浮带硅（）是利用垂直式区域熔炼技术所得到的高纯度硅。先是1953年的科学家保罗·开克（Paul H. Keck，1908年6月28日－1963年4月8日）与以区域熔炼法制备出硅单晶。 后来又有1955年贝尔实验室的Henry Theuerer改良威廉·加德纳·普凡纯化锗的程序而开发出相关技术。在垂直式的区域熔炼里，熔融硅有足够的表面张力避免炉料固液分离，如此便可不用再加装密闭容器防止硅被污染。若欲取得高纯度的硅，浮带硅制程是柴式拉晶法的替代方案。以此法精炼之硅可以做到碳、氧等杂质浓度极低。另一种杂质氮可