EL的实验室使用新的材料系统做研究，反应区可能会因短波长的外光源（通常是其他雷射）而被帮浦。这使得VCSEL可以在不考虑达到良好的电路品质的额外问题下被论证；然而这样的装置对大多数的应用不是实际的。波长从650nm到1300nm的典型VCSEL是以砷化镓（GaAs）和铝镓砷化物（AlGaAs）构成的DBR所组成的镓砷晶元为基底。GaAs/AlGaAs系统由于材料的晶格常数在组成有变动时，不会有非常强烈的改变，且允许多个"晶格配对"复生层成长于砷化镓的底层，所以非常适合用来制造VCSEL。然而，当Al分子