体等。摩托罗拉公司基于单个磁性隧道结开发了第一代256Kb磁性随机存储器（MRAM），以及读/写週期小于50纳秒的单个晶体管。Everspin公司已经开发出了4 Mb版本。第二代的MRAM技术正在开发中：（TAS） 和（STT）。另一种设计是赛道记忆体（），在铁磁线的畴壁之间的磁化方向编码信息。磁传感器可以使用GMR效应。
基于半导体的自旋电子器件.掺杂的半导体材料显示稀释的铁磁性。 近年来，稀磁氧化物（DMOs）包括ZnO基DMOs和TiO2基DMOs已成为众多实验和