电容大小。而较厚的闸极氧化层又可以降低电子透过穿隧效应穿过氧化层的机率，进而降低漏电流。不过利用新材料制作的闸极氧化层也必须考虑其位能障壁的高度，因为这些新材料的传导带和价带和半导体的传导带与价带的差距比二氧化硅小（二氧化硅的传导带和硅之间的高度差约为8ev），所以仍然有可能导致闸极漏电流出现。现代的半导体制程工序复杂而繁多，任何一道制程都有可能造成积体电路晶片上的元件产生些微变异。当金氧半场效电晶体等元件越做越小，这些变异所佔的比例就可能大幅提升，进而影响电路设计者所预期的效能，这样的变异让电路设计者