English: The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Articles 3 and 4
French: L’opération de diffusion (dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat), qu’il soit ou non assemblée et/ou testée dans un pays autre que ceux visés aux articles 3 et 4
German: das Verfahren der Diffusion (bei dem durch selektives Aufbringen eines geeigneten Dotierungsstoffes auf ein Halbleitersubstrat integrierte Schaltungen gebildet werden), auch wenn der Zusammenbau und/oder das Testen in einem in Artikel 3 und 4 nicht genannten Land stattfinden
Spanish: La operación de difusión, en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor gracias a la introducción selectiva de un dopante adecuado, estén o no ensamblados y/o probados en un país distinto de los contemplados en los artículos 3 y 4
Italian: Operazione di diffusione durante la quale i circuiti integrati sono formati su di un substrato semiconduttore attraverso l’introduzione selettiva di un drogante appropriato, anche se assemblati e/o testati in un paese non menzionato negli articoli 3 e 4
Portuguese: A operação de difusão (quando os circuitos integrados se formam sobre um suporte semicondutor através da introdução selectiva de um dopante adequado), quer sejam ou não montados e/ou testados num país diferente dos citados nos artigos 3.o e 4.o
Dutch: de diffusie (waar geïntegreerde schakelingen worden gevormd op een halfgeleidersubstraat door de selectieve inbrenging van een geschikt doteringsmateriaal), al of niet geassembleerd en/of getest in een ander land dan een van de in de artikelen 3 en 4 genoemde landen
Danish: Diffusion (hvori integrerede kredsløb formes på et halvledersubstrat ved selektiv påførsel af et passende doteringsmateriale), uanset om det samles og/eller afprøves i et andet land end dem, som er nævnt i artikel 3 og 4
Swedish: diffusion, varvid integrerade kretsar framställs på ett halvledarsubstrat genom selektiv tillsats av lämpliga dopämnen, även om montering eller provning äger rum i ett annat land än de som anges i artiklarna 3 och 4
Finnish: diffuusio, jossa integroidut piirit muodostuvat puolijohdealustalle sopivan seostusaineen selektiivisellä käytöllä, myös jos kokoaminen ja/tai testaus suoritetaan muussa kuin 3 ja 4 artiklassa mainitussa maassa
Greek: Η εργασία της διάχυσης, όπου ολοκληρωμένα κυκλώματα σχηματίζονται σε υπόστρωμα ημιαγωγού, με την επιλεκτική εισαγωγή κατάλληλου δότη υλικού, είτε είναι συναρμολογημένα είτε όχι, ή ελεγμένα, σε χώρα άλλη από τις αναφερόμενες στα άρθρα 3 και 4
Czech: operace rozpojení (při níž vznikají integrované obvody na polovodičovém podkladu selektivním zaváděním vhodného prostředku), ať už sestavené, nebo testované v jiné zemi nebo na jiném území, než jsou země uvedené v článcích 3 a 4
Slovak: operácia difúzie, pri ktorej sa vytvárajú integrované obvody na polovodičovom substráte selektívnym zavedením primeraného dopantu, či už zmontovanej a/alebo odskúšanej v inej krajine, ako sú krajiny špecifikované v článkoch 3 a 4
Polish: Dyfuzja, podczas której obwody scalone są formowane na podłożu półprzewodnika przez selektywne wprowadzenie odpowiedniej domieszki, nawet zmontowane lub przetestowane w kraju innym niż wyszczególnione w artykułach 3 i 4
Hungarian: A diffúziós művelet (amelynek során az integrált áramkört a félvezető szubsztrátumon a megfelelő adalékanyag szelektív hozzáadásával alakítják ki), függetlenül attól, hogy összeszerelést és/vagy tesztelést a 3. és a 4. cikkekben nem említett országban végezték
Slovenian: Postopek razprševanja, pri čemer so integrirana vezja oblikovana na polprevodniški podlagi s selektivnim vnašanjem ustreznega topila (dopant), ne glede na to, ali je to vezje sestavljeno in/ali testirano v državi, ki ni država, navedena v členih 3 in 4
Romanian: Operațiunea de difuziune, în care circuitele integrate sunt formate pe un substrat semiconductor prin introducerea selectivă a unui dopant corespunzător, chiar asamblată și/sau testată într-o altă țară decât cele menționate la articolele 3 și 4
Bulgarian: Процес на дифузия, при която интегралните схеми се формират върху полупроводникова подложка чрез селективно въвеждане на подходящ легиращ примес, дори сглобени и/или тествани в страна, различна от посочените в членове 3 и 4
Estonian: difusioonitoiming (mille puhul integraallülitusi toodetakse pooljuhtmaterjalist alusel vastava dopandi valikulise lisamise teel) toimub ka juhul, kui kokku pannakse ja/või testitakse muudes kui artiklites 3 ja 4 nimetatud riikides
Latvian: Difūzija, kurā integrālās shēmas tiek veidotas uz pusvadītāja substrāta, selektīvi ievadot vajadzīgo leģējošo piedevu, samontētas vai nesamontētas un/vai testētas vai netestētas valstīs, kas nav minētas 3. un 4. pantā
Lithuanian: Difuzija, kurioje integriniai grandynai yra formuojami ant puslaidininkio substrato, selektyviai įvedant atitinkamą difuzantą, surenkama ir (arba) išbandoma, arba nesurenkama ar neišbandoma šalyse, kitose nei nurodytos 3 ir 4 straipsniuose
Maltese: L-operazzjoni ta’ diffużjoni (li fiha jiffurmaw ċirkuwiti integrati fuq sottostrat ta’ semi-konduzzjoni permezz tal-introduzzjoni selettiva ta’ dopant xieraq), kemm jekk immuntata u/jew ittestjata f’xi pajjiż u kemm jekk le għajr għal dawk speċifikati fl-Artikoli 3 u 4