動態隨機存取存儲器

動態隨機存取存儲器 （ Dynamic Random Access Memory ， DRAM ） 是一種半導體記憶體 ， 主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進制位元 （ bit ） 是1還是0 。 由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象 ， 導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別數據 ， 進而導致數據毀損 。 因此對於DRAM來說 ， 週期性地充電是一個不可避免的條件 。 由於這種需要定時刷新的特性 ， 因此被稱爲 「 動態 」 記憶體 。 相對來說 ， 靜態記憶體 （ SRAM ） 只要存入數據後 ， 即使不刷新也不會遺失記憶 。 與SRAM相比 ， DRAM的優勢在於結構簡單 — — 每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理 ， 相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體 。 正因這緣故 ， DRAM擁有非常高的密度 ， 單位體積的容量較高因此成本較低 。 但相反的 ， DRAM也有存取速度較慢 ， 耗電量較大的缺點 。 與大部分的隨機存取記憶體 （ RAM ） 一樣 ， 由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失 ， 因此它屬於一種揮發性記憶體 （ volatile memory ） 設備 。