MIS結構

MIS結構是研究半導體表面電場效應的一種理想化情況 ， 滿足以下幾個條件 ： 一 、 金屬與半導體的功函數差爲零 二 、 在絕緣層內沒有任何電荷且絕緣層完全不導電 三 、 絕緣體與半導體界面處不存在任何界面狀態 Category: 半導體物理學