English: "Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
French: "Substrats" visés au paragraphe 3C005 comportant au moins une couche épitaxiale de carbure de silicium, de nitrure de gallium, de nitrure d'aluminium ou de nitrure de gallium d'aluminium.
German: "Substrate", erfasst von Nummer 3C005, mit mindestens einer Epitaxieschicht aus Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Aluminiumnitrid oder Aluminiumgalliumnitrid.
Spanish: "Sustratos" incluidos en el artículo 3C005 con al menos una capa epitaxial de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN)
Italian: "Substrati" specificati in 3C005 aventi almeno uno strato epitassiale di carburo di silicio, nitruro di gallio, nitruro di alluminio o nitruro di gallio alluminio.
Portuguese: "Substratos" especificados em 3C005 com pelo menos uma camada de carboneto de silício, nitreto de gálio, nitreto de alumínio ou nitreto de gálio-alumínio.
Dutch: De in 3C005 bedoelde "substraten" met ten minste één epitaxiale laag siliciumcarbide, galliumnitride, aluminiumnitride of aluminiumgalliumnitride.
Danish: "Substrater" specificeret i 3C005 med mindst ét epitaksialt lag af siliciumcarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller aluminiumgalliumnitrid.
Swedish: "Substrat" som omfattas av avsnitt 3C005 med minst ett epitaxiellt lager av kiselkarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller alluminiumgalliumnitrid.
Finnish: 3C005 kohdassa tarkoitetut "substraatit", joissa on vähintään yksi epitaksinen kerros piikarbidia, galliumnitridiä, aluminiumnitridiä tai aluminiumgalliumnitridiä.
Greek: «Υποστρώματα» που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.
Czech: „Podložky“ uvedené v položce 3C005, které mají alespoň jednu epitaxiální vrstvu karbidu křemíku, nitridu gallitého, nitridu hlinitého nebo aluminium gallium nitridu.
Slovak: „Substráty“ uvedené v 3C005 s aspoň jednou epitaxiálnou vrstvou karbidu kremíka, nitridu gália, nitridu hliníka alebo nitridu hliníku-gália.
Polish: „Podłoża” wyszczególnione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub azotku galu i glinu.
Hungarian: A 3C005 pontban meghatározott szubsztrátumok, amelyek legalább egy epitaxiális szilíciumkarbid, gallium nitrid, alimínium-nitrid vagy alumínium-galliumnitrid réteggel rendelkeznek.
Slovenian: "Substrati" iz točke 3C005 z vsaj eno epitaksialno plast iz silicijevega karbida, galijevega nitrida, aluminijevega nitrida ali aluminijevega galijevega nitrida.
Romanian: „Substraturile” menționate la 3C005 cu cel puțin un strat epitaxial de carbură de siliciu, nitrură de galiu, nitrură de aluminiu sau nitrură de galiu-aluminiu.
Bulgarian: „Субстрати“, посочени в 3C005 с поне един епитаксиален слой от силициев карбид, галиев нитрид, алуминиев нитрид или алуминиево-галиев нитрид.
Estonian: Punktis 3C005 nimetatud „põhimikud”, millel on vähemalt üks epitaksiline ränikarbiidi, galliumnitriidi, alumiiniumnitriidi või alumiinium-galliumnitriidi kiht
Latvian: 3C005 pozīcijā minētie "substrāti" ar vismaz vienu silīcija karbīda, gallija nitrīda, alumīnija nitrīda vai alumīnija gallija nitrīda epitaksiālo slāni.
Lithuanian: 3C005 nurodyti „padėklai“, turintys bent vieną silikono karbido, galio nitrido, aliuminio nitrido ar aliuminio galio nitrido epitaksinį sluoksnį.
Maltese: "Sottostrati" speċifikati fi 3C005 b'mill-anqas saff epitassjali wieħed tal-karbur tas-silikon, nitrur tal-gallju, nitrur tal-aluminju jew nitrur tal-aluminju gallju.