模组面世，运作电压同样在1.2V，也採用30至39奈米的制程（未具体指明），另外他们还预期在2012年下半年开始大批量生产。DDR4的半导体制程预期计划是需要30奈米或更小长度的制程，预期将在2012年至2014年之间完成这个转变。2012年5月，美光科技宣布他们将在2012年后期使用30奈米制程生产DRAM及快闪记忆体颗粒。在2012年7月，三星电子宣布试制业界首支16GB的寄存式双列直插记忆体模组（registered dual inline memory modules，RDIMM），採用DD