雪崩二極管

雪崩二極管 （ avalanche diode ） 是設計在特定反向電壓下 ， 會突崩潰的二極管 ， 其材料會用矽或是其他半導體材料 。 雪崩二極管的接合面會經特別設計 ， 避免電流集中及所產生高溫熱點 ， 因此在崩潰時不會破壞二極管 。 突崩潰是因爲少數載子加速到足以使晶格電離的程度 ， 因此產生更多的載子 ， 也造成更進一步的電離 。 因爲突崩潰是在接面上均勻發生的 ， 相較於非雪崩的二極管 ， 雪崩二極管的崩潰電壓不會隨電流而變化 ， 大致呈一定值 。 稽納二極體除了外 ， 也會有類似的效應 。 任何一個二極體都會有這二種效應 ， 但一般會有一個效應明顯較強 。 雪崩二極管針對突崩潰進行最佳化 ， 因此在崩潰條件下會有很小 ， 但明顯的電壓差 。 而稽納二極體會維持在高過崩潰電壓的一個電壓下 。 此特性比較類似氣體放電管 ， 比稽納二極體的保護效果要好 。 雪崩二極管的電壓有小的正溫度係數 ， 而稽納二極體則是負溫度係數 。