借着利用和蚀刻（InGaAs）纳米线被建造成功。
简略模型.UC Berkeley BSIM Group在2012年3月1号正式发表BSIMCMG106.0.0，这是第一个FinFET的标准模型。BSIM-CMG被实现在Verilog-A上。对于有限体参杂（body doping）的本质与非本质模型的物理面电势公式皆已被导出。考虑了多消耗以及量子效应的源极和汲极端的面电势也已明确地被导出来。透过微扰近似，我们已经可以理解有限体参杂的效应。导出的面电势也与2-D元件的模拟相当接近。如