Brevet FR2011567A1 — publié le 19700306

-L 20939 2011567 La présente Invention se rapporte à des dispositifs magnétiques d'emmagasinage d'information et, plus particulièrement à une mémoire à courant coïncident composée de plusieurs matrices comprenant chacune une partie de lecture destructive (DRO) et une partie de lecture non destructive à programme fixe (NDRO). L'invention permet de réaliser une mémoire combinée DRO bloc-notes et NDRO à câblage incorporé utilisant pour les deux fonctions les mêmes composants de sélection d'adresse, de détection et de synchronisation des cycles de la mémoire et qui permet de mettre en oeuvre une technique NDRO fixe par omission d'éléments d'emmagasinage constitués par des noyaux magnétiques à des emplacements choisis à l'avance de chacune de ses matrices tout en permettant l'utilisation d'enroulements de détection présentant la même configuration géométrique en dépit des configurations différentes des positions des noyaux omis de chaque matrice . D'autres caractéristiques de l'invention apparaîtront au cours de la description qui vé suivre . Aux dessins annexas donnés uniquement à titre d'exemple : la Fig.l est une représentation, sous forme de schéma symbolique, de l'organisation de mémoire générale d'une calculatrice dans laquelle on utilise la mémoire suivant l'invention ; la Flg.2 est une charte des temps, représentant la logique de synchronisation et d'adresse utilisée pour assurer le fonctionnement de la mémoire ; la Flg.3 est une représentation, sous forme de schéma symbolique, du circuit de commande de l'un des axes de lignes de commande de la mémoire ; les Fig.4A et 4b représentent les schémas de câblage des conducteurs de commande à travers les diverses matrices de la mémoire ; la Fig.5 montre de quelle manière les diverses matrices de la mémoire sont montées après le câblage des conducteurs ; la Fig.6 représente les parties relatives d'une matrice affectées aux sections DRO et NDRO de la mémoire et- l'enroulement d'inhibition de sa section DRO ; . la FIg.7 représente un© section dro et une section ndro prévues sur l'une des matrices d'une mémoire suivant l'invention; la Fig.8 représente la configuration d'enroulements de détection prévue sur les matrices respectives de la mémoire, et BAD ORIGINAL 69 20939 2 2011567 la Fig.9 est une boucle d'hystérésis présentée pour expliquer un aspect du fonctionnement de la section ndro de la mémoire . La FIg. 1 représente l'organisation de mémoire géhéraie d'une 5 calculatrice dans laquelle la mémoire suivant l'invention est représentée en 10, avec les commandes d'entrée, de sortie et de synchronisation associées .La mémoire 10 est une mémoire à noyaux, à courant coïncidant , comportant une section dro "bloc-notes" et une section ndro à programme fixe assurant une capacité d'em-10 magasinage totale de 6.144 mots dans 13 matrices .Chaque matrice comprend 128 x 48 positions d'emmagasinage réparties entre ses sections dro et ndro combinées et représente une position de bit différente de chacun des mots de mémoire . L'accès de la mémoire est assuré à partir d'un ensemble de 15 traitement central ( non représenté ) de la calculatrice qui fournit une adresse codée à un registre d'adresse 11 à basculeurs à 13 positions de bit . Les signaux de sortie binaires du registre d'adresse sont transmis à un décodeur d'adresse 12, couplé avec la matrice 14 de sélection de conducteurs qui comprend les 20 sections l4x et l^Y de commutateurs d'accès aux axes X et Y . La section l4x de commutateurs d'accès à l'axe X comprend un jeu de l4 commutateurs de lecture et un Jeu de l4 commutateurs d'écriture, permettant la sélection de l'un^ quelconque de 48 conducteurs d'excitation X agencés en une matrice 6 x 8 de six grou-25 pes de huit conducteurs .L'une des extrémités, de chaque conducteur dExcitation, faisant partie d'un groupe de huit conducteurs, est connectée à un commutateur commun parmi six commutateurs de lec-ture et à un commutateur commun parmi six commutateurs d'écriture, ces commutateurs étant respectivement désignés, ci-après, sous 30 les noms de "commutateurs de destination de lecture" et "commu- tate.urs de source d'écriture" .L'autre .extrémité de chaque conducteur ou ligne d'excitation d'un groupe de huit lignes d'excitation est connectée-, par l'intermédiaire d'une diode pilote, à l'une de huit paires de commutateurs lecture-écriture, respecti-35 vement désignés ci-après, sous les noms de "commutateurs de source de lecture" et "commutateurs de destination d1écriture ". Ainsi , une ligne d'excitation X quelconque peut être choisie par actionnement de l'un des six commutateurs de destination de lecture ou de l'un des six commutateurs de source d'écriture et de 40 l'un des huit commutateurs de source de lecture ou de l'un des BAD ORIGINAL 69 20939 3 2011567 huit commutateurs de-destination d'écriture . La section l4Y de commutateurs d'accès à l'axe Y comprend deux jeux de 24 commutateurs de lecture et d'écriture, permettant la sélection de l'une quelconque de 128 lignes d'excitation Y 5 qui sont disposées en une matrice 8 x l6 de huit groupes de seize conducteurs . Le décodeur d'adresse 12 décode une Instruction d'adresse de mémoire pour fournir des signaux d'adresse de niveau logique d'actionnement aux commutateurs de destination et de source de lecture et d'écriture connectés au conducteur X et au conducteur Y qui définissent le mot adressé ou correspondant à ce mot . Selon que le mot adressé est contenu dans la section DRO de la mémoire ou dans sa section NDRO, le décodeur permet aussi l'extraction d'un niveau logique de sortie DRO ou NDRO d'un ou plusse; sieurs jeux de sorties du registre d'adresse . Les commutateurs de lecture et d'écriture adressés sont actionnés à des Instants différents à partir de la section de commande logique de synchronisation de la mémoire 15 et connectent un conducteur X et un conducteur Y choisis dans des circuits OQ d'excitation séparés en vue de la réception d'un jeu de courants d'excitation appliqués dans le sens de la lecture et d'un autre jeu de courants d'excitation appliqués dans le sens de l'écriture pendant les phases ou parties de synchronisation respectives du cycle de la mémoire . 25 La section logique de commande ou de synchronisation de la mémoire 15 est actionnée par une impulsion de déclenchement de mémoire MSP 60 reçue de l'ensemble de traitement central et comprend un compteur binaire à baseuleurs rythmé à partir d'un générateur de synchronisation ou de rythmesdes bits de mémoire •50 de manière à fournir à la mémoire les signaux d'entrée de synchronisation ou de rythme de lecture, d'inhibition et d'écri -ture, représentés en C ,E et D sur la charte du temps de la mémoire de la Fig.2 . Les signaux de sortie rythmés de lecture des sections DRO et NDRO sont représentés en K et P et présen-■55 tent une paire d'impulsions d'échantillonnage périodique décalées dans le temps,engendrées séparément dans la commande de rythme 15• Le circuit de commande de l'axe X de lignes d'excitation est représenté sur la Flg.3, avec les signaux de commande de 40 rythme qui assurent son actionnement .Le commutateur de destina 69 20939 2011567 tion de lecture 30 et le commutateur de source d'écriture 31 sont actionnés pour une opération de lecture DRO rythmée pour la lecture et pour une opération de lecture NDRO (DRO) rythmée pour l'inhibition, opérations pendant lesquelles un courant est 5 envoyé par le bloc d'alimentation 32 dans un premier sens, à travers le commutateûr de destination de lecture 30, la ligne d'excitation 33> une diode pilote 34, le commutateur de source de lecture 31, et un régulateur de courant série identifié en l6 sûr les deux Fig. 1 et 3.Le commutateur de destination d'écriture 10 36 et le commutateur de source d'écriture 37 sont actionnés pour une opération DRO rythmée pour l'écriture et pour une opération NDRO rythmée pour la lecture, pendant lesquelles un courant est envoyé en sens inverse du premier par le bloc d'alimentation 32, à travers la ligne d'excitation 33, le commutateur de destination 15 d'écriture 36, une diode pilote 38, le commutateur de source d'écriture 37 et un régulateur 16 de courant d'axe X Le circuit de commande de l'axe Y de lignes d'excitation est analogue, à cela près que le régulateur 17 de courant d'axe Y assure un taux de croissance plus lent des courants d'excita-20 tion dans les lignes d'excitation d'axe Y que-le taux de croissance assuré par le régulateur 16 de courant d'axe X , pour les conducteurs X, comme indiqué en F et G sur la Fig.2. De même, les commutateurs de destination de lecture Y et les commutateurs de source de lecture Y sont actionnés pour une opération de 25 lecture NDRO rythmée pour l'écriture, et non plus rythmée pour l'inhibition . Les amplificateurs de détection, représentés en 18 sur la Fig.l sont utilisés pendant des opérations de lecture conjointement avec les enroulements de détection pour chaque matrice de 30 noyaux pour permettre la lecture en parallèle d'un bit d'information à partir de chaque matrice et. son transfert dans le registre 20 de données de mémoire .Les amplificateurs de détection sont échantillonnés périodiquement au moyen de l'impulsion de rythme d'échantillonnage représentée en K sur la FIg.2 pour 35 une opération de lecture DRO et au moyen de l'impulsion de rythme d'échantillonnage représentée en P sur la Fig.2 pour une opération de lecture NDRO. Les dispositifs de commande d'inhibition, représentés en 19 sur la Fig.l sont utilisés pendant des opérations d'écriture 40 conjointement avec l'enroulement d'inhibition pour permettre 69 20939 2011567 l'inserlption d'une information provenant du registre 20 de données de mémoire , en parallèle, dans la section DRO de chaque matrice .Les dispositifs de commande de l'inhibition sont commandés par le signal de rythiae d'inhibition (IT), Indiqué en E sur 5 la Fig.2, et sont sélectivement actionnés par un bit d'information provenant d'une section correspondante du registre 20 de données de mémoire . Les matrices 40, représentées sur les Fig.4A et 4b sont formées d'éléments d'emmagasinage magnétiques 42 à noyaux toriques 10 disposés suivant une configuration rectangulaire-, sur des lignes d'excitation X et Y .Les noyaux sont en ferrite de lithium, et sont capables de fonctionner dans une large gamme de températures. Chaque matrice comprend une section DRO et une section NDRO, des noyaux étant supprimés à certains emplacements de la section 15 NDRO pour permettre la mise en oeuvre d'une technique de mémoIre fixe .Les sections DRO et NDRO se partagent les conducteurs de l'un des axes de coordonnées de lignes d'excitation et le même enroulement de détection .La section DRO comprend un groupe de conducteurs de l'autre axe de coordonnées et un enroulement 20 d'inhibition .Aucun enroulement d'inhibition n'est prévu pour la section NDRO de chaque matrice . Après le câblage des matrices, de la manière décrite ci-après, elles sont assemblées en rabattant ou pliant les matrices à noyaux sur les surfaces avant et arrière de quatre panneaux 25 de montage espacés 51 à, 54, comme indiqué sur la Fig Les matrices ont une configuration rectangulaire et 128 eon-30 ducteurs Y ainsi que 48 conducteurs X y sont enfilés, ces conducteurs s'étendant de façon continue, à travers toutes les matrices, pour éviter la nécessité de connexions soudées entre les matrices adjacentes .Chaque matrice présente le même diagramme d'orientation de ses noyaux, les noyaux adjacents de chaque ma-35 trice étant orientés dans des directions orthogonales . Chaque conducteur Y s'étend en ligne droite a travers toutes les matrices, tandis que chaque conducteur X change de direction en traversant des matrices adjacentes-.Les rangées impaires 1... 127 de conducteurs Y, désignées par y000... ¥126 , comœan-40 cent ou entrent du côté gauche d© la matrice 13 et sortent du côté droit de la matrice 13 QQmm isifiiqué sur la Fig»4A, tandis BAB ORIGINAL 69 20939 2011567 que les rangées Impaires 2 ... 128 de conducteurs Y,YOOl...Y127, commencent du côté droit de la matrice 1 et sortent du côté gau-de la matrice 13» comme indiqué sur la Fig.4B. Les colonnes Impaires- 1 ... 47 de conducteurs X,X00 ... X46, commencent ou en-5 trent du côté supérieur de la matrice 13 et sortent du côté Inférieur de la matrice 1, comme Indiqué sur la Fig*4A, tandis que les colonnes paires 2 ... 48 de conducteurs X XOl ... X47 commencent ou entrent du" côté Inférieur de la matrice 13 et sor-tend du côté supérieur de la matrice 1, comme Indiqué sur la 10 Fig.4b. Pour que chaque matrice puisse présenter les caractéristiques électriques convenables» etr pour que toutes les matrices utilisent le même diagramme d'orientation de noyaux, les conducteurs X impairs , tels que XOO ... X46 apparaissant dans les 15 première et quatrante-septième colonnes des matrices 13 et 1, sont transposés de façon qu'ils traversent les colonnes paires, telles que les colonnes 2 ... 46, en traversant en sens inverse les matrices 12 et 2, tandis que les conducteurs X de colonnes paires tels que XOl ... X47 apparaissant dans les colonnes 2 20 et 48 des matrices 13 et 1, sont transposés de manière à traverser les colonnes Impaires telles que 1 et 47 en traversant en sens Inverse les matrices 12 et 2, comme Indiqué sur la FIg.4B. Les enroulements d'inhibition prévus seulement pour les sections dro des matrices commencent et se terminent du mêmercô-25 té de chaque matrice .Chaque enroulement d'inhibition est bobiné de façon continue alternativement vers l'arrière et vers l'avant de telle façon que le gens du courant d'inhibition qui le traverse soit opposé-au sens du courant-qui passe sur les conducteurs des lignes d'excitation X, pendant un cycle d'écriture. 30 la Fig.6, où la matrice est orientée-pour montrer les con ducteurs X et Y s'étendant dans le sens des axes de façon correspondante, - 1 'enroulement d'inhibition 62 est enfilé parallèlement aux conducteurs des lignes X dans la section dro de chaque matrice . 35 Deux enroulements de détection 51,52 sont prévus sur chaque matrice .Les enroulements de détection traversent les deux sections DRO et NDRO de chaque matrice et sont bobinés suivant des configurations complémentaires le long des diagonales opposées de la matrice, en commençant et en se terminant du même 40 côté d'une matrice, comme Indiqué sur les Fig.6 et 8. BAD ORIGINAL 69 20939 7 2011567 Sur les 6.144 mots de capacité d'emmagasinage, 1.024 mots ont une teneur modifiable et sont contenus dans la section DRO ou variable de la mémoire .Les 5-120 autres mots de la mémoire ont une teneur de programme fixe et sont contenus dans la sec-5 tion NDRO ou permanente, comme indiqué sur la Fig»7.Les huit premiers des 48 conducteurs des lignes d'excitation d'adresse X, de chaque matrice, sont utilisés pour la section variable DRO prévue dans chaque matrice .Les quarante autres conducteurs de lignes d'excitation X sont affectés à la partie fixe de la mé-10 moire .Les conducteurs Y traversent les deux sections DRO et NDRO de chaque matrice et sont partagés par celles-ci . La mémoire permet la mise en oeuvre d'une technique de mémoire permanente ou fixé, par suppression de noyaux, aux emplacements où des ZEROS doivent être extraits par lecture.Ainsi , 15 des noyaux ne sont prévus qu'à certains emplacements de la section NDRO fixe, suivant une configuration d'information fixe d'une-première polarité magnétique représentant une configuration de UNS emmagasinés qui est effectivement emmagasinée dans la mémoire .Du fait que l'information de chaque mot est différen-20 te, chaque matrice présente une configuration différente de position de noyaux manquants représentant des ZEROS dans la section NDRO . La Fig.7 représente une section combinée DRO-et NDRO de l'une des matrices d'une organisation de mémoire dans laquelle 25 les deux premières rangées de conducteurs de lignes X sont contenus dans la section DRO variable de la matrice et relient entre eux un jeu complet de noyaux . La section fixe se comporte des noyaux qu'aux emplacements-qui représentent un UN et est caractérisée par des positions de noyaux manquants représentées par 30 un astérisque ( x) aux emplacements qui représentent un ZERO. Outre la réduction du nombre de noyaux, ce mode de mise en oeuvre d'une-technique de mémoire fixe permet l'élimination d'uh enroulement-d'inhibition pour la section fixe de la mémoire, avec une réduction résultante de la consommation d'énergie des 35 organes-de commande d'inhibition et du temps nécessaire à l'enfilage des noyaux de la section variable de la mémoire .Toutefois, la suppression de noyaux dans la section NDRO de la mémoire peut provoquer un déséquilibre de bruit de vibration sur la ligne de détection, résultant des noyaux restants d'une ligne 40 d'excitation sur laquelle des nombres inégaux de noyaux orientés 69 20939 8 2011567 en opposition peuvent avoir été retirés . Dans les conditions les plus défav°rables, tous les noyaux restants d'une ligne d'excitation produisent des vibrations de même polarité sur les lignes de détection .En conséquence, au lieu de s'annuler, les 5 bruits de vibration peuvent se combifeer cumulâtIvement, pour produire une tension de bruit, à la sortie de détection, dépassant le seuil ou niveau de discrimination UN/ZERO de l'amplificateur de détection et peuvent entraîner une Interprétation ambiguë d'un ZERO comme étant un UN. 10 Daps le mode de réalisation décrit comportant une croissance relativement lente du courant Y, on peut supposer que les caractéristiques des noyaux et des amplificateurs de détection sont telles que jusqu'à douze vibrations non annulées ^ peuvent être tolérées pour un rapport signal/bruit de-vibration acceptable dans les amplificateurs .Le cas le-plus défavorable de vibrations non annulées dans une ligne d'excitation X et dans une ligne d'excitation Y est-, toutefois, celui qui résulte de l'omission de 64 noyaux sur une ligne X ét de 20 noyaux sur une ligne Y, ce qui dépasse le nombre tolérable de vibrations non annulées 20 nécessaires pour que les amplificateurs de détection distinguent un UN d'un ZERO. L 69 20939 s 2011567 avec le champ produit par le courant de la ligne X pour commuter un noyau choisi dans la seetioçi NDRO. La Fig.2 montre comment le temps d'accroissement lent de la forme d'onde 0 du courant de. lecture Y empêche d'interpréter par erreur un signal de sortie 5 ZERO comme étant un signal de sortie UN, en raison du b#uit delta de l'axe Y. Comme le montre la f&çme d'onde Q, le bruit delta engendré par le courant de lecture X représenté par-la fbrme d'onde N, apparaît et décroît avant l'accroissement du courant de lecture-Y. Si le courant de lecture Y avait la même pente 10 que le courant de lecture-X, le bruit delta produit par lui serait superposé au signal de sortie de détection et la somme de ces tensions dépasserait le seuil UN.L'application de l'impulsion d'échantillonnage périodique NDRO provoquerait, en conséquence , la lecture-d'un signal de détection de niveau UN au lieu 15 d'un signal de détection de niveau ZERO. Toutefois, le courant de lecture Y à accroissement relativement lent réduit la valeur du bruit delta de l'axe Y ce qui permet de lire correctement un niveau ZERO. - - Les effets de bruit delta, c'est-à-dire de la somme des-20 bruits de vibration ,-dans les lignes Y, sont traités en subdivisant l'enroulement de détection de chaque matrice en un certain nombre d'enroulements de façon que le nombre maximal de vibrations non annulées apportées par un conducteur de ligne X ou Y, à l-'ur quelconque des enroulements de détection traversant ce 25 conducteur, soit Inférieur au nombre de vibrations non annulées tolérable au.seuil du niveau de discrimination des amplificateurs de détection .Quantitativement, le nombre d'enroulements de-détection de chaque matrice correspond au nombre de lignes X de NDRO ( ou nombre de positions de bit ou de noyau possible 30 sur une ligne Y) divisé par le double du nombre tolérable de vibrations non annulées .En l'occurene.e~, deux enroulements de détection de-ce type sont utilisés, chacun d'eux traversant toute l'étendue d'une matrice mais desservant seulement la moitié' du nombre de positions de bit ou de noyaux de chaque conduc-35 teûr de ligne X ou Y de la matrice .Le nombre total de vibrations non annulées dans chaque ligne de détection est, en conséquence, inférieur au nombre tolérable de vibrations non annulées et au niveau de discrimination-de-1'amplificateur de détection prévu pour chaque enroulement de détection . 40 ®BPlificateurs de détection sont de construction classi 69 20939 2011567 que, les signaux de sortie des amplificateurs desservant une matrice étant appliqués à une porte OU et étant transmis à l'entrée de la section correspondante du registre de données de mémoire .On remarquera que les divers enroulements de détection 5 ont des configurations géométriques similaires en dépit de la configuration différente de positions de noyau vacantes de chaque matrice . En plus des dispositions décrites ci-dessus, la section NDRO de la mémoire utilise un mode de fonctionnement réarmement-10 lecture qui produit un niveau de sortie de signal-élevé à partir d'un noyau commuté de cette section »Au lieu de lire un noyau pendant la partie initiale du cycle de la mémoire, comme dans la section DRO, un noyau présent à l'emplacement NDRO adressé est rétabli ou réarmé de son niveau résiduel de rémanen-ce d'un premier état de polarité magnétique à son état rémanent non perturbé de polarité magnétique opposée . Puis le noyau est lu, au moment où il est ultérieurement ramené à son état de polarité magnétique Initial, ce qui provoque la production de son signal de sortie maximal . 20 Cette opération est représentée sur-la Fig.9 où les points P et N représentent les états rémanents d'un noyau non perturbé excité le long-de-la boucle d'hystérésis principal représentée . L'application de demi-courants de sélection aux lignes d'excitation provoque une progression-des noyaux-soumis à l'influence 25 d'une seule des lignes le long de boucles d'hystérésis secondaires telle que NQT, ce qui montre également la nature del'effet de bruit de vibration- d'un noyau non choisi ou partiellement perturbé de la-ligne d'excitation . Suivant l'historique antérieur d'application de courants de demi-sélection polaltif çnégatif ou 20 âe lecture et d'écriture à la ligne d'excitation portant le noyau, celui-ci peut être à l'un ou l'autre de deux niveaux rémanents tels que R ou L perturbés ou supprimés aux points N ou P. Si un tel noyau perturbé est lu lors de son excitation-le long du parcours RSO ou LMN, la variation de flux ainsi produite- In-25 dult une tension de sortie non maximale dans l'enroulement de détection .Par contre, en excitant le noyau, par exemple, à par-' tir du point L, à son état de polarité magnétique rémanfltnte opposée non perturbée au point N, puis en Ilsart le noyau iors de son excitation ultérieure" le long du parcours NOF, on obtient un signal de sortie plus élevé représentant une lecture UH totale. 69 20939 11 2011567 Outre qu'il élève ou améliore le niveau de discrimination UN/ZERO ou rapport signal/bruit dans l'énergie de sortie détectée, le primaire de la section NDRO amène ou ramène les noyaux interrogés à leur état représentant UN, chaque fois que la sec-5 tion NDRO doit être lue, ce qui évite une perte d'information possible entre les cycles de la mémoire ou arrêtset mises en action successifs de-celle-ci . Il est clair d'après la Fig.2 que les sections DRO ( F à K) et NDRO ( L à R) de la mémoire sont sélectivement et inversement 10 sollicitées en ce-qui concerne les opérations de lecture et d'écriture au cours des parties respectives du cycle d'accès de la mémoire . Dans le cas d'un mot adressé-dans la seetion de mémoire DRO, la paire adressée de commutateuis de-lecture de sélection de ligne 15 de chacune des sections l4x et l4Y de commutateurs d'aecès aux axes X et Y , est actionnée en-réponse à la réception d'un signal DRO de rythme de lecture d'actionnement (ET.DRO) qui est obtenu en soumettant à une opération-logique le terme rythme de lecture de la section de commande de rythme-15 de la mémoire 20 avec le terme DRO tiré de l'instruction d-'adresse décodée, fournie par l'ensemble de traitement central de la calculatrice . • L'actionnement des commutateurs de lecture permet le passage d'un courant d'excitation de demi-sélection à travers les lignes X et Y choisies,dans un sens déterminé .Les amplificateurs de détec-25 tion sont échantillonnées périodiquement avec le signal DRO d'échantillonnage 1 représenté en K sur la Fig.2 de manière à exécuter une opération-de lecture DRO pendant la phase de lecture ou «partie initiale du cycle variable de-la mémoire . La paire adressée de commutateurs d'écriture-de sélection 30 de ligne des sections l4X et lJfcY de commutateurs d'accès aux axes X et Y est actionnée, en réponse-à la réception ultérieure d'un signal DRO de rythme d'écriture d'actionnement (WT.DR0) pour permettre le passage d'un courant à travers les mêmes lignes choisies mais en sens Inverse, au cours de la partie ou 35 phase d'écriture ultérieure du cycle de mémoire . Toutefois, avant 1'actionnement des commutateurs d'écriture, les dispositifs de commande d'inhibition 19 des matrices qui exigent un signal d'entrée ZERO pour une position de bit spécifiée du registre d« données, sont actionnés par la signal de-rythme d'inhibition 40 (1T) qui apparaît antérieurement au signal de rythme d'écriture, 69 20939 12 2011567 comme représenté en D et E sur la Fig.2. Les dispositifs de commande d'inhibition actionnés provoquent le passage d'un courant dans leurs enroulements d'inhibition respectifs pour empêcher las courants d'écriture, ultérieurement appliqués,de com-5 muter les noyaux adressés des matrices spécifiées à un état représentant UN . - - Dans le cas où le mot adressé est contenu.-dans la section NDRO de la mémoire, les-commutateurs d'écriture sont actionnés avant les commutateurs de lecture. .Une paire adressée de com-10 mutateurs d'écriture de chacune des sections l4x et l4Y de com* mutateurs d'accès est actionnée,- après réception d'un signal NDRO (DRÔ*)de rythîne de lecture d'actionnement (RT.DRO*)pour permettre le passage de-courants de demi-sélection à travers les lignes X et Y choisies,dans le sens de l'écriture pendant la 15 partie ou phase initiale du cycle fixe de la mémoire pour-rétablir un noyau représentant UN présent à l'emplacement adressé de la-section NDRO-de chaque matriee . Les commutateurs de lecture des sections de commutateurs d'accès aux axes X et Y-sont alors actionnés successivement pour permettre le passage de cou-20 rants de demi-sélection à travers les lignes X et Y choisies , dans le sens de la lecture, en réponse à l'application d'uh signal NDRO rythmé pour l'inhibition d'actionnement (IT.DRd*"),pour actionner la-paire adressée de commutateurs de lecture de la section l4x de commutateurs d'accès à l'axe X et en réponse à 25 l'application ultérieure d'un signal NDRO rythmé pour l'écriture (W.'T.DR0S) pour actionner ultérieurement la paire adressée-de commutateurs de lecture de la section l^Y de commutateurs d'accès à l'axe Y .Le signal DRO d'échantillonnage périodique 2 représenté en P sur la Fig.2 est-alors appliqué aux 26 amplifica-30 teurs de détection pendant la dernière partie eu phase du cycle de la mémoire pour transférer 1'Information des enroulements de détection en parallèle au registre de données de sortie de la mémoire . 69 20939 2011567 REVENDICATIONS 1-MémoIre matricielle à courant coïncidant assurant un emmagasinage d'information en une série d'emplacements adressables caractérisé en ce qu'elle comprend une section modifiable ou 5 à lecture éfe"strua:tl\ce (DRO) comportant un élément d'emmagasinage magnétique birémanent commutable (42) en chacun de ses emplacements adressables et une section fixe ou à lecture non destructive (NDRO) comportant un élément d'emmagasinage birémanent commutable (42), seulement en certains de ses emplacements adresse dables, en concordance avec une configuration-d'information fixe d'une première nature-magnétique emmagasinée de-façon permanente dans la section fixe de la mémoire, des moyens d'inhIbition(62) pour la section DRO de la mémoire (10) propres à y rétablir„et modifier l'information qu'elle contient, et des moyens de dé-tection (51,52) communs à la section DRO et à- la section NDRO de la mémoire (10) pour lire une Information dans ces sections. 2-Mémoire suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que les éléments d-'emmagasinage mcggnétiques (42) sont couplés à des conducteurs d'excitation (33) orientés suivant deux 20 axes de coordonnées différents (X,Y) , la section DRO et-la section NDRO de la-mémoire se partagent les conducteurs d'excita tion (33) de l'un des axes de coordonnées (X,Y). 3-Mémoire suivant-la revendication 2, caractérisée par le fait que les éléments d'emmagasinage magnétiques (42) sont des 25 noyaux magnétiques, la section NDRO ( par exemple X3 à X6) de la mémoire (10) cnecomportant des noyaux ^qu-en,^certains- -. Iuj de ses emplacements et ne comportant pas de noyaux (x) èn ses autres emplacements . 4-Mémoire suivant la revendication 3» caractérisée par le £0 fait que la mémoire (10) est formée d'une série de matrices (40) différentes représentant des bits.,comportant chacune une section DR£) et une section NDRO,-cette dernière ayant une configuration différente de positions de noyaux absents (x) dans chacune des matrices (40) de la mémoire, les moyens de détection comprenasfc„ 35 des enroulements de détection séparés (51,52) ayant-la même configuration géométrique pour chaque matrice (40) de la mémoire (10) indépendamment de-la configuration différente des positions de noyaux absents (x) de chacune des matrices . 5-Mémoire suivant la revendication 4, caractérisée par le 40 fait que les moyens de détection de chaque matrice (40) compren- i*T 69 20939 2011567 nent une série d'enroulements de détection (51,52) traversant chacun sur toute son étendue la matrice (40) associée mais desservant seulement un nombre proportionnel-de positions de bit dans cette matrice en fonction du nombre d'enroulements de dé- 5 tection (51,52) prévus pour chaque matrice (40). 6-Mémoire suivant la revendication 5, caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens (30,31,32,34,16) pour exciter les conducteurs d'excitation (X), des moyens (15) de rythme de cycle de mémoire comportant une première partie rythmée (C) et 10 une seconde partie rythmée (D) et des moyens actionnant sélectivement et Inversement la section DRO et la section NDRO de la mémoire pendant les parties de rythme respectives du cycle de la mémoire . 7-Mémoire suivant la revendication 6, caractérisée en ce 15 que la section NDRO de la mémoire comporte un cycle de fonctionnement rétablissement-lecture au cours duquel un élément d'emmagasinage magnétique (42) présent à un emplacement adressé dans la section NDRO est rétabli à un état rémanent non perturbé pendant la première partie du cycle de la mémoire et est lu 20 pendant la seconde partie de ce-cycle . 8-MémoIre suivant la-revendication 7, caractérisée en ce que les moyens de rythme du cycle de la mémoire comportent une partie rythmée de lecture (C), une partie rythmée d'inhibition (E) qui suit l'expiration de la partie rythmée de lecture (C) 25 et une partie rythmée d'écriture (D) déclenchée ultérieurement au déclenchement de la partie rythmée d'inhibition (E) , et -dans laquelle les conducteurs d'excitation orientés le long de «A l'axe X sont répartis entre la section DRO et la section LNDRO de la-mémoire (10), les conducteurs d'excitation orientés le 30 long de l'axe X et^affectés à.la section NDRO de la mémoire {par exemple X3 à-X6) étant excités pendant la partie rythmée d'inhibition (E) du cycle de la mémoire, tandis que les conducteurs orientés le long de l'axe Y sont excités pendant la partie rythmée «l'écriture (D) ultérieurement déclenchée du cycle 35 de la mémoire au cours d'une opération de lecture de la section NDRO de celle-ci . 9-Mémoire suivant la revendication 8, caractérisée en ce qu'elle comprend un amplificateur de détection (18) pour chacun des enroulements de détection (51,52) d'une matrice (40), et 40 dans laquelle les moyens (15) de rythme du cycle de la mémoire 69 20939 15 2011567 fournissent un premier signal d'échantillonnage périodique aux amplificateurs (18) de-chaque matrice (40) pendant la première partie (C) du cycle de la mémoire pour une opération de lecture DRO et fournissent un second signal d'échantillonnage 5 périodique (P) aux amplificateurs de détection (18) de chaque matrice (40) pendant la seconde partie (D) du cycle de la mémoire pour une opération de lecture NDRO.