子器件，因为隧穿薄层的时间很短，比如振荡器。最高工作频率可达THz.谐振隧穿二极管可以使用多种材料制造（比如III-V族，IV族或II-IV族半导体）和多种不同谐振隧穿结构（比如重掺杂PN结,双势垒，三势垒，势阱）。 其中一种由两层薄层中间的单个势阱构成，称为双势垒结构。载流子在势阱中间只能有分立的电子能级。当谐振隧穿二极管两边加偏压的时候，随着第一能级接近费米能级，电流逐渐增加。当第一能级低于并远离费米能级的时候，电流开始下降，出现负阻特性。当第二能级下降接近费米能级的时候，电流再次增加。该结果如