電子抹除式可複寫唯讀記憶體

電子抹除式可複寫唯讀記憶體 ( 簡稱 ： 或 ） ， 是一種只讀存儲器  ， 可以通過電子方式多次複寫 。 相比EPROM ， EEPROM 不需要用紫外線照射 ， 也不需取下 ， 就可以用特定的電壓 ， 來抹除芯片上的信息 ， 以便寫入新的數據 ， EEPROM 屬於SPD （ 串行存在檢測 ） 技術的一種延伸 。 EEPROM分爲四種工作模式 ： 讀取模式 、 寫入模式 、 擦除模式 、 校驗模式 。 讀取時 ， 芯片只需要Vcc低電壓 （ 一般 +5 V ） 供電 。 而在編程寫入時 ， 芯片會通過Vpp （ 一般 +25 V, 有時較新者會使用 +12 V 或 +5 V ） 獲得編程電壓 ， 並通過PGM編程脈衝 （ 一般爲50ms ） 寫入數據 。 擦除時 ， 只需使用Vpp高電壓 ， 不需要紫外線照射 ， 便可以擦除指定地址中的內容 。 爲保證寫入正確 ， 每寫入一塊數據後 ， 都需要進行類似於讀取的校驗步驟 ， 若錯誤就重新寫入 。 現今的 EEPROM 通常已不再需要使用額外的 Vpp 電壓 ， 且寫入時間也已有縮短 。 在民用的DDR SDRAM及其主流後續產品中 ， 一般 EEPROM 主要用於保存內存的開發者信息 、 生產時間 、 內存信息 、 通訊協議 、 既定內存頻率 、 供電電壓 、 供電電流 、 物理訊息以及內存XMP等訊息 ， 且電腦會在開機自檢 （ Power - On Self - Test ； POST ） 時會讀取這些訊息以保持電腦的正常開機 。 快閃記憶體是EEPROM的後續延伸 。