温，可在碳化硅的表面得到外延石墨烯。这种获取石墨烯的方法被认为有希望实现大规模合成具有实际应用的石墨烯。
功率电子元件.碳化硅是目前正在研究的半导体，已在快速切换、高温及高电压的应用上，进行前期的大量生产。第一个可用的元件是肖特基二极管、之后是结型场效应管及高速切换的功率MOSFET。目前正在开发双极性晶体管及晶闸管。碳化硅元件商品化的主要问题是如何去除缺陷：包括边缘位错、螺旋位错（空心和闭合）、三角形缺陷及基面位错。因此，虽然有许多研究设法要改善特性，但最早期SiC材料的元件