少层石墨烯（层数3.8±1.9）的规模化制备。
碳化硅表面外延生长.该法是通过加热单晶碳化硅脱除硅，在单晶（0001）面上分解出石墨烯片层。具体过程是：将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过电子轰击加热，除去氧化物。用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后，将样品加热使之温度升高至1250~1450℃后恒温1min~20min，从而形成极薄的石墨层，经过几年的探索，克莱尔·伯格（）等人已经能可控地制备出单层或是多层石墨烯。在C-terminated表面比较容易得到高达10