体缺陷）。当电压改变时，耗尽层深浅也发生变化。
应用.该测量方法可以得到关于半导体掺杂，晶体缺陷之类的特性。
金属-氧化物-半导体结构的C-V特性.金属-氧化物-半导体结构是MOSFET的一部分，用来控制晶体管沟道中势垒的高低。对于一个n通道MOSFET来说，该结构的工作特性可分为三个部分，分别与右图对应：
累积区 (Accumulation region).当施加 V < 0 时，在n区域的表面会形成一个p通道。 电洞浓度的增加