FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: A light source wavelength shorter than 245 nm; or
French: longueur d'onde de la source lumineuse inférieure à 245 nm; ou
German: Wellenlänge der Lichtquelle kleiner als 245 nm oder
Spanish: Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 245 nm; o
Italian: lunghezza d'onda della sorgente luminosa inferiore a 245 nm o
Portuguese: Comprimento de onda da fonte de luz inferior a 245 nm; ou
Dutch: golflengte van de lichtbron korter dan 245 nm; of
Danish: Lyskildebølgelængde kortere end 245 nm; eller
Swedish: Ljuskällans våglängd är kortare än 245 nm, eller
Finnish: Valolähteen aallonpituus lyhyempi kuin 245 nm; tai
Greek: Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 245 nm, ή
Czech: jsou konstruovaná nebo optimalizovaná pro tvorbu kritických rozměrů 180 nm nebo méně s přesností ±5 % 3 sigma nebo
Slovak: zdroj svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 245 nm; alebo
Polish: Źródło światła o długości fali krótszej niż 245 nm; lub
Hungarian: A fényforrás hullámhosszúsága rövidebb, mint 245 nm; vagy
Slovenian: valovna dolžina svetlobnega vira manjša kot 245 nm; ali
Estonian: valgusallika lainepikkus on lühem kui 25 nm või
Latvian: gaismas avota viļņu garums mazāks par 245 nm; vai
Lithuanian: Šviesos šaltinio bangos ilgį, mažesnį kaip 350 nm; arba
English: Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 180 nm or less; Technical Note:
Czech: jsou konstruovaná pro generování méně než 0,04 částic/cm2 s měřitelnou velikostí částic větší než 0,1 μm v průměru;
English: The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
French: La dimension de l'"élément résoluble minimal" est calculée à l'aide de la formule suivante:
German: Die 'kleinste auflösbare Strukturbreite' KAS wird berechnet nach der Formel:
Spanish: El tamaño de la 'característica resoluble mínima' se calcula mediante la siguiente fórmula:
Italian: la 'dimensione dell'elemento di risoluzione minimo' è calcolata con la formula seguente:
Portuguese: A dimensão do "traço mínimo resolúvel" é calculada pela seguinte fórmula:
Dutch: De 'minimum resolvable feature' size wordt berekend volgens de volgende formule:
Danish: 'Mindste detaljeopløsning' beregnes efter følgende formel:
Swedish: Den "minsta upplösningen för systemdimensionen" beräknas med följande formel:
Finnish: 'Pienimmän erottuvan kuvion' koko lasketaan seuraavalla kaavalla:
Greek: Το "ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος" υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
Czech: Zařízení na chemické nanášení v parní fázi (CVD) zesílené plazmou:
Slovak: Veľkosť "minimálneho rozlíšiteľného znaku" sa vypočíta podľa tohto vzorca:
Polish: Rozmiar "minimalnej rozdzielczości wymiarowej" obliczany jest według poniższego wzoru:
Hungarian: A minimális felbontási méret (MRF) kiszámítása a következők szerint történik:
Slovenian: 'Minimalna razločljiva poteza' se izračuna po naslednjem obrazcu:
Estonian: Vähimalahutatavaelemendi mõõt arvutatakse järgmise valemi põhjal:
Latvian: "minimālo atšķiramās detaļas izmēru" aprēķina ar šādu formulu:
Lithuanian: Mažiausias 'išskiriamo topologinio elemento' matmuo yra apskaičiuojamas pagal formulę:
English: MRF = an exposure light source wavelength in nm
French: MRF = longueur d'onde de la source lumineuse d'exposition en nm
German: KAS = Wellenlänge der Belichtungsquelle in nm
Spanish: CRM = longitud de onda de la fuente de luz para la exposición en nm
Italian: ERM = lunghezza d'onda della sorgente luminosa di esposizione in nm
Portuguese: TMR = comprimento de onda da fonte de luz de exposição em μm
Dutch: MRF = golflengte van de lichtbron in nm
Danish: MRF = lyskildens bølgelængde i nm
Swedish: MRF = ljuskällansvåglängdi μm
Finnish: MRF = aallonpituus nanometreinä
Greek: MRF = μήκος κύματος της φωτεινής πηγής έκθεσης σε μm
Czech: zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks) a navržené podle technických podmínek výrobce nebo optimalizované na použití při výrobě polovodičových nástrojů s kritickými rozměry 180 nm nebo méně, 2. zařízení speciálně navržené pro zařízení podle 3B001.e. a navržené podle technických podmínek výrobce anebo optimalizované pro použití při výrobě polovodičových nástrojů s kritickými rozměry 180 nm anebo méně;
Slovak: MRF = vlnová dĺžka expozičného svetelného zdroja v mm
Polish: MRF = długość fali źródła światła napromieniowującego wnm
Hungarian: MRF = [a megvilágító fényforrás hullámhossza nanométerben meghatározva]
Slovenian: MRF = valovna dolžina svetlobnega vira v nm
Estonian: MRF = Valgusallika lainepikkus, nm
Latvian: MRF = iedarbības gaismas avota viļņu garums nm
Lithuanian: MRF = eksponuojamos šviesos šaltinio bangos ilgis, nm
English: × K factor numerical aperture
Czech: vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním, které mají všechny tyto vlastnosti:
English: where the K factor = 0,45 MRF = minimum resolvable feature size
Czech: prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dvě zařízení na zpracování polovodičů, a
English: A spot size smaller than 0,2 μm;
French: ayant une dimension du spot inférieure à 0,2 μm;
German: Auflösungsvermögen kleiner als 0,2 μm,
Spanish: Tamaño de punto (proyección) inferior a 0,2 micras;
Italian: dimensione del punto del fascio inferiore a 0,2 μm;
Portuguese: Dimensão de ponto inferior a 0,2 μm;
Dutch: met een brandpuntsvlak kleiner dan 0,2 micrometer;
Danish: Pletstørrelse mindre end 0,2 μm;
Swedish: En strålpunkt som är mindre än 0,2 μm,
Finnish: Suihkun tai säteen pisteen koko on pienempi kuin 0,2 μm;
Greek: Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,
Czech: vlnová délka světelného zdroje kratší než 245 nm nebo
Slovak: veľkosť bodu menej ako 0,2 μm;
Polish: Aperturę plamki poniżej 0,2 μm;
Hungarian: A sugárpont mérete kisebb, mint 0,2 μm;
Slovenian: točko, manjšo od 0.2 μm;
Estonian: laotuspunkti suurus väiksem kui 0,2 μm;
Latvian: gaismas punkta izmērs mazāks par 0,2 μm;
Lithuanian: Dėmės matmenis, mažesnius kaip 0,2 μm;
English: Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
French: capables de produire des figures d'une dimension inférieure à 1 μm; ou
German: Fähigkeit, Strukturen mit Abmessungen kleiner als 1 μm zu erzeugen, oder
Spanish: Capacidad de producir modelos de dimensión inferior a 1 micra; o
Italian: in grado di produrre un tracciato con dimensione del tratto inferiore a 1 μm o
Portuguese: Capacidade para produzir um padrão com uma dimensão de traço inferior a 1 μm; ou
Dutch: geschikt voor het maken van patroonelementen kleiner dan 1 micrometer; of
Danish: I stand til at frembringe et mønster med enkeltheder, der er mindre end 1 μm; eller
Swedish: den kan producera mönster med en karaktäristisk ledningsbredd som är mindre än 1 μm, eller
Finnish: Kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden viivaleveys on vähemmän kuin 1 μm; tai
Greek: Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή
Czech: schopnost exponovat obrazce s velikostí "nejmenšího rozlišitelného prvku" 180 nm nebo menší; Technická poznámka: Velikost "nejmenšího rozlišitelného prvku" se vypočítá podle vzorce: MRF = vlnová délka světelného zdroje v nm × K faktor číselná apertura kde K faktor = 0,45 MRF = velikost nejmenšího rozlišitelného prvku. 2. zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo "laserového" paprsku, která mají některou z těchto vlastností:
Slovak: schopnosť vytvoriť obrazec s veľkosťou znaku menej ako 1 μm; alebo
Polish: Zdolność wytwarzania obrazów o wielkości charakterystycznej poniżej 1 μm; lub
Hungarian: Képes olyan mintát előállítani, amelynek fő mérete 1 μm-nél kisebb; vagy
Slovenian: zmožnost izdelave vzorca s potezami, manjšimi od 1 μm; ali
Estonian: on võimelised tekitama mustreid, milles vähima lahutatava elemendi mõõt on väiksem kui 1 μm, või
Latvian: spēj formēt trafaretattēlu ar "minimālo atšķiramās detaļas izmēru" 1 μm vai mazāku; vai
Lithuanian: Galinti sukurti paveikslus, kurių topologinių elementų matmenys mažesni kaip 1 μm; arba
English: An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
French: précision de chevauchement meilleure que ± 0,20 μm (3 sigma);
German: Justiergenauigkeit (overlay accuracy) besser als ± 0,20 μm (3 Sigma);
Spanish: Exactitud de recubrimiento mejor que ± 0,20 micras (3 sigma);
Italian: precisione di sovrapposizione migliore di ± 0,20 μm (3 sigma);
Portuguese: Precisão no revestimento melhor que ± 0,20 μm (3 sigma);
Dutch: overlay-nauwkeurigheid beter dan 0,20 micrometer (3 sigma);
Danish: Overlægningsnøjagtighed bedre end ± 0,20 μm (3 sigma);
Swedish: har en passningsnoggrannhet som är bättre än ± 0,20 μm (3 sigma).
Finnish: Kohdistustarkkuus on parempi kuin ± 0,20 μm (3 sigmaa).
Greek: Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ± 0,20 μm (3 sigma).
Czech: stopu paprsku menší než 0,2 μm,
Slovak: presnosť prekryvu lepšia ako ± 0,20 μm (3 sigma);
Polish: Dokładność nakładania warstw lepszą niż ± 0,20 μm (3 sigma).
Hungarian: Az elhelyezési pontosság jobb, mint ± 0,20 μm (3 szigma);
Slovenian: površinsko natančnost boljšo od ± 0.20 μm (3 sigme);
Estonian: paigutustäpsus parem kui ±0,20 μm (3 sigmat);
Latvian: pārklājuma precizitāte augstāka par ± 0,20 μm (3 σ);
Lithuanian: Bendrasis tikslumas geresnis kaip ± 0,20 μm (3 sigma).
English: Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
French: masques ou réticules conçus pour circuits intégrés visés au paragraphe 3A001;
German: Masken oder Reticles, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen;
Spanish: Máscaras y retículas diseñadas para circuitos integrados incluidos en el artículo 3A001;
Italian: maschere e reticoli progettati per i circuiti integrati specificati in 3A001;
Portuguese: Máscaras e retículas concebidas para circuitos integrados referidos em 3A001;
Dutch: maskers of fijne optische netwerken («reticles») voor geïntegreerde schakelingen, vermeld in 3A001;
Danish: Masker og okularmikrometre beregnet for integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001;
Swedish: Masker eller mastermasker som är avsedda för tillverkning av integrerade kretsar enligt avsnitt 3A001.
Finnish: Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten;
Greek: Μάσκες ή reticles που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
Czech: jsou schopná vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm nebo
Slovak: Masky a kontrolné šablóny znakov navrhnuté pre integrované obvody uvedené v 3A001;
Polish: Maski i siatki optyczne zaprojektowane do układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001;
Hungarian: A 3A001 pontban meghatározott, integrált áramkörökhöz tervezett maszkok és hajszálvonalas lemezek;
Slovenian: maske in mrežice, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001;
Estonian: maskid ja niitvõrgustikud, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele;
Latvian: maskas un rastri, kas konstruēti 3A001 pozīcijā minētajām integrālajām shēmām;
Lithuanian: Kaukės ir tarpiniai fotošablonai, skirti integriniams grandynams, nurodytiems 3A001;
English: Multi-layer masks with a phase shift layer. Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001. 3B002 Test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor: a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Czech: přesnost překrytí je lepší než ±0,20 μm (3 sigma);
English: For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2. 3C
Czech: vícevrstvé masky s vrstvou fázového posunu. Poznámka: 3B001.h. nezahrnuje vícevrstvé masky s vrstvou fázového posuvu navržené pro výrobu paměťových přístrojů, které se neřídí podle 3A001.
English: 3C001 Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Czech: Zkušební zařízení, speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek a speciálně pro ně konstruované součásti a příslušenství:
English: Silicon;
French: silicium;
German: Silizium;
Spanish: Silicio;
Italian: silicio,
Portuguese: Silício;
Dutch: silicium;
Danish: Silicium;
Swedish: kisel,
Finnish: Pii;
Greek: Πυρίτιο.
Czech: pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při frekvencích větších než 31,8 GHz,
Slovak: kremík;
Polish: Krzemu;
Hungarian: Szilícium;
Slovenian: silicija;
Estonian: räni;
Latvian: silīcija;
Lithuanian: Silicio;
English: Germanium;
German: Germanium;
Spanish: Germanio;
Italian: germanio,
Portuguese: Germânio;
Swedish: germanium,
Greek: Γερμάνιο, ή
Czech: nevyužito, c. pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů uvedených v položce 3A001.b.2. 3C Materiály 3C001
Slovak: germánium;
Polish: Germanu;
Hungarian: Germánium;
Slovenian: germanija;
Estonian: germaanium;
Latvian: germānija;
Lithuanian: Germanio;
English: III/V compounds of gallium or indium.
French: de composés III/V de gallium ou d'indium.
German: III/V-Verbindungen von Gallium oder Indium.
Spanish: Compuestos III/V de galio o indio.
Italian: composti III/V di gallio o di indio.
Portuguese: Compostos III/V de gálio ou índio.
Dutch: III/V gallium- of indiumverbindingen.
Danish: III/V-forbindelser af gallium eller indium.
Swedish: III/V-blandningar av gallium eller indium.
Finnish: Galliumin tai indiumin III/V-yhdisteet.
Greek: dΣύνθετες ενώσεις γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
Czech: sloučenin galia nebo india typu III/V.
Slovak: III/V (trojmocné/päťmocné) zlúčeniny gália alebo india.
Polish: Związków III/V galu lub indu.
Hungarian: III/V gallium- vagy indiumvegyületek;
Slovenian: III/V spojin galija ali indija.
Estonian: galliumi või indiumi III/V ühendid.
Latvian: III/V gallija vai indija savienojumiem.
Lithuanian: Galio ar indžio (III/V) junginių.
English: Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
French: Résines photosensibles (résists), comme suit, et "substrats" revêtus de résine photosensible sous contrôle:
German: Fotoresists wie folgt und "Substrate", die mit erfassten Fotoresists beschichtet sind:
Spanish: Materiales de protección ("resists"), según se indica, y "sustratos" revestidos con materiales de protección sometidos a control:
Italian: Resine fotosensibili (resist) come segue, e "substrati" rivestiti di resine fotosensibili sottoposte ad autorizzazione:
Portuguese: Resinas fotossensíveis e "substratos" revestidos de resinas fotossensíveis submetidas a controlo:
Dutch: «Resists» (gevoelige lagen), als hieronder, en "substraten" bekleed met aan vergunningsplicht onderworpen «resists»:
Danish: Følgende resistmaterialer samt "substrater" belagt med resists, der er pålagt eksportkontrol:
Swedish: Resister enligt följande, och "substrat" belagda med kontrollerad resist:
Finnish: Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja valvonnanalaisilla estopinnoitemateriaaleilla pinnoitetut "substraatit":
Greek: Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και "υποστρώματα" που έχουν επίστρωση ελεγμένων φωτοανθεκτικών ουσιών:
Czech: Rezistní materiály (rezisty) a "podložky" potažené kontrolovanými rezisty:
Slovak: Odolné materiály a "substráty" potiahnuté riadenými odolnými materiálmi:
Polish: Materiały fotorezystywne, "podłoża" powlekane, objętymi kontrolą, materiałami ochronnymi, z tego:
Hungarian: Védőréteg anyagok és ellenőrzött védőanyagokkal bevont "szubsztrátumok":
Slovenian: Uporovni materiali in "podlage", prevlečene s krmiljenimi uporovnimi pastami:
Estonian: Resistmaterjalid ja põhimikud, mis on kaetud kontrolli alla kuuluvate resistmaterjalidega:
Latvian: Materiāli ar aizsargpārklājumiem un "substrāti", kas pārklāti ar aizsargpārklājumiem, kuriem piemīt vadāmas īpašības, tas ir:
Lithuanian: Rezistų medžiagos, išvardytos toliau, ir kontroliuojamais rezistais padengti "padėklai":
English: Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
French: résines photosensibles (résists) positives pour lithographie des semi-conducteurs spécialement adaptées (optimisées) pour l'emploi à des longueurs d'onde inférieures à 350 nm;
German: Positiv-Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, besonders eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 350 nm;
Spanish: Materiales de protección positivos para litografía en semiconductores ajustados especialmente (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 350 nm;
Italian: resine fotosensibili (resist) positive progettate per litografia di semiconduttori appositamente adattate (ottimizzate) per l'impiego con lunghezze d'onda inferiori a 350 nm;
Portuguese: Resinas fotossensíveis positivas concebidas para litografia de semicondutores especialmente ajustadas para utilização em comprimentos de onda inferiores a 350 nm;
Dutch: positieve «resists» ontworpen voor halfgeleiderlithografie, die optimaal geschikt zijn gemaakt voor gebruik bij golflengten van minder dan 350 nm;
Danish: Positive resists til halvlederlitografi, som er specielt justeret (optimeret) til brug under 350 nm;
Swedish: Positiv resister vars spektrala känslighet ("halvledarlitografi") är speciellt justerad (optimerad) för våglängder under 350 nm.
Finnish: Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on erityisesti sovitettu (optimoitu) alle 350 nm:n aallonpituuksille;
Greek: Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 350 nm,
Czech: pozitivní rezisty konstruované pro polovodičovou litografii speciálně upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách pod 350 nm,
Slovak: pozitívne odolné materiály navrhnuté pre polovodičovú litografiu zvlášť upravené (optimalizované) na používanie pri vlnových dĺžkach menej ako 350 nm;
Polish: Materiały fotorezystywne pozytywowe zaprojektowane do litografii półprzewodnikowej, specjalnie wyregulowanej (zoptymalizowanej) do stosowania w zakresie długości fali poniżej 350 nm;
Hungarian: Pozitív védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten 350 nm alatti hullámhosszúságú félvezető litográfiához igazítottak (optimalizáltak);
Slovenian: pozitivne uporovne paste za polprevodniško litografijo, posebej prirejene (optimizirane) za uporabo pri valovnih dolžinah pod 350 nm;
Estonian: positiivsed resistid, mis on ette nähtud pooljuhtide litograafiaks ning spetsiaalselt kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 350 nm;
Latvian: pozitīvi aizsargpārklājumi pusvadītāju litogrāfijai, īpaši pielāgoti (optimizēti) lietošanai pie viļņu garumiem, kas mazāki par 350 nm;
Lithuanian: Pozityviniai rezistai, skirti puslaidininkinių įtaisų litografijai, specialiai pritaikyti (optimizuoti) naudoti esant bangų ilgiams, mažesniems kaip 350 nm;
English: All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
French: toutes résines photosensibles (résists) destinées à être utilisées sous l'effet de faisceaux électroniques ou ioniques, ayant une sensibilité de 0,01 μcoulomb/mm2 ou meilleure;
German: alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer Empfindlichkeit besser/gleich 0,01 μC/mm2;
Spanish: Todos los materiales de protección destinados a su utilización con haces de electrones o haces iónicos, y que posean una sensibilidad de 0,01 microculombios/mm2 o mejor;
Italian: tutte le resine fotosensibili (resist) progettate per essere utilizzate sotto l'effetto di fasci elettronici o ionici, aventi sensibilità di 0,01 microcoulomb/mm2 o migliore;
Portuguese: Todas as resinas concebidas para utilização com feixes de electrões ou iões, com uma sensibilidade igual ou superior a 0,01 μcoulomb/mm2;
Dutch: alle «resists» ontworpen voor gebruik met elektronen- of ionenbundels met een gevoeligheid van 0,01 microcoulomb/mm2 of beter;
Danish: Alle resists, til brug med elektronstråler eller ionstråler, med en følsomhed på 0,01 mikrocoulomb/mm2 eller bedre;
Swedish: Alla resister, som är avsedda att användas tillsammans med elektron- eller jonstrålar, och vars känslighet är 0,01 μC/mm2 eller bättre.
Finnish: Kaikki estopinnoitteet, jotka on tarkoitettu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi;
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,
Czech: veškeré rezisty konstruované pro použití s elektronovými nebo iontovými paprsky o citlivosti 0,01 μcoulomb/mm2 nebo lepší,
Slovak: všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s elektrónovými lúčmi alebo iónovými lúčmi, s citlivosťou najmenej 0,01 μcoulomb/mm2;
Polish: Wszystkie materiały fotorezystywne, zaprojektowane do użytku z wiązkami elektronowymi lub jonowymi, o czułości 0,01 μC/mm2 lub lepszej;
Hungarian: 0,01 μcoulomb/mm2 vagy annál jobb érzékenységgel rendelkező valamennyi olyan védőréteg anyag, amelyeket elektronsugárral vagy ionsugárral történő alkalmazásra terveztek;
Slovenian: vse uporovne paste za uporabo z elektronskimi ali ionskimi žarki, z občutljivostjo 0,01 (mikrokulomba) μcoulomb/mm2 ali boljšo;
Estonian: kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks elektron- või ioonkimpudega, tundlikkusega 0,01 μC/mm2 või parem;
Latvian: visi aizsargpārklājumi, kas paredzēti lietošanai elektronu staru kūļa vai jonu staru kūļa starojuma tehnoloģijām, jutība ir 0,01 μcoulomb/mm2 vai augstāka;
Lithuanian: Visi rezistai, skirti naudoti elektronpluoštėje arba jonpluoštėje litografijoje, kurių jautris yra ne mažesnis kaip 0,01 μC/mm2;
English: All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
French: toutes résines photosensibles (résists) destinées à être utilisées sous l'effet des rayons X, ayant une sensibilité de 2,5 mJ/mm2 ou meilleure;
German: alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Röntgenstrahlen mit einer Empfindlichkeit besser/gleich 2,5 mJ/mm2;
Spanish: Todos los materiales de protección destinados a su utilización con rayos X y que posean una sensibilidad de 2,5 mJ/mm2 o mejor;
Italian: tutte le resine fotosensibili (resist) progettate per essere utilizzate sotto l'effetto di raggi X, aventi sensibilità di 2,5 mJ/mm2 o migliore;
Dutch: alle «resists» ontworpen voor gebruik met röntgenstralen met een gevoeligheid van 2,5 mJ/mm2 of beter;
Danish: Alle resists, til brug med røntgenstråler, med en følsomhed på 2,5 mJ/mm2 eller bedre;
Swedish: Alla resister som är avsedda att användas tillsammans med röntgenstrålar och som har en känslighet som är 2,5 mJ/mm2eller bättre.
Finnish: Kaikki röntgenestopinnoitteet, joiden herkkyys on 2,5 mJ/mm2 tai parempi;
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με ακτίνες Χ, με ευαισθησία 2,5 mJ/mm2 ή καλύτερη,
Czech: veškeré rezisty konstruované pro použití s rentgenovými paprsky o citlivosti 2,5 mJ/mm2 nebo lepší,
Slovak: všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s röntgenovými lúčmi s citlivosťou najmenej 2,5 mJ/mm2;
Polish: Wszystkie materiały fotorezystywne, przeznaczone do użytku promieni rentgenowskimi, posiadające czułość 2,5 mJ/mm2 lub lepszą;
Hungarian: 2,5 mJ/mm2 vagy annál jobb érzékenységgel rendelkező valamennyi röntgensugárral történő használatra tervezett védőréteg;
Slovenian: vse uporovne paste za uporabo z rentgenskimi žarki, z občutljivostjo 2,5 mJ/mm2 ali boljšo;
Estonian: kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks röntgenikiirtega, tundlikkusega 2,5 mJ/mm2 või parem;
Latvian: visi aizsargpārklājumi, kas paredzēti lietošanai rentgenstaru tehnoloģijām, jutība ir 2,5 mJ/mm2 vai augstāka;
Lithuanian: Visi rezistai, skirti naudoti rentgeno litografijoje, kurių jautris yra ne mažesnis kaip 2,5 mJ/mm2;