零電容隨機存儲器

零電容隨機存儲器 ( 縮寫 ： ） 是一種新型的動態隨機存取存儲器 ， 是由Innovative Silicon公司基於SOI技術的浮體效應  研發的 。 該技術已經被超微半導體 （ AMD ） 許可用於未來的微處理器 。 Innovative Silicon宣稱零電容隨機存儲器能夠提供和靜態隨機存取存儲器 （ SRAM ， 常在快取中應用 ） 相似的存取速度 ， 但是隻使用了單一晶體管 ， 因此能夠提供更高的封裝密度 。