控制砷化镓铝（AlGaAs）或砷化镓铟（InGaAs）各种元素间的比例，或是利用如分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy, MBE）成长出多层的磊晶材料。这类半导体材料在高速半导体元件或是光电元件，如zh-cn:异质结双极性晶体管;zh-tw:异质接面双载子电晶体;（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、A|zh-hans:激光二极管;zh-hk:激光二极管;zh-tw:雷射二极体;，或是太阳能电池上已经成为主流。