English: b. Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
French: b. dispositifs semi-conducteurs à hétérostructure tels que les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMT), transistors hétéro-bipolaires (HBT), dispositifs à puits quantique ou à super-réseaux;
Spanish: b. Dispositivos semiconductores de hetero-estructura tales como los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT), transistores bipolares de heterounión (HBT), dispositivos de pozo cuántico o de super redes;
Italian: b. dispositivi semiconduttori a struttura eterogenea quali i transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT), i transistori etero bipolari (HBT), i dispositivi a pozzo quantico e a super reticolo;
Dutch: halfgeleiderelementen met een heterostructuur, zoals transistors met hoge elektronenmobiliteit (HEMT), hetero bipolaire transistors (HBT), elementen met een kwantumval of superrooster;
Danish: b. Heterostrukturelle halvlederindretninger som f.eks. transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), heterobipolære transistorer (HBT), quantum well eller superlatticeindretninger
Swedish: Halvledarelement med ovanlig uppbyggnad (”hetero-structure”) såsom transistorer med hög elektronrörlighet (HEMT), hetero-bipolära transistorer (HBT), quantum well och super lattice element.
Finnish: b. Heterorakenteiset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;
Greek: β. Ετερο-δομικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).
Slovak: heteroštrukturálnych polovodičových zariadení ako sú tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), heterobipolárne tranzistory (HBT), zariadenie s kvantovou potenciálovou jamou a zariadenia so supermriežkou;
Hungarian: b. Heterogén szerkezetű félvezető eszközök, például nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorok (HEMT), hetero-bipolár tranzisztorok (HBT), kvantumforrás vagy szuperrács-eszközök;
Slovenian: heterostrukturnih polprevodniških elementov, kot so na primer tranzistorji z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), heterobipolarni tranzistorji (HBT), elementi s kvantnimi potencialnimi jamami in elementi s superkristalno mrežo;
Romanian: dispozitive semiconductoare cu heterostructură, cum sunt tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT), tranzistoarele hetero-bipolare (HBT), dispozitivele cu canal cuantic sau suprastructurate;
Bulgarian: b. Хетероструктурни полупроводникови устройства като транзистори с висока мобилност на електроните (ТВМЕ), хетеробиполярни транзистори (ХБТ), източници на кванти и свръхрешетки;
Estonian: b. heterostruktuuriga pooljuhtseadised, nt elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT), heterobipolaartransistorid (HBT), kvantkaev- ja supervõreseadmed;
Latvian: b. heterostruktūras pusvadītāju ierīces, piemēram, augstas elektronu mobilitātes tranzistori (HEMT), heterobipolārie tranzistori (HBT), ierīces, kurās izmanto kvantu potenciāla bedres vai superrežģus;
Lithuanian: b. įvairiatarpių (draustinių juostų) darinių puslaidininkinius įtaisus, pavyzdžiui, didelio elektronų judrio tranzistorius (HEMT), įvairiatarpius dvipolius tranzistorius (HBT), įtaisus su kvantinėmis duobėmis ir supergardelėmis;
Maltese: b. Apparat semikonduttur b’eterostruttura bħal transisters b’mobbiltà għolja tal-elettroni (HEMT), transisters eterobipolari (HBT), apparat b’ħofra kwantistika u b’super rettikolat;