D XPoint存储的物理结构不同。3D XPoint的开发商表示其基于“bulk材料的电阻变化”。英特尔首席执行官Brian Krzanich回应了对XPoint材料的提问，称切换是基于“bulk材料性能”。英特尔已表示3D XPoint不使用相变或忆阻器技术。根据最近的一篇文章，“似乎没有其他供应商有能比拟XPoint性能和耐用性的类似的电阻式内存/相变存储器技术。”各个数据单元不需要晶体管，因此封装密度将是DRAM的4倍。
产品.在最初，由 LLC（英特尔-美光合资）