功率MOSFET是专门处理大功率的电压和电流的金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），也是的一种。和其他功率半导体（例如绝缘栅双极晶体管或晶闸管）比较，功率MOSFET的优点是其切换速度快，在低电压下的高效率。功率MOSFET和IGBT都有隔离的闸体，因此在驱动上比较容易。功率MOSFE的缺点是增益较小，有时闸极驱动的电压甚至比实际要控制的电压还低。MOSFET及互补式金属氧化物半导体（CMOS）技术持续的演进，自1960年起已用在集成电路上，这也是功率MOSFET的设计得以实现的原因。功率MOSF