Brevet FR2076117A1 — publié le 19711015

La présente invention concerne la croissance de couches êpiraxia? sur la substrat semiconducteur et plus particulièrement un procédé pour obtenir un gradisnt d*impûreté marqué à l'interface couohp 3pitaxisle-substrat et pour éviter la dissémination des dopants du substrat dans le couche épitaxiale. 5 Le terme "couche épite*4 aïs" bien connu des spécialistes de l'art, impli que une continuation de ""j structure du réseau d'un substrat. cristallin dans un matériau déposé. On obtient la croissance épitaxiale à l'aide de nombreux procédés, un des plus courants étant le dépBt épitaxial par vapeur chimiaue. Dans le dép6t 10 chimique épitaxial en phase vapeur, les réactifs sont transférés ou transportés sous forme vapeur sur la surface d'un substrat monocristallin. Deux types principaux de procédés chimiqaes de croissance épitaxiale en phase vapeur sont connus, c'est-à-dire, les procédés de disproportionnation et les procédés de décomposition chimique ou de réduction. 15 Ces opérations sont bien connues dans l'art des semiconducteurs, et on devra se référer à l'article de J. Sigler et S.B. Watelski ayant pour titre "Epitaxial Techniques in Semi-Conductor Devices" d'âges 33 à 37 de la publication de Mars 1961 du Solid State Journal, au IBM Journal of Research and Development, Juillet 1950, et à la RCA Rsview, Décembre 19B3, 20 Fondamentalement, cependant, dans la croissance épitaxiale en phase vapeur utilisant une réaction de disproportionnation, un matériau qui est un constituant semiconducteur est composé avec un élément ou matériau d'entraînement à une température dans le système de dépBt. et est relâché ou disproportionné du matériau d'entraînement à une autre température sur le substrat, 25 qui caractéristiquement est monocristallin. Dans les procédés de décomposition chimique, un composé dont le semiconducteur est un constituant est décomposé par la chaleur à proximité du substrat, et les constituants des molécules semiconductrices croissent épitaxialement sur le substrat. Dans les procédés de disproportionnation, les composés chimiques 30 sont réduits aux molécules semiconductrices sur la surface du substrat et croissent sur le substrat. Des deux procédés ci-dessus, la croissance épitaxiale par dépôt pyroliti-que se produit caractéristiquement à des températures élevées, par exemple, au-dessus de 1200°C pour le dépôt épitaxial de silicium sur un substrat de 35 silicium. Habituellement, puisaue l'on utilise le dépôt épitaxial pour former diverses couches dans la fabrication de circuits intégrés at des dispositifs similaires, une couche épitaxiale ayant une concentration d'impOreté plutôt faible est déposée sur un substrat ayant des niveaux de concentration d'impû-40 reté très élevés. Puisque la croissance épitaxiale utilise une décomposition 70 45282 2 2076117 chimique qui s'effectue à température élevée» la rétrodiffusion des impûretés dans la couche épitaxiale se produit, aboutissant à un faible gradient à l'interface substrat-couche épitaxiale. Bien qu'un fait caractéristique de formation de couche épitaxiale soit de déposer en phase vapeur une couche ayant la m8me structure de réseau et configuration géométrique que le substrat, 5 il est souvent indésirable que la rétrodiffusion dss impQretés du substrat se produisse dans la couche épitaxiale. Cela est particulièrement important lorsqu'une concentration de dopant élevée d'un type de conduction, par exemple, de type N, sa trouve dans des régions localisées où île d'un substrat de type de conduction opposé, par exemple, de type P. La dissémination du dopant 10 des régions localisées dans la couche épitaxiale doit être limitée dans la direction verticale vers la surface. La quantité de dissimination est déterminée par les conditions de dépôt.Dans la pratique de dépflt classique, use certaine dissimination de dopant dans la direction latérale a aussi lieu, et est très indésirable. Lorsqu'une tella dissémination latérale est suffisamment 15 importante, 1s dopant de type N des régions voisines à concentration élevée passera par dessus et formera ainsi des trajets de type N connectant toutes les îles de type N. Dans certains cas, des îles de dopant de concentration élevée des deux types N et P se trouvent dans le substrat. Dans las conditions de dépflt épitaxial classique» la dissémination latérale des deux dopants 20 N et P peut se produire, et la couche épitaxiale résultante devient inutilisable pour la fabrication de dispositifs. Cela est dû au fait que la concentration du dopant dans la couche épitaxiale a augmenté, et probablement d'une façon inégale,, Evidemment, il est impossible de déterminer, sans effectuer les expériences importantes, la quantité de dopant qui rétrodiffusera dans 25 la couche épitaxiale, ce qui rend l'uniformité de production tris difficile à obtenir. On trouve dans l'art antérieur certaines solutions pour résoudre le problême de rétrodiffusion des matériaux dopants dans uns couche épitaxiale durant le dépôt pyrolitique. Par exemple, le brevet américain n° 3 189 494 30 décrit un procédé de croissance épitaxiale sù l'on forme une couche épitaxiale à une température- initialement élevée» suivis par le dépfit à une température relativement plus faible. On pense que la tsmsêrature élevée est nécessaire pour obtenir une bonns extension du réseau cristallin de la couche de base dans la couche épitaxiale. La température de diffusion faible ultérieurs 25 est utilisée pour éviter la rétrodiffusion, Cs procédé "élevée/faible" CdépSt à teffipsratui'a initiale élevée suivi par dépôt à température faible} est désirable peur las couches épitaxiales relativement épaisses sur des substrats uniformément dopés» L'art antérieur propose aussi la formatien d'une coushe épitaxiale très 40 70 45282 3 2076117 mincB initialB ayant une concentration d'impûreté faible, et le dépfit subséquent d'une couche épitaxiale très dopée sur cette couche épitaxiale initiale très mince. Cependant, chacun des procédés ci-dessus de l'art antérieur présentent 5 des désavantages. Le premier procédé décrit dépose encore une couche épitaxiale initiale à température très élevée et elle sera sujette à la rétrodiffusion. He second procédé décrit repose fondamentalement sur la concentration d'impureté faible de la couche épitaxiale initiais pour "absorber" les impûretés du substrat durant la rétrodiffusion, ce qui augmente encore de façon impor-10 tante la concentration d'impûreté de cette couche épitaxiale initiale. Les deux procédés n'apportent aucun remède à la dissémination latérale. La présente invention permet d'obtenir une couche épitaxiale de qualité élevée sans les désavantages des procédés ci-dessus. □n maintient un gradient d'impûreté marqué entre l'interface d'une pastil-15 le de base et une couche épitaxiale obtenue par croissance au-dessus en déposant initialement une couche épitaxiale mince à une température faible et en terminant ultérieurement le dépflt initial à une température plus élevée, ce qui donne une seconde couche épitaxiale de qualité élevée. La couche épitaxiale initiale déposée mince à température faible évite complètement 20 la rétrodifusion du substrat de telle sorte que lors du dépfit épitaxial ultérieur à température élevée, l'on forme une couche épitaxiale de qualité élevée sujette à aucune rétrodiffusion des impûretés de dopant du substrat. La présente invention concerne fondamentalement la formation d'une couche épitaxiale initiale à température relativement faible pour Stre utilisée 25 comme "barrière" et éviter la rétrodiffusion. Puisque la diffusion de la plupart des matériaux diminue exponentiellement avec l'abaissement des températures, on peut former cette "barrière" dans les conditions de rétrodiffusion minimum. Après la formation de cette "barrière", une zone épitaxiale à température élevée ultérieure peut être formée sans rétrodiffusion des matériaux 30 dopant dans la couche épitaxiale formée à température élevée. Le but de cette invention est d'apporter un procédé de dépôt de couche épitaxiale sur des substrats ayant des îlots de concentration élevée soit de type N ou P ou des deux types. La dissémination de dopant dans la direction verticale vers la surface est commandés et réduite, et n'existe pratiquement 35 pas dans la direction latérale. Ainsi, un objet de la présents invention est de réaliser un procédé de dépfit épitaxial amélioré. Un autre objet de la présente invention est de réaliser un procédé de dépfit épitaxial où l'on évite la diffusion latérale dans les couches épitaxia-40 les. 70 45282 4 2076117 D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit, qui représente des modes de réalisation préférés de celle-ci. Un gradient marqué de dopant à l'interface couche épitaxiale-substrat 5 est nécessaire pour les circuits intégrés à vitesse élevée. La présente invention trouve une application dans presque tous les cas où la rétrodiffusion d'impOreté de dopant à partir d'un substrat dans une couche épitaxiale est rencontrée. Par exemple, la présente invention trouvera une application particulière dans tout dispositif avec une couche épitaxiale peu profonde ayant 10 un sous collecteur enterré. Evidemment, les impûretés du sous collecteur enterré auront tendance à rétrodiffuser dans la couche épitaxiale par diffusion à l'état solide» La présente invention résoud ce problème. L'un des avantages les plus significatifs qu'apporte la présente invention est qu'elle surmonte complètement les problèmes de rétrodiffusion dans 15 la couche épitaxiale. Fondamentalement, la rétrodiffusion de dopant à partir d'une zone semiconductrice est une fonction de la température, de la durée de la diffusion, et des espèces de dopant et des espèces de semiconducteurs. Pour réduire la rétrodiffusion, il est nécessaire de réaliser une ou plusieurs des fonctions suivantes: abaisser la température, réduire le temps de chauffage, 20 ou augmenter la vitesse de dépflt afin de recouvrir l'impûrsté sous-jacente qui se diffuse vers le haut. Cependant, s'opposant directement à ces fonctions existent le fait que la qualité de la couche épitaxiale est une fonction de la température, une tempéature élevée étant donc préférée, et de la vitesse de dépflt, des vitesses de dépflt inférieures étant préférées. Un autre paramè-25 tre qui affecte la qualité de la couche épitaxiale est la nature des espèces gazeuses utilisées, par exemple, SiH^ peut être utilisé à une température inférieure à SiCl^. En considérant tous les facteurs ci-dessus, pour obtenir des couches épitaxiales de bonne qualité et pour réduire la rétrodiffusion, on peut voir 30 facilement que le procédé température faible/température élevée de la présente invention représente la corrélation maximale possible des facteurs incompatibles décrits ci-dessus. La présente invention apporte en outre le plus grand avantage en limitant la diffusion latérale rencontrée durant la croissance épitaxiale. On pense 35 que cette diffusion latérale est due à la rétroduffision des impûretés à partir de la surface de la pastille, les impûretés se déplaçant à l'extérieur dans une couche frontière mince de la surface d'air et étant ultérieurement recouverte par le dépflt épitaxial. Cela abouti à une extension latérale de la diffusion. 40 Dans les dispositifs à vitesse élevée, la fréquence du dispositif est 70 45282 5 2076117 inversement proportionnelle à &a résistance et à sa capacité. On peut diminuer la résistance en utilisant ur, gradient d'impûreté marqué entre la région sous collecteur et collecteur du dispositif. Un tel gradient d'impûreté marqué peut Stre obtenu car il permet en plus la réalisation d'une diffusion d'iso-5 lement P+ dans la pastille rie basa avec la diffusion sous collecteur ultérieurement recouverte par la ouche épitaxiale. L'isolement P+ diffuse vers le haut et peut Stre terminé en réalisant une diffusion P+ à partir de la rurface en même temps que la réalisation de la diffusion base. Cela élimine le besoin d'une diffusion d'isolement P+ classique réalisée à partir de la surface. De fa-10 con caractéristique de telles diffusions d'isolement P+ sont effectuées à uns température relativement élevée afin "d'atteindre" la couche épitaxiale. Une telle diffusion d'isolement P+ à température élevée entraînerait une rétrodiffusion significative du sous collecteur, ce qui diminue le gradient d'impûreté. 15 Dana une forme de la présente invention, on fait croître uns couche épitaxiale initiale à température faible sur un substrat contenant (en général) une concentration de dopant plutôt élevée. A cette température faible de croissance, la rétrodiffusion du substrat est relativement faible. On fait croître cette première couche épitaxiale à température faible a une épaisseur 20 suffisante pour éviter la rétrodiffusion du substrat aux températures plus élevées. Aussitôt que cette épaisseur, qui changera selon la concentration de dopant, le matériau épitaxial déposé, la température du dépôt ultérieur, etc.. est formé, le dépôt épitaxial est alors effectué à une température supérieure pour donner une couche épitaxiale de qualité élevéB complètement 25 libre de toute rétrodiffusion de dopant provenant du substrat. Il est surprenant qu'une couche épitaxiale de qualité élevée puisse Être obtenue sur la coucha épitaxiale "température faible" car on pense dans l'art antérieur qu'un dépôt épitaxial à température élevée est initialement nécessaire pour la nucléation des premières couches monocristallines. Il a été 30 trouvé que cela n'est pas le cas, et que des couches épitaxiales dB qualité élevée peuvent Btre obtenues en déposant initialement une couche épitaxiale barrière de rétro-ddifusion à température faible suivie par une couche épitaxiale de qualité élevée à température élevée. La présente invention s'applique à tous les matériaux épitaxiaux qui 35 peuvent Stre obtenus par croissance. Par exemple, le silicium et le germanium, les composés semiconducteurs III-V et les semiconducteurs II—VI peuvent Ôtre tous obtenus par croissance selon la présente invention et en avoir les avantages. Puisque les techniques de croisscance épitaxiale sont bien connues du 40 spécialiste de l'art, et que les modifications nécessaires pour déposer t 70 45282 2076117 différents types de matériau seront facilement comprises, la description suivante concerne la croissance de silicium monocristallin épitaxial sur un substrat de silicium# Dans la discussion suivante, on décrira la procédé comme procédé "faible/ 5 élevé". Cela est une forme abrégée pour "dépfit épitaxial à température faible" suivi par le dépôt épitaxial à température élevée" de la présente invention. Il est évidemment essentiel qu'une différence de température soit maintenue entre les deux dépôts de couches épitaxiales séparées. La température du dépôt épitaxial inférieure sera évidemment déterminée par la vitesse de 10 diffusion du dopant dans le substrat. En régie générale, dans des limites de fonctionnement, plus est élevée la température de dépôt épitaxial, plus est élevée la qualité de la couche épitaxiale. En conséquence, on souhaitera utiliser une température de dépôt épitaxiale aussi élevée que possible pour le dépôt à température "faibls", compatible avec-le but d'éviter la rétroduf-15 fusion. En d'autres termes, le paramètre à considérer avec le plus d'importance dans le dépôt épitaxial à température faible est de réduire la rétrodiffusion. Avec le silicium, le dépôt épitaxial à température faible aura en général lieu à des température comprises entre 800 et 1100° en utilisant la réduction par l^hydrogène d*un halogènure de silicium où la décomposition du silane. 20 Le dépôt à température élevée, naturellement, se produira après la fin du dépôt è température faible. Comme on l'a dit jusqu'à présent, il n'est nécessaire de déposer la couche épitaxiale à température faible qu'avec une épaisseur suffisante pour éviter la rétrodiffusion aux conditions de dépôt épitaxial à température élevée. D'une façoa caractéristique l'épaisseur de 25 la couche épitaxiale à température faible pour le silicium sera de l'ordre de 0,1 à 0,2 microns» bien que l'on puisse obtenir des épaisseurs plus importantes. L@ dépôt épitaxial à température élevée peut être effectué à toute température elassiqua de l'art pour la croissance des couches épitaxiales de qualité élevée pour le silicium. Ces températures se trouvant dans le 3Q domaine de 1200 à 1300°C. Un autre aspect de la présente invention mérite une attention spéciale, on a trouvé que ce que l'art antérieur aurait considéré comme une couche de croissance épitaxiale de qualité médiocra, c'est-à-dire, la couche épitaxiale à faible température, peut être formée et ne pas empêcher la continuation 35 de la structure du réseau du substrat dans la couche épitaxiale de qualité élevée, à température éleyée. Par exemple, des températures de 1000°C et mimes inférieures peuvent être utilisées dans la présente invention. Avec le système du silicium, à cette température, la rétrodiffusion de tous les dopants du substrat est réduite. En conséquence, on forma la barrière et on fait croître 40 la couche épitaxiale de silicium à température élevée. Naturellement, on 70 45282 7 2076117 peut utiliser des températures allant jusqu'à 1050 au 1100°C pour cette croissance initiale épitaxiale "faible"". Il est évident que plus est grande la différence de température entre les croissances épitaxiales à température faible et élevée, pour les mSmes 5 températures élevées, par exemple à 1200°C, plus est grande la réduction de la rétrodiffusion en régie générale. Il est seulement nécessaire d'utiliser un8 première température de croissance épitaxiale suffisamment élevée pour permettre l'obtention d'une couche épitaxiale suffisante pour éviter la rétrodiffusion. Alors que pour la tem-10 pérature utilisée dans le seconde dépfit épitaxial, il est seulement nécessaire qu'elle soit suffisamment élevée pour permettre la formation d'une couche épitaxiale de qualité désirée. Les températures spécifiques discutées ci-dessus ne doivent pas Stre considérées comme limitant la présente invention, car une étude des problèmes résolus et des moyens de résolutions du problème 15 rendra évident qu'une certaine variation de température est possible dans la présente invention est que l'on ne peut fixer des limites critiques. On donne les exemples suivants pour illustrer l'invention avec plus de détails. EXEMPLE _I 20 Dans ce premier exemple, la réduction par l'hydrogène du tétrachlorure de silicium est utilisée. L'appareil utilisé pour réaliser le dépfit épitaxial est formé d'une chambre de quartz entourée par une bobine de chauffage par induction à fréquence radio (RF]. La chambre contient un suscepteur graphite sur un support de quartz pour maintenir la pastille de silicium qui doit 25 Stre soumise à la croissance épitaxiale. Cette pastille de silicium a été diffusée avec de l'arsenic dans des régions localisées pour.former des îlots avec un dopage de surface avec un taux de concentration d'impûreté Co de 21 3 1 x 10 atomes/cm . Naturellement, le substrat diffusé peut Stre tout type de dispositif, tels que des transistors NPN qui sont des dispositifs actifs 30 de circuit intégrés. Le silicium dopé, décrit ci-dessus, supporté sur le suscepteur de graphite, est soumis au chauffage RF de façon classique pour élever sa température à 1050°C. Le gaz d'entraînement utilisé dans le procédé présent est de l'hydrogène. On peut l'obtenir à l'aide de toute source convenable d'hydrogène 35 sous pression appropriée. De façon caractéristique, on laisse s'écouler l'hydrogène à travers une unité purificatrice de palladium—argent qui élimine l'oxygène et les autres impûretés gazeuses présentes dans l'hydrogène. Ainsi, le l'hydrogène utilisé est très pur pour éviter l'introduction de toute impû-reté extérieure dans le système. 40 II n'est pas besoin de dire que l'on peut faire croître épitaxialement 70 45282 8 2076117 du silicium épitaxial de type, soit N soit P sur la pastille en y ajoutant des composés dopants appropriés, tels que, respectivement la phosphine ou du diborane. Si aucun dopant extérieur n'est ajouté dans le réacteur, dans la couche obtenue par croissance épitaxiale, on peut obtenir la croissance 5 d'un silicium intrinsèque. La pastille de silicium de la présente invention a une résistivité initiale de 20 ohms/cm. La pastille a un diamètre de 31,75mm, mais cela n'est pas une valeur critique et dépend du dispositif, etc... que l'on forme. La concentration de dopant d8S îlots diffusés n'a aussi aucune importance et 10 tout état standard de concentration de l'art peut Stre utilisé, c'est-à- 17 3 21 3 dire, de 1 x 10 atomes/cm jusqu'à 1,5 x 10 atomes/cm . On doit remarquer qu'à des concentrations de dopant plus élevées, l'application de la présente invention sera encore plus appropriée puisque la rétrodiffusion de dopant sera plus importante. 15 Dans la présente invention, avant de considérer le critère de température, les débits d'écoulement du SiCl dans les dépfits épitaxiaux à température 3 3 faible et élevée sont, respectivement, 13cm par minute et 30 cm par minute et le débit d'hydrogène, qui est le mime pour le dépfit à température faible et élevée est de 10,6 litre/minute. Le temps de dépfit est de 1 minute et 20 2 minutes 3/4. En ce qui concerne maintenant le dépfit épitaxial à température faible, on maintient le substrat à une température de 1050°C. On effectue le dépfit durant une minute et le film résultant a une épaisseur approximative de 0,2 micron. Suivant immédiatement ce dépflt à température faible, on élève la 25 température du substrat à 1210°C, et l'on réalise le dépfit épitaxial à tempé-rature élevée dans les conditions décrites précédemment durant un temps de 2 minutes 3/4 pour obtenir une couche épitaxiale finale de 1,85 micron d'épaisseur. La couche épitaxiale composite finale, c'est-à-dire, les couches épitaxiales 30 faible et élevée, considérées ensemble, .ne peuvent pas Stre différentiées. 14 La dissimination latérale du dopant doit Stre inférieure à 7 x 10 atomes 3 d'arsenic par cm car le substrat de type P à 20 ohms/cm n'a pas été converti en type N après le dépôt épitaxial. On a alors effectué un8 série d'essais en utilisant la technique faible/ 35 élevée représentée dans l'exemple I. On dépose des couches épitaxiales à 3 différentes températures. Les débits d'écoulement de SiCl^ sont de 38cm par minute pour les dépfits épitaxiaux à 1210°C, 1180°C, et 1150°C, et de 15 cm par minute pour les dépfits épitaxiaux à 1100°C. On peut exprimer la brutalité du gradient de dopant pour les diverses couches épitaxiales par 40 l'épaisseur de la couche épitaxiale entre deux niveaux de concentration dus 70 45282 9 2076117 à rétrodiffusion verticale des ions arsenic enterrés seulement. La table suivante donne l'épaisseur épitaxiale entre des films épitaxiaux ayant une "19 *16 3 concentration de 1 x 10 et 1 x 10 atomes/cm , ces films étant déposés à des températures différentes. 5 TABLE I Numéros d'essais Température Epitaxiale °C Epaisseur Epitaxiale entre 1x1019 - 1x10 /cm 1 1210 2,15 2 1180 1,5 3 1150 0,75 4 1100 0,5 5 1100 puis 1180 0,6 A partir de la table ci-dessus, il est clair quB le dernier essai, où 1Q 15 procédé de dépôt épitaxial à température faible/élevée de la présente invention a été utilisé, présente un gradient légèrement plus grand que celui du dépfit épitaxial effectué à une température de 1100°C. L'essai température faible, température élevée de la présente invention donne une épitaxie de qualité très élevée avec un gradient de dopant très marqué. 20 Ainsi, en utilisant le procédé de la présente invention, des concentrations d'impQretés d'approximativement 5 ordres de puissance peuvent Stre obtenues dans un demi-micron de l'interface couche épitaxiale-substrat. Bien que les exemples ci-dessus concernent la réduction par l'hydrogène d'halogènure de silicium, on peut aussi utiliser la décomposition du silane. 25 Comme intervalle général et le plus préféré, le dépfit initial se produit à une température de l'ordre de 900°C à 1000°C et les dépfits ultérieurs se produisent aux températures élevées de l'art, c'est-à-dire, des températures supérieures à 1050°C. Du fait que la diffusion du dopant est faible à la température faible initiale, il n'y a aucune rétrodiffusion significative 30 à l'étape initiale de l'opération de dépfit épitaxial. Evidemment-, diverses températures seront concernées pour divers dopants dans les matériaux semiconducteurs différents, chaque série de température étant caractéristique des matériaux particuliers considérés. Cependant, la technique utilisée est la même, cela signifie, une couche épitaxiale initiale 35 à température relativement faible est formée suivie par le dépfit d'une couche épitaxiale finale à température élevée pour donner un gradient marqué, éviter la dissimination latérale, et obtenir un film épitaxial de qualité élevée. En général, on préfère que la température faible et la température élevée 70 45282 10 2076117 diffèrent d'au moins de 50°C. A partir de la discussion précédente, il est évident que l'on peut utiliser seit du silane, soit du tétrachlorure de silicium pour déposer les couches épitaxiales..Avec une vitesse de dépfit faible, on peut déposer le silane 5 à une température comprise entre 900 et 105Q°C, et le tétrachlorure de silicium peut être déposé à une température comprise entre 1000 et 1100°C. En outre, comme cela est apparent à partir de l'invention, il est évident que les couches épitaxiales peuvent contenir divers matériaux de dopage, qui sont déposés avec la couche épitaxiale ou introduits ultérieurement en 10 utilisant l'une des techniques bien connues de l'art. Cet aspect particulier ne fait pas partie de la présente invention» Bien que l'on ait décrit dans ce qui précéda les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-çi, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications 15 de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. 70 45282 11 2076117 REVENDICATIONS 1.- Procédé pour éviter la rétrodiffusion des impûretés dans un substrat durant le dépflt épitaxial caractérisé en ce qu'il comprend: le dépflt d'une première couche épitaxiale à uns première température, 5 cette première température étant telle que la rétroduffusion des impûretés dans le substrat soit réduite; et le dépflt ultérieur épitaxial d'une seconde couche épitaxiale à une seconde température plus élevée que la première température, de sorte que la rétrodiffusion des impûretés du substrat dans cette seconde couche épitaxiale est empêchée par la première couche épitaxiale 10 déposée à la température inférieure. 2.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le matériau que l'on dépose épitaxialement est du silicium. 3.- Procédé selon la revendication 2 caractérisé en ce que la première température est comprise entre 900® e$ 1100°C. 15 4.- Procédé selon la revendication 2 caractérisé en ce que la seconde température est comprise entre 1100° et 1300°C. 5.- Procédé selon la revendication 1, 2 ou 3 caractérisé en ce que la première couche épitaxiale a une épaisseur comprise entre environ 0,1 et 0,2 micron. 20 6.- Procédé selon la revendication 1, 2, 3, 4 ou 5 caractérisé en ce que le dépflt épitaxial est effectué par la réduction par l'hydrogène d'un halogènure de silicium. 7.- Procédé selon la revendication 1, 2, 3, 4 ou 5 caractérisé en ce que le dépflt épitaxial a lieu par la décomposition du silane. 25 S.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le substrat comprend des îlots diffusés de concentration élevée de dopant de type N ou P ou des deux types par rapport à la concentration de dopant de fond et où la température et le temps àe chauffage sont choisis pour réduire la rétrodiffusion du dopant de telle sorte que la dissémination latérale à l'extérieur des îlots 30 de la surface du substrat ne dépasse pas la concentration du dopant de fond du substrat. 70 45282 12 2076117 9.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que ladite première température et ladite seconde température diffèrent d'au moins 50°C. 10.- Dispositif semiconducteur, comprenant un substrat semiconducteur caractérisé en ce qu'on dépose sur ce substrat: a. une première couche épitaxiale à une température initiale relativement basset et b. une seconde couche épitaxiale déposée sur la première couche épitaxiale, cette seconde couche épitaxiale étant déposée à une température supérieure à celle du dépfit de la première couche épitaxialB.