先暂时参与前代产品的改良，他们依然为中芯做出了巨大贡献，其中莫过于巨幅提升中芯28纳米工艺的良品率：中芯半导体虽早在2016年2月份就宣布28纳米高介电常数金属栅（闸）极（HKMG: high k metal gate）工艺已经成功进入设计定案阶段（tape-out），成为中国内地晶圆厂中，首家可同时提供28纳米多晶硅（PolySiON）与较比PolySiON更为复杂的高介电常数金属栅极工艺的厂商，但因所采用的技术，良品率一直不稳定。因高介电常数金属栅极流程的差异性，在金属闸极在源极与汲极区之前或之后形