Quand je lis une phrase comme "La structure d’un IGBT est assez similaire à celle d’un MOSFET vertical doublement diffusé[9], c’est à dire lorsque l’épaisseur du support est utilisée, avec le substrat faisant office de drain d’une part, la grille et la source d’autre part.", phrase dont la syntaxe n'est même pas compréhensible, je me dit qu'aucun des relecteurs de la procédure AdQ n'a essayé de comprendre le paragraphe. ça pose quand même un problème. Qu'en pensestu ?