效应可用于翻转磁阻式随机存取记忆体中的有源元件。自旋转移矩磁阻式随机存取记忆体（STT-RAM或STT-MRAM）是一种非易失性存储器，与SRAM和DRAM等基于电荷的存储器相比，其漏电功耗接近于零，这是它的主要优点。与传统的用磁场来翻转载流子的磁阻式随机存取记忆体（MRAM）相比，STT-RAM还具有功耗低、可扩展性好等优点。自旋转移矩效应有很大的潜力，使MRAM器件不仅能够降低电流要求，还能够降低成本。然而，对大多数产品来说，让磁化重新取向所需的电流目前太高了，并且如何降低电流密度是目前自旋电子学研究的