FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: Multialkali photocathodes (e.g., S-20 and S-25) having a luminous sensitivity exceeding 350 µA/lm;
French: photocathodes multialcalines (par exemple S-20 et S-25) ayant une sensibilité lumineuse excédant 350 μA/lm;
German: multialkalische Fotokathode (z.B. S-20 und S-25) mit einer Lichtempfindlichkeit (luminous sensitivity) von mehr als 350 µA/lm,
Spanish: Fotocátodos multialcalinos (por ejemplo S-20 y S-25), que tengan una fotosensibilidad superior a 350 μA/lm;
Italian: fotocatodi multialcalini (per es. S-20 e S-25) aventi sensibilità luminosa superiore a 350 μA/lm;
Dutch: een multi-alkalifotokathode (bv. S-20 en S-25) met een lichtgevoeligheid van meer dan 350 µA/lm; of
Danish: Multialkali fotokatoder (f.eks. S-20 og S-25), med en lysfølsomhed på over 350 µA/lm;
Swedish: Multialkaliska fotoceller (t.ex. S-20 och S-25) med en ljuskänslighet som överstiger 350 µA/lm.
Finnish: Monialkaalivalokatodit (esim. S-20 ja S-25), joiden valoherkkyys ylittää 350 µA/lm;
Greek: Φωτοκάθοδοι πολυαλκαλίων (π.χ., S-20 και S-25) με φωτεινή ευαισθησία άνω των 350 μΑ/lm,
Czech: vícenásobné alkalické fotokatody (např. S-20, S-25) se světelnou citlivostí vyšší než 350 µA/1m
Slovak: multialkalické fotokatódy (napr. S-20 a S-25) so svetelnou citlivosťou viac ako 350 µA/1m;
Polish: Fotokatody alkaliczne wielopierwiastkowe (np. S–20 i S–25) o czułości świetlnej przekraczającej 350 µA/lm;
Hungarian: Multialkáli fotokatódok (pl. S-20 és S-25) 350 μA/lm-t meghaladó fényérzékenységgel;
Slovenian: multialkalne fotokatode (npr. S-20 in S-25) s svetlobno občutljivostjo več kot 350 µA/lm;
Romanian: Fotocatozi multialcalini (de exemplu, S-20 și S-25) cu o sensibilitate luminoasă ce depășește 350 µA/lm;
Bulgarian: Многоалкални фотокатоди (напр. S-20 и S-25) със светлочувствителност над 350 µA/lm;
Estonian: multileelisfotokatoodid (nt S-20 ja S-25) valgustundlikkusega üle 350 µA/lm;
Latvian: multibāzu fotokatodi (piem., S-20 un S-25) ar gaismas jutību, kas lielāka par 350 mikroA/lm,
Lithuanian: daugiašarmių fotokatodų (pvz., S-20, S-25), kurių šviesinis jautris viršija 350 µA/lm;
Maltese: Fotokatodi multialkalini (eż., S-20 u S-25) b'sensittività għad-dawl ta' aktar minn 350 μA/lm;
English: GaAs or GaInAs photocathodes; or
French: photocathodes à l'arséniure de gallium (GaAs) ou à l'arséniure de gallium-indium (GaInAs); ou
German: GaAs- oder GaInAs-Fotokathode oder
Spanish: Fotocátodos de GaAs o de GaInAs; o
Italian: fotocatodi di arseniuro di gallio (GaAs) o di arseniuro di gallio-indio (GaInAs) o
Dutch: een GaAs- of GaInAs-fotokathode; of
Danish: GaAs eller GaInAs fotokatoder; eller
Swedish: GaAs- eller GaInAs-fotoceller.
Finnish: GaAs- tai GaInAs-valokatodit; tai
Greek: Φωτοκάθοδοι GaAs ή GaInAs, ή
Czech: fotokatody GaAs nebo GaInAs; nebo
Slovak: fotokatódy GaAs alebo GaInAs; alebo
Polish: Fotokatody GaAs lub GaInAs; lub
Hungarian: GaAs vagy GaInAs fotokatódok; vagy
Slovenian: fotokatode GaAs ali GaInAs ali
Romanian: Fotocatozi GaAs sau GaInAs sau
Bulgarian: Фотокатоди от GaAs или GaInAs; или
Estonian: GaAs- või GaInAs-fotokatoodid või
Latvian: GaAs vai GaInAs fotokatodi; vai
Lithuanian: GaAs arba GaInAs fotokatodų; arba
Maltese: Fotokatodi GaAs jew GaInAs; jew
English: Other "III/V compound" semiconductor photocathodes having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;
French: autres photocathodes semi-conducteurs "composés III-V" ayant une sensibilité d'énergie radiante maximale supérieure à 10 mA/W;
German: andere "III/V-Verbindungshalbleiter"-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W;
Spanish: Otros fotocátodos semiconductores "compuestos III/-V" que tengan una sensibilidad máxima de radiación superior a 10 mA/W;
Italian: altri fotocatodi semiconduttori "composti appartenenti alle classi III/-V" aventi sensibilità radiante massima superiore a 10 mA/W;
Dutch: andere "op III-V-verbindingen gebaseerde" halfgeleiderfotokathoden met een maximale stralingsgevoeligheid van meer dan 10 mA/W.
Danish: Andre "III-/V-forbindelse" halvlederfotokatoder, med en strålingsfølsomhed på over 10 mA/W.
Swedish: Andra fotoceller av halvledartyp bestående av "III/-V-föreningar" med en maximal strålningskänslighet som överstiger 10mA/W.
Finnish: Muut "III/V" yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit, joiden maksimi säteilynherkkyys on enemmän kuin 10 mA/W;
Greek: Άλλες φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών «III-V» με μέγιστη ευαισθησία ακτινοβολίας άνω των 10 mΑ/W·
Czech: fotokatody z jiných „sloučenin skupin polovodičů III/V“ s maximální radiantovou citlivostí více než 10 mA/W.
Slovak: iné polovodičové fotokatódy zo „zlúčenín III/V“ s maximálnou citlivosťou na žiarenie prevyšujúcou 10 mA/W;
Polish: Inne fotokatody półprzewodnikowe oparte na „związkach III/V” o maksymalnej czułości promieniowania powyżej 10 mA/W.
Hungarian: Egyéb III/V összetett félvezető fotokatódok 10 mA/W–t meghaladó maximális érzékenységgel;
Slovenian: druge sestavljene polprevodniške fotokatode skupin III/V z največjo sevalno občutljivostjo več kot 10 mA/W;
Romanian: Alți fotocatozi realizați din materiale semiconductoare „din grupele III/V”, cu o sensibilitate radiantă maximă de peste 10 mA/W;
Bulgarian: Други фотокатоди от полупроводници от „съединения на елементи от III/V група на периодичната таблица“ с максимална чувствителност на излъчване, надвишаваща 10 mA/W;
Estonian: muud „III/–V ühenditest” pooljuhtfotokatoodid maksimaalse kiirgustundlikkusega üle 10 mA/W.
Latvian: citi "III/V grupas elementu savienojumu" pusvadītāju fotokatodi ar maksimālo izstarojuma jutību, kas pārsniedz 10 mA/W;
Lithuanian: kitų puslaidininkinių „III/V junginių“ fotokatodų, kurių didžiausias šviesinis energinis jautris viršija 10 mA/W;
Maltese: Fotokatodi semikondutturi oħrajn ta' "kompost III/-V" b'sensittività radjanti massima ta' aktar minn 10 mA/W;
English: A peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1800 nm;
French: réponse de crête dans la gamme de longueurs d'onde dépassant 1050 nm mais ne dépassant pas 1800 nm;
German: Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1050 nm und kleiner/gleich 1800 nm,
Spanish: Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 1050 nm pero no superiores a 1800 nm;
Italian: risposta di picco nella gamma di lunghezze d'onda superiori a 1050 nm ma non superiori a 1800 nm;
Portuguese: Pico de resposta na banda de comprimentos de onda superiores a 1050 nm, mas não superiores a 1800 nm;
Dutch: een grootste gevoeligheid bij een golflengte van meer dan 1050 nm doch niet meer dan 1800 nm;
Danish: Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1050 nm, men ikke over 1800 nm
Swedish: En maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 1050 nm men inte 1800 nm.
Finnish: Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1050 nm mutta ei yli 1800 nm;
Greek: Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 1050 nm και μέχρι 1800 nm,
Czech: . maximální citlivost v rozmezí vlnových délek nad 1050 nm, avšak nejvýše 1800 nm;
Slovak: špičková odozva v rozsahu vlnovej dĺžky viac ako 1050 nm, ale nie viac ako 1800 nm;
Polish: Reakcja szczytowa w zakresie długości fal powyżej 1050 nm, ale poniżej 1800 nm;
Hungarian: a legnagyobb válaszjel az 1050 nm-t meghaladó, de az 1800 nm-t nem meghaladó hullámhossz-tartományba esik;
Slovenian: maksimalno odzivnost pri valovnih dolžinah več kot 1050 nm, vendar največ 1800 nm;
Romanian: Un răspuns de vârf în gama de lungimi de undă ce depășesc 1050 nm, dar nu depășesc 1800 nm;
Bulgarian: Максимална чувствителност във вълновия диапазон над 1050 nm, но не надхвърлящ 1800 nm;
Estonian: tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 1050 nm, kuid mitte üle 1800 nm;
Latvian: maksimālā jutība viļņu garumā, kas pārsniedz 1050 nm, bet nepārsniedz 1800 nm;
Lithuanian: didžiausias fotoatsakas atitinka bangų ilgių sritį, viršijančią 1050 nm, bet neviršijančią 1800 nm;
Maltese: L-ogħla risposta fil-medda tat-tul tal-mewġ li taqbeż l-1050 nm iżda mhux iktar minn 1800 nm;
English: Specially designed components as follows:
French: composants spécialement conçus, comme suit:
German: besonders konstruierte Bauteile wie folgt:
Spanish: Componentes diseñados especialmente, según se indica:
Italian: componenti appositamente progettati, come segue:
Portuguese: Componentes especialmente concebidos, como se segue:
Dutch: speciaal ontworpen onderdelen, als hieronder:
Danish: Specielt konstruerede komponenter som følger:
Swedish: Speciellt konstruerade komponenter enligt följande:
Finnish: Seuraavat erityisesti suunnitellut komponentit:
Greek: Ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη, ως εξής:
Czech: speciálně konstruované součásti:
Slovak: osobitne navrhnuté súčasti:
Polish: Następujące specjalnie opracowane elementy:
Hungarian: Speciális tervezésű alkatrészek, az alábbiak szerint:
Slovenian: posebej izdelane komponente:
Romanian: Componente special concepute, după cum urmează:
Bulgarian: Специално проектирани компоненти, както следва:
Estonian: järgmised spetsiaalselt kavandatud komponendid:
Latvian: speciāli konstruētas komponentes, tas ir:
Lithuanian: specialiai suprojektuoti komponentai, išvardyti toliau:
Maltese: Komponenti ddisinjati apposta kif ġej:
English: Microchannel plates having a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 µm or less;
French: plaques à microcanaux présentant un espacement des trous (espacement centre à centre) de 12 μm ou moins;
German: Mikrokanalplatten mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte) kleiner/gleich 12 µm,
Spanish: Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferior a 12 micras;
Italian: placche a microcanali aventi una spaziatura dei fori (da centro a centro) uguale o inferiore a 12 μm;
Portuguese: Placas de microcanais com espaçamento dos furos (distância entre centros) igual ou inferior a 12 μm;
Dutch: microkanaalplaten met een afstand tussen de gaten (hart op hart gemeten) van 12 µm of minder;
Danish: Mikrokanalplader med en hulafstand (center-til-center) på højst 12 µm;
Swedish: Mikrokanalplattor med en håldelning (avstånd från ett håls mittpunkt till närmaste håls mittpunkt) på högst 12 μm.
Finnish: Mikrokanavalevyt, joiden reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 µm tai vähemmän;
Greek: Πλάκες μικροδιαύλων με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο,
Czech: mikrokanálové desky s roztečí otvorů (od středu ke středu) nejvýše 12 µm;
Slovak: mikrokanálikové doštičky s rozstupom otvorov (vzdialenosť medzi stredmi) najviac 12 µm,
Polish: Elektrody mikrokanalikowe do wzmacniania obrazów z otworkami w odstępach (odległość pomiędzy środkami otworków) poniżej 12 mikrometrów;
Hungarian: Az elektron-képerősítés céljából 12 μm-nél kisebb osztástávolságú (központtól központig) mikrocsatorna-lemezek; és
Slovenian: mikrokanalne plošče z razmikom odprtin (razmikom med središči) 12 µm ali manj;
Romanian: Plăci microcanal cu pasul rețelei (distanța între centre) de 12 µm sau mai mic;
Bulgarian: Микроканални платки за електронно усилване на образи, със стъпка между отворите (разстояние от център до център) от 12 µm или по-малко;
Estonian: mikrokanaliplaadid, mille maskisamm (tsentritevaheline kaugus) on 12 µm või vähem;
Latvian: mikrokanālu plates ar perforācijas soli (atstatums no centra līdz centram) 12 µm vai mazāk;
Lithuanian: mikrokanalinės plokštelės, kurių skylučių tarpas (atstumas tarp jų centrų) yra ne daugiau nei 12 μm;
Maltese: Plakka mikrokanali bl-ispazjar tat-toqob (minn ċentru sa ċentru) ta' 12 µm jew inqas;
English: "III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
French: des photocathodes semi-conducteurs "composés III-V" (par ex., GaAs ou GaInAs) et photocathodes à électrons transférés;
German: Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter" (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron fotocathodes);
Spanish: Fotocátodos semiconductores (por ejemplo GaAs o GaInAs) "compuestos III/-V" y fotocátodos de transferencia de electrones;
Italian: fotocatodi semiconduttori "composti appartenenti alle classi III/-V" (per es. GaAs o GaInAs) e fotocatodi a trasferimento di elettroni;
Portuguese: Fotocátodos semicondutores (p. ex. GaAs ou GaInAs) "compostos III/V" e fotocátodos de transferência de electrões;
Dutch: "op III-V-verbindingen gebaseerde" halfgeleiderfotokathoden (bijv., GaAs of GaInAs) en fotokathoden op basis van elektronenoverdracht;
Danish: "III-/V-forbindelse" sammensatte halvlederfotokatoder (f.eks. GaAs eller GaInAs) og overførte elektronfotokatoder.
Swedish: Fotoceller av halvledartyp bestående av "III/-V-föreningar" (t.ex. GaAs eller GaInAs) och överförda elektronfotoceller.
Finnish: "III/V-yhdiste" puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit;
Greek: Φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών «III-V» (π.χ. GaAs ή GaInAs) και φωτοκάθοδοι μεταφερόμενων ηλεκτρονίων,
Czech: fotokatody ze „sloučenin skupin polovodičů III/V“ (například GaAs nebo GaInAs) a fotokatody na základě převedených elektronů;
Slovak: polovodičové fotokatódy zo „zlúčenín III/V“ (napr. GaAs alebo GaInAs) a fotokatódy s prenesenými elektrónmi;
Polish: Fotokatody półprzewodnikowe (np. GaAs lub GaInAs) oparte na „związkach III/V” oraz fotokatody o elektronach przeniesionych.
Hungarian: III/V összetett félvezető (pl. GaAs vagy GaInAs) fotokatódok és kilökött elektron fotokatódok;
Slovenian: heteroatomne polprevodniške fotokatode "skupin III/V" (npr. GaAs ali GaInAs) in fotokatode s prenesenimi elektroni (transferred electron photocathodes);
Romanian: Fotocatozi realizați din materiale semiconductoare [de exemplu, cu arsenură de galiu (GaAs) sau cu arsenură de galiu-indiu (GaInAs)] „compus cu elemente din grupele III/V” și fotocatozi cu electroni transferați;
Bulgarian: Фотокатоди от полупроводници от „съединения на елементи от III/V група на периодичната таблица“ (напр. GaAs или GaInAs) и фотокатоди с трансфер на електрони.
Estonian: „III/–V ühenditest” pooljuhtfotokatoodid (nt GaAs või GaInAs) ja elektronülekande fotokatoodid;
Latvian: "III/V grupas elementu savienojumu" pusvadītāju (piem., GaAs vai GaInAs) fotokatodi un elektronu pārnesuma fotokatodi;
Lithuanian: puslaidininkinių „III/V junginių“ (pvz., GaAs arba GaInAs) fotokatodai ir perkeltieji elektroniniai fotokatodai;
Maltese: Fotokatodi semikondutturi (eż, GaAs jew GaInAs) ta' komposti tal-klassi III/-V u fotokatodi elettroniċi trasferiti;
English: 10 mA/W or less at the peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm; or
French: 10mA/W ou moins à la réponse de crête dans la gamme de longueurs d'onde dépassant 400 nm, mais ne dépassant pas 1050nm; ou
German: kleiner/gleich 10 mA/W bei einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer 400 nm und kleiner/gleich 1050 nm oder
Spanish: igual o superior a 10 mA/W en la respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 400 nm pero no superior a1050nm; o
Italian: 10 mA/W o inferiore alla risposta di picco nella gamma di lunghezze d'onda superiori a 400 nm ma non superiori a1050nm;o
Portuguese: igual ou inferior a 10 mA/W no pico de resposta na banda de comprimentos de onda superiores a 400 nm, mas não superiores a 1050 nm; ou
Dutch: een maximale gevoeligheid van 10 mA/W bij een golflengte van meer dan 400 nm doch niet meer dan1050nm; of
Danish: højst 10 mA/W ved en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, men ikke over 1050 nm, eller
Swedish: 10 mA/W eller mindre vid maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 400 nm men inte 1050 nm.
Finnish: 10 mA/W tai vähemmän, kun vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta ei yli1050nm; tai
Greek: 10 mΑ/W ή λιγότερο στην απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 400 nm και μέχρι1050nm, ή
Czech: 10 mA/W nebo nižší při maximální citlivosti v rozmezí vlnových délek nad 400 nm, avšak nejvýše 1050 nm; nebo
Slovak: 10 mA/W špičkovej odozvy alebo menej vo vlnovej dĺžke presahujúcej 400 nm ale nepresahujúcej 1050 nm; alebo
Polish: 10 mA/W lub mniej przy reakcji szczytowej w zakresie długości fal z przedziału powyżej 400 nm, ale poniżej1050nm; lub
Hungarian: legfeljebb 10 mA/W a 400 nm-t meghaladó, de az1050nm-t nem meghaladó hullámhossz-tartományba eső legnagyobb válaszjel esetén; vagy
Slovenian: 10 mA/W ali manj maksimalne odzivnosti pri valovnih dolžinah več kot 400 nm, vendar največ 1050 nm ali
Romanian: 10 mA/W sau mai puțin la răspunsul de vârf în gama de lungimi de undă ce depășesc 400 nm, dar nu depășesc 1050 nm; sau
Bulgarian: 10 mA/W или по-малка при максимална чувствителност във вълновия диапазон над 400 nm, но ненадхвърлящ 1050 nm; или
Estonian: 10 mA/W või vähem, kui tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 400 nm, kuid mitte üle 1050 nm, või
Latvian: 10 mA/W vai mazāku ar maksimālo jutību viļņu garuma diapazonā, kas pārsniedz 400 nm, bet nepārsniedz1050nm; vai
Lithuanian: kurių didžiausias fotoatsakas neviršija 10 mA/W ir atitinka bangų ilgių sritį, viršijančią 400 nm, bet neviršijančią 1050 nm; arba
Maltese: 10mA/W jew anqas fl-ogħla risposta fil-medda tat-tul ta' mewġ li taqbeż l-400 nm iżda mhux iktar minn 1050 nm; jew
English: 15 mA/W or less at the peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1800 nm.
French: 15mA/W ou moins à la réponse de crête dans la gamme de longueurs d'onde dépassant 1050 nm, mais ne dépassant pas 1800 nm.
German: kleiner/gleich 15 mA/W bei einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer 1050 nm und kleiner/gleich 1800 nm.
Spanish: igual o superior a 15 mA/W en la respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 1050 nm pero no superior a 1800 nm.
Italian: 15 mA/W o inferiore alla risposta di picco nella gamma di lunghezze d'onda superiori a 1050 nm ma non superiori a 1800 nm.
Portuguese: igual ou inferior a 15 mA/W no pico de resposta na banda de comprimentos de onda superiores a 1050 nm, mas não superiores a 1800 nm.
Dutch: een maximale gevoeligheid van 15 mA/W bij een golflengte van meer dan 1050 nm doch niet meer dan 1800 nm.
Danish: højst 15 mA/W ved en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1050 nm, men ikke over 1800 nm.
Swedish: 15 mA/W eller mindre vid maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 1050 nm men inte 1800 nm.
Finnish: 15 mA/W tai vähemmän, kun vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1050 nm mutta ei yli 1800 nm.
Greek: 15 mΑ/W ή λιγότερο στην απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 1050 nm και μέχρι 1800 nm.
Czech: 15 mA/W nebo nižší při maximální citlivosti v rozmezí vlnových délek nad 1050 nm, avšak nejvýše 1800 nm
Slovak: 15 mA/W špičkovej odozvy alebo menej vo vlnovej dĺžke presahujúcej 1050 nm ale nepresahujúcej 1800 nm.
Polish: 15 mA/W lub mniej przy reakcji szczytowej w zakresie długości fal z przedziału powyżej 1050 nm, ale poniżej 1800 nm
Hungarian: legfeljebb 15 mA/W az 1050 nm-t meghaladó, de az 1800 nm-t nem meghaladó hullámhossz-tartományba eső legnagyobb válaszjel esetén.
Slovenian: 15 mA/W ali manj maksimalne odzivnosti pri valovnih dolžinah več kot 1050 nm, vendar največ 1800 nm.
Romanian: 15 mA/W sau mai puțin la răspunsul de vârf în gama de lungimi de undă ce depășesc 1050 nm, dar nu depășesc 1800 nm.
Bulgarian: 15 mA/W или по-малка при максимална чувствителност във вълновия диапазон над 1050 nm, но ненадхвърлящ 1800 nm;
Estonian: 15 mA/W või vähem, kui tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 1050 nm, kuid mitte üle 1800 nm.
Latvian: 15 mA/W vai mazāku ar maksimālo jutību viļņu garuma diapazonā, kas pārsniedz 1050 nm, bet nepārsniedz 1800 nm;
Lithuanian: kurių didžiausias fotoatsakas neviršija 15 mA/W ir atitinka bangų ilgių sritį, viršijančią 1050 nm, bet neviršijančią 1800 nm;
Maltese: 15mA/W jew anqas fl-ogħla risposta fil-medda tat-tul ta' mewġ li taqbeż l-1050 nm iżda mhux iktar minn 1800 nm.
English: Non-"space-qualified""focal plane arrays" as follows:
French: "matrices plan focal" non "qualifiées pour l'usage spatial", comme suit:
German: nicht "weltraumgeeignete""Focal-plane-arrays" wie folgt:
Spanish: "Conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial", según se indica:
Italian: "matrici sul piano focale" non "qualificate per impiego spaziale" come segue:
Portuguese: "Matrizes de plano focal" não "qualificadas para uso espacial":
Dutch: "‹focal plane arrays›", niet "gekwalificeerd voor gebruik in de ruimte", als hieronder:
Danish: Ikke-"rumkvalificerede""billedplansystemer" som følger:
Swedish: Icke "rymdkvalificerade""detektormatriser" (FPA = Focal Plane Arrays) enligt följande:
Finnish: Seuraavat ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet":
Greek: Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου», ως εξής:
Czech: „ohnisková pole“, která nejsou „vhodná pro kosmické aplikace“:
Slovak: „sústavy s ohniskovou rovinou“ neurčené na „vesmírne použitie“:
Polish: Następujące, inne niż „klasy kosmicznej”„matryce detektorowe płaszczyzny ogniskowej”:
Hungarian: Nem „űrminősítésű”„gyújtóponti sík tömbök”, ideértve a következőket:
Slovenian: "žariščnoravninski detektorski nizi", ki niso "primerni za vesolje":
Romanian: „Rețele plane focale” ce nu sunt „calificate pentru utilizare spațială”, după cum urmează:
Bulgarian: „Решетки с фокална равнина“, които не са „предназначени за използване в Космоса“, както следва:
Estonian: Järgmised mitte-„kosmosekindlad”„fokaaltasandilised massiivid”:
Latvian: "fokālās plaknes bloki", kas nav "lietojami kosmosā", tas ir:
Lithuanian: toliau išvardytos „židinio plokštumos matricos“, „netinkamos naudoti kosmose“:
Maltese: "Matriċi fuq il-pjan fokali" mhux "kwalifikati għall-użu spazjali" kif ġej: