Brevet FR2021133A1 — publié le 19700717

La présente invention concerne un dispositif à semiconducteurs comportant des jonctions obtenues par diffusion et, plus particulièrement, un procédé pour fabriquer un transistor du type à triple diffusion possédant une tension de claquage 5 élevée. Habituellement, pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs comportant des jonctions obtenues par diffusion, par exemple un transistor du type à diffusion, on applique plusieurs traitements de diffusion à une sous-couche de support 10 semi-conductrice. En faisant jouer à la sous-couche semi-conductrice le rôle d'un collecteur, il est de pratique courante de former, par diffusion,une région de base et une région d'émetteur à partir d'une surface principale de la sous-couche, c'est-à-dire que l'on applique le procédé de double diffusion. 15 Par ailleurs, dans un tel dispositif à semi-conduc teurs tel qu'un transistor de puissance, etc..., qui nécessite une tension de claquage inverse de collecteur élevée, on utilise le procédé de triple diffusion. Un exemple type des procédés de fabrication d'un 20 transistor par le procédé de triple diffusion comprend les phases suivantes : (a) On prépare, en tant que matière de départ, une sous-couche de support en silicium du type N à résistivité élevée, l'épaisseur de cette sous-couche étant d'environ 360 microns ; 25 (b) On fait diffuser une impureté du type N, par exemple du phosphore, dans les deux surfaces principales de ladite sous-couche de type N pour former des régions du type N+ (le signe + indique que le dopage avec l'impureté de type H est important). Cette région du type N+ est constituée de manière à 30 utiliser une partie de la région de collecteur, et son épaisseur est d'environ 100 microns j (c) Pour enlever celle des régions de type ÎT+ qui n'est pas nécessaire, on polit une surface principale de la sous-couche de support jusqu'à ce que son épaisseur soit réduite d'envi- 35 ron de moitié ; (d) On fait diffuser une impureté de type P, par exemple du bore, seulement dans la surface principale polie de la sous-couche pour former une région de type P. On masque la surface du verso de la sous-couche de support au moyen dfune pellicule 40 d'oxyde, etc... la région de type P devient la base. On obtient bad original 6935664 2 2021133 entre la région de type p et la région restante de type N une couche à résistivité élevée (faible concentration en impureté). Une couche d'appauvrissement à la jonction de collecteur s'étend à travers la couche à résistivité élevée ; 5 (e) Avec la pellicule d'oxyde formée par le traitement de diffusion ci-dessus jouant le rôle d'un masque, on fait diffuser une impureté de type N, par exemple du phosphore, sélectivement dans la région de type P pour former une région de type N, .laquelle devient la région d'émetteur. 10 I"e procédé classique ci-dessus nécessite un traitement de polissage (ou usure) au cours de la phase.(c). Etant donné qu'environ la moitié de la sous-couche de support est enlevée au cours de cette phase, le facteur d'utilisation du semi-conducteur . est réduit de moitié et il est, par conséquent, extrêmement peu 15 économique. Dans ce cas, le polissage d'un semi-conducteur ayant une dureté aussi élevée nécessite de nombreuses heures. Un contrôle extrêmement précis de la planéité de la surface polie est également requis. Dans la phase finale, il est nécessaire d'effectuer soit un finissage de qualité aussi élevée que le poli 20 d'un miroir, soit un traitement à l'acide . Comme on le comprendra d'après l'explication ci-dessus de la formation d'un transistor du type à triple diffusion, étant donné que la couche à résistivité élevée, qui a un rapport étroit avec la caractéristique de tension de claquage inverse 25 élevée, est constituée par le cristal de la sous-couche de support, il est possible de réduire les défauts du cristal et de régler de façon appropriée l'épaisseur de la couche à résistivité élevée par polissage et diffusion de la région de collecteur. Par conséquent, on peut obtenir une caractéristique satisfaisante. 30 Toutefois, en raison du grand nombre d'opérations à exécuter et du mauvais facteur d'utilisation de tels semi-conducteurs, le produit obtenu a un prix de revient extrêmement élevé. On n'a trouvé jusqu'à maintenant aucun remède à cet inconvénient. La présente invention a pour objet de supprimer la 35 phase de polissage qui était nécessaire dans le procédé classique - t v" sans ggour cela sacrifier les caractéristiques électriques du dispositif à semi-conducteurs obtenu, grâce à quoi on obtient un procédé permettant de fabriquer un dispositif à semi-c cm duc-40 teurs et dans lequel on n'utilise pas un superflu &e matière BAD ORIGINAL 6935664 3 2021133 semi-conductrice. Suivant une caractéristique de la présente invention, la demanderesse a créé un procédé permettant de produire en grande série un transistor du type à diffusion présentant une 5 tension de claquage élevée. Conformément à un premier mode de réalisation de la présente invention, le procédé permettant de fabriquer un dispositif à semi-conducteurs comportant des jonctions obtenues par diffusion comprend les phases suivantes. 10 En premier lieu, on prépare une sous-couche de support semi-conductrice d'un premier type de conductivité et présentant line concentration en impureté relativement faible. On fait diffuser, sur une faible profondeur, une impureté d'un second type de conductivité dans l'une des surfaces principales de ladite 15 sous-couche de support, de manière à y former une région diffusée du second type de conductivité. On masque l*une des surfaces principales de ladite sous-couche au moyen d'une pellicule isolante. On fait diffuser une impureté du premier type de conductivité dans la surface principale opposée de ladite sous-couche, 20 la pellicule isolante précitée servant de masque, en formant ainsi une région du premier type de conductivité, fortement dopée. les impuretés dans lesdites régions diffusées des premier et second types de conductivité sont entraînées, c'est-à-dire redistribuées, soit simultanément, soit séparément dans ladite 25 sous-couche de support, de manière que ces régions se prolongent dans ladite sous-couche de telle sorte qu'elles ne soient plus en contact mutuel. Plusieurs régions diffusées du premier type de conductivité se trouvent ainsi formées dans la région prolongée du second type de conductivité. Pour achever- la réalisation 30 du transistor, on fixe une électrode d'émetteur aux régions diffusées individuelles du premier type de c on d'activité, une électrode de base à chacune des régions diffusées du second type de conductivité et, enfin, une électrode dé collecteur aux régions fortement dopées non recouvertes de la surface principale oppo-35 sée. Ensuite, on divise la sous-couche en plusieurs unités contenant chacune une électrode d'émetteur, une électrode de base et une électrode de collecteur. Les caractéristiques et avantages (mentionnés ou non ci-dessus) de la présente invention apparaîtront à la lecture de 40 xa description qui va suivre d'un mode de réalisation préféré de 6935664 2021133 l'invention faite en référence au dessin annexé sur lequel : les figures 1a à 1g, les figures 2a à 2f, les figures. 3a à 3e., les figures 4a à 4f et les figures 5a à 5f sont des coupes de la sous-couche de support du semi-conducteur à chaque 5 phase du procédé de fabrication d'un dispositif à secii-conduc-teurs du type à triple diffusion, conforme à la présente invention. Description du mode de réalisation 1 (a) Comme représenté sur la figure 1a f on prépare, à titre de 10 matériau de départ, une sous-couche de support 11 en silicium du type N à résistivité élevée, la résistivité de cette sous-couche étant d'environ 10yv.cm et son épaisseur d'environ 150 microns» (b) On soumet la sous-couche 11 à un traitement thermique 15 dans une atmosphère oxydante contenant par exemple de l'oxygène humide à environ 1200°C, ce qui a pour effet d'augmenter l'épaisseur de la pellicule d'oxyde de silicium de 10000 jusqu'à o 15000 A sur ses deux surfaces,, Ensuite, comme représenté sur la figure 1b, on masque 20 la pellicule d'oxyde Î2a au moyen d'une cire à l'épreuve de l'acide. Au moyen d'un"traitement d'attaque utilisant un produit corrosif contenant de l'acide fluorhydrique, on enlève, sur ce côté, la pellicule d'oxyde en ne laissant subsister que la pellicule d'oxyde 12a_, 25 (û) On soumet la sous-couche de support à une atmosphère oxydante contenant du phosphore avec P0C1^ comme source d'impureté et on lui applique un traitement thermique à une température comprise entre environ 1000 et 1300°C. Du fait que la pellicule d'oxyde 12a sert de masque, ce qui empêche la diffusion du phos-30 phore dans la surface recouverte par cette pellicule, le phosphore diffuse à faible profondeur dans la surface non couverte seulement, en formant ainsi une région 13 du type N+ présentant 21 ^ une concentration en impureté d'environ 10 atomes/cm et ayant une épaisseur comprise entre.3 et.5 microns. On recouvre avec 35 une pellicule d'oxyde 12b (voir figure 1c) la région 13 dont l'épaisseur est de quelques milliers d'Angstrôms. On peut exécuter cette opération en déposant du phosphore, oi^âes composés comprenant du phosphore, sur la surface de la sous-couche de support à l'état vitrifie et en faisant diffuser simultanément 40 du phosphore sur une faible profondeur dans la sous-couche. On 6935664 5 2021133 peut effectuer le dépôt d'impureté au moyen d'un revêtement et ensuite par une diffusion en se sei>vant de ce revêtement comme source d'impureté, le terme "dépôt" sera utilisé ci-après non seulement dans le cas où l'on dépose l'impureté sur la surface 5 de la sous-couche mais également dans le cas où. l'on y forme simultanément une mince couche de diffusion. (d) On soumet la sous-couche à un traitement thermique dans une atmosphère inerte à température élevée (par exemple une atmosphère d'azote à 12Q0°C) pour entraîner, c'est-à-dire faire 10 pénétrer la région 13 à impureté de type N4" dans la sous-couche (cette opération est appelée- "opération de pénétration" ou "opération de redistribution"). Si on le désire, on peut effectuer cette opération après l'enlèvement de la pellicule d'oxyde 12b. Grâce à cette façon de faire, l'impureté de type N est 15 redistribuée, la région 13 est prolongée jusqu'à 40 microns qui deviennent une partie de la région du collecteur (voir fi~ 20 gure 1d), la concentration en impureté étant de l'ordre de 10 atomeé/cm^. (e) On enlève de la surface de la sous-couche 11 la pellicule 20 d'oxyde 12£. Après y avoir déposé du bore, on chauffe la sous- couche dans une atmosphère oxydante à une température élevée comprise entre 1050°C et 1300°C, de manière à faire diffuser davantage le bore déposé. De ce fait, il se forme, comme représenté sur la figure 1e, une région de base 14 du type P, ayant —• A Q M Q > 25 une concentration en impureté d'environ 10 à 10 atomes/cmJ et une épaisseur d'environ 30 microns. On forme"une nouvelle pellicule d'oxyde de silicium 12ç. (f) le phosphore est diffusé'sélectivement dans la région de base 14, la pellicule d1oxyde T2o servant de masque, grâce à 30 quoi il se forme plusieurs régions d'émetteur 15 de type K. l'épaisseur de cette région d'émetteur 15 est comprise entre 15 et 20 microns. On obtient ainsi, comme on peut le voir sur la figure 1f, la partie principale d'un transistor du type à triple diffusion ayant une structure NPNN+. 35 (g) Comme on peut le voir sur la figure 1g,_ on fixe une électrode d'émetteur 16 à la région d'émetteur 15 tandis que l'on fixe une électrode de base 17 à la région de base 14. On fixe une électrode de collecteur 18 à la région de faible résistivité 13 de la région de collecteur (comprenant une région 11, de type 40 K et de résistivité relativement élevée, et une région 13 cLe 6935664 2021133 type N+ de faible résistivité). Ensuite, on divise la sous-couche de support au semi-conducteur en plusieurs'transistors distincts en y traçant des fentes 19. Description du mode de réalisation 2. 5 (a) Comme représenté sur la figure 2a, on prépare une sous-couche de support 21, en silicium de type N à résistivité élevée, la résistivité de cette sous-couche étant d'environ 10-/V.cni et son épaisseur drenviron 150 microns. (b) On soumet la sous-couche 21 à un traitement thermique dans 10 une atmosphère oxydante comme dans le mode de réalisation 1?de manière qu'une pellicule d'oxyde se forme sur ses surfaces. Ensuite, on enlève la pellicule d'oxyde sur l'un des côtés de la surface en ne laissant subsister que la pellicule d'oxyde nécessaire 22a_, comme représenté sur la figure 2b. 15 (c) On soumet la sous-couche 21 à un traitement thermique dans •une atmosphère contenant du phosphore. Du fait que la pellicule d'oxyde 22a se comporte comme un masque, le phosphore ne se dépose que sur la surface nue pour former une région 23 de type l!î+, cela par diffusion d'impureté et sur une épaisseur de 3 à 5 20 microns (voir figure 2 (d) Après avoir enlevé les pellicules d'oxyde mentionnées ci-dessus 22a et 22b, on dépose du bore sur la surface nue de manière à former, comme représenté sur la figure 2d, une région de 25 diffusion d'impureté 24 peu épaisse et de type P+, son épaisseur étant comprise entre 3 et 5 microns. On forme de nouvelles pellicules d'oxyde de silicium 22cî et 22d. la surface du verso de la sous-couche 21 peut être masquée par la pellicule d'oxyde de silicium 22d. Toutefois, étant donné que la région 23 de type K+ 30 présente une concentration élevée au point de ne pas être neutralisée par le dépôt de bore, le masquage est inutile. (e) On soumet la sous-couche 21 à un traitement thermique dans une atmosphère inerte sous température élevée, de manière à redistribuer les impuretés dans ladite région 23 de type N+ et 35 dans la région 24 de type P+, cela jusque dans la sous-couche. Grâce à cette façon de procéder, comme on peut le voir sur la figure 2e, la région 23.de type If*" et la région 24 de type P+ se prolongent jusque dans la sous-couche, simultanément, de manière telle qu'elles ne se trouvent pas en contact mutuel, la profon-40 deux* ou épaisseur de ces régions est comprise entre 30 et 40 mi 6935664 7 2021133 crons. la région prolongée 23 de type îï+ et la région prolongée 24 dé type P+ deviennent respectivement la région.de collecteur et la région de "base. (f) Comme on peut le voir sur la figure 2f, le phosphore dif-5 fuse sélectivement jusque dans ladite région de "base 24 de type P pour former plusieurs régions d'émetteur 25 de type N dont la profondeur est comprise entre 15 et 20 microns. Description du mode de réalisation 3. (a) Comme on peut le voir sur la figure 3a.» on prépare une 10 sous-couche de support 31 en silicium de type H et à résistivité élevée, la résistivité de cette sous-couche étant d'environ lOjv.cm et son épaisseur d'environ 150 microns. ("b) On soumet la sous-couche 31 à un traitement thermique dans une atmosphère oxydante de manière que des pellicules d'oxyde 15 se forment sur ses deux surfaces principales. Ensuite, comme on peut le voir sur la figure 3b, on enlève la pellicule d'oxyde se trouvant sur l'une des surfaces principales en ne laissant subsister que l'autre pellicule d'oxyde^ 32b. (c) On soumet la sous-couche 31 à un traitement thermique 20 dans une atmosphère contenant du bore. Du fait que la pellicule d'oxyde 32a se comporte comme un masque, le bore ne se dépose que sur la surface, découverte, grâce à quoi il se forme une région 33 de type P+ dont l'épaisseur est comprise entre 3 et 5 microns,, cela comme on peut le voir sur la figure 3£. On re-25 couvre avec une nouvelle pellicule d'oxyde de silicium 32b la surface de la région 33 de type P+. (d) On soumet la sous-couche 31 à un traitement thermique dans une atmosphère sous température élevée, l'impureté contenue dans ladite région 33 de type P+ est entraînée jusque dans 30 la sous-couche 31» grâce à quoi on obtient une région 33 de type P dont l'épaisseur est de 30 microns. Cette-région devient la région de base. (e) On soumet la sous-couche 31 à un traitement thermique dans une atmosphère contenant du"phosphore, le phosphore diffu- 35 se simultanément dans les deux surfaces principales" de la sous-couche. On forme ainsi, comme i-eprésenté sur la figure 2_e, plusieurs régions 34 de type l'i+ et une région 35 de type N. les régions 34 de type K+ ont une épaisseur d'environ 20 microns et deviennent les régions d'émetteur tandis que la région 35 40 de type E devient une partie de la région ie collecteur, Dans BAD ORIGINAL 6935664; 8 2021133 ce traitement de diffusion, l'une des surfaces principales est partiellement masquée par la pellicule d'oxyde 32b et, du fait que cette pellicule d'oxyde se comporte comme un masque, le phosphore est diffusé sélectivement. 5 On obtient ainsi la partie principale d'un transistor du type à triple diffusion ayant une structure NPNN+-. Description du mode de réalisation 4. (a) Comme on peut le voir sur la figure 4^, on prépare une sous-couche de support 41 en silicium de type S et à résistivité 10 élevée, la résistivité de cette sous-couche étant d'environ 10-*%.. cm et son épaisseur d'environ 150 microns. (b) On soumet la sous-couche 41 à un traitement thermique dans une atmosphère oxydante de manière que des pellicules d'oxyde se forment sur ses deux surfaces. Ensuite, on enlève la pellicule 15 d'oxyde sur l'un des côtés en laissant subsister la pellicule d'oxyde 42ja sur l'autre côté (voir figure 4b). (c) On soumet la sous-couche 41 à un traitement thermique dans une atmosphère contenant du bore. Du fait que la pellicule d'oxyde 42a_ sert de masque, le phosphore n'est déposé que sur la 20 surface découverte de la sous-couche pour former une région 43 de type P+ d'une épaisseur comprise entre 3 et 5 microns, comme représenté sur la figure 4c. On forme une nouvelle pellicule d'oxyde 42b, (d) Après avoir enlevé la pellicule d'oxyde 42a, on dépose, 25 comme représenté sur la figure 4d, du phosphore sur cette surface pour former une région mince 44 de type N4" d'une épaisseur . comprise entre 3 et 5 microns. La surface du verso de la sous-couche 41. est masquée par la pellicule d'oxyde 42b. (e) On soumet la sous-couche 41 à un traitement thermique dans 30 une atmosphère sous température élevée. Les impuretés contenues dans la région 43 de type P+ et dans la région 44 de type N+ sont entraînées jusque dans la sous-couche de manière à former ainsi- simultanément une région 43 de type P d'environ 30 microns d'épaisseur et une région 44 de "type N+ d'environ 40 mi--35 . crons d'épaisseur, comme représenté sur la figure 4e. La région 43, de type P, devient la. région de base tandis que la région 44> de type N+, forme une pai*tie de la région de collecteur. (f) Le phosphore diffuse sélectivement dans la région de base 43 de type P de manière à former plusieurs régions d'émetteur 45 de type 17, comme représenté sur la figure 4,f. L'épaisseur ou BÀD ORIGINAL 6935664 2021133 profondeur de la région d'émetteur 45 est comprise entre 15 et 20 microns. On obtient ainsi la partie principale d'un transistor du type à triple diffusion ayant une structure NPNN+. 5 Description du mode de réalisation 5. (a) Comme représenté sur la figure 5a, on prépare, à titre de matériau de départ, une sous-couche de support 51 (dite aous-couche de type N"") en silicium de type F à résistivité élevée, la résistivité de la sous-couche étant de 10/1. cm et son épais- 10 seur d'environ 150 microns, son diamètre étant de 50 mm. (b) On fait diffuser une impureté d'un premier type de conductivité, par exemple du bore, sur une faible épaisseur dans les deux surfaces principales de la sous-couche 51 de type If, en formant ainsi des régions 52a_ et 52b de type P+ d'une épaisseur 15 comprise entre 3 et 5 microns, cela comme représenté sur la figure 5b. Au cours de cette phase, on peut, suivant les besoins, effectuer la diffusion d'une autre impureté d'un second type de conductivité à la place de l'impureté du premier type de conductivité. 20 (c) Comme représenté sur la figure 5t2, on soumet la sous-cou-che à un traitement thermique dans une atmosphère oxydante de 'manière que des pellicules d'oxyde 53a. et 53b se forment sur ses deux surfaces. Ensuite, on enlève la pellicule d'oxyde 53b sur l'une des surfaces principales en laissant subsister la pellicule 25 d'oxyde 53a. sur l'autre surface principale. (d) On soumet la sous-couche 51 à un traitement thermique dans une atmosphère contenant une impureté d'un type de conductivité opposée à celle de l'impureté utilisée dans la phase (b), par exemple du phosphore, de manière que le phosphore diffuse sur 30 une faible épaisseur dans la surface découverte de la sous-couche 51 et de manière à former une nouvelle pellicule d'oxyde 53c,, cela comme représenté sur la figure 5b. De ce fait, la région 52b de type P+ formée antérieurement est neutralisée par le phosphore et il se forme, à la place de cette région, une région 35 54 de type N+. Durant cette phase, le phosphore, ou des composés du phosphore, peuvent être appliqués à l'état vitrifié et diffuser simultanément en faible quantité. 11 est nécessaire que l'impureté utilisée ici ait la propriété de neutraliser l'impureté utilisée aù cours de la phase (b). 40 (e) On soumet la sous-couche 51 à un traitement thermique dans 6935664 10 2021133 une atmosphère inerte, par exemple de l'azote, de manière que les impuretés contenues dans la région 52 de type P+ et dans la région 54 de type N+ puissent être redistribuées. La région 52 de type P+ et la région 54 de type ont des épaisseurs 5 respectives d'environ 40 microns et 30 microns et deviennent, respectivement, la région de base et la région de collecteur (voir figure 5je). (f) On fait diffuser sélectivement une impureté ayant le même type de conductivité que celui de l'impureté utilisée au cours 10 de la phase (d), par exemple du phosphore, dans la région de base 52 de type P, de manière à former plusieurs régions d'émetteur 52, de type N, ayant une épaisseur de 15 à 20 microns, cela comme 4 représenté sur la figure 5e,. De cette façon, on forme la partie principale d'un 15 transistor du type à triple diffusion ayant une structure KPNÏÏ+. En faisant suivre les dernières phases des modes de réalisation 2 à 5 par la phase (g) du mode de réalisation 1, on obtient un grand nombre de transistors» Comme il apparaît au cours des explications qui pré-20 cèdent, conformément à la présente invention, aucun polissage ou usure n'est nécessaire de aorte que le matériau de départ peut être mince. De ce fait, on peut tirer une utilisation presque double des matériaux semi-conducteurs par rapport à celle obte-25 nue avec le procédé classique, ce qui donne une utilisation extrêmement économique de ces matériaux semi-conducteurs. Le fait de supprimer les phases relatives au polissage réduit efficacement le nombre de phases du procédé. Bien que les modes de réalisation ci-dessus aient été 30 décrits à propos d'une sous-couche de type N comme matière de départ, il est bien entendu que la présente invention n'est pas limitée à une telle sous-couche. On peut utiliser sans limitation aucune matière semi-conductrice de résistivité élevée du type P ou du type I. 6935664 2021133 BCTEKDieAIglONS 1°) Procédé pour fabriquer un dispositif à semi-conducteurs caractérisé par le fait que dans ce procédé ï on prépare une sous-couche de support semi-conductrice d'un premier 5 type de conductivité présentant une concentration en impureté relativement faible et comportant une première et une seconde surfaces principales ; on recouvre la totalité de la première surface principale de ladite sous-couche avec une pellicule isolante ; on fait diffuser une impureté pour déterminer le 10 premier type de conductivité dans la totalité de la seconde surface principale de ladite soua-couche en y formant ainsi une région fortement dopée du premier type de conductivité ; on enlève de ladite première surface principale la pellicule isolante précitée en exposant, c'est-à-dire en découvrant, la totalité 15 de ladite première surface principale. 2°) Procédé pour fabriquer un dispositif à semi-conduo-teurs suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on forme ladite région fortemént dopée du premier type de conductivité en constituant une première couche mince contenant 20 l'impureté du premier type de conductivité dans ladite seconde surface principale et, ensuite, en faisant pénétrer ladite impureté de la couche mince susvisée dans la sous-couche précitée tandis que l'on forme ladite région diffusée du second type de conductivité en constituant une seconde couche mince contenant 25 l'impureté du second type de conductivité dans ladite première surface principale et en faisant ensuite pénétrer cette impureté du second type de conductivité de la seconde couche mince précitée dans ladite sous-couche. 3°) Procédé pour fabriquer un dispositif à semi-con-30 ducteurs suivant la revendication 2, caractérisé par le fait que la pénétration ou entraînement de ladite impureté, du premier type et la pénétration ou entraînement de l'impureté du second type de conductivité sont effectués simultanément. 4°) Procédé pour fabriquer un dispositif à semi-con-35 ducteurs suivant la revendication 2 ou 3, caractérisé par le fait que l'on forme lesdites première et seconde couches minces en constituant une mince couche contenant une impureté pour déterminer le second type de conductivité dans lesdites première et seconde surfaces principales respectivement et en introdui-40 sant ensuite une impureté pour déterminer le ijre.tiier tjrpe de 6935664 12 2021 133 conductivité dans la couche mince fermée dans ladite seconde surface principale de manière que l'impureté du premier type de conductivité neutralise celle du second type de conductivité. 5°) Procédé pour fabriquer un dispositif à semi-con-5 ducteurs suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on forme simultanément ladite région fortement dopée du premier type de conductivité et les régions diffusées du premier type de conductivité. 6°) Procédé pour fabriquer un dispositif à semi-con-10 ducteurs suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que ladite sous-couche semi-conductrice est du silicium du type N et que ladite pellicule isolante est de l'oxyde de silicium. 7°) Procédé pour fabriquer un dispositif à semi-con-15 ducteurs suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que l'impureté déterminant le premier type de conductivité est du phosphore et que l'impureté déterminant le second type de conductivité est du bore. 8°) Procédé pour fabriquer un dispositif à semi-con-20 ducteurs suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que l'on divise la sous-couche semi-conductrice en plusieurs parties de semi-conducteur, chacune de ces parties comprenant chacune des régions diffusées du premier type de conductivité.