Brevet FR2011079A1 — publié le 19700227

La présente invention se rapporte à un dispositif semi-con-ducteur ayant une surface sensiblement plate et, plus spécifiquement, à un dispositif de circuit intégré à semi-conducteur, ayant une structure d'interconnexion à plusieurs niveaux. 5 On a mis au point des dispositifs semi-conducteurs pour don ner une fiabilité supérieure et un degré d'intégration supérieur. Le dispositif de circuit hautement intégré doit avoir la structure d'interconnexion à plusieurs niveaux à la surface du substrat se-mi-conducteur pour fournir des câblages de sortie vers chacune 10 des régions de semi-conducteur dans le substrat. Les câblages de sortie pour des dispositifs semi-conducteurs classiques sont formés par la photoattaque sélective d'un film métallique mince formé par pulvérisation ou évaporation sous vide de métal sur le substrat semi-conducteur. En conséquence, à 15 la surface du substrat, un certain degré d'inégalité est inévitable dans le câblage de sortie formé de cette manière. En outre, puisque la couche de câblage en recouvrement est formée sur la couche de câblage sous-jacente inégale, l'inégalité est encore aggravée car la couche est stratifiée pour former les intercon-20 nexions à plusieurs niveaux. Il est généralement bien connu que, lorsque la couche métallique est déposée sur une telle structure, l'épaisseur de la couche métallique devient insuffisante dans les parties d'extrémité de la surface inégale restante formant le câblage. En outre, les 25 parties d'extrémité sont particulièrement vulnérables à l'attaque sélective. Par suite, les câblages deviennent souvent défectueux pour diminuer la fiabilité. Ainsi, avec la technique classique d'attaque sélective du film métallique pour former les câblages de sortie et d'autres 30 câblages sur le substrat semi-conducteur, il est presque impossible de fournir un dispositif de circuit intégré hautement fiable, spécialement ayant une structure d'interconnexion à plusieurs niveaux. Ceci est généralement attribué à l'inégalité et aux irrégularités formées par le procédé de photoattaque sur les films 35 métalliques à couches multiples pour des câblages et même à la surface du substrat. C'est, en conséquence, l'objet principal de la présente invention de fournir un dispositif semi-conducteur ayant une structure d'interconnexion hautement fiable. 40 Un autre objet de la présente invention est de fournir un 69 19976 2 2011079 dispositif semi-conducteur ayant les couches conductrices de câblage formées sans avoir recours au procédé sélectif d'attaque ou de photoattaque. Un autre objet encore de la présente invention est de four-5 nir un dispositif de circuit intégré à semi-conducteur ayant une structure d'interconnexion à niveaux multiples, à fiabilité élevée, dans laquelle chacune des couches de câblage et des couches d'isolant est rendue sensiblement plate pour éviter l'inégalité et les irrégularités mentionnées ci-dessus. 10 Un autre objet de la présente invention est de prévoir un procédé perfectionné et simplifié de fabrication d'une haute fiabilité pour la fabrication d'un semi-conducteur dans un dispositif de circuit intégré. Selon des caractéristiques de la présente invention, on pré-15 voit un dispositif semi-oonducteur qui comprend un substrat semiconducteur ayant un nombre nécessaire de composants de circuit et au moins une couche de structure de câblage. Cette structure de câblage, couche de câblage, se compose d'électrodes ou de câblages de sortie et d'une matière isolante pouvant être transformée chi-20 aiquement en matière d'éleotrode. Plus spécifiquement, la couche de câblage est formée en déposant uniformément une matière en feuille d'une première propriété électrique (conductrice) à la surface de substrat et en changeant sélectivement la matière pour donner une autre propriété (isolante). 25 Egalement, selon des caractéristiques de la présente inven tion, on obtient un dispositif semi-conducteur qui comprend une première couche de câblage conducteur, formée sur le substrat semi-conduoteur et une couche isolante qui recouvre la première couche et possède une surface sensiblement parallèle à celle du 30 substrat et sensiblement plate, et une seconde couche de câblage conducteur formée à la surface de la première couche isolante. Cette structure a, en outre, d'autres couches de câblage conductrices et d'autres couches isolantes. De plus, selon des caractéristiques de la présente inven-35 tion, on prévoit un dispositif semi-conducteur dans lequel la surface de chacune des couches de oâblage est rendue sensiblement plate, en revêtant le substrat semi-conducteur avec un film d'une matière conductrice ou isolante d'épaisséur uniforme, et en soumettant à l'oxydation anodique les parties de la matière cônductri-40 ce, qui ne correspondent pas au câblage à former, tout en sou 69 19976 3 2011079 mettant à la réduction les parties de la matière isolante qui correspondent au câblage. Les dispositifs semi-conducteurs, selon des caractéristiques de la présente invention, sont ainsi exempts d'attaque sélec-» 5 tive dans la formation de câblages métalliques, en rendant possibles 1*aplatissement et la régularisation des câblages et du substrat semi-conducteur. Des expériences ont indiqué que des substances adaptées au dépôt sur le substrat semi-conducteur comprennent des métaux pou-10 rant être soumis à l'anodisation, tels que l'aluminium, le tantale, le titane, le niobium et l'bafnium. Des céramiques, contenant deséléments de terres rare» fortement réducteurs, telîss que le ti-tanate de baryum, se sont également révélées convenables. Pour mieux comprendre les caractéristiques et les objets de 15 la présente invention, la description détaillée suivante sera faite en relation avec les dessins ci-joints dans lesquels: Les figures 1A à 1® représentent fias vues en coupe du dispositif semi-conducteur classique illustré dans l'ordre des étapes du prooédé de fabrication. 20 Les figures 2A et 2B représentent des vuqb sn coupe d'un pre mier exemple de réalisation selon des caractéristiqu®s de la présente invention et une modification te l'exemple de réalisation de la figure 2A reapectivement. Les figures 3A et 3B représentent respectivement une vue 25 en perspective et une vue en coup® d'un autre ©xempl© Se réalisation de la présente invention. Les figures 4A à 4? représentent des vues ea coupe transversale illustrant le procéâé de fabrication te dispositif semiconducteur selon Ses e&s&etéELstîquea àe la présente invention,, 30 Les figures 5A à 51® roprécontent des va©s ©a eoupe trams° versai© illustrant un aatra procédé à© fabrication Sa dispositif semi-Gûndac,"j®ït2' selon âes easaotéristiquas de la présente invea= tion, et La figure 6 représente une vue en perspective fi8 un autre ®&» 35 emple de réalisation de la présente inrention. En se référant aus figure a 1A à 1D» un dispositif semi=e©&=> ducteur cl&ssifue avec tans structure d 'iiitsraoanQZioB. à plusioars niveaux est fabriqué en for-mant des aanams métalliques 102 sur sa substrat semi-conducteur 101, de typa planaire, par le procédé 40 d'attaque sélective (figure îA)« Ua film isolant 103 ©st alors ap- BAD ORIGINAL 69 19976 4 2011079 pliqué uniformément sur le substrat avec les canaux métalliques 102 (figure 1B). Bien que le plan du substrat semi-conducteur représenté ne soit pas irrégulier, c'est d'ordinaire le cas avec oe type de dispositifs semi-conducteurs classiques que la surface 5 du substrat (o'est-à-dire la surface de l'oxyde et d'autres films isolants formés sur le semi-conduoteur) soit rendue inégale par le procédé de photoattaque sélective adopté pour former les canaux métalliques 102. En conséquence, les procédés ultérieurs à décrire ci-dessous deviennent extrêmement difficiles. Par suite, la 10 fiabilité des canaux métalliques n'est pas maintenue à une valeur élevée. En se référant maintenant aux dessins,on notera qu'un dispositif semi-conducteur avec une structure à interconnexion à plusieurs niveaux est obtenu dans les étapes suivantes. La surface 15 des canaux métalliques mentionnés ol-dessus 102 est d'abord recouverte par le film isolant 103. La seoonde couche métallique est alors déposée sur le film isolant 103 et sélectivement enlevée par attaque pour fournir les canaux métalliques 104 du second niveau (figure 1C). De la même manière, un autre film isolant 20 105 et un film métallique sont déposés. Par la photoattaque sélective du dernier film métallique, des canaux métalliques du troisième niveau 106 sont formés sur le film isolant 105, comme on le représente sur la figure 1D. Dans cette structure, l'inégalité du métal et de la couche 25 isolante est accumulée vers la surface des couches de niveau supérieur. Egalement, il a été courant en pratique de former le film métallique, avant chaque procédé d'attaque sélective, en ayant recours à l'évaporation sous vide ou à la pulvérisation de particu-30 les métalliques. Dans l'un ou l'autre des prooédés, les particules métalliques sont déposées à la surface du substrat. Pour cette raison, les parties verticales de la couche métallique déposée sont plus minces et moins adhérentes que les parties parallèles à la surface du substrat. En outre, la couche photorésistante, 35 lorsqu'elle est appliquée sur cette couche métallique par le revêtement au rouleau pour l'attaque sélective, est soumise à une force centrifuge et, en conséquence, l'élément photorésistant adhérant aux faces extérieures des bosses de la couche métallique devient mince" ou adhère moins que sur le reste de la oouche sous-40 Jacente. En conséquence, lorsque des canaux métalliques doivent 69 19976 5 2011079 être fournis sur un substrat ayant une surface qu'on peut appré-oier comme étant inégale, ce sont plus facilement les parties parallèles à la surface découpée que les parties parallèles à la surface du substrat semi-oonducteur de base. L'expérience a indi-5 qué que les dispositifs semi-conducteurs aveo la structure câblée à interconnexion à plusieurs niveaux fabriquée par le procédé mentionné précédemment n'ont pas d'avantage pratique mais plutôt on a tenu jusqu'à présent pour pratiquement impossible l'amélioration de la fiabilité des couches de câblage à plusieurs 10 niveaux du type décrit ci-dessus. En se référant à la figure 2A, qui représente un exemple de réalisation préféré de la présente invention, le dispositif semiconducteur comprend an substrat semi-conducteur 101 qui se oom-pose d'un substrat de base en silicium, ayant le nombre néoessai-15 re d'éléments de oircuit et un film isolant en bioxyde de silicium formé sur le substrat de base. Cette structure du substrat 101 peut dtre très semblable au dispositif semi-conduoteur classique illustré sur la figure 1• A la surface du substrat 101, des canaux d'aluminium 201 sont formés pour fournir les canaux de la 20 première couche et recouverts par un premier film isolant 202 en alumine. Les cana»201 sont formés par oxydation anodique sélective d'une feuille d'aluminium pour former le film d'alumine 203. Le film 203 formé de cette manière a une surface sensiblement plate, parallèle à la surface du substrat 101. Les canaux 202 servent 25 d'électrodes pour des éléments de circuit ou pour une interconnexion mutuelle dérivée de la région d'électrode des éléments de oircuit. Une explication étape par étape du procédé de formation des films et des couches mentionnés ci-dessus sera donnée ultérieurement en se référant à la figure 4. 30 Comme cela apparaîtra d'après ce qui précède, chacune des oouohes de câblage est formée sur chacune des couches de câblage sous-jacentes, chacune étant recouverte aveo un film d'alumine. Chacune des couches sous-jacentes est si plate que la couche placée au-dessus est facilement formée, une fiabilité élevée 35 étant maintenue. En outre, puisque les couches de câblage sous-jaoentes sont formées par 1'anodisation sélective du filmd'alu-minium et non pas par le procédé de phôtoattaque, cette structure câblée peut maintenir un aspect plat suffisant de la surface sous-jaeente. 11 s'en suit, en conséquence, que tous les défauts 40 attribuables à l'inégalité impliquée dans les structures olassi- 69 19976 6 2011079 ques peuvent être évités. Cet exemple de réalisation peut être réalisé aussi bien en utilisant d'autres métaux à la place de l'aluminium tels que le titane, le tantale, convenant à une oxydation anodique. A titre 5 de variante, des matières isolantes pouvant être rendues sélectivement conductrices peuvent être employées en les soumettant à un procédé de réduction. La figure 2B représente un dispositif semi-conducteur 20* dans lequel des films de biozyde de silioiu» 207 et 208 sont 10 interposés entre le8 deux couches de câblage respectivement. Les films de bioxyde de silicium 207 et 208 sont formés par un procédé de pulvérisation ou de croissance en phase vapeur, pour réduire la capacitance entre les canaux d'aluminium 201 et 203 dans chaque couche de câblage. 15 Sans cet exemple de réalisation, les films de bioxyde de silicium peuvent être remplacés par d'autres matières isolantes, telles que des céramiques, du verre et des oxydes métalliques, déposées par évaporation en phase vapeur ou pulvérisation. En se référant à la figure 3A, le dispositif semi-oonduo-20 teur 30, d'un autre exemple de réalisation de la présente inventdai, a sur le substrat semi-conducteur 101, une première et une seconde couches de câblage adhérentes, formées à la manière décrite ci-dessus. Chacune des couches de câblage se compose d'une première couche de canaux d'aluminium 201, d'un film d'alumine 202, 25 d'une seconde couche de canaux d'aluminium 203 et d'un autre film d'alumine 204. Sur la couche de oâblage supérieure de cet exemple de réalisation, on préyoit plusieurs éleotrodes en saillie 301 qui connectent des parties désirées des canaux supérieurs 203 à travers les ouvertures formées dans le film d'alumine 204. 30 Egalement, les éleotrodes en saillie 301 sont formées par la technique bien connue dans les dispositifs semi-conducteurs dits "flip-chip", dans lesquels des billes de soudure, des tampons revêtus par voie électrolytique ou des conducteurs massifs sont employés comme électrodes de liaison vers le circuit extérieur. 35 Sur la figure 3B, on représente un dispositif semi-con- ducteur ayant une matrice semi-conductrice du type "flip-chip", semblable à celle de la figure 3A, fixée au conducteur 302 adhérant à la surface du substrat de céramique 303. A la partie de liaison, -les-bords intérieurs des conducteurs 302 ont des sail-40 lies 304» Ces saillies 304 sont fermement fixées aux surfaces 69 19976 7 2011079 exposées des canaux 201 de la matrice semi-conductrice, la matrice semi-conductrice de l'exemple de réalisation a une structure illustrée sur la figure 3. Plus particulièrement, la matrice a une surface sensiblement plate, revêtue par le film isolé for-5 mé par le procédé d'oxydation anodique. Ce dispositif semi-con-ducteur de la structure à liaison en surface est facile à fabriquer aveo une fiabilité élevée maintenue. En se référant aux figures 4A à 4P, qui représentent un procédé très préféré de fabrication du dispositif semi-conduc-10 teur selon des caractéristiques de la présente invention dans l'cadre des étapes de traitement, le procédé implique line série de procédé d'anodisation sélective, comme on le décrira ci-dessous. En premier lieu, le substrat semi-conducteur 101, aveo des éléments de circuit qui doivent être traités pour des connexions 15 intérieures et extérieures, est uniformément recouvert par un fila d'aluminium 401 de 1 micron d'épaisseur, déposé par le procédé d'évaporation sous vide (figure 4A). la surface du film d'aluminiua 401 est recouverte par une couohe photorésistante 402 (figure 4B) dans des parties autres que la partie pour for-20 mer la couche de câblage. En utilisant la couche photorésistante 402 comme masque, le substrat semi-conducteur 101 avec le film d'aluminium 401 dessus est connecté à une électrode positive et la solution de formation d'anode est maintenue à un potentiel négatif, puis l'oxydation anodique est réalisée. Ainsi, la sur-25 faoe exposée du film d'aluminium 401 est sélectivement couverte par de l'alumine non poreuse X 403 (figure 4C). Cette alumine non poreuse est formée par 1'anodisation sous tension constante avec la solution de borate d'ammonium saturée d'éthylèneglycol, employée comme agent d*anodisation. Dans ce procédé, la tension 30 appliquée est 40 à 45 volts et le temps de traitement est d'environ 3 mm. Si la tension est trop élevée ou si le temps de traitement est trop long, la couche photorésistante perd son adhérence sur la surface d'aluminium, particulièrement à la'périphérie du film photorésistant. 35 Après que la couche non poreuse oxydée à l'anode ait été achevée, la couche photorésistante 402 est retirée de la surfa-oe de l'aluminium par un agent convenable d'enlèvement (figure 4D). La partie 403 sélectivement formée en alumine non poreuse sert de masque contre l'oxydation, tandis que le film d'aluminium 40 non masqué 401 est transformé en alumine poreuse (figure 4E)« A 69 19976 8 2011079 l'achèvement de cette étape, le film isolant formé d'alumine non poreuse. 403 et d'alumine poreuse 404 et un canal en aluminium 401 recouvert d'alumine forment la couche de câblage. La solution pour transformer l'aluminium en alumine poreuse peut être de l'a-5 cide sulfurique à 2 $, appliqué à l'aluminium à une température de 20°C. La formation sous tension constante est réalisée sous 20 volts. Finalement, l'alumine non poreuse est formée en répétant le procédé d'anodisation mentionnée ci-dessus pour former l'alumine non poreuse 405 sur deux côtés du canal d'aluminium 10 201 pour stabiliser les propriétés chimiques et électriques de la couche de câblage (figure 43?). L'pxydation anodique dans cet étape finale de traitement commence par la formation avec un courant constant, en utilisant le substrat semi-conducteur comme anode. Lorsque la tension de 15 formation atteint un certain niveau de 100 à 150 volts, on fait passer l'opération à une formation sous tension constante. Par ce traitement, l'alumine non poreuse 405 est formée sur les côtés du canal d'aluminium 201. L'épaisseur du film d'alumine non poreuse 43, initialement formé à la surface du canal 201, est ain-20 si légèrement augmentée jusqu'à approximativement 0,1 à 0,3 micron. En outre, l'aluminium partiellement laissé au cours de la formation de l'alumine poreuse peut être presque complètement transformé en alumine. Comme on l'a décrit ci-dessus, le film d'aluminium déposé 25 sur le substrat par évaporation ou pulvérisation peut être sélectivement soumis à 1'anodisation facilement pour former le film d'alumine qui est un film isolant. La surface du film d'alumine ainsi obtenu est totalement plate et facilite les étapes ultérieures de traitement. La formation d'interconnexions à plu-30 sieurs niveaux est réalisée en fournissant les ouvertures dans la partie de l'alumine non poreuse à travers laquelle le canal doit être électriquement connecté avec le canal de la couche placé au-dessus, et puis en répétant le prooédé décrit ei-dessus illustré sur la figure 4. Pour former les ouvertures dans l'alu-35 mine non poreuse, une solution d'attaque préparée en diluant un mélange de 35 g d'anhydride chromique et de 20 cm-"' d'acide phos-phorique avec un litre d'eau est appliquée à l'alumine non poreuse entre 70 et 75°C. Puisque l'alumine non poreuse est à l'abri de l'agent de 40 traitement pour l'alumine poreuse, le film d'aluminium est in- BAD ORIQINAI 69 19976 9 2011079 failliblement transformé en alumine poreuse par ce procédé. En outre, le procédé de formation peut être facilement contrôlé par la régulation de la tension ou du courant de formation. En se référant aux figures 5A et 5E*, on illustre un autre 5 procédé préféré de fabrication du dispositif semi-conducteur selon des caractéristiques de la présente invention. Ce procédé comprend des étapes semblables à celles de la figure 4-* Un film mince d'aluminium 401 est déposé d'abord à la surface du substrat semi-conducteur 101 (figure 5A). Une couche photorésistante 501 10 est alors appliquée pour recouvrir partiellement le film d'aluminium 401 à l'emplacement où les canaux d'aluminium doivent être formé* ultérieurement (figure 5B). La partie du film d'aluminium 401, où la couche photorésistante est sélectivement retirée, est soumise à l'anodisation pour former de l'alumine poreuse 404, en 15 utilisant un élément photorésistant 501 comme masque contre l'anodisation (figure 50). La couche photorésistante 501 est alors retirée. Ainsi, une alumine uniforme et non poreuse 502 est formée, recouvrant un oanal d'aluminium 201 (figure 5D). Ensuite l'alumine non poreuse est sélectivement retirée du dessus de la .20 partie désirée 503 du oanal 201. La partie 503 est une ouverture pour un* oonnexion aveo un oanal métallique dans la couche en recouvrement ou pour une électrode de sortie (figure 5 E). Egalement, lorsqu'il est souhaitable d'exposer une partie du oanal 201 sur le même plan que la surface du film pour faoili-25 ter la sortie des éleotrodes extérieures, le procédé de formation d'alumine poreuse 404, tel qu'indiqué sur la figure 5 C, peut être suivie par la prévision d'un masque 504 de couche photorésistante adhérant à la partie de sortie d'électrode à la surface du film de l'aluminium 401 (figure D*). Ensuite, le film d'alumine non 30 poreuse 505 est formé* Dans ce procédé, le masque 504 de la couche photorésistante peut être remplacé par un métal ou un alliage insensible aux aoides. Dans l'exemple de réalisation qu'on vient de décrire, l'alumine 404 et l'alumine non poreuse 502 sont formées dans les mê-35 mes conditions que dans la formation de l'alumine 404 et de l'alumine 405, déjà expliquée en relation avee le premier procédé de fabrication. Comme on le verra d'après ce qui précède, la couche de câblage se composant des canaux métalliques et du film d'isolement 40 fôrmé*^par le procédé décrit ci-dessus peut être aplatie, indé 69 19976 10 2011079 pendamment du nombre de oes couches de oâblage stratifiées pour former la structure d'interconnexion à plusieurs niveaux. Il est admis que le changement de volume est possible, provoqué au moment de la transformation de l'aluminium en alumine. Cependant, 5 l'inégalité attribuable à ce changement de volume est presque négligeable par rapport à celle impliquée dans le dispositif classique de la figure 1. Môme si le changement de volume mentionné ci-dessus provoque une inégalité appréciable à la surface du film droxydation ano-10 dique, il n'affecte pas de manière défavorable la formation aplatie de la couche de câblage placée au-dessus, parce que la limite entre la câblage et 1*alumine a un gradient extrêmement graduel. En outre, le dispositif semi-oonducteur selon des oaraotéristiques de la présente invention résiste aux égratignures et au dépôt d* 15 matières étrangères sur le film de câblage, paroe que le* éléments de câblage sont protégés par l'alumine. Dans des dispositifs semi-conducteurs classiques ayant des canaux en aluminium, l'action d'alliage observée au cours du traitement thermique, après la formation du canal, peut conduire à la 20 recristallisation de l'aluminium pour former de minuscules saillies à la surface de canaux de câblage ou des craquelures dans le film isolant déposé sur les canaux. Selon des caractéristiques de la présente invention, des parties presque complètes des canaux d'aluminium sont enfouies dans la couche d'aluminium, si bien que 25 le canal ne présente pas de tendance à la détérioration. Des craquelures sont totalement évitables dans le film d'aluminium. En se référant à la figure 6, un transistor à effet de champ 60, qui est encore un autre exemple de la réalisation de la présente invention, a un substrat semi-conducteur 101, fabriqué de 30 manière telle que les régions de source et de drain 601 et 602 de conductibilité de type n sont formées dans un substrat de silicium de type p 603, de la même manière que dans des dispositifs classiques. UnfLlm isolant adhérant à la surface, qui a été utilisé comme masque pour la diffusion sélective d'impuretés est complè-35 tement retiré pour exposer toute la surface du substrat semiconducteur. Ensuite, un., film mince en bioxyde de silicium 604, d'environ 0,25 micron d'épaisseur, est uniformément déposé à la surface du substrat. Le film 604 recouvre toute la surface de la même surface principale du substrat 603, à l'exception des ouver— 40 tures d'électrodes pour les régions de drain et de source 601 69 19976 11 2011079 et 602. La partie de film 604' du film déposé 604- entre le drain et la source du transistor à effet de champ sert de film de porte i-solé. A la surface supérieure du substrat semi-conducteur 101, un film d'aluminium d'épaisseur uniforme d'environ 1 micron est dépo-5 sé par l'évaporation sous vide. Sur chacune des parties supérieures où les électrodes de porte, de drain et de source 605, 606 et 607 doivent être formées, un film photorésistant est appliqué. Ces électrodes 605 à 607 et le substrat semi-conducteur 101 sont soumis à 1*anodisation dans l'acide sulfurique dilué ayant une con-10 centrât ion de 2 #, à une température de 20°.C. La tension de formation dans ce but est de 20 volts et la formation est réalisée a-vec une tension constante. En achevant cette étape d'anodisation la couche d'aluminium est transformée en première couche de câblage composée de l'électrode porte 605» de l'électrode de drain 606 15 et de l'électrode de source 607 qui a été recouverte par la couche photorésistante, une électrode 608 d'un autre élément de circuit et un film isolant en alumine 609 qui entoure ces électrodes. Dans cet exemple de réalisation, des canaux 610, 611 et 612 pour la seconde couche de canaux sont ultérieurement formés à la manière 20 ordinaire pour fournir une interconnexion pour les éléments de circuits respectifs. Comme on le verra d'après la description des dessins, on n'a pas recours à l'attaque pour former les électrodes 605, 606, 607 et 608. La couche inférieure 604 du film isolant est mince par 25 rapport à celles dans le substrat formées par une technique planaire. L'épaisseur de la couche 604 peut être environ le tiers du film d'aluminium 605. Les électrodes ainsi obtenues sont en conséquence très fiables. Egalement, les couches de canaux placés en recouvrement 610, 30 611 et 612 peuvent être facilement formées avec une fiabilité élevée de manière adéquate, parce que la surface de la première couche de câblage est plate, lisse et sensiblement parallèle à la surface du substrat 101. Cet exemple de réalisation permet l'utilisation de matières 35 différentes pour les deux groupes d'électrodes, c'est-à-dire les électrodes de couches sous-jacentes, 605, 606, 607 et 608 et les électrodes de couches placées au-dessus, 610, 611 et 612, en vue de faciliter la formation de l'interconnexion placée au-dessus. En outre, les canaux de couches placées au-dessus peuvent être 40 formés par oxydation anodique comme ceux de la couche sous-jacente. Ce faisant, la fiabilité de la couche placée au- 69 19976 12 2011079 dessus contre les chocs mécaniques, tels que l'égratignement des canaux de la couche supérieure, peut être améliorée. Alors que la description a été faite dans ce qui précède en relation avec des dispositifs semi-conducteurs ayant au moins 5 une couche de câblagè comprenant des canaux d'aluminium et une couche d'alumine formée par l'oxydation anodique sélective de la feuille d'aluminium, on doit comprendre que les objets de la présente invention peuvent être également atteints en remplaçant l'aluminium par du titane, du tantale, du niobium ou d'autres 10 métaux pouvant être soumis à 1'anodisation ou d'autres matières ayant des caractéristiques électriques telles quelles peuvent passer d'un état conducteur à un état isolant par oxydation, ni-truration, réduction ou d'autres réactions chimiques. Les avantages principaux de la présente invention sont ré-15 sumés comme suit. Puisque les couches de câblage sont formées par l'anodisation et non pas par la photoattaque, chacune des couches de câblage est aplatie indépendamment du nombre de couches stratifiées sur le substrat. Ceci s'oppose fortement aux dispositifs classiques dans lesquels l'inégalité est inévitable dans la struc-20 ture d'interconnexion à plusieurs couches. Ce dispositif semiconducteur lui-même auquel les couches de câblage telles qu'indiquées ci-dessus sont applicables n'est pas limité au substrat semi-conducteur planar revêtu de bioxyde de silicium. Il peut être un dispositif du type mésa, revêtu d'un film isolant. Le 25 film de bioxyde de silicium adhérant au substrat de base semiconducteur peut être revêtu par d'autres films isolants, tels qu'un verre au phosphosilicate-nitrure de silicium, un verre au silicate-alumine, de l'alumine formée par évaporation, une pulvéri sation ou un procédé de croissance en phase vapeur. 50 De plus, il est possible d'améliorer encore la stabilité • des caractéristiques du dispositif semi-conducteur par le traitement thermique dans la vapeur d'eau chauffée jusqu'à environ 400°C Egalement, il est possible de faciliter le contrôle du procédé et le contrôle de qualité du dispositif terminé, en différentiant les 35 couches de câblage avec des colorants en matière isolante, par exemple de l'oxyde de manganèse, de l'oxyde de cobalt, de l'oxyde de cuivre, de l'oxyde de fer et de l'oxyde de chrome. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire 40 susceptible de variantes et de modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. BAD ORIGINAL 69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur ayant un nombre nécessaire de composants de circuit, des parties conductrices adhérant à la 5 surface du substrat et une partie isolante entourant ces parties conductrices, une des parties étant modifiée chimiquement par rapport aux autres. 2 - Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins une couche de film isolant est in- 10 terposée entre le substrat et les parties. 3 - Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la partie isolante est une couche, soumise à 1'anodisation, de la matière conductrice des parties conductrices et la couche de câblage se composant essentiellement des 15 parties conductrice et isolante a une surface sensiblement parallèle à la surface du substrat. 4 - Procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur selon les revendications 1-3, caractérisé en ce qu'il consiste à déposer des particules métalliques sur un substrat semi-con- 20 ducteur ayant un nombre nécessaire de composants de circuit pour former un film métallique sur le substrat et à oxyder sélectivement à l'anode cette feuille .afin de former des canaux conducteurs isolés les uns des autres par la matière d'oxyde.