FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
French: un faisceau électronique, un faisceau ionique ou un faisceau "laser" avec focalisation et balayage du faisceau, et
German: Verwendung von abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder „Laser“strahlen und
Spanish: Que utilicen un haz de electrones, un haz de iones o un haz "láser", enfocado y desviable, y
Italian: utilizzanti un fascio elettronico focalizzato deflesso, un fascio ionico o un fascio "laser"; e
Dutch: gebruikmaken van afgebogen en gefocusseerde elektronen-, ionen- of „laser”-bundels, en:
Danish: Bruger en afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller "laser"-stråle, og
Swedish: Den använder avlänkade fokuserade elektron-, jon- eller ”laser”strålar, och
Finnish: käyttävät poikkeutettua ja fokusoitua elektronisuihkua, ionisuihkua tai "laser"sädettä, ja
Greek: με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης "λέιζερ", και
Czech: využívají vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku a
Slovak: používajú vychýlený zaostrený elektrónový lúč, iónový lúč alebo „laserový“ lúč a
Polish: wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę „laserową”; oraz
Hungarian: eltérített fókuszált elektronsugarat, ionsugarat, vagy lézersugarat alkalmaz; és
Slovenian: uporablja elektronski žarek z odklonjenim fokusom, ionski ali „laserski“ žarek in
Estonian: kasutatakse hälvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu või „laser”kiirt, ja
Latvian: izmanto novirzītu fokusētu elektronu staru kūli, jonu staru kūli vai "lāzera" staru kūli; un
Lithuanian: Naudojanti kreipiamąjį sufokusuotą elektronų pluoštą, jonų pluoštą ar "lazerio" pluoštą; ir
English: a spot size smaller than 0,2 µm;
French: ayant une dimension du spot inférieure à 0,2 μm;
German: Auflösungsvermögen kleiner als 0,2 μm,
Spanish: Tamaño del haz en el impacto «spot» inferior a 0,2 micras;
Italian: dimensione del punto del fascio inferiore a 0,2 μm;
Dutch: een brandpuntsvlak kleiner dan 0,2 micrometer;
Danish: Pletstørrelse mindre end 0,2 μm;
Swedish: En strålpunkt som är mindre än 0,2 μm.
Finnish: Suihkun tai säteen pisteen koko on pienempi kuin 0,2 μm;
Greek: Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,
Czech: stopu paprsku menší než 0,2 μm,
Slovak: veľkosť bodu menej ako 0,2 μm;
Polish: apertura plamki poniżej 0,2 μm;
Hungarian: a sugárpont mérete kisebb mint 0,2 μm;
Slovenian: točko, manjšo od 0,2 µm;
Estonian: laotuspunkti suurus väiksem kui 0,2 µm;
Latvian: 1. punkta izmērs ir mazāks par 0,2 mikroniem;
Lithuanian: Dėmės matmenis, mažesnius kaip 0,2 μm;
English: being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
French: capables de produire des figures d'une dimension inférieure à 1 μm; ou
German: Fähigkeit, Strukturen mit Abmessungen kleiner als 1 μm zu erzeugen, oder
Spanish: Capacidad de producir un patrón en el que el tamaño de la característica sea inferior a 1 micra; o
Italian: in grado di produrre un tracciato con dimensione del tratto inferiore a 1 μm; o
Dutch: geschikt voor het maken van patroonelementen kleiner dan 1 micrometer; of
Danish: I stand til at frembringe et mønster med enkeltheder, der er mindre end 1 μm; eller
Swedish: Förmåga att producera mönster med en karaktäristisk ledningsbredd som är mindre än 1 μm.
Finnish: Kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden viivaleveys on vähemmän kuin 1 μm; tai
Greek: Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή
Czech: jsou schopná vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm nebo
Slovak: schopnosť vytvoriť obrazec s veľkosťou znaku menej ako 1 μm alebo
Polish: zdolność wytwarzania obrazów o wielkości charakterystycznej poniżej 1 μm; lub
Hungarian: képes olyan mintát előállítani, amelynek fő mérete 1 μm-nél kisebb; vagy
Slovenian: zmožnost izdelave vzorca s potezami, manjšimi od 1 µm; ali
Estonian: võimelised tekitama mustreid, milles vähima lahutatava elemendi mõõt on väiksem kui 1 µm, või
Latvian: spēj formēt trafaretattēlu ar "mazāko atšķiramu detaļu lielumu" 1 mikroni vai mazāku par 1 mikronu; vai
Lithuanian: Galinti sukurti paveikslus, kurių topologinių elementų matmenys mažesni kaip 1 μm; arba
English: an overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
French: précision de chevauchement meilleure que ±0,20 μm (3 sigma);
German: Justiergenauigkeit (overlay accuracy) besser als ±0,20 μm (3 Sigma);
Spanish: Exactitud de recubrimiento mejor que ±0,20 micra (3 sigma);
Italian: precisione di sovrapposizione migliore di ±0,20 μm (3 sigma);
Dutch: overlay-nauwkeurigheid beter dan 0,20 micrometer (3 sigma);
Danish: Overlægningsnøjagtighed bedre end ±0,20 μm (3 sigma);
Swedish: En passningsnoggrannhet som är bättre än ±0,20 μm (3 sigma).
Finnish: Kohdistustarkkuus on parempi kuin ±0,20 μm (3 sigmaa).
Greek: Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ±0,20 μm (3 sigma).
Czech: přesnost překrytí je lepší než ±0,20 μm (3 sigma);
Slovak: presnosť prekryvu lepšia ako ±0,20 μm (3 sigma);
Polish: nokładność nakładania warstw lepsza niż ±0,20 μm (3 sigma);
Hungarian: az elhelyezési pontosság jobb mint ±0,20 μm (3 szigma);
Slovenian: površinsko natančnost boljšo od ±0,20 µm (3 sigme);
Estonian: paigutustäpsus parem kui ±0,20 µm (3 sigmat);
Latvian: pārklājuma precizitāte ir labāka par ±0,20 mikroniem (3 sigma);
Lithuanian: Bendrasis tikslumas geresnis kaip ±0,20 μm (3 sigma).
English: masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
French: masques ou réticules conçus pour circuits intégrés visés au paragraphe 3A001;
German: Masken oder Reticles, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen;
Spanish: Máscaras y retículas diseñadas para circuitos integrados incluidos en el artículo 3A001;
Italian: maschere e reticoli, progettati per i circuiti integrati specificati in 3A001;
Dutch: maskers of fijne optische netwerken („reticles”) voor geïntegreerde schakelingen, vermeld in 3A001;
Danish: Masker og okularmikrometre, beregnet for integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001;
Swedish: Masker eller mastermasker som är avsedda för tillverkning av integrerade kretsar enligt avsnitt 3A001.
Finnish: Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten;
Greek: Μάσκες ή reticles που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
Czech: masky a optické mřížky, konstruované pro integrované obvody uvedené v položce 3A001;
Slovak: masky a kontrolné šablóny znakov navrhnuté pre integrované obvody uvedené v 3A001;
Polish: maski i siatki optyczne zaprojektowane do układów scalonych wymienionych w pozycji 3A001;
Hungarian: A 3A001 pontban meghatározott integrált áramkörökhöz tervezett maszkok és hajszálvonalas lemezek;
Slovenian: maske in mrežice, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001;
Estonian: maskid ja niitvõrgustikud, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele;
Latvian: maskas un rastri, kas konstruēti 3A001 pozīcijā minētajām integrālajām shēmām;
Lithuanian: Kaukės ir tarpiniai fotošablonai, skirti integriniams grandynams, nurodytiems 3A001;
English: multi-layer masks with a phase shift layer.
French: masques multicouches comportant une couche à décalage de phase.
German: Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht;
Spanish: Máscaras multicapas con una capa de cambio de fase;
Italian: maschere multistrato con uno strato a spostamento di fase;
Dutch: maskers bestaande uit verscheidene lagen met een faseverschuivingslaag.
Danish: Flerlagsmasker med et faseforskydningslag;
Swedish: Flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager.
Finnish: Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros;
Greek: Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης.
Czech: vícevrstvé masky s vrstvou fázového posunu;
Slovak: viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu;
Polish: maski wielowarstwowe z warstwą z przesunięciem fazowym;
Hungarian: Többrétegű maszkok fáziseltolásos rétegekkel;
Slovenian: večplastne maske s faznimi premičnimi plastmi;
Estonian: mitmekihilised maskid faasinihke kihiga.
Latvian: daudzslāņu maskas ar fāžu nobīdes slāni;
Lithuanian: Daugiasluoksnės kaukės su fazės poslinkio sluoksniu.
English: i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
French: i. gabarits de lithographie par impression conçus pour les circuits intégrés visés au paragraphe 3A001.
German: Matrizen (templates) für die Imprintlithographie, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen.
Spanish: i. Plantillas para impresión litográfica diseñadas para circuitos integrados especificados en 3A001.
Italian: i. sagome di impressione litografica progettate per i circuiti integrati specificati in 3A001.
Dutch: i. imprintlithografie-templates ontworpen voor de in 3A001 gespecificeerde geïntegreerde schakelingen.
Danish: i. Litografiskabeloner til prægning beregnet til integrerede kredsløb som omhandlet i 3A001.
Swedish: Schabloner för litografisk prägling som är utformade för integrerade kretsar som omfattas av avsnitt 3A001.
Finnish: i. Kohokuviointimallineet, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten.
Greek: Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001.
Czech: i. šablony pro tiskovou litografii určené pro integrované obvody stanovené v položce 3A001.
Slovak: tlačiarenské litografické šablóny určené pre integrované obvody uvedené v 3A001.
Polish: szablony do litografii nanodrukowej układów scalonych wymienionych w pozycji 3A001.
Hungarian: i. A 3A001 pontban meghatározott integrált áramkörökhöz tervezett imprinting litográfiai sablonok.
Slovenian: i. Tiskarske litografske šablone, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001.
Estonian: i. jäljendi litograafiašabloonid, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele.
Latvian: i. drukas litogrāfijas veidnes, kas paredzētas pozīcijā 3A001 minētajām integrālajām shēmām.
Lithuanian: i. Litografinės spaudos šablonai, skirti integriniams grandynams, nurodytiems 3A001.
English: for testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
French: pour le test des paramètres S de transistors à une fréquence supérieure à 31,8 GHz;
German: zum Prüfen der S-Parameter von Transistoren bei Frequenzen größer als 31,8 GHz;
Spanish: Para ensayo de parámetros S de dispositivos de transistores a frecuencias superiores a 31,8 GHz;
Italian: per il collaudo dei parametri S dei dispositivi a transistor a frequenze superiori a 31,8 GHz;
Dutch: voor het testen van S-parameters van transistorelementen bij frequenties hoger dan 31,8 GHz;
Danish: Til afprøvning af transistorers S-parametre ved frekvenser over 31,8 GHz;
Swedish: Utrustning för provning av transistorers S-parametrar vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz.
Finnish: Laitteet transistorien S-parametrien testaukseen yli 31,8 GHz:n alueella;
Greek: Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz,
Czech: pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při frekvencích větších než 31,8 GHz;
Slovak: na skúšanie parametrov S-parametrov tranzistorových zariadení pri frekvenciách nad 31,8 GHz;
Polish: do testowania S — parametrów urządzeń tranzystorowych przy częstotliwościach powyżej 31,8 GHz;
Hungarian: Tranzisztor eszközök S-paraméterének tesztelésére szolgáló eszközök 31,8 GHz-et meghaladó frekvencián;
Slovenian: za preizkušanje parametrov S tranzistorskih naprav pri frekvencah nad 31,8 GHz;
Estonian: transistoride S parameetrite testimiseks sagedustel üle 31,8 GHz;
Latvian: tranzistoru S-parametru pārbaudei pie frekvencēm, kas pārsniedz 31,8 GHz;
Lithuanian: Skirta tranzistorinių įtaisų S parametrams tikrinti dažniuose, viršijančiuose 31,8 GHz;
English: for testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
French: pour le test de circuits intégrés hyperfréquences visés à l'alinéa 3A001.b.2.
German: zum Prüfen von integrierten Mikrowellenschaltungen, die von Unternummer 3A001b2 erfasst werden.
Spanish: Para el ensayo de los circuitos integrados de microondas incluidos en el subartículo 3A001.b.2.
Italian: per il collaudo di circuiti integrati a microonde specificati in 3A001.b.2.
Dutch: voor het testen van in 3A001.b.2 vermelde geïntegreerde schakelingen voor microgolven;
Danish: Til prøvning af integrerede mikrobølgekredsløb, der er specificeret i 3A001.b.2.
Swedish: Utrustning som kan prova integrerade mikrovågskretsar som omfattas av avsnitt 3A001.b.2.
Finnish: Laitteet 3A001.b.2 kohdassa määriteltyjen integroitujen mikroaaltopiirien testaukseen.
Greek: Για την δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2.
Czech: pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů uvedených v položce 3A001.b.2.
Slovak: na testovanie mikrovlnových integrovaných obvodov uvedených v 3A001.b.2.
Polish: do testowania mikrofalowych układów scalonych wymienionych w pozycji 3A001.b.2.
Hungarian: A 3A001.b.2. részben meghatározott mikrohullámú integrált áramkörök tesztelésére szolgáló eszközök.
Slovenian: za preizkušanje mikrovalovnih integriranih vezij iz točke 3A001.b.2.
Estonian: punktis 3A001.b.2 nimetatud mikrolaine integraallülituste testimiseks.
Latvian: 3A001.b.2. pozīcijā minēto mikroviļņu integrālo shēmu pārbaudēm.
Lithuanian: Skirta mikrobanginiams integriniams grandynams, nurodytiems 3A001.b.2., tikrinti.
English: Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
French: Matériaux hétéro-épitaxiés consistant en un "substrat" comportant des couches multiples empilées obtenues par croissance épitaxiale:
German: Hetero-epitaxiale Werkstoffe aus einem „Substrat“, das mehrere Epitaxieschichten aus einem der folgenden Materialien enthält:
Spanish: Materiales hetero epitaxiales consistentes en un "sustrato" con capas múltiples apiladas obtenidas por crecimiento epitaxial de cualquiera de los siguientes productos:
Italian: Materiali etero-epitassiali consistenti di un "substrato" con strati multipli sovrapposti ottenuti per crescita epitassiale di uno degli elementi seguenti;
Dutch: Hetero-epitaxiale materialen bestaande uit een „substraat” met verscheidene gestapelde epitaxiaal gegroeide lagen van:
Danish: Hetero-epitaksiale materialer, der består af et "substrat" med flere, stablede epitaksisk dyrkede lag af:
Swedish: Hetero-epitaxiella material som består av ett ”substrat” med ovanpå varandra liggande epitaxiellt tillvuxna multipelskikt av något av följande:
Finnish: Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat "substraatista", jonka päälle on epitaksisti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita:
Greek: Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από "υπόστρωμα" πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
Czech: Heteroepitaxní materiály sestávající z „podložky“ složené z více na sobě uspořádaných epitaxně narostlých vrstev z:
Slovak: Heteroepitaxiálne materiály pozostávajúce zo „substrátu“, na ktorom sa nachádzajú epitaxiálne narastené viacnásobné vrstvy niektorého z týchto materiálov:
Polish: Materiały heteroepitaksjalne składające się z „podłoża” i wielu nałożonych epitaksjalnie warstw z któregokolwiek z poniższych:
Hungarian: Több réteget tartalmazó hetero-epitaxiális anyagok, amelyeket a következő rétegek bármelyikéből epitaxiálisan növesztett „szubsztrátumokból” állnak:
Slovenian: Heteroepitaksialni materiali, sestavljeni iz „podlage“ z naloženimi plastmi, pridobljeni z epitaksialno rastjo, iz naslednjih materialov:
Estonian: Hetero-epitaksiaalsed materjalid, mis koosnevad järgmiste materjalide epitakskasvatamisel saadud „põhimikest”:
Latvian: Hetero-epitaksiāli materiāli, ko veido "substrāts" ar sapakotiem daudzslāņu materiāliem, kas izaudzēti ar epitaksijas paņēmienu no kāda še turpmāk minētā:
Lithuanian: Įvairiatarpės (draustinės juostos) epitaksinės medžiagos, sudarančios "padėklą", paeiliui epitaksiškai užaugintą daugiasluoksnę dangą iš:
English: Silicon (Si);
French: silicium (Si);
German: Silizium (Si),
Spanish: Silicio (Si);
Italian: silicio (Si);
Dutch: silicium;
Danish: Silicium (Si);
Swedish: Kisel (Si).
Finnish: Pii (Si);
Greek: Πυρίτιο (Si),
Czech: křemíku (Si);
Slovak: kremík (Si);
Polish: krzemu (Si);
Hungarian: Szilícium (Si);
Slovenian: silicija (Si);
Estonian: räni (Si);
Latvian: silīcija (Si);
Lithuanian: Silicio (Si);
English: Germanium (Ge);
German: Germanium (Ge),
Spanish: Germanio (Ge);
Italian: germanio (Ge);
Dutch: germanium;
Swedish: Germanium (Ge).
Greek: Γερμάνιο (Ge),
Czech: germania (Ge);
Slovak: germánium (Ge);
Polish: germanu (Ge);
Hungarian: Germánium (Ge);
Slovenian: germanija (Ge);
Estonian: germaanium (Ge);
Latvian: ģermānija (Ge);
Lithuanian: Gemanio (Ge);
English: Silicon carbide (SiC); or
French: carbure de silicium (Sic); ou
German: Siliziumkarbid (SiC) oder
Spanish: Carburo de silicio (SiC); o
Italian: carburo di silicio (SiC); o
Dutch: siliciumcarbide; of
Danish: Siliciumcarbid (SiC); eller
Swedish: Kiselkarbid (SiC).
Finnish: Piikarbidi (SiC); tai
Greek: Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), ή
Czech: karbidu křemíku (SiC) nebo
Slovak: karbid kremíka (SiC) alebo
Polish: węglika krzemu (SiC); lub
Hungarian: Szilícium-karbid (SiC); vagy
Slovenian: silicijevega karbida (SiC); ali
Estonian: ränikarbiid (SiC) või
Latvian: silīcija karbīda (SiC); vai
Lithuanian: Silicio karbido (SiC); arba
English: "III/V compounds" of gallium or indium.
French: "composés III/V" de gallium ou d'indium.
German: „III/V-Verbindungen“ von Gallium oder Indium.
Spanish: "Compuestos III/V" de galio o indio.
Italian: "composti III/V" di gallio o di indio.
Dutch: „III/V” gallium- indium-„verbindingen”.
Danish: III/V-forbindelser af gallium eller indium.
Swedish: III/V-föreningarr av gallium eller indium.
Finnish: Galliumin tai indiumin "III/V-yhdisteet".
Greek: "Σύνθετες ενώσεις" γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
Czech: „sloučenin galia nebo india typu III/V“.
Slovak: „zlúčeniny III/V“ gália alebo india.
Polish: „związków III/V” galu lub indu.
Hungarian: III/V gallium- vagy indiumvegyületek.
Slovenian: „III/V spojin“ galija ali indija.
Estonian: galliumi või indiumi „III/V ühendid”.
Latvian: gallija vai indija "III/V savienojumiem".
Lithuanian: Galio ar indžio (III/V) junginių.
English: Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
French: Résines photosensibles (résists), comme suit, et "substrats" revêtus des résines photosensibles:
German: Fotoresists wie folgt und „Substrate“, die mit folgenden Fotoresists beschichtet sind:
Spanish: Materiales de protección («resists»), según se indica, y "sustratos" revestidos con los materiales de protección («resists») siguientes:
Italian: Resine fotosensibili (resist) e "substrati" rivestiti di resine fotosensibili come segue:
Dutch: „Resists” (gevoelige lagen), als hieronder, en „substraten” bekleed met de volgende „resists”:
Danish: Følgende resistmaterialer samt "substrater" belagt med følgende resists:
Swedish: Resistmaterial enligt följande, och ”substrat” belagda med kontrollerade resistmaterial:
Finnish: Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja seuraavilla estopinnoitteilla pinnoitetut "substraatit":
Greek: Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και "υποστρώματα" που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών:
Czech: Rezistní materiály (rezisty) a „podložky“ potažené těmito rezisty:
Slovak: Odolné materiály a „substráty“ potiahnuté týmito odolnými materiálmi:
Polish: Następujące materiały fotorezystywne i „podłoża” powlekane następującymi materiałami ochronnymi:
Hungarian: Védőréteg anyagok és az alább védőanyagokkal bevont „szubsztrátumok”:
Slovenian: Uporovni materiali in „podlage“, prevlečene z naslednjimi krmiljenimi uporovnimi pastami:
Estonian: Resistmaterjalid ja „põhimikud”, mis on kaetud järgmiste resistmaterjalidega:
Latvian: Aizsargpārklājumu materiāli un "substrāti", kas pārklāti ar šādiem vadāmu īpašību aizsargpārklājumiem:
Lithuanian: Rezistų medžiagos, išvardytos toliau, ir kontroliuojamais rezistais padengti "padėklai":
English: positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
French: résines photosensibles (résists) positives pour lithographie des semi-conducteurs spécialement adaptées (optimisées) pour l'emploi à des longueurs d'onde inférieures à 245 nm;
German: Positiv-Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, besonders eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 245 nm;
Spanish: Materiales de protección («resists») positivos para litografía en semiconductores ajustados especialmente (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 245 nm;
Italian: resine fotosensibili (resist) positive progettate per litografia di semiconduttori appositamente adattate (ottimizzate) per l’impiego con lunghezze d’onda inferiori a 245 nm;
Dutch: positieve „resists” ontworpen voor halfgeleiderlithografie, die optimaal geschikt zijn gemaakt voor gebruik bij golflengten van minder dan 245 nm;
Danish: Positive resists til halvlederlitografi, som er specielt justeret (optimeret) til brug under 245 nm;
Swedish: Positiva resistmaterial som är utformade för halvledarlitografioch speciellt justerade (optimerade) för våglängder under 245 nm.
Finnish: Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on erityisesti sovitettu (optimoitu) alle 245 nm:n aallonpituuksille;
Greek: Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 245 nm,
Czech: pozitivní rezisty konstruované pro polovodičovou litografii speciálně upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách pod 245 nm;
Slovak: pozitívne odolné materiály navrhnuté pre polovodičovú litografiu, osobitne upravené (optimalizované) na používanie pri vlnových dĺžkach menej ako 245 nm;
Polish: materiały fotorezystywne pozytywowe zaprojektowane do litografii półprzewodnikowej, specjalnie wyregulowanej (zoptymalizowanej) do stosowania w zakresie długości fali poniżej 245 nm;
Hungarian: Pozitív védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten 245 nm alatti hullámhosszúságú félvezető litográfiához igazítottak (optimalizáltak);
Slovenian: pozitivne uporovne paste za polprevodniško litografijo, posebej prirejene (optimizirane) za uporabo pri valovnih dolžinah pod 245 nm;
Estonian: positiivsed resistid, mis on ette nähtud pooljuhtide litograafiaks ning spetsiaalselt kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 245 nm;
Latvian: pozitīvi aizsargpārklājumi pusvadītāju litogrāfijai, speciāli pielāgoti (optimizēti) lietošanai viļņu garumos, kas mazāki par 245 nm;
Lithuanian: Pozityviniai rezistai, skirti puslaidininkinių įtaisų litografijai, specialiai pritaikyti (optimizuoti) naudoti esant bangų ilgiams, mažesniems kaip 245 nm;