Brevet FR2083380A1 — publié le 19711217

0937Û a îVwj^ùv L'invention se rapporte à un système pour la transmission d'informations avec une source de rayonnement infrarouge, en particulier une source de rayonnement à laser, avec des moyens pour la modulation en polarisation du faisceau et un analyseur, ainsi qu'avec un détecteur de rayonnement. L'établissement d'une voie de transmission par infrarouge est conditionné par la présence simultanée d'une source de rayonnement puissante, d'une technique de modulation, d'un milieu de transmission transparent et d'un récepteur suffisamment rapide, répondant au type de modulation adopté, pour une seule et même longueur d'onde. On sait qu'il est possible d'utiliser dans toute la gamme de l'infrarouge, c'est-à-dire pour les longueurs d'ondes comprises entre environ 0,8 /u et 1 mm, des sources de rayonnement constituées par des radiateurs thermiques. Toutefois, la puissance de rayonnement spectrale de ces sources est déjà si faible dans la gamme des faqu'elles ne permettent pas d'établir un procédé économique de transmission d'informations par infrarouge. Les sources de rayonnement infrarouge monochromatiques, les diodes à laser et à luminescence ont abouti à des voies de transmission d'informations par infrarouge pratiquement utilisables. On connaît des voies de transmission dont la source de rayonnement, pour une longueur de 0,9/u> est constituée par une diode à luminescence à l'arséniure de gallium et dont le récepteur de rayonnement est constitué par un détectera? au silicium. Les lasers à gaz connus, par exemple le laser à C02 émettant à 10,6/u, constituent des sources de rayonnement infrarouge puissantes, fonctionnant en régime permanent. En raison de l'absorption de sa puissance de rayonnement - qui s'étend jusqu'au domaine des kW-dans les corps non métalliques, ce laser peut servir d'outil pour l'usinage de matériaux. D'autre part, on peut employer -le laser à COg comme source de rayonnement pour la transmission d'informations, étant donné que la transparence de l'atmosphère pour la longueur d'onde d'émission du laser à COg permet des portées allant jusqu'à plusieurs centaines de kilomètres. Le problème consiste à trouver une combinaison appropriée d'un procédé de modulation côté émetteur et d'un procédé de démodulation adéquat côté récepteur. Etant donné que l'intensité du rayon laser ne se laisse pas moduler avec un bon rendement par voie électronique et que, par ailleurs, la fréquence du rayonnement émis est déterminée par les niveaux d'énergie qui participent à l'émission y l O ? «j / k jt v w ^ w du rayonnement, la modulation en amplitude et la modulation en fréquence ne permettent pas d'escompter de bons résultats. On a constaté qu'une modulation en polarisation convient particulièrement à une voie de transmission à laser, car 5 le laser à gaz carbonique équipé de fenêtres à incidences brewste-riennes fournit un rayonnement d'émission qui a déjà subi une polarisation linéaire. Kimmel a déjà proposé, dans le brevet allemand No. 1.032.398, un appareil de commande pour un rayonnement électromagnétique, qui convient à la modulation en polarisation côté émet-10 teur et qui est basé sur l'effet de Faraday sur l'antimoniure d'indium. A titre de détecteurs pour le rayonnement modulé en polarisation, à déceler côté récepteur, il convient d'employer des bolo-mètres refroidis, au germanium dopé au mercure, qui sont précédés de filtres ou des polariseurs à réflexion, en tant qu'analyseurs. 15 Dans une telle combinaison analyseur-détecteur, une modulation en polarisation avant l'analyseur est convertie en une modulation en intensité avant le détecteur monté en aval. La sortie du détecteur côté récepteur fournit donc un signal, dont l'amplitude porte l'information reçue. 20 Lorsque l'intensité du faisceau subit une modulation supplémentaire côté récepteur à la suite d'influences parasites s'exerçant sur la source de rayonnement ou sur la voie de transmission, cette modulation parasite se superpose, dans la combinaison analyseur-détecteur mentionnée plus haut, sans affaiblissement au 25 signal de sortie. Ceci impose donc comme objectif^d'établir un détecteur de polarisation, côté récepteur, de telle manière qu'il fournisse un signal de sortie insensible aux variations d'intensité. On a constaté que les variations d'intensité ne peuvent pas influ-30 encer le signal de sortie lorsqu'on mesure de façon supplémentaire, l'intensité du rayonnement incident et lorsqu'on forme ensuite le rapport du signal de sortie par l'intensité du rayonnement incident. Suivant une proposition antérieure (demande de brevet allemand No. P 19 51 920.1-51 de la demanderesse on prévoit, dans 35 un Système pour déterminer le plan de vibrations d'un rayonnement lumineux polarisé, par réflexion du rayonnement sur une surface, d'utiliser comme analyseur une pyramide à base carrée, dont l'axe est orienté parallèlement au rayonnement et dont le sommet est dirigé à 1'encontre de celui-ci. Les faces latérales réfléchissantes 40 d.e ia pyramide sont constituées de préférence en silicium ou en 71 09370 3 2083380 germanium. Dans la marche des rayons réfléchis par les faces latérales de la pyramide sont disposés chaque fois des composants photo-électroniques branchés de telle manière que le plan de vibrations du rayonnement puisse être déterminé à partir de la différence des rayons réfléchis. L'invention est basée sur lia constatation que ce principe de construction peut aussi être appliqué avantageusement à un récepteur d'une voie de transmission d'informations à rayonnement modulé en polarisation. Suivant l'invention, le récepteur de la voie de transmission d'informations est constitué par au moins deux détecteurs à effet photoélectromagnétique (PEM) ou détecteurs à effet Ettingshausen-Nernst à induction optique (ENO), affectés respectivement à des directions de polarisation orthogonales, détecteurs dont les cristaux photosensibles sont disposés autour du pôle intérieur commun d'un système magnétique. Les cristaux de deux détecteurs opposés sont affectés chaque fois à une même direction de polarisation et au moins un analyseur leur est associé. Les différents cristaux sont disposés chacun dans une branche d'un montage en pont, dans une diagonale duquel peut être recueillie, en tant que tension de signal variable en fonction de la polarisation, la demi-différence des sommes des tensions à vide engendrées par des paires de détecteurs opposés, tandis que dans son autre diagonale apparaît, en tant que tension de référence indépendante de la polarisation, la demi-somme de toutes les tensions à vide des différents détecteurs. Dans un système comportant quatre détecteurs, les deux paires de détecteurs sont affectées à deux directions de polarisation orthogonales. Les détecteurs ENO sont connus. Ils comportent un détecteur de rayonnement situé dans un champ magnétique et dont le corps semi-conducteur cristallin contient, conformément au brevet allemand Fo. 1.214.807» des régions à meilleure conductibilité électrique d'une seconde phase cristalline, orientées en substance perpendiculairement au sens du courant engendré. L'action de tels détecteurs est basée sur un effet Ettingshausen-Nernst à induction optique. Pour cette raison, la dénomination détecteur ENO est courante dans la littérature. Le semi-conducteur du détecteur ENO est constitué par un composé A-jjjBy» en, particulier 1 ' antimoniure d'indium InSb, les inclusions pouvant être en antimoniure de nickel NiSb ou d'autres substances cristallines. L'absorption optique dans cette matière est essentiellement déterminée pour des Ion- 71 uvd/y 4 gueurs d'ondes situées au-dessous de la limite d'absorption par 1 ' antimoniure d'indium, c'est-à-dire à la température ambiante au-dessous de 7/u, par l'excitation par conduction intrinsèque de 1'antimoniure d'indium. Au-dessus de la limite d'absorption, 5 les inclusions de la seconde phase fournissent la fraction d'absorption déterminante. Par conséquent, le détecteur peut aussi être utilisé pour des rayons d'une longueur d'onde supérieure à 7/u, comme cela est connu par l'article "Anisotropic InSb-NiSb as an. infrared-detektor" paru dans la revue "Solid State Electronics", 10 1968, fascicule 11, pages 979 à 981. Il est indépendant de la polarisation du rayonnement infrarouge lorsque les inclusions sont disposées, sous la forme d'aiguilles, perpendiculairement à la surface irradiée du cristal. Sous l'influence simultanée d'un champ magnétique, de préférence homogène, et d'un flux thermique engendré 15 perpendiculairement à ce champ dans le cristal, il s'établit une tension électrique perpendiculaire aux directions précitées. Le flux thermique est engendré par le gradient de température produit par le rayonnement infrarouge absorbé, c'est-à-dire,par voie optique. De telsNdétecteurs EUO possèdent une faible constante de temps. 20 Pour un rayonnement d'une longueur d'onde jusque 7/u en viron, on peut aussi utiliser les détecteurs PEM connus, à corps cristallin homogène. La voie de transmission d'informations suivant l'invention possède une sensibilité élevée dans la gamme de longueurs 25 d'ondes allant de 1, 7/u jusqu'au millimètre et comporte au-dessus de 7/u environ une constante de temps de 10"^ s environ. Pour décrire l'invention d'une manière plus détaillée, on va se reporter au dessin annexé, sur lequel: la figure 1 représente un exemple d'exécution d'un 30 système suivant l'invention, qui comprend un seul détecteur et une surface de réflexion plane; la figure 2 représente un autre mode d'exécution de l'invention, qui comprend plusieurs surfaces de réflexion à chacune desquelles est associé un cristal détecteur; 35 la figure 3 représente le montage électrique des corps semi-conducteurs des détecteurs suivant la figure 2; la figure 4 met en évidence le mode de fonctionnement du système suivant l'invention, à l'aide d'un graphique; la figure 5 représente la disposition des corps semi-40 conducteurs des détecteurs; # 71 ô937y 5 Âm W '■+** la figure 6 représente une construction particulièrement avant ageuge d'un.- récepteur; la figure 7 est une vue en plan de ce récepteur, avec disposition des détecteurs suivant la figure 5. 5 Suivant la figure 1, un corps semi-conducteur cristallin E d'un détecteur ENO, qui sert de récepteur de rayonnement, est disposé entre les pièces polaires 6 et 8 formant pôle sud S et pôle nord N d'un aimant 7 qui peut être un aimant permanent, par exemple. Le rayonnement électromagnétique incident, qui est dési-10 gné par deux flèches S. et qui est de préférence un rayonnement infrarouge, en particulier un faisceau laser, tombe sous un angle d'incidence sur la surface réfléchissante d'un polariseur à réflexion P. Le rayonnement réfléchi par le polariseur P tombe sous tm angle d* incidence *f-sur la surface réceptrice E du cristal détec-15 teur dont les extrémités sont munies de connexions électriques A et B. Lorsque l'angle d'incidence*^ du faisceau réfléchi par la plaque de polarisation P à la manière d'un miroir est égal à l'angle de polarisationde la plaque à indice de réfraction n, et lorsque 20 tg = n, seule la composante du rayonnement incident, qui vibre perpendiculairement au plan d'incidence, est réfléchie et le rayonnement tombant sur le cristal détecteur E est complètement polarisé. Lorsque le rayonnement tombant sur le polariseur P est modulé en 25 polarisation, le polariseur P agit comme analyseur. Le rayonnement arrivant sur le cristal E ne contient alors plus que la composante qui vibre perpendiculairement au plan d'incidence sur le polariseur P, ce rayonnement portant la modulation de cette composante en tant que modulation en amplitude. 30 Ainsi, le cristal détecteur E fournit à ses connexions de sortie A et B une tension de signal constituée par une composante de tension continue et la modulation superposée. Comme le plan d'incidence sur le cristal E est identique au plan d'incidence sur le polariseur P, la composante vibranir verticalement est également 35 réfléchie plus fortement sur le cristal E. Le rendement est déterminé par le pouvoir de réflexion R(^ ) du polariseur P pour l'angle^ et par la perméabilité. superficielle 1 - B. ) du cristal E pour l'angle o Par conséquent, les coefficients de réflexion du cristal peuvent être avantageusement maintenus à une valeur 40 réduite moyennant une amélioration de l'état de surface. En outre, 71 093/U 6 2083360 on peut tourner l'ensemble du détecteur par rapport au polariseur P de manière que l'angle d1 incidence0» Suivant la figure 2, on prévoit quatre détecteurs E1T0 2 à 5 alimentés par un système magnétique commun, non représenté 5 sur cette figure, comportant un pôle interne commun S. Dans ce cas, sont engendrées dans les cristaux Eg à E^, lors de l'irradiation, des tensions avec des directions de polarité indiquées pour les différents cristaux, lorsque chaque cristal est irradié par un polariseur à réflexion correspondant Pg à P^, des cristaux opposés 10 deux à deux, soit Eg,E^ et réagissent chaque fois à une di rection de polarisation commune, à savoir celle dont le vecteur électrique vibre parallèlement à la direction longitudinale du cristal» Cette direction est indiquée par des doubles flèches sur les plaques de polarisation Pg à P^ dont les plans de réflexion 15 sont inclinés par rapport au plan du dessin. l'effet de chacun des quatre cristaux Eg à E^ peut être représenté d'une manière schématique par une source de tension à vide Ug à et une résistance interne Rg à R^. Le couplage en série de ces sources de tension à vide et des résistances internes 20 correspondantes peut être réuni en un anneau suivant la figure 3. Dans le système comportant quatre détecteurs 2 à 5, à chacun desquels est associé un polariseur Pg à P^, chaque source de tension à vide est disposée, selon la figure 3, en série avec la résistance interne correspondante, dans une branche d'un montage en pont sur 25 une diagonale duquel apparaît une.tension de référence TT^ et sur l'autre diagonale la tension de signal Ug modulée en polarisation. Dans le cas particulier où les résistances internes Rg à des quatre détecteurs sont de même grandeur, on obtient la tension de référence 30 UR = | (U3 + U5 + Ug + U4) et la tension de signal us = | (u3 + u5 - u2 - u4). La tension de signal Ug représente donc la moitié de la différence des sommes de tensions à vide engendrées par les deux 35 paires de détecteurs opposés tandis que la tension de référence UR représente la moitié de la somme de toutes les tensions à vide. Toutefois, comme les deux paires de détecteurs Eg,E^ et E^,E^ réagissent à des directions de polarisation orthogonales, la tension de signal Ug dépend de la direction de polarisation et de 71 09370 7 2083380 l'intensité du rayonnement incident global, tandis que la tension de reference dépend seulement de l'intensité» Le quotient U2 +TJ. ■ ■ 1 ♦ * = + U5 U2 + U4 u3 t u5 *2 + U4 1 - x 1 + X u3 + n5 des sommes de tensions fournies par les deux paires de détecteurs Une modulation en amplitude du rayonnement qui tombe sur la disposition d'ensemble suivant la figure 2 influence les quatre tensions ïïg à td'un même facteur. De ce fait, x et donc aussi U3/Ur - y ne varient pas en fonction de l'amplitude. La tension de. référence UR et la tension de signal Ug peuvent être appliquées avantageusement à des transformateurs de tension respec tivement 10 et 12, dont les secondaires ont une extremit^potentiel 0. Les extrémités libres sont connectées par des amplificateurs respectivement 14, 15 à l'entrée d'un circuit 16 pour la formation des quotients, à la sortie duquel on peut recueillir le quotient Ug/UR qui peut éventuellement être appliqué à une borne de sortie 20 en passant par un autre amplificateur 18. A titre de mesure de l'efficacité du système comportant quatre détecteurs, on peut former une fonction de transmission de modulation H (0 ), représentée dans le graphique suivant la figure 4, où#est l'azimut du plan de polarisation du rayonnement modulé en polarisation, soit H (0) = Qmax . a- 7max d' H (&) est donc la pente avec laquelle la grandeur initiale j varie en fonction de l'azimut .modulé ©. Dans le graphique suivant la figure 4, y et 8 sont portés chacun en unités de leurs valeurs maximales réalisables. 8=0 désigne la direction de polarisation pour laquelle le vecteur électrique doit avoir tourné de 45° par rapport aux plans d'incidence de tous les polariseurs, comme cela est représenté en tirets sur la figure 2. La gamme de modulation maximale utilisable s'étend alors de 0 = /4 à--f'^/4 et 6max=y^4« 71 09370 8 2083380 Les valeurs extrêmes correspondantes pour j sont dans ce cas y = -1, à quoi correspond 9 = et y = +1, à quoi corres pond 0 = +#74» Dans la position médiane, y = 0, et % = 0. On obtient ainsi pour le détecteur de polarisation quadripartite 5 suivant la figure 2, le point zéro pour & étant fixé par convention, la fonction H ( © ) = . dg Gomme chaque polariseur arrête la composante électrique dans la direction de vibrations à bloquer, et par contre, dans la direction perpendiculaire à la première, transmet la composante 10 électrique avec un facteur d'affaiblissement indépendant de la composante bloquée, le polariseur suivant l'invention présente aussi une caractéristique sin 0 quant à l'amplitude, mais une ca- p ractéristique sin 0 quant à l'intensité. On obtient donc, pour un détecteur de polarisation suivant l'invention à quatre éléments 15 détecteurs, comme dans la disposition suivant la figure 2, une allure x y1 = sin 2 0, représentée sur la figure 4 par la courbe en trait plein. Pour la fonction H, on obtient H^(0) g « cos 2 0, dont l'allure est 20 représentée en traits mixtes sur la figure 4. Par contre, un détecteur de polarisation unique suivant la disposition de la figure 1 crée une dépendance du signal de sortie en fonction de l'azimut, dont l'allure yg et Hg est représentée sur la figure en tirets. La courbe correspondant à y2 ne passe pas 25 par le point zéro. La plus grande dépendance vis-à-vis des variations de la modulation, représentée par le maximum de la fonction de la figure 4, est atteinte, dans le cas du détecteur quadruple, lors du passage par zéro de la grandeur de sortie y^. L'allure antisymé-30 trique de la grandeur de sortie y^ détermine un doublement de la pente normalisée, ce qui se reconnaît sur la figure 4 à la double hauteur de la fonction par rapport à H2, en conformité avec une disposition comprenant un seul détecteur. Le système indépendant des variations de la modulation 35 en amplitude, composé de quatre détecteurs distincts, auxquels sont associés quatre polariseurs distincts, peut être amélioré, conformément à un mode de réalisation particulièrement favorable du système suivant l'invention, par le fait que chaque corps cristal- 71 09370 9 2083380 Un Kg à Kçj a la forme d'un segment d'un anneau circulaire, le "branchement et la disposition de ces segments étant représentés d'une manière schématique sur la figure 5. Les extrémités des corps cristallins sont connectées entre elles de telle manière que leur 5 branchement électrique corresponde à un montage en pont suivant la figure 3o La tension de référence UR est recueillie entre les connexions des corps cristallins K2 et K^, d'une part, et E^ et K^, d'autre part. La tension de signal polarisée Ug est obtenue entre les connexions des corps cristallins E^ et E^, d'une part, et K2 10 et K,j, d'autre part» Dans ce cas, on peut également utiliser avantageusement des polariseurs à surface de réflexion courbe, dont les rayons réfléchis sont dirigés sur la surface des corps cristallins K2 à E^, oii ils forment un "cercle focal" en forme de disque circulaire • .. 15 ou d'anneau. De tels polariseurs conviennent pour capter un faisceau de rayons. On obtient une simplification notable du système suivant l'invention en adjoignant aux récepteurs de rayonnement suivant la figure 5 un polariseur commun, qui peut affecter la forme d'un go-20 det dont la surface intérieure constitue le réflecteur. L'ensemble de la surface du réflecteur peut affecter dans ce cas, par exemple, - la forme d'une pyramide tronquée à base polygonale, qui présente un grand nombre de faces trapézoïdales, le rayonnement entrant par la base ouverte de cette pyramide. Par ailleurs, la surface réflé-25 chissante peut être constituée par un cône tronqué, par exemple. Les rayons réfléchis forment alors sur la surface du corps cristallin- Kg à Kçj un disque annulaire en tant que surface d'absorption effective. Il est particulièrement favorable de donner au réflec-30 teur la forme d'un paraboloïde de révolution extra-axial suivant la figure 6. La génératrice du paraboloïde de révolution est une parabole dont le foyer est situé sur l'anneau cristallin détecteur et dont l'axe est parallèle h l^axe de révolution passant par le centre de l'anneau. Ce dernieay constitue l'axe de l'analyseur en 35 forme de godet et aussi l'axe optique. La surface intérieure du godet 22 constitue alors un paraboloïde de révolution dont l'axe de révolution est orienté dans la direction du rayonnement à recevoir. Le lieu géométrique des foyers du réflecteur forme un cercle focal sur la surface des segments de l'anneau disposés entre les 40 pièces polaires d'un aimant à entrefer annulaire 24 situé sous 71 09370 10 2083380 le paraboloïde de révolution. L'aimant à entrefer annulaire 24 peut être, par exemple, un aimant en forme de godet d'un haut-parleur. Un tel analyseur permet d'obtenir une allure de la fonction de transmission de modulation, représentée sur la figure 4 en trait 5 plein par y^ et E^. Ce mode d'exécution fournit, il est vrai, un signal de sortie légèrement plus faible; il offre cependant l'avantage que la surface de réflexion courbe peut agir simultanément comme objectif de l'analyseur. De plus, la construction d'une telle disposition, qui comporte une enveloppe 22 et un aimant à 10 entrefer annulaire 24 à pièces polaires 26 et 28, fixé au fond de l'enveloppe 22, est très simple. Le rayonnement indiqué par des flèches, qui tombe depuis le haut sur le détecteur de polarisation en forme de corps de révolution, parallèlement à l'axe de ce détecteur, est focalisé par le paraboloïde de révolution extra-axial 15 sur le cristal divisé en quatre secteurs de même grandeur. Ce cercle constitue donc en même temps la ligne focale du paraboloïde. L'aimant à entrefer annulaire 24 engendre un champ magnétique radial qui traverse les corps semi-conducteurs distincts, non: représentés sur la figure 6.Le réflecteur 30 est constitué en une ma-20 tière à haut pouvoir de réfraction, mais à faible absorption, par exemple du germanium ou du silicium. Le réflecteur 30 peut être coulé par exemple en résine synthétique, sur un moule négatif, de la poudre de germanium ou éventuellement aussi de silicium étant incorporés à la masse coulée, le revêtement de surface 30. étant en-25 suite établi par vaporisation avec du germanium ou du silicium. En munissant le réflecteur de ce revêtement 30, on empêche une réflexion de la composante du rayonnement, qui vibre parallèlement au plan d'incidence. A titre de protection contre les poussières et la con-30 vection, on peut encore prévoir avantageusement une fenêtre 32 en forme de disque annulaire, qui peut être constituée, par exemple, en •une feuille de matière plastique. La fenêtre 32 est fixée, d'un côté, entré les éléments distincts 34 et 36 d'une tête, par exemple à l'aide de vis 38, tandis que son bord extérieur est enserré her-35 métiquement à l'aide d'un écrou 40 de l'enveloppe 22 en matière synthétique. L'élément 36 de la tête est monté élastiquement à l'aide d'un ressort 42 et d'un support 44. Le support 44 porte, en outre, un écran antidiffusion 46. Les rayons réfléchis par le corps réfléchissant 30 forment sur la surface des corps cristallins, flan» 40 l'entrefer de l'aimant 24, un cercle focal indiqué par des flèches 71 09370 n 2083380 sur la figure. Des perçages 48 peuvent être prévus pour les connexions des différents corps cristallins. Ainsi qu'il ressort de la vue en. plan représentée sur la figure 7, l'écrou 40 sert à la fixation de la feuille de protection 32 et constitue la délimitation de l'enveloppe 22. On voit au centre du système l'élément de tête 36, retenu par trois "branches 48. lie paraboloïde de révolution extra-axial 30, qui agit à la fois comme objectif et comme analyseur est dimensionné de telle manière que tous les rayons tombant de façon axialement parallèle à travers la fenêtre 32 rencontrent la surface du réflecteur 30 sous un angle d'incidence y proche de l'angle de polarisation et tombent sur le détecteur disposé dans le cercle focal sous un angle d'incidenceS'pas trop élevé, les valeurs limites des angles précités, pour un analyseur au germanium à angle de polarisation = 75° 58 ', peuvent être avantageusement choisies comme suit! max =^.81° min ^max ^ 40° Le diamètre d du cercle focal suivant la figure 7 est déterminé par les dimensions de l'aimant à entrefer annulaire 24 choisi. Le diamètre extérieur D du réflecteur peut être choisi à volonté. Dans l'exemple de réalisation suivant la figure-2, on a adopté une disposition à quatre détecteurs affectés deux à deux à des directions de polarisation orthogonales. On obtient un agencement plus simple avec deux détecteurs affectés à des directions de polarisation orthogonales. Les corps cristallins de ces détecteurs doivent alors être disposés dans deux branches voisines d'un pont suivant la figure 3, tandis que chacune des deux autres branches reçoit une résistance fixe. Une telle disposition exige, il est vrai, un nombre de composants moindre; elle possède par contre une sensibilité moins élevée. Pour pouvoir capter un faisceau d'un diamètre relativement important, de quelques mètres par exemple, on peut en outre prévoir en amont de l'analyseur suivant la figure 6 un système télescopique non représenté sur cette figure, en particulier un télescope à miroir. 71 Ovj/U 2083380 REVENDICATIONS 1. Système pour la transmission d'informations avec une source de rayonnement infrarouge, en particulier d'une source de rayonnement à laser, avec des moyens pour la modulation en polari-5 sation du faisceau et un analyseur, ainsi qu'avec un détecteur de rayonnement, caractérisé par le fait que le récepteur est constitué par au moins deux détecteurs à effet photo-électromagnétique (PEM) ou détecteurs à effet Ettinghausen-ÏIerast à induction optique (ENO), affectés respectivement à des directions de polarisation orthogo- 10 nales, détecteurs dont les cristaux photosensibles sont disposés autour du pôle intérieur commun d'un système magnétique, la disposition étant telle que les cristaux de chaque fois deux détecteurs opposés sont affectés à une même direction de polarisation, au moins un analyseur étant associé à chacun de ces détecteurs. 15 2. Système suivant la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il est prévu quatre détecteurs ENO affectée à deux directions de polarisation orthogonales. 3. Système suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que les cristaux des détecteurs forment chacun une branche 20 d'un montage en pont, dans une diagonal e duquel apparaît, en tant que tension de référence la demi-somme de toutes les tensions à vide des différents détecteurs, tandis que dans l'autre diagonale de ce montage apparaît, en tant que tension de signal modulée en polarisation, la demi-différence des sommes de tension à vide en- 25 gendrées par les deux paires de détecteurs opposés. 4. Système suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait que les cristaux des détecteurs sont constitués chacun par un segment de cercle, et par le fait qu'il est prévu des polariseurs de réflexion à surface courbe. 30 5. Système suivant la revendication 4, caractérisé par le.fait que les réflecteurs sont constitués chacun par un secteur d'un paraboloïde de révolution extra-axial commun. 6. Système suivant la revendication 5, caractérisé par le fait que les cristaux des détecteurs sont disposés dans l'entre- 35 fer d'un aimant à entrefer annulaire dont l'axe coïncide avec l'axe de révolution du paraboloïde de révolution. 7. Système suivant l'une quelconque des revendications 4 à 6, caractérisé par le fait qu'un réflecteur commun en forme de godet est associé aux cristaux des détecteurs, réflecteur dont 40 la surface réfléchissante présente la forme d'un paraboloïde de 71 09370 13 2083380 révolution extra-axial. 8. Système suivant l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait que la surface des polariseurs ou de l'analyseur est recouverte de germanium par vaporisation. 5 9» Système suivant l'une quelconque des revendications 1 à 8, avec détecteurs ENO, caractérisé par le fait que les détecteurs possèdent un corps semi-conducteur constitué par un composé AjjjBy, dont le cristal contient des inclusions parallèles entre elles d'une seconde phase cristalline consistant en une ma-10 tière meilleure conductrice d'électricité. 10» Système suivant la revendication 9, caractérisé par le fait que le corps semi-conducteur consiste en antimoniure d'indium (InSb), qui contient des inclusions dr antimoniure de nickel (NiSb).