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早年生活与教育.1929年1月30日，赤崎勇出生于日本鹿儿岛县，幼时曾有躲避美军战机的经历，终身反战。1952年京都大学理学部毕业，1964年获得工学博士（名古屋大学）学位。其后曾服务于神户工业（现富士通天）、名古屋大学、松下电器等单位。
研究.在1960年代末，他开始工作于氮化镓（GaN）基蓝光LED。一步一步，他改进的GaN晶体质量和器件结构，在松下研究所东京公司（）那里，他决定采用有机金属化学气相沉积法作为首选的GaN生长方法。1986年，赤