g = 1.12eV），也因为使用a-Si:H当主要材料，所以TFT大多不是透明的。另外，TFT常在介电、电极及内部接线使用铟钖氧化物（ITO），ITO则是透明的材料。因为TFT基板不能承受高的退火温度，所以全部的沉积制程必须在相对低温下进行。如化学气相沉积、物理气相沉积（大多使用溅镀技术）都是常使用的沉积制程。如要制作透明的TFT，第一个被研究出来的方法是使用氧化锌材料，此项技术由俄勒冈州立大学的研究员于2003年时发表。常用的透明TFT半导体材料多爲金属氧化物，除了ZnO之外，还有IGZO等。但