的发生率低于每读写10位元时一个扇区。最常被使用的算法是BCH码。与SLC闪存相比，MLC NAND的其他缺点是较低的写入速度、较低的编程擦除周期数和更高的功耗。有少数存储器设备走向另一个方向，为每个位元使用两个单元，从而得到更低的误码率。Intel 8087使用每个单元两个位元的技术，并是首个在1980年于市场上使用多层ROM单元的设备。一些固态磁盘使用MLC NAND中的部分晶粒模拟为单位元的SLC NAND，从而提供更高的写入速度。
三层单元.三星集团宣布了每个单元（c