），微观粒子之间的情况必须考虑泡利不相容原理。研究发现，当N型半导体处于简并状态下时，其施主杂质并未完全电离，在室温下硅半导体中只有8.4%的施主杂质电离。在掺杂程度足够高、进入简并状态的情况下，不同原子的电子会形成共有化运动，即这些原子的电子运动波函数相互重叠，从而使杂质能级形成连续的能带。这个杂质能带填充了原来价带、导带之间的能隙，这样，简并半导体的能隙宽度就减小了，从而显示出一些不同寻常的性质。例如，当温度升高，简并半导体的导电性能不会显着增加。另一方面，简并半导体的载流子浓度尽管比非简并半导体高