氮化铝铟镓的化学式是InGaAlN，是以氮化镓为基础的半导体，常用磊晶成长的方式制成，像是有机金属化学气相沉积法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）等方式。此材料用在特别的光电应用中，像是蓝光雷射LED及蓝光LED等。