赤崎的推荐下留校深造。1985年取得工学硕士学位，1988年担任大学助手。他在小学时代参加了足球和垒球队，到高中为止都热衷于业余广播。尽管上高中前都未在课业用功，但数学成绩一直很好。
职业生涯.1985年，天野开发了用于在蓝宝石衬底上生长III族氮化物半导体膜的低温沉积缓冲层（AIN），从而实现了III族氮化物半导体的发光二极管和激光二极体。1989年，天野在名古屋大学的赤崎研究室成功生成p型GaN（氮化镓）磊晶体，首次观测到p型材料的剧烈发光。世界最初的pn结GaN紫外光／蓝