雪崩二极管（avalanche diode）是设计在特定反向电压下，会突崩溃的二极管，其材料会用硅或是其他半导体材料。雪崩二极管的接合面会经特别设计，避免电流集中及所产生高温热点，因此在崩溃时不会破坏二极管。突崩溃是因为少数载子加速到足以使晶格电离的程度，因此产生更多的载子，也造成更进一步的电离。因为突崩溃是在接面上均匀发生的，相较于非雪崩的二极管，雪崩二极管的崩溃电压不会随电流而变化，大致呈一定值。稽纳二极体除了外，也会有类似的效应。任何一个二极体都会有这二种效应，但一般会有一个效应明显较强。雪崩二极