Brevet FR2012426A1 — publié le 19700320

1'. 2012426 L'invention est relative à un montage"électronique comprenant un ou plusieurs circuits intégrés avec plusieurs transistors commandés de même type de conduction, dont les courants de collecteur peuvent être modifiés par des signaux de commande dans leurs cir-5 cuits de courant base-émetteur, et aux collecteurs desquels sont accouplées galvaniquement les résistances de charge, ou les circuits base-émetteur, formant ces résistances, des transistors commandés qui leur sont reliés. Des montages de ce type sont couramment utilisés dans la tech-10 nique des circuits intégrés. A des fins de microminiaturisation, c'est-à-dire pour conférer à de tels montages un encombrement aussi faible que possible, on s'efforce de réduire le volume nécessaire de la source d'alimentation en courant du montage, étant donné que, dans les applications 15 des circuits intégrés, ladite source occupe généralement la plus grande partie du volume total dont ont besoin le montage et la source d'alimentation. Etant donné que le volume d'une batterie est proportionnelle, en première approximation, à la quantité d'énergie qu'elle emmaga-20 sine, la nécessité de réduire autant que possible le volume de la source d'alimentation entraîne l'obligation de se contenter pour alimenter le montage d'une batterie dont la quantité d'énergie emmagasinée est à la limite inférieure de cè qui est acceptable. L'énergie E * U. I. T. emmagasinée dans la batterie, ainsi que le 25 volume de la source d'alimentation en courant, pourraient être diminués & volonté si l'on acceptait en même temps une réduction correspondante de la durée de vie T. On impose toutefois en règle générale certaines conditions à la durée pendant laquelle la batterie constituant la source d'alimentation d'un montage peut fonc-30 tionner jusqu'à épuisement, de sorte qu'il est impossible, dans la plupart des cas, d'envisager une diminution de la durée de vie en vue d'une réduction du volume de la source d'alimentation en courant. Dans tous ces cas, une réduction de ce volume ne peut être obtenue que si.l'on maintient aussi faible que possible la puis-35 sance N » U. I. demandée par le montage électronique. Il faut par conséquent conférer une valeur minimale à la tension d'alimentation nécessitée par le montage électronique, ainsi qu'à l'intensité dont celui-ci a besoin. La possibilité de diminuer le volume de la source d'alimentation par un abaissement de la tension d'aliBAD ORIGINAL 69 15283 2. 2012426 mentation de fonctionnement du" montage électronique trouve sa limite au moment où la batterie servant de source d'alimentation ne comprend plusJ qu'un seul élément. L'a possibilité de diminuer le volume de la source d'alimentation par un abaissement du courant 5 d'alimentation du montage électronique trouve sa limite du fait que les capacités parasitaires, à l'intérieur des circuits intégrés ou à l'intérieur des composants faisant partie des circuits intégrés ainsi qu'entre ces composants, abaissent de plus en plus la fréquence-limite supérieure pour laquelle les circuits intégrés 10 peuvent encore fonctionner, au fur et & mesure que l'intensité du courant diminue. * Ceci provient de ce que la charge des capacités parasitaires de ce genre dure d'autant plus longtemps que le courant de charge est plus faible, et de ce que les courants de charge dépendent à 15 leur tour de l'intensité du courant d'alimentation. Dans le cas où l'on exige des circuits intégrés une fréquence de fonctionnement supérieure déterminée, le courant d'alimentation du montage électronique considéré de façon générale ne doit donc pas descendre au-dessous d'une certaine valeur-limite inférieure. Les courants 20 au moins nécessaires pour chaque étage du circuit intégré sont de l'ordre de quelques îioroupères pour une fréquence de fonctionnement supérieure de 100 kHz, par exemple. Il résulte donc de l'obligation de diminuer autant que pesai-1 ble le volume de la source d'alimentation en courant que eelle-ei 25 doit être constituée par un seul élément, dont la tension à vide est comprise entre 1,2 et 1,5 Y environ selon le type d'élément, et qu'il faut d'autre part compter sur une intensité de l'ordre de grandeur du microampfere par étage du ou des circuits Intégrés. De ces deux grandeurs, savoir d'une tension d'alimentation de 30 1,2 à 1,5 V et d'intensités d'alimentation de l'ordre du microampère par étage, il découle que les résistances & travers lesquelles le courant est amené aux collecteurs des divers transistors commandés dans les circuits intégrés, ainsi qu'à la base du transistor commandé suivant, galvaniquement accouplé par son circuit 35 base-émetteur, doivent posséder des valeurs de l'ordre de quelques centaines de kilo-ohms à quelques mégohms. La fabrication de résistances aussi élevées dans la technique des circuits intégrés entraîné toutefois de sérieuses difficultés et line dépense de fabrication relativement importante. BAD ORIGINAL 69 15283 3. 2012426 Il existe en principe deux moyens pour fabriquer des résistances aussi élevées dans la technique des circuits intégrés. L'un de ces moyens consiste à produire par diffusion dans le cristal porteur des voies de résistance, en même temps que les 5 transistors et les diodes sont diffusés dans le cristal porteur du circuit intégré qu'il s'agit de fabriquer. Il existe deux variantes de ce procédé; la première consiste à exécuter des résistances dites diffusées, par diffusion simultanée d'un ou de plusieurs canaux et diodes, canaux qui forment par toute leur section les voies de 10 résistance. La deuxième variante consiste à exécuter des résistances dites "d'étranglement'' en diffusant, comme dans le cas de la fabrication des résistances diffusées, un ou plusieurs canaux dans le cristal porteur, dont la section conductrice est toutefois réduite de nouveau par une diffusion supplémentaire effectuée en mê-15 me temps que celle des électrodes d'émetteur des transistors et celle des diodes, de sorte que les voies de résistance ne sont plus formées que par la partie résiduelle de la section conductrice du ou des canaux précités, qui n'est pas touchée par cette diffusion supplémentaire. 20 L'autre moyen consiste à appliquer par vaporisation une mince couche d'un matériau résistant après la diffusion des transistors et diodes, puis à enlever par décapage .une fractiôn de cette couche, dont le reste forme alors la ou les voies de résistance recherchées. Il existe en outre un deuxième procédé de métallisation 25 dans lequel les voies de résistance désirées sont créées par pulvérisation à travers les découpes d'un masque; ce procédé est néanmoins notablement moins précis et plus onéreux que le précédent. Ainsi qu'il a été déjà signalé, ces deux moyens rencontrent en tous cas des difficultés et entraînent une dépense d'appareilla- ! 30 ge élevée pour la fabrication des résistances élevées, lesquelles possèdent en outre des propriétés parfois très défavorables. La première variante du procédé cité en premier lieu ne convient pratiquement pas à la fabrication de résistances de l'ordre de grandeur de quelques centaines de kilo-ohms à quelques: mégohms, 35 du fait que les résistances superficielles spécifiques sont limitées, dans cette variante, à un maximum d'environ 300 ohms par carré. Etant donné que la largeur des voies de résistance doit être d'au moins 25^u pour des raisons de fabrication, on n'obtient donc que 300 ohms pour 25 m de longueur de la voie de résistance, soit ' i BAD ORIGINAL ^ [ 69 15283 4 2012426 12 kilo-ohms seulement par millimètre. Si l'on veut fabriquer une résistance de 500 kilo-ohms par exemple, la voie devrait posséder par conséquent une longueur approximative de 40 mm. Or, les cristaux porteurs des circuits intégrés ne sont généralement pas plus 5 grands que 2x2 mm, de sorte que cette voie de résistance de 40 mm de longueur devrait être appliquée sur le cristal porteur, sous la forme de méandres, en vingt portions parallèles de voie de chacune 2 mm. Pour des raisons de fabrication, il doit subsister, d'autre 10 part, un écartement d'au moins 25yu entre les diverses portions de voie, si bien que la résistance occuperait une surface de 2 mm dans une direction et de 20 x (25^u de largeur de voie + 25yu d'é-cartement) * 1 mm dans l'autre direction, c'est-à-dire la moitié de la surface totale du cristal porteur. Si l'on songe qu'en règle 15 générale une pluralité de transistors est diffusée dans un cristal porteur, on s'aperçoit facilement que des cristaux porteurs de 2 x 2 mm de surface ne sont pas suffisants pour recevoir les résistances dont ont besoin ces transistors. Un accroissement de la surface des cristaux porteurs serait 20 théoriquement possible, mais entraînerait une augmentation notable du peurcentage de rebuts au cours de la production. Indépendamment de ce fait, il est naturellement très peu rationnel que la plus grande partie de la surface du cristal porteur soit occupée par des résistances diffusées, tandis que les transistors, c'est-à-dire 25 les éléments amplificateurs proprement dits, ne prennent qu'une petite fraction de la surface. On ne pourrait parvenir à um rapport de surfaces plus favorable, dans cette première variante du procédé précité, que par une élévation des résistances superficielles spécifiques; des résistances superficielles nettement supérieures k 30 300 ohms par carré exercent toutefois une action défavorable sur les propriétés des transistors, dont les électrodes de base sont diffusées en même temps que les voies de résistance, ainsi qu'il a été signalé plus haut. En plus de l'inconvénient dû à leur encombrement superficiel 35 relativement grand, les "résistances diffusées" fabriquées selon la première variante du procédé cité en premier lieu présentent un autre inconvénient, qui réside en ce qu'en raison de leur grande surface, leur capacité vis-à-vis du cristal porteur est elle-même relativement élevée, ce qui conduit à une consommation de courant BAD ORIGINAL * 69 15283 5. 2012426 plus grande pour les raisons précitées. Pour tous ces motifs, la première variante du procédé cité en premier lieu ne peut pas être retenue pour la fabrication d'une résistance par étage d'un ordre de grandeur compris entre quelques 5 centaines de kilo-ohms et quelques mégohms, ainsi qu'il est nécessaire pour des intensités de courant de collecteur de l'ordre du microampère dans les transistors commandés. La deuxième variante du procédé cité en premier lieu, c'est-à-dire l'exécution des résistances sous la forme de résistances "d'é-10 tranglement", serait convenable sur le plan de la résistance superficielle spécifique, car elle permet de réaliser des résistances superficielles spécifiques pouvant atteindre 10 kilo-ohms par carré, si bien qu'une voie de résistance de 25yu ds largeur possède-rait une résistance de 400 kilo-ohms sur un millimètre de longueur! 15 les résistances d'étranglement ont toutefois un certain nombre de propriétés défavorables, qu'il faut accepter si l'on applique à la fabrication des résistances la deuxième variant® du procédé cité en premier lieu. L'inconvénient principal des résistasses d'étrcsa-glement est que leur fabrication s'accompagne d'un pourcentage ds 20 rebuts élevé. Ceci s'explique facilement par le fait que la diminution de la section des canaux jusqu'à de très petites valeurs s'accompagne toujours du risque que la diffusi©n supplémentaire prévue pour réaliser cette réduction de section coupe en totalité la section à un emplacement de la voie de résistance, ee qui en-25 traîne une interruption de celle-ci. Bans un cas semblable,- on doit rejeter en totalité le circuit intégré et, si l'on suppose qu'il se trouve cinq résistances d'étranglement sur un tel circuit intégré, un pourcentage de rebuts de 10 % rapporté aux diverses résistances (c'est-à-dire qu'une résistance d'étranglement sur dix 30 a une interruption) représente l'élimination de la moitié des circuits intégrés fabriqués, ou une augmentation du simple au double du prix de revient de ces circuits. D'autres inconvénients importants des résistances d'étranglement résident en ce que leurs valeurs varient dans un rapport d'-35 environ 4 ; 1, ou avec une tolérance de - 60 % sur la valeur nominale, pareillement en raison des dispersions de la limite de diffusion de la diffusion supplémentaire sus-mentionnée, et en ce que les valeurs des diverses résistances d'étranglement varient en outre fortement en fonction de la tension et de la température. BAD ORIGINAL ' 69 15283 6. 2012426 Lorsqu'on utilise ces résistances, on doit par conséquent s'attendre à de"très grands écarts entre la valeur réelle et la valeur nominale de la résistance, ce qui conduit à des difficultés pour le dimensionnement du montage; la consommation de courant du monta-5 ge peut être en conséquence notablement supérieure à la consommation nominale résultant de l'observation des valeurs théoriques d© résistance, ceci se traduisant très défavorablement sur la faible consommation d'énergie recherchée. Pour tous ces motifs, l'application de la deuxième variante 10 du procédé cité en premier lieu pour l'exécution d'une résistance par étage des circuits intégrés est affectée en tous cas de graves inconvénients, sur le plan de la fabrication aussi bien que du fonctionnement, et n'est donc pas conseillée. En ce qui concerne la place occupée par des résistances d'un 15 ordre de grandeur de quelques centaines de kilo-ohms à quelques mégohms, le deuxième procédé sus-mentionné présente les mômes inconvénients que la première variante du procédé cité le premiert car la résistance superficielle spécifique pouvant être obtenue par ce procédé de métallisation est elle-même au maximum de 300 20 ohms par carré environ et que la largeur maximale réalisable des ▼oies de résistance subsistant après 1'enlèvementpar décapage, effectué à la suite de la métallisation, est pareillement d'environ 25yu. Par une fabrication individuelle, le procédé de dépôt à la vapeur permet bien d'obtenir des résistances possédant une valeur 25 superficielle spécifique notablement plus élevée, mais ces résistances ne sont pas reproductibles, c'est-à-dire que si l'on exécute d'autres résistances en appliquant des méthodes exactement identiques, on n'obtient pas une résistance superficielle spécifique constante des résistances fabriquées individuellement, et que cet-30 te résistance spécifique varie d'une pièce à l'autre par rapport à une valeur moyenne admise. Ceci est dû au fait que, pour obtenir des résistances superficielles spécifiques notablement supérieures à 300 ohms par carré, la métallisation doit être très faible, de sorte que la couche for-35 mée n'est plus fermée sur elle-même mais constituée par un réseau. Lors de la métallisation d'une surface, il commence en effet par se créer des points singuliers, sur lesquels le .matériau devant ê-tre appliqué se condense; ces points se réunissent ensuite par des ponts aû-matériau continuant à être vaporisé, de sorte qu'il se BAD ORIGINAL" 69 15283 7. ^2012426 forme une couche réticulaire de matériau métallisé et que les intervalles entre les diverses mailles de ce réseau ne sont comblés de matériau que pendant la suite de la métallisation. Des résistances superficielles spécifiques reproductibles ne 5 sont atteintes qu'à partir du stade où ces intervalles sont comblés, ou aussitôt que la couche métallisée est devenuye uniforme, et les résistances superficielles spécifiques maximales pouvant ê-tre obtenues avec une telle couche métallisée uniforme sont de 300 ohms par carré ou tout au plus de 400 ou 500 ohms par carré. 10 Comparativement aux résistances fabriquées par diffusion se lon la première variante du procédé cité en premier lieu, ces résistances exécutées par le procédé de métallisation offrent néanmoins l'avantage d'être pratiquement indépendantes de la température, alors que les résistances diffusées varient avec la température 15 bien moins que les résistances d'étranglement, mais cependant d'environ un ordre de grandeur de plus que les résistances fabriquées par métallisation, dont la variation avec la température est relativement faible. Un autre avantage primordial des résistances exécutées par métallisation sur les résistances fabriquées par diffu-20 sion réside en ce que les capacités parasitaires des premières vis-à-vis du cristal porteur sont négligeables comparativement aux capacités parasitaires correspondantes des résistances diffusées. Les résistances obtenues par métallisation sont affectées par contre d'un inconvénient par rapport aux résistances diffusées} la 25 fabrication des première nécessite en effet deux opérations supplémentaires devant être effectuées après la formation des transistors et diodes sur le cristal porteur, savoir l'application par métallisation d'une couche résistante et l'enlèvement par décapage d'une partie de cette couche, tandis que l'exécution des résistances par 30 diffusion a lieu en même temps que la formation des transistors et diodes sur le cristal porteur. Etant donné toutefois que les résistances fabriquées par métallisation présentent, comme signalé, des capacités parasitaires vis-à-vis du cristal porteur notablement plus faibles que les résistances diffusées et que des capacités 35 parasitaires élevées entraînent, pour les motifs exposés plus haut en détail, une augmentation sensible de la consommation d'intensité, il faut, dans tous les cas où les résistances ne doivent pas présenter de tolérances de fabrication trop grandes et où on n'a plus le choix qu'entre la première variante du procédé cité en BAD ORIGINAL" 69 1S283 6. 2012426 premier lieu (résistances diffusées) et l'autre procédé (résistances exécutées par métallisation), accepter l'inconvénient des deux opérations supplémentaires qu'entraîne le procédé de métallisation, pour obtenir la faible consommation d'intensité recherchée. 5 Malgré les inconvénients du procédé de métallisation, savoir la place occupée relativement grande (jusqu'à 95 % de la surface totale du cristal porteur) et la nécessité de deux opérations supplémentaires, il ne subsiste donc, parmi les trois moyens précités (première et deuxième variantes du premier procédé et deuxième pro-10 cédé) que le procédé par métallisation pour fabriquer les résistances qui sont indispensables pour des intensités de fonctionnement de l'ordre du microampère et dont la valeur peut aller de quelques centaines de kilo-ohms à quelques mégohms, si l'on veut réaliser des intensités de fonctionnement par étage de l'ordre de grandeur 15 du microampère et si les tolérances ou dispersions des valeurs de résistance ne doivent pas Itre trop grandes. Il est naturel que cette situation peu satisfaisante ait conduit à des expériences faites dans des directions très variées pour éviter, si possible complètement, ces résistances ohmiques 20 élevées. Une partie de ces expériences vise à utiliser par étage, à la place d'un transistor avec une résistance de collecteur, deux transistors de type de conduction complémentaire, et à commander les entrées de signaux des deux transistors complémentaires au mo-25 yen d'un mime signal, en générai de telle manière que les électrodes de base des deux transistors complémentaires sont reliées entre elles et raccordées aux collecteurs interconnectés des deux transistors complémentaires de l'étage précédent. Il s'agit là de la technique connue dite complémentaire bipolaire. 30 Cette technique ne peut cependant être appliquée en pratique que si les deux transistors complémentaires de chaque étage présentent des propriétés identiques ou au moins à peu près identiques, et ceci ne peut pas être obtenu par la technique dite "latérale", consistant à former tous les transistors sur le môme cristal por-35 teur. Les transistors exécutés en technique "latérale" sur un même cristal porteur ne possèdent des propriétés les .rendant aptes à être commandés ou à servir d'éléments amplificateurs que s'ils sont d'un seul type de conduction, tandis que les transistors de BAD ORIGINAL" 69 15283 9. 2012426 l'autre type présentent des facteurs d'amplification notablement plus faibles et des propriétés très différentes.de celles des transistors du premier type, savoir des propriétés généralement plus mauvaises. 5 Des transistors complémentaires possédant des propriétés iden tiques, tels qu'ils sont nécessaires pour l'application pratique de la technique complémentaire, doivent donc être fabriqués suivant un procédé différent, dénommé technique par îlots. Ce procédé consiste à décaper d'abord dans un cristal-mère des trous en cuvet 10 te, à munir ensuite d'une couche d'oxyde isolante toute la surface externe du cristal-mère y compris les trous en cuvette, puis à rem plir les divers trous d'un matériau de cristal-porteur et à meuler la face postérieure du cristal-mère, jusqu'à ce que les fonds des trous en cuvette aient disparu et qu'on obtienne un cristal-mère 15 comprenant une multiplicité d'îlots de cristal-porteur, isolés extérieurement par une couche d'oxyde et sur lesquels peuvent être alors formés des transistors de type de conduction différent et de propriétés sensiblement identiques, à raison d'un ou de plusieurs transistors de même type sur chaque îlot. La formation des transis 20 tors sur les îlots de cristal-porteur peut être effectuée à peu près de la même manière que sur un cristal-porteur unique. Cette technique par îlots nécessite par conséquent plusieurs opérations supplémentaires pour la fabrication des circuits intégrés. Ce procédé demande en outre une surface notablement plus grande, du fait 25 que les îlots de cristal porteur doivent se trouver à une distance suffisamment grande l'un de l'autre afin de ne pas s'influencer mutuellement au cours de l'exécution de transistors de conduction différente; pour des raisons d'ajustage, la surface des îlots de cristal-porteur doit être d'autre part, un peu plus grande que cel-30 le occupée par les transistors devant être formés sur ces îlots. Dans l'ensemble, la surface d'un circuit intégré fabriqué suivant la technique par îlots avec un circuit intégré en technique complé mentaire n'est pas sensiblement inférieure à la surface d'un circuit intégré fabriqué suivant la technique "latérale" avec un cir-35 cuit intégré répondant aux mêmes conditions, dans lequel chaque étage comprend un transistor et une résistance de collecteur obtenue par métallisation. En raison de la nécessité d'exécution des transistors par la technique des îlots, la technique complémentaire bipolaire ne procure donc aucun avantage comparativement à la BAD ORK3KNAI- 69 15283 2012426 solution avec un transistor par étage en technique "latérale" et résistances obtenues; par métallisation; les opérations supplémentaires jusqu'à l'obtention du cristal-mère avec les îlots de cristal-porteur dans la technique par îlots sont au contraire bien plus 5 compliquées en pratique que les opérations supplémentaires de métallisation et d'enlèvement par décapage que demande l'exécution de résistances métallisées. D'autres expériences "viséïlt. à remplacer un transistor avec résistance de collecteur par deux transistors à effet de champ com-10 plémentaires. Cette technique est connue sous le nom de "technique MOS complémentaire" et rencontre des difficultés analogues à celles de la technique complémentaire bipolaire, en ce qui concerne la disposition sur un même cristal de transistors complémentaires l'un de l'autre. Ces difficultés ont pour conséquence que le volume 15 et la surface nécessaires pour l'application de cette "technique MOS complémentaire" sont exactement aussi élevés qu'avec la technique complémentaire bipolaire. Il en résulte que la "technique MOS complémentaire" ne procure également pas les avantages recherchés; les procédés mis en oeuvre pour la fabrication des transis-20 tors à effet de champ utilisés en "technique MOS" sont au contraire plus compliqués qu'en technique bipolaire et les transistors à effet de champ exigent des tensions de fonctionnement d'au moins 3 à 4 V, si bien que des montages obtenus suivant la "technique MOS" ne peuvent pas être alimentés par un élément unique.' 25 D'autres expériences ont cherché à utiliser, à la place d'un transistor avec une résistance de collecteur, deux transistors à effet de champ par étage, dont l'un est connecté en bipôle passif et intervient en quelque sorte à la place de la résistance de collecteur. Cette technique a été pareillement appliquée dans le ca-30 dre de la "technique MOS". Tous les transistors à effet de champ peuvent posséder dans ce cas un canal de même type, de sorte que le volume ou la surface occupés peuvent être notablement moindres que dans des circuits intégrés bipolaires, comprenant par étage un transistor et une résistance métallisée. La "technique MOS" avec 35 des transistors à effet de champ d'un même type de conduction dont certains sont connectés en bipôles passifs procure à cet égard un avantage, qui est cependant réduit à néant du fait que la tension d'alimentation pour des montages en "technique MOS" doit être d'au moins 3 à 4 V et que l'alimentation en courant nécessite par eon- BAD ORIGINAL" 69 15283 h. 2012426 séquent au moins deux, sinon trois éléments, de sorte que la gain de volume réalisé dans les circuits intégrés se trouve annulé par un encombrement notablement supérieur de la source d'alimentation en courant. Ce volume supplémentaire est d'ailleurs nettement plus 5 grand que le volume gagné, même si l'on utilise une batterie à deux ou trois éléments individuels. Indépendamment du fait qu'elle ne procure dans l'ensemble aucun avantage, la "technique MOS" est donc plus coûteuse dans son application à la fabrication des transistors que la technique bipolaire, de sorte que les expériences 10 précitées n'ont apporté aucune amélioration. La seule mesure ayant fait avancer d'un pas sur le plan d'une réduction du nombre des résistances est celle dont il a été question plus haut et qui est appliquée aux montages électroniques du type précité auxquels se réfère la présente invention, mesure qui 15 consiste à accoupler galvaniquement ou directement les circuits base-émetteur des transistors commandés de chaque étage au collecteur du transistor commandé de l'étage précédent, et à économiser de cette manière au moins les résistances ohmiques très élevées pour l'amenée du courant de base. 20 S'agissant d'un montage électronique du type sus-*entionné, l'invention s'est fixé pour objectif d'éviter les résistances de collecteur à valeur ohmique élevée, sans que cette suppression entraîne des inconvénients réduisant à néant l'avantage qu'elle procure . 25 Dans un montage électronique du type précité, ce but est at teint par l'invention, grâce au fait que les collecteurs d'une partie au moins des transistors commandés, ainsi que les circuits base-émetteur d'une partie au moins des transistors commandés sont raccordés à des sources de courant constaht, qui fournissent les 30 courants de collecteur moyens des transistors commandés raccordés chacun par leur collecteur, ainsi que les courants moyens des résistances de charge connectées ou les courants de base moyens des transistors commandés raccordés chacun par leur circuit base-émetteur, et que les sources de courant constant contiennent, comme é-35 léments maintenant l'intensité constante, des transistors du type de conduction complémentaire de celui des transistors commandés^ aux circuits base-émetteur desquels est appliquée line tension de référence maintenant au moins approximativement constante l'intensité dans leur circuit collecteur-émetteur, et dont le courant bad orkmnal] 69 15283 12. 2012426 circulant dans leur circuit collecteur-émetteur définit l'intensité fournie par la source de courant constant, cependant que les tensions de référence appliquées aux éléments maintenant constante l'intensité sont fournies par une source de référence commune à 5 plusieurs ou à tous les éléments maintenant une intensité constante dans le même circuit intégré, chacune de ces sources de référence produisant une tension de référence, dépendant de la température, sur les éléments connectés maintenant une intensité constante, la variation de cette tension de référence avec la température a-10 yant lieu dans le même sens que la variation en fonction de la température de la tension devant être appliquée aux entrées de la tension de référence des éléments raccordés maintenant une intensité constante pour des courants de collecteur indépendants de la température de ces éléments. 15 Cette solution permet d'incorporer dans un même circuit inté gré les transistors commandés et les transistors qui ont un type de conduction complémentaire de celui des transistors commandé» et qui sont contenus dans les sources à courant constant, et d'exécuter les circuits intégrés en "technique latérale", étant donné que 20 les transistors contenus dans les sources de courant constant ne sont pas tenus, comme dans la technique complémentaire bipolaire, de posséder les mêmes propriétés que les transistors commandés. Sans aucune conséquence défavorable sur le fonctionnement du montage électronique, les transistors contenus dans les sources de 25 courant constant peuvent posséder des propriétés sensiblement différentes de celles des transistors commandés et pouvant être en principe notablement moins bonnes que celles de ces derniers. Les conditions qu'impose le présent montage électronique aux propriétés des transistors d'un type de conduction et de l'autre contenus 30 dans les circuits intégrés correspondent donc exactement aux résultats que donne la "technique latérale" en ce qui concerne les propriétés des transistors de type de conduction différent, inclus dans le même circuit intégré. Etant donné que la surface occupée par des transistors dans des circuits intégrés est bien inférieure 35 à celle qu'occupent des résistances ohmiques élevées, ainsi qu'il a été déjà exposé, et que les frais de fabrication d'un circuit intégré sont à peu près indépendants du nombre des transistors inclus dans le circuit, du fait que tous les transistors peuvent ê-tre diffusés simultanément dans le circuit intégré au cours d'une bad^rjoinal 69 15283 13. 2012426 seule et même opération, le remplacement des résistances ohmiques de collecteur élevées par des sources de courant constant, dont les éléments maintenant l'intensité constante sont constitués par des transistors complémentaires des transistors commandés, permet, 5 sans aucun inconvénient, de disposer jusqu'à 70 % de la surface totale du circuit intégré pour les transistors commandés et les diodes, ainsi que d'éviter les opérations supplémentaires que nécessite la fabrication de résistances par métallisatioa^ et les propriétés défavorables que possèdent les résistances obtenues par 10 diffusion, de même que les résistances d'étranglement. Dans une forme de réalisation avantageuse du montage électronique selon l'invention, chaque source de référence peut être pourvue d'une résistance dépendant de la température et alimentée par un courant de référence au moins approximativement constant, ré-15 sistance dont les variations relatives avec la température correspondent, au moins en première approximation, aux variations rela» tives avec la température des résistances aux entrées de la tension de référence des éléments connectés maintenant une intensité constante, divisées par les facteurs d'amplification d'intensité 20 des éléments considérés. Les résistances dépendant de la température sont constituées de préférence à cet effet par des éléments semi-conducteurs inclus dans les circuits intégrés. Dans le cas où il n'est prévu qu'une source de référence commune pour tous les éléments du montage maintenant une intensité 25 constante et par conséquent une seule résistance dépendant de la température, le courant de référence est amené avantageusement à cette dernière, de la source d'alimentation en courant du montage, à travers une résistance ohmique constante. Cette résistance ohmi-que constante est, de préférence, une résistance distincte, inter-30 calée entre la source d'alimentation en courant du montage et les circuits intégrés, de sorte que ceux-ci ne contiennent que des é-léments semi-conducteurs sans aucune résistance ohmique. Dans le cas où il est prévu plusieurs sources de référence correspondant chacune à un groupe d'éléments maintenant une inten-35 sité constante, chaque résistance dépendant de la température et y représentant une source de référence esi avantageusement reliée à une autre source de courant constant, qui fournit ie courant de référence à la résistance dépendant de la température qui lui est réunie, ces autres sources de courant constant étant agencées en BAD ORK31NAL j 69 15283 14. 2012426 principe de la même manière que celles qui fournissent les courants collecteur-base et pouvant être connectées à une source de référence supplémentaire cornaline, qui est constituée par une résistance supplémentaire, dépendant de la température et alimentée 5 par un courant fondamental au moins approximativement constant. D® même que pour un montage ne comportant qu'une source de référence commune » le courant de base constant peut être amené de la source d'alimentation du montage par l'intermédiaire d'une résistasse ©h-mique constante, de préférence distincte, de sorte que, même s'il 10 existe plusieurs sources de référence, les circuits intégrés ne contiennent que des éléments semi-conducteur?, en l'absence de toute résistance ohmique. Il est prévu plusieurs sources de référence en particulier dans des montages comprenant plusieurs circuits intégrés, car les sources de référence, ou les résistances dépendant 15 de la température qui représentent ces sources, sont avantageusement incluses chacune dans le même circuit intégré que les éléments maintenant une intensité constante qui sont raccordés à ces sources et que le nombre de sources de référence est par conséquent au moins égal pour plusieurs circuits intégrés. 20 Dans le montage électronique selon l'invention, chaque source de courant constant contient de préférence, comme élément maintenant une intensité constante, un transistor dont le circuit base-émetteur est relié à la source de référence et dont le collecteur forme la sortie de la source de courant constant. Dans le cas où 25 l'amplification d'intensité des transistors constituant les éléments maintenant l'intensité constante et complémentaires des transistors commandés est toutefois relativement faible, en raison de la fabrication des circuits intégrés suivant la "technique latérale", et où il faudrait par conséquent amener aux transistors 30 des courants de base relativement élevés pour obtenir les courants désirés à la sortie des sources de courant constant, il peut être prévu, au lieu d'un seul transistor par source de courant constant, deux transistors, dont le deuxième peut être, soit un transistor complémentaire du premier, dont le circuit base-émetteur est con-35 necté dans la liaison entre le collecteur du premier transistor et la sortie de la source de courant constant et qui amplifie le courant de collecteur du premier transistor, soit un transistor de même type de conduction que le premier, dont le circuit base-émet-teur est branché dans le conducteur de la base du premier transis- bad original ' 69 15283 15. 2012426 tor et qui anplifie le courant venant de la source de référence et réduit la charge de celle-ci. Dans le cas où les sources de courant constant, du montage é-lectronique selon l'invention contiennent chacune un transistor 5 comme élément maintenant une intensité constante et, le cas échéant, un deuxième transistor dont le circuit base-émetteur est branché dans la ligne de collecteur du premier, les résistances dépendent de la température et représentant une source de référence sont constituées avantageusement chacune par un transistor cou-10 plé en bipêle, dont les électrodes de base et de collecteur sont reliées, ou bien par une diode connectée en direction de passage du courant, ou encore par un circuit en parallèle des résistances d'entrée aux divers circuits base-émetteur en parallèle des transistors formant les éléments maintenant une intensité constante, 15 cependant que, dans le cas où les sources de courant constant contiennent chacune deux transistors à circuits base-émetteur en série, chaque résistance dépendant de la température et représentant une source de référence est constituée de préférence par deux transistors, dont les circuits base-émetteur sont pareillement 20 branchés en série et dont l'électrode d'émetteur, se trouvant à l'une des extrémités de ce circuit en série, forme l'un des pôles de la résistance dépendant de la température, tandis que l'électrode de base se trouvant à l'autre extrémité de ce circuit en série forme l'autre pôle de la résistance dépendant de la températu-25 re; avec l'électrode de collecteur du transistor dont l'émetteur constitue l'une des extrémités du circuit en série, ou bien par deux diodes en série connectées en direction du passage du courant, ou encore par le montage en parallèle des résistances d'entréé aux divers circuits en série, branchés en parallèle, des circuits base-30 émetteur des transistors formant les éléments qui maintiennent une intensité constante. D'autres caractéristiques de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d'exemples illustratifs seulement et 35 dans lesquels s - la Fig. 1 représente l'agencement de principe d'une source de courant constant, susceptible d'être utilisée pour le montage électronique selon l'invention; - la Fig. 2 montre l'agencement d'une source de courant consBAD ORIGINAL 69 15283 2012426 tant, comme la Fig. 1, avec seulement une source d'alimentation en courant; - la Fig. 3 représente une combinaison de n sources de courant constant, correspondant à celle de la Fig. 1, avec chacune un 5 transistor comme élément maintenant l'intensité constante et une source de référence commune à tous les éléments maintenant l'intensité constante; - la Fig. 4 est un schéma simplifié d'un premier exemple de réalisation d'un montage électronique conforme à l'invention, dans 10 lequel les transistors commandés forment les éléments de commande d'un multivibrateur bistable; - la Fig. 5 représente un exemple de réalisation, correspondant à la Fig. 4, d'un montage électronique selon l'invention, dans lequel l'agencement intérieur des blocs de la Fig. 4 est re- 15 produit, les blocs 3a, 3b et 4 étant groupés en un seul bloc; - les Fig. 6a et 6b montrent le montage en une unité bistable (Fig. 6b) de deux transistors commandés comme dans l'exemple de réalisation de la Fig. 5, ainsi que le diagramme de travail de ces transistors (Fig. 6a); 20 - la Fig. 7 représente un deuxième exemple de réalisation d' un montage électronique selon l'invention, dans lequel les transistors commandés forment les éléments de commande d'une porte HON-ET; - la Fig. 8 représente un autre exemple de réalisation d'un montage électronique conforme à l'invention avec plusieurs multi- 25 vibrateurs bistables, reliés entre eux en un démultiplicateur de fréquence d'impulsion ou une chaîne de comptage, les blocs étant agencés, par exemple, comme le bloc 5 de la Fig. 5; - la Fig. 9 montre un exemple de réalisation, analogue à celui de la Fig. 8, d'un montage électronique selon l'invention, 30 dont chaque source de courant constant contient deux transistors; - la Fig. 10 représente un exemple de réalisation, également analogue à celui de la Fig. 8, d'un montage électronique selon l'invention, dans lequel les diverses sources de courant constant contiennent chacune deux transistors de même que la source de ré~ 35 férence; - la Fig. 11 représente le schéma simplifié d'un autre exemple de réalisation d'un montage électronique conforme à l'invention, avec plusieurs multivibrateurs bistables (blocs 5)-, connectés en une chaîne de comptage, les sources de courant constant BAD ORIGINAL"* 69 15283 n- " 2012426 étant subdivisées en plusieurs groupes (bloc 2), pour chacun desquels est prévue une source de référence (blocs 1.)., cependant que les courants de référence pour les diverses sources de référence sont fournis par un groupe d'autres sources de eourant constant 5 (blocs 2'), qui sont raccordées à une source de référence supplémentaire commune (bloc 1'). L'agencement de principe d'une source de courant constant susceptible d'être utilisée pour le montage électronique selon l'invention est représenté à la Fig. 1. La source de tension U1 en-10 voie à travers la résistance R un courant 11, qui est sensiblement constant, si la tension U1 est notablement, supérieure à la tension UBE1! appliquée sur le circuit base-émetteur du transistor T1. La tension Ugg-j appliquée au circuit base-émetteur du transistor T1 se règle de telle façon que le courant de collecteur *C1 du trans-15 istor T1 est juste égale au courant 11 envoyé par la tension (U1-Ugj«i ) à travers la résistance R, diminuée des courants de base XB1 et Ig2 des transistors 11 et 12. Au transistor T2, dont le circuit base-émetteur est connecté en parallèle au circuit base-émetteur du transistor T1, est appli-20. quée la même tension base-émetteur qu'au transistor Ï1. Il en résulte que, si les transistors T2 et T1 sont identiques, les tensions base-émetteur sont égales pour eux deux, et que les courants de collecteur 1^ et Içg sont aussi égales-pour les deux transistors. Lorsque les deux transistors T1 et T2 sont inclus dans le 25 même circuit intégré et possèdent dessurfaces d'émetteur égales, la condition de leur identité peut être considérée comme remplie. Cette identité existe d'ailleurs encore si les conditions d'ambiance du circuit intégré varient, étant donné que ces variations touchent dans la même proportion les deux transistors T1 et T2 et 30 entraînent pour eux des changements identiques. Si l'on admet que les courants de base 1^ et Lgg sont négligeables comparativement au courant de collecteur I^ , celui-ci possède une intensité égale à 11 et est donc approximativement constant si la tension U-g-g-j est botablement plus faible que la 35 tension U1 de la batterie. Avec deux transistors identiques T1 et T2, le-courant doit par conséquent être lui-même constant, et ce tout à fait indépendamment de la valeur de la tensiçn U2 de la batterie, dans la mesure où celle-ci n'est pas si basse que la tension de collecteur, du transistor T2 descend à.des valeurs inféBAD ORIGINAL 69 15283 18. 2012426 rieures à 0,1 ou 0,2 V environ. Sur les deux bornes 8 et 9 de la source de courant constant représentée à la Fig. 1, on peut en conséquence prélever un courant 12, qui est pratiquement constant, indépendamment de toutes les conditions extérieures, si les condi-5 tions préalables suivantes sont remplies : primo, identité des deux transistors T1 et T2, qui peut être" réalisée par incorporation des deux transistors dans le même circuit intégré; secundo, valeur négligeable des courants de base et IB2 Par rapport au courant de collecteur 1^, ce qui peut être réalisé moyennant des 10 facteurs d'amplification de courant suffisamment élevés.des transistors T1 et T2; tertie, valeur négligeable de la tension base-émetteur UBgi comparativement à la tension Ù1 de la batterie, réalisable par le choix d'une tension convenablement élevée U1 de la batterie; quarto, une tension de collecteur au transistor T2 supé-15 rieure à 0,1-0,2 V environ, réalisable moyennant une tension suffisamment élevée U2 de la batterie. Ces dernières conditions ne sont cependant pas impérative» pour l'obtention d'une intensité 12 constante ou au moins approximativement constante et peuvent être allégées à la manière suivma-20 te : L'hypothèse de l'identité des transistors T1 et T2 a été formulée afin qu'à tension égale sur les circuits base-émetteur des deux transistors, les courants de collecteur et I^g soient i>-dentiques. Pour que le courant 12 soit constant, il suffit cepen-25 dant que le rapport entre «t Iqi reste au moins sensiblement constant, ce qui est le cas lorsque les deux transistors sont incorporés dans le même circuit intégré, mais possèdent des surfaces d'émetteur de dimensions différentes. Les courants 1^ et s« comportent alors mutuellement com-30 me les surfaces d'émetteur des transistors T1 et T2, le rapport *C2 1 *C1 pratiquement indépendant de la tension aPPli~ quée aux circuits base-émetteur des deux transistors. Il n'est d'ailleurs pas absolument indispensable que les deux transistors T1 et T2 soient incorporés dans le même circuit intégré. Ces deux 35 transistors peuvent être au contraire incorporés à des circuits intégrés différents, lorsque ceux-ci proviennent d'une même opération de production et sont disposés dans le montage électronique de telle façon que l'on puisse considérer comme pratiquement identiques leurs réactions à des conditions d'ambiance. L'hypothèse BAD ORIGINAL" 69 15283 19. 2012426 relative à l'identité des deux transistors T1 et T2 peut enfin ê-tre ramenée à ce que les variations relatives en fonction des conditions ambiantes de la résistance du bipôle passif,dont l'un des pôles form^L'émetteur et l'autre pôle les électrodes interconnec-5 tées de base et de collecteur du transistor T1, correspondent au moins approximativement aux variations relatives en fonction des conditions ambiantes, en particulier de la température de la résistance du circuit base-émetteur du transistor T2, divisée par le facteur d'amplification de courant du transistor T2. Ceci peut être 10 exprimé plus précisément par le fait que les résistances des circuits base-émetteur des deux transistors T1 et T2 doivent être entre elles dans un rapport indépendant des conditions d'ambiance, en premier lieu de la température, et que les facteurs d'amplification de courant des deux transistors T1 et T2 doivent être pa-15 reillement dans un rapport indépendant des conditions d'ambiance. Il y a lieu enfin de signaler que ces conditions n'ont naturellement besoin d'être remplies, au moins approximativement, qu'à l'intérieur de la bande de travail nécessaire dans chaque cas, ou de la plage possible de variation de la température. 20 L'hypothèse suivant laquelle les courants de base I^ et I^g doivent être négligeables vis-à-vis du courant de collecteur I^, a été faite parce que les courants de base varient avec les conditions d'ambiance, par exemple la température, pour des courants de collecteur restant constants quelles que soient les conditions ex-25 térieures. Les courants de base I^ et I^g se composent donc d'une fraction constante et d'une fraction variable et il suffit, pour que le courant 12 soit sensiblement constant, que les fractions variables des intensités de base soient notablement inférieures.; au courant de collecteur Iq-j • C'est ainsi, par exemple, que si la 30 bande de travail prévue va de 0 à 40*C et si les courants de base varient dans cette bande d'environ 20 % de leur valeur à 0°C, les courants de base I-g^ et peuvent se monter ensemble à 40 % du courant de collecteur, car leur variation à l'intérieur de la bande de travail ne représente que 8 % du courant de collecteur 1^^, 35 de sorte que le courant 12 ne varie lui-même que de 8 % avec 1^2* L'hypothèse selon laquelle la tension base-émetteur Ug-g-j doit être négligeable vis-à-vis de la tension U1 de la batterie, à été faite pareillement, parce que la tension base-émetteur précitée varie avec les condiliions d'ambiance, par exemple la température, BAD ORK3HNAU 69 15283 20. 2012426 pour un courant de collecteur 1^ restant constant indépendamment des conditions extérieures. Comme les courants de base 1^^ et IB2» la tension base-émetteur Ugg-j se compose donc d'une fraction constante et d'une fraction variable, et il suffit largement, pour ob-5 tenir un courant 12 approximativement constant, que la fraction variable de la tension base-émetteur soit sensiblement plus petite que ia tension U1 de la batterie, du fait que seule cette fraction entraine une variation du courant 11 à travers la résistance R et, par suite, une variation des courants de collecteur et Iq2» ou 10 du courant 12 débité par la source de courant constant. La valeur de la fraction variable de la tension basé-émetteur est défi nie à son tour par la bande de travail, ou la plage de variation possible de la température. Seule doit être remplie dans tous les cas la dernière condi-15 tion, d'après laquelle la tension de collecteur au transistor T2 doit être supérieure à 0,1-0,2 V environ. Cette condition peut cependant être remplie sans difficulté, car il est facile d'obtenir à cet effet une tension de batterie U2 suffisamment élevée, en raccordant & la même source de tension 10/11 à la fois le transis-20 tor T1 et le transistor T2, comme représenté à la Fig. 2. Des sources de courant constant comme à la Fig. 2 sont connues en soi et utilisées déjà dans la technique des circuits intégrés. Si l'on montait à la place de chaque résistance de collecteur une telle source de courant constant comme dans la Fig. 2, il 25 ne serait pas possible d'économiser des résistances, étant donné que chacune de ces sources de courant contient elle-même une résistance R, dont la valeur doit être du même ordre de grandeur que la résistance de collecteur remplacée par la source de courant constant. Il en résulterait au contraire un inconvénient, dû en ce 30 qu'en dehors du courant fourni par la source de courant constant ou le transistor T2, on aurait besoin d'un courant approximativement de même valeur circulant à travers le transistor T1, de sorte que la consommation de courant de l'ensemble du montage augmenterait environ du simple au double, abstraction faite de ce que, non 35 seulement on n'économise pas de résistances, mais on a besoin encore de deux transistors pour chaque source de courant constant. Le remplacement de résistances de collecteur par des sources de courant constant comme dans la Fig. 2 ne serait donc pas judicieux. Un avantage peut être obtenu seulement si,au lieu de reapla- bad ORIGJNAl/ * — 69 15283 21. 2012426 cer chaque résistance de collecteur par une source de courant constant comme à la Fig. 2, on remplace un groupe de plusieurs résistances de collecteur par plusieurs sources de courant constant groupées, dans lesquelles les tensions base-émetteur des éléments 5 T2 maintenant l'intensité constante sont fournies par un diviseur de tension, commun à tous les éléments T2 maintenant dans le groupe une intensité constante et formé d'une résistance R et d'un transistor de référence T1. La Fig. 3 représente un circuit de ce type avec plusieurs sources de courant constant groupées 2^ à 2r, 10 dans lequel les tensions base-émetteur des éléments T2., à T2 — i n maintenant un courant constant et dénommées "tensions de référence" dans la suite, sont fournies par une source de référence commune, comprenant un transistor de référence T1 et une résistance ohmique constante H. L'avantage que procure un tel circuit selon 15 la Fig. 3 est d'autant plus important que le nombre n des sources de courant constant de chaque groupe est plus grand, du fait que chacune de ces sources remplace une résistance de collecteur et que par conséquent n résistances de collecteur sont remplacées par une résistance unique R, associée à la source de référence. Ainsi 20 qu'il a été déjà signalé, le transistor supplémentaire T2 nécessaire pour maintenir constant le courant de chaque source de courant constant, ne représente pas, dans la technique des circuits intégrés, une augmentation notable du prix de revient des circuits, et la surface occupée par ce transistor T2 est sensiblement inférieu-25 re à celle que demanderait la résistance de collecteur remplacée par la source de courant constant. Dans le cas de n sources de courant constant rassemblées en un groupe avec une source de référence commune, l'accroissement de la consommation de courant du montage par le courant de référence circulant à travers la résistance R et 30 le transistor de référence T1 n'est pas important, car il ne repré- i. èic sente que la n partie de la consommation totale du montage et reste encore inférieur, au moins si le nombre n est élevé, aux tolérances d'intensité avec lesquelles il faut compter lorsqu'on utilise des résistances de collecteur, en raison des tolérances sur 35 les valeurs de la résistance. L'utilisation d'un circuit du type représenté à la Fig. 3 permet de remplacer toutes les résistances de collecteur et les résistances de base pouvant exister dans un montage électronique par des sources de courant cojistant, si bien que la totalité du montage é- BAD ORtGtNAi- 69 15283 2012426 lectronique peut être exécutée à partir d'éléments semi-conduc-teurs et que la seule résistance ohmique du aontage, savoir la résistance R aaenant le courant de référence, peut être disposée, sous la forme d'une résistance indépendante, entre la source d'a-5 liaentation en courant et les circuits intégrés. La Fig. 4 montre le schéma simplifié d'un aontage électronique selon l'invention, coaprenant une résistance R à travers laquelle est amené le courant de référence, une source de référence 1, qui peut contenir un transistor de référence T1 comme dans la 10 Fig. 3, un bloc 2 groupant deux éléments T2 pour maintenir une intensité constante et dont les collecteurs* constituent lies sorties 2^ et 2-2 de deux sdurces de courant constant, ainsi qu'un multivibrateur bistable avec un preaier étage de commutation 3a, un deu-xièae étage de commutation 3b et un réseau de couplage 4 entre les 15 deux étages précités. La Fig. 5 représente en détails un„montage électronique sea- lequel blable à celui de la Figï 4» mais dans/les blocs 3a, 3b et 4 sont rassemblés en un bloc unique 5. Le fonctionnement du multivibrateur bistable selon la Fig. 5 est le suivant : 20 Chacune des deux sources de courant constant 2^ et 22 fournit aux éléments de commutation raccordés un courant constant; la soar* ce 2.j fournit les courants de collecteur des transistors T5-j et T53, ainsi que les courants de base des transistors T52 tandis que la source 2g fournit les courants de collecteur des 25 transistors T52i T5^ et les courants de base des transistors T5^ et ^5^« Les courants fournis par les sources de courant constant 2^ et 2g restent constants indépendamment de l'état de commutation du aultivibrateur bistable; c'est ainsi, par exeaple, que si l'étage de coamutation du multivibrateur comprenant les transistors 30 T52 at T5^ se trouve à l'état "1" avec une tension élevée à travers les circuits collecteur-émetteur des transistors T52 et T5^ et avec un courant de collecteur faible de ces deux transistors, le courant fourni par la source 2g circule pratiquement en totalité dans la base du transistor T5-| - Le courant amené par la diode D52 35 à la base du transistor T5^ est plus faible, dans un rapport égal au facteur d'amplification de courant du transistor T5^, que le courant de collecteur du transistor T5^ et est par conséquent négligeable, si, par hypothèse, les courants de collecteur des transistors T52 et T5^ sont déjà faibles comparativement au courant bad original* 69 15283 23 2012426 fourni par la source 2^ donné que le courant fourni par la source constante 2^ est amené pratiquement én totalité à la base du transistor T5-j » le courant de collecteur- du transistor T5^ devrait, dans des conditions linéaires, être plus élevé que le cou-5 rant I2g fourni par la source 2g, d'une quantité sensiblement égale au facteur d'amplification de courant du transistor T5^. Ceci n'est cependant pas possible, car la source de courant constant 2^ ne fournit qu'un courant 12^ de même intensité que la source de courant constant 22» 10 Pour le transistor T5^ s'établit par conséquent un point de fonctionnement 20 (Fig. 6a), qui se trouve encote sur la branche ascendante de sa caractéristique de sortie Iç = f (Uçg) valable pour le paramètre Ig =* 12g, point pour lequel Iç = 12^ et où la tension de collecteur UçE du transistor T51 ainsi que la tension 15 base-émetteur du transistor T52 sont si faibles que le courant de base du transistor T52 est pratiquement nul, comme le montre la caractéristique IB = f (U-gg) à la Fig. 6a et que le courant de collecteur du transistor T52 est également approximativement nul ou très faible comparativement au courant 122 fourni par la source 20 de courant constant 2g conformément à l'hypothèse formulée au début. Ainsi qu'il ressort du faisceau de courbes de la Fig. 6a, le point de travail 20 s'établit également si le courant de base Ij du transistor T5-j est notablement inférieur au courant I2g fourni 25 par la source 2g. En pratique, le courant de base du transistor T51 peut descendre jusqu "à rB - 4" . 122 sans que le point de fonctionnement 20 change, comme le montre la Fig. 6a. C'est seulement pour des courants de base £„ inférieurs à 1 • x I2g qu'il s'établirait un point de fonctionnement avec une 30 tension de collecteur relativement élevée du transistor T5*, par 1 exemple le point de fonctionnement 22 pour I-g = X 0,2 x I2g (en même temps que le transistor T52 passerait au point de fonctionnement 20). Ceci est important dans la mesure où la diode D52» connectée en direction de passage du courant et à laquelle est ap-35 pliquée la tension base-émetteur relativement élevée U-gg du transistor T5-, diminuée de la tension bàse-émetteur du transistor T5^, pourrait laisser passer aux températures éievéès un courant susceptible de dériver, après amplification-parlé transistor T5^> une fraction notable àu courant fourni-par la source constante 2g, BAD ORIGINAL 69 15283 24 2012426 de sorte que le courant de base I-g amené au transistor T5^ diminuerait dans la même proportion. Il y a lieu de noter à ce propos que la tension sur la diode D52 ®st d'environ 50 mV pour un courant de 1^uA fourni par la 5 source 2g si le courant de collecteur du transistor T5^ est inférieur à 100 nA et que, par conséquent, pour une amplification du courant de 50 du transistor T5^f la résistance constituée par la diode D5£ doit être supérieure à 50 mV : « 50 mV t 2RA * 25 M JX. pour que le courant de collecteur du transistor T5^ reste in-10 férieur à 100 nA; pour des résistances de passage aussi élevées, déjà de l'ordre de grandeur des résistances d'arrêt, les variations relatives de la résistance des diodes avec la température sont assez importantes. Bans le cas où le courant de collecteur du transistor T5^ 15 augmente en raison d'une variation de résistance de la diode D52> il se produit toutefois en premier lieu une diminution du courant de base ainsi que de la tension base-émetteur du transistor T5-j» ee qui entraîne un abaissement simultané de la tension aux bornes de la diode D52» jusqu'à compensation de la variation de résistance. 20 Ceci n'est néanmoins possible que si une telle diminution du courant de base lj du transistor T5-j, en tous cas jusqu'à de très faibles valeurs, n'exerce pas d'influence sur le point de fonctionnement 20 du transistor T51} pour cette raison, 11 est très impôt--tant que l'intensité de base Ifi puisse s'abaisser jusqu'à x 25 I22i sans modification du point de fonctionnement 20. Le remplacement des résistances de collecteur par des sources de courant constant n'aboutit en effet à un plein succès que s'il est possible en même temps de remplacer dans le montage toutes les autres résistances ohmiqnes élëvées par des éléments semi-conduc-30 teurs, c'est-à-dire de remplacer dans le cas présent les résistances de base pour les transistors T5^ et T5^ par les diodes D51 et D52» étant donné que c'est seulement ainsi qu'on peut supprimer les résistances ohmiques élevées occupant de relativement grandes surfaces et obtenir une utilisation optimale des circuits intégrés 35 avec des éléments semi-conducteurs relativement peu encombrants. L'effet sus-mentionné, d'après lequel le point de fonctionnement du transistor T5-] (et en même temps que celui-ci le point de fonctionnement du transistor T59) change dès que le courant de base du 1 transistor T5^ descend au-dessous de —-r- x 12g, n'est utilisé que BAD ORIGINAL" ^ ' 69 1S283 «• lf 2012426 pour faire basculer le multivibrateur. À l'entrée de commande 12/ 10 est appliquée à cet effet une impulsion qui élève simultanément la tension sur les deux électrodes de base des transistors T5j par l'intermédiaire des diodes D5^ et D5^, connectées en di-5 rection de blocage et agissant en capacités. Etant donné que la tension à la base de celui des deux transistors T5^ ou T5^ dont le circuit collecteur-émetteur est branché en parallèle au circuit collecteur-émetteur du transistor T5^ ou T52 se trouvant au point de fonctionnement 20 est encore légère-10 ment inférieure à la tension de collecteur Uçg au point de fonctionnement 20, et que la tension à la base de l'autre transistor T5j ou T5^ n'est par contre qu'un peu inférieure à la tension base-émetteur Ugj, du transistor T5^ ou T52 se trouvant au point de fonctionnement 20 et, par suite, un peu supérieure à la tension de col-r 15 lecteur au point de fonctionnement 20, l'impulsion de commande fait commuter en premier lieu cet autre transistor, par exemple le transistor T5^, et l'élévation du courant de collecteur de ce transistor T5^ qui n'entraîne qu'une partie de plus en plus grande du courant fourni par la source 2g, est dérivée à travers le transis-20 tor T5^» jusqu'à ce que le courant de base Ig du transistor T5^ descende au-dessous de x 122? le multivibrateur bascule à cet instant; en effet, la tension de collecteur du transistor T5^ et ainsi la tension base-émetteur du transistor T51 augmentent, jusqu'à ce que le transistor T52 soit parvenu au point de fonctionne-25 ment 20 et que la tension appliquée au collecteur du transistor T51 soit la même que celle qui était appliquée précédemment sur son circuit base-émetteur. L'élévation de tension du multivibrateur ou la variation de tension de collecteur du transistor T5^ lors du basculement du multivibrateur est donc, égale à A U » Ugg - U^j, 30 (Fig. 6). La sortie 13/10 du multivibrateur bistable 5 est reliée de manière usuelle à un étage de commutation, c'est-à-dire au circuit collecteur-émetteur des transistors T52 et T5^ faisant partie de cet étage. La Fig. 7 représente un autre exemple de réalisation d'un 35 montage électronique selon l'invention, dans lequel les transistors commandés T6^ et Tôg forment les éléments de commutation d'ut^ ne porte "NON-ET". Celle-ci comprend pareillement une résistance R amenant le courant de référence, une source de référence 1 avec le transistor de référence T1 et un bloc 2 groupant deux transistors BflD ORIGINAL1 15283 26° 2012426 Ï2^ et T20, qui constituent des éléments maintenant un courant constant et dont les collecteurs forment chacun, la sorti® 2^ @t 20 d'une source de courant constant. Dans le bloc 6 sont groupés les transistors commandés d® la porte "HOlî-ET0, savoir le transistor 5 à plusieurs émetteurs ï6^ et le transistor ïôg» Pour faciliter la compréhension du fonctionneiaent de la port© "NOM-ET1' de la Fig0 7» on & représenté sehématique&ent en pointillés» aux entrées 12&/10» I2b/10 et 12e/l0 d© la porte KH01=-Ifae les sources de commande reliées à ces entrées, ainsi que la régis-10 tance de charge L se trouvant à la sorti® 13/10» Le fonctionnement de la porte BH0I-ÊTH selon la Fig» "7 est le suivant. Lorsqu'un© tension de polarisation positive par rapport a» conducteur neutre' 10 est appliqué® à toutes les entrées 12&» 12b» 15 12c, de la ports "Hôl-ET8 (tous les commutateurs des sources d@ commande représentés ©n pointillés se trouvant alors ©n haut)t 1®® courants d®émetteur du transistor ï6^ sont nais, du fait le potentiel de collecteur du transistor Ï6^ est inférieur aus tiels d@ sas trois émetteurs# Il ®n résuit.® que le courant 12^ 20 fourni par la source'2^ circule à travers le circuit bas®-©®!!©©^* t@ur du transistor Ï6^ 9 connecté en direction d© passage p@«r ©@fe«» te- répartition de potentiel» vers la bas® du transistor ïêg# Ce courant 12^ amené au circuit base-émetteur du transist@r T6g cosmut© celui-ci» si bien que la quasi~totalité du courant ïSg 25 fourni par la source de courant-constant 2g s'écoule par le circuit eollecteur-éaettour du transistor T6g et que la tension swr la résistance de charge L s'abaisse à 0,1 ? environ. Âvêe ma f&e*» t@ur de sécurité de 2, le courant devant' être amené à cet ®£f@t à eiÇ g la bas© du transistor T6 n'est que d© 12g/-™■g~~» si o( ^ dé@iga« 30 le- facteur d'amplification du courant du transistor ïig" Etant donné que 1® courant aoaené à la basa du transistor Têp est égal à 12^ s le courant 12^ fourni par la source 2.j peut être inférieur de c / copy / fi H r,- ^ Q O7 o / i ^â,O ° 201 ?426 F-j du transistor T2^ ©t la surface d*émission 'S2 du transistor ¥22 devrait donc être égal à 1 s Il y a lieu de signaler à ce propos que les tensions de polarisation positives des émetteurs du transistor T6^ (en admettant 5 que les transistors T6^ et T62 sont des transistors s.u silicium couramment utilisés dans la technique des circuits intégrés) doi-vsnfc être d'au moins 0,6 V, afin qu'il soit certain que le courant Ï2 éa@tt©ur 15 du transistor ïS2 est certainement plus faible que la tension de polarisation des émetteurs du transistor T6^ et que, par suite, les circuits b as ®~é®s 11 sur du transistor f6^ sont connectés en direction de blocage» T,a tension d'alimentation du aontage entre les points 10 et 20 l 'î doi v Être d'autre part d'au moins i V environ, afin que la tension collecteur-émetteur du transistor TSg, qui est égale à la tension d'alimentation entre les points 10 et 11 diaiauée de la chute ds tension précitée créée par le courant 12^ sur les transistors T6.j et T6g ne puisse pas descendre au-dessous d® 0,2 Y. 25 Les raisons pour lesquelles la tension collecteur-émattenr deg transistors constituant les éléments Maintenant un courant constant ns doit pas descendre au-dessous de 0,2 Y ont été déjà exposées en même temps que les indications, générales concernant les sources de courant constant utilisées dans les montages selon 30 l'invention» Il faut signaler encore à ce propos que, dans, un groupe de transistors qui forment des éléments maintenant un courant constant et dont les circuits base-émetteur sont branchés en parallèle, chacun des autres transistors, ainsi que les courants qu'ils fournissent, est influencé lorsque la tension collecteur-35 émetteur de l'un d'eux s'abaisse au-dessous de 0,1 à 0,2 V environ et que le point de fonctionnement de ce transistor est déporté pour cette, raison dans la branche ascendante de la caractéristique -I,. ~ U,.-,o * . ... Lorsqu'une ou plusieurs des entrées 12a, 1-2b et 12_c sont &i~ r • COPY 69 15283 28. 2012426 ses au potentiel du conducteur neutre 10 (un ou plusieurs commutateurs des sources de commande représentées en pointillés se trouvant alors en bas), il circule au premier moment, à travers chacun des émetteurs réunis à ces entrées, un courant d'émetteur, et la 5 somme des courants d'émetteur est égale au courant de base du transistor 16^, multiplié par le facteur d'amplification de courant de celui-ci. Ces courants d'émetteur apparaissant au premier moment sont groupés par le collecteur du transistor T6^ et amenés à la base du transistor Tég. Ce courant de collecteur du transistor 10 T6.j ,ne circule cependant pas en direction du passage, mais en direction du blocage, à travers le circuit'base-émetteur du transistor T62, de sorte que ce dernier est bloqué par ce courant de collecteur prenant naissance au premier moment dans le transistor T6^ •t que ce courant de collecteur ne circule que jusqu'à ce que la 15 charge se soit écoulée de la base du transistor T62. L'intensité du courant de collecteur du transistor T6^ devient ensuite pratiquement nulle et le courant 12^ amené à la base du transistor T6^ - s'écoule en parties égales par les émetteurs du transistor T6^ reliés au conducteur neutre, cependant que le courant 122 fourni par 20 la source de courant constant 22 s'écoule en totalité & travers la résistance de charge L et produit dans celle-ci la tension de sortie ^«L, du fait que le transistor T62 est bloqué. Les Fig. 8 à 11 représentent plusieurs exemples de réalisation différents de montages électroniques selon l'invention, dont 25 chacun comprend un nombre croissant de multivibrateurs bistables, branchés en un réducteur de fréquence d'impulsion ou chaîne de comptage, les blocs 5 correspondant chacun au bloc 5 de la Fig. 5. Les divers montages reproduits dans les Fig. 8 à 11 se différencient l'un de l'autre par l'agencement des sources de courant 30 constant. Comme le montre une comparaison avec la Fig. 3, les sources de courant constant du montage selon la Fig. 8 sont agencées de la même manière que dans le montage de la Fig. 3, c'est-à-dire que chacune d'elles contient un élément T24 à T2 maintenant un cou- î n 35 rant constant et que n de ces éléments sont rassemblés en un groupe et reçoivent leurs tensions de référence d'une source de référence commune 1. Ce montage le plus avantageux en raison de sa structure simple et du nombre minimal de ses organes, peut être utilisé dans bad ORIGINAL" 69 15283 29. 2012426 tous les cas où le facteur d'amplification de courant des transistors T2., à T2 formant les éléments maintenant le courant constant i n est notablement supérieur au nombre n de ces éléments rassemblés en un groupe. Ainsi qu'il a été exposé plus haut, ce montage peut 5 être également utilisé lorsque le nombre n n'est pas ou n'est que légèrement supérieur au facteur d'amplification de courant des transistors T2^ à T2n, à la condition que la variation de la somme de toutes les intensités de base des transistors T2., à T2 à l'in- i n térieur de la plage de fonctionnement ou de la bande de variations 10 possibles de la température soit encore faible comparativement au courant de collecteur du transistor de référence T1. Il a été rappelé toutefois dès le préambule qu'au cours de la fabrication en technique "latérale" de circuits intégrés avec transistors complémentaires, les transistors de l'un des deux types de 15 conduction, savoir ceux qui sont utilisés comme éléments maintenant un courant constant dans les présents montages électroniques, possèdent des propriétés très différentes et, dans de nombreux cas, plus mauvaises que les transistors de l'autre type de conduction, en particulier sur le plan de l'amplification de courant. Dans des 20 cas semblables, il peut arriver que la condition la plus simple, suivant laquelle la variation précitée de la somme des intensités de base doit être faible par rapport au courant de collecteur du transistor de référence, ne soit pas remplie. Les montages représentés dans les Fig. 9 et 10 sont prévus 25 pour ces cas. Dans ces deux montages, le rapport entre les courants débités par les diverses sources de courant constant et les courants devant être amenés à ces sources par la source de référence est augmenté par adjonction d'un transistor supplémentaire à chaque source de courant constant, c'est-à-dire que le courant devant 30 être prélevé à la source de référence pour chaque source de courant constant est abaissée dans la même proportion. Dans le montage selon la Fig. 9, le courant de collecteur de chaque transistor T2^ à T2q formant un élément maintenant le courant constant est amené à cet effet à la base d'un transistor T2^ i c 35 à T2 de même type de conduction que les transistors commandés, ne et est amplifiée par ce transistor en série Ï2^ à T2 . Les émet- ne ne teurs des transistors en série T2., à T2 forment alors les sor- ic ne ties 2.j à 2fl des sources de courant constant. L'avantage qu'offre ce montage réside en ce que l'amplification de courant des transis- bad original 69 15283 30. 2012426 tors en série T2.,^ à T2__ est dans tous les cas relativement gran-i c ne de,'car ces transistors sont, à l'opposé des transistors T2^ à T2 constituant les éléments maintenant le courant constant, du même type de conduction que les transistors commandés, dont ils possè-5 dent par conséquent les mêmes bonnes propriétés. Ce montage est affecté néanmoins d'un inconvénient, dû à ce que les amplifications de courant de ces transistors supplémentaires T2-jo à T2n{j peuvent subir avec la température des variations qu'il est impossible de compenser. La tension appliquée sur les 10 circuits collecteur-émetteur des transistors T2i à T2 doit être, i c ne 7 d'autre part, d'au moins 0,3 à 0,4 V environ, alors que, dans le montage selon la Fig. 8, les tensions sur les circuits collecteur-émetteur des transistors T2^ à T2r n'ont pas besoin de dépasser 0,1 à 0,2 V, ce qui revient à dire que l'on dispose, pour les 15 transistors commandés, d'environ 0,2 V de tension de plus dans le montage de la Fig. 8 que dans le montage de la Fig. 9. Pour ces raisons, le montage représenté à la Fig. 9 ne peut être retenu que si l'amplification de courant des transistors T2^ à T2r est suffisamment faible pour que le carré de cette amplification soit eneo-20 re relativement petit. Il faut signaler, à propos du montage selon la Fig. 9, que le courant de référence amené par la résistance R à la source de référence 1 doit être approximativement de même valeur que les courants fournis par les diverses sources de courant constant 2^ à 2r et non pas seulement de la même valeur que les 25 courants de collecteur des transistors T2* à T2 . ! n Dans le cas contraire où le carré du facteur d'amplification des transistors formant les éléments maintenant le courant constant possède une valeur notable, il est préférable d'utiliser un montage du type représenté à la Fig. 10, dans lequel les deux 30 transistors T2^a et T2^, T2ga et ^2,^» etc, associés aux diverses sources de courant constant sont tous des éléments maintenant le courant constant et sont connectés en série par leurs circuits ba- se-émetteur. Les transistors T21o à T2_„ et T21v à T2. doivent 1 a na 1 b nb être dans ce cas, entre eux, d'un même type de conduction et d'un 35 type de conduction complémentaire de celui des transistors commandés et possèdent par conséquent les mêmes propriétés, mauvaises comparativement à celles des transistors command.és. Il en résulte que le montage de la Fig. 10 ne peut être utilisé lui-même dans des conditions avantageuses que si l'amplification de courant des BAD ORIGINAL^ 69 15283 »• 2012426 transistors T2^a à T2nft et à 12^ n'est pas si faible que le carré de l'amplification de courant des divers transistors et l'amplification de courant totale donnée par le montage en série des circuits basé-émetteur de deux de cestransistors est lui-même en-5 core trop faible. Si cette amplification totale est suffisamment grande, le montage selon la Fig. 10 est néanmoins notablement plus avantageux que celui de la Fig. 9, car les courants fournis par les sources de courant constant 2^ à 2fl ne dépendent pas des variations en fonction de la température de l'amplification de courant 10 des transistors à T2na et 72^ à T2n^, étant donné que ces variations sous l'effet de la température, sont compensées dans le montage de la Fig. 10. La tension minimale relativement élevée de 0,3 à 0,4 Y sur les circuits collecteur-émetteur des transistors T21b k T2„v qui est - pareillement nécessaire dans la forme repré-15 sentée à la Fig. 10 gu montage, peut être évitée en principe dans un montage agencé selon la Fig. 10; les collecteurs des transistor» T1^ et T2^a à T2na sont reliés à cet effet, non pas aux collecteurs de chaque transistor correspondant 11^ et T2^ à T2nfe, mais au conducteur neutre 10. Il faut néanmoins accepter, comme pertes et con-20 sommation supplémentaire de courant du montage, les courants de collecteur des transistors T1 et T2.,„ à 12^. La source de réfé- a la na rence 1 du montage selon la Fig. 10 doit être aménagée de la même manière que les diverses sources de courant constant, c'est-à-dire comporter comme celles-ci deux transistors T1ft et T1.^ branchés en 25 série par leurs circuits base-émetteur, afin que les caractéristiques de la source de référence et des diverses sources de courant constant, ainsi que des transistors de référence et éléments maintenant le courant constant contenus dans ces sources soient autant que possible identiques. 30 À propos des montages représentés dans les Fig. 9 et 10, il a été fait état de la possibilité d'augmenter le rapport entre les courants fournis par les diverses sources de courant constant et les courants devant être amènes par la source de référence aux diverses sources de courant constant, pour surmonter les difficultés 35 pouvant se présenter dans un montage tel que celui de la Fig. 8; un autre moyen pour remédier à ces difficultés consiste à réduire le nombre n des sources de courant constant constituant chaque groupe et raccordées à une source de référence commune. Pour un nombre fixé à l'avanc.e des sources de courant constant nécessaires BAD ORIGINAL 69 1S283 32. 2012426 au total, il faut donc subdiviser dans ce cas ce nombre prescrit de sources de courant constant en plusieurs groupes et associer à chacun de ceux-ci une source de référence distincte. Ce moyen peut être envisagé, notàakerit, lorsque le montage électronique comprend 5 plusieurs circuits intégrés, du fait que la source de référence, ainsi que le ou les transistors de référence adjoints à celle-ci, doivent être incorporés dans le même circuit intégré que les sources de courant constant qui leur sont reliées, ainsi qu'il a été déjà exposé. Afin qu'une telle subdivision des sources de courant 10 constant en groupes individuels plus petits à chacun desquels est associée une source de référence distincte ne s'accompagne pas d'une augmentation correspondante du nombre des résistances R servant à amener les courants de référence aux diverses sources de référence, il est avantageux d'amener à celles-ci les courants de 15 référence venant d'une autre source de courant constant et d'adjoindre une source de référence commune supplémentaire à ces autres sources de courant constant. La Fig. 11 représente un montage de ce type, dans lequel les sources de courant constant sont subdivisées en groupes, à chacun 20 desquels est associée une source de référence distincte 1^ à 1 ; les courants de référence sont amenés à chaque source de référence 1. à 1 par une autre source de courant constant 2'. à 2 Il va de soi que les groupes de sources de courant constant rassemblés dans les blocs 2, 2' peuvent être agencés sous l'une des formes sus-décrites, bien qu'il semble plus rationnel, pour le montage de la Fig. 11, d'aménager au moins le bloc 2' comme le 30 bloc de la Fig. 8. Les sources de référence 1 et 11 doivent être alors convenablement adaptées aux blocs 2 et 2', Il y a lieu de signaler à ce propos que les transistors de référence T1 dans les Fig. 3, 8 et 9 peuvent être remplacés dans certaines conditions par une diode connectée en direction du passage, et les deux tran-35 sis-tors de référence'dans la Fig. 10 par deux diodes en série, connectées en direction du passage. . " - En ce qui concerne les multivibrateurs bistables 5, contenus dans les Fig. 8 à 11 et groupés en un réducteur de fréquence d'impulsion ou chaîne de comptage, il faut noter que la fréquence de BAÙ ORIGINAL * 69 15283 2012426 commutation des divers étages réducteurs ou de comptage diminue du facteur 2 d'étage en étage. La fréquence de travail supérieure des multivibrateurs bistables 5 diminue par conséquent d'un multivibrateur au suivant tout au long du réducteur ou de la chaîne de 5 comptage. Or, il a été déjà exposé que le courant d'alimentation au moins nécessaire augmente avec la fréquence de travail supérieure, en raison des capacités parasitaires. Le courant d'alimentation amené peut donc inversement être réduit d'un étage réducteur ou d'un étage compteur à l'autre, et ce jusqu'à vin maximum de 50 % 10 du courant d'alimentation dans l'étage précédent. Pour un réducteur de fréquence à n étages, ou une chaîne de comptage à n étages, on peut ainsi obtenir au total une réduction de la consommation de courant d'au minimum deux n de la consommation pour un cou rant d'alimentation constant tout au long du réducteur ou de la 15 chaîne de comptage. Dans les montages électroniques selon l'invention, une telle diminution du courant d'alimentation peut être obtenue, ainsi qu'il a été déjà indiqué, par le fait que les surfaces d'émetteur des éléments maintenant le courant constant, qui sont contenus dans les sources de courant constant prévues pour 20 les divers multivibrateurs bistables, sont diminuées d'un étage réducteur ou compteur à l'autre dans la même proportion que le courant d'alimentation, cette diminution étant égale de préférence dans chaque cas à environ 30 à 50 % des surfaces d'émetteur des é~ léments associés à l'étage précédent pour maintenir le courant 25 constant. Il y a lieu de signaler enfin que la présente invention peut trouver application, non seulement dans des montages électroniques numériques comme dans les exemples de réalisation sus-décrits, mais aussi dans des montages électroniques linéaires. Ceci ressort 30 du simple fait qu'un multivibrateur bistable n'est au fond rien d'autre qu'un amplificateur couplé en réaction. On aboutit à la même conclusion si l'on considère que, dans un amplificateur linéaire, les sources de courant constant fournissent chacune les courants moyens aux électrodes raccordées des transistors commandés, 35 ainsi qu'il en est également pour les montages numériques selon les Fig. 5 et 7, et que les écarts entre les courants effectivement amenés à ces électrodes et ces intensités moyennes "doivent être considérés comme des modulations, provoquées par les signaux de commande appliqués aux entrées des transistors commandés. L'appliBAD ORIGINAL" 69 15283 2012426 cation de l'invention à des Montages électroniques linéaires proeu r@ par conséquent les mémos avantages que dans des montages numéri gués, tout au moins dans la technique des circuits Intégrés. r copv 69 15283 35- 2012426 » RE¥BIDICATXQgS. » 1 - Montage électronique comprenant un ou plusieurs circuits intégrés avec plusieurs transistors comandés de sôs© typ© d@ conduction, dont les courants de collecteur pouvant être modifiés par 5 des signaux de commande dans leurs circuits d© courant base=»émet~ teur ©t aux collecteurs desquels sont accouplées galvaniquement les résistances de charge raccordées ou les circuits base-émetteur fermant ces résistances, d©s transistors commandés qui leur sont reliée, caractérisé en ce que les collecteurs d'une partie au 10 moins des transistors commandés (T5-j ), ainsi que les cir cuits base-émetteur d'une partie au moins des transistors commandée T6.J ) sont raccordés à des sources de courant constant (2^-2 ), qui fournissent les courants de collecteur moyens d@s transistors comiaandés raccordés chacun par leur collecteur, 15 &insi que les courants moyens des résistances de charge connectées ou les courants do bas© moyens des transistors commandés raccordés 'chacun par leur circuit bas©-éiaetteur, et ©n ce que les sources de courant constant contiennent, comme éléments maintenant 1® courant constant, des transistors (T2^~T2^j ^2^) du type 20 d© conduction eoapléasataire de celui des transistors coms.&dés, ans circuits bas©-éeetteiar desquels est appliquée une tension de référence maintenant au soins approximativement constant le com-rant dans leur circuit collecteur-émetteur, et dont le courant circulant dans leur circuit collecteur-émetteur définit le courant 25 fourni par la source de courant constant9 cependant que les tensions de référence appliquées aux éléments maintenant constant 1® courant (T21-T2nj ï2iaîï21b"°T2na» T2nïP sont fournies Par une source de référence (1) commune à plusieurs ou à tous les éléments maintenant un courant constant dans le'miise circuit intégrép eha-30 cune de ces sources de référence produisant une tension de référence, dépendant de la température, sur les éléments connectés maintenant un courant constant, la variation de cette tension de référence avec la température ayant lieu dans le mime sens que la variation en fonction de la température de la tension devant ôtre 35 appliquée aux entrées de la tension de référence des éléments raccordés maintenant un courant constant pour des courants de collecteur indépendants de la température de ces éléments» 2 - Montage selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque source de référence (1 ) est constitué par une résistance * 69 15283 36 2012426 (T1 ; ^1^-) dépendant de la température et alimentée par un cou rant de référence au moins approximativement constant, résistance dont les variations relatives avec la température correspondent, au moins en première approximation, aux variations relatives avec 5 la température des résistances aux entrées de la tension de référence des éléments connectés maintenant un courant constant (T2^-T2n; T21ft, T2ii(j-T2nat T2n1|)), divisées par les facteurs d'amplification de courant des éléments considérés. 3 - Montage selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce 10 qu'il est prévu une source de référence commune (1) pour tous les éléments du montage maintenant un courant'constant. 4 - Montage selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit intégré et en ce que la résistance dépendant de la température, alimentée par un courant de référence au moins 15 approximativement constant et représentant la source dé référence commune est constituée par un ou plusieurs éléments semi-conducteurs (T1; T1a, T1jj), incorporés au circuit intégré. 5 - Montage selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que le courant de référence est amené à la résistance (T1; T1, 20 T1v) dépendant de.la température et représentant la source de ré-° commune, à travera une résistance férence/ohmique constante (R) à partir de la source d'alimentation en courant du montage (10, 11). 6 - Montage selon la revendication 5, caractérisé en ce que la valeur de la résistance ohmique constante (R) est supérieure à 25 celle de la résistance dépendant de la température "(T1 j T1 , T1i») & D à la température normale, et supérieure à cinq fois, de préférence à dix fois, la variation de la résistance dépendant de la température dans la plage de températures allant de 0 à 40*C. 7 - Montage selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce 30 que la résistance ohmique constante (R) est une résistance distincte, intercalée entre la source d'alimentation en courant (10, 11) du montage et les circuits intégrés auxquels elle n'est pas incorporée. 8 - Montage selon la revendication 7, caractérisé en ce que 35 les circuits intégrés contiennent seulement des éléments semi-con- ducteurs (T1, T2^, T2g, 15^15^, D5-|-D5^) à l'exclusion de toute résistance ohmique. 9 - Montage selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il est prévu plusieurs sources de référence "(1^-1 )-correspon- SAD ORIGINAL ^ 69 15283 37 2012426 dant chacune à un groupe d'éléments maintenant un courant constant. 10 - Montage selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs circuits intégrés et en ce que dans chaque circuit intégré tous les éléments maintenant un courant constant sont 5 rassemblés en un groupe, la source de référence du groupe ou la résistance dépendant de la température, représentant cette source et alimentée par un courant de référence au moins approximativement constant étant constituée par un ou plusieurs éléments semi-conducteurs incorporés dans le circuit intégré, cependant que le courant 10 de référence est amené de la source d'alimentation du montage à la résistance dépendant de la température à travers une résistance ohmique constante. 11 - Montage selon la revendication 10, caractérisé en ce que la résistance ohmique constante est incorporée au circuit intégré 15 auquel elle est associée. 12 - Montage selon la revendication 9» caractérisé en ce que les résistances dépendant de la température et représentant les somrces de référence sont raccordées chacune à une autre source de courant constant (2^,-2^,), qui fournit le courant de 20 référence pour la résistance raccordée dépendant de la température •t en ce que ces autres sources de courant constant contiennent, peur maintenir un courant constant, des transistors dont le type s*?" BAD ORIGINAL 69 15283 38. 2012426 13 - Montage selen la revendication 9 ou 12, caractérisé en ee que chaque groupe d'éléiaents maintenant un courant constant comprend plusieurs ©t de préférence tous les éléments maintenant un courant constant incorporés dans le mêse circuit intégré et ©n 5 ee que la source de référence (11-1_) associé© au groupe, ©u la ! M résistance dépendant de la teapérature et représentant cette source, est constitué© par un ou plusieurs éléments semi-conducteurs pareillement incorporés au nêiae circuit intégré. 14 - tëontag©- s@lon- la revendication 12 ©u les r@¥endieati©ae 10 12 et 13, caractérisé en ee que le courant fondamental ©gt amené d!b la ssiareo-d'alinestation du aantage (10s *11) à travers us© résistance ©taiqme constante (R1) à la résistance supplémentaire dépea-dant do la température et représentant l'autre source de référence. 15 - Montage selon la revendication 14, caractérisé en ce que 15 la valeur de la résistance ohmique constant© (Rf) est, à la teap • rature normale, supérieure à celle de la résistance supplémentaire dépendant de la température et supérieure do cinq 'fois» do préfé«« rene© de dix fois à la variation do cette résistance supplfessoBi*» re dans la plage de teapératuresd© 0®C à 4©°G«, 20 1S «= Montage selen la revendicatiesi 14 ©u 15, caraetérisé es eo 1g résistance ©taiq®e constant® (R8) est une résistaae® distineto, interealâe entïe la source d'alioentation or» @©ar&sfc (10? 11) d® montage et les circuits intégrés dans lesquels ello n'est pas incorporé©. 25 17 •=> Mentage selon la revendication earaetérisé ©n c© çpo ?' " les circuits intégrés contiennent seulement* des élfoeato Eomi«»0on«=» dueteurs à 1'exelueion de toute autre résistance ©talquée 18 - Montage- ®3l©n l'an© des revendications 1 à 1?5 ©araeté« risé en ee qu'une partie au moins des? sources de courant e©asfeaat 30 contient, conae éléments eaintenant le courant constants un traa-; > sister (ï2^=ï2n) ©t en ee que les circuits base-émetteur de tous les transistors formant les éléments Maintenant un courant e@ns=-tant et raccordés à la îaôae source de référence sont cormeetés ©a parallèle. 35 19 - Montage selon la revendication 18p caractérisé en ee que ' " les dissensions des surfaces d'émission des transistors (ï2^,-T2 ) t u maintenant le courant constant et contenus dans.les diverses sources de courant constant sont dans le môee rappert relatif que los intensités des courants devant être prélevés sur los sources de COPY Si*:.. 69 1S283 »• ;• , ; courant constant (2^-2 | 2^t^2^). 20 - Montage selon la revendication 18 ou,. 19s caractérisé en ce que les collecteurs des divers transistors (T2..-T2 ) feraant les I H. éléments maintenant un courant constant constituent les- sorties 5 (2-~2 : 2^.-2 ,) des différentes sources d© courant constant aux-M B T ÏS' quelles sont raccordés les éléments du montage.qu1elles alimentent en courant. . . 21 - Montage selon la revendication 18 ou 19? caractérisé ©n ce que les collecteurs des divers transistors (T2^~>T2n) formant les 10 éléments maintenant un ceurast constant sont reliés chacun à l'électrode de base d'un transistor coapléisontaire (T2-je-ï2ae) ampli» fiant le courant constant de collecteur aaené ©t en ce que l@s é-isettemrs d© ces transistors amplifiant le courant coastaât d@ collecteur amenés constituent les sorties (2^~2n) des diverses sources. ! 15 de courant constant, auxquelles sont raccordés les éléments du montage qu'elles alimentent. 22 - Montage selon l'une des revendications 18 à 21ç caractérisé en ce que les diverses résistances dépondant d® la température et représentant les sources de référence ( 11 ^•j~*1jaî 1') sont for- j 2Q aées chacune d'un transistor (ï^) dont l'ésetteur constitue l'un dos piles et dent les collecteurs et hases interconnectés constituent l'autre pôle d© la résistance dépendant de la température,-cependant qu'au circuit base-émetteur de ce transistor sont-braa-ehés en parallèle les circuits base-émetteur montés en parallèle 25 des transistors raccordés (T2^~T2 ) qui forment les éléments main- t tenant un courant constant et que le type de conduction dudit ; transistor est le sème que celui de ces transistors raccordés ; (12.~Î2 ) formant les éléments maintenant le courant constant, le x 1 n transistor (T^ ) étant incorporé de préférence au mêsae circuit in-30 bégré que ces transistors raccordés (T2.|~T2 ) formant les éléments maintenant un courant constant. 23 - Montage selon l'une des revendications 18 à 21, caractérisé en ce que les diverses résistances dépendant de la température et représentant une source de référence sont constituées chacu- 35 ne par une diode à laquelle sont raccordés en parallèle les circuits base-émetteur connectés en parallèle des transistors formant les éléments maintenant. un-courant constantdiode „qui-.laisse passer le courant dans la même direction que ces;circuits-;bas©-émet-= teur connectés en parallèle ©t..est-Incorporée de?préférence au r * COPY 69 15283 40 2012426 même circuit intégré que les transistors qui forment les éléments maintenant un courant constant et sont raccordés à ladite diode. 24 - Montage selon l'une des revendications 18 à 21, caractérisé en ce que les diverses résistances dépendant de la températu- 5 re et représentant une source de référence sont constituées chacune par le montage en parallèle des résistances d'entrée aux circuits base-émetteur branchés en parallèle entre eux, des transistors (T2^-T2n) formant les éléments maintenant un courant constant. 25 - Montage selon l'une des revendications 1 à 17, caracté-10 risé en ce qu'au moins certaines des sources de courant constant contiennent chacune, comme éléments maintenant un courant constant, deux transistors (T2-ja, T2^-T2na, 12^), dont les circuits base-émetteur sont connectés en série et en ce que les montages en série des circuits base-émetteur de toutes les sources de courant 15 constant raccordées à une même source de référence sont branchés en parallèle, cependant que les collecteurs des divers transistors dont l'émetteur constitue l'un des pôles du montage en série, forment les sorties (2^-2^ 2^-2^,) des diverses sources de courant constant auxquelles sont raccordés les éléments du mon-20 tage qu'elles alimentent en courant. 26 - Montage selon la revendication 25, caractérisé en ce qu'au collecteur de chaque transistor dont l'émetteur forme l'un des pôles de chaque montage en série est raccordé le collecteur du transistor (T21a-T2na) dont la base forme l'autre 25 pôle de ce montage en série. 27 - Montage selon la revendication 25 ou 26, caractérisé en ce que les dimensions des surfaces d'émission des transistors (T2^-T2n^) contenus dans les diverses sources de courant constant et dont l'émetteur forme l'un des pôles du montage en série, sont 30 dans le même rapport que les Intensités des courants devant être prélevés sur les sources de courant constant (21-2r) et en ce qu'il en est de préférence de même des dimensions des surfaces d'émission des transistors (T21 -T2„o) contenus dans les diverses sour- I cl HeL ces de courant constant et dont la base forme l'autre pôle du mon-35 tage en série. 28 - Montage selon l'une des revendications 25 à 27, caractérisé en ce que les diverses résistances dépendant de la température et représentant les sources de référence (1; 1..-1 ) sont cons- I s tituées chacune par deux transistors (Tla, T1fe) à circuits base- BAD ORIGINAL 69 15283 41 2012426 émetteur branchés en série, dont l'émetteur situé à l'une des extrémités des circuits base-émetteur en série forme l'un des pôles et dont la base située à l'autre extrémité des circuits base-émetteur en série forme, arec le collecteur du transistor (T1^) dont 5 l'émetteur constitue l'une des extrémités des circuits base-émetteur en série, l'autre pôle de la résistance dépendant de la tempé rature, cependant qu'aux circuits base-émetteur, en série de ces deux transistors sont raccordés en parallèle les montages en série précités, branchés en parallèle entre eux, des circuits base-émet-10 teur des transistors raccordés (T2^a, T2ll3-T2na, T2n^) formant les éléments maintenant le courant constant, et que le type de conduction des deux transistors (T 1 a, ®st le même que celui de ces transistors raccordés maintenant un courant constant et que les-dits transistors (T1&, Tl-^) sont incorporés de préférence dans le 15 même circuit intégré que les transistors raccordés (T2^a, T2^- T2 . T2 , ) formant les éléments maintenant le courant constant, lia. no 29 - Montage selon la revendication 28, caractérisé en ce que dans le cas des résistances distinctes dépendant de la température le collecteur du transistor (T1_) dont la base forme l'une des ex- cl 20 trémités des circuits base-émetteur en série est raccordé au collecteur du transistor (Tl^) dont l'émetteur forme l'autre des extrémités des circuits base-émetteur en série. 30 - Montage selon l'une des revendications 25 à 27, caractérisé en ce que chacune des résistances dépendant de la température 25 et représentant une source de référence est constituée par deux diodes en série, auxquelles sont branchés en parallèles les montages en série précités, connectés en parallèle entre eux, de3 circuits base-émetteur des transistors raccordés formant les éléments maintenant le courant constant, diodes qui laissent passer le cou-30 rant dans la même direction que ces montages en série de deux circuits base-émetteur branchés en parallèle et qui sont incorporées de préférence dans le même circuit intégré que les transistors raccordés à ces diodes et formant les éléments maintenant un courant constant. 35 31 - Montage selon l'une des revendications 25 à 27, caracté risé en ce que chacune des résistances dépendant de la température et représentant une source de référence est formée du montage en parallèle des résistances d'entrée avec les divers montages en série, branchés en parjallèle entre eux, des circuits base-émetteur BAD ORIGINAL 69 15283 des transistors (T2^9 T2^-ï2 s un courant constant. 32 - Montage selon l'une des revendications 1 à 31 f caractérisé en ce qu'une partie au moins des transistors commandés (ï5^™ 5 r£5â) forme les éléments de commutation comraandables de multivibra- *r teurs bistables (5) qui comportent chacun quatre transistors commandés (ï5^~T5^)9 dont deux (T5^vî T5^) sont associés à un premier étage et deux (Ï52? ^5^-) au deuxième étage de commutation du multivibrateur bistable9 dont chacun comprend en deux sources 10 d© courant constant (2^? 2g) à l'une desquelles (2^) sont raoeor-» dés les collecteurs des deux transistors commandés (T51, T5V) du premier étage du mul t i v i b r a t sur bistable ©t la base de 1 ' tin (ï5g) des deux transistors associés au deuxièia© étage de commutation, ainsi qu©y à travers une diode (D5-j ) branchés en direction d® pas~ 15 sage du courant, la base de l'un (T5j) des deux transistors associés au premier étage de commutation, tandis qu'à l'autre somre® de courant constant (22) sont raccordés les collecteurs des deux transistors {T529 T5^ ) associés au deuxième étage de commutâtiea et la bas© de l'autre transistor (ï5-j ) associé au pretaigr étage é© 20 commutation, ainsi qu®, à travers une diode (D5g) branché® ©n direction de passage du courant, la bas© d© l'autre transistor (Î5A) associé au deuxième étage d© commutation, cependant que les émetteurs des quatre transistors commandés (Ï3^~'Ï5^)9 faisant parti© d'un même multivibrateur bistable sont interconnectés et qu'est?® 25 le point de jonction (10) des quatre émetteurs et un point d© connexion (12) relié aux deux électrodes de base su moyen d© diodes (D5-jy D5/j) raccordées aux sources de courant constant (2^? 2g) par 1'intermédiaire de diodes (D575 D5/) agissant en capacités et J T- brajachés en direction de blocage, se trouve l'entrée d® commande 30 (12j 10) du multivibrateur bistable,, dont la sortie (13, 10) est reliée au circuit collecteur-émetteur de l'un (T5g) ^0S quatre transistors commandés (T5-] ~T'5^ ) ° 33 - Montage selon la revendication 32, caractérisé par une série de multivibrateurs bistables (5) groupés en un réducteur d® 35 fréquence d'impulsion ou en une chaîne de comptage, les divers m u11 i v i b ra t e ur s bistables (5) formant chacun un étage réducteur ou compteur et la sortie (13) de chaque multivibrateur bistable (5) étant reliée à l'entrée de commande (12) du multivibrateur bistable (5) formant l'étage réducteur ou compteur suivant» 42, 21 ^ -i 1 14 là COPY 69 15283 45 • 20124^ 34 ~ Montage selon la revendication 33? caractérisé en ce que les dimensions des surfaces des émetteurs des transistors formant les éléments maintenant un courant constant (T2^-T2n; T2^a,T2^-- 12 ç 12 , ) dans les sources ds courant constant associées aux laul-na* rih 3 tivibrateurs bistables (5) vont en diminuant d'un étage réducteur s l'autre le long du réducteur de fréquence, ou d'un étage de comptage à l'autre dans la chaîne de comptage» cette diminution d'un étage à l'autre étant de préférence égale à 30 - 50 % d© la dimension de surface d@ .l'étage précédent» 10 35 - Montage selon l'une des revendications 1 à 31{ caracté risé en ce qu'une partie au moins des transistors commandés (T6^ t TSp) foras las éléments commandés de portes "NON-ET" à chacune desquelles appartiennent deux sources ds courant constant (2^, 2g) et deux transistors coiamandés (T6^, TSg) dont l'un ®s^ un transis-» 15 tor à plusieurs* émetteurs ) et l'autre un transistor normal à trois électrodes (Tôg)} la base du transistor à pliisieurs émetteurs (T6.j) étant reliée à l'une (2^) des deux sources de courant constant et le collecteur -du transistor à plusieurs émetteurs (ï5.j ) a la basa d-s l'autre transistor (TGg)? dont le collecteur 20 est raceoï. dé à l'autre source de courant constant .(2^) cependant qu'entre l'émetteur du transistor no mal (Tôg) et les divers émetteurs du transistor à plusieurs ésiett®urs (ÏS^ ) se trouvent les entrées (12a9 12h9 12cs 10) de la porte "NOM-SÏ5*, dont la sortie (13® 10) est reliée au circuit collecteur-émetteur de l'autre 25 transistor (ïôg). * copy * il