1则是磁通量。根据法拉第电磁感应定律及复合函数求导法则，可见忆阻器的电压"V"是与电流"I"及忆阻值的积有关：由此可见，忆阻器可以成为一个电阻器。但是「电阻」的"M(q)"会随累积的电荷而改变。忆阻值可以说是随流经忆阻器的电流历史所改变，彷如在电容器的电压一般。忆阻器的行为是类似的其他三个基本组成部分。
实现.Intel与Micron联合研发的3D XPoint。（Intel表示所用并不是ReRAM，根据推断，为相变存储器的可能性更大，此条消息存疑。）厂商表示，此技术的