Reference number : 172-2019-2020-Q2-930512, amendment number : 1, agreement type : C, recipient legal name : Synthergy Inc, recipient country : CA, recipient province : AB, recipient city : Edmonton|Edmonton, recipient postal code : T6G 1R1, program name english : Industrial Research Assistance Program – Youth Employment Program, program name french : Programme d’aide à la recherche industrielle – Programme emploi jeunesse, program purpose english : The purpose of IRAP’s Youth Employment Program is to assist in increasing the supply of highly qualified people, promoting the benefits of advanced studies, demonstrating federal leadership by investing in the skills required to meet the needs of the knowledge economy and facilitating the transition of highly skilled young people to a rapidly changing labour market., program purpose french : Le Programme Emploi-jeunesse du PARI contribue à accroître le bassin de personnes hautement qualifiées, fait la promotion des études supérieures, démontre le leadership fédéral grâce aux investissements effectués dans l’acquisition des compétences requises pour répondre aux besoins de l’économie du savoir et facilite la transition des jeunes hautement qualifiés vers un marché du travail en évolution rapide., agreement title english : Decreasing the Carbon-Footprint of Atomic Layer Deposited Silicon Nitride, agreement title french : Diminution de l'empreinte carbone du nitrure de silicium déposé dans la couche atomique, agreement number : 930512, agreement value : 20000.0, agreement start date : 2019-06-24, agreement end date : 2019-12-30, description english : Silicon nitride (SiN) is an important material in the semiconductor industry particularly for logic and memory applications. Atomic layer deposition (ALD) is suited for the growth of SiN films because of its extremely precise film thickness control and high conformality. Currently, most ALD processes are affected by non-idealities including steric hindrance and parasitic non-ALD growth processes. Consequently, this project aims to quantify how these non-idealities and the various growth parameters affect the ALD SiN growth by developing a quantitative ALD model. This predictive ALD model can characterize the efficiency of the SiN deposition and thus provide a roadmap towards reducing the carbon footprint of the ALD SiN process., description french : Le nitrure de silicium (SiN) est un matériau important dans l'industrie des semi-conducteurs, en particulier pour les applications de logique et de mémoire. Le dépôt de couche atomique (DCA) est adapté à la croissance des films SiN en raison de son contrôle extrêmement précis de l'épaisseur des films et de sa haute conformité. Actuellement, la plupart des processus DCA sont affectés par des facteurs non idéaux, y compris l'entrave stérique et les processus de croissance parasitaires non DCA. Par conséquent, ce projet vise à quantifier l'incidence de ces non-idéalités et des divers paramètres de croissance sur la croissance de DCA SiN en développant un modèle quantitatif de DCA. Ce modèle DCA prédictif peut caractériser l'efficacité du dépôt de SiN et ainsi fournir une feuille de route pour réduire l'empreinte carbone du processus DCA SiN., expected results english : The purpose of IRAP’s Youth Employment Program is to assist in increasing the supply of highly qualified people, promoting the benefits of advanced studies, demonstrating federal leadership by investing in the skills required to meet the needs of the knowledge economy and facilitating the transition of highly skilled young people to a rapidly changing labour market., expected results french : Le Programme Emploi-jeunesse du PARI contribue à accroître le bassin de personnes hautement qualifiées, fait la promotion des études supérieures, démontre le leadership fédéral grâce aux investissements effectués dans l’acquisition des compétences requises pour répondre aux besoins de l’économie du savoir et facilite la transition des jeunes hautement qualifiés vers un marché du travail en évolution rapide., additional information english : nan, additional information french : nan, owner organization : nrc-cnrc, owner organization title : National Research Council Canada | Conseil national de recherches Canada