肖特基勢壘

肖特基勢壘  ， 是指具有整流特性的金屬 - 半導體界面 ， 就如同二極管具有整流特性 。 肖特基勢壘 （ 障壁 ） 相較於PN接面最大的區別在於具有較低的接面電壓 ， 以及在金屬端具有相當薄的 耗盡層寬度 。 並非所有的金屬 - 半導體接面都是具有整流特性的 ， 不具有整流特性的金屬 - 半導體接面則稱爲歐姆接觸 。 整流屬性決定於金屬的功函 、 固有半導體的能隙 ， 以及半導體的摻雜類型及濃度 。 在設計半導體器件時需要對肖特基效應相當熟悉 ， 以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基勢壘 。 肖特基勢壘命名自德國物理學家華特 · 蕭特基  。