FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: image intensifier tubes having all of the following:
French: tubes intensificateurs d'image présentant toutes les caractéristiques suivantes:
German: Bildverstärkerröhren mit allen folgenden Eigenschaften:
Spanish: Tubos intensificadores de imagen que tengan todas las características siguientes:
Italian: tubi intensificatori di immagini aventi tutte le caratteristiche seguenti:
Dutch: beeldversterkerbuizen met alle volgende kenmerken:
Danish: Billedforstærkerrør med samtlige følgende:
Swedish: Bildförstärkarrör som har samtliga följande egenskaper:
Finnish: Kuvanvahvistusputket, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Greek: Λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων που ανταποκρίνονται σε όλα τα κατωτέρω:
Czech: elektronkové zesilovače obrazu, které mají všechny tyto vlastnosti:
Slovak: elektrónky na zosilnenie jasu obrazu, vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Polish: lampowe wzmacniacze obrazu spełniające wszystkie z poniższych kryteriów:
Hungarian: Az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező képerősítő csövek:
Slovenian: elektronke za ojačenje slike, ki imajo vse naslednje značilnosti:
Estonian: kujutisevõimendustorud, millel on kõik järgmised omadused:
Latvian: attēla pastiprinātāju lampas, kam ir visas šīs īpašības:
Lithuanian: Vaizdo intensyvinimo vamzdžiai, turintys visas šias charakteristikas:
English: a peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm;
French: ayant une réponse de crête dans la gamme de longueurs d'onde supérieure à 400 nm mais non supérieure à 1050 nm;
German: Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 400 nm und kleiner/gleich 1050 nm,
Spanish: Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 400 nm pero no superiores a 1050 nm;
Italian: risposta di picco nella gamma di lunghezze d’onda superiori a 400 nm ma non superiori a 1050 nm;
Dutch: een grootste gevoeligheid bij een golflengte van meer dan 400 nm doch niet meer dan 1050 nm;
Danish: Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, dog højst 1050 nm;
Swedish: En maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 400 nm men inte 1050 nm.
Finnish: Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta ei yli 1050 nm;
Greek: Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 400 nm και μέχρι 1050 nm,
Czech: maximální citlivost v rozmezí vlnových délek nad 400 nm, avšak nejvýše 1050 nm,
Slovak: špičková odozva v rozsahu vlnovej dĺžky viac ako 400 nm, ale nie viac ako 1050 nm;
Polish: reakcja szczytowa w zakresie długości fal powyżej 400 nm, ale poniżej 1050 nm;
Hungarian: A legnagyobb válaszjel a 400–1050 nm hullámhossz-tartományba esik;
Slovenian: maksimalno odzivnost pri valovnih dolžinah več kot 400 nm, vendar največ 1050 nm;
Estonian: tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 400 nm, kuid mitte üle 1050 nm;
Latvian: maksimālā jutība ir viļņu garuma diapazonā, kas pārsniedz 400 nm, bet nepārsniedz 1050 nm;
Lithuanian: Kurių didžiausiasis fotoatsakas atitinka bangų ilgių sritį, viršijančią 400 nm, bet neviršijančią 1050 nm;
English: electron image amplification using any of the following:
French: amplification électronique de l'image employant l'un des éléments suivants:
German: elektronische Bildverstärkung mit einer der folgenden Eigenschaften:
Spanish: Amplificación electrónica de imagen que emplee cualquiera de los siguientes elementos:
Italian: amplificazione elettronica dell'immagine che utilizza uno dei dispositivi seguenti:
Dutch: elektronische beeldversterking waarbij gebruik wordt gemaakt van:
Danish: Elektronisk billedforstærkning med anvendelse af en af følgende:
Swedish: Elektronbildförstärkning med användning av något av följande:
Finnish: Elektroninen kuvanvahvistus, jossa käytetään jotain seuraavista:
Greek: Ηλεκτρονική ενίσχυση εικόνας που χρησιμοποιεί οποιοδήποτε από τα εξής:
Czech: zesílení elektronového obrazu za využití:
Slovak: elektrónové zosilnenie obrazu využívajúce ktorýkoľvek z týchto prvkov:
Polish: wzmacnianie obrazów elektronicznych z wykorzystaniem dowolnego z poniższych:
Hungarian: az alábbiak bármelyikét alkalmazó elektron-képerősítés:
Slovenian: elektronsko ojačenje slike z uporabo:
Estonian: elektronkujutise võimendamine järgmise abil:
Latvian: elektronu attēlu pastiprinātājs, kuram ir kāds no šiem raksturlielumiem:
Lithuanian: Elektroninio vaizdo stiprinimui naudojama kuri nors iš toliau nurodytų priemonių:
English: a microchannel plate with a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 µm or less; or
French: une plaque à microcanaux présentant un espacement des trous (espacement centre à centre) de 12 µm ou moins; ou
German: Mikrokanalplatte mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte) kleiner/gleich 12 µm oder
Spanish: Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferior a 12 micras; o
Italian: una placca a microcanali con una spaziatura dei fori (da centro a centro) uguale o inferiore a 12 μm; o
Dutch: een microkanaalplaat met een afstand tussen de gaten (hart op hart gemeten) van 12 µm of minder; of
Danish: En mikrokanalplade med en hulafstand (center-til-center) på 12 μm eller mindre, eller
Swedish: En mikrokanalplatta med en håldelning (avstånd från ett håls mittpunkt till närmaste håls mittpunkt) på högst 12 μm.
Finnish: Mikrokanavalevy, jonka reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 µm tai vähemmän; tai
Greek: Πλάκα μικροδιαύλου με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο, ή
Czech: mikrokanálové desky s roztečí otvorů (od středu ke středu) nejvýše 12 µm nebo
Slovak: mikrokanáliková doštička s rozostupom otvorov (vzdialenosť medzi stredmi) najviac 12 µm alebo menej, alebo
Polish: elektrody mikrokanalikowej z otworkami w odstępach (odległość pomiędzy środkami otworków) 12µm lub mniejszych; lub
Hungarian: 12 μm vagy annál kisebb osztástávolságú (központtól központig) mikrocsatorna-lemez; vagy
Slovenian: mikrokanalne plošče z razmikom odprtin (razmikom med središči) 12 µm ali manj; ali
Estonian: mikrokanalplaat, mille maskisamm (tsentritevaheline kaugus) on 12 µm või vähem, või
Latvian: mikrokanālu plate ar perforācijas soli (atstatums no centra līdz centram) 12 μm vai mazāk; vai
Lithuanian: Mikrokanalinė plokštelė, kurios skylučių tarpas (atstumas tarp jų centrų) yra ne daugiau nei 12 μm; arba
English: any of the following photocathodes:
French: une des photocathodes suivantes:
German: eine der folgenden Fotokathoden:
Spanish: Cualquiera de los siguientes fotocátodos:
Italian: uno qualsiasi dei seguenti fotocatodi:
Dutch: één of meer van de volgende fotokathoden:
Danish: En eller flere af følgende fotokatoder:
Swedish: Någon av följande fotoceller:
Finnish: Jokin seuraavista valokatodeista:
Greek: Φωτοκάθοδοι οποιουδήποτε από τους εξής τύπους:
Czech: některé níže uvedené fotokatody:
Slovak: niektoré z týchto fotokatód:
Polish: jakiekolwiek z poniższych fotokatod:
Hungarian: Az alábbi fotokatódok bármelyikével rendelkeznek:
Slovenian: katero koli izmed naslednjih fotokatod:
Estonian: mis tahes järgmised fotokatoodid:
Latvian: tajā ietilpst jebkurš no šiem fotokatodiem:
Lithuanian: Turintys kurį nors iš šių fotokatodų:
English: S-20, S-25 or multialkali photocathodes with a luminous sensitivity exceeding 350 μA/lm;
French: photocathodes S-20, S-25 ou multialcalines avec une sensibilité lumineuse excédant 350 μA/lm;
German: S-20, S-25 oder multialkalische Fotokathode mit einer Lichtempfindlichkeit (luminous sensitivity) von mehr als 350 µA/lm,
Spanish: Fotocátodos S-20, S-25 o multialcalinos de fotosensibilidad superior a 350 μA/lm;
Italian: fotocatodi S-20, S-25 o multialcalini con sensibilità luminosa superiore a 350 μA/lm;
Dutch: een S-20, S-25 of multi-alkali-fotokathode met een lichtgevoeligheid van meer dan 350 μA/lm;
Danish: S-20, S-25 eller multialkali-fotokatoder, med en lysfølsomhed på over 350 μA/lm;
Swedish: En S-20, S-25 eller multialkalisk fotocell med en ljuskänslighet som är bättre än 350 μA/lm.
Finnish: S-20-, S-25- tai monialkaalivalokatodit, joiden valoherkkyys ylittää 350 μA/lm;
Greek: S-20, S-25 ή φωτοκάθοδοι πολυαλκαλίων με φωτεινή ευαισθησία άνω των 350 μΑ/lm,
Czech: fotokatody S-20, S-25 nebo vícenásobné alkalické fotokatody se světelnou citlivostí vyšší než 350 μA/1m;
Slovak: S-20, S-25 alebo multialkalické fotokatódy so svetelnou citlivosťou viac ako 350 μA/1 m;
Polish: fotokatody S-20 i S-25 lub alkaliczne (wielopierwiastkowe) o czułości świetlnej przekraczającej 350 μA/lm;
Hungarian: S-20, S-25 vagy multialkáli fotokatódok 350 μA/lm-t meghaladó fényérzékenységgel;
Slovenian: fotokatode S-20, S-25 ali multialkalne fotokatode s svetlobno občutljivostjo več kot 350 μA/lm;
Estonian: S-20, S-25 või multileelisfotokatoodid, mille valgustundlikkus on üle 350 μA/lm;
Latvian: S-20, S-25 vai multibāzu fotokatodi ar gaismas jutību, kas lielāka par 350 mikroA/lm,
Lithuanian: S–20, S–25 arba daugiašarmių fotokatodų, kurių šviesinis jautris viršija 350 μA/lm;
English: GaAs or GaInAs photocathodes; or
French: photocathodes à l'arséniure de gallium (GaAs) ou à l'arséniure de gallium-indium (GaInAs); ou
German: GaAs- oder GaInAs-Fotokathode oder
Spanish: Fotocátodos de GaAs o de GaInAs; o
Italian: fotocatodi di arseniuro di gallio (GaAs) o di arseniuro di gallio-indio (GaInAs) o
Dutch: een GaAs- of GaInAs-fotokathode; of
Danish: GaAs eller GaInAs fotokatoder; eller
Swedish: GaAs eller GaInAs fotocell.
Finnish: GaAs- tai GaInAs-valokatodit; tai
Greek: Φωτοκάθοδοι GaAS ή GaInAs, ή
Czech: fotokatody GaAs nebo GaInAs nebo
Slovak: fotokatódy GaAs alebo GaInAs alebo
Polish: fotokatody GaAs lub GaInAs; lub
Hungarian: GaAs vagy GaInAs fotokatódok; vagy
Slovenian: fotokatode GaAs ali GaInAs; ali
Estonian: GaAs- või GaInAs-fotokatoodid või
Latvian: GaAs vai GaInAs fotokatodi; vai
Lithuanian: GaAs arba GaInAs fotokatodų; arba
English: other "III-V compound" semiconductor photocathodes;
French: autres photocathodes semi-conducteurs "composés III-V";
German: andere „III-V-Verbindungshalbleiter“-Fotokathoden;
Spanish: Otros fotocátodos semiconductores "compuestos III-V";
Italian: altri fotocatodi semiconduttori "composti appartenenti alle classi III-V";
Dutch: andere „op III-V-verbindingen gebaseerde” halfgeleiderfotokathoden;
Danish: Andre "III-V-forbindelse" halvlederfotokatoder;
Swedish: Andra fotoceller av halvledartyp bestående av ”III/V-föreningar”.
Finnish: Muut "III–V" yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit;
Greek: Άλλες φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών "III-V".
Czech: fotokatody z jiných „sloučenin skupin polovodičů III–V“;
Slovak: iné polovodičové fotokatódy zo „zlúčenín III-V“;
Polish: inne fotokatody półprzewodnikowe „związków III–V”;
Hungarian: Egyéb III–V összetett félvezető fotokatódok;
Slovenian: druge heteroatomne polprevodniške fotokatode „skupin III–V“;
Estonian: muud „III–V ühenditest” pooljuhtfotokatoodid;
Latvian: citi "III-V grupas elementu savienojumu" pusvadītāju fotokatodi;
Lithuanian: Kitų puslaidininkinių "III–V junginių" fotokatodų;
English: Note:6A002.a.2.a.3.c. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
French: Note:L'alinéa 6A002.a.2.a.3.c. ne vise pas les photocathodes semi-conducteurs composés dont la sensibilité d'énergie radiante maximale est de 10 mA/W ou moins.
German: Anmerkung:Unternummer 6A002a2a3c erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W.
Spanish: Nota:El subartículo 6A002.a.2.a.3.c. no somete a control los fotocátodos semiconductores compuestos de sensibilidad máxima de radiación igual o inferior a 10 mA/W.
Italian: Nota:6A002.a.2.a.3.c non sottopone ad autorizzazione i fotocatodi semiconduttori composti con sensibilità radiante massima di 10 mA/W o inferiore.
Dutch: Noot:6A002.a.2.a.3.c is niet van toepassing op dergelijke kathoden wanneer hun stralingsgevoeligheid maximaal 10 mA/W bedraagt.
Danish: Note:6A002.a.2.a.3.c. lægger ikke eksportkontrol på sammensatte halvlederfotokatoder med en strålingsfølsomhed på højst 10 mA/W.
Swedish: Anm.:Avsnitt 6A002.a.2.a.3.c omfattar inte sammansatta fotoceller av halvledartyp med en maximal strålningskänslighet på 10 mA/W eller mindre).
Finnish: Huom.:6A002.a.2.a.3.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, joiden maksimi säteilynherkkyys on 10 mA/W tai vähemmän.
Greek: Σημείωση:Το σημείο 6Α002.α.2.α.3.γ. δεν ελέγχει τις φωτοκαθόδους σύνθετων ημιαγωγών με μέγιστη ευαισθησία ακτινοβολίας 10 mΑ/W ή λιγότερο.
Czech: Poznámka:Položka 6A002.a.2.a.3.c. nezahrnuje fotokatody ze sloučenin polovodičů s maximální radiantovou citlivostí 10 mA/W nebo nižší.
Slovak: Poznámka:Podľa 6A002.a.2.a.3.c sa neriadia polovodičové fotokatódy zo zlúčenín s maximálnou citlivosťou na žiarenie 10 mA/W alebo menej.
Polish: Uwaga:Pozycja 6A002.a.2.a.3.c nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości promieniowania 10 mA/W lub mniej.
Hungarian: Megjegyzés:A 6A001.a.2.a.3.c. nem vonja ellenőrzés alá a 10 mA/W, vagy annál kisebb maximális érzékenységű összetett félvezető fotokatódokat.
Slovenian: Opomba:Točka 6A002.a.2.a.3.c ne velja za heteroatomne polprevodniške fotokatode z največjo sevalno občutljivostjo 10 mA/W ali manj.
Estonian: Märkus:Punkt 6A002.a.2.a.3.c ei kehti liitpooljuhtfotokatoodide suhtes, mille maksimaalne kiirgustundlikkus on 10 mA/W või vähem.
Latvian: Piezīme.Saskaņā ar 6A002.a.2.a.3.c. pozīciju kontroli neattiecina uz saliktiem pusvadītāju fotokatodiem ar maksimālo izstarojuma jutību 10 mA/W vai mazāku.
Lithuanian: Pastaba:6A002.a.2.a.3.c. netaikomas puslaidininkinių junginių fotokatodams, kurių didžiausiasis šviesinis energinis jautris yra ne didesnis kaip 10 mA/W.
English: a peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1800 nm;
French: réponse de crête dans la gamme de longueurs d'onde dépassant 1050 nm mais ne dépassant pas 1800 nm;
German: Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1050 nm und kleiner/gleich 1800 nm,
Spanish: Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 1050 nm pero no superiores a 1800 nm;
Italian: risposta di picco nella gamma di lunghezze d'onda superiori a 1050 nm ma non superiori a 1800 nm;
Dutch: een grootste gevoeligheid bij een golflengte van meer dan 1050 nm doch niet meer dan 1800 nm;
Danish: Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1050 nm, men ikke over 1800 nm;
Swedish: En maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 1050 nm men inte 1080 nm.
Finnish: Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1050 nm mutta ei yli 1800 nm;
Greek: Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 1050 nm και μέχρι 1800 nm,
Czech: maximální citlivost v rozmezí vlnových délek nad 1050 nm, avšak nejvýše 1800 nm;
Slovak: špičková odozva v rozsahu vlnovej dĺžky viac ako 1050 nm, ale nie viac ako 1800 nm;
Polish: reakcja szczytowa w zakresie długości fal powyżej 1050 nm, ale poniżej 1800 nm;
Hungarian: a legnagyobb válaszjel az 1050 nm-t meghaladó, de az 1800 nm-t nem meghaladó hullámhossz-tartományba esik;
Slovenian: maksimalno odzivnost pri valovnih dolžinah več kot 1050 nm, vendar največ 1800 nm;
Estonian: tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 1050 nm, kuid mitte üle 1800 nm;
Latvian: maksimālā jutība viļņu garumā, kas pārsniedz 1050 nm, bet nepārsniedz 1800 nm;
Lithuanian: Kurių didžiausias fotoatsakas atitinka bangų ilgių sritį, viršijančią 1050 nm, bet neviršijančią 1800 nm;
English: "III-V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
French: des photocathodes semi-conducteurs "composés III-V" (par ex., GaAs ou GaInAs) et photocathodes à électrons transférés;
German: Fotokathoden aus einem „III/V-Verbindungshalbleiter“ (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron fotocathodes);
Spanish: Fotocátodos semiconductores (por ejemplo GaAs o GaInAs) "compuestos III-V" y fotocátodos de transferencia de electrones;
Italian: fotocatodi semiconduttori "composti appartenenti alle classi III-V" (per es. GaAs o GaInAs) e fotocatodi a trasferimento di elettroni;
Dutch: „op III-V-verbindingen gebaseerde” halfgeleiderfotokathoden (bv. GaAs of GaInAs) en fotokathoden op basis van elektronenoverdracht;
Danish: "III-V-forbindelse" sammensatte halvlederfotokatoder (f.eks. GaAs eller GaInAs) og overførte elektron-fotokatoder.
Swedish: Fotoceller av halvledartyp bestående av ”III/V-föreningar” (t.ex. GaAs eller GaInAs) och överförda elektronfotoceller.
Finnish: "III-V-yhdiste" puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit;
Greek: Φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών "III-V" (π.χ. GaAs ή GaInAs) και φωτοκάθοδοι μεταφερόμενων ηλεκτρονίων,
Czech: fotokatody ze sloučenin skupin „polovodičů III-V“ (například GaAs nebo GaInAs) nebo fotokatody na základě převedených elektronů;
Slovak: polovodičové fotokatódy zo „zlúčenín III-V“ (napr. GaAs alebo GaInAs) a fotokatódy s prenesenými elektrónmi;
Polish: fotokatody półprzewodnikowe (np. GaAs lub GaInAs) „związków III–V/V” oraz fotokatody o elektronach przeniesionych;
Hungarian: III–V összetett félvezető (pl. GaAs vagy GaInAs) fotokatódok és kilökött elektron fotokatódok;
Slovenian: heteroatomne polprevodniške fotokatode „skupin III-V“ (npr. GaAs ali GaInAs) in fotokatode s prenesenimi elektroni (transferred electron photocathodes);
Estonian: „III–V ühenditest” pooljuhtfotokatoodid (nt GaAs või GaInAs) ja elektronülekande fotokatoodid;
Latvian: "III-V grupas elementu savienojumu" pusvadītāju (piem., GaAs vai GaInAs) fotokatodi un elektronu pārnesuma fotokatodi;
Lithuanian: Puslaidininkinių "III–V junginių" (pvz., GaAs arba GaInAs) fotokatodai ir perkeltieji elektroniniai fotokatodai;
English: Note:6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 15 mA/W or less.
French: Note:L'alinéa 6A002.a.2.b.3 ne vise pas les photocathodes semi-conducteurs composés dont la sensibilité d'énergie radiante maximale est de 15 mA/W ou moins.
German: Anmerkung:Unternummer 6A002a2b3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 15 mA/W.
Spanish: Nota:El subartículo 6A002.a.2.b.3. no somete a control los fotocátodos semiconductores compuestos de sensibilidad máxima de radiación igual o inferior a 15 mA/W.
Italian: Nota:6A002.a.2.b.3. non sottopone ad autorizzazione i fotocatodi semiconduttori composti con sensibilità radiante massima di 15 mA/W o inferiore.
Dutch: Noot:6A002.a.2.b.3. is niet van toepassing op dergelijke kathoden wanneer hun stralingsgevoeligheid maximaal 15 mA/W bedraagt.
Danish: Note:6A002.a.2.c.3. lægger ikke eksportkontrol på sammensatte halvlederfotokatoder med en strålingsfølsomhed på højst 15 mA/W.
Swedish: Anm.:Avsnitt 6A002.a.2.b.3 omfattar inte sammansatta fotoceller av halvledartyp med en maximal strålningskänslighet på 15 mA/W eller mindre.
Finnish: Huom.:6A002.a.2.b.3. kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, joiden maksimi säteilynherkkyys on 15 mA/W tai vähemmän.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 6Α002.α.2.β.3. δεν υπάγονται οι φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών με μέγιστη ευαισθησία ακτινοβολίας 15 mΑ/W ή λιγότερο.
Czech: Poznámka:Položka 6A002.a.2.b.3. nezahrnuje fotokatody ze sloučenin polovodičů s maximální radiantovou citlivostí 15 mA/W nebo nižší.
Slovak: Poznámka:Podľa 6A002.a.2.b.3 sa neriadia polovodičové fotokatódy zo zlúčenín s maximálnou citlivosťou na žiarenie 15 mA/W alebo menej.
Polish: Uwaga:Pozycja 6A002.a.2.b.3 nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości promieniowania 15 mA/W lub mniej.
Hungarian: Megjegyzés:A 6A002.a.2.b.3 pont nem vonja ellenőrzés alá a legfeljebb 15 mA/W sugárérzékenységű összetett félvezető fotokatódokat.
Slovenian: Opomba:Predmet nadzora v točki 6A002.a.2.b.3 niso heteroatomne polprevodniške fotokatode z največjo sevalno občutljivostjo 15 mA/W ali manj.
Estonian: Märkus:Punkt 6A002.a.2.b.3 ei kehti liitpooljuhtfotokatoodide suhtes, mille maksimaalne kiirgustundlikkus on 15 mA/W või vähem.
Latvian: Piezīme.Saskaņā ar 6A002.a.2.a.3.c. pozīciju kontroli neattiecina uz saliktiem pusvadītāju fotokatodiem ar maksimālo izstarojuma jutību 15 mA/W vai mazāku.
Lithuanian: Pastaba.6A002.a.2.b.3 netaikomas puslaidininkinių junginių fotokatodams, kurių didžiausias šviesinis energinis jautris yra ne didesnis nei 15 mA/W.
English: specially designed components, as follows:
French: composants spécialement conçus, comme suit:
German: besonders konstruierte Bauteile wie folgt:
Spanish: Componentes diseñados especialmente, según se indica:
Italian: componenti appositamente progettati, come segue:
Dutch: speciaal ontworpen onderdelen, als hieronder:
Danish: Specielt konstruerede komponenter som følger:
Swedish: Speciellt konstruerade komponenter enligt följande:
Finnish: Seuraavat erityisesti suunnitellut komponentit:
Greek: Ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη, ως εξής:
Czech: speciálně konstruované součásti:
Slovak: osobitne navrhnuté súčasti:
Polish: następujące specjalnie opracowane elementy:
Hungarian: Speciális tervezésű alkatrészek, az alábbiak szerint:
Slovenian: posebej izdelane komponente:
Estonian: järgmised spetsiaalselt kavandatud komponendid:
Latvian: speciāli konstruētas komponentes, tas ir:
Lithuanian: Toliau išvardyti specialiai suprojektuoti komponentai:
English: microchannel plates having a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 μm or less;
French: plaques à microcanaux présentant un espacement des trous (espacement centre à centre) de 12 μm ou moins;
German: Mikrokanalplatten mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte) kleiner/gleich 12 µm,
Spanish: Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferior a 12 micras;
Italian: placche a microcanali aventi una spaziatura dei fori (da centro a centro) uguale o inferiore a 12 μm;
Dutch: microkanaalplaten met een afstand tussen de gaten (hart op hart gemeten) van 12 µm of minder;
Danish: Mikrokanalplader med en hulafstand (center-til-center) på højst 12 μm;
Swedish: Mikrokanalplattor med en håldelning (avstånd från ett håls mittpunkt till närmaste håls mittpunkt) på högst 12 μm.
Finnish: Mikrokanavalevyt, joiden reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 μm tai vähemmän;
Greek: Πλάκες μικροδιαύλων με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο,
Czech: mikrokanálové desky s roztečí otvorů (od středu ke středu) nejvýše 12 μm,
Slovak: mikrokanálikové doštičky s rozostupom otvorov (vzdialenosť medzi stredmi) najviac 12 μm;
Polish: elektrody mikrokanalikowe do wzmacniania obrazów z otworkami w odstępach (odległość pomiędzy środkami otworków) poniżej 12 mikrometrów;
Hungarian: Az elektron-képerősítés céljából 12 μm-nél kisebb osztástávolságú (központtól központig) mikrocsatorna-lemezek;
Slovenian: mikrokanalne plošče z razmikom odprtin (razmikom med središči) 12 μm ali manj;
Estonian: mikrokanaliplaadid, mille maskisamm (tsentritevaheline kaugus) on 12 μm või vähem;
Latvian: mikrokanālu plates ar perforācijas soli (atstatums no centra līdz centram) 12 μm vai mazāk;
Lithuanian: Mikrokanalinės plokštelės, kurių skylučių tarpas (atstumas tarp jų centrų), yra ne daugiau nei 12 μm;