氮化铝(Aluminum Nitride，AlN)是铝的氮化物。纤锌矿状态的氮化铝(w-AlN)是一种宽带隙(Wide-bandgap Semiconductor)的半导体材料(6.2 eV)。故也是可应用于深紫外线光电子学的半导体物料。
历史及特性.氮化铝于1877年首次合成。至1980年代，因氮化铝是一种陶瓷绝缘体(多晶体物料为 70-210 W‧m‧K，而单晶体更可高达 275 W‧m‧K )，使氮化铝有较高的传热能力，至使氮化铝被大量应用于微电子学。与氧化铍不同的是氮化铝无