007年惠普公司资讯与量子系统实验室的研究人员在的领导下成功研制了固态的忆阻器－它是由一片双层的二氧化钛薄膜所形成，当电流通过时，其电阻值就会改变。固态的忆阻器的制造需要涉及物料的纳米技术。这个忆阻器并不像其理论般涉及磁通量，或如电容器般储存电荷，而是以化学技术来达至电阻随电流历史改变的性质。不过，三星集团却有一项正申请专利的忆阻器，採用了类似惠普公司的技术。故此谁是忆阻器的创始人则有待澄清。目前(2008)惠普公司是以两层二氧化钛薄膜来制作忆阻器元件 ，其中一层掺杂。
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