Brevet FR2056959A1 — publié le 19710507

>0 22199 1 2056959 La présents invention concerne des circuits semiconducteurs pour signaux binaires. Le présent circuit est bien adapté à la réalisation des fonctions logiques. De tels circuits sont généralement utilisés dans la technique des traitements des données. 5 Des circuits logiques pour des signaux binaires doivent fonctionner ra pidement* Stre fiables et peu coûteux à la fabrication. Le développement de la technique des dernières années a apporté des améliorations importantes dans ce domaine, en premier par l'introduction des éléments semiconducteurs et ensuite par l'intégration de plus d'un élément actif dans un dispositif 10 semiconducteur particulier. Parmi les différents éléments semiconducteurs disponibles, on utilise principalement le transistor bipolaire. On a utilisé aussi récemment les transistors à effet de champ, particulièrement ceux équipés d'une électrode de porte Isolée. Ces transistors sont connus pour Stre sûrs et plutôt bon marché. Ils ne pouvaient, cependant, prévaloir jusqu'à 15 maintenant que si la vitesse de commutation exigée n'est pas extrêmement élevée.Dans la littérature, on remarque que l'on réserve la gamme de fréquence au-dessus de 1 Ghz seulement aux transistors bipolaires. Récemment, cependant, on a proposé des transistors à effet de champ, qui peuvent fonctionner à des fréquences beaucoup plus élevées, on pourra à ce sujet se référer au brevet 20 français n° B920455 déposé le 19 Juin 1969 par la demanderesse et au brevet français 6920431 déposé le 19 Juin 1969 par la demanderesse. Bien qu'il apparaisse évident d'utiliser dans des configurations de circuit connues, un nouvel élément dont les qualités ont conduit à délaisser l'élément classique périmé, de nombreux problèmes se sont posés avec le tran-25 sistor à effet de champ à barrière de Schottky. L'application des transistors à effet de champ dans des circuits à couplage direct, par exemple, est difficile par ce qu'on ne peut pas réaliser facilement les éléments complémentaires. □es circuits à couplage direct sont facilement réalisés avec des transistors bipolaires à cause de la disponibilité des éléments de type PNP aussi 30 bien que de type NPN» On peut obtenir une vitesse de commutation élevée dans une configuration de circuit donnée, lorsque les capacités et inductance parasites sont maintenues faibles. Ceci est possible en réduisant lès dimensions géométriques du circuit. Cette réduction est limitée par les difficultés subsistantes à 35 réaliser et à ajuster en séquence les masques nécessaires de dimensions très petites. Il est donc très souhaitable, d'avoir des procédés de fabrication, qui demandent un minimum û*étapes du procédé. Pour éviter urt échauffement excessif" des éléments du circuit, il est nécessaire de concevoir des circuits de faible consommation électrique. Cepen-4D dant, des circuits plus rapides, exigent- plus de puissance pour recharger 70 22199 2 2056959 les capacités du circuit. Si le circuit peut âtre conçu, de façon à fonctionner avec des tensions de signaux faibles, la consommation électrique peut Stre réduite. La tension de signal nécessaire, cependant, dépend du rapport signal/bruit exigé aussi bien que des propriétés de commutation des éléments 5 de circuit utilisés. La conception de transistors à effet de champ à barrière de Schottky dont les propriétés correspondent bien à celles exigées ci-dessus est tout à fait réalisable. Un but de cette invention est de surmonter las difficultés mentionnées et de donner des possibilités nouvelles et meilleures. 10 Selon l'invention, un circuit à couplage direct général, dont le niveau de sortie du signal nul est égal au niveau d'entrée, est réalisé de telle sorte qu'un signal d'entrée arrive à la sortie essentiellement non branchée. □'autres objets caractéristiques et avantages de la présente invention rassortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés 15 à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. La figure 1 représente la courbe caractéristique du transistor utilisé dans le circuit. La figure 2 est une vue en coupe du transistor. La figure 3 est une autre vue en coupe caractéristique du transistor. 20 La figure 4 est une réalisation de la configuration de circuit. La figure 5 est une caractéristique du circuit. La figure S est une réalisation du circuit réalisé bous forme intégrée. On trouvera dans l'exposé quelques considérations essentielles concernant la conception d'un circuit logique rapide comportant des transistors à effet 25 de champ. On.utilisera les symboles et dimensions suivants: Symboles et Dimensions fi Impédance de charge L H Inductivité C F Capacité 30 I A Courant maximum du transistor max - UQ£J V Tension de blocage du transistor R û Résistance source-porte s • a:. . mm Epaisseur dur canal*, - u '•£* • b mm Largeur du canal jorthogonalérrient à la 35 direction du. passage dur courant?' p Q cm Résistance spécifique du'canal d rmi Longueur du canal, dans la direction du passage du courant 40 c R Résistance du canal dans la direction. du passage du courant bad original 70 22199 3 2056959 Nd — Concentration de dopage U, V Tension de contact A Courant du drain U^a V Tension porte-source 5 Ug V Tension de commands. Les Interconnexions entre les circuits logiques rapides sont réalisées grâce à des lignes à larges bandes et à impédance déterminée de façon à éviter les inductances de ligne limitant la fréquence. Puisque l'entrée des transistors à effet de champ est capacitive, l'impédance de ligne sera choisie aussi 10 faible que possible de façon à obtenir des constantes RC faibles. La valeur classique de 50 ohms convient tout à fait. Pour maintenir une perte en ligne du circuit dans des limites raisonnables, on utilisera des amplitudes de signaux inférieures à 1 volt. L'amplitude du signal est donnée par l'équation i L .. R, >, U__ + R .1 .Le Max 100 s max 15 courant I.. est donné par l'équation» • x .JLll Jk.J. i max ' * p . d 3 R 3 c Si Rc est égal à Rg alors t R^ = Rg ^ R^/4. Il apparaît par conséquent que, pour une impédance de ligne R. * 50 ohms, la résistance de canal R du transistor X c devra 8tre égale ou inférieure à 12,5 ohms. Les dimensions d'un transistor 20 telles qu'elles sont requises selon les équations ci-dessus, pour cette ca-leur, sont maintenant à la portée de la technique. Avec des dimensions d 4 » 1 |im, b » 1mm une valeur caractéristique pour le canal p/a « 1,25. 10 ft peut Stre réalisée. La tension de blocage pour cette valeur peut être donnée en fonction de la concentration de dopant N^. La fonction est représentée 25 dans la figure 1 et une épaisseur particulière a du canal est donnée pour chaque valeur de la concentration de dopant. L'épaisseur a du canal est la concentration de dopant N. sont représentées en fonction de la tension de blo- a cage.Si l'on suppose que la courbe est valable pour uns constante 4 p/a-1,25.10 ohms alors le point 21 peut correspondre par exemple aux valeurs X7 3 30 Urin*0,52 volt, a » 0,08 um et donc N. à 10 atomes d'impûreté par cm . Dans uu d un transistor au silicium, on peut utiliser le phosphore comme impûreté. La figure 3 représente le courant de drain en fonction de la tension de porte. Le courant maximum 43 est théoriquement atteint si U^8=0. A cause de la tension de contact. Il , cependant, il est atteint à la valeur de lie. C 35 La tension de contact agit comme une tension de porte positive. A cause de ceci, la tension de blocage UQQ apparaît déjà pleinement efficace dans la région positive de U .La tension U exigée pour l'excitation est quelque gS s 70 22199 4 2056959 peu supérieure à UQQ à cause de la chute de potentiel à du courant à travers la résistance R entre la source et la porte. La courbe caractéristique courant de drain en fonction de tension de porte indiquée par 41 est en fait 5 décalée pratiquement jusqu'en 42. Un transistor qui aurait une caractéristique qui correspondrait à celle de la figure 3 serait particulièrement bien adapté au circuit considéré. Il est connu que les ordinateurs peuvent être conçus de façon à réaliser toutes les fonctions logiques avec un type unique de circuit c'est-à-dire les circuits appelés circuit NI. En dépit de cet avanta-10 ge évident, les circuits NI n'ont pas été très utilisés extensivement dans le passé dans les ordinateurs. Ceci et peut fitre à cause du fait que les circuits NI possédant plus de deux entrées sont difficiles à réaliser en répondant aux tolérances exigées. Le circuit NI décrit ci-dessous ne présente pas cette difficulté. 15 Des signaux appliqués aux entrées A, B et C du circuit décrit dans la figure 4 sont combinés selon une fonction logique NI dont le signal résultant apparaît à la sortie □. Le circuit de cette réalisation possède trois entrées. La sortie se divise en trois, c'est-à-dire qu'on peut lui connecter trois circuits. 20 II est nécessaire pour un tel circuit afin de fonctionner aussi rapide ment que possible, que les capacités parasites aussi bien que les capacités d'8ntrée des transistors individuels soient chargées aussi rapidement que possible. On peut voir que sous des conditions pratiquement identiques, une capacité peut être chargée plus de deux fois plus rapidement, si le signal 25 est alimenté par une source de courant constant plutôt que comme c'est le cas généralement, par une source de tension constante. L'électrode de porte du transistor 54 est connectée à l'électrode de source et le transistor par conséquent agit comme"une source de courant de résistance pratiquement infinie. Les paramètres du circuit sont choisis tels que le transistor 54 30 fournisse un courant qui est la moitié du courant maximum admissible c'est-à-dire 1^/2. Une quantité de courant égale est par conséquent disponible pour charger aussi bien que pour décharger les capacités. Le courant qui circule à travers le second étage du circuit c'est-à-dire, le transistor 55, ligne 61, les diodes 56 et le transistor 56 est aussi maintenu constant 35 à la valeur I /2 par le transistor 56. Ceci entraîne une oscillation de max tension au point 60, point d'interconnexion des transistors d'entrée, pour effectuer une recharge très rapide de là capacité d'entrée du transistor 55. L'oscillation de tension se propage à travers la partie porte-source du transistor 55 qui constitue une diode de Schottky aussi bien qu'à travers 40 les diodes 58 et la ligne 62 et charge très rappidement la capacité d'entrée du transistor 57. La quantité de courant traversant le transistor 56 n'est 22199 5 2056959 pas modifiée pendant ce procédé. Le courant I /2 disponible à la sdtie du transistor 54 est suffisant max pour alimenter trois étages de sortie, c'est-à-dire, le transistor 54 aussi bien que deux autres transistors identiques, qui peuvent être connectés aux 5 lignes 59. Le transistor 54 peut par conséquent alimenter chaque étage suivant par un courant de I _„/6. De plus, le circuit du transistor 55 pour recharger max les capacités fournit un courant de I /2. Si la tension à la sortie 63 max est considérée fixe à cause de la capacité de charge, le courant total pour charger cette capacité totale est égal à la somme du courant I fourni max 10 par le transistor 57, du courant I /2 fourni par les transistors 55 et max 56 et du courant I /6 fourni par le transistor 54. Il résulte qu'un courant max de charge total de 1,66 I est disponible pour la capacité de charge à max la ligne 63. Puisque seulement 1. I est exigé pour une oscillation de max tension normale à la sortis, un courant de charge en surplus est disponible 15 garantissant uns charge rapide de n'importe quelle capacité dans n'importe quel cas. Puisque 1 ' irrpédancB du circuit est adaptée à celle de la charge à la sortie □, le courant I est exactement égal à celui nécessaire pour le max niveau de signal utilisé. Le courant en surplus disponible, cependant, n'en-2Q traîne pas une oscillation du signal à la sortie parce qu'à l'entrée de n'importe quel étage ultérieur il y a à nouveau la porte d'un transistor à barrière de Schottky, c'-à-dire sente une diode de Schottky qui devient conductrice lorsque la tension du signal dépasse U . En fonctionnement normal, lorsque à c à la sortie yl y a un signal binaire 1, la diode de Schottky 9e trouvant/1'en-25 trée de l'étage ultérisur conduira un courant qui est égal à 0,66 I max Pour uns meilleure explication, on supposera qu'à toutes lés entrées A, B, et C du circuit de la figure 4il y a en signal binaire 0, c'est à dire que la tension est faible. Si une tension positive apparaît à l'entrée A» un courant I circulera à travers le transistor 51. Le transistor 54 max 30 cependant, peut fournir seulement un courant I /2. Un courant en surplus max ^max^ 83t par oons^c'Lien't disponible pour recharger les capacités des lignes subséquentes. Le courant du signal multiplié par la conductance de transfert des transistors se propagera vers la sortie. La tension sur la ligne 60 décroît par conséquent rapidement. Vers là fin du procédé de commutation, la tension 35 sur la ligne 60 qui est égale à la tension drain-source du transistor 51 atteindra la la saturation en courant du transistor. Le courant du transistor 51 sera ainsi réduit à I /2 après la fin du procédé de commutation. Ceci signi- max fie que le transistor 51 est maintenant traversé par le courant qui est fourni par le transistor 54 en tant que source de courant constant. 40 Si un signal positif apparaît simultanément aux entrées A et B, chacun 22199 6 2056959 des transistors 51 et 52 conduira le plein courant jusqu'à ce que la capacité d« la ligne 60 soit déchargée, ainsi le courant dans chacun des transistors sera de I /4. Si des signaux positifs apparaissent aux trois entrées A, mSX B et C, la distribution du courant se fera en conséquence. S Le mode d'opération expliqué si-dessus n'est pas possible si on utilise des transistors bipolaires parce que l'effet d'emmagasinage de porteurs minoritaires entraînerait un temps de charge trop long. Comme cela est bien connu pour les transistors bipolaires,, cet effet d5etrânagasinage de charge peut seulement être évité au coût de circuits supplémentaires. Ceci n'est pas 10 nécessaire quand on utilise des transistors à barrière de Schottky. On peut souligner ici* qu'un eircuit. fonctionnant en mode de courant est plus de deux fois aussi rapide qu'un circuit correspondant fonctionnant sn mode tension. Un mode de courant bon marché cependant n'est possible seulement que si on utilise des éléments qui permettent l'excitation sur tout 15 laur domaine de fonctionnement sans effets de saturation retardateÉr. On expliquera maintenant d'une façon plus statique le fonctionnement du circuito La figura 5 est un graphique représentant la tension du signal à là sortie D en fonction de la tension à l'une des entrées. Il est évident qu'il se produit la même chose si la tension du signal est appliquée à plus 20 d'une entrée. Lorsque sur les entrées A, B et C il n'y a pas de signaux et lorsque par conséquent„ la ligne 60 est soumise à un potentiel correspondant au nombre binaire 1„ alors un courant I . /2 passe à travers le transistor ItiâX 54^ à travers la diode de porte du transistor 55, les deux diodes 58, la ligne 62, la diode de porte du transistor 57 et la ligne 63 jusqu'à la sortie 25 D. Ce courant produit uns chute de potentiel à travers la charge externe et« le connecteur D est soumis alors à un potentiel torrespondante au 1 binaire. Dans 1s diagramms de la figure 5, cet état est décrit par le point appelé 75. Si on suppose qu'une tension de signal augmentant lentement est appliquée 30 à l'une des transistors d'entrée 51, 52 ou 53, une partie du courant de sortie du transistor 54 cowsnoera à circuler à travers ce transistor, par exemple, 51= Les diodes 58 cependant, sont encore conductrices jusqu'à ce que le transistor d'antres soit traversé par un courant qui est égal à I J2 du transis-• max ter 54» L® circuit est maintenant dans l'état décrit par le point 74. Il 35 s® produit maintenant uns chute de potentiel rapide sur la ligne 60 et les diodes 58 deviennent non conductrices. La tension à la sortie D qui était jusqu'à présent Égale à 1,66 . Imj 0 22199 7 2056959 résultant da la conductance de transfert du transistor d'entrée 51 et de la résistance de fonctionnement infinie constituée par le transistor 54. Si le signal d'entrée dépasse sa valeur nominale, la tension de sortie ne change pas, c'est-à-dire reste nulle. Le circuit est maintenant dans l'état décrit 5 par le point 71. La transition entre les points 74 et 72 se produit exactement lorsque le transistor d'entrée est traversé par un courant de I /2. (nsx Ceci signifie que la tension de sortie est encore élevée aussi longtemps que la tension d'entrée créee un courant à travers le transistor d'entrée qui est mSme un peu inférieur à la valeur I /2. Tandis qu& la dernière explica- max 10 tion concernait seulement le courant continu et ne tenait pas compte de tous les phénomènes se produisant lors de variations rapides des signaux, les hommes de l'art réaliseront facilement que l'action de commutation décrite rend le circuit pratiquement insensible au bruit. Le point 75 décrit le cas où un autre étage similaire et supplémentaire 15 est connecté à la sortie Ceci signifie que"la sortie D est chargée par une diode. Si une impédance linéaire est connectée à la sortie D, par exemple une ligne de transmission, alors l'action de commutation se produit selon la courbe 77. La courbe 76 décrit en outre le cas, où les lignes 59 sont aussi chargées. 20 Les diodes 56 permettent le passage de la différence de potentiel de signal zéro entre les lignes 60 et 62, elles peuvent être appelées diodes de transfert de potentiel. Les diodes conduisent un courant qui est maintenu constant par le transistor 56. Tout courant provenant de la ligne 60 sera superposé et atteindra la ligne 62 sans être branché. Il est à remarquer que la partie 25 porte«source du transistor 55 constitue aussi une diode et en fait trois diodes de Schottky sont connectées en série pour faire passer la différence de potentiel. Dans une réalisation pratique du présent circuit qui utilise les transistors décrits précédemment, la ligne 66 est alimentée avec une tension qui 30 est d'environ 5 fois la tension de coude du transistor. La ligne 67 est alimentée avec une tension correspondant à la différence entre la tension de blocage UQ0 et la tension de contact IT. La ligne 69 est alimentée avec une tension qui donne un courant constant à travers le transistor 56. Toutes les lignes d'alimentation sont reliées à la masse en alternatif. 35 Le circuit selon la figure 4 nécessite, pouù l'interconnexion logique des trois signaux, un total de sept transistors et deux diodes et semble alors coûteux. Le nombre d'éléments utilisés, cependant, n'est pas primordial dans la détermination du cfiut. Si tous les éléments utilisés peuvent être réalisés par un seul et même procédé de fabrication et que ce procédé est simple, 40 ceci est beaucoup plus important. Le circuit est par conséquent bien adapté 22199 8 2056959 à l'intégration sur un corps semiconducteur unique. D'ailleurs un grand nombre de circuits similaires ou identiques peuvent Ôtre intégrés dans un corps semiconducteur. Pour les particularités concernant le procédé de fabrication, on se référera au brevet sus-mentionné. 5 La figure 6 décrit une réalisation sur la surface d'un bloc semiconduc teur 81 représentant le circuit de la figure 4. Les éléments du circuit dans un but de simplicité sont désignés par les mêmes références numériques que dans la figure 4. Le bloc 81 représente une partie d'un bloc plus grand qui peut contenir un grand nombre de circuits similaires ou ldBtotiques. Les lignes 10 représentées par des tirets 82 désignent des zSnes d'isolation pour l'isolation électrique mutuelle des éléments du circuit. Les entrées A, B et C sont disposées au-dessus de la métallisation de source commune des transistors 51, 52 et 53 desquels ils sont séparés par une couche isolante, par exemple, du dioxyde de silicium. Les lignes d'entrée et la métallisation constituent 15 ensembles une ligne plate à impédance équilibrée. La ligne de sortie 63 est conçue d'une façon similaire. On peut souligner que le circuit selon la figure 6 comprend exclusivement des transistors à effet de champ à barrière de Schottky et des diodes de Schottky. Les éléments semiconducteurs utilisés exigent par conséquent seulement deux sortfes d'électrodes, c'est-à-dire, 20 des électrodes avec des contacts ohmiques et des électrodes avec des contacts à barrière de Schottky. La fabrication de tels dispositifs nécessite par conséquent seulement quelques étages de procédés ce qui entraîne un coût peu élevé. Ce qui est plus Important encore est le fait que le circuit en dépit de dimensions très petites exigées pour une opération très rapide peut 25 être réalisé sans la nécessité d'un réglage précis des masques, ce qui présentait une difficulté habituelle dans la fabrication classique des semiconducteurs . Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur le dessin, les caractéristiques essentielles de l'invention éj^lïqiïées' à un mode de 30 réalisation préféré de celle-ci, 11 est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de fome ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. 70 22199 S 2056959 REVENDICATIONS 1.» Circuit logique pour signaux d'entrée binaires caractérisé en ce qu'il comprend une jonction traversée par un courant constant, un premier chemin da courant entre cette jonction et un réseau logique, ce réseau logique ré- 5 pondant à des signaux d'entrée binaires, de telle façon que pour un jeu prédéterminé de signaux d'entrée qui lui sont appliqués, substantiellement la totalité du courant traversant la jonction circule dans ce premier chemin de courant et pour un second jeu prédéterminé de signaux d'entrée substantiellement aucune partie du courant traversant la jonction ne circule dans 10 le premier chemin de courant, un second chemin de courant entre la jonction et un dispositif à courant constant dans lequel le courant du chemin est détourné en réponse au second jeu prédéterminé de signaux d'entrée, et un branchement de sortie fournissant un chemin de sortie au courant en parallèle avec le dispositif à courant constant, de telle façon que le courant dans le 15 second chemin de courant en excès du courant alimentant les capacités du dispositif à courant constant est amené à sortir par ce branchement de sortie. 2.- Circuit logique selon la revendication 1 caractérisé en ce que le second chemin de courant comprend le chemin de courant entre une première paire d'électrodes d'un transistor et fournit du courant à un circuit de sortie 20 comprenant le chemin de courant entre une autre paire d'électrodes du transistor et le dispositif à courant constant. 3.« Circuit logique selon la revendication 2 caractérisé en ce que le circuit de sortie comprend un dispositif à courant unidirectionnel disposé entre le transistor et le dispositif à courant constant, le circuit fonctionnant de 25 telle façon qu'en la présence d'un premier jeu déterminé de signaux d'entrée un courant de polarisation traverse le transistor substantiellement égal à la capacité de courant maximum du dispositif à courant constant et établit un potentiel à l'électrode du transistor relié au dispositif unidirectionnel, tel que le circuit de courant entrB la première paire d'électrode du transis-30 tor est polarisé en inverse et de telle façon qu'en la présence d'un second jeu prédéterminé de signaux d'entrée un courant substantiellement augmenté traverse le transistor et établit un potentiel à cette électrode du transistor reliéeau dispositif unidirectionnel, tel que le circuit de courant entre la première paire d'électrode du transistor est polarisée en direct, es qui 35 fait que le branchement de sortie reçoit l'augmentation de courant traversant le transistor en mSme temps que le courant provenant de la jonction précédemment définie. 22199 10 2056959 4.« Circuit logique selon l'une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que le branchamsnt de gortie est relié à la porta d'un transistor de sortie connecté dans un étage de sortie pour agir coras un suiveur de source, le circuit fonetionnant de telle façon que lorsque le dispositif unidiraetionnsl 5 supporte seulement le courant da polarisation aucun courant ne traverse sub-stantiellemsnt 1® transistor d® sortie et le circuit de courant psrfes/seeonds électrode de celui-Gi est polarisé an inversa,, et lorsque le dispositif unidirectionnel supporte la courant augmenté, un courant maximum traverse le transistor ds sortis et la circuit de courant psrte/seconde électrode de 10 celui-ci est polarisé en direct,, de tells façon que la ligne de sortis de l'étage ds sortie reçoive le courant traversant la transistor de sortie an même temps que la courant dans le branchement de sortie. 5.- Circuit logique salon l'une des revendications 2 à 4 caractérisé en ce que le ou chaque transistor est un transistor à effet de champ. 15 6.- Circuit logique selon la revendication 5 caractérisé en ce que le ou chaque transistor est un transistor à effet de champ à barrière de Schottky. 7.- Circuit logique selon la revendication 6 caractérisé en ce que le transistor est construit de toile façon que la tension de contact de la jonction électrode da porte/semiconducteur est telle qu'elle bloque le circuit de cou- 20 rant source-drain en 1'absence d'une polarisation de tension porte/source appliquée= 8.*» Circuit logique selon l'une des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que le courant à travers la jonction est contrôlée par un second dispositif à courant constant connecté dans un troisième chemin de courant entre la 25 jonction et uns source de tension. Circuit logique selon l'une des revendications 1 à 8 caractérisé en ce que le ou chaque dispositif à courant constant comprend un transistor à effet de champ à barrière de Schottky ayant sa porte connectée à sa source et polarisé, en utîlisationo pour conduire un courant constant. 30 10«» Circuit logique salon l'une des revendications 1 à 9 caractérisé en ce que les différants chemins de courant n'incluent pas de condensateurs, c'est-à-dire qus las composants sont directement couplés. 0 22199 n 2056959 11.• Circuit logique selon la revendication 10 caractérisé en ce que le circuit fonctionne de telle façon que le niveau de tension d'entrée quand il n'y a aucun signal d'entrée est égal au niveau de tension de sortie quand il n'y a aucun 3ignal de sortie, de telle façon que le signal de sortie du 5 circuit logique peut Ôtre appliqué comme un signal d'entrée à un autre circuit logique similaire. 12.- Circuit logique selon l'une des revendications 10 ou 11 dans lequel la capacité en courant du premier chemin de courant est substantiellement supérieure au courant de jonction constant de telle façon qu'au moins une par- 10 tie de la capacité dans le second chemin de courant est rapidement déchargée quand les signaux d'entrée passent du second au premier jeu de signaux.