的平方关系formula_2，其中"V"是临界电压。不过在一些现代的元件中，观察不到上述的平方特性，像是65奈米及以下通道长度的元件。场效应电晶体可以分为两种：分别是结型场效应管（JFET）及绝缘闸极场效电晶体（IGFET），后者最常见的是金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），其名称上反映了其原始以金属（闸极）、氧化物（绝缘层）及半导体组成的架构。结型场效应电晶体在源汲极之间形成了PN二极体。因此N通道的JFET类似真空管的三极管，两者也都是运作在空乏区，都有高输入阻抗，也都用输入电压来控制电流。