Brevet FR2049049A1 — publié le 19710326

La présente invention concerne un élément de commutation pour un faisceau lumineux et, plus particulièrement, un générateur de modèl© (composeuse de page) dans une mémoire holographique. 5 Pour suivre les progrès de l'informatique, les capaci tés des machines à calculer électroniques ou ordinateurs ont augmenté rapidement au point d'atteindre une capacité de mémoire de 10^ "bits. Il est en outre prévu qu'au cours de la prochaine décennie, on disposera d'une mémoire de capacité extrêmement grande Q «4 r\ 10 de 10 à10 hits. D'une façon classique, chaque hit d'une information "désirée est emmagasiné dans un point unique correspondant se trouvant dans l'espace de la mémoire. En d'autres termes, un point donné de l'espace d'une mémoire ne peut emmagasiner qu' un seul hit. Conformément à un tel système, les mémoires pren-15 nent inévitablement des dimensions importantes et un seul hit d'information ne peut être traité à la fois. De ce fait, l'accroissement de la capacité est accompagné d'une augmentation de perte de temps et d'espace. On peut réduire à un minimum cet inconvénient en uti-20 lisant l'holographie. On va maintenant décrire la présente invention en se référant au dessin annexé sur lequel i la figure 1 est une représentation schématique du moyen général d'un système générateur de modèles holographiques ; 25 la figure 2 est une représentation schématique de la façon dont est reproduit un modèle holographique obtenu au moyen du système de la figure 1 ; la figure 3 représente la déformation du réseau d'xui cristal ferroélectrique-ferroélastique lors d'une inversion de 30 polarisation j la figure 4 montre les différents états d'un faisceau de lumière qui est injecté sous forme d'un faisceau de lumière polarisée linéairement dans une lame à coupe Z d'un cristal fer-roélectrique-ferroélastique et qui est transmis à travers cette 35 lame ; la figure 5 montre la variation du plan de polarisation (plan de vibration) d'un faisceau lumineux quand un faisceau de lumière polarisée linéairement est injecté dans un élément conjugué comprenant une lame quart d'onde d'un cristal ferroélectri-40 que-ferroélastique et une lame quart d'onde fixe ; 70 08384 2 2049049 La figure 6 montre comment on forme des électrodes transparentes sur un cristal ferroélectrique-ferroélastique dans l'obturateur optique de la présente invention ; la figure 7a montre la composition d'une mémoire holo-5 graphique d'un mode de réalisation de l'invention ; les figures 7b et 7£ sont, respectivement, un schéma de circuit des éléments de commande X et Y destinés à appliquer des signaux à l'obturateur optique de la figure 7a ; la figure 8 représente un autre mode de réalisation 10 de la structure d'électrode de l'obturateur optique de la présente invention. Une mémoire holographique comprend une source de fais-ceauxlaser 1 destinée à émettre des faisceaux de lumière laser, un collimateur 2 destiné à collimater les faisceaux laser émis 15 par la source 1, un objet 3 présentant un intérêt, un système de dévistion 4'destiné à fournir des faisceaux de référence, et un élément d'emmagasinage ou support 5 destiné à emmagasiner les modèles (franges optiques) d'interférence de l'objet ainsi que les faisceaux de référence, cela comme on peut le voir sur 20 la figure 1. L'objet 3 peut être constitué par une diapositive sur laquelle ont été perforées ou imprimées des données numériques ou des modèles ou combinaisons géométriques de données et l'élément d'emmagasinage 5 est un film photographique dévidé en continu à partir d'une bobine. L'hologramme (mémoire) ainsi 25 formé sur l'élément d'emmagasinage 5 est la transformation de Fourier de l'objet 3, laquelle est propre-à l'objet et est constituée de raies spectrales rectilignes ayant la forme d'un réseau. On peut effectuer la lecture de la mémoire, comme re-30 présenté sur la figure 2, en injectant un faisceau laser en provenance d'une source 1 dans une partie choisie arbitrairement de l'élément de mémoire 5. Le faisceau laser transmis à travers l'élément de mémoire 5 est concentré par une lentille 6 sur un dispositif de lecture (constitué par une matidce de 35 plusieurs milliers à plusieurs dizaines de milliers d'éléments convertisseurs photoélectriques). Bans l'objet 3» des données numériques ont été emmagasinées sélectivement à des endroits disposés de façon périodique. Pour emmagasiner les données d'une façon plus dense dans un film photographique, on divise 40 la feuille de données en blocs plus petits et chaque bloc em- copy 70 08384 3 2049049 magasine les■informations d'un mot. Ainsi, une mémoire emmagasine de petites séries d'hologrammes dont chacune représente un mot d'information. Grâce à ce procédé, on peut emmagasiner au Q maximum des informations de 1 x 10 bits par centimètre carré. 5 Toutefois, les informations de la combinaison ou mo dèle optique de points d'un hologramme sont, de façon classique, inscrites sur un film au moyen de dispositifs non modifiables tels que des cartes perforées. Par exemple, les informations de modèles ou combinaisons optiques de points de 10^ bits s'éten-•jO dant dans un espace à deux dimensions sont concentrées au moyen d'un système de lentilles sur un point d'un élément d'emmagasinage comportant une matière photosensible, ce point ayant un rayon de 1 mm,et elles y sont emmagasinées. Ces informations de 10^" bits peuvent être traitées exactement en même temps et, de 15 ce fait, elles sont appelées une "page", cette page étant une unité de quantité d'information. La limite supérieure des pages que l'on peut emmagasiner dans un seul plan d'éléments d'emmagasinage est considérée comme étant d'environ 10^" du point de vue des éléments d'emmagasinage et des systèmes optiques, et 20 cette limite est appelée le "volume". Un volume contient des Q p informations de 10 bits, et des informations de 10 bits sont emmagasinées sous forme de 10^ volumes. Dans la pratique, les informations sont inscrites page par page de sorte que pour 12 écrire une information de 10 bits en utilisant des cartes per- Q - ' - 25 forées, 10 cartes perforées deviennent nécessaires. En plus, du temps considérable exigé pour changer les cartes perforées, il faut encore plus de temps pour réaliser ces cartes perforées, de sorte que le temps complet nécessaire devient extrêmement important. Par exemple, même si l'on fabriquait une carte toute 30 les minutes en utilisant une technique de photogravure, il faudrait presque 200 ans pour préparer 10^ cartes. Il est par conséquent désirable de réaliser un agencement d'obturateur pouvant être commandé à volonté et supérieur à 10^ pour le système d'inscription holographique. 35 II faut que cet agencement optique d'obturateur sa tisfasse les conditions suivantes : (1) Chaque obturateur peut être actionné indépendamment vis-à-vis de la quantité effective de faisceaux de lumière transmis (on peut modifier la phase des rayons lumineux pour 40 effectuer la commande de l'intensité des faisceaux de lumière OnPY t l 08384 4 2049049 dans un système de polarisation ainsi que l'absorption ou la réflexion) et des bits d'information respectifs ; (2) Dans le cas d'un système dans lequel la commutation dés obturateurs optiques est commandée électriquement, il faut 5 que les informations soient disposées dans un agencement de matrice de manière à simplifier la sélection d'adresse des informations au moyen du procédé de coïncidence de tensions (ou du procédé de coïncidence de courants) ; (3) Comme condition associée à la condition (2), il faut 10 que les propriétés caractéristiques des obturateurs optiques soient commandées indépendamment les unes des autres et qu'elles présentent une action de mémoire vis-à-vis du signal d'inscription^ et (4) Comme autre condition associée à la condition (2) il 15 faut,qdans le procédé de coïncidence de tensions, que les propriétés caractéristiques desdits obturateurs optiques présentent une valeur de seuil"poux une impulsion de tension d'un signal d'inscription. (Pour résumer les conditions (3) et (4), il faut que la caractéristique optique commandée présente une 20 propriété d'hystérésis et de bi-stabilité vis-à-vis du signal dlinscription, par exemple l'impulsion de tension). La demanderesse a constaté que dans certaines sortes de matières ferroélectriques, la polarisation spontanée peut être inversée et que, simultanément, les axes i et j peuvent 25 être interchangés par application d'un champ électrique supérieur à une certaine valeur de seuil (que l'on appelle le champ électrique coercitif) ou d'une contrainte supérieure à une certaine valeur (appelée contrainte coercitive). Cette inversion est équivalente à une rotation de 90° autour de l'axe s 30 suivie d'une "réflexion de miroir". Ce phénomène présente une propriété d'emmagasinage. De façon plus particulière, la demanderesse a constaté que dans certaines sortes de substances ferroélectriques, par exemple du ph©sphate di-acide de potassium (que l'on appellera par la suite KDP), du molybdate de gadoli-35 nium (que l'on appellera M0G par la suite) et de la boracite, la polarisation spontanée peut être inversée et les axes i et j peuvent être interchangés par l'application d'un champ électrique ou d'une contrainte supérieure à leurs valeurs coercitives (voir figure 3)» ces substances étant différentes des matières 40 ferroélectriques ordinaires telles que le sulfate de tri-glycine, 70 08384 5 2049049 le titanate-Eirconate de plomb ou le titanate de baryum. Sur la figure 3» la polarisation 6 avant la commutation est représentée sur le côté gauche et celle après la commutation est représentée sur le côté droit. La demanderesse a constaté qu*un 5 tel phénomène est observé dans une certaine sorte de substances ferroélectriques appartenant au groupe mœ2 et, de ce fait, elle a appelé ces substances les substances ferroélectriques-ferro-élastiques et les a classées dans le groupe imm2 qui appartient aux espèces ferroélectriques-ferroélastiques 42 "raP mm2, 43 mP mm2 10 et 6 m23? mm2. Ces cristaux, dans la phase ferrôélectrique-ferro- ' élastique, sont biréfringents et ont des indices de réfraction o d'un cristal MOG 10 (taillé de manière à comporter deux faces opposées perpendiculaires à l'axe z) est disposée en position diagonale entre des polariseurs croisés 7 et 8 (un polariseur et un analyseur). Ici, les plans de vibration: des polariseurs 30 7 et 8 sont perpendiculaires et les surfaces des polariseurs 7 et 8 et du cristal ÎIOGr 10 sont parallèles. Quand un faisceau de lumière blanche 9 traverse un tel agencement, il se transforme en un faisceau de lumière polarisée linéairement à l'endroit du polariseur 7, puis il se transforme en un faisceau de lumière 35 polarisée elliptiquement, circulairement ou linéairement par suite du retard que prend la lumière transmise à travers le cristal 10 et, finalement, le faisceau est transmis partiellement à travers l'analyseur 8. Un polariseur ou analyseur permet le passage des composantes du faisceau incident qui ont le même 40 plan de vibration que celui du polariseur ou analyseur. De ce 70 08384 6 2049049 fait, on observe une eouLeur d'interférence due à la différence de phase que présentent les rayons lumineux de diverses longueurs d'ondesconstituant un faisceau de lumière blanche. Quand un cristal ferroélectrique-ferroélastique appar-5 tenant au groupe imm2 est taillé sous forme d'un cube dont les plans sont parallèles, aux axes âu cristal, poli de manière à posséder des surfaces optiquement plates, muni d'électrodes sur les plans z, placé entre des polariseurs croisés en position diagonale pui3 soumis à un faisceau incident de lumière blanche, 10 une couleur d'interférence apparaît suivant l'épaisseur du cristal par suite de la biréfringence. Il en est ainsi du fait de la différence de phase et du retard des rayons lumineux propres à chaque cristal. Le retard R obéit à l'équation î H = d . A n 15 où d est l'épaisseur du cristal traversé par un faisceau de lumière et An représente la biréfringence. Dans les substances f erroélectriques-f erroélastiques, les axes x et £ soat interchangés lors de l'inversion de polarisation, comme décrit ci-dessus. De ce fait, l'épaisseur d et la biréfringence sont sujets 20 à une variation. En d'autres termes, en supposant que les retards correspondant aux états positif et négatif soient S (+) et fi {-)» R (+) et E (-) peuvent être représentés comme suit x R (+) = dx . CY-0) E (-) » d . (-y-*) 25 y d _d Etant donné qu'habituellement aX ~j7 = 0,01^-0,001 et d , x y ' ^ « 1-^0,1, la couleur d'interférence due à la biréfringence varie lôrs dê l'inversion de polarisation. De ce fait, on peut obtenir un élément dont la couleur d'interférence varie nette-30 ment en proportion de l'épaisseur. Toutefois, dans le cas d'un monocristal MOGr, s 1,5 z 10"^ et fi— ** = 2 x 10"^ d_ + d~ . -y x y ' et il en résulte que la couleur ne varie pas très nettement, c'est-à-dire que la gamme de modulation de la couleur n'est pas 35 large quand on n'utilise que le retard, cela étant du à la variation de la biréfringence lors de l'inversion de la polarisation. la présente invention remédie à l'inconvénient ci-dessus et utilise un procédé dans lequel la direction de trans-40 mission du faisceau incident coïncide avec la direction de la 08384 7 2049049 polarisation spontanée, c'est-à-dire de la direction du champ électrique appliqué. Par conséquent, le trajet optique d et les valeurs de "biréfringence ne varie pas lors de l'in version de polarisation. Il en résulte que de'tels éléments 5 présentent une grande diversité de phénomènes particuliers dans leur transmission. On va décrire ci-après ces phénomènes et leurs mécanismes. Quand on applique un champ électrique plus puissant que le champ électrique coercitif aux électrodes transparentes 10 mentionnées ci-dessus de la lame Z de cristal MOG, la direction optique de la polarisation elliptique transmise à travers le cristal s'inverse étant donné que la polarisation spontanée est inversée et que le plan axial optique tourne de 90°. De ce fait, les retards avant et après l'application d'un'champ élee-15 trique ont la même grandeur mais sont de signes opposés. Comme on peut le voir sur la figure 5, on forme un obturateur optique en disposant sur le même axé optique une source de lumière cohérente 1 qui émet des rayons lumineux d* une longueur d'onde ^q, une lame quart d'onde biréfringente 11, 20 une lame quart d'onde de monocristal MOG 12 munie d'électrodes" transparentes 13 sur ses plans z et, enfin, un analyseur 8. Dans le présent agencement, la source de lumière cohérente 1 peut être une source de lumière comportant une plaque polarisante ou une source laser avec une fenêtre Brewster. lia lame 12 de 25 monocristal MOG peut être appelée un élément de rotation"de plan de polarisation. En d'autres termes, quand une tension au moins égale au champ électrique coercitif est appliqué à la lame 12, la double réfraction de cette dernière et le retard que présente le faisceau transmis à travers la lame 12 change 30 de signe. De ce fait, étant donné que le retard Rq de la lame quart d'onde 11 et que le retard R^ de la lame 12 de monocristal MOG sont"égaux en valeur absolue, le retard total R devient î R = Rq ± Rq. = 2Rq ou 0 ^ De ce fait, la structure composite de lames 11 et 12 fonctionne comme une lame demi-onde ou une lame ne présentant pas de retard. Dans le présent agencement, il faut que les deux lames 11 et 12 soient disposées à une position diagonale par rapport"à la direction de vibration du faisceau de lumière 0838** 8 2049049 incident polarisée linéairement. Quand un faisceau de lumière polarisée linéairement est transmis à travers une telle structure composite de lame demi-onde, le plan de polarisation tourne de 90°, tandis que lorsqu'un faisceau de lumière est transmis à 5 travers une lame ne présentant pas de retard, le plan de vibration ne subit aucune variation. L'inversion de polarisation peut aussi être provoquée par l'application d'une contrainte au moins égale à la contrainte coercitive. L'aptitude à faire tourner le plan axi:al optique de 10 90° en présence d'un champ ou d'une contrainte électrique est une propriété unique propre aux cristaux ferroélectriques-fer-roélastiques. Par conséquent, on ne peut obtenir le résultat ci-dessus qu'avec une combinaison de deux lames quart d'onde dont au moins une est constituée par un cristal ferroélectrique-15 ferroélastique du groupe imm2. Une telle structure capable de faire tourner le plan de vibration du faisceau indicent de lumière polarisée linéairement sous l'effet de l'application d'un champ ou d'une contrainte électrique sera appelé : structure capable de faire tourner le plan de polarisation. 20 Quand un polariseur est disposé de manière à recevoir un faisceàu de lumière transmis à travers une structure capable de faire tourner le plan de polarisation, cela de façon telle que la direction des vibrations dudit faisceau soit perpendiculaire (ou parallèle) à celle de ce dispositif, on obtient un 25 obturateur optique dont la transmittance I est : I = sin2 1] = 1 ou 0 " *0 En outre, l'épaisseur de la lame ferroélectrique-ferroélastique et de la lame quart d'onde peut non seulement être égale à un p n .4 30 quart de longueur d'onde mais encore être égale à ^ de longueur d'onde. La demanderesse a proposé dans la demande de brevet japonaise n° 20816/1968 un système comprenant un monocristal MOG muni d'ëléctrodés transparentes disposées en rangées et en 35 colonnes sur les plans de transmission de lumière et dans lequel une tension égale à au moins la moitié du champ électrique coeiv citif peut être appliquée à chaque électrode de colonne ou de rangée pour inscrire une inversion de polarisation dans le cristal en conformité avec le signal extérieur, cela par.tua procédé 40 de coïncidence de tension^ Quand on injecte un faisceau de lu 08384 9 2049049 mière polarisée linéairement dans une partie polarisée positivement ou négativement d'un tel cristal, on peut lire, c'est-à-dire extraire, de façon non destructive des informations qui y sont écrites étant donné que le cristal transmet ou arrête le 5 faisceau lumineux suivant son état de polarisation. Toutefois, dans ce système, les électrodes transparentes formant une matrice sont disposées sur les plans de transmission de lumière d'une lame quart d'onde ferroélectrique-ferroélastique et, par conséquent, l'effet de l'inversion de 10 polarisation s'étend non seulement aux parties des électrodes qui se croisent mais aussi à la totalité de la région de l'électrode formant une bande. De ce fait, il est difficile, en formant des électrodes sur des parties d'une lame de cristal, de réaliser un interrupteur optique qui n'effectue une fonction 15 de commutation que vis-à-vis du faisceau lumineux traversant ces parties. La présente invention a pour objet un système d'obturateur optique capable d'exécuter arbitrairement une fonction de commutation en faisant ou non apparaître avec précision des 20 parties transparentes à des positions désirées. La présente invention vise également un générateur de combinaisons d'informations comprenant le système d'obturateur ci-dessus, ce générateur pouvant engendrer en continu, facilement et avec précision, une combinaison prédéterminée d'infor-25 mations et cela conformément à un signal prédéterminé. La présente invention vise encore une mémoire holographique de grande capacité. Pour obtenir l'objet et les caractéristiques de la présente invention, les moyens généraux de cette dernière conais- A 30 tent à disposer une lame ( —^—) de longueur d'onde et une lame de coupe Z d'un cristal ferroélectrique-ferroélastique dont les plans z opposés sont séparés par une distance égale à ^) de longueur d'onde entre deux dispositifs polariseurs, des électrodes transparentes étant déposées sur les faces ou 35 plans z de la lame de cristal ferroélectrique-ferroélastique. Dans cette structure, la conception est telle qu'un champ électrique au moins égal au champ coercitif du cristal ferro-électrique-ferroélastique peut être appliqué.à une partie requise du cristal à travers lesdites électrodes transparentes. 40 on va maintenant décrire ci-après les modes de réali 08384 10 2049049 sation préférés de l'invention en se référant aux figures 6 à 8. Comme on peut le voir sur la figure 6, on prépare d'abord une lame quart d'onde d'un élément f erroélectrique-ferroélastique à partir d'une lame Z de monocristal MOG de di-5 mensions 12 mm x 0,387 mm (la perpendiculaire aux plans d'extrémité étant (001), en d'autres termes une lame (001) ) et comportant deux autres plans opposés taillés parallèlement au plan (110). Sur l'un des plans ou faces Z, on forme un grand nombre d'électrodes transparentes 13 en oxyde d'étain (SnOg) 10 par une technique NESA (on peut aussi utiliser des électrodes de InOg formées par évaporation) dans la direction (110) de manière que ces électrodes aient une largeur de 0,5 œm et soient distantes de 0,5 œa et on les relie à des conducteurs correspondants 15. Sur l'autre plan ou face Z, on forme une électrode 15 transparente uniforme 14 sur la totalité de la surface et on la relie à un conducteur 16. De ce fait, on obtient un élément ferroélectrique-ferroélastique 21 tel que celui représenté sur la figure 6. Ensuite, comme illustré sur la figure 7a, entre une 20 lentille de collimation 20 et une lame ferroélectrique-ferr©-élastique 21, on dispose, dans l'ordre et en alignement avec la lame 21, un"polariseur 7, une lame quart d'onde 18 et un écria perforé ou grille 17. La lame quart d'onde 18 est placée dans une position diagonale. Après l'élément 21,'on dispose, dans 25 l'ordre, un analyseur 19» une lame quart d'onde 18', un masque ou écran perforé 18* et un autre élément ferroélêctrique-ferroélastique 21', les électrodes en forme de bandes de l'élément 21' étant perpendiculaires à celles de l'élément 21. Après l'élément 21', on dispose un analyseur 8 perpendiculairement à 30 l'élément 21' et on place ensuite, finalement, une lentille de concentration 20' et une pellicule photographique 5. Les éléments 21 et 21* sont munis respectivement d'électrodes formant cinq bandes verticales et horizontales. Quand on applique une tension négative aux fils de commande X 0 à 5 de l'élément 21 35 pour orienter la polarisation uniformément dans la direction" négative, le retard E de la lame de cristal devient E = - ^ Q de manière à empêcher le faisceau incident d'un laser 1, à gaz He-He, cela en accord avec le retard de la lame quart d'onde 18. Ensuite, si on applique une tension positive à une électrode 40 choisie arbitrairement de manière à inverser la polarisation 70 0Ô384 n 2049049 spdntanée, le retard E devient : E = + ^ %Q et le retard total de l'élément 21 et de la lame quart d'onde 18 devient ^ /\Q du fait que ces deux éléments fonctionnent ensemble comme une lame demi-onde. De ce fait, seul le faisceau lumineux transmis 5 à travers cette partie de bande traverse l'analyseur 19 de manière à être injecté dans l'élément 21*. Etant donné que les électrodes de l'élément 21* sont transversales à celles de l'élément 21, les parties"des cinq électrodes correspondant auxdites parties polarisées positivement reçoivent les rayons 10 lumineux. On peut faire fonctionner l'élément 21' de la même manière que l'élément 21 et, par conséquent, on peut emmagasiner en une fois dans la pellicule 5 des informations de cinq bits correspondant à une ligne d'une combinaison ou modèle holographique d'informations. Il convient de remarquer ici que 15 les polarisations des parties sous les électrodes subissent ou ne subissent pas, respectivement et indépendamment, une rotation, c'èst-à-dire une commutation. La tension de commande est fournie par les circuits de commande représentés sur les figures 7b et 7o_ et est de 150 volts tant pour les signaux po-20 sitifs que pour les signaux négatifs. Le temps de commutation est de 1 milliseconde et la largeur des impulsions de tension . est de 2 millisecondes. Même après la disparition de la tension d'impulsion, la direction de la polarisation spontanée, qui est l'état de la combinaison optique d'informations créée peut 25 être maintenue en mémoire. De ce fait, une combinaison holographique d'informations est inscrite par l'intermédiaire de la lentille 20* sur la pellicule photographique 5 sous la forme d'un point ou spot de 1 mm de diamètre et est emmagasinée sur cette pellicule. Dans ce mode de réalisation, étant donné que 30 la sensibilité de la pellicule photographique est faible, le temps d'exposition est choisi de manière à être égal à 100 millisecondes et l'élément 21 est disposé de manière à subir une commutation ligne par ligne toutes les 100 millisecondes. L'autre élément 21' subit également une commutation toutes les 35 100 millisecondes de manière à engendrer la combinaison d'informations de la ligne suivante. En répétant ces opérations cinq fois, des informations de 5 x 5 = 25 bits sont concentrées sur un seul point ou spot et y sont inscrites. On répète des opérations similaires pour d'autres points ou spots de la pel-40 licule photographique. De ce fait, il est possible d'emmagasiner 08384 12 2049049 des informations d'environ lO^bits dans une zone de 2 cm x 2 obi sur une pellicule photographique. la densité des informations peut ainsi être accrue efficacement. la description qui précède concerne un générateur de 5 combinaisons d'informations àeatiné à être utilisé dans une mémoire ayant recours à ua hologrammej^Le laser. Mais la présente invention pourrait également être utilisée comme obturateur optique iopologique pour empêcher de passer des rayons lumineux inutiles ainsi que pour d'autres fins, par exemple comme obtu-10 rateur du type matrice à accès aléatoire fonctionnant comme un élément de composition d'une diapositive à accès aléatoire dans une machine à enseigner. Au cas où. le nombre d'obturateurs est faible, comme c'est le cas dans l'exemple ci-dessus, on peut se passer de l'un des éléments. Par exemple, comme représenté 15 sur la figure 8, on munit, sur l'un de ses côtés, un cristal ferroélectrique-ferroélastique avec des éléetrodes transparentes formées par six bandes ayant des dimensions de 6 mm x 8 nm, réalisées dans une feuille transparente de 6 mm x 50 mm de dimensions avec un intervalle de 2 à 2,5 mm entre chaque paire 20 d'électrodes adjacent^ de manière'à former une région sans électrode. Sur l'autre côté, on forme une électrode uniforme sur la surface totale. Ensuite, on relie des conducteurs aux électrodes respectives. On dispose alors six cristaux d'une telle structure de la manière représentée sur la figure 8 et 25 sur le côté mentionné en premier, on relie en commun chaque groupe de six conducteurs reliés à la position correspondante et on prévoit une connexion de sortie, cela de manière à former une rangée. De ee fait, six rangées sur la face avant et six colonnes sur la face arrière forment une matrice et on obtient 30 un obturateur du type matrice à accès aléatoire, dans lequel n'importe quelle adresse peut être sélectionnée arbitrairement au moyen d'un procédé de coïncidence de tensioife, Bien que l'on ne puisse pas traiter arbitrairement plus d'une adresse de la matrice dans ce système, une exposition multiple est possible 35 si l'on a recours à un fonctionnement séquentiel dans le temps. De ce fait, ce système présente aussi un très large champ d'applications. Comme décrit ci-dessus, la présente invention présente les avantages suivants x 40 (a) Même un corps monolithique d'une substance ferroélec- 70 08384 13 2049049 trique-ferroélastique tel qu'un monocristal MOG peut être utilisé pour réaliser un générateur de combinaisons d'informations et l'inversion de polarisation due à l'application d'un champ électrique coercitif peut être localisée uniquement dans les 5 parties limitées croisées des électrodes, sur les deux surfaces, de sorte que l'on obtient un élément générateur de combinaisons d'informations et d'inscription précis ; (b) On peut obtenir un générateur de combinaisons d'in formations présentant un rapport signal/bruit élevé, par exem-10 pie lorsque l'on utilise un faisceau cohérent et un écran perforé ou grille approprié étant donné que le faisceau de lumière non utile ne pénètre pas dans les parties indésirables. 08384 14 2049049 REVENDICATIONS 1°) Obturateur optique caractérisé par le fait qu'il comprend :"deux éléments de polarisation ; une lame de coupe Z en un cristal ferroélectrique-ferroélastique possédant la sy- 5 métrie cristallographique mm2, disposés entre les deux éléments de polarisation précités et ayant une épaisseur égale à 2n+1 \ 4 pour une longueur d'onde prédéterminée A du faisceau incident ; plusieurs électrodes transparentes parallèles formées sur l'un des plans z, une électrode transparente uniforme formée sur la 10 totalité de la surface de.l'autre plan z, et un dispositif élec' trique pour fournir un champ électrique au moins égal au champ électrique coercitif du cristal par l'intermédiaire desdites électrodes ; et une lame 2n+1 "X pour ladite longueur d'onde "K -4 - n étant un nombre entier positif ou 0. 15 2°) Obturateur optique suivant la revendication 1, caractérisé" par le fait que le cristal ferroélectrique-ferroélastique est du molybdate de gadolinium. 3°) Obturateur optique suivant la revendication 1, caractérisé'par le fait qu'il comprend, en outre, plusieurs 20 masques ou écrans perforés disposés entre ladite lame 2n+1 4 et ledit existai ferroélectrique-ferroélastique, ces écrans comportant des ouvertures circulaires disposées de manière à coïncider avec ladite multitude d'électrodes transparentes. 4°) Obturateur optique suivant la revendication 3, 25 caractérisé'par le fait que le cristal ferroélectrique-ferroélastique est du molybdate de gadolinium. 5°) Générateur de combinaisons d'informations comprenant : deux" obturateurs optiques reliés en série, chacun comprenant deux éléments de polarisation ; un cristal ferroélectri' 30 que-ferroélastique disposé entre ladite paire d'éléments de poli risation et comportant des plans ou faces opposés de coupe z dont la distance est égale à 2n+1 X pour une longueur d'onde » -4 - prédéterminée À du faisceau incident ; une multitude d'électrodes transparentes parallèles formées sur l'un des plans z, une 35 électrode transparente uniforme formée sur la surface totale de l'autre plan z, et un dispositif électrique pour appliquer un champ électrique au moins égal au champ électrique coercitif du cristal par l'intermédiaire desdites électrodes ; et une BAD ORIGINAL COPY 08384 15 2049049 lame 2n+1 X pour ladite longueur d'onde A , n étant un nombre 4- entier positif quelconque ou 0, le générateur précité étant caractérisé par le fait que l'un des éléments de polarisation est commun aux deux obturateurs et que la multitude d'électrodes 5 parallèles de l'un des obturateurs est disposée de manière à être transversale à celle de l'autre obturateur. 6°) Générateur de combinaisons d'informations suivant la revendication 5f dans lequel le cristal ferroélectrique-ferroélastique précité est du molybdate de gadolinium. 10 7°) Mémoire holographique caractérisée par le fait qu'elle comprend : deux lentilles ; deux générateurs de combinaisons d'informations disposés entre ladite paire de lentilles, chaque générateur comprenant deux obturateurs optiques reliés en série, chaque obturateur comportant deux éléments de polari-15 sation, un cristal ferroélectrique-ferroélastique disposé entre les deux éléments de polarisation précités et possédant des plans ou faces opposés de coupe z séparés par une distance égale à 2n+1 X pour une longueur d'onde prédéterminée^Cn étant 4- un nombre entier positif quelconque ou 0), -une multitude d'élec-20 trodes transparentes parallèles formées sur l'un desdits plans z, une électrode transparente uniforme formée sur la surface totale de l'autre plan z, un dispositif électrique appliquant un champ électrique au moins égal au champ électrique coercitif du cristal par l'intermédiaire desdites électrodes, et une lame 25 2n+1 X î une ouverture ponctuelle disposée en avant de l'une 4 - deadites lentilles à la distance focale de cette lentille ; une source de lumière cohérente disposée en avant de ladite ouverture ponctuelle ; un dispositif engendrant des hologrammes disposé derrière l'autre lentille au plan focal de cette dernière ; et 30 une source de lumière cohérente de référence pour irradier le dispositif créant des hologrammes, cela suivant un angle prédéterminé. 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