金氧半电容（金属氧化物半导体电容或 Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor 或 MOSC）是一种常见的两端控制的半导体元件，在1960年代已在实验室被实做出来。金氧半电容是由金属作为闸极（虽然在工艺界常用多晶硅，近年来才改为金属），在金属和半导体间以氧化物作为介电层以绝缘，氧化物通常是二氧化硅（SiO），因为二氧化硅可以直接由常见的硅基板通过加热生长，所得的界面陷阱（interface states）特性也会比较好。半导体的部分通常是硅，也就是常说的硅晶圆，目前一些三五族材