装为三个端点的功率级半导体元件，其特点为高效率及切换速度快，为改善功率级BJT运作的工作状况而诞生。IGBT结合了场效电晶体闸极易驱动的特性与双极性电晶体耐高电流与低导通电压压降特性，IGBT通常用于中高容量功率场合，如切换式电源供应器、马达控制与电磁炉。大型的IGBT模组应用于数百安培与六千伏特的电力系统领域，其模组内部包含数个单一IGBT元件与保护电路。IGBT为近数十年发明产物，第一代IGBT产品于1980年代与1990年初期，但其切换速度不快且开关截止时易产生拴锁现象与二次崩溃现象，第二代I