Brevet FR2133692A1 — publié le 19721201

L'invention concerne un dispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte une région de-premier type de conduction, une couche demiconductrice située sur cette région et affleurant la sur-- face du corps, au moins une première couche enterrée de deuxième type 5 de conduction, située localement entre ladite couche et la région précitée, ainsi qu'une configuration de matériau isolant noyé située au moins en partie dans la couche semiconductrice, alors qu'une région de cette couche semiconductrice est sépaïée de la région de premier ,type de conduction et du reste de ladite couche par la première couche enterrée ainsi que par une partie appartenant à. la configuration qui se raccorde à la première couche enterrée et entoure quasi entièrement cette région, de la couche semiconductrice, un composant semiconducteur étant élaboré au moins en partie dans ladite région de la couche semiconductrice. L'invention concerne également un procédé permettant la fa-15 brication de ce dispositif. La couche semiconductrice en question est par exemple une couche simple, mais peut également être formée par une couche composée formée par exemple par au moins deux couches épitaxiales superposées, tandis que différentes parties de la couche peuvent être de types de 20 conduction différents et/ou présenter des conductibilités différentes, par exemple par diffusion de donneurs ou d'accepteurs dans ces parties. Les dispositifs du genre décrit sont connus et utilisés particulièrement dans des circuits intégrés monolithiques. De telles structures ont plusieurs avantages importants, parmi lesquels on peut citer 25 en premier lieu un gain d'encombrement important ce qui permet de situer les composants très près l'un de l'autre dans des circuits intégrés. Ce gain d'encombrement résulte surtout du fait qu'il est possible de poser directement contre le matériau isolant noyé une ou plusieurs jonctions appartenant au composant, et qu'il ne faut donc pas respecter une cer-30 taine distance par rapport à des zones isolantes diffusées comme c'est le cas dans les circuits intégrés conventionnels. Un autre avantage important des structures précitées comportant une configuration de matériau isolant noyé est que par suite également des techniques utilisées pour l'élaboration de ladite configuration, on 35 peut simplifier les opérations de masquage qui sont nécessaires pour effectuer les différentes diffusions. Un autre avantage de la fabrication des structures précitées comportant une configuration de matériau isolant noyé est que ces structures nécessitent généralement un nombre moins grand d'opérations d'a.li- 72 13006 2 2133692 gnement, tandis que, par opération d'alignement, la tolérance est dans la plupart des cas relativement grande, ce qui résulte du fait que l'entièreté ou une partie de ladite configuration peut également être utilisée comme masque de diffusion. 5 Le dispositif décrit ci-dessus offre 1a. possibilité que dans un circuit intégré monolithique, un composant peut être élaboré de façon que ce composant soit isolé des autres parties de la couche semi-conductrice et de la région de premier type de conduction par la configuration en matériau isolant noyé ainsi que par la jonction p-n entre 10 la première couche enterrée et la région précitée. A cela s'ajoute que, généralement, la première couche enterrée elle-même constitue une zone active du composant semiconducteur. Toutefois, la structure décrite convient moins bien pour un certain nombre d'applications importantes dans des circuits semiconduc-15 teurs intégrés. Ceci est entre autres dans bon nombre de cas où l'on désire utiliser comme zone active du circuit ladite région de premier type de conduction, généralement formée par le substrat, cette zone active étant par exemple la zone de collecteur d'un transistor bipolaire ou de plusieurs transistors bipolaires de même structure de conduction 20 (par exemple npn) ou un itransistor isolé du substrat et élaboré suivant la structure connue décrite. Une autre structure que l'on rencontre souvent et qui se prête moins bien à l'application du dispositif connu, est par exemple une structure dans laquelle, dans le même corps semiconducteur, doivent se 25 situer des composants semiconducteurs adjacents, par exemple des transistors bipolaires, de structures complémentaires (npn et pnp), qui tous les deux sont isolés par rapport au substrat et ont des propriétés électriques comparables. Par l'expression "composants semiconducteurs à structures 30 complémentaires", il y a lieu d'entendre ici et dans la suite de l'exposé deux composants semiconducteurs similaires, chaque zone semiconductrice du premier composant ayant le type de conduction qui est opposé à celui de la zone correspondante du deuxième composant, par exemple un ' transistor bipolaire npn et pnp ou transistor à effet de champ. 35 Un des buts de l'invention est d'indiquer uh dispositif semi conducteur comportant une configuration en matériau isolant noyé de structure nouvelle, ce dispositif n'étant pas, ou dans une mesure beaucoup moindre, affecté par les restrictions précitées des structures connues décrites, et pouvant en outre être fabriqué par la mise en oeuvre 72 13006 3 2133692 d'un nombre minimum d'opérations de masquage tout en permettant une large tolérance pour l'alignement des masques. L'invention vise également un nouveau procédé très simple permettant la fabrication d'un tel dispositif. 5 A cet effet, l'invention repose entre autres sur l'idée que par l'emploi d'une deuxième douche enterrée de premier type de conduction, qui avec la configuration de matériau isolant noyé est combinée de façon que cette deuxième couche enterrée ne soit au maximum coupée qu'en partie par cette configuration, il est possible d'obtenir une structure qui par rapport aux dispositifs connus présente des avantages technologiques et électriques très importants. Par conséquent, conformément à l'invention, un dispositif du genre mentionné dans le préambule est remarquable en ce qu'une deuxième couche enterrée de premier type de conduction est située entre la pre- 15 mière couche enterrée et la couche semiconductrice, et qu'une partie qui * appartient à la configuration de matériau isolant noyé et qui de la première couche enterrée est séparée par au moins une partie de l'épaisseur de la deuxième couche enterrée, divise ladite région de la couche semi-conductrice en au moins un premier îlot dans lequel le composant semi— 20 conducteur est élaboré au moins en partie, et en un deuxième îlot de premier type de conduction, ces deux zones étant limitrophes de la deuxième couche enterrée. Généralement, outre les avantages déjà décrits et inhérents à l'utilisation d'une configuration en matériau isolant noyé, le disposi-25 tif conforme à l'invention a entre autres l'avantage important que le composant qui dans le corps semiconducteur est isolé de la région de premier type de conduction ainsi que du reste du circuit par la première couche enterrée, peut au besoin être combiné avec au moins un composant de même conception et de même structure de conduction, composant(s) dont 30 la région de premier type de conduction forme une zone active (commune), ïïn autre avantage important est que le dispositif conforme à l'invention convient très bien pour être combiné avec une structure comportant un autre composant, isolé également de la région rie premier type de conduction et présentant une structure complémentaire à celle du composant 35 déjà cité, les zones actives correspondantes de ces composants complémentaires ayant des types de conduction opposés mais présentant des concentrations de dopage comparables. Le matériau isolant constituant la configuration noyée peut être formé par diverses substances ou par une combinaison de couches en 72 13006 4 2133692 matériaux isolants différents. Avantageusement toutefois, le matériau isolant noyé est un oxyde obtenu par oxydation locale, par exemple . l'oxydation thermique, du matériau semiconducteur. En outre, à partir de la surface, le matériau isolant noyé pénètre pratiquement partout sur 5 une même profondeur dsns le matériau semiconducteur. Une telle configuration a l'avantage de pouvoir être fabriquée de manière simple et au besoin par la mise en oeuvre d'une seule oxydation et par l'emploi d'un seul masque. Par ailleurs, le composant semiconducteur précité comporte de préférence au moins une jonction p-n ayant une partie qui est quasi parallèle à la surface et qui est limitée par le matériau isolant noyé. De ce fait, lors de la fabrication du dispositif, il est possible de réduire le nombre d'opérations de masquage, tandis qu'également, au cours de certaines opérations d'alignement, il est possible d'admettre 15 des tolérances moins serrées, notamment dans le cas où le matériau isolant noyé est, au moins en partie, utilisé comme masque de diffusion. Dans ladite configuration noyée, il se peut que la deuxième couche enterrée de premier type de conduction ne se situe que sur une partie de la première couche enterrée, de sorte que des parties de la 20 couche semiconductrice contactent cette couche enterrée. Pour obtenir une isolation aussi efficace que possible entre les composants semiconducteurs et le reste du corps semiconducteur, il est toutefois recommanda-ble d'utiliser une structure dont la conception est telle que la deuxième couche enterrée sépare entièrement de la première couche enterrée la 25 couche semiconductrice. Entre le composant semiconducteur et la région de piani er type de conduction, il existe ainsi deux jonctions p-n étant en série et en opposition, parmi lesquelles, en pratique, toujours au moins line jonction est branchée dans le sens de blocage et établit l'isolation visée. 30 La région de premier type de conduction est formée par exemple par un substrat semiconducteur de premier type de conduction, dopé uniformément, sur lequel et/ou dans lequel est élaborée ladite couche semi-conductrice. Un dispositif préféré pouvant être réalisé de manière simple et efficace est remarquable en ce que la région de premier type de 35 conduction est formée par un substrat fortement dopé de premier type de conduction et par une couche épitaxiale de premier type de conduction, élaborée sur ce substrat et dans laquelle se situe au moins principalement la première couche enterrée. De plus, le substrat fortement dopé peut servir de zone de contact peu ohmique sur la couche épitaxiale moins / COPY 72 13006 5 2133692 fortement dopée de premier type de conduction. Lors de la fabrication, la couche semiconductrice située sur la région de premier type de conduction est généralement élaborée sous la forme d'une couche ayant entièrement le premier ou le deuxième type 5 de conduction, mais dans le dispositif prêt à l'emploi, le type de conduction de certaines parties de cette couche est converti en le type de conduction opposé à celui de la couche initiale, ceci ayant lieu par exemple par diffusion ou par implantation d'ions. Suivant un mode de réalisation important, ledit premier îlot comporte une zone de deuxième 10 type de conduction, celle-ci étant soit une partie d'une couche semi-conductrice originale entièrement de deuxième type de conduction, soit formée par inversion du type de conduction d'une partie de la couche semiconductrice qui, à l'origine, avait le premier type de conduction. De plus, parfois, ladite zone de deuxième type de conduction et 15 avec la première couche enterrée peuvent former un seul ensemble. Toutefois, ceci est généralement indésirable, entre autres si l'on veut obtenir une bonne isolation et des capacités de jonction p-n qui ne sont pas trop grandes, et par conséquent, on préfère donc que la. zone de deuxième type de conduction, affleurant la surface, soit sépa.rée entière-ment de la première couche enterrée par du matériau ayant le premier type de conduction. Dans ce cas, un mode de réalisation préféré important est remarquable en ce que la. zone de deuxième type de conduction, affleuirant la surface, forme la zone de base d'un transistor bipolaire dont les 25 zones d'émetteur et de collecteur sont formées par la deuxième couche enterrée et par au moins une zone de surface de premier type de conduction, élaborée dans cette zone de hase. La concentration de'dopage de la zone affleurant la surface et ayant le deuxième type de conduction peut être pratiquement uniforme, 30 par exemple lorsque cette zone forme une partie d'une couche semiconductrice élaborée originalement de deuxième type de conduction, dopée uniformément. Souvent, par exemple lorsque la couche enterrée de deuxième type de conduction fsit office de zone de collecteur, il est avantageux lorscue, à partir de la surface, la concentration de dopage de la 35 zone affleurant la surface et ayant le deuxième type de conduction, diminue vers la deuxième couche enterrée, tandis que par exemple dans le cas inverse, c'est-à-dire lorsque la deuxième couche enterrée est utilisée comme zone d'émetteur, à partir de cette deuxième couche enterrée, la concentration de cette zone diminue vers la surface afin d'établir COPY 72 13006 6 2133692 dans la zone de base un profil de dopage aussi favorable que possible» Ces profils de dopage sont établis par exemple par des diffusions. Au besoin, ladite zone de surface, de premier type de conduction et appartenant au transistor bipolaire, peut être limitrophe de la 5 configuration de matériau isolant noyé, auquel cas une tolérance large est admise pour l'alignement nécessaire pour la fabrication de cette zone de surface. Pour tous les modes de réalisation cités, le deuxième îlot de premier type de conduction peut être utilisé avantageusement pour contac-10 ter le composant du premier îlot par l'intermédiaire de la deuxième couche enterrée de premier type de conduction. De préférence, afin de pouvoir élaborer un contact convenable sur la surface, la concentration de dopage d'une partie affleurant la surface et appartenant au deuxième îlot est rendue plus grande que dans la partie sous-jacente de cet îlot. 15 Ceci peut avoir lieu de manière connue, par ëxemple par l'élaboration d'une zone de surface fortement dopée de premier type de conduction dans le deuxième îlot, ou par le fait d'effectuer dans cet îlot une diffusion conduisant au premier type de conduction et couvrant l'entièreté de l'épaisseur de la couche semiconductrice. 20 Avantageusement, le corps semiconducteur est entièrement en silicium, alors que le matériau isolant noyé est au moins en partie de l'oxyde de silicium. Four de nombreuses applications, le matériau isolant noyé étant généralement obtenu par oxydation thermique locale du silicium, c'est un dispositif ainsi conçu qui est le plus avantageux. 25 L'importance du dispositif conforme à l'invention réside en particulier dans le fait que de manière très appropriée, le dispositif peut être combiné avec d'autres structures. De plus, une combinaison permettant d'élaborer dè manière simple des composants semiconducteurs à structures complémentaires dans un même circuit monolithique est très 30 intéressante dans la pratique. Dans cet ordre d'idées, un mode de réalisation préféré très important conforme à l'invention est remarquable en ce que, outre la première couche enterrée entre la région de premier type de conduction et 1a. couche semiconductrice, il existe une troisième couche enterrée de deuxième type de conduction, alors qu'une autre par-35 tie de cette couche semiconductrice est séparée quasi entièrement de ladite région de premier type de conduction et du reste de la couche semiconductrice par ladite troisième couche enterrée ainsi que par une partie appartenant à. la. configuration de matériau isolant noyé et se raccordant à cètte troisième couche enterrée, ladite partie de configura- 71 13006 7 2133692 tion comportant au moins un îlot qui est limité par la troisième couche enterrée et par la configuration et dans lequel est élaboré au moins en partie un composant semiconducteur dont la structure est complémentaire à celle du composant élaboré dans le premier îlot. 5 De préférence,. les première et troisième couches enterrées sont séparées l'une de l'autre, mais dans certaines circonstances elles peuvent être liées l'une à l'autre. Bien que cela ne soit pas indispensable, on choisira pour la configuration de matériau isolant noyé de préférence une structure telle 10 que la partie de configuration qui limite ladite autre partie appartienne à la partie de configuration, qui limite les premier et le deuxième îlots. De ce fait, le dispositif devient très compact. De préférence, une telle structure est conçue de façon qu'une partie appartenant à la configuration noyée, se raccordant à la troisiè-15 me couche enterrée et couvrant au maximum une partie de l'épaisseur de cette couche enterrée, divise l'autre partie de la couche semiconductrice en un troisième îlot dans lequel est élaboré au moins en partie l'élément semiconducteur à structure complémentaire, et un quatrième îlot de deuxième type de conduction. De plus, ce quatrième îlot peut servir à 20 réaliser le-contact avec ledit composant à structure complémentaire par l'intermédiaire de la troisième couche enterrée. Les composants semiconducteurs complémentaires sont par exemple des transistors à effet de champ à jonction p-n (junction PET) ou des transistors à effet de champ à électrode-porte isolée (IGFET). 25 D'autres éléments, par exemple des structures pnpn, entrent également en considération. Ce qui revêt une importance particulière, c'est le cas, survenant souvent, où les éléments semiconducteurs complémentaires sont des transistors bipolaires complémentaires. C'est pourquoi un autre mode de réalisation préféré important est remarquable en ce que le troisième 30 îlot comporte une zone de premier type de conduction, qui affleure la surface et dans laquelle est élaborée au moins une zone de surface de deuxième type de conduction, alors que la zone de premier type de conduction forme la zone de base d'un transistor bipolaire dont les zones d'émetteur et de collecteur sont formées par la troisième couche enter-35 rée et ladite zone de surface de deuxième type de conduction. Dans bon nombre de cas, on pourra constater qu'il n'est pas nécessaire de contacter les couches enterrées de deuxième type de conduction, ces couches enterrées pouvant ainsi être maintenues à un potentiel flottant. Dans certaines circonstances toutefois, il peut s'avérer 72 13006 8 2133692 intéressant de prévoir un conducteur de connexion pour la première couche enterrée et/ou pour la troisième couche enterrée. Ceci peut s'avérer indispensable surtout dans les cas où la première et/ou la troisième couche enterrée forme(nt) une zone active du composant semiconducteur. 5 Le dispositif conforme à l'invention peut en outre être combiné très avantageusement avec un ou plusieurs composants, par exemple des transistors bipolaires ou des transistors à effet de champ du circuit dont la région de substrat, de premier type de conduction constitue une zone active (commune). Par conséquent, un autre mode de réalisation impor-10 tant est remarquable en ce que la configuration de matériau isolant noyé limite également au moins un îlot appartenant à la couche semiconductrice, affleurant la surface et comportant une zone de deuxième type de conduction, affleurant la surface et limitée par la configuration noyée ainsi que par du matériau, de premier type de conduction,qui se raccorde â la 15 région de premier type de conduction, ladite zone de deuxième type de conduction ainsi que la région sous-jacente de premier type de conduction formant toutes les deux des zones actives d'un composant semiconducteur. Lors de la fabrication du dispositif préféré ainsi conçu, on 20 profite de l'avantage important que le fait d'élaborer, au cours d'une seule opération, la configuration de matériau isolant noyé au moins en partie, permet également la formation d'au moins une partie du masque de diffusion utilisé pour la fabrication des composants semi-conducteurs à zone commune. Lorsque ces composants sontides transistors bipolaires 25 verticaux, la diffusion de base de ces transistors ne nécessite l'enlèvement que des parties qui existent localement et qui appartiennent à la couche qui assure le masquage contre l'oxydation, ce qui ne nécessite qu'un seul alignement ne devant pas être trop précis. Afin d'obtenir alors une■-structure aussi compacte que possible, 50 on préfère généralement que la partie de configuration noyée qui limite l'îlot appartenant à la couche semiconductrice et se raccordant à la région da premier type de conduction, appartienne à 1a. partie de configuration noyée qui limite les îlots de la couche semiconductrice, situés au-dessus de la première ou de la troisième couche enterrée. Une struc-35 ture encore plus compacte peut alors être obtenue lorsque la configuration de matériau isolant noyé comporte un réseau cohérent qui limite un certain nombre d'îlots de la couche semiconductrice qui se raccordent à la région de premier type de conduction et dans lesquels sont élaborés des composants semiconducteurs comportant une zone commune qui entoure 72 13006 9 2133692 la- région sous-jacente de premier type de conduction. L'invention concerne également Tin procédé très efficaëe permettant la fabrication du dispositif décrit. Ce procédé a la particularité que sur ou dans une région de premier type de conduction, on éla-5 bore localement une première couche enterrée de deuxième type de conduction, que sur et en contact avec cette première couche on élabore une deuxième couche enterrée de premier type de conduction, entourée entièrement d'une partie de la première couche enterrée, que sur et en contact aiïec 1a. région de premier type de conduction et les couches 10 enterrées, on élabore, par voie d'épitaxie, une couche semiconductrice, et que par une oxydation locale au cours de laquelle on utilise une couche établissant un masquage contre oxydation, on oxyde la couche semiconductrice au moins sur une partie de son épaisseur, l'oxydation étant continuée jusqu'à ce que l'oxyde obtenu s'étende jusqu'à la par-15 tie de première couche enterrée entourant la deuxième couche enterrée, l'oxydation ne pénétrant au maximum que sur une partie de l'épaisseur de la deuxième couche enterrée, de sorte qu'il se forme les premier et deuxième îlots de la couche semiconductrice, après quoi on élabore des zones d'un composant semiconducteur dans le premier îlot. 20 II est avantageux lorsque pour mettre en oeuvre ce procédé, on part d'un substrat fortement dopé, de premier type de conduction, sur lequel se situe une couche épitaxiale de premier type de conduction moins fortement dopée que le substrat, et que la première couche enterrée est élaborée au moins principalement dans et de préférence sur la 25 totalité de l'épaisseur de ladite couche épitaxiale de premier type de conduction. L'isolation obtenue est optimale lorsqu'on élabore une deuxième couche enterrée de premier type de conduction pour laquelle la distance entre le bord de cette couche et le bord de la première couche enter- 30 rée est tellement petite que la partie appartenant à la. configuration d'oxyde noyé formé pendant l'oxydation et se raccordant à la partie de première couche enterrée entourant la deuxième couche enterrée, se raccorde également à la deuxième couche enterrée. Afin d'obtenir une surface aussi plane que possible, ce qui 35 est désiré particulièrement pour l'élaboration de la métallisation, au moins une des parties de la. couche semiconductrice non recouvertes de la couche de masquage, est décapée avant de procéder à l'oxydation. Dans ce cas, ce décapage a lieu généralement jusqu'à une profondeur telle que cette oxydation de la. partie décapée forme une configuration d'oxyde 72 13006 10 2133692 noyé dont la surface se situe pratiquement au niveau de la surface originale de la couche semiconductrice, du fait que l'oxyde occupe un volume plus grand que celui occupé par le matériau semiconducteur oxydé. Un mode de réalisation préféré très important du procédé con-5 forme à l'invention a la particularité que, simultanément avec la première couche enterrée, on élabore une troisième couche enterrée de deuxième type de conduction, située à côté de la première couche enterrée, que par oxydation locale, on forme également des troisième et quatrième îlots de la couche semiconductrice, raccordés entre eux par 10 la troisième couche enterrée, alors que pendant ou après l'élaboration de la première couche semi-conductrice, le fait d'introduire des activants dans le quatrième îlot, ce dernier acquiert le deuxième type de conduction, tandis que dans le troisième îlot, on élabore des zones d'un composant semiconducteur dont la structure est de préférence complémen-15 taire à celle du composant élaboré dans le premier îlot. De ce fait, dans un même circuit monolithique, on peut former des composants complémentaires qui sont isolés l'un par rapport à l'autre ainsi que par rapport au substrat, ces composants étant en particulier des transistors bipolaires. Une autre variante importante du procédé conforme à l'invention s'obtient lorsque, sous l'effet d'une oxydation locale, on élabore également un ou plusieurs îlots de la première couche semiconductrice qui se raccordent à la région sous-jacente de premier type de conduction, et que dans ces îlots, on élabore dés composants semiconducteurs 25 ayant au moins une zone de deuxième type de conduction, limitée par l'oxyde noyé et affleurant la surface. De préférence, on procède alors de façon que 1a, configuration d'oxyde noyé qui limite les îlots de la couche semiconductrice qui se raccordent à la région sous-jacente de premier type de conduction, forme un réseau cohérent qui est également 50 lié au reste de la configuration d'oxyde. De ce fait, par un nombre minimal d'opérations de masquage et d'a.lighement, on peut former par exemple à côté d'un transistor bipolaire isolé ou d'une paire de transistors isolés complémentaires et simultanément avec ce(s) transistor(s), un ou plusieurs transistors bipolaires ayant une zone de collecteur 35 commune. Un tel groupe dé transistors à zone commune, formés à l'aide d'une configuration de matériau isolant noyé, combinés ou non avec une structure .isolée entièrement par l'emploi dà cette configuration noyée, constitue en soi une partie électrique et technologique intéressante d'un circuit monolithique. 72 13006 n 2133692 La description suivante, en regard des dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée, La figure 1 est une vue en plan d'une partie d'un dispositif 5 conforme à l'invention. La figure 2 est une coupe transversale suivant le plan X-X sur la figure 1. Les figures 3 à 10 sont des coupes transversales suivant le plan X-X sur la figure 1 et illustrent le dispositif représenté sur les 10 figures 1 et 2 dans des stades successifs de sa fabrication. La figure 11 est une coupe transversale d'un autre dispositif conforme à l'invention. La figure 12 est une coupe transversale d'un dispositif conforme à l'invention, équipé de transistors à effet de champ complémen-15 taires. Toutes les figures sont schématiques et les dimensions ne sont pas reproduites à la même échelle. Généralement, les parties qui correspondent sur les différentes figures sont indiquées par les mêmes repères. Dans les coupes transversales, les zones semiconductrices 20 hachurées suivant la même direction ont généralement le même type de conduction. Sur la figure 1, les couches métalliques sont limitées par des pointillés, tandis que la configuration d'oxyde noyé est limitée par des traits pleins. Le dispositif représenté sur les figures 1 et 2 forme un 25 circuit intégré monolithique et comporte une région monocristalline (1, 2), de type de conduction n, formée par un substrat fortement dopé 1 en silicium de type de conduction n, présentant une résistivité de 0,01 Ohm.cm, et par une couche épitaxiale 2 élaborée-sur ce substrat et réalisée également en silicium de type de conduction n, cette couche 30 ayant une épaisseur de 8 microns et une résistivité de 0,6 Ohm.cm.Sur cette région (1,2), il se trouve une couche monocristalline 3 en silicium de type de conduction n, présentant une épaisseur de 3 microns et une résisitivité de 0,3 Ohm.cm; dans cette couche 3, on a élaboré un certain nombre de zones de différents types de conduction, la fonction 35 de ces zones étant traitée ci-après. Entre cette couche semiconductrice 3 d'une part et la région (1, 2) d'autre part se situe localement une première couche enterrée 4» de type de conduction ]3. Cette couche 4 se trouve principalement dans la couche épitaxiale 2. - 72 13006 12 2133692 Dans la couche semiconductrice 3 se situe également une configuration de matériau isolant noyé, formée dans ce cas par des régions noyées 5 en oxyde de silicium, qui, à partir de la surface 6, pénètrent pratiquement partout sur une même profondeur dans le corps semiconducteur. 5 En outre, une région de la couche semiconductrice 3 est séparée de la iégion (1,2) de type de conduction n et du re^te de la couche 3 par la première couche enterrée ainsi que par une partie 5A de la confi-giration d'oxyde 5» cette partie entourant entièrement ladite région et se raccordant à la couche enterrée 4- Dans cette région de la couche 10 semiconductrice, on a élaboré un transistor bipolaire npn dont la zone de base 7» de type de conduction p, affleure la surface 6 et dans laquelle est élaborée une zone de surface 8, de type de conduction n, qui constitue la zone d'émetteur. Conformément à l'invention, entre la première couche enterrée 15. 4 et la couche semicondudrice 3, il existe une deuxième couche enterrée 9, de type de conduction n, alors que par une partie 5B de la configuration d1 oxyde ladite région de la couche semiconductrice 3, entourée de la couche enterrée 4 et de l'oxyde 5-^, est divisée en un premier îlot I et en un deuxième îlot II de type de conduction n, ces îlots étant limi-20 trophes de la deuxième couche enterrée 9- De plus, la partie d'oxyde 5B est séparée de la première couche 4 par une partie de l'épaisseur de la deuxième couche enterrée 9» le premier îlot I comporte les zones déjà citées, à savoir la zone de la base 7 âe type de conduction j3. et la zone d'émetteur 8 de type de conduction n du transistor bipolaire npn dont la 25 zone de collecteur est formée par la couche enterrée 9 de type de conduction n, qui, par l'intermédiaire dalilot II de type de conduction n, peut être contactée à la surface 6. La jonction base-collecteur 10 du transistor est parallèle à la surface 6 et est limitée par la configuration d'oxyde noyé 5• Dans cet exemple, la deuxième couche enterrée 9 sépare 30 entièrement de la première couche enterrée 4 la couche semiconductrice 3• Le dispositif qui a été décrit jusqu'à présent ne se laisse pas uniquement fabriquer de aanière très simple, ce qui sera décrit plus en détail ci-après, mais offre également l'avantage important de pouvoir être combiné de manière très appropriée avec d'autres composants semiconduc-35 teurs dans un circuit intégré monolithique. Dans l'exemple traité ici {voir la figure 2), une troisième couche enterrée 11, de type de conduction ja, est élaborée à côté de la première couche enterrée 4- Une autre partie appartenant à la couche semi-conductrice 3 et située entre cette troisième couche enterrée 11 et la 72 13006 13 2133692 surface 6, est séparée entièrement de la région (1,2) de type de conduction n et du reste de la couche 3 par la troisième couche enterrée 11 ainsi que par une partie de 1a. configuration d'oxyde 5> cette partie entourant ladite autre partie, étant formée par les parties et 50 (voir 5 les figures 1, 2) et se raccordant à la couche 11. Ladite autre partie de la couche 3 comporte une zone de base 12, de type de conduction n ainsi qu'une zone d'émetteur 13, de type de conduction d'un transistor bipolaire pnp dont la zone de collecteur est formée par la couche enterrée 11. Far une partie 5D appartenant à la 10 configuration d'oxyde noyé-, se raccordant à la couche enterrée 11 et couvrant seulement une partie de l'épaisseur de cette couche 11, ladite autre partie de la couche 3 est divisée en des troisième et quatrième îlots III et IV. L'îlot III est occupé entièrement par la zone de base 12 de type de conduction n et la zone d'émetteur 13 de type de conduc-15 tion jd; par l'intermédiaire du quatrième îlot IV qui partout a le type de conduction £, il est possible de réaliser le contact avec la couche enterrée 11, servant de zone de collecteur. En réalisant la structure de la manière décrite ci-dessus, on a, de manière simple et de façon à obtenir une compacité convenable, réu-20 ni dans la même plaque semiconductrice deux transistors bipolaires de structures complémentaires,isolés aussi bien l'un par rapport à l'autre que par rapport à la région de substrat (1,2), alors que la direction suivie par le courant et allant de l'émetteur vers le collecteur, est transversale à la surface 6 pour les deux transistors, à l'opposé de ce 25 qui est le cas par exemple de combinaisons connues de transistors complémentaires formés par un transistor vertical isolé et un transistor latéral dont la région de substrat constitue la zone dà base. Bans la combinaison répondant à l'invention, les deux transistors ont la même conception, alors qu'en outre, on peut donner à des zones correspondan-30 tes de ceux-ci des concentrations de dopage comparables, à l'opposé de ce qui était le cas de nombreuses structures connues comportant des transistors complémentaires, (ou d'autres composants semiconducteurs). En outre, le dispositif décrit ici comporte un certain nombre de transistors à zone de collecteur commune, le dessin ne représentant 35 qu'un seul transistor entièrement et un autre transistor en partie. A cet effet, la configuration d'oxyde noyé comporte un réseau de régions d'oxyde noyé 5E qui entourent un certain nombre d'îlots V de la couche c'ë silicium 3, ces îlots V étant limitrophes de 1a. région (1,2) de type 72 13006 14 2133692 de conduction n. Ces îlots "V comportent chacun une zone 14, de type de conduction p, qui affleure la surface 6 et dans laquelle est élaborée une zone de surface 15, de type de conduction n. Les zones 14 sont limitées par l'oxyde noyé et constituent les zones de base des transistors pour 5 lesquels les zones 15 constituent les zones d'émetteur, tandis que la. zone de collecteur commune est formée par les régions 1 et 2, de type de conduction n. Ledit réseau de parties d'oxyde noyé comporte également une partie 5A qui appartient à l'isolation du transistor npn formé par (8, 7, 9). 10 Les zones 12, 13, 7» 8, 14 et 15, les îlots II et IV et le substrat 1 sont contactés par des couches métalliques 16 à 25. On conçoit aisément qu'au lieu d'une partie 5A, un tel réseau peut comporter une partie 50 de la configuration d'oxyde, cette partie appartenant $. l'isolation du transistor pnp formé par (13, 12, 11), ou 15 peut être également séparé entièrement de ces parties 5A et 5C de la configuration. Au besoin, les îlots limités par le réseau peuvent se raccorder à la région (1, 2) de type de conduction n par l'intermédiaire d'une couche enterrée intermédiaire de type de conduction n, élaborée par exemple simultanément avec la couche 9» Les transistors élaborés dans 20 ie réseau peuvent être aussi des transistors latéraux (à zone de base commune (1, 2) . Au besoin, parmi ces transistors, il peut se trouver au moins un transistor latéral et au moins un transistor vertical, la zone de base des transistors latéraux et la zone de collecteur des transistors verticaux étant interconnectées dans le circuit et formées par la 25 région (1,2), de type de conduction n. La structure décrite ne sert évidemment que d'exemple des nombreuses possibilités offertes par le dispositif conforme à l'invention. Parfois, la couche 4 est raccordée par exemple à la couche 11. Au lieu d'une région d'oxyde commune 5A entre les transistors (8, 7» 9) et (13» 30 12, 11), l'isolation par l'oxyde peut être établie par des parties de configuration d'oxyde séparées l'une de l'autre. Parfois, il se peut également que les couches enterrées 4 et 11, ainsi que les régions d'oxyde qui entourent les transistors isolés (8, 7» 9) et (13, 12, 11), comportent une ouverture ou une interruption 35 par l'intermédiaire de laquelle, par exemple à partir d'autres parties du corps semiconducteur, la fourniture d'une tension d'alimentation est possible, ou par l'intermédiaire de laquelle un composant est raccordé à d'autres parties-du circuit par une résistance formée par le matériau constituant la couche semiconductrice. 72 13006 15 2133692 On va décrire maintenant un procédé très pratique et simple permettant la fabrication du dispositif en question. On part (voir figure 5) d'une plaquette 1 en silicium de type de conduction n, présentant une résistivité de 0,01 Ohm.cm. Sur cette plaquette, il est possible de réaliser simultanément un grand nombre de dispositifs identiques; toutefois, la fabrication sera'décrite ici en référende de la partie d'un seul de ces dispositifs, montré dans les figures. Dans la surface de la plaquette 1, on diffuse maintenant localement du bore pour former ainsi les couches 4 et 11 de type de conduction et en utilisant un masque d'oxyde 26. Les couches 4 et 11 ont une résistance en couche (sheet résistance) d'environ 450 Ohms par carré et ne pénètrent que peu dans la plaquette 1 par suite de la forte concentration de dopage de celle-ci. Après 1'éloignement du masque d'oxyde 26, on élabore de manière connue par croissance épitaxiale sur la plaquette 1 une couche 2 en silicium de type de conduction n, présentant une résistivité de 0,6 Ohm.cm et une épaisseur de 8 microns, (voir la figure 4). Au cours de la croissance épitaxiale, à partir du substrat 1, les couches 4 et 11 diffusent pratiquement à travers la. totalité de l'épaisseur de la couche 2. ensuite, en utilisant un nouveau masque d'oxyde 27 (voir la figure 5), on diffuse de l'arsenic dans une partie de la couche 4 pour former ainsi une couche 9 de type de conduction n, la résistance en couche étant égale à 20 Ohms par carré, cette opération ayant lieu de façon que la couche 4 entoure entièrement la couche 9« Ensuite, le masque 27 ayant été éloigné, on forme une couche 3 en silicium de type de conduction n, ayant une résistivité de 0,3 Ohm., cm et une épaisseur de 3 microns, voir la figure 6. Ensuite, cette couche 3 est recouverte d'une couche 28 assurant un masquage contre l'oxydation, cette couche étant par exemple en nitrure de silicium. En mettant en oeuvre des procédés de décapage photolithographiques connus, on décape dans la couohe 28 quelques ouvertures, alors que le silicium, mis à découvert ainsi dans ces ouvertures, est décapé en partie jusqu'à une profondeur d'environ 1 micron, voir la figure 6. Pour tous les détails technioues concernant l'oxydation locale e-t le déca.page photolithographique de couches de nitrure assurant un masquage contre l'oxydation, on est prié de se référer à l'article de Appels et autres dans 1a. publication "Philips Research Reports", pages 118 et 132, parue en avril 1970. Ensuite, le silicium est oxydé a une température de 1000°C dans 72 13006 16 2133692 une atmosphère d'oxygène humide, l'oxydation étant continuée jusqu'à ce que la configuration d'oxyde obtenue 5 s'étende jusqu'aux couches 9 et 11 qui, au cours de la formation de la couche 3, sont diffusées quasi entièrement hors de la plaquette 1 dans les couches 2 et 3, mais seulement 5 sur une partie de l'épaisseur de la couche 9, de type de conduction n, voir la figure 7» la face supérieure de la configuration d'oxyde noyé 5 coïncide alors pratiquement avec la face supérieure de la couche 3> On obtient ainsi les îlots I à V de la couche semiconductrice 3. Ensuite, on élimine la couche de fiaasquage 28, alors que par 10 oxydation thermique, on élabore une couche d'oxyde 29 - voir la figure 8 - après quoi, sous l'effet d'une diffusion de bore pénétrant profondément, on donne à l'entièreté de l'îlot IV le type de conduction £. Ensuite, au-dessus de l'îlot III, on décape une ouverture dans la couche de masquage 29» alors qu'au—dessus des îlots X et V on éloigne entière-15 ment la couche 29, après quoi, sous l'effet d'une diffusion de bore pénétrant moins profondément, on élabore les zones 13, 7 et 14 de type de conduction ja, voir la figure 9* En ce qui concerne les diffusions précitées effectuées après l'oxydation, l'élaboration des zones 7 et 14 et l'inversion du type de 20 conduction de l'îlot IV nécessitent des opérations d'alignement pouvant être effectuées avec peu de précision, étant donné que l'oxyde noyé 5 déjà existant fait également office de masque de diffusion. A présent, on éloigne la couche de masquage 29, et d'une manière connue, on élabore sur l'entière surface une couche d'oxyde 30 par 25 une conversion thermique de silane (SiH^) et d'oxygène. Cette couche peut également être formée par oxydation thermique. Ladite couche est utilisée comme masque de diffusion pour élaborer, par une diffusion de phosphore, les zones 8 et 15 de type de conduction n et les régions de contact fortement dopées, de type de conduction n, situées sur la zone 30 de base 12 et l'îlot II, voir la figure 10. Après avoir décapé des fenêtres de contact et avoir déposé par évaporation les couches métalliques 16 à 25 (généralement en aluminium) ensuite décapées photolithographique-ment, on obtient la structure représentée sur les figures 1 et 2. Etant donné qu'à partir du substrat 1, la couche enterrée 4, 35 de type de conduction p, diffuse à travers la totalité de l'épaisseur de la couche 2 et même sur une partie de l'épaisseur de la couche 3, on peut se contenter d'une profondeur de pénétration relativement faible de l'oxyde 5» et éviter ainsi des durées d'oxydation excessivement longues, ce qui, du point de vue technologie, rend particulièrement intéressante cet 72 13006 17 2133692 te technique d'isolation à l'aide d'une combinaison d'une croissance épitaxiale sur une couche enterrée et d'une oxydation locale. En variante, la structure répondant aux figures 1 et 2 peut être obtenue également si au lieu d'une couche 3 de type de conduction 5 n, on forme épitaxialement une couche 3 de type de conduction £ sur la couche 2. On peut alors élaborer par exemple la configuration d'oxyde 5 sur la totalité de l'épaisseur de la couche 3» tandis que les diffusions peuvent être modifiées par exemple de façon qu'a.près l'oxydation, on forme d'abord la zone de base 12 de type de conduction n et l'îlot II de 10 type de conduction n, et ensuite, sous l'effet d'une diffusion n agissant moins profondément, les zones d'émetteur 8 et 15, cette opération étant suivie de l'élaboration d'un nouveau masque de diffusion pour former la zone d'émetteur 13 de type de conduction 35 et les régions de contact de base sur les îlots IV, I et V. Dans ce cas, les zones de base 7 et 14 15 peuvent être homogènes comme parties de la couche originale 3 de type de conduction p, tandis que la concentration de dopage de la zone 12 de la surface décroit vers la couche enterrée 1, a l'opposé du procédé déjà décrit suivant lequel le dopage de la zone de base 12 est pratiquement uniforme, et la concentration de dopage des zones 7 et 14 de la surface 20 diminue vers 1a. région 1. Beaucoup d'autres variantes sont encore possibles. On peut par exemple diffuser les couches enterrées 4 et 9 l'une après l'autre dans la surface de la couche épitaxiale 2 à travers le même masque de diffusion. Suivant un mode de réalisation important, la couche enterrée 4 ou 11, ou 25 les deux couches peut (peuvent) être contactées à la surface. Une telle structure est représentée en coupe transversale sur la figure 11, où. par exemple les régions 31, 33» 35» 37 et 39 ont le type de conduction n, et les régions 32, 34» 36 et 38 ont le type de conduction p. De cette façon, on obtient une combinaison formée par un transistor isolé npn (39» 38, 30 33) et une structure de thyristor isolé npnp (37» 36, 35» 34) très intéressante en soi, La. région de substrat 31» de type de conduction n, est dens ce cas simple et ne comporte pas de couche épitaxiale comme c'était le cas dans l'exemple précédent. Les parties de couche métallique 40, 4"! » 42 ferment, dans l'ordre, 1'émetJeur, la base et le collecteur du tran-55 sistor, tandis que les parties de couche métalliques 43 et 44 forment l'une la cathode et l'autre l'anode du thyristor pour lequel la couche métallique 45 sert d'électrode de commande. Dans cet exemple, la configuration d'oxyde noyé 46 comporte des parties 46A situées plus profondément, et des parties 46B situées moins profondément. Cette situation 72 13006 1 2133692 s'obtient par exemple soit du fait de recouvrir de la couche de masquage contre oxydation la surface semiconductrice occupée par la partie 4oB pendant une partie de la durée d'oxydation totale, et d'éloigner cette partie de la couche de masquage seulement dans un stade ultérieur du 5 traitement d'oxydation, soit du fait qu'à l'endroit de la région d'oxyde 46B, le silicium ne subit pas de décapage avant le traitement d'oxyda-tion, auquel cas la région 46B dépassera en partie le dessus de la surface semiconductrice. Dans cet exemple, on a utilisé une couche épitaxiale de type de conduction n sur laquelle on a élaboré une couche épita-10 xiale de type de conduction jd; les limites entre ces couches qui ensemble forment la couche semiconductrice monocristalline mentionnée dans le préambule, sont en partie indiquées par des pointillés. Les zones 35» 36 et 38 sont des parties de ces couches épitaxiales; les autres zones sont obtenues au moins principalement par diffusion. 15 Dans l'exemple se rapportant à la figure 11, la couche enter rée 34 est contactée à côté de la région d'oxyde 46A. Dans le dispositif représenté sur la figure 2, on pourrait, en analogie avec ce qui précède, contacter la couche enterrée 4 par exemple de la même façon, pour obtenir ainsi un composant-npnp (8, 7» 9» 4)> en procédant de la 20 sorte, on pourrait également omettre la zone 8 et utiliser comme transistor pnp la combinaison formée par les régions 7» 9 et 4. Encore une autre variante est illustrée par la figure 12 dans laquelle il s'agit d'une structure qui est analogue à celle se rapportant à la figure 2 et comportant les régions 51 » 54» 56 et 57 de type 25 de conduction n, et les régions 52, 53» 55 et 58 de type de conduction jd, mais dans laquelle les composants semiconducteurs sont des transistors à effet de champ à jonction complémentaires, un transistor à effet de champ npn à électrodes-portes 59 et 60, à zones d'électrodes-portes 54 et 56, à région de canal 55» et à source 61 et à drain 62, ainsi 30 qu'un transistor à. effet de champ pnp à électrodes-portes 63 et 64, à zones d'électrodes-portes 53 et 58, à région de canal 57» à source 65 et à drain 66. En principe, les types de conduction mentionnés à l'égard des exemples peuvent évidemment être remplacés par les types de conduction 35 opposés. De plus, au lieu d'une seule zone d'émetteur, les transistors décrits peuvent comporter plusieurs zones d'émetteur. Bien que l'invention soit décrite à l'aide de formes de réalisation et d'application déterminées, le technicien pourra en réaliser de nombreuses variantes sans sortir du cadre de l'invention. Il est 72 13006 19 2133692 possible par exemple d'utiliser d'autres matériaux semiconducteurs et des combinaisons de matériaux semiconducteurs, .alors que (voir la figure 2) la couche 3 peut être constituée par un matériau semiconducteur autre que celui constituant les régions 1 et 2. La configuration d'oxyde noyé 5 peut dépasser en partie la surface semiconductrice et peut au besoin être formée entièrement ou en partie par des matériaux autres que l'oxyde de silicium. Outre les composants décrits, le circuit peut comporter d'autres composants passifs (résistances, condensateurs) ou actifs. En outre, les transistors peuvent être utilisés en sens inverse, 10 ce pourquoi on utilise par exemple (voir la figure 2) la couche enterrée 9 comme zone d'émetteur, et la zone 8 comme zone de collecteur. Dans ce cas, il peut être opportun de faire en sorte qu'à partir de la couche 9, le dopage de la zone de base 7 diminue vers la surface . Outre d'être réalisé par diffusion à partir de l'atmosphère, le dopage des différen-15 tes régions peut également avoir lieu, entière ment ou en partie, par implantation d'ions, en utilisant comme masque le matériau isolant noyé, ou par diffusion à partir d'un oxyde dopé. A remarquer enfin que bien que dans les exemples, la partie (5®) appartenant à la configuration d'oxyde noyé et établissant la division en des premier et deuxième îlots 20 s'étende jusque dans la deuxième couche enterrée (9)» ceci n'est nullement indispensable, et que cette partie peut présenter line profondeur aussi faible à ne pas arriver jusqu'à ladite deuxième couche enterrée. 72 13006 20 2133692 REVBMDICATIONSi 1 « Dispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte une région de premier type de conduction, une couche semiconductrice située sur cette région et affleurant la surface du corps, au moins une 5 première couche enterrée de deuxième type de conduction, située localement entre ladite couche et la région précitée, ainsi qu'une configuration de matériau isolant noyé située au moins en partie dans la couche semiconductrice, alors qu'une région de cette couche est séparée de la région de premier type de conduction et du reste de ladite couche par la 10 première couche enterrée ainsi que par une partie appartenant à la configuration, se raccordant à la première couche enterrée et entourée quasi entièrement de cette région, un composant semiconducteur étant élaboré au moins en partie dans ladite région de la couche semiconductrice, caractérisé enxe qu'une deuxième couche enterrée de premier type de con-15 duction est située entre la première couche enterrée et la couche semi-conductrice, et qu'une partie qui appartient à la configuration de ma-térieu isolant noyé et qui de la première couche enterrée est séparée par au moins une partie de l'épaisseur de la deuxième couche enterrée, divise ladite région de la couche semiconductrice en au moins un premier îlot 20 dans lequel le composant semiconducteur est élaboré au moins en partie, et en un deuxième îlot de premier type de conduction, ces deux zones étant limitrophes de la deuxième couche enterrée. 2. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau isolant noyé est un oxyde bbtenu par oxydation lo- 25 cale du matériau semiconducteur, et pénètre, à partir de la surface, pratiquement partout sur une même profondeur dans le matériau semiconducteur» 3. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1 ou 2, carac* térisé en ce que le composant semiconducteur comporte au moins une jonction p-n ayant une partie qui est quasi parallèle à la surface et qui 30 est limitée par le matériau isolant noyé. 4. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la deuxième couche enterrée sépare la couche semiconductrice entièrement de la première couche enterrée. 5. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 35 4» caractérisé en ce que la région de premier type de conduction est formée par un substrat fortement dopé de premier type de conduction et par line couche épitaxiale de premier type de conduction, élaborée sur ce substrat et dans laquelle se situe au moins principalement la première couche enterrée. 72 13006 21 -4- 2133692 6. Dispositif semiconducteur selon l-'une des revendications 1 à 5» caractérisé en ce que le premier îlot comporte une zone de deuxième type de conduction, affleurant la surface. 7. Dispositif semiconducteur selon la revendication 6, caractéri-5 se en ce que la zone de deuxième type de conduction affleurant la surface, forme la zone de base d'un transistor bipolaire dont les zones d'émetteur et de collecteur sont formées par la deuxième couche enterrée et par au moins une zone de surface de premier type de conduction, élaborée dans cette zone de base. 10 8. Dispositif semiconducteur selon 1a. revendication 6 ou 7» carac térisé en ce que la concentration de dopage de la zone affleurant la surface et ayant le deuxième type de conduction, est pratiquement uni-f orme. 9. Dispositif semiconducteur selon la revendication 6 ou J, cara.c-15 térisé en ce qu'à partir de la surface, la concentration de dopage de la zone affleurant la surface et ayant le deuxième type de conduction diminue vers la deuxième couche enterrée. 10. Dispositif semiconducteur selon la revendication 6 ou 7» caractérisé en ce qu'à partir de la deuxième couche enterrée, la concen- 20 tration de dopage de 1a. zone affleurant la surface et ayant le deuxième type de conduction diminue vers la. surface. 11. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que la concentration de dopage d'une partie affleurant la surface et appartenant au deuxième^îlot est plus grande que dans 25 la partie sous-jacente de cet îlot. 12. Dispositif semiconducèeur selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce eue le corps semiconducteur est en silicium, alors que le matériau isolant noyé est au moins en partie de l'oxyde de silicium. 30 13. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que, outre la première couche enterrée entre la région de premier type de conduction et la couche semiconductrice, il existe une troisième couche enterrée de deuxième type de conduction, alors cu'une autre partie de cette couche semiconductrice est séparée 35 quasi entièrement de ladite région de premier type de conduction et du reste de la couche semiconductrice par ladite troisième couche enterrée ainsi que par une partie appartenant à la configuration de matéria.u isolant noyé et se raccordant à cette troisième couche enterrée, ladite partie de configuration comportant au moins un îlot qui est limité par la 72 13006 22 2133692 troisième couche enterrée et par la configuration et dans lequel est élaboré au moins en partie un composant semiconducteur dont la structure est complémentaire à celle du composant élaboré dans le premier îlot. 14» Dispositif semiconducteur selon la revendication 13, caractéri- 5 sé en ce que la partie de configuration qui limite ladite autre partie appartient à la partie de configuration qui limite les premier et deuxième îlots. 15, . Dispositif semiconducteur selon la revendication 13 ou 14» caractérisé en ce qu'une partie appartenant à la configuration noyée, 10 se raccordant à la troisième couche enterrée et couvrant au maximum une partie de l'épaisseur de cette couche enterrée, divise l'autre partie de la couche semiconductrice en un troisième îlot dans lequel est élaboré au moins en partie l'élément semiconducteur à structure complémentaire, et en.un quatrième îlot de deuxième type de conduction. 15 16. Dispositif semiconducteur selon la revendication 15> caracté risé en ce que le troisième îlot; comporte une zone de premier type de conduction, qui affleure la surface et dans laquelle est élaborée au moins une zone de surface de deuxième type de conduction, alors que la zone de premier type de conduction forme la zone de base d'un transistor 20 bipolaire dont les zones d'émetteur et de collecteur sont formées par la troisième couche enterrée et ladite zone de surface de deuxième type de conduction. 17» Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que la première couche enterrée et/ou la troisième 25 couche enterrée de deuxième type de conduction, est (sont) munie(s) d'un conducteur de connexion. 18. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 17, caractérisé en ce que la configuration de matériau isolant noyé limite également au moins un îlot appartenant à la couche semiconduc- 30 trice, affleurant la surface et comportant une zone de deuxième type de conduction, affleurant la surface et limitée par la configuration noyée ainsi que par du matériau, de premier type de conduction, qui se raccorde à la région de premier type de conduction, ladite zone de deuxième type de conduction ainsi que la région sous-jacente de premier type 35 de conduction formant toutes les deux des zones actives d'un composant semiconductèur. 19. Dispositif semiconducteur selon la revendication 18, caractérisé en ce que la partie de configuration noyée qui limite l'îlot appartenant à la couche semiconductrice et se raccordant à la région de premier 72 13006 23 2133692 type de conduction, appartient à la partie de configuration noyée qui limite les îlots de la couche semiconductrice, situés au-dessus de la première ou de la troisième couche enterrée. 20. Dispositif semiconducteur selon la revendication 18 ou 19, 5 caractérisé en ce que la configuration de matériau isolant noyé comporte un réseau cohérent qui limite un certain nombre d'îlots de la couche semiconductrice qui se raccordent à la région de premier type de conduction et dans lesquels sont élaborés des composants semiconducteurs comportant une zone commune qui entoure la région sous-jacente de pre-10 mier type de conduction. 21. Procédé permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 20, caractérisé en ce que sur ou dans une région de premier type de conduction, on élabore localement une première couche enterrée de.deuxième type de conduction, que sur 15 et en contact avec cette première couche on élabore une deuxième couche enterrée de premier type de conduction, entourée entièrement d'une partie de la première couche enterrée, que sur et en contact a.vec la région de premier type de conduction et les couches enterrées, on élabore, par voie d'épitaxie, une couche semiconductrice, et que par une oxydation 20 locale au cours de laquelle on utilise une couche établissant m masquage contre oxydation, on oxyde la couche semiconductrice au moins sur une partie de son épaisseur, l'oxydation étant continuée jusqu'à ce que l'oxyde obtenu s'étende jusqu'à la partie de première couche enterrée entsurant la deuxième couche enterrée, l'oxydation ne pénétrant au maxi-25 mum que sur une partie de l'épaisseur de 1a. deuxième couche enterrée, de sorte qu'il se forme les premier et deuxième îlots de la couche semi-conductrice, après quoi on élabore des zohes d'un composant semiconducteur dans le premier îlot. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que l'on 30 part d'un substrat fortement dopé, de premier type de conduction, sur lequel se situe une couche épitaxiale de premier type de conduction moins fortement dopée que le substrat, et aue la première couche enterrée est élaborée au moins principalement dans et de préférence sur la totalité de l'épaisseur de ladite couche épitaxiale de premier type de 35 conduction. 23. Procédé selon la revendication 21 ou 22, caractérisé en ce r qu'on élabore une deuxième couche enterrée de premier type de conduction, pour laquelle la distance entre le bord de cette couche et le bord de la première couche enterrée est tellement petite que la partie appar 72 13006 24 2133692 tenant à la configuration d'oxyde noyé formé pendant l'oxydation et se raccordant à la partie de première couche enterrée entourant la deuxième couche enterrée, se raccorde également à la deuxième couche enterrée. 24. Procédé selon l'une des revendicationS21 à 23, caractérisé 5 en ce qu'avant de procéder à l'oxydation, on décape au moins une des parties de la couche semiconductrice, non recouvertes de la couche de ma squage. 25. Procédé selon l'une des revendications21 à 24» caractérisé en ce que, simultanément avec la première couche enterrée, on élabore 10 une troisième couche enterrée de deuxième type de conduction, située à côté delà première couche enterrée, que par oxydation locale, on forme également des troisième et quatrième îlots de la couche semiconductrice, raccordés entre eux par la troisième couche enterrée, alors que pendant ou après l'élaboration de la première couche semi-conductrice, le fait 15 d'introduire des activants dans le quatrième îlot, ce dernier acquiert le deuxième type de conduction, tandis que dans le troisième îlot, on élabore des zones d'un composant semiconducteur dont la structure est' de préférence complémentaire a celle du composant élaboré dans le premier îlot. 20 26. Procédé selon l'une des revendications 21 à 25, caractérisé en ce que sous l'effet d'une oxydation locale, on élabore également un ou plusieurs îlots de la première couche semiconductrice qui se raccordent à la région sous-jacente de premier type de conduction, et que dans ces îlotSj on élabore des composants semiconducteurs ayant au moins 25 une zone de deuxième type de conduction, limitée par l'oxyde noyé et affleurant la surface. 27. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la configuration d'oxyde noyé qui limite les îlots de la couche semiconductrice qui se raccordent à la région sous-jacente de premier type de 30 conduction, forme Tin réseau cohérent qui est également lié au reste de la configuration d'oxyde.