浮柵金屬氧化物半導體場效應晶體管

浮柵金屬氧化物半導體場效應晶體管 （ Floating-gate MOSFET ， 簡稱浮柵MOSFET或FGMOS ） 是一種場效應晶體管 ， 其結構類似傳統的金屬氧化物場效應晶體管 （ MOSFET ） 。 FGMOS的柵極是電絕緣的 ， 從而在直流電中產生浮動節點 。 在浮柵 （ floating gate ） 上方以沉積方式構造多個次級柵極或輸入電極 ， 與浮柵絕緣 。 這些輸入與浮柵僅有電容耦合連接 。 由於浮柵完全被高電阻材料包圍 ， 因此其中包含的電荷量會長時間保持不變 。 通常使用Fowler - Nordheim隧穿和熱載流子注入機制來修改存儲在浮柵中的電荷量 。 FGMOS的應用包括EPROM中的數字存儲元件 、 EEPROM和閃存 、 模擬存儲元件 、 、 單晶體管DAC以及神經網絡中的神經元計算元件等 。