制程（SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造金氧半场效电晶体元件。当一个够大的电位差施于金氧半场效电晶体的闸极与源极之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时就会形成反转通道（inversion channel）。通道的极性与其汲极（drain）与源极相同，假设汲极和源极是n型，那么通道也会是n型。通道形成后，金氧半场效电晶体即可让电流通过，而依据施于闸极的电压值不同，可由金氧半场效电