Brevet FR2021205A1 — publié le 19700717

La présente invention concerne un dispositif de sélèc- tion destiné à être utilisé avec un panneau due visualisation à plasma, ce dispositif comprenant un ensemble de lignes d'attaque X et un ensemble de lignes d'attaque Y disposés respectivement sur des faces opposées du panneau de visualisation, de manière à définir une pluralité d'intersections XV, une cellule de mémoire à plasma étant forméezdans le panneau de visualisation à chaque intersection Xi, et ces cellules de mémoire exigeant une tension d'amorçage approximativement égale à 2Vo et une tension de maintien ou d'entretien d'environ Vo, caractérisé en ce qu'aux lignes d'attaque X peuvent être appliqués sélectivenent les signaux d'attaque X Vo sin (wt + 900). oU bien Vo sin (wt - 30") ou bien la masse, tandis qu'aux lignes d'attaque attaque Y peuvent être appliqués séléctivement les signaux d'attaque Y Vo sin (wt - 900) ou Vo sin (wt + 300) ou bien la masse. Le panneau de visualisation à plasma auquel se rapporte le dispositif de sélection suivant l'invention est un dispositif bien connu qui a été proposé en tant que dispositif de mémoire bis table à commande numérique, utilisable avec les systèmes électroniques de traitement de données en tant que dispositif d'entrée/sortie efficace. L'article "The Plasma Display Panel", Proceedings - Fall Joint Computer Conference, 1966, D.L. Bitzer, et al., pages 541-- 547 > présente une étude dé taillée d'une forme d'exécution et dtun-mode de fonctionnement typiques d'un panneau de visualisation à plasma.Un tel panneau de visualisation à plasma est généralement construit au minimum à partir-de -trois feuilles de verre prises ensemble en sandwich de manière à former une structure feuilletée. Dans la feuille de verre centrale est formé un réseau matriciel de petits trous dans lesquels est maintenu confiné, par les deux feuilles de verre-externes, un gaz approprié. Un ensemble de-lignes conductrices parallèles sont disposées perpendiculairement les unes aux autres sur les surfaces externes opposées de la struc ture feuilletée, ces lignes d'attaque situées sur les surfaces externes opposées s'entrecroisant dans les zones des trous remplis de gaz ou encore des cellules de mémoire à plasma. Si une tension d'excitation alternative qui est établie en travers de la cellule de mémoire, entre deux lignes d'attaque superposées se recoupant, dépasse la tension dtamor- çage de la cellule, il se produit une décharge qui se développe rapidement pour donner' une décharge luminescente. Une fois que la première-décharge de la cellule a été établie ou amor cée, la tension périodique en travers de la cellule qui est exigée pour maintenir ou entretenir la décharge, est no,table- ment inférieure à celle qui est exigée pour l'amorçage ini tial. Le rapport entre la tension d'amorçage et la tension périodiaue, ctest-à-dire la tension d'entretien, peut être de l'ordre de 2 à 1.En tant que dispositif bistable, chaque cellule de mémoire, une fois amorcée et continuant à recevoir una tension-périodique en travers d'elle, peut être considérée comme étant "allumée", ce qui represente l'emmagasinage d'un "1", tandis que toute cellule non amorcée se trouve à l'état "éteint" représentant un "O". Le signal de sorti provenant du panneau de visualisation à plasma peut être transmis par un dispositif photosensible. La présent-e invention eoncerne un agencement permet tant d'appliquer, en travers des cellules d'un panneau de visualisation à plasma, des signaux de tension alternatifs, de mheme amplitude Vo et de -meme fréquence w, mais présentant entre eux des relations de phase connues et commandables. Les tensions d'amorçage, périodique et d'extinction, appliquées à une cellule sélectionnée, peuvent être déterminées en choisis sant la relation de phase désirée des signaux qui sont appli qus aux lignes d'attaque superposées qui prennent entre elles "en sandwich" la cellule particulière selectionnée. En util,- sant deux vecteurs de tension coïncidents Vo sin (wt + ) et Vo sin (wt + # # 60 ) aux bornes de la cellule de mémoire, on appli- que, en travers de cette cellule, un vecteur de tension résul tant Vo cos (wt + / + 300).. En -appliquant en coïncidence des combinaisons de deux vecteurs de tension qui sont déphasés de 1200, par exemple. à + 900 et -30 et à -90 et + 300, et du potentiel de la masse aux ensembles de lignes d'attaque X et Y disposées sur les faces opposées du panneau de visualisation, un signal de tension sinusoïdale d'amorçage d'amplitude 2 V0, une tension sinusoldale périodique d'amplitude V ou un poten o tiel de la masse assurant l'extinction sont appliqués sélectivement entre les cellules de mémoire à chaque intersection XY. On décrira ci-après,,à titre- d'exemple non limitatif, une forme d'exécution de la présente invention,--en référence au dessin annexe sur lequel La figure 1 est une vue en perspective d'un panneau de visualisation à plasma qui peut être utilisé dans la présen- te invention. La figure 2 est un schéma illustrant un système de sélection d'un panneau de visualisation à plasma suivant l'invention. La fulgure 3 est un schéma illustrant toutes les combinai sons des sn,tnaux de tension instantanés qui peuvent autre appliqués au. panneau de visualisation de la figure 2. La figure 4 est un schéma illustrant les signaux de tension d'amorçage instantanés appliqués à toutes les cellules du panneau de signalisation de la figure 2, pour l'amorçage de toutes ces cellules. La figure 5 est un schéma des signaux de tension instantanés appliqués à toutes les cellules du panneau de visualisation de la figure 2, dans le but de provoquer l'extinc- tion de la cellule de mémoire X1Y3 et pour entretenir toutes les autres cellules. La figure 6 est un schéma des signaux de tension instantanés appliqués à toutes les cellules du panneau de visualisation de la figure 2 en vue d'amorcer la cellule de mémoire X1Y3 et d'entretenir toutes les autres cellules de mémoire, comme dans le cas d'un système de mémoire organisé par bits. La figure 7 est un schéma illustrant les signaux de tension instantanés appliqués à toutes les cellules du panneau-de visualisation de la figure 2 pour provoquer l'extinc- tion des cellules X3Y1 et XlYl et pour entretenir toutes les autres cellules, comme dans le cas d'un système de mémoire organisé en mots. Si on se réfère plus particulièrement à la figure 1, on y voit une vue en perspective d'un panneau de visualisation à plasma qui peut être utilisé avec la présente invention. Le panneau de visualisation 10 peut être semblable à celui qui est décrit dans l'article précité. Le panneau de visualisation 10 peut être construit à partir de deux feuilles de verre externes 12, 14 et d'une feuille de verre centrale 16 à travers laquelle est formé, par perçage ou attaque chimique, un réseau rectangulaire de trous. Sur les surfaces externes des feuilles de verre 12 et 14 sont reepectivement formés un ensemble de lignes d'attaque X parallèles et un ensemble de lignes dratta que Y parallèles, une cellule de mcmoire 18 étant définie à chaque intersection XY.Chaque cellule de mémoire 18 est remplir d'un gaz approprié, tel que l'hélium, l'argon ou le néon, et elle est excitée par des électrodes constituées par des lignes d'attaque X et Y qui sont isolées des cellules de mémoire 18 par les feuilles de verre externes 12 et 14. Dans un panneau de visualisation typique 10, les feuilles de verre 12, 14 et 16 ont une épaisseur de 0,15 mm et les trous percés dans la feuille de verre 16 pour former les cellules de mémoire 18 ont un diamètre de 0,38 mm, leur entraxe étant de o,- 76 mm Les lignes d'attaque X et Y peuvent être des conducteurs en cuivre ayant une épaisseur de 200 angströms et une épaisseur de 0,38 mm.Chaque conducteur d'épaisseur 200 X est pratiquement transparent à la lumière émise par la cellule de mémoire amorcée 18. Si. on se réfère plus particulièrement maintenant à la figure 2, on y voit un schéma d'un système de sélection d'un panneau de visualisation à plasma suivant l'invention. Le système de sélection illustré sur la figure 2 comporte le pan;- neau de visualisation à plasma 10 qui comprend un ensemble de lignes d'attaque parallèles X1, X2, X3 et un ensemble de lignes d'attaque parallèles Y1, Y2, Y3, l'ensemble de lignes -d'attaque X et l'ensemble de lignes d'attaque Y étant disposés respectivement sur les faces opposées du panneau de visualisation 10 et une cellule de mémoire 18 étant située à chaque intersection XY.Pour faciliter l'étude qui va stlvre, chaque cellule de mémoire sera identifiée par les lignes d'attaque X et Y particulières qui se recoupent à l'endroit de cette cellule. Par exemple, la cellule de mémoire située à l'in section de la ligne d'attaque X1 et de la ligne d'attaque Y1 sera identifiée comme étant la cellule de mémoire XlYl. Chaque cellule de mémoire 18 est supposée fonctionner à une tension d'amorçage d'environ 2 VO, et à une tension périodique d'environ VO, ce qui donne une gamme de tensions d'entretien de 2 V0 - VO = VO- Un générateur de signal 20 produitquatresignau't-enson Vo sin (wt + 900) Vo sin (wt - 30 ) VO sin (wt - 900) VO sin (wt - 300) A checune des lignes d'attaque X et Y est associé un commutateur : par exemple le commutateur SX1 est associé à la ligne d'attaque X1, afin d'appliquer sélectivement les signaux d'attaque associés à la ligne d'attaque considérée.Par exemple, les commutateurs SX1, SX2, SX) associés respectivement aux lignes d'attaque X1, X2 et X3, appliquent sélectivement les signaux d'attaque VO sin (wt + 90"), VO sin (wt - 300) ou le potentiel de la masse à la ligne d'attaque associée X,'tandis que les commutateurs SY1, SY2 etSY3 appliquent sélectivement les signaux d'attaque Y Vo sin (wt - 90 ), V sin (wt + 300), ou bien le o potentiel de la masse à la ligne d'attaque Y respectivement associée à savoir Y1, Y2 ou Y3.Ainsi qu'il sera indiqué cis après, l'application encoincidence de l'un des signaux d'attaque X à une ligne d'attaque X sélectionnée et de l'un des signaux d'attaque Y à une ligne d'attaque Y sélectionnée provoque sélectivement ltamorçage, l'entretien ou l'extinction de la décharge dans le plasma de la cellule de mémoire 18 associée à l'intersection particulière XY des lignes d'attaque. Chaque cellule de mémoire 18 peut être considérée comme étant couplée capacitivement à ces lignes d'attaque XY associées : des premier et second condensateurs sont formés par les parois frontales de la cellule de mémoire 18 et les lignes -d'attaque X etY associées, tandis qu'un troisième condensateur est formé par les parois frontales de cette cellule. Lorsqu'un signal de tension est appliqué entre les lignes d'attaque XY se recoupant, un signal de tension correspondant apparalt àutravers des parois frontales de la cellule de mémoire 18. La tension effective entre ces parois frontales, laquelle est définie comme étant la tension de la cellule, dépend également des charges superficielles déposées sur les parois de la cellule pendant la décharge dans le plasma. La tension de la cellule entre les parois peut être représentée par la somme de deux tensions, à savoir une tension de signal proportionnelle à la tension entre les lignes d'attaque X et Y se recoupant et la tension des parois proportionnelle aux charges superficielles. Lorsque la tension de la cellule de mémoire dépasse une valeur critique, définie comme étant la tension d'amorçage 2 VO, une décharge; dont les caractéristiques dépendent du gaz particulier utilisé, apparat dans le gaz de la mémoire. Les recherches antérieures effectuées par D.L. Bitzer ont montré que des décharges dans l'hélium et le néon, formées par un signal de tension de fréquence allant de 100 à 500 kHz, persistent pendant la plus grande partie de chaque demi-période. Bien que l'effet de chaque décharge dans la cellule de mémoire soit de réduire la tension aux bornes de cette cellule, chaque décharge fournit une tension qui, lors de la demi-période suivante, s'ajoute à la tension appliquée entre les lignes d'attaque XY se recoupant.Une séquence de décharges est par conséquent entretenue par un signal de tension qui est par lui-même incapable de provoquer l'amorçage de la décharge dans le gaz de la cellule de mémoire Dans la gamme des tensions pour lesquelles ceci est vrai, c'est-à-dire entre la tension d'amorçage 2 VO et la tension périodique VO incluses,la la cellule de mémoire est bistable. Lorsque la tension appliquée est comprise dans cett-e gamme, elle peut être définie comme étant la tension d'entretien. Lorsqu'une décharge a lieu dans la cellule de mémoire, autrement dit lorsque cette dernière est "allumée", la cellule peut autre considérée comme emmagasinant un "1". Lorsque la valeur de crête de la tension appliquée entre les lignes d'attaque X et Y se recoupant est inférieure à la tension périodique V0 > aucune décharge ne peut Aetre maintenue dans la cellule de mémoire. Dans ce cas, la cellule de mémoire peut être considérée comme étant "éteinte" et emmagasinant un "O". Ainsi, on peut utiliser chaque cellule de mémoire, en appliquant le signal de-tension d'excitation désiré entre les lignes d'attaque X et X se recoupant associées à cette cellule, pour établir la cellule de mémoire associée XY dans l'état bistable associé, à savoir dans l'état "1" ou "O". Le système de sélection utilisé parD.L. Bitzermetenoeuvre un procedé faisant appel à l'amplitude des signaux de tension. Dans cet agencement, on applique entre les lignes d'attaque X et Y se recoupant, en vue de l'amorçage de la cellule de mémoire, une tension d'amorçage Vf > en même temps qu'une tension périodique Vr est appliquée entre ces lignes, afin de maintenir dans l'état "allumé" la cellule de mémoire une fois amorcée. Lorsqu'une cellule de mémoire particulière doit être amorcée, on applique des signaux de tension de sélection alternatifs en phase, ayant les amplitudes désirées et différentes, aux.lignes d'attaque X et Y désirées du panneau de visualisation, afin d'obtenir l'état voulu "allumé" ou "éteint" de la cellule de mémoire associée.Du fait que ce mode de sélection utilise des tensions de signaux de sélection ayant des amplitudes différentes, il exige une commande critique des amplitudes relatives des tensions des signaux de sélection. Ces tolérances critiques sont dues principalement à la construction du panneau de visualisation et à la différence relativement faible entre la tension d'amorçage Vf et la tension périodique Vr de la cellule de mémoire. La présente invention met en oeuvre un principe de sélection en phase des signaux de tension utilisant des signaux de tension sinusoidaux alternatifs,- d'amplitude de crête VO, + de fréquence w et'de phases relatives de + 60 .En utilisant ce mode de sélection des signaux de tension en fonction de leur phase, on applique sélectivement des signaux de phases + 90e et - 300 aux lignes d'attaque X, tandis que des signaux de phases relatives - 90" et + 30 sont appliqués aux lignes d'attaque Y, la tension de la masse ou la tension 0 étant appliquée sélectivement à des lignes d' attaque quelconquesX ou Y. Ainsi le signal de tension apparaissant aux bornes de la cellule de mémoire est un signal sinusoïdal alternatif de fréquence w et d'amplitude de crête déterminée par la grandeur du vecteur constituant la différence entre les tensions des signaux appliqués aux lignes d'attaque particulières X et Y se recoupant. Si on se réfère à la figure 3, on y voit un schéma illustrant toutes les combinaisons des signaux de tension instantanés qui peuvent autre appliqués au panneau de visualisation 10 de la figure 2. Dans le schéma de la figure 3 et ainsi qu'ils sont utilisés sur les figures 4 à 7, les signaux de tension instantanés, appliqués par des lignes d'attaque X et Y assouciées, sont.représentés par des cercles superposés représentant les parois frontales supérieure et inférieure de la cellule de mémoire qui sont couplées capacitivement aux lignes d'attaque associées X et Y (voir la figure 1).Par exemples le signal de tension instantané, de phase - 300, appliqué sur la ligne d'attaque X3, est représenté par des vecteurs faisant un angle de - 300 vers le bas, à partir de l'horizontale et en direction de la droite. De la même manière, le signal de tension instantané, de phase - 90 , qui est appliqué à la ligne-d'attaque Y1, est représenté par un vecteur orienté vers le bas, en faisant un angle de - 900 par rapport à l'horizontale. L'examén des figures 2 et 3 montre que les signaux de tension instantanés ayant les phases relatives indiquées e" r sont appliqués aux lignes d'attaque X et Y du panneau de visualisation lO,entraSnent l'application d'une tension d'amorçage 2 Vo aux bornes de la cellule de mémoire X2Y1, l'application d'une tension d'extinction ayant le potentiel de la masse bornes de la cellule de mémoire X1Y3, et l'application d'une tension d'entretien Vo aux bornes de toutes les autres cellule de mémoire du réseau.Autrement dit, lorsque les deux signaux d'attaque appliqués aux lignes d'attaque X et Y associées sont déphasés de 1800 l'un par rapport à ltautre, les deux tensions sinusoidales alternative d'amplitude Vo s'ajoutent, ce qui produit une tension d'amorçage effective de valeur 2 Vo qui a une amplitude suffisante pour provoquer l'amorçage de la cellule de mémoire associée à ces lignes, ctest-à-dire de la cellule de mémoire X2Y1 sur la figure 3. I1 est évident que lorsque les signaux de tension instantanés'appliqués à la fois aux deux lignes d'attaque X et Y sont nuls, autrement dit au potentiel de la masse, la tension du signal résultant aux bornes de la cellule de mémoire associée est nulle, ce qui provoque l'exinction de cette cellule de mémoire en la plaçant dans ltétat "éteint" ou "O", comme cela est le cas de la cellule de mémoire -X1Y3 sur la figure 3. Une tension périodique Vo est appliquee entre les lignes d'attaque X et Y se recoupant à l'endroit de toutes les cellules de mémoire autres que les deux cellules de mémoire précitées X2Y1 et X1Y3, si bien que toutes ces cellules de mémoires sont maintenues à l'état de décharge si elles étaient précédemment amorcées (état"allumé"ou 1111?) ces cellules demeurant toutefois dans l'état"éteint" ou tS0tT5 s elles s'y trouvaient précédemment, étant donné que la tension périodique appliquée Vo est insuffisante, comme il a été indi- qué précédemment, pour amorcer une cellule de mémoire se trous vant dans i'état'ëteint"ou 11011. Ainsi, les combinaisons es signaux de tension instantanés ayant les phases indiquées et du potentiel de la masse provoquent, lors de leur applicatiors coIneidenee aux lignes d'attaque X et Y du panneau de visualisa tiôn 10 Llamorçage d'une cellule de mémoire precédemment "éteinte" ou dans l'état "0", pour la faire passer dans l'état "allumé" ou "1", et ce par application à ses bornes d'un vecteur rotatif d'amplitude 2 V0;; Le maintien, dans l'état "allumé" ou "1", d'une cellule de mémoire se trouvant précédemment amorcée dans l'état "allumé" ou "1", et ce par application aux bornes de cette cellule d'un vecteur rotatif d'amplitude VO; L'extinction, dans l'état "éteint" ou "O", d'une cellule de mémoire précédemment amorcée dans l'état "allumé" ou "1", et ce en appliquant entre ses bornes un potentiel 0 ou de masse. Si on se réfère maintenant plus particulièrement à la figure 4, on y voit un schéma des signaux de tension instan tanés appliqués à toutes les cellules du panneau de visualisa tion de la figure 2 pour assurer l'amorçage de toutes ces cellu les. En amenant simultanément les commutateurs SX1, SX2, SX3 à appliquer le signal de tension instantané VO de phase + 900 aux lignes d'attaque associées X1, X2 et X3, et les commutateurs SY1, SY2, et SY3 à appliquer le signal de tension instantané VO de phase-900 aux lignes d'attaques associées Y1, Y2 et Y3, toutes les cellules de mémoire 18 du panneau de visualisation 10 reçoivent à leurs bornes un signal de tension d'amorçage d'amplitude 2 VO, ce qui provoque l'amorçage de toutes les cel lules dans leur état!'allumé" ou tel Si on se réfère maintenant plus particulièrement à la figure 5, on y voit un schéma des signaux de tension instan tanés appliqués à toutes les cellules de mémoire du panneau de visualisation de la figure 2, en vue d'éteindre la cellule de mémoire XlY3 et d'entretenir toutes les autres cellules de mémoire. En utilisant les commutateurs des lignes d'attaque X et Y représentés sur la figure 2 pour appliquer les signaux de tension instantanés indiqués, ayant les phases marquées, aux lignes d'attaque X et Y respectivement associées, seule la cellule de mémoire X1Y3 reçoit à ses bornes un potentiel "O" ou de masse, ce qui a pour effet de placer cette cellule dans l'état "éteint" ou "0". Une tension d'entretien VO est appliquée aux bornes de toutes les autres cellules de mémoire, si bien que toutes ces cellules sont maintenues dans leur état antérieur. Autrement dit, toute cellule se trouvant précédemment dans un état antérieur "éteint" ou "0" demeure dans cet état tandis que toute cellule de mémoire se trouvant précédemment à l'état "allumé" ou "1", demeureégalement dans un tel état. Ce fonction nement est semblable à celui du système bien connu de sélection d'une mémoire organisée par bits, utilisé avec des systèmes de mémoire magnétisables. Si on se réfère maintenant à la figure 6, on y voit un schéma représentant les signaux de tension instantanés appli qués à toutes les cellules du panneau de visualisation de la figure 2 en vue de l'amorçage de la cellule de mémoire X1Y3 et de l'entretien de toutes les autres cellules de mémoire, comme dans un système de mémoire organisé par bits. Dans l'agencement de la figure 6 et comparativement à celui de la figure 5, les combinaisons des signaux de tension instantanés ayant les phases indiquées sont appliquées aux lignes d'attaque associée X et Y afin d'amorcer la cellule de mémoire X1Y3 précédemment- éteinte, comme il a été indiqué lors de l'étude de la figure 5. Dans cet agencement, la combinaison des signaux de tension instantanés ayant les phases indiquées et qui sont appliqués aux lignes d'attaque X et Y, entraîne l'application, aux bornes de la cellule de mémoire X1Y3, d'un signal de tension d'amorçå- ge d'amplitude 2 VO, ce signal provoquant l'amorçage de la cellule de mémoire X1Y3 précédemment éteinte et son passage à l'état "allumé" ou "1". Par ailleurs, un signal de tension instantané deva;leur VO est appliqué à toutes les autres cellules de mémoire.Ce fonctionnement est semblable à celui du système bien connu de sélection d'une mémoire organisée par bits, le - quel est utilisé avec des éléments de mémoire magnétisables. Si on se réfère maintenant à la figure -7, on y voit un schéma des signaux de tension instantanés appliqués à toutes les cellules dù panneau de visualisation de la figure 2, en vue de provoquer l'extinction des cellules de mémoire X3Y1 et XlYl et de maintenir toutes les autres cellules de mémoire, comme dans le cas d'un système de sélection d'une mémoire organisée par mots, lequel est utilisé avec des systèmes de mémoire magné tlsables. Dans cet agencement, dans lequel les cellules de mémoire XlEl et X3Y1, en considérant la ligne d'attaque Y1 comme la ligne de mot, doivent être placées dans l'état "éteint" ou "O", les commutateurs SX1 et SX3appliquent le potentiel de la masse à leurs lignes d'attaque X1 et X3 respectivement associées, et en meme temps le commutateur SY1 applique le potentiel de la masse à la ligne d'attaque Y1 Yl qui lui est associée. Tous les autres commutateurs appliquent les signaux de tension instantanés, ayant les phases indiquées, aux lignes d'attaque X et Y respectivement associées, ce qui amène une tension d'entretien VO à être appliquée aux bornes des cellules de mémoire associées, ce qui a pour effet de maintenir ces cellules de mémoire dans leur état antérieur 'Y' ou"0". Il est bien entendu que le mode de réalisation qui a été décrit ci-dessus, en référence au dessin annexé, a été donné à titre purement indicatif et nullement limitatif, et que de nombreuses modifications peuvent être apportées sans qu'on s'écarte pour cela du. cadre de la présente invention. REVENDIC;TIONS 10 Dispositif de sélection1 destiné à être utilisé avec un panneau de visualisation à plasma, caractérisé en ce qu'il comprend un ensemble de lignes d'attaque X et un ensemble de lignes d'attaque Y, ces deux ensembles étant respectivement placés sur les faces opposées du panneau de visualisation, de manière à déterminer une pluralité d'intersections XY à Izen droit de chacune desquelles est formée, dans le panneau de À sualisation, une cellule de mémoire à plasma, cette- cellul- de mémoire exigeant une tension d'amorçage d'environ 2 Vo et une tension d'entretien d'environ VO, et en ce que les signaux d'attaque X Vo sin (wt + 99 ) ou VO sin (wt - 30 ) ou nu po- tentiel de la masse peuvent être appliqués sélectivement aux lignes d'attaque X, tandis que les signaux d'attaque Y Vo sin (wt ou Vo sin (wt + 300) ou au potentiel de la masse peuvent être appliqués sélectivement aux lignes d'attaque > * 2 Un dispositif de sélection suivant la revendica- tion 1, caractérisé en ce que l'application concomitante d; signaux Vo sin (wt + 90 ) et Vo sin (wt - 90 ) respectif ment aux lignes d'attaque X et Y sélectionnées provoque l'amorçage de la cellule de mémoire à plasma se trouvant à l'intersection XY sélectionnée, par suite de l'application à cette cellule d'un signal de tension sinusoidal d'amplitude 2 VO. 3 Un dispositif de sélection suivant la revendica- tion 1, caractérisé en ce que l'application concomitante de signaux au potentiel de la masse à des lignes d'attaque X et Y sélectionnées provoque l'extinction de la cellule de mémoire plasma se trouvant à l'intersection XY sélectionnée. 40 Un dispositif de sélection suivant la revenGina- tion 1, caractérisé en ce que l'application concomitante c.- signaux autres que le potentiel de la masse à des lignes d1att & - que X et Y sélectionnées et de signaux autres que les signaux Vo sin (wt + 900) et Vo (sin wt - 900) respectivement aux li- gnes d'attaque X et Y sélectionnées entraîne le maintien dans l'état "allumé" les cellules de mémoire à plasma précedemment amorcées et se trouvant aux intersections XY sélectionnees ce par l'application à ces cellules de signaux de tension sinu- soidaux ayant approximativement l'amplitude V