样，可以利用zh-hant:分子束磊晶;zh-hans:分子束外延;（molecular beam epitaxy, MBE）或有机金属气相磊晶 （metal-organic vapour phase epitaxy，MOVPE，也称做有机金属化学气相沉积法），在砷化镓上轻易地形成异质的结构，生长出砷化铝或（AlGaAs）合金；且因为生长出的合金层应力小，所以几乎可以任意调整生长厚度。砷化镓的另一个重要应用是高效率的太阳电池。1970年时，Zhores Alferov和他的团队在苏联做出第一个砷