学教授细野秀雄与日本科学技术振兴机构（JST）共同开发成IGZO透明不定形氧化物半导体技术。IGZO技术可提高面板解析度同时又降低成本，但IGZO面板对光、水以及氧都相当敏感，耐用度上只能用做民间消费品，不能用于高可靠度的军用或工业环境。IGZO与非晶硅相比能够缩小电晶体尺寸，提高液晶面板画素的开口率，较易实现解析度高出一倍，电子迁移率快十倍，成为OLED技术的最大对手。日本科学技术振兴机构（JST）把技术专利于2011年授权予三星电子，2012年夏普(Sharp)亦获得授权。LTPS（低温多硅