极、二氧化硅以及上方N磊晶层所产生，这个电容是定值。第二个电容（C）是因为MOSFET不导通时，空乏层的扩展所产生，因此和源极及汲极之间的电压有关。C的值为：formula_2空乏层的宽度为formula_3其中formula_4是硅的电容率，q是电子电荷，N是掺杂程度。C的值可以用平板电容器的公式来近似：formula_5其中A是源极及汲极重叠部份的面积，因此：formula_6可以看出C（以及C）的电容值会随源极及汲极的电压而改变。若电压是增加，则电容也会增加。若MOSF