ating Gate, FG）。这个FG放在CG与MOSFETzh-cn:沟道;zh-tw:通道之间。由于这个FG在电气上是受绝缘层独立的，所以进入的电子会被困在里面。在一般的条件下电荷经过多年都不会逸散。当FG抓到电荷时，它部分屏蔽掉来自CG的电场，并改变这个单元的阈值电压（VT）。在读出期间。利用向CG的电压，MOSFETzh-cn:沟道;zh-tw:通道会变的导电或保持绝缘。这视乎该单元的VT而定（而该单元的VT受到FG上的电荷控制）。这股电流流过MOSFET-{zh-cn:沟道;zh