率、电场击穿强度和最大电流密度，所以在高功率的半导体材料方面具有更好的应用前景。此外碳化硅的热膨胀系数也非常低（4.0×10/K）同时也不会发生可能引起的不连续性热膨胀的相变。
电导率.在碳化硅中掺杂氮或磷可以形成n型半导体而掺杂铝、硼、镓或铍形成p型半导体。在碳化硅中大量掺杂硼、铝或氮可以使掺杂后的碳化硅具备数量级可与金属比拟的导电率。掺杂Al的3C-SiC、掺杂B的3C-SiC和6H-SiC的碳化硅都能在1.5K的温度下拥有超导性，但掺杂Al和B的碳化硅两者的磁场行为有明显区别。