English: “III/V compound” semiconductor (e.g. GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum “radiant sensitivity” exceeding 15 mA/W;
French: des photocathodes semi-conducteurs “composés III-V” (par exemple, GaAs ou GaInAs) et photocathodes à électrons transférés ayant une “sensibilité d’énergie radiante” maximale supérieure à 15 mA/W;
Spanish: Fotocátodos semiconductores (por ejemplo, GaAs o GaInAs) "compuestos III/-V" y fotocátodos de transferencia de electrones que tengan una "sensibilidad radiante" máxima superior a 15 mA/W;
Italian: fotocatodi semiconduttori “composti appartenenti alle classi III/V” (ad esempio GaAs o GaInAs) e fotocatodi a trasferimento di elettroni aventi “sensibilità radiante” massima superiore a 15 mA/W;
Dutch: „op III-V-verbindingen gebaseerde” halfgeleiderfotokathoden (bv. GaAs of GaInAs) en fotokathoden op basis van elektronenoverdracht, met een maximale „stralingsgevoeligheid” van meer dan 15 mA/W;
Danish: »III-/V-forbindelse« sammensatte halvlederfotokatoder (f.eks. GaAs eller GaInAs) og overførte elektronfotokatoder med en »strålingsfølsomhed« på over 15 mA/W.
Swedish: Fotoceller av halvledartyp bestående av ”III/-V-föreningar” (t.ex. GaAs eller GaInAs) och överförda elektronfotoceller med en maximal ”strålningskänslighet” som överstiger 15 mA/W.
Finnish: ”III/V-yhdiste” puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit, joiden maksimi ”säteilynherkkyys” on enemmän kuin 15 mA/W;
Greek: Φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών «III-V» (π.χ. GaAs ή GaInAs) και φωτοκάθοδοι μεταφερόμενων ηλεκτρονίων με μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» άνω των 15 mΑ/W·
Czech: fotokatody ze „sloučenin skupin polovodičů III/V“ (například GaAs nebo GaInAs) a fotokatody na základě převedených elektronů s maximální „radiantovou citlivostí“ více než 15 mA/W;
Slovak: polovodičové fotokatódy zo „zlúčenín III/V“ (napr. GaAs alebo GaInAs) a fotokatódy s prenesenými elektrónmi s maximálnou „citlivosťou na žiarenie“ prevyšujúcou 15 mA/W;
Hungarian: „III/V összetett” félvezető (pl. GaAs vagy GaInAs) fotokatódok és kilökött elektron fotokatódok 15 mA/W-t meghaladó maximális „sugárérzékenységgel”.
Slovenian: „III/V-spojinske“ polprevodniške katode (npr. GaAs ali GaInAs) in fotokatode s prenesenimi elektroni (transferred electron photocathodes) z največjo „sevalno občutljivostjo“ več kot 15 mA/W;
Romanian: fotocatozi realizați din materiale semiconductoare [de exemplu, cu arsenură de galiu (GaAs) sau cu arsenură de galiu-indiu (GaInAs)] „din grupele III/V” și fotocatozi cu electroni transferați, cu o „sensibilitate radiantă” care depășește 15 mA/W;
Bulgarian: Фотокатоди от полупроводници от „съединения на елементи от III/V група на периодичната таблица“ (напр. GaAs или GaInAs) и фотокатоди с трансфер на електрони с максимална „чувствителност на излъчване“, надвишаваща 15 mA/W.
Estonian: „III/V ühenditest” pooljuhtfotokatoodid (nt GaAs või GaInAs) ja elektronülekande fotokatoodid maksimaalse „kiirgustundlikkusega” üle 15 mA/W;
Latvian: “III/V grupas elementu savienojumu” pusvadītāju (piem., GaAs vai GaInAs) fotokatodi un elektronu pārnesuma fotokatodi ar maksimālo “izstarojuma jutību”, kas pārsniedz 15 mA/W;
Lithuanian: puslaidininkiniai „III/V junginių“ (pvz., GaAs arba GaInAs) fotokatodai ir elektronų pernašos fotokatodai, kurių didžiausias „jautrumas švitinimui“ yra didesnis nei 15 mA/W;
Maltese: Fotokatodi semikondutturi (eż., GaAs jew GaInAs) ta’ “kompost III/-V” u fotokatodi elettroniċi trasferiti b’ “sensittività radjanti” massima ta’ aktar minn 15 mA/W;