如果自旋极化电流直接进入第二层更薄的磁场层（“自由层”），角动量就被转移到这一层，改变了角动量的方向。这可以用来激发振荡和翻转磁铁的取向。这种效应通常仅发生在纳米尺度的器件中。
自旋转移矩存储器.自旋转移矩效应可用于翻转磁阻式随机存取记忆体中的有源元件。自旋转移矩磁阻式随机存取记忆体（STT-RAM或STT-MRAM）是一种非易失性存储器，与SRAM和DRAM等基于电荷的存储器相比，其漏电功耗接近于零，这是它的主要优点。与传统的用磁场来翻转载流子的磁阻式随机存取记忆体（MRAM）相