流可由下式所描述其中formula_2为光在空乏区所激发的光电流，formula_3是侧向扩散电流，formula_4是具维度之电洞Richardson constant，formula_5是温度，formula_6是电子电量，formula_7是普朗克常数，formula_8是电洞穿隧机率，formula_9是电洞的等效萧基位障且会被侧向扩散电流线性调控。第三项系电洞之萧基二极体电流公式乘上电洞穿隧过氧化层的机率，由于第三项是指数相关，所以该项会主导电流的特性。双金氧半电容式穿隧电晶体（MOS Ga