ndium gallium phosphide，简称InGaP)也被称为磷化镓铟（GaInP），是由磷、铟和镓组成的半导体。因为其电子速率比常见的硅及砷化镓要快，常用于高速或是高功率的电子元件中。磷化铟镓常用在高电子移动率电晶体（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）结构中，但也用在太空应用的高速率太阳能电池，若加入铝（合金）可以制作高亮度的橘红色、橘色、黄色及绿色发光二极体。磷化铟镓是磷化铟及磷化镓的合金。GaInP是一种有特别重要性的合金，其晶格几乎和砷化镓相同，因此配合(AlGa)In，