Brevet FR2045634A1 — publié le 19710305

La présente invention concerne des dispositifs de représentation ou des appareils similaires dans lesquels une représentation ou un dessin visible est obtenu en excitant sélectivement de petits éléments discontinus faisant partie d'une surface de représentation ou de sortie, et elle concerne plus particulièrement la structure d'une matrice de semi-conducteurs fournissant une telle surface de sortie, cette matrice étant divisée en un grand nombre d'unités ou piles individuelles associées chacune exclusivement à une petite zone particulière de la surface et connectées de façon à être facilement et sélectivement adressables par l'intermédiaire de signaux de déclenchement ou d'autres signaux de commande. L'invention a pour but de permettre la réalisation dsune telle matrice0 Elle est matérialisée dans une matrice de semi-conducteurs comprenant une surface de représentation ou de sortie divisée en un très grand nombre de petites zones discontinues ou pastilles, disposées en un réseau régulier sur la surface.Chacune de ces pastilles peut être un petit élément photo-émetteur qui, lorsqu'il est excité par un courant électrique, émet une énergie lumineuse radiante, ou peut simplement constituer une électrode destinée à permettre le passage d'un courant électrique à travers un palier électro-sensible ou une matière similaire, placé contre la surface de sortie. Associé à chaque zone discontinue et pastille de la surface de représentation, en prévoit un élément commutateur semiconducteur, qui fonctionne généralement d'une façon similaire à celle d'un redresseur commandé ou silicium et qui peut être déclenché ou basculé entre un état de conduction et un état de non conduction pour permettre ou empêcher le courant électrique provenant d'une source convenable de traverser l'élément de commutation afin d'atteindre la pastille associée de la surface de sotie. Le dis- positif peut être fabriqué selon les techniques bien connues des circuits intégrés et comprend de préférence un grand nombre de couches de matériaux différents, superposées les unes aux autres, le matériau constituant chaque couche étant divisé en pastilles séparées ou bien en zones présentant d'autres formes, convenablement agencées et placées en coïncidence exacte avec le matériau constituamt les autres couches de façon à former des unités ou piles individuelles disposées en un réseau régulier de rangées et de colonnes. La partie fondamentale de chaque unité ou pile de la matrice est l'élément de commutation, qui est constitué par quatre couches de matériau semi-conducteurs dopées alternativement. Les deuxièmes couches de tous les éléments de commutation associés à l'une des rangées d'unités ou piles sont connectées en commun du point de vue électrique. D'une façon similaire, les troisièmes couches de tous les éléments de commatation de chaque colonne d'uni- tés ou piles sont connectées en commun, et il en résulte que n'im- porte quel élément de commutation particulier peut être déclenché .u basculé à un état de conduction en appliquant simultanément des signaux de déclenchement aux bornes de la colonne et de la rangée dont l'intersection correspond à cet élément de commutation.Par conséquent, en combinant la matrice selon ltinvention avec une machine à calculer électronique u un autre dispositif logique: ali- mentant un système séquentiel de commande du signal de déclanche- ment correspondant aux colonnes et aux rangées, il est possible d'obtenir un dispositif de représentation pouvant être modifié et commandé d'une façon continue. La description qui va suivre, faite en regard des dessins annexés, donnés à titre non limitatif, permettra de mieux comprend dre l'invention. La fig. 1 est une représentation en perspective éclatée à une échelle agrandie, de la matrice de semiconducteurs selon ltir- vention. La fig. 2 est une représentation en perspective à une échelle agrandie, de la matrice de semi-conducteurs visible sur la fige 1, incorporée à un dispositif de représentation. La fige 3 est une représentation schématique du circuit électrique équivalent à deux des unités ou piles de la matrice visible sur la fig. 1. La fig. 4 est une représentation à une échelle agrandie montrant schématiquement les différentes couches constituant l'une des unités ou piles de la matrice visible sur la fig. lo La fig. 5 est une vue similaire à celle de la fig0 4, montrant une unité ou pile d'une matrice constituant une variante de l'invention. La fig. 6 est une vue similaire à celle de la fig. 4 montrant une unité ou pile d'une matrice constituant une autre variante de l'inventions La fig. 7 est une vue similaire à celle de la fig. 4, montrant deux unités ou piles d'une matrice constituant une autre variante de l'invention. La fig. 8 est une vue en plan suivant la ligne 8-8 de la fig. 7. Si l'en se réfère maintenant aux dessins, les fig. 1 et 2 représentent à une échelle agrandie une matrice 10 de semi- conducteurs selon l'invention. La matrice illustrée 10 peut être considérée comme sensiblement complète, mais un dispositif réel comprendrait normalement un nombre beaucoup plus important d'unités, piles ou empilage. Egalement en ce qui concerne les fig.l et 2, diverses bornes nécessaires pour effectuer les connexions électriques entre les diverses parties de la matrice 10 ont été supprimées pour améliorer la clarté. De telles bornes peuvent être ajoutées au dispositif formant la matrice de n'importe quelle façon bien connue et ne constituent pas en elles-mêmes une caractéristique essentielle de l'invention.Comme cela est évident en .e référant aux iig. l et 2, le dispositif formant la matrice 10 est constitué par un certain nombre de couches de matériaux différents, superposées les unes aux autres et, dans la fig. 1, la matrice est représentée en perspective éclatée, les diverses couches étant séparées les unes des autres. Selon les fig. 1 et 2, le dispositif formant la matrice 10 comprend quatre couches 12, 13 , 14 et 15 en matériau semi- conducteur qui forment ensemble les éléments de commutation fonda- mentaux des diverses unités constituant des piles. La couche infé- rieure 12 comprend un grand nombre de petites zones ou surfaces discontinues 16 , 16 d'un revêtement ou dépôt de matériau semiconducteur. Dans le cas illustré, les zones 16, 16 sont repré- sentées par des formes généralement carrées et, pour simplifier, ces petites zones de matériau ainsi que les petites zones du matériau des autres parties du dispositif ou de la matrice seront dénommées ci-après "pastilles". Cependant, ces pastilles n'ont pas besoin d'avoir une forme carrée et peuvent être circulaires ou avoir n'importe quelle autre forme convenable, le terme "pastilles" s'appliquant à n'importe laquelle de ces formes. Dans la couche 12, les pastilles 16, 16 sont disposées en un réseau régulier pour former cinq rangées de pastilles s'étendant en principe parallèlement à la flèche 17 et six colonnes de pastilles s'étendant en principe parallèlement à la flèche 18. Dans les zones non recouvertes par les pastilles 16, 16, la couche 12 comprend un matériau convenable 20 isolant du point de vue électrique, qui isole électriquement les pastilles les unes des autres. La couche 13 située immédiateient au-dessus de la couche inférieure i2 est constituée par un certain. nombre de bandes 22, 22 en matériau semi-conducteurs qui s'étendent d'une façon géné- rale parallèlement aux rangées des pastilles 16, 16 de la couche inférieure 12 et dont chacune recouvre directement lune des rangées correspondantes.La couche 14 placée immédiatement au-des- sus de la couche 13 comprend un certain nombre i bandes 24, 24 en matériau semi-conducteur, chacune des bandes s'étendant le long et étant placée directement au-dessus de l'une des colonnes correspondantes des pastilles 16, 16 de la couche 12. la couche supérieure 15 est constituée par un ceertain nombre de pastilles 26, 26 en matériau semi-conducteur, disposées selon le même réseau que les pastilles 16, 16 de la couche 12 et dont chacune est placée directement au-dessus de l'une des pastilles correspondantes 16, 16. Les espaces existant entre les bandes 22, 22 de la couche 13, les bandes 24, 24 de la couche 14, ainsi que les pastilles 26, 26 de la couche 15 sont remplis par le matériau 20 isolait di point de vue électrique. Les quatre couches semi-conductrices 12, 13 , 14 et 15 peuvent être obtenues suivant divers procédés bien connus, permet- tant d'obtenir des circuits intégrés multi-couches, en formant par exemple chaque couche de façon épitaxiale et en utilisait des masques convenables. Les matériaux semi-conducteurs utilisés pour les quatre couches sont dopés alternativement aveo approximative- ment les mêmes concentration d'impuretés que celles utilisées dans les couches correspondantes d'un redresseur commandé au silicium. Comme le montre la fig. 1, les pastilles 26, 2C de la couche 15 sont constituées par un matériau présentant une conductibilité du P, les bandes 24, 24 de la couche 14 sont constituées par un matériau présentant une conductibilité du type B , les bandes 22, 22 de la couche 13 sont constituées par un matériau présentant une conductibilité du type P et les pastilles 16, 16 de la couche 12 sont constituées par un matériau présentant une conductibilité du type N.Par conséquent, il est évident que, dans le dispositif formant la matrice 10, on obtient un grand nombre d'éléments de communication à semi-conducteurs de type PNPN, dont chacun est constitué par une pastille 16 faisant partie de la couche inférieure 12, une bande 22 faisant partie de la couche suivante 13, une bande 24 faisant partie 14 et une pastille -26 faisant partie de la couche supérieure 15. Cependant, il est évident que, bien qu'une configuration du type PNPN ait été représentée pour ces éléments de commutation, ils peuvent aussi bien être réalisas selon une configuration de type NPNP, sans sertir du cadre de l'invention. En plus des quatre couches semi-conductrices 12 , 13 14 et 15 qui forment les éléments de commutation fondamentaux, le dispositif 10 visible sur les fig. 1 et 2 comprend également une couche photo-émettrice 28 comportant un grand nombre d'élé- ments ou pastilles 30, 30 agencés selon le même réseau que les pastilles 16, 16 de la couche inférieure 12 et placés chacun en coïncidences exacte avec l'une des pastilles correspondantes 16, 16. Chaque pastille 30 est de nature à émettre des radiations lumineuses lorsqu'elle est excitée par un courant électrique la traversant et provenant de la pastille associée 16.Divers ma tériaux peuvent être utilisés pour former les pastilles 30, 30, mais on préfère que chacune de celles-ci constitue une petite diode photo-6mettrice et, lorsque tel est le cas, chaque élément 30 peut être une diode à deux couches par lui-même, ou bien une sin- ple couche d'un matériau, le matériau de la pastille associée 16 constituant l'autre partie de la diode. Le matériau isolant 20 remplit les espaces existant entre les pastilles individuelles 30, 30 de façon à les isoler les unes des autres du point de vue électrique. Au dessous de la couche photo-émettrice 28, on prévoit une couche 32 en matériau conducteur transparent, qui permet à la radiation émise par les pastilles photo-émettrices 30, 30 de le traverser et qui sert de berne électrique commune pour connecter les surfaces inférieures de toutes les pastilles 30, 30 les unes aux autres. La surface inférieure 34 de la couche 32 forme la surface de sortie du dispositif 10, cette surface étant divisée en un grand nombre de zones discontinues, par les pastilles photoémettrices voisines 30, 30, de sorte qu'en excitant celles des pastilles 30, 30 qui sont sélectionnées, on obtient une représentation ou une image visible sur la surface de sortie 34, à condition que la lumière émise par les pastilles 30, 30 se rouve dans le spectre visible. Pour fournir un courant d'excitation à chacun des éléments de commutation du dispositif formant la matrice 10, ce dispositif comprend également deux couches supplémentaires placées au-dessus de la couche semi-conductrice supérieure 15. La couche 36 placée immédiatement au-dessus de la couche 15 est dénommée couche chimique" et comprend un grand nombre de pastilles 38, 38 constituées par un matériau ohmique, ces pastilles 38, 38 étant disposées selon le même réseau que les pastilles 26, 26 de la couche 15 et étant chacune en coïncidence exacte avec l'une de ces dernières pastilles 26, 26. Le matériau isolant 20 remplit les espaces existant entre les pastilles 38, 38 de façon à les isoler électriquement les unes des autres.Au-dessus de la couche 36, en prévoit une couche terminale 40 constituée par une feuille de matériau conducteur qui connecte électriquement toutes les surfaces supérieures des pastilles ohmiques ou résistives 38, 38. Si désiré, les pastilles chimiques 38, 39 peuvent être obtenues en formant un revêtement en matériau ohmique sur la feuille conductrice constituant la couche 40 avant de l'assembler avec le reste du dispositif formant la matrice 10 et en découplant ensuite la couche ohmique pour la diviser en pastilles 38, 38 La fig. 4 est une représentation en coupe verticale à travers l'unité su pile 42 du dispositif visible sur la fig. 1, et la fig. 3 représente le schéma électrique général équivalent ou son analogue, sous forme de transistors correspondant à deux unités voisines 429 420 Dans la fig. 3, on a donné aux diverses parties du circuit équivalent les mêmes références numériques que c elles des éléments du dispositif formant la matrice 10 dont ils forment généralement les équivalents. Par conséquent, d'après ces figures, il est évident que, dans chaque unité ou pile , les deux pastilles 16 et 26 et les deux bandes 22 et 24 de matériau semi-conducteur forment un commutateur à déclenchement u à éleotrode do commande, qui est généralement similaire à un redresseur commandé au silicium. D'après la fig. 3, il est également évident quten polarisant convenablement chacun de ces commutateurs commandés, on peut le faire fonctionner de telle façon qu'un signal de déclenchement négatif doive être appliqué à la bande 242 simultanément à un signal de déclenchement positif appliqué à la bande 22 pour le commuter depuis un-état de non conduction jusqu'à un état de conduction, et qu'une fois qu'il est rendu conducteur il reste dans cet état de conduction jusqu'à ce qu'il soit commuté ou basculé par un nouveau processus de commutation, consistant par exemple à appliquer simultanément des impulsions de déelenchement inverses à la bande 24 et à la bande 22, ou à mettre momenta tanément tous les points hors circuit pour annuler momentanément tous les courants circulant dans le dispositif formant la matrice 10. Comme le montrent les fig. 2, 3 et 4 , les couches conduc- trice supérieures et inférieures 32 et 40 du dispositif 10 sont connectées à une source de tension convenable 44, de sorte que lorsqu'un élément particulier 42 est commuté à un état conducteur, le courant provenant de la source 44 le traverse pour exciter l'élément photo-émetteur 30 qui lui est associé. L'élé- ment chimique 38 de chacune des unités ou piles 42 sert d'élé- ment limiteur de courant et peut être supprimé dans certains cas. La fig. 2 représente une application typique du dispositif formant la matrice 10 dans laquelle toutes les bandes 24, 24 de la couche 14 et toutes les bandes 22, 22 de la couche 13 sont connectées à un dispositif logique de déclenchement 46 qui peut, par exemple, faire partie d'un calculateur électronique.Du fait que les bandes 22, 22 s'étendent dans une direction et que les bandes 24, 24 s'étendent dans une autre direction, chaqune des unités ou piles du dispositif 10 est addressable de façon sélec- tive par des signaux de déclenchement appliqués simultanément à la bande 22 et à la bande 24 correspondant à l'intersection et formant une paire exclusive dans cette unité u cette pile particulière.Par conséquent , en émettant une séquence convenable de signaux de déclenchement appliqués aux bandes 24, 24 et 22, 22, le dispositif logique de déclenchement 46 peut être utilisé pour exciter ceux des éléments photo-émmetteurs qui sont nécessai res pour produire une représentation désirée sur la surface de sortie 34 du dispositif 10.I1 est évident, comme cela a été men- tionné précédemment, qui le nombre des unités ou piles du dispesitif formant la matrice 10 peut être augmenté d'une façon très importante au-delà du nombre visible sur les fig. I et 2, de façon à obtenir une surface de sortie relativement importante divisée en de très petites pastilles ou zobnes discontinues. Il est également évident qu'en sélectionnant d'une façon convenable le matériau utilisé pour fournir les pastilles photo-émettrices, le dispositif est capable de produire des radiations colorées. Par conséquent, le dispositif 10 pourrait être conçu pour une utilisation dans un système capable de fournir des représentations et des images à la fois monochromes et en couleur.Egalement, le dispositif logique de déclenchement 46 pourrait être conçu pour modifier rapidement et de façon répétitive l'image ou la représentation produite au niveau de sa surface de sortie 34, afin de produire une image mobile comme en télévision, le dispositif 10 devenant ainsi l'équivalent d'un tube de télévision plat. La fig. 5 est une vue en coupe suivant l'une des unités ou piles d'un dispositif formant matrice désigné d'une façon générale par 48 et généralement similaire au dispositif 10 visible sur les fig. 1 b 4, sauf que la couche photo-émettrice 28 et la couche conductrice transparente 32 du dispositif 10 ont été supprimées. Les parties du dispositif 48 qui sont similaires aux parties correspondantes du dispositif 10 sont désignées par des références numériques identiques et n'ont pas besoin d'être décrites à nouveau. Dans le dispositif 48, la surface de sortie 50 est placée au niveau inférieur de la couche sémi-conductrice 1?, la face inférieure de chacune des pastilles semi-conductrices formant une petite partie de cette surface de sortie.Lors du fonctionnement, le dispositif 48 a sa surface conductrice supérieure connectée au côté positif d'une source de tension convenable 52 et le côté négatif de cette source 52 est connecté à une embase ou plaque conductrice 54. Un papier électro-sensible 56 ou une matière similaire est placé entre la surface de sortie 50 et la surface supérieure de l'embase 54, de sorte que chaque pastille 16 du dispositif 48 est en contact avec une petite surface discontinue du papier 56.Par conséquent, lorsque l'élément de commutation dont la pastille représentée 16 fait partie est déclanché ou basculé à son état de conduction, le courant traverse le papier électro-sensible 56-en provenante de la pastil le a6 et en direction de l'embase 54t et il excite électrique- ment le papier sur la surface recouverte par la pastille.Par conséquent, si le papier 56 est l'un de ceux qui changent de couleur ou de tonalité à la suite d'une excitation électrique, on peut obtenir une image ou une autre représentation graphique sur ce papier en excitant convenablement ceux des éléments de commutation qui sont sélectionnés et qui constituent le dispositif 48. A titre de avariante du dispositif formant matrice dans lequel les éléments de commutation individuels restent à l'état conducteur jusqu'à ce qu'ils aient été volontairement commutés ou basculés à un état de non conduction, un dispositif à matrice selon l'invention peut également être réalisé en vue d'une utilisation selon un mode de fonctionnement à éclat lumineux dans lequel chacun des éléments de commutation, après avoir éte commuté ou basculé à son état de conduction, reste dans cet état de conduction pendant une période de temps prédéterminée, et est ensuite automatiquement ramené à son état de non conduction.Pour obtenir ae type de fonc- tionnement, le dispositif formant matrice comprend plusieurs condensateurs dont chacun est associé à l'un des éléments de commutation correspondants. La fig. 6 représente un dispositif formant matrice 58 comportant un mode de réalisation d'un condensateur. Les parties du dispositif. 58 qui sont similaires aux parties correspondantes du dispositif 10 visibles sur les fig. 1 à 4 sont désignées par les mêmes références numériques et n5 ont pas besoin autre décrites à nouveau. Le dispositif 58 est identiques au dispositif 10, sauf qu'il comprend, dans chaque unité ou pile, une pastille 60 remplaçant la pastille ohmique 38 visible sur la fig. 1. Le matériau constituant la pastille 60 est un matériau tel que du titanate de baryum présentant une constante diélectrique élevée et une conductibilité électrique faible, de façon à former un condensateur de fuite entre la pastille semi-conductrice 26 et la couche conductrice 40.En fonctionnement, lorsqu'on applique des signaux de déclenchement simultanés à la bande 22 et à la bande 24 d'un élément de commutation particulier du dispositif 58, cet élément de commutation particulier bascule à létat conducteurS de façon à exciter sa pastille photo-émettrice associée 30 et à charger le condensateur formé par sa pastille diélectrique associée 60. Au fur et à mesure que le condensateur se charge, le courant traversant le dispositif à élément de commutation décrit jusqu'à une valeur inférieure au niveau de maintien de la conduction et par conséquent, le commutateur s'inverse et passe à son état de non conduction, le condensateur se dé chargeant alors à travers le matériau constituant la pastille 60, de façon à être prêt pour un autre cycle de fonctionnement. Les fig. 7 et 8 représentent une coupe à travers deux unités ou piles voisines du dispositif formant matrice 62, dans lesquelles un condensateur correspondant à chaque unité ou pile est formé en remplaçant la couche ohmique 36 du dispositif 10 visible sur les fig. 1 à 4 par -une couche conductrice 64 et par une couche diélectrique 66. Comme le montre le mieux la fig. 8, la couche conductrice comprend un certain nombre de pastilles 68, 68 en matériau conducteur, disposées selon le même réseau que les pastilles 26, 26 de la couche 15 et en coïncidence exacte avec ces dernières. Une zone de matériau ohmique 70 entoure chacune des pastilles conductrices 68 et, dans l'espace qui autrement serait vide et qui se trouve au delà du berd extérieur des zones 70, 7n on place un matériau conducteur commun 72.Il en résulte que chaque pastille conductrice 68 est connectée au conducteur commun 72 par l'intermédiaire d 'une résistance fournie par le matériau ohmique associé 70e La couche diélectrique 66 comprend à son tour un certain nombre de pastilles en matériau diélectrique 74, 74 agencées selon le m8me réseau que les pastilles du matériau conducteur 68; 68 et en coïncidence exacte avec ces dernières les espaces existant entre les pastilles 74, 74 étant remplis par le matériau isolant du point de vue électrique 20, de façon à isoler électriquement les pastilles diélectriques 74, 74 les unes des autres. Lors du fonctionnement du dispositif 62 visible sur les FIG. 7 st 8, le matériau conducteur commun 72 de la couche conductrics 64, 64 est connecté à l'un des côtés d'une source de tension convenable 76 dont l'autre côté est connecté à la couche conductrice transparente 32. Cette dernière est également mise à la masse en même temps que la couche conductrice supérieure 40. Par conséquent, lorsqu'une unité ou pile particulière du dispositif 62 se trouve à l'état non conducteur, le condensateur associé formé par la pastille diélectrique 74, la pastille conductrice 68 et la couche conductrice 62 est chargé.Lorsque des signaux de déclenchement simultanés sont appliqués aux bandes 22 et 24 de cette unité ou pile particulière, celle-ci est rendue conductrice et laisse passer la charge de son condensateur associé, cette conduction étant maintenue jusqu'à ce que le condensateur se décharge et atteint le point où le courrant décroit jusqu'à une valeur inférieure au niveau de maintien de la conduction. Ensuite, Le dispositif s'inverse en passant à l'état non conducteur et la condensateur se recharge en prévision d'un nouveau cycle de fonc- tionnnement. Des modifications peuvent autre apportées aux modes de réalisation décrits, dans le domaine des équivalences techniques, sans s'écarter de l'invention. R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un partie quatre couches (12, 13, 14, 15) en matériau semi-conducteur, superposées les unes aux autres, la couche inférieure (12) comprenant un certain nombre de pastilles individuelles (16,16) en matériau semi-conducteur présentant un premier type de conductibilité disposées de façon régulière en un certain nombre de colonnes s'étendant dans une direction et en un certain nombre de rangées s'étendant dans une autre direction, la couche (13) se trouvant immédiatement au- dessus de la couche inférieure (12) comprenant un certain nombre de bandes individuelles (22, 22) en matérisu semi-conducteur présentant un type de conductibilité opposé à celui du premier disposées de façon à s'étendre le long et à recouvrir les rangées de pastilles (16,16) de la couche inférieure (12), la couche (14) se trouvant immédiatement au-dessus de la couche (13) de bandes orientées en rangées (22,22) et comprenant un certain nombre de bandes individuelle. (24,24) en matériau semi-conducteur présentant le premier type de conductibilité, ces dernières bandes (24,24) étant disposées de façon à s'étendre le long et à recouvrir les colonnes des pastilles (16,16) de la couche inférieure (12), la ceuche supérieure (15) comprenant un certain nombre de pastilles individuelles (26,26) en matériau semi-conducteur présentant le type de conductibilité opposé et disposées selon le même réseau que les pastilles (16,16) de la couche inférieure (12), de sorte que chacune recouvre respectivement l'une de ces dernières pastilles (16, 16). 2.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 1, caractérisé en @ qu'il comprend une couche (36) en matériau ohmique, placée immédiatement au-dessus de la couche supérieure (15) faisant partie des quatre couches de maté- riaux semi-conducteurs, cette couche ohmique (36) comprenant un certain nombre de pastilles individuelles (38,38) en matériau ohmique, disposées selon le même réseau que les pastilles (26,26) de la couche supérieure (15), de façon que chacune recouvre respectivement l'une de ces dernières pastilles (26, 26). 3. Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 2, caractérisé èn ce qusil comprend une couche (40) en matériau conducteur placée immédiatement au-dessus de la couche ohmique (36) et connectant électriquement les surfaces supérieures de toutes les pastilles (38,38) en matériau ohmique. 4.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une couche de matériau photo-émetteur (28) placée immédiatement au-dessous de la couche inférieure (12) faissant partie des quatre couches de matériaux semi-conducteurs, cette couche photo-émettrice (28) comprenant un certain nombre d'éléments individuels (30, 30) agencés selon le même réseau que les pastilles (16, 16) de la couche inférieure (12) de façon que chaqun recouvre respectivement l'une de ces dernières pastilles (16, 16) chacun de ces éléments (30, 30) de la couche photo-émettrice (28) étant d'une nature telle qu'il émetts des radiationns lumineuses lorsqu'un courant électrique passe entre lui et celle des pastilles (16, 16) faisant partie de la couche inférieure (12) qui lui est respectivement associée. 5.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 4, caractérisé en ce que chacun des éléments (30, 30) de la couche photo-émettrice (28) étant d'une nature telle qu'il certaine quantité d'un matériau semi-conducteur formant une diode photo-émettrice avec la pastille (16) de la couche inférieure (12) qui lui est respectivement associée. 6.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 4, caractérisé en ce qu'une couche (32) de matériau conducteur transparent est placée au-dessous de cette couche photo-émettrice (28). 7.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend des éléments formant un certain nombre de condensateurs placés au-dessus de la couche supérieure (15) faisant partie des quatre couches de matériaux, semi-conducteurs, chacun de ces condensateurs ayant une armature ou une borne connectée électriquement à l'une des pastilles (26, 26) de la couche supérieure (15) sen autre armature eu borne étant connectée en commun aux armatures ou bornes corres- pendantes des autres condensateurs. 8.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 7, caractérisé once que les éléments formant un certain nombre de condensateurs sont constitués par une couche diélectrique placée immédiatement au-dessus de la couche supérieure faisant partie des quatre couches de matériaux semi-conducteurs et comprennent un certain nombre de pastilles (60, 60) en matériau présentant une constante diélectrique élevée, disposées selon un réseau similaire à celui des pastilles (26,26) de la couche supérieure (15), de façon que chacune recouvre ltune de ces dernières pastilles (26,26) @t une couche (40) en matériau conducteur, placée au-dessus de cette couche diélectrique et reliant électriquement les surfaces supérieures de toutes ces pastilles 460,60) de matériau diélectrique. 9.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 6, caractérisé en ce que les éléments formant un certain nombre de condensateurs comprennent une première couche terminale ou formant armature (64) recouvrant immédiatement cette couche supérieure (15) des qiatre couches de matériaux semi-conducteurs, une couche diélectrique (66) recouvrant cette première couche terminale ou formant armature (64), cette dernière comprenant un certain nombre de pastilles conductrices (68,68) disposées selon le même réseau que les pastilles (26,26) de la couche supérieure (15) faisant partie des quatre couches de matériaux deni-conducteurs et agencées de façon que chacune s'applique contre la surface supérieure de l'une de ces dernières pastilles (26, 26), cette première couche terminale ou formant armature (64) comprenant également une matériau conducteur commun (72) placé à une certaine distante de chacune des pastilles conductrices (68,68) et un matériau ohmique (70) placé entre chacune des pastilles conductrices (68,68) et ce conducteur commun (72) la couche diélectrique (66) comprenant un certain nombre de pastilles (74,74) en matériau présentant une conatante diélectrique élevée, agencées selon un réseau similaire à celui des pastilles conductrices (68, 68) de sorte que chacune recouvre l'une de ces dernières pastilles (68,68), et une couche (40) en matériau conducteur, placée au-dessus de cette couche diélectrique reliant électriquement les surfaces supérieures de toutes ces pastilles (74,74) de matériau diélectrique. 10.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche (36) de matériau ohmique est placée immédiatement au-dessus de cette couche supérieure (15) des quatre couches de matériaux semi-conducteurs, cette couche ohmique (36) comprenant un certain nombre de pastilles individuelles (38,38) en matériau ohmique, disposées selon le même réseau que les pastilles (26,26) de la couche supérieure (15),de façon que chacune recouvre l'une de ces dernières pastilles (26,26) une couche (40) en matériau conducteur placée immédiatement au dessus de cette couche ohmique (36) de façon à connecter électriquement les surfaces supérieures de toutes ces pastilles (38,38) de matériau ohmique, une couche photo-émettrice (28) placée immé- diatement au-dessous de cette couche inférieure (12) des quatre couches de matériaux semi-conducteurs , cette couche photo-émettrice (28) comprenant un certain nombre d'éléments ou pastilles individuels (30,30) disposés selon le même réseau que ces pastilles (16, 16) de la couche inférieure (12) de façon que chacune d'elles se trouve au-dessous de l'une de ces dernières pastilles (16,16) chacun de ces éléments ou pastilles (30, 30) de la couche photoémettrice (28) étant de nature à émettre les radiations lumineuses lorsqu'un courant électrique passe entre elle et celle des pastilles (16,16) de la couche inférieure (12) qui lui est respectivement associée, et une-couche (32) de matériau conducteur transparent, placée au-dessous de cette couche photo-émettrice (28). 11.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice com- portant une surface de sortie (34) divisée en un grand nombre de pastilles discontinues ou s éparées agencées régulièrement en un certain nombre de colonnes s'étendant dans une direction et en un certain nombre de rangées s'étendant dans une autre direction, caractérisé en ce qu'il comprend un certain nombre de dispositifs, de commutation semi-conducteurs dont chacun est connecté électriquement et exclusivement à une pastille correspondante et comprend quatre couches alternées (16,22,24,26) de matérianx semi-conducteurs dopés, la seconde (22) et la troisième (24) de ces quatre couches étant placées entre la prèmière (16) et la quatrième (26), des éléments de liaison connectant électriquement ei commun les troisièmes couches (24, 24) de ces dispositifs de commutation associés à chacune de ces colonnes de pastilles. 12.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 11, caractérisé en ce que chacune des pasvilles est définie par le surface d'un élément photo-émetteur (30) connecté électriquement à l'un des éléments de commutation semi- conducteurs qui lui correspond respectivement et présentant une nature telle qutil émette des radiations lumineuses lorsqu'un courant électrique le traverse en provenant de cet élément de commutation semi-conducteur associé. 13.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 11, caractérisé en ce que chacune des pastilles est définie par une surface de la première couche (16) et de la seconde couche (22) de son élément de commutation semi-conducteur associé. 14.- Disposuitif à semi-conducteurs formant matrice comportant une surface divisée en grand nombre de pastilles discontinues disposées régulièrement an un certain nombre de colonnnes s'étendant dans une direction et en un certain nombre de rangées s'étendant dans une autre direction, caractérisé en ce qu'il comprend un certain nombre d'éléments de commutation semi-conducteurs dont chacun est connnecté éléctriquement et exclusivement à l'une des pastilles et comporte une première couche (22) et une seconde couche (24) de matériaux semi-conducteurs auquels des signaux de déclanchement simultanés doivent être appliqués pour le commuter depuis un état de non conduction jusqu'à un état de conduction, des organes connectant électriquement en commun les premières couches (22, 22) de ces éléments de commutation associés à chacune de ces rangées de pastilles, et des organes connectant électriquement en commun les secondes couches (24, 24) de ces éléments de commutation associés à chacune de ce. colonnes de pastilles. 15.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 14, caractérisé en ce que chacune des pastilles est définie par une surface d'un élément photo-émetteur (30) connecté électriquement à l'un des éléments de commutation semi-conducteurs correspondant et présentant une nature telle qu'il émette des radiations lumineuses lorsqu'un courant électrique le traverse en provenance de l'élément do commutation semi- conducteur associé. 16.- Dispositif à semi-conducteurs formant matrice suivant la revendication 14, caractérisé en ce que chacune des pastilles est définie par une surface d'une première couche (22) et d'une seconde couche (24) faisant partie de l'élément de commu- tation semi-conducteur associé.