磷化銦鎵

磷化銦鎵 （ Indium gallium phosphide ， 簡稱InGaP ) 也被稱爲磷化鎵銦 （ GaInP ） ， 是由磷 、 銦和鎵組成的半導體 。 因爲其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快 ， 常用於高速或是高功率的電子元件中 。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體 （ HEMT ） 及異質結雙極性晶體管 （ HBT ） 結構中 ， 但也用在太空應用的高速率太陽能電池 ， 若加入鋁 （ 合金 ） 可以製作高亮度的橘紅色 、 橘色 、 黃色及綠色發光二極體 。 磷化銦鎵是磷化銦及磷化鎵的合金 。 Ga 0.5 In 0.5 P是一種有特別重要性的合金 ， 其晶格幾乎和砷化鎵相同 ， 因此配合 ( AlxGa1 - x ) 0.5 In 0.5 ， 可以產生晶格對應的量子阱 ， 可以作爲紅色的激光二極管 ， 例如紅色光 ， 波長650nm的共振腔發光二極體 ， 或是配合聚甲基丙烯酸甲酯塑膠光纖的垂直腔面發射雷射器 。 Ga 0.5 In 0.5 P其能量接面是太陽能電池中砷化鎵接面的二倍到三倍 。 近年發現磷化銦鎵及砷化鎵疊層的太陽能電池在AM0條件 （ 太陽光在大氣層外的平均照度 ， = 1.35 kW / m2 ） 下 ， 效率可以提升25 % 。 另一個磷化銦鎵的合金 ， 其晶格匹配底層的 ， 用來製作高能量效率的磷化銦鎵 / 砷化銦鎵 / 鍺三接面太陽電池 。 磷化銦鎵的磊晶生長可以依磷化銦鎵的趨勢成長 ， 生成一般的材料 ， 而不是任意分佈的合金 。 這會改變該材料的帶隙和其電子和光學性質 。