English: The product under consideration and the like product are the same as that covered in the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of Metal Oxide-Semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc. originating in the Republic of Korea.
French: Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains microcircuits électroniques dits «DRAM», de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semiconducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée.
German: Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Wafern oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.
Spanish: El producto considerado y el producto similar son los mismos que en la investigación inicial, a saber, determinados microcircuitos electrónicos conocidos como DRAM (memorias dinámicas de acceso aleatorio) de todos los tipos, densidades y variedades, ensamblados o no, tanto en forma de disco como de pastilla, fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico para crear semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, MOS), incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS), de todas las densidades (incluidas densidades que todavía no existen) independientemente de su velocidad de acceso, configuración, embalaje o soporte, etc., originarios de la República de Corea.
Italian: Il prodotto in esame e il prodotto simile sono gli stessi dell'inchiesta iniziale, ovvero alcuni microcircuiti elettronici detti DRAM (Dynamic Random Access Memories — Memorie dinamiche ad accesso casuale) di ogni tipo, densità e variante, assemblati, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando varianti della tecnologia di processo MOS (semiconduttori ad ossido di metallo) e tipi complementari di MOS (CMOS), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configurazione, dalla confezione o dal supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea.
Portuguese: O produto em causa e o produto similar são idênticos ao produto objecto do inquérito inicial, ou seja, certos microcircuitos electrónicos conhecidos por memórias dinâmicas de acesso aleatório (DRAM) de todos os tipos, densidades e variações, sejam ou não conjuntos DRAM, sob forma de discos (wafers) ou pastilhas (chips), fabricados através da utilização de variantes da transformação de semicondutores de óxidos metálicos (MOS), incluindo tipos de MOS complementares (CMOS), de todas as densidades (incluindo densidades futuras), independentemente da velocidade de acesso, configuração, montagem ou cápsula, etc., originários da República da Coreia.
Dutch: Het betrokken product en het soortgelijke product zijn bij het nieuwe onderzoek dezelfde als bij het oorspronkelijke onderzoek, namelijk bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories) van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte wafers of chips (dies), vervaardigd met behulp van varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-typen (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., van oorsprong uit de Republiek Korea.
Danish: Den pågældende vare og den samme vare er de samme som i den oprindelige undersøgelse, dvs. visse elektroniske mikrokredsløb, såkaldte DRAMs (Dynamic Random Access Memories), af samtlige typer, tætheder og varianter, både samlet og i plade- og terningeform, fremstillet ved hjælp af forskellige former for MOS-teknologi (Metal Oxide Semiconductor), herunder supplerende MOS-typer (CMOS), af samtlige tætheder (herunder fremtidige tætheder), uanset hvilken adgangshastighed, konfiguration, pakning eller ramme der er tale om, med oprindelse i Republikken Korea.
Swedish: Den produkt som är föremål för undersökning och den likadana produkten är desamma som omfattades av den ursprungliga undersökningen, dvs. vissa elektroniska mikrokretsar kända som dynamiska ram-minnen av alla typer, tätheter och variationer, antingen i form av bearbetade kiselskivor eller i form av kiselbrickor, tillverkade med hjälp av olika varianter av metalloxidhalvledarteknik (MOS) inbegripet komplementära MOS-typer (CMOS), av alla tätheter (inklusive framtida tätheter), oavsett åtkomsttid, konfiguration, ramar eller kapsling m.m., med ursprung i Sydkorea.
Finnish: Tarkasteltavana oleva tuote ja samankaltainen tuote ovat tässä tutkimuksessa samat kuin alkuperäisen tutkimuksen kohteena ollut tuote, eli tietyt Korean tasavallasta peräisin olevat elektroniset mikropiirit, niin kutsutut dynaamiset hakumuistit eli DRAMit (Dynamic Random Access Memories), kaikkina tyyppeinä, tiheyksinä ja muunnelmina, myös koottuina, jalostettuina puolijohdekiekkoina tai -siruina ja valmistettuina käyttäen metallioksidipuolijohdeteknologian (MOS-teknologian) muunnelmia, mukaan lukien komplementaariset MOS-tyypit (CMOS), kaikkina tiheyksinä (mukaan lukien tulevat tiheydet) ja riippumatta hakunopeudesta, konfiguroinnista, pakkauksesta, kehyksestä tai muista vastaavista seikoista.
Greek: Το υπό εξέταση προϊόν και το ομοειδές προϊόν είναι τα ίδια με τα αντίστοιχα προϊόντα της αρχικής έρευνας, δηλαδή ορισμένα ηλεκτρονικά μικροκυκλώματα γνωστά ως δυναμικές μνήμες ταχείας προσπέλασης («DRAM»), όλων των τύπων, πυκνοτήτων και παραλλαγών, έστω και συναρμολογημένα, σε επεξεργασμένα πλακίδια ή μήτρες (dies), που κατασκευάζονται βάσει παραλλαγών της τεχνολογίας παραγωγής Metal Oxide-Semiconductors (MOS), συμπεριλαμβανομένων συμπληρωματικών τύπων MOS (CMOS), όλων των πυκνοτήτων (συμπεριλαμβανομένων και των μελλοντικών πυκνοτήτων), ανεξάρτητα από την ταχύτητα προσπέλασης, τη διαμόρφωση, το περίβλημα ή το πλαίσιο κ.λπ., καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας.
Czech: Posuzovaný výrobek a obdobný výrobek jsou stejné jako v původním šetření, tj. některé elektronické mikroobvody nazývané dynamické paměti s libovolným přístupem (DRAMs) všech typů, hustot záznamů a variant, též montované, ve formě zpracovaných waferů nebo chipů, vyrobených pomocí variant technologie kovových oxidových polovodičů (MOS), včetně technologie CMOS, všech hustot záznamů (i budoucích), bez ohledu na přístupovou dobu, konfiguraci, obal nebo rám atd. pocházející z Korejské republiky.
Slovak: Posudzovaný výrobok a podobný výrobok sú tie isté ako výrobky, na ktoré sa vzťahuje pôvodné prešetrovanie, t. j. určité mikroelektronické obvody známe ako dynamické pamäte s priamym prístupom (ďalej len „DRAM“) všetkých typov, hustôt a druhov bez ohľadu na to, či sú zmontované vo forme spracovaných doštičiek alebo čipov (foriem) vyrobených pomocou rôznych druhov technológie vytvárania polovodičovej štruktúry na základe oxidov kovov (ďalej len „MOS“) vrátane doplnkových MOS (ďalej len „CMOS“), všetkých hustôt (vrátane budúcich hustôt) bez ohľadu na rýchlosť prístupu, konfiguráciu, balenie alebo rám atď., s pôvodom v Kórejskej republike.
Polish: Produktem objętym postępowaniem i produktem podobnym jest ten sam produkt, który objęty był dochodzeniem pierwotnym, tj. niektóre mikroukłady elektroniczne znane jako DRAM (pamięci dynamiczne o dostępie swobodnym), wszystkich typów, gęstości i odmian, także zmontowane, w postaci przetworzonych płytek półprzewodnikowych lub układów chipowych, wykonane z zastosowaniem odmian procesu technologicznego metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), włączając typy komplementarne MOS (CMOS), o wszystkich gęstościach (wraz z jeszcze nieistniejącymi), niezależnie od szybkości dostępu, konfiguracji, obudowy lub obramowania itp. pochodzące z Republiki Korei.
Slovenian: Zadevni izdelek v tej preiskavi je enak izdelku, obravnavanemu v prvotni preiskavi, in sicer gre za nekatera elektronska mikrovezja, znana kot DRAM (dinamični-bralno pisalni pomnilniki), vseh vrst, gostot in različic, sestavljena na predelanih ploščicah ali čipih (matricah), proizvedenih z uporabo različic procesne tehnologije kovinskooksidnih polprevodnikov („MOS“), vključno z dopolnilnimi vrstami MOS („CMOS“), vseh gostot (vključno s prihodnjimi gostotami), ne glede na hitrost dostopa, konfiguracijo, paket ali okvir itd., s poreklom iz Republike Koreje.