FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: Junction Field Effect Transistors (JFETs)
French: les transistors à effet de champ à jonction (JFET),
Spanish: Transistores de efecto campo de unión (JFETs)
Italian: transistor a effetto di campo a giunzione (JFET),
Dutch: junctie-veldeffecttransistors (JFETs),
Danish: Junction felteffekttransistorer (JFET)
Swedish: JFE-transistorer (Junction Field Effect Transistors).
Finnish: Liitoskanavatransistorit (JFET)
Czech: tranzistory s přechodovým hradlem (JFET)
Slovak: tranzistory riadené poľom s priechodovým hradlom (JFET),
Hungarian: záróréteges térvezérlésű tranzisztorok (JFET),
Slovenian: spojne tranzistorje na poljski pojav (JFET)
Romanian: tranzistoare cu efect de câmp cu grilă-joncțiune (JFET);
Bulgarian: Полеви транзистори с p-n преход (JFET)
Estonian: p-n-siirdega väljatransistorid (JFET),
Latvian: savienojuma kanāltranzistori (JFETs),
Lithuanian: sandūriniai lauko tranzistoriai (JFET)
English: Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
French: les transistors à effet de champ à jonction verticale (VJFET),
Spanish: Transistores verticales de efecto campo de unión (VJFETs)
Italian: transistor verticali a effetto di campo a giunzione (VJFET),
Dutch: vertical junctie-veldeffecttransistors (VJFETs),
Danish: Lodrette junction felteffekttransistorer (VJFET)
Swedish: VJFE-transistorer (Vertical Junction Field Effect Transistors).
Finnish: Vertikaaliset liitoskanavatransistorit (VJFET)
Czech: vertikální tranzistory s přechodovým hradlem (VJFET)
Slovak: vertikálne plošné tranzistory riadené poľom s priechodovým hradlom (VJFET),
Hungarian: záróréteges térvezérlésű vertikális tranzisztorok (VJFET),
Slovenian: vertikalne spojne tranzistorje na poljski pojav (JFET)
Romanian: tranzistoare cu efect de câmp cu grilă-joncțiune verticale (VJFET);
Bulgarian: Вертикални полеви транзистори с p-n преход (VJFET)
Estonian: vertikaalsed p-n-siirdega väljatransistorid (VJFET),
Latvian: vertikālā tipa lauktranzistori (VJFETs),
Lithuanian: statieji sandūriniai lauko tranzistoriai (VJFET)
English: Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
French: les transistors à effet de champ à oxydes métalliques (MOSFET),
Spanish: Transistores de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (MOSFETs)
Italian: transistor a effetto di campo in tecnologia MOS (MOSFET),
Dutch: metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistors (MOSFETs),
Danish: Metaloxidfelteffekttransistorer (MOSFET)
Swedish: MOSFE-transistorer (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors).
Finnish: Metallioksidipuolijohdekanavatransistorit (MOSFET)
Czech: výkonové tranzistory typu MOSFET
Slovak: tranzistory riadené poľom so štruktúrou kov-oxid-polovodič (MOSFET),
Hungarian: fémoxid-félvezető térvezérlésű tranzisztorok (MOSFET),
Slovenian: kovinsko oksidne tranzistorje na poljski pojav (MOSFET)
Romanian: tranzistoare cu efect de câmp metal-oxid-semiconductor (MOSFET);
Bulgarian: Метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (MOSFET)
Estonian: metall-oksiid-pooljuht-väljatransistorid (MOSFET),
Latvian: metālu oksīdu pusvadītāju kanāltranzistori (MOSFETs),
Lithuanian: metalo-oksido-puslaidininkio lauko tranzistoriai (MOSFET)
English: Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
French: les transistors à double diffusion à effet de champ à oxydes métalliques (DMOSFET),
Spanish: Transistores de doble difusión de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (DMOSFETs)
Italian: transistor a effetto di campo in tecnologia MOS a diffusione doppia (DMOSFET),
Dutch: dubbel gediffundeerde metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistors (DMOSFETs),
Danish: Dobbeltdiffunderede metaloxidfelteffekttransistorer (DMOSFET)
Swedish: DMOSFE-transistorer (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors).
Finnish: Kaksoisdiffusoidut metallioksidipuolijohdekanavatransistorit (DMOSFET)
Czech: tranzistory řízené pólem s dvojitou difúzní strukturou kov-oxid-polovodič (DMOSFET)
Slovak: difundované tranzistory riadené poľom so štruktúrou kov-oxid-polovodič (DMOSFET),
Hungarian: kétszeresen diffundáltatott, fémoxid-félvezető térvezérlésű tranzisztorok (DMOSFET),
Slovenian: difuzne kovinsko oksidne tranzistorje na poljski pojav (DMOSFET)
Romanian: tranzistoare cu efect de câmp metal-oxid-semiconductor cu difuzie dublă (DMOSFET);
Bulgarian: Двойно дифузни метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (DMOSFET)
Estonian: topelt hajutusega metall-oksiid-pooljuht-väljatransistorid (DMOSFET),
Latvian: dubultais kliedētais metālu oksīdu pusvadītāju kanāltranzistors (DMOSFET),
Lithuanian: dvikartės difuzijos metalo-oksido-puslaidininkio tranzistoriai (DMOSFET)
English: Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
French: les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT),
Spanish: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBTs)
Italian: transistor bipolari a porta isolata (IGBT),
Dutch: bipolaire transistors met geïsoleerde poort (IGTBs),
Danish: Isolerede gate bipolære transistorer (IGBT)
Swedish: IGB-transistorer (Insulated Gate Bipolar Transistors).
Finnish: Eristettyhilaiset bipolaaritransistorit (IGBT)
Czech: bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT)
Slovak: bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom (IGBT),
Hungarian: szigetelt vezérlőelektródos bipoláris tranzisztorok (IGBT),
Slovenian: bipolarne tranzistorje z izoliranimi vrati (IGBT)
Romanian: tranzistoare bipolare cu grilă izolată (IGBT);
Bulgarian: Биполярен транзистор с изолиран гейт (IGBT)
Estonian: isoleeritud paisuga bipolaartransistorid (IGBT),
Latvian: izolēta slēdža bipolārais tranzistors (IGBT),
Lithuanian: dvipoliai tranzistoriai su izoliuota užtūra (IGBT)
English: High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
French: les transistors à haute mobilité électronique (HEMT),
Spanish: Transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs)
Italian: transistor ad elevata mobilità elettronica (HEMT),
Dutch: hoge-elektronenmobiliteittransistors (HEMTs),
Danish: Transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT)
Swedish: HEM-transistorer (High Electron Mobility Transistors).
Finnish: Korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT)
Czech: tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT)
Slovak: tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT),
Hungarian: nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorok (HEMT),
Slovenian: tranzistorje z visoko mobilnostjo elektronom (HEMT)
Romanian: tranzistoare cu mobilitate electronică mare (HEMT);
Bulgarian: Транзистори с висока мобилност на електроните (HEMT)
Estonian: elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT),
Latvian: augsta elektronu kustīguma tranzistori (HEMTs),
Lithuanian: didelio elektronų judrio tranzistoriai (HEMT)
English: Bipolar Junction Transistors (BJTs)
French: les transistors bipolaires à jonctions (BJT),
Spanish: Transistores de unión bipolar (BJTs)
Italian: transistor bipolari a giunzione (BJT),
Dutch: bipolaire junctietransistors (BJTs),
Danish: Bipolære junction transistorer (BJT)
Swedish: BJ-transistorer (Bipolar Junction Transistors).
Finnish: Bipolaariset liitostransistorit (BJT)
Czech: bipolární plošné tranzistory (BJT)
Slovak: bipolárne plošné tranzistory (BJT),
Hungarian: bipoláris tranzisztorok (BJT),
Slovenian: bipolarne spojne tranzistorje (BJT)
Romanian: tranzistoare bipolare cu joncțiune (BJT);
Bulgarian: Хетеродвуполюсни транзистори (BJT)
Estonian: bipolaartransistorid (BJT),
Latvian: bipolāri savienojuma tranzistori (BJTs),
Lithuanian: dvipoliai sandūriniai tranzistoriai (BJT)
English: Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
French: les thyristors ou redresseurs commandés au silicium (SCR),
Spanish: Tiristores y rectificadores de silicio controlados (SCRs)
Italian: tiristori e raddrizzatori controllati al silicio (SCR),
Dutch: thyristors en gestuurde halfgeleidergelijkrichters (SCRs),
Danish: Thyristorer og styrbare halvlederensrettere (SCR)
Swedish: Tyristorer och kiselstyrda likriktare (SRC).
Finnish: Tyristorit ja ohjatut piitasasuuntaajat (SCR)
Czech: tyristory a řízené křemíkové usměrňovače (SCR)
Slovak: tyristory a kremíkové usmerňovače (SCR),
Hungarian: tirisztorok és szilíciumvezérlésű egyenirányítók (SCR),
Slovenian: tiristorje in silicijeve usmernike (SCR);
Romanian: tiristoare și redresoare cu siliciu controlabile (SCR);
Bulgarian: Тиристори и силициево управлявани токоизправители (SCR)
Estonian: türistorid ja reguleeritavad ränialaldid (SCR),
Latvian: tiristori un silīcija regulētie taisngrieži (SCRs),
Lithuanian: tiristoriai ir valdomieji silicio lygintuvai (SCR)
English: Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
French: les thyristors blocables (GTO),
Spanish: Tiristores desactivables por puerta (GTOs)
Italian: tiristori a spegnimento forzato (GTO),
Dutch: uitschakelbare thyristors (GTOs),
Danish: Slukbare thyristorer (GTO)
Swedish: GTO-tyristorer (Gate Turn-off Thyristors).
Finnish: Hilalta sammutettavat tyristorit (GTO)
Czech: vypínací tyristory GTO
Slovak: tyristory vypínané hradlom (GTO),
Hungarian: vezérlőelektródával kikapcsolható tirisztorok (GTO),
Slovenian: tiristorje z izklopnim mehanizmom (GTO)
Romanian: tiristoare cu blocare pe poartă (GTO);
Bulgarian: Двуоперационни тиристори - Gate Turn-off Thyristors (GTO)
Estonian: suletavad türistorid (GTO),
Latvian: ar vadības elektrodu aizverami tiristori (GTOs),
Lithuanian: uždaromieji tiristoriai (GTO)
English: Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
French: les thyristors de puissance (ETO),
Spanish: Tiristores desactivables por emisor (ETOs)
Italian: tiristori a spegnimento attivato dall’emettitore (ETO),
Dutch: Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs),
Danish: Slukbare emitterthyristorer (ETO)
Swedish: ETO-tyristorer (Emitter Turn-off Thyristors).
Finnish: Emitteriltä sammutettavat tyristorit (ETO)
Czech: tyristory vypínané emitorem (ETO)
Slovak: tyristory vypínané emitorom (ETO),
Hungarian: emittorral kikapcsolható tirisztorok (ETO),
Slovenian: emitorje z izklopnim mehanizmom (ETO)
Romanian: tiristoare cu blocare pe emitor (ETO);
Bulgarian: Двуоперационни тиристори - Emitter Turn-off Thyristors (ETO)
Estonian: emitteriga suletavad türistorid (ETO),
Latvian: emitera aizveramie tiristori (ETOs),
Lithuanian: emiteriniai uždaromieji tiristoriai (ETO)
English: PiN Diodes
French: les diodes PiN,
Spanish: Diodos PiN
Italian: diodi PIN,
Dutch: PiN-diodes,
Danish: PiN-dioder
Swedish: PiN-dioder.
Finnish: Pin-diodit
Czech: diody PIN
Slovak: PiN diódy,
Hungarian: PiN-diódák,
Slovenian: diode PIN
Romanian: diode PiN;
Bulgarian: PiN диоди
Estonian: PiN-dioodid,
Latvian: PiN diodes,
Lithuanian: pn diodai
English: Schottky Diodes
French: les diodes Schottky.
Spanish: Diodos Schottky.
Italian: diodi Schottky.
Dutch: schottkydiodes.
Danish: Schottky-dioder
Swedish: Schottkydioder.
Finnish: Schottky-diodit.
Czech: Schottkyho diody
Slovak: Schottkyho diódy.
Hungarian: schottky-diódák.
Slovenian: Schottky diode
Romanian: diode Schottky;
Bulgarian: Диоди на Шотки
Estonian: Schottky dioodid.
Latvian: Šotkija diodes.
Lithuanian: Šotkio diodai
English: For the purposes of 3A001.h., ‘modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
French: Aux fins de l’alinéa 3A001.h, les ‘modules’ contiennent un ou plusieurs commutateurs ou diodes d’alimentation à semi-conducteurs.
Spanish: A efectos del subartículo 3A001.h, un ‘módulo’ contiene uno o más conmutadores o diodos de semiconductores de potencia de estado sólido.
Italian: Ai fini del 3A001.h i ‘moduli’ contengono uno o più commutatori o diodi a semiconduttore a energia allo stato solido.
Dutch: Voor de toepassing van 3A001 h) bevatten ‚modules’ één of meer vermogenshalfgeleiderschakelaars of vermogendiodes.
Danish: I 3A001.h. indeholder 'moduler' en eller flere faststofhalvlederkoblinger eller -dioder.
Swedish: En ’modul’ i avsnitt 3A001.h innehåller en eller flera effektomriktande halvledare eller dioder.
Finnish: h kohdassa mainitut ’moduulit’ käsittävät yhden tai useita solid-state-puolijohdevirtakytkimiä tai -diodeja.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου Α001.η., οι ‘μονάδες’ περιέχουν έναν ή περισσότερους διακόπτες ή διόδους ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης.
Czech: Pro účely položky 3A001.h. obsahují „moduly“ jeden nebo více polovodičových výkonových spínačů či diod regulaci výkonu.
Slovak: Na účely 3A001.h) ‚moduly‘ obsahujú jeden alebo viac tuhofázových polovodičových prepínačov alebo diód.
Hungarian: A 3A001.h. pont alkalmazásában a ’modulok’ magukban foglalnak egy vagy több, szilárdtestalapú teljesítményelektronikai félvezető kapcsolót vagy diódát.
Slovenian: Za namene točke 3A001(h) ‚moduli‘ vsebujejo en ali več močnostnih polprevodniških stikalnih elementov ali diod.
Romanian: În sensul 3A001.h, ‘modulele’ conțin unul/una sau mai multe comutatoare sau diode semiconductoare de tip solid-state.
Bulgarian: За целите на 3А001.h. „модули“ съдържат един или повече твърдотелни полупроводникови прекъсвачи или диоди.
Estonian: Punkti 3A001.h mõistes hõlmab ‘moodul’ ühte või mitut tahkisjõu pooljuhtlülitit või dioodi.
Latvian: h. pozīcijas nozīmē ‘moduļos’ ir viens vai vairāki cietvielu jaudas pusvadītāju slēdži vai diodes.
Lithuanian: Taikant 3A001.h, ‚moduliuose‘ įdiegti vienas ar keli kietųjų puslaidininkinių galios įtaisų jungikliai ar diodai.
Maltese: Għall-finijiet ta’ 3A001.h., ‘moduli’ jkun fihom swiċċ jew dajowd semikonduttur fl-istat solidu wieħed jew aktar.
English: General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:
French: Équipements électroniques à usage général et leurs accessoires, comme suit:
Spanish: Equipos electrónicos de uso general y accesorios para ellos, según se indica:
Italian: Apparecchiature elettroniche di uso generale e relativi accessori:
Dutch: Universele elektronische apparatuur en onderdelen daarvoor, als hieronder:
Danish: Følgende elektronisk udstyr til generel anvendelse og tilbehør hertil:
Swedish: Elektronisk utrustning med allmän användning och tillbehör till sådan utrustning, enligt följande:
Finnish: Yleiskäyttöiset elektroniset laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut tarvikkeet:
Greek: Ηλεκτρονικός εξοπλισμός γενικής χρήσεως και εξαρτήματα γι’ αυτόν, ως εξής:
Czech: Univerzální elektronická zařízení a jejich příslušenství:
Slovak: Univerzálne elektronické zariadenia a ich príslušenstvo:
Hungarian: Általános célú elektronikus berendezések és azok alkatrészei, az alábbiak szerint:
Slovenian: Elektronska oprema za splošno rabo in pribor zanjo:
Romanian: Echipamente electronice de uz general și accesorii ale acestora, după cum urmează:
Bulgarian: Електронно оборудване с общо предназначение и аксесоари за него, както следва:
Estonian: Järgmised üldotstarbelised elektroonilised seadmed ja nende lisaseadmed:
Latvian: Vispārēja lietojuma elektroniskas iekārtas un to piederumi:
Lithuanian: Bendrosios paskirties elektroninė įranga ir pagalbiniai reikmenys, išvardyti toliau:
Maltese: Tagħmir elettroniku għal skop ġenerali u aċċessorji għalih, kif ġej:
English: a. Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
French: a. matériels d’enregistrement, comme suit, et leurs bandes étalons spécialement conçues:
Spanish: a. Equipos de grabación según se indica y las cintas magnéticas de prueba diseñadas especialmente para ellos:
Italian: a. apparecchiature di registrazione come segue e loro nastri di collaudo appositamente progettati:
Dutch: opnameapparatuur, als hieronder, en speciaal daarvoor ontworpen testband:
Danish: a. Følgende optageudstyr samt specielt udviklet prøvebånd hertil:
Swedish: Följande inspelningsutrustning samt till dessa utrustningar speciellt konstruerade testband:
Finnish: a. Seuraavat nauhoituslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut testinauhat:
Greek: α. Εξοπλισμός καταγραφής ως εξής και ειδικά σχεδιασμένες μαγνητικές ταινίες δοκιμής γι’ αυτόν:
Czech: a. záznamová zařízení a pro ně speciálně konstruované zkušební pásky:
Slovak: Zapisovacie (záznamové) zariadenia s osobitne navrhnutou skúšobnou páskou:
Hungarian: a. Rögzítőberendezések és a kifejezetten ezekhez tervezett vizsgálószalag, az alábbiak szerint:
Slovenian: oprema za snemanje in posebej zanjo izdelani preskušalni trakovi:
Romanian: echipamente de înregistrare și benzi de testare special concepute pentru acestea, după cum urmează:
Bulgarian: a. Записващо оборудване, както следва и специално проектирана тестова магнитна лента за него:
Estonian: a. järgmised lindistusseadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud testlindid:
Latvian: a. šādas signālu ierakstu iekārtas un tām speciāli paredzētas testēšanas ierakstu lentes:
Lithuanian: a. Įrašymo įranga, išvardyta toliau, ir specialiai jai suprojektuotos bandomosios juostos:
Maltese: a. Tagħmir tar-reġistrazzjoni kif ġej u tejp ta’ ttestjar iddisinjat apposta għalih:
English: a. A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
French: a. bande passante supérieure à 4 MHz par canal ou piste électronique;
Spanish: a. Ancho de banda superior a 4 MHz por canal o pista electrónicos;
Italian: a. banda passante superiore a 4 MHz per canale elettronico o pista;
Dutch: een bandbreedte per elektronisch kanaal of spoor groter dan 4 MHz;
Danish: a. Båndbredde over 4 MHz pr. elektronisk kanal eller spor
Swedish: En bandbredd som överstiger 4 MHz per elektronisk kanal eller spår,
Finnish: a. Kaistanleveys ylittää 4 MHz kullakin elektronisella kanavalla tai nauhan raidalla;
Greek: α. Εύρος ζώνης άνω των 4 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη (track).
Czech: a. šířka pásma větší než 4 MHz na jeden elektronický kanál nebo stopu;
Slovak: šírka pásma viac ako 4 MHz na jeden elektronický kanál alebo stopu;
Hungarian: a. A sávszélesség elektronikus csatornánként vagy sávonként meghaladja a 4 MHz-et;
Slovenian: pasovna širina večja kot 4 MHz na elektronski kanal ali sled;
Romanian: o lățime de bandă care depășește 4 MHz pe canal sau pistă electronică;
Bulgarian: a. Широчина на честотната лента над 4 MHz на електронен канал или писта;
Estonian: a. ribalaius üle 4 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta;
Latvian: a. frekvenču joslas platums ir lielāks par 4 MHz katrā elektroniskajā kanālā vai celiņā;
Lithuanian: a. juostos plotį, viršijantį 4 MHz vienam elektroniniam kanalui ar takeliui;
Maltese: a. Faxxa tal-frekwenza ta’ aktar minn 4 MHz għal kull kanal elettroniku jew pista;
English: b. A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
French: b. bande passante supérieure à 2 MHz par canal ou piste électronique et comportant plus de 42 pistes; ou
Spanish: b. Ancho de banda superior a 2 MHz por canal o pista electrónicos y que tengan más de 42 pistas, o
Italian: b. banda passante superiore a 2 MHz per canale elettronico o pista ed aventi più di 42 piste; o
Dutch: een bandbreedte per elektronisch kanaal of spoor groter dan 2 MHz en met meer dan 42 sporen, of
Danish: b. Båndbredde over 2 MHz pr. elektronisk kanal eller spor og med mere end 42 spor eller
Swedish: en bandbredd som överstiger 2 MHz per elektronisk kanal eller spår om utrustningen har mer än 42 spår, eller
Finnish: b. Kaistanleveys ylittää 2 MHz kullakin elektronisella kanavalla tai nauhan raidalla ja raitojen määrä ylittää 42; tai
Greek: β. Εύρος ζώνης άνω των 2 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη και τα οποία έχουν πάνω από 42 ζώνες, ή
Czech: b. šířka pásma větší než 2 MHz na jeden elektronický kanál nebo stopu a počet stop větší než 42 stop, nebo
Slovak: šírka pásma viac ako 2 MHz na jeden elektronický kanál alebo stopu s viac ako 42 stopami alebo
Hungarian: b. A sávszélesség elektronikus csatornánként vagy sávonként meghaladja a 2 MHz-et, és több mint 42 sáv van; vagy
Slovenian: pasovna širina večja kot 2 MHz na elektronski kanal ali sled in ima več kot 42 kanalov ali
Romanian: o lățime de bandă care depășește 2 MHz pe canal sau pistă electronică și mai mult de 42 de piste; sau
Bulgarian: b. Широчина на честотната лента над 2 MHz на електронен канал или писта и наличие на над 42 писти; или
Estonian: b. ribalaius üle 2 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta, omades enam kui 42 salvestusrada, või
Latvian: b. frekvenču joslas platums ir lielāks par 2 MHz katrā elektroniskajā kanālā vai celiņā, un celiņu skaits ir lielāks par 42; vai
Lithuanian: b. juostos plotį, viršijantį 2 MHz vienam elektroniniam kanalui ar takeliui, ir turintys daugiau kaip 42 takelius; arba
Maltese: b. Faxxa tal-frekwenza ta’ aktar minn 2 MHz għal kull kanal elettroniku jew pista u li għandha aktar minn 42 pista; jew
English: c. A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ± 0,1 μs;
French: c. erreur (de base) de décalage de temps, mesurée conformément aux documents IRIG ou EIA pertinents, inférieure à ± 0,1 μs;
Spanish: c. Error (de base) de desplazamiento de tiempo, medido de acuerdo con los documentos IRIG (Inter Range Instrumentation Group) o EIA (Electronic Industries Association) pertinentes, inferior a ± 0,1 microsegundo;
Italian: c. errore (di base) di spostamento del tempo, misurato in conformità ai documenti IRIG o EIA pertinenti, inferiore a ± 0,1 μs;
Dutch: met een tijdverschuivingsfout van minder dan ± 0,1 μs gemeten in overeenstemming met de van toepassing zijnde IRIG- (Inter Range Instrumentation Group) of EIA- (Electronic Industries Association) documenten;
Danish: c. Tidsforskydnings(basis)-fejl, målt iflg. de relevante IRIG- eller EIA-dokumenter, på mindre end ± 0,1 μs
Swedish: ett tidsförskjutnings(bas)-fel, mätt enligt tillämpliga IRIG- eller EIA-dokument, som är mindre än ± 0,1 μs.
Finnish: c. Soveltuvan IRIG:n (International Range Instrumentation Group) tai EIA:n (Electronic Industries Association) suosituksen mukaisesti mitattu aika(taso)siirtymävirhe on alle ±0,1 mikrosekuntia;
Greek: γ. Χρονικό σφάλμα βάσης χρόνου (time displacement error) το οποίο μετριέται σύμφωνα με τα ισχύοντα έγγραφα κανονισμών IRIG (Inter Range Instrumentation Group) ή ΕΙΑ (Electronic Industries Association), το οποίο είναι μικρότερο από ± 0,1 μs.
Czech: c. chyba (základní) časového posunu, měřená v souladu s příslušnými dokumenty IRIG nebo EIA, menší než ± 0,1 μs;
Slovak: chyba časového posunu (základná chyba) meraná v súlade s príslušnými dokumentmi IRIG alebo EIA menej ako ± 0,1 μs.
Hungarian: c. Az időeltérés (alap) hibája – a vonatkozó IRIG- vagy EIA-dokumentumok szerint mérve kevesebb mint ± 0,1 μs;
Slovenian: (bazna) napaka časovnega zamika, merjena po ustreznih postopkih Skupine IRIG (Inter Range Instrumentation Group) ali Združenja EIA (Electronic Industry Association), ki je manjša od ± 0,1 μs;
Romanian: o eroare de decalare a timpului (baza de timp), măsurată conform documentelor aplicabile IRIG sau EIA, mai mică de ± 0,1 μs;
Bulgarian: c. Грешка на отместване във времето (основата), измерена в съответствие с приложимите документи на МГИС/IRIG или АЕП/EIA, по-малка от ± 0,1 μѕ;
Estonian: c. ajaline nihe (viga) ajabaasi suhtes (base error), mis on mõõdetud vastavalt salvestusmeetodite normeerimise komisjoni (IRIG) või Elektroonikatööstuste Ühenduse (EIA) nõuetele, on alla ± 0,1 μs;
Latvian: c. laika nobīdes (bāzes) kļūda, kas mērīta saskaņā ar IRIG vai EIA normatīvajiem dokumentiem, ir mazāka par ± 0,1 μs;
Lithuanian: c. pagrindinę laikinio poslinkio paklaidą, išmatuotą pagal taikomus IRIG arba EIA dokumentus, mažesnę kaip ± 0,1 μs.
Maltese: c. Żball (bażi) ta’ spostament tal-ħin, imkejjel skont id-dokumenti applikabbli IRIG jew EIA, ta’ anqas minn ± 0,1 μs;