a_5是基极与源极之间无电位差时的临界电压，formula_6是基板效应参数，formula_7则是与半导体能阶相关的参数（禁带中线与费米能级的差值）。
金氧半场效电晶体在电子电路上应用的优势.金氧半场效电晶体在1960年由贝尔实验室的和首次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克利等人发明的双载子接面电晶体截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型积体电路或是超大型积体电路的领域里，重要性远超过BJT。近年来由于金氧半场效电晶体元件的性能逐渐提升，