English: A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
French: énergie de faisceau d'au moins 65 keV et courant de faisceau d'au moins 45 mA pour une implantation à haute énergie d'oxygène dans un "substrat" de matériau semi-conducteur chauffé;
German: Elektronenenergie größer/gleich 65 keV und Strahlstrom größer/gleich 45 mA für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleiter"substrat";
Spanish: Una energía del haz igual o superior a 65 keV y una corriente del haz igual o superior a 45 mA para la implantación, a alta energía, de oxígeno en un "sustrato" de material semiconductor calentado.
Italian: energia del fascio uguale o superiore a 65 keV e corrente del fascio uguale o superiore a 45 mA in grado di impiantare ad alta energia ossigeno in un "substrato" di materiale semiconduttore riscaldato;
Portuguese: Energia do feixe igual ou superior a 65 keV e corrente do feixe igual ou superior a 45 mA para a implantação de oxigénio com elevada energia num "substrato" de material semicondutor aquecido;
Dutch: een stralingsenergie van 65 keV of meer en een bundelstroomsterkte van 45 mA of meer om met hoge energie zuurstof te implanteren in een verwarmd "substraat" bestaande uit halfgeleidermateriaal;
Danish: En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering på et opvarmet halvledermateriale-"substrat";
Swedish: en strålenergi som är 65 keV eller mer och en strålenergi som är 45 mA eller mer för att med hög energi införa syre i det upphettade halvledar-"substratet".
Finnish: Säteen energia vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde "substraattiin";
Greek: Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο "υπόστρωμα" ημιαγωγού.
Czech: energie paprsku (urychlující napětí) větší než 1 MeV, 2. jsou speciálně konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlujícím napětí menším než 2 keV, 3. jsou schopná přímého zápisu nebo
Slovak: energia lúča 65 keV alebo viac a lúčový prúd 45 mA alebo viac pre implantovanie kyslíka s vysokou energiou do zahriateho "substrátu" z polovodičového materiálu;
Polish: Posiadający energię wiązki wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał "podłoża".
Hungarian: A hevített félvezető anyagú egykristályba történő nagy energiájú oxigénimplantációra használt legalább 65 kEV nagyságú sugárnyaláb energia és legalább 45 mA nagyságú sugáráram;
Slovenian: energijo žarka 65 keV ali več in žarkovni tok 45 mA ali več za visokoenergijsko implantacijo s kisikom v ogreto "podlago" iz polprevodniškega materiala;
Estonian: kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali põhimikku;
Latvian: staru kūļa enerģija, kas ir 65 keV vai lielāka, un staru kūļa strāva, kas ir 45 mA vai lielāka, augstas enerģijas skābekļa jonu implantācijai uzkarsētā pusvadītāju materiāla "substrātā";
Lithuanian: Ne mažesnę kaip 65 keV pluošto energiją ir ne mažesnę kaip 45mA pluošto srovę didelės energijos deguonies implantavimui į pakaitintą puslaidininkinės medžiagos "padėklą";