发明者。紫绶褒章、瑞宝重光章表彰。文化功劳者。
生平.舛冈富士雄于1943年在日本群马县高崎市诞生。群马县立高崎高等学校毕业，日本东北大学工学部毕业后进入「半导体先生」西泽润一的研究室。1971年取得工学博士（东北大学）并加入东芝公司，开发SAMOS记忆体。他对非挥发性记忆体的点子有高度兴趣，这是一种在电源关闭后，还能保存资料的记忆体。他在1980年发明NOR型快闪记忆体，1986年发明NAND型快闪记忆体，推动东芝成为世界半导体产业的巨头，彻底改写人类资讯时代的面貌。舛冈在1