English: Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
French: résines photosensibles (résists) positives pour lithographie des semi-conducteurs spécialement adaptées (optimisées) pour l'emploi à des longueurs d'onde inférieures à 245 nm;
German: Positiv-Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, besonders eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 245 nm;
Spanish: Materiales de protección () positivos para litografía en semiconductores ajustados especialmente (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 245 nm;
Italian: resine fotosensibili (resist) positive progettate per litografia di semiconduttori appositamente adattate (ottimizzate) per l'impiego con lunghezze d'onda inferiori a 245 nm;
Portuguese: Resinas fotossensíveis positivas concebidas para litografia de semicondutores especialmente ajustadas para utilização em comprimentos de onda inferiores a 245 nm;
Dutch: positieve ‹resists› ontworpen voor halfgeleiderlithografie, die optimaal geschikt zijn gemaakt voor gebruik bij golflengten van minder dan 245 nm;
Danish: Positive resists til halvlederlitografi, som er specielt justeret (optimeret) til brug under 245 nm;
Swedish: Positiva resistmaterial som är utformade för halvledarlitografi och speciellt justerade (optimerade) för våglängder under 245 nm.
Finnish: Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on erityisesti sovitettu (optimoitu) alle 245 nm:n aallonpituuksille;
Greek: Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 245 nm,
Czech: pozitivní rezisty konstruované pro polovodičovou litografii speciálně upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách pod 245 nm,
Slovak: pozitívne odolné materiály navrhnuté pre polovodičovú litografiu osobitne upravené (optimalizované) na používanie pri vlnových dĺžkach menej ako 245 nm;
Polish: Materiały fotorezystywne pozytywowe zaprojektowane do litografii półprzewodnikowej, specjalnie wyregulowanej (zoptymalizowanej) do stosowania w zakresie długości fali poniżej 245 nm;
Hungarian: Pozitív védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten 245 nm alatti hullámhosszúságú félvezető litográfiához igazítottak (optimalizáltak);
Slovenian: pozitivne uporovne paste za polprevodniško litografijo, posebej prirejene (optimizirane) za uporabo pri valovnih dolžinah pod 245 nm;
Romanian: Rășini fotosensibile pozitive pentru litografierea semiconductorilor special ajustați (optimizați) pentru a fi folosiți la lungimi de undă sub 245 nm;
Bulgarian: Съпротивителни материали, проектирани за полупроводникова литография, специално приспособени (оптимизирани) за използване при дължини на вълната под 245 nm;
Estonian: positiivsed resistid, mis on ette nähtud pooljuhtide litograafiaks ning spetsiaalselt kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 245 nm;
Latvian: pozitīvi aizsargpārklājumi pusvadītāju litogrāfijai, speciāli pielāgoti (optimizēti) lietošanai viļņu garumos, kas mazāki par 245 nm;
Lithuanian: pozityviniai rezistai, skirti puslaidininkinių įtaisų litografijai, specialiai pritaikyti (optimizuoti) naudoti esant bangų ilgiams, mažesniems kaip 245 nm;
Maltese: Materjali fotosensibbli pożittivi ddisinjati għal-litografija ta' semikondutturi aġġustati apposta (ottimizzati) għall-użu f'tul tal-mewġ ta' anqas minn 245 nm;