，，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位记忆体，是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的（Chalcogenide glass）制成，目前的主流为GeSbTe系合金。的特性是，经由加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。它是未来可能取代快闪记忆体的技术之一。
发展状况.Intel在2003年开始进行研发。目前研究