料也被用于金氧半元件的基板中以改进载子的传输特性。
操作.金氧半电容的基本元件示意图如右。在不同的闸极偏压（"V"）会有不同的能带结构，在金氧半电容中分成四个部分讨论，分别是累积区、平能带区、空乏区以及反转区。以下以P型硅基板（电子和电洞分别为少数和多数载子）的金氧半电容为例：值得注意的是，上述理论乃是考虑闸极方向漏电流可忽略的情况，当考虑漏电流的发生（即在元件使用小于3奈米的超薄氧化层），电子或电洞就不易大量累积，因此累积区和反转区电容就与上述的不同了。累积区的电容会因为偏压