NAND，从而提供更高的写入速度。
三层单元.三星集团宣布了每个单元（cell）存储三位元信息的一种NAND闪存，具有共8种电压状态。这也称之为三层单元（Triple Level Cell，缩写TLC），首次应用于840系列SSD。三星将这项技术称之为3位元MLC。基于NAND存储器的SanDisk X4闪存存储卡在每个晶体管中使用16个离散电荷电平（状态）在每个单元存储四位元。MLC的缺点在TLC上同样存在并更为突出，但TLC也受益于更高的存储密度和更低的成本。Sectio