柵氧化層

柵氧化層  ， 是用來把CMOS柵極與下方源極 、 漏極以及源漏極間導電溝道隔離開來的氧化介質層 （ 如右圖 ） 。 通過將溝道上方的硅氧化爲二氧化硅 ， 柵氧化層得以形成 ， 其厚度大約爲5到200納米 ， 這層物質爲絕緣體 。 柵氧化層上方爲導電的柵極材料 。 柵氧化層充當了介質層 ， 使得柵極能夠維持1到5毫伏每立方米的縱向電場 ， 這個電場可以用來控制下方溝道的導通和關斷 。