M实现：非标准的NVDIMM实现：截至2012年11月，大多数NVDIMM使用NAND闪存作为非易失性存储器。新兴的内存技术旨在实现无需缓存或两个单独存储器的NVDIMM。英特尔和美光公司已经宣布采用NVDIMM-F的3D XPoint PCM技术。索尼和也已宣布基于ReRAM技术的NVDIMM-N产品。2015年，三星和Netlist宣布了一个NVDIMM-P产品，可能基于Z-nand。
备份电源.NVDIMM从备份电源（BBU）DIMM演变而来，它使用一个后备电池为易失性存