二次击穿是一种热失控，一旦温度升高，电导率将进一步提升，从而造成恶性循环，最终严重损毁晶体管的结构。整个二次击穿过程只需要毫秒或微秒量级的时间就可以完成。如果双极性晶体管集电结提供超出允许范围的反向偏置，并不对流经晶体管的电流进行限制，发射结将发生雪崩击穿，也会造成器件损坏。
温度漂移.作为一种模拟的器件，双极性晶体管的所有参数都会不同程度地受温度影响，特别是电流增益formula_24。据研究，温度每升高1摄氏度，formula_24大约会增加0.5%到1%。Sectio