能用于高可靠度的军用或工业环境。IGZO与非晶硅相比能够缩小电晶体尺寸，提高液晶面板画素的开口率，较易实现解析度高出一倍，电子迁移率快十倍，成为OLED技术的最大对手。日本科学技术振兴机构（JST）把技术专利于2011年授权予三星电子，2012年夏普(Sharp)亦获得授权。LTPS（低温多硅显示面板）的表现在某些方面比IGZO更佳（如电子迁移率比IGZO快约十倍），但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本，在中大尺寸面板上使用IGZO技术的成本则比使用LTPS低很多。