FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: ppm
Spanish: PIN
Italian: modulazione di ampiezza in quadratura
Dutch: ITU
Finnish: personal identification number (henkilökohtainen tunnusnumero)
English: PSD
French: SACMA
Spanish: Partes por millón PSD
Italian: radiofrequenza
Dutch: Japanse Industriestandaard JT Joule-Thomson LIDAR
Finnish: parts per million (miljoonasosa)
English: Suppliers of Advanced Composite Materials Association
French: séparation isotope moléculaire par "laser"
Spanish: Asociación de proveedores de materiales compuestos avanzados
Italian: SLAR
Dutch: metal organic chemical vapour deposition (chemisch neerslaan van organometaaldamp)
Finnish: SACMA
Slovak: Združenie dodávateľov zdokonalených kompozitných materiálov
Polish: Stowarzyszenie Dostawców Wysokojakościowych Materiałów Kompozytowych
Hungarian: Suppliers of Advanced Composite Materials Association Fejlett Kompozit Anyagok Szállítóinak Szövetsége
Slovenian: Suppliers of Advanced Composite Materials Association Zveza dobaviteljev sodobnih kompozitnih materialov
Estonian: Suppliers of Advanced Composite Materials Association (Edendatud Komposiitmaterjalide Tarnijate Assotsiatsioon)
Latvian: Augstu tehnoloģiju kompozītmateriālu ražotāju asociācija
Lithuanian: Patobulintųjų kompozicinių medžiagų asociacijos tiekėjai
English: SLAR
French: SRAM
Spanish: SILMO
Italian: assieme rimpiazzabile in laboratorio
Dutch: miljoenen technische bewerkingen per seconde MTTF
Finnish: single crystal (yksikide-)
English: SMPTE
French: SRM
Spanish: SILVA
Italian: memoria statica ad accesso casuale
Dutch: nucleair, biologisch en chemisch NDT
Finnish: sidelooking airborne radar (sivukulmatutka)
English: SRA
French: SSR
Spanish: SLAR
Italian: metodi raccomandati dalla SACMA
Dutch: PAR
Finnish: Society of Motion Picture and Television Engineers (Elokuva- ja televisioalan insinöörien yhdistys)
English: SRAM
French: TCSEC
Spanish: SMPTE
Italian: banda laterale unica
Dutch: parts per million (delen per miljoen) PSD
Finnish: shop replaceable assembly (korjaamolla vaihdettava kokoonpano)
English: SSR
French: UER
Spanish: Banda lateral única SSR
Italian: lettura totale del misuratore
Dutch: SAR
Finnish: single sideband (yksisivukaista)
English: Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum or Corynebacterium Sepedonicum);
Spanish: Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum o Corynebacterium sepedonicum);
English: Puccinia graminis (syn.
Spanish: Puccinia graminis (sin.
Italian: Puccinia graminis (sin.
Slovenian: Puccinia graminis (sin.
Lithuanian: Juodoji rūdė (Puccinia graminis) (sin.
English: Puccinia striiformis (syn.
Spanish: Puccinia striiformis (sin.
Italian: Puccinia striiformis (sin.
Portuguese: Ralstonia solanacearum Races 2 e 3 (Pseudomonas solanacearum Races 2 e 3 ou Burkholderia solanacearum Races 2 e 3); c. Fungos, de ocorrência natural, melhorados ou modificados, quer sob a forma de "culturas vivas isoladas", quer sob a forma de matérias deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas vivas:
Slovak: Ralstonia solanacearum rasy 2 a 3 (Pseudomonas solanacearum rasy 2 a 3 alebo Burkholderia solanacearum rasy 2 a 3); c. Plesne prírodné, zosilnené alebo modifikované, buď vo forme "izolovaných živých kultúr" alebo ako materiál s obsahom živého materiálu, ktorý bol zámerne zaočkovaný alebo kontaminovaný týmito kultúrami:
Slovenian: Puccinia striiformis (sin.
Lithuanian: Ryžinis dryžgrybis (Puccinia striiformis) (sin.
English: Note 1: For exports to "States not Party to the Chemical Weapons Convention", 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.a.1. and .a.2. in which no individually specified chemical constitutes more than 1 % by the weight of the mixture. Note 2: For exports to "States Party to the Chemical Weapons Convention", 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.a.1. and .a.2. in which no individually specified chemical constitutes more than 30 % by the weight of the mixture.
Spanish: Nota 2: En cuanto a las exportaciones a los "Estados Parte" de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C450 no somete a control las "mezclas químicas" que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C4350.a.1. y .a.2. cuando ninguna sustancia química específica constituya, ella sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla.
English: Stated positioning accuracy levels derived from measurements made according to ISO 230/2 (1988) [1] or national equivalents may be used for each machine tool model instead of individual machine tests. Stated positioning accuracy means the accuracy value provided to the competent authorities of the Member State in which the exporter is established as representative of the accuracy of a machine model.
Spanish: Medir las precisiones de los ejes lineales según la norma ISO 230/2 (1988) [1] Los fabricantes que calculen la precisión de posicionamiento en virtud de la norma ISO 230/2 (1997) deben consultar a las autoridades competentes del Estado miembro donde estén establecidos.
English: Select five machines of a model to be evaluated; b. Measure the linear axis accuracies according to ISO 230/2 (1988) [1] Manufacturers calculating positioning accuracy in accordance with ISO 230/2 (1997) should consult the competent authorities of the Member State in which they are established. ; c.
Spanish: Establecer los valores A de cada eje de cada máquina.
English: Determine the A-values for each axis of each machine. The method of calculating the A-value is described in the ISO standard;
Spanish: En la norma ISO se describe el método de cálculo del valor A;
English: Note: 2B201.a. does not control milling machines having the following characteristics: a.
Spanish: Precisión de posicionamiento global en el eje x superior a (peor que) 30 micras. b. Máquinas herramienta para rectificado que posean cualquiera de las características siguientes:
English: X-axis travel greater than 2 m; and b. Overall positioning accuracy on the x-axis more (worse) than 30 μm.
Spanish: Precisión de posicionamiento, con "todas las compensaciones disponibles", iguales o inferiores a (mejores que) 4 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1988) [1] Los fabricantes que calculen la precisión de posicionamiento en virtud de la norma ISO 230/2 (1997) deben consultar a las autoridades competentes del Estado miembro donde estén establecidos.
English: Machine tools for grinding, having any of the following characteristics: 1. Positioning accuracies with "all compensations available" equal to or less (better) than 4 μm according to ISO 230/2 (1988) [1] Manufacturers calculating positioning accuracy in accordance with ISO 230/2 (1997) should consult the competent authorities of the Member State in which they are established. or national equivalents along any linear axis; or
Spanish: o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o
English: Axes limited to x, z and c; b.
Spanish: Rectificadores de coordenadas que no dispongan del eje z o del eje w, con una exactitud de posicionamiento global inferior a (mejor que) y 4 μm, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1998) [1] Los fabricantes que calculen la precisión de posicionamiento en virtud de la norma ISO 230/2 (1997) deben consultar a las autoridades competentes del Estado miembro donde estén establecidos.
English: 2B204 "Isostatic presses", other than those specified in 2B004 or 2B104, and related equipment, as follows:
Spanish: "Prensas isostáticas" distintas de las incluidas en los artículos 2B004 o 2B104 y equipos correspondientes, según se indica:
English: The probe used in determining the measurement uncertainty of a dimensional inspection system shall be described in VDI/VDE 2617 parts 2, 3 and 4. 2.
Spanish: Todos los parámetros de valores de medida en el artículo 2B206 representan más/menos, es decir, no toda la banda.
English: 2B207 "Robots", "end-effectors" and control units, other than those specified in 2B007, as follows:
Spanish: "Robots", "efectores terminales" y unidades de control, distintos de los incluidos en el artículo 2B007, según se indica:
English: 1 CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.N.B. utomation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
French: 1: Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) comprend les procédés suivants: dépôt hors caisse à flux de gaz dirigé, dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire, dépôt thermique par nucléation contrôlée (CNTD), dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plasma ou assisté par plasma.N.B.  le moulage de plastiques, fabriqués à partir d'alliage contenant moins de 5 % de bérillium.
Spanish: 1: El "CVD" incluye los procesos siguientes: depósito fuera de paquete con flujo de gas dirigido, "CVD" pulsante, deposición nuclearia térmica controlada ("CNTD"), intensificado por plasma o asistido por plasma.N.B. eléctrico o material cerámico se deposita sobre un sustrato calentado.
Portuguese: 1 A designação "deposição em fase vapor por processo químico" abrange os seguintes processos: deposição fora de caixa com fluxo de gás dirigido, CVD pulsante, deposição térmica com nucleação controlada (CNTD) e processos de deposição em fase vapor por processo químico activados ou assistidos por plasma.N.B. s para o vazamento ou moldagem de plásticos, fabricados a partir de ligas com menos de 5 % de berílio.
Lithuanian: 1 CVD apima tokius procesus: kryptingą dujų srauto nepaketinį nusodinimą, impulsinį CVD, valdomąjį kristalo užuomazgų šiluminį (terminį) nusodinimą (CNTD), CVD procesus, kuriuos sukelia ar skatina plazma.N.B.  ant įkaitinto padėklo.
English: 2 Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.N.B. -of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
French: 2: Le terme caisse désigne un substrat plongé dans un mélange de poudres.N.B. uivants: dépôt hors caisse à flux de gaz dirigé, dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire, dépôt thermique par nucléation contrôlée (CNTD), dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plasma ou assisté par plasma.
Spanish: 2: Se entiende por paquete un sustrato sumergido en una mezcla de polvos.N.B. jo de gas dirigido, "CVD" pulsante, deposición nuclearia térmica controlada ("CNTD"), intensificado por plasma o asistido por plasma.
Portuguese: 2 O termo "caixa" designa um substrato imerso numa mistura de pós.N.B. s seguintes processos: deposição fora de caixa com fluxo de gás dirigido, CVD pulsante, deposição térmica com nucleação controlada (CNTD) e processos de deposição em fase vapor por processo químico activados ou assistidos por plasma.
Lithuanian: 2 Paketas reiškia į miltelių mišinį panardintą padėklą.N.B. į nusodinimą, impulsinį CVD, valdomąjį kristalo užuomazgų šiluminį (terminį) nusodinimą (CNTD), CVD procesus, kuriuos sukelia ar skatina plazma.
English: 3 The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.N.B. r medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
French: Les gaz réactifs utilisés dans le procédé hors caisse sont obtenus à l'aide des mêmes réactions et paramètres élémentaires qu'avec le procédé de cémentation en caisse, à ceci près que le substrat à revêtir n'est pas en contact avec le mélange de poudres.N.B. dé chimique amélioré par plasma ou assisté par plasma.
Spanish: El material gaseoso utilizado en el proceso fuera de paquete se produce utilizando las mismas reacciones y parámetros básicos del proceso de cementación en paquetes, excepto que el sustrato que va a revestirse no está en contacto con la mezcla de polvos.N.B. e un sustrato calentado.
Portuguese: 3 Os reagentes gasosos utilizados no processo fora de caixa são obtidos recorrendo às mesmas reacções e parâmetros básicos utilizados no processo de cementação em caixa, com a diferença de que o substrato a revestir não está em contacto com a mistura de pós.N.B. ímico activados ou assistidos por plasma.
Lithuanian: 3 Dujiniai reagentai, naudojami ištisiniam (nepaketiniam) padengimui, yra gaunami naudojant tas pačias pagrindines reakcijas ir parametrus, kaip ir per paketinės cementacijos procesą, išskyrus tai, kad dengiamas padėklas nesiliečia su miltelių mišiniu.N.B. dicininių prietaisų arba liejimo formų, skirtų plastiko liejimui ar formavimui, pagamintų iš lydinių, kuriuose yra mažiau kaip 5 % berilio.
English: 1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.N.B. ch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
French: Par basse pression, on entend une pression inférieure à la pression atmosphérique ambiante.N.B. u torche à plasma) produisant et contrôlant un plasma reçoit des matériaux de revêtement sous forme de poudre ou de fil, les fait fondre et les projette sur un substrat où se forme ainsi un revêtement intégralement adhérent.
Spanish: Se entiende por baja presión la inferior a la presión atmosférica ambiente.N.B. a pistola soplete de pulverización que produce y controla un plasma recibe los materiales de revestimiento en forma de polvo o de alambre, los funde y los proyecta hacia un sustrato en el que se forma así un revestimiento aglutinado integralmente.
Portuguese: 1 Por baixa pressão, entende-se uma pressão inferior à pressão atmosférica ambiente.N.B. ico pulverizador), que produz e controla um plasma, contém os materiais que irão constituir o revestimento, sob a forma de pó ou de fio, procede à sua fusão e os projecta contra um substrato, onde se forma um revestimento totalmente aderente.
Lithuanian: 1 Žemas slėgis reiškia mažesnį kaip atmosferos slėgį.N.B.  kai plazmą formuojantis ir valdantis prožektorius priima miltelių ar vielos pavidalo dengiančiąsias medžiagas, jas išlydo ir stumia prie padėklo, ant kurio formuojama gerai surišta danga.
English: 2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.N.B.  powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
French: Par grande vitesse, on entend une vitesse du gaz à la sortie du chalumeau supérieure à 750 m/s, calculée à 293 K (20 °C) et à une pression de 0,1 MPa.N.B. t des matériaux de revêtement sous forme de poudre ou de fil, les fait fondre et les projette sur un substrat où se forme ainsi un revêtement intégralement adhérent.
Spanish: Se entiende por gran velocidad una velocidad del gas a la salida de la tobera de más de 750 m/s calculada a 293 K (20 °C) a 0,1 MPa.N.B.  un plasma recibe los materiales de revestimiento en forma de polvo o de alambre, los funde y los proyecta hacia un sustrato en el que se forma así un revestimiento aglutinado integralmente.
Portuguese: 2 Por alta velocidade, entende-se uma velocidade do gás à saída do canhão superior a 750 m/s, calculada a 293 K (20 °C) para uma pressão de 0,1 MPa.N.B. teriais que irão constituir o revestimento, sob a forma de pó ou de fio, procede à sua fusão e os projecta contra um substrato, onde se forma um revestimento totalmente aderente.
Lithuanian: 2 Didelis plazmos greitis reiškia, kad iš prožektoriaus tūtos išeinančių dujų greitis esant 293 K (20 °C) temperatūrai ir 0,1 MPa slėgiui yra didesnis kaip 750 m/s.N.B.  jas išlydo ir stumia prie padėklo, ant kurio formuojama gerai surišta danga.
English: An accelerator peak electron energy of 500 KeV or greater but less than 25 MeV; and b. With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
Spanish: Pico de energía de electrones, del acelerador, igual o superior a 500 keV pero inferior a 25 MeV; y
Estonian: võimaldavad tekitada magnetvälja tugevusega üle 2 tesla;
English: 1: The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion. N.B. 2: For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications). c. The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E. a. Designed or modified for "fault tolerance"; Note: For the purposes of 4A003.a., "digital computers" and related equipment are not considered to be designed or modified for "fault tolerance" if they utilise any of the following: 1. Error detection or correction algorithms in "main storage"; 2. The interconnection of two "digital computers" so that, if the active central processing unit fails, an idling but mirroring central processing unit can continue the system's functioning;
Spanish: La interconexión de dos "ordenadores digitales" de modo que, si falla la unidad central de proceso activa, una unidad central de proceso de reserva, imagen de la anterior, pueda mantener el funcionamiento del sistema;
English: Outline of "CTP" calculation method "CTP" is a measure of computational performance given in Mtops.
Spanish: El "CTP" es una medida de la velocidad de proceso expresada en millones de operaciones teóricas por segundo ("Mtops").
Estonian: Täitmisaeg t väljendatakse mikrosekundites, teoreetilist jõudlust TP ja ühendatud teoreetilist jõudlust (CTP) väljendatakse miljonites teoreetilistes operatsioonides sekundis (Mtops) ning sõnapikkust WL väljendatakse bittides.
English: where k i
French: k i
Spanish: Donde k i
Slovak: kde k i
Hungarian: ahol k i
Estonian: kus: k i
Latvian: kur k i
Lithuanian: kur k i
English: Airborne altimeters operating at frequencies other than 4,2 to 4,4 GHz inclusive, having any of the following characteristics: N.B.: SEE ALSO 7A106. a. "Power management"; or b. Using phase shift key modulation. 7A101
Spanish: Un recorrido aleatorio ("random walk") angular igual o inferior a (mejor que) 0,0035o / h 1/2; o
English: Accelerometers, other than those specified in 7A001, as follows, and specially designed components therefor: a. Linear accelerometers, designed for use in inertial navigation systems or in guidance systems of all types, usable in 'missiles', having all the following characteristics, and specially designed components therefor; 1. A "bias"'repeatability' of less (better) than 1250 micro g; and
Spanish: Nota: El subartículo 7A002.b. no somete a control los giroscopios por masa giratoria (los giroscopios por masa giratoria son giroscopios que utilizan una masa en rotación continua para medir el ángulo de giro).
English: A "scale factor"'repeatability' of less (better) than 1250 ppm; Note: 7A101.a. does not specify accelerometers which are specially designed and developed as MWD (Measurement While Drilling) Sensors for use in downhole well service operations. Technical Notes: 1. In 7A101.a. 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km; 2. In 7A101.a. the measurement of "bias" and "scale factor" refers to a one sigma standard deviation with respect to a fixed calibration over a period of one year; 3. In 7A101.a.
Spanish: Nota técnica:
English: Continuous output accelerometers specified to function at acceleration levels exceeding 100 g. 7A102
Spanish: Especificados para funcionar a niveles de aceleración lineal que superen los 100 g.
English: In 7A102 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km. 7A103 Instrumentation, navigation equipment and systems, other than those specified in 7A003, as follows; and specially designed components therefor:
Spanish: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 7A103.
English: Inertial or other equipment using accelerometers specified in 7A001 or 7A101 or gyros specified in 7A002 or 7A102 and systems incorporating such equipment; Note: 7A103.a. does not specify equipment containing accelerometers specified in 7A001 where such accelerometers are specially designed and developed as MWD (Measurement While Drilling) sensors for use in downhole well services operations. b. Integrated flight instrument systems, which include gyrostabilisers or automatic pilots, designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004, unmanned aerial vehicles specified in 9A012 or sounding rockets specified in 9A104; c. 'Integrated navigation systems', designed or modified 'missiles' and capable of providing a navigational accuracy of 200 m Circle of Equal Probability (CEP) or less. Technical Notes:
Spanish: Sistemas de navegación inercial (INS) (de cardan o sujetos) y equipos inerciales diseñados para "aeronaves", vehículos terrenos, buques (de superficie y subacuáticos) o "vehículos espaciales", para actitud, guiado o control, que tengan cualquiera de las características siguientes, y los componentes diseñados especialmente para ellos:
English: An 'integrated navigation system' typically incorporates the following components: a. An inertial measurement device (e.g., an attitude and heading reference system, inertial reference unit, or inertial navigation system); b. One or more external sensors used to update the position and/or velocity, either periodically or continuously throughout the flight (e.g., satellite navigation receiver, radar altimeter, and/or Doppler radar); and c. Integration hardware and software;
Spanish: Error de navegación (libre inercial), después de una alineación normal, de 0,8 millas náuticas por hora 'Círculo de igual probabilidad' (CEP) o inferior (mejor); o
English: In 7A103.c. 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km. 7A104 Gyro-astro compasses and other devices, other than those specified in 7A004, which derive position or orientation by means of automatically tracking celestial bodies or satellites and specially designed components therefor. 7A105 Receiving equipment for Global Navigation Satellite Systems (GNSS; e.g. GPS, GLONASS, or Galileo), having any of the following characteristics, and specially designed components therefor: a. Designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004, unmanned aerial vehicles specified in 9A012 or sounding rockets specified in 9A104; or
Spanish: Especificados para funcionar a niveles de aceleración lineal que superen los 10 g;
English: Employing decryption, designed or modified for military or governmental services, to gain access to GNSS secured signal/data; or 3. Being specially designed to employ anti-jam features (e.g. null steering antenna or electronically steerable antenna) to function in an environment of active or passive countermeasures.
Spanish: Diseñados para tener un nivel de impacto no operativo igual o superior a 900 g con una duración igual o superior a 1 ms.
English: Passive sensors for determining bearing to specific electromagnetic source (direction finding equipment) or terrain characteristics, designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104. Note: 7A115 includes sensors for the following equipment: a. Terrain contour mapping equipment; b.
Spanish: una densidad espectral de potencia ("PSD") de un valor constante de 0,04 g2/Hz en un intervalo de frecuencia de 15 a 1000 Hz; y
English: 7A116 Flight control systems and servo valves, as follows; designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
Spanish: la densidad espectral de potencia se atenúa con la frecuencia entre 0,04 g2/Hz a 0,01 g2/Hz en un intervalo de frecuencia de 1000 a 2000 Hz; 2.