Brevet FR2080639A1 — publié le 19711119

La présente invention concerne des dispositifs semiconducteurs et a plus particulièrement pour objet des transistors ayant des régions semiconductrices et des contacts métalliques, prévus pour améliorer le traitement du courant et les caractéristiques 5 de fréquence en vue des applications pour les ultra-hautes fréquences et pour les micro-ondes. On sait que dans la technique des semiconducteurs on peut augmenter les possibilités de puissance et da fréquence d'un transistor en divisant la région d'émetteur active en une plura-10 lité de régions plus petites, afin d'augmenter le rapport numérique entre la périphérie d'émetteur et l'aire de la base et améliorer les caractéristiques de dissipation thermique du dispositif. On a utilisé ', par application de ce concept , plusieurs dispositifs ayant différents profils de diffusion et différentes géométries , 15 beaucoup de ces dispositifs étaient conçus initialement pour augmenter la possibilité de puissance pour un fonctionnement en fréquence standard dans la gamme des hautes fréquences. Un tel dispositif utilise un arrangement intercalé ou imbriqué de régions d'émetteur et de base. Un autre transistor, conçu pour 20 u*1 fonctionnement en très haute fréquence et en ultra-haute fréquence, utilise une pluralité de régions d'émetteur et de base indépendantes,disposées selon un alignement radial autour du centre de la pastille. Les dispositifs susmentionnés représentent une amélioration en ce qui concerne le rapport entre la 25 périphérie d'émetteur et l'aire de la base ; cependant d'autres paramètres importants, tels que l'uniformité d'injection de courant et l'aptitude à la dissipation thermique restent faibles pour de tels dispositifs aux fréquences des micro-ondes. L'uniformité d'injection de courant est une mesure de 30 l'uniformité du courant injecté à la jonction émetteur-base entous les points le long de ladite jonction et est fonction à la fois de l'aire transversale du matériau conducteur en ce point et de la distance entre ce point et le contact de base. Un autre dispositif à émetteurs multiples ayant une bonne 35 uniformité d'injection de courant utilise un arrangement formant grille, de régions d'émetteur et de base, avec des régions de base adjacentes et des contacts de base séparés par une région à BAD ORIGINAL 70 42751 2 208063:" conductivité élevée, ayant le même type de conductivité que chaque région de base. Cette-région à conductivité élevée améliore l'injection de courant le long de la partie de la jonction émetteur-base qui se trouve entre les contacts de hase intercalé 5 ou interconnectés. Le dispositif est appelé transistor à recouvrement (overlay). Les développements à la technique tels que ceux qui ont été décrits ci-dessus,ont résolu certains des problèmes liés au fonctionnement des transistors à des niveaux de puissance compris 10 entre 1,0 et 100,0 watts dans la gamme des très hautes fréquences et des ultra-hautes fréquences. Cependant avec les dimensions plus petites des éléments"démetteur et de base et avec les tolérances réduites d'aligiement qui sont nécessaires pour les dispositifs conçus pour fonctionner aux fréquences des micro-ondes 15 à des niveaux de puissance de 1,0 watt et au dessus il est nécessaire d'utiliser d'autres techniques pour opfcinaLiser 1'uniformité d'injection et la dissipation thermique. La présente invention concerne un dispositif semiconducteur formé dans un corps semiconducteur cristallin ayant une surface 20 principale munie d'une partie centrale. Le dispositif comporte une région de collecteur d'un premier/type de conductivité ayant un moyeu ou analogue incluant la partie centrale de la surface, une-région de base annulaire d'un second type de conductivité disposée au voisinage de la région de collecteur et autour du 25 moyeu ou analogue précité, une pluralité de régions d'émetteur rectangulaires du premier type de conductivité disposées radia-lement dans la région de base annulaire et des moyens pour assurer un contact ohmique avec la région de collecteur, la région de base et les régions d'émetteur. 30 D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre. Dans les dessins annexés donnés uniquement à titre d'exemple - la figure 1 est une vue de dessus d'un transistor 35 tie dudit transistor étant arrachée ; - la figure 2 est une coupe selon la ligne 2--2 de la figure 1 ; BAD ORIGINAL 70 42751 3 208063P - la figure 3 est une vue en perspective d'une partie en forme de coin du transistor de la figure 1 supposé coupé selon la ligne 3-3 de ladite figure ! : - la figure 4 est une vue de dessus d'un transistor à 5 cellules multiples conforme à la présente invention. EXEMPLE 1 On décrira, en se référant aux figures 1 et 2, un mode de rœLisation préférentiel d'un transistor de puissance pour micro-ondes. Le transistor 10 comporte un corps semi-conducteur 10 cristallin 12 ayant une surface supérieure principale 14 sur une partie de laquelle est disposée une couche isolante 13. Bien que les dimensions, la forme, la composition et la conductivité du corps semiconducteur 12 ne soit pas critiques, celui-ci est constitué, de préférence, par une pastille de silicium en forme 15 de carré de 355 microns environ de côté et syant une épaisseur de 114 microns environ. La couche Isolante 13 est formée de préférence d'une couche de dioxyde de silicium d'une épaisseur de 1,2 micron environ. Comme représenté à la figure 2, le transistor 10 comporte également une région de substrat 18, de 20 conductivité N+, à faible rësistivité formant la partie inférieure du corps semiconducteur 12, et une région de collecteur 20, de conductivité N, à haute résistivité, voisine de la région de substrat N+ 18. La région de collecteur N 20 comporte un moyeu ou analogue 22 qui se trouve à la surface supérieure 14 du corps 25 de silicium 12; le moyeu ou analogue 22 inclut la partie centrale de la surface 14. L'épaisseur de la région de collecteur 20 est de préférence de 6,35 microns environ, à partir de la surface supérieure 14 en traversant le moyeu ou analogue 22. L'épaisseur du substrat N+ 18 est égale à l'épaisseur restante du corps de 30 silicium 12. Le transistor 10 comporte une région de base annulaire 24, de conductivité P, voisine de la région de collecteur 20 et entourant le me y eu ou analogue 22. La région de base 2-1 comporte également une pluralité de lobes oblongs, de résistivité élevée, 35 s'étendant radialement à partir du moyeu 22 de la région de collecteur 20 et une région P+ de haute conductivité, intermédiaire aux lobes. Quatre des lobes oblongs à haute résistivité sont BAD ORIGINAL 70 42751 4 208063f référencés 2S à 3? clans les figœres f et 2. La région P+ comporte un anneau périphérique externe 26 et une pluralité de régions 27 en forme de coins qui vont en convergeant en direction du moyeu central 22 et qui sont disposés entre les lobes oblongs adjacents. Le nombre des lobes oblongs utilisés dans la région de base 24 du transistor 10 dépend du nombre des sites émetteurs utilisés qui, à son tour, dépend de l'importance du courant d'émetteur que doit conduire l^dispositif. Dans ce mode de réalisation on utilise 24 lobes de base , y compris les lobes 28 à 31 » comme représenté à la figure 1. La profondeur de - chaque partie de la région de base au dessous de la surface supérieure 14 du corps semiconducteur 12 dépend de la fréquence maximale de fonctionnement envisagée. Dans le mode de réalisation préférentiel les lobes oblongs à résistivité. élevée, y compris les lobes 28à3l s'étendent, de façon convenable, jusqu'à une épaisseur de 0,5 à 1,0 micron, et la région P+ à conductivité élevée comportant l'anneau périphérique externe 26 et les régions en forme de coins27 s'étend sur une épaisseur comprise entre 1,27 et 2,54 microns au-dessous de la surface supérieure 14» Le profil de diffusion du transistor 10.est complété par une pluralité de régions d'émetteur de type U aHongées et séparées chacune de ces réglons d'émetteur étant disposée dans l'un des lobes de base oblongs, au centre de ce dernier. Quatre des régions d'émetteur sont référencées 32 à 35 dans la figure 1 efsont placées dans les lobes de base oblongs 28 à 31 respectivement. De façon convenable9 chaque région d'émetteur, y compris les régions 32 à 35 » a une longueur de 25}4 microns dans la direction radiale, une largeur de 1 micron et s'étend sur une profondeur de 0,5 micron au-dessous de la surface supérieure 14 du corps de silicium 12. La couche isolante 13 s'étend également sur la partie de la surface supérieure 14 qui va jusqu'au bord externe des lobes de base oblongs, dont les lobes 28 à 31 • Dans Ha flgzre 1 , ai a supposé arrachée "une partie de la couche. Cette partie interne de la couche 'isolante 13 a une pluralité d'ouvertures de contact d'émetteur traversant ladite couche, chaque ouverture laissant apparaître une région d'émetteur à la surface supérieure H. Quatre de ces BAD ORIGINAL 70 42751 5 2080639 ouvertures sont référencées 28 à 41 dans les figures 1 et 2 et laissent apparaître les régions d'émetteur 52 à. 35 respectivement. Un contact d'émetteur métallique 37 recouvre une partie de la couche isolante 13 et assure un contact ohmique direct, au travers des ouvertures, avec chaque réginn d'émetteur à la surface supérieure 14. Dans la figure 1 on a arraché en partie le contact d'émetteur 37. Dans la figure 2 on a désigné une des surfaces de contact d'émetteur par la référence 42 et cette surface est représentée comme étant en contact direct avec la région d'émetteur 32. Le contact d'émetteur 37 est formé, de préférence , d'une pellicule ou film d'aluminium ayant une épaisseur de 2 microns environ. Un contact de base ohmique est constitué par un anneau de contact métallique 44 et une paire de patins de liaison de base 46 et 48. L'anneau de contact 44 est disposé de façon à assurer un contact direct avec l'anneau périphérique externe P+ 26 à la surface supérieure 14>au travers d'une ouverture 36 qui est délimitée par le bord externe de la partie interne et le bord interne de la partie externe de la couche isolante 13. Les patins de liaison de base 46 et 48 sont contigus à l'anneau de contact 44 en des points opposés sur la périphérie externe dudit anneau et ils recouvrent une partie de la couche isolante 13- L'anneau 44 et les patins de liaison 46 et 48 sont formés , de façon convenable, par une pellicule d'aluminium ayant une épaisseur de 2 microns environ. L'anneau 44 a , de préférence, une largeur de 7,62 microns environ . Le transistor 10 comporte également un contact de collecteur 50, qui, de préférence, est constitué d'une couche d'aluminium placée sur une surface inférieure 15 du corps de silicium 12; le contact 50 a , de préférence, une épaisseur comprise entre 0,2 et 0,3 micron. On fabrique le transistor 10, selon un processus préférentiel, de la façon suivante. Le matériau semiconducteur de départ est constitué de préférence par une pastille de silicium de conductivité N hautement dopée, ayant une résistivité de 0,015 ohm-cm environ. Bien qu'il soit possible, par des procédés de diffusion habituels , de préparer une pastille ayant à la fois une BAD ORIGINAL 70 42751 6 208063f région de substrat N+ 18 et une région de collecteur ET 20 diffusée dans le corps semiconducteur, on préfère partir d'une .pastille ÏT+, comme il a été décrit ci-dessus, et faire croître épitaxia-lement la région de collecteur 1-20 à haute.résistivité sur 3e 5 substrat ET+ 18.La couche épitaxiale de silicium a,de préférence, une épaisseur de 6,35 microns et une résistivité..de 1,0 ohm-cm environ. La méthode de croissance épitaxiale est connue dans la technique et n'a pas besion d'être décrite ici. On fait pousser ensuite, thermiquement, une couche de dio-10 xyde de silicium ayant une épaisseur de 0,5 micron environ sur la totalité de surface supérieure 14 de la région de collecteur épitaxiale 20. La surface est .traitée avec un photorésist convenable, masquée et le photorésist est exposé et. développé de façon à laisser non protégés l'anneau périphérique externe P+ 26-15 et les régions en forme de coins 27. La pastille de silicium est ensuite traitée avec un agent corrosif pour enlever l'oxyde des aires non protégées. On place ensuite la pastille dans un four de diffusion et on la traite avec une impureté dopante de type P, par exemple du nitrure de bore, de façon à diffuser la région 20 P+ à conductivité élevée dans la partie non protégée de la surface supérieure 14 de la pastille.Lacouche d'oxyde.restante est ensuite enlevée de la surface du transistor et on fait pousser thermiquement une autre couche d'oxyde dans le four de diffusion. La profondeur de diffusion finale dépend de la gamme désirée du 25 fonctionnement en fréquence, pour un fonctionnement en très haute fréquence et en ultra-haute fréquence la profondeur est de préférence de 3.81 microns environ. Pour des fréquences de micro-ondes la profondeur de diffusion est de préférence de 1,27 micron environ. ... 30 On dépose une autre couche d'oxyde en traitant, la surface avec du silane gazeux en atmosphère oxydante. La seconde couche d'oxyde est traitée avec un photorésist convenable, masquée exposée et développée puis elle est attaquée de façon à laisser non protégée la totalité de l'anneau de base 24. Ainsi les lobes 35 de base oblongs ne sont plus protégés par. une couche d'oxyde et par le photorésist. On place à nouveau la pastille dans un four de diffusion et on la traite avec un dopant de type P, BAD ORIGINAL, 70 42751 7 208063f par exemple du nitrure de bore, de façon à diffuser les impuretés de type P, sous faible concentration, dans 1 'anneau de base 24. Etant donné que l'anneau à conductivité élevée 26 et les coins 27 ont été dopés antérieurement P+, 1' effet de la seconde 5 diffusion P dans cette partie est négligeable ; ainsi seuls les lobes oblongs , y compris les lobes 28 à ont une faible concentration d'impuretés de type P. la profondeur de cette diffusion P à faible concentration dans les lobes de base dépend également de la fréquence à" laquelle le dispositif doit fonctionner. Pour 10 les très hautes fréquences et les ultra-hautes fréquences il est préférable d'avoir une épaisseur de diffusion de 2,0 microns environ. Pour les fréquences de micro-ondes on préfère une épaisseur comprise entre 0,5 et 1,0 micron. la couche vitreuse de bore est formée au stade du dépôt de la 15 diffusion est enlevée et on fait pousser une couche d'oxyde thermique supplémentaire pendant le dernier stade de la diffusion. On applique une troisième couche de photorésist à la surface supérieure 14. On masque ensuite la surface avec un masque dont le dessin contient les sites d'émetteur et on expose et développe 20 le photorésist . On traite-ensuite la couche avec un agent corrosif convenable , laissant exposés les sites d'émetteur à la surface supérieure 14. On place ensuite la pastille dans un four de diffusion et on la traite avec une impureté dopante du type N, par exemple une solution de phosphore, de façon à diffuser une 25 région de type N dans chaque site d'émetteur sur une profondeur de 0,5 micron environ au dessous de la surface supérieure 14. Pendant 1 e processus de diffusion d'émetteur il se forme une fine couche de verre de phosphore sur les sites d'émetteur préalablement exposés. Pour exposer les sites d'émetteur on place la 30 pastille dans un agent corrosif oxydant pendant IQfeecondes environ.On applique une quatrième couche de photorésist à la surface supérieure 14. On masque ensuite la surface au moyen d'un masque dont le dessin comporte l'ouverture de contact de base 36 et on expose et dévëbppe le photorésist. On enlève ensuite la 35 • couche d'oxyde 13 puur exposer l'anneau périphérique externe P+ 26 dans l'ouverture 36. Ensuite on dépose une pellicule d'aluminium ayant une épaisseur de 2 microns environ , par des procédés connus^ ^ ORIGINAL 70 42751 8 208063? sur les parties exposées de la surface supérieure de la pastille et sur la couche d'oxyde restante 13- On traite ensuite la métalisation avec le photorésist, on la masque, on l'expose et-la développe de façon à laisser du métal dans des régions d'émetteur, 5 l'anneau de contact de base 44,tes patins de liaison de base 46 et 48 et le contact d'émetteur 37. On attaque ensuite la surface de façon à enlever toutes les autres aires de métallisation. Un transistor réalisé selon le processus décrit ci-dessus présente les avantages suivants. En premier lieu la géométrie 1 g émetteur - base du transistor assure un rapport numérique excellent entre la périphérie d'émetteur et l'aire de base. En second lieu le transistor présente une excellente uniformité d'Injection de courant le long de la jonction émetteur-base, la façon selon laquelle l'uniformité d'injection de courant est améliorée sera décrite 15 en se référant à la figure 3? qui est une vue en perspective d'une portion 60 en forme de coin du transistor , la partie interne de la couche d'oxyde 13 et le contact d'émetteur 37 étani/enlevés A la figure 3, deux des lobes de base de type P à résistivité élevée 61 et 62 sont séparés par une région P-f- 64 à conductivité 20 élevée en forme de coin. La région en forme de coin 64 constitue un conducteur du courant de base depuis 1'-.anneau de contact de base 44 et le long de la périphérie des lobes de base oblongs 61 et 62. L'uniformité d'injection de courant est améliorée le long de la jonction d'émetteur-base car la région P+ 64 à' conductivité élevée 25 assure une résistance plus faible (une section transversale plus grande) dans l'aire de courant élevé 66 voisine du contact de base 44 et une résistance plus élevée (section transversale plus faible) dans l'aire de courant faible 68 éloignéedu contact de base 44* Ainsi la chute de tension à la périphérie radiale des lobes de jO base oblongs 61 et 62 est plus linéaire qu'il n'était possible antérieurement. On a constaté par exemple qu'un courant double environ est injecté dans l'aire d'e courant faible 68 utilisant la région P+ en forme de coin au lieu d'une grille rectangulaire ayant la largeur requise pour obtenir le même rapport entre la périphérie 35 d'émetteur et l'aire de base. EXEMPLE II Un autre avantage du transistor est la facilité avec laquelle BAD ORIGINAL 70 k2751 9 2080639 il peut être utilisé dans un dispositif à cellules multiples. On peut utiliser des dispositifs à cellules multiples parallèles lorsqu'une puissance accrue est requise. La figure 4 montre un transistor à cellules multiples 80 utilisant quatre unités parallèles 82 à 85 selon le mode de réalisation préférentiel. Les lignes en pointillés 91 à 93 sur l'unité 82 représentent les connexions d'émetteur et de base qui seront décrites ci-après. Le transistor à quatre cellules 80 peut être fabriqué en utilisant les phases de masquage décrites précédemment et les techniques de répétition photograplriique bien connues dans la technique . On réalise une connexion en parallèle du contact de base en faisant chevaucher les patins de liaison de base 87 à 89. Le fait de placer la métallisation de contact d'émetteur au centre du transistor assure une excellente dissipation de chaleur et permet une diminution appréciable de l'inductance de conducteur parasite par rapport aux doigts de contact d'émetteurs rectangulaires classiques utilisés dans les dispositifs de l'art antérieur . On voit sur la figure 4 qu'un conducteur d'émetteur 92 (représenté en pointillés) est lié au contact d'émetteur 86 de l'unité 82. Le conducteur 92 est constitué, de préférence , par un fil d'aluminium ayant un diamètre de 25 microns environ . La métallisation d'émetteur 86 a un diamètre de 63>5 microns environ lorsqu'elle est fabriquée selon le mode de"réalisEtion préférentiel. Par conséquent lorsque le conducteur d'émetteur 92 est lié au contact d'émetteur 86, ledit conducteur 92 recouvre environ 40 On réalise une connexion de conducteur de base convenable avec les patins de liaison de base au moyen d'un fil d'aluminium identique de 25 microns • On voit sur la figure 4 que deux conducteurs de base 91 et 93 (représentés en pointillé^ sont représentés comme étant liés aucpatins de liaison 90 et 87 respectivement. De plus les connexions conductrices décrites ci-dessus sont compatibles avec les techniques d'assemblage existantes de lignes coaxiales et de lignes de bande . Le transistor peut être utilisé également dans un assemblage à plaquette inversée c'est à dire avec l'émetteur en bas. De plus BAD ORIGINAL 70 42751 10 208063? on peut réaliser l'isolation émetteur-base dans un montage à plaquette inversée en augmentant l'épaisseur de la métallisation d'émetteur et en positionnant les contacte^'émetteur et de "base à deux niveaux différents. Bien que l'on ait décrit ci-dessus un 5 dispositif du type UPN on peut réaliser également un dispositif du type PNP. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les 10 moyens constituant des équivalents tehcniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées elon l'esprit de l'invention. BAD ORIGINAL 70 42753 208063? R E 7 E I D I C A T ! 0 I S 1. Dispositif semiconducteur comportant un corps semiconducteur cristallin.ayant une surface principale présentant une partie centrale, caractérisé en ce qu'il comporte, dans ledit corps, une 5 région de collecteur d'un premier type de conductivité ayant un moyeu ou analogue incluant la partie centrale de la surface, une région de base annulaire ayant un second type de conductivité et disposée au voisinage de la région de collecteur précitée et autour dudit moyeu, une pluralité de régions d'émetteur rectangulaires 10 ayant le premier type de conductivité et disposées radialement dans ladite région de base annulaire et des moyens pour réaliser un contact ohmique avec la région de collecteur, la région de base et les régions d'émetteur précitées. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce 15 que la région de base annulaire comporte une pluralité de lobes oblongs, ayant une résistivité relativement élevée, disposés radiaietnent autour du moyeu ou analogue de la. région de collecteur précitée, chacune des régions démetteur étant disposée dans chacun desdits lobes et une région de conductivité relativement élevée 20 comprenant un anneau périphérique externe et une pluralité de régionsen forme de coins allant en convergeant en direction du moyeu précité et disposées entre les lobes oblongs précités. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens pour réaliser le contact ohmique avec la région 25 de base comportent un anneau métallique disposé sur l'anneau périphérique externe et une paire de patins de liaisons opposés, contigus à la périphérie externe dudit anneau métallique 4- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens gotrc réaliser le contact ohmique avec les régions 0 dr émetteur compcrleriL une couche isolante disposée sur la surface précitée et- munie d'une pluralité d'ouvertures chacune de ces ouvertures exposant une partie de la surface en une région d'émetteur et une pellicule métallique disposée sur ladite couche • et assurant un contact ohmique avec lesdites régions d'émetteur, 35 au travers des ouvertures. 5. Dispositif semiconducteur du type comportant un corps BAD ORIGINAL. 70 42751 12 208063? semiconducteur cristallin ayant une surface principale présentant une partie centrale,une pluralité de régions d'émetteur ayant ur premier type de conductivité, tme région de collecteur ayant le premier type de conductivité, une région de base ayant un second 5 type de conductivité et des moyens pour assurer un contact ohmique avec ladites régions à1 émetteur,ladite région de collecteur et ladite région de base, caractérisé en ce que la région de collecteur comporte un moyeu ou analogue incluant la partie centra.le de ladite surface, en ce que la région de base est de forme 10 annulaire et est disposée au voisinage de la région de collecteur, autour du moyeu, ladite région de base comportant une pluralité de lobes oblongs, de résistivité élevée, disposés radialement autour du moyeu et une région de conductivité élevée comportant un anneau périphérique externe et une pluralité de 15 régions en forme de coins allant en convergeant vers le moyeu et disposées entre les lobes oblongs précités et en ce quîil comporte ■une pluralité de régions d'émetteur ayant le premier type de conductivité et disposées au centre de chacun des lobes oblongs précités. 20 6. Dispositif selon la revendication 55caractérisé en ce que les lobes précités sont disposés de 0,5 à 2,0 microns au dessous de ladite surface. 7. Dispositif selon la revendication 5,caractérisé en ce que la région de base précitée est disposée de 1,27 à 3?8 microns 25 au-dessous de la surface précitée. 8. Dispositif selon la revendications,caractérisé en ce que les moyens assurant -un contact ohmique avec la région d'émetteur comporte une couche isolante disposée sur la surface précitée et munie d'une pluralité d' ouvertures,chacune de ces ouvertures e:xpo- 30 sant une partie de la surface d'une région d'émetteur et une pellicule métallique disposée sur ladite couche,ladite pellicule assurant le contact ohmique avec lesdites régions d'émetteurs au travers desdites ouvertures g.Dispositif selon la revendication 5 ? caractérisé en ce qie les 35 moyens assurant le contact ohmique avec la région de base précitée sont constitués par un anneau métallique disposé sur l'anneau périphérique externe de la région de base à haute conductivité et par une paire de patins de laison contigus , . bad original 70 42751 13 2080639 à la périphérie externe dudit anneau métallique. 10. Transistor du type comportant un corps semiconducteur cristallin ayant une surface principale sur une partie de laquelle est disposée une couchs isolante, une région de collecteur d'un 5 premier type de conductivité, une pluralité de régionsde "base annulaires ayant un second type de conductivité et. disposées au voisinage de ladite région de collecteur, une pluralité de régions d'émetteur ayant un premier type de conductivité et des moyens pour assurer un contact ohmique mec ladite région de collecteur 10 lesdites régions d'émetteur et lesdites régions de base , caractérisé en ce que la région de collecteur précitée comporte une pluralité de moyeux ou analogues disposés sur la surface précitée et . espacés les uns des autres d'une distance prédéterminée , en ce que chacune des régions de base annulairœ est disposée autour 15 de l'un desdits moyeux et comporte une pluralité de lobes oblongs à résistMté élevée, disposés radialement autour de chaque moyeu et en ce qu'il comporte une région de conductivité élevée comprenant un anneau périphérique externe et une pluralité de régions en forme de/îoins allant en convergeant vers le moyeu 20 précité et disposées entre les lobes oblongs, chaque région d'émetteur étant diposée dans chacun desdits lobes, au centre de ce dernier.