極紫外光刻

極紫外光微影 、 超紫外線平版印刷術 ( 亦稱EUV或EUVL ） 是一種使用極紫外光 （ EUV ） 波長的技術 ， 目前使用7納米 ， 2020年得到廣泛應用 。 透過高能量 、 波長短的光源 ， 將光罩上的電路圖案轉印到晶圓的光阻劑塗層 。 EUV光源波長比目前DUV  的光源波長短 ， 約爲15分之1 ， 因此能使用於線距更小電路圖案的曝光上 。 然而EUV光罩與傳統的光罩截然不同 ， 當採用 13.5 nm波長的極紫外光微影技術時 ， 所有的光罩材料都是不透光的 ， 因此具複合多塗層反射鏡的光罩可將電路圖案反射到晶圓上 。 這種多層膜EUV光罩一方面可維持光罩的反射率 ， 但另一方面會影響臨界線寬 、 輪廓 、 刻線邊緣粗糙度 、 選擇性和缺陷控制方面 ， 而造成獨特的蝕刻效果 。