得主的功绩。
超晶格.江崎玲于奈在1960年移居美国，加入IBM，然后在1967年成为IBM院士。他预测，如果半导体晶体中人为地构建一维周期性结构变化，将可形成半导体超晶格，并引起诸如差分负电阻效应等独特现象。他开发了名为「分子束外延」的薄膜晶体生长方法，可以在超高真空中相当精确地调节。他的第一篇关于半导体超晶格的论文发表于IBM时期的1970年，他在1987年曾对这篇原始论文提出如下的註释：“《物理评论》评审因缺乏想像力而拒绝出版原始论文，认为该论文太过投机性，没有崭新的物理