记忆体时序（或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、T、T和T，单位为时钟週期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写做2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以奈秒为单位。当将记忆体时序转换为实际的延迟时，最重要