，formula_88是虚值部分，formula_83是填满电介质时的复值电容，formula_90是没有电介质时的电容（即平行板电容器的两片导板之间是自由空间时的电容）。深能级暂态谱学（）利用电容的时间响应来研究半导体的深能级缺陷。按照能级在半导体能隙的位置，缺陷分类为浅能级缺陷和深能级缺陷。浅能级缺陷的能级离导带或价带的能带边缘比较近，在0.1eV以内，处于这能级的电子或电洞很容易因热运动而变成自由电子或自由电洞；一般而言，深能级缺陷离能带边缘比较远，超过0.1eV。但也有些物质的深能级缺陷离能带边