Brevet FR2067088A1 — publié le 19710813

L'invention concerne un dispositif i eœicp-ndueteur nuni .1 j.:. ^ >v> semiconducteur comportant une région, -d'un premier type ô.e cons.;^ t : or., affleurant une ;-arfaoe du ".:rps, et un ;"T*oupe c. 'au r.oins :eux composa/;'.s s^iiiconductours situas dan» cette région et présentant une rj ?one r-ouïr une .}u.i fait, jarlie de celle-ci et qui est dudit premier type de conduction. j)e tel l .1? -.;oxidu'-tioa forne la zone de b«.se commune. r'ai' "cor.por-ar.tr» sen;iconducteurs", il ;; a lieu .î ' ar.-:r îarfois:, suivant " e ci--yi.lt utiliré, i" r.e-.tf fttre très ; A-i ~a l-i e toutes les ^.arties r'f> i te ™.->ne -c- c.-une ;ui appartiennent ■,u iv-..-;- ï'ii,.; o :ants .j-i s .--oune ai»M.t pr^ti .w^i.-ut 1» ::.s:::e potentiel pendent -"or;c i. " orin.--r.6r, t. "f- dé-ir- skm parfois1, difficile à réaliser, en ?? particulier lorsque la zone commune présente- une eor.cent ration. -e dopage i-'xati '.t ...en- faiLI", i-i iuc- i->s intensités .-les cou-'-ti. ts -îui p»-* ;aat le °onc tiom-'-.- ».-r t .. ' ' r;f> ?;r. f-ntre ies co,;._ o'-a-r.ts. 'i. .jrc-ur "o .- .;o îr:.-.- - ; or:, u alorc 4 '>«-* * es i-o.: ; os.;r. a rér-i:- ".f- >. ?e u • peut -:o.".\e_r i i e u ? une l.^.sse i-7* ! in;; i.v'.és irai! e -^nt-re ' :: rl t ' -v îr- ] a son" cor;.::,une, associées a,::-. co:- pcs:unti,. "1 ? ' fc . r forcé '. ' éj Ininei cet i.- co.iv.'ni er. t e;. ;'la-:.d- »nt ? J ' ^i-'ircit -.u'iit groupe 'e coi.,; ouLtni;?, une couci.e enterrée forte-iier.t i.oj.ée, lir.itropî.e df» lf zone cor.;..une, c'» sorte 'une partie inpor-tante du courant passant c;:tre -'eu.-: ooispoiants appartenant a-i - roupe 'écoule car 11 int.err.é"' iai re de la couche enterrée »t non pi ik par 1 ' j n— ti-rr.é.-i ai i'e "-o r.ene cc- rune r.oins fortement ".opée. L'invention repose >--ntre .autre? sur la reconnaissance 'p;e dans e noir/creux cas, rial^-ré la s.esure préconisée, le courant qui 4" t:.'av-ers» la rone commune, et la chute lç tension liée à ce courant et BAD ORIGINAL 70 40188 2067088 existant aux extrémités de parties Vie cette one, 'sont, éliminés dans une mesure insuffisante. L'invention vise entre autres à éliminer ou 'lir-in-rer dans une cesure considérable l«s inconvénients précités se x,rod-..ii&nt 5 aans les structures connues. Far conséquent, un dispositif semiconducteur du genre mentiionné dans le pr^gmbule est remarquable en ce qu'a.fin de maintenir pratiquement au même potentiel les parties actives àe la s one crtrs.une, associées aux composants, ladite région comporte une zone fortement dopée, 10 de premier type de conduction, qui dans le corps semiconducteur entoure quasi entièrement ledit groupe oe composants et a une conductio:lité plus élevée que la partie le région n1 appartenant pas à cette zone et sitvée entre ces composants, alors que tout au plus, ladite zone f or ter en t dopée n'est contactée à La surface que localement par une couche métallique, 15 Par "parties actives de la zone commune, associées aux composants", il y a lieu d'entendre ici les parties dans lesquelles a lieu principalement les transports de charge, importants pour le fonctionnement des composants correspondante. Dans la structure conforme .à l'invention, les composants 20 appartenant audit groupe se trouvent pour ainsi dire dans une cuve qui rai1 suite de sa forte concentration de dopage, forme pratiquement un- ré&ion équipotentielle. Lu fait que, conformément à 1'invention, 1 a. zone fortement dopée entoure quasi entièrement "le groupe de composants, on limite très fortement la partie eu courant entre les composants du groupe - cette 25 partie s 'écoulant dans la partie de zone commune non associée 3 zone fortement dopée - ainsi que la chute Je tension indésirable causée par ladite qartie de courant. • ïtant -.onné que la ôoiVi fortement "n:ée corfor».'- * l'invention exerce la fonction d'un t-rej«t de courant pr'-ti-ruenr-nt par;"I-3C l?~le â la. surface, cette zone h*a pas besoin d'être contactée, n; peut ~tre contactée sur une région très petite seulement, • sorte ;u^ la ,r-face ii« nécessite pas ou ppu ce j lan» pour les contacts, "eoi coiidui : 5. un ^ain '"e place, et en ou ire S- la possibilité îe limiter le nombre de croisements entre des conducteurs sur la surface. 35 La zone fortement dopée peut être séparée, entièrement ou en partie, de la surface du corps semiconducteur par une partie très mince, moins fortement dopée, appartenant â la région de premier tyre rie conduction. Toutefois, c» avantageux lorsque la partie le la .-urfa^e de laquelle la zone fortement dopée est iir-i trophe entoure quasi entr.èr-e-40 trient ledit groupe s» composants, C'est la solution la plus simple 5u point BAD ORIGNAL 70 40188 3 2067088 de va? technique, et on uugriente «iinsi l'of't-t -le l'invention. Dans des civcaita plunair-s, une rrande p-irtie de la zone '"ortei-Tînt -.iMpét «st couverts; ''une coue' e ^ieotri-laecerst isolante, "•a.-? exesrple •'«î Je ô11 ■ oiui . Ce4j-eut rr'aen!> ;' .me fen?tre de c.mta ;t 1 t.raverr Is.vae « _e ur»f- coac'ie .:ét . 1." me c» rà.-:oor--;e localement à lii zone fortement Jo j 4e. / ou-foi s, cela peut toutefois =tre intéressant lorsqu'à ia çui'iVce, " ';:one f--r*-opée -st. entièrement "ouverte •i1 une couche isoiani.e, •;*- .-orte nie nai--: eue -.s la ::one fortf-j-ent dopée, la cruche isolante peut, sa;.s inconvénient, ~tre munie de connexions éxectriques sous forme ae coucher métalliques entre :les composants différents. Oxi obtient ainsi ur. 0«.in additionnel de place. La.-.s de nombre-1;;; cas, on peut se contenter d'une zone fortement dopée s'étendant sous le groupe de composants et l'entourant, â l'extérieur, d'une partie qui continue pratiquement jusqu'à la surface. Toutefois, lorsqu'on désire encore renforcer l'effet de 1 ' ér-clisati on du potentiel de la zone commune déjà précitée, un ou plusieurs cloisons de premier type de conduction, qui appartiennent à la zone fortement dopée, peuvent être élaborées entre des sous-groupes d'au moins un composant qui appartiennent au groupe de composants. Lans? cet ordre d ' idées, un mode de réalisation préféré important conforme â l'invention est remarquable en ce qu'entre au moins deux des composants appartenant audit fr^upe, la zone fortement dopée comporte une zone intermédiaire fortement dopée, de premier type de conduction, affleurant pratiquement, la sur'>ce, alors que chacun desdits composants dans le corjs semiconducteur s^st quasi entouré entièrement de cette zone intermédiaire et d'une autre partie de ladite zone fortement dopée. La structure semiconductrice décrite peut être réalisée suivant différentes configurations et par la mise en oeuvre de procédés connus utilisés couramment ''.ans la technique des semiconducteurs. Toute--foi-s, suivant un koîe de réalisation très efficace, ladite région, â'un prenîer tyne ce conduction, est un» coucr e épitaxiale .'udit premier type ae conduction, située .-.ur un substrat-, alors que la zone fo.-tecent dopée est formée par une "ouche enferrée, dmiit premier type de .conduction, se trouva-it -:-ï.tre le rufc'trat ex la couche ; taxiaie et par au reins une ].art.ie forteineut dopée iu-'it preri»r tyy~ ~a conduction, affleurant pratiquement la surface et sre raccordant prati \uement â la coucr e enterrée. I ' in 'eiit lo:. _ '-secte u.'- i" .-..ce particulière po.-r des circuits intégrés dsus lesquels ladite cé;;i.>n du. premier type de conduction est séparée du reste ou corps o eir. i c onduo t f ur par une jonction p-n ne coupant le corps semiconducteur qu'à ladite surface. La région du BAt) OR' 70 40188 4 2067088 premier type de conduction forme alors un caisson du circuit intégré. Tous les composants se trouvant dans la région dudit premier type de conduction peuvent appartenir audit groupe. Toutefois, suivant un ir.oye '-e réalisation préf-'ré important, dans: ladite région, il 'o «e trouve également &u moins un ufcre composant n'appartenant pas â ce groupe et aitué en dehors de la zone fortement dopée. Suivant ce mode de réalisation, par 1».-. ni se- à profit du la présente invention, des zones communes d'un vcoupo ae composants se trouvant par e-.f-riple dans un caisson d'un circuit ceiniconùuc teur intégré, peuvent être maintenues au même po-1G tentiel par rapport à d'autres composants n'appartenant pas à ce groupe et se trouvant également dans le caisson. Far ailleurs, on obtient un circuit très compact lorsqu'une partie de ladite zone commune forme également une zone active d'au moins un desdits autres composants. 15 Bien que ledit groupe de composants puisse être formé par des composants le nature différente, il est formé de préférence par des composants de même nature. Suivant un mode de réalisation préféré très important, ces éléments sont des transistors latéraux dont il est intéressant d'interconnecter les émetteurs qui ensuite sont munis d'un 20 conducteur de connexion commun. Ce faisant, les intensités des courants d'émetteur de ces transistors ont, par l'utilisation de l'invention, toujours im rapport constant et, dans le cas de transistors identiques, des valeurs pratiquement égales sans emploi de résistances série d'émetteur, indispensables dans les circuits connus. 25 La description suivante, en regard des dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La fig. 1 est une vue en plan d'une partie d'un circuit semiconducteur intégré conforme à l'invention. 30 La fig. 2 est une coupe transversale de ce dispositif suivant le plan II-II de la fig. 1. La fig. 3 est le schéma de connexion qui sur les figures 1 et 2 est représenté sous forme intégrée. La fig. A est une vue en plan d'un autre dispositif 35 conforme â l'invention. La fig. 5 est une coupe transversale suivant le plan V-V de la fig. 4. Les figures 6, 7 ex 8 sont trois coupes transversales qui illustrent des détails de dispositifs conformes à l'invention, réa-40 lisés en variante. bad original 70 40188 c, j 2067088 Toutes les figures sont gcnématiques, alors que pour leur i-j.artr', l^s dimensions n'ont pas été représentées toutes à la même échelle, les artî es correspondantes des différentes figures ont été indiquées par les mêmes repères. r> Sur les figures 1, 2 et 5» le dispositif comporte un corps semiconducteur qui a la forme d'une plaque de silicium 1 dont une surface 2 est, ..-.unie d'une couche isolanxe 3 en oxyde de silicium; une rérion de ve >ie concuction n, affleure ladite surface 2. Lans cette région 4, on a éïaboré un groupe de trois transistors latéraux p-n-p , 10 T.-, et ï„, fi.-i.nfc des zones d'émetteur 1ô, des sones de collecteur 19 (voir J la l'ii. H) •=-1 une soi*> •"-* base con.rnurie, du typ« de conduction n, oui appartii'-i:t à la région 4 é^ale»,e4-jt de type Je conduction n. La région & ; t- un traasisfcor transversal n-u-n T, iont la zone de 'X f:'j]]"ctpur est forcée par ladite réjion commune 4. Celle-ci est une couche 15 épitaxiale en silicium de type de conduction n, qui a une résistivité de 0,6 ohm.cir. et une épaisseur de 1^yu; cette couche de silicium est élaborée sur un substrat. de type de con-iuc tion p, ayant une r'ristivi té d'en-■/.iî Oxi 5 oh:..cm. lar -5*3 canaux ue réparation C, de type de oon-uct ;on p, él.-i-oréi" à -.r v.*;-s le. f.otalité de î 'épaisseur ue jî. couche épitaxiale •i, si la -■•ét-ion 4 îe_: tranei5 tors qu'elle contient e.:i -séparé^ du. r»ste du " ;r-ps ;.i-v une jo:.i-t i on .-n n, qui ne C3upe 1- corps 1 qu'à la surface 2. Lei/dits transi.3tors sont, interconnectés par des couches ' al-JiT:i.iiii,i.. élaborées far la c-mcii; d'oxyde J et hachurées tur la fig. 1; on OL'.i'-.Lit ainsi le circui fc illustré sur la fi;;. ?• '".t 'Da.ts ce circuit, il est 'ésirable que les intensités des oii.nar.ts «i • émetteur ues transistors T.,, T„ et T_ soient égales, ou I cl 5 que du moins én«3 aient un rapport fixe. En pratique, pour des structures connues, on y parvient, généralesient du fait que des résistances série sont brancnées dans 15s circuits d'émetteur. 30 Toutefois, l'égalité des intensités des courants d'émeiteur peut &tre établie également lorsque tant les émetteurs entre eux qi e les bases entre eiies des trans istox*s sont portés pratiquement au même potentiel. Cil en est ainsi, les intensités des. courants d'émetteur des transistors , T„ et sex'ont égales si la surface émissive active 55 de ces transistors est la même poui* chaque transistor, tandis que lesdites intensités auront en tout cas un ra.pport fixe lorsque les surfaces émis-sives actives des transistors différent. i our amener de façon simple les émetteurs au mftEie potentiel, -m peut les interconnecter - -al vanicuement â travers la couche dC i'alu-iniut H ("oir la fit-, 1). Les émetteurs sont alors raccordés à un BAD ORIGINAL 70 40188 e> 2067088 conducteur de connexion commun qui a la forme d'une couche d'aluminium 20 qui parfois peut être remplacée aussi par un fil de connexion métallique OU bien par une zone diffusée fortement dopée. Par la résistivité relativement grande de la région 4, 5 dans la structure décrite ci-dessus, des différences ^.e potentiel peuvent se produire par suite du courant de "base dans la zone de base commune des transistors latéraux; ces différences de potentiel causent des variations indésirables dans les rapports existant entre les intensités des courants d'émetteur de ces transistors. 10 Conformément à l'invention, afin de maintenir au même potentiel les parties actives de la zone de base commune des transistors T.. , T et T,, la région 4 comporte une zone fortement dopée de type de 1 2 j conduction n, affectant la forme d'une couche enterrée diffusée 9» présentant aussi des régions diffusées 10, alors que dans le corps semicon-15 ducteur, ladite zone fortement dopée entoure entièrement le groupe des transistors latéraux p-n-p , T^f ïj et a une conductibilité plus forte que.la partie de la région 4, n'appartenant pas:à la zone fortement dopée et se trouvant entre.les transistors T1^ , «t T^. Le transistor transversal n-p-n , oui n'appartient pas au groupe renfermant les transistors 20 T.j, T., et -Tj, est alors situé eu dehors, de la zone fortement dopée. Les réf-ions 10 de la zone fortement dopée sont limitrophes d'une partie 11 de la surface 2, cette partie 11 entourant entièrement les transistors , T„ et Tj. (voir la fig. 1). De ce fait, les coura.nt dans la zone de base commune des transistors circulent quasi exclusivement â travers la zone 25 fortement dopée, alors que partout, le potentiel de la partie moins fortement dopée de la région 4 et entourée de la zone fortement dop^e est pratiquement le même.. F0ur renforcer l'effet de l'invention, la zone fortement dopée comporte, outre les parties 9 et 10, également (voir les fj- V3 gures 1 et 2) entre le transistor T_ et les transistors T., et une zone 5 I intermédiaire "fortement dopée diffusée 12 de type de conduction n, affleurant la surface 2 et se raccordant à la couche enterrée 9, chacun des transistors , Tg et dans le corps semiconducteur étant entouré entièrement de cette sone intermédiaire 12 et d'une autre partie (9,"10; de 35 la zone fortement dopée. Parfois, au besoin, on peut élaborer plusieurs sones intermédiaires. Dans l'exemple décrit ici, la zone BAD ORIGINAL 70 40188 7 2067088 circuitée à la surface par la couche de contact de collecteur 1) en aluminium du transistor , pour réaliser ainsi le circuit illustré sur la fig1. 3» le collecteur du transistor T. étant raccordé à la zone ce "base 4 commune -ies transistors T„, et T- t>ar l'intermédiaire du contact de « c y - 5 collecteur 13 et de la zone fortement dopée formée pax' (9, 10, 12). Le dispositif illustré sur les fif-.-ures 1 et 2 peut être fabriqué par la mise- en oeuvre -Je procédés planaires généralement utilisés dans la technique des semiconducteurs. On part alors par exemple d'un substrat de type de conduction p, -suc lequel l'emploi de procédés de mas-10 quage connus, permet d'élaborer d'abox-d la couche enterrée 9 Par diffusion d'une impureté à diffusion lente, pax* exemple l'arsenic, alors qu'ensuite, on laisse croîtx*e épitaxialement la couche 4. par oxydation thermique dans une atmosphère d'oxygène humide à une température de 1200°C, on élabore la couche d'oxyde 3 dans laquelle des procédés de photoréser-15 vation connus permettent le décapage de fenêtres à l'endroit des canaux de séparation 6, formés ensuite par diffusion de bore. Puis, par une nouvelle opération de photomasquage et ;e diffusion, on forme la région 10, la zone intermédiaire 12 par une diffusion ce phosphore à forte pénétration. D'une manière analogue, on forme ensuite par diffusion simultanément 20 la zone de base du transistor T., et Jps zones rte collecteur et d'émetteur 4 des fcransistox's , îg et T^, après quoi on forme par diffusion la zone d'émetteur du transistor T^. Après «voir décapé des fen-tres ie contact, on forme suivant un procédé connu, les diverses c miches d * aluminium pax* évaporation, masquage et décapage. 25 Suivant les circonstances et les exigences â posex* au dispositif, le technicien peut modifier à sa guise, le procé:é écrit ci-lessus à titre d'exemple. Parfois, en particulier lorsque, par unité ïe surface, il y a lieu n'élaborer de nomtrei.se; oo> '.étions 3.ix*ectes ayant la forne 30 -:e '..£i.'idel«=»t«a t-éta"" 1 il js;;t intéressant r„e la zone fortement dopée (?, 10, 12) soat entièrement couverte de la couche d'oxyde 3» Un tel dispositif est représenté schéiaatiqueinent en vue en plan sur la fig. 4, alors que la fig. 5 est une coupe sô:.éft.a ti ;ue suivant le plan V-V de cette nig. Ce dispositif c ocres pond en =■.!•'-ride partie â celui i; jusstré sur le:: 35 figures 1 et S, la différence prèb :;r.ie le c o ' 1-^'teur ou transistor ?_ n'est pas raccoraé ici â la zone ;p bt.s*» conmune 4 m--is à un autre peint •"u circuit f. travers -nie ':our: & 1 -Tii ai uni 14. '"n prévu ainsi de la place pour élaborer une connexion directe 1 ;> »n aluminium sur la couche d'oxvde entre les transistors ?.. et T.. Le collecteur nu transistor T,, a 3 4 t 40 été contacté ici par l'intermédiaire u'une végion de contact diffusée 1b bad obigi^ 70 40188 8 2067088 (5e type fie conduction n+ et d'une couche d'aluminium 17. Comme on l'a déjà remarqué, il n'est pas absolument nécessaire |ue la zone fortement dopée soit réalisée comme une structure entièrement fermée "affleurant la surface. A titre d'exemple, la fig. 6 5 aoiitre une structure dans laquelle la sont- fortement dopée est formée par une couche enterrée 9 de type 'ie conduction n, et des parties 10, de type de conduction n, qui â partir de la surface ont pénétré par diffusion sur une profondeur telle qu'entre licites -,:art?ss 9 «t 10 subsiste une région très étroite y.) qui est moins fortement dopée, mais qui n'influence 10 pratiquement pas l'effet de la zone {'-), 10). Une telle "fente" étroite A I peut se former par exemple aussi â la surface. Voir â ce sujet la fig. 7 où les parties 10 ont été diffusées â partir de la couche enterrée 9 vers la surface, (du fait que l'on est parti d'une impureté fie dopage â diffus f on plus rapide que celle de la couche 9)» alors qu'entre la surface 15 et les parties 10 existe encore une aor.e très mince 31, moins fortement dopée. Dans les deux exemples, on a élaboré dans la zone (9, 10) deux transistors latécaux qui ont des zones d'émetteur 32 et des zones de collecteur 33, la zone de base commune étant formée par la région 4 de type de conduction n. 20 La fig. 3 enfin donne schématiquement en coupe trans versale un exemple d'une structure dans laquelle des composants de nature différente sont élaborés dans la zone fortement dopée (9, 10); dans le cas présent, il s'agit notamment d'un transistor transversal n-p-n avec zone f".'émetteur 41 et zone de base 4?, et d'un transistor latéral p-n-p avec 25 zone d'émetteur 43 et zone ûe collecteur 44. La zone de collecteur du transistor, transversal, et la zone de base transistor latéral forment une zone commune 4, de type de conduction n, qui, conformément à l'invention, est maintenu au même potentiel par xa zone fortement dopée (9, 10, 12). La connexion à la zone commune y est formée par un contact mé-30 +allique 45, élaboré localement sur la "cloison intermédiaire" 12. à remarquer que bien que dans les exemple de réalisation décrits, les régions fortenent dopées 9, 10 et 12 "soient obtenues par diffa&ioii, elles peuvent au besoin être obtenues également, en totalité ou en partie, par l'emploi "'suives techniques, par* exemple les 35 -ecrniques ''pî taxi.- ou bien par implantation d'ions. La couche enterrée 9 par exemple peut être une couche épitaxiale fortement do-pée* tandis que les régions 10 et 12 peuvent être élaborées par diffusion, d'autres combinaisons étant évidemment possibles aussi. Bien que l'invention soit décrite â l'aide de formes 40 de réalisation et d'application déterminées, le tecl nicien pourra en réa- sad original 70 40188 2067088 lîsi=r vav.iha f orti:." r'u o- '* ;*e 11 invention. II '.st . ••..* (a «...pie- fo-?.;:. le -.i'uti i it-i* des •.•.a.téri-fv.x fi:■ ioon-uc t-u js -utrep que • .* '.i:' Ir ,/ouc*' » ii-iint^, on peut iv- .placer l'oxyde & ; il ici ut. ur .i'i- tret. i.= t'"iaux, par »xen.ple 1« ni t rare de silicium u î ' . ç ■;11.lu::, i L-hs types -s.-} conûiictioii inc. i:: aés dant» les exemples : euvunt "-tre r e.. i Is.eés par lt»s t„ pt S opposés, tandis que l'invention peut ;Yus.r.I -t/e sv-id&t-■;uE=si.;c-it r.ise à profit dans des circuits coirportant des c-- apurant r autr-s >ue cr»ux dont il est. iues tion dans Les ex?aples, ces auti'feS noi.ipoc:ants étant par exemple des diodes p-n ou diodes de S chottky, des thyristors latéraux, etc, pour autant qu'au moins deux de ces coir.po-sants aient un-? '/-one soracune. bad owg,nal 70 40188 10 2067088 REVENDICATIONS 1. Dispositif semiconducteur muni d'un corps sec.iconducteur comportant une région, d'un premier type de conduction, affleurant une surface du corps, et un groupe d'au moins deux composants semiconducteurs 5 situés dans cette région et présentant une zone commune qui fait partie de celle-ci et qui est dudit premier type de conduction, caractérisé en ce. qu'afin de maintenir pratiquement au môme potentiel les parties actives de la zone commune, associées aux composants, ladite région comporte une zone fortement dopée, de premier type de conduction, qui dans le corps 10 semiconducteur entoure quasi entièrement ledit groujie de composants et a une conductibilité plus élevée que la partie de région n'appartenant pas à cette zone et située entre ces composants, alors que tout au plus, ladite zone fortement dopée n,'est contactée à la surface que localement par une couche métallique. 15 2, Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la partie de la surface de laquelle la zone fortement dopée est limitrophe, entoure quasi entièrement ledit groupe de composants". 3. Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, 20 caractérisé en ce qu'à la surface, la zone fortement dopée est entièrement couverte d'une couche isolante. à. Dispositif semiconducteur selon l'une ies revendica tions 1 à caractérisé en ce qu'entre au moins deux composants appartenant audit groupe, la zone fortement dopée comporte une zone intermédiaire 2'5 fortement dopée, de premier type de conduction, affleurant pratiquement la surface, alors que chacun desdits composants dans le corps semiconducteur est quasi entouré entièrement de cette zone intermédiaire et d'une autre partie de ladite zone fortement dopée. 5. Dispositif semiconducteur selon l'une ".es revendica-30 tions 1 à 4, caractérisé en ce que ladite région, d'un premier type :e conduction, est une couche épitaxiale audit premier type ie conduction, située sur un substrat, alors que la zone fortement dopée est forcée par une couche enterrée, audit premier typo Je conduction, se trouvant entre le substrat et la couche épi ta? iale et par au une partie 55 fortement dopée dudit premier type de conduction, affleurant pratiquement la surface et se raccordant pratiquement à la couche enterrée. 6. Dispositif semiconducteur selon l'une 'es revendications 1 â 5s caractérisé en ce que ladite région du premier type Je conduction est séparée du reste du corps semiconducteur par une jonct1 n.n --n 40 ne coupant le corps semiconducteur qu'à ladite sur-face. BAD OR/G 70 40188 n 2067088 7. Dispositif s or-, icon-* uc t ?i: r selon l'une -es c-.-veniica.- lions 1 A. ^, caractérisé en ce .:ue .ums ladite région il «e trouve également au ricins un autre composant n'a^.par tenart pas h ce . î'ouï e et situé v" uni. or s vin la zoup orfcfi-icnt 3orée. -lii. ,-o>- i ti f r.reicor.iuc? :-.jt. *1 •-»..* re. ^i-Mcation 7» CiiX*ac'.'*riE.é ou ce qu 'u!-« ; c-.rtie ;e la zo-.-? cori&'.m» i'oa.e éjai ••s„f?nt une or.- • i : ij J t r-u^re • n;. Dit. j r.:. î + 'I f ôfi. iconlur '.car .= eion x'une i'.cs r»v mc i envions 1 5 -ractérisé en ce ;;.e ",-h-s le:; cocrposant? appartenant &u>" i t. ..-ooqp iont e ir.êr^e nature. 10. dispositif en. i conclue teur se] on la revendication caractérisé «-rs ce .rue les: composants appartenant audit groupa comportent des transistors latéraux. 11. Dispositif rfeir.icoi:lui_- -eur selon la revendication 10, caractérisé -en ce que l*»s émetteurs .les transistors latéraux sont interconnectés et ranis ;i'uïi conducteur -le connexjon commun. qaq original