FET是最常见的功率半导体。功率MOSFET可以用在许多不同的领域中，包括大部份的电源供应器、直流-直流转换器、低电压电机控制器等，以及许多其他的应用。
历史.金属氧化物半导体场效电晶体是贝尔实验室的和在1959年发明的，是电力电子学的一大突破。MOSFET一代一代的推进，让电力电子元件的设计者可以达到双极性电晶体无法达到的性能以及功率密度。日立制作所在1969年发明了第一个垂直式的功率MOSFET，之后称为（V 型槽MOSFET）。日本的Y. Tarui, Y. Hayash