。肖特基势垒（障壁）相较于PN接面最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的(几乎不存在)耗尽层宽度。并非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属-半导体接面则称为欧姆接触。整流属性决定于金属的功函、固有半导体的能隙，以及半导体的掺杂类型及浓度。在设计半导体器件时需要对肖特基效应相当熟悉，以确保不会在需要欧姆接触的地方意外地产生肖特基势垒。
优点.由于肖特基势垒具有较低的界面电压，可被应用在某器件需要近似于一个理想二极体的地方。在电路设计中