学家已经提出动态记忆电阻器，例如伯纳德建模的，但是，蔡试图引进数学一般性。
理论.在忆阻器中，磁通量（formula_1）受到累积的电荷（"q"）所影响。磁通量按电荷的改变率称之为「忆阻值」：故此忆阻值可以与其余三种基本的电子元件作出比较：当中formula_6是电荷；formula_7是电流；formula_8是电压；而formula_1则是磁通量。根据法拉第电磁感应定律及复合函数求导法则，可见忆阻器的电压"V"是与电流"I"及忆阻值的积有关：由此可见，忆阻器可以