，当在纳米线的自由端施加一个力，对其进行弯曲，压电电势将会垂直于纳米线的轴向分布。引入的压电电势是垂直于电子传输方向的，就好像在传统场效应晶体管中所施加的门电压一样。因此，电子传输特性将会被改变。用于压电电子学的材料应该是压电半导体材料， 例如氧化锌，氮化镓和氮化铟。压电效应，光激发和半导体特性之间三者的耦合是压电电子学（压电效应-半导体特性耦合），压电光子学（压电效应-光子激发耦合），光电子学和压电光电子学（压电效应-半导体特性-光激发耦合）的基础。这些耦合效应的核心是压电材料中产生的压电电势。