知最早的区域熔炼法用于铋晶体的备制，英国的X射线晶体学家于1920年代末接受物理学家卡皮察的委託制备高纯度的铋，以供应卡皮察研究铋在低温高磁场下的电阻率。区域熔炼法于1952年被贝尔实验室的威廉·加德纳·普凡重新发明，用于制备高纯度晶体管材料，如高纯度的锗。1953年的科学家保罗·开克（Paul H. Keck，1908年6月28日－1963年4月8日）与以区域熔炼法制备出硅单晶。后来随着硅基半导体逐渐普及，Henry Theurer、Reimer Emeis等人承续普凡的成果将区域熔炼法推广至浮带硅的相关