二极管 ）的性能。佐治亚理工学院的王中林教授于2010年提出了这种效应的基本原理。
机制.当一个P型半导体和一个N型半导体形成一个结，P型那一侧的空穴和N型那一侧的电子趋向于在界面区域重新分布以平衡局域电场，这将导致一个电荷的耗尽层。在结区，电子和空穴的扩散以及复合强烈的受到局域电场分布的影响，而它与器件的光电子特性联系紧密。界面处存在的压电电荷会引入三种效应：由于引入的局域电场所导致的局域能带的移动、存在于压电半导体材料中的极化所导致的结区中能带的倾斜、以及为了平衡局域压电电荷局