English: A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
French: énergie de faisceau d'au moins 65 keV et courant de faisceau d'au moins 45 mA pour une implantation à haute énergie d'oxygène dans un "substrat" de matériau semi-conducteur chauffé;
German: Elektronenenergie größer/gleich 65 keV und Strahlstrom größer/gleich 45 mA für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleiter"substrat";
Spanish: Una energía del haz igual o superior a 65 keV y una corriente del haz igual o superior a 45 mA para la implantación, a alta energía, de oxígeno en un "sustrato" de material semiconductor calentado.
Italian: energia del fascio uguale o superiore a 65 keV e corrente del fascio uguale o superiore a 45 mA in grado di impiantare ad alta energia ossigeno in un "substrato" di materiale semiconduttore riscaldato;
Portuguese: Energia do feixe igual ou superior a 65 keV e corrente do feixe igual ou superior a 45mA para a implantação de oxigénio com elevada energia num "substrato" de material semicondutor aquecido;
Dutch: een stralingsenergie van 65 keV of meer en een bundelstroomsterkte van 45mA of meer om met hoge energie zuurstof te implanteren in een verwarmd "substraat" bestaande uit halfgeleidermateriaal;
Danish: En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering i et opvarmet halvledermateriale"substrat";
Swedish: en strålenergi som är 65 keV eller mer och en strålenergi som är 45 mA eller mer för att med hög energi införa syre i det upphettade halvledar-"substratet".
Finnish: Säteen energia vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde"substraattiin";
Greek: Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού.
Czech: energie paprsku 65 keV nebo více a paprskový proud 45mA nebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřáté „podložky“ z polovodičového materiálu;
Slovak: energia lúča 65 keV alebo viac a lúčový prúd 45 mA alebo viac pre implantovanie kyslíka s vysokou energiou do zahriateho „substrátu“ z polovodičového materiálu.
Polish: Posiadający energię wiązki wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał „podłoża”;
Hungarian: A hevített félvezető anyagú egykristályba történő nagy energiájú oxigénimplantációra használt legalább 65 kEV nagyságú sugárnyaláb energia és legalább 45 mA nagyságú sugáráram;
Slovenian: energijožarka 65 keV ali več in žarkovni tok 45 mA ali več za visokoenergijsko implantacijo s kisikom v ogreto "podlago" iz polprevodniškega materiala;
Romanian: O energie a fasciculului de 65 keV sau mai mare și un curent al fasciculului de 45 mA sau mai mare pentru un implant de mare energie de oxigen într-un „substrat” de material semiconductor încălzit;
Bulgarian: Енергия на потока от 65 keV или повече и насочен ток 45 mA или повече за имплантация на кислород с висока енергия в нагрята полупроводникова материална „основа“;
Estonian: kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali „põhimikku”;
Latvian: staru kūļa enerģija, ir 65 keV vai lielāka, un staru kūļa strāva, ir 45 mA vai lielāka, augstas enerģijas skābekļa jonu implantācijai uzkarsētā pusvadītāju materiāla "substrātā";
Lithuanian: ne mažesnę kaip 65 keV pluošto energiją ir ne mažesnę kaip 45mA pluošto srovę didelės energijos deguonies implantavimui į pakaitintą puslaidininkinės medžiagos „padėklą“;
Maltese: Enerġija tar-raġġ ta' 65 keV jew aktar u kurrent tar-raġġ ta' 45 mA jew aktar għall-impjantazzjoni ta' ossiġnu b'enerġija għolja f' "sottostrat" ta' materjal semikonduttur imsaħħan;