高频宽记忆体（英文：，缩写HBM）是三星电子、超微半导体和SK海力士发起的一种基于3D堆叠工艺的高效能DRAM，适用于高记忆体频宽需求的应用场合，像是图形处理器、网路交换及转发装置（如路由器、交换器）等。首款使用高频宽记忆体的装置是AMD Radeon Fury系列显示核心。2013年10月，高频宽记忆体正式被JEDEC采纳为业界标准。第二代高频宽记忆体（HBM2）于2016年1月被JEDEC采纳。NVIDIA在该年发表的新款旗舰型Tesla运算加速卡 —— Tesla P100、AMD的Radeon