属电极以及中间一层过渡金属氧化物(Transition metal oxide, TMO)所组成，主要的操作原理是利用过渡金属氧化物的阻值，会随着所加偏压改变而产生不同的阻值，而如何办别内部储存的值，则由内部的阻值高低来做分别。通常会先对刚生产好的可变电阻式记忆体进行初始化，此过程被称为Forming，必须对元件施加偏压，当电场超过临界值时介电层会发生崩溃现象，使介电层从高阻值转为低阻值。而从Forming之后发生改变阻值的现象，若是从高阻态到低阻态的过程称之为SET，相反地，从低阻态到高阻态的过程称之为R