射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度formula_9可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:在MKS单位制formula_11是净电荷密度而formula_12是介电常数。几何结构是一维的因为界面被假设为平面的。对方程作一次积分，我们得到积分常数formula_14根据耗尽层定义为界面完全被屏蔽的长度