Brevet FR2091966A1 — publié le 19720121

la présente invention se rapporte généralement g,, un "dispositif formant thyristor ou analogue; plus particulièrement, elle concerne et a'essentiellement pour objet un thyristor activé par la lumière, formant notamment photothyristor ou analogie, 5 approprié pour être employé comme convertisseur à haute puissance,, ainsi que les diverses applications et utilisations résultant de sa mise en oeuvre et les systèmes, ensembles, appareils, rcircuits, machines, équipements et installations pourvus de tels dispositifs. Pour des convertisseurs à haute puissance comprenant une "10 multiplicité de thyristors connectés entre eux en série, il est nécessaire d'amorcer simultanément les thyristors individuels, mais ceci est difficile à accomplir par l'utilisation drun courant électrique. Il esttainsi désirable de créer des thyristors dits activés par la lumière ou formant photothyristors ou analogues, 15 destinés à être amorcés par l'énergie optique. A cet effet, il a déjà été proposé des thyristors activés par la lumière ou photothyristors ayant la structure du type PMPÎf à quatre couches et comprenant une électrode de décharge ou formant cathode disposée sur la couche d'émetteur du type N réalisée sur l'une des couches 20 les plus extérieures, l'électrode étant partiellement découp-ée ou enlevée par découpage pour exposer la partie correspondante de la couche d'émetteur du type ÎT à laquelle une énergie optique est destinée à être appliquée. Dans cette structure de thyristors activés par la lumière, la conversion efficiente de l'énergie 25 optique en un courant photoélectrique correspondant et un accroissement de sensibilité de celle-ci à la lumière par diminution de l'intensité minimale du courant électrique d'amorçage requise pour amorcer la portion de la structure du type PNPÏT qui est située en dessous de la surface de celle-ci recevant la lumière, est 30 incompatible avec l'idée ou conception tendant à amener le thyristor à résister à un grand taux de montée ou d'établissement d'un courant électrique direct ou à une valeur di/dt élevée et à rendre à la fois la tension électrique de résistance, dont le thyristor est capable, et la capacité de courant électrique de ce dernier élevées. En 35 d'autres mots, un accroissement de l'aire ou région de la surface . réceptrice de lumière provoque une diminution de l'aire ou région par laquelle le courant électrique principal s'écoule à travers le 71 05723 *" 2091966 thyristor et un accroissement .de la sensibilité du.thyristor à la lumière provoque une grande diminution de la tension électrique de résistance et particulièrement de la tension électrique de disrupture ou de claquage, à des. températures. plus élevées, et 5 ainsi de suite. Dans les thyristors activés par la: lumière formant photo-thyristora appartenant à l'état antérieurement connu de la technique, il existe par conséquent des besoins pour des thyristors activés par la lumière formant photothyristors, destinés à fonctionner avec 10 des accroissements à la fois de la tension électrique de résistance et de la capacité en courant électrique. Il en résulte que les thyristors, antérieurement utilisables pour des buts ou usages pratiques, étaient susceptibles seulement d'une intensité de courant électrique de 5 A à 200 Y. 15 C'est par conséquent un but de l'invention de créer un nouveau thyristor perfectionne activé par la lumière formant photothyristor ou analogue à intensité minimale de courant"électrique d'amorçage diminuée et ayant à la fois une tension électrique de résistance et une capacité de courant électrique élevées en forçant 20 les exigences incompatibles telles que mentionnées précédemment à être compatibles. Llinvention réalise cet objectif par la création d'un thyristor activé par la lumière formant photothyristor, comprenant une pastille ou plaquette de matière semiconductrice comportant une 25 première couche d'un type de conductivité, une seconde couche du type de conductivité opposé, disposée sur la première couche pour former une jonction de type P-N entre celles-ci, une troisième couche d'un type de conductivité disposée sur la seconde couche pour former une jonction de type P-N entre celles-ci et une 30 quatrième couche du type opposé de conductivité disposée sur la troisième couche pour former une jonction de type P-N"entre celles-ci, une première électrode disposée en contact ohmique avec la surface de la première couc|ie et une seconde électrode disposée en contact ohmique avec la surface de la quatrième couche, ledit 35 photothyristor étant caractérisé par une cinquième couche disposée sur la troisième couche et séparée de cette dernière, 2a cinquième .couche étant identique en conductivité à la quatrième couche et comprenant une portion connectée électriquement à une portion de la 71 05723 2091966 troisième couche* à travers une faible résistance. la cinquième couche peut être disposée de préférence sur la partie centrale de la troisième couche. la cinquième couche peut être avantageusement à concentration 5 plus élevée en impuretés que la quatrième couche. la cinquième couche peut être plus proche de la seconde couche que de la quatrième couche afin de"diminuer l'intensité du courant électrique nécessaire pour amorcer un thyristor auxiliaire comprenant la cinquième couche pour une grandeur 10 donnée de lumière d'entrée. Une électrode de commande de déclenchement, formant par exemple électrode de porte, de gâchette ou analogue,peut être commodément disposée en contact ohmique à la fois avec une portion de la cinquième couche précitée et avec la portion adjacente de la 15 troisième couche précitée. l'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques ,- détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement à la lecture de la description explicative qui va suizre en se reportant au dessin schématique annexé, donné uniquement à titre 20 d'exemples illustrant divers modes de réalisation de l'invention et dans lequel : - la figure 1 représente une vue en élévation, partiellement en-coupe, d'un thyristor activé par la lumière, formant photothyristor, construit conformément aux principes de la technique 25 antérieureî - - la figure 2 est une vue en élévation, partiellement en coupe, d'un thyristor activé par la lumière formant photothyristor construit conformément aux principes de l'invention; et - la figure 3 est une vue semblable à la figure 2 mais 30 montrant une modification ou variante d'exécution de l'invention. Dans toutes"les figures, les mêmes chiffres de référence désignent des éléments composants identiques ou correspondants. Avant"que l'invention soit décrite en détail,le type de thyristors activés par la lumière"ou formant photothyristors 35 appartenant à la technique antérieure, sera drabord décrit en se référant à la figure î du dessin dans le but d'une meilleure compréhension de l'invention. Sur la figure 1, un photothyristor 71 05723 2091966 typique, parmi les thyristors usuels activés par la lumière, généralement désigné par le chiffre de référence 100, est représenté comme étant un -élément du type KPÎ3P à quatre couches. L'élément 100 comprend une couche 10 de type N, une couche d'émetteur 12 de type 5 P disposée sur une surface de- la couche 10 de type ÏT pour former une jonction 14 de type P-lï entre celles-ci, une couche- de base 16 de type P disposée sur l'autre surface de la couche 10 de type H pour former une jonction 18 de type P-H entre celles-ci et une couche d'émetteur 20 de type N disposée sur la couche de base 16 10 de type P pour: former une jonction 22 de type P-ÏT entre celles-ci. En partant d'une plaquette ou pastille circulaire en une matière semiconductrice appropriée quelconque telle que le silicium, 1'élément 100 peut être produit ou fabriqué suivant une structure à quatre couches par toute technique appropriée bien connue dans 15 la technologie. En outre, l'élément comporte une électrode métallique circulaire 24 disposée en contact ohmique avec la surface exposée de la couche d'émetteur 12 de; type P et une électrode métallique annulaire 26 disposée en contact ohmique avec la surface exposée 20 de la couche d'émetteur 20 de type N, de la manière bien connue. ■ L'électrode 24 constitue l'une des électrodes principales, soit dans ce cas une électrode formant aaode tandis que l'électrode annulaire 26 constitue l'autre électrode principale ou une électrode formant cathode, l'orificecentral de l'électrode formant cathode 25 servant à constituer une surface réceptrice de lumière 28 sur la couche d'émetteur 20 de type ST. Ensuite,-"une borne d'anode 30 et une borne de cathode 32 sont respectivement connectées aux électrodes formant respectivement anode 24 et cathode 26 pour compléter le thyristor activé par la lumière formant photothyristor. 30 Lors de l'irradiation de la surface réceptrice de lumière 28 par une impulsion lumineuse, les photons incidents, arrivant sur cette surface, pénètrent dans le réseau cristallin de la matière semiconductrice, soit dans ce cas le silicium et entrent en collision avec ledit réseau cristallin pour former des'paires trou-électron 35 dans chacune des couches formant respectivement la couche d'émetteur 20 de type N, la couche de base 16 de type P, la couche de base 10 de type H et la couche d'émetteur 12 de type P. Un courant 71 05723 2091966 photoélectrique s'écoule ainsi en dessous de la surface réceptrice de lumière 28. Si l'intensité de ce courant photoélectrique excède un niveau de courant électrique auquel le thyristor 100 est amorcé, ce dernier est alors amorcé et mis dans son état conducteur pour 5. forcer ainsi le courant électrique de charge associé à s'écouler à travers le thyristor T00 entre les éleotrodes principales 24 et 26. Dans l'agencement de la figure 1, il est à noter que la surface réceptrice de lumière 28 forme une surface exposée ou découverte d'une portion réceptrice de lumière ou une portion d'émetteur 34 10 de type ET susceptible de réagir à la lumière incidente arrivant sur la surface 28 pour déclencher ou commencer l'amorçage de celle-ci, laquelle forme une partie de la couche d'émetteur 20 de type H en contact avec l'une des électrodes principales, soit dans ce cas, l'électrode formant cathode 26. Ceci signifie que la portion 15 d'émetteur 34 de type 1? et la couche 28 sont constituées simultanément par la même couche et égales l'une à lrautre en épaisseur et en concentration d'impuretés. Par conséquent, si l'on tente de convertir d'une façon efficiente l'énergie optique en un courant photoélectrique et à diminuer l'intensité minimale de 20 courantyëlectrique d'amorçage requise pour amorcer la portion de l'élément de type KPÏ1P qui est située directement en dessous de la surface réceptrice de lumière 28, de telles tentatives sont alors incompatibles avec les exigences ou conditions pour concevoir-le thyristor de façon qu'il résiste à un taux élevé de montée ou 25 d'établissement d'un courant électrique direct ou de la- valeur di/dt et à rendre à la fois la tension électrique de résistance et la capacité en courani/électrique du thyristor élevées^ En d'autres mots, un accroissement de l'aire ou de la région de la surface réceptrice de lumière produit une diminution de l'aire ou de la 30 région panjlaquelle le courant électrique principal ou de charge s'écoule à travers le thyristor et de même, un accroissement de la sensibilité du thyristor à la lumière produit une grande diminution de la tension électrique de résistance et particulièrement de la tension électrique de disrupture ou de claquage à des températures 35 élevées» c L'invention envisage de supprimer les inconvénients des dispositifs de la -technique antérieure tels que décrits-ci-dessus. 71 05723 2091966 Conformément.aux principes de l'invention, l'élément de type NPNP comporte, disposée dans celui-ci, une couche d'émetteur de type IT susceptible de réagir à une énergie optique incidente arrivant sur la surface associée réceptrice de lumière pour être amorcée» 5 qui est disposée dans celui-ci de façon à être séparés de la couche d'émetteur de type ïf à travers laquelle s'écoule le courant électrique principal ou de charge. Ainsi, un thyristor auxiliaire activé par la lumière^ formant photothyristor auxiliaire, est réalisé en dessous de la surface réceptrice de lumière dans 10 l'élément NPHP. Le thyristor auxiliaire est spécialement conçu et construit de façon que les portions des jonctions de type P-N, comprises dans celui-ci, convertissent de façon efficiente une énergie optique, tombant sur la surface réceptrice de lumière, en un- courant photoélectrique tandis qu'un courant photoélectrique, 15 nécessaire pour l'amorcer, est rendu faible en intensité et qu'un courant électrique, s'écoulant à travers le thyristor amorcé par l'énergie optique, estê.ugmenté en intensité suffisamment pour être utilisé comme un courant électrique déclencheur, de commande, de gâchette ou de porte pour un thyristor principal adjacent au thyristor 20 activé par.la lumière formani^hotothyristor auxiliaire. Ce moyen permet au thyristor principal d'être rapidement amorcé avec une quantité relativement faible d'énergie optique. D'autre part, la conception des portions des jonctions de type P-ïf, incluses dans le thyristor principal, est remarquable 25 par le fait que, contrairement aujç^ortions des jonctions de type PN incluses dans le thyristor auxiliaire^ elles sont principalement à la fois à tension électrique de résistance et à aire de conduction de courant électrique élevées. En se référant maintenant à-la figure 2, il y est représenté 30 un thyristor activé par la lumière formant photoihyristor construit conformément aux principes de l'invention. L'agencement, généralement désigné par le chiffre de référence 200, comprend une couche d'émetteur annulaire 20 de type N entourant ou encerclant la portion centrale de la couche de base 16 de type P et une couche d'émetteur 35 auxiliaire 34 de type N à section transversale en forme de ïï, disposée sur la surface exposée ou découverte de la portion centrale de la couche de base 16 de type P pour former"une jonction 36 de 7 71 05723 2091966 type P-U entre-celles-ci et séparée de la couche d'émetteur annulaire 20 de type N. la couche d'émetteur 34 de type H comprend une surface exposée en retrait, en creux- ou en renfoncement formant la surface réceptrice de-" lumière 28. la couche 34 -a également une 5 portion de celle-ci électriquement connectée à une portion de la couche de hase 16.de type P» A cet effet, une électrode de porte, de" commande, de déclenchement ou de gâchette 38 en toute matière métallique appropriée est représentée sur la figure 2 comme se présentant sous la forme d'un anneau disposé en contact ohmique 10 avec les deux couches 16 et 34 de façon à les relier en pont . A d'autres égards, l'agencement est identique" à celui représenté sur la figure 1, mais il peut être considéré comme comprenant une unité formant thyristor auxiliaire constituant la portion de 1'élëment de type NPHP disposée directement en dessous de la surface réceptrice 15 28 et.une unité formant thyristor principal constituant la portion de l'élément de type EPNP encerclant ou entourant l'unité formant thyristor auxiliaire, uniquement dans un but d'illustration; les unités formant thyristors respectivement principal et auxiliaire peuvent être généralement désignées respectivement par les chiffres 20 de référence 40 et 50. l'élément, de type NPNP, tel que représenté sur la figure 2, peut être facilement produit ou fabriqué par toute technique appropriée bien connue dans la technologie et la fabrication de celui-ci n'a pas besoin d'être décrite ici. Il est cependant 25 préférable que, bien que les jonctions 14 et 18 de typé P-ÏT soient communes aux unités formant thyristors respectivement principal 40 et auxiliaire 50, .la couche d'émetteur auxiliaire 34 de type N soit plus mince que la couche d'émetteur principal 20 de type H afin d'améliorer la transmission de lumière à travers la 30 couche d'émetteur auxiliaire. En outre," afin d'accroître le taux auquel des électrons sont injectés-dans la jonction 36 de type P-U, la couche d'émetteur auxiliaire 34 de type F est avantageusement à concentration-plus élevée en impuretés que la .couche d'émetteur principal 20 de type N et également que la couche de base 16 de 35 "type P tandis que le rapport de la concentration en impuretés de la couche 34 à .celle de la couche 16 est plus grand que le rapport correspondant entre les couches 34 et 20. Ceci peut être accompli 8 71 05723 2091966 facilement en utilisant un moyen approprié bien connu dans la technique. En agissant ainsi, le rendement d'injection d'électrons à la jonction 36 de type P-ÏT croît pour augmenter le degré 5 d'amplification de courant électrique d'un transistor de type ÏÏPH composé de la couche d'émetteur auxiliaire 28 de type N, de la couche de base 16 de type P et de la couche de base 10 de type ÎT, constituant dans ce cas une couche de collecteur de type N. Il en résulte qu'on peut diminuer l'intensité d'un 10 courant photoélectrique nécessaire pour amorcer l'unité formant thyristor auxiliaire 50. D'autre part, l'unité formant thyristor principal 40 est réalisée suivant une coordination de conception ou de construction telle que la jonction 22 de type P-N, incluse dans, celui-ci»a un taux d'injection d'électrons quelque peu plus 15 petit et que la chute de pension directe dans lrunité formant thyristor principal 40 est amenée à décroître sans un grand accroissement dans la tension de blocage directe de celui-ci. L'agencement de la figure 2 est actionné ou fonctionne comme suit : en supposant qu'à la borne d'anode 30 soit appliqué un 20 potentiel plus élevé que celui de la borne de cathode 32 pour maintenir le thyristor activé par la lumière formant photothyristor 200 dans son état de blocage direct, la surface réceptrice de lumière 28 peut être irradiée avec une lumière cohérente de laser par toute diode à laser à semiconducteur appropriée (non 25 représentée), constituée par exemple en arsénure de gallium (G-aAs) à travers un faisceau ou paquet fibres optiques de structure classique, comme cela est indiqué par des flèches sur la figure 2. Des photons incidents, arrivant sur la surface réceptrice de lumière 28, pénètrent dans le réseau cristallin de 30 la matière semiconductrice, soit dans ce cas 2b silicium, et entrent en collision avec ce réseau cristallin pour former des paires trou-électron dans chacune des couches constituant respectivement la couche d'émetteur 34 de type H, la couche de base 16 de type P, la couche .de base 10 de type N et la couche d'émetteur 12 de type 35 P en ayant pour résultat un écoulement de courant photoélectrique à travers l'unité formant thyristor auxiliaire 50. Ce courant photoélectrique excédera par son intensité le niveau" de l'intensité 71 05723 2091966 du courant électrique d'amorçage, de sorte que.l'unité formant thyristor auxiliaire 50 est alors amorcée. A ce "moment, le courani^electrique s ' écoule depuis la couche d'émetteur auxiliaire .28 de type ïï de 1'unité formant 5 thyristor auxiliaire 40 à travers l'électrode annulaire de porte, de commande, de gâchette ou de déclenchement 38 et la portion de surface centrale de la couche de base 16 de type P pour pénétrer dans la couche d'émetteur principal 20 de type ÏF de l'unité formant thyristor principal 40 comme cela est indiqué 10 Par les flèches désignées par le caractère de référence "a", de façon à amoreer lrunité formant thyristor principal 40. le courant électrique de charge associé se disperse ou s'étale alors dans l'unité formant thyristor principal 40 comme cela est indiqué par les flèches désignées par les caractères de référence -|5 "b" et "c" jusqu'à ce qu'il ait été complété pour être amorcé, c'est-à-dire qu'il est mis dans son étaffeonducteur. Comme le courant électrique, désigné par les flèches "a", s'est ajouté au courant électrique principal s'écoulant depuis le côté anode à travers le silicium jusqu'au côté cathode, il est 20 devenu un courani^êlectrique fortement augmenté en intensité en comparaison avec le courant photoélectrique initial et est utilisé comme un courant électrique de déclenchement, de porte, de commande ou de gâchette pour l'unité formant thyristor principal 40. En raison de l'intensité relativement grande de celui-ci, ce courant 25 électrique sert à diminuer beaucoup le temps de. mise en- service ou d'enclenchement de l'unité formant thyristor principal 40. On se rendra compte par conséquent que l'agencement de la figure 2 est susceptible de fonctionner de façon à amorcer le thyristor à grande capacité de courant électrique avec une grandeur 30 ie lumière d'entrée relativement faible tout en diminuant le temps d'enclenchement ou de mise en service du thyristor principal. l'agencement, désigné généralement par le chiffre de référence 30C sur la figure 3, est sensiblement identique à celui représenté sur la figure 2 excepté que la jonction 36 de type P-F, incluse 35 dans l'unité formant thyristor auxiliaire 50, est plus proche d^La jonction 18 de .type P-N que de la jonction 22 de type P-K. le but de l'agencement tel que représenté sur la figure 3 est de diminuer 10 71 05723 2091966 l'intensité de courant électrique nécessaire pour amorcer l'unité formant thyristor auxiliaire 50 pour une grandeur de lumière d'entrée donnée appliquée à celui-ci. L'invention présente plusieurs avantages. Par exemple, un 5 groupe de paramètres de construction ou de conception, nécessaires pour accroître la tension électrique de résistance et la capacité de courant électrique de thyristors et de ceux nécessaires pour fonctionner comme thyristors activés à la lumière ou. formant photothyristors, peut être choisi assez librement et indépendemment 10 les uns des autres parce que l'unité formant thyristor principal et l'unité formant thyristor auxiliaire susceptible de réagir à une lumière d'entrée appliquée à celui-ci pour être amorcé, comprennent leurs propres couches d'émetteur de type H séparées les- unes des autres. Ceci permet à des thyristors activés par la 15 lumière, formant photothyristors ou analogues, destinés à traiter des puissances élevées, d'être réalisés relativement facilement. De tels thyristors ont été considérés comme étant difficiles à fabriquer. De même, comme le courant électrique de porte, de commande, de déclenchement ou de gâchette pour l'unité formant 20 thyristor principal est composé d'un courant électrique produit en augmentant l'intensité du courant électrique d'amorçage de l'unité formant thyristor auxiliaire associé activé par la lumière ou photothyristor auxiliaire, la durée d'enclenchement ou de mise en service du thyristor est courte et ses pertes, 25 dues au temps d'enclenchement ou de mise en service sont faibles. En outre, à cause des avantages uniques-1 pré s entés par des thyristors activés par la lumière ou. formant photothyristors, des troubles ou perturbations, associés au circuit de porte ou de déclenchement par exemple, divers fonctionnements mauvais ou défectueux résultant 30 de l'isolation et de l'induction du circuit de porte ou de déclenchement, le -retarddaœle temps ; etc sont éliminés. Ainsi, l'appareil à thyristors, comprenant une multiplicité des thyristors tels que décrits ci-dessus, connectés dans un circuit en série, est efficacement applicable à une grande variété de 35 domaines d'industries comprenant la transmission à courant continu. Bien que l'invention ait été illustrée et décrite en se référant a quelques modes de réalisation préférés de celle-ci, il est à 11 71 05723 2091966 noter qu'on"peut recourir à de nombreux changements et modifications sans s'écarter de l'esprit et de la portée ou du cadre de l'invention. Par exemple, un autre thyristor activé par la lumière, formant photothyristor auxiliaire, tel que celui décrit ci-dessus, 5 peut être réalisé dans l'élément à quatre couches pour accroître davantage l'intensité du courant photoélectrique en entraînant un accroissement du courant électrique de porte, de commande ou de déclenchement pour le thyristor principal. Un tel thyristor auxiliaire peut être sous la forme d'un 10 anneau encerclant l'unité formant thyristor auxiliaire 50, comme cela a été décrit ci-dessus, et séparé de celle-ci. Si on le désire, une électrode séparée de porte, de déclenchement, de commande ou de gâchette peut être disposée de façon appropriée sur l'élément à quatre couches en vue de l'utilisation 15 comme le thyristor usuel. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combi-20 naisons, si celles-ci sont exécutées selon l'esprit de l'invention. ' 12 71 05723 2091966 -RE7EHDICAÏIOBS- 1.- Dispositif formant thyristor, caractérisé en ce qu'il comprend : une pastille ou plaquette de matière semiconductrice comportant une première couche d'un type de conductivité, une seconde couche du type opposé de conductivité disposée sur ladite 5 première couche pour former une jonction de type P-U entre celles-ci, une troisième couche d'un type de conductivité disposée sur ladite seconde couche pour former une jonction P-U entre celles-ci, une quatrième couche du type opposé de conductivité disposée sur ladite troisième couche pour former"une jonction de type P-U entre celles-10 ci, une cinquième_couche identique par le type de conductivité à ladite quatrième couche et disposée sur ladite troisième couche pour être séparée de cette dernière, ladite cinquième couche comprenant une portion électriquement connectée à une portion de ladite troisième couche à travers une faible résistance, une 15 première électrode principale-disposée en contact ohmique avec-la surface de ladite première "couche et une seconde électrode principale - disposée en contact ohmique avec la surface de ladite quatrième couche. 2.- Dispositif selon la .revendication 1, caractérisé en ce que 20 la cinquième couche précitée est disposée sur la portion centrale de la troisième couche précitée. 3.- Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la cinquième couche précitée a une concentration en impuretés plus élevée que la quatrième couche préeitée. 25 4.- Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la cinquième couche précitée est placée plus près de la seconde couche préeitée. que de la quatrième couche préeitée. ■■ 5.- Dispositif selon l'une des revendications précédentes, 30 caractérisé en ce que la cinquième couche précitée est plus mince que la quatrième couche précitée. 6.- Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une électrode de porte, de commande, de déclenchement ou de gâchette est disposée en contact ohmique à la 35 fois avec une portion de la cinquième couche précitée et avec la portion adjacente de la troisième couche précitée.