Brevet FR2093996A1 — publié le 19720204

La présente invention se rapporte aux empilages de mémoires à cpnducteurs plaqués, comme on en utilise, par exemple, pour les mémoires de calculateurs, et a pour objet d*assurer la charge rapide de la capacité répartie associée aux "bandes de mots dans de 5 tels empilages. Cela est nécessaire pour qu'on soit assuré que, lorsqu'un conducteur plaqué sélecté est adressé, aucun autre ne se trouve affecté. On peut utiliser dans de tels empilages une diode de Zener, capable de conduire le courant principal de charge, qui peut être 10 notable. De plus, dans un tel agencement le potentiel de charge de la capacité répartie est inférieur à celui d'alimentation. Du fait que le potentiel auquel doit ê^re chargée la capacité doit être à peu près le même que le potentiel disponible pour que le fonctionnement soit correct, la durée de charge (qui est en rela-15 tion directe avec elle du cycle de mémoire) est relativement longue. Conformément à la présente invention, un empilage de mémoires à conducteurs plaqués comporte des conducteurs plaqués auxquels sont associés inductivement des bandes de mots ainsi que "des dio-2D des, un circuit d'adressage permettant d'adresser les bandes, et un circuit ayant pour objet de polariser inversement les diodes en chargeant les capacités réparties associées auxdites bandes, ledit circuit comprenant un commutateur, des moyens pour produire un signal actionnant le commutateur, ledit commutateur permettant, 25 grâce auxdits moyens, à la capacité répartie de commencer à se charger et tendant vers un premier potentiel, un circuit de polarisation qui fournit un second potentiel, inférieur au premier, des moyens pour appliquer effectivement le signal commandant le commutateur lorsque la charge de la capacité répartie atteint 50 pratiquement le second potentiel, avec pour résultat la commutation du commutateur, et enfin des moyens de blocage ayant pour effet de bloquer la charge des capacités .réparties au niveau du second potentiel. Ainsi qu'on s'en rendra bien compte, un tel empilage possède 35 du fait de la réduction du temps nécessaire pour charger la capacité répartie au niveau du potentiel de polarisation, une durée de cycle de mémoire réduite. Cet empilage peut aussi comporter moins de composants qu'un empilage conventionnel. Le commutateur peut être constitué par un transistor à jonc-40 tion dont le circuit collecteur-émetteur est connecté en série COPY 71 19337 2 2093996 entre le premier potentiel et la capacité répartie, et dont la base est reliée aux moyens utilisés pour la production du signal de commande du commutateur. On va maintenant décrire, au moyen d'un exemple, et en réfé-5 rence à la figure unique annexée un empilage de mémoires à conducteurs plaqués conforme à l'invention. Sur cette figure unique 1 désigne une partie de l'empilage de mémoires, cette partie étant suffisante pour comprendre complètement le mode de fonctionnement. Cette partie 1 comporte des 10 bandes inductives de mots 2 à 5* dont chacune est respectivement associée avec un conducteur plaqué (non représenté), et avec une diode de sélection 6 à 9. Comme on l'a expliqué précédemment, un tel empilage de mémoire possède une capacité répartie, dont la majeure partie se trouve entre les bandes de mots et les conduc-15 teurs plaqués. Ces derniers sont à potentiel flottant et possèdent une impédance très faible. La capacité répartie est symbolisée par les condensateurs 10 à 13 branchés entre les bandes 2 à 5 et le point de référence à potentiel flottant 14. Pour adresser une bande particulière, et par ce moyen le 2D conducteur plaqué associé, il est prévu un circuit d'adresse qui comporte lui-même une rangée de commutateurs d'amont 15 et une rangée de commutateurs d'aval 16. Chacune comporte une rangée de transistors de commutation, dont l'un est référencé 17 dans une des rangées, et un autre 18 dans l'autre rangée. L'adressage d'u-25 ne bande particulière est effectué Comme on l'a expliqué ci-dessus, il est important que le courant qui s'écoule dans une bande adressée à travers la diode associée n'envoie pas d'énergie dans une ban.de.non sélectée. Dans 35 les termes de l'exemple ci-dessus, cela implique que l'adressage de la bande 2 n'aura pas pour effet d'envoyer de.1* énergie dans - la bande 4. Cela se produira si l'pn a pas pris dçj précautions pour l ' éviter , ; parce que la tension induite positivé' aux tioriies de là bande 2 polarisera directement la diode de sélection 8,ce 40 qui aura pour effet de faire passer un courant à travers la ca 71 19337 3 2093996 pacité répartie symbolisée par le condensateur 12» Lesdites précautions consistent à polariser inversement toutes les diodes de sélection 6 à 9 en chargeant la capacité répartie, c'est-à-dire en rendant positives les armatures supérieures 5 des condensateurs 10 à 13, On le réalise au moyen d'un circuit comportant un transistor à jonction 19 qui.fonctionne en commutation. Le collecteur de ce transistor est relié à une source 20 de +18 volts à travers une résistance 21, et son émetteur est relié aux bandes 2 à 5 par l'intermédiaire des diodes 22 et 23„ Lorsque 10 le transistor est rendu ainsi conducteur, un courant provenant de la source 20 charge la capacité répartie. Le transistor 19 est commandé par un circuit 24-* 0e circuit comporte une résistance 25» un transformateur 26 et un transistor à jonction 27 connecté comme représenté. Une résistance 28 est 15 connectée aux bornes de l'enroulement secondaire du transformateur 26o Le circuit est alimenté en énergie par une source 29 de +5 volts. Lorsqu'un signal positif (dit de restitution) est appliqué à la base du transistor 27» celui-ci est rendu conducteur. En conséquence, un signal impulsif apparaît aux bornes du secondaire 20 du transformateur 26 et rend le transistor 19 momentanément conducteur. En conséquence aussi la capacité répartie est chargée. Une diode de Zener 30 est également connectée à la source 20 de +18 volts. Cette diode est reliée à la masse à travers un circuit de filtrage 31 constitué par une résistance et un condensa-25 teur en parallèle et mis à la ripasse. Ces composants engendrent au point de jonction de la diode de Zener 30 et du filtre 31 une tension de polarisation +Vg qui est bien entendu inférieure à la tension de +18 volts de la source 20. Une diode 32 est connectée entre la base du transistor 19 et 30 le point de jonction de la diode de Zener 30 et du filtre 31. Lorsque le potentiel de la capacité répartie atteint un niveau approximativement égal à la tension de polarisation +"VB, la diode 32 shunte le signal appliqué à la base du transistor 19. La capacité répartie ne se charge donc pas à une tension supérieure à la tension de polarisation V-g. Cela a pour résultat que le transistor 35 19» fonctionnant en régime linéaire, n'est parcouru que par un courant substantiellement réduit. Les résistances 33 et 34 sont connectées entre le point de jonction de la d'iode de Zener 30 et du filtre 31, et les bandes de l'empilage. Ces résistances bloquent le potentiel de la capacité répartie au niveau de la tension de polarisation +Vg. 71 19337 4 2093996 REVENDICATIONS 1. Empilage de mémoires à conducteurs plaqués comportant des conducteurs plaqués auxquels sont associées des bandes inductives de mots (2 |t 5) et des diodes (6 à 9) et un circuit d'adressage 5 (15 à 16) pour adresser les bandes, caractérisé en ce qu'il comporte également un circuit pour polariser les diodes inversement en chargeant les capacités réparties (10 à 13) associées auxdites bandes, ledit circuit comprenant un commutateur (19) des moyens (24) pour la production d'un signal de commande du commutateur, 10 ledit commutateur permettant alors à la capacité répartie de commencer à se charger en tendant vers un premier potentiel (20), un circuit de polarisation (30,31) fournissant un second potentiel, inférieur au premier, des moyens (32) pour appliquer effectivement au circuit de polarisation le signal de commande du commuta-15 teur lorsque la charge de la capacité répartie atteint pratiquement le second potentiel, de sorte qu'alors le commutateur bascule, et des moyens de blocage (33» 34) pour bloquer la charge des capacités réparties au second potentiel. 2. Empilage de mémoires à conducteurs plaqués conforme à la 20 revendication 1, caractérisé en ce que le commutateur est un transistor à jonction (19) dont le circuit collecteur-émetteur est connecté en série entre le premier potentiel (20) et la capacité répartie et dont la base est connectée aux moyens (24) de production du signal de commande du commutateur. 25 3« Empilage de mémoires à conducteurs plaqués conforme à la revendication 1 ou 2 caractérisé en ce que le circuit de polarisation comporte une diode de Zener (30) qui est connectée en séfcie avec un réseau de filtrage (31)» et est, lui-même connecté aux bornes de la première source de potentiel, ledit réseau de filtrage 30 comportant une résistance et un condensateur connectés en parallèle. 40 Empilage de mémoires à conducteurs plaqués conforme aux revendications 2 et 3, caractérisé en ce que les moyens servant à appliquer effectivement le signal de commande du commutateur au 35 circuit de -polarisation comportent une diode (32) connectée entre la base du transistor et le point de jonction de la diode de Zener et du réseau de filtrage. 5. Empilage de mémoires à conducteurs plaqués conforme à la revendication 4, caactérisé en ce que les moyens de bloquage comportent au moins une résistance (33»34) connectée entre les ban-40 des de mots et ledit point de jonction.