Brevet FR2049131A1 — publié le 19710326

la présente invention concerne les circuits électriques utilisant un disjjositif ' semi-conducteur et,, plus particulièrement, les circuits qui ont la propriété de présenter une résistance négative» Les recherches relatives aux circuits à résistance > négative sont à l'ordre du jour dans la technique électrique ou électronique. la présente invention a trait à des nouveaux circuits à résistance négative. le dispositif semi'-conducteur utilisé dans la présente invention comprend un substrat.semi-conducteur et au moins trois régions iO indépendantes dans ce semi-conducteur, qui ont un type de conductivité choisi et qui sont respectivement munis d'une électrode. Un dispositif de ce type est décrit dans* les demandes de brevet aux U.S.A. de série 873.162 et N° 873.399, toutes les deux déposées le 4 .Novembre 1969 et cédées à la demanderesse. 15 la construction du circuit peut être brièvement décrite de la façon suivante. Le dispositif à semi-conducteur est connecté à une •• première source de polarisation qui applique une tension Qu courant de . polarisation entre deux des dites électrodes. Le dispositif est en outre • connecté à une seconde source de polarisation, telle que par exemple une 20 source de tension continue de fonctionnement, qui applique une tension, avec une polarité convenable, entre l*une des deux'électrodes sus-mention-nées et la troisième électrode. Par ailleurs, une charge ou un dispositif de détection de courant est disposé' " en série avec la, seconde source de polarisation pour détecter si un courant le traverse. Dans untelcirr-25 ùiit, la relation, entre les variations*de courant, telles que détectées par le dispositif de détection de courant, et les variations de tension de la seconde source de polarisation (réponse I-V) présente une caractéristique de résistance négative.' Un objet de la présente invention est de fournir un 30 nouveau circuit à semi-conducteur.présentant des caractéristiques d'impédance négative. Un autre objet de la présente invention est de fournir des circuits à semi-conducteur présentant des caractéristiques de résistance négative ai forme àe"n", de "s" , et de "n" modifiée. 35 Selon la présente invention, il est prévu un circuit comprenant un dispositif à semi—conducteur comportant un substrat à. faible'conductivité, dans lequel sont formées trois régions à haute ' conductivité, à savoir mie première région qui présente un premier type A nrjpy QË BAD original 70 19594 2 2049131 de conductivité, une seconde région qui présents un type de conductivité opposé a celui de la première région, et une troisième région qui présente le premier type de conductivité, et des moyens pour polariser en sens direct les dites.première et seconde régions, ainsi que des moyens 5 pour polariser ladite troisième région. Da.ns tua mode de réalisation spécifique de la présenté invention, la troisième région est sélectivement polarisée en sens inverse et en sens direct de manière à produire une impédance négative entre lesdites régions du premier type de' conductivité et la r.égion du type de conductivité opposé, alors que lesdits saoyens de 10 polarisation polarisent en sens direct et polarisent an sens inverse ladite troisième région. Dans d'autres modes de réalisation, la troisième région est polarisée en sens'inverse par rapport à la première région cra. à la seconde région. En outre, on utilise à la fois des tension, et courant de polarisation. 15 On donnera maintenant, à titre d5exemple, une descrip tion détaillée de divers modes de réalisation de la présente inventioa sa' feisant référenœaux dessins annexés sur lesquels t La figure 1 est une vue en plan d'un dispositif semiconducteur utilisé dans le circuit selon la présente invention. 20 La -figure 2 est une représentation schématique d'un circuit selon un mode de réalisation de la présente invention, comportant ■une vue en plan du dispositif semi-conducteur qui est incorporé au circuit Les figures 3A et 3B montrent des courbes caractéristiques relatives au circuit de lafigure 2. 25 Les figures 4A et 4B et 40 sont des vues en plan du ' dispositif de la figure 2, destinées à expliciter le fonctionnement de ce circuit. La figure 5 est une représentation schématique d'un® variante . ae réalisation'du circuit de la .figure 2. La figure 6 est une vue en plan dsun autre dispositif 30 semi-conducteur destiné à être utilisé dans le circuit selon la présente invention. Les figures 7 et 9 sont des représentations schématiques d'un mode de réalisation d'un circuit selon la présente invention utilisant le dispositif de la figure 6. 35 La figure '8 est tin graphique montrant des courbes caractéristiques relatives aux circuits des figures 7 et 9. Les figures 10A et 10B sont des vues en plan d'autres modes de réalisation d'un dispositif semi-conducteur destiné à être i bad original copy 70 19594 2049131 3 utilisé dans le circuit selon la présente invention. La figure 11 est une représentation schématique d'un circuit conforme à un second mode de réalisation de la présente invention. 5 ' La figure 12 est un graphique montrant des courbes caractéristiques relatives au circuit de la figure 11, » La figure 13 est une représentation schématique d'une variante du circuit de la figure 11. La figure 14 est un graphique montrant la distrib\ition 10 du potentiel électrique dans le dispositif lorsqu'il est connecté dans un circuit. La figure 15 est voie représentation schématique d'un ■ circuit, illustrant une variante du second mode de réalisation. La figure 16 est un graphique montrant les courbes 15 caractéristiques relatives au circuit de la figure 15. Les figures 17 et 1.8 sont des représentations schématiques montrant d'autres variantes du second mode de réalisation. La figure 19 est une vue en plan schématique d'un autre dispositif qui peut être utilisé dans les circuits selon la pré-20 sente invention» La figure 20 est une vue en coupe schématique selon la ligne 20-20 de la figure 19. Les figures 21 et 22 sont des diagrammes montrant des v. variantes des courbes caractéristiques de la figure 16, qui sont 25 dues au fait que de la lumière, de même qu'un champ; magnétique sont appliqués au dispositif. La figure 23 est une représentation schématique d'un circuit selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. La figure 24 est un graphique montrant des courbes 30 caractéristiques relatives au mode de réalisation de la figure 23. La figure 25 est un graphique montrant la distribution . du potentiel électrique dans le dispositif semi-conducteur lorsqu'il est connecté dans un circuit conforme au troisième mode.de réalisation. La figure 26 est une représentation schématique d'une 35 variante du troisième mode de réalisation. La figure 27 est un graphique montrant des courbes caractéristiques relatives au mode de réalisation de la figure 26. j,gg figures 28 et 29 sont des vues schématiques de COPY ' BAD ORIGINAL COPY 70 19594 4 2049131 variantes du troisième mode de réalisation. Dans la figure 1, on a représenté un dispositif semiconducteur HR qui peut être utilisé dans un circuit selon la présente invention. Le dispositif comporte un substrat semi-conducteur s, qui est 5 de préférence constitué à base de germanium, de silicium, d'éléments des colonnes III à Y de la classification périodique des éléments, ou en d'autres éléments semi-conducteurs. Dans le présent exemple,-le substrat s est en silicium contenant une impureté de type n,à faible conductivité, avec une concentration d'environ 10^ atomes/cm^. la concentration n'est 10 pas critique; en fait, le substrat n'a absolument pas besoin d'être dopé, et un substrat intrinsèque peut être utilisé. Une première région désignée dans son ensemble par le numéro de référence 1 est formée sur le substrat s et est conçue pour injecter des porteurs dans ce substrat s. La première région 1 comprend une région D1 renfermant une impureté de type p, qui 15 est formée par n'importe quelle méthode convenable, telle que par exemple par diffusion» La jonction p-n entre la région D1 et le substrat s est représentée par le numéro de référence J1. Une couche métallique M1 formant électrode s'étend sur la région D1 de type p et est en contact ohmi-que avec cette région D1„ Un conducteur part dé l'électrode M1 à laquelle 20 il set relié, pour aboutir à une borne t1. Sur le substrat s est en outre prévu une seconde région 2, separée de la.première région 1 d'une distance L, et conçue pour injecter dans le substrat s des porteurs qui sont différents des porteurs injectés à partir de la région 1 dans le substrat s. Cette seconde région 25 2 est constituée par une région D2 qui renferme des impuretés du type F4* et qui est formée par exemple par uh procédé de. diffusion, et par une couche métallique sus-jacente M2 formant électrode, qui est en contact ohmique avec la région D2. Une borne externe t2 est connectée à l'électrode M2. En outre, la concentration en impureté de la région D2 est plus élevée que la concentration du substrat s. La jonction entre la région 30 D2 et le substrat est désignée par le numéro de référence J2. Sur le substrat s est en outre prévue une troisième région 3 qui est conçue pour injecter des porteurs dans le substrat s. La troisième région 3 est constituée par une région D3 avec des impuretés du type p,qui est formée par exemple par un procédé de diffusion et qui 35 établit une jonction p-n à sa limite avec le substrat s. Une portion de o la jonction p-n est désignée par le numéro de référence J3- Une couche métallique M3 faisant office d'électrode est appliquée sur la région D3 70 19594 5 2049131 de type p, en contact ohmique avec cette dernière. A l'électrode sont associés un conducteur et une borne t3. Les trois régions 1, 2, 3 se trouvent sur la même surface du substrat et sont disposées les unes par rapport aux autres de telle sorte que la seconde région 2 soit la'plus 5 éloignée de la première région 1 et séparée de cette dernière d'une distance L, la troisième région 3 se trouvant près de la première région 1 et étant séparée de cette dernière d'une distance 1»-}. La seconde région et la troisième région sont séparées l'une de l'autre par une distance l2« Le dispositif semi-conducteur représenté sur la figure 10 1 peut être combiné à un circuit, et lorsque diverses polarisations sont appliquées à chacune des électrodes, le dispositif présente alors diverses caractéristiques de résistance négative. Dans un mode de réalisation, on peut obtenir une caractéristique en forme de ""n", dans un autre une" . caractéristique en forme de "S", et dans un troisième mode de réalisation, Î.5 une caractéristique en forme de "n" modifiée. • Avec le circuit de la figure 2,. il est possible de produire-une caractéristique de résistance négative en .forme de ji, du genre de celle représentée sur 3es figures 3A et 3B. Dans la figure 2, le dispositif NR est connecté par ses bornes t1 et t2 à une source de tension E, de • 2.0 telle sorte que les régions 1 et 2 soient polarisées en sens direct. Une seconde source de tension E' est connectée entre les bornes t3 et t2 afin de polariser en sens direct les régions 3 et 2. La source E1 est représentée par une source de tension variable dont la tension de sortie est une tension V qui a été représentée sur les figures 3A et 3B<> Un ampère-25; mètre a est connecté eh série entre la source E et la borne t1 et mesure le courant électrique I qui s'écoule entre les bornes t1 et t2. Un autre ampèremètre A' est connecté entre la source E' et la borne t3 et mesuré le courant électrique le s'écoulant entre les bornes t3 et t2. Les résultats des mesures des courants le et I par les ampèremètres A' et A sont 30; respectivement représentés dans les figures 3A et 3B dans lesquelles les variations de courant sont tracées en fonction des variations de la tension .V de. la source E1. On peut voir que les courbes des réponses V-I •présentent une caractéristique de résistance négative en forme de N. Le fonctionnement du circuit de la figure 1 peut être 35 qualitativement expliqué en faisant référence aux figures 3A et 3B et aux figures 4A, 4B et 4C. Les figures 4A, 4B et 4C ne montrent que le dispositif KR de la figure 2, étant entendu que ce dispositif est connecté à des sources de tension de la façon représentée sur la figure 2. La po- ' bad original .• 70 19594 6 2049131 larisation en sens direct qui est appliquée entre les bornes tt et t2 par la source de tension E' produit un courant IM qui sécoule entre les régions 1 et 2,à travers le substrat s, grâce à quoi des trous et des électrons sont injectés à partir des deux régions î et 2 dans le substrat 5 s. Lorsque la valeur Y de la tension E! est faible (comme cela est le cas dans la figure 4A), la jonction J3 est polarisée en sens inverse du fait que la polarisation en sens direct entre les régions 1 et 2, et * une couche de déplétion S est formée autour de la jonction J3. Néanmoins, une partie des trous injectés à partir de la première région 1 s'écoule 10 vers la borne t3 à travers la troisième région*•Ceci est représenté dans la figure 4A' par Hé courant Ics et est également représenté dans la figure 3A par la portion 4a de la courbe 4® 1-e courant I qui s'écoule à travers la borne tt à partir de la source E est la somme des courants IM et le et est représenté sur la figure 3® Vs-T la région 5a de la courbe ; 15 5 qui possède l'amplitude 11. Lorsque la tension Y de la source E' augmente, la couche de déplétion 6 qui -fait fjarte. à-la région 2 change. Ainsi que cela estreprésenté sur la figure 4B, la partie Ja de la ppésédente cou- j î che de déplétion 6 qui setrouve la plus près de la région .2, devient •| 20 polarisée en sens direct. Ainsi, à cause de certains dos trous qui sont injectés dans le substrat s au niveau de la région 1, un courant le s1 écoule à partir de la première électrode t1 vers la seconde électrode t2, à travers la troisième région 3<> Le courant I qui s'écoule à travers l'électrode t1 est divisé en trois composants Im, le, et le. 25 L'impédance des régions 1, 2 et 3 est telle que le courant le devient rapidement élevé et que le courant total I devient également élgvé, ainsi que cela est représenté dans la figure 3B par la partie 5h de la courbe 5« Au fur et à mesure que la tension Y - augmente le" ■ courant atteint son maximum à une amplitude "I„. Le courant I devient 0 30 également élevé ainsi que cela est représenté par la partie 4^ de la courbe 4, c'est-à-dire que ce courant Ic augmente également lorsque le courant I augmente du fait de la baisse de polarisation au niveau de J sur la région 3' EL Lorsque la tensiOnY de la source E' continue à augmen- 35 ter, elle modifie la polarisation entre les régions 1 et 2 de telle sorte que la région 3 finit par ne' plus collecter les trous qui sont injectés à partir de la première région 1, mais devient une source qui injecte des trous dans le substrat s• Ainsi, le courant I change de •* c BAD ORIGINAL i 70 19594 7 2049131 direction. Comme cela est représenté sur la figure 3A, par la région 4ç de la courbe 4, l'amplitude du courant Iç; diminué tout d'abord rapidement et ce courant s'écoule en direction opposée. Dans le dispositif MR, le courant le s'écoule entre les régions 3 et 2« 5 Au fur et à mesure que la tension V commence à augmenter, des trous sont injectés à partir de la troisième région 3 dans la première région 1. lorsque la tension Y. continue à augmenter, la résistance du substrat 3 est réduite et le courant I augménte et atteint la valeur I"2 indiqué sur la figure 3B. lorsque la tension Y continue 10 à augmenter encore, le potentiel électrique du substrat s autour de la première région 1 augmente^ de telle sorte que cette première région 1 devient partiellement polarisée en sens inverse, et que l'injection des trous est partiellement réduite. En conséquence, le courant I diminue rapidement comme cela est représenté sur la figure 3B par 15 la région 5c de la courbe 5. En conséquence, le -mode de réalisation représenté sur la figure 2 présente une caractéristique de résistance négative. . - la caractéristique de-résistance négative est produite par la polarisation du dispositif HR. Il doit être noté que la troisième 20 région 3 est proche de la première région 1. la caractéristique de résistance négative résulte du changement d'impédance entre la première et la seconde région 1 et 2.qui est dû au changement de potentiel électrique de la -troisième région 3. Le changement de cette impédance entre les régions 1 et 2 est plus grand lorsque la troisième région 3 est 25 plus proche de la première région 1. Ainsi, il doit être noté que la distance 1..J entre les régions 1 et 3. est plus faible que la distance L entre les régions 1 et 2 et également plus faible que la distance lg entre les régions 2 et 3 ; plus précisément 1^ La figure 5 montre un circuit similaire à celui de la f igu-30 re 2., mais dans lequel le dispositif semi-conducteur présente un type de conductivité opposé, et la polarité des sources de tension E et E' est inversée. En outre, la direction d'écoulement des courants I et Iç mesurés est inversée. Dans la figure 5, le substrat s est du type £ à faible conductivité, et les régions D^, D^ et D^ sont respec-35 tivement dopées avec des impuretés de typen,p et n.Idfype d'impureté est représenté sur le dessin. Le fonctionnement de ce circuit est le même que celui de la figure 2, et les courbes caractéristiques résultantes relatives au fonctionnement du circuit de la figure 5 sont les bad ORIGINE- " 70 19594 8 2049131 mêmes que les courbes des figures 3>A et 3B. Le dispositif M de la figure 5 peut êtrè considéré comme un dispositif de type P,et celui de la figure 2 comme un dispositif de type N. Les figures 6 à 9 illustrent une variante du premier mode de ? réalisation du circuit, dans laquelle on utilise un dispositif semiconducteur 6a légèrement différent du dispositif NE. des figures 2 et 5-, Le dispositif 6a représenté sur la figure 6 peut fonctionner non seulement comme un dispositif de type P, mais également -cor.me un dispositif de type N. Une région D avec des impuretés de type p est 10 formée sur un substrat commun s. La région D^ est utilisée comme première région lorsque le dispositif fonctionne comme un dispositif de-type N, et comme seconde région lorsque le dispositif fonctionne comme un dispositif de type P. Une région obtenue par diffusion d'une impureté de type n est formés sur le substrat commun s_. Cette région 15 .est utilisée comme seconde région lorsque le dispositif 6a fonctionne comme un dispositif de type P, et comme première région lorsque le dispositif 6a fonctionne comme un dispositif de type H. Une région Pcp fortement dopée avec une impureté de type £ est formée sur le substrat s . Cette région Dçjd est utilisée comme troisième région 20 lorsque le dispositif fonctionne comme un dispositif- de-.type H. Une région Don fortement dopée avec une impureté de type n est formée sur le substrat ; et cette région est utilisée comme troisième région lorsque le dispositif fonctionne comme un dispçsisitf de type P. Jn, Jp, Jcp et Jcn représentent les jonctions redresseuses qui peuvent 25 être formées par les régions Djd Dn Dcp et Dcn. Les couches métalliques qui sont associées à chaque région, et les bornes ou électrodes n'ont pas été représentées, mais il est bien entendu que de tels éléments . sont prévus dans le dispositif 6a . Les régions De et Dcp, comme les régions Dn et Dcn sont séparées' l'une de l'autre par une faible dis-30 tance 1^ . Les régions Djd "et Dn sont respectivement séparées des régions Dcn et Dcp par une distance plus grande En outre, les régions Djd et Dn sont séparées l'une de l'autre par une distance encore plus grande, désignée dans la figure 6 par la distance L. Dans ce mode de réalisation, le substrat s est formé d'un 35 semi-conducteur à base dé silicium, qui est par exemple du type avec une faible concentration en impuretés, et qui possède une résis-tivité de 1 'ordre de 450 à 600 ohms/cm. Un substrat s_ typique peut 70 19594 9 2049131 par exemple avoir une épaisseur de 100 (a. Une forme typique pour les régions Djd ou Dn est par exemple un carré dont les côtés ont une longueur de 30 Une forme typique pour les régions Dcp ou Don est par exemple un rectangle dont la longueur et la largeur sont respectivement 5 égales à 195 fci et à 75 çu -^es régies Dcp, D£, Dn et Dcn ont chacune une profondeur de 3 et Dcp est égale à 30 ju. De même la distanc- 1, entre les régions Dcn et Dn est aussi égale à 30 çi. La distance 3^ est égale à 250 (u et la distance 1 est égale à 350 (u. 10 Le dispositif représenté sur la figure 6 peut être connecté dans un circuit tel que celui représenté sur la figure 7= Le circuit de la figure 7 est similaire à celui de la figure 2, et les éléments communs à ces deux figurés 2 et 7 sont repérés par les mêmes numéros de référence. Dans la figure 7» la première région est Dpp la seconde 15' région est Dn et la troisième région est Dcp. La région Dcn n'est pas utilisée. La façon dont les courants I et Iç varient en fonction de la tension V de la source E1 est représentée par les courbes 7 et 8 dans la figure 8. Comme on peut le voir, ces courbes caractéristiques 7 et 8 présentent une partie correspondant à une résistance négative. 20. Le dispositif représenté sur la figure 6 peut être également connecté dans un circuit similaire à celui de la figure 5»comme, cela est représenté sur la figure 9. Dans cette figure 9, la première région est la- région Dn, la seconde région est la région Dj) et la troisième région est la région Dcn; La façon dont les courants I et Iç 25 varient en fonction de la tension V de la source E' est représentée par les courbes 9 et 10 dans la figure 8. Comme on peut le voir5 ces courbes 9 et 10 présentent une partie correspondant à une. résistance négative -, Une échelle typique de valeurs est représentée dans la figure 8. 30 Les figures 10A et 10B montrent des dispositifs semi-conduc teurs qui peuvent être utilisés dans les circuits selon l'invention, à la place des dispositifs NR ou 6^4ui ont été décrits plus haut. Les dispositifs des figures 10A et 10B sont similaires à ceux des figures 1 ou 5 et diffèrent des dispositifs précédemment décrits, prin-35 cipalement par la géométrie et l'emplacement des régions 1, 2 et 3 sur le substrat é. L'espace entre les régions 1 et 3 est plus faible que l'espace entre les régions 2 et 3, et l'espace entre les régions 70 19594 10 2049131 1 et 2 est le plus grand» La caractéristique courant-tension fe résistance négative du circuit peut être modifiée en appliquant un faisceau lumineux externe ou un champ magnétique externe au dispositif semi-conducteur. Ceci 5 est représenté schématiquement sur la figure 2 par la ligne G. Par exemple, lorsque la lumière est appliquée au substrat â. , les porteurs augmentent dans ce substrat, de telle sorte que le courant IM augmente. Plus précisément, cela revient au même que d'augmenter la tension de la source E. De mêae, lorsque un champ magnétique extérieur ayant 10 une première polarité est appliqué au substrat s5 le trajet suivi par les porteurs entra les électrodes ou-régiong £st2se courbe substantiellement, l'impédance augmente et le courant e. g réduit en intensité» L'effet inverse pourrait être obtenu, en inversant la polarité du champ magnétique appliqué. • 5 Un second mode- de réalisation de la pj-sssnte invention est représenté sur la figure 1t.et les courbes car&o«^viatiques courant-tension d'une partie du circuit de la figure ï1 sent représentas sur la figure 12. Dans la figure 11, le dispositif seai-conducteur dR est le même que le dispositif ïiR de la figure 1 , les mêmes numéros de ré-20 férence étant utilisés dans ces deux figures 1 et 11 ainsi que dans tout le reste de la présente description. Une tension V provenant d'une source de tension E est appliquée entre la première région 1 et la seconde région 2 de façon à polariser en sens direct ces deux régions. Une charge (non représentée) est connectée en série avec." la source E. 25 Un courant qui 3'écoule à partir de la source 3 en direction de la première borne t-j est désignée par I et sa direction d'écoulement positif est représentée par la flèche qui se trouve au-dessous de la lettre I. Une seconde source de potentiel E' est connectée entre les seconde et troisième région de façon à polariser en sens inverse les-30 dites régions. On a représenté sur la figure 12 la variation du courant I en fonction des variations de la tension Y de la source E qui est appliquée entre les bornes t^ et tg. Des courbes 10, 11, 12 et 13 de la figure 12 sont différentes courbes caractéristiques obtenues pour différentes valeurs de la tension de la source E', c'est-35 à-dire pour différentes polarisations de la troisième région. On notera que pour; certainrs valeurs, la caractéristique courant-tension présente une forme en "a" avec une partie correspondant à une résistance négative. 70 19594 n 2049131 Le principe de fonctionnement peut être expliqué qualitativement de la manière suivante. Lorsque le potentiel électrique de la troisième région 3 est le même que le potentiel électrique de la premiè 5 courbe caractéristique d'une diode du. type à double injection, pour les faibles valeurs de la tension V, ainsi que cela est représenté par la partie 10a de la courbe 10 dans la figure 12, cette partie 10a présentant une caractéristique ohmique. Cette caractéristique ohmique se poursuit tant que la tension Y possède--une valeur faible» 10 Cependant, lorsque la tension Y augmente, les porteurs qui sont in-jectés à partir des première et seconde régions 1 et 2 dans le substrat augmentent, et la conductivité du substrat augmente (c'est-à-dire que son impédance diminue). Cette caractéristique est représentée par la partie 10b de la courbe 10. 15 Toutefois, lorsqu'une polarisation inverse est appliquée à partir de la source E' entre les* régions 2 et 3, une couche de déplétion ou couche limite se forme autour de la région D^. Dans ces conditions, lorsque la tension positive ¥ est appliquée à la premiè re région ou électrode 1 , vis-à-vis de la seconde région ou électrode 20 2, et lorsque la tension V augmente, les trous qui sont injectés à partir de la première région 1 sont collectés par la troisième région 3 qui est polarisée en sens inverse. En conséquence, très peu d'électrons sont injectés dans le substrat s à partir de la troisième électrode ou région 3. Par conséquent, l'impédance entre les régions 25 1 et 2 est grande, et il s'écoule un courant I de faible intensité. Ceci est représenté dans la figure 12 par la partie 11a de la courbe 11. Lorsque la tension V de la source E augmente, l'impédance du dispositif NR entre les régions 1 et 2 décroît et la courbe caractéristique du dispositif présente une partie correspondant à une impédance 30 négative. Après cela, le dispositif fonctionne alors; comme un dispositif ohmique ainsi que cela est représenté sur la figure 12 par la rencontre des courbes 10 et 11. Lorsqu'on augmente la tension de la source E', le coude ou point de décrochement se produit pour une valeur plus grande de la tension Y de la source E. La figure 12 montre 35 encore deux autres courbes 12 et 13 similaires à la courbe 11. Les courbes 11, 12 et 13 correspondent respectivement à des valeurs successivement croissantes de la tension de la source E'. re région 1, la courbe caractéristique 10 est la même que la BAD ORIGINAL 70 19594 12 2049131 Dans la figure 11, la -source S' est connectée entre les régions 2 et 3» Cependant, comme cela, est représenté sur la figure 13, il est possible de connecter une source 33" entre les régions 1 et 3« Sans ce cas, la source S "polarise négativement la région 3 par ; rapport s. la région 1 . La figure 14 est un graphique montrant la distribution du potentiel électrique entre les première et seconde régions 1 et 2 du dispositif -IÎB., lorsque ce dernier est connecté dans le circuit de la figure 11 . 10 La distribution du potentiel électrique entre les régions 1 et 2j lorsque .le circuit fonctionne sans que la région 3 soit polarisée en sens inverse, c'est-à-dire lorsque la source E' est en circuit ouvert, est représentée par la ligne 40. En d'autres termes, la ligne de potentiel 40 représente le potentiel lorsqu'il n'existe aucune 15 . influence sur la troisième région polarisée, et lorsqu'il n'y à aucune modulation de conductivité. Lorsque la polarisation en sens inverse est appliquée à la région 3, la couche de déplétion se forme et, comme le montre la figure 14, une vallée ou creux de potentiel 41 se produit autour de cette troisième région 3. A cet instant, lorsque 20 la polarisation en sens direct entre les électrodes ou régions 1 et 2 augmente-et •_ qu'une modulation de conductivité a lieu,.', la distribution du potentiel électrique dans le substrat _s change pour passer de la ligne droite de potentiel 40 à une forme variable de potentiel représentée par la courbe 42. Les parties 42a et 42b de 25 ' la ligne 42 présentent -un potentiel électrique plus faible quela ligne 40. En conséquence, si la position de la troisième région ou électrode 3 est choisie de façon à étendre le creux ou vallée (c'est-à-dire la couche' de déplétion)jusqu'à la partie 42, alors le potentiel électrique autour de ladite couche de déplétion de la troisième région 3 est réduit 30 d'une quantité égale à ù YB. Ainsi, si le potentiel de cette région est réduit, la polarisation en sehs inverse est réduite et la couche de déplétion est rétrécie. En conséquence, l'effet de captation de la troisième région ou électrode 3 est réduit et des trous sont injectés à partir de la première région 1 dans le substrat s de telle 35 sorte que la densité des poteurs dans le substrat s est plus grande, la modulation de conductivité est plus grande et la couche de déplétion est encore rétrécie. Ainsi, il apparaît nettement une caractéristique à résistance négative du fait de cet.effet de réaction positive. BaD original 70 19594 13 2049131 Dans les figures 11 et 13, la troisième région 3-est polarisée par une tension négative, mais il bien entendu que ce mode de réalisation n'est pas limité à une telle tension négative de polarisation, étant donné qu'il est possible que la polarisation en sens inverse soit 5 appliquée à la troisième région ou électrode 3 par d'autres moyens. Par exemple, lorsque le circuit entre les régions 2 et 3 est courcir-cuité, la troisième région 3 est substantiellement polarisée négativement, de sorte qu'une caractéristique à résistance négative est ainsi assurée. En outre, la distribution du potentiel électrique pour one 10 partie des porteurs entre les régions 1 et 2 dans le substrat Jg présente une vallée ou creux, comme cela est représenté par la courbe 4-3 dans la figure 14. En conséquence, dans ce cas, la position de la troisième électrodé ou région 3 est choisie de façon à étendre la vallée ou creux jusqu'à la partie 42a, comme représenté par la courbe 15. 43* dans la figure 14. Dans le circuit représenté sur les figures 11 et 13, la troisième région 3 est polarisée par une tension prescrite de façon à réaliser une commande par la tension. Il est possible que la polarisation prescrite soit fournie par un courant appliqué à- la troisième 20 région 3* la figuré 5 montre un circr.it avec polarisation par courant,, dans lequel est prévu tin transistor Tr dont l'émetteur et le collecteur sont connectés en série avec une batterie E£ et ensuite entre les régions 3 et 2 afin de constituer une source à courant constant pour la région '3. la polarisation du transistor Tr est obtenue au moyen 25 Le fonctionnement du circuit de la figure 15 peut être 30 qualitativement expliqué de la manière suivante. Lorsque la troisième région 3 est polarisée en sens inverse et que la tension V de la source E est faible, des trous injectés à partir de la première région 1 sont collectés par la troisième région 3. Le courant Iç qui s'écoule dans la troisième région 3 est égal à le = al (où oc est un facteur d'ampli-35 ficateur de courant). Ainsi, si la tension V qui est appliquée entre les bornes t~, et t0 augmente, le courant I augmente rapidement. 1 C £ Mais la troisième région 3 est connectée à la source à courant constant Tr, de sorte que ce courant est pratiquement maintenu à la même valeur, , BAD ORIGINAL 70 19594 14 2049131 et la couche voisine de déplétion est par conséquent rétrécie après que le potentiel électrique de la troisième région 3 s'est rapproché du potentiel électrique du substrat. Uans ce cas, une partie de la jonction qui est en regard de la premiers régiçn 1 est pola-5 risée en sens direct, et les trous sont injectés à partir de cette partie polarisée en: sens direct de la région 3<> Sa conséquence, il existe une relation entre le courant I qui s'écoule à partir de la partie polarisée en sens inverse de la région vers la troisième région ou électrode 3, et le courant I qui sécoule à partir de la 10 partie polarisée en sens direct de la jonction vers le substrat, à savoir les courants et I^, la relation entre ces deux courants étant I| = I + I2" Ainsi, les porteurs sont injectés à partir de la troisième région ou élëctrode 3 dans le substrat s et, également, la penta de densité des porteurs et la modulation de conductivité aug-15 " mentent, de telle sorte que la couche de déplétion est rétrécie, ces effets s * additiormantles uns aux autres. Il e». résulte que l'effet i de réaction positive est plus important dans le aas d'une polarisation par courant que dans le cas d'un.e commande par la tension. En conséquence, ce circuit présente, comme le montre la figure 16, des ca-20 ractéristiques à résistance négative plus importantes que dans le cas de la commande par tension. En outre, comme le montre la figure 16, lorsque le courant qui est appliqué à la troisième région 3 est grand, l'une des caractéristiques présente nettement taie forme de s. Par ailleurs, il est possible de connecter le transistor 25 Tr entre les régions 3 et 1, ainsi que cela est représenté en traits pointillés dans la figure 15, la source de tension étant alors disposée entre le col]œteur du transistor T , , , , r et- la borne t^ . Il est également possible d'utiliser en même temps une commande par la tension et une- commande par le courant. 30 Dans les figures 11 et 15, le substrat semi-conducteur j3 est du type appelé TC" et les première et troisième régions sont du type avec des concentrations élevées en impuretés, tandis que la seconde région est du type n. Par conséquent, ce dispositif peut être considéré comme un dispositif du type E,-n-£. Cependant, il est possible que le 35 substrat s soit du type appelé type et que les régions d'impure- tés^dans les première et troisième régions 1 et 3 soient du type n, la région d'impureté dans la seconde région 2 étant du type £. Dans ce BAD ORIGINAL i 70 19594 15 2049131 cas, on a alors un dispositif qui peut être considéré ■•o::ï^e \.n dispositif n-Xi-n. Ce tels dispositifs n-r-n sont représentca dans Ion figurer 17 et 18, Le mccie âa réalisation u-j la figure '7 est commandé par la tension,tard ic ou-î le mode : ; réalisa Mon de la figure 18 est 5 co^man.";-' par le courant., los ao'e? de réalisation des figures 1? et 18 étant analogue;: à ceu:: des figures 11 et. 15. Dans les figure?; 17 et 18, les lignes en trait r; point;" lé:-:; représentent ces variantes de connexion analogues à cellesQui cfctéié décritec ta. faisant référence aux figures 13 et 15. -10 Les figures 19 et 20 montrent un dispositif dans lequel les régions 1, 2 et 3 sont agencées différemment. Une couche d'isolai,ion 50, par exemple en SiOg, recouvre une partie de la surface du cli'spositi Lorsque de la lumière, représentée schématiquement par l'onde G-, est appliquée au dispositif lill dans 1' un quelconque ^5 . des circuits représent-'s dans les figuras 11, 13, 15, 17 ou 18, les porteurs clans le substrat & augmentent, et la caractéristique courant-tension change, comme cela est représenté sur la figure 21", pour passer de la courbe 30 à la courbe 30' (la courbe 30 correspondant au cas où le dispositif ne reçoit pas de lumière). Le 20 fonctionnement du dispositif peut également être modifié par un champ magnétique (également représenté schématiquement par l'onde G-). Par exemple, lorsqu'un champ magnétique + H est appliqué au substrat s, la caractéristique courant-rension 31 représentée sur la figure 22 est décalée en 311, et lorsqu'un champ magnétique -H est appliqué, 25 la courbe caractéristique est décalée en 31 "• La figure 23 montre encore^ un autre mode; de réalisation de la présente invention, dans lequel le circuit présente une courbe carac téristique qui possède une partie correspondant à une résistance négative, en forme de n modifié, comme cela est représenté sur la 30 figure 24. Dans cette; figure 23f, le dispositif KR de la figure 1 est connecté à une source de tension E'. La source de tension E' est connec tée entre les bornes t^ et tg, elles-mêmes connectéesaux régions 1 et 2, de façon à polariser en sens direct les deux régions 1 et 2. Une charge (non représentée) et une source E sont connectées en série 35 entre les bornes t^ et t^, qui sont eIles-même connectées aux première et troisième régions 1 et 3. ha source E fournit une tension V et est connectée de façon à maintenir le potentiel de la région 1 plus élevé que le potentiel de la région 3. Comme le' montre la figure BAP ORlGlWAU 70 19594 16 2049131 23, le courant I s'écoule à travers la charge et la source E, entre las bornes t., et i 'J - Lorsqu'on prend la tension VB de la source E' comme paramètre, les courbes oaractéristiques courant-tension représentatives 5 des variations d-i ".courant I (courant qui passe par la borne t^) en fonction des variations de la tension V (tension de la source E), sont représentées sur la figure 24. Dans cette figure 24, le courant I est ï*eprésenté en fonction de la tension Y pour diverses valeurs de la tension VB. , . 10 Le principe de fonctionnement de. ce mode de réalisation sera maintenant décrit» Lorsque la tension YB.de la source E' est faible et que peu de trous sont injectés à partir dé.la première région "1, les trous injectés sont connectés dans la troisièmè.région 3 qui est polarisée en sens inverse par la batterie E connectée entre les bornes 15 ' t.j et t^» Dans ce cas, la concentration des porteurs autour de la jonction dans le substrat s. est faible. La courbe caractéristique courant-tension pour cette valeur de la.tension VB est représentée par la courbe 10 sur la figure 24. Ici, l'injection des porteurs à partir des région 1 et 2 est faible et le courant I qui s'écoule à tra-20 vers la troisième région 3 est également faible.. Lorsqu'on applique une tension YB plus importante, on obtient la courbe caractéristique 11 de la figure 24. Ici, l'injection des trous est plus importante et une pente ou gradient de densité des trous apparaît dans la région du substrat autour de la jonction J3. 25 Dans ces conditions, les électrons sont' injectés à partir de la seconde région 2 afin de satisfaire la condition d'espace de charge neutre et les électrons sont répartis proportionnellement au: gradient de densité des trous près de la jonction.J3. Ainsi, les électrons diffusent vers la troisième électrode ou région 3, mais ils ne peuvent pé-20 nétrer dans la région D3 dé type £ + du fait delà présence de la couche de déplétion de la jonction J3. Lorsque la tension V augmente, la couche de déplétion autour de la jonction J3 se rétrécit et la polari-* * sation onverse augmente au niveau de la jontion J3. la courbe caractéristique 11 de la figure 24 montre que l'on»obtient une faible carac-35 téristique de sortie tant qii' unetension V^ n'est pas atteinte. Lorsque la tension V augmente et dépasse la valeur V^, la couche de déplétion . diffusée et le courant I augmente relativement. Et à la fin, le gradient de densité des trous près de la jontion disparait. Après cela, BAD ORIGINAL 70 19594 17 2049131 l'injection des électrons à partir de la seconde région 2 provoque une réduction de l'impédance entre les régions 1 et 2. -En conséquence, le courant qui s'écoule à travers la première région diminue rapidement. Ainsi, le taux de décroissance du courant de base I est beaucoup plus 5 grand que le taux de croissance de la tension V. Par conséquent, il apparaît bien' que ce mode de réalisation présente une caractéristique à résistance négative. Si l'on augmente encore la tension VB, la courbe caractéristique est simplement décalée comme cela est représenté par les courbes1 10 12 et 13 de la figure 24. Par ailleurs, le mode de réalisation de la figure 23 présente une caractéristique à résistance négative selon le choix de la position de la troisième région, la figure 25 est un graphique montrant la distribution;du potentiel électrique dans le dispositif 1R, entre les 1.5 régions 1 et 2, tandis que ce dispositif est connecté dans le circuit de la figure 23. la ligne courbe 40 représente la distribution du potentiel lorsque aucune influence n'est exercée sur la troisième région 3. lorsque la.tension V augmente, le potentiel prend la forme représentée par la ligne 41 (c'est-à-dire un creux ou vallée 41). 20 lorsquéla tension est encore augmentée, la distribution du potentiel se rapproche de celle représentée par la droite 42 qui suit la loi d'ohm. Si la vallée ou creux 41 s'étend jusqu'à la courbe 40a, la polarisation inverse vis-à-vis de la troisième région 3 est plus grande, d'une quantité égale à VB, de telle sorte que la couche de 25 déplétion diffuse encore plus? par conséquent, les trous sont captés et la densité des trous dans la région du substrat réduit la caractéristique à résistance négative. Une variante du troisième mode de réalisation est représentée sur la figure 26. Dans cette figure, le circuit est du type dit à 30 corimande par le courant. Un transistor Tr est connecté de telle sorte que son collecteur et son émetteur soient en série avec line source de tension la région 1 et' la région 2. Une source de potentiel variable E^ est connectée entre la base et l'émetteur, du transistor Tr,pour commander (c'est-à-dire maintenir constant) un courant IB à 35 travers les régions1 et 2. Des courbes caractéristiques de ce circuit sont représentées sur la figure 27. Comme cela est représenté dans cette figure, les courbes 15 et 16 sont ondulées et comportent des parties correspondant à une résistance négative, lorsque le courant IB est . BAD ORIGINAL 70 19594 18 2049131 faible, la caractéristique courant-tension suit la courbe 14 de la figure 27. Cependant, lorsqu'on augmente lecourant IB au-dessus d'un niveau prédéterminé, de façon à fournir une modulation de conductivité entre les régions 1 et 2, la courbe caractéristique se décale du 5 fait qu'une couche de déplétion s'établit autour de la jonction Lorsqu'on augmente la tension Y (le courant IB présentant une valeur plus élevée, correspondant par exemple à la courbe 15) la couche de déplétion s'étend et l'impédance entre les 'régions 1 et 2 devient plus importante, de sorte que le courant IB devrait diminuer.Toutefois, 10 la source à courant constant que constitue la source E2 et le transistor Tr est connectée entre les régions 1 et 2, de telle sorte que cette source à courant constant a pour effet de maintenir constant le courant IB ; lorsque la différence de potentiel entre les régions 1 et 2 augmente du fait que le courant IB est maintenu constant et que l'im-15 • pédance augmente, le courant I; à travers la troisième région 3 augmente. Ainsi, le fonctionnement se répète et on obtient la courbe 15®. représentée sur la figure 27. La; courbe 16 de cette figure 27 représente une courbe caractéristique obtenue pour une valeur encore plus grande du courant IB. 20 II est possible de prévoir simultanément une commande par la tension et une commande par le courant» En outre, dans les figures 23 et 26, le substrat semi-conducteur s est du type dit typeTÇ", comme le type jd, et les première et troisième régions ou électrodes ont une concentration élevée en impuretés de type j), tandis que la 25 seconde électrode ou région est du type n, le dispositif constituant • ainsi un dispositif du type p,-n-]3. Cependant, il est possible de former le substrat s de façon qu'il soit du type dit .type c$~ » comme le type n, les régions et D^ de la première et de la troisième régions étarfcdu type n, tandis que la région D„ de-la seconde région est du 30 type £, grâce à quoi on obtient un dispositif du type n-jo-n. Des circuits comportant des dispositifs n-£-n sont représentés sur les figures 28 et 29» La figure 28 montre un circuit du type à commande par la tension, et la figure 29 montre un circuit du type à commande par le courant. On notera que les circuits des figures 35 28 et 29 sont les mêmes que les circuits des figures 23 et 26, respectivement, à l'exception des dispositifs semi-conducteurs B"R et de l'inversion de polarité. Par ailleurs, les caractéristiques courant-tension des circuits selon ce troisième mode de réalisation de l'invention BAD ORIGINAL , 70 19594 19 2049131 peuvent être modifiées par de la lumière ou par un champ magnétique appliqué au dispositif semi-conducteur de .la façon qui a déjà été décrice plus haut à propos du premier et du second modes de"réalisation® Au lieu .de former les régions d'impuretés D^, Dg et par 5 diffusion, il est également possible de former chaque région "d'impuretés D^, D2 et ^ par alliage ou par croissance. Il est également possible que les régions 1, 2 et 3 ne soient pas formées dans une phase séparée, mais soient formées par les couches métalliques Mg et sur le substrat s.. Dans ce cas, si le travail de. sortiê de la couche métallique 10 est prépondérant devant celui du substrat s, les trous sont injectés dans le substrat à partir" de la couche métallique, et si le travail de sortie du substrat s est prépondérant devant celui de la couche métallique, les électrons sont injectés dans le substrat à partir de la couche métallique» Bien que divers modes de réalisation de l'invention aient été 15 décrits en détail à titre illustratif, en faisant référence aux dessins annexés, il va de soi que l'invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation précis et que divers changements et modifications peuvent être apportés par l'homme de l'art à ces modes de réalisation sans pour autant sortir du cadre de la présente invention. 70 19594 20 2049131 BBVEHDICA ï I" 0 I! S 1Un circuit électrique, caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif ser.'i-conducteur comportant un substrat qui. présente une faible"conductivité•et dans-lequel sont formées trois régions présentant- une -plus grande conductivité, une première -desdites régions 5 présentant un prenier type de conductivité., une seconde- desdites régions présentant un type de conductivité opposé- au premier type-de conductivité, et la troisième desdites régions présentant le premier type de conductivité ; des moyens pour polariser en sens direct lesdites première et seconde régions ; et des moyens pour polariser, ladite 10 troisième région. • - - 2.- Un circuit, selon la revensication 1, caractérisé en ce que la distance entre les première et troisième régions est plus faible que la distance entre les seconîe et troisième régions, et en ce que la distance entre les première e.t seconde " régions est plus 15 grande que la distance entre ies seconde et troisième régions. 3.- Un circuit seon la "revendication 2, caractérisé en ce que les moyen^our polarise!" la troisième région polarisait sélectivement en sens inverse et en sens direct cette troisième région de façon à produire une impédance négative entre les régions présentant le prémier 20 type de conductivité et la région présentant le type de conductivité opposé, lorsque lesdits moyens de polarisation polarisent en sens direct et en sens indirect ladite troisième région. 4.- Un circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce que lesdits moyens de polarisation de la troisième région sont conçus 25 pour appliquer une polarisation'en sens inverse et une polarisation en sens direct à la troisième région afin depolariser partiellement en ' sens direct la partie de ladite troisème région qui se trouve la plus près de la seconde région, et de réduire par suite l'impédance du dispositif. 30 5.- Un circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce que les moyens de polarisation de la première et de la seconde région comportent une source de tension qui est connectée entre la première et la seconde région, et en ce que lesdits moyens de polarisation de la troisième région comportant une source de tension qui est connectée 35 entre la troisième et la seconde région. 70 19594 21 2049131 6.- lin circuit selon la revendication 5, caractérisé en ce que la gamme de fonctionnement de la source de tension constituant les moyens de polarisation de la troisième région est varaible et s'étend en amplitude au-dessus et en-dessous de l'amplitude de la tension de 5 1'- autre source de tension. 7.- Un circuit selon la revendication 6, caractérisé en ce que lesdites première et troisième régions sont des régions d'impuretés de type £ et la seconde région est une région d'impureté de type j£. 8.- Un circuit selon la revendication 7, caractérisé en ce que 10 les deux sources de tension sont connectées à la seconîe région servant de point commun de référence et fournissent une tension positive aux première et troisième régions, tout en fonctionnant dans la région -d'impédance négative. 9*- Un circuit selon la revendication 6, caractérisé en ce 15' que lesdites première et troisième régions sont des régions d'impuretés du type _n et la seconde^égion est une région d'impuretés du type £• - ' ÎO.- Circuit selon la revendication 9, caractérisé en ce que les deux sources de tension sont connectées à la seconde région 20 servant de point commun de référence et fournissent une tension négative aux première et troisième régions, .tout en fonctionnant dans la région d'impédance négative. 11.- Un circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un signal lumineux est appliqué audit substrat afin de moduler 25 l'impédance du dispositif dans" le circuit. • 12.- Un circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un champ magnétique est appliqué audit substrat afin de moduler l'impédance du dispositif dans le circuit. 13.- Un.circuit. selon la revendication 2, caractérisé en ce 30 que lesdits moyens de polarisatipn de la troisième région sont conçus pour polariser en sens inverse ladite troisième région. 14.- Un circuit selon la revendication 13, caractérisé en ce que lesdits moyens de polarisation de la troisième région comportent des moyens pour fournir line polarisation prédétérminée, et en ce que 35 des moyens sont prévus pour connecter une charge auxdits moyens de polarisation en sens direct et pour faire varier l'amplitude de ces moyens i 70 19594 22 2049131 15-- Un circuit selon la revendication T4, caractérisé en ce que lesdits moyens de polarisation en sens direct comportent une source de tension qui est connectée entre la première et la seconde régions, et en ce que lesdits moyens de polarisation de la troisième 5 région comportent une source de tension qui est connectée entre lesdites troisième et seconde régions» 16.- Un circuit selon la revendication J 5» caractérisé en ce que lesdites première et troisième régions sont des régions d'impuretés du type £ et la seconde région est une région d'impuretés du 10 type n, en ce que la source de tension de polarisation en sens direct est connectée de façon à appliquer une tension positive à la première région, et en ce que la source de tension de polarisation de la troisième région est connectée de façon à appliquer une tension négative à cette troisième région. 15 - 17.- Un circuit selon la revendication 15;' caractérisé en ce que lesdites première, et troisième régions sont des régions d'impuretés du type n et la seconde région est une région d'impuretés du S type en ce que lasourcs de tension de polarisation en sens direct est connectée de façon à appliquer une tension négative à la première 20 région, et en ce que la source de tension de polarisation de la troisième région est connectée de façon à appliquer une tension positive à cette troisième région. 18.- Un circuit selon la revendication 14, caractérisé en ce que lesdits moyens de polarisation en sens direct comportent une 25 source de tension qui est connectée entre les première et seconde régions, et en ce que lesdits moyens de polarisation de la troisième région comportent une source de tension qui est connectée entre lesdites première et troisième régions. 19.- Un circuit selon la revendication 14, caractérisé en ce 30 que lesdits moyens de polarisation de la troisième région comportent une source de courant connectée à ladite troisième région. 20.- Un circuit selon la revendication 13, caarctérisé en ce que lesdits moyens de polarisation en sens direct comportent des moyens pour fournir une polarisation prédéterminée, et en ce que des moyens 35 sont prévus pour connecter une charge auxdits moyens de polarisation de la troisième région et pour faire varier l'amplitude de ces moyens. 21.- Un circuit selon la revendication 20, caractérisé en ce I 70 19594 23 20-49Î31 que lesdits moyens de polarisation en sens direct comportènt une source de tension qui est connectée entre les première et seconde' régions, et en ce que lesdits moyens de polarisation de la troisième région' comportent une source de tension qui est connectée entre lesdites pre-5 miore et troisième régions. . . ' 22.- Un circuit selon la revendication 21, caractérisé en ce que lesdites première et troisième régions sont des -régions - d'impuretés de type £ et la seconde région est une région d'impuretés du type n, en ce que la source de tension de polarisation en sens'di-10 rect est connectée de façon-à appliquer une tension positive à la première région, et en ce que la source de tension de-polarisation de latroisième région est connectée de façon à appliquer une tension négative à cette troisième région. . - 23.- Un circuit selon la revendication 21y-caractérisé en 15. ce que lesdites première et troisième régions.sont des régions d'impuretés de type n et la seconde région est une région d'impuretés'de type p, en ce que la source de tension de polarisation en sens direct est connectée de façon à appliquer une tension négative à la première région, et en ce que la source de tension de polarisation- de- la troi-20 sième région est connectée de façon à appliquer- une tension positive à cette troisième région. 24.- Un circuit selon la revendication 20, caractérisé en . ce que lesdits moyens dé polarisation en sens direct comportent une source de courant qui est connectée à ladite seconde région. 25 25-.- Un circuit selon la revendication 13', caractérisé en ce quàun signal lumineux est-appliqué audit substrat afin de faire, varier l'impédance du dispositif dans le circuit. 26.- Un circuit selon'la revendication 13, caractérisé en ce qu'un champ magnétique est appliqué audit substrat' afin de faire 30 varier l1impédance du dispositif dans le circuit. i