Brevet FR2026617A1 — publié le 19700918

Cette invention est relative à une ligne à retard pour signaux électriques, composée d'un échantillon de semi-conducteur, constituant un parcours de courant, ledit échantillon étant muni d'électrodes de source, de porte et de drain, les électrodes de source et de drain étant reliées à une source de 5 tension continu. A l'intérieur de l'échantillon, une zone d'appauvrissement, ou bien d'enrichissement, des porteurs de charge est formée contre l'électrode de porte. L'épaisseur de cette zone dépend de la différence de tension entre des points voisins de l'électrode et du matériau semi-conducteur bordant ladite zone. Les lignes à retard trouvent leur application dans différen-10 ts domaines, en particulier, dans celui des communications. Un problème fondamental réside dans la conception d'un dispositif qui soit apte à fournir un retard suffisamment long sans exiger un équipement coûteux et sans reposer sur des éléments encombrants, tels que des bobinages et des résistances. Dans la technologie moderne des circuits imprimés, la nécessité de petites dimen-15 sions est particulièrement importante. Des semi-conducteurs destinés à retarder les signaux électriques, et dans lesquels la vitesse de diffusion finale des porteurs de- charge, contenus dans un canal semi-conducteur, est utilisée à cette fin ont été décrits dans les brevets américains 2 941 092, 3 192 396 et 3 200 354. Néanmoins, tous les 20 dispositifs connus utilisent seulement la vitesse de diffusion des porteurs minoritaires, dont la longévité est limitée, dans un semi-conducteur. En conséquence, seuls des canaux semi-conducteurs relativement courts, et, partant des retards brefs, peuvent être réalisés. Les dispositifs connus présentent de plus ce désavantage que les signaux sont fortement atténués dans la ligne 25 à retard, ce par quoi la longueur maximum de la ligne à retard est de nouveau limitée. Dans la plupart des applications les signaux doivent être régénérés après avoir traversé la ligne à retard. L'objet essentiel de la présente invention est de fournir une ligne à retard permettant des retards relativement prolongés et pratiquement indé-30 pendants de la fréquence, même dans les structures très petites qui peuvent être utilisées dans des circuits intégrés, du fait que l'utilisation d'inductances ou de capacités n'est pas exigée, excepté en ce qui concerne les capacités naturelles de l'élément semi-conducteur utilisé. Un autre objet de l'invention est d'indiquer une façon d'utiliser la 35 vitesse de diffusion finale des porteurs majoritaires dont la longévité est infiniment plus grande que celle des porteurs minoritaires dans un semi-con-ducteur afin d'obtenir un retard de signaux électriques. Un autre objet de la présente invention est de fournir enfin une ligne à retard dans laquelle les signaux se propageant.dans le dispositif restent 40 non atténués, c'est-à-dire où l'amplitude du signal de sortie est approxima 69 38589 2 2026617 tivement égale à celle du signal d'entrée. Conformément à l'invention, ces objets sont atteints, grâce à une ligne à retard comprenant un échantillon semi-conducteur muni d'électrodes de source, de porte et de drain (les électrodes de source et de drain étant reliées à une 5 première source de tension à courant continu), qui est caractérisée par le fait, que par rapport au sens d'écoulement du courant, les extrémités opposées à l'électrode de porte sont reliées à une seconde source de tension à courant continu, provoquant une chute de tension le long de la longueur de l'électrode, de telle façon qu'une épaisseur au moins approximativement uniforme, de la zone 10 d'appauvrissement, ou la zône d'enrichissement, est obtenue, et que la structure de l'électrode de porte est telle qu'elle fournit un potentiel de courant alternatif égal sur toute la longueur de cette électrode. Ce qui précède et les autres objets, caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description plus particulière suivante, d'une 15 réalisation préférée de l'invention, telle qu'elle se représente dans les dessins joints. La figure 1 constitue une représentation schématique d'un transistor à effet de champ, de type connu. La figure 2a est un schéma d'une ligne à retard, destiné à illustrer le 20 principe sur lequel repose l'invention. La figure 2b est une représentation schématique du mécanisme de la propagation des signaux caractérisant le dispositif conforme à la figure 2a. La figure 3 est une représentation schématique d'une ligne à retard de l'invention. 25 La figure 4 représente un circuit oscillant utilisant la ligne à retard conforme à l'invention. Afin de permettre la compréhension de la ligne à retard de l'invention, et afin de définir les conditions à remplir pour construire de tels dispositifs, de même que les avantages qui peuvent être obtenus, un transistor à~effet de 30 champ connu, doté d'une barrière de Schottky sera décrit en s'aidant de la figure 1. En principe, un transistor à effet de champ est une résistance variable, constituée par un échantillon semi-conducteur, dont la résistance peut être commandée par des tensions de commande qui lui sont appliquées, et qui permet-35 tent une variation continue des dimensions géométriques, ou de la conductivité, du canal de courant. Ceci est réalisé, par exemple, en enlevant pratiquement tous les porteurs de charge dans la région de l'échantillon semi-conducteur qui confine au contact de l'électrode de commande.; l'épaisseur de la zône d'appauvrissement réduisant la surface de la section transversale du canal 40 de courant dépend donc de la valeur de la tension de commande. Dans un cas 69 38589 3 2026617 limite, en supposant qu'un échantillon semi-conducteur suffisamment mince est utilisé et qu'une tension de commande suffisamment élevée est appliquée, le canal dans sa totalité, est pratiquement libre de porteurs de charge, représentant ainsi une résistance très élevée. 5 Le transistor à effet de champ, représenté schématiquement dans la figure 1 est essentiellement constitué par une couche semi-conductrice 11 déposée sur un support isolant, 10. Le semi-conducteur peut être du type de conductivité n, dans lequel les électrons sont utilisés comme porteurs majoritaires. La couche semi-conductrice est, comme l'indique la figure, munie de trois électrodes 10 métalliques 12, 13, 14 ; l'électrode 12 est utilisée comme électrode de source S j l'électrode 13, comme électrode de commande, ou de porte G, et l'électrode 14, comme électrode de drain D. Les électrodes S et D constituent des contacts ohmiques avec le semi-conducteur, cependant que le métal constituant l'électrode G est ainsi choisi qu'il provoque la constitution d'une barrière de Schottky, 15 à l'intérieur de la région de contact du semi-conducteur, qui agit comme une diode. Dans la région du semi-conducteur confinant au contact métal/semi-con-ducteur, la concentration d'électrons libres, c'est-à-dire la concentration de porteurs de charge, est réduite dans une proportion de l'ordre de plusieurs grandeurs par rapport à la concentration dans le matériau semi-conducteur con-20 sidérée loin du contact. Ainsi qu'il a déjà été signalé ci-dessus, l'épaisseur d, de la zône d'appauvrissement est commandée par la tension appliquée à l'électrode de la porte G. La résistance pour un courant s'écoulant dans le canal, entre les électrodes S et D, atteint son maximum lorsque d égal a, c'est-à-dire lorsque la zône d'appauvrissement s'étend dans la totalité de la couche semi-25 conductrice. La tension de commande exigée est d'une polarité telle que la diode métal semi-conducteur est mise en fonctionnement dans son sens de grande résistance ; la commande est, de la sorte, non dissipative. Du fait de la zône d'appauvrissement, seule la section transversale restante du semi-conducteur sert de canal de courant. Pour un élément de canal de 30 courant (zône hachurée dans la figure 1] de longueur dx (la limite entre le canal de courant et la zône d'appauvrissement détermine la direction x), la continuité du courant doit être préservée j cette considération se traduit par l'équation suivante : J~[à Ix - AIx+dx) dt = J~Al.dt = AQ.dx 35 où AIx = modification du courant s'écoulant dans l'élément de canal pendant l'intervalle de temps dt. AI . = modification du courant quittant l'élément de canal pendant l'interval-x+dx le de temps dt. ACJ = charge d'espace de l'élément de canal par unité de longueur. 69 38589 4 2026617 La différenciation de cette équation donne : dA I dAQ C1) dx * dt Dans le cas de petites modifications d'amplitude, les termes d'ordre élevé peuvent être négligés, et l'équation (1) se transforme ainsi : 5 d AQ dt JÛJAQ où co est la fréquence angulairedu signal à transmettre. En conséquence : d AI ; j wAQ €2J dx 10 ou AQ _ _ 1_ d AI (31 ju dx Si l'on tient compte du fait que I « £}v, où v est la vitesse terminale des porteurs de charge dans le semi-conducteur, une considération de la situa-15 tion du courant continu donne : I + AI=(Q+ AQHv +Avî = Qv +AQA.v+ AQv+ QAv Pour les petites grandeurs le terme AQAv peut être négligé : AI =AQv + QAv [4J 20 L'introduction de C3J dans l'équation £4) se traduit par : . _r v d AI „ . àï=-—- . __ + Q Av [5) Lorsqu'on utilise les équations uE = v et EJu " 1/Ro,l'équation suivante peut être établie : 25 QA v = Qu AE » AE/R CE] o p étant la mobilité des porteurs de charge, E la force du champ électrique, 3Q Rq la résistance du canal de courant par unité de longueur. Le calcul suivant est fondé sur un dispositif semi-conducteur dont la largeur est de 1cm, perpendiculairement au parcours de courant. Dans ce cas» l'unité de R s'exprime en £2/cm et celle de la capacité C qui sera introdui-o o te ci-dessous en Farad/cm. 35 De (3) il découle : E AU = 2 AQ =—X— • dAI (?) G jwC dx o o 69 38589 5 2026617 où C est la capacité entre l'électrode de porte et la limite de la zône o d'appauvrissement par unité de longueur. Du fait que AE = —~ , les équations (6) et (7) donnent : 1 d r 1 dAI, Q v R dx jii C * dx C 3 o o 5 L'.introduction de (8) dans l'équation (5) donne : v dAI 1 d 1 dAI, AI . + . [ . } in) dx R dx juC dx o o Lè:'.premier. des termes de. la partie de droite de cette équation correspond à l'équation d'une onde non amortie progressant dans une ligne et dans 10 une direction. Le second terme correspond à l'équation d'une chaine de RC. terme devient pratiquement nul si Rq est rendu très élevé. Cette condition peut être remplie, soit en saturant le parcours de courant, soit en rendant l'épaisseur b, du parcours de courant très petite. Ce qu'établit l'équation (9] sert de base à la ligne à retard imprimé 15 de l'invention. Lorsque cette condition peut être réalisée, à savoir que le second terme de l'équation soit nul, ou tout au moins si petit qu'il devient négligeable, le retard t correspondant à une telle structure, est indépendamment de la fréquence du signal appliqué, et est défini par l'équation suivante : L 20 t = v où t : temps de retard et, L : longueur du parcours de courant pour lequel R ~ o Dans des conditions de fonctionnement normales, la zone d'appauvrissement 25 d'un transistor à effet de champ à barrière de Schottky, s'étend approximativement comme le représente la figure 1. Son épaisseur d dépend de la différence de tension entre des points adjacents de l'électrode de porte et du parcours semi-conducteur de courant. Cette différence de tension n'est pas constante tout le long de l'électrode de porte prise (dans le sens d'écoulement du 30 courant dans le semi-conducteur), lorsque l'électrode présente le même poten-. tiel de courant-continu en chacun de ses points, car le courant qui s'écoule dans le parcours de courant provoque une chute de tension à l'intérieur du semi-conducteur. Le canal de courant devient plus étroit vers l'électrode de drain. 35 Dans le cas d'un transistor à effet de champ de type habituel la condi tion exigeant que la résistance Rq du canal de courant soit approximativement constante et infiniement élevée, en pratique à l'intérieur de toute la région de la zône d'appauvrissement, ne saurait être réalisée, si des mesures supplé- 69 38589 B 2026617 mentair8S n'étaient prises, en particulier lorsque dans le but d'obtenir un temps de retard prolongé, l'électrode de porte et partant, la zône d'appauvrissement est étendue de façon considérable dans le sens d'écoulement du courant. La figure 2a représente en principe la structure d'un dispositif présen-5 tant une épaisseur d de la zône d'appauvrissement, approximativement uniforme sur toute sa longueur L c'est-à-dire une structure dans laquelle une valeur pratiquement constante de R peut être obtenue. O L'échantillon semi-conducteur est désigné par 21, les électrodes de source et de drain par 22 et 23 respectivement. Ces électrodes sont reliées, par 10 l'intermédiaire d8s résistances R^0 et r2-j« aux sources de tension de courant continu V__ et V__, dont le point commun est relié à la masse. Les tensions de SU bb courant continu et l'échantillon de semi-conducteur sont choisis, de telle sorte que la résistance R du parcours de courant est pratiquement infiniment o élevée. Dans le schéma révélé, l'électrode de porte est divisée en quatre 15 électrodes partielles, à G^ (24-1, 24-2, 24-3 et 24-4). Chacune de ces électrodes partielles constitue un contact de Schottky avec le semi-conducteur. Lorsque la distance entre ces électrodes partielles est rendue suffisamment petite, une zône d'appauvrissement commune est créée. Sa frontière est désignée par 27. Afin d'obtenir une zône d'appauvrissement conforme à celle représen-20 tée dans la figure 2b, qui garantit une zône d'appauvrissement d'épaisseur uniforme, et partant, une épaisseur uniforme b du canal de courant, il faut que la différence de tension entre les électrodes partielles et les points adjacents du canal de courant soit la même pour chaque électrode partielle. Du fait que le courant ISQ qui s'écoule dans le canal, à la suite de l'appli-25 cation de la tension continue provoque une chute de tension, différents potentiels continus doivent être appliqués aux diverses électrodes partielles. A cette fin, ces électrodes sont reliées, l'une à l'autre par l'intermédiaire des résistances R (25-1, 25-2, 25-3) et la totalité de la chaine G. - R - G_ - R g 1 g 2 g - G„ - R -G. est reliée à la source de tension continue V__. Cette tension 3 g 4 DC 30 est telle que le courant résultant IQC provoque une chute de tension dans chacune des résistances R , laquelle chute est égale à la chute de tension provoquée par le courantIgD dans les sections du canal de courant, dont les longueurs correspondent à la distance de deux électrodes partielles successives. Par l'intermédiaire des capacités C^ (26-1, 26-2, 26-3, 26-4), chaque électrode 35 partielle est reliée à une ligne porteuse d'un potentiel continu fixe. Dans le dispositif représenté dans la figure 2, cette ligne est mise à la masse. Ces capacités garantissent que toutes les électrodes partielles sont maintenues au même potentiel de courant alternatif. La source de tension V__ fournit la SG tension de polarisation exigée entre l'électrode de source et l'électrode de 40 porte. 69 38589 7 2026617 Les signaux qui doivent être retardés sont appliqués à la borne d'entrée 28, et se propagent dans le semi-conducteur. Les signaux retardés non atténués sont disponibles à la borne de sortie 29. La résistance joue le rôle d'une résistance de charge. 5 Le mécanisme de la propagation des signaux à l'intérieur du semi-conduc- teur sera illustré à l'aide de la figure 2b qui représente le seul échantillon semi-conducteur 21 de même que la zâne d'appauvrissement commandée par les diverses tensions continues appliquées. La flèche I indique le courant permanent qui s'écoule dans le parcours de courant en l'absence d'un signal entrée. 10 Un signal d'entrée positif provoque un accroissement du courant permanent par un courant AI. Etant donné la résistance de canal élevée R , ce courant addi- o tionnel, AI provoque une réduction de la zône d'appauvrissement, c'est-à-dire un déplacement des porteurs de charge. L'extension de la zône d'appauvrissement est réduite de la valeur Ab ce qui accroit l'épaisseur du canal de cou-15 rant de la même quantité. Dans la figure 2b, le front de déplacement progressif est représenté aux instants t^ et Du fait que le déplacement des porteurs de charge ne peut avoir lieu qu'à la vitesse de diffusion des porteurs dans le matériau semi-conducteur, il est évident que la variation de courant AI correspondant au signal à retarder se propage à la vitesse de 20 diffusion v, c'est-à-dire que le temps de retard total pouvant être obtenu avec un tel dispositif est x = — ainsi que l'exprime déjà l'équation (10). Le fonctionnement de la ligne à retard, décrite dans ce qui précède est fondé sur cette condition que la résistance de canal R soit infiniment éle- o vée, c'est-à-dire que le second terme de l'équation (9) soit précisément zéro. 25 Si cette condition n'est pas remplie, celle des parties de la transmission qui correspond au second terme de ladite équation produit un signal atténué se propageant avec une vitesse différente (correspondant à la chaine de RC) ce qui peut provoquer une déformation considérable du signal de sortie. Le bref calcul qui suit établit dans quelles conditions une déviation de la valeur de 30 r^ hors de la valeur infiniment grande devient critique. A condition que la capacité Cq (figure 1) soit constante sur la longueur L (condition qui est remplie lorsque l'épaisseur de la zone d'appauvrissement est uniforme), l'équation (9) peut être transformée sans entrer ici dans le détail en : , . 2, - ( jto . a ) x .-r *T v vjr *■» 35 AI = AI_ e o o v3R C e _ - o Le premier terme de l'exposant représente la partie non atténuée du signal transmis, la seconde partie en représente la partie atténuée. La condition exigeant que le second terme soit égal de façon au moins approximative à zéro, afin d'obtenir une transmission non atténuée et non déformée est 2 3 40 remplie aussi longtemps que le terme m / v RQ C0 reste suffisamment petit. 69 38589 B 2026617 Avec les valeurs typiques suivantes : v = 105 cm/sec g R ■ 10 ohm/cm 0 -7 C 3 10 Farad/cm o g 5 et pour o> » 2 t.3.10 , les deux termes de l'exposant de l'équation (11) peuvent être calculés comme correspondant approximativement à 190 et à 3,5. Dans un tel cas, une bonne qualité des aptitudes de transmission de la ligne â retard a été parachevée. Pour de basses fréquences ai,' une déviation plus importante de la résis-10 tance Rq de la valeur infinie peut être permise. Pour des fréquences plus élévées une telle déviation devient plus critique. La figure 3 représente une réalisation préférée de la ligne à retard de l'invention. Une couche de semi-conducteur en l'occurence du type de conduc-tivité n, est désignée par 31. Elle est déposée conformément à un procédé de 15 fabrication connu, sur un support"représenté dans la figure 3. L'épaisseur de cette couche est approximativement 0,2y. La couche a été choisie aussi mince que passible afin d'obtenir un parcours de courant étroit et, partant, une résistance Rq élevée. Dans la présente réalisation le silicium a été utilisé comme matériau semi-conducteur. Il est avantageux de choisir un matériau 20 présentant une valeur y élevée, c'est à dire, une grande mobilité de porteurs de charge. Il en résulte une vitesse d'accélération élevée j la condition qui exige que Rq soit infiniment grande devient alors moins critique. Pour les électrodes de source et de drain (32 et 33), des couches d'or-antimoine sont utilisées afin de constituer des contacts ohmiques avec le matériau semi-35 conducteur. Ces électrodes sont reliées, ainsi que le représente la figure 3, par les résistances R^ et Rgi respectivement, aux sources de tension de courant continu V_„ et V_„ qui provoquent l'écoulement du courant I„. Trois Su Sb SU couches déposées l'une après l'autre sur le sommet de la couche semi-conductrice 31 sont désignées par 34, 35 et 36. La couche inférieure 34 est constituée 30 par du chrome, formant un contact de Schottky avec le semi-conducteur. Cette o couche est très mince (30 à 40 A, approximativement) et présente en conséquence une résistance élevée. La couche 35 est formée d'un oxyde de silicium SiO^ et joue le rôle d'une couche isolante entre les couches 34 et 36. Cette dernière couche est de faible résistance et est faite d'or. Elle est reliée au 35 potentiel de masse. Les extrémités de la couche de haute résistance 34 sont reliées aux bornes de la source de tension continue V . Le courant continu Uu résultant I provoque une chute de tension le long de cette couche, ladite chute de tension étant égale (par unité de longueur) à celle causée par le courant Ig^ dans le canal de courant. De ce fait, on est assuré que la dif-40 férence de tension continue prise entre des points adjacents de l'électrode 69 38589 g 2026617 et du canal semi-conducteur séparés par la zone d'appauvrissement est constante sur toute la longueur L. Ceci a pour autre conséquence d'assurer une épaisseur constante de la zône d'appauvrissement et sa limite correspond approximativement à la couche 37. La source de courant continu VgG est reliée 5 à l'électrode de source et à la couche 34, utilisée comme électrode de porte et fournit la tension de polarisation exigée par la diode constituée entre le contact électrode de porte/semi-conducteur qui fonctionne dans le sens rétrograde. La couche mise à la masse 36 est couplée de façon capacitive, par l'intermédiaire de la couche diélectrique 35. avec la couche d'électrode de porte 10 34. En ce qui concerne les courants alternatifs elle joue le rôle d'électrode de court eircuit et garantit que tous les points de la couche 34 sont conservés au même potentiel de courant alternatif. Les signaux qui doivent être retardés sont appliqués à la borne d'entrée 38. Les signaux se propagent dans le semi-conducteur à la vitesse de propa-15 gation v, conformément au mécanisme de propagation de signaux, exposé à l'aide de la figure 2b. Retardé de t = ^ , le signal atteint l'électrode de drain 33, et produit une chute de tension dans la résistance de charge R . Le signal de sortie est disponible à la borne 39. Les signaux de sortie sont en phase avec les signaux d'entrée. 20 Pour un dispositif comportant une longueur L du canal semi-conducteur [correspondant approximativement à la longueur de l'|lectrode de porte) de citt 1nm, une mobilité des porteurs de charge p = 1000 .. —rr et une tension vqjl u • sec. source-drain appliquée V de 10 volts, le retard est de 1ji sec approximati- OU vement. 25 Des équations v = p E et i 5 - il découle de façon évidente que pour un dispositif donné, de dimensions déterminées, une variation du temps de retard r peut être obtenue en modifiant la tension de courant continu VSQ ce qui entraine une variation de la force du champ électrique E. Il doit, néanmoins être tenu compte du fait que la tension qui provoque la chute de tension 30 dans l'électrode de porte doit être réglée simultanément afin de maintenir une épaisseur uniforme de la zône d'appauvrissement sur la longueur L. La figure 4 représente schématiquement un circuit oscillant utilisant la ligne à retard de l'invention. Le circuit 30 correspond à celle des parties du dispositif de ligne à retard qui est représentée dans la figure 3, encadrée 35 par une ligne pointillée et également désignée par 30 dans cette dernière figure. Les bornes d'entrée et de sortie sont également numérotées 38 et 39. La borne de sortie 39 est reliée par l'intermédiaire de la résistance de charge R^2 et d'une source de tension réglable à la source detension de source/drain V , de même qu'à la porte G d'un transistor à effet de champ 41 4P utilisé comme amplificateur de courant. Un potentiel positif est appliqué à 69 38589 10 2026617 l'électrode de débit D de ce transistor, alors que la source S est reliée à la masse par l'intermédiaire des résistances R„„ et R... qui constituent un 40 41 diviseur de tension. Le point commun à ces deux résistances est relié à la borne d'entrée 30, de la ligne à retard 30 et représente également la sortie d'os-5 cillateur 42. Le mode de fonctionnement de l'oscillateur correspond essentiellement à celui de circuits connus, dans lesquels les signaux amplifiés par le transistor sont de nouveau appliqués à l'électrode de commande du transistor par l'intermédiaire d'une ligne à retard donnant de la sorte chaque fois naissance à 10 une nouvelle période d'oscillations. La fréquence d'oscillation est surtout déterminée par le retard t des circuits 30 et elle adopte une valeur fixe, aussi longtemps que la tension V^, superposée à la tension de source/électrode reste constante, en l'occurence : zéro. Ainsi qu'il a été mentionné ci-dessus, le retard t des circuits 30 peut 15 être modifié par le réglage de la tension V^. Dans le circuit oscillant représenté dans la figure 4 ceci peut être réalisé grâce à la source de tension réglable V^, ce qui permet de réaliser, d'une façon très simple, une modulation de la fréquence oscillante avec la fréquence de variation fR de la tension . Le retard t et, partant, la fréquence de l'oscillateur, dépend à tout moment 20 de la tension source/drain effective + V^. Les circuits nécessaires qui sont utilisés pour assurer la modification simultanément nécessaire de la tension (figure 3) ne sont pas représentés dans la figure 4 ; la réalisation de tels circuits ne posera aucun problème au spécialiste. La ligne à retard imprimée de l'invention, a été décrite à l'aide de 25 réalisations préférées utilisant un dispositif semi-conducteur dont les caractéristiques essentielles correspondent à celles d'un transistor à effet de champ à barrière de Schottky. Il sera néanmoins remarqué que l'invention n'est pas limitée aux réalisation décrites dans ce qui précède. C'est ainsi que la structure décrite peut être remplacée par les dispositifs de transistor MOS 30 à effet de champ, également connus dans lesquels la zône d'enrichissement, située dans le semi-conducteur à proximité immédiate de l'électrode de porte, constitue le canal de courant, cependant que la partie restante du semi-conducteur, présente une résistance très élevée. L'extension de ladite zône d'enrichissement est, comme pour la zône d'appauvrissement d'un transistor à effet 35 de champ à barrière de Schottky liée à la différence de tension entre l'électrode dé porte et le semi-conducteur, de telle sorte que l'invention, décrite en ce qui concerne un dispositif à barrière de Schottky peut également être appliquée à une structure dérivée d'un transistor MOS à effet de champ. Bien que cette invention ait été particulièrement représentée et décrite 40 en se reportant à des réalisations préférées, il sera évident, pour le spécialis_ 69 38589 11 2026617 que ce qui précède, et toute modifications dans la forme et dans le détail peuvent être réalisées sans pour autant se départir de l'esprit et des buts de l'invention. 69 38589 12 2026617 revendications 1. Ligne à retard pour signaux électriques comprenant un échantillon semiconducteur constituait un parcours de courant, lequel échantillon est pour-, vu d'électrodes de source, porte et drain, les électrodes de source et de drain était reliées à une première source de tension continue, dans lequel 5 éùhahtillonjau voisinage immédiat de l'électrode de porte une zone d'appauvrissement, ou d'enrichissement en porteurs de charges est créée dont l'épaisseur est fonction de la différence de potentiel existant entre des points voisins de l'électrode de porte et du matériel semi-conducteur bordant cette zône, caractérisé en ce que par rapport à la direction du courant les extré-10 mités apposées de l'électrode de porte sont reliées à une seconde source de tension continue qui entraine une chute de tension le long de l'électrode de porte de telle sorte qu'une épaisseur approximativement uniforme de la zône d'appauvrissement ou d'enrichissement est obtenue, et en ce que la structure de l'électrode de porte permet d'obtenir une répartition égale de potentiel 15 alternatif sur toute la langueur de cette électrode de porte 2. Ligne à retard selon la revendication 1,caractérisée ence que l'électrode de porte est divisée en plusieurs électrodes partielles disposées l'une à la suite de l'autre selon la direction du courant circulant dans le canal de courant. 20 3. Ligne à retard selon là revendication 2, caractérisée en ce que les électrodes partielles sont connectées au moyen de résistances électriques. 4. Ligne-à retard selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'électrode de porte consiste en une couche de métal mince sur laquelle sont déposées une couche d'isolation et une couche de métal supplémentaire de telle sorte 25 qu'un couplage capacitif est assuré entre les deux couches métalliques. 5. Ligne à retard selon la revendication 1, caractérisée en ce que des moyens sônt prévus pour faire varier la première source de tension de façon à faire varier le temps de retard de la ligne.