表现为具有窄约4-14毫电子伏特带隙的非磁性的绝缘层。SmB伴随着由热导率急剧增加使冷却引起的金属-绝缘体转变，峰值在约15 K，增加的原因是电子低温下无助于热导率，使佔主导地位的电子浓度的减少降低电子-声子散射率。一项新的研究指出，它可能是一个拓扑绝缘体。
其他无机化合物.钐碳化物是在惰性气氛中通过熔化金属石墨的混合物制备而来。合成后它们在空气中不稳定，需在惰性气体下进行研究。钐monophosphide SMP是为1.10电子伏特带隙的半导体，和硅相同，且硅为高导电性的n-