，雷射加热平台成长已成为材料科学研究中的重要技术。 雷射加热平台成长技术具有两大优势，其一为高拉取速率（高达传统柴氏拉晶法的60倍快），其二为可以生长熔点较高的材料。 除此之外，雷射加热平台成长不需要用到坩埚，意味着该技术可以成长几乎不受杂质及应力影响的单晶。
优点.雷射浮区法可以成长线形几何形状、小半径、成本较低的晶体，因此这种技术可以用来生长单晶纤维（single-crystal fibers，简称SCF）。雷射加热平台成长技术生产的单晶纤维可以用来取代许多装置（如迷你雷射等）