掺杂.若在纯硅中掺杂（doping）少许的施子（即五价原子，最外层有5个电子的原子）如磷、砷、锑，施子的一个价电子就会成为自由电子，如此形成N型半导体，自由电子为N型半导体中导电的主要载子（多数载子）。若在纯硅中掺杂少许的受子（即三价原子，最外层有3个电子的原子）如硼、铝、镓、铟，就少了1个电子，而形成一个电洞（Hole，或称电孔），如此形成P型半导体，电孔为P型半导体中导电的主要载子（多数载子）。因掺杂前的本质半导体与杂质皆为电中性，掺杂后的外质半导体也为电中性。