FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum or Corynebacterium Sepedonicum);
French: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum ou Corynebacterium Sepedonicum);
Italian: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum o Corynebacterium Sepedonicum);
Dutch: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum of Corynebacterium Sepedonicum);
Danish: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum eller Corynebacterium Sepedonicum)
Swedish: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum eller Corynebacterium Sepedonicum).
Finnish: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum tai Corynebacterium Sepedonicum);
Greek: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum ή Corynebacterium Sepedonicum),
Czech: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum nebo Corynebacterium Sepedonicum),
Slovak: Sepedonicus (subsp. Corynebacterium michiganensis Sepedonicum alebo Corynebacterium Sepedonicum),
Hungarian: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum vagy Corynebacterium Sepedonicum);
Slovenian: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis ssp. Sepedonicum ali Corynebacterium Sepedonicum);
Estonian: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum või Corynebacterium Sepedonicum);
Latvian: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum vai Corynebacterium Sepedonicum);
Lithuanian: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum arba Corynebacterium Sepedonicum);
Maltese: Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum jew Corynebacterium Sepedonicum);
English: Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);
Danish: Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae)
Swedish: Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae).
Greek: Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae),
Czech: Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae),
Lithuanian: Kavamedinis deguliagrybis (Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae));
English: Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);
Danish: Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae)
Swedish: Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae).
Greek: Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae),
Czech: Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae),
Lithuanian: Geltonoji rūdė (Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);
English: Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f. sp. tritici);
Spanish: Puccinia graminis (sin. Puccinia graminis f. sp. tritici);
Italian: puccinia graminis (sin. Puccinia graminis f. sp. tritici);
Danish: Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f.sp. tritici)
Swedish: Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f. sp. tritici).
Finnish: Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f.sp.tritici);
Greek: Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f. sp. tritici),
Czech: Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f. sp. tritici),
Slovak: Puccinia graminis (syn. Pussinia graminis f. sp. tritici);
Romanian: Puccinia graminis (sin. Puccinia graminis f. sp. tritici);
Lithuanian: Juodoji rūdė (Puccinia graminis (sin. Puccinia graminis f.sp. tritici));
English: Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);
Spanish: Puccinia striiformis (sin. Puccinia glumarum);
Italian: puccinia striiformis (sin. Puccinia glumarum);
Danish: Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum)
Swedish: Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum).
Greek: Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum),
Czech: Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum),
Romanian: Puccinia striiformis (sin. Puccinia glumarum);
Lithuanian: Ryžinis dryžgrybis (Puccinia striiformis (sin. Puccinia glumarum);
English: Magnaporthe grisea (pyricularia grisea/pyricularia oryzae).
Italian: magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/Pyricularia oryzae);
Finnish: Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea / Pyricularia oryzae).
Czech: Magnaporthe grisea pyricularia grisea/pyricularia oryzae).
Slovak: Magnaporthe grisea (pyricularia risea/pyricularia oryzae).
Lithuanian: Ryžinis deguliagrybis (Pyricularia grisea (Pyricularia oryzae)).
English: Methyldiethanolamine (105-59-9). Note 1: For exports to “States not Party to the Chemical Weapons Convention”, 1C450 does not control “chemical mixtures” containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. and .b.6. in which no individually specified chemical constitutes more than 10 % by the weight of the mixture. Note 2: For exports to “States Party to the Chemical Weapons Convention”, 1C450 does not control “chemical mixtures” containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. and .b.6. in which no individually specified chemical constitutes more than 30 % by the weight of the mixture. Note 3:
Finnish: Metyylidietanoliamiini (105-59-9).
Czech: methyldiethanolamin (105-59-9).
English: For the purpose of 2B006.b.1. ‘linear displacement’ means the change of distance between the measuring probe and the measured object.
French: Aux fins de l’alinéa 2B006.b.1, ‘déplacement linéaire’ signifie le changement de distance entre la sonde de mesure et l’objet mesuré.
Spanish: A efectos del subartículo 2B006.b.1, se entenderá por ‘desplazamiento lineal’ el cambio de distancia entre la sonda de medición y el objeto medido.
Italian: Ai fini del 2B006.b.1 si intende per ‘spostamento lineare’ la variazione di distanza tra la sonda di misura e l’oggetto misurato.
Dutch: In punt 2B006 b)1 moet onder ‚lineaire verplaatsing’ worden verstaan de verandering van de afstand tussen de meetpen en het gemeten voorwerp.
Danish: I 2B006.b.1 forstås ved 'lineær forskydning' en ændring af afstanden mellem måleproben og den målte genstand.
Swedish: I avsnitt 2B006.b.1 avser ’linjärförskjutning’ ändring av avståndet mellan mätprob och mätobjekt.
Finnish: b.1 kohdassa ’lineaarisella siirtymällä’ tarkoitetaan mittapään ja mitattavan kohteen välisen etäisyyden muutosta.
Greek: Για τον σκοπό του 2Β006.β.1., η ‘γραμμική μετατόπιση’ είναι η μεταβολή της απόστασης μεταξύ του αισθητήρα μέτρησης και του μετρούμενου αντικειμένου.
Czech: Pro účely položky 2B006.b.1. se „lineární změnou polohy“ rozumí změna vzdálenosti mezi měřicím vzorkem a měřeným objektem.
Slovak: Na účely 2B006.b)1 je „lineárny posuv“ zmena vzdialenosti medzi meracou sondou a meraným predmetom.
Hungarian: A 2B006.b.1. alkalmazásában a ’lineáris elmozdulás’ a mérőszonda és a mért tárgy közötti távolság m változását jelenti.
Slovenian: V točki 2B006(b)1 „linearna napaka“ pomeni spremembo razdalje med merilno sondo in merjenim predmetom.
Romanian: În sensul 2B006.b.1 ‘deplasare liniară’ înseamnă variația distanței dintre senzorul de măsurat și obiectul măsurat.
Latvian: b.1. pozīcijas nolūkā ‘lineārā novirze’ ir attāluma maiņa starp taustu un mērīto objektu.
Lithuanian: b.1 nurodytoms medžiagoms: ‚linijinis poslinkis‘ – atstumo tarp matavimo zondo ir matuojamo objekto pasikeitimas.
English: Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18) Carbides
Czech: Cementovaný karbid wolframu (16), karbid křemíku (18)
English: Dielectric layers (15) Beryllium and Beryllium alloys
Czech: Molybden a slitiny molybdenu
English: Dielectric layers (15) Diamond
Czech: Dielektrické vrstvy (15)
English: Diamond-like carbon (17) Sensor window materials (9)
Czech: Berylium a slitiny berylia
English: B. Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD) B.1.
Czech: Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
English: Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD) “Superalloys”
Czech: Materiály pro okénka snímačů (9)
English: Alloyed silicides Alloyed aluminides (2)
Czech: Dielektrické vrstvy (15)
English: MCrAlX (5)
Spanish: MCrAlX- (5)
Italian: MCrAIX (5)
Dutch: MCrAIX (5)
Danish: MCrAIX (5)
Finnish: MCrAIX (5)
Czech: MCrAlX (5) Polymery (11) a „kompozity“ s organickou „matricí“ Boridy Karbidy Nitridy Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
Estonian: MCrAIX (5)
Lithuanian: MCrAIX (5)
English: Modified zirconia (12) Silicides Aluminides
Czech: Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
English: Mixtures thereof (4) Ceramics (19) and Low-expansion glasses (14)
Czech: B. Fyzikální depozice v parní fázi s tepelným odpařováním (TE-PVD)
English: Dielectric layers (15) Corrosion resistant steel (7) MCrAlX (5)
Czech: B.1 Fyzikální depozice v parní fázi elektronovým svazkem (EB-PVD)
English: Modified zirconia (12) Mixtures thereof (4)
Czech: „Vysoce legované slitiny“
English: Carbon-carbon, Ceramic and Metal “matrix” “composites” Silicides Carbides
Czech: Legované silicidy
English: Refractory metals Mixtures thereof (4)
Czech: Legované aluminidy (2)
English: Boron nitride Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Finnish: keraamiset aineet ja vähän laajenevat lasit (14)
Czech: Modifikovaný oxid zirkoničitý (12)
English: Dielectric layers (15) Diamond-like carbon B.4. Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge “Superalloys” Alloyed silicides Alloyed aluminides (2) MCrAlX (5) Polymers (11) and Organic “matrix” “composites” Borides Carbides Nitrides Diamond-like carbon (17)
Czech: Dielektrické vrstvy (15)
English: C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10) Carbon-carbon, Ceramic and Metal “matrix” “composites” Silicides Carbides Mixtures thereof (4) Titanium alloys (13) Silicides Aluminides Alloyed aluminides (2) Refractory metals and alloys (8) Silicides Oxides D. Plasma spraying “Superalloys” MCrAlX (5) Modified zirconia (12) Mixtures thereof (4) Abradable Nickel-Graphite Abradable materials containing Ni-Cr-Al Abradable Al-Si-Polyester Alloyed aluminides (2) Aluminium alloys (6) MCrAlX (5) Modified zirconia (12) Silicides
Czech: Diamond-like carbon
English: Mixtures thereof (4) Refractory metals and alloys (8)
Czech: B.4 Fyzikální depozice v parní fázi (PVD): katodickým obloukovým výbojem
English: Aluminides Silicides
Finnish: muovattava nikkeligrafiitti
Czech: „Vysoce legované slitiny“
English: Titanium alloys (13) Carbides
Czech: Slitiny titanu (13)
English: Alloyed aluminides (2) Abradable Nickel-Graphite Abradable materials containing Ni-Cr-Al Abradable Al-Si-Polyester E. Slurry Deposition
Czech: Legované aluminidy (2)
English: Silicides Carbides
Finnish: silisidit
Czech: Modifikovaný oxid zirkoničitý (12)
English: Mixtures thereof (4) Dielectic layers (15) Diamond-like carbon (17)
Czech: Jejich směsi (4)
English: Titanium alloys (13) Borides
Czech: Slitiny titanu (13)
English: Nitrides Oxides
Czech: Karbidy
English: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment. NB: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Czech: Pokud výrobce nebo žadatel nemůže určit status jiného zařízení, řídí se status integrovaných obvodů položkami 3A001.a.3. až 3A001.a.9. a 3A001.a.12.
English: Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
French: les thyristors commutés à gâchette intégrée (IGCT),
Spanish: Tiristores conmutados por puerta integrada (IGCTs)
Italian: tiristori a commutazione a circuito integrato (IGCT),
Dutch: IGCTs (Integrated Gate Commutated Thyristors),
Danish: Integrerede brokommuterede thyristorer (IGCT)
Swedish: IGC-tyristorer (Integrated Gate Commutated Thyristors).
Finnish: IGCT-tyristorit (Integrated Gate Commutated Thyristors) (IGCT)
Greek: Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT)
Czech: Integrované hradlem komutované tyristory (IGCTs)
Slovak: prepínacie tyristory s integrovaným hradlom (IGCT),
Hungarian: integrált vezérlőelektródával szabályozott tirisztor (IGCT)
Slovenian: integrirani tiristorji z menjajočo smerjo toka (IGCT);
Romanian: tiristoare de comutație cu poarta integrată (IGCTs);
Estonian: integreeritud võrejuhtimisega türistorid (IGCTs),
Latvian: ar vadības elektrodu aizverami tiristori (GTOs),
Lithuanian: integruoti užtūros komutuojami tiristoriai (IGCT)
English: MOS Controlled Thyristors (MCTs)
French: les thyristors commandés par MOS (MCT),
Spanish: Tiristores controlados por transistor MOS (MCTs)
Italian: tiristori controllati da transistor MOS (MCT),
Dutch: MCTs (MOS Controlled Thyristors),
Danish: MOS-styrede thyristorer (MCT)
Swedish: MOS-styrda tyristorer (MCT).
Finnish: MOS-tyristorit (MOS Controlled Thyristors) (MCT)
Greek: MOS Controlled Thyristors (MCT)
Czech: Tyristory řízené MOS (MCTs)
Slovak: tyristory ovládané MOS (MCT),
Hungarian: MOS-vezérlésű tirisztor (MCT)
Slovenian: tiristorji MOS (MCT);
Romanian: tiristoare MOS comandate (MCTs);
Estonian: MOS(metall-oksiid-pooljuht)-juhtimisega türistorid (MCT),
Lithuanian: MOS kontroliuojami tiristoriai (MCT)
English: In 3A229.b.5. ‘rise time’ is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
French: À l’alinéa 3A229.b.5, le ‘temps de montée’ est défini comme étant l’intervalle de temps séparant des amplitudes de courant de 10 à 90 % quand le montage est fait sur charge résistive.
Spanish: En el subartículo 3A229.b.5., el ‘tiempo de subida’ se define como el intervalo de tiempo comprendido entre el 10 % y el 90 % de la amplitud de corriente cuando se excita una carga resistiva.
Italian: In 3A229.b.5 il ‘tempo di salita’ è definito come l’intervallo di tempo per passare dal 10 % al 90 % del valore d’ampiezza della corrente su un carico resistivo.
Dutch: In 3A229 b)5 is de ‚stijgtijd’ gedefinieerd als het tijdsinterval dat verstrijkt tussen het bereiken van 10 % van de piekstroom en 90 % van de piekstroom als de generator op een ohmse weerstand wordt aangesloten.
Danish: I 3a229.b.5 defineres 'stigetid' som tidsperioden fra 10 % til 90 % strømamplitude ved styring af en resistiv belastning.
Swedish: I avsnitt 3A229.b.5 definieras ’stigtid’ som tidsintervallet mellan 10 % och 90 % av strömamplituden när generatorn driver en resistiv last.
Finnish: b.5 kohdassa ’nousuaika’ on aikaväli, jonka kuluessa virran amplitudi kasvaa 10 prosentista 90 prosenttiin, kun kuorma on resistiivinen.
Greek: Στο σημείο 3Α229.β.5. ως ‘χρόνος ανύψωσης’ ορίζεται το χρονικό διάστημα από το 10 % μέχρι το 90 % του ύψους του ρεύματος όταν η συσκευή συνδέεται με φορτίο αντίστασης).
Czech: V položce 3A229.b.5. je „náběhový čas“ definován jako časový interval od 10 % do 90 % proudové amplitudy při odporovém zatížení.
Hungarian: A 3A229.b.5 szerinti ’felfutási idő’ az az idő, ami alatt az ellenállásos terhelésen átfolyó áram amplitúdója 10 %-ról 90 %-ra nő.
Romanian: La 3A229.b.5, ‘timpul de creștere’ este definit ca fiind intervalul de timp de la 10 % la 90 % amplitudine a curentului, pe o sarcină rezistivă.
Estonian: Punktis 3A229.b.5 on ‘tõusuaeg’ defineeritud kui ajavahemik, mis on vajalik voolu amplituudi kasvamiseks aktiivkoormusel 10 %-st kuni 90 %-ni.
Latvian: ‘Strāvas pieauguma laiks’ 3A229.b.5. pozīcijā nozīmē laika sprīdi, kurā strāva pie aktīvas slodzes pieaug no 10 % līdz 90 % no amplitūdas vērtības.
Lithuanian: b.5 ‚kilimo trukmė‘ yra apibrėžiama kaip laiko intervalas tarp 10 % ir 90 % srovės amplitudės, kai įjungiama varžinė apkrova.
English: Hetero-epitaxial materials consisting of a “substrate” having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following: a. Silicon (Si);
Czech: Heteroepitaxní materiály sestávající z „podložky“ složené z více na sobě uspořádaných epitaxně narostlých vrstev z:
Slovak: Heteroepitaxiálne materiály pozostávajúce zo „substrátu“, na ktorom sa nachádzajú epitaxiálne narastené viacnásobné vrstvy niektorého z týchto materiálov:
English: 002 Resist materials as follows and “substrates” coated with the following resists:
Czech: d. „sloučenin galia nebo india typu III/V“.
Slovak: „zlúčeniny III/V“ gália alebo india.
English: c. All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better; d. All resists optimised for surface imaging technologies, including ‘silylated’ resists; Technical Note: ‘Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Czech: b. veškeré rezisty konstruované pro použití s elektronovými nebo iontovými paprsky o citlivosti 0,01 μcoulomb/mm2 nebo lepší;
Slovak: všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s elektrónovými lúčmi alebo iónovými lúčmi s citlivosťou najmenej 0,01 μcoulomb/mm2;
English: 003 Organo-inorganic compounds as follows:
Czech: e. veškeré rezisty konstruované nebo optimalizované pro využití spolu se zařízením pro tiskovou litografii uvedené v položce 3B001.f.2., u kterých jsou používány tepelné procesy nebo procesy photo-curable.
Slovak: všetky odolné materiály navrhnuté alebo optimalizované na používanie s tlačiarenskými litografickými zariadeniami uvedenými v 3B001.f)2, ktoré používajú buď tepelné, alebo svetelné postupy.
English: b. Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %. Note:
Czech: a. organokovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (čistotu kovu) lepší než 99,999 %;
Slovak: organokovové zlúčeniny hliníka, gália alebo india s čistotou (kovový základ) vyššou ako 99,999 %;
English: c. Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital “signal processing”). Note:
Czech: c. Určený k provádění více než čtyř 16bitových výsledků násobení a akumulace s pevnou řádovou čárkou na cyklus (např., digitální zpracovávání analogových informací, které byly dříve převedeny do digitální formy, známých rovněž jako „zpracování digitálních signálů“).
English: Note 1: 3E002 does not control “technology” for the “development” or “production” of micro-processor cores, having all of the following: a.
Czech: Položka 3E002.c. nezahrnuje „technologii“ pro multimediální doplňky.
English: Using “technology” at or above 0,130 μm; and b.
Czech: Pozn.
English: Note 2: 3E002 includes “technology” for digital signal processors and digital array processors.
Czech: Položka 3E002 nezahrnuje „technologii“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“ mikroprocesorových jader, která má všechny tyto vlastnosti: a.
English: 003 Other “technology” for the “development” or “production” of the following:
Czech: využívá „technologii“ s rozlišením 0,130 μm nebo vyšším, a b.
English: b. Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices; Note:
Czech: 2: Položka 3E002 zahrnuje „technologii“ pro procesory digitálních signálů a procesory digitálních polí.
English: d. Substrates of films of diamond for electronic components. e. Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Czech: b. heterostrukturních polovodičových součástek, jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární tranzistory (HBT), součástky na bázi kvantových jam a supermřížek;
English: 101 “Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment or “software” specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
Czech: g. vakuových elektronek pracujících při frekvenci 31,8 GHz nebo vyšší.
English: CATEGORY 4 COMPUTERS Note 1:
Czech: „Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení uvedeného v položkách 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 až 3A233.
English: Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, “main storage” or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications). NB:
Czech: Počítače, jejich příslušenství a „software“ vykonávající telekomunikační funkce nebo funkce „místních sítí“ je též třeba hodnotit podle charakteristik výkonu vymezených v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
English: Computers, related equipment and “software” performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 (“Information Security”). 4A Systems, Equipment and Components 4A001 Electronic computers and related equipment, having any of the following and “electronic assemblies” and specially designed components therefor: NB: SEE ALSO 4A101. a. Specially designed to have any of the following:
Czech: Poznámka 3:
English: Radiation hardened to exceed any of the following specifications: a.
Czech: VIZ TÉŽ 4A101. a. speciálně konstruované tak, aby měly některou z těchto vlastností:
English: Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or c. Single Event Upset 1 × 10–8 Error/bit/day; Note:
Czech: celková dávka 5 × 103 Gy (křemík);
English: SEE ALSO 5A001.f. AND MILITARY GOODS CONTROLS.
Dutch: ZIE OOK 5A001 f) EN DE LIJST VAN MILITAIRE GOEDEREN.
Danish: JF. LIGELEDES 5A001.f OG KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL.
Swedish: SE ÄVEN AVSNITT 5A001.f OCH KONTROLLBESTÄMMELSERNA FÖR VAROR MED MILITÄR ANVÄNDNING.
Finnish: KATSO MYÖS 5A001.f KOHTA JA ASETARVIKELUETTELO.
Czech: VIZ TÉŽ 5A001.f. a SEZNAM VOJENSKÉHO MATERIÁLU.
Slovenian: GLEJ TUDI TOČKO 5A001(f) IN NADZOR VOJAŠKEGA BLAGA.
Romanian: A SE VEDEA, DE ASEMENEA, 5A001.f ȘI LISTA PRODUSELOR MILITARE.
English: N.B:.
French: N.B.
Spanish: N.B.:
Swedish: ANM.:
Finnish: Huom.
Greek: ΣΗΜ.:
Czech: POZN.:
Slovak: Dôležité upozornenie:
Slovenian: Napotilo:
Estonian: N.B!
Lithuanian: N.B.
English: b. Imaging cameras as follows: Note:
Finnish: b. Seuraavat kuvannuskamerat:
Czech: b. zobrazovací kamery:
English: b. does not control television or video cameras, specially designed for television broadcasting. 1. Video cameras incorporating solid state sensors, having a peak response in the wavelength range exceeding 10 nm, but not exceeding 30000 nm and having all of the following: a. Having any of the following: 1. More than 4 × 106“active pixels” per solid state array for monochrome (black and white) cameras;
Finnish: Huom.
Czech: Poznámka:
English: More than 4 × 106“active pixels” per solid state array for colour cameras incorporating three solid state arrays; or 3. More than 12 × 106“active pixels” for solid state array colour cameras incorporating one solid state array; and b. Having any of the following:
Finnish: b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi televisio- tai videokameroita, jotka on erityisesti suunniteltu televisiolähetyksiä varten.
Czech: Položka 6A003.b. nezahrnuje televizní kamery a videokamery speciálně konstruované pro televizní vysílání.
English: Optical mirrors specified in 6A004.a.; 2. Optical control equipment specified in 6A004.d.; or 3. The capability for annotating internally generated ‘camera tracking data’; Technical Note: 1. For the purpose of this entry, digital video cameras should be evaluated by the maximum number of “active pixels” used for capturing moving images. 2.
Finnish: Solid-state-antureita sisältävät videokamerat, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta ei yli 30000 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Czech: videokamery, které mají polovodičové snímače s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 10 nm, avšak nejvýše 30000, a mají všechny tyto vlastnosti:
English: For the purpose of this entry, ‘camera tracking data’ is the information necessary to define camera line of sight orientation with respect to the earth. This includes: 1) the horizontal angle the camera line of sight makes with respect to the earth’s magnetic field direction; and 2) the vertical angle between the camera line of sight and the earth’s horizon. 2. Scanning cameras and scanning camera systems, having all of the following:
Finnish: a. Jokin seuraavista ominaisuuksista:
Czech: a. mají některou z těchto vlastností: