浮栅中的电荷，则可被看作FGMOS的电容耦合操作。 在电容耦合操作中，浮栅中的净电荷不被改变。这种方式的应用实例是单晶体管加法器、DAC、乘法器、逻辑功能与可变阈值逆变器等。 FGMOS作为可编程充电元件时，通常用于非易失性存储器中：如闪存、EPROM和EEPROM存储器。在这类应用中，FGMOS能够在不连接电源的情况下长时间存储电荷，因此十分有用。 FGMOS的其他应用包括模拟存储元件、和神经网络中的神经元计算元件等。