又可分为先钻孔及后钻孔两种, Via First, Via Last），从底部填充入金属, 硅晶圆上以蚀刻或雷射方式钻孔（via），再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满。此一技术能够以更低的成本有效提高系统的整合度与效能。TSV技术在三维封装和三维集成电路中具有重要应用，对于跨入3D IC相当具有优势。2006年4月，韩国三星表示已成功将TSV技术应用在“晶圆级堆叠封装”（Wafer level process stack package, WSP）NAND Flash堆叠的技术堆叠八个2Gb NAN