Brevet FR2083307A1 — publié le 19711217

71. 08907 1 2083307 La présente invention concerne les dispositifs semi-conducteurs et se rapporte plus spécialement, mais non exclusivement, aux redresseurs commandés semi-conducteurs» Elle concerne en outre des pièces d'interconnexion conduc-5 trices de l'électricité servant à établir une connexion électrique dans de tels dispositifs semi-conducteurs. Il est connu d'établir une connexion électrique -entre un conducteur d'alimentation et une électrode sur un corps semi-conducteur d'un dispositif semi-conducteur en 10 fixant directement le conducteur d'alimentation à l'électrode. Cependant, des connexions simples de ce genre peuvent entraîner des difficultés dans certains cas. La figure 1 est une vue en perspective d'une partie d'un dispositif semi-conducteur connu consistant 15 en un thyristor pourvu de telles connexions électriques connues. Le thyristor représenté sur la figure 1 comporte un corps de silicium mono-cristallin 1 comprenant une région de cathode de type n obtenue par diffusion, une région de "base de type £ obtenue par diffusion, une région de. base de 20 type n et une région d'anode de type P obtenue par diffusion. La région de cathode de type n a la forme d'un anneau entourant une partie de la région de base de type n, est con-tiguë à une face du corps 1 et se trouve en contact, sur cette surface, avec une électrode cathodique annulaire 2. 25 L'électrode cathodique, annulaire--2 est. un anneau-de molybdène fixé à une partie annulaire métallisée plus mince déposée sur la surface- de silicium. La partie de la région de base de type j> se trouvant à l'intérieur de la région cathodique annulaire et touchant là face précitée du corps 1s se trouve 30 en contact avec une électrode-porte métallique centrale 3 ... du côté de cette surface. Le corps 1 est" monté sur un - -disque en molybdène. 7 auquel il est fixe par sa grande face . opposée, le disque 7 étant placé sur un dissipateur de chaleur en .cuivre 4 qui est associé à la "borne anodique du 35 dispositif. Un mince conducteur 5, qui est associé à la -borne porte du disp'ositif, «st fixé h. 1 'électrode-porte métallique centrale 3 tandis qu'un conductetir d'alimentation 6, associé à la borne cathodique du dispositif, est fixé à la plaque annulaire en molybdène de l'électrode cathodique 2. COPY BAD ORIGINAL 71 08907 2 2083307 Pendant la fabrication du dispositif de la figure 1, on peut utiliser une technique de soudage à soudure à haut point de fusion, par exemple une soudure eutectique à base d'or, pour fixer le disque en molybdène 7 au corps 5 en silicium 1 et au dissipateur de chaleur en cuivre 4, pour fixer la plaque annulaire en molybdène à la partie métallisée plus mince de l'électrode cathodique 2, et pour fixer le conducteur 5 ainsi que le conducteur d'alimentation 6 à leurs électrodes respectives 3 et 2. Afin de réduire 10 les contraintes créées dans le silicium cristallin ainsi que les risques de fêlure du corps 1 au cours et après une opération de soudage à soudure à haut point de fusion, l'expérience montre qu'il est souhaitable de maintenir l'épaisseur et le diamètre extérieur de la plaque annulaire eh molybdène 15 Il est souhaitable de pouvoir établir d'une façon relativement simple et peu coûteuse une connexion électrique entre un conducteur d1alimentation relativement gros 35 et une électrode, tout en évitant ou en réduisant notablement les inconvénients précités. Selon un premier aspect de la présente invention, un dispositif semi-conducteur.comprend un corps semiconducteur,. une électrode se trouvant sur une grande face du 40 corps semi-conducteur, une pièce d'interconnexion conductrice 71 08907 3 2083307 de l'électricité montée sur l'électrode, et un conducteur d'alimentation maintenu au-dessus de l'électrode par la pièce d'interconnexion, cette pièce d'interconnexion consistant en une "barrette métallique mécaniquement déformée 5 de manière à occuper alternativement deux niveaux, constituant ainsi une structure ouverte latéralement et possédant, à chacun des deux niveaux, des parties de contact distinctes, mutuellement espacées de façon à entourer une partie de surface à ce niveau, les parties de contact se trouvant 10 à -un niveau étant réparties sur l'électrode et fixées à celle-ci de manière à constituer une structure mécaniquement stable, la liaison entre la pièce d'interconnexion et le conducteur d'alimentation étant établie par l'intermédiaire des parties de contact situées à l'autre niveau. 15 La pièce d'interconnexion montée sur l'électrode maintient le conducteur d'alimentation au-dessus de l'électrode, de sorte que. les problèmes relatifs à la fixation du conducteur d'alimentation sont reportés de l'électrode aux parties de contact de la pièce d'interconnexion situées 20 audit autre niveau. Une telle pièce d'interconnexion, constituée par ime barrette mécaniaUement déformée de manière à occuper alternativement deux niveaux, constituant ainsi une structure ouverte latéralement et ayant, à chacun des deux niveaux, des parties de contact distinctes mutuellement 25 espacées de façon à entourer une partie de surface à ce niveau, peut constituer une structure particulièrement intéressante à certains stades de la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. La barrette métallique déformée peut être fabriquée d'une façon relativement simple et économique 30 et peut constituer une structure particulièrement stable et robuste présentant cependant une certaine souplesse mécanique dans les parties de la barrette reliant entre elles 3es parties de contact des deux niveaux, la forme des parties de contact au premier niveau étant choisie de manière à être 35 compatible à la structure de l'électrode sur laquelle ces parties de contact sont réparties, ceci en tenant compte d'une contrainte admissible dans le corps semi-conducteur. Comme cela est expliqué ci-après, l'ouverture latérale de cette pièce d'interconnexion peut être un fait impor-40 tant pour la fabrication de certains dispositifssemi- 71 08907 4 2083307 conducteurs. La stabilité mécanique de la structure facilite la fabrication du dispositif, cette stabilité pouvant être atteinte en réalisant la structure de façon appropriée, même dans certains cas où l'électrode a une superficie 5 relativement faible et/ou une forme compliquée. La barrette métallique peut consister en un fil métallique entourant un espace délimité par deux niveaux et alternant entre ces deux niveaux de manière à constituer lesdites parties de contact distinctes et mutuelle-10 ment espacées à la base de parties de fil en forme de U ou de V. Un tel fil ne doit pas nécessairement décrire une figure fermée mais peut au contraire avoir des extrémités qui ne sont pas réunies et, dans certains cas, une ou même les deux extrémités peuvent constituer les parties 15 de contact distinctes précitées. Cependant, afin de faciliter la fabrication du dispositif semi-conducteur, il est préférable que la languette constitue une figure fermée. C'est ainsi que la pièce d'interconnexion à ouverture latérale peut être une barrette métallique annulaire consis-20 tant en un anneau métallique mécaniquement déformé entre les deux niveaux. Il est évident cependant qu'Tjn tel anneau ne doit pas nécessairement avoir un pourtour circulaire. La pièce d'interconnexion peut consister en une barrette métallique ondulée entre les deux niveaux de 25 façon que lesdites parties de contact distinctes et mutuellement espacées de chaque niveau se situent au bas d'une ondulation. Une telle pièce d'interconnexion, faite par déformation mécanique d'une barrette métallique plate, peut présenter une stabilité mécaniqœconsidérable. 30 Lorsque la pièce d'interconnexion consiste en une barrette métallique annulaire, cette barrette peut présenter des parties en gradins alternant aux deux niveaux, ces parties en gradins à chaque niveau constituant les parties de contact au niveau considéré. Bans ce cas, les 35 parties en gradins peuvent être en substance identiques. La pièce d'interconnexion peut être obtenue par déformation d'un anneau métallique plat de façon que les- parties de contact se situent sur les deux grandes faces opposées de la barrette métallique. Une telle pièce d'interconnexion 40 peut être intéressante pour la fabrication comparativement 71 08907 5 2083307 simple de dispositifs semi-conducteurs, comme des redresseurs commandés semi-conducteurs. À cause de la symétrie de la pièce, celle-ci peut être placée sur l'électrode en position renversée. La disposition des parties de contact 5 convient bien à des électrodes partiellement circixlaires ou partiellement annulaires. Dans le cas d'un soixa-ensemble comprenant une telle pièce d'interconnexion fixée sur l'électrode du corps semi-conducteur, la pièce d'interconnexion peut .jouer le rôle d'une partie susceptible de 10 donner prise à une pince tout en ne présentant qu'un minimum de poches où un décapant, précédemment utilisé, peut venir se loger et se maintenir après rinçage du sous-ensemble à l'eau, opération faite pour élimiass? le décapant. Les ouvertures latérales et la symétrie radiale d'une telle 15 structure faeulite plus qu'elle ne restreint le passage libre de l'eau, permettant ainsi un rinçage efficace du sous-ensemble. Lors de la fabrication d'un redresseur commandé semi-conducteur, certains décapants acides peuvent être utilisés pour enlever des imperfections de.surface sur le corps 20 semi-conducteur après profilage des bords, ces opérations ayant des temps de décapage très critiques de l'ordre de secondes. Dans un tel cas, l'élimination des poches précitées et la présence d'une telle ouverture latérale sont importantes. Ceci peut simplifier le rinçage c'un tel sous-25 ensemble, de sorte que plusieurs sous-ensembles peuvent être rincés siinuiltanénient dans une cuvette ealibr-âe sur laquelle on dirige d'en haut de l'eau de rinçage. Il suffit d'avoir trois parties de contact distinctes et mutuellement espacées à ena rue niveau de la 30 pièce â'interconnexion® On obtient ainsi une structure qui est mécaniquement très stable et qui est basée sur le principe du trépied.* II va "de soi cependant que, dans certains cas, d'autres solutions à quatre parties de contact ou plus par niveau, peuvent être adoptées, si on le désire. 35 Les parties de contact dudit autre nivèau peuvent être réparties sur et fixées à une surface d'extrémité en substance jjlane du conducteur d'alimentation. Cependant, il peut être souhaitable ou même nécessaire d'utiliser un conducteur d'alimentation et une pièce d'interconnexion dont 40 les parties mutuellement adjacentes sont incompatibles pour 71 08907 6 2083307 ■une liaison difecte entre le conducteur d'alimentation et la pièce d'interconnexion. Ainsi, dans "une autre forme d'exécution de l'invention, qui est une forme préférée dans de nombreux 5 cas et même essentielle dans certains cas. les parties de contact audit autre niveau sont réparties 3ur et fixées à uiu-, grande face inférieure d'une pièce plate-forme maintenue au-dessus de l'électrode par la pièce d'interconnexion, le Gùiidueteur d• alimentation étant fixé sur une grande face 10 supérieure de la plate-forme. L'adjonction d'une plateforme à la pièce d'interconnexion donne une plus grande liberté dans le choix des dimensions, formes, agencements et matériaux pour la plate-forme et la pièce d ' interconnexion, permettant ainsi de les rendre respectivement compa-15 tit-le» aux parties de contact du conducteur d'alimentation et aux parties de contact de l'électrode, La plate-forme peut être choisie de façon que sa superficie soit grande et/ou de ferme plus régulière que l'électrode, ce qui permet, par exemple, de monter et de fixex sur cette plate-forme un 20 conducteur d'alimentation ayant une section transversale relativement grande. Une plaque métallique relativement plane peut constituer ladite plate-forme, cette plaque ayant, par exemple, la forme d'une rondelle ou d'un anneau. Il va de soi que 25 d'autres formes de plate-forme peuvent aussi être utilisées. La plate-forme peut avoir- une certaine souplesse mécanique st consister en-un morceau -le tôle ou de métal replié dont uns partie est montée sur le conducteur d'alimentation," cette partie surplombant la partis attachée à la pièce 30 d' Xh bar-connexion. La surface supérieure sur laquelle le conducteur d'alimentation est monté peut être pourvue d'une bride annulaire à l'intérieur- de laquelle l'extrémité du conducteur d'alimentation vient se loger et se fixe, par ex«at>3e,► par sertissage» La plats-forme peut être une pièce 35 simple oit p^ut consister en plusieurs éléments réunis La plate-foxnae peut avoir une superficie prévue ; pour le montage du conducteur d'alimentation, plus grande que la superficie de 1'électrode. C'est ainsi que l'électrode peut avoir une superficie, disponible trop petite pour rece-40 voir la section transversale du conducteur d'alimentation. 71 08907 7 2083307 La présente invention est cependant également applicable aux. dispositifs dans lesquels la superficie disponible sur l'électrode est suffisante pour recevoir la section transversale du conducteur d'alimentation, indépendamment des superficies 5 relatives de la plate-forme et de l'électrode. Dans un tel cas, la fixation indirecte d'un conducteur d'alimentation par l'intermédiaire de la plate-forme et de la pièce d'interconnexion à l'électrode peut être intéressante du fait que l'on diminue les contraintes dans l'ensemble, et en par-10 ticulier dans le corps semi-conducteur, comparativement à ce qui se produit avec les procédés connus de fixation directe du conducteur d'alimentation à l'électrode. La plate-forme peut être fixée à la pièce d'interconnexion indépendamment de et après la fixation de la pièce 15 d'interconnexion à l'électrode. Il est évident que, dans certains cas, le conducteur d'alimentation peut être fixé à la plate-forme avant, pendant ou après la fixation de la plate-forme à la pièce d'interconnexion. L'électrode sur laquelle la pièce d'inter-20 connexion est fixée peut consister en une couche métallique déposée sur la surface du corps semi-conducteur. Dans une autre forme d'exécution, la partie de l'électrode sur laquelle la pièce d'interconnexion est fixée consiste en une plaque métallique faisant partie de l'électrode. De cette manière, 25 l'électrode peut consister en une plaque métallique plane fixée à une partie métallisée plus mince recouvrant la première grande face du corps semi-conducteur, les parties de contact du premier niveau de la pièce d'interconnexion étant fixées sur la plaque métallique. Une telle plaquej qui peut 30 constituer la majeure partie de l'électrode, est choisie de façon à avoir des dimensions et une forme permettant une fixation sûre à la partie plus mince, par exemple par soudure à haut point de fusion, tout en permettant une fixation sûre aussi des parties de contact adjacentes de la pièce d'inter-55 connexion. En réalisant la pièce d'interconnexion de façon appropriée, les- restrictions imposées aux caractéristiques de la plaque métallique de l'électrode ne doivent pas être aussi sévères que dans le cas où le conducteur d'alimentation, qui est, dans le cas de la présente invention, maintenu par 40 la pièce d'interconnexion, était directement fixé à la plaque 71 08907 8 2083307 métallique de l'électrode. Dans ce cas, en adoptant une forme d'exécution appropriée ( en particulier pour la plaque métallique de l'électrode et les parties de contact adjacentes de la 5 pièce d'interconnexion), la partie métallisée mince et la plaque métallique de l'électrode, la pièce d'interconnexion, la plate-forme (si celle-ci existe) et le conducteur d'alimentation peuvent être fixés par soudure à haut point de fusion sans provoquer des contraintes exces-10 sives dans le corps semi-conducteur. L'électrode peut avoir une grande variété de formes, celles-ci dépendant du genre de dispositif de semi-conducteur. Far exemple, on peut avoir une grande surface de forme circulaire ou de forme annulaire, celle-15 ci pouvant avoir des parties en creux , par exemple sur le pourtour. L'électrode peut consister en une première électrode en substance annulaire qui entoure une deuxième électrode sur la première grande face du corps semi-20 conducteur, un conducteur isolé étant fixé par une extrémité à la deuxième électrode tout en traversant la pièce d'interconnexion ainsi qu'une ouverture ou un creux de la plate-forme, si celle-ci est prévue. Dans certains cas* le dispositif peut être un redresseur commandé semi-con-25 ducteur, la grande face opposée du corps semi-conducteur é-tant fixée sur un dissipateur de chaleur, le dissipateur \ de chaleur et le conducteur d'alimentation étant associés à des "bornes d'anode et de cathode du dispositif, tandis que le conducteur isolé précité est associé à line borne-30 porte de commande du dispositif. Il est évident que d'autres genres de dispositifs semi-conducteurs que les redresseurs commandés semi-conducteurs peuvent aussi être réalisés conformément à la présente invention, par exemple des diodes semi-35 conductrices à grande puissance. Les figures 2 à 5 du dessin annexé feront bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 2 est une vue en perspective d'une partie d'un dispositif semi-conducteur selon la présente 71 08907 9 2083307 invention. La figure 3 est une vue de profil éclatée de parties du dispositif de la figure 2. La figure 4 est une vue en plan d'une grande 5 face de l'élément semi-conducteur du dispositif de la figure 2. La figure 5 est ime vue en perspective d'une pièce d'interconnexion du dispositif de la figure 2. Sur la figure 2, la pièce d'interconnexions. et >10 la plate-forme sont partiellement arrachées et ttn revêtement en caoutchouc siliconé recouvrant les parties de surface exposées du thyristor est suppriné pour rendre le dessin plus clair. Le dispositif semi-conducteur représenté sur 15 les figures 2 à 4 est un thyristor à courant élevé comprenant un thyristor proprement dit dont la cathode 11 est électriquement reliée à un conducteur d'alimentation en courant 12 par l'intermédiaire d'une pièce d'interconnexion 13 qui est fixée sur la cathode 11 et une plate-20 forme 15 qui est montée sur la pièce d'interconnexion '13 et se trouve directement au-dessus du thyristor proprement dit, le conducteur d'alimentation 12 étant fixé à la plate-forme 15» Le thyristor proprement dit comprend corps 25 en silicium monocristallin 10 dont une grande face p^rce la cathode 11 qui constitue une première électrode annulaire entourant une deuxième éleetrode-porte centrale 16 de l'élément semi-conducteur (voix* figure 4). Le corps semiconducteur 10 comprend, entre ses grandes faces opposées, 30 une région de cathode de type-n obtenue par diffusion, une région de base de type jd obtenue pa diffusioa, une région de base de type n et une région d'anode de type p obtenue par diffusion» La région de cathode de type a a uns forme annulaire entourant une partie centrale de la région de base ■ 35 de type v. la région de cathode de type n et des parties de la région de base de type £ étant contiguës à une grande face du corps semi-conducteur 10. La partie médiane de la région de base de type p se trouve en contact, sur la première grande face du corps semi-conducteur«, avec l'électrode- 71 08907 10 2083307 porte 16. La région de cathode de type n se trouve en contact , sur cette première grande face, avec l'électrode cathodique 11 qui court-circuite aussi de petites parties également espacées de la région de hase de type p s entourée par la région de cathode de type n et s'étendant jusqu'à la surface au-dessous de l'électrode cathodique 11. La région d'anode de type £ est contiguë à. la grande face opposée du corps semi-conducteur 10 et se tro-iv? en contact avec une électrode anodique du thyris-. 10 tor» L'électrode cathodique 11 est une plaque annulaire de molybdene doré 17 qui ast fixée à une partie annulaire métallisée 18 en nickel doré et de plus faible épai ssettr recouvrant la surface de silicium.. La 1r pièce d *int onnexi on 13 en n cuivre constituant la plate-ferme 15 » Par 'conséquent, la pièce d'interconnexion "'3 associée à la plaque annulaire sn nolybdène âoré 1? de l'électrode ca-3:- thodique il est en argent doré tandis que la plate-forme 15 associée au conducteur d1 alimentation en cuivre 12 est aussi en cuivre. 71 08907 n 2083307 Un fil conducteur en argent doré 21 est fixé par une extrémité de l'électrode-porte centrale 16 dans la partie médiane de la région de base de type-p, sur la première grande face du corps semi-conducteur 10. Le conducteur 21 traverse la pièce 5 d'interconnexion annulaire 13 ainsi qu'une ouverture 22 pratiquée dans la plaque en cuivre formant la plate-forme 15, tout en étant bien isolé par une gaine 23 en caoutchouc siliconé isolant. Le conducteur 21 est associé à la borne-porte du dispositif, tandis que le conducteur d'alimentation 12 est associé à la borne de 10 cathode du dispositif. Le diamètre du conducteur d'alimentation 12 est de 5.,4 mm. la largeur de la plaque annulaire 17 de l'électrode cathodique 11 étant de 3*5 mm, son diamètre intérieur étant de 4,5 mm, son diamètre extérieur de 11,5 mm et son épaisseur d'environ 0,2 mm. Il serait Impossible en pratique de fixer le 15 conducteur 12 directement à la plaque 17. Au contraire, la présence de la pièce d'interconnexion 13, permet de connecter électriquement la plaque 17 de l'électrode cathodique 11 au conducteur d'alimentation 12 d'une façon sûre. La plaque annulaire en cuivre formant la plate-forme 20 15 et placée sur la pièce d'interconnexion 13 à une épaisseur plus grande que la plaque annulaire en molybdène 17 de l'électrode cathodique 11 et une plus grande surface disponible pour la connexion du conducteur d'alimentation 12. L'épaisseur de cette plaque est de 0,8 mm, son diamètre intérieur étant de 1,7 mm et 25 son diamètre extérieur de 12,7 mm. L'ouverture 22 pratiquée dans la plate-forme annulaire 15 et la gaine isolante 23 permettent l'isolement du conducteur de porte 21. Là. pièce d'interconnexion 13 porte la plate-forme 15 et maintient celle-ci espacée au-dessus de l'électrode cathodique 11 à une distance d'environ 30 3,5 mm, c'est-à-dire la hauteur de la pièce d'interconnexion. La barrette annulaire constituant la pièce d'interconnexion 13 a un diamètre intérieur de 6,3 mm et un diamètre extérieur de 10 mm. Les parties en gradins constituant les parties de contact 14 et 19 de la pièce d'interconnexion 13 permettent d'obtenir un 35 ensemble stable lorsque la grande plaque annulaire en cuivre est montée sur cette barrette annulaire qui est elle-même montée sur la plaque annulaire en molybdène 17 de l'électrode cathodique 11. Un revêtement de protection 27 en caoutchouc siliconé Isolant, qui est montré sur la vue éclatée de la figure 3, re-40 couvre les parties de surface du thyristor qui seraient autrement 71 08907 12 2083307 à découvert. La grande face opposée de la plaquette 10 qui est associée à l'anode de type p repose sur un disque en molybdène 24 qui est posé lui-même sur un socle en cuivre 25 faisant partie 5 de l'enveloppe du dispositif et constituant un dissipateur de chaleur pour le thyristor proprement dit et la borne anodique du dispositif. L'enveloppe du dispositif est complétée par un capot de fermeture de type connu (non représenté) qui est m^nté sur le socle 25 de façon à entourer une bride de soudage 28. Le 10 capot de fermeture comprend des parties de connexion permettant de relier des extrémités supérieures du conducteur d'alimentation de cathode 12 et du conducteur de porte 21 aux bornes de cathode et de porte. L'enveloppe du dispositif entier est d'une exécution tout à fait classique. Une rondelle de blocage et un écrou 26 15 sont prévus sur une partie filetée du socle en cuivre 25 constituant la borne anodique du dispositif, ce qui permet de fixer le socle 25 dans un trou approprié d'un panneau ou d'un châssis associé aux circuits électriques utilisant le dispositif. Le dispositif représenté aux figures 2 à 5 est fa-20 briqué de la façon suivante. Le thyristor proprement dit est fabriqué de façon classique en faisant diffuser des impuretés acceptrices dans les grandes faces opposées d'un corps en silicium de type n à l'effet de constituer la région de base de type p et la région d'a-25 node de type p, ces opérations étant suivies de la diffusion sélective d'impuretés donneuses dans la région de base de type p pour former la région de cathode de type n. L'électrode-porte J\6 et la partie annulaire métallisée mince 18 de l'électrode cathodique 11 sont obtenues par des techniques classiques de dé-30 pot de nickel et de dorure. Le thyristor est monté sur une rondelle de soudure en alliage or-germanium 4û posée elle-même sur le disque en molybdène 24. Par échauffement, la grande face opposée au corps en silicium 10 est soudée au disque en molybdène 24 qui 35 sert de support au corps semi-conducteur 10 au cours d'opérations de chanfreinage subséquentes. Au cours de l'opération de chanfreinqge, le bord du corps semi-conducteur 10 est mécaniquement chanfreiné de manière à obtenir un angle d'inclinaison de 4,5°, sur le bord d'extrémité de la jonction séparant les régions de base de 40 type p et de type n, un angle de 20° étant prévu sur le bord 71 08907 13 2083307 d'extrémité de la jonction séparant la région de base de type n et la région d'anode de type p. Le thyristor chanfreiné et le disque en molybdène 24 réunis sont placés dans un calibre. On place la plaque annulaire 5 en molybdène doré 17 de l'électrode cathodique 11 sur un anneau de soudure en alliage or-germanium 42 placé rai-même sur la partie annulaire métallisée mince 18 de l'électrode cathodique 11 (voir les figures 3 et 4). La barrette annulaire en argent doré constituant la pièce d'interconnexion 14 et comportant des par-10 ties en gradins à deux niveaux est montée sur un anneau de soudure en alliage étain-or 43 posé lui-même sur la plaque annulaire en molybdène doré 17 de l'électrode cathodique 11. En outre, le conducteur de porte en argent doré 21 est monté dans le calibre sur une petite sphère de soudure or-germanium 46 15 posée sur l'électrode-porte métallisée 17. Par chauffage, la pièce d'interconnexion 13 est fixée à la plaque annulaire 17 qui est elle-même fixée à la partie métallisée 18 de l'électrode cathodique 11 tandis que le conducteur de porte 21 est fixé à l'électrode-porte 16. 20 L'ensemble ainsi obtenu est souais à une technique de décapage classique, permettant de faire disparaître les imperfections de surface provoquées dans le corps en silicium 11 au cours de l'opération de chanfreinage. L'ensemble est rincé à l'eau de façon à faire disparaître le décapant, et est séché. 25 La forme avantageuse de la pièce d1 interconnexion 13 (voir figure 5) permet un rinçage très efficace, le nombre de poches où du décapant pourrait se maintenir et endommager le thyristor étant très faible, cette pièce d'interconnexion constituant aussi un moyen de préhension de l1ensemble à l'aide d{une pince, 30 plus favorable que le conducteur de porte. Le revêtement en caoutchouc siliconé 27 est appliqué aux parties de surface mises à nu du thyristor tandis que la gaine en caoutchouc siliconé 23 est glissés sur le conducteur de porte 21, 35 On assemble ensuite les parties de manière à obtenir- la structure de la figure 2, ceci dans un autre calibre, On place sur le socle en cuivre 25 des rondelles de soudure or-étain 41 tandis que l'ensemble constitué par la pièce d1 interconnexion 13, le conducteur de porte 21, le thyristor proprement dit et le 40 disque en molybdène 24 sont placés sur les rondelles de soudure 41 71 08907 2083307 La plate-forme en cuivre 15 dont la face inférieure est pré-étamée au moyen drun anneau de soudure or-étain 44, est placée sur la pièce d'interconnexion 13* le conducteur d'alimentation de cathode en cuivre 12 étant placé sur des rondelles de soudure or-5 étain 45 à la surface supérieure de la plate-forme 15. La concen-S: vicité et la symétrie radiale de la plate-forme annulaire 15 •" de la pièce d'interconnexion 13 facilitent le processus d'assemblage. Au cours d'un traitement thermique, les composants soudent les uns aux autres de manière à constituer la struc-10'. re représentée sur la figure 2. l'encapsulage est compléta de façon classique en mon-r.t le o-irot t5e fermeture sur le soele en cuivre 25, en soudant ; : conducteur d'alimentation de cathode 12 à la borne cathodique extérieure et en soudant le conducteur de porte 21 à la borne 15 de porte extérieure. Un thyristor- selon :-.a présente invention a été fa-Iqv.z et présente lss caractéristiques suivantes : un courant nominal efficace de 110 ampères et une tension nominale d'au - _ins 1200 volts» On a obtenu, pour dV/dt et dl/dt, des valeurs 20 .-.minales minima respectivement de 2C0 volts/microseconde et de " '0 ampères/ microseconde. Il est évident q\ie de nombreuses modifications peuvent re apportées sans sortir du cadre de la présente invention. La nièce d'interconnexion 13 peut être en une autre matière, par -5 -i emple du cuivre, et ne doit pas nécessairement constituer une •:-ruoture fermés on ann-.tlaiï'e. Une telle pièce d'interconnexion : ut nncore consister- en une «structure à ondulations ou alter-v nt entre deux niveaux, de manière à former des parties de ntaet distinctes et Mutuellement espacées 14 et 19 à chaque .30 : tveau d'une ondulation. Comme la pièce d'interconnexion 13 est à ouvertures latérales, le conducteur de porte isolé 21 peut passer par un icienent latéral ûe la pièce d'interconnexion 13 entre deux H.rtiBS verticales de la languette séparant les parties de con-15 ; et *4 ot 19 situées aux deux niveaux. Lorsque le conducteur d'alimentation 12 a une section transversale particulièrement grande sur toute sa longueur ou vne extrémité présentant une section transversale particulière 71 08907 15 2083307 ment grande, on peut supprimer, dans certains cas, la plateforme 15, l'extrémité du conducteur d'alimentation 12 étant directement fixée aux parties de contact adjacentes et mutuellement espacées 19 de la pièce d'interconnexion 13. 71 08907 16 2083307 REVENDICATIONS 1.- Dispositif semi-conducteur comprenant un corps semi-conducteur, une électrode sur une grande face du corps semi-conducteur, une pièce d'interconnexion conductrice 5 de l'électricité montée sur l'électrode, et un conducteur d'alimentation maintenu au-dessus de l'électrode par la pièce d'interconnexion, caractérisé en ce que la pièce d'interconnexion est une barrette métallique mécaniquement déformée de manière à présenter alternativement deux niveaux, constituant ainsi une 10 structure à ouvertures latérales qui comporte, à chacun des deux niveaux, des parties de contact distinctes et mutuellement espacées autour d'une aire au niveau considéré, les parties de contact situées à un premier niveau étant réparties sur et fixées à l'électrode de manière à constituer une structure méca- 15 niquement stable, tandis que la liaison entre la pièce d'interconnexion et le conducteur d'alimentation est établie par l'intermédiaire des parties de contact situées à l'autre niveau» 2.- Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la pièce d'interconnexion 20 est une structure formée d'une barrette métallique annulaire obtenue par déformation d'un anneau métallique entre deux niveaux. 3.~ Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la barrette métallique annulaire 25 présente alternativement à deux niveau des parties en gradins, celles-ci constituant, à chaque niveau, des parties de contact pour le niveau considéré. 4.- Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 3> caractérisé en ce que les parties en gradins sont 30 en substance identiques. 5.- Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que l'anneau déformé provient d'une barrette métallique plane de sorte que les parties de contact sont prévues sur les deux 35 grandes faces opposées de la barrette métallique. 6.- Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que trois parties de contact distinctes et mutuellement espacées seulement sont prévues à chacun des deux niveaux de la pièce 40 d'interconnexion. 71 08907 17 2083307 7.- Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendications précédentes.» caractérisé en ce que les parties de contact audit autre niveau sont réparties sur et fixées à une surface d'extrémité en substance plane du 5 conducteur d'alimentation. 8.- Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les parties de contact situées audit autre niveau sont réparties sur et fixées à une grande face inférieure d'une plate-forme 10 maintenue au-dessus de l'électrode par la pièce d'interconnexion, le conducteur d'alimentation étant fixé sur la grands face supérieure de la plate-forme. 9.- Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 8, caractérisé en ce que la plate-forme est constituée 15 par une plaque métallique en substance plane. 10.- Dispositif semi-conducteur suivant 1'une quelconque des revendications 8 ou 9, caractérisé en ce que la plate-forme a une surface disponible pour le montage du conducteur d'alimentation plus grande que la surface de l'élec- 20 trode. 11.- Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 10, caractérisé en ce que l'électrode n'a pas de surface disponible suffisamment grande pour recevoir la section transversale du conducteur d'alimentation. 25 12.- Dispositif semi-conducteur- suivant 1 'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'électrode est une plaque métallique plane fixée à une partie métallisée plus mince sur la première grande face du corps semi-conducteur, les parties de contact située© au 30 premier niveau de la pièce d'interconnexion étant fixées sur cette plaque métallique. 13.- Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 12, caractérisé en ce que la partie métallisée mince et la plaque métallique de 1'électrode ainsi que la pièce 35 d'interconnexion et le conducteur d'alimentation sont fixés à l'aide d'une soudure à haut point de fusion. 14.- Dispositif s enii»c ond acteur suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'électrode est une première électrode en substance annulaire 40 qui entoure une deuxième électrode sur la première grande face 71 08907 18 2083307 du corps semi-conducteur, et en ce qu'un conducteur isolé est fixé par une extrémité à la deuxième électrode en traversant la pièce d'interconnexion. 15.- Dispositif semi-conducteur suivant l'ensemble 5 des revendications 8 et 14, caractérisé en ce que le conducteur isolé traverse aussi une ouverture ou un creux de la plateforme , 16.- Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendications 14 ou 15, caractérisé en ce 10 que le dispositif est un redresseur commandé semi-conducteur, la grande face opposée du corps semi-conducteur étant montée sur' et fixée à un dissipateur de chaleur, le dissipateur de chaleur et le conducteur d'alimentation précité étant associés aux bornes d'anode et de cathode du dispositif tandis que 15 le conducteur isolé précité est associé à une borne de porte de commande du dispositif.