Brevet FR2001487A1 — publié le 19690926

La présente inventioh concerne un procédé pour éliminer les impuretés dans des composés du silicium. Plus particulièrement, la présente invention concerne l'élimination des impuretés dans les chlorures de silane qui présentent au moins un ato-5 me de chlore par atome de silicium. Le silicium, utile dans les semi-conducteurs, tels que des transistors doit être extrêmement pur de sorte que (1) il agisse comme un semi-conducteur, (2) sa pureté permet un large réglage des propriétés obtenues par l'addition d'agents de "dopa-10 ge", tels que des composés du bore ou du phosphore, en quantités calculées désirées, et (3) on peut obtenir la résistivité désirée» On désire en général que la qualité "semi-conducteur" du silicium contienne moins de 0,1 partie par million en poids d'impuretés au total. De préférence, le silicium doit contenir 15 «oins de 0,025 partie par million en poids d'impuretés au total* Il est également désirable que le genre des impuretés soit réglé. Certaine» impuretés, comme l'étain, peuvent être tolérées en plus grandes quantités quë le phosphore, 13arsenic et le "bore, par exemple. L'étain est tétravalent, et, dans une me-20 sure limitée, il est compatible avec le réseau^ du cristal de silicium tétravalent. Le phosphore et l'arsenic, d'autre part, sont pentavalents'et contribuent paur un excès d'électrons au cristal de silicium et peuvent être tolérés, dans une certaine mesure, uniquement lorsqu'on désire avoir un semi-conducteur du 25 type "n", Le bore qui est trivalent, provoque une déficience d'électrons dans le cristal de silicium, et peut être toléré u-niquement si l'on désire un semi-conducteur du type "p". Le silicium métallique à utiliser comme semi-conducteur est généralement préparé par réduction de composés contenant du 30 silicium, comme le tétrachlorure de silicium, le trichlorosi-lane (HSiClj) et le dichloro-silane (HgSiClg) par l'hydrogène, le zinc, le sodium ou des hydrures métalliques, par exemple. On peut aussi obtenir le silicium métallique par décomposition thermique de composés tels que le monosilane (SiH^), le mono-35 chloro-silane et le trichlorosilane. I Pour permettre d'obtenir du silicium de haute pureté, il convient d'utiliser des matières premières de pureté élevée. Beaucoup des impuretés, telles que le fer, le cuivre et le manganèse, peuvent être pratiquement totalement éliminées des 69 02877 2 2001487 matières Jœemières contenant du silicium, par exemple les chlo-rosilanes, par distillation. D'autres impuretés comme l'arsenic, le phosphore, le "bore et même le soufre, ne peuvent être abaissées à des niveaux désirés par distillation, même dans une co3ai-5 ne contenant environ 10 à 100 plateaux théoriques -de • distillation. Des techniques de raffinage par zone complexes sur le silicium métallique sont nécessaires pour abaisser les niveaux de telles impuretés aux quantités désirées. On utilise générale— 10 ment une passe unique de raffinage par zone à travers le produit de silicium métal pour éliminer les dernières traces de fer, de cuivre, et dé manganèse par exemple, mais des passes multiples sont requises pour abaisser la teneur en arsenic et en phosphore. Le bore, toutefois, n?est pas suffisamment éliai-15 né par la technique usuelle de raffinage par zone, et il est nécessaire de modifier lè processus et de prolonger le traitement, Les procédés physiques et chimiques connus capables d'éliminer totalement toutes les impuretés de bore du silicium, sont coûteuses et complexes. 20 II est hautement désirable que le silicium utilisable dans les semi-conducteurs présente moins de 0,8 partie par milliard de bore. Pour assurer que le silicium préparé a partir d'un composé contenant du silicium utilisé comme matière première ne contient pas plus de 0,8 partie par milliard environ, de pré— 25 férence pas plus de 0,25 partie par milliard environ de bore n'est présent dans la matière première. On utilise largement par exemple le trichlorosilane comme matière brute pour, la production de silicium "qualité pour semiconducteur". On ne sait pas sous quelle forme le bore est pré— 30 sent dans le trichlorosilane, mais puisqu'il est pratiquement impossible d'éliminer la totalité du bore du trichlorosilane par distillation, on pense que les impuretés de bore sont présentes, au moins en partie, sous la forme de composés à point d'ébullition relativement faible, tels que des composés de 35 » B-Cl ou de =B-H, Le procédé selon la présente invention implique le traitement de chlorosilanes de formule (I) SiB*Clk , dans laquelle a est un nombre entier 0, 1, 2 ou 3» b est un 69 02877 3 2001487 nombre entier 1, 2, 3 ou 4 et la sonine de a + b est égale à 4. Des composés qui entrent dans la formule I en sont le monochlo-rosilane, le dichlorosilane, le trichlorosilane et le tétra-chlor oeil ane . 5 Le procédé selon la présente invention implique le traite ment des chlorosilanes sus-mentionnés pour en éliminer pratiquement les impuretés de bore, pour produire des chlorosilanes de qualité électronique,, Par l'expression "cM orcsilanes de qualité électronique" on entend des chlorosilanes qui, par ré-10 duction classique forment du silicium élémentaire, qui satisfait aux exigences des normes de l'industrie électronique dans l'utilisation comme semi-conducteur0 Ainsi, les chlorosilanes traités conformément au procédé de la présente invention sont de qualité ncn~électronique, c'est-à-dire contiennent des quan-15 tités indésirables de bore. Le procédé selon la présente invention implique la dispersion, de préférence uniformément, dans une masse liquide limpide d'un chlorosilane, ainsi qu'il est décrit ci-dessus, de particules colloïdales pré-formées qui sont des hydrolysats 20 partiels d'un chlorosilane, et la séparation ultérieure du chlorosilane à partir des hydrelysats partiels, laissant le bore qui est présent dans le chlorosilane en combinaison avec les hydrolysats partiels« Le procédé pi'éféré selon la présente invention implique 25 la fourniture d'une masse liquide limpide, essentiellement non turbulente . d'un chlorosilane, ainsi qu'il est décrit ci-dessus, avec une atmosphère au-dessus de lui» L'atmosphère contient (1) une vapeur de chlorosilane en quantité égale à sa tension partielle à la température de la masse et de l'atmosphère et 30 (2) de la vapeur d'eau. Le nombre des moles d'eau dans cette atmosphère n'est pas supérieur" au nombre des moles de chlorosilane dans l'atmosphère. Le chlorosilane dans l'atmosphère est partiellement hydrolysé par la vapeur d'eau et les hydrolysats partiels précipitent depuis l'atmosphère à la surface de la mas-35 se3 ~-,e qui la rend trouble ou d'une apparence trouble. On sépare ensuite le chlorcsilarxe des hydrolysats partiels, en laissant le bore qui était présent dans le chlorosilane en combinaison avec les hydrolysats partiels. Eans la technique, il existe des avis selon lesquels le BAD ORIGINAL 69 02877 2001487 silane et certains chlorosilanes peuvent être mélangés à l'état de liquide ou de vapeur avec l'eau pour effectuer l'hydrolyse des impuretés de bore que l'on peut séparer ensuite du silane ou du chlorosilane. Cependant, la réaction directe dans une 5 masse importante de silane entre l'eau et les composés du "bore exige l'utilisation de grandes quantités d'eau, par exemple d'au moins 0,1 % en volume d'eau, calculé, sur le volume de si-lare ou de chlorosilane. Certains processus de la technique exigent des quantités au moins aussi importantes qu'une mole 10 d'eau pour 100 moles de chlorosilane. La raison de ces grandes quantités d'eau est simple. Puisque la quantité de bore dans le silane est faible comparée à la quantité de silane, de grandes quantités d'eau sont nécessaires pour surmonter 1*effet d'action de masse du silane vis-à-vis de l'eau, bien que les 15 composés du bore réagissent plus vite que les silanes, A moins que l'on n'utilise une grande quantité d'eau, la majeure partie du bore présent ne sera pas éliminée. Cependant, il y aura une quantité d'autant plus grande de silane ou de chlorosilane hy-drolysé qu'il y aura plus d'eau, en le rendant sans utilisation 20 et l'élimination et la présence de sous-produits devient un ennui de traitement. Le procédé selon la présente invention possède les caractéristiques originales suivantes : 1) l'eau réagit avec une faible fraction de chlorosilane 25 subissant la purification, et l'hydrolysat peut être dosé pour l'introduction dans la masse de chlorosilane, 2) on peut conduire le procédé en continu et à des vitesses élevées, 3) l'impureté de bore est immobilisée uniquement par un 30 hydrolysat partiel de chlorosilane et, dans le cas du procédé préféré, la vapeur d'eau utilisée vient au contact de la majeure partie de la masse liquide de chlorosilane, 4) Aucune pyrolyse de silane n'est requise, 5) des quantités d'eau extrêmement faibles sont nécessai-35 res, par exemple des quantités d'eau qui n'excèdent ordinairement pas 0,05 % en volume de vapeur d'eau, calculé sur le volume total de liquide et de vapeur de chlorosilane, 6) une faible fraction de chlorosilane est rendue inutilisable pour la formation de silicium élémentaire parce que le BAD ORIGINAL 69 02877 5 2001487 procédé évite la présence de contrations localisées d'eau et de chlorosilane* Par exemple, la Demanderesse a trouvé qu'il n'y a pas conversion de plus de 0,05 mole # de chlorosilane en produit inutilisable, 5 7 ) On peut terminer le processus en l'espace de quelques minutes ou moins, typiquement en 10 minutes, comparativement aux procédés de la technique antérieure qui, comme il a été établi, exigent des heures de façon à rendre le bore séparable, 8 ) Il ne se forme qu'une quantité minimale de HC1 corrosif; 10 en conséquence, le chlorosilane traité peut être manipulé au cours du traitement avec un équipement constitué d'acier classique de flaible prix. On pense que le procédé selon la présente invention, basé sur une certaine preuve analytique, s'effectue de la façon suivante 15 Le chlorosilane réagit avec l'eau pour donner essentiellement des hydrolysats partiels de chlorosilane, c'est-à-dire contenant . un et habituellement pas plus de 2 atomes de silicium liés à OH. Les réactions sont illustrées par l'équation suivante : HSiClj + H0H ?• HSiCl2(0H) + HC1 20 HSiClgtOH) + H0H ► HSiCl(0H)2 + HÇ1 HgffiLClg + HOH > HgSiCKOH) + HC1 H2SiCl(GH) + HOH » HgSiCOH)^ + H01 ' HjSiCl + HOH » HjSiOH + HC1 SiCi4 + HDH ^ SiCl^OH) + HG1 25 SiCl^(OH) + HOH > SiCl2(0H)2 + H01 On introduit ces hydrolysats partiels dans la masse, par excàple en les déposant à partir de l'atmosphère, soit comme molécules distinctes soit comme hydrates complexes. Du fait qu'ils sont de nature particulaire, ils rendent la masse louche et ainsi 30 on peut les observer visuellement lorsqu'ils se dispersent uniformément dans la masse. En quelques secondes, la masse devient trouble en raison de ces particules apparentes et l'on n'observe pas de concentrations localisées apparentes de ces particules. On pense que ces particules apparentes immobilisent le bore flâna 35 la masse, pour former des structures chimiques complexes, qui présentent des points d'ébullition considérablement supérieurs à ceux des chlorosilanes. Il s'enduit que l'on peut aisément séparer les chlorosilanes du bore qui est une partie de ces structures complexes. 69 02877 6 2001487 On peut facilement! effectuer la séparation de chlorosilane par distillation, dialyse, décantation, etc. Le processus le plus pratique est la distillation du chlorosilane, laissant un résidu contenant l'impureté de "bore. Le distillât de chlorosi-5 lane est extrêmement pur et peut être utilisé pour la fabrication de silicium élémentaire Il existe "bien des moyens par lesquels on peut former des hydrolysats partiels et les introduire dans la masse liquide de 10 chlorosilane. Le procédé préféré décrit ci-dessus représente l'un des moyens les plus simples et les plus directs de fabriquer des hydrolysats préalablement forméfC:, et pour les déposer dans la masse liquide. D'autres procédés sont évidents. On peut par exemple injecter un courant à grande vitesse 15 de vapeur pure (telle que de la vapeur provenant d'eau distillé^ en tête d'un grand récipient contenant une masse liquide de chlorosilane et une atmosphère de couverture saturée de chlorosilane. On laisse tomber en pluie l'hydrolysat partiel formé dans la zone de l'atmosphère sur la masse liqjïi&e pour s'y dé-20 poser et l'on peut vidanger le liquide louche du récipient pour la séparation suivante de chlorosilane purifié, par exemple par distillation, c'est-à-dire 1'évaporation du chlorosilane, ce qui laisse un résidu d'impuretés de bore. Une autre technique implique le passage d'un courant de 25 gaz inerte chargé de vapeur d'eau dans un courant de vapeur de chlorosilane à grande vitesse telle que se produise une turbulence lorsque les deux courants viennent au contact. Ainsi, on fait passer le. courant d'hydrolysat partiel dans un-grand récipient contenant une masse liquide non turbulente de chlorosila-30 ne, dans lequel l'hydrolysat partiel colloïdal tombe en pluie sur la masse liquide et s'y dépose. Selon cette forme de mise en oeuvre, on peut évacuer le courant de gaz inerte provenant du même récipient tandis que l'hydrolysat colloïdal est précipité et se dépose dans la masse liquide. Les procédés habituels 35 de séparation de chlorosilane des impuretés de bore peuvent êtes appliqué^ . Une variante de la technique précédente implique l'agitation rapide de la masse liquide au cours de la précipitation. Dans chacune de ces techniques, l'atmosphère au-dessus de la 69 02877 n ( 2001487 masse liquide est essentiellement exempte d'eau et un hydroly-sat colloïdal distinctement pré-formé se dépose dans la masse. Dans toutes ces techniques, y compris le procédé préféré, le nombre des moles de vapeur d'eau qui réagissent avec la va-5 peur de chlorosilane n'est de préférence pas supérieure^. la concentration molaire de chlorosilane dans la zone de/réaction* Bans les opérations préférées du procédé selon la présente invention, l'hydrolysat partiel colloïdal existe comme dispersion dans la vapeur de chlorosilane tandis que se produit la 10 précipitation de .l'hydrolysat. De façon avantageuse, le nombre de moles d'eau utilisé est au moins égal au nombre de moles de tore dans le chlorosi-lan.e et de préférence lui est supérieur. La concentration molaire du bore dans le chlorosilane peut être déterminée d'abord à 15 échelle analytique de laboratoire, par le procédé selon la présente invention, en utilisant de petites quantités mesurées de chlorosilane, en y précipitant un hydrolysat partiel, en distillant le chlorosilane du résidu contenant du bore, et en analysant le résidu pour le bore, selon des techniques en elles-20 mêmes connues. En répétant l'analyse avec une variété de concentrations en hydrolysat partiel, on peut acquérir une détermination de la concentration en bore. Ordinairement, l'eau est transportée comme vapeur en suspension dans un gaz inerte vers la zone dans laquelle se pro-25 duit la réaction avec la vapeur de chlorosilane. Bien que l'on puisse utiliser de la vapeur d'eau pure, exempte d'autres gaz, on obtient les meilleurs résultats avec un gaz inerte chargé de vapeur d'eau» Un gaz inerte utilisable est l'un quelconque des gaz ou vapeur qui peu-vent se mélanger à la vapeur d'eau et 30 le chlorosilane souslés conditions du procédé, sans réaction avec la vapeur d'eau ou le chlorosilane. Des gaz inertes particulièrement avantageux comprennent l'azote, l'argon, le gaz carbonique, le méthane, etc. Si la température de la réaction est suffisamment basse, on peut utiliser de l'air. En fait, 35 sous de telles conditions, des gaz fluorocarbonés, par exemple le dichlorodifluorométhane et autres hydrocarbures halogénés volatils, peuvent être utilisés comme gaz inertes. le chlorosilane purifié, tel que le trichlorosilane, obtenu selon le procédé de la présente invention, contient BAD ORIGINAL 69 02877 8 2001487 typiquement moins de 0,25 partie par milliard en poids de bore, de préférence moins de 0,15 partie par milliard en poids de bore. Comme telle, cette matière purifiée présente une utilité améliorée lors de la production de silicium de haute qualité. 5 Une mise en oeuvre spéciale implique l'utilisation du pro cédé selon 1a. présente invention pour analyser la quantité de tore dans les silanes, tels que ceux qui présentent la formule SiE^X^, dans laquelle X représente un atome d'halogène tel que le fluor, le chlore, le brome et l'iode, a et b sont l'un des 10 nombres entiers 0, 1, 2, 5 ou 4- et la somme de a + b est égale à 4. On connaît des procédés colorimétriques sensibles pour dé— O celer le bore dans la gamme de 10 grammes dans 10 inl de liquide* Pour augmenter la sensibilité de ces techniques dans la gamme de quelques parties par milliard en poids, les procédés 15 de la technique antérieure utilisent de plus grands échantillons de silane, de sorte que la teneur en bore d'une portion aliquote soit augmentée. Une technique antérieure qui a été suggérée pour augmenter cette teneur en bore a été d'évaporer une portion importante d'un échantillon aliquote. La portion rési-20 duelle concentrée est supposée contenir une plus grande quantité de tore que ne l'aurait un volume similaire d'échantillon non évaporé. Ce procédé ne réussit pas pour concentrer des quantités à l'état de traces de composés du bore, parce qu'ils se volatilisent aussi quelque peu au cours de 1*évaporation pour 25 la concentration de l'échantillon. L'utilisation du traitement de l'hydrolysat partiel de silanes liquides, d'autre part, concentre essentiellement tout le bore dans des composés du tore, apparemment hydrolysés, à point d'ébullition élevé. L'évapora-tion d'un grand échantillon a un volume d'une portion concen- " 50 trée aliquote d'un volume relativement faible retient ainsi tout le bore„ De cette façon, on peut appliquer alors les procédés, analytiques colorimétriques pour déceler des quantités à l'état de trace du tore dans des composés contenant du silicium, en quantités telles qu'elles sont inférieures à 0,01 partie par 35 milliard en poids, selon la dimension de l'échantillon original utilisé„ Pour illustrer l'efficacité de la présenté invention dans l'élimination des impuretés de tore et l'analyse de ce qui peut être présent dans un silane de qualité pour Semi-conducteur, on 69 02877 9 2001487 ajoute du "bore en quantités connues et sous diverses formes (par exemple comme trichlorure de "bore ou comme acide borique dans l'acide sulfurique ou l'eau), à divers échantillons de HSiCl^, et l'on purifie alors les mélanges résultants selon le 5 procédé suivant. On insuffle un courant d'azote gazeux qui a été saturé d'eau à 25°C, à la surface d'une passe liquide de HSiClj contaminé et une turbidité distincte apparaît. En même tempsv afin de s'assurer qu'aucunë impureté de bore n'est perdue par volatilisation, on fixe un condenseur à neige carboni— 10 que au ballon de .verre au quartz contenant la masse liquide à traiter. Après que la turbidité est- apparue dans la masse à traiter, on porte 1 'échantillon au reflux en utilisant un manchon chauffant, pendant 15 minutes environ, le condenseur à neige carbonique étant en place. On refroidit alors la masse à la 15 température ambiante^ on enlève le condenseur et on évapore la masse jusqu'à ce que demeurent 3 ml cLe liquide. Après avoir enlevé la source de chaleur, ce qui reste des vapeurs de HSiCl^ est modérément soufflé hors du ballon par de l'azote ; gazeux sec. On extrait alors le résidu avec 10 ml de HgSO^ concentré, 20 on chauffe pendant 1 minute environ jusqu'à apparition de vapeurs de SO^ abondantes, puis on refroidit. On'ajoute 100 ml d'eau et l'on chauffe alors le mélange résultant à ébullition pendant quelques minutes et filtre à chaud dans un ballon propre de verre au quartz. On évapore ce filtrat à siccité (jus-2:5 qu'à ce que des vapeurs de SO^ se dégagent), puis on refroidit. S'il y a évidence d'une quelconque matière organique, on ajoute 20 .mg de persulfate d'ammonium, et l'on porté le mélange résultant à ébullition pendant 30 secondes environ. Après refroidissement à moins de 100°C, on ajoute comme réactif 290 ml de 30 dianthrimide (20 mg de dianthrimide dans 100 ml de ^SO^) pour : former toi produit de, réaction ou un complexe avec les composés du "bore présents, et l'on recouvre alors les échantillons avec une pellicule de polytétrafluoroéthylène et on les place dans un four à 90°C pendant 10 à 15 heures. On élimine d'Sbord un 35 résidu quelconque par filtratioh de l'échantillon à travers une masse frittée en utilisart une cloche en verre et par succion, puis on lit la densité optique du complexe de bore et dianthrimide présent dans chacun des échantillons sur un spectrophoto-mètre à la longueur d'onde de 620 m p ." la quantité du bore TrC0PV 69 02877 10 2001487 "fixé" par l'eau et éliminée du mélange original de ESiCl^ est alors calculée, en utilisant les facteurs appropriés d'étalonnage pour le "bore et le dianthrimide. Les résultats obtenus à partir des divers échantillons essayés sont représentés au ta-5 bleau suivant : TABLEAU Microgrammes de % de "bore Lot Mélange de départ "bore trouvés recimTH 1,5 100 1,0 100 2.07 103 2,3 115 1.8 90 2,98 101 2,75 87 XXX On utilise de l'argon humide à la place cfezote humide. 30 Pour illustrer la forme préférée de mise en oeuvre de la présente invention référence est faite au dessin annexé, qui est une représentation schématique du procédé préféré décrit précédemment. On charge du trichlorosilane (HSiCl^) par une conduite 4 35 dans une colonne de distillation 5 pour fournir un écoulement de trichlorosilane distillé dans une conduite 6 de 4-53 kg/heure. Simultanément, on charge de l'azote gazeux par une conduite 1 à- - P - - - 25°0, sous 6,3 kg/cm de pression au manomètre dans le contac-teur à eau 2 dans lequel le gaz se sature d'eau. On envoie Rôpy 1 10 ml de ESiCl-z avec 1,5 ml de HpSO^ à 95%j contenant 1,5 10 microgrammes de "bore (le "bo re est présent comme acide "borique dans l'acide sulfuri-que) 2 100 ml de HSiCl,, 0,5 ml de H^SO^, et 1 ml de H^O contenant 1 microgramme de bore 15 (comme acide "borique) 3 100 ml de HSiCl^, avec 2 ml d'eau contenant^ microgrammes de "bore (comme acide borique) 4 200 ml de HSiCl^ avec 2 ml d'eau contenant 2 microgrammes de bo- 2q re (comme acide borique) 5 200 ml de HSiGl^ avec 2 ml d'eau contenant 2 microgrammes de bore (comme acide borique) 6 20 ml de HSiGl, contenant 2,95 microgrammes dê tore fcomme trichlorure de bore)**** 74-0 ml de HSiCl^ contenant 2,95 microgrammes de^bore (comme trichlorure de bore)111 On évapore le mélange à siccité On évapore le' mélange à 1 ml 25 60 02877 i i 2001487 ensuite le gaz saturé d'eau dans un réchauffeur 2a dans lequel il est chauffé à 110°C avec de la vapeur sous 3a5 kg/cm^ au manomètre . Le trichlorosilane liquide limpide distillé passe à raison 5 de 4-53 kg/heure dans une conduite de purificateur 8 qui présente 7,5 cm de diamètre interne et 3 m de longueur et est en acier doublé intérieurement de verre, tandis que l'on charge l'azote gazeux saturé de vapeur d'eau par la conduite du purificateur 8. On introduit le gaz saturé d'eau dans l'atmosphère qui est au- . 10 dessus du trichlorosilane liquide en écoulement, en créant ainsi un courant de vapeur qui s'écoule au-dessus du courant de liquide. Dans la conduite 8, la température est comprise entre 30 et 35°C, avec une température moyenne de 32,5°C environ, et 2 la pression y est de 1,75 kg/cm au manomètre. Le trichlorosi-15 lane à apparence trouble passe par une conduite 10 dans une cuve de retenue 11 qui a une capacité de 2000 litres environ, tandis que l'azote gazeux est évacué par une conduite 9» Le trichlorosilane trouble passe de la cuve 11 par une conduite 12 vers une colonne de distillation 13. On retire le trichlorosilane 20 limpide, purifié, de qualité électronique, par une conduite 14, et l'on retire périodiquement le bore comme rés-idu de la colonne 13 pan une conduite 15» Les colonnes 5 et 13 peuvent être de dimension quelconque, par exemple être une colonne de distillation de 1 à 100 plateaux, ou plus. En laboratoire, des alambics 25 à un plateau peuvent font bien convenir, tandis qu'en opérations indusbi'ielles il peut être désirable d'avoir un alambic à 100 plateaux. La température du trichlorosilane en cours de traitement dépend d'un certain nombre de facteurs,_ tels que par exemple, si la vapeur d'eau réagit avec la vapeur de trichlorosilane dans, une zone contigue ou non contigtie avec la masse .liquide de chlorosilane, le taux désiré d'immobilisation de l'impureté de bore, le volume de chlorosilane liquide traité, la quantité d'impureté de bore présente dans la masse liquide, la pression dans la zone de la masse liquide au cours de l'immobilisation, etc. Ordinairement, la température de la masse liquide de chlorosilane est supérieure à 0°C environ mais n'est pas supérieure 35 au point d*ébullition du chlorosilane, tel que déterminé sous la pression dans la zone de traitement. Il va de soi que la présente invention n'a été décrite et représentée qu'à titre explicatif mais nullement limitatif "et qu'elle est susceptible de diverses variantes sans sortir de son cadre. 30 69 02877 12 2001487 REVENDICATIONS 1 « Procédé pour éliminer des impuretés de bore à partir de chlorosilanes, caractérisé en ce qu'il comprend la dispersion d'hydrolysats partiels formés au préalable d'un chlorosilane 5 dans une masse liquide limpide d'un chlorosilane contenant une quantité indésirable d'impureté de bore, et la séparation ultérieure du chlorosilane à partir des hydrolysats partiels et du "bore qui y est contenu pour obtenir un chlorosilane exempt de ladite quantité indésirable de l'impureté de bore. 10 2. Procédé pour éliminer des impuretés de bore dans les chlorosilanes, caractérisé en ce qu'il consiste à mettre en contact une masse liquide limpide d'un chlorosilane contenant une quantité indésirable de bore, avec une atmosphère au-dessus de lui, cette atmosphère contenant de la vapeur d'eau et ce chloro- 15 silane comme vapeur en quantité égale à sa tension partielle à la température de la masse et de l'atmosphère, à hydrolyser partiellement le chlorosilane dans cette atmosphère et à déposer cet hydrolysat partiel hors de l'atmosphère sur la surface de la masse, ce qui rend la masse trouble, puis à séparer le chlo— 20 rosilane limpide et à le recueillir à partir de l'hydrolysat partiel, en laissant les impuretés de bore en combinaison avec l'hydrolysat partiel. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la masse liquide est un courant circulant et la vapeur d'eau 25 est véhiculée dans l1 atmosphère en mélange avec un gaz inerte. 4-, Procédé selon la revendicatiorf**?, caractérisé en ce que la séparation est effectuée par distillation de la masse trouble. 5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce 30 que la concentration molaire de la vapeur de chlorosilane dans l'atmosphère est supérieure à la concentration molaire de l'eau dans l'atmosphère. 6. Procédé selon la revendication 5j caractérisé en ce que la concentration molaire de l-'eau dans l'atmosphère est au 35 moins égale à la concentration molaire du "bcre dans la masse de chlorosilane. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'hydrolysat pré-formé est préparé par réaction de la vapeur d'eau et de la vapeur de chlorosilane dans une zone séparée de 40 la masse liquide. 69 02877 15 2001487 S. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'hydrolysat pré-formé est préparé par réaction de la vapeur d'eau et d'une vapeur de chlorosilane dans une zone contigïie de la masse liquide. 5 9* Procédé continu pour éliminer les impuretés de "bore dans «les chlorosilanes, caractérisé en ce que l'on fournit un courant continu liquide, limpide d'un chlorosilane contenant une quantité indésirable d'impureté de "bore dans une zone possédant un espace pour une atmosphère, cette atmosphère comportant un cou-10 rant circulant de. vapeur d'eau et une vaî>eur de chlorosilane, et le chlorosilane étant partiellement hydrolysé dans cette atmosphère que l'on dépose une partie de cet hydrolysat dans le courant liquide pour obtenir un courant liquide trouble, que l'on distille le liquide trouble pour obtenir du chlorosilane 15 limpide exempt de cette quantité indésirable d'impureté de bore. 10. Procédé selon la revendication 9S caractérisé en ce que le chlorosilane est le monochlorosilane, le dichlorosilane, le trichlorosilane ou le tétrachlorosilane. 11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce 20 gue le chlorosilane est le monochlorosilane, le dichlorosilane, le trichlorosilane ou le tétrachlorosilane. 12. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le chlorosilane est le trichlorosilane. 13. Procédé d'analyse de la teneur en bore de silanes, ca-25 raetérisé en ce que l'on disperse des hydrolysats partiels formés au préalable d'un silane dans une masse liquide limpide de silane contenant du bore, en rendant ainsi trouble cette masse liquide, on sépare le silane de l'hydrolysat partiel de sorte que la teneur en bore dans la .masse liquide est laissée avec 30 l'hydrolysat partiel pour former un résidu, et on analyse le résidu pour le bore. 14. Procédé selon la revendication 13a caractérisé en ce que le silane est un chlorosilane.