磷化铟（Indium phosphide，InP）是由磷和铟组成的二元半导体材料，磷化铟和砷化镓及大部份的三五族半导体相同，都是面心立方（闪锌矿）晶体结构。
制备.磷化铟可由白磷及碘化铟在400 °C下反应来制备。
用途.磷化铟因为电子速率较常见的硅半导体及砷化镓都要高，可用在高功率高频的电子电路中。磷化铟因为有，适合作像雷射二极体等光电工程元件。磷化铟也用在为基础的光电元件中的磊晶基板。
化学.在面心立方（闪锌矿）晶体结构的化合