三氟化氮

三氟化氮 （ NF3 ） 是鹵化氮中最穩定的無機化合物 ， 可在鈣的催化下由氨氣與氟氣製成 。 它可以用作氟化氫激光器的氧化劑 ， 半導體 、 液晶和薄膜太陽能電池生產過程中的蝕刻劑 。 曾被試做火箭燃料 。 但由於三氟化氮屬於溫室氣體 ， 能加劇溫室效應 ， 因此有人認爲應該限制這種化合物的使用 。 三氟化氮在半導體及TFT - LCD製造的薄膜製程中扮演 「 清潔劑 」 的角色 ， 不過這類清潔劑是氣態 ， 而非液態 。 在半導體中 ， 薄膜製程的主要設備是 「 化學氣相沉積 」 （ CVD ） 機臺 ， 會在晶圓片上長出薄膜 。 薄膜的成份有可能是矽 、 二氧化矽或其他金屬材料 ， 但這些材料不僅會附著在晶片上 ， 也附著在反應室內的牆壁上 ， 內牆上的二氧化矽累積至相當數量 ， 就會在反應室內形成微塵粒子 （ Particle ） ， 影響晶圓片的良率 。 因此每臺CVD機臺在處理過規定數量的晶圓片後 ， 就要使用含氟的氣體清洗 ， 以去除內壁上的矽化物質 。 不過NF3與CF4 、 C2F6等氣體都屬於多氟碳化物 ， 是造成溫室效應的來源之一 。 半導體廠爲了降低排氣對溫室效應的影響 ， 在排放含氟廢氣前 ， 會以高溫 （ 攝氏700 、 800度才進行 ） 將氣體由有機轉分解爲無機 ， 纔不會破壞臭氧層 。