{H|zh-tw:短通道效应;zh-cn:短沟道效应;}-短沟道效应（）是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。这些效应主要包括阈值电压随着沟道长度降低而降低、、载流子表面散射、、离子化和热电子效应。