和电流几乎不受反向电压的影响。(1，Steadman 1993, 459)"I"，一个理想p-n二极管的反向偏置饱和电流由下式(2，Schubert 2006, 61)给出:formula_1其中，"I" 是反向偏置饱和电流，"e" 是基本电荷，"A" 是横截面积，"D" 分别是空穴和电子的扩散系数，"N" 分别是施主和受主在n侧和p侧的浓度，"n" 是半导体材料的本征载流子浓度，formula_2分别是空穴和电子的载流子寿命。从本征半导体浓度与二极体障壁电压的关系，饱和电流可