0左右，电压也比GDDR5小，还能缩小记忆体佈置空间，不过制造困难成本也高，所以供应量非常少。因HBM产量低而且成本高昂，此时再有GDDR6显示记忆体将接替GDDR5的消息流出。在HBM发佈之后，HBM 2也成功开发出来，记忆体位元提升至两倍。美光科技于2015年10月宣布成功开发出GDDR5X，比GDDR5更高、逼近现时HBM的频宽速度（于记忆体汇流排维持256位元、等效时脉14GHz的条件下，至少可拥有448GB/s的频宽）。目前已知GDDR5X相较于GDDR5的改变，在于记忆体预取从8n提升到