角可能浪费空间，或者说简单立方堆积并不是密堆积，使用截角八面体元胞可以在更少体积的元胞内包含相同数量的粒子。
高维情况.通常，二维和三维的分子模拟，因为实现简单，简单正方/立方元胞是最常用的周期性边界条件。然而，高维的模拟中，超方形边角占总体的体积随维度增加而显着增大，因此简单立方元胞的效率越来越低。从另一个角度看，元胞可被视作某种晶格堆积的维格纳－赛兹原胞。例如，超方形晶格的周期性边界条件对应着高维下的简单立方堆积。使用构建高维下的周期性边界条件元胞可获得理论最优效率。例如，四维