Brevet FR2080789A1 — publié le 19711119

i 2080789 T.* invention concerne un système de fixation de conducteurs pour composants semiconducteurs, faisant appel ?• une plaque d'orientation des pastilles pour maintenir l'orientation d'une pastille de semiconducteur,obtenue par subdivision,nar rapport 5 * sa plaquette-mère, au cours de la fabrication de composants semiconducteurs. Dans le donaine de la fabrication des composants semiconducteurs tels que transistors et circuits intégres monolithiques, les techniques de production par lots de ces composants, sous 10 forme de tranches, de plaquettes ou de couches de matière semi-conductrice, ont atteint un degré élevé de raffinement. Non seulement ces techniques assurent l'uniformité voulue entre les composants d'un même lot, mais elles réduisent considérablement les manipulations et autres interventions directes de mair-15 d'oeuvre pour chaque composant, ce qui se traduit nar un coût de fabrication très réduit en ce qui concerne l'élément semiconducteur ie chaque composant. Même l'application de substance métallique ou plots de contact dans des zones de contact choisies h la surface de l'élément semiconducteur, plots auxquels 20 des connecteurs extérieurs peuvent être ensuite fixés, est maintenant réalisée par des techniques de fabrication en série et à un très faible prix de revient par composant. En dépit de ces économies qui cnt été réalisées dé.iy nar l'emploi de techniques de fabrication en série, différentes 25 opérations de production, ?.. la suite de l'application de contacts métalliques, entraînent des frais supo1émentaires non négligeables dans le cadre des techniques antérieurement adoptées. Par exemple, iusqu'ici, la fixation de connecteurs électriques extérieurs aux plots métalliques de contact appropries 30 sur l'élément semiconducteur de chaque composant exige ordinairement une somme Importante de main-d'oeuvre directe. Cette mein-d'oeuvre directe Intervient dans l'exécution de tâches telles nue "la subdivision de la plaquette ou tout autre traitement de celle-ci pour en extraire l'élément semiconducteur de 35 chaque composant individuel, dans la manipulation de l'élément semiconducteur individuel pour le mettre en position voulue dans un poste d'usinage, dans le positionnement des connecteurs électriques extérieurs nécessaires en rapport de coopération ou d'alignement avec les minuscules plots métalliques de contact 40 sur l'élément semiconducteur individuel, et dans la fixation bad original ^ 71 06688 2 2080789 mécanique et électrique convenable des connecteurs sur les zones de contact. Sur la base du prix de revient nar composant fini, ces opérations exigeant une main-d'oeuvre directe représentent une fraction appréciable du coût total du composant et, en con-5 séquence, beaucoup d'idées et d'efforts ont été consacrés au problème Dosé par l'abaissement du coût de ces opérations. Su égard h ces considérations, l'un des buts de l'invention est de fournir un procédé et un dispositif améliorés qui facilitent la fixation, à bas prix et avec un minimum de main-d'oeuvre, 10 de connecteurs électriques extérieurs aux contacts métalliques sur des éléments de matière semiconductrice, éléments qui ont été préalablement formés en tant que fractions unitaires d'une plaquette massive d'une telle matière semiconductrice. Un autre but est de fournir un procédé et un dispositif 15 qui facilitent le traitement d'une plaquette de matière semi-conductrice, plaquette qui a subi préalablement un traitement visant ? y former un grand nombre de fractions unitaires dont chacune constituera l'élément semiconducteur d'un composant semiconducteur indépendant, de manière à subdiviser cette pla-20 auette en éléments semiconducteurs individuels séparés, tout en conservant précisément, pour chaque élément semiconducteur séparé, la position exacte qu'il occupait dans la plaquette-mère non divisée, par rapport à ses voisins. Un autre but encore de l'invention est de fournir une 25 plaaue d'orientation de pastilles semiconductrices, destinée ^recevoir les pastilles semiconductrices d'une plaquette-mère subdivisée et à maintenir exactement chacune de ces pastilles h l'emplacement précis au'elle occupait par rapport aux pastilles voisines dans la plaquette-mère. 30 Un autre but de l'invention est de fournir une plaque d'orientation de pastilles semiconductrices offrant les caractéristiques précitées et permettant que chaque pastille semi-conductrice individuelle qu'elle supporte et maintient soit introduite dans la position voulue dans un poste d'usinage et 35 en soit extraite, avec la précision nécessaire pour la fixation automatique de connecteurs électriques extérieurs sur cette pastille, sans influences défavorables sur la position de cette pastille par rapport à celles qui l'avoisinent. Un autre but de l'invention est de fournir un procédé et 40 un dispositif améliorés pour présenter à un poste d'usinage un bad ORIGINAL 71 06688 3 2080789 rrand nombre de pastilles individuel les et séparées de matière semiconductrice, pastilles nui constituaient primitivement une seule plaquette-mère massive de matière seîrdconductrice, sans modifier la position relative ou l'orientation -l'aucune des pastilles par rapport " In situation et 1 ' •"•ri.entation ou'e1les avaient dans la plaquette primitive, avant ''a subdivision (,e celle-ci en pastilles. L1 invention pourra "le tout.e fa"on être tien c^n^r"se l'aide du complément de description oui. suit ainsi que des dessins ci -annexés, lesquels comp" «ment et des~i ns -jo-.t --o:a-tifs '' des modes de réal isation préférés cuJ -ont, '-'en ••en'Mi, donnés surtout titre d'indication. la ft T,a ^i p". ? est une vue supérieure v-a^t fei ~!e . ' -c e '.>■» agrandie, de la structure »v» préserve en " sur "a "i La fi rr. 3 est une vue en »f>ure 4- i*înr-î"e.?'::a':e, ' agrandie, 'une unique pastille typique La fitr. h est une vue en élévation part'elle, " 'c'-e"1 le aerrandie, illustrant la fixation précise de "ondueteurs extérieurs • un plot, de contact d'une pastille supportée nar "a plaque d'orientation de la fir. 1. La fi°". 5 est. une vue analorue la f f r. -, les contacts extérieurs étant placés en rapro»t de format?" ^n -'e oonnes: avec les Plots r'e contact d ' une nas'^lle, au ^o-ren ; 1 -ir. u' ' "* de soudage approprié. Ta fir?. ^ est une autre vue, ?na7 '">nie aux r: *. e4: . d1 une oas1-le 1 ndiv*duelle au morne n4* 'mi e1_;e es4- d'-ts ' la p1 a nue d ' orientation ' la fin bref, 1 1 i n oonoeTio ui" ^''s^'-me le "*v-y P Se T]©n^ ~ "î sah"l © nruv' T.T 1 r;u^" " c4-* ^u© '"î© y r. o v -i v»-? ^ "iuv' '*©~ '"'^n©'-: :© - j Hi 3 0 *' ; n v '* U*"© ^ © '"•© ^'31*^ ^"y© ,?en" ©^nrluctrlc© . "ont- ou© ^©^ v ? ^ ^ © 7 y*© frv-*— nées par subdivision de "a nlaouette-'.'ôre qu'elles "''nst '-uent, elles sont déposées et positionnées avec précision sur une plaque d'orientation des pastilles. Tour ce faire, la ni a que t te -rnère est fixée * la surface supérieure de la plaque d'orientation su bad original 71 06688 4 2080789 moyen d'une couche d'un adhésif détachable par la chaleur, puis elle est subdivisée en pastilles individuelles par un certain nombre de rainures qui pénètrent jusque dans la plaque d'orientation, de manière à former un réseau de supports comparables à 5 des piédestaux. De la sorte, les pastilles conservent la même position relative et la même orientation qu'elles occupaient dans la plaquette-mère et elles sont isolées thermiquement les unes des autres. La plaque d'orientation qui porte les pastilles est alors présentée à un poste approprié de fixation de conduc-10 teurs pour unir les conducteurs extérieurs aux zones de contact préalablement formées sur la pastille. La fixation est réalisée en plaçant les conducteurs entre un outil de soudage convenablement chauffé et les zones de contact sur une pastille individuelle. L'outil est ensuite amené contre lés conducteurs et les zones 15 de contact, de façon à réunir ceux-ci. La chaleur en provenance de l'outil de soudage détache sélectivement l'adhésif au-dessous de la pastille individuelle tandis que les conducteurs sont fixés sur celle-ci. Puis l'outil de soudage est écarté et les conducteurs sont soumis à une action d'élévation, ce qui a pour effet 20 de soulever la pastille à distance de la face supérieure du piédestal. L'outil de soudage et la plaque d'orientation sont alors déplacés latéralement l'un par rapport à l'autre, de façon à mettre une autre pastille dans l'alignement vertical de l'outil de soudage et le cycle de fixation est répété jusqu'à ce que 25 des conducteurs aient été fixés sur la totalité des pastilles. La fig. 1, à laquelle on se référera maintenant, présente dans son angle supérieur gauche, désigné par (A), une vue en coupe transversale, à échelle agrandie, d'un modèle de plaque d'orientation de pastilles semiconductrices selon l'invention. 30 La plaque 1 de la fig. 1A est en.une matière conductrice de la chaleur. La conductibilité thermique de cette matière doit êtrè suffisamment faible pour que les pastilles ne puissent pas pivoter une fois qu'elles ont été séparées les unes des autres, tout en étant suffisamment élevée pour que la couche d'adhésif, 35 appliquée ultérieurement, soit assez ramollie pour se répandre facilement sur la plaque. De préférence, le coefficient de transfert de chaleur ("k") est compris entre 0,1 et 0,7 BTU/heure/ 2 pied /degré Fahrenheit/pied, BTU étant l'unité calorifique anglaise (British thermal unit) et le pied 30 cm environ.Il est également 40 souhaitable que la plaque 1 puisse être entaillée de façon relativement facile, sans freinage ou usure excessive des moyens utilisés pour procéder à la coupe. â 71 06688 5 2080789 Eri outre, il est désirable que la plaque 1 soit suffisamment poreuse pour absorber un éventuel excédent de la matière adhé-sive qui sera utilisée dans les opérations ultérieures selon l'invention. La plaque 1 conductrice de la chaleur peut être 5 en un matériau choisi dans le groupe constitué par des matières plastiques énoxy contenant des charges telles que hlo0~, S10„ et le talc; des matières céramiques; et des verres, matériaux qui présentent les caractéristiques précitées. A titre de matériaux conducteurs de la chaleur qui conviennent, on peut 10 citer l'Hysol-XSCMll-R454-Epoxy, fabriquée par Hysol Corporation, Olean (New York) et le Silicone MC-382 Blue, fabriqué par General Electric Company, Waterford (New York). A la phase (B), la face supérieure de la plaque 1 a été revêtue d'une couche d'adhésif 2. Cette couche d'adhésif 2 a 15 de préférence une adhérence qui varie avec la chaleur, de sorte qu'à une température élevée dans la gamme comprise entre 150°C et 350°C, son adhérence soit fortement diminuée par rapport à ce qu'elle est à la température ambiante. En outre, 11 convient qu'elle ait la propriété de ne laisser pratiquement 20 aucun résidu sur la surface d'une pastille à laquelle elle adhère primitivement et dont elle est.ultérieurement détachée. Il importe aussi que la couche d'adhésif 2 ait un certain degré d'affinité avec la plaque 1, pour que la surface de la pastille soit essentiellement dépourvue de tout adhésif résiduel en 25 excès, c'est-à-dire qu'aucune opération additionnelle de nettoyage ne soit nécessaire pour enlever cet adhésif résiduel, une fois que la pastille n'est plus fixée à la plaque 1. La couche 2 peut être formée d'une matière adhésive telle qu'un mastic à base de cire ou de matière thermonlastique, présentant 30 les propriétés précitées. A titre d'adhésif approprié, on peut citer la Vfevo White V/ax #75 qui est livrée par l'Associated American Winding Machinery Inc., New York City (New York). T)e préférence, la V/evo V/ax #75 est mélangée, h raison de 2 parties en poids, avec 1 partie de xvlène pour donner les meilleurs 35 résultats. La phase (C) correspond à la fixation d'une plaquette de semiconducteur 3 sur la plaque d'orientation 1, au moyen de la couche d'adhésif 2. Pour ce faire, la plaque d'orientation 1 est d'abord chauffée à une température comprise entre 75 et 40 150°C, pendant un temps suffisant pour ramollir la couche 71 06688 6 2080789 d'acîhésif 2 qui a été précédemment ou qui est en même temps appliquée sur la face supérieure de la plaque 1. La plaquette 3 est ensuite centrée et pressée sur la couche d'adhésif 2. Le chauffage est interrompu et on laisse la olaque 1 refroidir, 5 pour que la matière adhésive reprenne l'état solide» A la phase (D), la plaquette de semiconducteur 3 est fixée sur la plaque d'orientation 1 et elle a été subdivisée en un grand nombre de pastilles semiconductrices. Pour ce faire, on procède de sorte qu'un réseau de supports 15, comparables à 10 des piédestaux, soit formé simultanément sur la plaque 1, comme le montre la fig. 2. L'un des procédés préférés pour subdiviser une nlaquette de semiconducteur 3 consiste à utiliser un outil de coupe tel qu'un fil de sciage, en combinaison avec une bouillie pour former les rainures ou entailles 4. Une fois que l'outil 15 de coupe a traverse la plaquette 3, il continue à entailler la plaque 1, de manière à former des supports 15 comparables à des piédestaux. Pour tirer le meilleur profit de la plaquette 3* la largeur des rainures 4 ne doit pas dépasser la mesure nécessaire pour isoler thermiauement les supports 15 les uns par rapport 20 aux autres. La largeur préférée des rainures 4 varie entre C,076 et 0,203 mm et elle dépend principalement de la forme des pastilles et de l'épaisseur de l'outil de coupe. La profondeur à laquelle les rainures 4 s'étendent au-dessous de l'interface pastilles-supports n'a guère d'importance, pourvu que l'isola-25 tion thermique nécessaire soit maintenue entre un support en piédestal et son voisin. Si nécessaire, la plaque 1 représentée sur la fig. l(D) peut être lavée dans l'eau désionisée pour enlever tout excédent de bouillie. Il est évidemment concevable d'appliquer d'autres types de procédés de coupe, notamment le 30 découpage au laser, par érosion, par lames multiples, etc. Par ailleurs, le profil des rainures 4 peut aussi varier, pourvu qu'elles répondent aux exigences d'isolation thermique entre les supports 15. Ainsi, la structure complète de la plaque 1 d'orientation 35 des pastilles est visible sur la fig. 1(0). On notera que les pastilles individuelles 3 recouvrent complètement la face supérieure des supports en piédestal 15 et que chaque pastille est dans la même position et a la même orientation que dans la plaquette-mère 3. En outre, les rainures 4 sont profilées de sorte 40 que chaque pastille 3 réalisée par subdivision soit isolée 71 06688 7 2080789 thermiquement et située * distance de toute autre, si bien nu'aucun effet nuisible, tel qu'un changement d'orientation des pastilles, ne puisse se produire du fait de la chaleur engendrée dans une pastille ou un support voisin. 5 La fie. 3 est une vue en coupe transversale d'une pastille semiconductrice typique 3 à laquelle l'invention est particulièrement applicable. Les deux éléments de circuit contenus dans la pastille semiconductrice 3 de la fier. 3 sont une diode PM. comprenant une zone d'anode 12 de tvne P de eonductivité et une zone 10 de cathode 11 de type N de conductivité, et un transistor ÎTPN comprenant une zone émetteur P- de type N de conductivité, une zone base 9 de type P de eonductivité et une zone collecteur 10 de type N de conductivité. Le substrat 5» de tvne P de conductivité, sert r. isoler au moins ces deux éléments de circuit, nar 15 des techniques d'isolation par substrat de diodes. Les /jonction nlanar des éléments de circuit sont protégées par une couche isolante f>. Des plots de contact 7 sont formés sur la face supérieure du composant, fournissant le moven d'une connexion ultérieure s des conducteurs extérieurs (non représentés sur la 20 fig. 3). La fabrication des différentes parties de la pastille de semiconducteur 3 Jusqu'ici décrite ne fera pas l'obr'et de commentaires détaillés, étant donné nu'elle ne fait pas partie de l'invention et que, d'autre part, elle est bien connue de l'homme de l'art. En outre, 11 est Men entendu qu'outre des 25 éléments actifs tels que transistors et diodes, des éléments passifs tels que résistances et condensateurs peuvent être fabriqués dans la pastille 3 et inclus dans le circuit, bien qu'ils n'aient pas été représentés sur la fig. 3. Une partie de la face supérieure de chaque pastille 3 30 est revêtue d'une couche appropriée 6 d'isolation et de protection, connue en soi, par exemple en bioxyde de silicium, en nitrure de silicium ou en une combinaison de ces deux substances. Des plots de contact 7, en un quelconque matériau métallique de contact approprié, sont prévus à la surface des zones voulues 8 35 et i°, nettement visibles sur la flpr. 3 et formées préalablement sur Ta pastille 3 pour constituer, en coopération avec d'autres zones 9, io, 11, etc., des diodes, des transistors, des résistances ou similaires. Pour faciliter l'illustration et mieux faire comprendre l'invention, les éléments P, 9> 10, 11 et 12 40 n'ont pas été représentés ailleurs que sur la fig. 3. Il va de bad original 71 06688 8 2080789 soi que les éléments actifs formés dans la pastille 3 peuvent être aussi bien différents éléments semiconducteurs séparés, tels que transistors "bipolaires et unipolaires, diodes, thyris-tors, éléments h accumulation de charge spatiale limitée, etc. 5 Conformément à l'invention, les pastilles 3 fixées sur la plaque d'orientation 1 comme le montre la fig. 1(D) sont présentées une car une un poste d'usinage approprié, oour la fixation de conducteurs extérieurs aux différents plots de contact 7 de chaque pastille. Un dispositif approprié, qui convient pour 10 l 'exécution de ces opérations, est représenté sur les fig. 4 ?> 6. La fier. 4 est une vue partielle en coupe transversale d'une partie de la plaque 1 d'orientation des pastilles, les plots saillants de contact 7, disposés sur la pastille 3* étant aliénés directement au-dessous d'un outil approprié de soudage 15 thermique 6l, animé d'un mouvement de va-et-vient en direction verticale. Des conducteurs extérieurs 62, fixés à un support 63 apnroprié, sont positionnés entre l'outil 6l et les plots de contact 7 respectifs. L'outil 61 est alors abaissé au contact des conducteurs 62 (voir fie. 5)s fournissant ainsi les moyens 20 nécessaires pour former une bonne liaison entre les conducteurs 62 et les plots de contact 7 respectifs. La chaleur nécessaire nour cette opération de soudage est transmise à travers la pastille 3 et supprime l'adhérence de la couche d'adhésif 2 sur la pastille chauffée. Afin d'éviter que de la matière adhésive 25 résiduelle en excès subsiste après que la pastille a été détachée du piédestal, les propriétés du matériau conducteur le la chaleur et de la matière adhésive seront appariées de sorte que la plaque d'orientation 1 absorbe cet adhésif résiduel en excès au cours de l'opération de soudage par la chaleur. On réalise 30 nar exemple cet appariement en utilisant, une plaque 1 fabriquée en TTysol-X3CMll-R454-"noxy nroduite par Hysol Corporation, Olean (ïTew York) et un adhésif composé de 2 parties en poids de cire blanche '.evo ^75 produite par i 'Associated American 'Jinding Machinery Inc.. ÎIew York City (îTew York") et de 1 partie en poids 35 de xylène. Un dispositif d'alimentation approprié, connu en soi, est utilisé pour délivrer un nouveau .jeu de conducteurs extérieurs, en position de soudage par rapport aux zones de contact 7, au fur et à mesure des besoins. Lorsque l'outil 61 est éloigné (voir fie. 6), la pastille 3* à laquelle sont fixés les 40 conducteurs extérieurs 62, peut être facilement retirée du sommet bad original 71 06688 9 2080789 du piédestal 15 de la plaque d'orientation 1, par une action de soulèvement produite par des moyens associés au dispositif d'alimentation des conducteurs et appliquée aux conducteurs 62, soit par commande manuelle, soit automatiquement. Puis l'outil 5 de soudage 61 et la nlaque 1 d'orientation des pastilles sont déplacés latéralement l'un par rapport b l'autre, de façon h placer la pastille 3 suivante dans l'alignement vertical de l'outil de soudage 61, et le cycle de connexion illustré par les fig. 4 n 6 est répété .lusqu1'1 ce que des conducteurs aient 10 été fixés sur toutes les pastilles individuelles. Il va de soi que tout dispositif approprié de soudage, produisant suffisamment de chaleur oour détacher les pastilles de la nlaque d'orientation, pourra être utilisé pour fixer les conducteurs. Par ailleurs, la fixation de ces conducteurs peut 15 être effectuée automatiquement ou par commande manuelle, selon les préférences. Sn outre, le nombre des conducteurs fixés neut être modifié en fonction des besoins, ce qui ne demande qu'une légère modification quant à la position et au nombre des outils utilisés dans le dispositif de soudage. 20 II est donc manifeste qu'un avantage important de l'inven tion tient au fait que les pastilles reçues par la plaque d'orientation conservent la disposition primitive qu'elles occupaient dans la plaquette-mère. Cela permet de positionner automatiquement et avec précision cos oastilles par rapport à 25 un poste d'usinage où des conducteurs sont fixés automatiquement h des contacts formés sur chaque pastille, le tout impliquant un minimum de main-d'oeuvre directe, de positionnement manuel au vernier, etc. Comme il va de soi et comme il résulte d'ailleurs dé là de 30 ce qui précède, l'invention ne se limite nullement h ceux de ses modes d'application non plus ou'^ ceux des modes ne réalisation de ses diverses parties ayant été olus spécialement indiqués : elle en embrasse, au contraire, toutes les variantes. bad original* 71 06688 10 2080789 REVENDICATIONS 1.- Système de fixation amélioré pour l'application de conducteurs. extérieurs = des zones de contact formées sur des pastilles de semiconducteur nui constituaient préalablement une plaquette-5 mère, ce système comprenant des moyens de soudage thermique pour unir, auxdites zones de contact, des conducteurs extérieurs alignés en rapport de connexion avec celles-ci, ainsi que des moyens d'alimentation de conducteurs pour délivrer des .jeux successifs de conducteurs extérieurs, en rapport de connexion avec les zones 10 de contact de pastilles qui sont positionnées successivement par rapport aux moyens de soudage thermique, caractérisé par un grand nombre de pastilles semiconductrices; une couche d'adhésif ayant une adhérence qui varie en fonction de la température; une plaque d'orientation des éléments semiconducteurs en un matériau con-15 ducteur de la chaleur, présentant un certain nombre de rainures qui délimitent un réseau de supports en forme de piédestal, chacun de ces supports étant recouvert par une pastille qui lui est fixée par ladite couche d'adhésif, ces pastilles étant, les unes par rapport aux autres, dans .la même position relative 20 qu'elles occupaient dans la plaquette-mère avant l'application de celle-ci sur la plaque d'orientation; des moyens de chauffage associés aux moyens de soudage pour réduire l'adhérence de la couche d'adhésif au cours de la fixation de chaque conducteur extérieur sur la zone de - contact correspondante, afin de facili-25 ter l'enlèvement de la pastille fixée à partir du support en forme de piédestal; et des moyens associés aux moyens d'alimentation de conducteurs pour retirer de son piédestal chaque pastille chauffée successive ?. laquelle des conducteurs sont fixés. 3C Plaque d'orientation de pastilles semiconductrices, caractérisée par le fait qu'elle comprend un réseau de supports en forme de piédestal, dont chacun est situé à distance de tout autre et supporte une pastille semiconductrice, laquelle est fixée à la face supérieure du support par une couche adhé-35 slve formée d'une matière dont l'adhérence varie en fonction de la température; cette nlaque est en un matériau conducteur de la chaleur; et l'intervalle ent^e les niêdestaux est tel que chaque pastille se trouve dans la même position relative et ait la même orientation relative qu'elle occupait dans une plaquet-40 te-mère de semiconducteur, cet intervalle étant suffisant pour bad original 71 06688 ii 2080789 isoler chaque pastille et la protéger contre tout effet nuisible qui pourrait se produire du fait de la chaleur engendrée dans un support voisin. 3.- Ptanue améliorée pour l'orientation 10 riau conducteur de la chaleur a un coefficient de conductibill- * 2 té thernique compris entre 0,1 et 0,7 ffl'U/heure/fcied /degré Fahrenheit/pied. 4.- Plaque améliorée pour l'orientation de pastilles semiconductrices selon la revendication 1, caractérisée par le fait que le matériau conducteur de la chaleur possède l'aptitude 15 d'absorber un excès éventuel de matière adhésive résiduelle qui subsiste au cours de l'opération de soudage, de façon à garantir une surface nette des pastilles. 5.- Procédé pour la fabrication de composants semiconducteurs, caractérisé par les opérations successives consistant : ?. fixer PO sur une plaque d'orientation, au moyen d'une couche d'un adhésif dont l'adhérence varie en fonction de la température, une plaquette de matière semiconductrice dans laquelle sont préalablement formés des éléments unitaires dont chacun est destiné à constituer l'élément semiconducteur d'un composant semiconduc-?5 teur individuel; à former dans la plaquette et la nlaoue d'orientation un grand nombre d'entailles situées entre ces éléments unitaires et ayant une profondeur suffisante pour traverser entièrement la plaouette et pénétrer partiellement dans la plaque d'orientation : ces entailles subdivisant ainsi la plaouette en 30 lesdits éléments unitaires individuels, dont chacun est supporté par une partie de la plaque d'orientation, comparable à un piédestal; £ fixer au moins un connecteur électrique extérieur ? chacun des éléments unitaires de ^a plaquette par des moyens chauffants oui, au cours de cette fixation, réchauffent suffi -35 samment ledit élément unitaire pour réduire h un minimum sa .lonction par adhérence la plaoue d'orientation: et extraire chaque élément unitaire du reste de la plaquette, au moyen de l'un des connecteurs électriques fixés y- cet élément unitaire. 6.- Procédé de fabrication de composants semiconducteurs selon 40 la revendication 5, caractérisé par le fait que la plaque * v J * lH--* bad original^ 71 06688 12 2080789 d'orientation absorbe une partie au moins de la couche d'adhésif au-desssous dudit élément unitaire, sous l'effet du chauffage de celui-ci en vue de la fixation des connecteurs. 7.- Plaque améliorée pour l'orientation de pastilles selon la 5 revendication 2, caractérisée par le fait que la matière adhésive est un mélange de ? parties en poids de Wevo YJhite YJax =75 et de 1 partie en poids de xylène, ledit matériau conducteur de la chaleur étant l'Hysol XSMll-R454-2poxy. 8.- Système amélioré de fixation pour l'application de conduc-10 teurs extérieurs à des zones de contact formées sur des pastilles semiconductrices qui constituaient préalablement une plaquette-mère, ce système comprenant des moyens de soudage par la chaleur pour unir, à ces zones de contact, des conducteurs extérieurs alignés en rapport de connexion avec celles-ci, ainsi que des 15 moyens d'alimentation en conducteurs pour délivrer des jeux successifs de conducteurs extérieurs en rapport de connexion avec les zones de contact de pastilles successivement positionnées en rapport de connexion avec les moyens de soudage par la chaleur, caractérisé par une couche adhésive dont l'adhérence 20 varie en fonction de la température, une plaque d'orientation des serai conducteurs en un matériau conducteur de la chaleur susceptible d'être rainuré et revêtu dudit adhésif, cette plaque étant capable d'absober localement l'adhésif lorsque celui-ci est sous l'influence de la chaleur produité pour le soudage.