体.江崎玲于奈在大学毕业后进入川西机械制作所（现富士通天）工作，起初进行由真空管的阴极放出热电子的研究工作，因受到约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿和威廉·肖克利发明电晶体的鼓舞，他转而研究重掺杂的锗和硅。1956年转入东京通信工业株式会社（现Sony）担任半导体研究室主任研究员，进行PN结二极体研究。经过一年的尝试后得知，每当锗的PN结宽度变薄时，穿隧效应就会影响电流 - 电压之特性，随着电压增加，电流反而减小，这说明了负电阻。此一发现是物理学中首次出现的固体穿隧效应，也是电子学中的一个新型电子器件：江崎二极体