Brevet FR2007601A1 — publié le 19700109

La présente invention concerne de façon générale la formation d'images et plus spécifiquement un nouveau système pour former des images par migration. On a récemment mis au point un système pour former par 5 migration des images d'une haute qualité en teinte continue avec une densité élevée et une résolution poussée, dont une forme de réalisation est décrite dans le brevet français n° 1.466.349. De façon générale, dans une forme de réalisation de ce système, un élément sensible comprenant un substrat sur lequel 10 est appliquée une couche d'une matière ramollissable contenant des particules photosensibles est utilisé de la façon suivante pour la formation d'une image: une image latente est formée sur l'élément sensible, par exemple par création d'une charge électrostatique uniforme et exposition à un motif de rayonnement élec-15 tromagnétique activant. L'élément sensible est alors développé sous l'effet d'un solvant qui ne dissout que la couche ramollissable. Les particules photosensibles qui ont été exposées au rayonnement migrent à travers la couche ramollissable à mesure que celle-ci se ramollit et se dissout et constituent ainsi, au 20 terme de leur migration,sur le substrat une image de particules correspondant à l'image de rayonnement d'un original, tandis que la couche ramollissable est éliminée en substance complètement par • lavage. L'image formée par les particules peut être alors fixée sur le substrat. Dans le cas de nombreuses particules photosensi-25 bles préférées, l'image obtenue comme ci-dessus est le négatif d'un original positif. Cependant, il est possible également de constituer des systèmes dans le mode positif à positif en modifiant des paramètres lors de la formation de l'image. Les fractions de la matière photosensible qui ne migrent pas vers le substrat sont 30 éliminées avec la couche ramollissable par lavage dans le solvant. Comme décrit, d'autres techniques de développement permettent de laisser subsister au moins pour partie la couche ramollissable sur le substrat. De manière générale, on peut utiliser trois types fon-35 damentaux d'éléments sensibles, à savoir: un élément stratifié qui comprend un substrat portant une couche d'une matière ramollissable, laquelle porte une couche propre à se rompre et de préférence particulaire de matière photosensible à sa face supérieure ou noyée près de celle-ci; un élément sensible à liant dans 40 lequel les particules photosensibles sont dispersées dans la couBAp ORIGINAL 2007601 che ramollissable qui est appliquée sur le substrat; et un élément sensible à revêtement dans lequel le substrat porte une couche de matière ramollissable, puis une couche de particules photosensibles et une seconde couche de matière ramollissable 5 les particules photosensibles étant prisonnières entres les deux couches de matière ramollissable. Par "couche ou matière propre à se rompre" on entend, aux fins de l'invention, toute couche ou matière qui est capable de se fragmenter au cours au développement de façon que certaines fractions puissent migrer vers le 10 substrat en conformité avec une image. Le système pour former des images décrit dans le brevet français n° 1.466.349 nécessite, de manière générale, une combinaison d'opérations, notamment la formation d'une image latente et le développement au moyen d'un solvant à l'état de li-15 quide ou de vapeur et/ou sous l'effet de la chaleur afin que l'image latente devienne visible. Dans certains procédés pour former une image latente, on peut utiliser, pour obtenir l'image, des couches et matières particulairesnon photosensibles ou inertes propres à se rompre, comme décrit dans le brevet français n° 20 1.466.3^.9 suivant lequel on forme une image latente par diverses techniques, notamment la création d'une charge en conformité avec une image au moyen d'un masque ou stencil, ou bien la formation préalable d'un tel motif de charge sur une couche isolante photoconductrice distincte conformément aux techniques xé-25 rographiques de reproduction habituelles, puis transfert de ce motif de charge sur des éléments sensibles par mise des deux couches à très étroite proximité et utilisation des techniques de rupture décrites, par exemple, dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique n° 2.982.647 de Carlson, et. n° 2.825.814 et 30 2.937.943 de tfalkup. fin outre, on peut former des motifs de charge conformes à des électrodes d'une forme déterminée ou à une combinaison de telles électrodes par la technique de transfert d'images électrostatiques par décharge décrite plus en détail dans les brevets des Etats-Onis d'Amérique n° 3.023.731 et 2.919.967 de 35 Schwertz ou par les techniques décrites dans les brevets des Etats-dnis d'Amérique n° 3.001.848 et 3.001.849 de Walkup ou encore par les techniques d'enregistrement à l'aide de faisceaux d'électrons, par exemple comme décrit dans le brevet des Etats-Onis d'Amérique n° 3.113.179 de Glenn. 40 Suivant une autre variante du système pour former des bad or1q1nal 13893 3 2007601 images décrit dans le brevet français n° 1.466.349, on forme une image par rupture sélective d'une matière particulàire qui recouvre une couche ou pellicule électrostatiquement déformable ou plissa-ble ou est noyée dans celle-ci. Cette variante diffère du système 5 décrit ci-dessus du fait que la couche ramollissable est déformée conjointement avec une rupture de la couche supérieure de matière, comme décrit plus en détail dans la demande de brevet des Etats-Onis d'Amérique n° 695.074 du 2 janvier 1968. Les propriétés des images obtenues dépendent d'un cer-10 tain nombre d'opérations comme la création de la charge, l'exposition et le développement, de même que de la combinaison des opérations. One densité élevée, une teinte continue et une résolution poussée sont certaines des propriétés possibles de l'image. Cette image est une image de particules fixées ou non fi-15 xées comprenant ou non une fraction de la couche ramollissable et des parties de la couche n'ayant pas migré qui subsistent sur l'élément impressionné qu'on peut utiliser pour de nombreuses applications, par exemple, comme microfilms,copies permanentes,masques optiques et clichés à transférer au moyen d'adhésifs. 20 Comme décrit dans le brevet français n° 1.466.349, la couche de matière ramollissable de l'élément sensible est éliminée en substance complètement par lavage dans certaines techniques de développement, ou bien subsiste au moins pour partie sur le substrat dans le cas d'autres techniques de développement. La 25 présente invention a pour objet le système pour former des images où la couche subsiste au moins partiellement sur le substrat .après qu'au moins certaines fractions de la matière de la couche de migration aient été amenées à migrer vers le substrat en conformité avec l'image en raison du mécanisme conforme à l'inven-30 tion de ramollissement de la matière ramollissable ou de sa conversion autrement réalisée jusqu'à un état plus perméable permettant la migration en conformité avec l'image de la couche de migration dans la profondeur de la matière ramollissable au contraire de l'élimination de la matière ramollissable,par dissolu-35 tion ou lavage provoquant la migration de la matière propre à se rompre vers le substrat. Il convient de noter que la présente invention concerne des modes électro-optiques les plus favorables de migration pour la formation d'une image,suivant lesquels les images latentes sont formées suivant des modes analogues à 40 ceux décrits dans le brevet français n° 1.466.349, les modes pré- BAD ORIGINAL- 13893 4 2007601 férés faisant intervenir des forces électriques de migration associées aux images électrostatiques éventuellement avec exposition à un rayonnement,où les images latentes sont formées suivant d'autres modes analogues à ceux décrits dans lé brevet français-n0 5 1.466.349, de même que d'autres modes nouveaux et avantageux pour former des images où les expositions optiques ne sont pas nécessaires pour la formation de l'image et où les forces de migration autres qu'électriques assurent la migration. La présente invention a pour but de procurer un système 10 pour former des images par migration réglée,suivant lequel des fractions d'une couche de matière de migration se trouvant à une certaine distance d'au moins une face d'une couche ramollissable mais au contact de cette couche sont amenées à migrer en conformité avec l'image dans la profondeur de la couche ramollissable. 15 Elle a aussi pour but de procurer de nouveaux éléments portant une image qui comprennent une matière de migration, des particules ayant migré en conformité avec une image à différentes profondeurs dans une couche ramollissable. Elle a, 'en outre, pour but de procurer des éléments 20 portant-une image utilisables tels quels et qui puissent être convertis ou traités de diverses façons, par exemple en vue d'une amélioration de leur caractère optique favorisant leur utilisation comme image. Elle a, de plus, pour but de procurer un système pour 25 former des images par migration qui ne nécessite pas un contact direct d'un solvant liquide avec l'élément sensible. Elle a, par ailleurs, pour but de procurer un système pour former des images par migration dant> le mode positif à positif ou positif à négatif dépendant de divers facteurs essentiels. 30 Aux diverses fins de l'invention, on utilise un élément sensible qui comprend une couche d'une matière de migration se trouvant à une certaine distance d'au moins une face d'une couche ramollissable mais au contact de cette couche., la couche de matière de migration étant amenée à migrer en conformité avec l'i-35 mage en divers endroits de l'épaisseur de la couche ramollissable (A) par exposition de la matière de migration à une force de migration en conformité avec une image et modification de la résistance de la couche ramollissable à l'égard du mouvement de la matière de migration ou bien (B) par exposition de la matière de 40 migration à une force de migration et par modification en confor- 840 original 13893 5 2007601 mité avec l'image de la résistance de la couche ramollissable au mouvement de la matière de migration. L'invention est davantage décrite ci-après avec référence aux dessins annexés, dans lesquels: 5 Fig. 1 illustre schématiquement tan procédé préféré pour former une image latente sur un élément sensible suivant le mode électro-optique optimum de formation d'une image par migration de l'invention; Fig. 2 illustre diverses formes d'éléments portant une 10 image conformes à l'invention; Fig. 3 est un diagramme de la densité optique en transmission en lumière bleue, en ordonnées, en fonction du logarithme de l'exposition en unités arbitraires, en abscisses, pour un élément sensible de l'invention dans le cas de la couche de mi-15 gration préférée qui comprend des particules submicrométriques de sélénium amorphe; Fig. 4 est un autre diagramme de la densité optique en transmission en lumière bleue, en ordonnées, en fonction du logarithme de l'exposition en unités arbitraires, en abscisses, 20 pour onze expositions différentes EQ à dans le cas d'un élément sensible de l'invention préféré dont la couche de migration est faite de parti exiles submicrométriques de sélénium amorphe, et Fig. 5 comprend onze dessins EQ à E1Q représentatifs de photographies prises au microscope électronique de coupes 25 réalisées au microtome dans un élément sensible de l'invention et faisant ressortir les diverses profondeurs de migration des particules, l'exposition et la densité optique en transmission en lumière bleue pour chacun des éléments EQ à E^0 de la Fig.5 apparaissant dans les diagrammes de la Fig. 4 sous la forme des 30 divers gradins EQ à ElQ. La Fig. 1A représente schématiquement une forme de réalisation d'un élément sensible 10 de l'invention qui comprend un substrat 11 et une couche ramollissable électriquement isolante 12 qui porte à sa face supérieure une couche de migration propre à 35 se rompre 13 faite d'une matière particulaire. Le substrat 11 peut être conducteur de l'électricité ou au contraire isolant. Les substrats conducteurs facilitent en général la création de la charge ou sensibilisation de l'élément suivant le mode électro-optique optimum de l'invention et 40 peuvent être faits notamment de cuivre, de laiton, de nickel, de 13893 6 2007601 zinc, de chrome, d'acier inoxydable, de matières plastiques et caoutchoucs conducteurs, d'aluminium, d'acier, de cadmium, d'argent, d'or ou de papier rendu conducteur par.incorporation d'un agent chimique approprié ou par conditionnement dans une at/aosphè-5 re humide assurant la présence d'eau en quantité suffisante pour la conductivité. La couche ramollissable peut être appliquée directement sur le substrat conducteur mais, en variante, elle peut être une couche se passant de support qui est amenée au contact d'un substrat approprié pendant la formation de l'image. 10 Le substrat peut avoir toute forme appropriée, par exem ple, un ruban, une feuille, une plaque, une bobine, un cylindre, un tambour, une courroie sans fin, un anneau de Moebius métalliques, et ainsi de suite. Si on le désire, on peut appliquer sur le substrat conducteur un isolant, comme le papier, le verre ou 15 une matière plastique. Des exemples de substrats de ce genre sont le verre revêtu d'une couche sensiblement transparente d'oxyde d'étain vendu sojjs le nom de verre NESA par la Pittsburgh Plate Glass Go, les pellicules de polyester revêtues d'aluminium dont la pellicule de polyester vendue sous le nom de Mylar par DuPont, ou 20 encore la pellicule de Mylar recouverte d'iodure de cuivre. Des substrats non conducteurs de l'électricité conviennent aussi et permettent d'utiliser de nombreuses matières propres à former des pellicules, telles que des matières plastiques, pour la confection du substrat 11. 25 La couche ramollissable 12,qui peut comprendre une ou plusieurs strates de matière ramollissable,peut être faite de toute matière appropriée, normalement une matière plastique ou thermoplastique qui est ramollissable, par exemple, dans un solvant à l'état de liquide ou de vapeur et/ou sous l'effet de la 30 chaleur et qui est en outre, en vue du mode électro-optique optimum de l'invention, sensiblement non conductrice de l'électricité pendant l'exercice des forces de migration et le ramollissement. Il convient de noter que la couche 12 est de préférence en substance non conductrice de l'électricité pour les modes 35 préférés d'application des forces de migration électriques sur la couche de migration,mais des matières plus conductrices peuvent être utilisées en raison de l'amélioration des ressources du mode électrique de réalisation de l'invention pour appliquer et renouveler de façon constante des charges en conformité avec une 40 image. Dans ces modes optimums et préférés, l'utilisation de BAD ORIGINAL 69 13893 7 2007601 couches ramollissables plus conductrices 12 s'accompagne d'une injection de charges à partir au substrat dans la couche 12 et/ou d'autres mécanismes associés à la conductivité qui déchargent la couche 12 provoquant la suppression de la force ae migration cou-5 loinbienne exercée sur les particules avant que la mi0ration ait atteint un stade satisfaisant. Lorsque la couche ramollissable doit être dissoute pendant ou après la formation ae l'image, elle doit être soluble dans un solvant qui n'attaque pas les particules. 10 On qualifie de "ramollissable",aux fins ae l'invention, une couche 12 faite d'une matière qui peut être rendue plus perméable aux particules qui traversent son épaisseur. Normalement, la modification de perméabilité est assurée par ramollissement. Des exemples typiques de matières ramollissables en 15 substance électriquement isolantes sont la résine Staybelite Ester 10 qui est un ester de colophane partiellement hydrogénée, la résine Forai Ester qui est un triester de colophane hydrogénée et la résine Neolyne 23 qui est une résine alkyde, toutes trois de la Hercules Powder Co; des résines de silicone de type SR de la 20 General Electric Corporation; le benzoate de saccharose de Eastman Chemical; la résine Velsicol X-37 qui est un copolymère de styrène et d'une oléfine de la Velsicol Chemical Corporation; la résine Piccopale 100 hydrogénée et la résine Piccopale H-2 qui sont des polyoléfines très ramifiées, la résine Piccotex 100 qui 25 est un copolymère de styrène et de vlnyltoluène, les résines Piccolastic A-75, 100 et 125 qui sont des polystyrènes, la résine Piccodiène 2^15 qui est un copolymère de styrène et d'une oléfine, toutes de la Pennsylvania Chemical Industrial Corporation; les résines Araldite 6060 et 6071 qui sont aes résines époxydes 30 de la Ciba; la résine R5061A qui est un polymère de phénylmétbyl-silicone. de la Dow Corning; la résine Epon 1001 qui est ur>e résine époxyde de Bispiiénol A et d'épichlorhyarine de la Shell Chemiciil Corporation; les résines PS-2 et PS-3 qui sont aes polystyrènes et la résine ET-693 qui est une résine phénol-for-35 maldéhyde,ae la Dow Chemical; les copolymères ae styrène et ae méthacrylate d'hexyle synthétisés pour la Demanderesse; un poly-diphénylsiloxane synthétisé pour la Demanderesse, un polyadipate synthétisé pour la Demanderesse; les résines aciyliques vendues sous le nom d'AcryloId par la Rohm & Haas Co, et sous le nom de 40 Lucite par la E.I. Dupont de Nemours & Co; les résines thermo- •w. 13893 8 2007601 plastiques vendues sous le nom ae Pliolite par la Goodyear Tire & Rubber Co; un hydrocarbure chloré vendu sous le nom de Aroclor par la Monsanto Chemical Co; les résines polyvinyliques thermoplastiques vendues sous le nom de Vinylite par Union Carbide' 5 Co, et d'autres résines thermoplastiques décrites par Gunther et collaborateurs dans le brevet des Etats-Onis d'Amérique n° 3.196.011; des cires et des mélanges et copolymères correspondants. . L'énumération ci-dessus est uniquement illustrative et 10 non limitative des matières convenant pour la couche ramollissable 12. La couche ramollissable peut avoir toute épaisseur convenable, les couches d'épaisseur croissante requérant en général des potentiels électrostatiques croissants dans les modes optimums et préférés de l'invention. Les épaisseurs d'environ 15 0,5 à 16 microns sont préférées mais une épaisseur uniforme dans la région d'image d'environ 1 à 4 microns donne des images de haute qualité et permet de produire facilement l'élément sensible. La couche 12 peut être formée par.tout procédé adéquat, 20 notamment par revêtement,par immersion,par application au rou-' leau ou au cylindre gravé, par évaporation sous vide ou autrement. La couche de migration 13 dont des fractions migrent vers ou jusque sur le substrat pendant la formation de l'image 25 sous l'influence des forces de migration est, par exemple, une couche propre à se rompre formée de particules. Il est préférable pour que les images aient le maximum de résolution,de densité et d'utilité que la couche 13 soit une couche propre à se rompre et, dans le cas le plus favorable, que la matière 30 propre à se rompre soit particulaire,mais la couche 13 peut être toute couche continue ou semi-continue propre à se rompre, par exemple ajourée, qui est capable de se fragmenter en particules distinctes de la dimension d'un élément d'image au maximum pendant le développement,afin que des fractions puissent migrer 35 vers le substrat en conformité avec l'image. Par ailleurs et suivant une particularité importante, la couche 13 peut être impropre à se rompre. On a pu mettre en évidence qu'une couche semi-continue 13 impropre à se rompre peut migrer en conformité avec une image dans l'épaisseur de la 4.0 matière ramollissable. Il est préférable que la matière soit au (®ad qrjginal 13893 9 2007601 îuoins semi-continue, par exemple ajourée, pour permettre une migration plus facile dans la couche ramollissable. Ainsi, comme indiqué dans 1' 11, des couches minces ajourées impropres à se rompre comprenant du sélénium ayant migré sélectivement en 5 conformité avec une image,lorsqu'elles sont traitées conformément à l'invention pour la formation des éléments,peuvent être observées en lumière réfléchie,bien qu'elles n' accusent pas de modifications décelables de densité en transmission, la comparaison étant établie avec des éléments non impressionnés. Pour 10 au moins de petites distances de migration, la pellicule semble étiréeaux bords des régions d'image. Le fait que la couche de sélénium de l'exemple 11 ne soit pas rompue en conséquence de la formation de l'image peut être démontré par immersion de l'élément impressionné dans un solvant liquide de la matière ra-15 mollissable qui fait se détacher la couche de sélénium en un ou plusieurs grands feuillets. La couche 13 est de préférence propre à se rompre et, dans le cas le plus favorable, particulaire, mais des couches impropres à se rompre et de préférence perforées conviennent aussi 20 pour former àes images. Ainsi, les propriétés mécaniques de la couche 13 peuvent varier dans un intervalle très étendu. Du fait que les propriétés mécaniques de la couche 13 peuvent varier tellement, on peut appliquer de très nombreux procédés pour former cette couche 13. Des procédés typiques sont notam-25 ment le dépôt par évaporation sous vide, comme décrit dans le brevet français n° I.466.34.9, suivant lequel on constitue une couche de migration propre à se rompre de sélénium amorphe sub-micrométrique,qui est la matière spécialement préférée dans le mode électro-optique de la présente invention,sur une couche ra-30 mollissable, par exemple par évaporation et condensation sous vide à raison d'environ 0,5 micron par heure sur un substrat maintenu à environ 65°C dans une enceinte où règne une pression d'environ 10à 10 ^ mm de mercure. L'évaporation- sous vide permet également de former des couches impropres à se rompre de 35 sélénium amorphe ou d'autres matières. Par exemple, on peut constituer une couche de migration mécaniquement continue et impropre à se rompre formée d'une quantité prépondérante de sélénium en maintenant le substrat entre environ 30 et 40°C, en maintenant la température de la source entre environ 230 et 260°C sous une —6 40 pression d'environ 1,4 x 10 mm de mercure -et en déposant du sé- 6*0 m®**- 13893 10 2007601 lénium en quantité suffisante pour obtenir une densité optique raisonnable dans les éléments impressionnés résultants. La couche propre à se rompre 13 peut être également obtenue suivant m d'autres techniques, par exemple par application en cascade, 5 saupoudrage et ainsi de suite, comme décrit dans le brevet français n° I.4.66.349, ou par pelliculage et par d'autres procédés décrits dans la demande de brevet des Etats-Onis d'Amérique n° 685.536 du 24 novembre 1967 ou encore par tout autre procédé convenable. Si on désire obtenir des couches plus épaisses, 10 on peut ramollir légèrement la couche 12 par chauffage, par exemple afin de permettre aux particules déposées en surface de s'ancrer, c'est-à-dire de s'enfoncer d'une petite distance dans la matière plastique, après quoi de nouvelles particules peuvent être appliquées en cascade ou par saupoudrage sur la plaque. 15 L'épaisseur de la couche 13 est de préférence d'envi ron 0,01 à 2,0 microns, bien que des couches d'une épaisseur de 5 microns donnent de bons résultats avec certaines matières. Lorsque la couche 13 comprend des particules, la gra-nulométrie moyenne préférée est d'environ 0,01 à 2,0. microns 20 pour l'obtention d'images ayant une résolution meilleure et une densité plus élevée que celles obtenues au moyen de couches de migration dont les particules sont de plus d'environ 2,0 microns. Pour la densité optimum de l'image résultante, les particules ne peuvent avoir une dimension beaucoup supérieure à environ 0,7 mi-25 cron en moyenne. Les couches de particules de migration ont de préférence une épaisseur s'échelonnant environ de l'épaisseur de l'élément le plus petit de la matière de migration de la couche à environ le double de l'épaisseur de l'élément le plus volumineux de la couche. Il convient de noter que les 30 particules ne peuvent être toutes tassées étroitement latéralement ou verticalement de sorte qu'une fraction de l'épaisseur de la couche 13 puisse constituer la matièr« ramollissable. La couche 13 peut comprendre toute matière convenable chois je dans une classe étendue comprenant des matières conductrices de 35 l'électricité ou au contraire isolantes, des matières photosensibles et des particules optiquement inertes. Pour les modes de l'invention, utilisant une force de migration électrique, les parties pour la migration de la couche 13 doivent, dans une mesure suffisante, être électriquement isolantes pour con-40 server leur force de migration électrique jusqu'à ce que la miBAD ORIGINAL 13893 ii 2007601 gration soit suffisante. Cependant, on peut utiliser des particules conductrices si la conductivité latérale est réduite au minimum par un empilement lâche, par exemple, ou par ancrage partiel d'une couche tout au plus mince de particules dans la cou-5 che 12 de façon que les particules voisines n'aient qu'un médiocre contact électrique les unes avec les autres. La matière de migration est de préférence en substance insoluble dans la matière ramollissable et impropre à participer à une réaction défavorable avec cette dernière et elle doit mani-10 fester les mêmes propriétés à. l'égard du solvant éventuel à l'état de liquide ou de vapeur pouvant être utilisé pour le ramollissement. Les matières photosensibles pour la couche 13 permettent la formation d'une image latente sur les éléments sensibles 15 de l'invention suivant le mode électro-optique optimum de l'invention, décrit plus en détail ci-après,qui est un système simple, direct et optiquement sensible pour former des images d'une haute qualité. De telles matières photosensibles typiques sont des isolants photo conducteurs organique-s ou inorganiques, des matiè-20 res qui subissent des variations de conductivité lors d'un photo-chauffage, comme décrit, par exemple, par Cassiers dans Photog. Sci. Engr. 4> n° 4, 199 (i960); et des matières qui manifestent le phénomène de photo-injection ou d'injection lors d'un photochauffage. 25 Les photoconducteurs inorganiques préférés aux fins de l'invention en raison de l'excellente qualité de l'image résultante sont notamment le sélénium amorphe, le sélénium amorphe allié avec l'arsenic, le tellure, le bismuth, l'antimoine, etc.; le sélénium amorphe et ses alliages dopés d'halogènes; et des mé-30 langes de sélénium amorphe et de sélénium cristallin, notamment la forme monoclinique et la forme hexagonale. D'autres photo-conduc«teurs inorganiques typiques sont le sulfure de cadmium, l'oxyde de zinc, le sulfoséléniure de cadmium, les jaunes de cadmium, comme le jaune de cadmium citron X-2273 de Impérial 35 Color and Chemical Dept. of Hercules Powder Co , et de nombreux autres composés semblables. Le brevet des Etats-Onis d'Amérique n° 3.121.006 de l-liddleton et collaborateurs donne une liste de pigments photoconducteurs inorganiques typiques. Des photoconducteurs organiques typiques sont des colorants azolques, comme" 40 le rouge Watchung B ou sel de baryum de l'acide l-(4'-méthyl- 2007601 5'-chloro-azobenzène-2'-sulfonyl )-2-hydroxy-3-naphtoique, C.I. n° 15865, et le rouge Monastral B qui est une quinacridone, tous deux de la DuPont; le pigment écarlate Indofast Double qui est un pigment de pyranthrone de la Hariaon Colors; lo magenta, 5 quindo RV-68O3, qui est un pigment de quinacridone de la Harmon Colors; le bleu cyan GTNF ou forme bêta de la phtalocyanine de cuivre, C.I. 74-160,dé la Collway Colors; le bleu solide Monolite GS ou forme alpha de la phtalocyanine exempte de métal,C.I. n° 74100, On peut utiliser toute matière photosensible appropriée ou tout mélange de telles matière pour l'exécution de l'invention 25 indépendamment de son caractère organique ou inorganique et du fait qu'elle est formée d'un ou plusieurs constituants en solution solide ou en dispersion les uns dans les autres,ainsi que du fait que la couche est formée de particules différentes ou constituée par des strates multiples de matières différentes. 30 D'autres matières qu'on peut incorporer dans une cou che photosensible .de migration sont notsrmment les complexes de transfert de charge entre donneurs et accepteurs de caractère organique (acides de Lewis-bases de Lewis) formés par des donneurs tels que des résines phénol-aLdéhyde, des résines phéno-35 xydes, des résines époxydes, des polycarbonates, des résines d'u-réthanne, des polystyrènes et des résines analogues complexées avec des accepteurs d'électrons, comme la 2,4,7-trinitro-9-fluo-rénone, la 2,4>5,7-tétranitro-9-fluorénone, l'acide picriquô, le 1,3,5-trinitrobenzèhe, le chloranile, la 2,£>-dichloro-benzoqui-40 none, l'acide anthraquinone-2-carboxylique, le 4-nitrophénol, ,OJ " 2007601 1' anhydride maléique, les halogénures des né taux et métalloïdes des groupes I-B et II-VTIÏ du tableau périodique des éléments, comme le chlorure d'aluminium, le chlorure de zinc, le chlorure ferrique, le chlorure de magnésium, l'iodure de calcium, le bro-5 mure de strontium, le bromure chromique, le triiodure d'arsenic, le bromure de magnésium, le chlorure stanneux et ainsi de suite; les halogénures de bore, comme le trifluorure de bore; les cé-tones, coaii.ie la benzophénone et l'anisile; les acides minéraux, comme l'acide sulfurique, les acides organiques carbobliques, 10 comme l'acide acétique, l'acide maléique, l'acide succinique, l'acide citraconique, les acides sulfoniques, comme l'acide 4~ toluènesulfonique; et leurs mélanges. Comme on l'a indiqué ci-dessus, on peut utiliser toute matière photosensible convenable. Dans la forme de réalisation 15 la plus favorable d'une couche de migration particulaire propre à se rompre, des exemples typiques de particules sont les particules faites d'une matière photosensible pure ou sous forme sensibilisée, faites de dispersions ou solutions solides de la matière photosensible dans une matrice, comme une résine thermo-20 plastique ou thermodurcissable,faites de copolymères de pigments photosensibles et de monomères organiques, outre des particules à couches multiples qui comprennent, soit la matière photosensible dans l'une des couches tandis que les couches extérieures filtrent la lumière, soit une âme de résine fusible ou ramollissable 25 dans un solvant, soit une âme d'un liquide, tel qu'un colorant ou une autre encre, soit une âme d'une matière photosensible à l'intérieur d'une couche d'une autre matière photosensible qui étale la réponse spectrale. D'autres produits photosensibles sont notamment les solutions, dispersions et copolymères d'une matière 30 photosensible dans ou avec une autre, avec ou sans agents dénués de photosensibilité. D'autres structures de particules appropriées sont décrites dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 2.94.o.847 de Kaprelian. Il convient de citer également des matières photosensibles dont l'altération provoquée par le rayon-35 nement est permanente, persistante ou temporaire. Il convient de rappeler également les particules thermoconductrices, c'est-à-dire modifiées par le chauffage que provoque le rayonnement incident. On peut utiliser des matières photosensibles dans le .40 mode préféré faisant intervenir une force de migration électriBAD ORIGINAL 13893 M 2007601 que mais on peut aussi recourir, cornue décrit dans le brevet français n° 1.466.349 ainsi-que plus en détail ci-après, à des matières, non photosensibles adéquates pour-la migration en yue de former l'image électrostatique, par exemple, le graphite, des 5 'colorants, l'amidon, le grenat, l'oxyde de fer, le noir de carbone, le fer, le tungstène et leurs mélanges. Il convient de noter, en outre, que la couche de migration 13 peut comprendre ion mélange ae matières choisies spécifiquement en raison-de leur nuance pour donner un système 10 permettant la formation d'images en couleurs. On peut se référer à ce propos, par exemple, au brevet belge n° 709.I3I. Outre la forme représentée à la Fig. 1 comprenant ou non un substrat 11, on peut utiliser diverses variantes, par exemple un élément à revêtement dont la couche de matière 15 de migration est prisonnière entre deux couches de matière ramollissable. La couche extérieure de revêtement peut également être faite d'une matière non ramollissable, comme la gélatine ou le Mylar pouvant se trouver ou non au contact de la couche de migration . On peut recourir, en outre,'à des couches multi-20 pies, dont chacune comprend une couche de migration sur ou dans une couche ramollissable, les couches de migration adjacentes de l'ensemble stratifié étant séparées les unes des autres ou au contact les unes des autres. En outre, la couche ramollissable peut comprendre une 25 ou plusieurs strates de matières ramollissables différentes, la strate de migration étant, par exemple, contiguë à la surface libre d'une strate de matière ramollissable, laquelle est appliquée sur une strate ramollissable de support déposée éventuellement sur un substrat. En variante encore, l'une des strates de 30 matière ramollissable peut résister à l'agglomération de la matière de migration et une autre strate peut être instable à cet effet d'agglomération pour accentuer l'effet d'agglomération atténuant la densité du fond, comme décrit dans le brevet belge n° 709.703,suivant lequel la transmission optique de la matière 35 propre à se rompre n'ayant pas migré est beaucoup accentuée par un effet d'agglomération de la matière n'ayant pas migré en vue d'augmenter sensiblement la transparence de ces régions de-l'élément sensible. Ceci constitue donc la description de l'élément sensi-40 ble de migration en configuration stratifiée de l'invention,qui BAD ORIGINAL 69 13893 15 2007601 est décrit en détail dans la demande de brevet des fîtats-Unis d'Amérique n° 635.256 du 1er mai 1967. Les procédés de l'invention pour former des images et les façons dont la matière de la couche de migration s'enfoncc-5 dans la profondeur de la couche ramollissable sont susceptibles d'une classification en deux modes : (A) l'exercice sur la matière de la couche de migration d'une force quiprovoque la migration en conformité avec l'image et qui est normalement associée à une image latente dans l'éle-10 ment sensible qui modifie directement ou indirectement la force exercée sur la couche de migration en direction de la masse de matière ramollissable,normalement vers une face de la couche ramollissable ou, dans le cas de la présence d'un substrat, vers l'interface substrat-couche ramollissable, l'application de la 15 force sur la matière de migration ayant lieu avant, pendant ou après une seconde modification de la résistance de la couche de matière ramollissable au mouvement de la matière de migration, et (b) l'exercice sur la matière de la couche de migra-20 tion d'une force de migration avant, pendant ou après une seconde modification en conformité avec une image de la résistance de la matière ramollissable au mouvement de la matière de migration. Tant dans le mode (a) que dans le mode (B) ci-dessus, il existe de nombreuses forces qu'on peut appliquer et faire 25 agir sur la couche de migration pour qu'elle se déplace jusque dans la profondeur de la couche ramollissable en conformité avec une image. Il convient de citer la force électrique ou électrostatique, la force magnétique, la force de gravité et la force centrifuge. Il existe aussi un nombre également étendu de 30 façons pour faire agir ces forces sur la couche de migration uniformément ou en conformité avec une image. Les modes d'application d'une force de migration en conformité avec une image pour faire migrer la matière dans le cas du mode (a) sont notamment; 35 (a) l'application d'une charge en conformité avec une image sur une couche de migration provoque une attraction conforme à l'image de la couche de migration vers des charges de polarité opposée induites par les charges appliquées initialement sur la couche de migration, sur l'autre face de la couche 4-0 ramollissable ou sur le substrat d'un élément sensible; 0*0 c*»"* 13893 16 2007601 (b) l'application d'un champ électrique extérieur en conformité avec une image .agissant sur une couche de migration uniformément chargée; (c) l'application d'un champ électrique extérieur uni-5 forme sur une couche de migration chargée en conformité avec une image; (d) l'application d'un champ magnétique en conformité avec une image sur une couche de migration magnétisée uniformément. 10 II convient de noter que l'intensité de la force de mi gration électrique ou électrostatique préférée de l'invention dépend de la grandeur de la charge électrique sur ou dans la couche de migration et de l'intensité du champ électrique extérieur éventuel. La formation de la charge dans ou sur la couche de migra- 15 tion peut être influencée par les facteurs suivants : (i) répartition de la charge appliquée sur ou dans l'élément, y compris sur ou dans la couche de migration; (ii) aptitude de la couche de migration à conserver la charge; 20 ' (iii)aptitude de la couche ramollissable à conserver la charge; (iv) intensité du champ électrique traversant l'élément sensible. Les modes d'application d'une force de migration sur la 25 matière de la couche de migration dans le mode (B) où l'application de la force s'accompagne d'une modification de la résistance" en conformité avec une image de la matière ramollissable à l'égard du mouvement de la matière de migration sont: (a) l'application d'une charge uniforme sur une cou- 30 che de migration,qui crée une attraction uniforme de la couche vers des charges de polarité opposée induites par la charge uniforme appliquée initialement sur la couche de migration sur l'autre face de la couche ramollissable ou sur le substrat d'un élément sensible; 35 (b) l'application d'un champ électrique extérieur agis sant sur une couche de migration portant une charge électrostatique uniforme; (c) l'application .a'un champ magnétique agissant'sur une couche de migration magnétisée uniformément; 40 . (d) l'application d'une force centrifuge sur la couche BAD ORIGÎNAl 69 13893 17 2007601 ae migration; (e) l'application de la force de gravité sur la couche de migration. Il est évident que dans le mode (B) la modification en 5 conformité avec l'image de la résistance au mouvement de la matière de migration à travers la couche ramollissable comprend toute altération de la matière ramollissable ou de la matière de migration qui, directement ou indirectement, modifie la viscosité de la matière ramollissable pendant le mouvement dans la région où 10 la matière de migration se meut ou qui, de toute autre manière, altère la sensibilité de la matière de migration à la viscosité de la matière ramollissable. Dans le cas plus spécifique des modes de formation de l'image que concernent les Fig. 1B et 1C, on forme une image 15 latente dans le mode électro-optique optimum de l'invention, à savoir le mode A(a),dans un élément 10 portant une couche 13 qui comprend une matière photosensible,suivant la technique préférée consistant à créer une charge uniforme au moyen d'une décharge par effluve. (Fig. 1B), et à réali-ser l'exposition à une image 20 (Fig. 1C). Dans le cas de la Fig. 1B, l'élément sensible reçoit une charge électrostatique uniforme, par exemple au moyen d'un appareil à décharge par effluve 14 qui se déplace par-dessus l'élément sensible de gauche à droite en créant une charge uniforme, par exemple positive, à la surface de la couche 13. 25 Ainsi, des appareils à décharge par effluve du "type général décrit dans les brevets des Etats-CJnis d'Amérique n° 2.336.725 de Vyverberg et 2.777.957 de Walkup se sont révélés excellents pour créer une charge sur l'élément 10. On préfère la création de la charge par effluve en raison de la facilité et en raison 30 de la reproductibilite et de la qualité des images obtenues ensuite. Cependant, on peut utiliser toute source d'effluve convenable, notamment des sources radio-actives, comme décrit par Dessauer, Kott & Bogdonoff dans Photo Eng. 6., 250 (1955). Cependant, d'autres techniques pour créer la charge, par exemple un 35 frottement exercé sur l'élément sensible ou la création par induction, comme décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 2.934'S4-9de V/alicup,sont possibles aussi. Le champ dans la couche 12, comme on le préfère pour la formation de l'image dans le mode optimum de l'invention,peut s'échelonner de quelques 4.0 volts par micron, par exemple environ 5 volts par micron, à . .bao 69 13893 18 2007601 200 volts par micron"pour les substrats tant conducteurs que non conducteurs de l'électricité. Cependant, on obtient des images de la meilleure qualité lorsque I® champ dans la couche 12 est d'environ 4.0 à 100 volts par micron. 5 Lorsque le substrat 11 est fait d'une matière isolan te, on peut charger l'élément, par exemple, en amenant le substrat isolant au contact d'un organe conducteur et en formant la charge, comme illustré par la Fig. 1B. En variante, on peut appliquer d'autres procédés classiques en xérographie pour la créa-10 tion d'une charge sur les plaques xérographiques à revers isolant. Par exemple, on peut charger l'élément par une technique de décharge par effluve sur deux faces, deux dispositifs de décharge par effluve passant de part et d'autre de l'élément 10 en regard l'un de l'autre et à des polarités opposées. 15 'La Fig. 1C illustre une seconde opération du mode élec- tro-optique optimum pour former une image latente sur l'élément 10 chargé, à savoir l'exposition à un motif de rayonnement activant 15 en conformité avec une image. Pour les besoins de l'illustration, les charges électriques superficielles sont repré-20 sentées • comme ayant pénétré dans la couche particulaire 13 dans les régions éclairées. Cette représentation est hypothétique, mais utile pour comprendre l^invention en considérant que les particules des régions illuminées de la couche 13 ont une plus grande aptitude à accepter la charge. L'image latente 25 formée ne peut être décelée suivant les techniques électrométriques ordinaires comme une image électrostatique de xérographie, de sorte qu'aucune modification de la force électrostatique ou coulombienne n'est décelée après l'exposition,bien que lorsque la couche 12 est ramollie, l'image latente se forme en consé-30 quence de la création de la charge et de l'exposition sélective en conformité avec une image provoquant la migration des particules. On peut prendre toute intensité d'exposition appropriée. Les expositions donnant des images de la qualité optimum depen-35 dent de nombreux facteurs, notamment la composition de la couche photosensible de migration 13. Par exemple, pour des couches de migration en sélénium amorphe, des expositions d'environ 0,05 à 50 ergs/cm^ pour une lumière d'une longueur d'onde d'environ 4000 A et, dans le cas le plus favorable, d'environ 1 à 10 ergs/cm^, 40 donnent des images ayant le maximum de densité et de contraste. Des bad original 13893 19 2007601 expositions de plus d'environ 1,03 phot. seconde peuvent être préférées pour des couches de migration photosensibles d'une composition autre eue le sélénium amorphe qui est préféré. Des expositions moindres,atteignant à peine 0,54 millipiiot. seconde, convien-5 nent pour des couches de migration photosensibles contenant certaines phtalocyanines. L'exposition peut être exécutée du coté de la couche de matière de migration ou à travers le revers de l'élément, la couche ramollissable et son support éventuel étant au moins 10 partiellement transparents à l'égard dù rayonnement activant. On peut utiliser une exposition uniforme ou travailler sans exposition avec ramollissement uniforme et avec des forces de migration uniformes en l'absence d'image pour obtenir des pellicules de la densité optique requise pour certaines cou-15 leurs. On peut ainsi de façon avantageuse produire des filtres optiques et des systèmes spéciaux diffusant la lumière. On peut utiliser tout rayonnement électromagnétique actinique convenable. On peut prendre, par exemple, le rayonnement d'une lampe à incandescence ordinaire, les rayons X, des 20 faisceaux de particules chargées, le rayonnement infrarouge ou ultraviolet et ainsi de suite. L'e:q>osition à l'image peut être exécutée avant, pendant ou après la création de la charge et avant ou pendant la durée au cours de laquelle la couche ramollissable se trouve à l'état ramolli, la photosensibilité étant permanente, 25 persistante ou temporaire. I3n outre, l'image latente peut résulter du chauffage par le motif de rayonnement incident au niveau soit de la couche ramollissable,soit de la couche de migration, conduisant une modification de conductivité conforme à une image et ainsi à un motif de forces électriques de migration. Le mode 30 électro-optique pour former une image décrit ci-dessus est préféré pour sa simplicité, sa souplesse d'application et là haute qualité des images obtenues. On autre élément sensible convenant pour l'exécution des opérations décrites ci-dessus du mode électro-optique optimum est 35 un élément qui comprend une couche ramollissable photosensible et une couche de migration d'une matière qui ne doit pas être photosensible, comme décrit plus en détail dans le brevet français n° 1.533.289. Suivant une variante du mode électro-optique, on expose 40 à un motif de rayonnement calorifique • BAo 69 13893 20 2007601 une couche de migration et/ou une couche ramollissable dont la conductivité électrique vari-e avec la température. Evidemment» le chauffage en conformité avec une image peut être exécuté aussi sans exposition, par exemple par contact de l'élément sensible avec un objet cKaud 5 pour la formation de l'image. Les particules peuvent subir rapidement une dissipation de la charge-ou une modification de leur aptitude à conserver la charge mais, en variante, la dissipation ou la modification de la charge peuvent avoir lieu ultérieurement lors du ramollissement de la couche 12 conformément à l'invention. 10 Dans le mode A(a) de migration électrique qui est pré féré, on forme une image électrostatique latente analogue aux images latentes de xérographie dans ou sur les éléments sensibles d'une manière appropriée quelconque qui, ne fait normalement pas intervenir une exposition optique directe de l'élément sensible et 15 qui ne détruit pas l'aptitude fonctionnelle de l'élément sensible, à savoir: (i) par création d'une charge en conformité avec une image au moyen d'un masque ou pochoir; (ii) premièrement par formation d'un motif de charge 20 sur une couche isolante photoconductrice distincte,suivant les techniques classiques de la reproduction xérographique, puis par transfert de ce motif de charge sur-les éléments sensibles de l'invention, les deux couches étant amenées à proximité très étroite et par application des techniques de rupture décrites, par 25 exemple, dans les brevets des Etats-Onis d'Amérique n° 2.982.647 de Cari son et 2.825.814 et 2.937.943 de Walkup; (iii) au moyen d'électrodes choisies d'une forme'déterminée, éventuellement en combinaison,donnant des motifs de charge suivant la technique de transfert d'images électrostatiques par dé-30 charge, comme décrit dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique n° 3.023.731 et 2.919.967 de Schwertz ou suivant les techniques décrites dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique n° 3.001.848 et 3.OOI.849 de Walkup; (iv) par enregistrement à l'aide de faisceaux d'élec-35 trons, par exemple comme décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 3.H3.I79 de Glenn,ou par enregistrement aux faisceaux de rayons X, les rayons X provoquant une émission secondaire d'électrons provoquant à son tour le dépôt des charges sur les éléments sensibles de l'invention, par exemple comme décrit par 40 Reiss dans Image Production With Ionizing Radiation Ihrough f BAD ORIGINAL k 69 13893 21 2007601 Electrostatic Accumulation From Electron Avalanches, Zeit. fttr Angew. Phys. 19. 1,pages 1 à 4 (19&5) et dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 3.057.997 de Kaprelian, et (v) au moyen d'un élément de migration de l'invention 5 comprenant une couche photoconductrice entre la couche ramollissable 12 et le substrat 11. On forme l'image latente par des successions typiques de .plissement par givrage, par exemple, création d'une charge, exposition à une image et nouvelle création d'une charge jusqu'au potentiel initial, comme décrit dans le brevet 10 des Etats-Onis d'Amérique n° 3.I96.QII de Gunther, de même que par Gundlach & Claus dans un article intitulé: A Cyclic Xerogra-. phic Method Based On Frost Déformation, Photographie Science & Engineering 2., n°- 1, 14-19, (janvier-février 1963). Normalement, l'image électrostatique latente est formée 15 sur l'élément, puis la couche ramollissable est ramollie,mais un élément sensible dont la couche ramollissable est déjà ramollie peut recevoir une image latente provoquant la migration dès que la couche de migration reçoit la charge. On peut utiliser une matière photosensible de migration, avec ou sans exposition uniforme 20 à la lumière,après formation d'une image latente par les techni" ques électriques décrites ci-dessus. Dans certains modes, cette exposition uniforme améliore la migration par abaissement du potentiel de l'image latente chargée nécessaire pour la migration. L'intensité de l'image latente électrostatique appli-25 quée dans ce mode particulier pour former une image latente doit seulement excéder le seuil nécessaire à la migration dans le cas de la combinaison particulière de matières utilisées. En pratique, on préfère en général appliquer dans la couche 12 un champ d'au moins environ 10 volts par micron pour obtenir des images de 30 la meilleure qualité, mais on a pu obtenir des images à partir d'images chargées pour un champ dans la couche 12 inférieur à 10 et même parfois à 4 volts par micron. Dans le mode($(b) de l'invention, des électrodes de la forme de l'image et portant des charges opposées peuvent être dis-35 posées de part et d'autre d'un élément sensible uniformément chargé de façon à créer la force de migration électrique en conformité avec l'image. De nombreux modes spécifiques d'application des forces conformes aux modes (a)(c) et (a)(d) sont évidents pour le spécialiste. 40 D'autre part, dans le mode (B)(a),on peut former sur les BAD 69 13893 22 2007601 éléments sensibles de l'invention une image latente en créant une charge uniforme sur. l'élément sensible et en modifiant,augmentant ou diminuant physiquement,, en conformité avec l'image et 0 de façon sélective,1a perméabilité de la couche ramollissable à 5 l'égard de la matière de la couche de migration avant, pendant ou après la création de la charge. On peut appliquer toute technique pour modifier la perméabilité de la couche ramollissable en conformité avec une image, notamment : . (i) durcissement de la couche ramollissable en con-10 formité avec l'image avant, pendant ou après la création de la charge, par exemple par exposition de certaines matières ramol-lissabl.es à une image de rayonnement ultraviolet provoquant le durcissement en conformité avec l'image, par exemple comme décrit dans le brevet des Etats-Onis d*Amérique n° 3 *307.94-1 de Gundlach. 15 Par exemple, la résine Staybelite Ester 10 peut être durcie en conformité avec une image par exposition à une lampe ultraviolette ordinaire pendant quelques minutes à travers un masque ou pochoir donnant l'image; (ii) ramollissement en conformité avec l'image de la » 20 couche ramollissable,de préférence après la création de la charge,par exemple par exposition à un motif de rayonnement infrarouge ou par contact avec un élément chauffé en conformité avec l'image. Dans le cas d'un ramollissement suffisant, le ramollissement ultérieur conforme à l'invention peut être supprimé. Les' 25 couchés de migration ou les couches ramollissables ou le substrat, éventuellement en combinaison, peuvent absorber le rayonnement infrarouge et chauffer ainsi la couche ramollissable. Suivant la nature des matières utilisées dans l'élément sensible et spécialement suivant la nature de la matière de la 30 couche 12, on peut utiliser d'autres rayonnementsactiniques (avant ou après la formation de la couche 11) pour modifier sélectivement (notamment par durcissement et ramollissement de la couche 12) la perméabilité de la couche 12 à l'égard des particules qui migrent. Des techniques appropriées sont le traite-35 ment par les rayons X, le traitement par les rayons bêta, le traitement par les rayons gamma et le bombardement au moyen d'électrons d'une grande énergie; (iii) contamination en conformité avec l'image de la couche ramollissable pour affecter sa viscosité,de préférence 4.0 avant ou après l'application de la charge, par exemple par conrBAD ORIGINAL 13893 23 2007601 densation d'agents volatils provenant d'une feuille adjacente portant une image d'encre. La couche 13 peut être formée sur la couche 12 avant ou après la modification de la perméabilité. 5 Après l'altération en conformité avec l'image, on peut appliquer à la couche 13 toute force de migration convenable qui est normalement répartie uniformément sur cette couche 13. Par exemple, dans le mode (B)(a), on peut créer une charge uniforme sur la couche 13 pour établir des champs dans la couche 12 ana-10 logues à ceux déjà décrits ci-dessus. Dans le mode (B)(b), on peut disposer des électrodes planes d'une forme convenable et de polarités opposées de part et d'autre d'éléments sensibles uniformément chargés de l'invention pour créer des forces de migration électriques uniformes encore 15 plus importantes à travers l'épaisseur de toute la couche 13. De nombreux modes spécifiques d'application des forces conformes aux modes (b)(c), (b) (d) et (b) (e) sont évidents pour le spécialiste. Par exemple, dans le cas (b)(d), une centrifuga-tion exécutée pendant une durée suffisante pour un ramollissement 20 convenable de la couche 12 en conformité avec l'image suffit pour provoquer la migration en conformité avec l'image. La seconde opération fondamentale conforme à l'invention est de rendre la couche ramollissable suffisamment perméable au mouvement de la matière de migration pour que ce.tte migration 25 ait lieu ou pour que l'élément portant l'image latente devienne, après l'application de la force de migration, un élément portant une image visible ou autrement décelable. Ce résultat est atteint par migration de la couche 13 en conformité avec l'image dans l'épaisseur de la couche 12. Le ramollissement peut avoir lieu 30 avant, pendant ou après l'application de la force de migration sur la couche de migration et est le mécanisme qui permet à des régions déterminées de la couche de migration de migrer en conformité avec l'image jusqu'à une certaine profondeur de la couche ramollissable,tandis que le reste de la matière de migration 35 subsiste sensiblement sans déplacement dans ou sur la couche ramollissable, ou bien migre sur une distance moindre dans la matière ramollissable. Cette migration sélective résultant du développement par ramollissement suivant l'invention donne une image utile et parfois visible sur l'élément impressionné. 40 Aux fins de l'invention, on qualifie de ramollissement BÀD ORIGNAL' 13893 24 2007601 toute opération ayant pour effet de rendre la couche ramollissable plus perméable à la matière de la couche de migration, notamment de préférence le ramollissement sous l'effet de la chaleur et/ou de la vapeur d'un solvant de la matière ramollissable, ou encore une ex-5 position relativement brève de la couche ramollissable à un solvant qui provoque un gonflement et ainsi un certain ramollissement. On parle également de ramollissement dans le cas où. la couche 12 est naturellement assez molle pour qu'un ramollissement distinct soit inutile. Par exemple, la couche de migration peut être dé-10 posée sur une couche qui est ramollie suffisamment par la température ambiante pour qu'au terme de l'application de la force de migration, les images de migration se forment simultanément ou aussitôt après. L'élément obtenu après développement par ra-15 mollissement peut être utilisé et observé de nombreuses façons. La couche 12 et les régions de la couche 13 qui n'ont pas participé à la migration ne sont ainsi pas éliminées par lavage , mais au terme des opérations et au contraire de ce qu'on fait pour le développement à l'aide d'un solvant liquide, comme 20 décrit dans le brevet français précité n° 1.4.66.349, l'image résultante peut être observée en lumière transmise, en lumière réfléchie, en lumière diffuse, à l'oeil nu ou au moyen d'un dispositif d'observation spécial, par exemple par focalisation sur un écran d'observation de la lumière réfléchie par l'élément. 25 Dans les techniques d'observation ci-dessus, l'image peut prendre l'aspect de modifications conformes à l'image dans le trajet optique de la lumière pénétrant dans la couche ramollissable et en ressortant avec réflexion sur la couche de migration qui a migré. Les images produites suivant l'invention peuvent typique-30 ment être observées par interferométrie, par exemple à l'aide d'un microscope interférentiel ou d'un appareil holographique. Dans le dernier cas, l'image se présente sous la forme d'un grand nombre de lignes de fréquences diverses étroitement rapprochées. En outre, l'image peut être enregistrée suivant d'au-35 très techniques pour former les images et les images enregistrées peuvent être observées ou utilisées autrement. Les images obtenues suivant l'invention se prêtent souvent à l'affichage en lumière transmise spécialement lorsque les couches 11 et 12 sont au moins partiellement transparentes et 40 lorsque la couche de migration 13 est sensiblement opaque. ^AD ORIGINAL 69 13893 25 2007601 Ainsi, l'élément complètement développé permet de projeter sur un écran une image à haute résolution. Les images peuvent être observées également à l'aide d'un système de projection tel que celui représenté par la Fig.lF 5 du brevet des Etats-Onis d'Amérique n° 3.I96.OII de Gimther et collaborateurs et au moyen de systèmes optiques à lumière réfléchie comme décrit dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 619.072 du 27 février 1967. La lecture peut être assurée également au moyen de dispositifs sensibles convenables qui décèlent 10 les déplacements sélectifs des particules. Par exemple, des dispositifs magnétiques sensibles peuvent être utilisés .conjointement avec une matière de migration qui comprend m constituant magnétique. Le ramollissement et les techniques de ramollissement préférées pour la couche ramollissable par exposition à la chaleur et/ 15 ou à une vapeur de solvant sont décrits plus en détail ci-après. De manière générale, pour le développement par une vapeur, on expose un élément sensible de l'invention pendant un certain temps à de la vapeur d'un solvant, par exemple, dans une chambre et en général en l'absence d'un rayonnement actinique dans le cas 20 du mode électro-optique. De façon générale, pour le développement par une vapeur suivant l'invention, on peut prendre tout solvant liquide utile pour le développement en milieu liquide dont certains sont précisés dans le brevet français précité n° 1.466.349. De façon générale, les solvants dont les vapeurs con-25 viennent pour ramollir la couche 12 sont des solvants de la couche 12,mais non des couches 11 et 13, et doivent avoir une résistance électrique suffisamment élevée dans le mode électrooptique et dans le mode électrique où des charges interviennent dans 1'application de la force de migration pour empêcher la ma-30 tière propre à se rompre des régions de la couche 13 qui doivent migrer de perdre sa charge avant une migration jusqu'à une profondeur suffisante. Des solvants typiques pour les diverses matières pouvant constituer la couche 12 sont de façon non limitative, l'acétone, le trichloroéthylène, le chloroforme, l'éther 35 éthylique, le xylène, le dioxanne, le benzène, le toluène, le cy-clohexane, le 1,1,1-trichloroéthane, le.pentane, le n-heptane, le solvant inodore 3440 Sohio, le triehlorotrifluoroéthane vendu sous le nom de Fréon II3 par DuPont, le Fréon TI'IO de DuPont, le m-xylène, le tétrachlorure de carbone, le thiophène, l'éther di-40 phénylique, le p-cymène, le cis-2,2-dichloroéthylène, le nitromé- 13893 26 2007601 thane, le N,N-diméthyIformamide, 1'éthanol, l'acétate d'éthyle, la méthyléthylcétone, le dichlorure d'éthylène, le chlorure de méthylène» le trans~l,2~dichloroéthylène, le Super Naphtolite de la Buffalo Solvents and Chemicals et leurs mélanges. 5 On préfère en général les vapeurs d'un solvant de la couche ramollissable, mais pour le développement par une vapeur on peut utiliser certaines vapeurs provenant de liquides qui ne sont pas des solvants ou au moins pas de bons solvants de la matière ramollissable. Par exemple» les vapeurs du Préon 113 per-10 mettent de faire migrer une matière dans un copolymère synthétisé pour la Demanderesse et comprenant 80 moles de styrène pour 20 moles de méthaorylate d-hesyle qui est ramollissable,mais que le Préon 115 ne dissout pas rapidement. De plusp comme indiqué dans l'exemple 163 le ramollis-15 semeat par Immersion dans un solvant est possible même dans le cas de liquides qui ne dissolurent pas facilement la ©ouche ramollissable. Sans las modes de formation des images de l'invention, où les charges de la couche de migration n'interviennent pas né-20 cessaire&snt pour la fores de migration, le caractère électriquement isolant de la vapeur est évidemment moins important. Les durées de ramollissement peuvent être plus brèves pour le développement en phase vapeur que pour le développement par dissolution dans un liquide décrit dans le brevet français 25 n° 1.466.349 parce qu'il ne faut pas prévoir de temps pour la dissolution de la couche ramollissable 12. L'exposition à la vapeur de solvant se fait d'habitude en une durée de 0,5 seconde ou moins jusqu'à environ 1 minute et en général en environ 1 à 10 secondes suivant„ entre autres, la température et la concentration 30 de la 'vapeur> g.i nsi que le pouvoir solvant et la nature de la couche ramollissable. On peut indiquer comme limite supérieure pratique une durée de 1 minute pour le ramollissement par la vapeur, mais il est évident qu'aux faibles concentrations.en vapeur il est pratiquement impossible, poiir la plupart des matières, d'atteindre le 35 surdéveloppement parce que les particules atteignent un point tel que l'interface entre la couche ramollisable et le support ou un endroit où les régions en migration de la couche 13 ont perdu leur force de migration, par exemple la force électrique, et où donc la migration s'arrête, quelle que soit la perméabilité de la 4-0 couche ramollissable. Cependant, pour certaines autres matières, bad original 13893 27 2007601 on constate une certaine perte de la définition de l'image formée par la matière ayant migré si le développement par la vapeur est poursuivi longtemps après la fin de la migration. Un facteur limitatif pour le développement en phase vapeur est qu'aux gran-5 des durées et concentrations élevées en vapeur, la couche ramolli sable s'écoule du substrat et fait perdre sa forme à l'image. Au cours de l'exposition à la vapeur du solvant, l'élément sensible portant l'image latente peut être maintenu en place simple ment au moyen de pincettes et plongé pendant quelques secondes 10 dans les vapeurs surmontant une petite quantité de solvant ou révélateur' liquide dans un flacon. Si on désire un réglage plus précis, on peut prendre un verre gradué cylindrique de 1000 cm5 et d'un diamètre de 5 cm et le remplir partiellement de révélateur liquide. On suspend alors l'élément sensible à développer 15 pendant quelques secondes à une hauteur déterminée, par exemple au niveau du trait de $00ml au cas où. le verre contient environ 200 ml de révélateur liquide . De cette façon, on peut obtenir facilement et de façon reproductible des images d'une haute qualité. Comme il est évident pour le spécialiste, on peut appliquer de 20 nombreuses techniques permettant d'agir sur la densité des vapeurs. Si on le désire, on peut amener la vapeur au contact de l'élément sensible au moyen de ventilateurs, soufflantes etc. entretenant une tension de vapeur constante. L'ajustement de la concentration de la vapeur et la durée de son action sont les 25 variables principales pour le ramollissement par la vapeur, mais l'ajustement de la température de la vapeur est une autre variable parce que les vapeurs plus chaudes entraînent en général un ramol lissement et une migration plus rapides. Si on le désire, on peut utiliser des mélanges de di-30 vers solvants. Ainsi, un mélange de vapeurs satisfaisant est celui que dégage un mélange liquide contenant jusqu'à 50$ en volume de chlorure de méthylène dans du Fréon 113. Pour le développement par ramollissement thermique, 1' e-. lément est en général ramolli par exposition, par exemple pendant 35 quelques secondes,à de l'air chaud ou jà un rayonnement infrarouge bien par contact avec une plaque chauffée ou encore par immersion dans un non solvant chauffé, comme une huile de silicone. l'exposition à la chaleur est d'habitude brève et dure d'environ 1 seconde ou même moins à environ 10 secondes 40 ou davantage suivant l'intensité et la nature du chauffage, la 8AD ORIGINAL' " 2007601 nature de la matière ramollissable, la relation viscosité-tempé-rature et diverses autres propriétés. Dans le cas des matières préférées pour la couche de migration, comme le sélénium amorphe, il s'est révélé utile de chauffer l'élément à une température 5 d'environ 50 à 150°C pendant environ 1 à 10 secondes pour obtenir les meilleures images. Il est normalement difficile d'obtenir un ramollissement excessif par chauffage, mais tin facteur limitatif est parfois l'agglomération par fusion des parties de la couche 13 qui ont migré, 10 ce qui entraîne une perte de définition de l'image. Il est évident qu'on peut combiner ou faire se succéder le ramollissement par une vapeur de solvant et le ramollissement par la chaleur, comme décrit dans le brevet belge précité n° 709.703. 15 On trouvera ci-après une description plus détaillée de l'état des éléments impressionnés de l'invention pendant le développement et après le développement. Comme le montre la Fig. 2A dans certains modes de l'invention un élément impressionné par migration 18 présente le maxi-20 mum de.séparation des particules en profondeur. Certaines particules indiquées en 20 ont migré en substance jusqu'au fond de l'élément, tandis que certaines autres particules 22 de la couche 13 ont en substance échappé à la migration. Les régions 20 correspondent ici aux régions d'image du motif de rayonnement électro-25 magnétique activant 15 décrit à propos de la Fig. 1 et les régions 22 aux régions de fond. Comme décrit à propos de la Fig. 2A, la formation de l'image dans le procédé décrit à propos de la Fig. 1 se fait dans le mode positif à négatif parce que les particules exposées op-30 tiquement migrent tandis que les particules non exposées ne migrent pas ou migrent moins. Il est possible aussi d'obtenir des images dans le mode positif à positif où. l.es particules non exposées migrent jusqu'au substrat ou plus loin que les particules exposées. Tous les facteurs qui font que les particules photosensi-35 bles migrent dans le mode positif à positif ou positif à négatif, ne sont pas parfaitement élucidés. Cependant, on sait que le mode de formation de l'image peut être influencé par (l; le signe et l'importance du champ appliqué ou de la charge de .surface, (2) la nature de la matière ramollissg&le, (3) la nature du 40 solvant pour le ramollissement par la vapeur, (4) la nature des n — "f".' - {©AD ORIGINAL 13893 29 2007601 particules photosensibles ainsi que diverses autres variables, eonaae la température. Il convient donc de choisir parmi les diverses matières photosensibles, techniques ae ramollissement et matières ramollissables, les combinaisons donnant les images dans 5 le mode requis. Les te clinique s permettant de modifier à volonté le sens positif à positif ou positif à négatif des images résultantes sont décrites plus en détail dans le brevet belge n° 714.068 et dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 658.783 du 7 août 1967. 10 Au contraire du cas de la séparation, maximum des par ticules par migration que concerne la Fig. 2às la Fig, 2B est relative à un élément impressionné dont les particules ayant migré 20 correspondant aux particules 20 de la Fig. 2A, n'ont pas parcouru et ne doivent pas avoir parcouru tout le trajet jusqu'au 15 substrat 11 mais ne pénètrent qu'à une certaine profondeur dans la couche 12 environ au même endroit, pour donner une image comme le montre la Fig • 2B qui, suivant la distance de migration, apparaît en lumière réfléchie sous la forme d® couleurs interfé-rentielles associées à me épaisseur de couche 12 par-dessus les 20 particules 20 qui ont migré partiellement. Cette migration partielle peut être le résultat d'une exposition moins intense,d'un potentiel moins élevé de la charge ou d'une exposition moins poussée aux agents de ramollissement, comme la vapeur de solvant, la chaleur ou le liquide. La couche de migration 13 perforée et im-25 propre à se rompre convient parfaitement pour donner, des teintes d'interférence parce que la migration peut être assez faible pour ne pas provoquer de rupture de la couche et maintenir ainsi son haut pouvoir réflecteur donnant des teintes d'interférence saturées. Des modifications très minimes de la distance de migration 30 atteignant à peine 0,01 micron se traduisent par une modification perceptible de nuances. La *ig. 2E représente en coupe une couche semi-continue ajourée de matière impropre à se rompre qui, lorsque l'image est formée, comme indiqué, peut être observée directement sous la fox*me ae teintes d'interférence. Evidemment, 35 on peut utiliser aussi des couches propres à se rompre pour obtenir des images en teintes d'interférence. La Fig. 2C représente un élément sensible qui a été ramolli pendant un temps relativement bref ou que donne le mode de formation de l'image de la Fig. 1 où l'exposition a été re-4.0 lativement faible - et où les particules ri'ont pas migré complètement ffim) owo,nal' 69 13893 30 2007601 .jusqu'au substrat 11 ni toutes jusqu'à la même distance, fîn raison des effets dé diffusion et de diffraction associés à la dispersion ou séparation en profondeur, la matière ayant migré 20 par rapport à la matière propre à se rompre n'ayant pas ai-5 gré transmet plus ou moins de lumière suivant la granulométrie, la répartition et. le degré"de dispersion,de même que la nu-' ance de la lumière ti'snsalsë,ce qui permet d'utiliser l'élément impressionné comme image transparente dans le cas de substrats et de couches ramollissables au moins partiellement transparents. 10 Ainsi, en raison de la dispersion de la matière pro pre à se rompre qui a migré Jusqu'à diverses profondeurs dans la couche ramollisaabl©, l'image d© migration que concerne la Fig. 20 est une image visible dont les régions ayant participé à la migration peuvent apparaître moins opaques ou de couleur diffé-15 rente . ' Par exemple, dans la cas d'éléments comprenant la couche de migration photosensible préférée au sélénium amorphe, la • projection en lumière blanche ordinaire fait apparaître,par transmission^en bleu les régions ayant migré partiellement et en jaune orangé à rouge orangé les régions n'ayant pas migré. De 20 façon'générale* la matière qui a migré partiellement transmet davantage de lumière que le sélénium absorbe fort. La Fig. 2D est relative à un élément impressionné où la force de migration est appliquée comme décrit à propos d© la Fig, limais où la charge uniforme avant l'exposition est relati-• 25 vement importante,ce qui provoque, croit-on, une certaine injection de charges dans la matière propre à se rompre même dans les régions de la couche de migration qui normalement ne migreraient ' pas, de sorte que même ces régions se déplacent partiellement jusqu'à diverses profondeurs,tandis que la couche qui normale-30 ment migrerait s'est enfoncée complètement jusqu'au substrat. Lors de l'observation en transmission en lumière blanche, le sens de l'image de l'élément impressionné de la Fig. 2D est opposé à celui de la Fig • 2C du fait que les régions dispersées 22 de la matière propre à se rompre dans la Fig. 2D 35 transmettent davantage de lumière bleue et donnent, par projection, une image négative à partir d'un original positif; par exemple, si l'exposition 15 à l'image dans la Fig. 1C est exécutée par réflexion à partir d'un original positif au trait, c'est-à-dire où Iss régions d'image sont sombres sur fond réfléchissant clair ou 40 plus clair, comme dans le cas d'un do ciment dactylographié ordinaire, * "• " K "y ORlGfNAlj 13893 31 2007601 le même original donne, avec l'élément sensible de la Fié. 2C, une image positive en transmission où les régions 20 de matière ayant migré correspondent aux régions ae l'élément atteintes par la lumière 15 et sont les mêmes régions qui transmettent davanta-5 ge de bleu,tandis que les régions 22 correspondant aux parties sombres de l'original transmettent relativement moins ae lumière bleue sur un écran,alors que dans le cas de la Fig. 2D, par contre, l'observation en transmission en lumière blanche donne une image négative de sélénium, amorphe orangé rouge correspon-10 dant aux régions 20 sur un fond bleu associé aux régions 22 de matière propre à se rompre qui, à cause de la diffraction, de la diffusion et de l'absorption associées à leur dispersion en profondeur dans la matière ramollissable, apparaît en bleu dans l'élément sensible. 15 Les images de migration formées par le procédé de l'in vention et dont certaines sont illustrées par les Fig. 2k à 2fî, peuvent avoir diverses propriétés physiques, chimiques, électriques et optiques suivant le mode de séparation de la matière de migration en conformité avec l'image: 20 (a) L'image de migration a le pouvoir, comme on l'a observé, de se déchargèr sélectivement en conformité avec, l'image par transfert de charge lors de l'exposition à la lumière, de sorte qu'elle peut être chargée et exposée uniformément à la lumière pour former une image électrostatique utile corres-25 pondant à l'image de migration. Cette image de charge peut être, par exemple, rendue visible suivant les techniques habituelles de la xérographie. (b) L'image de migration peut servir de masque permettant d'exposer sélectivement la couche ramollissable à un 30 rayonnement ultraviolet qui la durcit. Par exemple., dans le cas de la Fig. 2C, l'exposition de la couche superficielle durcirait la couche ramollissable par-dessus les régions 20 ayant .migré. (c) Si l'image de migration comprend une matière magnétique, elle peut être utilisée comme image magnétique. 35 (d) L'image de migration peut servir pour former une image différente par une réaction sélective de la matière de migration conformément à sa position par rapport à un substrat réactif ou à une couche superficielle réactive. - (e) L'image de migration dont la couche ramollissable a 40 été éliminée ou non peut servir pour exposer sélectivement le ORIGINAL 13893 32 2007601 substrat qui peut être photosensible, comme dans le cas d'une couche diazolque, d'une pellicule Kalvar, d'une éaulsion photographique ou d'une couche de matière photorésistante. Lorsqu'on utilise un substrat photodurcissable (et phô-5 toramollissable) photosensible comme dans l'exemple 28, on peut obtenir une image en relief au moyen du substrat durci en conformité avec l'image, laquelle image en relief convient, par exemple, comme cliché pour l'impression. L'utilisation des images de migration de l'invention comme masque optique pour former des 10 images dans ou sur un substrat photosensible assure la sensibilité de projection en conformité avec l'image (le rayonnement de photodurcissement étant normalement appliqué en exposition uniforme) , l'aptitude au tirage d'une image positive ou négative et la possibilité d'exposer et de développer le substrat ultérieurement. 15 Après le photodurcissement par exposition, le masque peut être éliminé. Dans une forme de réalisation, la couche photosensible peut être photoconductrice. Lorsqu'une image de migration est formée sur le photoconducteur et lorsque la .couche ramollissable 20 est éliminée, l'image de migration peut servir de masque optique pour la formation d'une image de pigment xérographique par création d'une charge électrostatique uniforme sur le photoconducteur masqué, puis exposition uniforme du photoconducteur à de la lumière actinique pour que ce photoconducteur se décharge dans les ré-25 gions exposées, c'est-à-dire non masquées,et enfin développement de l'image latente chargée à l'aide de particules électroscopi-ques. On exécute les opérations xérographiques habituelles,telles qu'elles sont décrites notamment dans la demande de brevet des Etats-Onis d'Amérique h° 709.884- du 4- mars 1968 et dans les 30 références qui y sont données. Si on le désire, on peut retirer le masque après l'exposition du photoconducteur. Si on ne retire pas le masque, l'image pigmentaire se forme exactement par-des-sus l'image de migration et l'image résultante a une meilleure densité ou une nuance plus accentuée ou modifiée. 35 L'image de migration associée à des matières de migra tion de sensibilités différentes dans la même couche ramollissable présente la particularité de comprendre des matières différentes dispersées différemment en profohdeur suivant leur sensibilité au rayonnement. Les matières de migration différen-4-0 tes peuvent également nécessiter des charges d'une importance BAD ORIGINAL 69 13893 33 2007601 différente pour leur migration soit en raison de différences de dimension, soit en raison de différences aans les vitesses d'injection des charges. Dans ce cas, la matière propre à se rompre ne doit pas être exposée à un rayonnement pour la formation de 5 l'image de migration comprenant des matières différentes dispersées différemment en profondeur. Les matières propres à se rompre différentes peuvent être réparties différemment dans la couche ramollissable à l'état initial et,par exemple*de l'oxyde de zinc peut être réparti 10 uniformément daris la couche ramollissable et des particules de fer peuvent être réparties en une couche noyée près de la surface supérieure de la couche ramollissable. Comme on l'a indiqué, certains des effets les plus apparents de la migration des particules sont des modifications de 15 la transmission et de la réflexion optiques et de la diffusion de la lumière. Ces effets varient avec la longueur d'onde de la lumière utilisée pour l'observation de 1 •'image. Comme indiqué, le déplacement de la matière de migration 20 sur une partie du trajet possible peut être dû à une exposition moindre lors d© 20 la formation de l'image latente. On peut donc réaliser une gamme complète de profondeurs de migration et de dispersions associées en profondeur de la matière de migration en ne modifiant que l'exposition à la lumière et en maintenant constants les autres facteurs comme le poten-25 tiel et le développement par ramollissement. Par conséquent, la nuance et la densité optique de l'élément impressionné développé varient avec l'exposition. En général, pour une observation en lumière transmise et lorsque la matière de migration 20. absorbe suffisamment la lumière, un accroissement de l'exposition lumi-30 neuse pour la formation de l'image latente se traduit par une diminution de la densité optique des régions exposées jusqu'à un certain minimum et ces régions exposées sont alors semblables aux régions ayant migré 20 de la Fig. 2C,puis, l'exposition continuant de croître tandis que les autres facteurs sont constants, 35 la densité optique augmente dans les régions exposées jusqu'à reprendre la valeur initiale, les régions exposées étant alors analogues aux régions ayant migré de la Fig. 2A. L'effet décrit dans le paragraphe immédiatement précédent est illustré par le diagramme de la Fig. 3 donnant la den-40 sité optique en transmission en lumière bleue» en ordonnées, et la BAD ORIGINAL^ j k ■ 1 69 13893 34 2007601 nuance observée en transmission par projection en lumière blanche, à savoir fl-0 pour rouge orangé et B pour bleu,en fonction du logarithme de l'exposition en unités arbitraires, en abscis- 0 ses, dans le cas d'un élément sensible dont la couche de mig'ra- 5 tion est formée de sélénium, le symbole + + indiquant que l'image est formée dans le mode positif à positif et le symbole + - que l'image est formée dans le mode positif à négatif. L'exposition en conformité avec une image à la lumière pour la formation de l'image latente, comme décrit à propos de la Fig.l, 10 augmente du point 26 vers le point 27 sur l'axe des x. La nu-. ance en transmission en lumière blanche dans les régions exposées passe du rouge orangé initial ds la couche de migration de sélénium au bleu. La nuance.retourne au rouge orangé initial à mesure que l'exposition augmente du point 27 au point 28 suivant 15 l'axe des x.' La nuance rouge orangé correspond aux régions dont l^éxposition est nulle ou négligeable ou bien maximum, tandis que la nuance bleue correspond aux régions dont l'exposition est • d'environ 1/10 du maximum. On peut déduire aussi de la Fig. -3 que les combinai-20 sons de 1-'expo si tion et de la nuance de la lumière pour l'observation permettent d-''obtenir des images transparentes positives ou négatives d'un original positif.' Par exemple, lorsque les expositions varient du point 26 au point 27, une image transparente observée par projection en lumière blanche donne, sur 25 l'écran, une image lumineuse bleue positive, c'est-à-dire une image en bleu sur fond rouge orangé aux endroits où l'image projetée 15 donnant l'image latente était une image positive en lumière blanche. Lorsque les expositions varient du point 27 au point 28, une image transparente observée par projection en lu-30 mière blanche donne une image lumineuse bleue négative, c'est-• à-dire en rouge orangé sur fond bleu aux endroits où l'image projetée 15 formant l'image latente était une image positive en lumière blanche. Ainsi, le même élément sensible permet de réaliser un système positif à positif ou positif à négatif par mo-35 dification de l'exposition au moyen de l'image projetée donnant l'image latente. On peut obtenir des couches de migration comprenant du sélénium qui peuvent ou non subir une modification sensible de nuance pendant la migration. On utilise normalement des 40 couches de migration qui ne changent pas de nuance de manière BAD ORIGINAL 69 13893 35 2007601 à obtenir des images de migration qui sont préférées comme images transparentes à projeter pour produire l'imago d'exposition optique originale en xérographie. La modification de nuance est observée en lumière 5 transmise soit directement devant les yeux,soit par projection sur un écran. La nature de l'image de migration obtenue et les nuances vues pour une pellicule donnée, un potentiel déterminé et un certain mode de — o^pe-ient dépend de l'exposition. Par 10 exemple, dans le cas des seules expositions 2 6 et 27,on ne voit que des régions rouge orangé et bleues. En présence d'expositions intermédiaires entre 26 et 27, des nuances telles que le rouge bleuâtre sont également observables. En général, les régions bleues transmettent davantage 15 de lumière qui est fortement absorbée par le sélénium. La lumière qui n'est pas absorbée fortement par le sélénium, comme la lumière rouge, est plus absorbée et diffusée par le sélénium lorsqu'il est dispersé dans la configuration résultant de la migration partielle que dans les régions bleues indiquées en 27 20 à la Fig.3. Entre autres, chacun des éléments sensibles impressionnés illustrés par les Fig.2A à 2E peut être obtenu suivant les techniques de ramollissement par la chaleur et/ou la vapeur qui sont préférées. 25 On peut obtenir des images comparables sous l'effet de la chaleur et d'une vapeur. Il existe de nombreuses images de migration autres que celles des Fig. 2A à 2E qui sont différentes à cause des différences de la structure initiale. La structure initiale détermine l'endroit occupé par les particules 35 ayant migré relativement peu, leur répartition et la distance que les particules peuvent encore parcourir avant d'atteindre le substrat ou une face de la couche ramollissable. Du fait que les propriétés optiques des éléments sensibles portant une image de migration de l'invention (notamment 35 la densité, la transmission et la nuance) dépendent de la position et de la répartition des particules, des études ont été menées par microscopie électronique sur aes éléments impressionnes formés à 1'ultramicrotome pour apprécier la position des particules en fonction de l'exposition. La technique expérimentale 4-0 consiste, dans ce cas, à former diverses images de migration dé BAD ORIGINAL^ k. — 13893 36 2007601 veloppées par ramollissement à l'aide d'une, vapeur ou sous l'effet de la chaleur, comme décrit ci-après. Les expositions sont réalisées comme décrit à propos de la Fig. 1 sous un coin sensi-tométi'ique couvrant l'intervalle maximum aes densités. Des sec-5 tions ultraminces de l'élément impressionné sont ensuite formées à l'u Itraaicrotone pour chaque incrément d'exposition. Pour appliquer une telle technique, l'élément portant l'image de migration doit être enrobé dans des couches de support pour le découpage à l'ultrajaicrotome. One matière de support 10 convenable comprend environ 70/î d'Araldite 6020qui est une résine époxyde aromatique liquide de la Ciba Corporation et environ 30yà de durcisseur Lancast A qui est une polyaminé assouplissante de la Lancaster Chemical Corporation. Ce système durcit à la température ambiante avec un dégagement de chaleur faible 15 et sans effet chimique apparent sur la matière ramollissable. Les coupes sont exécutées au moyen d'un ultramicrotome Leitz en O une épaisseur d'environ 500 à 1000 A. Les coupes sont alors observées à l'aide d'un microscope électronique Philips EM200 de la Philips Electronic Instruments, Mt Verno.n, Hew-York. 20 'La Fig. 5 représente au grossissement d'environ 7200X la migration des particules photosensibles ? dans la couche ramollissable CR d'un élément sensible exposé comprenant une pellicule de i»jylar M recouverte d'une mince couche d'aluminium A, pour les différentes valeurs d'exposition EQ à E-j_q. La Fig.4. 25 donne la densité optique en transmission en lumière bleue, en ordonnées, en fonction du logarithme de l'exposition relative» en abscisses, en unités arbitraires,pour les différentes micrographies £q à E-|_q. Chaque micrographie est faite à partir du même élément sensible exposé de façon croissante, comme indiqué, cha-30 que exposition étant suivie d'un ramollissement dans de la vapeur de Fréon 113 comme précisé dans l'exemple 2. L'élément sensible est d'abord chargé uniformément jusqu'à un potentiel de surface d'environ +i40 volts. Il convient de noter que l'exposition E^ assurant latrans-35 mission maximum et le maximum de contraste de la couleur correspond au.maximum de dispersion des particules en profondeur. De plus, la densité optique maximum en lumière bleue où la transmission est minimum est obtenue pour EQ et E-^ lorsque toutes les particules occupent un même plan, soit celui des particules 4.0 n'ayant pas migré près de la face supérieure de la couche 12, VBAD ORIGINAL 69 13893 37 2007601 soit celui des particules ayant migré complètement jusque près du substrat. L'invention telle qu'elle est décrite ci-dessus permet donc d'obtenir des éléments sensibles impressionnés dont la ma-5 tière de migration s'est enfoncée sélectivement jusqu'à une certaine profondeur dans la couche ramollissable en conformité avec l'image. Ces éléments sont susceptibles de nombreuses applications décrites. . Il convient de noter que les éléments impressionnés de 10 l'invention peuvent subir d'autres opérations modifiant leur caractère. Par exemple, à tout moment après le développement, un solvant liquide peut être appliqué sur une telle image de migration pour la transformer en une image résultant de l'élimination par lavage dans un solvant, comme décrit dans le brevet français 15 n° 1. 466.349. 11 convient de préciser, en outre, sous ce rapport que le solvant liquide appliqué ne doit pas être isolant et que des liquides conducteurs conviennent. On a établi également que les régions ayant migré relativement peu de la matière de migration dans une telle image de 20 migration peuvent être éliminées par abrasion pour la formation d'une image plus facile à voir ou que ces régions peuvent, être détachées au moyen d'un adhésif, ou encore que l'élément peut être divisé autrement pour donner une image positive et une image négative complémentaires l'une de l'autre. 25 De plus, l'image développée résultante,et spécialement dans le cas du développement par une vapeur, peut être transférée physiquement d'un substrat sur un autre. En variante, une couche intermédiaire mince facile à détacher,comme le polycarbonate vendu sous le nom de Lexan par la Société G.E.., peut être disposée 30 entre la couche ramollissable et le substrat pour faciliter le pelliculage sans qu'il soit alors nécessaire de prendre un angle de pelliculage très aigu. Dans le cas du ramollissement par de la vapeur de Fréon 113* on dépose l'élément impressionné résultant comprenant un substrat de l'iylar aluminisé, la couche de 35 migration étant tournée vers le bas, sur une feuille de polycar-bonate vendue sous le nom de Plestar par la Ansco Div. of General Aniline & Film Corp., puis on fait passer l'ensemble dans une calandre chauffée à environ 100°C. En fléchissant la pellicule de Mylar aluminisée suivant un angle aigu par rapport au plan de la 4-0 face supérieure de la couche ramollissable pendant le pellicula- 13893 38 2007601 ge, on transfère la couche ramollissable contenant la matière de migration ayant migré et celle n'ayant pas migré en conformité avec l'image sur la pellicule de Plestar sans dégradation. L^s densités optiques en transmission sont mesurées'au 5 moyen d'un microdensitomètre Joyce-Lobel muni d'une lampe à filament de tungstène à 3000°K5 d'un tube photo-électrique S-5 et d'une optique 0,1 JSà. On obtient la lumière bleue à l'aide d'un filtre bleu Corning CS5-56 &t la lumière rouge .au moyen d'un filtre Ilford 204 avec une bande passante de 5700 %. jusqu'au-delà de 10 7000 A. Le trajet parcouru par la matière de migration et spécialement par les particules a été considéré ici parfois comme étant un trajet simple et direct mais la microscopie électronique a révélé, dans certains cas, une circulation de type cellulai-15 re analogue au trajet cellulaire de 1'écoulement calorifique. L'invention est davantage illustrée par les exemples suivants dans lesquels les parties et pourcentages sont en poids, sauf indication contraire. Toutes les expositions sont exécutées au mayen d'une lampe à filament ' de tungstène,sauf indication 20 différente„ Les exemples illustrent diverses formes de réalisation préférées des systèmes pour former des images par migration en profondeur conformément à, I9invention. EXEMPLE le- On forme un élément sensible,tel que celui de la Fig. 1, 25 dissolvant environ 5 parties de résine Staybelite Ester 10 dans environ 20 parties de cyclohexanone et environ 75 parties de toluè- " ne. Au moyen d'an cylindre, on applique la solution sur une pellicule de polyester Mylar d'une épaisseur d'environ 76,2 microns portant une mince couche semi-transparente d'aluminium. On ap-30 plique la solution de façon qu'après séchage pendant environ 2 heures dans l'air an vue de 1;évaporation de la cyclohexanone et au toluène, la résine Staybelite Ester ait une épaisseur d'environ 2 microns sur le Mylar aluminisé. On applique alors une couche d'environ 0,5 micron de sélénium vitreux particulaire sur la 35 surface de la résine Staybelite Ester par dépôt sous vide, comme décrit dans le brevet français n° 1.466.349. On forme alors une image de migration sur l'élément sensible conformément à l'invention en le chargeant en chambre noire jusqu'à un potentiel positif d'environ 100.volts à l'aide d'un 40 appareil à décharge par effluve tel que décrit dans le brevet des BAD ORIGINAL 13893 39 2007601 Etats-Unis d'Amérique n° 2.588.699 de Carlson. On réalise .alors l'exposition à une image optique à raison d'environ 5,4 milli-phots.secondes dans les régions éclairées. On développe la pellicule, c'est-à-dire qu'on la ramollit en chambre noire par immer-5 sion dans de la vapeur de 1,1,1-trichloroéthane, la pellicule étant maintenue par des pincettes dans un flacon de 2 litres contenant environ 100 ml de 1,1,1-trichloroéthane liquide. On maintient la pellicule dans les vapeurs du liquide au-dessus du niveau de celui-ci pendant environ 3 secondes, puis on la retire 10 du flacon. Lors de l'examen de la pellicule au microscope, on constate la formation d'une image de migration, l'image apparaissant sous la forme d'une dispersion partielle des particules photoconductrices en profondeur dans la résine Staybelite Ester ramollis-15 sable dans les régions exposées à la lumière, la structure résultante étant celle représentée par la Fig. 2C. L'image résulte-de la migration en conformité avec le motif des particules photocûn-ductrices exposées jusqu'au substrat ou jusqu'au voisinage de celui-ci, alors que les particules photoconductrices non exposées 20 sont restées sensiblement intactes. L'image observée en transparence par projection donne une image à l'endroit et de même sens que l'image optique de départ. Par exemple, lorsque l'image optique de départ est formée par la lumière focalisée que réfléchit un document ordinaire en 25 sombre sur fond clair, c'est-à-dire un texte ordinaire, l'image projetée comprend des régions d'image orange foncé sur fond blanc bleuâtre sur l'écran de projection. A mesure que l'intensité de la lumière projetée augmente, le fond blanc bleuâtre devient de plus en plus blanc et les régions d'image de plus en 30 plus oranges parce que la quantité totale de lumière visible qui traverse le fond s'élève. Lorsque la lumière de projection est verte ou bleue, l'image projetée est une image positive d'un original positif, mais en lumière rouge, on obtient une image négative. Il est évi-35 dent que l'élément permet la projection par transmission à partir d'un côté ou de l'autre. EXEMPLE 2.- On forme un élément sensible comme dans l'exemple 1, puis on applique la force de migration et on exécute le ramollis-40 semant de la manière suivante: on charge l'élément en chambre ORDINAL 13893 40 2007601 noire jusqu'à un potentiel positif d'environ 50 volts au moyen d'un dispositif à décharge par effluve tel que celui décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 2.588.699 de Carlson. On expose la pellicule alors à une image optique, l'exposition 5 étant d'environ 10 ergs/cm pour de la lumière d'une longueur o , d'onde de 4000 A dans les régions éclairées. Toujours en chambre noire, on ramollit la pellicule par une vapeur, comme décrit dans l'exemple 1, la différence étant que les vapeurs sont celles du Fréon 113 liquide et que l'exposition à la vapeur dure environ 10 2 secondes. On obtient un élément impressionné comme indiqué à la Fig. 2C qu'on peut observer comme dans l'exemple 1. EXEMPLE 3.- 0n forme un élément sensible comme dans l'exemple 1 en 15 remplaçant la résine Staybelite Ester par un polymère synthétisé pour . la Demanderesse de 80 moles % de styrène et de 20 moles fo de métha-crylate d'hexyle ayant me viscosité intrinsèque d'environ 0,179 dl/g (mesurée dans le toluène). L'élément résultant comprend une couche de sélénium vitreux particulaire d'une épaisseur d'environ 20 '0,3 micron sur la face supérieure de la couche de résine d'une épaisseur d'environ 2 microns, laquelle est appliquée sur un substrat de Mylar aluminisé d'environ 76,2 microns. On charge la pellicule en chambre noire jusqu'à un po- t tentlel d'environ +200 volts au moyen d'un appareil à décharge 25 par effluve, tel que décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 2.588.699 de Carlson. On expose alors la pellicule à une image optique avec une énergie d'environ 5,4 milliphots.secondes dans les régions illuminées. On introduit alors 200 ml d'un mélange 50/50 de Fréon 113 et de chlorure de méthylène dans un 30 verre gradué cylindrique de 1000 ml et d'un diamètre de 5 cm. Toujours en chambre noire, on suspend la pellicule pendant environ 4 secondes au niveau du repère de 500 ml du verre gradué,à environ 23°C. Lors de l'examen au microscope, la pellicule se révèle porter une image de particules photoconductrices ayant mi-35 gré,comme-les particules 20 de la Fig. 2C,aans les régions atteintes par la lumière alors que dans les régions non exposées, les particules photoconductrices subsistent sur la face supérieure de la couche de résine et sont sensiblement intactes. L'élément portant l'image observé par transmission en lumière blanche 40 donne une image formée de régions bleues correspondant aux régions BAD ORIGINAL 69 13893 41 2007601 éclairées sur fond rouge orangé. EXEMPLE A.- On forme une pellicule comme dans l'exemple 1 en rem-■ plaçant la résine Staybelite Ester par de la résine Piccopale H-2, 5 la pellicule finie portant une couche d'environ 0,5 micron de sélénium vitreux particulaire sur la couche de résine Piccopale H-2 d'environ 2 microns appliquée à son tour sur le Mylar aluminisé. On charge la pellicule en chambre noire jusqu'à un potentiel positif d'environ 200 volts à l'aide d'un appareil à dé-10 charge par effluve, tel que celui décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 2.538.699 de Carlson. On expose la pellicule à une image optique avec une énergie d'environ 16,2 milliphots.secondes dans les régions éclairées. On maintient la pellicule pendant 3 secondes au niveau du repère de 500 ml du verre gradué de 15 l'exemple 3 contenant le même révélateur liquide,, puis on retire la pellicule du verre. L'élément impressionné comprend des particules ayant migré et peut être observé comme l'élément impressionné de l'exemple 3. 20 On forme un élément sensible en appliquant au moyen d'un rouleau sur une feuille de Mylar aluminisée une couche ayant une épaisseur finale d'environ 2 microns de la cire d'enrobage fondant à environ 53-55°C vendue sous le nom de Biolold par la Will Scien» tific Co. On recouvre alors la couche de cire d'une couche de gr&-25 phite d'environ 1 micron d'épaisseur par application en cascade au moyen d'un mélange de perles de verre de 50 microns et de particules de graphite type 200-19 delà Joseph Dixon Crucible Co produi-' tes dans l'air. On crée une image électrostatique sur la pellicule à 30 l'aide d'un appareil à décharge par effluve et d'un pochoir, comme décrit dans le brevet français n° 1.466.349* les régions d'image étant chargées négativement jusqu'à environ 200 volts (toute valeur d'environ 100 à 240 volts étant toutefois satisfaisante), après quoi on chauffe l'ensemble à environ 55°C dans une étuve 35 pendant environ 3 secondes pour obtenir une image de migration résultant du mouvement des régions chargées de la couche de graphite vers la surface aluminisée de la pellicule de polyester. On obtient un élément impressionné tel que représenté à la ELg.2A, lequel. n?'est pas directement observable en lumière transmise 40 ni directement utile du point de vue optique. 0n^ peut convertir 'fcAD Of«G|NALV 42 13893 2007601 l'image résultante facilement en une image optiquement utile en éliminant par abrasion ou pelliculage les régions comprenant les particules n'ayant "pas-migré 22 que montre la Fig. 2A. EXEMPLE 6. - 5 On forme comme dans l'exemple 3 un élément sensible qu'on charge en chambre noire jusqu'à un potentiel d'environ-80 volts. On expose alors la pellicule d'environ 0,32 à 5,4 milliphots. secondes par incréments,» On ramollit la pellicule portant l'image latente par un 10 commit d'slr à environ 130°C pendant environ 10 secondes de manière à obtenir un élément impressionné qui, lors de l'observation à l'oeil nu en lumière transmise^ présente les nuances allant de l'orangé pour 0,32 à 0,54 ©illiphot»seconde au bleu pour 5,4 milliphots.secondes, les particules étant disposées comme les particules 20 de 15 la Fig. 2C„ La densité en transmission en lumière bleue pour 5,4 milliphcts. s eeondes est d*environ 0,98 tandis que pour 0,54 0*32 railliphot » seconde dans les réglons exposées, elle est d'environ l,6éc 20 ' La densité de l'élément observé en transmission en lu mière ronge pour 5.4 miHiph.ots.secondes.-0st d'environ 1,2,tandis qu-i pour 0,54 ©t 0,32 milliphc t. seconde, elle est d'environ 0,73. L©s densités en transmission varient de façon monotone sntre ces limites avec l'exposition. 25 On peut donc voir que le sens de l'image, c'est-à-dire le fait qu'elle est positive ou négative- peut varj_3r avec la nature et en l'occurrence la couleur de la lumière de projection pour l'observation en transmission» La variation de densité en fonction de la lumière ré-30 suite de la diffraction, de l'absorption et de la diffusion par les particules réparties en profondeur conformément à l'image, l'importance de ces effets dépendant beaucoup de la longueur d'onde de la lumière d'observation* EXEMPLE 7„- 35 On forme un élément sensible comme dans l'exemple 3. On crée sur cet élément sensible une charge électrostatique uniforme jusqu'à un potentiel positif d'environ 120 volts. On expose l'élément d'environ 0,011 à 2,59 milliphots. secondes par incréments. 40 On ramollit l'élément sensible portant . l'image latente 8AD ORIGINAL 13893 43 2007601 en le maintenant pendant environ 4 secondes à l'embouchure d'un récipient d'environ 4 litres à col étroit contenant une petite quantité de 1,1,1-trichloroéthane liquide à environ 23,9°C. Dans les régions exposées à raison de 0,011 et 0,022 5 milliphot.seconde, l'élément impressionné apparaît en transmission jaune orangé et semblable à celui que représente la fig. lA,ia migration des particules photosensibles de sélénium étant faible ou nulle. Dans la région exposée à raison de 0,076 milliphot. 10 seconde, l'élément apparaît orangé rouge et en coupe, les régions 22 sont semblables à celles de la Fig. 2B. Dans la région exposée à raison de 0,32 milliphot. seconde, l'élément apparaît bleu en lumière transmise et la répartition des particules en coupe est comme celle des particules 20 de 15 la Fig. 2C. Daïis les régions exposées à raison de 1,30 et de 2,59 milliphots^econdes, l'élément apparaît en transmission en bleu rou-geâtre et toutes ou sensiblement toutes les particules de sélénium ont atteint l'interface substrat-matière ramollissable, comme 20 le montre l'examen d'une coupe. L'élément impressionné forme donc une image qui peut être observée à l'oeil nu ou par transmission, l'image variant de l'orangé jaune au rouge orangé, puis au bleu clair et au bleu rou-geâtre suivant l'intensité d'exposition. 25 En immergeant l'élément impressionné pendant environ 2 secondes dans du 1,1,1-trichloroéthane liquide, on laisse subsister sur le substrat une couche de sélénium dans les régions exposées à raison de 2,59 et 1,3 millipho ts.secondes, certaines particules subsistant dans les régions exposées à raison de 0,32 mil-30 liphot.seconde,tandis qu'aucune particule ne subsiste dans les autres régions exposées à raison de 0,076, 0,022 et 0,011 milliphot. seconde, ce qui donne une image dont les régions non exposées ont été éliminées par lavage et , les régions denses correspondant aux parties exposées assez fort de l'élément sensible,et 35 les régions les plus transparentes correspondant aux régions les moins exposées,de sorte que l'image existe dans le mode positif à négatif. EXEMPLE 3.- On forme un élément sensible stratifié en déposant une 40 couche d'une épaisseur d'environ 4 microns de résine Piccotex 100 j^f© o«elîWi" • 69 13893 2007601 sur un substrat de Mylar d'une -épaisseur d'environ 76,2 microns. On forme sur la couche ramollissable une couche de migration ayant après séchage une épaisseur d'environ 2 micro.ns au moyen d'une dispersion de liant et de phtaloeyanine de forme X exempte de mé-5 tal qu'on obtient comme décrit dans le brevet français n°1.508.173 .en agitant pendaht environ 30 minutes au moyen d'un mélargeur vendu sous le nom de Red Devil Quickie Hill dans un flacon d'environ 60 ml de la résine Piccotex 100 et du pigment dans un rapport d'environ 1:3 en poids sec en présence de 10 parties de toluène et de 10 20 parties de billes d'acier à faible teneur en carbone de 3,2 mm. On exerce une force de migration en conformité avec une image sur l'élément en y créant une charge électrostatique uniforme jusqu'à un potentiel de surface positif d'environ 4.OQQ volts à l'aide d'un appareil à décharge par effluve agissant sur une seule 15 face et à l'aide d'une plaque mise au potentiel de la terre, puis en réalisant l'exposition par contact au moyen d'une image transparente positive, l'exposition dans les régions illuminées étant d'environ 0,11 milliphot •seconde et sensiblement nulle dans les régions non illuminées. 20 On ramollit l'élément portant l'image latente en l'ex posant pendant environ 5 secondes à des vapeurs de toluène provoquant un développement complet avec uhe Migration sensiblement nulle dans les régions exposées,mais une migration sensible dans les régions non exposées de sorte que le rapport pondéral pigment: 25 liant au voisinage de l'interface substrat-couche ramollissable devient supérieur à environ 1:1. On ramollit davantage l'élément portant l'image en l'exposant à de l'air chaud à environ 120°C pendant environ 5 secondes au contact d'une feuille de Mylar, après quoi on détache la feuil-30 le de Mylar pour éliminer les particules n'ayant pas migré et obtenir ainsi une image négative pelliculée,tandis que l'image positive subsiste sur le substrat initial, les deux images pouvant être observées directement à l'oeil nu en lumière transmise ou par projection. 35 EXEMPLE 9.- On forme un élément sensible stratifié comme dans l'exemple 1, la couche ramollissable étant toutefois une couche de résine de silicone R5061A de la Dow Corning Corp. en une épaisseur de 2 microns environ. L'élément sensible apparaît brun rou-40 geâtre en lumière transmise. BAD ORIGINAL 13893 45 2007601 On. applique une force de migration électrique sur l'élément en y créant une charge électrostatique uniforme jusqu'à un potentiel de surface positif d'environ 60 volts et en l'exposant ensuite d'environ 0,011 à 1,3 milliphot.seconde par incréments. 5 Par ramollissement dans une vapeur, on développe l'ima ge latente en mettant l'élément en contact avec des vapeurs de Fréon 113 pendant environ 45 secondes pour obtenir un développement complet. En lumière blanche, l'élément impressionné apparaît à 10 l'oeil nu brun rougeâtre dans toute son étendue avec une densité en transmission qui diminue de façon continue d'environ 1,4 pour 1,3 milliphot.seconde à environ 0,6 et 0,8 pour 0,022 et 0,011 milliphot.seconde dans les régions exposées, l'image étant ainsi obtenue dans le mode positif à négatif. 15 EXEMPLE 10.- On forme un élément sensible en déposant une couche double de matière ramollissable sur un substrat de Mylar alumini-sé, la couche supérieure étant une couche d'environ 2 microns de résine Piccopale H-2 contenant de la phtalocyanine de forme X 20 exempte de métal en particules d'un diamètre moyen de moins d'environ 0,5 micron en dispersion uniforme avec un rapport pondéral pigmentîliant d'environ 1:3, la couche inférieure étant par contre .une couche de résine Piccotex 100 d'environ 2 microns. On forme l'image latente sur l'élément en y créant 25 une charge électrostatique uniforme jusqu'à un potentiel de surface positif d'environ 200 volts et en l'exposant à une image négative à raison d'environ 0,54 milliphot.seconde dans les régions éclairées. On développe l'image latente par exposition à des va-50 peurs de Fréon 113 pendant environ 20 secondes. On obtient ainsi un élément impressionné développé dont les particules non exposées ont migré dans la résine Piccotex 100 et les particules exposées subsistent en dispersion uniforme dans la couche de résine HP-100 de sorte que l'élément apparaît po-35 sitif en lumière transmise. ■ EXEMPLE 11.- On forme un élément sensible comme dans l'exemple limais au moyen d'une couche photoconductrice mécaniquement continue ajourée, c'est-à-dire une couche de sélénium perforée. 40 On forme l'image latente en créant une charge électro 13893 46 2007601 statique uniforme jusqu'à unpotentiel de surface positif d'environ 200 volts et en assurant une exposition à une image positive à raison d'environ 10,8 millijhots. secondes dans les régions éclairées. 5 On développe une image latente par exposition à des va peurs de trichloroétbylène pendant environ 5 secondes pour obtenir, comme on peut le voir directement, dans les régions non exposées et n'ayant pas migré une teinte d'interférence réfléchie bleu rougeâtre et dans les régions exposées une teinte d'interfé-10 rence réfléchie jaune, de sorte que l'image est jaune sur fond bleu rougeâtre,ou est en lumière jaune une image positive d'un original positif. iTOPftfi ,12t.-. On forme un élément sensible en déposant une couche 15 d'environ 2 microns de résine Staybelite Ester 10 sur un substrat de Mylar aluminisé. On forme la couche de migration d'une épaisseur d'environ 1 micron en déposant sur la couche ramollissable un mélange intime d'indigo et de rouge Monastral B dans un rapport pondéral d'environ 1;1. 20 On forme l'image latente en créant une charge électro statique uniforme jusqu'à un potentiel de surface négatif d'environ 100 volts, puis en assurant l'exposition à travers des filtres rouge.,,-/ bleu, vert et incolore • On développe l'image latente par exposition à des va-25 peurs de Fréon 113 pendant environ 5 secondes. Dans les régions exposées à la lumière rouge, l'indigo a migré de façon prépondérante jusqu'au substrat, dans les" régions exposées à la lumière verte le rouge Monastral B a migré de façon prépondérante jusqu'au substrat et dans les régions ex-30 posées à la lumière bleue la migration est sensiblement nulle pour les deux pigments photosensibles, tandis que. dans les régions exposées à la lumière blanche,le rouge Monastral B et l'indigo ont migré complètement jusqu'au substrat. EXEMPLE lq.- 35 On forme un élément sensible en appliquant sur un subs trat de Mylar aluminisé une couche ramollissable d'environ 2 mi-. crons de résine Staybelite Ester 10 servant de liant et de particules d'oxyde de zinc d'un diamètre moyen d'environ 0,5 micron en dispersion uniforme dans la partie supérieure de la couche 40 de liant,le rapport en poids sec pigment:liant étant d'environ 13893 47 2007601 1:1; La couche de migration est une couche d'environ 0,5 micron de poudre de fer noyée à la surface supérieure de la couche ramollissable. On forme l'image latente en créant une charge électro-5 statique uniforme jusqu'à un potentiel de surface négatif d'environ 240 volts et en assurant l'exposition à raison d'environ 216 milliphots.secondes dans les régions éclairées. On développe l'image latente par exposition à des vapeurs de Fréon 113 pendant environ 10 secondes pour provoquer la 10 migration des particules de fer et d'oxyde de zinc dans les seules régions non exposées. L'élément présente donc davantage de transparence dans les régions non exposées. EXEMPLE 1À.- On forme un élément sensible comme dans l'exemple 3,mais 15 en appliquant par-dessus la couche photosensible de sélénium déposée par évaporation sous vide une couche d'environ 0,5 micron de gélatine photographique. A cette fin, on immerge l'élément sensible dans une solution aqueuse de la gélatine. On forme l'image latente en créant une charge électro-20 statique uniforme jusqu'à un potentiel de surface positif d'environ 200 volts et en assurant l'exposition à une image optique positive à raison d'environ 10,8 milliphots.secondes dans les régions illuminées. On développe l'image latente par contact avec ae l'air 25 chaud à enviro n 100'°C pendant environ 10 secondes, de "manière, à provoquer la migration partielle des particules de sélénium dans les régions non exposées, l'image étant donc ùne image négative en transmission et observable en réflexion sur un fend peu intense. On est porté à croire que le sens de l'image positif à 30 négatif résulte de l'agglomération des particules ayant partiellement migré^de sorte que les régions ayant partiellement migré deviennent sensiblement plus transparentes et laissent subsister les régions plus denses et exposées qui n'ont pas migré . EXEMPLE 15.- 35 On forme un élément sensible comme dans l'exemple 3. On crée une charge électrostatique uniforme sur l'élément par effluve jusqu'à un potentiel de surface positif d'environ 37 volts. On expose l'élément à raison d'environ 2,59 à 0,032m1.13i-40 phots.secondes par incréments.On développe l'image latente en mainte- "BAO OFUg*nAL 13893 2007601 nant l'êLément pendait eidron 10 secondes à l'embouchure d'un flacon d'environ L, litres à col étroit contenant un peu de 1,1,1-trichloroéthane liquide à environ 23,9°C. Dans les régions exposées à raison de 0,032 et 0,076 milliphot.seconde, l'élément sensiblé 5 apparaît jaune orangé en transmission et est semblable à celui de la Fig. 1A, la migration étant faible ou nulle pour les particu- : les de sélénium photosensible• Dans les régions exposées à raison d'environ 0,16 milliphot. seconde, l'élément apparaît en transmission rouge orangé et 10 les particules ayant migré sont semblables aux particules 22 de la Fig. 2D lorsqu'elles sont vues sur une coupe. Dans les régions exposées à raison d'environ 0,32 milliphot. seconde, l'élément apparaît rouge bleuâtre en transmission et les particules qui ont migré sont semblables aux particules 22 de 15 la Fig.2D, mais la profondeur de migration est plus grande que dans le cas de l'exposition à raison de 0,16 milliphot.seconde. Dans les régions exposées à raison de 1,30 et de 2,59 milliphots.secondes, l'élément apparaît bleu,mais les particules vues sur une coupe sont réparties comme les particules' 200de la 20 Fig.2C. On immerge l'élément dans du 1,1,1-trichloroéthane liquide pendant environ 2 secondes et on élimine la matière ramollissable et tout le sélénium de la couche de migration dans les régions exposées à raison de 0,32 à 0,032 milliphot.seconde,tan-25 dis que certaines des particules subsistent dans les régions exposées à raison de 1,30 et de 2,59 milliphots.secondes et que d'autres se déposent sur le substrat,de sorte qu'on obtient une image résultant de l'élimination par lavage où les régions denses correspondent aux régions relativement très exposées et les 30 régions plus transparentes aux régions relativement moins exposées, ce qui fait que l'image est dans le mode positif à négatir. EXEMPLE 16.- On forme un élément sensible comme dans l'exemple 3 et on le charge en chambre noire jusqu'à un potentiel, positif 35 d'environ 100 volts. On expose la pellicule à raison d'environ 3,2 à 0,0076 milliphots.secondes par incréments.On développe l'image latente par immersion de l'élément pendant environ 10 secondes dans du Fréon 113 liquide. Dans les régions exposées à raison d'environ 3,2 à 4-0 1,6 milliphots. second^., la pellicule présente sa couleur orangée bad original 69 13893 49 2007601 initiale lorsqu'elle est observée en transmission en lumière blanche. Aux expositions moindres, la nuance passe à l'orangé rougeâtre et au rouge pour 0,076 milliphot.seconde, puis au rouge pourpre pour 0,016 milliphot.seconde et au bleu pour les ex-5 positions inférieures à 0,016 milliphot.seconde. Les régions de couleur orange comprennent des particules disposées comme les particules 22 de la Fig. 2C. Les régions bleues contiennent des particules réparties comme les particules 20 de la Fig. 20. 10 L'image résultante est une image de migration' dans la quelle la couche plastique 12 subsiste parce que le Fréon 113 ne dissout pas la matière de la couche,mais .la fait gonfler ou la rend autrement plus perméable pour la migration des particules de sélénium. 15 EXEMPLE 17.- On forme un élément sensible en déposant une couche d'environ 2-microns de résine Staybelite Ester 10 sur une pellicule de Mylar aluminisée de 76,2 microns. On forme la couche de migration d'environ 0,5 micron en appliquant en cascade des 20 particules de fer véhiculées par des perles d'acier d'environ 50 microns sur la couche de Staybelite Ester 10, puis en ramollissant à chaud la couche de résine Staybelite Ester 10 pour immobiliser les particules de fer. Oh forme l'image latente et on la développe simultané-25 ment, en exposant l'élément à des vapeurs de 1,1,1-trichloroéthane pendant environ 10 secondes et en appliquant simultanément un aimant d'une forme déterminée sur le revers de la pellicule. Par conséquent, les particules de fer pénètrent dans 30 la couche et se rassemblent sur le contour de l'aimant dont l'image apparaît plus dense. L'image peut ê.tre rendue plus visible par élimination des particules n'ayant pas migré,de façon que seules les particules ayant migré subsistent et délimitent le contour de l'aimant. 35 EXEMPLES 18 à 20.- . On répète les opérations de l'exemple 5 au moyen de particules d'oxyde de fer, dé grenat et de fer respectivement au lieu de graphite. EXEMPLE 21.- 40 On forme un élément sensible comme dans- l'exemple 17. 13893 2007601 A l'aide du système connu sous le nom de Corotron, on crée la charge en conformité avec une image jusqu'à un potentiel négatif d'environ 100 volts à travers un masque,ou stencil métallique mis à la terre. On développe l'image latente par exposition £ 5 de la vapeur de Fréon 113 pendant environ 5 secondes de manière à obtenir une image de migration dont les particules ont migré complètement dans les régions qui ont reçu la charge. mros m,-. On forme un élément sensible comme dans l'exemple 17, 10 mais au moyen de particules de grenat au lieu de particules de fer et dé perles de verre au lieu de perles d'acier. A travers un masque métallique mis au potentiel.de la terre, on charge l'élément en conformité avec une image au moyen, du système Corotron jusqu'à un potentiel atteignant environ +95 15 volts dans les régions chargées en conformité avec l'image. On développe l'image latente par exposition à des vapeurs de cyclo-hexane pendant environ 2 secondes de façon à obtenir une image de migration-analogue à celle de l'exemple 21. EXEMPLE 2~3. - 20 *0n forme un élément sensible comme, dans l'exemple 22, mais au moyen de particules d'oxyde de fer au lieu de particules de grenat. On charge l'élément et on le développe comme dans l'exemple 22 pour obtenir une image de migration analogue à celle for-25 mée dans l'exemple 22. EXEMPLE 2L.- On forme un élément sensible comme dans l'exemple 22 mais au moyen de particules de graphite produites dans l'air .(type 200-19 de la Joseph Dixon Crucible Co, Jersey City, New 30 Jersey) au lieu de particules de grenat et en prenant de la résine Plccotex-100 au lieu de résine Staybelite Ester 10. On crée sur l'élément sensible une charge en conformité avec une image à l'aide du système Corotron en prenant un masque métallique mis au potentiel de la terre de façon à attein-35 dre un potentiel d'environ +20 volts. On développe l'image latente comme dans l'exemple 22 pour obtenir une image de migration analogue à celle formée dans l'exemple 22. EXEMPLE 25.- On répète l'exemple 24,mais avec une charge d'image 40 d'environ +60 volts (les tensions d'environ 2 • à 200 volts 13893 5 2007601 étant toutefois satisfaisantes), après quoi on ramollit l'élément impressionné dans de la vapeur, puis on l'immerge dans au cy-clohexane liquide pendant environ 10 secondes pour éliminer la résine Piccotex 100 et les particules n'ayant pas migré,afin d'obte-5 nir une reproduction fidèle et très lisible de.l'image résultante à l'aide du graphite sur le substrat. EXEMPLE 26.- On crée dans l'obscurité une charge d'un potentiel de surface négatif d'environ 80 volts sur l'élément sensible de 10 l'exemple 3 dont la couche d'aluminium a une épaisseur telle qu'elle transmette environ 50% de la lumière blanche. On expose l'élément uniformément à raison d'environ 10,8 milliphots.secondes. On expose alors l'élément à une image de rayonnement infrarouge (par le côté de la couche de migration ou par le côté du subs-15 trat) de façon à amener la couche ramollissable à environ 110°C pendant 3 secondes et provoquer ainsi la migration du sélénium dans les régions atteintes par le rayonnement infrarouge. EXEMPLE 27.- On crée une charge uniforme- ayant un potentiel de surface né-20 gatif d'environ 200 volts sur l'élément sensible de l'exemple 5. On l'expose alors à une image de rayonnement riche en infrarouge pour chauffer la couche ramollissable jusqu'à environ 55°C pendant 3 secondes de manière à provoquer la migration du sélénium en conformité avec l'image dans les régions exposées. 25 EXEMPLE 28.- 0n forme un élément sensible à l'aide d'une couche de migration,comme dans l'exemple 8,sur une couche d'environ 4 microns de résine Piccotex 100 appliquée elle-même sur une couche d'environ 0,5 micron du produit vendu sous le nom de Kodak 30 Photoresist recouvrant un substrat de Mylar aluminisé. On crée une charge uniforme sur l'élément, puis on l'expose à une image de lumière visible à raison d'environ 3,2 milliphots.secondes dans les régions exposées. On ramollit la couche ramollissable dans de la vapeur 35 de Fréon 113 pour provoquer la migration en conformité avec l'image,puis on immerge l'élément dans le Fréon 113 liquide pour obtenir un masque optique conforme à l'image de particules de phtalocyanine sur la couche du produit vendu sous le nom de Kodak Photoresist. 40 On expose alors uniformément l'élément masqué pendant V 69 13893 • 5 2007601 environ 1 minute au rayonnement ultraviolet de deux- ampoules Syl-vania F4T5/BLB se trouvant à une distance d'environ 25 hmu On immerge ensuite l'élément dans du trichloroétbylène pendant environ 30 secondes pour éliminer par dissolution le produit vendu 5 sous le nom de Kodak Photoresist, principalement dans les régions masquées,de façon à obtenir une image en relief correspondant aux régions exemptes de masque. L'invention a été décrite ci-dessus avec référence à divers constituants et proportions,mais il est évident qu'on peut 10 obtenir des résultats analogues au moyen d'autres constituants utiles indiqués ci-dessus. En outre, d'autres constituants et formes de réalisation de l'élément sensible sont admissibles et les diverses opérations exécutées peuvent être modifiées en vue d'un effet synergique, d'une amélioration ou d'une autre modifi-15 cation du système. Par exemple, des pastifiants divers, des additifs, des agents imperméabilisants et autres agents semblables peuvent être ajoutés à la matière ramollissable. Des colorants et matières colorantes peuvent être ajoutés aussi. Bien que divers modes et détails de réalisation aient 20 été décrits pour illustrer l'invention, il va de soi que celle-ci est susceptible de nombreuses variantes et modifications sans sortir de son cadre. BAD ORIGINAL -i 69 13893 -53- - EEVENBIGATIOHS - 2007601 1 - Procédé pour former une image, caractérisé en ce que : (a) on uti-lise un élément sensible qui comprend une couche d'une matière de migration se trouvant à une certaine distance d'au moins une face d'une couche ramollissable, mais au cantact de cette 5 couche; (b) on applique une force de migration en conformité avec une image à la couche de migration; et (c) on développe la couche ramollissable de façon à abaisser sa résistance au mouvement de la matière de la couche de migration et 10 provoquer le déplacement en conformité avec 1'image de la matière de migration dans la profondeur de la couche ramollissable. 2 - Procédé pour former une image suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la couche ramollissable est appliquée sur un substrat se trouvant à une certaine distance de la couche de migra- 15 tion. 3 - Procédé pour former une image suivant la revendication 2, caractérisé en ce que le substrat" est conducteur de l'électricité. 4 - Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche de migra- 20 tion a une épaisseur d'environ 0,01 à 2,0 microns. 5 - Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche de migration est propre à se rompre. 6.- Procédé pour former -une image suivant la revendication 5, 25 caractérisé en ce que la couche de migration propre à se rompre comprend des particules d'une granulométrie moyenne d'environ 0,01 à 2,0 microns-. 7 - Procédé pour former une image suivant la' revendication 6, caractérisé en ce que la granulométrie moyenne des particules est 30 d'environ 0,01 à 0,7 micron. 8.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la couche ramollissable a une épaisseur d'environ 0,5 à 16 microns. -9 - Procédé pour former une image suivant la revendication 8, 35 caractérisé en ce que la couche ramollissable a une épaisseur d'environ 1 à 4 microns. 10 - Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des ' 69 13893 -54- 2007601 revendications 1 à 9, caractérisé en oe que la couche de migration est photo-sensible. * 11.- Procédé pour former une image suivant la revendication 10, caractérisé en ce que la couche de migration est photo— 5 conductrice. 12.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la couche de migration est thermo-conductrice. 13»- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque 10 des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la couche de migration est sensiblement inerte en ce qui concerne la photosensibilité et la photo-conductivité. 14.- Procédé pour former une image suivant la revendication 13, caractérisé en ce que la couche de migration est en ou- • 15 tre sensiblement inerte en ce qui concerne la thermoconductivité. 15.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la couche de migration est magnétisable. 16.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque 20 des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que la couche de migration est6ontiguë à une face de la couche ramollissable. 17»- Procédé pour former une image suivant la revendication 2 ou 4, caractérisé en ce que la couche de migration est propre à se rompre et est contigiie à la face de la couche ramollissable qui 25 est opposée à l'interface de la couche ramollissable avec le substrat . 18.- Procédé pour former une image suivant la revendication 17, caractérisé en ce que la couche propre à se rompre photosensible comprend du sélénium amorphe. 30 19.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 1 à 18, caractérisé en ce que la couche ramollissable est en substance électriquement isolante et la force de migration en conformité avec une image comprend une force électrique qui 1 . est exercée par application d'un motif de charge conforme à- une ima-35 ge d'une première polarité sur la couche de migration. 69 13893 -55- 2007601 20.- Procédé pour former une image suivant la revendication 19, caractérisé en ce que la force électrique conforme à une image est une force d'attraction de la couche de migration à l'égard de charges d'une polarité opposée à la première polarité, ces 5 charges d'une polarité opposée étant induites' en un certain endroit distant de la couche de migration et en contiguïté à une surface de la couche ramollissable. 21.- Procédé pour former une image suivant la revendivation 19 ou 20, caractérisé en ce que la couche de migration est photo- 10 sensible et l'application du motif de charge conforme à une image comprend : (a) la création d'une charge électrostatique uniforme sur l'élément sensible, et (b) exposition de l'élément sensible à un motif de rayonne- 15 ment actinique. 22.- Procédé pour former une image suivant la revendication 21, caractérisé en ce que le champ dans la couche ramollissable, après la création de la charge, est d'environ 5 à 200 volts/ micron. 20 23.- Procédé pour former une image suivant la revendica tion 22, caractérisé en ce que le champ dans la couche ramollissable, après la création de la charge, est d'environ 40 à 100 volts/ micron. 24.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque 25 des revendications 21 à 23, caractérisé en ce que la création de la charge est accomplie au moins pour partie à l'aide d'une décharge par effluve. 25.- Procédé pour former une image suivant la revendication 24, caractérisé en ce que la couche de migration photosensi- 30 ble est propre à se rompre, la couche ramollissable est appliquée sur un substrat à une certaine distance de la couche de migration, la couche de migration est contiguë à la face de la couche ramollissable opposée à l'interface entre la couche ramollissable et le substrat, et l'épaisseur de la couche de migration propre à se rom-35 pre est d'environ 0,01 à 2,0 microns. 26.- Procédé pour former une image suivant la revendication 21, caractérisé en ce que la couche de migration est photoconductrice. 69 13893 -56- 2007601 27.- Procédé pour former une image suivant la revendication 26, caractérisé en ce que la couche de^migration photocon- 0 ductrice comprend du sélénium amorphe. 28.- Procédé pour former une image suivant- la revendica-5 tion 25, caractérisé en ce que la eouche.de migration photosensible comprend du sélénium amorphe. 29.- Procédé pour former une image suivant la revendication 24 ou 28, caractérisé en ce que le substrat est conducteur de l'électricité. 10 30.- Procédé pour former une image suivant la revendica tion 21, caractérisé en ce que l'exercice de la force comprend l'application d'un champ électrique extérieur à l'élément sensible. 31«- Procédé pour former une image suivant la revendication 30, caractérisé en ce que le champ électrique extérieur est sen-15 siblement uniforme. 32.- Procédé pour former une image suivant la revendication 30, caractérisé en ce que le motif de rayonnement actinique est sensiblement uniforme et le champ électrique extérieur est conforme à une image. 20 33-- Procédé pour former uiïe iiîiage suivant la revendica tion 31, caractérisé en c^juele champ électrique total est entrete- « nu dans la couche ramollissable depuis la création de la charge jusqu'à l'exposition et le champ électrique extérieur est d'environ 5 à 200 volts/micron. 25 34.- Procédé poui^ormer une image suivant la revendication 32, caractérisé en ce que le champ électrique total dans la couche ramollissable dans les régions où le champ électrique extérieur est appliqué en conformité avec l'image est d'environ 5 à 200 volts/micron. , • 30 35.- Procédé pour former une image suivant la revendication 26, caractérisé en ce que le substrat et la couche ramollissable sont au moins partiellement transparents au motif de rayonnement actinique et l'élément sensible est exposé par le côté du substrat. 36.- Procédé pour former une image suivant la revendication 35 28, caractérisé en ce que l'exposition de la couche de migration est 2 d'environ 0,05 à 50 ergs/cm . 37.- Procédé pour former une image suivant la revendication 20, caractérisé en ce que l'exercice -de la force électrique comprend 69 13893 -57- 2007601 la formation d'une image électrostatique latente sur l'élément sensible. 38.- Procédé pour former une image suivant la revendication 37, caractérisé en ce que le champ dans la couche ramollissa- 5 ble dans les régions de l'image électrostatique latente est supérieur à environ 10 volts/micron. 39.- Procédé pour former une image suivant la revendication 38, caractérisé en ce que la couche de migration est propre à se rompre et la couche ramollissable est appliquée sur un substrat 10 à une certaine distance de la couche de migration, la couche de migration e st contiguë à la face de la couche ramollissable opposée à l'interface entre la couche ramollissable et le substrat, et la couche de migration a une épaisseur d'environ 0,01 à 2,0 microns. 40.- Procédé pour former une image suivant la revendica- 15 tion 39, caractérisé en ce que la couche de migration comprend une matière inerte du point de vue de la photosensibilité. 41.- Procédé pour former-une image suivant la revendication 39,ou 40, caractérisé en ce que le substrat est conducteur de l'électricité. 20 42.- Procédé pour former une image suivant la revendica tion 37, caractérisé en ce que l'exercice de laforce électrique comprend l'application d'un champ électrique extérieur à l'élément sensible. • 43.- Procédé pour former une image suivant la revendica- 25 tion 42, caractérisé en'ce que le champ électrique extérieur est sensiblement uniforme. 44.- Procédé pour former une image suivant la revendication 42, caractérisé en ce que le champ électrique tota^dans la couche ramollissable dans les régions de 1'image électrostatique la- 30 tente résultant de la formation de l'.image électrostatique latente et de l'application du champ électrique extérieur est de plus d'environ 10 volts/micron. 45.- Procédé pour' former une image suivant la revendication 42, caractérisé en ce que l'image électrostatique -latente sur 35 l'élément sensible est un motif de charge uniforme et le champ électrique extérieur est conforme à une image. 69 13893 -58- 2007601 10 46.- Procédé pour- former'une image suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la force de migration conforme ja une image comprend un champ magnétique conforme à une image, agissant sur une couche de migration magnétisée uniformément. 47.- • Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 1 à 46, caractérisé en ce que le développement est exécuté par ramollissement de la couche ramollissable. 48.-- Procédé pour former une image suivant la revendication 47, caractérisé en ce que le ramollissement est sensiblement uniforme. 49«- Procédé pour former une image suivant la revendication 47 ou 48, caractérisé en ce que le ramollissement est exécuté par exposition de la matière ramollissable à l'action de la chaleur. 50.- . Procédé pour former une image suivant la revendication 25 47 ou 48, caractérisé en ce que le ramollissement est exécuté par exposition de la matière ramollissable à la vapeur d'un liquide propre à^ramollir cette matière. 51.- Procédé pour former une image suivant la revendication 47, caractérisé en ce que le ramollissement est exécuté par mise en contact de la matière ramollissable et du liquide propre à la ramollir. 52.- Procédé pour former Une image suivant la revendication 51, caractérisé en ce que le liquide propre à ramollir la matière ramollissable est un solvant de cette matière. 53.- • Procédé pour former une image suivant la revendication 47, caractérisé en ce que le ramollissement est exécuté par exposition de la matière ramollissable à l'action de la chaleur et de la vapeur d'un liquide propre à ramollir cette matière. 54.-' ' Procédé pour former une impge suivant la revendication 49, caractérisé en ce que la matière ramollissable est chauffée jusqu'à. une température d'encirôn 50 à 150°C. 55.- Procédé pour former'une image•suivant la revendication 54, caractérisé en ce que la matière ramollissable est maintenue dans cet état chauffé pendant environ 1 à 10 secondes. 56.- Procédé pour former une image suivant la revendication 50, caractérisé en ce que la matière ramollissable est exposée à la vapeur du liquide propre à la ramollir pendant environ 0,5 à 60 secondes. . 1 ' ■ 20 25 30 35 69 13893 -59- 2007601 57-- Procédé pour former une image suivant la revendication 47, caractérisé en ce que la couche ramollissable est appliquée sur un substrat à une certaine distance de la couche de migration et, après un certain ramollissement et une certaine migra-5 tion, on met la matière ramollissable en contact suffisamment avec un solvant de cette matière pour éliminer sensiblement cette matière et permettre à la matière de migration de se déposer sélectivement sur le substrat en conformité avec l'image. 58.- Procédé pour former une image suivant la revendica-2Q tion 47, caractérisé en ce que la couche de migration est photoconductrice. 59.- Procédé pour former une image suivant la revendication 58, caractérisé en ce que la couche de migration photoconductrice comprend du sélénium. 25 60.- Procédé pour former une image suivant la revendica tion 59, caractérisé en ce que la couche de migration photoconductrice comprend du sélénium amorphe.. 61.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 1 à 60, caractérisé en ce qu'on exécute en subs- 2o tance l'opération (b) avant de commencer sensiblement l'opération (c). 62.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendication 1 à 60, caractérisé en ce qu'on accomplit sensiblement l'opération (c) avant de commencer sensiblement l'opéra- 25 tion (b). 63.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 1 à 60, caractérisé en c^qu'on exécute en substance simultanément les opérations (b) et (c). 64.- Procédé pour former une image suivant la revendica-20 tion 50, caractérisé en ce que le liquide propre à ramollir la matière ramollissable est en substance électriquement isolant. 65.- Procédé pour-former une image suivant la revendication 20, caractérisé en ce que la couche de migration est thermoconductrice et l'application du motif de charge conforme à une ima-ge comprend : - (a) la création d'une charge électrostatique uniforme sur l'élément sensible, et •(■b) le chauffage de l'élément sensible en conformité avec une image. 69 13893 -60- 2007601 66.- Procédé pour former une image suivant la revendication 37, caractérisé en ce que la couche de migration est photosensible et on expose l'élément sensible uniformément au rayonnement actinique. 5 67.- Procédé pour former une image, caractérisé en ce que : (a) on utilise un élément sensible comprenant une/couche d'une matière de migration se trouvant à une certaine distance d'au moins une surface d'une couche ramollissable mais au contact de cette couche ; 10 (b) on exerce une force de migration sur la couche de migra tion, et (c) on développe conformément à une image la couche ramollissable pour modifier en conformité avec l'image sa résistance au mouvement de la matière de la couche de migration, afin de provoquer 15 le déplacement de la matière de migration en conformité avec l'image dans la profondeur de la couche ramollissable. 68.- Procédé pour former une image suivant la revendication €7, caractérisé en ce que la' couche ramollissable est appliquée sur un substrat à une certaine distance de la couche de migra-20 tion. • • "69.- Procédé pour former une image suivant la revendica- 1 tion 68, caractérisé en ce que le substrat est conducteur de l'électricité. 70.- Procédé pour former nne image suivant 1'une quelconque 25 des revendications 67 à 69, caractérisé en ce que la couche de-migration a une épaisseur d'environ 0,01 à 2,0 microns. 71.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 67 à 70, caractérisé en ce que la couche de migra^ tion est propre à-se rompre. ... 30 72.- Procédé pour former une image suivant la revendica tion 71, caractérisé en-ce que la couche.de migration propre à se rompre comprend des particules d'une granulométrie moyenne d'environ 0,01 à 2,0 microns. 73.- ' Procédé pour former une image, suivant la revendica-35 tion 72, caractérisé en ce que la granulométrie moyenne des particules est d'environ 0,01 à 0,7 micron. 69 13893 -61- 2007601 74.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 67 à 73, caractérisé en ce que la couche ramollissable a une épaisseur d'environ 0,5 à 16 microns. 75«- Procédé pour former une image suivant la revendication 5 74, caractérisé en ce que la couche ramollissable a une épaisseur d'environ 1 à 4 microns. 76.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 67 à 75,caractérisé en ce que la couche de migration est photo-sensible. 10 77.- Procédé pour former une image suivant la revendica tion 76, caractérisé en ce que la couche de migration est photoconductrice. 78.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 67 à 77, caractérisé en ce que la couche de migra- 15 tion est thermoconductrice. 79.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendication 67 à 75, caractérisé en ce que la couche de migration est en substance inerte du point de vue de la photosensibilité et de la photoconductivité. 20 80.- Procédé pour former une image suivant la revendica tion 79, caractérisé en ce que la couche de migration est également en substance inerte du point de vue de la thermoconductivité. 81.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 67 à 75, caractérisé en ce que la couche de mi- 25 gration est magnétisable. 82.- Procédé pour former une image suivant l'une quelconque des revendications 67 à 81, caractérisé en ce que la couche de migration est contiguë à une face de la couche ramollissable. 83.-. Procédé pour former une image suivant la revendication 30 68 ou 70, caractérisé en ce que la couche de migration est propre à se rompre et est contiguë à la face de la couche ramollissable opposée à l'interface entre la couche ramollissable et le substrat. 84.- Procédé pour former une image suivant la revendica- ' - - " tion 83, caractérisé en ce que la couche propre à se rompre photo- 35 sensible comprend du sélénium. : 85.- Procédé pour former Une imagé suivant la revendication 84, caractérisé en ce que la couche propre à se rompre photo- • sensible comprend du sélénium amorphe. 86.- ■ Procédé'pour former une image suivant l'une quelconque 69 13893 -62- 2007601 des revendications 67 à 85caractérisé en ce que la couche ramollissable est en substance électriquement isolante et la force' de migration est sensiblement uniforme et est exercée sur la couche de migration par création d'une charge électrostatique uniforme sur 5 l'élément sensible. .87.- Procédé pour former une image suivant la revendication 86, caractérisé en ce que le champ-électrique dans la couche ramollissable est supérieur à environ 10 volts/micron. 88.- Procédé pourïformer une image suivant la revendication 10 86, caractérisé en ce que la couche ramollissable est appliquée sur un substrat conducteur de l'électricité à une certaine distance de la couche de migration. 89.- Procédé pour former une image suivant la revendication 86, caractérisé en ce que l'exercice de la force consiste à appli- 15 quer un champ électrique extérieur à l'élément sensible. 90.- Procédé pour former une image suivant la revendication 89, caractérisé en ce que le champ électrique total dans la couche ramollissable résultant de la création de la charge uniforme et de l'application du champ électrique extérieur est supé- 20 rieur à environ 10 volts/micron. 91.- Procédé pour former une image suivant la revendication 67', caractérisé en ce que la force de migration est sensiblement uniforme et est exercée sur la couche par application d'un champ magnétique uniforme sur une couche de migration uniformément . 25 magnétisée. 92.- Procédé pour former une image suivant la revendication 67 caractérisé en ce que la force de migration est sensiblement uniforme et comprend la force de gravitation terrestre. 93.- Procédé pour former une image suivant la revendica- 30 tion 67, caractérisé en ce que la force de migration est sensiblement uniforme et comprend une force centrifuge. 94.- Procédé pour1 formèr une image suivant la revendication 67, caractérisé eh ce que le développement en conformité avec une image-est exécuté par - exposition de la couche ramollissable à 35 un motif de rayonnement durcissant. 69 13893 -63- 20076Q1 95.- Procédé pour former une image suivant la revendication 94, caractérisé en ce que le développement par exposition à une image est exécuté par application d'un agent de ramollissement sur la couche ramollissable. 5 96.- • Procédé pour former une image suivant la revendica tion 67, caractérisé en ce que le développement en conformité avec une image est exécuté par exposition de la couche ramollissable à un motif de rayonnement ramollissant. 97.- Procédé pour former une image, caractérisé en ce que : 10 (a) on utilise une couche ramollissable; (b) on développe la couche en conformité avec une image de manière à modifier sa perméabilité en conformité avec l'image; (c) on applique une couche de migration sur la couche ramollissable développée en conformité avec une image, et 15 (d) on exerce une force de migration sur la couche de migration. 98.- Procédé pour former une image suivant la revendication 97, caractérisé en ce que la-force de migration est sensiblement uniforme. 99.- Procédé pour former une image suivant la revendication 20 95, caractérisé en ce qu'on exécute le ramollissement par exposition de la couche ramollissable à l'effet de la chaleur. 100.- Procédé pour former une image suivant la revendication 95, caractérisé en ce qu'on exécute le ramollissement par exposition de la matière ramollissable à de la vapeur d'un liquide propre à 25 ramollir cette matière. 101o- Procédé pour former une image suivant la revendication 100, caractérisé en ce que le liquide propre à ramollir la matière ramollissable est un solvant de cette matière. 102.-' Procédé pour former une image suivant la revendica- 30 tion 95, caractérisé en ce que le ramollissement est exécuté par mise en contact du liquide propre à ramollir la matière ramollissable avec cette matière. 103.- Procédé pour former une image suivant la revendication 102, caractérisé en ce que le liquide propre à ramollir la 35 matière ramollissable est un solvant de cette matière. 69 13893 -64- 2007601 10 104.-. Procédé pour former une image suivant la revendication 95, caractérisé en ce que le ramollissement est exécuté'par exposition de la matière ramollissable à la chaleur et à la vapeur d'un liquide propre à ramollir cette matière. 105.- Procédé pour former une image suivant la revendication^, caractérisé en ce qu'on chauffe la matière ramollissable à une température d'environ 50 à 150°C. 106.- Procédé pour former une image suivant la revendication 105, caractérisé en ce qu'on maintient la matière ramollissable à l'état chauffé pendant environ 1 à 10 secondes. 107.- Procédé pour former une image suivant la revendication 100, caractérisé en ce qu'on expose la matière à la vapeur du liquide propre à la ramollir pendant environ 0,5 à 60 secondes. 108.- Procédé pour former une image suivant la revendica-tion 95, caractérisé en ce que la couche ramollissable est appliquée sur un substrat à une certaine distance de la couche de migration et, après au moins un certain ramollissement et une certaine migration, on met la matière ramollissable suffisamment en contact avec un solvant de cette matière po.ur éliminer sensiblement cette 20 matière et permettre à la matière de migration de se déposer sélectivement sur le sub'strat en conformité avec l'image. 109.- Procédé pour former une image suivant la revendication 86, caractérisé en ce que la matière de migration est photoconductrice et la force de migration est exercée par exposition uniforme à un rayonnement actinique pendant ou après la création de la charge. 110.- Elément sensible impressionné, caractérisé en ce qu'il ■ comprend : . . (a) une couche d'une matière ramollissable, et 20 (b) une couche d'une matière de migration répartie sélective ment dans la profondeur de la couche ramollissable en conformité avec une image. 111.-. Elément sensible impressionné suivant la revendication 110, caractérisé en ce que la matière ramolli3sable est en 25 substance électriquement isolante. 69 13893 -65- 200760.1 112.- Elément sensible impressionné, caractérisé en ce qu'il comprend : (a) -une couche d'une matière ramollissable, et (b) une matière propre h. se rompre répartie dans la profon- 5 deur de la matière ramollissable en conformité avec une première image. 113.- Elément sensible impressionné suivant la revendication 112, caractérisé en ce qu'il comprend, outre la première image en matière propre à se rompre répartie dans la profondeur de la 10 matière ramollissable, une image complémentaire de matière propre à se rompre dans la matière ramollissable, mais à une certaine distance de la. première image. 114.- Elément sensible impressionné suivant la revendication 113, caractérisé en ce que l'image complémentaire est contiguë 15 à la surface de la couche de matière ramollissable et au contact de cette couche. 115.- Elément sensible impressionné suivant l'une quelconque ■ des revendications 112 à 114, caractérisé en ce que la couche ramollissable a une épaisseur d'environ 0,5 à 16 microns. 20 116.- Elément sensible impressionné suivant la revendica tion 115, caractérisé en ce que la couche ramollissable a une épaisseur d'environ 1 à 4 microns. 117.- Elément sensible impressionné suivant l'une quelconque des revendications 112 à 116, caractérisé en ce que la matière pro- 25 pre à se rompre est particulaire et a une granulométrie moyenne inférieure à environ 2,0 microns. 118.- Elément sensible impressionné suivant la revendication 117, caractérisé en ce que la matière propre à se rompre particulaire comprend du sélénium. 30 119.- Elément sensible impressionné suivant la revendica tion 118, caractérisé en ce que la matière propre à se rompre par-ticulair^èomprend du sélénium amorphe. 120.- Elément sensible impressionné suivant la revendication 114, caractérisé en ce que l'image complément?ire de matière 35 propre à se rompre a une épaisseur d'environ 0,01 à 2,0 microns. 69 13893 -66- 2007601 121.- - Elément sensible'impressionné suivant l'une quelconque des revendications 112 à 120, caractérisé en ce que la couche ramollissable comprend deux ou plusieurs strates de* matière ramollissable. 5 122.- Élément sensible impressionné suivant la revendica tion 112, caractérisé en ce que la matière propre à se rompre est photosensible. - 123.- Elément sensible impressionné suivant la revendication 114, caractérisé en ce que la matière propre à se rompre est 10 photoconductrice, et la couche ramollissable est en substance électriquement isolante. 124.- Elément sensible impressionné, caractérisé en ce qu'il comprend une image de matière propre à se rompre contiguë à la surface d'une cotiche ramolli s,sabD e mais au contact de celle-15 ci. 125.- Procédé pour former une image, caractérisé en ce que * • . (a) on utilise un élément sensible impressionné suivant la revendication 123; 20 (b) on crée une charge électrostatique uniforme sur l'élément (c) on expose l'élément uniformément à un rayonnement actinique pour obtenir une image électrostatique latente, et (d) on développe l'image électrostatique latente à l'aide d'une matière électroscopique contrastante pour former une image 25 visible. 126.- Procédé pour former une image, caractérisé en ce que (a) on utilise un élément sensible impressionné suivant la revendication 124, et (b) on expose l'élément à travers l'image.de matière propre à 30 se rompre à un rayonnement durcissant pour la matière ramollissable 127.- Procédé pour/Éormer une image suivant la revendication 2, caractérisé en ce que le substrat est photosensible. ' 128.- • Procédé pour former une image suivant la revendication 127, caractérisé en ce qu'après la migration, on expose' l'élé-35 ment à travers l'image de migration dans la couche ramollissable à un rayonnement actibique à'l'égard du substrat photosensible. 69 13893 -67- 2007601 129.- Procédé pour former une image suivant la revendication 128, caractérisé en ce que l'exposition est sensiblement uniforme. 130.- Procédé pourformer nne image suivant la revendica-5 tion 127, caractérisé en ce ail après la migration, on'"-met la matière ramollissable suffisamment en contact avec un solvant de cette matière pour éliminer senablement cette matière et permettre à la matière de migration de se déposer sélectivement sur le substrat en conformité avec l'image, on expose le substrat à travers le masque 10 de migration ainsi formé qfan. rayonnement actinique à l'égard du substrat photosensible. 131.- Procédé pour former une image suivant la revendication 130, caractérisé en ce que l'exposition est sensiblement uniforme. 15 132.- Procédé pour former une image suivant la revendica tion 129, caractérisé en ce que le substratfchotosensible est une couche photodurcissable et le rayonnement actinique est un rayonnement photodurcissant pour la matière photodurcissable et on met la matière ramollissable suffisamment en contact avec un solvant 20 de cette matière pour éliminer sensiblement cette matière et décaper à l'aide d'un solvant la couche photodurcissable durcie en conformité avec une image de manière à former une image en relief. 133«- Procédé pour former une image suivant la revendication 131j caractérisé en ce que le substrat photosensible est une 25 couche photodurcissable et le rayonnement actinique est un rayonnement photodurcissant pour la couche photodurcissable, et on décape au moyen d'un solvant la couche photodurcissable durcie en conformité avec l'image pour obtenir une image en relief. 134.- Procédé pour former une image suivant la revendica-30 tion 131, caractérisé en ce que le substrat photosensible est un photoconducteur et on crée une charge électrostatique uniforme sur le photoconducteur pour* obtenir, après l'exposition, une image électrostatique latente qu'on développe, ensuite à l'aide d'une matière éleçtroscopique contrastante pour obtenir une image visible. 69 13893 -68- 2007601 135.- Procédé pour former une image suivant la revendication 134, caractérisé en ce qu'on élimine le masque de migration résultant du phot'oconducteur avant de commencer sensiblement fe développement.