Brevet FR2131978A1 — publié le 19721117

La présente invention concerne des structures de circuits intégrés semiconducteurs monolithiques et, plus particulièrement, des structures du type contenant plusieurs ci cuits séparables dont au moins un peut être sélectivement utilisable si ces circuits satisfont les critères des spécifications de fonctionnement. Avec la microminiaturisation toujours plus grande des circuits semiconducteurs intégrés, qui s'accompagne d'une augmentation de la densité de ces circuits, le prix de revient de chaque bloc augmente très rapidement. En outre, il y a augmentation de la probabilité des défauts en cours de traitement, ce qui rend le circuit du bloc inutilisable. En conséquence, l'intégration à grande échelle pose en même temps le problème d'un faible rendement dans la fabrication des ci cuits intégrés semiconducteurs. Par suite de ce problème, dans l'art antérieur on a recherché des structures et des méthodes par lesquelles les défauts dans une portion du petit bloc ne seraient pas 15 nécessairement fatales à tout le bloc, faisant en sorte que la portion non endommagée des circuits du bloc puisse être récupérée et utilisée. Une approche de ce type implique 1'agencement des dispositifs sur le bloc suivant plusieurs circuits distincts et séparables. Chacun de ces circuits occupe une position donnée sur le bloc. Avec cet agencement, le but réside dans le 20 fait de pouvoir utiliser des circuits séparables sans défauts dans le cas où un défaut du bloc rendrait un ou plusieurs circuits inutilisables. Avec ces circuits distincts et séparables, il s'est avéré qu'il n'est pas très pratique , du point de vue de la fabrication, d'essayer de former une structure dans laquelle fies circuits discrets sont complètement et totale-2^ ment isolés les uns des autresj c'est-à-dire, ces circuits n'ont pas de région ou de métallisation en commun. Il est beaucoup plus pratique d'utiliser des structures de blocs dans lesquelles les circuits discrets ont certaines régions en commun, par exemple, le substrat du bloc sur lequel est formée la couche épitaxiale, la région d'isolement ou le corps de la couche épita-xiale même. Oe même, une partie de la métallisation, telle que la métallisation à partir d'une ou de plusieurs sources de tension, doit être commune à quelques uns des circuits distincts de manière à obtenir une utilisation maximale de la zone de surface du bloc. Cependant, dans des structures de blocs de ce type, il se pose le problème qui consiste à s'assurer que les 35 régions communes ou la métallisation commune partagées par les circuits séparables fonctionnels et non fonctionnels, n'affectent pas la performance des circuits fonctionnels durant l'usage sélectif de ces circuits fonctionnels pendant le fonctionnement du bloc. En conséquence, l'objet fondamental de la présente invention consiste à fournir un procédé pour tester le pouvoir fonctionnel de plusieurs circuits 40 72 06393 2 2131978 distincts dans une structura de bloc de circuits semiconducteurs intégrés, procédé qui assura que certains circuits distincts défectueux ne rende pas inefficace le fonctionnement des circuits distincts alors bons. Un autre objet de la présenta invention consiste à fournir un procédé 5 pour tester le pouvoir de fonctionnement des blocs ayant plusieurs circuits distincts, où lesdits circuits distincts comprennent des régions communes, ledit procédé de test déterminant les effets des circuits défectueux sur las bons circuits. Un autre objet.de la présente invention consiste à fournir un procédé 10 pour tester des blocs de circuits intégrés contenant plusieurs circuits distincts et séparables ayant des régions communes, procédé qui puisse détecter les circuits défectueux et déterminer alors si ces défauts vont influencer les circuits n'ayant pas de défauts. Un autre objet de la présente invention consiste à fournir un procédé 15 de test qui par rapport à l'objet ci-dessus, qui va déterminer si l'influence des défauts dans les circuits défectueux est suffisante pour rendre les bons circuits inutilisables. La présente invention concerne un procédé pour tester le pouvoir de fonctionnement de blocs de circuits intégrés ayant plusieurs circuits distincts 20 et séparables. Bien que les circuits soient séparables, ils se partagent habituellement des régions communes de type de conductivité déterminée ainsi que des métallisations communes. Par exemple, le bloc de circuits intégrés classique comprend un substrat ayant un premier type de conductivité et une couche épitaxiale ayant un autre type de conductivité recouvrant ledit 25 substrat. Les régions d'isolement dudit premier type de conductivité passent à travers la couche épitaxiale pour atteindre ledit substrat afin de former des régions d'isol8ment en combinaison avec ledit substrat. Ainsi, dans tous les blocs de circuits intégrés du type décrit, la région d'isolement ou le corps épitaxial lui-même va être commun à toutes les portions du bloc 30 et va s'étendre à toutes les portions dudit bloc. Les circuits distincts ou séparables du bloc nécessitent chacun l'application de plusieurs niveaux de tension de manière à pouvoir fonctionner. Comme cela sera expliqué par la suite de façon plus détaillée, seuls les circuits du bloc trouvé fonctionnel peuvent fonctionner lorsque le bloc 35 est monté sur son support en céramique. Ceci est accompli par l'inclusion, dans chacun des moyens de circuit, d'une configuration de métallisation afin de recevoir et répartir sélectivement et indépendamment une desdites sources de tension. Le reste desdites sources de tension est appliqué à tous les circuits séparables. Ainsi, seuls les circuits trouvés être fonc-4° tionnels (bons circuits) vont recevoir toutes les sources de tension néces 72 06393 3 2131978 saires pour rendre les circuits actifs. Lesdites sources de tension ne vont pas être aopliquées sélectivement aux circuits séparables trouvés non fonctionnels (mauvais circuits). Lors du test pour déterminer le Douvoir de fonctionnement des circuits 5 du bloc, tous les circuits distincts sont tout d'abord soumis à des tests de performance classiques qui sont bien connus dans l'art pour déterminer si les circuits peuvent ou non remplir la fonction pour laquelle ils ont été destinés. Ces tests de performance ou fonctionnels déterminent quels sont les circuits distincts du bloc reconnus "bons" et quels sont les circuits 10 reconnus "mauvais". Ensuite, il va être réalisé un test qui va déterminer si l'un quelconque des mauvais circuits du bloc va ou non rendre tout le bloc inutilisable. Etant donné que la pluralité des sources de tension appliquées à chacun des circuits est en fait appliquée aux régions desdits circuits, la source de tension qui est sélectivement appliquée uniquement aux bons 15 circuits est appliquée, parmi d'autres régions, à une région du bon circuit qui est commune au mauvais circuit. Ainsi, chacun des mauvais circuits va avoir une région, la région commune, audit niveau de tension. Cependant, étant donné que ledit niveau de tension nécessaire à rendre le circuit utilisable ne va pas être aoplioué au moyen de réception et de réoartition dans 20 lesdits mauvais circuits, ledit niveau de tension ne va pas être réparti sur toutes les autres régions des mauvais circuits nécessaires pour rendre les circuits utilisables. Par ailleurs, si, dans le mauvais circuit, il y a un court-circuit entre la région commune qui se trouve audit niveau de tension et le moyen, de réception et de répartition dudit niveau de 25 tension, c'est-f-dire pratiquement la configuration de métallisation, dans ledit mauvais circuit, ledit mauvais circuit va être rendu actif et le reste des bons circuits du bloc va être affecté et probablement rendu inutilisable. Dans le procédé de la présente invention, chacun des mauvais circuits est testé pour s'assurer qu'il n'y a pas de court-circuits dans ces mauvais 30 circuits entre la région commune audit niveau de tension et le moyen de réception et de répartition dudit niveau de tension dans les mauvais circuits. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. 35 |_a figure 1 représente une vue en élévation de la surface planaire d'un bloc de circuits intégrés ayant deux circuits basculeurs séoarables en courant alternatif et oui doivent être testés conformément au procédé de la présente invention. La figure montre la configuration de métallisation du bloc ainsi que les régions diffusées formant les dispesitifs actifs et passifs dans 40 chacun des circuits séparables. La figure représente également en traits 72 06393 4 2131978 mixtes, la métallisation ou les bandes conductrices sur la surface du module (non représenté) Dar où les trois sources de tension de niveau différent sont appliquées aux bornes de contact du bloc. La figure 2A représente une vue plus détaillée de la moitié supérieure de 5 la surface planaire de la figure 1 montrant un desdits circuits basculeurs en courant alternatif. La figure 2B représente une vue plus détaillée de la moitié inférieure de la surface planaire de la figure 1 montrant les autres circuits basculeurs en courant alternatif. 10 La fligure 3 représente une vue en coupe faite le long de la ligne 3-3 de la figure 2A. La figure 1 représente une vue en élévation d'un bloc de circuits intégrés qui possède deux circuits distincts et séparables, des circuits basculeurs en courant alternatif. Une appréciation de la structure de ce bloc aiderait 15 à mieux comprendre les problèmes rencontrés par le procédé de test de la présente invention. La figure 1 représente la configuration de métallisation ainsi que toutes les régions diffusées qui s'étendent à partir de la surface planaire du bloc. Les régions du bloc sont de préférence formées par diffusion en utilisant des procédés classiques, et la couche d'isolement sur la surface 20 planaire ainsi que la configucation de métallisation sur la couche d'isolement peuvent être appliquées de façon classique. Le bloc de circuit intégré est fabriqué par exemple suivant les procédés connus décrits dans le brevet français 1 580 199. La configuration de la métallisation sur la surface planaire du bloc est séparée fJu bloc proprement dit par une couche de matériau 25 isolant tel que du bioxyde de silicium. Comme cela sera mis en évidence par la suite, la configuration de métallisation est sélectivement connectée aux régions du bloc proprement dit au moyen de contacts électriques traversant les ouvertures, ou orifices, faites dans la couche isolante. Outre le fait d'interconnecter différentes régions des dispositifs dans le bloc, la confi-30 guration de métallisation sert à répartir dans le bloc les niveaux de tension provenant de trois sources de tension différentes. Le bloc doit être fixé sur une configuration de bandes conductrices imprimées, correspondant aux positions des bornes de contacts du bloc et qui placées sur la surface du support en céramique (non représenté). Le 35 bloc est monté sur le support de la manière décrite dans le brevet français mentionné ci-dessus. Les pattes peuvent être connectée aux bandes conductrices et au support en céramique de la manière décrite dans le brevet français n° 1 463 565. Les trois sources de tension appliquées au bloc sont représentées par 40 VD +V, et -V. Elles sont aopliquées par les bandes conductrices de la KeT 72 06393 5 2131978 surface du support en céramique ou module [non représenté). Les bandes conductrices du module fournissant les sources de tension sont représentées sur la figure 1 Dar des traits mixtes. La bande conductrice 10 s'aDDlique à la source de tension V_ „ connectée à la borne 11 du bloc. La source de Ref 5 tension V_ . appliquée à la borne 11 s'applique aux deux circuits basculeurs Re+ en courant alternatif qui occupent respectivement les moitiés inférieure et supérieure du bloc. Pour plus de facilité, les dispositifs diffusés dans la moitié supérieure du bloc peuvent être considérés comme formant un circuit basculeur en courant alternatif tandis oue les dispositifs dans la moitié 10 inférieure du bloc forment l'autre circuit basculeur en courant alternatif. En se reportant aux figures 1 et 2B, la borne 11 de la source de tension a sa tension répartie sur le circuit basculeur en courant alternatif inférieur de la façon suivante: segment de métallisation 12 au moyen du contact 13 pour atteindre la résistance de passage inférieur R1 qui comprend 15 la diffusion de passage inférieur N+ 14 dans le lit N 15 entouré par l'isolement P+ 16. La résistance de passage inférieur R1 est connectée à'la ligne de métallisation 17 par le contact 18. La ligne 17 est connectée à la région base du transistor T1 par les contacts 19. En se reportant aux figures 1 et 2A, la source de tension Vp à partir de la borne 11 est connectée aux 20 circuit basculeur en courant alternatif supérieur au moyen de la ligne de métallisation 20 qui est connectée à la résistance de passage inférieur R2 sont la structure est semblable à celle de la résistance R1, par le contact 21. La résistance R2 est connectée à la ligne de métallisation 22 qui, à son tour, est connectée au transistor T2 par les contacts 23. Le transistor 25 J2 dans le circuit basculeur supérieur en courant alternatif est l'équivalent fonctionnel du transistor T1 dans le circuit inférieur. La structure du transistor T2 peut être mieux observée sur la figure 2A aui représente une vue agrandie du circuit basculeur supérieur en courant alternatif. Elle comprend une région-collecteur N 24, une région-base P 25 et une région-30 émetteur N+ 26. En se reportant à nouveau aux figures 1 et 2A, la source de tension +V appliquée par la bande conductrice 27 du module est connectée à la borne externe 28 du bloc ainsi qu'aux bornes 29 et 30. La source de tension +V appliquée à ces trois bornes est répartie sur les circuits basculeurs en 35 courant alternatif supérieur ainsi qu'inférieur. Par exemple, la source +V provenant de la borne 28 est connectée par le segment de métallisation 31 à la résistance R3 connectée à la lipne 32 oui est appliquée au collecteur du transistor T2 par les orifices de contact 33. Un niveau de tension +V semblable (figure 2B) est appliqué au transistor équivalent T1 dans le circuit basculeur en courant alternatif inférieur par la ligne de métallisation 34 72 06393 3 ?131978 à partir de la Dorne 30 de la source de tension +V. Tandis cua l«s sources de tension V_ „ et +V sont aoDlir;uées sur les Ref deux circuits basculeurs en courant alternatif supérieur et inférieur, par un système de répartition de tension commun, une des sources de tension, 5 la source -V, oeut être sélectivement appliquée soit au circuit basculeur en courant alternatif inférieur, soit au circuit basculeur en courant alternatif supérieur, soit sur les deux, au moyen de deux systèmes de rénartition de tension -V, c'est-à-dire, les configurations de métallisation de rénartition --V rui ne sont pas connectées entre elles. 10 La source de tension -V est appliquée au bloc par la configuration de bande conductrice 35 sur la surface du module. La bande 35 peut être sélectivement connectée aux bornes de répartition -V, 36 et 37. Si le circuit basculeur en courant alternatif supérieur doit être actionné, la bande 35 du module est connectée à la borne 36 en formant l'extension de bande 38. 15 De même, si le circuit basculeur en courant alternatif inférieur doit être actionné, l'extension de bande 39 est formée sur la surface du module connectant la bande 35 à la borne -V, 37. L'élimination de l'une ou l'autre des extension de bande 38 ou 39 va respectivement éliminer du bloc le circuit basculeur supérieur ou le circuit basculeur inférieur. En outre, la bande 20 35 connecte la source de tension -V à la région d'isolement P+ commune 45 qui est commune aux deux circuits basculeurs en courant alternatif au moyen du contact 41 connecté à l'extension de bande 42 au moyen de la borne 55. Ainsi, la région d'isolement P+ commune a un potentiel -V. De manière à mieux comprendre la structure de circuit intégré de la 25 figure 1, il va maintenant être considéré brièvement la structure en coupe des dispositifs types apparaissant dans le circuit intégré. La vue en coupe de la figure 3 faite suivant les lignes 3-3 de la figure 2A est faite de manière à montrer des exemples de différents dispositifs dans le bloc. Le bloc comprend un substrat P- 43 et une couche épitaxiale N 44 formée sur 30 le substrat P-. Les régions d'isolement P+ 45 se prolongent au travers de la couche épitaxiale 44 pour atteindre le substrat 43 afin de former avec le substrat 43 les r.oches d'isolement de tyoe P. Cet isolement de type P, ainsi que le ccuche épitaxiale 44, sont des régions communes aux deux circuits basculeurs en courant alternatif supérieur et inférieur. Le transistor T3 35 est un transistor tyoe. Il contient une région sous-collecteur N+ enterrée 46, et une région-collecteur N 47 qui est effectivenent une portion de la couche épitaxiale 44, une région-base P 48 et une région-émetteur N+ 49. En revenant maintenant à la description du système de répartition des sources de tension -V, en regard des figures 1 et 2A et 2B, chacun des deux 40 circuits basculeurs en courant alternatif a un système de répartition de 72 06393 7 2131978 tension -V séDaré. Le conducteur ou bus de métallisation 50 connecté à la borne 36 effectue la répartition de la source -V sur le circuit basculeur en courant alternatif suDérieur tandis que le bus périphérique 51 connecté à la borne 37 répartit la source -V sur le circuit basculeur en courant 5 alternatif inférieur. Un réseau de résistance comorenant 20 résistances, représenté de façon tyoe par les résistances R10, R11, R12, R13, R14 et R15, placées sur la périphérie du bloc, fournit le moyen par lequel la source de tension -V portée par les bus 50 et 51 peut être répartie sur les portions inférieures du bloc. Ce réseau de résistances assure des trajets de résis-10 tance fixes à partir de ces bus -V périphériques, qui se croisent sous la métallisation de surface en ayant des niveaux de tension différents. La structure de cette résistance est représentée sur les figures 2A et 3 en prenant comme exemple la résistance périphérique R12j elle comprend une région de type P 52 qui joue le rôle de trajet de résistance connecté 15 au bus périphérique 50 par le contact 53. L'autre extrémité de la région de type P 52 est connectée au segment de métallisation -V 54 oar le contact 62. Le segment de métallisation 54 est connecté à l'émetteur du transistor T3 et il fournit un niveau de tension -V. De cette façon, la résistance R12 assure un trajet inférieur, ou croisement inférieur, à la source de 20 tension -V. Il est à noter que, en général, aucune des borne du bloc, par exemole les bornes 36, 37, 21 ou 30, n'est en contact direct au substrat semiconducteur immédiatement au-dessous de la borne. Au contraire, les bornes sont connectées à la métallisation, par exemple, aux bus 50 et 51 et au segment 25 de métallisation 31 ces derniers sont, à leur tour, connectés aux zones de contact formées avec des régions du substrat. La borne 55 est une exception. L'extension de bande 42, qui applique la source -V à la région d'isolement P+ du substrat, vient en contact avec la borne 55 qui, à son tour, applique la source de tension -V à la région d'isolement P+ au moyen du contact 41. 30 Etant donné que la source de tension -V est la seule source qui puisse être indéoendamment appliquée à l'un ou l'autre des circuits basculeurs en courant alternatif, l'application de cette source -V à l'un de ces circuits ou aux deux va déterminer lequel des deux circuits est rendu utilisable. Comme cela a été mentionné préalablement, si le test fonctionnel type indique 35 d'un des deux circuits en courant alternatif contient des défectuosités qui vont le rendre non fonctionnel, la source de tension -V à partir de la bande 35 du module va être aoDliquée uniquement à la borne -V [36 ou 37) du bon circuit basculeur en courant alternatif. Par exemple, si l'on suppose que le circuit basculeur en courant alternatif inférieur ne répond 40 pas de façon satisfaisante au test relatif à son pouvoir fonctionnel, l'ex 72 06393 a 2131978 tension de bande 39 (figures 1 et 2B] n'est pas formée et la borne 37 reste non connectée à la source de tension -V. Par ailleurs, la borne 36 est connectée à la source de tension -V au moyen de l'extension de bande 38. En conséquence, le circuit basculeur en courant alternatif inférieur n'a pas la source de 5 tension -V nécessaire pour le rendre utilisable et il doit rester inutilisé durant le fonctionnement du circuit basculeur en courant alternatif dans la moitié supérieure du bloc. Le circuit basculeur en courant alternatif inférieur défectueux ne doit pas interférer dans le fonctionnement normal du circuit basculeur supérieur pourvu que le bus périphérique 51 du circuit 10 basculeur en courant alternatif inférieur ne reçoive pas de tension de la source -V. Cependant, étant donné que la région d'isolement P+ 45 est commune aux deux moitiés du bloc, il y a une forte chance que le bus 51 ou toute autre métallisation dans le système de répartition de tension -V dans le circuit basculeur en courant alternatif inférieur ou mauvais, se fasse court-15 circuiter par la région d'isolement P+ sous-jacente 45. Ce cas est aggravé du fait que le bus 51 suit le contour du bloc comme le fait le région d'isolement P+ 45. En se reportant à la figure 3, il est à noter qu'il y a une nette possibilité pour qu'un défaut de contour, tel qu'une dent ou un pli, interrompe 20 la couche d'isolement 56 sur le contour du bloc et de ce fait, court-circuite la région d'isolement P+ sur le bus supérieur de la métallisation de répartition de -V. Ce court-circuit appliquerait le niveau de tension -V de la région P+ 45 au bus 51 rendant par là le circuit basculeur en courant alternatif inférieur, jusqu'alors utilisable mauvais. Ceci, à son tour, rendrait 25 probablement le bon circuit basculeur en courant alternatif supérieur inefficace en l'interconnectant à ce mauvais circuit basculeur. Il est donc impératif pour la réalisation pratique du procédé de test de la présente invention, d'avoir un procédé de test au moyen duquel peuvent être détectés les court-circuits apparaissant entre la région commune P+ 3D et la métallisation de répartition -V dans le mauvais circuit basculeur en courant alternatif. En considérant maintenant le processus de test auquel le bloc de la figure 1 est soumis, des tests de performance classiques sont faits sur le circuit basculeur en courant alternatif supérieur et le circuit basculeur 35 en courant alternatif inférieur. Ces tests de performance classiques sont bien connus dans l'art et sont décrits par exemple dans le texte "Integrated Circuit Engineering-Basic Technology" édité par Integrated Circuit Engineering Corporation, Phoenix, Arizona, Glen R. Madland et al., Boston Technical Publishers, Inc., 1966, 4ième édition, pages 134-138. Ces tests de performance 40 fondamentale déterminent le pouvoir de chacun des deux circuits basculeurs 72 06393 9 2131978 à remplir la fonction fondamentale pour laquelle ils ont été destinés. La spécification du test concerne l'application voulue de chacun des circuits. Les tests de performance classiques sont faits sur chacun des deux circuits comme si c'était un seul circuit intégré. Ces tests comprennent le balayage 5 de l'entrée du circuit aux bornes sélectionnées et l'observation de la sortie aux autres bornes pour déterminer les seuils de commutation et les niveaux de saturation; les effets de la dimension et de la vitesse des signaux d'entrée sont également déterminés. Les circuits sont également testés pour l'importance de la charge que le circuit est caDable de supnorter. En outre» les 10 temps de fonctionnement, de non-fonctionnement et de retard sont mesurés ainsi que l'immunité au bruit du circuit. Si le circuit répond de façon satisfaisante à ces tests fonctionnels en affichant les caractéristiques prédéterminées spécifiées nécessaires pour l'application particulière à laquelle est soumis le circuit, celui-15 ci est classé comme étant un bon circuit. Si par ailleurs, le circuit ne répond pas de façon satisfaisante aux spécifications, il est classé comme mauvais circuit. Dans la présente structure, où les deux circuits basculeurs supérieur et inférieur répondent de façon satisfaisante aux tests fonctionnels et où ils sont classés comme bons circuits, il n'y a cas de problème. Ces 20 blocs sont finalement montés sur les bandes conductrices du module, la borne 36 faisant contact avec l'extension de bande conductrice 38 et la borne 37 faisant contact avec l'extension de bande conductrice 39 à partir de la bande conductrice d'alimentation -V. Si un des circuits ne rénond pas aux tests de façon satisfaisante st 25 si il est classi comme mauvais circuit, il doit être soumis au test supplémentaire suivants qui détermine s'il y a quelaues court-circuits entre la métallisation de réoartition -V sur ce mauvais circuit et l'isolement P+ commun dans le mauvais circuit. Pour la réalisation de ce test, il est suppoé que le circuit basculeur supérieur est classé comme mauvais circuit dans 30 le test fonctionnel et que le circuit basculeur inférieur est classé comme bon circuit. Dans ce cas, une tension de niveau -V est aDpliauée à la borne 37 (figures 1 et 2A) dans le bon circuit et la borne 36 dans le mauvais circuit est maintenue au potentiel de la masse. Au même moment, un potentiel de -V est appliqué à la borne 55 qui olace la région d'isolement commune 35 P+ 45 à un potentiel -V. La différence de tension entre les bornes 36 et 57 est alors mesurée. La borne 57 est connectée à la borne 36 dans le segment de métallisation 58 connectée à la résistance R1Q qui, à son tcur, est connectée à la borne 57 Dar le segment de métallisation 59. S'il n'y a pas de court-circuits importants, la tension entre les bornes 36 et 57 devrait 40 être négligeable étant donné que la borne 57 est sensiblement à un niveau 72 06393 10 2131978 cte 0 volt, Cependant, s'il n'y a cas de court-circuit important, il devrait y avoir ai or? --'.^"sntation du niveau de la tension négative sur le bus 50 et, en consênuenca- sur la borna 36. Ceci va nrovoquer la circulation d'un courant oev Ta résistance R10 créant une différence de tension entre les § bornes 36 et 57, Lorsque cette f1i-f':'^rence de tension dépasse un niveau prédéterminé, ce qui fournit les tolérances nécessaires aux effets de courant parasite, ceci indique qu'il y 3 un court-circuit important. Par exemple* l^rrquî: la tension -V est de 4,48 volts, les bornes 36 et 57 devraient sensiblement p.tre à 0 volt. Une différence de tension négative entre les Dattes 36 10 et 57 dépassant 0,1 volt est considérée comme indiquant un court-circuit important et tout le bloc est rejeté comme étant inutilisable. Dans le cas où le circuit inférieur s'avère être mauvais, et le circuit sunérieur bon, le test est accompli de façon semblable en appliquant un potentiel de -V aux bornes 36 et 55 et le potentiel de la masse à la borne 37 (figures 15 1 et 2B). Puis, la différence de tension entre les bornes 37 et 60 est mesurée. La borne 37 est connectée à la borne 60 par le bus 51 connecté à la résistance R15 connectée au segment de métallisation 61 qui, à son tour, est connecté à la borne 60. Ici aussi, si la différence de tension entre les bornes 37 et 60 dépasse un niveau prédéterminé comme cela a été décrit ci-dessus, ceci 20 indique un court-circuit important, ce qui fait que le mauvais circuit basculeur à courant alternatif va affecter le bon circuit et tout le bloc va être rejeté. Lorsque, durant le test, la différence de tension entre les deux botnes ne dépasse pas le niveau prédéterminé, ceci indique qu'aucun court-circuit 25 important dans le mauvais circuit ne va affecter le bon circuit et seul le bon circuit est utilisé lorsque le bloc est monté sur le substrat du module en connectant sélectivement le potentiel -V au moyen des bandes conductrices de module appropriées sur seulement le bon circuit. Tandis que la présente invention a été illustrée en utilisant un bloc 30 contenant deux circuits basculeurs en courant alternatif, il est clair que les princioes de la rrésente invention s'appliquent à toute structure de bloc ayant pljsisvrs circuits séoarables qui doivent accomplir différentes fonctions. Dans tous ces cas, le mode de test va déterminer s'il y a des court-circuits importants qui appliquent par inadvertance à des mauvais 35 circuits la source de tension nécessaire à rendre sélectivement actif un circuit séDarable. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'invention appliouées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art oeut 40 y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre ds ladite invention. 72 06393 11 2131978 PEVENPICATIONS 1.- Procédé cour tester le caractère fonctionnel d'un ou de plusieurs circuits discrets contenus dans une structure semiconductrice intégrée, cette dernière comprenant des moyens de réception et de rénartition sélectives d'au moins un niveau de tension nécessaire au fonctionnement de chacun des dits circuits et comprenant par ailleurs une région d'un oremier type de conductivité, porté audit niveau de tension, commune à tous lesdits circuits discrets, caractérisé en ce cru'il corrorend les étapes suivantes: test de chacun desdits circuits discrets pour déterminer quels sont les circuits fonctionnels, et test desdits circuits cui ne répondent pas de façon satisfaisante au test fonctionnel afin de détecter si l'un quelconque desdits circuits défaillants a au noins un court-circuit électrique connectant ladite région commune au moyen de réception et de répartition dudit niveau de tension dans ledit circuit défaillant. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit test des court-circuits électriques comprend le maintien de ladite région commune audit niveau de tension et la détection de tout changement du niveau de tension dans lesdits moyens de réception et de rénartition dudit circuit défaillant. 3.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce au'il comprend l'étape faisant suite au test et qui consiste à aDpliquer de façon sélective ledit niveau de tension aux circuits qui ont rénondu de façon satisfaisante aux tests fonctionnels uniquement en l'absence de court-circuits détectés dans tous lesdits circuits nui n'ont nas répondu de façon satisfaisante aux tests fonctionnels. 4.- Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit test sur les court-circuits détecte un court-circuit lorsque ledit changement final du niveau dudit moyen de réceotion et de rénartition dépasse une valeur Dridéterminée. 5.- Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il corprsnd l'étape faisant suite au test et qui consiste à appliquer de façon sélective ledit niveau de tension aux circuits qui ont réoondu de façon satisfaisante aux tests fonctionnels uniquement en l'absence rie court-circuits détectés r 72 06393 12 2131978 dans tous lesdits circuits qui n'ont pas répondu de façon satisfaisante aux tests fonctionnels. 6.- Procédé pour le test du caractère fonctionnel d'un ou de plusieurs circuits discrets dans une structure de circuits semiconducteurs intégrés 5 comprenant plusieurs régions de différents types de conductivité interconnectées pour former lesdits circuits discrets, plusieurs sources de tension ayant différents niveaux connectés à chacun desdits circuits discrets, une desdites sources de tension étant sélectivement connectée uniquement aux circuits discrets qui doivent être rendus utilisables et chacun desdits circuits 10 comprenant des moyens de réception et de répartition de ladite tension d'alimentation, et une région d'un premier type de conductivité commune à chacun desdits circuits discrets, ladite région commune étant au même niveau de tension que celui de ladite source de tension, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: 15 test de chacun desdits circuits discrets pour déterminer quels sont les circuits qui sont fonctionnels, test desdits circuits qui n'ont pas répondu de façon satisfaisante aux tests fonctionnels pour détecter si l'un quelconque desdits circuits défaillants a des court-circuits électriques connectant ladite région commune 20 aux moyens de réception et de répartion dudit niveau de tension dans un circuit défaillant, et connexion sélective de ladite source de tension aux circuits qui ont répondu de façon satisfaisante aux tests fonctionnels uniquement en l'absence des court-circuits détectés dans chacun desdits circuits qui n'ont 25 pas répondu de façon satisfaisante aux tests fonctionnels. 7.- Procédé selon la revendication 6, dans lequel ledit test des court-circuits électriques est caractérisé en ce qu'il comprend le maintien de ladite région commune au niveau de tension de ladite source de tension et la détection de tout changement final du niveau de tension dans lesdits 30 moyens de réception et de répartition dudit circuit défaillant. 6.- Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit test des court-circuits détecte un court-circuit lorsque ledit changement final du niveau de tension dans ledit moyen de réception et de répartition dépasse un valeur prédéterminée. I 35 9.- Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit test des court-circuits électriques est caractérisé en ce qu'il comprend le maintien de 72 06393 13 2131978 10 20 ladite région commune audit niveau de tension, 1"aoplication dudit niveau de tension uniquement aux circuits qui ont réoondu de façon satisfaisante aux tests fonctionnels, et la détection jde tout changement final du niveau de tension dans le moyen de réceDtion et de répartition du circuit défaillant. 10.- Procédé selon la revendication 6, dans lequel ledit test des court-circuits électriques est caractérisé en ce qu'il comprend le maintien de ladite région commune au niveau de tension de ladite source de tension, l'application de ladite source de tension uniquement aux circuits qui ont répondu de façon satisfaisante aux tests fonctionnels et la détection de tout changement final du niveau de tension dans ledit moyen de réception et de répartition du circuit défaillant. 11.- Structure semiconductrice intégrée caractérisée en ce qu'elle comprend une pluralité de circuits discrets .séparables, au moins une source de tension connectée à chacun desdits circuits séparables par des interconnexions communes à tous lesdits circuits discrets, une source de tension supplémentaire nécessaire au fonctionnement d'un circuit j des moyens pour connecter sélectivement ladite tension supplémentaire aux circuits jugés bons, des moyens associés ouxdits circuits pour recevoir et répartir ladite tension supplémentaire qui sont indépendants les uns des autres, et enfin au moins une région d'un premier type de conductivité, commune à tous lesdits circuits discrets.