Brevet FR2128647A1 — publié le 19721020

L'invention concerne un procédé permettant le traitement d'un corps, de rréférence un corps semiconducteur, se trouvant sur une première surface L'invention concerne également des objets fabriqués par la mise en oeuvre de ce procédé, un tel support chauffant en vue d'appliquer le procédé, ainsi qu'un dispositif permettant la mise 10 en oeuvre du procédé» En ce qui concerne le procédé mentionné dans le préambule, la seconde surface du support chauffant est profilée et présente une section pratiquement constante dans la direction longitudinale du support, alors qu'au centre desdites surfaces, le support chauffant est plus mince qu'aux faces 15 latéraleso On a constaté que de tels supports chauffants profilés ne permettent pas toujours la répartition homogène de la température perpendiculairement à la direction longitudinale sur la première surface du support chauffant, et que ladite répartition de la 20 température est souvent moins bonne que celle obtenue sur un support chauffant non profilé. L'invention vise entre autres à éviter, au moins en majeure partie, ledit inconvénient, et repose sur l'idée qu'une répartition plus régulière de la température peut s'obtenir avec un tout 25 autre profil» Conformément à l'invention, le procédé mentionné dans le préambule est remarquable en ce que le profil est constitué par des rainures s'étendant parallèlement aux faces latérales, à courts distance de celles-ci dans la direction longitudinale du 30 support chauffant afin d'assurer une répartition régulière de la température perper"iculairemer.t è la direction longitudinale sur la surface 7u suppcrf» ?uauffar,t. De préférence, on uti- l'ir* rr ""cnt lo rrofil cosirrerd une rainure s'étendant le ^ '^0 cls* Ay"-c- *loc L-:-** :: -f -"Y-rtc pas- "! a r^v'-'c-lle forme de la surface v-.rof5.1ée é :ic ents lorsque, suivant le procédé conforme à l'intention, ::Matériau est enlevé des corps, par exemple au cours d'un ôécr-xâge au gaz, ou déposé sur ceux-ci, par exemple par épitaxie à partir de la phase gazeuse» La vitesse de réaction BAD ORIGINAL; 72 07653 2 2128647 dépend souvent fortement de la température, tout comme l'incorporation de substances de dopage présentes dans la phase gazeuse et influant sur la résistivité du matériau déposé» Or, on a constaté qu'au cours d'épitaxie à partir de la phase gazeuse, pen-5 dant l'incorporation simultanée de substances de dopage, la résistivité du matériau déposé sur les corps est notablement moins sujette à des variations dans la direction transversale du support chauffant dans le cas d'utilisation de supports chauffants conformes à l'invention que dans le cas où l'on utilise des 10 supports chauffants non profilés ou munis d'une surface profilée connue. Un tel procédé est de préférence mis en oeuvre dans un dispositif muni d'au moins un support chauffant conforme à l'invention. L'invention concerne également un dispositif semiconducteur 15 réalisé à partir d'un corps semiconducteur qui est traité comme le préconise le procédé conforme à l'invention. De tels dispositifs semiconducteurs qui du reste, sont réalisés de façon connue, présentent des propriétés aisément reproductibles et sont obtenus avec des rendements relativement élevés. 20 La description ci-après, en se référant aux dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment 1'invention peut être réalisée. La figure 1 représente les répartitions de la température correspondant aux endroits des supports chauffants représentés 25 sur les figures 2 à 4. La figure 2 est une section d'un support non profilé dans une direction perpendiculaire à la direction longitudinale. Les figures 3 et 4 sont des sections perpendiculaires à la direction longitudinale de supports chauffants conformes à 30 1'invention. Les températures représentées sur la figure 1 sont des températures mesurées sur les corps semiconducteurs 1 sur la première surface 2, 3 ou 4 des supports chauffants 5, 6 ou 7 siux croix représentés sur le dessin (voir les figures 2, 3 et 4). 35 lies supports chauffants présentent une longueur de 400mm, une largeur de 116 mm et une épaisseur de 13 mm. Ils sont en graphite. Le support chauffant 6 représenté sur la surface 3 présente des rainures 8, d'une profondeur de 4 mm et d'une largeur de 6 mm, de façon à être éloignées des faces latérales 9 BAD ORIGINAL 72 07653 3 2128647 d'une distance de 7 nmu D'une façon analogue, le support chauffant 7 représenté sur la figure 4- présente des rainures 11, de 5 mm de profondeur et de 6 mm de largeur, ménagées de façon à être écartées des faces latérales 10 d'une distance de 7 m» 5 Comparativement au support chauffant non profilé 5 représenté sur la figure 2, la répartition de la température est réduite dans une zone de 92 mm de largeur de 27 à 30°C, jusqu'à environ 16° dans le support chauffant profilé 6 représenté sur la figure 3 et jusqu'à environ 14°C dans celui représenté sur la figure 10 4- et la répartition du support chauffant représenté sur la figure 2 sur une zone de 78 mm de largeur de 20°C jusqu'à environ 9°C dans le support chauffant représenté sur la figure 3 et jusqu'à environ 5°C dans celui représenté sur la figure 4. De plus, on a constaté que dans le cas d'épitaxie sur un 15 corps semiconducteur en silicium chauffé sur un support chauffant conforme à l'invention, la répartition dans la résistivité de la couche en silicium dopée déposée diminue dans certains cas jusqu'à un cinquième de la valeur initiale. Les dimensions mentionnées ci-dessus ne sont données qu'à 20 titre d'exemple non limitatif. C'est ainsi que les rainures peuvent avoir une plus grande largeur. Les dimensions optimales des rainures sont également influencées par la façon dont s'effectue le refroidissement du dispositif dans lequel sont utilisés les supports cnauf'fants ex; les dimensions principales du support 25 chauffant. 1 BAD ORIGINAL 72 07653 2128647 EEVEKDICATIOUS : 1. Procédé permettant le traitement d'un corps, de préférence un corps semiconducteur, se trouvant sur une première surface d'un support oblong dont une seconde surface opposée à la 5 première surface est profilée, et chauffé à l'aide d'une source d'énergie à haute fréquence par l'intermédiaire dudit support, caractérisé en ce que le profil est constitué par des rainures s'étendant parallèlement aux faces latérales, à courte distance de celles-ci dans la direction longitudinale du support chauffant 10 afin d'assurer une répartition régulière de la température perpendiculairement à la direction longitudinale sur la première surface du support chauffant. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise un support dont le profil comprend une rainure s'éten- 15 dant le long de chacune des faces latérales. 3. Dispositif semiconducteur fabriqué à partir de corps semiconducteurs traités par la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1 ou 2. 4-0 Support chauffant oblong utilisé pour mettre en oeuvre le 20 procédé selon la revendication 1 ou 2. 5. Dispositif permettant la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1 ou 2, et muni d'au moins un support chauffant selon la revendication 4. bad origihal