被混合至靠近载波的高频段，产生相位杂讯。闪烁杂讯可由频界频率 "f" 描述其性质，代表由闪烁杂讯支配的低频段与由白色杂讯支配的高频段之交界处。以常见的半导体元件来说，MOSFET的临界频率相对较高(可高达数GHz)，而JFET与BJT则较低(在2kHz以下)。此类杂讯属于高斯分布，且在时域上具可反转性，产生原因大致上可归因于FET与电阻器中的线性机制，以及BJT中的非线性机制。存在于MOSFET中的闪烁杂讯可表示成 formula_1， 其中K与制程相关， formula_2 是氧化层的电容率