Brevet FR2037152A1 — publié le 19701231

, 2037152 La présente invention concerne un procédé de fonctionnement et un dispositif comprenant un système de mémoire à matrice magnétique, à accès aléatoire, organisé par bits et à lecture non destructive. Cette mémoire est très compacte. La mémoire comprend une pellicule ferro-5 magnétique continue oligo-atomique (autrement dit une pellicule qui est trop mince pour comprendre des cloisons de Bloch ou des cloisons à liaisons transversales, mais qui possède des cloisons de ÎTeel). Cette pellicule a la propriété d'anisotropie uniaxiale. Cette propriété procure un axe préférentiel de magnétisation dans le plan du film, axe • 10 selon lequel la magnétisation émanant de la pellicule peut être alignée •dans l'un ou l'autre de deux états d'information opposés, et un axe non préférentiel de magnétisation qui est également dans le plan de la pellicule et qui est perpendiculaire au précédent, la pellicule oligoatomique est encore caractérisée par un seuil élevé de démagnétisation lente 15 et une limite élevée de réversibilité L'écriture est accomplie en appliquant à une petite aire de la pellicule (cette aire se trouvant à l'intersection d'une ligne de mot et d'une ligne de bit) deux champs orthogonaux dans le plan de la pellicule à savoir : par la ligne de mot un champ alternatif selon l'axe 20 non préférentiel, de fréquence f, à une amplitude inférieure à la limite de réversibilité de l'aire de mémoire ; par la ligne de bit un champ à courant continu selon l'axe préférentiel, d'amplitude inférieure à la force coercitive de l'aire de mémoire. Si les zones de mémoire étaient antérieurement magnétisées dans la direction opposée à la direction du 25 champ de commande selon l'axe préférentiel, cettç'aire de mémoire est remagnétisée dans la direction du champ de commande selon un processus dit de rotation séquentielle facilitée par les champs parasites. Pour réaliser la lecture non destructive de l'aire de mémoire, on lui applique le même, champ de commande selon l'axe non préférentiel 30 que dans l'opération d'écriture et l'on détecte sur une ligne de sortie qui est parallèle à l'axe non préférentiel un signal de sortie de fréquence 2f. Le signal de sorti^fest comparé par un amplificateur différentiel accordé au signal de sortie fourni par une aire voisine de référence. La magnétisation de cette aire de référence se trouve toujours 35 dans le même état et il en résulte que le signal différentiel de sortie de l'amplificateur de lecture est grand ou petit selon la valeur de l'information contenue dans l'aire de mémoire intéressée. L'expression pellicule oligoatomique a été utilisée pour la - première fois par U. Gradmann (15ème congrès annuel sur le magnétisme 70 07563 2 2037152 et les matériaux magnétiques, 1968, communication DB-A, à paraître dans le numéro d'avril 1969 du "Journal of Applied Physics", voir également le "Journal of Applied Physics" 39, p. 1379 (1968)), lors de son exposé 0 concernant ses travaux sur les pellicules d'épaisseur supérieure à 2 A 5 et inférieure à 200 A (il s'agit de pellicules ayant un petit nombre de couches d'atomes). Ces pellicules ferro-magnétiques oligo-atomiques ont des propriétés qui sont très différentes de celles des pellicules plus épaisses. Non seulement elles sont trop minces pour qu'il puisse y avoir des cloisons de Bloch (voir les définitions plus loin) mais 10 elles sont encore trop minces également pour avoir des parois à liaisons' o transversales comme il en existe dans les pellicules de 250 à 1000 A d'épaisseur. Dans les pellicules oligoatomiques, on ne trouve que des cloisons de Neel. Par conséquent, le mécanisme particulier de déplacement progressif des cloisons qui a lieu dans le cas des cloisons à 15 liaisons transversales ne s'applique pas aux pellicules oligoatomiques, (voir les résumés du 14ème"congrès annuel sur le magnétisme et les matériaux magnétiques, 1968, communication D-E-2 ; numéro d'avril 1969 du "Journal of Applied Physics".) Il en résulte que le seuil d'appari-■ tion de ce déplacement progressif des cloisons est considérablement 20 plus élevé pour les pellicules oligoatomiques que pour les pellicules plus épaisses ayant des cloisons à liaisons transversales, ou même pour des pellicules encore plus épaisses qui ont des cloisons de Bloch ou des cloisons dites intermédiaires. Dans le cas des pellicules oligo-atomiques le seuil de dépla-25 cernent des cloisons est assez proche du seu.il de commutation de rotation, même s'il est inférieur. Il y a encore d'autres différences entre les pellicules oligoatomiques et les pellicules plus épaisses : Dans les pellicules oligoatomiques on peut avoir des cloisons à 360° (voir "360° WëLndè in magnetischen Schichten" par Peldtkeller et Liesk dans "Zeit. 30 fur Angew. Physik 14, pp, 195-199 (1962)) alors que dans les pellicules plus épaisses il n'y en a pas. Dans les pellicules d'épaisseur supé- O • rieure à 1000 A, on peut avoir un phénomène gyromagnétique intitulé "Wall streaming" (journal of Applied Physics 39, pp. 863-964, Février 1968). Dans les pellicules de ce genre le-seuil de"déplacement est 35 abaissé lorsque les impulsions du champ de commande selon 'l'axe non préférentiel ont des temps de montée inférieurs-à 20 ns. Cela n'est pas le cas pour les pellicules-oligoatomiques. Dans les pellicules plus épaisses on ne peut faite' 'tourner alternativement la magnétisation que 70 07563 3 2037152 de 30° sans déterminer un affaiblissement du signal de sortie. Dans le cas des pellicules oligoatomiques, cet angle atteint presque 90°. Dans les pellicules' oligoatomiques, on a observé un mode de commutation brusque très rapide qui n'a pas été observé dans le cas des 5 pellicules plus épaisses. Il s'est avéré que les pellicules oligo-^ato-miques commutaient sous l'action combinée d'un champ alternatif de commande selon l'axe non préférentiel à la fréquence de 140 MHz, d'amplitude trop faible pour causer par lui-même une quelconque commutation, et d'une impulsion selon l'axe préférentiel de magnétisation d'une am-10 plitude valant les deux tiers de la force coercitive de la pellicule et d'une durée de 120 ns. Ce temps de commutation de 120 ns est supérieur • à celui que l'on rencontre dans le cas de la commutation de pure rotation ; par contre, il est très inférieur aux temps de commutation correspondants à des mouvements de cloisons ou à des déplacements progres-15 sifs de cloisons (autrement dit à un phénomène de déplacement des cloisons qui se produit sous la combinaison d'un champ de commande à courant continu selon l'axe préférentiel et d'un champ oscillant ou impulsionnel selon l'axe non préférentiel. On trouvera un article récent . sur les théories de ces déplacements progressifs, par Wolfgang Kayser, 20 IEEE, Transactions on Magnetics, Volume Mag 3^/2, Juin, 1967, page 141-157). De mode brusque de commutation par rotation progressive (par échelons discrets) observé avec les pellicules oligoatomiques est interprété par les inventeurs comme une "rotation' séquentielle facilitée' par les champs parasites" : la variation du champ de commande selon l'axe 25 non. préférentiel en présence d'un champ de commande invariant selon l'axe préférentiel détermine l'apparition d'une charge magnétostatique sur les cloisons entre les domaines et cette charge donne lieu à un champ magnétique parasite qui provoque la commutation rotationnelle de certaines régions de la pellicule qui n'ont pas commuté. Lors de l'in-30 version du champ selon l'axe non préférentiel, une charge nouvelle est formée à la fois sur les nouvelles et les anciennes cloisons entre les domaines et cette nouvelle charge produit un nouveau champ parasite qui fait commuter par rotation de nouvelles aires de la pellicule, et ainsi de suite. Au microscope;électronique ces aires nouvellement com-35 mutées apparaissent comme des domaines en "pointe" et ressemblent dans une large mesure aux domaines qui sont formés sur le bord de la pellicule par le champ de démagnétisation. Cette commutation par rotation pro-- gressive facilitée par les champs parasites des pellicules oligoatomi- 70 07563 4 2037152 ques est importante car elle permet d'obtenir la commutation à un seuil qui est inférieur au seuil de commutation de rotation, tout en étant suffisamment rapide pour que le temps de commutation de la pellicule ne soit pas beaucoup plus long que le temps de sélection des circuits 5 électroniques associés. La présente invention concerne les systèmes de mémoire magnétique qui sont utilisés dans les systèmes de traitement électronique de l'information, et plus particulièrement les systèmes de mémoire qui font appel à une pellicule ferromagnétique mince comme organe de stoc- • 10 kage de l'information. Ces pellicules peuvent être fabriquées selon le brevet américain 2 900 282 de S M. Rubens et assemblées en un agence-' ment de mémoire tridimensionnelle selon les brevets américains N° 3030 i et 3 155 561. Le qualificatif de "magnétisable" s'applique à une substance dont la densité du flux magnétique rémanent est essentiellement 15 élevée, autrement dit proche de la densité de flux à la saturation magnétique. En outre, de telles pellicules offrent la propriété de l'aniso-tropie uniaxiàle, avec un axe de magnétisation préférentiel dans le - plan de la pellicule, selon lequel la magnétisation rémanente se trouve 20 alignée dans une première et dans une seconde direction opposée. Des systèmes 'de mémoire faisant appel à une technique de sélection à deux fréquences radio pour la lecture des pellicules ferromagnétiques minces ont été décrits dans les deux publications suivantes : "System and Fabrication Techniques for a Solid State Random Access Mass 25 Memory" H.W. Fuller et al, Proceedings of the Intermag Conférence, 1964, pages 5—51 à 5-5-4, et "Instrument for Observation of Magnetization Vector Position in Thin Magnetic Films" C.J. Bader et al, The Review of Scientific Instruments, Volume 33, N° 12, Décembre 1962, pages 1429 à 1435. Il est proposé d'utiliser des fréquences de sélection f^ et 30 respectivement selon l'axe X et selon l'axe Y, grâce à quoi seul l'élément de mémoire qui se trouve à l'intersection des lignes X et Y est activé concurremment par les deux signaux à haute fréquence. L'élément "de mémoire en question se comporte comme un'taélangeur" non linéaire produisant une composante à la fréquence d'addition f1 + f2> La phase 5 du signal de sortie à la fréquence d'addition est égale à zéro ou TC radians selon la valeur de l'information contenue dans l'élément•"de la mémoire, autrement dit selon que cet élément contient un "1" ou un "0". La phase du signai de sortie est détectée par comparaison avec un signa! 70 07563 2037152 de référence de fréquence f^ + f^ qui est obtenu à partir des mêmes sources que les champs de commande de la lecture, et le signal, de sortie du détecteur de phase est une impulsion qui est positive ou négative selon l'information contenue dans l'élément de mémoire. 5 Dans le brevet américain n° 3 418 645 de Fussell on décrit une mémoire à lecture non destructive qui est organisée par mots. Etant Sonné que, dans ce cas, on utilise des pellicules minces ordinaires et non point des pellicules oligoatomiques, il faut recouriri pour l'écriture à un premier champ de commande à haute fréquence selon l'axe 10 non préférentiel dont l'amplitude excède le seuil de rotation des pellicules associées (discrètes), en coïncidence avec un champ de commande selon l'axe de magnétisation préférentielle par les lignes de bit ; la lecture non destructive étant réalisée avec un second champ de comman de selon l'axe non préférentiel, qui est différent du premier et dont 15 l'amplitude ne dépasse pas la limite de rotation des pellicules associées. le résultat, c'est que pour faire commuter la magnétisation d'un petit nombre de pellicules associées (ou de bits) selon une ligne • de mots qui est couplée par induction avec un grand nombre de pellicules 20 associées, il est nécessaire de détruire l'information dans un grand nombre de pellicules qui sont associées avec la ligne de mots. Inversé-ment, dans le cas de la pellicule oligoatomique, on utilise la même amplitude du champ de commande selon l'axe non préférentiel pour la lecture non destructive que pour l'écriture. C'est ainsi que l'aire de 25 mémoire correspondant à un seul bit parmi un grand nombre peut être commutée sans effacer l'information dans aucun des bits avoisinants. C'est pourquoi on dit que la mémoire à pellicule oligoatomique est organisée par bits. Comme les pellicules qui sont décritès dans le brevet 3 418 645 précité peuvent comporter des parois de Bloch ou des 30 parois à liaisons'transversales, la limite de réversibilité est faible. Il est notamment dit dans ce brevet : "L'expérience montre que pour garantir la restauration cohérente du vecteur M, l'angle de rotation devrait être inférieur à 20°. Inversément, dans les pellicules oligo atomiques, l'angle correspondant atteint presque 90°. Une autre différen-35 ce entre le brevet précité et la présente invention réside dans le procédé de lecture. Dans le système antérieurement connu, on utilise la détection de phase, alors que dans le mode préféré de réalisation de la mémoire à pellicule oligoatomique selon l'invention dans laquelle on 70 07563 6 2037152 utilise des lignes très étroites et où la pellicule est continue (afin d'éviter les problèmes d'alignement) l'aire de la pellicule dont la magnétisation est commutée (autrement dit l'aire commutée) a une dimensic suffisamment inférieure à l'aire intéressée par la lecture (autrement 5 dit l'aire de mémoire) pour que le signal de sortie de l'aire de mémoiî ne change pas en général de phase après la commutation. Dans ces conditions, on utilise un bit de référence, autrement dit une aire de référence. Un autre avantage des pellicules oligoatomiques réside dans le fait que leur champ de démagnétisation est très petit ce qui permet de 10 réaliser des mémoires très compactes. De tout ce qui précède, il ressort que l'invention vise une combinaison essentiellement différente de celle des antériorités signalées ci-dessus et procure un système amélioré de mémoire qui est très peu coûteux et qui' convient particulièrement bien à la réalisation des modules de grande capacité. 15 DEFINITIONS Pellicule oligoatomique : o o Pellicule dont l'epaisseur est comprise entre 2A et 200 A ; pellicule qui est trop mince pour qu'elle puisse présenter des cloisons de Bloch ou des cloisons à liaisons transversales. 20 Cloisons : Région de transition entre des domaines, dans laquelle la magns tisation change rapidement d'orientation en fonction de la distance. o La plupart des cloisons ont .une largeur inférieure à 20 000 A dans le cas des pellicules minces. 25 Cloison de Bloch" : Cloison dans laquelle tous les pôles magnétiques sont à la surface de la pellicule. Ce type de cloison est courant dans les pelli- , , o cules dont l'epaisseur est supérieure à 1000 A'. ( voir Journal of Applied Physics, ^6, pp. 1394-99, Avril, 1965, FIG-. 2). 30 Cloison de Neel : Cloison dans laquelle la magnétisation est toujours dans le plan de la pellicule, les pôles magnétiques se trouvant, à l'intérieur de la cloison et non point à la surface.(voir Journal of Applied Physics, ]56, pp. 1394-1399, Avril, 1965, FIG. 1). 35 Cloison intermédiaire : Cloison comportant en superposition des composantes de Bloch et des composants de Neel, les pôles étant à l'intérieur de la cloison et aussi à la surface (See Journal of Applied Physics, Jjî, pp. 1394-1399, Avril/1965.) 70 07563 7 2037152 Cloison à liaisons transversales : Cloison ayant alternativement des segments de cloison de îîesl de polarités alternées. Ces segments de cloisons de Neel sont séparés par de- très courts segments de cloisons de Bloch qui sent appelés 5 lignes de Bloch. A une ligne de Bloch sur deux est associée une liaison transversale. Une liaison transversale est un court segment de cloison de Neel qui est perpendiculaire à la cloison principale, (voir Journal of Applied Physics, 2Ç), p. 294 (1958) ou Journal of Applied Physics, 30, page 82S, Avril, 1959). 10 Champ transversal : Champ qui est parallèle à l'axe non préférentiel de magnétisation. . Champ longitudinal : Champ qui est parallèle à l'axe préférentiel de magnétisation. 15 Limite de réversibilité : L'amplitude maximale du champ de commande selon l'axe non préférentiel de magnétisation qui, après des applications répétées ne produit pas de changement de la magnétisation rémanente de la pelli-• cule. Intersection du seuil de magnétisation par déplacements progressifs 20 des cloisons avec l'axe du champ de commande selon l'axe non préféren- ; tiel. (voir la figure'3)• Axe préférentiel de magnétisation : Axe qui est situé dans le plan de la pellicule de telle sorte que le vecteur de magnétisation soit à l'état d'énergie minimale lorsqu' 25 il est parallèle à cet axe. Les pellicules sont déposées avec soin en présence d'un champ magnétique et la direction de ce champ détermine (avec de légères déviations locales) la direction de l'axe préférentiel de magnétisation. Axe non préférentiel de magnétisation : 30 Axe qui se trouve dans le plan de la pellicule de telle sorte que la magnétisation (toujours dans le plan de la pellicule) soit en état d'énergie maximale (à la saturation) lorsqu'elle est parallèle à cet axe. (voir la définition précédente). L'axe non préférentiel de magnétisation des pellicules dont il est question ici est toujours 35 perpendiculaire à l'axe préférentiel de magnétisation. Champ d'anisotropie : Une pellicul^erromagnétique est à l'état d'énergie minimale lorsque le vecteur de magnétisation (dans le plan de la pellicule) 70 07563 8 2037152 est parallèle ou antiparallèle à la direction préférentielle de magnétisation. La magnétisation peut être amenée à tourner dans la direction non préférentielle qui est également dans le plan de la pellicule mais qui est perpendiculaire à la direction préférentielle. Le champ magnéti-5 que (en Oersteds) qui est nécessaire pour faire tourner la magnétisatior. moyenne dans la direction non préférentielle est égal à la somme du champ d'anisotropie et du champ de démagnétisation. Champ coercitif, Hq : Le champ coercitif est le champ qu'il'faut appliquer selon la 10 direction préférentielle, en opposition avec la magnétisation existante, pour faire commuter -la moitié de la magnétisation de la pellicule dans l'état rémanent maximal (pour inverser la moitié de la magnétisation) par un mouvement des cloisons entre les domaines. Seuil de commutation : 15 Lieu du champ qui est nécessaire pour .déterminer la commuta tion. On distingue quatre seuils différents de commutation : le seuil de commutation par rotation, le seuil de commutation par mouvement des cloisons, le seuil de commutation par déplacement progressif des cloisons et enfin le seuil de commutation par rotation progressive. 20 Commutation par rotation : Processus de commutation dans lequel le vecteur de magnétisation tourne de façon cohérente et homogène dans toutes les parties de la pellicule pour venir se placer dans la direction opposée. C'est le mode de commutation le plus rapide (voir la figure 3). 25 gouvernent des cloisons : Si des parties-différentes de la pellicule sont magnétisées dans des directions différentes, elles sont séparées par une cloison qui est une région dans laquelle la magnétisation passe d'une direction à une autre sur une très courte distance. Sous l'affluence d'un champ 50 appliqué de l'extérieur, la cloison peut se déplacer en provoquant l'agrandissement d'un domaine et la réduction d'un autre. C'est le phénomène du mouvement des cloisons. Déplacement progressif des cloisons : Le déplacement progressif de la magnétisation est un processus >5 dans lequel les parois- sont déplacées par l'action combinée d'un champ continu de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation et d'un champ variable,. constitué'par des impulsions unipolaires ou bipolaires (ou sinusoïdales) selon l'axe non préférentiel de magnétisation. Dans 70 07563 9 2037152 ce processus, la charge magnétostatique qui est accumulée sur une cloison par les rotations inégales de la magnétisation de part et d'autre de ladite cloison, produit un champ magnétique qui contribue à déplacer la cloison. 5 Rotation séquentielle facilitée par les champs parasites : Il s'agit d'un processus de commutation qui est plus rapide que la commutation par mouvement des cloisons ou par déplacement progressi: des cloisons mais qui est plus lent que la rotation homogène. Ce processus se produit grâce à la combinaison d'un champ de commande à haute 10 fréquence selon l'axe non préférentiel de magnétisation et d'un champ continu de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation. On pense qu'il s'agit d'un processus dans lequel les charges magnétostatique s oscillantes qui sont induites dans les cloisons par les rotations inégales de la magnétisation de part et d'autre de la cloison déterminent un 15 champ parasite oscillant qui, lorsqu'il est additionné au champ oscillan appliqué détermine la commutation par rotation des zones avoisinantes non commutées. Commutation par rotation progressive : On utilisera ci-après cette expression abrégée pour parler de 20 la commutation par rotation séquentielle facilitée par les champs parasites (voir ci-dessus). Champ de démagnétisation : Champ émanant des pôles sur les bords de la pellicule ou sur les frontières d'un domaine. Ce champ est appelé champ de démagnétisation. 25 car il tend à démagnétiser (ou à inverser partiellement la magnétisation] la pellicule. Lecture non destructive : Dans ce système de lecture, le bit peut être lu de façon répétée sans qu'il y ait lieu de le réécrire. 30 Sélection ou organisation par bits : On dit qu'une mémoire est organisée par bits lorsqu'il est possible de faire commuter un bit quelconque de l'ensemble (par -sélection X-Y) sans perturber aucun de ses voisins. Organisation par mots : 35 On dit qu'une mémoire est organisée par mots lorsque tous les bits constituant un mot sont disposés selon un conducteur de commande unique qui transporte un courant suffisant (à l'occasion d'un cycle d'écriture) poux détruire l'information sur tous les bits placés le long de ce conducteur. 70 07563 2037152 Bits : Aires de mémoire contenant un êLément unique de stockage de l'information. On décrira maintenant le principe de l'invention. 5 L'élément de mémoire selon l'invention comprend une zone magné tiquement définie d'une pellicule ferromagnétique oligoatomique (continue dans une direction au moins) qui présente une anisotropie uniaxiale garantissant un axe préférentiel de magnétisation qui est contenue dans le plan de la pellicule et selon lequel la magnétisation de la 10 pellicule peut être alignée de façon à être soit parallèle soit antiparallèle à cet axe préférentiel. Un axe de magnétisation non préféren-' tiel est perpendiculaire à l'axe préférentiel de magnétisation, dans le plan de la pellicule. L'écriture est réalisée en appliquant à une petite aire de 15 mémoire qui se trouve à l'intersection d'une ligne de mot et d'une ligne de bit la combinaison de deux champs, à savoir : un champ de commande qui est fourni par la ligne de mot selon l'axe non préférentiel et qui est un champ alternatif à la fréquence f et avec une amplitude qui est inférieure à la limite de réversibilité de l'aire de mémoire 20 considérée, et un champ continu de commande qui est dirigé selon un axe préférentiel, qui est'fourni par la ligne de bit et dont l'amplitude est inférieure à celle du champ coercitif'de l'aire de mémoire. Si la magnétisation était antérieurement en l'état opposé à la direction du champ fourni par la ligne de bits, la zone de mémoire est commutée 25 (remagnétisée) dans l'état de sens opposé par rotation progressive facilitée par les champs parasites. La direction de la magnétisation rémanente qui en résulte dépend de la polarité du champ continu de commande selon l'axe préférentiel. Il y a lieu de remarquer que cette opération d'écriture correspond, à un mode d'organisation par bits à 50 deux fils. La lecture non destructive est accomplie en appliquant le même champ de commande selon l'axe non préférentiel à l'aire de mémoire et en détectant, sur une ligne de lecture alignée avec l'axe non préférentiel, un signal de sortie de fréquence 2f. Dans le mode préféré de 35 réalisation de l'invention, le signal en provenance de l'aire de mémoire interrogée et le signal en provenance d'une aire de référence (dans laquelle la magnétisation est toujours dans le même sens de reférence) sont envoyés à ion amplificateur différentiel accordé de lecture. Si 70 07563 „ 2037152 l'aire de mémoire qui est interrogée porte la même valeur d'information que l'aire de référence, le signal de sortie de l'amplificateur différen tiel vaut zéro. On dira donc que l'aire de mémoire interrogée se trouve à l'état "0". Si l'aire de mémoire interrogée porte la valeur d'infor-5 mation opposée} le signal de sortie de l'amplificateur différentiel accordé est différent de zéro et l'on dira que l'aire de mémoire interrogée est à l'état "1". Si l'on utilise des portes de "bas niveau sur les lignes de lecture des aires de mémoire et des aires de référence, le nombre des lignes de lecture des aires de référence et le nombre des 10 amplificateurs de lecture peuvent être très inférieurs à celui des lignes de lecture des aires de mémoire. L'invention sera décrite ci-après de façon plus détaillée en se référant aux dessins ci-annexés, lesquels sont fournis à titre purement illustratif et non limitatif et dans lesquels : 15 - la figure 1 montre schématiquement un mode préféré de réali sation de l'invention. - la figure 2 illustre une coupe transversale de l'élément de mémoire selon la figure 1, cette coupe étant pratiquée selon la ligne 2-2. 20 - la figure 3 montre une partie du graphique de commutation de l'aire de mémoire selon la figure 1. - lia figure 4 montre l'ensemble du graphique de magnétisation, avec les. champs de commande correspondants. - la figure 5 montre schématiquement .un système de mémoire à 25 deux mots et deux bits par mot selon liinvention. - La figure 6 montre un autre mode possible de réalisation de l'invention. La figure 1 illustre un mode préféré de: réalisation de l'invention. Dans ce mode préféré de réalisation de l'invention, on utilise, 30 pour constituer l'organe de stockage, une pellicule ferromagnétique mince et continue 10 en un alliage comprenant approximativement 81 % ■ de nicM. et 19 $ de fer, l'épaisseur de la pellicule étant par exemple o de 100 A. L'épaisseur de la pellicule 10 est limitée à des valeurs suf- 0 0 fisamment faibles (de l'ordre de 50 A à 250 A) pour que l'on ne puisse 35 avoir entre les domaines magnétiques des cloisons de Bloch ou des cloisons à liaisons transversales, ladite pellicule présentant la propriété de l'anisotropie uniaxiale, avec dans le plan de la couche 10, un axe préférentiel de magnétisation 11 qui est parallèle à l'axe 12. Perpendicu- 70 075.63 12 2037152 lairement à l'axe 12 et dans le plan de la couche 10 se trouve un axe 14 qui est parallèle, ainsi que cela est bien connu avec l'axe non préférentiel de magnétisation de la couche 10. Une ligne de mot 16 dont l'a longitudinal est parallèle à l'axe 12 est couplée par inductance avec 5 la couche 10. Une ligne 18 de commande de bit et de lecture est couplée inductivement avec la couche 10, la ligne de commande 16 étant prise en sandwich entre les deux. L'axe longitudinal de la ligne de lecture 18 es parallèle à l'axe 14. Lorsque la source 22 envoie, par l'intermédiaire de l'interrupteur 24 le signal approprié de courant à la ligne de com-10 mande 16, il en résulte autour de la ligne de commande 16 un champ alternatif de commande de fréquence f, ayant dans'-l'raire de mémoire 20 une intensité qui est inférieure à la limite de réversibilité de l'aire de mémoire 20, ce champ à courant alternatif étant dirigé transversalement par rapport à l'axe préférentiel de magnétisation de la cou-15 che 10. Par conséquent, on peut dire que le champ de commande qui est fourni par la ligne excitée de commande 16 est un champ de commande selon l'axe non préférentiel de magnétisation. Lorsque la source 26 fournit, par l'intermédiaire de l'interrupteur 28, un signal adéquat de courant à la ligne de commande' 18, il en résulte dans la région de 20 l'aire de mémoire 20 un champ de commande à courant continu d'une première polarité, ou d'une seconde polarité opposée à la précédente, ce champ étant orienté parallèlement à l'axe préférentiel de magnétisation de la couche 10 et présentant dans la zone de l'aire de mémoire 20 une intensité qui est inférieure à celle du champ coercitif Hn de l-'aire 25 de mémoire 20. Par conséquent le champ de commande qui est fourni par la ligne de commande 18, lorsque celle-ci est alimentée, peut être appelé champ de commande selon l'axe préférentiel. Initialement, la couche 10 est saturée.dans la totalité de sa . dimension planaire selon une direction donnée le long de son axe préfé-30 rentiel de magnétisation 11. Aux fins de la présente discussion, on admettra que la magnétisation de la couche 10 est orientée initialement de bas en haut selon son axe préférentiel de magnétisation 11, comme cela est représenté par la flèche 11a. Lorsque le champ alternatif de commande selon l'axe non préférentiel qui est fourni par la ligne de 35 commande 16 et le champ continu de commande de la première polarité qui est fournie selon l'axe préférentiel de magnétisation par la ligne de commande 18 sont appliqués concuremment à l'aire de mémoire 20, le champ continu de la première polarité selon l'axe préférentiel remagnétise ou fait commuter la magnétisation de l'air commutée 21 en amenant' sa magnétisation selon une direction de haut en bas i long de l'axe préférentiel. 70 07563 , 13 2037152 comme cela est indiqué par le vecteur 11 "b. Inversement, lorsque l'aire de mémoire 20 est soumise concuremment au champ alternatif de commande selon l'axe non préférentiel et au champ continu de commande selon la seconde polarité qui est opposée à la première polarité, la magnétisait tion 'le l'aire de mémoire 20 n'est pas modifiée ou commutée et elle res te par conséquent avec sa direction initiale vers le haut, comme cela est indiqué par le vecteur 11a. Etant donné la magnétisation de la cou.-che 10 dans les environs de l'aire de mémoire 20, l'effet de commutatio résultant de l'application à coïncidence du champ alternatif de command 10 selon l'axe non préférentiel et du champ continu de commande de premièr polarité selon l'axe préférentiel, est tel que la dimension de l'airé de commutation 21 est inférieure à la dimension de l'aire de mémoire 20 Cette différence de dimension se traduit lors de la lecture d'un "1" ou d'un "0" par une différence dans l'amplitude des signaux de sortie. 15 la ligne de commande de "bit et de lecture 18 est reliée par un interrupteur 32 avec un amplificateur accordé de lecture 30, l'accord étant réalisé sur une fréquence 2f valant deux fois la fréquence f du champ de commande selon l'axe non préférentiel qui est fourni par la source 22 et la ligne de commande 16. En outre, la ligne de commande 16 20 est reliée à une impédance 34 dont la valeur est quelque peu inférieure à l'impédance caractéristique de la ligne 16, de telle sorte que le courant de la ligne 16 soit le même partout. La figure 2 montre une coupe-du dispositif selon la figure 1, cette coupe étant pratiquée transversalement selon la ligne 2-2. L'ob-25 jet de cette figure est d'illustrer tout particulièrement la relation de superposition entre la couche 10, la ligne de commande 16 et la ligne de « commande 18. Etant donné les dimensions typiques des éléments du mode de réalisation selon la figure 1, il y a lieu de remarquer que la figure 2 ne vise pas à mettre en évidence les dimensions relatives des différents 50 éléments. On notera en outre que seuls les éléments actifs sont montrés, étant entendu qu'il faut d'autres éléments, par exemple un support pour la couche 10, et des couches isolantes pour séparer la couche 10, la • ligne de commande 16 et la ligne de commande 18, si l'on veut obtenir une réalisation propre à fonctionner effectivement. 35 Afin de donner une. idée des dimensions qui peuvent effective ment entrer en ligne de compte, on fournira les indications suivantes : Support constitué par une couche de cuivre obtenu par photogravure et re-, couverter'de SiO, l'épaisseur de cette couche de cuivre étant d'environ 1 /10 de 1 O Couche 10 ayant une épaisseur de 200 A. Ligne de commande 16 : bande de 0 cuivre de 0,04 mm de largeur et de 5 microns d'épaisseur. Ligne de commande 1.8 : bande de cuivre de 0,1 mm de largeur et de 5 microns d'épaisseur. 70 07563 14 2037152 Isolation constituée par une feuille de mylar (téréphtalate de polyétïr lène) d'environ 10 microns d'épaisseur. Les différents éléments sont assemblés dans le plan final de même par une substance adhésive adéquate. 5 Avant d'examiner en détail le fonctionnement du dispositif selon la figure 1, il convient de se référer à la figure 3. Afin de comprend! les mécanismes de commutation qui sont impliqués dans le fonctionnement de la couche 10 lorsque celle-ci est entraînée par les sources 22, 26, on a fait figurer sur la figure 3 une partie du graphique de commutatic 10 de l'aire 21 de la figure 1. La figure 3 montre les caractéristiques de commutation de l'aire 21 de la couche 10 lorsque celle-ci est soumise à un champ de commande H^, selon la direction de l'axe non préférentiel, autrement dit selon la direction transversale, et à un champde commande H selon la direction préférentielle, autrement dit selon la direction L 15 longitudinale. Les définitions de ces caractéristiques de commutation sont en elles-mêmes bien connues et par conséquent il n'en sera pas question en détail. Toutefois pour des renseignements généraux on pourr; se référer au texte intitulé "Amplifier and Memory Devices : With Films and Diodes" (amplificateur et dispositifs de mémoire : avec pellicules 20 et diodes) N.S. Pryves, Editeur : Me G-raw - Hill Book Company, 1965, ch; pitre 13, pages 225, 244, et plus spécialement fig. 13-4 page 231. Lors 25 Sur la figure 3 on trouve les- éléments suivants : a) - la région « 111 où ne se produit aucune commutation et qui est limitée par les deux axes H,p/Hg et et par le seuil 112 de commutation par déplacement progressif des cloisons. Une autre zone intéressante est la zone 113 de commutation par déplacement progressif des cloisons. Cette zone est déli 30 mitée par .le seuil 112 précité, par le seuil 114 de mouvement des cloi-' sons et par le seuil 115 de commutation par rotation progressive (ainsi que par l'axe c) Enfin une troisième zone 116 est appelée région de commutation par rotation progressive et elle est délimitée par le seuil 114 de mouvement des cloisons par le seuil de commutation par 35 rotation progressive 115 et le seuil de commutation par rotation 117. On peut encore voir sur cette figure la région de commutation par mouvement des cloisons 118, et la région de commutation par rotation 119. En ce qui concerne plus précisément la figure 3, "on fournira les définitions suivantes : 40 a) - champ de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation H^. Il 70 07563 15 2037152 s'agit du champ de commande qui se trouve dans le plan de la couche 10 et qui est orienté de façon essentiellement parallèle à l'axe préférentiel de magnétisation de la couche, autrement dit longitudinalement. b) - Champ de comcande selon l'axe non préférentiel de magnétisation H^. 5 II s'agit du champ de comnande qui se trouve dans le plan de la couche 10 et qui est orienté de façon essentiellement perpendiculaire à l'axe préférentiel de magnétisation, autrement dit transversalement. c) - Champ coercitif H^. Il s'agit du champ de commande qui, dans le .plan de la couche 10 est orienté de façon essentiellement antiparallèle, 10 autrement dit en opposition par rapport à la magnétisation rémanente de •s la couche selon son axe préférentiel, et qui a l'amplitude nécessaire pour faire commuter la moitié de la magnétisation de la couche par mou-• veinent des cloisons, d) - Champ d'anisotropie H^.. La couche 10 se trouve à l'état d'énergie minimale lorsque le vecteur de magnétisation de 15 ladite couche se trouve à l'alignement (dans le plan de la couche). Seloi une première direction, ou selon une seconde direction qui est- opposée à la précédente, avec l'axe de magnétisation préférentielle de la couche. La magnétisation de la couche peut être amenée à tourner dans le p^an de. la couche de façon à être essentiellement alignée avec son axe non préfé-20 rentiel qui est perpendiculaire à l'axe préférentiel de magnétisation. L'intensité du champ (en Oersteds) qui est nécessaire pour amener par rotation le vecteur dé magnétisation moyenne de la couche à l'alignement' avec l'axe non préférentiel de magnétisation de la couche, est égale à la somme des intensités respectives du champ d'anisotropie et du champ 25 de démagilétisation. e) - Champ de démagnétisation-H^. Il s'agit-du champ qui est produit par les pôles libres au bord de la couche 10 ou à la fron tière d'un domaine à l'intérieur de la couche. Ce champ est appelé champ' de démagnétisation car il tend à démagnétiser pu à inverser partiellement 3 la magnétisation de la couche, f) - Limite de réversibilité. Il s'agit I 30 de l'intensité maximale,, dans l'aire de la couche 10, du champ de comman--de H^, selon l'axe non préférentiel de'magnétisation qui ne détermine pas.! après son application répétée, de commutation irréversible de la magnétisation de la couche. On se référera maintenant à la figure 4 qui montre le diagramme 35 de commutation de l'aire -21 de 1 £• figure 1 avec les chaaps de commande correspondants. Ainsi que c=la a été indiqué précédemment, l'élément de mémoire selon l'invention utilise comme organe de stockage une pellicule ferromagnétique mince et continue qui n'est pasr/suffisamment épaisse pour présenter des cloisons de Bloch ou des cloisons à liaisons trans-1 40 versales entre les domaines et qui offre la propriété de l'anisotropie 70 07563 16 2037152 uniaxiale,avec un axe préférentiel de magnétisation qui se trouve dans le plan de la couche 10, qui est parallèle à l'axe 12 et selon lequel est orientée la magnétisation rémanente dans l'une- ou l'autre des deux directions opposées. Une ligne de met est couplée par inductance avec 5 la couche 10, son axe longitudinal étant orienté de façon essentiellemen parallèle à l'axe préférentiel de magnétisation de la couche, alors qu'une ligne de commande de bit et de lecture est couplée inductivement avec la couche 10, son axe longitudinal étant orienté essentiellement à angle droit avec l'axe préférentiel de magnétisation de la couche. Ces 10 deux lignes forment une intersection avec laquelle sont associées une aire de mémoire 20 et une aire de commutation 21 dans la couche 10. • Pour l'opération d'écriture la source de courant 22 fournit, par l'intermédiaire de l'interrupteur 24 (voir la figure l), un signal • adéquat de courant à la ligne de commande 16, grâce à quoi on obtient ■j ^ autour de la ligne de commande 16 un champ alternatif de" commande qui est orienté selon l'axe non préférentiel, dont la fréquence est égale à f et dont l'intensité dans l'air de mémoire 20 est inférieure à la limite de réversibilité de l'aire de mémoire 20'. Le champ alternatif de commande 40 selon l'axe non préférentiel (voir la figure 4) a une forme sinusoïdale et sa fréquence est comprise de préférence entre lO et 1000 MHz. Le champ alternatif de commande 40 selon l'axe non préférentiel est illustré schématiquement le long de l'axe par le double vecteur 42. Ainsi que cela a été dit plus haut, l'intensité maximale du champ alternatif de commande 40 selon l'axe non préférentiel (comme cela est montré par le double vecteur 42) a une intensité, dans l'air de mé-25 moire 20, qui est maintenue inférieure à la limite de réversibilité H^. Concuremment avec l'application à l'aire de mémoire 20 du champ alternatif de commande 9-0 selon l'axe non préférentiel, la source 26 applique, par l'intermédiaire de l'interrupteur 28, un signal de courant 36 ou 38 à la ligne de commande 18, afin d'obtenir dans l'aire jO de mémoire 20 un champ continu de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation H^, cela avec une polarité donnée ou avec la polarité opposée, parallèlement à l'axe préférentiel de magnétisation 11 de la •' couche 10. Ce champ de commande à courant continu présente, dans\1'aire de mémoire 20, une intensité qui est inférieure à celle du champ coercitif IL, de l'aire de mémoire 20 et il peut avoir une amplitude continue 35 constante ou bien se présenter sous la forme d'un train d'impulsions de courte durée, chacune de ces impulsions ayant une longueur comprise entre 10ns et 10^s (microsecondes). Ce train d'impulsions brèves provoque une légère augmentation de l'air de commutation 21, pour une amplitude donnée du champ continu de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation. Ce premier champ de commande et ce second champ de commande de 70 07563 17 2037152 polarité opposée à celle du précédent, selon l'axe préférentiel de magnétisation, sont illustrés schématiquement par les vecteurs 44 et 46 respectivement et sont orientés de façon essentiellement parallèle à 1' axe 12 et par conséquent à l'axe préférentiel 11 de la couche 10. Les 5 intensité respectives du champ continu de commande selon l'axe préféren- j tiel de magnétisation et du champ alternatif de commande selon l'axe non ! préférentiel sont choisies de telle sorte que l'on obtienne dans l'aire de mémoire 20 un champ combiné de commande offrant une intensité maximale positive et une intensité maximale négative qui tombent dans la ré-10 gion de commutation par rotation progressive de l'aire de commutation 21, région indiquée en 116 sur .les figures 3 et 4. Le lieu de la pointe de la résultante des champs de commande schématiquement indiqués par le double vecteur 50, résultant des vecteurs 42 et 44, et par le double vecteur 52 résultant des vecteurs 42 et 46, amène la magnétisation 15 de l'aire de commutation 21 dans une première direction, ou dans une seconde direction opposée, selon l'axe préférentiel de magnétisation 11 de la couche. Cette remagnétisation de l'air de commutation 21 est ac-compile par commutation de rotation progressive pour conduire à une polari sation finale selon l'axe préférentiel de magnétisation 11 qui" coïncide ' 20 avec la polarité du champ correspondant de commande à courant continu j selon ledit axe préférentiel de magnétisation, autrement dit avec le vecteur 44 et le vecteur 46, respectivement pour l'écriture d'un "1" ou ! d'un "0" dans l'air"de mémoire 20. • ! I En vue de l'opération de lecture, la source 22 fournit, par j 25 l'intermédiaire de l'interrupteur 24, le signal voulu de courant à la ; ligne de commande 16, conduisant à l'obtention, autour de la ligne de commande 16, du champ alternatif de commande selon l'axe non préférentiel, comme dans l'opération d'écriture. Ce champ alternatif de com- | mande selon l'axe non préférentiel qui est schématiquement illustré par 30 le double vecteur 42 et qui est appliqué par inductance à l'aire de mémoire 20 provoque, du fait de la magnétisation de l'aire de mémoire 20, l'apparition dans la ligne de commande 18 d'un signal alternatif de sortie dont la fréquence est égale à 2f. Un amplificateur de lecture 30 détecte, lorsqu'il est relié à la ligne de commande 18 par l'interrup-35 teur 32, le signal de sortie en question, qui est représentatif 'de la valeur d'information dans l'aire de mémoire 20. Lorsque l'aire de commutation 21 a été amenée à une magnétisa-j tion opposée, on dit que l'aire de mémoire 20 porte la valeur d'infor- j mation "1". Lorsqu'il n'y a pas d'aire de magnétisation opposée, on dit 1 40 que l'aire de mémoire 20 porte l'information "0". L'aire de mémoire 20 de la couche 10 qui est impliquée dans l'opération de lecture a une 70 07563 . . ,18 . „ 203,7152 surface q^ui est supérieure à L'aire cle commutation 21 et il en îvsulyQ que le signal de sortie fourni par l'aire de mémoire 20 a .une amplitude plus faible dans le cas où la valeur information vaut "1" que dans le cas où la valeur d'information vaut "0". Si l'aire de commutation 21 re 5 présente plus de la moitié de l'aire intéressée par la lecture, autrement dit de l'aire de mémoire 20, le signal de sortie présente également une différence de phase. Cette différence d'amplitude est significative de la valeur d'information contenue dans l'air de mémoire 20 qui est interrogée. Etant donné que le signal de sortie à l'état saturé (correspondant à une valeur d'information ""©"" pour laquelle il n'y a pas de domaine d'inversion de la magnétisation)est plus stable que le signal de sortie-correspondant à la valeur-d'information "1", on peut utiliser un amplificateur différentiel accordé (voir la figure 5) *• pour amplifier la différence entre l'amplitude du signal de sortie de i l'aire de mémoire interrogée et l'amplitude du signal de sortie de de référence qui se trouve constamment à la saturation, autrement dit qui porte constamment la valeur d'information "Ôn« On se référera plus "particulièrement à la figure 5 qui illustre le cas d'un système de mémoire à deux mots et deux bits par mot ~ selon la présente invention, les éléments qui se trouvent déjà sur la figure 1 étant repérés par les mêmes nombres de référence suivis par' • une lettre adéquate. Ce système de mémoire fonctionne de la même manière que celui qui a été décrit ci-dessus en se référant plus particulière ment à la figure 1. Dans ce mode particulier de réalisation on a plu-sieurs lignes de mots 16a et 16b qui sont couplées induetivement avec £a • couche 10a, leurs axes longitudinaux étant orientés^ de façon essentiellé ment parallèle à l'axe préférentiel de magnétisation lia de l-adite cour che 10a. En outre, plusieurs lignes de commande de bit et de lecture i. 18a, 18b et 18cï sont couplées par induction avec la couche 10a, leurs ■*' 'axes longitudinaux étant orientés essentiellement• à angle droit par rapport à l'axe préférentiel de magnétisation de'ladite couche. Les lignes mots 16a, 16b et les lignes de- lecture 18a, 18b et 18c offrent un certain nombre d'intersections avec lesquelles sont associées d'une "part les aires de mémoire 20a, 20b, '20(3, 20d et dMautre part les aires de référence 20e, 20f, de la couche 10a, à raison d'une telle aire de mémoire ou de référence pour chaque Intersection. En vue de la'lecture de l'information qui est associée avec une ligne particulière de mots, par ■exemple de l'information qui est contenue dans les: aires de mémoire' 20a et 20b représentant les deux-bits du mot de deux-bits qui.est associé -avec la ligne de commande de mot 16a, la' source 22a applique, pur. le ■""moyen de l'interrupteur 24a» 'le signal voulu de'courant ; à. la ligne de ' Commande de mot 16a-, ""grâce à quoi/'on obtientselon-la ligne de comihande ,,70, 07563,, t.. , 19 tI . „ . 20371.52 . loà, le champ alternatif de commande Iî^ qui est oriente parallèlement; à. l'axe non préférentiel de magnétisation et de fréquence f. Concurccnnsnt un amplificateur différentiel accordé dciecture 50 est relié de façon sélective par les interrupteurs correspondants 32a et 32b avec l'une ou 5 l'autre des lignes de lecture 18a, 18b, grâce à quoi les signaux de sortie fournis par les aires associées de mémoire 20a, 20b sont comparés au signal de sortie de l'aire de référence 20e(obtenu au travers de 1' interrupteur associé 32ç)« N lôrsque l'aire de mémoire interrogée 20a ou 20^b porte la va-10 leur d'information "0", autrement dit lorsqu'elle est à l'état saturé, 1? différence entre les signaux respectifs de sortie de cette aire de mémoire et de l'aire de référence 20e^ qui a toujours la valeur d'information "0" est égale à zéro, et il en résulte que le signal de sortie de l'am-' plificateur de lecture .50 a une valeur non significative. Par contre si i 15 l'aire de mémoire interrogée 20a ou 20b porte la valeur d'information "lr ce qui signifie qu'il existe un domaine d'inversion, autrement dit une b aire de commutation 21, on obtient entre les sorties respectives de l'aire de référence et de l'aire de mémoire interrogée une différence essentielle d'amplitude, et si l'aire de commutation 21 est suffisamment >0 grande par rapport à l'aire de mémoire 20, on obtient-une différence de phase. Il en résulte que le signal de sortie obtenu sur l'amplificateur différentiel accordé de lecture 50 est important. Pour l'entrée en mémoire d'une information qui est associée à une ligne de mot particulière, par exemple" pour l'entrée dans les aires--de mémoire 20a, 20b, qui sont associées avec la ligne de commande de moi; *16, la source 22a fournit, par l'intermédiaire de l'interrupteur 24a, le ; signal voulu de courant à destination de la ligne de commande de mot 16a,' grâce à quoi on obtient sur la ligne de commande.de mot 16a le champ de commande de fréquence f qui' est appliquée selon l'axe non préférentiel de magnétisation, comme dans l'opération de lecture. Concurremment, les sources 26a et 26b appliquent, par l'intermédiaire des interrupteurs associés 28a et 28b, le signal voulu de courant selon une première polarité ou selon une seconde polarité opposée à la "première, . aux lignes correspondantes de commande dê bit et de lecture 18a et 18b. On obtient ainsi, autour des lignes de commande de bit 18a et 18b, un champ continu de commande, selon l'axe préférentiel de magnétisation qui se présente avec une première polarité ou. une seconde polarité en opposition avec la précédente, ce champ étant-toujours parallèle à l'axe préférentiel de magnétisation lia de la couche 10a. la remagnétisation -des aires de mémoire 20a, 20b, est accomplie, comme dans le-cas de la - ' -figure 1, par commutation de rotation progressive, - pour aboutir à une magnétisation finale qui est polarisée,.selon l'axé préférentiel de magnétisation lia de la couche 10a, conformément à la^olarité du champ conti— 70 07563 2u _ 2037152 nu. de commande ainsi apspliquee selon, ledit axe préférentiel « Un examen de la figure 4 indique que le champ alternatif de commande' selon l'axe non préférentiel de magnétisation, lequel champ est illustré par le doublq/O-ecteur 42, et les champs•continus de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation, ayant une première polarité ou une seconde polarité qui est opposée à la précédente et' se trouvant schématiquement représentés par les vecteurs 44, 46, se trouvent tous dans la région centrale 111 de non commutation (voir les figures "3 et 4) du diagramme de commutation, ^ar conséquent il est clair que les aires de mémoire 20c,, 20d, 20b, sont affectés par le champ alternatif de commande selon l'axe non préférentiel de magnétisation, schématiquement représenté par 1-e vecteur 42, dans l'opération dj écriture précitée de telle manière que lesdites. zones de mémoire.ne subissent pas une commutation irréversible appréciable de leur magnétisation rémanente. De même l'application du champ continu de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation, schématiquement représenté par les vecteurs 44, 46 pendant l'opération de lecture-précitée, ne provoquent pas de commutation, irréversible appréciable de-la magnétisation des aires de mémoire 20a, 20b, 20e_. Par conséquent, le système de mémoire montré par la figure 5 peut être dit à organisation par bits ou à lécture non destructive. Si l'on se réfère plus particulièrement à la figure 6, celle-ci représente l'illustration d'un autre mode possible de réalisation de la présente invention. Dans, ce mode particulier de réalisation, la ligne du champ de commande selon l'axe non préférentiel de magnétisation, qui est analogue à la ligne de commande 16 de la figure 1, comprend deux parties 60a et 60b qui sont disposées symétriquement de part et d'autre . d'un axe 12. Dans ce mode particulier de réalisation, la ligne de commande de bit et de lecture, laquelle est analogue à la. ligne 18 du champ "de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation (voir la figure l), ' comprend trois parties électriquement isolées dçnt les axes longitudinaux sont parallèles à l'axe 14. la ligne de commande de bit Comprend deux par ties 62a'et 62b qii sont séparées par la ligne de lecture 64 placée entre les deux précédentes. En décomposant ainsi la ligne de commande selon l'axe non préférentiel en deux éléments "60a et 60b et la ligne de commande selon l'axe préférentiel en deux éléments 62a et 62b, on obtient une réduction des pertes par courant de Foucault sous l'action des champs de commande et des signaux de courant correspondants. Il est clair que l'on a décrit ci-dessus un mode préféré de réalisation de l'invention qui convient particulièrement bien pour le cas d'un système de mémoire à organisation par bits et à lecture non destructive se présentant en modules de mémoire à très grand nombre'de '. 7° 07 563 ;,i 2037152 bits (par exemple de l'ordre de 10®) offrant un très faible encombre— i ment. Si l'on reprend les dims ns ions "typiques qui: ont été indiquées plus:., haut, avec une largeur des lignes de' mot dfà peu"près.,0,04 mm. avec des antifexés de l'ordre de 0,08 mm, alors'que les lignes 'de'-bits ont une largeur de l'ordre de l/l0èmé de mm "et ont des entr'axes de l'ordre de '-i/lOème de mm, on voit que l'on abouti 1r à"unevdensité. de l'ordre de.6400 bits par centimètre carré de surface de la couche 10. Un tel. système de.; mémoire pourrait par exemple se présenter sous la forme-d'un plan unique:' iyant une surface de l'ordre-de deux' mètres "carrés.^0n:-pourrait-aussi-- -, - . ' *-•••"-" ••• •• i* «.*»:.*•«*» •*•----j-'.— - -- le replier pour former un certain nombre-de plans "identiques de. memoire., f npilés les uns sur les autres." De tout- ceci-il^resulte-que-lf invention rrocure un système de mémoire, nouveau et amélioré#'---' COPV 70 07563 22 revendications 2037152 1° Système de mémoire, caractérisé en ce qu'il comprend une pellicule ferromagnétique mince et continue, ayant la propriété de l'anisotropie uniaciale et présentant un axe préférentiel de magnétisation selon lequel est aligné la magnétisation rémanente 5 dans une première ou une seconde direction correspondant respectivement à vme première ou a une seconde valeur d'information, l'épaisseur de la couche n'étant pas suffisante pour permettre l'existence entre les domaines magnétiques de cloisons de Bloch ou de cloisons à liaisons transversales, plusieurs lignes de mot XO qui sont couplées par inductance avec ladite pellicule et qui sont orientées de telle sorte que leurs axes longitudinaux soient . essentiellement parallèles audit axe préférentiel de magnétisation, plusieurs lignes de commande de bit et de lecture qui sont couplées par inductance avec ladite pellicule et qui sont orientées de telle 15 sorte que leurs axes longitudinaux; soient essentiellement perpendiculaires audit axe -préférentiel de magnétisation, lesdites lignes de commande de bit et de lecture et lesdites lignes de mot formant un certain nombre d'intersections et déterminant à chacune desdites intersections une certaine aire de mémoire de 20 la pellicule qui est associée à ladite intersection, des organes d'attaque des lignes de mot qui sont reliés sélectivement auxdites lignes de mot en vue d'obtenir, autour d'une ligne choisie de mot, vin champ alternatif de commande qui est orienté selon l'axe non préférentiel de magnétisation dont la fréquence vaut f 25 et dont l'intensité dans les aires de mémoire correspondantes est partout inférieure à la limite de réversibilité des aires de mémoire en question, des amplificateurs de lecture qui sont reliés sélectivement auxdites lignes de commande de bit et de lecture en vue de détecter des signaux de sortie de fréquence égale 20 à 2f en provenance des aires de mémoire qui sont affectées par ledit champ alternatif de commande selon l'axe non préférentiel de magnétisation, des organes d'attaque des lignes"de bit qui sont reliés sélectivement auxdites lignes de commande de bit et de lecture, en vue de créer autour des lignes de commande de bit et ^5 de lecture ainsi choisies un champ continu de commande selon l'axe préférentiel .de magnésitation, ayant une première polarité ou une seconde polarité opposée à la précédente, et ayant dans les aires de mémoire intéressées une intensité qui est inférieure à l'intensité du champ coercitif Hç desdites aires dé mémoire, lesdits 70 07563 23 2037152 organes d'attaque des lignes de mots étant reliés à la ligne de mot qui est choisie en même temps que les organes d'attaque des lignes de commande de. bit sont reliés aux lignes de commande de bits et de lecture de façon à appliquer concuremment, à chacune 5 des aires associées de mémoire, un champ qui résulte de la combinaison dudi'-t champ alternatif de commande selon l'axe non préférentiel et desdits champs continus de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation, ce champ combiné de commande présentant dans l'aire associée de mémoire une intensité qui est suffisante 10 pour inverser dans une aire associée de commutation une partie au moins de la magnétisation de l'aire associée de mémoire, la polarité dudit champ continu de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation amenant une partie au moins de la magnétisation de l'aire associée de mémoire dans une première direction de ma-15 gnétisation rémanente ou.dans une seconde direction de polarité opposée à la précédente. 2° Système de mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce que le champ alternatif de commande selon l'axe non préférentiel de magnétisation a une forme sinusoïdale, et 20 une fréquence f qui est de l'ordre de 10 MHz ou plus. 35° Système de mémoire selon la revendications, caractérisé en ce que le champ continu de magnétisation selon l'axe préférentiel se présente sous la forme d'un t,raih d'impulsions brèves, chacune de ces impulsions ayant une durée comprise entre ' 25 10 ns et 10 p. 4° Système de mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce que les lignes de commande de bit et de lecture comprennent chacune trois bandes coplanaires, la ligne de commande des bits étant constituée par deux bandes qui sont séparées l'une 30 âe l'autre par une ligne de lecture qui est électriquement isolée. 5° Système de mémoire selon la revendication 4, caractérisé en ce que les lignes de mot comprennent chacune au moins deux bandes séparées. 6° Système de mémoire selon la revendication 1, carac-35 térisé en ce que la pellicule est amenée initialement à un état rémanent de saturation selon une première polarité. 7° Système de mémoire selon la revendication 6, caractérisé en ce que le champ de commande résultant.de la combinaison du champ alternatif de commande selon l'axe non préférentiel de 40 magnétisation et du champ continu de commande de la seconde pola- 70 07563 24 2037152 ri té selon l'axe préférentiel de magnétisation, affecte la pellicule, dans l'aire de mémoire qui est associée, en vue de faire commuter la magnétisation de l'aire commutée dans l'aire de mémoire associée et ainsi de l'amener dans l'état de magnétisation 5 rémanente selon la seconde direction de polarisation. 8°. 'Système de mémoire selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'aire commutée est inférieure à la moitié de l'aire de mémoire associée. 9° Système de mémoire selon la revendication 6, compre-XO nant encore une ligne de lecture de référence qui est couplée inductivement avec ladite pellicule et dont l'axe longitudinal est essentiellement perpendiculaire à l'axe préférentiel de magnétisation de la pellicule, ladite ligne de référence formant un certain nombre d'intersections avec lesdites lignes de mot en vue de 15 définir une aire associée, de référence dans ladite pellicule à chacune desdites intersections. 10° Système de mémoire selon la revendication 9, caractérisé en ce que les organes d'amplification de lecture comprennent un amplificateur différentiel de lecture qui est accordé avec un 20 signal de sortie de fréquence 2f," et comprennent encore des orga-• nés pour coupler sélectivement.ledit amplificateur différentiel de lecture entre ladite ligne de lecture de référence et une ligne choisie parmi les lignes de commande de bit et de lecture. 11° Système de mémoire selon la revendication 1, carac-25 térisé en ce que le champ combiné de commande a une intensité suffisante pour se trouver dans la région de commutation par rotation progressive de l'aire de commutation associée. 12° Procédé d'organisation d'un système de mémoire caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser sur un support adéquat 20 une pellicule ferromagnétique mince et continue dont l'épaisseur n'est pas-suffisante pour permettre l'existence, entre les domaines magnétiques, de cloisons de Bloch ou de cloisons à liaisons transversales, à réaliser dans ladite pellicule la propriété d'anisotropie uniaxiale, en vue d'obtenir un axe préférentiel 25 selon lequel s'aligne la magnétisation rémanente dans le plan de ladite pellicule, dans une première direction ou dans une seconde direction qui est en opposition par rapport à la précédente, afin de représenter respectivement une première valeur d'information et une seconde valeur d'information, à coupler inductivement avec 42 ladite pellicule plusieurs lignes de mot, à orienter lesdites lignes de mots de telle sorte que leurs axes longitudinaux soient 70 07563 « 2037152 essentiellement parallèles audit axe préférentiel de magnétisation, à coupler par inductance avec ladite pellicule plusieurs lignes de commande de bit et de lecture, à orienter lesdites lignes de commande de bit et de lecture de telle sorte que leurs axes longitu-5 dinaux soient essentiellement perpendiculaires audit axe préférentiel de magnétisation, à réaliser un certain nombre d'intersections entre lesdites lignes de mot et lesdites lignes de commande de bit et de lecture, à former une aire associée de mémoire dans ladite pellicule à chacune desdites intersections, à associer 10 chaque aire de mémoire, selon line ligne associée de mot, avec un Jbit associé d'information, à disposer tous les bits de chaque mot de plusieurs bits emmagasiné dans le système de mémoire selon une ligne associée dê mot, la lecture de ce système de mémoire étant réalisée en appliquant à une ligne choisie parmi lesdites 15 lignes de mot, tin champ alternatif de commande de fréquence^ séLon un axe non préférentiel de magnétisation, ayant une intensité dans les aires de mémoire associées qui est inférieure à la limite de réversibilité HR desdites aires de mémoire associées, à détecter dans certaines lignes choisies parmi les lignes dé comr 20 mande de bit et de lecture associées avec les aires de mémoire, seloil ladite ligne choisie ;de.mot, un signal alternatif de sortie de fréquence 2f, l'écriture dans ce système de mémoire étant accomplie en appliquant à une ligne choisie parmi lesdites lignes de mot ledit champ alternatif de commande selon l'axe non préfé-" 25 rentiel, en appliquant à des lignes choisies parmi lesdites lignes de commande de bit et de lecture un champ continu de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation, avec une première polarité ou une seconde polarité en opposition avec la précédente, et avec une intensité, dans les aires de mémoire associées, qui ^0 est inférieure à l'intensité du champ coercitif Hç desdites aires de mémoire, à réaliser, par l'application concurrente dudit champ alternatif de commande selon l'axe non préférentiel de magnétisation à ladite ligne de mot choisie, et dudit champ continu de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation auxdites lignés 25. choisies de commande de bit et de lecture, un champ combiné de commande dont l'intensité dans l'aire associée de mémoire est suffisante pour inverser, dans l'aire commutée associée, au moins une partie de la magnétisation des aires_ associées de mémoire, la magnétisation des aires associées de mémoire étant alignée selon la première direction de magnétisation rémanente ou selon la se 70 07563 26 2037152 conde direction de magnétisation rémanente, opposée à Xa première, en fonction de la polarité dudit champ continu de commando appliqué selon l'axe préférentiel de magnétisation. 13° Procédé selon la revendication 12, caractérisé en 5 ce que le champ continu de commande a une intensité suffisante pour se trouver dans la région de commutation par rotation progressive de l'aire associée de commutation de la pellicule. 14° Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le'champ alternatif de commande selon l'axe non préfé-10 rentiel de magnétisation a une forme sinusoïdale et une fréquence f de l'ordre de 10 MHz ou plus. 15° Procédé selon la revendication caractérisé en ce que le champ continu de commande selon l'axe préférentiel de magnétisation se présente sous la forme d'un train d'impulsions, 15 la durée des impulsions étant comprise entre 10 ns et 10 j^s.