于国立台湾大学，之后至美国留学。1960年，取得华盛顿大学硕士学位。1963年，取得史丹福大学电机博士学位。毕业后，随即进入贝尔实验室工作，在此工作直到1989年退休。1967年5月，与韩裔美国人的姜大元在《贝尔系统科技期刊》（）发表第一篇关于非挥发性记忆体的论文「浮闸非挥发性半导体记忆体细胞元件」，随后由贝尔实验室取得专利。在此年开始，撰写《半导体元件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）。1969年，《半导体元件物理学》（Physics of Semicondu