Brevet FR2045980A1 — publié le 19710305

- Là présente invention concerne les dispositifs semi-conducteurs et, plus particulièrement, les redresseurs - Commandés du type à semi-conducteurs. De tels redresseurs comportent habituellement quatre régions 5 constituées par des matériaux semi-conducteurs présentant des types de conductibilité alternés et formant trois jonctions de type P-ÎT. Il est connu de faire passer un tel redresseur à l'état conducteur en appliquant un signal de commande entre une électrode principale (cathode)-de circulation du courant prévue sur une ré-10 gion d'émetteur principal et une électrode auxiliaire (cathode auxiliaire) prévue sur une région d'émetteur auxiliaire» La région d'émetteur auxiliaire est habituellement une cinquième région de matériau semi-conducteur voisine de la région d'émetteur principal et formant une jonction de type P-ïï avec la même région 15 du redresseur commandé à semi-conducteurs que le fait la région d*émetteur principal. Lorsque le dispositif est destiné à fonctionner en réponse à un signal de commande polarisé de façon à polariser dans le sens direct la jonction d'émetteur auxiliaire et à polariser dans le sens inverse la jonction d'émetteur prin-20 cipal, il est dénommé "dispositif à déclenchement inverse". Lorsqu'un tel dispositif semi-conducteur formant redresseur commandé est en cours d'amorçage ou de passage à l'état conducteur, la jonction d'émetteur auxiliaire s'amorce ou se déclenche la première et l'amorçage ou la conduction se propage alors jusqu'à la 25 jonction d'émetteur principal. La vitesse dé passage à l'état conducteur dépend de la vitesse à laquelle l'amorçage peut se propager jusqu'à atteindre la jonction d'émetteur principal et le long de cette dernière. Jusqu'ici, cet amorçage a été habituellement localisé initialement à proximité de la région d'émetteur au-3D xiliaire, ce qui entraîne une densité de courant élevée et un délai de propagation relativement long. L'invention a pour but de remédier à ces inconvénients et d'apporter une solution à ce. problème. . Elle est matérialisée dans un dispositif semi-conducteur 35 formant redresseur commandé à déclenchement inverse, caractérisé en ce qu'il comprend des régions d'émetteurs principal et auxiliaire, chaque région d'émetteur formant une jonction de type P-N avec une même région ou région de base du dispositif ë.t une zone conductrice qui est en contact ohmique avec une surface de cette 40 région de base voisine de la jonction entre cette région d'émet 70 21240 2 2045980 teur principal et la région de "base, mais qui ne court-circuite pas d'elle-ÇLeme l'un.% au l'autre des régions d'émetteurs, cette zone s'étendant le long d'un "bord de la région d'émetteur principal et permettant* lors du fonctionnement, l'établissement d'un 5 trajàt de propagation du courant entre les régions d'émetteurs auxiliaire et.principal le .long de ce "bord, La forme géométrique du dispositif peut être telle qu'une augmentation, de la valeur de la jonction d'émetteur principal corresponde à une longueur donnée du trajet de circulation du 10 courant passant par la région de "base en provenant de la région d'émetteur auxiliaire grâce au court-circuit ^effectuant par la zone conductrice# La région d'émetteur principal peut entourer totalement la région d'émetteur auxiliaire, les deux régions d'é-^ metteurs étant réalisées sur la surface de la région de "ba.se ep 15 la zone conductrice peut recouvrir sensiblement la totalité de la surface de la région de base entre ces régions d'émetteurs tort; en étant isolée par rapport à ces dernières» La zone conductrice peut comporter deux portions ou parties dont l'une est située entre les régions d'émetteurs principal et 20 auxiliaire et dont l'autre entoure la région d'émetteiiù? principal. La jonction d'émetteur principal peut être au moins partiellement court-circuitée• Le court-circuit partiel peut être réalisé par un corps conducteur s®étendant à partir d'un contact ohmique établi avec la région d'émetteur principal, par l'inter-25 médiaire d'un orifice ménagé dans la région d'émetteur principal et dans la jonction d'émetteur principal, jusqu'à un contact ohmique établi avec la région de base. La région d'émetteur principal peut être court-circuitée aux bornes de la jonction d'émetteur principal avec la région de base au niveau d'un bord de la 30 région d'émetteur principal, le court-circuit constituant tin trajet résistif localisé du point de vue ohmique. On peut prévoir plusieurs de ces trajets,localisés répartis le long d'un bord de la région d'émetteur principal. Lorsque la zone conductrice est constituée par deux ou plu-35 .sieurs régions,-ces dernières peuvent être réunies par des conducteurs électriques extérieurs. Le dispositif, peut comprendre.une jonction de type P-N supplément aire ps?jéyufrJ-fOis un trajet, conducteur entre l'électrode de l' émetteur , auxiliaire et la zone conductricé," cette jonction 40 étant polarisée de faç.pn à devenir polarisée dans le sens direct 70. 21240 3 2045980 - :"v ^*5 ,, Ij'îi/s*/"1" r,fiQ.ua d'tme différence de potentiel appliquée entre la zo- ^nje^ cj^^uqtriqe et l'émetteur auxiliaire pour inverser la polari- feeiir auxiliaire et la région de base. 5 „2ïfy.fonction P-H supplémentaire peut être réalisée à l,aide d^une ^parce 1 le ou pastille formant diode montée sur la zone conductrice £t connectée à l'électrode d'émetteur auxiliaire. La ou _l.^s zones .conductrices et la région d'émetteur principal peuvent f. j « . .-l f*"7 J ^ ^ I '"t J *' ,£tre rQ, Qncentr i que s annul air ement par rapport à la région d'émet-10 ^.teur^auxiliaire, la ou les zones conductrices et les régions d'é- "^'■à'XSjO^âS.0 - «Sf$€T -,, -metteurs étant toutes réalisées sur l'une des faces d'un corps ,0 3.1X0 £3 - ,constitué ^par un matériau semi-conducteur. rLg. ^onction d'émetteur principal peut être partiellement ço.ur1i-cirç^d.tée en dehors de sa partie périphérique en utilisant 15 des orifices ou trous ménagés dans la région d'émetteur et par l'intermédiaire desquels 1*électrode d'émetteur peut entrer en . .. cpntaçt avec la région de hase. r-, ,, r, Le^signal de commande destiné à rendre le dispositif con-r. ducteurpeut être produit par un générateur de signaux de comman-20 de ço,u^:reircuité par une diode et connecté aux électrodes d'émetteurs^, auxiliaire et principal par l'intermédiaire d'une résistance, série. La description qui va suivre, faite en regard des dessins ajmexés, donnés à titre non limitatif permettra de mieux compren-25 dre 1 • invention. :. r. Les,, fig. 1 et 1A représentent en plan et en élévation avec coupe, un dispositif semi—conducteur formant redresseur commandé. Lg.. fi.g. 2 représente le dispositif visible sur les fig. 1 e^-IA. auquel est associée une diode supplémentaire. 30 .Les fig. 3 et 3A représentent en plan et en élévation avec coupe un autre mode de réalisation du dispositif selon l'inven- La^fig. 4 est une représentation schématique du montage de fonctionnement du dispositif visible sur l'une des figures précé- ,35. ^e^te.%..,. r ^ ,-S^-i'^on se réfère tout d'abord à la fig. 1, celle-ci représente en.plan un dispositif semi-conducteur selon l'invention tan-,dis„que la fig. 1A. le représente en élévation avec coupe suivant la ligne 14 de la fig. 1. Les régions désignées par 1,2 et 3 40 sur la fig. 1A. sont respectivement des couches de matériaux pré- 70 21240 4 2045980 sentant des conductibilités de type P, F, P et formant entre elles des jonctions de type P-ïf. Une quatrième région 4 est constituée par xm matériau présentant une conductibilité de type I" et forme une .jonction de type P-N avec la région 3« On associe un 5 contact ohmique 10 à la région 1 et un contact ohmique 5 à la région 4 de façon à former respectivement l'anode et la cathode d'un, redresseur commandé semi-conducteur® Selon un mode préféré de réalisation, le contact de cathode 5 et la quatrième région ou région d'émetteur principal 4 sont réalisées de la 10 manière décrite dans le brevet anglais N° 1.049.417# Bans tous les cas, la fonction constituée àntre la région 4 formant l'émetteur et la région 3 formant la base, doit être au moins partiellement court-circuitée eu égard aux particularités précisées ci-après. Comme cela apparaît à l'évidence en se référant aux 15 fig. 1 et 1A, les région» 4 et 5 sont superposées-et se présentent sous la forme d'un disque comportant un orifice central cruciforme. lu centre du disque, on prévoit une cinquième région 8 constituée par un matériau présentant une conductibilité de type N de façon à former" une jonction de type P-N avec la région de 20 base 3. Un contact ohmique (non représenté) est associé à la région 8 et des conducteurs de raccordement électrique 9 et 6 sont respectivement connectés aux contacts okmiqmes associés aux régions 8 et 4 de type ÏTo Un élément ou une zone conductrice 7 est réalisée sur la surface de la région d© base 3 dans la zone 25 d'espace séparant la région d'émetteur principal 4 et la région d'émetteur auxiliaire 8® Cette zone conductrice 7 s•étend à proximité de la périphérie de la jonction, entre chacune des régions d'émetteur et la base, mais ne doit en aucun cas court-circuiter la 3©action en constituant un court-circuit ohmique. La valeur de 30 l'intervalle séparant la zone et la jonction est,de préférence, de l'ordre de 0937 mm. La résistivité de la zone conductrice 7 doit être inférieure à la résistivité du matériau semi-conducteur formant la région 3« On va maintenant étudier le fonctionnement du dispositif dé-35 crit ci-avant. Il est bien connu dans la technique d'utiliser un émetteur auxiliaire pour déclencher ou amorcer un émetteur principal. Cependant, la région de l'amorçage initial est limitée à la partie de la gonction d'émetteur principal qui est proche de l'émetteur auxiliaire, c'est-à-dire à l'endroit où le œ urant d'émet-40 teur auxiliaire circulant à la suite de l'amorçage peut influencer 70 21240 5. 2045980 la jonction principale. Ce phénomène entraîne l'apparition de densités de courant locales élevées et augmente les durées ou délais de propagation. Pour réduire la partie de ces inconvénients, on a proposé d'augmenter la longueur BAD 70.21240 6 2045980 valeur totale sensiblement constante in&épendamment de la variation de la valeur -.de :1a-. Résistance .dans îa zone conductrice en fonction de la direction radiale. -La-eireulation du courant s'effectuant à travers la jonction cl5émette®? principal lors de l'amorçage d©' la jonction. aiTxiliaire est ainsi répartie régulièrement le long de la périphérie très allongée de l'émetteur principal, e© qui améliore-les performanses -l'amorçage de cette jonction sans réduire .les p©r-formari©©s ô.'am©î?eage de la jonction d'é-= metteur auxiliaire? 0 On peut faire 1er- le de-gré àe circonvolution ou la valeur des-parties rentrenses de la jonction d'émetteur principal et dra "bord do la zone- «©s&uetrice voisina de cet~ te dernière s et on peut former par exe-aple un- plus grand ou un pins petit nombre d© parties rentrantes dans la périphérie de la région d8 émetteur principal® Si l'on se réfère maintenant figo 3 3A9 celles-ci représentent im autre mode de réalisation du dispositif selon l'invention qui offre, l'avantage de présenter tm© symétrie eix-cu-' lairs de sort©, que toutes les électrodes de contact appliquées au dispositif doivent seulement.être alignées .axialdment par rapport à ce dernier et qu'il n'y a pas Heit de tenir compte de la rotation du dispositif par rapport aux électrodes lors du montais. Si l'on se réfère à ces figures T>©ur lesquelles les régions similaires à celles visibles sto? les 1 et 2 ont été désiîpnfes pàr les mêmes références numériquess la. fige 5 est me vue en plan d'un autre mode de réalisation "te dispositif semi-conducteur formant redresseur eopaandé selon 11 invention et la figs 3A «a. est me vue en .élévation avec coupe X* Ion;*? de la ligne A-A de la fig. 3. lies régions désignées par- 1 :. 2 et 3 sont respectivement, des couches' de matériaux-prédes «oad~a©tibilités d? type P0 ÎYS P et forment entre elles .£ BAD ORIGINAL 70 21240 7 2045980 avec la région de "base 3. Cette région peut également être réalisée sous la forme d'un émetteur court-circuité de la même manière que la région annulaire 4. Une zone conductrice comportant deux parties 7 et *Î7 est réalisée sur la surface de la région 5 de base 3» la partie 7 est située sur cette surface dans la zone d'espace comprise entre l'anneau 4- et l'émetteur auxiliaire 18 tandis que la partie 17 est constituée par un anneau entourant l'anneau 4. Les détails de construction donnés pour les fig. 1, 1A et 2 s'appliquent également aux zones conductrices 10 prévues dans ce mode de réalisation. Les deux parties de la zone conductrice sont réunies par un conducteur électrique 19 qui est isolé électriquement pair rapport à l'émetteur principal lorsqu'il croise ce dernier. On a trouvé qu'il était so.uhaitable dans certains cas de court-circuiter ttae jb. rtie de la périphérie ex-15 terne de l'émetteur principal, cette partie étant voisine de l'anneau 17, en la reliant à la région de base 3. Apet effet, des portions ou parties 16 de l'anneau 4 sont supprimées de sorte que lorsque le contact 5 est appliqué, par exemple par dépSt électrolytique, le bord de la région d'émetteur comporte 20 des court.—circuits localisés formés par le matériau de contact reliant oftmiquement la région d'émetteur et la base. Selon le mode de réalisation qui vient d'être décrit, il n'est pas nécessaire de prévoir plus de trois électrodes pour le dispositif. Oepen- f dant, si l'on peut accepter quatre électrodes ou même si on les 25 estime souhaitables, les court-circuits localisés 16 peuvent-être omis et une résistance externe peut être connectée de façon à remplir la même fonction. Une valeur convenable pour cette résistance se situerait entre 1 et 20 ohms pour des dispositifs dont les courants nominaux seraient de 50 à 500 ampères. On a 30 trouvé souhaitable que les court-circuits se présentant sous la forme de trajets de circulation localisés 16 soient répartis autour du bord de l'émetteur principal. Une diode peut être incorporée au dispositif visible sur les fig. 3 et 3A de la même manière qu'une diode est incorporée au dispositif visible sur la 35 fig. 2. Si nécessaire, l'émetteur auxiliaire 18 peut être déplacé par rapport au centre du dispositif vers l'un des côtés de la partie 7 de la région conductrice de façon à laisser suffisamment de place pour monter la diode.' A titre de variante, si une quatrième borne est "sortie* 40 du dispositif et est connectée à la zone conductrice, la diode 70 21240 8 2045980 peut alors être connectée extérieurement au dispositif, de façon à permettre l'obtention du même résultat électrique. Le fonctionnement du dispositif visible sur les fig. 3 ât 31 correspond à celui décrit ci-avant pour les dispositifs correspondant aux fig. 1, 1Â et 2. On va maintenant étudier la fig. 4- qui représente un montage permettant de faire fonctionner un dispositif à déclenchement inverse selon l'invention. Le dispositif visible sur cette figure est une représentation schématique du dispositif visible sur la fig, 1. ïïn générateur de signaux de commande 3"1 court-eircuité par une diode 33 peut produire un signal de commande dont la polarité est représentée sur la figure et qui est appliquée respectivement aux cathodes principale et auxiliaire 5 et 9 par l'intermédiaire d'une résistance 32 de limitation du courant montée en série. La tension devant être commandée par le dispositif ®st appliquée aux bornes de 1* anode 10 et de la cathode principale 5» l'anode étant plus positive que la cathode principale. Le courant correspondant au signal de commande provenant du générateur 31 circule le long du conducteur 6 relié à la cathode 5 et passe par des court-circuits d'émetteur localisés et répartis 34- pour atteindre la région de base 3. Le courant circule alors latéralement dans la région de base 3 et en direction de l'émetteur auxiliaire 8. La zone conductrice 7 constitue un trajet de circulation préférentiel vis-à-vis du matériau semiconducteur de la région de base à l'endroit où cette zone est présente sur la surface de la région et, par conséquent, le courant circule par cette zone de façon à court-circuiter une partie de la région de base. Le courant traverse le générateur de signaux de commande par l'intermédiaire de la résistance 32 de limitation de courant montée en série. Le passage du courant depuis la base 3 jusqu'à l'émetteur auxiliaire 8 provoque l'injection d'électrons dans la région de base, ces électrons déterminant 1®amorçage de la jonction P-ïï" existant entre les régions 2 et 3 de façon à commuter le dispositif en le rendant conducteur de sorte que le courant circule entre l'anode 10 et la cathode auxiliaire 9. Le courant s'écoulant de l'anode 10 vers la cathode auxiliaire 9 passe par la résistance 32 et par la diode en parallèle 33 court-circuitant le générateur de signaux de commande 3^ de façon à atteindre le conducteur 6 correspondant à la cathode principale 5* La commutation du dispositif à Ieétat conic- 70 21240 9 2045980 teur entre l'anode 10 et l'émetteur auxiliaire 8 permet au potentiel de l'émetteur auxiliaire de tendre vers celui de l1anode. Ce phénomène inverse et augmente la différence de potentiel entre les émetteurs auxiliaire et principal et oblige l'émetteur 5 principal à injecter une grande concentration d'électrons le long du bord le plus proche de la zone conductrice en polarisant l'émetteur auxiliaire de façon positive par rapport à l'émetteur principal. lorsque le dispositif n'est rendu conducteur qu'entre l'ano-10 de 10 et l'émetteur auxiliaire 8, le courant passant par la résistance J2 tend à polariser la cathode principale de façon négative par rapport à la cathode auxiliaire. Lorsque cette polari-. sation atteint une proportion importante de la tension appliquée entre l'anode et la cathode principales elle tend également, en 15 plus de sa fonction consistant à accroître l'injection à partir de l^bégion d'émetteur principale% à éliminer les trous de la région de base voisine. Cette élimination des trous tend à supprimer l'injection effectuée par 1'émetteur auxiliaire et à s'opposer à l'augmentation de l'injection en tentant de rendre le dis-20 positif non conducteur. Il peut être nécessaire que la résistance 32 présente des valeurs anormalement faibles pour de faibles tensions anode-cathode principale de façon à empêcher l'apparition de ces phénomènes. Par conséquent, il est souhaitable d'inclure une diode 21 (fig. 2) entre la cathode auxiliaire et la zone eon-25 ductrice 7. Cette diode est polarisée de façon que la zone conductrice ne puisse devenir plus négatives, rapport à la cathode auxiliaire, que la chute de tension directe de la diode elle-même. Dans le mode de réalisation yisible sur -la fig® 2, la diode comprend une région 22 constituée par un matériau présentant une x0 conductibilité de type P et une région 25 constituée par un ma-tériau présentant une conductibilité de type M0 Dans le mode de réalisation visible sur les fig. 1 et 1ÂS un procédé préféré de montage de la diode consiste à fixer une diode se présentant sous la forme d'une parcelle ou pastille sur l'une des branches de la zone conductrice 7 et à connecter cette diode à la cathode auxiliaire 9. On obtient ainsi une solution simple et économique en ce qui concerne la limitation des performances du dispositif pour 35 l'une des extrémités de son intervalle ou de sa bande de fonctionnement en donnant la certitude que la différence de potentiel qui accroît l'injection de la région d'émetteur principal n|est appliquée qu'à l'endroit où elle est le plus utile, dest-à-dire entre la zone conductrice et le bord voisin de l'émetteur principal lui-mêjae. Des modifications peuvent être apportées aux modes de réali-40 sation décrits, dans le domaine des équivalences techniques, sans s'écarter de l'invention. BAD ORIGINAL 70 21240 10 2045980 I J ï ï I I I C I ! T 0 I 8 1. Dispositif semi-conducteur formant redresseur commandé à déclenchement inverse^" caractérisé en'ce qu'il comprend des régions d'émetteurs principal et auxiliaire5 chaque région d'émetteur formant une jonction de type P—M avec une même région ou ré— 5 gion de "base du dispositif? et une zone conductrice qui est en contact oîamique avec une surface de cette région de "base voisine de la jonction entre la région d'émetteur principal et la région de "base mais qui ne court-circuits pas d'elle-même l'une ou loutre des régions d'émetteur s 3 cette zone rz ' étendant le long d'un 10 "bord de la région d'émettëur principal et permettants lors du fonctionnementj l'établissement d'un trajet de propagation du courant entre les régions d'émetteurs auxiliaire et principal le long de ce "bord. 2. Dispositif suivant la revendication 1s caractérisé en ce 15 que la région d'émetteur principal sntoure complètement la région d'émetteur auxiliaire5 les deux régions d'émetteurs étant réalisées sur ladite surface de la ségion de "base et la aone eonduc-•fcrice recowran.tr sensiblement la totalité de la surface de la région de base entre ces régions d9ê^©tt®m,s sais n'étant pas en 20 contact ©fornique électrique 'oe-s dsmiôrs. 3c Dispositif suivant la revendication 1 0% 23 caractérisé - en ce que la zone conductrice comporte âei'X parties9 l'une de ces parties étant située entre les régions d5. émetteur s .principal et auxiliaire9 l'autre parti© étant voisins 4a c© bord ou d'un autre 25 bord de la région d'émetteur principals e-es deur, parties étant connectées ohmiquement0 4„ Dispositif suivant -la revendication $, caractérisé en ce que l'autre partie- de le. zone conductrice entoure la périphérie. de la région âB'émetteur principe;1. <> 30- - 5® Dispositif suivant l'une quelc^nqtï© des revendication©, précédentes2 caractérisé' en ce. que tous les trajets de la circulation du courant s8effectuant entre l8ém&tteur auxiliaire et 15 émetteur principal--par 1•intermédiaire d® la région de base8 présentent une longueur sensiblement constante, la zone condue-» 35 triee court~circuitant une partie appropriée de la région de base pour les trajets de circulation qui 'sont matériellement les plus longs. "* 6« Dispositif suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la jonction d'émetteur princiBAD ORIG'NAL 70 21240 n 2045980 pal est au moins partiellement court-circuitée. 7. Dispositif suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la jonction d'émetteur auxiliaire est au moins partiellement court-circuitée» 5 8. Dispositif suivant la revendication 6 ou 7s caractérisé en ce que le court-circuit partiel est réalisé par un corps conducteur s'étendant à partir d'un contact oïtmique établi avec la région d'émetteur, par l'intermédiaire d'un orifice ménagé dans la région d'émetteur et dans la aonction d'émetteur, jusqu'à un 10 contact ohmique établi avec la région de "base. 9. Dispositif suivant la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce que la région d'émetteur principal est court-circuitée vis-à-vis de la région de base à travers la jonction d'émetteur principal au niveau d'un bord de la région d'émetteur principal. 15 10. Dispositif suivant la revendication 9» caractérisé en ce que le court-circuit est formé par plusieurs trajets résistifs ohmiquement placés symétriquement et court-circuitant ce bord. 11. Dispositif suivant l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comprend une résistance disconti- 20 nue connectée entre l'émetteur principal et la zone conductrice* 12. Dispositif suivant la revendication 3 ou l'une quelconque des revendications qui en dépendent, caractérisé en ce que deux parties ou portions de la zone conductrice sont réunies par un conducteur électrique. 25 13. Dispositif suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend une jonction de type P-îf supplémentaire prévue dans un trajet conducteur lors du fonctionnement entre l'électrode de l'émetteur auxiliaire et la zone conductrice9 cette jonction étant polarisée de façon à deve- 30 nir dans le sens direct lors du fonctionnement sous l'effet d'une différence de potentiel appliquée entre la zone conductrice et l'énetteur auxiliaire pour inverser la polarisation de la jonction entre l'émetteur auxiliaire et la région de base. 14. Dispositif suivant la revendication 13* caractérisé en 35 ce que la jonction de type P-ÎI supplémentaire est réalisée à l'aide d'une pastille formant diode montée sur la zone conductrice et connectée à l'électrode d'émetteur auxiliaire. 15. Dispositif suivant l'une, quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la zone conductrice et la ré-» 40 gion d'émetteur principal sont concentriques azmulairement par 70 21240 12 2045980 rapport à la région d*émetteur auxiliaire0 16ê Dispositif suivant la revendication 1.5* caractérisé ea es que la sons conductrice et les régions d*éas tueurs s©at réalisées sur 1*1308 des faces d*un corps constitué par xm aatériara 5 semi-conducteuro 17a Dispositif suivant l'une quelooaxpie âes revendications précédentes, caractérisé ea ce que la ôonati&a d'émetteur-? principal est partiellement court-circuités en.dehors de sa partie périphérique par des organes passant par dss orifices ménagés 10 dans la région d'émetteur^de façon à établir im contact ohmique entre une électrode d'émetteur et la région de l>ase© 18s Circuit caractérisé en ce qu'il «sosiprend tua dispositif suivant l'une quelconque des revendications précédentes et un générateur de signaux de commande court-circuité par une diode et 15 connecté aux électrodes d'émetteurs auxiliaire ©t principal du dispositif par l'intermédiaire d'une résistance série®