源器件和金属接点之间的导电阻挡层。而将薄膜扩散到金属硅中，它的zh-tw:电导率;zh-cn:导电率;（30-70μΩ·cm）足以形成良好的导电连接。这种特殊的「阻挡金属」还具有陶瓷的化学或机械性能，该工艺大量用于当前的45纳米芯片设计中以提高晶体管的性能。在电池领域，通过将氮化钛与栅介质层（例如，HfSiO）组合，相比于标准的SiO2，可以提高介电系数，按比例缩小栅长度，低泄漏，较高的驱动电流，相同或更好的阈值电压。较高的生物稳定性使得该合金应用领域延伸到了生物电子电极，如视网膜下的假体项目