未来展望.由于NAND型快闪记忆体本身相对简单的结构及对高容量的高需求关系，使它成为电子元件中，在技术规模上发展最积极的。只有少数几家顶尖的制造商能够在高度的竞争中，积极的开发出缩小设计规则或是制程技术里程点。虽然原始版本摩尔定律所预测尺寸缩小一半时程因子为每三年，但是在近期NAND型快闪记忆体的例子上这个因子却是每两年。于2012年11月，三星宣布已经开始量产10nm的晶片，这暗示着最小几何形状介于10至19nm间。由于快闪记忆体的最小组成元件已被最小化到极致的关系，