热载流子注入（）是固态电子器件中发生一个现象，当电子或空穴获得足够的动能后，它们就能够突破势垒的约束。这里“热”这个术语是指用来对载流子密度进行建模的有效温度，而非器件本身的温度。由于载流子被束缚在金属氧化物半导体场效电晶体的栅极电介质层中，晶体管的开关性能可以被永久地改变，热载流子注入是一种可能对半导体器件可靠性产生负面影响的机制热载子效应的原理: 当MOSFET的通道长L很小时, 也就是short-channel(短通道)元件 此时, 靠近Drain端的横向电场 E≒ Vds/L 会是很大