技术瓶颈存在，迄今未能量产。一般的LED chip包含基板和磊晶层（Epitaxy）其厚度约在100~500μm，且尺寸介于100~1000μm。而更进一步正在进行的Micro LED Display研究在于，将LED表面厚约4~5μm磊晶层用物理或化学机制剥离（Lift-off），再移植至电路基板上。其Micro LED Display综合TFT-LCD和LED两大技术特点，在材料、制程、设备的发展较为成熟，产品规格远高于目前的TFT-LCD或OLED，应用领域更为广泛包含软性、透明显示器，为一可行性