N型的半导体区域，结区中正的压电电荷降低能带，而负的压电电荷提高能带。 由于压电电势所导致的局域能带的改变可能会对电荷的俘获产生影响，从而使得电子-空穴的复合率得到极大的提高，这对于提高发光二极管的效率非常有用。而且，倾斜的能带趋向于改变向着结区移动的载流子的迁移率。用于压电光电子学的材料应该具备三种基本的性质：压电效应、半导体特性以及光激发特性。典型的是具有纤锌矿结构的材料，例如氧化锌、氮化镓和氮化铟。压电效应，光激发和半导体特性之间三者的耦合是压电电子学（压电效应-半导体特性耦合），压电光子学（压电