被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用Fowler-Nordheim隧穿和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。 FGMOS的应用包括EPROM中的数字存储元件、EEPROM和闪存、模拟存储元件、、单晶体管DAC以及神经网络中的神经元计算元件等。 
历史.FGMOS的最早报道是Kahng和Sze发表的, 其历史可追溯至1967年。FGMOS的最早应用是将数字数据存储在EEPROM，EPROM和闪存中。 1989年，英特尔在其芯片中采用了FGM