半导体中的隧道效应（又称穿隧效应，tunneling effect）是指量子穿隧效应体现在半导体元件上的一个例子。这种现象在半导体元件的尺度不断缩小后愈加明显。
描述.半导体中的穿隧效应，一般发生于半导体元件因散热不佳而过热时，电荷带有过多的动能，越过量子能障，产生非预定的电流。半导体中的电荷包括电子与电洞，基于等效质量的差异，电子比电洞发生穿隧的机率更高。穿隧效应对MOSFET的影响包括：穿隧过绝缘氧化层，或穿隧过通道。除特殊用途（见应用条目）外，这两种穿隧都会使半导体元件失灵。