Brevet FR2014747A1 — publié le 19700417

L'invention entre dans le secteur des seni-conducteurs et concerne en particulier des dispositifs semi-conducteurs munis de deux conducteurs de courant tels que des diodes à jonction Schott-ky, des diodes à Jonction p-n et des dispositifs à effet de G-unn. 5 De tels dispositifs comportent une enveloppe munie d'un organe isolant, fixé entre deux parties,conductrices de l'électricité, de l'enveloppe et formant un isolant électrique entre ces parties qui constituent les deux connexions électriques du dispositif. Le corps semi-conducteur logé dans cette enveloppe comporte deux é-10 lectrodes principales dont chacune est reliée électriquement à l'une desdites parties conductrices de l'électricité et à un domaine du corps semi-conducteur. Oes parties conductrices peuvent se trouver à des extrémités opposées de l'enveloppe, cas dans lequel l'organe isolant, généra-15 lement tubulaire, est fixé entre deux pièces terminales métalliques entre lesquelles il forme un isolant axial, les pièces terminales métalliques formant des connexions électriques de polarité opposée. Les connexions électriques peuvent également se trouver à la même extrémité du dispositif, cas dans lequel l'une des 20 parties conductrices comporte généralement un tube extérieur et l'autre une tige métallique qui y est fixé coaxialement. Cette tige comporte une partie en forme de broche qui, à son extrémité libre, est voisine de l'extrémité du tube extérieur et forme l'une des connexions électriques. 25 Dans le montage de tels dispositifs, il est souvent difficile de former de bonnes connexions électriques entre l'électrode du corps et la partie conductrice de l'enveloppe et d'obtenir des joints bien hermétiques entre la partie conductrice et l'organe isolant, donc de capsuler et protéger suffisamment le corps et 30 ses connexions. Dans certains cas, il est impossible d'essayer l'élément semi-conducteur électriquement avant-qu'il ne soit logé dans au moins une partie de l'enveloppe. Toutefois, lorsque les parties conductrices qui forment les connexions électriques du dispositif n'ont pratiquement pas la même forme et les mêmes di-35 mensions (comme pour les dispositifs à connexions disposées à la même extrémité et certains dispositifs dont les connexions sont situées a des extrémités opposées) il est souvent nécessaire de recourir à des procédés de fabrication différents pour obtenir des dispositifs de polarité opposée. 40 La fig. 1 représente une diode s, effet de G-unn connue, oscil- BAD ORIGINAL ' 69 25716 2 2014747 lant à des fréquences de micro-ondes lorsqu'une tension supérieure à une tension de seuil déterminée est appliquée aux deux connexions. Les pièces terminales métalliques 1 et 2 sont les deux connexions du dispositif qui se trouvent à des extrémités oppo-5 sées de l'enveloppe. Un tube isolant 3 est inséré entre ces pièces terminales et forme un isolant axial entre ces pièces. Un corps semi-conducteur 4 en arséniure de gallium est relié, par une surface principale, à l'extrémité de la pièce terminale 2 à l'intérieur de l'enveloppe et forme l'une des électrodes 5 du corps 10 4, L'autre électrode du corps 4 est constituée par une électrode 6 formée par une couche métallique faisant contact avec l'autre surface principale du corps 4. Cette électrode Ç est reliée électriquement, par l'intermédiaire du conducteur 7, à une bague métallique 8 qui est relié électriquement à la pièce terminale 1. le 15 conducteur 7 est constitué par un seul fil dont les deux extrémités sont fixées à la bague 8 et dont le milieu fait contact avec l'électrode 6. Ce dispositif semi-conducteur est conçu pour éliminer un grand nombre des inconvénients rencontrés précédemment. 20 L'adjonction de la bague 8 et du fil 7 facilitent une bonne connexion électrique entre les électrodes 6 et la pièce terminale 1, mais il faut de bonnes obturations hermétiques entre le tube 3 et la pièce terminale 2 ainsi qu'entre le tube 3 et la bague 8 afin de protéger le corps semi-conducteur et -cette connexion par 25 fil. Cette dernière obturation avec la bague 8 est parfois difficile à réaliser. Bien que les éléments semi-conducteurs puissent être essayés avant l'assemblage total, l'essai est cependant nécessaire pour le dispositif composé représenté sur la fig. 1. Etant donné que le dispositif représenté sur la fig. 1 est un dis-30 positif simple à effet de Gunn, il ne se pose pas de problèmes concernant les dispositifs a polarité opposée. L'enveloppe représentée sur la fig. 1 peut être utilisée pour d'autres dispositifs pour lesquels pourraient se poser des problèmes concernant la bi-polarité. Etant donné que les deux pièces 35 terminales métalliques sont pratiquement de mêmes dimensions et de même forme, un dispositif de polarité opposée pourrait facilement être obtenu par une inversion des connexions des bornes. Certaines diodes tunnel comportent une enveloppe analogue à celle du dispositif représenté sur la fig» 1, la différence es-40 sentielle réside dans le fait que la pièce terminale métallique BAD ORIGINAL 69 25716 3 2014747 I n'a pratiquement pas la même forme ni les mêmes dimensions que la pièce teiminale 2 mais est constitué par un disque métallique plat. Dans un tel cas, il n'est pas facile de réaliser des dispositifs à diodes tunnel à deuà polarités sur une même chaîne de 5 fabrication. La fig. 2 représente une diode connue, a transition p-n, munie d'une enveloppe dans laqielle est logé un élément semi-conducteur. L'enveloppe présente la disposition coaxiale d'un organe isolant tubulaire 13 qui est fixé entre deux pièces terminales métalli-10 çiues tubulaire s 11 et 12 pratiquement identiques. Une première tige métallique 18 est fixée coaxialement dans la pièce terminale II et une seconde tige métallique 19 est fixé dans la pièce terminale 12. Le corps semi-conducteur 14 est en silicium et comporte des domaines de conduction de type n dont chacun fait individuel- 0 ç-brode 15 lement contact avec une surface principale du corps 14 par une/ d'un certain nombre d'électrodes 16 constituées par des couches métalliques. Le corps semi-conducteur comporte en outre un domaine commun de conduction de type p, situé près de la surface principale opposée du corps 14, surface principale opposée qui est 20 fixée à l'extrémité de la tige métallique 19 à l'intérieur de 1' enveloppe et qui foime ï.'..électrode 15 de l'élément. Hé cette manière, le corps semi-conducteur comporte une série de diodes à jonction p-n, série qui peut atteindre le nombre de 1000. Un nombre aussi élevé de diodes est utilisé de façon que lorsque le fil 25 métallique 17 qui relie électriquement l'électrode 16 à la tige métallique 18 est introduit dans l'enveloppe, il y a une très grande probabilité qu'il établira un contact électrique raisonnable avec l'une des électrodes 16. Donc, dans certains cas, on n'u-_ diodes tilise que l'une des/la série de diodes a jonction p-n dans le 30 dispositif représenté sur la fig. 2. Le fil métallique 17 est fixé à l'extrémité de la tige métallique 18 à l'intérieur de l'enveloppe au point de contact avec l'électrode 16. Des tiges métalliques 18' et 19' sont soudées aux pièces terminales 11 et 12 et maintiennent en place les tiges 18 et 19. Comme le mentionne le 35 brevet anglais No. 1.024.210, il est possible d'assurer un alignement parfaitement coaxial du dispositif et d'obtenir d'excellentes obturations heimétiques entre l'isolant 13 et les pièces teiminales tubulaires 11 et 12. La connexion électrique avec l'électrode 16 est cependant tributaire du contact de pression avec 40 le fil métallique 17; cette connexion peut introduire de l'insé- 69 25716 4 2014747 curité dans les caractéristiques électriques du dispositif représenté sur la fig. 2 et, de ce fait, il n'est guère possible d'essayer complètement l'élément semi-conducteur avant l'assemblage complet du dispositif, le contact sous pression du fil métalli-5 que 17 avec l'électrode 16 implique que le dispositif est plus sujet à endommagement ou modification de caractéristiques sous 1' effet de chocs après son assemblage total. De plus, il est peu économique de fabriquer environ mille diodes pour n'utiliser qu'une seule d'entre elles. les difficultés que l'on rencontre 10 avec les dispositifs décrits, dans lesquels les deux connexions se trouvent à des extrémités opposées du dispositif, sont généralement plus grands encore pour des dispositifs dans lesquels les deux connexions se trouvent à la même extrémité du dispositif. Un dispositif semi-conducteur muni d'une enveloppe à deux con-15 ducteurs de courant et comportant un corps isolant qui est fixé entre deux parties conductrices de l'électricité formant des conducteurs de courant alors que 1'ensemble comporte un corps semiconducteur dont une première zone comporte une électrode qui est relié électriquement à l'un des conducteurs de courant et une se-20 conde zone,une électrode qui est reliée au second conducteur de courant est caractérisé en ce que le corps semi-conducteur est fixé à une surface d'un porteur isolant présentant au moins, à des surfaces terminales opposées, pratiquement perpendiculaires à la surface du porteur, des couches conductrices de l'électricité 25 isolées telles que la couche conductrice d'une surface terminale du porteur est reliée électriquement à l'un des conducteurs de courant et à l'une des électrodes du corps semi-conducteur, tandis que la couche conductrice appliquée sur la surface terminale opposée du porteur est relié électriquement à l'autre conducteur 30 de courant et à l'autre électrode. l'application du corps semi-conducteur su® un porteur isolant et la fixation des conducteurs de courant du dispositif à des cou- situées ches conductrices,isolées .entre elles/a des surfaces terminales opposées du porteur complique l'assemblage complet de l'élément 35 semi-conducteur f. donc l'essai avant de l'introduire dans le reste du dispositif; bien souvent cela facilite la liaison électrique entre l'élément et les conducteurs de courant, étant donné que, selon 1*enveloppe, chaque couche conductrice peut être en contact intime avec la partie du dispositif qui forme la connexion 40 électrique. Suivant l'orientation du porteur isolant à l'intérieur 69 25716 2014747 de l'enveloppe et suivant la pellicule conductrice qui est reliée à l'une de ses surfaces avec la partie conductrice de l'enveloppe, on peut facilement obtenir un dispositif à deux polarités. De ce fait, un dispositif à deux polarités peut être constitué par le 5 même porteur isolant et la même enveloppe. L'enveloppe peut être réalisée de diverses manières et présenter plusieurs formes. Dans un exemple de réalisation conforme à l'invention, l'une des parties conductrices mentionnées est un tube extérieur et l'autre des parties conductrices mentionnées est 10 une tige métallique qui est fixé coaxialement à l'intérieur du tube extérieur mentionné et qui présente, à Une extrémité, une partie en forme de broche qui constitue une connexion du dispositif qui est située à une extrémité du tube extérieur qui forme 1' autre borne du dispositif, alors que la couche conductrice à l'une 15 des surfaces terminales du porteur est reliée électriquement à ladite première électrgge et avec un support radial conducteur de 1'! électricité, qui est/contact électrique avec une autre extrémité tournée vers l'autre extrémité dudit tube extérieur , la couche conductrice sur la surface terminale opposée du porteur étant re-20 lié électriquement à ladite seconde électrode et à l'extrémité opposée de la tige métallique mentionnée. Dans ce cas, le tube extérieur et la tige métallique peuvent être en cuivre argenté. Dans une autre forme de réalisation conforme à l'invention, l'organe isolant mentionné est de construction pratiquement tubu-25 laire et est fixé entre une première pièce métallique et une seconde et foae entre celles-ci un isolant axi9.1s ces pièces terminales étant situées à des extrémités opposées de l'enveloppe et formant des connexions électriques opposées, alors que la couche conductrice à l'une des surfaces terminales du porteur, voisine 30 de la première pièce terminale métallique, est reliée électriquement à ladite première pièce Serminale métallique et à ladite première électrode, tandis que la couche conductrice appliquée sur la surface terminale opposée du porteur, Voisine de la seconde pièce teminale métallique, est reliée électriquement à ladite se-35 conde pièce terminale métallique et à ladite seconde électrode. Dans ce cas, la première pièce terminale et la. seconde peuvent être pratiquement identiques et de forme tubulaire, une première tige métallique étant fixée coaxialement dans la première pièce terminale métallique et son extrémité étant amenée à l'intérieur 40 de l'enveloppe en bon contact électrique avec la couche conûuctri- 69 25716 s 2014747 ce appliquée sur ladite surface terminale, alors qu'une seconde tige métallique est fixée coaxialement dans la seconde pièce terminale métallique et son extrémité est amené à l'intérieur de 1* enveloppe en "bon contact électrique avec la couche conductrice ap-5 pliquée sur ladite surface terminale opposée. Dans ce cas, lesdites pièces terminales métalliques peuvent comporter chacune une extrémité rétrécie sur laquelle s'adapte l'organe isolant tubulaire et les pièces terminales métalliques peuvent être en titane ou en zirconium. 10 L'organe isolant et le porteur isolant peuvent être en oxyde d'aluminium. Le corps semi-conducteur peut se trouver dans une cavité de l'une des surfaces du porteur. De cette manière, le corps semiconducteur ne doit pas dépasser le niveau extérieur supérieur de 15 ladite surface. Cela assure la protection du corps semi-conducteur et permet sa fixation directe lors de l'assemblage du dispositif, étant donné qu'il court moins de risques d'être gêné ou arrêté pendant l'insertion dans l1enveloppe. Dans ce cas, la couche conductrice à l'une des surfaces termi-20 nales et la couche conductrice à la surface terminale opposée peuvent s'étendre partiellement sur l'une des surfaces y compris le côté de la cavité sur cette surface. De ce fait, on peut au besoin établir une liaison entre les électrodes et les parties des couches conductrices qui recouvrent du moins partiellement le co-25 té de la cavité. Dans ce cas, la couche conductrice peut être reliée électriquement à l'une des surfaces terminales avec la première électrode mentionné par un conducteur dont une extrémité est relié, par un thermo-compression, à la première électrode mentionnée sur l'une des surfaces terminales du corps semi-conducteur 30 dont l'autre extrémité est reliée par theimo-compression à une partie de ladite couche conductrice sur ladite surface terminale qui recouvre l'un des côt#s de ladite cavité. Le second domaine du corps semi-conducteur peut en outre être relié par la seconde é-lectrode à la couche conductrice sur ladite surface terminale op~ 35 posée par la surface principale opposée du corps semi-conducteur en reliant cette partie de la couche conductrice à la surface terminale opposée qui couvre au moins l'autre côté de la cavité. La forme fondamentale de la cavité peut être celle d'une gouttière en forme de U0 Dans ce cast la couche conductrice peut s'é-40 tendre sur pratiquement tout le fond de la gouttière en forme de 69 25716 7 2014747 TJ. Les couches conductrices peuvent être isolées l'une .de l'autre par une rainure qui s'étend perpendiculairement au fond de la gouttière et dans laquelle ne se trouvent pas de couches conductrices; elles peuvent également être isolés l'une de l'autre par 5 une partie qui s'étend perpendiculairement sur tout un côte de la gouttiere et ne comportant pas de couche conductrice, cette partie pouvant former le côté vertical d'un domaine en escalier dans ce côté de la gouttiere. Les couches conductrices peuvent être en or. 10 Le corps semi-j-conducteur peut être noyé dans l'une des surfa*-. ces du support par une résine synthétique protectrice. Cela implique en fait que le cor$s semi-conducteur est capsulé à deux reprises à savoir dans la résine et dans.1'enveloppe. Les obturations heimétiques entre l'organe isolant tubulaire et les pièces termi-15 nales métalliques ne sont donc pas aussi critiques dans cette forme de réalisation du dispositif conforme à l'invention. Dans ce cas, le corps semi+conducteur et ses connexions avec les couches conductrices peuvent être noyés dans la résine synthétique, résine qui peut se trouver entièrement dans la cavité pratiquée 20 dans l'une des surfaces du porteur. L'élément semi-conducteur est donc protégé et capsulé par la cavité. Dans une forme de réalisation, un porps semi-conducteur à deux conducteurs de courant comporte une diode à Jonction Schottky. 25 Dans une autre forme de réalisation il comporte une diode à jonction p-n. Dans une autre foime de réalisation encore, 1'ensemble comporte un dispositif à effet de G-unn. On peut évidemment réaliser d'autres formes du dispositif semi-conducteur conforme à l'invention à deux "bornes, par exemple des diodes tunnel ou des 30 diodes varactor; une condition essentielle étant que l'élément semi-conducteur ne comporte que deux connexions conductrices extérieures. Dans certaines circonstances, il est donc possible de réaliser des éléments de commutation sur le porteur isolant ou sur le corps semi-conducteur, par exemple des résistances ou des 35 condensateurs formés par des techniques à couches minces ou "bien dans le corps semi-conducteur, par exemple d'autres éléments de commutation semi-conducteurs qui sont formés par diffusion. Suivant un second aspect de l'invention, un porteur isolant comporte un corps semi-conducteur sur l'une de ses surfaces et 40 des couches conductrices isolées entre elles au moins sur des 69 25716 8 2014747 surfaces terminales opposées de ce corps, ces surfaces terminales étant pratiquement perpendiculaires à l'une des surfaces du porteur ®[ui, lui, peut être inséré dans une enveloppe et former un dispositif semi-conducteur à deux bornes suivant le premier aspect 5 de l'invention. Le porteur isolant peut comporter dans une cavité ménagée à sa surface un corps semi-conducteur et des couches conductrices isolées entre elles aux surfaces terminales opposées de cette cavité,. ces surfaces terminales étant pratiquement perpendiculaires 10 à l'une des surfaces du porteur et ces couches conductrices s'é-tendant partiellement sur ladite surface y compris le côté latéral de la cavité, alors que le corps semi-conducteur et ses connexions avec les couches conductrices sont noyés à l'une des surfaces par une résine synthétique protectrice, résine qui se trou-15 ve entièrement à l'intérieur de la cavité ménagée dans ladite surface du porteur, porteur qui peut être soit inséré dans une enveloppe et former une forme de réalisation particulière d'un dispositif semi-conducteur à deux conducteurs de courant conforme à un premier aspect de l'invention, ou bien il peut être relié par 20 ladite surface à un substrat, de sorte que les parties des couches conductrices isolées entre elles qui s'étendent partiellement sur ladite surface du porteur peuvent faire- contact électrique avec une conformation conductrice appliquée sur ledit substrat. Le cette manière, on peut réaliser un support isolant univer-25 sel en série et ensuite, selon les désidérata du client, les monter soit dans une enveloppe et former un dispositif semi-conducteur à deux conducteurs suivant le première aspect de l'invention ou, après inversion, on peut le relier par sa surface terminale a un circuit imprimé ou un circuit constitué par une mince pelli-30 cule afin de formei* un circuit intégré hybride. Les porteurs isolants appropriés pour de tels circuits hybrides sont connus avec une construction analogue à celle conforme à l'invention. De tels porteurs isolés"ont l'objet du brevet anglais No. 40804/66 qui n'est nullement limité à deux bornes mais qui englo-35 be également une ou plusieurs bornes comme par exemple pour des transistors et des circuits intégrés; ces porteurs isolés selon le seoond aspect de l'invention, diffèrent structurellement de ceux-ci par le fait que les couches conductrices par lesquelles les électrodes du corps semi-conducteur sont reliés s'étendent 40 également sur les deux surfaces terminales du porteur,, surface 69 25716 " 2014747 teiminales qui sont perpendiculaires à la surface sur laquelle est monté le corps semi-conducteur. C'est précisément cette particularité qui fournit un porteur plus universel. 6 u Des formes de réalisation du premier aspect/du second aspect de 5 l'invention seront décrites, à titre d'exemples, a l'g.ide des fig. 3, 4, 5 et 6 des dessins annexés. Sur ces dessins: La fig. 3 est une coupe d'un dispositif semi-conducteur a deux conducteurs de courant selon le premier aspect de l'invention, la fig. 4 montre en perspective un porteur isolant selon le 10 second aspect de l'invention et utilisé dans le dispositif représenté sur la fig. 3. la fig. 5 est une coupe d'un autre dispositif semi-conducteur à deux conducteurs de courant selon le premier aspect de l'invention. 15 la fig. 6 est une coupe d'un autre support isolant selon le second aspect de l'invention et utilisé dans le dispositif représenté sur la fig. 5. le dispositif représenté sur la fig. 3 est une diode à jonction Schottky, en aisiniure de gallium dans laquelle les deux connexions 20 électriques se trouvent à des extrémités opposés du dispositif. Cette diode comporte une enveloppe dans laquelle est logé un porteur isolant 30 en oxyde d'aluminium, le porteur 30 comporte un corps semi-conducteur 24 en arséniure de gallium sur l'une de ses surfaces 34 et comporte des couches conductrices 31 et 32 en or, 25 isolées entre elles, sur des surfaces terminales opposées, surfaces terminales qui sont perpendiculaires à la surface 34 du porteur. l'enveloppe est pratiquement identique a celle du dispositif représenté sur la fig. 2 et comporte un organe isolant tubulaire 23 en oxyde d'aluminium qui est fixé entre deux pièces 30 terminales métalliques pratiquement identiques 21 et 22 et qui forme un isolant axial entre les pièces terminales, l'organe isolant tubulaire 23 s'adapte sur des extrémités rétrécies des pièces teiminales métalliques 21 et 22. les deux pièces terminales métalliques 21 et 22 sont chacune 35 en titane ou en zirconium et sont de forme tubulaire. Dans chacune de ces pièces terminales sont fixées des tiges métalliques coa-xiales 28 et 28' - 29 et 29'. l'extrémité de la tige en nickel 28 se trouvant à l'intérieur de l'enveloppe est fixé de manière a être en bon contact électrique avec la couche conductrice 32 ap-40 pliquée sur la surface teiminale voisine du support 30 par une 69 25716 2014747 couche de résine époxy conductrice. L'extrémité de la tige de nickel 29 à l'intérieur de l'enveloppe est soudée à la couche conductrice 31 appliquée sur la surface terminale voisine du porteur 30 afin d'assurer avec celle-ci un excellent contact électrique. 5 Les tiges 28' et 29' en titane sont soudées aux pièces teiminales 21 et 22 et maintiennent en place les tiges de nickel 28 et 29. Le porteur isolant 30 du dispositif selon la figl 3 est représenté à grande échelle et en perspective sur la fig. 4. Pour la clarté du dessin, aucune résine synthétique protectrice (chiffre 10 de référence 33 sur la fig, 3) n'est représenté sur la fig. 4. Le porteur isolant 30 en oxyde d'aluminium porte un corps semiconducteur 24 dans une cavité ménagée dans une surface 34 et comporte des couches conductrices 31 et 32 isolées entre elles sur de* surfaces terminales opposées. Ces surfaces terminales sont pra-15 tiquement perpendiculaires à la surface 34 du support 30. La forme fondamentale de la cavité est celle d'une gouttière 35 en forme de U. Les couches conductrices 31 et 32 présentent des parties 37 et 38 qui s'étendent partiellement sur l'une des surfaces 34, des 20 parties 39 et 40 qui s'étendent sur le côté de la gouttière 35 et des parties 41 et 42 qui s'étendent sur le fond de la gouttière 35® Les couches conductrices 31, 37, 39» 41 et 32, 38, 40, 42 sont isolées entre elles par une rainure 36 qui s'étend perpendiculairement au fond de la gouttière 35 et dans laquelle ne se 25 trouve pas de couche conductrice. L'électrode 26 sur l'une des surfaces principales du corps semi-conducteur 24 est en or et constitue un contact redresseur avec le corps 24 à couche d'arrêt à 1* interface métal/semi-conducteur. L'électrode 26 est reliée électriquement à la couche conductrice 31 à une extrémité du por-30 teur 30 par un fil d'or 27 dont une extrémité est reliée par un assemblage par thermo-compression à l'électrode 26 tandis que l'autre extrémité est relié par un assemblage par thermo-compression à la partie 41 de la couche conductrice 31, 37, 39, 41. La surface terminale opposée du corps semi—conducteur 24 est relié 35 à la couche conductrice 42 qui forme l'électrode ohmique 25 sur le corps 24. Par l'intermédiaire de la couche conductrice 32, 38, 40, 42 l'électrode 45 est reliée électriquement à la partie 32.appliquée sur la surface terminale opposée du porteur 40. Le corps semi-conducteur 24 et ses connexions aux parties 41 40 et 42 des couches conductrices 31? 37 5 39: 41 s et 32, 38, 40, 42 69 25716 11 2014747 sont noyés sur une surface 34 du porteur 30 par une résine synthétique protectrice 33 (voir la fig. 3). Cette résine 33 se trouve entièrement à l'intérieur de la gouttière 35 sur l'une des surfaces 34 du porteur. Cette forme de construction est donc com-5 pacte, robuste et protège suffisamment le corps semi-conducteur 34-et ses connexions directes. Les dimensions du dispositif selon la fig. 3 sont les suivantes: l'organe isolant "tubulaire 23 a une longueur de 1 ,8 mm et un diamètre extérieur de 2,4 mm, alors que son diamètre intéri-10 eur est de 1,8 mm. Les pièces terminales métalliques 21 et 22 ont chacune un diamètre intérieur de 0,95 mm et un diamètre extérieur maximal de 2,5 mm.. L'organe isolant tubulaire 23 s'adapte sur .les -extrémités ré-trécies à diamètre extérieur de 1,72 mm des pièces terminales mé-15 talliques 21 et 22. Les tiges de nickel 28 et1.29 qui sont fixées dans les pièces terminales métalliques ont chacune un diamètre de 0,91 mm. Les extrémités voisines de tiges de nickel 28 et 29. sont coniques et présentent une surface terminale plate circulaire de 0,76 mm de diamètre. Les surfaces terminales du porteur iso-20 lant 30, qui sont recouvertes des parties de couches conductrices 31 et 32, ont une hauteup de 0,80 mm et une largeur de 0,38 mm; la longueur du porteur 30 est de 1,9 mm. La gouttière 35 a une profondeur de 0,05 mm et une longueur-moyenne de 0,13 mm. La fabrication du dispositif représenté sur la fig. 3 s'effec-25 tue de la manière suivante: On réalise d'abord le porteur isolant représenté sur la fig. 4. Le porteur isolant 30 est doré sur toute une surface 34 y compris la gouttière 35 et sur toutes les surfaces terminales perpendiculaires à une surface 34. La rainure 36 est taillée quasi paral-30 lèiement auxdites surfaces terminales sur tout le fond de la gouttière 35» ce qui fournit les couches conductrices, isolés entre slles, 31, 37, 39, 41 et 32, 38, 40 et 42. Le corps semi-conducteur 44 qui est mis en contact sur une surface principale par l'électrode redresseuse 26 est alors relié par sa surface principale 35 opposée à la partie 42 de la couche conductrice 32, 38, 40, 42 pour former l'électrode ohmique 25 qui est reliée électriquement à la partie 32 de ladite couche conductrice. Le fil conducteur 27 est ensuite relié par un assemblage par thermo-compression à l'électrode 26 et à la partie 41 de la couche conductrice 31, 37, 39, 40 41 et relie ainsi électriquement l'électrode 26 à la partie 31 de 69 25716 2014747 ladite couche conductrice. Le corps semi-conducteur et ses connexions directes sont ensuite noyés à l'aide de la résine synthétique 33. Les caractéristiques électriques de l'élément noyé peuvent 5 être essayées avant d'incorporer cet élément dans 1 enveloppe. r-f Il n'est pas probable que l'enveloppe modifiera ces caractéristiques. Le capsulage dans de la résine fait office d'enveloppe outre l'enveloppe entière, de sorte que finalement le corps semiconducteur est doublement protégé. 10 Pour fabriquer l'enveloppe, on soude d'abord les pièces terminales métalliques 21 et 22 au corps tubulaire 23. afin d'obtenir une enveloppe coaxiale. De la manière décrite dans le brevet anglais No. 1.024.210 on obtient un alignement parfaitement coaxial et des joints parfaitement hermétiques. La couche conductrice 31 15 à l'une des surfaces terminales du porteur isolant est ensuite soudé à l'extrémité conique de la tige de nickel 29 pour former un bon contact électrique avec celle-ci et cet ensemble est introduit à travers la pièce terminale métallique 22, dans l'enveloppe coaxiale et y est fixé. La gouttière 35 et la résine 33 qui noie le 20 corps semi-conducteur 24 fait office de protection pour le corps semi-conducteur 24 et ses connexions directes, de sorte que pendant cette introduction dans l'enveloppe les risques de chocs ou d'endommagments sont moindres. La tige du titane 29T est ensuite soudée à l'extrémité de la pièce terminale 22. 25 L'extrémité conique de la tige de nickel 28 est ensuite introduite à travers la pièce terminale métallique 21 dans l'enveloppe et,grâce à la résine époxy conductrice,elle forme un bon contact électrique avec la couche conductrice 32 appliquée sur la surface 'terminale opposée du support. Cette tige 28 est fixée en 30 place dès que ce contact électrique est obtenu. La tige de titane 28' est finalement soudée en place à l'extrémité de la pièce terminale 21, de sorte que l'enveloppe est terminée. L'emploi .de tiges séparées 28' et 29' permet de sectionner leurs extrémités sans altérer les contacts électriques entre les tiges 28 et 29 35 respectivement entre les couches 30 et 31. Les tiges 28' et 29' sont sectionnées planes aux extrémités des pièces tenrmi.nales métalliques 21 et 22 opposées à l'organe isolant tubulaire 23 et forment avec ces deux pièces terminales les connexions du dispositif. 40 Le porteur isolant représenté sur la fig, 4 (avec ou sans ad- 69 25716 2014747 jonction de la résine synthétique protectrice 33 de la fig. 3) est un élément universel. Il peut non seulement être introduit dans une enveloppe formée pe^r le dispositif semi-conducteur représenté sur la fig. 3, à deux conducteurs de courant, mais peut égale-5 ment être relié par l'une des surfaces 34 a un substrat isolant, de sorte que les parties 37 et 38 des couches conductrices isolées entre elles 31» 37, 39» 41 et 32, 38, 40, 42 peuvent faire contact électrique avec des parties d'une configuration conductrice appliquée sur ledit substrat. De cette manière on peut obtenir un 10 circuit intégré hybride. Il est donc possible de fabriquer le support de la fig. 4 en grandes séries (avec ou sans adjonction de la résine 33 de la fig. 3) et ensuite, selon les désidérata du client, de monter ce support soit pour former le dispositif représenté sur la fig. 3 soit, après inversion, le relier par une 15 surface terminale à une mince "pellicule ou un circuit imprimé pour former un circuit intégré hybride. Le dispositif représenté sur la fig. 5 est une diode à jonction p-n confoime à l'invention, les deux connexions électriques se trouvant à la même extrémité. Il comporte une tige métallique 20 en cuivre argenté 51 qui est fixé coaxialement dans un tube extérieur, en cuivre argenté 50. La tige métallique 50 comporte une partie en formé de broche 52 à une extrémité pour former l'une des connexions|du dispositif qui sé trouve .vers une extrémité du tube extérieur 50 qui forme l'autre connexion du dispositif. Les deux 25 connexions du dispositif sont isolées l'ttne de l'autre par un isolant radial 56 qui est supporté sur un bord de la paroi intérieure des tubes extérieurs 50 qui, à son tour, supporte la ti^e métallique 51. Les parties correspondantes du support isolant dans le dispo-30 sitif selon la fig. 5, et représenté à plus grande échelle sur la fig. 6, portent les mêmes chiffres de référence sur les fig. 5 et 6 que sur les fig. 2 et 3. Par la couche conductrice 31, 37, 39, 61 et le fil d'or 27, la partie 31 de la couche conductrice sur l'une des surfaces terminales du support 30 est relié électrique-35 ment à l'électrode 26 sur une surface principale du corps semiconducteur 24 et fait contact avec un domaine de type de conduction n du corps 24. L-^partie 31 de la couche conductrice est également relié par soudure à la partie de montage 55 d'un support radial 53 conducteur de l'électricité g.ui fait contact avec l'au-40 tre extrémité du tube extérieur 55. En ce qui concerne le support représenté sur la fig. 4, la surface principale opposée du corps 69 25716 2014747 semi-conducteur 24 est relié à la partie 42 de la couche conductrice pour former l'électrode 25 qui est en contact avec un domaine de type de conduction p du corps 24 et qui de cette manière est reliée électriquement par la couche conductrice 32, 38, 40, 5 42, à la partie 32 de la couche conductrice de la surface terminale opposée du support. La partie 32 de la couche conductrice est également reliée par voie électrique par la résine époxy conductrice à l'extrémité opposée 54 de la tige métallique 51. Dans le support selon la fig. 6, un côté de la gouttière 35» 10 en forme de TJ, comporte du côté 34 du support une partie 60 en forme d'escalier dont la partie horizontale est recouverte par la partie 61 de la couche conductrice 31, 37, 39, 61 et dont la partie verticale n'est pas munie de couche conductrice, La partie 62 du fond de la gouttière 35, à la hase de la partie en forme d'es-15 calier 60, ne comporte pas non plus de couche conductrice, tandis que le reste du fond est recouvert de la partie de couche conductrice 42 de la couche conductrice 32, 38, 40, 42. De cette manière les couches conductrices 31, 37, 39, 61 et 32, 38, 40, 42 du support de la fig. 6 sont isolées entre elles. 20 Le corps semi-conducteur 24 et ses connexions directes à l'aide du fil d!or 27 avec la partie de couche conductrice 61 et la partie de couches conductrices 42 sont noyés, sur une surface 34 du support 30, par une résine synthétique protectrice 33. La résine 33 se trouve entièrement dans la gouttière 35 sur une surfa-25 ce 34. De cette manière, on obtient le support universel de la fig. 6 qui correspond à celui représenté sur la fig. 4. Les dimensions du support selon la fig. 6 sont pratiquement les mêmes que celles du support représenté sur la fig. 4. En ce qui. concerne 1'enveloppe, le tube extérieur 50 a une longueur de 14 mm, un 30 diamètre extérieur de 4,1 mm et un diamètre intérieur de 3,18 mm. La partie en forme de broche 52 a une extrémité de la tige métallique 51 a un diamètre de 0,50 mm et une longueur de 2,5 mm. L'extrémité opposée 54 de la tige métallique 51 est quelque peu conique et laisse subsister une surface terminale plane circulaire 35 à diamètre de 1 mm. Lors du montage de la diode à transition p-n de la fig. 5, on assemblage d'abord le support isolant de la fig. 6. Le support 30 est ensuite fixé au support radial 53 en soudant la partie de couche conductrice 31, prévue à une extrémité du support, à la partie 40 de montage 55 sur le support radial 50» Un dispositif de polarité 69 25716 2014747 opposée à celle du dispositif représenté sur la fig. 5 peut être obtenu à partir du même support 30 et de la même enveloppe en soudant la partie d'une couche conductrice 32 à la partie du montage 55. 5 II est difficile d'obtenir une bonne obturation hermétique entre l'isolant radial 56 et la tige métallique 51 ou le tube extérieur 50. Toutefois, de telles obturations parfaitement hermétiques, ne sont pas nécessaires pour le dispositif selon la fig. 5, étant donné que le corps semi-conducteur 24 et ses connexions 10 directes sont suffisamment noyés dans la résine synthétique 33. La formation d'un contact électrique satisfaisant par la couche époxy conductrice entre la partie de couche conductrice 32 à la surface terminale opposée du support 30 et l'extrémité 54 de la tige métallique 51 est facilitée en réalisant le support radi-15 al 53 sous forme de vis et en munissant le tubè extérieur, du côté intérieur d'un taraudage 57 à l'extrémité opposée aux bornes. Comme dans le support isolant représenté sur la fig. 4, celui de la fig. 6 peut être assemblé par une de ses surfaces 34 à un substrat isolant, de sorte que les parties 37 et 38 les couches 20 conductrices isolées entre elles 31, 37, 39, 61 et 32, 38, 40, 42 peuvent faire contact électrique avec des parties d'une configuration conductrice appliquée sur ledit substrat. De cette manière, on peut obtenir un circuit intégré hybride au lieu du dispositif selon la fig. 5. 25 Le praticien pourra évidemment réaliser de nombreuses variantes sans sortir du cadredde l'invention. C'eèt ainsi que l'élément semi-conducteur à deux connexions peut comporter une diode tunnel, une diode varactor ou même, dans certaines conditions, un dispositif à effet de Gunn; une condition essentielle est que 30 l'élément semi-conducteur ne comporte que deux connexions conductrices extérieures qui doivent être reliés électriquement à deux connexions du dispositif par l'intermédiaire des couches conductrices. L'enveloppe peut avoir"une forme différente de celle représentée sur les fig. 3 et 5 pourvu qu'elle comporte deux con-35 nexions électriques à même d'établir une liaison électrique avec les couches conductrices isolées entre elles à des surfaces terminales opposées du support et des moyens pour fixer le support à l'endroit désiré. La cavité dans la sux-face 34 du support isolant peut avoir une forme fondamentale autre qu'une gouttière en 40 forme de U et, dans certaines circonstances, cela peut faciliter 69 25716 2014747 les liaisons électriques entre les électrodes du corps et les couch.es conductrices appliquées sur les côtés des cavités. De plus, le côté 34 du support isolant ne doit pas nécessairement conporter des cavités, Une condition essentielle est, que les 5 couches conductrices isolées entre elles s'étendent du moins à des surfaces terminales opposées du support surface qui sont perpendiculaires à la surface 34 mentionnée. 69 25716 2014747 REVENDICATIONS 1. Dispositif semi-conducteur muni d'une enveloppe à deux conducteurs de courant et comportant un corps isolant qui est fixé entre deux parties conductrices de l'électricité formant des con- 5 ducteurs de courant alors que l'ensemble, comporte un corps semiconducteur dont une première zone comporte une électrode qui est relié électriquement à l'un des conducteurs de courant et une seconde zone une électrod|^g^|gJe:gg^;kée au second conducteur de courant, * caractérisé/en ce que le corps semi-conducteur est 10 fixé à une surface d'un porteur isolant présentant au moins, à des surfaces terminales opposées, pratiquement perpendiculaires a la surface du porteur, des couches conductrices de l'électricité isolées telles que la couche conductrice d'une surface terminale du porteur est reliée électriquement à l'un des conducteurs de 15 courant et à l'une des électrodes du corps semi-conducteur, tandis que la couche conductrice appliquée sur la surface terminale opposée du pointeur est relié électriquement à l'autre conducteur de courant et à l'autre électrode. 2. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, carac-20 térisé en ce que l'une desdites parties conductrices est un tube extérieur et l'autre une tige métallique fixée coaxialement dans ledit tube extérieur et comportant à une extrémité une partie en forme de broche formant une connexion du dispositif, connexion qui est situé vers l'extrémité du tube extérieur qui forme l'au-25 tre borne du dispositif, alors que la couche conductrice sur l'une des surfaces terminales du support est reliée électriquement à la première électrode mentionnée et à un support radial, conducteur de l'électricité, qui est en contact électrique avec ledit tube extérieur et vea?s l'autre extrémité de celui-ci, alors 30 que la couche conductrice est reliée électriquement à la surface terminale opposée du support, a ladite seconde électrode et à l'extrémité opposée de ladite tige métallique. 3. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le tube extérieur et la tige métallique 35 sont en cuivre argenté. 4. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé' en ce que ledit organe isolant est pratiquement tubulaire et est fixé entre la première pièce -terminale métallique et la seconde pour foimer entre celles-ci un isolateur axial, lesdites 40 r-ièces terminales étant situées à des côtés opposés de l'envelop- 69 25716 2014747 pe et formant des connexions électriques opposées, alors que la couche voisine de l'une des surfaces teiminales du support est reliée électriquement à la première pièce terminale métallique et a la seconde première électrode, et la couche conductrice de la sur-5 face terminale opposée du support, voisine de la seconde pièce terminale métallique, est reliée électriquement à ladite seconde pièce terminale métallique et II ladite seconde électrode. 5; Dispositif semi-conducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la première pièce terminale métallique et la se-10 conde sont pratiquement identiques et tubulaires alors qu'une première tige métallique est fixée coaxialement dans la première pièce terminale métallique l'extrémité de cette tige étant, à l'intérieur de l'enveloppe, en bon contact électrique avec la couche conductrice appliquée sur ladite surface terminale, alors qu'une 15 seconde tige métallique coaxiale est fixée dans la seconde pièce terminale métallique et 1'extrémité de cette tige §st amenée à l'intérieur de l'enveloppe en "bon contact électrique avec la couche conductrice appliquée sur la surface terminale opposée. 6- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 4 ou 5» 20 caractérisé en ce que lesdites pièces terminales métalliques comportent chacune une extrémité rétrécie sur laquelle s'adapte l'organe isolant tubulaire. 7. Dispositif semi-conducteur selon les revendications 4 à 6, caractérisé en ce que les pièces terminales et métalliques sont 25 en titane ou en zirconium. 8. Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'organe isolant et le porteur isolant sont en oxyde d'aluminium. 9. Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications 30 précédentes caractérisé en ce que le corps semi-conducteur est logé dans une cavité ménagée dans une surface du porteur. 10. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que la couche conductrice sur l'une des surfaces terminales et la couche conductrice sur la surface terminale opposée 35 s'étendent chacune partiellement sur ladite surface, j compris les côtés de la cavité ménagée dans cette surface. 11 « Dispositif semi-conducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche conductrice sur l'une des surfaces terminales est relié électriquement h la première électrode 40 par un conducteur dont une extrémité est reliée, par assemblage 69 25716 19 2014747 par thermo-compression, à ladite première électrode sur une surface principale du corps semi-conducteur, l'autre extrémité étant reliée, par un assemblage par theimo-compression, à la partie de ladite couche conductrice sur l'une des surfaces terminales qui 5 s'étend sur un côté de ladite cavité. 12. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce que le second domaine du corps semi-conducteur est relié électriquement, par la seconde électrode, à la couche conductrice appliquée sur la surface terminale opposée par le fait 10 que la surface principale opposée du corps semi-conducteur est reliée à la partie de ladite couche conductrice appliquée sur la surface terminale opposée qui s'étend au moins sur l'autre côté de la cavité. 13. Dispositif semi-conducteur selon l'une.des revendications 15 10 à 12, caractérisé en ce que la forme fondamentale de la cavité est celle d'une gouttiere en forme de U. 14. Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que les couches conductrices sont constitués par de l'or. 20 15. Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le corps semi-conducteur appliqué sur une surface du porteur est noyée dans une résine synthétique protectrice. 16. Dispositif semi-conducteur selon les revendications 10 et 25 15, caractérisé en ce que le corps semi-conducteur et ses connexions aux couches conductrices sur l'une des surfaces sont noyés dans de la résine qui se trouve entièrement à l'intérieur de la cavité ménagée dans ladite surface du porteur. 17. Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications 30 précédentes caractérisé en ce qu'il comporte une diode à jonction Schottky. 18. Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications 1 4 16, caractérisé en ce qu'il comporte une diode à jonction p-n. 19. Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications 35 1 % 16. caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif à effet de Gunn. 20. Support isolant muni d'un corps semi-conducteur dont une surface est recouverte de couches conductrices isolées entre elles, comme les surfaces terminales opposées qui sont prati- 40 quement perpendiculaires à ladite surface du support qui lui peut 69 25716 être inséré dans une enveloppe pour former un dispositif semiconducteur a deux bornes selon l'une des revendications précédentes. 21. Support isolant comportant un corps semi-conducteur logé 5 dans une cavité de la surface dudit support ainsi que des couches conductrices isolées entre elles sur des surfaces terminales opposées du support, ces surfaces terminales étant pratiquement perpendiculaires à ladite surface du support et les couches conductrices s'étendant partiellement sur ladite surface y compris les 10 côtés de la cavité, le corps s.emi-conducteur et les connexions aux couches conductrices étant noyés sur ladite surface dans une résine synthétique protectrice qui se trouve entièrement a l'intérieur de la cavité ménagée dans ladite surface du support, ce support pouvant soit être introduit dans une enveloppe pour former 15 un-dispositif semi-conducteur à deux bornes selon la revendication 16 soit être appliqué par ladite surface sur un substrat de sorte que des parties desdites couches conductrices isolées entre elles, qui s'étendent partiellement sur ladite surface du support, peuvent faire contact électrique avec des parties d'une configu-20 ration conductrice appliquée sur ledit substrat.