斯特蘭斯基－克拉斯坦諾夫生長

斯特蘭斯基 － 克拉斯坦諾夫生長簡稱S - K生長 ， 是薄膜在結晶表面磊晶成長的三種主要模式之一 。 此生長機制包含兩個過程 ： 首先在基板上吸附成薄膜並開始層狀累積 ， 達到臨界厚度時 ， 會因應力和化學能導致薄膜轉變爲島狀成長模式 。 S - K生長最早由伊萬 · 斯特蘭斯基和Lyubomir Krastanov在1938年發現 。 直到1958年 ， S - K生長模式 、 Volmer - Weber生長模式和Frank – van der Merwe生長模式才被恩斯特 · 鮑爾 （ Ernst Bauer ） 在他的著作中正式歸類爲薄膜成長的三大主要機制 。