Brevet FR2083497A1 — publié le 19711217

La présente invention se rapporte généralement à des dispositifs oscillateurs à hyperfréquence ou à fréquence ultrahaute ; plus particulièrement, elle concerne et a essentiellement pour objet des oscillateurs à hyperfréquence utilisant des 5 circuits résonnants accordables formant■lignes de transmission ou analogues, ainsi que les diverses applications et utilisations résultant de leur mise en oeuvre et les. systèmes, ensembles, appareils, équipements et installations pourvus de tels dispositifs. 10 Des oscillateurs à hyperfréquence utilisent des réseaux ou circuits déterminant la fréquence qui sont sujets à des résonances parasites. Par. conséquent, l'oscillateur peut, dans certaines conditions 5résonner dans le mode parasite plutôt que dans le mode désiré. En outre, quand la fréquence parasite est liée harmonique-15 ment à une fréquence dans la "bande de fréquences désirée de l'oscillateur, même si l'oscillateur ne résonne pas dans le mode parasite," une réduction de la tension électrique de signal d'oscillateur à fréquence fondamentale peut se produire .lorsque le circuit âccordable est réglé de façon à résonner dans le 20 voisinage de la fréquence liée ou connexe. Un oscillateur, mettant en oeuvre la.présente invention, supprime l'oscillation pertubatrice, fugitive ou parasite à une fréquence supérieure- au domaine ou à la gamme de fréquences désiré. l'oscillateur comprend une ligne'de transmission ayant 25 une section conductrice allongée disposée sur une plaque porteuse et'placée au-dessus d'une région ou surface conductrice formant plan à potentiel de référence de masse ou de terre sur le côté -opposé de la plaque. La ligne de transmission est du type qui est susceptible de subir des résonances fugitives, pertubatrices 50 ou parasites au-dessus de la fréquence de- fonctionnement désirée, la résonance pertubatrice, fugitive ou parasite étant caractérisée par un zéro de tension électrique en un emplacement particulier situé sur la ligne de transmission. Un transistor a son électrode de collecteur connectée à cet emplacement sur 55 la ligne de transmission précitée et un moyen de.réaction ou de rétro—action relie entre elles les électrodes respectivement de base, de collecteur et d'émetteur du transistor pour supporter 71 09985 2 2083497 ou soutenir 1 ' or-cillation à une fréquence déterminée par la ligne de transmission. Xe moyen de réaction comprend "an élément l'impédance connecté depuis l'une des électrodes respectivement de "base et d'émetteur du transistor au plan 5 à potentiel de masse en un point opposé à l'emplacement du zéro de tension électrique nulle sur la ligne de transmission. Conformément à une caractéristique de l'invention, le plan à potentiel de masse peut comporter une fenêtre exposant ou découvrant la plaque diélectrique. Des zones ou surfaces 10 conductrices sont disposées à l'intérieur de la fenêtre du plan à potentiel de masse pour former des capacitances de circuit utilisées dans l'oscillateur. l'invention sera mieux comprise et d'autres "buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus 15 clairement à la lecture de la description explicative qui va suivre en se reportant aux dessins schématiques annexés, donnés uniquement à titre d'exemple non limitatif illustrant un mode de réalisation spécifique de l'invention et dans lesquels : - la figure 1 représente un schéma, de circuit d'un 20 dispositif d'accord de télévision à hyperfréquence mettant la présente invention en oeuvre ; - la figure 2 est une vue en perspective, partiellement arrachée, du dispositif d'accord représenté schématiquement sur la figure 1 ; 25 - la figure 3 est une vue de dessous du dispositif d'accord représenté sur la figure 2 ; - la figure 4 est une vue de côté gauche avec le couvercle et le cadre de châssis du dispositif d'accord arrachés pour exposer ou découvrir les éléments composants du dispositif 30 d'accord ; . - - la figure 5 est une vue latérale de droite du dispositif d'accord représenté sur la figure 2 avec le couvercle et le cadre de châssis du dispositif d'accord arrachés pour montrer les éléments constitutifs du dispositif d'accord ; 35 - la figure 6 est une vue en plan du substrat et du dessin de configuration du dispositif d'accord représentés sur la figure 4 et tracés à l'échelle avec tous les éléments composants 71 09985 3 2083497 du dispositif d'accord et la matière de revêtement du substrat enlevés ; • - les figures 8a à d représentent une série de courbes montrant graphiquement la variation de la capacité d'accord 5 en fonction de la fréquence de résonance pour les circuits résonnants accordables du dispositif d'accord ; - la figure 9 est une vue agrandie en coupe partielle du substrat montrant des détails du dispositif d'accord ; - les figures 1Oa à ç sont respectivement dés vues 10 agrandies en coupe partielle du substrat représentant'l'un des inducteurs réglables d'adaptation ou de synchronisation exacte^ réglé pour l'inductance respectivement minimâle, nominale et maximale ; . * " . " - les figures 11a à e représentent une série de courbes 15 montrant des ondes stationnaires de tension électrique utiles pour la compréhension du fonctionnement du dispositif d'accord;et - les figures 12a "à e sont des séries de courbes représentant des ondes stationnaires d'intensité de courant électrique correspondant aux courbes représentées sur la figure 11. 20 En se reportant maintenant aux dessins dans lesquels des chiffres de référence identiques désignent des éléments semblables dans les diverses vues, un dispositif d'accord de télévision à hyperfréquence 50 est enfermé dans une enveloppe métallique formant boîtier 52 qui est maintenue à un potentiel 25 de référence indiqué comme étant la masse ou terre. Le dispositif d'accord à hyperfréquence comprend un étage amplificateur à haute fréquence ou à radio-fréquence 54» un étage oscillateur 56, un étage mélangeur 58 et un étage amplificateur à fréquence intermédiaire ou moyenne 60." Des signaux de télévision à 30 hyperfréquence sont interceptés par une antenne non représentée et appliqués à une borne d'entrée à hyperfréquence 62. Les signaux d'entrée sont amplifiés dans l'étage amplificateur 54 et hétérodynés dans l'étage mélangeur 58 avec des signaux engendrés localement par l'étage oscillateur 56 pour produire 35 un signal de fréquence intermédiaire ou moyenne qui est ensuite amplifié dans l'étage amplificateur à fréquence intermédiaire ou moyenne 60 pour produire un signal de sortie amplifié de 71 09985 4 2083497 fréquence intermédiaire à une "borne de sortie à fréquence intermédiaire 64. Le dispositif d'accord comprend quatre circuits résonnants accordables 66, 68, 70 et 72. Le circuit résonnant accordable 5 66 est associé au système de circuit d'entrée de l'amplificateur à haute fréquence tandis que les circuits résonnants accordables 68 et 70 font partie d'un double réseau accordé de liaison entre étages entre l'étage amplificateur à haute fréquence 54 et l'étage mélangeur 58. Le circuit résonnant 10 accordable 72 est utilisé pour établir la fréquence d'oscillation de l'étage oscillateur 56. Les circuits résonnants accordables 66, 68, 70 et 72 comprennent des structures de ligne de transmission' qui sont accordées par des diodes à capacitance variable. Toutes les 15 structures formant lignes de transmission comprennent des éléments conducteurs réalisés sur les deux faces d'une plaque diélectrique. Le circuit résonnant accordable 66 comprend des sections ou portions alignées de ligne de transmission 67a et 67b ; le circuit résonnant accordable 68 comprend les sections 20 ou portions de ligne de transmission 69a et 69b ; le circuit résonnant accordable 70 comprend les sections de ligne de transmission 71a et 71b ; et enfin le circuit résonnant accordable 72 comprend les sections de ligne de transmission 73a et 73b. Une extrémité des secondes sections de ligne 67b, 69b, 71b et 25 73b est connectée au point à potentiel de référence. Chaque paire de sections de ligne coopère avec le plan à potentiel de masse ou de terre sur le côté opposé de la plaque diélectrique pour fonctionner comme ligne de transmission. Les deux sections de chaque ligne de transmission composée 30 sont accouplées ou connectées respectivement par des. diodes d'accord à capacitance variable 75, 79, 83 et 87 et par des organes inducteurs ou bobines d'inductance réglables d'adaptation ou de synchronisation exacte 77, 81, 85 et 89. Chacune des diodes à capacitance variable 75, 79, 83 et 87 connectées 35 en série présente une capacitance dont la valeur varie inversement avec la valeur de la polarisation inverse appliquée aux bornes de la diode à capacitance variable. Les circuits résonnants 71 09985 2083497 accordables 66, 68 et 70 sont répartis ou établis de façon à accorder dans une bande de fréquences s'étendant de 470 MHz à 890 -MHz tandis que le circuit résonnant accordable 72, associé à l'étage oscillateur 56, .est établi de façon à accorder dans une bande de fréquences s'étendant de 517 MHz à' 931 MHz. Chaque ligne de transmission composée est. établie de. façon que les secondes-sections 67b, 69b et 71b de la ligne soient résonnantes au quart de longueur d'onde à une fréquence supérieure ;à 890 MHz, qui est la plus haute fréquence désirée sur laquelle le circuit résonnant accordable doit .être accordé. Les premières sections de ligne de transmission 67a, 69a et 71a sont établies pour être résonnantes à la demi-longueur d'onde au-dessus de la plus haute fréquence sur laquelle le circuit résonnant'accordable doit être accordé, c'est à dire 890 MHz. D'une manière analogue, la seconde section de ligne de transmission 73b, associée au circuit résonnant accordable d'oscillateur ou oscillant 72, est établie de façon à être résonnante au quart' de longueur d'onde à une fréquence supérieure à 931 MHz tandis que la première section, de ligne de transmission 73a est établie pour être résonnante à la de.mi-longueur d'onde au-dessus de 931 MHz. - La fréquence de résonance de chaque section peut être mesurée en déconnectant électriquement la diode d'accord à capacitance variable et l'organe inducteur ou la bobine d'induction réglable d'adaptation ou de synchronisation exacte et en appliquant ensuite une impulsion-unité d'énergie à la section en cours d'étude.. l'impulsion unitaire forcera la section à sonner ou à-résonner simultanément à plusieurs fréquences connexes qui peuvent être mesurées par exemple par un oscilloscope échantillonneur. La-fréquence fondamentale de résonance est la plus basse fréquence présente dans la section sonnante. Le mode de résonance peut être déterminé en mesurant les rapports d'ondes stationnaires le long de la section pour déterminer les points maximum et nuls de tension électrique. Une plaque ou un substrat diélectrique 91, qui supporte les lignes de transmission composées, est monté dans une enceinte 71 09985' 2083497 conductrice (figure 2), -L'enceinte comprend des couvercles démontables 99 et TOI et un élément"formant châssis, "bâti ou cadre 97. Deux portions 93 et 95 formant plan à potentiel de masse (figures 4,5,6 et 7) sont disposées sur les côtés opposés 5 du substrat 91. Les lignes de transmission composées 69, 71 et 73 comprennent la portion formant plan à potentiel de masse 95 et sont disposées à l'opposé de celle-ci tandis que la ligne . de transmission composée d'entrée à haute fréquence 67 comprend la portion formant .plan à potentiel de référence 93 et est 10 disposée à l'opposé de celle-ci. Le substrat 91 et ses régions ou surfaces conductrices sont représentés sur les figures 6 et 7 qui sont dessinées approximativement à l'échelle. La hauteur du substrat est de"85,725 mm et la largeur du substrat est de 88,9 mm. Bien que les diverses lignes de transmission 15 composées à haute fréquence 67, 69 et 71 soient conçues pour résonner à approximativement la même fréquence pour une capacitance de diode" donnée, elles diffèrent légèrement par la taille pour compenser les effets introduits'par les différents éléments composants du dispositif" d'accord'connectés comme cela est 20 indiqué sur les figures 4 et 5- ■ " Le substrat 91, qui est d'une épaisseur d'environ 1,27 mm, est fabriqué en un oxyde d'aluminium composé approximativement de 85f° d'alumine A^O^ et de 15% d'un mélange d'oxyde de calcium, d'oxyde de magnésium et de dioxyd.e de silicium ou silice. Un 25 dessin conducteur d'environ 12,7 microns d'épaisseur est disposé sur les deux faces du substrat et consiste en argent et en'verre qui a été fondu à 900°C. Le dessin'entier est recouvert par un revêtement ou placage de cuivre de 5,08 à 12,7 microns d'épaisseur obtenu par électro déposition, galvanoplastie ou 30 revêtement éleetrolytique analogue: Un silicium, résistant à l'humidité et au soudage ou brasage, modifié de façon à durcir, est appliqué à l'ensemble du substrat et du" dessin revêtu ou plaqué de cuivre à l'exception de voies de liaison utilisées pour connecter électriquement les éléments composants du dispo-35 sitif d'accord au dessin du substrat. Les voies de liaison exposées sur le substrat facilitent l'assemblage rapide et précis du dispositif d'accord. Sur les 71 09985 7 2083497 figures 2, 4 et 5, les sections conductrices sur le substrat (les sections de ligne de transmission, les sections ou portions formant plan à potentiel de masse et les plaques de condensateur associées au-circuit oscillant) sont représentées comme étant 5 contre-hachurees pour indiquer que le revêtement, la couche ou l'enduit isolant, qui recouvre normalement ces éléments composants, à été enlevé. La conformation ou le façonnage de chaque section de ligne de transmission composée 67b, 69b et 71b réalise un réglage 10 exact relatif d'adaptation ou de synchronisation- entre les circuits résonnants accordables 66, 68 et 70 et le circuit résonnant accordable oscillant 72. La conforma.tion se présente sous la forme d'un amincissement, effllement ou rétrécissement exponentiel entre les extrémités respectivement mise à la 15 masse et de diode de .chaque àection. En raison de 1'effilement ou rétrécissement exponentiel, la caractéristique de" variation de l'impédance en fonction de la fréquence de chacune des lignes de transmission composées 67, 69 et 71 est modifiée. Par conséquent, les effets d'un changement donné de capacitance 20 sur la fréquence d'accord varient-dans la bande de fréquences en ayant pour résultat des courbures, similaires pour les tracés de la capacité d'accord en fonction de la fréquence de résonance pour les circuits résonnants accordables de haute fréquence 66, 68 et 70 et pour le circuit résonnant accordable 25 oscillant 72. Lés courbures semblables sont représentées sur la figure 8 sur laquelle la courbe "a" représente le tracé de la capacité d'accord en fonction de la fréquence de résonance pour le circuit résonnant accordable oscillant 72 et les courbes "b", "c" et "d" représentent le tracé de la capacité 30 d'accord en fonction de la fréquence de résonnance du circuit résonnant accordable à haute fréquence 66 pour différents réglages d'inductance de l'organe inducteur ou de la bobine d'inductance réglable d'adaptation ou de synchronisation exacte 77, respectivement minimale, nominale et maximale. Les organes 35 inducteurs réglables d'adaptation exacte seront décrits plus en détail ci-après. • Comme les courbures des tracés pour les deux circuits résonnants accordables sont similaires, le réglage 71 09985 8 2083497 exact d'adaptation ou de synchronisation des circuits résonnants est assuré dans la bande, de fréquences entière désirée de chaque circuit. La fréquence de résonance de chacune des lignes de trans-5 mission est déterminée par sa réactance totale qui comprend les impédances réactives des sections alignées respectivement supérieure et inférieure, la diode à capacitance variable et l'organe inducteur ou bobine d'inductance réglable d'adaptation exacte. La contribution réactive de la section supérieure 10 varie d'une manière non linéaire avec la fréquence tandis que la contribution réactive de la diode à capacitance variable et de l'organe ou de la bobine d'inductance réglable d'adaptation exacte produit une réactance capacitive dont la valeur est déterminée par la tension électrique d'accord (des diodes 15 capacitives variables identiques, ayant la même tension électrique d'accord appliquée à celles-ci, peuvent être utilisées dans tous les circuits résonnants accordables.). Par réglage de la tension électrique d'accord, on fait varier la réactance capacitive et celle-ci accorde la ligne de transmission dans 20 la bande des fréquences. Pour le réglage d'adaptation exact correct entre les circuits respectivement oscillant et.résonnant accordable à haute fréquence, le circuit résonnant accordable oscillant doit résonner d'une quantité constante donnée au-dessus des circuits résonnants accordables à haute fréquence 25 pour tout réglage donné de tension électrique d'accord. Les sections inférieures dissemblablement conformées des circuits respectivement de sélection de signaux est résonnant accordable oscillant forcent le taux de variation de la réactance totale avec la fréquence à être modifié. D'une façon spécifique, la 30 section inférieure de chaque ligne de transmission à haute fréquence comprend un rétrécissement ou effilement exponentiel et la section inférieure de la ligne de transmission d'oscillation comprend un rétrécissement ou effilement•sensiblement -linéaire. Par conséquent, ces sections diffèrent par le taux de changement 35 de réactance avec la fréquence l'une de l'autre et de leurs sections supérieures respectives. Ceci force la réactance totale de chaque ligne de transmission à varier avec la fréquence 71 09985 2083497 d'une manière qui produit un réglage exact d'adaptation entre les circuits respectivement à haute fréquence et résonnant accordable oscillant. Il est à noter que les divers "bords effilés ou rétrécis sur la section supérieure de chacune des 5 lignes de transmission compensent les effets d'effilochage ou analogue des champs respectivement électromagnétique et électrostatique aux extrémités des sections. Alors que la conformation des sections 67b, 69b et 71b des lignes de transmission composées produit un réglage exact ■|o d'adaptation relatif du premier ordre de chacun des divers circuits résonnants accordables à haute fréquence avec le circuit résonnant accordable oscillant, les circuits résonnants accordables doivent néanmoins toujours être alignés entre eux ou les uns par rapport aux autres pour compenser des tolérances 15 partielles. Ceci signifie que les tracés, représentant la caractéristique capacitive de chaque circuit résonnant, doivent être- correctement centrés, , du point de vue de la fréquence, par rapport aux autres circuits résonnants accordabies. Il a été déterminé que l'inductance en série des fils 20 métalliques conducteurs de chacune des diodes à capacitance " variable 75, 79, 83 et 87 est un paramètre important'pour déterminer la fréquence de résonance pour une capacitance de diode donnée, particulièrement à l'extrémité inférieure de la bande de fréquences des hyperfréquences. Par exemple, un 25 accroissement des longueurs de conducteur de la diode à capacitance variable 75 de moins de 0,25 cm a-pour résultat' une réduction de plusieurs picofarads de la capacitance requise par le circuit résonnant accordable. 66 pour qu'il résonne à 470 MHz. Cet effet inductif eh série constitue une source de 30 potentiel de. désaccord ou de déréglage entre les divers circuits résonnants accordables 66, 68, 70 et 72 ainsi qu'une variation d'un dispositif d'accord au suivant. L'effet inductif peut cependant être contrôlé et utilisé pour fournir un moyen pour centrer ou aligner-les circuits résonnants accordables., 55 Une ouverture est réalisée dans le substrat 91 pour chacune des diodes à capacitance variable 75, 79, 83 et 87» En se référant à la figure 9, qui est une vue agrandie en coupe /I 09985 10 2083497 partielle du substrat 91, montrant une partie de la ligne de transmission composée 67, la diode à capacitance variable 75 est disposée dans un orifice 75a réalisé dans le substrat 91. Le trou 75a fournit un moyen de positionnement pour le corps 5 de la diode à capacitance variable 75 et permet le positionnement précis des éléments composants. La diode 75 est fixée à'deux pattes de liaison 75b et 75c sur lès côtés opposés de l'orifice 75a. La patte de liaison 75c est une zone sur la seconde section de la ligne de trans-10 mission tandis que la patte de liaison 75b est une patte conductrice séparée. Les-patt'es de liaison 75b et 75c sont espacées d'une distance prédéterminée l'une de l'autre et contribuent à rendre minimale, les variations d'inductance en série en réalisant un réglage ou contrôle pour les longueurs 15 de conducteur de la diode à capacitance variable 75. En outre, l'orifice 75a dans la matière du'substrat 91 réduit le diélectrique adjacent au corps de la diode 75 pour rendre ainsi mini male la capacitance de dérivation distribuée ou répartie entre les extrémités de la d-iode et élimine également la 20 nécessité de courber ou de fléchir les conducteurs de diode (en accroissant son inductance) pendant le montage des éléments composants. L'organe inducteur réglable d'adaptation exacte 77 est connecté en série entre la patte de liaison 75b et une 25 extrémité de la première section de la ligne de transmission composée 67a. L'organe inducteur 77 consiste en une large" bande mince de cuivre qui peut être réglée pour changer son inductance. Pour modifier l'inductance, la configuration de la boucle peut être changée pour passer d'une haute structure mince" pour 30 inductance minimale à une structure plus circulaire'pour inductance maximale. Ceci est' représenté le plus clairement sur les figures 10a à c où l'organe inducteur réglable d'adaptation exacte 77 est représenté comme étant réglé pour une inductance respectivement minimale, nominale et maximale. L'organe 35 inducteur en série réglable pour chacune des lignes de transmission composées 67, 69, 71 et 73 absorbe des variations d'inductance mineures dues à la longueur de conducteur de diode 71 09985 1 2083497 et produit un effet inductif en série contrôlable. Le centrage du réglage exact d'adaptation pour chacun des circuits résonnants accordables 66, 68, 70 et 72 est obtenu en réglant la forme de la boucle induetive associée à chaque 5 ligne de transmission composée. L'effet du réglage de l'organe inducteur 77 est représenté sur la figure 8 où les trois tracés de la capacité d'accord en fonction de la fréquence de résonance (b,c et d) représentent les effets du-réglage de l'organe inducteur réglable d'adaptation exacte 77 entre ses positions 10 d'inductance respectivement minimale, nominale et maximale. Les boucles inductives sont réglées de façon qu'une séparation de fréquence constante appropriée soit obtenue entre les fréquences de résonance des" circuits" résonnants accordables à haute fréquence et le circuit résonnant accordable oscillant 15 dans leurs bandes de fréquences. Des signaux de télévision" à hyperfréquence reçus, appliqués à la borne d'entrée 6-2, sont appliqués au circuit d'entrée 66 de l'amplificateur à haute, fréquence à travers un filtre passe-haut comprenant les organes inducteurs,ou bobinés d'indue- . 20 tance 74 et 76 et le condensateur 78. Le filtre passe-haut fonctionne de façon à faire "passer des fréquences dans la bande des hyperfréquences, c'est-à-dire des fréquences, s'étendant de 470 MHz à 890 MHz. Le circuit résonnant accordable 66 est connecté par l'intermédiaire d'un condensateur 80 à l'électrode 25 drémetteur d'un' amplificateur 82 à transistor à base mise à là masse ou à"la terre . Le transistor 82 est représenté comme étant encapsulé dans une enveloppe conductrice qui est connectée à la masse ou terre par le conducteur 52 pour réduire la probabilité d'oscillations parasites. 30 potentiel de fonctionnement du transistor 82 est obtenu d'une source B+ appliquée à une borne 84 qui est contournée ou court-circuitée en dérivation à la masse ou terre pour des hautes fréquences par un condensateur de traversée ou de passage 103. Le potentiel est appliqué à l'électrode de collecteur 35 du transistor 82 à travers un organe inducteur ou une bobine d'inductance de-découplage à haute fréquence 86, une résistance 88 et une bobine de réactance, d'arrêt ou de choc à haute fréquence 71 09985 2083497 90. la bobine de réactance 90 est un élément composant, unique comprenant une résistance de 10 kilo-ohms réalisant une forme d'enroulement de fil métallique pour un organe inducteur*, dont les deux sont connectés électriquement en parallèle. 5 La résistance réduit le facteur de mérite ou de qualité Q de la bobine de réactance pour réduire la possibilité de résonances parasites fugitives ou pertubatrices. L'électrode d'émetteur du transistor 82 est connectée à la masse ou terre par une résistance 92 pour compléter le trajet de courant électrique 10 continu allant du collecteur à l'émetteur. La polarisation de l'électrode de base du transistor 82 est fournie par la source de potentiel actif de fonctionnement appliquée à la borne 84 par l'intermédiaire du trajet de courant électrique collecteur-émetteur d'un transistor de 15 commande ou de réglage automatique de gain 94. Un potentiel de commande ou de réglage automatique de .gain est appliqué à l'électrode de'base du transistor 94 par l'intermédiaire d'une borne 9-6. La borne 96 est contournée en dérivation ou court-circuitée à la masse ou terre pour des signaux de haute 20 fréquence par un condensateur de traversée ou de passage 105. Le transistor.de réglage automatique de gain 94 contrôle la polarisation de base appliquée au transistor amplificateur à haute fréquence 82 et ainsi lé gain de l'étage amplificateur à haute fréquence. Le transistor 94 est connecté suivant un 25 montage en émettodyne ou à émetteur suiveur de façon qu'une isolation substantielle soit réalisée entre les. circuits de réglage automatique de gain et l'amplificateur à haute fréquence 82. En outre, l'isolation à haute fréquence pour l'alimentation B+ et le système de circuit de' réglage automa-30 tique de gain est réalisée respectivement par deux condensâteuré de traversée ou de passage 98 et 1.00. Le condensateur de traversée 100 réalise de plus un trajet de haute fréquence à -basse impédance vers la masse ou terre pour l'électrode de base du transistor 82 en établissant le mode de fonctionnement 35 à base mise à la masse. Un condensateur .104 relie l'électrode de collecteur du transistor amplificateur à haute fréquence 82 au circuit 71 09985 2083497 résonnant accordable 68. Des signaux, développés dans le circuit résonnant accordable 68, sont appliqués inductivement au circuit résonnant accordable 70 par les organes inducteurs ou bobines d'inductance 106 et 108. L'organe inducteur ou la 5 bobine d'inductance 106 réalise le couplage dominant vers l'extrémité inférieure de la bande des hyperfréquences tandis que l'organe inducteur ou la bobine d'inductance 108 réalise le couplage dominant vers 1'extrémité.supérieure de la bande des-hyperfréquences. Les circuits résonnants accordables 68 10 et 70 avec les organes inducteurs ou bobines d'inductance de couplage 106 et 108 se combinent pour former un double réseau accordé de liaison entre étages reliant l'étage amplificateur à haute fréquence 54 et l'étage mélangeur 58. L'étage mélangeur 58 comprend une diode de mélange 110 15 ayant sa cathode connectée à un point de prise d'embranchement 112 dans le circuit résonnant accordable 70. L'anode de la diode mélangeuse 110 est connectée par une boucle de captage ou de prise 114, par-un organe inducteur ou une bobine d'inductance 116 et par un condensateur 118 à l'entrée de l'étage 20 amplificateur à fréquence intermédiaire 60 à-bornes 119» 119'. La bobine d'inductance 116 et le condensateur 118 sont établis pour transformer l'impédance de sortie de la diode pour-l'adapter à l'impédance d'entrée de l'étage amplificateur à fréquence intermédiaire. Une polarisation à courant continu ou direct 25 . est-appliquée-à.la diode mélangeuse 110 par l'alimentation B+ pour maintenir un. écoulement de courant continu ou direct d'approximativement 1,5 mA à travers la diode mélangeuse. La polarisation, appliquée à la diode, est appliquée depuis la borne 84 à travers la bobine d'inductance 86 et aux résistances 30 120-122 et depuis la boucle de captage '114 à l'anode de la diode mélangeuse 110. La cathode de la diode est connectée en retour à la masse à travers une portion du circuit résonnant accordable 70. Des signaux amplifiés d'hyperfréquence sont appliqués à 35 la diode mélangeuse 110 par le circuit résonnant accordable 70 à la connexion de prise d'embranchement 112. Une onde oscillante est appliquée à la diode mélangeuse par l'étage 71 gy965 2083497 oscillant 86, de sorte que la diode mélangeuse hétérodyne les signaux amplifiés d'hyperfréquence et le signal engendré localement pour fournir -on signal de sortie de fréquence intermédiaire désiré, le signal d'oscillateur est appliqué 5 par le circuit résonnant accordable 72 à la boucle de captage 114 connectée à l'anode de la diode mélangeuse 110. Un condensateur de traversée 124, connecté entre la boucle de captage inductive 114 et le point à potentiel de référence, est choisi de façon à réaliser un trajet à basse impédance vers 10 la masse ou terre à la fois pour les signaux amplifiés d'hyperfréquence et pour le signal d'oscillateur et un trajet d'impédance plus élevée pour les signaux à fréquence intermédiaire. Il en résulte que des signaux de fréquence intermédiaire, engendrés dans la diode mélangeuse 110, passent et 15 sont appliqués à l'étage amplificateur de fréquence intermédiaire 60 pour amplification. L'étage oscillateur 56 comprend un transistor 126 connecté sous forme d'un oscillateur à montage Colpitts modifié dont 20 la fréquence est déterminée par le circuit résonnant accordable 72. Le potentiel de fonctionnement pour le transistor d'oscillateur 126 est fourni par l'alimentation B+ par l'intermédiaire de la borne 84, de la bobine d'inductance 86 et de la résistance 120 à la jonction 128 qui est contournée en dérivation ou 25 court-eircuitée à la masse ou terre pour des ondes à hyperfréquence par un condensateur de traversée ou de passage 130. Le potentiel à la jonction 128 est appliqué à l'électrode dë collecteur du transistor d'oscillateur 126 à travers une résistance 132 et une bobine de réactance à haute fréquence 134. 30 Une connexion de retour à la masse de courant électnique direct ou continu de l'émetteur pour le transistor est constituée par une résistance 136. La polarisation de la base est obtenue par l'intermédiaire de résistances diviseuses de tension électrique 138 et 140 connectées entre la jonction 128 et la 35 masse. Un condensateur 142 connecte l'élec.trode de base du transistor 126 à la masse ou terre pour fournir un trajet de signaux dépendant de la fréquence entre l'électrode de base et /i oy-y85 15 2083497 la masse. Un condensateur 144 connecte l'électrode du collecteur du transistor 126 au circuit résonnant accordable 72. Pour entretenir l'oscillation, une partie de la tension électrique, 5 développée à l'électrode de collecteur du transistor, est appliquée à l'électrode d'émetteur du transistor à travers un diviseur de tension électrique capacitif comprenant les trois condensateurs 146, 148 et 150. Pour permettre d'utiliser une large gamme de transistors au germanium dans -l'étage oscillateur, 10 le condensateur 148 est choisi de façon à s'écarter de la réponse à haute fréquence du transistor. Par conséquent, le condensateur 148 est choisi de façon à présenter des pertes ou fuites, c'est-à-dire à avoir un "élément composant résistif dépendant de la fréquence, provoquant une charge résistive ■ 15 sur le transistor oscillateur à des fréquences supérieures ou plus élevées. •" Comme le circuit résonnant accordable 72 comprend une ligne de transmission de basse impédance à diélectrique en alumine, uïl condensateur de couplage 144 à valeur relativement 20 grande (en comparaison avec la ligne de transmission à une alternance ou demi-onde à haute.impédance et à diélectrique constitué par l'air du dispositif d'accord de télévision typique à hyperfréquence"), est nécessaire dans un but d'adaptation d'impédance. Ceci nécessite des gros condensateurs dans le 25 diviseur de tension électrique capacitif pour produire les tensions électriques de réaction de signaux appropriées. Les condensateurs 144, 146 et 150 sont des régions' conductrices formées sur le substrat 91 (figures 4 et -5). Le- condensateur 144 eonsis'te en une zone conductrice 501 réalisée 30 par-dessus une zone conductrice 503 sur le côté opposé du substrat à l'intérieur d'une fenêtre 505 prévue dans le plan à potentiel de masse 95. Le condensateur 146 consiste en une zone conductrice 503 coopérant avec une zone conductrice 507 disposée à l'intérieur de la fenêtre 505 au voisinage de la 35 zone 503 et le condensateur 150 consiste en une zone conductrice 507 coopérant avec -la partie adjacente du plan à potentiel de masse 95 à. la droite de la zone conductrice telle que vue sur ?1 0998!? 2083497 la figure 5. les condensateurs 144, 146 et 150 peuvent être fabriqués, comme d'autres régions-conductrices, par des techniques de circuits imprimés. Ceci garantit que chacune des diverses capacitances est reproduite d'une'façon précise et compatible dans une production en masse ou fabrication en série. Il résulte de l'uniformité de capacitance, en passant d'un dispositif d'accord à un autre, que la possibilité de dispositifs d'accord inopérants ou inactifs ou dégradés, dus à des variations d'éléments composants ou à un défaut d'alignement pendant l'assemblage, est sensiblement réduite. le circuit résonnant accordable oscillant 72 présente une résonance indésirable à environ 1400 MHz. la fréquence de résonance parasite n'est pas sensiblement affectée par la capacitance de la diode à capacitance variable 87. Avec les -valeurs d'éléments composants représentées, il s'est avéré que la fréquence de résonnance indésirable change d'approximativement 60 MHz avec une variation capacitive d'approximativement 13 pF. II. est à noter que la fréquence de résonance parasite de la ligne de transmission composite d'oscillateur est une seconde fréquence harmonique centrée sur approximativement 700 MHz qui est dans la bande désirée de fréquence de l'oscillateur à hyperfréquence. Une réduction de la tension électrique de signal d'oscillateur à fréquence fondamentale est observée quand le circuit résonnant accordable oscillant 72 est réglé pour résonner dans ce voisinage. Ceci réduit le signal d'oscillateur disponible qui peut être appliqué à la diode mélangeuse 110 du dispositif d'accord. On croit que la réduction de la tension électrique de signal d'oscillateur à fréquence fondamentale est due à un effet d'aspiration ou d'extraction causé par le circuit parasite. - ^ Pour empêcher la résonance parasite et rendre minimale la réduction de tension électrique, la première section 73a de la ligne de transmission composée d'oscillateur est connectée au transistor d'oscillateur 126 au point nul ou zéro de tension électrique à fréquence parasite. Ceci a pour résultat un transfert d'énergie de signaux parasites ou pertubateurs minimal depuis le circuit résonnant accordable 72 à travers le condensateur / 1 \J y y O D 20d3497 de couplage 144 jusqu'au transistor d'oscillateur 126. lorsque la section 95 du plan à potentiel de masse, associée à la ligne de transmission composée d'oscillateur, n'est pas infinie en taille et en çonductivité, du courant électrique 5 s'écoule dans le plan à potentiel de masse en établissant des tensions électriques. Un trajet de couplage de. potentiel est réalisé pour appliquer ces tensions électriques.depuis la section 95 du plan à potentiel de masse à travers le condensateur 142 à l'électrode de-base du transistor d'oscillateur. Quand 10 l'écoulement de courant électrique dans le plan à potentiel de masse est dû à la .résonance parasite, le trajet de couplage tend à favoriser le mode de résonance parasite. Ceci se produit parce que le signal parasite ou pertubateur, qui est appliqué à l'électrode de base du transistor, établit une 15 tension électrique différentielle entre les électrodes respectivement de base et de collecteur qui est introduite dans le réseau de réaction de l'oscillateur. Pour rendre minimal cet effet, le condensateur 142 est placé sur la section 95 du plan à potentiel de masse directement au-dessus du point 20 parasite nul ou zéro sur la première section de la ligne de transmission composée de l'oscillateur. le condensateur 142 consiste en un "disque nu" 509 (figure 5). le disque 509 est en une matière diélectrique ayant des zones conductrices disposées sur les faces opposées, l'électrode 25 de. base du transistor 126 est connectée électriquement à l'une des faces conductrices tandis que la face conductrice opposée est placéé sur la section du plan à -potentiel de masse au-dessus du point nul. En positionnant le condensateur 142 de cette manière, un gradient de tension électrique minimal du signal 30 parasite est appliqué en travers de la jonction collecteur-base du transistor par l'intermédiaire de deux condensateurs 142 et 144 qui connectent ces électrodes au circuit résonnant. Par conséquent, la tension électrique parasite ou pertubatrice, qui est introduite dans le trajet de réaction, est rendue 35 minimale. Comme cela est représenté le plus clairement sur les figures 4 et 5, aucune paroi de protection ou de blindage n'est 2083497 prévue entre les circuits résonnants accordables du dispositif d'accord à hyperfréquence 50. Ceci signifie que le circuit résonnant accordable à haute fréquence 66, les circuits résonnants accordables entre étages 68 et 70 et le circuit 5 résonnant accordable oscillant 72 ne sont pas compartimentés en des enceintes conductrices pour empêcher l'interaction entre les divers circuits résonnants et, ce qui est plus important, pour empêchex" un rayonnement de l'énergie de l'oscillateur à travers le circuit résonnant accordable à haute fréquence 66 10 et hors de l'antenne à hyperfréquence. Cependant, le dispositif d'accord 50 est pourvu d'un couvercle partiel conducteur intérieur 550 de l'oscillateur (figure 2) qui recouvre les sections de ligne de transmission 73a-73b de l'oscillateur. Le couvercle intérieur partiel 550, du fait qu'il est fixé en permanence 15 en tant que partie du bâti ou cadre de châssis 97 du dispositif d'accord, rend minimals des effets possibles de désaccord ou de déréglage de variations de distance entre l'étage oscillateur 56 et les couvercles amovibles 99 et 101 du dispositif d'accord après enlèvement et remontage. 20 La haute perméabilité du substrat en alumine conjointement avec 1'espacement étroit ou serré entre les lignes de transmission composées et leurs sections associées de plan à potentiel de masse confine les champs électromagnétiques . Néanmoins, un effilochage des champs électromagnétiques, quoi-25 que sensiblement diminué, se produit encore ou toujours. L'effet d'effilochage des champs peut forcer l'énergie de l'oscillateur à être appliquée au circuit résonnant accordable à haute fréquence 66 pour être rayonnée par l'intermédiaire de l'antenne à hyperfréquence. En outre, le couplage peut affecter défavorable-30 ment les caractéristiques de réglage automatique de gain du dispositif d'accord. Les effets indésirables du rayonnement de l'oscillateur sont éliminés en disposant la ligne de transmission composée du circuit résonnant accordable à haute fréquence 66 sur le -35 côté opposé du substrat en alumine 91 par rapport aux lignes de transmission composées 69, 71 et 73 respectivement doublement accordées entre étages et de l'oscillateur. Les sections 93 ry, r-% r s j. 71 09985 19 2083.497 et 95 formant plan à potentiel de masse sont de même disposées sur des côtés opposés du substrat en alumine. De cette manière, l'efficacité du couplage électromagnétique et électrostatique entre le circuit résonnant accordable 66 et les circuits 5 résonnants accordables restants du dispositif d'accord 50 est rendue minimale. ' . Une isolation importante supplémentaire, entre le circuit résonnant accordable à haute fréquence 66 et les circuits résonnants accordables restants du dispositif d'accord 50, est 10 réalisée en invertissant la ligne de transmission composée à haute fréquence par rapport aux lignes" de transmission composées respectivement entre étages et de l'oscillateur. Ainsi, la seconde section conformée 67b de la ligne de transmission composée à haute fréquence est disposée vers le sommet ou 15 dessus du substrat tandis que-la première section 67a de la ligne de transmission composée à haute fréquence est disposée vers la partie inférieure ou base. du.substrat. Au contraire, les lignes de transmission composées de l'oscillateur et entre étages ont chacune leur seconde section disposée, vers la base 20 ou partie inférieure du substrat en alumine .avec leur première section disposée vers le sommet ou dessus. Dans les buts d'adaptation d'impédance, l'électrode d'émetteur du transistor à haute fréquence 82 est connectée a la section conformée à basse impédance 67b de la ligne de transmission 25 composée d'entrée à haute fréquence 67 et l'électrode de collecteur du transistor 82 est connectée à la section à haute impédance 69a de la ligne de transmission composée entre étages 69. En ayant les lignes de transmission composées 67 et 69 disposées en configuration inversée, comme cela a été indiqué précédemment, 30 il est possible d'utiliser des longueurs très courtes pour les conducteurs de coupage ou de connexion des électrodes respectivement d'émetteur et de collecteur du transistor 82: à haute fréquence. L'étage amplificateur à fréquence intermédiaire 60 comprend 35 un transistor 152 monté à l'extérieur de l'enveloppe conductrice 52 et connectée en tant qu'amplificateur à base mise à la masse. Le montage externe du transistor tend à empêcher une interaction 71 09985 2083497 indésirable entre l'étage amplificateur à fréquence intermédiaire et les étages respectivement amplificateur à haute fréquence et mélangeur. Les signaux d'entrée à fréquence intermédiaire sont appliqués à l'électrode d'émetteur du transistor et 5 l'électrode de collecteur est connectée à la borne de sortie à fréquence intermédiaire 64 par un filtre passe-bande à fréquence intermédiaire doublement accordé. Un condensateur de traversée ou de passage 154 réalise un contournement de dérivation à haute fréquence vers la masse ou terre pour l'électrode de 10 base du transistor. Pour rendre minimais les effets de trajets de circuit oscillant parasites à haute fréquence, une perle de ferrite 155 est appliquée à l'électrode de colleçteur du transistor 82. La première section du filtre passe-bande à fréquence 15 intermédiaire doublement accordé comprend un condensateur de passage ou de traversée 156, un organe inducteur ou une bobine d'inductance 158 et un condensateur de passage ou de traversée 160. La. seconde section du filtre passe-bande doublement accordé comprend le condensateur de passage ou de traversée 160, 20 ûn organe inducteur ou une bobine d'inductance 162 et les condensateurs 164 et 166 ; le condensateur 160, commun aux deux filtres, produit le couplage de signaux nécessaire entre,les sections du filtre. Une borne isolante ou analogue 163 constitue un support mécanique de faible capacitance pour la jonction 25 de la bobine d'inductance 162 et du condensateur 164. La charge résistive des filtres (résistances 172, 174 et un câble de signaux de fréquence intermédiaire, non représentés, -connectés à la borne 164 )~ est choisie de façon que la réponse en signal de l'étage amplificateur de fréquence intermédiaire 30 60 soit aplatie dans toute la bande de fréquences intermédiaires désirée. Ceci signifie qu'une amplification égale de tensions électriques formant signaux est réalisée entre les deux extrémités de la bande de fréquence intermédiaires (approximativement de 41 MHz à 46 MHz). La réponse en fréquence intermédiaire conformée 35 ou façonnée, ordinairement associée à des amplificateurs de fréquence intermédiaire de télévision, est obtenue dans des étages ultérieurs de fréquence intermédiaire associés au châssis 71 09984 2083496 doublement accordé. Un condensateur de traversée ou de passage 154 réalise un c.ontournement de dérivation à haute fréquence vers la masse ou terre pour l'électrode de base du transistor. Pour rendre minimals les effets de trajets de circuit oscillant 5 parasites à haute fréquence, une perle de ferrite 155 est appliquée à l'électrode de collecteur du transistor 82. la première section du filtre passe-bande à fréquence intermédiaire doublement accordé comprend un condensateur de passage ou de traversée 156, un organe inducteur ou une bobine 10 d'inductance 158 et un condensateur de passage'ou de traversée 160. la seconde, section du filtre passe-bande doublement accordé comprend le condensateur de passage ou de traversée 160, un organe inducteur ou une bobine d'inductance 162 et les condensateurs 164 et 166; le condensateur 160, 15 commun aux deux filtres, produit le couplage de signaux nécessaire entre les sections du filtre. Une borne isolante ou analogue 163 constitue un support mécanique de faible capacitance pour la jonction de la bobine d'inductance 162 et du condensateur 164. la charge résistive des filtres (résistances 20 172, 174 et un câble de signaux de fréquence intermédiaire, non représentés, connectés à la borne 1.64) est choisie de "façon que la réponse en signal de l'étage amplificateur de fréquence intermédiaire 60 soit aplatie dans toute la bande de fréquences intermédiaire désirée. Ceci signifie qu'une amplification 25 égale de tensions électriques formant signaux est réalisée entre les deux extrémités de la bande de fréquences intermédiaires (approximativement de 41 MHz à 46 MHz). La réponse en fréquence intermédiaire conformée ou façonnée-, ordinairement associée à des amplificateurs de fréquence intermédiaire de 30 télévision, est obtenue dans des étages ultérieurs de fréquence intermédiaire associés au châssis et au dispositif d'accord à très haute fréquence du poste ou appareil récepteur de télévision. Dans ce dernier cas, le dispositif d'accord à très haute fréquence peut être utilisé pour réaliser une 35 amplification supplémentaire du signal de sortie à fréquence intermédiaire du dispositif d'accord à hyperfréquence. Le filtre passe-bande à fréquence intermédiaire transforme /I 09984 2083496 1Timpédance de sortie du transistor amplificateur à fréquence intermédiaire 152 à base mise à la masse ou terre en une grandeur résistive de sortie de 75 ohms à la fréquence centrale de la bande de fréquences intermédiaires ou moyennes., soit 43 MHz. 5 Ceci est réalisé en réglant les noyaux plongeurs d'accord dans les bobines d'inductance 158 et 162 tout en appliquant un signal d'entrée de fréquence intermédiaire à la borne 169 formant point d'essai ou de mesure. Quoique ' la transformation d'impédance, réalisée par le filtre passe-bande, soit dépendante 10 de la fréquence, l'écart de déviation par rapport à 43 MHz vers les extrémités respectivement supérieure et inférieure de la bande de fréquence intermédiaire n'est pas suffisant pour changer de façon importante la nature de l'impédance de sortie à la borne 64. D'une façon spécifique, l'impédance 15 à la fois à l'extrémité supérieure ou haute et à l'extrémité inférieure ou basse; de la bande de fréquence intermédiaire reste une impédance résistive de façon prédominante de 75 ohms. Quand la borne de sortie de fréquence intermédiaire 64 20 du dispositif d-'accord est connectée à l'étage amplificateur de fréquence intermédiaire suivant associé au châssis du poste ou appareil récepteur de télévision par un câble de connexion de 75 ohms, l'impédance, présente à la borne 64, est étroitement adaptée à l'impédance caractéristique du câble et. 25 aucune réflexion ne se produit en retour le long du câble. Il en résulte que toute longueur de câble de connexion peut être employée pour appliquer des signaux entre le dispositif d'accord et le châssis du poste de télévision. La terminaison du câble sur le châssis de l'appareil récepteur de télévision 30 doit de même être aafaxœll •71- 09985 2083497 résonnant accordable 70, est appliquée au circuit résonnant accordable 68 par l'intermédiaire de la bobine d'inductance 106. La jonction 190-est également connectée au circuit résonnant accordable 72 par une résistance 185, une résistance 187 et 5 la bobine de choc, d'arrêt ou de réactance à haute fréquence 188. Trois condensateurs de passage ou de traversée 184, 186 et 183 coopèrent avec les résistances 180 et 185 pour empêcher une énergie de signal.à haute fréquence et d'oscillateur d'être couplée par l'intermédiaire de la ligne d'accord à courant 10 électrique continu entre les divers circuits résonnants accordables et dans-la source de tension électrique d'accord' 175. Avec les valeurs d'éléments composants représentées, une diode à capacitance variable, ayant un domaine de capacitance d'approximativement 13 pP, permettra aux circuits résonnants 15 accordables à haute fréquence 66, 68 et 70 et au circuit résonnant accordable oscillant d'être accordés dans leurs bandes de fréquences respectives. Une diode à capacitance variable appropriée est la diode BA 141 fabriquée par la firme International Téléphoné & Telegraph Corporation. La diode BA 141 20 procure une capacitance variant de 15 pP à 2,3 pF quand la tension électrique d'accord est'réglée entre approximativement 1 et 25 y en courant électrique continu. L'accord des'circuits résonnants accordables (ligne de transmission) peut être compris en se référant aux figures 11 et 25 12 représentant les ondes stationnaires respectivement de tension électrique et d'intensité de courant électrique le long de la ligne'de transmission composée d'entrée à haute fréquence 67 qui est représentée au sommet des figures. Pour accorder la ligne de transmission 67 sur la plus haute fréquence dans la 30 bande des hautes fréquences et des hyperfréquences (figure 11b), une tension électrique est appliquée aux bornes de la diode à capacitance variable 75 de façon qu'elle présente une capacitance prédéterminée. Cette capacitance force la ligne de transmission composée à résonner avec un zéro de tension électrique sur la 35 section de ligne de transmission 67a situé en un point placé entre le centre et l'extrémité côté diode de la section. Un accroissement de la tension électrique aux bornes de 71 09985 2083497 la diode 75 réduit la capacitance de la diode et force la ligne de transmission composée 67 à résonner à une fréquence plus élevée. Le zéro de tension électrique sur la section de ligne de transmission 67a se déplace vers le centre de la section 5 (figure 11a). Une réduction de la tension électrique aux "bornes de la diode 75 augmente la capacitance et force la ligne de transmission composée 67 à résonner à une fréquence inférieure ou plus basse. Le zéro de tension électrique sur la section de ligne de transmission. 67a se déplace vers l'extrémité côté 10 • diode de la section. La quantité de changement de fréquence pour un accroissement de capacitance donné dépend de l'impédance caractéristique de la ligne de transmission qui est une fonction de la largeur de la ligne, de la distance au plan à potentiel de masse et du diélectrique du milieu intermédiaire 15 ou interposé. Quand la tension électrique aux bornes de la diode 75 est réduite davantage en abaissant la fréquence de résonance de la ligne de transmission composée, un point est atteint, approximativement près du milieu de la bande de fréquences désirée (figure 20 11c) où la série de capacitance de diode résonne avec l'inductance de la bobine d'inductance réglable d'adaptation exacte 77 et de la section de ligne de transmission 67b. A ce moment, le zéro de tension électrique sur la section de ligne de transmission 67a est complètement déplacé vers l'extrémité 25 côté diode de la section. Encore une autre réduction de la tension électrique aux bornes de la diode 75 continue à abaisser la fréquence de résonance de la ligne de transmission composée 67 (figures 11d et e). La tension électrique, à l'extrémité côté diode de la 30 section de ligne detransmission 67a, croît et la ligne de transmission composée 67 résonne dans un mode modifié à un quart de longueur d'onde. Le positionnement de la diode à capacitance variable 75' de façon à être éloignée de l'extrémité mise à la masse ou 35 à la terre de la ligne de transmission, composée 67, contribue à maintenir un grand facteur de qualité ou de mérite. Ceci est dû au fait que la diode à capacitance variable 75 est placée 71 09984 25 2083496 Le zéro de tension électrique sur la section de ligne de transmission 67a se déplace vers le centre de la section (figure 11a). Une réduction de la tension électrique aux bornes de la diode 75 augmente la capacitance et force la ligne de 5 transmission composée 67 à résonner à une fréquence inférieure ou plus basse. Le zéro de tension électrique sur la section de ligne de transmission 67a se déplace vers l'extrémité côté' diode de la section. La quantité de changement de fréquence pour un accroissement de capacitance donné dépend de l'impédance 10 caractéristique de la. .ligne de transmission qui est une fonction de la largeur de la ligne, de la distance au plan à potentiel de masse et du diélectrique du milieu intermédiaire ou interposé. Quand la tension électrique aux bornes de la diode 75 est 1 cj réduite davantage en abaissant la fréquence de résonance de la ligne de transmission composée, un point est atteint, approximativement près du milieu de la bande de fréquences désirée (figure 11c) où la série de capacitance de diode résonne avec l'inductance de la bobine d'inductance réglable d'adaptation 20 exacte 77. et de la section de ligne de transmission 67b. A ce moment, le zéro de tension électrique sur.la section de ligne 'de transmission 67a est completemënt déplacé vers l'extrémité côté diode de la section. Encore, une autre réduction de la tension électrique aux 25 bornes de la diode 75 continue à abaisser la fréquence de résonance de la ligné de transmission composée 67 (figures 11d et e). La tension électrique, à l'extrémité côté diode de la section de ligne de transmission 67a, croît et la ligne de transmission composée 67 résonne dans un mode modifié à un j0 quart de longueur d'onde. Le positionnement de la diode à capacitance variable 75' de façon à être éloignée de 1 'extrémité mise à la masse ou à la terre de la ligne de transmission composée 67,contribue à maintenir un grand facteur de qualité ou de mérite. Ceci est 25 dû au fait que la diode à capacitance variable 75 est placée en un point à plus faible intensité de courant électrique en comparaison avec l'extrémité mise à la masse ou terre de la ligne 71 09984 2083496 de transmission composée (figure 12). Il en résulte que les 2 pertes I R (ou par effet - Joule) de la diode sont rendues minimales. À l'extrémité basse ou inférieure de la bande de fréquence?,1a 5 diode d'oscillateur 87 a une polarisation inverse d'approximativement 1,0V.la tension électrique de l'oscillateur, développée aux bornes de la diode, est d'une amplitude suffisante pendant: une portion de chaque cycle pour excéder la polarisation inverse de la diode en provoquant le redressement de la 10 tension électrique d'oscillateur. La tension électrique redressée augmente la polarisation inverse en diminuant la capacitance de la diode 87. Ceci a son tour force le circuit résonnant accordable 72 à être accordé sur une fréquence différente. Aucun redressement ne se produit dans les 15 circuits résonnants accordables à haute fréquence 66, 68 et 70 parce que le signal à haute fréquence et à hyperfréquence dans ces circuits est de l'ordre de quelques millivolts en comparaison avec l'ordre de grandeur d'approximativement 1,0 Y dans le circuit résonnant accordable de l'oscillateur. Pour 20 rendre l'effet de désaccord ou de déréglage minimal, la résistance totale à la masse ou terre,depuis la diode 87 à travers la ligne d'accord à courant électrique continu ou direct et la source de tension électrique d'accord 175, est choisie de façon à être petite en comparaison avec la résistance d'attaque ou de 25 pilotage de l'étage oscillateur. De cette manière, la tension électrique d'accord à la borne 176 prédomine en réglant la tension électrique aux bornes de la diode parce que le courant électrique de diode,s'écoulant à travers la résistance totale, établit une tension électrique.relativement petite 30 qui est insuffisante pour changer appréciablement la.tension électrique moyenne à courant continu aux bornes de la diode. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les moyens 35 constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées selon l'esprit de l'invention. 71 09985 27 2083497 ■ REVEUDICATIOUS 1. Dispositif formant oscillateur du type comportant des moyens pour supprimer une oscillation fugitive, parasite ou pertubatrice à une fréquence supérieure au domaine ou à la gamme de fréquences désiré et comportant : un transistor compor- 5 tant des électrodes respectivement de base, d'émetteur et de collecteur ; une ligne de transmission comprenant une section conductrice allongée disposée sur une plaque porteuse et placée au-dessus d'une région ou surface conductrice-formant plan à potentiel de référence de masse ou de terre sur le côté opposé 10 de ladite plaque, ladite ligne de transmission étant susceptible de subir des résonances parasites,pertubatrices ou fugitives au-dessus de la fréquence de fonctionnement désirée, laquelle fréquence est remarquable par un zéro de tension électrique en un emplacement particulier dans ladite ligne de -transmission ; et 15 un réseau ou circuit de réaction ou de rétro-réaction reliant entre elles lesdites électrodes respectivement de base, de collecteur-et d'émetteur pour supporter ou soutenir l'oscillation à une fréquence déterminée -par ladite ligne de transmission, caractérisé en ce que l'électrode de collecteur dudit transistor 20 est connectée audit emplacement dans ladite ligne de transmission où se produit ledit zéro de tension électrique et ledit réseau ou circuit_de réaction comprend un élément d'impédance connecté depuis l'une desdites électrodés respectivement de base et d-'émetteur dudit transistor audit plan à potentiel de référence 25 de masse en.un point opposé à l'emplacement dudit zéro de tension électrique dans ladite ligne de transmission. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode de collecteur du transistor précité est connectée par un condensateur à l'emplacement précité dans la ligne de 30 transmission précitée où se produit le zéro de tension électrique précité. 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'élément d'impédance précité est un condensateur. 4. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, 35 .caractérisé en ce que la plaque porteuse précitée- est une 71 09985 23 2083497 plaque diélectrique ayant une haute perméabilité. 5. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la plaque porteuse précitée est constituée par un corps composé à base d'oxyde d'aluminium. 5 6. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la portion conductrice allongée précitée de la ligne de transmission précitée comprend deux sections alignées de ligne de transmission, une extrémité d'une section étant connectée électriquement, au plan à potentiel 10 de référence de masse précité. 7. Dispositif selon l'une.des revendications précédentes, caractérisé en ce que la région ou zone conductrice précitée formant plan à potentiel de référence de masse comprend une fenêtre exposant ou découvrant la plaque porteuse diélectrique 15 précitée et une première zone ou région conductrice disposée à l'intérieur dudit plan à potentiel de référence de masse, faisant partie du réseau ou circuit de réaction précité. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé par une seconde région ou surface conductrice disposée à l'intérieur 20 de la fenêtre précitée du plan à potentiel de référence de masse. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que les première, et seconde régions conductrices précitées réalisent une capacitance reliant entre elles les électrodes 25 précitées respectivement d'émetteur et de collecteur du transistor précité. 10. Dispositif selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce qu'il est prévu une troisième région ou zone conductrice disposée sur la plaque porteuse précitée de façon que les 30 première et seconde régions conductrices précitées soient superposées à ladite troisième zone conductrice sur le côté opposé de ladite plaque porteuse, lesdites zones conductrices disposées en regard ou à l'opposé coopérant de façon à réaliser une capacitance connectant l'électrode de collecteur du 35 transistor précité et la section conductrice allongée précitée de la ligne de transmission précitée. 11. Dispositif selon l'une des revendications 8 à 10, 71 09984 29 2083496 8.- Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les dispositifs de réactance précités, réagissant à la tension électrique, sont placés entre leurs première et seconde sections conductrices respectives dans un 5 orifice prévu dans la plaque précitée en matière diélectrique. 9.- Dispositif selon l'une.des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'un organe inducteur ou une bobine d'inductance réglable est connecté en série entre les secondes sections conductrices des première et seconde lignes de transmission 10 précitées et leurs dispositifs de réactance respectifs réagissant à la tension électrique... 10.- Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que la connexion des organes' inductêurs ou bobines d'inductance précités avec un dispositif de réactance respectif réagissant 15 à la tension électrique comprend une patte ou voie de liaison conductrice disposée sur une surface précitée de la"matière diélectrique précitée entre les première et seconde sections conductrices précitées d'une ligne de transmission respective. 20 11.- Dispositif selon la revendication 9 ou 10, caractérisé en ce que l'organe inducteur réglable précité comprend une boucle de métal plat et mince.