n:栅极;zh-tw:闸极}-时，电流会流经zh-cn:沟道;zh-tw:通道。经由以下流程，NOR Flash单元可以被设定为二进位码中的“0”值：由于zh-cn:漏极;zh-tw:汲极与CG间有一个大的、相反的极性电压，借由量子穿隧效应可以将电子拉出FG，所以能够地用这个特性抹除NOR Flash单元（将其重设为“1”状态）。现代的NOR Flash晶片被分为若干抹除片段（常称为区扇（Blocks or sectors）)，抹除操作只能以这些区块为基础进行；所有区块内的记忆单元都会