Brevet FR2112391A1 — publié le 19720616

211239"-. La présente invention se rapporte aux composants perfectionnés de commutation à serni-conducteurs et à effet de champ, et concerne plus particulièrement des transistors 'à effet de champ perfectionnés du type Kotal-Oxyde-Semi-conducteur (MOSFETS) 5 comportant une couche non isolante de résistivité élevée sur laquelle est faite une connexion électrique de telle sorte que la conductibilité électrique d'une région de canal située dans le composant» entre les bornes de connexion électrique, est modifiée par l'action d'un champ électrique. 10 Les transistors à effet de champ à électrode de commande isolée (IGFETS) et les transistors à effet de champ du type Metal-Oxyde-Semi-conducteur (MOSFETS) se sont de plus en plus répandus au cours des dernières années. De nombreux types de composants de commutation à semi-conducteur, rendus opérationnels 15 par l'application du phénomène d'effet de champ, ont été réalisés et utilisés. Ces composants ont reçu des appellations variées. Les termes IGPET et MOSFET ont acquis une signification acceptée dans la technique de la micro-électronique et s'appliquent à des composants comportant une " source", un " drain" et une "grille",ou 20 " électrode de commande". Les composants les plus courants de la catégorie considérée comportent des électrodes de source et de drain, écartées latéralement, et connectées à des régions respectives de source et de drain d'un substrat serai-conducteur. Ces régions sont coupées par une surface commune du substrat à l'en-25 droit de leur connexion avec les électrodes de source et de drain. Les régions de source et de drain sont séparées latéralement par une région de canal recouverte par au moins une couche de matière isolante, généralement un oxyde de semi-conducteur et, au-dessus de cette couche isolante, une grille bu électrode de 30 commande recouvre une surface limitée de la région de canal. Certains des plus récents composants destinés à des applications déterminées comportent une couche de matière semi-conductrice polycristnlline dont les caractéristiques électriques sont de ne pas être isolante , mais de présenter une résistivi-35 té élevée. Les exemples de ces composants sont fréquents. La fabrication et la production des transistors à effet de champ imposent généralement d'accepter différents compromis et la conséquence en est qu'un composant donné ne peut pas satis- BAD ORIGINAL^ 71 39132 2 2112391 faire aux exigences d'applications différentes. En raison do l'effet réciproque entre les différents composants et des nécessités de fabrication, des efforts constants sont dirigés dans l'industrie micro-électronique, en vue de réaliser des transis-5 tors à effet de champ simples et peu coQteux, faciles à construire et susceptibles de satisfaire aux exigences d'une application particulière. De plus en .plus, l'intérêt se porte sur la production de transistors à effet de champ pouvant être utilisés à la commu-10 tation de signaux en micro-ondes, les prix étant pris en considération. La présente invention concerne plus particulièrement différentes formes de transistors à effet de champ, dont les caractéristiques électriques permettent leur utilisation à la com-15 mutation en micro-ondes, et dont la fabrication n'implique pas de dépenses exagérées. D'une manière générale, l'invention concerne des transistors à effet de champ qui présentent certains avantages et caractéristiques que ne possèdent pas les composants connus. 20 Un facteur de mérite d'un composant IGFET ou MOSFET desti né à commuter des signaux en micro-ondes est représenté par fc = 1/2 u C\j où f est la fréquence de coupure, C est la capacité de fuite du composant lorsqu'il n'est pas conducteur (c'est-à-dire bloqué), est la perte par effet Joule du com-25 posant lorsqu'il est conducteur (c'est-à-dire débloqué) et Rr est la perte par effet Joule du composant lorsqu'il n'est pas conducteur. Un composant sera d'autant meilleur dans son application à la commutation de micro-ondes que son facteur de médite, ou fréquence de coupure f .est plus élève. Compte tenu de 30 ce critère, la présente invention concerne donc deux modes de réalisation de transistors à effet de champ qui peuvent commuter des micro-ondes et qui satisfont à certains impératifs de prix. Ces transistors à effet de champ comportent chacun une couche de matière non isolante et de résistivité élevée qui leur per-35 met de répondre au but fixé. La présente invention concerne donc des transistors à effet de champ qui présentent des caractéristiques améliorées de commutation, destinés aux applications en micro-ondes et ORIGINE 71 39132 3 2112391 réalirx-s de manière à réduire au minimum, dans le cadre des limitations pratiques, les pertes par capacité et par effet Joule lorsqu'ils fonctionnent dans un circuit de commutation. D'autres caractér:! stiques et avantages de l'invention 5 ressortirent de la description qui va suivre faite en regard de deux modes de réalisation donnés à titre explicatif et non limitatif. Sur les dessins annexés : Les figures 1 à 4 représentent un premier mode de réali-10 sation d'un transistor à effet de champ à des stades successifs de sa fabrication, le transistor terminé étant représenté sur la figure 4; la figure 5 est un exemple d'utilisation de ce premier mode de réalisation dans un circuit de commutation de micro-15 ondes; les figures 6 à 8 représentent schématiquement un second mode de réalisation d'un transistor à effet de champ à des stades successifs de sa fabrication, le transistor terminé étant représenté sur la figure 8, connecté à un circuit de commuta-20 tion de micro-ondes. La figure 4 représente un transistor à effet de enamp terminé, selon un premier mode de réalisation de l'invention. Ce transistor 10 comporte, à titre d'exemple, un substrat de silicium 12 avec une surface supérieure 14. Une première couche 25 16 de silice, partiellement coupée sur la figure 4, est disposée sur la surface 14 et elle sépare du substrat 12 une seconde couche 18 de nitrure de silicium, partiellement coupée également sur la figure. Une troisième couche 20 de silicium po-lycristallin, formée sur une partie de la couche 18, est en 30 contact avec des électrodes 22 et 24 en peignes imbriqués, appelées respectivement drain et source. Dans un exemple particulier, ces électrodes sont en molybdène. Deux électrodes de contact 26 et 28, par exemple d'aluminium ou d'or, sont formées au-dessus du substrat 12. 35 L'électrode de contact 26 comporte une partie 26a, au- dessus d'une quatrième couche 30 de silice disposée sur une partie du drain 22, une partie intermédiaire 26b qui redescend par le côté sur la surface du substrat, et une autre partie 26c, bad original^ 71 39132 4 2112391 ' représentée partiellement coupée, disposée sur la surface du substrat et entourant partiellement les différentes couches. La partie 26a de l'électrode, la couche 30 et la partie de l'électrode 22 située sous la couche 30, constituent ensemble un con-5 densateur. Une région 32 de conductibilité élevée qui, à titre d'exemple, a la forme d'un U, vue en plan, est formée à la surface supérieure du substrat et elle est connectée à la section 26c de l'électrode de la manière représentée. 10 Le drain 22 comporte une partie 22a au-dessous de la couche 30 de silice, reliée à un certain nombre de parties 22b parallèles et écartées les unes des autres en forme de peigne. La source 24 est, de la même manière, constituée d'une partie 24a au-dessous de l'électrode de contact 28 en aluminium, et 15 reliée à un certain nombre de parties 24b écartées parallèlement les unes des autres en forme de peigne. L'écartement entre les parties 24b et 22b de la source et du drain est de l'ordre de 5 microns et la largeur de chacune de ces parties est de l'ordre de 7,5 microns. 20 Les parties 22a et 24a des électrodes 22 et 24 se trou vent aux extrémités opposées à leurs parties 22b et 24b, et offrent chacune une surface plus importante de contact électrique avec les électrodes 26 et 28 respectivement. Les parties 22b et 24b des électrodes 22 et 24 sont im-25 briquées de la manière connue et séparées latéralement par un intervalle 36 étroit et ondulé, dépourvu de la matière constituant les électrodes. Entre ses extrémités opposées 36a et 36b, l'intervalle 36 ondule autour d'un axe perpendiculaire aux parties 22b et 24b, de manière que la distance qui sépare ces der-30 nières parties reste sensiblement constante en chaque point. La région 32 de conductibilité élevée est formée par dopage en impuretés à concentration élevée (par exemple de phosphore qui est un dopant du type N). Le dopage de la région 32 est effectué de préférence selon une technique courante d'implan 35 tation d'ions, mais il peut également être effectué selon une technique de diffusion. Le reste du substrat (à l'exclusion de la région 32) est fait de préférence d'une matière sensiblement exempte de dopant et présentant une résistivité aussi élevée que possible. ORlG/NAt 2112391 ' Le substrat 12 peut être fait de silicium mono-cristallin sensiblement exempt d'impuretés du type N ou du type P, de manière à constituer un semi-conducteur extrinsèque (pur, non dopé). En pratique, il peut contenir une faible quantité d'impu-5 retés du ty^o lï et/oudu type P, de manière à 'être légèrement intrinsèque caris le type N ou dans le type P en fonction de la quantité des impuretés N et/ou P présentes. Du fait que la région 32 fournit des porteurs de charge pendant le fonctionnement du transistor, il est souhaitable 10 qu'elle soit dopée en impuretés du type N qui libèrent les électrons, plutôt qu'en impuretés du type P qui forment des trous, car la mobilité des électrons est supérieure à celle des trous et cette mobilité donne au transistor 10 une plus grande vitesse de commutation. Autrement dit, il est préférable que 15 la région 32 soit dopée de manière à présenter une semi-conduc-tibilité du type N+ plutôt que du type P+, en la chargeant d'une forte concentration d'impuretés du type N. Cela reste vrai quel que soit le type de semi-conductibilité N ou P (de préférence faiblement N ou faiblement P) présentée par le reste du subs-20 trat (autre que la région 32). En général, il est souhaitable d'éviter la formation d'une jonction P-N,même pauvre, entre la région 32 et le reste du substrat mais, la formation d'une telle jonction P-ïï ne présente aucune importance fondamentale. En effet, le substrat n'est que très faiblement dopé et une jonction 25 P-lï ne peut avoir qu'un effet insignifiant sur le fonctionnement du transistor. Le transistor 10 peut être fabriqué de la manière décrite ci-après. La pièce représentée sur la figure 1 est d'abord produite. Pour aboutir à cette pièce, un substrat 12 de sili-30 ci uni de résistivité élevée, généralement supérieure à 10 000 ohms par cm, de semi-conductibilité intrinsèque légèrement du type N (par exemple) est recouvert d'une couche 2 de silice pyrolytique. Cette couche, qui sera enlevée par la suite, a une épaisseur d'environ 5000 angstroms et elle est formée à la sur-35 faco supérieure du substrat aux environs de 400 à 500°C, en atmosphère convenable. L'épaisseur de la couche 2 est telle qu'elle peut servir de masque dans l'opération d'implantation d'ions. 71 39132 "bad original 71 39132 6 2112391 10 15 20 25 30 La couche 7 est ensuite recouverte d'une couche de réserve photographique (non représentée) qui est exposée sélectivement à la lumière ultraviolette, à travers le dessin d'un masque. Après l'exposition à la lumière ultraviolette la couche de réserve photographique est développée de manière à enlever toutes les parties indésirables et à mettre à nu une surface en forme de U de la couche 2 correspondant à la région 32. Aux endroits où la couche de réserve photographique a été éliminée, la silice pyrolytique est ensuite enlevée par attaque de la couche 2 au moyen d'une solution traditionnelle pouvant être par exemple de l'acide fluorhy-drique dilué dans l'eau dans les proportions en poids de 95% d'eau et 5% d'acide fluorhydrique. Une rainure 4 en forme de U est ainsi formée dans la couche 2. Après formation de la rainure 4 dans la couche 2, une solution d'attaque contrôlée du silicium, par exemple celle connue sous la dénomination CP4, ou une solution standard d'acide fluorhydrique et d'acide nitrique, est utilisée pour former dans le substrat, un creux 31 en forme de U et de faible profondeur contrôlée. Cette opération est faite pour faciliter la fabrication du transistor, car la cavité résultante sert de repère visuel dans les opérations suivantes d'alignement de masque. Dans le transistor terminé, le creux 31 n'a aucune utilité particulière et sa formation peut être supprimée si un alignement correct des masques peut être effectué aux phases suivantes de la fabrication. En vue de simplifier les figures 2, 3 et 4, le creux 31 n'est pas représenté. L'implantation d'ions est ensuite effectuée dans la partie éliminée de la couche 2 à l'aide d'un dispositif d'implantation d'ions qui introduit par exemple du phosphore, un dopant de type N ou autre dopant convenable dans le substrat, formant ainsi la région 32. L'implantation d'ions de phosphore peut etre effectuée à une température de substrat d'environ 40°C. A ce moment, le composant non terminé correspond à celui représenté sur la figure 1, à l'exception près que la réserve photographique qui se trouve sur la couche 2 n'est pas représentée. La surface du substrat est ensuite mire à nu au moyen d'une 71 39132 ' 21j 2391 solution décapante convenable, de manière qu'elle soit propre avant le dépôt des couches. Pour passer ensuite au stade de fabrication représenté sur la figure 2, une couche de silice d'environ 600 angstrôniD d'épaisseur est formée par chauffage du 5 substrat aux environs de 925°C en atmosphère humide convenable. Du nitrure de silicium (Sivtt>, ) est déposé, par une atmosphère j ' convenable, sur le substrat chauffé aux environs de 850°C, de manière à former une couche d'environ 300 angstrôms d'épaisseur. Une couche de silicium polycristallin est ensuite déposée par 10 une atmosphère chargée de silane (SiH^) alors que le substrat est chauffé à une température de l'ordre de 800 à 850°C. Peu de temps après le début du dépôt de matière polycristalline, une quantité déterminée de diborane (BgHg) gazeux est introduite dans l'atmosphère de manière que du bore dissocié du diborane 15 soit incorporé dans la couche de silicium polycristallin au fur et à mesure que son épaisseur augmente. Par ce moyen, qui est optionnel de nature, la résistivité de la couche peut être déterminée par la quantité de bore introduite, car ce dernier modifie la résistivité du silicium polycristallin d'une manière 20 facile à commander. La résistivité de cette couche peut être facilement déterminée de manière à varier à volonté d'environ 1000 ohms à quelques mégohms. Les couches déposées sur le substrat sont ensuite mises en forme à l'aide de masques de verre portant des gabarits métal-25 liques, des couches de réserve photographique et des solutions d'attaque de type habituel, de manière à laisser une couche isolante 16 de silice formée thermiquement,une couche/^"§0àen^eni-trure de silicium et un film 20 de silicium polycristallin non isolant et de résistivité élevée. Ces couches sont limitées cha-30 cune aux surfaces représentées sur la figure 2, leurs positions étant définies avec précision latéralement et par rapport à la région 32 du substrat. A l'étape suivante de la fabrication, représentée sur la figure 3, du molybdène, du chrome ou un autre métal est déposé 55 sur le substrat de manière à recouvrir toute sa surface supérieure. Le molybdène déposé est masque, attaqué, et démasqué de manière à former les électrodes 22 et 2h au profil voulu. A la phase de fabrication représentée sur la figure bad 71 39132 8 2112391 une couche de silice pyrolytique, ou de nitrure de silicium, est déposée sur toute la surface supérieure du substrat, masquée et attaquée de manière à laisser une couche 30 de surface limitée. Le choix de la matière utilisée pour la couche 30 dépend du choix 5 qui est fait de la constante diélectrique de la silice pyrolytique ou de nitrure de silicium. Des électrodes de contact 26 et 28 sont formées sur la pièce, par exemple par dépQt d'aluminium et un procédé de masque et d'attaque, de manière à aboutir enfin au transistor 10 repré-10 senté sur la figure 4 avec ses électrodes de contact 26 et 28 d'aluminium. Il est certain que des variantes peuvent être apportées au procédé qui vient d'être décrit. D'autres matières peuvent être utilisées et la succession des phases de traitement peut 15 être modifiée. Au lieu du silicium utilisé dans cet exemple, le substrat 12 peut être fait d'un autre semi-conducteur tel que le germanium ou l'arséniure de gallium. Les électrodes 22 et 24 ne sont pas nécessairement faites de lamême matière, ou au même moment, et pourraient, par exemple, être faites respectivement 20 de molybdène et d'aluminium. A côté de la silice formée thermi-quement et du nitrure de silicium, d'autres matières isolantes peuvent constituer les couches 16 et 18 et une seule couche de matière isolante convenable pourrait suffir à séparer la couche 20 du substrat, au lieu de la couche composite formée des cou-25 ches 16 et 18 donnant l'épaisseur voulue. La couche 20 n'est pas nécessairement en silicium polycristallin et peut être en une autre matière non isolante et de résistivité élevée, par exemple en germanium ou autre matière semi-conductrice ou encore en un métal déterminé déposé sous forme de couche mince continue 30 lui donnant une résistance totale comparable à celle de la couche 20 de silicium polycristallin. Il est donc bien évident que la présente invention ne se limite pas à l'exemple particulier décrit en regard de la figure 4. La figure 5 illustre l'application du transistor à effet 35 de champ 10 à la commutation de micro-ondes. Une charge 50 est connectée entre les deux bornes de sortie 52 et 5^ d'un circuit 56 de commutation de micro-ondes comportant le transistor à effet de champ 10, une source 58 de micro-ondes et une source 60 71 39132 9 2112391 ' de signe.;.).:-; de ec:-bat ion. Ln figure '3 représente le transistor 10, illustré dans sn forme terminée sur la figure 4, certains détails Ainsi quf le montre la figure 5, la source 58 de microondes est connectée en série avec la charge 50 et l'ensemble est connecté aux électrodes 26 et 28 du transistor 10. La source 60 de signaux de commutation est connectée en parallèle sur la 5 charge [30 et la source 58 de micro-ondes, et elle est également reliée aux électrodes 26 et 28 du transistor 10. La source 60 de signaux de commutation et la source 58 de micro-ondes délivrent chacune des signaux de fréquences différentes. La source 60 délivre par exemple un signal en impulsions d'une fréquence f^ !0 et la source 58 délivre par exemple une micro-onde de fréquence fp qui, dans la plupart des applications, est beaucoup plus élevée que la fréquence f^. Le signal en micro-ondes appliqué par la source 58 à la charge 50, est donc découpé répétitivement à une fréquence qui correspond à la fréquence f^ lorsque la source >5 60 commande la commutation du transistor 10. L'électrode 26, la couche isol ante J>0 et le drain 22 constituent, dans le circuit de commutation 56, un condensateur connecté entre le drain 22 et le reste du circuit 56.Une composante de courant continu cc>n-tenue dans le signal en micro-ondes, et fournie par l'une ou >0 l'autre d?s sources 58 et 60, ne peut circuler dans la couche 20 non isola!"te et de haute résistivité comme cela se produirait si la connexion électrique, au lieu d'Otre effectuée indirectement avec, le drain 22 par l'intermédiaire de l'électrode 26, • était effectuée directement. yj Le passage du transistor 10 entre ces états conducteur1 et non conducteur s'effectue par l'induction d'un circuit de passage de courant dans le subs'r.rat 12, près de sa surface supérieure, à la commande du circuit de commutation 56. Sur la figure 9AD OR' ■ri'*' M 1 71 39132 10 2112391 ' 5, la référence 6? représente un circuit de passade du courant dans le substrat et la référence 6^1 représente un circuit de passage du courant dans la couche 20. Lorsque la polarité de la source de signaux de commuta-5 tion est telle que l'électrode 26 est à une tension positive par rapport à l'électrode 24, le transistor, qui est un transistor à canal N, est dans son état non conducteur et ne laisse passer qu'un signal de faible niveau. Dans l'état non conducteur du transistor, un courant de fuite de faible intensité circule dans 10 la couche 20 suivant le circuit 64 et un courant de fuite de faible intensité circule dans la région R du substrat suivant le circuit 62. Gr'âce à la résistance élevée de la couche 20 entre les électrodes 22 et 24, le courant de fuite qui circule dans cette couche 20 est maintenu à un niveau faible. 15 Au contraire, si la polarité de la source de signaux de commutation est telle que l'électrode 26 est à une tension négative par rapport à l'électrode 24, le transistor.est dans son état conducteur et laisse passer un signal d'intensité élevée. Dans l'état conducteur du transistor, un courant d'intensité 20 élevée circule dans la région R suivant le circuit 62 tandis qu'un courant de fuite de faible intensité circule dans la couche 20 suivant le circuit 64. L'intensité du courant de fuite qui circule dans la couche 20 est à peu près la même, que le transistor soit conducteur ou non, et ce courant est négligeable 25 devant celui qui circule dans la région R lorsque le transistor est conducteur. Le courant qui circule dans le transistor à l'état conducteur est fourni par le circuit de commutation 56 et par l'intermédiaire du condensateur constitué par les éléments 26, 30 et 22. Lorsque le transistor est dans l'état conducteur, 30 une quantité importante de porteurs de charges (c'est-à-dire d'électrons si la région 32 est dopée en impuretés du type N) se déplace latéralement dans la région R, provenant de la région 32 adjacente. Les porteurs de charges diffusent dans la région R dont la résistivité décroît donc jusqu'à une valeur très in-35 férieure à sa résistivité en l'absence de porteurs. Le signal produit par la source 60 et appliqué entre les électrodes 26 et 28 fait apparaître un champ électrique à l'intérieur des couches isolantes 16 et 18 et la région R. Sous e BAD 71 39132 11 2112391 ' l'action de ce champ électrique, les porteurs de charges diffusent dans la région R et la résistance de la couche 20 entï>e les électrodes 22, ne varie sensiblement pas de sorte que le faible courant de fuite qui circule dans cette couche reste sen-5 siblement constant. Lorsque la région R devient plus conductrice, en raison de la diffusion des porteurs de charge, le transistor 10 relie électriquement la source 58 au circuit de charge 50, le signal provenant de la source 58 étant appliqué à la région R par la 10 capacité entre cette région R et les électrodes 22 et 24. La figure 8 représente schématiquement un second mode de réalisation de la présente invention. Le transistor à effet de champ 80 représenté sur la figure 8 comporte un substrat 82 de silicium monocristallin de résistivité relativement élevée, 15 une électrode de source 84 en molybdène, une électrode de drain 86 en molybdène, une première couche isolante 88 de silice pyrolytique d'environ 400 angstroas d'épaisseur, une seconde couche isolante 90 de nitrure de silicium d'environ 400 angstroms d'épaisseur, une troisième couche 92 non isolante et de résistivité 20 élevée faite de silicium polycristallin, une électrode de commande 94, ou grille, faite d'aluminium et constituée de sections 94a, 94b, et 94c, et une électrode de contact 96 en aluminium. Le transistor 80 est connecté dans un circuit de commutation 56 identique à celui de la figure 4 décrit précédemment. Les compo-25 sants ou éléments de ce circuit 56, autres que le transistor 80, sont désignés par les mêmes références que les éléments identiques de la figure 5. Bien que le circuit 56 soit le même dans les figures 5 et 8, la manière dont il est connecté aux transistors 10 et 80 est légèrement différente. Sur la figure 8, la 30 connexion est faite directeir.c-nt entre le drain 86, par l'intermédiaire de l'électrode 94, et le reste du circuit de commutation 56, aucun condensateur n'étant intercalé entre le drain 86 et le reste du circuit de commutation comme sur la figure 5. Sur la figure 8 également, les électrodes de drain et de source, 84 et 35 86, sont chacune en contact superficiel avec le substrat 82, contrairement à la figure 5 où les électrodes correspondantes de drain et de source 22, 24, sont en contact superficiel, non pas avec le substrat 12, mais avec la couche 20 non isolante de BAD Oh 71 39132 12 2112391 ' résistivité élevée, et la couche 18 isolante de nitrure de silicium. Les détails du transistor 80 ressortiront plus clairement de la description de son procédé de fabrication. Les figu-5 res 6 et 7 représentent le transistor 80 avant qu'il soit terminé, en différentes phases de sa fabrication. La pièce partiellement fabriquée représentée sur la figure 6 comporte une électrode de drain 86 et une électrode de source 84 sur un substrat 82. Ce dernier comporte une région 98 de haute conductibilité 10 et en relief, représentée partiellement coupéç et située dans une zone rectangulaire de la surface supérieure commune au drain et à la source 86 et 84. Afin de simplifier les figures 7 et 8, la surface supérieure du substrat est représentée sans cette région 98 en relief, mais il est biëô entendu que les électro-15 des de source et de drain 84 et 86 recouvrent et font, contact avec des parties de cette région. Le transistor 80 partiellement fabriqué, représenté sur la figure 6, est obtenu en soumettant là surface supérieure du substrat, débarrassée de toute autre matière, à une implanta-20 tion d'ions phosphoreux (impuretés du type N) de manière que la conductibilité de la région implantée soit du type N de faible résistivité, d'environ 0,1 à 0,2 micron de profondeur (très peu profonde) avec environ 10^ atomes d'impuretés par crsp à la surface. Au lieu d'ions phosphoreux, des ions de bore peuvent 25 être implantés à la surface supérieure du substrat, auquel cas la conductibilité de la région implantée est du type P et de faible résistivité. Après l'implantation d'ions, du molybdène, de l'aluminium ou un autre métal, servant à constituer les électrodes 84 et 86, est déposé sous forme d'une couche sur la sur-30 face supérieure dénudée du substrat. La couche de molybdène, déposée sous une épaisseur d'environ 2 000 angstroms à une température d'environ 400°C et en 10 minutes environ, est recouverte d'une couche de réserve photographique qui est exposée sélectivement à la lumière ultraviolette à travers un masque portant 35 un gabarit correspondant à la forme de la source et du drain à . former. La couche de réserve photographique est développée de manière à enlever des zones déterminées et à laisser oelles sous lesquelles les électrodes de source et de drain 84 et 86 doivent ôtre formées. 71 39132 2112391 Les régions de la couche de molybdène déposée sur les substrats et qui sont débarrassées de réserve photographique sont attaquées de manière à laisser les électrodes 84 et 86 de source et de drain de la forme représentée sur la figure 6, séparées 5 par un intervalle ondulé, (non référencé;. La source 84 comporte des parties 84a et 84b et le drain 8Ç6omporte des parties 86a, 86b et 86c. La partie de la surface supérieure du substrat se trouvant; sous l'intervalle précité entre la source et le drain est attaquée jusqu'à une 10 profondeur supérieure à l'épaisseur de la région fortement dopée, de manière à définir une rainure 100 ondulée, visible sur la figure 6. En m'éme temps que la rainure 100, le substrat est également attaqué autour des bords extérieurs latéraux des électrodes 84 et 86 de manière à limiter la région 98 de haute conduc-15 tibilité sous les électrodes 84 et 86. La réserve photographique qui reste sur le substrat et les électrodes est ensuite enlevée de manière à aboutir à la pièce représentée sur la figure 6. Cette attaque du substrat formant la rainure 100 est effectuée dans le but d'isoler physiquement et électriquement 20 les parties voisines de la région 98 de haute conductibilité, situées sous la source et le drain, 84 et 86, qui constitueront ensuite les parties voisines imbriquées des régions de source et de drain du transistor 80 terminé. Les régions de source et de drain sont donc définies en utilisant le molybdène comme 25 masque d'attaque, ce qui ne pose aucun problème d'alignement de masque. Un certain nombre d'étapes de fabrication conduisent ensuite à la pièce représentée sur la figure 7. Une couche isolante 88 de silice pyrolytique, une couche isolante 90 de nitru-30 re de silicium et une couche 92 non isolante de résistivité élevée, de silicium polycristallin,sont formées, selon les mêmes techniques habituelles décrites et utilisées, pour former sur le substrat des couches similaires à celles du transistor de la figure 4 au-dessus des parties imbriquées des électrodes 84 et 35 86 de source et de drain. Dans cet exemple, les couches 88, 93, 92 (représentées sur la figure 7), ne s'étendent pas au-dessus des parties 8j'-a et 86a des électrodes 84 et 86 de source et de drain. Ainsi que le montre la figure 7, la couche 92 comporte 1 BÂD Ort!'3!N.*-ï, 71 39132 1" 2112391 ' un creux ondulé 102 dans laquelle la matière se prolonge sans discontinuité physique à partir des parties voisines latéralement de la couche 92 et vers le bas dans la rainure 100 du substrat. Les trois couches 88, 90 et 92 tendent chacune à rem-5 plir la rainure 100 située sous elles de sorte que la surface du substrat, au fond de la rainure 100, est nécessairement recouverte par chacune des couches qui recouvrent chacune toute la largeur de la rainure. Le transistor 80, complètement terminé, représenté 10 sur la figure 8, est obtenu en formant une électrode de grille 94 en aluminium (pouvant être également appelée électrode de commande ou électrode de champ) ainsi qu'une électrode de contact 96 sur le substrat, selon les procédés habituels de dépSt d'aluminium, de masque photographique et d'attaque d'aluminium. 15 L'électrode 94 est obligatoirement couplée par capacité à l'électrode 84 par l'intermédiaire des couches 88, 90 et 92 et, par conséquent, sa surface est rendue aussi faible.que possible de manière que la fréquence de coupure f soit aussi élevée que g possible. 20 Le transistor dont la structure est représentée sur la figure 8 peut évidemment être réalisé avec d'autres matières et selon des phases différentes. L'électrode 96 n'est en contact superficiel qu'avec la partie 84a de la source. La grille, ou électrode de commande 25 94, comporte une partie principale 94a en contact superficiel avec la partie 86a du drain 86, et également un certain nombre de parties 94b en forme de doigts et une partie intermédiaire 94c qui relie la partie 94a aux parties 94b. Les parties 9^b sont situées au-dessus de la couche 92 de manière à recouvrir 30 chacune une partie déterminée de l'électrode de drain 86 se trouvant au-dessuus des couches 88, 90 et 92; La partie intermédiaire 94c est disposée latéralement par rapport à la partie 86a du drain 86, et elle remonte sur le c'dté de la couche 92.. Aucune partie de l'électrode de commande 94 ne se prolonge la-35 téralement sur la couche 92 de manière à recouvrir l'intervalle entre les électrodes 84 et 86 de source et de drain ou la rainure 100 du substrat qui, ainsi que mentionné précédemment, sépare la région 98 de conductibilité élevée en régions de source f BAD ORiqINal 71 39132 15 2112391 et de drain séparées latéralement (disposées de chaque côté de la rainure). En raison du recouvrement des électrodes de source et de drain 8'i et 86 par l'électrode de commande $4, la capacité qui existe inévitablement entre les électrodes 84 et 86 5 est réduite, ainsi qu'il est souhaitable. Les figures 6 à 8, et particulièrement les figures 6 et 7 montrent que, ainsi que mentionné précédemment, l'électrode de drain 86 comporte une partie 86a, des parties 86b et des parties 86c. Les parties 86b et 86c sont en forme de doigts et 10 sont semblables, à l'exception près que les parties 86c sont plus étroites que les parties 86b, bien que la largeur de la rainure 100 reste constante de bout en bout. Les parties 86b sont celles qui ont été choisies pour être recouvertes par les parties 94b de l'électrode de commande (dont elles sont 15 séparées par les couches 88, 90 et 92) et les sections 86c sont celles qui ne sont pas choisies pour être recouvertes par l'électrode de commande 94. Les parties 86b sont plus larges à dessein de manière à assurer leur alignement vertical avec les parties 94b de l'électrode de commande, car le procédé de masque 20 selon lequel cette électrode de commande 94 est formée implique nécessairement une certaine erreur d'alignement dont l'importance est moindre si les parties 86b du drain sont suffisamment larges. La largeur des parties 84b et 84c du drain peut être de l'ordre de 7,5 microns,celle des parties 94b de l'électrode de 25 commande, de l'ordre de 5 microns et celle des parties 86b du drain,de l'ordre de 15 microns. Les régions de source et de drain peuvent être écartées d'environ 5 microns l'une de l'autre. Toutes les parties 86c de l'électrode de source peuvent être aussi larges que les parties 86b de cette électrode mais, dans 30 ce cas, une partie de la surface du transistor 80 est inutilement perdue et son efficacité est moindre dans les applications à la commutation de micro-ondes en raison de l'augmentation de la capacité entre les électrodes 84 et 86. Dans le transistor 80, le positionnement indiqué des 35 parties 94b de l'électrode de commande suffit à assurer que toute tension appliquée à cette électrode par l'intermédiaire de la partie 9'ia se répartit également aux différents points de la couche 92, au moins dans ses parties proches du creux 102 ~r BAD ORî-'V'M. 71 39132 2112391 ' situées au-dessus de la rainure 100, même si des parties non négligeables de la couche 92 sont enlevées sur les côtés et sans aucun contact superficiel direct avec aucune partie de l'électrode de commande 94. 5 Ainsi qu'il sera expliqué ci-après, la tension de pola risation appliquée à l'électrode de commande agit également en tous les points le long de la rainure 100 du substrat 82, de manière à modifier la conductibilité électrique d'une partie de ce substrat sous ia rainure 100 dans laquelle la circulation du 10 courant doit être commandée. Du fait que l'électrode de commande 94 et le drain 86 sont alignés verticalement, la capacité de fuite du transistor 80 est réduite au minimum de sorte que, ainsi qu'il était souhaité, le transistor est mieux adapté à la commutation des micro-ondes. Le fonctionnement du composant de la 15 figure 8 dans le circuit dè commutation représenté est le suivant: la source 60 de signaux de commutation peut, à un moment donné, provoquer l'attraction ou la répulsion de porteurs de charge dans la partie du substrat 82 où se trouve la rainure 100 et modifier, sous l'effet du champ électrique, la conducfci-20 bilité électrique du substrat dans le circuit de passage du courant entre la source 84 et le drain 86. Les porteurs de charge existent dans le substrat 82 en quantité déterminée par l'action du champ électrique. Il y a lieu de remarquer que les transistors illustrés 25 respectivement par les figures 4 et 8 sont essentiellement des composants à deux bornes qui peuvent être montés de manière simple et commode dans un câble coaxial ou autre, afin de commuter des signaux en micro-ondes. Dans certaines applications, par exemple lorsque la fréquence des signaux à commuter est infé-50 rieure à la fréquence des micro-ondes, il est possible d'utiliser les transistors décrits sous une forme modifiée comme composants de commutation à trois bornes. Le transistor de la figure 4 peut être modifié et utilisé en formant les parties d'électrodes 26a et 26c sous forme d'électrodes discrètes séparées 35 (c'est-à-dire qui ne sont pas connectées électriquement à une partie d'électrode 26b) et en connectant une source de signaux telle que la source 60 entre la section d'électrode 26c et l'électrode 22, tout en reliant la source 58 et la charge 50 êAô ORIGINAL 71 39132 17 2112391 ' entre les clectrodos 22 et 24, de manière à faire basculer le transistor entre les états conducteur et non conducteur. Le transistor de In figure 8 peut être modifié et utilisé en séparant l'électrode 94 du drain 86 (par exemple en éliminant la 5 section d'électrode 9-a de manière que l'électrode 94 ne comport que des parties 9'ib et 9''C qui ne sont pas en contact avec l'électrode 86j et en connectant une source de signaux telle que la source 60 entre l'électrode 84 ou 86 et l'électrode 94 qui en est séparée. 10 Dans les modes de réalisation des figures 4 et 8, la dis tance entre les électrodes de source et de drain (22 et 24, ou 84 et 86; désignée par longueur L est petite,comparée à la largeur W de la source dans la direction perpendiculaire à la longueur L, de sorte que le rapport de W à L est grand. Du fait que 15 la distance L est limitée pratiquement par des facteurs de réalisation, et qu'elle ne peut pas 'être inférieure à environ 5 microns, l'imbrication des électrodes de source et de drain augmen te la distance W, diminuant ainsi la résistance des composants décrits et conduisant à une fréquence de coupure f plus élevée. G 20 Bien que plusieurs modes de réalisation de l'invention soient illustrés et décrits, d'autres modes de réalisation peuvent être obtenus en effectuant certaines modifications dans le cadre de l'invention. La plus grande partie de la description concernant chaque mode de réalisation s'applique également à 25 l'autre. BAD cniGMAL"* 71 39132 18 2112391 HCTFIIDICATIOMS 1 - Procodé de fabrication d'un composant à effet de champ, caractérise en ce qu'il consiste essentiellement à préparer un substrat semi-conducteur, à former une matière isolante 5 d'épaisseur prédéterminée sur une surface dudit substrat, à former une couche de matière non isolante et résistante d'épaisseur prédéterminée sur ladite matière isolante, et à former des électrodes de source, de drain et de commande sur ladite couche et sur la surface dudit substrat, ladite électrode de commande étant 10 formée sur l'une ou l'autre surface de ladite couche ou dudit substrat, lesdites électrodes de source et de drain étant formées sur celle des surfaces de ladite couche ou dudit substrat sur laquelle n'a pas été formée ladite électrode de commande. 2 - Procédé de fabrication d'un composant à effet de 15 champ, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à préparer un stfbstrat semi-conducteur, à former une région de faible résistivité dans ledit substrat et à sa surface, à former des couches successives sur ladite surface en formant une première couche de matière isolante sur ladite surface, une seconde cou-20 che de matière isolante sur ladite première couche et une troisième couche de matière non isolante et résistante sur ladite seconde couche, et à former des électrodes de source, de drain et de commande sur l'ensemble résultant en formant lesdites électrodes de source et de drain sur ladite troisième couche et 25 en formant ladite électrode de commande sur ladite région de faible résistivité. 3 - Procédé de fabrication d'un composant à effet de champ, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à préparer un substrat semi-conducteur, à former des régions de source 30 et de drain de faible résistivité dans une surface dudit substrat, à former des électrodes correspondantes de source et de drain sur lesdites régions correspondantes, à former des couches successives sur ladite surface en formant sur elle une première couche de matière isolante, une seconde couche de matière isolante sur 35 ladite première couche, et une troisième couche de matière non isolante et résistante sur ladite seconde couche, et à former une électrode de commande sur ladite troisième couche. 4 - Composant à effet de champ, caractérisé en ce qu'il BAD Origine 71 39132 19 2112391 comporte un substrat semi-conducteur ayant une surface donnée, une couche de matière non isolante et résistante qui recouvre une zone de ladite surface, dont l'épaisseur est prédéterminée et qui est séparée de ladite surface du substrat par une matière 5 isolante d'épaisseur prédéterminée, des première et seconde électrodes écartées l'une de l'autre et en contact respectif avec l'une choisie des surfaces de ladite couche et dudit substrat de manière à être isolées par ladite matière isolante de celle des surfaces de ladite couche et dudit substrat qui n'est 10 pas choisie, et une autre électrode en contact avec la surface non choisie de ladite couche et dudit substrat isolée de la surface choisie de ladite couche et dudit substrat, de manière qu'un signal appliqué entre ladite autre électrode et l'une déterminée desdites première et seconde électrodes puiss-e pas-15 ser de l'une à l'autre à travers l'épaisseur combinée de ladite couche et de ladite matière isolante. 5 - Composant à effet de champ, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat semi-conducteur sur la surface supérieure duquel sont formées un certain nombre de couches, ces couches 20 comportant au moins une première couche de matière isolante disposée entre ladite surface supérieure et une seconde couche de matière non isolante et résistante séparée physiquement de ladite surface supérieure par ladite première couche, et une électrode de source, une électrode de drain et une électrode 25 de commande disposées de manière que ladite électrode de commande soit formée sur une surface choisie dudit substrat ou de ladite seconde couche, lesdites électrodes de source et de drain étant formées sur la surface dudit substrat ou de ladite seconde couche sur laquelle ladite électrode de commande n'a pas é'té 30 formée. 6 - Composant selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une couche supplémentaire de matière isolante disposée entre ladite surface supérieure et ladite seconde couche. 35 7 - Composant selon la revendication 5, caractérisé en ce que lesdites électrodes de source et de drain sont formées sur ladite seconde couche, ladite électrode de commande étant formée sur ladite surface supérieure. 1 bad original 20 71 39132 2112391 ' 8 - Composant selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite électrode de commande est formée sur une région de faible résistivité de ladite surface supérieure. 9 - Composant selon la revendication 7, caractérisé en 5 ce que ladite électrode de commande est connectée à un condensateur faisant partie dudit composant et constitué d'un métal auquel ladite électrode de commande est connectée et qui recouvre une partie du drain dont il est séparé par une couche de matière isolante. 10 10 - Composant selon la revendication 5, caractérisé en ce que lesdites électrodes de source et de drain sont formées sur ledit substrat, ladite électrode de commande étant formée sur ladite seconde couche. 11 - Composant selon la revendication 10, caractérisé 15 en ce que lesdites électrodes de source et de drain sont formées respectivement sur des régions de source et de drain de faible résistivité et écartées l'une de l'autre sur ladite surface supérieure. 12 - Composant selon la revendication 11, caractérisé 20 en ce que des ions d'impuretés sont implantés dans lesdites régions de source et de drain de manière à leur conférer une faible résistivité. 13 - Composant selon la revendication 10, caractérisé . en ce que ladite électrode de commande recouvre des parties 25 déterminées de ladite seconde couche. 14 - Composant selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite électrode de commande est également connectée à ladite électrode de drâin. 15 - Composant à effet de champ, caractérisé en ce qu'il 30 comporte un substrat de matière semi-conductrice comportant une région de surface de matière de résistivité relativement faible par rapport à la résistivité d'une autre région de surface voisine latéralement de ladite première région de surface, une couche non isolante et résistante d'épaisseur déterminée recouvrant 35 ladite autre région de surface et étant écartée d'elle par une matière isolante d'épaisseur prédéterminée disposée entre elles, et /§ eux' "éîectrod es écartées l'une de l'autre sont formées sur ladite couche et une électrode de commande est formée sur ladite SAD qrjoinal1 71 39132 2112391 première région de surface. 16 - Composant selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit substrat est en matière semi-conductrice mono-cristalline, Indite couche étant en matière semi-conductrice 5 polyeristalline. 17 - Composant selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit substrat est en silicium monocristallin, ladite matière isolante comportant une première couche de silice déposée sur ladite autre région de surface et une seconde couche de 10 nitrure de silicium formée sur ladite première couche, ladite couche non isolante et résistante consistant en silicium polycristallin formé sur ladite seconde couche. 18 - Composant de commutation, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat de matière semi-conductrice, une première 15 couche de matière isolante sur une région de surface dudit substrat, une seconde couche de matière isolante sur ladite première couche, une troisième couche de matière non isolante et résistante sur une région de surface de ladite seconde couche, une première et une seconde électrode comportant chacune une partie 20 principale sur ladite seconde couche et des parties mineures sur ladite région de surface de ladite troisième couche, les électrodes étant écartées l'une de l'autre, les parties mineures de ladite première électrode étant proches des parties mineures de la seconde électrode, une quatrième couche de matière isolante 25 sur la partie principale de ladite première électrode, une troisième électrode comportant une partie sur ledit substrat, proche de sa région de surface et sur une partie de ladite quatrième couche, une région fortement dopée dudit substrat étant en contact avec la première partie de ladite troisième électrode, 30 lesdites première, seconde et troisième couches constituant un circuit résistant dans ladite troisième couche entre lesdites première et seconde électrodes, séparées physiquement de ladite région de surface dudit substrat par lesdites première et seconde couches et introduisant un couplage capacitif entre chacune 35 de édites pr^nn et seconde électrodes et ladite région de surface dudit substrat par l'intermédiaire desdites première et seconde couches, ladite région fortement dopée fournissant des porteurs de charge à ladite région de surface dudit substrat bad original 71 39132 22 2112391 afin de modifier sa résistivité effective. 19 - Composant de commutation, caractérisé en ce qu'il comprend une matière semi-conductrice comportant une région de surface et une couche non isolante et résistante superposée 5 sur ladite région de surface dont elle est séparée par une matière isolante d'épaisseur prédéterminée, deux électrodes écartées l'une de l'autre sur ladite couche et définissant entre elles une résistance en dérivation sur un circuit de passage du courant dans ladite région de surface, une électrode de commande 10 placée sur ladite matière semi-conductrice à proximité de ladite région de surface, et une région fortement dopée de ladite matière semi-conductrice à laquelle est reliée ladite électrode de commande, lesdites électrodes étant disposées physiquement dans le voisinage l'une de l'autre de manière que la résistance 15 effective dudit circuit de passage du courant puisse être modifiée par la diffusion de porteurs de charge provenant de ladite région fortement dopée vers ladite région de surface» 20 - Composant semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat de matière semi-conductrice de résis- 20 tivité prédéterminée, dont une zone de la surface comporte une première région d'un type de conductibilité donnée et de résistivité sensiblement inférieure à ladite résistivité prédétermi- ^ née, une première couche de matière isolante recouvrant ladite 4 zone de surface à l'exception de ladite première région qui est 25 disposée sur le c0té de ladite première couche, une seconde couche de matière isolante recouvrant ladite première couche, une troisième couche de matière non isolante et résistante recouvrant une partie de ladite seconde couche, une électrode de source recouvrant une partie respective de ladite troisième couche et 30 une première partie de ladite seconde couche, disposée sur le côté de ladite troisième couche, une électrode de drain recouvrant une partie de ladite troisième couche et une seconde partie de ladite seconde couche disposée sur le côté de ladite troisième couche, une quatrième couche de matière isolante recouvrant la-35 dite électrode de drain de manière à recouvrir ladite seconde partie de ladite seconde couche, et une électrode de commande recouvrant ladite quatrième couche ainsi que ladite première région de manière que ladite électrode de commande forme un con- [ BAD ORIGINAL 71 39132 2112391 densateur avec ladite quatrième couche et ladite électrode de drain et que ladite électrode de commande l'orme avec ladite première réfion un dispositif qui diffuse des porteurs de charge vers ladite zone de surface ,de ladite première région. 5 21 - Composant à efret de champ, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat de matière semi-conductrice comportant des régions de source et de drain écartées l'une de l'autre sur une surface commune, une électrode de source formée sur ladite région de source et une électrode de drain formée sur ladite 10 région de drain, une matière isolante d'épaisseur prédéterminée formée sur ladite surface commune du substrat et agencée de manière à recouvrir partiellement lesdites électrodes de source et de drain, une couche de matière non isolante et résistante d'épaisseur prédéterminée formée sur ladite matière isolante et' 15 une électrode de commande formée sur ladite couche. 22 - Composant selon la revendication 21, caractérisé en ce que ladite électrode de commande recouvre des segments déterminés de ladite électrode de drain. 23 - Composant selon la revendication 21, caractérisé 20 en ce que lesdites régions de source et de drain sont écartées l'une de l'autre par une rainure étroite et ondulée située entre elles. 24 - Composant à effet de champ, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat de matière semi-conductrice de résis- 25 tivité relativement élevée comportant une région de surface de résistivité relativement faible au-dessous d'une rainure d'une surface donnée du substrat , une première zone donnée de ladite surface du substrat voisine latéralement de ladite région de surface et recouverte d'une matière isolante d'épaisseur prédë-30 terminée, une seconde zone donnée de ladite matière isolante entre des troisième et quatrième zones données d.e ladite matière isolante recouverte d'une couche de matière non isolante et résistante d'épaisseur prédéterminée, des première et seconde électrodes écartées l'une de l'autre et formées sur ladite cou-35 che et sur ladite matière isolante, la première électrode comportant une partie formée sur ladite troisième zone donnée de ladite matière isolante et la seconde électrode comportant une partie formée sur ladite quatrième zone donnée de ladite matière EAD OJVC-k-4!^ 71 39132 24 2112391 isolante, les première et seconde électrodes comportant chacune d'autres parties formées sur des parties écartées l'une de l'autre de ladite couche de manière que lesdites première et seconde électrodes soient imbriquées, et une troisième électrode 5 étant formée sur ladite région de surface. 25 - Composant à effet de champ, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat de matière semi-conductrice monocristalline faiblement dopé, comportant une région de canal adjacente à la surface du substrat entre des première et seconde 10 régions de surface fortement dopées du même type de conductibilité, une première électrode formée sur la surface dudit substrat en contact avec ladite première région et une seconde électrode formée sur la surface dudit substrat en contact avec ladite seconde région, des première et seconde couches superpo-15 sées de matière isolante recouvrant respectivement ladite région de canal et recouvrant également des parties desdites première et seconde électrodes qui sont voisines latéralement de ladite région de canal, une troisième couche de matière semi-conductrice polycristalline faiblement dopée recouvrant lesdi-20 tes première et seconde couches et étant formées sur ladite seconde couche et une troisième électrode formée sur ladite troisième couche étant décalée latéralement de ladite région de canal et recouvrant ladite première électrode. 26 - Composant selon la revendication 25, caractérisé 25 en ce que ledit substrat est en silicium sensiblement intrinsèque, lesdites première et seconde régions contenant chacune des ions implantés d'impuretés fournissant des donneurs. 27 - Composant selon la revendication 25, caractérisé en ce que ladite première couche est en silice, ladite seconde 30 couche est en nitrure de silicium et ladite troisième couche est en silicium polycristallin. 28 - Composant selon la revendication 25, caractérisé en ce que ladite région de canal suit un trajet ondulé> de manière que lesdites première et seconde régions ainsi que les- 35 dites première et seconde électrodes soient imbriquées. 29 - Composant selon la revendication 28, caractérisé en ce que lesdites première et seconde couches recouvrent une zone de ladite surface du substrat dans laquelle lesdites pre- QHiâitoAi.7 71 39132 25 2112391 mièrc et seconde électrodes sont drabriquées. 30 - Composant selon la revendication 25, caractérisé en ce que ltdite région Ce canal se trouve au-dessous d'une rainure étroite forcée à In surface dudit substrat entre lesdites pre- 5 mi ère et, sc-conde régions. 31 - Composant selon la revendication 25, caractérisé en ce que lesdites première et seconde électrodes comportent chacune une partie principale commune à un certain nombre de parties mineures, lesdites parties mineures desdites première et seconde 10 électrodes étant imbriquées, ladite troisième électrode étant une électrode de commande qui comporte une partie principale commune et une partie mineure et qui est décalée latéralement par rapport à ladite région de canal, de manière que lesdites parties mineures de l'électrode de commande recouvrent certaines parties 15 choisies des parties mineures de la première électrode. 32 - Composant selon la revendication 31, caractérisé en ce que chacune des parties mineures de la première électrode a une largeur prédéterminée, celles choisies des sections mineures de la première électrode étant plus larges que celles non choi- 20 sies. 33 - Composant à effet de champ, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat semi-conducteur de résistivité relativement élevée, comportant à sa surface des régions de source et de drain espacées l'une de l'autre et situées de chaque côté d'une rainure 25 étroite et ondulée, des première et seconde couches différentes de matière isolante recouvrant ladite surface, ainsi qu'une zone de surface commune desdites régions de source et de drain, une troisième couche de matière non isolante et résistante recouvrant lesdites première et seconde couches, une électrode de source 30 étant en contact avec ladite région de source, une électrode de drain étant en contact avec ladite région de drain et une électrode de commande étant en contact avec ladite troisième couche, lesdites électrodes de source et de drain étant écartées l'une de l'outre et disposées entre ladite surface et ladite première 35 couche, de manière à constituer un circuit de passage du courant dans la matière dudit substrat contenant lesdites régions de source et de drain ainsi que dans la matière duùit substrat disposée entre elles, ladite électrode de commande étant disposée 1 71 39132 2 6 2112391 sur lr.dite troisième couche de manière à ne recouvrir que ladite électrode de drain. 54 - Composant à effet de champ selon la revendication 33, caractérisé c-n ce que ladite électrode de commande est connectée à ladite électrode de drain. 1 35 - Composant à effet de champ selon la revendication 33, caractérisé en ce que certains segments de ladite électrode de commande recouvrent certains segments déterminés de ladite électrode de drain.