后来又有1955年贝尔实验室的Henry Theuerer改良威廉·加德纳·普凡纯化锗的程序而开发出相关技术。在垂直式的区域熔炼里，熔融硅有足够的表面张力避免炉料固液分离，如此便可不用再加装密闭容器防止硅被污染。若欲取得高纯度的硅，浮带硅制程是柴式拉晶法的替代方案。以此法精炼之硅可以做到碳、氧等杂质浓度极低。另一种杂质氮可以控制微小的晶体缺陷，而且有的效果，是故在晶体的成长阶段常常人为刻意渗氮保留一点点氮杂质。浮带硅受限于成长时必须控制表面张力，所以制造出来的晶圆直径通常不超过150毫米。一条超纯