。P注入层到源极金属化部份的连接会使杂散电晶体的基极对射极短路（MOSFET的源极），因此不会有了寄生锁存效应。不过这解法在MOSFET的汲极（阴极）和源极（阳极）之间产生了二极体（本体二极体，body doide），使其只能单一方向阻隔电流。在H桥或半桥的电路组态中，若是电感性负载，可以把本体二极体用来作为续流二极管。这些二极管的顺向导通压降会比较高，但可以承受大电流，在许多的应用中已经足够，而且可以节省元件个数，减少设备的成本以及电路板的大小。
切换特性.功率MOSFE