Brevet FR2014202A1 — publié le 19700417

i 2014202 La présente invention se rapporte, d'une manière générale, aux dispositifs semi-conducteurs et, plus particulièrement, à un ensemble permettant d'encapsuler un ou plusieurs éléments semi-conducteurs de façon qu'ils puissent être aisément incorporés dans un circuit électrique. 5 II est de pratique courante dans l'industrie des se mi-conducteur s d'en capsuler un ou plusieurs fragments de semi-conducteur dans une capsule hermétiquement scellée constituée par un réceptacle-et par un capot. Le réceptacle comporte généralement deux ou plus de deux fils métalliques qui traversent un joint en matière céramique ou autre matériau isolant et qui se 10 terminent en un point déterminé à l'intérieur de la capsule. Chaque fragment de semi-conducteur peut comprendre un élément unique semi-conducteur ou un certain nombre d'éléments semi-conducteurs distincts intégrés en un circuit fonctionnel commun au moyen de conducteurs métalliques pelliculaires d'interconnexion. Dans les deux cas, des contacts métalliques sont formés 15 sur la surface dû fragment de semi-conducteur et ces contacts sont connectés aux conducteurs respectifs traversant le réceptacle par des fils volants très fins. Les fils volants peuvent être fixés aux plots métalliques et aux extrémités des fils conducteurs du réceptacle par divers procédés tels que la liaison 20 par billes par thermocompression, la liaison par ultra-sons, le soudage manuel ou la soudure électrique à l'àrc. Bien que ces procédés soient extrêmement développés dans la technique, ils sont néanmoins coûteux, du fait que chaque dispositif doit être fabriqué individuellement et à la main. Il en est ainsi, en particulier, pour l'encapsulage de circuits intégrés car un grand 25 nombre de conducteurs interviennent et les problèmes sont plus difficiles à résoudre lorsque plusieurs fragments de circuits intégrés sont inclus dans le même capsule. En outre, les fils volants sont très fragiles et ne peuvent pas être isolés sans opération de traitement et dépenses supplémentaires importantes. Il en résulte que les fils se cassent souvent ou viennent en con-3 0 tact de court-circuit avec une autre partie quelconque du dispositif semiconducteur ou de la capsule, ce qui réduit le rendement en augmentant le prix de revient et en compromettant la fiabilité d'utilisation. L'invention vise à réaliser un ensemble perfectionné permettant d'interconnecter les fragments de s emi-conducteur et les conducteurs de la capsule 35 relativement gros qui sont utilisés pour incorporer le dispositif dans un circuit extérieur. 69 21270 2014202 Suivant l'invention, on utilise un ou plusieurs jeux de bandes pellicu-laires conductrices minces supportées par une mince feuille souple de matière isolante pour interconnecter les plots de contact prévus sur un ou plusieurs dispositifs semi-conducteurs et les conducteurs relativement gros. Les pro-5 cessus de fabrication suivant l'invention peuvent être plus aisément et plus complètement automatisés et, par conséquent, les dispositifs peuvent être produits de manière plus économique. En outre, ces dispositifs sont d'un fonctionnement plus sûr. D'autres caractéristiques de l'invention apparaîtront au cours de la des-10 cription qui va suivre. Aux dessins annexés donnés uniquement à titre d'exemples : - la Fig. 1 est une vue en perspective éclatée d'un dispositif suivant l'inventionj avec arrachement partiel pour révéler certains détails de construction ; 15 - la Fig. 2 est une vue en coupe du dispositif de la Fig. 1 ; - la Fig. 3 est une vue en coupe d'un autre dispositif suivant l'invention; - la Fig. 4 est une vue en coupe d'un autre dispositif suivant l'invention; - la Fig. 5 est une vue en perspective simplifiée et éclatée représentant un autre mode de réalisation de l'invention ; 20 - la Fig. 6 est une vue en coupe partielle, fortement agrandie, d'un au tre dispositif suivant l'invention. En se référant tout d'abord aux Fig. 1 et 2, un ensemble suivant l'invention est désigné par la référence générale 10. Cet ensemble comprend un dispositif semi-conducteur classique 13 et un moyen d'interconnexion 14 hermé-25 tiquement scellés dans une capsule comprenant un réceptacle 12 et un capot 15. " Le réceptacle 12 comprend un disque en matière céramique 16 hermétiquement scellé dans une bague métallique 18. Quatre conducteurs à broche 20-23 traversent le disque en matière céramique 16 et sont hermétiquement 30 scellés dans celui-ci. Les extrémités des conducteurs 20-23 s'étendent perpendiculairement à partir du disque en matière céramique 16 jusqu'au delà de la face interne de ce disque, sur une distance appréciable, à des fins qui seront décrites ci-après. Les extrémités"extérieures des conducteurs sont aplaties et rabattues vers l'extérieur à 90°, pour faciliter l'a connexion du 35 dispositif dans un panneau de circuit imprimé sans faire passer les conduc 69 21270 3 2014202 teurs à travers des ouvertures de ce panneau de la manière classique. Une pellicule métallique 24 est déposée sur la face interne du disque en matière céramique 16 et est en contact électrique avec le conducteur 20 seulement. Le capot 15 est une simple cuvette métallique, présentant un rebord périphé-5 rique 26 soudé sur un rebord conjugué 28 du réceptacle pour former un joint hermétique après la mise en place du dispositif semi-conducteur 13 et du moyen d'interconnexion 14, comme décrit ci-après. Le dispositif s emi-conducteur 13 peut être d'un type classique quelconque et peut comprendre un unique composant, ou une série de composants 10 distincts, ou encore un circuit intégré formé par interconnexion d'une série de composants distincts avec une pellicule métallisée découpée pour former des conducteurs d'interconnexion de la manière classique. Toutefois, dans tous les cas, le dispositif semi-conducteur 13 est muni, sur l'une de ses faces, d'une série de plots de liaison métallisés 30-32. Pour certaines applications, 15 des prolongements métalliques (non représentés), qui font saillie vers l'extérieur à partir du dispositif semi-conducteur, peuvent être formés sur les plots de liaison à des fins qui deviendront plus évidentes ci-après. Le dispositif s emi-conducteur 13 est allié, soudé, ou lié d'une autre manière à la couche métallisée 24, de manière à établir un contact électrique entre le conducteur 20 20 et la surface inférieure du dispositif semi-conducteur, à assurer le support mécanique de celui-ci et à faciliter la dissipation de chaleur à partir du dispositif. Le moyen d'interconnexion 14 est constitué par une mince feuille de matière isolante 34 qui supporte une série de bandes pelliculaires métalliques 25 minces 36-38. Les bandes pelliculaires métalliques 36-38 sont formées sur la face de la feuille 34 adjacente au dispositif semi-conducteur 13. Les extrémités des bandes métalliques 36-38 se terminent suivant une configuration qui cofncide avec les plots de contact 30-32, respectivement, sur la face supérieure du dispositif s emi-conducteur 13. Les autres extrémités des bandes 30 36-38 s'étendent jusqu'à des ouvertures 40-42 pratiquées dans la feuille 34 et dimensionnées et disposées de manière à recevoir les conducteurs à broche 21-23, respectivement. Une bague métallisée est formée autour de chacune des ouvertures 40-42 et est en contact électrique avec l'un des conducteurs 36-38. Après assemblage de la manière représentée sur la Fig. 2 les extré-35 mités intérieures des conducteurs 36-38 sont liées aux plots de contact 30-32 69 21270 4 2014202 et les bagues métallisées entourant les ouvertures 40-42 sont liées aux broches 21-23, respectivement. La feuille isolante peut être en un matériau convenable quelconque pouvant être soumis à une température suffisamment élevée pour assurer une liaison entre les bandes conductrices et les plots de 5 contact et conducteurs à broche, tel que, par exemple, du Mylar, du Nylon, ou une pellicule H. Les bandes métalliques conductrices peuvent être en un métal convenable quelconque tel que du cuivre, de l'or, de l'aluminium ou du cuivre plaqué or, cette dernière solution étant particulièrement efficace pour la liaison par thermocompression lorsqu'on l'utilise avec une pellicule H. 10 Suivant un mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, le ré ceptacle 12, le dispositif s emi-conducteur 13 et le moyen d'interconnexion 14 sont assemblés en une seule et même opération. Le dispositif semi-conducteur 13 est orienté dans la position voulue sur le réceptacle 12 et un matériau liant conducteur à point de fusion relativement bas convenable tel que de la 15 soudure est disposé entre le dispositif s emi-conducteur et le plot métallique 24. Le moyen d'interconnexion 14 est disposé sur le dispositif semi-conducteur 13 de façon que les extrémités des bandes métalliques pelliculaires 36-38 soient orientées au-dessus des plots de liaison 30-32. Un matériau liant à point de fusion relativement bas convenable, tel que de la soudure, 20 est disposé aux ouvertures 40-42 au voisinage immédiat de la jonction entre les broches 21-23 et les conducteurs de bande respectifs 36-38, ainsi qu'entre ces derniers et les plots de contact 30-32. Le matériau liant peut être préalablement revêtu sur une ou.plusieurs de ses parties ou peut être un élément séparé, tel qu'une petite bague. L'empilage ainsi obtenu est ensuite placé 25 dans un four et chauffé à une température suffisante pour faire fondre le matériau liaint utilisé, puis refroidi de façon que le dispositif semi-conducteur 13 soit lié au plot métallique 24 du réceptacle, que les bandes métalliques pelliculaires 36-38 soient liées aux plots de contact 30-32 du dispositif semi-conducteur 13 et que les bagues métallisées entourant les ouvertures 40-42 soient 30 liées aux broches 21-23. Le capot 15 peut ensuite être mis en place et soudé de la manière classique pour compléter la capsule hermétiquement scellée. Sous un autre aspect du procédé selon l'invention, le dispositif semiconducteur 13 est tout d'abord aligné avec le moyen d'interconnexion 14, de façon que les extrémités des bandes conductrices coïncident avec les plots de 35 contact 30-32. Les plots 32 et les bandes ou rubans 36-38 sont ensuite liés 69 21270 5 2014202 par des techniques de thermocompression classiques. Ce processus est facilité si la feuille isolante est une pellicule H, si les bandes sont en cuivre plaqué or aux points de liaison et si les plots de contact sont en or. L'alignement est facilité en raison du fait que la feuille isolante 34 est suffisamment 5 transparente pour laisser voir les plots de contact à travers elle. Ensuite, l'ensemble du dispositif semi-conducteur 13 et du moyen d'interconnexion 14 est placé sur le réceptacle, un moyen de liaison convenable tel que de la soudure étant interposé entre le dispositif s emi-conducteur et la plaque 24 et les ouvertures 40-42 étant placées au-dessus des extrémités des broches 21-23. 10 La partie des bandes conductrices entourant les ouvertures 40-42 peut être préalablement revêtue du matériau liant, ou bien celui-ci peut constituer un anneau placé autour de chacune des broches. Si l'ensemble est chauffé à une température suffisante pour faire fondre le matériau liant puis refroidie, le dispositif s emi-conducteur 13 est fixé et électriquement connecté aux broches. 15 Un capot 15 peut être alors mis en place et soudé pour compléter la capsule hermétiquement scellée. Suivant une variante, une ou les deux extrémités des bandes conductrices peuvent être préalablement revêtues de soudure ou d'un autre métal à bas point de fusion et soudées aux plots de contact par application de chaleur et 20 de pression. L'ensemble du dispositif semi-conducteur et du moyen d'interconnexion peut alors être utilisé pour un nombre quelconque d'applications, en particulier si les bandes conductrices sont préalablement revêtues de soudure. La Fig. 3 est une vue en coupe très analogue à la Fig. 2, _mais qui repré-25 sente un autre mode de réalisation de l'invention. Sur la Fig. 3, les composants correspondants à ceux des Fig. 1 et 2 sont désignés par les mêmes références numériques. Ainsi, par exemple, le réceptacle 12 comprend, comme précédemment, un disque en matière céramique 16, avec un dispositif semi-conducteur 13 et un capot 15. Toutefois, les quatre broches (dont seule lés broches 30 21a, 22a, et 23a sont représentées) et le moyen d'interconnexion 14a sont légèrement modifiés. Les broches 21-23 sont raccourcies de manière à s'étendre approximativement à la même hauteur ou légèrement plus haut que l'épaisseur du dispositif s emi-conducteur 13 au-dessus du disque 16. Le moyen d'interconnexion 14a est identique au moyen d'interconnexion 14, à cela près 35 que la feuille 34 et les bandes conductrices 36-38 sont continues dans la région 69 21270 2014202 des ouvertures 40-42. Le dispositif 50 peut être fabriqué par le premier processus décrit à propos de la fabrication du dispositif 10. Toutefois, en raison de l'absence des ouvertures, il suffit que le dispositif s emi-conducteur 13 soit disposé sur 5 le réceptacle 12, dans les limites des tolérances nécessaires pour placer les extrémités des bandes conductrices 36-38 au-dessus des extrémités des conducteurs à broche 21-23. Puis le moyen d'interconnexion 14a peut être aligné de façon plus précise de manière que lorsque les bandes 36-38 coïncident avec les plots de contact 30-32 ces bandes soient également automatiquement ali-10 gnées avec les conducteurs à broche. En conséquence, les exigences d'alignement du fragment 13 sont moins impératives pour le dispositif 50 que pour le fragment 13 du dispositif 10. Le dispositif 50 peut également être fabriqué en utilisant le second procédé décrit pour la fabrication du dispositif 10, dans lequel le fragment 13 est tout d'abord adapté au moyen d'interconnexion 14a, 15 après quoi les deux composants assemblés sont adaptés au réceptacle. Ce processus est particulièrement avantageux si les bandes conductrices sont préalablement revêtues de soudure. Cette dernière opération exige seulement que les bandes conductrices soient suffisamment alignées avec les broches pour permettre l'établissement du contact. Le dispositif 50 permet en outre d'utili-20 ser plus aisément d'autres techniques de liaison, telles que la liaison par thermocompression, en particulier lorsqu'on utilise une pellicule H ou un autre matériau à haute température comme feuille isolante, la soudure à l'arc, la liais.on par ultra-sons ou autre. Un autre mode de réalisation du dispositif suivant l'invention est désigné 25 dans son ensemble par la référence générale 60 sur la Fig. 4. Certaines parties du dispositif 60 peuvent être identiques à des parties correspondantes du dispositif 10 et sont indiquées par les mêmes références numériques, à cela près que le plot métallique 24 ne remplit aucune fonction utile et peut être éliminé, si on le désire. Toutefois, le dispositif s emi-conducteur 13 et le moyen d'in-30 terconnexion 14 sont tous deux inversés et sont empilés en ordre inverse. En conséquence, le dispositif 60 comprend le réceptacle 12, qui comporte un disque en matière céramique 16 et des broches 21-23. Il n'est pas nécessaire que le réceptacle 12 comporte une plaque métallisée 24, ce qui, bien entendu, signifie que si une connexion électrique doit être effectuée avec le 35 substrat du dispositif 13, elle doit être réalisée à.partir de la même face que 69 21270 7 2014202 les plots de contact 30-32. Le moyen d'interconnexion 14 est disposé de façon que la feuille isolante 34 repose directement sur le disque en matière céramique 16, ce qui permet d'utiliser un réceptacle ayant une carcasse métallique. Les rubans métalliques pelliculaires 36-38 sont disposés au-dessus de la feuille isolante 34 et le dispositif s emi-conducteur 13 est inversé de façon que les plots de contact 30-32 se trouvent sur la face inférieure et soient adjacents aux bandes conductrices 36-38 tournés vers le haut. Le moyen d'interconnexion 14 présente de préférence les ouvertures 40-42 et les extrémités des broches 21-23 peuvent s'étendre jusqu'à une hauteur sensiblement égale à l'épaisseur de la feuille isolante 34 comme représenté, ou notablement plus haut. Les broches 21-23 et les bandes conductrices 36-38 peuvent alors être reliées entre elles mécaniquement et électriquement, par une petite masse de soudure ou autre matériau liant 62. L 'appareil 60 peut être fabriqué, suivant un autre mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, en alignant et en liant tout d'abord les extrémités des bandes conductrices 36-38 avec les contacts 30-32, comme précédemment décrit. Le moyen d'interconnexion 14 est alors simplement placé sur le réceptacle 12, de façon que les ouvertures 40-42 se trouvent au-dessus des broches 21-23. De petits disques 62 en matériau liant à point de fusion relativement bas peuvent être placés au-dessus des broches 21-23 à l'intérieur des ouvertures des bandes de contact, ou bien une petite masse de matériau liant peut être placée autour des broches, si celles-ci s'étendent au-dessus des bandes de contact. Si on le désire, un liant convenable peut également être utilisé pour fixer la feuille isolante 34 au disque en matière céramique 16, comme représenté en 64. L'ensemble peut alors être chauffé à une température suffisante pour faire fondre la matériau liant puis refroidi pour former les liaisons 62. Le capot 15 peut ensuite être fixé pour compléter la capsule hermétiquement scellée. On va maintenant examiner la Fig, 5 sur laquelle un autre dispositif selon l'invention est désigné dans son ensemble par la référence générale 70 et représenté en perspective isométrique éclatée. Le dispositif 70 comprend un réceptacle classique en matière céramique 72, muni d'un grand nombre de broches 74. Une série de dispositifs s emi-conducteur s individuels 76 dont un ou plusieurs peuvent être des dispositifs simples ou multiples, sont liés 69 21270 8 2014202 en divers points au réceptacle 72. Les substrats de certains des dispositifs semi-conducteurs 76 peuvent être électriquement interconnectés par une pellicule métallique 78 déposée sur la surface du réceptacle en matière céramique 72. D'une manière analogue, les substrats des autres dispositifs 5 s emi-conducteur s peuvent être électriquement connectés à une ou plusieurs des broches 74 par une pellicule métallique, comme représenté en 80. Chacun des dispositifs s emi-conducteur s 76 présente sur l'une de ses faces des plots de contact métalliques, comme décrit précédemment à propos du dispositif semi-conducteur 13. 10 Un moyen d'interconnexion désigné dans son ensemble par la référence générale 82 comporte une feuille isolante 84 qui supporte une série de bandes conductrices métallisées 86. Le moyen d'interconnexion 82 peut être fabriqué avec les matériaux précédemment décrits à propos du moyen d'interconnexion 14. Les bandes conductrices métallisées 86 sont utilisées pour interconnecter 15 des plots de contact métallisés des dispositifs s emi-conducteur s 76 choisis avec les plots de contact des autres dispositifs semi-conducteurs 76 et pour interconnecter d'autres plots de contact des dispositifs s emi-conducteur s avec des broches choisies. En conséquence, les bandes conductrices 86 sont utilisées pour connecter les dispositifs s emi-conducteur s 76 dans un circuit fonc-20 tionnel, par exemple, et pour connecter ce circuit fonctionnel aux broches 74, qui sont utilisées pour brancher le circuit fonctionnel dans un montage extérieur à la capsule. Le circuit fonctionnel peut comprendre une résistance de ligne sinueuse 87, un condensateur 89 à pellicule mince ou d'autres éléments passifs convenables quelconques pouvant être liés à la feuille isolante 25 84 pour leur support. Enfin, un capot 88 est lié au réceptacle 72, pour compléter la capsule hermétiquement scellée. Dans l'exemple considéré, le dispositif 70 se présente sous la forme générale du dispositif 10 et, en conséquence, il peut être fabriqué par l'un quelconque des procédés décrits à propos de la fabrication du dispositif 10. 30 Toutefois, le dispositif 70 peut également présenter les mêmes modifications que les dispositifs 50 ou 60, et peut alors être fabriqué par les procédés décrits à propos de la fabrication de ces dispositifs. Un mode de réalisation du moyen d'interconnexion pour l'un quelconque des dispositifs décrits jusqu'à présent, mais qui est particulièrement efficace 35 dans un dispositif comportant un grand nombre de dispositifs semi-conducteurs 69 21270 9 2014202 séparés, est désigné dans son ensemble par la référence générale 90, sur la Fig. 6. Sur la Fig. 6, le disque en matière céramique d'un réceptacle est désigné dans son ensemble par la référence générale 92 et un dispositif semiconducteur est désigné dans son ensemble par la référence générale 94. Le dispositif s emi-conducteur 94 est généralement un circuit intégré et seule une partie de ce dispositif est représentée sur le Fig. 6, pour faciliter la représentation. Des plots de contact élargis 96 et 98 sont prévus sur la surface du dispositif s emi-conducteur 94, de la manière classique. Toutefois, des protubérances métalliques 96a et 98a sont prévues sur ces plots de contact élargis. Les protubérances 96a et 98a ont, de préférence, une hauteur au moins égale à l'épaisseur d'une feuille isolante du moyen d'interconnexion 90, qui va maintenant être décrit. Le moyen d'interconnexion 90 est formé par stratification de feuilles isolantes 99, 100, 102 et 104. Les feuilles isolantes 100, 102 et 104 supportent des bandes conductrices métallisées 106, 108 et 110. Dans l'exemple considéré, les bandes conductrices 106 s'étendent perpendiculairement au plan du dessin, tandis que les conducteurs 108 (dont un seul est représenté) s'étendent parallèlement au plan du dessin et, par conséquent, intersectent les conducteurs 106. Bien entendu, il n'est pas nécessaire que les conducteurs 106 et 108 soient disposés à angle droit, ils peuvent être disposés de toute manière désirée. Les bandes conductrices 110 peuvent s'étendre dans n'importe quelle direction ou peuvent former une feuille continue pour assurer un blindage haute fréquence couramment désigné sous le nom de "plan de masse" suivant les besoins. Des interconnexions peuvent être prévues entre les différents niveaux de conducteurs, par exemple entre les conducteurs 106 et 108, en perforant un trou 112 à travers la feuille isolante 100 et à travers une partie élargie d'un conducteur 106. Une masse de métal 114, télle que de la soudure, peut alors être utilisée pour interconnecter le conducteur 106 et le conducteur 108 à travers l'ouverture 112. Suivant une variante, les deux niveaux d'interconnexion peuvent être liés directement en enfonçant l'un des conducteurs à travers une ouverture plus grande de la feuille isolante et en procédant aune thermocompression ou à une autre opération de liaison classique. La feuille isolante inférieure 99 présente des ouvertures 116 et 118 qui reçoivent les protubérances 96a et 98a des contacts 96 et-98, respectivement. Les protubérances 96a et 98a ont, de préférence, une hauteur supérieure à 69 21270 2014202 l'épaisseur de la feuille isolante 99» de façon qu'elles viennent en contact avec les bandes conductrices 106 supportées entre les feuilles isolantes 99 et 100 et puissent être liées à ces conducteurs. Suivant un autre aspect du procédé selon l'invention, le moyen d'inter-5 connexion 90 peut être fabriqué en disposant la feuille isolante 102 de façon que les bandes conductrices 108 soient tournées vers le haut. La feuille isolante 100 est alors disposée sur la feuille isolante 102 et l'ouverture 112 est alignée avec le conducteur approprié 108. Ce processus peut être répété, suivant les besoins, pour assurer d'autres connexions ou bien toutes ces conne-10 xions peuvent être réalisées simultanément en plaçant un disque de soudure dans chacune des ouvertures 112 et en chauffant la stratifié à une température suffisante pour faire fondre la soudure. Bien entendu, - si plus de deux couches de bandes conductrices d'interconnexion doivent être utilisées, on peut employer le même processus entre les couches adjacentes de bandes conductrices 15 de la manière voulue. En supposant que la feuille conductrice 110 soit un plan de masse haute-fréquence, la feuille isolante 104 et la feuille métallique 110 peuvent alors être simplement liées à la feuille isolante 102 par un agent convenable. D'une manière analogue, la feuille isolante perforée 99 peut être liée aux bandes 20 conductrices 106. Les protubérances 96a et 98a peuvent être formées par une technique de dépôt électrolytique ou de liaison par billes pour former une saillie sphérique de métal d'une température plus élevée que celle du métal utilisé pour la liaison. On peut ensuite revêtir, soit les protubérances 96a et 98a, soit la partie 25 correspondante des conducteurs 106, d'un métal de liaison tel que de la soudure, mettre en contact les deux pièces, chauffer à une température suffisante pour faire fondre la soudure, puis refroidir pour assurer la liaison. Les protubérances 96a et 98a peuvent également être solidarisées avec les bandes conductrices superposées par liaison par thermocompression, liaison par 30. ultra-sons, ou par un autre moyen convenable quelconque. Les dispositifs s emi-conducteur s 94 peuvent tout d'abord être assemblés avec le moyen d'interconnexion 90, puis l'ensemble ainsi obtenu peut être assemblé avec un réceptacle, ou bien l'on peut tout d'abord assembler les dispositifs semi-conducteurs 94 avec le réceptacle et assembler le moyen 35 d'interconnexion 90 avec l'ensemble formé par les dispositifs semi-conduc 69 21270 ii 2014202 teurs et le réceptacle ou encore la liaison de ces divers organes peut être simultanée. La feuille isolante perforée 99 peut être utilisée avantageusement lorsqu'une seule couche de bandes conductrices est nécessaire, comme dans les dispositifs 10, 50 et 60. Dans ce cas, les plots de contact du dispositif semiconducteur peuvent être formés, comme représenté sur la Fig. 6, ou bien l'ouverture de la feuille isolante peut être rendue suffisamment grande pour que la bande conductrice puisse être déformée à travers l'ouverture et appliquée contre le plot de contact. On comprendra également que les protubérances 96a, 98a, par exemple, peuvent être rendues suffisamment hautes pour qu'elles traversent plusieurs niveaux de feuilles isolantes et bandes conductrices et puissent être directement liées à un conducteur de bande. On comprendra aussi que l'ensemble d'un dispositif semi-conducteur et du moyen d'interconnexion forment un produit commercial qui peut être aisément essayé à l'avance par un client, puis encapsulé dans pratiquement n'importe quelle capsule hermétiquement scellée ou incorporé dans un circuit hybride qui peut alors être hermétiquement scellé. Les bandes conductrices du moyen d'interconnexion peuvent également être des lignes sinueuses de manière à former des résistances. Un tel dispositif est particulièrement efficace dans les transistors de puissance à émetteurs multiples, où une résistance est branchée dans chaque circuit d'émetteur pour empêcher un "emballement" thermique. D'autres éléments passifs tels que des condensateurs peuvent également être supportés par la feuille isolante du moyen d'interconnexion. Il va de soi que les dispositifs s emi-conducteur s 13, 76 et 94 peuvent contenir soit un unique élément semi-conducteur distinct, soit un circuit intégré, capable d'assurer une fonction électronique. Ces dispositifs peuvent également être constitués chacun par un fragment de s emi-conducteur comportant une série de circuits intégrés individuels capables, chacun, d'assurer une fonction électronique, ces circuits étant interconnectés en un réseau par un ou plusieurs niveaux de conducteurs . De tels dispositifs sont parfois désignés sous le nom de "circuits intégrés à échelle moyenne" ou "circuits intégrés à grande échelle", suivant le nombre de circuits du réseau. Le moyen d'interconnexion 90 convient particulièrement bien pour interconnecter un certain nombre de circuits du réseau. Le moyen d'interconnexion 90 convient parti 69 21270 12 2014202 culièrement bien pour interconnecter un certain nombre de circuits intégrés individuels ou de réseaux de circuits intégrés montés sur un substrat rigide ou réceptacle commun. Dans ce dernier cas, les conducteurs partant du réceptacle commun ou autre support 92 peuvent se présenter sous la forme de 5 broches ou de fils comme représenté à propos des dispositifs 10, 50, 60 et 70, ou encore être réalisés sous forme de circuits imprimés sur le support 92. Il va de soi également que le réceptacle qui forme le support rigide peut présenter n'importe quelle forme désirée, y compris, mais non exclusivement, la forme de modules plats pour fragments de circuits intégrés, ou la forme de 10 capsules du type à ailette dans lesquelles les conducteurs s'étendent vers le haut à partir de la surface sur laquelle est monté le semi-conducteur jusqu'au capot ou couvercle, ce qui assure l'alimentation en transit avec isolement électrique des conducteurs individuels. 69 21270 13 2014202 REVENDICATIONS 1 - Ensemble renfermant un dispositif s emi-conducteur, comprenant un support rigide, une série de conducteurs électriques isolés montés sur ce support et au moins un fragment de s emi-conducteur distinct dans lequel est 5 formé au moins un élément s emi-conducteur et présentant des plots de contact métallisés sur au moins l'une de ses surfaces, caractérisé par au moins un jeu de bandes conductrices pelliculaires liées à l'une des faces d'une mince feuille souple de matière isolante réalisant un support mécanique, ces bandes interconnectant électriquement les plots de contact et les conducteurs 10 de sorte que l'élément semi-conducteur peut être électriquement connecté à un circuit extérieur par l'intermédiaire desdits conducteurs. 2 - Ensemble suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les bandes conductrices pelliculaires sont disposées sur la face d'une feuille de matière isolante elle-même disposée au voisinage du fragment de semi-conduc- 15 teur, et ce fragment est lié au support tandis que des plots de contact métallisés sont disposés sur une surface du fragment de semi-conducteur éloignée du support. 3 - Ensemble suivant les revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'au moins un conducteur s'étend à travers une ouverture de la bande conductrice 20 pelliculaire à laquelle il est connecté dans une ouverture de la feuille isolante. 4 - Ensemble suivant les revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'au moins une bande conductrice pelliculaire s'étend au-dessus d'un conducteur et est liée à celui-ci. 25 5 - Ensemble suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la feuille isolante est disposée au voisinage du support de façon qu'une bande conductrice pelliculaire soit disposée sur la surface de la feuille isolante éloignée du support, et le fragment de semi-conducteur est disposé de façon que des plots de contact métallisés soient adjacents aux bandes conductrices pelliculaires. 30 6 - Ensemble suivant la revendication 4, caractérisé en ce qu'une ouver ture est pratiquée à travers au moins une bande conductrice pelliculaire et la partie sousjacente de la feuille isolante, et la bande conductrice pelliculaire est liée à un conducteur à travers cette ouverture pour assurer une connexion électrique. 35 7 - Ensemble suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est 69 21270 2014202 prévu plusieurs fragments de semi-conducteur séparés, et au moins une bande conductrice pelliculaire interconnecte des contacts disposés sur des fragments de s emi-conducteur différents. 8 - Ensemble suivant la revendication 7, caractérisé en ce qu'il est 5 prévu plusieurs bandes conductrices pelliculaires, chacune d'elles étant liée à une mince feuille souple de matière isolante formant support, les feuilles de matière isolante étant stratifiées de telle façon que deux jeux adjacents quelconques de conducteurs pelliculaires soient séparés par une feuille de matière isolante, au moins une connexion électrique étant prévue entre deux 10 conducteurs de jeux différents qui s'étendent à travers une ouverture de la feuille de matière isolante disposée entre les deux conducteurs, les jeux de bandes conductrices pelliculaires interconnectant collectivement les éléments semi-condUcteurs et les conducteurs. 9 - Ensemble suivant la revendication 8, caractérisé en ce que la série 15 de jeux de bandes conductrices pelliculaires est montée sur un support rigide et est enfermée de manière à former une capsule hermétiquement scellée, et les conducteurs traversent l'enveloppe au-delà de la face interne d'un réceptacle et sont hermétiquement scellés dans celui-ci. 10 - Ensemble suivant la revendication 8, caractérisé en ce qu'au moins 20 certaines des bandes conductrices sont préalablement revêtues d'un métal à point de fusion relativement bas, de sorte que les bandes conductrices respectives peuvent être soudées à un autre conducteur sans apport de matériau liant. 11 - Ensemble suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins 25 l'une des bandes conductrices forme une résistance. 12 - Ensemble suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'un condensateur est formé par deux plaques conductrices souples supportées par une feuille de matière isolante électriquement connectée dans un circuit comprenant au moins l'une des bandes conductrices. 30 13 _ Procédé de fabrication de l'ensemble suivant l'une quelconque des revendications 1 à 11 comprenant un dispositif semi-conducteur présentant une série de plots de contact sur l'une de ses faces, et une capsule hermétiquement scellée comprenant un réceptacle à partir de la face interne duquel s'étendent une série de conducteurs à broche et un jeu de bandes conductrices 35 pelliculaires supportées par une mince feuille souple isolante et interconnec 69 21270 15 2014202 tant un plot de contact et des conducteurs à broche, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'on lie le dispositif avec la face interne du réceptacle de façon que les plots de contact soient disposés sur la face du dispositif semi-conducteur éloignée du réceptacle^on dispose la feuille isolante sur le dispositif 5 semi-conducteur de façon que des parties des bandes conductrices pelliculaires soient disposées contre les plots de contact respectifs et les conducteurs à broche respectifs, cependant qu'un matériau liant conducteur à point de fusion relativement bas est disposé au voisinage immédiat de la jonction, on chauffe l'ensemble jusqu'à ce que le matériau liant fonde, puis on refroidit 10 l'ensemble pour produire une liaison conductrice entre les bandes conductrices, d'une part, et les plots de contact et conducteurs à broche respectifs, d'autre part.