制器等，以及许多其他的应用。
历史.金属氧化物半导体场效电晶体是贝尔实验室的和在1959年发明的，是电力电子学的一大突破。MOSFET一代一代的推进，让电力电子元件的设计者可以达到双极性电晶体无法达到的性能以及功率密度。日立制作所在1969年发明了第一个垂直式的功率MOSFET，之后称为（V 型槽MOSFET）。日本的Y. Tarui, Y. Hayashi和Toshihiro Sekigawa首次提出有的双扩散MOSFET（DMOS）。1974年时，日本东北大学的西泽润一发明