以免过大的电压造成闸极氧化层突崩溃（breakdown）。为了维持同样的性能，金氧半场效电晶体的临界电压也必须降低，但是这也造成了金氧半场效电晶体越来越难以完全关闭。也就是说，足以造成金氧半场效电晶体通道区发生弱反转的闸极电压会比从前更低，于是所谓的亚阈值电流（subthreshold current）造成的问题会比过去更严重，特别是今日的积体电路晶片所含有的电晶体数量剧增，在某些超大型积体电路的晶片，次临限传导造成的功率消耗竟然佔了总功率消耗的一半以上。不过反过来说，也有些电路设计会因为金氧半场效电晶