ght Landing也採用了第二代高频宽记忆体。
技术细节.相比较DDR4或GDDR5而言，高频宽记忆体以更小的体积、更少的功率达到了更高的带宽。这是由堆积至多八块DRAM裸晶（即三维集成电路）的方式达成的，此方法搭载了通过硅穿孔（TSV）及相连接的可选基底裸晶，附带内存控制器。高频宽记忆体技术原理上与美光科技开发的接口类似，但不相兼容。 高频宽记忆体内存总线与其他DRAM内存（如DDR4或GDDR5）相比更加宽阔。在拥有四块DRAM裸晶的高频宽记忆体堆（4-Hi）上，每个裸