AM的操作电压较低，消耗的电力亦较少，且ReRAM的写入资讯速度比同样是非挥发性记忆体的NAND快闪记忆体快1万倍，因此在这个即将面临而来的挑战，可变电阻式记忆体绝对是一个不可或缺的存在。最基本的可变电阻式记忆体是由上下两层金属电极以及中间一层过渡金属氧化物(Transition metal oxide, TMO)所组成，主要的操作原理是利用过渡金属氧化物的阻值，会随着所加偏压改变而产生不同的阻值，而如何办别内部储存的值，则由内部的阻值高低来做分别。通常会先对刚生产好的可变电阻式记忆体进行初始化，此过程