r mobility），以及低噪声，允许它被用作在场效应晶体管的通道。问题是单层的石墨烯制造困难，更难作出适当的基板。根据2010年1月的一份报告中，对SiC外延生长石墨烯的数量和质量适合大规模生产的集成电路(积体电路)。在高温下，在这些样品中的量子霍尔效应可以被测量。另请参阅IBM在2010年的工作的晶体管一节中，速度快的晶体管'处理器'制造了的石墨烯薄片。2011年6月，IBM的研究人员宣布，他们已经成功地创造第一个石墨烯为基础的集成电路(积体电路)-宽带无线混频器。电路处理频率高达10 GHz