器（Dual Channel），动态随机存取存储器（DRAM）分别连接两个不同的总线（Bus），让两个内存控制器并行访问它们，这总线理论带宽提高一倍。在理论上可以有更多的信道被建立（为每一个DRAM单元建立单独信道将是理想的解决方案），但由于线路数量、电容器、需要并行接入线路具有相同的的长度，添加越多的信道，设计越复杂。
全缓冲内存模组.全缓冲内存系统（英语：，FB-DIMM）将内存的缓冲装置用于每个内存模块连接并串行传输到内存控制器，这是一种新总线设计；它不像传统的内存控制器设备