有着层状结构，而γ型具有缺陷的。至今，一共发现了硒化铟的五种相态（α、β、γ、δ、κ）。 伴随着电导率的变化，会产生α- β 相态的相变。γ-InSe 的能隙大约为 1.9 eV。硒化铟的晶体结构取决于制备方法，例如γ-InSe 可以由（InMe）和硒化氢（HSe）通过有机金属化学气相沉积法制备而成。