和MiB）。快闪记忆体晶片内部的容量大小是以2进位倍数计算，但并非所有实际容量空间均能被驱动器介面所使用。快闪记忆体晶片实际的容量会大于标示容量，或者说，可用容量会小于芯片容量，这是为了存放写入的分配（记忆损耗平衡）资讯、备用资料、文件系统信息、错误修正码、及装置内部韧体程式运算所需要的其他中继资料。2005年，东芝与新帝公司使用多阶储存单元（multi-level cell，MLC）技术开发出可储存1GB资料量的NAND型快闪记忆体晶片，MLC拥有在最小记忆单元中储存两个位元资料的能力。2005年