任，微米/纳米加工技术国家重点实验室主任，IEEE Fellow、IEE Fellow。他是中国硅栅N沟道MOS技术开拓者之一。
生平.1935年1月1日出生于浙江宁波镇海县（现镇海区）。1947年入读宁波中学。1953年考入北京大学，1958年毕业。20世纪70年代，主持研制成功中国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器。20世纪80年代，提出多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型，工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，受国际同行重视。20世纪90年代后期，开始研究微机电系统（