在铌金属中为285 pm。 一项对一氧化铌的键的研究得出结论，金属中心之间存在牢固且几乎共价的键。 它在 1.38 K 以下是一种超导体。 它用于电容器中，在NbO晶粒周围形成一层NbO作为电介质。 
制备.NbO 可以由NbO被 H 还原而成。它更常见的制备方法是由归中反应制成：