的全国性大型计画由中国科学院及南京大学领衔。为了因应世界潮流与国内科技发展的需要，结合了中部三所指标大学的研究人才，成立了台湾第一个以自旋电子元件为研究目的研究中心，该中心并于民国92年10月获得经济部技术处的学界科专计画之资助，规划四年时间开发磁阻式随机存取记忆体（MRAM）之核心技术，四年期间锁定以电子束制程来刻划制作超高密度的MRAM，并朝向奈米级位元目标发展。该团队的相关研究人员在这4年中尝试MRAM的制造与测试，集中人力及物力投入MRAM的研发，在相关技术上有所突破，并制作出100 nm以下高密度