并不是ReRAM，根据推断，为相变存储器的可能性更大，此条消息存疑。）厂商表示，此技术的密度是DRAM的十倍、速度是NAND的千倍、写入次数为10,000,000次。
潜在应用.的固态的忆阻器可以组合成所谓的设备，这可能会取代晶体管建造未来的电脑，佔用面积小得多。
种类.
电化电池.忆阻器具有电化电池表现的特征。
固态.2007年惠普公司资讯与量子系统实验室的研究人员在的领导下成功研制了固态的忆阻器－它是由一