的金氧半场效电晶体多半以多晶硅取代金属作为其闸极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为闸极的多晶硅。这样的结构正好等于一个电容器，氧化层为电容器中介电质，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电系数来决定。闸极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分佈也会跟着改变。
累积.考虑一个p型的半导体（电洞浓度为"N"）形成的MOS电容，当给电容器加负电压时，电荷增加（如C-V曲线左侧所示）。Sect