1986年，赤崎勇以低温沉积（AlN）氮化铝缓冲层技术成功生产高品质的GaN晶体。1989年，他与门生天野浩完成p型GaN的结晶化，首次观测到p型材料的剧烈发光，并以GaN的pn构成完成了蓝色发光二极管。同一时期，赤崎的学生也包括日后的中国知名企业家唐骏。1990年，赤崎师徒完成室温下紫外线暴露GaN的诱导放射。基于上述的各阶段突破，1992年，他们发明了人类史上第一个高亮度蓝色发光二极体。1995年，进一步完成注入量子多重化电流的GaN/GalnN诱导放射。自此开始，赤崎勇就一直是热门的诺贝尔奖候