浮帶矽

浮帶矽  是利用垂直式區域熔鍊技術所得到的高純度矽 。 先是1953年的科學家保羅 · 開克 （ Paul H. Keck ， 1908年6月28日 － 1963年4月8日 ） 與以區域熔鍊法制備出矽單晶 。 後來又有1955年貝爾實驗室的Henry Theuerer改良威廉 · 加德納 · 普凡純化鍺的程序而開發出相關技術 。 在垂直式的區域熔鍊裏 ， 熔融矽有足夠的表面張力避免爐料固液分離 ， 如此便可不用再加裝密閉容器防止矽被污染 。 若欲取得高純度的矽 ， 浮帶矽製程是柴式拉晶法的替代方案 。 以此法精煉之矽可以做到碳 、 氧等雜質濃度極低 。 另一種雜質氮可以控制微小的晶體缺陷 ， 而且有的效果 ， 是故在晶體的成長階段常常人爲刻意滲氮保留一點點氮雜質 。 浮帶矽受限於成長時必須控制表面張力 ， 所以製造出來的晶圓直徑通常不超過150毫米 。 一條超純電子級多晶晶棒通過一環射頻加熱線圈 ， 在該晶棒上產生一小段熔融區長晶 。 一小顆晶種置於一端以啓始晶體成長 。 整個製程必須在通惰性氣體或在真空腔體中進行 ， 儘可能避免污染 。 因多數雜質在矽中的平衡分離係數小於1 ， 故雜質往液態之熔融浮區移動被帶走 。 特殊摻雜技術如核心位置摻雜 、 小球摻雜 、 滲氣摻雜 、 中子轉化摻雜等等可以達成雜質濃度均勻一致 。