相變化記憶體

相變化記憶體 ( ， ， 簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM ） ， 又譯爲相變位記憶體 ， 是一種非易失性存儲器裝置 。 PRAM使用含一種或多種硫族化物的 （ Chalcogenide glass ） 製成 ， 目前的主流爲GeSbTe系合金 。 的特性是 ， 經由加熱可以改變它的狀態 ， 成爲晶體 （ Crystalline ） 或非晶體 （ Amorphous ） 。 這些不同狀態具有相應的電阻值 。 因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值 。 它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一 。