E 3400c ，每小时单位产出为170片（WPH）12英寸晶片，属于极紫外线曝光（EUV）机型，用来生产关键尺度低于7纳米的集成电路。除了目前致力于开发的TWINSCAN平台外，阿斯麦公司还在积极与IBM等半导体公司合作，继续研发光刻技术，比如极紫外光刻（EUV），用于关键尺度在22纳米甚至更低的集成电路制造。目前阿斯麦公司已经向客户递交若干台EUV机型，用于研发和实验。同时，基于传统TWINSCAN平台研发的双重曝光技术也对光刻技术做出了大量的贡献。早在07年末，三星宣布成功生产的36nm NAND