Brevet FR2104796A1 — publié le 19720421

L'invention concerne une mémoire pour l'emmagasinage d'information organisée par mots, cette mémoire comportant des éléments de mémoire magnétiques qui sont disposés suivant plusieurs plans de manière identique en rangées et en colonnes, chaque élément de mémoire étant 5 couplé à une première spire d'excitation dont est équipée chaque rangée, à une deuxième spire d'excitation dont est équipée chaque colonne, ainsi qu'à une spire d'interdiction et d'exploration dont est équipé chaque plan, tandis que chaque spire d'exploration est munie d'un amplificateur de lecture raccordé à celle-ci, ces amplificateurs de lecture 10 comportant chacun une borne de commande à laquelle est raccordé un générateur d'exploration aprelé à échantillonner des signaux induits dans les spires d'exploration et muni d'une borne d'entrée pour le démarrage de ce générateur. Les mémoires de ce genre peuvent être utilisées entre autres 15 dans des calculatrices électroniques ainsi que dans des dispositifs de télégraphie. Outre des signaux utiles désirés, les signaux que les éléments de mémoire induisent dans les spires d'exploration pendant la lecture d'information contenue dans la mémoire, comportent également des signaux indésirables. Les signaux utiles proviennent d'éléments de mé-20 moire sélectionnés dont la direction caractérisant l'état de magnétisation e"t inversée. Les signaux indésirables j)roviennent d'éléments de mémoire dans lesquels se produit une faible variation de l'état de magnétisation. Ces signaux indésirables portent le nom de "signaux de bruit delta". Du fait que parmi le nombre total de spins se trouvant dans un 25 élément de mémoire, la direction de magnétisation n'est inversée que pour un petit nombre de spins lorsqu'une faible variation de l'état de magnétisation se produit, l'intervalle de temps dans lequel cette inversion a lieu est plus court que l'intervalle de temps qui est nécessaire pour inverser la direction de magnétisation de tous les spins dans 30 un élément. C'est pourquoi dans le temps, le signal de bruit delta se produit plus tôt que les signaux utiles. Il est ainsi possible de séparer les deux signaux si on procède à un échantillonnage des signaux induits rans le conducteur (spire) d'exploration. Dans un dispositif connu, le générateur d'exploration comporte 35 à cet effet plusieurs bornes d'entrée, connectées aux premières spires d'excitation. L'impulsion de courant de lecture s'écoulant dans une seule des premières spires d'excitation lors de la lecture d'information contenue dans la mémoire, non seulement excite les éléments de mémoire raccordés à cette spire, mais fait démarrer aus:-,i le générateur d'ex-40 ploration. Après un retard fixe déterminé, ce générateur fournit une 71 26872 2 2104796 impulsion d'échantillonnage aux bornes de commande des amplificateurs de lecture. Pendant la. durée de cette impulsion d'échantillonnage, les amplificateurs de lecture, qui sont normalement bloqués, détectent sur leurs bornes d'entrées les signaux. Le retard fixe déterminé du généra-5 teur d'exploration, ce retard définissant l'instant auquel est fournie l'impulsion d'échantillonnage et appelé l'instant d'exploration - doit être choisi de façon que le signal de bruit delta se situe encore tout juste dans ce retard. La durée de l'impulsion d'échantillonnage doit être choisie de façon que le signal utile entier se trouve bien dans la 10 durée de l'impulsion d'échantillonnage, mais que les tensions parasites qui dans les spires d'exploration sont causées par le flanc arrière de la demi-impulsion de courant de lecture dans les spires d'excitation se situent en dehors de ladite durée. Dans des mémoires qui, par plan de mémoire, comportent un grand nombre d'éléments de mémoire, il existe de 15 nombreuses spires d'excitation et d'interdiction couplées aux éléments, et les longueurs de ces spires sont grandes. Il en résulte que la valeur des capacités parasites qui se produisent entre les spires d'un plan et par rapport à la masse est élevée. Le fait de brancher en série des spires d'excitation correspondantes sises dans des plans différents de 20 mémoires organisées par mots, cause des différences de tension entre ces spires. Sous l'effet de ces différences de tension, les capacités parasites existant entre les spires de différents plans subissent une charge électrique. D'une part, les impulsions de courant fournies par les sources de courant lors de la sélection d'un élément de mémoire démarrent 25 directement le générateur d'exploration, alors que d'autre part, lesdites impulsions chargent d'abord les capacités parasites, ce qui va de pair ave£ une longue durée de charge. Ce n'est quTaprès cette durée que les intensités-des courants circulant dans les spires sises à l'endroit de l'élément de mémoire sélectionné deviennent suffisamment élevées pour 30 inverser dans l'élément de mémoire l'état de magnétisation ne correspondant pas au sens de passage du courant. Par rapport à l'instant de démarrage du générateur d'exploration, les signaux qui de ce fait sont induits dans les spires d'exploration, sont, entre autres, décalés dans le temps de cette durée de charge. C'est pourquoi le retard du généra-35 teur d'exploration doit être allongé de cette durée de charge, afin de fournir l'impulsion d'échantillonnage à l'instant exact d'exploration. L'impulsion de courant d'enregistrement, fournie par 1a. source de courant, ayant pris fin, les capacités parasites se déchargent. Cette durée de décharge est longue. Lorsque la lecture d'information est effectuée 40 avant que les capacités parasites se.soient déchargées, l'impulsion de \ 71 26872 3 2104796 courant de lecture décharge d'abord ces capacités avant que celles-ci subissent une charge dans le sens opposé. Cette durée de charge additionnelle est fonction de la durée séparant l'impulsion de courant de lecture et l'impulsion de courant d'enregistrement précédant cette impul-5 sion de lecture. Les différences qui, par les tolérances de production inévitables, sont causées dans les impédances des spires contribuent également à la différence des durées de charge des capacités parasites. Afin de pouvoir lire l'information sans signal de bruit delta, il importe d'une part, qu'après l'impulsion de courant d'enregistrement, la 10 fourniture de l'impulsion de courant de lecture n'ait pas lieu au cours de la durée de charge des capacités parasites, ce qui conduit à ce que la mémoire ne peut fonctionner qu'à une vitesse limitée; d'autre part, il faut que le retard du générateur d'exploration soit choisi de façon à tenir compte des durées de charge et de décharge les plus longues 15 possibles. Toutefois, cette mesure limite la partie utile du signal désiré détecté. Le but de l'invention est de fournir une mémoire rapide appartenant au genre mentionné dans le préambule et permettant d'échantillonner les signaux de sortie de manière plus faible et en l'absence de 2o signaux parasites. La mémoire conforme à l'invention est remarquable en ce qu'elle comporte un plan additionnel qui, de la même façon dont cela est le cas dans les plans précités, comporte des éléments de mémoire magnétiques, disposés en rangées et en colonnes et associés individuellement aux 25 emplacements de mot, ces éléments de mémoire étant couplés à une première spire d'excitation dont est équipée chaque rangée ainsi qu'à une deuxième spire d'excitation dont est équipée chaque colonne, ces spires devant placer dans un état déterminé de rémanence les éléments de mémoire. lors de l'enregistrement et placer lesdits éléments dans l'autre jO état de rémanence lors de la lecture de mots dans les emplacements de mot correspondants, tandis que pour la lecture de cette information, les éléments de mémoire sont couplés à une spire d'exploration qui est raccordée à une borne d'entrée du générateur d'exploration pour fournir à celui-ci des impulsions de démarrage. 35 La description suivante, en regard des dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La fig. 1 représente une mémoire tridimensionnelle connue, organisée par mots. 40 La fig. 2a est un graphique montrant une boucle d'hystérésis. 71 26872 4 2104796 La fig. 2b est un graphique illustrant l'allure des tensions se produisant dans des spires d'exploration auxquelles est couplé un élément de mémoire. La fig. 3 représente une mémoire conforme à l'invention. 5 La fig. 4 illustre la façon dont les' spires d'exploration dans un plan sont couplées aux éléments de mémoire. La fig. 5 est un graphique montrant l'allure des tensions qui se produisent dans des spires d'exploration d'une mémoire conforme à l'invention. 10 Les figures 6a et 6b illustrent une autre façon dont les spires d'exploration dans un plan sont couplées aux éléments de mémoire. La fig. 7 est un graphique montrant l'allure des tensions qui se produisent dans une spire d'exploration d'une mémoire dont les spires d'exploration sont élaborées suivant les figures 6a et 6b. 15 La fig. 8 représente une mémoire dont les spires d'exploration sont élaborées suivant les figures 6a et 6b. Sur la fig. 1, la mémoire organisée par mots, qui répond à la technique connue, comporte 18 plans dont chacun comporte des éléments de mémoire disposés en m rangées et en n colonnes. Parmi ces éléments, 20 la figure ne représente que les éléments G H et G Pour enre- çif3? 1 t '® gistrer de l'information dans ces éléments, chaque élément est muni d'une première spire d'excitation xg.(e=1,2.. .m) dont est équipée chaque rangée, d'une deuxième spire d'excitation y^ (f = 1,2, n) dont est équipée chaque colonne, ainsi que d'une spire d'interdiction z, dont est 25 équipé chaque plan. Pour la lecture de l'information contenue dans ces éléments, on a élaboré par plan une spire d'exploration p ainsi qu'un amplificateur de lecture Y, raccordé à celle-ci. Pour obtenir une mémoire organisée par mots, les premières spires d'excitation correspondantes x des différents plans sont branchées en série, ce qui est également le 30 cas des deuxièmes spires d'excitation correspondantes y des différents plans, alors que par plan, on a monté un interrupteur S^. Pour sélec-• tionner des éléments de mémoire par emplacement de mot, on a utilisé des commutateurs de sélection à l'aide desquels un seul des montages en série dés premières spires d'excitation est raccordé à une source de 35 courant non représentée à travers une borne de connexion 1^, ainsi que des commutateurs de sélection S à l'aide desquels un seul des montages y en série des deuxièmes spires d'excitation est raccordé à une source de courant non représentée à travers une borne de connexion I . En fonction y 40 de l'information à enregistrer dans les emplacements de mot, les interrupteurs Sz_j à sont fermés ou non pour connecter ou non les spires 71 26872 5 2104796 d'interdiction z„ à aux bornes de connexion I à I 10 de sources de 1 1 o Z I ZI o courant non représentées. En référence à la boucle d'hystérésis représentée sur la fig. 2a, on considère ci-après les variations de flux les plus importantes 5 qui se produisent lorsque dans la mémoire a lieu soit l'emmagasinage soit la lecture d'information. Pour ces considérations, on admet que dans le cas où l'élément de mémoire a l'état de rémanence représenté par le point A, il y ait eu emmagasinage d'information indiquée par le symbole "1", et que dans le cas où l'élément de mémoire a l'état de réma-10 nence représenté par le point B, il y ait eu ermagasinage d'information indiquée par le symbole "0". Pour emmagasiner une information "1" dans un élément de mémoire contenant une information "0", la fermeture d'un contact du commutateur de sélection S et d'un contact du commutateur x de sélection S , a comme résultat que l'on envoie à travers chacune des y 15 spires d'excitation couplées à cet élément, un demi-courant d'enregistrement I . Ce courant a comme intensité la moitié de l'intensité qui est S nécessaire pour changer l'état de rémenence B de l'élément de mémoire en état de rémanence A. Le courant total 2Ig auquel cet élément est soumis mettra l'élément de mémoire dans l'état "1". Pendant l'enregistrement, 20 les éléments de mémoire qui sont couplés à une seule des spires d'excitation de l'élément sélectionné et qui ont l'état de rémanence B sous l'influence du demi-courant d'enregistrement I dans ladite spire d'ex-citation du fait que la boucle d'hystérésis n'est pas rectangulaire, acquièrent un autre état de rémanence D, tout en passant par l'état de 25 rémanence H. Cet état de rémanence D est indiqué "0 perturbé". Dans le cas où il y a lieu d'enregistrer dans l'élément sélectionné une information "0", on envoie à travers la spire d'interdiction un courant d'interdiction 1^ qui s'écoule dans le sens opposé à celui du demi-courant d'enregistrement dans les spires d'excitation et qui a la même valeur 30 Que ce d'emi-courant„ Le noyau sélectionné est alors couplé au demi-courant d'enregistrement I sous l'influence duquel cet élément aussi S est placé dans la position "0 perturbé."Les éléments de mémoire qui dans ce cas sont couplés uniauement à la sjire d'interdiction et qui se trouvent dans l'état "1", modifient, r-ous l'influence du courant d'inter-35 diction, leur état de rémanence qui devient celui correspondant au point C qui à partir du point A est atteint par l'intermédiaire du point F, l'état de rémanence C étant indiqué par "1 perturbé". Pendant la lecture, égnlement les éléments de mémoire sélectionnés à moitié et 3e trouvant dans l'état "1", modifient leur état de rémanence qui devient celui cor-40 respondant au point C qui à partir du point A est atteint par l'inter 71 26872 6 2104796 médiaire du point F. Puisque la mémoire est conçue de façon qu'après une lecture d'information., on enregistre d'abord de l'information dans l'élément exploré avant de procéder à une nouvelle lecture, les éléments de mémoire sélectionnés à moitié et ayant l'état de rémanence C modifient 5 leur état de rémanence aui devient celui correspondant au point G qui à partir du point C est atteint par l'intermédiaire du point C'. Par conséquent, outre d'avoir les états de rémanence désirés A et B, les éléments de mémoire peuvent avoir également les états de réma.nence C, D et G. Dans ce qui suit, on décrit les flux qui dans les 10 spires d'exploration induisent des tensions pa.rasites lors de la lecture d'information. Au cours de cette description, on ne considère en détail que les tensions pa.rasites qui se produisent sous l'effet du flanc avant d'une impulsion de courant de lecture. Ces tensions parasites sont illustrées sur la. fig. 2b. Lors de la lecture, un élément de mémoire 15 sélectionné ayant l'état de rémanence D acquiert l'état de rémanence L et cause une variation de flux qui à son tour induit une tension wVz. Un élément de mémoire, couplé à un demi-courant de lecture 11 et se trouvant en position "1 non perturbé", change son état de rémanence A en un état de rémamence F et cause une variation de flux qui à son tour 20 induit une tension vVz dans les spires d'exploration. Dans le cas où l'élément se trouve dans la position "1 perturbé", l'état de rémanence C change en un état de rémanence F qui cause une variation de flux qui à son tour induit une tension r^z, alors que dans le cas où l'élément est dans la position "0 perturbé", la rémanence change de D en E, ce qui 25 cause une variation de flux qui à son tour induit une tension rV o oz dans la spire d'exploration. Un élément de mémoire, en état de rémanence G et couplé à un demi-courant de lecture, modifie l'état de rémanence G en un état de rémanence F, ce qui ca.use une variation de flux Q^ qui à son tour induit une tension dans la spire d'exploration. 30 Un élément de mémoire sélectionné, se trouvant dans la position "1" ou dans la position "1 perturbé", change l'état de rémanence A en état de rémanence B, ou l'état de rémanence C en état de rémanence B, ces changements causant une variation de flux ou qui à son tour induit une tension ou dans la spire d'exploration. Ces tensions 35 V-j et Vr, s'identifient aux signaux désirés. La somme de toutes les tensions parasites qui sont induites dans la spire d'exploration lors de .la. lecture d'un élément de mémoire par les éléments de mémoire sélectionnés à moitié et par l'élément de mémoire sélectionné se trouvant éventuellement dans la position "0 40 perturbé", est appelée le signal de oruit delta. L'amplitude de ce 71 26872 7 2104796 ■bruit delta peut être plus forte que celle du signal désiré. On sait que pour diminuer l'influence du bruit delta, on peut coupler dans un plan positivement par rapport à la spire d'exploration la moitié du nombre d'éléments, et négativement l'autre moitié. Toutefois, cette 5 compensation s'avère insuffisante lorsqu'il s'agit de mémoires plus grandes et en présence de configurations particulières d'information emmagasinée dans les éléments de mémoire. Comme le permet de constater la fig. 2b, le bruit delta se produit plus tôt que le signal désiré. Pour prélever des.signaux désirés 10 exempts de parasites, on a élaboré un générateur d'exploration AG dans la mémoire connue illustrée sur la fig. 1. Ce générateur AG est muni f d'un certain nombre de bornes d'entrée connectées aux premières spires d'excitation. Chacun des amplificateurs de lecture à V^g est muni d'une borne de commande, connectée à la borne de sortie du générateur 15 d'exploration AG qui, aussi longtemps qu'il ne reçoit pas de signal d'entrée, fournit aux bornes de commande des amplificateurs à Vg une tension telle que ceux-ci soient bloqués. Lorsque, pendant la sélection d'un noyau, le demi-courant d'enregistrement Is est dirigé à travers une des premières spires d'excitation, ce courant est fourni également 20 à une des bornes d'entrée du générateur AG. Celui-ci est conçu de façon qu'une impulsion d'échantillonnage soit fournie après un certain retard consécutif à la réception d'un signal d'entrée. Durant l'impulsion d'échantillonnage, celle-ci ouvre les amplificateurs de lecture à V^g et ceux-ci détectent pendant cette durée les signaux induits dans 25 les spires d'exploration p^ à p^. Pour explorer une partie utile aussi grande que possible des signaux voulus, le retard déterminé ainsi que la durée de l'impulsion d'échantillonnage doivent être choisis de façon à ce que du signal désiré, une partie aussi grande que possible exempte de parasites se situe dans l'impulsion d'échantillonnage. L'instant 50 d'exploration, qui est déterminé par le flanc avant de l'impulsion d'échantillonnage, doit à cet effet se produire directement après que l'amplitude des'signaux de bruit delta dans les spires d'exploration p^ à p^g ait diminué jusqu'à une valeur non gênante. La durée de l'impulsion d'échantillonnage doit être telle que les signaux dans les spires 35 d'exploration p^ à p^g soient induits par le flanc arrière de la demi-impulsion de courant de lecture, consécutive à la durée de 1|impulsion d'échantillonnage. La déduction d'une impulsion d'échantillonnage à partir d'une impulsion de courant qui se produit dans une des premières spires d'ex-40 citation x^ à xm convient moins bien lorsqu'il s'agit de mémoires de 71 26872 8 2104796 grandes dimensions et fonctionnant rapidement. Ces mémoires qui comportent de nombreux éléments de mémoire par plan ont de nombreuses spires d'excitation et d'interdiction, en outre longues. De ce fait, entre elles, ces spires présentent de grandes capacités parasites, ce qui est 5 également le cas entre les spires et la masse. A cause du caractère in-ductif des impédances des spires d'interdiction et d'exploration, la tension de sortie de la source de courant présente, pendant le flanc avant de l'impulsion de courant, une amplitude qui est comprise entre le double et le triple de celle de l'impulsion qui se produit pendant 10 "le toit" de l'impulsion de courant. Lors de l'enregistrement et de la lecture d'information, ces opérations ayant lieu alternativement dans ces mémoires, le demi-courant d'enregistrement et le courant d'enregistrement chargent lesdites capacités parasites jusqu'à ladite tension élevée. Du fait du branchement en série des spires d'excitation cor-1tj respondantes sises dans les plans différents, par exemple les plans x^ à Xqig> des différences de tension se produisent également entre ces spires. Sous l'effet de ces différences de tension, les capacités parasites entre les spires subissent une charge électrique. Cette opération nécessite une longue durée de charge. Dans une mémoire utilisée en 20 pratique et comportant 18 plans dont chacun comporte des éléments de mémoire disposés en 128 rangées et en 128 colonnes, ladite durée de charge atteint 200 ns environ. L'intervalle de temps dans lequel, par les éléments de mémoire, le bruit delta est engendré dans les conducteurs d'exploration après que l'amplitude de l'impulsion de courant de 25 lecture et de courant d'enregistrement ait atteint une valeur constante après l'enclenchement, c'est-à-dire après que les capacités parasites se soient chargées, atteint 150 ns environ, comme le permettent de constater les courbes illustrées sur la fig. 2b. Le retard total du générateur d'exploration AG est environ égal à la somme de ces durées, ce qui 30 signifie 350 ns environ. Après la charge des capacités parasites jusqu'à la tension de l'impulsion de tension, engendrée par le flanc avant de l'impulsion de courant, ces capacités ont tendance à se décharger. Pour la sélection des spires d'excitation, celles-ci sont branchées en série avec des 35 diodes. Les diodes des spires non excitées se bloquent pendant la décharge des capacités parasites, de sorte que la durée de décharge est très longue. On sait que cette durée peut être diminuée par l'élaboration de résistances de fuite. La valeur ohmique de celles-ci ne peut pas être trop faible, eu égard au fait que la tension des capacités para-40 sites ne peut pas devenir inférieure à la tension qui se produit pendant 71 26872 9 2104796 le toit de l'impulsion de courant, puisque la source de courant compense alors le courant de décharge, ce qui donne une dissipation additionnelle. C'est pourquoi la curée de décharge des capacités parasites est toujours entre 1,5 et 2 fois la durée de l'impulsion de courant de lecture et de 5 courant d'enregistrement. Le sens dans lequel se déplace l'impulsion de dami-courant d'enregistrement dans les spires d'excitation est opposé au sens dons lequel se déplace l'impulsion de courant de lecture. De ce fait, pendant l'enregistrement, les capacités parasites sont chargées dans le sens opposé à celui dans lequel 1a. charge a lieu lors de la lec-10 ture. Du fait que la durée de décharge est longue, la charge accumulée dans les capacités parasites ne s'est pas encore écoulée lorsque la lecture d'information a lieu directement après l'enregistrement. Cette charge résiduelle doit être évacuée d'abord par l'impulsion de demi-courant de lecture. Ceci nécessite une durée de charge additionnelle. La 15 durée du générateur d'exploration AS est invariable, tandis que la durée de charge additionnelle est fonction de l'intervalle de temps qui s'écoule entre l'enregistrement et la lecture subséquente d'information contenue dans la mémoire, cet intervalle étant arbitraire. Les impédances de câblage à travers lesquelles a lieu la charge des capacités parasites 20 contribuent également â l'établissement des durées de charge. Far suite de tolérances inévitables au cours de la production, ces impédances diffèrent de câblage à câblage. Il s'établit ainsi une dispersion dans les durées de charge des capacités parasites des différentes spires d'excitation. 25 Dans la mémoire connue, les impulsions de démarrage destinées au générateur d'exploration AG sont engendrées uniquement par les courants circulant dans les premières spires d'excitation x. Lorsque dans les deuxièmes spires d'excitation y, les impulsionsde demi-courant d'enregistrement se produisent un peu plus tsrd que celles dans les pre-30 mières spires d'excitation, une partie du bruit delta, causé par les impulsions de demi-courant d'enregistrement dans ces spires, se situe dans l'intervalle de l'impulsion d'échantillonnage. Afin d'explorer rie l'information qui soit exempte de bruit delta, la fourniture de l'impulsion de demi-courant de lecture, consé-35 cutive à l'impulsion de demi-courant d'enregistrement, ne peut avoir lieu que pendant les durées de décharge des' capacités parasites. Ceci diminue considérablement la rapidité de commuta+ion de la mémoire. En outre, le retard du générateur d'exploration AG doit être choisi de façon è tenir compte avec la durée de charge maximale et l'écart de temps 40 maximal susceptible de ^e produire entre les impulsions de courant dans 71 26872 10 2104796 les premières et deuxièmeg spires d'excitation, (spires x et y). Ces mesures ont 11 inconvénient que dans le cas àh les durées de charge sont plus courtes et' l'intervalle de- temps plus petit entre les courants circulant dans les spires d'excitation x et y, ce n'est pas la partie 5 utile entière du signal désiré qui est détectée. Conformément à. l'invention, on a. prévu dans 1a, mémoire un plan additionnel 19 qui, de façon identique dont c'est le cas des pla.ns cités 1 à 18, comporte des éléments de mémoire magnétiques disposés en rangées et en colonnes, associés individuellement aux emplacements de mot, et 10 couplés à une première spire d'excitation dont est équipée chaque rangée, ainsi qu'à une deuxième spire d'excitation dont est équipée chaque colonne, ces spires devant placer dans un même état de rémanence les éléments de mémoire lors de l'enregistrement et placer lesdits éléments dans l'autre état de rémanence lors de la lecture de mots dans- les em-15 placements de mot correspondants, ta.ndis que pour la lecture de cette information, les éléments de mémoire sont couplés à une spire d'exploration p^ qui est raccordée à une borne d'entrée du générateur d'exploration AG0 Sur 1a. fig. 3 qui montre un exemple de réalisa.tion d'un dis-20 positif conforme à. l'invention, pour obtenir des impulsions de démarrage destinées au générateur d'exploration AG, la mémoire a un plan additionnel 19 comportant des éléments de mémoire disposés en rangées et en colonnes, de la même façon dont cela est le cas des plans 1 à 18. Les premières et deuxièmes spires d'excitation de ce plan 19 sont branchées 25 en ^érie avec les premières et deuxièmes spires d'excitation correspondantes des autres plans, de sorte que da.ns le cas où a lieu la sélection des éléments de mémoire d'un emplacement de mot déterminé da.ns les plans 1 à. 18, également l'élément de mémoire a.ssocié à cet emplacement de mot est choisi dans le plan 19. Les éléments de mémoire de ce plan 19 sont 30 couplés également à une spire d'exploration p1n. Le générateur d'ex-nlo- I y ration AG qui dans ce cas ne comporte qu'une seule entrée, est connecté à cette spire d'exploration p^^ qui. fournit ainsi à ce générateur les impulsions de démarrage nécessaires:. L'absence d'un fil d'interdiction a comme résultat que pendant l'enregistrement d'un mot dans un emplace-35 ment de mot de la mémoire, l'éléme.at de mémoire associé à cet emplacement de mot dans le plan 1.9 est toujours placé dans l'état "1 non perturbé", et pendant 1a. lecture dans l'état "0". Au cours de la lecture d'un mot, un élément de mémoire sélectionné à moitié et se trouvant dans l'état. "1:"',. esA placé dans l*état "1 perturbé". Avant la lecture d'infor-4Q: mation, 1'état des éléments de mémoire dans le plan additionnel corre- 71 26072 " 2104796 spond uniquement à des "1" perturbés ou non, du fait que dans le cas où l'on procède à la lecture d'information d'un emplacement de mot, il se produit d'abord un enregistrement d'information dans cet emplacement avant de procéder à une nouvelle lecture d'information. Tout comme c'est 5 le cas des spires d'exploration p^ à P^q, également la spire d'exploration p^ est élaborée de façon qu'à celle-ci, une moitié des éléments de mémoire soit couplée positivement, et l'autre moitié négativement. Du fait que les éléments de mémoire dans le plan 19 se trouvent dans l'état "1" ou dans l'état "1 perturbé", les tensions parasites fournies 10 Par les éléments de mémoire se compensent pratiquement lors de la lecture d'information contenue dans la mémoire. Pendant la lecture, l'élément de mémoire sélectionné appartenant au plan additionnel 19 est amené dans l'état "0" et induit dans la spire d'exploration p^ un signal désiré pratiquement exempt de bruit delta. Ce signal est fourni au générateur 15 d'exploration AG. Dès que l'amplitude dudit signal exempt de parasites dépasse une valeur de seuil indiquée par Dr sur la fig. 2b, le générateur d'exploration AG est mis en action. Les signaux désirés induits dans les spires d'exploration p^ à pendant la lecture d'un mot se produisent quasi simultanément. L'instant du démarrage du générateur 20 d'exploration AG sous l'effet de l'impulsion induite dans la spire d'exploration p^ coïncide ainsi avec l'instant de l'apparition des signaux désirés dans les spires-p^ à p^g.'La fig. 2b permet de rendre compte que l'amplitude des signaux de bruit delta dans les spires p^ à p^Q a diminué jusqu'à un niveau négligeable après une durée d'environ 150 ns consé-25 cutive à l'instant auquel le signal dans la spire d'exploration p^ a dépassé la valeur de seuil Dr. Le générateur d'exploration AG illustré sur la fig. 3 comporte un dispositif établissant un retard d'environ 150 ns. Après ce retard, le générateur AG débite une impulsion d'échantillonnage de durée suffisante aux bornes de commande des amplificateurs 30 de lecture à T^, qui fonctionnent de la façon déjà décrite. La partie d'un signal désiré, induite dans la spire d'exploration après le bruit delta, se trouve, grâce aux mesures préconisées, entièrement dans la durée de l'impulsion d'échantillonnage et est indépendante des durées de charge et de décharge des capacités parasites. De cette façon, la 35 lecture d'information peut avoir lieu immédiatement après l'enregistrement de l'information. La durée de la décharge des capacités parasites sous l'effet de l'impul-sion de courant de lecture se fait de nombreuses fois plus rapidement que la décharge à travers les résistances de fuite, de sorte que, grâce à l'élaboration du plan additionnel, la mémoire peut 40 fonctionner beaucoup plus rapidement. 71 26872 12 2104796 Les inconvénients avec lesquels on est confronté par suite des écarts qui dans les durées de charge sont causés par les tolérances inévitables lors de la fabrication des spires d'excitation, sont compensés également du fait que l'apparition simultanée des signaux désirés 5 dans les spires d'excitation p^ à p.^ est indépendante de cette durée de charge et de décharge. De la même façon, un écart d'intervalle éventuel entre l'apparition des impulsions de courant dans les premières et deuxièmes spires d'excitation n'exerce aucune influence, puisque les signaux désirés dans les spires d'exploration p^ â P^g» ainsi que le 10 signal désiré dans la spire d'exploration p^ sont engendrés par la valeur de courant obtenue par l'addition des courants de lecture s'écoulant dans les premières et deuxièmes spires d'excitation. Lorsque les mémoires sont très grandes, le temps de transit des signaux induits dans la spire d'exploration p^ influence fortement 15 l'instant auquel se produit l'impulsion d'échantillonnage. Ceci est expliqué plus en détail en référence au schéma de câblage illustré sur la fig. 4 et se rapportant aux spires d'exploration sises dans un plan de la mémoire, ainsi qu'en référence au graphique constituant la fig. 5. Four la simplicité de la fig. 4, on a représenté comme exemple un 20 plan de mémoire comportant des éléments de mémoire disposés en 8 rangées et en 8 colonnes. La spire d'exploration B est couplée à la moitié du B. nombre d'éléments de mémoire, la spire d'exploration étant couplée à l'autre moitié. Ces spires P et P ont été élaborées de manière 8, D identique dans le plan. Les temps de transit, établis dans ces spires, 25 sont décrits plus en détail en référence à la spire d'exploration P .- €L Mesurées suivant la longueur de la spire P , les distances entre celle-ci 8> d'une part et la borne de connexion et la borne de connexion kg d'autre part sont égales. Près de la borne k^, l'élément de mémoire GB est couplé à la spire d'exploration P&. line impulsion de tension désirée, 30 induite par l'élément de mémoire GA lors de la lecture d'information dans la spire P , se propage pour la moitié le long de ladite spire vers 8f la borne de connexion k^ et pour l'autre moitié vers la borne de connexion kg. Un temps de transit'Y , consécutif à l'induction de l'impulsion de tension dans la spire d'exploration, cette impulsion existe entre 35 les bornes k^ et kg. Une moitié d'impulsion de tension désirée par l'élément de mémoire GB lors de la lecture de l'information dans la spire d'exploration existe directement sur la borne de connexion k^, alors qu'après un temps de transit 2/>L, l'autre moitié existe sur la borne de connexion kg. La tension entre les bornes k^ et kg est formée par la 40 somme des tensions s'identifiant à ces deux impulsions dont une existe 71 26872 15 2104796 un intervalle de temps ■*£. plus tôt entre les bornes et kg par rapport à la tension d'impulsion désirée provenant de l'élément de mémoire GA, l'autre impulsion apraraissant un temps de transit"^ plus tard. La somme des deux impulsions de tension provenant de l'élément de mémoire 5 GB comporte de ce fait un nombre d'harmoniques de rang élevé plus grand que le nombre d'harmoniques des deux impulsions de tension provenant de l'élément de mémoire GA. Les harmoniques de rang élevé sont fortement amortis par la grande capacité parasite et par l'impédance des spires d'exploration, fermées par un enroulement de transformateur non repré-10 senté entre les bornes et kg. L'amplitude de l'impulsion de tension provenant de l'élément de mémoire GB est de ce fait plus petite que celle de l'impulsion provenant de l'élément de mémoire GA. La fig» 5 montre l'allure des tensions mesurées dans une mémoire utilisée en pratique et comportant 19 plans qui chacun portent des 15 éléments de mémoire disposés en 128 rangées et en 128 colonnes.'Les spires d'exploration p& et p^ de cette mémoire sont élaborées de la même façon que les spires p& et ^ illustrées sur la fig. 4» alors que dans les plans 1 à 18, elles sont raccordées à des amplificateurs de lecture Va et et dans le plan 19 aux générateurs d'exploration AG& et AG^. 20 Les éléments de mémoire, couplés à la spire d'exploration p de la même 8. façon dont cela était le cas de 1a. spire Pa couplée aux éléments de mémoire GA et GB illustrés sur la fig. 4, sont indiqués par Ga et Gb. Sur la fig. 5, la courbe FGa donne l'allure de la tension désirée induite par l'élément GA et mesurée entre les bornes de sortie K^ et Kg d'une 25 spire d'exploration p . Un temps de transit "X i, consécutif à son in- Si ' I duction dans la spire d'exploration p&, ladite tension existe" entre les bornes et Kg. Sur la fig. 5» la courbe KGb montre l'allure de la tension désirée induite par l'élément de mémoire Gb et mesurée entre les bornes de sortie K^ et Kg. 30 Lors de la lecture d'information, le bruit delta que l'on mesure entre les bornes K1 et K„ d'une spire d'exploration p est fonc- I c. SL tion de l'état de magnétisation des éléments de mémoire couplés a.ux spires d'excitation de l'élément de mémoire sélectionné. Ces états de magnétisation sont définis p:.r les états antérieurs des éléments. Sur 35 la fig. 5, la courbe V .A donne l'allure du signal de bruit delta, mesuré entre les bornes de connexion K1 et K0 de la srdre d'exploration p . I c. Si Les élémeats de mémoire, couplés à une des srires d'excitation de l'élément de mémoire sélectionné contiennent une information telle que les signaux de bruit delta, -m,-:endrés distinctement par les éléments, s'am-40 plifient l'un l'autre. Le générateur d'exploration AGa a une valeur de 71 26872 U 2104796 seuil qui sur 1a. fig. 5 est indiquée par la ligne Dr. Lorsque l'impulsion de tension EGb se produit dans la spire d'exploration du plan additionnel 19» cette impulsion dépasse ladite valeur de seuil à l'instant t^ et fait démarrer le générateur d'exploration AGa. Les signaux 5 de bruit delta VA se produisa.nt dans les spires d'exploration des plans 1 à 18 ont subi, à l'instant t^, un amortissement ramenant les amplitudes de ces signaux à un niveau correspondant à la. valeur de seuil Dr. Le signal de bruit delta se produisant a/près cet instant est trop faible pour pouvoir être détecté. Audit instant t^, le générateur d'ex-10 ploration AGa est à même de fournir une impulsion d'échantillonnage aux amplificateurs de lecture V.j à V-|ga* Pour explorer, sans bruit delta, les signaux désirés, le retard établi par le générateur AGa et correspondant à ladite impulsion d'échantillonnage est minimal et égal à ^ 2 = t4 " V L' intervalle durant lequel, après l'instant t^, l'a.mpli-15 tude du signal désiré est supérieure à la valeur de seuil Dr, est indiqué par tr. Lorsque l'impulsion de tension KGa se produit dans la spire d'exploration p du plan 19» elle fait démarrer à l'instant t„ le 3/ c. générateur d'exploration AGa. A l'instant t,-, c'est-â-dire un retard X.g consécutif à l'instant le générateur d'exploration fournit l'impul-2o sion d'échantillonnage aux entrées de commande des amplificateurs de lecture à V-jga» De ce fait, des signaux désirés provenant des éléments de mémoire situés dans les plans"1 à 18, uniquement les parties de signaux, induites après l'instant t^ dans les spires d'exploration, sont détectées par les amplificateurs de lecture à ï,„ , Sur la 1a 18a 25 fig. 5» la durée pendant laquelle l'amplitude d'un signal, provenant d'un élément de mémoire Ga contenant l'information "1", est plus grande que la valeur de seuil Dr, est indiquée par tr'. Cette durée tr' est beaucoup plus petite que l'intervalle tr. Les parties des signaux désirés, situées dans la durée de l'impulsion d'échantillonnage et supé-30 rieures à la valeur de seuil, sont fortement fonction de l'emplacement de mémoire où a lieu la lecture d'information. La. mémoire conforme à l'invention obvie à cet inconvénient du fait que les spires d'exploration sont élaborées de la. façon illustrée sur les figures 6a et 6b. 35 Sur 1a. fig. 6a, qui se ra.pporte à une mémoire comportant 19 plans, on a. représenté des spires d'exploration d'un seul des plans 1 à 18, ce plan comportant, à titre d'exemple, des éléments de mémoire magnétiques disposés eh 8 ra.ngées et en 8 colonnes. Dans ce plan, on a placé quatre spires d'exploration parmi lesquelles on a représenté les 40 spires p ' et p La spire p ' est couplée à la moitié des éléments de cL 3, a, 71 26872 15 2104796 mémoire situés dans les premier et troisième quadrants du plan, alors que la spire pa" est couplée â la moitié des éléments de mémoire situés dans les deuxième et quatrième quadrants. Les éléments de mémoire couplés à ces spires d'exploration sont pour la moitié couplés positivement 5 à ces spires, et pour l'autre moitié négativement. Lorsqu'on procède à la lecture d'information contenue dans • l'élément de mémoire GA situé dans un des plans 1 à 18, uniquement du bruit delta qui provient des éléments de mémoire sélectionnés â moitié situés dans le troisième quadrant de ce plan, est induit dans les spires 10 d'exploration p ' de ce plan. Pour la moitié, ce bruit delta se déplace vers la borne de sortie 1 par l'intermédiaire d'un côté de la spire d'exploration Pa'» et pour l'autre moitié vers la borne de sortie kg', par l'intermédiaire de l'autre coté de ladite spire p '. La durée de Q» transit de ces signaux dans la spire d'exploration est égale à ^ environ, 15 de sorte que la tension s'identifiant au bruit delta reste présente environ pendant cette durée /\, après être introduite dans la spire p ' entre les bornes de connexion k^' et Kg'. Lors de la lecture d'information contenue dans l'élément de mémoire GB, uniquement des signaux de bruit delta, provenant d'éléments 20 de mémoire sélectionnés en moitié qui, tout comme l'élément GB, se trouvent dans le premier quadrant, sont induits dans les spires d'exploration p '. Sr Directement après être induite dans la spire d'exploration Pa', la moitié du signal de bruit delta apparaît sur la borne k^'. A 25 travers la partie de la spire d'exploration P&'» située dans le troisième quadrant du plan, l'autre, moitié dudit signal de bruit delta se déplace vers la'jborne k'g sur laquelle elle apparaît après un intervalle 2 ^ , consécutif à l'induction dans la spire Pa'« Sur la fig. 7» on a montré.1'allure de tensions qui ont été mesurées dans une mémoire utili-50 sée en pratique et comportant 19 plans, chaque plan comportant des éléments de mémoire disposés en 128 rangées et en 128 colonnes. La spire p 1 a été élaborée de la même façon que la spire p&',illustrée sur la fig. 6a. Les éléments de mémoire couplés à la spire p ' de la même façon O. que les éléments de mémoire GA et GB illustrés sur la fig. 6a et connec- 35 tés à la spire d'exploration Pa'» on"fc été indiqués par les symboles Ga et Gb. Sur la fig. 7» courbe Ka montre l'allure de la tension de bruit delta, mesurée entre les bornes de connexion K'^ et de la spire d'exploration p ' et se produisant lors de la sélection de l'élé- Si ment de mémoire Ga. Entre lesdites bornes, cette tension apparaît à 40 l'instant t^, se produisant plus tard que l'instant d'induction de la 71 26872 16 2104796 tension dans la spire d'exploration. De la même façon, la courbe Kb sur la fig. 7 donne l'allure de la tension de bruit delta, mesurée entre les bornes de connexion K'^ et K'g et apparaissant lors de la sélection de l'élément de mémoire Gb. L'information emmagasinée alors dans les 5 éléments de mémoire est choisie de façon que tous les signaux de bruit delta induits dans la spire d'exploration p' s'amplifient mutuellement. EL La fig. 7 permet de se rendre compte qu'à l'instant t^, le niveau du bruit delta qui apparaît lors de la sélection d'éléments de mémoire sélectionnés simultanément avec l'élément de mémoire Ga est déjà 10 devenu inférieur â la valeur de seuil Dr du générateur ÀG. Lorsque des éléments de mémoire sont sélectionnés simultanément avec l'élément de mémoire Gb, le niveau du signal de bruit delta est devenu inférieur à la valeur de seuil Dr à l'instant t^ se produisant plus tard que l'instant tj. 15 L'intervalle de temps situé entre l'instant t^ illustré sur la fig. 7 et l'instant t^ illustré sur la fig. 5 peut etre mis à profit comme durée de détection additionnelle de signaux désirés induits dans les spires d'exploration et provenant d'éléments de mémoire sélectionnés simultanément avec l'élément de mémoire Ga. A cet effet, les spires 20 d'exploration P' et P" , illustrées sur la fig. 6b et appartenant au 8> €t plan additionnel 19» traversent les éléments de mémoire dans la direction opposée par rapport à celle respectée pour les spires d'exploration des autres plans 1 à 18 dont un seul a été représenté sur la fig. 6a. Les avantages inhérents à ce mode de placement des spires P' et a 25 P"a dans le plan additionnel 19 est expliqué ci-après en référence à une mémoire utilisée en pratique et illustrée sur la fig. 8, ainsi qu'en référence au graphique constituant la fig. 7» La fig. 8 est un schéma simplifié d'une mémoire conforme à l'invention. Dans les plans 1 à 19, les spires d'exploration associées 30 à °es plans ont été élaborées de façon que la moitié des éléments de mémoire, situés dans les premier et -troisième quadrants des plans sont couplés aux spires d'exploration p' , que l'autre moitié des éléments de mémoire, situés dans les deuxième et quatrième quadrants des plans, sont couplés aux spires d'exploration p" . Les bornes de sortie K1., et K'„ 8» - » 2. 35 des spires d'exploration p' des plans 1 à 18 sont raccordées à des premiers amplificateurs de lecture V' à V'iQ . Les bornes de sortie I S. I oQ» K"^ et K'^ des spires d'exploration p"a des plans 1 à 18 sont raccordées à des deuxièmes amplificateurs de lecture V" à V" Q . Les spires I Q» I 081 Pl^a' e^ 1*19a" "traversent les éléments de mémoire dans la direction 40 opposée â celle respectée peur les éléments situés dans les autres plans 71 26872 n 2104796 et sont raccordées aux bornes d'entrée des générateurs d'exploration AG ' et AG La borne de sortie du générateur AG ' est raccordée aux S EL fi bornes de commande des amnlificateurs V.. ' à V.. _ 1 , alors que la borne 1a 18a de sortie du générateur AG '' est raccordée aux bornes de commande des cl c amplificateurs V. " à V10 *3ur la fig. 7, la courbe KG 1 montre l'ai- ! Si I oQ. Si lure de la tension fournie aux bornes de connexion du générateur AG ' S. lors de la sélection de l'élément de mémoire Ga' du plan additionnel 19, tandis que la courbe Kgb' montre l'allure de la tension fournie au générateur AG ' lors de la sélection de l'élément de mémoire Gb' du plan a 10 additionnel 19» La mémoire illustrée sur la fig. 8 fonctionne comme suit. Lors de la lecture d'information continue dans les éléments de mémoire Ga des plans 1 à 18, on procède simultanément à la lecture de l'information de l'élément Gb' dans le plan 19, alors qu'à l'instant t., le générateur d'exploration AG ' est démarré par le signal KGb' 1 cL 15 induit par l'élément Gb ' dans la spire d'exploration (Voir 1a. fig. 7). A l'instant t^, la tension de bruit delta qui au cours de cette sélection s'est produite dans les spires d'exploration p ' des plans Si. 1 à 18 a acquis une valeur inférieure à la valeur de seuil Dr. De ce fait, le retard fixe établi par le générateur d'exploration AG ' ne doit 0. 20 être égal qu'à 1 ' intervalle ^ = t^ - t^ . Après l'instant t^, les bornes .de commande des anplificateurs de lecture V1 ' à ï, ' reçoivent I 3. I oâ l'impulsion d'échantillonnage dont la. durée est égale à t ". Lors de la lecture d'information continue dans les éléments de mémoire Gb des plans 1 à 18, on procède simultanément à la lecture de l'information de l'é-25 lément Ga1 du plan 19» alors qu'à l'instant est démarré le générateur d'exploration AG '. Après un retard "ï ,.ce générateur AG ' fournit ® J 8. l'impulsion d'échantillonnage nui commence à l'instant t^, c'est-à-dire l'instant correspondent à t^ + \ ^. Cet instant d'exploration correspond à l'instant auquel la tension 4 bornes ce commande s amli^icateurs de lecture V„ ' à V,. ' reçoivent 1a 18a T l'impulsion ' échar.ti lion .b,'. , 'ont lr ■ urée est le à tr". Le fig. 7 -..ormet de ~o rendre co;:ipte oue les r ar* i'îs des signaux désirés, fournies 35 î ar len éléments -!e mémoire se trouvant 'ans le;; plans 1 à 18 et sélectionnés simultanément avec les élé.nents te mémoire Ga ' et Gb' du plan 19, situées dans l'impulsion d'échantillonnage, son' égales en curée. De ce fait, on a. ootenu que les amplitudes ::es signaux détectés provenant de'; éléments de mémoire comportant l'information "1" sont égales 40 jour tous les éléments Je mémoire, incé; -nd^mment de l'emplacement que 71 26872 " 2104796 ceux-ci occupent dans les plans et que ces signaux sont explorés de manière optimale et sans bruit. 71 26872 19 2104796 REVEJTOICATIOffSt 1. Mémoire pour l'emmagasinage d'information organisée par mots, cette mémoire comportant des éléments de mémoire magnétiques qui, suivant plusieurs plans, sont disposés de manière identique, en rangées et 5 en colonnes, chaque élément de mémoire étant couplé â une première spire d'excitation dont est équipée chaque rangée, à une deuxième spire d'excitation dont est équipée chaque colonne, ainsi qu'à une spire d'interdiction et d'exploration dont est équipé chaque plan, tandis aue chaque spire d'exploration est munie d'un amplificateur de lecture raccordé à 10 celle-ci, ces amplificateurs de lecture comportant chacun une borne de commande à laquelle est raccordé un générateur H'exploration appelé à f échantillonner des signaux induits dans les spires dTexploration et muni-d'une borne d'entrée pour le démarrage de ce générateur, caractérisée en ce que la mémoire comporte un plan additionnel qui, de la même façon 1j dont cela est le cas dans les plans précités, comporte des éléments de mémoire magnétiques, disposés en rangées et en colonnes et associés individuellement aux emplacements de mot, ces éléments de mémoire étant couplés à une première spire d'excitation dont est équipée chaque rangée ainsi qu'à une deuxième spire d'excitation dont est équipée chaque 20 colonne, ces spires devant placer dans un état déterminé de rémanence les éléments de mémoire lors de l'enregistrement et placer lesdits éléments dans l'autre é"Éat de rémanence lors de la lecture de mots dans les emplacements de mot correspondants, tandis que pour la lecture de cette information, les éléments de mémoire sont couplés à une spire 25 d'exploration qui est raccordée à une borne d'entrée du générateur d'exploration pour fournir à celui-ci des impulsions de démarrage. 2. Mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que par plan, on a élaboré deux spires d'exploration dont une est couplée aux éléments de mémoire situés dans les .premier et troisième quadrants du 30 plan et est raccordée à un premier amplificateur de lecture dont est équipé chaque plan, alors que l'autre spire est couplée aux éléments de mémoire situés dans les deuxième et quatrième quadrants du plan et est raccordée à un deuxième amplificateur de lecture dont est équipé chaque plan, alors que les spires d'exploration du plan additionnel traversent 35 les éléments de mémoire dans la diredtion opposée à celle respectée pour les spires d'exploration des autres plans, tandis que la spire d'exploration couplée aux éléments de mémoire situés dans les premier et troisième quadrants du plan additionnel est raccordée à un premier générateur d'exploration dont une borne de sortie est raccordée aux bornes de 40 commande des premiers amplificateurs de ledture, et que la spire 71 26872 20 2104796 d'exploration couplée aux éléments de mémoire situés dans les deuxième et quatrième quadrants du plan additionnel est raccordée à un deuxième générateur d'exploration dont une borne de sortie est raccordée aux bornes de commande des deuxièmes amplificateurs de lecture.