应离子刻蚀技术向硅晶片内部刻蚀。刻蚀到晶片内部的一个牺牲层。这个牺牲层在刻蚀完成后被腐蚀掉，这样本来埋在晶片内部的结构就可以自由运动了。
体型微加工.体型微加工与深层刻蚀类似，是另一种去除硅的方法。一般体型微加工使用碱性溶液如氢氧化钾来腐蚀平板印刷后留下来的硅。这些碱溶液腐蚀时的相对各向异性非常强，沿一定的晶体方向的腐蚀速度比其它的高1000倍。这样的过程往往用来腐蚀v状的沟。假如选择的原材料的晶向足够精确的话这样的沟的边可以非常平。
高分子材料.虽然电子