Brevet FR2032363A1 — publié le 19701127

La présente invention concerne des dispositifs de mémoire à matrice ayant une forte densité en éléments d'information utilisant des éléments à aimantation résiduelle» Du fait que les éléments à aimantation résiduelle amélio-5 rent l'efficacité des courants de commande dans un dispositif de mémoire à matrice et réduisent l'interférence des champs magnétiques entre deux éléments de mémoire voisins dans un dispositif de mémoire à matrice, ce qui augmente la densité en éléments d'information du dispositif de mémoire à matrice, ces 10 éléments à aimantation résiduelle ont été souvent utilisés dans r les dispositifs de mémoire à matrice» Cependant, il est très difficile de réaliser un élément à aimantation résiduelle miniaturisé dans un dispositif de mémoire à matrice à forte densité en éléments d'information selon la technologie des éléments à 15 aimantation résiduelle classiques» En conséquence, on ne peut pas réaliser des disposftifs de mémoire à matrice à forte densité en éléments d'information suffisamment miniaturisés selon la technique classique» L'invention crée des dispositifs de mémoire à matrice à 20 forte densité en éléments d'information utilisant des éléments à aimantation résiduelle facilement miniaturisables» Dans un dispositif de mémoire à matrice à forte densité en éléments d'information., conformé à 1 rinventiôfr" on prévoit 'Tin . élément à aimantation résiduelle permettant de réa-25 liser les divers buts de l'invention, de façon à ce que plusieurs conducteurs en forme de ruban revêtus chacun d'une couche mince ferromagnétique sauf sur l'un de leurs bords soient disposés parallèlement à intervales réguliers dans une première feuille isolante» Dans ce cas, chacune des deux faces de chacun des 30 conducteurs en forme de rubans revêtus chacun d'une pellicule mince ferromagnétique est en vis-à-vis à travers la matière isolante de la feuille isolante avee une face d'un conducteur en forme de ruban voisin» De plus, les bords précités sans pellicule mince ferroma-35 gnétique dès conducteurs en forme de rubans apparaissent à la surface de la feuille isolante» En conséquence, la pellicule mince ferromagnétique ne constitue pas un circuit magnétique fermé autour du ruban conducteur» Pour constituer le dispositif 70 06393 2 2032363 de mémoire à matrice de 1*invention, une autre feuille isolante, dans la-quelle sont disposés plusieurs conducteurs minces revêtus chacun drune pellicule mince ferromagnétique parallèlement les uns aux autres et régulièrement espacés, est combinée à la 5 première feuille isolante précitéef de telle sorte que les conducteurs minces revêtus de la pellicule mince ferromagnétique et disposés dans la seconde j&iille isolante croisent pratiquement à angle droit lés rubans conducteurs de la première feuille isolante» 10 l'invention est représentée à titre d'exemple non limitatif aux dessins annexés. La fig» 1 est une vue en coupe illustrant un exemple de dispositif de mémaiie à matrice de l'invention; •La fig» 2, représente une vue en coupe illustrant un autre 15 exemple de dispositif de mémoire à matrice conforme à l'invention; La fig* 3, représente une vue en plan illustrant un exemple de dispositif de mémoire à matrice suivant l'invention» La fig» 4-, est une vue en coupe partielle prise suivant la 2 0 ligne IV-IV de la fig» 3» La fig» 5, est une vue en coupe partielle prise suivant la ligne V-V de la fig» 3". La fig» 6 est une autre vue en coupe partielle prise suivant la ligne IV-IV de la fig» 3» 25 La fig» 7, représente une autre vue partielle en coupe prise suivant la ligne V-V de la fig» 3» La fig* 1 illustre un exemple de dispositif de mémoire à matrice conforme à l'invention constitué d'une paire de j&iilles isolantes 8 et 8a et de plusieurs conducteurs magnétiques 2 30 disposés parallèlement les uns aux autres et maintenus entre les deux feuilles isolantes 8 et 8a» Dans chacune des feuilles isolantes. 8 et 8a_, plusieurs rubans magnétiques conducteurs 5 constitués chacun d'un ruban conducteur 6 revêtu d'une pellicule mince ferromagnétique 7 sauf jsur le bord . 4 du ruban 35 conducteur 6 sont disposés parallèlement les uns aux autres et sont espacés régulièrement de la valeur.-d-Q • Dans ce cas, chacune des deux faces 3 et 3a de chacun des.rubans conducteurs magnétiques 5 est opposée^. .à travers la matière isolante 70 06393 3 2032363 delà feuille isolante 8 ou 8a avec l'une des faces 3 ou 3a du ruban conducteur magnétique 5 voisin» De plus, les bords 4 sans pellicule mince ferromagnétique des rubans conducteurs magnétiques apparaissent sur la face intérieure de la feuille 5 isolante 8 ou 8a* En conséquence, la pellicule mince ferromagnétique 7 ne constitue pas un circuit magnétique fermé autour du ruban conducteur 6. Les Quilles isolantes 8 et 8a précitées maintiennent entre elles plusieurs conducteurs magnétiques 2 entre les couches isolantes 9 de sorte que les 10 conducteurs magnétiques 2 croisent pratiquement perpendiculairement les rubans conducteurs magnétiques 5 dans la feuille isolante 8 ou 8jj. Comme le montre la structure ci-dessus, les pellicules ferromagnétique minces 7 et les rubans conducteurs 6 se com-15 portant respectivement comme des éléments à aimantation résiduelle et les conducteurs de commande font partie d'une même feuille (désignée ci-après comme feuille à aimantation résiduelle) du fait que les pellicules minces ferromagnétiques 7 des éléments "aimantation résiduelle sont isolées les unes des autres sur le 2 0 plan magnétique, l'espace séparant les rubans conducteurs magnétiques 5 pouvant être extrêmement réduit par rapport au dispositif classique, ea raison de la diminution de l'interférence réciproque• Pour fabriquer les feuilles à aimantation résiduelle 8 et 25 8a on dispose plusieurs rubans conducteurs magnétiques 5 constitués chacun d'un ruban conducteur 6 complètement revêtu d'line pellicule mince ferromagnétique 7 parallèlement les uns aux autres et on les fixe dans une feuille de matière isolante» Puis, l'une des faces de la feuille isolante est usée et polie, comme 30 le montre la fig. 1, pour éliminer les pellicules minces ferromagnétiques 7 placées sur les bords 4 des rubans conducteurs 6. Suivant ce procédé de fabrication, l'espacement entre les rubans conducteurs magnétiques voisins peut être conservé même si cet espace est très faible • De plus, la structure de cette 35" feuille à aimantation résiduelle permet la fabrication en série» La fig. 2 montre un autre exemple de dispositif de mémoire à matrice conforme à l'invention. La feuille à aimantation résiduelle de cet exemple est réalisée : (a) en disposant alternativement les rubans isolants Se et 40 les rubans conducteurs magnétiques 5 constitués chacun d'un 70 06393 4 2032363 ruban conducteur 6 revêtu complètement d'une pellicule mince ferromagnétique 7; (b) en les unissant à chaud, et (c) en éliminant les pellicules minces ferromagnétiques 7 5 placées sur les bords 4 des rubans conducteurs 6 par attaque à l'acide ou "abrasion et polissage» " o-i l'on adopte l'attaque" à l'acide un espace d'air 9a correspond à chaque ruban conducteur" magnétique 5 du fait que seuls sont attaqués les rubans conducteurs magnétiques métal-10 liques : 5 tandis que les rubans isolants 8c ne sont pas attaqué s • lîn conséquence, les couches isolantes S utilisées dans l'exemple représenté à la fig* 1», ne sont pas nécessaires dans l'exemple représenté à la fig» 2. 15 La fig» 3» illustre un autre exemple de dispositif de mé moire à matrice conforme à l'invention. A la fig» 3f les bords supérieurs et inférieurs du dispositif portent des bornes 'M de lignes numériques destinées à être raccordées respectivement aux conducteurs magnétiques 2. Des conducteurs de retour 12 de 20 lignes de mots 6 sont placés parallèlement à intervalles réguliers sur un support isolant 17» Une feuille à aimantation résiduelle 13 ayant la même structure, que celle des fig» 1 et 2 est reliée aux conducteurs magnétiques 2 par l'intermédiaire d'uné couche isolante 9* Des conducteurs intérieurs 6 des ru- 25 bans conducteurs magnétiques 5 sont utilisés comme conducteurs d'entrée des lignes de mots» Le support isolant 17 est généralement une plaque pour circuit imprimé» Dans cet exemple, chacun des bords droit et gauche de la feuille à aimantation résiduelle 13 comporte un biseau où apparaissent les rubans conducteurs 6, les pellicules minces ferromagnétiques 7 des rubans conducteurs magnétiques 5 et l'isolant 8. La fig* 4, représente une vue en coupe pri.se suivant la ligne IV-IV de la fig* 3» Comme le montre cette fig» 4, le dispositif de mémoire à matrice comprend plusieurs conducteurs magnétiques 35 * 2 constitués chacun d'un conducteur* mince 19 entièrement revêtu d'une pellicule mince ferromagnétique 2 0" et placé sur une plaque de verre 18r plusieurs conducteurs de retour 12 placés parallèlement les uns aux autres sûr la plaque 17, et la feuille à aimantation résiduelle 13 "liée aux conducteurs 40 magnétiques 2 par l'intermédiaire d'une couche isolante 9° BAD ORJGtNAL 70 06393 5 2032363 Dans ce cas, le conducteur magnétique 2 est réalisé (a) en déposant des pellicules ferromagnétiques parallèles 20a et des conducteurs minces- 19 sur.la plaque de verre 18 selon un procédé de dépôt par évaporation ou photogravure, et 5 (b) en déposant électriquement des pellicules minces ferro magnétiques 20b sur les conducteurs minces 19 de façon à ce que les deux pellicules minces ferromagnétiques 2 0a et 2 0b constituent un circuit magnétique fermé autour de chaque conducteur mince 19• 10 La fig* 5 montre une vue en coupe prise suivant la ligne V-Y de la» fig* 3« Gomme le montre cette figure, la feuille à aimantation résiduelle 13 comporte plusieurs rubans conducteurs 6 recouverts chacun d'une pellicule mince ferromagnétique 7 sauf sur le bord 4 du ruban conducteur 6, et espacés 15 régulièrement dans la matière isolante 8. Les conducteurs de retour 12 peuvent être constitués comme le montrent les fig» 6 et 7 de façon semblable à celle des fig» 1 et 2* Dans cet exemple: (a) une feuille à aimantation résiduelle inférieure 13a 20 est fixée par des adhésifs 14 sur une plaque 17; (b) une pellicule mince ferromagnétique 2 0a est fixée par des adhésifs 14 à la feuille d'aimantation résiduelle inférieure 13a (c) une couche conductrice 19 (par exemple du cuivre) 25 est déposée électriquement sur la pellicule ferromagnétique mince 20a, (d) la pellicule mince ferromagnétique 20a et la couche conductrice 19 sont photogravéés de façon à produire des bandes parrallèles de pellicule.mince ferromagnétique 20a et le 30 conducteur mince 19 (e) une pellicule mince ferromagnétique 20b est revêtue électriquement sur chacun des conducteurs minces 19 de telle sorte que les pellicules minces ferromagnétiques 2 0a et 2 0b constituent un circuit magnétique fermé, et 35 (f) la feuille à aimantation résiduelle supérieure 13b est fixée par des adhésifs T4 sur les conducteurs magnétiques parallèles 5, constitués chacun d'un conducteur mince 19 recouvert des pellicules minces ferromagnétiques 2 0a_ et 2 0lb- Les rubans conducteurs 6 des feuilles à aimantation ré-40 siduelle 13a et 13b sont reliés aux bornes 15 des lignes 70 06393 6 2032363 de mots. Bans tous les exemples précités de la présente invention, la pellicule mince ferromagnétique 7 peut être constituée de permaloy ou en appliquant de la poudre de ferrite sur le 5 ruban conducteur 6» De plus, une substance magnétique isolante telle que de la ferrite peut être également placée aux extrémités 7ia des deux montants ouverts de la pellicule mince ferromagnétique 7 de l'exemple de la fig. 2. Des détails précités montrent que le dispositif de mémoire 10 à matrice de l'invention présente les avantages suivants : (1) Du fait que la pellicule mince ferromagnétique 7 constitue tin circuit magnétique pratiquement fermé par rapport au flux magnétique provoqué par un courant de commande parcourant le ruban conducteur 6, on peut facilement réaliser une 15 structure miniaturisée à forte densité en éléments d'informations et les bandes magnétiques 2 peuvent être commandées efficacement par un courant de commande de faible valeur» (2) Les dispositifs de mémoire à matrice de l'invention peuvent être produits avec précision et de façon économique 2 0 en grande série en utilisant des techniques de dépôt par évaporation, photogravure et revêtement électrique etc», ceci convenant également à la miniaturisation pour une forte densité en élément d'information. (3) Du fai-t que les pellicules minces ferromagnétiques 25 20a et 20b entourent étroitement le conducteur mince 19, les courants numériques nécessaires sont très faibles. De plus, le rapport signal/bruit de l'impulsion de sortie du conducteur mince 19 (procédé circonférentiel d'aimantation de l'axe privilégié des pellicules minces ferromagnétiques 20a et 2 0b ) 30 ou du ruban conducteur 6 (procédé axial d'aimantation selon l'axe privilégié des pellicules minces ferromagnétiques 2 0a et 20b) est élevé. En conséquence, le fonctionnement du dispositif de mémoire à matrice de l'invention est sûr et la construction du circuit d'accompagnement nécessaire est simple» *4 70 06393 7 2032363 SEVEADICji'IIQKS 1 - -Dispositif de mémoire à matrice comprenant un groupe de conducteurs magnétiques parallèles de rangée-disposés à des intervales réguliers et deux groupes de conducteurs, de colonne 5 parallèles espacés régulièrement et coupant perpendiculairement les conducteurs magnétiques de rangée de telle sorte que l'un et l'autre des deux groupes des conducteurs parallèles de colonne soient isolés du groupe de conducteurs magnét.iques parallèles de rangée placés entre eux, pour constituer des éléments de né-10 moire aux intersections des conducteurs magnétiques de rangée et des conducteurs de colonne, caractérisé en ce qu'au moins un des deux groupes de conducteurs parallèles de colonne 5 comprend des rubans conducteurs parallèles 6 revêtus chacun d'une pellicule mince ferromagnétique 7 sauf sur un bord 4 . en regard 15 des conducteurs magnétiques de rangée 2 et fixés sur une feuille isolante 8 ou 8a de telle sorte que chacune des deux faces 3 et 3a de chacun des rubans conducteurs 6 recouvert d'une pellicule mince ferromagnétique 7 soit opposée, à travers la matière isolante de la feuille isolante 8 ou 8a, à une 20 face 3 ou ,3a d'un ruban conducteur 6 voisin et que les bords. 4 sans pellicule mince ferromagnétique des rubans conducteurs 6 soient visibles à la surface de la feuille isolante 8 ou 8a_ située -de chaque côté des conducteurs magnétiques de rangée 2. 25 - Dispositif de mémoire à matrice suivant la revendica tion 1 , caractérisé en ce que la surface de la feuille isolante 8 ou 8a est fixée au groupe de conducteurs magnétiques parallèles de rangée 2 par l'intermédiaire d'une couche isolante S» 3 - Dispositif de mémoire à matrice suivant l'une des re-30 vendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'un espace d'air 9a est placé entre chaque bord 4 des rubans conducteurs 6 et le groupe de conducteurs magnétiques parallèles de rangée 2.