导下成功研制了固态的忆阻器－它是由一片双层的二氧化钛薄膜所形成，当电流通过时，其电阻值就会改变。固态的忆阻器的制造需要涉及物料的纳米技术。这个忆阻器并不像其理论般涉及磁通量，或如电容器般储存电荷，而是以化学技术来达至电阻随电流历史改变的性质。不过，三星集团却有一项正申请专利的忆阻器，採用了类似惠普公司的技术。故此谁是忆阻器的创始人则有待澄清。目前(2008)惠普公司是以两层二氧化钛薄膜来制作忆阻器元件 ，其中一层掺杂。
可能应用.其元件特性，适合模拟神经元突触的部份运作，使