a P100。
未来.在2016年8月的上，三星与海力士均宣布了下一代高频宽记忆体技术。两家公司都预计下一代产品的裸晶密度、带宽得到提升，同时减少能源消耗。三星还宣布将发布低成本版本的高频宽记忆体，此类产品将移除缓存裸晶、减少硅穿孔，并将总带宽降至200GB/s。