SOI

SOI全名爲Silicon On Insulator ， 是指矽電晶體結構在絕緣體之上的意思 ， 原理就是在矽電晶體之間 ， 加入絕緣體物質 ， 可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍 。 優點是可以較易提升時脈 ， 並減少電流成爲省電的IC ， 在製程上還可以省略部分光罩以節省成本 ， 因此不論在製程上或是電路上都有其優勢 。 此外 ， 在SOI晶圓 （ SOI wafer ） 本身基板的阻抗值的部分也會影響到元件的表現 ， 因此後來也有公司在基板上進行阻抗值的調整 ， 達到射頻元件 （ Radio frequency component 、 RF component ） 特性的提升 。 原本應通過交換器的電子 ， 有些會鑽入矽中造成浪費 ； SOI可防止電子流失 ， 與補強一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺點 。 摩托羅拉宣稱中央處理器可因此提升時脈20 % ， 並減低耗電30 % 。 除此之外 ， 還可以減少一些有害的電氣效應 。 還有一點 ， 可以說是很多超頻玩家所感興趣的 ， 那就是它的工作溫度可高達300 °C ， 減少過熱的問題 。 SOI一開始是由美商IBM公司的晶片部門投入開發 ， 最早用於Macintosh電腦 （ MAC ） 的PowerPC G4處理器 ， 除了IBM外 ， 還有Motorola 、 德州儀器 （ TI ） 、 NEC等公司投入SOI技術的開發工作 ， 但是Intel公司拒絕在其處理器產品中使用SOI技術 ， 因爲其認爲SOI技術容易影響晶圓品質與減低電晶體交換速度 ， 並且SOI上接合點也會減少 ， 也就是一般製程中 「 」 的缺點所煩惱 。 SOI行業聯盟是負責推廣SOI技術 ， 成員包括SOI技術的發明者IBM及一些半導體公司 ， 例如AMD和NVIDIA ， 而Intel並未加入該組織 。