Brevet FR2005250A1 — publié le 19691212

1. 2005250 690908Ï Pr^sen^e invention est relative aux circuits intégrés du type comprenant un substrat en une matière semi-conductrice comportant en outre des régions semi-conductrices qui sont formées dans ce substrat et/ou sur ce substrat afin de délimiter plusieurs dis-5 positifs qui sont isolés les tins des autres par des parties dudit substrat. L'invention a pour objet tin circuit intégré du type précité dans lequel lesdites parties du substrat sont formées par diffusion d'aluminium à travers des fenêtres d'un masque en nitrure de sili-10 cium. D'autres caractéristiques de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre, faite en se référant au dessin annexé donné uniquement à titre d'exemple et dans lequel la Fig. unique est tin schéma des phases de fabrication de l'invention. Les 15 différentes couches représentées au dessin ne sont pas à leur é-chelle réelle. En se reportant au dessin, on forme une pastille par croissance épitaxiale sur une couche de substrat 11 du type p ayant une épaisseur de 250 microns et ayant une résistivité de 5 ohm-c entimè-20 tre, une couche 12 du type n+ ayant une épaisseur de 5 microns et une résistivité de 0,01 ohm-centimètre, suivie d'une couche 13 du type n- ayant une épaisseur de 10 microns et une résistivité de 1,0 ohm-centimètre. On dépose sur la partie supérieure de la couche du type n- une couche 14 de nitrure de silicium et des trous sont 25 réalisés par décapage de cette couche de masquage.en nitrure afin de séparer les différentes régions qui doivent constituer les dispositifs dans le circuit intégré. On diffuse alors de l'aluminium à traders les trous du masque de façon à former des zones 15 du type p- qui s'étendent jusqu'au substrat 11 du type p-. Dans tin ex-30 emple caractéristique, 1'aluminium a une concentration superficielle de 10^ à 10^ atomes/cc, et l'aluminium est entraîné dans la pastille par diffusion pendant quatre heures à 1200°C. La couche 14 de nitrure est alors enlevée et le dispositif est traité de la façon désirée afin de former des transistors, des diodes, ou d'au-35 très dispositifs. En fonctionnement,.la couche 11 de substrat du type p- est maintenue à un potentiel négatif afin d'isoler les dispositifs les uns des autres, la couche 12 de type n+ agissant comme une couche enterrée de façon connue. kO L'aluminium diffuse beaucoup plus rapidement que la plupart 6909084 2. 2005250 des impuretés du type p-, et il peut être utilisé avec un masque de nitrure sans risque de détérioration de la surface. En raison de la brièveté du temps de diffusion, il y a moins de probabilités de détériorer les différents dispositifs par suite d'une diffusion de la 5 couche 12 du type n+ dans la couche 11' du type p- et dans la couche 13 du type n-. o909084 3'. 2005250 - REVENDICATION. - Circuit intégré du type comprenant un substrat en une matière semi-conductrice comportant en outre des régions semi-conductrices qui sont formées dans ce substrat et/ou sur ce substrat afin de 5 délimiter plusieurs dispositifs qui sont isolés les uns des autres par des parties dudit substrat, caractérisé en ce que lesdites parties du substrat sont formées par diffusion d'aluminium à travers des fenêtres prévues dans un masque en nitrure de silicium.