氮化鎵

氮化鎵 （ GaN 、 Gallium nitride ） 是氮和鎵的化合物 ， 是一種III族和V族的直接能隙 （ direct bandgap ） 的半導體 ， 自1990年起常用在發光二極體中 。 此化合物結構類似纖鋅礦 ， 硬度很高 。 氮化鎵的能隙很寬 ， 爲 3.4 電子伏特 ， 可以用在高功率 、 高速的光電元件中 ， 例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體 ， 可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光 （ Diode - pumped solid - state laser ） 的條件下 ， 產生紫光 （ 405 nm ） 雷射 。 如同其他III族元素的氮化物 ， 氮化鎵對電離輻射的敏感性較低 ， 這使得它適合用於人造衛星的太陽能電池陣列 。 軍事的和空間的應用也可能受益 ， 因爲氮化鎵設備在輻射環境中顯示出穩定性 。 相比砷化鎵 （ GaAs ） 晶體管 ， 氮化鎵晶體管可以在高得多的溫度和電壓工作運行 ， 因此它們是理想的微波頻率的功率放大器 。