Brevet FR2005851A1 — publié le 19691219

i 2Q0S8I1 L'invention concerne un dispositif pour traiter les informations, comportant au moins une matrice (matrice de mémoire ou matrice de sélection), qui comprend vin nombre prédéterminé d'éléments (éléments de mémoire ou de sélection), un. grand nombre 5 d'éléments de cette matrice ayant été fabriqués en une seule opération. Lé nombre-des éléments, qui interviennent, dépend - comme cela est connu - de chaque cas particulier. On sait fabriquer des matrices de mémoire, par exemple des mémoires à film magnétique, des mémoires supra-conductrices ou 10 des mémoires à couches de ferrite de telle façon qae les différents éléments d'une telle matrice, soient fabriqués iaas «a© pîaase opératoire commune, par exemple par un ou plusieurs dépôts par éva-poration (batch-fabrication). Dans une telle fabrication, on ne peut empêcher, même en prenant les plus grands soins, que divers 15 éléments de toute une matrice ne soient inutilisables pour une raison quelconque. Mais, d'autre part, rnt seul élécssnt inutilisable dans une matrice la mettrait norœalemsat eafcière hors d'usage. Ce qu'il faut comprendre par fsatEie© de œatsoire ©a de 20 sélection conformément à l'invention râsult@Ea d@ la description suivante, en particulier des exemples de réalisaii«sa0 Le but de la présente invention est de fournir une matrice réalisée de telle façon que, malgré l'existence-de différents éléments inutilisables dans la matrice, lors ds 15emploi aarsal 25 de cette dernière, on n'ait pas à tenir eospSe de 1*existence de ces différents éléments inutilisables. Le dispositif selon la présente isweatioa est du type indiqué initialement, et il est caractérisé par 1® feie que la matrice est munie d'éléments de réserve en a©sfe© s©plgi=@§jr au aoœ-30 bre minimum d'éléments requis, que lesdits élêsaaaSs d® réserve sont fabriqués en même temps que les autres éléments de la aatric®5 et que pour servir individuellement et/ou par groupe au remplacement d'éléments inutilisables et/ou de groupes correspondants d'éléments, comportant au moins un élément inutilisable, ils sont 35 branchés électriquement dans la matrice par leurs connexions électriques respectives encore libres. De préférence un ou plusieurs éléments de réserve sont déjà branchés dans la matrice après leur fabrication, et aussi longtemps qu'ils ne sont pas utilisés dans la matrice par une ou plusieurs de leurs connexions électriques t 40 mais ils ne le sont pas encore par toutes leurs connexions. 9 10692 2 2005851 Il résulte de ces considérations qu'en établissant ultérieurement des liaisons électriques on peut brancher complètement de tels éléments de remplacement, qui, suivant l'invention, ne sont encore pas du tout branchés électriquement, ou ne le sont 5 pas encore par toutes leurs connexions. La ou les connexions encore libres, offrent des possibilités de choix pour l'insertion des éléments de réserve. D'une façon à peu près analogue on peut, en débranchant l'une des connexions existant primitivement, déconnecter un élément devenu indésirable, et maintenant éventuellement 10 gênant. Ces dispositions peuvent être mises en oeuvre suivant la présente invention de sorte que l'utilisateur ne les remarque même pas, tout au moins sans une étude approfondie de la matrice. La matrice réalisée suivant la présente invention peut être d'un niveau égal à celui d'une matrice absolument par-15 faite, qui ne pourrait être fabriquée qu'à tin prix extraordinaire. A titre d'exemple, on a décrit ci-dessous et illustré schématiquement au dessin annexé une forme de réalisation du dispositif suivant l'invention. La figure 1 représente le schéma de montage d'une 20 matrice de mémoire 1 organisée en mots, d'une capacité supposée de seize mots comportant chacun cinq éléments, correspondant aux cinq lignes 3 de bits. La matrice a cependant ici, suivant l'invention, vingt lignes 2 de mot et six lignes 3 et 31 de bits. Les lignes 2 de mot sont reliées, par l'une de leurs connexions, à 25 une source commune de potentiel et, chacune, par leur autre connexion, à une connexion correspondante d'une matrice 4 de sélection. Pour une meilleure compréhension on a séparé sur la figure, la matrice de sélection et la matrice de mémoire à leur jonction par une ligne droite 5 en pointillé. La matrice 4 de sélection 30 comporte pour les seize sorties de la matrice dé mémoire, qui sont réparties dans cette dernière selon des coordonnées cartésiennes, quatre lignes 6 et quatre lignes 7 de sélection avec leurs connexions correspondantes. Dans le cas présent la matrice de sélection est pourvue de transistors comme commutateurs ; seize tran-35 sistors sont reliés chacun respectivement à une ligne 6 et à tme ligne 7 de sélection. La troisième électrode de chacun des coomi-tateurs est reliée à une ligne 2 de mot de la matrice de mémoire. On peut utiliser un dispositif tel que celui décrit ci-dessus de la façon suivante : 40 On suppose que l'on doit sélectionner la neuvième li er^1 69 10692 2005851 gne 9 de mot de la matrice de mémoire. Cette ligne est en liaison avec les entrées 12 et 13 de la matrice de sélection par l'intermédiaire du transistor 11 et de deux lignes de sélection. Pour opérer la sélection on introduit aux entrées 12 et 13 des impul-5 sions produisant le passage d'un courant dans la ligne de mot par l'intermédiaire du transistor 11, auquel les entrées 12 et 13 sont reliées. Pendant le passage de l'impulsion, et par l'intermédiaire des lignes 3 de bits, on peut lire le mot mémorisé sur la ligne 9 de mot ou mémoriser à cette place tin nouveau mot après ef-10 facement de l'information précédente. Les autres transistors, reliés à une seule ou à aucune des entrées 12 et 13, ne fournissent aucun courant de sortie. Pour sélectionner la ligne 8 de mot, on doit, conformément au schéma de la figure 1, appliquer des impulsions appro-15 priées au transistor 14 par l'intermédiaire des deux lignes de la matrice de sélection, qui lui correspondent. On doit toujours compter avec le fait qu'une matrice de mémoire et/ou une matrice de sélection ont aussi des éléments défectueux. Les défauts de cette sorte proviennent par exemple de 20 ce qu'un ou plusieurs éléments de mémoire, situés à proximité d'un point d'intersection d'une ligne de mot et d'une ligne de bits de la matrice de mémoire, sont inutilisables, et/ou de ce qu'un ou plusieurs des transistors de commutation de la matrice de sélection, qui peuvent également avoir été fabriqués selon le procédé 25 dit de "batch-fabrication", ne correspondent pas aux exigences. D'autres défauts peuvent se présenter, tels que des ruptures de lignes et des contacts électriques défectueux, en particulier en ce qui concerne les liaisons entre la matrice de sélection et la matrice de mémoire (dans la zone de la ligne 5 en pointillé). 30 C'est dans cette zone qu'une amélioration ou l'établissement après-coup d'une liaison galvanique est particulièrement difficile en raison de la densité élevée des lignes. Pour qu'il ne soit pas nécessaire de rejeter une matrice de mémoire et/ou de sélection uniquement sous prétexte qu'elle 35 est inutilisable, du fait qu'un petit nombre, par exemple un millième des éléments de cette mémoire ou de ses commutateurs , est inutilisable, comme cela est représenté sur la figure, on a prévu dans la mémoire de sélection des éléments en surnombre qui, selon l'invention, ne sont pas complètement branchés électriquement, et, 40 dans la matrice de mémoire, des lignes de mot en surnombre. Un "co&Y 69 10692 4 2005851 élément de réserve de la matrice de sélection, associé à une ligne de mot de réserve, forme ici une unité de réserve complète. La liaison galvanique de cette unité de réserve, prévue pour éviter la difficulté indiquée ci-dessus, existe déjà de préférence. 5 On suppose que l'unité constituée par le transistor 14 et la ligne de mot 8, qui lui correspond, est inutilisable en raison d'un défaut quelconque. Dans ce cas, on ne pourrait, sans l'emploi de la présente invention, mémoriser ou faire restituer une information avec la ligne de mot 8, ou bien aucune mémorisation ne 10 pourrait avoir lieu et, par exemple, un signal pourrait être perdu, lors de l'application d'un couple d'impulsions de valeur appropriée, aux entrées 15 et 13 du transistor 14, bien que les lignes de mot de la mémoire soient intactes. L'èntrée encore libre, conformément à l'invention, du transistor 21 de l'unité de réserve 15 est alors reliée galvaniquement par la jonction 22, établie ultérieurement, à la connexion 15 ou la ligne de sélection correspondant à la connexion 15. La deuxième connexion du transistor 21 de réserve à la ligne correspondant à l'entrée 13 peut avoir été fabriquée, comme dans le cas de l'exemple de réalisation considéré, 20 lors de la fabrication primitive de la matrice. De plus, pour déconnecter encore le transistor 14 on peut débrancher par exemple la liaison entre 14 et la ligne de mot 8 à ton endroit approprié. De nouvelles liaisons galvaniques peuvent être fabriquées en particulier par dépôt d'argent sur une couche intermédiaire isolante 25 ou également par tout autre mode connu de jonction électrique, discrète, classique, comme cela est connu dans les ensembles de la micro-électronique. On obtient des coupures de ligne par brûlage électrique. Les impulsions appliquées aux connexions 15 et 13 30 branchent ici le transistor 21 à la place du transistor 14 et empruntent ainsi la ligne de mot 23 à la place de la ligne 8, L'utilisateur d'un dispositif suivant la figure 1 ne remarquerait pas le défaut existant dans ce dispositif, mais supprimé grâce aux dispositions prises selon la présente invention» ni sur les corme-35 xions de la matrice de sélection, ni sur les lignes de bits de la matrice de mémoire. En particulier, il n'en résulterait aucune variation sensible du délai de réponse. Les autres transistors de réserve, compris dans le dispositif suivant la figure 1, et disposés de préférence suivant une 40 colonne et/ou une ligne entière, supplémentaire, pourraient être 69 10692 5 2005851 utilisés pour des dispositions identiques ou analogues. Conformément à l'invention on pourrait également prévoir, à la place des éléments de réserve, ou en plus de ces derniers, dans la matrice de sélection, des lignes supplémentaires 5 de bits dans la matrice de mémoire. Une telle ligne supplémentaire de bits est la ligne 31 qui est reliée par exemple, en remplacement de la ligne de bits correspondante, à la connexion 33, au moyen de la ligne de jonction 32, branchée ultérieurement, et représentée en traits interrompus. 10 On peut également employer avantageusement, dans d'autres systèmes, les matrices de sélection et/ou les matrices de mémoire présentant des éléments de réserve conformément à la présente invention. 69 10692 REVENDICATIONS 1) - Dispositif pour le traitement des informations, comportant au moins une matrice (matrice de mémoire et/ou matrice de sélection)' présentant un nombre prédéterminé d'éléments (élé-5 ments de mémoire ou de sélection), un grand nombre d'éléments de cette matrice ayant été fabriqués en une seule opération, caractérisé par le fait que la matrice est munie d'éléments de réserve en nombre supérieur au nombre minimum d'éléments requis, que les-dits éléments de réserve sont fabriqué* en même temps que les au-10 très éléments de la matrice, et que pour servir individuellement et/ou par groupe au remplacement.d'éléments inutilisables et/ou de groupes correspondants d'éléments, comportant au moins un élément inutilisable, ils sont branchés électriquement dans la matrice par leurs connexions électriques respectives encore libres. 15 2) - Dispositif suivant la revendication 1), carac térisé par le fait que, dans une matrice de mémoire organisée en mots, une ou plusieurs lignes de mot supplémentaires formées d'éléments de réserve, sont prévues. 3) - Dispositif suivant l'une des revendications 1) et 20 2), caractérisé par le fait que, dans un système formé par une matrice de sélection et une matrice de mémoire, un élément supplémentaire de sélection, constituant un élément de réserve de la matrice de sélection, et une ligne de mot supplémentaire, formée d'éléments de réserve de la matrice de mémoire, sont reliés l'un 25 à l'autre électriquement. 4) - Dispositif suivant l'une des revendications 1), 2), et 3), caractérisé par le fait que, dans une matrice de mémoire, une ligne de bits supplémentaire, formée d'éléments de réserve, est prévue. 30 5) - Dispositif suivant l'une des revendications 1) à 4), caractérisé par le fait que, dans une matrice de sélection, les éléments de réserve sont placés dans une ou plusieurs lignes et/ou colonnes. 6) - Dispositif suivant l'une des revendications 1) à 35 5), caractérisé par le fait qu'un élément de réserve encore non utilisé est branché dans la matrice par l'une au moins de ses connexions électriques, mais pas par toutes. 7) - Dispositif suivant l'une des revendications 1) à 6), caractérisé par le fait que les jonctions électriques ajoutées 40 ultérieurement sont réalisées en déposant des pistes conductrices 2005851 10692 7 2005851 supplémentaires. 8) - Dispositif suivant l'une des revendications 1) 7)j caractérisé par le fait que les éléments connectés, défectueux, sont mis hors circuit par coupure des lignes de connexion correspondantes.