宣布他们已经完成2GB的DDR4 DRAM模组的制造和测试，并公佈全球首支DDR4 SDRAM模组，其DDR4 DRAM颗粒基于30至39奈米之间的制程，资料传输率为2133MT/s，运作电压在1.2V，使用漏极开路（Open Drain）技术（从制造GDDR图形记忆体的工艺改造而来）并且表现出比同规格DDR3模组低40%的耗电量。三个月以后（即2011年4月），海力士宣布运作于2400MT/s资料速率的2GB DDR4记忆体模组面世，运作电压同样在1.2V，也採用30至39奈米的制程（未具体指明），另