量，而DDR3每个DIMM模组的理论最大容量仅128GiB；一个rank单元内的bank单元数量增长至16个（4个bank选择位元），每个DIMM模组最高拥有8个rank单元。DDR4为提升资料存储密度，达到预定的容量目标，可能选择硅穿孔制程或其它3D堆叠制程。.DDR4的规格中一开始也包含有标准的3D堆叠制程，最大的堆叠层数可达一颗DRAM颗粒8层晶片堆叠封装。X-bit Labs预料如果採用这样高成本的高规格制程，将会导致高密度DDR4颗粒的价格非常的昂贵。记忆体预取依旧是8n带bank群组，包括两