很难跳跃至传导带，所以无法导电。一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。导带的最低点和价带的最高点处于同一k位置的称为直接带隙半导体。比如GaAs和InAs。导带的最低点和价带的最高点处于不同k位置的称为间接带隙半导体。比如Si和Ge。他们的能带结构图如右上第一幅图所示。
态密度.态密度函数g(E)是指电子在能量E处单位体积单位能量的电子态数量。态密度函数对于在能带理论基础上相关的计