拉撒路效應

拉撒路效應  ： 半導體探測器在高能粒子等輻射環境下應用時 ， 體內產生許多間隙原子和空位 ； 由於它們捕獲信號中的電子和空穴過多而不能使用 。 但約在 - 143攝氏度下 ， 又能重新恢復性能和應用 。 這種現象 ， 稱爲拉撒路效應 。 這種效應是1997年瑞士伯爾尼大學的維托里奧 · 帕爾邁和庫爾特 · 波萊等人發現的 。 他們對這效應還做了如下的解析 ： 半導體探測器室溫下在高能粒子等輻射作用下 ， 體內出現許多缺陷 ， 捕獲信號的電子和空穴 ； 後把它們發射回導帶或價帶 ； 但所需時間要比探測器的讀出時間長 。 結果 ， 使讀出信號比應有信號小許多 ， 使信 / 噪比過小而不能使用 。 但在低溫下 ， 探測器由於點陣的低熱能 ， 電子或空穴被局域缺陷捕獲很長時間 ， 這樣 ， 使大部 “ 陷阱 ” 都被佔滿而不起作用 。 這樣使探測器的信號丟失很少或不丟失 。 探測器的性能得到恢復而能重新使用 。