好。
职业生涯.1985年，天野开发了用于在蓝宝石衬底上生长III族氮化物半导体膜的低温沉积缓冲层（AIN），从而实现了III族氮化物半导体的发光二极管和激光二极体。1989年，天野在名古屋大学的赤崎研究室成功生成p型GaN（氮化镓）磊晶体，首次观测到p型材料的剧烈发光。世界最初的pn结GaN紫外光／蓝色发光二极体便出现在天野的手上，他也在同年取得工学博士学位。1992年，天野跟随赤崎研究室移动至名城大学，2002年升为教授，2010年回到名大担任工学研究科教授。出于对研究的热