置内部韧体程式运算所需要的其他中继资料。2005年，东芝与新帝公司使用多阶储存单元（multi-level cell，MLC）技术开发出可储存1GB资料量的NAND型快闪记忆体晶片，MLC拥有在最小记忆单元中储存两个位元资料的能力。2005年9月，三星电子宣布开发出世界上第一颗2GB快闪记忆体晶片。2006年3月，三星电子宣布开发出容量为4GB的固态硬碟机，比膝上型电脑所使用的同样容量硬碟还要来的小。2006年9月，三星电子宣布使用40奈米制程量产8GB快闪记忆体晶片。2008年1月，新帝公司宣