45纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2007年后期，松下电器和英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品。芯片制造厂商使用High-k材料来填充栅极，目的是为了减少漏电。至2007年，IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案。2020年，华为拟上海建设不使用美国技术的晶片工厂，预期工厂将从低端45纳米晶片做起。