ection::::接口.高频宽记忆体DRAM需要将宿主计算裸晶与分为多个独立信道的分布式接口紧密结合起来。这些信道相互之间完全独立，且不一定同步。高频宽记忆体DRAM使用宽接口架构来执行高速、节能的计算操作。高频宽记忆体DRAM使用500 MHz的差分时钟CK_t / CK_c（前缀“_t”表示“真”（True）、“正值”（Positvie）及差分对组件（Components of differential pair），“_c”则代表“互补”部分（Complementary））。指令在CK_t和CK_