简介.所谓的「金属-氧化层-半导体」事实上是反映早期场效电晶体的闸极（gate electrode）是由一层金属覆盖在一层绝缘体材料（如二氧化硅）所形成，工作时透过电场将通道反转，形成通路，作为简单的开关。今日的金属氧化物半导体场效电晶体元件多已採用多晶硅作为其闸极的材料，但即使如此，「金氧半」（MOS）仍然被用在现在的元件与制程名称当中。在今日，当CMOS被使用来作数位影像器材的感光元件使用，称主动像素感测器（Active Pixel Sensor），例如高解析度数位摄影机与数位相机，尤其是片幅规