Brevet FR2095206A1 — publié le 19720211

t 2095206 La présente invention concerne une plaque de masse pour conducteurs interstitiels d'une mémoire à fils revêtus et, plus précisément, une telle plaque comprenant une feuille métallique repliée et fixée à la face externe/Ôe la mémoire. 5 Dans le cas habituel, on soude en un point commun des con ducteurs interstitiels placés entre les fils de mémoire et on les met à la masse. Dans d'autres procédés, on dépose une couche de métal sur la surface d'extrémité de la mémoire à fils de manière à relier les conducteurs interstitiels. 10 On préfère que les conducteurs interstitiels soient reliés en un point commun, ce qui facilite la liaison de tous les conducteurs interstitiels à une masse commune. On sait qu'on réalise de tels conducteurs interstitiels en les disposant entre les fils de mémoire de manière à réduire les interférences électriques en-15 tre les fils, ce qui permet d'accroître la capacité de la mémoire sans augmenter ses dimensions matérielles. fin résumé, l'invention concerne un procédé, et le produit obtenu par sa mise en oeuvre, destiné à la réalisation d'une plaque de masse commune à des conducteurs interstitiels placés en-20 tre les tunnels d'un tapis de mémoire à fils. Habituellement, les tunnels comportent des fils de mémoire revêtus destinés à la mise en oeuvre d'une mémoire. Dans un mode de réalisation, la plaque comprend une feuille métallique placée aux extrémités des conducteurs interstitiels. 25 On replie la plaque sur la surface externe de la mémoire et on la fixe à cette surface. On peut utiliser une colle ou tout autre dispositif convenable pour fixer la feuille à la surface. Dans un procédé, on attaque la feuille et les connexions aux conducteurs interstitiels dans une même couche métallique conduc-30 trice qui est utilisée pour la réalisation des conducteurs interstitiels. On réalise les conducteurs de liaison et interstitiels sur un substrat isolant. De préférence, celui-ci est souple et permet de replier la feuille sur la surface externe. L'invention concerne donc un dispositif perfectionné d'in-35 terconnexion de conducteurs interstitiels d'une mémoire à fils en un point commun. Elle concerne aussi une plaque de masse destinée aux conducteurs interstitiels d'un tapis de fils formant une mémoire. 71 20802 2 2095206 Cette plaque comprend une feuille métallique placée aux extrémités des conducteurs interstitiels et repliée et fixée à la surface externe d'une mémoire. Selon uii mode de réalisation, on attaque une feuille métallique et on relie les conducteurs de la 5 feuille métallique attaquée de manière à former des conducteurs interstitiels, et on replie la feuille métallique sur la face externe de la mémoire. L'invention concerne enfin un procédé de réalisation de plaques de mémoire pour conducteurs interstitiels sur un substrat souple qu'on peut facilement replier et fixer à la 10 surface externe de la mémoire. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressor-tiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence au dessin annexé sur lequel : La figure 1 est une perspective d'un mode de réalisation de 15 mémoire à fils revêtus montrant des feuilles métalliques fixées k la surface externe d'une mémoire et formant une plaque de masse pouces conducteurs interstitiels ; et La figure 2 est une coupe suivant les lignes 2-2 de la figure 1 et elle montre la liaison des barrettes de mots de la mémoire 20 et des conducteurs interstitiels placés entre les tunnels destinés aux fils de mémoire. La figure 1 est une perspective d'une extrémité d'une mémoire 1 à fils revêtus à double couche,comprenant une première couche 2 et une seconde 3. Les deux couches sont séparées par un substrat 25 19 isolant qui peut être en verre époxyde ou en matière diélectrique équivalente. La première couche 2 comprend des barrettes 14 de mot sur ses deux surfaces. Les barrettes sont reliées électriquement par l'intermédiaire de trous 15 revêtus à un bord de la couche. Les bar-30 rettes sont placées sur les surfaces externes, perpendiculairement aux tunnels.6. Les fils 9 placés dans les tunnels servent à mettre en mémoire des informations d'emplacement de bits déterminé , à l'intersection des barrettes et des fils. Bien qu'on^l'ait pas repré-35 senté, les fils 9 et les fils 21 de la couche 3 de mémoire sont reliés électriquement à l'extrémité opposée de la mémoire 1 à double couche. Par exemple, on peut utiliser une connexion du type 71 20802 3 2095206 en épingle à cheveux. Les connexions électriques entre les fils de mémoire assurent à celle-ci une capacité accrue. Les fils revêtus peuvent avoir une âme en cuivre au béryllium revêtue d'une couche à persistance magnétique en alliage nickel-5 fer. Les fils peuvent aussi être revêtus d'une pellicule isolante le cas échéant. Les tunnels 6 sont placés entre les couches 5 formées entre les substrats 4 et 12. Ceux-ci,ainsi que d'autres substrats de la mémoire 1,peuvent être en verre époxyde,en polyimide, ou en autres 10 matières diélectriques. De préférence, ces substrats sont relativement souples de manière à permettre de replier les feuilles interstitielles 24 et 25 de masse et de les fixer aux surfaces externes des couches 2 et 3, comme décrit plus loin. La seconde couche 3 comprend de façon analogue des barrettes 20 de mot dans 15 les deux surfaces de la couche de mémoire. Les barrettes sont orthogonales aux fils 21 et aux tunnels 7. Les barrettes sont réalisées sur les substrats 26 et 29. Des trous revêtus 27 (voir figure 2) peuvent assurer la connexion des barrettes de mot. Les barrettes assurent la continuité électrique autour des fils. 20 On peut placer un cache sur les barrettes et attaquer ou réa liser de manière différente des couches de cuivre ou d'autre métal conducteur sur les faces externes des substrats. Dans certains modes de réalisation, on peut utiliser des couches de nickel. De plus, au lieu d'une attaque chimique, on peut réaliser les barret-25 tes par dépôt sur les surfaces du substrat. On réalise les tunnels 7 entre les couches 10 placées entre les substrats 26 et 29. Les couches isolantes 10 et 5 des deux couches 2 et 3 peuvent être réalisées par attaque chimique d'une couche de verre époxyde jusqu'à traversée partielle, par moulage 30 d'une résine d'une matière équivalente sur un substrat en verre époxyde, en polyimide, etc., ou par attaque d'une couche de verre époxyde k travers la totalité d'un substrat de polyimide, ainsi que par divers autres procédés. Les procédés utilisés pour réaliser l'ensemble de la figure 1, 35 ainsi que d'autres ensembles analogues avec lesquels on peut mettre en oeuvre le pliage de feuilles 24 et 25, sont décrits dans les demandes de brevet des Etats-Unis d'Amérique n2 45 678, 45 738, 71 20802 4 2095206 45 677 et 45 737 du 12 juin 1970, déposées par Joseph M. Shaheen et John Simone. La présente invention concerne les plaques 24 et 25 de masse fixées aux faces externes des couches 2 et 3 par des couches 52 5 et 51 de colle, entre la partie repliée des substrats 4 et 26, respectivement. L'épaisseur de la plaque 24, de la couche 52 et de la couche 4 est pratiquement égale à la hauteur des barrettes 14, de façon à conserver son aspect plan k la mémoire. La plaque 25 a cette même caractéristique par rapport aux barrettes 20. 10 Chaque plaque 24 et 25 comporte des conducteurs 11 et 23 de connexion qui assurent la continuité électrique jusqu'aux conducteurs interstitiels 13 et 30 des couches 2 et 3. La figure 2 représente plus clairement ces conducteurs interstitiels» De préférence, les substrats 4 et 26 sont souples et permet-15 tent de replier des plaques de masse et les conducteurs de connexion et de les fixer autrement aux faces externes de la mémoire 1. Si les substrats ne sont pas souples, on peut les retirer, par exemple par attaque chimique, ou les découper pour permettre de replier facilement les plaques sur elles-mêmes. Le substrat de 20 support n'est pas essentiel au procédé ou au produit obtenu. Dans un mode de réalisation du procédé, on réalise les pla-ques de masse 24 et 25 au cours de la réalisation des conducteurs interstitiels. Lors de l'attaque des couches métalliques conductrices à partir desquelles on réalise les conducteurs interstitiels, 25 on cache aussi les zones destinées aux plaques et aux conducteurs de liaison. Ainsi, lorsqu'on attaque la couche métallique conductrice, par exemple en cuivre, pour réaliser les conducteurs interstitiels, on réalise aussi les plaques de masse et les conducteurs de connexion. Ensuite, les plaques formées sur les mêmes sub-30 atrats qui porxent les conducteurs interstitiels sont repliées ex fixées aux faces externes comme décrit précédemment* Au cours du fonctionnement, ou lorsque la mémoire est reliée électriquement, les plaques sont à la masse. On peut utiliser un connecteur externe ou une borne pour les plaques de masse comme 35 masse commune pour un ou plusieurs systèmes. En conséquence, on met à la masse les signaux de bruit ou les autres interférences électriques qui peuvent exister entre les fils de la mémoire. 71 20802 5 2095206 La figure 2 est une coupe de la mémoire à double couche de la figure 1, suivant les lignes 2-2. Les trous revêtus 15 et-27 portant des couches 1t> et 28 de revêtement relient les barrettes de mot des deux mémoires 2 et 3. On a représenté des fils 9 et 5 21 dans des tunnels 6 et 7 respectivement. On a aussi représenté des conducteurs interstitiels 13 et 3C placés sur les substrats 4 et 26 des deux couches. Il faut noter que la couche métallique attaquée peut être une feuille de cuivre laminée sur un substrat isolant, par exem-10 pie en polyimide, d'épaisseur d'environ égale à 50 microns. Par exemple, la feuille peut avoir 0,4 mm d'épaisseur. D'autres exemples figurent aussi dans les demandes de brevet des Etats-Unis d'Amérique précitées. Il est bien entendu que l'invention n'a été décrite et re~ 15 présentée qu'à titre d'exemple préférentiel, et qu'on pourra apporter toute équivalence technique dans ses éléments constitutifs sans pour autant sortir du cadre de l'invention, qui est défini dans les revendications annexées. 71 20802 6 2095206 REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'une plaque de masse destinée à des conducteurs interstitiels placés entre des tunnels d'une mémoire à fils revêtus, caractérisé en ce qu'on réalise des con- 5 ducteurs interstitiels sur un substrat diélectrique, on réalise une plaque de masse destinée k ces conducteurs et comprenant des conducteurs reliant ladite plaque aux conducteurs interstitiels, on replie la plaque de masse et on la fixe à la face externe de la mémoire. 10 2. Procédé de réalisation d'une plaque de masse destinée à des conducteurs interstitiels d'une mémoire à fils revêtus, caractérisé en ce qu'on attaque des conducteurs interstitiels d'une couche métallique conductrice placée sur un substrat souple, on attaque à une extrémité de ladite couche métallique conduc- 15 trice une feuille métallique reliée aux extrémités des conducteurs interstitiels, et on replie la feuille attaquée et le substrat souple sur la face externe de la mémoire. 3. Plaque de masse destinée à des conducteurs interstitiels placés entre les tunnels d'une mémoire à fils revêtus, caractéri- 20 sée en ce qu'elle comprend une feuille métallique conductrice reliée aux extrémités des conducteurs interstitiels, ladite plaque étant fixée à la surface externe de ladite mémoire. 4. Plaque de masse selon la revendication 3, caractérisée en ce que la feuille métallique conductrice est placée sur un 25 substrat fixé à la face externe de la mémoire, celle-ci comprenant des barrettes de mot perpendiculaires aux tunnels de la, mémoire,la combinaison de la feuille métallique et du substrat placé dessous se trouvant dans le même plan que les barrettes de mot. 5. Plaque de masse selon la revendication 3, caractérisée en 30 ce que la feuille métallique conductrice est placée sur un substrat souple et reliée aux conducteurs interstitiels par des conducteurs susceptibles d'être repliés, la feuille métallique conductrice étant reliée k la face externe de la mémoire par la face exposée du substrat souple. 35 6. Plaque de masse destinée à des conducteurs interstitiels placés entre des fils revêtus de mémoire, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat souple, et une feuille métallique 71 2r'S02 7 2095206 conductrice placée sur le substrat et comprenant des conducteuas reliant la feuille aux conducteurs interstitiels qui sont placés sur ledit substrat souple avec la feuille de métal conductrice, celle-ci étant repliée à partir du plan des conducteurs interstitiels et fixée à la face externe de ladite mémoire.