氮化銦

氮化銦 （ InN ） 是一種小能隙的半導體材料 ， 在太陽能電池及其他高速電子學上有潛在的應用 。 依溫度的不同 ， 氮化銦的能階可以到約 ~ 0.7 eV （ 以往認定的值是 1.97 eV ） 。 其有效電子質量已由高磁場的測量所確認 , ， m * = 0.055 m0 。 氮化銦和氮化鎵的合金爲三元體系的氮化銦鎵 ， 其直接能階從紅外線 （ 0.69 eV ） 延伸到紫外線 （ 3.4 eV ） 。 目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池 。 利用合金 ， 可以對應太陽光的頻譜 。 氮化銦的能階其波長可以長到1900nm 。 不過這類太陽電池要商品化 ， 仍有許多困難 ， 利用氮化銦及高含銦的氮化銦鎵製作p型半導體就是挑戰之一 。 氮化銦和其他氮化物 （ 如 氮化鎵及氮化鋁 ） 的異質外延生長也已證實相當困難 。 氮化銦的多晶薄膜有高導電性 ， 在氦的溫度下甚至有超導性 。 其超導轉態溫度爲Tc依其薄膜結構而定 ， 會低於4 K 。 其超導性在強磁場 （ 數個特斯拉 ） 下仍然存在 ， 這和金屬在磁場爲 0.03 T時超導性就會下降的特性不同 。 其超導的特性是因爲金屬銦的煉狀結構或是奈米簇 ， 其中依照金茲堡 － 朗道方程 ， 較小的尺寸增高了臨界磁場 。