Brevet FR2054663A1 — publié le 19710423

i 2054663 La présente invention se rapporte à des thyristars à porte d'injection additionnelle et à des circuits de coupure rapide. Un type connu de thyristor p-n-p-n est constitué par un redresseur contrôlé au silicium (SCR) comportant sur sa couche p 5 extérieure une première connexion ohmlque permettant de la faire fonctionner en anode, sur sa couche n extérieure une deuxième connexion ohmique permettant de la faire fonctionner en cathode et sur sa couche p adjacente à sa couche cathode n une troisième connexion ohmique qui constitue une connexion d'injection normale. Lorsqu'une 10 différence de potentiel de signe constant est appliquée entre l'anode et la cathode de ce redresseur à quatre couches, la polarité de l'anode étant positive par rapport à celle de la cathode, et que l'on effectue une injection de courant par le conducteur d'injection normale dans la couche p adjacente à la cathode, le courant circu-15 lant dans l'appareil augmente rapidement du fait que le redresseur contrôlé au silicium se trouve mis en état de haute conductibilité. La porte d'injection normale ne permet alors plus d'exercer aucun contrôle sur la conductibilité du dispositif, et pour couper le passage du courant dans le redresseur il est nécessaire de ramener 20 l'intensité du courant principal au-dessous de celle du courant d'attente. Cette opération s'effectue en général en inversant la polarité du potentiel appliqué entre l'anode et la cathode de façon qu'un courant inverse circule dans le redresseur pendant un temps très eourt, ce courant inverse balayant rapidement les porteurs 25 de charge hors des jonctions d'extrémité adjacentes respectivement à la couche anode et à la couche cathode. L'une de ces jonctions d'extrémité est située entre la couche anode p et la couche n adjacente, et l'autre est située entre la couche cathode n et la couche adjacente p de la porte d'injection normale. Le courant inverse 30 circule du fait que les lacunes et les électrons des parties d'extrémité du semi-conducteur diffusent dans ces deux jonctions d'extrémité. Après que les lacunes et les électrons présents sur ces jonctions ont disparu, ledit courant inverse cesse de circuler dans le circuit extérieur de l'appareil et les deux jonctions d'extréml-35 té de celui-ci sont ramenées à leur état de blocage. Mais, le retour du redresseur à son état initial n'est pas parfait car il demeure encore une forte concentration de lacunes dans la couche intérieure n au voisinage de la jonction centrale. Le procédé généralement adopté consiste alors à permettre à ces lacunes qui se 40 trouvent dans la couche intérieure n au voisinage de la jonction BAD ORIGINAL 70 28453 2 2054663 centrale de se recombiner, cette recombinaison s'effectuant en général à une vitesse indépendante des conditions du moment du circuit extérieur au redresseur. Après qu'une recombinaison suffisante s'est effectuée, la densité des lacunes au voisinage de la 5 jonction centrale devient faible, et cette jonction reprend elle aussi son état de blocage. A ce moment, une tension directe peut être appliquée à nouveau entre l'anode et la cathode du redresseur sans que celui-ci se déclenche, pourvu évidemment qu'aucune injection de courant ne soit simultanément effectuée par sa porte d'in-10 jection normale. L'un des objets principaux de la présente invention est de réduire le temps de coupure d'un redresseur contrôlé au silicium par réduction du temps nécessaire pour que sa jonetion centrale reprenne son état de blocage. 15 Dans la présente invention, il est utilisé un circuit de mise sous tension et de commande d'un thyristor à semi-conducteur à quatre couches du type n et du type p alternées. La première couche n est munie d'un contact ohmique et constitue la cathode du dispositif, et la première couche p est munie d'un contact ohmique,: 20 constitue la porte d'injection normale du dispositif et forme avec la première couche n une première injection d'extrémité. La deuxième couche n est munie d'une connexion ohmique qui permet de la faire fonctionner en porte d'injection additionnelle et forme avec la première couche p une jonction centrale. La deuxième eouche p est 25 munie d'un contact ohmique, constitue l'anode du dispositif et forme avec la deuxième couche n une deuxième jonetion d'extrémité. Deux conducteurs de référence permettent d'appliquer une différence de potentiel de signe constant entre les contacts ohmiques de l'anode et de la cathode du thyristor, cette différence de potentiel 30 ayant la polarité appropriée pour qu'un courant circule dans le thyristor de son anode vers sa cathode lorsqu'un signal de déclenchement est appliqué sur sa porte d'injection normale. Un circuit de coupure, qui peut être branché sur ces deux conducteurs de référence en vue d'annuler, au moins temporairement, l'effet de la 35 différence de potentiel de signe constant qui existe entre ces conducteurs permet de couper rapidement le thyristor. Cette coupure peut être obtenue soit par l'élimination de ladite différence de potentiel de signe constant, soit par réduction de cette différence de potentiel à une valeur voisine de zéro, soit par l'application 40 d'une, différence de potentiel de polarité inverse entre l'anode et BAD ORIGINAL 70 28453 3 5054663 la cathode du thyristor. Plus particulièrement, et selon la présente invention, il est prévu un dispositif associé au contact ohmique de la porte d'injection additionnelle du thyristor qui permet d'appliquer sur 5 cette porte additionnelle un signal de commande de la polarité appropriée pour provoquer la circulation d'un courant dans la jonction centrale entre la porte d'injection additionnelle (constituée par la deuxième couche n) et la porte d'injection normale (constituée par la première couche p). Le passage de ce courant balaie 10 les porteurs de charge qui se trouvent au voisinage de la jonction centrale et qui, s'il en était autrement, se recombineraient avec des lacunes, ce qui retarderait considérablement l'instant auquel la jonction centrale du thyristor reprend son état de blocage. D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention 15 ressortiront de la description qui va suivre, description faite à titre purement explicatif et nullement limitatif et avec références aux dessins joints dans lesquels les mêmes références numériques sont toujours utilisées pour désigner des éléments-similaires, et dans lesquels : 20 La figure 1 représente schématiquement et partiellement sous forme de blocs un thyristor à quatre couches comportant une porte d'injection additionnelle et associé à un circuit de coupure, le tout conforme à la présente invention. Les figures 2 et 3 sont respectivement une vue en coupe 25 verticale et une vue en plan montrant les modifications à apporter à un redresseur contrôlé au silicium de type courant en vue de le faire fonctionner conformément à l'invention. La figure 4 est une vue en plan d'un autre mode de réalisation de la modification du redresseur au silicium en vue de son 30 utilisation dans le circuit de l'invention. La figure 5 représente schématiquement un circuit d'essai utilisé pour la confirmation des avantages présentés par la présente invention. Les figures 6 et 7 sont des graphiques traoés à partir des 35 résultats obtenus par le circuit de la figure 5> — Les figures 8a à 8i représentent les phases successives d'un autre procédé de fabrication d'un redresseur contrôlé au silicium modifié selon l'invention. La figure 1 des dessins joints représente schématiquement 40 un circuit de commande conforme à l'invention et permettant de BAD ORfGINAL 70 28453 4 2054663 mettre sous tension et de commander les opérations d'un thyristor 10 constitué par un matériau semi-conducteur en silicium ou en germanium. Ce thyristor, qui peut être un redresseur contrôlé au silicium, comprend quatre couches 11 à 14 du type n et du type p al- 5 ternées. La première couche n 11 est munie d'un contact ohmique 11 a et constitue la cathode du thyristor, et la première couche p 12 est munie d'un contact ohmique 12 a qui permet de la faire fonctionner en porte d'injection normale. Une première jonction d'extrémité 15 est formée entre les couches adjacentes 11 et 12. 10 La deuxième couche n 1? est munie d'un contact ohmique 13 a qui permet de la faire fonctionner en porte d'injection additionnelle, et forme avec la première couche p 12 une jonction centrale 16. La deuxième couche p 14 est munie d'un contact ohmique 14 a, constitue l'anode du dispositif et forme avec la deuxième couche n 13 une 15 deuxième jonction d'extrémité 17. Deux conducteurs de référence, 18 et 20, sont respectivement connectés sur le contact 14 a de l'anode et sur le contact 11 a de la cathode du redresseur 10. Dans le circuit représenté, une batterie 21 est montée en série avec une résistance de charge 20 22 entre les conducteurs de référence 18 et 20, mais il est évident que toute autre source d'énergie électrique, circuit redresseur, pile à combustible ou autre similaire, pourrait être montée entre les conducteurs de référence et fournir au redresseur l'énergie électrique nécessaire pour son fonctionnement. Far conséquent, dans 25 l'exposé et dans les revendications qui suivent, lesdits conducteurs de référence 18 et 20 sont considérés comme représentant tout dispositif permettant d'appliquer une différence de potentiel de signe constant entre les couches anode et cathode du redresseur. Dans le circuit représenté, un signal de déclenchement, constitué par un 30 courant de la polarité appropriée, est appliqué par toutesource appropriée et par l'intermédiaire d'un conducteur 23 sur la connexion 12 a de la porte d'injection normale du redresseur pour mettre celui-ci en action. Dans le présent exposé, ce conducteur 23 est considéré comme représentant tout dispositif permettant d'appliquer des 35 signaux de déclenchement sur la couche 12 constituant la porte d'injection normale du thyristor. Un circuit de coupure 24 est monté entre les conducteurs 18 et 20. Ce circuit de coupure comprend un interrupteur 25* un condensateur 26 et une bobine d'induction 27 tous montés en série 40 «litre les conducteurs 18 et 20 et une diode 28 montée en parallèle BAD ORIGINAL 70 28453 5 2054663 avec le circuit série constitué par les trois éléments précités. Ce circuit de coupure fonctionne à la manière bien connue et suspend, au moins temporairement, l'effet de la différence de potentiel fournie par la batterie 21 en vue de permettre au courant de charge 5 qui circule dans le thyristor 10 entre son anode et sa cathode de tomber à zéro. Il est évident que cette disposition, ou l'application par tout moyen approprié d'une tension de polarisation inverse entre les conducteurs 18 et 20, permet de ramener les deux jonctions d'extrémité 15 et 17 à leur état initial dans un temps relative-10 ment court, mais la jonction centrale 16 n'est pas polarisée en sens inverse, et la recombinaison naturelle des lacunes de la couche n 13 qui se trouvent au voisinage de cette jonction centrale est d'une durée considérablement plus longue. Selon une caractéristique spécifique de l'invention, il 15 est prévu un dispositif de coupure rapide, qui peut être constitué par un générateur d'impulsions 30 dont l'une des bornes est reliée par ùn conducteur 31 à la connexion 13 a du redresseur 10. L'autre borne de ce générateur d'impulsions 30 est reliée à un commutateur 32, et, plus particulièrement, à son contact central mobile 33. Le 20 commutateur 32 comprend en outre un premier contact fixe 34 relié au conducteur 23 qui aboutit sur la connexion 12 a de la porte d'injection normale du dispositif et un deuxième contact fixe 35 relié au oonducteur de référence 20 et à la connexion lia de la cathode. Lorsque le circuit de coupure 24 est actionné en vue 25 d'obtenir un retour rapide des jonctions d'extrémité 15 et 17 à leur état initial, l'interrupteur 32 est simultanément actiopné de façon à inverser la tension de polarisation de la jonction p-n 16 formée entre les couches 12 et 13 en vue d'effectuer un retour rapide de cette jonction à son état de blocage sans qu'il soit 30 nécessaire d'attendre que la recombinaison normale des charges présentes au voisinage de cette jonction centrale 16 se soit effectuée. Si le commutateur 32 est actionné de façon que son contact mobile 33 pivote vers le haut et vienne s'appliquer contre son contact fixe 34, il est envoyé sur le conducteur 31 un signal de commande 35 de sens positif qui tend à provoquer l'établissement entre la couche h 13 et la couche p 12 d'un courant qui traverse la jonction 16 et la ramène rapidement à son état initial. De même, si le contact mobile 33 pivote vers le bas et vient s'appliquer contre le contact fixe 35, un signal approprié de retour à l'état normal 40 est appliqué entre le contact 13 a de là porte d'injection addition- BAD ORIGINAL 70 28453 6 2054663 nelie et le contact 11 a de la cathode, ce qui tend à provoquer l'établissement d'un courant de sens approprié au travers de la jonction 16, ce courant assurant le retour rapide désiré à son état normal de cette jonction sans qu'il soit nécessaire d'attendre que 5 le processus de recomblnaison normale se soit effectué. La figure 2 représente un redresseur contrôlé au silicium 10 d'un type couramment offert sur le marché et qui a été modifié pour pouvoir recevoir le contact ohmique de la porte d'injection additionnelle de l'invention. Ce redresseur 1Q comprend une pastil-.10 le de silicium 40 en forme de disque constituée par quatre couches de matière semi-conductrice du type p et du type n alternées et dont l'épaisseur est si réduite que ses couches constitutives ne peuvent pratiquement pas être représentées Individuellement à l'échelle de la figure. Un contact annulaire 11 a est formé sur la 15 couche n 11 qui forme la cathode du redresseur, et un contact de porte d'injection 12 a est prévu au centre de cette pastille et est relié à la couche p adjacente à la couche de cathode. En général, la connexion anode (non représentée) s'effectue à l'aide d'une broche de montage ou d'un autre élément similaire solidaire du support 20 de la pastille 40. Ce support est constitué par une plaquette de base 4l en molybdène, et il est fréquemment appliqué sur la face supérieure du redresseur une couche de molybdène similaire avant que ne soit effectués son enrobage ou son-montage définitif. Ainsi qu'on le voit sur la gauche de la figure 2 et mieux 25 encore dans la vue en plan de la figure 3, la pastille 40 est rodée localement en vue de constituer une surface en dépression 13 b destinée à recevoir la connexion de la porte d'injection additionnelle. Cette opération a été effectuée sur un redresseur contrôlé au silicium Westinghouse type 219 D, et ce redresseur muni de son contact 30 de porte d'injection additionnelle a fonctionné de façon satisfaisante avec un temps de coupure réduit. Mais, l'expérience a montré que l'intensité du courant de coupure additionnel qui peut être forcé à traverser le redresseur par l'application d'une tension raisonnable est limitée par la résistance transversale de la région n 13 35 constituant la porte d'injection additionnelle, du fait que le courant additionnel de coupure se propage latéralement vers l'extérieur à partir du conta.ct 13 a de la porte d'injection additionnelle et suivant une série d'ondes concentriques analogues à celles provoquées par la chute d'une pierre tombant dans une pièce d'eau à proximité 40 du bord de celle-ci.Pour éviter cet effet et pour réduire encore BAD ORIGINAL 70 28453 7 2054663 le temps de coupure, trois autres régions en dépression, 13c, 13d et 13 e ont été créées par rodage comme représenté sur la figure 4. Des contacts formés sur ces régions rodées ont été montés en parallèle et branchés sur le conducteur 31 partant du générateur d'im-5 pulsions. Cette disposition, qui en fait augmente la surface du contact ohmique de la porte d'injection additionnelle, permet d'obtenir des courants de coupure plus intenses et de réduire encore plus la durée du temps de coupure du thyristor. Le côté gauche de la figure 5 représente un montage d'essai 10 utilisé pour confirmer la réduction du temps de coupure du redresseur 10 que l'invention permet d'obtenir. Des bornes de sortie du générateur d'impulsions 30 partent deux conducteurs 50 et 51 entre lesquels est appliquée une tension de polarité constante qui s'applique aussi sur un condensateur 52 monté en parallèle. Un autre 15 redresseur contrôlé au silicium de déclenchement 53 est monté entre les conducteurs 50 et 31, et un conducteur 54 connecté sur la porte d'injection de ce redresseur permet d'envoyer par le conducteur 31 sur la connexion 13 a de la porte d'injection additionnelle du • redresseur au silicium 10 une impulsion d'intensité Ig. Un courant 20 de sens direct, Ip, circule comme indiqué par la flèche dans le oonducteur 18, traverse le redresseur au silicium 10 et en sort par le conducteur 20. La partie de droite de la figure 5 est un graphique qui représente approximativement les variations de la tension sur le 25 redresseur 10 à partir de l'instant auquel une tension inverse est appliquée entre ses connexions d'anode et de cathode et jusqu'au moment où le semi-conducteur à quatre couches a repris complètement son état de blocage et qu'une tension directe peut lui être à nouveau appliquée. Les figures 6 et 7 sont des graphiques tracés à l'ai-30 de des résultats d'essais obtenus respectivement sur deux redresseurs modifiés de façon différente et commandés par le môme générateur d'impulsions. Ces essais ont été effectués pour tois intensités différentes du courant de sens direct Ip, savoir 10 ampères, 5 ampères et 1 ampère. Ces essais ont été effectués pour des courants 35 pulsatoires d'intensités Ig différentes et les durées de coupure du redresseur ont été mesurées dans chaque cas et ont fourni les éléments d'après lesquels ont été tracées les courbes des figures 6 et 7. Ces courbes montrent que-pour une valeur donnée de l'intensité du courant direct, la durée de la coupure diminue lorsque 40 l'intensité du courant pulsatoire augmente. La réduction du temps BAD OBIG1NAL 70 28453 8 2054663 de coupure est d'autant plus marquée que le rapport I-g/lp est plus élevé. Au lieu de modifier un redresseur contrôlé au silicium de type courant comme représenté sur les figures 2 à 4, la surface du 5 contact ohmique de la porte d'injection additionnelle peut être encore augmentée au moyen d'un procédé de fabrication qui rend disponible une surface plus grande de la couche n qui constitue cette porte d'injection additionnelle. L'un de ces procédés est décrit ci-après avec référence aux figures 8 a à 8 i des dessins joints. 10 Ainsi qu'on le voit sur la figure 8 a, la matière de départ peut être une pastille de silicium 60, de structure monocristalline, d'une résistivité uniforme de l'ordre de 20 à 30 ohm-cm et d'une épaisseur d'environ 0,25mm. Cette pastille 60 est chauffée an atmosphère oxydante, oxygène sec, oxygène humide, vapeur d'eau ou au-15 tre similaire, de façon à former sur toute sa surface et comme représenté sur la figure 8 b une couche extérieure de silice 6l. Cette couche de silice 61 est ensuite enlevée sauf sur une partie -6l a de l'une des faces de la pastille 60 et comme représenté sur la figure 8 c. Cet enlèvement sélectif de la couche de silicium 6l 20 s'effectue par une attaque à l'acide sous cache approprié par un procédé quelconque d'emploi commode, par photogravure par exemple. La partie restante 6l a de la couche de silicium constitue un cache qui empêche la diffusion des impuretés de dopage dans la partie sous-jacente de la pastille de silieium 60. L'épaisseur de cette 25 partie 6l a en silice doit être suffisante (et typiquement de l'or-dre de 2.000 à 3.000 A) pour qu'elle puisse constituer un cache efficace pendant toute la durée de l'opération de dopage par diffusion. Une impureté de type p, du bore par exemple, est ensuite dé-30 posée sur la pastille de silicium et comme représenté sur la figure 8 d de façon à transformer ses parties non cachées du type n en une couche enveloppante 62 du type p et fortement dopée. Ce dépôt peut être effectué, par exemple, dans un système de diffusion en tube ouvert, avec du tribromure de bore comme source d'impuretés et à une 35 température de 1.050°C environ maintenue pendant une heure. Après nettoyage en surface (figure 8e), les impuretés déposées sur la région 62 sont redistribuées dans la masse (figure 8 f) par un chauffage de la pastille en atmosphère exempte d'impuretés en vue de donner à la couche dopée une profondeur et à la jonction obtenue une 40 concentration en surface qui correspondent aux caractéristiques néBAD ORIGINAL 70 28453 9 2054663 cessaires de la section p-n-p d'un redresseur contrôlé au silicium. Une concentration en surface de 1CT atomes/car et une profondeur de la jonction de 0,05 nun environ constituent des valeurs typiques de cas caractéristiques. La redistribution désirée peut être effec-5 tuée, par exemple, par un chauffage de 80 heures à 1.200°C ou à une température plus élevée pendant un temps plus court. La pastille ainsi préparée est ensuite détourée (figure 8g) à la configuration désirée par tout procédé approprié, attaque à l'acide ou sablage par exemple. Cette opération laisse en place la majeure partie de 10 la couche de silicium 60 du type n qui constitue la porte d'injection additionnelle du thyristor. La couche 62 de matière du type p est divisée en deux parties dont l'une, 65, en forme de disque constitue la porte d'injection normale et dont l'autre, 64, de forme annulaire, constitue l'anode du thyristor. La couche supé-15 rieure et la couche inférieure de silice sont ensuite éliminées par une deuxième opération de nettoyage (figure 8 h) ce qui a pour effet de découvrir la partie 60 a de large surface de la couche 60 du type n. Pour compléter la formation de la configuration p-n-p-n dé-20 sirée, une autre région 65 de matière de type n (qui constituera la cathode du thyristor) est formée (figure 8i) sur la couche 63 dopée type p par alliage dans cette couche d'un papier métallique en alliage or-antimoine à, par exemple, 0,6# d'antimoine, le reste étant de l'or. Un contact ohmique est ensuite formé sur la région 25 anode 64 par alliage, dans la surface de la pastille qui a été rendue du type p par une diffusion partielle, d'un papier métallique 66 en eutectique aluminium-silicium (ou en aluminium, ou en or additionné de bore) et découpé de façon à recouvrir la couche annulaire 64 rendue du type p par diffusion. Un contact électrique est 30 aussi constitué sur les couches de base 63 et 60 à l'aide d'un papier d'aluminium pur ou convenablement allié. Par exemple, il peut être employé un papier d'aluminium 67 pour recouvrir la couche de base 63 du type p et un papier 6P en alliage or-antimoine pour recouvrir la couche de base 60 gu type n. Ces papiers sont découpés 35 de façon qu'ils recouvrent les parties désirées de la couche de base 63 du type p situées sur le côté cathode de la pastille et la partie 60a de l'autre face de la pastille qui éta: t masquée pendant l'opération de diffusion. Si la forme de ces contacts est trop compliquée et rend difficile la découpe à la forme des papiers métal-40 liques utilisés, il peut être employé un procédé par évaporation 70 28453 10 2054663 pour déposer sur les surfaces à transformer en contacts électriques des couches d'un métal ou d'un alliage appropriés, lesquelles sont ensuite alliées aux couches sous-jacentes par une opération adéquate. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de 5 réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de variantes et de modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. 70 28453 ii 2054663 REVEHDICATIONS 1.- Circuit de mise sous tension et de commande d'un thyris-tor, caractérisé en ce qu'il est constitué par un corps semi-conducteur comprenant quatre couches de matières semi-conductrices du type 5 n et du type p alternées, en ce que la première couche de type n est munie d'un contact ohmique et est utilisée comme cathode, la première couche de type p est munie d'un contact ohmique, constitue une porte d'injection normale et forme une première jonction d'extrémité avec la première couche de type n, la deuxième couche de 10 type n est munie d'un contact ohmique qui permet de la faire fonctionner en porte d'injection additionnelle et forme une jonction centrale avec la première couche de type p, et la deuxième couche de type p est munie d'un contact ohmique, est utilisée comme anode et forme une deuxième jonction d'extrémité avec \a. deuxième couche 15 de type n, et en ce qu'il comprend, en outre,des moyens comportant deux conducteurs de référence permettant d'appliquer une différence de potentiel de signe constant entre les^ contacts ohmlques de l'anode et de la cathode, la polarité de cette différence de potentiel étant telle qu'elle provoque la circulation de courants dans le sens 20 anode-cathode dans le thyristor lorsque des signaux de déclenchement sont appliqués sur sa porte d'injection normale, et un circuit de coupure couplé avec lesdits conducteurs de référence, permettant d'annuler, au moins temporairement, l'effet de ladite différence de potentiel de signe constant et, par suite, d'arrêter le fonction-25 nement du thyristor, ce circuit de coupure comportant un dispositif couplé avec le contact ohmique de la porte d'injection additionnelle du thyristor et permettant d'appliquer sur cette porte un signal de commande de la polarité appropriée qui provoque l'établissement d'un courant au travers de ladite jonction centrale entre la deuxiè-30 me couche n et la première couche p du thyristor, l'établissement de oe courant ayant pour effet de balayer les porteurs de charge dont, s'il en était autrement, la recombinaison naturelle serait d'une durée beaucoup plus longue. 2.- Thyristor, caractérisé en ce qu'il comprend: un corps 35 constitué par quatre couches de matières semi-conduatrioes du type n et du type p alternées; un premier contact ohmique porté par la première couche de type n et formant la connexion cathode du thyristor; un deuxième eontact ohmique porté par la première couche de type p et constituant une connexion qui reçoit des signaux de déclen-40 chement normaux, cette première couche de type p formant une prenière 70 28453 12 2054663 jonction d'extrémité avec la première couche de type n; et un troisième contact ohmique porté par la deuxième couche de type p et constituant une connexion d'anode permettant d'appliquer entre le premier et le troisième contact ohmique précités une différence 5 de potentiel de signe constant qui met le thyristor sous tension, cette deuxième couche de type p formant une deuxième jonction d'ex trémité avec la deuxième couche de: type n; et en ce qu'il comporte en outre, une zone de contact de grande surface entre sa deuxième couche de type n et un quatrième contact ohmique porté par cette 10 zone de grande surface et qui permet à la deuxième couche de type n du thyristor de fonctionner en porte d'injection additionnelle, sa deuxième couche de type n formant une jonction centrale avec sa première couche de type p, de sorte que l'application d'un signal de commande de la polarité appropriée provoque 1'établisse-15 ment d'un courant au travers de ladite jonction centrale entre la deuxième couche de type n et la première couche de type p, ce courant balayant les porteurs de charges dont la recomMnaison naturelle après coupure du thyristor serait beaucoup p s. lente s'il en était autrement.