多閘極電晶體

多閘極電晶體  是指集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電晶體 （ MOSFET ） 。 它可以用一個電極來同時控制多個閘極 ， 亦可用多個電極單獨控制各閘極 。 後者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor （ MIGFET ） 。 多閘極電晶體被提出爲的是克服半導體工業裏摩爾定律 （ Moore's law ） 發展至今體積的縮小已經到達物理極限的難題 。 相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體 ， 其中包含了超微半導體 、 日立 、 IBM 、 英飛凌 、 英特爾 、 臺積電 、 飛思卡爾 、 加州大學伯克利分校等等 ， 而ITRS預估多閘極電晶體將是32奈米以下重要的奠基石 。 實現上主要的障礙來自於製造技術 ， 不論是平面和非平面的設計都面臨挑戰 ， 特別是顯影以及圖案化技術 。 其他伴隨發展的包含了通道應力 、 矽上絕緣 （ SOI ） 以及高介電質 / 金屬閘極材料 。 雙閘極電晶體廣泛用於超高頻混頻器 （ VHF mixers ） 和超高頻 （ VHF front end amplifiers ） 。 製造商包含Motorola 、 NXP和Hitachi 。