Brevet FR2098322A1 — publié le 19720310

-1- 2098322 L'invention concerne un procédé permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur comportant un corps semiconducteur dont une surface est munie localement d'une configuration d'oxyde noyée au moins en partie dans le corps et con-5 tiguë à une zone qui, du moins à sa face limite avec l'oxyde noyé, est entourée entièrement d'une région semiconductrice contiguë tant à l'oxyde qu à la zone, les propriétés de conduction de cette région différant de celles de la zone. L'invention concerne également un dispositif semiconducteur, obtenu 10 par la mise en oeuvre de ce procédé. Par le terme "configuration d'oxyde noyé", il y a lieu d'entendre ici, lorsqu'il s'agit de plusieurs couches d'oxyde, une couche d'oxyde dont l'épaisseur est plus grande que celle d'une couche d'oxyde voisine et qui dans le corps semiconduc-15 teur s'étend plus profondément que celle-ci. Les structures semiconductrices munies d'une configuration d'oxyde noyé ainsi que d'une zone comme décrite ci-dessus sont connues et peuvent être utilisées avantageusement notamment dans des circuits intégrés, par exemple à des fins 20 d'isolation. De plus, comparées aux structures plus conventionnelles, qui ne comportant pas de configuration d'oxyde noyé, les structures décrites ci-dessus peuvent fournir quelques avantages importants, en particulier des tensions de claquage plus élevées et des capacités plus faibles, et, dans bon nombre de cas, également un gain d'encombrement considérable; en particulier, on peut obtenir des structures comportant des couches isolantes adjacentes dont les épaisseurs diffèrent fortement mais qui comportent une surface commune pratiquement plane. Toutefois, la fabrication de telles structures est 3o souvent difficile et fastidieuse, et nécessite généralement l'emploi de couches de masquages additionnelles et souvent aussi l'emploi de couches épitaxiales additionnelles et/ou des stades de diffusion supplémentaires. C'est pourquoi en pratique, l'emploi de ces structures intéressantes rencontre souvent de sérieux inconvénients. 35 Cette invention veut indiquer entre autres un procé dé simple et pratique permettant la réalisation de ladite structure au cours d'un nombre minimal de stades de fabrication. A cet effet, l'invention repose entre autres sur 40 1 * idée qu'un dispositif présentant la structure requise peut 71 25296 -2- 2098322 être obtenu par l'emploi, d'une seule couche servant de masquage tant contre le dopage que contre l'oxydation, alors qu'entre ces opérations de dopage et de masquage, il suffit d'augmenter les dimensions de la fenêtre utilisée dans la couche de masquage. 5 Par conséquent, conformément à l'invention, un dis positif du genre mentionné dans le préambule est remarquable en ce que sur ladite surface, on élabore une couche assurant un masquage tant contre le dopage que contre l'oxydation et présentant une ouverture que peuvent traverser des activants, 10 qu'à travers cette ouverture la région semiconductrice sous- jacente est dopée à l'aide d'activants, qu'ensuite, par enlèvement d'une partie de la couche de masquage, on dénude au moins une partie de surface non dopée aux activants précités et entourant quasi entièrement la partie dopée, et qu'ensuite la 15 partie non masquée de la surface subit une oxydation au cours de laquelle a lieu la formation de la configuration d'oxyde, les activants diffusant plus loin dans le corps et formant ladite zone. Par "activants", il y a lieu d'entendre ici, outre 20 des donneurs et des accepteurs, également des matériaux qui pour le matériau semiconducteur déterminent d'autres propriétés électriques, par exemple la durée de vie de porteurs de charge minoritaires. Par "ouverture que peuvent traverser des activants", 25 il y a lieu d'entendre ici non seulement une ouverture dans laquelle la surface semiconductrice est entièrement dénudée mais également une ouverture dans laquelle la surface semiconductrice est couverte, entièrement ou en partie, d'une couche perméable aux activants cités, contrairement à la couche de 30 masquage. L'ouverture ne doit pas présenter nécessairement un bord complètement fermé, mais peut également être formée par une fente dont les extrémités ne sont pas limitées par la couche masquante. Conformément à l'invention, la partie non dopée de la 35 surface entoure de préférence entièrement la partie dopée,.bien que parfois ceci ne doive pas être le cas le long d'une très faible partie du pourtour, par exemple aux extrémités d'une ouverture en forme de fente, teLle que décrite ci-dessus. En mettant à profit le procédé conforme à l'invention, 40 l'emploi d'une seule couche de masquage permet de réaliser de 71 25296 -3- 2098322 façon simple la structure désirée, alors que, de préférence, le matériau constituant au moins une partie de cette couche de masquage diffère du matériau constituant; la configuration d'oxyde, alors que l'épaisseur de la couche de masquage est considéra-5 blement inférieure à celle de cette configuration. Au cours du masquage et du décapage, il est possible ainsi d'atteindre une grande précision lors de la mise en oeuvre des procédés de photoréservation habituellement utilisés. L'importance de la présente invention réside surtout 10 dans le fait qu'elle indique un procédé permettant de noyer de façon simple une région dopée dans un corps semiconducteur et d'isoler cette région par rapport à la surface à l'aide d'une couche isolante, la surface restant au besoin pratiquement plane. De plus, en particulier lors du dopage à l'aide de donneurs, on •jej utilise souvent avantageusement l'effet que pendant une oxydation, une zone diffusée est, en aval de l'oxyde, refoulée plus profondément dans le corps, au besoin même plus profondément que la profondeur de pénétration initiale des activants diffusés. 20 Suivant la façon spécifique dont le procédé conforme à l'invention est mis en oeuvre, il est possible d'obtenir de nombreuses structures importantes convenant pour des applications de divers genres. Suivant une première réalisation préférée importante par exemple, la zone semiconductrice contiguë à l'oxyde noyé est dopée à l'aide d'activants qui confèrent à cette zone le type de conduction opposé à celui de la région semiconductrice contiguë à l'oxyde noyé et entourant la zone. On obtient ainsi une structure qui convient entre autres particulièrement à des fins d'isolation dans des circuits intégrés, alors que par exemple ladite zone semiconductrice dopée se raccorde à un substrat de même type de conduction, ce qui se fait de la même façon que dans le cas d'un domaine établi par une diffusion de séparation habituelle. Suivant une autre réalisation préférée, la zone semi-conductrice est dopée à l'aide d'activants qui confèrent à cette zone -le même type de conduction que celui de la région semi-conductrice contiguë à l'oxyde noyé et entourant la zone, la concentration de dopage de la zone dopée étant toutefois plus forte que celle de ladite région semiconductrice. La structure 40 ainsi obtenue peut être utilisée entre autres avantageusement 25 30 35 71 25296 -4- 2098322 15 pour empêcher les canaux d'inversion, susceptibles de se former sous l'oxyde noyé. De plus, le dopage de la zone dopée est alors choisi de façon que la formation d'un canal d'inversion dans cette zone soit difficile ou impossible. 5 Au cours de l'oxydation, il se produit un accroissement de volume, le volume de l'oxyde formé étant plus grand que le volume du matériau semiconducteur oxydé. Ceci a comme conséquence que la configuration d'oxyde dépasse le dessus de la surface semiconductrice. Cette situation cause des irrégularités dans 10 la surface, celles-'ci pouvant être gênantes notamment pour l'élaboration d'une métallisation. C'est pourquoi, suivant une autre réalisation préférée importante conforme à l'invention, avant de procédér à l'oxydation donnant lieu à la formation de la configuration d'oxyde, au moins une partie de la surface semiconductrice à oxyder est soumise à une opération donnant lieu à un enlèvement de matériau, de sorte que dans la surface il se forme un creux qui ensuite, sous l'effet de l'oxydation locale subséquente, est rempli au moins en partie, et de préférence quasi entièrement. Dans ce dernier cas, le corps 20 acquiert une surface pratiquement plane. L'opération donnant lieu à un enlèvement de matériau peut être un décapage, mais il se peut également qu'il s'agisse d'une oxydation suivie d'un enlèvement de l'oxyde, ces opérations pouvant au besoin être répétées pour obtenir un creux de dimensions requises. 25 Par ailleurs, l'enlèvement de matériau peut avoir lieu soit avant l'élaboration de la couche de masquage soit après le dopage et la mise à découvert de la partie de surface à oxyder. Dans ce dernier cas, il faut évidemment choisir une opération d'enlèvement de matériau qui n'attaque pratiquement pas la 30 couche de masquage, et cette opération doit prendre fin lorsqu'on atteint une profondeur qui est inférieure à celle de la région déjà dopée à l'aide d'activants. Pour obtenir des structures appelées à isoler des caissons dans des circuits intégrés, on dénude avantageusement 35 après le dopage line partie annulaire de la surface, après quoi, on établit par oxydation une configuration d'oxyde noyé entourant entièrement une partie de surface en forme de caisson, masquée contre cette oxydation, alors que sur ou dans la région semiconductrice eontiguë à cette partie de surface en forme de 40 caisson, on élabore au moins un composant semiconducteur. Par 71 25296 -5- 7nor!i/.2 "partie annulaire", il y a lieu d'entendre ici, dans le sens général, une partie ayant la forme d'une bande fermée qui toutefois ne doit être nullement circulaire. Il peut s'agir d'une configuration dsoxyde annulaire simple, mais de préférence, dans 5 des circuits intégrés, la configuration appartient à une grille entourant au moins deux parties de surface en forme de caisson, masquées contre ladite oxydation. Pour former des caissons qui soient isolés du reste du corps semiconducteur, on part, pour ces réalisations préférées, avantageusement d'un corps semi-10 conducteur comportant une couche de premier type de conduction, affleurant la surface et située au moins localement sur une régicn de deuxième type de conduction, alors qu'au moins sur une partie de l'épaisseur de cette couche, la configuration d'oxyde est noyée dans la couche, et que par dopage à l'aide d'activants de 15 deuxième type de conduction, on forme une zone de deuxième type de conduction, contiguè' à l'oxyde noyé et se raccordant à ladite région de deuxième type de conduction avec laquelle ladite zone forme une région cohérente qui avec l'oxyde noyé limite entièrement une région, en forme de caisson, de la couche. La région 20 de deuxième type de conduction peut alors être une région de substrat sur laquelle est élaborée une couche de premier type de conduction. Parfois, -«;i peut alors être avantageux si la configuration d'oxyde est noyée sur l'épaisseur complète de la couche, de sorte que la zone dopée de deuxième type de conduc-25 tion pénètre dans la région de substrat et peut par exemple servir à contrecarrer la formation d'un canal d'inversion à la surface limite entre la configuration d'oxyde ët la région de substrat. Ceci constitue l'objet d'une demande de brevet déposée simultanément ce jour avec la présente demande sous le numéro 30 et intitulée "Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur et dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé". La région de deuxième type de conduction est éventuellement une couche enterrée, située entre un substrat et une couche épitaxiale ayant le même type (le premier 35 type de conduction). L'invention concerne également un dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre du procédé suivant au moins une des variantes décrites ci-dessus. La description suivante, en regard des dessins annexés, 40 le tout donné à titre d'exemple, fera bien comprendre, comment 71 25296 -6- 2098322 l'invention peut être réalisée. La fig. 1 est une vue en plan d'un dispositif obtenu par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention. La fig. 2 est une coupe transversale suivant le plan 5 II-II sur la fig. 1. Les figures 3, 4, 5 et 6 sont des coupes transversales du dispositif suivant les figures 1 et 2, illustré dans des stades successifs de sa fabrication. La fig. 7 est une vue en plan d'un autre dispositif 10 obtenu par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention. La fig. 8 est une coupe transversale suivant le plan VIII-VIII sur la fig. 7- Les figures 9» 10, 11 et 12 sont des coupes transversales du dispositif suivant les figures 7 et 8, illustré 15 dans des stades successifs de sa fabrication. La fig. 13 est une coupe transversale d'un troisième dispositif obtenu par la mise en oeuvre du procédé conforme à 1 » invention» Les dimensions des figures qui sont schématiques 20 n'ont pas été représentées à la même échelle. Pour la clarté des figures, on a exagéré notamment les épaisseurs. Généralement, les parties correspondant sur les figures ont été indiquées par les mêmes références. Sur les figures 1 et 2, il s'agit d'une cible devant 25 convertir un rayonnement électromagnétique en signaux électriques, utilisée par exemple dans des tubes d'enregistrement équipant des caméras de télévision. Cette cible comporte une plaquette de silicium 1 de type de conduction n et à résistivi-té de 8 ohms, cm; une face de cette plaquette est munie de . 30 diodes en forme de plateau, sensibles au rayonnement et présentant des jonctions p-n 2 sises entre la plaquette 1 et une couche 3 de type de conduction jd, diffusée dans cette plaquette. Les diodes sont séparées par une configuration d'oxyde de silicium en forme de grille 4, noyée en partie dans la plaquette 35 de silicium. Cet oxyde noyé; 4 est en partie limité par une zone 5 de type de conduction n, dont le dopage est plus fort que celui de la région 1 entourant la zone. De ce fait, on limite considérablement la possibilité que les couches de désertion de diodes voisines se touchent, et on contrecarre également la 40 formation d'une couche d'inversion qui aurait comme conséquence 71 25296 -7- 2098322 15 une connexion électrique indésirable entre des diodes adjacentes. De plus, par suite de la différence des concentrations de dopage de la zone 5 et de la région 1, il se forme ie champ de propagation qui s'oppose à ce que des porteurs de charge, générés 5 localement sous l'influence du rayonnement incident, puissent se déplacer vers une diode autre que la diode la plus proche. La zone 5 de type de conduction n n'est pas contiguë à la couche 3 de type de conduction p, mais en est séparée par la région 1 de type de conduction n, de sorte que l'on évite dans la mesure 10 du possible une réduction de la tension de claquage des diodes, et que la capacité de diode reste relativement" faible. Le dispositif qui en soi est une cible très entéres-sante, peut être monté de manière connue dans un tube d'enregistrement . Dans ce cas, la rayonnement frappe par exemple suivant les flèches sur la fig. 2 la face de plaquette située à l'opposé delà couche 3, tandis que la face de plaquette située du côté de la couche 3, est explorée par un faisceau électronique, alors qu'une partie de la surface frappée par le rayonnement est munie d'un contact de connexion 6 (indiqué schématiquement sur la fig. 2), qui, de préférence, s'étend le long du bord entier de la plaquette. Pour connaître d'autres détails se rapportant au positionnement et au fonctionnement d'une telle cible, on est prié de se référer à la publication "Bell System Technical Journal", Volume 48, pages 1481 à 1528, parue en 1969. Confprmément à l'invention, le dispositif décrit peut être réalisé facilement de la façon suivante. Voir les figures 3 à 6. On part d'une plaquette de silicium monocristallin de type de conduction n, orientée suivant la direction cristallo-graphique ( 1 1 1 ) , cette plaque ayant une résistivité de 8 ohms.cm, un diamètre de 25 mm et une épaisseur de 250 microns. Une surface 7 de cette plaque est rendue plane sous l'effet d'un polissage. Sur la surface ainsi traitée, on élabore ensuite une couche 8 en nitrure de silicium ayant une épaisseur de 0,15 35 micron, par un chauffage dans une atmosphère comportant du SiH, et du NH„ à une température de 1000°C. Sur cette eouche 8, -+ J on élabore alors une couche 9 en oxyde de silicium ayant une épaisseur de 0,2 micron, par un chauffage dans une atmosphère comportant du SiH^, du CO^ et du . Pour connaître tous les 40 détails des techniques à mettre en oeuvre pour l'élaboration des 20 25 30 71 25296 -8- 2098322 couches en nitrure de silicium et en'oxyde de silicium citées dans cet exemple ainsi que dans les exemples suivants, et pour le décapage de ces couches, on est prié de se référer à la publication "Philips Research Reports", pages 118 à 132, parue en 5 avril 1970, cette publication donnant toute l'information indispensable pour le technicien. Par l'emploi de procédé de photoréservation généralement utilisés dans la technique des Semiconducteurs, on décape ensuite dans l'ensemble formé par les couches de nitrure de 10 silicium et d'oxyde de silicium quelques ouvertures sous forme de rainures 10 présentant une largeur de 5 microns. On obtient ainsi la structure illustrée sur la fig. 3- Dans ces ouvertures 10, on diffuse ensuite du phosphore, l'ensemble formé par les couches 8 et 9 servant de 15 masque de diffusion. On obtient ainsi les zones 5 de type de conduction n (voir la fig. 4), dont la concentration de surface 2 0 est égale à 10 atomes donneurs/cm3. A l'aide d'une solution tampon NH^F, on élimine ensuite la couche d'oxyde 9, après quoi la couche de nitrure 8 est éliminée en partie à i'aide d'un 20 procédé de photoréservation et par l'emploi d'acide phosphori-que comme produit décapant; on dénude ainsi une partie 10 de la surface 7> cette partie n'ayant pas été dopée au phosphore et entourant entièrement la partie dopée de la surface 7 et occupée par la zone 5» de sorte que l'on obtient la structure illustrée 25 sur la fig. b. Ensuite, pendant 16 heures, la plaquette est soumise à oxydation à une température de 1000°C dans une atmosphère de vapeur d'eau saturée à 95°C. Au cours de cette opération, les parties couvertes de la couche de nitrure de silicium ne sont 30 pas oxydées, tandis que la couche de nitrure elle-même n'est oxydée que superficiellement. Pendant cette oxydation, dans le silicium non recouvert de la couche de nitrure 8, il se forme localement une configuration d'oxyde 4 qui pénètre d'environ 1 micron dans le silicium et qui vers le dessus le dépasse 35 d'environ 1 micron également. La zone 5 est "déplacée" également et son épaisseur augmente quelque peu sous l'effet de la diffusion subséquente. Après avoir éliminé la couche de nitrure 8 dans un bain d'acide phosphorique à 180°C, on a obtenu la structure illustrée sur la fig. 5» 40 Dans la plaquette ainsi obtenue, on diffuse ensuite du 71 25296 2098322 i;cre, ce qui da:is le silicium non couvert de la configuration d'cxyde 4 dorme iiea à Is formrtion d'une couche de surface 3, de type de conduction p, prt'î~m;ant une épaisseur de C,5 micron et une concentration de Ie ,3 , surf&ce d'environ. 10'" atcces accepteurs/cm . Voir la fi?. 6. Par décapage, on réduit ensuite l'épaisseur de la plaquette de silicium jusqu'à une épaisseur totale d'environ 3^ microns, cette épaisseur étant atteinte par décapage de la surface située en regard de la configuration d'oxyde 4» alors qu'ensuite, du côté des diedes. la cible obtenue est éventuellement réunie d'autres couches devant perfectionner son fonctionnement (Voir à cet effet par exemple la publication déjà citée "Bell System Technical Journal"). D'une manière connue, la plaquette-cible est munie d'un contact 6 et montée dans un tube enregistreur. La fabrication décrite ci-dessus peut être variée de nombreuses façons; au lieu d'etre établi par diffusion,, le dopage notamment peut avoir lieu par implantation d'ions, tandis que par diffusion sélective, les diodes 3 également par exemple peuvent être des diedes planaires. Par ailleurs, si avant l'oxydation, on effectue un décapage local à l'endroit de la configuration d'oxyde*à former, il est possible d'obtenir une confi/furation a'oxyde dont la face supérieure coïncide preti^uerrent avec la surface de silicium ou se situe même en dessous de celle-ci. Sur les figures 7 et £, il s'agit d'une partie d'un circuit intégré fabriqué par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention. Ladite partie comporte un substrat 21 en silicium de type de conduction j>, ayant une rési.stivité de 5 ohms.cm et une épaisseur de 25O microns; sur ce substrat, on a formé épitaxialement une couche de silicium 22, de type de conduction n, à résistivité de 1 ohm.cm et à épaisseur de 4 microns. Une confi.^uration d'oxyde de silicium 23 en forme de srille divise la couche 22 en caissons, cet oxyde étant noyé partiellement dans la couche 22 et étant contiguë à une zone 24 de type de conduction p qui à sa face limite avec l'oxyde noyé 23 est entouré entièrement de la couche 22 et se raccorde au substrat 21. Cette isolation de caisson fertre l'objet d'une demande de brevet français déposée simultanément ce jour avec la présente demande sous le numéro 71 252?3 et intitulée "Dispositif semiconducteur en particulier un circuit intégré monolithique et procédé de fabrication de ce dispositif". 71 25296 -10- 2098322 Dans un des caissons, on a élaboré un transistor ayant une zone de base 25 de type de conduction et une zone d'émetteur 26 de type de conduction n, la couche 22 constituant le collecteur de ce transistor. A travers les fenêtres 27, 28 et 5 29 pratiquées dans une couche d'oxyde 30 élaborée sur la surface, les zones 22, 25 et 2$ sont raccordées à des couches métalliques 31, 32 et 33» Dans un autre caisson, on a élaboré une résistance constituée d'une zone 34 de type de conduction ]D, qui à travers les fenêtres 35 et 36 de la même couche 10 d'oxyde 30 est raccordée à une couche métallique 32 raccordée également à la zone de base 25 du transistor ainsi qu'à la couche métallique 38. Sur la fig. 7, les couches métalliques sont hachurées. Conformément à l'invention la fabrication du disposi- tif décrit a lieu comme suit. Voir les figures 9 à 12. On part (voir la fig. 9) d'une plaquette de silicium comportant un substrat 21 de type de conduction jd et une couche épitaxiale 22 de type de conduction n,celle-ci ayant les dimensions ét les propriétés de conduction précitées ci-dessus. Sur cette couche 20 22, on élabore (voir la fig. 10) une couche 39 en nitrure de silicium ayant une épaisseur de 0,15 micron; ensuite, cette couche 39 est revêtue d'une couche 40 en oxyde de soiTi'bxum, ayant une épaisseur de 0,2 micron, 1'élabcration de ces couches ayant lieu de la façon décrite dans l'exemple précédent. Dans 25 l'ensemble formé par ces deux couches, on décape des rainures 4l ayant une largeur de 5 microns, tandis qu'à travers ces rainures, on diffuse du bore pour former ainsi des zones 24 de type de conduction jd, ayant une concentration de surface de 2 0 5*10 atomes/cm3 et une profondeur de 2 microns environ. 30 Voir la fig. 10. A l'aide d'une solution tampon NH^F, on élimine ensuite la couche d'oxyde 40, puis on élargit les rainures 41 dans la couche de nitrure 39, de sorte que, outre la partie de surface 43 occupée par la zone 24, on a dénudé également One partie 35 de surface 44 non dopée au bore et entourant entièrement la partie 43» Voir la fig. 11. Sous l'effet d'une oxydation durant 16 heures à une température de 1000°C dans une atmosphère de vapeur d'eau saturée à 95°C, le silicium non couvert de la couche de nitrure 39 est ensuite oxydé, de façon à donner lieu 40 à la formation d'une configuration d'oxyde 23 présentant une 71 25296 -11- 2098322 épaisseur d'environ 2 microns (voir la fig. Î2) et qui, sur une profondeur d'environ 1 micron, est noyée dans la couche 22. Au cours de cette opération, la zone 2k de type de conduction £ est "réfoulée" plus loin dans le silicium, alors que par diffu— 5 sion, l'épaisseur de cette zone 2k augmente légèrement, cette zone se raccordant ainsi au substrat 21 de type de conduction j>. Après avoir éliminé dans un bain d'acide phosphorique la couche 39, et, après la formation d'une nouvelle couche d'oxyde 30 sur la surface, on élabore les zones 25, 26 et 3k 10 ainsi que les couches métalliques par l'emploi de procédés de masquage et de diffusion généralement utilisés; on obtient ainsi la structure illustrée sur les figures 7 et 8, Cette structure, ainsi que les avantages inhérents à cette structure, sont décrits en détail dans la demande de brevet français citée en premier 15 lieu dans cet exposé. Dans la coupe transversale constituant la fig. 13, il s'agit d'un dispositif obtenu par la mise en oeuvre d'une variante du procédé décrit ci-dessus. La différence entre ce dispositif et celui de l'exemple précédent consiste en ce que 20 sur un substrat 51 » on a élaboré une couche épitaxiale 52 ayant le même type de conduction que ce substrat 51» alors qu'entre celui-ci et la couche épitaxiale se trouve une couche enterrée 53 ayant le type de conduction opposé. A cette couche 53 se raccordent des zones 5k dont le type de conduction correspond à 25 celui de la couche 53; à leur faces supérieures, ces couches 5k sont contigues à une configuration d'oxyde 55 noyée partiellement dans le silicium. Les zones 5k et la couche 53 entourent une région en forme de caisson de la couche 52, ce caisson constituant la zone de collecteur d'un transistor ayant une zone de 30 base 56 et une zone d'émetteur 57- Ladite région en forme de caisson est maintenant isolée du reste du corps semiconducteur par les jonctions p-n 58 et 59, dont au moins une est bloquée en permanence lors du fonctionnement du dispositif. Ce dispositif également forme l'objet de ladite demande citée en premier lieu. 35 On conçoit aisément que, de manière identique à celle décrite pour l'exemple précédent, le dispositif illustré sur la fig. 13 puisse être obtenu par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invnntion, et présente les mêmes avantages. L'invention n'est évidemment pas limitée aux exemples 40 de réalisation et d'application décrits ici à titre d'illus- 71 25296 -12- 2098322 tration. Parmi les nombreuses variantes pouvant être réalisées par le technicien tout en restant dans le cadre de l'invention, on peut citer entre autres l'emploi d'autres méthodes de diffusion comme l'implantation d'ions ou le dôpage en partant d'une 5 source constituée par une couche d'oxyde dôpé sur la surface semiconductrice en combinaison avec diffusion et/ou implantation d'ions. Aussi d'autres matériaux semiconducteurs, susceptibles de former une configuration d'oxyde utilisable, un tel matériau étant par exemple le carbure de silicium. Au lieu 10 d'utiliser des couches de nitrure de silicium ou des couches combinées de nitrure et d'oxyde de silicium, il est parfois possible d'utiliser aussi d'autres couches établissant un masquage contre l'oxydation. Par ailleurs, il n'est pas indispensable que la surface semiconductrice soit entièrement dénudée 15 dans les ouvertures 10 (fig. 3) et 41 (fig. 10); suivant la façon dont a lieu le dopage et suivant les activants utilisés, la surface semiconductrice dans lesdites ouvertures peut également être couverte d'une couche pouvant être traversée par ces activants. De plus, après avoir façonné dans sa forme défi-20 nitive la couche assurant le masquage contre l'oxydation, la surface de silicium non couverte de cette couche peut subir au besoin un dopage avant l'élaboration de la configtti?ation d'oxyde noyé, ce dopage pouvant être établi par diffusion, ou par un autre procédé. 71 25296 -13- 2098322 REVENDICATIONS : 1. Procédé permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur comportant un corps semiconducteur dont une surface est munie localement d'une configuration d'oxyde noyée au 5 moins en partie dans le corps et contiguë à une zone qui du moins à sa face limité avec l'oxyde noyé, est entourée entièrement d'une région semiconductrice contiguë tant à l'oxyde qu'à la zone, les propriétés de cette région différant de celles de la zone, caractérisé en ce que sur ladite surface, on élabore une 10 couche assurant un masquage tant contre le dopage que contre l'oxydation et présentant une ouverture que peuvent traverser des activants, qu'à travers cetté ouverture la région semi-conductrice sous—jacente est dopée à l'aide d'activants, qu'ensuite, par enlèvement d'une partie de la couche de masquage, ^ on dénude au moins une partie de surface non dopée aux activants précités et entourant quasi entièrement la partie dopée, et qu'ensuite la partie non masquée de la surface subit une oxydation au cours de laquelle a lieu la formation de la configuration d'oxyde, les activants diffusant plus loin dans le corps et formant ladite zone. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone semiconductrice est dopée à l'aide d'activants qui confèrent à cette zone le type de conduction opposé à celui de la région semiconductrice contiguë à l'oxyde noyé et entourant 25 la zone. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone semiconductrice est dopée à l'aide d'activants qui confèrent à cette zone le même type de conduction que celui de la région semiconductrice contiguë à l'oxyde noyé et entourant 30 la zone, la concentration de dopage de la zone semiconductrice étant toutefois plus forte que celle de ladite région. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'avant de procéder à l'oxydation donnant lieu à la formation de la configuration d'oxyde, au moins une 35 partie de la surface semiconductrice à oxyder est soumise à une opération donnant lieu à un enlèvement de matériau, de sorte que dans la surface il se forme un creux qui ensuite, sous l'effet de l'oxydation locale subséquente, est rempli au moins en partie. 40 5» Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce 71 25296 -n- 2098322 que le creux obtenu par décapage est rempli quasi entièrement pour donner au corps une surface pratiquement plane. 6. Procédé aelon l'une des revendications 1 à 5» caractérisé en ce qu'après le dopage, on dénude une partie annulaire 5 de la surface, après quoi, on établit par oxydation une configuration d'oxyde noyé entourant entièrement une partie de surface en forme de caisson, masquée contre cette oxydation, alors que sur ou dans la région semiconductrice contiguë à cette partie de surface en forme de caisson, on élabore au moins un 10 composant semiconductaur. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la configuration d'oxydation est élaborée sous forme d'une grille entourant au poins deux parties de surface en forme de caisson, masquées contre ladite oxydation. içj 8. Procédé selon la revendication 6 ou 7> caractérisé en ce que l'on part d'un corps semiconducteur comportant une couche de premier type de conduction, affleurant la surface 9. Dispositif semiconducteur, obtenu par la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8.