的称为间接带隙半导体。比如Si和Ge。他们的能带结构图如右上第一幅图所示。
态密度.态密度函数g(E)是指电子在能量E处单位体积单位能量的电子态数量。态密度函数对于在能带理论基础上相关的计算非常重要。例如，g(E)乘以费米-狄拉克分布即可以得到电子浓度与能量的关系式。在能带间隙中，态密度g(E)=0。
能带填充.在热力学平衡状态下，能量E充满电子的可能性由费米-狄拉克（Fermi-Dirac）分布给出，该热力学分布考虑了保利排斥原理。尽管有无限多个