成为一个电阻器。但是「电阻」的"M(q)"会随累积的电荷而改变。忆阻值可以说是随流经忆阻器的电流历史所改变，彷如在电容器的电压一般。忆阻器的行为是类似的其他三个基本组成部分。
实现.Intel与Micron联合研发的3D XPoint。（Intel表示所用并不是ReRAM，根据推断，为相变存储器的可能性更大，此条消息存疑。）厂商表示，此技术的密度是DRAM的十倍、速度是NAND的千倍、写入次数为10,000,000次。
潜在应用.的固态的忆阻器可以组合