FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: 2:High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
French: NB 2:Par grande vitesse, on entend une vitesse du gaz à la sortie du chalumeau supérieure à 750 m/s, calculée à 293 K (20 °C) et à une pression de 0,1 MPa.
German: Anmerkung 2:Hochgeschwindigkeit bezieht sich auf eine Gasgeschwindigkeit am Düsenaustritt von mehr als 750 m/s bei einer Temperatur von 293 K (20 °C) und einem Druck von 0,1 MPa.
Italian: NB 2:per grande velocità si intende una velocità del gas in uscita dalla torcia superiore a 750 m/s calcolata a 293 K (20 °C) e ad una pressione di 0,1 MPa.
Dutch: NB 2:Met hoge snelheid wordt bedoeld een uitstroomsnelheid van het gas uit het mondstuk hoger dan 750 m/s bij 293 K (20 °C) en 0,1 MPa.
Danish: 2Høj hastighed refererer til, at gassens udgangshastighed ved dysens munding overstiger 750 m/s udregnet ved 293 K (20 °C) ved 0,1 MPa.
Swedish: Anm. 2:Med höghastighet avses en gashastighet vid sprutmunstycket som överskrider 750 m/s beräknat vid 293 K (20 °C) och 0,1 MPa.
Finnish: Huom. 2:Suurinopeuksisella tarkoitetaan kaasun lähtönopeutta suuttimesta, kun se ylittää 750 m/s laskettuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa ja 0,1 MPa paineessa.
Greek: Σημείωση 2:Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.
Czech: 2:Výrazem vysokorychlostní se rozumí, že rychlost plynu na výstupu z trysky je při 293 K (20 °C) a 0,1 MPa vyšší než 750 m/s.
Slovak: Dôležité upozornenie 2:Pod pojmom pri vysokej rýchlosti sa rozumie rýchlosť plynu na výstupe z dýzy vyššia ako 750 m/s, počítaná pri 293 K (20 °C) a 0,1 MPa.
Polish: 2:Wysoka prędkość odnosi się do prędkości gazów na wylocie z dyszy przekraczającej wartość 750 m/s w temperaturze 293 °K (20 °C) i ciśnieniu 0,1 MPa.
Hungarian: 2:A nagy sebesség azt jelenti, hogy a fúvókából eltávozó gáz sebessége 0,1 MPa nyomásnál 293 K-en (20 °C) meghaladja a 750 m/s-ot.
Slovenian: Napotilo 2:Plazma velike hitrosti se nanaša na hitrosti plina iz dulca prek 750 m/s, računano pri 293 K (20 °C) in pri 0,1 MPa.
Estonian: NB 2!Ülikiire tähendab düüsist väljuva gaasi kiirust, mis on suurem kui 750 m/s, arvutatuna 293 K (20 °C) juures rõhul 0,1 MPa.
Latvian: NB!Liels ātrums ir gāzes ātrums sprauslas izejā, kas 293 K (20 °C) temperatūrā un pie spiediena 0,1 MPa pārsniedz 750 m/s.
English: The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
French: L'énergie cinétique dégagée par le choc des ions est suffisante pour que des atomes de la surface de la cible soient libérés et se déposent sur le substrat placé de façon adéquate.
German: Die Bewegungsenergie der auftreffenden Ionen reicht aus, um Atome aus der Oberfläche des Targets herauszulösen, die sich auf einem entsprechend angebrachten Substrat niederschlagen.
Spanish: La energía cinética desprendida por el choque de los iones es suficiente para que se liberen átomos de la superficie del blanco y se depositen sobre un sustrato situado convenientemente.
Italian: L’energia cinetica ottenuta dall’impatto degli ioni è sufficiente perché gli atomi della superficie del bersaglio siano liberati per depositarsi sul substrato situato in modo adeguato.
Dutch: De kinetische energie van de botsende ionen is voldoende om ervoor te zorgen dat atomen aan het oppervlak van de trefplaat vrijkomen en worden afgezet op een in een geschikte positie geplaatst substraat.
Danish: Når ionerne rammer overfladen, er den kinetiske energi tilstrækkelig til at frigøre overfladeatomer på målet og aflejre dem på det passende anbragte substrat.
Swedish: Den kinetiska energin hos de laddade jonerna är tillräcklig för att atomer från ytan ska frigöras och beläggas på det lämpligt placerade substratet.
Finnish: Iskeytyvien ionien kineettinen energia on riittävä irrottamaan atomeja sen pinnasta ja pinnoittamaan sopivasti asetettua substraattia.
Greek: Η κινητική ενέργεια των προσπιπτόντων ιόντων αρκεί για να προκαλέσει την ελευθέρωση των ατόμων της επιφάνειας του στόχου και την εναπόθεσή τους σε καταλλήλως τοποθετημένο υπόστρωμα.
Czech: Kinetická energie dopadajících iontů způsobuje, že se z povrchu terče uvolňují atomy, které se ukládají na vhodně nastavený substrát. POZN.
Slovak: Kinetická energia dopadajúcich iónov je dostatočná na to, aby uvoľnila atómy z bombardovaného povrchu a naniesla ich na vhodne umiestnenom substráte.
Polish: Energia kinetyczna padających jonów jest wystarczająca do wyrwania atomów z powierzchni materiału powłokowego i osadzenia ich na odpowiednio usytuowanej powierzchni podłoża; NB.
Hungarian: A becsapódó ionok kinetikus energiája elegendő ahhoz, hogy a céltárgy felületéből atomok váljanak ki, és a megfelelően elhelyezett hordozón kiváljanak.
Slovenian: Kinetična energija ionov, ki se zaletijo v substrat, je tako velika, da se atomi na površini nanosnega materiala sprostijo in nanesejo na primerno nameščeno podlago.
Estonian: Põrkuvate ioonide kineetiline energia on piisav, et aatomeid märklauast välja lüüa ning sadestada sobivalt asetatud põhimikule.
Latvian: Jonu triecienu kinētiskā enerģija ir pietiekama, lai atbrīvotu mērķa virsmas atomus un ar tiem pārklātu attiecīgi novietotu substrātu;
Lithuanian: Smūgiuojančių jonų kinetinės energijos užtenka taikinio paviršiaus atomams išmušti ir nusodinti ant tinkamai įtvirtinto padėklo.
English: 2:Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
French: NB 2:Des faisceaux ioniques à faible énergie (< 5 keV) peuvent être utilisés pour activer le dépôt.
German: Anmerkung 2:Ionenstrahlen mit niedriger Energie (weniger als 5 keV) können verwendet werden, um die Abscheidung zu aktivieren.
Spanish: 2:Se pueden utilizar haces de iones de baja energía (inferior a 5 keV) para activar la deposición.
Italian: NB 2:fasci ionici a bassa energia (minore di 5 keV) possono essere utilizzati per attivare la deposizione.
Dutch: NB 2:Ionenstralen met lage energie (minder dan 5 keV) kunnen worden toegepast om de afzetting in gang te zetten.
Danish: 2Lavenergi-ionstråler (mindre end 5 keV) kan anvendes til at aktivere belægningsprocessen.
Swedish: Anm. 2:Lågenergijonstrålar (mindre än 5 keV) kan användas för att aktivera beläggningen.
Finnish: Huom. 2:Matalaenergisiä (alle 5 keV) ionisäteitä voidaan käyttää aktivoimaan depositiota.
Greek: Σημείωση 2:Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV)
Czech: 2:Pro aktivaci nanášení lze používat iontové paprsky o nízké energii (méně než 5 keV).
Slovak: Dôležité upozornenie 2:Lúče iónov s nízkou energiou (menej ako 5 keV) sa môžu použiť na aktiváciu vylučovania.
Polish: 2:Do aktywacji osadzania można zastosować wiązki jonów o niskiej energii (poniżej 5 keV).
Hungarian: 2:Az alacsony energiájú (5 keV-nál kisebb) ionsugarakat a leválasztás aktiválására lehet használni.
Slovenian: Napotilo 2:Za sprožitev nanašanja se lahko uporabljajo nizkoenergijski ionski žarki (manj kot 5 keV).
Estonian: NB 2!Sadestumise aktiveerimiseks kasutatakse madalaenergeetilisi (alla 5 keV) ioonkiiri.
Latvian: NB!Pārklāšanas procesa aktivācijai var izmantot zemas enerģijas (zem 5 keV) jonu staru kūļu avotus.
Lithuanian: 2nusėdimui suaktyvinti gali būti panaudoti mažos (mažesnės kaip 5 keV) energijos jonų pluoštai.
English: This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
French: Cela comprend les procédés dans lesquels l'implantation ionique est effectuée en même temps que le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons ou le dépôt par pulvérisation cathodique.
German: Dies schließt Verfahren ein, bei denen neben der Ionenimplantation gleichzeitig das PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl und das Sputtern/Aufstäuben zur Anwendung kommen.
Spanish: La definición incluye procesos en los que la implantación iónica se realiza simultáneamente con el depósito en fase de vapor por método físico de haz de electrones o la deposición catódica.
Italian: Ciò comprende i processi nei quali l’impiantazione ionica viene effettuata contemporaneamente alla deposizione fisica in fase di vapore per fascio elettronico o alla deposizione per polverizzazione catodica.
Dutch: De definitie omvat mede procédés waarbij tegelijk met de ionenimplantatie elektronenstraalverdamping of afzetting door middel van sputtering plaatsvindt.
Danish: Dette omfatter processer, hvor ion-implanteringen sker samtidig med fysisk dampudfældning med elektronstråle eller sputter-belægning.
Swedish: Detta inbegriper processer där jonimplantationen sker samtidigt med fysisk förångningsdeposition med elektronstråle eller sputteringbeläggning.
Finnish: Tämä sisältää prosessit, joissa ioni-istutus suoritetaan samanaikaisesti elektronisuihku-PVD:llä tai sputteroinnilla.
Greek: Ο ορισμός αυτός περιλαμβάνει τις μεθόδους, στις οποίες η εμφύτευση ιόντων πραγματοποιείται ταυτόχρονα με εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων ή εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης.
Czech: Patří sem procesy, ve kterých se iontová implantace provádí fyzikální depozicí v parní fázi elektronovým svazkem nebo naprašováním.
Slovak: Toto zahŕňa aj procesy, pri ktorých sa implantovanie iónov vykonáva zároveň prostredníctvom fyzikálneho pokovovania zrážaním kovových pár pomocou elektrónového lúča alebo prostredníctvom nanášania poprašovaním.
Polish: Technika ta może być stosowana równocześnie z napylaniem jonowym wspomaganym za pomocą wiązki elektronów albo rozpylaniem jonowym.
Hungarian: Ez magában foglalja azokat az eljárásokat, amelyek során az ionbeültetés az elektronsugaras fizikai gőzfázisú leválasztással vagy katódporlasztással egyidejűleg történik.
Slovenian: Ta postopek vključuje postopek, pri katerem potekata istočasno ionska implantacija in fizično plinska metoda nanašanja s pomočjo elektronskega žarka ali visokega podtlaka.
Estonian: See hõlmab ka menetlusi, milles ioonlegeerimine teostatakse samaaegselt elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise või atomisatsioonsadestamisega.
Latvian: Pie jonu implantācijas pieder arī procesi, kuros jonu implantāciju veic reizē ar elektronu staru kūļa vai uzputināšanas pārklāšanu.
Lithuanian: Tai apima procesus, kurių metu jonų implantavimas vykdomas kartu su elektronų pluošto fizikiniu nusodinimu iš garų fazės ar dulkinamuoju nusodinimu.
English: CATEGORY 3
French: CATÉGORIE 3
German: KATEGORIE 3
Spanish: CATEGORÍA 3
Italian: CATEGORIA 3
Dutch: CATEGORIE 3
Danish: KATEGORI 3
Swedish: KATEGORI 3
Finnish: RYHMÄ 3
Greek: ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 3
Czech: KATEGORIE 3
Slovak: KATEGÓRIA 3
Polish: KATEGORIA 3
Hungarian: 3. KATEGÓRIA
Slovenian: SKUPINA 3
Estonian: KATEGOORIA
Latvian: 3. KATEGORIJA
Lithuanian: 3 KATEGORIJA
English: ELECTRONICS
French: ÉLECTRONIQUE
German: ALLGEMEINE ELEKTRONIK
Spanish: ELECTRÓNICA
Italian: MATERIALI ELETTRONICI
Dutch: ELEKTRONICA
Danish: ELEKTRONIK
Swedish: ELEKTRONIK
Finnish: ELEKTRONIIKKA
Greek: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
Czech: ELEKTRONIKA
Slovak: ELEKTRONIKA
Polish: ELEKTRONIKA
Hungarian: ELEKTRONIKA
Slovenian: ELEKTRONIKA
Estonian: ELEKTROONIKA
Latvian: ELEKTRONIKA
Lithuanian: ELEKTRONIKA
English: Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
French: Composants électriques et leurs composants spécialement conçus comme suit:
German: Elektronische Bauelemente und Baugruppen und besonders konstruierte Bestandteile hierfür wie folgt:
Spanish: Componentes electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, según se indica:
Italian: Dispositivi e componenti elettronici e relativi componenti appositamente progettati:
Dutch: Elektronische onderdelen en de speciaal daarvoor ontworpen onderdelen als hieronder:
Danish: Elektroniske komponenter og specielt konstruerede komponenter hertil som følger:
Swedish: Elektroniska komponenter och speciellt konstruerade komponenter till dessa, enligt följande:
Finnish: Elektroniset komponentit ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit seuraavasti:
Greek: Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:
Czech: Elektronické součásti a speciálně pro ně konstruované součásti:
Slovak: Elektronické súčasti a ich osobitne navrhnuté súčasti:
Polish: Komponenty elektroniczne i specjalnie zaprojektowane do nich komponenty, takie jak:
Hungarian: Elektronikai alkatrészek és a kifejezetten azokhoz tervezett részelemek, az alábbiak szerint:
Slovenian: Elektronske komponente in posebej zanje izdelane komponente:
Estonian: Järgmised elektroonilised komponendid ja spetsiaalselt nende jaoks loodud komponendid:
Latvian: Elektroniskie komponenti un to īpaši izstrādātas sastāvdaļas
Lithuanian: Elektroniniai komponentaiir specialiai suprojektuoti jų komponentai, išvardyti toliau:
English: general purpose integrated circuits, as follows:
French: Circuits intégrés d'usage général, comme suit:
German: integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt:
Spanish: Circuitos integrados de uso general, según se indica:
Italian: circuiti integrati di uso generale, come segue:
Dutch: Universele geïntegreerde schakelingen, als hieronder:
Danish: Integrerede kredsløb til generelle formål som følger:
Swedish: Integrerade kretsar för allmänna ändamål, enligt följande:
Finnish: Seuraavat yleiskäyttöiset integroidut piirit:
Greek: Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής:
Czech: integrované obvody pro všeobecné použití:
Slovak: Univerzálne integrované obvody:
Polish: układy scalone ogólnego przeznaczenia, takie jak:
Hungarian: Általános célú integrált áramkörök, az alábbiak szerint:
Slovenian: integrirana vezja za splošno rabo:
Estonian: järgmised üldise kasutusega integraallülitused:
Latvian: universālās integrālās shēmas:
Lithuanian: Bendrosios paskirties integriniai grandynai, išvardyti toliau:
English: Note 1:the control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
French: Note 1:Le statut des plaquettes (finies ou non finies) dans lesquelles la fonction a été déterminée doit être évalué en fonction des paramètres de l'alinéa 3A001.a.
German: Anmerkung 1:Die Erfassung von (fertigen oder noch nicht fertigen) Wafern, deren Funktion festliegt, richtet sich nach den Parametern von Unternummer 3A001a.
Spanish: Nota 1:El régimen de control de las obleas (terminadas o no) cuya función esté determinada se evaluará en función de los parámetros establecidos en el subartículo 3A001.a. Nota 2:Los circuitos integrados incluyen los tipos siguientes:
Italian: Nota 1:la condizione di esportabilità delle fette (finite o non finite) nelle quali la funzione sia stata determinata deve essere valutata in funzione dei parametri definiti in 3A001.a.
Dutch: Noot 1:De vraag of een uitvoervergunning is vereist voor (al dan niet afgewerkte) plakken („wafers”) waarin de functie reeds is vastgelegd, dient te worden beoordeeld aan de hand van de parameters in 3A001.a.
Danish: Note 1:Eksportkontrolstatus for wafers (færdigforarbejdede eller uforarbejdede), i hvilke funktionen er fastlagt, skal bedømmes efter parametrene i 3A001.a.
Swedish: Anm. 1:Kontrollstatusen för wafers (färdigbearbetade eller obearbetade), vars funktion har fastställts, ska bedömas efter parametrarna i avsnitt 3A001.a.
Finnish: Huom. 1:(Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa toiminto on määritelty, valvonnanalaisuus arvioidaan 3A001.a kohdan parametrien mukaan.
Greek: Σημείωση 1:Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.
Czech: Poznámka 1:Kontrolní status polovodičových destiček (dokončených nebo nedokončených) s určenou funkcí se hodnotí podle parametrů uvedených v položce 3A001.a.
Slovak: Poznámka 1:Pri hodnotení stavu kontroly polovodičových plátkov (dokončených alebo nedokončených), ktorých funkcia bola určená, sa musí vychádzať z parametrov bodu 3A001.a.
Polish: Uwaga 1:Poziom kontroli płytek (gotowych albo niegotowych) posiadających wyznaczoną funkcję należy określać na podstawie parametrów podanych w pozycji 3A001.a.
Hungarian: 1. megjegyzés:Azoknak a (befejezett vagy be nem fejezett) lapkáknak, amelyeken a funkciót meghatározták, az ellenőrzési státusát a 3A001.a. alatti paraméterek szerint kell értékelni.
Slovenian: Opomba 1:Nadzorni status rezin (obdelanih ali neobdelanih) z določeno funkcijo se določa v skladu s parametri iz točke 3A001.a.
Estonian: Märkus 1:Selliste (valmis või poolvalmis) pooljuhtplaatide kontrolli alla kuulumist, mille otstarve on kindlaks määratud, hinnatakse punkti 3A001.a parameetrite põhjal.
Latvian: piezīme.Kontroles režīmu pusvadītāju sagatavēm (pabeigtām un nepabeigtām), kuru funkcijas jau ir noteiktas, nosaka pēc 3A001.a. dotajiem parametriem.
Lithuanian: 1 pastaba:(baigtų arba pusiau baigtų) puslaidininkinių plokštelių, kurių funkcijos yra apibrėžtos, kontrolės statusas yra įvertinamas pagal 3A001.a parametrus.
English: Note 2:Integrated circuits include the following types:
French: Note 2:Les circuits intégrés comprennent les types suivants:
German: Anmerkung 2:Zu den integrierten Schaltungen gehören:
Italian: Nota 2:i circuiti integrati comprendono i tipi seguenti:
Dutch: Noot 2:Geïntegreerde schakelingen omvatten de volgende typen:
Danish: Note 2:Integrerede kredsløb omfatter følgende typer:
Swedish: Anm. 2:Integrerade kretsar omfattar följande typer:
Finnish: Huom. 2:Integroidut piirit sisältävät seuraavat tyypit:
Greek: Σημείωση 2:Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:
Czech: Poznámka 2:Do integrovaných obvodů patří tyto typy:
Slovak: Poznámka 2:Integrované obvody zahŕňajú nasledujúce typy:
Polish: Uwaga 2:Wśród układów scalonych rozróżnia się następujące typy:
Hungarian: 2. megjegyzés:Integrált áramkörök alatt a következő típusokat értjük
Slovenian: Opomba 2:Integrirana vezja vključujejo naslednje tipe:
Estonian: Märkus 2:Integraallülituste tüübid:
Latvian: piezīme.Integrālām shēmām ir šādi tipi:
Lithuanian: 2 pastaba:integriniams grandynams priskiriami:
English: "Monolithic integrated circuits";
French: "circuits intégrés monolithiques",
German: „monolithisch integrierte Schaltungen“,
Italian: "circuiti integrati monolitici",
Dutch: „monolithische geïntegreerde schakelingen”;
Danish: "Monolitisk integrerede kredsløb";
Swedish: ”Monolitiska integrerade kretsar”.
Finnish: "Monoliittiset integroidut piirit";
Greek: "Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα",
Czech: „monolitické integrované obvody“,
Slovak: „monolitické integrované obvody“,
Polish: „monolityczne układy scalone”,
Hungarian: „Monolit integrált áramkörök”;
Slovenian: „monolitna integrirana vezja“,
Estonian: „monoliit-integraallülitused”;
Latvian: "monolītas integrālās shēmas",
Lithuanian: "Monolitiniai integriniai grandynai";
English: "Hybrid integrated circuits";
French: "circuits intégrés hybrides",
German: „integrierte Hybrid-Schaltungen“,
Spanish: "Circuitos integrados monolíticos";
Italian: "circuiti integrati ibridi",
Dutch: „hybride geïntegreerde schakelingen”;
Danish: "Hybride integrerede kredsløb";
Swedish: ”Integrerade hybridkretsar”.
Finnish: "Integroidut hybridipiirit";
Greek: "Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα",
Czech: „hybridní integrované obvody“,
Slovak: „hybridné integrované obvody“,
Polish: „hybrydowe układy scalone”,
Hungarian: „Hibrid integrált áramkörök”;
Slovenian: „hibridna integrirana vezja“,
Estonian: „hübriidintegraallülitused”;
Latvian: "hibrīdas integrālās shēmas",
Lithuanian: "Hibridiniai integriniai grandynai";
English: "Multichip integrated circuits";
French: "circuits intégrés à multipuces",
German: „integrierte Multichip-Schaltungen“,
Spanish: "Circuitos integrados híbridos";
Italian: "circuiti integrati a micropiastrine multiple",
Dutch: „multichip geïntegreerde schakelingen”;
Danish: "Multichip integrerede kredsløb";
Swedish: ”Integrerade multikretsar”.
Finnish: "Integroidut monipalapiirit";
Greek: "Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών",
Czech: „vícečipové integrované obvody“,
Slovak: „mnohočipové integrované obvody“,
Polish: „wieloukłady scalone”,
Hungarian: „Multichip integrált áramkörök”;
Slovenian: „veččipna integrirana vezja“,
Estonian: „mitmekiibilised integraallülitused”;
Latvian: "daudzelementu integrālās shēmas",
Lithuanian: "Daugialusčiai integriniai grandynai";
English: "Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
French: "circuits intégrés à film", y compris les circuits intégrés silicium sur saphir,
German: „integrierte Schichtschaltungen“ einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie,
Spanish: "Circuitos integrados multipastilla"; "Circuitos integrados peliculares", incluidos los circuitos integrados silicio sobre zafiro;
Italian: "circuiti integrati a film" compresi i circuiti integrati di silicio su zaffiro,
Dutch: „geïntegreerde schakelingen van het filmtype” met inbegrip van geïntegreerde schakelingen van silicium op saffier;
Danish: "Film-type integrerede kredsløb", inklusive silicium-på-safir integrerede kredsløb;
Swedish: ”Integrerade kretsar av filmtyp” inklusive integrerade kretsar av typ kisel på safir.
Finnish: "Integroidut kalvopiirit", integroidut pii-safiiripiirit mukaan lukien;
Greek: "Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ", που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,
Czech: „integrované obvody vrstvového typu“, včetně křemíkových obvodů na safírové podložce,
Slovak: „vrstvové integrované obvody“ vrátane integrovaných obvodov typu kremík na zafíre,
Polish: „układy scalone warstwowe”, włącznie z układami scalonymi typu krzem na szafirze,
Hungarian: „Film típusú integrált áramkörök”, beleértve a szilícium/zafír integrált áramköröket is;
Slovenian: „plastna integrirana vezja na filmu“, vključno z integriranimi vezji tipa „silicij na safirju“,
Estonian: „kile-tüüpi integraallülitused”, kaasa arvatud räni-safiir-tüüpi integraallülitused;
Latvian: "plēves tipa integrālās shēmas", arī silīcijs-uz-safīra integrālās shēmas,
Lithuanian: "Sluoksniniai integriniai grandynai", įskaitant silicio ant safyro integrinius grandynus;
English: "Optical integrated circuits".
French: "circuits intégrés optiques".
German: „integrierte optische Schaltungen“.
Spanish: "Circuitos integrados ópticos".
Italian: "circuiti integrati ottici".
Dutch: „optische geïntegreerde schakelingen”.
Danish: "Optiske integrerede kredsløb".
Swedish: ”Optiska integrerade kretsar”.
Finnish: "Optiset integroidut piirit".
Greek: "Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα".
Czech: „optické integrované obvody“.
Slovak: „optické integrované obvody“.
Polish: „optyczne układy scalone”.
Hungarian: „Optikai integrált áramkörök”.
Slovenian: „optična integrirana vezja“.
Estonian: „optilised integraallülitused”.
Latvian: "optiskās integrālās shēmas".
Lithuanian: "Optiniai integriniai grandynai".