Brevet FR2081691A1 — publié le 19711210

la présente invention concerne un procédé chimique de dépôt en phase vapeur, et les produits ainsi obtenus, pour réaliser la croissance par épitaxie de pellicules de composés oxygénés d'yttrium ou d'un élément quelconque du groupe des lanthanides (nombres atomiques 5 57 à 71) mélangés avec certains métaux ou autres éléments et déposés sur une plaquette formant substrat,constitués par divers composés pour obtenir un ensemble à couches multiples (ou multicouche).Cet ensemble présente de l'intérêt pour les dispositifs magnétiques,en particulier les dispositifs ou circuits logiques, grâce à la possibilité 10 de créer des domaines magnétiques à paroi unique dans les couches dudit ensemble. l'intérêt porté actuellement aux monocristaux d'orthoferrite a pour origine la possibilité de réaliser des domaines mobiles à paroi unique ou des domaines magnétiques en forme de bulle dans des couches 15 minces d'orientation cristallographique appropriée,comme A.H.Bobeck l'expose dans un article intitulé "Properties and Device Applications of Magnetic Domains in Orthoferrites"paru dans le "Bell System Techni-cal Journal",Yolume 46,page 1901 (1967).Ces domaines peuvent être manipulés par des champs magnétiques pour exécuter des fonctions 20 logiques et de mémoire comme exposé dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N° 3 460 116. On a fait croître en solution de gros cristaux d'orthoferrite soit par un procédé de fusion avec fondant décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N° 3 079 240, ou un procédé hydrothermi-25 que décrit dans un article de E.D. Kolb, D.L. Vood, et R.A. Laudise intitulé "The Hydrothermal Grrowth of Rare Earth Orthoferrite", paru dans le"Journal of Applied Physics" , volume 39, page 1362 (1968). Les deux procédés de croissance décrits par les auteurs de ces documents tendent à produire des cristaux comportant des cavités ou 30 des inclusions de solvant et une substitution chimique du solvant dans le cristal est décrite par exemple dans un article de J.P.Remeika et T.Y. Kometoni intitulé "Lead Substitution in Flux Gro'wn Single Crystal Rare Earth Orthoferrites", paru dans le "Material Research Bulletin", volume 3, page 895 (1968) et l'article déjà ci-35 té sur la croissance hydrothermique du •«Journal of-Applied Physics". Les monocristaux obtenus par l'un ou l'autre de ces procédés de croissance doivent être découpés et polis pour donner de minces plaquettes d'orientation cristallographique appropriée. Bien qu'on désire obtenir des couches très minces d'orthoferrite, la limite 40 d'amincissement par polissage mécanique est de l'ordre de quelques 71 07311 2081691 dixièmes de millimètre ; au-dessous de cette épaisseur, les cassures deviennent trop nombreuses. De plus, les rayures dues au polissage doivent être éliminées, car elles empêchent les déplacements des domaines magnétiques, 5 On connaît des procédés de réalisation de pellicules magné tiques d'oxyde sur des substrats cristallins, consistant en la pulvérisation d'une suspension de réactif sur les substrats chauffés, le dépôt d'alliages métalliques dans le vide suivi d'oxydation et le dépôt par voie chimique d'un mélange de solutions de nitrate 10 sur un substrat, suivi d'une cuisson de l'ensemble. Plus récemment, on a obtenu certaines pellicules par vaporisation par faisceaux d'électrons et par pulvérisation haute fréquence. Oech et Alessandrini ont décrit dans un article intitulé "Préparation of FeO, HiO et OoO Crystals by Halide Décomposition", 15 paru dans "Transaction of the American Society of Metals", volume 50, page 150 (1959), la croissance par épitaxie de certaines matières, par un procédé chimique de dépôt en phase vapeur. D'autres chercheurs ont développé indépendamment les procédés décrits et ont montré qu'on peut également faire croître par épitaxie des oxydes 20 métalliques complexes, en utilisant ce procédé chimique de dépôt en phase vapeur. En général, les procédés chimiques des dépôts réalisés en phase vapeur donnent des pellicules ayant des propriétés avantageuses, mais difficilement reproductibles. Gemme l1 ontyéignalé A.H. Bobeek, R.F. Fischer, A.J. Perneski, 25 J.P. Kemeika et L.G-» Van Uitert dans l'article "Application of Orthoferrites to Domain Wall Devices", paru dans "IEEE Transactions on Magnetics", volume MAG-5 (1969), il existe une dimension minimale des domaines à la température ambiante pour chaque orthoferrite, qui est caractéristique de cette matière, et pour laquelle une 30 épaisseur bien déterminée de l'échantillon est nécessaire. Un procédé de réduction des dimensions caractéristiques des domaines a été décrit par V.P. G-ianola, D.H. Smith, A,A. Thiele et L.G-. Van Uitert dans l'article "Material Eequirements for Oircular Magnetic Domain Devices", paru dans "IEEE Transactions on Magnetics", volume 35 MAG-5 (1969), et consiste, par exemple, à former des solutions solides avec un orthoferrite de samarium qui possède la propriété de réduire les dimensions minimales des domaines. 71 07311 3 2081691 Des feuilles ou des pellicules polycristallines de métaux ferromagnétiques qui peuvent être soumis à des influences magnétiques dans le but de créer des domaines magnétiques ont été décrites dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 2 919 432. Ce 5 brevet décrit en particulier un registre à décalage à domaine à parois dans une feuille mince, dans lequel un domaine à aimantation inversée, limité par des parois avant et arrière, subit une inversion de polarité en un point d'entrée dans la feuille et est déplacé dans ladite feuille suivant un premier axe par un champ 10 d'entraînement multiphase. Un tel dispositif à domaine limité par des parois nécessite, ou est caractérisé, en général, par une feuille magnétique non isotrope dans laquelle un domaine à polarité inversée se déplace soit le long de l'axe d'aimantation facile, soit le long de l'axe d'aimantation difficile, tandis que les parois 15 limitant ledit domaine à aimantation inversée s'étendent jusqu'aux bords de la feuille dans la direction orthogonale à l'axe du déplacement. Tant que les parois de ce domaine sont limitées par le bord de la feuille, le déplacement de ce domaine est limité à l'axe orienté suivant une direction transversale de la feuille» 20 Le brevet des Etats-Unis d'Amérique précité n° 3 460 116 indique qu'un domaine à aimantation inversée peut être limité par un domaine à paroi unique. Un tel domaine diffère des domaines mobiles à aimantation inversée décrits dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 2 919 432, car le domaine à paroi unique, selon le 25 brevet n° 3 460 116, a une section transversale de forme indépendante de la largeur de la feuille ou, en d'autres termes, n'est pas limité par le bord de la feuille. Ces domaines sont dénommés "domaines à paroi unique". deux Les principaux inconvénients des réalisations des/brevets 30 des Etats-Unis d'Amérique mentionnés ci-dessus sont les suivants : le premier recourt à l'utilisation d'une pellicule ou feuille ani-sotrope d'une matière, ce qui conduit à des domaines en forme de bandes ou de stries sur la quasi-totalité de la largeur ou de la longueur de la feuille, tandis que le second brevet n'utilise pas 35 de plaquette pour supporter la feuille de matière, ce qui empêche la réalisation de feuilles très minces de cette matière, par exemple d'épaisseurs inférieures à 25 microns, qui présentent des avantages dans les applications aux domaines à haute densité. 71 07311 4 2081691 L'invention concerne un procédé chimique de dépôt en phase vapeur pour produire par épitaxie au moins une pellicule contenant des composés oxygénés ayant des structures du type pseudo-perovskite ou grenat, comprenant au moins un élément choisi dans le groupe 5 constitué par les lanthanides et l'yttrium et contenant au moins un autre élément choisi dans le groupe ci-après : aluminium, gallium, iridium, scandium, titane, vanadium, chrome, manganèse et fer. La pseudo-perovskite, en tant que cristal d'un type semblable à la perovskite, contient des atomes caractérisés par les relations de 10 symétrie des atomes d'un réseau de perovskite, mais dont la symétrie cubique a été altérée. Cette pellicule est déposée par le procédé décrit ci-après sur une plaquette support constituée par un composé oxygéné et contenant au moins un élément choisi dans le groupe ci-après : lanthanides, yttrium, magnésium, calcium, 15 * strontium, baryum, plomb, cadmium, lithium, sodium ou potassium et comportant au moins un autre élément qui est choisi dans le groupe ci-après : gallium, indium, scandium, titane, vanadium, chrome, manganèse, fer, rhodium, zirconium, hafnium, molybdène, "feân"tâl6 tungstène, niobium,ou aluminium ; le dépôt de la pellicule sus-men-20 tionnée sur le substrat est réalisé de manière à permettre de déposer par voie chimique des pellicules extrêmement minces, soutenues par ce substrat ; une pellicule complexe est fixée à la plaquette de substrat ; on peut créer dans cette pellicule des domaines magnétiques à paroi unique, lesdits domaines se comportant de 25 manière semblable à un domaine à paroi unique dans un milieu pratiquement isotrope. Le comportement des domaines magnétiques à paroi unique et un exemple de dispositif démontrant l'utilité desdits domaines sont décrits en détail dans- le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 3 460 116 précité et, pour exposer la théorie du fonction-30 nement du dispositif décrit dans ce brevet et les principes de la génération, de la propagation et de la détection des domaines magnétiques à paroi unique dans des pellicules pratiquement isotropes, ce brevet est incorporé au présent document par la présente référence. L'invention concerne également un ensemble pellicule-sur-35 support ou substrat dans lequel la pellicule et le substrat ont un caractère monocristallin et dans lequel au moins une pellicule doit avoir des caractéristiques magnétiques pratiquement isotropes dans son plan, et en variante, une pellicule dans laquelle sont enrobés, ou à laquelle sont fixés, les moyens nécessaires pour y créer au 71 07311 5 2081691 moins un domaine à paroi unique en des emplacements prédéterminés ; un dispositif est prévu pour provoquer les mouvements desdits domaines à paroi unique dans une direction parallèle au, et à l'intérieur du, plan ou de la masse de la pellicule et des éléments dé-5 tecteurs qui réagissent à la propagation d'un domaine à paroi unique afin de déceler le déplacement ou la présence dudit domaine à paroi unique dans ladite pellicule. les propriétés de ladite pellicule déposée sur le support et les domaines magnétiques à paroi unique qui peuvent y être créés sont utilisables pour de nombreuses ap-10 plications, en particulier aux circuits logiques. En résumé et conformément à l'invention, un grand nombre de pellicules et de substrats/iu type décrit ci-dessus se sont avérés utilisables pour la création de domaines magnétiques en des emplacements prédéterminés. Les déplacements de ceux-ci dans quasiment 15 toutes les directions dans le plan de ladite (ou desdites) pellicule (s) à l'aide d'une quantité d'énergie pratiquement constante et des dispositifs permettant de constater leq&éplacements de l'un quelconque desdits domaines magnétiques sont utilisables pour des applications aux circuits logiques. La structure d'un registre à 20 décalage, représenté et décrit complètement dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 3 460 116 précité est par conséquent décrite ci-après, en ce qui concerne ce type de composants, adaptés ou couplés magnétiquement à la pellicule elle-même pour l'exécution des fonctions de génération, déplacement et détection des do-25 maines magnétiques. L'équipement extérieur à la pellicule elle-même n'est pas représenté, étant donné que des exemples d'équipement utilisés en liaison avec des dispositifs comportant des domaines magnétiques à paroi unique et le déplacement de ceux-ci sont décrits complètement dans le brevet mentionné ci-dessus. Cependant, 30 on utilise dans la présente invention pour la pellicule et la plaquette de substrat des composés particuliers qui fournissent les résultats désirés avec l'avantage supplémentaire d'un support structurel pour la pellicule, si bien qu'on peut obtenir des pellicules très minces de moins de 25 microns d'épaisseur par le procédé selon 35 l'invention afin d'obtenir les avantages liés aux domaines d'aire très petite et, par conséquent, à la densité plus élevée des-domaines magnétiques à paroi unique. 71 07311 6 2081691 Il est possible de réaliser des domaines magnétiques cylindriques avec des pellicules monocristallines d'orthoferrite de terres rares, la direction d'aimantation résultante de ces domaines est, pour la plupart des orthoferrites, perpendiculaire au 5 plan (001) à la température ambiante. En appliquant un champ magnétique croissant de sens opposé à l'aimantation des domaines, les domaines cylindriques se rétrécissent jusqu'à un diamètre minimal, puis disparaissent. Des densités élevées des domaines et, par conséquent, des domaines de petites dimensions sont avantageux pour de 10 nombreuses applications. Un procédé de réduction des dimensions des domaines est lié au type de croissance décrit ci-après qui applique le phénomène de la magnétostriction aux dépôts épitaxiaux. lors du refroidissement à partir de la température de dépôt,la différence des dilatations 15 ' thermiques du dépôt et du substrat les soumet tous deux à des contraintes mécaniques. le dépôt peut être soumis à des sollicitations appropriées, si bien que la magnétostriction réduit la constante d'anisotropie effective des pellicules d'orthoferrite (001) épita-xiales. le diamètre des domaines étant proportionnel à la constante 20 d'anisotropie, on réduit ainsi le diamètre minimal des domaines. Même si la magnétostriction n'est pas parfaitement isotrope, cela n'affecte pas sensiblement le déplacement à peu près isotrope des domaines cylindriques dans le plan (001). le dépôt par voie chimique en phase vapeur de pellicules 25 d'orthoferrite sur des substrats orientés fournit des orthoferrites très pures, puisque les impuretés qui pourraient être incorporées au cristal sont absentes. l'épaisseur des pellicules épitaxiales peut être réglée habituellement à environ 10 microns près en agissant sur la durée de leur croissance, les substrats étant orientés 30 et polis avant d'être mis en oeuvre, aucun polissage de 1'orthoferrite n'est nécessaire. Par conséquent, le dépôt en phase vapeur par voie chimique de pellicules d1 orthoferrite donne naissance à des dépôts qui sont plus purs, plus parfaits et plus minces que ceux obtenus par les procédés de croissanet de gros cristaux. 35 Le procédé selon 1'invention comprend les opérations qui sont nécessaires pour déterminer l'emplacement géométrique optimal du substrat dans la chambre de réaction ou réacteur afin d'obtenir le dépôt désiré d'une pellicule sur ledit substrat» Ge procédé comprend également les opérations ci-après ; chauffage d'un cristal d'un 71 07311 7 2081691 substrat (ou germe) dans un réacteur et mise en réaction de gaz oxydant et/ou d'oxygène avec les vapeurs de certains halogénures métalliques au contact du substrat cristallin ou de la surface de la plaquette pour déposer une ou plusieurs pellicules isolées l'u-5 ne de 11 autre . Ce procédé réalise le dépôt de pellicules sous forme de monocristaux sur des plaquettes monocristallines de substrat suivant les matières choisies et les opérations de réglage effectuées pour l'obtention du produit ou groupe de produits sus-mentionnés. 10 Le procédé décrit comporte une série d'opérations nécessaires pour définir les conditions appropriées de dépôt et l'emplacement optimal dans le réacteur pour reproduire le type de dépôt désiré. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description qui va suivre, faite en regard 15 des dessins annexés et donnant à titre explicatif, mais nullement limitatif, une forme de réalisation conforme à l'invention. Sur ces dessins : la figure 1 est une vue en coupe du réacteur employé dans le procédé selon l'invention; 20 la figure 2 est une vue en plan d'un registre à décalage re présentant un type de dispositif réalisable par le procédé selon 1'invention} la figure 3 est une coupe suivant le plan 3-3 de la figure 2 et représente les détails des fils enrobés dans une couche. Ces 25 fils sont utilisés pour le raccordement à des équipements extérieurs destinés à engendrer, déplacer et détecter les déplacements des domaines magnétiques à paroi unique créés dans la pellicule du dispositif ; la figure 4 est une coupe•suivant le plan 3-3 de la figure 2 30 et représente une pellicule et une couche symétriques par rapport à un plan contenant des fils enrobés dans les deux surfaces de dépôt principales du substrat ; et la figure 5 est une coupe transversale d'une chambre pour halogénures métalliques et d'un appareil de chauffage auxiliaire 35 adaptable à une entrée de la partie verticale du réacteur de la figure 1. Dans les procédés chimiques de dépôt, en phase vapeur, les vapeurs des réactifs sont mises en contact à proximité d'un substrat (ou germe) cristallin pour qu'elles réagissent de manière à 71 07311 8 2081691 déposer une pellicule d'orthoferrite sur une plaquette de substrat. Les dépôts chimiques en phase vapeur font intervenir la réaction entre un halogénure de lanthanide ou d'yttrium et un halogénure de fer et 1Toxygène, sans que cette énumération soit limitative. Le 5 réacteur permet la vaporisation des divers halcgénures métalliques et un mélange intime de leurs vapeurs avant qu'ils ne réagissent sur 11 oxygène. La figure 1 représente un réacteur 10 en forme de I utilisable pour le dépôt de pellicules. La figure 5 représente une chambre 10 auxiliaire raccordéedans certaines conditions à l'entrée d'un tube 36 de prémélange. Les figures 2 et 3 représentent un dispositif logique réalisé par ce procédé. Le réacteur est étudié pour des températures assez élevées afin de tenir compte, par exemple,' de la faible volatilité d'un halogénure métallique utilisé comme ma-15 - tière première. Le réacteur en forme de T comporte une chambre horizontale 20 et une chambre verticale 30. L'appareil de chauffage 21 de la zone de réaction est placé autour de la chambre horizontale. Les appareils de chauffage séparés 31, 32 et 33 sont placés autour de la chambre verticale pour régler les températures des 20 matières premières. Des creusets 34 et 35 destinés à recevoir les matières premières sont enfermés dans la chambre verticale. Ces creusets sont introduits et logés dans un tube 36 de prémélange mis en place et maintenus dans leurs emplacements corrects dans ledit tube 36. Le tube 37 comporte un orifice d'entrée pour y introduire 25 du chlorure d'hydrogène gazeux (HCl) destiné à faciliter le transport de la matière première du creuset 34 sous forme gazeuse en direction de la chambre de réaction 20. On utilise par ailleurs un tube 37 pour élever ou abaisser le creuset 34 à l'intérieur du tube 36 de prémélange. La position du creuset 35 est ajustée à l'in-30 térieur du tube de prémélange par une tige support 38. Un tuhe d'entrée 39 est placé dans le tube 36 de prémélange pour y injecter de l'hélium. L'ensemble du tube de prémélange 36 contenant les creusets 34 et 35 ainsi que les extrémités des pièces 37, 38 et 39 qui en sortent peut être déplacé verticalement à la demande dans les 35 deux sens à l'intérieur de la chambre 30. Le tube de prémélange 36 comporte un orifice de sortie 40 à son extrémité supérieure, permettant le passage des matières premières vaporisées mélangées aux divers gaz porteurs injectés dans le tube de prémélange 36. 71 07311 9 2081691 Le débit de la matière première provenant du creuset 35 peut être modifié en agissant sur la température de l'appareil de chauffage 33 pour le mode d'exécution représenté. le débit de la matière première provenant du creuset 34 peut également être modifié en 5 agissant sur la température de l'appareil de chauffage 31 et, de plus, en agissant sur le débit du gaz introduit dans le creuset par le tube d'arrivée 37. La chambre de réaction horizontale cont-prend un orifice d'entrée 22 à travers lequel on peut injecter de l'hélium et de l'oxygène et comporte une sortie 23 des gaz en pro-10 venance de ladite chambre. Les gaz sortant par l'ouverture 40 transportent les vapeurs d'halogénures métalliques préalablement mélangées dans la zone de réaction du réacteur. Le substrat cristallin 26 est placé sur un support en silice fondue 25 dans une chambre horizontale 20, On peut modifier la po-15 sition du support 25 au cours de l'opération, si on le. désire. En général, la plaquette cristalline servant de substrat est chauffée pendant l'opération par l'appareille chauffage 21 de la zone de réaction. Les appareils 31, 32 et 33 de chauffage des matières premières sont portés à des températures qui conduisent à 20 une tension de vapeur voisine de 0,1 bar pour chaque halogénure.. métallique. Après que chaque appareil de chauffage a atteint la température désirée, le tube de prémélange 36 contenant les creusets 34 et 35 pour les matières premières est élevé jusqu'à son emplacement 25 dans la chambre verticale 30. Des gaz sont introduits dans ladite chambre verticale par le tube d'entrée 37 et le tube 39 pour faire passer les vapeurs d'halogénures métalliques à travers l'orifice 40 du tube de prémélange en direction de la chambre 20 horizontale de réaction. On fait ensuite réagir l'oxygène arrivant par l'entrée 22 30 de la chambre 20 sur les vapeurs d'halogénure s métalliques au contact de la face supérieure du substrat cristallin pour former dessus, par croissance, le composé choisi^Un exemple typique de réaction, est représenté par la formule approchée ei—après -î 35 GdCl3(g) + FeCl2(g) + § 02 (g) >GdFe03(s) + | Cl2(g) (s) —> solide (g) —> gazeux 71 07311 10 2081691 Le substrat cristallin pour la pellicule d'orthoferrite de gadolinium peut être de 1'orthoaluminate d'yttrium ou un des autres composés pour substrat énumérés ci-après* Le chlorure de gadolinium anhydre (G-dCl^) et le chlorure ferreux anhydre (FeCl^) sont 5 contenus dans des creusets séparés dans des zones à des températures différentes de la chambre 30„ De l'hélium sec est introduit dans.le tube de prémélange par le tube 3^é.fin de transporter les vapeurs de GdCl^ et FeC^, qui sont les vapeurs entrant en réaction des halogénures métalliques, 10 des creusets à la zone de réaction de la chambre horizontale 20. Du chlorure d'hydrogène (HCl) sec introduit par le tube 37 parvient directement dans le creuset 34 qui contient le (xdCl^. L'HCl gazeux entraîne les vapeurs lourdes de G-dCl^ à l'extérieur du creuset en direction du courant d'hélium et empêche les vapeurs très réacti-15 *ves de GdCl^ de réagir à une grande vitesse incontrôlable sur l'oxygène arrivant par l'entrée 22. De l'hélium est injecté en même temps que l'oxygène par l'entrée 22, en direction de la chambre horizontale 20. La zone de dépôt des produits de la réaction est dans la par-20 tie aval de la chambre horizontale, à proximité de la jonction en T des chambres 20 et 30. La plaquette de substrat 26 est placée sur un support 25 qui est introduit dans la partie amont de la chambre 20. Les paramètres de 1'opération, tels que la température des appareils de chauffage 31, 3^ét 33 et les débits des gaz à travers 25 les tubes 22, 37 et 39 peuvent être ajustés jusqu'à ce que les conditions désirées de la réaction soient obtenues, permettant ainsi de placer la plaquette (ou germe) de substrat 26 sur le support en quartz 25 dans la partie aval de la chambre 20. Pour obtenir des indications concernant l'emplacement exact où la vapeur choisie est 30 prête à se déposer sur le substrat, on peut placer sur le support 25, à proximité de la jonction en T, une éprouvette en une matière semblable à celle de la plaquette 26 ou uns plaque éprouvette en quartz fondu. Une pellicule de teinte brun rougeâtre doit se déposer sur la matière remplaçant la plaquette 26 indiquant ainsi la 35 zone de dépôt de 1'orthoferrite quand les conditions de dépôt et l'emplacement de la zone de dépôt sont tous deux appropriés. Cet essai nécessite une durée de réaction de 2 à 4 minutes seulement. Ensuite, 1*éprouvette de remplacement est retirée et le substrat 26 sur le support 25 est introduit dans la chambre 20 par l'orifice 71 07311 n 2081691 d'entrée 22 et placé exactement au même endroit grâce aux graduations de la tige 28 qui déterminent la position de 1*éprouvette, si bien que les vapeurs entrant en réaction peuvent former un dépôt sur la face supérieure du substrat 26, formant ainsi la pelli-5 cule monocristalline désirée sur la plaquette de substrat monocristalline . Les détails concernant la mise en place du substrat dans la chambre 20 ont de l'importance. Le support 25 comporte des ouvertures 27 à ses deux extrémités, qui sont utilisées pour y intro-10 duire l'extrémité recourbée d'une tige graduée 28. La tige 28 place le support 25 dans la position appropriée permettant d'obtenir le même dépôt brun rougeâtre que sur 1'éprouvette. Quand la teinte brun rougeâtre est obtenue, on note la graduation de la tige 28 coïncidant avec le bord de 1'ouverture 22, si bien que le support 15 25 sur lequel se trouve un substrat réel 26 peut être introduit à nouveau et placé exactement à l'endroit où se produisait le dépôt brun rougeâtre. La tige 28 est retirée après que la pellicule a été complètement déposée, elle est ainsi utilisée à nouveau pour éloigner le support 25 avec la pellicule 29 déposée sur le substrat 26. 20 La pellicule doit normalement se déposer sur la face du sub strat 26 qui n'est ni contiguè', ni en contact avec le support 25. Après dépôt.de la pellicule sur une face du substrat, l'autre face antérieurement en contact avec le support 25 peut être recouverte d'une pellicule semblable par un simple : retournement.du substrat de 25 manière que sa face_ ainsi recouverte soit au contact de la surface du support 25. Le procédé décrit ci-dessus peut être utilisé en liaison avec un masque destiné à cacher les parties de la face supérieure de la plaquette substrat 26 qu'on ne désire pas recouvrir avec la pelli-30 cule 29 et laisser à découvert les parties qu'on désire recouvrir ; on peut par conséquent produire de cette manière plusieurs pellicules semblables à 29 sur une face quelconque de la plaquette substrat 26. Une pellicule d'orthoferrite contenant trois métaux est don-35 née à titre d'exemple dans la colonne D du tableau 1 ci-après. Des réactions typiques qui permettent d'obtenir une de ces pellicules sont■représentées par les formules ci-après : 71 07311 12 2081691 2YC13 + GaCl3 + PeCl2 + 302 » 2YGa0j5Pe0 YG13 + Gd013 + 2ïeGl2 + 302 » 2YQ ^&dQ 5?e03 + 5C12 5 la pellicule d'orthoferrite ainsi produite doit, comme dans l'essai ci-dessus d'échantillonnage de la couleur, former également un dépôt de teinte "brun rougeâtre sur la matière de ll éprouvette. 10 Si l'on désire réaliser des pellicules du type grenat, on incorpore un organe d'entrée additionnel 50 de manière à pouvoir injecter directement par ce dernier HG1 gazeux et sec afin de réaliser des dépôts pelliculaires appropriés sur la matière 26 du substrat. 15- Une pellicule de grenat contenant trois métaux figure à ti tre d'exemple dans la colonne E du tableau 1 ci-après. Des exemples de réactions permettant d'obtenir une de ces pellicules sont représentées par les formules ci-après : 20 6YC13 + 5&a013 + 5FeCl2 + 1202 > 2Y3&a2j5Ee2 5Of2+..|2Cl2 3YC13 + 3Gd013 + l0Pe012 + 1202 * 2Y1 gïfcçOjg + 19012 la pellicule de grenat obtenue doit, comme dans l'essai ci- 25 dessus d'échantillonnage de la couleur, former un dépôt de couleur jaune-vert sur la matière de 1*éprouvette. Si un troisième constituant métallique doit être incorporé dans la pellicule obtenue par croissance, la vapeur de son halogénure anhydre doit être ajoutée à celle présente dans la chambre/Le 30 prémélange 36. l'emplacement du réservoir de matière première pour cet halogénure métallique dépend de la température nécessaire pour obtenir une tension de vapeur appropriée. Ainsi, s'il nécessite une température plus élevée que les autres halogénures métalliques, un creuset additionnel (non représenté) peut être ajouté au-dessus du 35 creuset 34 et les températures des appareils de chauffage 31 et 32 peuvent être ajustées en conséquence. S'il se vaporise à une température très voisine de celle d'un des autres constituants, il peut être placé dans un creuset adjacent (non représenté) ou peut être ajouté dans un rapport approprié au contenu des creusets 34 ou 35. 71 07311 13 2081691 Si 1'halogénure métallique s'évapore à une température comprise entre celle des deux autres constituants, un creuset additionnel (non représenté) peut être placé entre les creusets 34 et 35. Si 1'halogénure métallique se vaporise à une température inférieure à 5 celle du creuset le plus bas, on peut placer un creuset additionnel (non représenté) dans le tube 36, mais au-dessous du creuset 35. Si ladite matière se vaporise à une température si basse que la température en n'importe quel point de la partie verticale du réacteur en I est excessive, ladite matière peut être chauffée à une 10 température plus modérée à l'extérieur du réacteur 30. Pour chauffer par l'extérieur un halogénure métallique, le tube d'entrée 50 de la figure 1 est raccordé au tube de sortie 54 de la chambre 51 de la figure 5. On peut introduire dans la chambre 51 une matière 55. Si la matière 55 introduite dans la chambre 51 est GaCl^, 15 cette matière a une tension de vapeur trop élevée à toute température à l'intérieur du tube 36 de prémélange. Par conséquent, une chambre extérieure 51 est placée juste au-dessous de la chambre 30 du réacteur. La chambre 51 est chauffée indépendamment par un four 52. On introduit HC1 gazeux et sec par le tube d'entrée 53 et il 20 entraîne les vapeurs de chlorure de gallium à travers le tube de sortie 54 et dans le tube d'entrée 50 de la partie verticale du réacteur en T. Ensuite, les vapeurs de chlorure de gallium se mélangent avec celles des autres halogénures métalliques et le gaz porteur présent dans le tube de prémélange 36. Le mélange d'halo-25 génures sort ensuite par l'orifice 40 et réagit sur l'oxygène dans la partie horizontale du réacteur. Le tableau 1 ci-après donne des exemples de formation de pellicules sur des substrats et indique les paramètres de réglage de l'opération correspondants. TABLEAU 1 Matières et Produit Produit Produit Produit conditions A B G D Produit •E Produit F Produit g matière de la pellicule GdFeO^ YFeO^ YFeO^ YGaQ ^FeQ ^0^ Y^Ga2 ^Fe2 ^0^2 YQ Y1 5G' matière du substrat YA'10, OaTiO, YA10, 3 3 Température du substrat, en °C 1145 Débit de l'hélium dans le sens vertical en l/mn 11,5 Débit de l'hélium dans le sens horizontal en l/mn 4,32 Débit de HG1 gazeux en ml/mn 60 5,5 22 16 Débit de 18 o-xygène en ml/mn 37 33 33 YA10, 1144 1175 1175 6,0 11,5 2,75 2,75 3,8 60 Débit dans le sens vertical de HC1 gazeux en ml/mn Néant Néant Néant 123 37 G-d^Ga^O^ 2 1175 9,5 3,8 282 123 32 YA10, 1175 11,5 3,8 60 Néant 37 Gd^Ga^O^2 1175 11,5 3,8 260 123 37 o (jo NJ O 00 O sO Tableau 1 (suite) Matières et Produit Produit Produit Produit Produit Produit Produit conditions A B 0 D E F G- vitesse de transport de Gd013 ou YC13 en g/h 1,13 1,03 0,516 1,0 1,45 0,77 0,87 vitesse de transport de FeCl2 en g/h 4,47 1,47 1,18 4,0 18,0 4,53 14,2 Débit de G-aOl, eh g/h •* néant néant néant 0,5 1,95 — épaisseur de la pellicule ^n microns 4,5 6,6 4,1 3,0 3,0 3,0 15,0 urée de l'opération en mn 15 30 40 20 20 20 90 vitesse de dépôt en microns par heure 18,0 13,2 6,2 9,0 9,0 9,0 10,0 orientation cristallographique de la pellicule (001) (001) (101) • (001) (100) (001) (100) orientation cristallographique du substrat (001) (010) (101) (001) (100) (001) (100) O • VJ1 K> O 00 •mnI o •sO 71 07311 16 2081691 Bien qu'on n'ait indiqué en détail sur le tableau 1 que quelques produits, il Ta de soi que tous les produits obtenus à partir des éléments figurant sur le tableau 2 ci-après sont utilisables dans le cas de la présente invention. Par exemple, on indi-5 que sur les colonnes D et E que des quantités égales de gallium et de fer sont présentes dans la pellicule et dans les colonnes F et G que des quantités égales d'yttrium et de gadolinium sont présentes dans la pellicule. Il va de soi que ces quantités ne sont pas obligatoirement égales et, en fait, peuvent être modifiées à la 10 demande. On a indiqué à titre d'exemple sur le tableau 1 ci-dessus plusieurs combinaisons de matières pour pellicules et pour substrats. Cependant, on peut obtenir un grand nombre d'autres combi-. naisons en associant au moins deux des éléments de la matière de 15 la pellicule avec au moins deux des éléments de^a matière du substrat figurant sur le tableau 2 ci-après. Là où la matière de la pellicule doit être utilisée pour obtenir des domaines magnétiques à paroi unique, un des deux éléments de cette matière doit être le fer (Fe). 71 07311 17 2081691 TABLEAU 2 Mélange d'oxydes JQ constituant la pellicule Mélange d'oxydes JQ constituant le substrat Partie J Partie Q Partie J Partie Q cérium aluminium cérium gallium praséodyme gallium praséodyme indium néodyme indium néodyme scandium prométhéum scandium prométhéum titane samarium titane samarium vanadium europium vanadium europium chrome gadolinium chrome gadolinium manganèse terbium manganèse terbium fer dysprosium fer dysprosium rhodium holmium holmium zirconium erbium erbium hafnium thulium thulium molybdène ytterbium ytterbium niobium lutétium lutétium tantale lanthane lanthane tungstène yttrium yttrium aluminium magnésium calcium strontium 25 baryum plomb cadmium lithium sodium 20 potassium Les éléments du groupe des lanthanides sont par définition les suivants : lanthane, cérium, praséodyme, néodyme, prométhéum, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, er-bium, thulium, ytterbium, lutétium, (éléments n° 57 à 71 du tableau 35 périodique). Après le dépôt de couches d'orthoferrite ou de grenat monocristallines sur un substrat, on peut réaliser des dispositifs utiles tels ceux décrits dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 3 460 116 précité. Les figures 2 et 3 représentent un registre 71 07311 18 2081691 à décalage 100. Un registre à décalage semblable et son mode de fonctionnement sont décrits en détail dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 3 460 116 précité. Le dispositif 100 des figures 2 et 3 qui doit donc être réa-5 lise par le présent procédé est constitué par un substrat 26 sur lequel est déposée une pellicule 29. Quand le dispositif 100 permettant de produire, de déplacer et de détecter des domaines à paroi unique est achevé, l'ensemble doit comprendre au moins une couche isolante 101,, par exemple de monoxyde de silicium SiO ou de 10 fluorure de magnésium MgFg q^i est fixée à la pellicule 29 et comporte les divers éléments nécessaires pour produire, déplacer et détecter des domaines à paroi unique enfermés dedans et, ainsi, maintenus solidement. Un procédé d'obtention d'une couche 101 comprend la vapori-15 sation d'un conducteur métallique 102 sur la surface de la pellicule 29 à travers un masque approprié placé sur la surface de la pellicule 29, ledit masque comportant le tracé du conducteur 102. Cette vaporisation peut être réalisée dans un réacteur semblable à celui de la figure 1, dans lequel le contenu du récipient 34 est 20 constitué par des granules métalliques, par exemple de cuivre, d'or, d'argent ou d'aluminium, l'autre récipient 35 étant retiré, les températures réglées et le courant d'oxygène supprimé. Après cette opération, le masque est retiré et on peut introduire dans le récipient 34 des granules isolants, par exemple de Mgî^, qui 25 sont vaporisés et déposés en formant une pellicule sur le conducteur 102 et sur la surface non métallisée restante de la pellicule 29. Ensuite, un autre masque comportant le tracé du conducteur 103 peut être placé sur ladite surface isolante et, en plaçant un métal approprié dans le récipient 34, le tracé du conducteur 103 peut 30 être formé comme celui du conducteur 102. Après avoir retiré le masque du conducteur 103, on peut déposer une couche additionnelle de matière isolante sur la surface du fil 103 ainsi que sur les autres parties de la pellicule isolante déposée antérieurement. Un masque avec le tracé du conducteur 104 peut être placé ensuite sur 35 ladite surface isolante et une quantité additionnelle de matière conductrice peut-être déposée par le procédé de vaporisation-employé pour former le conducteur 104. De même, on peut former les conducteurs 105 et 106, tout comme le conducteur 104 à partir de leur tracé sur des masques et déposer une quantité additionnelle de 71 07311 19 2081691 matière conductrice. De même, également, après avoir retiré les masques, on dépose une matière isolante additionnelle sur les conducteurs 104, 105 et 106 et sur la surface isolante non métallisée sur laquelle ont été déposés ces conducteurs. Un masque avec 5 le tracé du conducteur 107 est ensuite placé sur cette surface et le conducteur 107 est formé de la même manière que les autres conducteurs sur la surface isolante. On enlève ensuite le masque et on dépose une nouvelle couché de matière isolante sur le conducteur 107 et la surface isolante non métallisée comme ci-dessus. On 10 place ensuite un masque avec le tracé du conducteur 108 sur la surface isolante et l'on forme le conducteur 108 par le même procédé de dépôt sous vide. Enfin, on retire le masque et on dépose une matière isolante sur le conducteur 108 en recouvrant ledit conducteur et éventuellement des parties de la surface isolante restan-15 te non métallisée, enfermant ainsi tous les conducteurs dans la couche 101 qui est maintenant solidement fixée à la surface de la pellicule 109. A noter, à propos du dépôt des conducteurs 104, 105 et 106 et de leurs points de croisement et des points de croisement pos-20 sibles avec les conducteurs 102, 103, 107 et 108 qu'on ne dépose pas obligatoirement la totalité d'un conducteur à la fois : on peut par conséquent déposer une matière isolante entre ces divers conducteurs à leurs points de croisement. On peut utiliser des masques appropriés pour déposer des tronçons de conducteurs et des 25 matières isolantes de manière à réduire le nombre total de dépôts séparés. En utilisant un masque approprié en liaison avec le procédé de dépôt de la couche 101 pour couvrir les parties sur lesquelles on ne désire pas former une couche telle que 101 et en laissant 30 sans recouvrement par le masque les parties sur lesquelles on désire former des couches telles que 101, on peut former plusieurs couches telles que 101 sur une surface de la pellicule 29 ou des groupes de pellicules tels que 29, de la même manière que la couche 101. 35 La figure 4 représente le dépôt d'une pellicule 29' sur l'au tre grande-face "ûôn traitée -de la plaquette 106 et la couche 101* au-dessus de celle-ci. La matière de la pellicule 291 est identi-tique à celle de la pellicule 29 et la couche 101' est identique à la couche 101. Les deux pellicules 29 et 29' sont par conséquent 71 07311 20 2081691 déposées de la même manière et les deux couches 101 et 101* sont toutes deux déposées de la même manière et des conducteurs identiques peuvent être enrobés dedans. La figure 4 représente par conséquent un dispositif à plusieurs couches avec des domaines ma-5 gnétiques. On peut également concevoir que plusieurs pellicules de matières magnétiques et non magnétiques puissent être déposées .successivement l'une sur l'autre sur la même face du substrat en utilisant pour la formation de la pellicule un mélange d'oxydes JQ figurant sur le tableau 2 de manière à réaliser les couches ma-10 gnétiques et/ou non magnétiques des pellicules et/ou des substrats. Un dispositif 100 à base d*orthoferrite ou de grenat utilisable nécessite un ensemble 101 pour engendrer, déplacer et détecter les domaines magnétiques à paroi unique dans la pellicule 29. Une impulsion de courant dans la boucle 103 permet de déplacer une 15 région de la lisière 130 du dispositif 100 jusqu'au point 110, et une impulsion appliquée au conducteur 104, en 111, isole une partie de ladite région positive en 110, y créant ainsi un domaine magnétique à paroi unique. En appliquant successivement des impulsions aux conducteurs 104, 105 et 106, respectivement en 111, 20 112 et 113, le domaine magnétique à paroi unique se déplace le long du registre à décalage représenté, du point 110 aux points intermédiaires 125 et 126, aboutissant finalement au point 114» Au point 114, une impulsion d'interrogation appliquée au conducteur 107 déforme le domaine magnétique à paroi unique, engendrant 25 par induction une impulsion de détection, dans le conducteur 108. Le dispositif à registre à décalage a été étudié afin d'exposer les diverses opérations de fabrication supplémentaires nécessaires en.liaison avec la couche d'orthoferrite ou de grenat sur un substrat en vue de la réalisation d'un dispositif utilisa-30 ble. D'autres types de dispositifs peuvent également nécessiter des conducteurs transportant un courant etj, de plus, comporter des couches magnétiques, de semi-conducteurs ou une source de lumière visible extérieure et d'autres éléments de détection. Le conducteur 102 est relié à un circuit de déclenchement pour lui appliquer 35 une impulsion de manière à remanier les domaines de la pellicule 29 pour réaliser la lisière de celle-ci de la manière exposée dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 3 460 116 précité. 71 07311 21 2081691 Dans un autre procédé de réalisation de la couche 101, les conducteurs transportant un courant peuvent être des pellicules métalliques déposées par évaporation dans le vide. On peut employer par exemple le cuivre, l'aluminium ou l'or. Les tracés des conduc-5 teurs peuvent être délimités par application d'un masque pendant la vaporisation ou la totalité de la surface peut être métallisée et les tracés délimités par des procédés d'attaque chimique pho-tolithographique, bien connus dans la technique des dispositifs à semi-conducteurs. Chacun de ces conducteurs doit être isolé élec-10 triquement des autres, si bien que des couches isolantes, par exemple de monoxyde de silicium SiO ou de fluorure de magnésium Mg?2 peuvent être déposées par vaporisation entre les opérations de vaporisation de métaux décrites ci-dessus. Dans le cas présent également, la région recouverte de matière isolante peut être li-15 mitée par la mise en place d'un masque pendant la vaporisation ou bien la totalité de la surface peut être recouverte et les tracés délimités par des opérations de morsure photolithographique. Le nombre d'opérations distinctes de vaporisation est fonction du nombre de croisements des conducteurs et de l'ingéniosité déployée 20 pour la réalisation des tracés des conducteurs et des dépôts de matière isolante. Pour d'autres types de dispositifs qui comportent des couches de matériaux magnétiques ou semi-conducteurs à la surface de pellicules d1orthoferrite ou de grenat, on peut déposer des cou-25 ches appropriées par vaporisation dans le vide ou dépôt chimique en phase vapeur. Par exemple, on peut déposer par vaporisation des alliages magnétiques de fer et nickel sur certaines régions de la couche d'orthoferrite de manière à obtenir des champs localisés de faible surface qui facilitent le maintien ou le déplacement des 30 domaines magnétiques à paroi unique. A noter que les conducteurs représentés dans une couche 101 ou 101' peuvent également avoir été remplacés par des éléments magnétiques couplésà la (ou aux) pellicule (e) pour engendrer, déplacer et/ou détecter les changements de position des domaines magnétiques à paroi unique engendrés et 35 déplacés. On doit noter également que la pellicule additionnelle 29* déposée sur le substrat de la manière indiquée ou d'une autre manière a également une structure du type pseudo-perovskite et monocristalline . 71 07311 22 2081691 Par conséquent, étant donné les conditions relatives à l'aimantation, les constituants de la pellicule doivent contenir du fer et l'autre constituant métallique peut être choisi parmi un ou plusieurs des éléments figurant sur le tableau 2. Les matériaux 5 ou composés magnétiques des pellicules 29 ou 29' doivent avoir une première direction d'aimantation sensiblement orthogonale à un plan imaginaire parallèle à la masse de ladite pellicule et permettre de réaliser au moins un domaine magnétique à paroi unique avec une seconde direction d'aimantation opposée à la première 10 direction d'aimantation, et comportant une limite non imposée le long de ladite seconde direction d'aimantation, ledit domaine magnétique à paroi unique pouvant se déplacer librement dans plusieurs directions quasiment orthogonales à la seconde direction • d'aimantation. Au moins un des constituants du mélange d'oxydes 15 JQ de la plaquette substrat diffère d'au moins un des constituants du mélange JQ de la pellicule. Ces différences de constitution appliquent à la pellicule des sollicitations qui peuvent ainsi contribuer à une diminution importante de l'aire des domaines magnétiques ainsi formés. La surface desdits domaines est, étant donné 20 les moyens utilisés pour les engendrer, orientée orthogonalement à la seconde direction d'aimantation, cette surface se trouvant dans ledit plan imaginaire. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux dispositifs ou procédés qui viennent d'ê-25 tre décrits uniquement à titre' d'exemples non limitatifs, sans sortir du cadre de 11 invention. 71 07311 23 2081691 REVENDICATIONS 1. Ensemble destiné à des dispositifs comportant des domaines magnétiques à paroi unique, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat monocristallin, une première pellicule de ma- 5 tière monocristalline placée sur ledit substrat monocristallin, ladite pellicule étant constituée par un mélange d'oxydes dits JQ, dans lequel le constituant J est constitué par au moins un élément choisi dans le groupe ci-après : cérium, praséodyme, néodyme, prométhéum, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, hol-10 mium, erbium, thulium, ytterbium, lutétium, lanthane et yttrium, le constituant Q de ladite pellicule étant choisi dans le groupe ci-après : fer et aluminium, fer et gallium, fer et indium, fer et scandium, fer et titane, fer et vanadium, fer et chrome, fer et manganèse et fer, et ledit substrat étant constitué par un mélange 15 d'oxydes JQ dans lequel le constituant J comprend au moins un élément choisi dans le groupe ci-après : cérium, praséodyme, néodyme, prométhéum, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutétium, lanthane, yttrium, magnésium, calcium, strontium, baryum, plomb^ cadmium^ lithium, 20 sodium et potassium et le constituant Q/comprend au moins un élément choisi dans le groupe ci-après : indium, gallium, scandium, titane, vanadium, chrome, manganèse, rhodium, zirconium, hafnium, molybdène, tungstène, niobium, tantale et aluminium. 2. Ensemble destiné à être incorporé dans des dispositifs 25 utilisant des domaines magnétiques à paroi unique, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat monocristallin constitué par un mélange d'oxydes ditsJQ dans lequel le constituant J comprend au moins un élément choisi dans le groupe ci-après : cérium, praséodyme, néodyme, prométhéum, samarium, europium, gadolinium, terbium, dys-30 prosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutétium, lanthane, yttrium, magnésium, calcium, strontium, baryum, plomb^ cadmium^ lithium, sodium et potassium et le constituant Q/comprenï lurmoins un élément choisi dans le groupe ci-après : indium, gallium, scandium, titane, vanadium, chrome, manganèse, rhodium, zirconium, haf-35 nium, molybdène, tungstène, niobium, tantale et aluminium, une première pellicule de matière monocristalline constituée par un mélange d'oxydes JQ étant placée sur ledit substrat, le constituant J de ladite pellicule comprenant au moins un élément choisi dans le groupe ci-après : cérium, praséodyme, néodyme, prométhéum, samarium, 71 07311 24 2081691 europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutétium, lanthane et yttrium et le constituant Q de ladite pellicule étant choisi dans le groupe ci-après : fer et aluminium, fer et gallium, fer et indium, fer et 5 scandium, fer et titane, fer et vanadium, fer et chrome, fer et manganèse et fer, ladite pellicule comportant un domaine magnétique à paroi unique. 3. Ensemble destiné à être incorporé dans des dispositifs utilisant des domaines magnétiques à paroi unique, caractérisé en 10 ce qu'il comprend un substrat monocristallin constitué par un mélange d'oxydes JQ dans lequel le constituant J comprend au moins un élément choisi dans le groupe.ci-après : cérium, praséodyme, néodyme, prométhéum, samarium, europium, gadolinium, terbium, . dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutétium, lan-15 thane, yttrium, magnésium, calcium, strontium, baryum^ gl^mb^cad-^ mium, lithium, sodium et potassium et le constituant Q^comprend au moins un élément choisi dans le groupe ci-après : indium, gallium, scandium, titane, vanadium, chrome, manganèse, rhodium, zirconium, hafnium, molybdène, tungstène, niobium, tantale et aluminium, une 20 première pellicule monocristalline contenant un mélange d'oxydes JQ étant placée sur ledit substrat, le constituant J de ladite pellicule étant constitué par au moins un élément choisi dan^ie groupe ci-après : cérium, praséodyme, néodyme, prométhéum, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, 25 thulium, ytterbium, lutétium, lanthane et yttrium et le constituant Q de ladite pellicule étant choisi dans le groupe ci-après : fer et aluminium, fer et gallium, fer et indium, fer et scandium, fer et titane., fer et vanadium, fer et chrome, fer et manganèse et fer, ladite pellicule comportant un domaine magnétique à paroi uni-30 que, un dispositif lié à ladite pellicule étant destiné à engendrer un domaine à paroi -unique et un dispositif lié à ladite pellicule étant destiné à détecter la présence d'un domaine magnétique à paroi unique. 4. Ensemble selon l'une quelconque des revendications 1, 2 35 et 3, caractérisé en ce que ledit constituant J dudit substrat comprend au moins un élément choisi dans le groupe ci-après : cérium, praséodyme, néodyme, prométhéum, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutétium, lanthane et yttrium et ledit constituant Q dudit substrat 71 07311 25 2081691 contient au moins un élément choisi dans le groupe ci-après : indium, gallium, scandium, titane, vanadium, chrome, manganèse, aluminium et rhodium. 5. Ensemble selon l'une quelconque des revendications 1, 2 5 et 3, caractérisé en ce que le constituant J dudit substrat comprend au moins un élément choisi dans le groupe ci-après : magnésium, calcium, strontium, baryum, plomb et cadmium et ledit constituant Q dudit substrat comprend au moins un élément du groupe ci-après : titane, zirconium, hafnium, molybdène et tungstène. 10 6. Ensemble selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit constituant J dudit substrat comprend au moins un élément choisi dans le groupe lithium, sodium et potassium et ledit constituant Q dudit substrat comprend au moins un élément choisi dans le groupe vanadium, niobium et tantale. 15 7. Ensemble selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif couplé à ladite pellicule afin de déplacer un domaine magnétique à paroi unique. 8. Ensemble selon l'une quelconque des revendications 1, 2 et 3, caractérisé en ce qu'une seconde pellicule monocristalline 20 est déposée sur ledit substrat. 9. Ensemble selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite première pellicule se trouve sur une face principale dudit substrat et ladite seconde pellicule se trouve sur une autre grande face dudit substrat. 25 10. Ensemble selon la revendication 4, caractérisé en ce que le constituant J de ladite première pellicule est de 1'yttrium et le constituant Q de ladite première pellicule fait partie du groupe constitué par le gallium et le fer. 11. Ensemble selon l'une quelconque des revendications 2 et 30 3, caractérisé en ce que l'épaisseur de ladite pellicule est inférieure à 25 microns, de préférence de l'ordre de 4,1 à 6,6 microns. 12. Procédé de réalisation d'un dispositif à domaine en forme de bulle, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations ci-après : réalisation d'un substrat monocristallin, formation d'une 35 pellicule monocristalline contenant du fer sur ledit substrat, ladite pellicule étant constituée par un mélange d'oxydes JQ dans lequel le constituant J comprend au moins un élément choisi dans le groupe ci-après : cérium, praséodyme, néodyme, prométhéum, samarium, > europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, 71 07311 26 2081691 ytterbium, lutétium, lanthane et yttrium et le constituant Q est choisi dans le groupe ci-après : fer et aluminium, fer et gallium, fer et indium, fer et scandium, .fer et titane, fer et vanadium, fer et chrome, fer et manganèse et fer, dépôt sur ledit substrat 5 d'un composant destiné à engendrer un domaine magnétique à paroi unique dans ladite pellicule et dépôt sur ladite pellicule d'un composant destiné à détecter un domaine magnétique à paroi unique dans ladite pellicule. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce 10 qu'il comprend l'opération additionnelle de mise en place sur ladite pellicule d'un composant destiné à déplacer un domaine magnétique à paroi unique dans ladite pellicule. 14. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce . qu'il comprend l'opération additionnelle dé mise en place d'un 15 élément isolant entre ledit composant destiné à engendrer un domaine magnétique à paroi unique et ledit composant destiné à détecter un domaine magnétique à paroi unique. 15. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que ladite pellicule est déposée sous une épaisseur inférieure à 20 25 microns. 16. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que ladite pellicule est formée par les opérations ci-après : introduction d'au moins un halogénure métallique, choisi parmi plusieurs, dans un réacteur, introduction d'au moins un gaz réactif 25 et d'au moins un gaz porteur dans ledit réacteur afin de faire réagir le gaz réactif avec les halogénures métalliques de manière à produire les produits de la réaction des halogénures et des gaz, introduction d'une éprouvette pour choisir l'emplacement dudit substrat à l'intérieur dudit réacteur, retrait de ladite éprouvet-30 te et mise en place dudit substrat à l'emplacement choisi pour y déposer au moins un des produits de ladite réaction pour former sur lui ladite pellicule monocristalline.