四端控制元件，汲极和源极可以离子佈植（ion implantation）或热扩散来形成。通过施加闸极电压，可控制半导体的载子通道（channel）开关。在现今工艺中，由于元件尺寸的微缩，闸极方向的漏电流日益重要，因此目前氧化物引进了高介电常数介电质（如二氧化铪）以增加氧化层的物理厚度（physical thickness）但不减少电容值（因为电容值会决定金氧半场效电晶体汲极电流大小）。详细介绍请参考金氧半场效电晶体条目。金氧半温度感测器是利用超薄氧化层（小于3奈米）金氧半电容（结构为Al/SiO/p-S