Brevet FR2077312A1 — publié le 19711022

La présente invention concerne les circuits intégrés et leurs procédés de fabrication. Dans le cas da nombreux circuits intégrés, il est nécessaire qu'une couche épitaxiale P- soit déposée sur un substrat N+, la couche épitaxiale 5 P*»elle~mÔme faisant fonction de résistance d'amortissement montée en série avec un condensateur de découplage. Lorsque les circuits commutent, un bruit électrique est engendré par suite de l'inductance du circuit. Une résistance d'amortissement et un condensateur de découplage montés en série, et qui sont montés en parallèle avec 10 le circuit intégré, sont utilisés pour atténuer le bruit électrique. La valeur de la résistance d'amortissement est importante parce qu'elle commande le degré d'amortissement. Dans les circuits dans lesquels une telle structure est nécessaire, on a constaté qu'il est extrêmement difficile de déposer la couche épitaxiale 15 P-dans les limites précises des tolérances relatives à la résistivité et à l'épaisseur qui sont imposées par les normes électriques actuelles. Cela est dû au fait que les caractéristiques du dispositif sont essentiellement fonction de la géométrie de la couche épitaxiale P~. Puisque tel est le cas, les variations qui peuvent se produire dans la couche épitaxiale P- (une 20 couche uniforme étant de toute façon très difficle à obtenir) affectent considérablement les caractéristiques du dispositif, principalement la résistivité. Afin de résoudre les problèmes ci-dessus, on a proposé d'utiliser la résistivité de feuille de la borne P+ d'un tel condensateur de découplage en tant que résistance d'amortissement. Dans ce cas, la couche épitaxiale 25 P- ne fait plus fonction de résistance montée en série. Néanmoins, cette solution présente certains inconvénients. Tout d'abord, il est difficile de contrôler avec précision les valeurs de la résistance d'amortissement. Deuxièmement, le couplage capacitif qui se produit entre les dispositifs est trop élevé pour les circuits à grande vitesse de commutation. 30 Les procédés actuellement employés exigent également que le condensateur de découplage, qui est disposé au-dessous des transistors et des résistances formés à la surface du circuit intégré, ait une grande surface, et que la distribution de courant se fasse par la partie arrière du bloc ou du substrat du circuit intégré. 35 La présente invention fournit un procédé permettant de former des struc tures de circuits intégrés à niveaux multiples. Le condensateur de découplage est formé sur le substrat de silicium N+ par une technique de diffusion. La résistance d'amortissement est formée à l'aide d'une diffusion d'un canal P+. La résistance d'amortissement est disposée verticalement, contrairement 40 aux résistances standard, qui sont disposées horizontalement. Une borne de 70 47132 2 2077312 la résistance est directement connectée au condensateur de découplage. L'autre borne de la résistance est connectée à la surface du bloc de silicium. La valeur de la résistance d'amortissement peut 8tre déterminée en choisissant de façon appropriée les dimensions et l'emplacement du trou de contact. La 5 diffusion de canal P+ est également une diffusion d'isolement qui isole électriquement les dispositifs actifs les uns des autres. De plus, le contrflle précis de la résistivité de feuille, pour déterminer la résistivité de la couche épitaxiale P+ qui est nécessaire dans le cas d'une résistance d'amortissement, est inutile ici. La résistivité de la couche épitaxiale au-dessus 10 du substrat peut Btre de type P-, intrinsèque ou N-. Cette couche épitaxiale est nécessaire dans la présente invention. L'un des objets de la présente invention est donc de fournir un procédé de fabrication de circuits intégrés utilisant une couche épitaxiale au-dessus d'un substrat dans lequel une zone P+ est diffusée et sert de condensateur 15 de découplage. Un autre objet de la présente invention est de fournir un canal P+ s'étendant jusqu'à ladite zone diffusée P+, ce canal P+ constituant ainsi une résistance d'amortissement améliorée combinée avec ladite zone diffusée P+ qui fait fonction de condensateur de découplage. Un autre objet de la présente invention est de fournir un circuit inté-20 gré dont les étapes de fabrication sont très simplifiées par rapport à celles des procédés de l'art antérieur et présentent un caractère beaucoup moins critique. Le circuit intégré obtenu à l'aide de es procédé comprend, dans la réa-lisation décrite, un substrat N+ comportant une région diffusée P+. On fait 25 croître une première coucha épitaxiale, de préférence intrinsèque, bien qu'une conductivité légèrement P» ou N- puisse être .utilisée, au-dessus du substrat N+ dans lequel est diffusée ia région P+. Pendant le dépôt de la première couche épitaxiale, des impûretés P+ du substrat se diffusent dans la couche épitaxiale P», intrinsèque ou N-30 . On fait ensuite croître sur cette dernière couche une coucha épitaxiale qui contiendra les dispositifs actifs. L'étape suivante, qui constitue l'une des caractéristiques les plus importantes du présent procédé, consista à faire pénétrer un canal P+ à travers la couche épitaxiale N- et la première couche épitaxiale (de préférence intrin-35 sèque) jusqu'à la région diffusée P* qui constitue le condensateur de découplage. Ce canal P+ constitue la résistance d'amortissement et, par un choix approprié de l'épaisseur et du niveau de concentration d'impureté de ce canal, on pBUt facilement faire varier les propriétés, par exemple la résistance, de la résistance d'amortissement. 40 Ainsi, alors que, dans le cas des techniques connues dans l'art antérieur. 70 47132 3 2077312 il était nécessaire de contrôler de façon très précise la formation de la première couche épitaxiale, puisque la totalité de la couche elle-même servait de résistance d'amortissement, la présente invention résout ce problème critiqua d'uniformité en utilisant un canal P+ en tant que résistance d'amortis-5 sement. Les caractéristiques du canal P+ peuvent être très facilement contrfi-lées et l'on obtient ainsi un moyen simple de contrfîler les caractéristiques du dispositif. De plus, l'emploi du canal P+ en tant que résistance d'amortissement permet d'éviter les problèmes posés dans les procédés de l'art antérieur, par le dépôt frèiculièrement délicat, de la couche épitaxiale P+, et la présen-1Q te invention permet l'utilisation d'une couche épitaxiale intrinsèque ou mSme de couches épitaxiales N- ou P- légèrement dopées. En fait, l'unique caractéristique que doit avoir la couche épitaxiale de la présente invention, qu'elle soit intrinsèque, N- ou P-, est qu'elle doit présenter une résistivité élevée, par exemple supérieure à environ 10 ohrns-cm. Les procédés de l'art 15 antérieur devaient évidemment utiliser une couche épitaxiale P+, et la résistivité et l'épaisseur devaient toutes deux être contrSlees avec précision de façon à obtenir des caractéristiques reproductibles de dispositifs. Il va sans dire que des isolements appropriés, etc..., sont nécessaires pour obtenir un dispositif utilisable, et l'on peut facilement les réaliser 20 à l'aide de procédés connus. Le procédé de la présente invention est basé sur La nouvelle série d'étapes qui se sont révélées nécessaires pour réaliser la dispositif ci-dessus, ces étapes consistant notamment, 1) à former une diffusion P+ dans le suostrat ide silicium) N+, ce qui permet d'obtenir la jonction oe grande surface qui 25 constituera le condensateur de découplage, 2) à faire croître la coucne spi~ taxiale intrinsèque (comme mentionné ci-dessus, une couche épitaxiale M-ou P- légèrement dopée pourrait également être utilisés) de résistivité élevée sur la région P+ diffusée dans le substrat N+, 33 puis à faire croître la couche épitaxiale N- au-dessus de la couche épitaxiale intrinsèque. Bien 80 entendu, après que l'on ait fait croître la couche épitaxiale N- au-dessus de la couche épitaxiale intrinsèque, on fait pénétrer le canal P+ à travers la couche épitaxiale N— et la couche épitaxiale intrinsèque. Cou P- ou N-), jusqu'à ce qu'elle atteigne la zOne diffusée P+, qui constituera le condensateur de découplage, ou qu'elle établisse»»» un contact électrique avec celle-35 ci. Ce canal P+ orienté verticalement servira de résistanea d'amortissement, et constitue l'une des caractéristiques les plus originales de la présente invention. Différentes diffusions sont nécessaires pour former des isolements, des bases, des émetteurs, 3tc.., comme le montrera la description détaillée ci-après suivant la réalisation préférée de l'invention. 40 Par conséquent, un autre objet de la présente invention est de fournir 70 47132 4 2077312 des circuits intégrés présentant un isolement électrique amélioré entre leurs différents éléments grâce à l'utilisation d'une zone dopée P+ qui serf, de condensateur de découplage, st d'un canal dopé P+ faisant fonction de résistance d'amortissement montée en série avec la condensateur de découplage» 5 Un autre objet de l'invention est de fournir un circuit intégré ayant un couplage capacitif extrêmement bas combiné avec une structure de résistant ce d'amortissement qui peut être aisément formée» Un autre objet de l'invention est de fournir un circuit intégré ayant un condensateur ds découplage de surface extrêmement grande, pouvant aller 10 jusqu'à 2e54 x 2,54mm* situé au-dessous dss dispositifs formés à la surface du circuit» et -fournissant une distribution de courant à partir da la partie arrière du substrat ou du bloc de circuit intégré. Un autre objet da l'invention est de fournir un circuit intégré dans lequel des diffusions P+ verticales, combinées avec le condensateur de dêcou-15 plage P>, peuvent §tre employées sn tant que système d?isolement. D'autres objets, caractéristiques st avantages de la présente invention rassortiront mieux de 1° exposé qui suit,, fait en référence aux dessins annexés à es texte, qui représentent un mode da réalisation préféré de celle-ci. Les figures 1 à 7 représentent les étapes 1 à 7 d'un procédé de fabrica-20 tion d'un circuit intégré amélioré conformément à une réalisation de la présente invention. L8Étape 1 (figure 1) du procédé de la présenta invention consiste à préparer un substrat 11 de silicium de conductivité N*, ayant une résistivité typique de 0,01 ohm-cm, et une épaisseur de 05203mm» Bien que l'épaisseur 25 st la conductivité ne présentent pas un caractère critique, il est généralement nécessaire que le substrat présente une conductivité élevée, inférieure à environ 0,01 ohm-cm. Dans l'étape 2 (figure 2i, un masque 12 en dioxyde de silicium, d'une épaisseur d'environ 5000 A, a été formé à la surface du substrat 11 de silicium 3Q N+. Du bors P+ a préalablement été diffusé dans le substrat N+. On a ainsi obtenu la jonction de grande surface, d'environ 2,54 x 2,54mm, qui constitue le condensateur de découplage 13» La diffusion a été effectuée à une tempéra-1 ture élevée (1100°C3 à l'aide d'une atmosphère gazeuse contenant les impQratés 18 de bore» jusqu'à obtenir un Cg de 10 atomes/ce et une profondeur ds 1 micron» 35 De I'indium ou du gallium (lorsqu'un masque constitué par un matériau différent est utilisé) aurait également pu être employé, de même que n'importe quelle impQreté représentative P+« Le masqui/naturellement été ouvert au-dessus de la région P+ 13 pendant cette diffusion. Après formation de la région P*, on a fait croître de nouveau le masque 12 en dioxyde de silicium 40 et on l'a ensuite ouvert au-dessus du canal N+ 14 formé dans le substrat 70 47132 5 2077312 11. On a, bien entendu, laissé le masque 12 recouvrir la zone P+ 13 pendant cette étape. La diffusion du phosphore a été effectuée à 1000°C à partir d'une atmosphère gazeuse de P0C1 jusqu'à une concentration de phosphore 20 de 10 atomes/cc. N'importe quelle procédure classique peut être employée 5 pour obtenir ce niveau de concentration, et l'on aurait également pu employer d'autres impQretés N+, par exemple de l'arsenic. Ca canal N+ 14 permettra d'obtenir une distribution de courant à partir de la surface arrière du substrat 11. Le canal 14 a été diffusé jusqu'à une profondeur de plusieurs microns. Pendant l'étape 3 (figure 3), le masque 12 en dioxyde de silicium est 10 complètement retiré, et l'on fait croître sur le substrat 11 une couche épitaxiale intrinsèque, ou du type N— ou P- légèrement dopé, de résistivité élevée. Cela constitue évidemment l'un des plus grands avantages de la présent te invention par rapport aux procédés de l'art antérieur. Ces derniers utilisent la couche épitaxiale 15 toute entière en tant que résistance d'amortis-15 semant de sorte qu'il est nécessaire d'observer des tolérances critiques en ce qui concerne l'épaisseur et la résistivité de la couche épitaxiale P- (lS^cSu&fie^âÉvaït^Evidemment être du type P~). En revanche, la présente invention n'utilise pas cette couche épitaxiale en tant que résistance d'amor-tissement et n'exige pas, en fait, une impQreté de type P-. De plus, cette 20 couche épitaxiale est de préférence intrinsèque, bien qu'une couche P- ou i 5 i S N- légèrement dopée, par exemple de l'ordre de 10 à -10 atomes/cc, puisse également Stre utilisée.En l'occurrence, on a fait croître la couche épitaxiale intrinsèque 15 en silicium par réduction du SiH^ à 1150°C. L'épaisseur de la couche épitaxiale était d'environ 6 microns, mais l'on comprendra que 25 l'épaisseur de cette couche ne présente pas un caractère critique dans la mesure où sa résistivité et son épaisseur sont telles qu'elles permettent de diminuer le couplage capacitif entre les dispositifs actifs et le condensateur de découplage. D'ordinaire, l'épaisseur peut varier entre 5 et 7 microns, et la résistivité entre 1 et 100 ohms-cm, la valeur préférée étant minimum 30 de 10 ohms-cm, voire de 15 ohms-cm. Dans l'exemple présent, la résistivité était de 10 ohms-cm. Dans le cas présent, la couche épitaxiale intrinsèque 15 était en silicium. Comme le montrent sur la figure 3 les .z -ointillées immédiatement au-dessus de la zone diffusée P+ 13, une cert^.. ? .^rediffusion de la zone 35 13 de phosphore P+ dans la couche épitaxiale 15 „ silicium se produira et est, en fait, nécessaire pour les besoins de la pi^sente invention. Il est important de s'assurer, au cours des étapes suivantes, que cette rétrodiffu-sion ne se produit pas au-delà de la ;x;ne de la couche épitaxiale intrinsèque 15. Dans l'exemple présent, la rétrodiffusion s'est produite à une profondeur 40 d'environ 2-3 microns dans la couche épitaxiale intrinsèque. 70 47132 .6 2077312 Pendant l'étape 4 (figure 4), le phosphore N+ est diffusé dans la couche épitaxiale intrinsèque 15 pour constituer un canal N+ 16 utilisé pour les besoins de la distribution du courant. Le matériau N+ utilisé, du phosphore, 20 a été diffusé jusqu'à une concentration de 10 atomes/cc. La diffusion a été 5 effectuée à 1000°C, en utilisant la méthode de diffusion de phosphore précé-» demment décrite. Pendant cette diffusion, le reste de la surface du dispositif était masqué par une couche de dioxyde de silicium d'une épaisseur de 500QA. On procède pendant cette m8me étape à la diffusion, dans la couche épi- 10 taxiale 15, du sous-collecteur N+ 17. Ce dernier est formé par diffusion 21 d'arsenic jusqu'à une concentration de 10 atomes/cc. à 1100°C dans une atmosphère gazeuse contenant de l'arsenic. Après diffusion du phosphore, on fait croître de nouveau le masque en dioxyde de silicium et on le retire de la zone dans laquelle la région 17 sous collecteur doit 6tre diffusée. Line autre caractéristique très importante de la présente invention est 15 décrite en détail ci-après. Il s'agit de la formation du canal P+ 18, qui constitue la résistance d'amortissement et qui, combiné avec la zone diffusée P+ 13, qui constitue le condensateur de découplage, confère à l'invention les avantages déjà mentionnés. Ce canal diffusé P+ aura en principe une concentration beaucoup plus élevée que la couche épitaxiale 15 environnante 20 18 19 et comprise, par exemple, dans la gamme de 10 à 10 atomes/cc. Dans l'exem- 19 pie choisi, la concentration était de 10 atomes/cc de bore, mais ceci ne présente pas un caractère critique. Quoiqu'il en soit, ce canal P+ 18 est formé par diffusion du bore dans la couche épitaxiale intrinsèque 15. En 25 l'occurence, la diffusion a été effectuée à environ 105Û°C dans une atmosphère gazeuse contenant du bore. Cette technique est bien connue dans l'art antérieur et il est donc inutile de la décrire en détail ici. Dans l'exemple présent, bien que cela ne soit pas obligatoire, les diffusions d'isolement 19a, 19b et 19c ont été effectuées en mSme temps que la formation du canal P+ 18. 30 Ces isolements séparent naturellement les transistors, etc.., dans le dispo~ sitlf. Bien qu'ils ne soient pas obligatoires, ces isolements, par exemple 19a et 19b, constituent un autre aspect original de la présente invention. En formant ces isolements en mfirae temps que le canal P+ 18, on simplifie 35 la fabrication du dispositif. Néanmoins ces canaux 19a et 19b, combinés avec la condensateur de découplage 13, permettent de former des isolements P+ autour des dispositifs. Il convient de souligner que c'est la résistance d'amortissement 18 qui confère à la présente invention ses principaux avantages. Comme précédem-40 ment mentionné, les procédés dy l'art antérieur utilisent la totalité de la 70 47132 7 2077312 couche épitaxiale 15 elle-même en tant que résistance d'amortissement, d'où la grande difficulté pour satisfaire aux tolérances critiai:es qui sont applicables à la formation de tels dispositifs. Dans la présente invention, un canal contenant une impQreté sert de résistance, st les propriétés de cette 5 résistance "dopée" sont trè'î facilement contrCléss par l'atmosphère de dooaçs, l'impQreté utilisée, son niveau de concentration, etc... Les conducteurs d'entrée et de sortie du courent sent en principe connectés respectivement au substrat 11 st à l'élément 15. Dans les procédés ds l'art antérieur, puisque la couche épitaxiale 15 servait ae résistance d'amer» 10 tissement, il n'existait aucune région de régulation de puissance. Dans la présente invention au contraire, c'est le canal 18 qui sert de source de régulation ds puissance, ce qui rend facile le cSntrSie de la résistance puisque, quand la concentration des impQretés dans la canal P+ 18 augmente, la résistance diminue, et, quand la concentration dirrrir..;e, xa résistance 15 augmente. Ainsi, puisque la diffusion P+ utilisée pour ^ormer le condensateur de découclage 13 est facilement contrSlée, et que la diffusion P+ utilisée pour former le canal 18 est, elle aussi, facilement contrôlée, an oeut obtenir un dispositif à l'aide d'un procédé considérablement simplifié qui permet également d'obtenir un meilleur contrôle des tolérances du dispositif. BQ Le résultat final obtenu est que le courant est distribué au dispositif de façon très uniforme tout au long de la surface du bloc semiconducteur monolithique. Comme le montre la figure 5 [étape 5), on fait ensuite croître la coucha apitaxiale N- 20 sur la couche épitaxiale intrinsèque '5 Dar réduction du 25 SiH4 à 1150°C. L'impQreté de type N utilisée en l'occurrence était de l'arsenic 15 . à une concentration de 10 atomes/cc. L'épaisseur de la couche épitaxiale N- 20 était d'environ 2 microns. Pendant la croissance de la couche 20, une rétrodif^usion des différentes zones diffusées formées dans la couche éoita-xiale intrinsèque 15 se produit, et ces rétrodiffusions sont représentées 30 par les zones individuelles formées directement au-dessus des zones de diffusion initiales 16, 17, 18 Bt 19a, 13b et 19c. Elles sont indiquées sur la figure 5 par des lignes pointilléss. L'étape 5 comprend également la formation par diffusion de la résistance 21, qui peut Être une diffusion de type N ou de type P, anrès formation d'un 35 nasque approprié de dioxyds de silicium, pour n'exposer aue la zone dans laquelle la résistance 21 doit être formée. La profondeur d» la résistance était de 10000 A. Le masque de dioxyde de silicium avait une épaisseur de 40D0 A. Après cette diffusion et après avoir fait croître de nouveau le masque au-dessus de la zone 71, des trous sont percés au-dessus du sous-collec-4U teur 17 et du canal N+14, et une diffusion N+ est effectuée jusau'à une con- BAD ORIGINAL 70 47132 8 2077312 centration ds 10 atomes/cc suivant la technique bien connus comportant l'utilisation de phosphore gazeux à 1000°C. Ces deux diffusions sont effectuées simultanément, fournissant ainsi un canal N+ 22 au sous collecteur 17 et un canal N+ 23 au canal de distribution 14. Il suffit ensuite d'établir les contacts électriques appropriés» Comme le montre la figure 6 (étape 6J, des diffusions simultanées P+ sont effectuées pour atteindre la base et le condensateur de découplage et pour former des isolements P+„ De façon plus détaillée, on fait d'abord croître de nouveau la coucîie 12a de dioxyde de silicium au-dessus de la partie supérieure de la couche épitaxiale N- 20, et on perce des trous, respectivement, sur les diffusions 18, 19a, 17, 19b et 19c. La diffusion P+ est effectuée à travers ces trous à 1050°C dans une atmosphère gazeuse contenant du bore 19 à une concentration de 10 atomes/cc, selon la technique de diffusion bien connue» Du fait de la diffusion effectués au cours de l'étape 6„ la diffusion de base P* 24 est mise en contact avec les régions 17j les diffusions d'isolement P+ 25a» 25b et 25c et entrent en contact, respectivement, avec les isolements 19a, ISb et 19cs et le contact P+ 2B traverse la couche épitaxiale f»'*20 afin d'être, mis an contact avec la partie rétrodiffusée de la diffusion 18 de bore P+ qui traverse partiellement la zone épitaxiale intrinsèque pour atteindre la zona diffusée P+ 13 (condensateur de découplage). Les isolements 25a et 25b constituent une caractéristique importante et originale de la présente invention pour- les raisons précédemment données à propos des isolements 19a et 19b» L°étape 7 (figure 7) représente les opérations finales qui sont effectuées, par exemple uns diffusion ds l'émetteur N->, en utilisant du phosphore, est effectuée à lsaitie d'un procédé classiqus quelconque pour former l'émetteur 27« Des contacts métalliques- de grande surfece ''du type indiqué sur la figure par la numéro 28) peuvent alors être connectés au canal d'accès 26 qui est en contact avec le condensateur de découplage 13, de manière à fournir à es dernier un contact de faible résistance-, Enfin0 un contact métallique 29 peut être formé sur la partie arrière de la partie 11 aux fins de la distribution de courant. Il a été dit ci-dessus que le matériau utilisé pour former la structure du dispositif à couches multiples ast eu silicium. Il est évident que, dans vas limitas des paramètres de le p- "s invention» rsa::tre's matériaux semiconducteurs pourraient également être utilisés. De pius, d'autres impQretés P+ et N+ pourraient aussi être utilisés„ Bien qu'une diffusion ait été employée dans l'exemple donné, n^importe quelle méthode comparable peut §tre utilisée dans la mesure où elle permet d'obtenir une région dite "dopée". Les techniques de croissance épitaxiale mentionnées ci-dessus ne sont données qu'à • : BAD ORIGINAL 70 47132 9 2077312 titre d'exemple et pourraient Stre remplacées par d'autres méthodes similaires. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. 70 47132 10 2077312 REVENDICATIONS 1.» Procédé de fabrication de dispositifs semiconducteurs à circuits intégrés du genre dans lequel: on prépare un substrat d'un premier type de conductivité, 5 on introduit des impuretés fortement dopées du deuxième type de conduc tivité dans le substrat pour former une première région du deuxième type de conductivité, on fait croître une première couche épitaxiale sur le substrat et sur la première région, les impuretés de la première région rétrodiffusant dans 1q cette première couche, on fait croître uns seconde couche épitaxiale, du premier type de conductivité mais légèrement dopée, sur la première couche épitaxiale, le procédé étant caractérisé en ce que, en outre: on dope fortement une deuxième région avec des impuretés du deuxième 15 type de conductivité, cette deuxième région s'étendant à travers les première et deuxième couches épitaxiales et entrant en contact avec la première région créant ainsi une résistance d'amortissement en combinaison avec- la première région qui agit comme un condensateur de découplage et, on forme des éléments de circuits dans la seconde couche épitaxiale^ 20 2.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le substrat est du type de conductivité N+, la première région P+, la seconde couche épitaxiale N- et la deuxième région P+. 3.- Procédé selon les revendications 1 ou 2 caractérisé en ce que la deuxième région est un canal obtenu en deux étapes: 25 on diffuse dans la première couche épitaxiale et avant de faire croître la deuxième couche épitaxiale, un premier canal du deuxième type de conductivité CP+), ce premier canal s'étendant de la surface de cette première couche jusqu'à entrer en contact avec la première région et rétrodiffusant dans la deuxième couche lors de la croissance de cette dernière et, 30 on diffuse un deuxième canal du deuxième type de conductivité (P+) dans la deuxième couche épitaxiale, C8 deuxième canal étant situé au-dessus du premier canal et s'étendant depuis la surface de cette deuxième couche jusqu'à entrer en contact avec le premier canal» 4.- Procédé selon l'une quelconque des resendications précédentes caractérisé 35 en ce que la première couche épitaxiale est formée d'un matériau du groupe comprenant les matériaux semiconducteurs intrinsèques, P- et N». 70 47132 11 2077312 5.- Procédé selon l'une quelconque des revendications ré^édentes caractérisé en ce que la deuxième région est formée en mSme temps qu'au moins un canal additionnel du deuxième type de conductivité (P+) qui s'étend à travers les première et seconde couches épitaxiales jusqu'à entrer en contact avec 5 la première région du deuxième type de conductivité (P+3, les éléments au circuit étant isolés par des canaux du deuxième type de conductivité (P+) et par la première région. 6.- Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu'en outre: 10 on dope fortement une troisième région avec des impuretés du premier type de conductivité (N+), cette troisième région s'éts^dant depuis la surface de la deuxième couche épitaxiale jusqu'à entrer en contact avec le substrat. 7.- Procédé selon la revendication 6 caractérisé en ce que la troisième ré- 15 gion est un canal obtenu en trois étapes; on diffuse dans le substrat et avant de faire croître la aremiêre couche épitaxiale, un premier canal du premier type de conductivité (N+î, ce premier canal rétrodiffusant dans la première couche lors de la croisse ■-.ce de cette dernière, 2Q on diffuse dans la première couche épitaxiale, gt :,vant de faire croîtra la deuxième couche épitaxiale, un deuxième canal du premier tyoe de conductivité (N+), ce deuxième canal étant situé au-dessus du; premier canal, s'étendant depuis la surface de la première couche jusr;j'à entrBi en corcact avec le premisr canal et rétrodiffusant dans la deuxième couche épitaxir»'.e 25 lors de la croissance de cette dernière et, on diffuse dans la deuxième couche épitaxiale, un troisième canal du premier type de conductivité CN+), ce troisième canal étant situé eu-dessus du deuxième canal et s'étendant depuis la surface de la deuxième couche épi~ taxlale jusqu'à entrer en contact avec le deuxième canal, 30 8.- Procédé selon la revendication ? caractérisé en ce qu'on relie une source d'alimentation a la surface du substrat opposée à la prenr,t:re région, de sorte que l'alimentation des éléments de circuits se.fer l Depuis-le substrat par l'intermédiaire des canaux formant la troisième région du premier tyos de conductivité (N+). 35 9.- Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que, pour former les éléments de circuits: 70 47132 12 2077312 on dope fortement une région de sous-collecteur du premier type de conductivité CN+) on dope fortement uns région de base du deuxième type de conductivité (P+), cette région de base entrant an contact avec la région de sous-collec-5 teur, on dope fortement une région d'émetteur du premier type de conductivité CN+), cette région d'émetteur étant enfermée dans la région de base et cet élément de circuit ainsi formé étant isolé par les canaux additionnels du deuxième type de conductivité (P+). 10 10/-" Procédé salon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé an ce que la première couche épitaxiale a une résistivité supérieurs à 10 ohms-cm. Î1.- Dispositif semiconducteur comportant des circuits intégrés caractérisé en ce qu'il est du genre de ceux obtenus par le procédé défini selon l'une 15 quelconque des revendications 1 à 10.