Brevet FR2133587A1 — publié le 19721201

- 2133587 La présente invention concerne un dispositif optique • destiné à modifier les dimensions d'une tache lumineuse focalisée en réponse à l'application d'un champ. Dans la présente demande, le terme "lumineux" se rapporte à des ondes électromagnétiques 5 dans la bande de fréquences des. lumières infrarouge, visible et ultraviolette. Dans de nombreux systèmes optiques, on recherche beaucoup la modification rapide des dimensions d'une tache lumineuse focalisée. Dans la technique connue, la modification des dimen-10 sions de la tache a été effectuée par des lentilles zoom à entraînement mécanique, incapables des variations à grande vitesse que nécessitent de nombreuses applications» . • : En particulier, une modification rapide des dimensions de la tache lumineuse peut être utilisée très avantageusement 15 dans une mémoire de masse optique adressée par faisceau0 Un exemple d'une telle mémoire est le système à point de Curie décrit dans le brevet des Etats-Unis 3.368.209 de L.D.Mc. Glauchlin et autres. Dans ce système, un faisceau laser chauffe des portions discrètes du matériau magnétique mince au-dessus de la températu-20 re de Curie, modifiant ainsi le sens de l'aimantation en ce point. Le système retrouve l'information enregistrée, en atténuant le faisceau laser pour permettre la lecture non destructive en utilisant l'effet de Paraday ou l'effet de Kerr» L'information mise en mémoire sur le film peut être effacée en-préchauffant des por-25 tions du film au moyen du faisceau laser jusqu'au-dessus de la température de Curie, et en appliquant simultanément ion champ magnétique. Dans une mémoire de masse optique adressée par faisceau, il est intéressant pour deux raisons de pouvoir commander 30 les dimensions d'une tache focalisée» Tout'd'abord,' le danger d'un effacement incomplet dû à un mauvais enregistrement peut être évité en effaçant une tache plus grande que celle qui est enregistrée. Deuxièmement, le signal lu peut être amplifié en utilisant pour la lecture une tache plus petite eue pour l'écriture. 35 Ceci tient à ce eue la tache focalisée présente une distribution non uniforme d'intensité, par exemple une distribution Gaussienne, et que seule la portion centrale de la tache est de ce fait chauffée au-dessus de la température d'inscription, ce qui provoque l'inscription de taches inférieures au diamètre du faisceau. Pen-40 dant la lecture, on a avantage à avoir une tache ne dépassant pas COPY bad ORIGINAL 72 10531 2133587 les dimensions de la tache inscrite, car la lumière qui dépasse le bord de la tache enregistrée frappe le film vierge et donne un signal qui se soustrait du signal d'écriture. Une tentative pour obtenir une variation à grande vi-5 tesse des dimensions d'une tache lumineuse focalisée est décrite dans une demande de brevet déposée ce même Jour par la demanderesse pour "Dispositif optique permettant de modifier sélectivement la configuration spatiale d'un spot de lumière focalisé". Selon cette tentative, les dimensions de la tache sont modifiées 10 en dirigeant sélectivement le faisceau lumineux suivant une première ou une seconde trajectoire. Les trajectoires représentent différentes distances optiques entre la partie rétrécie du faisceau et le moyen de focalisation. Cet appareil présente plusieurs avantages, mais il nécessite plusieurs éléments optiques et ne 15 donne que deux dimensions différentes de tache. Dans de nombreuses mémoires de masse optique adressées par faisceau, il est a-vantageux de disposer de trois dimensions différentes de tache lumineuse, c'est-à-dire respectivement pour la lecture, l'enregistrement et l'effacement. 20 Le dispositif optique de la présente invention comporte une base, corps ou élément en matériau présentant des propriétés optiques pouvant être commandées par un champ électrique, capable de modifier une caractéristique d'un faisceau lumineux, et placé entre la source lumineuse et le moyen de focalisation. La carac-25 téristique du faisceau lumineux qui peut être modifiée par cet é-lément ou corps, est soit la distribution d'intensité, soit la forme du front d'onde du faisceau lumineux. Un ensemble formant électrodes applique d'une manière réglable un champ électrique non uniforme audit élément, de telle manière qu'il se produit une 30 variation non uniforme dans la caractéristique du faisceau lumineux, provoquant ainsi la variation de dimensions de la tache lumineuse focalisée. Aux dessins annexés, on a représenté divers exemples de réalisation du dispositif selon l'invention. Dans ces dessins : 35 Fig. 1 représente un système optique comportant un dis positif optique selon l'invention placé sensiblement au point de rétrécissement du faisceau. Eig. 2 représente un appareil changeur des dimensions de la tache, et constitué par un élément droit cylindrique en ma-40 tériau optoélectronique. 0?ig» 2a à 2c) /'I 5. 2133i>b/ Fig. 3 représente un dispositif optique pour modifier les dimensions de la tache lumineuse, constitué par un parallélépipède rectangle en matériau optoélectronique „ (Fig«,3a et 3b) Fig. 4 représente un système optique muni d'une varian-5 te de dispositif optique de l'invention pour modifier les dimensions de la tache lumineuse, et logé entre le rétrécissement du faisceau et les moyens de focalisationé Fig. 5 représente l'effacement d'une tache écrite selon la méthode du point de Gurie, dans le cas du système de figure 4. 10 Fig. 6 représente des dispositifs optiques pour modi fier la tache lumineuse, constitués par un seul élément de matériau optoélectronique capable de modifier les dimensions de la tache focalisée dans une dimensione (Fig. 6a à 6cL) Fig. 7 représente la distribution d'intensité d'une ta- U?ig.7a et 7b) . 15 che lumineuse focalisée avec et sans élargissement du faisceau/ Fig. 8 représente une variante de dispositif à une dimension pour modifier les dimensions de la tache» Fig. 9 représente un dispositif à une dimension pour modifier les dimensions de la tâche, constitué par un prisme tri-20 angulaire en matériau optoélectronique. Dans la figure 1, on a représenté un système optique contenant les éléments de hase d'une mémoire optique de masse a-dressée par faisceau. Une source lumineuse telle que le laser 10, fournit Tin faisceau lumineux 11. 'Des moyens.de polarisation 12 25 donnent au faisceau lumineux 11 une première direction de polarisation. Le faisceau lumineux 11 comporte un rétrécissement du faisceau 13 dans le plan A. Ce rétrécissement du faisceau 13 peut être provoqué par le laser 10, ou obtenu par une lentille convergente 14 comme représenté en figure 1. Les moyens de focalisation 30 15 forment un spot lumineux focalisé 16 dans le plan B, où se trouve le support de mémoire 17. Les moyens d'adressage par faisceau 20 dirigent sélectivement le faisceau lumineux 11 sur diverses positions du support de mémoire 17. Lesdits moyens 20 peuvent comporter par exemple des déviateurs de faisceau optoélectroni-35 ques, optoacoustiques ou mécaniques. La lentille 21 reçoit le faisceau lumineux 11 à sa sortie du rétrécissement 13 et donne aux rayons du faisceau lumineux 11 une direction sensiblement parallèle. De seconds moyens de polarisation, ci-après désignés comme un analyseur 22, transmettent la portion du faisceau lumi-40 neux 11 qui présente la première direction de polarisation. Un 72 10531 2133587 dispositif optique pour modifier d'une manière réglable les dimensions de la tache lumineuse focalisée 16 se trouve placé pratiquement au rétrécissement du faisceau 13. Le dispositif comporte un élément ou corps 24 en matériau à propriétés, optiques pou-5 vant être modifiées par un champ électrique et capable de changer la caractéristique de distribution d'intensité d'un faisceau lumineux 11 dans le plan B. L'ensemble d'électrodes 25 applique d'une manière réglable un champ électrique non 'uniforme tel à l'élément 24, qu'il se produit une variation non uniforme dans la 10 caractéristique du faisceau lumineux 11, provoquant ainsi un changement des dimensions ou de la forme de la tache lumineuse focalisée 16. Si 11 on introduisait dans le plan A une petite ouverture circulaire, celle-ci opérerait comme filtre spatial. En fonc-15 tionnement, le dispositif changeant les dimensions de la tache réduit d'une manière réglable les dimensions de l'ouverture réelle dans le plan A, agissant ainsi comme un filtre spatial régla-/ ble par un champ électrique. Lorsque les dimensions de l'ouverture diminuent, l'intensité du faisceau lumineux 11 diminue égale-20 ment. En même temps, le faisceau lumineux 11 qui quitte le dispositif de changement de dimensions de la tache s'élargit en dimensions, et la tache lumineuse focalisée 16 dans le plan B devient plus petite. Une diminution de l'ouverture dans le plan A, continue à provoquer une réduction de dimensions de la tache lumineuse 25 focalisée 16 jusqu'à ce que le faisceau lumineux 11 soit suffisant ment élargi en dimension pour éclairer uniformément les moyens de focalisation 15. En ce point, la tache focalisée 16 est dite "limitée par la diffraction" et présente la forme d'un disque d'Ai-ry. Le diamètre d du disque d'Airy est donné par la relation con-30 nue : d = 1,22 où X. est la longueur d'onde du faisceau lumineux 11 et où 3? est la distance focale réelle du système. Si le laser 10 était idéal et si le faisceau lumineux 11 n'était pas "ouvert" en un point quelconque de sa trajectoire, la tache lumineuse focalisée 16 serait une tache limitée de dif-35 fraction et ayant -une distribution d'énergie gaussienne plus large que le disque d'Airy. La diminution de l'ouverture réelle dans le plan A par le dispositif de modification de dimensions de la tache diminue donc la dimension de la tache lumineuse focalisée 16. De plus, les iasers pratiques à grande puissance ne peuvent 40 donner des performances limitées par la diffraction, mais produi 72 10531 s. 2133587 sent plutôt une tache lumineuse focalisée 15 dont la forme également gaussienne est plus grande que les dimensions d'une tache limitée par la diffraction. Ce manque de performances limitées par la diffraction que présente le laser 10, permet au dispositif 5 de changement de dimensions de la tache d'être encore plus efficace pour réduire les dimensions de la tache lumineuse focalisée 16. En figure 2a, on a représenté un mode préféré de réalisation de l'invention : l'élément 24- de figure 1 comprend ici un 10 "bloc cylindrique droit en matériau optoélectronique dont le point de symétrie est du type 52m ou 43m (notation Hermann - Manguin). A titre d'exemples de matériaux présentant la symétrie 42m, on peut citer le phosphate monopotassique (KDP), le phosphate monopotassique dideutéré (KDXP) et le phosphate monoammonique (ADP). 15 Parmi les matériaux dont la symétrie est du type 53m, on peut citer entre autres l'arseniure de gallium (GaAs), le sulfure de zinc (ZnS) et le tellurure de zinc (Znïe)„ Le "bloc cylindrique droit présente une surface cylindrique 30, une première face 31 à travers laquelle le faisceau lumineux 11 pénètre dans le "bloc et 20 une seconde face 32 à travers laquelle le faisceau lumineux 11 sort du "bloc. Une première électrode 33 est fixée à la surface cylindrique 30 et fait saillie tout autour de cette surface près de la première face 31i une seconde électrode 34- étant fixée d'une manière identique à la surface cylindrique 30, autour de la-25 quelle elle fait saillie au voisinage de la seconde face 32. En figure 2b, on voit en bout le dispositif de figure 2a, dans lequel le matériau optoélectronique utilisé est KD^P. La direction de propagation du faisceau lumineux 11 coïncide avec l'axe cristallographique Z du bloc. De plus, le faisceau lumineux 30 11 est polarisé de préférence dans le plan des axes cristallogra-phiques Z* et Y' et à 45° de ces axes, pour augmenter au maximum le retard de phase du faisceau lumineux 11 à travers le bloc„ Lorsqu'un potentiel électrique est établi entre les é-lectrodes 33 et 34, un champ électrique non uniforme est appliqué 35 au bloc. Comme on le voit à la figure 2c, qui est une vue en coupe du dispositif de figure 2a, le champ électrique parallèle à l'axe Z est faible au centre du bloc, et il ne produit donc qu'un faible changement dans la relation de phase qui lie les rayons ordinaires et extraordinaires du faisceau lumineux. Cependant, 40 dans les régions proches.de la.surface 30 du bloc, le champ élec 72 10531 s- 2133587 trique est beaucoup plus fort et de ce fait il s'y produit un changement dans la relation de phase qui lie les rayons ordinaires et extraordinaires. Dans le système représenté à la figure 1, des moyens analyseurs 22 ne laissent passer que la lumière pola-5 risée dans la première direction de polarisation. Donc, lorsque l'on augmente la tension entre les électrodes 33 et 34, la transmission à travers les moyens analyseurs 22 des extrémités du faisceau lumineux 11 décroît, tandis qu'il n'y a qu'un faible changement de transmission au centre du faisceau lumineux 11. De 10 plus, l'intensité globale du faisceau lumineux 11 est réduite a-près avoir traversé l'analyseur 21. Le dispositif optique de l'invention fonctionne donc comme modulateur aussi bien que comme changeur des dimensions de la tache lumineuse. Il est pourtant intéressant d'utiliser dans certains systèmes, un modulateur sé-15 paré en même temps qu'un dispositif optique de changement de dimensions de la tache» Dans la variante de figure 3a, on utilise un élément ou bloc parallélépipède rectangle en matériau optoélectronique ayant une symétrie ponctuelle 3m ou 4mm.Comme exemples de matériaux, a-20 yant la symétrie ponctuelle 3m, on citera le niobate de lithium (LiïïbOj) et le tantalate de lithium (LiTaO^). Parmi les matériaux présentant la symétrie ponctuelle 4mm, on peut indiquer notamment le titanate de barium (BaTiO^) et le niobate de barium-strontium (Srx Ba^^ Nbg 0g) couramment dénommé SBF„ Pour plus de simplici-25 té, on supposera ci-après que le matériau optoélectronique particulier de figure 3a est un cristal de niobate de lithium présentant une première face 40 par laquelle le faisceau lumineux 11 pénètre dans le cristal et une seconde face 41 à travers laquelle le faisceau lumineux sort de l'élément. L'axe cristallographique 30 Z est orienté perpendiculairement au sens de propagation de la lumière à travers le cristal. Une électrode 44, dont la longueur dépasse celle du cristal, est fixée sur chacun des quatre côtés du cristal, respectivement 42a, 42b, 42c et 42d« En fonctionnement, un potentiel positif est appliqué 35 aux électrodes 44a et 44c sur les premier et troisième côtés opposés 42a et 42c, tandis qu'un potentiel négatif est appliqué aux électrodes 44b et 44d sur les second et quatrième côtés opposés 42b et 42d. Un champ électrique quadripolaire s'établit ainsi à l'intérieur de l'élément ou bloc» Le champ électrique établi est 40 nul au centre de l'élément ou bloc et différent de zéro dans les 72 10531 7- 2133587 régions extérieures près des électrodes, ce qui provoque une diminution dans l'ouverture réelle du faisceau lumineux 11 dans le plan A analogue à ce qui a été décrit au sujet de la figure 2. Cependant, la réalisation de figure 3a diffère de celle de figu-5 re 2 par le fait que cette dernière présente une ouverture réelle réduite dont la forme reste circulaire, alors que le dispositif de figure 3a provoque une réduction d'ouverture qui n'est pas circulaire. Dans les systèmes exigeant une tache lumineuse focalisée 16 absolument circulaire, un second élément optoélectroni— 10 que identique à celui de figure 3» mais orienté à 45° de celui du premier élément (comme on le voit en figure 3b) peut être placé sur la trajectoire du faisceau lumineux 11 après le premier élément, de manière à rendre plus proche du cercle l'ouverture réelle réduite, 15 ^ Selon une autre variante, l'élément 24 de figure 1 est en/matériau présentant des propriétés électro-absorbantes, couramment connu sous le nom d'effet Franz-Keldysh. De tels matériaux présentent en présence d'un champ électrique une augmentation d'absorption optique pour certaines longueurs d'ondes lumineuses» 20 Un ensemble d'électrodes 25 applique d'une manière réglable un champ électrique non uniforme tel à l'élément ou bloc qu'il se produise une absorption plus grande de la lumière dans la région où le champ présente une intensité plus élevée, et que l'ouverture réelle dans le plan A est réduite." Des formes d'électrodes a-25 nalogues à celles des figures 2 et 3 peuvent être utilisées pour créer le champ électrique non uniforme à l'intérieur du matériau électro-absorbant. Dans une telle réalisation, l'analyseur 21 n'est pas nécessaire. De plus, le polariteur 12 n'est pas non plus nécessaire dans les réalisations qui utilisent des matériaux 30 dont l'effet électro-absorbant ne dépend pas de la polarisation„ Dans les exemples précédents de mise en oeuvre de l'invention, les dimensions de la tache lumineuse focalisée 16 sont réduites d'une manière réglable en provoquant une variation non uniforme de la caractéristique du faisceau lumineux 11. Cette ca-35 ractéristique est la distribution d'intensité du faisceau lumineux 11. Dans les exemples suivants, les dimensions de la tache lumineuse focalisée 16 sont augmentées d'une manière réglable. L'augmentation de dimensions s'effectue en provoquant un changement non uififorme d'une autre caractéristique du faisceau lumi-40 neux 11, à savoir la forme du front d'onde. 72 10531 8- 2133587 Dans de nombreuses applications, il suffit de plus de n'augmenter de manière réglable que dans une seule dimension, la dimension de la tache lumineuse focalisée 16. En particulier, une telle augmentation monodimensionnelle de la grandeur de la tache 5 lumineuse focalisée 16 suffit pour les mémoires optiques adressées par faisceau, dans lesquelles il y a un déplacement relatif entre le faisceau lumineux 11 et le support ou milieu de mémoire 17. Un exemple d'une telle mémoire est la mémoire à tambour rotatif où le support 17 est fixé à un tambour cylindrique rotatif. 10 La rotation du tambour provoque un déplacement relatif entre le faisceau lumineux 11 et le support de mémoire 17 dans une première dimension, et réalise ainsi la mise en place du faisceau dans la première dimension. Une mise en position du faisceau dans deux dimensions s'effectue donc en localisant le faisceau lumineux 11 15 dans une seconde dimension qui est sensiblement perpendiculaire à la première. De même, on peut voir que l'on peut augmenter les dimensions de la tache lumineuse focalisée 16 dans la. première t dimension en augmentant la durée de l'impact du faisceau lumineux 11 sur le support de mémoire 17» On peut donc réaliser une aug-20 mentation dans les deux dimensions de la grandeur de la tache lumineuse focalisée 11 en "étalant" le faisceau lumineux 11 sur le support de mémoire 17 dans la seconde dimension» Dans le cas de la figure 4, on voit un système optique semblable à celui de la figure 1 et on a utilisé les mêmes réfé-25 rences pour désigner des éléments semblables. Cependant, dans la figure 4, un modulateur 48 d'un type connu a été placé au rétrécissement du faisceau 13 au lieu du dispositif 20 (fig. l) pour modifier les dimensions de la tache. Un changeur 50 de grandeurs de la tache dans une dimension comprenant un élément en matériau 30 optoélectronique 51» est mis en place entre le rétrécissement du faisceau 13 et les moyens de focalisation 15. Un ensemble d.'électrodes 52 applique d'une manière réglable un champ électrique non uniforme à l'élément 51. L'application de ce champ non uniforme par l'ensemble d'électrodes 52 provoque une variation non unifor-35 me ou une distorsion de la forme du front d'onde du faisceau lumineux 11. Cette distorsion de forme du front d'onde entraîne une interférence dans le plan B et une augmentation dans une dimensi®, de la taille de la tache lumineuse focalisée 16. Le sens dans lequel la tache lumineuse focalisée 16 est augmentée par le chan-40 geur 50 sera dénommé ci-après "sens d'étalement du faisceau". Des 72 10531 9. 2133587 moyens d'exploration 53 cLu faisceau provoquent un déplacement relatif entre le faisceau lumineux 11 et le support de mémoire 17 dans un sens qui est sensiblement perpendiculaire au sens d'étalement du faisceau. Dans une mémoire optique à tambour rotatif du 5 type adressé par faisceau, le moyen de balayage 53 comprend l'appareil qui entraîne le tambour cylindrique. Dans un système du type non rotatif, le balayage du faisceau lumineux dans une direction perpendiculaire au sens d'étalement du faisceau est réalisé soit par un déflecteur trembleur séparé ou par les moyens d'a-10 dressage 20 „ En figure 5» on a représenté le fonctionnement du système de figure 4„ A titre d'exemple, le support de mémoire 17 est un film ou pellicule mince de manganèse et bismuth. Le processus est l'effacement"par point de Curie" d'une tache 60 enregistrée 15 "par point de Curie"» La tache lumineuse focalisée 16 représentée par des pointillés est étirée dans le sens de l'étalement du faisceau, et ses dimensions sont ainsi supérieures à celles de la tache enregistrée 600 La tache lumineuse focalisée 16 est représentée dans trois positions, à mesure que le faisceau lumineux 11 20 est balayé dans la direction de balayage perpendiculaire au sens de l'étalement du faisceau. La zone du support mémoire 17 qui est exposée au faisceau lumineux 11 est chauffée à une température supérieure à 360°C (qui est la température de Curie du manganèse-bismuth) et un champ magnétique extérieur est appliqué pour ali-25 gner la direction d'aimantation des portions chauffées, lorsque ces dernières refroidissent, avec un.sens d'aimantation semblable à celui de la zone adjacente du support de mémoire 17. Comme une zone supérieure à la tache enregistrée 60 est effacée, le risque d'un effacement incomplet dû à un mauvais enregistrement est con-30 sidérablement diminuée Les dispositifs des figures 6a,- 6b et 6c comportent chacun un bloc 70 en matériau optoélectronique ayant la forme d'un parallélépipède rectangle, avec une première face 71 d'entrée du faisceau lumineux 11, et une seconde face 72 de sortie du fais-35 ceau lumineux 11, et avec un premier, second, troisième et quatrième côtés respectivement 73, 74-, 75 et 76. Sur les premier et z troisième côtés opposés parallèles, respectivement 73 et 75, sont fixées des électrodes 80 représentées par les régions ombrées. Dans chaque cas, les électrodes 80 comportent un certain nombre 40 de régions triangulaires dont la zone minimale est au.centre des 72 10531 10- 2133587 premier et troisième côtés 73 et 75 et dont la zone maximale se trouve près des bords du premier et du troisième côtés 73 et 75 gui bordent les second et quatrième côtés 74 et 76. Cependant, les électrodes 80 peuvent avoir une forme non triangulaire. En 5 général, la distorsion du front d'onde est déterminée par la fori© de l'électrode et on peut établir une forme capable de produire l'une quelconque des nombreuses possibilités de distorsions du front d'onde. Une telle forme d'électrode est représentée à la -figure 6d0 10 En service, lorsqu1aucun champ électrique n'est appli qué au bloc ou élément optoélectronique 70, le faisceau lumineux 11 traverse ce bloc sans être perturbé. Lorsqu'une tension est appliquée aux électrodes 80, l'indice de réfraction des portions du bloc optoélectronique 70 comprises entre les électrodes varie» 15 Les rayons lumineux qui traversent le centre du bloc optoélectronique 70 ne présentent que de très faibles variations de leur trajet optique sous l'effet du changement d'indice dç réfraction, / alors que l'on enregistre une forte variation du trajet optique au voisinage des second et quatrième côtés 74 et 76. Donc, les 20 rayons traversant le bloc optoélectronique 70 près des second et quatrième côtés 74- et 76 subiront un déphasage relatif par rapport aux rayons traversant le centre dudit bloc optoélectronique 70, ce qui provoque un changement non uniforme de la forme du front d'onde du faisceau lumineux 11. En figure 6b, on a représen-25 té le changement de forme des fronts d'onde du faisceau lumineux 11 après traversée du dispositif de changement de dimensions de la tache lumineuse. La distorsion des fronts d'onde 84 a pour résultat que la configuration de champ lointain du faisceau lumineux 11 est constituée de deux faisceaux lumineux s'écartant l'un 30 de l'autre. On voit que si les moyens de focalisation 15 sont plar-cés près de la seconde face 72, la tache lumineuse focalisée résultante augmente de dimensions, et change de forme par suite de l'interférence des deux faisceaux divergents» En figure 75 on voit la répartition énergétique de la tar 35 che lumineuse focalisée 16 dans le système de la figure 14 qui u-tilise le dispositif unidimensionnel de changement de dimensions de la tache lumineuse de figure 6b. En figure 7a., on voit la tache lumineuse déformé gaussienne qui existe lorsqu'aucune tension n'est; appliquée au dispositif 50 de changement de dimensions de la tacbe 40 lumineuse. La-largeur réelle du faisceau est représentée par W. A 72 10531 2133587 la figure 7b, on voit la distribution énergétique de la taciie lumineuse focalisée 16 lorsqu'une tension est appliquée au dispositif 50 de changement de dimensions de la tache, provoquant ainsi un changement non uniforme de la forme du front d'onde du fais-5 ceau lumineux 11. On peut constater que la forme de la distribution énergétique de la tache lumineuse focalisée 16 est le résultat de l'interférence des portions du faisceau lumineux 11 dans le plan B„ Dans la variante de la figure 8, le changeur unidimen-10 sionnel des dimensions de tache utilise un bloc parallélépipède rectangle en matériau optoélectronique, présentant une première et une seconde faces 91 et 92, et un premier, un second, un troisième et un quatrième côtés 93, 94-, 95 et 96. Une première électrode 100a est fixée au premier côté 93 pnès de la première face 15 91, une seconde électrode 100b est fixée au troisième côté 95 près de la première face 91, une troisième électrode 100c est fixée au premier côté 93 près de la seconde face 92 et une quatrième électrode lOOd est fixée au troisième côté 95 près de la seconde face 92. Lorsqu'un potentiel positif est appliqué à la pre-20 mière et à la seconde électrodes 100a et 100b, et qu'un potentiel négatif est appliqué à la troisième et à la quatrième électrodes 100c et lOOd, il s'établit un champ électrique non uniforme à 1'-intérieur du bloc ou élément, ce champ étant faible au centre du bloc et maximum près du premier et du troisième côtés 93 e.t 95o 25 Le changement d'indice de réfraction dans le bloc optoélectronique est donc maximal près du premier et du troisième côtés 93 et 95 et il se produit un changement non uniforme de forme du front d'onde du faisceau lumineux 11. Le changeur unidimensionnel des dimensions de tache lu-30 mineuse représenté à la figure 9 utilise un seul bloc 110 en matériau optoélectronique, tel que du niobate de lithium, sous forme d'un prisme triangulaire. L'élément 110 présente une première face 111 à travers laquelle pénètre le faisceau lumineux 11, une seconde face 112 à travers laquelle le faisceau lumineux 11 sort 35 de l'élément 110 et une troisième face 113 munie d'un revêtement réfléchissant 114-„ Les électrodes de forme triangulaire 120 sont mises en place sur la première et la seconde bases opposées parallèles 121 et 122 du prisme. L'axe cristallographique Z est o-rienté normalement à la surface de chacune des première et secon-4-0 de bases 121 et 122„ Lorsqu'un potentiel électrique est appliqué 72 10531 12- 2133587 entre les électrodes 120 sur la première et la seconde bases 121 et 122, les rayons les plus extérieurs du faisceau lumineux 11 subissent un déphasage relatif par rapport aux rayons centraux du faisceau lumineux 11. On peut ainsi réaliser un changement non u-5 niforme de forme du front d'onde du faisceau lumineux 11. Ce changeur optique de dimensions de tache, en forme de prisme triangulaire, est semblable à celui du déflecteur de faisceau lumineux optoélectronique décrit dans le brevet des Etats-Unis 3 <>485.553 de T0C0-Lee. 10 l'invention a été décrite en référence à un certain nombre de réalisations préférées, mais il doit être bien entendu que divers changements de forme et de détail peuvent y être apportés sans sortir pour cela du cadre de l'invention. Il est par exemple évident que de nombreuses formes d'électrode peuvent, en 15 plus de celles qui ont été spécifiées, être utilisées pour appliquer un champ électrique non uniforme qui provoque une variation non uniforme d'une caractéristique du faisceau lumineux» 72 10531 i3. 2133587 REVENDICATIONS» lo Dans un système optique comportant une source lumineuse 10 destinée à produire un faisceau lumineux 11, et des moyens de focalisation pour former une tache lumineuse focalisée 5 16, un appareil pour modifier d'une manière réglable les dimensions de la tache lumineuse focalisée, ledit appareil étant caractérisé par le fait qu'il comprend un bloc de matériau 24 placé entre la source lumineuse et les moyens de focalisation, ce bloc ayant des propriétés optiques réglables par un champ électrique 10 et capables de modifier une des caractéristiques du faisceau lumineux, ainsi qu'un ensemble d'électrodes 25 pour appliquer d'une manière réglable un champ électrique non uniforme tel audit bloc, qu'il se produise un changement non uniforme de la caractéristique du faisceau lumineux, provoquant ainsi une variation de di-15 mensions de la tache lumineuse focalisée» 2. Appareillage selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit bloc 24 est placé sensiblement à un point de rétrécissement 13 du faisceau lumineux» 3. Appareillage selon la revendication 2, caractérisé 20 en ce que ledit bloc est un matériau optoélectronique» 4. Appareillage selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit bloc est un matériau électro-absorbant» 5. Appareillage selon la revendication 2, caractérisé en ce que le bloc comporte un cylindre droit 30 ayant une -surface 25 cylindrique et une première et une seconde faces 31 et 32» 6. Appareillage selon la revendication 5» caractérisé en ce que l'ensemble d'électrodes comporte une première électrode 33 fixée à la surface cylindrique et faisant saillie de cette dernière près de la première face 31* et une seconde électrode 34 30 fixée à la surface cylindrique et faisant saillie de cette dernière près de la seconde face 32» 7. Appareillage selon la revendication 5» caractérisé en ce que le bloc cylindrique droit est constitué par un matériau optoélectronique dont le type de symétrie ponctuel est de 42m ou 35 53m et comporte en outre des moyens de polarisation 12 pour donner au faisceau lumineux une première direction de polarisation * lorsqu'il pénètre dans le cylindre droit et des moyens analyseurs 22 placés entre le bloc et les moyens de focalisation pour transmettre la partie du faisceau lumineux qui a la première direction 40 de polarisation. 72 10531 14* 2133587 8. Appareillage selon la revendication 5» caractérisé en ce que le cylindre droit est en un matériau électro-absorbant„ 9. Appareillage selon la revendication 2, caractérisé en ce que le bloc est un parallélépipède rectangle 40 ayant une 5 première et une seconde faces ainsi qu'un premier, un second, un troisième et un quatrième côtés 42a-d. 10. Appareillage selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'ensemble d'électrodes comprend des électrodes fixées à chacun des quatre côtés et s'étendant sur toute leur longueur, 10 les électrodes 44a et c fixées au premier et au troisième côtés opposés 42a et c recevant un premier potentiel, et les électrodes 44b et d fixées au second et au quatrième côtés opposés 42b + d recevant un second potentiel, établissant ainsi un champ électrique quadripolaire à l'intérieur du bloc. 15 11. Appareillage selon la revendication 10, caractérisé en ce que le bloc est un matériau optoélectronique à symétrie ponctuelle 3m ou 4mm et comprend en outre des moyens de polarisation 12f donnant au faisceau lumineux une première direction de polarisation lorsqu'il pénètre dans l'élément et les moyens ana-20 lyseurs 22 placés entre le bloc et les moyens de focalisation pour transmettre la partie du faisceau lumineux présentant la première direction de polarisation. 12. Appareillage selon la revendication 9, caractérisé en ce que le bloc est un matériau électro-absorbant. 25 13• Appareillage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le bloc est un parallélépipède rectangle 70 en matériau optoélectronique, ayant une première et une seconde faces 71 et 72 et un premier, un second, -un troisième et un quatrième côtés 73 à 76. 30 14. Appareillage selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'ensemble d'électrodes comprend une paire d'électrodes 80 adjacentes au premier et au troisième côtés parallèles opposés de l'élément, chacune des électrodes comportant un certain nombre de zones triangulaires dont la surface minimale se trouve au cen-35 tre du premier et du troisième côtés, et la surface maximale près des bords du premier et du troisième côtés bordant le second et le quatrième côtés. 15. Appareillage selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'ensemble d'électrodes comprend une première électrode 40 100a fixée au premier côté près de la première face, une seconde 72 10531 2133587 électrode 100b fixée au troisième côté près de la première face, une troisième électrode 100c fixée au premier côté près de la seconde face et une quatrième électrode lOOd fixée au troisième côté près de la seconde face, les électrodes étant disposées de ma-5 nière à recevoir un premier potentiel appliqué à la première et à la troisième et un second potentiel appliqué à la deuxième et à la quatrième. 16. Dans un système optique équipé d'une source lumineuse 10, destiné à produire un faisceau lumineux 11, un support de 10 mémoire 17 sur lequel est mémorisée l'information, et des moyens de focalisation 15 pour former une tache lumineuse focalisée 16 dans le plan de support de mémoire, un appareil pour modifier de manière réglable les dimensions de la tache lumineuse focalisée, cet appareil étant caractérisé en ce qu'il comprend un bloc de 15 matériau 50 disposé entre la source lumineuse et les moyens de focalisation, le bloc ayant des indices de réfraction pouvant ê-tre commandés par un champ électrique et capables de modifier la forme du front d'onde du faisceau lumineux, un ensemble d'électrodes 52 pour appliquer de manière réglable un champ électri-/oel 20 que non uniforme/au bloc, qu'il se produise une variation non u-niforme de la forme du front d'onde du faisceau lumineux, provoquant ainsi une augmentation des dimensions de la tache lumineuse focalisée dans un premier sens, et un moyen d'exploration 53 du faisceau pour provoquer un déplacement relatif entre le faisceau 25 lumineux et le support de mémoire dans une seconde direction sensiblement perpendiculaire à la première.