储存储器。 这种配置被称为，是MRAM位的最简单的结构。存储设备由这样的“单元”的网格构建。读取的最简单的方法是通过测量一个单元的电阻来实现。（通常）通过为相关联的晶体管供电流（通常）选择特定的一个单元，其将电流从电源线通过单元切换到地。由于，单元的电阻由于两个板中磁化的相对取向而变化。通过测量所得到的电流，可以确定任何特定单元内的电阻，并从此确定可写板的磁化极性。通常，如果两个板具有相同的磁化对准（低电阻状态），则将其视为“1”，而如果对准反平行，则电阻将更高（高电阻状态），这意味着“0”。它应用