子-空穴的复合率得到极大的提高，这对于提高发光二极管的效率非常有用。而且，倾斜的能带趋向于改变向着结区移动的载流子的迁移率。用于压电光电子学的材料应该具备三种基本的性质：压电效应、半导体特性以及光激发特性。典型的是具有纤锌矿结构的材料，例如氧化锌、氮化镓和氮化铟。压电效应，光激发和半导体特性之间三者的耦合是压电电子学（压电效应-半导体特性耦合），压电光子学（压电效应-光子激发耦合），光电子学和压电光电子学（压电效应-半导体特性-光激发耦合）的基础。这些耦合效应的核心是压电材料中产生的压电电势。