6 Plus的128 GB一些型号也出现如此情况，在极少数情况下，装置会随机地当掉并重新启动。韩国媒体《Business Korea》报导指，128GB的iPhone 6 Plus所使用的是TLC快闪记忆体，因此容易当机。这些问题与受影响的机型连接多层单元NAND有关。多层单元可以在每个闪存单元中存储３位元的数据，并且比双层单元解决方案便宜，但是以性能为代价。据报导，苹果公司计划将受影响的型号线路切换回多层单元闪存，并在未来的iOS更新中解决现有设备的性能问题。香港数码媒体《HKEPC》随机购买了部