de potentiel minimal, à une distance W correspondant à la profondeur du canal, et ainsi9 la charge sera électriquement confinée dans l'intérieur de la couche 14. La figure 3 est un schéma de niveau d'énergie semblable destiné à montrer que d'autres formes de couches barrière peuvent être utilisées à la place des jonctions p-n des figures 1 et 2. Dans cette construction, l'agent de stockage en semiconducteur ,20, est limité à deux faces planes par une barrière métal -isolant,-21-22 et 23-24 , respectivement. Lorsque la couche de stockage 20 est appauvrie en porteurs, la structure de bande dans l'agent de stockage 20 est qualitativement équivalente à celle de la couche 14 de la figure 1. La figure 4 est un schéma de niveau énergie montrant une autre variante dans laquelle l'agent de stockage est isolé (dans l'espace) sur les deux faces par une jonction p-n. A nouveau, la structure fondamentale est métal-isolant- semi conducteur, avec la couche classique de métal 30 et la couche d'isolant 31. Cependant, le semi-conducteur est une construc tion n-p-n , comprenant une couche n 529 une couche p 33 (cou che de stockage) et une couche n 34. La structure de bande de la couche 33 9 après appauvrissement en porteurs libres 9 ressemble à celle des constructions précédentes. Il sera visible que la structure n-p-n de la figure 4 peut entre étendue pour donner un fonctionnement sur canal double de part et d'autre d'un dispositif unique en prévoyant des canaux enfouis parallèles traversant l'isolation à couche double. Par exemple, en utilisant une structure n-p-n-p-n t on isole deux canaux p parallèles L'interconnexion entre les canaux peut être réalisée par un équipement évident. Une autre structure qui fournit un dispositif à canaux multiples semblable est représentée par le schéma des niveaux d'énergie de la figure 5. Ce dispositif isole deux canaux parallèles en utilisant simplement une structure n-p-n. Les couches de stockage de type p, au nombre de deux, 40 et 419 sont isolées dans la région intérieure par la couche n 42. Les autres limite sont des barrières MIS formées par des couches métalliques 43944 et des couches isolantes 45 ,46. La structure de bande courbe des couches de stockage, qui peut être reconnue maintenant comme la base de l'invention, est évidente.On comprendra aussi qu'il est propre aux structures à canaux à plan double qui viennent d'être décrits qu'il est possible de construire des interconnexions et des croisements électriques. Une configuration d'un dispositif que l'on peut donner comme exemple est montrée à la figure 6. La couche de stockage 50 qui est représentée ici comme un semi-conducteur de type p et qui, dans une forme de réalisation préférée, est de silicium, avec une résistivité normale (0,1 à 100 ohm-cm) est limitée à la surface par la couche isolante habituelle 519 et elle est encore isolée dans l'espace à sa limite inférieure par la jonction p-n 52 formée de la façon classique et comprenant la couche n 530 Le dispositif montré a des électrodes dé commande 54,55 et 56 reliées à une commande classique à trois fils comprenant les fils 57, 58 et 59 (représentée schématiquement). Un moyen de polarisation 60 est montré schématiquement et il a pour but de polariser, en passant par l'électrode 61, la couche de stockage 50 par rapport à la couche n 539 en sorte que les porteurs minoritaires de la couche de stockage soient essentiellement supprimés L;électrode 61 peut comprendre un + contact de Schottky ou une région p 62 peut entre prévue pour permettre un contact ohmique. Le dispositif est alors en état de fonctionner sur le principe à charges couplées normal9 sauf que les porteurs d'information seront maintenant stockés et transférés dans la masse de la couche de stockage, comme indiqué schématiquement à la figure L'action du champ sur le processus de transfert de charge est représentée à la figure 7.L'agent de stockage 50 est structurellement le meme que celui de la figure 6. Avec une tension V imposée à l'électrode 54 et une tension supérieures par exemple 2V9 imposée à l'électrode 55, le profil du champ sera approximativement celui que suggère la ligne en tirets 63. Alors que le profil du champ est montré dans la couche 53s il est, par commodité, normalement présent dans la couche 50. Comme les porteurs sont à présent situés à l'intérieur de la masse de la couche de stockage, ils peuvent être influencés par le gradient du champ. Dans le processus normal de transfert de charge soles porteurs sont placés si près de la couche de séparation entre les couches 50 et 51 qu'un gradient de champ effectif peut exiger une couche isolante extraordinairement épaisse ou des électrodes ou un espacement d'électrodes extraordinairement petit D'après les figures 6 et 79 il est évident aussi que l'écartement entre électrodes semble supérieur à celui que l'on rencontre avec un dispositif à charges couplées ordinaire. En fait, cela peut être le cas par suite du mécanisme de stockage original selon l'invention. C'est cette particularité qui conduit aux avantages de traitement possibles dont il a été question précédemment, Cependant, tout comme dans les dispositifs de la technique antérieure, un grand espacement entre électrodes conduit à un "blocage" de la charge, cette fois par suite des grands puits de potentiel qui se forment entre les électrodes. Bien que cela ne soit pas immédiatement évident d'après la descrip tion qui précède, les expériences ont montré que la charge injectée dans la couche de stockage, du type décrit à propos de la figure 6, ne se distribue pas uniformément 9 en raison de la présence de plaques de champ métalliques.Les régions comprises entre les plaques de champ ont des énergies potentielles inférieures et attirent les charges. Par conséquent, il est utile d'incorporer une charge fixe dans la structure pour remédier à cela. Dans la configuration décrite à propos des figures 6 et 7, les régions comprises entre les plaques de champ attirent la charge positive. Cela peut être compensé en introduisant une charge positive fixe dans ces régions ou près de celles-ci.Une façon commode de réaliser cela est d'implanter des ions positifs dans la couche isolante et/ou dans le semi-conducteur entre les électrodes en utilisant ces dernières comme masque Le mécanisme de ce processus est bien connu. ta quantité de charge doit être suffisante pour établir approximativement un champ électrique uniforme le long de la surface du semi-conducteur lorsqu'on applique une polarisation équivalente à la polarisation de stockage aux plaques de champ Ceci peut se calculer dans un modèle simple en utilisant la relation P = E où P est la polarisation nécessaire en coulombs/cm2 , est la constante diélectrique de l'isolant et E est le champ électrique.Dans ce cas, E doit etre à peu près la valeur du champ électrique sous la plaque de champ, ou V/d , où V est la tension de stockage sur la plaque de champ et d est l'épaisseur de l'isolant sous la plaque de champ. Une autre façon de compenser ces grands puits de potentiel entre électrodes est montrée à la figure 8. Cette partie est enlevée au dispositif de la figure 6 et lui est semblable dans ses détails, sauf en ce que lon a prévu une plaque de champ continue 60 qui s'étend sur toute la surface active. La plaque de champ 70 est isolée des électrodes de commande par une couche isolante 71. Comme la plaque métallique 70 est plus proche du semi-conducteur dans les régions comprises entre les électrodes, une tension positive imposée à l'électrode 70 en passant par la source de tension 72, sera équivalente au plan cement d'une charge positive fixe sur la surface de séparation entre semi-conducteur et isolant, comme décrit.On peut obtenir des tensions appropriées et des épaisseurs de couche isolante appropriées à partir des expressions discutées plus haut. Un procédé préféré pour porter remède à l'existence de puits profonds entre électrodes consiste à utiliser une métallisation à quatre couches. Finalement, on soulignera que les structures p-n-p ou, de façon générale, les formes dans lesquelles la couche de stockage est isolée par une jonction p-n des deux côtés, ne présentent pas ce problème. En se reportant à nouveau à la figure 7, les expériences ont montré que pour un transfert effectivement aidé par le champ, la dimension moyenne Xp de l'électrode est de préférence en rapport avec la dimension W par la relation suivante 1004 W4 C 10 . Il est évident que la dimension W constitue l'épaisseur de la couche isolante. Cette couche doit être assez épaisse pour éviter la rupture du diélectrique 9 mais suffisamment mince cependant pour permettre des tensions de commande pra- tiques sur les éléments de commande. Pour du bioxyde de sili- cium sur du silicium, une gamme souhaitable stétend de O,02.10 mm à 1 .10- 3 mm.Plus spécifiquement, si la couche de SiO2 est d'une épaisseur de 0,1 . 10-3mm, et si la concentration des porteurs dans une couche de stockage d'une épaisseur de mm est de l'ordre de 1015/cm-3, les tensions de commande ap propriées tombent dans la gamme habituelle de 0-50 volts, par exemple de 0,5 et de 10 volts sur le système de commande à trois fils. Des concentrations d'impuretés appropriées peuvent être prescrites en s'exprimant en fonction de l'dpaisseur de la couche de stockage, comme suit Pour éviter la décharge disruptive, la densité de dopage N en cm 3, dans la couche de stockage, est donnée par l'ex a pression approximative dans laquelle 3g est l'intervalle de bandes exprimé en eV, ES est la constante diélectrique et W est la profondeur du canal. Pour le silicium Si l'on suppose une profondeur de canal de 10-3 cm, on suppose à titre d'exemple que la concentration maximale des porteurs NA est de 2,5 x 1015/cm-3. La limite inférieure est ordinairement établie par le concentration des porteurs intrinsèques. Du point de vue du maintien de la charge qui représente l'information isolée des états de surface, elle serait normalement suffisante si l'agent de stockage est tel que la différence d'énergie entre les porteurs stockés dans la masse et les états de surface est trop grande pour être vaincue par l'exci- tation thermique. La différence d'énergie spécifique est simplement l'expression de Boltzmann kT. e Dans un sens structural, cela signifie que les porteurs stockés dans le silicium par le mécanisme selon l'invention résideront ordinairement matériellement à une profondeur d'au moins 30 . 10-7 mm de la surface de séparation entre silicium et isolant. Dans des structures typiques , cette distance est généralement de l'ordre de mm à 10.10-3 mm. En se référant aux symboles qui apparaissent à la figure 7, on donne les valeurs suivantes à titre d'exemples Xs = 1 x 10-3 cm Xp = 1 x 10-3 cm Yi = 1 x 10-5 cm Ys = 5,0 x 10-4 cm NA = 2 x 1015 cm-3 ND = 1014 cm-3 V = 5 volts V b = 20 volts W = 4 cm"3 Deux constructions supplémentaires dans lesquelles le canal enfoui ast isolé des électrodes de commande par des barrières individuelles à chaque électrode, sont montrées aux figures 9 et 109 respectivement.Ces structures profitent du fait que lorsqu'une barrière de Schottky ou une jonction p-n est utilisée pour isoler le canal de l'électrode, la couche isolante qui intervient ordinairement, à savoir la couche 31 de la figure 4, n'est pas essentielle du point de vue du fonctionnement. Ainsi, à la figure 9, les électrodes métalliques 81-83 peuvent être placées directement sur la couche de stockage de semi-conducteur 84. La couche de stockage est isolée (dans l'espace),du cbté enfoui ,par un substrat 85 formant la jonction p-n 86. Les électrodes forment des contacts non ohmiques, de sorte que l'électrode 87 utilisée pour polariser la couche de stockage à l'aide de la source 88, exige une région 89 plus fortement dopée,semblable à la région 62 de la figure 7.La commande à trois phases donnée à titre d'exemple est montrée comme précédemment. Les électrodes métalliques 81 à 83 peuvent être constituées de métaux quelconques formant des barrières de Schottky avec le substrat. Dans le cas du silicium, des métaux appropriés sont le cuivre (Ou), le molybdène (Mo), le nickel (Ni), le tungstène (W), un quelconque des six métaux du groupe du platine, ou des mélanges de ces métaux. La formation des barrières est décrite dans le Bell System Technical Journal, vol. XLIV, No.7, septembre 1965. L'épaisseur des électrodes n'est pas critique. En conséquence des techniques de fabrication normales, les électrodes métalliques sont formées dans les fenêtres d'une couche isolante 90. L'autre forme de réalisation dans laquelle l'isolement est obtenu par des jonctions p-n, est montrée à la figure 10. La configuration est essentiellement identique à celle de la figure 9, avec des numéros de référence affectés du signe "prime" pour les éléments correspondants de la figure 9, sauf en ce qui concerne les régions p à diffusion, 91, se trouvant sous chaque électrode de commande.Les régions p peuvent être formées par diffusion à travers les fenêtres de l'oxyde avant la formation du métal, par diffusion à travers les contacts de métal dopés, ou 9 soit par implantation avant la formation des électrodes, soit par implantation à travers les électrodes si la transparence relative aux ions, des électrodes, par rapport à la couche isolante, est favorable. La forme de réalisation de la figure 10 ,comportant un isolement à jonction p-n plutôt qu'un MOS ou des barrières de Schottky, a l'avantage que les courants de production de chaleur sont bas. Une autre modification sera observée aux figures 9 et 10 et elle consiste en ce que les couches n et p sont#complé- mentaires de celles des figures 1 - 8. Des paramètres de dopage éventuels pour cette configuration sont les suivants NA = 1014/cm3, ND = 1016/cm3, profondeur de la couche n = 10- 4 cm. On préfère que la densité de dopage du substrat soit inférieure à celle de la couche n. REVENTI CATI ONS 1.- Dispositif à charges couplées dans lequel des porteurs de charge représentant de l'information sont déplacés de façon commandable entre des sites de stockage discrets à l'intérieur d'un agent de stockage, caractérisé en ce que l'agent de stockage comprend au moins une couche semi-conductrice limitée sur chaque plan principal par une barrière, et en ce que des moyens de contact sont propres à appliquer une polarisation électrique sur au moins l'une des barrières. 2.- Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de contact polarisent la couche de stockage de façon à assurer une abondance d'états d'énergie libre dans la couche, ayant des énergies moyennes différentes de celles des états aux limites d'une grandeur supérieure à kl, où k est la constante de Boltzmann et T la température. 3.- Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une première couche semi-conductrice d'un type de conductivité, une seconde couche semi-conductrice de stockage de conductivité de type opposé, superposée à la première couche, une couche isolante couvrant sensiblement la seconde couche, plusieurs électrodes de commande situées sur la couche isolante, les moyens de contact polarisant la première couche par rapport à la seconde couche, et des moyens pour polariser en ordre séquentiel les électrodes de commande. 4.- Dispositif suivant la revendication 3, caractérisé en ce que le semi- conducteur est du silicium. 5.- Dispositif suivant la revendication 3, caractérisé en ce qu t il comporte une couche isolante qui recouvre les électrodes de commande, une couche conductrice sur la couche isolante s et des moyens pour polariser la couche conductrice. 6.- Dispositif suivant la revendication 2s caractérisé en ce que l'un au moins des plans principaux est limité par une couche isolante. 7.- Dispositif suivant la revendication 5 9 caractérisé encore par une multiplicité d'électrodes de commande situées sur la couche isolante, avec des moyens pour polariser séquentiellement les électrodes. 80- Dispositif suivant la revendication 7, caractérisé en ce que les états d'énergie libres sont situés à une distance W à l'intérieur de la couche de stockage de semi-conducteur, comme mesurée à partir de la surface de la couche isolante, en satisfaisant à la relation suivante 100 9.- Dispositif suivant la revendication 8, caractérisé en ce que la couche de stockage en semi-conducteur a une densité de dopage satisfaisant à la relation suivante: où E g est l'intervalle de bandes du semi-conducteur en eV, et où Es est la constante diélectrique de la couche isolante. 10.- Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une première couche de stockage en semiconducteur d'un premier type de conductivité t limitée sur les deux surfaces principales par une couche d'isolement en un semi-conducteur d'un second type de conductivité, une couche isolante couvrant une des couches d'isolement, plusieurs électrodes de commande de charges couplées situées sur la couche isolante, des moyens pour polariser la couche de stockage par rapport aux couches d'isolement, des moyens pour introduire de façon réglable des porteurs de charge libres dans la couche de stockage suivant l'information d'entrée, et des moyens pour détecter la présence ou l'absence desdits porteurs de charge libres dans la couche de stockage. 11.- Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé par une couche intermédiaire d'un type de conductivité, limitée des côtés opposés par des couches de stockage de type de con ductivité opposé et une couche isolante limitant la surface de chacune des couches de stockage. 12.- Dispositif suivant la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens pour interconnecter la première et la seconde couche de stockage. 13.- Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une première couche semi-conductrice d'un type de conductivité ; une couche de stockage semi-conductrice de type de conductivité opposé recouvrant la première couche plusieurs électrodes de commande espacées les unes des autres, situées sur la couche de stockage, chacune des électrodes de commande formant avec la couche de stockage une barrière de Schottky ; des moyens pour polariser la couche de stockage par rapport à la première couche semi-conductrice ; et des moyens pour polariser séquentiellement les électrodes de commande. 14.- Dispositif suivant la revendication 159 caractérisé en ce qu'il comporte une couche isolante qui couvre les parties espacées de la couche de stockage entre les électrodes de commande 7 15.- Dispositif suivant la revendication 13, caractérisé en ce que la première couche semi-conductrice est de type p et en ce que la couche de stockage est de type n. 16.- Dispositif suivant la revendication 13, dans lequel le semi-conducteur est du silicium, caractérisé en ce que les électrodes de commande comprennent un métal choisi dans le groupe comprenant le cuivre, le molybdène, le tungstène, le nickel, les six métaux du groupe du platine et des mélanges de ces métaux, et en ce que la barrière de Schottky comprend une surface de séparation entre siliciure de métal et silicium. 17.- Dispositif suivant la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend une première couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité, une seconde couche de stockage semi-conductrice de type de conductivité opposé, qui recouvre la première couche ; plusieurs régions à impuretés discrètes du premier type de conductivité, formées dans la couche de stockage ; plusieurs électrodes de commande formées sur les régions à impuretés ; des moyens pour polariser la première couche par rapport à la couche de stockage ; et des moyens pour polariser séquentiellement les électrodes de commande. 18.- Dispositif suivant la revendication 17,caractérisé en ce que le premier type de conductivité est le type p et en ce que le semi-conducteur de stockage est de type ne 19.- Dispositif suivant la revendication 18, caractérisé en ce que la densité de dopage de la couche de stockage est supérieure à celle de la première couche. 20.- Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une structure de semi-conducteur à cinq couches de types de conductivité alternant d'une couche à l'autre, où la couche centrale et chacune des couches extérieures limitent des couches de stockage intermédiaires.