閘極介電層

閘極介電層是一種用在場效電晶體的閘道與基底上的介電質 。 以目前的科技水平 ， 閘極介電層有許多的限制 ， 如 ： 基底需有極少電子的平面 （ 低密度的電子量子態 ） 高電容 ， 以增加場效電晶體的互導 。 足夠厚 ， 以防止因量子穿遂效應的電穿擊和外泄 。 電容和厚度的限制幾乎是相對的 。 對矽基場效電晶體來說 ， 閘極介電層幾乎總是二氧化矽 ， 因爲熱氧化物會有很乾淨的平面 。 但無論如何 ， 半導體工業對尋找有高介電係數的替代物質有著很高的興趣 ， 這可以使閘極介電層在相同的厚度下能有更高的電容 。