老院，并在稍后埋葬于华盛顿州波默罗伊。
学术生涯.1928年到1929年之间，他在首都华府的国家标准技术研究所工作，1929年受雇于贝尔实验室。第二次世界大战爆发前夕，在贝尔实验室的布拉顿首先研究的是钨的表面，随后是氧化铜半导体的表面。美国国防部科研委员会在世界大战期间聘请布拉顿，让他于哥伦比亚大学发展侦测潜水艇的方法。
物理生涯.战后布拉顿返回贝尔实验室加入实验室新成立的固态部门之内的半导体小组，威廉·肖克利是半导体小组的主管，早在1946年，肖克利