了对XPoint材料的提问，称切换是基于“bulk材料性能”。英特尔已表示3D XPoint不使用相变或忆阻器技术。根据最近的一篇文章，“似乎没有其他供应商有能比拟XPoint性能和耐用性的类似的电阻式内存/相变存储器技术。”各个数据单元不需要晶体管，因此封装密度将是DRAM的4倍。
产品.在最初，由 LLC（英特尔-美光合资）运营的位于犹他州李海的在2015年生产了少量128 Gbit芯片，其堆叠两个64 Gbit平面（plane）。2016年初，IM Flash首席执行