对于即将迎来的物联网时代需要即时资料储存需求、低能耗、资料耐久度高、每次写入或储存的资料单位小等层面，综观上面的需要，NAND快闪记忆体并不是一个合适的选项，不过由于ReRAM的操作电压较低，消耗的电力亦较少，且ReRAM的写入资讯速度比同样是非挥发性记忆体的NAND快闪记忆体快1万倍，因此在这个即将面临而来的挑战，可变电阻式记忆体绝对是一个不可或缺的存在。最基本的可变电阻式记忆体是由上下两层金属电极以及中间一层过渡金属氧化物(Transition metal oxide, TMO)所组成，主要的操