电压。这些改变不但让CMOS晶片更进一步降低功率消耗，也让元件的性能越来越好。近代的互补式金属氧化物半导体闸极多半使用多晶硅制作。和金属闸极比起来，多晶硅的优点在于对温度的忍受范围较大，使得制造过程中，离子佈植（ion implantation）后的退火制程能更加成功。此外，更可以让在定义闸极区域时使用自我校准（self-align）的方式（不需要额外的光罩可以省下成本），这能让闸极的面积缩小，进一步降低杂散电容（stray capacitance）。2004年后，又有一些新的研究开始使用金属闸极，不过