Brevet FR2030170A1 — publié le 19701030

- 1 - 2030170 La présente invention se rapporte à des éléments électriques ainsi qu'à des procédés pour les manipuler et les orienter avec précision, et plus particulièrement, à des procédés pour manipuler des circuits intégrés à micropoutres et pour aligner avec 5 précision la série de conducteurs qui en rayonnent sur des trajets conducteurs correspondants d'un substrat. D'une manière plus particulière, la présente invention a pou^fcut d'aligner une série de conducteurs de nouveaux éléments électriques miniatures sur des trajets conducteurs d'un substrat 10 pour préparer la fixation,soit temporaire soit permanente, des conducteurs sur les trajets. Une fixation temporaire facilite l'essai de l'élément effeotué en connectant les trajets à des circuits d'essai appropriés. Une fixation permanente de's conducteurs sur les trajets peut constituer l'opération finale d'un processus de 15 fabrication. Beaucoup d'efforts ont été dirigés dans le passé vers la production d'éléments et de circuits dans lesquels (a) les procédés d'assemblage sont perfectionnés; (b) la complication de la fabrication est diminuée ;(c) les paramètres électriques sont stables 20 sans avoir besoin d'utiliser des enveloppes étanch.es sous vide; (d) la capacité parasite est diminuée, et (e) les dimensions physiques des éléments sont considérablement diminuées. En même temps que cet effort de recherche qui vient d'être décrit » des tentatives ont été faites pour fabriquer des éléments pouvant également sur-25 vivre à la fois à une température de vieillissement élevée (350°C)* pendant quelques centaines d'heures dans des environnements corrosifs et à un centrifugeage avec une force élevée (135.000 g). Un tel effort de recherche a conduit, par exemple, à la mise au point d'un élément appelé un circuit intégré à micropoutres 30 (voir "Beam-Lead Technology" par M.P. Lepselter, The Bell System Techaical Journal, Volume XLV, n° 2, Février 1966, pages 233-253). Le terme "circuit intégré à micropoutres" englobe à la fois des dispositifs semi-conducteurs et des circuits intégrés comportant des conducteurs ou des électrodes forméès par dépôt 35 électrolytique,disposés en porte-à-faux au-delà des bords d'une plaquette. Les micropoutres forment Une protection étanche pour le circuit ainsi qu'un support et dès contacts électriques pour celui-ci. Un procédé type pour produire des circuits intégrés à 40 micropoutres part d'une plaquette semi-conductrice contenant dans 70 01920 _ 2 - 2030170 ■une matrice un groupement de dispositifs électriques plans multiples. On estime que les techniqués utilisées d'une manière générale sont bien connues mais en général, un tel traitement commence par la fabrication d'une tranche mince et polie d'une matière mono-5 cristalline formée en sectionnant -une tranche sur une billette monocristalline,dont le diamètre peut être d'environ 25mm ou plus. La tranche mince et polie est ensuite soumise à des opérations successives de masquage par une réserve photographique, de diffusion d'impuretés et de dépôt d'un métal pour former un groupement de 10 dispositifs semi-conducteurs dont le nombre peut être compris entre quelques centaines et quelques milliers suivant les dimensions et la complexité de chaque élément individuel. Comme on le sait dans la technique, le groupement est séparé en éléments individuels par des moyens mécaniques, ou particulièrement dans le cas des dis-15 positifs à micropoutres, par un moyen chimique. Il est avantageux pour le processus d'assemblage de con-, server l'orientation connue de l'élément semiconducteur dans le groupement de la tranche pendant le processus de manipulation pour permettre de le placer sur le panneau de montage et d'effectuer des 20 connexions appropriées du dispositif avec une configuration conductrice. Des ouvertures de contact sont formées par attaque chi-, mique à travers une couche de passivation protectrice formée au-dessus de chaque dispositif. Après les diverses opérations de dépôt des métaux (y compris le dépôt de platine et de titane dans 25 les ouvertures et au-dessus de la couche de passivation), les micropoutres sont formées par dépôt électrolytique avec une matière extrêmement conductrice telle que de l'or, sur chaque dispositif. Ce formage par dépôt électrolytique met l'or dans les ouvertures, une partie du métal déposé et de l'or s'étendant au-30 delà de la périphérie que le circuit présentera (après une opération d'attaque chimique finale), pour servir de conducteurs. Au cours d'une opération d'attaque chimique finale, des caches appropriés permettent de supprimer des parties de la plaquette qui se trouvent en-dessous des conducteurs, en laissant 35 des dispositifs ou éléments individuels dont les conducteurs s'en étendent et sont disposés en porte-à-fe.ux au-delà des bords de la plaquette. Les conducteurs en porte-à-faux sont appelés ■ des mi-cropoutres". Ces dispositifs individuels sont extrêmement délicats, 40 ils sont abîmés facilement et ils ne se prêtent pas d'eux-mêmes 70 01920 2030170 - 3 - au mode d'orientation et de montage qu'on utilise d'habitude pour des équipements électroniques de plus grandes dimensions. Jusqu'à présent, ces dispositifs ont été manipulés en utilisant largement des procédés manuels analogues à ceux utilisés dans 5 l'horlogerie. Cependant, la nécessité d'une grande propreté et d'outils et d'éléments ambiants non contaminants est enc'ore plus " grande dans le domaine des semi-conducteurs qu'en horlogerie» De plus, il faut une habileté Considérable de la part des opérateurs qui utilisent des outils tels que des brucelles ou des sondes 10 fonctionnant sous vide. La plupart des opérations doivent être effectuées à l'aide de microscopes, ce qui augmente encore les difficultés considérables du traitement. De plus, il esi? nécessaire de monter temporairement la matière ssaii-conductrice soit sous la forme d'une tranche soit sous la forme d'une plaquette pour effec-15 tuer son traitement chimique ou mécanique, l'essayer ou l'expédier. Ceci a été effectué auparavant en utilisant des matières adhésives de types divers qui présentent des difficultés à la fois au point de vue du démontage et de la contamination. D'une manière typique, les dimensions des circuits inté-20 grés à micropoutres sont comprises entre environ 0,51 à 1,27 mm sur 0,43 à 0,94 mm. Ces faibles dimensions rendent extrêmement difficile non seulement de manipuler les dispositifs, mais'encore d'aligner les conducteurs du circuit sur les trajets conducteurs d'un substrat, soit pour essayer soit pour monter d'une façon per-25 manente le circuit sur le substrat. De plus, les circuits intégrés à micropoutres sont facilement abîmés et contaminés par les butils utilisés pour les manipuler. En conséquence, moins ces circuits sont manipulés, mieux cela vaut. 30 La présente invention se rapporte à des perfectionnements permettant de résoudre les problèmes de manipulation et d'orientation indiqués plus haut. La-présente invention envisage à la fois un nouvel élément électrique perfectionné tel qu'un circuit intégré à micro-35 poutres, et -un substrat, ainsi qu'un procédé pour manipuler, transférer et / ou orienter avec précision un tel élément par rapport à un substrat. Soit pendant (comme faisant partie des opérations de dépôt des métaux) soit aprègla production de l'élément, on y incorpore une 40 région magnétique (qui peut être aimantée ou qui est aimantable) 70 01920 - 4 - 2030170 à l'intérieur ou sur l'éléament. Dans un premier mode de réalisation, un champ magnétique est également associé à un substrat et/ ou à ses trajets conducteurs sur lesquels les conducteurs correspondants de l'élément sont destinés à être alignés. La j>ola- f 3#Zl*ù ^1*69 S 6 © 5 ri té et la valeur du champ sont telles que si la région/est suffisamment rapprochée de celui-ci, il attire la région ce qui facilite un alignement donné. Ensuite, l'élément et le substrat sont déplacés ensemble pour permettre au champ et à la région de réagir l'un sur l'autr^. La région est attirée par le champ 10 ' vers le substrat, suivant l'alignement donné. Le choix préalable de l'emplacement de la région et du champ détermine l'alignement des conducteurs sur des trajets de contact correspondants et la position suivant laquelle l'élément est maintenu contre le substrat. Après avoir effectué un tel alignement, le champ peut être 15 supprimé ou bien il peut persister, et 1'élément-peut être alors fixé d'une manière permanente sur le substrat ou essayé à l'aide circuits appropriés qui sont connectés aux trajets. Dans un autre mode de réalisation particulier, l'incorporation de la région magnétique au -circuit intégré à miero-20 poutres peut consister soit à revêtir soit noyer une matière ai-mantable ou magnétique sur ou dans soit les conducteurs soit la masse du circuit. Une série de régions magnétiquement asymétriques et/ ou de champs peuvent être utiliséaeyfrour le "codage", de façon à assurer que le circuit peut être orienté sur le aubs-25 trat suivant une seule orientation spéciale, ou que seul un type choisi de circuit peut être orienté sur une région donnée du substrat.. Le champ magnétique associé au substrat peut être produit par -un ou plusieurs aimants associés à ce dernier. On peut 30 obtenir une orientation appropriée du circuit sur le substrat non seulement par l'interaction entre les ciuamps magnétiques mais également en mettant en butée une partie du circuit sur 1' aimant qui y est fixé» Suivant un aspect général, la présente invention con-35 siste à incorporer à des panneaux de montage une matière ferromagnétique à la fois du type dur et du type perméable, ainsi que des matières rentrant dans toute la gamme se trouvant entre ces types. De plus, pour mettre en pratique la présente invention, 40 70 01920 - 5 - 2030170 montage peuvent être aimantées d'une manière à peu près permanente, dans le temps, avant l'assemblage des dispositifs semi-conducteurs sur les panneaux. D'autre'part, si on utilise des matières perméables, on peut appliquer une force magnéto-motrice 5 produite de l'extérieur à la matière ferromagnétique du panneau uniquement pendant l'opération d 'assemblage. De cette manière, suivant la présente invention, en utilisant un moyen magnétique dans le substrat ou dans un panneau de montage, les dispositifs semi-conducteurs qui doivent y 'être 10 montés peuvent être appliqués à la surface du panneau et peuvent être disposés d'une manière précise par l'attraction magnétique qui se produit entre eux. D'autres avantages et caractéristiques de la présente invention ressortiront au cours de la description détaillée qui 15 va suivre, faite en regard des dessins annexés qui donnent à titre explicatif, mais nullement limitatif, plusieurs formes de réalisation conformes à l'invention. Sur ces dessins, La Fig. 1 est une vue en perspective d'un circuit inté-20 gré à micropoutres comportant une série de conducteurs qui s'étendent vers l'extérieur depuis un corps,et d'un substrat présentant sur lui une série de trajets conducteurs, des conducteurs corres-. pondants devant être alignés respectivement à l'aide de la présente invention ; 25 Les Fig. 2 et 3 sont des vues en coupe de dispositifs semi-conLicteurs du type représenté sur la Fig. 1 ; Les Fig. 4, 5 e-t 6 représentent une autre technique servant à incorporer des régions aimantables aux éléments de la Fig. 1 ; 30 Les Fig. 7, 8 et 9 sont des coupes de certaines parties de dispositifs semi-conducteurs à micropoutres représentant un certain nombre d'autres agencements permettant d'y incorporer une matière magnétique. La Fig. 10 est une vue latérale représentant une va-35 riante du procédé utilisé pour associer un champ magnétique au substrat de la Fig. 1 ; La Fig. 11 est une vue schématique représentant les principes du proc éié permettant de maintenir un dispositif semiconducteur à micropoutres en utilisant un moyen magnétique; 40 La Fig. 12 est une vue latérale d'une forme du nouveau 70 01920 - 6 - 2030170 dispositif orienté sur un substrat à l'aide d'aimants qui, à la fois, attirent une partie de l'élément et viennent en butée avec celui-ci ; La Fig. 13 est un mode de réalisation de l'invention 5 représentant l'utilisation d'une force magnétique appliquée de l'extérieur ; La Fig. 14 représente sçhématiquement un moyen magnétique servant à transporter des dispositifs à micropoutres le long d'un trajet prédéterminé. 10 La Fig. 1 représente un exemple d'un élément électrique, en particulier d'un circuit intégré à micropoutres 10, et d'un substrat 11 sur lequel le circuit 10 doit être orienté, conformément à la présente invention. Il va de soi que d'autres types d'éléments électriques tels que des transistors, des condensateurs, et des 15 circuits en pellicules minces distincts pourraient être utilisés pour la présente invention, le circuit 10 n'étant représenté qu'à titre d'illustration. De plus, on pourrait également utiliser des éléments de support différents du substrat 11, tels que des panneaux de circuits imprimés,des circuits résistance-capacité 20 intégrés, etc... Le circuit 10 comprend un corps 20 qui peut contenir un dispositif plan classique (non représenté). Du corps 20, rayonnent ou s'écartent vers l'extérieur une série de conducteurs 13. Les conducteurs 13 sont, dans ce cas, des micropoutres, mais pour-25 raient être d'autrestypes d'électrodes servant à connecter le corps 20 à des circuits extérieurs. Le substrat 11 peut comprendre une base non conductrice par exemple en matière céramique, phénolique, plastique, etc... sur laquelle ont été fixés ou déposés, par n'importe quel moyen, 30 une série de trajets conducteurs 15 constitués, par exemple, par du clinquant de cuivre ou des pellicules d'or. Les trajets sont déposés sur le substrat suivant une configuration qui correspond à celle des conducteurs 13. Il est prévu, bien entendu, que les conducteurs 13.-sont alignés sur leurs 35 trajets 15 correspondante et qu'ils sont également mis en contact avec ceux-ci, les trajets 15 pouvant être connectés électriquement soit à des circuits d'utilisation extérieurs soit à des circuits d'eœai. Comme décrit précédemment, le circuit 10 et ses conducteurs 13 sont très petits, comme le sont les trajets 15. En con-40 séquence, les procédés de la technique antérieure prévoyaient 70 01920 - 7 - 2030170 l'alignement et la fixation des conducteurs 13 sur les trajets 15 à l'aide du mode opératoire manuel suivant : Un circuit 10 est prélevé dans un lot de tels aircuits, soit avec des brucelles soit avec un outil semblable à une ai-5 guille hypodermique fonctionnant sous vide; un opérateur examine le circuit ainsi prélevé pour s'assurer que son côté approprié est disposé de manière à être placé contre le substrat 11 ; "une fois que ceci a été déterminé, en utilisant soit un microscope soit une loupe soit les deux, l'opérateur effectue à la main un 10 alignement "approximatif"cfes conducteurs 13 sur les trajets 15, en laissant tomber le circuit aligné grossièrement sur le substrat ; puis un alignement fin est ensuite réalisé en-utilisant à nouveau un microscope ou une loupe ou les deux (on réalise parois l'alignement avec un réticule); en prenant soin de ne pas 15 déplacer le circuit 10 ni le substrat 11 l'un par rapport à l'autre, et l'opérateur fixe d'une manière permanente ou temporaire le circuit 10 sur le substrat. Comme on le voit facilement, les procédés de la technique antérieure permettant d'obtenir les résultats recherchés sont 20 difficiles, coûteux et dispendieux. Dans une première forme, la présente invention envisage un nouvel objet manufacturé et un procédé dont la première opération consiste à incorporer une région aimantable au circuit en revêtant le circuit d'une matière magnétique afin de produire le 25 nouvel objet manufacturé. La région peut initialement présenter l'orientation magnétique voulue, ou bien celle-ci peut lui être imposée par la suite. En se reportant aux Fig. 5 et 6, une ou plusieurs régions peuvent être appliquées soit au corps 52 ou 62 cfes disposi-30 tifs 50 ou 60, comme indiqué par la référence 57 > ou bien peuvent former un revêtement sur un ou plusieurs de leurs conducteurs 53 ou 63, comme indiqué par la référence 67. Les régions 57 et 67 peuvent être aimantées, c'est à dire présenter des aimants permanents comportant un pôle nord et un pôle sud.De telles régions 35 peuvent être déposées ou appliquées en couches ou autrement sur les circuits 50 ou 60, à l'aide de n'importe quel moyen approprié. D'autre part, les régions 57 et 67 peuvent être constituées par ■une matière aimantable mais initialement non aimantée qui est appliquée aux circuits 50 ou 60 par n'importe quelle technique 40 telle que, d'une manière commode, par bombardement, évaporation, 70 01920 - 8 - 2030170 placage,, etc... Dans ce dernier cas, pendant ou après l'opération d'application de la région, il peut être nécessaire d'aimanter les régions 57 et 67 jiHju'à ce qu'on ait établi des pôles magnétiques nord et sud appropriés. 5 Bien entendu, l'incorporation de l'un ou l'autre type de région^ 57 et 67 aux circuits 50 ou 60 peut être une opération solidaire du processus de fabrication de ces circuits 50 ou 60. En se reportant à nouveau à la Fig. 5, on en déduit un procédé pour associer un champ magnétique à un substrat 51. En 10 particulier, un revêtement magnétique 56 d'une nature semblable à celle de la région 57 est déposé sur la base 54, comme décrit plus haut pour le circuit 50. La région 56 est disposée sur la base 54 de telle sorte qu'après aimantation, (si celle-ci est nécessaire), ses pôles sud et nord attirent les pôles nord et 15 sud, respectivement, de la région 57. Cette attraction fait aligner avec précision les conducteurs 53 du circuit 50 sur les trajets 5 5» simplement en rapprochant le circuit 50 du substrat 51 pour permettre aux champs magnétiques dee^égions 57 et 56 d'agir l'un sur l'autre. L'attraction sert également à maintenir le cir-20 cuit 50 sur le substrat 51 pour permettre un collage ou une fixation ultérieur . De même, et en se reportant à la Fig. 6, le champ magnétique peut être associé au substrat 61 en mettant, comme décrit plus haut pour la région 56, un revêtement 66 sur le trajet 65, 25 ' lequel correspond au conducteur 63 portant le revêtement 67. Les pôles magnétiques des régions 67 et 66 sont complémentaires de façon à obtenir l'alignement et le maintien voulus. Les procédés donnés ci-après constituent des variantes de la description donnée ci-dessus des Fig. 5 et 6. 30 (1) Plusieurs régions 57 et plusieurs régions être disposées sur les circuits 50 ou 60 et sur les substrats 51 ou 61, respectivement, pour assurer encore mieux une orientation appropriée, cette disposition pouvant s'effectuer sous la forme d'uri' code" de telle sorte qu'une seule orientation des cir-35 cuits 50 ou 60 sur les substrats 51 ou 61 est possible, le "code" pouvant être constitué par des champs magnétiques asymétriques complémentaires appliqués au circuit et au substrat 11. (2) Plusieurs conducteurs 53 ou 63 et plusieurs trajets 55 ou 65 peuvent être recouverts par une région 67 et 66, 40 respectivement,'pour obtenir de façon encore plus sûre l'orien- - 70 01920 _ g _ 2030170 tation voulue ; et à nouveau on peut utiliser un "code" ; (3) On peut utiliser n'importe quel mélange ou n'importe quelle combinaison de régions des circuits 50 ou 60 et des substrats 51 ou 61 suivant les figures 5» 6 et suivant les procédéa 5 (1) et (2) ci-dessus pour des besoins ou des désirs spéciaux ; ou (4) n'importe laquelle des combinaisons quelconques décrites plus haut en intégrant des régions magnétiques aus corps 52 ou 62 ou aux conducteurs 53 et 63 des circuits 50 ou 60 ou sous les bases 54 ou 64 ou bien sous les trajets 55 ou 65 des substrats 10 51 ou 61. la Pig. 4 représente -un exemple de la variante (4). Un circuit intégré à micropoutres 40 comprend un corps 41 et des micropoutres 46 dont une seule d'entre elles est représentée. Les conducteurs 46 comprennent un certain nombre de couches 44 f- 48 15 et 47 qui peuvent se présenter sous des formes diverses et être constituées par des métaux divers. Pour' simplifier et à titre d'exemple seulement, les couches sont représentées comme étant constituées par une couche de platine 44, une èouche magnétique 47 (par exemple en nickel), ^me c.ouche de platine 45 et une couche 20 d'or 48. '' Dans un circuit intégré à micropoutres classique, la couche qui' se trouve à la position 47 pourrait être en titane. La substitution de nickel magnétique dans la région magnétique qui est constituée par la oouche 47 s'est montrée compatible 25 chimiquement et électriquement avec le circuit. 40 lorsqu'il est en titane. De plus, le nickel peut être utilisé d'une manière classique pendant l'une des opérations de dépôt servant à constituer les conducteurs 46, à peu près de la même manière que le titane. 30 Pour compléter la description de la Pig; 4, le corps 41 peut être une plaquette en silicium recouverte d'une ou plusieurs couches de passivation.42 et 43 en des matières telles que du bioxyde de silicium et du nitrure de silicium. Des ouvertures de contact 49 sont formées par attaque chimique à travers 35 les couches de passivation 42 et 43. Dans ces ouvertures 49? les opérations de dépôt des métaux y font placer les couches 44,48 et 47 qui constituent les micropoutres 46. Les variantes (1) - (4), indiquées ci-dessus peuvent etre utilisées toutes avec le circuit 40 de la Pig. 4 afin d 'asso-40 cier le champ magnétique au substrat. 70 01920 - 10 - 2030170 Il convient d'indiquer ici à nouveau que la région telle que 57 ou 66 peut être soit aimantable soit aim ntée. D'une manière plus générale, des régions telles que les régions 57 et 66 peuvent être indiquées comme étant"f erromagnétiques". Ce terme se rapporte 5 à une catégorie de matières présentant une perméabilité magnétique élevée et un point de saturation défini, et qui présentent un magnétisme résiduel et -une hystérésis appréciables. le ternie "ferromagnétique" ne se limite pas à des matières contenant du fer et il peut se rapporter à des matières magnétiques "dures" et "per-10 méables". Les matières "dures" présentent une valeur élevée du produit d'énergie (BH),,^ en unités d'énergie par unité de volume înax tandis que les matières "perméables" présentent une faible valeur pour (BH)max. Dans le cas des matières magnétiques dures, les régions 15 telles que les régions 57 et 66, sont, pour la présente invention, aimantées et orientées d'une manière à peu près permanente une fois qu'elles ont été disposées sur place. Dans le cas d'une matière magnétique perméable, les régions telles que les régions 57 et 66 peuvent être aimantées et on peut les utiliser suivant l'une de 20 deux façons. D'abord, on peut , comme indiqué précédemment, les aimanter d'une manière permanente avant de mettre en oeuvre le procédé d'orientation suivant l'invention. Par exemple, on peut soumettre ce qu'on appelle des encres magnétiques à un champ magnétique intense lorsqu'elles sont à un état fluide de sorte qu'en 25 séchant les encres présentent une polarité magnétique. Des configurations de matières ferromagnétiques peuvent également être produites à la fois par un dépôt sélectif en utilisant des caches appropriés et par une attaque chimique sélective, également en utilisant des caches. La masse de matière: ferro-30 magnétique nécessaire n'est pas excessive et on a obtenu cfes résultats suffisants en utilisant des pellicules comprises entre environ 0,013 et environ 0,019 mm d'épaisseur . Secondement, les matières perméables bien que n'étant pas aimantées d'une façon permanente peuvent être utilisées pour 35 concentrer les lignes de force magnétiques d'un aimant extérieur. De cette manière, des régions quelconques telles que les régions 57 et 66 bien que n'étant pas aimantées en permanence peuvent agir comme si elles l'étaient. D'une manière générale, le choix d'une matière fsrro-40 magnétique dépend de l'application particulière qui doit être faite 70 01920 - 11 - 2030170 de ses caractéristiques magnétiques ainsi que du procédé à l'aide duquel la matière est déposée. Par exemple, les techniques de dépôt peuvent comporter le placage , 11évaporation, le bombardement, etc... 5 A nouveau, la manière suivant laquelle la pellicule est formée est commandée par 1' application qui doit être faite ainsi que par le procédé de fabrication particulier qui est utilisé. En se reportant à la Pig. 7, une pellicule 77 d'une matière ferromagnétique est incorporée à la partie épaissie d'une- struc-10 ture de micropoutre type, avant de déposer la pellicule d'or épaisse finale 78. Dans cette configuration, le conducteur se trouve sur le dessous du corps semi-conducteur 71 pour permettre de le coller ou de le fixer sur une configuration conductrice d'un substrat. L'ensemble 70 comprend un corps semi-conducteur 71 en si-15 licium qui peut comporter une ou plusieurs zones diffusées de façon à constituer un transistor, une résistance ou une diode. Sur la surface inférieure 79» se trouve une. couche mince'72 de bioxyde de silicium et une couche de dessus 73 en nitrure de silicium, toutes les deux étant des matières diélectriques qui 20 sont utilisées pour la passivation. Sur les couches diélectriques sont déposées des couches successives de titane 74, de platine 75 et d'or 78 avec la couche intermédiaire précitée 77 en matière ferromagnétique, cette disposition étant appelée celle d'une patte. 25 Sur la Pig. 8, la matière ferromagnétique est disposée suivant ce qui est appelé un feuillet dans lequel la pellicule 87 est appliquée sur le revêtement 86 initial en or de la micropoutre. Une couche supplémentaire 88 d'or est.appliquée pour former la micropoutre. La structure est semblable à celle représen-30 tée sur la Pig. 7, à l'exception du fait que la matière magnétique s'étend sur toute la longueur à la fois de la micropoutre et de la région de contact. En.particulier, le corps semi-conducteur 81 est en silicium, les couches 82 et 83 sont respectivement en bioxyde de 35 silicium et en nitrure de silicium, la couche 84 est en titane, la couche 85 en platine et les couches 86 et 88 sont "toutes les deux en or, la couche 87 étant en une matière ferromagnétique. Sur la Pig. 9, la pellicule 97 &e matière magnétique est appliquée au dos ou à la surface supérieure du corps semi-40 conducteur en silicium, A nouveau le corps 91 est en silicium, 01920 - 12 - 2030170 les couches 92 et 93 sont respectivement en oxyde de silicium et en nitrure de silicium, et les couches 94, 95 et 96 sont, respectivement, en titane, en platine et en or. On se rend compte, bien entendu, que ces configurations peuvent être combinées de manières diverses. Par exemple, on peut combiner la configuration de la Fig. 9 soit avec l'agencement de la Fig. 7 soit avec celui de la Fig. 8 pour permettre d'obtenir à la fois une manipulation facile et un maintien aisé des micropoutres pour les fixer et les orienter. Déplus, la pellicule 97 formée à la surface du semiconducteur peut être appliquée suivant -une configuration ou forme particulière pour l'orienter. En se reportant maintenaafc à la Fig. 10., on y "voit une variante du procédé utilisé pour associer un champ magnétique au substrat 101. Pour simplifier, le circuit 100 est représenté comme comportant une partie de son corps 102 recouverte par la région aimantée 57 de la Fig. 5. De substrat 101 et un ou plusieurs aimants permanents ou électroaimants 106 sont rapprochés les uns contre les autres. De préférence, ce rapprochement s'effectue en utilisant l'aimant 106 comme support pour le substrat 101. On peut obtenir un alignement approprié du substratt de l'aimant 106 en disposant des broches 108 sur l'aimant et en les clave-tant dans des ouvertures de mise en position 109 prévues dans le substrat 101. En conséquence, comme on le voit sur la Fig. 10, le substrat 101 repose sur l'aimant 106. Il va de soi qu'on peut utiliser un nombre d'aimants moindre ou plus important et que ceux-ci n'ont pas besoin nécessairement de se trouver en - dessous du substrat 101 mais qu'au contraire ils pourraieut se trouver sur le côté ou au sommet du substrat. Dans tous les cas, les aimants 106 sont asseociés au substrat 101, leurs valeurs et leurs pola-ritées étant choisies de telle sorte que la région aimantée 107, qui comporte un pôle nord et -un pôle sud, soit attirée et alignée d'une manière appropriée par rapport à l'aimant 106 pour obtenir l'orientation voulue du circuit 100 et du substrat 101. Des régions du type représenté en 57 sur la Fig. 5 et en 47 sur la Fig. 4, pourraient être également utilisées. N'importe quel moyen (qu'on voit en 110 sur la Fig.10) peut être utilisé pour associer les aimants au substrat 101. De (même, de tels moyens 110 peuvent être utilisés pour faire reçu- 7a 01920 - 13 - 2030170 1er les aimants 106 une fois qu'on a obtenu l'orientation voulue. Il ed; évident que ce mode de fonctionnement permet des économies en supprimant la nécessité d'utiliser des régions telles que la région 56 sur la Fig. 5 et 66 sur la Fig. 6, et qu'il facilite 5 également l'orientation d'un certain nombre de circuits 100 sur-le même substrat 101, lorsque l'utilisation d'un certain nombre de régions 56, Fig,5, et 66, Fig. 6, destinées à orienteras c.ir-cuits 100 différents pourrait se traduire par des interactions mutuelles indésirables des champs magnétiques présents. 10 L'aimant 106 peut également être utilisé avec une région (non représentée) du substrat qui concentre ses lignes de f'orce. Une telle région peut d'une manière commode être "perméable", et il est inutile d'aimanter en permanence cette région. Une technique semblable peut êtr^fotilisée avec les régions 57, Fig. 5, 67, 15 Fig. 6 et 47, Fig. 4, incorporées au circuit 100 lorsque de telles régions 57, Fig. 5, 67, Fig. 6 et 47, Fig. 4, sont con^ituées par des matières magnétiques "perméables". En se reportant à la Fig. 11 , elle .montre 1' efficaci^ té d'un moyen magnétique pour manipuler et mettre en position un 20 élément semi-conducteur comportant -une matière ferromagnétique, à l'aide d'un schéma représentant les lignes de force magnétiques sous la forme de traits mixtes, des vecteurs indiquant les forces qui agissent sur l'élément. Sur la Fig. 11, on a:représenté un circuit magnétique 117 comportant un entrefer 119 et, comme indi-25 qué plus haut, les lignes de force magnétiques 118 qui consti- • tuent une partie du champ, en émanent et passent au-dessus de l'aimant. Le substrat 115 et le conducteur 116 sur lesquels doivent être fixés en permanence l'élément semi-coirLieteur 112 et les micropoutres 113 sont disposés par rapport à l'entrefer. Dans ce cas par-30 ticulier, l'élément semi-conducteur contient une pellicule de matière ferromagnétique 114 dans les deux micropoutres opposées qu'on voit sur cette vue. Du fait de la configuration du champ magnétique, on peut voir que les forces (vecteursF-^ et F^) qui agissent sur chacune des pellicules magnétiques 114 peuvent être 35 divisées en composantes agissant vers l'extérieur (vecteur F^ et Fpj[) de valeurs égales et opposées lorsque l'élément est centré au dessus de l'entrefer, et en composantes agissant vers le bas (vecteursF-^y et L^y). De cette manière, le moyen magnétique assure un contact intime ou un maintien ferme des micropoutres 113 de 40 l'élément semiconducteur.112 à la position appropriée par rapport 70 01920 - 14 - 2030170 au substrat 115. Ceci est important pour pouvoir coller ou fixer d'une manière appropriée les micropoutres 113 de l'élément 112, aux positions appropriées. En particulier, lorsqu'on utilise des techniques de fixation telles qu'un soudage à l'aide d'un 5 laser, il est essentiel d'obtenir un bon contact entre la micropoutre 113 et la configuration conductrice 116 du substrat 115 pour effectuer l'opération de fixation. Une mise en position appropriée est importante pour d'autres techniques de fixation comprenant par exemple un collage par thermocompression et à 10 l'aide des ultrasons. De plus, bien que non représenté particu- lièrement, l'orientation peut être obtenue en incorporant des . se trouvant . , pellicules magnetiques aux conducteurs/sur trois cotes ou a quatre conducteurs sur un seul côté et à deux conducteurs sur les côtés opposés aussi bien qu'à d'autres configurations asymétriques. 15 En se reportant à la Pig. 12, elle représente un autre mode de réalisation de la présente invention. Dans ce mode de réalisation, comme précédemment, à une partie quelconque du cir- . cuit 120 peut être incorporée une région magnétique appropriée. Pour simplifier, la Pig. 12 représente deux des conducteurs 123 20 d'un circuit 120 contenant une région magnétique semblable aux régions. 67, Pig. 6, (ou 47, Pig- 4). Au substrat 121, sont fixées des régions correspondantes 126 semblables à la région 68, Pig. 6, à l'exception du fait que les régions 126 présente une dimension verticale qui est appré-25 ciable. Les champs magnétiques des régions 126 attirent et orientent le circuit 120 par l'intermédiaire des régions 67, Pig. 6, ou 47, Pig. 4, des conducteurs 123. Cependant, une fois qu'une telle attraction et -une telle orientation ont été réalisées, les conducteurs 123 viennent également buter contre le côté des ré-30 gions 126. Une telle butée coopère avec l'interaction des champs magnétiques pour assurer une orientation appropriée du circuit 120 et du substrat 121. Dans l'agencement représenté sur la vue en coupe de la Pig. 13, un panneau de montage 131 comporte sur une première sur-35 face des bandes perméables 135 et 136 en matière magnétique. Sur l'autre surface, se trouve un dispositif semi-conducteur à micropoutres comprenant une plaquette semi-conductrice 130 comportant des micropoutres 133 et 134 fixées sur les bandes conductrices 132 di panneau de montage 131. Sur la face supérieure de la pla-40 quette 130 se trouve une bande 137 de matière ferromagnétique qui 70 01920 - 15 - 2030170 permet de mettre en place et de maintenir le dispositif semi-conducteur lorsqu'un électroaimant 139 est appliqué aux bandes 135 et 136 et lorsqu'il est excité. Tout en reconnaissant que l'épaisseur est exagérée d'une manière proportionnelle sur le dessin, il 5 convient de se rendre compte qu'un circuit magnétique est formé, que ferme la bande 137 du dispositif semi-conducteur qui occupe l'intervalle séparant les bandes 135 et 136. Après avoir fixé d'une manière permanente le dispositif semi-conducteur, 1'électroaimant 139 est enlevé. On se rend compte qu'on peut utiliser des 10 montages électromagnétiques pour effectuer l'assemblage1 de l'appareil et du panneau suivant ce concept. De plus, il peut être avan -tageux pour l'assemblage d'utiliser un moyen électromagnétique servant à produire des champs magnétiques disposés verticalement, alternatifs ou pulsatoires. C'est à dire qu'en utilisant des no-15 yaux et des enroulements séparés, et en appliquant un courant alternatif ou pulsatoire, on peut produire un léger déplacement vertical des éléments du circuit se trouvant sur le panneau pour permettre une mise en position plus facile. Le prélèvement initial et le transport du circuit et du 20 substrat peuvent être effectués par -un électroaimant pouvant être excité sélectivement qui tire profit des régions magnétiques formées sur les éléments. D'après ce qui précède,- on se rend compte qu'une opération d'assemblage servant à monter des éléments de circuit sur 25 des substrats peut être rendue facilement automatique en utilisant des champs magnétiques correspondant à la configuration de montage du substrat. Les éléments du circuit sont appliqués à la surface du substrat où les champs magnétiques mettent en position et maintiennent l'élément sur ce dernier. D'une façon très générale, les 30 éléments des circuits semi-conducteurs sont légers, de l'ordre de quelques milligrammes, de sorte qu'il ne faut que des forces magnétiques relativement faibles pour produire le déplacement nécessaire. - La Pig. 14 représente schématiquement le transport d'un 35 élément à micropoutres le long d'un entrefer en le faisant tourner d'un angle a . Le long de l'entrefer, sont espacées un groupe de têtes magnétiques 140 - 141 qui peuvent être excitées successivement ce qui se traduit pratiquement par un mouvement du champ magnétique. Chaque micropoutre de l'élément semi-conducteur 40 143 peut contenir, dans ce cas une pellicule ferromagnétique, uni- 70 01920 - 16 - 2030170 quement sur les conducteurs 145 qui se trouvent sur ses côtés opposés. Les autres micropoutres 144 ne contiennent pas de pellicule ferromagnétique . En conséquence, l'élément semi-conducteur est maintenu au-dessus de l'entrefer 142 par le champ magnétique, 5 comme décrit en liaison avec la Fig. 11. En excitant les têtes magnétiques du groupe, successivement, l'élément peut être transporté le long de l'entrefer 142 et on peut le faire tourner facilement de l'angle a qui peut s'élever jusqu'à 90°. On voit ainsi que l'incorporation sélective d'une matière magnétique à 10 l'intérieur des éléments semiconducteurs peut être utilisée pour permettre des opérations de manipulation particulières. De plus, il est possible de disposer les régions magnétiques sur le circuit 120 et sur le substrat 121 suivant •de nombreuses manières. Une variante se présente sous la 15 forme d'une saillie aimantée du circuit 120 qui s'associe à un creux aimanté formé par le substrat 121. L'incorporation d'un moyen magnétique au substrat ou à des panneaux de montage, comme décrit plus haut pour la présente invention, peut également s'effectuer de diverses manières. 20 Une matière magnétique dure qui convient pour une aimantation permanente ou une matière perméable destinée à être utilisée avec une force magnétomotrice extérieure?peuvent être disposées aux emplacements voulus du panneau de circuit par une opération de métallisation séparée utilisant un cache distinct de la con-25 figuration magnétique nécessaire. A la suite du dépôt, la matière dure peut être aimantée, à volonté, en utilisant des têtes magnétiques disposées sous la forme d'un montage ou suivant une disposition semblable. En variante, la matiè re magnétique peut être déposée sur toute la face du panneau de circuit et les par-30 ties indésirables peuvent être supprimées en utilisant un cache. Du fait que les éléments semi-conducteurs qui sont mis en position suivant la présente invention présentent cfes masses extrêmement faibles, des forces électrostatiques peuvent être suffisantes pour les influencer. Comme on le sait dans la tech-35 nique, une telle charge électrostatique indésirable qui peut s'accumuler peut être enlevée par un rayonnement de particules ou à l'aide de rayons X. Dans certains cas, il peut être possible d'utiliser en pratique les forces électrostatiques pour maintenir ou suspendre les éléments pendant le processus d'assemblage. 40 De plus, comme indiqué plus haut,, un champ magnétique alternatif 70 01920 - 17 - 2030170 superposé peut être utilisé pour supprimer les effets du frottement de surface et obtenir un alignement optimal. De cette manière, bien que la présente invention puisse être mise en pratique principalement en utilisant une matière polarisable à 5 spin magnétique, il peut être possible d''utiliser des matières soumises à une polarisation à l'aide de moyens autres que des moyens électrostatiques. 4es La seule limitation caractétistique imposée à la nature/ régions magnétiques décrites est le fait que ni leur constitution 10 chimique ni leur champ magnétique ne doivent être dangereux ni nuisibles pour les caractéristiques électriques et pour le fonctionnement électrique du circuit 121. Il va de soi que la présente invention n'a.été décrite et représentée qu'à titre explicatif, mais nullement limitatif 15 et qu'elle est susceptible de diverses variantes sans sortir de son cadre. LEGENDE DES DESSINS Figures Repères 2 26-27-28-29 Matière ferromagnétique. 3 36-57-38-39- Matière ferromagnétique 70 01920 - 18 - 2030170 REVENDICATIONS 1. Procédé pour aligner un élément électrique comportant un corps auquel est fixé au moins un conducteur, sur un substrat portant au moins un trajet conducteur, afin d'obtenir un aligne-5 ment approprié entre le conducteur et le trajet oarducteur correspondant, caractérisé en ce qu'il consiste : à former au moins une région aimantable dans 1'élément ; à associer un champ magnétique au substrat, ce champ présentant une polarité magnétique et une valeur qui,ensemble,permettent d'obtenir un alignement choisi 10 de ladite région sur lui ; et ensuite à déplacer l'élément et le substrat pour les rapprocher jusqu'à ce que ladite région et le champ réagissent l'un sur l'autre afin de faire aligner par le champ d'une manière appropriée le conducteur et son trajet correspondant. 15 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins •une partie du corps' de l'élément est revêtu avec ■une matière magnétique pour former la région aimantable. 3. Procédé suivant la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce qu'au moins une partie du conducteur 20 est revêtue d'une matière magnétique pour former la région aimantable . 4. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'une matière magnétique est noyée dans au moins un emplacement à l'intérieur de l'élément pour for-25 mer la région aimantable. 5. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins un élément est monté sur le substrat. 6. Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en 30 ce qu'on laisse une partie de l'élément venir buter • contre mant du fait de l'interaction, cette interaction et cette mise en/ assurant toutes les deux un alignement approprié entre le conducteur et le trajet. 7. Procédé pour manipuler un élément semiconducteur 35 caractérisé en ce qu'on dispose dans l'élément une matière ferro- certame magnetique suivant une/configuration, la configuration correspondant à la configuration électrique de l'élément, l'élément étant'-exposé à un champ magnétique comportant une orientation restreinte et particulière par rapport à la configuration et une intensité 40 suffisante pour attirer et maintenir l'élément semiconducteur sui 70 01920 - 19 - 2030170 vant l'orientation et la configuration voulues. 8. Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce que le champ magnétique est agencé de manière à présenter pratiquement un certain mouvement- de façon à faire transporter 5 l'élément semiconducteur. 9. Elément électrique destiné à être utilisé particulièrement suivant le procédé de l'une quelconque des revendications 1 à 8 , .cet élément comprenant un corps destiné à être aligné sur un trajet conducteur extérieur .et au moins un 10 conducteur, caractérisé en ce qu'une région aimantable est incorporée à l'élément, les dimensions, la forme et les caractéristiques magnétiques de la région étant en rapport, d'une manière prédéterminée dans l'espace, avec l'emplacement du conducteur. 10. Elément suivant la revendication 1 , caractérisé 15 en ce que la relation spatiale prédéterminée de la région par rapport au conducteur et par rapport au trajet dépend de l'intensité, de l'orientation et de la polarité d'un champ magnéti- • que associé au trajet, de sorte que lorsque la région et le champ réagissent d'une façon magnétique l'un sur l'autre, les çondiic- 20 teurs sont alignés sur des trajets conducteurs correspondants. 11. Elément électrique suivant la revendication 1 ou la revendication 2, comprenant un corps semiconducteur, caractérisé en ce que la région aimantable est constituée par une matière ferromagnétique disposée suivant une configuration prédéter- 25 minée. • 12. Elément électrique suivant la revendication 10 ou la revendication 11, comportant des conducteurs métalliques fixés au corps, caractérisé en ce que la région se trouve .sur au moins l'un des conducteurs. 30 13. Panneau de montage comprenant un élément diélectri que portant une configuration de circuit conductrice destinée à y fixer d'une manière permanente des dispositifs semiconducteurs pour les utiliser spécialement suivant le procédé de l'une quelconque des revendications de 1 à 6, caractérise en ce que le pan- 35 neau comporte une matière ferromagnétique qui eèt répartie suivant une configuration particulière et qui est agencée de manière à coopérer avec une matière aimantable des dispositifs semiconducteurs pour permettre de mettre en position ces dispositifs sur le panneau et de les y monter. 40 14. Panneau de montage suivant la revendication 13» carac 70 01920 20 2030170 térisé en ce que ladite matière ferromagnétique présente un produit d'énergie relativement élevé et est polarisée de façon à présenter une orientation magnétique particulière. 15. Panneau de montage suivant la revendication 13, 5 caractérisé en ce que ladite matière ferromagnétique présente un produit d'énergie relativement faible et eét répartie de manière à former des emplacements constituant des entrefers d'un circuit magnétique lesquels doivent être remplis par une matière ferromagnétique se trouvant dans lesdits dispositifs semiconduc- 10 teurs. 16. Appareil d'assemblage électronique, caractérisé en ce qu'il comprend ua panneau de montage suivant l'une quelconque des revendications' de 13 à 15, et qu'il comporte un moyen séparé appliquant une force magnétomotrice à la matière ferromagnétique 15 qui est répartie dans ledit panneau.