制程转向第24代的20纳米制程的过程中，但却遇到重重困难，进度停摆，其原因不外是当晶体管的尺寸小于25纳米以下时，传统的平面场效应管（planar field effect transistor/planar FET）的尺寸已经无法缩小，所以须采用鳍式场效应晶体管（FinFET）以将场效应管立体化，而三星彼时对此毫无任何经验，根本无法达成任何突破，因此研发彻底停滞，而梁孟松得知三星之困境后却力主放弃20纳米制程，直接由28纳米制程升级到第26代的14纳米制程。这就要跳过第24代的20/22纳米制程和第25代