Brevet FR2009082A1 — publié le 19700130

164S0 2009082 La présente invention est relative à des perfectionnements apportés aux dispositifs semi-conducteurs connus sous le nom de "thyristors", et qui sont définis par les normes américaines "JEDEO" comme étant des dispositifs semi-conduc-5 teurs bistables, à trois fonctions ou plus, qui peuvent être commandés de façon à basculer de leur état de conductibilité à leur état de non conductibilité et inversement, ce basculement s'effectuant durant l'un, au moins, des quadrànts de la courbe caractéristique tension/ intensité du courant principal. 10 Lorsqu'un thyristor est déclenché, à l'instant initial de son déclenchement seule une petite surface entourant son déclencheur d'entrée devient conductrice. Cet état de conductibilité locale du thyristor s'étend ensuite graduellement sur toute la surface de sa fonction commandée. 15 Du fait que, à l'origine, une très faible surface de la fonction commandée du thyristor est seule sous tension, la densité de courant sur cette faible surface est élevée, ce qui augmente les risques de claquage. Un claquage du thyristor peut survenir lorsque celui-ci bascule à partir de sa position 20 pour laquelle il bloque les courants de sens direct, à moins que ce thyristor ne soit pourvu d'un dispositif limitant la rapidité d'établissement de l'intensité du courant passant. La plupart des thyristors de puissance fabriqués actuellement sont le siège de pertes importantes au déclenchement, du fait 25 que la propagation de l'état de conductibilité sur l'entière surface de la jonction commandée s'effectue relativement lentement . En général les thyristors, qu'ils soient prévus pour des intensités faibles ou fortes, ne peuvent supporter qu'une 30 croissance de l'intensité en fonction du temps (di/dt) relativement faible, si on la compare à celle qui est désirable dans les utilisations industrielles des thyristors. Lorsque di/dt dépasse la valeur que peut supporter le thyristor, il peut en résulter une destruction irrémédiable de celui-ci. Même pour 35 des valeurs de di/dt inférieures à la valeur critique, la chaleur dégagée au déclenchement du thyristor limite ses possibilités d'emploi, surtout lorsque ces déclenchements se répètent à une cadence élevée. Des bobinages saturables et non saturables, destinés 40 à limiter l'intensité passante après déclenchement du thyristor, gtè ORIGINAL 69 16450 2 2009082 ont été utilisés en vue de réduire les difficultés dues aux faibles valeurs admissibles de di/dt et à l'exiguité de la fraction utilisée de la surface de la jonction commandée, à l'instant initial du déclenchement. Les bobinages saturables permet-5 tent à la région conductrice de la jonction commandée de s'étendre sur une surface suffisante avant que se produise une croissance trop rapide de l'intensité passante. L'un des problèmes posés par cette solution consiste en ce que l'extension de la surface rendue conductrice ne peut s'effectuer si la densité 10 de courant y est trop faible pendant l'écoulement du temps de réponse du bobinage saturable. De plus, les caractéristiques d'amorçage d'un thyristor ainsi protégé peuvent varier dans de larges limites d'un appareil-à l'autre, et il est difficile de prévoir comment un thyristor donné se comportera en service. 15 On voit donc que l'intensité du courant passant, pendant le : temps de réponse du bobinage protecteur, ce temps de réponse lui-même et l'aptitude du thyristor protégé à étendre aux faibles intensités la surface rendue conductrice de sa jonction commandée, sont des variables qui doivent être toutes prises 20 en considération dans le calcul des thyristors de ce type. Un gros avantage du procédé de limitation de l'intensité passante au moyen de bobinages saturables consiste en ce qu'il assure une protection raisonnable des thyristors contre les variations brusques de tension. 25 Les bobinages non saturables à noyau d'air ont été aussi largement utilisés pour limiter la croissance di/dt de l'intensité à une valeur de sécurité. Les bobinages de ce type sont plus simples, ce qui facilite leur incorporation dans les circuits et l'évaluation préalable de leurs caractéristiques, 30 mais iis limitent la valeur de di/dt à toutes les intensités. Ces éléments, bobinages saturables ou non ajoutés aux circuits, et leur mode d'utilisation, ne sont que des compromis entre les caractéristiques de ces éléments ajoutés et celles des circuits dans lesquels ils sont introduits, et ne 35 constituent pas de. véritables perfectionnements aux thyristors eux-mêmes. Toutefois, certaines modifications de la construction même des thyristors ont été proposées, dans le mêmè but. En particulier, il a été déjà suggéré, en vue d'augmenter la limite acceptable de di/dt, de construire des thyristors dont 40 le déclencheur d'entrée n'est pas en position latérale par rap®AD ORIGINAL 69 16450 3 2009082 port à la jonction commandée. Il a été suggéré aussi de placer ce déclencheur d'entrée au centre de dispositifs à semi-conducteurs de construction par ailleurs classique, mais un déclencheur d'entrée central ne déclenche pas également dans toutes 5 les directions. Au contraire, il localise la forte densité de courant qui apparaît au déclenchement sur une petite surface entourant son point d'attaque, et il n'élimine par conséquent pas les risques de claquage. Il a été proposé également de prévoir sur les thyris-10 tors des déclencheurs d'entrée multiples, en vue d'augmenter la valeur limite acceptable de di/dt, et de réduire les pertes au déclenchement.^Oette solution réduit bien ces pertes pour les faibles valeurs de di/dt, et si les points d'attaque de la fonction commandée sont de part et d * autre de l'émetteur, la 15 durée totale de l'enclenchement pour ces faibles valeurs de di/dt peut être réduite de près de moitié. Ces déclencheurs d'entrée multiples coopèrent dans les meilleures conditions lorsqu'ils sont soit séparés les uns des autres par des éléments isolants, soit alimentés par des sources d'énergie différentes. 20 Mais l'expérience a montré que l'emploi de déclencheurs d'entrée multiples n'augmentait pas de façon appréciable la limite acceptable de di/dt, du fait que l'un d'eux entre toujours en action le premier, et établit à son propore point d'attaque les conditions provoquant la concentration de ljintensité en ce point. 25 II a été utilisé aussi des déclencheurs d'entrée de forme annulaire, mais les thyristors ainsi équipés ont une sensibilité moindre que les thyristors à déclencheur d'entrée latéral, et cette solution n'a été que peu employée. Il a été enfin proposé, comme variante aux solutions 30 comportant l'emploi de bobinages protecteurs saturables et non saturables et toujours en vue de limiter l'intensité après déclenchement, de construire des thyristors à grande surface d'émetteur. La présente invention a pour objet un nouveau mode de 35 construction perfectionné des thyristors,et son objet principal est la réalisation de thyristors dans lesquels la caractéristique di/dt est largement améliorée, qui fonctionnent sous l'action d'une puissance d'entrée nettement réduite, et dans lesquels la surface utile de la jonction commandée est utilisée au 40 maximum. 69 16450 2009082 Un autre objet de 1*invention est la réalisation d'un système de commande des thyristors leur permettant de supporter des surtensions en toute sécurité. D'autres buts, caractéristiques et avantages de la 5 présente invention ressortiront encore de la description qui va suivre, description faite à titre purement explicatif et nullement limitatif, et avec référence aux dessins annexés, dans lesquels : La figure .1 est une coupe schématique faite dans un 10 thyristor de type classique comportant deux connexions d'essai., La figure 2 est une coupe schématique faite dans tin thyristor conforme à l'invention. J La figure 3 est une vue en plan d'un mode de réalisation particulier des connexions d'un thyristor conforme à l'in-15 vent ion. La figure 4 montre une coupe schématique du thyristor de la figure 3- Les figures 5» 6 et 7 sont des coupes schématiques faites dans des thyristors à émetteur localement approfondi, et 20 conformes chacun à un mode de réalisation de l'invention. Les figures 8 et 9 sont des vues en plan de thyristors à couches mutuellement intercalées, conformes à un autre mode de réalisation de l'invention. La figure 10 représente schématiquement un circuit 25 illustrant les principes de base de la présente invention. La figure 11 représente schématiquement un circuit dans lequel sont montés en parallèle des thyristors de type classique, modifiés selon les principes de la présente invention ; et 30 Les figures 12 et 13 sont des vues en plan de deux autres modes de réalisation de thyristors conformes à la présente invention. La -description qui va suivre se rapporte à un thyristor triode à blocage inverse, mais il doit être bien entendu 35 que la présente invention s'étend à tous les thyristors du type mentionné. Elle concerne les thyristors dans lesquels les couches sont superposées, mais les thyristors ayant une autre configuration, par exemple les thyristors plans dont les connexions anode et cathode sont situées sur la même face du dispositif, 40 peuvent être agencés aussi selon les principes de l'invention. "1 OUD ORtGlNAI. 69 16450 5 2009082 La figuro i représente un thyristor 10 dont 1© corps 12 comporte quatre couclies .?-H" Cet émetteur 19 forme une languette 20 s'étendant latéralement au-delà de la connexion de cathode 16. Lorsque le déclencheur d'entrée reçoit un signal de eosEianâe, le courant 10 de cathode circule dans cette longuette. Cfe courant y donne naissance à une tension selativa qui p®B& - être aosurée sus? conducteurs 24 et 26 prévus à cet effet, iHnsî qra^on le verra par la suite, 11emploi de eette tension relative apparaissant sur la languette 20 est un facteur important des perfectionne-» 15 mants que la présente invention pereaet de réaliser® La localisation de l'intensité qui est créée dans un thyristor de conception aèérieure est raprësentêe en 22 aux' la fifara 1. Ainsi qu'il a été indiqué prëeédèsasieiï&9 des sioyess différents ont été déjà utilisés en vue de limiter 18intensité 20 passante jusqu'à ce que la surface qui est rendue conductrice à l'instant initial du déclenchement se soit suffisassaent due po\tr faire disparaître tout risque de clcquagc. Sa sias?it4es de la jonction commandée rendue conductrice à l'instant initial du déclenchement est en réalité excessivement réduite» et la 25 représentation figurée en 22 du flux des électrons ou des lacunes n'est qu'une image explicative qui ne donne pas les dimensions réelles de ce flux. Du fait de l'extrême petitesse de -.-©tte cor-face â l'instant initial du déclenchement, l'intensité passante doit être maintenue faible, sinon la densité de cou-jO rant sur cette surface réduite augmenterait dangereusement. La figure 2 représente un thyristor comprenant lui aussi un corps 12, les connexions d'anode et de cathode 14 et 16, et le déclencheur d'entrée 18 décrits ci-dessus, mais qui comporte en outre un dispositif évitant les difficultés reaeon-35 trées dans les thyristors de conception antérieure. Suivant ce mode de réalisation de l'intention, un conducteur JO branché sur la languette 20 dw X1émetteur relis cette languette â mus connexion 32 siLute k'-ané . dist'aaca. sur la aêae face •'iu 'bliyristox c a montré que cette disposition aaé- 40 '• ic-r-^it 1er.^a7?r.o\-Cjis 69 16450 6 2009082 tant du déclenchement, du fait que les conditions créées par ce déclenchement se manifestent en 34 de la manière habituelle, mais aussi en 36 à proximité de la connexion 32, cette zone -36 apparaissant pratiquement au même instant que la zone 34. 5 Les figures 3 et 4- représentent un thyristor 40 cons tituant un premier mode de réalisation pratique de l'invention. Dans ce thyristor, le déclencheur d'entrée 42 est placé face à une languette 44 formée par 1*émetteur du thyristor. Un conducteur connecté en 46 sur cette languette réunit une pluralité 10 de points de connexion 48 régulièrement répartis autour de l'émetteur. On remarquera sur la figure 3 que ces points de connexion 48 sont au nombre de dix, entourent la couche émettriee,1 et forment ainsi autant de points de déclenchement séparés, à l'apparition sur la connexion 46 d'une tension de déclen-15 chement réactive. Des languettes 50 sont formées par l'émetteur, en face de chacun des points de connexion 48. La figure 10 représente schématiquement un circuit u mettant en évidence le principe de la réaction d'entrée du thy- ; ristor conforme à l'invention. : - l 20 Les connexions d'anode *14 et de cathode 16, et le ; déclencheur d'entrée 18, sont représentés dans le circuit de la J figure 10. Dans ce circuit, la résistance 52 représente la résistance d'une languette de l1émetteur telle que celle représentée en 20 sur la figure 1. Le thyristor représenté en 54 f i-25 gure la zone rendue conductrice à l'instant du déclenchement, et correspond aux zones 22 de la figure 1, ou 3^ de la figure 2. Les thyristors représentés en 56 figurent des zones telles que la zone 36 de la figure 2, créé'es par les signaux de déclen-chement. Les résistances représentées en 58 figurent les résis-30 tances des languettes auxiliaires de l'émetteur, telles que celles représentées en 50 sur la figure 3» Le circuit de la figure 10 représente donc dans son ensemble un seul et même thyristor à déclencheurs d'entrée multiples. Le circuit de la figure 10 comporte aussi un conduc-35 teur 53 retour du déclencheur d?entrée. Les thyristors de type classique sont souvent munis d'un tel conducteur de retour, dont la présence est particulièrement préférable dans les thyristors dans lesquels di/dt est susceptible de prendre des valeurs élevées. 40 De préférence, la résistance 52 a line valeur supérieu- COPY 69 16450 7 2009082 re à celles des résistances 58. A réception d'un signal de déclenchement, un courant partant de la cathode circule immédiatement dans la résistance 52 en direction de la zone 54- du thyristor, qui est ainsi rendue conductrice. Le courant traversant cette zone 54- donne naissance dans la résistance 52 à une tension positive qui rend immédiatement conductrices les aones 56 dutbyristor adjacentes aux résistances 58. Si, ainsi qu'il a été précédemment indiqué, la valeur individuelle des résistances 58 est inférieure à celle de la résistance 52, les risques de claquage au déclenchement sont diminués« Le système de déclencheurs d'entrée ainsi constitué- fournit une pluralité de points d'attaque, ce qui a pour effet d'accélérer l'établissement de la pleine conductibilité du thyristor et, simultanément, de diminuer fortement les risques de claquage. Le bon fonctionnement du système réactif constitué par les points de déclenchement ainsi réalisés dépend de l'existence d'une certaine résistance entre chacun des points auxquels est appliqué le signal réactif d'entrée, et la partie adjacente de l'émetteur. Les languettes 50 pr4vues sur l'émetteur, et qui dépassent latéralement la connexion de cathode 16, constituent chacune une- résistance qui empêche le court-circuitâge du signal réactif et le claquage de l'émetteur au point d'attaque considéré. On voit donc que le dispositif réalisé suivant l'invention permet l'établissement dans le thyristor de zones conductrices secondaires qui réduisent la valeur di/dt de l'intensité passante. Dans un tel dispositif, le seul rôle du signal de déclenchement initial est d'amorcer la conductibilité du thyristor, du fait que les déclencheurs d'entrée secondaires assureront ensuite la partie principale du plein établissement de cette conductibilité. Les thyristors conformes à l'invention peuvent supporter sans dommage des surtensions d'entrée parasites, et même des signaux de déclenchement en forme d'onde sinusoïdale. D'autre part, ces thyristors peuvent supporter des valeurs plus élevées de la valeur di/dt de l'intensité passante, et leurs pertes au déclenchement ainsi que la durée de l'établissement de leur pleine conductibilité sont réduites par rapport à celles des thyristors de construction classique. Ainsi, dans la dispositif objet de l'invention, le déclencheur d'entrée principal a pour seule fonction de locali- COPY l 69 16450 s 2009082 ser le point d'amorçage initial du thyristor et, par suite, les problèmes qui se posent habituellement en ce qui concerne l'opération de déclenchement, c'est-à-dire ceux relatifs à la rapidité d'établissement, à la largeur et à l'amplitude des impul— 5 sions de commande sont éliminés. Le sens du courant initial de déclenchement peut même être inversé après amorçage du déclenchement, du fait que la majeure partie du déclenchement, c'est-à-dire celle qui s'effectue à forte puissance, est prise en charge par les déclencheurs d'entrée secondaires. 10 Si l'amorçage du déclenchement du thyristor conforme à l'invention s'effectue au point approprié, cet amorçage débute par le bord de la languette de l'émetteur qui fait faco à ce «point. La résistance électrique de cette languette peut, par un choix approprié de la forme de celle-ci, et par l'emploi 15 d'un procédé approprié de contrôle de la diffusion, être réglée de façon à limiter l'intensité du courant d'amorçage* Si là résistance de cette languette est plus élevée que celle des languettes attaquées par les déclencheurs d'entrée secondaires, le courant d'amorçage passera de préférence par le trajet de 20 moindre résistance qui lui est ainsi offert, ce qui a pour effet d'écarter le courant d'anode du point d'amorçage initial. Du fait que ce courant d'amorçage s'établit dès que le premier point d'attaque est mis sous tension, les languettes associées aux déclencheurs d'entrée secondaires sont souaises à une ten-25 a ion inférieure à la tension de déclenchement appliquée au thyristor. Par suite, la température maximale atteinte en un point quelconque du thyristor peut être contrôlée, et simultanément diminuée. Il importe de rembarquer que, après l'amorçage initial, lés résistances opposées par chacune des languettes de l'émet-30 teur sont automatiquement mises hors circuit, ce- qui a pour effet de réduire les pertes thermiques. Le dispositif conforme à l'invention, qui comporte une multiplicité de points de déclenchement, permet à la fois de diminuer la densité des courants circulant dans le thyristor, et de réduire fortement le 55 temps nécessaire pour l'établissement de la pleine conductibilité de celui-ci. d'entrée secondaires ont été fabriqués, et les observations faites ont montré que tous ces déclencheurs d'entrée secondai-40 res pouvaient être actionnés pratiquement au même instant. Une Des thyristors comportant jusqu'à dix déclencheurs 69 16450 9 2009082 bonne répartition des charges est obtenus en utilisant la résistance latérale de l'émetteur en chacun des points d'amorçage secondaires. La température et l'impédance instantanées du thyristor sont ainsi réduites, en proportion du nombre des points 5 d'amorçage mis en action à l'instant considéré. Des thyristors capables de supporter des charges nominales de 100 A sous 1 000 V ont été construits d'après le mode de réalisation de la figure 3* Ces thyristors ont été utilisés sous 1 000 Y et à des croissances de l'intensité passante 10 atteignant 500 A par jis, avec des points de 2 500 A à la fréquence de 60 Hz avec une température intérieure de leur boîtier égale à 115°C. Il a été observé eu;outre que le fonctionnement de ces thyristors était complètement indépendant de la qualité des si-15 gnaux appliqués à leur déclencheur d'entrée, et qu'ils pouvaient supporter des valeurs élevées de la variation di/dt de l'intensité passante, pour une large variété de signaux de déclenchement. Les signaux appliqués aux déclencheurs* secondaires sont fonction de la charge représentée par le circuit dans lequel 20 est monté le thyristor considéré, et de la disposition relative des éléments constitutifs du thyristor, et ces signaux peuvent être constitués par des impulsions de croissance exttiSaazïuaaat rapide, et atteignant par exemple une tension de 50 V en une fraction de jas. Lorsque, dans Tin thyristor conforme à 1 'inven-25 tion, di/dt croît, le signal appliqué aux déclencheurs secon-'daires augmente en proportion, et il est ainsi réalisé un. dispositif de protection automatique, d'une efficacité parfaite. La puissance émise par les déclencheurs secondaires, qui peut atteindre des milliers de watts pendant un temps très court, 30 constitue un recyclage interne et utile des pertes à l'amorçage. Au contraire, dans les thyristors de construction antérieure cette puissance, qui est' utilisée dans le dispositif conforme à l'invention, est dissipée sous forme de chaleur, sans produire aucun effet utile. 35 Les charges locales dues à l'action des déclencheurs d'entrée secondaires sont d'autant plus faibles que ces déclencheurs sont éloignés du point d'amorçage initial du fait que, d'une part, les surfaces sur lesquelles ils agissent sont relativement éloignées du point d'amorçage initial et que, d'autre 40 part, ils sont amorcés sous mie tension d'anode réduite. Les 69 16450 2009082 pertes totales à l'amorçage, dans les thyristors de l'invention, sont donc bien inférieures à celles des thyristors de construction antérieure. Lorsqu'un thyristor de construction antérieure est 5 déclenché par une tension inverse supérieure à sa tension de blocage, la valeur di/dt de 1 ' intensité Baissante doit, pour éviter tout risque de claquage, demeurer bien plus faible que lorsque ce thyristor est déclenché par un signal puissant en provenance de son déclencheur d'entrée. Le dispositif à déclen-10 cheurs multiples de l'invention n'admet, lui aussi, que des croissances plus faibles di/dt lorsqu'il est amorcé en seûs inverse par une tension supérieure à sa tension de blocage du fait que, normalement, cette'tension supérieure apparaît en un point quelconque imprévisible, déterminé par un défaut local 15 du thyristor. Mais si un claquage de la languettet.de l'émetteur atteinte la première par cette surtension inverse peut évidemment se produire, le dispositif ne s'en comportera pas moins, pour autant, comme un dispositif à déclencheurs d'entrée multiples, et pourra donc supporter de3 valeurs plus élevées de di/dt. 20 Les figures 5s 6 et 7 représentent des thyristors dans lesquels l'amorçage du déclenchement est obligé de s'effectuer en un point prédéterminé désiré, par introduction volontaire en ce point dJune faiblesse dans la structure de celui-ci. Sur la figure 5i le thyristor 70 représenté comporte 25 un point faible constitué par un approfondissement 74 de l'extrémité de la-languette 20 de 1'émetteur. Cet approfondissement est obtenu par formation d'une dépression dans le cristal semiconducteur, avant ou pendant la formation par diffusion de la couche émettrice, et il a pour effet de réduire la distance 30 séparant, en ce point, l'émetteur H et la base ÏT de celui-ci. Cette disposition permet d'obtenir un gain à l'amorçage plus élevé, et elle assure que si un claquage survient, il se produira sur la languette 20 de l'émetteur, de sorte qu'un signal d'amorçage latéral sera alors appliqué au point 32. 35 Dans le thyristor représenté sur la figure 6, une au tre dépression 76 est formée avant diffusion de la couche de silicium, de sorte qu'un point de moindre résistance est ainsi créé sur la jonction P-N adjacente» La figure 7 représente un autre mode de réalisation 40 d'un point faible, dans la structure d'un thyristor. Suivant ce 69 16450 2009082 mode de réalisation, la base N du thyristor est en forme de coin, sa partie de moindre épaisseur 78 étant placée sous la connexion 30 du déclencheur secondaire 32. Les approfondissements locaux mentionnés ci-dessus, 5 et qui ont pour but d'affaiblir localement l'émetteur du thyristor, peuvent être obtenus par tout moyen approprié, pourvu qu'ils assurent que le gain à l'amorçage soit plus élevé le long d'une ligne s'étendant approximativement à partir de la connexion du déclencheur secondaire, et parallèlement à l'axe 10 du thyristor. Le résultat désiré, peut aussi bien être obtenu en créant un point faible dans la connexion d*.anode de l'émetteur. D'autre part, une diffusion appropriée des impuretés, dans la zone de la connexion du déclencheur secondaire, constituera un autre procédé permettant d'obtenir l'affaiblissement 15 local désiré. Ainsi qu'il a été indiqué plus haut, les thyristors des figures 5» 6 et 7 peuvent subir en toute sécurité un claquage, par une tension inverse dépassant leur tension de blocage en sens direct, sans que leur capacité d'acceptation des 20 valeurs élevées de di/dt en soit pour autant diminuée. L'intercalation mutuelle des couches des thyristors de puissance de type classique, en vue d'accroître la rapidité de leur déclenchement, est un procédé dont l'utilisation n'a pu jusqu'ici s'étendre en raison de ses limitations inhérentes, 25 savoir la concentration de l'intensité au point de commande du déclenchement, et la diminution de la sensibilité du déclencheur d'entrée. Par contre, la réaction d'entrée de la présente invention permet de faire disparaître ces limitations. La figure 8 représente un mode de construction d'un 30 thyristor à couches mutuellement intercalées. Ce thyristor . comporte un contact d'émetteur 80 formant trois branches 82. La périphérie de l'émetteur de ce thyristor déborde, ainsi qu'on le voit en 84, celle des branches de contact de cathode. L*émetteur de ce dispositif forme une languette de réaction 35 86. Le déclencheur d'entrée est connecté en 88. L'élément 90 constitue l'élément de réaction d'entrée. Sa partie transversale 92 est connectée à la languette de l'émetteur, et ses quatre branches 94 font face latéralement à la périphérie 84 de l'émetteur. Les "branches 94,en raison de la for-40 te intensité du signal de réaction qui leur est appliqué, cons- ■\ bad ORIGINAL 69 16450 12 2009082 tituent des zones d'attaque secondaires et elles provoquent une extension beaucoup plus rapide de la surface de la jonction commandée, rendue conductrice à l'instant initial du déclenchement, que si la réaction d'entrée dûe à l'invention n'était pas prévue. 5 Les thyristors tels que celui représenté sur la figu re 9 se caractérisent donc par des couches mutuellement intercalées. Dans ce type de thyristors, le signal de déclenchement est fourni par un déclencheur d'entrée 100, et le signal de réaction d'entrée est appliqué par l'intermédiaire de l'émet-10 teur 102, relié par un aonduoteur 104 à la cathode 106 du thyristor. Lorsqu'un signal de commande est appliqué au déclencheur 100, la tension réactive positive qui apparaît sur un conducteur 108 relié à l'émetteur 102 transmet ce signal à un déclencheur 110 entourant"des émetteurs 112, ce qui provoque 15 le déclenchement du thyristor. Dans le thyristor représenté sur la figure 9} la résistance opposée par l'émetteur 102 au passage des courants partant de la cathode 106 et traversant ce thyristor correspond à la résistance 52 de la figure 10. Le principe de la réaction d'entrée appliqué aux thyristors à couches 20 mutuellement intercalées supprime donc la perte de sensibilité au déclenchement inhérente aux thyristors de ce type. Des essais ont montré que les émetteurs secondaires 112 sont amorcés rapidement, et il s'ensuit un déclenchement rapide de l'ensemble du thyristor. Il a été possible d'obtenir, 25 dans des thyristors de ce type, des accroissements de l'intensité passante de 1 000 X en 0,3 fis. L'invention s'étend donc à l'application de la réaction d'entrée qui en fait l'objet aux thyristors à haute intensité, et à ceux dont la fréquence de coupure est de l'ordre de MHz. 30 Les figures 12 et 13 représentent deux autres confi gurations de thyristors auxquelles les principes de l'invention peuvent être appliqués. La construction de celui qui est représenté sur la figure 12 est similaire à celle du thyristor de la figure 3» eû- ce sens que ce thyristor 130 comporte un con-35 tact de cathode 16, un déclencheur d'entrée 18 et des languettes d'émetteur 44- et 50.toutefois, dans cette disposition, la connexion à la languette 44 de l'émetteur est formée par un élément 132 constitué par une diffusion appropriée de matière conductrice sur la face du thyristor, cet élément 132 formant un 40 anneau périphérique 134. Le signal de réaction d'entrée déclen BÂD ORIGINAL 69 16450 13 2009082 che le thyristor en une pluralité de points d'attaque secondaires, situés respectivement face à chacune des languettes 50 de 11émetteur. La figure 13 représente enfin un thyristor 140 compor-5 tant un contact de cathode 142 formant une échancrure 144 dans laquelle est logée une languette 146 formée par l'émetteur. Cet émetteur est entièrement recouvert par le contact de cathodes sauf en ce qui concerne cette languette et deux petites saillies 148. Un déclencheur d'entrée 150 commande le déclenchement 10 du thyristor. En raison de la proximité de la languette 145 et des saillies 148, une réaction d'entrée se produit entre -ces trois éléments. La réaction d'entrée désirée peut ainsi être obtenue sans qu'il soit nécessaire d'avoir recours à un conducteur jné-15 tallique, ou à un autre type de conducteur connecté à la languette de l'émetteur. Il est évident que les saillies 148, qui ne sont qu'au nombre de deux dans le thyristor représenté, peuvent être plus nombreuses. Les dispositions comportant des approfondissements 20 locaux de l'émetteur, représentés sur les figures 5,.6 et 7, peuvent être incoporées chacune aux thyristors décrits sur les figures 2, 5, 4, 8, 9, 12 et 13. Le principe de ces diverses dispositions est de former, sous la languette de l'émetteur-, un point de mondre résistance constituant un point d'attaque 25 préférentiel du déclenchement du thyristor. Le principe du déclenchement à réaction d'entrée peut être utilisé avec avantage lorsque, comme représenté sur la figure 11, des thyristors de type classique sont montés en parallèle dans un même circuit. Le circuit de la figure 11 compor-30 te un thyristor 117 muni d'un déclencheur d'entrée principal 118 et d'un conducteur de réaction 123, une résistance 119 étant interposée entre ce thyristor et tme cathode 121. Le signal émis par le thyristor 117, lorsqu'il est déclenché, est envoyé sous forme de signal réactif, par tin conducteur 120, à tme multipli-35 cité de thyristors 122, ce qui constitue une disposition réalisant une réaction d'entrée analogue à celle précédeiaiaent décrite. Des essais ont montré qu'un tel montage était une utilité particulière lorsqu'il s'agit de signaux de eoaoaande du déclenchement se présentant sous la forme d'impulsions de courte du-40 rée, se répétant à tme cadence élevée. Le montage de la figure 69 16450 14 2009082 11 permet d'élever la valeur maximale admissible de di/dt, et d'accroître la dissipation de la chaleur dégagée en proportion du nombre des thyristors compris dans le circuit. Le montage en parallèle des thyristors assure une bonne répartition des 5 charges, du fait que la puissance très élevée du signal réactif minimise l'effet des variations des caractéristiques de déclenchement des divers thyristors du circuit. Un circuit comportant six thyristors classiques de 35 A sous 1 000 7 à déclencheur d'entrée latéral et d'une résistance de 3 ohms a été construit 10 en vue d'évaluer les possibilités d'un tel montage. Il a été facilement obtenu, dans ce circuit, des croissances de l'intensité atteignant 1 000 A en 0,2 jas. 4 Dans le circuit de" la figure 11, l'intensité traversant le thyristor 117 diminue rapidement dès que celui-ci com-15 mence l'émission d'un signal qui déclenche les thyristors 122 par l'intermédiaire du conducteur 120. L'impédance de l'élément 119 peut être quelconque. Le circuit de la figure 11 peut aussi être réélis! de façon à présenter des avantages analogues à ceux des dispo-20 sitifs à approfondissement local de l'émetteur, précédemment décrits. Ainsi, la tension d'amorçage du thyristor 117 peut être, à dessein, choisie plus faible que celle de chacun des thyristors 122. Dans ce cas, toute surtension provoquera d'abord le déclenchement du thyristor 117. Celui-ci émettra alors un 25 signal qui déclenchera les autres thyristors, dans des conditions normales sans risque de claquage. D'autre part, le thyristor 117 est lui-même protégé contre tout risque de claquage du fait que l'intensité du courant qui le traverse diminue rapidement dès que les thyristors 122 ont été déclenchés. 30 Un montage en parallèle de thyristors comportant au moins un dispositif de réaction d'entrée est avantageux en ce sens qu'une tension réactive peut être prise sur le thyristor déclenché le.premier, et utilisée pour provoquer le déclenchement des autres thyristors du cix'cuit. Lorsque ce dispositif 35 réactif est constitué par le thyristor déclenché le premier, la résistance 119 peut être supprimée. Par exemple, si un thyristor du type de celui représenté sur la figure 2 est utilisé pour fournir une réaction d'entrée déclenchant les autres thyristors du circuit, la languette émettrice 20 dudit premier 40 thyristor sera reliée aux déclencheurs d'entrée des autres tliy- bad original ' 15 2009082 69 16450 ristcrs, et leur fournira les signaux réactifs de déclenchement. Dans un montage en parallèle tel que celui de la figure 11, le thyristor d'entrée 117 peut, avec avantage, être un thyristor à approfondissement local de l'émetteur analogue, 5 par exemple, à l'un de c.eux représentés sur les figures 5, 6 et 7« D'autre part, ce thyristor 117 doit avoir une tension d'amorçage plus faible que celle des autres thyristors du circuit, de façon que toute surtension appliquée à ce circuit déclenche d'abord ce thyristor, qui fournit alors immédiatement 10 aux autres thyristors du circuit un signal réactif de déclenchement. Cette disposition réduit ainsi notablement les risques de claquage des thyristors du circuit. Il est important de remarquer que la présente invention utilise un signal normalement disponible pour l'établisse-15 ment d'une réaction d'entrée, créant ainsi des conditions de déclenchement extrêmement favorables. Hais, le signal ainsi utilisé n'en demeure pas moins disponible pour d'autres fins et peut être employé, par exemple, comme signal de minutage ou de temporisation, comme source d'excitation de circuits oscillants, 20 ou pour beaucoup d'autres fonctions. Les thyristors du type de celui conforme à la figure 2 peuvent être munis d'une borne reliée au conducteur 30, permettant d'utiliser facilement ledit signal de réaction pour l'une quelconque de ces autres fonctions . 25 Le thyristor de la figure 1 comporte un perfectionne ment supplémentaire, visant l'utilisation du signal qui devient disponible lorsque ce thyristor a pris son état conducteur. Comme représenté, le conducteur 26 peut être connecté à un thyristor de type classique,, ce conducteur fournissant alors le 30 signal de réaction d'entrée désiré. Lorsque des thyristors de type classique sont montés en série dans un circuit à fortes variations di/dt de l'intensité passante, il est nécessaire non seulement d'équilibrer le réseau de ces thyristors, et le réseau des résistances-capaci-35 tés en vue de répartir uniformément les tensions, mais aussi d'assurer que tous les thyristors seront déclenchés simultanément par l'intermédiaire de déclencheurs d'entrée puissants, et de construction compliquée. Il est aussi nécessaire d'assurer que tous les thyristors du circuit ont des caractéristiques à 40 l'amorçage identiques, de façon qu'ils soient tous déclenchés 16 2009082 69 16450 au même instant. Si une synchronisation parfaite des instants d'amorçage de tous les thyristors du circuit n'est pas assurée, des tensions élevées sont appliquées à celui de ces thyristors qui est déclenché le dernier. Les surtensions au déclenchement 5 qui s'ensuivent peuvent provoquer la mise hors service totale de ce dernier. En fait, le montage en série de thyristors de type classique, dans des circuits à forte variation di/dt de l'intensité passante est impossible en pratique, à moins qus chacun des thyristors du circuit soit protégé par un bobinage 10 approprié. L'emploi de thyristors à approfondissement local de l'émetteur, de l'un des types des figures 5» 6 et 7} permet de réalièer des montages en série dans lesquels il n'est pas néces saire que les caractéristiques au déclenchement de tous les thy 15 ristors du circuit soient identiques, du fait que l'un quelconque des déclencheurs d'entrée, ou l'une quelconque des tensions d'amorçage assurera le déclenchement des autres thyristors dans des conditions normales, même dans les circuits à fortes variations de di/dt. Un autre avantage des circuits ainsi réalisés 20 consiste en ce qu'il suffit de commander un nombre de déclencheurs d'entrée tout juste suffisant pour provoquer le déclenchement général de tous les autres thyristors de la série. En fait, un tel montage ne nécessite l,emploi d'aucun déclencheur d'entrée principal pour amorcer la conductibilité de l'ensemble 25 et il peut être déclenché par la simple application d'une surtension au circuit ainsi constitué. On remarquera d'autre part que l'invention n'est pas limitée aux thyristors munis d'un déclencheur d'entrée à fonction physique. D'autres systèmes de déclenchement, agissant par 30 exemple en réponse à une excitation lumineuse, peuvent bénéficier des avantages apportés par la présente invention. Tous les thyristors conformes aux principes de l'invention ont une caractéristique fondamentale commune0 Dans tous les cas, une tension apparaissant à l'instant initial du déclen 35 chement est appliquée à une autre partie émettrice du thyristor de façon à créer au moins deux points d'amorçage du déclenchement. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, une région de base (région du type P dans le cas de thyristors à déclencheur d'entrée cathodique) est interposée entre le point .40 de prise de cette tension sur une languette émettrice, et les §AD ORIGINAL 69 16450 17 2009082 autres points d'amorçage prévus sur le thyristor» lorsque, dans la présente description et daïts les Revendications qui la suivent, il est fait référence à "d'autres parties émettrices", il doit être bien entendu que les 5 parties de l'émetteur ainsi désignées sont celles où l'apparia tion d'un signal de déclenchement réactif provoque X'amorçage de la conductibilité* Ces "autres parties êaettricesB doiirsat déborder latéralement l'électrode à laquelle elles sont associées, mais les parties émettrices situées scms ladite êlsetro-10 de peuvent aussi constituer des points d8amorçage de la eon&ae-tibilité, si l'électrode associée ne court-eirouite pss complètement le signal de déclenchement réactif, et c©s parties énet° triees masquées par ladite électrode doivent aussi être considérées comme constituant certaines desdites ''autres parties 15 ém»ttrices* en ce qui concerne les applications de la présente invention. Dans le cas du thyristor de la figure 3S la région de type P précitée s'étend entre les points de connexion 48 et le bord adjacent de l'émetteur. Dans .le cas du thyristor de la 20 figure 13, cette région de type P s'étend entre les bords de la languette de l'émetteur et les points d'attaque secondaires constitués par les petites saillies 148® Lorsque, dans les revendications' qyi suivent le présent exposé, il est fait rêfé?.^:::.-ce à une région de base "s1étendant entre" la connexion effec-25 tuée sur 1'émetteur et lesdites "autres parties émettrices", il doit être entendu par là qu'une région de base quelconque est interposée, dss.s le circuit électrique, entre la connexion effectuée sur l'émetteur et lesdites "autres;parties émettrices". ïïne autre matière, ou même une ouverture, peuvent être interpo-30 sées dans cette région, pourvu que la continuité électrique ne ?oit pas complètement détruite, et une telle disposition peut 3tre avantageuse à condition qu'elle n'ait pas pour effet d'isoler complètement la connexion réalisée entre 1'émetteur et lesdites "autres parties émettrices" du thyristor. 35 ' Lorsqu'un signal réactif d'entrée est appliqué à la languette d'un émetteur;, la tension croît sur cette languette, •à partir de l'instant où celle-ci commence à réagiro Ainsi qirJoa le voit ts&t le trac4 en pointillé de la figure 3 cette tension • rci?s?.nte, eux T-rend naissance sur l'une des languettes 50^ . m:-~ à-i-.y.tn ~.S.r. -s- -r-.-.r-.'.'-ri 7 Ç '^ttOX^ÎÏCÎlSÏSC-îïi 69 16450 2009082 points d'attaque, au lieu que le déclenchement en tous ces autres points d'attaque soit effectué à partir de la languette 50 qui a été déclenchée la première. Cette disposition convient particulièrement lorsque l'attaque de l'émetteur s'effectue par 5 un grand nombre de points distincts. Elle permet de commander "en cascade" un ou plusieurs déclencheurs réactifs, par un autre de ces déclencheurs. Cette disposition en cascade peut comporter plusieurs étages, et non deux seulement comme représenté sur la figure 3» lorsque le nombre des points d'attaque du dé-10 clenchement est important. Un autre.mode de réalisation de l'invention consiste -à utiliser une région émettrice isolée de l'émetteur principal, mais reliée à celui-ci par une résistance. Dans ce mode de réalisation, le signal de commande reçu par le thyristor est uti-15 lise pour provoquer le déclenchement de ladite région émettrice isolée. Dès que la conductibilité est déclenchée dans cette région, le courant circulant dans ladite résistance y provoque l'apparition d'une tension. ïïn conducteur de prise du signal réactif, analogue à ceux précédemment décrits, relie ladite ré-20 gion émettrice isolée et un point de cette résistance. Ce conducteur, dont l'extrémité opposée à celle constituant la-connexion de prise du signal réactif aboutit à proximité d'uno ou de plusieurs bords adjacents de l'émetteur principal, provoque le déclenchement de celui-ci. La résistance précitée peut être 25 soit constituée par un élément intérieur du thyristor lui-même, soit un élément extérieur à la structure du thyristor. La tension présente sur le conducteur de prise du signal réactif peut non seulement commander le déclenchement général de l'émetteur principal, mais encore être utilisée extérieurement, à d'autres 30 fins diverses. La figure 2 permet de comprendre ce dernier mode de réalisation de l'invention. La résistance représentée en traits pointillés peut être constituée par une résistance indépendante, et non par la résistance propre de la languette de l'émet-35 teur. La partie terminale de cette languette constitue la seule région réellement émettrice, et cette partie terminale est isolée de l'émetteur principal. Dans un thyristor semblable à celui de la figure 2, l'élément résistant fait' partie de la région active du thyris-40 tor. Cet élément résistant peut être formé, par diffusion ou copy l 69 16450 19 2009082 autrement, par incorporation d'une matière résistante sur la face du thyristor, entre la zone isolée de l'émetteur et sa partie principale» Une connexion extérieure peut être établie au moyen de conducteurs branchés respectivement à la partie isolée de l'émetteur, et à la connexion d'émetteur 16, l'élément résistant étant interposé entre ces conducteurs. Dans ce cas, ledit élément résistant peut être logé à l'intérieur de l'enveloppe du thyristor, ou bien lesdits conducteurs peuvent sortir de cette enveloppe, pour venir se raccorder à un élément résistant extérieur» Tous les procédés couramment utilisés dans la fabrication des thyristors peuvent être utilisés pour la fabrication des thyristors conformes ;à l'invention. Des dispositifs conducteurs autres que des fils métalliques peuvent être réalisés par diffusion, par dépôt épitaxique, par dépôt de vapeurs sous vide, par un procédé quelconque d'électrolyse, d'impression ou' d'alliage, ou autres procédés similaires. Les valeurs des résistances obtenues peuvent être réglées par une opération d'attaque à l'acide. Les approfondissements locaux de l'émetteur des thyristors conformes aux figures 5 et 6 peuvent être obtenus par enlèvement de matière, mécaniquement ou par voie chimique. La description qui précède se rapporte aux thyristors du type le plus courant, dans lesquels le déclencheur d'entrée est en position de cathode. Toutefois, la présente invention est applicable aussi aux thyristors commandés par des déclencheurs en position d'anode, et aussi à ceux pouvant être déclenchés au. choix soit par leur anode, soit par leur cathode* Elle est aussi applicable aux thyristors non munis de déclencheur2 d'entrée, tels que par exemple ceux déclenchés simplement par la réception d'une surtension. On. remarquera enfin que les principes de case de la pr 5sente- invention peuvent être appliqués à des thyristors autres qu3 joux décrits ci-dessus, et représentés sur les dessine annexés. i effet, tcus ces principes peuvent être mis en oeuvre dans une large variété de structures et de configurations do thyristors. Cette remarque s'applique notamment aux structures représentées sur"les figures 2, 3, 4, 12 et 13» aux structures à "peints faibles" des figures 6 et -7, et aux structures à couches mutuellement intercalées des figures 8 et 9. De plus, les principes de base de la présente invention sont applicables copY 69 16450 2009082 à d*autres circuits que ceux spécifiquement décrits dans le présent exposé. La présente invention n'est donc pas limitée aux modes de réalisation décrits, mais s'étend à toutes les variantes 5 conformes a son esprit. a» BAD ORÏG,NAL 69 16450 2009082 BEVEHDICATIOffS 1 - Thyristor comportant une électrode de cathode et une électrode d'anode associées à des parties émettrices du thyristor • et en contact avec elles, et un dispositif déclencheur agissant 5 sur une, au moins, première partie émettrice de ce thyristor ; celui-ci comportant le perfectionnement constitué par la présence d'un dispositif de prise de signal associé à lâupartie émettrice du thyristor adjacente au trajet suivi par le flux entre ladite première partie émettrice et le dispositif déclen» 10 cheur, des moyens propres à provoquer la naissance d'un signal de déclenchement dans une autre partie émettrice, une région de "base s'étendant entre ledit dispositif de prise de signal et ladite autre partie émettrice, de sorte qu'un déclenchement se produit à la jonction entre ladite région de base et ladite 15 autre partie émettrice du thyristor. 2 - Thyristor selon la Revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif de prise de signal est constitué par un conducteur partant de ladite première partie émettrice et s'étendant jusqu'à au moins un autre point de connexion situé sur la même 20 face du thyristor, cet autre point de connexion étant placé à proximité de ladite autre partie émettrice, et étant séparé de celle-ci par une région de "base. 3 - Thyristor selon la Revendication 1, caractérisé par le fait que ladite autre partie émettrice est .située à proximité immé- 25 diate de la première partie émettrice, la région de base précitée séparant l'une de l'autre ces deux parties émettrices, le dispositif de prise de signal étant constitué par la région de ladite première partie émettrice qui est la plus proche de l'autre partie émettrice. 30 4- - Thyristor selon la Revendication 1, caractérisé par le fait qu'une languette émettrice qui s'étend latéralement à l'extérieur de l'émetteur du thyristor constitue ladite première partie émettrice. 5 - Thyristor selon la Revendication 1, caractérisé par le fait 35 qu'une languette émettrice s'étendant latéralement à l'extérieur de l'émetteur du thyristor constitue ladite autre partie émettrice. \ 69 16450 " 2009082 6 - Thyristor selon la Revendication 1, caractérisé par le fait qu'il comporte une pluralité de languettes émettrices s'étendant extérieurement à la périphérie de l'émetteur, une première de ces languettes émettrices constituant ladite première partie 5 émettrice, et les autres languettes émettrices constituant chacune l'une des autres parties émettrices du thyristor; un conducteur électrique étant relié à ladite première languette émettrice et aboutissant à des régions de "base, à proximité de chacune des autres languettes émettrices. 10 7 - Thyristor selon la Revendication 1, caractérisé par le fait que la résistance électrique entre le dispositif de déclenchement et l'électrode à laquelle il est associé est plus forte que laJ résistance opposée au passage du courant par ladite autre partie émettrice, entre ladite jonction et.ladite électrode. 15 8 - Thyristor selon la Revendication 1, caractérisé par le fait qu'on crée un point de moindre résistance dans la zone de ladite première partie émettrice, sur le trajet suivi par le«flux, cette partie de moindre résistance diminuant la tension d'amor-- çage du déclenchement en ce point, par rapport aux autres points 20 de déclenchement du thyristor, le déclenchement de celui-ci se faisant par conséquent d'abord en ce point de moindre réôis-tance, lorsqu'une surtension est appliquée au thyristor. 9 - Thyristor selon la Revendication 2, caractérisé par le fait que l'émetteur forme une pluralité de doigts, ledit conducteur 25 de prise de signal entourant l'un de ces doigts, et formant lui même une autre pluralité de doigts mutuellement intercalés avec ceux de l'émetteur. 10 - Thyristor selon la Revendication 1, caractérisé par le fait que plusieurs parties émettrices isolées les unes des autres 30 sont formées sur l'une de ses faces, le déclencheur d'entrée de ce thyristor étant placé à proximité d'une première de ces parties émettrices, le dispositif de prise de signal comportant un conducteur s'étendant entre cette première partie émettrice et un élément de contact, cet élément de contact fournissant 35 d'autres points de connexion situés chacun à proximité du. bord de l'une des autres parties émettrices, et des moyens reliant chacune de ces parties émettrices à une électrode. badqri'q.^ f 69 16450 2009082 11 - Ensemble de thyristors conformes à la Revendication 1, montés en parallèle, dans lequel un déclencheur d'amorçage est branché sur un premier de ces thyristors un conducteur reliant le dispositif de prise de signal dudit premier thyristor à 5 chacun des autres, ce conducteur étant connecté au point d'amorçage de chacun des autres thyristors, et commandant leur déclenchement . 12 - Ensemble de thyristors conforme à la Bevendication 8, caractérisé par le fait que deux-ci sont montés en série. 10 13 - Thyristor selon la Revendication 1, caractérisé par le fait qu'il-comporte un conducteur relié à ladite première partie émettrice, s'étendant hors du thyristor, et muni à son extrémité extérieure d'une borne de connexion. 14 - Ensemble constitué par une pluralité de thyristors compor-15 tant chacun une électrode de cathode, une électrode d'anode et un déclencheur d'entrée, les électrodes respectives de ces thyristors étant reliées par des conducteurs, de façon que ces thyristors soient montés en parallèle, cet ensemble étant caractérisé par le fait qu'il comporte le perfectionnement cons-20 titué par la présence, dans cet ensemble, d'un thyristor selon la Revendication 8, à l'une de ses extrémités, et d'un conducteur supplémentaire branché au point de prise du signal de ce thyristor d'extrémité, ce conducteur supplémentaire s'étendant aux autres thyristors de l'ensemble, et formant un'déclencheur 25 d'entrée pour chacun de ceux-ci ; ledit thyristor d'extrémité étant caractérisé ea^ce que sa tension de déclenchement est inférieure à celle des autres thyristors de l'ensemble, de sorte que l'application d'une surtension à cet ensemble provoque sur ledit thyristor d'entrée l'apparition d'un signal qui déclenche 30 tous les autres thyristors, par l'intermédiaire dudit conducteur supplémentaire. 15 - Thyristor selon la Revendication 1, caractérisé par le fait que ladite première partie émettrice est isolée de son électrode associée par un élément résistant. 35 16 - Thyristor selon la Revendication 2, caractérisé par le fait qu'il comporte en outre un conducteur supplémentaire relié à l'une de ses autres parties émettrices, ce conducteur supplémentaire s'étendant jusqu'à au moins un autre point de connexion r"' «ta 69 16450 24 2009082 situé sur la même face du thyristor, cet autre point de connexion étant situé à proximité d'une autre partie émettrice, une région de base étant interposée entre ces deux parties émettrices, de sorte que le déclenchement de ladite autre par-5 tie émettrice a lieu à la jonction formée entre cette autre partie émettrice et ladite région de base. 17 - Thyristor selon la Revendication 16, caractérisé par le fait qu'une pluralité de languettes émettrices s'étend latéralement à la périphérie de l'émetteur, une première de ces lan- 10 guettes émettrices constituant ladite première partie émettrice du thyristor, les autres constituant lesdites autres parties émettrices du thyristor ; et dans lequel le conducteur supplémentaire est relié à ladite première languette émettrice et est connecté à des régions de base en des points situés à proximité 15 de chacune des autres languettes émettrices du thyristor. 18 - Thyristor selon la Revendication 6, caractérisé .ga.ce que l'électrode en contact avec 1'émetteur s'étend au moins jusqu'à la périphérie de celui-ci, de sorte que lesdites languettes émettrices sont les seules parties de l'émetteur s'étendant 20 au delà de ladite électrode. BAD ORIGINAL