Brevet FR2007696A1 — publié le 19700109

Les signaux de parole, qui sont traités dans des équipements de communication électroniques, sont soumis à diverses sortes de bruits. Ainsi, la réception de signaux modulés en amplitude peut être considérablement affectée par des impulsions de bruit qui sont dues à des décharges atmosphériques ou des interférences d'allumage automobile. Par suite de la durée des impulsions, qui est courte par rapport à l'lntervalle entre deux impulsions de bruit, le bruit lui-"eme doit avoir une amplitude considérablement supérieure au signal de parole, afin de provoquer des interférences dignes d'attention. Jusqu'à maintenant, deux possibilités différentes sont connues pour supprimer ces impulsions. Dans un cas, le signal de parole peut traverser le trajet de transmission sans être affecté, mais le signal est bloqué pour les amplitudes qui sont supérieures à l'amplitude normale du signal de parole. Dans ce cas, la réduction de bruit devient supérieure au rapport de 1 'intervalle entre deux impulsions, quand l'amplitude des impulsions augmente. Selon un autre cas; le canal de transmission est bloqué au cours de la courte période de temps de chacune des impulsions de bruit.Ceci provoque un trou dans le signal de parole, qui, par suite de sa courte durée, toutefois, peut être négligé dans la plupart des cas parce que dans les cas ou, par exemple, un récepteur acoustique est concerné, il ne peut être perçu par suite de la propriété d'intégration quota ltoreille humaine. te premier cas mentionné ci-dessus, de réduction de bruit est habituellement appelé "limitation du bruit", tandis que le second cas est appelé "inversion de bruit". Les procédés et les circuits pour ces deux catégories de réduction de bruit sont connus par les articles suivants de la littérature : E.W.PAPEENFUS "Circuits et principe des bandes latérales uniques" New-York 1964, pages 300 à 305 ; B.GOODMAN "te manuel des émetteurs radio" Nèwingten 19645 41-Ême édition, pages 102 à 105 et "QST" octobre 1963, pages 22 à 25. du si Le principe général de l'inversion du bruit est basé sur le fait qutà partir/ d'interférence perturbé on dérive une impulsion d'inversion qui est envoyée sur le trajet de transmission des signaux en un point suivant iirnnatement. Ainsi, par exemple selon le livre mentionné précédemment de GOoDMtN, page 104, l'impulsion dl inversion est envoyée à la seconde grille de commande d'une exode qui est insérée dans le trajet de transmission du signal de parole, et qui, par l'impulsion d'inversion, est bloquée pendant le temps de sa durée par rapport au signal d > interfé- rence. Une autre possibilité pour effectuer l'inversion de bruit consiste, selon le livre de E.W.PAPPENFUS, page 302,à envoyer l'impulsion de sortie à un circuit porte, inséré dans le trajet de transmission des signaux et constitué par des diodes. te même principe est également connu par le'tST" pages 27 et 24, où un transistor sert de porte. En conséquence, la présente invention concerne un procédé pour effectuer l'in version du bruit dans des équipements de co'smutation électroniques dans lesquels une impulsion de bruit, qui cst superposée au signal de parole, est supprimée par une impulsion d'inversion, qui est dérivée de l'impulsion de bruit, et dans lesquels l'impulsion d'inversion agit sur le trajet de transmission des signaux. la présente invention a pour objet de proposer une inversion de bruit, d'une manière nouvelle et plus simple. Selon l'invention, ceci est réalisé en ce que 1' une des impédances élevées prévues dans le trajet de transmission des signaux de l'équipement, et qui est traversée par le signal de parole perturbé, est connectée en parallèle avec un dispositif semiconducteur à quatre couehes prévu avec une anode, une cathode, une première et une seconde bornes d'électrode de commande dans la section anode/cathode. L'impulsion d'inversion est envoyée à l'une des deux électrodes de commande pour commuter le dispositif semiconducteur à quatre couches dans son état à faible résistance. Comme impédance élevée, il est possible d'utiliser, par exemple, dans un am pllficateur à fréquence intermédiaire, le circuit résonnant parallèle d'un étage ampllficateur à fréquence intermédiaire. Le dispositif semiconducteur à quatre couches est ensuite monté en parallèle avec ce circuit résonnant parallèle, et l'impulsion d'inversion est envoyée à l'une des deux électrodes de commande du dispositif semiconducteur à quatre couches. Dans le cas d'un amplificateur à large bande, ou dans le cas d'un amplificateur à basse fréquence, il est possible pour le dispositif semiconducteur à quatre couches d'etre connecté en parallèle avec un étage présentant une résistance élevée, auquel cas l'impulsion d'inversion est, de la messe façon, envoyée à l'une des deux électrodes de commande.Il est particulière- ment avantageux que l'impulsion dtinversion, avant d'être appliquée au dispositif semiconducteur à quatre couches, soit différenciée électriqueument. D'autres caractéristiques de l'invention ressortiront de la description dé taillée ci-dessous. Bien entendu la description et le dessin ne sont donnés qu'à titre indicatif et nullement limitatif de l'invention. la figure 1 représente, schématiquement, la composition d'un dispositif à quatre couches qui est utilisé dans le procédé selon l'invention. Ia figure 2 représente le circuit d'un étage amplificateur à fréquence inter médiaire, qui fonctionne selon l'invention. te dispositif semiconducteur à quatre couches T, qui est représenté schéa- tiquement sur la figure 1, est constitué par quatre couches d'un type de conducti- vité opposé alternant d'une couche à la suivante, dans lequel chaque couche comporte une borne d'électrodé. te dispositif semi conducteur à quatre couches T, en conséquence, comprend a borne d'anode A, la borne de cathode K, la première borne d'électrode de commande SK, et la seconde borne d'électrode de commande 8A la première borne dXéleetrede de commande S est connectée a la zone environnant la zone de la borne de eathode, tandis que la seconde borne d'électrode de commande SA est connectée à la zone environnant la zone de la borne d'anode.On peut remarquer que la structure du dispositif semiconducteur à quatre couches T ne doit pas absolument etre composée de zones déposées en "sandwich", comme cela est représenté sur le dessin ; tout autre montage favorable de zones de différents types de conductivité est possible. te procédé selon l'invention est avantageux en particulier dans les cas où un dispositif semiconducteur à quatre couches est utilisé avec un très faible courant de commande et un très faible courant de maintien. En particulier de tels dispositifs semiconducteur à quatre couches présentent avantageusement un courant de commande inférieur à 5 milliampères et un courant de maintien inférieur à 10 milliampèrcs. La figure 2 représente le circuit d'un étage amplificateur à fréquence intermédiaire utilisant le procédé selon l'invention, L'étage amplificateur à fréquence intermédiaire FI comprend un circuit résonnant parallèle constitué par la bobine h et le condensateur C1, le signal Fi étant couplé à la sortie?', par l'intermédiaire d'une bobine t qui est couplée magnétiquement à la bobine L1. Une ré résistance de filtre R' > de l'étage amplificateur FI a l'une de ses extrémités connectée à la tension d'alimentation UB, tandis que l'autre extrémité est reliée à ltextréité inférieure du circuit résonnant parallèle qui est composé de la bobine et et du condensateur C1. En parallèle avec ce circuit résonnant, on connecte main- tenant pour le courant alternatif, le dispositif semiconducteur à quatre couches T avec sa section anode-cathode. En tete de l'étage amplificateur Fl on dérive, du signal de parole perturbé, une impulsion d'inversion qui peut être conformée par le séparateur d'impulsions. Cette impulsion d'inversion s'écoule maintenant par l'intermédiaire du condensateur C2 vers la première électrode de commende SK/ la résistance R2 étant branchée entre la première électrode de commande SA et la cathode, pour le courant alternatif. Dans ce cas, par exemple quand le séparateur d'impulsions a délivré une impulsion rectangulaire d'une impulsion de bruit, cette impulsion rectangulaire est convertie, par la cellule composée du condensateur C2 et de la résistance R2 agis- sant comme un élément différenciateur. en une impulsion en aiguille dirigée positivement et négativement. I1 est également possible, toutefois, d'appliquer l'impulsion d'inversion positive directement à la première borne d'électrode de commande SK sans 1 'interconnexion du circuit de différenciation. la seconde borne d'électrode de commande SA est connectée à la borne d'anode A par l'intermédiaire d'une résistance R'1. L'ex7stence de cette résistance présen- te l'avantage que le courant de maintien du dispositif semiconducteur à quatre couches est augmenté et est ainsi capable d'être adapté aux dimensions du circuit. De la meme façon, il est possible de régler à la première électrode de commande sK la sensibilité de réponse pour l'impulsion d'inversion. D'autre part, par 1 1inter- médiaire de la résistance Phr une tension de commande est appliquée à cette borne d'électrode de commande. Cette tension de commande peut être dérivée du signal de paroleS d'une manière semblable à la tension de commande qui est utilisée, par exemple, pour effectuer la commande automatique de gain d'un récepteur. De cette manière il est possible d'adapter la sensibilité des impulsions de bruit, d'une manière simple au signal de parole. Cette commande de la sensibilité de réponse est particulièrement avantageuse - quand on reçoit des signaux à bande latérale unique. Entre la borne d'anode et la borne de cathode, le dispositif semiconducteur à quatre couches présente deux états de résistance élevée différents. Normalegent, ctest-à-dire quand aucune impulsion d'inversion n'est appliquée à la première borne d'électrode de cormiande, il est dans i'état de haute résistance. Par l'impulsion dtinversion, le dispositif semiconducteur à quatre couches est amené à être commuté dans l'état à faible résistance.A la fin de l'impulsion d'inversion, le dispositif semiconducteur à quatre couches est ramené dans son état à résistance élevée, ainsi pendant la durée de l'impulsion d'inversion et par suite de la faible résistance du dispositif semiconducteur à quatre couches, le circuit résonnant parallèle et; en conséquence, également le signal de parole perturbé, sont court eircuités. Le retour à l'état à haute résistance est effectué par la différenciation déjà mentionnée de l'impulsion du bruit à cause de l'impulsion en aiguille dirigée négativement. Quand il est comparé avec les types classiques de procédés pour effectuer l'inversion de bruit, qui utilisent des tubes, des transistors ou des diodes, le procédé selon l'invention, en utilisant un dispositif semiconducteur à quatre couches, présente par rapport aux autres l'avantage de nécessiter peu de puissance. L'impulsion d'inversion qui est dérivée de l'impulsion de bruit a seulement besoin d'une faible quantité d'énergie. te dispositif semiconducteur à quatre couches, dans son état à faible résistance, demande un faible courant continu. Cette faible valeur est de l'ordre de 1 milliampère. D'autre part, dans les procédés classiques en plus du séparateur d'impulsions, il est nécessaire d'avoir un conformeur spécial d'impulsions, pour dériver de chaque impulsion de bruit, une impulsion d'inversion d'une amplitude telle que l'élément de commutation d'inversion est commuté directem2nt . Comparé avec un transistor bipolaire, le dispositif semiconducteur à quatre couches dans la condition "hors serviez", présente une résistance différentielle sensiblement supérieure. tes propriétés de commutation d'un dispositif semiconducteur à quatre cou ches peuvent être utilisées sur une gronde gamme de fréquence par exemple jusqu'à environ 100 mc/s et au-dessus. Bien que les principes de la présente invention aient été décrits ci-"essus en relation avec un exemple particulier de réalisation, on comprendra clairement que ladite description est faite seulement à titre d'exemple et ne limite pas la portée de l'invention. REVENDICATIONS 10) Procédé pour effectuer l'inversion du bruit dans des équipements de communication électroniques, dans lesquels une impulsion de bruit, qui est superposée au signal de parole, est supprimée par une impulsion d'inversion qui est dérivée de l'impulsion de bruit, c'est-à-dire dans lesquels le trajet de transmission des signaux est bloqué pendant la durée de l'impulsion d'inversion, caractérisé en ce que l'une des impédances élevées, prévue dans le trajet de transmission des signaux dans l'équipem2nt, et qui est traversée par le signal de parole per on turbé, est connectée/hrrrallèle avec un dispositif semiconducteur à quatre couches prévu avec une anode, une cathode, une première et une seconde bornes d'électrodes de commando dans sa section anode/cathode, et en ce que r'Ympulsion d ' inver- sion est envoyée à l'une des'deux eEle-ctrodes de commande pour commuter le dispositif semiconducteur à quatre couches dans son état à faible résistance. 20) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'impulsion d'inversion est envoyée à un dispositif semiconducteur à quatre couches, qui est connecté en parallèle avec un circuit résonnant parallèle. 3) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'impulsion d'inversion est envoyée à un dispositif semiconducteur à quatre couches, qui est con nS{tiy DitEDEb avec une source de tension alternative présentant une résistan- ce interne élevée. 4 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'impulsion d'inversion est différenciée électriquement avant d'entre appliquée au dispositif semiconducteur à quatre couches. 50) Procédé selon une ou plusieurs des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on utilise un dispositif semiconducteur à quatre couches présentant un très faible courant de maintien et un très faible courant de commande. 60) Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'on utilise un dispositif semiconducteur à quatre couches ayant un courant de commande inférieur à cinq milliampères, et un courant de maintien inférieur n dix milliampères. 70) Circuit pour mettre en oeuvre le procédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le dispositif semiconducteur à quatre couches, avec sa section anode/cathode et pour les tensions alternatives, est monté en parallèle avec un circuit résonnant parallèle, en ce que la seconde borne d'électrode de commande est shuntée par une résistance et en ce que la première borne d'électrode de commande est connectée à la ligne conduisant l'impulsion d'inversion. 80) Circuit selon la revendication 7, caractérisé en ce que la seconde borne d'électrode de comnande est appliquée à un circuit de différenciation électrique. 90) Circuit selon la revendication 8 > caractérisé en ce qu'une tension de commande est appliquée à la borne d'électrode de commande à travers la résistance du circuit de différenciation.