，会导致闸极的破坏。近来，业界尝试以高介电系数（high-k）材料取代以往的二氧化硅绝缘氧化层，以提高（equivalent oxide thickness, EOT）。
漏电流.电荷穿隧过通道，会导致漏电流的产生，我们可以由阈值电压（又称为门槛电压或临界电压，threshold voltage）的下降来衡量它的严重性。
应用.穿隧效应不单具有破坏性。某些快闪记忆体（Flash）反过来利用了穿隧效应来储存电荷，这些快闪记忆体在控制闸极（controllin