二次離子質譜

二次離子質譜  是用來分析固體表面或者是薄膜的化學成分的技術 ， 其用一束聚焦的離子束濺射待測品表面 ， 並通過檢測轟擊出的二次離子的荷質比確定距表面深度1 - 2納米厚的薄層的元素 、 同位素與分子的組成 。 它是用m ， Xe等惰性氣體電離產生重離子來轟擊樣品表面 ， 把打出試樣的碎片連同轟擊時彈射出去的原激發離子一同送入質譜計 ， 進行質量分離與檢測 ， 最後得到質譜 。 它的原理除了採用離子槍轟擊激發以外 ， 其餘與質譜儀完全相同 。 SIMS一般採用四極質譜計 ， 因爲它結構簡單 ， 而且體積較小 。 但是它檢測的相對分子質量範圍僅限於幾千以下 。 SIMS是一種非常靈敏的表面分析方法 ， 它在有機高分子分析方面的應用近年來獲得迅速的發展 。 現代的綜合能譜儀上常附有SIMS的裝置 。