此结构主要好处是没有JFET效应。UMOS的名称是源自其U型的沟槽。
超接合面深沟槽技术（Super-junction deep-trench technology）.针对电压等级超过500V的MOSFET，元件制造商（包括英飞凌科技以及其CoolMOS产品）开始使用电荷补偿原理（charge compensation principle）。使用此技术时，磊晶层的电阻（佔高压MOSFET元件电阻的95%）可以缩小到原来的五分之一。瑞萨电子为了提昇超接合面（super-junct