t）是1还是0。由于在现实中电晶体会有漏电电流的现象，导致电容上所储存的电荷数量并不足以正确的判别资料，而导致资料毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个不可避免的条件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为「动态」记忆体。相对来说，静态记忆体（SRAM）只要存入资料后，纵使不刷新也不会遗失记忆。与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个位元的资料都只需一个电容跟一个电晶体来处理，相比之下在SRAM上一个位元通常需要六个电晶体。正因这缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此