，就可以对衬底进行选择性的刻蚀或离子注入过程，未被溶解的光阻将保护衬底在这些过程中不被改变。刻蚀或离子注入完成后，将进行光刻的最后一步，即将光阻去除，以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常，半导体器件制造整个过程中，会进行很多次光刻流程。生产复杂集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻，而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。
光阻.微影制程中采用的感光物质被称为光阻，主要分为正光阻和负光阻两种。正光阻未被光照的部分在显影后会被保留，而负光阻胶被感光的部分在显影后会被保留。光