.快闪记忆体将资料储存在由浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管组成的记忆单元阵列内，在单阶储存单元（Single-level cell, SLC）装置中，每个单元只储存1位元的资讯。而多阶储存单元（Multi-level cell, MLC）装置则利用多种电荷值的控制让每个单元可以储存1位元以上的资料。
NOR Flash.zh-cn:闪存;zh-tw:快闪记忆体的每个储存单元与标准MOSFET类似，不同的是zh-cn:闪存;zh-tw:快闪记忆体的电晶体有两个而并非