FrancophonIA/JRC-Acquis_subcorpus_EL-FR_Hunalign_aligned-TMX huggingface dataset:
Greek: (35) Τέλος, όσον αφορά την ειδική διάταξη που αναφέρεται στο στοιχείο δ) της αιτιολογικής σκέψης 28, θεωρείται ότι η απουσία του αριθμού αναφοράς στο τετραγωνίδιο 44 του ΕΔΕ όπως προβλέπεται στην αιτιολογική σκέψη 30 ή η παράλειψη υποβολής διασάφησης στις περιπτώσεις που αναφέρονται στην αιτιολογική σκέψη 32 οδηγεί κανονικά στην εφαρμογή του συντελεστή 34,8 % του αντισταθμιστικού δασμού εφόσον θα έπρεπε να υποτεθεί —εκτός εάν αποδειχθεί το αντίθετο— ότι οι πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας έχουν κατασκευαστεί από τις εταιρείες που υπόκεινται στον αντισταθμιστικό δασμό.
French: (35) Enfin, pour ce qui est de la disposition spéciale visée au point d) du considérant 28, l'absence du numéro de référence dans la case 44 du DAU comme prévu au considérant 30 et le défaut de déclaration dans les cas mentionnés au considérant 32 devraient entraîner l'application du taux de droit compensateur de 34,8 %, car, sauf preuve du contraire, il devrait être considéré que les DRAM sous formes multicombinatoires sont originaires de la République de Corée et ont été fabriqués par des sociétés soumises au droit compensateur.
Greek: (36) Επιπλέον, στις περιπτώσεις που αναφέρονται στην αιτιολογική σκέψη 32, εάν ορισμένα από τα τσιπ DRAM και/ή τα συναρμολογημένα DRAM που έχουν ενσωματωθεί σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM δεν φέρουν σαφή σήμανση και οι κατασκευαστές τους δεν είναι εύκολα αναγνωρίσιμοι από την αιτούμενη δήλωση, τότε πρέπει να υποτεθεί —εκτός εάν αποδειχθεί το αντίθετο— ότι αυτά τα τσιπ DRAM και/ή τα συναρμολογημένα DRAM είναι καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας και έχουν κατασκευαστεί από εταιρείες που υπόκεινται σε αντισταθμιστικό δασμό. Αυτό οδηγεί στην εφαρμογή αντισταθμιστικού δασμού 34,8 % στις περιπτώσεις όπου, λόγω των ανωτέρω, η πολυσυνδυαστική μορφή DRAM είναι καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας. Σε όλες τις άλλες περιπτώσεις, ο εφαρμοστέος αντισταθμιστικός δασμός πρέπει να είναι ο δασμός που προβλέπεται στην αιτιολογική σκέψη 33, και αντιστοιχεί στις αξίες που έχουν καθοριστεί στην αιτιολογική σκέψη 30.
French: (36) De plus, dans les cas visés au considérant 32, si des microplaquettes DRAM et/ou DRAM à l'état monté incorporés dans des DRAM sous formes multicombinatoires n'étaient pas clairement marqués et si leurs fabricants n'étaient pas clairement identifiables au moyen de la déclaration obligatoire, il devrait être considéré, sauf preuve du contraire, que ces microplaquettes DRAM et/ou DRAM à l'état monté sont originaires de la République de Corée et ont été fabriqués par des sociétés soumises au droit compensateur. Le taux de droit compensateur de 34,8 % devrait alors s'appliquer chaque fois que des DRAM sous formes multicombinatoires sont originaires de la République de Corée pour les raisons qui précèdent. Dans tous les autres cas, le taux de droit applicable devrait être le taux prévu au considérant 33 correspondant aux fourchettes de valeurs fixées au considérant 30.
Greek: (37) Όσον αφορά την ειδική διάταξη και τις περιστάσεις που αναφέρονται στις αιτιολογικές σκέψεις 35 και 36 ανωτέρω, διαπιστώθηκε ότι οι προμηθευτές DRAM έχουν συμβατικές υποχρεώσεις έναντι των πελατών τους να διατηρούν ορισμένες προδιαγραφές που έχουν καθοριστεί με βάση τα βιομηχανικά πρότυπα, συμπεριλαμβανομένης της αναφοράς της επωνυμίας των εταιρειών στις οποίες λαμβάνουν χώρα οι εργασίες διάχυσης και συναρμολόγησης. Ως εκ τούτου, θεωρείται ότι οι αιτούμενες πληροφορίες και τα αποδεικτικά στοιχεία που καλείται να προσκομίσει δεν επιβαρύνουν τον καταθέτη της διασάφησης,
French: (37) S'agissant de la disposition spéciale et des circonstances visées aux considérants 35 et 36, il a été constaté que les fournisseurs de DRAM ont l'obligation contractuelle, vis-à-vis de leurs clients, de respecter certaines spécifications définies dans des normes sectorielles, notamment de mentionner le nom des sociétés qui ont procédé à la diffusion et à l'assemblage. Il est donc considéré que les informations et éléments de preuve demandés n'imposent pas de charge excessive au déclarant,
Greek: 1) Στο άρθρο 1, η παράγραφος 1 αντικαθίσταται από το ακόλουθο κείμενο:
French: 1) L'article 1er, paragraphe 1, est remplacé par le texte suivant:
Greek: "1. Επιβάλλεται οριστικός αντισταθμιστικός δασμός στις εισαγωγές ορισμένων τύπων ηλεκτρονικών μικροκυκλωμάτων, γνωστών ως DRAM (δυναμικές μνήμες τυχαίας προσπέλασης), που κατασκευάζονται με χρήση παραλλαγών της τεχνολογίας διεργασιών των ημιαγωγών μεταλλικών οξειδίων (τεχνολογία ΜΟS), στους οποίους συγκαταλέγονται συμπληρωματικοί τύποι ΜΟS (CMOS), κάθε τύπου, πυκνότητας και παραλλαγής, ταχύτητας πρόσβασης, διάταξης, συσκευασίας ή πλαισίου κ.λπ., καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας.
French: "1. Il est institué un droit antidumping définitif sur les importations de certains circuits électroniques intégrés dits "DRAM" (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée.
Greek: - δίσκοι (πλακίδια) DRAM που υπάγονται στον κωδικό ΣΟ ex85422101 (κωδικός Taric 8542210110),
French: - disques DRAM relevant du code NC ex85422101 (code TARIC 8542210110),
Greek: - μικροπλακέτες (τσιπ) DRAM που υπάγονται στον κωδικό ΣΟ ex85422105 (κωδικός Taric 8542210510),
French: - microplaquettes DRAM relevant du code NC ex85422105 (code TARIC 8542210510),
Greek: - συναρμολογημένα DRAM που υπάγονται στους κωδικούς ΣΟ 85422111, 85422113, 85422115 και 85422117,
French: - DRAM à l'état monté relevant des codes NC 85422111, 85422113, 85422115 et 85422117,
Greek: - πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM (δομοστοιχεία μνήμης, πίνακες μνήμης, ή υπό άλλη μορφή συγκροτήματος) που υπάγονται στους κωδικούς ΣΟ ex84733010 (κωδικός Taric 8473301010), ex84735010 (κωδικός Taric 8473501010) και ex85489010 (κωδικός Taric 8548901010),
French: - DRAM sous formes multicombinatoires (modules et cartes de mémoire ou autres formes assemblées) relevant des codes NC ex84733010 (code TARIC 8473301010), ex84735010 (code TARIC 8473501010) et ex85489010 (code TARIC 8548901010),
Greek: - τσιπ και/ή συναρμολογημένα DRAM ενσωματωμένα σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM υπό τον όρο ότι η πολυσυνδιαστική μορφή DRAM είναι καταγωγής χωρών άλλων εκτός της Δημοκρατίας της Κορέας, που υπάγονται στους κωδικούς ΣΟ ex84733010 (κωδικός Taric 8473301010), ex84735010 (κωδικός Taric 8473501010) και ex85489010 (κωδικός Taric 8548901010)."
French: - microplaquettes et/ou DRAM à l'état monté incorporés dans des DRAM sous formes multicombinatoires pour autant que ces derniers soient originaires de pays autres que la République de Corée, relevant des codes NC ex84733010 (code TARIC 8473301010), ex84735010 (code TARIC 8473501010) et ex85489010 (code TARIC 8548901010)."
Greek: 2) Στο άρθρο 1, η παράγραφος 2 αντικαθίσταται από το ακόλουθο κείμενο:
French: 2) L'article 1er, paragraphe 2, est remplacé par le texte suivant:
Greek: "2. Ο συντελεστής του οριστικού αντισταθμιστικού δασμού που επιβάλλεται στην καθαρή τιμή "ελεύθερο στα σύνορα της Κοινότητας", πριν από την επιβολή του δασμού, ορίζεται ως εξής:
French: "2. Le taux du droit compensateur définitif applicable au prix net franco frontière communautaire, avant dédouanement, s'établit comme suit:
Greek: Παραγωγοί Κορέας | Συντελεστής δασμού (%) | Πρόσθετος κωδικός Taric |
French: Producteurs coréens | Taux de droit (en %) | Code additionnel TARIC |
Greek: Samsung Electronics Co., Ltd ("Samsung") 24th Fl., Samsung Main Bldg 250, 2-Ga, Taepyeong-Ro Jung-Gu, Seoul | 0 % | A437 |
French: Samsung Electronics Co., Ltd ("Samsung") 24th Fl., Samsung Main Bldg 250, 2-Ga, Taepyeong-Ro Jung-Gu, Séoul | 0 % | A437 |
Greek: Hynix Semiconductor Inc. 891, Daechidong Kangnamgu, Seoul | 34,8 % | A693 |
French: Hynix Semiconductor Inc. 891, Daechidong Kangnamgu, Séoul | 34,8 % | A693 |
Greek: Όλες οι άλλες εταιρείες | 34,8 % | A999" |
French: Toutes les autres sociétés | 34,8 % | A999" |
Greek: 3) Το άρθρο 1 παράγραφος 3, γίνεται άρθρο 1 παράγραφος 7.
French: 3) L'article 1er, paragraphe 3, est renuméroté article 1er, paragraphe 7.
Greek: 4) Παρεμβάλλεται ένα νέο άρθρο 1 παράγραφος 3, το οποίο έχει ως εξής:
French: 4) Un nouvel article 1er, paragraphe 3, est inséré:
Greek: "3. Κατά την υποβολή στις τελωνειακές αρχές των κρατών μελών της τελωνειακής διασάφησης για θέση σε ελεύθερη κυκλοφορία των πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM, ο καταθέτης της διασάφησης υποδεικνύει στο τετραγωνίδιο 44 του ενιαίου διοικητικού εγγράφου ("ΕΔΕ") τον αριθμό αναφοράς που αντιστοιχεί στις περιγραφές προϊόντος/καταγωγής οι οποίες εμφανίζονται στον ακόλουθο πίνακα. Ο συντελεστής του οριστικού αντισταθμιστικού δασμού που επιβάλλεται στην καθαρή τιμή "ελεύθερο στα σύνορα της Κοινότητας", πριν από την επιβολή του δασμού, ορίζεται ως εξής:
French: "3. Lors de la présentation de la déclaration de mise en libre pratique de DRAM sous formes multicombinatoires aux autorités douanières d'un État membre, le déclarant indique, dans la case 44 du document administratif unique (DAU), le numéro de référence correspondant aux descriptions du produit/de l'origine figurant dans le tableau ci-dessous. Le taux du droit compensateur définitif applicable au prix net franco frontière communautaire, avant dédouanement, s'établit comme suit:
Greek: Αριθ. | Περιγραφή προϊόντος/καταγωγής | Αριθμός αναφοράς | Συντελεστής δασμού (%) |
French: No | Description du produit/de l'origine | Numéro de référence | Taux de droit (en %) |
Greek: 1. | Πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM καταγωγής χωρών άλλων εκτός της Δημοκρατίας της Κορέας, στις οποίες έχουν ενσωματωθεί τσιπ DRAM και/ή συναρμολογημένα DRAM καταγωγής χωρών άλλων εκτός της Δημοκρατίας της Κορέας ή καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας και που έχουν κατασκευαστεί από την Samsung | D010 | 0 % |
French: 1 | DRAM sous formes multicombinatoires originaires de pays autres que la République de Corée, contenant des microplaquettes DRAM et/ou des DRAM à l'état monté originaires de pays autres que la République de Corée ou originaires de la République de Corée et fabriqués par Samsung | D010 | 0 % |
Greek: 2. | Πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM καταγωγής χωρών άλλων εκτός της Δημοκρατίας της Κορέας, στις οποίες έχουν ενσωματωθεί τσιπ DRAM και/ή συναρμολογημένα DRAM καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας, που έχουν κατασκευαστεί από όλες τις εταιρείες εκτός της Samsung και αντιστοιχούν σε λιγότερο από το 10 % της καθαρής τιμής "ελεύθερο στα σύνορα της Κοινότητας" των πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM | D011 | 0 % |
French: 2 | DRAM sous formes multicombinatoires originaires de pays autres que la République de Corée, contenant des microplaquettes DRAM et/ou des DRAM à l'état monté originaires de la République de Corée, fabriqués par des sociétés autres que Samsung et représentant moins de 10 % du prix net franco frontière communautaire des DRAM sous formes multicombinatoires | D011 | 0 % |
Greek: 3. | Πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM καταγωγής χωρών άλλων εκτός της Δημοκρατίας της Κορέας, στις οποίες έχουν ενσωματωθεί τσιπ DRAM και/ή συναρμολογημένα DRAM καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας, που έχουν κατασκευαστεί από όλες τις εταιρείες εκτός της Samsung και αντιστοιχούν σε 10 % ή περισσότερο αλλά λιγότερο από το 20 % της καθαρής τιμής "ελεύθερο στα σύνορα της Κοινότητας" των πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM | D012 | 3,4 % |
French: 3 | DRAM sous formes multicombinatoires originaires de pays autres que la République de Corée, contenant des microplaquettes DRAM et/ou des DRAM à l'état monté originaires de la République de Corée, fabriqués par des sociétés autres que Samsung et représentant 10 % ou plus, mais moins de 20 %, du prix net franco frontière communautaire des DRAM sous formes multicombinatoires | D012 | 3,4 % |
Greek: 4. | Πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM καταγωγής χωρών άλλων εκτός της Δημοκρατίας της Κορέας, στις οποίες έχουν ενσωματωθεί τσιπ DRAM και/ή συναρμολογημένα DRAM καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας, που έχουν κατασκευαστεί από όλες τις εταιρείες εκτός της Samsung και αντιστοιχούν σε 20 % ή περισσότερο αλλά λιγότερο από το 30 % της καθαρής τιμής "ελεύθερο στα σύνορα της Κοινότητας" των πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM | D013 | 6,9 % |
French: 4 | DRAM sous formes multicombinatoires originaires de pays autres que la République de Corée, contenant des microplaquettes DRAM et/ou des DRAM à l'état monté originaires de la République de Corée, fabriqués par des sociétés autres que Samsung et représentant 20 % ou plus, mais moins de 30 %, du prix net franco frontière communautaire des DRAM sous formes multicombinatoires | D013 | 6,9 % |
Greek: 5. | Πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM καταγωγής χωρών άλλων εκτός της Δημοκρατίας της Κορέας, στις οποίες έχουν ενσωματωθεί τσιπ DRAM και/ή συναρμολογημένα DRAM καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας, που έχουν κατασκευαστεί από όλες τις εταιρείες εκτός της Samsung και αντιστοιχούν σε 30 % ή περισσότερο αλλά λιγότερο από το 40 % της καθαρής τιμής "ελεύθερο στα σύνορα της Κοινότητας" των πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM | D014 | 10,4 % |
French: 5 | DRAM sous formes multicombinatoires originaires de pays autres que la République de Corée, contenant des microplaquettes DRAM et/ou des DRAM à l'état monté originaires de la République de Corée, fabriqués par des sociétés autres que Samsung et représentant 30 % ou plus, mais moins de 40 %, du prix net franco frontière communautaire des DRAM sous formes multicombinatoires | D014 | 10,4 % |
Greek: 6. | Πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM καταγωγής χωρών άλλων εκτός της Δημοκρατίας της Κορέας, στις οποίες έχουν ενσωματωθεί τσιπ DRAM και/ή συναρμολογημένα DRAM καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας, που έχουν κατασκευαστεί από όλες τις εταιρείες εκτός της Samsung και αντιστοιχούν σε 40 % ή περισσότερο αλλά λιγότερο από το 50 % της καθαρής τιμής "ελεύθερο στα σύνορα της Κοινότητας" των πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM | D015 | 13,9 % |
French: 6 | DRAM sous formes multicombinatoires originaires de pays autres que la République de Corée, contenant des microplaquettes DRAM et/ou des DRAM à l'état monté originaires de la République de Corée, fabriqués par des sociétés autres que Samsung et représentant 40 % ou plus, mais moins de 50 %, du prix net franco frontière communautaire des DRAM sous formes multicombinatoires | D015 | 13,9 % |
Greek: 7. | Πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM καταγωγής χωρών άλλων εκτός της Δημοκρατίας της Κορέας, στις οποίες έχουν ενσωματωθεί τσιπ DRAM και/ή συναρμολογημένα DRAM καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας, που έχουν κατασκευαστεί από όλες τις εταιρείες εκτός της Samsung και αντιστοιχούν σε 50 % ή περισσότερο της καθαρής τιμής "ελεύθερο στα σύνορα της Κοινότητας" των πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM | D016 | 17,4 %" |
French: 7 | DRAM sous formes multicombinatoires originaires de pays autres que la République de Corée, contenant des microplaquettes DRAM et/ou des DRAM à l'état monté originaires de la République de Corée, fabriqués par des sociétés autres que Samsung et représentant 50 % ou plus du prix net franco frontière communautaire des DRAM sous formes multicombinatoires | D016 | 17,4 %" |
Greek: 5) Παρεμβάλλεται ένα νέο άρθρο 1 παράγραφος 4, το οποίο έχει ως εξής:
French: 5) Un nouvel article 1er, paragraphe 4, est inséré:
Greek: "4. Σχετικά με την παράγραφο 3, η αναγραφή στο τετραγωνίδιο 44 του ΕΔΕ του αριθμού αναφοράς στην περίπτωση περιγραφής του προϊόντος/καταγωγής που υπάγεται στην περίπτωση αριθ. 1, αποτελεί από μόνη της επαρκές αποδεικτικό στοιχείο. Για όλες τις υπόλοιπες περιγραφές προϊόντος/καταγωγής, ο καταθέτης της διασάφησης υποβάλλει δήλωση που εκδίδεται από τον τελευταίο κατασκευαστή, στην οποία πιστοποιούνται η καταγωγή, οι κατασκευαστές και η αξία όλων των στοιχείων των πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM, σύμφωνα με τις απαιτήσεις του παραρτήματος. Αυτή η δήλωση γίνεται σε χαρτί που φέρει την επωνυμία της εταιρείας και επικυρώνεται με τη σφραγίδα της εταιρείας."
French: "4. En référence au paragraphe 3, la mention, dans la case 44 du DAU, du numéro de référence correspondant à la description du produit/de l'origine no 1 est en soi considérée comme un élément de preuve suffisant. Pour toutes les autres descriptions du produit/de l'origine, le déclarant doit présenter une déclaration du dernier fabricant certifiant l'origine, les fabricants et la valeur de tous les composants des DRAM sous formes multicombinatoires en question, conformément aux prescriptions en annexe. Cette déclaration est établie sur du papier à en-tête de la société et validée par le cachet de cette dernière."
Greek: 6) Παρεμβάλλεται ένα νέο άρθρο 1 παράγραφος 5, το οποίο έχει ως εξής:
French: 6) Un nouvel article 1er, paragraphe 5, est inséré:
Greek: "5. Στην περίπτωση που δεν υποδεικνύεται ο αριθμός αναφοράς στο ΕΔΕ, όπως προβλέπεται στην παράγραφο 3, ή εάν η τελωνειακή διασάφηση δεν συνοδεύεται από δήλωση στις περιπτώσεις που απαιτεί η παράγραφος 4, θεωρείται ότι —εκτός εάν αποδειχθεί το αντίθετο— οι πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM είναι καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας και έχουν κατασκευαστεί από όλες τις εταιρείες εκτός της Samsung, οπότε και εφαρμόζεται αντισταθμιστικός δασμός 34,8 %.
French: "5. Si le numéro de référence précisé au paragraphe 3 n'est pas indiqué dans le DAU ou si la déclaration douanière n'est pas accompagnée de la déclaration prévue dans les cas visés au paragraphe 4, les DRAM sous formes multicombinatoires sont — sauf preuve du contraire — considérés comme étant originaires de la République de Corée et fabriqués par des sociétés autres que Samsung et sont soumis au taux de droit compensateur de 34,8 %.
Greek: Στην περίπτωση που ορισμένα τσιπ DRAM και/ή συναρμολογημένα DRAM που είναι ενσωματωμένα σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM δεν φέρουν σαφή σήμανση και οι κατασκευαστές τους δεν είναι εύκολα αναγνωρίσιμοι στην δήλωση που απαιτείται στην παράγραφο 4, συνάγεται το συμπέρασμα —εκτός εάν αποδειχθεί το αντίθετο— ότι αυτά τα τσιπ DRAM και/ή τα συναρμολογημένα DRAM είναι καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας και έχουν κατασκευασθεί από τις εταιρείες που υπόκεινται σε αντισταθμιστικό δασμό. Σ’ αυτές τις περιπτώσεις, ο συντελεστής του αντισταθμιστικού δασμού που εφαρμόζεται στις πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM υπολογίζεται με βάση το ποσοστό στο οποίο αντιστοιχεί η καθαρή τιμή "ελεύθερο στα σύνορα της Κοινότητας" των τσιπ DRAM και/ή των συναρμολογημένων DRAM καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας σε σχέση με την καθαρή τιμή τιμή "ελεύθερο στα σύνορα της Κοινότητας" των πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM, όπως καθορίζεται στον πίνακα της παραγράφου 3, αριθ. 2 έως 7. Εντούτοις, εάν η αξία των προαναφερόμενων τσιπ DRAM και/ή των συναρμολογημένων DRAM είναι τέτοια ώστε οι πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM στις οποίες είναι ενσωματωμένα γίνονται καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας, εφαρμόζεται ο συντελεστής του αντισταθμιστικού δασμού 34,8 % στις πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM."
French: Au cas où des microplaquettes DRAM et/ou DRAM à l'état monté incorporés dans des DRAM sous formes multicombinatoires ne seraient pas clairement marqués et si leurs fabricants n'étaient pas clairement identifiables au moyen de la déclaration demandée au paragraphe 4, il devrait être considéré, sauf preuve du contraire, que ces microplaquettes DRAM et/ou DRAM à l'état monté sont originaires de la République de Corée et ont été fabriqués par des sociétés soumises au droit compensateur. Dans ces cas, le taux de droit compensateur applicable aux DRAM sous formes multicombinatoires devrait être calculé sur la base du pourcentage représenté par le prix net franco frontière communautaire de ces microplaquettes DRAM et/ou DRAM à l'état monté originaires de la République de Corée sur le prix net franco frontière communautaire DRAM sous formes multicombinatoires, comme établi dans le tableau visé au paragraphe 3, nos 2 à 7. Si, toutefois , la valeur des susmentionnées microplaquettes DRAM et/ou DRAM à l'état monté était telle que les DRAM sous formes multicombinatoires dans lesquelles elles sont incorporées deviendraient d'origine coréenne, le taux de droit compensateur de 34,8 % devrait alors s'appliquer aux DRAM sous formes multicombinatoires."
Greek: 7) Παρεμβάλλεται ένα νέο άρθρο 1 παράγραφος 6, το οποίο έχει ως εξής:
French: 7) Un nouvel article 1er, paragraphe 6, est inséré:
Greek: "6. Για να μπορούν οι τελωνειακές αρχές των κρατών μελών να επαληθεύουν τα στοιχεία, εφαρμόζονται κατ’ αναλογία το άρθρο 28 παράγραφος 1, 28 παράγραφος 3, 28 παράγραφος 4, και 28 παράγραφος 6, του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 2026/97 του Συμβουλίου."
French: "6. Aux fins de la vérification des données par les autorités douanières des États membres, l'article 28, paragraphes 1, 3, 4 et 6, du règlement (CE) no 2026/97 du Conseil s'applique mutatis mutandis."
Greek: (Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης L 340 της 23ης Δεκεμβρίου 2005)
French: ("Journal officiel de l’Union européenne" L 340 du 23 décembre 2005)
Greek: "… που είναι ενσωματωμένα σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM, …"
French: "… lorsque des DRAM sous formes multicombinatoires …"
Greek: "… που είναι ενσωματωμένα σε (μη εξατομικευμένες) πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM, …".
French: "… lorsque des DRAM sous formes multicombinatoires (standard) …"
Greek: "… έχουν ενσωματωθεί στις πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM …"
French: "… incorporés dans des DRAM sous formes multicombinatoires …"
Greek: "… έχουν ενσωματωθεί στις (μη εξατομικευμένες) μορφές DRAM …".
French: "… incorporés dans des DRAM sous formes multicombinatoires (standard) …"
Greek: Στη σελίδα 9, αιτιολογική σκέψη 20:
French: in recital 20:
Greek: "… μόλις τα τσιπ DRAM ή τα συναρμολογημένα DRAM ενσωματωθούν στις πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM, δεν μπορούν να θεωρούνται πλέον ως προϊόν που δυνητικά υπόκειται σε αντισταθμιστικό δασμό. Ως προς αυτό, θεωρείται ότι τα τσιπ DRAM ή τα συναρμολογημένα DRAM μόλις ενσωματωθούν σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM διατηρούν ακόμη τις ιδιότητες και τις λειτουργίες τους. Το γεγονός ότι έχουν ενσωματωθεί σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM δεν μεταβάλλει τα βασικά φυσικά και τεχνικά χαρακτηριστικά τους. Επιπλέον, η λειτουργία που επιτελούν οι πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM, η οποία συνίσταται στο να παρέχουν μνήμη, είναι ακριβώς αν και σε ευρύτερη κλίμακα η ίδια με τη λειτουργία των τσιπ DRAM ή των συναρμολογημένων DRAM όταν εξετάζονται ατομικά. Επομένως, συνάγεται το συμπέρασμα ότι η ενσωμάτωση των τσιπ DRAM ή των συναρμολογημένων DRAM σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM δεν μεταβάλλει τη φύση τους …"
French: "… lorsqu'ils sont incorporés dans des DRAM sous formes multicombinatoires, les microplaquettes DRAM ou les DRAM à l'état monté ne peuvent plus être considérés comme un produit potentiellement passible du droit compensateur. Il est considéré à ce propos que, même incorporés dans des DRAM sous formes multicombinatoires, les microplaquettes DRAM et DRAM à l'état monté conservent leurs propriétés et fonctions. Leur incorporation dans des DRAM sous formes multicombinatoires ne modifie en rien leurs caractéristiques physiques et techniques essentielles. De plus, les DRAM sous formes multicombinatoires ont exactement la même fonction, à savoir fournir de la mémoire, que les microplaquettes DRAM ou les DRAM à l'état monté pris isolément, mais à plus grande échelle. Il est donc conclu que l'incorporation de microplaquettes DRAM ou de DRAM à l'état monté dans des DRAM sous formes multicombinatoires …"