00V的MOSFET，元件制造商（包括英飞凌科技以及其CoolMOS产品）开始使用电荷补偿原理（charge compensation principle）。使用此技术时，磊晶层的电阻（佔高压MOSFET元件电阻的95%）可以缩小到原来的五分之一。瑞萨电子为了提昇超接合面（super-junction）MOSFET的生产效率以及可靠度，发展了有深沟槽（deep-trench）制程技术的超接合面结构。此技术是在低杂质的N型材料上馈蚀刻沟槽，以产生P型区。此制程克服了多层磊晶成长时的一些固有问题，其导通电阻