金氧半场效电晶体里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO），不过有些新的进阶制程已经可以使用如（silicon oxynitride, SiON）做为氧化层之用。今日半导体元件的材料通常以硅为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最着名的例如国际商业机器股份有限公司使用硅与锗的混合物所发展的硅锗制程（SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（GaAs），因为无法在表