可編程金屬化單元

可編程金屬化單元 ( 縮寫爲 ） ， 一種新的非揮發性記憶體技術 ， 由亞利桑那州立大學開發 ， 這項專利目前已授權並轉移給Axon Technologies公司 。 它有可能取代快閃記憶體 。 英飛凌在2004年取得PMC技術的授權 ， 並用來開發導電橋接隨機存取記憶體 ( conductive - bridging RAM ， CBRAM ) ， NEC稱爲Nanobridge ， Sony稱其爲electrolytic memory 。 但這些公司都沒有做出實際應用成果 。 目前最主要推動 CBRAM 裝置的公司是Adesto Technologies ， 最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品 。 Category: 電腦記憶體 Category: 固態電腦儲存媒體 Category: 存儲媒體