Brevet FR2007114A1 — publié le 19700102

L'invention concerne un commutateur de surintensité commandé par un bouton-poussoir, pour la protection de composants électriques sensibles aux surintensités, tels que des semi-conducteurs, du type à déclenchement électro-magnétique ou 5 thermique, dans lequel la bobine dë 1'électro-aimant ou l'enroulement de chauffage du bilame, respectivement du déclencheur électro-magnétique ou du déclencheur thermique, sont en série avec les contacts de commutation. On connaît déjà des commutateurs de ce 10 type, dans lesquels il est prévu un déclenchement rapide électromagnétique. La durée de commutation de ces commutateurs connus est de 4 à 6 micro-secondes pour une excitation maximale. Comme dans les dispositifs connus, il n'y a aucune variation de résistance entre le début de la surintensité jusqu'à l'ouverture des 15 contacts, l'augmentation de l'intensité dans ces dispositifs dépend de la résistance apparente globale • La résistance apparente du circuit à protéger est, en général, constituée par les résistances des conducteurs, de celles des semi-conducteurs à protéger et de la source de courant, l'inductance de ces éléments 20 étant, en général, faible. De cette façon, la surintensité atteint très rapidement, en moins de 1 microseconde, sa hauteur maximale, déterminée piosqu'exclusivement par la résistance ohmique du circuit. Comme dans les commutateurs connus, le temps d'ouverture est 25 de 4 à 6 microsecondes, les circuits électriques munis de semiconducteurs ne peuvent pas être protégés contre les pointes de courant par ces commutateurs connus. Ceci est aussi bien valable pour le courant continu que pour le courant alternatif puisqu'avec le courant alternatif, pour une durée de déclenchement d'environ 5 30 microsecondes, on atteint la valeur maximale de la surintensité dans un quart de période pour du courant alternatif de 50 périodes. Pour protéger les semi-conducteurs, il est nécessaire que, lors de la création d'une surintensité, le déclenchement s'effectue dans un intervalle;, tel que la charge limite 35 I dt du cristal semi-conducteur ne soit pas franchie i L'invention a pour but de combiner des commutateurs de surintensité;, connus, produisant une coupure galvanique, avec un montage électronique, de façon à limiter des surintensités brèves, pour que la limite de charge admissible dans les t 40 semi-conducteurs à protéger, ne soit pas dépassée avant la coupure 13070 2 2007114 galvanique du circuit électrique par le commutateur de surintensité» La présente invention concerne» à cet effet, un commutateur caractérisé par ce que l'une _des extrémités de la bobine ou de l'enroulement de chauffage, reliée au conducteur du con-5 sommateur, est également reliée à l'émetteur, alors que l'autre extrémité est reliée au collecteur du transistor de puissance, dont la base est reliée par l'intermédiaire d'une résistance à l'autre conducteur du consommateur , tandis que, en série avec la bobine (ou l'enroulement du chauffage) est montée une résistance de mesure 10 dont l'extrémité du côté de la bobine (ou l'enroulement de chauffage) est reliée par une diode ou une jonction collecteur-émetteur d'un deuxième transistor avec la base du transistor de puissance. Dans ce cas, la résistance de mesure doit être établie de manière à ce que la chute de tension dans la résis-15 tance de mesure est plus faible pour l'intensité nominale que la tension de passage de la diode et du transistor de puissance. En fonctionnement normal, le transistor est commandé par l'intermédiaire de la résistance de la base. Pour une augmentation de l'intensité du 20 courant consommé, la chute de tension dans la résistance de mesure augmente afin que la tension de base du transistor de puis-, sance devienne positive par rapport à la tension d'émetteur. De cette façon, le transistor de puissance devient conducteur et le courant de sortie de la bobine de l'élec-25 tro-aimant^ou de l'enroulement du bilame, se fixe à une certaine valeur. Il en résulte alors un déclenchement dans un temps normal, à savoir 4 à 6 microsecondes, entraînant l'ouverture galvanique du circuit électrique. Si le commutateur de surintensité comporte 30 un déclencheur électro-magnétique et un déclencheur thermique, il est alors prévu que 1'enroulement de chauffage du bilame constitue la résistance de mésure , la bobine de l'électro—aimant étant montée entre l'émetteur et le collecteur du transistor de puissance. 35 Suivant une autre possibilité, dans un com mutateur à déclenchement thermique, l'enroulement du bilame constitue la résistance de mesure, cet enroulement étant disposé entre l'émetteur et le collecteur du transistor de puissance. Enfin, il est également possible de prévoir 40 que le commutateur comporte, en plus de l'enroulement de chauffa 69 13070 3 2007114 ge du bilame j> un deuxième enroulement de chauffage qui constitue la résistance de mesure. Dans ce cas,, le premier enroulement de chauffage est relié au collecteur et à ' l'émetteur du transistor de 5 puissance. lors de l'utilisation d'un deuxième transistor dans une variante de réalisation de l'invention, la base du deuxième transistor est reliée par une résistance réglable au collecteur du transistor de puissance ou à l'émetteur du transis-10 tor de puissance. Par l'augmentation de la chute de tension dans la résistance de mesure, on augmente la tension de commande du deuxième transistor, et la tension de base du transistor de puissance est décalée vers les tensions positives. 15 II en résulte une conductibilité plus grande du transistor de puissance jusqu'à ce que le courant de la bobine de 1'électroaimant ou l'enroulement de chauffage du bilame ait atteint la valeur de déclençhement, pour le déclenchement du commutateur de surintensité qui ouvre galvaniquement le circuit élec-20 trique. Le transistor de puissance peut aussi bien être du type .p-it-'p que du type h-p-ru En utilisant un transistor de puissance, du type n-p-n et un deuxième transistor, la base de ce dernier est reliée à l'émetteur du premier par l'intermédiaire 25 d'une résistance réglable. Le montage électronique est fixé sur une platine qui a, de préférence, une bonne conductibilité thermique, de façon à évacuer rapidement la chaleur dégagée par le transistor de puissance. 30 Cette platine comporte des fiches de contact pour le raccordement du montage électronique, ces fiches pouvant être enfoncées dans des douilles de la plaque à bornes, dans laquelle est également enfoncé, par ces fiches, le commutateur de surintensité à bouton-poussoir. 35 Dans le commutateur de surintensité indiqué ci-dessus, il est nécessaire d'avoir une puissance très forte, car la commande ne dépend pas seulement de l'intensité, mais encore, de la tension. Afin de pouvoir commander ce comcaitàteur avec une puissance faible, et uniquement en fonction de l'intensité, 40 il est prévu que, lors de la suppres sioiidsSaliaison de la base du 13070 4 2007114 transistor de puissance à l'autre raccord du consommateur,'„et'; lors de la suppression de la résistance de mesure, la résistance en série avec la bobine de 1'électro-aimant (résistance et potentiomètre) et la jonction émetteur-collecteur d'un transistor de commande 5 du transistor de puissance, en série avec la résistance, sont montés en parallèle avec la bobine. Cela permet de supprimer une liaison avec l'autre conducteur de liaison pour le consommateur par ce que, selon l'invention, le commutateur est uniquement commandé en fonction de 101'intensité. C'est pour cette raison qu'il faut une faible puissance* Si on ferme le circuit électrique du commutateur, selon l'invention, on obtient tout d'abord l'état conducteur sur le seul transistor de puissance, si bien que le courant 15 de puissance se répartit dans la bobine et la jonction colleoteur-émetteur du transistor de puissance. S'il arrive alors une surintensité, la chute de tension sur la résistance de mesure augmente. Cette augmentation de tension rend oonducteur le transistor de commande qui commande le blocage du transistor de puissance. Il en 20 résulte line augmentation de la chute de tension dans le montage de protection qui créé un état conducteur en avalanche du transistor de commande. Cette augmentation de la tension et l'augmentation correspondante de l'intensité dans la bobine de 1'électro-aimant en--traînent le déclenchement du commutateur et 1'ouverture du circuit 25 de puissance à l'aide des contacts de commutation. Comme7 en général, les petits transistors de commande ont une inertie plus faible que les grands transistors de puissance, il est nécessaire de bloquer le transistor de commande pendant une durée assez longue, lors du branchement' du 30 circuit général, afin que le transistor de puissance puisse atteindre son état conducteur» C'est à cet effet que, suivant un autre mode de réalisation de l'invention, il est prévu une capacité entre la base du transistor de commande et le conducteur de liai-35 son entre la résistance de mesure et l'émetteur du transistor de commande. Ce condensateur peut#égalementfs'utiliser pour réduire la sensibilité à l'enclenchement lorsque des pointes de courant se créent à l'enclenchement dans las instruments à pro-40 téger. C'est à cet effet qu'il est prévu "une résistance-série entre 69 13070 5 2007114 la résistance de mesure et la base du transistor de commande, résistance par l'intermédiaire de laquelle se charge le condensateur. Même pour des courants nominaux élevés correspondants à des surintensités fortes, il faut pouvoir déclencher 5 et c'est pour cette raison qu'il est prévu, selon l'invention, que le deuxième transistor de commande est monté entre le transistor de puissance et le transistor de commande, la base du deuxième transistor de commande étant reliée au collecteur du premier transistor dont l'émetteur est relié à la base du transistor de puissance et dont le 10 collecteur est relié, de préférence par une résistance .série à ^ l'extrémité correspondante de la bobine de l1électro-aimant. L'invention sera mieux comprise en regard de la description ci-après et des dessins annexés représentant des exemples de réalisation de l'invention, dessins dans lesquels : 15 - La figure 1 représente un commutateur de surintensité, selon l'invention, combiné v o un montage éleo-troniquep - la figure 2 représente un commutateur de surintensité combiné à n un autre montage électronique, 20 - La figure 3 représente le commutateur de surintensité avec un montage électronique analogue à celui de la figure 2, utilisant un transistor de puissance n-p-nv - La figure 4 représente un commutateur de surintensité combiné avec un autre montage électronique, selon 25 l'invention. Le montage, selon les figures. 1 à 3, représente un quadripole dont les raccords d'entrée 1 et 2 sont reliés \ à une source de courant continu et les raccords de sortie 3 et 4 à ; un utilisateur non représenté. 30 Dans le conducteur de raccord 5 supérieur se trouve une série de contacts de commutation 6 d'un commutateur de surintensité 7 commandé par un bouton-poussoir, une résistance de mesure 8 et une bobine 9 du commutateur de surintensité 7i Les extrémités de la bobine 9 sont reliées à - l'émetteur et le col— 35 lecteur d'un transistor de puissance 10, dont la base est reliée par une résistance 11 à - un conducteur de raccordement 12 inférieur; L'extrémité de la résistance de mesure 8 située du côté de la bobine 9, est reliée par une diode 13 avec 40 la base du transistor de puissance 10» La diode 13 peut également 69 13070 e 2007114 être une diode Zener» On admet que» comme utilisateur» on considère un montage à transistors;, dont la limite est de 50 A^mlcro-secondes. Le commutateur de surintensité utilisé, a un temps de com-5 mutation de 5 microsecondes» si bien que le courant de court-cir-cuit maximal aux raccords 39 4» doit être limité à j(50 k)Zm 22,3 A» ou réduit dans l'intervalle d'une microseconde; 5 La source de courant possède une tension continue de 24 V et le courant d'utilisation est de 8 Ai La limite 10 d'intensité est atteinte lorsque la somme des résistances de la résistance de mesure 8 et de la bobine 9» est de 1-Tl.i Dans ce cas, la résistance de mesure 8 doit être établie de façon à ce que, pour une charge nominale, la chute de tension soit plus faible que la tension de rupture de la diode 13 et de la jonction émetteur-base du tran-15 sistor de puissance 10» En fonctionnement normal, le transistor 10 est commandé par la résistance 11• Il est alimenté par la fraotion d'intensité du courant d'utilisation qui provient du conducteur comprenant la résistance de la bobine 9 et la résistance de la jonction,, 20 émetteur-collecteur du transistor 10 à l'état conducteur. Un tel transistor de puissance possèd®, à l'état conducteur, pour un courant continu de 8 à 10 A, une tension de 0,25 à 0P3 V correspondant à -une résistance de passage de 0,04 Il en résulte que la plus grande partie du courant continu 25 traverse le transistor de puissance lorsque la résistance de la bobine 9 est fixée à une valeur limitant l'intensité. Si maintenant, l'intensité augmente dans le poste d'utilisation, alors la chute de tension augmente également dans la résistance de mesure 8, si bien que la tension de la 30 base du transistor 10 augmente par rapport à la tension de l'émetteur. De cette façon, le transistor de puissance devient conducteur et le courant délivré se règle sur la valeur déterminée par la résistance de la bobine 9. Le commutateur 35 de surintensité 7 est ainsi sollicité et la boucle est ouverte éleetriquement par les contacts de commutation 6. La vitesse d'amorçage de montage (figure 1) jusqu'au moment de la réduction d'intensité dépend de la vitesse avec laquelle augmente l'intensité» Pour, une augmentation lente de l'intensité, on obtient une ouverture re-40 lativemei.it lente du transistor de puissance 10. La limitation de 69 13070 7 2007114 l'intensité peut également s'obtenir pour une augmentation très ra-'pide de 1'intensité» dans une durée inférieure à une micro-seconde, le montage selon la figure 1 est principalement destiné pour des circuits d'utilisation avec des surintensités à augmentation rapi-5 de. Dans le montage de la figure 2, il est prévu un transistor 14 à la place de la diode 13» selon la figure 1 . L'émetteur de ce transistor est relié à l'extrémité de la résistance de mesure 8 et le collecteur est relié à la base du transistor 10 de puissance 10. La base du transistor 14 est reliée par une résistance fixe 15 et une résistance variable 16 au collecteur de transistor de puissance 10; Dans ce cas s, en fonctionnement normal» le transistor 10 est également commandé par l'intermédiaire de la résistance 11 ; La tension émetteur de base du transistor 14 est 15 choisie très faible» afin que ce transistor ne soit pas commandé prématurément. Lorsque le courant d'utilisation augmente, la chute de tension dans la résistance de mesure 8 augmente également» si bien que la tension de commande du transistor 14 augmente 20 également. Par suite de la commande du transistor 14» la tension de base du transistor devient positive» si bien que ce transistor 10 continue à s'ouvrir et que la tension émetteur-base du transistor 14 continue à augmenter; Cette augmentation de tension entraîne une augmentation de la conductibilité du transistor 14» si 25 bien que le transistor de puissance 10 s'ouvre en avalanche. La limitation du courant d'utilisation s'effectue par l'intermédiaire de la résistance de la bobine 9. Dès que l'intensité correspondante est atteinte» on obtient l'ouverture. Le circuit» selon la figure 3» se dis-30 tingue de celui de la figure 2, uniquement par ce que, dans ce dernier montage» on utilise un transistor de puissance 10 du type p-r^pj, alors que» dans le montage de la figure 3» on prévoit un transistor de puissance 17 du type n«=»p—n.. Dans le montage des figures 2 et 3» le 35 courant d'amorçage peut être choisi par une résistance réglable 16» dans une certaine plage de fonctionnement; Le montage, selon la figure 1 » ne peut pratiquement être réglé que par le choix des résistances 8, 11 et de la diode 13» en fonction des intensités correspondantes. 40 A la place du commutateur de surinten- 69 13070 8 2007114 site décrit ci-dessus, on peut également utiliser un autre commutateur qui comporte un déclenchement effectué par un.enroulement chauffant d'un*Mlame. Oet enroulement peut être utilisé comme résistance de chauffage 8. Si on effectue ainsi le réglage du seuil 5 d'amorçage pour la réduction de l'intensité pour une certaine valeur correspondante à la valeur nominale, alors on peut protéger la zone intermédiaire de la caractéristique de surintensité, déterminée par le chauffage du bilame par la résistance de mesure 8. Cette façon de procéder est particulièrement avantageuser si, dans 10 un montage, on est en présence de pointes de courant lors du branchement. ou en cours de fonctionnement^ et que ces pointes peuvent atteindre des hauteurs dangereuses. Le montage électronique peut être réglé sur une plaque de commutation séparée, munie de prises pour permettre 15 une liaison électrique simple avec une plaque à bornes. De cette façon, il est possible de munir également cette plaque de commutation du commutateur de surintensité à bouton-poussoir ; ce dernier peut lui-même comporter des prises permettant une liaison électrique et mécanique par leur enfoncement dans des douilles correspon-20 dantes de la plaque de bornes. Dans ce cas, il est seulement nécessaire de monter sur la plaque de bornes, les liaisons transversales correspondantes. Il est avantageux de réaliser la plaque de commutation en un métal bon conducteur de la chaleur afin que cette plaque 25 puisse rapidement éliminer la. chaleur dégagée par le transistor de puissance. Dans le montage selon la figure 4, les raccords d'entrée 1 et 2 sont également reliés à une source de courant continu, non représentée. Un utilisateur 18 est monté en 30 série avec les contacts de commutation 6 et la bobine 9 du commutateur de surintensité 7 commandé par un bouton-poussoir. A la place de la bobine 9, on peut également monter un bobinage de chauffage du bilame de l'interrupteur thermique du commutateur de surintensité 7. Les extrémités 19 et 20 35 de la bobine 9, sont reliées par des raccords 21 et 22, à une résistance 23 etàun potentiomètre 24 en série avec cette résistance. La résistance fixe 23 et le potentiomètre 24 constituent la résistance de mesure. La sortie 25 est reliée à la base du transis tor de commande par l'intermédiaire d'une résistance préliminaire 40 26. Entre la base du transistor de commande 27 et la conduite de 69 13070 9 2007114 liaison 21 p se trouve un condensateur 28; L'émetteur du transistor de commande 27 est relié au conducteur 21p alors que son collecteur est relié d'une partB à la base d'un deuxième transistor de commande 29p d'autre partp à une résistance 30 préliminaire g cette résis-5 tance a son autre extrémité reliée au. conducteur 22. Le collecteur du deuxième transistor de commande 29 est relié au conducteur 22 par l'intermédiaire d'une résistance 31. L'émetteur du deuxième transistor de commande 29 est relié à la base du transistor de puissance 10 dont l'émetteur est relié au conducteur 21 et dont le 10 collecteur est relié par une résistance-série 32 au conducteur 22'; Le commutateur de surintensité5 selon la figure As fonctionne comme suit s Lors du branchement du commutateur de su-15 rintensité p le deuxième transistor de commande 29- est commandé par l'intermédiaire de la résistance~série 30 jouant le rôle de résistance de base^ si bien qu'il y a également une commande du transistor de puissance 10ô Puis le courant d'utilisation passe dans la bobine 9 et- dans la jonction émetteur-collecteur du 20 transistor 10 ainsi que dans la résistance série 32, dans le rapport de leurs conductibilités. Dans ce cas* la chute de tension dans la résistance 32 doit être suffisamment élevée pour que le courant de commande passant par le deuxième transistor de commande 29 et la résistance 31 et le courant du transistor 25 29 passant par la résistance 30r puissent rendre conducteur le transistor de commande 29 et le transistor de puissance 10; La chute de tension existant à cet endroit est égale à la somme des tensions émetteur=base du transistor de commande 29 et du transistor de puissance 10j, y compris la chute de tension dans 30 la résistance-série 30 qui est due au passage du courant de base du transistor de commande 29. Il est- nécessaire de choisir la résistance 30 de façon à ceque à l'amorçagep elle engendre un courant relativement faible par rapport au courant passant par la bobine 9 l de cette façon^ la résistance de la bobine 35 9 ou d'une bobine de chauffage équivalente déterminent le passage du courant- S'il se créé une surintensité, alors la chute de tension dans les résistances 30^ 31 et 32 augmente proportionnellement à l'élévation de l'intensité. Il en est 40 de même de la chute de tension dans la résistance 23 et le pc» 13070 10 2007114 tentiomètre 24 j de cette façon» la tension de base du transistor de commande 27 augmente si bien que ce transistor devient conducteur et qu'il réalise un blocage du transistor de commande 29 et du transistor de puissance 10. 5 le blocage entraine une augmentation de la chute de tension dans le montage de protection et entraîne de nouveau un passage en avalanche dans le transistor de commande 27» Ce basculement du montage de commande entraîne le blocage du circuit de puissance ou la réduction de l'intensité du courant 10 qui est déterminée par la bobine 9» la résistance 30 et la résistance du transistor de commande 27. Cette élévation de la tension dans la bobine 9 et l'augmentation de l'intensité qui en résulte, entraînent le déclenchement du commutateur de surintensité et l'ouverture des contacts de commutation 6. 15 Lors de la fermeture de l'ensemble du cir cuit p le transistor de commande 27 est bloqué pendant un certain temps par le condensaiteur 28 et ainsi le transistor de commande 29 et le transistor de puissance 10 sont conducteurs. La capacité du condensateur 28 doit au moins être suffisamment grande pour que, 20 lors de la mise en circuit, même des intensités inférieures à la valeur d'amorçage produisent, par le réglage le plus fort du curseur 25 du potentiomètre 24» le blocage du transistor 27 au-delà du temps propre du transistor de puissance 10. Le condensateur 28 et la résistance-25 série 26 liée à celui-ci servent à réduire.la sensibilité à l'amorçage lors de la fermeture du circuit. La durée de blocage obtenue par le transistor de commande 27, grâce au condensateur 28, est déterminée par la constante de temps résultant de la valeur du condensateur 28 et du courant de commande passant par la ré-30 sistance 26 « Le courant de commande dépend de la chute de tension du dispositif de commande et ainsi de.l'intensité. La valeur du condansateur 28 est ainsi déterminée par la hauteur de la pointe d'intensité lors de la fermeture du circuit, et par sa durée. Lors de la fermeture 9 le condansateur 28 se charge à une valeur 35 déterminée par la position du curseur 25 et de la valeur de l'intensité constante. Si ultérieurement il y a des pointes ou des augmentations de courantr alors la différence de potentiel au condensateur 28, nécessaire pour l'amorçage, est plus faible que lors de la fermeture du circuit, si bien qu'en fonctionnement 40 continus, la sensibilité d'amorçage devient de nouveau plus impor 69 13070 n 2007114 tante de façon à pouvoir supprimer des pointes de courant de faible durée» et qui sont à peine supérieures au seuil d'amorçage. Par le réglage du condensateur 28 en liaison avec les résistances 23 5 24j 26, on peut obtenir une très grande 5 adaptation aux différentes utilisations; Le commutateur de surintensité représenté dans la figure 4 est destiné avant tout au déclenchement dans le cas de fortes intensités nominales. Pour des intensités nominales plus faibles, on peut supprimer le deuxième transistor de commande 10 29 et la résistance 31r, de sorte que, dans ce cas, la base du transistor 10 est reliée à la résistance-série 30 et au collecteur du transistor de commande 27. A la place de transistors p-n-p, on peut évidemment également utiliser des transistors n-p-ni 15 Bien entendu, l'invention n'est pas limi tée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés; On pourraj, au besoin, recourir à d'autres modes et à d'autres formes de réalisation sans pour cela sortir du cadre de l'invention; 69 13070 12 2007114 EETEHDIO.ATIONS 1°) Commutateur de sur intensité commandé par un bouton-poussoir, pour la protection de composants électriques sensibles aux surintensitéa/ tels que des semi-conducteurs, 5 du type à déclenchement électro-magnétique ou thermique, dans lequel la bobine de 1»électroaimant ou l'enroulement de chauffage du bilame respectivement du déclencheur électro-magnétique ou du déclencheur thermique, sont en série avec les contacts de commutation, commutateur caractérisé par ce que l'une des extrémités de la 10 bobine (ou de l'enroulement de chauffage) reliée au conducteur du consommateur, est également reliée à l'émetteur, alors que l'autre extrémité est reliée au collecteur du transistor de puissance, dont la base est reliée par l'intermédiaire d'une résistance à l'autre conducteur de 1 'utilisateur, tandis que, en série avec la bobine 15 (ou l'enroulement de chauffage) est montée une résistance de mesure dont l'extrémité du côté de la bobine (ou l'enroulement de chauffage) est reliée par une diode ou une jonction collecteur-é-metteur d'un deuxième transistor avec la base du transistor de puissance, ce qui permet de déclencher dans un très court inter-20 valle de temps. 2°) Commutateur, selon la revendication 1 9 caractérisé parce que la chute de tension dans la résistance de mesure est plus faible pour l'intensité nominale, que la tension de passage de la diode et du transistor de puissance. 25 3°) Commutateur selon les revendications 1 ou 2, à déclenchement électromagnétique ou thermique, caractérisé parce que l'enroulement de chauffage du bilame constitue la résistance de mesure, la bobine de 1'électro-aimant étant montée entre l'émetteur et le collecteur du transistor de puis-30 sance• 4°) Commutateur selon les revendications 1 ou 2, à déclenchement thermique, caractérisé par ce que l'enroulement du bilame constitue la résistance de mesure, cet enroulement étant disposé entre l'émetteur et le collecteur du tran-35 sistor de puissance; 5°) Commutateur, selon l'une ou les deux-revendications 1 et 2 à déclenchement thermique, caractérisé par ce qu'il comporte en plus de l'enroulement de chauffage du bilame un deuxième -enroulement de chauffage qui constitue la résistance 40 de mesure. 69 13070 .13 2007114 6°) Commutateur» selon l'une ou plusieurs des revendications précédentes» caractérisé par ce que la base du deuxième transistor est reliée par une résistance réglable au collecteur du transistor de puissance ou à l'émetteur du transis-5 tor de puissance. 7°) Commutateur selon l'une, ou plusieurs des revendications précédentes» caractérisé par ce que le transistor de puissance est du type n-p-n. 8°) Commutateur, selon l'une ou plusieurs 10 des revendications précédentes» caractérisé par ce que le montage électronique est fixé sur une platine de commande qui est de préférence réalisée en un matériau ayant une bonne conductibilité calorifique. 9°) Commutateur, selon la revendication 8, 15 caractérisé par ce que la platine est munie de fiches de contact pour le raccordement du montage électronique, ces fiches pouvant être enfoncées dans des douilles de la plaque à bornes, dans laquelle est également enfoncé par ses fiches le.commutateur de surintensité à bouton-poussoir. 20 10°) Commutateur, selon une ou plusieurs des revendications précédentes» caractérisé parce que la diode est une diode Zener. 11°) Commutateur, selon la revendication 1, caractérisé par ce que , lors de la suppression de la liaison 25 de la base du transistor de puissance avec l'autre raccord de l'utilisateur et lors de la suppression de la résistance de mesure, la résistance en série avec la bobine de 1'électro-aimant (résistance et potentiomètre) et la jonction émetteur-collecteur d'un transistor de commande du transistor de puissance» 30 en série avec la résistance, sont montés en parallèle avec la bobine. . 12°) Commutateur, selon la revendication 11» caractérisé par ce qu'il comporte un condensateur entre la base du transistor de commande et le conducteur reliant la 35 résistance de mesure (résistance potentiomètre) et l'émetteur du transistor de commande. 13°) Commutateur, selon la revendication 12, caractérisé par ce que» entre la résistance de mesure (résistance 23» potentiomètre) et la base du transistor de comman-40 de» est montée une résistance-série. 69 13070 14 2007114 14°) Commutateur selon la revendication 12, caractérisé par ce qu'au deuxième transistor de commande est monté^entre le transistor de puissance et le transistor de commandes, la base du deuxième transistor de commande étant reliée au 5 collecteur du premier transistor dont l'émetteur est relié à la base du transistor de puissance et dont le collecteur est relié, de préférence par une résistance-série avec l'extrémité correspondante de la bobine de 1'électro-aimant.