负偏置温度不稳定性（）是影响金属氧化物半导体场效电晶体可靠性的一个重要问题，它主要表现为阈值电压的偏移。也被列入半导体元件中，可靠度分析的重要指标。NBTI 效应是CMOS电路中PMOS在Gate给相对负偏压作用下出现的一种退化现象。包含了(IG变大，Vth向负向移动swing变差，电导(Gm)和漏电(Id)变小。而随着元件尺寸的变小，NBTI所带来元件特性的漂移会造成产品失效。甚至在电路表现中，PMOS所带来NBTI的效应会比NMOS HCI热载子注入失效还要严重，影响电路的寿命。半导体元件中，S和S