English: The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
French: Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de la République de Corée.
German: Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.
Spanish: El producto considerado y el producto similar son los mismos que en la investigación inicial, a saber, determinados microcircuitos electrónicos conocidos como DRAM (memorias dinámicas de acceso aleatorio) de todos los tipos, densidades y variedades, ensamblados o no, tanto en forma de disco como de pastilla, fabricados utilizando variaciones de la tecnología del proceso para crear semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, MOS), incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS), de todas las densidades (incluidas densidades que todavía no existen) independientemente de su velocidad de acceso, configuración, embalaje o soporte, etc., originarios de la República de Corea.
Italian: Il prodotto oggetto dell’inchiesta e il prodotto simile sono gli stessi dell’inchiesta iniziale, ovvero alcuni microcircuiti elettronici noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), di ogni tipo, densità e variante, assemblati, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configurazione, dalla confezione o dal supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea.
Portuguese: O produto em causa e o produto similar são idênticos ao produto objecto do inquérito inicial, ou seja, certos microcircuitos electrónicos conhecidos por memórias dinâmicas de acesso aleatório (DRAM) de todos os tipos, densidades e variações, sejam ou não conjuntos DRAM, sob forma de discos (wafers) ou pastilhas (chips), fabricados através da utilização de variantes da transformação de semicondutores de óxidos metálicos (MOS), incluindo tipos de MOS complementares (CMOS), de todas as densidades (incluindo densidades futuras), independentemente da velocidade de acesso, configuração, montagem ou cápsula, etc., originários da República da Coreia.
Dutch: De herbeoordeling heeft betrekking op hetzelfde product als het oorspronkelijke onderzoek, namelijk micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories), van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea.
Danish: Den pågældende vare og samme vare er den samme som i den oprindelige undersøgelse, dvs. visse elektroniske mikrokredsløb, såkaldte DRAMs (dynamic random access memories), af samtlige typer, tætheder og varianter, både samlet og i plade- og terningeform, fremstillet ved hjælp af forskellige former for MOS-teknologi (metal oxide semiconductor), herunder supplerende MOS-typer (CMOS), af samtlige tætheder (herunder fremtidige tætheder), uanset hvilken adgangshastighed, konfiguration, pakning eller ramme der er tale om, med oprindelse i Republikken Korea.
Swedish: Den produkt som är föremål för undersökning och den likadana produkten är desamma som omfattades av den ursprungliga undersökningen, dvs. vissa elektroniska mikrokretsar av dram-typ av alla typer, tätheter och variationer, antingen i form av bearbetade kiselskivor eller i form av kiselbrickor, tillverkade med hjälp av olika varianter av metalloxidhalvledarteknik (MOS) inbegripet komplementära MOS-typer (CMOS), av alla tätheter (inklusive framtida tätheter), oavsett åtkomsttid, konfiguration, ramar eller kapsling m.m., med ursprung i Sydkorea.
Finnish: Tarkasteltavana oleva tuote ja samankaltainen tuote on tässä tutkimuksessa sama kuin alkuperäisessä tutkimuksessa eli tietyt Korean tasavallasta peräisin olevat elektroniset mikropiirit, niin kutsutut dynaamiset hakumuistit eli DRAMit (Dynamic Random Access Memories), kaikkina tyyppeinä, tiheyksinä ja muunnelmina, myös koottuina, jalostettuina puolijohdekiekkoina tai -siruina ja valmistettuina käyttäen metallioksidipuolijohdeteknologian (MOS-teknologian) muunnelmia, mukaan lukien komplementaariset MOS-tyypit (CMOS), kaikkina tiheyksinä (mukaan lukien tulevat tiheydet) ja riippumatta hakunopeudesta, konfiguroinnista, pakkauksesta, kehyksestä tai muista vastaavista seikoista.
Greek: Το υπό εξέταση προϊόν και το ομοειδές προϊόν είναι τα ίδια με τα αντίστοιχα προϊόντα της αρχικής έρευνας, δηλαδή ορισμένα ηλεκτρονικά μικροκυκλώματα γνωστά ως δυναμικές μνήμες τυχαίας προσπέλασης (εφεξής «DRAM»), όλων των τύπων, πυκνοτήτων (συμπεριλαμβανομένων των μελλοντικών πυκνοτήτων) και παραλλαγών, έστω και συναρμολογημένων, σε επεξεργασμένα πλακίδια ή μήτρες (dies), που κατασκευάζονται βάσει παραλλαγών της τεχνολογίας παραγωγής μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού (MOS), συμπεριλαμβανομένων των συμπληρωματικών τύπων MOS (CMOS), ανεξάρτητα από την ταχύτητα προσπέλασης, τη διάρθρωση, το πλαίσιο ή το περίβλημα κ.λπ., καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας.
Czech: Výrobkem, kterého se toto šetření týká, je týž výrobek jako v původním šetření, tj. některé elektronické mikroobvody nazývané dynamické paměti s libovolným přístupem („DRAM“) všech typů, hustot záznamu a variant, též montovaných, ve formě waferů nebo čipů, vyrobených pomocí variant technologie kovových oxidových polovodičů („MOS“), včetně technologie CMOS, všech hustot záznamů (i budoucích), bez ohledu na přístupovou dobu, konfiguraci, obal nebo rám atd., pocházející z Korejské republiky.
Slovak: Posudzovaný výrobok a podobný výrobok sú tie isté ako výrobky, na ktoré sa vzťahuje pôvodné prešetrovanie, t. j. niektoré mikroelektronické obvody známe ako dynamické pamäte s priamym prístupom („DRAM“) všetkých typov, hustôt a druhov bez ohľadu na to, či sú zmontované vo forme spracovaných doštičiek alebo čipov (foriem) vyrobených s pomocou rôznych druhov technológie vytvárania polovodičovej štruktúry na základe oxidov kovov (ďalej len „MOS“), vrátane doplnkových MOS (ďalej len CMOS), všetkých hustôt (vrátane budúcich hustôt), bez ohľadu na rýchlosť prístupu, konfiguráciu, balenie alebo rám atď., s pôvodom v Kórejskej republike.
Polish: Produkt objęty postępowaniem i produkt podobny to te same produkty, które objęte były dochodzeniem pierwotnym, tj. niektóre mikroukłady elektroniczne znane jako pamięci DRAM (pamięci dynamiczne o dostępie bezpośrednim) wszystkich typów, gęstości i odmian, także zmontowane, w postaci przetworzonych płytek półprzewodnikowych lub układów chipowych (kostek), wykonane z zastosowaniem odmian technologii wytwarzania półprzewodników opartych na tlenkach metali („MOS”), w tym komplementarnych typów MOS (CMOS), o wszystkich gęstościach (wraz z jeszcze nieistniejącymi), niezależnie od szybkości dostępu, konfiguracji, obudowy lub obramowania itp., pochodzące z Republiki Korei.
Slovenian: Obravnavani izdelek in podobni izdelek sta enaka izdelkom iz prvotne preiskave, tj. nekaterim elektronskim mikrovezjem, znanim kot DRAM (dinamični bralno-pisalni pomnilnik), vseh vrst, gostot in različic, sestavljenih na predelanih ploščicah ali čipih (matricah), proizvedenih z uporabo različic procesne tehnologije kovinskooksidnih polprevodnikov („MOS“), vključno z dopolnilnimi vrstami MOS (CMOS), vseh gostot (vključno s prihodnjimi gostotami), ne glede na hitrost dostopa, konfiguracijo, paket ali okvir itd., s poreklom iz Republike Koreje.
Estonian: Vaatlusalune toode ja samaväärne toode on samad, mida käsitles esialgne uurimine, see tähendab Korea Vabariigist pärit dünaamiliste muutmäludena (DRAM) tuntud teatavate elektrooniliste mikrolülituste kõik tüübid, tihedused ja variandid, olgu need komplekssed, töödeldud integraallülituste toorikkristallidesse või pooljuhtkristallidesse või kiipidesse, mis on toodetud erinevaid metalloksiidpooljuhtide (MOS) tootmistehnoloogiaid kasutades, kaasa arvatud komplementaarse metalloksiidränistruktuuri (CMOS) tüüpi, igasuguse tihedusega (kaasa arvatud tihedus tulevikus), sõltumata pöörduskiirusest, konfiguratsioonist, kiibikestast või paneelist jne. Vaatlusalune toode hõlmab ka dünaamilisi muutmälusid (DRAM), mis esinevad (kohandamata) mälumooduleis ning (kohandamata) mäluplaatidel või mõne muu agregaatvormi kujul, tingimusel et selle peamine eesmärk on kanda mälu.
Lithuanian: Nagrinėjamas ir panašus produktas yra tas pats kaip ir pradinio tyrimo metu tirtas produktas, t. y. tam tikri Korėjos Respublikos kilmės visų tipų, tankių ir variantų, surinktų arba ne, perdirbtuose lustuose arba plokštelėse, gaminamų naudojant metalų oksidų puslaidininkių (toliau – MOP) proceso technologijos variantus, įskaitant papildomus MOP tipus (PMOP), visų tankių (įskaitant būsimus tankius), nepaisant prieigos greičio, konfigūracijos, pakuotės ar rėmo ir t. t., elektroniniai mikrograndynai, vadinami DRAM (dinaminės laisvosios kreipties atmintinės).