多闸极电晶体（）是指集合了多个闸极于一体的金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）。它可以用一个电极来同时控制多个闸极，亦可用多个电极单独控制各闸极。后者有时又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor（MIGFET）。多闸极电晶体被提出为的是克服半导体工业里摩尔定律（Moore's law）发展至今体积的缩小已经到达物理极限的难题。相当多的公司和机构已经在积极发展多闸极电晶体，其中包含了超微半导体、日立、IBM、英飞凌、英特尔、台积电、飞