基蓝光LED。一步一步，他改进的GaN晶体质量和器件结构，在松下研究所东京公司（）那里，他决定采用有机金属化学气相沉积法作为首选的GaN生长方法。1986年，赤崎勇以低温沉积（AlN）氮化铝缓冲层技术成功生产高品质的GaN晶体。1989年，他与门生天野浩完成p型GaN的结晶化，首次观测到p型材料的剧烈发光，并以GaN的pn构成完成了蓝色发光二极管。同一时期，赤崎的学生也包括日后的中国知名企业家唐骏。1990年，赤崎师徒完成室温下紫外线暴露GaN的诱导放射。基于上述的各阶段突破，1992年，他们发明了