ND Flash架构，这种记忆体的存取方式类似硬碟、记忆卡之类的区块性储存装置，每个区块由数个页所构成。一般来说这些页的大小为512或2048或4096位元组。在各个页之间彼此的连接区域会有几个位元组（一般而言是资料大小的1/32），这些空间用于储存错误修正码的校验和。以下是一些典型的区块大小：读取与写入动作可以以“页”为单位偏移量进行，抹除动作只能以“区块”为单位偏移量进行。NAND Flash还有一项限制就是区块内的资料只能序列性的写入。操作次数（Number of Operations, NO