，在低电压下的高效率。功率MOSFET和IGBT都有隔离的闸体，因此在驱动上比较容易。功率MOSFE的缺点是增益较小，有时闸极驱动的电压甚至比实际要控制的电压还低。MOSFET及互补式金属氧化物半导体（CMOS）技术持续的演进，自1960年起已用在集成电路上，这也是功率MOSFET的设计得以实现的原因。功率MOSFET和一般信号级的MOSFET原理相同。功率MOSFET常用在电力电子学，是源自信号级的MOSFET，自1970年代开始有商品贩售。功率MOSFET是最常见的，原因是因为其闸极驱动需要的功