延伸数据输出DRAM(Burst EDO DRAM)还有所不及。而SDRAM的内建缓冲则可以使得运算交叉进入zh-hans:多行存储; zh-hant:多个储存单元，这样就可以有效提高带宽，速度更快。时至今日，所有的SDRAM实际上都依照JEDEC(一个电子工业联盟，选定开放的标准，使电子元件的互容性更好)制定的标准制造。JEDEC于1993年正式採用其第一个有关SDRAM的标准，随后是其它SDRAM的标准，包括了DDR、DDR2和DDR3 SDRAM。时至2012年，168-pin(pin