路径。VDMOS的「扩散作用」是指其制程。P极井（如图1）是透过扩散过程形成（其实是双重扩散过程，产生P和N区，因此称为双扩散）。功率MOSFET和侧向MOSFET的结构不同：就像大部份功率元件一样，其结构是垂直的，不是水平的。在平面结构中，电流和击穿电压额定都是通道大小的函数（也就是通道的长和寛），因此在硅晶面积上没有有效率的使用。在垂直架构中，电晶体的电压额定是N磊晶掺杂及厚度的函数（可以参考图1），而电流额定是通道宽度的函数。因此可以让电晶体在小的硅晶元中，可以维持高截止电压以及大电流额定。L