伯·费尔于1962年毕业于巴黎高等师范学院。他之后在巴黎第十一大学获得了博士学位。1988年，法国艾尔伯·费尔和德国彼得·格林贝格同时并独立地发现巨磁阻效应（GMR）。这一发现被公认为自旋电子学诞生，这个研究领域通常描述一种新型电子学，不仅利用电子的电荷，而且也利用电子的磁性（自旋）。自旋电子学目前已经有重要应用。硬盘中引入巨磁阻效应读取磁头将使磁碟记录密度显着增加。艾尔伯·费尔对自旋电子学的发展做出了许多贡献，在2007年获得诺贝尔奖之后，他正在探索自旋电子学的拓扑性质。他最近的贡献是新型磁自旋材