问题是如何去除缺陷：包括边缘位错、螺旋位错（空心和闭合）、三角形缺陷及基面位错。因此，虽然有许多研究设法要改善特性，但最早期SiC材料的元件，其反向电压阻隔能力不好。除了晶体品质外，SiC和二氧化硅的界面问题也影响了SiC MOSFET及IGBT的发展。渗氮已大幅改善了介面问题，不过其机制还不清楚。2008年已有第一个商品化的JFET，额定1200V，之后是2011年第一个商品化的MOSFET，额定电压1200 V。SiC的开关以及SiC肖特基二极管（SBD）有常见的TO-247及封装外，许多厂商也开始