10 mΩ甚至更小。因此功率晶体上的电压降可以降低，减少损失并且提高效率。不过MOSFET的压降会依照欧姆定律，因此若高电流时，其压降可能会超过二极体。此限制一般会用并联多个功率晶体来改善（因此每一个功率晶体流过的电流减小）或是导通面积更大的元件（例如FET）。主动整流的控制电路一般会用比较器来侦测输入的交流电压，并且在正确的方向时导通功率晶体，允许电流流过。其中的时序非常重要，因为需要避免输入侧的短路，若交流输入用主动整流进行全波整流，二个晶体不能同时导通，若一个晶体尚未关闭时，另一个晶体就已导通，就