，电流独吞，电流贪婪）。若电路没有重新趋于稳定，最终将发生的，就是电晶体在热失控下损毁。
功率金氧半场效电晶体（Power MOSFETs）.功率MOSFET工作时会以温度来增加电阻，功率在这些电阻上的消耗会提升接点的温度，在正回馈的回路中进一步增加了接面温度（但是，电阻随着温度增加有助于平衡多个平行排列的MOSFET之间的电流和免于电流扰乱的发生）。如果电晶体产生的热量超过散热片的散热能力，热失控就会发生并造成电晶体的毁坏。这个问题可以依靠在散热片和电晶体之间的热变电阻降低而得到