（）的高电流单栅控制特性及双极性电晶体的低饱和电压的能力，在单一的IGBT器件里，会透过把一个隔离的场效应电晶体（FET）结合，作为其控制输入，并以双极性电晶体作开关。
用途和特征.绝缘栅双极晶体管其基本包装为三个端点的功率级半导体元件，其特点为高效率及切换速度快，为改善功率级BJT运作的工作状况而诞生。IGBT结合了场效电晶体闸极易驱动的特性与双极性电晶体耐高电流与低导通电压压降特性，IGBT通常用于中高容量功率场合，如切换式电源供应器、马达控制与电磁炉。大型的IGBT模组应