控制微小的晶体缺陷，而且有的效果，是故在晶体的成长阶段常常人为刻意渗氮保留一点点氮杂质。浮带硅受限于成长时必须控制表面张力，所以制造出来的晶圆直径通常不超过150毫米。一条超纯电子级多晶晶棒通过一环射频加热线圈，在该晶棒上产生一小段熔融区长晶。一小颗晶种置于一端以启始晶体成长。整个制程必须在通惰性气体或在真空腔体中进行，尽可能避免污染。因多数杂质在硅中的平衡分离系数小于1，故杂质往液态之熔融浮区移动被带走。特殊掺杂技术如核心位置掺杂、小球掺杂、渗气掺杂、中子转化掺杂等等可以达成杂质浓度均匀一致。Se