要有任何开发进入到半导体的制程，往往都可以压低成本。早期分离式互补式金属氧化物半导体逻辑元件只有「4000系列」一种（RCA 'COS/MOS'制程），到了后来的「7400系列」时，很多逻辑晶片已经可以利用互补式金属氧化物半导体、NMOS，甚至是BiCMOS（双载子互补式金氧半）制程实现。早期的互补式金属氧化物半导体元件和主要的竞争对手BJT相比，很容易受到静电放电的破坏。而新一代的互补式金属氧化物半导体晶片多半在输出入接脚（I/O pin）和电源及接地端具备ESD保护电路，以避免内部电路元件的闸极