接带隙（英语：Direct band gaps）是指半导体材料的导带底的极小值和价带顶的极大值在k空间内对应同一个k值的能带结构，具有这种结构的半导体称为直接跃迁型半导体（或称直接带隙半导体）。直接带隙结构中，电子由价带顶跃迁至导带底时保持k不变，并吸收光子。间接带隙（英语：Indirect band gaps）是指半导体材料的导带底的极小值和价带顶的极大值在k空间内对应不同k值的能带结构，具有这种结构的半导体称为间接跃迁型半导体（或称间接带隙半导体）。间接带隙结构中，电子由价带顶跃迁至导带底时动量发生