Brevet FR2048028A1 — publié le 19710319

La présenta invention concerne un système de commande perfectionné pour un réseau de mémoire et, plus particulièrement, un système de commande direct perfectionné utilisant des interrupteurs à transistor "flottant", non saturés, associés aux lignes de commande d'un réseau de noyaux magnétiques, dans lequel 5 chaque commutateur à transistor est utilisé pour les opérations de lecture ainsi que d'écriture. Bien que le système de commande soit décrit en combinaison avec un réseau de noyaux magnétiques, il peut être néanmoins utilisé également avantageusement dans un réseau de mémoire quelconque du type dans ■ lequel des éléments bistables sont agencés en rangées et en colonnes. En 10 conséquence, dans la description suivante,.les références au réseau de mémoire magnétique sont uniquement données à titre d'exemple. Jusqu'ici, il a été proposé un grand nombre de systèmes de commande de réseau de mémoire, dont l'un est fréquemment connu sous le terme de "système de commande direct". Un. mode de réalisation d'un système'de commande direct 15 est décrit dans le brevet US 3 192 150. Dans un réseau type, les noyaux qui montrent une boucle d'hystérésis rectangulaire sont agencés en rangées et en colonnes 8t un moyen de commande qui lui est associé adresse des groupes de noyaux sélectionnés parmi les noyaux du réseau. Chaque rangée 8t chaque colonne des noyaux a une ligne Q0 de commande à laquelle sont appliqués des courants de lecture et d'écriture bipolaires. Une source de courant de lecture et d'écriture est sélectivement appliquée aux lignes de commande au moyen de commutateurs afin de fixer les noyaux sur l'un ou l'autre de deux états stables par excitation de lecture et d'écriture coïncidente des lignes de commande de colonnes et de rangées 25 communes aux noyaux. Dans un système de traitement de données utilisant les noyaux magnétiques en tant que mémoire, de façon classique, des transistors sont utilisés en tant que commutateurs pour appliquer sélectivement les courants d'excitation aux lignes de commande. Ce type de système de commande direct s'est avéré 30 être une des conceptions les plus économiques pour des sections d'emmagasinage principal d'un système de traitement de données.. Dans ces dispositifs d'emmagasinage, les lignes de commande d'inhibition sont utilisées conjointement aux lignes de commande de rangées et de colonnes décrites ci-dessus pour l'excitation sélective de chaque noyau dans un groupe de noyaux prédéterminé associé 35 à un couple de lignes de commande de rangées et de colonnes durant le cycle d'ECRITURE. Des considérations de présentation et de volume dans la réalisation des réseaux de mémoire nécessitent l'agencement des noyaux en un réseau à trois dimensions. Les noyaux sont tout d'abord disposés en plans parallèles espacés 40 verticalement, chaque plan ayant ses noyaux disposés suivant lesdites rangées 17098 2 2048028 et colonnes décrites ci-dessus. Malheureusement, cet agencement à trois dimensions soulève des problèmes dé bruit dans les lignes de détection associées au réseau qui sont nettement plus sérieux que ceux relatifs à un réseau à deux dimensions. Dans un réseau à deux dimensions, lés noyaux peuvent être 5 agencés en un seul plan et un plan à la masse peut être placé immédiatement à côté de, chacun des noyaux. Ce réseau à deux dimensions avec le plan à la masse-adjacent réduit la capacité de fuite et les problèmes de bruit associés à cette capacité. Cependant, il est extrêmement difficile de fournir de façon totalement appropriée un agencement comportant un plan à la masse à un réseau .10 à trois dimensions; en outre, la capacité de fuite associée aux réseaux à trois dimensions est nettement supérieure à celle d'un réseau à deux dimensions-. En conséquence, dans les dispositifs d'emmagasinage des systèmes de traitement de données, on rencontre de sérieux problèmes de bruit. Le système ... de commande direct indiqué ci-dessus est une réalisation très économique 15 mais elles ne se sont pas avérées être aussi fiables que le système de commande de matrice de noyaux à partage de charge plus onéreux. La moins grande fiabilité, des systèmes de commande directs est due principalement à l'existence .de capacités de fuite importante dans les réseaux à trois dimensions ainsi que dans les réseaux de noyaux à deux dimensions et aux trajets de retour 20 à la masse par les lignes de détection et les amplificateurs de détection du réseau pour le bruit produit par le système de commande lui-même. Jusqu'ici, dans lés systèmes de commande directs, la source d'énergie se présentait sous la forme d'une ou plusieurs sources de courant continu. Une modification introduite dans les systèmes de commande directe de l'art 25 antérieur pour réduire le bruit et, partant, améliorer la fiabilité, consistait à utiliser deux sources de courant continues totalement distinctes ayant des potentiels égaux et opposés, connectés aux extrémités opposées des lignes de commande et ds leur commutateur à transistor associé afin "d'équilibrer" le réseau par rapport à la masse. Pour une commande parfaitement "équilibrée", 30 le courant intérieur d'un côté du réseau,est identique à celui extérieur à l'autre côté. Ceci signifie que la commande ne provoque pas de courant net dans les enroulements de détection. Cette utilisation de deux sources améliorait quelque peu la fiabilité et diminuait les problèmes de bruit. Cependant, cette utilisation n'est pas totalement satisfaisante étant donné qu'il n'est 35 pas réalisé un effet d'équilibrage total. Les impédances de réseau, les manques de synchronisation et les sources d'énergie provoquent"ce déséquilibre. Une partie du problème de bruit peut au moins être réduite en diminuant les temps de montée et de chute des impulsions de courant de commande. Cependant, de manière-à réduire lesdlts temps de montée et de chute, il serait 40 normalement nécessaire d'augmenter les"niveaux des potentiels des sources 70 17098 i 204802Ô d'énergie. Ceci donne lieu à de sérieux problèmes de claquage dans les transistors. 11 y a des limites de potentiel maximales qui doivent être appliquées dans un système, étant donné qus des potentiels excessivement élevés nécessitent l'utilisation de commutateurs à transistor coûteux qui peuvent tolérer 5 ces tensions élevées sans être soumis àu claquage. En se rappelant que le nombre de commutateurs dans un grand dispositif d'emmagasinage quelconque est extrêmement élevé, on peut remarquer qu'un système d'emmagasinage ne peut pas utiliser des commutateurs à transistor coûteux. Les inconvénients mentionnés ci-dessus sont palliés dans le système 10 de commande directe décrit dans le brevet français 1 494 392 déposé par la demanderesse le 12 Septembre 1966. Dans ce brevet français, la connexion directe des potentiels des sources de courant continu au circuit des lignés de commande est totalement éliminée. Par contre, les enroulements secondaires des transformateurs des sources 15 d'énergie fournissent une seule source de courant d'excitation à la ligne de commande, et ce courant est connecté aux lignes de commande par les commutateurs à transistor connectés en série appartenant au système de commande directe. Les transformateurs d'alimentation sont sélectionnés de manière à fournir un temps de montée de courant rapide, la seule limite étant que 20 le prix des transformateurs soit compatible avec le prix total du dispositif d'emmagasinage de ce type. Les commutateurs à transistors du système décrit dans ce brevet français sont des commutateurs "flottants" non saturés du type décrit dans le brevet français 1 388 385 déposé par la demanderesse le 1er Aoril 1964. En bref, 25 un commutateur de ce type comprend un transformateur de couplage, comme seule source de courant d'excitation pour son circuit base-émetteur. Le transformateur comprend un enroulement primaire, un enroulement secondaire connecté aux électrodes base-émetteur et un enroulement secondaire supplémentaire connecté aux électrodes émetteur-collecteur. Une diode est connectée en série 30 avec ledit enroulement secondaire supplémentaire. En régime actif, la diode devient polarisée dans le sens direct au fur et à mesure que le transistor s'approche de la saturation pour maintenir la tension dudit enroulement supplémentaire dans les électrodes émetteur-collecteur, ce qui empêche alors toute opération dans la région de saturation. Lorsque la diode est polarisée 35 dans le sens direct, le courant de la base tombe à un niveau qui représente une faible fraction de sa valeur active initiale. Un commutateur de ce type fournit alors une rapide mise en service avec une surchage initiale du courant de base. Il est également particulièrement avantageux étant donné que son émetteur est du type "flottant"; et la mise en service du transistor est 40 assurée indépendamment du niveau de tension-à l'émetteur. 70 17098 4 204802Ô La combinaison des transformateurs qui forme la seule source des Courants de commande du réseau, et des interrupteurs couplés à ces transformateurs, permet un isolement complet des lignes de commande par rapport aux sources de courant continu dans le système du premier brevet français cité. Ceci 5 réduit le couplage du courant entre les lignes de commande et les lignes de détection étant donné qu'il n'y a pas de point qui soit commun aux lignes de commande ainsi qu'aux lignes de détection. En conséquence, cet agencement permet d'approcher l'égalisation requise des courants de commande dans le réseau et des courants de commande hors du réseau. 10 Le système de ce premier brevet fr&açais est commandé de sorte que les commutateurs à transistor sélectionnés sont rendus conducteurs pour fermer les circuits en série par leurs lignes de commande respectives avant l'application d'une impulsion de tension rectangulaire aux lignes de commande par des transformateurs d'alimentation ou d'impulsions. Les transformateurs d'ali-15 mentation appliquent leurs impulsions de tension aux lignes de commande et aux circuits des commutateurs à transistor et ce, pendant un faible temps après la mise en service des transistors, par exemple 25 nanosecondes. Ainsi, lorsque les impulsions de mise en service sont appliquées aux électrodes base-émetteur des commutateurs à transistor, les transistors pénétrent immé-20 diatement dans une région de saturation étant donné qu'il n'y a pas de potentiel appliqué au collecteur. Ceci élimine le problème de claquage des transistors étant donné que les tensions collecteur-émetteur sont appliquées uniquement après que les transistors sont amenés à leur état d'impédance faible. L'impulsion de tension fournie par le transformateur d'alimentation disparait 25 un court instant avant la mise hors service des transistors, par exemple 25 nanosecondes. Il y a une importante réduction de la consommation d'énergie qui résulte de la mise en service et hors service des commutateurs à transistor lo'rsqu'aucun potentiel de fonctionnement collecteur-émetteur n'est appliqué. Il en résulte que de plus petits transistors peuvent être utilisés et, 30 par suite de leur capacité inter-électrode plus petite, ces transistors plus petits peuvent assurer une vitesse de fonctionnement élevée de mise en service-mise hors service. La présente invention concerne un perfectionnement apporté dans le système décrit dans le brevet français n° 1 494 392 dont le but est de fournir un 35 système de commande à un réseau de mémoire qui a tous les avantages de ce système et qui, en outre, représente à la construction une économie importante. Ceci est réalisé en utilisant chaque commutateur à transistor pour l'opération de lecture et pour l'opération d'écriture. Ainsi, le nombre de commutateurs à transistor et de transformateurs de couplage associés peut être réduit 40 de la moitié par comparaison au nombre utilisé dans le système du brevet 70 17098 5 2048028 français n° 1 .494 392. A cette fin,_ il est fait usage de diodes d'isolement qui sont polarisées dans le sens inverse par les enroulements-secondaires . des transformateurs d'alimentation afin d'empêcher-toute circulation de courant dans un trajet indésirable, et, partant, pour isoler les collecteurs 5 et les émetteurs communs des transistors. En d'autres termes, il est fait usage de deux diodes pour chaque transistor et chaque transformateur de couplage associé remplacé. D'autres objets caractéristiques et avantages de la présente invention rassortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en-référence aux dessins annexés 10 à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. Les figures 1a et 1b sont des schémas partiels qui, lorsqu'ils sont rassemblés montrent les commutateurs de rangée d'un seul plan d'un réseau de noyaux magnétiques et représentent les connexions desdits commutateurs conformément à la présente invention. 15 Bien qu'il soit seulement décrit deux commutateurs de rangée dans le mode de réalisation préféré, on doit bien comprendre que les commutateurs de colonne sont connectés de façon identique et que l'invention peut être mise en pratique dans un réseau à trois dimensions ainsi que dans un réseau à deux dimensions. Pour une meilleure compréhension du système global auquel 20 s'applique la présente invention, il faut se référer au brevet français mentionné ci-dessus n° 1 494 392. Comme 1b montre les figures 1a et 1b, un transformateur d'alimentation 20 a un premier enroulement secondaire 21 connecté au commutateur de rangée 100-1 à 100-N et 150-1 à 150-M. Un second enroulement secondaire 23 est con-25 necté à ces mêmes commutateurs de rangée et, avec l'enroulement secondaire 21, fournit la seule source de courant d'excitation de lecture et d'écriture aux lignes de commande de rangée 6-1 à 6-M et fl-1 à 8-M. Le transformateur 20 comprend un enroulement primaire à prise centrale 40a et 40b dont la borne de prise centrale est connectée à une borne d'alimentation négative 42 au 30 moyen d'un circuit de commande 43. Une borne de l'enroulement secondaire 21 du transformateur 20 est connectée à chacun des commutateurs de rangée 100-1 à 100-N par les diodes d'isolement du collecteur 101-1 à 1Q1-N. L'autre borne de l'enroulement secondaire 21 est connectée à chacun des commutateurs de rangée 150-1 à-150-M par les 35 diodes d'isolement semblables émetteur 151-1 à 151-M. De façon semblable, une borne de l'enroulement secondaire 23 du transformateur 20 est connectée à chacun des commutateurs .100-1 à 100-N au moyen des diodes d'isolement émetteur 110-1 à 110-N et.l'autre borne de l'enroulement secondaire 23 est connectée à chacun des commutateurs 150-1 à 150-M par 40 les diodes d'isolement collecteur 154-1 à 154^M. Ainsi, le transformateur 70 17098 6 204802Ô 20 fournit le Gourant de lecture et d'écriture pour les lignes de commande .de rangée. Chaque commutateur lecture-écriture comprend un seul commutateur à transistor, de préférence du type décrit dans le brevet français n° 1 388- 385. 5 Plus précisément, le transistor 100-1 a son collecteur connecté à l'enroulement secondaire 21 par la diode d'isolement collecteur 101-1 et son émetteur connecté à l'enroulement secondaire 23 par la diode d'isolement émetteur 110-1. En outre, le transistor 100-1 a son collecteur connecté aux lignes de commande de rangées 6-1 à 6-M au moyen des diodes 102-1 à 102-M. L'émetteur 10 du transistor 100-1 est également connecté aux lignes de commande de rangée 6-1 à 6-M au moyen des diodes 125-1 à 125-M. L'enroulement secondaire 103-1 du transformateur 104-1 est connecté aux électrodes de base et d'émetteur du transistor 100-1. Un enroulement secondaire supplémentaire 105-1 et une diode 106-1 sont connectés entre les 15 électrodes d'émetteur- et de collecteur du transistor 100-1. Le transformateur 104-1 porte un enroulement primaire 107-1 dont une borne est connectée au potentiel de terre au moyen d'une porte à transistor 108-1. Une résistance 109-1 est connectée en shunt sur l'enroulement primaire 107-1. L'autre bornes de l'enroulement 107-1 est connectée au potentiel de terre au moyen d'une 20 diode 120-1 et d'une résistance 111. L'enroulement secondaire 112 d'un transformateur 113 est connecté à la résistance 111. Le transformateur 113 comprend l'enroulement primaire 114 connecté à une borne d'alimentation positive 119 et au potentiel de terre au moyen d'une résistance 115 et d'un circuit de commande à transistor 116. 25 Une diode 117 connecte la jonction de la diode 120-1 et de la résistance 111 à une borne d'alimentation négative 118 afin de limiter les variations de potentiel négatif dans l'enroulement 112. L'excitation de la porte 108-1 et du circuit de commande 116 produit une impulsion dans les enroulements primaires 107-1 et excite le commutateur du circuit de commande 100-1 le 30 mettant dans son état d'impédance faible. Le commutateur à transistor 100-N est connecté de façon identique à celle décrite pour le transistor 100-1 si ce n'est que le collecteur du transistor 100-N est connecté à un groupe différent de lignes de commande de rangée 8-1 à 8-M par les diodes 128-1 à 128-M* L'émetteur du transistor 35 100-N est, de façon semblable, connecté aux lignes de commande 8-1 à 8-M par les diodes 129-1 à 129-M. L'enroulement primaire 107-N du transformateur 104-N a une de ses bornes connectée au potentiel de terre au moyen d'une porte à transistor 108-N. Une résistance 109-N est connectée en shunt à l'enroulement primaire 107-N. L'au-40 tre borne de l'enroulement 107-N est connectée au potentiel de terre au l 17098 7 20^8020 moyen de la diode 1Z0-N et de la résistance 111. Ainsi, l'excitation de la porte 108-N et du circuit de commande 116 produit une impulsion dans l'enroulement primaire 107-N et excite le commutateur de commande 100-N le mettant dans son état d'impédance faible. 5 Les commutateurs à transistor 150-1 à 150-M sont connectés de façon semblable à celle relative aux commutateurs à transistor 100-1 à 100-N. Cependant, dans ce cas, l'émetteur du transistor 15Q-1, par exemple, est connecté au moyen des diodes 152-1 à 152-M à la première ligne de commande de rangée associée à chacun des transistors 100-1 à 100-N. De façon semblable, le col-10 lecteur du transistor 150-1 est connecté au moyen des diodes 153-1 à 153-M à chacune des premières lignes de commande associées au commutateur à transistor 100-1 à 100-N. A titre d'exemple spécifique, les diodes 152-1 à 153-1 connectent lrémetteur et le collecteur du transistor 150-1 à la ligne de commande 6-1, tandis que les diodes 152-M et 153-M. connectent l'émetteur 15 et le collecteur du transistor 150-1 à la ligne de commande 8-1. Le transistor 150-M a son émetteur connecté aux lignes de commande associées à chacun des transistors 100-1 à 100-N au moyen des diodes 156-1 à 156-M. De façon semblable, le collecteur du transistor 150-M est connecté aux lignes de commande associées aux transistors 100-1 à 100-N par les diodes 158-1 à 158-M. 20 A titre d'exemple spécifique, l'émetteur et le collecteur du transistor 150-M sont connectés à la ligne de commande 6-2 par les diodes respectives 156-1 et 158-1. L'excitation des commutateurs à transistor du circuit de commande 150-1 à 150-M est effectuée par l'excitation coïncidante des portes à transistor 25 respectives 160-1 à 160-M et du circuit de commande à transistor 161. Par exemple, l'excitation coïncidente du circuit de commande 161 et de la porte 160-1 excite le commutateur à transistor 150-1. . Le fonctionnement des circuits des figures 1a et 1b va maintenant être décrit en regard de la sélection de la ligne de commande 6-1. On comprendra 30 que la sélection d'un noyau particulier sur la ligne de commande 6-1 se fait par une opération semblable des circuits de commande de colonnes, non représentée. Les circuits d'adressage (non représentés), vont provoquer une excitation coïncidente du circuit de commande 116 et de la porte 108-1 qui va alors exciter le circuit base-émetteur du commutateur à transistor 100-1. 35 Au môme moment, les circuits d'adressage vont provoquer une excitation coïncidente du circuit de commande 161 et de la porte 160-1 qui va alors exciter le circuit base-émetteur du commutateur 150-1. Dans le mode de réalisation préféré, le transformateur 20 n'a pas encore été commandé lorsque les commutateurs 100-1 et 150-1 sont mis en service et ces commutateurs sont rapidement 40 rendus condacteurs puisqu'ils ne sont pas sous.charge. Les commutateurs assu 17098 8 20^8028 ment leur condition d'impédance faible fermant un circuit série par la ligne de commande 6-1. Ce circuit va de l'enroulement secondaire 21, par la diode 101-1, le commutateur 100-1, la diode 125-1, la ligne de commande de rangée 6-1, la diode 153-1, le commutateur à transistor 150-1 et la diode 1-50-1, 5 à l'autre borne de l'enroulement secondaire 21. Vingt cinq nanosecondes après que les commutateurs 100-1 et 150-1 sont rendus conducteurs, une impulsion est appliquée au circuit de commande 43 pour fournir une impulsion rectangulaire dans l'enroulement primaire 40a du transformateur 20. Ceci produit une impulsion rectangulaire dans les enrou-10 lements secondaires 21 et 23. Il est à noter que la polatité des enroulements secondaires 21 et 23 assure que les diodes 101-1 à 101-N et les diodes 151-1 à 151-M sont polarisées dans le sens direct et que les diodes 110-1 à 110-N et les diodes 154-1 à 154-M sont polarisées dans le sens inverse. L'impulsion produite dans l'enroulement secondaire 21 est appliquée à la ligne de comman-15 de 6-1 par le circuit décrit ci-dessus. La diode polarisée dans le sens inverse 110-1 empêche le courant de circuler dans un trajet indésirable comprenant la diode 110-1, l'enroulement secondaire 23, la diode 154-1, le transistor 150-1, la diode 151-1, pour repasser par l'enroulement secondaire 21. Cette impulsion de tension produit un courant d'écriture de demi-sélection dans 20 la ligne de commande. Après un intervalle de temps prédéterminé, le circuit de commande 43 est mis hors service pour arrêter l'impulsion dans les enroulements secondaires 21 et 23. Un cycle de lecture va maintenant être décrit en regard de la même ligne 25 de commande de rangée 6-1; il est supposé que le noyau sélectionné sur la ligne de commande a été fixé à son état logique "1" par le cycle d'écriture préalable. Le circuit de commande 116 et la porte 108-1 sont à nouveau excités pour rendre passant le commutateur à transistor 100-1 qui passe alors à son 30 état d'impédance faible; le circuit de commande 161 et la porte 160-1 sont excités pour rendre condacteur le commutateur à transistor 150-1 qui passe alors à son état.d'impédance faible. Ceci ferme un circuit pour la ligne de commande de rangée 6-1 par les commutateurs 100-1 et 150-1 et leurs diodes 102-1, 152-1, 110-1, et 154-1 jusqu'à l'enroulement secondaire 23 du transfor-35 mateur 20. Vingt cinq nanosecondes après que les commutateurs 100-1 et 150- 1 ont été rendus conducteurs, une impulsion est appliquée au circuit de commande 43 pour exciter l'enroulement primaire 40b. Ceci produit une impulsion de tension rectangulaire dans les enroulements secondaires 23 et 21, impulsion qui est de polarité opposée à celle produite pour le courant d'écriture décrit 40 ci-dessus. Cette impulsion dans l'enroulement secondaire produit un courant 17-098 9 2048028 de lecture de demi-sélection dans la ligne de commande 6-1. Les diodes 101-1 à 101-N et les diodes 151-1 à 151-M sont polarisées dans le sens inverse et les diodes 110-1 à 110-N et les diodes 154-1 à 154-M sont polarisées dans le sens direct..La diode polarisée dans le sens inversé 151-1 empêche un 5 courant de circuler dans un trajet indésirable par la diode 151-1, l'enroulement secondaire 21, la diode 101-1, le transistor 100-1,. la. diode 110-1 pour atteindre l'enroulement secondaire 23. Ce courant de lecture va commuter le noyau sélectionné sur la ligne de commande 6-1 sur son état stable initial, produisant ainsi une impulsion de sortie dans la ligne de détection (non représen-10 tée). Après un intervalle de temps prédéterminé, le circuit d'excitation du transformateur 20 est ouvert afin d'arrêter l'impulsion de tension dans les enroulements secondaires 23 et 21. 11 est à remarquer que le circuit illustré accompli une importante réduc- 15 tion du nombre de commutateurs à transistors de commande et de transformateurs de couplage associés, étant donné que chaque commutateur à transistor est utilisé pour les cycles de lecture ainsi que d'écriture. Ceci a été réalisé au moyen de diodes d"isolement polarisées dans le sens inverse de collecteur et émetteur pour chacun des commutateurs à transistor de commande. 20 Il est bien compris qu'un seul commutateur à transistor avec ses deux diodes associées conformément à la présente invention, peut être utilisé sur un seul côté des lignes de commande, et que deux transistors peuventêtre utilisés sur l'autre côté. Ces deux transistors seraient agencés de la façon décrite dans le brevet français 1 494 392. Dans ce mode de réalisation, il 25 n'y a pas de trajet de fuite possible. Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 1A et 1B, il est seulement nécessaire d'avoir un seul transformateur de commande à deux enroulements secondaires et un enroulement primaire à prise centrale avec les circuits de commande associés pour commander sélectivement une moitié ou l'autre de l'enroulement primaire. on Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur le dessin, les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. 70 17.098 10 2048028 REVENDICATIONS 1.- Réseau de mémoire du type dans lequel les éléments de mémoire bistables sont disposés en rangées et en colonnes et comprenant des lignes de commande de rangées st de colonne pour adresser sélectivement les éléments de mémoire 5 dans le réseau, comprenant dès circuits de commutation électroniques actionnés pour établir sélectivement des circuits en série constitués par les circuits de commutation st les lignes de commande afin d'appliquer des courants de lecture et d'écriture bipolaires aux lignas de commande et introduire les données binaires dans les éléments de mémoire et an lire les données 10 binaires, des moyens de transformation comprenant des enroulements secondaires connectés aux extrémités opposées des circuits en série constitués par les circuits de comnutaticn et les lignes de commande de rangées et par les circuits de commutation et les lignes de commande de colonnes, lesquels moyens de transformation forment la seule source de courant d'excitation pour lasdi-15 tes lignes de commande de rangées st de colonnes, caractérisé en ce que quelques uns au moins desdits circuits de commutation sont utilisés pour établir les circuits en série durant les cycles d'écriture ainsi que de lecture, et en ce qu'il comprend des moyens d'isolement connectés à chacun des circuits de commutation qui sont utilisés pour les cycles d'écriture et de 20 lecture afin de permettre au courant d'excitation de circuler dans un premier sens au travers desdites lignes de commande tout en empêchant le courant de circuler dans un trajet indésirable durant le cycle d'écriture, et de permettre au courant d'excitation de circuler dans le sens opposé au travers desdites lignes de commande tout en empêchant le courant de circuler dans 25 un trajet indésirable durant le cycle de lecture. 2.- Réseau de mémoires selon la revendication 1, caractérisé en ce que les circuits dé commutation électroniques comprennent plusieurs commutateurs à transistor connectés aux lignes de commande respectives, chaque commutateur comprenant un transistor possédant uns base et un émetteur, et un transforma-30 teur d'entrée possédant un enroulement secondaire connecté à la base et à 1'ématteur du transistor et fournissant la seule source de courant d'excitation du réseau. 3.- Réseau de mémoire selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'enroulement secondaire comprend un enroulement d'écriture et un enroulement 35 de lecture, et en ce que lés moyens d'isolement comprennent: une première diode connectée à 1'émetteur du transistor de chaque commutateur à transistor qui est utilisée pour les cycles d'écriture et de lecture. 70 17098 11 2048028 et une seconde diode connectée au collecteur du transistor de chaque commutateur à transistor qui est utilisée pour les cycles d'écriture et de lecture, lesdits enroulements d'écriture et de lecture «tant connectés à des diodes 5 opposées dans chacun des commutateurs à transistor utilisés pour les cycles d'écriture et de lecture, 4.- Réseau de mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce que les circuits de commutation électroniques comprennent plusieurs commutateurs à transistor connectés aux lignes de commande respectives, chaque commutateur 10 comprenant: un transistor comprenant une base, un collecteur et un émetteur, un transformateur d'entrée comprenant un enroulement secondaire, connecté à la base et à l'émetteur dudit transistor et fournissant la seule source de courant d'excitation du réseau, et un enroulement secondaire supplémentaire, 15 et une diode, ledit enroulement supplémentaire connecté en série audit émetteur et audit collecteur empêchant le fonctionnement du transistor dans la zône de saturation. 5.- Réseau de mémoire selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'en-20 roulement secondaire comprend un enroulement d'écriture et un enroulement de lecture, et en ce que lesdits moyens d'isolement comprennent: une première diode connectée è l'émetteur du transistor de chaque commutateur à transistor et utilisée pour les cycles d'écriture et de lecture, et, une seconde diode connectée au collecteur du transistor de chaque commu-25 tateur à transistor et utilisée pour les cycles d'écriture et de lecture, lesdits enroulements d'écriture et de lecture étant connectés à des diodes opposées dans chacun des commutateurs à transistor utilisées pour les cycles d'écriture et de lecture. 6.- Réseau de mémoire selon la revendication 5, caractérisé en ce que les 30 moyens de commutation électroniques sont excités pour établir les circuits en série pour les lignes de commande sélectionnées, et en ce que le transformateur est excité pour générer alternativement les courants de lecture et d'écriture dans les lignes de commande sélectionnées après excitation des circuits de commutation et en ce que ce transformateur est mis au repos avant 35 la mise au repos des circuits de commutation.