Brevet FR2019285A1 — publié le 19700703

i 2019285 La présente invention se rapporte, d'une manière-générale, aux oscillateurs à hyperfréquence et, plus particulièrement, à une diode à avalanche présentant des caractéristiques de fonctionnement améliorées. Les diodes à avalanches qui sont actuellement utilisées 5 pour la production d'énergie hyperfréquence sont normalement formées par croissance d'une couche épitaxiale du type n (N-) légèrement dopée sur un substrat du type n (N+) fortement dopé. Puis on diffuse une région du type p (P+) fortement dopée dans la couche épitaxiale N-. On obtient ainsi une structure caracté-10 ristique à trois régions dans laquelle les régions P+ et N- forment une jonction PN et dans laquelle la région N- forme une région de déplacement des porteurs dont le temps de transit détermine la fréquence centrale d'oscillation de la bande. La largeur et le niveau de dopage de la région N- sont choisis tels que cet-15 te région soit appauvrie avant l'instant où le déclenchement de l'effet d'avalanche se produit à travers la jonction PN lorsque celle-ci est soumise à une polarisation inverse. ue niveau u. xmpui"coco ue x Les diodes à avalanche utilisées jusqu'à présent, étaient fabriquées d'une manière classique en utilisant au moins une opération principale de diffusion. Par suite, dans' ces diodes de la technique antérieure, la région N- est partiellement dopée par diffusion vers l'extérieur à partir du substrat N+ fortement dopé pendant l'opération de diffusion. La région P+ est celle qui est généralement formée par diffusion, opération qui s'effectue gé- 20 ?5 30 35 BAD ORIGINAL 69 20070 ? 2019285 néralement à une température de 1?00°C maintenue pendant plusieurs heures de façon à assurer les niveaux de dopage élevés nécessaires et la faible profondeur -de pénétration voulue. En conséquence, un appauvrissement complet de la région N- non 5 uniforme ne peut être obtenu qu'avec des tensions de polarisation inverse relativement élevées. Cette augmentation de la tension nécessaire se traduit par une moindre efficacité. Il y a une dizaine d'années, Read a proposé une diode à ava lanche à quatre couches qui comprenait une jonction redresseuse 10 formée par une région du type £ fortement dopée et une région du type n légèrement dopée, Dans cette diode, la région N-est très mince et une région de déplacement intrinsèque est interposée entre la région N- et une région du type h fortement dopée où les porteurs groupés sont recueillis pour former la ré-15 gion de déplacement des porteurs nécessaire pour commander la fré ' quence d'oscillation. Dans ce type de dispositif, l'avalanche est limitée à la très mince région N-. La variation du champ est très abrupte dans la région N-, mais il reste sensiblement constant sur toute l'étendue de la région intrinsèque. Ceci réduit théori-20 quement la tension nécessaire pour assurer le fonctionnement à un niveau d'intensité de courant donné, ce qui améliore l'efficacité. Toutefois, les avantages théoriques de ce type de diode n'ont jamais été transposés dans la pratique, principalement en dopée raison de la très mince région du type n fortemenL/néoessaire 25 et de la dégradation de la région intrinsèque par suite de la diffusion vers l'extérieur à partir du substrat du type n fortement dopé. L'invention vise particulièrement des diodes qui peuvent être utiliséës comme générateurs d'énergie hyperfréquence, comme 30 amplificateurs de réflexion à résistance négative linéaire, comme oscillateurs à modulation de fréquence et de phase sous forme d'oscillateurs bloqués par injection, comme sources de bruit à large bande passante, comme diodes PIN pour la commutation, le mélange et autres applications des hyperfréquences, et pour des 35 applications analogues. L'invention vise un dispositif semi-conducteur comportant deux régions fortement dopées de, types de conductibilité opposés séparées par une mince région d'appauvrissement formée d'une ou plusieurs couches uniformément dopées. Chacune des trois régions 40 est dopée de façon sensiblement uniforme au voisinage immédiat de la limite de la région et définit ainsi des jonctions parfai- BAD 69 20070 3 2019285 tement verticales entre les régions adjacentes, au moins dans les limites des possibilités de mesure dont dispose actuellement la demanderesse. Dans un mode de réalisation particulier, le dispositif est 5 une diode à avalanche et la mince région d'appauvrissement est légèrement dopée et forme une jonction PN avec l'une des régions fortement dopées. L'épaisseur et la résistivité de la région d'appauvrissement sont choisies de manière à produire des oscillations à la fréquence désirée lorsque la diode est soumise à une 10 polarisation inverse jusqu'au niveau d'avalanche. Dans un autre mode de réalisation particulier de l'invention, le dispositif est une diode à avalanche dans laquelle la mince région appauvrie est formée de deux couches dont l'une est légèrement dopée pour former une jonction PN avec la région for-15 tement dopée adjacente et dont l'autre est soit du même type de conductibilité et très légèrement dopée, soit voisine de l'état intrinsèque. L'épaisseur combinée des deux couches est telle qu'elle assure des oscillations à la fréquence désirée. Conformément au procédé suivant l'invention, ces dispositifs 20 sont fabriqués en formant successivement au moins deux couches épitaxiales très minces, dopées chacune au niveau désiré, sur un substrat fortement dopé. Ces couches très minces peuvent être formées par croissance épitaxiale à une température suffisamment basse et en une période de temps suffisamment courte pour qu'au-?5 cune diffusion décelable ne se produise entre le substrat fortement dopé et les régions adjacentes. On obtient ainsi des régions uniformément dopées qui forment des jonctions pratiquement verticales aux interfaces. Lè substrat et les couches épitaxiales sont ensuite séparés par une opération combinée de corrosion chi-30 mique et de rodage pour produite des dispositifs séparés. D'autres caractéristiques de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre. Aux dessins annexés donnés uniquement à titre d'exemple : -la Fig. 1 est une vue en coupe fortement agrandie d'une 35 diode suivant 1'invention ; la Fig. P représente une courbe du champ électrique aux bornes de la diode de la Fig. 1 lorsqu'elle est soumise à une polarisation inverse ; les Fig. 3 à 11 sont des vues en coupe mettant en évidence 40 le procédé suivant de fabrication de la diode de la Fig. 1 sui 20070 4 2019285 vant l'invention ; la Fig. 1? est une vue en coupe d'une autre diode suivant I ' invention, .et la Fig. 13 représente une courbe du champ électrique aux bornes de la diode de la Fig. 1? lorsqu'elle est soumise à une polarisation inverse. En se référant maintenant aux dessins, une d iode à avalanche construite suivant l'invention est désignée dans son ensembl par la référence générale 10 sur la Fig. 1. La diode 10 comprend une région 12 du type n (N+) fortement dopée et deux très mincee régions épitaxiales 14 et 16. La région épitaxiale 14 est en une matière du type n (N-) très légèrement dopée. La région épitaxiale 16 est en une matière du type p (P+) fortement dopée. II est nécessaire d'exagérer fortement l'épaisseur des couches épitaxiales 14 et 16 sur les dessins qui ne sont pas à l'échelle Un premier contact métallisé est formé sur la couche épitaxiale 16 par une couhe de titane 18 et une couche d'or 20. La cou che de titane 18 a généralement une épaisseur de l'ordre de 0,125 microns et la couche d'or 20 a généralement une épaisseur de l'ordre de 0,5 microns. Un second contact est formé sur la région 12 par une couche' de titane 22 et une couche ,d'or 24 qui peuvent avoir sensiblement les mêmes épaisseurs que les couches 18 et 20. La couche d'or 20 est liée par ultra -sons à une couche-d'or 26, sur un dissipateur de chaleur en cuivre 28. Un fil conducteur en or j50 est lié par thermo-compression à la couche d'o:" 24 du contact supérieur. 611 La région 12 peut être silicium fortement dopé à l'antimoine et peut représenter une résistivité comprise entre environ 0,007 et 0,009 ohm-centimètre. La couche épitaxiale N- 14 a un niveau de dopage très bas de sorte qu'elle est complètement appauvrie à la tension de fonctionnement désirée et son épaisseur est choisie de manière à assurer la fréquence d'oscillation désirée, tandis que sa résistivité est choisie de manière à assurer la distribution de cham]5 électrique voulue. Aux hyperfréquences, l'épaisseur de la couche N- 14 peut varier d'environ 9 microns jusqu'à une fraction de micron. La couche épitaxiale P+ 16 est fortement dopée au bore-et est maintenue aussi mince que possi 69 20070 5 2019285 ble afin de réduire la période de dépôt et la longueur du parcours thermique entre la jonction des couches 14 et 16 et le dissipateur de chaleur en cuivre 28. Chacune des couches épitaxiales est uniformément dopée sur 5 toute son étendue. Dans un mode de réalisation pratique, par exemple la région N+ est uniformément dopée à un niveau d'environ po 1 x 10 atomes d'antimoine par centimètre cube, "la région N- est uniformément dopée à un niveau d'environ 3 x 10"*"^ atomes d'antimoine par centimètre cube et la région P+ est uniformément dopée i 19 10 a un niveau d environ 1 x 10 atomes de bore par centimètre cube. Les transitions entre ces niveaux se produisent en quelques centièmes de micron seulement, bien que ces très petites dimensions ne soient pas faciles à mesurer avec précision. Tracé à une échelle raisonnable, le profil d'impureté serait parfaitement ver-15 tical, et une courbe du champ électrique est représentée sur la Fig. 2 qui sera décrite ci-après de façon plus détaillée. Pour utiliser le dispositif 20 comme générateur d'énergie hyperfréquence, on le branche dans un circuit résonant . La jonction PN 3^ es^ soumise à une polarisation inverse de façon que_le 20 champ électrique moyen coirespondant àcette condition soit représenté par la courbe 3? de la Fig. 2 où les lignes en trait interrompu 34 et 36 représentent les jonctions entre les régions P+ et N- et entre les régions N- et N+, respectivement. L'épaisseur de la région N- 14 est choisie telle que le temps de transit des 25 porteurs à travers la couche à la vitesse limitée par la saturation soit sensiblement égal à la moitié de la période de la fréquence centrale d'oscillation. Les niveaux d'impuretés des couches P+ et N- et, par conséquent, la résistivité de la couche N- sont choisis tels que la couche N- soit entièrement appauvrie avant 50 l'instant auquel se produit le déclenchement de l'avalanche. La ligne en trait interrompu 38 représente le niveau de champ nécessaire pour maintenir la vitesse de saturation dans la couche 14 et la ligne en trait interrompu 40 représente le niveau de champ nécessaire pour assurer l'avalanche. La variation du champ élec-35 trique, c'est à dire la pente de la courbe 32, dans la couche N-, est principalement fonction du niveau d'impuretés de cette couche . En raison de la verticalité parfaite de la jonction 36 entre les régions N- et N+, la co uche N- peut être entièrement ap-4o pauvrie sous une tension d'alimentation relativement faible. Ce 69 20070 6 2019285 ci améliore considérablement l'efficacité, en particulier aux tensions d'alimentation relativement basses tout en maintenant la cohérence des porteurs groupés. Le champ électrique d'une diode à avalanche du type fabriqué par les techniques antérieures 5 consistant à assurer une diffusion de la région P+ est représenté par la courbe en trait interrompu 42. On remarquera que le champ tombe au-dessous de la valeur nécessaire pour maintenir la vitesse de saturation (ligne en trait enterrompu 33) dans la région- N-. Ceci se traduit par une dispersion des porteurs groupés 10 et par~une diminution de la cohérence de phase des porteurs. Ceci introduit en outre, une résistance série parasite non linéaire et une capacité qui varie avec la tension ce qui réduit l'efficacité par l'apparition des bandes latérales et d'harmoniques à génération paramétrique. 15 Le procédé suivant l'invention de fabrication du dispositif 10 est représenté sur les Pig. 3 à 11 où. les éléments correspondants sont désignés par les mêmes références numériques suivies du caractère de référence "a". Un substrat en silicium 12a est le matériau de départ. Le substrat 12a. est fortement dopé à l'an-20 timoine et présente une résistivité d'environ 0,007 à 0,009 ohm-centimètre, son épaisseur est de l'ordre de 0,2 mm et il possède une orientation cristallographique 1-1-1 ou 1-0-0. Après une préparation de surface appropriée, on provoque la croissance d'une couche l4a du type n légèrement dopée sur la surface du subs-25 trat en utilisant des-techniques de dépôt épitaxial en phase vapeur classiques. L'épaisseur et la résistivité de la couche l4a doivent être très étroitement contrôlées pour assurer la fréquence d'oscillation désirée. Comme précédemment décrit, l'épaisseur de la couche 14a peut varier d'envrion 8 ou 9 microns 30 jusqu'à environ 0,1 micron. On forme ensuite la couche l6a du type p fortement dopé par dépôt épitaxial en phase vapeur sur la couche l4a sans retirer le substrat du réacteur épitaxial. La couche l6a du type p dopée a généralement une épaisseur d'environ 1,5 à 2,0 microns et une résistivité d'environ 0,01 ohm-35 centimètre. Il est important que les réactions épitaxiales destinées à former les deux couches l4a et l6a scient conduites dans la pratique à la température la plus basse possible et ceci pendant la période de temps la plus courte permettant d'obtenir les épais-40 seurs désirées. Par exemple, les deux couches 14a et 16a peuvent 69 20070 7 2019285 être déposés environ 13 minutes à une température de l'ordre de 1100°C. Pratiquement aucune diffusion vers l'extérieur à partir du substrat 12a à travers la jonction 36 et vers la couche l4a ne se produit pendant cette brève période à cette température re-5 lativement basse. La jonction est à la température élevée pendant quelques minutes seulement. En conséquence, les trois régions sont toutes uniformément dopées et les jonctions J>k et 36 sont pratiquement parfaitement verticales. Ensuite, on dépose une couche de titane 13a, généralement 10 de 0,125 microns d'épaisseur, suivie d'une couche d'or 20a généralement de 0,5 microns d'épaisseur, par un procédé de dépôt sous vide convenable tel que la pulvérisation, 1'évaporation ou l'utilisation d'un canon à électrons. Tous ces procédés peuvent être mis en oeuvre à des températures de quelques centaines de degrés 15 centigrades seulement et en une période de temps relativement courte, de façon qu'aucune diffusion décelable ne se produise à travers les jonctions. Ensuite, la couche d'or est revêtue d'une couche 50 de matériau de réserve photographique qui est alors soumise à un traitement photographique pour former un certain nombre 20 de zones circulaires ayant chacune un diamètre généralement compris entre 0,125 et 0,3 mm. Cette structure est représentée sur la Fig. 3. Ensuite, le substrat de la Fig. 3 est soumis à un décapage pour éliminer les parties non protégées des couches métalliques 25 18a et 20a. On obtient ainsi le contact métallique final formé par les couches 18 et 20 comme représenté sur la Fig. 4. Le matériau 50 de réserve photographique est ensuite détaché et une nouvelle couche de matériau de réserve photographique est déposée sur la surface de la structure , puis soumise à un traitement 30 photographique pour former un disque de masquage 52 aligné avec le disque métallique 20 et dont le diamètre est supérieur d'environ 25 microns à celui de ce dernier. Le substrat 12a est ensuite monté sur une plaquette de verre de façon que sa surface active soit exposée. La plaquette est ensuite soumise à l'action d'une 35 solution corrosive d'acide fluorhydrique à environ 5°C et le si- ^ 1 ?, 5 6 1/ licium est décapé a une profondeur comprise entre environ/25~mi- crons ce qui on le remarquera, permet de traverser largement les deux couches épitaxiales. On obtient ainsi la structure représentée sur la Fig. 6. 4O Le substrat est ensuite séparé de la plaquette de verre et 69 20070 3 2019285 sa face inférieure est rodée mécaniquement jusqu'à ce que la tranche ait une épaisseur d'environ 0,1 mm. La tranche 12a est alors retournée et liée à un disque de verre 54 au moyen d'un li£.:''V plastique 56 convenable quelconque tel que di polyester. En même 5 temps, on remarquera que la couche 52 de matériau de réserve ph tographique est disposée au voisinage immédiat du disque de ver."-' 54 comme représenté sur la Fig. 7* La face exposée du substrat 12a est ensuite rodée chimiquement jusqu'à ce que la structure n'ait plus qu'une épaisseur de l'ordre de 50 microns. 10 La face.rodée du substrat 12a est ensuite revêtue d'une c. -- che de matériau de réserve photographique qui est développée po'-; produire des ouvertures 60 qui sont alignées avec les contacts métalliques 18. A cet effet, on peut utiliser des techniques d'alignement par infrarouges, étant donné que la plaquette de verrt 15 et le. semi-conducteur sont transparents aux infrarouges alors a: -les disques métalliques 18 et 20 ne le sont pasj on soumet ensu„ te le substrat à l'action d'une solution corrosive d'acide fluo-.rhydrique pendant une très brève période pour former de légères dépressions 62 dans la face du substrat 12a. On obtient ainsi. 1-, 20 structure représentée sur la Fig. 8. L'opération suivante consiste à détacher la couc&i^de matériau de réserve photographique et à déposer une couche de titane 22 suivie d'une couche d'or.24a déposée en utilisant des techniques de dépôt sous vide classiques. Une couche 64 de maté-25 ria-u de réserve photographique est ensuite déposée sur la couche d'or 24a puis soumise à un traitement photographique en utilisables dépressions 62 pour l'alignement-, de façon qu'on obtienne des digues de matériau de réserve photographique qui définissent la superficie du contact final 22-24. On obtient ainsi la stucture 30 représentée sur la Fig. 9- Les couches métalliques 22a et 24a sont ensuite soumises à l'action d'un corrosif sélectif qui laisse les contacts 24 sous la forme représentée à la Fig. 9. La couche 64 de matériau de réserve photographique est ensuite détachée et une nouvelle couche 35 66 est déposée et soumise à un traitement photographique pour former des masques de compensation qui dépassent le diamètre des plots de contact circulaires 24 d'environ 25 microns. Il reste alors la structure représentée sur la Fig. 10. Ensuite, le substrat est à nouveau soumis à l'action d'un corrosif du silicium, tel 40 que de l'acide fluorhydrique à 5°C, pendant un temps suffisant 69 20070 9 2019285 pour, traverser complètement le substrat en silicium jusqu'au liant plastique 56, comme représenté sur la Fig. 11, ce qui fractionne le substrat 12a pour former les dispositifs 10 individuels. La structure active est alors soumise à un solvant convenable pour ^ dissoudre le liant 56 et le matériau de réserve photographique au-dessus du contact métallique ]3 . Puis, ce dernier est lié par ultra-sons à la couche d'or 20 sur une pastille de cuivre 23 et le fil conducteur d'or 30 est lié par thermocompression au plot de contact 24 pour compléter la structure. jO Un autre dispositif suivant l'invention est désigné dans son ensemble par la référence générale 100 sur la Fig. 12. Le dispositif 100 est une diode à avalanche du type Read. La diode 100 est de construction sensiblement identique à la diode 10, à cela près que la région d'appauvrissement est formée d'une-.-très mince région N- adjacente à la région P+ et qu'une région intrinsèque plus épaise (i) est disposée entre la région N- et la région N+. La diode 100 est donc formée d'une région N+ 102, d'une région intrinsèque 104, d'une région N-106, et d'une région P+ 108. Les régions N+ et P+ 102 et 103 peuvent être identiques aux PQ régions correspondantes du dispositif 10. Les couches 104 et 106 forment, en combinaison, la couche d'appauvrissement de la diode et déterminent par conséquent la fréquence centrale d'oscillation. La région N- 106 est plus fortenent dopée que la région N- 14 du dispositif 10 et la région intrinsèque 104 peut être un 25 matériau du type (N—) très légèrement dopé voisin de l'état intrinsèque. Des contacts métalliques 107 peuvent être liés à un dissipateur de chaleur 109 et un fil conducteur métallique 111 peut être ïï_é à un contact.métalliquellj. Le dispositif 100 peut être fabriqué de la même manière que le dispositif 10 à cela près ^0 q.ue trois couches épitaxiales sont formées au lieu de deux. Chacune des couches épitaxiales est uniformément dopée et la transition d'un niveau de dopage à l'autre aux interfaces entre les régions s'effectue en quelques centièmes de micron. y5 Le fonctionnement du dispositif 100 est identique à celui du dispositif 10, à cela près que le dispositif 100 comporte un champ électrique tel que représenté par la courbe 110 de la Fig. 13. Sur la Fig. 13, la jonction PN entre les régions 106 et 103 est indiquée par la ligne en trait interrompu 112, la jonc-2|_0 tion entre les régions 104 et 106, par la ligne en trait interrompu 114, et la jonction entre les régions 102 et 104, par la 69 20070 10 2019285 ligne en trait interrompu 116. Le niveau de champ nécessaire pour maintenir une vitesse, des porteurs limitée par la saturation dans la région intrinsèque est représentée par la ligne en trait interrompu .118 et le champ nécessaire pour assurer l'avalanche est indi-5 qué en 120. On remarquera que la différence principale entre le champ représenté sur la Fig. 13 et celui de la Fig. 2 réside en ce que le champ reste sensiblement constant dans la région intrinsèque 104. La totalité de l'avalanche se produit dans la région N-XO 106 où la gradation du champ est beaucoup plus marquée. L'avantage principal du dispositif 100 par rapport au dispositif 10, réside en ce que la tension d'alimentation nécessaire pour un courant donné est réduite, ce qui améliore l'efficacité du dispositif. Ceci est particulièrement évident si l'on tient compte du fait que 15 la zone située sous la courbe du champ électrique à l'intérieur des régions d'appauvrissement respectives représente la tension d'alimentation nécessaire. La zone située sous la courbe 110 est -de toute évidence nettement inférieure à celle qui se trouve sous la courbe 3?- P0 Bien que l'invention ait été décrite dans son application, à deux modes deréalisation particuliers d'une diode à avalanche propre à engendrer de l'énergie hyperfréquence, sous ses aspects les plus larges, elle peut également permettre la réalisation d'un amplificateur de réflexion à résistance négative, d'un am-25 plificateur de modulation de fréquence ou de phase, en combinaison avec des oscillateurs bloqués par injection, comme source de bruit à large bande passante, comme diode PIN pour la commutation le mélange et autres applications des hyperfréquences, ainsi que pour d'autres applications analogues. 30 69 20070 ii 2019285 KEVENDICATIO M 3 1 - Dispositif semi-conducteur comportant des régions de types de conductibilité opposés et une jonction semi-conductrice, caractérisé par deux régions fortement dopéesde types de conductibilité opposés, séparées par une mince région d'appauvrissement, 5 chacune de ces régions présentant un niveau de dopage sensiblement uniforme au voisinage immédiat de sa limite, de façon que toutes les jonctions entre des régions adjacentes présentent une pente se rapprochant de très près de la verticale. 2 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 1, 10 caractérisé par le fait que la mince région d'appauvrissement est formée par une unique région ! égèrement dopée qui forme une région p-n avec l'une des régions fortement dopées. 3 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le dispositif est une diode à avalan- 15 che et par le fait que la région d'appauvrissement présente une épaisseur choisie de manière à produire des oscillations hyperfréquence . 4 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la mince région d'appauvrissement ?0 est formée de deux couches, dont l'une est légèrement dopée pour former une jonction p-n avec l'une des régions fortement dopées et dont l'autre présente le mêmte type de conductibilité et offre un niveau de dopage se rapprochant de l'état intrinsèque. 5 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 1, 25 caractérisé par le fait que la région d'appauvrissement est d'un type de conductibilité donné, tandis que la région fortement dopée adjacente, qui est du type de conductibilité opposé présente une épaisseur du même ordre de grandeur que la région d'appauvrissement, et par le fait que le dispositif est monté de façon que 30 ladite région fortement dopée dudit type de conductibilité opposé soit adjacente à un dissipateur de chaleur. 6 - Le dispositif semi-conducteur suivant la revendication 1, caractérisé par le fait qu'au moins deux des régions sont des couches épitaxiales très minces. 35 7 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que chacune des régions présente un niveau de dopag e uniformément réparti à ses limites pour former une jonction abrupte entre la région légèrement dopée et chacune des 69 20070 2019285 régions fortement dopées. 8 - Procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur suivant tes revendications 1 à 7 caractérisé en ce qu'il consiste à former un dispositif semi-conducteur ayant au moins deux inteï 5 faces à variation brutale de niveaux de dopage, par dépôt épitax. successif d'au mbns deux couches distinctes de matière semi-con' trice uniformément dopée sur un unique substrat semi-conducteur cristallin, puis à fractionner le substrat en dispositifs distin à l'aide de séparations traversant les couches et le substrat. 10 9- Procédé suivant la revendication 8, caractérisé par 1 fait que le substrat est fortement dopé et est d'un premier typ, de conductibilité, la première couche déposée par croissance épi taxiale sur le substrat étant légèrement dopée et une couche déposée ultérieurement étant fortement dopée. 15 10 - Procédé suivant la revendication 9, caractérisé par le fait que la première couche est d'un premier type de conductî bilité, tandis que la couche fortement dopée déposée ultérieure ment est de l'autre type de conductibilité. 11 - Procédé suivant la revendication 9* caractérisé par " 20 fait que le substrat est subdivisé par décapage chimique sélectl 12 - Procédé de.fabrication suivant la revendication 11, caractérisé par le fait qu'on subdivise le substrat en déposant une première couche de contact métallique sur l'une des faces cr l'ensemble comprenant le substrat, en éliminant chimiquement de 25 parties choisies de la" première couche de contact métallique po laisser subsister un premier jeu de contacts métalliques, en décapant sélectivement le substrat autour de ce premier jeu de contacts jusqu'à une profondeur traversant partiellement le substrat, en montant l'ensemble comprenant le substrat sur un support j50 façon que ledit premier jeu de contacts métalliques soit adjacent à ce support, en déposant une seconde péllicule de contact métallique sur l'autre face de l'ensemble comprenant le substrat, en éliminant sélectivement des parties de cette seconde couche de contact métallique pour laisser subsister un second jeu de contae+ 35 métalliques alignés avec les contacts métalliques du premier jeu et en décapant sélectivement l'ensemble comprenant le substrat autour du second jeu de contacts métalliques jusqu'à une profondeur suffisante pour subdiviser ledit ensemble en dispositifs séparés portant chacun une paire de contacts métalliques sur des faces opposées.