Brevet FR2023602A1 — publié le 19700821

La pressente invention se rapporte a un proeedeo de fabrication de condensateurs en aluminium et a une construction perfectionnée de condensateurs en aluminium. Dans la présente invention un film d'oxyde d'aluminium est formé pour servir de diélectrique ; on a trouvé qu'un film perfec- tionné d'oxyde pouvait etre forme par l'utilisation de courant al- ternatif polarisé par courant continu dans étape de formation En conséquence, c'est un objet de la présente invention de fournir un procédé perfectionné pour former un condensateur solide en aluminium, comprenant étape de formation d'un film d'oxyde par l'u utilisation de courant alternatif, polarisé par courant continu, dans l'étape de formation. Puisque les avantages de formation de films d'oxyde, tels que prévus ici, ne sont pas limités à l'utilisation dans des procédés de formation de condensateurs, c'est un autre objet de la présente invention de fournir un procédé perfectionné pour former un film d'oxyde sur de l'aluminium par l'utilisation de courant alternatif, polarisé par courant continu, dans l'étape de formation. On a également trouvé avantageux de former le film d'oxyde dans un bain de formation en acide citrique. En conséquence, c'est un autre objet de la présente invention de prévoir un procédé perfectionné de fabrication de condensateurs solides en aluminium, comprenant l'étape de formation d'un film d'oxyde dans un bain d'acide citrique Puisque les avantages du bain d'acide citrique ne sont pas limités à l'utilisation dans les procédés de formation de condensateurs, c'est un autre objet de la présente invention de prévoir un procédé perfectionné pour former un film d'oxyde sur de l'aluminium, en formant le film dans un bain d'acide citrique. Dans la présente invention, après les étapes de revetement et de pyrolyse, les composés nuisibles contenant les groupes OH et N03 sont retirés par lavage du dispositif dans un bain d'acide citrique ; il en résulte un dispositif fini, ayant des caractéristiques opératoires améliorées. En conséquence, c'est un autre objet de fournir un procédé perfectionné pour fabriquer des condensateurs en aluminium, dans lequel les composés nuisibles contenant des groupes OH et N03 sont sensiblement retirés. C'est un autre objet encore de retirer les composés nuisibles contenant des groupes OH et N03 par lavage du dispositif dans un bain d'acide citrique après les étapes de revêtement et de pyrolyse. C'est un autre objet de fournir un condensateur perfection- né solide en aluminium, n'ant sensîblement pas composés nuisibles contenant des groupes OH et NO3. D'autres objet, caractéristiques avantages de la présen- te invention apparaîtront d'après la description suivante en relation avec les dessins ci-joints dans lesquels Les figures 5-17 représente diverses étapes au procédé de la présente invention. La figure 18 est une courbe présentant le courant alternatif polarisé par courant continus d utiliser dans l'étape de formation ; on a porté en abscisses la fréquence et, en ordonnées, les volts ; le trait ondulé présente le courant alternatif et le trait plein, parallele & l'axe des abscisses, représente la polarisation par courant continu, et La figure 19 est une vue en coupe présentant un condensateur de la présente invention. A indique le ruban, B le revêtement plastique, C. la couche d'oxydc > D la couche de semi-conducteur, E la peinture conductrice, et F les fils conducteurs. En se référant maintenant aux dessins, on utilise une bande d'aluminium 20 ; l'épaisseur est choisie pour fournir une résistance mécanique suffisante pour le traitement dans une bande con tinte et aussi pour permettre une attaque en profondeur. L'épaisseur peut être comprise entre 0,127 mm et 3,17 mm. Cependant, la gamme d'épaiaseur préférée est de préférence comprise entre 0,317 mm et 3,17 mm. La bande d'aluminium est choisie pour avoir une pureté maxima. Etape 1. (figure 1) - La bande d'aluminium 20 étant sous forme de rouleau, elle est entaillée par le dispositif 21 pour produire des pattes ou des languettes 22 dans la bande entaillée 26 ; les pattes 22 sont connectées à une barre de support ou à une courroie 24 qui est utilisée pour la manipulation. Dans le procédé représenté, les entailles sont retirées ; a titre de variante, la bande pourrait être cisaillée pour fournir deux bandes se montant entre elles, chacune ayant une barre de support et des pattes, les pattes de l'une étant les vides de l'autre et vice versa ; avec ce dernier mode opératoire, les déchets ou les détritus sont minimisés. Etape 2. (figure 2) - Ensuite, la bande entaillée 26 est nettoyée dans un bain 27, qui peut être de nature classique, pour retirer tous les produits étrangers et toute l'huile laissée dans I'étape d'entaillage ; la bande 26 est. transportée par des rouleaux ou des roues 25. Etape 3. (figure~2) - Ensuite, un ruban isolant 28 est appli qué aux extrémités intérieures des pattes 22 ; le ruban est formé d'une matière qui peut supporter-une température d'au moins 3000C ou, en tout cas, quine se dégradera pas dans les étapes de traitement ultérieures. On pourrait utiliser une matière telle que celle connue sous le nom de Glyptal, de Doryl Varnish ou un autre vernis isolant convenable résistant ou son équivalent. Le ruban 28 peut être appliqué par deux rouleaux 29 et 31 qui l'appliquent sur 3600, c'esb-à-dire autour des bords.G'est une étape importante puisque le rouleau isolant 28, après achèvement du traitement, fournit une surface propre pour la connexion d'un fil conducteur S une électrode du condensateur. Une électrode est de l'aluminium non oxydé qui est atteint en retirant au moins une partie du ruban 28. Egalement, comme on en discutera plus en détail ciaprès, le ruban 28 fournit une limite définie qui, au cours d'un traitement ultérieur, permet le contrôle des surfaces et de l'épaisseur effective totale des diverses couches. Etape 4. (figure 3) - La bande entaillée 26 est alors envoyée en continu a travers un four-tunnel ou four 34 pour cuire le vernis. La température de cuisson serait approximativement comprise entre 200 et 3000C (selon levernis) pour servir d'une manière adéquate de produit résistant pour un traitement ultérieur. Etape 5. (figure 4) - La bande 26 est alors nettoyée en étant passée à travers le meme bain que dans étape 2. Etape 6. (figure 5) - La bande 26 est alors rincée ou lavée dans de liteau distillée ou déionisée dans un bain 40 ; la bande 26 est transportée par des roues 42 (un agent neutralisant ou d'arret peut être utilisé avec ce bain). Etape 7. (figure 6) - La bande 26 est alors attaquée en étant passée par des roues 48 S travers un bain d'attaque classique 44, tel que celui comprenant une solution chaude de chlorure de sodium et de sulfate de sodium ; un potentiel continu est appliqué à partir d'une source 46 entre le bain 44 et la bande 26 afin de faciliter le procédé d'attaque. L'attaque modifie la surface extérieure de l'aluminium et fournit une plus grande aire de surface disponible. Les détails de l'étape d'attaque sont compris dans les connaissances des personnes expérimentées dans la technique de l'attaque. Etape 8. (figure 7) - La bande 26 est à nouveau lavée ou rincée dans un bain 50d'eau distillée oudélonisée, d'une manière semblable à l'étape 6. La bande 26 est transportée par des roues 52. Etape 9. (figure 8) - La bande 26 est alors passée à travers un bain d'acide nitrique dilué 5-4 par des rouleaux de guidage 56 pour neutraliser tout résidu à partir du bain d'attaque précédent. Etape 10. (figure 9) - La bande 26 est à nouveau rincée dans un bain 58 d'eau distillée ou déionisée-d'une manière semblable aux étapes 6 et 8. La bande 26 est transportée par des roues 60. La bande est séchée et coupée jusqu'à une longueur convenable en vue d'un emmagasinage ultérieur sur une base de crémaillère. Egalement, à ce moment, un point est usiné sur les faces opposées des pattes à travers la bande 28 en vue d'une fixation future de fils conducteurs. Ceci est réalisé à ce moment pour éviter de perturber mécaniquement les revêtements ultérieurs. Etape 11. (figure 10) - La crémaillère 64 avec de multiples bandes 26a est alors passée à travers une première étape de formation, dans laquelle les parties exposées des bandes 26a, comprenant les parties exposées des pattes 22, sont soumises à un traitement anodique (oxydées pour former A1203) en immergeant les bandes 26a au moins jusqu'au ruban 28. Dans le dispositif électrolytique solide, l'aluminium pur d'origine est utilisé en tant qu'électrode et la couche d'oxyde (au203) définit le diélectrique. Il y a de nombreux bains différents convenant au traitement d'anodisation de l'aluminium, c'est-à-dire l'acide borique, etc... Dans une forme du procédé, les bandes 26a sont soumises à un traitement anodique dans le bain 62, qui est une solution aqueuse contenant du phosphate diacide d'ammonium. La concentration de phosphate diacide d'ammonium dans le bain 62 peut être modifiée pour faire varier la valeur de résistance électrique de la solution ; on a trouvé convenable d'utiliser une concentration de phosphate diacide d'ammonium fournissant une résistance du bain comprise entre 50 et 1.000 ohm-centimètres. Dans les procédés classiques pour soumettre l'aluminium à un traitement anodique, on utilise un potentiel continu. On a trouvé que la formation de la couche d'oxyde (formant le diélectrique) était améliorée lorsqu'on utilisait une source 66 de courant alternatif polarisé par courant continu. La polarisation par courant continu est positive. Dans une forme préférée, la composante en courant continu est choisie de manière telle outil y ait une certaine excursion négative limitée du potentiel en courant alternatif. Durant les excursions de potentiel positif, de oxyde se forme en épaisseur.L'épaisseur de la couche d'oxyde ainsi formée sera déterminée par les potentiels utilisés, par la conductibili- té du bain, par la température du bain, par la période de formation, etc.... Cependant, une différence importante apparat entre les condensateurs fabriqués avec des films formés avec du courant alternatif polarisé par courant continu et les condensateurs formés avec du courant continu classique. Ceux qui utilisent le procédé au courant alternatif polarisé par courant continu présentent de plus faibles facteurs de dissipation que ceux qui utilisent le procédé classique employant du courant continu. Alors que le phénomène exact se produisant ntest pas connu, l'examen du mécanisme de formation d'oxyde sur l'aluminium indique que l'oxyde métallique est recouvert par une mince couche d'oxyde d'aluminium hydraté et que la croissance de l'oxyde d'aluminium se produit dans la région de transition oxyde-hydrate. L'application de potentiels superposés alternatifs et continus, avec un potentiel continu moyen net, conduit alors clairement a renforcer la dissipation d'énergie dans la couche d'oxyde hydratée par rapport à la dissipation d'énergie dans la couche hydratée durant la formation classique en courant continu.L'énergie dissipée dans la couche hydratée sous forme de chaleur est conduite au bain de formation d'un coté et à la couche d'oxyde et, ultérieurement, au substrat d'aluminium de l'autre côté,Jusqutà osque l'éçilibre thermique soit établi. Après que l'équilibre thermique ait été établi, la chaleur dissipée dans la couche hydratée, ainsi que celle dissipée dans la couche d'oxyde, est conduite au bain. Le passage de chaleur résultant à travers la couche hydratée va alors de la couche de transition oxyde-hydrate à la couche de limite hydrate-bain. La couche de transition oxyde-hydrate est alors à la température supérieure à la température de la couche de limite hydrate-bain. Ainsi, dans la formation en courant alternatif polarisé par courant continu, la température peut être augmentée d'une manière importante au-dessus de la température du bain dans la région meme où la croissance de la couche d'oxyde se produit, sans une augmentation correspondante de la température dans la région de limite hydrate-bain où la formation d'hydrate se produit. Dans la formation dVun film d'onde jusqu'à environ 75 volts (maximum), un potntiêl inverse sur les alternances drenfl ron 10-15 volts ntraie une formation améliorée de filon d'oxyde. On croit quais est d'une importance substantielle que la formation de composés hydroxyles Les films d'oxyde d'aluminium sont formés classiquement dans des bains S des températures élevées (850C - 930C). Cependant, des températures élevées de bain tendent à accélérer la formation de composés hydroxylés. Non seulement les composés hydroxylés affectent défavorablement le condensateur formé, mais ils dégradent également le bain par la formation d'hydroxyde d'aluminium gélatineux, exigeant le renouvellement de l'électrolyte.Cette tendance à former des composés hydroxylés est empêchée dans la présente invention et, dans le présent procédé, le bain d'électrolyte (bain 62) est généralement maintenu à la température ambiante, c'est-à-dire 25 - 350C, à laquelle le taux de formation de composés hydroxylés est retardé. On doit noter à cet égard qu'on croit qu'un facteur important dans la formation du film d'oxyde est la température aux interfaces du film d'oxyde formé, et, de ce fait, les températures élevées efficaces de formation sont réalisées aux interfaces par l'utilisation de courant alternatif polarisé par courant continu, sans qu'il soit nécessaire d'avoir des température de bain élevées. La formation de composés hydroxylés peut être, en outre, supprimée par utilisation d'un agent séquestrant ; la matière préférée est l'acide citrique (1 à 3 g par litre d'électrolyte). L'a cidre citrique fournit les avantages suivants a) sert d'agent séquestrant efficace pour les cations aluminium et empêche la formation d'hydroxyde d'aluminium ; b) maintient le pH du bain de formation et améliore la durée d'utilisation du bain (puisqu'il supprime la précipitation et la formation d'hydroxyde d'aluminium qui détruiront le bain) ; c) n'attaque pas le film d'oxyde d'aluminium.L'hydroxyde d'aluminium demeurerait normalement en solution si le pH du bain était maintenu en dessous de 3,8 ; au-dessus d'un pH de 4, l'hydro- xyde précipiterait dans la solution entraînant un épuisement du bain. De ce fait, la prévision de acide citrique maintient le pH en dessous de 3,8 et améliore la durée d'utilisation du bain. d) l'acide citrique seul pourrait être un bon électrolyte, et, de ce fait, la quantité d'acide citrique, au-dessus d'un mi nirnum , dans le bain, n'est pas critique. Etape 12. (figure 11) - Les bandes 26 sont ensuite lavées dans le bain 68 d'eau distillée ou déionisée d'une manière semblable aux étapes 6, 8 et 10 et puis sont alors totalement séchées. Etape 13. (figure 12) - Les bandes 26a, formées jusqu'à ce point, ont un noyau (partie centrale) d'aluminium défini sur l'anode et un diélectrique en oxyde d'aluminium Al203. Ensuite, une cathode en matière semi-conductrice est formée sur le diélectrique Cette matière est du bioxyde de manganèse. Ainsi, dans le procédé de la présente invention, l'étape suivante est l'application d'un premier revêtement de manganèse. Les bandes 26a sont placées dans un bain 72 contenant une solution de nitrate de manganèse à peu près à 58 %. Le bain 72, avant l'immersion des bandes 26a, est dégazé sous vide ou bien on le laisse reposer pendant une période suffisante et, de ce fait, l'air qui normalement est en solution à partir de la formation du bain s'épuise ; l'enlèvement de l'air fournit une meilleure pénétration du bain 72 dans les surfaces attaquées.En outre, pour 300 ml d'une solution de nitrate de manganèse à 58 % (densité 1,68), le bain contient les produits suivants 30 g de MnO2 Dimension de particules 1-10 p 10 g de graphite Dimension de particules 1-5 10 g de Cab-o-Sil Dimension de particules moins de 0,5 P Le produit dit Cab-o-Sil (silice) est inerte et, de ce fait, il ne réagit pas avec l'un quelconque des autres constituants du bain 72 ; en outre, c'est un agent thixotropique et il améliore les caractéristiques du revêtement du bain. Le graphite abaisse la résistance totale du dispositif et donne une meilleure structure mécanique. Etape 14. (figure 12) - Ensuite les bandes 26a provenant du premier bain de nitrate de manganèse 72 sont séchées dans un four 76 pour chasser l'eau. L'étape de séchage se fait à une tem pérature non supérieure à 950C à laquelle l'eau s'évaporera mais ne bouillera pas. Etape 15. (figure 12) - Ensuite, les bandes 26a sont chauffées dans un four 78 jusqu'à une température comprise entre 1050C et 1200C et, de ce fait, l'eau de cristallisation est chassée (Mn(N03)2. H20). Etape 16. - Les bandes d'aluminium 26a sont ensuite pyrolysées en étant placées dans un four 80 et chauffées jusqutà une température comprise entre 200 et 400 C et, à cette température, le nitrate de manganèse est transformé en bioxyde de manganèse. Le bioxyde de manganèse forme un contact conducteur intime avec la surface d'oxyde d'aluminium. Etape 17. (figure 13) - Dans le dispositif, après l'étape de pyrolyse 16, il peut y avoir encore des composés indésirables tels que des hydroxydes et des nitrates de manganèse et d'aluminium. Un condensateur pouvant fonctionner sera formé malgré la présence des composés de OH et de N03 ; cependant, on a trouvé que l'élimination de ces composés améliore les caractéristiques de perte aux fréquences élevées du condensateur résultant. La présence de ces composés peut être grandement réduite et leur effet minimisé. Ainsi, dans l'étape suivante, les bandes 26a sont lavées dans un bain 82 d'eau déionisée et ayant de l'acide citrique en concentration à peu près égale à 25 g/l. Mn(OH)2, Mn(NO3)et Al(NO)3 sont solubles dans des solutions d'acide citrique et, de ce fait, le bain 82 les retire des bandes 26a. Comme résultat du fait qu'on a soumis les bandes d'aluminium 26a aux températures élevées dans l'étape de conversion ou de pyrolyse 16, c'est-à-dire que le nitrate de manganèse est transformé en bioxyde de manganèse, il se produit un léger endommagement dans la surface dioxyde d'aluminium, c'est-à-dire des craquelures ou des fissures dans la surface. Pour réduire la fuite, il est souhaitable que ces craquelures soient bouchées. Etape 18. (figure 14) - Une seconde étape de formation (anodisation) ou étape de re-formation, semblable à l'étape 11, est réalisée. Les bandes 26a sont placées dans un bain d'anodisation 86 et un potentiel appliqué entre le bain 86 et la bande d'aluminium. L'anodisation (oxydation) se produit spécifiquement dans les surfaces dans lesquelles le film d'oxyde d'aluminium s'est fissuré en exposant l'aluminium brut. Le film de bioxyde de manganèse est très poreux et, par suite de cette porosité, l'anodisation ou la réparation dans les- surfaces fissurées du film d'cxyde d'aluminium peut se produire. Il en résulte un film d'oxyde d'aluminium plus uniforme avec une fuite inférieure.Le potentiel appliqué entre les bandes d'aluminium 26a et le bain, dans cette étape de reformation, peut être inférieur au potentiel appliqué dans la première étape de formation (étape 11) et, en général, la tension d'amorçage du condensateur résultant sera déterminée par les potentiels utilisés dans la première étape de formation (étape 113. Dans cette étape, on utilise un potentiel continu provenant de la source 87, ctest- -dire qu'il n'y a pas d'excursion négative. Etape 19. (figure 15) - Les bandes d'aluminium 26a sont à nouveau lavées d'une manière semblable aux étapes 6, 7, 10 et 12 dans un bain 90 d'eau distillée ou déionisée et les bandes dralu- minium 26a sont totalement séchées. Etape 20. (figure 16) - Les bandes d'aluminium 26a sont à nouveau immergées dans un bain 94, le me-me que le bain de l'étape 13. On note que le graphite est un bon conducteur et aide à faire un contact électrique avec la matière entourant le film d'oxyde d'aluminium. On a trouvé que le graphite était supérieur à la poudre de carbone. Le nitrate de manganèse et MnO2 s'ajoutent finalement à l'épaisseur du revêtement final en bioxyde de manganèse. Comme avec l'étape 13, le bain 94 est dégazé avant l'immersion des bandes d'aluminium 26a. Etapes 21 et 22. (figure 17) - Les bandes d'aluminium 26a sont alors séchées dans des fours 98 et 100 (d'une manière semblable aux étapes 14 et 15) pour chasser toute l'eau (de solution et de cristallisation) puisque la présence de l'eau dans l'étape suivante peut entraîner un endommagement à la surface. Les bandes 26a sont transportées à travers les fours 98 et 100 par des roues 102. Etape 22. (figure 17) - Les bandes d'aluminium 26a, d'une manière semblable à l'étape 16, sont placées dans un four 104 à une température comprise entre 200 et 4000 C, et alors, l'oxyde nitreux est Chassé et le bioxyde de manganèse se forme. Avec les procédés antérieurs, un revêtement conducteur, tel que celui connu sous le nom d'Aqua-dag, a été exigé entre la couche semi-conductrice et la cathode d'argent dans les dispositifs de ce genre. Avec la formulation de semi-conducteur utilisée ici, cette couche intermédiaire n'est pas nécessaire. Une peinture conductrice métallique est appliquée directement au revêtement de semi-conducteur. Pour compléter les dispositifs, il est alors seulement nécessaire de fixer des conducteurs anodiques et cathodiques. Ceci est réalisé par simple soudure d'un conducteur à la surface d'aluminium sous la bande de vernis qui fournit la connexion de l'anode. Un second fil est soudé d la peinture conductrice de la cathode. Les condensateurs construits selon les etapes indiquées cidessus n'exigent pas de vieillissement. Ceci s'oppose aux eonstructions antérieures dans lesquelles on exigeait plusieurs heures de vieillissement aux températures élevées avec ou sans application simultanée de courant. FinalementX le dispositif est encapsulé. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de variantes et de modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication d'un condensateur en aluminium à partir d'un élément en aluminium, caractérisé en ce qu'il consiste à placer un élément en aluminium dans un bain de formation, à appliquer un potentiel électrique entre le bain et l'élément pour former un film en oxyde sur cet élément, le potentiel étant en courant alternatif polarisé par courant continu. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le potentiel a une certaine excursion de polarité inverse sur des alternances du courant alternatif. 3 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le potentiel a une certaine excursion de polarité inverse sur des alternances du courant alternatif, de manière telle que, lorsque le courant alternatif polarisé par courant continu aura un pic positif d'environ 75 volts, le pic négatif sera environ 15 volts. 4 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le bain est à une faible température d'environ 25-35 C. 5 - Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le bain est à une faible température d'environ 25-35 C. 6 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le bain comprend un agent séquestrant pour les cations aluminium, afin d'empêcher la formation d'hydroxyde d'aluminium. 7 - Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'agent séquestrant est l'acide citrique. 8 - Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le bain a 1-3 g par litre d'acide citrique. 9 - Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le potentiel a une certaine excursion de polarité inverse sur les alternances du courant alternatif, de manière telle que, lorsque le courant alternatif polarisé par courant continu aura un pic positif d'environ 75 volts, le pic négatif sera d'environ 15 volts. 10 - Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le bain est à une faible température d'environ 25 - 350 C. 11 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il consiste à appliquer un revêtement liquide à l'élément après le procédé de formation, le revêtement liquide renfermant un composé d'aluminium, à pyrolyser l'élément revêtu pour fournir un film semi-conducteur comprenant du bioxyde de manganèse, et à laver l'élément résultant dans un lavage renfermant de l'acide citrique. 12 - Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le lavage à l'acide citrique utilise l'acide citrique ayant une concentration d'environ 25 g par litre. 13 - Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le bain comprend un agent séquestrant pour les cations aluminium afin d'empêcher la formation d'hydroxyde d'aluminium. 14 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'agent séquestrant est l'acide citrique. 15 - Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le potentiel a une certaine excursion de polarité inverse sur des alternances du courant alternatif, de manière telle que, lorsque le courant alternatif polarisé par courant continu aura un pic positif d'environ 75 volts, le pic négatif sera environ 15 volts. 16 - Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que le bain est à une faible température d'environ 25 - 350 C. 17 - Procédé de fabrication d'un condensateur en aluminium à partir d'un élément en aluminium, caractérisé en ce qu'il consiste à former un film d'oxyde sur l'élément, à appliquer un revê- tement liquide à l'élément oxydé, le revêtement liquide renfermant un composé de manganèse, à pyrolyser l'élément oxydé revêtu pour fournir un film semi-conducteur comprenant du bioxyde de manganèse, et à laver l'élément résultant dans un lavage renfermant de l'acide citrique. 18 - Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que le lavage à l'acide citrique utilise de l'acide citrique en concentration d'environ 25 g par litre. 19 - Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il consiste, en outre, à reformer l'élément lavé, à appliquer un second revêtement liquide semblable au premier revêtement liquide, à pyrolyser le second revêtement liquide pour fournir un film semiconducteur, et à appliquer des conducteurs à l'aluminium et au revêtement extérieur pour définir un dispositif capacitif. 20 - Procédé d'oxydation d'un élément en aluminium, caractérisé en ce qu'il consiste à placer l'élément dans un bain de formation, à appliquer un potentiel électrique entre le bain et l'élément pour former un film d'oxyde sur l'élément, le potentiel étant du courant alternatif polarisé par courant continu. 21 - Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que le potentiel a une certaine excursion de polarité inverse sur des alternances du courant alternatif. 22 - Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que le potentiel a une certaine excursion de polarité inverse sur des alternances du courant alternatifss de manière telle que, lorsque le courant alternatif polarisé en courant continu aura un pic positif d'environ 75 volts, le pic négatif sera environ 15 volts. 23 - Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que le bain est à une faible température d'environ 25 - 350 C. 24 - Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que le bain renferme un agent séquestrant pour les cations aluminium afin d'empêcher la formation d'hydroxyde d'aluminium. 25 - Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que l'agent séquestrant est l'acide citrique. 26 - Procédé selon la revendication 25, caractérisé en ce que le bain est d une faible température d'environ 25 - 350 C. 27 - Procédé d'oxydation d'un élément en aluminium, caractérisé en ce qu'il consiste à former un revêtement d'oxyde sur l'élément dans un bain de formation, ce bain comprenant un agent séquestrant pour les cations aluminium, afin d'empecher la formation d'hydroxyde d'aluminium. 28 - Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que l'agent séquestrant est l'acide citrique. 29 - Procédé selon la revendication 28, caractérisé en ce que le bain a 1 - 3 g par litre d'acide citrique. 30 - Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que le procédé est une étape pour la fabrication d'un condensateur en aluminium. 31 - Procédé selon la revendication 30, caractérise en ce que l'agent séquestrant est l'acide citrique. 32 - Condensateur en aluminium, caractérisé en ce qu'il comprend une partie centrale en aluminium, un film d'oxyde sur cette partie centrale, un revetement semi-conducteur sur le film, le film semi-conducteur ayant une teneur en composés de OH et de N03 rendue minimum, en fournissant ainsi un condensateur ayant des caractéristiques améliorées de perte aux fréquences élevées.