Brevet FR2005564A1 — publié le 19691212

î 2005564 Les impératifs concernant la fréquence de fonctionnement et la puissance de sortie de transistors à haute fréquence et à haute puissance deviennent de plus en plus sévères et il est devenu nécessaire de disposer de transistors capables de fournir 5 une puissance élevée, par exemple de 10 watts, dans la bande des UHF (ou ondes décimétriques). Mais, lorsqu'un transistor conduit une puissance électrique importante de l'ordre de grandeur définie plus haut, il se produit dans la région de base une chute de tension due a la résistance de cette région et au courant de 10 base et il en résulte une concentration du courant d'émetteur dans la partie périphérique de l'émetteur la plus proche de la base. Ce phénomène est appelé "effet de concentration périphérique d'émetteur" et il se manifeste en particulier dans un 15 transistor à haute fréquence et à haute puissance lorsqu'il fonctionne dans une plage de hautes fréquences où le coefficient d'amplification de courant d'émetteurs mis à la masse est voisin de 1. Pour qu'un transistor puisse avoir une grande puissance, 20 il est nécessaire qu'il conduise un courant élevé mais, du fait de l'effet de concentration sur bord d'émetteur mentionné plus haut, même si la surface de l'émetteur est simplement élargie, non seulement la partie centrale de la région d'.émetteur devient une partie inefficace contribuant peu à l'injection de courant 25 mais également, en particulier dans un transistor à haute fréquence et à haute puissance, une grande surface d'émetteur altère les performances du transistor. Ceci s'explique par le fait qu'une grande surface d'émetteur se traduit par une capacité plus grande de la jonction d'émetteur, ce qui provoque une 30 augmentation de la région de base et une plus grande capacité de la jonction de collecteur, tous ces facteurs contribuant à altérer les caractéristiques de fréquence du transistor. En conséquence, dans des transistors récents à haute fréquence et à haute puissance, pour augmenter la longueur de la 35 partie périphérique de l'émetteur (qui sera appelée dans la suite "longueur périphérique d'émetteur") sans augmenter excessivement la capacité de jonction, la région d'émetteur est divisée en plusieurs bandes ou en un certain nombre de petits îlots et ces bandes ou îlots sont répartis dans la région de base. Ces deux 40 méthodes sont déjà bien connues et la première est dite du type W 10473 2 2005564 "interdigitalw tandis que la dernière est dite du type "overlay". En outre, on a récemment mis au point un transistor à haute fréquence et à haute puissance dans lequel la région d'émetteur est réalisée sous la forme d'un réseau plan. 5 Dans les types précités de transistors, la région d'émetteur doit avoir des dimensions aussi réduites que possible. Ceci s'explique par le fait que, dans une région d'émetteur de grande étendue, comme signalé plus haut» la partie centrale est inefficace mais, lorsque cette région d'émetteur est divisée en 10 un certain nombre de parties et lorsque ces parties sont dispersées dans la région de base, la longueur périphérique d'émetteur peut être fortement accrue sans modification de l'étendue totale de la région d'émetteur. Il va de soi que plus les dimensions des zones de subdivision sont réduites, plus la 15 longueur périphérique d'émetteur peut être augmentée. Dans le procédé classique, lors de la fixation d'électrodes sur des régions de base et d'émetteur des différents types de transistors décrits plus haut, des trous sont formés à l'avance dans les parties requises d'une pèllicule protectrice recouvrant 20 la surface de la pastille semiconductrice et une mince couche d'un métal tel eue de l'aluminium est déposée par évaporation sous vide pratiquement sur toute la surface de la pellicule protectrice puis cette mince couche métallique est enlevée partiellement par photo-corrosion et l'émetteur est séparé de la base. En consé-25 quence, ces deux électrodes sont situées dans un même plan et une isolation entre les deux électrodes est établie seulement dans ce plan. Dans une telle structure d'électrodes, il est inévitable que, lorsque les dimensions de la région d'émetteur diminuent, 30 la largeur des électrodes diminue également et que les formes des électrodes deviennent aussi plus compliquées. En conséquence, le procédé de formation des électrodes par corrosion nécessite une précision élevée et il devient difficile à appliquer, et en outre la résistance des él.ectrodes prend une valeur non négli-35 geable. Par exemple, dans un transistor du type interdigital, plus la forme de la région d'émetteur devient longue, plus le profil d'émetteur doit être allongé pour empêcher la chute de tension provoquée par la résistance de la région de base sus-40 mentionnée, et il est alors nécessaire de placer la base aussi É> 3 2005564 près que possible de la partie périphérique de la région d'émetteur, de sorte que le profil de la base s'allonge également. L'épaisseur de ces électrodes est haoituellement de deux microns de sorte que, si leur forme s'allonge, une résistance considé-5 rable est engendrée et introduit une chute de tension importante* D'autre part, dans un transis cor du type "overlay", un certain nombre de petites régions en forme d'îlots de l'émetteur seule divisé (et qui seront appelés dans la suite "petits îlots d'émetteur") sont toutes reliées entre elles et en parallèle 10 par l'électrode d'émetteur, mais puisque l'électrode de base et l'électrode d'émetteur sont situées dans un même plan, la forme des deux électrodes n'est pas fortement différente de la forme des électrodes du transistor du type interdigital, c'est-à-dire que ces deux électrodes deviennent minces et longues et s'imbri-15 quent mutuellement l'une dans l'autre. En conséquence, il se pose pour un transistor du type interdigial. le même problème que pour un transistor du type overlay. En plus du problème décrit, le transistor du type overlay présente le problème suivant. Du fait que les petites régions 20 d'émetteur sont reliées en parallèle par l'émetteur, une partie considérable de la région de base est recouverte par l'émetteur. En conséquence, une électrode métallique ne peut pas être fixée sur cette partie de la région de base. Pour cette raison, dans un transistor de ce type, une couche diffusée de faible résistivité 25 (qui sera appelée "matrice conductrice") présentant le même type de conductivité que la région de base est prévue entre les petites régions d'émetteur et cette matrice est utilisée comme électrode de base. Mais, puisque cette matrice conductrice est une couche diffusée se composant d'un semiconducteur, sa ré-30 sistivité est supérieure d'environ trois ordres de grandeur à celle d'un métal tel que par exemple l'aluminium, et par conséquent on rencontre l'inconvénient que la résistance de base devient élevée. En outre, si la matrice conductrice entre en contact avec la région d'émetteur, la caractéristique du transis-35 tor est altérée et par conséquent cette matrice conductrice doit être écartée d'une certaine distance des petites régions d'émetteur. Pour cette raison, il est nécessaire de prévoir une surface supplémentaire dans la région de base et par conséquent il en résulte l'inconvénient que la capacité de la jonction de collec-40 teur devient élevée. Un autre inconvénient de ce transistor, par 69 10473 4 2005564 . comparaison à des transistors d'autres types, est qu'il nécessite une phase supplémentaire de diffusion pour la formation de la matrice conductrice. Dans un transistor présentant une région d'émetteur de 5 forme réticulée, la matrice conductrice décrite plus haut n'est pas nécessaire, mais, dans ce cas, les parties de la région de base qui se trouvent dans les mailles de l'émetteur sont branchées en parallèle par l'électrode de base et en conséquence une partie de la région d'émetteur est masquée par l'électrode de 10 base et l'électrode d'émetteur ne peut pas être fixée sur ladite partie de la région d'émetteur. La résistivité de la région d'émetteur est inférieure à celle de la région de base mais, lorsque la région ù'émetteur est extrêmement étroite, la résistan ce présentée par cette région devient non-négligeable et, pour 15 cette raison, une chute de tension est engendrée par cette résistance et par le courant d'émetteur passant dans la partie de la région d'émetteur qui est espacée de l'électrode d'émetteur et on ne peut pas obtenir une injection suffisante de courant. L'invention concerne un transistor comprenant une 20 pastille semiconductrice, une région de base formée sur une surface de la pastille et d'une conduction de type opposé à celui de la pastille, une région d'émetteur formée dans ladite région de base et présentant le même type de conduction que la pastille, une première pellicule isolante recouvrant et protégeant ladite 25 surface, une première couche conductrice déposée sur la pellicule une seconde pellicule isolante déposée sur la première couche conductrice ainsi qu'une seconde couche conductrice déposée sur la seconde pellicule isolante. La première couche conductrice est en contact ohmique avec une des deux régions, par exemple 30 la région de base sur la surface de la pastille par l'intermédiaire de trous ménagés dans la première pellicule isolante tandis que la seconde couche conductrice est en contact ohmique avec l'autre région, par exemple la région d'émetteur, par pénétration à travers les deux pellicules isolantes. La première 35 pellicule isolante recouvre et protège la surface de la pastille tandis que la seconde pellicule isolante est disposée entre les deux couches conductrices et isole ces deux couches l'une de l'autre. La partie de la seconde couche conductrice qui pénètre au travers de la première pellicule isolante est isolée de la 40 première couche conductrice par ladite première pellicule iso 69 10473 5 2005564 lante. Suivant un mode de réalisation préféré de l'invention, la première couche conductrice est constituée d'un métal tandis que la seconde couche conductrice est formée d'une matière de haute 5 résistivité. La première couche conductrice constitue l'électrode de base. Une couche d'un métal de faible résistivité est en outre déposée sur la seconde couche conductrice de manière à former l'électrode d'émetteur. La partie de la seconde couche conductrice se composant d'un semiconducteur augmente la ré-10 sistance-série de la région d'émetteur de façon à empêcher une concentration locale du courant d'émetteur. Suivant une autre caractéristique de l'invention, les première et seconde couches conductrices sont toutes deux constituées de métaux. Dans ce cas, il n'est pas nécessaire de prévoir 15 de matrice conductrice même si la région d'émetteur est divisée en un certain nombre d'îlots, ceci parce qu'il est possible de placer l'électrode de base suffisamment près des petites régions d'émetteur en forme d'îlots. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention 20 seront mis en évidence dans la suite de la description, donnée à titre d'exemple non-limitatif, en référence aux'dessins annexés dans lesquels : Les fig. 1 à 7 sont des vues en plan montrant le procédé de fabrication d'un transistor selon l'invention. 25 La fig. 8 est une coupe faite suivant la ligne A-Ar de la fig. 7. Les Fig. 9 à 14 sont des vues en plan montrant le procédé de fabrication d'un autre transistor selon l'invention. La fig. 15 est une coupe faite suivant la ligne B-B' de 30 la fig. 14. L'invention peut être mise en pratique en utilisant comme matériau un semiconducteur quelconque d'un type de conduction quelconque mais, pour simplifier, on va décrire des procédés de fabrication d'un transistor selon l'invention en utilisant une 35 pastille formée de silicium de type-n. La fig. 1 montre l'état, précédant immédiatement l'opération de fixation d'électrodes, d'un transistor à haute fréquence et à puissance élevée présentant une région d'émetteur de forme réticulée. Sur le dessin, une région de base 2 de type^-p et une 40 région d'émetteur 3 de type-n et de forme réticulée sont consti fe 6 2005564 tuées sur une surface d'une pastille de silicium de type-n (qui sera appelée dans la suite "substrat") désignée par 1. Lorsque le substrat présente un type de conduction p, la région de base a une conduction de type-n et la région d'émetteur une conduction 5 de type-p. Sur le dessin, le nombre des mailles de la région d'émetteur a été choisi égal a seize mais il va de soi que ce nombre peut être modifié, comme cela est bien connu. La partie de la surface du substrat 1 sur laquelle les deux régions sont formées est complètement recouverte d'une 10 pellicule de matière isolante, telle que par exemple du bioxyde de silicium (SiOg), non représentée sur le dessin. En dehors du Si02, on peut utiliser pour constituer cette pellicule toute matière isolante employée pour protéger une jonction pn dans le domaine des transistors planar classiques, par exemple du nitrure 15 de silicium et d'autres substances. Le substrat 1, comme cela a été mis en évidence dans la vue en coupe, comprend des couches supérieure et inférieure de résistivités différentes mais une telle structure de substrat a été auparavant adoptée dans des transistors à haute fréquence et 20 à haute puissance et ne constitue pas l'essentiel de l'invention, de sorte qu'on peut également utiliser une pastille semiconductrice homogène comme substrat sans sortir du cadre de l'invention. Des trous de fixation d'électrodes sont ménagés dans les parties nécessaires de la pellicule isolante. Les cercles in-25 diqués sur la fig. 1 montrent les positions des trous et on a désigné par 2a., 2b, 2ç ... et 2g, 2g, ... des trous de fixation de l'électrode de base et par 3 35 De l'aluminium est déposé, comme indiqué en 4 sur la fig. 2, sur la pellicule isolante du substrat par évaporation sous vide et cette couche d'aluminium 4 est en contact ohmique avec les parties dé la surface du substrat qui sont dégagées au fond des trous. Ainsi, dans la forme de réalisation considérée, 40 la couche d'aluminium 4 est en contact ohmique simultanément 69 10473 7 2005564 avec la région de base 2 et avec la région d'émetteur 3 mais il est également possible d'établir un contact ohmique séparément avec lesdites régions. Dans le dernier cas, on peut également employer des matières de natures différentes. 5 Comme indiqué sur la fig. 3, des parties de la couche d'aluminium 4 situées immédiatement au dessus des trous 3a, 3b, 3ç ... de l'électrode d'émetteur sont enlevées par corrosion. Cependant, dans la forme de réalisation représentée sur le dessin, la surface des parties enlevées est légèrement supérieure à celle 10 des trous et de l'aluminium est laissé à l'intérieur des trous, comme indiqué en 5a,, 5b, 5£ ... Il est également possible d'enlever complètement l'aluminium à l'intérieur des trous et on peut aussi former d'abord seulement l'électrode de base puis l'électrode d'émetteur séparément de l'électrode de base. En parti-15 culier lorsque les dimensions de la région d'émetteur sont extrêmement petites, il est souhaitable de déposer une matière semi-conductrice présentant le même type de conduction que la région d'émetteur sur la pellicule isolante par évaporation sous vide avant de former l'électrode d'émetteur et d'établir un contact 20 ohmique entre ce matériau semiconducteur et la région d'émetteur au travers des trous pour l'électrode d'émetteur. Cette disposition élimine le risque d'altération du fonctionnement du transistor même si la jonction d'émetteur est recouverte par le semiconducteur déposé. 25 Ensuite, comme indiqué sur la fig. 4, une pellicule isolante 6 est déposée sur la couche d'aluminium 4. Cette pellicule isolante peut être formée par exemple de monoxyde de silicium SiO et elle est déposée par évaporation sous vide. En dehord du SiO, on peut également utiliser du Si02 ou du nitrure 30 de silicium et il est possible de déposer le Si02 par décomposition thermique d'une substance organique a base de silicium ou bien par bombardement. Cette pellicule isolante 6 sera appelée dans la suite "seconde pellicule isolante" du fait qu'elle est déposée sur la 35 pellicule de Si02 décrite plus haut en référence à la fig. 1 et sur la couche d'aluminium 4 tandis que la pellicule de Si02 située sous la couche d'aluminium 4 sera appelée dans la suite "première pellicule isolante". Comme indiqué sur la fig. 4, les parties périphériques de la couche d'aluminium 4 ne sont pas 40 recouvertes de matière isolante mais sont à nu de façon I servir 69 10473 8 2005564 pour connecter un conducteur a l'électrode de base. Ensuite, des parties de la seconde pellicule isolante 6 situées immédiatement au dessus des trous (3a., 3b, 3c ... fig. 1) en vue de la fixation de l'électrode d'émetteur sont enlevées 5 par corrosion et des parties de la couche d'aluminium (5a, 5b, 5c ..., fig. 3) situées à l'intérieur des trous sont dégagées au fond des trous nouvellement formés. A cet égard, il est souhaitable que le diamètre des trous 7a, 7b, 7c ... formés dans la seconde pellicule isolante soit choisi approximativement 10 égal au diamètre des trous de fixation de l'électrode d'émetteur. Après corrosion de la seconde pellicule isolante 6, une matière conductrice de haute résistivité est déposée sur cette pellicule de façon à obtenir une couche 8 indiquée sur la fig. 6. 15 La couche d'aluminium 4 déposée en premier sera appelée dans la suite "première couche conductrice" et la couche conductrice 8 précitée, formée d'une matière de haute résistivité, sera appelée "seconde couche conductrice".. Cette seconde couche conductrice est prévue pour augmenter la résistance-série de la 20 région d'émetteur et il est par conséquent souhaitable d'utiliser une matière présentant une résistivité au moins égale à 10ohms pour former cette seconde couche conductrice. Dans la forme de réalisation considérée, on utilise par exemple du silicium de type-n d'une résistivité de 0,1 ohm/cm. La seconde couche 25 conductrice peut être déposée par évaporation sous vide, ou bien par bombardement, ou bien par croissance épitaxiale. Ensuite, comme indiqué sur la fig. 7, une couche métallique 9 est formée pratiquement sur toute la surface de la seconde couche conductrice 8, cette couche étant constituée de 30 silicium et étant déposée par évaporation. Dans la forme de réalisation considérée, il n'est pas nécessaire de régulariser la forme de la couche métallique 9 par corrosion et en conséquence on peut utiliser pour cette couche une matière qui n'a pas besoin de présenter une bonne aptitude à la corrosion et en 35 outre l'épaisseur de cette matière peut être choisie assez forte. Dans la forme de réalisation considérée, on utilise pour constituer la couche 9 de l'or (Au) et l'épaisseur de^la couche déposée par évaporation est réglée à une valeur légèrement supérieure à 5 microns. On peut également utiliser de l'aluminium à 40 la place de l'or et, outre ces deux métaux, presque tous les 6 9 2005564 métaux tels que l'argent, le platine, le nickel, le molybdène, le titane et le tantale. Cette couche d'or est prévue pour donner à toute la surface de la seconde couche conductrice qui est parallèle à la 5 surface du substrat pratiquement le même potentiel. En conséquence, il est souhaitable que la couche d'or 9 s'étende sur presque toute la surface de la seconde couche conductrice 8. Le processus de fabrication d'une pastille de transistor est terminé par l'opération précitée et la pastille de la fig. 7 10 est ensuite placée et fixée solidement sur un socle,des électrodes sont reliées aux fils du socle et l'ensemble est scêllé hermétiquement de façon a former un dispositif semiconducteur complet. Dans ce dispositif, la couche d'or 9 constitue l'électrode d'émetteur et la couche d'aluminium 4 l'électrode 15 de base. La fig. 8 est une coupe faite suivant la ligne A-A* de la pastille de la fig. 7 et cette figure montre que la seconde pellicule isolante 6 est située entre la première couche conductrice, c'est-à-dire l'électrode de base 4, et la seconde 20 couche conductrice 8 (se composant de silicium) tandis que la partie inférieure de la seconde couche conductrice est séparée de l'électrode de base 4 par la première pellicule isolante 10. Pour cette raison, bien que les deux couches conductrices aient toutes deux une grande surface et se présentent sous forme de 25 simples plaques, ces deux couches sont complètement isolées l'une de l'autre. Le substrat 1 comprend deux couches, à savoir une couche supérieure la. de haute résistivité et une couche inférieure lb de faible résistivité, la région de base 2 et la région d'émetteur 3 étant formées sur la couche supérieure la., mais 30 cette structure de substrat n'a aucun effet limitatif sur l'invention. Le transistor auquel s'applique l'invention présente des avantages basés sur la structure des électrodes, comme cela sera précisé dans la suite. 35 Dans la pastille de transistor représentée sur les fig. 7 et 8, des parties verticales 8a, 8b, 8ç ... de la seconde couche conductrice sont en contact ohmique avec la région d'émetteur par l'intermédiaire des trous 3a, 3b, 3ç étroitement espacés les uns des autres dans la seconde pellicule isolante 6. Ceci signifie 40 que des résistances sont intercalées entre les points de contact 69 10473 10 2005564 de la région d'émetteur et de l'électrode d'émetteur 9. Sous l'effet de ces résistances, un courant de contre-réaction est appliqué aux points de contact et on peut par conséquent obtenir une stabilisation du courant et une uniformisation de la densité 5 de courant entre des points localisés de la région d'émetteur. L'effet précité peut être obtenu d'une façon plus ou moins homogène lorsqu'on utilise pour former la seconde couche conductrice un métal de haute résistivité mais on peut obtenir de meilleurs résultats lorsqu'on utilise pour former ladite couche 10 un semiconducteur tel que du silicium, du germanium ou de l'arséniure de gallium. Ceci sera décrit de façon plus détaillée dans la suite. En général, un courant passant dans un semiconducteur est saturé lorsque le champ électrique dans le semiconducteur atteint 15 une certaine valeur. Par exemple, lorsqu'un champ électrique dans un silicium dépasse environ 104 V/cm, le courant devient pratiquement constant par rapport à la tension appliquée. Ainsi, si la section droite des parties verticales 8a, 8b, 8ç ... de la 2 — seconde couche conductrice est de 10 y et si. leur longueur 20 jusqu'à l'électrode d'émetteur est de iy, lesdites parties étant formées de silicium de résistivité de 0,1 ohm/cm comme décrit plus haut, ceci signifie que des résistances d'environ 100 ohms sont intercalées entre les points de contact de la région d'émetteur et de l'électrode d'émetteur. Mais, après que la ten-25 sion entre l'électrode d'émetteur et la région d'émetteur a atteint une valeur d'environ 1 V» le courant n'augmente guère même si la tension est encore augmentée, du fait du phénomène de saturation de courant mentionné plus haut. Si on calcule le courant de saturation à partir des valeurs de résistance desdites 30 parties verticales, on peut montrer que le courant passant dans les parties verticales est limité à environ 10 mA, ce qui signifie que le courant est réparti à peu près uniformément dans toutes les parties de la région d'émetteur. L'effet de limitation de courant et d'uniformisation dé-35 crit plus haut empêche non seulement une surchauffe locale ou un claquage du transistor, mais il améliore également la caractéristique fréquence-courant de sortie. D*une façon générale, si un grand courant supérieur à une certaine valeur passe dans un transistor, la fréquence f^ (fréquence pour laquelle le coeffi-40 cient d*amplification de courant d'émetteur mis à la masse de 69 10473 ii 005564 vient égal à 1) diminue rapidement. S'il se produit une concentration locale du courant d'émetteur, diminue localement dans la région d'émetteur, ceci après la diminution globale de la fréquence f^ du transistor. Pour cette raison, 1'uniformisa-5 tion du courant d'émetûeur peut empêcher efficacement une telle réduction de f^. Les structures d'électrodes à l'aide desquelles on peut obtenir les effets décrits plus haut ne sont pas limitées à la forme de réalisation décrite et différentes modifications peuvent 10 être apportées. En premier lieu, il est évident que, sur la fig. 8, on peut obtenir pratiquement le même effet en inversant l'électrode de base, c'est-à-dire en inversant la première couche conductrice 4 et la seconde couche conductrice 8. Dans ce cas, l'électrode de base 4 est placée au dessus de la seconde pelli-15 cule isolante 6 et les parties verticales de cette électrode pénètrent au travers des deux pellicules isolantes 10 et 6. En outre, dans la structure de transistor représentée sur la fig. 8, le courant d'émetteur ne s'écoule pas uniformément dans toute la surface de la partie de la seconde couche conduc-20 trice 8 qui est parallèle à la surface du substrat, c'est-à-dire la partie horizontale, mais il s'écoule en majeure partie dans la direction verticale en traversant les zones situées immédiatement au dessus des parties verticales. Pour cette raison, même si la zone de la partie horizontale dans laquelle il ne passe 25 aucun courant est enlevée, le fonctionnement du transistor n'est guère influencé. En conséquence, même si seulement des parties verticales de la seconde couche conductrice sont formées d'une matière de haute résistivité telle qu'un semiconducteur et si la partie horizontale en forme de plaque est constituée intégrale-30 ment d'une couche métallique, on peut obtenir pratiquement le même fonctionnement que le transistor de la' fig. 8. Inversement, le fonctionnement du transistor n'est pas sensiblement modifié soit si les parties verticales sont toutes constituées d'un métal de faible résistivité, soit si lesdites 35 parties verticales sont toutes formées d'un métal de faible résistivité et si la partie horizontale est constituée d'une matière de haute résistivité. Cependant, dans ce cas, comme pour la fig. 8, il est souhaitable de déposer une couche d'un métal de faible résistivité sur la partie horizontale et d'utiliser 40 cette couche métallique comme électrode d'émetteur. 69 10473 12 2005564 Dans le mode de réalisation de l'invention décrit plus haut, la région d'émetteur est réticulée et des résistances-séries sont ajoutées à la région d'émetteur. Mais l'invention peut être appliquée à des transistors présentant une autre forme 5 d'émetteur et, lorsqu'il n'est pas nécessaire d'obtenir une puissance de sortie extrêmement grande, il est également possible de supprimer ces résistances-série et de former la seconde couche conductrice intégralement d'un métal de faible résistivité en utilisant cette couche comme électrode d'émetteur. En parti-10 culier, lorsque l'invention est appliquée à un transistor du type overlay dans lequel la région d'émetteur est divisée en un certain nombre d'îlots, cette structure procure un avantage du fait que la matrice conductrice peut être supprimée. On va décrire dans la suite un mode de réalisation d'un 15 tel transistor. Sur la fig. 9, la référence 1 désigne un substrat se composant de silicium de type-n tandis que la référence 2 désigne une région de base de type-p. La région d'émetteur est divisée, dans cette forme de réalisation, en un certain nombre d'îlots désignés par lia,, 11b, lie ... Un tel profil et une telle 20 disposition de la région d'émetteur sont essentiellement les mêmes que dans le transistor du type overlay mais néanmoins lorsque l'invention est appliquée à ce transistor, on peut éviter de prévoir une matrice conductrice d'une concentration en impureté élevée dans la région de base. Ceci constitue une différen-25 ce importante entre le transistor du type overlay et le transistor auquel s'applique l'invention. Bien que cela ne soit pas représenté au dessin, la surface du substrat est recouverte, comme dans l'exemple de la fig. 1, par la première pellicule isolante formée par exemple de SiOg. 30 La partie de cette première pellicule isolante située immédiatement au dessus de la région de base 2 est enlevée par corrosion de manière à dégager la surface de la région de base 2. La première pellicule isolante reste alors au dessus des petites régions d'émetteur et par conséquent la partie dénudée dont la 35 première pellicule isolante a été enlevée a une forme réticulée, ' comme indiqué sur la fig. 10. Sur le dessin, leszones dans lesquelles la première pellicule isolante a été enlevée ont été délimitées par des lignes en traits pleins tandis que les positions des jonctions pn ont été représentées par des lignes en 40 tirets. 69 10473 13 2005564 Ensuite, un métal de faible résistivité tel que par exemple de l'aluminium est déposé sur la première pellicule isolante de façon que presque toute la surface des couches précédentes puisse être recouverte, la couche d'aluminium 4 5 étant en contact ohmique avec la partie dégagée de la région de base ; ensuite, seules les parties de la couche d'aluminium 4 qui sont situées au dessus des petites régions d'émetteur sont enlevées par corrosion, ceci étant mis en évidence sur la fig. 11. Comme le montre le dessin, la partie non enlevée par corrosion 10 de la couche d'aluminium 4 a une forme réticulée. Cette couche d'aluminium de forme réticulée est recouverte de la seconde pellicule isolante 6, comme indiqué sur la fig..12. Cette seconde pellicule isolante 6 peut être formée suivant le procédé décrit plus haut en référence à la fig. 4. Ensuite, comme in-15 diqué sur la fig. 13, des trous 12a, 12b, 12ç ... traversant la première pellicule isolante, non-représentée sur le dessin et la seconde pellicule isolante 6, débouchent au dessus des petites régions d'émetteur de manière à exposer les surfaces de ces régions au fond desdits trous. Ensuite, comme indiqué sur la 20 fig- 14, un métal tel que par exemple de l'or est déposé sous forme d'une couche épaisse sur la seconde pellicule isolante 6 en procédant par évaporation et ladite couche d'or 13 est placée en contact ohmique avec de petites régions d'émetteur de façon à être utilisée comme électrode d'émetteur. Cette opération termine 25 le cycle de fabrication d'une pastille de transistor, puis la pastille, telle que celle représentée sur les dessins, est solidement fixée sur un conducteur et les électrodes de la pastille sont reliées à des fils du conducteur, l'ensemble étant scellé hermetiquement de façon à pouvoir obtenir ensuite un dis-30 positif semiconducteur complet. La fig. 15 est une coupe faite suivant la ligne B-B,! de la pastille de transistor représentée sur la fig. 14. Comme le montre la fig. 15, les petites régions d'émetteur lia., 11b, ll£ sont reliées en parallèle par l'électrode d'émetteur 13 formée d'or, 35 cette électrode 13 étant séparée de l'électrode de base 2 par la première pellicule isolante 4 et par la seconde pellicule isolante 6, de sorte que 1'isolement entre les deux électrodes est complet. En conséquence, comme indiqué sur le dessin, il est possible de fixer l'électrode de base 2 constituée d'un métal 40 de faible résistivité sur toutes les parties de la région de base 69 10473 14 2005564 qui sont situées entre les petites régions d'émetteur et il en résulte que les parties périphériques des petites régions d'émetteur contribuent toutes à assurer une injection efficace de courant. Pour cette raison il n'est pas nécessaire de prévoir 5 une matrice conductrice dans le transistor représenté sur les dessins, bien que ce transistor ait la même structure d'émetteur qu'un transistor de type overlay. En outre, dans le transistor auquel l'invention est appliquée, la résistance de l'élec-trode de base peut être con-10 sidérablement réduite par comparaison à celle d'un transistor de type overlay et en conséquence la chute de tension imputable à la résistance de l'électrode de base peut être grandement diminuée. Ceci s'explique par le fait que, comme le montrent les fig. 14 et 15, la matrice conductrice d'un transistor du type à re-15 couvrement est remplacée par un métal d'une résistivité bien inférieure à celle d'un semiconducteur. Comme décrit plus haut, le transistor selon l'invention présente le grand avantage qu'il est également possible d'introduire des résistances de contre-réaction dans les petites régions 20 d'émetteur aux endroits où le besoin s'en fait sentir, et, lorsque ces résistances de contre-réaction ne sont pas nécessaires, les électrodes de base et d'émetteur peuvent être suffisamment rapprochées l'une de l'autre, ce qui permet d'obtenir le maximum d'efficacité, en particulier lorsque l'invention est appliquée 25 à un transistor de haute fréquence et de haute puissance comportant des régions d'émetteur de profils complexes et conformées avec précision. En outre, le profil plan de l'électrode d'émetteur, considéré par rapport au substrat, devient une simple feuille 30 d'une plaque unique de grande étendue. En conséquence, lors de la^ connexion de l'électrode d'émetteur à un fil de connexion, la liaison avec le fil de connexion peut être réalisée facilement. Puisqu'on peut utiliser un fil de connexion suffisamment épais, il est possible de réduire la résistance et l'inductance de ce 35 fil. Il en résulte une amélioration des caractéristiques de fréquence et de la capacité de conduction de courant du transistor final. En outre, la pastille de transistor selon l'invention peut être placée et solidement fixée sur un socle de manière que 40 la surface de l'électrode d'émetteur puisse être en contact avec 69 1Ô473 15 2005564 la grande face de la base du socle en vue de transmettre par rayonnement la chaleur produite en cours de marche du transistors En d'autres termes, la chaleur engendrée en cours de marche du transistor est principalement produite dans la jonction de 5 collecteur. L'écartement entre la jonction de collecteur et la surface de l'électrode d'émetteur est habituellement inférieur à 10 microns mais l'écartement entre la jonction de collecteur et la surface du collecteur, c'est-à-dire la surface de base de la pastille, est habituellement comprise entre environ 100 et 200 10 microns. En conséquence, il est bien plus avantageux de faire rayonner ladite chaleur engendrée à partir de la surface de l'électrode d'émetteur plutôt que de la faire rayonner à partir de la surface du collecteur. Mais, dans des transistors classiques du type interdigital ou du type overlay, du fait de la 15 forme des électrodes, il est impossible de fixer solidement la surface de l'électrode d'émetteur de la pastille sur le socle et, pour cette raison, de la chaleur est inévitablement rayonnée principalement au travers de la surface du côté-collecteur. Dans le transistor selon l'invention, l'électrode supérieure (élec-20 trode d'émetteur ou électrode de base) est une simple plaque de grande étendue et par conséquent il est possible de fixer solidement la surface de l'électrode sur la base du socle et, pour cette raison, la chaleur engendrée dans la jonction de collecteur peut être transmise au socle par l'intermédiaire de l'électrode 25 et peut être évacuée efficacement par rayonnement. Dans le transistor selon l'invention, il est également possible de donner à l'électrode d'émetteur et à l'électrode de base des profils circulaires et de former les deux électrodes de façon qu'elles puissent constituer, vues en plan, des cercles 30 concentriques, ce qui permet de relier alors le transistor à une ligne coaxiale d'une manière très avantageuse. L'invention peut être appliquée à des transistors comportant des régions d'émetteur de formes différentes des modes de réalisation décrits plus haut et différentes matières conductrices et matières isolantes 35 autres que celles décrites plus haut peuvent être utilisées pour former respectivement les couches conductrices et les pellicules isolantes. 69 10473 16 2005564 H S ¥ E M D I C A T 1 0 M S 1® Dispositif semiconducteur5 caractérisé en ce qu'il comprend une pastille semiconductrice d'un type de conduction déterminé, une première région formée sur une face du substrat et 5 d'un type de conduction opposé à celui du substrat, une seconde région formée dans la première région et du même type de conduction que le substrat, une première pellicule isolante pour recouvrir et protéger des parties de jonctions pn formées entre les deux régions ainsi qu'entre la première région et le substrat 10 et g°l sont à nu sur la surface du substrat, une première couche conductrice formée sur la première pellicule isolante et en contact ohmique avec l'une des régions au travers de trous formés dans la première pellicule isolante, une seconde pellicule isolante recouvrant la surface supérieure de la première couche 15 conductrice en laissant dégagée au moins une zone des parties périphériques de la première couche conductrice, ainsi qu'une seconde couche conductrice pénétrant dans les deux pellicules isolantes et en contact ohmique avec l'autre région. 2. Dispositif semiconducteur suivant, la revendication 1, 20 caractérisé en ce que la première et la seconde couche conductrice sont formées d'un métal de faible résistivité. 3. Dispositif semiconducteur suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins une partie d'une des deux couches conductrices est formée d'une matière de haute résistivité. 25 4. Dispositif semiconducteur suivant la revendication 3, caractérisé en ce qu'au moins une zone des parties d'une des couches conductrices qui pénètrent dans une seule ou plusieurs pellicules isolantes est constituée d'une matière de haute résistivité et en ce que les parties d'une des couches conductrices 30 qui sont orientées parallèlement à la surface du substrat sont formées d'un métal. 5. Dispositif semiconducteur suivant la revendication 3, caractérisé en ce que des parties d'une"des couches conductrices qui pénètrent dans une ou plusieurs pellicules isolantes se 35 composent d'un métal de faible résistivité et en ce que des parties d'une des couches conductrices qui sont orientées parallèlement à la surface du substrat sont formées d'une matière de haute résistivité et en ce qu'une couche métallique est déposée sur à peu près toute la surface de la couche de matière de haute 40 résistivité. 69 10473 17 2005564 6. Dispositif semiconducteur suivant la revendication 3, caractérisé en ce que l'une des couches conductrices se compose intégralement d'une matière de haute résistivité et en ce qu'une couche métallique est déposée pratiquement sur toute la surface 5 des parties de ladite couche conductrice qui sont orientées parallèlement à la surface du substrat. 7. Transistor suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la première région est la région de base, la seconde région la région d'émetteur, la première couche conductrice l'électrode 10 de base, et la seconde couche conductrice l'électrode d'émetteur. 8. Transistor suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la première région est la région de base» et la seconde région la région d'émetteur, en ce que la première couche conductrice est en contact ohmique avec la région de base, et en ce 15 que la seconde couche conductrice est en contact ohmique avec la région d'émetteur. 9. Transistor suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la première région est la région de base, la seconde région la région d'émetteur, la première couche conductrice l'électrode 20 d'émetteur, et la seconde couche conductrice l'électrode de base. 10. Transistor suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la première région est la région de base et la seconde région la région d'émetteur, en ce que la première couche conductrice est en contact ohmique avec la région d'émetteur et en 25 ce que la seconde couche conductrice est en contact ohmique avec la région de base. 11. Transistor suivant les revendications 7, 8, 9, 10, caractérisé en ce que l'électrode de base et l'électrode d'émetteur sont planes et approximativement en forme de disques et en ce que 30 les deux électrodes sont disposées coaxialement. 12. Transistor suivant l'une des revendications 7, 8, 9, 10 et 11, caractérisé en ce que la pastille serniconductrice se compose de deux couches du même type de conduction et de résistivités différentes et en ce que la région de base et la région d'émet- 35 teur sont toutes deux situées à l'intérieur de l'une des deux couches de résistivité supérieure. 13. Dispositif semiconducteur suivant la revendication;3» ~ caractérisé en ce que la matière de haute résistivité est une matière semiconductrice. 40 14. Dispositif semiconducteur suivant la revendication 3, 69 1047 3 is 2005564 caractérisé en ce que la matière de haute résistivité est un métal.