部分人士认为金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）技术的进步是促成物联网快速发展的推手。主要的论点在于MOSFET到了21世纪制程已可微缩至奈米等级，大幅降低了功耗，而低功耗设计正是物联网中的感测器可否被广泛运用的关键因素。除了MOSFET之外，绝缘层上覆硅（silicon-on-insulator）与多核心处理器技术的发展，也是促成物联网普及的原因。
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