Brevet FR2011942A1 — publié le 19700313

L'invention relève de la technologie des dispositifs à semiconducteurs et concerne plus particulièrement un dispositif semiconducteur formé par un corps semiconducteur recouvert au moins partiellement par une couche isolante et comportant un transistor à effet de champ du 5 type à électrode de porte isolée, constitué par un substrat de type de conduction déterminé dans lequel se trouvent des zones de type de conduction opposé appartenant aux électrodes de source et de drain et avoisi-nant la surface, une électrode de porte étant disposée sur la couche isolante entre lesdites zones. 10 L'invention concerne également un montage comportant un tel dispositif semiconducteur. Les dispositifs semiconducteurs de ce genre trouvent un large emploi, en particulier pour l'amplification de signaux électriques. Dans les montages comportant de tels dispositifs, l'électrode d'alimenta-15 tion - appelée également la sotirce - est alors généralement commune au circuit d'entrée et au circuit de sortie, le substrat et cette électrode d'alimentation étant en liaison électrique directe. On sait que, particulièrement dans le cas de fréquences élevées, il est parfois préférable de choisir d'autres montages dans les-20 quels l'électrode de porte isolée est commune au circuit d'entrée et au circuit de sortie, notamment pour une meillware adaptation du bruit. Le signal à amplifiér est alors appliqué à l'électrode de source, le signal amplifié étant prélevé suri'électrode de drain. Toutefois, ledit transistor à effet de champ n'est pratiquement jamais utilisé selon un tel mon-25 tage, étant donné que la capacité de la jonction p-n entre l'électrode de drain et le substrat agit comme capacité de réaction, ce qui géné ralement est indésirable. L'invention fournit un nouveau mode de réalisation du dispositif semiconducteur décrit, les propriétés électriques de celui-ci 30 étant améliorées considérablement lors de son emploi dans un certain nombre de montages. ' L'invention repose entre autres sur l'idée que, lorsque pour des signaux alternatifs, l'électrode de porte est connectée au substrat, il est possible d'obtenir des avantages mmportants du point de vue "35 commutation. Conformément à l'invention, un dispositif semiconducteur du genre mentionné dans le préambule est donc remarquable en ce que l'électrode de porte est connectée capacitivement au substrat à travers une capacité de découplage qui est supérieure à celle de jonction p-n entre 40 la zone d'électrode de drain et le substrat. 8AD ORIGINE 69 19827 2 2011942 Le dispositif conforme à l'invention présente entre autres l'avantage important de pouvoir être utilisé avantageusement et sans les inconvénients précités dans un montage amplificateur dans lequel l'électrode de porte est commune au circuit d'entrée et au circuit de sortie, un 5 signal à amplifier étant fourni à l'électrode de source et le signal amplifié étant prélevé sur l'électrode de drain. Etant donné que selon le dispositif conforme à l'invention, le substrat est relié pratiquement à l'électrode de porte à travers une capacité de découplage en ce qui concerne les signaux alternatifs, une réaction de la sortie vers l'entrée . 10 dans le montage précité peut pratiquement se produire uniquement à travers le canal le long de la surface entre les électrodes àe source et de drain. Par suite de l'effet de pincement auprès de l'électrode de drain, la réaction subsistante sera généralement faible, et admissible dans de nombreux cas. 15 L'invention est particulièrement avantageuse dans les mon tages dans lesquels le transistor à effet de champ fonctionne selon le mode dit "à enrichissement" ("enhaneementr mode"), une tension, établie entre le substrat et l'électrode de porte isolée, faisant que la zone superficielle du substrat, située sous l'électrode de porte et appelée zone de 20 canal, est enrichie en porteurs de charge de type de conduction opposé. Dans ces montages notamment, contrairement au cas des transistors à effet de champ fonctionnant selon ce mode dit "à appauvrissement" ("depletion mode"), une liaison électrique directe de l'électrode de porte isolée au substrat est impossible, étant donné que par suite d'une telle liaison, la 25 jonctiom p-n entre l'électrode d'alimentation et le substrat serait polarisée dans le'sens de conduction de façon telle qu'il en résulte une injection de porteurs de charge minoritaires dans le substrat sous-jacent. Pour obtenir une réduction considérable de la réac-> tion, il est souhaitable d'utiliser une capacité de découplage de valeur 30 élevée par rapport à celle existant entre l'électrode de drain et le substrat, lesdites capacités étant de préférence au moins dans un rapport de dis:. Pour les mêmes raisons, la résistance série du trajet de courant entre l'électrode de drain et l'électrode de porte à travers le corps semiconducteur sera de préférence maintenue faible. A cet effet, suivant un 35 mode de réalisation important et préféré, le corps semiconducteur est en matériau semiconducteur de type de conduction déterminé et .à résistivité maximale de 1 ohm.cm, dans lequel sont disposées les zones-électrodes de type de conduction opposé. Ladite résistance séx'ie faible peut être réalisée de façon 40 très simple par 1 «eisploi d'une structure épitaxiale â couche es base pré- BAO origine 69 19827 3 2011942 sentant une faibl" résistivité. IJn autre mode de réalisation préféré du dispositif conforme à l'invention est donc remarquable en ce que le corps semiconducteur est constitué par une couche de base de "type de conduction é-.erminé sur laquelle est appliquée une couche épitaxiale de mène type de 5 conduction, présentant une résistivité plus élevée que la couche de base et formant le substrat. La résistivité de la couche de base est alors avantageusement au maximum égale à 0,1 ohm.cm, de préférence au maximum égale à 0,01 ohm.cm, la couche épitaxiale ayant de préférence une résistivité comprise entre environ 0,5 et 5 ohm.cm. La résistance série du trajet 10 de courant entre l'électrode de drain et l'électrode de porte sera alors déterminée principalement par la résistivité de la couche de base faiblement ohmique. Outre l'avantage que constitue ladite réduction de la contre-réaction, le dispositif conforme à l'invention est avantageux par 15 l'aecroissement de la pente de flanc, c'est-â-dire de la mesure dans laquelle l'intensité du courant de drain varie avec la tension de signal sur l'électrode de porte isolée. Cet accroissement de pente résulte du fait que l'électrode de porte et le substrat sont pratiquement court-circuités en ce qui concerne les signaux alternatifs, le canal de courant à la sur-20 face entre les électrodes de source et de drain étant ainsi influencé tant par le champ induit par l'électrode porte isolée, que par la largeur de la couche d1 épuisanaifc située entre le canal et le substrat et variant avec l'amplitude du signal d'entrée. On peut démontrer que dans ce cas, la pente est indépendante de la résistivité du substrat, de sorte que 25 l'emploi d'un matériau relativement peu ohmique tel que mentionné ci-dessus n'influence pas défavorablement la pente, contrairement au cas où le canal est influencé uniquement à travers l'électrode de porte isolée (voir à ce sujet par exemple la publication "Philips Research Reports", N* 22, parue en février 19^7» pages 62 et 63, en particulier la formule 29). 30 Afin d'empêcher que l'impédance d'entrée soit trop faible en ce qui concerne les signaux alternatifs, il est désirable que l'impé-datoce, formée entre l'électrode de source et le substrat, soit supérieure à celle formée entre ce dernier et l'électrode de porte isolée. IJn quatrième mode de réalisation important et préféré conforme à l'invention est 35 donc remarquable en ce que la capacité de découplage est supérieure à celle de la jonction p-n formée entre l'électrode de source et le substrat. Ladite capacité de découplage est avantageusement au moins dix fois celle de ladite jonction. La capacité de découplage entre l'électrode de porte isolée 40 et le substrat peut ~tre formée par une capacité ou un condensateur cons- BAD ORIGINAL 69 19827 4 2011942 tituant un composant extérieur, relié à l'électrode de porte et le substrat. Toutefois, le dispositif conforme à l'invention se prête particulièrement bien à une réalisation sous forme intégrée. Suivant un cinquième mpde de réalisation préféré, l'électrode de porte isolée est alors reliée 5 électriquement â une couche métallique située sur la couche isolante en dehors des zones-électrodes, cette couche métallique formant avec la couche isolante et le substrat sous-jacent ladite capacité de découplage. Suivant un sixième mode de réalisation préféré, l'électrode de porte isolée est reliée électriquement à une couche métallique située 10 sur la couche isolante et qui, â travers une ouverture dans celle-ci, sé raccorde â une partie de surface du substrat située en dehors des zones-électrodes et forme avec celle-ci une Jonction métal-semiconducteur - appelée également diode de Schottky - dont la capacité constitue ladite capacité de découplage. 15 Suivant un autre mode de réalisation préféré très important de l'invention, l'électrode de porte isolée est reliée électriquement à une couche métallique située partiellement sur la couche isolante et qui, à travers une ouverture dans celle-ci, se raccorde â une zone superficielle de type de conduction opposé située en dehors des zones-éleotrodes 20 et formant, avec le substrat sous-jacent, une jonction p-n dont 1» capacité constitue ladite acapacité de découplage. Le dopage et l'épaisseur de cette zone superficielle Bont alors avantageusement égaux au dopage et â l'épaisseur des zones formant les électrodes de source et de drain* de sorte que ces zones et ladite zone peuvent être réalisées simultanément 25 au cours d'une seule opération. La liaison électrique entre l'électrode de porte isolée et la capacité de découplage comporte de préférence un trajet métallique situé sur la couche isolante. Pour cette liaison, on peut parfois utiliser avantageusement une zone superficielle de type de conduction opposé, con-30 venablement conductrice, située dans le substrat et isolée de celui-ci par une jonction p-n, par exemple lorsqu'il existe des croisements avec d'autres conducteurs. Pendant le fonctionnement, cette jonction p-n doit être polarisée dans le sens inverse afin d'empêcher un court-circuit entre la liaison électrique et le substrat, 35 De préférence, la couche isolante est au moins partiellement en oxyde de silicium, mis en place par exemple par voie pyrolit ique ou par oxydation thermique. Le corps semiconducteur est alors de préférence en silicium. Si la couche isolante sous-jacente présente partout une 40 structure et des propriétés électriques qui sont identiques à celles de la bad original 69 19827 5 2011942 couche isolante sous l'électrode de porte, le trajet métallique reliant cette électrode de porte isolée S. la capacité de découplage est susceptible d'induire un canal de courant ininterrompu par lequel*du côté du substrat, ladite capacité serait reliée à l'électrode de source. Pour cette 5 raison, un huitième mode de réalisation préféré et; important de l'invention est remarquable en ce que les propriétés de la couche isolante entre le trajet métallique et le substrat diffèrent du moins localement de cellra entre l'électrode-porte et le substrat, pour empêcher la formation d'un canal de courant ininterrompu sous le trajet métallique. 10 Cette différence de propriétés peut concerner tant l'épais seur de la couche isolante que les matériaux formant celle-ci, ou les propriétés électriques de ces matériaux. Il est possible d8établir de plusieurs façons une telle zone interrompant un canal, cette interruption résultant par exemple de l'emploi d'une couche d'oxyde de silicium préssn-15 "tant localement une autre composition. Yoir à ce sujet le brevet français N°.1.481.893. Suivant un neuvième mode de réalisation important, l'épaisseur de la couche isolante entre le trajet métallique et le substrat est, du moins localement, supérieure à celle entre l'électrode de porte et le 20 substrat, de sorte que l'intensité de champ à la 3urfa.ce semicon&ucislse y est plus réduite, ce qui permet d'empêcher la formation d'un canal d'inversion jusqu'à un potentiel maximal déterminé de l'électrode de porto, La couche isolante peut alors être en oxyde de silicium ou en un autre sr.ai,é-= riau. Suivant un autre mode de réalisation préféré, lorsque la couche iso-25 lante est en oxyde de silicium, la couche d'oxyde, avoisinant la surface semiconductrice et siutée sous le trajet métallique^ est avantageusement recouverte du moins localement d'une couche de nitrure de silicium pour empêcher la formation d'un canal de courant ininterrompu» Yoir par ei'er-u.le la demande de brevet français PY îï°.174=7783 déposée le 21 novembre 19^S» 30 Suivant un onzième mode de réalisation préféré, une 30ne interrompant un canal de courant est formée du fait qu'une zone superficielle de type de conduction déterminé, avoisinant localement la couche isolantes est créée dans le substrat sous le trajet métallique, ladite zone étant plus fortement dopée, que le substrat, de sorte que la formation 35 d'une canal d'inversion dans le substrat est exclue. La description suivante, en regard des dessins annexés, le tout donné 5. titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée, les particularités qui ressortent tant du texte que des figures des dessins faisant, bien entendu,, partie de l'in-40 vention. BAD original 69 19827 6 2011942 .La fig. 1 est une vue en plan d'un dispositif semiconducteur conforme à l'invention. La fig. 2 est une coupe transversale suivant le plan II-II de la fig. 1. 5 La fig. 3 est un circuit dans lequel le dispositif suivant les fig. 1 et 2 est du type â enrichissement, ("enhancement mode"). La fig. 4- est une vue en plan d'un autre dispositif semiconducteur conforme à l'invention. La fig» 5 est une coupe transversale suivant le plan Y-Y 10 de la fig. 4. La fig. 6 est une vue en plan d'un troisième dispositif semiconducteur conforme à l'invention. La fig. 7 est une coupe transversale suivant le plan YII-VH de la fig. 6. 15 Toutes les figures sont schématiques, et les dimensions des dispositifs en question n'ont pas été représentées à la même échelle par souci de clarté de ces figures, surtout en ce qui concerne les épaisseurs des dispositifs. Les hachures des vues en plan représentent des couches métalliques, alors que les éléments correspondants des figures sont in-20 diqués par les mêmes repères. Sur les fig. 1 et 2, un dispositif semiconducteur comporte un corps semiconducteur (1) en silicium recouvert d'une couche isolante (2) en oxyde de silicium. Ce cox'ps est formé par une couche de hase (3) en silicium de type de conduction P et â résistivité de 0,01 ohm.cm, couche 25 (3) sur laquelle a étfé appliquée une couche épitaxiale (4) en silicium de type de conduction P, présentant une épaisseur de 6^u et une résistivité de 3 ohm»cm, et formant le substrat d'un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée. Dans ce substrat (4), on a diffusé des zones-électrodes (5) et (6) de type de conduction N, avoisinant la surface, la 30 zone (5) étant l'électrode de source et la zone (6) l'électrode de drain dudit transistor â effet de champ. Jîntre ces zones (5) et (6), on a disposé sur la couche (2) une électrode de porte (7) sous forme d'une couche d'aluminium, A travers des ouvertures non représentées mais pratiquées dans la couche d'oxyde, les zones (5;> (6) formant les électrodes de source 35 et de drain qui se raccordent aux couches d'aluminium (8), (9) situées sur la cotiche d'oxyde» (Voir la fig-. 1 ) Coniormément à l!invention, l'électrode de porte isolée (7) est reliée capaeivivement au substrat (4) par l'intermédiaire d'une capacité de découplage qui est supérieure â la, capacité de la jonction p-n 40 entre l'électrode de drain (6) et le substrat. A cet effet, dans ce mode de bad original 69 19827 7 2011942 réalisation, ladite électrode (7) est, par l'intermédiaire d'une couche d'aluminium (10) située sur la couche d'oxyde, reliée électriquement à une couche d'aluminium (11) située sur la couche d'oxyde (2) en dehors des zones-électrodes, cette couche (11) formant avec la couche (2) et le sub-5 strat sous-jacent (4) ladite capacité de découplage. Dans cet exemple, l'épaisseur de la couche d'oxyde, située sous l'électrode de porte et la couche d'aluminium (11 ), est d'environ 0,1yu. Pour une telle épaisseur du diélectrique, la capacité formée entre la couche (11) et le substrat (4) est d'environ 30.000 pF/cm2 . On peut 10 calculer que la capacité d'une jonction p-n abrupte entre une zone fortement dopée de type de conduction H et le substrat (4) (dopée à raison 16 d'environ 10 accepteurs/cm3), atteint également environ 30.000 pP/cm2 sans tension de polarisation. Les jonctions p-n entre les électrodes de source et de drain et le substrat forment pratiquement une telle jonction 15 abrupte p-n. Dans l'exemple en question, la superficie de l'électrode de drain est d'environ 6.000yu2, celle de l'électrode de source environ 16.000^u2 et celle du condensateur virtuel formant la capacité de découplage environ 165.000^u2, de sorte qu'en raison de ce qui précède, la capacité de découplage est environ vingt-cinq fois la capacité formée entre 20 l'électrode de drain et le substrat. Ceci est encore accentué lors du fonctionnement du dispositif, l'électrode de drain étant alors polarisée dans le sens de blocage par rapport au substrat, de sorte que la cajacité en question de cette électrode est réduite. De ce qui précède, il résulte que la capacité de découplage dépasse aussi plus de dij| fois celle de la 25 jonction p-n entre l'électrode de source et le substrat. Afin d'empêcher la formation d'un canal de courant ininterrompu sous la couche d1aluminium (10), on voit (fig. 1 et 2) que l'rfpais-seur (environ 0,6yu) de la partie (12) de la couche d'oxyde entre la couche (10) et le substrat (4) est supérieure â celle de la couche d'oxyde 30 entre l'électrode (7) et le substrat. Pour des tensions se produisant normalement entre l'électrode de porte et le substrat, on empêche ainsi la formation d'un canal d'inversion sous la couche (10), et on empêche ainsi un court-circuit indésirable entre l'électrode de source et la capacité de découplage, du moins jusqu'à un potentiel déterminé de l'électrode de porte. 35 L'électrode de source (5)» l'électrode de drain (6) et l'électrode de porte (7) sont connectées aux bornes (13)» (14) et (15) par des conducteurs auxquels appartiennent également des parties des couches d'aluminium déjà mentionnées. Ces conducteurs sont représentés sur la fig- 3 qui montre un montage comportant le dispositif suivant les fig. 1 40 et 2 représenté schématiquement. Dans cet exemple, la borne (15)» connec- % BAD ORIGINAL 69 19827 2011942 tée â l'électrode de porte et mise à la masse» est commune au circuit d'entrée et au circuit de sortie, un signal ïï à amplifier étant appliqué ca- 1 pacitivement à l'électrode de source à travers la borne (13), alors qu'un signal amplifié Ug est prélevé capacitivement sur l'électrode de drain, 5 via la borne (14). Sur la fig. 3» une tension négative de 5 volts par rapport .à l'électrode de porte (7) est appliquée à l'électrode de source (5) à travers une résistance R.j, tandis qu'à travers la résistance Rg, l'électrode de drain (6) est à un potentiel positif de 5 volts par rapport à 10 l'électrode de porte. Dans ces conditions, le transistor à effet de champ fonctionne selon le mode*dit à enrichissement, la concentration d'électrons 5 la surface du substrat entre les électrodes de source et de drain étant augmentée, alors que se forme un canal d'inversion, de type de conduction N, dont la section, et par conséquent la résistance, sont influen-15 cées par le signal d'entrée . Comme déjà signalé précédemment, la présence de la capacité de découplage fait que ce canal de courant est, en ce qui concerne des signaux alternatifs, également influencé par-le substrat (4) faisant office de deuxième électrode de porte, de sorte que la pente de flanc est 20 Augmentée. La capacité de découplage C ainsi que les capacités (CH) et (C^) que forment'par rapport au substrat (4) respectivement l'électrode de source et l'électrode de drain, ont été représentées par des condensateurs virtuels en pointillés sur la fig. 3. Le dispositif semiconducteur décrit dans cet exemple peut 25 être fabriqué par la mise en oeuvre de procédés habituels dans la technique des semiconducteurs. On part alors d'une couche de base (3) sur laquelle, par croissance épitaxiale, on forme la couche (4) présentant une épaisseur de 6yu et une résistivité de 3 ohm.cm, et pouvant résulter de la dissociation de la substance SiCl^ additionnée d'un composé de bore volatil, 30 par exemple le composé BH^. Par oxydation thermique dans une atmosphère d'oxygène humide â une température dîenviron 1200®C, on applique ensuite-sur la couche (4) une couche d'oxyde (2) d'épaisseur 0,6^u, dans laquelle on décape des ouvertures â l'aide de procédés de photoréservation connus généralement utilisés. A travers ces ouvertures, on diffuse sélectivement 35 du phosphore pour former les zones-électrodes (5), (6) pénétrant jusqu'à une profondeur d'environ 2^u. Un procédé de photoréservation permet également d'enlever la couche d'oxyde aux endfoits où doivent être disposées l'électrode de porte (7) et la couche d'aluminium (11) - opération après laquelle subsiste entre autres la partie (12) - après quoi on applique 40 auxdits endroits une couche d'oxyde plus mince (0,1^u) par une oxydation bad original 69 19827 9 2011942 dans une atmosphère d'oxygène humide â 1100°C. Dans la couche d'oxyde, on décape alors les ouvertures de contact nécessaires, après quoi une évapo-ration, combinée avec un autre photomasquage, permet de former les couches métalliques (j), (8), (9)» (10) et (11) sur lesquelles on fixe les conduc-5 teurs de connexion, par exemple par un procédé d'impression à chaud. De la manière décrite, il est possible de disposer un grand nombre de transistors à effet de champ sur une seule plaque en silicium, ces transistors étant éventuellement combinés avec d'autres constituants pour former ainsi un circuit intégré. Ces dispositifs-unités sont ensuite séparés et chacun 10 d'eux est placé dans une enveloppe adéquate. Sur les figures 4 et 5 montrant respectivement une vue en plan et une coupe transversale d'un autre dispositif conforme à l'invention, la capacité de découplage est formée par une zone diffusée. A l'aide d'une couche d'aluminium (10), l'électrode de porte isolée (7) est, à cet 15 effet, reliée électriquement à une couche d'aluminium (20) située partiellement sur la couche d'oxyde (2) et qui, à travers une ouverture dans celle-ci, se raccorde à une zone superficielle (22) de type de conduction N, située en dehors des zones-électrodes et forment une jonction p-n (23) avec le substrat sous-jacent (4). ("Voir la fig. 5). La capacité de cette 20 jonction (23) constitue ladite capacité de découplage. La zone (22) a été diffusée simultanément avec les zones (5)» (6), Ie dopage et l'épaisseur de ces trois zones étant donc pratiquement égaux. Pour empêcher la formation d'un canal de courant ininterrompu sous la couche métallique (10), on a recouvert ici la couche d'oxyde 25 (2) partiellement d'une couche (24) en nitrure de silicium d'épaisseur 0,2^u. On contrarie ainsi la formation d'un canal d'inversion entre les zones (5) et (23). (Voir la demande de brevet français précitée). L'application de la couche de nitrure (24) peut résulter d'une dissociation d'hjf-drure de silicium et d'hydrazine, après quoi cette couche (24) est pourvue 30 d'une couche d'oxyde de silicium (25) appliquée par voie pyrolitique (par exemple par pulvérisation cathodique). ïïn procédé de photomasquage permet d'enlever cette couche (25) ailleurs que sur la couche (24) après quoi les parties de couche de nitrure non recouvertes d'oxyde sont enlevées par décapage â l'acide phosphorique attaquant seulement légèrement l'oxyde. Pour 35 ce procédé de décapage, voir par exemple l'article intitulé "The Etching of Silicon Nitride in Phosphoric Acid With Silicon Dioxide as a Mask" de W. van Gelder, dans la publication "Journal of the Electrochemical Society", parue en août 19^7» ainsi que le brevet français ÎT° 1.516.347. Pour le reste, la structure de ce dispositif est identique 40 à celle du dispositif suivant les fig. 1 et 2, de sorte'que les remarques BAD ORIGINAL 69 19827 10 2011942 faites dans l'exemple précédent en ce qui concerne les valeurs relatives de la capacité de découplage par rapport à celles des capacités que forment les électrodes de source et de drain par rapport au substrat, sont également applicables ici. "Le dispositif peut être fabriqué de manière 5 identique et être incorporé dans un montage comme indiqué dans le premier exemple. Sur les fig. 6 et 7 montrant respectivement une vue en plan et une coupe transversale d'un troisième dispositif conforme à l'invention ce dernier est constitué par un corps semiconducteur (31) en silicium de 10 type de conduction N et à résistivité de 0,8 ohm.cm; ce corps (31) forme le substrat dans lequel une diffusion sélective d.e bore a permis de former des zones (5)» (6) de type de conduction P, formant les électrodes de source et de drain et pénétrant jusqu'à une profondeur 2^u. La capacité de découplage est formée ici par une diode de Schottky. A travers la coucIe 15 métallique (10), l'électrode de porte isolée (7) est, à cet effet, reliée électriquement à une couche de nickel (32) située sur la couche d'oxyde et qui, à travers une ouverture dans celle-ci, se raccorde à une partie de surface du substrat (31) située en dehors des zones-électrodes (5)» (6) et forme avec celle-ci une barrière de Schottky dont la capacité constitue 20 la capacité de découplage. Une telle jonction métal-semiconducteur qui forme une diode de Schottky, peut être considérée comme une jonction abrupte p-n et prése^i^ donc, par unité de surface, une capacité pratiquement égale à /des jonctions p-n entre les zones-électrodes (5) et (6) et le substrat (31)» jonctions formées par des diffusions caractérisées par 25 des concentrations superficielles élevées et une faible pénétration en profondeur. Pour le reste:,:.les. dimensions de ce dispositif sont égales à celles des dispositifs déjà décrits, de sorte que les m^mes valeurs relatives de la capacité de découplage par rapport à celles des électrodes de source et de drain,, sont également valables ici. La formation d'un canal 30 d'inversion à la surface entre l'électrode d'alimentation et la capacité de découplage est dans cet exemple empêchée du fait que sous la couche métallique (10), on a créé dans ïe substrat (31) une zone superficielle (33) de type de condiiction P, avoisinant partiellement la couche d'oxyde (2), le dopage de cette zone (33) étant tellement plus élevé que celui du sub-35 strat (31) que la formation d'un canal d'inversion dans celle-ci soit exclue. Pour le restes ce dispositif présente une structure identique â celle des dispositifs déjà décrits et peut être fabriqué par la mise en oeuvre des mêmes procédés. De préférence, un même métal forme les couches (7)» (10) et (32), ce qui est également le cas pour les couches (8) et (9), 40 de sorte que toutes ces couches peuvent être appliquées simultanément au bad original 2011942 cours d'une mSme évaporation et d'un même photomasquage. Outre le nickel, la barrière de Schottky sur du silicium 1T peut être formée par d'autres métaux, par exemple l'or. De la façon déjà décrite dans Je premier exemple, le dispositif peut être incorporé dans un montage, la polarité des 5 tensions continuas appliquées devant ici évidemment être inversée. Bien que l'invention soit décrite à l'aide de formes de réalisation et d'applications déterminées, le technicien pourra en réaliser de nombreuses variantes sans sortir du cadre de l'invention. La capacité de découplage peut par exemple être formée aussi par un composant 10 discret. Le matériau semiconducteur-silicium peut être remplacé par d'autres matériaux, tandis que la couche isolante n'est pas nécessairement en oxyde de silicium, d'autres oxydes ou du nitrure de silicium convenant égalemant. Les contacts peuvent présenter une forme géométrique variant sensiblement de celle décrite, à condition de respecter les valeurs de 15 capacité préconisées par l'invention. Il se peut aussi que le dispositif conforme lE l'invention soit parfois utilisé dans des montages autres que ceux mentionnés dans les exemples, de tels montages étant par exemple ceux dans lesquels le transistor à effet de champ fonctionne selon le mode dit â appauvrissement, ("depletion mode"). j 2011942 REV5NDICATI0NS: 1. Dispositif semiconducteur formé par un corps "semiconducteur recouvert au moins partiellement par une couche isolante et comportant un transistor à effet de champ du type- à électrode de porte isolée,. 5 constitué par un substrat de type de conduction déterminé dans lequel se trouvent des zones de type de conduction opposé appartenant aux électrodes de source et de drain et avoisinant la surface, une électrode de porte étant disposée sur la couche isolante entre lesdites zones, caractérisé en ce que l'électrode de porte est connectée capacitivement au substrat â tra-10 vers une capacité de découplage qui est supérieure â celle de la jonction p-n- entre la zone d'électrode de drain et le substrat. 2. Dispositif semiconducteur suivant 1, caractérisé en ce que la capacité de découplage est au moins dix fois plus grande que celle de la jonction p-n entre la zone-électrode de drain et le substrat. 15 3. Dispositif semiconducteur suivant 1 ou 2, caractérisé en ce que la capacité de découplage est supérieure à celle de la jonction p-n entre la zone-électrode de source et le substrat. 4. Dispositif semiconducteur suivant 3> caractérisé en ce que la capacité de découplage est au moins d±* fois plus grande que celle de 20 la jonction p-n- entre la zone-électrode de source et le substrat. 5. Dispositif semiconducteur suivant au moins une des revendications 1 à 4» caractérisé en ce que le corps semiconducteur est formé par du matériau semiconducteur de type de conduction déterminé et â résistivité maximale de 1 ohm.cm, dans lequel sont créées les zones-électrodes, 25 6. Dispositif semiconducteur suivant au moins une.des revendi cations 1 à 4» caractérisé en ce que le corps semiconducteur est constitué par une couche de base de type de conduction déterminé, sur laquelle est appliquée une couche épitaxiale de même type de conduction, formant le substrat et présentant une résistivité plus grande que la couche de base. 30 7« Dispositif semiconducteur suivant 6, caractérisé en ce que la couche de base a une résistivité maximale de 0,1 ohm.cm, de préférence une résistivité maximali de 0,01 ohm.cm. 8. Dispositif semiconducteur suivant 6 ou 7, caractérisé en ce que la résistivité de la couche épitaxiale est comprise entre environ 0,5 35 et 5 ohm.cm. 9 Dispositif semiconducteur suivant au moins une des revendi cations 1 à 8, caractérisé en ce que l'électrode de porte isolée est reliée électriquement â une couche métallique située sur la couche isolante en dehors des zones-électrodes, et formant avec la couche isolante et le sub-40 strat sous-jacent la capacité de .découplage. BAD ORIGINAL 69 19827 13 2011942 10. Dispositif semiconducteur suivant au moins une des revendications 1 â 8, caractérisé en ce que l'électrode de porte isolée est reliée électriquement à une couche métallique située sur la couche isolante et qui, à travers une ouverture dans celle-ci, se raccorde à une partie de surface 5 du substrat située en dehors des zones-électrodes et formant avec celle-ci une diode de Schottky dont la capacité constitue ladite capacité de découplage. 11. Dispositif semiconducteur suivant au moins une des revendications 1 â 8, caractérisé en ce que l'électrode de porte isolée est reliée 10 électriquement â une couche métallique située partiellement sur la couche isolante et qui, â travers une ouverture dans celle-ci, se raccorde à une zone superficielle de type de conduction opposé située en dehors des zones-électrodes et qui, avec le substrat sous-jacent, forme une jonction p-n dont la capacité constitue ladite capacité de découplage. 15 12. Dispositif semiconducteur suivant 11, caractérisé en ce que le dopage et l'épaisseur de la zone superficielle et des zones-élee-trodes sont pratiquement égaux. 13. Dispositif semiconducteur suivant au moins une des revendications 9 & 12, caractérisé en ce que la liaison électrique comporte un 20 trajet métallique situé sur la couche isolante. 14. Dispositif semiconducteur suivant au moins une des revendications 9 à 13, caractérisé en ce que la liaison électrique comporte une zone superficielle de type de conduction opposé, créée dans le substrat. 15. Dispositif semiconducteur suivant au moins une des reven-25 dications 1 à 14, caractérisé en ce que le corps semiconducteur est en silicium. 16. Dispositif semiconducteur suivant au moins une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce qu'au moins une partie de la couche isolante est une couche d'oxyde-silicium situé'e sur le corps semiconducteur» 30 17. Dispositif semiconducteur suivant au moins une des reven dications 1 â 16, caractérisé en ce que la couche isolante entre le trajet •métallique et le substrat présente, du moins localement, d'autres propriétés- que la partie de couche entre l'électrode de porte et le substrat, pour empêcher la formation d'un, canal de courant ininterrompu sous le tra-35 jet métallique. 18. Dispositif semiconducteur suivant 17, caractérisé en ce que l'épaisseur est, du moins localement, supérieure à la partie de couche entre 1'électrode de porte et le substrat. 19. Dispositif semiconducteur suivant 16 et 17 ou 18, caracté-40 risé en me que la couche d'oxyde avoisinant la surface semiconductrice 69 19827 14 2011942 sous le trajet métallique est recouverte du moins localement d'une couche de nitrure de silicium. 20. Dispositif semiconducteur suivant au moins une des revendications 1 à 1b, caractérisé en ce que sous le trajet métallique, on a 5 créé dans le substrat une zone superficielle de type de conduction déterminé avoisinant localement la couche isolante, cette zone étant plue fortement dopée que le substrat pour empêcher la formation d'un canal de courant ininterrompu sous le trajet métallique. ^ 21. Montage destiné â amplifier des signaux électriques et 10 comportant un dispositif semiconducteur suivant au moins une des revendications précitées, caractérisé en ce que l'électrode de porte isolée est commune au circuit d'entrée et au circuit de sortie, un signal à amplifier étant appliqué à l'électrode de source, alors que le signal amplifié est prélevé sur l'électrode de drain. 15 22. Montage suivant 21, caractérisé en ce que le transistor à effet de champ fonctionne selon le mode dit "à enrichissement" du fait que par rapport à l'électrode de porte, on applique aux électrodes de source et de drain une tension par laquelle la zone superficielle, située sous l'électrode de porte, est enrichie en porteurs de charge de type de con- 20 duction opposé. BAD ORIGINAL