金屬半導體場效應管

金屬半導體場效應管  ， 簡稱金半場效應管 ， 是一種在結構上與結型場效應管類似 ， 不過它與後者的區別是這種場效應管並沒有使用PN結作爲其柵極 ， 而是採用金屬 、 半導體接觸結 ， 構成肖特基勢壘的方式形成柵極 。 金屬半導體場效應管通常由化合物半導體構成 ， 例如砷化鎵 、 磷化銦 、 碳化硅等 ， 它的速度比由硅製造的結型場效應管或MOSFET更快 ， 但是造價相對更高 。 金屬半導體場效應管的工作頻率最高可以達到45 GHz左右 ， 在微波頻段的通信 、 雷達等設備中有着廣泛應用 。 第一個金屬半導體場效應管在1966年被髮明 ， 其良好的極高頻性能在隨後的一年即展現出來 。 在數字電路設計領域 ， 由於數字集成電路的集成度不斷提高 ， 因此使用金屬半導體場效應管並不如CMOS 。