如下列公式所示：对于非本征半导体在热平衡的状态下，这个关系变为(对轻掺杂而言):其中"n"是半导体内的电子浓度、"p"则是半导体的空穴浓度，formula_3则是本征半导体的载流子浓度。formula_3会随着材料或温度的不同而改变。对于室温下的硅而言，formula_3大约是1.5×10 cm。通常掺杂浓度越高，半导体的导电性就会变得越好，原因是能进入导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加。掺杂浓度非常高的半导体会因为导电性接近金属而被广泛应用在今日的积体电路制程来取代部份金属。高掺杂浓度通常