仍能「记忆」先前通过的电荷量。两组的忆阻器更能产生与电晶体相同的功能，但更为细小。最初于1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授根据电子学理论，预测到在电阻器、电容器及电感元件之外，还存在电路的第四种基本元件，即是忆阻器。目前正在开发忆阻器的团队包括惠普、SK海力士、。之后从2000年始，研究人员在多种二元金属氧化物和钙钛矿结构的薄膜中发现了电场作用下的电阻变化，并应用到了下一代非挥发性记忆体-阻抗存储器（RRAM 或 ReRAM）中。2008年4月，惠普公司公佈了基于TiO的RRAM器件，并首先将