Brevet FR2050507A1 — publié le 19710402

-1- 2050507 L'invention concerne un procddé permettant la. fabrication d'un dispositif semiconducteur procédé suivant lequel, à la surface d'un côté d'un corps en matériau semiconducteur à faibl» résistivité, appelé "substrat" ci-après, on forme 5 une couche de matériau à résistivité élevée, après quoi le substrat est enlevé par décapage électrolytique sélectif, ladite couche à résistivité élevée étant conservée." L'invention concerne également un dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé. 10 Ladite coucheàrésistivité élevée peut être obtenue de manière usuelle, par exemple par dépôt épitaxial. Pour une telle couche, par exemple en silicium, on choisit la résistivité supérieure à 0,3 ohm.cm. Un procédé du genre mentionné dans le préambule 15 est décrit dans le brevet français No. 1.562.282.Suivant ce procédé, lors du décapage électrolytique, on applique une tension pour laquelle le matériau d'une couche à résistivité élevée, de type de conduction n, ne se dissout pratiquement pas ou très lentement à la limite entre cette couche et un substrat en ma-20 tériau semiconducteur à faible résistivité, par rapport au matériau du substrat contigu à la couche. De ce fait, il est possible d'obtenir de minces corps semiconducteurs d'épaisseur uniforme qui peuvent être transformée en dispositifs semiconducteurs , par exemple en circuits intégrés comportant des parties 25 séparées entre elles par du matériau isolant ou par de l'air, des cibles pour tubes de prise de vues, en particulier des tubes, du type "Vidicon, des dispositifst semiconducteurs avec des jonctions p-n qui s'étendent quasi perpendiculairement à la surface d'un côté à l'autre du corps semiconducteur (structure 30 "flatland"), et autres, en particulier ceux pour lesquels il est possible de mettre à profit la très faible épaisseur du corps semiconducteur. Lors de la fabrication de minces corps semiconducteurs, par exemple lorsque, avant le décapage, des parties im— 35 portantes du corps semiconducteur à réaliser sont formées, on a constaté que la couche à résistance élevée peut parfois être attaquée, par exemple être localement perforée par le décapant. Cette attaque peut être telle que l'on obtient un ensemble incohérent qui peut aisément être enlevé par voie mécanique. UO On a pu constater aussi que cette perforation par 70 24780 -2- 2050507 décapage se produit dans le cas où avant le décapage, la couche à résistivité élevée est munie d'une couche de matériau semiconducteur à faible résistivité, couche qui dans le dispositif semiconducteur terminé sert de couche enterrée, par exemple pour 5 réduire la résistance série du collecteur d'un transistor. La perforation de la couche à résistivité élevée a également été constatée dans le cas où elle-ci est munie d'une couche métallique comportant une configuration de pistes métalliques et de surfaces de contact pour le dispositif semiconducteur. 10 Ces difficultés que constitue la perforation de la couche à résistivité élevée se produisent lorsque celle-ci est munie d'une couche de matériau bon conducteur de l'électricité. Cette dernière couche peut également être attaquée pendant le décapage électrolytique. 15 On a pu constater aussi que les difficultés précis tées que constitue l'attaque de la couche résistivité élevée peuvent se produire également dans le cas où la couche convenablement conductrice ne forme pas un ensemble cohérent et est constituée par des régions géométriquement séparées. 20 Lorsque la couche convenablement conductrice est en matériau semiconducteur, un peut être confronté avec huit situations différentes, correspondant notamment aux combinaisons N+NN+, N+NP+, P+NN+, P+NP+, N+PN+, P+PN+, N+PP+ et P+PP+. A cela s'ajoutent encore quatre autres combinaisons dans le cas où la 25 couche convenablement conductrice est en métal, ces quatre combi- , + 4- + + • naisons étant notamment MNN , MNP , MPN et MPP . Ces combinaisons sont indiquées dans la succession: couche convenablement conductrice - couche à résistivité élevée - substrat. Parmi les douze combinaisons précitées, trois com-30 binaisons peuvent être éliminées, à savoir celle pour laquelle tant la couche à résistivité élevée que le substrat sont en matériau semiconducteur de type de conduction p. Dans ces trois cas, il n'est pas possible de parler d'un substrat qui soit enlevé tout en conservant la couche à résistivité élevée, étant 35 donné que dans ces cas, tant le substrat que cette couche sont dissous. Le but de l'invention est d'éliminer ou du moins de réduire dans une mesure considérable les difficultés précitées que constitue l'attaque de la couche à résistivité élevée 40 èt de la couche convenablement conductrice. 70 24780 -3- 20S0S07 L'invention repose sur l'idée que ce but peut être atteint lorsqu'on fait le nécessaire pour qu'en présence d'une couche convenablement conductrice, une région d'épuisement qui pendant le décapage électrolytique se forme dans la couche 5 à résistivité élevée ne s ? étende pas sur la totalité de l'épaisseur de cette couche. Conformément à l'invention, le procédé mentionné dans le préambule est donc remarquable en ce qu'à la surface de la couche à résistivité élevée, on forme avant le décapage une 10 couche en matériau convenablement conducteur, séparée du substrat par le matériau à résistivité élevée, tandis qu'au matériau à résistivité élevée, situé entre le substrat et la couche convenablement conductrice, on donne une épaisseur qui est au moins égale à celle de la région d'épuisement qui pendant le 15 décapage électrolytique se forme dans le matériau à résistivité élevée. Le procédé conforme à l'invention a l'avantage que par rapport au substrat, pendant le décapage électrolytique, la couche à résistivité élevée et la couche convenablement con-20 ductrice ne sont pratiquement pas attaquées ou le sont seulement d'une façon très lente. Une explication plausible sera encore donnée en référence aux figures, et entre autres, on traitera le rôle que joue la couche convenablement conductrice pour les difficultés 25 décrites précédemment. L'épaisseur de la région d'épuisement se formant pendant le décapage électrolytique dans la couche à résistivité élevée est fonction d'un grand nombre de facteurs, par exemple la nature du matériau semiconducteur, le type de conduction, la 30 concentration des impuretés de dopage, la mobilité des porteurs de charge et la tension utilisée lors du décapage électrolytique . Suivant un mode préféré du procédé conforme à l'invention, le matériau à résistivité élevée est du silicium, alors I 15 35 que d2 | 1,25-10 f expression dans laquelle d repré sente T 'épaisseur en yVL du matériau à résistivité élevée entre le substrat et la couche convenablement conductrice, J | représente la valeur absolue en at/cm3 de la différence entre les concentrations en donneurs (N-p.) et en accepteurs (^A) dans 40 , - , la couche à résistivité élevée, tandis que V représente en 70 24780 -k- 2050507 > 2.10 volts la tension utilisée lors du décapage électrolytique. Lôrsque lès paramètres précités répendent à la relation indiquée ci-dessus, la région d'épuisement ne s'étendra pas sur la totalité de l'épaisseur de la couche à résistivité élevée, sous condition que cette couche soit de qualité convenable. Des défauts locaux ne sont pas exclus dans une telle couche. Pour cette raison, de préférence, on choisit d | Np | J5 V On sait queest inversement proportionnel à 10 la mobilité ainsi qu'à la résistance spécifique; à partir de ces deux valeurs, on peut au besoin déterminer En pratique, le procédé conforme à l'invention fournit de résultats favorables lorsque la couche à résistivité élevée a xme épaisseur d'au moins 5 yU. De préférence, on utilise 15 une telle couche de conduction n, présentant une résistivité au moins égale à 1 ohm.cm. A une couche dé résistivité élevée, de conduction P, on donne de préférence une résistivité atteignant au moins 0,5 ohm.cm. 20 A la couche à résistivité élevée, on donne de préférence une résistivité atteignant au maximum 10 ohms.cma Dans de nombreux cas, la couche à résistivité élevée, subsistant après le décapage, peut être maintenue sans inconvénient, et, si possible, être utilisée dans le dispositif 25 semiconducteur à fabriquer. Lorsque toutefois J.e maintien de la couche à résistivité élevée est indésirable, elle peut être enlevée de manière connue par un décapage chimique. L'invention concerne également un dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre du procédé conforme à 30 l'invention. La description suivante, en régard des dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La fig. 1 est une coupe- schématique d'un disposi» 35 tif semiconducteur-devant encore subir le décapage électrique et arrivé dans un stade de fabrication atteint au cours du procédé conforme à l'invention. La fig. 2 est une coupe schématique d'une partie d'un dispositif semiconducteur pendant le décapage électrolytique 40 suivant le procédé conforme à l'invention. 70 24780 2050507 La fig. 3 est une coupe schématique d'une partie d'un autre dispositif semiconducteur pendant le décapage électrolytique suivant le procédé conforme à l'invention. Les figures h et 5 sont des coupes schématiques 5 d'une partie d'un dispositif semiconducteur en stades successifs atteints au cours du procédé conforme à l'invention. Les figures 6 et 7 sont des coupes schématiques d'une partie d'un autre dispositif semiconducteur en stades successifs atteints au cours du procédé conforme à l'invention. 1Q Les figures 8 et 9 sont des coupes schématiques d'une partie d'un troisième dispositif semiconducteur en stades successifs atteints au cours du procédé conforme à l'invention. Pour le procédé de la fabrication d'un corps semiconducteur conforme à l'invention, on forme, par exemple par 15 dépôt épitaxial, une couche 3 en matériau semiconducteur à résistivité élêvée à la surface 1 d'un côté d'un substrat 2 (voir la fig^ 1) en matériau semiconducteur à faible résistivité. Avant d'enlever le substrat 2 par décapage électrolytique, on forme à la surface h de ladite couche 3 une couche 5 en matériau con— 20 venablement conducteur, par exemple également par dépôt épitaxial d'un matériau semiconducteur. Au cours du dépôt épitaxial, également la surface 6 du substrat, opposée à la surface 1, sera munie de matériau semiconducteur. Celui-ci peut être éloigné d'une manière connue. A l'aide d'une couche 7 formée par un 25 moyen collant approprié, par exemple la cire d'abeille, le substrat 2 est rendu solidaire d'un support 8, par exemple en verre, de façon que la surface 6 du substrat leste accessible. Ensuite, de manière connue, (voir par exemple le brevet français précité), par rapport à une e'iectrode qui avec 30 le substrat est plongée dans un bain décapant approprié (voir les figures 2 et 3^ ce substrat est porté à un potentiel approprié au décapage. On peut donner 1 « explication suivante en ce qui concerne les difficultés précitées susceptibles de se produire 35 lors du décapage électrolytique par la présence d'une couche convenablement conductrice, ainsi qu'au sujet de l'effet du procédé conforme à l'invention. Tout d'abord, on part du cas précité (voir la fig. 2) où une couche 22 de résistivité élevée, de type de con-40 duction n, est formée sur un substrat 21 en matériau semiconduc 70 24780 -6- 2050507 teur de faible résistivité, de type de conduction n. Au cours H «nn procédé de décapage électrolytique, on enlève maintenant le substrat 21 en portant celui-ci à tin potentiel approprié de £ar exemple +10 Y par rapport à une électrode 28 qui, avec le sub-5 strat, est plongée dans un bain décapant approprié 29» Dans ce qui suit, on a considéré que la résistance du liquide décapant est insignifiante. Un courant s'écoule maintenant entre le substrat 21 et l'électrode 28, et le substrat subit un décapage. Egalement la couche 22 a un potentiel de 10V par rapport au 10 bain. A l'endroit où le substrat a été enlevé, la couche 22 a une région d'épuisement 2b, et cette couche n'est pratiquement pas attaquée ou seulement dans une mesure très lente par rapport à la partie du substrat 21 qui doit encore être enlevée par décapage. 15 Toutefois, l'attaque de la couche à résistivité élevée est possible si sur cette couche existe une couche convenablement conductrice 25, par exemple en matériau semiconducteur à faible résistivité, de type de conduction n. En effet, lorsque la tension utilisée lors du décapage électrolytique est élevée 20 au point que la région d'épuisement 24 atteigne la couche convenablement conductrice 25 ayant également un potentiel de 10 V, un développement à caractère d'avalanche de porteurs de charge dans la couche convenablement conductrice 25 attaque la couche 22 à résistivité élevée, et ensuite également ladite couche 25• 25 L'explication reste la même que dans la combinaison précitée N NN , si le substrat 21 est en matériau semiconducteur de faible résistivité, de type de conduction p. (combinaison N+NP+). Dans le cas où la couche convenablement conductrice 30 25 est en matériau semiconducteur de faible résistivité, de type de conduction P (la combinaison P+NP+ et la combinaison P NN ), la même explication est valable aussi, sous cette réserve que comparée avec la tension appliquée, la tension de la couche convenablement conductrice 25 peut être plus petite d'un 35 montant égal à la tension de diffusion aux extrémités de la jonction p-n entre les couches 22 et 25- On s'occupe maintenant de la possibilité offerte dans le cas où la couche 22 de résistivité élevée a la type de conduction p. tf.o Ce faisant, on ne doit pas prendre en considération 70 24780 -7- 2050507 / j. *4* un substrat de type de conduction p (les combinaisons rPP et P+PP+), en raison de ce que, comme déjà mentionné, la couche à résistivité élevée n'est pas maintenue dans ces cas lors du décapage électrolytique. On dispose ainsi de deux possibilités, 5 une couche à résistivité élevée de conduction p étant donc formée sur un substrat à faible résistivité, de conduction n. (les combinaisons P+PN+ et N+PN+). Lors du décapage électrolytique, la couche à résistivité élevée 32, de type de conduction p, (voir la fig. 3)» a 10 alors uns région d'épuisement 34 du côté du matériau de substrat restant à enlever par décapage. Dans le cas où ladite couche 32 porte une couche convenablement conductrice 35 en matériau semiconductetir du type de conduction p(la combinaison P PN J» et que dans ladite 15 couche 32, la région d'épuisement 34 atteint la couche 35j il s'y produit la génération de porteurs de charge à caractère d'avalanche, de sorte que la couche 32 ainsi que la couche 35 sont susceptibles d'être attaquées. La même explication est valable dans le cas où la couche convenablement conductrice 35 20 est en matériau semiconducteur de type de conduction n (la c ombinais on N+PN+). Lorsque la couche convenablement conductrice est en métal, les explications valables sont les mêmes que dans le cas où cette couche est en matériau semiconductetir. 25 L'avantage du procédé conforme à l'invention a été démontré à l'appui de plusieurs expériences au cours desquelles une couche à résistivité élevée, de conduction n ou p, a été formée sur un substrat à faible résistivité, ladite couche étant ensuite munie d'une couche convenablement conductrice. Les résul-30 tats figurent au tableau repris ci-après. La colonne 1 de ce tableau fournit le numéro de l'expérience. La colonne 2 donne le type de conduction du silicium utilisé pour la formation de la couche à résistivité élevée, la colonne 3 l'épaisseur en ^u de la couche utilisée, 35 la colonne 4 la valeur de | nd-nA j en a^/cm3 » -*-a colonne 5 la valeur du produit d2 | et la colonne 6,enfin une indication si en présence d'une couche convenablement conductrice, la couche à résistivité élevée soit reste intacte (+) lors du décapage du substrat, soit est attaquée (-) lors de cette opéra-40 tion. 70 24780 -8- 2050507 A remarquer que les valeurs J ont été cal culées à partir de la résistivité, mesurée de manière habituelle suivant la méthode des quatre points, et de la mobilité, telle que celle-ci est connue pour des matériaux homogènes en vrac. 10 1 2 3 4 5 6 n n n P P P 10 5. 5 2 5 5 8.10 7,5.10 8.10 3,2.10 2, 2.10 3,2.10 14 13 14 15 16 .14 8.10 0,19.TO 2.10 1,28.10 55-10 0,8.10 16 16 16 16 16 16 15 La tension utilisée lors du décapage électroly tique était égale à 10 V. Le tableau permet de se rendre compte que pour les expériences 1 et 5» l'expression d2 | N-D-N^j^>2.10 est valable. En outre, on a pu constater que pour la couche à 20 résistivité élevée, l'attaque observée au cours des expériences 4 et 5 était nettement inférieure à celle au cours de l'expérience 2. Premier exemple. La fig. 4 est une coupe verticale d'un disque en 25 silicium de type de conduction n, dopé à l'antimoine et présentant line épaisseur d'environ 300 px et un diamètre de 2 cm. La résistivité du matériau de type de conduction n formant le substrat 41 est égale à 0,007 ohm.cm. Ce substrat à faible résistivité est obtenu du fait qu'un monocristal de silicium, en for-30 me de barreau, a été scié perpendiculairement à la direction longitudinale du cristal, la surface étant ensuite meulée en vue d'obtenir l'épaisseur voulue. Ensuite, le substrat subit ion traitement préalable habituel au cours duquel une face est polie à l'aide d'oxyde d'aluminium dont les grains mesurent environ 35 0.05 yU, et décapée dans de l'acide chlorhydrique gazeux mélangé avec de l'hydrogène. Au cours du dernier traitement, le substrat est porté à une température d'environ 1100°C. D'une manière connue, on élabore ensuite une couche épitaxiale 42 àrésistivité élevée sur une face du substrat, le 70 24780 -9- 2050507 matériau formant cette couche 42 étant du silicium de type de conduction n, à résistivité de 5 ohms,cm (".j | = 8.10 -). Ladite couche 42 peut être obtenue par exemple lorsqu'un mélange gazeux de tétrachlorure de silicium et d'hydrogène - auquel est 5 ajoutée une faible quantité d''hydrure de phosphore - est guidé le long du substrat 4l, porté à une température de 1050°C. Le dépôt épitaxial est continué pendant 15 minutes, et on obtient ainsi une épaisseur de couche de 15 ^u. Par oxydation dans une atmosphère d'oxygène humide à une température de 10 1100°C, on forme ensuite une couche d'oxyde de silicium 43 dans laquelle on pratique une ouverture 47 par la mise en oeuvre d'un procédé habituel de photoréservation. Ensuite, par diffusion de bore, on forme une couche 45,dopée au bore et ayant une épaisseur de 2 px. 15 De la même façon que pour élaborer l'ouverture 47, on pratique, ensuite une ouverture 44 dans la couche d'oxyde 43-A travers cette ouverture 44, on diffuse de manière habituelle du phosphore dans la couche 42 à résistivité élevée, de sorte que l'on forme une couche convenablement conductrice 46, dopée 20 au phosphore et présentant une épaisseur inférieure à 3 et une résistivité de 0,001 ohm.cm. De manière connue, on enlève le verre de phosphate et le verre de borate qui dans les ouvertures 44 et 47 ont été formés sur la couche convenablement conductrice 46 et la couche 25 45, après quoi les couches sont connectées aux pistes conductrices respectives 51 et 52. (voir la fig. 5)* La. couche convenablement conductrice 45 doit permettre un contact ohmique entre la piste 51 et la couche 42, à résistivité élevée. La couche 45 forme une jonction p-n avec taie couche 42, à résis-30 tivité élevée. A l'aide d'une cire d'abeille, le corps semiconducteur obtenu est rendu solidaire d'un support dé verre. A l'aide d'une attache en matériau synthétique résistant à l'influence de la substance HF, et réalisée par 35 exemple en polyméthacrylate de méthyll, on serre ensuite une connexion en platine contre la face 48 du Substrat. liquide décapant utilisé est formé en volume par une partie d'acide fluorhydrique concentré (50 $ gravimétriques) et 10 parties d'eau. Le bain contient également 40 une électrode en platine, formée par une toile métallique en 70 24780 -10- 2050507 platine, solidaire d'un manche en platine, dont une partie dépasse le niveau supérieur du liquide et auquel l'électrode peut être connectée électriquement. Le substrat et l'électrode sont plongés dans le bail 5 décapant, et par rapport à l'électrode, on donne au substrat un potentiel positif de 10 V. La vitesse de décapage est environ égale à 2 yU par minute. Lorsque, par le décapage du substrat 41 , le liquide décapant vient en contact avec la couche 42 à résistivité- élevée, 10 le processus de décapage s'arrête, malgré la présence de la couche convenablement conductrice 46. Ensuite, de manière connue, la couche à résistivité élevée est décapée par voie chimique, pour atteindre ainsi les couches 45 et 46. On obtient ainsi la configuration illustrée sur la fig. 5 et représentant une partie 15 d'une structure "flatland", comportant une diode. Deuxième exemple. Sur une face d'un substrat 61 (voir la fig. 6) obtenu à partir d'un monocristal, en forme de barreau, formé dans la direction cristallographique et constitué par du 20 silicium du type de conduction n, dopé à l'antimoine et présentant xme résistivité de 0,007 ohm.cm et des dimensions correspondant à celles du premier exemple, on dépose épitaxialement une couche 62 à résistivité élevée, en silicium de type de conduction p, présentant une résistivité de 1 ohm.cm ( I | = "15 \ 25 1,5-10 jusqu'a ce que cette couche epitaxiale ait une épais- seur de 5 yU. Par voie épitaxiale, cette couche 62 est munie d'une couche convenablement conductrice 63 en silicium de type de conduction n, ayant une épaisseur de 5 et une résistivité de 0,05 ohmcm. Sur la couche 63 on élabore, épitaxialement aussi, 30 une couche 64 en silicium de type de conduction n, ayant une épaisseur de 5 ^ et une résistivité de 20 ohms.cm. De manière connue, à travers des ouvertures dans une couche d'oxyde 67, on forme par diffusion dans la couche 64 les régions de base 65, de type de conduction p, et les régions d'émetteur 66, de type de 35 conduction n. Ensuite, et cela également de manière connue, les régions de base 65 sont munies de conducteurs de connexion 69 et 70, les régions d'émetteur 66 étant munies d'un conducteur de connexion 68. Comme dans le premier exemple, par la face momie de conducteurs de connexion, le corps semiconducteur est ensuite 40 collé sur une plaque de verre à l'aide d'un moyen résistant au 70 24780 -n- 2050507 produit décapant utilisé, ce moyen étant par exemple celui qui dans le commerce est disponible sous le nom "araldite". Puis, par voie électrolytique, le substrat 61 est enlevé de la manière déjà décrite. Les couches 62 et 63 ne sont pas attaquées lors de 5 ce décapage. Ensuite, par voie chimique, on enlève la couche 62 à résistivité élevée. La couche 63 convenablement conductrice, ainsi dénudée, est recouverte d'une couche de cuivre 71 déposée par voie galvanique, (voir la fig. 7)« En tout premier lieu, cette couche 71 sert de masque de décapage pour le décapage anisotrope 10 suivant. Au cours de ce dernier, par l'intermédiaire d'ouvertures dans la couche 71» on perfore de manière habituelle les couches 63 et 6b dans un bain renfermant de l'hydroxyde de potassium et de 1'isopropanol. Dans la structure de transistor représentée sur la fig. 7 et comportant des composants qui sont isolés par 15 l'air, tant la couche convenablement conductrice 63 que la couche métallique 71 servent à réduire la résistance série de collecteur de la couche 6b. La couche 71 est importante, car grâce à elle la couche 63 ne doit pas présenter une résistance trop faible, ce qui peut être avantageux lors de la formation 20 par voie d'épitaxie. Pour un contact ohmique convenable entre la couche 71 et la couche 63, la résistance de celle-ci ne peut pas être trop élevée. Troisième exemple. Au lieu de coller le substrat sur un support de 25 verre à l'aide d'un produit tel que la cire d'abeille, le substrat 81 (voir la fig. 8), avec sa .face munie de couches épi-taxiales 82 et 83 déjà munies d'un revêtement d'oxyde approprié 84, peut être muni de silicium polycristallin obtenu par dissociation d'un composé approprié, ce qui permat d'obtenir un 30 support qui en permanence reste résistant à l'influence des températures. Le procédé est identique à celui décrit dans les exemples précédents. L'épaisseur de la couche à résistance élevée, en silicium de type de conduction n est égale à 10 ^u, la résistivité de ce silicium étant égale à 5 ohms.cm ( |'N- —N I = 1 h \ 35 8.10 ). Le matériau constituant la couche convenablement conductrice 83 est du silicium de type de conduction n, a une épaisseur de 5 yii et une résistivité de 0,05 ohm.cm, et est formé épitaxialement sur la couche 82, à résistivité élevée. Par la mise en oeuvre d'un procédé habituel de photoréservation, on 2jq décape des ouvertures dans les couches 82 et 83, sous cette 70 24780 -12- 2050507 réserve que la couche 82 ne soit pas perforée. Au cours du décapage électrolytique, cette couche 82 n'est pas encore divisée en régions semiconductrices distinctes et continue donc à former un ensemble cohérent. Ensuite, par oxydation à tempéra-5 ture plus élevée^ on forme la couche 84 en oxyde de silicium. Le silicium polycristallin 85 peut être élaboré en épaisseur qui soit suffisante pour obtenir ,un ensemble autoporteur solide, l'épaisseur étant par exemple comprise entre 100 et 200 yu. Lorsque la croissance a lieu par la dissociation 10 du composé SiCl^ en présence d'hydrogène cependant que la couche à recouvrir'est à une température de 1050°C, l'épaisseur de couche croît par exemple à raison d'environ 1 yU par minute. Au cours du décapage électrolytique subséquent, le substrat 81 est enlevé cependant que sont maintenues la couche 15 82 à résistance élevée et la couche convenablement conductrice 83; puis, par voie chimique, la couche 82 est enlevée partielle-ment de façon que l'on obtienne une structure comportant des régions semiconductrices provenant des couches originales 82 et 83 et séparées l'une de l'autre par la couche d'oxyde 84. 20 D'une manière habituelle, on peut diffuser dans les régions de la couche 82 les régions de base 87 et les régions d'émetteur 86, ces régions pouvant être munies de conducteurs de connexion. Dans la structure de transistor illustrée sur la fig* 9, la couche de silicium 83 doit diminuer la résistance série 25 de collecteur. Bien que l'invention soit décrite à l'aide de formes de réalisation et d'application déterminées, le technicien pourra en réaliser de nombreuses variantes sans sortir du cadre de l'invention. 30 Le bain décapant par exemple peut répondre à d'autres compositions. Pour effectuer le décapage électrolytique sélectif, on a utilisé par exemple avec succès des bains décapants formés par des mélanges comportant en volume une partie de HF concentré (50 % gravimétriques) et 6 à 10 parties d'une so-35 lution de 200 g de NH^F dans 100 g d'eau. Comme matériau semiconducteur, on peut utiliser des matériaux autres que le silicium, par exemple le germanium. Comme matériau devant former la couche convenablement conductrice, on peut utiliser également des métaux, par exemple le 40 molybdène. 70 24780 -13- 2050507 Aux endroits où dans le présent exposé, il a été question des expressions "faible résistivité" "résistivité élevée" ou "convenablement conducteur" à l'égard «fe l'enlèvement du substrat ét de l'attaque de la couché à résistivité élevée 5 et de la couche convenablement conductrice, il importe de considérer ces notions éri ce qui concerne le comportement différent lors du décapage électrolytique, et non pas en ce qui concerne lés propriétés dans un dispositif semiconducteur., 70 24780 -14- 2050507 REVENDICATIONS ; 1 Procédé permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur, procédé suivant lequel, à la surface d'un côté d'un cdrps en matériau semiconductetir à faible résistivité, appe-5 lé "substrat" ci-après, on forme line couche de matériau â résistivité élevée, après quoi le substrat est enlevé par décapage électrôlytique sélectif, ladite couche à résistivité élevée étant conservée, caractérisé en ce qu'à la surface de la couche à résistivité élevée, on forme avant le décapage une couche en 10 matériau convenablement conducteur, séparée du substrat par le matériau à résistivité élevée, tandis qu'au matériau à résistivité élevée, situé entre le substrat et la couche convenablement conductrice, on donne une épaisseur qui est au moins égale à celle de la région d'épuisement qui pendant le décapage électoly-15 tique se forme dans le matériau à résistivité élevée. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau à résistivité élevée est du silicium, alors que ^ I ^D Na| 1,25.10^, eXpressiOI1 dans laquelle d repré sente l'épaisseur en px du. matériau à résistivité élevée entre le 20 substrat et la couche convenablement conductrice, j Njy-N | re~ présente la valeur absolue en at/cm3 de la différence entre les concentrations en donneurs (N^) et en accepteurs (N-j) dans la couche à résistivité élevée, tandis que V représente en volts la tension utilisée lors du décapage électrolytique. 25 3* Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce d2 | N-.-N [ 15 que » D Al ->2.10 . V —' 4. Procédé selon les revendications 2 ou 3, caractéri sé en ce que l'épaisseur de la couche à résistivité élevée est au moins égale à 5 /U. 30 5- Procédé selon l'une des revendications 2 à 4, ca ractérisé en ce que la couche à résistivité élevée a le type de conduction n et une résistivité au moins égale à 1 ohm.cm. 6. Procédé selon l'une des revendications 2 à 4, ca ractérisé en ce que la couche à résistivité élevée a le type de 35 conduction p et une résistivité au moins égale à 0,5 ohmcm. 7' Procédé selon l'une des revendication 2 à 6, ca ractérisé en ce que la résistivité de la couche à résistivité élevée est au maximum égale à 10 ohms.cm. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7» 40 caractérisé en ce qu'après le décapage électrolytique, au moins 70 24780 -15- 2050507 wne partie de la couche à résistivité élevée est enlevée par un décapage chimique. 9. Dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre d'un procédé selon l'une des revendications 1 à 8.