Gyikoo/KT_QA huggingface dataset:
问题：（2）当$u_{rm {GS}}$小于$U_{rm {GS}(off)}$  时，N沟道结型场效应管工作在夹断区（截止区）。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（3）当N沟道结型场效应管工作在可变电阻区时，$i_D$几乎仅决定于$u_{rm {GS}}$。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（4）场效应管的输出特性曲线是指当$u_{rm {GS}}$为常量时，$i_D$与$u_{rm {DS}}$之间的函数关系特性曲线。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：N沟道绝缘栅型增强型场效应管判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）当$u_{rm {GS}}$增大到$u_{rm {GS}(th)}$时，N沟道增强型MOS管形成导电沟道。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（2）当$u_{rm {GD}}$＝$u_{rm {GS}(th)}$时，增强型NMOS管导电沟道出现预夹断。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（3）增强型MOS管在$u_{rm {GS}}$＞0、$u_{rm {GS}}$ ＜0、 $u_{rm {GS}}$ ＝0时均可导通。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（4）增强型MOS管与结型场效应管的g-s间等效电阻大的原因相同。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：选择正确答案填入空内：N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 {'A': '$u_{rm {GS}}$大于$U_{rm {GS}(th)}$并且$u_{rm {GD}}$大于$U_{rm {GS}(th)}$', 'B': '$u_{rm {GS}}$小于$U_{rm {GS}(th)}$并且$u_{rm {GD}}$大于$U_{rm {GS}(th)}$', 'C': '$u_{rm {GS}}$大于$U_{rm {GS}(th)}$并且$u_{rm {GD}}$小于$U_{rm {GS}(th)}$', 'D': '$u_{rm {GS}}$小于$U_{rm {GS}(th)}$并且$u_{rm {GD}}$小于$U_{rm {GS}(th)}$'}
答案：C
问题：N沟道绝缘栅型耗尽型场效应管 判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）当$u_{rm {GS}}$增大到$U_{rm {GS}(th)}$时，N沟道耗尽型MOS管形成导电沟道。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）耗尽型MOS管与结型场效应管相同，$u_{rm {GS}}$=0时都可能工作在恒流区。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（3）$u_{rm {GS}}$=0时，耗尽型 MOS管就存在导电沟道。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（4）耗尽型MOS管在$u_{rm {GS}}$＞0、$u_{rm {GS}}$＜0、$u_{rm {GS}}$＝0时均可工作在恒流区。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：选择正确答案填入空内： 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 {'A': '$u_{rm {GS}}$大于$U_{rm {GS}(th)}$', 'B': '$u_{rm {GS}}$小于$U_{rm {GS}(th)}$', 'C': '$u_{rm {GS}}$大于$U_{rm {GS}(off)}$', 'D': '$u_{rm {GS}}$小于$U_{rm {GS}(off)}$'}
答案：D
问题：场效应管的分类判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）结型场效应管在$u_{rm {GS}}$=0时不存在导电沟道； {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：增强型MOS管在$u_{rm {GS}}$=0时不存在导电沟道； {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：耗尽型MOS管在$u_{rm {GS}}$=0时不存在导电沟道； {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）结型场效应管只有当g-s反偏时，g-s间等效电阻才很大； {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：耗尽型MOS管g-s间等效电阻与g-s所加电压的极性无关。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：uGS=0时可工作在恒流区的场效应管有______， {'A': 'N沟道结型场效应管', 'B': 'P沟道结型场效应管', 'C': 'N沟道增强型MOS管', 'D': 'P沟道增强型MOS管', 'E': 'N沟道耗尽型MOS管', 'F': 'P沟道耗尽型MOS管'}
答案：A, B, E, F
问题：只有uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有______， {'A': 'N沟道结型场效应管', 'B': 'P沟道结型场效应管', 'C': 'N沟道增强型MOS管', 'D': 'P沟道增强型MOS管', 'E': 'N沟道耗尽型MOS管', 'F': 'P沟道耗尽型MOS管'}
答案：C
问题：只有uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有_______。 {'A': 'N沟道结型场效应管', 'B': 'P沟道结型场效应管', 'C': 'N沟道增强型MOS管', 'D': 'P沟道增强型MOS管', 'E': 'N沟道耗尽型MOS管', 'F': 'P沟道耗尽型MOS管'}
答案：D
问题：在上图所示放大电路，当β增大时，电压放大倍数______， {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变', 'D': '不可知'}
答案：A
问题：接1题，输入电阻______， {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变', 'D': '不可知'}
答案：A
问题：接1题，输出电阻______。 {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变', 'D': '不可知'}
答案：B
问题：接1题，当Us不变，断开RL，Uo 将____。 {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变', 'D': '不可知'}
答案：A
问题：接5题 {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变', 'D': '不可知'}
答案：C
问题：接5题， {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变', 'D': '不可知'}
答案：B
问题：接5题 {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变', 'D': '不可知'}
答案：A
问题：在下图所示放大电路中，分析某一参数变化时，静态电压UCEQ的变化情况。 {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '基本不变', 'D': '不可知'}
答案：A
问题：接11题 {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '基本不变', 'D': '不可知'}
答案：D
问题：接11题 {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '基本不变', 'D': '不可知'}
答案：A
问题：接11题 {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '基本不变', 'D': '不可知'}
答案：B
问题：接11题 {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '基本不变', 'D': '不可知'}
答案：C
问题：指出符合下列性能特点的电路各有哪些？低频特性最好的电路是____； {'A': '', 'B': '', 'C': '', 'D': ''}
答案：A
问题：指出符合下列性能特点的电路各有哪些？电压放大倍数绝对值能够大于1的电路有____； {'A': '', 'B': '', 'C': '', 'D': ''}
答案：A, B, D
问题：指出符合下列性能特点的电路各有哪些？输出电压与输入电压同相的电路有____； {'A': '', 'B': '', 'C': '', 'D': ''}
答案：A, C
问题：高频特性最好的电路是____； {'A': '', 'B': '', 'C': '', 'D': ''}
答案：A
问题：输入电阻最大的电路是____； {'A': '', 'B': '', 'C': '', 'D': ''}
答案：C
问题：输出电阻Ro将____ {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变', 'D': '不可知'}
答案：C
问题：在下图所示电路中的电容均足够大，对交流信号可视为短路。如果Cb发生开路，A˙u将____， {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变', 'D': '不可知'}
答案：B
问题：在下图所示电路中的电容均足够大，对交流信号可视为短路。输入电阻Ri将____， {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变', 'D': '不可知'}
答案：C
问题：Ro将____ {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变', 'D': '不可知'}
答案：C
问题：接上题， {'A': '3V', 'B': '1.5V', 'C': '1V', 'D': '10mV'}
答案：B
问题：当uDS＝9V时，管子工作在________________； {'A': '截止区（夹断区）', 'B': '恒流区', 'C': '可变电阻区', 'D': '不可知'}
答案：B
问题：当uDS＝3V时，管子工作在________________； {'A': '截止区（夹断区）', 'B': '恒流区', 'C': '可变电阻区', 'D': '不可知'}
答案：C
问题：当R＝1kΩ 时，管子工作在________________； {'A': '截止区（夹断区）', 'B': '恒流区', 'C': '可变电阻区', 'D': '不可知'}
答案：B
问题：当R＝10kΩ 时，管子工作在________________。 {'A': '截止区（夹断区）', 'B': '恒流区', 'C': '可变电阻区', 'D': '不可知'}
答案：B
问题：接49题， {'A': '', 'B': '', 'C': ''}
答案：C
问题：（1）如下图所示，两级放大电路的电压放大倍数为空载时第一级电路的电压放大倍数； {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：接1题，为带载时第二级电路的电压放大倍数。 {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：接1题，多级放大电路的输入电阻和信号源内阻无关。 {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：接1题，多级放大电路的输出电阻和信号源内阻无关。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：接1题，多级放大电路的输出波形失真一定是因为最后一级放大电路的静态工作点不合适。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：如果信号源是内阻为1MΩ的电压源，则多级放大电路的输入级应采用_____； {'A': '共射放大电路', 'B': '共基放大电路', 'C': '共集放大电路', 'D': '共源放大电路', 'E': '共漏放大电路'}
答案：D, E
问题：如果负载在1kΩ~5kΩ变化时，要求有较稳定的输出电压，则多级放大电路的输出级宜采用_____； {'A': '共射放大电路', 'B': '共基放大电路', 'C': '共集放大电路', 'D': '共源放大电路', 'E': '共漏放大电路'}
答案：C
问题：设计一个三级放大电路，要求从信号源索取的电流尽可能小，带负载能力强，电压放大倍数数值大。输入级选用_____； {'A': '共射放大电路', 'B': '共基放大电路', 'C': '共集放大电路'}
答案：C
问题：（1）设计一个三级放大电路，要求从信号源索取的电流尽可能小，带负载能力强，电压放大倍数数值大。中间级选用_____； {'A': '共射放大电路', 'B': '共基放大电路', 'C': '共集放大电路'}
答案：A
问题：（1）设计一个三级放大电路，要求从信号源索取的电流尽可能小，带负载能力强，电压放大倍数数值大。输出级选用_____。 {'A': '共射放大电路', 'B': '共基放大电路', 'C': '共集放大电路'}
答案：C
问题：设计一个三级放大电路，要求输入电阻大于1MΩ，输出电阻小于100Ω，电压放大倍数数值大于1000。输入级选用_____； {'A': '共射放大电路', 'B': '共基放大电路', 'C': '共集放大电路', 'D': '共源放大电路', 'E': '共漏放大电路'}
答案：D
问题：设计一个三级放大电路，要求输入电阻大于1MΩ，输出电阻小于100Ω，电压放大倍数数值大于1000。中间级选用_____； {'A': '共射放大电路', 'B': '共基放大电路', 'C': '共集放大电路', 'D': '共源放大电路', 'E': '共漏放大电路'}
答案：A
问题：设计一个三级放大电路，要求输入电阻大于1MΩ，输出电阻小于100Ω，电压放大倍数数值大于1000。输出级选用_____； {'A': '共射放大电路', 'B': '共基放大电路', 'C': '共集放大电路', 'D': '共源放大电路', 'E': '共漏放大电路'}
答案：C
问题：耗尽型MOS管只能采用分压式偏置电路设置静态工作点。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：场效应管放大电路静态工作点的设置方法判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）结型场效应管可以采用自给偏压电路设置静态工作点。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：增强型MOS管可以采用自给偏压电路设置静态工作点。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：增强型MOS管可以采用分压式偏置电路设置静态工作点。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）场效应管的交流等效模型中，输入端等效电阻 $r_{rm {gs}}$近似为无穷大； {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：输出端等效为电流控制的电流源。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：场效应管的 $g_{rm m}$可根据漏极电流 $i_{rm D}$的表达式或转移特性求得。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：在放大管输出回路静态电流相同的情况下，共源放大电路的电压放大能力比共射放大电路强。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：一般情况下，共源放大电路的输入电阻_____共射放大电路的输入电阻。 {'A': '大于', 'B': '约等于', 'C': '约等于'}
答案：A
问题：增大共源放大电路电压放大倍数数值的方法是_____。 {'A': '', 'B': '', 'C': '', 'D': ''}
答案：A, C
问题：判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）为了增大电流放大系数，可以采用复合管。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（2）不同类型的管子复合后，复合管的类型与每一个管子的类型无关。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（3）在外加电压下，每只管子的电流都有合适的通路，才能组成复合管。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：相同参数条件下，双端输入双端输出差分放大电路与双端输入单端输出差分放大电路的 Q点完全相同。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：双端输入单端输出差分放大电路的共模抑制比高于双端输入双端输出差分放大电路。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：设下图所示电路中T1、T2特性理想对称，且 β＝100，UBEQ＝0.7V，rbe＝2kΩ。1）静态时，流过Re的电流约为_____mA； {'A': '0.6', 'B': '0.3', 'C': '0.2', 'D': '0.1'}
答案：A
问题：接3题，ICQ1 ＝ICQ2 ≈_____mA； {'A': '0.6', 'B': '0.3', 'C': '0.2', 'D': '0.1'}
答案：B
问题：接3题，2）差模电压放大倍数Aud≈_____； {'A': '476', 'B': '318', 'C': '159', 'D': '-159', 'E': '-318', 'F': '-476'}
答案：D
问题：接5题，当uI1＝1mV，uI2＝-1mV时，输出信号uO≈_____mV； {'A': '476', 'B': '318', 'C': '159', 'D': '-159', 'E': '-318', 'F': '-476'}
答案：E
问题：判断下图所示电路能否正常放大_____。 {'A': 'a能b也能', 'B': 'a不能b也不能', 'C': 'a能b不能', 'D': 'a不能b能'}
答案：B
问题：差分放大电路如下图所示。试选择正确答案填空。(1) 若负载电阻RL一端接地，要求输出信号电压uO与输入信号电压uI同相位，则RL另一端应接在_____； {'A': 'C1', 'B': 'C2'}
答案：B
问题：接2题，要求uO与uI反相位，则RL另一端应接在_____。 {'A': 'C1', 'B': 'C2'}
答案：A
问题：(2) 当输入信号为10mV时，差模输入信号为_____mV， {'A': '0', 'B': '5', 'C': '10', 'D': '15'}
答案：C
问题：接上题，共模输入信号为_____mV， {'A': '0', 'B': '5', 'C': '10', 'D': '15'}
答案：B
问题：接4题，对差模信号，VT1、VT2的发射极的动态电位为_____mV。 {'A': '0', 'B': '5', 'C': '10', 'D': '15'}
答案：A
问题：某差分放大电路的实验电路如下图所示，试选择正确答案填空。1) 静态时，要使UO＝0，应调整_____元件参数； {'A': 'Rc', 'B': 'Rb', 'C': 'Rw', 'D': 'Re3', 'E': 'Rb3'}
答案：C
问题：接7题，(2) 设RW滑动端在中点。若开关S从2转换至1，静态工作点不变，则实测的差模电压放大倍数|Aud|将_____； {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '基本不变'}
答案：C
问题：接上题，若开关S又从1转换至2，静态工作点不变，则实测的共模电压放大倍数|Auc|将_____。 {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '基本不变'}
答案：A
问题：4、设上图所示差分放大电路中的VT1、VT2特性相同，且UBE＝0.6V。VT1、VT2的集电极静态电流为[填空1]mA，静态电位为[填空2]V；uI＝10mV时，差模输入电压为[填空3]mV，共模输入电压为[填空4]mV。A．0.5B．1 C． 2D．3 E．5 F． 9.45 G． 10
答案：{"1": ["A"], "3": ["G"], "2": ["F"], "4": ["E"]}
问题：5、差分放大电路如上图所示。设电路元件参数变化所引起的静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和现象。若Re增大，则静态工作电流IC2[填空1]，差模电压放大倍数|Aud|[填空2]，共模电压放大倍数|Auc|[填空3]；若Rc增大，则静态工作电流IC2[填空4]，差模电压放大倍数|Aud|[填空5]共模电压放大倍数|Auc|[填空6]。A．增大B．减小C．基本不变
答案：{"1": ["B"], "3": ["B"], "2": ["B"], "5": ["A"], "4": ["C"], "6": ["A"]}
问题：集成运放的结构特点、电路组成及其电压传输特性判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）运放的输入失调电压$U_{rm {IO}}$是两输入端电位之差。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）运放的输入失调电流$I_{rm {IO}}$是静态时两输入端电流之差的绝对值。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（3）运放的共模抑制比${K_{{rm{CMR}}}} = left| {frac{{{A_{rm{d}}}}}{{{A_{rm{c}}}}}} right|$。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（1）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是_____ {'A': '便于设计', 'B': '放大交流信号', 'C': '不易制作大容量电容'}
答案：C
问题：（2）选用差分放大电路的原因是_____。 {'A': '克服温漂', 'B': '提高输入电阻', 'C': '稳定放入倍数'}
答案：A
问题：（3）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用_____。 {'A': '共射放大电路', 'B': '共集放大电路', 'C': '共基放大电路'}
答案：A
问题：零点漂移现象及差分放大电路的组成判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）输入电压为零而输出电压不为零的现象称为零点漂移现象。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（2）共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（3）差分放大电路对共模信号和差模信号的交流等效电路不一样。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（4）差分放大电路稳定静态工作点的原理和抑制共模信号的原理一样。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是_____。 {'A': '电阻阻值有误差', 'B': '晶体管参数的分散性', 'C': '晶体管参数受温度影响', 'D': '电源电压不稳定'}
答案：C, D
问题：差分放大电路中的差模输入信号是两个输入端信号_____， {'A': '之差', 'B': '之和', 'C': '比值', 'D': '平均值'}
答案：A
问题：差分放大电路中的共模输入信号是两个输入端信号的_____。 {'A': '之差', 'B': '之和', 'C': '比值', 'D': '平均值'}
答案：D
问题：对差分放大电路的需求分析及长尾式差分放大电路的静态分析判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）差分放大电路要求电路参数理想对称。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（2）当电路参数不对称时，差分放大电路就不能抑制共模信号。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（3）在差分放大电路中，电阻 $R_{rm e}$有直流负反馈作用，可以稳定静态工作点，因此$R_{rm e}$越大越好，取值没有上限。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：差分放大电路是为了_____而设计的， {'A': '提高放大倍数', 'B': '提高输入电阻', 'C': '抑制温漂', 'D': '增加一级放大电路', 'E': '采用两个输入端', 'F': '电路结构和参数的对称性'}
答案：C
问题：接上题，它主要通过_____来实现。 {'A': '提高放大倍数', 'B': '提高输入电阻', 'C': '抑制温漂', 'D': '增加一级放大电路', 'E': '采用两个输入端', 'F': '电路结构和参数的对称性'}
答案：F
问题：长尾式差分放大电路的动态分析 判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）一个参数理想对称的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（2）差分放大电路的输出电压等于差模电压放大倍数与差模输入电压的乘积。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（3）对于长尾式差分放大电路，无论是单端输入还是双端输入，在差模交流等效电路中，发射极电阻$R_{rm e}$可视为短路。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（4）在具有恒流源的差分放大电路中，不管何种输出方式，其输出电压均与两个输入端电压的差值成正比。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：在长尾式的差分放大电路中，Re的主要作用是_____。 {'A': '提高差模电压放大倍数', 'B': '抑制零漂', 'C': '增大差模输入电阻'}
答案：B
问题：在长尾式的差分放大电路中，Re对是_____有负反馈作用。 {'A': '差模信号', 'B': '共模信号', 'C': '任意信号'}
答案：B
问题：在长尾式的差分放大电路中，增大差模放大能力的措施有_____， {'A': '增大', 'B': '增大', 'C': '增大', 'D': '将Re换成恒流源'}
答案：B
问题：接上题，增大共模抑制比的措施有_____。 {'A': '增大Re', 'B': '增大Rc', 'C': '增大Rb', 'D': '将Re换成恒流源'}
答案：A, D
问题：设下图所示电路中T1、T2特性理想对称，且 β＝100，UBEQ＝0.7V，rbe＝2.5kΩ，电源电压 UCC＝UEE＝15V，电阻Re＝15k Ω，Rc＝10kΩ。（1）静态时，流过Re的电流约为_____mA； {'A': '0.5', 'B': '0.7', 'C': '1', 'D': '1.4'}
答案：C
问题：接9题，ICQ1 ≈_____mA； {'A': '0.5', 'B': '0.7', 'C': '1', 'D': '1.4'}
答案：A
问题：接9题，（2）差模电压放大倍数Aud=_____； {'A': '800', 'B': '400', 'C': '200', 'D': '-200', 'E': '-400', 'F': '-800'}
答案：E
问题：接9题，当uI1＝1mV，uI2＝-1mV时，输出信号uO≈_____mV； {'A': '800', 'B': '400', 'C': '200', 'D': '-200', 'E': '-400', 'F': '-800'}
答案：F
问题：接9题，当uI1＝uI2＝10mV时，uO≈＿＿mV； {'A': '5', 'B': '0', 'C': '-5', 'D': '-10'}
答案：B
问题：单端输入双端输出差分放大电路、四种接法比较判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）单端输入差分放大电路的差模输入信号等于该输入端信号。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（2）双端输入差分放大电路的差模输入信号等于两输入端信号的差值。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（3）单端输入差分放大电路的共模输入信号等于该输入端信号的一半。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（4）双端输入差分放大电路的共模输入信号等于两输入端信号的平均值。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（5）单端输出差分放大电路的输出电压等于差模电压放大倍数与输入电压之积。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（1）差分放大电路中的差模输入信号是两输入端信号的_____ {'A': '差', 'B': '和', 'C': '比值', 'D': '平均值'}
答案：A
问题：接6题，共模输入信号是两输入端信号的_____。 {'A': '差', 'B': '和', 'C': '比值', 'D': '平均值'}
答案：D
问题：2）差模电压放大倍数等于_____之比， {'A': '输出电压与输入电压', 'B': '输出差模电压与输入差模电压', 'C': '输出共模电压与输入共模电压'}
答案：B
问题：接8题，共模电压放大倍数等于_____之比。 {'A': '输出电压与输入电压', 'B': '输出差模电压与输入差模电压', 'C': '输出共模电压与输入共模电压'}
答案：C
问题：（3）共模抑制比等于_____之比。 {'A': '差模输入电压与共模输入电压', 'B': '输出信号电压中差模分量与共模分量', 'C': '差模电压放大倍数绝对值与共模电压放大倍数绝对值'}
答案：C
问题：具有恒流源的差分放大电路判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）差分放大电路中，采用恒流源代替 $R_{rm e}$，仅为了提供静态工作电流。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）具有恒流源的差分放大电路中，恒流源的动态等效电阻为无穷大，代替$R_{rm e}$可提高差分放大电路的共模抑制比。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（3）带有理想电流源的差分放大电路，在单端输出时，可使共模电压放大倍数近似为零。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（1）差分放大电路利用恒流源代替$R_{rm e}$是为了_____。 {'A': '提高差模电压放大能力', 'B': '提高共模电压放大能力', 'C': '提高共模抑制比'}
答案：C
问题：（2）具有理想电流源的四种接法差分放大电路，其共模抑制比_____。 {'A': '均为无穷大', 'B': '均为无穷小', 'C': '不相同'}
答案：A
问题：差分放大电路的改进判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）差分放大电路中，调零电位器 $R_{rm w}$的数值越大越好。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）差分放大电路中，调零电位器 $R_{rm w}$的数值对其差模电压放大倍数无影响。. {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（3）差分放大电路中，采用场效应管代替晶体管可提高输入电阻。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：实验电路如下图所示，选择正确答案填入空内：（1）设调零电位器 Rw滑动端位于中点，若 Rc1&gt;Rc2，其它电路参数均对称，则为了使静态电流 IC1=IC2，Rw滑动端应_____； {'A': '右移', 'B': '左移', 'C': '不移'}
答案：C
问题：若Rb1&gt;Rb2，其它电路参数均对称，则为了使静态电流 IC1=IC2，Rw滑动端应_____。 {'A': '右移', 'B': '左移', 'C': '不移'}
答案：B
问题：（2）实验电路如下图所示。设调零电位器Rw滑动端位于中点，在线性放大范围内改变下列电路参数。Re增大，双端输出时差模电压放大倍数|Aud|_____， {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变'}
答案：B
问题：接上题，单端输出时共模电压放大倍数 |Auc1|（或 ）|Auc2|____； {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变'}
答案：B
问题：接6题，Rw增大，则|Aud| _____， {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变'}
答案：B
问题：接上题，单端输出时共模电压放大倍数 |Auc1|（或|Auc2| ）_____； {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变'}
答案：B
问题：接6题，Rc1=Rc2=Rc增大，则|Aud| _____， {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变'}
答案：A
问题：接上题，单端输出时共模电压放大倍数|Auc1|（或|Auc2| ）_____； {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变'}
答案：A
问题：接6题，Rb1=Rb2=Rb增大，则单端输出时，|Aud| _____， {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变'}
答案：B
问题：接上题，|Auc1|（或|Auc2| ）_____。 {'A': '增大', 'B': '减小', 'C': '不变'}
答案：B
问题：在上图所示镜像电流源电路中，VT1、VT2特性相同且β足够大，R2是电流源的负载电路的等效电阻。现欲使电流源IC2减小，试判断下列方案的正确性。（1）增大R2的阻值。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：接上题，（2）增大R1的阻值。 {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：接1题，（3）减小VCC的值。 {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：下图所示中三个电流源电路的基准电流大小相同，VT1、VT2性能参数完全对称，试比较图示电路的性能后，填空：引入直流负反馈的电路是[填空1]；输出电流最小的电路是[填空2]；I0与IREF最接近的电路是[填空3]。
答案：{"1": ["ABC"], "3": ["C"], "2": ["B"]}
问题：有源负载可以增大放大电路的输出电流。 {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：放大电路如下图所示，T3，T4工作在放大状态，因此为放大管。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：接2题，上图中，T3，T4可增大单端输出电路的差模放大倍数。 {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：上图中，T3，T4构成电流源电路，为差分放大电路提供静态工作点。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：差分放大电路如下图所示，填空：（1）T1管的发射极静态电流为_____。 {'A': 'I', 'B': '0.5I', 'C': '2I'}
答案：B
问题：（2）若ΔiC1=1mA，则静态时电流io为[填空1]，动态时流io为[填空2]。A．0B．1mAC． 2mA
答案：{"1": ["A"], "2": ["C"]}
问题：设下图所示电路中的VT1与VT2，VT3与VT4，VT5与VT6的特性参数分别相同。（1）VT1与VT2为放大电路的主放大器。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：接1题，（2）VT3与VT4构成镜像电流源为输入级提供静态工作点。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：接1题，（3）VT5、VT6构成电流源电路，为VT1、VT2的有源负载，主要目的为了提高输入级的放大倍数。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：接1题，（4）VT7为VT8的有源负载。 {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：集成运放电路如下图所示。（1）图中VD1,VD2为输入端保护电路。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：接1题，（2）图中VD1,VD2为输出端保护电路。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：接1题，（3）图中VD1,VD2可防止集成运放的供电电源极性接反。 {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：保护电路如上图所示，防止差模输入过大的电路是[填空1]；防止共模输入过大的电路是[填空2]；防止集成运放的供电电源极性接反的电路是[填空3] ；限制输出电压幅值的电路是 [填空4]。
答案：{"1": ["A"], "3": ["C"], "2": ["B"], "4": ["D"]}
问题：判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）MOS管多路电流源，可通过设计不同MOS管的沟道尺寸，实现不同的多路电流输出。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（2）多集电极电流源电路，可通过设计不同晶体管的集电结面积，实现不同的多路电流输出。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：由三个集电极PNP型管组成的电流源电路如下图所示。设各个集电结的结面积相同， β值也相同。则下列关系式中正确的是[填空1]。
答案：{"1": ["AB"]}
问题：对输出级的基本要求、互补输出级的电路组成及工作原理 判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）若放大电路输出级的直流功耗小，则其工作时输出电流也小。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）互补输出级应采用共集或共漏接法。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（3）基本共集放大电路不适合做输出级是因为其放大倍数小。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（4）互补输出级要求两只管子特性理想对称。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：互补输出级采用共集形式为了使_____。 {'A': '电压放大倍数的数值大', 'B': '带负载能力强'}
答案：B
问题：使用准互补输出级主要为了增加输出级的电压放大倍数。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：消除交越失真的互补输出级、准互补输出级 判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）交越失真属于三极管的饱和失真。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）二极管消除交越失真电路中，二极管始终处于导通状态。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（3）$U_{rm {BE}}$倍增电路中的三极管工作于放大状态。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：放大电路的读图方法、双极型集成运放原理电路分析 判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）集成运算放大器是一种采用阻容耦合方式的多级放大电路，因此低频特性差。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：输入级多采用差分放大电路； {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：中间级多为共射放大电路； {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：输出级多为准互补输出级电路。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（3）集成运算放大器的两个输入端的极性与输出端均相同。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：电路如下图所示。（1）第一级电路是[填空1]差分放大电路。A.双端输入双端输出 B.双端输入单端输出 C.单端输入双端输出 D.单端输入单端输出
答案：{"1": ["B"]}
问题：接7题，（2）第二级电路的放大管是[填空1]。A.T5、T6 B.T7、T8 C.T9、T10
答案：{"1": ["B"]}
问题：接7题，3）图中，T9、T10构成[填空1]。A.互补输出级 B.准互补输出级 C.克服交越失真电路
答案：{"1": ["A"]}
问题：接7题，（4）图中，D1,D2的作用是[填空1]。A.克服交越失真 B.有源负载 C.提高输出级的放大倍数
答案：{"1": ["A"]}
问题：集成运放的主要性能指标 判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）运放的输入失调电压$U_{rm {IO}}$是两输入端电位之差。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）运放的输入失调电流$I_{rm {IO}}$是两输入端电流之差的绝对值。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（5）输入信号作用下，偏置电路改变了各放大管的动态电流。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为_____。 {'A': '可获得很大的放大倍数', 'B': '可使温漂小', 'C': '集成工艺难于制造大容量电容'}
答案：C
问题：（2）通用型集成运放适用于放大_____。 {'A': '高频信号', 'B': '低频信号', 'C': '任何频率信号'}
答案：B
问题：（3）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以_____ {'A': '减小温漂', 'B': '增大放大倍数', 'C': '提高输入电阻'}
答案：A
问题：（4）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用_____。 {'A': '共射放大电路', 'B': '共集放大电路', 'C': '共基放大电路'}
答案：A
问题：根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运致的类型是：A.通用型 B.高阻型 C.高速型 D.低功耗型 E.高压型 F.大功率型 G.高精度型（1）作低频放大器，应选用[填空1]。（2）作宽频带放大器，应选用[填空2]。（3）作幅值为1μV以下微弱信号的量测放大器，应选用[填空3]。（4）作内阻为100kΩ信号源的放大器，应选用[填空4]。（5）负载需5A电流驱动的放大器，应选用[填空5]。（6）要求输出电压幅值为±80的放大器，应选用[填空6]。（7）宇航仪器中所用的放大器，应选用[填空7]。
答案：{"1": ["A"], "3": ["G"], "2": ["C"], "5": ["F"], "4": ["B"], "7": ["B"], "6": ["E"]}
问题：1、已知几个集成运放的参数如上表所示，试分别说明它们各属于哪种类型的运放：A1为[填空1]，A2为[填空2]，A3为[填空3]，A4为[填空4]。A．通用型B．高阻型C． 高速型D． 高精度型
答案：{"1": ["A"], "3": ["B"], "2": ["D"], "4": ["C"]}
问题：2、恒流源式差分放大电路如下图所示。各晶体管参数均相同，β＝100，rbe＝1kΩ，UBE＝0.7V，设VCC＝12V，VEE＝6V， Rb1＝Rb2＝Rb＝51Ω，Rc1＝Rc2＝Rc＝10kΩ，R1＝5.3kΩ，调零电位器Rw＝100Ω且滑动端处于中点。（1）试判断晶体管VT1、VT2、VT3、VT4相应的工作状态：VT1[填空1]，VT2[填空2]，VT3[填空3]，.VT4[填空4]；A．截止B．放大C． 饱和（2）静态时，VT1和VT2的发射极电流为[填空5]mA；A．2B．1C． 0.5（3）电路的输入电阻约为[填空6]kΩ。A．1B．2C． 6D． 12（4）空载且Rw＝0时，电路的差模放大倍数为[填空7]，共模放大倍数为[填空8]。A．-1000B．-500C． 0D． 500E． 1000
答案：{"1": ["B"], "3": ["B"], "2": ["B"], "5": ["C"], "4": ["B"], "7": ["A"], "6": ["D"], "8": ["C"]}
问题：设下图所示电路中的VT1与VT2，VT3和VT4的特性分别相同。（1）电路中VT3、VT4所组成的电路为[填空1]，其作用为[填空2]。（2）差模电压放大倍数Aud的表达式为[填空3]。A．gmRLB．−gmRLC． gmD． −gm
答案：{"1": ["A"], "3": ["A"], "2": ["C"]}
问题：4、电路如下图所示，所有晶体管的β相同，饱和管压降|UCES|＝1V，VCC＝15V。（1）构成输出级的晶体管是[填空1]。A. T5、T6 B. T7、T8 C. T9、T10（2）消除交越失真的电路是[填空2]。A. T5、T6 B. D1、D2 C. T7、T8（3）电路的最大不失真输出电压峰值约为[填空3]V。A. 14 B. 15 C. 28 D. 30（4）T7管的基极动态电流是iB7，则输出动态电流约为[填空4]。A. βiB7 B. β2iB7 C. β3iB7 D. β4iB7
答案：{"1": ["C"], "3": ["A"], "2": ["B"], "4": ["C"]}
问题：某放大电路及其幅频特性如上图所示。当增大耦合电容C后， fL将减小， {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：接1题，fH将增大 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：接1题，当换用极间电容小的晶体管后，fL将增大 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：接1题，fH将减小。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：（2）放大电路中的耦合电容对信号构成了高通电路， {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：接5题，晶体管的极间电容对信号构成了低通电路。 {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：（1）已知上图（a）所示电路的幅频响应特性如图（b）所示。从括号中选择正确答案，用A、B、C填空。影响fL大小的因素有____， {'A': '晶体管极间电容', 'B': '耦合电容', 'C': '输入电阻', 'D': '输出电阻'}
答案：B, C
问题：接7题，影响fH大小的因素有____。 {'A': '晶体管极间电容', 'B': '耦合电容', 'C': '输入电阻', 'D': '输出电阻'}
答案：A, C, D
问题：为了改善阻容耦合放大电路的高频响应特性可通过下列措施实现___ _____。 {'A': '改用特征频率fT高的晶体管', 'B': '增大耦合电容的容量', 'C': '改进布线工艺，减小线路分布电容'}
答案：A, C
问题：单管共源放大电路的上限截止频率由耦合电容及电容所在回路的电阻共同决定； {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：（1）下限截止频率由耦合电容及电容所在回路的电阻共同决定。 {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：接上题，下限截止频率由耦合电容及电容所在回路的电阻共同决定。 {'true': '', 'false': ''}
答案：true
问题：（2）单管共源放大电路的频率响应与其静态工作点无关。 {'true': '', 'false': ''}
答案：false
问题：电路如上图所示，影响其 fH的参数有[填空1]、影响其fL的参数有[填空2]。A．C1B．C2C． CsD．CgsE．CdsF． CgdG． RgH． RdI． RL
答案：{"1": ["DEFGHI"], "2": ["ABCGHI"]}
问题：晶体管的高频等效电路 判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）晶体管的混合$pi$模型与$h$参数等效模型在低频信号作用下具有一致性。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（2）混合$pi$模型中忽略基区体电阻是由于其数值较小。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（3）混合$pi$模型中的${C_pi }$数值反映了晶体管的高频特性，其数值大小和放大电路的静态工作点无关。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：在上图所示放大电路中，C1=C2。当增大电容C1，则中频电压放大倍数∣∣A˙um∣∣[填空1]，下限截止频率fL[填空2]，上限截止频率fH [填空3]；当增大电阻Rc，则∣∣A˙um∣∣[填空4]，fL[填空5]，fH[填空6]；当换用β相同、fT更高的晶体管，则 [填空7]，fL [填空8]，fH [填空9]。A．增大B．减小C． 不变
答案：{"1": ["C"], "3": ["C"], "2": ["B"], "5": ["B"], "4": ["A"], "7": ["C"], "6": ["B"], "9": ["A"], "8": ["C"]}
问题：晶体管电流放大倍数的频率响应 判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）晶体管电流放大倍数的频率响应是在$U_{rm {CE}}$为任意值时求得的。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）晶体管电流放大倍数幅值在高频时会下降， {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：产生超前相移。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（3）${C_pi }$与${f_beta }$有关。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：fT近似等于_____。 {'A': 'fβ', 'B': 'fα', 'C': 'β0fβ', 'D': 'β0fα'}
答案：B, C
问题：单管共射放大电路的中频段 判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）求解中频段交流等效电路时，耦合电容和极间电容均视为开路。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）在求解放大电路中频电压放大倍数时，利用晶体管的混合$pi$模型和利用$h$参数等效模型求解结果相同。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：单管共射放大电路低频段的频率响应 判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）求解低频交流等效电路时，耦合电容均视为短路。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）求解低频段交流等效电路时，极间电容均视为开路。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（3）与中频电压放大倍数相比，低频段时电压放大倍数幅值将下降。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（4）与中频电压放大倍数相比，低频段时电压放大倍数相位将滞后。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：放大电路下限截止频率一定与_____无关。 {'A': '耦合电容', 'B': '极间电容', 'C': '旁路电容', 'D': '输入电阻', 'E': '输出电阻'}
答案：B
问题：对于单管共射放大电路，当信号频率等于放大电路的fL时，放大倍数的值约下降到中频时的_____； {'A': '0.5倍', 'B': '0.7倍', 'C': '0.9倍'}
答案：B
问题：接6题，即增益下降_____； {'A': '3dB', 'B': '4dB', 'C': '5dB'}
答案：A
问题：接6题，U˙o与 U˙i的相位关系是_____。 {'A': '+45∘', 'B': '-135∘', 'C': '-225∘'}
答案：B
问题：单管共射放大电路高频段的频率响应 判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）求解高频段交流等效电路时，耦合电容均视为短路。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（2）求解高频段交流等效电路时，极间电容均视为开路。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（3）与中频电压放大倍数相比，高频段时电压放大倍数幅值将下降。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（4）与中频电压放大倍数相比，高频段时电压放大倍数相位将超前。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：放大电路高频截止频率一定与_____无关。 {'A': '耦合电容', 'B': '极间电容', 'C': '旁路电容', 'D': '输入电阻', 'E': '输出电阻'}
答案：A, C
问题：对于单管共射放大电路，当信号频率等于放大电路的fH时，放大倍数的值约下降到中频时的_____； {'A': '0.5倍', 'B': '0.7倍', 'C': '0.9倍'}
答案：B
问题：接6题，U˙o与 U˙i的相位关系是_____。 {'A': '-45∘', 'B': '-135∘', 'C': '-225∘'}
答案：C
问题：单管共射放大电路的波特图及带宽增益积（1）与共射放大电路相比，共基放大电路的带宽较大。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（2）单管共射放大电路电压放大倍数的下限截止频率由晶体管结电容及电容所在回路的电阻共同决定； {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：接上题，上限截止频率由晶体管结电容及电容所在回路的电阻共同决定； {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：电路的中频电压增益20 lg∣∣A˙um∣∣= _____dB。 {'A': '60', 'B': '40', 'C': '10小'}
答案：A
问题：接4题，（2）电路的下限频率fL≈ _____Hz， {'A': '10', 'B': '100', 'C': '1000', 'D': '10000'}
答案：A
问题：接上题，上限频率fH≈_____kHz。 {'A': '10', 'B': '100', 'C': '1000', 'D': '10000'}
答案：D
问题：多级放大电路的频率响应判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）多级放大电路的通频带比组成它的各个单管放大电路的通频带宽。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各级单管放大电路在相同频率下产生的附加相移的数值大。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（3）阻容耦合多级放大电路在低频时产生的附加相移比组成它的各级单管放大电路在相同频率下产生的附加相移的数值小。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（4）阻容耦合多级放大电路，若其中某一级放大电路的下限频率$f_{rm L}$远高于其它各级放大电路的下限频率，则可认为整个电路的下限频率就是$f_{rm L}$； {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：若其中某一级放大电路的上限频率$f_{rm H}$远低于其它各级放大电路的上限频率，则可认为整个电路的上限频率就是$f_{rm H}$。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（1）多级放大电路放大倍数的波特图是_____。 {'A': '各级波特图的叠加', 'B': '各级波特图的乘积', 'C': '各级波特图中通频带最窄者'}
答案：A
问题：（2）具有相同频率参数的两级放大电路在组成它的各级单管放大电路的截止频率处，幅值下降_____。 {'A': '3dB', 'B': '6dB', 'C': '20dB'}
答案：B
问题：（3）直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式多级放大电路相比，低频响应_____。 {'A': '差', 'B': '好', 'C': '差不多'}
答案：B
问题：判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）阻容耦合方式电路的低频特性好。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：B
问题：（2）放大电路在上限截止频率处的增益比中频段增益下降3dB。 {'A': 'Yes', 'B': 'No'}
答案：A
问题：（1）电容[填空1]决定电路的下限频率；A．C1B．C2C． Ce（2）若T1和T2静态时发射极电流相等，且r′bb相等，则C′π较大的是[填空2]电路；则C′π所在回路的等效电阻较大的是[填空3]电路；上限频率较低的是[填空4]电路。A．第一级B．第二级C． 第三级
答案：{"1": ["C"], "3": ["B"], "2": ["B"], "4": ["B"]}
问题：在下图所示电路中，已知晶体管的rbb、Cμ、C′π、Cπ，Ri≈rbe。（1）在空载情况下，下限频率的表达式fL＝[填空1]。在空载情况下，若b-e间等效电容为C′π，则上限频率的表达式fH ＝[填空2]。
答案：{"1": ["B"], "2": ["C"]}
问题：接1题，（2）当式Rs减小时，fL将[填空1]；当带上负载后，fL将[填空2]。当Rs为零时，fH将[填空3]；当Rb减小时，gm将[填空4]，将[填空5]
答案：{"1": ["A"], "3": ["A"], "2": ["A"], "5": ["A"], "4": ["A"]}
问题：（1）已知某电路电压放大倍数为求解： ＝[填空1]，fL＝[填空2]Hz，uH＝[填空3]Hz。
答案：{"1": ["B"], "3": ["E"], "2": ["C"]}
问题：已知某电路的波特图如下图所示。则A˙u的表达式为[填空1]。
答案：{"1": ["B"]}