Brevet FR2102152A1 — publié le 19720407

i 2102152 La présente invention concerne les circuits intégrés et un procédé pour les produire. L'un des problèmes principaux dans la fabrication des transistors des circuits intégrés est la difficulté d'établir un contact de la région collec-5 teur. Un dispositif individuel peut être monté sur un support afin que la région collecteur située sous la base soit en contact direct avec le conducteur de sortie du collecteur. Dans un circuit intégré le courant du collecteur doit suivre un trajet relativement long à travers de la matière semi-conductrice de résistivité supérieure. La diffusion d'une couche enterrée a supprimé une 10 grande partie de cette résistance en série avec le collecteur mais des trajets résistants subsistent encore verticalement de la base à la couche enterrée et de la couche enterrée au contact métallique du collecteur, à la surface de celui-ci. Cette résistance série est inhérente pour toutes les constructions de transistorss et bien qu^elle puisse être réduite en partie en amincissant la 15 couche êpitaxiale et en réduisant la résistivité de cette couche, elle ne peut pas être supprimée. La résistance du trajet entre le conducteur de sortie du collecteur et la couche enterrée peut être rendue négligeable de différentes façons, selon la technique de fabrication du circuit intégré» Dans les circuits isolés par un 20 diélectrique, les procédés pour faire arriver la couche enterrée à la surface par diffusion de cette couche autour de tout l'îlot ont été asses satisfaisants La diffusion profonde d'un contact de collecteur N a été utilisée avec les circuits isolés formés par diffusion. -f La diffusion profonde du contact collecteur N pénètre profondément 25 dans la couche êpitaxiale jusqu'à la couche enterrée en établissant un trajet de résistance faible pour le courant du collecteur. L'établissement de cette diffusion a normalement lieu pendant le cycle de diffusion d'isolement. La diffusion latérale N+ est ainsi l'équivalent de celle existant dans les canaux d'isolement et la superficie nécessaire est bien plus importante'que 30 pour un contact de collecteur peu profond classique. Des techniques sont décrites ci-après pour former des contacts de collecteurs profonds. Dans la fabrication des circuits intégrés il est connu qi'un isolement électrique efficace est nécessaire entre les régions voisines du monocristal ayant des niveaux différents de tension. Un procédé largement utilisé pour 35 obtenir l'isolement voulu consiste à effectuer des diffusions profondes d'isolement d'une configuration convenable dans la couche superficielle du monocristal formant le substrat. La diffusion est effectuée par diffusion d'une impureté établissant des régions d'isolement ayant une con d'activité du type BAD ORIGINAL ' 71 29101 9in^i5/ oppose à celle de la ccucne êpitaxiale obtenue par croissance pour former une SSÏTlÊ 011 tiU.£ CG&jl. iguraticm de jonctions PN de grande surface. Un perfectionnement de ce procédé est décrit dans la demande de brevets des Etats-Unis d'Amérique n" 44 277 du S juin IS/û. D:autres perfectionnements pour former l'isolement 5 polycristallin et ie procédé pour obtenir ce résultat sont décrits plus en détail ci-après. L'Invention a par suite pour objet an circuit intégré ayant des caractéristiques supérieures. L'invention a aussi pour objet un circuit intégré ayant une résistance de 10 saturation du collecteur réduite, résultant d'une configuration perfectionnée du contact du collecteur profond. L5invention a aussi pour objet un contact de collecteur profond ayant une forme géométrique de périmètre maximal. L'invention a aussi pour objet un contact de collecteur profond ayant des 15 caractéristiques supérieures obtenues par de nouveaux moyens pour favoriser la croissance de silicium polycriskailin. L'Invention a aussi pour jôjar. d'utiliser un wc'/sa porc favoriser la croissance de silicium polycristallin st-r via s-r.rax-eonducteuï comportant un élément de fondation ayant une configuration convenable. 20 L'invention a aussi pour ofc^sc de formar un élément de fondation d'une configuration prédéterminés ''oms ci uaa matière diélectrique telle que du bioxyde de silicium (Sit^) ou du nitrura es silicium. L'invention 3 aussi pour objet la formation d'un élément de fondation d'une configuration prédéterminée comportant un élément inférieur d'une configuration 25 prédéterminée en bioxyde de silicium. L'invention a aussi pour objet la formation d'un élément de -^figuration à plusieurs couches comportant un élément inférieur de configurât;!- a en bioxyde de silicium et un éles-ent de fondation en silicium polycristallin. L'invention a aussi pour objet le-perfectionnement des caractéristiques 30 électriques des colonnes en silicium polycristallin par dopage sélectif. L'invention a aussi pour objet le dopage d'une colonne en silicium polycristallin dans un semi-conducteur à plusieurs couches par utilisation d'un élément inférieur de configuration dopé et/ou par exposition de la colonne à la surface du semi-conducteur pendant la diffusion de la base. 35 L'invention a aussi pour objet le dopage d'une colonne de silicium polycris tallin dans un semi-conducteur à plusieurs couches en utilisant un élément inférieur de configuration dopé et/ou l'exposition de la colonne à la surface du semiconducteur pendant la diffusion de l'émetteur. BAD original 71 29101 3 2102152 Les caractéristiques de l'invention ressortiront plus particulièrement de la description suivante, donnée à titre d'exemple., et faite en se référant aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 représente schématiquement en coupe un corps en semi-conduc-5 teur d'un type de conductivité ayant une couche enterrée de conductivité du type opposé positionnée dans le corps, - la figure 2 représente la couche isolante à partir de laquelle l'élément inférieur de configuration est formé sur la structure composite de la figure 1, avec la position d'une réserve photosensible, 10 - la figure 3 représente la position de l'élément inférieur de configu ration, - la figure 4 représente la formation d'une couche êpitaxiale qui comporte des parties à croissance monocristalline et à croissance polycristalline, - la figure 5 représente l'addition d'éléments isolants à la structure 15 composite de la figure 4 et l'établissement d'un contact de bords polycristallin perfectionné sur la couche enterrée, - la figure 6 montre la diffusion de la base dans la zone définie par l'élément isolant, la surface de la colonne polycristalline étant protégée, - la figure 7 représente la diffusion de l'émetteur dans la zone de 20 diffusion de la base, la surface de la colonne polycristalline étant exposée. - les figures 8 à 11 représentent les étapes successives de l'opération de gravure triple convenant pour la mise en oeuvre de l'invention, la figure 9 montrant la gravure de la couche supérieure de la figure 8, la figure 10 représentant la gravure de la couche suivante de la figure 8 et la figure 11 25 montrant la gravure finale et le nettoyage de la structure de la figure 8 pour former un élément de configuration en plusieurs couches ayant un élément inférieur de configuration et un élément supérieur de fondation favorisant la croissance du silicium polycristallin, - la figure 12 représente la formation d'une couche êpitaxiale de silicium 30 comportant une région monocristalline et une région polycristalline, - la figure 13 représente un transistor terminé comportant une colonne polycristalline pour l'isolement, - les figures 14 à 17 illustrent un procédé différent pour former un élément en silicium polycristallin sur une réserve en bioxyde de silicium pouvant 35 être utilisée pour l'isolement, - la figure 18 représente une structure composite utilisée pour former une configuration en plusieurs couches sur un substrat ayant une couche enterrée, - la figure 19 représente la structure de la figure 18 après l'opération de gravure triple représentée sur les figures 9 à 11, 71 29101 4 2102152 - la figure 2,0 représente la formation d'une couche êpitaxiale en contact avec la couche enterrée delà figure 19,, - les figures 21 à 25 illustrent le procédé pour la croissance d'une couche polycristalline effectuée simultanément pour le contact profond du 5 collecteur et de l'isolant polycristallin, et - les figures 26 et 27 montrent la formation d'un élément annulaire en silicium polycristallin ayant une caractéristique haute tension en raison de la technique de diffusion décrite. Le procédé antérieur pour former des contacts de collecteurs profonds 10 polycristallins consiste à déposer suivant des configurations convenables une réserve de configuration convenable en silicium polycristallin mince directement sur la couche enterrée. La couche êpitaxiale est ensuite formée par croissance et une colonne de silicium polycristallin 3 au-dessus de cette configuration en laissant une colonne polycristalline en contact direct avec la couche enterrée, 15 Le dopage nécessaire pour une résistivité faible résulte de la diffusion vers le haut à partir de la couche enterrée et de la diffusion de l'émetteur à la surface êpitaxiale. Ce procédé a différents inconvénients. Le principal inconvénient est que la surface du substrat laquelle les zones monocristal doivent être formées par croissance peut être facilement endommagée par l'agent de 20 gravure du silicium utilisé pour enlever la couche mince de polyc.ciscal. Une autre difficulté résulte du fait que la coucha polvcristal.iriz mince risque d'être enlevée pendant la gravure à l'acide chlorhydrique dans 1'appareil Î3 réaction de croissance êpitaxiale. De même, un dopage supplémentaire est parfois nécessaire pour le contact du coll.acteur parce que la diffusion Je l'éinettar: 25 peut ne pas saturer complètement le polycristal, en particulier dans cas d'une matière ayant une résistivité élevée. Du tétrachlorure de silicium a itê aiilisê pour de la matière (100) ce qui se traduit par une faible définition le. la configuration polycristalline et la nécessité d'un espace important pour le contsc.; en raison de l'étalement de la colonne polycristalline. 30 Un procédé perfectionné pour la formation de contacts profonds polycria- ,tallins selon l'invention a par suite été développé. Une couche de matière diélectrique, telle que du bioxyde de silicium ou du nitrure de silicium est formée sur la pastille après la formation de la couche enterrée, cette matière étant gravée sélectivement pour former l'élément de configuration inférieur 35 en oxyde de silicium pour le contact profond du collecteur. Une colonne de polycristal est ensuite formée sur la réserve en oxyde de sorte qu'après la croissance êpitaxiale, l'oxyde se trouve entre la couche polycristalline et la couche enterrée. Ce processus donne satisfaction en raison de l'existence d'un effet B/^0riginal 71 29101 5 2102152 de bord par lequel le silicium polycristallin croît à l'extérieur du bord de l'oxyde sur une distance courte avant d'être forcé vers le haut par le monocristal voisin. Le silicium polycristallin est ainsi en contact avec la couche enterrée. Les impuretés donatrices provenant de la couche enterrée 5 reçues par le polycristal améliorent la conduction pour former un contact ohmique autour du bord de la configuration en oxyde. La diffusion standard de l'émetteur dope le polycristal à partir de la couche êpitaxiale, de sorte que le contact du collecteur atteint une résistance très faible. Un avantage supplémentaire est que cette structure profonde de contact de collecteur supporte 10 la gravure par l'acide chlorhydrique dans le four de croissance êpitaxiale. Un contact de collecteur polycristallin profond avec une configuration d'oxyde non dopé sur la couche enterrée sous la forme d'un contact de collecteur standard peut donner une résistance plus faible qu'une diffusion N+ de superficie plus importante. 15 L'effet de bord de l'oxyde permet 1'utilisation.d'un contact plus dévelop pé sur la couche enterrée pour améliorer le trajet de résistance faible. En rendant maximal le périmètre de la configuration d'oxyde avec une configuration discontinue, le contact de bord est augmenté et' une plus grande proportion de l'aire totale du contact du collecteur est établie directement sur la couche 20 enterrée. Dans certains dispositifs, en particulier ceux comportant une couche êpitaxiale de résistivité élevée, la colonne polycristalline n'est pas saturée d'impuretés donatrices par le cycle de diffusion de l'émetteur et elle peut ne pas former un contact de collecteur ohmique sûr parce que les électrons donateurs 25 sont piégés par les sites de dislocation du silicium polycristallin. Une troisième source automatique de dopant pour le contact polycristallin est facilement ajoutée en utilisant une configuration inférieure d'oxyde dopé pour la formation de la colonne polycristalline, ce dopage étant en supplément de la diffusion à partir delà couche enterrée et de la diffusion à partir de la surface 30 êpitaxiale pendant la diffusion normale de l'émetteur. En ce qui concerne l'isolant polycristallin, l'utilisation d'une source non halogénée de silicium de croissance êpitaxiale, telle que du silane, donne une définition bien plus fine à l'interface polycristal-monocristal. De plus, le polycristal croît avec des côtés à peu près verti-35 eaux donnant une correspondance étroite avec lrélêment de configuration. Le contact demande ainsi moins de place en utilisant les dimensions de la réserve d'un dispositif à collecteur non profond. Une autre amélioration en utilisant l'invention est obtenue en utilisant un élément de configuration en plusieurs couches pour la formation du contact 71 29101 6 2102152 profond polycristallin. Un élément de configuration inférieure en oxyde de silicium est en contact direct avec la matière formant le substrat et. un élément de configuration de fondation en silicium polycristallin est formé sur l'élément inférieur. L'utilisation d'un élément inférieur permet la protection contre 5 l'agent de gravure du silicium des zones du substrat où la croissance du monocristal doit avoir lieu. Comme il a été indiqué dans la description des contacts des collecteurs profonds, une couche mince de silicium polycristallin déposé sur le substrat à des températures basses a été constaté être la matière la plus satisfaisante 10 pour la nucléation des canaux d'isolement polycristallins. Pendant le processus suivant la technique antérieure pour la formation de canaux d'isolement polycristallins, cette couche mince forme un modèle à peu près exact auquel l'élément d'isolement polycristallin se conforme de lui—même;, et elle empêche même l'action de gravure du tétrachlorure de silicium qui habituellement rend difficile la nu-15 cléation du polycristal. Cette couche de polycristal peut être déposée soit par dépôt à partir d'une vapeur, soit par pulvérisation cathodique. La température est réduite en dessous du point auquel la croissance de silicium monocristallin peut avoir lieu et la couche est déposée avec une épaisseur inférieure à un micron. La dimension des grains dépend directement de la température, des grains 20 extrêmement fins étant obtenus aux températures inférieures, ce qui forme une matière à peu près purement amorphe. La dimension des grains et la qualité de surface des canaux polycristallins ainsi formés sont de loin supérieures à celles obtenues par n'importe quelle technique de formation d'oxyde. Avec ce procédé antérieur, la gravure de la configuration polycristalline mince après 25 développement de la réserve photographique est le point faible pour la matière du substrat en tant que réserve de fondation. Un qjent de gravure du silicium composé d'acide nitrique, d'acide chromique et d'acide acétique est utilisé pour supprimer par gravure la couche polycristalline mince. Quand cette couche mince a été déposée directement sur le substrat, cette solution peut venir en 30 contact avec le substrat en monocristal après avoir traversé la couche mince par gravure. Sauf si une solution diluée d'agent de gravure est utilisée et si un soin extrême est assuré, la zone dans laquelle un îlot en monocristal sans défaut doit être formé par croissance peut être endommagée, cet îlot étant la zone dans laquelle doit être formé le transistor isolé. Le processus est 35 très risqué et la description qui suit concerne un procédé pour le remplacer. Selon l'invention, ce point faible est supprimé par addition c .» d'un élément en ox.yde comme élément inférieur de configuration. Plus précisément, avant le dépôt du polycristal, une épaisseur de plusieurs milliers 71 29101 7 2102152 d'ângstroms d'oxyde pyrolitique est déposée à une température basse sur le substrat. Ensuite, une couche mince de polycristal est formée par croissance pour compléter l'épaisseur totale désirée. Finalement, une couche mince supérieure supplémentaire d'oxyde est déposée sur le polycristal pour former 5 une réserve pour la gravure du silicium polycristallin parce que la gravure du silicium a tendance à soulever la couche de réserve et attaquer le silicium polycristallin en l'absence de la couche supérieure d'oxyde. L'opération de mise en forme de la réserve photographique comporte trois étapes de gravure. Après alignements exposition et développement de la réserve 10 photographique, un agent de gravure courant par l'acide fluorhydrique supprime l'oxyde supérieur non protégé par la réserve photographique. Ensuite, la gravure du silicium est utilisée pour enlever l'a couche de silicium polycristallin non protégée. La configuration du polycristal est protégée contre l'agent de "gravure du silicium à la fois par la réserve photographique développée 15 et par la réserve supérieure en oxyde. Si la réserve photographique est soulevée la configuration du polycristal est encore parfaitement gravée parce que la réserve supérieure en oxyde constitue la protection pendant cette étape. Une solution diluée d'agent de gravure du silicium peut ne pas soulever la réserve photographique ce qui rend inutile la réserve supérieure en oxyde. La 20 couche supérieure d'oxyde est déposée d'une façon tellement facile par simple mélange d'oxygène au silane que le risque d'un rendement inférieur en utilisant un autre procédé n'est pas justifié. La pastille est ensuite nettoyée dans de l'acide chromique pour enlever la réserve photographique et ensuite un autre agent de gravure par l'acide fluorhydrique courant supprime l'oxyde inférieur et la 25 réserve supérieure en oxyde couvrant la configuration en polycristal. La configuration en polycristal et la configuration en réserve inférieure en oxyde subsistent. L'oxyde inférieur couvre le substrat dans la zone dans laquelle doit être formé le dispositif actif tel qu'un transistor. Comme l'agent de gravure par l'acide fluorhydrique normal n'attaque pas le substrat,, la sur-30 face du substrat reste lisse et favorise une bonne croissance du silicium. La réserve supérieure en oxyde doit être formée plus mince que la couche inférieure d'oxyde afin que la réserve supérieure en oxyde soit supprimée automatiquement. Une opération convenable de nettoyage est effectuée ensuite, après quoi la pastille est prête pour la croissance êpitaxiale. 35 La formation de plusieurs couches superposées apporte différents avantages importants. Elle permet une souplesse relativement à la température de croissance êpitaxiale, la liberté en ce qui concerne le choix du substrat et la technique de croissance êpitaxiale et la croissance d'un polycristal lisse à grains fins. 71 29101 8 2102152 Une zone parfaite pour le dispositif est maintenue sur le substrat parce que l'agent de gravure du silicium r.'atteint, jamais la surface du substrat. Un autre avantage très important est que le dopant peut être introduit dans l'oxyde sous les canaux,ce qui est plus difficile à obtenir avec seuLaneit une coucte 5 de polycristal. Contacts de la couche enterrée La figure 1 représente un corps 10 de matière semi-conductrice d'un type de conductivité,, par exemple du type P comportant au moins une surface supérieure 12 sur laquelle est formée une couche de réserve 14 comportant une 10 ouverture 16 formée par des techniques courantes de réserve photographique. Comme le corps ou bloc 10 de matière semi-conductrice est représenté comme étant du type de conductivité P une matière telle que de l'arsenic est diffusée à travers l'ouverture 16 par un procédé courant pour former la zone de diffusion + r N 18 caractérisée par une jonction PN 20 ayant un bord 21 intersectant la 15 surface 12. De préférence, la couche 14 utilisée cotame couche de réserve, ainsi que chaque couche de réserve supplémentaire décrite ci-après, est supprimée et une couche isolante fraîche non contaminée 2.2 est formée de la façon représentée sur la figure 2 sur la surface supérieure 12 du bloc semi-conducteur 10. 20 Une réserve d'une forme convenable 24 est formée par une technique courante de réserve photographique avec la forças du contact de collecteur profond désiré, cette réserve étant superposée au-dessus de la région 18 ou couche sur laquelle doit être établi le contact. Le fait que la couche enterrée 18 soit représentée contrairement à une couche séparée ne doit pas être considéré- comme limitant 25 l'invention. L'invention peut être utilisée pour établir des contacts avec des couches situées en dessous de la surface ainsi qu'avec une région située en dessous de la surface telle que la région N+ 18. Suivant le mode .i.e mise en oeuvre préféré la couche isolante 22 est en bioxyde de silicium ou en nitrure de silicium. Après une opération standard de gravure, la structure composite 30 a la forme représentée sur la figure 3, le corps en semi-conducteur 10 compor-'tant une région-18 et de la matière diélectrique 22a^ ayant la configuration voulue orientée spatialement pour être en contact avec la couche enterrée 18 ou une couche séparée. Plus spécifiquement, la matière 22£ forme un dessin sur lequel a lieu la croissance du silicium polycristallin, et sa position est 35 déterminée par des considérations de réalisation. La figure 4 montre la formation d'une couche êpitaxiale 24 de type N sur la surface supérieure 12 du corps 10 comportant la couche enterrée 18 et 1! élément 22a.. La couche 24 a des caractéristique particulières, parmi lesquelles la formation à partir d'une source unique de silane ou tétrachlorure de silicium de haute pureté et son dépôt sur ^^iginal 71 29101 9 2102152 la surface 12 sous la forme de monocristal de silicium dans les régions 24ji et 24b et sous la forme de polycristal de silicium dans la région 24c. Pour la clarté de l'illustration, la croissance à "effet de bord" du silicium polycristallin est illustrée sur la figure 4 en représentant cet effet à une échelle exa-5 gérée. Le silicium polycristallin croît autour de l'élément 22a et il est en contact direct avec la couche 18. Cette croissance à partir de l'élément en oxyde 22ji est le moyen pour obtenir des trajets de haute conductivité entre la surface supérieure 26 de la couche êpitaxiale 24 et la couche enterrée 13. Comme l'effet de bord est le moyen pour obtenir un trajet hautement conducteur, l'effet 10 de bord est amélioré en utilisant des colonnes telles que la colonne 24£ d'un diamètre supérieur en silicium polycristallin. Un élément de contact tel que l'élément 24c peut être formé avec n!importe quelle forme à la place d'une colonne ou d'une barre unique circulaire. Une forme constatée très utile est constituée par des bandes longues étroites parallèles et très rapprochées. Cette forme 15 prend la mime superficie totale sur une pastille de circuit intégré qu'un contact de collecteur standard, mais elle augmente au maximum le contact par effet de bord avec la couche enterrée 18 parce que l'effet de bord est associé à chaque bord de la configuration en contact avec la couche 18 en chaque point autour de la bande telle que celle représentée en 28a et 28b. La surface supérieure 20 26 est utilisée ensuite pour la formation d'un transistor de la façon représentée sur les figures 5 à 7. Cependant, il doit être rappeld que l'invention n'est pas limitée par un type particulier de dispositifs semi-conducteurs formés sur la surface 26. La figure 5 représente la structure de la figure 4 avec une couche de 25 réserve 30 formée sur la surface supérieure 26 avec plusieurs ouvertures telles que les ouvertures 32 et 34 à travers lesquelles les opérations de diffusion profondes d'isolement sont effectuées d'après des techniques connues. Une impureté pour accepteur type P, telle que du bore est déposée sur les zones exposées 36 et 38 de la surface supérieure 26 et la diffusion profonde d'isolement a lieu 30 à une température relativement élevée de 1200°C pendant trois heures. Pendant cette dernière diffusion, les impuretés contenues dans la couche enterrée N+ 18 diffusent dans la couche êpitaxiale N 24 en formant une jonction N+N représentée par la ligne en tirets 44. Les impuretés donatrices de la couche enterrée 18 pénètrent dans la région polycristalline 24jc et forment un contact 35 ohmique autour du bord de l'oxyde en forme5 en 28a^ et 28b. Il doit être noté que la ligne en tirets est courbée vers le haut vers la surface dans la zone de contact en silicium polycristallin 24c: car la diffusion a lieu plus rapidement dans le silicium polycristallin. 71 29101 10 2102152 Sur la figure 6 la couche 30 a été supprimée et une nouvelle couche de réserve 46 a été formée sur la surface supérieure 26 du corps semi-conducteur composite, cette couche comportant une ouverture 48 à travers laquelle est effectuée la diffusion de la base d'une façon connue avec formation d'une jonc-5 tion PN 50 entre la région 24 d'un type de conductivité et la région 52 du type de conductivité opposé formant la région base^. Sur la figure 7 la couche 46 a été supprimée et une nouvelle couche 54 a été formée sur le corps semi-conducteur composite comportant les zones de diffusion d'isolement 40 et 42, la couche 54 comportant des ouvertures exposant 10 la surface supérieure de la zone de contact en silicium polycristallin 24^ et une partie de la base 52 dans laquelle une région émetteur est formée à travers une ouverture 60.. Une diffusion de phosphore dans la région base 52 forme une région type N 56 séparée de la région base 56 par une jonction PN 62. La colonne en silicium polycristallin 24^ est exposée pendant cette diffusion et du phosphore 15 est diffusé à travers l'ouverture 58 dans le contact 2^c à une profondeur supérieure à celle de la diffusion de phosphore dans la région émetteur. La vitesse de diffusion est suffisamment élevée pour que la diffusion vers le bas indiquée par la ligne frontière en tirets 64 pendant la formation de l'émetteur interagisse avec la diffusion vers l'extérieur à partir de la couche enterrée N+, ce 20 qui rend l'ensemble du contact 2kc_ hautement conducteur. Procédé à sandwich triple de croissance d'une colonne polycrystalline La figure 8 représente un corps semi-conducteur 10 dans lequel une couche enterrée 18 a été formée par une technique courante. Une première couche 70 d'oxyde pyrolitique "basse température" est formée dans la plage 25 des températures comprise entre 450°C et 600°C sur la surface supérieure 12 du corps 10. Cette couche d'oxyde 70 est formée avec une épaisseur de 1 000 à ° o 10 000 A et de préférence de 2 000 à 5 000 À. Une seconde couche 72 de sili- O cium polycristallin d'une épaisseur comprise entre 1 000 et 10 000 A est ensuite formée sur la première couche. L'épaisseur de cette seconde couche 72 30 est de préférence de 2 000 Â, et elle est aussi formée à basse température, entre 600°C et 900°C. Une troisième couche d'oxyde est formée sur la seconde couche 72 à une température relativement basse entre 450°C et 600°C. Cette couche 74 est moins épaisse que la couche d'oxyde 70 et suivant un mode de O mise en oeuvre préféré, son épaisseur est de 2 000 A. Gette couche est moins 35 épaisse que la couche 70 parce que pendant la gravure de la couche 70 le reste de la couche 74 est aussi élevé de la façon représentée sur la figure 10. Une couche de réserve photographique est formée sur la couche 74 exposée, développée et nettoyée en laissant une partie 76 d'une configuration correspondant à la 71 29101 ii 2102152 . colonne polycristalline devant être formée. Cette configuration peut avoir n'importe quelle forme géométrique désirée. La figure 9 représente le résultat de la gravure standard à l'acide fluorhydrique qui enlève la couche d:oxyde 74, sauf les parties 74ji et 74b 5 protégées par la réserve 76. Ainsi que le montre la figure 10, une gravure du silicium enlève la partie non protégée de la couche polycristalline 72 en laissant les parties de fondation 72a^ et 72b. Pendant cette gravure la surface supérieure 12 est protégée par l'oxyde 70. Si la couche de réserve photographique 76 se soulève pendant la 10 gravure du silicium, les parties 72a et 72b sont protégées par les parties en oxyde 74ci et 74b. Une solution diluée du même agent de gravure du silicium peut ne pas soulever la réserve photographique et dans ce cas la réserve en oxyde 74a et 74b n'est pas nécessaire. Cependant, l'utilisation des réserves en oxyde 74a et 74b sont préférables. La structure représentée sur la figure 10 15 est nettoyée dans de l'acide chromique pour supprimer toutes les parties subsistant de la réserve photographique 76. Une gravure standard à l'acide fluorhydri-que supprime les régions non protégées de la couche 70 ainsi que les parties moins épaisses 74a et 74b de la troisième couche 74 en laissant une réserve double représentée sur la figure 11 et comportant un élément inférieur en 20 oxyde 70a., 70b en contact avec la surface 12 et un élément supérieur de fondation en silicium polycristallin 72a, 72b. L'élément inférieur en oxyde de silicium 10a, 70b est en bon contact avec le corps en silicium 10 sur la surface supérieure 12 et l'ensemble de la couche 70 protège cette surface 12 pendant la gravure de la couche en silicium polycristallin 72 et la croissance 25 ou nucléation ultérieure du silicium polycristallin est rendue optimale sur l'élément supérieur de fondation 72_a, 72b. Le processus à sandwich triple a plusieurs avantages importants. Il permet la souplesse pour la température de croissance êpitaxiale, la liberté pour le choix du substrat et les techniques de croissance êpitaxiale et une croissance 30 régulière à grains fins du silicium polycristallin. Une zone parfaite pour l'îlot du dispositif est maintenue sur le substrat parce que l'agent de gravure du silicium ne touche jamais la surface du substrat.Un autre avantage très important est que le dopant peut être introduit dans la couche d'oxyde 70a, 70b sous la colonne polycristalline devant être formée sur la couche de fondation 35 72a, 72b, ce qui est plus difficile à obtenir avec une couche polycristalline seulement. La nécessité du dopage est décrite plus en détail ci-après au cours de la description de la technique de diffusion pour isolement haute tension. 71 29101 12 2102152 Une couche êpitaxiale N 78 est formée sur la structure représentée sur la figure 11 pour la formation des régions 78as 78b et 78d de silicium monocristallin et des régions 78c et 78_e de silicium polycristallin. Des éléments de fondation 72a et 72h sont en matière semblable de sorte qu'ils sont unis aux 5 régions 78_c et 78^ et qu'ils ne peuvent plus être facilement distingués. La figure li représente un circuit de transistor complet formé dans l'îlot 78_b isolé, ce transistor comportant une région base 803 une région émetteur 82 et une région collecteur renforcée 84. Procédé pour la croissance d'une colonne ou d'un contact polycristallin 10 avec enlèvement d'une couche polycristalline. Les figures 14 à 1/ représentent un mode de mise en oeuvre de l'invention suivant une autre variante pour favoriser la croissance de silicium polycristallin sur un corps en silicium 10. Le corps en silicium semi-conducteur 10 représenté sur la figure 14 comporte une surface supérieure 12 sur laquelle 15 est formée une première couche 86 d'or.yds 3;ï silicium. Une seconde 38 en silicium polycristallin est formes jur. la première couche à une température supérieure,d'environ 900°G. A cette température le silicium polycristallin et l'oxyde réagissent l'un avec l'autre en rendant rugueuse la surface de l'oxyde dans la z'otie du silicium polycristallin. La couche 86 est enlevée par un agent 20 de gravure du silicium qui enlève tcjta la couche de silicium polycristallin, Cette gravure expose la surface rendue rugueuse 89 de la couche d'oxyde 86, représentée sur la figure 15. Une réserve photographique 90 est formée sur la surface rugueuse 89 avec la configuration nécessaire pour la croissance du silicium polycristallin. Le reste de la couche d'oxyde 86 est enlevé pâr gravure à 25 l'acide fluorhydrique, en laissant les parties 86a^ et 86b protégées par la réserve photographique 90. La réserve 90 est enlevée par une opération ia nettoyage courant. Les parties polycristallines 92a et 92b d'une couche épiwS^iaie 92 sont formées par croissance plus uniformément sur une surface rugueuse que sur une couche d'oxyde 86a, 86b ayant une surface supérieure lisse. 30 Sandwich à couche polycristalline pour la croissance d'un contact de collecteur Le processus de gravure décrit en considérant les figures 8 à 12 est répété en se référant à la figure 18 pour illustrer l'utilisation de ce processus pour utiliser une combinaison à plusieurs couches d'une configuration voulue pour favoriser la croissance de silicium polycristallin sur la couche enterrée 35 18 d'un corps en semi-conducteur 10. Pour décrire à nouveau brièvement ce processus, la première couche 70 en oxyde de silicium formée à température basse, est formée sur la surface supérieure du corps 10 après quoi sont formée successivement la couche 72 de silicium polycristallin et la couche 74 d'oxyde de silicium moins BAD ORIGINAL 71 29101 13 2102152 épaisse que la couche 70. En utilisant ce processus, la réserve photographique 76 est orientée spatialement pour façonner le contact en silicium polycristallin pour la couche 18. La figure 19 représente la configuration résultante après la gravure triple consécutive, cette structure comportant un élément inférieur 5 de configuration 70ji en contact avec la couche 18 et un élément supérieur1 de fondation 72a sur le premier élément. La figure 20 montre la formation d'une couche êpitaxiale 94 sur la structure composite de la figure 19, cette couche comportant des parties monocristallines 94a et 94b et une partie polycristalline 94_c. L'élément 10 supérieur de fondation 92a^ est uni à la partie 94c: dont iliEpeut pas être distingué. L'élément inférieur de configuration peut être dopé avec des impuretés donatrices afin que la diffusion à partir de la couche 18 abaisse encore la résistance au contact du collecteur. Procédé compatible pour combiner les contacts de la couche enterrée et l'isole-15 ment polycristallin dans un corps semi-conducteur unique Des contacts de collecteurs profonds polycristallins peuvent être utilisés pour des circuits intégrés isolés par diffusion et isolés par du silicium polycristallin. Des contacts de collecteurs profonds et d'isolement par diffusion ont été décrits ci-dessus par rapport aux figures 5 à 7. Les figures 21 à 25 20 illustrent un procédé compatible pour utiliser des contacts pour la couche enterrée et l'isolement polycristallin. Pendant ce processus, la conduction à "effet de bord" polycristallin est minimisée dans la partie d'isolement et en même temps un contact polycristallin direct sur la couche enterrée est utilisé pour former le contact du collecteur. 25 La figure 21 représente un corps semi-conducteur en silicium 10 ayant une surface supérieure sur laquelle une réserve dopée P 14 est formée avec l'ouverture 96 située au-dessus d'une couche enterrée 18 préalablement diffusée pour exposer la partie supérieure 98 de la couche 18. Une couche 100 en silicium polycristallin est formée sur la structure composite de la figure 21, de la façon représentée 30 sur la figure 22, et cette couche peut être dopée si désiré. La couche 100 est formée de façon à être solidaire de la surface supérieure 98 et de la couche de réserve 14. Une troisième couche de réserve en oxyde 102 est ensuite formée, après quoi une couche de réserve photographique 104 est formée pour correspondre à la configuration des éléments d'isolement devant être formés ensuite. La 35 couche 102 est dans ce cas aussi moins épaisse que la couche d'oxyde dopé 14. Une opération de gravure triple telle que décrite par rapport aux figures 8 à 11 est effectuée, la premier gravure à l'acide fluorhydrique laissant la structure intermédiaire représentée sur la figure 23. Une opération de nettoyage 71 29101 14 2102152 supprime la réserve photographique 104 en laissant les parties en oxyde 102a, 10213 et 102£. Les dernières opérations de gravure triple laissent la structure représentée sur la figure 24 qui comporte le corps en matière semi-conductrice 10 avec une couche enterrée solidaire 18 sur laquelle doit finalement être établi 5 un contact. Des éléments en plusieurs couches 106 et 108 formés solidaires de la surface 12 du corps 10 et en raison de leurs fonctions respectives qui sont différentes de la fonction de l'élément en couche unique 110 formé solidaire de la couche enterrée 18. Les parties dopées 14sl et 14b de la première couche d'oxyde 14 adhèrent régulièrement à la surface extérieure 12 du corps en 10 silicium 10. Les parties de fondations 100a^ et 100b formées sur les éléments inférieurs L4a^ et 141> adhèrent régulièrement à ceux-ci et forment les fondations des éléments en silicium polycristallin devant être formés au-dessus. Une partie unique en silicium polycristallin 112 forme l'élément inférieur du contact pour La couche enterrée parce que le reste de la surface 12 du corps 15 10 a été protégé par la couche 14 contre l'agent de gravure du silicium utilisé pour supprimer la partie inutile de la couche 100. Ensuite, la surface 12 représentée exposée sur la figure 24 est nettoyée sans être dégradée pour une croissance êpitaxiale régulière. L'utilisation d'une configuration en plusieurs couches simultanément pour les éléments d'isolement 106 et 108 et le contact 110 20 du collecteur entre dans le cadre de l'invention. Dans ce but, le processus ci-dessus peut être modifié en supprimant simplement l'opération unique de formation de l'ouverture 96 représentée sur la figure 21 dans la première couche dopée 14. Les parties en oxyde dopé 14a^ et 14b sont utilisées suivant un mode de 25 mise en oeuvre préféré de l'invention, et elles peuvent être remplacées par de l'oxyde non dopé pour l'utilisation pour les tensions inférieures, en restant dans le cadre de l'invention. Une couche êpitaxiale N 114 est formée de la façon représentée sur la figure 25 sur la structure composite de la figure 24, cette couche comportant 30 des régions monocristallines 114a, 114_b, 114c et 114dl et des régions polycris-tallines 114e, 114f et 114g. Les opérations décrites ci-dessus par rapport à la figure 7 sont utilisées pour la région 114£ quand il est désiré de compléter les caractéristiques hautement conductrices de cet élément de contact. Les opérations décrites ci-dessus en 35 considérant les figures 12 et 13 sont utilisées pour les régions 114e et 114g quand il est désiré de compléter les techniques d'isolement selon l'invention. Diffusion pour isolement haute tension Un mode de mise en oeuvre préféré pour le traitement des régions 114e et 114g est décrit ci-après en considérant les figures 26 et 27, quand la couche 71 29101 15 2102152 enterrée 18 a été dopée avec de l'arsenic et quand les régions d'oxydes telles que les régions 14a et 14b de la figure 24 sont légèrement dopées par du bore à un taux suffisant pour inverser le type de conductivité des régions environnantes quand une diffusion extérieure du bore a lieu. Une couche êpitaxiale 116 5 est ensuite formée de la façon représentée sur la figure 26, comportant les parties inférieures de réserve 14a et 14_b légèrement dopées et solidaires dés éléments supérieurs de fondations 100a et 100b, mais ne pouvant pas être distingués de ces derniers. La couche êpitaxiale 116 comporte les régions monocristallines 116a , 10 116b et 116c et les régions polycristallines 116d et 116e^ ... . L'opération de diffusion pour isolement haute tension est poursuivi en considérant la figure 27 suivant laquelle une réserve de diffusion 118 est formée sur la structure composite dé là figure 26 cette réserve comportant une -ouverture de diffusion 120 et des ouvertures 122 et 124 pour la formation 15 de l'isolant polycristallin exposant les surfaces supérieures 126 et 128 des régions 116d et 116e. Une opération de diffusion de la base, calculée pour établir une conductivité de type opposé avec une résistance de l'ordre de 50 à 300 ohm/carré est effectuée de la façon représentée par les flèches, cette opération étant un dopage léger (il est rappelé que ohm/carré signifie 20 la résistance d'une couche mince de surface carrée, cette résistance étant indépendante de la dimension des côtés du carré pour une épaisseur donnée). La diffusion a lieu bien plus profondément dans la matière polycristalline en venant à recouvrement avec la diffusion à partir de l'oxyde inférieur et en changeant la matière polycristalline en une matière type P de résistivité éle-25 vée. Cette combinaison de dopage léger de l'oxyde de l'élément inférieur de configuration et de dopage léger de la région polycristalline permet l'isolement pour des tensions de 150 à 200V, sur des couches épitaxiales de 1 ohm-cm qui n'ont pu être obtenues jusqu'ici, et pour des tensions supérieures à celles pouvant être obtenues avec l'isolement par diffusion. 30 Dans la description qui précède de l'invention, il a été fait référence à un agent de gravure de silicium standard.. Cet agent de gravure est bien connu et il est formé de compositions comportant de l'acide acétique, de l'acide nitrique et de l'acide fluorhydrique. Référence a été faite spécialement au silicium semi-conducteur au cours 35 de la description de l'invention, mais cela n'exclut pas le germanium semi-conducteur. Comme le germanium semi-conducteur a la même structure de réseau que le silicium semi-conducteur, le germanium peut être utilisé ayssi bien que le silicium. Par suite, l'expression "matière semi-conductrice" englobe le silicium et le germanium. 71 29101 16 2102152 Dans le processus utilisé pour isolement haute tension, l'élément d'isolement polycristallin reçoit la même diffwsion que celle communiquée à la base, et ces deux diffusions peuvent être faites en même temps. Suivant un mode de réalisation préféré, des impuretés sont introduites dans la base afin d'obtenir une 15 ?0 3 teneur en impurtés comprise entre 10 et 10" atomes accepteurs par cm , la 17 3 densité préférée étant de 10 atomes accepteurs par cm . Bien entendu, la description qui précède n'est pas limitative et l'invention peut être mise en oeuvre suivant d'autres variantes, sans que l'on sorte de son cadre. 71 29101 17 2102152 1. Dispositif semi-conducteur caractérisé par un corps en matière semi-conductrice ayant une première surfaceu un élément de configuration comportant au moins une couche de matière diélectrique solidaire de la première surface 5 pour commander la croissance de matière semi-conductrice polycristalline et ayant une surface supérieure et une surface latérale, une couche de matière semi-conductrice déposée épitaxialement formée uniformément sur la première surface et s'étendant à une certaine distance au-dessus de cette surface et se terminant par une seconde surface pratiquement plane, cette couche 10 comportant une première région en matière semi-conductrice polycristalline formée d'une façon pratiquement solidaire avec l'élément de configuration et une seconde région en matière semi-conductrice monocristalline solidaire de la première surface, et cette première région ayant un élément de bord formé par croissance vers l'extérieur à partir de la surface latérale de l!élément de configuration; 15 solidaire de celui-ci et solidaire de la première surface jusqu'à être limité par la seconde région, cette région polycristalline formant le contact entre la première surface et la seconde surface. 2. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément de configuration comporte une couche inférieure en matière 20 diélectrique solidaire de la première surface et une couche de fondation en matière semi-conductrice polycristalline solidaire de cette couche inférieure. 3. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière diélectrique contient un dopant. 4. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé 25 en ce que la région en semi-conducteur polycristallin contient un dopant. 5. Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4;caractérisé en ce que la matière semi-conductrice est du silicium. 6. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que la matière diélectrique est une couche d'oxyde de silicium. 30 1. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 5,caractérisé en ce que l'élément de configuration comprend une couche inférieure de silicium solidaire de la première surface et une couche de fondation en silicium polycristallin solidaire à la couche inférieure. 8. Dispositif semi-conducteur seldn la revendication 5, caractérisé en 35 ce que la matière diélectrique contient un dopant. 9. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 5S caractérisé en ce que la région polycristalline contient un dopant. 10. Procédé pour former un dispositif semi-conducteur caractérisé par la formation d'un corps en matière semi-conductrice ayant une première surface et 71 29101 18 2102152 étant d'un premier type de conductivité, l'établissement d'un élément de configuration en matière diélectrique solidaire _ de la première surfacef la formation par dépôt ëpitaxia.1 d'une colonne en semi-conducteur polycristallin recouvrant l'élêmert de configuration et en 5 contact électrique direct avec la première surface, et la formation pendant cette dernière étape d'une couche en semi-conducteur monocristallin au-dessus de la première surface. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'opération d'établissement de l'élément de configuration comporte de plus la formation 10 d'un élément de configuration en matière semi-conductrice polycristalline sur la matière diélectrique. 12. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'opération d'établissement de l'élément de configuration comporte l'introduction d'un dopant dans le diélectrique pendant l'opération d'établissement de l'élément 15 de configuration. 13. Procédé selon la revendication 10, caractérisé par l'introduction d'un dopant dans la colonne en semi-conducteur polycristallin. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendication 10 à 14, caractérisé en ce que]a matière semi-conductrice est du silicium. 20 15. Dispositif semi-conducteur caractérisé par un corps en matière semi- conductrice ayant une première surface et étant en matière d'un type de conductivité et comportant une première région en matière du type opposé de conductivité ayant une seconde surface dans le même plan que la première surface, un élément de configuration comportant au moins une couche de matière diélectrique solidaire 25 de la seconde surface pour commander la croissance de la matière semi-conductrice polycristalline, une couche de matière semi-conductrice déposée épitaxialement, formée uniformément sur la première surface et se terminant par une troisiàne surface sensiblement plane, cette troisième couche comportant une première région en matière semi-conductrice polycristalline pratiquement solidaire de l'élément de configura- 30 tion et une seconde région en matière semi-conductrice monocristalline solidaire de la seconde surface, la première région ayant un élément de bord formé autour de l'élément de configuration et en contact avec la seconde surface de façon que cette région en matière semi-conductriee polycristalline soit utilisée pour former le contact entre la seconde surface et la troisième surface. 35 16. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 15,caractérisé en ce que la matière diélectrique contient un dopant du même type de conductivité que celui de la première région. en ce que la matière diélectrique est une couche d'oxyde de la matière formant 40 le corps semi-conducteur. 17. Dispositif semi-conducteuir selon la revendication 15, caractérisé f COPï 71 29101 » 21.02152 18. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'élément de configuration comporte une couche inférieure en oxyde de la matière formant le corps semi-conducteur, et solidaire de la première surface, et une couche de fondation en matière semi-conductrice polycristalline solidaire de la couche inférieure. . . 19. Dispositif semi-conducneur selon la revendication 15,caractérisé en ce que la matière semi-conductrice polycristalline contient un dopant. 2.0. Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 15 à 19, caractérisé en ce que la matière semi-conductrice est du silicium. 21 Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 15 à 20, caractérisé en ce que la matière diélectrique est une couche d'oxyde de silicium. 22. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 15, caractérisé én ce que l'élément de configuration comprend une couche inférieure en oxyde de silicium solidaire de la première surface et une couche de fondation en silicium polycristallin solidaire de la couche inférieure. 23. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 15, caractérisé en ce que la région polycristalline contient un dopant. 24. Dispositif semi-conducteur caractérisé par un corps en matière semi-conductrice ayant une première surface et étant en matière d'un type de conductivité comportant une première.région en matière du type opposé de conductivité ayant une seconde surface dans le même plan que la première surface, un premier élément de configuration comportant au moins une couche de matière diélectrique solidaire de cette première surface, un second élément de configuration solidaire de la seconde surface, une couche de matière semi-conductrice formée épitaxialement et uniformément au-dessus de la première surface, sur le premier élément de configuration, sur la seconde surface et sur le second élément de configuration et s'étendant à une certaine distance au-dessus et se terminant par une troisième surface sensiblement plane, cette couche comportant une première région en matière polycristalline couvrant le premier élément de configuration et le second élément de configuration et se terminant à la troisième surface, et ayant une seconde région en matière semi-conductrice polycristalline au-dessus de la première surface et se terminant à la troisième surface, et la première région ayant plusieurs éléments de bords solidaires de la première surface et de la seconde surface. 25. Dispositif semi-c.onducteur selon la revendication 24, caractérisé en ce que le premier élément de configuration comporte une couche inférieure en matière diélectrique solidaire de la première surface et une couche de fondation en matière semi-conductrice polycristalline solidaire de la couche inférieure» 71 29101 20 2102152 26. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 259 caractérisé en ce que la second élément de configuration est une couche de matière diélec • trique. 27» Dispositif semi-conducteur selon la revendication 24, caractérisé 5 en ce que le second élément de configuration comporte une coucha de- matière seœi-conducti*ice polycristalline. 28» Dispositif semi-conducteur selon la revendication 26, caractérisé en ce que le premier élément de configuration et le second élément de configuration comportent comme éléments diélectriques de l'oxyde de la matière du semi-10 conducteur suivant les configurations correspondantes. 29. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'élément diélectrique contient un dopant. 30. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 24, caractérisé en ce que la matière semi-conductrice polycristalline contient un dopant, 15 31. Dispositif semi-conducteur salon la revendication 28, caractérisé en ce que l'élément de configuration an oxyde du premier élément de configuration contient un dopant pour que son type de conductivité soit le même que celui du corps, et l'élément de configuration an oxyde du second élément de configuration contient un dopant pour que son type de conductivité soit le 20 même que celui de la première région. 32. Dispositif semi-cojiducïîiu;: selon l'une quelconque des revendications 24 à 313 caractérisé en ce que la matière formant le corps en semi-conducteur est du silicium. 33. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 3-2., caractérisé an 25 ce que le premier élément de configuration comporte une couche infér-" ";n matière diélectrique solidaire de la première surface et une couche i? foada-io'i en silicium polycristallin solidaire de la couche intermédiaire. 34. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 32, caractérisé en ce que le second élément de configuration comporte une couche de silicium 30 polycristallin. 35. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 33, caractérisé en ce que le premier élément de configuration et le second élément de configuration comportent comme élément diélectriques de l'oxyde de silicium ayant les mêmes configurations. 35 36. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'élément diélectrique contient un dopant. 37. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 35, caractérisé en ce que l'élément de configuration en oxyde de silicium du premier élément de configuration contient un dopant afin que sa conductivité soit du même type BAD ORIGINAL 71 29101 21 21.02152 que celle du corps et l'élément de configuration en oxyde de silicium du second élément de configuration contient un dopant de façon que sa conductivité soit du même type que celle de la première région. 38. Procédé pour former un dispositif semi-conducteur caractérisé par la 5 formation d'un corps en matière semi-conductrice ayant une première surface et étant d'un premier type de conductivité, la formation d'une région du type opposé de conductivité dans ce corps, cette région ayant une seconde surface en même temps que la première surface, la formation d'une première couche en matière diélectrique sur les surfaces coplanaires et la formation d'une ouverture dans 10 cette couclie pour exposer une partie prédéterminée de la seconde surface, la formation d'une couche de matière semi-conductrice polycristalline sur la première couche et la partie exposée de la seconde surface, la formation d'une seconde couche de matière diélectrique sur cette couche de matière semi-conductrice polycristalline, la formation d'une réserve photographique sur la seconde couche de 15 matière diélectrique avec une première partie couvrant la partie exposée et une seconde partie couvrant la première surface, l'enlèvement de la partie non protégée de la première couche de matière diélectrique en laissant un élément de réserve de configuration formé par réserve photographique et par la seconde matière diélectrique sur la couche polycristalline, l'enlèvement de la partie 20 non protégée de.la couche polycristalline en laissant un élément de configuration formé par la réserve photographique par la matière diélectrique et par la réserve polycristalline sur la seconde couche diélectrique, l'enlèvement de la réserve photographique, l'enlèvement de la partie non protégée de la première couche diélectrique et de l'élément de configuration formé par la 25 seconde matière diélectrique en laissant une réserve en plusieurs couches couvrant une partie de la première surface et une réserve en couche unique couvrant la seconde surface, la formation par dépôt épitaxial d'une colonne polycristalline recouvrant la réserve en couche unique et en contact électrique direct avec la seconde surface, la formation par dépôt épitaxial d'un élément polycristallin 30 couvrant la réserve en plusieurs couches sur la première surface, et la formation pendant cette dernière étape d'une couche solidaire de matière semi-conductrice monocristalline couvrant la première surface. 39. Procédé selon la revendication 38, caractérisé en ce que la formation de la première couche en matière diélectrique comporte de plus l'introduction d'un 35 dopant dans la première couche diélectrique pendant sa formation. 40. Procédé selon la revendication 38, caractérisé en ce que la formation de la couche polycristalline comporte l'introduction d'un dopant dans la couche polycristalline pendant sa formation. 71 29101 22 2102152 41. Procédé selon la revendication 38, caractérisé par l'introduction d'un dopant dans la colonne semi-conductrice. 42 . Procédé selon la revendication 40, caractérisé en ce que la colonne comporte une troisième surface, et une quantité additionnelle de 5 dopant du même type de conductivité que celle du dopant pour la couche polycristalline est introduite dans la colonne polycristalline à travers cette troisième surface. 43. Procédé selon la revendication 39, caractérisé en ce que l'élément polycristallin comporte une quatrième surface et une quantité additionnelle 10 de dopant du même type de conductivité que celle du dopant pour la couche diélectrique est introduite dans l'élément polycristallin à travers la quatrième surface pendant sa formation. 44 Procédé selon la revendication 38, caractérisé en ce que la première couche de matière diélectrique est formée avec une épaisseur prédéterminée 15 et la seconde couche de matière diélectrique est formée de façon moins épaisse que la première couche. 45. Procédé selon l'une quelconque des revendication 38 à 45, caractérisé en ce que la matière semi-conductrice est du silicium et la matière semi-conduc-trice polycristalline est du silicium polycristallin. 20 46. Procédé pour former un dispositif semi-conducteur caractérisé par la formation d'un corps en matière semi-conductrice ayant une première surface, la formation d'une couchede matière diélectrique ayant une première surface sur la première surface à une première température prédéterminée, la formation d'une couche de matière polycristalline sur cette couche de matière diélec-25 trique à une seconde température plus élevée que celle.utilisée pour la formation de la couche diélectrique, l'enlèvement de cette couche de matière polycristalline au moyen d'une composition courante de gravure du silicium, la formation d'une réserve photographique sur cette surface supérieure avec la configuration désirée, l'enlèvement des parties non protégées de la couche de matière diélectrique 30 en laissant un élément de configuration en matière diélectrique, la formation par dépôt épitaxial-d'une colonne de matière semi-conductrice polycristalline au-dessus de l'élément de configuration et en contact électrique direct avec la première surface, et la formation pendant cette dernière opération d'une couche de matière semi-conductrice monocristalline au-dessus de la première surface. 35 47. Procédé selon la revendication 46, caractérisé en ce que la formation de la couche de matière diélectrique comporte l'introduction d'un dopant dans cette couche diélectrique pendant la formation. 71 29101 23 2102152 48. Procédé selon la revendication 46, caractérisé par l'introduction d'un dopant dans la colonne en matière semi-conductrice polycristalline. 49. Procédé selon la revendication 46, caractérisé en ce que la colonne comporte une troisième surface et une quantité additionnelle de dopant du mime 5 type de conductivité que celle du dopant pour la couche diélectrique est introduite dans la colonne de matière semi-conductrice polycristalline à travers cette troisième surface. 50. Procédé selon l'une quelconque des revendications 46 à 49, caractérisé en ce que la matière semi-conductrice est du silicium. 10 51. Procédé selon l'une quelconque des revendications 46 à 50, caractérisé en ce que la matière semi-conductrice polycristalline est du silicium polycristallin. température est comprise entre 400°C et 600°C. - 53. Procédé selon la revendication 52, caractérisé en ce que la seconde 15 température est sensiblement de 900°C. formation d'un corps en matière semi-conductrice ayant une première surface, la formation d'une première couche en matière diélectrique à cette première surface, la formation d'une couche de matière semi-conductrice polycristalline sur 20 cette couche de-matière diélectrique, la formation d'une seconde couche de matière diélectrique sur cette couche polycristalline, la formation d'une réserve photographique sur la seconde couche de matière diélectrique avec la configuration désirée, l'enlèvement de la partie non protégée de la seconde couche de matière diélectrique en laissant un élément de configuration en matière 25 diélectrique en tant que réserve sur la couche polycristalline, l'enlèvement de la partie non protégée de la couche polycristalline en laissant un élément de configuration en matière polycristalline comme réserve sur la première couche de matière diélectrique, l'enlèvement de l'élément de configuration forme par la réserve photographique et la seconde couche de matière diélectrique et de la 30 partie non protégée de la première couche en laissant un élément de configuration en plusieurs couches, la formation par dépôt épitaxial d'une colonne en matière semi-conductrice polycristalline au-dessus de cet élément de configuration et en contact direct avec la première surface, et là formation pendant cette dernière étape d'une couche de matière semi-conductrice monocristalline couvrant la 35 première surface. • 55. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que la formation de la première couche en matière diélectrique comporte l'introduction d'un dopant dans cette première couche pendant sa formation. 52. Procédé selon la revendication 48, caractérisé en ce que la première 54. Procédé pour former un dispositif semi-conducteur caractérisé par la 71 29101 24 2102152 56. Procédé selon la revendication 54, caractérisé par l'introduction d'un dopant dans la colonne en matière semi-conductrice polycristalline, 57. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que le colonne comporte une troisième surface et une quantité additionnelle de dopant du même 5 type de conductivité que celle du dopant de la première couche diélectrique est introduite dans la colonne de matière semi-conductrice polycristalline à travers cette troisième surface. 58. Procédé selon la revendication 54 caractérisé en ce que la première couche de matière diélectrique est formée avec une épaisseur prédéterminée et la 10 seconde couche de matière diélectrique est moins épaisse que la première couche. 59. Procédé selon l'une quelconque des revendications 54 à 58, caractérisé en ce que la matière semi-conductrice et du silicium et la matière semi-conductrice polycristalline est du silicium polycristallin.