局部态密度(Local density of states) (LDOS)是指在实空间分布的态密度。它可以通过扫描隧道显微镜得到，也可以在已知晶体结构和材料特性的情况下，通过计算机仿真得到，比如密度泛函理论。
固体电子器件中的局部态密度(LDOS).LDOS可以用来分析器件具体工作原理。比如，右图是一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的LDOS随着晶体管开通和关闭的变化，该图通过计算机仿真得到。源极和漏极中清晰可见导带和禁带的分界线，以及束缚能级。在中间的沟道，随着栅