Brevet FR2002925A1 — publié le 19691031

i 2002925 La présente invention a trait à des circuits intégrés à semi-conducteurs fournissant les fonctions d'une série d'éléments électroniques et, en particulier, fournissant les fonctions de transistors bipolaires et de transistors du type MIS. 5 l'industrie des circuits intégrés a poursuivi des voies tout à fait divergentes dans le but d'augmenter le nombre de fonctions des circuits et d'obtenir des fonctions de circuits de plus en plus complexes dans un bloc unique d'un matériau semi-conducteur. Traditionnellement, les transistors bipolaires ont prédominé 10 en tant qu'éléments actifs à circuits intégrés. Cependant, on a reconnu que les dispositifs du type transistors MOS, c'est-à-dire des transistors métal-oxyde-semi-conducteurs, sont avantageux dans certains cas particuliers, par exemple, parce qu'ils permettent d'obtenir un plus grand nombre d'éléments sur un bloc semi-conduc-15 teur de surface donnée (la désignation plus générale MIS, c'est-à-dire métal-isolant-semi-conducteurs, sera utilisée ci-après). Cependant, pour des réseaux de transistors MIS à grande densité, les transistors en question doivent être de petite taille. Quand on réduit leurs dimensions, la transconductance du dispositif, est éga-20 lement réduite et la possibilité de commander une charge importante particulièrement une charge capacitive, est également réduite. En conséquence, les transistors bipolaires ont continué à être largement utilisés, particulièrement dans les applications demandant un dispositif à faible impédance, même s'ils demandent plus de surface. 25 les transistors MIS sont également susceptibles de défauts permanents dûs à des impulsions de tension rompant ou coupant la couche isolante placée sous l'électrode de commande. Différents dispositifs protecteurs ont été proposés pour empêcher un tel dommage, mais cependant ils tendent à réduire encore la densité per-30 mise. En conséquence, il s'est révélé impossible d'obtenir les principaux avantages des transistors MIS, sans diminuer leurs performances par rapport à celles des circuits à transistors bipolaires. Un transistor MIS a un fonctionnement électrique analogue à un transistor à effet de champ du type à jonction, déjà connu et 35 communément appelé un transistor unipolaire. Cependant, des difficultés de fabrication s'élèvent en ce qui concerne l'utilisation de transistors unipolaires à jonction dans des circuits intégrés, comportant également des transistors bipolaires, les brevets an 05378 2 2002925 glais H° 950.041 et N° 1.001.390 donnent des informations sur des structures classiques de circuits intégrés, comportant à la fois des transistors bipolaires et des transistors unipolaires à jonction. 5 Un but de la présente invention consiste donc à mettre en oeuvre une structure de circuits intégrés semi conductrice, incorporant à la fois des transistors du type MIS et des transistors bipolaires, qui suppriment les inconvénients mentionnés ci-dessus des structures connues, c'est-à-dire qui permettent d'uti-10 liser la forte densité des transistors MIS, ainsi que les possibilités de commande des transistors bipolaires, en réduisant au minimum la probabilité de coupure du diélectrique de 1'électrode de commande des transistors MIS, et en permettant également une fabrication économique. 15 Ce but étant présent à l'esprit, l'invention réside dans une structure semi conductrice de circuits intégrés, incorporant à la fois des transistors du type MIS et des transistors bipolaires, caractérisée par le fait que le transistor bipolaire ou au moins un des transistors bipolaires, comporte une zone de base 20 d'un premier type de conductibilité placée à l'intérieur d'un substrat du type opposé ou deuxième type de conductibilité et se terminant sur une grande face de ce substrat, et des zones d'émetteur et de collecteur de ce deuxième type de conductibilité formant des jonctions pn avec cette première zone et se terminant 25 sur ladite grande face du substrat, caractérisée, en outre, par le fait que ledit transistor MIS ou au moins un des transistors MIS, comprend des zones de source et de drain du premier type de conductibilité placées à l'intérieur du substrat et se terminant sur ladite grande face du substrat, ces zones de source et de drain 30 délimitant entre elles un canal à l'intérieur de ce substrat, et une électrode de commande placée sur ce canal mais séparée de lui par une couche diélectrique placée sur toute ladite grande face du substrat. Dans un mode de réalisation préférée de 1'invention, qui 35 est particulièrement adapté à la commande d'une charge capacitive avec une faible dissipation de puissance, cette structure de circuit intégré comporte une série de transistors MIS et bipolaires» comportant deux transistors MIS complémentaires et deux transis- 69 05378 3 2002925 tors bipolaires qui peuvent être connectés suivant un montage de Darlington, un au moins des transistors bipolaires ayant une configuration latérale et l'autre une configuration verticale, ce qui facilite une intégration compatible avec les éléments I-iIS. 5 Des transistors complémentaires du type MIS offrent l'a vantage d'avoir une dissipation de puissance continue extrêmement faible, une marge de bruit élevée et une vitesse modérée. Des réseaux intégrés à moyenne et grande échelle utilisant des transistors MIS complémentaires sont, cependant, capables de commander 10 des charges capacitives de faible valeur seulement, les transistors bipolaires inclus dans la même structure de circuits intégrés fournissent les possibilités de commande supplémentaire de charge capacitive, les deux exigences d'isolement électrique suffisant et de gain suffisant, étant renforcées par le fait qu'un 15 des transistors bipolaires a une configuration latérale et qu'il a une zone de collecteur isolée. Gomme indiqué ci-dessus, les transistors bipolaires doivent être connectés en cascade ou bien suivant un montage de Darlington qui est connu en lui-même et qui utilise au moins deux transistors, l'émetteur de l'un de ces 20 transistors étant connecté à la base de l'autre, ce montage de Darlington étant construit à partir de deux transistors bipolaires de la même polarité, ayant des configurations verticales et latérales et fournissant respectivement un étage à transistors bipolaires, équivalent avec un collecteur isolé et ayant un gain 25 composé de l'ordre de 50 à 100 capable de commander des centaines de picofarads de capacité, les transistors MIS et bipolaires sont formés, de préférence, dans les mêmes phases ou mêmes opérations, la configuration des circuits semi conducteurs résultante offrant des avantages uniques en ce qui concerne les performances de cer-30 taines fonctions du circuit sans entraîner de complications de la fabrication. la zone de base d'un des transistors bipolaires et une des zones de source et de drain du premier transistor mentionné MIS, peuvent être combinées de façon à délimiter une zone unique com-35 mune ou bien elles peuvent être des zones séparées l'une de l'autre, selon diverses considérations relatives à ce circuit. Dans une configuration comportant un transistor vertical, une partie du substrat sert de zone de collecteur, tandis que dans une confi- 69 05378 4 2002925 guration comportant un transistor latéral, deux zones distinctes du même type de conductibilité que le substrat, formées dans la zone de base du type oppose de conductibilité, fournissent respectivement des zones séparées d'émetteur et de collecteur. 5 L'invention sera mieux comprise en se référant à la des cription qui va suivre et aux dessins annexés sur lesquels : - Les figures 1, 2 et 3 sont des vues coupées en sections droites de parties de circuits intégrés comprenant des modes de réalisation divers de la présente invention. 10 -Les figures 4, 5» 6, 7, 8 et 9 sont des montages .schémati ques illustrant des applications de la présente invention. - Les figures 10 et 11 sont des vues coupées d'autres modes de réalisation de l'invention, et: - Les figures 12, 13, 14 et 15 sont d'autres montages sché-15 ~ matiques illustrant des applications de l'Invention. La figure 1 représente une structure combinant un transistor MIS ayant un canal du type-p avec un transistor bipolaire du type npn, dans une configuration dans laquelle le collecteur est commun. Dans un substrat 10 du type-n, on a formé, par diffusion 20 simultanée d'une impureté du type accepteur, trois zones 12, 14 et 16 du type-p, les zones 12 et 14 fournissant la source et le drain du transistor MIS tandis que la troisième zone 16 fournit la zone de base du transistor bipolaire. A l'aide d'une diffusion du type n+ à l'intérieur de la troisième zone, une zone d'émetteur 25 18 et une zone de collecteur 26 sont formées, les zones 16, 18 et 26 engendrant respectivement les zones de base, d'émetteur, et de collecteur d'un transistor bipolaire ayant une configuration latérale. Des contacts 20 sont fixés à chacune des zones de source, de drain, de base, d'émetteur et de collecteur et, en outre, une 30 électrode de commande 22 est placée sur la couche isolante 24 entre les zones de source et de drain 12 et 14 à la surface du dispositif. Si le circuit permet de connecter le drain ou la source du transistor MIS à la base du transistor bipolaire, une miniaturisation supplémentaire peut être obtenue en rendant la zone de 35 base commune à une des zones de source et de drain du transistor MIS, comme représenté par la zone 14-16 de la figure 2, dans laquelle les autres éléments sont identiques à ceux de la figure 1. Une structure modifiée comportant un transistor MIS et 69 05378 5 2002925 deux transistors "bipolaires, est représentée sur la figure 3. Le transistor latéral comporte la zone de base 16 du type-p et des zones d'émetteur et de collecteur disposées latéralement (non représentées), ce transistor étant analogue comme struc-5 ture à celui de la figure 1. Le mode de réalisation de la figu re 3 comprend cependant, en outre, un deuxième transistor bipolaire de configuration -verticale, comportant une base 16' du type-p, un émetteur 18' du type-n et une partie du substrat 10 qui fournit la zone du collecteur. Ici, le transistor MIS à 10 canal du type-p est isolé des transistors bipolaires du type npn à l'aide d'une technique d'isolement de circuit intégré classique, par exemple, en diffusant une paroi isolante 32 du tjcpe p+ à travers le substrat 10, qui peut être une couche épitaxiale déposée sur un super-substrat 30 du type-p. Des parties isolées 15 10 de la couche épitaxiale fournissent des zones différentes de chaque transistor. Les zones des transistors sont formées par des techniques qui ont été indiquées en connexion avec les figures précédentes. Ainsi, les zones 12, 14, 16 et 16' peuvent avoir une concentration de charge et une profondeur égales et elles 20 peuvent être engendrées simultanément. En outre, la zone 18' et les zones d'émetteur et de collecteur séparées latéralement et appartenant au transistor latéral peuvent être formées simultanément et avoir la même profondeur et la même concentration d'impuretés. Dans des modes de réalisation sans super-substrat, ou 25 dans des modes de réalisation où aucune paroi isolante n'est prévue entre la structure MIS et le transistor bipolaire vertical, la base de ce dernier et la source ou le drain du transistor MIS peuvent être obtenues à l'aide d'une zone unique commune. Des structures de circuits intégrés ayant la forme de la 30 figure 5 ont été réalisées avec succès en utilisant les données suivantes : Substrat 30: Si du type-p, résistivité: 10 à 40 ohm-cm Couche épitaxiale 10: type-n, 2 ohm-cm, épaisseur 10 microns Paroi isolante 32 du type p+ : C = 4 x 10^ atome/cm^ 35 Caract éristi que sa e diffusion : P = 6 ohms/carré. I S 69 05378 6 2002925 T Q *2 Bases 16 et 16* du type-p, Cg = 3 x 10 a/cm source 12 et du drain 14 î X.. = 3,6 microns caractéristiques de diffusion p - 200 ohms/carré 20 i 3 caractéristiques de diffusion Cg = 2 x 10 a/cm 5 de l'émetteur 18 du type n+, de X.. = 2,6 microns l'émetteur 18' et du collecteur P j= 5 ohms/carré ' S 26. où 0 est la concentration de surface, X. est la profondeur de la jonction, et P est la résistivité pelliculaire. On utilise une S 10 diffusion sélective avec des masques d'oxyde et une métallisation d1 aluminium o Dans un circuit intégré, un dispositif électriquement conducteur interconnectant le transistor MIS et le transistor bipolaire, est utilisé. Un tel dispositif est représenté dans le mo-15 de de réalisation de la figure 2 par la zone commune 14-16. Cependant, dans d'autres cas, une interconnexion pourrait être obtenue par une métallisation se produisant sur la couche isolante à la surface d'une façon classique, dans les interconnexions de circuits intégrés. La fabrication de structures en accord avec l'in-20 vention, s'effectue suivant des techniques de diffusion sélective connues, en utilisant, par exemple, un masque d'oxyde, comme on le pratique à l'heure actuelle dans la fabrication des circuits intégrés. L'invention est particulièrement avantageuse du fait que les transistors MIS peuvent avoir des dimensions très réduites et, 25 par conséquent, peuvent se trouver en grand nombre à l'intérieur d'un unique bloc d'un matériau semi conducteur. Par exemple, des p transistors MIS occupant une zone ne dépassant pas 6,4 x 10 cm peuvent être utilisés parce qu'il n'est pas nécessaire qu'ils aient une importante capacité de commande, comme ce serait nécessaire 30 avec des transistors bipolaires. En outre, une coupure de transistors MIS par des impulsions de tension est rendue.très peu probable du fait de l'existence d'un transistor bipolaire. Quand un transistor bipolaire est placé en tampon entre une borne d'entrée et un transistor MIS, une impulsion de tension quelconque qui pour-35 rait autrement endommager l'isolant de l'électrode de commande, est bloquée par la jonction d'entrée du transistor bipolaire. La figure 9 illustre une configuration de base du circuit dans laquelle Q^ est un transistor bipolaire tampon connecté com 05378 7 2002925 me représenté à l'électrode de commande du transistor du type MIS. Une tension convenable est appliquée au collecteur de Q^9 peut être utilisé comme un étage MIS dans des types de circuits utilisant de tels transistors, y compris ceux utilisant des transistors bipolaires supplémentaires, le signal d'entrée est appliqué par l'intermédiaire d'une impédance convenable à la base de Q^. Une structure intégrée de transistors MIS et bipolaires est utile dans des circuits linéaires ou numériques. La figure 4 représente une configuration de circuits numériques de base utilisant deux transistors MIS et Q£ connectés d'une façon connue dé façon à créer un inverseur, le transistor bipolaire étant connecté à la sortie du transistor MIS de façon à pouvoir commander une charge importante supérieure à plusieurs milliampères. La figure 5 montre un circuit basculeur ayant une impédance élevée parce qu'elle est avantageusement fournie par les transistors et Q£ du type MIS et ayant également la possibilité de commander une charge importante en utilisant des transistors bipolaires et comme représenté, dont l'un a son collecteur connecté à sa zone de base, de façon à jouer le rôle d'une diode. La figure 6 représente un amplificateur Vidéo utilisant le principe de la présente invention, une série de transistors Q^, Q^, Q10 Q-,-, et du "kyPe MIS, étant disposés de façon à engen drer des amplifications successives, le transistor bipolaire étant placé à la sortie du dernier étage MIS. Des Combinaisons de transistors à effet de champ d'un type à canal unique et de transistors bipolaires ne sont pas bien adaptés à des systèmes de commutation statique du fait de la difficulté de bloquer un transistor bipolaire. La solution consiste à utiliser des transistors MIS complémentaires (c'est-à-dire ayant un canal du type-p et un canal du type-n) dans une configuration d'inverseur commandant deux transistors bipolaires, comme représenté sur les figures 7 et 8. Sur la figure 7, les transistors complémentaires et Qg, du type MIS, sont connectés suivant une configuration d'inverseur ayant une sortie au niveau de la tension positive d'alimentation dans un premier état logique et au potentiel de la masse dans l'autre état logique» parce que seul un des deux transistors et Qg peut être rendu conducteur à un moment 69 05378 8 2002925 donné. Si l'entrée de l'inverseur est également reliée à d'autres étages complémentaires MIS, l'entrée doit recevoir une tension variable entre 0 et +V, cette dernière tension étant la tension d'alimentation positive. Quand la base d'un transistor 5 bipolaire est au potentiel de la masse, il est bloqué. Ainsi, seul un des transistors bipolaires Q^ ou Q^ se trouve conducteur à un moment quelconque et on obtient ainsi une commande bidirectionnelle. La figure 8 est analogue à la figure 7 mais elle présente certaines différences dans les connexions du circuit du fait que la 10 sortie est l'inverse de celle de la figure 7« Des structures intégrées destinées à engendrer les fonctions des circuits des figures 7 et 8, ainsi que d'autres circuits utilisant des transistors complémentaires du type MIS avec un ou plusieurs transistors bipolaires, peuvent être envisagées, comme 15 représenté sur la figure 10. Cette structure a quatre transistors Q^» Qgj Q^ et Q^ correspondant aux transistors des figures 7 et 8. Q^ est un transistor MIS ayant un canal du type-p analogue à celui de la figure 1 et comportant des zones de source et de drain 112 et 114, avec des contacts 120 et une électrode de commande 122. 20 Q^ est un transistor bipolaire de configuration verticale, analogue à celui de la figure 1, ayant une zone de base 116, une zone d'émetteur 118 et une zone de collecteur fournies par une partie du substrat 110, chacune de ces zones comportant un contact convenable 120. Q^ est un transistor bipolaire analogue à celui de 25 la figure 1, comportant des zones respectives de base, d'émetteur, et de collecteur 216, 218 et 226, chacune avec un contact 120. Qg est un transistor du type MIS ayant un canal du type-n, comportant des zones de source du type n+ et de drain 212 et 214 dans une zone 210 du substrat du type-p, avec un contact 120 sur chacune des 30 zones de source et de drain, et une électrode de commande 222? Toutes les zones 112, 114» 210, 116 et 216 du type-p peuvent être formées dans une opération unique de diffusion, avec la même profondeur et le même profil de concentration d'impuretés. Toutes les zones 212, 214» 118, 218 et 226 du typen+ peuvent également être 35 formées 'dans une opération de diffusion unique, avec la aSme profondeur et la même concentration d'impuretés. D'autres structures, par exemple, celles dans lesquelles chaque transistor est dans une zone isolée du type-n (analogue à la 69 05378 9 2002925 figure 3), peuvent également être formées. Ces transistors peuvent être formés dans une variété de circuits intégrés ayant des transistors complémentaires du type MIS et des transistors bipolaires dont l'un au moins a une configuration latérale. Un type de con-5 ductibilité inverse de celui des structures décrites pour ces différentes zones, peut aussi être utilisé. La structure intégrée de la figure 11 comporte quatre transistors Q-^, Q2> et Q^. Le type de conductibilité des diverses zones, peut être inversé par rapport à celui représenté. Le tran-10 sistor est un transistor MIS, ayant un canal du type p, comprenant des zones de source et de drain 312 et 313 du type p+, dans un substrat 310 du type n. Le transistor Qg est un transistor MIS ayant un canal du type n comprenant une zone massive 315 du type p dans laquelle des zones de source et de drain 316 et 317 du type 15 n+, sont disposées. Les deux transistors MIS comportent un isolant convenable 320 sur la zone de canal entre chaque paire de zones de source et de drain, avec une électrode de commande 322 à la partie supérieure de l'isolant et des contacts 324 avec chacune des zones de source et de drain. 20 Le transistor est un transistor vertical, du type npn, comprenant une partie du substrat 310 du type-n comme collecteur, une zone 326 du type-p comme base et une zone 328 du type n+ comme émetteur. Le transistor est un transistor latéral du type npn comprenant une zone 330 du type-p comme base et des zones d'émet-25 teur et de collecteur 332 et 334, du type n+ placées à l'intérieur. Des contacts ohmiques 324 sont effectués avec chacune des zones d'émetteur, de base et de collecteur, sauf que des contacts 324', avec le collecteur de peuvent, si on le désire, être effectués sous la structure, comme représenté. 30 Gomme dans les modes de réalisation indiqués ci-dessus, cer tains points communs entre des parties de cette structure, sont apparents. ïoutes les zones 315, 326 et 330 du type-p peuvent être formées dans une opération, unique de diffusion. Toutes les zones 316, 317, 328, 332 et 334 du type n+ peuvent également être formées 35 dans une opération unique de diffusion. Les zones de source et de drain 312 et 313 du type p+ de peuvent être formées dans une opération unique de diffusion; bien que la structure représentée soit préférable, on peut aussi former les zones de source et de 05378 10 2002925 drain 312 et 313 de Q^, simultanément à la diffusion des zones 315> 326 et 330 du type-p. A titre d'exemple, la structure de la figure 11 peut être fabriquée en partant d'un substrat de silicium 310 du type-n ayant 5 une résistivité comprise entre 10 ohms-cm et 20 ohms-cm et une orientation (100). Les zones 315» 326 et 330 du type-p sont obtenues par diffusion sélective en utilisant une technique classique photolithographique et un masque d'oxyde de façon à créer des zones jusqu'à une profondeur d'environ 5,5 microns avec une concen- 16 3 10 tration de surface d'environ 3 à 4 fois 10 atomes par cm . Les zones 312 et 313 du type p+ sont obtenues de même par une diffusion jusqu'à une profondeur d'environ 1,5 micron avec une concentration 20 3 de surface d'environ 10 atomes par cm . Les zones 316, 317» 328, 332 et 334 du type n+,. sont diffusées de même jusqu'à une profon- 15 deur d'environ 1,5 micron, avec une concentration de surface d'en- 20 3 viron 10 atomes par cm . Des matériaux isolants classiques de surface, ainsi que des contacts et une métallisation peuvent être utilisés. Si on le désire, une pratique connue peut être utilisée consistant à court-circuiter la zone 315 par le substrat 310. Dans 20 cette structure, le transistor est un transistor npn à gain élevé ayant un gain de courant pouvant être compris entre 50 et 100 Cependant, comme le collecteur est prévu dans le substrat sous l'ensemble des éléments, le transistor n'est pas isolé et il n'est pas utilisable dans certaines applications. 25 Par ailleurs, le transistor est un transistor npn effec tivement isolé. Le gain de courant est inférieur à l'unité. Si le iansistor à gain élevé est connecté en série avec un transistor latéral à gain voisin de l'unité suivant une configuration en cascade ou un montage de Darlington, un gain de courant total voi-30 sin de celui du transistor à gain élevé, peut être obtenu mais il y a maintenant un collecteur isolé permettant une connexion avec la charge. La figure 12 montre comment le montage de Darlington des transistors e"k Q4» associés aux transistors MIS complémentaires 35 Q-|_ et Qg> peut être utilisé dans un circuit inverseur comportant un transistor bipolaire supplémentaire qui peut avoir une structure analogue à celle du transistor bipolaire vertical Q^. Cet inverseur a une dissipation de puissance pratiquement nulle parce qu'il n'y 05378 ii 2002925 a pas besoin de courant continu pour un quelconque de ces transistors. Il n'y a donc pas de diminution de la vitesse, qui peut être inférieure à 100 nanosecondes, même quand le dispositif est chargé par une capacité de plusieurs centaines de picofarads. 5 La figure 13 montre un circuit inverseur analogue qui est agencé de telle sorte que le drain du transistor Qg du type MIS ayant un canal du type-n ne soit pas connecté à la sortie. Un montage équivalent d'un circuit logique comportant une structure selon l'invention,est représenté sur la figure 14 dans 10 laquelle les transistors supplémentaires et Q'J, peuvent être analogues aux transistors respectifs Q.^ et Q2 du type MIS. La figure 15 représente le montage d'un circuit de commande de transmission, comprenant une structure de circuit intégré, selon l'invention. 69 05378 12 2002925 R3YEIDI0AII0NS 1)- Structure de circuit intégré à semi conducteur incorporant à la fois des transistors du type MIS et des transistors bipolaires, caractérisée par le fait que les transistors bipolai-5 res ou au moins un des transistors bipolaires, comprennent une zone de base d'un premier type de conductibilité, placée à l'intérieur d'un substrat du type opposé ou deuxième type de conductibilité et se terminant sur une grande face de ce substrat, et des zones d'émetteur et de collecteur de ce deuxième type de conducti-10 bilité formant une jonction pn avec la première zone et se terminant aur la grande face du substrat, caractérisée aussi par le fait que le transistor MIS, ou au moins un des transistors MIS, comprend des zones de source et de drain du premier type de conductibilité placées à l'intérieur du substrat et se terminant sur 15 la grande face du substrat, ces zones de source et de drain délimitant entre elles un canal à l'intérieur du substrat, et une électrode de commande placée sur ce canal, mais séparée de lui par une couche diélectrique placée sur toute la grande face du substrat. 20 2)- Structure selon la revendication 1, comprenant au moins deux transistors bipolaires, dans laquelle un deuxième transistor bipolaire comporte une zone de base du premier type de conductibilité placée à l'intérieur du substrat, de façon à délimiter avec elle une jonction de collecteur et se terminant sur la grande 25 face du substrat, et une zone d'émetteur du deuxième type de conductibilité placée à 1'intérieur dè la dernière zone de base nommée et se terminant sur la grande face du substrat, là partie du substrat contigiie à cette dernière zone de base fournissant la zone de collecteur du deuxième transistor. 30 3)- Structure selon revendication 1 ou 2, dans laquelle les zones de source et de drain du premier transistor MIS mentionné et la zone de base du premier transistor mentionné ou de chacun des premiers transistors mentionnés et du deuxième transistor bipolaire, ont la même épaisseur et la même concentration d'impu-35 reté. 4)- Structure selon revendications 1, 2 ou 3, dans laquelle" chaque zone d'émetteur et la zone du collecteur du premier transistor bipolaire mentionné, ont la même épaisseur et la même conBAD ORIGINAL 69 05378 13 2002925 centration d'impureté. 5)- Structure selon une quelconque des -revendications précédentes, comportant au moins deux transistors MIS, dans laquelle un deuxième transistor MIS comporte une zone supplémentaire du 5 premier type de conductibilité placée à l'intérieur du substrat et se terminant sur la grande face du substrat, des zones de source et de drain du deuxième type de conductibilité placées à l'intérieur de cette zone supplémentaire et se terminant sur la grande face du substrat, les zones de source et de drain qui viennent d'- 10 être indiquées délimitant entre elles un canal à l'intérieur du substrat, et une électrode de commande placée sur ce dernier canal mais séparée de lui par la couche diélectrique. 6)- Structure selon les revendications 3 et 5, dans laquelle la zone supplémentaire, les zones de drain et de source du premier 15 transistor MIS mentionné et la zone de base ou les zones de base ont la même épaisseur et la même concentration d'impureté. 7)- Structure selon les revendications 4 et 5 dans laquelle les zones de source et de drain du deuxième transistor MIS, et la zone d'émetteur où chacune des zones d'émetteur et de collecteur 20 du premier transistor bipolaire mentionné, ont la même épaisseur et la même concentration d'impureté. 8)- Structure selon une des revendications précédentes, dans laquelle le substrat est placé sur un super substrat du premier type de conductibilité et dans laquelle des parties de ce substrat 25 contenant ces transistors MIS et bipolaires, ou associées respectivement à ces transistors, sont électriquement isolées les unes des autres par des parois d'isolement du premier type de conductibilité traversant tout le substrat jusqu'au super substrat à partir de la grande face du bloc. 30 9)- Structure selon une quelconque des revendications pré cédentes, dans laquelle les zones de source, de drain, de base,d'émetteur et de collecteur sont en contact non redresseur avec une électrode traversant la couche diélectrique. 10)- Structure selon une des revendications précédentes dans 35 laquelle une des zones de source et de drain du premier transistor MIS mentionné et la zone de base du premier transistor bipolaire mentionné ou de ce premier transistor et du deuxième transistor bipolaire, sont combinées de façon à délimiter une zone unique. 69 05378 14 2002925 11)- Structure selon une quelconque des revendications 1 à 9, dans laquelle une des zones de source et de drain du premier transistor MIS mentionné et la zone de base du premier transistor bipolaire mentionné ou de ce premier transistor et du deuxième 5 transistor bipolaire,.sont électriquement interconnectées par une couche métallique. 12)- Structure selon la revendication 2 ou selon les revendications 3 à 9, dans laquelle l'émetteur du deuxième transistor bipolaire est électriquement connecté à la base du premier transis- 10 tor bipolaire mentionné. 13)- Structure selon les revendications 2 et 5, ou selon une quelconque des revendications 6 à 12, dans laquelle la zone de base du deuxième transistor bipolaire est connectée à une des zones de source et de drain du deuxième transistor MIS. 15 14)- Structure selon la revendication 13 dans laquelle les autres zones de source et de drain du deuxième transistor MIS sont connectées à la zone du collecteur du premier transistor bipolaire. 15)— Structure selon les revendications 13 ou 14 dans laquelle les électrodes de commande des premier et deuxième transistors 20 MIS sont interconnectées. 16)- Structure selon la revendication 15, comprenant trois transistors bipolaires, dans laquelle les zones d'émetteur, de base et de collecteur d'un troisième transistor bipolaire et les zones respectives d'émetteur de base et de collecteur du deuxième 25 transistor bipolaire ont la même épaisseur et la même concentration d'impureté, et dans laquelle les collecteurs du deuxième et du troisième transistor bipolaires sont connectées à une des zones de source et de drain du premier transistor MIS mentionné, les autres zones de source et de drain de ce premier transistor étant comiec- 30 tées à la base du troisième transistor bipolaire, tandis que l'émetteur de ce troisième transistor bipolaire est connecté au collecteur du premier transistor bipolaire. BAD ORIGINAL