度。在热平衡的状态下，一个未经掺杂的本征半导体，电子与空穴的浓度相等，如下列公式所示：对于非本征半导体在热平衡的状态下，这个关系变为(对轻掺杂而言):其中"n"是半导体内的电子浓度、"p"则是半导体的空穴浓度，formula_3则是本征半导体的载流子浓度。formula_3会随着材料或温度的不同而改变。对于室温下的硅而言，formula_3大约是1.5×10 cm。通常掺杂浓度越高，半导体的导电性就会变得越好，原因是能进入导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加。掺杂浓度非常高的半导体会因为导电性