Brevet FR2081794A1 — publié le 19711210

i 2081794 L'invention concerne des composants semi-conducteurs qui présentent des- interconnexions tenaces, à faible résistance, réalisées à l'aide d'une soudure relativement dépourvus d'oxyde, ainsi qu'un procédé pour leur fabrication» 5 Selon un procédé connu dans la technique, on peut monter des éléments serai—conducteurs sur un substrat en rendant conductrice une partie de la surface de ce dernier et en formant un contact sur la surface de l'élément semi-conducteur que l'on veut fixer au substrat. L'élément semi-conducteur est fixé à la 10 zone conductrice de la surface du substrat psx une technique classique de soudage. Par exemple, une gouttelette de soudure liquide est placée sur le substrat et l'élément semi-conducteur qui doit être fixé à celui-ci est placé directement au-dessus de la gouttelette de soudure. En refroidissant, la soudure unit le 15 contact de l'élément semi-conducteur à la partie conductrice de la surface du substrat. Selon une autre technique possible, l'élément semi-conducteur est placé sur la partie conductrice de la surface du substrat avec interposition d'une pièce préformée de soudure. Ces trois éléments peuvent être ensuite chauffés 20 ensemble jusqu'au point de ramollissement de la pièce préformée de soudure, pour effectuer le soudage. Bien que ces techniques de soudage soient appliquées presque universellement pour le montage d'éléments semi-conducteurs, on a pu constater que de nombreuses connexions par soudure, 25 lorsqu'il s'agit notamment de réunir des surfaces relativement grandes, donnent lieu à des résistances thermiques et a des chutes de tension excessivement élevées lors du fonctionnement du composant. Par ailleurs, il peut arriver fréquemment que la soudure n'assure pas une liaison mécanique suffisante, avec ce 30 résultat que les éléments semi-conducteurs peuvent n'être que partiellement unis au substrat. On a par exemple observé que des éléments semi-conducteurs pouvaient être fréquemment soulevés et détachés d'un substrat après avoir été soudés à celui-ci, par la simple application d'un léger effort. Il a aussi été 35 constaté que la difficulté de réaliser une bonne liaison par soudure augmentait en proportion de la surface à unir, si bien que le problème des mauvaises connexions par soudure se pose le plus fréquemment lorsqu'on essaie de souder des éléments semi-conducteurs de puissance à des dissipateurs thermiques et 40 lorsqu'on cherche à monter des éléments semi-conducteurs sur des 71 07959 2 2081794 substrats diélectriques. A la suite de l'examen de noiabreux joints défectueux par soudure pour des éléments semi-conductours de puissance, on en est arrivé à cette conclusion qu'une difficulté majeure pour la S formation d'interconnexions tenaces, à faible résistance chimique par soudure sur des éléments semi-canducte\irs est attribua-ble a la tendance des soudures usuelles à former des oxydes superficiels. La surface oxydée de la soudure fondue constitue fréquemment une barrière entravant l'association directe da la 10 soudure sous-jacente, relativement dépourvue d'oxyde; avec l'élément semi-conducteur. Le résultat peut varier entre un élément semi-conducteur susceptible d'.être facilement détaché mécanique» ment du substrat sur lequel il est atoncé at une interconnexion d'élément semi-conducteur dont la défectuosité, si elle n'est 15 pas décelable matériellement, se manifeste sous la forme d'une forte résistance thermique ou d'une forte chute de tension dans le composant semi-conducteur dans lequel cet élément est incorporé. L'invention a pour but de fov.rnxr un composant semi~conduc~ 20 teur présentant une interconnexion d rv:n type nouveau entre un substrat et un élément semi-conducteur, interconnexion qui forme une liaison tenace et à faible résistance, donnant lieu à une chute de tension minimale à travers elle. Un autre but de l'invention est de fournir un composant se» 25 mi-conducteur présentant un joint par soudure qui soit relativement dépourvu d'oxyde. Par ailleurs, l'invention a pour but de fournir un procédé pour la fabrication d'un composant semi-conducteur comportant un joint par soudure tenace, à faible résistance électrique. 30 Ces buts de l'invention et d'autres encore sont atteints, sous l'un des aspects de celle-ci, par un composant semi-conducteur constitué par des moyens de substrat qui présentent une zone de surface conductrice et par un élément semi-conducteur,à une première face principale duquel est associé un contact. Des 35 moyens capillaires s'étendent entre un point situé à distance de l'élément semi-conducteur et une région interposée entre les moyens de substrat et l'élément semi-conducteur. Des moyens de soudure sont placés à l'intérieur des moyens capillaires et u-nissent le contact aux moyens de substrat. 40 Considérée sous un autre aspect, l'invention concerne un 71 07959 3 2081794 procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur qui consiste à former un capillaire dans un organe de support pour un élément semi-conducteur. Un élément semi-conducteur, auquel est fixé un contact, est placé de sorte que le contact recouvre une 5 partie du capillaire et qu'une partie du capillaire se prolonge latéralement au-delà de l'élément semi-conducteur. De la soudure sous forme fondue est introduite dans la partie du capillaire qui déborde latéralement, à .distance de l'élément semi-conducteur. Une partie de la soudure, relativement dépourvue d'oxyde, 10 est séparée et distribuée en direction latérale au-dessous de l'élément semi-conducteur par effet capillaire. Une partie de la soudure est transférée à partir de la section du capillaire qui est recouverte par l'élément semi-conducteur, vers une région comprise entre le contact de l'élément semi-conducteur et 15 1'organe de support pour former entre ceux-ci une liaison tenace à faible résistance électrique. On comprendra mieux l'invention en considérant la description détaillée qui suit, en référence aux dessins ci-annexés. La fig. 1 est une vue en coupe, en partie schématique, 20 d'un composant semi-conducteur. La fig. 2 est une coupe passant par la ligne 2-2 de la fig. 1. La fig. 3 est une vue en plan d'une forme modifiée de dissipateur thermique rainuré. 25 La fig. 4 est une vue en plan d'un substrat rainuré. La fig. 5 est une vue en plan d'un dissipateur thermique muni de rainures additionnelles. La fig. 6 est une vue en plan du substrat rainuré de la fig. 5, sur lequel est monté un substrat diélectrique. 30 La fig. 7 est une vue en plan d'un composant semi-conducteur formé à partir de la combinaison du dissipateur thermique et du substrat diélectrique de la fig. 6, l'enveloppe isolante ayant été retirée. La fig. 8 est une vue en coupe, en partie schématique d'un 35 composant semi-conducteur. La fig. 9 est une vue en plan du dissipateur thermique pour le composant semi-conducteur de la fig. 8. La fig. 10 est une vue en plan d'un dissipateur thermique muni d'ouvertures latérales pour un composant semi-conducteur. 40 La fig. 11, enfin, est une coupe passant par la ligne 11-11 71 07959 4 2081794 de la fig. ÎO. Sur les figures, pour faciliter la représentation} on a exagéré 1*épaisseur des éléments serai-conducteurs par rapport à leur largeur. En outre, on a supprimé les contre-hachures des 5 éléments semi-conducteurs pour éviter de surcharger les dessins. Les fig. 1 et 2 représentent un composant semi-conducteur 100 qui comprend un élément serai-conducteur 102 à fonction de thyristor. L'élément semi-conducteur présente une première face principale 104 et une face principale opposée et parallèle 106, 10 ces faces principales étant reliées par un bord périphérique 108. Typiquement, l'élément semi-conducteur est formé d*un matériau semi-conducteur monocristallin, de préférence le silicium. Tel qu*il est représenté, l'élément semi-conducteur est formé de quatre zones 110, 112, 114 et 116, disposées successivement. 15 Les zones 110 et 114 ont un premier type de conductlvité, tandis que les zones 112 et 116 ont un type opposé de conductlvité. Les zones contigûes forment entre elles des jonctions P-N. Une jonction 118 est formée entre les zones 110 et 112 ; une jonction 120 est formée entre les zones 112 et 114, et une jonction 20 122 est formée entre les zones 114 et 116. Dans la forme d'exécution préférée, les zones 110 et 114 sont du type P de conductlvité, tandis que les zones 112 et 116 sont du type N de conductlvité. Dans ce cas, la zone 110 forme une couche émetteur ano-dique, la zone 112 une couche base anodique, la zone 114 une 25 couche base cathodique et la zone 116 une couche émetteur cathodique. La jonction 120 représente la jonction de blocage du courant direct de l'élément semi-conducteur, tandis que la jonction 118 peut assurer le blocage du passage de courant dans le sens inverse. Pour protéger et passiver les jonctions 120 et 30 118 au bord de l'élément semi-conducteur, une masse de passi-vant^24 est associée au bord périphérique de l'élément semiconducteur. Typiquement, le passivant est formé de verre, de polymère de silicone, de résine époxy, etc. Pour établir une connexion ohmique extérieure avec la cou-35 che émetteur cathodique, un conducteur cathodique 126 est associé, en conduction ohmique avec la couche émetteur cathodique, par une couche de liaison 128. Pour le déclenchement par gâchette du composant, un conducteur de porte 130 est fixé, en rapport de conduction ohmique, à la couche base cathodique par une cou-40 che de liaison 132. Les couches de liaison 128 et 132 peuvent 71 07959 s 2081794 cfv'oir uns quelconque structure classiez® et chacune d'entre elles sera ordis.ai.rsnent coapssée ds~jns souefee s© soudière et d'une ou plusieurs coueîios sitaillquss as^ae&ées aux eondueteuss et à le. face principale 10'S ds l'éléiacat aeai-cond'actour« 5 Un dissipateur thermique 13£ ast prévu peu? lfécoulement du courant à psrtir da la couelie émetteur anoâique de l'élément semi-conducteur ®t pour l'évacuation de la chaleur à partir de 1'ensemble de l'élément semi-conducteur. Afin d'ass«rcr une efficacité raaxinsle d'évacuation de la chaleur, le dissipateur 10 thernique est au moins aussi éteadu que la première face principal a de 1'élément sami-coaducteur et il comporte en outre une patte 136 forcée d'un seul tenant et faisant saillie latéralement, dans laquelle est formé un trou 137 pour le montage du composant et pour le transfert da chaleur et de courant à partir 15 de celui-ci. Dans le raodèle représenté, le dissipateur thermique comporte une première face principale plane 138 destinée à coopérer avec un organe de montage qui absorbe la cualeur. Une seconde face principale 140 est disposée parallèlement à la première face principale. 20 Un certain nombre de rainures parallèles 142 s'ouvrent dans la seconde face principale. Chaque raitmsm s'étend au-dessous de l'élément semi-conducteur et se prolonge latéralement au-delà de celui-ci» A la prewièi-e face principale de l'élément semi-conducteur est associé un contact 144 qui s9étend sur toute 25 sa surface. Ce contact peut être far&ê par une quelconque couche de métal classique ou une coasbinaison de couches métalliques, associée à l'élément seai-eonducteur en vue de faciliter l'établissement d'un contact ohmique avec la couche émetteur anodique. Typiquement, le contact est extrêmement mince, son 30 épaisseur étant comprise entre quelques centaines d'angatroms et le dixième de millimètre. Les contacts peuvent être appliqués sur la surface de l'élément semi-conducteur par évaporation, pulvérisation, dépôt purement chimique, etc. Pour former une liaison tenace entre l'élément semi-conducteur et le dissipa-35 teur thermique, une soudure 146 est placée dans les rainures. Dans la zone recouverte par l'élément semi-conducteur, la soudure se répand latéralement, si bien qu'elle est interposée en tout point entre le contact et le dissipateur thermique, assurant une liaison entre ceux-ci. La soudure est aussi présente 40 dans les sections des rainures qui se prolongent latéralement au- - bad original t 71 07959 € 2081794 delà de 1 'élément sea£ Sur la fig. 2, on peut noiaes? la p«jé^ei»c2 deun re&flemem* 148 d© «>tKi«uri au-dessus de la seeeadc i&ce principale 14G ûu dissipateur tbC£Mi.qtM» correspo; «leai au poiaS o"5 application ûe 5 la soudure dans 1* rainure» Un rev'îfceshsni &iuze 150«dont l"Jè-paisseur a été exagérée s i-ecoGa1® 1» surface de la saudurt en dehors de 1*élément semi-condust ? 'ite? enveloppe Avalée 152 est prévue pour compléter le eoÈ^&saai. La co»positiorâ des di,î£ér »*«*«! tlért,ei«-fcg qui constituent le 10 coMposa^t seMi-ceuducteur est ùlaKSiqtie *t n* entre pas dan» la cadra de l'isM&tioB* îjfpi.«i\»*è«is, !«* f>flâaci»ui.,g ai la dissipateur thermique *$u va mêtakl eewi\%t«tt£ de la chaleur et de 1 «électricité, t«ii -„ufe l* ^â:i*vi.«; la wickel, l* cuivra arqe&té, i '«laeiitiai, etc« £aa* un Mode d'estôcation pré» 15 féré, les contacts 12®, 132 et *2*4 *»nv lo^Més v":u»e couche ain-ce d© chrome «a contact direct t. ■. «c i -s.!.fc iwsuc gemi «-conducteur, surventes par use souche d& biu*%2. qui est «. son tour suraontée par une couche d'eï ou é•'.!-• maints autres Métaux qui peuvent être utilisé» ave«wnt iso.lé«ent ou en 20 eoMbinaison. à titre de sont«ctf(, .iecaMMat l'aluainium, l*or» le vanadium, les Métaux de la se&'ie uu platine, etc. On connaît toute uns variété de Métaux de 2»cuËure **i d*alliages de Métaux de soudure susceptibles de fesà* & une. ieMpératur* suïfisaMMent basse pour éditer une destructif «e 1- élément sem?.-conducteur• 25 Sntre autres soudures classique» ^ui conviennent, on peut citer les alliages de ploab-étaiii, le* el'ieyes d * argent-pioab et les combinaisons d» ces alliages Wi;n 1»Iridium, le gallium, 1 • anti-acinsi, l*©r, le gerHÈaniu» et le ^if^ruwh. Le revêtement mince 150 peut se présentez- sous la for*« «;uaa croûte mince d8oxyde for-30 mée par l'exposition de la surface de la soudure à l*air ou celle d'une ssoae riche 35 Les Minuscules inégalités dAssemblage entre le contact 144 et la seconde face principale 140 du dissipateur thermique donnent lieu à un très petit intervalle entre le contact 144 et le dissipateur thermique. Cet intervalle minuscule est beaucoup plus étroit que la largeur voisine des rainures. En conséquence, 40 ces intervalles exercent, sur la soudure une attraction capil- bad original 71 07959 7 2081794 laire supérieure à celle qui est exercée par les rainures* Une partie de la soudure coule donc à partir des rainures et se répand latéralement, de sorte que la soudure s«étale au point de recouvrir toute la surface du contact 144. En refroidissant, la 5 soudure forme une liaison tenace, à faible résistance, entre le contact 144 et le dissipateur thermique. En raison du fait, découvert avec surprise, que la zone de la soudure qui est contaminée par 1«oxygène peut être séparée sélectivement, la soudure n'a aucune tendance à former, entre 1*élément semi-conducteur 10 et le dissipateur thermique, une connexion à faible résistance mécanique et à résistance électrique et/ou thermique élevée. En outre, on a observé qu*une liaison tenace et à faible résistance électrique et/ou mécanique peut être obtenue, même si l'élément semi-conducteur a une grande étendue latérale, comme tel est 15 typiquement le cas dans les éléments semi-conducteurs de puissance. Les conducteurs 126 et 130 peuvent être fixés à l'élément semi-conducteur par des techniques classiques, avant, après ou en même temps que le soudage de 1'élément semi-conducteur sur 20 le dissipateur thermique. Après que les conducteurs et le dissipateur thermique ont été fixés, 1«enveloppe 152 peut être moulée autour de l'élément semi-conducteur, des conducteurs et du dissipateur thermique pour achever le composant. Conformément à l'invention, le composant semi-conducteur 25 100 peut être fabriqué en commençant par former l'élément semiconducteur 102, avec le passivant 124 et au moins le contact 144, en rapport immédiat avec lui. Pour assembler l'élément semiconducteur et le dissipateur thermique 134 de sorte qu'une liaison tenace, à faible résistance ohmique, soit établie avec la 30 couche d'émetteur anodique, l'élément semi-conducteur est placé dans la position représentée sur la seconde face principale 140 du dissipateur thermique, de sorte qu'une partie des rainures 142 s«étende au-dessous de l'élément semi-conducteur, tandis que le reste des rainures se prolonge latéralement en dehors de 35 l'élément conducteur, en direction de la patte 136 formée d'un seul tenant. A ce moment, les rainures ne contiennent pas de soudure au-dessous de 1'élément semi-conducteur. Tandis que l'élément semi-conducteur est maintenu dans la position voulue par rapport au dissipateur thermique, une ou 40 plusieurs gouttelettes de soudure sont placées sur le dissipa- 71 Ù7959 e 2081794 teur thermique au contact de sa seconde face principale, au voisinage immédiat de la patte» Du fait de leur petit calibre, les rainures (dont les dimensions ont été exagérées pour faciliter la représentation) attirent par effet capillaire la soudure au 5 moment où elle est mise en fusion par ehauffage et la soudure est répartie sur toute la longueur des rainures. Toutefois, seule la partie relativement dépourvue d'oxyde de la soudure, qui n'a pas été exposée directement à l'oxygène de l'atmosphère ambiante, est attirée dans les rainures capillaires* La partie à 10 surface oxydée ou à forte teneur en oxygène de la soudure constitue un revêtement ou couche 150 relativement immobile, dont la fluidité est insuffisante pour qu'elle soit attirée dans les rainures au-dessous de 1'élément semi—conducteur• En conséquence, la zone située au-dessous de l'élément semi-conducteur n'est at-15 teinte que par une soudure relativement dépourvue d'oxygène* Il convient de noter que, bien que l'on ait l'habitude de chauffer les éléments en vue de leur soudage dans une atmosphère réductrice ou inerte pour réduire l'oxydation superficielle, non seulement de la soudure, mais aussi de l'élément semi-conduc-20 teur et dû dissipateur thermique, la forte affinité de la soudure en fusion à l'égard de l'oxygène, produit une contamination par l'oxygène de la surface de la soudure dans les sections des rainures qui débordent latéralement, même si l'oxygène n'est présent qu'en petites quantités* D'ailleurs, la surface de la 25 soudure est ordinairement contaminée par l'oxygène, avant même que le chauffage ne soit appliqué* D'autres avantages dé l'invention peuvent être appréciés en référence à la fig* 3* Il y est représenté un dissipateur thermique 134a semblable au dissipateur 134, à cette exception 30 qu'il est prévu pour le montage de deux éléments semi-conducteurs 102a et 102b, indiqués par leurs contours en traits discontinus* Sur la figure, le dissipateur thermique est muni d'une patte 136a formée d'un seul tenant et comportant une ouverture 137a pour le montage du dissipateur thermique* Plusieurs rainures 35 parallèles 142a sont formées dans le dissipateur thermique, de même que les rainures 142* Toutefois, ces rainures diffèrent par le fait qu'elles comprennent des sections convergentes 142b au niveau de la patte, se rencontrant en un point de convergence 142c* 40 L'avantage de la forme d'exécution représentée sur la fig*3 71 07959 9 2081794 eonsla'ce en ce qu'une unique gouttelette de soudure, placée au point de convergence 142c d&s r alaturas t peut assurer simultanément le soudage des detsi éléments s«mi-conduztaurs 102a et 102b sur le dissipateur thermique, selon tin processus serAlsble à 5 celui qui a été décrit à propos de 1'élément sami-sonducteur 102. On notera par ailleurs que Iss rainures sont formées de sor te qu'un contrôle visuel permette de vérifier que la soudure a parcouru toute la longueur des rainures. Par exemple, après le soudage, on p®ut vérifier, en observant les sections des rainu-10 res comprises entre les éléments semi-conducteurs, que la soudure a dépassé les sections de rainures sous-jacentes à l'élément semi-conducteur 102a et a poursuivi son cherain vers l'élément semi-conducteur 102b. Usi examen semblable des sections de rainures au-delà de l'élément semi-conductsur 102b, du côté 15 de cet élément situé à l'opposé de la patte, indique si la soudure a parcouru les sections de rainures sous-jacentes à l'élément semi-conducteur 102b. Si, par exemple, les sections de rainures comprises entre les éléments semi-conducteurs 102a et 102b ne sont pas emplies de soudure, il est manifeste qu'une quantité 20 insuffisante de soudure a été déposée au point de convergence et l'ensemble peut être mis au rebut ou soumis à un nouveau traitement, ce qui élimine les frais de fabrication complète d* un ensemble qui peut se révéler défectueux aux essais avant la commercialisation. Bien que le mode de réalisation de la fig. 3 25 ait été représenté à propos de Ieassemblage de deux éléments semi-conducteurs sur un seul dissipateur thermique, il est bien entendu que la même méthode peut être appliquée à la fixation d'un nombre quelconque d'éléments. 11 est par ailleurs manifeste que le mode de réalisation de la fig. 3 offre des avan-30 tages par rapport à celui des fig. 1 et 2, en ce sens qu'il permet .le remplissage de toutes les rainures avec une seule gouttelette de soudure et qu'il permet une inspection visuelle du côté distant de l'élément semi-conducteur. Ces avantages sont offerts par le mode de réalisation de la fig. 3, alors même 35 qu'un seul élément semi-conducteur doit être fixé au dissipateur thermique. Tandis que le mode de réalisation de la fig. 3 représente un dispositif conçu pour introduire successivement de la soudure dans des éléments semi-conducteurs à partir d'un seul point 40 d'application, le mode de réalisation de la fig. 4 illustre BÂD ORIGINAL 71 07959 io 2081794 Inapplication de l'invention au soudage ofc en. garz*. ?.*«• le d*éléments stai-conducttori• Ssr la fig. 4, un substrat di/-« lectrique 201 est garni d'une couche conductrice 203 sur l'iins de ses faces principales. Dans 1'exemple représenté, la couche 5 conductrice est formée par un premier lobe 205 et par un second lobe 20?, réunis au centre en 209. Des rainures primaires 211 sont foncées dans la coucha conductrice v avec un point central d'intersection 213. Les rainures primaires coupant des rainures secondaires 215 de Moindres dirnsntionss qui sont disposées ^elon 10 un tracé entrecroisé en grille, s'étendant latéralement un peu au-delà des sones 217 indiquées par leurs contours en traits discontinussces zones devant ètra teus»lacentes à des éléments semi-conducteurs et être uni«s à ccux-^i. Lorsque des éléments semi«"c©»ductcurs ont été placés ae ?**-15 nière à recouvrir les sonss 217, une seule gouttelette de soudure placé® au point central d*-intersection 211? alimence en soudure chaque sone par les rainures primaires 211. lorsqu'elle atteint les raiiïures secondaires 215, I® seriar*. pa?.«« facilement dans ces dernières$ du fait de 1*attraction capillaire plus intense 20 de rainures plus petites. De faço» semblable, «me certaine partie de la soudure quitte les rainures *econdaires et remplit les interstices entre les éléments «end-conducteurs à fixer et la couche conductrice, pour forcer des joints tenaces et uniformes sur toute l'étendue des sones Bi7» Etant donné que les rainures 25 font quel que peu saillie latéral «sent *wr les éléments semiconducteurs, une inspection vie*s#13,e permet de -vérifier facilement si la soudure a été répartio correctement et suffisamment. Il est bien entendu qu'un swfcstrat diélectrique 201 pourrait être facilement remplacé psr un dissipateur thermique en 30 métal. Un substrat diélectrique offre un avantage marqué, en ce sens qu'il permet d"obtenir facilement une isolation électrique entre les différents éléments semi-conducteurs. Par exemple, les éléments semi-conducteurs associés aux lobes 205 et 207 peuvent être facilement Isolés les uns des autres, en éliminant 35 simplement la sone centrale de raccordement 209 à la suite du soudage» Cela peut être effectué mécaniquement, par sciage ou recouvrement, ou chiniquement à 1*alde d'un mordant. Il est bien entendu que chaque élément semi-conducteur peut être initialement isolé en partie, en séparant sélectivement un lobe 40 par rapport aux autres. Selon un autre mode de réalisation, la BAD ORIGINAL 71 07959 11 "2081794 couche conductrice peut être Initialement d*un seul tenant et dépourvue de lobes, mais cela nécessitera l'enlèvement d'une , plus grande proportion de la couche conductrice pour réaliser une séparation, si nécessaire* 5 La fig. 7 représente un composant semi-conducteur 300. Ce composant est constitué par un dissipateur thermique 302 qui est représenté sur la fig. 5 tel qu'il se présente avant la fabrication du composant. Le dissipateur thermique est plan et muni d'une patte 304 formée d'un seul tenant, comportant un trou de 10 montage 306. La fabrication du composant semi-conducteur 300 commence par la fixation à la surface du dissipateur thermique, dans des rapports de faible résistance thermique, d'un substrat diélectrique 308, en un matériau conducteur de la chaleur et 1-solant électrique, indiqué par son contour en tirets sur la fig* 15 5. Le substrat diélectrique est de préférence en une matière tel le que l'oxyde de béryllium ou l'alumine qui, comme on le sait, est électriquement isolante, tout en possédant une conductlvité thermique nettement supérieure à celle de la plupart des isolants. 20 Pour faciliter le soudage du substrat diélectrique au dis sipateur thermique, un certain nombre de rainures sont formées dans la face principale de ce dernier. Selon ce qui est représenté, une première série de sections parallèles de rainures 310a est formée, coupant une série convergente de sections de 25 rainures 310b qui se réunissent en un point de convergence 310c* A leurs extrémités opposées au point de convergence, les sections de rainures de la première série sont réunies par une section de rainure 3lOd, prévue à des fins de contrôle et de réserve* Une seconde série de sections parallèles de rainures 312a 30 coupe perpendiculairement la première série de section de rainures* Des sections de rainures 312b, prévues à des fins de contrôle et de réserve, coupent la seconde série de sections de rai nures, aux extrémités opposées de celles-ci* Les sections de rai nures prévues à des fins de contrôle et de réserve sont entière-35 ment situées à l'extérieur de la zone correspondant au substrat diélectrique* Pour fixer le substrat diélectrique au dissipateur thermique, la face principale du substrat qui doit être assemblée est garnie de préférence d'une couche superficielle métallisée (non 40 représentée) dont la structure peut être identique à celle d'un 71 07959 12 2081794 contact d *élément semi-conducteur. La métallisation superficielle facilite l'assemblage, de même que dans le cas du soudage d'un élément semi-conducteur9 Le substrat diélectrique étant dans la position indiquée par le contour en tirets de la fig* 5, de la 5 soudure, placée initialement au point de convergence 310c, est fondue de manière à être distribuée facilement, sous l'effet des forces capillaires et de gravité, à travers la matrice de rainures, parcourant d'abord les sections de rainures 310b vers la première série de sections parallèles 310a et vers la seconde 10 série de sections parallèles de rainures 312a. De la soudure est aussi attirée par effet capillaire en dehors des sections de rainures dans les interstices entre le substrat diélectrique et le dissipateur thermique. Les sections de rainures de contrôle 3l0d et 312b indiquent facilement si la soudure a été' convenable-15 ment répartie. En outre, au cas où l'une des rainures serait obstruée pour une raison quelconque, les sections de rainures 310d et 312b permettraient à la soudure effluente d'être réattirée au-dessous du substrat diélectrique, s*écoulant de sections de rainures non obstruées à toute section de rainure obstruée ou 20 vide qui lie se déverserait pas dans la section de rainure de réserve. En conséquence, les sections de rainures de réserve améliorent considérablement la fiabilité de répartition uniforme de la soudure. Selon ce qui a été décrit abondamment ci-dessus à propos des modes de réalisation précédents de l'inven-25 tion, la soudure sous-jacenté au substrat diélectrique reste relativement dépourvue d'oxygène. Sur la fig. 6, la partie résiduelle, riche en oxygène, de la soudure utilisée pour fixer le substrat diélectrique est représentée en 314 au niveau du point de convergence. 30 Comme on peut le voir nettement sur la fig. 6, le substrat diélectrique est muni, sur sa face principale 316 située à distance du dissipateur thermique, de plaques conductrices ou contacts séparés en direction latérale. Le contact 318 a une surface plus grande et il- sert de contact traversé par le courant 35 principal, tandis que le contact 320 a une surface plus petite et sert de contact d'activation ou de porte. Un intervalle latéral 322 est ménagé entre ces contacts. Comme on l'a indiqué par un contour en tirets sur la fig. 6, un élément semi-conducteur 324 recouvre les contacts 318 et 320. 40 L*élément semi-conducteur peut être identique à l'élément 102 71 07959 13 2081794 décrit à propos du composant semi-conducteur 100* Dans le cas présent, l'élément semi-conducteur est placé de sort® que la couche de liaison .132 coopère avec 1« contact 320, tandis que la couche de liaison 128 est en rapport avec le contact 318, la 5 jonction 122 atteignait la seconde face principale 106 dans les limites de l'intervalle latéral 322 entre les contacts. Toutefois, lors de la fabrication du composant semi-conducteur 300, les couches de liaison ne sont constituées que par les contacts fixés à l'éléssent semi-conducteur , et non par la soudure pour la 10 liaison* Conformément à l'invention, afin de faciliter le soudage, un certain nombre de sections parallèles de rainures 32ë sont formées dans le contact principal, se raccordant à des sections de rainures convergentes 328 qui se réunissent en tin point 330* De 15 même, le contact de porte est muni d'un certain nombre de sections parallèles de rainures 332 qui rejoignent des sections de irainures convergentes 334 présentant un point de convergence 336..Il y a lieu de noter que les points de convergences, les sections de rainures convergentes et use partie des sections de 20 rainures parallèles, pour chacun des contacts, sont situés en dehors de la zone recouverte par 1'élément semi-conducteur• Avant sa fixation au substrat diélectrique, l'élément semiconducteur peut être muni d'un collecteur de courant et d'un conducteur 338 (fig.7). Lorsque l'élément semi-conducteur 324 25 est identique à l'élément 102, le conducteur 338 sert de conducteur d'anode et est uni à la couche émetteur anodique de l'élément semi-conducteur. En vue de fixer l'élément semi-conducteur au substrat diélectrique de manière à en évacuer la chaleur et afin de permettre des connexions de conducteurs ex-30 térleurs, l'élément semi-conducteur est placé, avec un conducteur de porte 340 et un conducteur cathodique 342, dans la position de la fig. 7. En fondant, une gouttelette de soudure déposée au point de convergence 330 répand de la soudure le long des sections de rainures convergentes 328 vers les sections 35 de rainures parallèles 326. 11 y a lieu de noter qu'une simple gouttelette de soudure ne fait pas que fixer l'élément semiconducteur au contact du substrat diélectrique parcouru par le courant principal, mais fixe en même temps le conducteur cathodique 342 à ce même contact. De façon semblable, une seconde 40 gouttelette déposée au point de convergence 336 répand de la t 71 07959 208179'-! soudure à travers les sections de rainurâj parallèles 3?2 aa-dessous du conducteur de porte 340 et a la xom de la surface de l'élément semi-conducteur qui est formee par la coucn* base cathodique. Dans l'un et l'autre cas, il est formé une connexion 5 tenace et à faible résistance par la soudure, offrant leg avantages exposés à propos des modes da réalisation précédents de l'invention. Lorsque le soudage est achevi* une enveloppe de plastique 344 peut être moulée pour encapsuler, en coopération avec le dissipateur thermique, 1'élément semi-conducteur et le 10 substrat diélectrique. On se rendra aisément compte é-:ï 16importance du procédé a-mélioré de fabrication de l'invention, pour le composant semi-* conducteur 300, en considérant qu«-an pas-sam- de l'élément semiconducteur 324 au dissipateur thermique 302, la chaleur doit tra-15 verser les connexions par soudure aes contacts 318 et 320 pour atteindre le substrat diélectrique 3ib. puis le substrat diélectrique et enfin la connexion par soudure entre le dissipateur thermique et le substrat * m avec le meilleur choix pratique du substrat diélectrique., cet élément représentera un fac-20 teur important de résistance au flux de chaleur. En outre, la chaleur doit traverser deux joints de soudure successifs. En conséquence, afin d'éviter un déclassement radical du composant, 11 est indispensable que les deux jcints de soudure présentent une faible résistance au flux de chaleur. Cet objectif est at-25 teint avec 1'invention. En même temps, on notera qu'en ce qui concerne la conduction de l'électricité entre la couche émetteur cathodique de l'élément semi-conducteur et la conducteur cathodique 342, le courant doit traverser une connexion de soudure entre 1*élément semi-conducteur et .le contact 318, parcourir 30 en direction latérale le contact 318 et traverser la connexion de soudure entre le contact et le conducteur cathodique. Là encore, deux connexions de soudure doivent donc être traversées successivement. Un avantage, à la fabrication du composant semiconducteur 300, tient au fait que tous les éléments peuvent être 35 assemblés dans les positions relatives de la fig. 7 et que le soudage peut être effectué en une seule opération, par simple dépôt de soudure aux trois points de convergence des rainures. De la sorte, l'invention ne fait pas qu'améliorer les perfo-mances thermiques et électriques, mais se traduit aussi par 40 une plus grande facilité de fabrication des composants. 71 07959 15 2081794 Pour illustrer encore la diversité de l'invention» il a été représenté sur la fig* 8 un composant semi-conducteur 400 qui contient un élément semi-conducteur 402 avec une première face principale 404 et une seconde face principale opposée 406. Comme 5 on peut le voir, 1*élément semi-conducteur est constitué par une zone collecteur 408 contiguë à la première face principale, par une zone base 410 et par une zone émetteur 412 conti'gu» à la seconde face principale. Une jonction émetteur 414 est située entre les zones émetteur et base, tandis qu'une jonction collec-10 teur 416 est formée entre les zones base et collecteur. Un connecteur d'émetteur 418, qui peut être formé d'une seule pièce avec un conducteur d'émetteur ou connecté électriquement à ce-lui-ci, est associé dans des rapports de conduction ohmique avec la zone émetteur par line couche de liaison 420. Un connecteur 15 de base 422 semblable est associé, en rapport de conduction ohmique, avec la zone base par une couche de liaison 424. Les couches de liaison 420 et 424 peuvent être identiques aux couches de liaison 128 et 132. Les connecteurs d'émetteur et de base sont représentés dans la disposition imbriquée, couramment adop-20 tée pour des transistors de puissance. Un dissipateur thermique 426 est prévu pour le montage de 1'élément semi-conducteur du transistor, constituant une connexion à conduction ohmique avec la zone collecteur, ainsi que pour dissiper la chaleur de l'élément semi-conducteur. La fig. 9 25 est une vue en plan du dissipateur thermique, tel qu'il apparaît avant le montage de l'élément semi-conducteur sur lui. Le contour de l'élément semi-conducteur 402 est indiqué en traits discontinus sur la fig. 9. Le dissipateur thermique présente une ouverture centrale 428 qui s'étend entre une première face prin-30 cipale 430 destinée à coopérer avec tin organe d'absorption de la chaleur et une seconde face principale 432 qui reçoit la chaleur en provenance de l'élément semi-conducteur. Un certain nombre de rainures primaires radiales 434 coupent l'ouverture au niveau de la seconde face principale. Un certain nombre de rainu-35 res circonférentielles 436 sont disposées concentriquement par rapport à l'ouverture et coupent les rainures primaires. Les rainures circonférentielles ont une section transversale plus petite que les rainures primaires, de sorte qu'elles exercent une attraction capillaire plus intense sur la soudure. Des 40 rainures secondaires radiales 438 coupent les rainures circon- 71 07959 16 2081794 férentielles, & rai-distance entre les rainures primaires. Les rainures secondaires radiales comprennent des sections externes de contrôle 441 qui débordent latéralement sur la surface recouverte par l'élément semi-conducteur. 5 La première face principale de l'élément semi-conducteur ést munie d'un contact 440. Une couche de soudure 442 unit le contact 440 et la première face principale au dissipateur thermique. La soudure pénètre dans les rainures et dans l'ouverture. Une partie de la soudure forme un bouton 444 au niveau de la se-10 conde face principale du dissipateur thermique. Le bouton présente un revêtement d'oxyde 446, alors que le reste de la soudure est relativement dépourvu d'oxyde. Une enveloppe moulée 448 entoure l'élément semi-conducteur, en coopérant avec le dissipateur thermique. 15 Pour fixer l'élément semi-conducteur 402 au dissipateur thermique 426, ces éléments sont assemblés comme le montre la fig. 8, à cette exception que la première face principale 430 du dissipateur thermique est dirigée de préférence de manière à être en position supérieure - c'est-à-dire que les éléments 20 sont inversés par rapport à la position représentée. La soudure 442, qui se fixe au dissipateur thermique en fondant, est introduite par l'ouverture 428. La soudure commence par se répandre le long des rainures radiales primaires 434, pour pénétrer dans les rainures secondaires circonférentielles 436 qui 25 exercent une plus grande attraction capillaire sur la soudure. La soudure se répand aussi par effet capillaire dans les interstices entre le dissipateur thermique et l'élément semi-conducteur, de sorte qu'elle se fixe sur toute la surface du contact 440. De la soudure pénètre dans les capillaires radiaux 438 et 30 se répand vers l'extérieur en direction des sections de contrôle 441. Etant donné que les sections de contrôle coupent les rainures secondaires et sont alimentées par celles-ci au point le plus éloigné des rainures primaires, l'expulsion de soudure à partir des rainures radiales secondaires au niveau des sections 35 de contrôle indique sûrement que les rainures secondaires ont été emplies de soudure. Etant donné que la soudure se répand.à travers l'ouverture et les capillaires, seule est distribuée la partie relativement dépourvue d'oxyde de la soudure. Le revêtement d*oxyde 446 qui se forme sur la soudure au contact de 40 l'air reste sur le bouton 444. Après que la soudure a durci, le 71 07959 11 2081794 bouton pesât être détasiaé Kécaniqueseat sa dissipateur thermique, avee la eoueïia d®osiyde qu9il porto;» fel-a psrsasttra grossi de monter la preaiero £as« principale 430 âa dissipateur thermique à plat sur us® surface plane d5£££arptios de ehalssc* 5 Les fig. iô et 11 illustrât me autre structure possible des capillaires. Le dissipateur tàermiqu© 500 présent© une première face principale 5Ô2 et une face principale opposée parallèle 304. Le dissipateur thermique est asuai,d®unG patt© 506 for— mée Pour fixer un élément semiconducteur, toi qu'indiqué en 516, une gouttelette de soudure peut être introduite dans l'ouverture d*alimentation 518. Ca fondant, la soudure sera attiré# latéralement le long des ouvertures latérales et, de là, dans 30 les ouvertures de suintage de soudure 52G au-dessous de 1'élément semi-conducteur. L8interstice entre le dissipateur thermique et 1'élément semi-conducteur attirera la soudure par effet capillaire à partir des ouvertures 520, si bien que la soudure formera en définitive une liaison entre la preaiêr© face princi-35 pale du dissipateur thermique et la face principale accouplée de l'élément semi-conducteur. Do sterne que dans le cas des capillaires en forme de rainure, les parties.de la soudure qui contiennent de l'oxyde sont abandonnées au niveau ou à proximité du point d'application de la soudure et ne sont pas mises en 40 contact avec l'élément semi-conducteur ou des parties corres- bad original 71 07959 2081794 ponât>nt%s da dissipateur thermicp». ' Ic-rs &i saJc-J? 1-? r~-~~sr?r • t::- >»--. x?rv*: r:&r ef? ' £apiî.l«ir« 1 *5.j»v-g,3St?,♦»»: il «iF~r «us? fî?s,'"ssv- 's Tjr-ivS-té TSCM? f W? '*3,«*#'?■ i* fe—r3.>w t*s> .1? ss>iv?" "c S S T" ***> ^ *î "* ■§" *%ys r,»1' iJIÈÎ * 1-S ^ -ir\?t.f*&° &*■;*»#*■. 4V-. V» .~vrn *r:-i-7 y.p** -«*• ^ ^f..Or - Toutefois3 5ass 1» plupart dois C7"!'^T''"™-"- M fv?rr. '^Sici?:.;;? * i * t£*^" i "! i iS**"*' Jk ~s!4 ■"Tt-*' •* •• " ^ 4- • i • •* ■ ;*■, "-■ ' "" ^ 1* * ' ;. que la çra^ité «ers tc^v aa ni'-~ '--g. ?-r"-$ v^rnrf^r-- - Ss f i® 11 inventif»? 4»î« des ?.?r *?■}?■* t".#ÇÎ»S?iffi"?' 1 % .OJfT^ilré.- F^fMS f'';r-."r^'>"!*3"" v-,'---"^ 1?;'*lia *> ï 13, ®s* également œiïi«p**»bJ«-: ** f»lr# *7n«*l % ir r'u^fu" pour eeK-ec-yrir à 1* ^spmsion n Js là v s :r à une «s p«i3 élevée- * en r-c^* 'T * *r r-s;-? tosste ^endîr"??® d« 1« 0©»?â«T€- à d® "».f, "■-■§ '- C5.Ï ît'lll. >'S 3® .Tw» 20 bilJLté £?àî»t d^atvfceiis&ee la -yeula# . T,«s cccpoa?nts anœls 4e ûm l*î»iidro3.i5 à. p*«tir !r> • ct>sr r,::-* doit êtr» dissipée» Par ex«sp-l@, il. sst &x*xêmmmm£ facile de ahaeffer dea dirsipatc-^rs-25 th«r»iqa?!« eemp&xtmnt d«# «s du .wMag« et de la ré partition d« la soudure par «fieS cepîliais*? ?sar ï*irfcer«é® diaire de ces pattes. Si 1*invention a été décrit® à &?apos d# certains aodes préférés de réalisation de composants* il ^st bien «ntsndu que de 30 nawSheva&Bà' variantes viendront f^iifemant à l'esprit de l'hoaœe de X'art* Par exemple, si l«s -^rapo^aatts 100 *t 300 -ont été décrite contenant dss .él4ataata s&L-conducteurs à fonction de thYriatc-rs il tst bt«a «E-teaôe qn* c©* structures de conpo-sants sont généralement applicn'ïX-.ïo à '3«* éléments semi-conduc-35 teurs à fonction ds rodressesr» aissi qu'à des éléments semi-con-ductaurs à- fo^icti©» de transisïor de puissances Bien qu'il ait été fait mention d'enveloppes ssoslée? pour les'différent s composants» il est ^i«n entendu lfiavsntion peut être appliquée à des strmct^rss de" composants lesquelles des enveloppes de 40 aétal hersétl^u«sadKBt cls>s«s ssat utilisées. BAD ORIGINAL 71 07959 19 2081794 REVENDICATIONS 1. Composant semi-conducteur comprenant : un substrat qui présente une zone superficielle conductrice ; un élément semiconducteur présentant une première face principale ; un contact 5 associé à cette première face principale ; des moyens capillaires qui s'étendent entre un point situé à distance de l'élément semi-conducteur et une région interposée entre le substrat et l'élément semi-conducteur ; et des moyens de soudure placés à l'intérieur des moyens capillaires et unissant ledit contact au 10 substrat* 2. Composant semi-conducteur comprenant : un dissipateur thermique présentant line première face principale ; un élément semi-conducteur comportant une seconde face principale pour le transfert de chaleur à partir de cet élément vers une partie au 15 noins de la première face principale du dissipateur thermique ; un contact associé à la seconde face principale de l'élément semi-conducteur, en rapport de contiguïté avec ladite partie au moins du dissipateur thermique ; des moyens capillaires qui s'étendent entre un point situé à distance de l'élément semi-conduc- 20 teur et une région contiguë audit contact ; et des moyens de soudure placés dans les-moyens capillaires et unissant le contact à ladite partie de la première face principale. 3. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé par le fait que les moyens capillaires sont constitués 25 par un certain nombre de rainures formées dans le dissipateur thermique. 4. Composant semi-conducteur selon la revendication 2,caractérisé par le fait que les moyens capillaires sont constitués par un certain nombre de rainures qui sont sensiblement parallè- 30 les entre elles, au niveau de ladite partie du dissipateur thermique* 5. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé par le fait que les moyens capillaires convergent en un point situé à distance de l'élément semi-conducteur• 35 6. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, ca ractérisé par le fait qu'une pellicule d'oxyde est associée à une partie des moyens de soudure, à distance de l'élément semiconducteur . 7. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, ca- 40 ractérisé par le fait que les moyens capillaires convergent en BAD ORIGINAL 71 07959 20 2081794 un point situé à distance de l'élément semi-conducteur, qu'une partie résiduelle des moyens de soudure est située au point de convergence, qu'une pellicule d'oxyde est associée à cette partie résiduelle des moyens de soudure au point de convergence, S et que les moyens de soudure sous-jacents à l'élément semiconducteur sont relativement dépourvus d'oxyde* 8. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé par le fait que les moyens capillaires sont constitués par au moins un passage dans le dissipateur thermique* 10 9. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, ca ractérisé par le fait que les moyens capillaires sont constitués par un passage qui s'étend entre ladite partie de la première face principale sous—jacente à l'élément semi-conducteur et une face principale opposée et parallèle du dissipateur thermique. 15 10. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, ca ractérisé par le fait que les moyens capillaires sont constitués par un passage formé dans le dissipateur thermique, s'étendant latéralement entre ladite partie située au contact de l'élément semi-conducteur et une région distante de celui-ci. 20 11. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, ca ractérisé par le fait que les moyens capillaires comprennent des moyens capillaires principaux et des moyens capillaires secondaires, plus petits, qui coupent les moyens capillaires principaux. 12. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, ca-25 ractérisé par le fait que les moyens capillaires sont constitués par une grille d'éléments s'entrecoupant, au niveau de ladite partie du dissipateur thermique. 13. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé par le fait que les moyens capillaires comprennent plu- 30 sieurs moyens capillaires secondaires disposés concentriquement, et des moyens capillaires principaux qui coupent ces moyens capillaires secondaires pour alimenter ceux-ci en moyens de soudure «, 14. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé par le fait que les moyens capillaires s'étendent en- 35 tre l'élément semi-conducteur et un point de contrôle séparé du-dit point situé à distance par l'élément semi-conducteur, qu!une partie résiduelle des moyens de soudure est en rapport avec les moyens capillaires au niveau dudit point situé à distance et qu'une partie de tête des moyens de soudure est en rapport avec 40 les moyens capillaires au niveau dudit point de contrôle. BAD ORIGINAL 71 07959 21 2081794 15. Composant semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé par le fait que les moyens capillaires sont constitués par différents trajets possibles pour la soudure à partir dudit point situé à distance, au-dessous de l'élément semi-conducteur, 5 jusqu'à un point éloigné latéralement de 1'élément semi-conduc-teur, où ces différents trajets pour la soudure se réunissent. 16. Composant semi-conducteur comprenant t un substrat diélectrique qui présente une première face principale ; des premiers moyens de contact associés à cette première face princi- 10 pale ; un élément semi-conducteur présentant une seconde face principale ; des second moyens de contact associés à cette seconde face principale ; des moyens capillaires associés à ces moyens de contact, s'étendant entre une région située à distance de l'élément semi-conducteur et une région sous-jacente à cet . 15 élément semi-conducteur ; et des moyens de soudure placés dans les moyens capillaires et unissant entre eux les moyens de contact • 17. Composant semi-conducteur selon la revendication 16, caractérisé par le fait que le substrat diélectrique est en un 20 matériau électriquement isolant et thermiquement conducteur. 18. Composant semi-conducteur selon la revendication 16, caractérisé par le fait que le substrat diélectrique est formé d'oxyde de béryllium. 19. Composant semi-conducteur selon la revendication 16, ca- 25 ractérisé par le fait que le substrat diélectrique est composé d'alumine. 20. Composant semi-conducteur selon la revendication 16, caractérisé par le fait que le substrat diélectrique est composé de nitrure d'aluminium. 30 21. Composant semi-conducteur selon la revendication 16, ca ractérisé par le fait que le substrat diélectrique comprend une troisième face principale, parallèle et opposée à la première face principale, ainsi que des troisièmes moyens de contact au niveau de ladite troisième face principale, un dissipateur ther- 35 mique présentant une quatrième face principale, des seconds moyens capillaires associés au dissipateur thermique et s'étendant entre une région située à distance de l'élément semi-conducteur et une région sous-jacente à l'élément semi-conducteur, et des seconds moyens de soudure placés à l'intérieur des seconds 40 moyens capillaires et unissant les troisièmes moyens de contact 71 07959 22 2081794 au dissipateur thermique. 22, Composant semi-conducteur comprenant : un substrat qui présente une.surface conductrice ; un élément semi-conducteur présentant une première face principale recouvrant une première 5 zone de ladite surface conductrice ; un contact associé à ladite première face principale ; des moyens conducteurs, écartés latéralement de l'élément semi-conducteur, recouvrant une seconde zone de la surface conductrice ; des moyens capillaires associés à la surface conductrice, s'étendant à partir d'un point situé 10 à distance de 1'élément semi-conducteur et des moyens conducteurs jusqu'à une première région interposée entre le substrat et l'élément semi-conducteur et une seconde région interposée entre le substrat et les moyens conducteurs ; et des moyens de soudure placés à l'intérieur des moyens capillaires, unissant ledit 15 contact et les moyens conducteurs à ladite surface conductrice, de façon à interconnecter électriquement les moyens conducteurs et la première face principale de l'élément semi-conducteur. 23. Composant semiconducteur comprenant : un substrat diélectrique qui présente une première face principale ; des pre- 20 miers et des seconds moyens de contact associés à la première face principale, à distance latérale les uns des autres ; un é-lément semi-conducteur présentant une seconde face principale, cet élément semi-conducteur contenant une jonction qui divise la seconde face principale en une première et une seconde zones 25 contiguës en direction latérale ; des troisièmes et quatrièmes moyens de contact, espacés latéralement, associés respectivement à la première et la seconde zones de l'élément semi-conducteur; des premiers moyens capillaires associés aux premiers moyens de contact et s'étendant entre un point situé à distance de l'é-30 lément semi-conducteur et une région interposée entre les premiers et les troisièmes moyens de contact ; des seconds moyens; capillaires associés aux seconds moyens de contact et s'étendant entre un point situé à distance de l'élément semi-conducteur et une région interposée entre les seconds et les quatrièmes moyens 35 de contact ; des premiers moyens de soudure associés aux premiers moyens capillaires pour unir les premiers et les troisièmes moyens de contact ; et des seconds moyens de soudure associés aux seconds moyens capillaires pour unir les seconds et les quatrièmes moyens de contact. 40 24. Composant semi-conducteur comprenant t une surface 71 07959 23 2081794 conductrice ; plusieurs éléments semi-conducteurs séparés, chacun présentant une face principale ; des moyens de contact associés à ces faces principales ; des moyens capillaires qui s'étendent entre un point situé à distance des éléments semi-conducteurs et 5 des régions sous-jacentes aux moyens de contact de chacun des éléments semi-conducteurs ; et des moyens de soudure placés dans les moyens capillaires et unissant les moyens de contact des éléments semi-conducteurs à ladite surface conductrice. 25. Composant semi-conducteur selon la revendication 24, 10 caractérisé par le fait que les moyens capillaires sont constitués par un réservoir commun pour les moyens de soudure et par des moyens de distribution séparés pour chacun des éléments semiconducteurs* 26. Composant semi-conducteur selon la revendication 24, 15 caractérisé par le fait que les moyens capillaires sont constitués par un réservoir commun pour les moyens de soudure et des moyens de distribution pour acheminer successivement les moyens de soudure vers chacun des éléments semi-conducteurs. 27. Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur, 20 comprenant les opérations consistant : à former un capillaire dans un organe de support pour un élément semi-conducteur ; à placer l'élément semi-conducteur, auquel un contact est fixé, de sorte que ce contact recouvre une partie du capillaire et qu'une partie du capillaire se prolonge latéralement au-delà de 25 l'élément semi-conducteur ; à introduire de la soudure sous forme fondue dans la partie de prolongement latéral du capillaire, à distance de l'élément semi-conducteur ; à séparer une partie de la soudure, relativement dépourvue d'oxyde, et à distribuer latéralement cette partie de la soudure au-dessous de l'élément semi-30 conducteur par effet capillaire ; et à transférer une partie de la soudure à partir d'une section du capillaire recouverte par l'élément semi-conducteur, vers une région comprise entre le contact de l'élément semi-conducteur et l'organe de support pour former une liaison tenace et à faible résistance entre ceux-ci. 35 28. Procédé selon la revendication 27, caractérisé par le fait qu'il est formé un certain nombre de capillaires qui se coupent à distance latérale de l'élément semi-conducteur, la soudure étant introduite dans les capillaires en un point unique situé à distance de l'élément semi-conducteur. 40 29. Procédé selon la revendication 27, caractérisé par le Il 07959 24 2081794 fait que l'organe de support est amené, au-dessous de l'élément semi-conducteur, à une température plus élevée qu'au niveau de la région du capillaire qui reçoit la soudure à distance de l'élément semi-conducteur. 5 30. Procédé selon la revendication 27, caractérisé par le fait que l'élément semi-conducteur est placé de sorte que le capillaire soit visible de part et d'autre du contact et que la soudure est introduite dans le capillaire jusqu'à ce qu'elle puisse être observée dans la section du capillaire située du côté opposé 10 au côté d'introduction. 31. Procédé selon la revendication 27, caractérisé par le fait qu'il est formé, dans l'organe de support, des premiers et des seconds capillaires avec des points d'intersection de part et d'autre du contact de l'élément semi-conducteur ; que la sou- 15 dure est introduite au niveau d'un point d'intersection et qu'elle s'écoule dincapillaire dans l'autre au niveau de l'autre point d'intersection pour revenir au-dessous du contact dans le cas où u* capillaire obstrué n'aurait pas reçu le courant de soudure. 32. Procédé selon la revendication 27, caractérisé par le 20 fait que plusieurs éléments semi-conducteurs sont placés à distance latérale les uns des autres de manière à recouvrir le capillaire ; et que la soudure est introduite dans une section du capillaire séparée d'un élément semi-conducteur par un autre élément semi-conducteur. 25 33. Procédé selon la revendication 27, caractérisé par le fait que plusieurs éléments semi-conducteurs sont disposés à distance latérale les uns des autres, de manière à recouvrir le capillaire j et que la soudure est introduite dans une section du capillaire en un point intermédiaire entre deux des é-30 léments semi-conducteurs* 34. Procédé selon la revendication 27 comprenant en outre les opérations consistant : à former l'organe de support à partir d'un substrat diélectrique avec un contact électriquement conducteur sur lui ; à placer plusieurs éléments semi-conducteurs 35 à distance latérale les uns des autres, de sorte qu'ils recouvrent le capillaire ; à faire passer de la soudure à travers.le capillaire à partir d'un unique point vers chacun des éléments semi-conducteurs ; et à isoler électriquement les éléments semiconducteurs en sectionnant le contact électriquement conducteur 40 entre ceux-ci. 71 07959 25 2081794 35. Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur comprenant les opérations consistant : à former, dans un organe diélectrique de support, muni de contacts espacés latéralement, un capillaire dans chacun des contacts espacés ; à placer un 5 élément semi-conducteur muni de contacts espacés latéralement, de sorte qu'un contact recouvre une partie d'un premier capillaire, tandis qu'un second contact, espacé latéralement, recouvre une partie d'un second capillaire ; à introduire de la soudure dans des parties des capillaires qui se prolongent latéralement 10 au-delà de l'élément semi-conducteur ; à oxyder une partie superficielle exposée de la soudure, tout en distribuant latéralement une partie relativement dépourvue d'oxyde de la soudure au-dessous de l'élément semi-conducteur,, par effet capillaire ; et à transférer une partie de la soudure à partir des capillaires 15 dans une région comprise entre les contacts de l'élément semiconducteur et les contacts de l'organe de support pour former des liaisons tenaces, à faible résistance, espacées latéralement, entre l'organe diélectrique de support et l'élément semi-conducteur • 20 36. Composant semi-conducteur comprenant : un substrat pré sentant une zone de surface conductrice ; des moyens semi-conduc-teurs présentant une première face principale ? une rainure formée dans l'un ou l'autre des moyens semi-conducteurs et de la zone de surface conductrice ; et des moyens de liaison placés 25 à l'intérieur de la rainure pour former un joint tenace entre la zone de surface conductrice et les moyens semi-conducteurs, dans des rapports de faible résistance, ces moyens de liaison comprenant une partie relativement dépourvue d'oxyde en rapport avec la zone de surface conductrice et les moyens semi-conduc-30 teurs, la partie restante de ces moyens de liaison ayant une teneur en oxyde plus élevée.