ctron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，formula_7其中formula_8是禁带宽度，e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度formula_9可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:在MKS单位制fo