薄膜電晶體

薄膜電晶體 （ 英語 ： Thin - Film Transistor ， 縮寫 ： TFT ） 是場效應電晶體的種類之一 ， 大略的製作方式是在基板上沉積各種不同的薄膜 ， 如半導體主動層 、 介電質和金屬電極層 。 TFT是在基板 （ 如是應用在液晶顯示器 ， 則基板大多使用玻璃 ） 上沉積一層薄膜當做通道區 。 大部份的TFT是使用氫化非晶矽 （ a-Si: H ） 當主要材料 ， 因爲它的能階小於單晶矽 （ Eg = 1.12 eV ） ， 也因爲使用a - Si: H當主要材料 ， 所以TFT大多不是透明的 。 另外 ， TFT常在介電 、 電極及內部接線使用銦錫氧化物 （ ITO ） ， ITO則是透明的材料 。 因爲TFT基板不能承受高的退火溫度 ， 所以全部的沉積製程必須在相對低溫下進行 。 如化學氣相沉積 、 物理氣相沉積 （ 大多使用濺鍍技術 ） 都是常使用的沉積製程 。 如要製作透明的TFT ， 第一個被研究出來的方法是使用氧化鋅材料 ， 此項技術由俄勒岡州立大學的研究員於2003年時發表 。 常用的透明TFT半導體材料多爲金屬氧化物 ， 除了ZnO之外 ， 還有IGZO等 。 但是這些金屬氧化物多爲n型半導體材料 。 很多人都知道薄膜電晶體主要的應用是TFT LCD ， 液晶顯示器技術的一種 。 電晶體被作在面板裏 ， 這樣可以減少各像素間的互相干擾並增畫面穩定度 。 大略是從2004年開始 ， 大部份便宜的彩色LCD螢幕都是使用TFT技術的 。 連在乳腺和癌症X - ray檢查的數位X - ray攝影技術上也很常使用TFT面板 。 TFT LCD 是有源矩陣類型液晶顯示器 ( AM - LCD ) 中的一種 。 TFT 的顯示採用 “ 背透式 ” 照射方式, 通過在TFT的背部設置背光源 ， 光源照射時通過TFT LCD 的下偏光板向上透出 ， 通過上下夾層的電極改成FET電極和共通電極 ， 在FET電極導通時 ， 液晶分子的表現也會發生改變 ， 可以通過遮光和透光來達到TFT LCD顯示的目的 。 新的AMOLED （ 主動陣列OLED ） 螢幕也內建了TFT層 。