English: Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
French: "Substrats" de carbure de silicium (SiC), de nitrure de gallium (GaN), de nitrure d'aluminium (AlN) ou de nitrure de gallium d'aluminium (AlGaN), ou lingots, boules ou autres préformes de ces matières, ayant une résistivité supérieure à 10000 ohm-cm à 20 °C.
German: Siliziumkarbid- (SiC), Galliumnitrid- (GaN), Aluminiumnitrid- (AlN) oder Aluminiumgalliumnitrid-(AlGaN)-"Substrate" oder -Stäbe (ingots, boules) oder andere Vorformen dieser Materialien mit einem spezifischen Widerstand größer als 10000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C.
Spanish: "Sustratos" de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10000 ohm-cm a 20 °C.
Italian: "Substrati", lingotti o monocristalli di carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) o nitruro di gallio alluminio (AlGaN) o altre preforme di tali materiali, aventi resistività superiore a 10000 ohm-cm a 20 °C.
Portuguese: "Substratos" de carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN), nitreto de alumínio (AlN) ou nitreto de gálio-alumínio (AlGaN), ou lingotes, compostos sintéticos ou outras pré-formas daqueles materiais, com uma resistividade superior a 10000 ohm-cm a 20 oC.
Dutch: Siliciumcarbide (SiC), galliumnitride (GaN), aluminiumnitride (AlN) of aluminiumgalliumnitride (AlGaN) "substraten", of walsblokken, eenkristallen of andere voorvormstukken (preforms) van deze materialen, met een weerstand van meer dan 10,000 ohm-cm bij een temperatuur van 20 °C.
Danish: "Substrater" af siliciumkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) eller ingots, boules eller andre preforms af disse materialer, med resistiviteter større end 10000 ohm-cm ved 20 °C.
Swedish: "Substrat" av kiselkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), eller tackor, halvrunda stycken eller andra förformer av dessa material, med en resistivitet som överstiger 10000 ohm-cm vid 20 °C.
Finnish: Piikarbidi (SiC), galliumnitridi (GaN), aluminiumnitridi (AIN) tai aluminiumgalliumnitridi (AIGaN) "substraatit", tai harkot, boulet näiden materiaalien muut preformit, joiden resistiivisyys on enemmän kuin 10000 ohmisenttimetriä 20° C:ssa.
Greek: Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) «υποστρώματα», ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 ωμ-cm στους 20 oC.
Czech: „Podložky“ z karbidu křemíku (SiC), nitridu gallitého (GaN), nitridu hlinitého (AIN) nebo aluminium gallium nitridu (AlGaN) nebo ingoty, hrušky nebo jiné předlisky z těchto materiálů, jejichž odpor je při 20 °C vyšší než 10000 ohm-cm.
Slovak: „Substráty“ karbidu kremíka (SiC), nitridu gália (GaN), nitridu hliníka (AlN) alebo nitridu hliníku-gália (AlGaN), alebo ich ingoty, monokryštálové ingoty alebo iné predformy týchto materiálov, ktoré majú pri teplote 20 °C rezistivitu väčšiu ako 10000 ohm/cm.
Polish: „Podłoża” z węglika krzemu (SiC), azotku galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub wlewki, monokryształy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000 Ω/cm w temperaturze 20 oC.
Hungarian: 20 °C-on10000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású szilíciumkarbid (SiC), gallium nitrid (GaN), alimínium nitrid (AlN) vagy alumínium-galliumnitrid (AlGaN) szubsztrátumok, vagy ezen anyagok öntecsei, monokristályai vagy egyéb előformái.
Slovenian: "Substrati" silicijevega karbida (SiC), galijevega nitrida (GaN), aluminijevega nitrida (AlN) ali aluminijevega galijevega nitrida (AlGaN) ali ingoti, kosi ali drugi polizdelki teh materialov z odpornostjo več kot 10000 ohm-cm pri 20°(C)
Romanian: Carbură de siliciu (SiC), nitrură de galiu (GaN), nitrură de aluminiu (AIN) sau nitrură de galiu-aluminiu (AIGaN) sub formă de „substraturi” sau lingouri, pastile brute sau alte semifabricate ale materialelor respective, cu o rezistivitate mai mare de 10000 ohm-cm la 20 °C.
Bulgarian: Силициев карбид (SiC), галиев нитрид (GaN), алуминиев нитрид (AlN) или „субстрати“ на алуминиево-галиев нитрид (AlGaN), или слитъци, блокове, или други предварителни форми на тези материали, притежаващи съпротивление по-голямо от 10000 ohm-cm при 20 °C.
Estonian: Ränikarbiidist (SiC), galliumnitriidist (GaN), alumiiniumnitriidist (AlN) või alumiinium-galliumnitriidist (AlGaN) „põhimikud” või nende materjalide kangid, toorikkristallid või muud eelvormid, mille eritakistus 20 °C juures on suurem kui 10000 oomi/cm.
Latvian: Silīcija karbīda (SiC), gallija nitrīda (GaN), alumīnija nitrīda (AlN) vai alumīnija gallija nitrīda (AlGaN) "substrāti" vai lējumi, lietņi vai citas šo materiālu sagataves ar pretestību, kas 20 °C temperatūrā ir lielāka par 10,000 omiem centimetrā.
Lithuanian: Silicio karbido (SiC), galio nitrido (GaN), aliuminio nitrido (AlN) ar aliuminio galio nitrido (AlGaN) „padėklai“ arba luitai, liejiniai ar kitos šių medžiagų pirminės formos, kurių varža esant 20 °C didesnė nei 10000 omų/cm.
Maltese: "Sottostrati", jew ingotti, kristalli ta' tal-karbur tas-silikon (SiC), nitrur tal-gallju (GaN), nitrur tal-aluminju (AlN) jew nitrur tal-aluminju gallju (AlGaN) jew pre-formati oħrajn ta' dawk il-materjali, li għandhom reżistivitajiet ta' aktar minn 10000 ohm-cm f' 20 °C.