刻蝕

刻蝕  是半導體器件製造中利用化學途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝 。 刻蝕對於器件的電學性能十分重要 。 如果刻蝕過程中出現失誤 ， 將造成難以恢復的硅片報廢 ， 因此必須進行嚴格的工藝流程控制 。 半導體器件的每一層都會經歷多個刻蝕步驟 。 刻蝕一般分爲電子束刻蝕和光刻 ， 光刻對材料的平整度要求很高 ， 因此 ， 需要很高的清潔度 。 但是 ， 對於電子束刻蝕 ， 由於電子的波長極短 ， 因此分辨率與光刻相比要好的多 。 因爲不需要掩模板 ， 因此對平整度的要求不高 ， 但是電子束刻蝕很慢 ， 而且設備昂貴 。 對於大多數刻蝕步驟 ， 晶圓上層的部分位置都會通過 “ 罩 ” 予以保護 ， 這種罩不能被刻蝕 ， 這樣就能對層上的特定部分進行選擇性地移除 。 在有的情況中 ， 罩的材料爲光阻性的 ， 這和光刻中利用的原理類似 。 而在其他情況中 ， 刻蝕罩需要耐受某些化學物質 ， 氮化硅就可以用來製造這樣的 “ 罩 ” 。