等離子體浸沒離子注入

等離子體浸沒離子注入 （ PIII ） 或脈衝等離子摻雜 （ 脈衝PIII ） 是通過應用高電壓脈衝直流或純直流電源 ， 將等離子體中的加速離子作爲摻雜物注入合適的基體或置有電極的半導體晶片的靶的一種表面改性技術 。 電極對於正電性等離子體是陰極 ， 對於負電性等離子體是陽極 。 等離子體可在設計好的真空室中以不同的等離子體源產生 ， 如可產生最高離子密度和最低污染水平的電子迴旋共振等離子體源 ， 及氦等離子體源 ， 電容耦合等離子體源 ， 電感耦合等離子體源 ， 直流輝光放電和金屬蒸汽弧 （ 對金屬物質來說 ） 。 真空室可分爲兩種 - 二極式和三極式 ， 前者電源應用於基體而後者應用於穿孔網格 。