電子注入增強柵晶體管

電子注入增強柵晶體管 （ Injection enhanced gate transistor ） ， 簡稱IEGT ， 是一種結合了GTO和IGBT元件優點的電子半導體器件 ， 具有功率大 、 體積小 、 效率高 、 耐壓值高 、 節能性高等特性 。 IEGT最先由日本東芝於1993年所研發 ， 並以注入式增強結構 （ Injection Enhanced ， 簡稱IE ） 技術 ， 取得IEGT器件開發與生產專利 ， 也使得東芝成爲IEGT器件的主要生產與供應商 。