高頻寬記憶體

高頻寬記憶體 （ 英文 ： ， 縮寫HBM ） 是三星電子 、 超微半導體和SK海力士發起的一種基於3D堆疊工藝的高效能DRAM ， 適用於高記憶體頻寬需求的應用場合 ， 像是圖形處理器 、 網路交換及轉發裝置 （ 如路由器 、 交換器 ） 等 。 首款使用高頻寬記憶體的裝置是AMD Radeon Fury系列顯示核心 。 2013年10月 ， 高頻寬記憶體正式被JEDEC採納爲業界標準 。 第二代高頻寬記憶體 （ HBM2 ） 於2016年1月被JEDEC採納 。 NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡 — — Tesla P100 、 AMD的Radeon RX Vega系列 、 Intel的Knight Landing也採用了第二代高頻寬記憶體 。