工艺时，都采用后栅极工艺流程。中芯在 研发28纳米制程时原先走后栅极工艺流程，在2012年得到 IBM 的协助，签订合作开发协议之后，采取以后栅极工艺流程为主，部分先栅极技术为辅的兼容型，但高介电常数金属栅极产品的良品率一直不稳定，远不如预期。例如中芯为高通接单的低阶28 纳米工艺多晶硅制程的良品率只有60%，而高阶28纳米工艺高介电常数金属栅极制程的良品率更只有40%。正因如此，直至28纳米制程所占中芯营收比例最高的2018年第4季，也只不过只有区区5.4%而已。而梁孟松和其所率的台籍、韩籍团队加入中芯后