Brevet FR2002178A1 — publié le 19691017

L'invention se rapporte à des compositions isolantes de liaison ou de mise en pot qui conviennent particulièrement comme composé d'enrobage, d'encapsulage ou de mise en pot, ou comme liant dans les dispositifs de circuits microrainiatures, par exem-5 pie dans les dispositifs à circuits intégrés et à minces films. Au cours de la décade passée, l'effort concerté à porté sur la réduction de la dimension des circuits électroniques en vue d'économiser l'espace, de réduire le poids et d'augmenter la fiabilité. Toutefois, lorsqu'on en vient aux circuits micro-10 miniatures, on rencontre des difficultés croissantes à assurer les petites zones de bornes, les faibles espacements des conducteurs, e,t l'isolation suffisante des éléments de ces circuits. la pratique actuelle illustrative, dans la fabrication 15 des semiconducteurs et circuits intégrés, consiste à fixer les éléments semiconducteurs à des supports d'interconnexion et à des boîtiers, tels que les conditionnements plats, au moyen de soudure eutectique.. Oette soudure se réalise en chauffant le conditionnement à la température eutectique de l'alliage or-20 -silicium, et en introduisant le dispositif de silicium dans la surface d'or du conditionnement. Oe procédé présente les inconvénients de ne pas permettre le passage des conducteurs imprimés sous les éléments de silicium, ce qui court-circuiterait électriquement le dispositif, et la faible densité du conditionnement. 25 D'autres techniques relatives à la liaison des éléments de circuits électriques, tels que les dispositifs semiconducteurs ou à circuits intégrés, sur les substrats de support au moyen d'un ciment isolant, ne semblent avoir rencontré qu'un succès modéré seulement, apparemment principalement du fait du manque 30 de compositions convenables de liaison. La présente invention a pour objet la réalisation d'une composition isolante de liaison ou de mise en pot qui présente un faible coefficient de dilatation et une grande stabilité thermique, composition qui, par suite, convient particulièrement 35 à l'encapsulage d'éléments de circuits électroniques, ou pour lier ces éléments à un substrat. 69 04051 2 200217 A cette fin, l'invention réside en une composition isolante de liaison ou mise en pot présentant un faible coefficien de dilatation et une grande stabilité thermique, comprenant un mélange d'une composition organique résineuse et d'une charge 5 inorganique, inerte, finement divisée, présentant un coefficient négatif de dilatation. L'invention, en particulier, réside également en un composant électronique comprenant un substrat sur lequel est disposé un dessin à film mince de conducteurs métalliques, et au moins 10 un élément de circuit électronique, électriquement relié à ce dessin, cet élément ou chaque élément de circuit étant cimenté à ce substrat au moyen, de la composition isolante ci—dessus. La composition de liaison ou mise en pot peut être complètement polymérisée sur place, ce qui améliore sa sécurité 15 générale sans criques ultérieures. Elle permet le passage des conducteurs d'interconnexion sous les éléments de circuit fixés directement au substrat. Il s'ensuit la possibilité de montage sous boîtier d'un plus grand nombre d'éléments de circuits dans un unique dispositif, de sorte que les ensembles électroniques * 20 peuvent être plus légers, de fabrication et d'entretien plus simples, et moins onéreux. La différence de dilatation entre des matières dissemblables, lorsqu'elle se concentre dans la zone de faibles conducteurs électriques de shuntage, ou d'interconnexions, dans les 25 composants électroniques, peut introduire de sévères allongements et contractions périodiques des conducteurs avec les variations de température. Par suite, dans les ensembles microminiatures, qui peuvent subir des variations appréciables de température, on a trouvé nécessaire d'accorder les coefficients 30 de dilatation des éléments des circuits microminiatures, des conducteurs d'interconnexion, du substrat et du ciment isolant» On a constaté que la composition de liaison ou mise en pot décrite ci-dessus possède un coefficient de dilatation assez bas, maintenant la dilatation et la contraction au minimum, pour 35 satisfaire largement aux susdites conditions requises. On a constaté en outre que la composition de liaison présentait d'excellentes propriétés d'isolement, une résistance suffisante à l'humidité, une excellente force d'adhérence, de bonnes pro 69 04051 3 2002178 priétés de résistance aux cliocs thermiques, de protection, ainsi que la possibilité d'accepter un conducteur déposé, avec taie bonne adhérence du conducteur au liant» A l'état polymérisé, le ciment assure des surfaces continues, lisses, sans vides, 5 criques ni autres imperfections superficielles brusques qui, par ailleurs, nuiraient au dépôt ultérieur des conducteurs, ou auraient tendance à concentrer les efforts générateurs de défaillance à l'endroit du conducteur. On a constaté que les composants électroniques dont les 10 éléments de circuit sont liés aux substrats au moyen de la susdite composition de liaison ou ciment supportaient des variations appréciables de température. L'invention ressortira mieux de la description qui va suivre donnée à titre d'exemple en référence au dessin annexé, sur 15 lequel : - la fig. 1 est une coupe transversale d'un élément de circuit semiconducteur microminiature ; - la fig. 2 est une coupe transversale du substrat ; - la fig. 3 est une coupe transversale du substrat après 20 dépôt d'un cirçuit à film mince et après meulage de la cavité ; - la fig. 4 est me coupe transversale après introduction de l'élément de circuit microminiature dans la cavité ; - la figo 5 est une coupe transversale après dépôt du ciment isolant pour le remplissage des intervalles entre le sub- 25 strat et l'élément de circuit ; - la fig. 6 est me coupe transversale après dépôt des conducteurs d'interconnexion ; - la fig. 7 est une vue en plan illustrant un type de dispositif de circuit microminiature ; et 30 - la fig„8 est une coupe transversale montrant une autre forme de réalisation de l'invention. En référence à la fig. 1, l'élément microminiature 1 représenté, tel que par exemple un corps de semiconducteur comme le silicium, est composé d'une couche de silicium de 35 "fcype ix* d'une couche de silicium de type p et d'une jonction p-n. Cet élément microminiature peut être tout élément électronique actif ou passif, ou un certain nombre de ces éléments sous forme intégrée. L'élément de circuit peut être rond, carré, 6/9 U4U5H , O0Ô9 ou de toute autre forme» les éléments de circuits peuvent prendre la forme de copeau micro-point, et consistent en général en un composant semiconducteur individuel produit sur place sur des substrats de verre ou de silicium. Ges micro-points peuvent va= 5 rier de dimension, laquelle est en général comprise entre 0,075 et 0,75 mn en hauteur, et entre 0,75 et 1,5 mm de diamètre. la fig. 2 représente le substrat. Celui utilisé dans un montage microminiature doit être soigneusement choisi car sa surface peut influencer l'orientation cristalline du composant, et 10 ses caractéristiques mécaniques et physiques peuvent affecter le fonctionnement du dispositif de circuit microminiature. Eh général, la matière constituant le substrat doit présenter une combinaison de faible conductivité électrique et faible constante diélectrique. Une trop forte conductivité peut être cause de 15 court-circuit et de fuite. Une constante diélectrique élevée peut introduire une capacité répartitri.ce accompagnée d'un effet indésirable sur le comportement du circuit. En outre, les matières destinées aux circuits à forte densité de puissance, générateurs d1 une grande quantité de chaleur, doivent avoir un coeffi-20 cient élevé de conductivité thermique ainsi qu'un grand pouvoir rayonnant et chaleur spécifique. Quelques matières utilisées pour ces substrats sont : les verres à base de soude et de chaux, au boro-silicate, et de silice fondue ; les céramiques d'oxydes d'aluminium et de 25 béryllium ; et les résines silicones et fluorocarbures à haute température, le verre à la chaux est le plus couramment utilisé comme matière pour substrats, en raison de son faible prix et de sa faible rugosité de surface* Il a un coefficient de dila- C tation de 8,6 x 10" par °0. Si un plus faible coefficient de 30 dilatation peut être toléré, alors le verre au boro-silicate (2 x 10-6 par °0) et la silice fondue (0,54 x 10~^ par °0) conviennent mieux en raison de leurs meilleures propriétés de résistance aux chocs thermiques. les fig. 3 à 7 représentent une forme de réalisation de 35 la présente invention utilisant un liant à faible dilatation pour cimenter les éléments microminiatures, tels que les blocs semiconducteurs, dans les cavités formées dans les substrats. On remarquera que les éléments peuvent être cimentés, sans être i 04051 5 2002178 encastrés dans les cavités, directement sur la surface du substrat, afin de former le dispositif de circuit, un certain nombre de ces éléraents pouvant être assemblés afin de constituer tin bloc électrique de dispositifs de circuits microminiatures. La fig. 3 représente une cavité 21 formée dans le substrat 10. Les cavités peuvent être creusées dans le substrat par meu-lage, par impact aux ultrasons, ou autres procédés connus. Cette figure représente également le circuit 20 à film mince sur la surface du substrat. La fig. 4 représente l'ensemble après introduction 4e l'élément microminiature dans la cavité sur le dessus d'une quantité de ciment 30 suffisante pour que la surface supérieure de cet élément affleure, à i 0,125 mm près, la surface supérieure du circuit à film mince. Les intervalles 31, à ce moment, ne sont pas remplis de ciment isolant. La fig. 5 représente l'ensemble après remplissage de ces intervalles 31 de la fig. 4. Une petite quantité dépassante de ciment forme un pont en 40. Ce remplissage des intervalles peut être accompli par sérigraphie en faisant passer le ciment à travers un masque qui recouvre la surface du composant, ou en pulvérisant le ciment à travers un pochoir convenable. Ce ciment est un mélange de vernis isolant, d'agent de thixotropie, et d'une charge inorganique inerte. Le vernis isolant utilisé dans le ciment est une solution ou un mélange fluide renfermant une résine à haute température. On peut citer comme exemples convenables les solutions préliminaires qui produisent les résines aromatiques polyimides ou aromatiques polyamide-imides» Les résines aromatiques polyimides et leurs précurseurs sont décrits dans les brevets Etats-Unis 3 179 631, 3 179 632, 3 179 633 et 3 179 634 auxquels on pourra se référer en ce qui a trait aux détails des procédés de préparation de ces solutions préliminaires et des résines solides. Ces solutions et résines solides aromatiques polyamides*imides sont décrites et font l'objet des revendications du brevet Etats-Unis U0 3 179 635 concédé à la Société Demanderesse, et auquel on pourra se référer pour les détails des procédés de préparation de ces résines. Quelques solvants que l'on peut utiliser avec ces précurseurs aromatiques polyimides 69 04051 6 2002178 et aromatiques polyamides-imides sont i'acétsmide de diméthyle et le suifoxyde de diméthyle» D'autres solvants sont décrits dans les susdits brevets, les résines polymères d'oxyde de di-phényle à ponts de méthylène conviennent également comme con-5 stituant du vernis isolant du ciment de liaison. Ces résines possèdent des propriétés remarquables de résistance à l'humidité, et aux chocs thermiques. On ;peut citer à titre d'exemples comme solvants utilisables avec cette résine le toluène et le xylène-10 le ciment renferme également une charge inorganique inerte, finement divisée de silicate de lithium-aluminium ayant un coefficient négatif de dilatation. On peut citer comme exemples de ces charges inorganiques de silicate de lithium-aluminium des dérivés de petalite, spodumène et eucryptite. la péta-15 lite est un disilicate de lithium et d'aluminium avec de faibles quantités de sodium, et"sa composition est ligO.AlgO^.SSiOg ou liAltSigO,-^. On la trouve dans les pegmatites de granité avec d'autres minerais de lithium, le spodumène est un méta-silicate de lithium et d'aluminium avec de faibles quantités possibles de 20 sodium et de chrome, et sa composition est ligO.AlgO^^SiOg ou liAl(SiO^)2« On le trouve dans les pegmatites granitiques avec le quartz, les feldspaths alcalins, la muscovite, la lépidolite, la tourmaline, le béryl et parfois la pétalite ainsi que certains minerais de phosphate» Eucryptite est un orthosilicate d'alumi-25 nium et de lithium de la composition LigO»AlgO^• 23x02 ou liAlSiO^. Oes charges doivent passer au tamis à 160 ouvertures au centimètre linéaire, ou plus fin. le ciment de liaison peut aussi renfermer un agent floculeux de thixotropie destiné à empêcher un écoulement excessif du ciment après application au pochoir. 30 la fig» 6 représente les conducteurs métalliques 50 d'interconnexion après leur dépôt, les conducteurs d'un usage courant sont des métaux électriquement conducteurs tels que, par exemple, l'aluminium, l'or, l'argent, le cuivre et leurs alliages, c'est-à-dire les alliages comprenant une quantité 35 appréciable de l'un au moins de ces métaux, les interconnexions entre les éléments microminiatures et le circuit à film mince formé sur le substrat peuvent être exécutées par soudure par thermocorapression, soudure aux ultra-sons, décomposition de 69 04051 7 2002178 .vapeur, pulvérisation cathodique, en utilisant un pont conducteur . de résine époxyde, ou par évaporation sous vide de minces films métalliques qui sont obtenus à travers un masque analogue à un pochoir, ou par photogravure, permettant d'obtenir une configuration 5 géométrique « On a constaté que ce dernier procédé était particulièrement efficace. Il implique le chauffage d'une matière sous vide à la température voulue pour obtenir une pression de vapeur inférieure à 5 x 10""° torr. Pour l'application de ce procédé, le métal à vaporiser est placé sur un filament de forte résistance 10 connecté entre deux barres omnibus à faible résistance. De fortes intensités passent dans les barres omnibus de sorte que le métal se vaporise et se condense sur un substrat convenablement disposé et portant un masque destiné à confiner le dépôt au dessin géométrique -désiré i 15 La fig. 7 est une vue en plan du dispositif de circuit microminiature du type à évidement, représentant un certain nombre de montages à film mince 20, le ciment isolant 40 recouvrant une partie des montages, ainsi que les conducteurs 50 d'interconnexion* 20 La fig. 8 montre une autre forme de réalisation de l'in vention, selon laquelle l'élément microminiature 1 est fixé au substrat 10 au moyen du ciment 30 de la présente invention, sans présenter de cavité. Cette figure montre également le circuit 20 à film mince, 25 et les conducteurs d'interconnexion 50 en métal, soudés par thermo-compression. EXEMPLE I. On prépara d'abord, pour servir d'éléments microminiatures, des copeaux fictifs en un semiconducteur convenable. On uti-30 lisa un substrat de silicium d'environ 0,25 mm d'épaisseur. On recouvrit celui-ci de cire fondue et on le plaça sur une plaque de métal pour le maintenir en place sur un gabarit de mohtage sous un appareil de meulage par impact aux ultra-sons. ON utilisa des tubes d'acier de diamètres intérieurs d'environ 1,25 mm comme forets* 35 et une suspension aqueuse de carbure de bore de dimension passant au tamis à 112 ouvertures au centimètre linéaire, comme composé de meulage. Puis on nettoya les éléments semiconducteurs ainsi obtenus, en utilisant les techniques normalisées de chambre de nettoyage aux ultra-sons, pendant 15 minutes avec du trichloréthylène, É>9 04051 8 2002178 et pendant 20 minutes avec une eau désionisée et un détergent de carbonate de sodium, fabriqué par Alconox Inc» de New York^ vendu sous le nom déposé de ALCONOX» On fit suivre ce nettoyage d5un rinçage dans une eau désionisée» On plaça à. nouveau les éléments 5 semiconducteurs dans la chambre de nettoyage aux ultra-sons, et on les nettoya en.appliquant les techniques normalisées aux ultra-» sons pendant 20 minutes à l'eau désionisée. On sécha enfin à l'air les éléments semiconducteurs» Ceux-ci mesuraient environ 1,25 mm de diamètre et 0,25 mm d'épaisseur» 10 On forma ensuite dans le substrat d'oxyde d'aluminium des cavités d'environ 0,25 mm de profondeur dans les limites de tolérance de 0,025 mm, sur des centres de l'ordre de 3,2 mm en appliquant les techniques de meulage par impact aux ultra-sons» On choisit comme outil de meulage un foret de 1,6 mm de diamètre„ Les 15 cavités ainsi creusées mesuraient effectivement 1,65 mm de diamètre dans le substrat d'oxyde d'aluminium non vitrifié. La profondeur de la cavité était de 0,25 mm avec un écart de ± 0,076 mm» On construisit un gabarit spécial pour maintenir et centrer les substrats pour le perçage. Les substrats avaient 51 mm au carré 20 et arrivaient à la table de perçage à la dimension voulue pour s'adapter au magasin du gabarit de microcircuit. On les recouvrit de cire fondue et on les disposa sur un gabarit carré. On fit coïncider le bord équarri du gabarit de perçage avec celui du gabarit de montage. Toutes les mesures furent prises en référence à cet an-25 gle0 Une série de trous parallèles aux bords de référence étaient percés en permanence dans le gabarit de support. On aligna également le centre du déssin sur l'mne des lignes médianes du substrat» Quatre dessins de cavités furent percés symétriquement autour du centre, suivant des coordonnées cartésiennes.. On construit un au-3Gtre gabarit ayant la dimension précise du masque de dépôt sous vide pour vérifier les substrats. On enleva alors ceux-ci des gabarits de perçage puis on les nettoya en suivant le procédé ci-dessus. Riis on les nettoya encore à l'acide chromique-sulfurique, nettoyage suivi d'un rinçage à l'eau désionisée, puis à l'alcool isopropylique, 35suivi d'un séchage par soufflage de gaz azote. Préparatoirement au dépôt du circuit a mince film d'or, le substrat fut préalablement 04051 9 2002178 nettoyé par soufflage d'azote sec, puis fut soumis à une pulvérisation sous pression de réactif du commerce à parties égales de toluène, acétone et alcool isopropylique, suivi d'un séchage à l'air. On déposa ensuite le circuit à mince film d'or sur le substrat par dépôt sous vide, le procédé normal implique 1'évaporation initiale de chrome pour obtenir l'adhérence à la surface du substrat, puis sans couper le vide, le commencement du dépôt d'or simultanément avec le chrome, et enfin l'arrêt de 1'évaporation de chrome mais continuation du dépôt d'or afin d'atteindre l'épaisseur et/ou la conductivité désirées des conducteurs d'or. les composants semiconducteurs furent fixés dans les cavités avec le ciment à faible coefficient de dilatation de la présente invention. Une faible quantité de ciment fut placée au fond de la cavité, l'élément de circuit fut placé sur le dessus de ce ciment, les copeaux fictifs furent amenés au ras du circuit à J. film mince formé sur le substratP à - 0,125 mm près, en les enfonçant dans la cavité, le ciment résineux avait la composition suivante : vernis résineux d'oxyde de diphényle polymère : 48 J» en poids (37,4 parties en poids) vendu sous le nom de Doryl B-109-3 par la Westinghouse Electric Corporation ; agent de thixotropie au gel de silice vendu sous le nom de Cab-0~Sil par la G-odfrey Cabot Company, 0,7 $ en poids (0,6 parties en poids) ; une charge inerte au lithium de la formule ligO.AlgO^oSSiOg fabriquée par la Foote Minerai Company et vendue sous le nom commercial SF Zerifac, 51,3 i° en poids (40 fi . . parties en poids). Cette charge à base de lithium a un coeffi-cient négatif de dilatation d'environ -0,13 x 10" par °C» Il est essentiel que la charge à base de lithium ait une dimension maximale passant au tamis à 160 ouvertures au centimètre linéaire, ou plus fine. On peut faire varier le pourcentage en poids des ingrédients de £ 5 $ sans effet préjudiciable sur les propriétés de résistance aux chocs thermiques. Dans cette formule., la viscosité du vernis de base B-109-3 fut réglée à j. j. 435 - 5 centipoises à 25 - 1°C, en utilisant une broche n° 1 de Yiscosimètre Brookfield à 20 ï/mn. la composition de ciment fut passée au broyeur à boulets pendant 72 heures afin d'obtenir une matière thixotropique lisse. 04051 10 78 On polymérisa ensuite l'ensemble comme suit : un minimum de 2 heures à température ambiante, suivi de 1 heure à 50°C, 65°G, 85°C, 100°G, 125°0, 175°C, et enfin 2 heures à 200°G pour polymériser complètement la résine de liaison et fixer les élé-5 ments en place» Ge programme de polymérisation était essentiel pour assurer le dégagement graduel du solvant du composé» Ensuite, on remplit de ciment de liaison les intervalles existant entre les divers composants et le substrat. Ge remplissage fut réalisé par sérigraphie à travers un masque maintenu 10 en contact intime avec les éléments par la pression de la raclette» On laissa un faible recouvrement sur le circuit à film mince et le copeau semiconducteur pour former un pont uni pour le conducteur d'interconnexion et s'assurer de l'absence de tout point faible» Le dispositif fut à nouveau soumis à une polymé-15 risation selon la précédente description afin de polymériser complètement la résine de liaison et constituer un pont de résine lisse, sans criques. Les ensembles de substrats et microcomposants furent à nouveau soumis à un nettoyage préparatoirement au dépôt selon 20 la précédente description, placés dans une monture, et un masque du type pochoir à repères fut monté sur l'ensemble. En appliquant les techniques de dépôt sous vide, les conducteurs d'interconnexion, en or, d'environ 0,15 mm de largeur et environ 0,010 mm d'épaisseur, furent déposés sur la zone délimitée par le po-25 choir de manière à relier le copeau semiconducteur et le circuit à film mince au moyen de ces conducteurs d'or- . Les copeaux semiconducteurs furent donc ainsi réunis au substrat au moyen d'un ciment isolant à coefficient extrêmement faible de dilatation, assurant une liaison de résine sans fissure 30 et supportant èes températures dans la gamme de 300°G. EXEMPLE II. Au cours de cette expérimentation, l'élément de circuit était un dispositif à circuit intégré que l'on cimenta directement à une mince semelle d'or srâ un substrat en oxyde d'alu-35 minium» Le ciment résineux avait la composition suivante : vernis résineux diphénylène polymère, 48 i° en poids (37,4 parties en poids^, vendu dans le commerce sous le nom de Doryl i 69 04051 n 2002178 3-109-3 par la ¥est inghouse Electric Corporation ; agent de thixotropie au gel de silice vendu sous le nom de Cal-O-Sil par la Godfrey Cabot Company, 0,7 en poids (0,6 partie en poids) ; une charge inerte de lithium de la formule LigO.AlgO^. 5 SSiOg fabriquée par la Foote Minerai Company et vendue sous le nom commercial de SF Zerifac, 51,3 i° en poids (40,0 parties en poids). On étala uniformément une faible quantité du ciment sur la surface de la couche d'or dans la position désirée de mon— 10 tage. On enfonça l'élément de circuit dans le ciment résineux étalé. On plaça alors le substrat, avec l'élément enlié directement à la couche d'or, dans une étuve commandée par came, à température ambiante. On éleva la température à 300°C en une heure et on maintint, ces 300°C pendant une heure. On a constaté 15 que la résine polymérisée était capable de supporter la température de liaison requise pour la soudure du fil par thermo-compression pendant de nombreuses heures, bien qu'une fraction seulement de ce temps soit requis pour effectuer l'interconnexion. Ce ciment pourrait également être utilisé pour fixer les éléments 20 de circuits à d'autres couches métalliques sur le substrat, ou à des couches vitreuses, ou isolantes organiques. Ce ciment constitue une matière de remplacement de soudure métallique entre le substrat et l'élément avec une intégrité structurelle et une stabilité thermique suffisantespour permettre les traitements 25 intérieurs. . 12 2002178 » REVENDICATIONS 1 „ - Composition isolante de liaison ou de mise en pot présentant un faible coefficient de dilatation et une grande stabilité thermique, formée d'un mélange d'une composition organique résineuse et d'une charge inorganique inerte finement di- 5 visée, présentant un coefficient négatif de dilatation. 2. - Composition isolante selon revendication 1, caractérisée par le fait que cette composition organique comprend au moins l'un des polyimides aromatiques, polyamides-imides aromatiques, et oxydes de diphényle. 10 3. - Composition isolante selon revendications 1 ou 2, caractérisée par le fait que cette charge inorganique est constituée, au moins, de l'un des composés LigO.AlgO^.SSiOg, Li20.Al20^o4Si02 et LigO.AlgO^^SiOg. 4. - Composition isolante selon revendications 2 et 3, 15 comprenant en poids 46,5 # à 50,5 d'une composition d'oxyde de diphényle à ponts de méthylène, et 49»5 à 53»5 i° de LigO.AlgO^.8Si02• 5. - Composition isolante selon l'une ou l'autre des précédentes revendications, contenant un agent de thixotropie 20 à la quantité de 0,6 à 0,8 ^ en poids de la composition totale» 6. - Composant électronique comprenant un substrat sur lequel est disposé un dessin à film mince de conducteurs métalliques et au moins un élément de circuit électronique électriquement connecté à ce dessin, cet ou chaque élément de circuit 25 étant cimenté au substrat au moyen de la composition isolante selon l'une ou l'autre des précédentes revendications 1 à 5. 7. - Composant électronique selon revendication 6, caractérisé par le fait que ce ou chaque élément de circuit est déposé dans un creux formé dans le substrat, et que les 30 interconnexions métalliques entre ce film mince et ce ou chaque élément de circuit s'étendent sur cette composition isolante fixant ce ou chaque élément de circuit à ce substrat. 8. - Composant électronique selon revendications 6 ou 7, caractérisé par le fait que ce ou chaque élément de circuit est 35 un élément semiconducteur, et ce substrat est constitué de verre à base de soude et de chaux, de verre au borosilicate, de verre de silice fondue, d'oxyde d'aluminium, ou d'oxyde de béryllium. 69 04051 13 2002178 9. - Composant électronique comprenant un substrat sur lequel est déposé un dessin de film mince de conducteurs métalliques, et au moins un élément de circuit électronique électriquement connecté à ce dessin et cimenté à ce substrat, au moyen 5 de la composition isolante selon revendication 1, selon la description en référence au dessin annexé et illustré aux fig. 6 et 7, ou fig. 8 de ce dessin.