虑一个p型的半导体（电洞浓度为"N"）形成的MOS电容，当给电容器加负电压时，电荷增加（如C-V曲线左侧所示）。
耗尽.相反，当一个正的电压"V"施加在闸极与基极端（如图）时，电洞的浓度会减少（称为耗尽，如C-V曲线中间所示），电子的浓度会增加。
反型.当"V"够强时，接近闸极端的电子浓度会超过电洞。这个在p-type半导体中，电子浓度（带负电荷）超过电洞（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer），如C-V曲线右侧所示。