宽能隙的P型简并半导体。其空穴浓度基本不随温度改变，这是简并半导体的特征之一。另一个典型的例子是氧化铟锡，由于它的等离子体振荡频率在红外范围，因此它是相当好的导体，而且它在可见光频域为透明的。重掺杂的简并半导体应用较为广泛。1958年研制成功的隧道二极管就是利用这样的重掺杂简并半导体制成的，其中N型半导体的费米能级进入导带，而P型半导体的费米能级进入价带。这项发明使其发明者江崎玲于奈在1973年被授予诺贝尔物理学奖。掺杂物的浓度和原本的半导体原子浓度比起来差距非常大，以一个有晶格结构的硅本征