纯度的锗。1953年的科学家保罗·开克（Paul H. Keck，1908年6月28日－1963年4月8日）与以区域熔炼法制备出硅单晶。后来随着硅基半导体逐渐普及，Henry Theurer、Reimer Emeis等人承续普凡的成果将区域熔炼法推广至浮带硅的相关研究上。
制程细节.区域熔炼法一般被认为有两种功能。功能之一是1952年发展出来用于纯化晶锭的精鍊法（Zone Refining），今日区域熔炼一词多泛指此功能。功能之二是1939年发明的区域匀化法（Zone Leveli