磁阻式随机存取记忆体（，缩写为），是一种非易失性记忆体技术，从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为，这个技术速度接近SRAM，具有快闪记忆体的非挥发性，容量密度及使用寿命不输DRAM，平均能耗远低于DRAM，成为真正的（Universal memory）。它目前由公司生产，其他公司，包括格罗方德(GlobalFoundries)和三星集团已经宣布产品计划。
描述.与传统的RAM芯片技术不同，MRAM中的数据不作为电荷或电流流动存储，而是由磁存储元件存储。 这些元件由两个铁磁性