硅穿孔

硅穿孔 （, 常簡寫爲TSV ， 也稱做硅通孔 ） 是一種穿透硅晶圓或芯片的垂直互連 。 TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律 （ Moore's Law ） 的互連技術 ， TSV可堆疊多片晶片 ， 其設計概念來自於印刷電路板 （ PCB ）, 在晶片鑽出小洞 （ 製程又可分爲先鑽孔及後鑽孔兩種, Via First, Via Last ） ， 從底部填充入金屬, 矽晶圓上以蝕刻或雷射方式鑽孔 （ via ） ， 再以導電材料如銅 、 多晶矽 、 鎢等物質填滿 。 此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能 。 TSV技術在三維封裝和三維集成電路中具有重要應用 ， 對於跨入3D IC相當具有優勢 。 2006年4月 ， 韓國三星表示已成功將TSV技術應用在 “ 晶圓級堆疊封裝 ” （ Wafer level process stack package, WSP ） NAND Flash堆疊的技術堆疊八個2Gb NAND Flash晶片 ， 以雷射鑽孔打造出TSV製程 ， 高度是 0.56 mm 。 2007年4月三星公佈其以WSP技術應用在DRAM的產品 ， 共堆疊了4顆512Mb的DRAM晶片 。 到目前爲止 ， 晶片商採用矽穿孔技術的商業行爲有限 ， 僅有CMOS （ CIS ） 影像感測器 、 MEMS等少數幾種 。