，并为闪存单元的选择器和存储部分采用材料，从而比传统的PCM材料（例如）更快、更稳定。截至2015年，英特尔或美光尚未提供该技术的完整细节，尽管该项技术已经声明“不基于电子”。3D XPoint已经被声明使用电阻并且是位元可寻址。类似正在开发的可变电阻式记忆体，但3D XPoint存储的物理结构不同。3D XPoint的开发商表示其基于“bulk材料的电阻变化”。英特尔首席执行官Brian Krzanich回应了对XPoint材料的提问，称切换是基于“bulk材料性能”。英特尔已表示3D XPoint不