散MOS（VDMOS）结构（也称为是双扩散MOS，或DMOS）,以及横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）结构。VDMOS的截面（如图1）可以看出元件的「垂直特性」：可以看出源极电极放在汲极的上方，在电晶体导通时，电流主要是垂直路径。VDMOS的「扩散作用」是指其制程。P极井（如图1）是透过扩散过程形成（其实是双重扩散过程，产生P和N区，因此称为双扩散）。功率MOSFET和侧向MOSFET的结构不同：就像大部份功率元件一样，其结构是垂直的，不是水平的。在平面结构中，电流和击穿电压额定都是通道大小的函