中产生浮动节点。在浮栅（floating gate）上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用Fowler-Nordheim隧穿和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。 FGMOS的应用包括EPROM中的数字存储元件、EEPROM和闪存、模拟存储元件、、单晶体管DAC以及神经网络中的神经元计算元件等。 
历史.FGMOS的最早报道是Kahng和Sze发表