物（AlGaAs）构成的DBR所组成的镓砷晶元为基底。GaAs/AlGaAs系统由于材料的晶格常数在组成有变动时，不会有非常强烈的改变，且允许多个"晶格配对"复生层成长于砷化镓的底层，所以非常适合用来制造VCSEL。然而，当Al分子增加时，铝镓砷化物的折射率就会变强，与其他系统比较起来，要组成一个有效的布拉格镜，所用的层数就会达到最少。此外，在铝较集中的部份，一种氧化物会形成AlGaAs，而这种氧化物可以被用来限制VCSEL中的电流，达到低闸值电流的目的。近来有两种主要的方法来限制VCSEL中的电流