Brevet FR2131959A1 — publié le 19721117

La présente invention concerne les structures semiconductrices intégrées et monolithiques ainsi que leur fabrication et. plus particulièrement. un dispositif monolithique à charges couplées dans lequel des charges sont créées, maintenues et transportées dans le corps semiconducteur sans que des jonctions P-N soient nécessaires. On a récemment fait état, dans diverses publications techniques, de dispositifs semiconducteurs, sans jonctions P-N fixes, qui utilisent la propriété du matériau semiconducteur lui-même ainsi que des électrodes appropriées à la surface du dispositif pour transporter des charges au travers de ce dernier. Le principe de fonctionnement de ces nouveaux dispositifs est décrit ci-après. L'application de trois tensions, déohasées et de meme intensité, à un corps monolithique fait d'un matériau semiconducteur d'un tyoe unique de conductivité, crée, à l'intérieur de ce corps, trois régions d'appauvrissement différentes bien définies ayant trois intensités de chamo différentes correspondant aux trois tensions qui lui sont appliquées, et lorsque des charges sont introduites dans ces régions, ces charges sont transportées au travers du corps semiconducteur d'une façon contrôlée sous l'influence des trois champs créés à l'intérieur de celui-ci. En manipulant de façon aporopriée ces trois tensions, on peut faire circuler de nouveau les charges ou les emmagasiner dans le coros, ou encore retarder leur déplacement au travers de ce dernier. Les dispositifs semiconducteurs à charges couplées décrits ci-dessus peuvent. si le réseau d'électrodes n'est pas déposé sur le corps à des intervalles suffisamment raporochés, ou si les tensions appliquées ne sont pas suffisamment élevées, présenter des variations irrégulières indésirables entre ou dans les régions d'appauvrissement ainsi créées. ces variations ayant pour effet d'entraver le déplacement des charges dans le corps semiconducteur et par conséquent de diminuer la vitesse de transfert et de nuire à l'efficacité du dispositif. La présente invention a pour objet de fournir un dispositif semiconducteur à chartes couplées comprenant un corons monolithicue en matériau semiconducteur d'un type de conductivité unique et à la surface duquel sont prévus des moyens permettant de créer dans ledit corps des réions d'appauvrissement à espacement nul, de manière à éviter des discontinuités électri- ques ou variations irrégulières indésirables entre ou dans ces réions d'appauvrissement. Plus particulièrement, la présente invention montre cutil est possible de réaliser un dispositif semiconducteur, dans le cnros duauel des régions d'appauvrissement à espacement nul et ne présentant pas de variations électriques irrégulières, indésitables, peuvent etre créées, en déposant sur ce corps une couche isolante sur laquelle des dépôts d'un matériau choisi constituant des électrodes sont formés et recouverts d'une seconde couche isolante, elle-même recouverte d'un réseau d'électrodes.Cette seconde couche isolante isole et sépare les différents dépôts d'un matériau choisi, et comporte des ouvertures qui sont alignées avec ces dépôts afin que chaque bande constituant le réseau d'électrodes se trouve en contact avec un de ces dépots prédéteuiminé par l'intermédiaire des ouvertures pratiquées dans la seconde couche isolante, et recouvre les dépôts immédiatement adjacents de telle sorte que des impulsions électriques distinctes appliquées au réseau d'électrodes soient transmises aux dépôts avec lesquels elles se trouvent en contact et soient appliquées au corps semiconducteur par l'intermédiaire de la seconde couche isolante qui sépare les dépôts afin de créer à l'intérieur dudit corps une série de régions d'appauvrissement à niveaux multiples qui soient à la fois juxtaposées, régulières et ne présentent pas de variations électriques irrégulières. Les dispositifs ainsi obtenus permettent d'bbtenir une densité supérieure à celle des dispositifs de l'art antérieur et présentent une vitesse de transfert plus élevée ainsi qu'une plus grande efficacité. L'une des réalisations de la présente invention comprend un corps semiconducteur dont l'une des surfaces est recouverte d'une première couche isolante un matériau constituant des électrodes intermittentes déposé sur cette première couche isolante; une seconde couche isolante déposée entre ces électrodes intermittentes et recouvrant au moins partiellement celles-ci, et, sur cette dernière couche. un matériau final constituant des électrodes, ayant la forme d'un réseau et entrant en contact intime avec le matériau constituant les électrodes intermittentes, Dans une autre réalisation, de l'invention, le dispositif comprend un corps semiconducteur dont l'une des surfaces est recouverte d'une première couche isolante et des lignes en zig-zag constituées par un premier matériau conducteur et recouvertes d'une seconde couche isolante, cette dernière étant recouverte de lignes droites constituées par un second matériau conducteur et recouvrant partiellement les lignes en zig-zag, ces dernières se trouvant en contact électrique avec les lignes droites en au moins un point. Oans une autre réalisation, les deux types de lignes sont disposés de manière à constituer une configuration en zig-zag. La présente invention permet de réaliser des dispositifs ayant des dimensions et une densité que les procédés de l'art antérieur ne permettent pas d'obtenir, et est compatible avec les techniques actuelles de fabrication de circuits intégrés. Par ailleurs, le dispositif de la présente invention, lorsqu'il est utilisé en tant que réseau de registres à décalage et incorporé à une mémoire, permet d'effectuer des opérations de lecture et d'écriture plus rapides. possède des vitesses de transfert plus élevées et une plus grande efficacité, et récupère plus rapidement après de telles opérations. La présente invention permet également de transférer des charges dans des directions opposées à l'intérieur d'un même corps semiconducteur. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en reféren#e aux dessins annexés à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celleci. La figure 1 est une vue en oersoective partielle d'un dispositif utilisant une première réalisation de la présente invention. La figure 2 représente une coupe du dispositif de la figure 1 prise selon les lignes 2-2 La figure 3 représente une vue en plan partielle du dispositif de la figure 1. La figure 4 représente une paire de trains d'impulsions de tension utilisées aux fins du fonctionnement du dispositif de la figure 1. Les figures SA à 50 représentent une vue en coupe idéalisée d'une partie du dispositif de la figure 1 illustrant le fonctionnement de ce dernier. La figure 6 est une vue en plan partielle d'une autre réalisation de l'invention. La figure 7 est une coupe du dispositif de la figure 6 prise selon les lignes 7-7. La figure 6 est une coupe très agrandie du dispositif de la figure 6 prise selon les lignes 8-8. La construction et le fonctionnement d'un réseau de registres à décalage utilisant la présente invention sont décrits de façon détaillée ci-anrès à l'aide des différentes figures. On a représenté sur les figures 1, 2 et 3 un coros monocristallin 10 en matériau semiconducteur, tel que du silicium du type N, ayant de préférence une résistivité de 10 à 20 ohms-cm tun matériau semiconducteur de type opposé pourrait également être utilisé). Une série de nervures 11 en matériau approprié quelconque, tel que du dioxyde de silicium, sont formées à la surface du corps 10 de manière à définir une séries de tranchées 12 pratiquement parallèles. Si du dioxyde de silicium est effectivement utilisé, l'épaisseur de ce dernier devrait être d'environ boa00 A. De telles nervures peuvent être formées à l'aide de techniques classiques. Si le dispositif est utilisé en tant que registre à décalage, chacune des tranchées 12 doit être connectée à la tranchée adjacente de manière à obtenir une configuration analogue à un pliage en accordéon. Chacune des tranchées 12 est ainsi séparée, sur la quasi totalité de sa longueur, de la tranchée adjacente par une nervure. Une fois les nervures 11 formées, une mince couche isolante 14, d'une épaisseur d'environ 500A, est formée sur le lit de chacune des tranchées 12. Une série de films conducteurs intermittents 15 sont ensuite formés dans les tranchées 12 à la surface de la couche 14. On notera que, comme le montre notamment la figure 3, les films 15 dans chaque tranchée sont décalés par rapport aux films 15 de la tranchée adjacente de façon analogue aux cases d'un damier. Les films 15 peuvent être formés par pulvérisation, évaporation ou autre procédé connu et peuvent être constitués par un matériau conducteur quelconque, tel qu'un métal de faible résistance, par exemple de l'aluminium, de l'argent, etc... voire par un matériau semiconducteur fortement dopé, tel que du silicium contenant des quantités suffisantes d'un dopant connu pour augmenter sa conductivité et diminuer sa résistivité. Ces films 15 peuvent être formés. par exemple, en recouvrant en premier lieu la totalité de la surface du corps semiconducteur d'un matériau choisi, puis en décapant les zones indésirables de telle sorte que seuls des films intermittents 15 espacés les uns des autres restent dans la configuration en damier représentée sur la figure 3. Une seconde couche isolante 16 est ensuite formée sur les films 15 dans les tranchées 12. Cette couche peut être, par exemple, en dioxyde de silicium ou en nitrure de silicium et être formée à l'aide de techniques connues. Des trous de connexion 17 sont ensuite percés dans la couche 16 au-dessus de chaque film 15 de telle sorte qu'une partie de la surface de chacun de ces derniers soit exposée. Des électrodes conductrices leva, 18b, 18c et 18d ayant la forme de bandes sont alors crées à la surface du dispositif à l'aide de techniques classiques quelconoues. par exemple par évaporation. Ces électrodes sont de préférence disposées transversalement aux nervures 11 et aux tranchées 12, de manière à faire approximativement un angle droit avec celles-ci, et à entrer en contact avec l'un des films 15, dans chaque tranchée 12, par l'intermédiaire des trous de connexion 17. Ces électrodes peuvent évidemment être constituées par un matériau conducteur classique quelconque, mais on utilisera de préférence de l'aluminium d'une épaisseur d'environ 9000 A. Comme le montre la igure 1, chacune des électrodes isba, 18b, 18c et 18d est disoosée de manière à être en contact avec un film 15 donné, tout en étant isolée du film 15 adjacent et en recouvrant ce dernier. Le but de cet agencement est décrit plus loin. mais on notera dès à présent qu'il permet aux champs créés dans le corps semiconducteur par l'application d'une tension à l'une des électrodes, par exemple à l'électrode 18c, et aux films 15 auxquels elle est connectée, d'être en contact sans discontinuité avec les champs créés dans le corps 10 par l'application d'une tension à l'électrode adjacente, par exemple à l'électrode 18b. Comme on l'a précédemment mentionné. les films 15 déposés dans chacune des tranchées 12 sont décalés par rapport à ceux déposés dans les tranchées adjacentes. Cette disposition des films 15 à la manière des cases d'un damier et le fait que les bandes constituant les électrodes soient mises en contact avec un film 15 dans chaque tranchée ont oour résultat que la direction dans laquelle les charges circulent au travers du corps 10 dans une tranchée quelconque est opposée à la direction dans laquelle elles circulent dans la tranchée adjacente. Cet agencement permet de n'utiliser que deux impulsionns de tension distinctes pour transférer les charges au travers du corps semiconducteur, comme cela est expliqué dans le demande de brevet n0 71 38 333 déposée par la demanderesse le 19 Octobre 1971.Cette demande de brevet montre également que de telles charges, dans ces dispositifs semiconducteurs à charges couplées et sans jonctions, peuvent être transoortées autour des coins. Le dispositif décrit Jusqu'ici prévient les distorsions ou variations irrégulières indésirables qui se produisent dans les régions d'appauvrisse- ment créées dans le corps semiconducteur lorsque des tensions sont appliquées aux bandes constituant les électrodes. Une tension appliquée à l'une de ces dernières est en meme temps directement appliquée aux films connectés à la bande ainsi que, par l'intermédiaire de la seconde couche isolante séparant les films. au corps semiconducteur de telle sorte qu'une région d'appauvrissement contigue, à deux niveaux et ne présentant pas de variations électriques irrégulières soit créée sous la bande et les films qui lui sont connectés. L'application simultanée d'une autre tension à une bande adjacente créée également dans le corps semiconducteur une région d'appauvrissement du même type.Etant donné que chaque bande recouvre légèrement les films adjacents non connectés, les régions d'appauvrissement créées sous chaque ensemble bande-film s'amalgament sans aucune distorsion. En supprimant ainsi toute distorsion entre régions d'appauvrissement adjacentes, on confère au dispositif une plus grande efficacité en ce qui concerne le transfert des charges et l'on augmente de façon appréciable la vitesse à laquelle les charges sont introduites dans les régions d'appau vrissement créées dans le dispositif et sont transférées. Le fonctionnement du dispositif de la figure 1, dans le cas d'un système biphasé, est expliqué ci-après à l'aide des figures 4 et SA à 50. La figure 4 représente deux trains de tensions 20 et 21 ayant respectivement les tensions de pointe V-1 et V-2 (tV-1 = V-21. Pendant le fonctionnement du dispositif, les bandes constituant les électrodes sont de préférence connectées par paires; par exemple. la bande 18A est connectée à la bande 18C, et la bande 186 à la bande 1BD, de telle sorte qu'une même tension soit simultanément appliquée à une paire de bandes.Dans le cas de la réalisation décrite, ces trains de tensions 20 et 21 sont essentiellement des impulsions négatives à ondes carrées ayant des temps de chute considérablement plus rapides que leurs temps de montée. Chaque impulsion a de préférence un temps de chute de 30 nanosecondes et un temps de montée de 150 nanosecondes. Comme le montre la figure 4, les trains 20 et 21 sont déphasés d'environ 1800. La création de trains d'impulsions négatives ayant des temps de montée et de chute désirés ne présente évidemment aucun problème pour l'homme de l'art. il convient d'observer ici que si le corps 10 était en matériau de type P et non en matériau de type N, des tensions positives seraient utilisées au lieu de tensions négatives. Les figures SA à 50 représentent des coupes transversales idéalisées de la partie avant du dispositif de la figure 1, et montrent les régions d'appauvrissement formées dans le corps semiconducteur 10 à des instants choisis pendant l'application des trains de tensions 20 et 21. Initialement, des porteurs de charge minoritaires, c'est-à-dire des trous dans l'exemple décrit, sont injectés à l'aide de moyens appropriés dans le corps 10. On supposera que la présence de telles charges dans le corps représente un "1" en langage binaire et leur absence un "0 . A l'instant T-O, aucune polarisation n'est appliquée aux électrodes et le dispositif tout entier se trouve au potentiel de masse. A l'instant T-1, le train de tensions 20 est appliqué aux électrodes 18a et 18c, dont le potentiel commence à décroitre vers la tension V-l. A l'instant T-2, la tension V-1 est appliquée à ces électrodes. L'application de cette tension V-1 aux électrodes 18a et 18c ainsi qu'aux films 15 avec lesquels elles sont en contact intime crée deux régions d'appauvrissement étagées 23 et 24 dans le corps 10. Dans un but de clarté, les films 15 qui sont connectés, sur les figures SA à 5D, aux électrodes 18a, 18b et 18c et 18d sont désignés par les références 15a, 15b, 15c et 15d. Les régions d'appauvrissement 23 et 24 sont étagées parce que les électrodes 18a et 18c sont isolées du corps 10 par une couche plus épaisse de matériau isolant, par exemple les couches 14 et 16, que les films 15a et 15c qui ne sont isolés que par la couche 14. La chute de tension dans les couches 14 et 16 situées au-dessous des électrodes 18e et 16b est supérieure à celle qui se produit dans la couche 14 située au-dessous des films 15a et 15c, et de ce fait, il y a dans le corps semiconducteur un potentiel moins important au-dessous des électrodes 18a et 18c qu'au-dessous des films 15a et 15c, en conséquence de quoi la région d'appauvrissement 23 s'étend plus profondément dans le corps 10 au-dessous des films 15a et 15c qu'au-dessous des électrodes 18e et 16c. Cela confère aux régions d'appauvrissement 23 et 24 la configuration étagée représentée sur les figures. Lors de l'aoplication, à l'instant T-2, de la tension V-1 aux électrodes 18a et I8c, des charges 22, représentées, à titre indicatif uniquement, par des croix, sont simultanément injectées dans le corps 10 à proximité de l'électrode 18a sar des moyens appropriés, tels qu'une diode P-N (non représentée), et, en raison des chamos électriques étagés qui existent dans la région d'appauvrissement 23, ces charges émigrent vers la région dont l'intensité de champ est la plus élevée. En ltoccurrence, ces charges émigrent vers la partie de la région d'appauvrissement 23 qui existe au-dessous des films 15a et 15c. Le temps que mettent les charges injectées 22 pour parvenir, depuis la région d'injection à leur destination finale au-dessous du film 15a n'est limité que par leur mobilité et l'intensité du champ existant dans la région 23. Les charges 22 peuvent éventuellement être emmagasinées à cet endroit pendant un intervalle de temps fini, égal au temps nécessaire pour engendrer des charges dans le matériau particulier employé. On sait que ce dernier temps est fonction de la résistivité du corps 10 et des champs engendrés dans ce dernier oar les tensions appliquées aux électrodes. Ce temps nécessaire pour engendrer les charges transportées devient critique, non pas en raison de la disparition des charges emmagasinées, mais parce que des charges indésirables sont engendrées et remplissent les régions d'appauvrissement qui avaient été laissées vides afin de représenter un "0" binaire. Lorsque ces puits vides sont remplis par de telles charges, ils indiauent à tort un "1" binaire. Le temps d'emmagasinage du dispositif est donc limité par le temos mis pour engendrer ces charges indésirables et il devient nécessaire de lire. de détruire et de régénérer de façon continue les informations emmagasinées afin d'empêcher la création de signaux erronés. La présence des charges injectées 22 sous le film 15a modifie le profil de la région d'appauvrissement 23, engendrée oar l'application de la tension V-1, en faisant remonter la marche la plus profonde 25 de la région 23 vers l'interface oxyde-corps semiconducteur. Lorsque toutes les charges 22 sont accumulées sous le film 15a, la partie inférieure de la marche la plus profonde 25 de la région d'appauvrissement remonte jusqu'au niveau indiqué par la ligne pointillée 26. A l'instant T-3. la totalité des charges injectées 42 se trouve réunie sous le film 15a et le train de tensions 21 est appliqué aux électrodes 18b et 18d ainsi qu'aux films 15b et 15d, dont le potentiel commence à décroître vers la tension V-2. A l'instant T-4, la tension V-2 est appliquée aux électrodes 18b et 18d. L'application de cette tension crée également dans le corps semiconducteur des régions d'appauvrissement 27 et 28 au-dessous des électrodes 18b et 18d ainsi que des films 15b et 15d, ces régions étant analogues à celles obtenues lors de l'application du train de tensions 20 aux électrodes 18a et 18c. Comme le montre la figure 4, le train de tensions 20 à l'instant T-4 commence à croitre, depuis sa valeur négative V-1, vers le potentiel de masse. Les temps de chute des impulsions des trains de tensions 20 et 21 sont inférieurs à leurs temps de montée. Ainsi, à l'instant T-5. la tension V-2 du train 21 est appliquée aux électrodes 16b et 18d ainsi qu'aux films 15b et 15d. mais le train 20 n'a pas encore atteint le potentiel de masse. Cette combinaison des trains 20 et 21 a pour effet de créer dans le corps semiconducteur t0 une région d'appauvrissement à niveaux multiples englobant les régions d'appauvrissement 23, 27, 24 et 28, comme le montre la figure 58. A cet instant T-5. l'intensité de champ la plus élevée existe sous les films 15b et 15d, et les charges 22 émigrent vers la région située audessous du film 15b. La migration des charges 22 de la région située audessous du film 15a vers la région située au-dessous du film 15b commence après que la région d'appauvrissement 27 ait atteint son intensité maximum et que l'intensité de la région d'appauvrissement 23 ait commencé à diminuer. Les charges 22 sont en fait déversées dans la région d'appauvrissement 27, depuis la région d'appauvrissement 23, et sont transportées par le champ existant au travers du corps 10, depuis la région située au-dessous du film 15a, à la région située au-dessous de l'électrode 18b, puis à la région située au-dessous du film 15b. Cependant, la migration de ces charges ne peut se poursuivre à cet instant car l'intensité du champ existant audessous de l'électrode 18c est plus faible que celle du champ existant au-dessous du film 15b. A l'instant T-6, la tension V-2 du train 21 reste appliquée aux électrodes 18b et 18d, et le train de tensions 20 commence à décroitre, depuis le potentiel de masse, vers sa valeur de pointe V-l. Les états. des champs existant dans le corps semiconducteur à cet instant T-6 sont indiqués sur la figure 5C. On notera que les états représentés sur cette figure sont analogues à ceux représentés sur la figure 5A, à une électrode près. A l'instant T-7, le train de tensions 20 atteint de nouveau se valeur de pointe V-1 et le train 21 commence à croître, depuis sa valeur de pointe V-2, vers le potentiel de masse. A l'instant T-8, le train 20 est toujours à sa valeur de pointe V-1, cependant que le train 21 n'a pas encore atteint le potentiel de masse. On se trouve donc de nouveau en présence d'un état analogue à celui représenté sur la figure SE, bien que la charge soit comme précédemment décalée d'une électrode.La figure 5D représente les régions d'appauvrissement qui existent alors dans le corps semiconducteur 10. Les régions d'appauvrissement 29 et 30 créées par l'application de la tension V-1 ont atteint leur profondeur maximum, et la profondeur des régions 27 et 28 créées par l'application de la tension V-2 diminue. Les charges 22 sont donc de nouveau déversées, depuis la région d'appauvrissement 27, dans la région d'appauvrissement adjacente 30, dont l'intensité de champ est plus élevée, en raison des intensités de champ différentes qui existent entre ces deux régions.En conséquence, les charges 22 émigrent, dans le corps semiconducteur 10, de la prégion située au-dessous du film 15b vers celle située au-dessous de l'électrode 18c et s'arrêtent dans la région d'intensité la plus élevée située au-dessous du film 15c. A l'instant -T-9, le train de tensions 21 recommence à décroître vers la tension V-2 et le cycle a atteint un point correspondant à celui atteint à l'instant T-3. La répétition de ce cyle a pour effet de continuer à déplacer les charges 22 au travers du corps 10 par suite de la création et de la suppression alternées des régions d'appauvrissement dans ce dernier. Etant donné que, comme indiqué à titre d'exemple sur la figure 5D, l'intensité du champ existant dans la région d'appauvrissement 27 au-dessous de l'électrode 18b est à présent nettement plus faible que celle du champ existant dans le région située au-dessous du film 15b, ou dans la région d'appauvrissement 30, les charges 22 ne reviennent pas vers la région d'appau- vrissement 29. Ainsi, l'étagement des réeions d'anpauvrissement créées dans le dispositif décrit plus haut contraint les charees 22 à se déplacer uniquement vers le champ dont l'intensité est la plus forte. En raison du fait que les nervures 11 sont nettement plus épaisses que les couches isolantes 14 et 16 dans les lits des tranchées 12, la presque totalité des effets d'une tension appliquée à l'une quelconque des bandes constituant les électrodes sont absorbés par ces nervures. Etant donné que la presque totalité de la tension dans cette région décroît dans l'oxyde le plus épais, représenté par les nervures, une région d'appauvrissement minimum est ainsi créée dans la partie du corps semiconducteur 10 qui se trouve au-dessous des électrodes aux endroits où ces dernières traversent les nervures. Cette région d'appauvrissement minimum située au-dessous des nervures est si petite. comparée aux régions d'appauvrissement créées audessous des lits des tranchées, qu'elle constitue en fait uns barrière qui prévient le déplacement des charges entre les tranchées.Par conséquent, l'unique effet des tensions appliquées aux électrodes se produit dans les tranchées. Les nervures servent donc à isoler électriquement les tranchées les unes des autres et à contraindre les charges injectées à ne se déplacer au travers du corps semiconducteur qu'au dessous des tranchées. Comme on l'a précédemment observé, les films 15 déposés dans chaque tranchée sont décalés par rapport à ceux déposés dans les tranchées adjacentes de façon analogue aux cases d'un damier. En disposant ainsi les films 15 dans les tranchées. et en connectant la bande constituant l'électrode à un film dans chaque tranchée de telle sorte que la bande soit en contact, d'un cote, avec un film dans une tranchée donnée, puis, de l'autre côté, avec un film dans une tranchée adjacente, ces deux films étant décalés comme cela est représenté sur la figure 3, les charges injectées circulent dans une certaine direction dans une tranchée donnée et dans la direction opposée dans la tranchée adjacente.En connectant un détecteur à l'extrémité d'une voie et un injecteur au début d'une autre voie, et en procédant de même dans le cas des autres voies, on peut contraindre les charges à suivre un parcours analogue à un pliage en accordéon au travers du corps semiconducteur. Des détecteurs et des injecteurs typiques sont décrits dans la demande de brevet précité n0 71 38 Etant donné l'agencement en damier utilisé dans le dispositif de la figure 1, les charges injectées dans la tranchée centrale émigrent vers la droite, cependant que les charges injectées dans les autres tranchées émigrent simultanément vers la gauche, ce qui permet de réaliser des réseaux de registres à décalage ou des lignes à retard dans les régions d'aopauvris sement#desquels des variations électriques irrégulières indésirables ne se produisent pas. Les figures 6. 7 et 8 représentent une autre réalisation de la présente invention dans laquelle un corps semiconducteur possède sur l'une de ses surfaces une couche isolante, designes en zig-zag d'un oremier matériau recouvertes d'une autre couche isolante, et des électrodes constituées par des bandes rectilignes déposées sur l'autre couche isolante et disposées de manière à recouvrir partiellement les lignes en zig-zag sur des lignes opposées. Les lignes et les bandes sont connectées électriquement les unes aux autres en au moins un point. On peut voir sur les figures 6, 7 et 8, un corps semiconducteur 31 dont la surface est rscauverte d'une première couche isolante constituant une série de nervures 3? à 39 et de tranchées 4n à 46, une seconde couche isolante 51 recouvrant la surface du corps 31 dans les régions de tranchées. La couche 51 et les nervures sont de préférence en dioxyde de silicium et formées de la manière précédemment décrite, leur épaisseur étant celle précédemment indiquée. Une couche 52 de nitrure de silicium peut être déposée éventuellement sur la couche 51, par exemple, par décomposition pyrolytique de silicium et d'ammoniac à une température d'environ 10000C. Elle peut également être déposée par pulvérisation ou par plasma ou par toute autre technique classique. L'épaisseur de la couche 52 correspond à celle de la couche SI et peut être, par exemple, de 300 A, l'épaisseur totale des couches 51 et 52 étant d'environ 600A. On a constaté que l'emploi d'une telle couche combinée de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium permet d'améliorer les caractéristiques électriques de la surface du corps semiconducteur en abaissant le niveau de seuil des tensions appliquées et en augmentant la stabilité de l'interface semiconducteur-oxyde. D'autres matériaux isolants, tels que l'oxyde d'aluminium, le nitrure d'aluminium, l'oxyde de beryllium et des couches composites de ces matériaux ainsi que d'autres matérIaux diélectriques connus peuvent également être employés. Les couches SI et 52 constituent un lit isolant électriauement sur lequel peuvent être déposées des lignes conductrices en zig-zag 53a, 53b, 53c et 53d. Comme on peut le voir sur la figure 6, la première nervure 32, la dernière nervure 39 ainsi que les nervures 33, 35 et 37 sont plus larges que les nervures intermédiaires 34, 36 et 38. une zone plus importante étant de ce fait disponible pour modifier la direction des lignes en zigzag 53. Une fois ces dernières formées, une couche isolante 54 est déposée sur la totalité du dispositif et particulièrement sur les lignes 53. Cette couche 54 peut être constituée par un matériau isolant classique quelconque du type décrit ci-dessus. Toutefois, si cette couche est, par exemple, en dioxyde de silicium, son épaisseur doit être d'environ 2000A. Les bandes conductrices 55a, 55b, 55c et 55d constituant les électrodes sont ensuite déposées sur la couche 54 et disposées de manière à se trouver en contact, par l'intermédiaire des trous de connexion 56 percés dans la couche 54, avec une ligne en zig-zag sous-jacente. Ainsi, l'électrode 55a est connectée à la ligne en zig-zag 53a, et l'électrode 55d à la ligne 53d. Par ailleurs, chaque électrode recouvre partiellement les lignes en zigzag adjacentes auxquelles elle n'est pas connectée; par exemple, l'léeotrode 55b est connectée à la ligne 53b et recouvre les lignes 53a et 53c. Les lignes en zig-zag ne sont représentées sur les dessins que dans un but de clarté. Ces lignes pourraient évidemment être disposées parallèlement à la surface des nervures au lieu de faire avec celles-ci un angle, comme le montre la figure 6. Lorsqu'elles sont disposées à angle droit, les nervures 33, 35 et 37 peuvent avoir la même largeur que les nervures plus étroites 34, 36 et 38. Si l'on suppose que le transfert des charges assuré par le dispositif représenté sur les figures 6 à 8 s'effectue de la même façon que dees le cas du dispositif représenté sur les figures 1 à 5. les tranchées devraient alors être couplées par paires. les tranchées 40 et 41 constituant une paire. les tranchées 42 et 43 une seconde paire, et les tranchées 44 et 45 une troisième paire. Ainsi, un injecteur de charge 61 serait disposé à gauche de la tranchée 40 et les charges se déplaceraient vers la droite dans cette tranchée. à l'extrémité de laquelle un détecteur 62 transférerait les informations représentées par les charges à l'injecteur 63 situé à l'extrémité droite de la tranchée 41. dans laquelle elles se déplaceraient vers la gauche jusqu'à un autre détecteur 64, qui les renverrait à l'injecteur 61. Chaque paire de tranchée pourrait donc faire fonction d'anneau de transfert de charges. Par suite de la disposition des lignes représentée sur la figure 6, les charges se déplacent vers la droite dans les tranchées 40. 43 et 44, et vers la gauche dans les tranchées 41. 42 et 45. La direction du déplacement des charges dans chaque paire de tranchées est indiquée par les flèches 65, 86 et 67. L'emploi de lignes en zig-zag simplifie la fabrication du dispositif tout en créant des régions d'appauvrissement à couches multiples ne présentant pas de variations électriques irrégulières. Cette simplification provient de la suppression des alignements et autres procédures critiques qui étaient précédemment nécessaires. Par ailleurs, il n'est plus nécessaire de disposer de trous de connexion pour chaque région isolée. comme dans le cas de la première réalisation de l'invention. D'autre part, les charges peuvent être transportées autour des extrémités de chaque nervure en utilisant le procédé décrit dans la demande de brevet précitée n0 71 38 3 Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles. sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. REVENDICATIONS 1.- Dispositif de mémoire semiconductrice à charg#couplé#du genre comprenant un corps monolithique composé d'un matériau semiconducteur de type unique. le disnositif étant caractérisé en ce ou'il comporte des moyens situés sur la surface de ce corps pour créer, dans le corps, des régions d'appauvrissement à espacement nul, à niveaux multiples, et sans variations électriques irrégulières indésirables. 2.- Dispositif semiconducteur à charges couplées du genre comprenant un corps semiconducteur et une première couche isolante située sur une des surfaces de ce corps, ce dispositif étant caractérisé en ce qu'il comporte en outre: un matériau d'électrodes intermittentes déposé sur cette première couche isolante, une seconde couche isolante déposée entre les électrodes intermittentes, et couvrant au moins partiellement ces dernières, et un matériau d'électrodes finales déposé sur la seconde couche isolante, en contact conducteur intime avec une des électrodes intermittentes, et recouvrant au moins partiellement une autre électrode intermittente. 3.- Dispositif semiconducteur à charges couplées du genre comprenant un corps semiconducteur ayant, sur une de ses surfaces, une premiere couche isolante, le dispositif étant caractérisé en ce qu'il compqrte en outre: une série de lignes en zig-zag constituées d'un premier matériau conducteur et recouvertes par une seconde couche isolante, et une série de bandes rectilignes constituées d'un second matériau conducteur et recouvrant la seconde couche isolante, chaque bande rectiligne étant disposée pour recouvrir partiellement au moins deux des lignes en zig-zag, et chaque bande conductrice étant en contact électrique avec une des deux lignes en zig-zag. 4.- Dispositif semiconducteur à char#e:couolée#du genre comprenant un corps semiconducteur et une première couche isolante située sur la surface de ce corps, ce dispositif étant caractérisé en ce au'il comporte en outre: des films conducteurs espacés, déposés sur la première couche isolante, une seconde couche isolante recouvrant lesdits films, des électrodes conductrices espacées recouvrent ladite seconde couche isolante, et reliées électriquement aux films conducteurs. de telle sorte que, sur l'application de tensions aux électrodes, des réions d'appauvrisse- ment contiguës. sans variations électriques irrégulières et à niveaux diffé- rents puissent être créées dans le corps pour transporter une charge à travers ce corps. 5.- Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que le corps semiconducteur possède une résistivité comprise entre 10 et 20 ohms/ cm. 6.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 5 caractérisé en ce que la première couche isolante comporte une série de nervures définissent une série de tranchées. 7.- Dispositif selon la revendication 6 prise comme dépendante de la revendication 4 seulement, caractérisé en ce que les films conducteurs sont espacés de façon intermittente dans lesdites tranchées. 8.- Dispositif selon la revendication 6 prise comme dépendante de la revendication 4 seulement, ou selon la revendication 7, caractérisé en ce que les films conducteurs dans l'une des tranchées sont décalés nar rapport aux films conducteurs dans les tranchées adjacentes. 9.- Dispositif selon la revendication 6 prise comme dépendante de la revendication 4 seulement, caractérisé en ce qu'en outre: les films conducteurs sont espacés de façon intermittente par lesdites nervures et dans les tranchées, et les films dans les tranchées sont décalés par rapport aux films situés dans les tranchées adjacentes. 10.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 9 caractérisé en ce que la seconde couche isolante est composée du même matériau que la première couche isolante. 11.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 9 caractérisé en ce que les première et seconde couches isolantes sont composées de matériau ayant des valeurs d'Isolation différentes. 12.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 7 à 9 ou selon la revendIcation 4, ou selon l'une quelconque des revendications 6, 10 ou Il prises comme dépendantes de la revendication 4 seulement, caractérisé en ce que la seconde couche isolante comporte des ouvertures situées au-dessus des films dans les tranchées. 13.- Dispositif selon la revendication 8 caractérisé en ce que les électrodes sont espacées par intermittence et chaque électrode est en contact intime avec un seul des films, chacune de ces électrodes recouvrant les tranchées, les nervures et le film avec lequel elle est en contact, et recouvrant par ailleurs partiellement un autre film avec lequel elle n'est pas en contact. 14.- Dispositif selon la revendication 6 prise comme dépendante de la revendication 4 seulement ou selon l'une quelconque des revendications 7, 8, 9 ou 12 ou selon la revendication 4, caractérisé en ce que les électrodes sont espacées par intermittence, passent au-dessus des nervures et des tranchées, entrent en contact avec un film dans chacune des tranchées, recouvrent l'espace compris entre le film avec lequel elles sont en contact et un film adjacent. et recouvrent partiellement ledit film adjacent. 15.- Disoositif semiconducteur à charges couplées du genre comprenant un corps semiconducteur ayant une faible résistivité et une couche isolante située à la surface de ce corps semiconducteur, cette couche comportant des parties minces séparées par des parties épaisses, le dispositif étant caractérisé en ce qu'il comporte en outre:: plusieurs films conducteurs espacés l'un de l'autre et disposés sur les parties minces de la couche isolante, une seconde couche isolante recouvrant les films. cette seconde couche isolante comportant des ouvertures afin d'exposer partiellement une partie de chacun des films, plusieurs électrodes conductrices disposées sur la seconde couche isolante et sur lesdits films, chaque électrode étant disposée pour être en contact électrique avec un seul des films à travers lesdites ouvertures, et chaque électrode recouvrant le film avec lequel elle est en contact et recouvrant étalement partiellement un film adjacent avec lequel elle n'est pas en contact, des moyens pour appliquer un premier train d'impulsions de tensions à l'une desdites électrodes, des moyens pour appliquer un second train d'impulsions de tension déphasé par rapport au premier train d'impulsions, et ce, à ine des électrodes adjacentes à l'électrode qui reçoit les premières imoulsions appliquées, afin de créer dans le corps des régions d'appauvrissement à plusieurs niveaux, contiguës et sans variations électriques irrégulières. 16.- Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: le dépôt d'une première couche isolante sur un corps semiconducteur de type de conductivité unique, la formation de régions, constituées d'un premier matériau, sur la couche isolante, ces régions étant espacées, le revêtement de ces régions et de la première couche isolante par une seconde couche isolante comportant des ouvertures qui sont alignées avec ces régions, la formation, sur la seconde couche isolante et sur ses ouvertures, d'une série d'électrodes. chaque électrode étant en contact avec au moins une région à travers les ouvertures de la seconde couche isolante, et chaque électrode recouvrant partiellement une région adjacente avec laquelle elle ntest pas en contact, l'application d'impulsions électriques à chacune des électrodes, et par conséquent à chaque région qui lui est connectée, afin de créer dans le corps semiconducteur une série de régions d'appauvrissement à couches multiples, ces régions étant contiguës et sans variations électriques irrégulières, ceci afin de fournir dans le corps un fort taux de transfert de charge.