Brevet FR2128132A1 — publié le 19721020

L'invention concerne une mémoire électromécanique binaire qui permet la pré-sélection et la réception de la sélection par un autre abonné, Dans les communications aéronautiques, on utilise dans la télécommande d'installations radioélectriques différents systèmes de chiffrage en fréquence. Ces systèmes de chiffrage sont formés par différents mécanismes à mémoire. Pour ces buts on utilise principalement des mémoires mécaniques à contacts qui se composent d'un nombre variable de contacts d'inversion et par lesquels est formé au moyen d'une liaison appropriée avec un dispositif d'inversion disposé sur l'arbre du moteur commandé, un circuit à courant continu relié galvaniquement. A l'instant où la combinaison de contacts dans la partie de sélection de la mémoire correspond à la combinaison de contacts disposée sur l'arbre du moteur électrique, le circuit est coupé et le moteur est amené à l'arrêt dans la position voulue. Sur le côté de la commande il peut entre formé plusieurs rangées de ces différents contacts préréglés. On peut donc syntoniser le moteur correspondant par simple rotation de l'élément de commande. Bien que ce système à mémoire soit relativement très simple, il présente cependant toute une série d'inconvénients. En premier lieu, une telle mémoire ne peut nullement être utilisé pour les systèmes à commande numérique des moteurs pas à pas. Si on emploie un système de commande numérique, cette mémoire ne peut pas permettre une réception de la sélection par un autre abonné. De plus les contacts ne peuvent pas être fortement soumis à des courants élevés, ce qui de nouveau exige une construction plus robuste de toute l'installation de commande. L'invention a pour but d'éviter les inconvénients mentionnés ci-dessus, et concerne à cet effet une mémoire électromécanique binaire caractérisée en ce que les sorties de la 1ère à la nième de la dite mémoire sont reliées aux contacts d'inversion du 1er au nième inverseur du premier accumulateur de mémoire et également aux contacts d'inversion du 1er au nième inverseur du nième accumulateur de mémoire. Suivant un mode de réalisation les anodes des diodes du 1er au nième inverseur du 1er au nième accumulateur, sont reliées aux premiers contacts du 1er au nième inverseur, du 1er au nième accumulateur, les diodes des 1er au nième inverseur du premier accumulateur étant couplées entre elles et reliées au contact de coupure du premier commutateur du premier accumulateur. Suivant un mode de réalisation, les cathodes des diodes du nième accumulateur sont également couplées entre elles et reliées au contact de coupure du premier commutateur du nième accumulateur, le contact de commutation du premier commutateur du premier accumulateur jusqu'au contact de commutation du premier commutateur du nième accumulateur étant appliqués à la tension du "1" logique, les cathodes des diodes du premier au nième commutateur du 1er au nième accumulateur étant reliés au deuxième contact du 1er au nième inverseur du 1er au nième accumulateur, les anodes des diodes du 1er au nième inverseur du premier accumulateur étant couplées entre elles et étant reliées au contact de coupure du deuxième commutateur du premier accumulateur, les anodes des diodes du nième accumulateur étant également couplées entre elles et reliées au contact de coupure du deuxième commutateur du nième accumulateur, le contact de commutation du deuxième commutateur du premier accumulateur et le contact de commutation du deuxième commutateur du nième accumulateur étant appliqués à la tension du "O" logique. La mémoire électromécanique binaire conforme à l'invention a plusieurs avantages par rapport à celles qui étaient utilisées Jusqu'à présent. Le plus grand avantage est le genre d'accouplement de cette mémoire au système de commande utilisé. Aux bornes de sortie ne sont appliqués que des signaux binaires sous forme du "1" logique ou du îlot' logique, de sorte que les contacts ne sont pas chargés de courant, ce qui a pour conséquence une grande sureté de fonctionnement de toute l'installation de commande. L'invention sera mieux comprise à partir de la description ci-après et du dessin unique annexé représentant un exemple de réalisation de l'invention. Les différents accumulateurs ou mémoires élémentaires sont formés par une série d'inverseurs T11 à T dont le nombre dépend de la longueur des chiffres binaires à accumuler dans l'accumulateur, c'est-à-dire de la capacité de l'accumulateur, qui dans ce cas indique en même temps la "longueur des mots". Chaque inverseur peut être amené dans deux états dans lesquels est fermé soit le contact I soit le contact Il. Les contacts I du premier accumulateur sont reliés aux anodes des diodes D11 à Dîn . Les cathodes de ces diodes sont couplées entre elles et reliées au contact de coupure b du premier commutateur E1 au contact de commutation c duquel est appliquée la tension du "I" logique. Suivant le schéma, on suppose une logique positive, c'est-à-dire que le 1 logique est davantage positif que le "O" logique. Dans le cas d'une logique négative, la polarité des diodes devrait être modifiée. Les deuxièmes contacts Il du premier accumulateur de mémoire sont reliés aux cathodes des diodes D'11 à D'1 n Les anodes de ces diodes sont couplées entre elles et reliées au contact de coupure b du premier commutateur K'1, la tension du "0" logique étant appliquée au contact de commutation c de ce premier commutateur. Les contacts d'inversion des inverseurs T11 à Tin forment les sorties a1 à an de la mémoire électromagnétique binaire. Les contacts d'inversion #e tous les accumulateurs sont couplés entre eux et cela de telle sorte que le contact d'inversion de l'inverseur T11 peut être relié au contact d'inversion de l'inverseur T1n. etc jusqu'au contact d'inversion T1 qui peut être relié au contact d'inversion de l'inverseur T n nn La fonction de la mémoire électromécanique binaire conforme à l'invention consiste en ce que le chiffre binaire peut être reçu aux sorties a1 à an dans le chiffrage voulu suivant le réglage des inverseurs T11 à Tîn Si le contact d'inversion d'un inverseur quelconque est relié au contact I, le signal t'1" apparaît à sa sortie. Cependant, si le contact d'inversion d'un inverseur est relié au contact Il, le signal "O" apparaît à sa sortie. Ces signaux n'apparaissent aux sorties a1 à an que si les commutateurs K1 et K'1 sont fermés. Cela veut donc dire qu'au moyen de ces commutateurs K1 et K'1 la réception de la sélection pour l'accumulateur correspondant peut etre exécutée. Les autres accumulateurs dans lesquels les commutateurs Kn et K'n sont ouverts, sont exclus de la fonction et ne peuvent donc pas influencer le chiffre binaire réglé dans l'accumulateur par lequel la réception de la sélection a eu lieu.Cela est assuré et obtenu par l'utilisation des diodes D11 à Dnn et D' à D'nn Le montage conforme à l'invention de la mémoire électromécanique binaire permet d'utiliser toute une série de différentes variantes d'application. On peut utiliser plusieurs accumulateurs dans lesquels il n'est accumulé qu'un "mot7'. Dans chaque accumulateur une indication voulue peut être chiffrée 3t les accumulateurs peuvent être inversés de différents points et #u besoin, ou bien le dispositif d'inversion peut ntére utilisé que dans un accumulateur. Dans les éléments de commutation et d'inversion on n'a pas besoin d'employer seulement des exécutions de contacts car pour ces buts on peut utiliser des éléments de commutation sans contacts, quelconques et appropriés. Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres variantes de réalisation sans pour cela sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 10 - Mémoire electromécanique binaire permettant la présélection et la réception de la sélection par un autre abonné, mémoire caractérisée en ce que les sorties de la 1ere à la nième de la dite mémoire, sont reliées aux contacts d'inversion du 1er au nième inverseur du premier accumulateur de mémoire et sont reliées également aux contacts d'inversion du 1er au nième ième inverseurs du nième accumulateur de mémoire. 20 - Mémoire électromécanique binaire suivant larevendication 1, caractérisée en ce quelesanodes des diodes du au nième inverseur du 1er au nième accumulateur sont reliées aux premiers contacts du 1er au nième inverseurdu 1erau nième accumulateur, les cathodes des diodes du 1er au nième inverseur du premier accumulateur étant couplées entre elles et reliées au contact de coupure du premier commutateur du premier accumulateur. 30 - Mémoire électromécanique binaire suivant l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que les cathodes des diodes du nième accumulateur sont également couplées entre elles et reliées au contact de coupure du premier commutateur du nième accumulateur, le contact de commutation du premier commutateur du premier accumulateur jusqu'au contact de commutation du premier commutateur du nième accumulateur étant appliqué à la tension du "1" logique, les cathodes des diodes du 1er au nième commutateur du 1er au nième accumulateur étant reliées aux deuxièmes contacts du 1et au nième inverseur du 1er au nièmeaccumulateur, lesanodes desdiodes du entre elles et reliées au contact de corrpure du deuxième commutateur du nième accumulateur, les contacts de commutation allant du contact du second commutateur du premier accumulateur au contact au deuxième commutateur du nième accumulateur étant appliqués à la tension du "0" logique.