隙缺陷在一些金属以及半导体中的结构已经通过实验得到证实。大多数的自佔间隙缺陷在金属中以一种'分裂'结构存在，即两个原子空用一个晶格格位。这两个原子的质心处于这个晶格格位中，并按照该晶格的一个晶格方向呈对称状态。例如，在一些常见的面心立方（FCC）金属，如铜，镍和铂等中，自佔间隙缺陷的基本结构状态是分裂的[100]型间隙缺陷结构，即指两个原子分别处于晶格格位的一个正的和一个负的[100]方向上。而在体心立方（BCC）的铁中，自佔间隙缺陷的基本结构状态则是一个分裂的[110]型间隙缺陷结构。有趣的是，这种分