纳米级空洞，Porous MSQ的介电常数可以达到2.2-2.5。纳米级空洞通常是通过合成嵌段共聚物的办法来实现的。MSQ通常以溶液的形式提供，通过Spin coating的办法分布的硅片上后在保护性气氛下加热交联，去除空洞发生集团。最终形成类二氧化硅的多孔结构。
多孔SiLK和多孔MSQ的对比.多孔SiLK的机械性能优于多孔MSQ。但是多孔MSQ的结构接近于二氧化硅，同传统集成电路生产工艺处理方法接近。
Nanoglass.Nanoglass是N