多重图形（Multiple patterning）是指一种在半导体制造过程中的技术。在光刻过程中使用了多重图形曝光增强了制作图形的密度。尽管极紫外光刻将在下一代光刻中作为一个选项，但是这个仍然需要额外一次曝光。
中心距分离.多重图形的最简单形式是将图形分离成二个或者三个部分。每个部分按照通常的制程方法进行制作。整个图形最终会合并形成最终的图层。这种方法有时称为中心距分离，也会被称为光照-刻蚀-光照-刻蚀（LELE）。这种技术用于20纳米制程、14纳米制程等。额外暴光的成本在