Brevet FR2011905A1 — publié le 19700313

La présente invention concerne un groupe de composants ou dispositifs semiconducteurs appelés diodes â capacité variable ou diodes d'accord. Ces types de composants sont constitués généralement par un corps semiconducteur présentant au moins deux zones adjacentes de types de conductivité opposés 5 formant une jonction PII et par une électrode de contact sur les deux surfaces extérieures du corps semiconducteur. ?Jn particulier, les composants sont réalisés de telle sorte que la capacité provoquée par la zone de charge d'espace de la jonction PIT, quand elle fonctionne dans la direction inverse, en fonction de la tension appliquée, est variable dans d-es limites aussi larges que 10 possible ou, dons des cas particuliers, est capable d'assumer certaines valeurs de capacité. D'une manière constamment croissante,on utilise les diodes à capacité variable au lieu des types classiques de condensateurs variables ou réglables mécaniquement, telles que les capacités variables dos circuits oscillants. 15 Dans ce domaine, on indique souvent, comme inconvénient, que la tension réelle du circuit oscillant, par exemple la tension de résonance, ne peut pas être extraite pour son amplitude totale. Les raisons de ceci snnt expliquées en référence avec la figure 1 du dessin. La figure 1 représente, scliénatiquement, l'utilisation d'une diode à 20 capacité variable C^., en connexion avec un résonateur à cavité T. La diode à capacité variable, avec un condensateur isolant 0, est aménagée dans le conducteur intérieur I du résonateur à cavité. Comme cela est bien connu, chaque composant électrique présent une inductance qui est déterminée par construction. L'inductance totale Lg du résonateur à cavité est essentiellement com-25 posée de 1'inductance Lo qui est celle de construction de la diode à capacité variable et de l'inductance du résonateur à cavité L^. Sur la figure 1, les inductances sont indiquées aux points ,Pg et P^ parla ligne en trait interrompu. Les conditions de tension, aux mêmes points, sont représentées sur le côté droit de la figurel. La tension totale Ug qui appafaît dans le 30 circuit oscillant est composée de la tension du résonateur à cavité et de la chute de tension Ur la diode a capacité variable. o Jusqu'à mainten.TJit, les diodes à capacité variable ont été réalisées de la manière classique avec i deux bornes. Au moyen de ces deux bornes, les diodes a capaoité variable sont capables d'être insérées, par exemple dans 35 le circuit principal d'un circuit oscillant., Dans ce genre de construction, le le prélèvement de la tension du circuit oscillant est seulement possible en un point extérieur au boitier de la diode à capacité variable. Comme cela peut être compris facilement de ce qui précède et vu sur la figure 1, il n'est pas possible, dans ce cas, de prélever la tension totale Ug qui appa-40 raît dans le circuit oscillant. Par suite du rapport de division de tension BAD ORIGINAL 1 18638 2011905 inductif do Lq ut , la tension Uo à la diode à capacité variable est toujours perdue de toile sorte que, seulement la tension , qui est effective au point P^, est disponible. En conséquence} il n'est jamais possible d'avoir la tension maximale théoriquement possible, de telle sorte qu'une lus grande 5 amplification doit être réalisée. Ceci est particulièrement désagréable dans le cas de circuit oscillant HF, parce que la tension oscillante capable &' être prélevée n'est le plus souvent pr itiqueient pas supérieure au niveau de bruit, de telle sorte qu'une , amplification eat diificilement possible. La présente invention a ^our objet de propose!» une diode â capacité 10 variable engendrant des tensions susceptibles d'être prélevées im.nédiatement une derrière la jonction PU, qui se oouporte comme/capacité, du corps semiconducteur f en éliminant ainsi l'effet du diviseur de tension inductif, causé par l'inductance de construction du boitier de diode à capacité variable. Selon l'invention, ceci est réalisé en prévoyant au moins l'une des deux électrodes 15 de contact, de la diode capaoité variable, avec deux: bornes ou conducteurs de connexion séparés s'étendant et, l'extérieur. La réalisation pratique d'un tel composant peut être choisie très diffé . reminent. Comme règle, le corps semiconducteur d'une diode est constitué par une plaquelîe comprenant deux couches de types de oonductivité opposés qui, 20 à leur point de connexion, forment une jonction PIT et qui, a leurs surfaces opposées, comprennent chacune une électrode de contact "exempte" de barrage. Ces électrodes de contact servent au montage des conducteurs ou bornes de connexion pour connecter los composants dans les circuits. Les bornes ou conducteurs dérivés sont montés habituellement sur les électrodes de contact 25 métalliques, en utilisant un procédé de soudure, mais ils peuvent également être soudés d'une autre manière. On coniio.it également des connexions qui établissent le contact entre les électrodes simplement par une pression qui s1 Pxerce par construction. Dans toutes ces possibilités de connexion., on ne rencontre pas de difficulté pour réaliser les conducteurs d'arrivée d'une 30 manière telle que deux conducteurs ou bornes de connexion sont obtenus séparés l'un de l'autre. naturellement, il est également possible- de réaliser deux électrodes de contact avec doux bornes ou conducteurs de connexion s'éten dant séparément a l'extérieur, de telle sorte qu'en fonction de l'utilisation de la diode à oapacité variable, qui est fonction des tensions disponibles, la tension peut être prélevée de manière optionnelle soit sur l'une, soit sur l'autre des électrodes de contact. De 'même, en oe qui concerne la fabrication du composant, avec une douille et une enveloppe, on n'est pas limité par l'invention et on peut utiliser tous los exemples olassiques de formes de boitiers. Il est simplement nécessaii^e qu'à partir d'au moins une électrode, une borne ou fil ck connexion supplé- bad original 69 18638 2011905 3 in entaire soit disposé a l'extérieur. Etant donné que les dispositifs semiconducteurs comprenant trois ou plusieurs bornes sont déjà connus, on ne rencontre pas de difficulté fondamentale. D'autres caractéristiques de l'invention ressortiront de la description 5- détaillée ci-dessous. Bien entendu la description et le dessin ne sont donnés qti' à titre indicatif et nullement limitatif de l'invention. .La figure 1 représente un exemple connu d'utilisation de diode à capacité variable. La figure 2 représente un exemple de réalisation selon l'invention, •io Sur la figure 2, on a représenté un exemple de réalisation Montrant d'une manière particulièrement sinple l'application pratique des fondements de l'invention. Le corps seuiconductour 4 -jui, par exemple,peut avoir la forme d'un corps de diode, constitué par deux couch.es de conductivités opposées, est monté sur une électrode de contact (non représentée sur le dessin) A S sur une bande métallique 1, au moyen de soudures ou en employant ion type classique de procédé de liaison. L'électrode de contact 5, sur la surface opposée du corps semiconducteur, est connectée aux deux bandes métalliques 2 et 3» qui sont séparées l'une de l'autre au moyen de deux conducteurs ou fils do oonnexion 7 et 8. Le montage total est enfermé dans une enveloppe 6, par ex-2. o emple en matériau plastique. Pour l'utilisation dans un circuit oscillant tel qu'un résonateur à cavité, qui est représenté sur la figure 1, cette diode peut être insérée à la place de la diode qui y est représentée. Les bandes métalliques 1 et 3 sont utilisées pour la connexion au circuit principal du cirouit oscillant, Z.g et sont situées dans le conducteur intérieur I du résonateur à cavité. La bande métallique 2 est utilisée pour le prélèvement de la tenuion du cirôuit oscillant. Etant donné yie cette borne est reliée directement a. l'électrode de contact 5 du corps semiconducteur, la tension n'est plus prélevée au point P du résonateur à cavité comme dans le type classique de réalisation d'une diode à capacité variable, mais au point P^. qui est représenté sur la figure 1, à l'extrémité de la ligne en trait interrompu . De cette manière, on a éliminé, pour le prélèvement de la tension, l'inductance L_ qui est due à la . construction de la diode à capacité variable, de telle sorte qu'il n'existe pas d'effet de diviseur de tension inductif et, qu'en conséquence, pratiquem-3S* ment, la tension totale Ug du circuit oscillant peut être prélevée. Comme cela a déjà été mentionné, en utilisant une diode à capacité variable, tjolon l'invention, on n'obtient pas seulement l'avantage que la tension prélevée sur le circuit oscillant n'a pas besoin d'être amplifiée, mais en plus, on peut dans certains cas, pour la première fois, prélever une ten-ho sion sur le circuit oscillant qui soit supérieure au niveau de bruit et, devienne ainsi appropriée pour toute utilisation ultérieure. Bien que les principes ds la présente invention aient été décrits ci-dessus en relation avec un e-enr-le particulier de réalisation, on comprendra -clairement que ladite description est faite seulement à titre d'exemple et ne limite pas la portée de l'invention. 1 BAD ORIGINAL 69 18638 2011905 4 IÎÏuRJÎTDI C AT IOlIo 1°-/- Diode a capacité variable, comprenant un corps semiconducteur avec au moins deux zones adjacentes, de types de conductivité opposés formant une jonction PU, et comprenant une électrode de contact à chacune des deux surfaces extérieures du corps semiconducteur, caractérisée en ce qu'au moins l'une Ç des deux électrodes de contact est prévue avec deux conducteurs de connexion séparés, s'étendant à l'extérieur. 2°/- Diode a capacité variable selon la revendication 1, caractérisée en ce que le corps semiconducteur ost constitué par une plaquette semiconduc— trice composée de deux couches de types de conductivité opposés et en ce que les électrodes de contact sont fixées aux deux surfaces opposées de chacuoQ des deux couches. 3°/- Diode à capacité variable selon la revendication 1, caractérisée en ce que les deux électrodes de contact sont prévues avec deux conducteurs de connexion s'étendant séparément vers l'extérieur. g 4Ù/- Diode a capacité variable selon la revendication 1, caractérisée en ce que le corps semiconducteur, avec l'électrode de contaot d'une surface, est monte sur one bande r.étallique, en ce que l'électrode de contact 6„e l'autre surface est reliée, par 1'intermédiare de deux fils, à deux bandes métal-» ligues qui sont séparées l'une de l'autre, et en ce que toutes les parties sq 2© sont enfermées dans une enveloppe plastique. 5°/~ Diode- a capacité variable selon les revendications 1 à 4? destinée £, Sire utilisée comme capacité variable fonction de la tension dans ua cirtnii' ose'j,.llant caractérisée en ce que la diode à capacité variable est insérée âaas le eirouit ©saillant au moyen de deux conducteurs de connexion, en ce 2.£- que sa jonction PU fonctionne dans la direction inverse, et en ce que le second conducteur do connexion de l'autre électrode de contact est prévu pour servir au prélèvement de la tension réelle du circuit oscillant. bad original