:固体电子器件中的局部态密度(LDOS).LDOS可以用来分析器件具体工作原理。比如，右图是一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的LDOS随着晶体管开通和关闭的变化，该图通过计算机仿真得到。源极和漏极中清晰可见导带和禁带的分界线，以及束缚能级。在中间的沟道，随着栅极电压增加，势垒高度下降，密度增加，晶体管开通。