Brevet FR2054567A1 — publié le 19710423

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un support ou d'une structure à tunnels pour panneau de mémoire à fils plaqués. Dans un panneau de mémoire de type connu, le support ou structure à tunnels est un corps stratifié comportant 5 dans son épaisseur plusieurs tunnels parallèles qui renferment chacun un fil qui a été plaqué d'une matière magnétisable. Chacun des deux côtés opposés du corps stratifié comporte une pastille à circuit imprimé et mise en place de façon que des conducteurs parallèles ou des "bandes d'emmagasinage de mots sur chaque pas-10 tille soient dirigés normalement aux axes des fils plaqués constituant une mémoire. Jusqu'à maintenant, les supports ou structures à tunnels ont été fabriqués en plaçant des fils factices parallèlement entes eux sur une première feuille de matière plastique puis en dé-15 posant line seconde feuille de matière plastique et en exerçant une pression et un échauffement de façon à assembler les deux feuilles et à encapsuler les fils factices. Après enlèvement des fils factices, on obtient des tunnels dans lesquels les fils, plaqués peuvent être introduits. 20 Deux inconvénients importants affectent ce procédé connu de fabrication d'un support ou structure à tunnels. Le premier est qu'on rencontre des difficultés considérables pour répartir les fils factices sur la première feuille dans la disposition de parâL lélisme précis qui est nécessaire pour obtenir des performances 25 optimales d'un panneau de mémoire comportant le support. Même lorsqu'on réalise une telle disposition, elle est susceptible d'être perturbée lors de la mise en place de la seconde couche ou bien dans les phases initiales d'assemblage des deux feuilles entre elles. Le second inconvénient est que, dans le processus de 30 stratification, il faut exercer, pour encapàuler les fils factices entre les deux feuilles, une pression initiale et un échauffement tels que des ondulations ont tendance à se former sur les côtés opposés de la structure stratifiée en regard des fils factices. Gela résulte du fait que la matière plastique des deux feuilles 35 remplit les intervalles entre les fils factices« Les ondulations rendent les surfaces opposées du support inappropriées pour la mise en place directe de conducteurs tels que des bandes d'emmagasinage de motâ et d'autres circuits par des techniques classiques de fabrication de circuits imprimés, ce qui nécessite la mise en 40 place de pastilles indépendantes à circuits imprimés, déjà plaquées 20611 2 2054567 drune matière électriquement conductrice. L'invention a pour "but de remédier aux inconvénients mentionnés plus haut et de permettre l'application directe de conducteurs imprimés de chaque côté d'un support ou structure à tunnels 5 pour un panneau de mémoire à fils plaqués. Suivant l'invention, le procédé de fabrication d'un support ou structure à tunnels pour panneau de mémoire à fils plaqués est caractérisé en ce qu'on forme à partir d'une matière plastique une feuille comportant une série de canaux parallèles et unifor-10 mes ménagés d'un côté du support, en ce qu'on place un fil factice dans chaque canal, en ce qu'on remplit avec unê autre matière plastique les espaces non occupés par les fils factices dans les canaux de manière à recouvrir les fils et à former une surface lisse dudit côté du support et en ce que, une fois que la matiè-. 1^ re plastique additionnelle a été durcie, on retire les fils factices de façon à laisser subsister des tunnels parallèles dans lesquels des fils plaqués, présentant chacun une dimension transversale légèrement inférieure à celle du fil factice correspondait peuvent être engagée. 20 La phase de formage du support peut comprendre une phase de moulage du support en unâ pièce afin de former, dans une face, les canaux et de réaliser, sur le côté opposé, une surface lisse. Dans ce cas, le procédé suivant l'invention comprend de préférence une phase de dépôt d'une mince couche de matière électri-25 quement conductrice directement sur la surface lisse de chaque côté du support en forme de feuille» De préférence les deux couches sont appliquées sur les deux surfaces lisses tandis que les fils factices restent dans leurs positions initiales. En variante, la phase de formage du support peut consister 30 à placer une première, feuille de matière plastique, pourvue d'un côté d'une couche de matière électriquement conductrice, dans un moule comportant une série de nervures parallèles de manière que • les parties supérieures des nervures soient immédiatement adjacentes à la face opposée de la feuille, et à extruder une matière 35" plastique dans le moule entre la surface nervurée et ladite face opposée de la feuille de façon à former une structure portante monobloc. Suivant un autre mode de mise en pratique du-procédé, on place une seconde feuille de matière plastique, comportant d'un côté une couche de matière électriquement conductrice, de fa-.40 çon que son côté opposé soit situé sur la surface lisse formée 20611 3 2054567 d'un côté du support par la matière plastique qui remplit les intervalles existant dans les canaux et on soumet également l'ensemble stratifié ainsi formé à un échauffement et à -une pression de manière que lé.s fils factices restent encore dans leur posi-5 tion initialeso L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un panneau de mémoire à fils plaqués, caractérisé en ce qu'on réalise une structure portante ou à tunnels suivant le procédé ci-dessus, puis en ce qu'on décape chaque couche de matière élec-1o triquement conductrice située sur la structure de façon à former des conducteurs qui sont orientés transversalement aux axes des tunnels et en ce qu'on introduit un fil plaqué d'un matériau magnétisable dans chaque tunnel après retrait du fil factice correspondant o 15 D'autres avantages et caractéristiques de l'invention seront mis en évidence dans la suite de la description, donnée à titre d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels : Fig. 1 est une vue en plan-de la partie rainurée d'une pla-20 que de base d'un moule; Fig. 2 est une section droite suivant la direction des rainures de la plaque de base du moule et d'un couvercle de moule; lig» 3 est une coupe à échelle grossie d'une partie de la zone rainurée de la plaque de base du moule ; 25 Fig. 4- est une vue à échelle grossie et en coupe d'une struc ture portante ou en tunnel contenant des fils plaqués, et Fig. 5 es"k une vue en plan d'un panneau de mémoire à fils plaqués suivant l'invention» En référence aux fig. 1 à 3, un moule se compose d'une pla-30 que de base 10, munie, d'un côté, de nervures longitudinales parallèles 11 et d'un couvercle 12« Bien qu'on ait représenté un nombre particulier de nervures, ce nombre est imposé par le nombre de fils plaqués qu'on désire placer dans un panneau de mémoire. Sur la fig. 2, le couvercle 12 a été représenté fixé sur la 35 plaque de base 10 par des moyens appropriés, tels que des vis (nen représentées), avec interposition d'un joint d'étanchéité 21 entre les plaques 10 et 12» Sur la fig» 3, quatre nervures 13» "14, 15 et 16 comportant chacune une section droite trapézoïdale, sont représentées star la 40 plaque de base 10 et définissent entre elles des rainures. Les 70 20611 4 2054567 coins des nervures sont classiquement légèrement arrondis0 Gomme cela sera précisé dans la suite de la description, la formation des rainures trapézoïdales dans le support de la structure portante facilite la mise en place des fils dans les canaux, puisque ^ les fils et les canaux sont très petits0 La section droite particulière des nervures 13 à 16 n'est cependant pas critique et les parties supérieures des nervures peuvent par exemple être arrondies o ^0 portante ou à tunnels consiste à placer une feuille 17 (représentée sur la figo 4) de matière plastique ou d'une résine époxyde sur le couvercle 12 du moule. Comme matière plastique appropriée, on peut utiliser un polyimide. Dans une construction préférée, la feuille 17 est une feuille de polyimide de 0,025 mm d'épaisseur, -je; Une mince couche 20 de cuivre ou d'une autre matière conductrice décapable est appliquée d'un côté de la feuille de polyimide 17, la fonction de la couche de cuivre 20 étant de former après décapage des conducteurs appropriés, tels que des bandes d'emmagasinage de mots et d'autres circuits imprimés. La partie de couche de 20 cuivre 20 qui ne recouvre pas la zone occupée par les fils (Pig05) peut être déeapée 4e façon à former un circuit imprimé. La couche de polyimide 17 est séchée avant son introduction dans le moule en plaçant la feuille 17 munie de la couche 20 dans un four approprié et en la chauffant pendant environ 30 minutes à 25 une température d'environ 95°C0 Une substance facilitant le décollement du produit moulé est déposée sur le couvercle 12 et sur la plaque de base 10 du moule avant l'opération de moulage de manière que la structure moulée puisse être commodément sortie du moule. Avant de fixer le couver-30 cle 12 sur la plaque de base 10 du moule, un joint d'étanchéité 21 est placé à la périphérie de la feuille de polyimide 17» 20, comme indiqué sur la fig. 3» Une fois que le moule a été pourvu de la feuille 17» 20, une matière plastique ramollie 22 (Fig. 4)', par exemple une résine époxyde, est extrudée dans le moule de ma-35 nière à remplir les intervalles, en particulier les rainures de 17, 20 et la plaque de base 10 du moule. Le couvercle 12 comporte des orifiees d'évent appropriés (non représentés) de façon à permettre à l'air de s'échapper du moule en vue d'empêcher la forma-40 tion de bulles dans la matière plastique extrudée. Avant le rem- La première phase du processus de moulage de la structure 70 20611 5 2054567 plissage du moule, celui-ci peut être préchauffé si nécessaire, pour faciliter le remplissage et pour maintenir la matière plastique extrudée ramollie. Une fois que le moule a été rempli, il est placé dans une presse chauffée et une pression comprise entre 5 environ 17»5 et 35 kg/cm est exercée sur le motile à une température réglée à environ 95°C pendant une période d'environ 30 minutes. Ensuite le moule est refroidi et le support moulé est extrait Ce support comprend par conséquent la couche de cuivre 20, la couche de polyimide 17 et la matière plastique 22 qui a été mise en 10 forme par les nervures de la plaque de hase 10 en cours de moulage. Les fils factices sont légèrement plus gros que les fils plaqués finalement utilisés de manière que ces fils plaquéz soient engagés librement dans les tunnels ainsi formés. Les fils plaqués 15 doivent pouvoir se déplacer légèrement par rapport au support à tunnels de manière qu'ils ne puissent pas se coincer et qu'on é-vite les contraintes mécaniques dans les fils plaqués. Des con-' traintes mécaniques pourraient endommager le plaquage et rendre alors les fils plaqués inutilisables. Avant que les fils factices 2 o soient introduits dans les canaux, ils sont revêtus d'une substance facilitant le démoulage de façon à pouvoir être extraits aisément après l'enrobage, qui va maintenant être décrit dans la suite. Après que les fils factices ont été introduits dans les ca-25 naux du support moulé, une matière plastique additionnelle 23 telle qu'une résine époxyde est étalée sur les fils factices de manié re à remplir complètement les intervalles inoccupés par les fils à l'intérieur des canaux et à former une surface lisse sur le côté du support moulé correspondant aux canaux. Les fils factices 30 sont par conséquent complètement enrobés. Une seconde feuille 24 de matière plastique est alors déposée sur la surface lisse, comme indiqué sur la figo 4„ Cette feuille 24 peut être similaire ou identique à la feuille 17 et comprend également une couche de cuivre 25. L'ensemble stratifié ainsi formé est placé dans un autre 35 moule qui comprend simplement deux bacs métalliques, ce second moule étant ensuite placé dans une presse chauffée et l'ensemble éteint soumis à une compression et à un échauffement. La pression utilisée dans la presse peut être réglée par exemple entre 17j5 et 35 kg/cm2 et la température de la presse peut être réglée à 40 95°C. La pression et 1*échauffement ainsi exercés font en sorte 70 2Ô611 6 2054567 que la matière plastique extrudée 22 (Fig. 4) entoure complètement les fils factices en excluant les bulles d'air0 Au bout d'uœ période d'environ 30 minutes, l'ensemble stratifié est sorti de la presse. Cet ensemble stratifié est suffisamment mince pour que 5 les couches de cuivre 20 et 25 situées sur les feuilles 17 et 24 soient aussi rapprochées que possible des fils factices. Ceci permet d'obtenir un bon couplage magnétique entre les bandes d'emmagasinage de mots lorsque celles-ci sont formées et les fils plaqués lorsque ceux-ci sont engagés dans les tunnels„ 10 La fig. 5 représente un panneau de mémoire terminé et dési gné par la référence 26. Après que la structure moulée à tunnels a été formée, la phase suivante de fabrication du panneau de mémoire consiste à décaper les couches de cuivre 20 et 25 (Fig. 4). La fig. 5 est une vue en plan de la couche de cuivre 25 décapée, 15 qui montre en détail les bandes d'emmagasinage de mots 27. Ces bandes 27 sont situées au-dessus de la zone de fils plaqués 30 de sorte qu'elles peuvent coopérer avec les fils pour former une mémoire. Des bandes d'emmagasinage de mots similaires sont décapées dans la coucECe de cuivre 20 située sur le côté opposé du pan-20 neau de mémoire 26. Des déflecteurs magnétiques peuvent être placés sur les bandes d'emmagasinage de mots, lorsque cela est souhaité ou nécessaire. La fonction de ces déflecteurs magnétiques est de canaliser le flux magnétique autour des bandes d'emmagasinage de mots de façon à réduire la puissance d'excitation. 25 Des blocs 31 et 32, représentés par des lignes en tirets, comprennent des connecteurs et conducteurs en cuivre décapés. Ces connexions relient les bandes 27 dans un réseau de mémoire et fournissent également des moyens pour fixer des composants de circuit sur la structure à tunnels. 30 La dernière phase consiste à enlever les fils factices de façon à laisser subsister des tunnels orientés longitudinalement dans la structure. Un fil plaqué est alors engagé dans chaque tunnel. Les fils plaqués ont été désignés par 33» 34, 35 et 36 sur la fig. 4. Le diamètre de chaque fil plaqué est de préféren-35 ce de l'ordre de 0,12 mm et le diamètre de chaque fil factice est de l'ordre de 0,18 mm. Cependant, on peut utiliser des fils plaqués de diamètres bien inférieurs^ Bien qu'il soit préférable que les feuilles 17 et 24 en matière plastique plaquée de cuivre soient utilisées suivant l'invention, le plaquage en cuivre peut 40 Str-e prévu directement sur la structure portante ou à tunnels 70 2Ô611 7 2054567 après formation de cette structure. Dans ce cas, il n'est pas nécessaire d'utiliser des feuilles en matière plastique telles que les feuilles 17 et 24. La structure à tunnel peut être moulée d'un seul bloc. 5 Un support ou structure à tunnels fabriqué suivant le pro cédé de l'invention a de préférence une épaisseur totale inférieure à 0,4 mm et est formé par les couches de matière plastique 17» 22, 23 et 24 (Fig. 4). La dimension transversale de chaque tunnel est de préférence juste inférieure à l'épaisseur de la matière 10 plastique intermédiaire 22, 23 (Fig. 4) c'est-à-dire inférieure à 0,25 mm. 70 2Ô611 8 2054567 EE-TENDIOATIOIS 1» Procédé de fabrication d*un support stratifié à tunnels pour panneau de mémoire à fils plaqués, dans lequel on utilise des fils factices pour former des canaux parallèles dans l,épais-5 seur du support et dans lesquels sont insérés 'des fils plaqués présentant chacun une dimension transversale légèrement inférieure à celle du fil factice correspondant, ce procéôé étant caractérisé en ce qu'on forme à partir d'une matière plastique un support stratifié comportant une série de canaux parallèles d'un 10 côté du support, en ce qu'on place unjfil factice dans chaque canal, eh ce qu'on remplit avec une autre matière plastique les espaces non occupés par les fils factices dans les canaux de manière à enrober les fils et à former une surface lisse dudit côté du support et en ce qu'on retire les fils factices une fois que 15 la matière plastique additionnelle a été durcie. 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la phase de formage du support consiste à mouler le support en une. seule pièce afin de former les canaux d'un côté du support et de réaliser sur son côté opposé une surface lisse. 20 3. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce qu'on dépose une mince couche d'un matériau électriquement conducteur directement sur la surface lisse prévue de chaque côté du support. 4. Procédé suivant la revendication 3» caractérisé en ce 25 que les deux couches sont apôLiquées sur les deux surfaces lisses tandis que les fils factices restent dans leurs positions d'enrobage. 5. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la phase de formage du support consiste à placer une première 30 feuille de matière plastique, portant d'un côté une couche de matériau électriquement conducteur dans un moule comportant une série de nervures parallèles de façon que les parties supérieures des nervures soient immédiatement adjacentes au côté opposé de la feuille, et à extruder une matière plastique dans le moule entre 35 sa surface nervurée et le côté opposé de la feuille en vue de former une structure portante monobloc. 6. Procédé suivant la revendication 5» caractérisé en ce qu'on place une seconde feuille de matière plastique, munie d'un côté d'une couche de matériau électriquement conducteur de façon 40 que son côté opposé soit placé sur 1% surface lisse formée d'un 70 2Ô611 9 2054567 cSté du support par la matière plastique qui remplit les intervalles dans les canaux et en ce qu'on exerce un échauffement et une pression sur l'ensemble stratifié ainsi formé, les fils factices se trouvant encore dans leur position d'enrobage. 5 7» Structure à tunnels pour panneau de mémoire à fils pla qués, fabriquée par le procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 6, 8. Structure à tunnels suivant la revendication 7» caractérisés en ce que l'épaisseur totale de la première et de la secon-10 feuilles de matière plastique est inférieure à l'épaisseur de la matière plastique interposée entre elles et en ce que la dimension transversale de chaque tunnel est très légèrement inférieure à l'épaisseur de ladite feuille de matière plastique intermédiaire . 15 9o Structure à tunnels suivant la revendication 8, caracté risée en ce que chaque tunnel comporte une dimension transversale inférieure à 0,25 mm et en ce que l'épaisseur totale de la première et de la seconde feuilles et de la feuille de matière plastique intermédiaire est inférieure, à 0,4 mm. 20 10„ Procédé de fabrication d'un panneau plan de mémoire à fils plaqués, caractérisé en ce qu'on fabrique une structure portante à tunnels par le procédé suivant l'une quelconque des revendications 3 à 5» en ce qu'on décape chaque couche de matière électriquement conductrice se trouvant stir la structure de façon à 25 former des conducteurs qui sont orientés transversalement aux axes des tunnels et en ce qu'on introduit un fil plaqué d'un matériau magnétisable dans chaque, tunnel après retrait du fil factice correspondant. 11. Panneau de mémoire à fils plaqués fabriqué par le pro-30 cédé suivant la revendication 7»