zh-hant:反相}-的位线，但是这种zh-hans:取反; zh-hant:反相的位线有助于改善杂讯zh-hans:容限; zh-hant:容许值.与动态存储器（DRAM）相比，SRAM的带宽有很大改进—由于两条位线是反相，这种差分信号使得SRAM的抗杂讯干扰能力很强。而DRAM的位线连接到存储电容，受困于电荷共享（charge sharing）使得其位线信号上下波动。另一项差别使得SRAM更快是其zh-hans:地址线; zh-hant:位址线各位元是同时工作选择出目标存储