电子注入增强栅晶体管（Injection enhanced gate transistor），简称IEGT，是电子半导体器件的一种。具有功率大、体积小、效率高、耐压值高(可达4kw以上)、节能性高等特性，并同时具备GTO和IGBT元件的一些优点。IEGT最先由日本东芝于1993年所研发，并以注入式增强结构(Injection Enhanced，简称IE)技术，取得IEGT器件开发与生产专利。也使得东芝成为IEGT器件的主要生产与供应商。