售HexFET。绝缘栅双极晶体管（IGBT）结合了功率MOSFET以及双极性电晶体（BJT）的特点，是由通用电气的B·贾扬特·巴利加在1977年至1979年所发明的。超接合面（Super Junction）MOSFET是用P+ columns穿透N-外延层的MOSFET。将P层和N层叠层的概令念最早是由大坂大学的Shozo Shirota和Shigeo Kaneda在1978年提出。飞利浦的David J. Coe发明了超接合面的MOSFET，作法是将p型及n型的层对调，并且因此在1984年申请了美国专