而绝缘闸极场效电晶体的闸极绝缘层，有可能是其他物质，而非金氧半场效电晶体使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅闸极的场效电晶体元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是金氧半场效电晶体。金氧半场效电晶体里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO），不过有些新的进阶制程已经可以使用如（silicon oxynitride, SiON）做为氧化层之用。今日半导体元件的材料通常以硅为首选，但是也有些半导体公司发展出使用