当一个P型半导体和一个N型半导体形成一个结，P型那一侧的空穴和N型那一侧的电子趋向于在界面区域重新分布以平衡局域电场，这将导致一个电荷的耗尽层。在结区，电子和空穴的扩散以及复合强烈的受到局域电场分布的影响，而它与器件的光电子特性联系紧密。界面处存在的压电电荷会引入三种效应：由于引入的局域电场所导致的局域能带的移动、存在于压电半导体材料中的极化所导致的结区中能带的倾斜、以及为了平衡局域压电电荷局域电荷载流子进行重新分布所导致的电荷耗尽区的变化。在N型的半导体区域，结区中正的压电电荷降低能带，而负的压电电荷提高