橫向擴散金屬氧化物半導體

橫向擴散金屬氧化物半導體 ( 縮寫 ： LDMOS ） 經常被用於微波 / 射頻電路 ， 製造於高濃度摻雜硅基底的外延層上 。 LDMOS常被用於製作基站的射頻功率放大器 ， 原因是它可以滿足高輸出功率 、 柵源擊穿電壓大於60伏的要求 。 與其他器件 （ 如GaAs場效電晶體 ） 相比 ， LDMOS功放極大值的頻率相對較小 。 LDMOS技術的生產製造商包括臺灣積體電路製造公司 （ TSMC ） 、 格羅方德 （ GLOBALFOUNDRIES ） 、 （ VIS ） 、 英飛凌 、 RFMD 、 飛思卡爾 （ Freescale ） 等 。 Category: 金屬氧化物半導體