在4G网路中。于1977年在史丹佛大学和Tom Herman共同发明了HexFET，六边形的功率MOSFET。在1978年开始贩售HexFET。绝缘栅双极晶体管（IGBT）结合了功率MOSFET以及双极性电晶体（BJT）的特点，是由通用电气的B·贾扬特·巴利加在1977年至1979年所发明的。超接合面（Super Junction）MOSFET是用P+ columns穿透N-外延层的MOSFET。将P层和N层叠层的概令念最早是由大坂大学的Shozo Shirota和Shigeo Kaneda在197