者的迁移率不同，进而让「N-通道」和「P-通道」的金属氧化物半导体场效电晶体导电性不同。半导体材料的导电带底部和价电带顶端在「能量-动量座标」上可能会处在不同的k值，这种材料叫做间接能带材料（in-direct bandgap material），例如硅或是锗。相对地，如果某种材料的导带底部和价带顶端有相同的k值，这种材料称为直接能带材料（direct bandgap material），最常见的例子是砷化镓。电子在直接能隙材料的价带与导带的跃迁不涉及晶格动量的改变，因此发光的效率高过间接能隙材料甚多，砷