Brevet FR2128793A1 — publié le 19721020

La présente invention concerne des pellicules en verre organique pour des applications comme réserve photographique, dans le domaine de la diffusion ou la passivation de la métallisation, des .#emi-conducteurs et supraconducteurs et, plus particulièrement, des pellicules organiques photosensibles contenant du silicium pour la production de motifs en verre en des zones déterminées sur la surface d'une plaquette de semiconducteur. L'invention concerne également un procédé pour fabriquer ces structures contenant des verres. De manière générale, l'invention concerne une résine photosensible d'organosiloxanne que l'on peut utiliser dans un procédé de photolithographie pour former des motifs dans des région s con tenant du verre sur un substrat de semi-conducteur. Ces régions peuvent être utilisées elles-mêmes comme maoquespour le traitement ultérieur du semi-conducteur et, comme telie,la résine joue le rôle de réserve photographique. Comme. ce procédé utilise un plus petit nombre d'étapes de chauffage, les défauts présents naturellement dans le substrat cristallin ne sont pas considérablement grossis pendant la formation du masque en verre Comme telle, la résine peut être utilisée comme produit de remplacement des réserves photographiques purement organiques, puisqu'elle est chimiquement plus stable que les réserves photographiques de l'art antérieur et qu'elle résiste à la plupart des décapants utilisés pour l'attaque Par addition à la résine de substances convenablement choisies, la résine remplit également les rôles suivants : si l'on ajoute à la ré si n e u n d o p a n t par diffusion pour semi-conducteur,le procédé de l'invention donne des régions de diffusion fortement dopées à haute définition dans le substrat lorsque l'on chauffe la résine et que l'on introduit les dopants. Si on ajoute une substance organique semi-conductrice ou supraconductrice à la résine contenant du silicium, on forme par développement et durcissement de la résine des régions à haute définition de matière organique semi-conductrice ou supraconductrice.Si l'on ajoute un métal à la résine, on peut appliquer des contacts métallisés sur des zones choisies du substrat sans qu'il soit nécessaire d'utiliser un procédé classique à l'écran de soie L'utilisation de silicium dans la résine photosensible fournit donc les ingrédients nécessaires pour tous les r Fes de structures vitreuses, présentant des motiEs,destinées à être appliquées en des zones prédéterminées sur un subtrat de semi-conducteur L'utilisation d'une résine contenant du silicium avec un agent photosensibilisateur élimine l'emploi des températures élevées nécessaires pour former une couche vitreuse continue sur tout le substrat.En même temps, le dépouillement n'est pas nécessaire pour obtenir à partir de cette couche vitreuse continue les motifs dans la structure vitreuse appropriée * Le procédé de l'invention élimine donc non seulement les inconvénients de l'obtention de températures élevées mais aussi les problèmes d'une attaque la t éra le associés aux agents de dépouillement du verre de l'art antérieur, en supprimant les étapes longues et fastidieuses de dépouillement. L'invention a donc pour objet une pellicule améliorée en verre organique qui peut être facilement formée suivant une configuration particulière sur un substrat par des techniques photolithographiques l'invention concerne également une pellicule améliorée en verre organique comportant certains additifs, la pellicule étant formée et recevant des motifs suivant une ccnffguration particulière sur un substrat et ensuite fixée de manière à donner une pellicule vitreuse ayant acquis caractéristiques des additifs;; l'invention concerne également un procédé pour la production d'une structure vitreuse à motif s particuliers sur un substrat de semi-conducteur, la couche pouvant être utilisée comme réserve photographique, comme couche de passivation ou comme support à mo tif s par ti c pli e r s pour des substances telles que dopants de semi-conducteurs, métaux, additifs organiques semi-conducteurs et matières premières pour supraconducteurs organiques. D'autres objets de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description qui suit, en référence aux figures du dessin annexé, dans lesqudk-t - la figure 1(a), (b),(c),(d),(e) repfl%#nte schématiquement un procédé de l'art antérieur pour obtenir des motifs dans des structures vitreuses au moyen d'une réserve photographique et les structures résultantes après chaque étape de ce procédé - la figure 2(al,(b), (c) montre la formation de motifs dans ure résine contenant du silicium.Les étapes utilisées sont le masquage et le développement de la résine photosensible contenant du silicium selon l'invention - la figure 3(a\(b?#(c),(d) illustre la formation d'un verre à partir de la résine produite suivant la fîgure2(a),(b),(c) et l'utilisation de ce verre comme masque pour la diffusion gazeuse et comme masque pour les étapes ultérieures de métallisation qui comprennent à nouveau l'utilisation d'une résine d'organosiloxanne dans la formation de motifs du métal déposé la figure 4 illustre la formation d'un composé vitreux à partir de la résine produite selon la figure 26),Coi,(c) dans laquelle on a ajouté des dopants à la résine avant l'étape 26) de manière à produire des régions dopées dans des positions prédéterminées sur un substrat ou une plaquette, et - la figure 5 illustre la formation de structures d'une configuration particulière contenant des quantités contrôlées de métaux ou de semiconducteurs ou supraconducteurs organiques. L'invention concerne donc une pellicule photosensible en verre organique pour l'utilisation comme réserve photographique, comme couche de passivation présentant des mo ti f s donnés, et comme support ayant cert a in s m ti t i fs pour dopanrs, métaux et matières premières organiques semi-conductrices ou supraconductrices. L'invention concerne également un procédé pour former d e s motif s dans la résine contenant du silicium à partir de laquelle on forme la pellicule de verre, de manière à éviter de nombreuses étapes à température élevée et étapes critiques d'attaque ou de dépouillement.La pellicule est formée à partir d'une résine d'organosiloxanne à laquelle on ajoute un agent photosensibilisant qui provoque la réticulation de la résine sur les zones exposées par action des sensibilisateurs avec les groupes fonctionnels de l'organosiloxanne.L'irradiation peut se faire avec des radiations ultraviolettes, des rayons X ou des radiations r. On peut ajouter d'autres substances élémentaires ou groupes fonctionnels aux groupes fonctionnels d'organosiloxanne et de sensibilisateur, de manière à donner des caractéristiques particulières au verre formé à partir de cette résine, correspondant à des fonctions de passivation ou de support que doit remplir la structure vitreuse. L'introduction de silicium dans les résines photosensibles totalement organiques déjà connues fournit la matière de base nécessaire pour toute structure de verre ayant d e s m o ti fs donnés quelconques, ce qui permet le traitement photolithographique de la résine pour former des structures de verre ayant une configuration quelconque sans utiliser d'étapes d'attaque et de formation préliminaire de réserve photographique. La structure vitreuse p r é se ntant le s motif s peut être durcie ou non selon la dureté de la structure désirée. Comme mentionné précédemment, la formation de mo tifs dans des couches ou régions vitreuses sur un substrat comprend l'utilisation d'une matière organique pour réserve photographique en plus d'une couche de verre déjà déposée sur une plaquette. Comme le montre les figures la à le on munit d'abord une plaquette 10 d'une couche continue 11 de dioxyde de silicium, sur laquelle on dépose une matière pour réserve photographique 12, puis un masque ou un obstacle à la lumière approprié 13. On notera que, dans la formation de la couche continue 11 de dioxyde de silicium, il faut appliquer une quantité de chaleur considérable par unité de surface pour obtenir la couche vitreuse appropriée.Dans de nombreux cas, si la plaquette #0 doit contenir des sites actifs de défauts cristallins, ces sites grossissent pendant la formation de cette couche vitreuse à cause des traitements à haute température. La structure formée est représentée à la figure 1(a). Cette structure est exposée, ordinairement à la lumière ultraviolette, de manière à provoquer la réticulation dans la réserve photographique 12. Après l'exposition, on sépare le masque 13, qui laisse sur la couche vitreuse 11 la réserve photographique 12 représentant des portions réticulées. Cette structure est représentée à la figure l#).Ensuite, on développe la réserve photographique 12 de manière classique, de manière mettre à nu les portions 15 et 16 dans la réserve photographique 12, comme l'indique la figure 1(d. On attaque ensuite la structure représentée à la figure l(c) en la soumettant à l'action d'une solution de fluorure d'hydrogène, de manière à former les ouvertures 17 et 18, ce qui donne la structure représentée à la figure l(d). Ensuite, comme le montre la figure l(e),on élimine la réserve photographique 12, soit par des décapants du commerce, soit par décapage au plasma, de manière à laisser sur la plaquette 10 une couche 11 de dioxyde de silicium présentant des motifs. On rencontre cependant plusieurs difficultés pour l'obtention d'une couche vitreuse sur une plaquette de cette manière. La première, qui a déjà été mentionnée, est le problème des températures élevées nécessaires pour former une couche vitreuse continue sur toute la plaquette avant le procédé de photo-décapage. Le second problème associé àvec l'utilisation d'oxydes thermiques, comme on appelle parfois les couches vitreuses, et que ces oxydes thermiques sont ordinairement sous tension en raison de leur formation à haute température. C'est cette tension qui contribue, de façon notable, à la fissuration de la couche vitreuse pendant le traitement. En outre, le décapage à l'acide fluorhydrique de l'oxyde thermique qui est, de manière caractéristique, fortement dopé au phosphore, creuse souvent sous ra réserve photographique et il en résulte une attaque latérale. Le procédé de décapage est donc fastidieux et essentiel parce que l'on doit soigneusement contrôler le décapage pour réduire au minimum l'attaque latérale. Un autre facteur, qui rend peu intéressantes les techniques de formation de structure vitreuse selon la technique antérieure, est la nécessité de disposer une couche de réserve photographique séparée pour pouvoir former convenablement la structure de verre. La couche de réserve photographique est nécessaire à cause de l'étape d'attaque à l'acide fluorhydrique qui doit être effectuée dans les techniques antérieures. Le procédé de l'invention élimine à la fois l'étape de la réserve photographique et l'étape d'attaque à l'acide fluorhydrique et, ainsi, non seulement il élimine ces étapes du procédé, mais il supprime l'attaque latérale associée à l'acide fluorhydri que. Il reste enfin le problème de couverture des saillies dans le substrat. En général, ceci désigne le problème de la formation d'une couche uniforme sur une surface de substrat irrégulière. L'irrégularité de la surface est due aux diffusions et dépôts multiples sur la plaquette initiale. Dans les procédés de la technique antérieure, il est difficile de couvrir avec une couche vitreuse uniforme ces régions multicouches. Il est en outre difficile d'obtenir une couverture précise des régions en saillies sur le substrat. On notera que la couverture des saillies utilisée dans la technique antérieure nécessite la réaction de vapeur ou de silane en phase gazeuse,et que ce type de formation de la couverture donne une couverture considérablement moins précise que la technique selon l'invention. Les bords précis sont nécessaires soit pour les étapes ultérieures de métallisation, de manière à éviter les court-circuits entre les diverses zones pendant la métallisation, soit pour les dépôts ultérieurs par-dessus la couche vitreuse ayant une certaine configuration et le substrat exposé. Les problèmes ci-dessus mentionnés sont réduits ou éliminés par la technique de formation de verre selon l'invention. La structure vitreuse selon l'invention est formée à partir d'une résine ou d'un polymère organique contenant du silicium, auquel on ajoute un sensibilisateur. #La résine telle quelle prend la place soit d'une couche d'oxyde, soit d'une couche métallique, directement par-dessus la plaquette à laquelle on donne ultérieurement une configuration donnée par photolithographie de manière à former un masque pour l'étape d'attaque de la technique antérieure. La couche vitreuse formée par la technique de l'invention est susceptible d'oxydation à température élevée, c'est-à-dire qurau#delà de 600 C le polymère est oxydé en présence d'oxygène en formant un verre. Cependant, dans le procédé de l'invention, on forme d'abord un verre organique à la température ambiante, tandis que ltoxydation a lieu lorsque le verre est dans les motifs donnés, de telle manière que la chaleur totale par unité de surface et la durée totale de chauffage soient inférieures à celles utilisées dans la technique antérieure. Ainsi, on forme une configuration de verre durci qui est relativelent exempte de tension et donne une meilleure couverture à cause des failles températures initiales de formation. On obtient le polymère vitreux organique contenant du silicium en réalisant d'abord un groupement fonctionnel organique qui ressemble à la molécule de la matière de réserve photographique. On ajoute à cette résine organique un sensibilisateur tel qu'il y ait un mécanisme de transfert d'énergie activé lorsque l'on expose le dispositif ou la structure à la lumière ultraviolette ou aux rayons X ou aux radiations (. La résine a un caractère tel que l'irradiation produit une polyréticulation à la température ambiante. On coule la résine sur le substrat de la meme manière que la réserve photographique selon la technique antérieure, et on développe avec le xylène après exposition aux radiations pour former des "iles" ou des structures de résine.On élève alors la température au-dessus de 6000C pour extraire la portion du groupe organique qui est inutile dans le produit vitreux fini. On notera que la configuration désirée est donnée entièrement à la température ambiante. Ceci élimine les températures élevées nécessaires, pour former les structures vitreuses de la technique antérieure mentionnées ci-dessus, et résout les problèmes d'attaque latérale et de décapage en éliminant complètement les étapes de réserve photographique et de décapage. Le principe de base de l'invention est l'utilisation d'une combinaison d'une résine contenant du silicium avec un sensibilisateur pour faire un verre qu'on peut former suivant certains motifs. On peut utiliser n'importe quelle résine contenant du silicium qui forme le verre à haute température, indépendamment de sa fonction chimique, pour autant qu'il y ait une liaison pouvant être brisée par l'énergie transférée depuis le sensibilisateur pour provoquer la réticulation aux points de la résine qui sont exposés aux ultraviolets, aux rayons X ou aux rayons r. Le sensibilisateur utilisé peut être une molécule quelconque sensible aux radiations, capable de transférer l'énergie de la radiation incidente à un accepteur voisin. Dans la présente description, le terme "accepteur" 5#######stentend pour désigner la présence d'une liaison photoréactive voisine d'une molécule de sensibilisateur. Tous les groupes fonctionnels photoréactifs entrent donc en ligne de compte dans le cadre de l'invention. Le révélateur utilisé pour la résine contenant du silicium, dans laquelle on a mélangé le sensibilisateur, est un solvant dans lequel laportion de résine n'ayant pas subi de réaction photochimique est soluble et dans lequel la portion de résine qui a pris part à la réaction photo chimique est insoluble. La température nécessaire pour former le verre est la température qui élimine la matière organique superflue du verre c'est la température à laquelle les atomes de silicium résiduels s'oxydent. Les temps et les températures nécessaires sont seulement ceux nécessaires pour remplir les deux fonctions ci-dessus. On évite particùlièrement des températures et des temps supérieurs à ceux nécessaires, de manière à réduire l'endommagement des constituants actifs du semi-conducteur dans la plaquette. La figure Xa), 2; et 26 décrivent la partie de l'invention concernant la formation d e m otifs donné s dans une résine photosensible contenant du silicium. Ia figure Xa) à 3#, la figure 4 et la figure 5 illustrent des structures résultant du chauffage de la structure représentée à la figure 2(8. Les différentes structures représentées à la figure 5a)'et#), 4 et 5 résultent des différents additifs ajoutés à la combinaison résine sensibilisateur de la figure 2La). Dans la figure @, on introduit dans une plaquette 20 de matériau semi-conducteur un groupe fonctionnel organosilane-sensibilisateur-additif qui est appliqué- sur la plaquette 20 comme représenté par la couche 21. Le groupe fonctionnel organique est représenté par la formule La résine contenant du silicium peut être désignée sous le nom de prépolymère ou de monomère et consiste en général en un organosiloxanne représenté par la formule générale suivante dans laquelle n désigne un nombre quelconque de molécules qui traintiennent la résine à l'état liquide. La portion organique de la résine d'organosiloxanne peut être composée de groupes éthylène ou de n'importe quel groupe divalent. En outre, cette portion organique peut être choisie parmi n'importe lequel des groupes aromatiques tels que le benzène, n'importe lequel des groupes aryle ou, bien entendu, n'importe lequel des groupes aliphatiques insaturés. On peut citer à titre d'exemples de résines d'organosiloxanne celles répondant aux formules indiquées dans le tableau I ci-dessous. On notera que la substitution par R peut titre dans une série homoou hétéro ; n désigne un nombre quelconque de molécules qui maintiennent la résine à l'état liquide. Selon un mode de mise en oeuvre de l'invention, la résine consiste en orthosilicate de tétraéthylène mélangé avec un sensibilisateur du type On notera que les sensibilisateurs du type azide sont un peu explosifs et forment des trous d'épingle dans la pellicule de résine en donnant une pellicule discontinue. Ce problème est résolu par l'utilisation d'une autre réaction pour neutraliser la réaction exothermique associée avec le groupe azide qui nécessite la modification de la résine. Si la contamination par un métal ne pose pas de problème, on peut utiliser un bichromate ou ltoxalate de mercure comme sensibilisateurs. Sinon, on peut utiliser comme agents sensibilisateursles quinones, les anthrones, les aldéhydes et les colorants de cyanines. Essentiellement, le sensibilisateur agit comme catalyseur pour provoquer une addition ou une réaction par radicaux libres, liant une extrémité réactive du polymère à une autre extrémité, de manière à former un réseau de structures organiques de poids moléculaire accru dans les zones exposées de la résine qui est insoluble dans le révélateur utilisé. Pour revenir à l'explication de la formation des motifs, la plaquette 20 portant la résine est ensuite munie d'un masque 22 approprié et exposée à la lumière ultraviolette. Ensuite, comme indiqué dans la figure 2(b), on retire le masque qui laisse la couche 21 dont certaines portions sont réticulées. Ces portions sont celles qui se trouvaient directement au-dessous des portions perforées 24 dans le masque 22 de la figure 2(a). Après avoir enlevé le masque, on plonge toute la structure dans le révélateur qui, selon le mode de mise en oeuvre préféré, est le xylène bien que l'on puisse utiliser d'autres révélateurs, tels que l'acétone. Le développement de la résine aboutit à des zones prédéterminées sur la plaquette 20 qui sont recouvertes par une structure de résine contenant du silicium. Comme mentionné précédemment, on peut ajouter des additifs à la résine photosensible contenant du silicium, de manière à donner des propriétés particulières à la résine et, par conséquent, au verre formé à partir de cette résine. On peut ajouter des phosphates comme pellicule de passivation à la résine, de manière à empêcher que des contaminants viennent en contact avec la plaquette 20. Par exemple, l'utilisation de phosphore empêche que les ions sodium réactifs recontaminent la plaquette. En second lieu, on peut ajouter, à la résine contenant du silicium, des dopants tels qu'arsenic, phosphore, bore, antimoine, etc., de manière que les dopants puissent ultérieurement être "incorporés" dans la plaquette par chauffage de la résine présentant des motifs.On peut encore ajouter à la résine un métal conducteur tel que de l'or, de manière que des régions conductrices d'interconnexion puissent être formées par chauffage de la résine présentant des motifs. De manière analogue, on peut ajouter à la résine des matières organiques semi-conductrices ayant des densités électroniques élevées, telles que des composés aromatiques, dans lesquels les électrons sont facilement délocalisés du fait qu'ils contiennent un grand nombre de pièges à radicaux libres, de manière que l'on puisse facilement former des conducteurs d'une variété organique suivant une configuration donnée. Ces substances comprennent les polyimides aromatiques, les produits tels que les pellicules vendues par la Société DuPont sous le nom de Kapton H. La résine elle-même peut être appliquée sur la plaquette par des techniques classiques telles, que la "coulée centrifuge". Comme l'application de la résine selon l'invention n'est pas critique, d'autres procédés peuvent être utilisés, tels que pulvérisation de la résine ou immersion de la plaquette 20 dans la résine ou, bien entendu, l'application de la résine à la brosse ou au pinceau sur la surface de la plaquette. On notera donc que l'on peut utiliser n importe quel procédé d'application de la résine qui donne une couche homogène. En référence à la figure 3 (a), la résine développée dans le procédé décrit à la figure 2 (a), (b), (c) peut elle-même constituer un masque ou des zones de passivation et d'isolement sur la plaquette 20 comme représenté par les portions 25 de la couche pyrolysée 21. Ces portions sont formées après chauffage de la structure représentée à la figure 2 (c) dans une atmosphère riche en oxygène pendant une durée prédéterminée à des températures supérieures à 600 C. Le tableau Il ci-dessous illustre un exemple de masque formé en suivant les étapes associées aux figures 2 (a), (b), (c) et 3 (a). T A B L E A Résine -orthosilicate de tétraéthylène 94 % en poids Sensibilisateur -azide 6 % en poids Radiation -UV Révélateur -xylène Température -200 - 3000C verre mou 5500C verre dur Stable jusqu 11000C Si une passivation est souhaitée, on peut introduire en plus du phosphore dans la résine comme indiqué dans le tableau III ci-dessous. T A B L E A U III Résine -orthosilicate de tétraéthylène 92 % en poids Sensibilisateur -azide 6 % en poids Additif -phosphore 2 % en poids Radiation -UV Révélateur -xylène Température -550 C La pellicule obtenue par oxydation de la résine contenant du silicium consiste en SiO2. On peut obtenir des composés de formule Si N ou Si O N xy xyz par chauffage à la résine dans une atmosphère de NH3 dans certaines conditions. On notera que les températures énumérées ci-dessus concernent les températures maximales nécessaires pour éliminer les substances organiques de la résine contenant du silicium et pour oxyder le silicium, de manière à former du dioxyde de silicium ou une région de passivation et d'isolement contenant du dioxyde de silicium et un phosphure. On peut utiliser la structure représentée à la figure 30 soit comme masque de diffusion comme représenté à la figure 3'kob), soit comme masque pour une couche de métallisation comme représenté à la figure 1i. En référence à la figure Xb), on a mentionné que la portion pyrolysée 25 peut être utilisée comme masque de diffusion pour des techniques du type de diffusion gazeuse. Dans ces techniques de diffusion de gaz, on place toute la structure dans une chambre de diffusion et on fait passer le gaz sur la plaquette 20, de manière qu'il pénètre dans les zones comprises entre les portions 25 de la résine pyrolysée. Une technique plus récente pour la diffusion de dopants dans un substrat semi-conducteur consiste à mélanger le dopant, dans ce cas l'arsenic, avec un polymère contenant un silane.Le polymère est ensuite coulé sur le substrat déjà masqué par du verre et on soumet toute la structure à une étape d'incorporation du dopant à environ 11000 C. Comme on peut le voir à la structure de la figure 30, les portions pyrolysées 25 servent de masque protégeant la plaquette en divers endroits et la laissant exposée en d'autres endroits à tout type de diffusion. En référence à la figure 3QJ, on applique une couche de métallisation 30 sur la portion pyrolysée 25 et la plaquette 20. Dans ce cas, la portion 25 agit comme un masque pour la couche de métallisation 30. Comme représenté à la figure #d, on peut déposer une autre résine photosensible 32 contenant du silicium sur la couche demétallisation 30 pour servir de réserve photographique lorsque les réserves photographiques organiques ne contenant pas de silicium ne peuvent pas supporter l'action du décapant utilisé pour le métal. La couche de résine 32 est masquée comme représenté en 33, exposée en lumière ultraviolette, développée et chauffée, de manière à laisser une couche de réserve photographique vitreuse immédiatement au-dessus de la portion de la couche de métallisation 30 à conserver.La couche 30 est ensuite décapée et la couche 32 éliminée. Ceci donne le contact 31 comme représenté à la figure 3(#. L'utilisation d'une réserve photographique vitreuse permet d'utiliser des métaux nobles dans l'étape de métallisation, puisque les décapants pour métaux nobles n'attaquent pas une réserve photographique vitreuse. Un autre procédé pour faire diffuser des dopants dans des zones choisies sur un substrat, sans qu'il soit nécessaire de former d'abord un masque de diffusion du type vitreux, consiste à mélanger le dopant dans une résine d'organosiloxanne et sensibilisateur. Après avoir donné à la résine la configuration appropriée comme représenté à la figures 2(a),(b),(C), on chauffe la résine ayant une certaine configuration, de manière à obtenir la structure représentée à la figure 4. Le tableau IV ci-dessous illustre l'utilisation de l'arsenic comme dopant. T A B L E A U IV Substrat - silicium Résine - orthosilicate de tétraéthylène 90 % en poids Sensibilisateur - azide 6 % en poids Dopant - arsenic 4 % en poids Radiation - W Révélateur - xylène "Incorporation" 70 mn à 10000C - Profondeur de diffusion 0,27 micron. 20 3 Concentration superficielle en impureté - 4 x 10 atomes/cm3. On obtient plusieurs avantages en utilisant la technique de dopage ci-dessus. Tout d'abord, dans les techniques antérieures de dopage, la plaquette est soumise à plusieurs traitements thermiques. Cependant, les traitements thermiques supplémentaires nécessaires dans la technique antérieure, pour l'identification des sites de diffusion pour permettre la cotncidence des masques ultérieurs, entrainent un élargissement des sites de défauts. En utilisant une résine d'organosiloxanne présentant des motifs contenant un dopant, les défauts cristallins dus au cycle de chauffage peuvent être réduits, parce que les cycles de masquage à l'oxyde et de traitement à la vapeur pour l'identification des sites de diffusion sont éliminés. En second lieu, les techniques de dopage antérieures présentent des problèmes de coîncidence de masque ultérieur qui sont dus à la diffusion peu profonde des dopants dans le substrat. A cause de la diffusion peu profonde, il n'y a pas de changement de coloration dO au dopage et il n'y a donc pas d'enregistrement visuel de la position de ces zones de diffusion une fois que le masque est retiré. Pour s'assurer de la position des zones diffusées dans les techniques antérieures, les régions diffusées sont creusées par des cycles de traitement à la vapeur, de manière à pouvoir être vuesvisu#llement. Bien entendu, ceci aboutit à des zones de diffusion même moins profonde puisque les zones de diffusion sont attaquées légèrement pour permettre l'examen visuel.Un autre procédé possible, qui ne nécessite pas d'attaque des zones peu profondes, comporte un balayage du masque par des techniques en lumière infrarouge. Les techniques infrarouges ne sont pas seulement coûteuses mais nécessitent la diffusion de quantités considérablement plus grandes de dopant pour la coincidence sur un détecteur d'infrarouge. Le procédé de l'invention ne nécessite pas de cycles supplémentaires de traitement à la vapeur ni de détection par l'infrarouge, mais permet plutôt la coincidence des masques, du fait qu'une certaine portion de la résine ne diffuse pas dans le substrat 20 comme représenté à la figure 4. Il se forme ainsi des portions proéminentes de la résine représentée en 40, d'une épaisseur de l'ordre de 200 Â. Non seulement, elles sont visibles à cause de leur structure faisant saillie, mais il y a également un changement de couleur de la pastille en raison de la profondeur de diffusion qui permet l'alignement du masque. On notera que, dans cette technique, l'épaisseur o de 200 A de la résine pyrolysée ne doit pas être attaquée pour fournir un contact dans la région de diffusion ou pour produire des dépôts épitaxiaux. En référence à la figure 5, comme mentionné précédemment, on peut ajouter à la combinaison d'organosiloxanne et de sensibilisateur des matières organiques de départ semi-conductrices ou supraconductrices pour fournir des zones de configuration donnée en matière organique semi-conductrice ou supra conductrice dans la plaquette 20 après l'étape de chauffage. Les quantités de matières organiques de départ semi-conductrices ou supraconductrices dépendent des caractéristiques du semi-conducteur ou supraconducteur organique désiré.Il est important à ce moment de noter que les semi- ou supraconducteurs organiques peuvent être formés dans ou sur des plaquettes, suivant n'importe quels motif s désirés , en incorporant ces matières dans la résine d'organosiloxanne et en utilisant les étapes de formation de configuration décrites en référence aux figures 2i) à 2(c; Les étapes de traitement thermique mentionnées dans la présente description ne sont nécessaires que lorsque l'on doit éliminer des substances organiques du produit final. Comme représenté à la figure 2(3, l'étape de chauffage est inutile lorsque l'on forme certains contacts métalliques, certains semi-conducteurs, certains supraconducteurs et certaines couches de passivation. L'étape de chauffage 3 n'est nécessaire que lorsque l'on doit éliminer des substances organiques autres que celles désirées pour obtenir le semi-conducteur ou le supraconducteur organique. Si la portion organique du groupe fonctionnel ci-dessus mentionnée n'affecte le fonctionnement du semi-conducteur ou du supraconducteur organique, la structure représentée à la figure 2 (c), qui ne comprend pas l'étape de chauffage 3, est la seule nécessaire. En référence à la figure 5 également, si on ajoute un métal à la résine d'organosiloxanne et si on donne à la résine une certaine configuration comme représenté dans la figure 2(a), (b), la résine et la plaquette peuvent etre chauffées, de manière à former les contacts métalliques sur la plaquette 20, comme représenté par la région 50 de la figure 5. On notera que ces contacts métalliques contiennent un peu de dioxyde de silicium, mais que la quantité de dioxyde de silicium peut etre contrôlée par la quantité de métal ajoutée à la résine initiale. Le tableau V ci-dessous illustre la formation d'une couche métallique suivant une certaine configuration sur un substrat en silicium. TABLEAU V Résine - orthosilicate de tétraéthylène 19% en poids Sensibili- - azide 1% en poids sateur Métal - or 80 % en poids Radiation - W Révélateur - xylène Température - 800 - 9000C pendant 30 mn On notera que la technique de métallisation, représentée aux figures 2(a),(b),(c) et 5, peut remplacer les procédés de métallisation à l'écran de soie couramment utilisés, sans grossissement des défauts cristallins ci-dessus mentionnés dans l'étape de métallisation En résumé, on peut voir que l'on peut former des motifs dans une résine photosensible contenant du silicium et obtenir, à partir de celle-ci une structure vitreuse présentant des motifs, dans laquelle la structure vitreuse peut jouer le rôle soit d'un masque, soit d'une couche de passivation , ou contenir effectivement certaines substances qui permettent le dopage d'une plaquette de semi-conducteur ou la formation dans la plaquette de régions de semi-conducteur ou supraconduc teur organique. Enfin, on notera que l'on peut former des contacts métalliques suivant certains motifs sans la nécessité d'une réserve photographique ou d'une étape d'attaque et, dans certains cas, sans la nécessité d'utiliser un écran de soie. En général, on obtient les motifs désirés comme ci-dessus sans la nécessité de décapage d'un verre ou sans former une couche séparée de réserve photographique. En tout cas, la structure vitreuse, qui résulte de la technique photolithographique décrite ci-dessus, est facilement formée et se prête à des applications très diverses. Toutes les étapes de traitement thermique mentionnées peuvent être mises en oeuvre dans diverses atmosphères. La chaleur elle-même provoque la formation d'un verre dur à partir du composé d'organosiloxanne suivant certains motif s avec l'élimination des constituants organiques sous forme de dioxyde de carbone et d'eau, lorsque l'on fournit une quantité de chaleur suffisante, quelle que soit l'atmosphère. Dans les exemples de réserve photographique, de couche de passivation, de dopage et de métallisation proprement dits, on peut former une substance inorganique durcie par simple chauffage à l'air.Dans ces cas, l'atmosphère peut également être un mélange d'oxygène et d'azote, de l'argon pur ou de l'azote pur le type d'atmosphère n'étant pas essentiel pour l'élimination de la portion organique de l'organosiloxanne. Dans le cas de semi- ou de supraconducteurs organiques, on préfère la pyrolyse en atmosphère d'azote pourcontrôler la quantité et le type de substances organiques éliminées de la structure vitreuse par l'étape de chauffage. Dans certains types de métallisation, l'atmosphère préférée est une atmosphère non oxydante, de manière à limiter la quantité de diélectrique dans le métal.Il apparaît donc que le produit final désiré commande le type d'atmosphère utilisé et que, en ce qui concerne la formation d'une structure durcie suivant certains motifs l'atmosphère n'est pas essentielle, mais peut plutôt être choisie en considération seulement du produit final. En outre, le type de réaction photochimique n'est pas essentiel. Le transfert d'énergie peut être chimique dans la mesure où il s'agit de rupture de doubles liaisons laissant la possibilité de liaison; avec une autre molécule. Le transfert d'énergie peut aussi provoquer un changement physique dans la structure moléculaire, de telle sorte que la structure modifiée soit imperméable au révélateur utilisé. Enfin, dans la présente description, le terme "résine" utilisé pour décrire les composés d'organosiloxanne englobe aussi l'orthosilîcate de tétraéthylène qui n'est pas, à proprement parler, une résine mais qui présente beaucoup de propriétés d'une résine. R E V E N D I C A T I O N S REVENDICATIONS 1. Matériau photosensible pour l'utilisation dans un traitement photolithographique pour obtenir à partir de ce matériau des motifs dans une structure vitreuse, caractérisé par un composé organosiloxanne choisi parmi les groupes aromatiques, aryle, hétérocycliques ou aliphatiques insaturés et qui est sous forme liquide, et un agent sensibilisateur choisi parmi les azides, les bichromates, les oxalates de mercure, les quinones, les anthrones, les aldéhydes et les colorants de cyanines, ledit agent sensibilisateur produisant le transfert d'énergie entre l'agent sensibilisateur et l'organosiloxanne, lorsque ledit matériau photosensible est irradié de telle manière que les portions irradiées dudit matériau photosensible soient imperméables au révélateur utilisé dans ledit procédé photo litho graphique, et que les portions non irradiées dudit matériau soient solubles dans ledit révélateur, avec obtention de motifs dans une structure de verre, lorsque ladite résine est soumise au traitement photolithographique. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit composé est I'orthosilicate de tétraéthylène et le révélateur utilisé dans ledit procédé photolithographique est le xylène. 3. Matériau photosensible selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on mélange avec ledit composé et ledit agent sensibilisateur un additif choisi parmi les matériaux de passivation, les dopants, les métaux et les matières premières organiques semi-conductrices et supraconductrices, la structure vitreuse qui résulte du chauffage dudit mélange composé-additif-sensibilisateur dans une atmosphère prédéterminée ayant acquis les caractéristiques de l'additif qui est mélangé avec ledit composé. 4. Procédé pour préparer une couche vitreuse présentant des motifs sur un substrat, caractérisé en ce que l'on applique audit substrat une couche uniforme d'un matériau photosensible contenant du silicium, ledit matériau comprenant un organosiloxanne et un agent sensibilisateur qui produit le transfert d'énergie entre l'agent sensibilisateur et l'organosiloxanne là où ledit matériau photosensible a été irradié de telle sorte que les portions irradiées dudit matériau photosensible soient insolubles dans un révélateur prédéterminé et que les portions non irradiées soient solubles dans ledit révélateur, on masque ladite couche dans les zones de ladite couche à développer, on irradie ladite couche masquée avec des radiations ayant une énergie suffisante pour provoquer ledit transfert d'énergie, on retire le masque et on soumet ladite couche à l'action dudit révélateur, de manière à produire à une couche vitreuse douce présentant des motifs qui correspondent aux portions non masquées de ladite couche. 5. Procéda selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'on chauffe ladite couche vitreuse douce présentant les motifs jusqu'à ce que ladite couche soit dure et que tous les composés organiques indésirables dans ladite cou#che aient été éliminés, de manière à former sur ledit substrat une structure vitreuse dure présentant les mêmes motifs. 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'on mélange audit composé et audit agent sensibilisateur un additif choisi parmi les matériaux de passivation, les dopants, les métaux, les matières premières organiques semi-conductrices et supraconductrices, la couche vitreuse molle ainsi produite acquérant les caractéristiques de l'additif que l'on a mélangé avec ledit composé. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'en chauffe-ladite couche vitreuse molle, ladite étape de chauffage étant suffisante pour durcir ladite couche molle et pour éliminer toutes les matières organiques restantes, lorsque l'on utilise comme additif des matières de passivation ou des métaux, ladite étape de chauffage étant suffisante pour introduire ledit dopant dans ledit substrat lorsque l'on utilise des dopants comme additif, et ladite étape de chauffage étant suffisante pour éliminer tous les composés organiques indésirables lorsque l'on utilise des matières organiques de départ comme additif. 8. Procédé pour le dopage d'un substrat pour semi-conducteur, caractérisé en ce que l'on applique audit substrat une couche d'un composé photosensible contenant du silicium, dans lequel on a ajouté un dopant, ledit composé contenant un groupe fonctionnel d'organosiloxanne, on expose des portions prédéterminées de ladite couche à l'irradiation, on retire lesdites portions du composé non exposées en #raitant ledit composé avec un révélateur, dans lequel lesdites portions non exposées sont solubles et lesdites portions exposées sont insolubles, ledit développement laissant une couche vitreuse présentant des motifs contenant le dopant, dans lesquels le dopant est maintenu dans les interstices d'une matrice de silicium et d'oxygène sur ledit substrat dans des positions prédéterminées, et on chauffe ladite couche contenant le dopant jusqu'à ce que ledit dopant soit incorporé dans ledit substrat, ladite couche vitreuse à motifs empêchant l'évaporation des atomes du dopant dans ladite matrice hors des zones prédéterminées pendant ladite étape d'introduction de sorte que lesdites zones prédéterminées dans ledit substrat présentent des concentrations prédéterminées de dopant dépendant des pourcentages pondéraux de dopant dans la résine photosensible initiale contenant du silicium, les positions lesdites concentrations en dopant étant visibles par le changement de colorant et les structures faisant saillies restant après introduction desdits dopants 9.Procédé pour disposer suivant certains motifs des contacts métalliques dans des positions prédéterminées sur un substrat de semiconducteur, caractérisé en ce qu'on applique audit substrat une couche photosensible contenant un organosiloxanne, dans laquelle on a mélangé un agent sensibilisateur et une quantité prédéterminée d'un métal, on expose les portions prédéterminées de ladite couche à des radiations suffisantes pour provoquer un transfert d'énergie entre ledit agent sensibilisateur et ledit organosiloxanne, on retire les portions de la couche non exposées par traitement de ladite couche avec un révélateur, dans lequel lesdites portions exposées sont insolubles et lesdites portions non exposées sont solubles, ledit développement laissant alors une structure à motifs contenant un métal sur ledit substrat, ladite structure contenant le métal constituant alors ledit contact métallique suivant lesdits motifs. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé par une étape de chauffage pendant laquelle on chauffe ladite structure à motifs contenant le métal jusqu'à l'élimination d'une proportion notable des matières organiques contenues dans ladite structure. 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que ladite couche est rendue photosensible par addition d'un agent sensibilisateur qui permet un transfert d'énergie entre la radiation incidente et ladite résine dans lesdites portions exposées, de manière à provoquer la réticulation dans les portions irradiées de ladite couche. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de chauffage de ladite structure à motifs contenant le métal jusqu'à ce que l'on ait éliminé la presque totalité des matières organiques contenues dans ladite structure. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que ledit composé est I'orthosilicate de tétraéthylène et ledit révélateur est le xylène 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que ledit métal est mélangé sous forme de poudre dans ledit composé 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le pourcentage pondéral dudit métal dans ledit composé est supérieur à 80 % en poids.