硅的界面问题也影响了SiC MOSFET及IGBT的发展。渗氮已大幅改善了介面问题，不过其机制还不清楚。2008年已有第一个商品化的JFET，额定1200V，之后是2011年第一个商品化的MOSFET，额定电压1200 V。SiC的开关以及SiC肖特基二极管（SBD）有常见的TO-247及封装外，许多厂商也开始将SiC裸晶放在功率模组中。SiC SBD二极体已用在功因修正电路上，以及IGBT功率模组中。像是（CIPS）等研讨会也会定期报告有关SiC功率元件的技术驱势。日本部分新造的大功率交传铁路