接地），这里的d是指组成SRAM的场效应管的漏极（drain），s是指场效应管的源极（source）。因此，布线所占面积随端口的平方增加，晶体管是线性增加。多个冗余的具有较少读端口的寄存器堆可能会比具有全套多个读端口的单一寄存器堆，面积更小、读取更快。MIPSR8000的整数单元，有一个寄存器堆的实现，有32个条目，字长64位，具有9个读端口及4个写端口。 
阵列.一个位元的基本存储单元的基本模式：许多可能的优化:
微架构.大多数寄存器堆并没有特殊设施