场效应晶体管.由源极，栅极，漏极三电极组成，由施加在栅极上的电压可以控制导电沟道的开通关闭，可用于信号放大，且由于漏电流比双极性晶体管小，是现代数字集成电路的基础。hm设计方面影响半导体器件可靠性的因素包括："电压"衰退，"功率"衰退，"电流"衰退，"稳定性"，"逻辑时间变差"(logic simulation)，"时效分析"(timing analysis),"温度"衰退和"工艺控制"。
可靠性.
提高方法.半导体器件可靠性依靠