零电容随机存储器（，缩写：）是一种新型的动态随机存取存储器，是由Innovative Silicon公司基于SOI技术的浮体效应（）研发的。该技术已经被超微半导体（AMD）许可用于未来的微处理器。Innovative Silicon宣称零电容随机存储器能够提供和六晶体管静态随机存取存储器（SRAM，常在缓存中应用）相似的存取速度，但是只使用了单一晶体管，因此能够提供更高的封装密度。