每堆8个裸晶及每针传输速度上至2 的标准。为保持1024比特宽的访问，第二代高频宽记忆体得以在每个封装中达到256GB/s的内存带宽及上至8GB的内存。业界预测第二代高频宽记忆体对极其需要性能的应用程序，如虚拟现实，至关重要。2016年1月19日，三星集团宣布进入大量生产第二代高频宽记忆体的早期阶段，每堆拥有高达8GB的内存。SK海力士同时宣布于2016年8月发布4GB版本的内存。2018年下半年，JEDEC宣布升级第二代高频宽记忆体标准，提升带宽及其能力。官方标准中明确每堆最高307GB/s（有效