Brevet FR2012418A1 — publié le 19700320

L'invention concerne des dispositifs détecteurs de rayonnement électromagnétique et, plus précisément,"un détecteur semiconducteur de rayonnement électromagnétique revêtu d'une pellicule métallique qui constitue un filtre sélectif de radiation 5 pour le dispositif. Depuis longtemps, le besoin se fait sentir de détecteurs de radiation qui réagissent à la lumière ultra-violette dans une largeur de bande particulière, tout en étant pratiquement insensibles à la lumière visible et infra-rouge. Par exemple, il se-10 rait très souhaitable de disposer, pour contrôler le fonctionnement d'un four, d'un détecteur de flamme robuste, ne réagissant qu'à la partie ultra-violette du rayonnement électromagnétique dans le spectre émis par une flamme. Cette émission d-'.tilfcra-violets se situe dans la gamme d'énergie spectrale de 3,5 à 4,0 15 eV. Jusqu'ici, les détecteurs à ultra-violets fonctionnaient sur le principe de la photo-émission d'électrons à partir d'électrodes de métal. Les détecteurs de ce genre sont sélectifs dans une certaine mesure, en ce sens qu'ils sont relativement insensibles au rayonnement visible; mais ils ont pour défaut d'être incapa-20 bles de filtrer, c'est-à-dire de ne pas réagir au rayonnement à plus grande énergie qui se situe dans le domaine du rayonnement ultra-violet lointain. Certes, on a proposé à cette fin des dispositifs au carbure de silicium à jonction P-N, mais leur sensibilité est très basse et, étant donné qu'ils réagissent à 25 l'énergie spectrale dès 3,0 eV, ils ne sont pas suffisamment sélectifs pour remplir une telle fonction avec des résultats satisfaisants. L'invention est axée sur une jonction de semiconducteur du type Schottky ou barrière de surface, produite par le dépôt d' 30 une pellicule mince d'argent ou d'un autre métal approprié sur le dessus d'un cristal semi-conducteur ayant un type de conduc-tivité donné, ce cristal pouvant par exemple être en sulfure de zinc ou en arséniure de gallium. La pellicule d'argent présente des propriétés minimales d'absorption et de réflexion du rayonne- O 35 ment électromagnétique aux alentours de 3,85 eV (3220 A de longueur d'onde), mais elle atténue fortement le rayonnement en dehors de cette bande, et notamment le rayonnement_à plus faible énergie, tant par réflexion que par absorption. Ces propriétés sont étudiées dans un article de H. Ehrenreich et al., intitulé 40 Optical Properties of Aq and Cu, paru dans The Physical Review, BAD ORIGINAL^ 69 22884 2 2012418 Vol. 128, pp. 1622-1629 (1962). Les métaux de la classe dite des bronzes de sodium et de tungstène, consistant en des alliages de WO^ et de Na, ont des propriétés semblables et ils se prêtent au déplacement de leur pointe de perméabilité vers une longueur d' 5 onde voulue, par le choix de la concentration convenable du sodium dans l'alliage. Les oxydes de métaux de transition, par exemple l'oxyde de rhénium, manifestent également une pointe de perméabilité et ils sont suffisamment conducteurs pour constituer un contact métallique pour un semiconducteur. Ainsi , sil' 10 on dirige sur la pellicule mince métallique un rayonnement électromagnétique s'étendant sur tout le spectre, une certaine partie du rayonnement incident traverse la pellicule et pénètre dans le semiconducteur. En faisant varier l'épaisseur de la pellicule, il est possible d'obtenir différents degrés de sélectivité et de 15 sensibilité de pointe. Si le rayonnement transmis par la pellicule a une énergie qui dépasse la lacune d'énergie du semiconducteur, il est fortement absorbé dans ce dernier, produisant des paires d'électron-trou dans la zone de charge d'espace de la barrière de SchOttky. 20 Cela donne lieu à une force photoélectromotrice ou une photoconductibilité. Le rayonnement transmis par la pellicule,mais ayant une énergie moins grande que la lacune d'énergie du semiconducteur, n'est que faiblement absorbé par celui-ci et suscite une réaction négligeable. Ainsi, le détecteur de l'invention 25 fait appel à une combinaison de deux phénomènes différents : la pointe de photoréaction de la barrière de SchottJcy du semiconducteur, et la perméabilité maximale à une énergie de rayonnement prédéterminée, offerte par la pellicule métallique mince. Il en résulte un détecteur de rayonnement à haute sélectivité sur l'é-30 tendue d'une zone spectrale voulue. Un dispositif détecteur de rayonnement électromagnétique à haute sélectivité, selon un mode préféré de réalisation de l'invention, peut être brièvement décrit de la manière suivante. Le dispositif comprend un cristal semiconducteur -de type de conduc-35 tivite prédéterminé et une pellicule métallique, par exemple en argent, d'une épaisseur prédéterminée, appliquée sur le dessus du cristal , de telle sorte que soit formée une surface limite nette entre le métal et le semiconducteur, avec- un minimum de diffusion du métal dans le semiconducteur. 40 On comprendra mieux l'invention, tant au point de vue orga 69 22884 3 2012418 nique que fonctionnel, ainsi que d'autres buts et avantages qui s'y rattachent en se référant à la description suivante, considérée en liaison avec les dessins annexés. La fig. 1 des dessins est une vue en coupe transversale 5 d'une première forme d'exécution du dispositif détecteur de rayonnement électromagnétique de l'invention, représentant une pellicule métallique à perméabilité sélective, en contact avec un cristal semiconducteur. La fig. 2 est une vue en coupe transversale d'une deuxième 10 forme d'exécution du dispositif détecteur de rayonnement électromagnétique de l'invention, une couche antioxydation étant prévue sur toute l'étendue de la pellicule métallique à perméabilité sélective. La fig. 3 est une vue en coupe transversale d'une troisième 15 forme d'exécution du dispositif détecteur de rayonnement électromagnétique de l'invention, une pellicule métallique étant interposée entre la pellicule métallique à perméabilité sélective et le semiconducteur. On a représenté sur la fig. 1 un cristal semiconducteur 10 20 revêtu d'une pellicule métallique mince 12 appliquée de façon à former une interface 11 nette et brusque entre le métal et le semiconducteur. La pastille de semiconducteur 10 a de préférence line conductivité de type N et elle peut être constituée par un semiconducteur photosensible approprié, par exemple le silicium, 25 le sulfure de zinc,le séléniure de zinc, le sulfure de cadmium, le carbure de silicium, le phosphure de gallium ou l'arséniure de gallium. Par ailleurs, la pastille semiconductrice 10 peut avoir une conductivité de type P. La pellicule métallique 12 est constituée de préférence par un matériau présentant une chute 30 brusque de son coefficient d'absorption optique pour une énergie du rayonnement incident qui dépasse la lacune d'énergie du semiconducteur. La lacune d'énergie du sulfure de zinc à la température ambiante est de l'ordre de 3,7 eV, tandis que celle de l'arséniure de gallium est de 1,38 eV environ. L'argent est donc 35 un matériau approprié pour la pellicule métallique 12, car il est quasiment transparent aux rayons situés dans une région spectrale étroite autour de 3,85 eV d'énergie, mais il affaiblit fortement le rayonnement à l'extérieur de cette gamme, tant par réflexion que par absorption ; c'est-à-dire qu'une couche 12 40 d'argent à la propriété d'être fortement absorbante dans les ré 69 22884 4 2012418 gions visible, infrarouge et ultra-violet lointain du spectre optique, et d'être fortement perméable dans une bande étroite O de longuéuis d'onde centrée autour de 3220 À. Par contre, si 1* on devait utiliser des semiconducteurs à faible largeur de bande 5 interdite dans la fabrication du dispositif, la hauteur de la barrière de Schotitky serait réduite, ce qui se traduirait par une basse impédance, pour une polarisation nulle, de la diode formée à l'interface métal-semiconducteur. Il en résulterait un rapport signal/bruit inacceptablement bas. 10 La couche 12 d'argent est appliquée au dispositif à une température suffisamment basse pour éliminer le risque d'une diffusion d'atomes d'argent dans le semiconducteur, afin d'écarter toute possibilité d'établissement d'un contact ohmique entre la couche 12 et le semiconducteur 10. Si la couche métallique est 15 appliquée par évaporation sur une pastille de semiconducteur 10 de cette manière, il est produit dans le semi-conducteur une couche-barrière,souvent appelée barrière de Schottky,c*est-à-dire qu'il existe une discontinuité des niveaux d'énergie à la hauteur de la surface limite métal-semiconducteur, tandis que 20 les niveaux de Fermi des matériaux à polarisation nulle sont identiques. Il en résulte une zone de déplétion dans le semiconducteur à l'interface 11. On trouvera par exemple une description détaillée de ces couches-barrières dans l'article de C.A. Mead, Metal-semiconducteur Surface Barriers,dans Solid State 25 Electronics, Vol. 9, pp. 1023-1033 (1966). Un contact ohmique 13 avec la pastille 10 est établi sur la face de celle-ci opposée à l'interface 11, puis la pastille est soudée, avec interposition d'une couche d'indium 14, sur une plaque 15 de Kovar, c'est-à-dire un alliage de 17-18 % de co-30 balt, 28-29 % de nickel et 53-55 % de fer. Le contact sur la couche dfergent 12 peut être établi au moyen d'un fil de platine 16 collé à la couche dfergent au moyen de pâte d'argent 17. Pour éviter l'absorption de radiation visible à proximité de la surface limite entre la couche d'argent 12 et la pastille de semiconduc-35 teur 10, la périphérie de la couche d'argent 12 peut être revêtue d'une cire noire 18, par exemple celle dénommée Apiezon W, laquelle est à son tour recouverte de peinture noire 20. Le rayonnement transmis à travers la pellicule d'argent 12, dont l'énergie dépasse la lacune d'énergie du semiconducteur, est 40 fortement absorbé dans la couche étroite de déplétion de la 69 22884 5 2012418 barrière de Schottky,y créant des paires d1électron-trou. 11 en résulte le passage d'un courant lorsqu'un circuit est fermé entre le conducteur 16 et la plaque 15, par exemple au moyen d'une résistance de charge 21. Un rayonnement de plus petite énergie 5 n'est que faiblement absorbé et suscite une réaction négligeable. Les signaux de sortie produits à travers la résistance de charge 21 peuvent être délivrés à un appareil utilisateur (non représenté). Par ailleurs, le détecteur peut fonctionner sans source 22 de courant continu, auquel cas il se comporte comme un générale) teur photovoltaïque. Une sélectivité spectrale supplémentaire est fournie par la pellicule d'argent 12, étant donné que l'argent présente un minimum d * absorption et de pouvoir de réflexion et, par suite, un maximum de perméabilité aux rayons dont l'énergie est voisine de 15 3,85 eV; par contre, l'argent affaiblit fortement le rayonnement ayant une énergie inférieure ou supérieure à cette valeur. En choisissant convenablement l'épaisseur de la pellicule d'argent, on peut obtenir différents degrés de sélectivité et de sensibilité de pointe. Par exemple, lorsque l'épaisseur de la 20 pellicule augmente, son absorption est accrue, de sorte que la sensibilité de pointe décroît. Par contre, la sélectivité augmente en même temps que l'épaisseur, d'après le comportement du coefficient d'absorption décrit dans l'article précité de H. Ehrenreich et al. Il est donc évident que, pour-obtenir une 25 sélectivité et une sensibilité de pointe réglables, on fait appel à deux phénomènes différents. L'un d'entre eux est la pointe de réaction à la lumière fournie par la barrière de Schottky à la surface limite métal-semiconducteur. Le second phénomène est la transparence au rayonnement aux alentours d'une longueur d' 30 onde prédéterminée, fournie par la pellicule d'argent. Lorsqu'on utilise le dispositif comme détecteur de flamme dans un four, il est préférable qu'il soit couplé optiquement à l'extrémité d'un conducteur de lumière, par exemple ton barreau de quartz (non représenté) destiné à conduire le rayonnement 35 électromagnétique entre la source et le dispositif. Cela permet de placer le dispositif à une certaine distance du four , en évitant ainsi de l'exposer aux températures excessivement élevées qui sont nuisibles. Pour illustrer la fabrication du dispositif de la fig. 1, 40 on citera l'exemple suivant. Un lingot d'arséniure de gallium de 69 22884 e 2012418 type N, ayant une concentration de donneurs comprise entre 5 x 15 17 10 et 5 x 10 atomes par centimètre cube, est découpé, meulé et poli par des techniques usuelles sous la forme de pastilles de 125 à 500 microns d'épaisseur. Après quoi, une pellicule d' 5 argent, ayant typiquement une épaisseur de 5000 A, est déposée par évaporation sur l'une des faces d'une pastille pour établir le contact ohmique 13. La quantité du dépôt d'argent sur la pastille peut être contrôlée en mestirant la variation de> fréquence de résonance d'un cristal de quartz disposé à proximité de la 10 pastille et monté dans un circuit oscillateur, tandis que les molécules d'argent s'accumulent sur ce cristal. A la suite du dépôt par évaporation, la pastille est chauffée à une température de 450*C environ dans une atmosphère d'hydrogène pendant 30 s environ, pour permettre à 1 ' argent de former tin contact ohmique 15 avec la pastille d'arséniure de gallium. La face opposée de la pastille est alors meulée et décapée dans une solution à 1 % de brome dans le méthanol pendant trente minutes environ, pour éliminer les altérations superficielles. L'argent est alors évaporé sur la surface décapée de la pastille à une température du 20 support comprise entre 20*C et 200°C, de préférence de l'ordre de 150*C. Cette évaporation est effectuée de préférence à travers un masque, afin d'éviter que la pellicule d'argent ne court-circuite la diode au niveau de l'interface 11 en débordant sur les côtés de la pastille. De préférence, l'épaisseur de l'ar-25 gent est de l'ordre de 2000 A, afin d'obtenir une transmission optimale d'un rayonnement électromagnétique de 3220 A de longueur d'onde à travers l'argent, tout en maintenant une faible perméabilité dans les régions visible , infra-rouge et ultraviolet lointain du spectre. La pastille est ensuite soudée sur 30 une plaque de Kovar (marque déposée) au moyen d'une soudure à l'indium, de façon à éviter la nécessité de chauffer la pastille à une température à laquelle la couche perméable au rayonnement électromagnétique diffuserait dans 1 * arséniure de gallium. Le contact à la couche d'argent perméable au rayonnement est effec-35 tué au moyen d'une pâte à l'argent et d'ion fil de platine. Enfin, la périphérie de la couche d'argent perméable au rayonnement est revêtue de cire noire et la cire noire est recouverte de peinture noire, afin d'éviter que le rayonnement soit absorbé par l'arséniure de gallium à l'interface 11 entre l'argent et 40 l'arséniure de gallium. 69 22884 7 2012418 La fig. 2 illustre une autre forme d'exécution du dispositif détecteur de rayonnement de l'invention. La surface sensible au rayonnement, dans ce mode de réalisation du dispositif, est revêtue d'une couche d'argent 32 que traverse un rayonnement 5 électromagnétique ayant la longueur d'onde voulue. Toutefois,le cristal semiconducteur 10 est muni, entourant sa surface qui reçoit le rayonnement incident, d'une couronne 30 en un matériau isolant électrique, par exemple le bioxyde de silicium. A son tour, l'isolateur 30 est recouvert par une couronne d'aluminium 10 31. La couche d'argent 32 est déposée sur la surface sensible au rayonnement de la pastille 10 de façon à former une surface limite brusque 29 avec celle-ci, pour constituer une barrière de Schottky selon ce qui a été décrit à propos de la forme d'exécution de la fig. 1. Une pellicule 33 de fluorure de magnésium est 15 déposée au besoin sur la couche d'argent 32, afin d'éviter le ternissage de celle-ci, tout en permettant le passage, à travers elle, du rayonnement électromagnétique à la longueur d'onde à laquelle le dispositif doit réagir. Un contact électrique est établi sur la couche d'argent 32 par un fil 35 fixé à la cou-20 ronne d'aluminium 31. Cette disposition élimine la nécessité de cire noire et de peinture noire le long du bord de la couche d* argent au niveau de l'interface qui constitue la barrière de Schottky, car la couche d'aluminium 31 a une épaisseur suffisante pour être opaque au rayonnement électromagnétique incident. 25 Les dispositifs du type représenté dans la fig. 2 sont fa briqués par un procédé identique, dans l'essentiel, à celui qui a été décrit à propos du dispositif de la fig. 1, jusqu'à la phase de formation du contact ohmique. En effet, en supposant que le cristal 10 est encore formé d'arséniure de gallium de type N, 30 une couche d'argent 13 est déposée par évaporation sur la face inférieure du cristal pour établir un contact ohmique avec celui-ci et pour permettre un soudage subséquent du dispositif sur la plaque 15 par une soudure à l'indium .14. Une fois que la couche d'argent 13 a été appliquée sur le cristal 10 selon le mode pré-35 cédemment décrit, un isolateur, par exemple en bioxyde de silicium, est déposé sur la face opposée de la pastille, jusqu'à une O épaisseur de 5000 A par exemple, la pastille étant maintenue à une température de 300°C. Après quoi, une couche■d1 aluminium de O 2000 A d'épaisseur est appliquée par évaporation sur la couche 40 isolante à une température de 150°C environ. A l'aide de techni 69 22884 8 2012418 ques classiques de photorésistance, un trou est creusé dans la couche d'aluminium avec un mordant composé, en volume, de 25 parties d'acide phosphorique, 2 parties d'acide acétique, 1 partie d'acide nitrique et 5 parties d'eau, en ménageant une 5 couronne 31 d'aluminium; un trou est ensuite creusé dans la couche de bioxyde de silicium, avec un mordant composé, en volume, de 10 parties de fluorure d'ammonium à 40 % et de 1 partie d'acide fluorhydrique, en ménageant une couronne 30 de bioxyde de silicium. La couche d'argent 32 est ensuite déposée par évapo- e 10 ration jusqu'à une épaisseur de 2000 A environ sur la face exposée de la pastille 10 et sur le reste de la couche d'aluminium, le dispositif étant maintenu à une température comprise entre 20 et 200#C, notamment de l'ordre de 150°C. Si on le désire, on peut alors déposer par évaporation une couche anti-ternissage 15 de fluorure de magnésium 33 sur la couche d'argent 32, à une température de 150°C, à une épaisseur telle que la quantité de rayonnement réfléchie par le dispositif au maximum de perméabilité de l'argent soit minimale. La pastille est alors montée sur l'a plaque de Kovar 15 au moyen de la soudure à l'indium 14 20 et une jonction électrique est établie avec la couche d'argent 32 en fixant un fil 35 sur la couronne d'aluminium 31. Le détecteur de la fig. 3 représente une troisième forme d' exécution de l'invention, destinée à être utilisée dans une ambiance à température plus élevée que les dispositifs des fig. 1 25 et 2. Lorsque la température dépassé un niveau donné, il se produit une réaction entre l'argent et le support semiconducteur. Cette réaction peut porter atteinte au fonctionnement du dispositif. Par exemple, à des températures dépassant 250*C environ,il se produit une réaction entre l'argent et l'arséniure de galliurtv 30 altérant les caractéristiques de redressement électrique au niveau de l'interface argent-arséniure de gallium qui reçoit le rayonnement. Pour résoudre ce problème, on peut utiliser une couche mince de métal entre l'argent et le semiconducteur, la barrière de Schottky au niveau de 1*interface~métal-semiconduc- 35 teur étant formée par cette couche de métal interposée et par le semiconducteur et non par l'argent et le semiconducteur. La couche de métal interposée sépare donc l'argent du semiconducteur, s'opposant à toute réaction entre eux. Le métal employé entre l'argent et le semiconducteur doit être 40 capable de former une pellicule continue aux très faibles épais- O seurs, par exemple entre 50 et 200 À, afin qu'une perméabilité 69 22884 9 2012418 élevée au rayonnement soit maintenue à travers le métal. En outre, le métal ne doit pas s'allier ni réagir avec le semiconducteur ou avec l'argent, au moins aux températures de l'ordre de 200*C. Parmi les métaux qui répondent à ces exigences, on peut 5 citer le platine, le tungstène, le molybdène et le chrome. La fabrication d'un dispositif du type représenté dans la fig. 3 est quelque peu semblable à celle du dispositif de la fig. 2, en ce sois que la couche d'argent 13 est d'abord formée sur la face inférieure du cristal semiconducteur de type N 10, 10 par exemple en arséniure de gallium, afin d'établir un contact ohmique avec celuici. De plus, les couronnes superposées en un ' matériau isolant 30 tel que le bioxyde de silicium et en un matériau conducteur 31 tel que 1'aluminium, sont ensuite formées sur la face supérieure du cristal semiconducteur 10 autour de 15 la surface sensible au rayonnement de celui-ci. Mais à ce moment, une couche métallique interposée 41, par exemple en platine, est appliquée par évaporation sur la couronne d'aluminium 31 et la surface sensible au rayonnement du cristal 10 d'arséniure de gallium à une température de 150°C, de façon à former 20 une interface brusqe métal-semiconducteur 39 avec ce dernier. Une barrière de Schottky est donc formée entre la couche de platine 41 et le cristal 10. La couche de platine 41 • est évapo-rée à une épaisseur comprise entre 50 et 200 A, afin de maintenir un degré élevé de perméabilité à la radiation -incidente 25 ayant la longueur d'onde voulue. Après quoi, une couche d'argent 42 est déposée par évaporation à une épaisseur de l'ordre de 2000 A sur la pellicule de platine 41 à une température de 150°C Une couche anti-ternissage 43 de fluorure de magnésium peut être O alors déposée à une épaisseur comprise entre 1000 et 2000 A sur 30 la pellicule d'argent 42, par évaporation à une température de 150°C. Un conducteur 44 est ensuite fixé à la couronne d'aluminium 31 au moyen de soudure 45, par exemple en plomb; de même,la couche d'argent 13 sur le cristal 10 est soudée à la plaque de Kovar 15 par une soudure au plomb 40. Bien qu'une soudure au 35 plomb soit à conseiller, à cause de son point de fusion assez élevé, on peut néanmoins utiliser , si on le désire, une soudure à point de fusion encore plus élevé à la place de soudures au plomb 40 et 45. Il a donc été décrit un détecteur de rayonnement électroma 40 gnétique à sensibilité et à sélectivité élevées, recouvert d'une 69 22884 10 2012418 pellicule métallique mince pour constituer une barrière de Schottky dans le détecteur et filtrer le rayonnement électromagnétique dans les longueurs d'onde indésirables. Il a également été décrit un procédé pour la fabrication de tels détecteurs 5 ainsi qu'un procédé pour éviter une réaction entre une pellicu-■ le mince d'argent déposée sur un cristal de semiconducteur servant de détecteur de rayonnement électromagnétiqùe, sans altérer pour autant les caractéristiques de sensibilité du détecteur. Il est du reste bien- entendu que les modes de réalisation 10 de l'invention qui ont été décrits ci-dessus, en référence aux dessins annexés, ont été donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif et que de nombreuses modifications peuvent être apportées sans que l'on "s'écarte pour cela du cadre de 1* présente invention. 69 22884 n 2012418 HEVEmUOATIONB 1. Détecteur de rayonnement électromagnétique à sélectivité élevée, comprenant un cristal semiconducteur de type de conductivité prédéterminée et une pellicule métallique appliquée sur l'une des faces du cristal pour constituer une interface "brusque avec celui-ci, 5 cette pellicule ayant une épaisseur prédéterminée, le détecteur étant caractérisé par le fait que ladite pellicule métallique ne présente une perméabilité élevée au rayonnement électromagnétique que dans une bande de longueurs d'onde prédéterminée, et présente une chute "brusque de son coefficient d'absorption optique lorsque l'énergie 10 du rayonnement incident dépasse la lacune d'énergie du semiconducteur. 2. Détecteur de rayonnement électromagnétique selon la revendi- » cation 1•, caractérisé par le fait que la pellicule métallique est en argent. 15 3» Détecteur de rayonnement électromagnétique selon la revendi cation 1,, caractérisé par le fait que le cristal est en un matériau semiconducteur choisi dans le groupe constitué par le silicium, le sulfure de zinc, le séléniure de zinc, le sulfure de cadmium, l'arséniure de gallium, le phosphure de gallium et le carbure de sili-20 cium. 4» Détecteur de rayonnement électromagnétique selon la revendication 1•, caractérisé par le fait que le cristal a une conductivité de type N et que la pellicule métallique comprend une première couche de métal d'épaisseur prédétërminée, ce métal ne réagissant 25 pas avec le cristal, et une seconde couche d'argent d*épaisseur prédéterminée, la première couche étant plus mince que la seconde couche et située entre celle-ci et le cristal, la première couche formant une interface "brusque avec le cristal. 5. Détecteur de rayonnement électromagnétique selon la reven-30 dication 2., caractérisé en outre par une couche isolante protectrice, déposée sur la pellicule métallique, cette couche isolante ayant une épaisseur telle qu'elle présente un minimum de pouvoir de réflexion à la valeur maximale de perméabilité de l'argent. 6. Détecteur de rayonnement électromagnétique selon la revendi-35 cation 2., caractérisé en outre par une couronne en un matériau électriquement isolant, sur l'une des faces du cristal, et par un revêtement électriquement conducteur sur cette couronne de matériau isolant, le revêtement conducteur électrique étant en contact électrique avec la pellicule d'argent.