可以更容易地进行锗烯的制备，即在锗衬底上使用裸露的银膜并在原位实现其外延生长。类似石墨烯和硅烯一样使用偏析方法的锗烯生长工艺被认为在更简易地合成和转移这种很有前途的二维电子材料上有重要意义。 
性质.锗烯的电子和光学性质已用从头计算法确定，其结构和电子性质也已用第一性原理确定。这些特性使得该材料适用于高性能场效应晶体管（FET） 的沟道，并引法了在其他电子设备中使用单原子层元素的讨论。锗烯的电子性质是不同寻常的，并能让人们难得地测试狄拉克费米子的性质。锗烯没有能隙，但是在每个锗原子