ld Effect Transistor（MIGFET）。多闸极电晶体被提出为的是克服半导体工业里摩尔定律（Moore's law）发展至今体积的缩小已经到达物理极限的难题。相当多的公司和机构已经在积极发展多闸极电晶体，其中包含了超微半导体、日立、IBM、英飞凌、英特尔、台积电、飞思卡尔、加州大学伯克利分校等等，而ITRS预估多闸极电晶体将是32奈米以下重要的奠基石。实现上主要的障碍来自于制造技术，不论是平面和非平面的设计都面临挑战，特别是显影以及图案化技术。其他伴随发展的包含了通道应力、硅上绝缘（SO