Brevet FR2128728A1 — publié le 19721020

La présente invention concerne les dispositifs semiconducteurs à jonction comprenant une matière amorphe vitreuse comme couche active. Ltexpression "matière amorphe vitreuse" utilisée dans le présent mémoire concerne une matière qui présente un ordre seulement à courte distance. Le terme comprend non seulement les verres, mais aussi les matières amorphes qui ont un certain ordre à courte distance. Cependant, il exclut à la fois les substances cristallines (telles que le silicium et la silice) et les matières amorphes véritables ne présentant pas d'ordre notable. Les verres qui constituent une classe particulière des matières amorphes vitreuses, sont par exemple des liquides trempés ayant une viscosité supérieure à environ 108 poises à la température ambiante. Ils sont en général caractérisés par l'existence d'une phase unique, un ramollissement progressif et une fusion ultérieure lors de la croissance de- la température, et pas de fusion nette, une fracture conchoidale et l'absence de pics cristallins de diffraction des rayons X. Bien qu'il soit souhaitable d'utiliser des matières amorphes vitreuses dans les dispositifs à semi-conducteurs, comme on l'a noté depuis longtemps, la mise au point des dispositifs à semi-conducteurs comprenant de telles matières nsa eu qu'un succès très limité, malgré les importants efforts jupon a consacrés. On sait par exemple que les verres sont plus faciles à travailler, et à un coût moindre, que les semi-conducteurs cristallins classiques. Cependant, de cris breuses matières amorphes vitreuses sont isolantes. Ainsi, par exemple, les verres d'oxyde (comprenant essentiellement comme constituants des oxydes) ne sont pas considérés comme utiles dans les dispositifs semi-conducteurs du fait de leur résistivité élevée et du grand écart entre leurs bandes de conduction. On a constaté jusquà présent que trois groupes de compositions de verres possédaient essentiellement une conductivité suffisante pour jupon puisse les considérer comme des semi-conducteurs, les verres de chalcogénure-halogénure, les verres de pliosphate-borate-vanadate et les verres électrooptiques. Parmi ces verres de composition particulière, on a utilisé uniquement les verres de chalcogénure-halogénure dans les dispositifs semi-conducteurs utilisables, et ces dispositifs sont en général du type semi-conducteur dans la masse et non du type à jonction. On a découvert selon l'invention qu'on peut réaliser une diode semi-conductrice à jonction en utilisant une couche active d'une matière amorphe vitreuse placée sur un substrat semi-conducteur. Plus précisément, un dispositif à jonction comprend une fine couche de matière amorphe vitreuse ayant un type de conductivité électronique (soit N soit P)placée sur un substrat semi-conducteur de l'autre type de conductivité. La couche vitreuse est suffisamment fine pour présenter une valeur utile de conductivité, et elle est de préférence imperméable aux ions, si bien que le dispositif reste stable sur une large plage de conditions de travail. Vautres caractéristiques et avantages de l1invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels la figure 1 est une coupe schématique d1une diode à jonction comprenant un semi-conducteur cristallin et une couche vitreuse, selon l1invention ; la figure 2 est un diagramme donnant les caractéristi ques.courant-tension d'une diode selon l'invention, ltinten- sité I étant exprimée en p A et la tension V en volts;; la figure 3 est une coupe schématique d'une diode à jonction comprenant un semi-conducteur amorphe et une couche vitreuse la figure 4 est une coupe schématique d'une diode pho to-émissive selon 11 invention la figure 5 est une coupe schématique d'une diode comprenant un semi-conducteur cristallin et un semi-conducteur vitreux, notamment destinés à constituer un dispositif photosensible la figure 6 est un diagramme donnant la caractéristique courant-tension d'un exemple de diode du type représenté sur la figure 5, I étant donné en- A et V en volts ; et la figure 7 représente un dispositif à jonction destiné à la reproduction électrostatique. La figure 1 est une coupe schématique d'une diode à semi-conducteur comprenant une matière amorphe vitreuse sous forme d'une couche active selon ltinvention.LeLedispositif comprend une première couche active ayant un type de conductivité électronique, par exemple un substrat semi-conducteur cristallin dopé de manière à présenter une conductivité de type N ou de type P. Une mince couche active continue il de matière amorphe vitreuse possédant autre type de conductivité est disposée à proximité de la première couche active et forme une jonction de diode avec elle. Deux électrodes 12 et 13 sont au contact de la première couche active et de la couche vitreuse respectivement, et forment un trajet électrique associé à un dispositif utilisateur 14.Ce dernier peut comprendre soit un circuit intégré soit un circuit dense comprenuant normalement une diode sur le circuit électrique compris entre les électrodes 12 et 13. On préfère utiliser des matières amorphes vitreuses isolantes (c'est-à-dire dont la résistivité spécifique est égale ou supérieure à 1012 ohm-cm environ) car elles ont des propriétés isolantes au moins comparables à celles de la si- lice (dont la résistivité spécifique est de l'ordre de 10 ohm-cm). On peut utiliser par exemple de telles matières à la place de la silice comme couche passivante associée à des dispositifs à semi-conducteur cristallin ou des circuits intégrés classiques. La couche vitreuse est suffisamment fine pour avoir une conductivité utile. Bien que l'épaisseur maximale dépende dans une certaine mesure du type de la matière vitreuse et de l'application particulière, la couche doit habituellement être suffisamment fine pour que les caractéristiques de diode de la jonction dominent les caractéristiques résistives de la matière vitreuse. Dans le cas habituel où on utilise un verre isolant, la couche de verre a par exemple une épaisseur inférieure à 1,5 micron et de préférence inférieure 'a 1 micron. De préférence, la couche vitreuse est en matière vitreuse imperméable aux ions des matières ambiantes, par exemple du sodium, de manière que le dispositif reste stable dans une large plage de conditions de travail. A cet égard, on peut considérer qu'une couche vitreuse est imperméable aux ions lorsqu'un condensateur comprenant une telle couche comme diélectrique ne présente pas de décalage notable de la caractéristique capacité-tension à la température ambiante après chauffage à la température prévue de travail en présence de telles matières et polarisation à la tension prévue de travail pendant une période de 100 heures. En général, les matières vitreuses réalisées essentiel liement à partir de constituants formant des phases cristallines imperméables aux ions sont aussi imperméables aux ions. Par exemple, dans le cas des verres, on sait que certaines compositions, telles que PbSi03, Pb6Al2Si021, ZnE204 et Zn2SiO4, lorsquion refroidit la matière fondue dans des conditions d'équilibre, forment des phases cristallines qui sont imperméables aux ions. Les verres formés essentiellement dtune ou plusieurs de ces compositions sont imperméables aux ions dans leurs applications. En général, les verres qui contiennent plus de 50 moles % de telles phases forment des barrières relativement bonnes aux impuretés ioniques, et les verres en contenant 70 moles % ou plus forment d1excellentes barrières. On préfère tout particulièrement les verres isolants imperméables aux ions qui sont compatibles thermiquement avec les dispositifs semi-conducteurs cristallins, clest-à-dire les verres isolants qui ont un coefficient de dilatation thermique compatible avec celui des Substrats semi-conducteurs et qui ont des températures de ramollissement inférieures à la température de détérioration des dispositifs à semi-conducteurs à jonction réalisés par diffusion. On constate que de tels verres se rencontrent par exemple parmi les boro-alumino-silicates de plomb, les boro-silicates de zinc et les boro-aluminosilicates de zinc. Des exemples particuliers de compositions vitreuses préférées figurent dans les tableaux I a' IV. Dans le cas de dépots par sédimentation, les constituants d'oxyde de la composition préférée de verre figurent dans le tableau I. Au dessous de chaque pourcentage préféré du tableau figure une plage entre parenthèses de pourcentages acceptables. TABLEAU I Si02 6,6 mole pour cent (3-12) ZnO 55,3 (45-65) PbO 2,7 (0-6) B203 34-,5 (25-40) Al2O3 1,0 (0-3) dans lequel I'oxyde de calcium, l'oxyde de baryum, l'oxyde de strontium ou un de leurs mélanges peut remplacer ZnO en quantité pouvant atteindre 10 moles Xo. Une autre composition donnant satisfaction, dans le cas du dépôt par sédimentation du verre, figure dans le tableau II. TABLEAU II Si02 60 mole pour cent (55-65) PbO 35 (30-40) Al2O3 5 (0-7) dans lequel B203, V205, P205 ou un de leurs mélanges peut remplacer 8i02,et ZnO peut remplacer PbO, chaque substitution étant limitée à 20 moles %. Dans le cas de dépôt par pulvérisation à haute fréquence, les constituants dsune composition préférée de verre figurent dans le tableau III. TABLEAU III SiO 46,15 mole pour cent (35-55) PbO 46,15 (35-60) Al2O3 7,70 (0-20) dans lequel B2O3, V2O5, P2O5 ou un de leurs mélanges peut remplacer SiO2, et ZnO peut remplacer PbO, chaque substitution étant limitée à 20 moles %. Une autre composition satisfaisante de verre destinée à un dépôt pa#r sédimentation ou par pulvérisation à haute fréqllonce figure dans le tableau IV. TABLEAU IV 10 10 mole pour cent (5-15) ZnO 55,5 (50-65) B203 34,5 (25-35) dans lequel oxyde de calcium, l'oxyde de baryum, I'oxyde de strontium ou un de leurs mélanges peut remplacer ZnO en quantité.##ouvant atteindre 10 moles #, et PbO peut remplacer ZnO en quantités pouvant atteindre 20 moles #. On peut réaliser ces verres selon les techniques classiques bien connues. Pour la préparation des verres destinés au dépôt par sédimentation, on peut consulter par exemple le brevet des Etats-Unis d'Amérique no 3 212 921. Lorsqu2on veut réaliser une couche 11 de verre ayant une épaisseur inférieure à 1 micron (comme cela peut castre nécessaire par exemple lorsqu'on utilise aussi le verre comme couche diélectrique dans des dispositifs voisins à effet de surface), on peut utiliser la technique de centrifugation décrite dans la demande de brevet des Etats-Unis d1Âmérique no 859 012 déposée le 18 septembre 1969 par Seymour Merrin. On a découvert selon l'invention qu'un certain nombre de matières vitreuses constituées essentiellement d'organes polymères formant des channes ayant des éléments semi-conducteurs comme cations caractéristiques, par exemple des silicatss et des borates, peuvent former des semi-conducteurs de type N ou P par dopage à l'état fondu avec une impureté convenable. Plus précisément, ces verres peuvent être rendus conducteurs de type N ou de type P par addition à la composition des impuretés donneuses ou acceptrices d'électrons, de manière analogue à l'introduction de matières-de dopage donneuses ou acceptrices d'électrons dans des semi-conducteurs cristallins. En particulier, les impuretés ajoutées à la matière fondue sont des éléments ou des composés d'éléments qui sont des ma tières de dopage donneuses ou acceptrices d'électrons pour le cation caractéristique de la structure polymère. Par exemple, le silicium esttle cation caractéristique d'un verre silicaté, et on ajoute B203 au verre fondu pour obtenir une conductivité de type P. De manière analogue, on ajoute P205 et V205 pour obtenir une conductivité de type N. Le bore est le cation caractéristique dtun verre de borate, et BeO donne å un tel verre une conductivité de type P alors que Si02 donne une conductivité de type N. De préférence, on choisit les impuretés de manière quelles aient à peu près la même dimension que les cations caractéristiques, si bien qu'elles peuvent remplacer une partie notable du cation caractéristique dans la structure du verre. Dans de tels cas, les ions d'impureté peuvent remplacer jusqu'à 20 moles % ou plus des cations caractéristiques sans modification notable de la structure du verre. Un verre préféré de type P destiné à être utilisé avec du silicium à dopage N est un verre au silicate de plomb ayant comme constituants d'oxyde PbO-SiO2 dans un rapport molaire de 1:1 et comprenant B203 en proportion pouvant atteindre 20 moles %. Un verre préféré de type N destiné à Autre utilisé avec du silicium à dopage de type P est un verre Pb0-Si02 à rapport 1: fondu avec V205 et P205 en proportion pouvant atteindre 20 moles %. On peut avantageusement réaliser le dispositif de la figure 1 en déposant une fine couche de verre sur un substrat cristallin, en utilisant le procédé bien connu de sédimentation. On peut alors déposer les électrodes par exemple par pulvérisation ou évaporation sous vide. Dans un exemple particulier de tels dispositifs, une couche di micron d'épaisseur du verre cité de type P est déposée sur un monocristal de silicium à dopage N par sédi tentation Une fine couche de cuivre ayant une épaisseur de quelques milliers d#angstroms est alors déposée sur le verre par évaporation sous vide et un contact ohmique classique est réalisé avec le silicium. La structure résultante agit comme une diode ayant la caractéristique courant-tension représentée sur la figure 2. Cette structure est photosensible et on peut donc l'utiliser comme photodiode. Dans une variante, la jonction verre-semi-conducteur peut être utilisée comme élément photoconducteur isolant. Bien qu'on n'ait pas parfaitement saisi les phénomènes qui assurent le fonctionnement de ces dispositifs vitreux et qu'on ne veuille pas etre limité par une théorie particulière, on pense que les matières amorphes vitreuses, et notamment les verres, comprennent un organe structurel polymère présentant un ordre à courte distance, mais avec un certain désordre et une certaine déformation. Lorsque la couche de matière vitreuse est suffisamment fine, les phénomènes de conduction électriques dus à cet ordre à courte distance dans la matière commencent à être plus importants que les phénomènes associés au désordre à longue distance, et ainsi on peut utiliser les propriétés de conduction électroniques de la matière. La figure 3 représente une coupe schématique d'une diode comportant un semi-conducteur amorphe et une couche vitreuse Le dispositif est pratiquement identique à celui de la figure 1, mais le substrat tO formé d'un semi-conducteur cristallin sur la figure I est remplacé par un semi-conducteur amorphe vitreux, par exemple une autre fine couche de verre. Ainsi, par exemple, on forme une diode en déposant une première fine couche continue de verre ayant un type de conductivité sur un-substrat conducteur, puis en déposant sur la première couche de verre une seconde couche continue d'un verre ayant l'autre type de conductivité. Plus précisément, le substrat conducteur peut estre du silicium de type N très dopé, la première couche de verre peut être le verre cité de type N et la seconde couche peut être le verre cité de type P. Dans une autre structure à plusieurs jonctions comprenant au moins trois couches actives successives formant au moins deux jonctions, le substrat de silicium peut être dopé à un type de conductivité, la première couche vitreuse à un autre type et la seconde couche vitreuse au même type que le silicium. Ainsi, on peut réaliser un dispositif ayant plusieurs jonctions, par exemple par dopage du silicium dans le dispositif de la figure 3 de manière à lui donner une conductivité de type P. Le dispositif résultant se comporte comme un dispositif à jonction PNp, présentant des caractéristiques conductrices de diodes pour des tensions de polarité quelconque.On peut évideT ent réaliser une structure analogue en utilisant une seule couche active de verre et en disposant la couche sur lulle des couches actives dSune jonction PN formée à la surface d'un substrat semi-conducteur cristallin. La figure 4 est une coupe schématique dgune diode photoémissive selon l'invention. Le dispositif est pratiguement identique à ceux que représentent les figures 1 et 2, mais l'élec- trode qui est au contact de la matière amorphe vitreuse est en matière conductrice transparente à la lumière, par exemple en oxyde d'étain. La matière amorphe vitreuse est aussi avantageusement transparente. Le substrat semi-conducteur peut être semi-conducteur cristallin ou amorphe. De plus, on constate qu'un semi-conaucteurpolycristallin, plus précisément en carbure de silicium, est particulièrement utile. Un avantage notable de ces structures par rapport-aux diodes photo-émissives de la technique antérieure est qu'elles peuvent être réalisées de manière à fournir une émission lumineuse importante, par abrasion du substrat de manière que la jonction ait une texture rugueuse, et accroisse ainsi la surface d'émission de lumière. Contrairement aux jonctions réalisées par diffusion ou par croissance épitaxiale selon la technique antérieure, les jonctions de l'invention peuvent être tout à fait irrégulières, puisque la couche de verre constitue un revêtement qui se conforme à un substrat meme irrégulier. Ainsi, la surface efficace démission de lumière peut être accrue par simple abrasion du substrat. Un second avantage de cette structure est que le substrat peut avoir la forme d'une lentille de manière à donner la répartition angulaire voulue à la lumière. Un troisième avantage de ces diodes photo-émissives est qu'elles peuvent émettre une lumière répartie dans un spectre plus large que celui des diodes photo-émissives de la technique alltérieure. Cette large plage de longueurs sondes est attril)uce à la large plage de niveaux d'énergie électronique dans le verre. La figure 5 est une coupe schCmatique d'une diode à jonction vitreuse qui comprend une-couche active de matière et amorphe vitreuse formant la jonction/qui est destinée à fonctionner comme une pliotodiode. Le dispositif comprend un sub strat semi-conducteur 50 choisi de manière à présenter un type de conductivité (par exemple de type N), une couche vitreuse 51 placée sur le substrat 50 et présentant un second type de conductivité (par exemple de type P) et deux électrodes 52 et 53 placées au contact du semi-conducteur et du verre dopé respectivement. Le substrat 50 peut être un semi-conducteur cristallin classique, par exemple du silicium monocristallin, un semi-conducteur polycristallin ou une autre couche de verre dopé.L'une des électrodes, qui est avantageusement l'électrode 53, peut être en matière transparente et conductrice, par exemple en oxyde d'étain, si bien que la jonction verresilicium peut être exposée à la lumière. Pour les raisons décrites précédemment en détail, les matières amorphes vitreuses préférées sont les verres isolants imperméables aux ions décrits ci-dessus. On va maintenant décrire un exemple particulier d'une telle diode. On dépose une couche de 1 micron dtépaisseur du verre cité de type P sur un morceau de silicium à dopage N, par le procédé bien connu de sédimentation. On dépose une fine couche de cuivre ayant une épaisseur de l'ordre de quelques milliers dtangstroms sur le verre, par évaporation sous vide, et on réalise un contact ohmique classique avec le silicium. La structure fonctionne comme une diode. Dans un second exemple, le substrat peut être une fine couche d'un verre de type N, par exemple d'un verre PbO-SiO2 (rapport 1:1) fondu avec moins de 15 moles fo de V205 ou avec moins de 15 moles % de P2O5. La matière vitreuse de type P peut être le verre cité de type P (rapport 1:1). On constate que ces dispositifs à jonction présentent une caractéristique de rupture par avalanche, par polarisation en inverse, qui dépend de la présence ou de l'absence de lu mière incidente. On peut noter cette caractéristique sur la figure 6 qui représente les caractéristiques de rupture d'un dispositif à la fois à la lumière et à l'obscurité. Plus préci sément, la courbe D correspond à la caractéristique de rupture dans l'obscurité et la courbe L à cette même caractéristique en présence de lumière. Il faut noter que, contrairement aux dispositifs classiques à semi-conducteurs cristallins, le dis positif à jonction de ltinventionaa une faible valeur pour le courant de fuite en présence de lumière jusqu'à la tension de rupture.Il faut aussi noter que par polarisation des électrodes à l'aide du dispositif 55, de manière que la tension aux bornes de la diode se trouve en un point P entre la tension VL de rupture à la lumière et la tension VD de rupture à l'ob- scurité, on obtient une photodiode extrêmement sensible. Un second avantage unique du dispositif de l'invention es aune la lumière visible peut facilement pénétrer dans la couche vitreuse vers lapone de la jonction. D'autres dispositifs plus spécialisés peuvent être réalisés en tirant avantage des autres caractéristiques de ces dispositifs à jonction. La figure 7 représente un second dispositif utile comme élément de reproduction d'image électrostatique, et jouant alors un role analogue à celui d'une plaque photoconductrice Cet élément est analogue au dispositif à jonction de la figure 3, mais il ne comprend qu'une électrode 70.Plus préci sément, le dispositif comprend une couche 71 de matière amorphe vitreuse ayant un type de conductivité, par exemple en verre cité de type r (rapport 1:1}platée sur un substrat semiconducteur 72 et un autre type de conductivité, par exemple silicium polycristallin à dopage N. Une couche de verre homogène épaisseur uniforme est facile à réaliser par le procédé cité de sédimentation de manière que la plaque ait les propriétés électriques uniformes.Un avantage unique de ce dispositif à jonction est que contrairement aux dispositifs classiques à jonction dont la surface est limitée du fait de la présence des limites entre les grains, il peut recouvrir des surfaces suffisamment grandes pour être utile pour la reproduction de docm!etLte. On peut utiliser le dispositif pour la reproduction électrostatique en appliquant une charge à la couche amorphe vitreuse (par exemple à laide d'une décharge en effluve comme décrit dans le brevet des Etats-Unis d'nmerique n9 2 741 959) jusqu a un potentiel suffisant pour que la tension aux bornes de la couche vitreuse soit comprise entre les tensions de rupture à la lumière et à lXobscurité. On peut utiliser une couche de verre de t micron d'épaisseur avec une tension de charge comprise entre 200 et 400 V, suivant le type du verre. Le dispositiflpeut être alors exposé à l'image projetée d'full original à copier. La charge déposée passe dans la jonction dans les zones éclairées de l'image projetée et reste à la surface dans les zones sombres. L'image résultante peut être développée à l'aide des techniques bien connues dans la reproduction, notamment par-#Xérographie11, notamment par développement en cascade Il est bien entendu que l'invention n'a été décrite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et qu'on pourra apporter toute équivalence technique dans ses éléments constitutifs sans pour autant sortir du cadre de l'invention Ainsi, la jonction de diode est un bloc essentiel de base pour la réalisation d'innombrables dispositifs à semi-conducteur Ainsi, les spécialistes peuvent réaliser de nombreux dispositifs fort variés tout en restant dans le cadre de ltinvention. REVENDICATIONS 1. Dispositif semi-conducteur à jonction, du type qui comprend une première couche active ayant un type de conductivité électronique et, formant une jonction à diode avec elle, une seconde couche active ayant l'autre type de conductivité électronique, ledit dispositif étant caractérisé en ce que l'une des couches actives au moins est en verre ou en matière amorphe vitreuse, isolant ou non. 2. Dispositif/selon la revendication 1, caractérisé en ce que le verre ou la matière amorphe vitreuse est imperméable aux ions. 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacune des couches actives en verre ou en matière amorphe vitreuse, isolante et éventuellement imperméable aux ions, est suffisamment mince pour que les caractéristiques de diode de la jonction soient supérieures aux caractéristiques résistives du verre ou de la matière amorphe vitreuse. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'une des couches forme un substrat semi-conducteur, l'autre couche étant en matière amorphe vitreuse isolante, et en ce qu'il comprend un contact électrique associé au substrat et un contact électrique associé à la couche vitreuse. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il est associé à un dispositif d'utilisation relié électriquement à la couche de matière amorphe vitreuse et au substrat semi-conducteur. 6. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que le contact électrique associé à la couche de matière amorphe vitreuse comprend une couche de matière conductrice transparente au point de vue optique. 7. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que le substrat semi-conducteur a une conductivité de type P ou N, et en ce que la matière amorphe vitreuse est essentiel lainent formée dyorganes polymères formateurs de chalne ayant des éléments semi-conducteurs comme cations caractéristiques, ces cations étant remplacés par des ions d'élémentsqui sont des matières de dopage donneuses ou acceptrices respectivement pour les cations caractéristiques, en proportion pouvant atteindre 20 moles . 8. Dispositif selon iIgue quelconque des revendica- tions 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend de plus une troisième couche active associée aux deux autres couches, les conductivités électroniques des couches étant alternées et formant ainsi au moins deux jonctions de diodes, l9une au moins des couches actives étant einatière amorphe vitreuse, notamment en verre, dtépaisseur suffisamment faible pour que les caractéristiques de diode de la jonction prédominent. 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la jonction entre les deux couches actives forme une jonction de diode photo-émissive, ltune des couches actives au moins étant en matière amorphe vitreuse de préférence optiquemant transparente. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que la jonction photo-émissive a une texture rugueuse accroissant la surface d'émission lumineuse. 11. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'une des couches constitue un substrat semi-conducteur et l'autre des couches est en verre isolant imperméable aux ions, la seconde couche étant suffisamment fine pour posséder une conductivité utile, ledit disposit#if constituant un élément électrostatique de reproduction dtimage. 12t; Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche constitue un substrat, la seconde est en verre#isolant--imperméable aux ions et a une épaisseur suffisamment faible pour avoir une conductivité utile, la tension de rupture lors d'une polarisation en sens inverse dépendant de la présence ou de l'absence de lumière, ledit dispositif comprenant de plus un dispositif appliquant à la jonction, entre la couche et le substrat, une tension de polarisation ayant une valeur comprise entre la tension de# rupture dans ltobscurité et la tension de rupture en présence~de lumière d'une intensité donnée, le dispositif formant un dispositif photosensible à jonction destiné à détecter une intensité lumineuse donnée.