MOS电晶体中的应变感应层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合讯号积体电路和类比积体电路的设计与生产多了一项选择。 
制作.使用传统的硅半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和硅制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变硅时，会使用只有少量危害的