ies in germanium and silicon under control.）。
早年.普凡生于纽约市布鲁克林。1935年普凡年仅18岁就展现了对材料科学的才能，没有大学学历就进入了贝尔实验室的化学研究部门。后来到柯柏联盟学院的夜校上学，才于1940年取得化学工程的学士学位。在贝尔实验室，普凡加入威廉·肖克利意图以半导体取代真空管的工作。本来他们採用锗，1945年用锗做出了高逆压整流器。 普凡想出了最早的一种，他改良了的1N26型点接二极体使其成为三极放大器，后来被称