垂直架构中，电晶体的电压额定是N磊晶掺杂及厚度的函数（可以参考图1），而电流额定是通道宽度的函数。因此可以让电晶体在小的硅晶元中，可以维持高截止电压以及大电流额定。LDMOS是侧向结构的功率MOSFET，主要是用在高端音响放大器以及无线蜂窝网络（例如2G、3G及4G）用的无线电功率放大器 。好处是在饱和区（对应电晶体的线性区）特性比VDMOS好。VDMOS主要用在切换的应用中，只会有开和关二个状态，不需考虑饱和区的特性。
导通电阻.当功率MOSFET在导通状态时，在汲极和源极之