时，技术越落后就越易出错失败，肇因平均而论，芯片制程每升级一代，挑战难度就增加约一倍，所需研发经费也大致相应翻倍，而当需新的科研突破以跨越技术门槛时，诸如进军25纳米以下制程时，须以鳍式场效应晶体管代替平面场效应晶体管、进军10纳米以下制程时，所需新的多重图形技术和以极紫外光刻机代替深紫外光刻机、进军3纳米制程时，以环绕栅极晶体管Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAA FET)代替鳍式场效应晶体管等情况时，所面临的技术瓶颈困难和所需的相应资源投入可就不仅仅是