Brevet FR2141791A1 — publié le 19730126

L'invention a trait à des procédés de formation de dispositifs semiconducteurs isolés diélectriquement et qui sont particulièrement adaptés pour faire partie d'un circuit intégré. La forme de circuits intégrés la plus élaborée est la forme qualifiée de monolithique. Une structure comprend de nombreux dispositifs actifs et passifs dans un bloc ou monolithe de matériau semiconducteur. Généralement, des connexions électriques entre ces composants actifs et passifs sont établies sur la surface du bloc de matériau semiconducteur. Le procédé habituel pour l'isolement électrique des composants, là où il est souhaitable de le faire à l'intérieur du bloc de silicium monolithique est l'isolement par jonction, procédé dans lequel, par exemple, des diffusions actives de type P sont utilisées pour isoler électriquement, les dispositifs bipolaires NPN classiques les uns des autres, et également pour les isoler d'autres composants tels des résistances ou des condensateurs.Pour une description plus détaillée de type d'isolement par jonction, on pourra se référer aux brevets des E. U. A. n s 3 319 311, 3 451 866 et 3 508 209. Une autre forme d'isolement électrique entre des dispositifs actifs et passifs est l'isolement par diélectrique. Dans ce type d'isolement, des poches de matériau semiconducteur sont formées à l'intérieur de zones d'un maté riau diélectrique tel du bioxyde de silicium. Des dispositifs actifs et/ou passifs sont alors établis dans ces poches de matériau semiconducteur. On peut trouver des exemples plus détaillés de ce type de procédé et de structure dans les brevets des E. U. A. n0 3 357 871 et n0 3 419 956. Une variation de cette technique de formation de zones diélectriques qui isolent des zones semiconducteur est démontrée dans le brevet des E. U.A. n0 3 386 865 ; dans celui-ci, on fait croftre une couche de bioxyde de silicium sur un support de matériau semiconducteur de silicium, puis des ouvertures sont pratiquées dans la couche de bioxyde de silicium et on y fait croftre un développement épitaxialement du silicium, bien au-dessus du niveau supérieur de la couche de bioxyde de silicium. Les couches épitaxiales ne se développant pas là où il y a un revêtement de bioxyde de silicium, il y a ainsi formation de canaux vides. Du dioxyde de silicium pyrolitique est alors déposé pour remplir les canaux vides.Ce bioxyde de silicium pyrolitique est ensuite enlevé en partie, par abrasion ou par décapage différentiel pour exposer les couches epitaxia les et pour enlever les gradins importants de la surface du bioxyde de sili cium pyrolytique. Enfin des dispositifs semiconducteurs sont formés à l'ìnté- rieur de ces zones épitaxiales de silicium ainsi formées. Le type d'isolement par diélectrique n'a pas été employé à grande échelle jusqu a présent pour diverses raisons dont les principales sont les difficultés de fabrication. Par exemple, dans le procédé décrit dans le brevet 3 386 865, la principale difficulté était d'enlever les gradins de plusieurs microns de la surface du bioxyde de silicium pyrolytique au-dessus des zones épitaxiales. La seule façon de procéder était l'abrasion, procédé qui revient cher et qui est difficilement contrôlable. En outre, l'isolement par jonction s'est montré très adéquat jusqu'à maintenant parce que la densité actuelle de composants nécessaires sur un bloc monolithique le permettait. Cependant, on désire maintenant augmenter de façon importante la densité d'éléments semiconducteurs dans le circuit intégré monolithique en silicium pour que les dispositifs bi-polaires concurrencent les circuits intégrés monolithiques à transistors à effet champ qui n'exigent pas d'isolement électrique particulier entre les élé - ment s. Ce type de dispositif est électriquement isolé naturellement des dispositifs voisins dans le monolithe semiconducteur. Un objet de cette invention est de fournir un procédé pour la fabrication de dispositifs semiconducteurs isolés diélectriquement qui permette une augmentation de la densité à l'intérieur du bloc monolithique tout en ne posant pas de problèmes importants lors de la fabrication. Un autre objet de cette invention est de fournir un procédé pour la fabrication de structures de circuits intégré bipolaires et isolés diélectriquement dans lesquelles la densité des dispositifs est relativement élevée et la surface est plane alors que les capacités parasites sont bien moins importantes que dans les structures isolées par jonction. Ces objets ainsi que d'autres sont réalisés conformément aux grandes lignes de l'invention en fournissant un procédé qui nécessite le dépôt d'une couche diélectrique sur un élément support composé d'un matériau semiconducteur monocristallin. On enlève ensuite par décapage des parties de la couche qui a été déposée afin que des zones de la surface du corps semiconducteur soient exposées. On fait croitre une couche épitaxiale sur cette surface exposée du corps semiconducteur. Le développement de la couche épitaxiale continue jusqu'à ce que la surface supérieure de la couche de matériau diélectrique soit à peu près au même niveau que la surface supérieure de la couche épitaxiale. fl en résulte un flot de matériau semiconducteur isolé diélectriquement d'autres flots semblables de matériau semiconducteur.Des dispositifs semiconducteurs peuvent alors être établis sur ces flots de matériau semiconducteur. Les figures 1 à 5 sont des vues en coupe qui représentent différentes étapes du procédé de fabrication utilisé dans une réalisation particulière de cette invention. Les figures 6 à 9 montrent une variante de la précédente réalisation. Les figures 10 à 11 sont des vues en coupe d'un procédé de fabrication et de la structure qui en résulte pour réaliser ladite variante. Les figures 1 à 5 sont l'illustration d'un procédé de fabrication d'une structure de dispositif semiconducteur bipolaire qui peut être un élément d'un circuit intégré. Bien sûr, il n'est pas nécessaire que le dispositif soit un dispositif semiconducteur bipolaire, le dispositif semiconducteur pourrait bien être un transistor à effet de champ MOS (métal oxyde semiconducteur), une résistance, un condensateur ou d'autres dispositifs actifs ou passifs. De mê- me, des dispositifs actifs et/ou passifs pourront être formés selon ce procédé dans l'une de ces régions. Pour les besoins de la description, on utilise un substrat de silicium de type P- et un dispositif semiconducteur de type NPN est formé par le procédé. On comprendra bien sûr que l'invention peut également être appliquée à des conductivités de type opposé ainsi qu'à d'autres matériaux semiconducteurs.En outre, l'émetteur du dispositif de transistor pourrait être interne et son collecteur à la surface au lieu de l'agencement contraire qui est montré sur la figure 5. On a une pastille a0 d'un matériau P- avec une surface polie de grande qualité. La pastille est oxydée thermiquement de la façon habituelle, on peut par exemple placer le corps de silicium dans une atmosphère oxydante à une température élevée avec ou sans addition de vapeur d'eau à cette atmosphère d'oxydation. Cette couche pourrait être formée selon d'autres procédés connus, comme le dépôt pyrolitique de bioxyde de silicium ou autres matériaux isolants. En utilisant les technologies de décapage ou de photo-résistance classiques, des ouvertures sont pratiquées dans la couche 22 de bioxyde de silicium. Une solution d'acide fluorhydrique diluée avec du fluorure d'ammonium est un décapant approprié pour le bioxyde de silicium. Après l'étape de décapage, tous les matériaux photorésistants sont enlevés grâce à un solvant du photorésistant adéquat.La région N+ 24 est formée, par exemple, en diffusant thermiquement une impureté N+ comme du phosphore, de l'arsenic, de l'antimoine ou autre à travers l'ouverture dans la couche de bioxyde de silicium 22. La diffusion peut se faire par le procédé à tube ouvert habituel ou par des techniques de diffusion thermique à tube- -fermé. La diffusion est suivie par une réqxydatîon thermique. La couche 22 de bioxyde de silicium est ensuite enlevée de la surface de la pastille 20 en utilisant une solution d'acide fluorhydrique diluée avec du fluorure d'ammonium. La surface est ensuite ré oxydée conformément à la technique classique d'oxydation thermique, décrite ci-dessus, pendant une période qui donnerait une couche d'oxyde d'environ 500 à 2000 A. Cette épaisseur est souhaitable dans le cas où on utilise du bioxyde de silicium pulvérisé afin d'éviter que la surface ne soit abimée. La pastille est alors placée dans un appareil de pulvérisation RF comme celui qui est décrit dans le brevet des E. U. A.. n0 3 369 991. Une couche pulvérisée 26 d'un matériau diélectrique tel du dioxyde de silicium ou autre ayant une épaisseur d'environ 1 à 3 microns est déposée sur la surface de la pastille 20.Il est cependant. préférable d'utiliser une couche d'environ 2,30 microns de bioxyde de silicium. Au lieu d'être pulvérisé, le bioxyde de silicium ou un autre matériau diélectrique peut également être déposé pyroliquement. Il est préférable d'employer le dépôt par pulvérisation parce que la couche peut être déposée plus rapidement et que cette couche peut être plus facilement enlevée par décapage. La couche 25 de bioxyde de silicium développée thermiquement peut être dopée avec une impureté appropriée, comme du bore, dans laquelle le substrat est un substrat de type P. Ce dopage empêche l'effet d'inversion de surface sous l'isolement de bioxyde de silicium pulvérisé. La quantité préférable de dopant dépend de la qualité du bioxyde de silicium et de la tension de polarisation, mais en général une quantité de dopant supérieure ou égale à 1 17 3 atomes/cc empêchera l'inversion. La couche diélectrique est enlevée dans les zones où un dépôt épitaxial doit être créé. Ceci se fait par un processus de décapage chimique utilisant des techniques photolithographiques. Lorsque le revêtement diélectrique est du bioxyde de silicium, un décapant approprié est une solution d'acide fluorhy drique diluée avec du fluorure d'ammonium. ~D'autres techniques de décapage, comme la pulvérisation RF peuvent être utilisé-esJ pour créer ces -ouvertures. La figure 3 montre la structure avec les ouvertures 28 à Itintérieur de la couche diélectrique 26. Les ouvertures 28 se trouvent dans des zones où sera développée la couche épitaxiale et dans lesquelles des dispositifs tels que des régions collecteur, des régions base, des zones de résistance, des diodes de Schottky, des dispositifs à effet de champ et dtautres dispositifs seront établis Une couche épitaxiale 30 est développée à partir des surfaces de silicium expo sées. Cette couche épitaxiale 30 peut être formée en utilisant l'appareil décrit dans le brevet des E. U. A. 3 424 629. Il s'agit d'un stade crucial dans la formation du dispositif selon cette invention. Le problème fondamental est la qualité de la croissance épitaxiale dans les ouvertures entre la couche diélectrique et le problème de pointes à l'interface diélectrique épitaxiale.En outre, la hauteur et la largeur des parois diélectriques après le dépôt épitaxial doivent être contrôlés afin qu'elles soient relativement égales pour donner une surface plane. Ceci parce que, dans le cas du bioxyde de silicium et du silicium la réaction suivante peut avoir lieu pendant le dépôt épitaxial SiO + Si chaleur > 2 SiO étant donné que le protoxyde de silicium (SiO) est volatil à la température de dépôt il ne se déposera pas de silicium sur le bioxyde de silicium. La baisse de la température lors du dépôt épitaxial ralentit cette réaction de sorte qu'elle peut être contrôlée. Si la vitesse de dépôt de la couche épitaxiale est plus rapide que la réaction dont on vient de parler, du silicium polycristallin se déposera sur la couche diélectrique de bioxyde de silicium.On a découvert que la température et la vitesse de dépôt peuvent être réglées pendant le dépôt épitaxial afin de rendre la structure décrite ci-dessus suffisamment fiable pour être reproduite. La gamme préférée de température pour le dépôt épitaxial se situe entre 900 et 11000C environ. La température idéale serait 1050"C. La vitesse de dépôt efficace se situe entre ,05 et Os 3 microns par minute environ. A la température de 1050 C la vitesse idéale serait d'environ 0,2 microns par minute. Les surfaces de silicium exposées sont ensuite oxydées suivant la technique d'oxydation thermique décrite précédemment et les ouvertures dans la couche de bioxyde de silicium sont pratiquées en utilisant des technologies classiques de photorésistance et de décapage dans les régions prévues pour être des zones de diffusion de base. On pratique alors une diffusion base appropriée vers la région de silicium pour obtenir la région base 40. La diffu sion base sera de préférence une diffusion de bore de type P. La diffusion peut se faire par le procédé à tube ouvert classique ou par des techniques utilisant un tube fermé. Si on utilise la couche épitaxiale P, on peut omettre la diffusion base parce que la couche épitaxiale forme la région dopée P pour la base 40. La surface de silicium est alors réoxydée suivant les techniques d'oxydation thermiques normales décrites précédemment et du bioxyde de silicium pyrolitique 41 est déposé sur le dessus. Des techniques de photorésistance sont utilisées pour pratiquer les ouvertures émetteur désirées et/ou les ouvertures collecteurs. Si l'on utilise une couche épitaxiale N, on a le choix entre une diffusion simultanée de l'émetteur 42 et du collecteur 44 ou des diffusions séparées de ces régions. Cependant, si on utilise une couche épitaxia- le N et que des résistances diffusées N sont nécessaires, la diffusion collecteur devra avoir lieu avant la diffusion base. Dans- ce cas, la diffusion collecteur forme en même temps les régions N pour les résistances diffusées.La surface est alors réoxydée et une couche photorésistante appropriée est appliquée pour les ouvertures sur les contacts résistance et le contact émetteur ainsi qu'avec la fenêtre de diffusion émetteur. La diffusion émetteur sera de préférence une diffusion N d'une impureté comme du phosphore ou de l'arse - nic. Les contacts vers la base sont alors ouverts. De l'aluminium pur ou le composé CrAgCr ou bien tout autre dépôt de métallisation connu est alors déposé sur la surface, et, en utilisant des techniques standard de photorésis tance, l'aluminium ou autre métallisation est décapé pour laisser le contact collecteur 46, le contact émetteur 48 et les contacts base 50. La structure résultante montrée sur la figure 5 est une région émetteur et base isolée diélectriquement. En outre, la région collecteur est isolée diélectriquement et la région base-émetteur. Des tests en courant continu DC ont été faits et sont résumés dans le tableau I. TABLEAU I BVEBO 5V BVCBO 6V ( @ 24V) à IE = 0,01mA BVCEO 6,5V 0,01mA BVCES 6,3V B à lmA 120 B à lOmA 35 Claquage de base à base 7V CBB 0 > îIpF dans lequel BVEBO tensions de claquage émetteur-base avec collecteur en cir cuit ouvert, mesuré à 0,01mA de courant émetteur (I BVCBO tension de claquage collecteur-base avec émetteur en circuit ouvert, mesuré à 0,01mA de courant collecteur (I );; BVCEO tension de claquage émetteur collecteur avec la base en cir cuit ouvert, mesuré à 0,01mA de courant émetteur BVCES tension de claquage émetteur à collecteur avec la base du court-circuit avec ltémetteur, mesuré à 0,01mA de courant émetteur C CB capacité collecteur-base. La tension de claquage collecteur-base telle qu'elle est montrée dans le tableau I est approximativement de 6V sans aucune perte. Un deuxième claquage a lieu à environ 24V qui détruit le dispositif. La capacité collecteur-base est de 0, 11 pF ce qui peut être comparé à un dispositif à socle. La faible valeur de la capacité est due à l'intersection de concentrations faibles à la jonction collecteur base. La raison en est que l'on a utilisé un dépôt épitaxial à faible température et qu'il n'y a pas eu d'isolement et de diffusion de résistance, ce qui augmente la rétrodiffusion du collecteur. La capacité d'isolement (collecteur à isolement) n'a pas pu être mesurée étant donné que l'isolement collecteur à collecteur avait une perte. La perte est due à l'inversion qui se produit sur la surface du support, sous le bioxyde de silicium (SiO2) pulvérisé. Pour éviter cette inversion, une diffusion peu profonde peut être faite après la diffusion du sous collecteur. Cette diffusion peut également être remplacée par un verre au tribromure de bore (BBr3) ou de l'oxyde dopé qui est enlevé par décapage dans les fenêtres de bioxyde de silicium (SiO2). La capacité d'isolement est réduite parce que la région d'iso lement peut être rétrécie pour être en contact avec le bord des contacts base et la capacité de paroi latérale est éliminée. Le claquage base à base était de 7V à 0,1 1microamp. Dans cette expérience, 500 à 700 A de bioxyde de silicium (SiO2) thermique ont été déposés avant la pulvérisation de bioxyde de silicium pour éviter que la surface ne soit abîmée. Un bioxyde de silicium thermique plus épais (2000 à 3000 A) peut favoriser l'inversion. Les figures 6 à 9 présentent une variation à la fois dans la fabrication et dans la structure qui en résulte par rapport à la première réalisation. Le support ou substrat P- 52 est oxydé thermiquement 53 comme cela a déjà été décrit, ou bien de l'oxyde dopé au bore est déposé sur le support. Du bioxyde- de silicium pyrolitique ou pulvérisé ou une autre couche diélectrique 54, ayant une épaisseur de 1 à 3 microns est déposée sur la couche d'oxyde 53 comme cela est montré sur la figure 6. Toutefois, il est préférable d'utiliser une couche de bioxyde de silicium pulvérisée d'environ 2,3 microns. La couche diélectrique est enlevée comme cela a déjà été décrit là où doit avoir lieu un dépôt épitaxial. La figure 7 montre la structure avec des ouvertures 55 dans la couche diélectrique 54. Les régions N+ 56 sont formées en diffusant thermiquement une impureté N+ comme cela a déjà été décrit, à travers les ouvertures 55 dans la couche de bioxyde de silicium 54. Une couche épitaxiale N 57 est développée à partir des surfaces de silicium exposées comme on l'a déjà décrit, ce qui résulte en une rétrodiffusion à partir du support et augmente la couche interne 56 comme cela est montré sur la figure 8. Les surfaces de silicium exposées sont ensuite oxydées thermiquement. A partir de là le processus est identique à celui décrit précédemment pour la -figure 5. La structure finale est montrée sur la figure 9 où le collecteur est indiqué par 60, la région basé par 62, et la région émetteur par 64. Les contacts métalliques avec les régions actives sont représentés mais non référencés. Les figures 10 et 11 présentant une réalisation dans laquelle est formée une structure de transistor de type socle en utilisant la technique d'isolement par diélectrique conformément aux enseigne#ments de la présente invention. Ce procédé est, dans l'ensemble, semblable à la réalisation des figures 1 à 5. Cependant, il nécessite deux couches de diélectrique pulvérisé. Le processus commence par une pastille 61 d'un matériau P- ayant une surface polie de haute qualité. La pastille est oxydée thermiquement de la façon habituelle en plaçant le corps de silicium dans une atmosphère oxydante à une température élevée avec ou sans addition de vapeur d'eau à l'atmosphère d'oxydation. Des ouvertures sont pratiquées dans la couche de bioxyde de silicium en utilisant la technique classique de photorésistance et de décapage et une région N+ 63 est formée en diffusant thermiquement une impureté N comme du phosphore, de l'arsenic ou de l'antimoine ou autre à travers l'ouverture pour former la région 63. On enlève alors l'oxyde sur la surface avec un décapant normal. Une couche 65 de bioxyde de silicium pyrolitique ou pulvérisé, ayant une épaisseur d'environ 1 à 2 microns, et de préférence de 1,5 microns est déposée sur la surface. Des ouvertures sont pratiquées comme décrit précédemment dans la couche de bioxyde de silicium pour, dans cette réalisation particulière, former ultérieurement un transistor bipolaire et une résistance. Une première couche épitaxiale est alors développée par croissance épitaxiale sur les zones exposées du support. Le processus de croissance est conforme à celui décrit pour la réalisation représentée sur les figures 1 à 5. La surface de silicium épitaxiale ou couche épitaxiale 66 est oxydée et des ouvertures sont pratiquées dans l'oxyde à l'emplacement des zones voulues, pour une diffusion de traversée 68 et une diffusion de socle 70. Ces deux régions 68 et 70 peuvent être formées en même temps ou l'une après l'autre.La diffusion de traversée collecteur est formée en diffusant un dopant de type N comme de l'arsenic dans la première couche épitaxiale 66 à l'endroit voulu. Le but de cette région collecteur est de fournir une région à faible résistivité pour finalement connecter la couche métallique collecteur à la région sous -collecteur. La région socle est formée en diffusant un matériau tel de l'arsenic par une technique de tube fermé, dans une partie voulue de la couche épitaxiale 66. La région socle 70 s'étend dans la couche interne ou couche sous-collecteur 63 de façon à former une structure collecteur unitaire. La diffusion est suivie d'une réoxydation thermique. Le bioxyde de silicium est ensuite enlevé de la surface de la première couche épitaxiale 66. Une seconde couche diélectrique pyrolitique ou pulveri- sée 72, de préférence du bioxyde de silicium, est formée par dessus. Des techniques de photorésistance et de décapage sont alors utilisées pour former des ouvertures dans la couche diélectrique pulvérisée 72. Ces ouvertures sont situées directement au-dessus des ouvertures d'origine. Une couche épitaxia le supérieure 74 est formée dans les ouvertures. La croissance de la couche épitaxiale continue jusqu'à ce qu'elle soit au même niveau que la surface suprieure de la couche diélectrique 72. Pendant le développement de cette couche épitaxiale, les régions 68 et 70 sont rétrodiffusées dans la couche semiconducteur pour former la structure montrée sur la figure 10. Une diffusion base est alors pratiquée dans la région de silicium en utilisant une technique d'oxydation standard, des techniques de décapage et de photorésistance, avant la technique de diffusion thermique pour former la région base 78. La diffusion base sera de préférence une diffusion de bore de type P. Les régions de collecteur 82 et de résistance 83 sont formées à l'aide du masque d'oxydation classique en utilisant une oxydation thermique et un dépôt de bioxyde de silicium pyrolitique, des techniques de photorésistance et de décapage suivies d'une diffusion N+ dtune impureté comme de l'arsenic ou du phosphore. La diffusion est poursuivie jusqu a ce qu'elle atteigne la diffusion précédente 68 faite dans la première couche épitaxiale 66. La surface de silicium est ensuite oxydée.La fenêtre émetteur. ainsi que le contact collecteur 82 et les contacts résistance 84 sont ouverts en utilisant des techniques de photorésistance classiques suivies d'une diffusion de type N 80 d'impuretés comme de l'arsenic ou du phosphore. Les contacts base sont ensuite ouverts dans la couche de bioxyde de silicium De l'aluminium ou autre dépôt de métallisation est alors formé sur la surface et en utilisant des techniques de photorésistance bien connues l'aluminium est enlevé pour laisser les contacts électriques nécessaires. La structure résultante est une structure bipolaire 90 isolée par diélectrique et une structure de résistance 92 comme on peut le voir sur la figure 11. Les ouvertures pour les contacts métalliques, le transistor et la résistance sont montrés sur la figure 11. Dans cette réalisation, la région collecteur n'est pas isolée par diélectrique des régions base et émetteur. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant #sortir du cadre de ladite invention. REVENDICATIONS 1. - Procédé de fabrication de structures semiconductrices isolées diélectriquement du genre comprenant au moins un dispositif actif ou passif carac térisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes - élaboration d'un substrat à partir d'un matériau semiconducteur - formation d'une couche de matériau diélectrique sur des portions désirées de la surface dudit substrat pour réaliser l'isolement désiré - dépôt d'une couche épitasiale sur les portions exposées dudit substrat jusqu ce que le niveau de la dite couche de matériau diélectrique soit approximativement atteint et formation d'un dispositif semiconducteur dans la dite couche épitaxiale, ledit dispositif étant diélectriquement isolé des autres dispositifs. 2. - Procédé selon la revendication 1 dans lequel ladite couche de matériau diélectrique est formée par pulvérisation cathodique et son épaisseur comprise entre 1 et 3 microns. 3. - Proc#édé selon la revendication 1 ou 2 dans lequel on procède à la formation d'une région diffusée, d'un type de conductivité opposé à celui dudit substrat et dans ce dernier, pour servir ultérieurement de sous collecteur enterré au dit dispositif, préalablement audit dépôt épitaxial. 4. - Procédé selon la revendication 1, 2 ou 3 dans lequel ledit matériau diélectrique est du bioxyde de silicium et ledit matériau semiconducteur est du silicium. 5. - Procédé selon la revendication 4 dans lequel la formation d'une couche de matériau diélectrique comprend la formation d'une mince couche de bioxyde de silicium dosé dans les dites portions désirées. 6. - Procédé selon la revendication 3, 4 ou 5 dans lequel on forme en outre, une région de traversée qui relie ladite région diffusée à la surface supérieure de ladite structure ladite région de traversée étant isolée de la couche épitaxiale diélectriquement. 7. - Procédé selon l'une quelconque des revendications ci-dessus dans lequel ledit dispositif est choisi dans le groupe comprenant : les dispositifs bipolaires, les dispositifs unipolaires et les résistances. 8. - Procédé de fabrication de structures semiconductrices isolées diélectriquement du genre comprenant au moins un dispositif actif ou passif caractérisé en-ce qu'il comporte les étapes suivantes - élaboration d'un substrat à partir d'un matériau semiconducteur - formation d'une première couche de matériau diélectrique sur des portions désirées de la surface dudit substrat pour réaliser l'isolement désiré - dépôt d'une couche épitaxiale sur les portions exposées dudit substrat jusqu'à ce que le niveau de ladite couche de matériau diélectrique soit approximativement atteint - diffusion d'une impureté d'un type de conductivité opposé à celui de ladite couche épitaxiale dans au moins une portion désirée de ladite couche épitaxiale - formation d'une seconde couche de matériau diélectrique sur les portions de la première couche existante - dépôt d'une seconde couche épitaxiale sur les portions exposées de ladite couche pitaxiale jusqutà ce que le niveau de ladite seconde couche de matériau diélectrique soit approximativement atteint et formation d'un dispositif semiconducteur dans ladite seconde couche épitaxiale ledit dispositif étant diélectriquement isolé des autres dispositifs. 9. ~ Procédé selon la revendication 8 dans lequel on procède à la formation d'une région diffusée, d'un type de conductivité opposé à celui dudit substrat et dans ce dernier, pour servir ultérieurement de sous collecteur enterré au dit dispositif, préalablement audit dépôt épitaxial. 10. - Procédé selon la revendication 9 dans lequel ledit matériau diélectrique est du bioxyde de silicium et ledit matériau semiconducteur est du silicium.