功率金氧半场效电晶体.功率金氧半场效电晶体（Power MOSFET）和前述的金氧半场效电晶体元件在结构上就有着显着的差异。一般积体电路里的金氧半场效电晶体都是平面式（planar）的结构，电晶体内的各端点都离晶片表面只有几个微米的距离。而所有的功率元件都是垂直式（vertical）的结构，让元件可以同时承受高电压与高电流的工作环境。一个功率金氧半场效电晶体能耐受的电压是杂质掺杂浓度与n-type磊晶层（epitaxial layer）厚度的函数，而能通过的电流则和元件的通道宽度