Brevet FR2059999A1 — publié le 19710611

llkh5 1 2059999 La présente invention a pour objet des perfectionnements à un procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur par implantation d'ions d'impuretés et le dispositif semi-conducteur obtenu par ce procédé. Lorsqu'on utilise le procédé d'implantation d'ions 5 au lieu du procédé par diffusion conventionnel, on peut introduire des impuretés dans une aire extrêmement étroite sous des concentrations considérablement élevées. En conséquence, l'application du dit procédé d'implantation d'ions pour la formation de la région base d'un transistor à semi-conducteur fournit un dispositif 10 semi-conducteur adapté pour les utilisations à haute fréquence dont la région base présente une largeur étroite et une résistance faible. Le procédé par implantation d'ions adopté jusqu'ici consiste, comme représenté dans la figure 1, à former tout d'abord une 15 région collecteur 1 et une région émetteur 2 et à préparer ensuite une région base à partir d'impuretés introduites par implantation d'ions en utilisant une énergie d'implantation unique. Avec un dispositif semi-conducteur présentant une telle construction planar, les impuretés constituant la région base présentent une 20 concentration sur la surface du corps semi-conducteur qui décroît de façon abrupte comme représenté dans la figure 2. En conséquence, on a proposé différents procédés pour compenser la réduction de la concentration des impuretés constituant la région base sur la surface du corps semi-conducteur, par exemple un procédé qui 25 consiste à répéter plusieurs fois, comme représenté dans la figure 3A, l'implantation d'ions des impuretés pour former une région base en faisant varier le type d'énergie d'implantation ou un procédé qui consiste à utiliser, comme représenté dans la figure 3B, une diffusion en supplément de l'implantation d'ions pour former 30 la région base. Avec l'un quelconque de ces procédés il se produit, cependant de façon inévitable, une réduction de la concentration des impuretés contenues dans la section de contact 4 de la base ou autour de la périphérie de la région émetteur 5 formée sur la surface du corps semi-conducteur. On a conçu un autre procédé pour 35 former par implantation d,ions, comme représenté dans la figure 4, une couche de contact 6 pour la base contenant des concentrations élevées en impuretés avec le même type de conductivité que celui de la région base, dans la partie de la section de contact 4 de la base qui est éloignée de la région émetteur 2, Dans ce cas égale-40 ment, il apparait cependant entre la région émetteur 2 et le con 70 11445 2 2059999 tact de base 6, au voisinage de la surface du corps serai-conducteur, une partie 3 de la région base dans laquelle les impuretés sont implantées avec des concentrations faibles, ce qui provoque une résistance élevée entre la région émetteur 2 ét la couche de 5 contact 6 de la base. Quoique les procédés d'implantation d'ions ci-dessus mentionnés de l'art antérieur assuraient eri fait une réduction de la résistance et de 1^ largeur de"la couche formant base, ils présentaient l'inconvénient qu'il existait une résistance élevée autour de la périphérie de là région émetteur, ce qui ld réciproquement réduisait l'avantage de l'implantation d'ions. LTobjet de la présente invention est de fournir un procédé pour réaliser, par implantation d'ions d'impuretés, un dispositif semi-conducteur dans lequel la région base a une résistance faible et une largeur étroite et dans lequel les parties autour de la 15 périphérie de la région émetteur ont également une résistance faible. LTinvention a également pour objet le dispositif obtenu par ce procédé. Plus particulièrement, le procédé de la présente invention consisté à former, sur la surface d'un corps semi-conducteur, une région émetteur à haute concentration avec le même type 20 de conductivité que celui du dit corps, une couche de contact de base à haute concentration, adjacente au côté de la dite, région émetteur à haute concentration, avec un type die conductivité opposé à celui du dit corps semi-conducteur et une région base par implantation d'ions dfimpuretés, à travers la surface du corps 25 semi-conducteur, au voisinage immédiat du dessous de la région émetteur de manière à ce qu'elle soit connectée à la couche de contact de la base. Le procédé de la présente invention peut également être mis en oeuvre en formant préalablement par diffusion une région base à faible concentration de manière à ce qu'elle 30 soit connectée à la couche de contact de la base, avant de la doter de concentrations élevées en impuretés par. implantation d* ions ou, préalablement à la préparation de la région émetteur à concentration élevée, en formant une région base à concentration élevée par implantation d'ions au voisinage du dessous de la dite 35 région émetteur. De plus la présente invention fournit un dispositif semiconducteur comprenant une région collecteur et une région émetteur à concentration élevée formée sur un substrat semi-conducteur avec le même type de conductivité que celui du dit substrat, une couche 40 de contact de la base à concentration élevée, adjacente au côté de 70 11445 3 2059999 la région émetteur â concentration élevée, avec un type de conduc-tivité opposé à celui du substrat et une région base formée au voisinage du dessous de la région émetteur par implantation d'ions d*impuretés. 5 La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée faite ci-après avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels : Fig. 1 illustre un procédé de l'art antérieur pour fabriquer un dispositif semi-conducteur; lO Figs 2, 3A et 3B sont des courbes montrant la distribution des impuretés dans un dispositif semi-conducteur préparé selon 1* art antérieur; Fig. 4 illustre un autre procédé de l'art antérieur pour fabriquer un dispositif semi-conducteur; 15 Figs 5A à 5C et 6A à 6C représentent le procédé de fabri cation de la présente invention utilisant un masque d'oxyde dopé; Figs 7A à 7E illustrent un autre procédé de fabrication de 1'invention dans lequel la région base est formée par diffusion préalablement à sa préparation par implantation d'ions; 20 Figs 8A à 8E représentent un autre procédé de fabrication de la présente invention n*utilisant pas un masque d'oxyde dopé et Figs 9A à 9D représentent encore un autre procédé de fabrication de l'invention dans lequel la région base est formée par implantation d'ions préalablement à la préparation de la région 25 émetteur. Il a jusqu'ici été supposé que lôrsqu'une région' émetteur à haute concentration et une autre couche à haute concentration présentant un type de conductivité opposé à celle-ci sont formées au voisinage l'une de l'autre, il se produit l'inconvénient que 30 l'efficacité de l'émetteur s'abaisse et que la capacité de transition de la partie voisine de la dite région émetteur s'accroît. Toutefois la présente invention a prouvé que même lorsqu'une couche de contact de la base à concentration élevée est formée, comme décrit ci-dessus,au voisinage d'une région émetteur à concentra-35 tion élevée, le courant passant à travers la jonction entre elles s'abaisse, ce qui rend la réduction de l'efficacité de l'émetteur pratiquement négligeable et que, si la partie à haute concentration contactant la dite région émetteur présente une épaisseur réduite, l'accroissement de la capacité de transition ci-dessus men-4Q tionnée peut être contrôlé à un niveau admissible. 70 llkk5 4 2059999 On décrira maintenant la présente invention avec référence aux dessins ci-annexés. Se référant aux figures 5A à 5C , 6A à 6C , 7A à 7E et 8A à 8E, on forme à l'avance une région émetteur et ensuite une région base par implantation d'ions d'impuretés dans 5 une partie au delà de la dite région émetteur. Conformément au procédé des figures 5A à 5C, la partie de la surface d'un corps semi-conducteur correspondant à une région émetteur 12 est enduite avec une couche d'un masque dopé 17 qui contient des impuretés à diffuser pour former la dite région émetteur 12 mais, qui empêche 10 la diffusion des dites impuretés dans la couche de contact 16 à haute concentration de la base. La surface à l'extérieur de celle du dit corps semi-conducteur correspondant à la dite couche de contact 16 de la base est recouverte avec une couche formant masque 18 qui n'est pas dopée avec des impuretés et les impuretés 15 sont ensuite diffusées pour former la dite couche de contact 16 à haute concentration de la base. A travers le dit masque 17 dopé avec des impuretés sont diffusées des impuretés ayant un type de conductivité opposé à celui des impuretés de la base de manière à former la dite région émetteur 12 à haute concentration avec la 20 périphérie de la dite région émetteur à haute concentration 12 adjacente à la dite couche de contact 16 à haute concentration de la base (figure 5A). Après avoir éliminé le dit masque dopé 17 pour la région émetteur, on effectue une implantation d'ions d' impuretés pour former une couche base 13 comme représenté dans la 25 figure 5B au voisinage du dessous de la dite couche émetteur 12 de manière que la couche de base 13 soit superposée sur la dite couche de contact 16 de la base. On décrira maintenant concrètement un mode de réalisation de la présente invention mettant en oeuvre le procédé de fabrica-30 tion illustré dans les figures 5A à 5C. Se référant à la figure 5A, le dispositif comporte un substrat en silicium 20 du type N ayant une résistance de 0,01.A.cm. Sur le dit substrat 20 est de plus superposée, par grossissement en phase vapeur, une couche de silicium du type N ayant une résistance de l/tcm pour former une 35 partie collecteur 11. L'ensemble du substrat 20 et d'uné partie de la région collecteur 11 constituent la région collecteur. On comprendra qu'il n'est pas toujours nécessaire d'avoir une constitution à deux couches obtenue en formant une partie de région collecteur 11 sur un substrat 20 et la région collecteur 11 peut 40 être formée par une construction à une seule couche en évitant 70 11445 5 2059999 soit le substrat 20, soit la partie de la région collecteur 11, La surface de la dite région collecteur 11 est oxydée pour obtenir une couche de silice 18 de 0,4 micron d'épaisseur. La partie de la dite couche de silice 18 qui s'oppose à l'implantation d'ions et 5 qui est déposée sur la partie du substrat où doivent être formées la région émetteur et la couche de contact de la base ou une région base est éliminée par attaque photolithographique. La partie de la surface du substrat correspondant à la dite région émetteur 12 est enduite chimiquement ou par pulvérisation avec une couche 10 de silice 17 dopée avec des impuretés du type N, par exemple du phosphore (P). A travers la fenêtre entre la dite couche de silice 18 et la couche de silice dopée 17 est diffusé du nitrure de bore (BN) comme source d'impuretés pour former une couche de contact 16 de la base du.type P+, à haute concentration et de 0,3 micron 15 de profondeur et à travers la dite couche de silice dopée 17 est diffusé du phosphore pour former une région émetteur 12 du type N, à haute concentration et de 0,2 micron de profondeur. Dans ce cas, les extrémités se contactant mutuellement de la dite région émet- r teur 12 du type N et de la dite région de contact 16 du type P+" de 20 la base sont formées de manière à s'interpénétrer légèrement. La couche de contact du type P+ à haute concentration de la base désigne,dans le présent cas, une couche dont la surface contient des concentrations en impuretés■plus élevées que le maximum ou pic de concentration des impuretés introduites dans la dite région 25 base 13 du type P, par implantation d'ions. Ensuite, comme représenté dans la figure 5B, on effectue une implantation d'ions d' atomes de bore (B) en utilisant une énergie de 40kv de manière à former la dite région base 13, avec une largeur de 0,08 micron, au delà de la dite, région émetteur 12, à une profondeur de 0,28 * 18 3 30 micron, avec une concentration maximale réglée à 5 x ÎO cm" en implantation moyenne. En conséquence, la jonction entre les régicns base et collecteur est formée en dessous à la dite profondeur de » 0,28 micron. La surface du corps semi-conducteur est masquée, comme re-35 présenté dans la figure 5C, avec une couche de silice 19. Après que le bore ait été activé, par traitement thermique, on fore une fenêtre dans celles des parties de la couche de silice 19 qui correspondent à la région émetteur et à la couche de contact 16 de la base de manière à y fixer des électrodes émetteur et base 40 21 et 22 et de plus on fixe une électrode collecteur 23 sur le 70 llkk5 6 2059999 dessous du dit substrat semi-conducteur 20. Avec un dispositif semi-conducteur , tel que représenté dans la figure 5C, préparé par ce procédé, la région émetteur 12 du type N et la couche de contact 16 du type P+ de la base sont 5 adjacentes l'une à l'autre et la région base 13 est formée par implantation d'ions avec une largeur extrêmement faible et des concentrations élevées en impuretés. Le procédé de diffusion conventionnel réalise une région base 13 avec une largeur de 0,2 micron et une concentration maxi-17 *3 10 maie de 5 x 10 cm , tandis que le procédé d'implantation d'ions de la présente invention réalise la dite région avec une largeur 18 ~3 de 0,08 micron et une concentration maximale de 5 x ÎO cm • De plus, le procédé de la présente invention permet d'abaisser la largeur de la base jusqu'à 0,05 micron. En outre, conformément au 15 procédé de la présente invention, la région émetteur 12 et la région de contact 16 de la base sont adjacentes l'une à l'autre et la région base 13 n'est pas positionnée au voisinage de la surface du corps semi-conducteur de sorte que la résistance autour de la périphérie de la région émetteur ne s'élève pas dans une mesure 20 appréciable. Un transistor ainsi préparé présente des propriétés extrêmement élevées avec une fréquence limite fT s'établissant à 10 GHz et une résistance de base de 20/1, Avec ce transistor, la région à haute fréquence présente une résistance de-base très faible et il ne se produit aucun abaissement de l'efficacité de 25 l'émetteur ou aucun accroissement de la capacité de l'émetteur. Un transistor ayant de telles propriétés n'a pu être fabriqué par le procédé de diffusion conventionnel ni par aucun procédé d'implantation d'ions à l'exception de celui faisant l'obje.t de la présente invention. 30 On décrira maintenant, avec référence aux figures 6A à 6C, un autre mode de réalisation de la présente invention. La partie de la surface du corps semi-conducteur autre que celle qui correspond à la couche de contact 16 de la base est enduite avec une couche masque 18, comme représenté dans la figure 6A. Sur la par-35 tie de la surface du dit corps semi-conducteur qui correspond à la couche de contact 16 de la base et sur celle qui est déjà enduite avec la dite couche masque 18 est de plus appliquée une- autre couche masque 24 dopée avec des impuretés de la base de manière à masquer les impuretés de l'émetteur et l'implantation d'ions des 40 impuretés de la base. La partie voulue du masque 24 sur la surface 70 11445 7 2059999 du dit corps semi-conducteur autre que la partie de celui-ci correspondant à la dite couche de contact 16 de la base est éliminée par attaque chimique pour former une fenêtre 25 pour l'émetteur. Les impuretés de la base sont diffusées à partir de la dite couche 5 masque dopée 24 pour former les couches de contact 16 à haute concentration de la base et les impuretés de l'émetteur sont diffusées à travers la dite fenêtre 25 pour former une région émetteur 12 à haute concentration ayant un type de conductivité opposé à celui de la couche de contact 16 de la base avec la périphérie de 10 la région émetteur 12 à haute concentration adjacente à la dite couche de contact 16 à haute concentration de la base. A travers la dite fenêtre émetteur 25» comme représenté dans la figure 6Bt sont introduites par implantation d'ions au delà de la dite région émetteur 12 des impuretés de la base de manière à former la région 15 base 13. On décrira maintenant de façon concrète le mode de réalisation représenté dans les figures 6A à 6C. En se référant à la figure 6A, on utilise un substrat au silicium 20 du type N ayant une résistance de 0,01/lcm. Sur le dit substrat 20 est de plus super-20 posée, par grossissement en phase vapeur, une couche de silicium du type N ayant une résistance de in cm, sur une épaisseur de 5 microns, de manière à constituer une région collecteur 11. La surface de la dite région collecteur 11 est oxydée pour former une couche de silice 18 de 0,4 micron d'épaisseur. Celles des parties 25 de la dite couche de silice 18 qui correspondent à la région émetteur 12 et à la couche de contact 16 de la base sont éliminées par attaque photolithographique. On applique par masquage chimique ou pulvérisation une autre couche de silice 24 dopée avec des atomes de bore. Ensuite, la partie de la dite couche de silice dopée 30 24 qui correspond à la région émetteur 12 est éliminée par attaque photolithographique. Le corps semi-conducteur ainsi préparé est chauffé pendant 135 mn à une température de 1100°C pour permettre aux atomes de bore de diffuser avec des concentrations de surface 1 O O de 6 x 10 cm et à une profondeur de 0,8 micron, de manière à 35 former une couche de contact 16 du type P+ , à haute concentration, pour la base. A travers la fenêtre émetteur 25 sont diffusées en phase vapeur des impuretés constituées par de 1'oxychlorure de phosphore (POClo), pendant 15 minutes, à une température de 850°Ct 20 **3 * sous des concentrations de surface de 5 x 10 cm"* et à une pro-40 fondeur de 0,13 micron, de manière à former une région émetteur 12 70 11445 8 2059999 à haute concentration. A ce moment, il apparait inévitablement un film d'oxyde, quoique léger, sur la dite région émetteur 12, le dit film d'oxyde étant éliminé avec une solution de fluorure d'ammonium acide. La diffusion des dites impuretés de l'émetteur per-5 met à la dite région émetteur 12 du type N de pénétrer dans le corps du substrat d'environ 0,1 micron en dessous de la dite couche de silice dopée au bore 24. De. plus, la dite couche de contact 16 du type P+ à haute concentration pour la base, diffusée à partir de la dite couche de silice dopée au bore 24, pénètre à son 10 extrémité dans la dite région émetteur 12 dans une mesure d'envi-ron 0,5 micron, de sorte que la dite région émetteur 12 du type N à haute concentration et la dite couche de contact 16 du type P+ à haute concentration de la base sont amenées en contact étroit 1* une avec l'autre. On notera que la couche de contact base à haute 15 concentration 16 utilisée dans ce mode de réalisation est du même type que celle décrite avec référence aux figures 5A à 5C. Ensuite, comme représenté dans la figure 6B, on introduit des atomes de bore par implantation d'ions à travers la dite fenêtre d'émetteur 25 en utilisant une énergie de 40 kv, à une profon-20 deur de 0,28 micron, avec une concentration maximale réglée à 1R O 3 x 10 cm"-' en implantation moyenne, en formant ainsi une région base 13 du type P en dessous de la région émetteur 12. Cette région base est connectée, comme indiqué, à la couche de contact 16 de base qui l'entoure. La jonction collecteur entre la région 25 collecteur 11 et la région base 13 est formée à une profondeur de 0,28 micron par rapport à la surface du substrat de sorte que la dite région base 13 a une largeur de 0,15 micron. Ensuite, après que le bore ait été activé par traitement thermique, on fixe, comme représenté dans la figure 6C, une électrode émetteur 21, une 30 électrode base 22 et une électrode collecteur 23. Le procédé de fabrication des figures 6A à 6C assure le même résultat que celui des figures 5A à 5C. On décrira maintenant un autre mode de réalisation de la présente invention avec référence aux figures 7A à 7E. Les parties 35 de ces figures identiques à celles de figures 6A à 6C sont désignées par les mêmes références et la description des stades identiques rentrant dans le procédé de fabrication sera omise. Comme représenté dans la figure 7A, du bore est diffusé dans une région collecteur 11 à partir d'une couche de silice dopée au bore 24 40 pour former une couche de contact 16 pour la base. A travers la 70 11445 9 2059999 dite fenêtre émetteur 25, comme représenté dans la figure 7B, sont diffusés des atomes de bore en phase vapeur, à une profondeur de 0,22 micron, dans des concentrations de base actives de 1 x ÎO cm de manière à former une couche de base 26 qui doit 5 être connectée à la dite couche de contact 16 de la base avant 1' implantation d'ions. Comme représenté dans la figure 7C, du phosphore est diffusé en phase vapeur à travers la dite fenêtre émetteur 25 à une profondeur de O,12 micron pour former une région émetteur 12 du type N. La dite région émetteur 12 du type N pénè-ÎO tre légèrement dans le corps semi-conducteur en dessous de la partie inférieure de la couche de silice dopée au bore 24, ce qui permet à la dite région émetteur 12 du type N à haute concentration et à la couche de contact 16 de la base du type P+ à haute concentration d'être adjacentes l'une à l'autre. Un dispositif 15 semi-conducteur ayant la disposition illustrée dans la figure 7C contient encore des concentrations trop faibles en impuretés de la base, comme ci-dessus décrit. En conséquence, à travers la dite fenêtre émetteur 25, comme représenté dans la figure 7D, sont introduits des atomes de bore par implantation d'ions pour accroître 20 les concentrations en impuretés en dessous de la dite région émetteur 12 de manière à former une région base 13 avec une concentra- 1Q O tion en impuretés de la base réglée à 3 x ÎO cm" . Ensuite, des électrodes de jonction 21, 22 et 23 sont fixées comme représenté dans la figure 7E. Avec un dispositif semi-conducteur fabriqué 25 Par ce procédé, la couche de base diffusée 26 permet à la couche de contact 16 du type P+ de la base et à la région base 13 d'être connectées complètement l'une à l'autre. Ainsi la résistance de la base est réduite à ÎO-TL c*est-à-dire à un niveau sensiblement plus faible que ce qui est possible avec les modes de réalisation ci-30 dessus mentionnés et la fréquence limite f^, s'établit à 10 GHz. Les modes de réalisation précédents utilisent un masque dopé. L' usage d'un masque d'oxyde dopé élimine la nécessité de l'aligne- » ment du masque, ce qui accroît la précision dimensionnelle avec laquelle sont formées les régions base et émetteur et les élec-35 trodes. Cependant, on peut toutefois ne pas utiliser dans la présente invention le masque d'oxyde dopé. On décrira maintenant, avec référence aux figures 8A à 8D, un procédé de fabrication qui ne comporte pas l'usage d'un masque d'oxyde dopé. Les parties de ces figures identiques à celles des 40 figures 7A à 7C sont désignées par les mêmes références et la des- 70 llkk5 10 2059999 cription des stades identiques rentrant dans le procédé de fabrication est omise. Se référant à la figure 8A, la surface d'un corps semi-conducteur est masquée avec une couche de silice 18. La partie de la dite couche de silice 18 correspondant à la couche 5 de contact 16 de la base est éliminée par attaque photolithographique» A travers la fenêtre ainsi forée est diffusé du bore sous phase vapeur pour former une couche de contact 16 pour la base. Ensuite, comme représenté dans la figure 8B, la partie de la couche de silice 18 qui correspond à la région émetteur est éliminée» ÎO On diffuse ensuite du bore en phase vapeur dans celles des parties de la dite couche de silice 18 q^ii correspondait à la couche de contact 16 de la base et à la région émetteur 12 pour former une couche de base diffusée 26 qui à son tour est connectée à la dite couche de contact de base 16. La surface de la couche de contact 15 16 de la base est masquée, comme représenté dans la figure 8C, avec une couche de silice 26 et, à travers la fenêtre d'émetteur 25 préparée en éliminant par attaque chimique des parties de la dite couche de silice 26, on diffuse de 1'oxychlorure de phosphore (POClg) en phase vapeur pour former la région émetteur 12 adja-20 cente à la couche de contact 16 de la base. On introduit, comme représenté dans la figure 8D, du bore par implantation d'ions de manière à élever la concentration en impuretés de la dite couche de base diffusée formée en dessous de la dite région émetteur 12. Ensuite on adapte des électrodes 21, 22 et 23 comme illustré dans 25 la figure 8E. Un dispositif semi-conducteur préparé par ce procédé ne comporte pas de couche d'oxyde dopé, ce qui provoque un alignement de masque non satisfaisant avec une fréquence limite f^ s* établissant à 8 GHz et une résistance de base se relevant jusqu'à 15/U 30 On décrira maintenant, avec référence aux figures 9A à 9D, le cas où, préalablement à la formation de la dite région émetteur, on prépare une région base par implantation d'ions d'impuretés. Quoique ce procédé soit applicable dans tous les modes de réalisation des figures 5A à 5C, 6A à 6C, 7A à 7E et 8A à 8E, on décrira 35 maintenant un exemple dans lequel le dit procédé est utilisé dans le cas des figures 6A à 6C« Les parties des figures 9A et 9D identiques à celles des figures 6A à 6C sont désignées par les mêmes références et la description des stades identiques rentrant dans le procédé de fabrication est omise. Se référant à la figure 40 9A, du bore est diffusé à partir d'une couche de silice dopée au 70 11445 11 2059999 au bore 24 pour former une couche de contact 16 du type P+ pour la base. Comme représenté ensuite dans la figure 9B, du bore est implanté à travers la dite fenêtre émetteur 25 de manière à former une région base 13 du type P et on diffuse également," comme repré-5 senté dans la figure 9C, de 1Toxychlorure de phosphore (POCl^) en phase vapeur de manière à former une région émetteur 12 du type N. De plus, comme représenté dans la figure 9D, des électrodes de jonction 21, 22 et 23 sont mises en place. Dans ce cas également, la fréquence limite correspond à 8 GHz et on obtient substantielle-ÎO ment le même effet quTavec les modes de réalisation précédents. Comme mentionné ci-dessus la présente invention concerne un procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur qui a une fréquence limite élevée et une résistance de base faible et le dispositif semi-conducteur obtenu par le procédé. 70 11445 12 2059999 REVENDICATIONS 1,- Un procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur dans lequel on prépare un substrat semi-conducteur qui constitue une région collecteur avec un type de conductivité et forme sur la 5 surface du dit substrat semi-conducteur une région émetteur à haute concentration ayant le même type de conductivité que celui de la dite région collecteur caractérisé en ce que l'on crée une couche de contact pour la base, adjacente latéralement à la région émetteur avec un type de conductivité opposé à celui de la dite 10 région émetteur et forme une région base ayant une largeur étroite et d'un type de conductivité opposé à celui de la dite région émetteur par implantation d'ions d'impuretés à travers la surface du substrat semi-conducteur de manière que la région base soit disposée au voisinage du dessous de la région émetteur et connectée 15 à la couche de contact pour la base. 2«- Un procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la formation de la région émetteur et de la couche de contact pour la base est effectuée en masquant les parties de la surface du dit substrat semi-conducteur autres que celle qui correspond à 20 la couche de contact pour la base et à la région émetteur avec un matériau isolant faisant obstacle à l'implantation d'ions des impuretés, en masquant la partie de la surface du substrat semiconducteur correspondant à la région émetteur avec un matériau isolant contenant des impuretés à diffuser pour la formation de 25 la région émetteur, en diffusant les dites impuretés pour 1' émetteur à partir du dit masque dopé pour former la région émetteur et en diffusant également les impuretés pour la base à partir de la surface du substrat semi-conducteur correspondant à la couche de contact pour la base de manière à former la dite couche de 30 contact pour la base adjacente latéralement à la région émetteur et en ce que l'on introduit des impuretés par implantation d'ions à travers la partie de la surface du substrat semi-conducteur correspondant à la région émetteur et à la couche de contact pour la base après avoir éliminé le masque dopé utilisé pour la formation 35 de la région émetteur. 3.- Un procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la formation de la région émetteur et de la couche de contact pour la base est effectuée en masquant la partie du substrat semiconducteur correspondant à la couche de contact pour la base avec 40 un matériau isolant qui est dopé avec les impuretés pour la base 70 11445 13 2059999 et qui empêche l'implantation d'ions, en diffusant les impuretés de la base depuis le dit masque dopé et également en diffusant les impuretés de l'émetteur à partir de la partie de la surface du substrat semi-conducteur correspondant à la région émetteur de 5 manière à former la dite couche de contact pour la base adjacente latéralement à la région émetteur et en ce que l'on introduit des impuretés pour la base par implantation d'ions à travers la partie de la surface du substrat semi-conducteur correspondant à la région émetteur. 10 4.- Un procédé selon la revendication 3 caractérisé en ce que la formation de la région émetteur et de la couche de contact pour la base est effectuée en masquant la partie de la surface du substrat semi-conducteur correspondant à la couche de contact pour la base avec un matériau isolant qui est dopé avec des impuretés 15 pour la base et qui empêche 1"implantation d'ions, avec une fenêtre pour l'émetteur forée dans ce matériau isolant, en diffusant les impuretés pour la base à travers la dite fenêtre émetteur de manière à former une couche de base et en diffusant le.s impuretés de l'émetteur à travers la fenêtre pour l'émetteur à une profon-20 deur plus faible que les dites impuretés diffusées pour la base, la formation de la région base étant obtenue en introduisant des impuretés pour la base, par implantation d'ions, à travers la dite fenêtre pour l'émetteur, pour qiie ces impuretés soient superposées à la couche de base diffusée, en dessous de la région émetteur. 25 5.- Un procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la formation de la région émetteur et de la couche de contact pour la base est effectuée en masquant la surface du substrat semi-conducteur avec un matériau isolant, en forant une fenêtre sur la partie du dit matériau isolant formant masque correspondant à 30 la couche de contact pour la base pour diffuser les impuretés de base à travers celle-ci en éliminant la partie du matériau isolant formant masque correspondant à la région émetteur pour diffuser des impuretés de la base dans la partie correspondant à la dite couche de contact pour la base et à la région émetteur de manière 35 à former une couche de base, en masquant les parties de la surface du substrat semi-conducteur autres que celle qui correspond à la région émetteur avec un matériau isolant faisant obstacle à 1' implantation d'ions, en diffusant des impuretés émetteur à une profondeur plus petite que la dite couche de base diffusée, la 40 formation de la région de base étant effectuée en introduisant les 70 11445 14 2059999 impuretés de base par implantation d'ions à travers la surface du substrat semi-conducteur de manière à ce que les impuretés implantées soient superposées éur la couche de base diffusée de manière à former une région base en dessous de la région émetteur. 5 6.- Un dispositif semi-conducteur préparé par le procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce quHl comporte un substrat semi-conducteur constitué .par une couche collecteur présentant un type de conductivité, une région émetteur à haute concentration formée sur la surface du dit substrat semi-conducteur, ÎO une couche de contact à haute concentration pour la base adjacente latéralement à la région émetteur avec un type de conductivité opposé à celui du substrat semi-conducteur et une région base formée par implantation d'ions en dessous de la région émetteur de manière à être connectée à la couche de contact pour la base. 15 7.- Un procédé pour fabriquer un dispositif semi-conduc teur caractérisé en ce que l'on prépare un substrat semi-conducteur qui constitue une région collecteur avec un type de conductivité, forme une couche de contact à haute concentration pour la base ayant un type de conductivité opposé à celui de la région 20 collecteur, introduit des impuretés de base préalablement à la formation de la région émetteur par implantation d'ions à travers la surface du substrat semi-conducteur pour former une région base à une profondeur donnée de manière à ce qu'elle soit connectée à la couche de contact pour la base et diffuse des impuretés pour 1* 25 émetteur à travers la surface du substrat semi«conducteur jusqu'à la dite région base, de manière que la région émetteur soit adjacente à la couche de contact pour la base et que la région émetteur présente une haute concentration avec un type de conductivité opposé à celui de la couche de contact pour la base. 30 8.- Un procédé selon la revendication 7 caractérisé en ce que la formation de la couche de contact pour la base est effectuée en masquant la partie de la surface du dit substrat semi-conducteur correspondant à la couche de contact pour la base avec un matériau isolant qui est dopé avec des impuretés pour la base et 35 qui empêche l'implantation d'ions, une fenêtre pour l'émetteur étant forée dans le masque.