存贵4到5倍。”相较NAND闪存，英特尔宣称其有10倍的低延迟，3倍写入耐久，4倍每秒写入、3倍每秒读取的性能提升，以及30%的功耗。
背景与阐述.3D XPoint的开发始于2012年。英特尔和美光之前已开发了其他非易失性相变化记忆体（PCM）技术；美光说：3D XPoint架构不同于以前提供的PCM，并为闪存单元的选择器和存储部分采用材料，从而比传统的PCM材料（例如）更快、更稳定。截至2015年，英特尔或美光尚未提供该技术的完整细节，尽管该项技术已经声明“不基于电子”。3