d J. Coe发明了超接合面的MOSFET，作法是将p型及n型的层对调，并且因此在1984年申请了美国专利，在1988年通过。
应用.功率MOSFET是最常用到的功率半导体。，功率MOSFET佔功率半导体市场的53%，比绝缘栅双极晶体管（27%）、（11%）及双极性电晶体（9%）要多。，每年销售的功率MOSFET超过五百亿个，其中包括沟槽式（Trench）功率MOSFET，到2017年二月为止已销售一百亿个，以及意法半导体的MDmesh（超接合面MOSFET），已贩售五十亿个。