Brevet FR2138070A1 — publié le 19721229

La présente invention est relative à un procédé de fabrication d'un dispositif de diode du genre comprenant un semi-conducteur disposé entre deux bornes, ce semi-conducteur et les parties des bornes adjacentes à ce dernier étant enrobés dans un isolant. Le procédé suivant l'invention destiné à la fabrication d'un dispositif de diode à semi-conducteur du genre en question, consiste à faire comporter à un fil métallique, qui doit constituer l'une des bornes du dispositif, une tête de diamètre plus important venant au contact d'un cristal semi-conducteur disposé entre ladite tête et un bloc constituant l'autre borne, à enrober ensuite le cristal semi-conducteur) les parties adjacentes du bloc et le fil métallique dans un revêtement de caoutchouc, et enfin à surmouler une matière rigide isolante sur ledit revêtement et les parties du fil métallique et du bloc qui lui sont adjacentes. L'invention est également relative à un dispositif de diode réalisé par mise en oeuvre du procédé sus-mentionné. Le dessin annexé, donné à titre d'exemple, permettra de mieux comprendre l'invention, les caractéristiques qu'elle présente et les avantages quelle est susceptible de procurer La figure unique du dessin est une coupe longitudinale d'un dispositif de diode suivant l'invention. On fait subir à un fil métallique 10 une opération de refoulage de manière à lui faire comporter une tête 11 à extrémité plate dont le diamètre est compris entre deux fois et demi et trois fois celui du reste du fil. Un bloc 12 formant borne est réalisé sous la forme générale d'un cylindre dont l'une des extrémités est pourvue d'un bossage 13 à partir de la périphérie duquel s'étendent des languettes 14. L'extrémité du bloc 12 opposée au bossage 13 est creusée d'une dépression tronconique 12a. La périphérie de plus grand diamètre 15 du bloc 12 est moletée. Un cristal semi-conducteur 16 qui présente en profil en plan une forme carrée est fixé par soudure ou par tout autre procédé connu aux faces d'extrémité de la tête Il et du bossage 13. La soudure est préférablement effectuée sans flux dans une atmosphère non oxydante. La dimension des diagonales du cristal 16 est plus grande que le diamètre de la tête 11 de sorte que les angles du cristal font saillie par rapport à elle. Le cristal 16 et les extrémités adjacentes du fil 10 et du bossage 13 sont enrobés de manière étanche dans un revêtement de caoutchouc de silicone 17, ce dernier servant à protéger les angles du cristal 16. Enfin, un capuchon 18 réalisé en une résine synthétique isolante rigide est moulé autour du revêtement 17 ainsi qu'autour des parties du bossage 13 et du fil 1C qui sont adJacentes audit revêtement. Le capuchon 18 est accroché aux languettes 14 de sorte qu'il fixe le fil 10 par rapport au bloc 12. Du fait de sa rigidité, le capuchon 18 ne peut pas constituer un joint efficace, particulièrement par rapport au fil 10. Cependant, le revêtement de caoutchouc 17 évite à l'humidité d'atteindre le cristal. Il doit d'ailleurs être entendu que la description qui précède n'a été donnée qu'à titre d'exemple et qu'elle ne limite nullement le domaine de l'invention dont on ne sortirait pas en remplaçant les détails d'exécution décrits par tous autres équivalents. REVENDICATIONS 1 - Procédé pour la réalisation d'un dispositif de diode à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il consiste à faire comporter à un fil métallique, qui doit constituer l'une des bornes du dispositif, une tête de diamètre plus important venant au contact d'un cristal semi-conducteur disposé entre ladite tête et un bloc constituant l'autre borne, à enrober ensuite le cristal semi-conducteur, les parties adjacentes du bloc et le fil métallique dans un revêtement de caoutchouc, et enfin à surmouler une matière rigide isolante sur ledit revêtement et les parties du fil métallique et du bloc qui lui sont adjacentes. 2 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la tête du fil présente un diamètre qui est au plus égal à trois fois le diamètre de celui-ci. 3 - Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la tête du fil présente un diamètre compris entre deux fois et demi et trois fois celui-ci. 4 - Procédé suivant 1 'une quelconque des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que les dimensions du reste dudit fil et celles du cristal sont telles que ce dernier fait saillie au-delà de la circonférence de la tête de ce fil. 5 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le cristal est soudé à la tête du fil et au bloc formant borne. 6 - Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en ce que la soudure du cristal est effectuée sans flux. 7 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le bloc formant borne comporte des saillies qui sont emprisonnées par la matière isolante rigide. 8 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la matière isolante rigide est constituée par une résine synthétique. 9 - Diode à semi-conducteur, caractérisée en ce qu'elle est réalisée par mise en oeuvre du procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes.