了下一代非挥发性记忆体-阻抗存储器（RRAM 或 ReRAM）中。2008年4月，惠普公司公佈了基于TiO的RRAM器件，并首先将RRAM和忆阻器联系起来。但目前仍然有专家认为，这些实作出的电路，并不是真正的忆阻器。
背景.在蔡少棠教授1971年的论文中，他外推了对称的非线性电阻（电压与电流），非线性电容器（电压与电荷），和非线性电感（磁通量与电流）之间的的概念，并推断出忆阻器作为一个类似于基本的非线性电路元件的，连接磁链和电荷。对比线性（或非线性）的电阻，忆阻器有一个动态的包括过