sh。NAND Flash具有较快的抹写时间，而且每个储存单元的面积也较小，这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的储存密度与较低的每位元成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash的I/O介面并没有随机存取外部位址汇流排，它必须以区块性的方式进行读取，NAND Flash典型的区块大小是数百至数千位元。因为多数微处理器与微控制器要求位元组等级的随机存取，所以NAND Flash不适合取代那些用以装载程式的ROM。从这样的角度看来，NAND Flash