C-V特性曲线（电容电压特性曲线）是用来测量半导体材料和器件的一种方法。当所加电压改变时，电容被测出。方法是使用金属-半导体结（肖特基势垒）或者PN结或者场效应管来得到耗尽层（其中载流子被全部抽走，但仍然有离子化的施主或晶体缺陷）。当电压改变时，耗尽层深浅也发生变化。
应用.该测量方法可以得到关于半导体掺杂，晶体缺陷之类的特性。
金属-氧化物-半导体结构的C-V特性.金属-氧化物-半导体结构是MOSFET的一部分，用来控制晶体管沟道中势垒的高低。对于一个n