Brevet FR2043835A1 — publié le 19710219

* L'invention concerne un dispositif de commutation servant à relier* sous l'effet d'une impulsion de commande, une source de signaux de télécommunication à une charge pour ces signaux, ce dispositif comportant un dispositif semiconducteur présentant un trajet de courant principal et 5 un trajet pour courant de commande coïncidant partiellement avec le trajet de courant principal, le trajet de courant principal formant une basse impédance pour des courants supérieurs à un certain courant de maintien et une impédance élevée pour des courants plus petits que ce courant de maintien, alors que le trajet pour courants de commande a, 10 pour des courants de commande d'une certaine polarité, un effet abaisseur sur le courant de maintien.précité; dans ce dispositif de commutation le trajet de courant principal précité est connecté entre la source et la charge précitées et le trajet pour courant de commande est connecté à une borne de commande, le dispositif comportant d'autre part une source d'ia-15 pulsions dè commande connectée à la borne de commande et une source de courant continu connectée au trajet de courant principal précité» Des dispositifs de commutation de ce genre sont utilisés dans des voies de communication électroniques de centrales téléphoniques automatiques» 20 Un élément de connexion connu pour des réseaux de commutation électroniques est constitué par un transistor PHPIT auquel est reliée une résistance de base. Avec cet élément de connexion connu, il est très difficile de satisfaire aux exigences posées en pratique à l'égard de l'amortissement de la diaphonie, de la faible déviation de 1'atténuation 25 et du bruit qui provient des impulsions de commande et qui doit avoir un niveau bas. L'invention 1ri.se une nouvelle conception du dispositif de commutation envisagé dans le préambule avec lequel on répond mieux que jusqu'à présent aux exigences de la pratique et en particulier elle vise & 30 fournir un dispositif de commutation présentant un fort amortissement de la diaphonie, une très faible déviation de l'atténuation et un niveau de bruit très bas. Le dispositif de commutation conforme à l'invention est caractérisé en ce que entre le trajet de courant de commande et la borne de 35 commande est connecté un élément dont la résistance différentielle est petite pour des courants ayant une polarité opposée à la polarité déterminée du courant de commande précité en même temps qu'une valeur inférieure à une première valeur déterminée, et présente une valeur élevée pour des courants ayant la polarité opposée préfiitée et une valeur supérieure 40 à la première valeur déterminée précitée. 19732 2 2043835 La description gui va suivre en regard des dessins annexés, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée» La fig. 1 montre l'organisation d'un réseau de commutation à plusieurs étages comportant line matrice de commutation par point de croi-5 sement. La fig* 2 est le schéma d'une matrice de commutation mettant en évidence le mode de couplage des points de croisement la constituant. La fig. 3a représente symboliquement un élément de connexion d'un point de croisement. 10 La fig. 3h représente un mode de réalisation connu d'un élément de connexion d'un point de croisement. Les figures 3° et d représentent une forme de réalisation de la représentation symbolique d'un élément de connexion conforme & l'invention. 15 Les figures 4a et 4b représentent des caractéristiques courant- tension illustrant le fonctionnement de l'élément de connexion selon l'invention des figures 3c et 3d. La fig» 5 représente un exemple de réalisation d'un itinéraire du réseau de commutation de la fig. 1. 20 La fig» 6 représente xui deuxième exemple de réalisation d'un itinéraire du réseau de commutation de la fig. 1 » Sur la fig» 1 on a représenté un réseau de commutation comportant trois étages A, B et C, qui sert d'exemple pour lè type de réseau de commutation dans lequel l'invention peut être appliquée. L'étage A 25 comporte les matrices de commutation par point de croisement A1, A2...., Ap, présentant chacun n entrées et q sorties. Chaque sortie d'une matrice de l'étage A est connectée à l*aide d'une ligne intermédiaire, à une entrée correspondante d'une matrice de commutation de l'étage B, l'étage B comporte donc q matrices de commutation B1, B2....Bq. Chacune de ces 30 matrices comporte p entrées correspondant aux p matrices de l'étage A et comporte r sorties» Ces sorties sont connectées suivant la configuration déjà décrite pour l'étage A à l'aide de lignes intermédiaires, aux entrées de l'étage C. L'étage C comporte par conséquent r matrices C1, C2....Cr. Chaque matrice de l'étage C comporte q entrées correspondant aux q «a-35 trices de l'étage B et comporte n sorties. Les entrées des matrices A1, A2....Ap forment les entrées du réseau de commutation et les sorties des matrices C1, C2....Cr forment les sorties du réseau de commutation. Aux entrées du réseau de commutation sont connectés les dis-40 positifs terminaux E11..»»Epm et aux sorties du réseau de commutation 70 19732 3 2043835 sont connectés les dispositifs terminaux F11....Fra* Ces dispositifs terminaux représentent par exemple des joncteurs de ligne pour le trafic téléphonique entrant et sortant. Les matrices des points de croisement sont toutes conçues de 5 la même façon. La constitution de la matrice A1 est représentée plus en détail sur la fig. 2. Cette matrice comporte m colonnes formant les entrées de la matrice et q rangées correspondant aux sorties de celle-ci. Les colonnes et les rangées forment une grille de points de croisement (matrice) à deux dimensions. A chaque point de croisement se trouve un 10 élément de couplage électronique tripolaire. La fig. 2 représente aux points de croisement de la colonne (1) avec les rangées (1), (2) et (q) le* éléments de couplage GA111, GA 112 et GA 11q et aux points de croisement de la colonne (m) avec les rangées (1), (2) et (q) le» éléments de couplage GA 1m1, GA 1m2 et GA 1mq. Les pâles sont désignés par a, k et 15 a comme indiquée pour l'élément de couplage GA111. Les pôles £ des éléments de couplage de la colonne (1) sont connectés à la colonne conductrice de marquage ME11 et les pdles a des éléments de couplage de la colonne (m) sont connectés à la colonne conductrice de marquage MElm. Le même raisonnement s'applique pour les autres colonnes (non représentées) 20 de la matrice de commutation A1. Bans l'étage A (fig. 1) ainsi que dans les autres étages, les conducteurs de Marquage des matrices sont multiplexes de sorte que chaque étage de connexion ne contient pas plus de conducteurs de marquage qu'une matrice de colonnes. Les conducteurs de marquage multiplexes sont désignés 25 sur 1* fig. 1 par ME-1ME-m pour l'étage A, par MA1,....,Map pour l'étage B et par MB1,....,MBq pour l'étage C. Chaque conducteur de marquage est de ce fait associé à une colonne de chaque matrice de l'étage envisagé. Le multiplexage est réalisé de telle façon que ce sont toujours les conducteurs de marquage des colonnes ayant le même numéro qui sont 30 interconnectés. De cette façon;le conducteur de marquage ME-1 est associé aux colonnes (1) des matrices A1, A2,....Ap; le conducteur de marquage ME-m est associé aux colonnes (m); le conducteur de marquage MA1 est associé aux colonnes (1) des matrices B1, B2....Bq c'est-à-dire les colonnes qui sont connectées aux sorties de la matrice A1. De manière analogue 35 les conducteurs de marquages-MB1....MBq sont associés aux matrices de commutation B1....Bq. Sur la fig. 1 la ligne en trait gras représente un itinéraire entre le dispositif terminal E11 et le dispositif terminal Prn. Le dispositif terminal E11 est connecté à la colonne 1 de la matrice A1 et le 40 dispositif terminal Frn est connecté à la rangée n de la matrice Cr. 19732 4 2043835 L'itinéraire passe par l'élément de connexion entre la colonne 1 et la rang.!® 1 gs la matrice A1 (élément de couplage Ga 111, fig. 2) par l'intermédiaire d'ans ligne intermédiaire AB11 et à la colonne (l) de la matrice B1 et par l'intermédiaire de l'élément de connexion entre la colon-5 ne 1 st la rangée r et suivant la ligne intermédiaire BCr1 vers la colonne 1 de la matrice Gr. A partir de cette colonne l'itinéraire passe par 1'élément de connexion de cette colonne avec la rangée n vers le dispositif terminal Frn» Le trajet de l'itinéraire à travers les matrices est représenté en pointillé entre les entrées et les sorties des matrices 10 envisagées (fig. 1). Les conducteurs de marquage ME-1,....ME-n sont connectés à un sélecteur WE qui est à même d'appliquer sur commande une impulsion de marquage à un conducteur de marquage sélectionné» Les conducteurs de marquage MA1.»..MAp sont connectés à un sélecteur correspondant WA et les 15 conducteurs de marquage MB1....MBq sont connectés à un sélecteur WB correspondant. Les dispositifs terminaux F11....Frn sont connectés à un sélecteur VF, qui est à même de fermer dans un dispositif terminal sélectionné un contact de marquage. Comme on l'expliquera plus en détail par la suite 20 la fermeture d'un contact de marquage fait qu'une tension de marquage est appliquée à la rangée envisagée. Lorsque par exemple dans le dispositif terminal Frn le contact de marquage est fermé, une tension de marquage est appliquée à la rangée n de la matrice Cr. Cette tension de marquage est désignée par la suite "tension de marquage de rangée". Four 25 l'ajustage de l'itinéraire envisagée, des impulsions de marquage sont appliquées aux conducteurs de marquage MB1, MA1 et ME-1,' après la fermeture du contact de marquage dans le dispositif terminal Frn. L'impulsion de marquage sur le conducteur de marquage MB1 est appliquée aux pôles £ de tous les éléments de connexion de toutes les 50 colonnes 1, mais c'est seulement à l'endroit de l'élément de connexion entre la colonne 1 et la rangée n de la matrice Cr qu'il se produit une coïncidence avec la tension de marquage de rangée. Comme on l'expliquera plus en détail par la suite, seul l'élément de connexion cité en dernier lieu devient conducteur et la tension de marquage de rangée est trans-35 mise par l'intermédiaire de l'élément de connexion de la ligne intermédiaire BCr1 vers la rangée r de la matrice S1. Bans l'étage B, par le même processus que celui décrit pour l'étage de couplage C, la tension de marquage de rangée est transmise à la rangée 1 de la matrice A1 par l'intermédiaire de l'élément de connexion conducteur entre la colonne 1 40 et la rangée r de la matrice B1 et ensuite par la ligne' intermédiaire 70 19732 5 2043835 ÀB11. Dans l'étage A, le même processus est répété de sorte que du fait que 1 ^élément de connexion entre la colonne 1 et la rangée 1 de la matrice A1 devient conducteur la liaison s'établit avec le dispositif terminal £11. 5 Des réseaux de commutation du type décrit, avec des éléments de connexion électroniques, sont connus dans la technique, par exemple comme décrit dans le brevet français n° 1.192.946. A ce stade de la technique les éléments de connexion sont formés chacun par un transistor PNPIT dont l'émetteur et le collecteur sont reliés à la rangée et h la 10 colonne et dont la base est reliée au conducteur de marquage (de colonne) par l'intermédiaire d'une résistance de base. 11 existe actuellement un grand nombre d'expressions pour désigner des transistors PNPN ou des dispositifs semiconducteurs ayant des propriétés analogues,par exemple: redresseurs commandés,Thyristors, transistors Hook, transistors "com-15 pound" etc. Ces dispositifs semiconducteurs ont en commun qu'ils comportent un trajet de courant principal et un trajet de courant secondaire de commande coïncidant partiellement avec le trajet de courant principal, ledit trajet de courant principal présentant une faible impédance pour des co virant s supérieurs à un certain courant de maintien et 20 une impédance élevée pour des courants inférieurs à ce courant de maintien précité; en envoyant un courant de commande ayant la polarité requise à travers le trajet de courant de commande, on peut amener le trajet de courant principal à l'état d'impédance basse, cet état étant maintenu lorsque le courant à travers le trajet de courant principal est 25" supérieur au courant de maintien. En se.référant à la fig. 3 on va maintenant examiner l'élément de connexion selon l'état de la technique et l'élément de connexion conforme à la présente invention. Tous les éléments de connexion sont conçus de la même façon. La fig. 5a représente de la même façon que la 50 fig. 2, l'élément de couplage ou de connexion GA 114 entre la colonne (1) et la rangée (1) de la matrice A1. La fig. 3b représente la réalisation de l'élément de connexion selon l'état connu de la technique. Dans cette forme de réalisation, l'élément de connexion GA111 comporte un dispositif semiconducteur KA111 ayant une anode a, une cathode k et une 35 porte £ et comporte une résistance 32 qui relie la porte g au pôle js. Le dispositif semiconducteur KA111 est constitué par un transistor pnpn 30 ayant un émetteur un collecteur £ et une base b et un transistor npn 31 ayant également un émetteur £, un collecteur _c et une base b. Le collecteur du transistor (30) est relié à la base du transistor 31 dont 40 le collecteur est relié à la base du transistor 30. L'anode a est con- 19732 6 2043835 nectée à l'émetteur du transistor 30, la cathode k est reliée à l'émetteur du transistor 31» et la porte £ est reliée à la base du transistor 30. Le trajet de courant principal du dispositif semiconducteur KA111 s'étend entre l'anode a et la cathode k et le trajet de courant de 5 commande entre l'anode a et la porte jj. Lorsque la tension de marquage de rangée est appliquée à la rangée 1, et qu'une impulsion de marquage négative est transmise au conducteur de marquage ME11, il circule un courant de commande de l'anode a vers la porte £ par l'intermédiaire de la jonction émetteur-base du transistor 30. Ce courant rend le tran-10 sistor 30 conducteur de sorte qu'un courant «ircule du collecteur à la base du transistor (31); celui-ci devient conducteur et il circule un courant collecteur provenant de la basé du transistor (30). Lorsque ce processus régénératif est amorcé, le dispositif semiconducteur KA111 passe de lui-même à l'état de saturation, état dans lequel le trajet de 15 courant principal a une résistance série très basse. Comme on l'a déjà décrit, dans le réseau de commutation selon la fig. 1 chaque conducteur de marquage d'un étage A, B ou C est mul-tipléïé avec tous les points de croisement de la matrice de commutation de l'étage envisagé. De cette façon on obtient que le nombre de conduc-20 teurs de marquage nécessaire est minimal. Une impulsion de marquage vient donc non seulement k la colonne adéquate de la matrice désirée mais également à une colonne de ôhaque autre matrice du même étage. Lorsque pax une de ces dernières colonnes il existe déjà une voie de liaison, un des éléments de connexion de cette colonne est conducteur. L'impulsion de 25 marquage vient alors par l'intermédiaire de la résistance de base de l'élément de connexion conducteur (32, fig'. 3b) sur la voie de liaison existante et provoque dans celle-ci une certaine perturbation* La somme de toutes les perturbations donne un certain bruit itinéraire sur les conducteurs existants. 30 Normalement le conducteur de marquage ME11 (fig. 3h) est sous- mis à une tension (positive) qui bloque le dispositif semiconducteur KA111, lorsque celui-ci n'est pas utilisé pour une liaison. La tension du conducteur de marquage ME11 rend la tension de la base b du transistor 30 positive par rapport à la tension de l'émetteur £ de sorte que 35 la jonction émetteur-base du transistor 30 est commandée dans le sens du blocage. A cet état, cette jonction émetteur-base forme une certaine capacité entre la rangée 1 et la porte g. La jonction base-collecteur du transistor 31 forme une certaine capacité entre la porte £ et la base b du transistor 31. Cette base est oonnectée par l'intermédiaire de 40 la jonction émetteur-base du transistor 31 è, la colonne 1, cette jonction 19732 7 2043835 base-émetteur étant commandée dans le sens de conduction par la tension du conducteur de marquage ME11 et transmet le courant résiduelle de la cathode k. La capacité base-oollecteur du transistor se trouve alors effectivement entre la colonne 1 et la porta £. 5 Si la colonne 1 et la rangée 1 font partie d'itinéraires dif férents, les signaux de télécommunication peuvent passer, par l'intermédiaire de la capacité interne du transistor précitée, d'une voie de transmission à une autre (diaphonie). L'amortissement de la diaphonie est déterminé dans une grande mesure par la valeur de la résistance J2. 10 plus petite est cette valeur plus grand est l'amortissement de la diaphonie. Une faible valeur de la résistance 32 n'est cependant pas compati-ble avec l'exigence d'une faible atténuation à, l'état conducteur de l'élément de connexion et avec l'exigence concernant ie niveau de bruit. La fig. 3c représente une forme de réalisation améliorée sui-15 vant l'invention, de l'élément de connexion. Le dispositif semiconducteur KA111 de la fig. 3b se retrouve et il est connecté de la même façon que sur la fig. 3*> entre la rangée 1 et la colonne 1. Selon la forme de réalisation améliorée on a connecté, entre la porte £ du dispositif semiconducteur KA111 et le pôle £ de l'élément de connexion, le trajet de 20 courant émetteur-collecteur d'un transistor pnp TA111. Le transistor TA111 ..comporte un émetteur £, une base b et un- collecteur £. Le collecteur £ est connecté à la porte £ et l'émetteur £ est relié au pôle £. - A la base £ du transistor TA111 est connectée une source de courant SA111 qui ajuste le courant de base du transistor TA111 sur une valeur pra-25 tiquement constante, indépendamment de la tension du pôle £ et indépendamment de l'état du dispositif semiconducteur KA111. La source de courant SA111 comporte un transistor npn 33 ayant un émetteur £, une base et un collecteur £. L'émetteur £ est relié, par l'intermédiaire d'une résistance d'émetteur 34, à un point d'alimen-30 tation négatif ( -) et la base b est reliée directement à la masse. Le collecteur £ du transistor 33 est relié à la base 1d du transistor TA111. Le courant d'émetteur du transistor 33 a une valeur constante, déterminée par la résistance 34 et la tension du point d'alimentation négatif (-). Le courant de collecteur est indépendant de la tension de collec-35 teur dans de larges limites, de sorte que le courant de collecteur a une valeur pratiquement constante. Sur la fig. 3d» l'élément de connexion selon la fig. 3c est de nouveau représenté mais avec d'autres symboles; les tensions et les courants nécessaires pour l'explication du fonctionnement de cet élément 40 sont représentées par des flèches. La source de courant SA111 est re 19732 8 2043835 présentée par le symbole usuel pour une source de courant, constituée de deux cercles qui sé''~'^éif#îèÉënt 'ét une flèche indiquant la direction du courant. Le dispositif semiconducteur KA111 est représenté par un bloc divisé en quatre. Partant de la partie extérieure renfermant un P et en 5 allant de droite ïi gauche on a successivement: l'émetteur e, la base _b du transistor 30 et le collecteur c du transistor 31» le collecteur je du transistor 30 et la base b du transistor 31» et l'émetteur e_ du transistor (31). La fig. 4a montre la relation entre la tension V1 et le courant 10 11 et la fig. 4b la tension V2 en fonction du courant 12 pour différentes valeurs de la tension 73. Les valeurs I 1(1) et I 1(2) soht déterminées pars I 1(1) - Bf.Is I 1(2) - (Bp + 1) . Is 15 dans laquelle Bf désigne le facteur d'amplification en courant "direct" et Br le facteur d'amplification en courant "inverse" du transistor TA111 et Is le courant de la source de courant SA 111. La caractéristique selon la fig. 4a concerne un transistor ayant Bf^ 0,8 et Br^t 0,4. Sans un cas pratique le courant de la source de courant SA111 20 peut avoir la valeur Is = 10yuA. Les tensions de coude V1 (1) et -V1(2) ont une valeur absolue inférieure à 1 volt. V2(1) est la tension de claquage du transistor 31. Les tensions V3(4), V3(3) et V3(2) sont positives avec V3(4)7 V3(3)p. T3(2) et V3(2) sa 0. La tension -V3(l) est négative avec V3(l).CO,8 volt. Pour des courants 25 positifs 12^ 12(1) les caractéristiques pour V3(4), V3(3) et V3 (2) sont ramenées à une seule caractéristique. Celle-ci correspond à la caractéristique d'une diode commandée dans le sens de la conduction en série avec le trajet de courant émetteur-collecteur d'un transistor saturé. Le courant 12(1) est appelé courant de maintien. 30 Lorsque le dispositif semiconducteur KA111 est bloqué il cir cule un certain courant résiduel vers la porte g, La valeur I 1(1) est déterminée par le choix de Bf en rapport avec Is de telle façon que le courant résiduel soit inférieur à. I1(1). La tension V1 se trouve alors dans la gamme entre V1(0) et V1(1). 35 Pour des valeurs négatives du courant 11, le courant de main tien du dispositif semiconducteur KA111 diminue et le courant de maintien devient nul pour la tension V3 = -V3(l). La valeur 11(2) est déterminée par le facteur d'amplification Br par rapport au courant Is de la source de courant SA111, de façon que le courant 11 pour lequel le courant 40 de maintien du dispositif semiconducteur KA111 devient nul, soit inférieur 70 19732 9 2043835 en valeur absolue à 11(2). La fig» 5 représente une forme de réalisation de 1'.itinéraire désigné sur la fig. 1 par une ligne en trait gras entre les dispositifs terminaux E11 et Frn, avec utilisation des éléments de connexion repré-5 sentés en détail sur la fig. 3c et 3d. A la colonne 1 de la matrice A1 est relié un dispositif limi-teur de tension SE11, qui limite la tension de 1itinéraire à l'état de connexion, à +3 volts d'une part et -3 volts d'autre part. Le circuit comporte une diode 50 dont l'anode est connectée à la colonne 1 et la 10 cathode à une tension de +3 volts et contient une diode 51 dont la cathode est reliée à la colonne 1 et l'anode à une tension de -3 volts. Aux lignes intermédiaires du réseau de commutation et aux rangées des matrices de l'étage C sont connectées des sources de courant identiques. Pour la ligne intermédiaire AB11 et iCr1 et la rangée n du 15 commutateur à matrice Cr, ces sources de tension sont désignées sur la fig. 5 par SAB119 SBCrl et SFrn» La source de coars&t SAB11 comporte nne cliods 52 dont l'anode est ports© b v.n pe^eatiel fis volts Le dispositif terminal E11 comporte un transformateur 55 dont l'enroulement primaire 56 est connecté entre la colonne 1 de la matrice A1 et la masse et dont l'enroulement secondaire 57 est connecté k la 35 paire de bornes (58 - 58). Cette paire de bornes sert à la connexion d'une ligne de transmission pour signaux de télécommunication, par exemple une ligne de téléphone. L'enroulement 56, établit une liaison galvanique entre la colonne 1 de la matrice A1 et la masse, liaison galvanique par laquelle peut circuler le courant de maintien de l'itinéraire. 40 Le dispositif terminal Frn comporte les transistors pnp 59 et 70 19732 10 2043835 60 qui comportent chacun un émetteur e, une hase h et un collecteur £. L'émetteur e_ du transistor 59 est relié par l'intermédiaire d'une résistance d'émetteur 62 à un pôle du contact de marquage 61 dont l'autre pôle est soumis à une tension de +30 volts. La base b du transistor 59 5 est soumise à une tension de + 22 volts et l'émetteur £ est relié à la rangée n de la matrice Cr. L'émetteur ta du transistor 60 est relié par l'intermédiaire d'une résistance d'émetteur 63 au même pôle de contact de marquage 61 que l'émetteur je du transistor 59. La base Jb du transistor 60 est sou-10 mise à une tension de + 22 volts et le collecteur est relié par l'intermédiaire d'une diode 64 à la rangée n de la matrice Cr. Entre l'anode de la diode 64 et la masse se trouve un circuit comportant successivement;un condensateur de séparation 65, l'enroulement secondaire 68 du transformateur 66 et une diode 69. L'enroulement 15 primaire 67 du transformateur 66 est connecté à la paire de bornes (70-*0) "ni 39-v/b % 1s, ligne ds transEissioa sigasax da •' --rn-.-v.'? ---•-«f--. "r-s lisss « TAcss'sâcî 5o lô Su coatact -?.o ra&rgna§s 61 que Iss émetteurs des transistors. 6$ et 70» 20 Lss diodes 64 et 69 isolent 11 enroulement secondaire 68 de la rangéen delà matrice Cr, lorsque le contact 71 n'est pas fermé et empêchent de cette façon les signaux de télécommunication qui se présentent à la paire de bornes (70-70) d'être appliqués à. cette rangée. Pour établir la connexion suivant l'itinéraire entre les dis-25 positifs terminaux E11 et Frn, le contact de marquage 61 dans le dispositif final Frn est fermé et des impulsions de marquage négatives sont appliquées aux conducteurs de marquage MB1, Mal et ME1. Une impulsion de marquage négative fait baisser la tension d'un conducteur de marquage momentanément de +30 volteà +15 volts. La tension d'une ligne intermé-30 diaire n'appartenant pas à une liaison établie s'élève à - 3 volts. La tension d'une ligne intermédiaire qui appartient à une liaison établie se situe entre -3 volts et + 6 volts. La fermeture du contact de marquage 61 provoque l'application d'une tension de + 22 volts (tension de marquage de rangée) à la rangée 35 n du commutateur à matrice Cr. Les transistors 59 et 60 sont amenés à la saturation, étant donné que le courant de la source SFrn n'est qu'une fraction des courants d'émetteur des transistors 59 et 60. De ce fait, les collecteurs de ces transistors ainsi que la rangée n de la matrice Cr sont soumis pratiquement à la même tension que les bases de ces tran-40 sistors. La source de courant SFrn fait en sorte que la tension de + 22 19732 n 2043835 volts sur la rangée n de la matrice Cr est atteinte avec un certain minimum de pente de flanc. L'application d'une impulsion de marquage au conducteur de marquage MB 1 fait baisser la tension du conducteur de marquage de la colonne 1 de la motrice Cr. Il en résulte que la tension 5 V3 (fig. 3d) entre les pôles b et a de l'élément de connexion GCrln entre la colonne 1 et la rangée n de la matrice Cr atteint une valeur de - 7 volts. Le transistor TCrln débite alors un courant 11 = -11 (2) (fig. 3 La cathode k du dispositif semiconducteur KA111 de l'élément de connexion GA111 est reliée à la masse par l'intermédiaire de la rangée 50 1 de la matrice A1 et de l'enroulement primaire 56 du transformateur 55 du dispositif terminal E11. Le fait que l'élément de connexion GA111 devient conducteur fait que la liaison est amenée pratiquement au potentiel de 2a masse, ce qui provoque une augmentation du courant à travers les trajets de courant principal des dispositifs semiconducteurs KA111, 35 KB11r et KCrln connectés en série. Les impulsions de marquage sur les conducteurs de marquage ME-1, Mal et MB1pewsit ^tre terminées après que l'élément de connexion GA111 soit devenu conducteur. Par suite du fait que l'élément de connexion CA111 devient conducteur, les courants de collecteur des transistors 59 et 60 du dis-40 positif terminal Frn augmentent jusqu'aux valeurs ajustées par les 19732 12 2043835 résistances d'émetteur 62 et 63 en rapport avec les tensions de + 30 vol ta et + 22 volts. Les transistors 59 et 60 se comportent alors comme une source de courant. L'état conducteur d'un élément de connexion pour lequel on choi-5 sit à titre d'exemple, l'élément de connexion GA111 (fig. 5 et fig. 3d) est le suivant. L'anode a ét la cathode k du dispositif semiconducteur KA111 sont pratiquement au potentiel de la masse et il circule de l'anode vers la cathode un courant qui est pratiquement égal à la somme du courant des collecteurs des transistors 59 et 60 du dispositif terminal Fm» 10 Le pôle _s est porté à une tension de + 30 volts4provoquant une tension V1 (fig. 3d) de + 30 volts également. Cette tension ajuste le transistor TA111 sur la partie de la caractéristique parallèle à l'axe V1, sur la fig. 4a. Sur cette partie de la caractéristique le courant 11 a la valeur I1(1) et le collecteur du transistor TA111 présente une fo±te résis-15 tance différentielle au dispositif semiconducteur KA111. Le courant 11 = I1(1) provoque une augmentation du courant de maintien du dispositif semiconducteur KA111 jusqu'à la valeur 12(1) (fig. 4b) qui se situe en tout cas au-dessous de la valeur du courant qui circule de l'anode vers la cathode par un ajustage approprié de ce dernier courant. 20 Lorsque pendant le marquage d'un autre itinéraire une impulsion de marquage est appliquée au conducteur de marquage ME-1, la tension V1 (fig. Jd et 4a) de l'élément de connexion conducteur GA111 baisse jusqu'à + 15 volts mais il ne se produit aucune modification du courant 11 (fig. 4&). Il en résulte qu'il ne se produit pas de perturbation par suite des 25 impulsions de marquage sur un itinéraire déjà établi. De ce fait, on évite complètement le phénomène de bruit de marquage sur les voies de conversation électroniques. Avec un élément de connexion bloqué dont seul le pôle a ou le pôle £ est marqué ou dont aucun des deux pôles n'est marqué, la tension 30 V3 (fig. 3d) est positive. La tension V3 a dans ces différents cas globalement une valeur respectivement de + 8 volts, +15 volts et + 30 volts. Dans les deux derniers cas, il peut se produire une variation de - 9 volts au maximum lorsque le pôle a est relié à une ligne intermédiaire "occupée" dont la tension se situe entre - 3 volts et + 6 volts. Dans tous ces cas, 35 le dispositif semiconducteur de l'élément de connexion reste bloqué. Comme on l'a décrit, le courant résiduel de porte du dispositif semiconducteur est inférieur à 11(1) (fig.4a) de sorte que le transistor TA111 est ajusté sur la partie de la caractéristique de la fig. 4a, parallèle à l'axe positif 11. Dans cette partie de la caractéristique, le collec-40 teur du transistor TA111 présente une faible résistance différentielle au 70 19732 13 2043835 dispositif semiconducteur KA111 (fig. 3d). Ses signaux de télécommunication appliqués à la paire de bornes (70-70) provoquent une certaine tension de signal aux bornes de l'enroulement secondaire 68 du transformateur 66. Cette tension de signal est 5 appliquée entre la rangée n de la matrice Cr et la masse par l'intermédiaire des diodes conductrices 64 et 69 et du condensateur 65. La diode 64 est amenée dans le sens conducteur par le courant de collecteur du transistor 60, courant limitant le courant de signal négatif à un certain maximum. La diode 69 est amenée dans le sens de conduction par le 10 courant traversant la résistance 71» courant qui limite le courant de signal positif à un certain maximum. La résistance 62 du transistor 65 est déterminée en rapport avec les tensions de + 30 volts et de + 22 volts de telle façon que le collecteur maintient à travers les éléments de connexion établis un courant qui est supérieur au courant de maintien 15 de ces éléments de connexion. La tension de signal qui est appliquée entre la rangée n de la matrice de commutation Cr et la masse provoquée un courant de signal par l'intermédiaire de l'itinéraire établi à travers l'enroulement primaire 56 du transformateur 55 du dispositif terminal E11, de sorte qu'une 20 tension de signal apparaît à la paire de bornes (58-58). Inversement des signaux de télécommunication qui sont appliqués à la paire de bornes (58-58) provoquent un courant de signal à travers l'enroulement secondaire du transformateur 66 du dispositif terminal Frn, de sorte qu'il apparaît une tension de signal à la paire de bornes (70-70). 25 L'atténuation d'un élément de connexion établi (fig. 3d) dans le circuit selon la fig. 5 est déterminé par la résistance série du trajet dé courant principal du dispositif semiconducteur KA111 et la résistance différentielle de collecteur du transistor TA111. Etant donné que cette résistance différentielle pour un élément de connexion établi, a 30 une valeur très élevée, la contribution de celle-ci à l'atténuation est très faible. Avec un élément de connexion bloqué (fig. 3d) les capacités parasites entre l'anode a et la porte £ et entre la cathode k et la porte £ sont une cause importante de la diaphonie des signaux entre la catho-35 de et l'anode. L'amortissement de cette forme de diaphonie est déterminé par le rapport entre les impédances capacitives parasites et la résistance différentielle de collecteur du transistor TA111. Avec un élément de connexion bloqué cette résistance différentielle a une valeur très basse ce qui a pour résultat un très haut amortissement de diaphonie. Par 40 suite de l'état saturé et de l'inertie du transistor TA111 celui-ci est 70 19732 14 2043835 à même de conduire des courants capacitifs de faible durée sans augmentation de la résistance, également lorsque la valeur instantanée du courant de collecteur 11 devient supérieure à 11(1)• Il s'agit d'un avantage lorsqu'on transmet des signaux de télécommunication présentant 5 des flancs abrupts, comme c'est par exemple le cas pour des signaux digitaux utilisés en informatique et des signaux de vidéophones. Le circuit limiteur SE11, relié à la colonne 1 du commutateur à matrice A1, limite les tensions de télécommunication qui se produisent à la partie supérieure de l'enroulement 56 à +3 volts d'une part et à 10 -3 volts d'autre part, de sorte que la tension d'un itinéraire établi, compte tenu d'une chute de tension globale de 1 volt aux bornes d'un élément de connexion, se situe entre +6 volts et -3 volts. L'itinéraire établi est maintenu sous la commande du contact de marquage fermé 61 dans le dispositif terminal Frn, L'ouverture du 15 contact 61 interrompt le courant qui circule à travers les éléments de connexion, de sorte que ces éléments prennent d'eux même l'état de blocage et la voie de transmission est interrompue. Après l'ouverture du contact de marquage 61 il circule dans la ligne intermédiaire B0r1 la somme des courants résiduelle des élé-20 ments de connexion de la colonne 1 de la matrice Cr. Ces courants résiduels sont absorbés par la source de courant SBCrl et sont de ce fait tenus à l'écart de la rangée r de la matrice B(1). Après l'ouverture du contact de marquage 61. l'élément de connexion établi GB11r ne peut être maintenu par le courant résiduel qui circule par la ligne intermé-25 diaire BCr1 et passe donc de façon sûre à l'état de blocage. De ce fait, les limitations qui étaient posées à l'égard du courant de maintien 12(1) (fig. 4b) sont fo±tement réduites. La fig. 6 représente tin itinéraire pour la transmission d'un signal dans une direction, qui met à. profit au maximum les avantages 30 offerts par l'élément de connexion amélioré. Cet itinéraire se distingue de l'itinéraire de la fig. 5 P&r la réalisation des dispositifs terminaux E11 et Frn. Sur la fig. 6 on utilise les mêmes références que sur la fig» 5 pour indiquer les parties correspondantes. Le dispositif terminal Frn (fig. 6) comprend les transistors 35 pnp 72 et 73» comportant chacun un émetteur e_, une base 1) et un collecteur c. L'émetteur e_ du transistor 72 est relié par 1'intermédiaire d'une résistance 74 à un pôle du contact de marquage 71 dont l'autre pôle est soumis à un potentiel de +30 volts. Le collecteur £ du transistor 72 est relié à. la rangée n de la matrice Cr et la base est soumise à 40 une tension de +22 volts. Le transistor 72 remplit la même fonction et 19732 15 2043835 a le même fonctionnement que le transistor 59 sur la fig. 5« L'émetteur £ du transistor 73 est relié par l'intermédiaire d'une résistance 75 au même pôle du contact de marquage 71 1ue l'émetteur £ du transistor J2, Le collecteur £ du transistor 73 est relié par l'intermédiaire d'une 5 résistance à la rangée n du commutateur à matrice Cr et la base Ja est soumise à la même tension de +22 volts que la base du transistor 72. La paire de bornes (70-70) du dispositif terminal Frn est connectée à la masse et par l'intermédiaire d'une combinaison en série d'un condensateur de séparation 78 et d'une résistance 77 à. l'émetteur 10 £ du transistor 73» Le pôle du contact de marquage 71 auquel sont reliés les émetteurs des transistors 72 et 73 est relié à la masse par l'intermédiaire d'une résistance 79» Par l'intermédiaire de cette résistance, les transistors 72 et 73 sont bloqués lorsque le contact de marquage 71 est ou-15 vert. Le dispositif terminal E11 (fig. 6) comporte un transistor 80 ayant un émetteur £, une base b et un collecteur £. L'émetteur £ est relié à la colonne 1 de la matrice A1. Le collecteur £ est relié par l'intermédiaire d'une résistance 81 à une tension de -12 volts et la 20 base b est soumise à une tension de -3 volts. La paire de bornes (58-58) est connectée à la masse et par l'intermédiaire d'un condensateur de séparation (82), au collecteur du transistor 80. La fermeture du contact de marquage 61 et l'application d'impulsions de marquage aux conducteurs de marquage MB1, MA.1 et ME-1 pro-25 voquent l'établissement de l'itinéraire de la même façon que décrite pour la fig. 5» Après que l'élément de connexion GA111 est établi, le transistor 80 du dispositif terminal E11 devient conducteur et la tension de l'itinéraire établi baisse jusqu'à environ -3 volts. Le transistor 72 sort alors de la saturation ete envoie un courant constant, qui maintient 30 l'itinéraire après la disparition des impulsions de marquage. La résistance d'émetteur 75» en rapport avec les tensions de +30 volts et de +22 volts ajuste le courant d'émetteur du transistor 73 à un point de travail. Des signaux de télécommunication qui sont appliqués à la paire de bornes (70-70), provoquent des variations de signaux 35 positives et négatives du courant d'émetteur du transistor 73» Le point de travail du transistor 73 est déterminé de telle façon que pour des signaux de télécommunication de niveau nominal, les variations du courant d'émetteur provoquent des variations proportionnelles de courant de collecteur. Les variations de courant de collecteur du transistor 73 40 sont transmises sensiblement sans perte par l'intermédiaire de la voie de 19732 16 2043835 liaison, à l'émetteur du transistor 80 situé dans le dispositif terminal E11, où ils provoquent des variations proportionnelles de courant de collecteur du transistor 80, de sorte qu'une tension de signal apparaît à la paire de bornes (58-58). Du fait de la résistance différentielle 5 très haute des transistors TA111, TBHr et TCrln il n'y a pas de perte de courant de signal. Le collecteur du transistor 73 fournit des courants de signaux qui dont indépendants, dans de larges limites, de la tension de collecteur et a par conséquent pour ces courants de signaux le caractère d'une 10 source de courant à résistance différentielle interne élevée. De ce fait, on réalise une atténuation entre le dispositif terminal Frn et le dispositif terminal £11 qui est indépendante des résistances série des éléments de connexion résultant en une dispersion très faible de l'atténuation entre deux dispositifs terminaux quelconques. 15 Par suite de l'impédance interne élevée de la source pour signaux de télécommunication, l'influence de la diaphonie inductive à partir des itinéraires voisins est fortement réduite. La charge pour l'itinéraire est formée par la jonction émetteur-base à faible résistance ohmique du transistor 80. Les variations 20 de tension sur l'itinéraire pendant la transmission de signaux sont de ce fait très faibles, de sorte que la diaphonie capacitive & partir des itinéraires voisins est réduite. Revenant à la fig. 3d et 4a il faut remarquer que la partie de la caractéristique I1-Y1 qui se trouve en-dessous de l'axe V1 ne joue 25 un rôle que pendant^le marquage en coïncidence d'un élément de connexion. Pour tous les autres cas, seule la partie de la caractéristique I1-V1 située au-dessus de l'axe V1 est déterminante. Si l'on veut obtenir un amortissement de diaphonie élevé et une atténuation basse ainsi qu'un bruit de marquage bas, il est essentiel que la caractéristique pour les 30 courants positifs 11 ait une forte pente jusqu'à la valeur I1(1) correspondant à une faible résistance différentielle et varie ensuite pratiquement horizontalement pour des valeurs supérieures à 11(1) correspondant à une résistance différentielle élevée. La valeur 11(1) est déterminée de telle façon qu'elle est supérieure au courant résiduel de 35 porte maximal d'un élément de couplage bloqué. Pour qu'un élément de connexion marqué en coïncidence devienne rapidement conducteur, il est important que la caractéristique pour courants négatifs 11 ait une forte pente jusqu'à la valeur 11(2) correspondant à une faible résistance différentielle et une variation pratique-40 ment horizontale à partir de cette valeur, correspondant à une résistance 19732 17 2043835 différentielle élevée, en vue de limiter le courant de marquage. La valeur 11(2) est déterminée de telle façon qu'elle est supérieure à la valeur du courant de porte pour laquelle le courant de maintien s'annule. Il est évident que des éléments ayant une caractéristique telle 5 que celle représentée sur la fig. 4a peuvent être réalisés de différentes façons et que l'invention n'est donc pas limitée à la forme de réalisation avantageuse de ces éléments tels que représentés sur la fig. 3c. D'autre part, il est évident étant donné que seule la partie de la caractéristique située au-dessus de l'axe V1 est déterminante pour les 10 propriétés avantageuses de l'amortissement de diaphonie élevé et le faible amortissement de transmission et le faible bruit de marquage, l'invention porte également sur des éléments dont la partie de la caractéristique pour des courants négatifs 11 s'écarte de celle de la fig. 4a. 19732 18 20^3835 REVENDICATIONS: 1» Dispositif de commutation, servant à relier sous l'effet d'une impulsion de commande, une source de signaux de télécommunication à une charge peur ces signaux, ce dispositif comportant un dispositif semicon- 5 ducteur présentant un trajet de courant principal et un trajet pour cou- / rant de commande coïncidant partiellement avec le trajet de courant principal , le trajet de courant principal formant une basse impédance pour des courants supérieurs à un certain courant de maintien et une impédance élevée pour des courants plus petits que ce courant de maintien, alors 10 que le trajet pour courants de commande a, pour des courants de commande d'une certaine polarité, un effet abaisseur sur le courant de maintien précité; dans c® dispositif de commutation le trajet de courant principal précité est connecté entre la source et la charge précitées et le trajet pour courant de commande est connecté à. une borne de commande, le dis— 15 positif comportant d'autre part une source d'impulsions de commande connectée à la borne de commande et une source de courant continu connectée au trajet de courant principal précité, ce dispositif étant caractérisé en ce que entre le trajet de courant de commande et la borne de commande est connecté un élément dont la résistance différentielle est petite pour 20 des courants ayant une polarité opposée à. la polarité déterminée du courant de commande préfiité en même temps qu'une valeur inférieure à une première valeur déterminée, et présente une valeur élevée pour des courants ayant la polarité opposée précitée et une valeur supérieure à. la première valeur déterminée précitée. 25 2. Dispositif de commutation selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément présente une faible résistance différentielle, pour des courants ayant la polarité déterminée précitée avec une valeur inférieure à une deuxième valeur déterminée, et présente une résistance différentielle élevée pour des courants de la polarité déterminée précitée 30 avec une valeur supérieure à la deuxième valeur déterminée précitée. 3® Dispositif de commutation selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'élément est constitué par une source de courant combinée à un transistor qui comporte un émetteur, une base et un collecteur; la base dudit transistor étant connectée à la source de courant, l'émetteur à la 35 borne de commande et le collecteur au trajet de courant principal du dispositif semiconducteur. 4• Dispositif de commutation selon la revendication 1, caractérisé en ce que la' source des signaux de télécommunication est formée par une source à résistance différentielle interne élevée. 40 5» Dispositif de commutation selon la revendication 1, caractérisé 19732 19 2043835 en ce que la charge pour des signaux de télécommunication est formée par une charge à faible résistance différentielle interne.