并发表，但直到1993年才通过这种方法合成了碳纳米管。 2007年，辛辛纳提大学的研究人员开发了一种在FirstNano ET3000碳纳米管生长系统上生长长度为18mm的对齐碳纳米管阵列的工艺。在CVD过程中，用金属催化剂颗粒层（最常见的是镍，钴，铁或它们的组合）制备衬底。[6]金属纳米颗粒也可以通过其他方式生产，包括还原氧化物或氧化物固溶体。在衬底表面生长的纳米管的直径与金属颗粒的尺寸有关。这可以通过金属的图案化（或掩膜）沉积，退火或金属层的等离子蚀刻来控制。在合成过程中基板需要加热到约700°C。