性（或非线性）的电阻，忆阻器有一个动态的包括过去的电压或电流的记忆的电流和电压之间的关系。其他科学家已经提出动态记忆电阻器，例如伯纳德建模的，但是，蔡试图引进数学一般性。
理论.在忆阻器中，磁通量（formula_1）受到累积的电荷（"q"）所影响。磁通量按电荷的改变率称之为「忆阻值」：故此忆阻值可以与其余三种基本的电子元件作出比较：当中formula_6是电荷；formula_7是电流；formula_8是电压；而formula_1则是磁通量。根据法拉第电磁感应定律及