on::::高维情况.通常，二维和三维的分子模拟，因为实现简单，简单正方/立方元胞是最常用的周期性边界条件。然而，高维的模拟中，超方形边角占总体的体积随维度增加而显着增大，因此简单立方元胞的效率越来越低。从另一个角度看，元胞可被视作某种晶格堆积的维格纳－赛兹原胞。例如，超方形晶格的周期性边界条件对应着高维下的简单立方堆积。使用构建高维下的周期性边界条件元胞可获得理论最优效率。例如，四维的最密堆积是正十六胞体堆砌，八维下则是。高维周期性边界条件的实现等价于信息论中基于高维密堆积的纠错码算法。Sectio