Brevet FR2001986A1 — publié le 19691003

L'invention se rapporte d'une manière générale aux dispositifs de modulation d'argument^ , et concerne plus particulièrement les discriminâteurs de modulation d'argument qui sont spécialement utiles dans les applications à circuits intégrés. L'expression 5 "modulation d'argument " est ici utilisée pour désigner la modulation d'un signal en fréquence ou en phase, et éventuellement sa modulation en fréquence et en phase. La technologie des circuits intégrés a déjà été appliquée aux détecteurs de modulation d'argument . Un exemple d'un système 10 détecteur de modulation de fréquence faisant emploi des techniques de circuits intégrés est décrit dans un article de l'inventeur publié dans le numéro du 21 Mars 1966 de la revue "Electronics", page 137. Le système décrit dans cet article est actuellement commercialisé à une large échelle, et s'est révélé à l'utilisation 15 capable de performances d'un niveau très élevé. Afin de tirer un meilleur profit des avantages de la technologie des circuits intégrés, il est souhaitable de réduire le coût des composants non incorporés à la plaquette de circuit intégré et de tirer meilleur parti des exigences structurelles et des avantages des 20 circuits intégrés par rapport aux circuits à constantes localisées afin d'améliorer les performances de fonctionnement. L'objet de la présente invention est donc de réaliser un dispositif nouveau et perfectionné pour le traitement de signaux modulés en argument . 25 Conformément aux principes de la présente invention et selon un mode de mise en oeuvre préféré, un dispositif pour le traitement de signaux modulés en argument comprenant une source de tels signaux s'inscrivant dans une gamme de fréquences déterminée comporte un réseau discriminateur caractérisé par un premier et 30 un second condensateurs couplés en série, une iaductance mohtée aux bornes dudit premier condensateur et couplée à ladite source, unpremier circuit de sortie monte aux bornes dudit second condensateur et un second circuit de sortie monté en parallèle sur les deux condensateurs. 35 Selon d'autres caractéristiques de la présente invention, un dispositif pour le traitement de signaux modulés en argument comprend un réseau discriminateur destiné à convertir lesdits signaux modulés en argument en signaux modulés en amplitude : les électrodes d'entrée d'unpremier et d'un second transistorsalimenté 40 par une source de tension sont couplées au.réseau discriminateur. 69 03777 2 2001986 Un troisième et un quatrième transistors alimentés par la même source de tension sont montés pour former un amplificateur différentiel ayant une première et une seconde entrée^ la première étant reliée à l'électrode de sortie du premier transistor par 5 un unique circuit en courant continu, et la seconde à l'électrode de sortie du second transistor par un unique circuit en courant continu, et des moyens étant couplés à l'amplificateur différentiel pour exploiter ses signaux de sortie. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparail-10 tront plus clairement à la lecture de la description qui suit et se réfère aux dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 est le schéma de principe d'un dispositif détecteur de modulation d'argument conforme à l'invention ; - la figure 2 est un graphique représentant en fonction de 15 la fréquence les signaux de sortie du discriminateur incorporé au dispositif de la figure 1 ; - la figure 3 est un graphique représentant la forme d'onde résultante obtenue par soustraction des valeurs des deux signaux de sortie redressée du discriminateur dans la portion 20 linéaire en fonction de la fréquence ; - la figure 4 est le schéma de principe d'une variante de réalisation du réseau discriminateur, comportant une prise médiane sur le circuit accordé ; et - la figure 5 est le schéma de principe d'une variante de 25 réalisation de l'amplificateur-détecteur du dispositif de la figure 1. Sur la figure 1, le rectangle en trait tireté représente schématiquement une plaquette monocristal!liae de semiconducteur. Cette plaquette comporte sur sa périphérie plusieurs plages de 30 contact, par l'intermédiaire desquelles peuvent être effectuées des connexions extérieures aux circuits intégrés à la plaquette. Par exemple, la plage de contact 12 est une connexion commune de masse, qui est reliée aux différents éléments de la plaquette devant être mis à la masse. Les circuits représentés comprennent 35 un limiteur 100, un discriminateur 200, dont uhe portion est extérieure à la plaquette, et un détecteur-amplificateur différentiel 300. Une onde porteuse modulée en fréquence apparaissant aux bornes du circuit accordé 16 est appliquée aux bornes d'entrée 14 40 et 14* du limiteur 100. Le signal est transféré par trois étages 69 03777 3 2001986 liraiteur-amplificateur 18, 20 et 22 aux bornes d'une résistance de charge de sortie 24* Le signal apparaissant aux bornes de la résistance 24 est appliqué au discriminateur 200, qui produit deux tensions en opposition de phases, qui excitent le détecteur 5 300. L*étage limiteur 18 comprend trois transistors 26, 28 et 38. Les émetteurs des transistors 26 et 28 sont directement reliés leur jonction étant mise à la masse à travers une résistance 30. Une résistance de charge 32 est branchée entre le collecteur du 10 transistor 28 et une jonction 34. Une source de tension positive régulée, qui sera décrite ci-après, est reliée à la jonction 34. Le collecteur du transistor 26 est directement relié à la jonction 34, et la base du transistor 28 est reliée à la masse par un condensateur de découplage 36 écoulant les signaux haute 15 fréquence (HP). La base du transistor 26 est reliée au condensateur 36 par l'intermédiaire du circuit accordé d'entrée 16 branché entre les bornes 14 et 14'. Le transistor 38 monté en émettodyne reçoit les signaux apparaissant aux bornes de la résistance 32. L'émetteur du 20 transistor 38 est relié à la masse par une résistance 40, son collecteur étant directement relié à une source de tension positive fournie à la plaquette par l'intermédiaire d'une plage de contact 42. Le signal de sortie prélevé sur l'émetteur du transistor 38 25 est appliqué au second étage limiteur 20, qui comprend les transistors 34, 46 et 60. Les émetteurs des transistors 44 et 46 sont directement reliés, leur jonction étant mise à la masse à travers une résistance 48. Le collecteur du transistor 46 est relié à la jonction 34 par une résistance de charge 50, tandis que le 30 collecteur du transistor 44 est directement relié à cette même jonction 34. Une diode 53 et une résistance 54 sont montées en série avec une résistance 56 et une diode 58 entre la jonction 34 et la masse pour fournir à la connexion commune des deux résistances une tension appropriée pour la polarisation de la base du transis-35- tor 46. Le transistor 60 est monté en émettodyne, et les signaux apparaissant aux bornes de sa résistance de charge d'émetteur 62 sont appliqués au troisième étage limiteur 22 par l'intermédiaire d'une résistance 66. Le collecteur du transistor 60 est directement 40 relié à la source de tension positive 42. Une résistance 68 relie 69 03777 4 2001986 l'émetteur du transistor 60 et le condensateur de découplage HP 36. Cette connexion constitue une boucle de contre-réaction pour stabiliser le circuit limiteur en fournissant les tensions de polarisation requises aux bases des transistors 26, 28 et 70. 5 L'étage limiteur final 22 comprend les transistors 64 et 70. Les émetteurs des transistors 64 et 70 sont directement couplés et sont reliés à la masse par l'intermédiaire de la jonction émetteur-collecteur d'un transistor 72 constitliant une source de courant constant. La base du transistor 72 est reliée à la jonction 10 de la résistance 56 et de la diode 58. Une résistance de charge 24 relie le collecteur du transistor 70 à la jonction 34, et une connexion directe est établie entre le collecteur du transistor. 64 et cette même jonction 34. La base du transistor 70 est directement reliée au condensateur de découplage HP 36. 15 Le courant de base du transistor 64 s*écoule à travers une résistance 66, tandis que les courants de base des transistors 26, 28 et 70 s'écoulent à travers une résistance 68. En conséquence afin que des tensions de polarisation sensiblement égales soient appliquées aux bases des transistors 64 et 70, la résistance 66 20 doit être trois fois plus grande que la résistance 68, dans l'hypothèse où tous les transistors requièrent le même courante base. Autrement dit, les valeurs des résistances 66 et 68 doivent être dans vua rapport tel que les chutes de tension depuis l'émetteur 25 du transistor 60 à travers les différentes résistances soient égales. On remarquera que ce rapport est avantageux en ce qui concerne les techniques de fabrication de circuits intégrés, qui permettent de contrôler relativement facilement les valeurs relatives des composants, mais difficilement leurs valeurs absolues. 50 si les courants de base des transistors ne sont pas égaux, le rapport requis dea valeurs des résistances 66 et 68 est facilement déterminé. La polarisation du circuit limiteur est accomplie ain*utilisant qu'un unique condensateur de découplage HP 36 dans la boucle de 35 réaction. Ceci réduit le nombre des composants extérieure devant être utilisés avec la plaquette de circuit intégré, et en conséquence le nombre des connexions à effectuer sur ladite plaquette. On va maintenant décrire les moyens permettant de fournir une tension régulée à la jonction 34 à partir de la tension 40 positive appliquée à la plage de contact 42 ï le collecteur d'un 69 03777 5 2001986 transistor 74 est directement relié à la plage de contact 42 et, par suite, à la source de tension positive, l'émetteur du transistor 74 est directement relié à la base d'un transistor 76, tandis que sa base est reliée au point de jonction de deux diodes 5 Zêner 78 et 80 montées en série entre la plage de contact 42 et la masse. Le collecteur .et l'émetteur du transistor76 sont branchés entre la plage de contact 42 et la jonction 34. Bien entendu, d'autres moyens pourraient être employés pour la régulation de la tension, qui n'affecte pas le fonctionnement du cir-10 cuit de manière critique. Le discriminateur 200 met en oeuvre un unique circuit accordé parallèle, en lieu et place des deux circuits accordés habituellement utilisés selon l'art antérieur. Puisqu'il est fait emploi d'un seul circuit accordé, le coût du réseau discriminateur est 15 sensiblement réduit, et son réglage requiert moins de travail, étant donné qu'un discriminateur de déphasage comprenant un unique circuit accordé est plus facilement aligné que les dispositifs de l'art antérieur comportant deux circuits accordés. Le discriminateur 200 comprend un circuit accordé 202 formé âO d'une inductance 204 et d'un condensateur 206 qui ne sont pas incorporés à la plaquette du circuit intégré, mais sont reliés à ses plages de contact 207 et 208. Une résistance 210 et un condensateur 212 sont montés en série entre la plage de contact 207 et la masse, la jonction entre cette résistance et ce conden-25 sateur étant directement relié au collecteur du transistor 70. Deux condensateurs 214 et 216 sont montés entre chaque borne du circuit accordé et la masse : en d'autres termes, le condensateur 214 est monté entre la borne 207 et la masse, tandis que le condensateur 216 est monté entre la borne 208 et la masse. 3) En fonctionnement l'onde de tension en créneaux rectangulaires qui apparaîtrait normalement aux bornes de la résistance de charge 24 du dernier étage limiteur 22 est transformée par le condensateur d'intégration 212 en une onde partiellement intégrée, et donc triangulaire, apparaissant à la jonction de la résistance 210 et 35 du condensateur 212. Cette onde intégrée fait l'objet d'une seconde intégration par l'effet du condensateur 214, de sorte que les harmoniques appliqués aux deux bornes d'entrée du détecteur- amplificateur différentiel 300 sont sensiblement étouffés. Les signaux de sortie du discriminateur 200 apparaissent aux -40 bornes du condensateur 214 (ou des condensateurs 206 et 216 en 69 03777 6 2001986 série) et du condensateur 216. Ces signaux de sortie, qui constituent des tensions d'excitation équilibrées pour le réseau détecteur-amplificateur 300, sont déphasés de 180°, et non pas d'un angle asymétrique, comme dans les dispositifs en quadrature 5 de l'art antérieur. Le fonctionnement du réseau discriminateur en opposition de phases améliore la réfection de modulation d'amplitude du détecteur-amplificateur, puisqu'il s'en suit une réduction de la période pendant laquelle les deux transistors redresseurs du détecteur-amplificateur sont simultanément conduc-10 teurs. De surcroit, le réseau discriminateur est agencé de telle manière qu'il constitue un circuit commun en courant continu depuis la sortie du limiteur à travers le réseau discriminateur jusqu'à l'entrée de chaque circuit détecteur. Ainsi, un circuit 15 en courant continu existe depuis l'électrode du transi70 à travers la résistance 210 vers la hase du transistor redresseur 306 et, d'une manière similaire, un circuit en courant continu existe depuis le collecteur du transistor 70 à travers la résistance 210 et l'inductance 204 jusqu'à la hase du transistor redresseur 20 310. Le circuit continu qui relie les deux entrées du détecteur-amplificateur au dernier étage limiteur 22 permet une polarisation égale des transistors redresseurs du détecteur-amplificateur 300, et par suite un fonctionnement équilibré sans qu'il soit besoin 25 de procéder à l'ajustement de circuits de polarisation séparés. En outre, puisque les deux bornes d'entrée du détecteur-amplificateur 300 sont reliées par l'inductance 204, les mêmes composantes de modulation d'amplitude sont appliquées de part et d'autre du détecteur, d'où il résulte des avantages qui seront décrits en 30 détail ci-après. Les fréquences principales du discriminateur de décalage de phases 200 sontCu»Q,w^ etw'g, et apparaissent sur le graphique de la figure 2, qui représente en fonction de la fréquence les signaux de sortie du discriminateur du dispositif détecteur de 35 signaux modulés en argument . Les- signaux d'excitation push-pull prélevés sur l'une quelconque des bornes du circuit accordé parallèle 202 sont désignés pour commodité par e^ et ei étant le signal de sortie du discriminateur apparaissant aux bornes du condensateur 214, et le signal de sortie apparaissant aux bornes àxi condea~ 69 03777 7 2001986 sateur 216. Pour la fréquence centrale OJ du discriminâteur, ces deux tensions sont de même amplitude mais en opposition de phases. De part et d'autre de la fréquence centrale et sur une gamme de fréquence déterminée, l'amplitude d'un signal s'accroît tandis que 5 celle de l'autre signal décroît, laïfcase relative des deux signaux restant sensiblement égale à 180°. Ces fréquences principales peuvent être déterminées comme suit : d'après la figure 1, il apparaît clairement que est de valeur minimale à la fréquence de résonance de l'inductance 204 10 et du condensateur 206, pour laquelle le circuit accordé présente 2 2 sa plus forte impédance, ou autrement dit, lorsque OJ = OJ ^ = 1 . D'une manière similaire, e^ est de valeur mini- *204 °206 maie lorsque la susceptance inductive équivalant à l'inductance 15 204 et au condensateur 206 est égale à la susceptance capacitive du condensateur 216 , c'est-à-dire lorsque -JW LC216 = L G 206 + 204 20 d'où ta L204^°206+ •La fréquence d'accord parfaites du discriminateur de variation de phase 200 est obtenue lorsque la susceptance inductive 25 de l'inductance 204 et du condensateur 206 est égale à la moitié de la susceptance capacitive du condensateur 216, c'est-^-dire lorsque : ~**0°216 = 2 ^w0°206 + ^ 3W0L204 30 d'où 2 0 L204^G206 + °216 * Ces fréquences principales sont indiquées sur la graphique de 35 la figure 2, sur lequel sont portées en fonction de la fréquence les tensions e^ et apparaissant aux bornes des condensateurs 214 et 216 respectivement. La fréquence de résonance du réseau en T complexe formée par le condensateur 214, l'inductance 204 et le condensateur 206 et le condensateur 216 est donnée par 69 03777 8 2001986 U)T2 = 1_ L (3 + C214°216 ^ 204 l 206 n +Q J 5 ^ 214 216 / Dans le cas part culier où les capacités des condensâteurs 214 et 216 sont égales u>r2 = to02 = 1 __ 10 f Il204^206 2 de sorte que la fréquence de résonance du réseau complexe en TT est égale à la fréquence centrale du circuit discriminateur . La 15 symétrie des caractéristiques représentée sur la figure 2 est obtenue par le choix judicieux des capacités des condensateurs 214, 216 et 212, et de la valeur de la résistance 210. Il n'est pas nécessaire que les capacités des condensateurs 214 et 21$ soient égales, étant donné que la valeur de la résistance 210 20 peut être choisie pour conférer la symétrie désirée aux signaux de sortie du discriminateur. Il est souhaitable que le facteur de qualité de l'inductance 204 reste élevé , afin d'éviter de modifier la différence de phase de 180° entre e^ et e2» On remarquera que les tensions e^ et e2 varient littérairement 25 en fonction de la fréquence entre les deux valeurs extrêmes de e.j et e2, comme montré sur la figure 2. En dehors de cette gamme de fréquences, e^ ei/e^ ne sont plus fonctions linéaires de la fréquence. La figure 3 représente à une échelle différente la caracté-5° ristique obtenue par soustraction des valeurs des deux signaux de sortie du discriminateur dans la gamme de fréquences assurant une réponse linéaire. Il ressort des valeurs de ^ et^Og tirées des équations ci-dessus que la gamme de fréquences comprise entre L'excitation du discriminateur 200 est prélevée sur le collecteur du transistor 70 de l'étage limiteur 22. Dans la voiede sou&-porteuse son d'un récepteur de télévision, cette excitation sèrait, selon les normes américaines, une onde en créneaux à 40 4,5 MHz. L'effet de filtre du réseau comprenant le condensateur 212 associé à la résistance 210 et au condensateur 214 permet une atténuation substantielle des harmoniques de la fréquence fondamentale de 4,5 MHz, de sorte que les tensions ei et e2 sont ■) 69 03777 2001986 pratiquement sinusoïdales. Cet étouffement des harmoniques améliore 1* équilibre du dispositif, en ce que ces harmoniques ne sont pas appliqués aux bornes d'entrée du réseau détecteur-amplificateur. Une caractéristique avantageuse du discriminateur de variation 5 de phases 200 dans les appareils de radio à modulation de fréquence ou les téléviseurs, est que les condensateurs 214 et 216 sont de capacités peuvent être facilement incorporés à une plaquette monocristaline de silicium. Toutefois, pour un fonctionnement à des fréquences plus basses, ces condensateurs peuvent 10 être disposés à l'extérieur de la plaquette du circuit intégré. Il convient de remarquer que le circuit accordé 202 du discriminâteur 200 ne peut pas actuellement être réalisé sous forme de circuit intégré. Toutefois, ce discriminateur fait emploi d'un unique circuit accordé, en lieu et place des deux circuits 15 accordés habituellement utilisés selon l'art antérieur, de sorte que le nombre de composants extérieurs et des connexions avec la plaquette sont réduits et que par suite le coût de fabrication est abaissé. Une variante du réseau à variation de phases associé au réseau 20 détecteur-amplificateur différentiel 300 est représentée sur la figure 4. Dans ce réseau à variation de phases, les deux tensions sont en quadrature, .et non plus en opposition comme dans le réseau discriminateur représenté sur la figure 1. Les signaux de sortie du discriminateur sont prélevés aux bornes du circuit accordé 202*, 25 formé de l'inductance 204' et du condensateur 206'. L'inductance 204* comporte une prise médiane 218 qui est directement reliée par un conducteur 220 au collecteur du transistor 70 du dernier étage limiteur 22. Un condensateur 214' assure la mise à la masse du conducteur 220 et un condensateur 216' met à la masse l'une 30 des bornes du circuit accordé 202'. D'une manière générale, le fonctionnement de ce réseau à variation de phases est semblable à celui du discriminateur représenté sur la figure 1, en ce qui concerne l'intégration d'ondes en créneaux par le condensateur 214'. Une tension en 35 quadrature est induite dans le circuit accordé 202' à sa fréquence de résonance, laquelle s'identifie à la fréquence centrale du discriminateur, Le condensateur 216! est l'élément du circuit qui permet la production d'une tension en quadrature. Il convient de remarquer que les réseaux discriminateurs .-40 des figures 1 et 4 font tous deux usage d'un unique circuit accordé. 69 03777 2001986 Cependant, le circuit accordé 202* du réseau à variation de phases représenté sur la figure 4 entre en résonance pour la fréquence centrale IV du diecriminateur, tandis que le circuit accordé 202 du réseau à variation de fréquence représenté sur la figure 1 5 entre en résonance à la fréquence ÙJ ^ , située sensiblement à l'écart de la fréquence centrale du discriminateur. La fréquence centrale q du circuit accordé 202 est celle pour laquelle ledit circuit se comporte comme réactance inductive pure. Le fonctionnement en opposition de phases du discriminateur 10 représenté sur la figure 1 assure une meilleure déjection de modulation d'amplitude en combinaison avec le réseau détecteur-amplificateur différentiel 300, décrit en détail ci-après. Ceci résulte du fait que l'opposition de phases assure la meilleure symétrie et le moindre chevauchement des périodes de conduction 15 des transistors du circuit détecteur. Ceci est particulièrement important lorsqu'une modulation d'amplitude existe et qu^îl uuuvlb d'éviter que les composantes de modulation d'amplitude n'affectent pas le courant de sortie du détecteur. En se reportant à nouveau à la figure 1, la sortie du discri-20 minateur à variation de phases 200 prélevée aux bornes des condensateurs 214 et 216 excite le détecteur-amplificateur 300 a > Ce dernier comprend deux étages détecteur-amplificateur 302 et 304 dont chacun comporte un premier transistor dont l'émetteur est directement relié à la basse d'un second transistor. Ainsi, 25 l'émetteur du transistor 306, dont la base est reliée à l'une des bornes du circuit accordé 202 par l'intermédiaire de la plage de contact 206, est directement relié à la base d'un transistor 308. D'une manière similaire, l'émetteur du transistor 310, dont la base est reliée à l'autre borne du circuit accordé 202 par 30 l'intermédiaire de la plage de contact 208, est relié à la base d'un transistor 312. Les transistors 308 et 312 sont couplés de manière à constituer un amplificateur différentiel. Les émetteurs des transistors 308 et 312 sont reliés au collecteur d'un transistor 318 faisant 35 office de source de courant constant par l'intermédiaire de deux résistances 314 et 316 respectivement. Ces résistances assurent la dégénérescence requise pour l'amplificateur différentiel. La source de courant constant est constituée par le transistor 318 et son circuit de polarisation, la résistance 56 et la diode 58. 40 L'émetteur du transistor 318 est directement mis à la masse, sa t&s 69 03777 n 2001986 étant reliée à l1 anode de la diode 58. Une résistance 320 relie le collecteur du transistor 312 à la source de tension reliée à la plage de contact 42. Une plage de contact de sortie 322 est reliée au collecteur du tran-5 sistor 312. un condensateur de shunt âge peut être branché entre le collecteur du transistor 312 et la masse. La "borne de sortie 322, dans le mode de réalisation représenté, est destinée à fournir une tension de sortie représentative de l'excursion angulaire, en fréquence ou en phase du signal appliqué aux "bornes d'entrée 10 14 et 14' du dispositif détecteur de modulation d'arguments. Les transistors 306, 308 et 310, de même que la transistor 312, sont alimentés depuis la source de tension positive reliée à la plage de contact 42. En conséquence, une connexion directe est établie entre les collecteurs des transistors 306, 308 et 310 et la plage 15 de contact 42. Etant donné que les deux transistors 306 et 310 des deux étages détecteur-amplificateur 302 et 304 sont directement reliés aux bases des transistors 308 et 312 respectivement, la résistance d'entrée des transistors 308 et 312 constitue: pratiquement toute 20 la résistance de charge des transistors 306 et 310. Etant donné que l'impédance d'entrée des transistors 308 et 312 est très élevée, les transistors 306 et 310 sont pratiquement polarisés à la coupure, et en conséquence, présentent une sensibilité très élevée, puisqu'il n'existe pratiquement aucun seuil à dépasser 25 avant que la détection se produise. Si la capacité associée à la jonction basse-émetteur des transistors 308 et 312 constituant l'amplificateur différentiel est trop faible pour produire la constante de temps nécessaire pour la démodulation, une capacité additionnelle, par -exemple sous 2D la forme d'un condensateur 324, peut être branchée entre l'émetteur du transistor 306 et la masse, un condensateur 326 étant branché entre l'émetteur du transistor 310 et la masse. Par l'addition des condensateurs 324 et 326, la constante de temps nécessaire peut être obtenue. Ces condensateurs peuvent être de très faible capa-35 cité, grâce à l'impédance d'entrée très élevée des transistors 306 et 310 montés en émettodyne, de sorte que ces condensateurs peuvent être incorporés au circuit intégré. En fonctionnement, le transistor 318 faisant office de source de courant constant détermine la somme des courantscollec-■40 teurs des transistors 308 et 312 de l'amplificateur différentiel. 69 03777 12 2001986 En retour, ceci détermine le courant fourni aux bases des transistors 308 et 312. Etant donné qu'il n'existe aucun circuit en dérivation entre les émetteurs des transistors 306 et 310 et la masse, le courant ^-d'éaetteur traversant ces derniers est sensible-5 ment égal au courant de base des transistors 308 et 312. De la sorte, les transistors redresseurs 306 et 310 sont polarisés à la coupure, de sorte que la détection se produit pour des niveaux de signaux d'entrée relativement faibles. Le signal RP modulé appliqué à l'entrée de l'étage détecteur-10 amplificateur 300 constitue un signal d'entrée équilibré , qui est appliqué aux bases des transistors redresseurs 306 et 310. L'amplitude des signaux d'entrée HP modulés appliqués aux bases des transistors redresseurs 306 et 310 varie inversement en fonction du signal modulé en argument appliqué aux bornes d'entrée 14 et $.5 14'î ils sont redressés par lesdits transistors avant d'être utilisés comme signaux d'entrée pour l'amplificateur différentie.L, en vue de produire le signal de sortie démodulé apparaissant à la plage de contact 322. Le dispositif détecteur-amplificateur présente de meilleures 20 possibilités en ce qui concerne la réfection de modulation d'amplitude, étant—dorme que le montage incluantT.es transistors' 308 et 312 couplés en amplificateur différentiel garantit de bonnes performances en réfection à mode commun. En outre, en raison du gain élevé attaché à l'amplificateur différentiel, des 25 signaux d'entrée HP de très faible niveau suffisent pour produire un signal de sortie de niveau élevé. Le faible niveau des signaux d'entrée HF atténue l'incidence du rayonnement HP associée aux schémas démodulateurs de l'art antérieur. On se reportera mainténant à la figure 5, sur laquelle est 30 représentée une variante de réalisation de l'étage détecteur-amplificateur du dispositif détecteur de modulation d'argument . Le circuit de la figure 5 semblable au détecteur-amplificateur représenté sur la figure 1, à l'exception du fait qu'une résistance et un condensateur sont insérés dans le réseau reliant chaque 35 transistor redresseur à l'amplificateur différentiel. L'émetteur du transistor redresseur 306' est relié à la base du transistor 308' par une résistance 326; l'émetteur du transistor 306' et la base du transistor 308' sont respectivement reliés à la masse par des condensâteurs 328 et 330. 40 D'une manière similaire, une résistance 332 relie l'émetteur 69 03777 13 2001986 du transistor 3.10* à la base du transistor 312'; l'émetteur du transistor 310* et la base du transistor 312* sont respectivement reliés à la masse par des condensateurs 334 et 336. Les résistances 326 et 332 peuvent être de valeurs inégales pour améliorer la 5 réfection de modulation d'amplitude. Un effet similaire peut être obtenu au moyen d'une unique résistance. L'utilisation de deux condensateurs dans le circuit d'émetteur des transistors redresseurs, comme montré sur la figure 5, est particulièrement adaptée aux applications en basse fréquence, 10 où il peut être avantageux de prévoir un filtre additionnel. De cette manière, la détection et le filtrage requis peuvent être obtenus pour une valeur minimale de la capacité totale. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de mise en oeuvre décrits et illustrés, qui n'ont été donnés 15 qu'à titre d'exemple. Au contraire, l'invention comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques de ceux écrits et illustrés, ainsi que leurs combinaisons, exécutées dans le cadre des revendications qui suivent. 69 03777 14 2001906 REVElTDIOAHIOirS 1- Dans un dispositif pour le traitement de signaux modulés en argument comprenant une source de -tels signaux s'inscrivant dans une gamme de fréquences déterminée et devant être démodulés, 5 un réseau discriminâteur, caractérisé par un premier et un second condensateurs couplés en série, une inductance montée aux bornes dudit premier condensâteur et couplée à ladite source, un premier circuit de sortie monté aux "bornes dudit second condensateur et un second circuit de sortie monté en parallèle sur les deux 10 condensateurs. 2- Un réseau discriminateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier et le second condensateur sont montés en série aux bornes de la source de signaux modulés en argument , et en ce que les valeurs de l'inductance et du premier condensateur 1 5 sont choisies pour assurer leur résonance à une fréquence . de la borne supérieure de la gamme de fréquences desdits signaux modulés en argument , tandis que les valeurs des premier et second condensateurs et de l'inductance sont choisies pour assurer leur résonance à une fréquence voisine de la borne inférieure de ladite 20 gamme de fréquences. 3- Un discriminateur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'un troisième condensateur est monté en parallèle sur les premier et second condensateurs montégên série, ledit troisième condensateur étant de valeur telle que des signaux de même ampli- 25 tude soient fournis par les circuits de sortie précités à une fréquence voisine de la fréquence centrale de la' gamme de fréquence précitée des signaux modulée en arguments. 4- Un réseau discriminateur selon la-revendication 3, caractérisé en ce qu'une résistance est montée entre la source .de signaux 30 modulés en argument et la jonction des premier et troisième condensateurs cités. 5- Un réseau discriminateur selon la revendication 4, caractérisé par un quatrième condensateur monté aux bornes de la source de signaux modulés en argument . 35 6- Un réseau, discriminateur selon la revendication 1 , carac térisé en ce que l'inductance précitée comporte une prise médiane entre les bornes du premier condensateur, ladite prise médiane étant reliée à la source des. signaux modulés en argument , et les valeurs de ladite inductance et du premier condensateur étant "côpy 69 03777 15 2001986 choisies pour assurer leur-résonance à une fréquence voisine de la fréquence centrale de la gamme de fréquencesdesdits signaux modulés en argument. 7 - Un réseau discriminateur selon la revendication 6, carac-5 térisé en ce qu'un troisième condensateur est branché entre la prise médiane de l'inductance et la "borne la plus éloignée du second condensateur. 8 - Dans un dispositif pour le traitement de signaux modulés en argument, un réseau discriminateur selon l'une des revendica- 10 tions 1 à 7 caractérisé par un premier et un second transistors alimentés par une source de tension et ayant chacun une électrode d'entrée et une électrode de sortie, l'électrode d'entrée du premier transistor étant 3f.^li^® à la •jonction commune des premier et 15 second condensateurs cités, et l'électrode d'entrée du second transistor à la jonction- commune audit premier condensateur et à l'inductance précitée la plus éloignée dudit second condensateur, un troisième et un quatrième transistors alimentés par ladite source 20 formant un amplificateur différentiel ayant une première et une seconde entrées, ladite première entrée étant reliée à l'électrode de sortie du premier transistor par un unique circuit en courant continu, ladite seconde entrée étant reliée à l'électrode de sortie du second transistor par un unique circuit en courant continu, les 25 valeurs des premier et second condénsateurs et de l'inductance était choisies de manière que des signaux de même amplitude soient appliqués aux électrodes d'entrée des premier et- second transistor pour une fréquence voisine de la -fréquence centrale de modulation des signaux modulés en argument, et des moyens étant couplés audit 30 amplificateur différentiel pour exploiter ses signaux de sortie. 9 - Dans un dispositif pour le traitement de signaux modulés en argument , un réseau discriminateur selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé par un premier et un second transistors alimentés par une source de tension et ayant chacun une électrode 35 d'entrée et une électrode de sortie, lesdites électrodes d'entrée étant reliées audit réseau discriminateur, par un troisième et un quatrième -transistors alimentés par ladite source de ténsion et 69 03777 16 courant continu. 10- Un réseau discriminateur selon la revendication 9, caractérisé en ce que le premier condensateur relie la jonction de l'électrode de sortie du premier transistor et de la première 5 entrée de l'amplificateur différentiel à un point maintenu à un potentiel de référence, et en ce que le second condensateur relie la jonction de l'électrode de sortie du second transistor et de la seconde entrée de l'amplificateur différentiel à ce même point