（HPCVD）被证明是沉积二硼化镁薄膜的有效技术。 通过其它技术沉积的MgB薄膜的表面通常不光滑，并且不符合其化学式的化学计量比（即硼镁比例偏离2：1）。相比之下，HPCVD技术可以生长出高质量并具有光滑表面的纯MgB薄膜。而这样的薄膜是制造可重现性约瑟夫森结超导电路的基本元素。
电磁性能.超导性二硼化镁的性能在很大程度上取决于成分和制造工艺。由于其插层式的晶体结构，二硼化镁的许多特性是各向异性的。不纯的样品——例如，晶粒边界存在氧化层——与纯净样品表现也不同。Section