氮化鋁銦鎵

氮化鋁銦鎵的化學式是InGaAlN ， 是以氮化鎵爲基礎的半導體 ， 常用磊晶成長的方式製成 ， 像是有機金屬化學氣相沉積法 （ MOCVD ） 、 分子束外延 （ MBE ） 、 脈衝激光沉積 （ PLD ） 等方式 。 此材料用在特別的光電應用中 ， 像是藍光雷射LED及藍光LED等 。 Category: 銦化合物 Category: 鎵化合物 Category: 鋁化合物 Category: 氮化物