可以补偿更大的比特误码率。更高的错误率需要前向错误更正（ECC）来纠正多个位元错误。例如，SandForce SF-2500闪存控制器可以纠正每个512字节扇区中最多55位元，从而使不可恢复读错误的发生率低于每读写10位元时一个扇区。最常被使用的算法是BCH码。与SLC闪存相比，MLC NAND的其他缺点是较低的写入速度、较低的编程擦除周期数和更高的功耗。有少数存储器设备走向另一个方向，为每个位元使用两个单元，从而得到更低的误码率。 Intel 8087使用每个单元两个位元的技术，并是首个在1980年于