Brevet FR2000833A1 — publié le 19690912

t 2000833 On dispose de dispositifs résistants variables aussi bien que fixes, mais les types qui sont variables sont d'habitude de la catégorie qui peut être réglée mécaniquement. Dans des circuits servant à faire un chois automatiquement ou électriquement entre un 5 certain nombre de résistances de valeurs différentes, le moyen qui est utilise fréquemment est soit encombrant du fait de l'utilisation de moyens mécaniques, soit susceptible de produire des variations de résistances par échelons» Lorsqu'un choix est nécessaire parmi un grand nombre de valeurs de résistances, on utilise parfois 10 des réseaux résistants complexes mais ils souffrent d'un manque de possibilité de reproduction simple d'un réseau au suivant et ils manquent de ce fait de précision relative. Par exemple, un procédé pour produire des caractères alpha numériques destinés à être afflâchés sur un oscilloscope ou uq&ispositif semblable peut comporter. 15 un certain nombre de matrices de résistances. Une matrice d'un tel système définit les coordonnées X et l'autre matrice les coordonnées T d'un point d'un caractère, tandis que des circuits logiques sont utilisés pour choisir les résistances qui sont connectées aux circuits de balayage. Un tel système est capable d'afficher des carac-20 tères sous la forme d'une série de points, dont un grand nombre serait nécessaire pour obtenir un caractère de forme souhaitable. Il est habituel de limiter les dimensions de la matrice pour des raisons d'économie et de ce fait de limiter le choix des points à l'aide desquels on peut construire les caractères, ce qui conduit à un 25 aspect des symboles affichés qui est moins que souhaitable. De plus, pour permettre d'obtenir une grande précision, les valeurs des matrices de résistances doivent être reproduites avec beaucoup de soin d'une matrice à la suivante. Suivant la présente invention, un dispositif servant à effec-tuer une conversion entre une information électrique et une information de position comprend un milieu résistant qui s'étend dans l'espace suivant deux ou un plus grand nombre de dimensions et qui comporte des moyens d'entrée et des moyens de sortie qui lui sont connectés, au moins l'un de ces moyens étant multiple, les moyens 35 d'entrée et les moyens de sortie peuvent être géométriquement en rapport d'une manière prédéterminée, de telle sorte qu'une entrée produise une sortie voulue à des connexions de sortie en rapport a-vec des coordonnées. Une série de moyens d'entree peuvent être utilisés pour former des parties d'un caractère, de tels moyens d'en-40 trée étant balayés ou analysés de façon à produire des 'segments de 69 01479 2 2000833 caractères» De plus, un certain nombre de connexions d'entrée peuvent ê-tre excitées de façon à assurer une répartition de tension sur le milieu résistant et produire une valeur de tension particulière qui 5 peut être déplacée sur le milieu suivant les valeurs d'entrée qui sont appliquées» De cette manière, on peut choisir en fait une connexion parmi une série le connexions de sortie pour "diriger", des courants réglés. Le milieu résistant utilisé ici est de préférence semi-con-.10 ducteur et comprend des couches, ou des diffusions, qui elles-mêmes font partie d'un dispositif semi-conducteur plus compliqué» Des transistors multiples peuvent être incorporés à la même plaquette semi-conductrice pour coupler leurs entrées et leurs sorties au milieu résistant. De plus, un dispositif résistant servant à diriger 15 le courant et un dispositif résistant de choix drun caractère peuvent être combinés de telle sorte que les moyens de connexion d1entrée de ce dernier sont choisis par les moyens de connexion de sortie du premier. Un certain nombre d'autres dispositifs utiles sont également décrits ici, tels que des éléments d'emmagasinage, des 20 multiplicateurs, des générateurs de fonctions, ainsi que divers dispositifs de combinaison. En conséquence, la présente invention a pour but de fournir : - un dispositif de conversion résistant perfectionné servant à donner des coordonnées de sortie en réponse à l'emplacement physi-^5 que d'une borne d'entrée. - un dispositif de conversion résistant perfectionné permettant de choisir une sortie donnée -en réponse à une valeur d'entrée. - un multiplicateur analogique perfectionné. - un moyen perfectionné résistant servant à produire des ca-30 ractères. - un générateur de fonction résistant perfectionné. D'autres avantages et.caractéristiques de la présente invention ressortiront au cours de la description détaillée qui va suivre faite en regard des dessins annexés qui donnent à titre explicatif, 35 mais nullement limitatif, plusieurs formes de réalisation conformes à 1'invention. Sur ces dessins, la figure 1 est une vue schématique d'un premier appareil générateur de caractères suivant la présente invention ; 4-0 la figure 2 est une coupe d'un mode de réalisation semi-con 69 01479 3 2000833 ducteur d'un milieu résistant suivant la présente invention ; la figure 3 est une coupe d'un second mode de 3réalisation semi-conducteur d'un milieu résistant suivant la présente invention j la figure 4 est une coupe d'-an troisième mode de réalisation 5 semi-conducteur d'un milieu résistant suivant la présente invention} la figure 5 est le schéma d'un autre mode de réalisation de générateur de caractères suivant la présente invention ; la figure 6 est une vue en plan d'un milieu résistant du type représenté" en coupe sur la figure 4 ; vue , - . , 10 la figure 7 est une/schématique d'un générateur de caractères suivant la présente invention, du type représenté sur la figure 1 ; la figure 8 est une vue schématique d'un autre générateur de caractères suivant la présente iavention, du type représenté sur la ■ figure 1 ; 15 la figure 9 est un schéma d'une partie d'un générateur de ca ractères plus complexe servant à choisir un caractère parmi une série de caractères» la figure 10 est une vue en plan d'une partie d'un mode de réalisation semi-conducteur réalisé partiellement drun milieu résis-20 tant utilisé suivant la présente invention ; la figure 11 est une vue en plan d'une seconde partie d'un mode de réalisation semi-conducteur réalisé partiellement d'un milieu résistant utilisé suivant la présente invention ; la figure 12 est une vue en plan d'une troisième partie d'un 25 mode de réalisation semi-conducteur réalisé partiellement d'un milieu résistant utilisé suivant la présente invention ; la figure 13 est une vue en plan d'une quatrième partie d'an mode de réalisation semi-conducteur réalisé partiellement d'un milieu résistant utilisé suivant la présente invention» 30 la figure 14 est un mode de réalisation semi-conducteur com plet d'un milieu résistant suivant la présente invention ; la figure 15 est un schéma d'un dispositif servant à diriger un courant, suivant la présente invention ; la figure 16 est un tracé comportant une nérie de courbes ca-ractéristiques du fonctionnement du dispositif de la figure 15 : la figure 17 est un tracé représentant une autre courbe caractéristique du dispositif de la figure 1 5 5 la figure 18 est ton schéma d'un autre mode de réalisation d'un dispositif de direction, du courant suivant la présente inven-40 tion„ BAD ORIGINAL 69 01479 4 2000833 la figure 19 est un schéma d'un autre mode de réalisation d'un dispositif de direction du courant suivant la présente invention ; la figure 20 est le schéma d'un autre dispositif de direction 5 du courant suivant la présente invention, comportant un conforma-teur d'ondes à transistors monté de fa,çon à recevoir ses sorties ; la figure 21 est un schéma d'un autre dispositif de direction du courant suivant la présente invention comprenant un moyen servant à présenter des niveaux de sortie supplémentaires ; 10 la figure 22 est le schéma d'un autre dispositif de direction du courant selon la présente invention, comprenant des transistors solidaires ; la figure 23 est une vue schématique représentant une variante d'une partie du dispositif de la figure 22 ; 15 la figure 24 est une vue schématique représentant" le montage d'un dispositif du type de la figure 23 dans unè matrice de décodage ; la figure 25 est une vue en plan d'un autre mode de réalisation d'un dispositif de direction du courant selon l'invention, le-20 quel peut être utilisé comme multiplicateur analogique ; la figure 26 est un diagramme représentant le fonctionnement du dispositif de la figure 25 ; la figure 27 est une vue en plan de deux dispositifs de direction du courant, tels que ceux représentés sur la figure 25 et 25 qui sont réalisés de manière à fonctionner comme multiplicateurs à quatre quadrants ; la figure 28 est une vue schématique d'un multiplicateur à quatre quadrants complet suivant la présente invention ; la figure 29 est un schéma représentant le fonctionnement du 30 multiplicateur de la figure 28 auquel est appliqué un premier jeu de valeiirs d'entrée ; la figure 30 est un schéma repré sentant/Le fonctionnement du multiplicateur de la figure 28 auquel est appliquée une seconde paire de valeurs d'entrée ; 35 la figure 31 est un schéma représentant.le-fonctionnement du multiplicateur de la figure 28 auquel est appliquée une troisième paire de valeurs d'entrée ; la figure 32 est une vue en plan., d'un .autre dispositif de direction suivant la présente-invention ; 40 la figure 33 est une-vue en plan d'un générateur de fonction k&ÂD ORIGINAL 69 01479 5 2000833 suivant la présente invention î la figure 34 est un schéma d'un autre générateur de fonction suivant la présente invention ; " la figure 35 est urevue en plan d'un dispositif de direction 5 du courant suivant la présente invention et qui peut être utilisé comme mémoire ; la figure 36 représente une variante du dispositif de la figure 35 î la figure 37 est une vue schématique d'un générateur de ca-10 ractères suivant la présente invention, commandé au moyen d'un dispositif de direction du courant suivant la présente invention ; la figure 38 est une vue schématique d'un second générateur de caractèressuivant la présente invention, qui est également commandé par un dispositif de direction du courant suivant la présente 15 invention ; la figure 39représente plus en détail une partie du générateur de caraetèresde la figure 38 ; la figure 40 est un premier graphique possible de la répartition d'une tension sur un milieu résistant de direction de courant 20 semi-circulairè selon la présente invention ; la figure 41 est un second graphique analogue ; la figure 42 est une troisième graphique analogue ; la figure 43 est un quatrième graphique analogue ; la figure 44 est un graphique possible pour un milieu résis-25 tant de direction de courant triangulaire suivant la présente invention ; et la figure 45 est un second graphique possible pour un milieu résistant de direction du courant triangulaire suivant la présente invention. 30 Le dispositif selon la présente invention peut être utilisé soit pour appliquer une variation spatiale d'une connexion de valeur d'entrée et obtenir une variation de sortie électrique, soit pour utiliser une variation des valeurs d'entrée afin d'obtenir un choix spatial d'une sortie. Le premier type de dispositif sert de 35 générateur de caractère^ inaig&l va de soi qu'il peut également remplir d'autres fonctions. En se reportant à la figure 1, un générateur de caractères. suivant la présente invention comprend d'une matière appropriée un milieu résistant plan 10 pourvu de quatre électrodes de bord ortho-40 gonales 12, 14, 16 et 18. Le milieu s'étend principalement suivant 69 Q1479 6 2000833 deux dimensions et il a également nécessairement une certaine é-paisseur. D'une manière avantageuse, sa résistivité est uniforme, le milieu résistant 10 peut présenter une forme simple constituée par une feuille de papier résistant ou d'une matière semblable a-5 vec lequel sont en contact les électrodes de bords mentionnées plus haut. Il est préférable, cependant, que le milieu résistant soit constitué par une couche semi-conductrice présentant l'avantage d'une miniaturisation facile et de pouvoir être connectée à des é-léments d'un circuit intégré, comme décrit plus complètement plus 10 loin. Le milieu résistant 10 peut présenter une forme rectangulaire, et de préférence il est carré d'une manière générale. On a trouvé avantageux de supprimer aes coins entre les électrodes, comme repré senté ; Les électrodes 12 et 14 d'une première paire, qu'on appelle-15 ra des électrodes verticales, sont reliées d'une manière appropriée au moyen d'amplificateurs opérationnels 20 et 22, respectivement, aux plaques de déviations verticales 24 et 26 d'un dispositif d'affichage X-Y se présentant ici sous la forme d'un tube à rayons cathodiques 28. De même, des électrodes horizontales 16 et 18 sont 20 reliées au moyen d'amplificateurs opérationnels 30 et 32 aux plaques de déviation horizontale 34 et 36 du tube à rayons cathodiques 28. Les amplificateurs opérationnels sont utilisés comme convertisseurs de courant en tension.- - Une première tension d'entrée -E^ est appliquée par un moyen 25 de connexion 38 à un point dont les coordonnées sont x^ et y^, sur le milieu résistant 10, par rapport aux électrodes coordonnées 12, 14, 16 et 18 à l'intérieur des limites desquelles est disposé le point P1# Une résistance R^ est interposée entre la tension -E^ et le point P1 et un courant I1 s'écoule du point P^j à travers cet-30 te résistance en réponse à la tension -E^. Une seconde tension, -E2 est appliquée par un moyen de connexion 40 à un second point P2* dont les coordonnées sont ^ et par l'intermédiaire d'une résistance R^. Lorsque la tension est appliquée, un courant I2 passe dans la résistance Rp. Il va de soi que les amplificateurs 35 20-30 et 22-32 présentent -des résistances d'entrée prédéterminée et de préférence faibles qui ferment un circuit pour les courants d'entré e. Lorsque la tension d'entrée -E^ est appliquée, il se produit une division du courant 1^ entre les électrodes 12, 14, 16 et 18 40 suivant les coordonnées de positions du point P^. Il s'ensuit que 69 01479 7 2000833 le faisceau d'électrons du tube à rayons cathodiques 28 est dévié jusqu'à un point 42 qui correspond aux coordonnées de positions du point P.j » A ce moment, la tension -E^ est diminuée progressivement et la tension -Eg est progressivement augmentée jusqu'à ce que le 5 courant ne passe que dans la résistance depuis le point ?2 et dans le milieu résistant 10. A ce moment, le tube à rayons cathodiques aura dévié son faisceau d'électrons jusqu'à un point 44 qui correspond aux coordonnées de la position Pg» Cependant, du fait que l'injection du courant se déplace progressivement du point P^ 10 au point P^» le faisceau d'électrons du tube à rayons cathodiques décrit un segment de ligne 46 dont les points d'extrémité correspondent à P>| et Pg. En fait, on obtient une variation progressive du couplage résistant en modifiant progressivement l'injection du courant entre les points P^ et Pg> de façon à faire afficher un 15 segment de ligne continu sur le tube à rayons cathodiques, la variation progressive d'entrée d'un point à un autre s'effectue d'une manière appropriée en utilisant un appareil agencé de manière à produire des ondes de sortie triangulaires. le dispositif de production de caractère peut être étendu a-20 fin de présenter une série de points tels que P^ et ?2 en travers de la face d'un milieu uniformément résistant 10 de sorte que le faisceau d'électrons du tube à rayons cathodiques trace d'une manière appropriée la*,foria(p d'un caractère alpha-numérique ou d'un autre symbole# Un générateur de caractèresde ce type est représen-25 té sur la figure 7, dans laquelle un circuit de commutation 48 fournit successivement une série de courants de sortie de 1^ à Ig en réponse à une tension de balayage d'entrée triangulaire 50. les formes ,d'ondes de sortie sont d'une manière avantageuse de forme triangulaire, chacune des formes d'ondes des courants de sortie 30 successives étant en synchronisme avec la valeur maximale de la forme d'onde précédente^at.teignant sa valeur maximale lorsque la forme d'onde précédente tombe à une valeur nulle. La somme des courants de I.j à I2 donne un total qui, d'une manière avantageuse, est constant. Dans l'exemple représenté, ces courants sont respective-35 ment appliqués aux points indiqués sur le milieu résistant 10' de telle sorte qu'à mesure que ces points sont excités consécutivement, le courant de déviation présente des valeurs X^, X2> et Y2 pour tracer le chiffre 2 sur un dispositif de balayage X-Y, tel qu'un oscilloscope. 40 Le milieu résistant 10* de la figure 7 est représenté sous la 69 01479 8 2000833 forme d'un, élément semi-conducteur plan qui, dans le mode de réalisation de la figure 7, forme le collecteur d'un.ensemble' ie transistor semi-conducteur. Les points d'injection 52 pour les courants de 1^ à Ig sont les émetteurs et une couche de. base 54 est interpo-5 sée entre eux. La couche de base. 54 est pourvue d'une connexion d'entrée 56 et assure la commande d'ensemble des courants d'entrée. Non seulement la construction semi-conductrice précédente assure une possibilité de reproduction avantageuse',, mais encore-elle se prête d'elle-même à la miniaturisation, par exemple par-des-techni-10 ques de circuits intégrés, une petite plaquette semi-conductrice pouvant être utilisée comme moyen servant à produire un ou. plusieurs caractères. Les figures de 2 à 4 représentent en coupe la construction de divers dispositifs semi-conducteurs de milieu résistant. En se 15 reportant à la figure 2, un dispositif semi-conducteur comprend un substrat 58 de type P supportant une couche épitaxiale 60 de type N. Une diffusion d'isolement de type P 62 est représentée ici à l'une et l'autre extrémités du dispositif. Dés diffusions d'émetteur 64 de type N assurent un contact ohmique avec la couche 60 à des empla-20 cements prédéterminés qui correspondent aux points d'injection voulus pour la couche résistante 60. La figure 3 représente une variante dans laquelle des diffusions de base 66 du type P sont formées entre une diffusion d'émetteur 64 et la couche épitaxiale 60. Une connexion sur ces diffusions de base de type P peut être utilisée 25 pour agir sur le courant injecté par l'intermédiaire des diverses diffusions d'émetteurs. La figure 4 représente un dispositif quelque peu semblable au type décrit précédemment pour la figure 7* par e-xemple dans lequel une couche de base commune 54 est formée entre une série de diffusions d'émetteurs 64 et une couche épitaxiale 60. 30 Dans ce cas, les diffusions d'émetteurs 64' peuvent être allongées d'une manière appropriée pour former des contacts ou électrodes de bord pour l^feollecteur. La figure 6 représente une variante du dispositif dans laquelle des contacts d'émetteurs e^, ee^ et e^ sont disposés sur la 35 base 68, cette dernière comportant des contacts latéraux 70 et 72. Les contacts d'émetteurs e^ et sont connectés ensemble afin de recevoir le courant 1^, et les émetteurs e^ et e^ sont connectés ensemble pour recevoir le courant Ig» Lorsque 1^ diminue et Ig augmente, l'injection du courant se déplace d'une manière effective dans 40 la direction des Y„ Une division du courant entre les contacts de 69 01479 9 2000833 "base 70 et 72 peut déplacer le rjoint d'injection effectif du courant dans la direction des X. De ce fait, le point d'injection du courant peut en fait être déplacé à l'intérieur de la surface hachurée 74» D'une manière correspondante, des courants proportion-5 nels sont appliqués aux électrodes de connexion de "bord 12, 14, 16 et 18„ la figure 8 représente un dispositif du type de la figure 6, comportant des contacts de hase 70* et 72* ainsi que- des jeux doublés de contacts d'émetteurs numérotés de 1 à 8. Un générateur 76 10 d'onde triangulaire applique une onde triangulaire 78 à un circuit de commutation 48 de sorte que des courants de 1^ à Ig sont produits successivement de la manière décrite pour la figure 7» après quoi le processus inverse se produit. 0'est-à-dire que les courants de sortie se suivent alors le Ig à 1^. les courants de 1^ à Ig sont 15 appliqués aux émetteurs portant des numéros correspondants et en même temps une onde rectangulaire 80 provenant de la borne 82 est appliquée au contact de hase 72, par rapport au contact 70'» A mesure que les courants de 1^ à Ig sont fournis, une valeur d'entrée est appliquée au contact 72' par rapport au contact 70' de sorte que les 20 contacts de 1 à 8 du jeu inférieur agissent pour injecter le courant dans le milieu résistant ou collecteur 10'. Comme on le voit, la partie inférieure de la lettre "B" est tracée à ce moment. Ensuite, les valeurs d'entrée appliquées à 70' et 72* sont modifiées de telle sorte que les émetteurs dej à 8 du jeu supérieur sont rendus 25 actifs* A mesure que l'injection du courant se déplace vers l'émetteur numéro 8, la position de l'injection est déplacée vers le haut en observant la figure 8 et la partie supérieure de la lettre "B" est alors tracée. la figure 9 représente un système dans lequel une série de 30 générateurs de caractères de 84 à 89 présentent des bornes de sortie orthogonales qui sont connectées à des conducteurs omnibus communs X,j, Xg, Y.j et Yg. De plus, ces dispositif reçoivent un balyage d'émetteur d'entrée commun, comme indiqué en 92. les conducteurs de 94 à 99 sont connectés aux bases respectives des dispositifs 84 à 35 89 afin de choisir un dispositif particulier qui décrit électriquement un caractère voulu aux conducteurs omnibus X^, Xg, Y^ et Yg. Les dispositifs sont, dans cet exemple, pourvus respectivement de configurations d'émetteurs permettant de décrire les chiffres "1", "2", "3" et "4H, les. suites de lettres "GO" et "OE". Un conducteur 40 100 est connecté à deux contacts de base supplémentaireé des dispo- 69 01479 10 2000833 sitifs 88 et 89 de façon à pouvoir "balayer successivement les lettres "G" et "0" et de façon à pouvoir "balayer successivement les lettres "0" et "K" de la manière décrite en liaison avec le "balayage des parties supérieure et inférieure de la lettre "B" de la figure 5 8. Les figures de 10 à 14 représentent des parties séparées dfun générateur de caractèressemi-conducteur du type décrit précédemment, ou bien en variante de cach.es utilisés pour former ces parties à l'aide de processus classiques. La figure 10 représente une diffu-10 sion d'isolement de type P entourant un ilôt de matière de type N épitaxiale 103 d'un collecteur qui doit être le milieu résistant. La couche du collecteur d'un transistor KPN plan e_st résistante, sa résistance pelliculaire pour un processus type étant de 500 ohms par carré. Cette valeur peut être modifiée en modifiant le procédé. De 15 même, la figure 10 représente une diffusion de base 104, également de type P, cette diffusion de base ne s'étendant pas vers le bas jusqu'à un substrat commun comme le fait la diffusion d'isolement précitée. Les caches pour les éléments 102 et 104 sont utilisés séparément. 20 La figure 11 représente des régions d'émetteurs 106 et les connexions ou électrodes 108 pour le bord d'un collecteur épitaxial. La figure 12 représente les connexions pré-ohmiques sur les émetteurs, la base et le collecteur, et finalement la figure 13 représente les connexions en aluminium sur les divers éléments. Dans cet 25 exemple particulier, huit connexions seulement sont réalisées avec les émetteurs. Le réseau d'émetteurs choisis est arbitraire et il va de soi qu'on pourrait choisir n'importe quel autre réseau d'émetteurs pour afficher un caractère ou un symbole voulu. La figure 14 représente le dispositif complet. Comme on peut s'en rendre compte, 30 un dispositif semi-conducteur particulier de ce type peut être utilisé pour produire plusieurs caractères si on le désire. La figure 5 est une vue schématique d'un circuit analogique résistant d'un générateur de caractères suivant la présente invention. Sur cette figure, on utilise encore un circuit de commutation 35 48 avec une forme d'onde d'entrée triangulaire 50 - servant à balayer le dispositif de commutation au moyen de fermes d'ondes triangulaires successives I1, I2» 1^ et 1^. Les formes d'ondes sont appliquées aux résistances T successives de 110 à 113 ainsi qu'aux résistances successives 2 de 114 à 117. Des résistances de "déversement" de 118 40 à 120 envoient le courant en excès à la masse. Les résistances Y 69 01479 n 2000833 sont réunies et forment une entrée d'un amplificateur opérationnel 20 relis a la plaque de déviation Y 24 d'un tube à rayons cathodiques 28« De même, les résistances- X sont reliées à la plaque de déviation X 34 au moyer. d'un amplificateur opérationnel 30» Les pla-5 ques de déviation restantes sont à la Kassc» Comme dans le mode de réalisation précédent, le courant balaye les divers moyens résistants afin d'assurer le 1 alayage d'un caractère, c'est-à-dire former un affichage 1220 Les segments continus sont balayés, et non simplement les points d'extrémité de ces segments» Eien que le dis-10 positif de la figure 5 convienne pour un grand nombre d'applications, il présente l'inconvénient de prendre l'espace qui normalement est nécessaire à un grand nombre de résistances, c'est-à-dire lorsqu'un caractère doit être affiché avec une certaine précision. De plus, le réseau résistant présente un manque de possibilité de 15 reproduction d'un tel circuit au suivant» De ce fait, il faut d'habitude choisir les résistances avec beaucoup de soin et des tolérances étroites pour obtenir la fidélité voulue de l'affichage d'un caractère. Un milieu résistant continu est de ce fait préféré du fait qu'il est éminemment reproductible et que même les erreurs 20 tendent à s'annuler pr-oprotionnellement dans la réalisation d'un tel dispositif. De plus, un milieu résistant continu peut être miniaturisé considérablement à l'aide de techniques de circuits intégrés telles que celles décrites précédemment. Un dispositif servant à diriger un courant suivant la pré ser-25 te invention comprend un milieu résistant dans lequel ces valeurs d'entrée servent à déterminer l'emplacement spatial ou physique d'une valeur de sortie donnée. La figure 15 représente un tel dispositif. En se reportant à la figure 15» un milieu résistant 24 comporte une première paire de bornes d'entrée ou de moyens de conne-30 xion 126 et 128 qui lui sont connectés et un troisième moyen de connexion 130 disposé entre les deux premières. Une série de moyens de connexions de sortie 132 sont disposés le long de ce milieu résistant et sont, proches, ici, de l'un de ses bords. Le milieu résis-s'étend tant 124/suivant au moins deux directions et bien entendu il pre-35 sente également une épaisseur finie» Il est préférable qu'il présente une résistance pe3.1iculaire constante par carré de surface unitaire. Le milieu résistant peut, par exemple, être plan et il peut être réalisé avec n'importe quelle substance x-ésistante, telle que du papier pourvu d'un revêtement résistant. Cependant, on préfère 40 une couche semi-conductrice du fait qu'un tel dispositif peut être 69 01479 12 2000833 miniaturisé ou peut faire partie d'un circuit intégré semi-conducteur ; etc. Dans le mode de réalisation de la figure 15» le milieu résistant 124 présente d'une manière avantageuse la configuration d'un 5 demi-cercle plan, les bornes d'entrée 126 et 128 étant disposées à l'une et l'autre extrémités de son diamètre. la borne d'entrée 130 est disposée d'une manière appropriée près du centre du dispositif et est renvoyée à un point de potentiel de référence commun ou masse. Les bornes de sortie 132 sont disposées dTune manière ap-10 propriée le long de la, partie courbe du demi-cercle» Chacune des bornes de sortie 132 est connectée à la borne de commande d'un dispositif amplificateur ou dispositif de commande tel qu'un transistor. Dans le cas du présent mode de réalisation, les bornes 132 sont connectées aux bases respectives de transistors 15 de 134 à 138 dont les émetteurs sont connectés ensemble et sont alimentés en courant par une source 139• Les bornes d'entrée ou moyens de connexion 126 et 128 reçoivent des tensions ou courants d'entrée qui sont complémentaires, par exemple sous la forme xV et (1 - x) V ou bien xi et (1 - x) I dans 20 lesquels le facteur x est considéré comme une entrée du dispositif. Si les deux entrées appliquées aux bornes 126 et 128 sont, par exemple, positives, alors la borne d'entrée 130 est agencée de manière à se trouver à un niveau qui est négatif d'une manière relative .deux par rapport aux/bornes 126 et 128. La situation peut être inversée 25 à volonté, de telle sorte que les deux bornes 126 et 128 soient relativement négatives par rapport -à la borne 130. Lorsque le facteur x est modifié, c'est-à-dire lorsque la partie de la tension ou du courant d'entrée appliqué aux bornes 126 et 128 est modifiée, une répartition de tension différente est établie en travers du milieu 30 résistant 124. De telles répartitions de tension dans deux cas ~ • types sont représentées sur les figures 40 et 41 o Une tension négative de 5 volts est appliquée, par exemple, aux extrémités diamétrar-lement opposées du milieu résistant semi-circulaire représenté sur la figure 4. Des lignes équipotentielles sont tracées sur le 35 milieu et portent l'indication de tensions, et on peut voir que le point le plus positif se présente dans la répartition des tensions directement en face de la connexion d'entrée à la masse. En revenant à la figure 15, on voit que la connexion de sortie 132 qui se trouve directement en face de la connexion d'entrée 130 reçoit la 40 tension la plus élevée et rend conducteur le transistor correspon 69 01479 13 2000833 dant 136. les transistors et les niveaux de tensions sont choisis de telle sorte que les autres transistors ne sont pas conducteurs à ce moment» En passant à la figure 41» les tensions d'entrée appliquées aux connexions d'entrée diamétralement opposées sont alors 5 de -4 volts et -6/(rolts, respectivement» Avec l'application de ces entrées, le point le plus positif de la répartition de tension s'est déplacé jusqu'à l'emplacement 133&e sorte que le transistor 137 qui se trouve juste au-dessus du transistor central sur la figure 15 est alors amené à être conducteur. En modifiant la valeur de xf qui 10 détermine les valeurs d'entrée complémentaires, le courant provenant de la source de courant 139 est facilement "dirigé" entre les bornes de sortie des collecteurs des transistors de 134 à 138. La forme géométrique circulaire du milieu résistant est avantageuse par le fait qu'elle ten^é. assurer une séparation presque constante en-15 tre les emplacements de sortie choisis suivant les modifications de la valeur de xi La figure 16 représente le logarithme de la tension le long du bord circulaire du milieu résistant 124 pour diverses combinaisons de tensions complémentaires positives appliquées aux bornes 20 126 et 128. Dans ce cas, il conviént- d'observer que le point le plus négatif se présente à une position le long du bord circulaire du milie'q£ésistant 124 mesurée par l'angle 0 » La figure 17 re-ï*résente la variation de la tension minimale de la figure 16 lorsque l'indice x varie» On peut voir que le minimum a une valeur de ten-25 sion moindre pour des valeurs relativement grandes ou petites de l'indice x. Cependant, les transistors peuvent être commutés d'une manière appropriée et un courant peut être'dirigé " d'une façon avantageuse en faisant varier l'indice de polarisation "x" de telle sorte que le courant provenant de la source 139 peut passer à peu près 30 complètement à travers un transistor choisi. Lorsqu'on modifie progressivement 1'indice x, le courant de sortie peut être transféré progressivement du collecteur d'un transistor au suivant.' La figure 18 représente un dispositif de direction du courant dans lequel des transistors 140 et 141 sont disposés d'une manière 35 solidaire aux emplacements des bornes d'entrée. Ces transistors sont également représentés schématiquement suivant leur/6onnexion avec le milieu résistant 124. Chacun des transistors comprend un émetteur 142 et une base 144 interposée entre le milieu résistant 124 et l'émetteur. Par exemple, le milieu résistant 124 peut être 40 constitué par une matière semi-conductrice de type H, la base 144 69 01479. 14 2000833 et l'émetteur 142 étant constitués respectivement par~d.es matières semi-conductrices de type P et de type K, Le milieu résistant de la figure 18 est de ce fait excité en courant au moyen des transistors 140 et 141. 5 De même, la figure 19 représente un milieu résistant semi conducteur 124*- excité en courant à des connexions d'entrée 126* et 1281 au moyen de transistors 146 et 148. Des tensions d'entrée complémentaires sont appliquées aux bases des transistors 146 et 148 et les émetteurs de ces transistors sont renvoyés à une source de 10 courant par l'intermédiaire de résistances 150 et 152. Le milieu résistant 124' présente d'une manière avantageuse une forme semi-circulaire, comme dans les modes de réalisation précédents, mais dans ce cas, une troisième borne d'entrée 130* est disposée près du centre de la périphérie arrondie tandis que des connexions de sortie 15 132® sont disposées le long du diamètre droit du milieu. Ces connexions de sortie sont reliées aux bases de transistors de 134* à 138' et une source de courant commune est connectée aux émetteurs de ces transistors. 69 01479 15 2000833 la figure 42 représente la répartition des tensions pour un dispositif tel que celui de la figure 19 lorsque les valeurs d'entrée appliquées aux emplacements diamétralement opposés du milieu résistant sont égales. Au contraire, la figure 43 repré-5 sente un cas où les tensions d'entrée sont déséquilibrées et où une seule tension est appliquée à l'emplacement 284. le dispositif de la figure 19 peut être utilisé d'une manière semblable à celle du dispositif représenté sur la figure 15. Par exemple, il peut constituer un commutateur analogique de 10 un-sur-cinq dans lequel le courant appliqué aux émetteurs communs des transistors précités est amené sélectivement à l'un des collecteurs. Une autre utilisation importante pour le dispositif du type général représenté sur les figures 15 et 19 est celle d'un moyen?d'entree^pour un générateur de caractères, comme décrit 15 plus complètement ci-après. Un milieu résistant peut, bien entendu, prendre d'autres formes qu'une forme circulaire, bien qu'une configuration semi-circulaire se soit montrée extrêmement avantageuse en pratique, les figures 44 et 45 représentent des répartitions de tensions 20 pour des tensions indiquées appliquées à des milieux résistants de forme triangulaire. Comme s'en rendront compte les spécialistes, les réparti-- tions de tensions obtenues sur les milieux résistants 124 et 124' par exemple sont telles que les bornes de sortie 132 et 132' ne 25 doivent pas être trop rapprochées, ou bien la conduction sélective d'un transistor par rapport à son transistor voisin est rendue ce difficile. De/fait, il est souhaitable d'ajouter des étages supplémentaires de conformation des ondes, tels que celui représenté sur la figure 20. les transistors- 134' et 138 correspondent 30 aux transistors ÎJPIT portant les mêmes numéros sur la figure 19. Ces transistors peuvent être réalisés dans le même circuit intégré que le milieu résistant 124', comme décrit plus complètement ci-après, les collecteurs des transistors 134' et 138' sont connectés de manière à exciter les bases de transistors PEP 154 et 35 156 qui, à leur tour, excitent des transistors HPÎtf 158 et 160. les transistors 158 et 160 reçoivent un courant d'émetteur commun. Il va de soi que des connexions en cascade semblables peuvent 01479 46 2000833 être étendues depuis d'autres bornes 132;' du milieu résistant 124', le dernier transistor de chacun des circuits en cascade présentant un émetteur qui est- connecté à la même source de courant. Dans un mode de réalisation d'un circuit intégré, les 5 transistors 154 et 156 peuvent comporter .des transistors PHP latéraux. Avec un gain supplémentaire, il est possible d'obtenir une sélection plus facile des niveaux de tensions conduisant à une sélection plus facile des transistors de sortie particuliers et,de ce fait, le milieu résistant peut comporter un nombre accru 10 de bornes de sortie 132'. De plus, ce circuit permet aux transistors de sortie de se trouver à des niveaux en courant- continu différents de ceux de la première rangée de transistors UPÏÏ". La figure 21 représente un autre moyen permettant d'augmenter le nombre de bornes de sortie 132' qui peuvent être ap-15 pliquées au milieu résistant 124'. Ce dispositif utilise un courant d'excitation accru permettant une séparation de tension plus grande et uniforme entre legfoornes de sortie. Les bornes de sortie 132' sont connectées respectivement aux bases de transistors de 161 à 168, les émetteurs de ces derniers étant connectés à une 20 source de courant commune. Entre les bornes de sortie 132' de chacune des paires et entre les bornes de sortie d'extrémité et les bornes d'entrée 126' et 128', respectivement, sont interposées des diodes montées en sens inverse 170 et 172. De ce fait, les tensions entre les bornes de sortie de chacune des paires 25 sont limitées à la chute dans une des diodes et la variation totale entre les points d'excitation se trouve également réduite, ou bien on peut utiliser un courant d'excitation plus intense, sans risquer un amorçage d'émetteur dans un ou plusieurs des transistors. On trouve par suite qu'avec ce circuit, il est pos-30 sible d'obtenir un choix amélioré d'un plus grande nombre de dispositifs de commande de sortie. A nouveau, le transistor choisi applique le courant d'entrée de l'émetteur commun à son collecteur. La figure 22 représente un dispositif plus complexe com-35 prenant une première couche semi-circulaire et semi-conductrice 174 de type HT recouverte par une couche semi-conductrice semi-circulaire de type. P 176. Dans ce dispositif, la couche 176 69 01479 17 2000833 forme le milieu résistant mais constitue la base drune configuration de transistor. Ce dispositif est également réalisé de façon à présenter une résistivité sensiblement uniforme. Autour du bord semi-circulaire de la couche 176 sont disposés une série 5 d'émetteurs de type ÎT 178 qui recouvrent la couche 176. Ces émetteurs sont connectés ensemble/reçoivent un courant I^. De plus, la couche 176 reçoit des entrées d'excitation complémentaires au moyen de contacts 180 et 182, respectivement, le contact central 184 étant à la masse, les deux contacts 180 et 182 10 sont positifs par rapport à la masse. Un contact 186 connecte la couche 174 de type IT à une tension d'alimentation positive. On voit que les transistors de sortie de ce dispositif sont en fait construits dans la même structure que le milieu résistant, chacun de ces transistors utilisant un émetteur 178 relié à une 15 source de courant commune, et une région de la couche 176 formant la base du transistor, une partie correspondante de la couche 174 en formant le collecteur. De plus, un étage suivant d'amplification est réalisé dans le dispositif de la figure 22. Autour de la couche de bord circu-20 laire 176 et espacés de son bord, près des émetteurs 178, se trouvent des éléments de type P 188 qui/connectés à une source de courant commune. Des diffusions de type P en forme de C 190 entourent les éléments 188 et sont connectés aux bornes de sortie respectives, les éléments supplémentaires 188 et 190 forment des 25 transistors PEP supplémentaires avec la couche 174 et dont l'effet est semblable à celui des transistors 154 et 156 de la figure 20. le fonctionnement de la partie transistor du dispositif de la figure 22 est le suivant : d'abord, en négligeant les régions 30 PNP formées par les éléments 188, 174 et 190, on considère la couche 1^6 comme étant"excitée par des sources de courant complémentaires par l'intermédiaire des contacts 180 et 182. les contacts 180 et 182 sont négatifs par rapport aux contacts 186. Il en résulte qu'il s'établit une répartition de tension sur la cou- 35 che 176 telle que l'un des émetteurs 178 conduit une quantité de plus grande/courant I^ que le restant. Ce courant s'ecoule dans la couche 174 et, par sa résistance, va au contact 186. De cette 69 01479 18 2000833 manière,il se produit une chute de tension pendant la partie de la couche 174- gui se trouve sous l'émetteur qui est le plus conducteur plus négative qu'ailleurs.On suppose que l'un des émetteurs 178 est plus positif de 10 millivolts que ses voisins 5 et que tous les autres émetteurs sont complètement bloqués. On trouve que le courant dans l'émetteur choisi transmet environ 1,5 fois le courant qui est transmis par ses voisins à une température de 25°0. Ceci est suffisant pour établir une différence de tension très supérieure à 100 millivolts entre les régions 10 voisines de la couche 174-.La région plus négative de la couche 174- fait transmettre un courant I-, à travers un transistor PNP formé o par'les éléments 188' et 190 ainsi que par cette région.Le transistor PNP ainsi formé fournit pratiquement tout le courant 1^ à l'une des bornes de sortie qui sont connectées à l'un des élé-15 ments 190. Le dispositif de la figure 22 est également construit de manière à former un autre transistor latéral PNP renvoyant du courant à la couche 176 et augmentant par suite la différence de tension produite dans une région choisie de la couche 174-.Les dif-20 fusions 190 sont proches de la couche 176 et une certaine quantité de courant est renvoyée à la couche 176 dans la région de sortie choisie.Il en résulte que des profils de tension très peu profonds autour de la couche 176 sont suffisants pour produire une commutation rapide et complète d'une sortie. 25 La figure 23 représente une variante du dispositif de la figure 22 dans laquelle la diffusion 190 du collecteur d'une configuration de transistor PHP est divisée en -une série d'éléments séparés de 190a à 190d.Cette construction peut alors être utilisée dans le circuit de la figure 24- dans lequel de tels disposi-30 tifs PNP successifs sont indiqués ici par les références numériques 192.Les dispositifs PNP sont connectés à des transistors NPN séparés 194- suivant une configuration particulière.Les collecteurs des transistors 194- sont connectés à diverses lignes de collecteurs 196 pour produire des sorties choisies sur ces lignes. 35 Pan exemple,les lignes 196 peuvent être ainsi excitées suivant un code binaire désignant d'une manière binaire l'emplacement physique choisi par un milieu résistant formé par exemple par 69 01479 19 2000833 la couche 176 de la figure 22. les éléments collecteurs non utilisés d'un transistor donné 192 sont à la masse. Les connexions 193 indiquent des circuits de réaction vers la couche 176. En se reportant à la figure 25, elle représente-un dispo-5 sitif qui peut être utilisé comme multiplicateur et pour des applications semblables, le dispositif peut également être considéré comme l'analogue électrique d'un potentiomètre mécanique. En se reportant à la figure 25, le dispositif comprend un collecteur épitaxial plan de type F 198 qui est uniformément résistant 10 et qui est pourvu de contacts d'extrémité allongés 200. Entre les contacts d'extrémité, une couche de base de type P 202 est superposée au collecteur 198 pour former un milieu résistant. la couche de base présente une résistivité uniforme et se présente d'une manière appropriée sous une forme semi-circulaire dont le 15 diamètre s'étend le long d'un côté du collecteur 198 entre les contacts 200. le long et au-dessus du côté courbe de la couche de base 202 est disposé un émetteur continu 204, tandis qu'aux extrémités et au centre de la couche de basé sont disposés respectivement des contacts 206, 208 et 210. Une entrée complémentaire, 20 c'est-à-dire de la forme xi et (1-x) I est appliquée aux contacts 206 et 208, tandis que l'émetteur continu 204 est relié d'une manière appropriée à une source de courant, le contact 210 est à la masse. Une répartition de tension est établie sur la couche de base 202 de manière à rendre la tension variable de façon uni-25 voque le long et en dessous de l'émetteur 204. Par exemple., suivant le présent dispositif, les tensions complémentaires appliquées aux contacts 206 et 208 peuvent être négatives par rapport au contact 210, et un maximum relativement positif est établi de cette manière en dessous d'une partie choisie de l'émetteur 204. 30 Un courant appliqué à l'émetteur 204 pénètre dans le collecteur 198 principalement à l'emplacement de ce maximum et il se divise ensuite entre les contacts 200 suivant leurs distances relatives entre le point maximum et ses contacts. De cette manière, on réalise un potentiomètre électrique dont la connexion effective en-35 tre l'émetteur 204 et le collecteur 198 peut être déplacée le long de l'émetteur 204 suivant les entrées complémentaires appliquées aux contacts 206 et 208. o9 01479 20 2000833 Le dispositif de la figure 25 est utilisé comme multiplicateur dans lequel l'un des tërmes variables-à multiplier est un courant'appliqué à l'émetteur 204 et dont l'autre terme à multiplier est un facteur x qui commande les courants complé-5 mentaires appliqués aux contacts 206 et 208, ces courants présentant la forme xi et (1-x) I. On trouve que la sortie qui est fournie d'une manière différentielle entre les contacts 200'est linéairement proportionnelle au produit des termes d'entrée. On considère la figure 26 qui représente le fonctionnement du dis- 10 positif de la figure 25. Le courant I, à l'un des contacts 200" ✓ \ X T est égal à r- (1 -t— cos 9), et le courant I0 à l'autre contact 200 est égal à (1 - — cog 9 ). Dans ces expressions, a est la distance entre le centre du dispositif et un contact 200, r le rayon du centre du dispositif à l'émetteur, I est le courant 15 injecté à l'émetteur et 9 est l'angle d'une région choisie du dispositif où l'émetteur est conducteur vers le collecteur 198. De ce fait, les courants de sortie varient suivant le cosinus de l'angle 9 . Cependant, l'angle G où se produit la conduction entre l'émetteur et le collecteur varie suivant l'indice précité 20 x et, en raison inverse du cosinus. Il en résulte qu'on trouve que le dispositif assure une multiplication sensiblement linéaire des valeurs d'entrée précitées. Le multiplicateur est caractérisé par des croissances rapides, une distorsion extrêmement faible et une gamme dynamique étendue. Il est également bien entendu 25 très compact et peut être adapté à la construction des circuits intégrés semi-conducteurs. La figure 27 représente on dispositif multiplicateur double du type représenté sur la figure 25. Il comprend, en plus des éléments décrits précédemment, une autre couche de base 202' dont 30 le diamètre droit est juxtaposé au diamètre droit de la couche de base 202 et qui est disposé sur le même collecteur-198. Le contact 206' de la couche de base 202' est connecté au contact 208, et le contact 208' de la couche de base 202' est connecté au contact 206. Cette configuration forme un multiplicateur à 35 quatre quadrants, comme représenté plus complètement sur la figure 28 dans laquell§&es références numériques semblables indiquent des éléments semblables. 69 01479 21 2000833 En se reportant à la figure 28, les émetteurs 204' et 204 sont excités par deux transistors 212 et 214 à montage différentiel aux bases desquels est appliquée une entrée Y et qui reçoivent un courant d'émetteur commun 1^. le courant d'émetteur 5 appliqué à l'émetteur 204' est égal à YI et le courant appliqué y à l'émetteur 204 est égal à (1 - Y) 1^. De même, les contacts 206', 208 à montage croisé sont excités par deux transistors différentiels 216 et 218 qui reçoivent une entrée, X, à leurs bases, le contact 210 est à la masse, le premier jeu de contacts 10 à montage croisé reçoit un courant XI^. et l'autre jeu de contacts à montage croisé reçoit un courant (1 - X) I , où I est le cou-rant appliqué aux émetteurs des transistors 216 et 218. Une sortie différentielle se produit entre les contacts 200 et forme le produit de X et Y dans quatre quadrants, c'est-à-dire en te-15 nant compte du signe des facteurs d'entrée. Les figures 29, 30 et 31 représentent le fonctionnement du multiplicateur de la figure 28. Chacune de ces figures représente la configuration des deux régions de base résistantes du multiplicateur de la figure 28. Pendant le fonctionnement du dispo-20 sitif de la figure 28, deux zones d'injection sont produites aux deux émetteurs séparés par des angles de .180S. comme indiqué par les flèches à double tête 220 sur les figures 29, 30 et 31. lorsque les courants des émetteurs sont égaux, il n'y a aucune différence dans les angles des zones d'injection du fait que la 25 même fraction du courant total, c'est-à-dire la moitié, atteint toujours les contacts du collecteur qui sont indiqués en 200. la figure 29 représente cette situation. D'autre part, si les angles des zones d'injection se trouvent à 90° des contacts du collecteur, les valeurs des deux courants des émetteurs n'ont à nouveau 30 aucune importance du fait qu'une moitié atteint toujours chaque contact du collecteur. Cette situation est représentée sur la figure 30. Ce n'est que lorsqu'il existe une différence entre les deux courants d'émetteurs et dans les angles qu'une sortie différentielle apparaît, et on voit que la sortie produite est 35 le produit des entrées. Ce dernier cas est représenté sur la figure 31• Le multiplicateur suivant la présente invention peut être utilisé d'une manière typique comme modulateur, doubleur de 69 01479 22 2000833 fréquence, équarrisseiir.de forme d'onde, ou comme commande de gain à large "bande. La figure 32 représente le même type de dispositif que celui qui est représenté sur la figure 25 et les éléments sem-5 blables sont indiqués par des références numériques semblables. Le dispositif de la figure 32 diffère en ce que son émetteur 204 s'étend le long du diamètre droit du collecteur 198, tandis que le contact d'entrée 210 est disposé au centre de sa périphérie courbe . Autrement, le dispositif fonctionne sensiblement d'une 10 manière semblable et peut être considéré comme étant un potentiomètre à commande électrique. Ce dispositif est également utile pour produire une fonction inverse d'un cosinus entre les contacts 200, pour une .entrée variant d'une manière linéaire appliquée aux contacts d'entrée 206 et 208v Ce type de dispositif cons-15 titue par suite d'une manière appropriée un générateur de fonction. Un autre générateur de fonction est représenté sur la vue composite de la figure 33. Ce dispositif comprend à nouveau une couche de collecteur 198 qui ici est allongée et qui est pourvue d'un contact de collecteur 222 en forme, disposé en face du côté 20 droit de la couche de base 202. Lorsque des entrées complémentaires variables sont appliquées aux contacts 206 et 208 pour faire déplacer l'injection du courant le long de l'émetteur 204, la distance au contact 222 du collecteur varie et, de ce fait, la sortie fournie par le contact 222 varie suivant la forme du con-25 tact 222. Un autre moyen pour fournir une fonction arbitraire utilise un contact de collecteur droit 224 et une couche semi-conductrice noyée en forme 226 qui agit de la même manière sur la résistance entre le contact 224 et l'emplacement de l'émetteur 204. La couche noyée présente une résistance presque nulle en comparai-30 son de celle du collecteur de sorte qu'elle a pour effet de mettre le contact du collecteur plus près ou plus loin de l'émetteur. On peut produire presque n'importe quelle fonction en modifiant la forme ou la forme effective du contact ou des contacts du collecteur. 35 La figure 34 représente un autre type de générateur de fonction servant à produire une onde sinusoMale. Ici, le milieu résistant 228 est pourvu de contacts diamétralement opposés 230 69 01479 23 2000833 et 232 et d'un contact central 234. Une série de moyens de connexion de sortie 236 sont disposés le long du bord courbe du milieu résistant et chacun de ces moyens de connexion de sortie excite un transistor 238. lies émetteurs de tous les transistors 5 238 sont connectés à une source de courant commune. Une sortie est fournie d'une manière différentielle entre les collecteurs des transistors alternés qui sont connectés ensemble. Les contacts 230 et 232 sont excités par des transistors d'entrée à montage différentiel 240 et 242 comportant une source de courant 10 d'émetteur commune. Une onde en dents de scie est appliquée à la base du transistor 240, tandis que la base du transistor 242 est connectée à un potentiomètre 244 de réglage de l'angle de phase. Le courant fourni aux émetteurs des transistors 240 et 242 est suffisamment faible pour n'assurer qu'une commutation partielle 15 des transistors de sortie 238 lorsque l'onde en dents de scie d'entrée est appliquée entre les bornes d'entrée. La sortie produite est constituée par une onde sinusoïdale et sa phase peut être réglée entre plus ou moins 90° ou plus, au moyen du potentiomètre 244. 20 Comme on a'en rend compte, les dispositifs générateurs de caractères qui ont été décrits précédemment peuvent également être considérés comme des générateurs de fonctions. Un grand nombre d'autres générateurs de fonctions utilisant un milieu résistant suivant la présente invention peuvent être réalisés. 25 Le dispositif représenté sur la figure 35 est utilisé com me mémoire et il est semblable au dispositif de la figure 22, les éléments semblables étant indiqués par des références numériques semblables. Ici, une couche de type ET 174 est disposée sur un substrat de type P 246 formant des transistors PEP avec 30 des émetteurs 188 et la couche 174. Le substrat de type P 246 est pourvu de contacts d'extrémité allongés 248. Lorsque le courant appliqué à un émetteur quelconque 188 du fait du fonctionne-ment du dispositif est faible, il y a une réaction positive négligeable vers la couche 176. Cependant, lorsqu'une entrée com-35 plémentaire analogique appropriée est appliquée entre les bornes 180 et 182, comme décrit précédemment, l'un des émetteurs 188 est amené à une tension appropriée pour faire injecter 'le courant 69 01479 24 2000833 dans la couche .174. Si on désire conserver ou emmagasiner cette entrée, l'émetteur PNP appliquant du courant aux émetteurs 188 est amené au niveau de régénération faisant intensifier la réaction, comme décrit précédemment pour la figure 22. La réaction 5 se produit dans le dispcâtif de la figure 35 par les couches 174 et 176. A ce moment, l'entrée n'est plus capable de commande^ tp sortie choisie et l'émetteur 188 choisi continue, à injecter "du courant même lorsque l'entrée est supprimée sur les bornes 180 et 182. En variante, l'entrée peut continuer à "osciller" suivant 10 une forme d'onde de balayage ou analogue, et l'émetteur choisi auparavant continue à injecter du courant, la seule condition étant que la variation de tension produite par la variation d'entrée soit inférieure à la tension produite par le courant de réaction lorsqu'il traverse la résistance de la couche 176. Cet+e 15 dernière condition peut être satisfaite plus facilement en disposant les émetteurs NPN 178 sur des "péninsules" 250, comme on le voit sur la figure 36, ce qui correspond à un aspect du type "roue dentée". Dans la configuration de la figure 36, la résistance de la région 176 a, de ce fait, été élevée délibérément de 20 telle sorte qu'un courant de collecteur PHP moindre est nécessaire pour assurer le blocage du dispositif. La sortie du dispositif peut être déterminée d'une manière différentielle:, c'est-à-dire d'une manière analogique, entre les contacts 248, ou en position d'après le dispositif PNP qui est conducteur. 25 Les dispositifs générateurs de caractères décrits précé demment sont commandés d'une manièrç appropriée par des disposi- ete tifs de direction du courant qui ont/également décrits précédemment, et ces deux types de dispositifs peuvent être logés d'une manière appropriée dans une structure semi-conductrice intégrée. 30 TJn schéma d'un circuit de ce type est représenté sur la figure 37 dans lequel un premier milieu semi-conducteur résistant 252 comprenant un collecteur semi-conducteur est pourvu de connexions de bord Y 254 et 256 et de connexions de bord X orthogonales 258 et 260. Ces connexions de bord sont reliées d'une manière appro-35 priée à un moyen d'affichage X-Y tel qu'un oscilloscope ou un dispositif analogue. En divers points choisis du milieu 252 sont disposées des régions de base 262 supportant des émetteurs 264- 69 01479 25 2000833 Les émetteurs 264 sont reliés ensemble et amenés à une borne de sélection 266 utilisée pour choisir un caractère particulier, tandis que les régions de base sont connectées à des connexions de sortie 268 d'un second milieu résistant semi-conducteur 270. 5 Le second milieu résistant 270 est pourvu de moyens de connexion d'entrée 272 et 274 entre lesquels sont appliquées des entrées complémentaires sous la forme xi et (1 - x) I. La borne d'entrée 276 est mise à la masse d'une manière appropriée, lorsque les bornes d'entrée 272 et 274 sont balayées, par exemple par une 10 forme d'onde triangulaire, les connexions de sortie 268 fournissent respectivement une: tension d'excitation à une région de base 262, l'une après l'autre. La région de base choisie permet au courant d'émetteur appliqué à la borne 266 d'atteindre le milieu 252. Il convient de noter que la combinaison des éléments 262 et 15 264 et du milieu semi-conducteur 252 forme des transistors de sortie pour le milieu 270. Le milieu résistant 270 est commandé de telle sorte que le passage du courant d'une région du milieu . 252 à une autre région est progressive, de sorte que des tensions perpendiculaires sont appliquées aux contacts 254, 256, 258 et 20 260 pour représenter des segments linéaires d'un caractère ou symbole prédéterminé produits suivant la configuration des émetteurs 264. Un balayage sensiblement continu des segments d'un caractère choisi est de ce fait réalisé d'une manière appropriée pour être affiché sur un oscilloscope ou un dispositif analogue et auquel 25 les connexions de bord 254, 256, 258 et 260 sont reliées. Le dispositif de la figure 37 peut être utilisé, par exemple, pour fournir une sortie permettant de balayer plusieurs caractères. Cependant, d'autres configurations d'un milieu résistant 252 peuvent être réalisées dans lesquelles des moyens d'injection de 30 courant ne correspondent pas nécessairement au contour d'un caractère. Un dispositif "de ce type est représenté sur la figure 38 dans laquelle les références numériques semblables se rapportent à des éléments semblables. Dans ce dispositif, le milieu résistant 252 comprend une région de collecteur semi-conductrice à la-35 quelle sont superposées huit régions de base 278 de forme rectangulaire appropriée qui peuvent être espacées parallèlement les unes des autres. Chacune de ces régions de base est connectée à 69 01479 26 2000833 l'une des connexions de sortie 268 du milieu résistant 270. Entre les régions résistantes 278 sont interposée une série de contacts de collecteurs 280 qui sont disposés ici suivant des rangées uniformes entre les régions de base, ces contacts étant 5 représentés plus clairement sur la vue détaillée de la figure 39 à laquelle on se reportera maintenant. Un émetteur 282 est disposé au-desaus d'une région de base 278 entre un réseau de quatre contacts. Il est de ce fait disposé d'une manière appropriée à l'intérieur d'une surface rectangulaire délimitée par quatre 10 contacts de collecteur, dans laquelle l'un de ces contacts de collecteur est indiqué par la lettre X et est connecté aux autres contacts de collecteur portant la même indication et dans laquelle un autre des autres contacts du réseau rectangulaire est indiqué par la lettre T. Deux autres contacts sont indiqués par la 15 lettre D. Les contacts Y et D sont connectés de la même manière à d'autres contacts portant les mêmes désignations. On voit que, de ce fait, l'émetteur 282 est disposé à une distance prédéterminée définissant une résistance prédéterminée dans le milieu 252 entre lui-même et des contacts X et Y respectifs. 20 En rèvenant à la figure 38, une connexion choisie donnée 268 du second milieu résistant 270 choisit progressivement l'une des régions de base 278 les unes après les autres lorsqu'une entrée de balayage est appliquée entre les bornes 272 et 274. En même temps, une ligne d'émetteur 284 est excitée, laquelle cor-25 respond à un caractère particulier dont les coordonnées doivent être produites.A .mesure que toutes les régions de base 278 sont excitées successivement, les émetteurs qui sont connectés au conducteur 284 injectent du courant dans le milieu 252 et ce courant se divise entre les bornes X et Y suivant leur distance 30 par rapport à l'émetteur, comme indiqué sur la figure 39. Le courant en excès est absorbé par des bornes d'évacuation ou de drain indiquées "L" qui peuvent être mises à la masse par l'intermédiaire d'une résistance ou d'un élément semblable. Toutes les bornes X et toutes les bornes Y sont connectées ensemble et sont 35 reliées d'une manière appropriée aux moyens de déviation X et Y d'un dispositif de balayage X, Y. A mesure que chacune des régions de base est choisie, les sorties X et Y fournies varient 69 01479 27 2000833 doucement afin de former électriquement des segments de caractères qui sont représentés respectivement par les positions des émetteurs successifs 282 par rapport aux bornes de collecteurs X et Y. Le dispositif de la figure 38 est avantageux par le fait 5 qu'il permet de représenter un plus grand nombre de caractères . à l'intérieur d'une surface semi-conductrice donnée et sans autant de difficultés de connexions croisées, etc. Les dispositifs des deux figures 37 et 38 utilisent un nombre minimal de bornes d'entrée pour produire des tensions de déviation permettant le ba-10 layage d'un caractère ou d'un symbole. On voit ainsi que la présente invention fournit un dispositif de conversion résistant permettant de transformer une position physique en coordonnées électriques, ou de produire un balayage physique continu, ou une direction du courant. Le dispositif de 15 direction du courant peut être décrit comme un dispositif utilisant un domaine en mouvement dont l'effet résultant se trouve à mi-chemin entre l'injection à effet de champ et l'action bipolaire des transistors classiques. Le dispositif de conversion résistant suivant la présente invention peut être utilisé sous un grand nom-20 bre de formes et pour un grand nombre d'utilisations en plus de celles qui ont été décrites précédemment. On peut également l'utiliser, par exemple, comme commutateur pas à pas ou comme compteur ou bien comme convertisseur analogique-en-numérique à action rapide. 25 II va de soi que la présente invention n'a été décrite et représentée qu'à titre explicatif, mais nullement limitatif, et qu'elle est susceptible de diverses variantes sans sortir de son cadre. 69 01479 2000*33 - EEVBroiOATIOHS - 1 - Dispositif résistant servant à assurer une conversion entre une information électrique et une information de position, caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison un milieu-résis- 5 tant qui s'étend dans lrespacè suivant deux ou plusieurs dimensions pour former au moins une surface résidante, des moyens de connexion d'entrées multiples espacés ' servant'.à appliquer des valeurs électriques au milieu résistant, et des moyens de connexion de sortie multiples espacés sur le milieu résistant les uns 10 des autres et des moyens de connexion d'entrée par au moins une partie de la surface-résistante pour recevoir les valeurs électriques du milieu résistant, dans lequel 1'emplacement-physique des moyens de connexion par rapport au milieu résistant et les valeurs électriques qui y apparaissent sont reliés entre eux par 15 la forme géométrique du milieu, de telle sorte que les valeurs de sortie et leurs emplacements physiques sont déterminés par les emplacements physiques et les valeurs d'entrée, 2 - Dispositif suivant la revendication î, caractérisé en ce que le milieu comprend une couche de matière semi-conductrice 20 agissant au moins commg^m élément d'un dispositif semi-conducteur. 3 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le milieu comprend une couche de matière semi-conductrice servant de collecteur d'un dispositif semi-conducteur, les moyens de connexion drentrée comprenant des bornes d'émetteurs reliées 25 au collecteur et comprenant de plus des bases interposées entre le collecteur et les bornes d'émetteurs. 4 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé- en ce que le moyen de connexion de sortie comprend des électrodes multiples de coordonnées en rapport qui sont connectées au milieu 30 résistant, les moyens de connexion d'entrée étant disposés géométriquement sur le milieu résistant suivant le système de coordonnées défini par les moyens de connexion de sortie, un moyen faisant passer progressivement une valeur d'entrée d'une connexion d'entrée à une autre connexion d'entrée pour former un segment 35 d'information. 5 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de connexion d'entrées multiples reçoivent des 69 01479 29 2000833 valeurs d'entrée qui leur sont appliquées pour former une répartition de tension en travers d'une surface du milieu résistant qui est caractérisée par une valeur extrême pouvant être déplacée par rapport aux moyens de connexion de sortie en répon-5 se aux variations des valeurs appliquées aux moyens de connexion d'entrée» 6 - Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le milieu résistant présente une forme sensiblement semi-circulaire et dans lequel deux moyens de connexion d'entrée sont 10 disposés en des points diamétralement opposés du milieu résistant, les moyens de connexion de sortie étant espacés près d'un côté du milieu résistant entre les deux moyens de connexion d'entrée. 7 - Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé en ce qu'il' comprend trois moyens de connexion d'entrée, dont deux 15 entrées reçoivent des valeurs d'entrée complémentaires et dans lequel un troisième moyen de connexion d'entrée a une polarité présentant le même sens relativement opposé par rapport aux valeurs qui sont appliquées aux deux moyens de connexion d'entrée. 8 - Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé en 20 ce qu'il comprend de plus une série de transistors qui reçoivent respectivement des entrées de commande provenant des moyens de connexion de sortie, les transistors recevant également un courant d'entrée commun provenant d'une source cle courant commune. 9 - Dispositif suivant la revendication 8, caractérisé en 25 ce que le milieu résistant est constitué par une couche semi-conductrice et dans lequel les transistors sont constitués par une série de moyens semi-conducteurs disposés près d'un bord du milieu résistant dans un circuit semi-conducteur intégré commun, une partie localisée du milieu résistant formant un élément de commande 30 pour chacun de ces transistors. 10 - Dispositif suivant la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend un moyen de réaction relié à chaque transistor pour augmenter la sortie produite par ce transistor. 11 - Dispositif suivant la revendication 2, caractérisé en 35 ce que le milieu résistant comprend un premier collecteur plan et une seconde base plane disposée au-dessus, dans lequel les moyens de connexion d'entré multiples sont reliés à la base et les 69 01479 30 2000833 moyens de connexion de sortie multiples sont reliés au collecteur, le dispositif comprenant de plus un émetteur allongé relié à une source de courant et qui est disposé le long et au-dessus de la base, un moyen servant à appliquer des valeurs 5 électriques d'entrée aux moyens de connexion d'entrée pour former une répartition de tension en travers d'une surface de la base qui peut être déplacée suivant les: valeurs d'entrée pour assurer une augmentation de conduction dans une région choisie de l'émetteur. 10 12 - Dispositif suivant la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens servant à faire varier le courant appliqué à l'émetteur, le dispositif formant un multiplicateur dans lequel une sortie différentielle provenant de moyens de connexion de sortie multiples est proportionnelle au produit du cou-15 rant de l'émetteur et d'un signal complémentaire appliqué aux moyens de connexion d'entrée multiples. 13 - Dispositif suivant la revendication 4» caractérisé en ce qu'il comprend des moyens servant à appliquer aux moyens de connexion d'entrée des courants, et comprenant un second milieu 20 résistant comportant des moyens de connexion d'entrée multiples et des moyens de connexion de sortie multiples qui sont reliés aux moyens de connexion d'entrée du premier milieu résistant,] deux moyens de connexion d! entrée du second milieu résistant recevant des valeurs d'entrée servant à choisir un moyen de connexion de 25 sortie de celui-ci en établissant une répartition de tension et, de ce fait, agissant de manière à choisir le moyen de connexion d'entrée du premier milieu.résistant.