耐久性降低与不正确位元错误率增加，这些都可以借由改善错误修正机制来弥补。即使有了这些进步，已有经济规模的快闪记忆体在尺寸上也难以越来越小。闪存本身的读写速度有限，并且有写入次数限制。有些具有光明展望的新技术（诸如铁电随机存取记忆体（FeRAM）、磁阻式随机存取记忆体（MRAM）、可编程金属化单元（PMC）、电阻式存储器（ReRAM）、相变化记忆体（PCM）与其他)均在探索与研发中，希望能更大规模的取代快闪记忆体。随着NAND制程越来越小，缩短制程提高存储密度已经非常困难。最新的NAND技术被称为3D-N