反应离子刻蚀（英文：Reactive-Ion Etching，或简写为RIE）是一种半导体生产加工工艺，它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，来达到刻蚀的目的。气体在低压（真空)环境下由电磁场产生，等离子体中的高能离子轰击晶片表面并与之反应。
设备.RIE系统的典型的设备（平行板式）一般包括一个圆柱形真空室，真空室底部放置用来放晶片盘子。盘子与室体的其他部分绝缘。气体由小口注入真空室上部，由底部排出进入真空泵。气体的种类和多少取决于蚀刻的程序。比如，六氟化硫经常用来蚀刻硅