Brevet FR2001910A1 — publié le 19691003

La présente invention se rapporte aux procédés d'électrophotographie., et elle concerne plus particulièrement ion tel procédé selon lequel, pour produire des images en ton continu et avec une haute fidélité, on utilise un élément photosensible qui 5 comprend une couche hautement isolante, une couche photoconductrice et une couche ayant une structure de réseau qui est incorporée intégralement dans l'élément photosensible ou, au contraire, espacée de celui-ci. On a déjà proposé un procédé d'électrophotographie qui 10 consiste à appliquer un premier champ sur un élément photosensible comprenant une couche transparente hautement isolante, une couche photoconductrice et une couche transparente formant électrode, lesdites couches étant amalgamées en une structure intégrée, pour déposer une charge d'une première polarité sur la 15 surface de la couche hautement isolante ; à projeter une lumière uniforme sur la couche photoconductrice à travers la couche d'électrode transparente en même temps qu'on applique le premier champ ; à appliquer un second champ sur l'élément photosensible afin de déposer une charge de polarité opposée à celle ae la pre-20 mière charge sur la surface de la couche hautement isolante ; et à projeter une image lumineuse sur l'élément photosensible à travers la couche hautement isolante en même temps que l'on applique le second champ, de sorte qu'on obtient une image électrostatique latente qui correspond à 1'image lumineuse sur la sur-25 face de la couche hautement isolante. L'image latente est caractérisée en ce qu'elle n'est pas effacée par une irradiation ultérieure par des rayons lumineux, de sorte qu'on^peut la préserver et la développer sous la lumière ambiante pour obtenir ainsi une épreuve à haute reproductibilité et à contraste élevé. Par 30 ailleurs, ce procédé permet l'utilisation de matières photoconductrices ayant une faible résistance dans l'obscurité et une photosensibilité élevée. La présente invention se propose donc de perfectionner le procédé d'électrophotographie qui vient d'être décrit et per-35 mettre ainsi d'obtenir des images en ton continu et à haute reproductibilité. L'invention a également pour objet un nouvel élément photosensible comportant une couche à structiire de réseau destinée à exercer un effet de tamis. 40 L'invention fournit, de plus, un procédé d'électrophoto- 69 03705 2 2001910 graphie qui est exempt de ce que l'on appelle l'effet marginal. Selon un aspect de la présente invention, un élément photosensible destiné à être utilisé en électrophotographie comprend une couche transparente.hautement isolante, une couche pho-5 tosensible et une couche à structure de réseau, lesdites couches étant stratifiées dans l'ordre indiqué et étant liées ensemble en une structure intégrée. Avantageusement, l'élément photosensible comporte également une couche d'électrode transparente liée à la couche à structure de réseau. Dans certains cas, cette struc-10 ture de réseau peut être construite de manière à jouer également le rôle d'un filtre optique. Pour la mise en oeuvre du procédé nouveau d'électrophotographie, outre l'élément photosensible du type décrit, on peut utiliser un élément photosensible bien connu comprenant sim-15 plement une couche transparente hautement isolante et une couche photosensible intégralement liée à la couche isolante. Dans l'un ou l'autre des éléments photosensibles indiqués, on peut utiliser deux couches transparentes hautement isolantes sur les côtés opposés de la couche photosensible afin d'améliorer ainsi les ca-20 ractéristiques du rapport bruit/signal. Selon un mode de mise en oeuvre de l'invention, on forme une image électrostatique latente sur la surface de la couche transparente hautement isolante par un procédé qui consiste à projeter une image lumineuse sur l'élément photosensible du type 25 mentionné en second lieu à travers sa couche hautement isolante, à appliquer un champ électrique sur l'élément photosensible en même temps que l'on projette l'image lumineuse, et à projeter une image d'un réseau sur l'élément photosensible à partir du côté opposé à celui qui porte la couche hautement isolante, ladite opé-30 ration se faisant simultanément avec la projection de l'image lumineuse et l'application du champ électrique. Selon une variante de mise en oeuvre de l'invention, on peut former une image électrostatique latente par un procédé qui consiste à appliquer un premier champ sur un élément photosensi-35 t)le du type mentionné en second lieu afin de déposer une charge électrique d'une première polarité sur la surface de la couche hautement isolante, à projeter sur l'élément photosensible une image d'un réseau à partir du côté opposé à celui qui porte la couche photosensible, cette opération se faisant simultanément 40 avec l'application du premier champ, à appliquer un second champ 69 03705 3 2001910 sur l'élément de manière à déposer une charge électrique dont la polarité est opposée à la première polarité sur la surface de la couche hautement isolante, et à projeter une image lumineuse sur l'élément photosensible à travers la couche hautement iso-5 lante en même temps que l'on applique le second champ. Selon une autre variante de mise en oeuvre de l'invention, on forme une image électrostatique latente par un procédé qui consiste à applique-" un champ électrique sur un élément photosensible du type mentionné en premier lieu, à projeter une image 10 lumineuse sur l'élément à travers sa couche transparente hautement isolante en même temps que l'on applique ledit champ, et à projeter une lumière uniforme sur l'élément photosensible à travers la couche à structure de réseau en même temps que l'on applique le champ électrique et que l'on projette la lumière uni-15 forme. Selon une variante supplémentaire de mise en oeuvre de l'invention, on forme une image électrostatique latente par un procédé qui consiste à appliquer un premier champ électrique sur un élément photosensible du type mentionné en premier lieu afin 20 de déposer une charge d'une première polarité sur la surface de la couche hautement isolante, à projeter de la lumière uniforme sur l'élément à partir du côté opposé à celui qui porte la couche hautement isolante, cette opération se faisant simultanément avec l'application du champ, à appliquer un second champ sur l'élément 25 photosensible pour déposer une charge de polarité opposée à celle de la première charge sur la surface de la couche hautement isolante, et à projeter line image lumineuse sur l'élément à travers la couche hautement isolante, cette opération se faisant simultanément avec l'application du second champ. 30 L'image latente formée par chacun des procédés indiqués ci-dessus est ensuite soumise au développement par une technique usuelle mais sous lumière ambiante, car l'image latente est formée sur la couche hautement isolante et n'est pas effacée ou atténuée par l'irradiation lumineuse ultérieure. De plus, comme on 35 utilise un effet de réseau, on supprime l'effet marginal indésirable et on obtient des images claires et visibles possédant à la fois un contraste élevé et une reproductibilité élevée. Pour l'établissement du champ électrique, on peut utiliser n'importe quel moyen connu, par exemple une électrode amovible 40 placée sur la surface de l'élément photosensible ou une électrode 69 03/05 * 2001910 de décharge par effluves. La description qui va suivre en regard du dessin annexé, donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. 5 La figure 1 est une vue en perspective avec arrachement partiel d'un élément photosensible utilisé dans la mise en oeuvre du procédé se]on l'invention. La figure 2 est un schéma d'un exemple du nouveau procédé d'électrophotographie comportant l'utilisation de l'élément 10 représenté à la figure 1. La figure 3 est un schéma destiné à expliquer le mécanisme de formation d'une image électrostatique latente par le procédé montré sur la figure 2. La figure 4 est un graphique qui montre le rapport entre 15 la quantité de lumière incidente et l'intensité de la charge de surface. Les figures 5 et 6 sont des schémas destinés à expliquer le mécanisme de formation d'images électrostatiques latentes par des variantes de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. 20 La figure 7 est une vue en perspective avec arrachement partiel d'une variante d'élément photosensible. Les figures 8 et 9 représentent, en coupe, deux autres variantes d'éléments photosensibles. A la figure 1 est représenté un élément photosensible 25 bien connu comprenant une couche transparente hautement isolante 1,, une couche photoconductrice 2, une couche transparente 3 formant électrode et un substrat transparent 4, toutes ces couches étant stratifiées dans l'ordre indiqué et étant liées ensemble en une structure intégrée. 30 La figure 2 permet d'expliquer schématiquement le prin cipe du nouveau procédé d'électrophotographie utilisant l'élément photosensible selon la figure 1, procédé selon lequel on applique un champ électrique d'une polarité prédéterminée à travers la couche-électrode 3 et une électrode 10 de décharge par effluves, 35 sous forme de fils métalliques ou d'un ensemble de fonderie formé de fils métalliques et comportant une contre-électrode transparente 11 mise à la masse, à partir d'une source 5 de courant continu à haute tension et par l'entremise d'un commutateur 6, on projette une image lumineuse d'un objet 8 sur l'élément photo-40 sensible à travers un objectif J, e travers la contre-électrode 69 03705 5 2001910 transparante 11 et la couche hautement isolante 1, et on projette à travers un second objectif 7a l'image d'un réseau 9 Qui peut avoir été préparé par impression ou par photogravure et dont la construction est identique à celle qui est utilisée pour les po-5 choirs dans une machine d'impression. Bien qu'il soit préférable d'utiliser l'élément photosensible qui est représenté, en raison de son faible prix de revient, de la simplicité de sa construction et de son aptitude à recevoir un champ uniforme, il va de soi qu'on peut aussi bien 10 utiliser l'un quelconque des éléments photosensibles de nombreux autres types connus. On peut utiliser n'importe quelle matière transparente hautement isolante pour former la couche transparente et hautement isolante 1, à la condition que la matière soit transparente 15 aux rayons lumineux et puisse préserver la charge électrique ou 1'image électrostatique latente formée sur sa surface. On peut préparer la couche photosensible 2 en une matière photoconductrice quelconque telle que Se, CdS, SeAs, Se-Te, ZnO, CdSe, etc... La couche d'électrode transparente 3 peut être formée d'une pellicule 20 conductrice transparente en SnÛ2j Cul, etc..., ou elle peut être formée d'une mince couche semi-transparente d'un métal déposé par vaporisation, par exemple d'aluminium. Bien qu'il ne soit pas toujours nécessaire d'utiliser le substrat 4 dont le rôle principal est celui d'un renforcement mécanique, un tel substrat peut être 25 formé en n'importe quel matériau transparent à la lumière, par exemple en verre, ou en une résine synthétique. Bien que la figure 2 représente schématiquement un exemple du procédé selon l'invention, il est essentiel d'effectuer simultanément la projection de l'image lumineuse de l'objet à 30 travers la couche hautement isolante 1, la projection de l'image lumineuse du réseau 9 et l'application d'ion champ en courant continu sur l'élément photosensible. Pour cette raison, la contre-électrode 11 utilisée pour stabiliser la décharge à effet couronne doit être construite en un matériau conducteur d'électrici-35 té et transparent aux rayons lumineux, par exemple en verre "Nesa". Les phénomènes impliqués dans le procédé de l'invention sont simples et on les a représentés schématiquement sur la figure 3. La zone de gauche A de la figure 3 correspond aux parties 40 brillantes de l'image lumineuse qui est projetée sur l'élément 69 03705 6 2001910 photosensible à travers la couche transparente hautement isolante 1 et aux parties brillantes du réseau projetées à travers le substrat transparent et la couche-électrode transparente 3* les rayons lumineux provenant des parties brillantes indiquées étant mon-5 très par des flèches. Etant donné que cette zone est irradiée par une lumière relativement intense des deux cotés à la fois, la migration des charges électriques dans la couche photoconductrice est fort importante, de sorte qu'une charge importante se dépose sur la sur-10 face de la couche hautement isolante. Dans la zone B qui correspond aux parties brillantes de l'image lumineuse et aux parties obscures du réseau, l'absence d'une stimulation lumineuse par en dessous a pour effet de modifier quelque peu la distribution des charges dans la couche photo-15 conductrice. Toutefois, en raison d'ion phénomène qui est courant dans de nombreux procédés d'électrophotographie du type considéré, la réponse est essentiellement la même pour les lumières incidentes dont la quantité est supérieure à une valeur préfétermi-née. Pour cette raison, la densité de la charge déposée sur la 20 surface de la couche hautement isolante demeure sensiblement la même pour les deux zones A et B. La figure 4 représente une courbe typique montrant le rapport entre la quantité de la lumière incidente (Q en abscisses) et l'intensité de la charge (I en ordonnées) déposée sur la surface de la couche hautement isolante 25 ou de celle d'une image électrostatique latente formée sur ce'cte surface. Comme on peut le constater à l'examen de la figure 4, étant donné qu'en un point indiqué par (a) où l'intensité de la lumière incidente est élevée, la densité de la charge électri-30 que 6 sur la surface de l'élément photosensible devient saturée ou demeure à une valeur sensiblement constante malgré un changement notable de la quantité de lumière incidente, il est facile de construire un élément tel que les parties qui correspondent aux parties obscures de l'image lumineuse du réseau projetée par 35 en dessous et les parties qui correspondent aux parties brillantes de la même image lumineuse auront la même valeur de 6. Quand la quantité de lumière incidente projetée sur les parties qui correspondent aux parties obscures de l'image lumineuse de l'objet à travers la couche hautement isolante est choisie de façon à 40 avoir une valeur représentée par le point (a), la différence entre 69 03705 7 2001910 les zones A et B correspondant aux parties brillantes et obscures du réseau devient négligeable. Dans la zone C (figure 3) Qui correspond aux parties sombres de l'image lumineuse et aux parties brillantes du réseau, étant donné que la stimulation par la 5 lumière se fait à travers la couche-électrode transparente 3 par l'image du réseau, la couche photosensible 2 est excitée partiellement pour établir une charge de surface qui est telle que représentée par le point (c) sur la figure 4, mais dans la zone D qui correspond aux parties obscures aussi bien de l'image lumi-10 neuse que du réseau S, pour la simple raison qu'aucune stimulation lumineuse n'existe, on observe un phénomène tel qu'indiqué en (d) sur la figure 4. Ainsi, l'effet du réseau n'apparaît que dans les parties qui correspondent aux parties obscures de l'image lumineuse mais non sur les parties qui correspondent aux parties 15 brillantes de l'image lumineuse. Pour cette raison, les parties sombres de l'image lumineuse, qui sont habituellement difficiles à reproduire de façon uniforme à haute fidélité, par suite de ce que l'on appelle l'effet marginal, sont correctement tamisées si bien que lorsqu'on développe à l'aide d'un vireur chargé, l'i-20 mage latente procure une image claire et visible sans effet marginal nuisible. Un tel effet de tamisage n'est pas seulement efficace pour reproduire avec une haute fidélité les parties sombres de l'image lumineuse ayant une intensité uniforme et une grande su-25 perficie, mais aussi pour reproduire une image lumineuse d'intensité moyenne. Quand une image lumineuse dont l'intensité est indiquée par le point (b) sur la figure 4 est projetée à travers la couche transparente hautement isolante, on observe une différence importante entre les parties qui correspondent respectivement aux 30 parties brillantes et obscures du réseau projetées à travers la couche-électrode transparente. Ce phénomène, en combinaison avec les caractéristiques des procédés classiques d'électrophotographie dont la capacité de reproduction des tons moyens est faible, contribue à assurer une excellente reproduction des images visi-35 bles. Bien que diverses tentatives aient déjà été faites pour éliminer l'effet marginal et assurer ainsi la reproduction de tons continus, aucune solution satisfaisante n'a été trouvée jusqu'à présent à ce problème. Alors que le procédé qui vient d'être décrit constitue 40 la technique la plus simple pour former l'image latente selon 69 03705 8 2001910 l'invention, dans le procédé d'électrophotographie utilisant un élément photosensible qui comprend une couche superficielle transparente hautement isolante, on dispose de nombreuses autres techniques pour former des images électrostatiques latentes par un 5 réglage approprié de la distribution des porteurs de charge dans la couche photoconductrice. Le concept de l'invention est également applicable à ces divers procédés. Comme on l'a dit plus haut, on a mis au point certains procédés comportant l'application successive de champs électri-.10 ques de polarités opposées. L'un de ces procédés consiste à appliquer un premier champ sur l'élément photosensible pour déposer une charge d'une première polarité sur la surface de la couche hautement isolante, à projeter une lumière uniforme sur la couche photoconductrice 15 à travers la couche transparente et simultanément avec l'application de ce premier champ, à appliquer -un second champ sur l'élément photosensible pour déposer ainsi une charge de polarité opposée à celle de la première charge sur la surface de la couche hautement isolante, et à projeter une image lumineuse sur l'élé-20 ment photosensible à travers la couche hautement isolante, en même temps que l'on applique le second champ, de sorte qu'on obtient une image latente électrostatique intense qui correspond à 1'image lumineuse sur la surface de la couche hautement isolante. L'application de ces mêmes stades au procédé selon l'in-25 vention produit des effets différents. Plus précisément, quand on projette l'image d'un réseau à travers la couche-électrode transparente au cours du premier stade pendant lequel on applique le premier champ, on obtient un effet qui est exactement opposé à celui qui vient d'être décrit. La figure 5 représente la distri-30 bution des charges établies sur la surface de la couche hautement isolante et dans la couche photoconductrice dans les conditions indiquées, alors que la figure 6 montre la distribution des charges au cours du second stade consistant à projeter l'image lumineuse simultanément avec l'application du second champ. 35 Aux endroits irradiés par la lumière à travers la couche- électrode transparente de l'élément photosensible au cours du premier stade, un grand nombre de porteurs de charge libres apparaissent dans la couche photoconductrice 2. Si 1'on suppose que la polarité des porteurs majoritaires est, par exemple, positive, 40 on choisit la polarité du champ appliqué de manière que la pola 69 03705 9 2001910 rité de la charge électrostatique déposée sur la surface de la couche hautement isolante soit négative (c'est-à-dire opposée à la polarité des porteurs majoritaires) j dans ces conditions, parmi les paires de porteurs de charge libres apparues, les por-5 teurs majoritaires migrent sur des grandes distances en raison de leur mobilité élevée et sont bloqués par la couche hautement isolante 1, si bien que ces porteurs seront emprisonnés dans les parties de la couche photoccnductrice la plus proche de la couche hautement isolante. Au contraire, dans les parties non irradiées 10 par la lumière, une telle charge de polarisation importante ne se formera pas. La différence entre ces distributions des charges provoque une variation de la densité de la charge électrostatique sur la surface de la couche hautement isolante. Au cours du second stade, lorsque l'image lumineuse est projetée à travers la 15 couche transparente hautement isolante simultanément avec l'application du second champ de polarité opposée, dans les parties qui correspondent aux parties brillantes de l'image lumineuse, les charges emprisonnées provenant du premier stade seront rapidement libérées et, en même temps, des paires de porteurs libres 20 seront créées dont les porteurs majoritaires migrent sur des distances importantes pour établir ainsi la distribution des charges du type indiqué par la zone A sur la figure 6. De même, dans les parties qui ne sont pas irradiées par la lumière au cours du premier stade mais qui le sont pendant le second stade de saturation 25 de la charge superficielle pour la même raison que celle qui a été expliquée à propos de la figure 4, on arrive à un état similaire à celui de la zone A, lesdites parties étant représentées en l'occurence par la zone B sur la figure 6. Dans les parties irradiées pendant le premier stade mais non pendant le second, 30 la charge emprisonnée créée au cours du premier stade est difficile à libérer car on ne dispose d'aucune stimulation lumineuse au cours du second stade mais la charge emprisonnée est partiellement seulement libérée par stimulation thermique. La persistance de la charge emprisonnée limite le dépôt d'une charge d'une pola-35 rité différente sur la surface des parties considérées, de sorte qu'on obtient une distribution de charges du type indiqué par la zone C à la figure 6. La variation de la charge est minimale dans les parties non irradiées par la lumière aussi bien pendant le premier stade que pendant le second stade, et on obtient ainsi 40 une distribution du type indiqué par la zone D sur la figure 6. 69 03705 10 2001910 Ainsi, l'intensité de l'image électrostatique latente formée sur la surface de l'élément photosensible correspondant à l'image lumineuse projetée demeure uniforme dans les parties qui correspondent aux parties brillantes de l'image lumineuse, mais 5 cette intensité est tamisée dans les parties qui correspondent aux parties obscures de l'image lumineuse. En conséquence, quand on effectue un développement classique, on obtient une image visible uniforme dépourvue d'effet marginal mais à haute fidélité. Bien entendu, l'effet de tamisage ainsi obtenu diffère 10 de celui du premier mode de mise en oeuvre car les contrastes des images tamisées sont opposés. D'une façon générale, le premier procédé dans lequel l'image de l'écran est projetée peut permettre d'obtenir des images visibles de plus forte intensité et ayant un effet de tamisage plus poussé. 15 Pour simplifier la description, il n'a pas encore été question dans ce qui précède du transfert des porteurs de charge entre la couche photoconductrice et la couche-électrode transparente. Cependant, en réalité, un tel transfert se produit entre les couches. Ce phénomène n'exige pas de modifications importan-20 tes à la description qui a été faite jusqu'à maintenant. Les exposés précédents s'appliquent également à une variante d'élément photosensible dans lequel une seconde couche transparente hautement isolante 1a est incorporée entre la couche photoconductrice 2 et la couche-électrode transparente 3* et est liée de fa-25 çon à former un tout à ces deux couches, le tout comme montré sur la figure 7« On comprend que chacun des deux procédés d'électrophotographie peut être modifié de diverses façons pour les rendre plus pratiques et pour aboutir à des modes de fonctionnement et à 30 des résultats différents. Dans ce qui précède, le réseau était projeté sous forme d'une image optique, car on obtient une excellente résolution de l'image projetée du réseau. Bien qu'on obtienne de meilleurs résultats quand l'image 35 du réseau présente une résolution plus importante et une plus grande finesse'que l'image lumineuse projetée, le mode opératoire permettant d'atteindre ce but exige une habileté exceptionnelle de la part de l'opérateur et, pour cette raison, il n'est pas toujours recommandé. 40 La Demanderesse a également mis au point un élément 69 03705 n 2001910 photosensible nouveau comprenant une structure de réseau incorporée, de nature à permettre l'application facile d'un effet de tamisage fin présentant une résolution élevée à l'image latente, ainsi qu'un procédé d'électrophotographie comportant l'utilisation 5 d'un tel élément. Les figures 8 et 9 représentent deux variantes d'éléments photosensibles, la référence 12 désignant en l'occurence un réseau. Dans chacune des figures 8 et 9 qui correspondent respectivement aux figures 1 et 7, le réseau 12 est interposé entre 10 la couche-électrode transparente 3 et le substrat transparent 4. Quand on applique l'un des procédés décrits plus haut aux éléments photosensibles représentés sur les figures 8 et 9, on obtient des images latentes sur la surface de la couche hautement isolante 1 par le même mécanisme opératoire que ci-dessus, 15 sauf qu'il se produit un transfert des porteurs de charge entre la couche transparente 3 et la couche photoconductrice 2, ou qu'un tel transfert de charge ne se produit pas. Dans l'un comme dans l'autre cas, la lumière projetée à travers la couche-électrode transparente n'a pas besoin d'être une image d'un réseau mais peut 20 être une lumière uniforme. Comme on l'a déjà dit, bien qu'il soit très difficile de projeter directement -une image d'un réseau ayant une densité de 10 lignes par mm, il devient facile avec l'élément photosensible modifié de réaliser des réseaux de résolution extrêmement élevée. 25 On pense qu'il en est ainsi par suite des effets combi nés de divers facteurs suivants : la couche photoconductrice et l'écran sont en contact direct ou ne sont espacés que de quelques microns, aucune détérioration de la qualité de l'image ne peut se produire quand l'image du réseau est projetée à travers un sys-30 tème optique, le champ est appliqué dans une direction perpendiculaire à la surface de l'élément photosensible, et les parties excitées par la lumière sont limitées aux seules parties proches de la surface sur lesquelles la lumière est projetée, de sorte que les porteurs de charge ne migrent à travers la couche photo-35 conductrice que dans le sens de l'épaisseur. Pour cette raison, même un réseau ayant une densité de 10 lignes/mm peut être soumis à une résolution facile par l'élément photosensible comprenant une couche photosensible d'épaisseur inférieure à 100 microns. Grâce à cette amélioration de la résolution et à l'utilisation 40 d'un procédé très simple d'éclairement, il est avantageux d'utili 69 03705 12 2001910 ser des éléments photosensibles du type représenté sur les figures 8 et 9. Les exemples suivants décrivent quelques-uns des nouveaux éléments photosensibles ainsi qu'un procédé d'électrophotographie 5 qui utilise ces éléments, ces exemples ne présentant aucun caractère limitatif. EXEMPLE 1 : On applique une émulsion photographique sur la surface d'un substrat de verre et on projette une image d'un réseau de 10 contrôle ayant une densité de 59 lignes/cm,- après quoi on développe le substrat ainsi enduit pour former un réseau. Ensuite, on dépose sous vide une mince couche d'or sur la surface de l'écran en ayant soin que l'épaisseur de ce dépôt assure plus de 90 % de transmission des rayons lumineux visibles, ce qui permet 15 d'obtenir une couche-électrode transparente. Sur cette couche-électrode, on dépose par vaporisation une couche d'un alliage Se-Te contenant 15 % de Te jusqu'à obtenir une épaisseur de 35 microns pendant qu'on chauffe le substrat à 60°C. On appliqué ensuite une solution appropriée d'un polycarbonate sur la surface 20 de la couche de Se-Te jusqu'à obtenir une épaisseur à l'état sec de 10 microns, et on forme ainsi une couche transparente hautement isolante. On projette sur l'élément photosensible ainsi obtenu une lumière uniforme ayant un éclairement de 3 lux, en effectuant 25 cette projection d'en bas et à travers la couche-électrode transparente. En même temps, on projette sur l'élément une image lumineuse ayant des tons continus et présentant un éclairement de 3 lux dans les parties brillantes, à travers la couche de polycarbonate. Toujours en même temps, on soumet l'élément photosensi-30 ble à une décharge par effluves pendant 0,2 seconde, décharge qui est établie entre la couche-électrode transparente et une électrode de décharge maintenue à + 6000 volts (voir figure 2), de sorte qu'on obtient une image latente qui correspond à l'image lumineuse sur la couche de polycarbonate ou couche hautement iso-35 lante. On amène ensuite l'élément photosensible sous la lumière ambiante et on le soumet aux stades d'un procédé de développement en cascade pour lesquels on utilise un mélange pulvérulent d'un vireur à charge positive et d'un véhicule à charge négative. Dans l'image visible ainsi obtenue, les parties qui correspondent aux 40 parties sombres de l'image lumineuse présentent des contrastes 69 03705 13 2001910 qui correspondent au ton de l'objet (manuscrit) avec un essai marginal négligeable, aucune portion du vireur ne restant collée aux parties qui correspondent aux zones brillantes de l'image lumineuse . On peut tirer cette image pulvérulente par une technique 5 d'impression par transfert sur un papier ou autre surface convenable. Après enlèvement du restant du vireur et effacement de la charge résiduelle de la surface, l'élément photosensible est prêt pour le cycle suivant. EXEMPLE 2 : 10 En même temps que l'on projette une lumière uniforme ayant un éclairement de 3 lux sur un élément photosensible identique à celui de l'exemple 1 à travers une couche-électrode transparente en or, on dépose me charge négative pendant 0,2 seconde sur la surface de la couche transparente hautement isolante au , 15 moyen d'une décharge par effluves. Après cette première étape, on effectue une seconde décharge également d'une durée de 0,2 seconde au cours de laquelle, en même temps que l'on projette une image lumineuse présentant des tons continus, dont les parties brillantes ont un éclairement de 3 lux, sur l'élément photosen-20 sible à travers la couche hautement isolante, on dépose une charge positive sur la surface par décharge par effluves et on obtient ainsi une image latente qui correspond à l'image lumineuse de la surface de la couche hautement isolante. On développe l'image latente sous la lumière ambiante 25 de la même façon que dans l'exemple 1, et on obtient ainsi une image visible de plus grande intensité et de ..meilleure reproduc-tibilité des tons continus, par rapport aux résultats correspondants de l'exemple 1. De plus, on ne constate aucun effet marginal même sur des parties obscures continues ayant une superficie im-30 portante. Les éléments photosensibles qui ont été décrits peuvent être modifiés pour répondre aux diverses exigences pratiques. Ainsi par exemple, la structure de réseau noyée dans l'élément photosensible était faite d'une émulsion photographique. Cepen-35 dant, comme il est plus courant d'utiliser une émulsion d'un sel d'argent, tous les rayons dans la plage visible sont interceptés. Si, toutefois, on utilisait un réseau qui joue également le rôle d'un filtre optique, on pourrait régler à volonté l'effet de cette action filtrante. Un tel réseau qui joue également le rôle d'un 40 filtre est facile à préparer en utilisant une émulsion photogra- 69 03705 14 2001910 phique colorée (voir exemple 1) mais possédant une propriété d'absorption sélective de rayons lumineux ayant une longueur d'onde prédéterminée, par exemple la lumière verte ou la lumière rouge. Si l'on fait en sorte que la fonction, d'absorption du fil-5 tre soit comprise dans la plage photosensible de la couche photosensible, on peut éliminer l'effet du réseau quand les rayons lumineux projetés à partir d'un côté du réseau sont dans l'intervalle des longueurs d'onde transmises. Par ailleurs, quand les rayons lumineux sont dans la plage d'absorption du filtre, on peut 10 établir un effet de tamisage. Une telle possibilité de contrôle de l'effet de tamisage permet d'éviter ce qu'on appelle l'effet "moiré" lorsqu'on photographie un texte imprimé qui a été apposé par une technique d'impression par sérigraphie. On peut encore régler à volonté l'intensité de l'effet de tamisage en choisis-15 sant judicieusement la longueur d'onde de la lumière projetée d'un côté du réseau, de manière à introduire des composantes ayant des longueurs d'onde aussi bien dans la plage de transmission que dans la plage d'absorption du réseau et aussi en modifiant de façon appropriée l'intensité relative de ces composantes. 20 Ainsi, selon l'invention, on utilise un élément photos sensible qui comprend une couche hautement isolante, une couche photoconductrice, une structure de réseau et une couche-électrode transparente ; ou bien un élément comprenant une couche hautement isolante, une couche photoconductrice et une couche-électrode 25 transparente. Dans le dernier cas, on projette une image d'un réseau séparé et indépendant de l'élément photosensible sur cet élément photosensible à travers la couche-électrode transparente. Pour améliorer encore l'action de tamisage, on peut combiner les deux procédés ci-dessus. 30 Bien que dans les modes de réalisation qui ont été dé crits, une couche-électrode transparente soit noyée dans l'élément photosensible, la présence d'une telle électrode transparente n'est pas essentielle car le champ électrique peut être appliqué à l'élément photosensible par une autre technique. C'est ainsi 35 qu'on peut déposer des charges en exposant l'élément à des décharges par effluves de polarités opposées sur les faces opposées de l'élément. En outre, on peut placer des électrodes transparentes amovibles de type approprié directement sur l'élément ou à une petite distance de celui-ci. On peut également donner à 69 03705 15 2001910 l'élément photosensible la forme d'un cylindre rotatif pour per mettre ainsi, en continu, la formation d'images latentes, leur développement, l'impression par transfert, le nettoyage et l'ef façage, le tout de manière bien connue. 69 03705 16 2001910 REVENDICATIONS 1.- Procédé d'électrophotographie caractérisé en ce qu'il consiste à préparer un élément photosensible comprenant une couche transparente hautement isolante et une couche pho- 5 tosensible intégralement liée à ladite couche hautement isolante ; à projeter une image lumineuse sur l'élément photosensible à travers ladite couche hautement isolante ; à appliquer un champ électrique sur l'élément photosensible simultanément avec la projection de ladite image lumineuse ; et à 10 projeter une image d'un réseau sur l'élément photosensible à partir du côté opposé à celui de la couche hautement isolante, cette opération se faisant simultanément avec la projection de l'image lumineuse et l'application du champ électrique, en formant ainsi une image latente électrostatique qui correspond 15 à l'image lumineuse sur la surface de la couche hautement isolante. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit réseau est espacé de la couche photosensible et que l'on projette l'image du réseau sur cette couche photo- 20 sensible. 3.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément photosensible comporte en outre une électrode transparente placée sur le coté de la couche photosensible opposé à celui qui porte ladite couche hautement isolante, et 25 on projette l'image du réseau à travers cette couche-électrode transparente. 4.- Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'on établit le champ électrique par une décharge par effluves entre la couche-électrode transparente et une élec- 30 trode de décharge par effluves placée au-dessus de la surface de ladite couche hautement isolante. 5.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément photosensible comprend en outre une seconde couche hautement isolante sur le coté opposé à celui qui porte 35 la première couche hautement isolante. 6.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément photosensible comprend une première couche transparente hautement isolante, une couche photoconductrice, une seconde couche transparente hautement isolante, 40 une couche-électrode transparente, et un substrat transparent, 69 03705 17 2001910 toutes ces couches étant stratifiées ensemble dans l'ordre indiqué et étant liées ensemble en une structure intégrée. 7.- Procédé d'électrophotographie5 caractérisé en ce qu'il consiste à appliquer un premier champ à un élément photo- 5 sensible comprenant une couche transparente hautement isolante et une couche photosensible liée solidairement à ladite couche isolante afin de déposer une charge électrique d'une première polarité sur la surface de la couche hautement isolante ; à projeter sur la couche photosensible une image d'un réseau à 10 partir du côté de l'élément photosensible opposé à celui qui porte la couche hautement isolante, cette opération se faisant simultanément avec l'application du premier champ ; à appliquer un second champ à élément photosensible afin de déposer une charge électrique ayant une polarité opposée à celle 15 de la première charge sur la surface de la couche hautement isolante j et à projeter une image lumineuse sur l'élément; photosensible à travers la couche hautement isolante, cette opération se faisant simultanément avec l'application du second champ, en formant ainsi une image latente qui corres-20 pond à l'image lumineuse précitée sur la surface de ladite couche hautement isolante. 8.- Procédé selon la revendication J, caractérisé en ce qu1on établit le premier champ et le second champ par des décharges par effluves. 25 9.- Procédé selon la revendication J, caractérisé en ce que l'élément photosensible comprend en outre une couche-électrode transparente sur le côté de l'élément opposé à celui qui porte la couche hautement isolante, l'image du réseau étant projetée à travers ladite couche-électrode transparente. 10.- Procédé d'électrophotographie caractérisé en ce qu'il consiste à préparer un élément photosensible comprenant une couche transparente hautement isolante, une couche photosensible et une couche à structure de réseau, ces couches étant stratifiées dans l'ordre indiqué et étant liées ensemble en 35 une structure intégrée ; à appliquer un champ électrique sur l'élément photosensible ; à projeter une image lumineuse sur l'élément photosensible à travers la couche hautement isolante, cette opération.se faisant simultanément avec l'application du champ électrique ; et à projeter une lumière uniforme sur 40 l'élément photosensible à travers la couche à structure de 69 03705 18 2001910 réseau, cette opération se faisant simultanément avec l'application du champ électrique et avec la projection de la lumière uniforme, en formant ainsi une image latente qui correspond à ■l'image lumineuse sur la surface de la couche hautement iso-5 lante. 11.- Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'élément photosensible comporte en outre une seconde couche hautement isolante interposée entre la couche photosensible et la couche à structure de réseau et liée intégralement 10 à chacune de ces .deux couches. 12.- Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'élément photosensible comporte en outre une électrode transparente placée sur le coté de la couche photosensible opposé à celui qui porte ladite couche hautement iso- 15 lante, et on projette la lumière uniforme à travers cette couche-électrode transparente. 1^.- Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'on établit le champ électrique par une décharge par effluves. 20 14.- Procédé d'électrophotographie caractérisé en ce qu'il consiste à préparer un élément photosensible comprenant une couche transparente hautement isolante, une couche photosensible et une couche à structure de réseau, ces couches étant stratifiées dans l'ordre indiqué et étant liées ensemble 25 en une structure intégrée ; à appliquer un premier champ électrique à l'élément photosensible pour déposer une charge d'une première polarité sur la couche hautement isolante ; à projeter une lumière uniforme sur l'élément photosensible à partir du côté de celui-ci qui est opposé à celui qui porte la 30 couche hautement isolante, cette opération se faisant simultanément avec l'application dudit champ électrique ; à appliquer un second champ à l'élément photosensible pour déposer une charge ayant une polarité opposée à celle du premier champ sur la surface de la couche hautement isolante ; et à projeter 35 une image lumineuse sur l'élément photosensible à travers la couche hautement isolante, cette opération se faisant simultanément avec l'application du second champ électrique, en formant ainsi une image latente correspondant à l'image lumineuse sur la surface de la couche hautement isolante. 40 15•- Procédé selon la revendication 1, la revendi 69 03705 19 2001910 cation 7 ou la revendication 14, caractérisé en ce qu'on développe ladite image latente sous la lumière ambiante. 16.- Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'élément photosensible comprend en outre une seconde 5 couche hautement isolante interposée entre la couche photosensible et la couche à structure de réseau et intégralement liée à ces deux couches. 17.- Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'élément photosensible comprend en outre une couche- 10 électrode transparente interposée entre la couche photosensible et la couche à structure de réseau et intégralement liée à ces deux couches. 18. Elément photosensible destiné à être utilisé en électrophotographie et caractérisé en ce qu'il comprend une 15 couche transparente hautement isolante, une couche photosensible et une couche à structure de réseau, toutes ces couches étant stratifiées dans l'ordre indiqué et étant liées ensemble pour former une structure intégrée. 19.- Elément selon la Revendication 18, caractérisé 20 en ce qu'il comprend en outre une couche-électrode transparente interposée entre la couche photosensible et la couche à structure de réseau et liée à ces deux couches de manière à former une structure intégrée. 20.-Elément selon la revendication 18, caractérisé 25 en ce qu'il comprend en outre une seconde couche transparente hautement isolante et une couche-électrode transparente qui sont interposées entre la couche photosensible et la couche à structure de réseau et sont liées à ces deux dernières de manière à former une structure intégrée. 30 21.- Elément selon la revendication 18, caractérisé en ce que l'élément photosensible comprend en outre un substrat transparent lié à la couche à structure de réseau de manière à former une structure intégrée. 22.- Elément selon la revendication 18, caractérisé 35 en ce que la couche à structure de réseau joue également le rôle d'un filtre optique.