电压的高电压侧。若是用N-MOSFET，此一组态需要提供formula_7的电压给闸极，但是用P-MOSFET，需要的电压不会超过formula_8。这类MOSFET的主要缺点是导通特性不佳，因为是利用电洞作为载流子。电洞的载子迁移率比电子要差，而电导率和载子迁移率有关。PMOS元件的formula_9会是相同尺寸N-MOSFET的三倍。
VMOS.结构在闸极有V型槽，是最早商品化的元件。
UMOS.此功率MOSFET结构（也称为trench-MOS）