TT）。另一种设计是赛道记忆体（），在铁磁线的畴壁之间的磁化方向编码信息。磁传感器可以使用GMR效应。
基于半导体的自旋电子器件.掺杂的半导体材料显示稀释的铁磁性。 近年来，稀磁氧化物（DMOs）包括ZnO基DMOs和TiO2基DMOs已成为众多实验和计算研究的主题。 非氧化物铁磁半导体源（如锰掺杂的砷化镓GaMnAs），增加了与隧道势垒的界面电阻，或使用热电子注入。
应用.采用自旋极化的电子注入的应用已经显示门限电流降低和可控的圆偏振光相干光输出