可变电阻式记忆体（，缩写为 或），是一种新型的非挥发性记忆体，和另一种新型的磁阻式随机存取记忆体一起属于新世代的记忆体。类似的技术还有CBRAM与相变化记忆体，目前许多公司都正在发展这种技术。对于即将迎来的物联网时代需要即时资料储存需求、低能耗、资料耐久度高、每次写入或储存的资料单位小等层面，综观上面的需要，NAND快闪记忆体并不是一个合适的选项，不过由于ReRAM的操作电压较低，消耗的电力亦较少，且ReRAM的写入资讯速度比同样是非挥发性记忆体的NAND快闪记忆体快1万倍，因此在这个即将面临而来的挑战