备（平行板式）一般包括一个圆柱形真空室，真空室底部放置用来放晶片盘子。盘子与室体的其他部分绝缘。气体由小口注入真空室上部，由底部排出进入真空泵。气体的种类和多少取决于蚀刻的程序。比如，六氟化硫经常用来蚀刻硅。通过调节气体流速以及排气孔，气压一般被保持在几托（Torr）至几百托，其他RIE系统包括感应耦合等离子体RIE（inductively coupled plasma 或者简称ICP RIE）。在这种系统中，气体由射频（RF）供能的磁场所产生。等离子体的浓度可达非常高，但是蚀刻会变得更加各向同性。一个