电子或电洞的迁移率（electrons or holes mobility）有高度关联。电子或电洞的迁移率对于半导体元件的载子传输是相当基本的参数。电子和电洞的等效质量不相等，这也造成了两者的迁移率不同，进而让「N-通道」和「P-通道」的金属氧化物半导体场效电晶体导电性不同。半导体材料的导电带底部和价电带顶端在「能量-动量座标」上可能会处在不同的k值，这种材料叫做间接能带材料（in-direct bandgap material），例如硅或是锗。相对地，如果某种材料的导带底部和价带顶端有相同的k值，这