的电压，所以只需要一个单一的电压供应即可。
NAND Flash.NAND闸快取记忆体利用穿隧注入（Tunnel injection）写入，以及穿隧释放（Tunnel release）抹除。NAND Flash在今天的随身碟、记忆卡与固态硬碟上都可看到。
3D NAND Flash.将NAND闪存在垂直方向进行堆叠和互联，借以提高单位面积的记忆体容量。
存储单元电位阶数划分.通过对闪存内最小的物理存储单元的电位划分不同的阶数，可以