京都大学理学部毕业，1964年获得工学博士（名古屋大学）学位。其后曾服务于神户工业（现富士通天）、名古屋大学、松下电器等单位。
研究.在1960年代末，他开始工作于氮化镓（GaN）基蓝光LED。一步一步，他改进的GaN晶体质量和器件结构，在松下研究所东京公司（）那里，他决定采用有机金属化学气相沉积法作为首选的GaN生长方法。1986年，赤崎勇以低温沉积（AlN）氮化铝缓冲层技术成功生产高品质的GaN晶体。1989年，他与门生天野浩完成p型GaN的结晶化，首次观测到p型材料的剧烈