运动而变成自由电子或自由电洞；一般而言，深能级缺陷离能带边缘比较远，超过0.1eV。但也有些物质的深能级缺陷离能带边缘虽然只有0.001eV，仍旧能够显示出深能级缺陷的通常性质。金属氧化物半导体电容器（）是另一个电容与频率有关的例子。对于这案例，少数载流子的缓慢生成意味着在高频率状况，只有多数载流子的响应能够贡献出电容，而在低频率状况，两种载流子的响应都能够贡献出电容。当频率为光学频率时，半导体的电容会展示出类似固体的能带结构。精密的调制光谱学（）测量方法，使用压力或其它种应力来调制晶体结构，然后观