子数 n 常被当作样品的电子密度。另外，对于给定的样品，式 () 右侧的物理量均为常数。若绘制边缘通道 i 关于其对应的磁通量密度的倒数 1/B，可得一条斜率为 formula_7 的直线，由斜率可计算样品的电子密度 n。例如，右图中测量了高掺杂的BiSe的舒勃尼科夫-德哈斯效应，并对得到的数据点进行线性拟合。根据所得的斜率 0.00618/T，可计算此样品的电子密度另外，通过施加不同方向的磁场并测量振荡周期，舒勃尼科夫-德哈斯效应还能用于构建样品电子费米面的图像。