直接帶隙和間接帶隙

直接能隙 （ 英語 ： Direct band gaps ） 是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應同一個k值的能帶結構 ， 具有這種結構的半導體稱爲直接躍遷型半導體 （ 或稱直接帶隙半導體 ） 。 直接帶隙結構中 ， 電子由價帶頂躍遷至導帶底時保持k不變 ， 並吸收光子 。 間接能隙 （ 英語 ： Indirect band gaps ） 是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應不同k值的能帶結構 ， 具有這種結構的半導體稱爲間接躍遷型半導體 （ 或稱間接帶隙半導體 ） 。 間接帶隙結構中 ， 電子由價帶頂躍遷至導帶底時動量發生改變 ， 因此電子躍遷時除吸收光子外還要吸收或發射聲子 ， 這樣才能滿足動量守恆的要求 。