多層單元

多層單元 ( 縮寫MLC ） 是一種存儲多個位元信息的存儲器元件 。 MLC NAND閃存是一種在每個單元 （ cell ） 上使用多個層次的閃存技術 ， 從而允許相同數量的晶體管存儲更多位元 。 在單層單元 （ SLC ） NAND閃存技術中 ， 每個單元只能處於兩種狀態中的一種 ， 即每個單元存儲一個位元 。 很多MLC NAND閃存在每個單元中存儲四個可能的狀態 ， 因此可以用每個單元存儲兩個位元 。 這減少了區分狀態的餘量 ， 從而增加了發生錯誤的可能性 。 面向低錯誤率而設計的多層單元有時稱之爲企業級MLC （ eMLC ） 。 三層單元 （ Triple - level cells ， 縮寫TLC ） 是MLC存儲器的一種子類型 ， 並隨着MLC存儲器的演變而有着較混亂的命名法 。 記憶體階層表現爲如下順序 ： SLC - （ 最快 ， 極高成本 ） MLC - （ 中上 ， 高成本 ） TLC - （ 中等 ， 低成本 ） QLC - （ 最慢 ， 極低成本 ）