，电子和空穴的扩散以及复合强烈的受到局域电场分布的影响，而它与器件的光电子特性联系紧密。界面处存在的压电电荷会引入三种效应：由于引入的局域电场所导致的局域能带的移动、存在于压电半导体材料中的极化所导致的结区中能带的倾斜、以及为了平衡局域压电电荷局域电荷载流子进行重新分布所导致的电荷耗尽区的变化。在N型的半导体区域，结区中正的压电电荷降低能带，而负的压电电荷提高能带。 由于压电电势所导致的局域能带的改变可能会对电荷的俘获产生影响，从而使得电子-空穴的复合率得到极大的提高，这对于提高发光二极管的效率非常有用。而