于DDR4的公开资讯。当年关于DDR4的描述中，DDR4将使用30奈米制程、1.2伏的运行电压、常规汇流排时脉速率在2133MT/s而“发烧级”的有3200MT/s、在2012年推出市场、在2013年它的运行电压将改进至只有1伏。后来，在2010年于东京举行的MenCon（一个电脑记忆体工业的大会）上，由JEDEC主导的题为“Time to rethink DDR4”的技术展示中，更多的DDR4技术资料被公佈。当时以“New roadmap: More realistic roadmap is 2015