半导体物料。
历史及特性.氮化铝于1877年首次合成。至1980年代，因氮化铝是一种陶瓷绝缘体(多晶体物料为 70-210 W‧m‧K，而单晶体更可高达 275 W‧m‧K )，使氮化铝有较高的传热能力，至使氮化铝被大量应用于微电子学。与氧化铍不同的是氮化铝无毒。氮化铝用金属处理，能取代矾土及氧化铍用于大量电子仪器。氮化铝可通过氧化铝和碳的还原作用或直接氮化金属铝来制备。氮化铝是一种以共价键相连的物质，它有六角晶体结构，与硫化锌、纤维锌矿同形。此结构的空间组为P6。要以热压及銲接式