鐵電隨機存取記憶體

鐵電隨機存取記憶體 ( 縮寫爲或 ） ， 類似於SDRAM ， 是一種隨機存取存儲器技術 。 但因爲它使用了一層有鐵電性的材料 ， 取代原有的介電質 ， 使得它也擁有非揮發性記憶體的功能 。 麻省理工大學達德利 · 艾倫 · 巴克 （ Dudley Allen Buck ） 在1952年提出的碩士論文中 ， 首次提出了這個概念 。 它有比閃存更低的耗電量 ， 還有更高的寫入速度 ， 還有更長的讀寫壽命 ( 大約10 ¹⁰ 到10 ¹⁵ 次循環 ) 。 它在 +85 ℃ 時可以保存數據十年以上 。 但是它的缺點是比閃存存儲密度低 ， 存儲容量限制 ， 和更高的價格 。 與DRAM相比 ， 鐵電隨機存取器的讀操作是破壞性的 ， 因爲它需要遵循先寫後讀架構 ； 若比較舊制程的產品 ， 其密度及速度與相同製程的DRAM接近 ， 但不知道是否能使用與DRAM一樣先進的製程製造 。 相較於MRAM ， 鐵電隨機存取記憶體可以在強大許多的磁場下正常使用 。 Category: 電腦記憶體 Category: 固態電腦儲存媒體 Category: 存儲媒體