是层状结构，每个As和3个S成键，As-S为224pm，∠S-As-S 99°；而其蒸气以二聚体AsS的形式存在，结构与AsO类似。
属性.它是一种半导体，直接的能隙为2.7 eV。 宽的能隙使它对于620 nm至11 µm的红外线透明。
制备.三硫化二砷可由单质化合得到，或者从As(III)的溶液中由HS沉淀。
化学性质.三硫化二砷在空气中灼烧，可以产生三氧化二砷：它可以被硫化钠转化为三硫代亚砷酸钠，被多硫化钠转化为四硫代砷酸