特尔、台积电、飞思卡尔、加州大学伯克利分校等等，而ITRS预估多闸极电晶体将是32奈米以下重要的奠基石。实现上主要的障碍来自于制造技术，不论是平面和非平面的设计都面临挑战，特别是显影以及图案化技术。其他伴随发展的包含了通道应力、硅上绝缘（SOI）以及高介电质/金属闸极材料。双闸极电晶体广泛用于超高频混频器（VHF mixers）和超高频（VHF front end amplifiers）。制造商包含Motorola、NXP和Hitachi。
工业需求.平面电晶体主导了整个半导体